(57)【要約】【課題】基材上に、表面が平坦な導電性パターンを形成する方法およびその方法に用いる組成物を提供する。【解決手段】（１）導電粒子と感光性成分とを含み、感光性成分が光硬化性モノマーと光重合開始剤とを含む導電性パターン形成用液状組成物を、平坦な露光面と接触させる工程と、（２）この組成物に、導電性パターンが形成される表面を有する基材を浸漬する工程と、（３）平坦な露光面と基材の表面との間に、所定厚みの組成物層を介在させ、その組成物層にマスクを介して露光し、所定パターンの硬化物層を形成する工程と、（４）基材の表面から、未硬化の組成物を除去する工程とを有する導電性パターンの形成方法およびその方法に用いる導電性パターン形成用液状組成物。【選択図】図１
2007250253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）導電粒子と感光性成分とを含み、前記感光性成分が光硬化性モノマーと光重合開始剤とを含む導電性パターン形成用液状組成物を、平坦な露光面と接触させる工程と、
（２）前記組成物に、導電性パターンが形成される表面を有する基材を浸漬する工程と、
（３）前記平坦な露光面と前記基材の表面との間に、所定厚みの組成物層を介在させ、前記組成物層にマスクを介して露光し、所定パターンの硬化物層を形成する工程と、
（４）前記基材の表面から、未硬化の前記組成物を除去する工程と、
を有する導電性パターンの形成方法。
【請求項２】
前記工程（３）が、さらに、前記硬化物層上に、所定パターンを有する新たな硬化物層を形成する工程（３−１）を含み、工程（３−１）が、前記平坦な露光面と前記硬化物層との間に、所定厚みの新たな組成物層が介在するように、前記基材を移動させ、前記新たな組成物層にマスクを介して露光する操作を少なくとも１回含む、請求項１記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項３】
前記感光性成分の粘度が、２５℃で０．１〜３Ｐａ・ｓである、請求項１記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項４】
前記導電粒子の平均粒径が、１〜５μｍである、請求項１記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項５】
前記導電粒子が、前記組成物の４５〜７５重量％を占める、請求項１記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項６】
導電粒子と感光性成分とを含み、
前記感光性成分が、光硬化性モノマーと光重合開始剤とを含み、
前記感光性成分の粘度が、２５℃で０．１〜３Ｐａ・ｓである、導電性パターン形成用組成物。
【請求項７】
前記光硬化性モノマーが、複数の光重合性基を有する多官能性モノマーと、光重合性基を１つだけ有する単官能性モノマーとを含む、請求項６記載の導電性パターン形成用組成物。
【請求項８】
前記導電粒子の平均粒径が、１〜５μｍである、請求項６記載の導電性パターン形成用組成物。
【請求項９】
前記導電粒子が、前記組成物の４５〜７５重量％を占め、残りが前記感光性成分である、請求項６記載の導電性パターン形成用組成物。
【請求項１０】
分散剤をさらに含み、前記分散剤が、前記組成物の１〜５重量％を占める請求項７記載の導電性パターン形成用組成物。
【請求項１１】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性パターン形成方法により作製された、表面が平坦な導電性パターンを備える、電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に導電性パターンの形成方法に関し、詳しくは表面が平坦な導電性パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などの電子機器は、小型化が急速に進んでいる。それにともなって、電子機器内で使用される半導体素子（例えばＩＣやＬＳＩ）などの電子部品も小型化が進んでいる。そのため、基材（例えば基板や電子部品）の表面に形成される導電性パターン（例えば配線パターンやバンプ）に対しても、微細化や低抵抗化、更には高密度実装による小型化のための積層化が要求されている。
【０００３】
従来より、微細な導電性パターンは、例えば、メッキ法、フォトリソグラフィ法などのウェットプロセスにより形成されている。
例えば、特許文献１では、金属コロイド粒子、高分子顔料分散剤および感光性成分を含む組成物を用い、塗布−乾燥−露光−現像からなるフォトリソグラフィ法により、導電性パターンを形成することが提案されている。この提案では、フォトリソグラフィ法により、所定パターンで組成物の膜を形成した後、１００〜４００℃の低温で膜の加熱処理が行われる。この方法では、例えば幅５０μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍ）の導電性パターンを得ることができるが、達成できる膜厚は１μｍ以下である。
【０００４】
このようなウェットプロセスは、プロセス時間が長いこと、生産ラインが大型化し、生産性に劣ること、環境負荷物質を含んだ廃液が発生することなどが問題となる。
また、例えば、フォトリソグラフィ法により、基材上に厚膜の導電性パターンを形成する場合、塗布−乾燥−露光−現像を複数回繰り返す必要がある。つまり、先に形成されたパターンの上に、新たなパターンを正確に位置合わせして積層することが必要となる。しかし、先に形成したパターンの表面には凹凸が形成されるため、そこへ感光性の組成物を平坦かつ均一に塗布することは困難である。また、複雑な工程を複数回行うことが必要となるため、コストも高くなる。
【０００５】
そこで、ウェットプロセスに代わり、導電性接着剤、例えば導電粒子と樹脂とを含む組成物を用いて所定パターンを描写するか、または組成物を所定パターンでスクリーン印刷し、その後、組成物の膜を焼成して導電性パターンを形成する方法が広く用いられている。このような方法によれば、導電性パターンの形成が容易であり、抵抗体等の受動素子を同時に形成することが可能である。しかし、このような方法では、導電性パターンを５０μｍ以下の解像度で形成することが困難であり、得られる導電性パターンの断面形状の制御にも限界がある。
【０００６】
導電性パターンの解像度および断面形状を改善するものとして、感光性の組成物を用いる方法も提案されている。この方法は、光硬化性を有する感光性成分を含む組成物を基板全面に塗布し、乾燥後、マスク露光および現像の工程を経ることで、高解像度の導電性パターンを形成するものである。感光性の組成物には、金属粉末と光硬化性樹脂との混合物が多く用いられている。しかし、感光性の組成物の膜は、非感光性のそれと比較して、焼成後に得られる導電性パターンの抵抗値が高くなる。
【０００７】
抵抗値の低い導電性パターンを得ようとした場合、組成物中に多量の導電粒子を含ませる必要がある。その場合、組成物の膜に露光しても、膜の内部まで光が十分に到達せず、感光性成分の硬化が不十分となる。一方、膜を内部まで十分に硬化させるためには、組成物中に含ませる導電粒子の量を制限する必要があり、導電性パターンの抵抗値の制御には限界が生じる。
【０００８】
なお、感光性の組成物を用いる方法として、従来、以下のような技術が提案されている。
特許文献２は、膜の焼成処理を行うことなく、感光性成分（樹脂材料）の光硬化性を改善することにより、導電性パターンの抵抗値を低くすることを提案している。この提案では、焼成を行わないため、基材に熱ダメージを与えることがないが、低抵抗化に限界があるため、利用範囲は限られている。
【０００９】
特許文献３は、感光性成分中における炭素−炭素二重結合の量を、２ｍｍｏｌ／ｇ以上とすることにより、感光性成分の光硬化性を高めることを提案している。この提案によれば、低抵抗の導電性パターンを形成することができるが、組成物の膜を５８０℃程度の高温で加熱処理する必要がある。よって、耐熱性の低い材料からなる基材に導電性パターンを形成することは困難である。
【００１０】
一方で、導電粒子と樹脂とを含む組成物を、基材上に所定パターンでスクリーン印刷した場合、スクリーン印刷版の紗が導電性パターンの表面に転写されるために、得られる導電性パターンの高さがばらついたり、その表面に凹凸が生じたりする。例えば、各バンプにおいて、表面に凹凸が生じると、そのバンプを備える電子部品をマザー基板に実装するときに、オープン不良が生じる。また、基板上に形成される配線パターンの表面の高さが均一でない場合、基板間接続コネクターに基板を装着できない、接触抵抗がばらつく、配線パターンへの電子部品実装時にオープン不良が発生するという問題が生じる。
【特許文献１】特開２００３−２１７３５０号公報
【特許文献２】特開平４−２８３２１１号公報
【特許文献３】特開２００１−１９４７７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明は、上記を鑑み、基材上に表面が平坦な導電性パターンを形成するための有効な手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、（１）導電粒子と感光性成分とを含み、感光性成分が光硬化性モノマーと光重合開始剤とを含む導電性パターン形成用液状組成物を、平坦な露光面に接触させる工程と、
（２）上記組成物に、導電性パターンが形成される表面を有する基材を浸漬する工程と、
（３）平坦な露光面と基材の表面との間に、所定厚みの組成物層が介在するように、基材を配置し、この組成物層にマスクを介して露光し、所定パターンの硬化物層を形成する工程と、
（４）基材の表面から、未硬化の前記組成物を除去する工程と、
を有する導電性パターンの形成方法に関する。なお、形成された硬化物層は、熱処理してもよい。
【００１３】
例えば、平坦な露光面が、組成物が供給される容器の上面である場合、工程（３）は、基材を上下に移動させることにより、平坦な露光面と基材の表面との間に、所定厚みの組成物層を介在させる工程を含む。
【００１４】
工程（３）は、さらに、前記硬化物層上に、所定パターンを有する新たな硬化物層を形成する工程（３−１）を含むことができる。工程（３−１）は、平坦な露光面と前記硬化物層との間に、所定厚みの新たな組成物層が介在するように、前記基材を移動させ、前記新たな組成物層にマスクを介して露光する操作を少なくとも１回含む。ここで、熱処理が行われる場合、最初に形成された硬化物層とともに、新たな硬化物層も同時に熱処理される。
【００１５】
また、本発明は、上記導電性パターンの形成方法に用いる液状組成物に関する。この液状組成物は、導電粒子と感光性成分とを含み、感光性成分は、光硬化性モノマーと光重合開始剤とを含む。感光性成分の粘度は、０．１〜３Ｐａ・ｓである。
【００１６】
光硬化性モノマーは、複数の光重合性基を有する多官能性モノマーと、光重合性基を１つだけ有する単官能性モノマーとを含むことが好ましい。
【００１７】
導電粒子は、この組成物の４５〜７５重量％を占め、残りは、感光性成分であることが好ましい。導電粒子の平均粒径は、１〜５μｍであることが好ましい。
【００１８】
上記組成物は、分散剤を含んでいてもよい。この分散剤は、この組成物の１〜５重量％を占めることが好ましい。
【００１９】
また、本発明は、上記導電性パターン形成方法で作製した、表面が平坦な導電性パターンを備える電子部品に関する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、露光面が平坦であるため、表面が平坦な導電性パターンを基材上に形成することができる。これにより、例えば、導電性パターンが電子部品上に形成されるバンプまたは基板上に形成される配線パターンである場合に、オープン不良が発生するのを抑制することができる。よって、このような部品を含む電子機器の信頼性を向上させることができる。
【００２１】
また、感光性成分の硬化収縮力により、導電粒子同士が接触するため、熱処理を行わなくても、導通を得ることができる。さらには、熱処理を行う必要がある場合でも、光硬化物の熱変形温度は比較的低いため、比較的低温で導通を得ることができる。よって、耐熱性の低い基材の表面にも、平坦な表面を有する導電性パターンを形成することができる。
【００２２】
本発明によれば、組成物を収容した容器に、例えば基材を浸漬した状態で、複数の硬化物層の積層膜を形成することができる。このため、塗布−乾燥−露光−現像という複雑な操作を繰り返す必要がない。よって、露光毎に、マスクと下地の硬化物層との位置合わせをする必要がなく、効率的に導電性パターンを形成することができる。複数の硬化物の積層膜を形成できるため、高い導電性を有する高アスペクト比の断面形状を有する導電性パターンを形成することができる。
また、薄い厚さの組成物層に対する露光を繰り返すことができるため、比較的多量の導電粒子を含む光透過性の低い組成物を用いることもできる。
また、複数の硬化物層を積層した場合でも、各硬化物層の表面が平坦であるため、内部歪みの小さな導電性パターンを得ることができる。
【００２３】
なお、本発明において、コンピュータ制御可能な液晶パネルなどをマスクとして用いることが好ましい。露光毎に液晶パネルの光透過部の形状を変更することにより、歪みのほとんどない複雑な立体形状を有する導電性パターンを電子部品などの表面に形成することができる。例えば、本発明では、表面が平坦な硬化物層を形成できるため、積層していく硬化物層の寸法を小さくしていくことにより、歪みのほとんどないピラミッド形状の導電性パターンを形成することもできる。また、硬化物層の表面は平坦であり、凹凸がほとんどないため、複数の導電性パターンを同じ高さで形成することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
実施の形態１
図１は、本発明の一実施形態にかかる、表面に導電性パターンが形成された基材（配線基板）１００の縦断面図を示す。図２に、図１の破線で囲まれた部分の拡大図を示す。
図１の配線基板１００は、基板１１０とその上に形成された配線パターン（導電性パターン）１２０を具備する。
【００２５】
基板１１０としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリイミド樹脂などのフレキシブル基板、セラミック、ガラス、シリコンなどからなる無機基板を用いることができる。
【００２６】
導電性パターン１２０は、図２に示されるように、その表面が平坦となっている。なお、図２において、導電性パターン１２０は、複数の硬化物層１３０を含む積層構造を有しているが、１つの焼成膜から構成されていてもよい。
【００２７】
以下、基板上に、表面が平坦な導電性パターンの形成方法の一例について、図３および図４を参照しながら、説明する。
まず、導電粒子および感光性成分を含み、感光性成分が光硬化性モノマーと光重合開始剤とを含む導電性パターン形成用液状組成物を調製する。
【００２８】
次に、図３（ａ）に示されるように、光源２０６、基板上に形成される導電性パターンの形状に対応する光透過部２１１を有するマスク２００、および移動可能なステージ２０１を用意する。
マスク２００を所定の位置に配置する。次いで、基板１１０の所定の位置に導電性パターンが形成されるように、基板１１０をステージ２０１の上に装着する。
【００２９】
次いで、マスク２００と基板１１０との間に、平坦な透明板２０２を、透明板２０２と基板１１０とが平行になるように配置する。ここで、ステージ２０１は、透明板２０２に対して、Ｚ軸方向（紙面に平行な上下方向）に移動可能である。基板１１０と透明板２０２とが所定の間隔になるように、ステージ２０１を移動させて、基板１１０の位置を定める。
【００３０】
次に、上面に透明板２０２を装着可能である容器２０４を用意する。容器２０４に、所定量の導電性パターン形成用液状組成物２０３を供給する（工程１）。
【００３１】
次いで、組成物２０３を満たした容器２０４に、図３（ｂ）に示されるように、透明板２０２を装着し、基板１１０を組成物２０３中に浸漬させて、透明板の２０２の下面（露光面）に組成物を接触させる（工程２）。ここで、透明板は、容器に装着した状態で、上方から見たときに、基板が透明板からはみ出さないような大きさであればよく、透明板は、容器の上面全体を覆っている必要はない。
【００３２】
なお、工程（１）と工程（２）とは逆であってもよい。つまり、基板１１０を容器２０４に収容した後、容器２０４に組成物２０３を供給して、基板１１０を組成物２０３に浸漬させるとともに、透明板の下面に組成物２０３を接触させてもよい。
【００３３】
基板１１０は、透明板２０２と基板の表面とが平行になるように、組成物２０３中の所定深さに配置される。基板１１０の表面と透明板２０２との間隙２０５に、組成物２０３が流れ込む。こうして、透明板と基板の表面との間に、所定厚さの組成物層を介在させる。
なお、本実施形態においては、組成物２０３が透明板２０２の下面に接しているため、露光面と基板１１０の表面との間に介在する組成物層の厚みは、透明板２０２の下面と基板１１０の表面との距離を調節することにより、制御することができる。
【００３４】
次に、光源２０６から、マスク２００および透明板２０２を介して、露光面と基板１１０の表面との間に介在する組成物層に光を照射する。これにより、マスクが有する光透過部の形状に沿って、組成物層が光硬化される。
【００３５】
このように、液状組成物が、平坦な露光面（透明板の下面）に接した状態で硬化されるため、液状組成物の硬化物の表面は平坦になる。
【００３６】
透明板２０２は、液状組成物が接する下面のみが平坦であってもよいし、その両面が平坦であってもよい。
透明板２０２を構成する材質は、光源２０６から照射される所定の波長の光が透過するように選択されている。透明板２０２の材質としては、用いられる光の波長にもよるが、ガラスを用いることができる。光透過性の観点から、石英ガラスが最適である。また、透明板２０２の導電性パターン形成用組成物と接する下面には、光硬化物が離型しやすいように、離型処理が施してあることが好ましい。
【００３７】
こうして、図３（ｃ）に示されるように、基板１１０上に、所定厚さの第１硬化物層２０７が形成される（工程３）。
【００３８】
ここで、透明板と基板１１０の表面との間に介在する組成物層の厚さは、組成物２０３の硬化深さ以下であることが好ましい。硬化深さとは、組成物２０３に所定量の露光を行ったときに光硬化する深さ方向の寸法をいう。なお、組成物２０３の厚さを、硬化深さを超える寸法とした場合、露光により光硬化は起こるものの、基板に近いところでは、その組成物が硬化しない場合がある。光量１．０Ｊ／ｃｍ2における硬化深さは、２０μｍ以上であることが望ましく、３５μｍ以上であることがさらに望ましい。
【００３９】
次に、図４（ｄ）に示されるように、ステージ２０１をＺ軸の下方に移動させて、形成された第１硬化物層２０７を透明板２０２の下面から離す。そうすると、透明板と第１硬化物層２０７との間に再度、所定厚さの間隙２０８が形成される。この間隙には、周囲から組成物２０３が流れ込む。よって、透明板と第１硬化物層２０７との間に、所定厚さの新たな組成物層を介在させることができる。なお、組成物２０３に圧力をかけて、透明板と第１硬化物層との間隙への組成物２０３の充填を促進することも可能である。
【００４０】
積層膜を得る場合には、上記と同様にして、透明板と第１硬化物層との間に介在する組成物層にマスクを介して露光し、その組成物層を光硬化する。これにより、図４（ｅ）に示されるように、第１硬化物層２０７の上に、第２硬化物層２０９が形成される。
このように、新たな硬化物層を形成する操作を、１回以上行うと、図４（ｆ）に示されるように、硬化物層が積層された積層膜２１０を基板１１０上に形成することができる（工程３−１）。
【００４１】
次に、基板を取り出し、その表面から、未硬化の液状組成物を取り除く（工程４）。未硬化の液状組成物は、例えば、エアーブロー、溶剤リンス、スピンコートなどの当該分野で一般的な方法を用いて取り除くことができる。なお、液状組成物の粘度が低い場合には、未硬化の液状組成物は、容易に取り除くことができる。
【００４２】
このようにして、基板表面に形成された積層膜２１０からなる、表面が平坦な導電性パターンを形成することができる。この場合、導電粒子の平均半径は、０．１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。導電粒子の平均半径がこの範囲にあれば、感光性成分の硬化収縮力により、導電粒子同士が接触し、導通が得られる。
【００４３】
なお、基板表面に形成された積層膜２１０は、熱処理してもよい。以下で説明するような導電性パターン形成用液状組成物を用いている場合、含まれる感光性成分の種類にもよるが、熱処理の温度は、１００〜２５０℃で十分である。
【００４４】
また、上記工程（３−１）を行わず、１つの硬化物層からなる導電性パターンを形成してもよい。この場合にも、硬化物層は、熱処理してもよい。
【００４５】
基板上に所定厚みの積層した硬化物層を形成する方法としては、本実施形態に限定されない。例えば、底面が平坦な透明板からなる容器に導電性パターン形成用液状組成物を供給し、容器の下側から、マスクおよび透明板の上面（露光面）を介して露光することにより、基板上に硬化物層を形成してもよい。このとき、ステージの容器底面と対向する面に、基板を装着し、基板と透明板とは平行にしておく。
この場合にも、組成物は平坦な透明板に接しているため、得られる硬化物層（つまり、導電性パターン）の表面も、平坦とすることができる。
【００４６】
次に、導電性パターン形成用液状組成物について説明する。
導電性パターン形成用液状組成物は、光硬化性モノマーおよび光重合開始剤を含む感光性成分と、導電粒子とを含有する。
【００４７】
光硬化性モノマーは、複数の光重合性基を有する多官能性モノマーと光重合性基を１つだけ有する単官能性モノマーの両方を含むことが好ましい。
複数の光重合性基を有する多官能性モノマーとしては、例えば、１分子中に、炭素−炭素二重結合のような重合可能な官能基を２つ以上有する化合物が用いられる。多官能性モノマーに含まれる重合可能な官能基の数は、３〜１０個であることが好ましいが、前記範囲に限定されない。なお、重合可能な官能基の数が３個より少ない場合、組成物の硬化性が低下する傾向がある。その官能基の数が１０個より多くなると、分子サイズが大きくなり、組成物の粘度が大きくなる傾向がある。
【００４８】
複数の光重合性基を有する多官能性モノマーの具体例としては、例えば、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡ−エチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＡ−プロピレンオキサイド付加物のジアクリレートが挙げられる。また、上記化合物に含まれるアクリル基の１部または全てを、例えば、メタクリル基に置換した化合物を用いることもできる。
【００４９】
光重合性基を１つだけ有する単官能性モノマーは、かぶり現象を防止するために、組成物に添加される。単官能性モノマーを含有しない場合には、光硬化が進みやすくなるため、露光部分だけでなく、非露光部分まで光硬化が進む。よって、パターンの境界が不明瞭になる、かぶり現象が発生しやすくなる。
また、単官能性モノマーは、比較的低粘度である。粘度を低くするために、単官能性モノマーを、組成物に添加してもよい。
【００５０】
光重合性基を１つだけ有する単官能性モノマーとしては、例えば、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、ヘプタデカフロロデシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレートが挙げられる。また、上記化合物に含まれるアクリル基を、例えば、メタクリル基に置換した化合物を、単官能性モノマーとして用いることもできる。
【００５１】
光重合開始剤としては、市販の開始剤を好適に使用できる。光重合開始剤としては、例えば、光還元性の色素と還元剤との組み合わせが用いられる。ただし、光重合開始剤はこれらに限定されるものではない。
【００５２】
光還元性の色素としては、例えば、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミン）ベンゾフェノン、α−アミノアセトフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピルフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベンゾインメチルエーテル、アントラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンジルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２−フェニル−１，２−ブタジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フエニル−３−エトキシープロパントリオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−１−[４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、ｎ−フェニルチオアクリドン、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイル、エオシン、メチレンブルーが挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５３】
還元剤としては、例えば、アスコルビン酸、トリエタノールアミンが挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５４】
また、感光性成分は、光硬化性モノマーおよび光重合開始剤以外に、これらを溶解する溶剤を含んでいてもよい。
【００５５】
導電粒子としては、導電性を有する金属微粒子が好ましい。例えば、金、銀、白金、ニッケル、銅、パラジウム、モリブデン、タングステン等の微粒子が挙げられる。これらの金属微粒子は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。また、上記元素を含む合金からなる合金粉を導電粒子として使用することもできる。
【００５６】
また、低温による熱処理で低抵抗の導体を得るという目的から、比較的融点が低く、比抵抗値の低い金属材料を導電粒子として用いることが好適である。このような金属材料としては、例えば、金、銀および銅が好ましい。なお、これらの中でも、銀が最も好適である。これは、金は非常に高価であり、銅は、銀に比べて酸化しやすく、空気中での熱処理ができないことがあるからである。
【００５７】
導電粒子の形状は、微結晶状（微粒子状）であっても、粒状であっても、不定形であってもよい。なお、粒状には、塊状、鱗片状、球状、フレーク状等が含まれる。そのなかでも、導電粒子の形状は、球状であることが好ましい。露光時の光透過性が良く、露光効率が良いからである。
【００５８】
導電粒子の平均粒径は、１〜５μｍであることがさらに好ましく、１．５〜３μｍであることが特に好ましい。導電粒子の平均粒径が小さすぎると、光の反射も少なく、光透過領域が少なくなる。このため、硬化深さが小さくなる。一方、その平均粒径が大きすぎると、その自重により、導電粒子が沈降しやすくなり、光が遮られる。
【００５９】
液状組成物の液体成分（例えば、感光性成分）の粘度は、０．１〜３Ｐａ・ｓであることが好ましい。
液状組成物の液体成分の粘度を０．１〜３Ｐａ・ｓとすることにより、上記工程（４）において、表面に硬化物層が形成された基板を液状組成物から引き上げたときに、基板に余分な液状組成物が残らないようにすることができる。さらには、上記工程（４）において、基板から、未硬化の液状組成物を容易に除去することができる。
【００６０】
抵抗値の低い導電性パターンを得るために、導電粒子は、液状組成物の４５〜７５重量％を占めることが好ましく、５０〜７０重量％を占めることがさらに好ましい。導電粒子の量が４５重量％より少なくなると、得られる導電性パターンが高抵抗となる。導電粒子の量が７５重量％より多くなると、硬化深さが浅くなる。
【００６１】
基板と透明板との間隙への前記組成物の充填性を良好なものとするために、前記組成物の粘度は、１０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、１Ｐａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。特に前記組成物の粘度が１Ｐａ・ｓ以下である場合には、基板と透明板との間隙への前記組成物の充填性がより向上するため、組成物層の厚みをより薄くすることができ、導電性パターンの解像度を向上させることができる。さらには、充填時間を短くできるため、生産性を向上させることもできる。一方、組成物の粘度が１０Ｐａ・ｓよりも高い場合には、所定厚みの組成物層を形成するための充填に時間を要したり、前記間隙に空気がはいったりすることがある。さらには、充填が困難となり、組成物層を基板と透明板との間に介在させることができなくなる場合もある。
上記粘度は、例えば、温度２５℃で、コーンプレート型粘度計を用いて測定することができる。
なお、従来用いられていた導電性接着剤（スクリーン印刷用）の粘度は、４０〜１００Ｐａ・ｓ程度である。
【００６２】
前記組成物に含まれる感光性成分について、多官能性モノマー、単官能性モノマーおよび光重合開始剤の配合量は、それらのモノマーや開始剤の種類にもよるが、例えば、導電粒子１００重量部あたり、多官能性モノマーは５〜３０重量部であり、単官能性モノマーは０．５〜１０重量部であり、光重合開始剤は０．１〜５重量部であることが好ましい。各成分の量がこの範囲を逸脱した場合、例えば、所望の導電性が得られないことがあり、また、密着性、パターン形成の点で問題を生じることがある。
【００６３】
液状組成物の光硬化が終了するまでの時間は、短いこと（例えば、約１０分以内）が好ましい。液状組成物は、露光面と接触させる前には、所定のタンク内に攪拌しながら保存することが好ましい。
【００６４】
この組成物を硬化して得られる硬化物層は、上記の範囲の量の導電粒子が含まれるため、１５０〜３５０℃、例えば、含まれる導電粒子が金粒子または銀粒子であり、その平均粒径が数ｎｍである場合、１５０〜２００℃で熱処理することができる。
【００６５】
なお、導電性パターン形成用液状組成物は、導電粒子および感光性成分の他に、例えば、分散剤および粘度調節剤を含んでいてもよい。この液状組成物が分散剤を含む場合、分散剤の量は、液状組成物の１〜５重量％であることが好ましい。分散剤の量が少なすぎると、導電粒子が均一に分散せず、硬化深さやエッジ形状のばらつきが大きくなる。分散剤の量が、多すぎると、得られる導電性パターンの導電性に悪影響を及ぼす。
【００６６】
以上のように、本実施形態では、基板の表面と、平坦な露光面との間に、所定厚さの組成物層を介在させ、その組成物層にマスク露光を行うことにより、表面が平坦な硬化物層を得ることができる。この硬化物層を熱処理することにより、表面が平坦な導電性パターンを得ることができる。
このとき、基板の表面と、露光面との間隔は一定であるため、同じ高さで導電性パターン（配線パターン）を形成することができる。
また、液状組成物に含まれる導電粒子の量が比較的多いため、硬化物層の熱処理を低い温度で行うことができる。よって、耐熱性の低い材料や電子部品の上にも、導電性パターンを形成することができる。
【００６７】
さらに、硬化物層が積層された積層膜においては、その表面が平坦であるだけでなく、深さ方向における硬化が均一であり、硬化による歪みが少ない。また、各硬化物層の表面が平坦であるため、硬化物層の上に、別の硬化物層を均一に形成することができる。このような積層膜を熱処理することにより、寸法精度がよく、低抵抗の導電性パターンを得ることができる。よって、硬化物層の積層数を増した場合には、高アスペクト比の断面形状を有し、表面が平坦な導電性パターンが容易に得られる。
【００６８】
実施の形態２
図５に、本発明の別の実施形態に係る、ＩＣチップの電極表面に、接合用バンプを形成した電子部品（ＩＣ基板）の斜視図を示す。また、図６には、図５のＶＩ−ＶＩ線断面図を示す。
【００６９】
図５に示されるＩＣ基板３００は、ＩＣチップ３１０およびその上に担持された複数のピラミッド形状の接合用バンプ３３０を含む。なお、ＩＣ基板３００においては、ＩＣチップ３１０の表面に設けられた複数の電極３２０上に、それぞれ、接合用バンプ３３０が形成されている。
【００７０】
本実施形態のバンプは、図６に示されるように、電極３２０の上に、形状が正方形で、その大きさが徐々に小さくなっていく硬化物層３４０が積層されている。最上部の膜の表面は平坦となっているが、全体としては、ピラミッド形状である。
【００７１】
本発明においては、硬化物層の表面を平坦にすることができる。硬化物層を積層して、導電性パターンを作製する場合、積層していく硬化物層の大きさを徐々に小さくすることにより、ほとんど歪みのないピラミッド形状の導電性パターンを形成することができる。
また、表面に凹凸がほとんどないため、硬化物層を積層したとしても、積層物の厚さが硬化物層の厚さの合計とほぼ等しくなる。よって、各バンプが複数の硬化物層を積層した積層膜から作製される場合でも、複数のバンプを同じ高さで形成することができる。
【００７２】
このようなＩＣ基板の作製方法の一例を、図７および８を参照しながら説明する。図７〜８において、図３〜４と同じ構成要素には、同じ番号を付している。
図７〜８に示される作製方法においては、図３〜４のマスクの代わりに、光透過部４０２の形状および大きさがコンピュータ４０１によって制御される液晶素子４００を用いている。
【００７３】
上記実施の形態１と同様に、ＩＣチップ３１０の所定の位置にバンプパターンに合わせて硬化物層が形成されるように、ステージ２０１の上にＩＣチップ３１０を装着する。液晶素子４００とＩＣチップ３１０との間に、表面が平坦な透明板２０２を配置する。次いで、図７（ａ）に示されるように、ＩＣチップ３１０と透明板２０２とが所定の間隔を介して対向するように、ステージ２０１を移動させる。
透明板は、実施の形態１と同様に、液状組成物と接する面のみが平坦であってもよいし、両方の面が平坦であってもよい。
【００７４】
次に、上面に透明板２０２を装着可能である容器２０４に、導電性パターン形成用液状組成物２０３を満たす。図７（ｂ）に示されるように、容器２０４の上面に透明板２０２を装着し、ＩＣチップ３１０を組成物２０３中に浸漬させる。このとき、実施の形態１と同様に、透明板２０２とＩＣチップ３１０の表面とが平行となるように、組成物２０３内にＩＣチップ３１０を配置する。
【００７５】
ＩＣチップ３１０の表面と透明板の下面（露光面）との間隙２０５には、周囲から組成物２０３が流れ込む。こうして、透明板とＩＣチップ３１０との間に、所定厚さの組成物層を介在させる。
【００７６】
次いで、液晶素子４００および透明板２０２を介して、光源２０６から光を照射し、露光面とＩＣチップ３１０との間に供給された組成物層に露光する。マスクとして用いられる液晶素子４００には、コンピュータ４０１により、バンプの底面に対応する正方形の光の透過部が設けられている。
こうして、図７（ｃ）に示されるように、ＩＣチップ３１０上に、形状が正方形で、所定厚さの第１硬化物層４０７が形成される。
ここで、実施の形態１と同様に、ＩＣチップ３１０の表面と透明板との間に介在する組成物層の厚さは、組成物２０３の硬化深さ以下であることが好ましい。
【００７７】
次に、図８（ｄ）に示されるように、ステージ２０１をＺ軸下方に移動させ、第１硬化物層４０７を透明板２０２の下面から離す。第１硬化物層４０７の上面には、再度、所定厚さの間隙２０８が形成される。この間隙に、周囲から組成物が流れ込む。こうして、透明板と第１硬化物層４０７との間に、所定厚さの新たな組成物層を介在させる。なお、実施の形態１と同様に、組成物２０３に圧力をかけて、透明板とＩＣチップとの間隙への組成物２０３の充填を促進してもよい。
【００７８】
次いで、コンピュータ４０１によって、液晶素子４００の光透過部４０２の寸法を小さくして、再度露光を行う。これにより、第１硬化物層４０７と透明板との間に介在する組成物層が光硬化される。こうして、図８（ｅ）に示されるように、第１硬化物層４０７の上に、形状が、第１硬化物層４０７よりも少し小さい正方形である第２硬化物層４０９が形成される。
このような新たな硬化物層を形成する操作を、液晶素子４００に設けられる正方形の光透過部４０２の寸法を徐々に小さくしながら、１回以上行うことにより、図８（ｆ）に示されるように、硬化物層がピラミッド形状に積層された積層膜４１０を得ることができる。
【００７９】
ＩＣチップ３１０を取り出し、その表面から、未硬化の組成物を取り除く。こうして、ＩＣチップ３１０の表面に形成された積層膜４１０からなるピラミッド形状の接合用バンプを得ることができる。
【００８０】
実施の形態１と同様に、積層膜４１０は、熱処理してもよい。なお、積層膜の熱処理は、実施の形態１と同様に、１００〜２５０℃の温度で行うことができる。
【００８１】
このようにして、歪みのほとんどない、複数のピラミッド形状のバンプを形成することができるとともに、各バンプの高さを同じにすることができる。
【００８２】
ピラミッド形状の接合用バンプは、上記のように、ＩＣチップの表面または硬化物層と露光面との間に介在する組成物層に露光するときに、正方形の光透過部の寸法を変化させることにより形成することができる。このとき、光透過部の寸法の変更とステージのＺ軸方向の移動とを、コンピュータにより連動して制御することにより、硬化物層を自動的に積層することもできる。
なお、上記のような液晶素子を用いることなく、正方形の透過部の寸法が異なる複数のマスクを用いてもよい。
【００８３】
露光時に、マスクの光透過部の形状を変更することにより、ピラミッド形状よりも複雑な立体形状の導電性パターンを形成することができる。また、例えば、基材と透明板との間隔および硬化物層と透明板との間隔を液状組成物の最大硬化深さとし、マスクの光透過部のサイズを大きくしていく。これにより、ＩＣチップの表面から離れるほど、そのサイズが大きくなっているオーバーハング形状のバンプや導電体の形成も可能である。
【００８４】
バンプは、１つの硬化物層のみから構成されていてもよい。この場合、そのバンプは、実施の形態１と同様に、第１硬化物層のみを熱処理することにより形成することができる。
【００８５】
以上のように、本発明によれば、表面が平坦な配線パターンまたはバンプを、基板上または電子部品上に形成することができる。例えば、基板上に表面が平坦な配線パターンを形成することにより、配線パターンを形成した基板を基板間接続コネクターに接続することが容易になる。よって、配線パターンと電子部品との接触抵抗のばらつきが抑えられ、配線パターンに電子部品を実装するときに、オープン不良の発生が低減する。また、電子部品上に表面が平坦なバンプを形成することにより、そのバンプを形成した電子部品をマザー基板に実装するときに、オープン不良の発生が低減する。
【００８６】
実施の形態３
表面が平坦な導電性パターンは、以下のようにして作製することもできる。その作製方法を、図９を参照しながら説明する。図９において、図３と同様の構成要素には、同じ番号を付している。
【００８７】
まず、上記実施の形態１および２と同様に、移動可能なステージ２０１、光源（図示せず）、および基材上に形成される導電性パターンの形状に対応する光透過部を有するマスク（図示せず）を用意し、それぞれを所定の位置に配置する。基材９００をステージ２０１の上に装着する。
【００８８】
次いで、図９（ａ）に示されるように、液状組成物２０３の供給装置９１０を用いて、基材９００上に、液状組成物２０３を供給する。供給装置９１０は、例えば、液状組成物２０３を収容するタンクａと、組成物２０３の供給部９１０ｂとから構成することができる。
次に、図９（ｂ）に示されるように、基材９００上に供給された液状組成物２０３に接するように、平坦な透明板２０２を配置する。このとき、透明板２０２と基材９００とが平行になるように、透明板を配置する。このようにして、透明板２０２の下面と基材９００との間に、組成物層を介在させる。
【００８９】
この後、所定の形状の光透過部を有するマスク（図示せず）を介して、組成物層に露光し、液状組成物を光硬化させて、第１硬化物層を得る。次に、透明板２０２を取り除き、未硬化の液状組成物を除去する。こうして、第１硬化物層からなる、表面が平坦な導電性パターンを形成することができる。
【００９０】
本実施形態においても、液状組成物は、上記と同様のものを用いることができる。また、組成物が透明板の下面に接しているため、露光面と基材の表面との間に介在する組成物層の厚みは、透明板の下面と基材の表面との距離を調節することにより、制御することができる。
【００９１】
本実施形態においても、導電性パターンは、複数の硬化物層が積層された積層膜から構成されてもよい。
この場合、上記と同様にして、露光して、液状組成物を光硬化させて、第１硬化物層を得る。次に、ステージ２０１を下方に移動させて、第１硬化物層を透明板から剥離させる。次いで、図９（ｃ）に示されるように、透明板２０２と第１硬化物層９２０との間に、供給装置９１０を用いて、液状組成物２０３を供給し、透明板と第１硬化物層との間に、組成物層を介在させる。このとき、液状組成物２０３は透明板２０２に接触させる。
【００９２】
この後、上記と同様にして、露光して、組成物層を光硬化することにより、第１硬化物層の上に、第２硬化物層を形成する。このような新たな硬化物層を形成する操作を繰り返すことにより、複数の硬化物層が積層した積層膜からなる導電性パターンを形成することができる。
【００９３】
なお、本実施例においても、得られた硬化物層または積層膜は、熱処理してもよい。
【００９４】
以下、本発明を、実施例に基づいて、さらに具体的に説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００９５】
以下のような多官能性モノマー、単官能性モノマーおよび光重合開始剤を含む感光性成分と、導電粒子とを混合し、導電性パターン形成用液状組成物を調製した。
【００９６】
導電粒子として、平均粒径３μｍの銀微粒子（４０重量部）と平均粒径１．３μｍの銀微粒子（２０重量部）の２種類を用いた。
【００９７】
感光性成分に含まれる多官能性モノマーとしては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（３０重量部）およびトリメチロールプロパントリアクリレート（１０重量部）を用いた。
単官能性モノマーとしては、メタクリル酸メチル（２．５５重量部）およびアクリル酸ブチル（２．５５重量部）を用いた。
光重合開始剤として、アセトフェノン誘導体（３重量部）を用いた。
【００９８】
導電性パターン形成用液状組成物の粘度を、２５℃で、コーンプレート型粘度計を用いて測定したところ、０．８Ｐａ・ｓであった。
【００９９】
この組成物を用いて、実施の形態１と同様にして、ガラス基板上に、ラインアンドスペースの導電性パターンを形成した。
【０１００】
透明板およびその透明板に対して移動可能なステージを用意し、５ｃｍ角のガラス基板をステージ上に装着した。ここで、ガラス基板と透明板との間隔を５μｍに調整しておいた。
次に、上面に透明板を装着できる所定の容器に、上記のようにして調製した組成物を満たした。次いで、容器の上面に透明板を装着し、透明板の下面に組成物を接触させるとともに、ガラス基板を組成物中に浸漬した。このとき、ガラス基板の表面は透明板と平行であった。組成物がガラス基板と透明板の間隙に流れ込んだ。こうして、厚さ５μｍの組成物層をガラス基板と透明板との間に介在させた。
【０１０１】
次に、開口部の幅が３０μｍであり、スペースが３０μｍであるラインアンドスペースの直線パターンのマスクを用い、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギーの光を、ガラス基板と透明板の下面（露光面）との間に介在する組成物層に照射し、厚さ５μｍの第１硬化物層を得た。なお、５００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギーで光線をこの組成物に照射したときの硬化深さは、２０μｍであった。
【０１０２】
次に、ステージを、Ｚ軸下方にさらに５μｍに移動させて、第１硬化物層と透明板との間に、厚さ５μｍの組成物層を介在させた。再度、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギーの光を、第１硬化物層と透明板との間に介在する組成物層に照射し、厚さ５μｍの第２硬化物層を形成した。
この工程を所定の回数行い、ラインアンドスペースの直線パターンの積層膜を得た。得られた積層膜の厚みは６０μｍであり、積層膜の幅および積層膜間の間隔は、それぞれ３０μｍであった。
【０１０３】
上記直線パターンを形成したガラス基板を取り出し、その表面をエアーブローによって、クリーニングして、未硬化の組成物を除去した。この後、その積層膜を、２００℃で２時間加熱処理して、導電性パターンを得た。
【０１０４】
得られた導電性パターンは、表面が平坦であることが確認された。
また、その導電性パターンの体積抵抗率を、抵抗率測定器（三菱化学（株）製のロレスターＧＰ）を用いて計測したところ、３．０×１０-5Ω・ｃｍであった。
【実施例２】
【０１０５】
実施の形態２と同様にして、５ｍｍ角のＩＣチップの電極上に、ピラミッド形状の接合用バンプを形成した。導電性パターン形成用液状組成物は、実施例１と同じものを用いた。
ＩＣチップとしては、縦方向および横方向において、２００μｍのピッチで各１０個ずつ、合計１００個の電極が形成されているものを用いた。
【０１０６】
ＩＣチップを、電極面を上にしてステージ上に装着し、ＩＣチップの電極面と透明板との間隔を５μｍに調整した。ＩＣチップの電極面と透明板とは平行であった。
【０１０７】
次に、実施例１と同様に、所定の容器の組成物を満たし、容器の上面に透明板を装着して、透明板の下面に組成物を接触させるとともに、ＩＣチップを組成物中に浸漬した。ＩＣチップの電極面と透明板との間隙に組成物が流れ込み、透明板とＩＣチップとの間に厚さ５μｍの組成物層を介在させた。
【０１０８】
マスクとして、光透過部の形状がコンピュータにより制御される液晶素子を用いた。液晶素子には、７０μｍ角の正方形の光透過部を、２００μｍのピッチで、縦方向および横方向に、それぞれ各１０個ずつ、合計１００個配置した。
露光面とＩＣチップの表面との間に介在する組成物層に、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギーの光を照射し、上面が７０μｍ角の正方形で、厚さが５μｍの第１硬化物層を形成した。
【０１０９】
次に、ステージをＺ軸下向に、さらに５μｍだけ移動させ、透明板と第１硬化物層との間に、厚さ５μｍの組成物層を介在させた。液晶素子の光透過部の形状を、７０μｍ角の正方形から６２μｍ角の正方形に変更した。再度、超高圧水銀灯により４５０ｍＪ／ｃｍ2のエネルギーで光を、第１硬化物層の上に供給された組成物に照射した。こうして、第１硬化物層の上に、上面が６２μｍ角の正方形で、厚さが５μｍの第２硬化物層を形成した。
この操作を、液晶素子の光透過部の寸法を５４μｍ角、４６μｍ角、３８μｍ角、３０μｍ角、２２μｍ角、または１４μｍ角に変更して行い、底面が７０μｍ角の正方形であり、高さが４０μｍであるピラミッド形状の積層膜を形成した。
【０１１０】
ＩＣチップを取り出し、その表面をエアーブローによって、クリーニングし、未硬化の組成物を除去した。この後、形成した積層膜を、２７０℃で２時間熱処理した。このようにして、ＩＣチップの電極上に、ピラミッド形状の接合用バンプを形成した。
【０１１１】
得られたバンプは、歪みのほとんどないピラミッド形状であることが確認された。各バンプは、その高さが揃っていた。
また、そのバンプの抵抗を、抵抗率測定器（三菱化学（株）製のロレスターＧＰ）を用いて計測したところ、５ｍΩであった。
【０１１２】
実施例１〜２より、本発明の導電性パターン形成方法を用いることによって、表面が平坦な導電性パターンを形成できることがわかる。なお、感光性成分の粘度は、０．１〜３Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【０１１３】
さらには、上記導電性パターン形成用組成物を用いることにより、積層膜の熱処理を従来よりも低くすることができる。このため、上記組成物および形成方法を用いることにより、耐熱性の低い基板にも、例えば、抵抗が小さい微細な配線パターンを形成することができる。
【０１１４】
また、実施例２に示されるように、ＩＣチップの電極上に、液晶素子をマスクとした露光により、ＩＣチップの複数の電極上に、一括して、ピラミッド形状の接合用バンプを形成することができた。よって、高密度実装における積層化された接合用バンプを、ＩＣなどの電極表面に形成することもできる。
【０１１５】
以下の実施例では、組成物に含まれる導電粒子の平均粒径と組成物に照射される光のエネルギーを変化させたときの組成物の硬化深さの変化、および組成物における導電粒子の量と光のエネルギーを変化させたときの組成物の硬化深さの変化について調べた。
【実施例３】
【０１１６】
液状組成物に照射される光のエネルギーと、液状組成物に含まれる導電粒子の平均粒径と、液状組成物の硬化深さとの関係について調べた。
【０１１７】
以下のような導電粒子および感光性成分を用い、実施例１と同様にして、液状組成物を調製した。導電粒子としては、球状の銀粒子を用い、その平均粒径は、０．３１μｍ、３．０μｍ、および７．０μｍとした。
感光性成分としては、ウレタンアクリレートオリゴマー、アクリレートモノマー、ベンジルジメチルケタール、および疎水性ポリマーを用いた。
２５℃で、コーンプレート型粘度計を用いて測定したところ、液状組成物の粘度は、０．８Ｐａ．ｓであった。
導電粒子と感光性成分との混合比は、重量比で、５０：５０とした。
【０１１８】
上記のようにして得られた組成物に所定のエネルギーの光を照射して、硬化させた。このときの硬化深さを測定した。照射される光のエネルギーは、０．５Ｊ／ｃｍ2、１Ｊ／ｃｍ2、５Ｊ／ｃｍ2または１０Ｊ／ｃｍ2とした。
【０１１９】
得られた結果を図１０に示す。図１０より、導電粒子の平均粒径が３μｍまでは、その平均粒径が大きいほど、硬化深さが深くなることがわかる。これは、導電粒子間の空隙が大きいためであると考えられる。一方、導電粒子の平均粒径が３μｍより大きくなると、導電粒子が、光が透過するのを妨げるため、硬化深さが徐々に浅くなっていくことがわかる。
【実施例４】
【０１２０】
本実施例では、液状組成物に含まれる導電粒子の量と、その液状組成物に照射される光のエネルギーと、その液状組成物の硬化深さとの関係について調べた。
【０１２１】
液状組成物に含まれる銀粒子の量を、３０重量％、４０重量％、５０重量％、６０重量％または７０重量％としたこと以外、実施例３と同様にして、組成物を調製した。
用いた銀粒子の平均粒径は、３μｍであった。
【０１２２】
上記のようにして得られた各組成物を用い、その組成物に照射される光のエネルギーを変化させ、そのときの硬化深さを測定した。
【０１２３】
得られた結果を、図１１に示す。図１１より、光のエネルギーが２００ｍＪ／ｃｍ2である場合には、組成物における導電粒子の量が５０重量％であっても、硬化深さは６０μｍであることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明は、例えば電子部品上に、表面が平坦な導電性パターンを形成する場合に有効である。導電性パターンの表面を平坦にすることにより、高い信頼性の電子部品が得られる。本発明の電子部品は、例えば、高い信頼性が必要とされる携帯型電子機器に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品（配線基板）の縦断面図である。
【図２】図１の波線で囲まれた部分の拡大図である。
【図３】配線基板の作製において、基板上に硬化物層を形成する操作を説明する図である。
【図４】配線基板の作製において、基板上に複数の硬化物層が積層された積層膜を形成する操作を説明する図である。
【図５】本発明に係る電子部品（ＩＣ基板）の縦断面図である。
【図６】図５の電子部品のVI−VI線断面図である。
【図７】ＩＣチップの電極上に、形状が正方形である硬化物層を形成する操作を説明する図である。
【図８】ＩＣチップの電極上に、寸法が徐々に小さくなる、複数の硬化物層が積層された積層膜を形成する操作を説明する図である。
【図９】本発明の別の実施形態に係る導電性パターンの作製方法を説明する図である。
【図１０】本発明の液状組成物に含まれる導電粒子の平均粒径と、液状組成物の硬化深さとの関係を示すグラフである。
【図１１】本発明の液状組成物に照射される光のエネルギーと、液状組成物の硬化深さとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１２６】
１００  配線基板
１１０  基板
１２０  導電性パターン
１３０、３４０  硬化物層
２００  マスク
２０１  ステージ
２０２  透明板
２０３  導電性パターン形成用組成物
２０４  容器
２０５、２０８  間隙
２０６  光源
２０７、４０７、９２０  第１硬化物層
２０９、４０９  第２硬化物層
２１０、４１０  積層膜
２１１、４０２  光透過部
３００  ＩＣ基板
３１０  ＩＣチップ
３２０  電極
３３０  接合用バンプ
４００  液晶素子
４０１  コンピュータ
９００  基材
９１０  供給装置
９１０ａ  タンク
９１０ｂ  供給部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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