(57)【要約】【課題】  ピール強度の低下を招かず、ヒートサイクル時に発生する層間絶縁層のクラックを防止すること。【解決手段】  配線基板の導体回路上に層間絶縁層が形成された多層プリント配線板において、前記導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜からなり、その表面の少なくとも一部に粗化層を設けてなることを特徴とする多層プリント配線板である。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層の導体回路が設けられた基板を覆って、層間絶縁層が形成され、その層間絶縁層上に外層の導体回路が形成されてなる多層プリント配線板において、
前記層間絶縁層の表面には粗化層が形成され、前記外層の導体回路は、前記粗化層に密着する無電解めっき膜と、その無電解めっき膜上に形成された電解めっき膜とから構成されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
内層の導体回路が設けられた基板を覆って層間絶縁層を形成し、その層間絶縁層の表面に粗化層を形成した後、無電解めっき処理を施して粗化層上に無電解めっき膜を形成し、その無電解めっき膜上にめっきレジストを設け、さらに電解めっき処理を施して無電解めっき膜のめっきレジスト非形成部分に電解めっき膜を形成し、ついで、めっきレジストを除去した後、エッチング処理によってめっきレジスト下の無電解めっき膜を溶解除去して、無電解めっき膜と電解めっき膜とからなる外層の導体回路を設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層プリント配線板とその製造方法に関し、特にはピール強度の低下を招くことなく、ヒートサイクル時におけるクラックの発生を抑制した多層プリント配線板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、多層配線基板の高密度化という要請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目されている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば、特許文献１に開示されているような方法により製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっき用接着剤からなる絶縁材を塗布し、これを乾燥したのち露光現像することにより、バイアホール用開口を有する層間絶縁材層を形成し、次いで、この層間絶縁材層の表面を酸化剤等による処理にて粗化したのち、その粗化面にめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成部分に無電解めっきを施してバイアホール、導体回路を形成し、このような工程を複数回繰り返すことにより、多層化したビルドアップ配線基板が得られる。
【特許文献１】特公平４−５５５５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような多層プリント配線板では、導体回路はめっきレジストの非形成部分に設けられ、めっきレジストは内層にそのまま残存する。そのため、かかる配線基板にＩＣチップ等を搭載すると、ヒートサイクル時にＩＣチップと樹脂絶縁層との熱膨張率の差により、基板が反り、めっきレジストと導体回路間の密着がないことからこれらの境界部分に応力が集中し、この境界部分に接触する層間絶縁層にクラックが発生してしまうという問題があった。
【０００４】
本発明は、従来技術が抱える上記問題を解消するためになされたものである。その目的は、他の特性、特にピール強度の低下を招かず、ヒートサイクル時に発生する層間絶縁層のクラックを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明者は、上記目的の実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構成とする発明に想到した。
(1) 本発明の多層プリント配線板は、配線基板の導体回路上に層間絶縁層が形成された多層プリント配線板において、前記導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜からなり、その表面の少なくとも一部に粗化層を設けてなることを特徴とする。
なお、この多層プリント配線板において、導体回路は、少なくとも側面を含む表面の一部に粗化層を設けてなることが好ましく、粗化層は、銅−ニッケル−リンの合金めっきからなることが好ましい。
【０００６】
(2) 本発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に無電解めっきを施した後、めっきレジストを設け、電解めっきを施し、ついで、めっきレジストを除去後、エッチング処理して無電解めっき膜と電解めっき膜からなる導体回路を設け、さらに、導体回路表面の少なくとも一部に粗化層を形成した後、層間絶縁層を設けることを特徴とする。
なお、上記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合金めっきにより形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【０００７】
以上説明したように本発明によれば、ピール強度の低下を防止しつつ、ヒートサイクル時におけるクラックの発生を防止して接続信頼性を向上させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明のプリント配線板では、導体回路が電解めっき膜と無電解めっき膜とで構成され、より内層側に無電解めっき膜が形成され、より外層側に電解めっき膜が形成されている（図１８、図１９の拡大図参照）。このような構成にすると、導体回路は、電解めっき膜が無電解めっき膜より柔らかく展性に富むので、ヒートサイクル時に基板に反りが発生しても、層間樹脂絶縁層の寸法変化に追従できるようになる。
また、本発明のプリント配線板では、導体回路の表面に粗化層が設けられているので、その導体回路は、層間樹脂絶縁層と強固に密着し、層間樹脂絶縁層の寸法変化により追従しやすくなっている。
【０００９】
その結果、本発明のプリント配線板によれば、ＩＣチップを搭載し、−５５℃〜１２５ ℃のヒートサイクル試験を行った場合でも、導体回路を起点とする層間樹脂絶縁層のクラックの発生を抑制でき、また剥離も見られない。
特に、導体回路の少なくとも側面に粗化層を設けることは、導体回路側面とそれに接触する層間樹脂との界面を起点として層間樹脂絶縁層に発生するクラックを抑制できる点で、有利である。
【００１０】
さらに、本発明のプリント配線板では、導体のより内層側を電解めっき膜よりも硬い無電解めっき膜で構成しているので、ピール強度を低下させることがない。というのは、ピール強度は、導体回路の内層側の層間絶縁層と接触する側（後述する無電解めっき用接着剤を層間絶縁剤として採用した場合には、粗化面に接触する部分）の硬さが硬い程大きくなるためである。
【００１１】
このような多層プリント配線板は、本発明の製造方法によれば、容易に製造することができる。
【００１２】
なお、特開平６−２８３８６０号公報には、内層のめっきレジストを除去して、無電解めっき膜からなる導体回路表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層を設け、層間剥離を防止する技術が開示されている。しかしながら、この公報に記載の発明は、実際にＩＣチップを搭載してヒートサイクル試験を行った場合に発生するクラックについての認識が全くなく、また無電解めっき膜のみからなる導体回路を開示するに止まる。しかもその効果について追試を行ったところ（本願比較例参照）、−５５℃〜１２５ ℃のヒートサイクル試験に関し、１０００回程度であればクラックの発生は観られなかったが、これを超えるとクラックの発生が観察された。それゆえ、この公報に記載の発明は、本願発明とは全く異なるものである。
【００１３】
本発明において、導体回路表面の粗化層は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面、もしくはめっき被膜により形成された粗化面であることが望ましい。
【００１４】
特に、この粗化層は、銅−ニッケル−リンからなる合金層であることが望ましい。この理由は、この合金層は、針状結晶層であり、ソルダーレジスト層との密着性に優れるからである。また、この合金層上にはんだ体を形成しても電気導電率に大きな変化がなく、金属パッドの上にもはんだ体を形成できるからである。
この合金層の組成は、銅、ニッケル、リンの割合で、それぞれ９０〜９６wt％、１〜５wt％、０.５〜２wt％であることが望ましい。これらの組成割合のときに、針状の構造を有するからである。
【００１５】
なお、針状結晶を形成できるＣｕ−Ｎｉ−Ｐの組成を三成分系の三角図に示すと、図２０のようになる。この図によれば、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐ）＝（１００,０, ０ ）、（９０，１０,０ ）、（９０,０,１０ ）で囲まれる範囲がよい。
【００１６】
また、酸化処理により粗化層を形成する場合は、亜塩素酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、リン酸ナトリウムからなる酸化剤の溶液を用いることが望ましい。
酸化還元処理により粗化層を形成する場合は、上記酸化処理の後、水酸化ナトリウムと水素化ホウ素ナトリウムからなる還元剤の溶液に浸漬して行うことが望ましい。
【００１７】
このようにして形成される導体回路表面の粗化層は、厚みを１〜５μｍとすることが望ましい。この理由は、厚すぎると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからである。
【００１８】
本発明において、導体回路を構成する前記無電解めっき膜は、厚みを
０.１〜５μｍ、より好ましくは ０.５〜３μｍとすることが望ましい。この理由は、厚すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低下し、逆に薄すぎると、ピール強度の低下を招いたり、また電解めっきを施す場合に抵抗値が大きくなって、めっき膜の厚さにバラツキが発生してしまうからである。
【００１９】
また、導体回路を構成する前記電解めっき膜は、厚みを５〜３０μｍ、より好ましくは１０〜２０μｍとすることが望ましい。この理由は、厚すぎるとピール強度の低下を招き、薄すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低下するからである。
【００２０】
本発明では、導体回路の少なくとも側面に粗化層が形成されていることが望ましい。この理由は、ヒートサイクルにより層間樹脂絶縁層に生じるクラックは、導体回路側面と樹脂絶縁層との密着不良に起因して生じるものであり、このような構成とすることで、導体回路側面と樹脂絶縁層との界面を起点として層間樹脂絶縁層に発生するクラックを防止することができるからである。
【００２１】
本発明では、上記配線基板を構成する層間樹脂絶縁層として無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、硬化処理によって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できるからである。
【００２２】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、（１）平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、（２）平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、（３）平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、（４）平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、（５）平均粒径０.１〜０.８μｍの耐熱性樹脂粉末および平均粒径０.８μｍを超え平均粒径２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからである。
【００２３】
次に、本発明にかかるプリント配線板を製造する一方法について説明する。
(1) まず、コア基板の表面に内層銅パターンを形成した配線基板を作製する。
このコア基板への銅パターンの形成は、銅張積層板をエッチングして行うか、あるいは、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基板、金属基板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっきを施して行う方法がある。
【００２４】
さらに必要に応じて、上記配線基板の銅パターン表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層を形成する。
この粗化層は、無電解めっきにより形成される。この無電解めっきの液組成は、銅イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜リン酸イオン濃度が、それぞれ2.2×10-2〜4.1×10-2mol／ｌ、2.2×10-3〜4.1×10-3mol／ｌ、0.20〜0.25mol／ｌであることが望ましい。
この範囲で析出する被膜の結晶構造は針状構造になるため、アンカー効果に優れるからである。この無電解めっきの浴には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加えてもよい。
粗化層の形成方法としては、この他に前述した酸化（黒化）−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチングして粗化面を形成する方法などがある。
【００２５】
なお、コア基板には、スルーホールが形成され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層を電気的に接続することができる。
また、スルーホールおよびコア基板の導体回路間には樹脂が充填されて、平滑性を確保してもよい（図１〜図４参照）。
【００２６】
(2) 次に、前記(1) で作製した配線基板の上に、層間樹脂絶縁層を形成する。特に本発明では、層間樹脂絶縁材として前述した無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい（図５参照）。
【００２７】
(3) 前記(2) で形成した無電解めっき用接着剤層を乾燥した後、必要に応じてバイアホール形成用開口を設ける。
このとき、感光性樹脂の場合は、露光，現像してから熱硬化することにより、また、熱硬化性樹脂の場合は、熱硬化したのちレーザー加工することにより、前記接着剤層にバイアホール形成用の開口部を設ける（図６参照）。
【００２８】
(4) 次に、硬化した前記接着剤層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によって溶解除去し、接着剤層表面を粗化処理する（図７参照）。
ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）を用いることが望ましい。
【００２９】
(5) 次に、接着剤層表面を粗化した配線基板に触媒核を付与する。
触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望ましい。このような触媒核としてはパラジウムがよい。
【００３０】
(6) 次に、無電解めっき用接着剤表面に無電解めっきを施し、粗化面全面に無電解めっき膜を形成する（図８参照）。このとき、無電解めっき膜の厚みは０.１〜５μｍ、より望ましくは０.５〜３μｍとする。
つぎに、無電解めっき膜上にめっきレジストを形成する（図９参照）。めっきレジスト組成物としては、特にクレゾールノボラックやフェノールノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成物を用いることが望ましいが、他に市販品を使用することもできる。
【００３１】
(7) 次に、めっきレジスト非形成部に電解めっきを施し、導体回路、ならびにバイアホールを形成する（図１０参照）。このとき、電解めっき膜の厚さは、５〜３０μｍが望ましい。
ここで、上記無電解めっきとしては、銅めっきを用いることが望ましい。
【００３２】
(8) さらに、めっきレジストを除去した後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレジスト下の無電解めっき膜を溶解除去して、独立した導体回路とする（図１１参照）。
【００３３】
(9) 次に、導体回路の表面に粗化層を形成する（図１２参照）。
粗化層の形成方法としては、エッチング処理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理がある。
これらの処理のうち酸化還元処理は、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaClO2（40ｇ／ｌ）、Na3PO4（6ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化浴）、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaBH4（5ｇ／ｌ）を還元浴とする。
また、銅−ニッケル−リン合金層からなる粗化層は、無電解めっき処理による析出により形成する。
この合金の無電解めっき液としては、硫酸銅１〜40ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.1〜6.0 ｇ／ｌ、クエン酸10〜20ｇ／ｌ、次亜リン酸塩10〜100 ｇ／ｌ、ホウ酸10〜40ｇ／ｌ、界面活性剤0.01〜10ｇ／ｌからなる液組成のめっき浴を用いることが望ましい。
【００３４】
(10)次に、この基板上に層間樹脂絶縁層として、無電解めっき用接着剤層を形成する（図１３参照）。
(11)さらに、(3)〜(8)の工程を繰り返してさらに上層の導体回路を設ける（図１４〜１７参照）。なお、ここで、導体回路の表面には前記(9)と同様にして粗化層を形成してもよい。
【００３５】
(12)次に、こうして得られた配線基板の表面に、ソルダーレジスト組成物を塗布し、その塗膜を乾燥した後、この塗膜に、開口部を描画したフォトマスクフィルムを載置して露光、現像処理することにより、導体回路のうちパッド部分を露出させた開口部を形成する。ここで、前記開口部の開口径は、パッドの径よりも大きくすることができ、パッドを完全に露出させてもよい。また、逆に前記開口部の開口径は、パッドの径よりも小さくすることができ、パッドの縁周をソルダーレジストで被覆することができる。この場合、パッドをソルダーレジストで抑えることができ、パッドの剥離を防止できる。
【００３６】
(13)次に、前記開口部から露出した前記パッド部上に「ニッケル−金」の金属層を形成する。
【００３７】
(14)次に、前記開口部から露出した前記パッド部上にはんだ体を供給する。
はんだ体の供給方法としては、はんだ転写法や印刷法を用いることができる。ここで、はんだ転写法は、プリプレグにはんだ箔を貼合し、このはんだ箔を開口部分に相当する箇所のみを残してエッチングすることによりはんだパターンを形成してはんだキャリアフィルムとし、このはんだキャリアフィルムを、基板のソルダーレジスト開口部分にフラックスを塗布した後、はんだパターンがパッドに接触するように積層し、これを加熱して転写する方法である。一方、印刷法は、パッドに相当する箇所に貫通孔を設けたメタルマスクを基板に載置し、はんだペーストを印刷して加熱処理する方法である。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
(1)厚さ０.６ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされてなる銅張積層板を出発材料とした（図１参照）。この銅張積層板の銅箔８を常法に従いパターン状にエッチング、穴明け、無電解めっきを施すことにより、基板の両面に内層銅パターン４とスルーホール９を形成した（図２参照）。
さらに、導体回路４間およびスルーホール９内にビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を充填した（図３参照）。
【００３９】
(2) 前記(1)の処理を終えた基板を水洗いし、乾燥した後、その基板を酸性脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅8ｇ／ｌ、硫酸ニッケル0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤0.1ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅導体回路４の表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金の厚さ２.５μｍの粗化層１１（凹凸層）を形成した（図４参照）。
【００４０】
(3)ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテル）に溶解したクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の２５％アクリル化物を70重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）３０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）４重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変成トリス（アクロキシエチル）イソシアヌレート（東亜合成製、商品名：アロニックスＭ325）１０重量部、光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）５重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）０.５重量部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂粒子の平均粒径５.５μｍのものを３５重量部、平均粒径０.５μｍのものを５重量部を混合した後、ＮＭＰ（ノルマルメチルピロリドン）を添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度１１２Ｐａ・ｓに調整し、続いて３本ロールで混練して感光性接着剤溶液（層間樹脂絶縁材）を得た。
【００４１】
(4)前記(3)で得た感光性接着剤溶液を、前記(2)の処理を終えた基板の両面に、ロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、６０℃で３０分間の乾燥を行い、厚さ６０μｍの接着剤層２を形成した（図５参照）。
(5) 前記(4) で接着剤層２を形成した基板の両面に、バイアホールが描画されたフォトマスクフィルムを載置し、紫外線を照射して露光した。
【００４２】
(6)露光した基板をＤＭＴＧ（トリエチレングリコールジメチルエーテル）溶液でスプレー現像することにより、接着剤層に直径１００μｍのバイアホールとなる開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯にて３０００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、１００℃で１時間、その後１５０℃で５時間にて加熱処理することにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れ、３個集合して形成された開口（バイアホール形成用開口６）を有する厚さ５０μｍの接着剤層２を形成した（図６参照）。なお、バイアホールとなる開口６には、粗化層１１を部分的に露出させる。
【００４３】
(7)前記(5)(6)でバイアホール形成用開口６を形成した基板を、クロム酸に２分間浸漬し、接着剤層表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤層の表面を粗化し、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した（図７参照）。
(8)前記(7)で粗面化処理（粗化深さ５μｍ）を行った基板に対し、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、接着剤層２およびバイアホール用開口６の表面に触媒核を付与した。
【００４４】
(9)以下の組成の無電解銅めっき浴中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ３μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図８参照）。
〔無電解めっき液〕
ＥＤＴＡ               １５０ ｇ／ｌ
硫酸銅                  ２０ ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ                ３０ ｍｌ／ｌ
ＮａＯＨ                ４０ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル      ８０ ｍｇ／ｌ
ＰＥＧ                  ０.１ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
７０℃の液温度で３０分
【００４５】
(10)前記(9)で形成した無電解銅めっき膜１２上に市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光、０.８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト３を設けた（図９参照）。
【００４６】
(11)ついで、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜１３を形成した（図１０参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                 １８０ｇ／ｌ 
硫酸銅                ８０ｇ／ｌ 
添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）
１ ｍｌ／ｌ 
〔電解めっき条件〕
電流密度               １Ａ／ｄｍ２ 
時間                   ３０分 
温度                   室温
【００４７】
(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１２と電解銅めっき膜１３からなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホールを含む）５を形成した（図１１参照）。
【００４８】
(13)導体回路５を形成した基板を、硫酸銅8ｇ／ｌ、硫酸ニッケル0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤0.1ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、該導体回路５の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層１１を形成した（図１２参照）。このとき、形成した粗化層１１をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分析したところ、Ｃｕ：９８ｍｏｌ％、Ni：１．５ｍｏｌ％、Ｐ：０．５ｍｏｌ％の組成比を示した。
【００４９】
(14)（４）〜（１２）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した配線基板を得た（図１３〜１７参照）。
【００５０】
(15)一方、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、商品名：Ｒ604）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、商品名：DPE6A）１．５ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−65）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、DVL-B型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００５１】
(16)前記(14)で得られた配線基板に、ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布した。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、フォトマスクフィルムを載置し、１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理した。さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、パッド部分が開口した（開口径２００μｍ）ソルダーレジスト層（厚み２０μｍ）を形成した。
【００５２】
(17)次に、ソルダーレジスト層を形成した基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム2ｇ／ｌ、塩化アンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成した。
【００５３】
(18)そして、ソルダーレジスト層の開口部に、はんだペーストを印刷して２００℃でリフローすることによりはんだバンプを形成し、はんだバンプを有するプリント配線板を製造した。
【００５４】
（実施例２）
導体回路表面の粗化をエッチングにより行ったこと以外は、実施例１と同様にしてはんだバンプを有するプリント配線板を製造した。このとき、エッチング液は、メック社製の「デュラボンド」なる商品名のものを使用した。
【００５５】
（実施例３）
Ａ．無電解めっき用接着剤組成物の調製
（１）．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物を８０ｗｔ％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３５重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ３１５）３．１５重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−６５）０．５
重量部、ＮＭＰを３．６重量部を攪拌混合した。
（２）．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのものを７．２重量部、平均粒径０．５μｍのものを３．０９重量部を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。
（３）．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−９０７ ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）０．２重量部、ＮＭＰ１．５重量部を攪拌混合した。これらを混合して無電解めっき用接着剤組成物を調製した。
【００５６】
Ｂ．下層の層間樹脂絶縁剤の調製
（１）．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物を８０ｗｔ％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３５重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−６５）０．５重量部、ＮＭＰを３．６重量部を攪拌混合した。
（２）．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのものを１４．４９重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。
（３）．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）０．２重量部、ＮＭＰ１．５重量部を攪拌混合した。
これらを混合して、２層構造の層間樹脂絶縁層を構成する下層側の絶縁剤層として用いられる樹脂組成物を調製した。
【００５７】
Ｃ．樹脂充填剤の調製
（１）．ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量３１０，ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径１．６μｍのＳｉＯ２ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（１５μｍ）以下とする）１７０重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）１．５重量部を３本ロールにて混練して、その混合物の粘度を２３±１℃で４５，０００〜４９，０００ｃｐｓに調整した。
（２）．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）６．５重量部。これらを混合して樹脂充填剤１０の調製した。
【００５８】
Ｄ．プリント配線板の製造方法
(1)厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図２１参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、めっきレジストを形成した後、無電解めっき処理してスルーホール９を形成し、さらに、銅箔８を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に内層銅パターン４を形成した。
【００５９】
(2)内層銅パターン４およびスルーホール９を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaClO2（40ｇ／ｌ）、Na3PO4（6ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH4（6ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、内層銅パターン４およびスルーホール９の表面に粗化層１１を設けた（図２２参照）。
【００６０】
(3) 樹脂充填剤１０を、基板の片面にロールコータを用いて塗布することにより、導体回路４間あるいはスルーホール９内に充填し、７０℃，２０分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤１０を導体回路４間あるいはスルーホール９内に充填し、７０℃，２０分間で加熱乾燥させた（図２３参照）。
【００６１】
(4)前記(3)の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面やスルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤１０を硬化した（図２４参照）。
【００６２】
このようにして、スルーホール９等に充填された樹脂充填剤１０の表層部および内層導体回路４上面の粗化層１１を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤１０と内層導体回路４の側面とが粗化層１１を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面と樹脂充填剤１０とが粗化層１１を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤１０の表面と内層銅パターン４の表面が同一平面となる。ここで、充填した硬化樹脂のＴｇ点は１５５．６ ℃、線熱膨張係数は４４．５×１０−６／℃であった。
【００６３】
(5)前記(4)の処理で露出した内層導体回路４およびスルーホール９のランド上面に厚さ
２．５μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層（凹凸層）１１を形成し、さらに、その粗化層１１の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた（図２５参照、但し、Ｓｎ層については図示しない）。
その形成方法は以下のようである。即ち、基板を酸性脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅8ｇ／ｌ、硫酸ニッケル0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅導体回路４上面およびスルーホール９のランド上面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金の粗化層１１を形成した。ついで、ホウフッ化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層１１の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた（Ｓｎ層については図示しない）。
【００６４】
(6)前記(5)の基板の両面に、Ｂの層間樹脂絶縁剤（粘度１．５Ｐａ・ｓ）をロールコータで塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行い、絶縁剤層２ａを形成した。
さらにこの絶縁剤層２ａの上にＡの無電解めっき用接着剤（粘度７Ｐａ・ｓ）をロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行い、接着剤層２ｂを形成した（図２６参照）。
【００６５】
(7)前記(6)で絶縁剤層２ａおよび接着剤層２ｂを形成した基板の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ２で露光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、１００℃で１時間、その後１５０℃で５時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径８５μｍの開口（バイアホール形成用開口６）を有する厚さ３５μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）２を形成した（図２７参照）。なお、バイアホールとなる開口には、スズめっき層を部分的に露出させた。
【００６６】
(8)開口が形成された基板を、８００ｇ／ｌのクロム酸に７０℃で１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の接着剤層２ｂの表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層２の表面を粗面（深さ３μｍ）とし、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（図２８参照）。
さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用開口６の内壁面に触媒核を付けた。
【００６７】
(9)以下の組成の無電解銅めっき浴中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図２９参照）。
〔無電解めっき液〕
ＥＤＴＡ                 １５０ｇ／ｌ
硫酸銅                    ２０ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ                  ３０ ml／ｌ
ＮａＯＨ                  ４０ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル      ８０ ｍｇ／ｌ
ＰＥＧ                    ０．１ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
７０℃の液温度で３０分
【００６８】
(10)前記(9)で形成した無電解銅めっき膜１２上に市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト３を設けた（図３０参照）。
【００６９】
(11)ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜１３を形成した（図３１参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                 １８０ ｇ／ｌ 
硫酸銅                ８０ ｇ／ｌ 
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ）
１ ｍｌ／ｌ 
〔電解めっき条件〕
電流密度              １Ａ／ｄｍ２ 
時間                   ３０分 
温度                   室温
【００７０】
(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１２と電解銅めっき膜１３からなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホールを含む）５を形成した。さらに、７０℃で８００g／lのクロム酸に３分間浸漬して、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の無電解めっき用接着剤層の表面を１〜２μｍエッチング処理し、その表面に残存するパラジウム触媒を除去した（図３２参照）。
【００７１】
(13)導体回路５を形成した基板を、硫酸銅8ｇ／ｌ、硫酸ニッケル0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤0.1ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、該導体回路５の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層１１を形成した（図３３参照）。このとき、形成した粗化層１１をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分析したところ、Ｃｕ:９８ｍｏｌ％、Ｎｉ:１．５ｍｏｌ％、Ｐ:０．５ｍｏｌ％の組成比であった。
さらに、ホウフッ化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応を行い、前記粗化層１１の表面に厚さ ０．３μｍのＳｎ層を設けた（Ｓｎ層については図示しない）。
【００７２】
(14)前記 (6)〜(13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、多層プリント配線板を得た。但し、Ｓｎ置換は行わなかった（図３４〜３９参照）。
【００７３】
(15)一方、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A）１．５ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、DVL-B型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００７４】
(16)前記(14)で得られた多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布した。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクフィルムを密着させて載置し、１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理した。そしてさらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）を開口した（開口径２００μｍ）ソルダーレジスト層（厚み２０μｍ）１４を形成した。
【００７５】
(17)次に、ソルダーレジスト層14を形成した基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム2ｇ／ｌ、塩化アンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【００７６】
(18)そして、ソルダーレジスト層１４の開口部に、はんだペーストを印刷して２００℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）１７を形成し、はんだバンプ１７を有するプリント配線板を製造した（図４０参照）。
【００７７】
（比較例）
実施例１の(1),(2),(3),(4),(5),(6),(7),(8)の処理後、ドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光、現像処理することにより、めっきレジストを形成した。ついで、実施例１の(9)を実施後、(12)の工程と同様にしてめっきレジストを剥離し、実施例１の(13)の処理を行い導体回路の全表面を粗化した。さらに、層間樹脂絶縁層の形成、粗化処理、めっきレジストの形成、無電解銅めっき処理を同様に施し、めっきレジストを剥離した後、実施例１の(15),(16),(17),(18),(19)の処理により、はんだバンプを有するプリント配線板を製造した。
【００７８】
実施例、比較例で製造したプリント配線板につき、ＩＣチップを実装し、−５５℃で１５分、常温１０分、１２５℃で１５分で１０００回、および２０００回のヒートサイクル試験を実施した。
試験の評価は、試験後のプリント配線板におけるクラックの発生を走査型電子顕微鏡で確認した。また、ピール強度も測定した。ピール強度は、JIS-C-6481に従った。
【００７９】
その結果、クラックは、１０００回程度では、比較例、実施例１〜３とも見られなかったが、２０００回では、比較例において観察された。
ピール強度は、導体回路が無電解めっき膜のみで形成されている場合に比べて同等か、それよりやや高い値が得られた。
このように、本発明では、実用的なピール強度を確保しつつ、層間樹脂絶縁層に発生するクラックを防止できるのである。
【００８０】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図８】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図９】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１０】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１１】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１２】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１３】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１４】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１５】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１６】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１７】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１８】発明にかかる多層プリント配線板の構造拡大図である。
【図１９】発明にかかる多層プリント配線板の構造拡大図である。
【図２０】銅−ニッケル−リンの粗化層の組成を表す三角図である。
【図２１】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図２２】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図２３】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図２４】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図２５】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図２６】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図２７】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図２８】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図２９】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図３０】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図３１】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図３２】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図３３】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図３４】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図３５】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図３６】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図３７】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図３８】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図３９】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【図４０】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００８２】
１  基板
２  層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）
２ａ  絶縁剤層
２ｂ  接着剤層
３  めっきレジスト
４  内層導体回路（内層銅パターン）
５  外層導体回路（外層銅パターン）
６  バイアホール用開口
７  バイアホール（ＢＶＨ）
８  銅箔
９  スルーホール
１０  充填樹脂（樹脂充填剤）
１１  粗化層
１２  無電解銅めっき膜
１３  電解銅めっき膜
１４  ソルダーレジスト層
１５  ニッケルめっき層
１６  金めっき層
１７  はんだバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層の導体回路が設けられた基板を覆って、層間絶縁層が形成され、その層間絶縁層上に外層の導体回路が形成されてなる多層プリント配線板において、
前記層間絶縁層の表面には粗化層が形成され、前記外層の導体回路は、前記粗化層に密着する無電解めっき膜と、その無電解めっき膜上に形成された電解めっき膜とから構成されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
前記層間絶縁層には前記内層の導体回路と外層の導体回路とを電気的に接続するバイアホールが形成され、
前記層間絶縁層の上面およびバイアホールを形成する開口の内壁表面には同一の粗化処理により形成された同一種類の粗化層が設けられ、
前記外層の導体回路およびバイアホールは、前記粗化層に密着する無電解めっき膜と、その無電解めっき膜上に形成された電解めっき膜とから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
前記外層の導体回路の少なくとも側面に粗化層が形成され、さらに、その外層の導体回路を覆って他の層間絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
内層の導体回路が設けられた基板上に、層間絶縁層と外層の導体回路とが交互に積層されてなり、前記層間絶縁層のうち、最外層に位置する層間絶縁層にははんだ体が供給されるべき最外層の導体回路が形成されてなる多層プリント配線板において、
前記最外層の導体回路上には、当該導体回路の表面を部分的に露出させる開口部を有するソルダーレジスト層が形成されていると共に、当該導体回路の周縁部は前記ソルダーレジスト層により被覆されており、
前記層間絶縁層の表面には粗化層が形成され、前記外層の導体回路は、前記粗化層に密着する無電解めっき膜と、その無電解めっき膜上に形成された電解めっき膜とから構成されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項５】
前記外層の導体回路の少なくとも側面に粗化層が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の多層プリント配線板。
【請求項６】
内層の導体回路が設けられた基板を覆って層間絶縁層を形成し、その層間絶縁層の表面に粗化層を形成した後、無電解めっき処理を施して粗化層上に無電解めっき膜を形成し、その無電解めっき膜上にめっきレジストを設け、さらに電解めっき処理を施して無電解めっき膜のめっきレジスト非形成部分に電解めっき膜を形成し、ついで、めっきレジストを除去した後、エッチング処理によってめっきレジスト下の無電解めっき膜を溶解除去して、無電解めっき膜と電解めっき膜とからなる外層の導体回路を設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
内層の導体回路が設けられた基板を覆って、バイアホール形成用開口を有する層間絶縁層を形成し、その層間絶縁層の上面およびバイアホール形成用開口の内壁表面に同一の粗化処理によって同一種類の粗化層を形成した後、無電解めっき処理を施して粗化層上に無電解めっき膜を形成し、その無電解めっき膜上にめっきレジストを設け、さらに電解めっき処理を施して無電解めっき膜のめっきレジスト非形成部分に電解めっき膜を形成し、ついで、めっきレジストを除去した後、エッチング処理によってめっきレジスト下の無電解めっき膜を溶解除去して、無電解めっき膜と電解めっき膜とからなる外層の導体回路およびバイアホールを設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記外層の導体回路の少なくとも側面に粗化層を形成した後、その外層の導体回路を覆って他の層間絶縁層を設けることを特徴とする請求項７に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
発明者は、上記目的の実現に向けて鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構成とする発明に想到した。
（１）本発明の多層プリント配線板は、内層の導体回路が設けられた基板を覆って、層間絶縁層が形成され、その層間絶縁層上に外層の導体回路が形成されてなる多層プリント配線板において、
前記層間絶縁層の表面には粗化層が形成され、前記外層の導体回路は、前記粗化層に密着する無電解めっき膜と、その無電解めっき膜上に形成された電解めっき膜とから構成されていることを特徴とする。
上記（１）に記載の多層プリント配線板において、層間絶縁層には内層の導体回路と外層の導体回路とを電気的に接続するバイアホールを形成し、層間絶縁層の上面およびバイアホールを形成する開口の内壁表面には同一の粗化処理によって形成した同一種類の粗化層を設け、外層の導体回路およびバイアホールは、粗化層に密着する無電解めっき膜と、その無電解めっき膜上に形成された電解めっき膜とから構成することができる。
また、上記（１）に記載の多層プリント配線板において、外層の導体回路の少なくとも側面に粗化層を形成し、さらに、その外層の導体回路を覆って他の層間絶縁層を形成することができる。
（２）また、本発明の多層プリント配線板は、内層の導体回路が設けられた基板上に、層間絶縁層と外層の導体回路とが交互に積層されてなり、前記層間絶縁層のうち、最外層に位置する層間絶縁層にははんだ体が供給されるべき最外層の導体回路が形成されてなる多層プリント配線板において、
前記最外層の導体回路上には、当該導体回路の表面を部分的に露出させる開口部を有するソルダーレジスト層が形成されていると共に、当該導体回路の周縁部は前記ソルダーレジスト層により被覆されており、
前記層間絶縁層の表面には粗化層が形成され、前記外層の導体回路は、前記粗化層に密着する無電解めっき膜と、その無電解めっき膜上に形成された電解めっき膜とから構成されていることを特徴とする。
上記（２）に記載の多層プリント配線板において、外層の導体回路の少なくとも側面に粗化層を形成することができる。  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（３）本発明の多層プリント配線板の製造方法は、内層の導体回路が設けられた基板を覆って層間絶縁層を形成し、その層間絶縁層の表面に粗化層を形成した後、無電解めっき処理を施して粗化層上に無電解めっき膜を形成し、その無電解めっき膜上にめっきレジストを設け、さらに電解めっき処理を施して無電解めっき膜のめっきレジスト非形成部分に電解めっき膜を形成し、ついで、めっきレジストを除去した後、エッチング処理によってめっきレジスト下の無電解めっき膜を溶解除去して、無電解めっき膜と電解めっき膜とからなる外層の導体回路を設けることを特徴とする。
（４）また、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、内層の導体回路が設けられた基板を覆って、バイアホール形成用開口を有する層間絶縁層を形成し、その層間絶縁層の上面およびバイアホール形成用開口の内壁表面に同一の粗化処理によって同一種類の粗化層を形成した後、無電解めっき処理を施して粗化層上に無電解めっき膜を形成し、その無電解めっき膜上にめっきレジストを設け、さらに電解めっき処理を施して無電解めっき膜のめっきレジスト非形成部分に電解めっき膜を形成し、ついで、めっきレジストを除去した後、エッチング処理によってめっきレジスト下の無電解めっき膜を溶解除去して、無電解めっき膜と電解めっき膜とからなる外層の導体回路およびバイアホールを設けることを特徴とする。
上記（４）に記載の製造方法において、外層の導体回路の少なくとも側面に粗化層を形成した後、その外層の導体回路を覆って他の層間絶縁層を設けることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のプリント配線板では、外層の導体回路およびバイアホールが電解めっき膜と無電解めっき膜とで構成され、より内層側に無電解めっき膜が形成され、より外層側に電解めっき膜が形成されている（図１８、図１９の拡大図参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層の表面に形成された粗化層に無電解めっき膜が密着し、その無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成されている。また、層間絶縁層の上面およびバイアホール形成用開口の内壁表面に同一の粗化処理により形成された同一種類の粗化層に対して無電解めっき膜が密着し、その無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成されている。このような構成によれば、外層の導体回路およびバイアホールのより内層側に、電解めっき膜よりも比較的硬い無電解めっき膜を密着させた構成なので、ピール強度を低下させることがない。というのは、ピール強度は、外層の導体回路およびバイアホールの内層側の層間絶縁層と接触する側（後述する無電解めっき用接着剤を層間絶縁剤として採用した場合には、粗化面に接触する部分）の硬さが硬い程大きくなるためである。
また、本発明のプリント配線板では、外層の導体回路およびバイアホールのより外層側に設けた電解めっき膜が、無電解めっき膜より比較的柔らかく展性に富むので、ヒートサイクル時に基板に反りが発生しても、層間樹脂絶縁層の寸法変化に追従できるようになる。
さらに、外層の導体回路の表面に粗化層が設けられている場合には、その外層の導体回路は、それを覆っている他の層間樹脂絶縁層と強固に密着し、層間樹脂絶縁層の寸法変化により追従しやすくなっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
その結果、本発明のプリント配線板によれば、ＩＣチップを搭載し、−５５℃〜１２５
℃のヒートサイクル試験を行った場合でも、外層の導体回路およびバイアホールを起点とする層間樹脂絶縁層のクラックの発生を抑制でき、また剥離も見られない。
特に、外層の導体回路の少なくとも側面に粗化層を設けることは、導体回路側面とそれに接触する層間樹脂との界面を起点として層間樹脂絶縁層に発生するクラックを抑制できる点で、有利である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明において、外層の導体回路表面の粗化層は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面、もしくはめっき被膜により形成された粗化面であることが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このようにして形成される外層の導体回路表面の粗化層は、厚みを１〜５μｍとすることが望ましい。この理由は、厚すぎると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明において、外層の導体回路を構成する前記無電解めっき膜は、厚みを０．１〜５μｍ、より好ましくは０．５〜３μｍとすることが望ましい。この理由は、厚すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低下し、逆に薄すぎると、ピール強度の低下を招いたり、また電解めっきを施す場合に抵抗値が大きくなって、めっき膜の厚さにバラツキが発生してしまうからである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、外層の導体回路を構成する前記電解めっき膜は、厚みを５〜３０μｍ、より好ましくは１０〜２０μｍとすることが望ましい。この理由は、厚すぎるとピール強度の低下を招き、薄すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低下するからである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明では、外層の導体回路の少なくとも側面に粗化層が形成されていることが望ましい。この理由は、ヒートサイクルにより層間樹脂絶縁層に生じるクラックは、導体回路側面と樹脂絶縁層との密着不良に起因して生じるものであり、このような構成とすることで、導体回路側面と樹脂絶縁層との界面を起点として層間樹脂絶縁層に発生するクラックを防止することができるからである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、本発明にかかるプリント配線板を製造する一方法について説明する。
(1) まず、コア基板の表面に内層銅パターンを形成した配線基板を作製する。
このコア基板への銅パターン（内層の導体回路）の形成は、銅張積層板をエッチングして行うか、あるいは、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基板、金属基板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっきを施して行う方法がある。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
(4) 次に、硬化した前記接着剤層の表面（前記バイアホール形成用の開口部の内壁表面を含む）に存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によって溶解除去し、接着剤層上面およびバイアホール形成用の開口部の内壁表面を粗化処理する（図７参照）。
ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）を用いることが望ましい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
(7) 次に、めっきレジスト非形成部に電解めっきを施し、外層の導体回路、ならびにバイアホールを形成する（図１０参照）。このとき、電解めっき膜の厚さは、５〜３０μｍが望ましい。
ここで、上記無電解めっきとしては、銅めっきを用いることが望ましい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
(9) 次に、外層の導体回路の表面に粗化層を形成する（図１２参照）。
粗化層の形成方法としては、エッチング処理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理がある。
これらの処理のうち酸化還元処理は、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaClO2（40ｇ／ｌ）、Na3PO4（6ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化浴）、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaBH4（5ｇ／ｌ）を還元浴とする。
また、銅−ニッケル−リン合金層からなる粗化層は、無電解めっき処理による析出により形成する。
この合金の無電解めっき液としては、硫酸銅１〜40ｇ／ｌ、硫酸ニッケル0.1〜6.0ｇ／ｌ、クエン酸10〜20ｇ／ｌ、次亜リン酸塩10〜100ｇ／ｌ、ホウ酸10〜40ｇ／ｌ、界面活性剤0.01〜10ｇ／ｌからなる液組成のめっき浴を用いることが望ましい。