(57)【要約】【課題】ＳＯＩ基板を基にした近接場探針及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の近接場探針は、ＳＯＩ基板１８の下部シリコン層１０で形成され、この下部シリコン層１０の一側に貫通ホール３６を有するカンチレバーアーム支持部６２と；下部シリコン層１０の上面に支持されつつ、貫通ホール３６より小さなホールをいずれも有するＳＯＩ基板１８の接合酸化層パターン１２及び上部シリコン層パターン１６ａと、上部シリコン層パターン１６ａ上にホール３６に合せて先端部にアパーチュア４０を有するチップ３８を備えるシリコン酸化層パターン２６ａと、シリコン酸化層パターン２６ａ上にアパーチュア４０を埋め込めずに形成された透光防止層４２とから形成されるカンチレバーアーム６４と；を備えている。【選択図】図１４
2007155742.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩ基板の下部シリコン層で形成され、該下部シリコン層の一側に貫通ホールを有するカンチレバーアーム支持部と、
前記下部シリコン層の上面に支持されつつ、前記貫通ホールより小さなホールをいずれも有するＳＯＩ基板の接合酸化層パターン及び上部シリコン層パターンと、該上部シリコン層パターン上に前記ホールに合せて先端部にアパーチュアを有するチップを備えるシリコン酸化層パターンと、該シリコン酸化層パターン上に前記アパーチュアを埋め込めずに形成された透光防止層とから形成されるカンチレバーアームと
を備えたことを特徴とする近接場探針。
【請求項２】
前記チップは、円錐形や放物線形に構成することを特徴とする請求項１に記載の近接場探針。
【請求項３】
前記アパーチュアは、前記ＳＯＩ基板の上側に突き出ていることを特徴とする請求項１に記載の近接場探針。
【請求項４】
下部シリコン層上に第１ホールを有する接合酸化層パターンを形成する工程と、
前記第１ホール及び前記接合酸化層パターン上に上部シリコン層を形成してＳＯＩ基板を完成する工程と、
前記第１ホールの上部に形成された前記上部シリコン層にチップ構造物を形成する工程と、
前記チップ構造物の外部表面及び上部シリコン層上にカンチレバーアームを構成するシリコン酸化層パターン及び上部シリコン層パターンを順次に形成する工程と、
カンチレバーアーム支持部を構成する前記下部シリコン層の背面にエッチングマスク層パターンを形成する工程と、
前記エッチングマスク層パターンをエッチングマスクを用いて、前記下部シリコン層及び前記第１ホール上の前記チップ構造物内の前記上部シリコン層パターンをエッチングして、前記接合酸化層パターンを露出する貫通ホールと、該貫通ホールより小さな第２ホール内で先端部にアパーチュアを有するチップとを形成する工程と、
前記アパーチュアを埋め込めずに、前記シリコン酸化層パターン上に透光防止層を形成する工程とを含み、
前記下部シリコン層の上面に支持されつつ、前記貫通ホールより小さな第２ホールをいずれも有する前記上部シリコン層パターン及び前記接合酸化層パターンと、前記第２ホールに合せて先端部にアパーチュアを有するチップを備える前記シリコン酸化層パターン及び前記透光防止層から形成される前記カンチレバーアームを形成することを特徴とする近接場探針の製造方法。
【請求項５】
前記チップ構造物は、
前記上部シリコン層の一部分にシリコン窒化層パターンを形成し、該シリコン窒化層パターンをマスクとして、前記上部シリコン層をウェットエッチングして、円錐形や放物線形に形成することを特徴とする請求項４に記載の近接場探針の製造方法。
【請求項６】
前記カンチレバーアームを構成する前記シリコン酸化層パターン及び前記上部シリコン層パターンは、
前記チップ構造物を有する前記上部シリコン層を酸化させて、前記チップ構造物の外部表面及び前記上部シリコン層上にシリコン酸化層を形成し、該シリコン酸化層及び前記上部シリコン層をパターニングして形成することを特徴とする請求項５に記載の近接場探針の製造方法。
【請求項７】
前記上部シリコン層の酸化時、前記チップ構造物の上端部には、前記シリコン酸化層が形成されないようにして、後続工程で前記アパーチュアにすることを特徴とする請求項６に記載の近接場探針の製造方法。
【請求項８】
前記上部シリコン層の酸化時、前記シリコン窒化層パターンと接する前記上部シリコン層の幅を調節することを特徴とする請求項６に記載の近接場探針の製造方法。
【請求項９】
前記エッチングマスク層パターンを形成した後、前記シリコン酸化層パターン上に前記カンチレバーアーム保護用パターンをさらに形成することを特徴とする請求項４に記載の近接場探針の製造方法。
【請求項１０】
前記貫通ホールと、前記第２ホール及び前記チップの形成は、
前記エッチングマスク層パターンを、エッチングマスクを用いて、前記下部シリコン層をエッチングして、前記接合酸化層パターンを露出する前記貫通ホールを形成し、前記接合酸化層パターンを、エッチングマスクを用いて、前記第１ホール上の前記チップ構造物内の上部シリコン層パターンをエッチングして得られることを特徴とする請求項９に記載の近接場探針の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩ基板を用いた近接場探針（ｎｅａｒ−ｆｉｅｌｄ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｂｅ）及びその製造方法に関し、より詳細には、近接場走査光学顕微鏡や近接場光情報保存装置に適用される近接場探針及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近接場走査光学顕微鏡は、入射光源の回折限界より精密な光分解能で試料の光学的特性を調べるのに用いられる。ここで使われる近接場探針としては、光ファイバ型の近接場探針とカンチレバー型の近接場探針とがある。
【０００３】
近接場光情報保存装置は、近接場探針を利用して光記録マークの大きさを記録光源の回折限界未満に縮めて高密度光情報保存に利用する。
【０００４】
そして、近接場走査光学顕微鏡や近接場光情報保存装置に利用される近接場探針は、シリコン基板に製造されるカンチレバー型やスライド型の近接場探針と、光ファイバ型の近接場探針とに区別できる。シリコン基板に製造される近接場探針は、機械的にさらに安定し、かつ量産に容易であるという長所がある。
【０００５】
シリコン基板を利用した近接場探針の製造方法は、既存の原子顕微鏡用探針の製造工程と一部共通的な製造工程を使用するが、大きい相違点は、チップの先端で近接場が発生するように、アパーチュアが形成しなければならないということである。このような相違により、近接場探針の製造方法は、原子顕微鏡探針の製造方法に比べて製造工程が難しくて製造工程手順が複雑である。
【０００６】
特に、シリコン基板を利用する場合、アパーチュアが形成されたチップの製造工程と、チップを備えたカンチレバーアームの製造工程とを結合するのに技術的な問題がある。また、シリコン基板を利用する場合、チップエッジのアパーチュアの大きさを、ナノメートル領域で再現性あるように調節し難いという問題がある。
【０００７】
【特許文献１】韓国公開第１０２００４００３５４９７号公報
【非特許文献１】「Fabrication of a High-Throughput Cantilever-Style Aperture Tip by the Use of the Bird’s Beak Effect」(Jpn.J.Appl.Phys.Vol.42 (2003) pp.4353-4356)
【非特許文献２】「SNOM/AFM microprobe integrated with piezoresistive cantilever beam for multifunctional surface analysis」(Microelectronic Engineering 61-62 (2002) 981-986)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、単一シリコン基板を利用せずにＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を基に製造された近接場探針を提供するところにある。
【０００９】
また、本発明の目的は、ＳＯＩ基板を利用してアパーチュアが形成されたチップの製造工程と、チップを備えたカンチレバーアームの製造工程とを容易に結合できる近接場探針の製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した技術的課題を達成するために、本発明の近接場探針は、ＳＯＩ基板の下部シリコン層で形成され、前記下部シリコン層の一側に貫通ホールを有するカンチレバーアーム支持部を備えている。
【００１１】
さらに、本発明の近接場探針は、前記下部シリコン層の上面に支持されつつ、前記貫通ホールより小さなホールをいずれも有するＳＯＩ基板の接合酸化層パターン及び上部シリコン層パターンと、該上部シリコン層パターン上に前記ホールに合せて先端部にアパーチュアを持つチップを備えるシリコン酸化層パターンと、前記シリコン酸化層パターン上に前記アパーチュアを埋め込めずに形成された透光防止層とから形成されるカンチレバーアームとを備えている。前記チップは、円錐形や放物線形に構成する。前記アパーチュアは、前記ＳＯＩ基板の上側に突き出ていることが望ましい。
【００１２】
また、本発明の近接場探針の製造方法は、まず、下部シリコン層上に第１ホールを有する接合酸化層パターンを形成する。次に、前記第１ホール及び接合酸化層パターン上に上部シリコン層を形成してＳＯＩ基板を完成する。次に、前記第１ホールの上部に形成された上部シリコン層にチップ構造物を形成する。次に、前記チップ構造物の外部表面及び上部シリコン層上にカンチレバーアームを構成するシリコン酸化層パターン及び上部シリコン層パターンを順次に形成する。次に、前記カンチレバーアーム支持部を構成する前記下部シリコン層の背面にエッチングマスク層パターンを形成する。次に、前記エッチングマスク層パターンを、エッチングマスクを用いて、前記下部シリコン層及び前記第１ホール上の前記チップ構造物内の上部シリコン層パターンをエッチングして、前記接合酸化層パターンを露出する貫通ホールと前記貫通ホールより小さな第２ホール内で先端部にアパーチュアを有するチップを形成する。次に、前記アパーチュアを埋め込めずに、前記シリコン酸化層パターン上に透光防止層を形成する。
【００１３】
これにより、本発明は、前記下部シリコン層の上面に支持されつつ、前記貫通ホールより小さな第２ホールをいずれも有する上部シリコン層パターン及び接合酸化層パターンと、前記第２ホールに合せて先端部にアパーチュアを有するチップを備えるシリコン酸化層パターン及び前記透光防止層とから形成される前記カンチレバーアームを形成する。
【００１４】
前記チップ構造物は、前記上部シリコン層の一部分にシリコン窒化層パターンを形成し、前記シリコン窒化層パターンをマスクとして、前記上部シリコン層をウェットエッチングして、円錐形や放物線形に形成する。
【００１５】
前記カンチレバーアームを構成するシリコン酸化層パターン及び上部シリコン層パターンは、前記チップ構造物を有する上部シリコン層を酸化させて、前記チップ構造物の外部表面及び上部シリコン層上にシリコン酸化層を形成し、前記シリコン酸化層及び上部シリコン層をパターニングして形成する。
【００１６】
前記貫通ホールと、第２ホール及びチップの形成は、前記エッチングマスク層パターンを、エッチングマスクを用いて、前記下部シリコン層をエッチングして、前記接合酸化層パターンを露出する貫通ホールを形成し、前記接合酸化層パターンを、エッチングマスクを用いて、前記第１ホール上の前記チップ構造物内の上部シリコン層パターンをエッチングして得られる。
【００１７】
以上のような本発明の近接場探針は、ＳＯＩ基板を基にしてチップがＳＯＩ基板の上側に突き出て構成される。また、本発明の近接場探針は、アパーチュアが形成されたチップの製造工程とチップを備えたカンチレバーアームの製造工程とを容易に結合できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の近接場探針は、ＳＯＩ基板を基にして製造される。これにより、本発明の近接場探針は、ＳＯＩ基板の下部シリコン層でカンチレバーアーム支持部を構成し、ＳＯＩ基板の接合酸化層パターン及び上部シリコン層パターン、上部シリコン層パターン上に形成され、アパーチュアを有するチップを備えるシリコン酸化層パターン、及び前記シリコン酸化層パターン上に形成された透光防止層でカンチレバーアームを構成する。
【００１９】
このように本発明の近接場探針は、チップがＳＯＩ基板の上側、すなわち、上部を向かうように構成して、チップが測定しようとする試料との衝突を防止できる。
【００２０】
さらに、本発明の近接場探針の製造方法は、チップがＳＯＩ基板の上側、すなわち、上部に向かうように形成しつつも、アパーチュアが形成されたチップの製造工程と、チップを備えるカンチレバーアームの製造工程とを容易に結合できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。  
なお、以下に例示する本発明の実施形態は、色々な他の形態に変形され、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではなく、相異なる多様な形態に具現できる。本発明の実施形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。図面で膜または領域の大きさまたは厚さは、明細書の明確性のために誇張されたものである。
【００２２】
まず、図１４及び図１５を参照して、本発明による近接場探針の構造について説明する。  
図１４は、本発明による近接場探針の構造を示す断面図であり、図１５は、本発明による近接場探針の平面図で、図１４は、図１５のＡ−Ａ線の断面図である。
【００２３】
図１４において、下部シリコン層１０と、接合酸化層パターン１２及び上部シリコン層パターン１６ａで構成されたＳＯＩ基板１８の複数の区分領域５２に、近接場探針１００が複数形成されている。区分領域５２内に形成される近接場探針１００は、ＳＯＩ基板１８を構成するシリコン層５０（下部シリコン層や上部シリコン層）に連結されている。ダイアモンドトップや切断道具を使用して、シリコン層５０を切断して個別に近接場探針１００が設けられる。
【００２４】
近接場探針１００は、カンチレバーアーム支持部６２と、このカンチレバーアーム支持部６２に支持されるカンチレバーアーム６４とから形成されるカンチレバー部６６を備えている。符号６８は、ＳＯＩ基板１８の一部分が除去された分離部を示している。
【００２５】
再び、図１４において、本発明の近接場探針１００は、ＳＯＩ基板１８の下部シリコン層１０から形成され、この下部シリコン層１０の一側に貫通ホール３４を有するカンチレバーアーム支持部６２と、このカンチレバーアーム支持部６２に支持されて、貫通ホール３４に対応するように設けられるカンチレバーアーム６４とに大別される。このカンチレバーアーム６４は、貫通ホール３４に対応してチップ３８及びアパーチュア４０を備えている。また、カンチレバーアーム６４は、カンチレバーアーム支持部６２を構成するＳＯＩ基板１８の下部シリコン層１０の上面で支持されている。
【００２６】
より詳細に、カンチレバーアーム６４は、カンチレバーアーム支持部６２を構成するＳＯＩ基板１８の下部シリコン層１０の上面に支持されつつ、貫通ホール３４より小さなホール３６を有するＳＯＩ基板１８の接合酸化層パターン１２と、上部シリコン層パターン１６ａと、この上部シリコン層パターン１６ａ上に、ホール３６に合せて先端部にアパーチュア４０を有するチップ３８を備えるシリコン酸化層パターン２６ａと、このシリコン酸化層パターン２６ａ上に、アパーチュア４０を埋め込めずに形成された透光防止層４２とから形成されている。チップ３８は、円錐形または放物線形に構成されている。このチップ３８の形態を円錐形や放物線形に構成する理由は、透光率を向上させるためである。透光防止層４２は、金属層で構成されている。
【００２７】
また、本発明の近接場探針１００は、符号４６で示しているように、下方から上方に光が進行し、チップ３８がＳＯＩ基板１８の上側、すなわち、上部に向かうように構成されている。このようにチップ３８が、ＳＯＩ基板１８の上側に向う場合、チップ３８が測定しようとする試料との衝突を防止できる長所を有している。さらに、本発明は、以下に説明するような製造工程を通じて、アパーチュア４０が形成されたチップの製造工程と、チップ３８を備えるカンチレバーアーム６４の製造工程とを容易に結合できる。
【００２８】
以下に、本発明による近接場探針の製造方法について説明する。  
図１乃至図１４は、本発明による近接場探針の製造方法を説明するための断面図である。図１乃至図１４は、図１５のＡ−Ａ線の断面図である。図１乃至図１４は、図１５のＳＯＩ基板１８上に形成される近接場探針１００のうち一つの近接場探針１００の製造方法を説明するものである。そして、図１乃至図１４は、チップ３８を一つだけ形成することを例としているが、一つの近接場探針内に複数のチップを形成しても構わない。
【００２９】
まず、図１及び図２において、下部シリコン層１０上に、第１ホール１４を有する接合酸化層パターン１２を形成する。第１ホール１４は、後工程で近接場探針のチップを形成するためにあらかじめ形成するものである。次いで、第１ホール１４は、２００μｍ乃至６００μｍ厚さの下部シリコン層１０上に、熱酸化蒸着法で接合酸化層を０．５μｍ乃至２μｍ厚さに形成した後、写真エッチング工程を通じてエッチングして、パターニングすることによって形成する。
【００３０】
次いで、第１ホール１４及び接合酸化層パターン１２上に、７μｍ乃至２０μｍ厚さの上部シリコン層１６を接合させる。これにより、下部シリコン層１０と、第１ホール１４を有する接合酸化層パターン１２と、上部シリコン層１６とでＳＯＩ基板１８が完成される。このように図１及び図２は、ＳＯＩ基板１８を製造する前に、接合酸化層に後工程でチップ形成を容易にするために、必要な第１ホール１４をあらかじめ形成する工程である。
【００３１】
次に、図３において、ＳＯＩ基板１８の上部シリコン層１６及び下部シリコン層１０上に、第１シリコン窒化層２０を、２００ｎｍ乃至３００ｎｍ厚さに形成する。すなわち、ＳＯＩ基板１８の表面及び背面にシリコン窒化層２０を形成する。
【００３２】
次いで、ＳＯＩ基板１８の上部シリコン層１６上に形成されたシリコン窒化層２０を、写真エッチング工程でパターニングし、ドライエッチング方法でエッチングして、シリコン窒化層パターン２２を形成する。シリコン窒化層パターン２２は、後工程でエッチングマスク層の役割を行う。シリコン窒化層パターン２２は、後工程でチップを形成するために、必要な第１ホール１４の上部にアラインされるように形成する。
【００３３】
次に、図４において、シリコン窒化層パターン２２を、エッチングマスクを用いて、ＳＯＩ基板１８を構成する上部シリコン層１６を等方的にエッチングして、円錐形のチップ構造物２４を形成する。上部シリコン層１６の等方的エッチングは、フッ酸、硝酸、及び酢酸の混合溶液を利用したウェットエッチング法を利用するか、ＳＦ６ガス雰囲気でＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈ）装備を利用したドライエッチング法を利用する。この図４においては、ＳＯＩ基板１８を構成する上部シリコン層１６を等方エッチングする時、シリコン窒化層パターン２２の下部にアンダーカット２３が発生する。
【００３４】
これにより、等方エッチング時に、シリコン窒化層パターン２２と上部シリコン層１６との接合面の幅Ｗ１を、ミクロン（μｍ）以下に調節しつつ、円錐形のチップ構造物２４が形成される。特に、ＳＯＩ基板１８を構成する上部シリコン層１６のエッチング時間やエッチング条件などを調節する場合に、チップ構造物２４を円錐形や放物線形に自由に形成できる。
【００３５】
次に、図５において、チップ構造物２４を含むＳＯＩ基板１８の上部シリコン層１６を酸化させて、所定の厚さ５００ｎｍ乃至８００ｎｍの厚さにシリコン酸化層２６を形成する。換言すれば、チップ構造物２４の外部表面及び上部シリコン層１６上に、シリコン酸化層２６を形成する。これにより、チップ構造物２４の外部表面上に放物線形や円錐形にシリコン酸化層２６が形成される。
【００３６】
特に、ＳＯＩ基板１８の上部シリコン層１６を酸化させてシリコン酸化層２６を形成する時に、シリコン窒化層パターン２２と接する上部シリコン層１６の幅Ｗ２が、１００ｎｍ以下、望ましくは、１０ｎｍ乃至１００ｎｍに形成する。シリコン窒化層パターン２２と接する上部シリコン層１６部分は、後で近接場探針のチップが形成されるホールになる部分であり、幅が近接場走査光学顕微鏡の分解能や、近接場光情報保存装置の保存密度に大きい影響を与える。
【００３７】
次に、図６において、ＳＯＩシリコン基板１８の背面に形成されたシリコン窒化層２０及びＳＯＩシリコン基板１８の上面に形成されたシリコン窒化層パターン２２を、燐酸溶液を利用して、ウェットエッチングで除去する。次いで、シリコン酸化層２６上に、カンチレバー形成用マスクパターン２８を形成する。カンチレバー形成用マスクパターン２８は、写真工程を利用してフォトレジストパターンに形成する。カンチレバー形成用マスクパターン２８は、ＳＯＩ基板１８のカンチレバー部６６にのみ形成される。このカンチレバー部６６以外のＳＯＩ基板１８は、分離部６８となる。
【００３８】
次に、図７において、カンチレバー形成用マスクパターン２８を利用して、シリコン酸化層２６及び上部シリコン層１６をエッチングして、カンチレバーアーム６４を構成するシリコン酸化層パターン２６ａと、上部シリコン層パターン１６ａを形成する。シリコン酸化層パターン２６ａ及び上部シリコン層パターン１６ａが、カンチレバーアーム６４に形成される。
【００３９】
次に、図８において、カンチレバー形成用マスクパターン２８を除去した後、ＳＯＩ基板１８の背面、すなわち、下部シリコン層１０の背面のカンチレバーアーム支持部６２に、エッチングマスク層パターン３０を形成する。このエッチングマスク層パターン３０は、シリコン酸化層パターンで形成する。エッチングマスク層パターン３０は、チップ構造物２４に対応しない下部シリコン層１０の背面に、シリコン酸化層を２μｍ乃至４μｍ厚さに形成した後、写真エッチング工程でパターニングして形成する。エッチングマスク層パターン３０は、両面露光装置を利用した写真工程及びエッチング工程を利用して形成する。
【００４０】
特に、エッチングマスク層パターン３０が形成された部分は、後続工程でカンチレバーアーム６４を支持するカンチレバーアーム支持部６２になる部分である。そして、カンチレバー部６６のうち、カンチレバーアーム支持部６２を除外した部分は、後続工程でチップ３８及びアパーチュア４０が形成されて、カンチレバーアーム６４になる部分である。
【００４１】
次に、図９において、シリコン酸化層パターン２６ａ上にカンチレバーアーム保護用パターン３２を形成する。このカンチレバーアーム保護用パターン３２は、上部シリコン層パターン１６ａ及びシリコン酸化層パターン２６ａが形成されたＳＯＩ基板１８の全面にフォトレジスト膜（図示せず）を形成した後、パターニングして形成する。
【００４２】
次に、図１０にいて、エッチングマスク層パターン３０を、エッチングマスクを用いて、下部シリコン層１０をエッチングして、ＳＯＩ基板１８を構成する接合酸化層パターン１２を露出する貫通ホール３４を形成する。下部シリコン層１０のエッチング時に、接合酸化層パターン１２までのみエッチングする。
【００４３】
次に、図１１において、接合酸化層パターン１２を、エッチングマスクを用いて、第１ホール１４上のチップ構造物２４内の上部シリコン層パターン１６ａをエッチングして、第２ホール３６を形成する。この第２ホール３６の形成時、チップ構造物２４以外の上部シリコン層パターン１６ａは、接合酸化層パターン１２によって保護される。そして、チップ構造物２４内の上部シリコン層パターン１６ａをエッチングすることによって、円錐形や放物線形に、先端部にアパーチュア４０が形成されたチップ３８が形成される。アパーチュア４０は、ＳＯＩ基板の上側に突き出て形成される。
【００４４】
次に、図１２において、分離部６８に形成された接合酸化層パターン１２を除去する。このようになれば、カンチレバーアーム支持部６２及びカンチレバーアーム６４で構成されたカンチレバー部６６のみが残る。カンチレバーアーム６４には、カンチレバーを構成する接合酸化層パターン１２と、上部シリコン層パターン１６ａと、シリコン酸化層パターン２６ａが形成される。
【００４５】
次に、図１３及び図１４において、カンチレバー保護用パターン３２を除去する。次いで、シリコン酸化層パターン２６ａ上に、アパーチュア４０を埋め込めずに、光の透過を防止するための透光防止層４２を形成する。この透光防止層４２は、光の透過を防止するための物質として、アルミニウム（Ａｌ）または金（Ａｕ）などのような金属を利用して形成する。これにより、カンチレバーアーム支持部６２に支持されてカンチレバーアーム６４を備えた近接場探針１００が完成する。
【００４６】
カンチレバーアーム６４は、接合酸化層パターン１２と、上部シリコン層パターン１６ａと、チップ３８にアパーチュア４０を有するシリコン酸化層パターン２６ａ及びシリコン酸化層パターン２６ａ上に形成された透光防止層４２とで構成されている。以上のように本発明は、ＳＯＩ基板を利用してアパーチュアが形成されたチップの製造工程と、チップを備えるカンチレバーアームの製造工程とを容易に結合して近接場探針を製造できる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、ＳＯＩ基板を用いた近接場探針及びその製造方法に関し、近接場走査光学顕微鏡や近接場光情報保存装置に好適に用いられる。チップがＳＯＩ基板の上側、すなわち、上部を向かうように構成して、チップが測定しようとする試料との衝突を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その１）である。
【図２】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その２）である。
【図３】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その３）である。
【図４】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その４）である。
【図５】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その５）である。
【図６】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その６）である。
【図７】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その７）である。
【図８】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その８）である。
【図９】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その９）である。
【図１０】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その１０）である。
【図１１】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その１１）である。
【図１２】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その１２）である。
【図１３】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その１３）である。
【図１４】本発明による近接場探針及びその製造方法を説明するための断面図（その１４）である。
【図１５】本発明による近接場探針の平面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  下部シリコン層
１２  接合酸化層パターン
１４  第１ホール
１６  上部シリコン層
１６ａ  上部シリコン層パターン
１８  ＳＯＩ基板
２０  シリコン窒化層
２２  シリコン窒化層パターン
２３  アンダーカット
２６  シリコン酸化層
２６ａ  シリコン酸化層パターン
２８  カンチレバー形成用マスクパターン
３０  エッチングマスク層パターン
３２  カンチレバーアーム保護用パターン
３４  貫通ホール
３６  第２ホール
３８  チップ
４０  アパーチュア
４２  透光防止層
４６  近接場探針
６２  カンチレバーアーム支持部
６４  カンチレバーアーム
６６  カンチレバー部
６８  分離部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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