(57)【要約】【課題】簡単かつ高精度に実装でき、光モジュールの電気クロストークの影響を小さくする光モジュール用シールド部品を提供する。【解決手段】発光素子１４と受光素子１５を備えた光モジュール用のシールド部品１において、発光素子１４と受光素子１５の間に配設され、発光素子１４と受光素子間１５を仕切る仕切壁２と、電子部品などの部品を実装する実装装置で把持するための把持部３とからなるものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と受光素子を備えた光モジュール用のシールド部品において、上記発光素子と上記受光素子の間に配設され、上記発光素子と上記受光素子間を仕切る仕切壁と、電子部品などの部品を実装する実装装置で把持するための把持部とからなることを特徴とする光モジュール用シールド部品。
【請求項２】
発光素子と受光素子を備えた光モジュール用のシールド部品において、上記発光素子の周囲に配設され、上記発光素子の周囲を覆う仕切壁と、電子部品などの部品を実装する実装装置で把持するための把持部とからなることを特徴とする光モジュール用シールド部品。
【請求項３】
上記把持部の上縁を、上記実装装置のチャックの内周面に合わせて面取りした請求項１または２記載の光モジュール用シールド部品。
【請求項４】
上記把持部の上面または下面に電気的接続部を形成し、その電気的接続部と上記パッケージのＧＮＤパッドを電気的に接続した請求項１〜３いずれかに記載の光モジュール用シールド部品。
【請求項５】
上記シールド部品を導電性フィラー入り樹脂、Ａｌ、Ｚｎで成型した請求項１〜４いずれかに記載の光モジュール用シールド部品。
【請求項６】
上記シールド部品をダイカストあるいは金属粉末射出成形法で成型した請求項１〜５いずれかに記載の光モジュール用シールド部品。
【請求項７】
絶縁体ブロックで上記把持部を形成すると共に、その把持部の上面および下面に電極を形成し、導電性フィラー入り樹脂、Ａｌ、Ｚｎで上記仕切壁を成型し、その仕切壁と上記把持部を一体化した請求項１〜４いずれかに記載の光モジュール用シールド部品。
【請求項８】
上記把持部の上面に絶縁膜を形成すると共に、その絶縁膜上に、対向する対向電極を形成した請求項１〜６いずれかに記載の光モジュール用シールド部品。
【請求項９】
絶縁体ブロックで上記把持部を形成すると共に、その把持部上に、対向する対向電極を形成し、導電性フィラー入り樹脂、Ａｌ、Ｚｎで上記仕切壁を成型し、その仕切壁と上記把持部を一体化した請求項１〜４いずれかに記載の光モジュール用シールド部品。
【請求項１０】
上部が開口したパッケージに回路パターンが形成され、発光素子と受光素子が搭載され、これら発光素子および受光素子と上記回路パターンとを電気的に接続すると共に、上記パッケージの上部を光透過部材で覆い、その光透過部材を通して光信号を入出力するための光モジュールにおいて、上記発光素子と上記受光素子の間に、請求項１、３〜９いずれかに記載の光モジュール用シールド部品を配設したことを特徴とする光モジュール。
【請求項１１】
上部が開口したパッケージに回路パターンが形成され、発光素子と受光素子が搭載され、これら発光素子および受光素子と上記回路パターンとを電気的に接続すると共に、上記パッケージの上部を光透過部材で覆い、その光透過部材を通して光信号を入出力するための光モジュールにおいて、上記発光素子の周囲に、請求項２〜９いずれかに記載の光モジュール用シールド部品を配設したことを特徴とする光モジュール。
【請求項１２】
上部が開口したパッケージに回路パターンが形成され、発光素子と受光素子が搭載され、これら発光素子および受光素子と上記回路パターンとを電気的に接続すると共に、上記パッケージの上部を光透過部材で覆い、その光透過部材を通して光信号を入出力するための光モジュールの製造方法において、上記発光素子と上記受光素子を搭載した後、上記発光素子と上記受光素子の間に、電子部品などの部品を実装する実装装置でシールド部品を吸着して搭載することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項１３】
上部が開口したパッケージに回路パターンが形成され、発光素子と受光素子が搭載され、これら発光素子および受光素子と上記回路パターンとを電気的に接続すると共に、上記パッケージの上部を光透過部材で覆い、その光透過部材を通して光信号を入出力するための光モジュールの製造方法において、上記発光素子と上記受光素子を搭載した後、上記発光素子の周囲を覆うように、電子部品などの部品を実装する実装装置でシールド部品を吸着して搭載することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光インターコネクションに用いられる光モジュール用シールド部品及び光モジュール並びにその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、システム装置内および装置間の信号を高速に伝送する技術である光インターコネクションが広がっている。すなわち、光インターコネクションとは、光部品をあたかも電気部品のように扱って、パソコン、車両、光トランシーバなどの機器のマザーボードや回路基板に表面実装する技術をいう。
【０００３】
光インターコネクションに用いられる従来の光モジュールは、上部が開口したセラミックパッケージに回路パターンが形成され、複数個のＬＤ（半導体レーザ）とＰＤ（フォトダイオード）が搭載されている。
【０００４】
ここで、複数個のＬＤとしては、ＬＤを狭ピッチ（例えば、２５０μｍ）でアレイ状に４個並べた面発光レーザアレイ（ＶＣＳＥＬアレイ）を用い、複数個のＰＤとしては、ＰＤを狭ピッチ（例えば、２５０μｍ）でアレイ状に４個並べたＰＤアレイを用いている。
【０００５】
ＶＣＳＥＬアレイとＰＤアレイは、光モジュールに光結合されるＭＴ光コネクタのピッチに合わせ、近接して配置されることが多い。従来の光モジュールは、ＶＣＳＥＬアレイとＰＤアレイを搭載した後、各ＬＤおよび各ＰＤと回路パターンとをワイヤボンディング接続し、セラミックパッケージの上部をガラス窓付きの蓋で覆って気密封止している。
【０００６】
従来の光モジュールでは、ＬＤからの光信号はガラス窓を通して出力され、レンズで集光されて外部へ伝送される。また、レンズで集光され、ガラス窓を通して入力された光信号は、ＰＤで受光される。
【０００７】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−２２３０２３号公報（特許第３７２２２７９号公報）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の光モジュールは、送信用となるＶＣＳＥＬアレイと受信用となるＰＤアレイが近くにあるため、送信側から発生した電磁波が受信側に悪い影響を及ぼしてしまうという問題がある。
【００１０】
具体的には、受信側の信号が劣化してしまう。これは、各ＬＤに流れる交流電流が最大で１ｃｈあたり１０ｍＡであるのに対し、各ＰＤに流れる交流電流が最小で１ｃｈあたり１０μＡ程度と極めて小さいからである。つまり、受信側はノイズを拾いやすい。
【００１１】
これを防止するため、送信と受信間を壁で仕切りたいが、ＶＣＳＥＬアレイとＰＤアレイの間隔は、ＭＴ光コネクタに接続されたファイバアレイのピッチで決まるため、約０．５ｍｍしかなく、難しい。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、簡単かつ高精度に実装でき、光モジュールの電気クロストークの影響を小さくする光モジュール用シールド部品及び光モジュール並びにその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、発光素子と受光素子を備えた光モジュール用のシールド部品において、上記発光素子と上記受光素子の間に配設され、上記発光素子と上記受光素子間を仕切る仕切壁と、電子部品などの部品を実装する実装装置で把持するための把持部とからなる光モジュール用シールド部品である。
【００１４】
請求項２の発明は、発光素子と受光素子を備えた光モジュール用のシールド部品において、上記発光素子の周囲に配設され、上記発光素子の周囲を覆う仕切壁と、電子部品などの部品を実装する実装装置で把持するための把持部とからなる光モジュール用シールド部品である。
【００１５】
請求項３の発明は、上記把持部の上縁を、上記実装装置のチャックの内周面に合わせて面取りした請求項１または２記載の光モジュール用シールド部品である。
【００１６】
請求項４の発明は、上記把持部の上面または下面に電気的接続部を形成し、その電気的接続部と上記パッケージのＧＮＤパッドを電気的に接続した請求項１〜３いずれかに記載の光モジュール用シールド部品である。
【００１７】
請求項５の発明は、上記シールド部品を導電性フィラー入り樹脂、Ａｌ、Ｚｎで成型した請求項１〜４いずれかに記載の光モジュール用シールド部品である。
【００１８】
請求項６の発明は、上記シールド部品をダイカストあるいは金属粉末射出成形法で成型した請求項１〜５いずれかに記載の光モジュール用シールド部品である。
【００１９】
請求項７の発明は、絶縁体ブロックで上記把持部を形成すると共に、その把持部の上面および下面に電極を形成し、導電性フィラー入り樹脂、Ａｌ、Ｚｎで上記仕切壁を成型し、その仕切壁と上記把持部を一体化した請求項１〜４いずれかに記載の光モジュール用シールド部品である。
【００２０】
請求項８の発明は、上記把持部の上面に絶縁膜を形成すると共に、その絶縁膜上に、対向する対向電極を形成した請求項１〜６いずれかに記載の光モジュール用シールド部品である。
【００２１】
請求項９の発明は、絶縁体ブロックで上記把持部を形成すると共に、その把持部上に、対向する対向電極を形成し、導電性フィラー入り樹脂、Ａｌ、Ｚｎで上記仕切壁を成型し、その仕切壁と上記把持部を一体化した請求項１〜４いずれかに記載の光モジュール用シールド部品である。
【００２２】
請求項１０の発明は、上部が開口したパッケージに回路パターンが形成され、発光素子と受光素子が搭載され、これら発光素子および受光素子と上記回路パターンとを電気的に接続すると共に、上記パッケージの上部を光透過部材で覆い、その光透過部材を通して光信号を入出力するための光モジュールにおいて、上記発光素子と上記受光素子の間に、請求項１、３〜９いずれかに記載の光モジュール用シールド部品を配設した光モジュールである。
【００２３】
請求項１１の発明は、上部が開口したパッケージに回路パターンが形成され、発光素子と受光素子が搭載され、これら発光素子および受光素子と上記回路パターンとを電気的に接続すると共に、上記パッケージの上部を光透過部材で覆い、その光透過部材を通して光信号を入出力するための光モジュールにおいて、上記発光素子の周囲に、請求項２〜９いずれかに記載の光モジュール用シールド部品を配設した光モジュールである。
【００２４】
請求項１２の発明は、上部が開口したパッケージに回路パターンが形成され、発光素子と受光素子が搭載され、これら発光素子および受光素子と上記回路パターンとを電気的に接続すると共に、上記パッケージの上部を光透過部材で覆い、その光透過部材を通して光信号を入出力するための光モジュールの製造方法において、上記発光素子と上記受光素子を搭載した後、上記発光素子と上記受光素子の間に、電子部品などの部品を実装する実装装置でシールド部品を吸着して搭載する光モジュールの製造方法である。
【００２５】
請求項１３の発明は、上部が開口したパッケージに回路パターンが形成され、発光素子と受光素子が搭載され、これら発光素子および受光素子と上記回路パターンとを電気的に接続すると共に、上記パッケージの上部を光透過部材で覆い、その光透過部材を通して光信号を入出力するための光モジュールの製造方法において、上記発光素子と上記受光素子を搭載した後、上記発光素子の周囲を覆うように、電子部品などの部品を実装する実装装置でシールド部品を吸着して搭載する光モジュールの製造方法である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、シールド部品を用いることで、光モジュールに簡単かつ高精度に低コストで実装でき、しかも光モジュール１の電気クロストークの影響を小さくできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面にしたがって説明する。
【００２８】
図１は、本発明の好適な第１の実施形態である光モジュール用シールド部品と、それを用いた光モジュールの内部構成を示す斜視図である。図２は第１の実施形態に係る光モジュールの外観図である。
【００２９】
図１および図２に示すように、第１の実施形態に係る光モジュール１０は、パソコン、車両、光トランシーバなどの機器のマザーボードや回路基板に表面実装するものであり、面積が１ｃｍ×１ｃｍ程度の大きさを有する。
【００３０】
この光モジュール１０は、上部が開口したキャビティ（空洞、凹み、部屋）を有し、縦断面が凹状のセラミックパッケージ１１と、そのセラミックパッケージ１１の上部を覆う光透過部材を備えたフタ（キャップ）１２とで主に構成される。
【００３１】
パッケージとしてセラミックパッケージ１１を用いたのは、後述するようにパッケージ内を気密封止した際、気密封止のレベルを、Ｈｅリーク試験において１０-9Ｐａ・ｍ3 ／ｓ［Ｈｅ］以下に保つ必要があるからである。
【００３２】
セラミックパッケージ１１の内底面および内部には、回路パターンが形成される。回路パターンの一部は、セラミックパッケージ１１の内底面と外底面を結んで形成される。この回路パターンは、各電気部品間、電気部品と光部品間をつなぐ配線、各電気部品や各光部品を搭載するためのパッド、ＧＮＤパッドなどで構成される。
【００３３】
セラミックパッケージ１１の外底面には、機器のマザーボードや回路基板に光モジュール１０を実装するための半田ボールが複数個格子状に並べて取り付けられる。つまり、セラミックパッケージ１１はＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）はんだを構成する。セラミックパッケージ１１の上縁面には、回路パターンと導通し、フタ１２の受け皿となる接合枠１３がＡｕ／Ｎｉなどの金属で形成される。
【００３４】
セラミックパッケージ１１の内底面には、発光素子として、ＬＤを狭ピッチ（例えば、２５０μｍ）でアレイ状に４個並べた面発光レーザアレイ（ＶＣＳＥＬアレイ）１４と、受光素子として、フォトダイオード（ＰＤ）を狭ピッチ（例えば、２５０μｍ）でアレイ状に４個並べたＰＤアレイ１５と、ＰＤアレイ１５から出力された電気信号を増幅するプリアンプ１６と、抵抗やコンデンサなどの電気部品とが搭載される。
【００３５】
この光モジュール１０では、ＶＣＳＥＬアレイ１４の各ＬＤを駆動するドライバを搭載しておらず、ドライバは機器のマザーボードや回路基板に搭載される。もちろん、セラミックパッケージ１１の回路パターンにドライバを搭載してもよい。
【００３６】
ＶＣＳＥＬアレイ１４とＰＤアレイ１５は、光モジュールに光結合されるＭＴ光コネクタの８心のファイバアレイのピッチに合わせ、近接して配置される。本実施形態では、ＶＣＳＥＬアレイ１４とＰＤアレイ１５の間隔を約０．５ｍｍにした。
【００３７】
フタ１２は、接合枠１３に対応してＣｕなどの金属で枠状に形成される。フタ１２の中央部には開口部１７が形成され、その開口部１７に光透過部材としてガラス窓１８が低融点ガラスなどのシール材で取り付けられる。
【００３８】
さて、第１の実施形態に係る光モジュール用シールド部品（電磁波遮蔽板）１は、ＶＣＳＥＬアレイ１４とＰＤアレイ１５の間に配設され、発光素子１４と受光素子１５間を仕切る仕切壁２と、電子部品などの部品を実装するダイボンダあるいはチップマウンタなどの実装装置のコレットチャック（後述する図５参照）で吸着して把持するための直方体状に形成された把持部（チャック部）３とからなるものである。
【００３９】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、シールド部品１の仕切壁２は、ＶＣＳＥＬアレイ１４とＰＤアレイ１５間に挿入される挿入部２ａが、その反対側の連結部２ｂより１段高く形成される。シールド部品１の把持部３は、仕切壁２の連結部２ｂの側面に連結されて仕切壁２と一体形成される。仕切壁３の幅は、ＶＣＳＥＬアレイ１４とＰＤアレイ１５の間隔よりも若干狭く、例えば０．２〜０．３ｍｍである。
【００４０】
シールド部品１の把持部３は、その上縁がコレットチャックの内周面（通常は逆漏斗状）に合わせて面取り加工される。把持部３の大きさは、ＶＣＳＥＬアレイ１４やＰＤアレイ１５の大きさの半分程度、例えば０．５ｍｍ×０．５ｍｍである。
【００４１】
把持部３の上面には、第１の電気的接続部としてメタルボンディングパッド４が形成される。ボンディングパッド４は、ワイヤボンディング等でセラミックパッケージ１１の回路パターンを構成するＧＮＤパッドと電気的接続して接地するためのものである。このボンディングパッド４は、セラミックパッケージ１１のＧＮＤパッドとワイヤで接続される。ＧＮＤパッドは、機器のマザーボードや回路基板のＧＮＤと導通される。
【００４２】
シールド部品１の裏面、図３（ａ）では連結部２ｂの裏面と把持部３の裏面には、第２の電気的接続部としてパッド５が形成される。パッド５は、セラミックパッケージ１１の表面のＧＮＤパッドと電気的に接続すると共に、そのＧＮＤパッドにＡｇペーストや半田等で導通、固定するためのものである。
【００４３】
シールド部品１は、導電性フィラー入り樹脂、Ａｌ、あるいはＺｎで一体成型される。また、シールド部品１は、金属で成型する場合、ダイカストあるいは金属粉末射出成形法（ＭＩＭ：メタルインジェクションモールド）で成型される。
【００４４】
次に、光モジュール１０の製造方法を図４（ａ）〜図４（ｃ）および図５（ａ）〜図５（ｃ）で説明する。
【００４５】
まず、図４（ａ）に示すように、ダイボンダあるいはチップマウンタなどの実装装置により、セラミックパッケージ１１に各光部品、各電気部品を搭載する（図４（ｂ））。
【００４６】
図４（ｃ）に示すように、同様に実装装置により、セラミックパッケージ１１にシールド部品１を、ＶＣＳＥＬアレイ１４とＰＤアレイ１５間に仕切壁２の挿入部３ａが位置するように配設する。
【００４７】
より詳細には、図５（ａ）に示すように、予めパッド６あるいはセラミックパッケージ１１のＧＮＤパッドに、Ａｇペースト、あるいは溶融した半田を塗布しておき、実装装置のコレットチャック５１で把持部３をエアバキュームにより吸着してシールド部品１を把持し、セラミックパッケージ１１にシールド部品１を搭載する。さらに、各光部品、電気部品とセラミックパッケージ１１の回路パターンをワイヤでワイヤボンディング接続して電気的に接続すると共に、シールド部品１のワイヤボンディングパッド４とＧＮＤパッドをワイヤでワイヤボンディング接続して電気的に接続する（図５（ｂ））。
【００４８】
実装装置としては、シールド部品１の把持部３の上面より小さい棒状のチャックを有するものを使用してもよい。
【００４９】
そして、図５（ｃ）に示すように、Ｈｅや窒素などの不活性ガスの雰囲気下において、抵抗溶接などの電気溶接、あるいはレーザ溶接により、接合枠１３にフタ１２を接合すると共に気密封止して、セラミックパッケージ１１にフタ１２を接合する。接合枠１３とフタ１２の接合に電気溶接あるいはレーザ溶接を用いたのは、気密封止のレベルを、Ｈｅリーク試験において１０-9Ｐａ・ｍ3 ／ｓ［Ｈｅ］以下に保つためである。
【００５０】
最後に、セラミックパッケージ１１の裏面に、半田ボールを複数個格子状に並べて取り付けてＢＧＡを構成すると、光モジュール１０が得られる。
【００５１】
さらに、光モジュール１０には、ガラス窓１８の光通路上となる表面に、ＶＣＳＥＬアレイ１４の各ＬＤの出射光あるいはＰＤアレイ１５の各ＰＤの入射光を集光する８個のレンズを備えた一体型のレンズブロックが実装される。このレンズブロックには、８心の光ファイバが接続されたＭＴ光コネクタが接続される。
【００５２】
第１の実施形態の作用を説明する。
【００５３】
光モジュール１０では、機器のマザーボードや回路基板からの４つの電気信号は、セラミックパッケージ１１の回路パターン、ＶＣＳＥＬアレイ１４の順で伝送され、ＶＣＳＥＬアレイ１４で光信号にそれぞれ変換され、ＶＣＳＥＬアレイ１４から波長が異なる４つの光信号としてガラス窓１８を通して上方に出力される。
【００５４】
一方、光モジュール１０では、上方からガラス窓１８を通して入力された波長が異なる４つの光信号は、ＰＤアレイ１５で電気信号にそれぞれ変換され、ＰＤアレイ１５から４つの電気信号としてプリアンプ１６、セラミックパッケージ１１の回路パターン、機器のマザーボードや回路基板の順で伝送される。
【００５５】
シールド部品１は、ＶＣＳＥＬアレイ１４とＰＤアレイ１５の間に配設され、仕切壁２と把持部３とで一体形成されている。このため、把持部３が実装装置のコレットチャック５１のつかみシロとなり、他の光部品や電気部品と同様に、同じ汎用の実装装置でセラミックパッケージ１１にシールド部品１を表面実装できる。
【００５６】
しかも、シールド部品１の仕切壁２により、送信と受信間を電磁的に遮断しているため、光モジュール１０において、送信側から発生した電磁波が受信側に及ぼす影響を極力少なくでき、受信側の信号が劣化することがなく、電気クロストークの影響が極めて小さい。
【００５７】
また、この機能を有するパッケージを作製すると、パッケージが高価になるが、安価なシールド部品１を用いることで、光モジュール１０を低コストで実現できる。
【００５８】
したがって、シールド部品１を用いることで、ＶＣＳＥＬアレイ１４とＰＤアレイ１５の隙間のような狭い場所に、シールド部品１を簡単かつ高精度に実装して光モジュール１を構成できる。
【００５９】
シールド部品１の把持部３の上縁をコレットチャック５１の内周面に合わせて面取りすれば、より簡単にコレットチャック５１でシールド部品１を吸着して保持できる。
【００６０】
シールド部品１の仕切壁２の挿入部２ａを、連結部２ｂより１段高く形成することで、送信と受信間をより効果的に電磁的に遮断できる。
【００６１】
シールド部品１の把持部３の上面には、ボンディングパッド４を形成しているため、セラミックパッケージ１１のＧＮＤパッドへの電気的接続も簡単である。
【００６２】
シールド部品１の裏面にパッド５を形成しているため、セラミックパッケージ１１の回路パターンへの実装が簡単であり、ボンディングパッド４と併せればＧＮＤにより強く接続できる。
【００６３】
シールド部品１とセラミックパッケージ１１のＧＮＤパッドとの接続は少なくとも１か所であればよいので、シールド部品にボンディングパッド４かパッド５を形成すればよい。
【００６４】
さらに、光モジュール１０のように、ＶＣＳＥＬアレイ１４とＰＤアレイ１５を近接して配置する場合には、１つのモジュール内に光学系をまとめて実装でき、その光学系と外部の光ファイバとの光学結合を簡単にできる。つまり、送信側と受信側の光結合を１回の調心で実現できる。
【００６５】
また、上記実施の形態では、仕切壁２の側面に把持部３を一体形成した例で説明したが、仕切壁の延長線上に把持部３を形成してもよい。
【００６６】
第２の実施形態を説明する。
【００６７】
図６、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、光モジュール６０（図６は光モジュール６０の内部構成を示すが、これを便宜上光モジュール６０と呼ぶ）は、ＶＣＳＥＬアレイ１４の周囲にシールド部品６１が配設され、そのシールド部品６１が、ＶＣＳＥＬアレイ１４の周囲を覆う上部が開口した仕切壁６２と、図５のコレットチャックで吸着して把持するための直方体状に形成された把持部６３とが一体形成されているものである。
【００６８】
シールド部品６１の把持部６３は、その上縁がコレットチャック５１の内周面に合わせて面取り加工される。把持部６３の上面には、図３（ａ）のボンディングパッド４と同様、第１の電気的接続部としてボンディングパッド６４が形成される。シールド部品６１の裏面には、図３（ｂ）のパッド５と同様、第２の電気的接続部としてパッド６５が形成される。
【００６９】
この光モジュール６０も、図２の光モジュール１０と同様にして、接合枠１３にフタ１２を接合すると共に気密封止して、セラミックパッケージ１１にフタ１２を接合し、セラミックパッケージ１１の裏面に、半田ボールを複数個格子状に並べて取り付けてＢＧＡを構成して得られる。光モジュール６０の外観は光モジュール１と０同じである。
【００７０】
光モジュール６０の製造方法は、基本的には図４（ａ）〜図４（ｃ）および図５（ａ）〜図５（ｃ）と同様である。具体的には、セラミックパッケージ１１の回路パターンにシールド部品６１を、ＶＣＳＥＬアレイ１４の周囲を覆うように配設する。
【００７１】
従来、受信側に電磁遮蔽構造を設ける場合、ＰＤアレイ１５とプリアンプ１６を共にシールド部品で覆う必要があった。しかし、光モジュール６０では、ＶＣＳＥＬアレイ１４の周囲にシールド部品６１を搭載しているので、受信側に電磁遮蔽構造を設ける場合に比べてシールド部品６１を小さくでき、実装スペースを確保できる。
【００７２】
光モジュール６０のその他の作用効果は、図１および図２で説明した光モジュール１０と同じであるが、これに比べれば、送信と受信間を電磁的に完全に遮断しているため、電気クロストークの影響をさらに小さくできる。
光モジュール６０は、特に、送信と受信間をより完全に電磁的に遮断したい場合であって、ＰＤアレイ１５とプリアンプ１６を近づけてノイズの影響を少なくしたい場合に有効である。
【００７３】
上記第１および第２の実施形態では、シールド部品として、仕切壁と把持部を一体形成（成形）した例で説明したが、シールド部品としては、仕切壁と把持部を別々の個別部品で構成し、その仕切壁と把持部を接着、溶接などにより一体化したものでもよい。
【００７４】
次に、第３の実施形態を説明する。
【００７５】
図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、シールド部品８１は、絶縁体ブロック８２で把持部８３を形成すると共に、その把持部８３の上面に電極（図３のボンディングパッドと同じ）４を、把持部８３の下面に電極８４を形成し、導電性フィラー入り樹脂、Ａｌ、Ｚｎで仕切壁２を成型し、その仕切壁２と把持部８３を接着剤などで接着して一体化したものである。  仕切壁２の連結部２ｂの裏面には、図３（ｂ）と同様のパッド５が形成される。
【００７６】
このシールド部品８１は、電極４，８４とその間の把持部８３でコンデンサを形成する。したがって、シールド部品８１は、図１のシールド部品１と同じ機能を有しながら、コンデンサとしての機能も有する。
【００７７】
第４の実施形態を説明する。
【００７８】
図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、シールド部品９１は、把持部３の上面に絶縁膜９２を形成すると共に、その絶縁膜９２上に、対向する２つの対向電極９３，９３を形成したものである。シールド部品９１のその他の構成は、図１のシールド部品と同じである。
【００７９】
このシールド部品９１は、対向電極９３，９３とその間の絶縁膜９２で抵抗（薄膜抵抗）を形成する。したがって、シールド部品９１は、図１のシールド部品１と同じ機能を有しながら、抵抗としての機能も有する。
【００８０】
また、シールド部品９１の変形例として、絶縁体ブロックで把持部を形成すると共に、その把持部上に対向する対向電極を形成し、導電性フィラー入り樹脂、Ａｌ、Ｚｎで上記仕切壁を成型し、その仕切壁と上記把持部を一体化してもよい。
【００８１】
上述した図２の光モジュール１０は、例えば、図１０に示すような光トランシーバ１０１に、ガラス窓１８の光通路の光軸が光トランシーバ１０１の長さ方向と一致するように搭載される。光トランシーバ１０１は、Ａｌなどの放熱性が高い金属性のケース１０２内に、光モジュール１０と、カードエッジ部を有し、光モジュール１０と接続される回路基板１０３と、ＭＴ光コネクタが挿抜されてＭＴ光コネクタと接続されるフェルール保持部１０４とを収納したものである。
【００８２】
カードエッジ部は、スイッチやメディアコンバータなどのネットワーク機器に備えられたカードエッジコネクタと嵌合する。回路基板１０３は、光モジュール１０内のＶＣＳＥＬアレイの各ＬＤを駆動するドライバ、各ＬＤやＰＤアレイの各ＰＤを制御する信号処理回路などを備える。光トランシーバ１０１は、ネットワーク機器に活線挿抜して使用される。
【００８３】
この光トランシーバ１０１では、ネットワーク機器からの４つの電気信号は、光モジュール１内のＶＣＳＥＬアレイで４つの光信号に変換され、光ファイバに伝送される。また、光ファイバから伝送された４つの光信号は、ＰＤアレイで４つの電気信号に変換され、ネットワーク機器に伝送される。
【００８４】
上述したように、光モジュール１０は、面積が１ｃｍ×１ｃｍと小さいため、光トランシーバ１０１などの機器の小型化に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の好適な第１の実施形態であるシールド部品とそれを用いた光モジュールの内部構成を示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る光モジュールの外観図である。
【図３】図３（ａ）は図１に示したシールド部品の斜視図、図３（ｂ）は図３（ａ）を上方から見た斜視図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は図２に示した光モジュールの製造方法を説明する斜視図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は図２に示した光モジュールの製造方法を説明する斜視図である。
【図６】第２の実施形態であるシールド部品とそれを用いた光モジュールの内部構成を示す斜視図である。
【図７】図７（ａ）は図６に示したシールド部品の斜視図、図７（ｂ）は図７（ａ）を上方から見た斜視図である。
【図８】図８（ａ）は第３の実施形態であるシールド部品の斜視図、図８（ｂ）は図８（ａ）を上方から見た斜視図である。
【図９】図８（ａ）は第４の実施形態であるシールド部品の斜視図、図９（ｂ）は図９（ａ）を上方から見た斜視図である。
【図１０】図２に示した光モジュールを用いた光トランシーバの概略図である。
【符号の説明】
【００８６】
１  シールド部品
２  仕切壁
３  把持部
１１  セラミックパッケージ
１４  ＶＣＳＥＬアレイ（発光素子）
１５  ＰＤアレイ（受光素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2007300031.tif 000006
【図５】
2007300031.tif 000007
【図６】
2007300031.tif 000008
【図７】
2007300031.tif 000009
【図８】
2007300031.tif 000010
【図９】
2007300031.tif 000011
【図１０】
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