(57)【要約】【課題】  強誘電性液晶表示素子の注入口近傍で強誘電性液晶の層構造の欠陥が発生するのを防止する。【解決手段】  少なくとも、配向制御膜が形成された一対の基板と、該一対の基板の周辺部を一部に強誘電性液晶を注入するための注入口を設けて接着するシール部材と、前記注入口より注入される強誘電性液晶と、前記注入口を封止する封口材とで構成される強誘電性液晶表示素子であって、双安定の強誘電性液晶の液晶層が、前記基板平面のＸＹ軸と傾いている強誘電性液晶表示素子において、前記注入口の突出部の１辺が前記液晶層の層方向に略平行である強誘電性液晶表示素子とする。【選択図】    図１
2007101657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、配向制御膜が形成された一対の基板と、該一対の基板の周辺部を一部に強誘電性液晶を注入するための注入口を設けて接着するシール部材と、前記注入口より注入される強誘電性液晶と、前記注入口を封止する封口材とで構成される強誘電性液晶表示素子であって、双安定の強誘電性液晶の液晶層が、前記基板平面のＸＹ軸と傾いている強誘電性液晶表示素子において、前記注入口の突出部の１辺が前記液晶層の層方向に略平行であることを特徴とする強誘電性液晶表示素子。
【請求項２】
少なくとも、配向制御膜が形成された一対の基板と、該一対の基板の周辺部を一部に強誘電性液晶を注入するための注入口を設けて接着するシール部材と、前記注入口より注入される強誘電性液晶と、前記注入口を封止する封口材とで構成される強誘電性液晶表示素子であって、双安定の強誘電性液晶の液晶層が、前記基板平面のＸＹ軸と傾いている強誘電性液晶表示素子において、前記注入口の突出部の１辺が前記液晶層の層方向に略平行していて、かつもう１辺が前記液晶層の層方向に略直交していることを特徴とする強誘電性液晶表示素子。
【請求項３】
双安定の強誘電液晶における一方の安定状態で液晶分子の長手方向が
基板平面のＸＹ軸の一方に一致するように強誘電液晶の液晶層が配列するように配向膜を形成することを特徴とする請求項１または２記載の強誘電性液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電性液晶表示素子に関する
【背景技術】
【０００２】
従来、強誘電性液晶表示装置において、一対の基板の周辺部同士をシール材でシールし、このシール材に設けた注入口から基板間に強誘電性液晶を注入した後、この注入口に封止剤を塗布して封止した構成が知られている。図３は従来技術による強誘電性液晶表示装置の注入口近傍の拡大図である。表示画素３の辺に対して図示のようにＸ軸、Ｙ軸を設置したとき、周辺のシール材２はＸ軸、Ｙ軸に平行に形成され、注入口１はＸ軸方向またはＹ軸方向（図ではＹ軸方向）に形成するのが一般的である。
【０００３】
上記従来の構成において、双安定の強誘電性液晶を表示装置として用いる場合、光学上、少なくとも片方の安定状態時に、液晶分子の長手方向が、基板平面のＸ軸またはＹ軸と平行になるように、配向制御をするのが一般的であるが、この場合、配向膜の配向制御方向は、基板平面のＸＹ軸と傾いた方向にする必要があるものが多い。強誘電性液晶は、配向制御膜が形成された狭い基板間において、層構造を有する。強誘電性液晶分子の長手方向が、基板平面のＸ軸またはＹ軸と平行になるように配向制御をすると、液晶層方向は基板平面のＸＹ軸とは傾いた方向になる。層構造を有する強誘電性液晶表示素子の場合、わずかなストレスによって、特有の層構造欠陥が発生し、表示不良の原因となる問題を有しているが、前記の構造の場合、特に注入口付近に前記層構造欠陥が発生しやすい。
【０００４】
上記問題を解決する技術として、一対の基板間に強誘電性液晶を挟持してなる強誘電性液晶表示装置において、前記強誘電性液晶表示装置内へ強誘電性液晶を注入するために設けた注入口と、注入された強誘電性液晶が有する層の交点から延びた層が表示見切り内領域に交わらないよう強誘電性液晶を配向させる技術が開示されている。（例えば、特許文献１）
【特許文献１】特開平５−１８８３７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１で開示された技術は、層構造の欠陥が発生するのを防止する技術ではないため、層構造欠陥が広がると表示見切り内に層構造欠陥が入り込んでしまう。また、強誘電性液晶表示装置内へ強誘電性液晶を注入するために設けた注入口と、注入された強誘電性液晶が有する層の交点から延びた層が表示見切り内領域に交わらないようにするため、見切り外に不要な部分が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の強誘電性液晶表示素子は、前記の課題を解決するために、少なくとも、配向制御膜が形成された一対の基板と、該一対の基板の周辺部を一部に強誘電性液晶を注入するための注入口を設けて接着するシール部材と、前記注入口より注入される強誘電性液晶と、前記注入口を封止する封口材とで構成される強誘電性液晶表示素子であって、双安定の強誘電性液晶の液晶層が、前記基板平面のＸＹ軸と傾いている強誘電性液晶表示素子において、前記注入口の突出部の１辺が前記液晶層の層方向に略平行である強誘電性液晶表示素子とする。
【０００７】
少なくとも、配向制御膜が形成された一対の基板と、該一対の基板の周辺部を一部に強誘電性液晶を注入するための注入口を設けて接着するシール部材と、前記注入口より注入される強誘電性液晶と、前記注入口を封止する封口材とで構成される強誘電性液晶表示素子であって、双安定の強誘電性液晶の液晶層が、前記基板平面のＸＹ軸と傾いている強誘電性強誘電性液晶表示素子において、前記注入口の突出部の１辺が前記液晶層の層方向に略平行していて、かつもう１辺が前記液晶層の層方向に略直交している強誘電性液晶表示素子とする。
【０００８】
双安定の強誘電性液晶における一方の安定状態で液晶分子の長手方向が基板平面のＸＹ軸の一方に一致するように強誘電性液晶の液晶層が配列するように配向膜を形成する強誘電性液晶表示素子とする。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１の発明によると注入口付近で層構造欠陥が発生するのを抑制できる。請求項２の発明によるとさらに層構造欠陥が発生するのを抑制できる。請求項３の発明によると偏光板の延伸軸と基板平面のＸ軸またはＹ軸とが平行になるような一般的な偏光板の光学構成が使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施形態の特徴は、双安定の強誘電性液晶における一方の安定状態で液晶分子の長手方向が基板平面のＸＹ軸の一方に一致するように強誘電性液晶の液晶層が配列するように配向膜が処理されていて、前記注入口の突出部の１辺が前記液晶層の層方向に平行であり、かつもう１辺が前記液晶層の層方向に直交するように形成されている点にある。
【実施例】
【００１１】
図１は本発明による強誘電性液晶表示素子の注入口近傍の拡大図であり、さらに強誘電製液晶層構造を模式的に示す。図２は強誘電性液晶表示素子の断面図である。図２を用いて、本発明に係わる強誘電性液晶表示素子の説明をする。ここでは、ベース基板１３に反射画素電極８をもつ、反射型強誘電性液晶表示素子を例示するが、もちろんガラス等をベース基板とする透過型強誘電性液晶表示素子にも適用可能である。
【００１２】
この反射型強誘電性液晶表示素子は、液晶層１２を間に挟んで一方にベース基板１３が、他方には対向基板１４が設けられている。
【００１３】
前記のベース基板１３は、アクティブ素子を有する回路基板７上に、アルミニウム等を主成分とする膜厚数千Åの反射画素電極８が形成されており、その上に配向膜９が形成されている。対向基板１４は、絶縁基板１１としてガラス基板を用い、その上に透明電極１０が全面に形成され、その上に配向膜９が成膜されている。
【００１４】
前記、配向膜９、９の成膜について、ポリイミド等の有機膜をスピンコート等の方法で、成膜する。強誘電性液晶１２を用いてフィールドシーケンシャルを採用する場合、強誘電性液晶１２の高速応答性をより有効にし（電圧降下を小さくし）、可視光の透過率をなるべく下げないためには、配向膜９の膜厚は、小さいほうが好ましいが、膜厚が小さすぎると、逆に強誘電性液晶１２の配向性が損なわれる。これらを考慮し、２００Å程度の膜厚とする。
【００１５】
その後、強誘電性液晶分子を配向させるために配向膜９、９に対して綿布などで擦るラビング処理を行い、さらに、ベース基板１３と対向基板１４とを、配向膜９が形成されている側の面同士を対向させて、スペーサボールを混入した、図１のような注入口形状が形成されているシール材２を介して貼り合わせる。液晶分子の双安定状態を作り出し、且つ、強誘電性液晶１２の高速応答性をより有効に（実行電圧を大きく）するため、スペーサボールの直径を１．０μｍ以下にする。
【００１６】
その後、注入口より、基板１３、１４間に形成された空間部に真空注入により強誘電性液晶１２を注入し、注入口を封止する。これにて、図２に示した反射型強誘電性液晶表示素子が完成する。
【００１７】
前記シール材２の注入口１部分の形状について、たとえば、図１に示すようにコーン角が４０°チルト角が±２０°であって、液晶層６が配向制御方向５と直交する方向に形成されるような、双安定の強誘電性液晶１２を、片方の安定状態時に前記双安定強誘電性液晶１２の液晶分子の長手方向が、基板のＸ軸と平行になるように制御する場合、配向制御方向５は、前記基板のＸ軸から２０°傾けた方向になる。このとき、注入口１の形状を、１辺は基板のＸ軸から７０°傾け、もう１辺は基板のＸ軸から２０°傾ける。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明による強誘電性液晶表示素子の注入口近傍の拡大図であり、さらに強誘電製液晶層構造を模式的に示す。
【図２】強誘電性液晶表示素子の断面図
【図３】従来技術による強誘電性液晶表示装置の注入口近傍の拡大図
【符号の説明】
【００１９】
１    注入口
２    シール材
３    表示画素
４    強誘電性液晶分子のコーン
５    配向制御方向
６    液晶層方向
７    回路基板
８    反射画素電極
９    配向膜
１０    透明電極
１１    絶縁性基板
１２    液晶層
１３    ベース基板
１４    対向基板
【図１】
2007101657.tif 000003
【図２】
2007101657.tif 000004
【図３】
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