(57)【要約】【課題】画像欠陥の少ない堆積膜を形成することができる搬送装置、堆積膜形成方法及び装置を提供する。【解決手段】円筒状基体を減圧可能な搬送容器に格納する手段、格納された前記搬送容器内を真空排気する手段、前記搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させる手段、前記搬送容器内に格納された前記円筒状基体を前記堆積膜形成装置内に設置する手段を具備した真空搬送装置において、前記搬送容器内に第１のアーム及び間隔が可変である第２のアームを有する事を特徴とする。【選択図】        図１
2007056280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状基体を減圧可能な搬送容器に格納する手段、格納された前記搬送容器内を真空排気する手段、前記搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させる手段、前記搬送容器内に格納された前記円筒状基体を前記堆積膜形成装置内に設置する手段を具備した真空搬送装置において、前記搬送容器内に第１のアーム及び間隔が可変である第２のアームを有する事を特徴とする真空搬送装置。
【請求項２】
前記円筒状基体の同軸上に円筒状補助部材を載置する手段を有する事を特徴とする請求項１に記載の真空搬送装置。
【請求項３】
円筒状基体の同軸上に円筒状補助部材を載置する手段、前記円筒状基体を搬送容器内の第１のアーム及び間隔が可変である第２のアームにて減圧可能な搬送容器に格納する手段、格納された前記搬送容器内を真空排気する手段、前記搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させる手段、前記搬送容器内に格納された前記円筒状基体を前記堆積膜形成装置内に設置する手段を具備した真空搬送装置を用い、堆積膜形成装置内に設置された前記円筒状基体を回転する手段、複数原料ガス導入管から、前記堆積膜形成装置内に原料ガスを導入する手段、前記堆積膜形成装置内を排気する手段、前記円筒基体を加熱する手段、放電エネルギーにより前記原料ガスを励起する手段、前記円筒状基体上に堆積膜を形成手段を有する事を特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項４】
請求項３の堆積膜形成装置は電子写真感光体を作成する装置である事を特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項５】
円筒状基体の同軸上に円筒状補助部材を載置し、前記円筒状基体を減圧可能な搬送容器に格納し、格納された前記搬送容器内を真空排気し、前記搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させ、前記搬送容器内に格納された前記円筒状基体を前記堆積膜形成装置内に設置する真空搬送方法において、
前記円筒状基体の同軸上に載置された前記円筒状基体及び前記円筒状補助部材を前記搬送容器内に格納する際には搬送容器内の第１の搬送アームにより前記円筒状補助部材を前記搬送容器内に格納後、前記搬送容器内の第２の搬送アームにより前記円筒状基体を格納すると共に、前記堆積膜形成装置内に前記円筒状基体を設置する際には、前記搬送容器内の第２の搬送アームにより前記堆積膜形成装置に前記円筒状基体を設置後に前記円筒状補助部材を前記搬送容器内の第１の搬送アームにより前記堆積膜形成装置内の前記円筒状基体と同軸上に載置する事を特徴とする真空搬送方法。
【請求項６】
前記円筒状基体の同軸上に載置された前記円筒状基体及び前記円筒状補助部材を前記搬送容器内に格納する際には搬送容器内の第１の搬送アームにより前記円筒状補助部材を前記搬送容器内に格納後、前記搬送容器内の第２の搬送アームにより前記円筒状基体を格納すると共に、前記堆積膜形成装置内に前記円筒状基体を設置する際には、前記搬送容器内の第２の搬送アームにより前記堆積膜形成装置に前記円筒状基体を設置後に前記円筒状補助部材を前記搬送容器内の第１の搬送アームにより前記堆積膜形成装置内の前記円筒状基体と同軸上に載置する真空搬送方法を用い、前記堆積膜形成装置内に前記円筒状基体上を設置し、前記円筒状支持体を回転可能し、複数の原料ガス導入管から、前記堆積膜形成装置内に原料ガスを導入し、前記堆積膜形成装置内を排気し、前記円筒基体を加熱し、放電エネルギーにより前記原料ガスを励起しプラズマＣＶＤ法により堆積膜を形成する事を特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項７】
円筒状支持部材の同軸上に前記円筒状基体を載置する手段、前記円筒状基体の同軸上に前記円筒状補助部材を載置する手段を有する事を特徴とする請求項１に記載の真空搬送装置。
【請求項８】
円筒状支持部材の同軸上に円筒状基体を載置する手段、前記円筒状基体の同軸上に円筒状補助部材を載置する手段、前記円筒状基体を搬送容器内の第１のアーム及び間隔が可変である第２のアームにて減圧可能な搬送容器に格納する手段、格納された前記搬送容器内を真空排気する手段、前記搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させる手段、前記搬送容器内に格納された前記円筒状基体を前記堆積膜形成装置内に設置する手段を具備した真空搬送装置を用い、前記堆積膜形成装置内に設置された前記円筒状基体を回転する手段、複数原料ガス導入管から、前記堆積膜形成装置内に原料ガスを導入する手段、前記堆積膜形成装置内を排気する手段、前記円筒基体を加熱する手段、放電エネルギーにより前記原料ガスを励起する手段、前記円筒状基体上に堆積膜を形成手段を有する事を特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項９】
請求項８の堆積膜形成装置は電子写真感光体を作成する装置である事を特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項１０】
前記円筒状支持部材の同軸上に前記円筒状基体、前記円筒状補助部材の順で載置し、前記円筒状基体を減圧可能な搬送容器に格納し、格納された前記搬送容器内を真空排気し、前記搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させ、前記搬送容器内に格納された前記円筒状基体を前記堆積膜形成装置内に設置する真空搬送方法において、前記円筒状支持部材の同軸上に前記円筒状基体、前記円筒状補助部材の順で載置された状態の前記円筒上支持部材および前記円筒状基体及び前記円筒状補助部材を前記搬送容器内に格納する際には前記搬送容器内の第１の搬送アームにより前記円筒状補助部材を前記搬送容器内に格納後に前記搬送容器内の第２の搬送アームにより前記円筒状基体及び前記円筒状支持部材を格納すると共に、前記堆積膜形成装置内に前記円筒状基体を設置する時には前記搬送容器内の第２の搬送アームにより前記堆積膜形成装置に前記円筒状基体及び前記円筒状支持部材を設置後に前記円筒状補助部材を前記搬送機内の第１の搬送アームにより前記堆積膜形成装置内の前記円筒状基体と同軸上に載置する事を特徴とする真空搬送方法。
【請求項１１】
前記円筒状支持部材の同軸上に前記円筒状基体、前記円筒状補助部材の順で載置された状態の前記円筒上支持部材および前記円筒状基体及び前記円筒状補助部材を前記搬送容器内に格納する際には前記搬送容器内の第１の搬送アームにより前記円筒状補助部材を前記搬送容器内に格納後に前記搬送容器内の第２の搬送アームにより前記円筒状基体及び前記円筒状支持部材を格納すると共に、前記堆積膜形成装置内に前記円筒状基体を設置する時には前記搬送容器内の第２の搬送アームにより前記堆積膜形成装置に前記円筒状基体及び前記円筒状支持部材を設置後に前記円筒状補助部材を前記搬送機内の第１の搬送アームにより前記堆積膜形成装置内の前記円筒状基体と同軸上に載置する真空搬送方法を用い、前記堆積膜形成装置内に前記円筒状基体上を設置し、前記円筒状支持体を回転可能し、前記複数の原料ガス導入管から、前記堆積膜形成装置内に原料ガスを導入し、前記堆積膜形成装置内を排気し、前記円筒基体を加熱し、放電エネルギーにより前記原料ガスを励起しプラズマＣＶＤ法により堆積膜を形成する事を特徴とする堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性堆積膜、殊に半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用のラインセンサー、撮像デバイス、光起電力素子等に用いられるアモルファス状或いは多結晶状等の非単結晶状の堆積膜を利用した光受容部材を形成するのに適したプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等に用いる素子部材として、アモルファスシリコン、例えば水素及び／又はハロゲン（例えば弗素、塩素等）で補償されたアモルファスシリコン（以下“ａ−Ｓｉ”と略記す。）等のアモルファス材料（本発明においてアモルファスとは非単結晶であることを示す）で構成された半導体等用の堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。
【０００３】
こうした堆積膜を連続して生産可能なシステムは各種提案されており、特にその搬送システムは多種多様で、その用途に応じて各種提案されている。
【０００４】
堆積膜形成前の搬送と堆積膜形成後の搬送手段を分離する事により、堆積膜形成前にダスト等が基板に付着するのを防止を目的とし、搬送機を用いた一連の堆積膜形成装置も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
ここで、図６に、従来の堆積膜形成装置において搬送容器内に円筒状基板の格納する手段の一例を示す模式的断面図を示す。
【０００６】
搬送容器６０１内には、搬送アーム６０３が介在している。円筒状基体６０９は、基板ホルダー６１０に装着されており、円筒状基体６０９の上には円筒状補助部材６０８が、同じく基板ホルダー６１０に装着されている。
【０００７】
搬送アーム６０３は基板ホルダー６１０の上端部を掴み、搬送容器６０１内に引き上げ格納する。
【特許文献１】特許第２９０７４０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような従来の半導体製造方法および装置により、ある程度実用的な画像特性と電子写真特を持つ方法および装置を得ることが可能となった。しかし、電子写真用感光体のように大面積で比較的厚い堆積膜が要求される製品等において、形成する堆積膜の電子写真特性を如何に均一にできるのかが求められ、更に近年、デジタル化、カラー化に伴い、それに加えより高画質で画像欠陥が極少の堆積膜を要求されるようになってきた。そのため装置構成や層構成も多様化し更なる質の高い堆積膜の形成が要求されている。
【０００９】
しかしながら、これら上述した従来の堆積膜形成装置では、電子写真用感光体のように比較的大面積で厚い堆積膜が要求される製品を製造する場合、生産の効率化を上げる意味でも、電子写真感光体用の円筒状基体を真空搬送するシステムが必要となってくる。円筒状基体を搬送する為には、円筒状基体ホルダーに円筒状基体をセッティングし、セッティングされた円筒状基体ホルダーを真空搬送可能に構成された搬送機によりチャックし真空搬送機内に格納した後、堆積膜形成装置上に移動し、真空搬送機を堆積膜形成装置にドッキングさせ、真空搬送機内に格納されている円筒状基体ホルダーを、堆積膜形成装置内にセッティングする。
【００１０】
こうした円筒状基体の円筒状基体ホルダーへのセッティング時には、クリーンルーム等のクリーンな環境下で、人手により円筒状基体ホルダーを円筒状基体に挿入装着される。その際に円筒状基体ホルダーと円筒状基体の擦れにより発塵を引き起こす場合や、円筒状基体が装着された円筒状基体ホルダーを真空搬送する際に振動等で発塵を引き起こす場合などにより、堆積膜形成前の円筒状基体表面上に付着し付着物を基点とし堆積膜が異常成長する事により画像欠陥悪化の要因になり得る場合があった。
【００１１】
また堆積膜形成後には、円筒状基体以外に堆積した膜を次の堆積膜形成に備えクリーニング処理される。堆積膜形成装置内は堆積膜形成時に使用した円筒状基体ホルダーの替わりに、同一形状の支持部材を堆積膜形成装置内に設置し堆積膜形成装置内をクリーニング処理する。一方堆積膜形成時に使用した円筒状基体ホルダーはサンドブラスト処理等により表面の堆積膜を除去するクリーニング処理が施される。このブラスト処理ではガラスのビーズ等によりブラスト処理され、処理後の円筒状基体ホルダーは水洗後乾燥させ再度堆積膜形成用の円筒状基体ホルダーとして使用される。この際にガラスの破片やアルミ片等の水洗等で落としきれなかったものが基板のセッティング時に振動や、擦れ等で脱落し円筒状基体表面に付着してしまう場合もあった。その結果、それらを起点とした堆積膜の異常成長を引き起こし画像欠陥悪化の要因になり得る場合があった。
【００１２】
そこで、本発明は円筒状基板を組み上げる際の人的発塵を抑制し、サンドブラスト処理面積を低減し、真空搬送時の振動等を減少させることで、画像欠陥の原因の１つである堆積膜の異常成長を減少させることができる搬送装置、堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の真空搬送装置及び方法、また堆積膜形成装置及び方法は、
円筒状基体を減圧可能な搬送容器に格納する手段、格納された搬送容器内を真空排気する手段、搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させる手段、搬送容器内に格納された円筒状基体を堆積膜形成装置内に設置する手段を具備した真空搬送装置において、搬送容器内に第１のアーム及び間隔が可変である第２のアームを有する事を特徴とする。
【００１４】
円筒状基体の同軸上に円筒状補助部材を載置する手段、円筒状基体を搬送容器内の第１のアーム及び間隔が可変である第２のアームにて減圧可能な搬送容器に格納する手段、格納された搬送容器内を真空排気する手段、搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させる手段、搬送容器内に格納された円筒状基体を堆積膜形成装置内に設置する手段を具備した真空搬送装置を用い、堆積膜形成装置内に設置された円筒状基体を回転する手段、複数原料ガス導入管から、堆積膜形成装置内に原料ガスを導入する手段、堆積膜形成装置内を排気する手段、円筒基体を加熱する手段、放電エネルギーにより原料ガスを励起する手段、円筒状基体上に堆積膜を形成手段を有する事を特徴とする。
【００１５】
円筒状基体の同軸上に円筒状補助部材を載置し、円筒状基体を減圧可能な搬送容器に格納し、格納された搬送容器内を真空排気し、搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させ、搬送容器内に格納された円筒状基体を堆積膜形成装置内に設置する真空搬送方法において、円筒状基体の同軸上に載置された円筒状基体及び円筒状補助部材を搬送容器内に格納する際には搬送容器内の第１の搬送アームにより円筒状補助部材を搬送容器内に格納後、搬送容器内の第２の搬送アームにより円筒状基体を格納すると共に、堆積膜形成装置内に円筒状基体を設置する際には、搬送容器内の第２の搬送アームにより堆積膜形成装置に円筒状基体を設置後に円筒状補助部材を搬送容器内の第１の搬送アームにより堆積膜形成装置内の円筒状基体と同軸上に載置する事を特徴とする。
【００１６】
円筒状基体の同軸上に載置された円筒状基体及び円筒状補助部材を搬送容器内に格納する際には搬送容器内の第１の搬送アームにより円筒状補助部材を搬送容器内に格納後、搬送容器内の第２の搬送アームにより円筒状基体を格納すると共に、堆積膜形成装置内に円筒状基体を設置する際には、搬送容器内の第２の搬送アームにより堆積膜形成装置に円筒状基体を設置後に円筒状補助部材を搬送容器内の第１の搬送アームにより堆積膜形成装置内の円筒状基体と同軸上に載置する真空搬送方法を用い、堆積膜形成装置内に円筒状基体上を設置し、円筒状支持体を回転可能し、複数の原料ガス導入管から、堆積膜形成装置内に原料ガスを導入し、堆積膜形成装置内を排気し、円筒基体を加熱し、放電エネルギーにより前記原料ガスを励起しプラズマＣＶＤ法により堆積膜を形成する事を特徴とする。
【００１７】
円筒状支持部材の同軸上に円筒状基体を載置する手段、円筒状基体の同軸上に円筒状補助部材を載置する手段を有する事を特徴とする。
【００１８】
円筒状支持部材の同軸上に円筒状基体を載置する手段、円筒状基体の同軸上に円筒状補助部材を載置する手段、円筒状基体を搬送容器内の第１のアーム及び間隔が可変である第２のアームにて減圧可能な搬送容器に格納する手段、格納された搬送容器内を真空排気する手段、搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させる手段、搬送容器内に格納された円筒状基体を堆積膜形成装置内に設置する手段を具備した真空搬送装置を用い、堆積膜形成装置内に設置された円筒状基体を回転する手段、複数原料ガス導入管から、堆積膜形成装置内に原料ガスを導入する手段、堆積膜形成装置内を排気する手段、円筒基体を加熱する手段、放電エネルギーにより原料ガスを励起する手段、円筒状基体上に堆積膜を形成手段を有する事を特徴とする。
【００１９】
円筒状支持部材の同軸上に円筒状基体、円筒状補助部材の順で載置し、円筒状基体を減圧可能な搬送容器に格納し、格納された前記搬送容器内を真空排気し、搬送容器を具備した搬送機を堆積膜形成装置上に移動させ、搬送容器内に格納された円筒状基体を堆積膜形成装置内に設置する真空搬送方法において、円筒状支持部材の同軸上に円筒状基体、円筒状補助部材の順で載置された状態の円筒上支持部材および円筒状基体及び円筒状補助部材を搬送容器内に格納する際には搬送容器内の第１の搬送アームにより円筒状補助部材を搬送容器内に格納後に搬送容器内の第２の搬送アームにより円筒状基体及び円筒状支持部材を格納すると共に、堆積膜形成装置内に円筒状基体を設置する時には搬送容器内の第２の搬送アームにより堆積膜形成装置に円筒状基体及び円筒状支持部材を設置後に円筒状補助部材を搬送機内の第１の搬送アームにより堆積膜形成装置内の円筒状基体と同軸上に載置する事を特徴とする。
【００２０】
円筒状支持部材の同軸上に円筒状基体、円筒状補助部材の順で載置された状態の円筒上支持部材および円筒状基体及び円筒状補助部材を搬送容器内に格納する際には搬送容器内の第１の搬送アームにより円筒状補助部材を搬送容器内に格納後に搬送容器内の第２の搬送アームにより円筒状基体及び円筒状支持部材を格納すると共に、堆積膜形成装置内に円筒状基体を設置する時には搬送容器内の第２の搬送アームにより堆積膜形成装置に円筒状基体及び円筒状支持部材を設置後に円筒状補助部材を搬送機内の第１の搬送アームにより堆積膜形成装置内の円筒状基体と同軸上に載置する真空搬送方法を用い、堆積膜形成装置内に円筒状基体上を設置し、円筒状支持体を回転可能し、複数の原料ガス導入管から、堆積膜形成装置内に原料ガスを導入し、堆積膜形成装置内を排気し、円筒基体を加熱し、放電エネルギーにより原料ガスを励起しプラズマＣＶＤ法により堆積膜を形成する事を特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、円筒状基体を支持していた円筒状基体ホルダーを無くした事により、円筒状基体ホルダーと円筒状基体との接触や擦れによる発塵を抑制できる事が可能となった結果、アルミニウムの金属粉や円筒状基体ホルダーをブラスト処理する際に使用するガラスビーズ等のダストを低減する事が可能となり円筒状基体ホルダー起因で発生していた画像欠陥を大幅に低減する事が可能となった。
【００２２】
また円筒状基体ホルダーを無くす事により、従来は円筒状基体ホルダーの内面よりヒータを用いて円筒状基体を間接的に昇温させていたを、円筒状基体ホルダーを無くす事によりヒータからの熱伝達の効率化が図れ昇温速度のアップと少電力化が可能となった。
【００２３】
また予期せぬ効果としてヒータからの熱伝達の効率化が図れた結果、今まで熱が逃げや易くなっていた部分の温度の落ち込みが是正された結果、電子写真特性のムラが良化した。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２５】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態で用いるＲＦ帯の高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積製造装置システムの一例を模式的に示した図で、投入エリア１２４、搬送システム１０１、堆積膜形成装置１０２により構成されている。投入エリア１２４はプレフィルター、ヘパフィルターを用いＪＩＳ規格Ｂ９９２０で示されるクラス３のクリーン環境に設定された所謂クリーンルームである。１２５は外環境とのクリーンルームの壁を示している。また投入エリア１２４には、組み上げられた円筒状基体及び、円筒状補助部材の上には搬送容器１０３がドッキングし、搬送容器１０３内を真空引き可能にする為、真空排気ライン及び排気装置（不図示）が取り付けられたゲート弁１３０が設置されている。
【００２６】
図２には円筒状基体及び、円筒状補助部材及び円筒状支持部材を無人で組み上げる機構を模式的に示している。また図３は図１に示した搬送システムにおける円筒状基体及び円筒状補助部材を搬送する時の搬送アームの動きを模式的に示す平面図である。この時図３には搬送アームの動きをＳｔｅｐを追って説明しており、円筒状基体を搬送容器内に格納する時にはＳｔｅｐ１から順にＳｔｅｐ４に進んで行くことを、また円筒状基体を反応容器より設置する場合には格納時とは逆にＳｔｅｐ４から順にＳｔｅｐ１に進んで行くことを示している。
【００２７】
本発明において円筒状基体２０７と円筒状補助部材２０８を各々個別の搬送容器に格納し搬送する方法もあるが、その場合には各部材を個別に格納する為の搬送容器１０３が部材点数分だけ台数が必要となり設備投資が膨大となると共に円筒状基体２０７と円筒状補助部材２０８を設置する為には、各部材を格納した搬送容器１０３を、堆積膜形成装置１０２とドッキングし、搬送容器と堆積膜形成装置間を真空排気し、堆積膜形成装置に設置すると言う事を、円筒状基体２０７と円筒状補助部材２０８が堆積膜形成装置内に設置されるまで繰り返し行わなければならず搬送タクトが大幅に延びる等の弊害が発生するため、同じ搬送容器内にて多数の部品を一度に搬送する装置および方法が最適である。
【００２８】
以上のように構成された堆積膜形成システムを用いて円筒状基体を搬送し堆積膜形成装置に設置する手順及び、堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成する方法の手順の一例について説明する。
【００２９】
図２（ａ）において、洗浄装置（不図示）により円筒状基体２０７表面を洗浄し図１に示すクリーンルーム１２４内に搬入される、同時に円筒状基体２０７とは異なる輸送手段（不図示）より表面のブラスト処理を施しクリーニング処理された円筒状補助部材２０８が同じくクリーンルーム１２４内に搬入される。円筒状基体２０７と円筒状補助部材２０８は組み上げ位置まで輸送機構（不図示）により輸送される。輸送が完了した円筒状基体２０７および円筒状補助部材２０８は、自動組み上げ装置２１３により円筒状補助部材２０８が円筒状基体２０７の同軸上に載置される。自動組み上げ装置２１３（ａ）は、ベース２１６、昇降コラム２１７、アーム２１４、チャック２１５により構成されている。ホルダーを組み上げる手順としては、まず昇降コラム２１７、アーム２１４を駆動させてチャック２１５を円筒状補助部材２０８上まで移動させ、円筒状補助部材２０８の内面をチャックし上昇させる。次に同じく昇降コラム２１７、アーム２１４を駆動させ、チャック２１５でチャックした円筒状補助部材２０８を円筒状基体２０７の同軸上まで移動させ、円筒状基体２０７上に載置する。次に組み上がった基板を搬送機内に格納する為の位置まで移動機構（不図示）により移動させる。以上で円筒状基板及び円筒状補助部材を搬送容器内に格納する準備が完了する。
【００３０】
次に組み上がった基板を搬送容器１０３内に格納する手順を図３を用いて説明する。図３において、搬送容器３０１内には第１のアーム３０２と第２のアーム３０３が設けられている。先ず搬送容器３０１内をリーク用のＮ２等の不活性ガスにより大気圧に戻しゲート弁３０５が開放される。
【００３１】
次いで搬送容器３０１が下降しゲート弁３０５と図１で示すゲート弁１３０がドッキングする。ドッキング後に図１に示すゲート弁１３０が開放された後に、Ｓｔｅｐ１で第２のアーム３０３が、第１のアーム３０２が下降する軌道を確保するために、左右に開く。
【００３２】
次に第１のアーム３０２が下降し円筒状補助部材３０８をチャックする。Ｓｔｅｐ２では第１のアームでチャックした円筒状補助部材３０２を搬送容器３０１内に引き上げる。Ｓｔｅｐ３では円筒状補助部材３０８が引き上げ完了した時点で、左右に開いていた第２のアーム３０３を閉じ、下降し、円筒状基体３０７の内面をチャックする。Ｓｔｅｐ４ではチャックした円筒状基体３０７を搬送容器３０１内に引き上げられ格納が完了し格納Ｓｔｅｐが終了する。
【００３３】
その後、ゲート弁３０５は開放のまま図１に示すゲート弁１３０を閉じ、基板が格納された搬送容器３０１内は、真空排気ライン及び排気装置（不図示）により搬送容器３０１内を真空に引き上げる。真空に引き上げられた後にゲート弁３０５を閉じ真空保持が完了する。その後ゲート弁３０５と図１に示すゲート弁１３０間を大気開放した後、ゲート弁３０５と図１に示すゲート弁１３０を搬送容器３０５を上昇させる事で解除し搬送可能となる。
【００３４】
搬送可能となった円筒状基体３０７及び円筒状補助部材３０８は搬送システム１０１により堆積膜形成装置１０２上に移動する。この時反応容器１１３内は堆積膜形成装置１０２に設けられた排気装置（不図示）を用いて真空に排気されている。移動した搬送容器１０３は、堆積膜形成装置１０２上に設けられたゲートバルブ１１１に下降しドッキングする。ドッキング後、搬送容器のゲート弁１０５と堆積膜形成装置のゲート弁１１１間をゲート間を排気する排気ポンプ（不図示）により真空引きされる。搬送容器１０３及びゲート弁１０５と１１１間及び反応容器１１３内が全て同圧になった時点でゲート弁１０５とゲート弁１１１を開ける。
【００３５】
次に基板を堆積膜形成装置１０２内の受台１１６に設置する。この時の円筒状基板３０７及び円筒状補助部材３０８の設置手順としては前述でしめした円筒状基板３０７及び円筒状補助部材３０８を引き上げる時のＳｔｅｐ進行（Ｓｔｅｐ１→Ｓｔｅｐ４）と逆のＳｔｅｐ進行（Ｓｔｅｐ４→Ｓｔｅｐ１）で逆の動作により受台１１６に設置される。円筒状基体３０７及び円筒状補助部材３０８が設置されたら第１、第２アームが搬送容器内に格納され、ゲート弁１０５、１１１が閉じた後に、ゲート弁１０５、１１１間を大気圧に戻し、堆積膜形成装置１０２と搬送容器１０３を分離する。以上で円筒状基体３０７、２０７及び円筒所補助部材３０８、２０７の堆積膜形成装置への設置が完了する所となる。
【００３６】
図１における堆積膜形成装置１０２には、ゲートバルブ１１１、上面絶縁碍子１１２、反応容器１１３、下部絶縁碍子１１４、複数の原料ガス導入管１２０、ベースプレート１１５、排気ライン１２１、高周波電源１２３、マッチングボックス１２２で構成され、反応容器１１３内には、円筒状基体設置台１１６、円筒状基体１１７、円筒状補助部材１１８が搬送システム１０１により搬入設置される。
【００３７】
反応容器１１３内には複数の原料ガス導入管１２０が設置されている。複数の原料ガス導入管１２０は、円筒状基体１１７と、反応容器１１３の側壁との間に配置され、円筒状基体１１２の外周面と略同心となる１つの円周上に、円筒状基体１１７を取り囲むようにして配置されている。複数の原料ガス導入管１２０には原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を介在したミキシング（不図示）と、原料ガス流入バルブ（不図示）とを具備している。
【００３８】
原料ガスの吹き出し方向は反応容器１１３の内壁に対し接線方向に吹き出している。吹き出す穴数は特に制限は無いが両接線方向である２方向が最適である。また反応容器１１３の側壁には高周波マッチングボックス１２２を介して高周波電源１２３が接続されている。
【００３９】
さらに反応容器１１３の下部には円筒状基体１１７を回転させるためのモータが動力伝達系（不図示）を介し円筒状基体設置台１１６を介して円筒状基体１１７が回転可能となっている。
【００４０】
また反応容器１１３には排気口１２１が接続されている。この排気口は排気装置（不図示）と連通し反応容器１１３内をバラトロン等の圧力検出器（不図示）を見ながら一定の圧力に保つように構成されている。
【００４１】
なお反応容器１１３は上碍子１１２、下碍子１１４にて反応容器１１３及びアースと絶縁されている。
【００４２】
円筒状基体１１７は、使用目的に応じた材質を有するものであればよい。円筒状基体１１７の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス等が、電気伝導率が良好であるため好適であるが、加工性や製造コストを考慮して、アルミニウムが最適である。また、円筒状基体１１７を形成するアルミニウムとしては、例えばＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００４３】
加熱用ヒータ１２９は、円筒状基体１１７の内部に設けられている。加熱用ヒータ１２９は、真空中で使用可能である発熱体であればよく、具体的にはシース状ヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ、カーボンヒータ等の電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体や、液体、気体等を熱媒とした熱交換手段による発熱体等が対象として挙げられる。加熱用ヒータ１２９の表面材料としては、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類や、セラミック、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【００４４】
以上のように構成された堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成する方法の手順の一例について以下説明する。
【００４５】
まず、反応容器１１３内を排気装置（不図示）により排気する。続いて応容器１１３内に複数の原料ガス導入管１２０を介して、円筒状基体１１７の加熱に必要な原料ガス、例えばＡｒ、Ｈｅ等のガスを供給し、排気装置を用いて反応容器１１３内を所定の圧力になるように圧力検出器１２８を見ながら調整する。次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ１２９に通電し、温度コントローラ（不図示）にて、円筒状基体１１３の温度を２００［℃］〜４５０［℃］程度、より好ましくは２５０［℃］〜３５０［℃］程度の所望の温度に制御する。
【００４６】
以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、円筒状基体１１７上に光導電層の形成を行う。すなわち、加熱用の原料ガスと堆積膜形成用の原料ガスをミキシング（不図示）を介して入れ替え、堆積膜形成用の原料ガスが所望の流量になるように調整する。次いで反応容器１１３内が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］程度の所望の圧力になるように圧力検出器１２８を確認しながら排気装置を調整する。
【００４７】
反応容器１１３内の圧力が安定した後、高周波電源１２３を所望の電力に設定して、例えば周波数１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ電源を用いて、高周波電力を高周波マッチングボックス１２２を介して反応容器１１３に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。
【００４８】
この放電エネルギーによって、反応容器１１３内に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体１１７上に所望のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。
【００４９】
均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、あるいは円筒状基体１１７を加熱する段階で、モータ（不図示）を回転させ１［ｒｐｍ］〜１０［ｒｐｍ］程度、例えば１［ｒｐｍ］の回転速度で回転させる。こうすることで、円筒状基体１１７の周方向に均一な堆積膜が形成される。
【００５０】
次に、堆積膜が形成された後、原料ガスおよび高周波電力の供給を停止し、反応容器１１３内を排気する。その後、反応容器１１３および複数の原料ガス導入管１２０内をパージガス、例えばＡｒ等の不活性ガスおよびＮ２の少なくとも一方を用いてパージ処理を行う。パージ処理完了後、円筒状基体１１７および円筒状補助部材１１８を搬送容器１０３と同じ構成をした搬送容器１０４を用いて反応容器１１３内から取り出す。
【００５１】
搬送容器１０４にて円筒状基体１１７および円筒状補助部材１１８を取り出す手順としては、搬送容器１０４を搬送システム１０１によって堆積膜形成装置１０２上に移動する。この時搬送容器１０４内は予め別の場所にて真空排気され真空保持された状態である。移動した搬送容器１０４は、堆積膜形成装置１０２上に設けられたゲートバルブ１１１に下降しドッキングする。ドッキング後、搬送容器のゲート弁１０５と堆積膜形成装置のゲート弁１１１間をゲート間を排気する排気ポンプ（不図示）により真空引きされる。搬送容器１０４及びゲート弁１０５と１１１間及び反応容器１１３内が全て同圧になった時点でゲート弁１０５とゲート弁１１１を開ける。その後は図３に示すＳｔｅｐ１→Ｓｔｅｐ４の進行方向で円筒状基体１１７および円筒状補助部材１１８を取り出し、搬送容器１０４内に格納する。格納後はゲート弁１０５、１１１が閉じた後に、ゲート弁１０５、１１１間を大気圧に戻し、堆積膜形成装置１０２と搬送容器１０４を分離し堆積膜形成装置１０２から円筒状基体１１７および円筒状補助部材１１８が取り出される。取り出された円筒状基体１１７および円筒状補助部材１１８は所定の排出台（不図示）に搬送システム１０１により搬送される。その後搬送容器１０４内をＮ２等の不活性ガスにより大気に戻されゲート弁１０５が開放される。大気開放された反応容器１０４内に格納されている円筒状基体１１７および円筒状補助部材１１８は図３に示すＳｔｅｐ４→１の進行方法で排出台に設置される。円筒状基体１１７及び円筒状補助部材１１８が設置されたら第１、第２アームが搬送容器内に格納され、円筒状基体１１７及び円筒状補助部材１１８の排出が完了する。
【００５２】
その次に、堆積したポリシラン等の副生成物をクリーニング処理を行う。その時の手順としては、円筒状基体１１７および円筒状補助部材１１８の排出が終了した搬送容器１０４を用い、円筒状基体１１７および円筒状補助部材１１８と同一形状をしたクリーニング用の支持基体（不図示）を堆積膜形成装置１０２内に設置する。設置手順としては図３のＳｔｅｐ１〜Ｓｔｅｐ４の進行手順でクリーニング用の支持基体を搬送容器１０４、３０１内に格納する。格納後はゲート弁１０５、３０５を閉じ搬送容器１０４、３０１内を大気圧の状態のまま堆積膜形成装置１０２に搬送システム１０１によって堆積膜形成装置１０２上に移動する。移動後に堆積膜形成装置１０２上に設けられたゲートバルブ１１１に下降しドッキングする。ドッキング後、搬送容器のゲート弁１０５、３０５のみを開放し堆積膜形成装置のゲート弁１１１間をゲート間を排気する排気ポンプ（不図示）により真空引きされる。搬送容器１０４及び反応容器１１３内が同圧になった時点でゲート弁１１１を開ける。その後は図３に示すＳｔｅｐ４→Ｓｔｅｐ１の進行手順でクリーニング用の支持基体を設置する。設置後は搬送容器１０４内の第１、第２アームが搬送容器内に格納され、ゲート弁１０５、１１１が閉じた後に、ゲート弁１０５、１１１間を大気圧に戻し、堆積膜形成装置１０２と搬送容器１０３を分離しクリーニング用の支持基体の堆積膜形成装置内への設置が完了する。
【００５３】
次に排気装置（不図示）により反応容器１１３内を排気し複数の原料ガス導入管１２０を介して反応容器１１３内のクリーニング処理に必要な原料ガスを供給し排気装置（不図示）を用い反応容器１１３内を所定の圧力になるように圧力検出器１２８を見ながら調整する。反応容器１１３内の圧力が安定した後、高周波電源１２３を所望の電力に設定して、例えば周波数１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ電源を用いて、高周波電力を高周波マッチングボックス１２２を介して反応容器１１３に供給して高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器１１３内に導入されたクリーニング用の原料ガスが分解され反応容器１１３内がクリーニング処理される。
【００５４】
次に、クリーニング処理後に高周波電力の供給を停止し反応容器１１３内を排気装置（不図示）により排気する。その後反応容器１１３および原料ガス導入管１２０内をパージガス、例えばＡｒ等の不活性ガスおよびＮ２の少なくとも一方を用いてパージ処理を行う。パージ処理完了後、クリーニング用の支持基体を搬送容器１０４を用いて堆積膜形成終了後の円筒状基体１１７および円筒状補助部材１１８の取り出し手順と同様の方法にてクリーニング用の支持基体が搬送機１０４により堆積膜形成装置１０１内より取り出される。取り出されたクリーニング用の支持基体はクリーニング用の支持基体設置場所で搬送され設置される。
【００５５】
本実施形態において、原料ガスの吹き出し方向は反応容器１１３の内壁に対し接線方向に吹き出している。吹き出す穴数は特に制限は無いが両接線方向である２方向が有効である。
【００５６】
これについては以下のように考える。特に原料ガスの供給量は一定で原料ガス導入管の本数を減らす場合や、原料ガス導入管の本数は同じで原料ガスの供給量を増やす場合などは原料ガス導入管に供給された原料ガスの吹き出し圧力が高くなる。その場合原料ガスの吹き出し方向が円筒状基体側に向いていると原料ガス導入管より直接円筒状基体にダスト等を吹き付けたり、逆に原料ガスの吹き出し方向が反応容器側に向いていると反応容器の内壁からダスト等を巻き上げたりと、何れも円筒状基体に付着し堆積膜の異常成長の原因となる場合がある。その為、原料ガスの吹き出し方向を反応容器の接線方向に設定する事により原料ガス導入管の本数や原料ガスの供給量によらず堆積膜の異常成長を抑えることが出来ると考えられる。
【００５７】
（第２の実施形態）
円筒状基体と同軸上で、円筒状基体の下部に円筒状支持部材４０９を設けた場合の搬送システムにおける、一例の搬送アームの動きを図４に示す。この時図４において円筒状基体を搬送容器内に格納する時にはＳｔｅｐ１から順にＳｔｅｐ４に進んで行くことを、また円筒状基体を反応容器より設置する場合には格納時とは逆にＳｔｅｐ４から順にＳｔｅｐ１に進んで行くことを示している。
【００５８】
本実施の形態を用いる利点としては、円筒状基体４０７の外径寸法や、長さが変更になった時にでも、一度は図１における堆積膜形成装置１０２の反応容器１１３内に設けられた円筒状基板受台１１６を円筒状支持部材４０９を設置可能な形状に変更する必要があるが、それ以降は円筒状支持部材４０９の形状を変更するだけで、円筒状基板４０７の外径寸法に係わらず堆積膜形成装置内に設けられた円筒状基板受台１１６を円筒状基板４０７の形状が変更する毎に装置を解体し交換する必要が無くなるというメリットを持っている。
【００５９】
第２の実施形態と第１の実施形態の相違点は第２のアームが円筒状基体４０７だけ保持するのでは無く円筒状基体４０７の下部にある円筒状支持部材４０９を同時に保持し円筒状基体４０７と共に搬送可能で点である。
【００６０】
図２（ｂ）において、円筒状基体２０７、円筒状補助部材２０８および、円筒状支持部材２０９を自動で組み上げる時の手順としては、円筒状基体２０７と同軸上に円筒状補助部材２０８を載置する手順は第１の実施形態と同じであるが、第２の実施形態では円筒状基体２０７と同軸上に円筒状補助部材２０８を載置する前に、円筒状支持部材２０９の同軸上に円筒状基体２０７を載置する工程が組み込まれる。その他の構成およびこれらの装置を用いた場合の堆積膜形成方法は同様である。
【００６１】
（第３の実施形態）
円筒状基体を積み重ねる場合の一例として円筒状基体７０７−１と７０７−２を積み重ねた搬送システムにおける搬送アームの動きを模式的に図７に示す。この場合円筒状基体を積み重ねる場合には不安定な状態になりやすいので円筒状基体７０７−１と７０７−２同士を接続させる中子７１９を介在させると共に円筒状基体７０７−２の下部には第２の実施形態で示した円筒状支持部材７０９を設置した。
【００６２】
図２（ｃ）において円筒状基体２０７−１と中子２１９および円筒状基体２０７−２、円筒状補助部材２０８、円筒状支持部材２０９を搬送容器内に格納する前に自動で組み上げる手順としては円筒状基体２０７−２を円筒状支持部材２０９の同軸上に載置し、次に中子２１９を円筒状基体２０７−２の同軸上で円筒状基体２０７−２の内面に挿入設置し、次に円筒状２０７−２の同軸上に円筒状基体２０７−１を中子２１０に挿入する形で円筒状基体２０７−２の上に載置するその後、円筒状補助部材２０８を円筒状基体２０７−１の同軸上に載置し組み上げが完了する所となる。
【００６３】
本実施形態は円筒状基体が２本縦に積み重なっているので図１において堆積膜形成装置１０２は反応容器１１３および原料ガス導入管１２０、加熱用ヒータ１２９等の部品は長くなっているが、それ以外の基本的構成及び堆積膜形成方法は第２の実施形態と同様である。
【００６４】
以上の各実施形態において、堆積膜形成時に使用される原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、四フッ化珪素（ＳｉＦ４）、六フッ化二珪素（Ｓｉ２Ｆ６）等のアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いても有効である。希釈ガスとしては、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等を用いても有効である。また、堆積膜のバンドギャップ幅を変化させる等の特性改善ガスとして、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の窒素原子を含むもの、酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）等酸素原子を含むもの、メータン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）等の炭化水素、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）、フッ化窒素（ＮＦ３）等のフッ素化合物またはこれらの混合ガスを併用しても有効である。
【００６５】
また、ドーピング処理を目的として、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、フッ化硼素（ＢＦ３）、ホスフィン（ＰＨ３）等のドーパントガスを同時に放電空間に導入しても同様に有効である。
【００６６】
クリーニング処理時に使用するクリーニング性ガスとしては、例えばＣＦ４、ＣＦ４／Ｏ２、ＳＦ６、ＣｌＦ３（三フッ化塩素）等が挙げられるが、本実施形態では、クリーニング時間を短縮する面から有効であるＣｌＦ３（三フッ化塩素）が用いられている。また、本実施形態においては、クリーニング性ガスの濃度を調整するためにも、希釈用の不活性ガスを用いて濃度の調整を行うことが有効であり、導入される不活性ガスとして、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒが挙げられるが、Ａｒを用いることが好ましい。
【００６７】
以上のように構成された本発明に係る堆積膜形成装置及び方法によれば、従来用いられていた、基板ホルダーを無くし、必要最小限の部品点数にて円筒状基体を搬送可能にする事により、円筒状基体上に堆積膜を形成際に堆積膜の異常成長の原因となるダスト等の影響を低減させる事ができ、その結果、画像結果の少ない良質な堆積膜を形成する事が可能となった。
【実施例】
【００６８】
以下、実験例および実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。
【００６９】
（実施例１）
本実施例では、図２（ａ）に示す自動組み上げ装置を用い、円筒状基板２０７と円筒状補助部材２０８を同軸上に組み上げた後、図３に示す搬送容器内に格納する手段を用いた図１で示される１０１の搬送システムにて円筒状基体２０７及び円筒状補助部材２０８を搬送容器１０３内に格納し、堆積膜形成装置１０２内に設置し、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１１７上に、表１に示す条件で図８に示す層構成のアモルファスシリコン堆積膜（以下、電子写真感光体と略記する）の形成を行った。図８中の符号８０１は円筒状基体を示し、符号８０２は下部阻止層（第１層）、符号８０３は第１の光導電層（第２層）、符号８０４は第２の光導電層（第３層）、符号８０５は表面層（第４層）をそれぞれ示す。
【００７０】
なお、以下の各実施例および各比較例では電子写真感光体を形成した。
【００７１】
本実施例によって作成された電子写真感光体に関して一連の評価を実施した結果を表２に示す。
【００７２】
（実施例２）
本実施例では、図２（ｂ）に示す自動組み上げ装置を用い、円筒状基板２０７と円筒状補助部材２０８及び円筒状支持部材２０９を同軸上に組み上げた後、図４に示す搬送容器４０１内に格納する手段を用い図１で示される１０１の搬送システムにて、円筒状基板２０７及び円筒状補助部材２０８及び円筒状支持部材２０９を搬送容器４０３内に格納し、堆積膜形成装置１０２内に設置し、実施例１と同様のアルミニウム基板を用い実施例１と同様の方法にて電子写真感光体の形成を行った。本実施例によって作成された電子写真感光体に関して一連の評価を実施した結果を実施例１と共に表２に示す。
【００７３】
（比較例１）
本比較例では、人の手作業により、基体ホルダーと円筒状基体を組み上げ、図６に示す搬送容器内に格納する手段を用いて円筒状基体および円筒状補助部材を基板ホルダーに装着させたものを格納し、図１で示される１０１の搬送システムを用い、円筒状基体を堆積膜形成装置内に設置する従来の搬送システムを用いた以外は実施例１と同様の方法にて電子写真感光体を作成し、実施例１と同様の方法にて評価を行った。
【００７４】
（比較例２）
本比較例では、実施例１で示す円筒状基体２０７及び円筒状補助部材２０８を図１０に示す様に円筒状基体２０７を格納する為の搬送容器１０３−１、及び円筒状補助部材２０８を格納する為の搬送容器１０３−２と個別に格納する搬送容器を持ち搬送する搬送システムにて搬送を行った以外は実施例１と同様の方法にて電子写真感光体の形成を行った。但し図１０において円筒状基体２０７の搬送容器１０３−１と円筒状補助部材の搬送容器１０３−２は回転可能な構成になっている。以上の搬送システムを用い、実施例１と同様の方法にて電子写真感光体を作成し下記の一連の評価を行った。その結果を実施例１と共に示す。
【００７５】
（実施例３）
本実施例では図２（ｃ）に示す自動組み上げ装置を用い２つの円筒状基体２０７−１、２０７−２と円筒状補助部材２０８と中子２１９と円筒状支持部材２０９を組み上げた後に、図７に示す搬送容器内に格納する手段を用いた、図１で示される１０１の搬送システムを用い円筒状基体２０７−１、２０７−２と円筒状補助部材２０８と中子２１９と円筒状支持部材２０９を搬送容器内に格納し、堆積膜形成装置１０２内に設置し、実施例１と同様の方法にて電子写真感光体の形成を行った。
【００７６】
但し搬送に用いられる搬送容器および電子写真感光体形成に用いられる堆積膜形成装置は円筒状基体を積み重ねられているので、長手方向に延長された部品を用いた以外は図１に示す堆積膜形成装置と同様の方法にて電子写真感光体の形成を行った。
【００７７】
（実施例４）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成システムの堆積膜形成装置１０２に、図５に示す様に反応ガスの排気手段が反応容器の側面に形成された装置５０１を用いた以外は図２（ａ）に示す自動組み上げ装置を用い、円筒状基板２０７と円筒状補助部材２０８を同軸上に組み上げた後、図３に示す搬送容器３０１内に格納する手段を用い図１で示される１０１の搬送システムにて円筒状基板２０７及び円筒状補助部材２０８を搬送容器３０１内に格納し堆積膜形成装置５０１内に設置し実施例１と同様のアルミニウム基板を用いた。
【００７８】
【表１】
2007056280.tif 000003
【００７９】
（電子写真特性の評価方法）
図９に電子写真感光体特性を評価する複写機の概略図を示した。図９において時計周りに回転する電子写真感光体９０１の周辺には、主帯電器９０２、電位センサー９０３、現像器９０４、転写帯電器９０５（ａ）、分離帯電器９０５（ｂ）、クリーニングローラー９０６及びクリーニングブレード９０７を具備したクリーナー９１０、前露光９０８などが配設されている。潜像形成用露光９００としては主帯電器９０２、電位センサー９０３間に設けられている。
【００８０】
電子写真感光体特性を測定する際には、現像器９０４及びクリーナー９１０を取り外し、現像器９０４の代わりに電子写真感光体の軸方向及び周方向の電子写真特性を測定できる電位プローブ（不図示）を装着し電子写真感光体の電子写真特性を測定する。また画像形成時には、電位プローブを取り外し現像器９０４及びクリーナー９１０を装着し画像形成を行う。
【００８１】
この様に構成された電子写真プロセスを用い電子写真特性及び画像の評価を下記に示す基準で行った。
【００８２】
・『Ｖｄ軸むら／Ｖｄ周方向むら』の評価
プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６８０ｎｍのＬＥＤ）光量４μＪ／ｃｍ２の条件にて、電子写真感光体が数回転した時の周方向の電位を測定し電子写真感光体の軸方法における中位置の表面電位の周方向電位の平均値が４５０Ｖ（暗電位）になるように帯電器の電流値を調整した後、測定プローブを電子写真感光体の端部より軸方向に関して中位置と同様に周方向電位の平均値を５点測定し、その５点の最大値−最小値の値をＶｄ軸ムラとして評価した。また同時に各点において測定している周方向電位の最大値−最小値を周方向むらとし、各点の周方向むらの最大値をＶｄ周方向むらとして下記に示す基準で評価した。
【００８３】
ただし、この時、比較例１で作成された結果を１００％とし相対的な評価を行った。
◎  ・・・７０％以下
○  ・・・７０〜８０％
△  ・・・８０〜１００％
【００８４】
・『Ｖｈ軸むら／Ｖｈ周方向むら』の評価
上記Ｖｄ軸むらと同じ手順で電子写真感光体の軸方法における中位置の表面電位の周方向電位の平均値が４５０Ｖ（暗電位）になるように帯電器の電流値を調整した後、像露光（波長６６０ｎｍのレーザ）を照射し像露光光源の光量を調整して、表面電位の周方向電位の平均値が２００Ｖ（明電位）となるようにした後、測定プローブを電子写真感光体の端部より軸方向に関して中位置と同様に周方向電位の平均値を５点測定し、その５点の最大値−最小値の値をＶｈ軸ムラとして評価した。
【００８５】
また同時に各点において測定している周方向電位の最大値−最小値を周方向むらとし、各点の周方向むらの最大値をＶｈ周方向むらとして下記に示す基準で評価した。
【００８６】
ただし、この時、比較例１で作成された結果を１００％とし相対的な評価を行った。
◎  ・・・７０％以下
○  ・・・７０〜８０％
△  ・・・８０〜１００％
【００８７】
・『Ｖｌ軸むら／Ｖｌ周方向むら』の評価
上記Ｖｈ軸むらと同じ手順で電子写真感光体の軸方法における中位置の表面電位の周方向電位の平均値が４５０Ｖ（暗電位）になるように帯電器の電流値を調整した後、像露光（波長６６０ｎｍのレーザ）を照射し像露光光源の光量を調整して、表面電位の周方向電位の平均値が５０Ｖ（明電位）となるようにした後、測定プローブを電子写真感光体の端部より軸方向に関して中位置と同様に周方向電位の平均値を５点測定し、その５点の最大値−最小値の値をＶｌ軸ムラとして評価した。
【００８８】
また同時に各点において測定している周方向電位の最大値−最小値を周方向むらとし、各点の周方向むらの最大値をＶｌ周方向むらとして下記に示す基準で評価した。
【００８９】
ただし、この時、比較例１で作成された結果を１００％とし相対的な評価を行った。
◎  ・・・７０％以下
○  ・・・７０〜８０％
△  ・・・８０〜１００％
【００９０】
（画像特性の評価方法）
・『画像欠陥』の評価
図９に示す複写機の概略図を用い、現像器９０４及びクリーナー９１０、作成した電子写真感光体を設置しＡ３サイズのべた黒原稿を複写して得られた画像を観察し、電子写真感光体１周分当たりの、直径０．１０ｍｍ以上の白ポチの個数を数えた、得られた結果は、比較例１での値を１００％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
☆  ・・・０％以上２０％未満
◎  ・・・２０％以上５０％未満
○  ・・・５０％以上８０％未満
△  ・・・８０％以上１０５％未満
×  ・・・１０５％以上
【００９１】
（総合評価）
☆  ・・・優秀
◎  ・・・非常に良好
○  ・・・良好
【００９２】
【表２】
2007056280.tif 000004
【００９３】
表２より明らかに円筒状基体の本数や装置構成を変化させた何れの場合においても良好な結果が得られた。
【００９４】
・タクトタイム
実施例１で示す円筒状基体及び円筒状補助部材を搬送容器内に格納する工程が開始された時間から、電子写真感光体を作成し、排出されるまでのタクトを１００とした時に、同じく電子写真感光体を作成し、排出されるまでの時間を相対評価した結果を示す。
【００９５】
・投資コスト
実施例１で示す装置を作成する時に要する投資コストを１００とした時に、比較例２で示す様に部品を個別に搬送した場合に要する投資コストを相対評価した結果を示す。
【００９６】
・総合評価
下記の基準により総合評価を行った。
低コストで作成でき、量産性に優れている・・・○
コストも高く、量産性に不向きである    ・・・△
【００９７】
【表３】
2007056280.tif 000005
【００９８】
表３より明らかに、各部材を個別に搬送するとタクトタイムは大幅に延びると共に、投資コスト増大する結果となった。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の第１の実施形態における堆積膜形成システムの構成を模式的に示した図である。
【図２（ａ）】本発明の第１の実施形態における搬送システムにおいて、円筒状基体と円筒状補助部材を組み上げる装置構成を模式的に示した図である。
【図２（ｂ）】本発明の第２の実施形態における搬送システムにおいて、円筒状支持部材を円筒状基体の下に設けた場合の、円筒状補助部材と円筒状基体と円筒状支持部材とを組み上げる装置構成を模式的に示した図である。
【図２（ｃ）】本発明の第３の実施形態における搬送システムにおいて、円筒状基体を２段に積み重ね円筒状支持部材を下側の円筒状基体の下に設けた場合の、円筒状補助部材と円筒状基体と円筒状支持部材とを組み上げる装置構成を模式的に示した図である。
【図３】本発明の第１の実施形態における搬送システムの搬送機の第１、第２アームの動きを模式的に示した図である。
【図４】本発明の第２の実施形態における搬送システムの搬送機の第１、第２アームの動きを模式的に示した図である。
【図５】本発明の第４の実施形態における、排気手段が反応容器の側面部に設けられた堆積膜形成装置の一例の模式的な断面図である。
【図６】従来の搬送システムの搬送機のアームの動きを模式的に示した図である。
【図７】本発明の第３の実施形態における搬送システムの搬送機の第１、第２アームの動きを模式的に示した図である。
【図８】電子写真感光体の層構成を模式的に示した図である。
【図９】電子写真感光体特性を評価する複写機の概略図である。
【図１０】円筒状補助部材と円筒状基体を個別に搬送する際に使用する搬送システムの概略図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０１    本発明で示す搬送システム
１０２    本発明で示す堆積膜形成装置
１０３、３０１、４０１、６０１、７０１    円筒状基板搬入用搬送容器
１０３−１    円筒状基体のみの搬送容器
１０３−２    円筒状補助部材のみの搬送容器
１０４−１    堆積膜形成後の円筒状基板のみ排出及びクリーニング用円筒状基体のみ排出／搬入用搬送容器
１０４−２    堆積膜形成後の円筒状補助部材のみ排出及びクリーニング用円筒状補助部材のみ排出／搬入用搬送容器
１０４    堆積膜形成後の円筒状基板排出及びクリーニング支持排出／搬入用搬送容器
１０５、１３０、１１１、３０５、４０５、５１１、６０４、７０４    ゲートバルブ
１１０    投入台
１１７、２０７、２０７−１、２０７−２、３０７、４０７、５１７、６０９、７０７−１、７０７−２    円筒状基体
１１８、２０８、３０８、４０８、５１８、７０８    円筒状補助部材
２０９、４０９、７０９    円筒状支持部材
１２４    本発明で示すクリーンルーム内の投入アリア
１２６    搬送レール
１２７    堆積膜形成装置設置床
２１０    円筒状補助部材用搬送及び設置台
２１１    円筒状基体用搬送及び設置台
２１２    円筒状支持部材搬送及び設置台
２１６    自動組み上げ装置ベース台
２１８    中子搬送及び設置台
２１９、７１０  中子
３０２、４０２、７０２    第１の搬送アーム
３０３、４０３、７０３    第２の搬送アーム
１２１、５２１    排気ライン
６０３    従来例で示した搬送アーム
【図１】
2007056280.tif 000006
【図２（ａ）】
2007056280.tif 000007
【図２（ｂ）】
2007056280.tif 000008
【図２（ｃ）】
2007056280.tif 000009
【図３】
2007056280.tif 000010
【図４】
2007056280.tif 000011
【図５】
2007056280.tif 000012
【図６】
2007056280.tif 000013
【図７】
2007056280.tif 000014
【図８】
2007056280.tif 000015
【図９】
2007056280.tif 000016
【図１０】
2007056280.tif 000017