(57)【要約】【課題】  ベース絶縁層に対する導体パターンの密着性を向上させることができながら、半導体素子の金端子と、錫めっき層によって被覆される接続端子とを、強固に接続することができ、しかも、ベース絶縁層に対する導体パターンのめり込みを防止することのできる、ＴＡＢ用テープキャリアを提供すること。【解決手段】  ＴＡＢ用テープキャリア１において、ベース絶縁層２を、熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａの上に、厚み４μｍ以下の熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂを積層することにより形成して、その熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂの表面に、錫めっき層１３で被覆されるインナリード９を有する導体パターン７を形成する。このＴＡＢ用テープキャリア１では、半導体素子２１の金端子２２を、錫めっき層１３で被覆されるインナリード９と、高温高圧で圧着させても、ベース絶縁層２に対する導体パターン７のめり込みを抑制することができる。【選択図】    図６
2007035869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み４μｍ以下の熱可塑性ポリイミド樹脂層を表面層として含むベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンとを備え、
前記導体パターンは、半導体素子の金端子と接続するための接続端子を含み、
前記接続端子の表面に、錫めっき層が形成されていることを特徴とする、ＴＡＢ用テープキャリア。
【請求項２】
前記熱可塑性ポリイミド樹脂層を形成する熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移点が、３５０℃以下であることを特徴とする、請求項１に記載のＴＡＢ用テープキャリア。
【請求項３】
前記熱硬化性ポリイミド樹脂層を形成する熱硬化性ポリイミド樹脂の線膨張係数が、３０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする、請求項２に記載のＴＡＢ用テープキャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＡＢ用テープキャリア、詳しくは、ＴＡＢ法によって、半導体素子を実装するためのＴＡＢ用テープキャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＡＢ用テープキャリアは、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）法によって、半導体素子が実装されるテープキャリアであって、電子部品の分野において広く用いられている。
このようなＴＡＢ用テープキャリアとして、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層の上に、銅箔からなる導体パターンが形成されているものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このＴＡＢ用テープキャリアでは、導体パターンが、インナリード、アウタリードおよび中継リードが一体的に形成される複数の配線のパターンとして、形成されており、インナリードおよびアウタリードが、ニッケルめっき層および金めっき層によって、被覆されている。
そして、半導体素子は、ニッケルめっき層および金めっき層によって被覆されるインナリードに、半導体素子の端子を圧着させた後、半導体素子とＴＡＢ用テープキャリアとの間の隙間に封止樹脂を充填することにより、ＴＡＢ用テープキャリアに実装するようにしている。
【特許文献１】特開２００４−１３４４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、近年、半導体素子の実装が高密度化しており、導体パターンの微細化がますます要求されている。導体パターンを微細化すると、導体パターンとベース絶縁層との間の接触面積が減少するので、導体パターンがベース絶縁層から剥離しやすくなる。一方、ベース絶縁層の表面層を、熱可塑性ポリイミド樹脂層から形成すれば、導体パターンとの密着性を向上させることができる。
【０００５】
また、半導体素子の端子が金バンプからなる場合には、インナリードを錫めっき層によって被覆すれば、接続強度の向上を図ることができる。一方、金バンプを錫めっき層によって被覆されるインナリードに圧着させる場合には、両者の界面に金と錫との共晶を形成させて強固に結合するために、通常、実装温度３００℃以上において、半導体素子実装荷重１５０Ｎ程度で圧着させる。
【０００６】
しかし、上記のように圧着すると、導体パターンが微細化されている場合には、導体パターンとベース絶縁層との間の接触面積が減少しているため、導体パターンのベース絶縁層に対する面圧が大きくなり、ベース絶縁層の表面層が、導体パターンとの密着性の向上を図るべく、熱可塑性ポリイミド樹脂層から形成されている場合には、その表面層に導体パターンがめり込んで、半導体素子とＴＡＢ用テープキャリアとの間に隙間を確保することが困難となる。すると、封止樹脂の充填が困難となり、あるいは、封止樹脂を充填できたとしても、封止樹脂にボイドが発生するという不具合を生じる。
【０００７】
本発明の目的は、ベース絶縁層に対する導体パターンの密着性を向上させることができながら、半導体素子の金端子と、錫めっき層によって被覆される接続端子とを、強固に接続することができ、しかも、ベース絶縁層に対する導体パターンのめり込みを抑制することのできる、ＴＡＢ用テープキャリアを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明のＴＡＢ用テープキャリアは、厚み４μｍ以下の熱可塑性ポリイミド樹脂層を表面層として含むベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンとを備え、前記導体パターンは、半導体素子の金端子と接続するための接続端子を含み、前記接続端子の表面に、錫めっき層が形成されていることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアでは、前記熱可塑性ポリイミド樹脂層を形成する熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移点が、３５０℃以下であることが好適である。
また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアでは、前記熱硬化性ポリイミド樹脂層を形成する熱硬化性ポリイミド樹脂の線膨張係数が、３０ｐｐｍ／℃以下であることが好適である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のＴＡＢ用テープキャリアでは、ベース絶縁層の表面層が、熱可塑性ポリイミド樹脂層であるため、導体パターンを微細化しても、その導体パターンとベース絶縁層との密着性の向上を図ることができる。
また、半導体素子の金端子を、錫めっき層によって被覆される接続端子に、高温高圧で圧着させることにより、強固に接続しても、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みが４μｍ以下であるため、導体パターンのベース絶縁層に対するめり込みを、抑制することができる。そのため、半導体素子の金端子と、錫めっき層によって被覆される接続端子とを、強固に接続することができながら、半導体素子とＴＡＢ用テープキャリアとの間に隙間を確保することができ、それらの間に、封止樹脂を支障なく充填することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図、図２は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの配線部の拡大平面図、図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。
図１において、このＴＡＢ用テープキャリア１は、長手方向に連続して延びるテープ状のベース絶縁層２に、導体パターン７が形成される配線部３と、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するための搬送部５とが設けられ、補強層４（図３参照）が積層されている。
【００１２】
配線部３は、ベース絶縁層２の表面において、ベース絶縁層２の長手方向（ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向と同じ、以下、単に長手方向という場合がある。）において、互いに間隔を隔てて、複数設けられている。
各配線部３には、図２に示すように、その中央に、半導体素子２１（図６参照）を実装（載置）するための平面視略矩形状の実装部６が設けられている。また、実装部６の長手方向両側には、導体パターン７がそれぞれ形成されている。
【００１３】
この導体パターン７は、ベース絶縁層２の表面において、互いに間隔を隔てて配置される複数の配線８からなり、各配線８は、接続端子としてのインナリード９、アウタリード１０および中継リード１１を一体的に備えている。
各インナリード９は、実装部６内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに間隔を隔ててＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向（長手方向と直交する方向、以下、単に幅方向という場合がある。）に並列配置されている。各インナリード９のピッチ（すなわち、１つのインナリード９の幅（底面幅）と、２つのインナリード９間の幅（間隔）との合計の長さ）ＩＰは、４０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下で、通常、２０μｍ以上に設定されている。このように、各インナリード９のピッチＩＰを、４０μｍ以下に設定することにより、高密度配線を実現することができる。
【００１４】
また、各インナリード９の幅（底面幅）は、５〜１５μｍ、好ましくは、１０〜１５μｍ、２つのインナリード９間の幅（間隔）は、５〜３５μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍに設定されている。
各アウタリード１０は、配線部３における長手方向両端部に臨み、長手方向に沿って延び、互いに間隔を隔てて幅方向に並列配置されている。各アウタリード１０のピッチ（すなわち、１つのアウタリード１０の幅（底面幅）と、２つのアウタリード１０間の幅（間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、例えば、１００〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード１０のピッチＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、広幅に設定してもよく、また、各インナリード９のピッチＩＰと実質的に同幅で設定することもできる。
【００１５】
各中継リード１１は、各インナリード９と各アウタリード１０とが連続するように、各インナリード９と各アウタリード１０とを中継しており、各アウタリード１０のピッチＯＰが各インナリード９のピッチＩＰに対して広幅に設定されている場合には、ピッチの狭いインナリード９側からピッチの広いアウタリード１０側に向かって、次第に幅方向に広がる放射状で配置されている。
【００１６】
また、各中継リード１１が配置される部分には、ソルダレジストなどのカバー絶縁層１２が設けられている。すなわち、ソルダレジストなどの絶縁層１２は、実装部６を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード１１を覆うように設けられている。
また、カバー絶縁層１２から露出するインナリード９およびアウタリード１０には、錫めっき層１３（図６参照）が形成されている。
【００１７】
搬送部５は、図１に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って設けられている。各搬送部５には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するために、スプロケットなどと噛み合わせるための複数の送り孔１５が、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。各送り孔１５は、ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向において、等間隔毎に、ＴＡＢ用テープキャリア１を貫通する（ベース絶縁層２および補強層４を貫通する）ように、平面視略矩形状に穿孔されている。
【００１８】
補強層４は、図３に示すように、ベース絶縁層２の裏面に積層されている。この補強層４には、上記したように、幅方向両側縁部において複数の送り孔１５が穿孔されるとともに、各配線部３と上下方向に対向して、底面視略矩形状の開口部１４が形成されている。
次に、このＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法を、図４および図５を参照して説明する。
【００１９】
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、補強層４を用意する。補強層４としては、例えば、銅箔やステンレス箔などの金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。なお、ステンレス箔としては、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７などが用いられる。また、補強層４の厚みは、例えば、３〜１００μｍ、さらには、５〜３０μｍ、さらに好ましくは、８〜２０μｍである。
【００２０】
なお、図１〜図３においては、１列のＴＡＢ用テープキャリア１を示しているが、通常は、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする。例えば、幅２５０ｍｍの補強層４では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製し、幅３００ｍｍの補強層４では、幅７０ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製する。
【００２１】
次いで、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、その補強層４の上にベース絶縁層２を形成する。ベース絶縁層２の形成は、まず、図４（ｂ）に示すように、補強層４の上に熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａを形成した後、図４（ｃ）に示すように、その熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａの上に、ベース絶縁層２の表面層として、熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂを形成する。
【００２２】
熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａは、ポリイミド樹脂前駆体を含有する樹脂溶液を、補強層４の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させることにより、形成することができる。
ポリイミド樹脂前駆体としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンとの反応により得られるポリアミック酸樹脂が用いられる。樹脂溶液は、例えば、ポリアミック酸樹脂を有機溶媒に溶解して、ワニスとして調製する。
【００２３】
また、樹脂溶液の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の方法が用いられる。そして、乾燥後、例えば、２００〜６００℃で加熱硬化させることにより、補強層４の上に、熱硬化性ポリイミド樹脂からなる熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａが形成される。
このようにして形成される熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａの熱硬化性ポリイミド樹脂は、その線膨張係数が、例えば、３０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは、２５ｐｐｍ／℃以下、通常、１８ｐｐｍ／℃以上である。
【００２４】
なお、樹脂溶液に、公知の感光剤を配合すれば、樹脂溶液を補強層４の上に塗布した後に、露光および現像することにより、熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａをパターンとして形成することもできる。
熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａの厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍ、さらに好ましくは、２０〜３０μｍである。
【００２５】
熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂは、熱可塑性ポリイミド樹脂を含有する樹脂溶液を、熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａの上に塗布し、乾燥させる。
熱可塑性ポリイミド樹脂としては、例えば、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂などが用いられる。樹脂溶液は、例えば、熱可塑性ポリイミド樹脂を有機溶媒に溶解して、ワニスとして調製する。
【００２６】
また、樹脂溶液の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の方法が用いられる。そして、乾燥させることにより、熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａの上に、熱可塑性ポリイミド樹脂からなる熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂが形成される。
このようにして形成される熱可塑性ポリイミド樹脂２ｂの熱可塑性ポリイミド樹脂は、そのガラス点移転（Ｔｇ）が、半導体素子２１の圧着温度（圧着ツールの温度）以下であり、例えば、３５０℃以下、好ましくは、３００℃以下、通常、２５０℃以上である。ガラス点移転（Ｔｇ）が、３５０℃以下であれば、導体パターン７との密着性の向上を図ることができる。
【００２７】
なお、熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂは、予め加工された熱可塑性ポリイミド樹脂のドライフィルムを、接着剤を介して熱硬化性ポリイミド樹脂層２ａに貼着することによって、形成することもできる。
熱可塑性ポリイミド樹脂２ｂの厚みは、４μｍ以下、好ましくは、１〜４μｍ、さらに好ましくは、１〜２．５μｍである。
【００２８】
熱可塑性ポリイミド樹脂２ｂの厚みが、４μｍを超えると、半導体素子２１の圧着時に、導体パターン７が熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂにめり込んで、半導体素子２１とＴＡＢ用テープキャリア１との間に隙間を確保することが困難となる場合がある。熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂの厚みを、４μｍ以下とすることにより、導体パターン７との密着性を確保しつつ、導体パターン７のめり込みを抑制することができる。
【００２９】
また、ベース絶縁層２と導体パターン７との十分な密着性を確保するためには、熱可塑性ポリイミド樹脂２ｂの厚みは、１μｍ以上であることが好ましい。
また、このようにして形成されたベース絶縁層２の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、１５μｍ以下、通常、３μｍ以上である。
次いで、この方法では、ベース絶縁層２の表面に、導体パターン７を、上記した配線８のパターンとして形成する。導体パターン７は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などから形成される。好ましくは、銅から形成される。また、導体パターン７の形成は、特に制限されることなく、ベース絶縁層２の表面に、導体パターン７を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって、上記した配線８のパターンとして形成する。
【００３０】
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層２の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、上記した配線８のパターンに対応するエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去する。
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層２の表面に、種膜（下地）となる導体薄膜を形成した後、この導体薄膜の表面に、上記した配線８のパターンの反転パターンでめっきレジストを形成する。次いで、めっきレジストから露出する導体薄膜の表面に、めっきにより、上記した配線８のパターンとして、導体パターン７を形成する。その後、めっきレジストおよび導体パターン７に対向する部分以外の導体薄膜を除去する。
【００３１】
これらのパターンニング法において、サブトラクティブ法により導体パターン７を形成した場合には、導体層をエッチングして各配線８を形成することから、配線８の上面幅（すなわち、配線８のカバー絶縁層１２との接触面における、配線８が延びる方向に直交する方向の長さ）／配線８の底面幅（すなわち、配線８のベース絶縁層２との接触面における、配線８が延びる方向に直交する方向の長さ）が、１より小さくなり、つまり、各配線８は、底面に対して上面が幅狭の断面台形となる。
【００３２】
一方、アディティブ法により導体パターン７を形成した場合には、めっきレジストの間の導体薄膜の表面に、めっきの析出により各配線８を形成することから、配線８の上面幅／配線８の底面幅が、実質的に１または１以上となり、つまり、各配線８は、底面に対して上面が同一の断面矩形、または、底面に対して上面が幅広の断面台形となる。
以上のことから、導体パターン７を微細化して、高密度配線を実現するためには、好ましくは、アディティブ法が用いられる。
【００３３】
すなわち、アディティブ法では、まず、図４（ｄ）に示すように、ベース絶縁層２の表面の全面に、種膜（下地）となる導体薄膜１６を形成する。導体薄膜１６の形成は、真空蒸着法、好ましくは、スパッタ蒸着法が用いられる。また、導体薄膜１６を形成する導体は、好ましくは、クロムや銅などが用いられる。
より具体的には、例えば、ベース絶縁層２の表面の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成する。なお、導体薄膜１６の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åとなるように設定する。
【００３４】
次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、導体薄膜１６の上に、上記した配線８のパターンの反転パターンで、めっきレジスト１７を形成する。めっきレジスト１７は、例えば、ドライフィルムレジストを露光および現像する公知の方法により、反転パターンとして形成する。
その後、この方法では、図４（ｆ）に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、上記した複数の送り孔１５を、補強層４、ベース絶縁層２、導体薄膜１６およびめっきレジスト１７の厚さ方向を貫通するように、穿孔する。送り孔１５の穿孔は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工、エッチングなどの公知の加工方法を用いることができ、好ましくは、パンチング加工が用いられる。
【００３５】
次いで、この方法では、図５（ｇ）に示すように、めっきレジスト１７から露出する導体薄膜１６の表面に、めっきにより、上記した配線８のパターンとして、導体パターン７を形成する。めっきは、電解めっきや無電解めっきが用いられ、好ましくは、電解めっきが用いられ、さらに好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
そして、図５（ｈ）に示すように、めっきレジスト１７を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去し、続いて、導体パターン７から露出する導体薄膜１６を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。
【００３６】
これによって、ベース絶縁層２の上に、導体パターン７が、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１が一体的に形成される配線８のパターンとして、形成される。このようにして形成される導体パターン７の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図５（ｉ）に示すように、各配線８の中継リード１１を被覆するカバー絶縁層１２を、実装部６を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成する。カバー絶縁層１２は、感光性ソルダレジストなどから、公知の方法により形成する。カバー絶縁層１２の厚みは、例えば、５〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００３７】
その後、この方法では、図５（ｊ）に示すように、各配線８のインナリード９およびアウタリード１０の表面に、錫めっき層１３を形成する。錫めっき層１３は、例えば、各配線８のインナリード９およびアウタリード１０の表面を被覆するように、無電解錫めっきすることにより形成する。
そして、この方法では、図５（ｋ）に示すように、補強層４における配線部３と重なる位置に、開口部１４を形成することによって、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。
【００３８】
補強層４に開口部１４を形成するには、補強層４における配線部３と対向する部分を、例えば、ドリル穿孔、パンチ加工、ウエットエッチング（化学エッチング）などの公知の方法によって、開口する。例えば、エッチングする場合には、開口部１４の形成部分以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などのエッチング液を用いて、エッチングした後、エッチングレジストを除去する。
【００３９】
なお、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする場合は、各ＴＡＢ用テープキャリア１間に、開口部１４の形成と同時に、補強層４の除去によりスリットを形成する。そして、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を作製している場合は、１列ごとにスリットする。
このようにして得られるＴＡＢ用テープキャリア１では、導体パターン７が微細化されており、高密度配線を実現しているので、半導体素子７を高密度実装することができる。
【００４０】
一方、このように導体パターン７を高密度配線すると、導体パターン７とベース絶縁層２との間の接触面積が減少するが、このＴＡＢ用テープキャリア１では、導体パターン７が、熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂの表面に形成されているため、導体パターン７とベース絶縁層２との間の密着性の向上を図ることができる。
そして、このＴＡＢ用テープキャリア１では、インナリード９が錫めっき層１３により被覆されているので、図６に示すように、実装部６において、半導体素子２１の金端子（金バンプ）２２を、錫めっき層１３によって被覆されたインナリード９に圧着により接続すれば、接続強度の向上を図ることができる。
【００４１】
一方、半導体素子２１の金端子２２を、錫めっき層１３によって被覆されるインナリード９に圧着させる場合には、両者の界面に金と錫との共晶を形成させて強固に結合すべく、通常、実装温度３００℃以上、好ましくは、４００〜４５０℃において、半導体素子実装荷重５０Ｎ以上、好ましくは、１００〜１５０Ｎで圧着させる。
このように圧着すると、導体パターン７は、その微細化により、導体パターン７とベース絶縁層２との間の接触面積が減少しており、導体パターン７のベース絶縁層２に対する面圧が大きくなり、とりわけ、アディティブ法によって導体パターン７を形成した場合には、上記したように、配線８の上面幅／配線８の底面幅が、実質的に１または１以上となって、導体パターン７の底面から熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂにかかる面圧がより一層大きくなり、ベース絶縁層２に導体パターン７が、強い力でめり込むように圧着される。
【００４２】
しかし、このＴＡＢ用テープキャリア１では、熱可塑性ポリイミド樹脂層２ｂの厚みが４μｍ以下であるため、ベース絶縁層２において、導体パターン７によって押圧される凹み量を少なくすることができ、導体パターン７のベース絶縁層２に対するめり込みを、抑制することができる。そのため、半導体素子２１とＴＡＢ用テープキャリア１との間に隙間を確保することができ、圧着後において、半導体素子２１とＴＡＢ用テープキャリア１との間に、封止樹脂２３を、ボイドなどを生じることなく、支障なく充填することができる。その結果、半導体素子２１を、実装部６において確実に実装することができる。
【００４３】
なお、上記の説明では、ＴＡＢ用テープキャリア１を、ベース絶縁層２の片面に配線部３が形成される片面配線回路基板として形成したが、例えば、ベース絶縁層２の両面に配線部３が形成される両面配線回路基板として形成することもできる。両面配線回路基板として形成する場合には、ベース絶縁層２の裏面に、補強層４を形成する代わりに、ベース絶縁層２の表面と同様に、複数の配線部３を形成する。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
この実施例１では、幅２５０ｍｍの補強層上に、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを４列同時に作製した。
まず、補強層として、厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）を用意し（図４（ａ）参照）、その補強層の上に、ポリアミック酸樹脂溶液を、塗布し、乾燥後に加熱硬化させることにより、厚み２０μｍの熱硬化性ポリイミド樹脂層を形成した（図４（ｂ）参照）。なお、この熱硬化性ポリイミド樹脂層の線膨張係数は、２０ｐｐｍ／℃であった。
【００４５】
次いで、熱硬化性ポリイミド樹脂層の上に、脂肪族ポリイミドを主体とした熱可塑性ポリイミド樹脂溶液を、塗布し、乾燥させることにより、厚み１μｍの熱可塑性ポリイミド樹脂層を形成した（図４（ｃ）参照）。なお、この熱可塑性ポリイミド樹脂層のガラス点移転は、３００℃であった。
これによって、補強層の上に、熱硬化性ポリイミド樹脂層と熱可塑性ポリイミド樹脂層とが順次積層されたベース絶縁層を形成した。
【００４６】
次いで、ベース絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、厚さ２０００Åの金属薄膜を形成した（図４（ｄ）参照）。
その後、ドライフィルムレジストを露光および現像することにより、めっきレジストを金属薄膜の表面に、導体パターンの反転パターンとして形成した後（図４（ｅ）参照）、送り孔を、補強層、ベース絶縁層、金属薄膜およびめっきレジストの厚さ方向を貫通させるようにして、パンチング加工により穿孔した（図４（ｆ）参照）。
【００４７】
次いで、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、２．５Ａ／ｄｍ2で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体パターンを形成した（図５（ｇ）参照）。
なお、この導体パターンは、互いに間隔を隔てて配置され、インナリード、アウタリードおよび中継リードが一体的に形成される複数の配線のパターンとして形成された。また、インナリードのピッチが３０μｍ、アウタリードのピッチが１００μｍであった。
【００４８】
次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去し、続いて、導体パターンから露出する導体薄膜を、同じく、化学エッチングにより除去した（図５（ｈ）参照）。
その後、感光性ソルダレジストから、カバー絶縁層を、各配線の中継リードが被覆され、実装部を囲むようにして形成した後（図５（ｉ）参照）、インナリードおよびアウタリードの表面に、無電解錫めっきにより、錫めっき層を形成した（図５（ｊ）参照）。
【００４９】
そして、補強層における配線部と重なる位置以外を、エッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液を用いて、補強層をエッチングすることにより開口部およびＴＡＢ用テープキャリア間にスリットを形成し、その後、エッチングレジストを除去し、スリットすることにより、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
実施例２、３および比較例１
熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みを、実施例２では３μｍ、実施例３では４μｍ、比較例１では５μｍに変更した以外は、実施例１と同様の方法により、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００５０】
評価
実施例１〜３および比較例１で得られたＴＡＢ用テープキャリアの実装部に、金バンプを備える半導体素子を実装した。半導体素子の実装においては、金バンプを、錫めっき層で被覆されたインナリードに対向させて、実装温度（圧着ツールの温度）３２５℃、実装荷重１３０Ｎで圧着した。圧着後に、ベース絶縁層の凹み量を測定した。その結果を表１に示す。
【００５１】
そして、液状アンダーフィル封止樹脂を、半導体素子とＴＡＢ用テープキャリアの実装部との間に充填した後、封止樹脂のボイドの有無を観察した。その結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
2007035869.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図である。
【図２】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの配線部の拡大平面図である。
【図３】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。
【図４】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、ＴＡＢ用テープキャリアの長手方向に沿う断面における工程図であって、（ａ）は、補強層を用意する工程、（ｂ）は、補強層の上に熱硬化性ポリイミド樹脂層を形成する工程、（ｃ）は、熱硬化性ポリイミド樹脂層の上に熱可塑性ポリイミド樹脂層を形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の表面の全面に、導体薄膜を形成する工程、（ｅ）は、導体薄膜の上に、めっきレジストを形成する工程、（ｆ）は、ＴＡＢ用テープキャリアの幅方向両側縁部において、送り孔を穿孔する工程を示す。
【図５】図４に続いて、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、ＴＡＢ用テープキャリアの長手方向に沿う断面における工程図であって、（ｇ）は、めっきレジストから露出する導体薄膜の表面に、導体パターンを形成する工程、（ｈ）は、めっきレジストおよび導体パターンから露出する導体薄膜を、除去する工程、（ｉ）は、各配線の中継リードを被覆するカバー絶縁層を形成する工程、（ｊ）は、各配線のインナリードおよびアウタリードの表面に、錫めっき層を形成する工程、（ｋ）は、補強層における配線部と重なる位置に、開口部を形成する工程を示す。
【図６】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアに半導体素子を実装した状態を示す、ＴＡＢ用テープキャリアの長手方向に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１    ＴＡＢ用テープキャリア
２    ベース絶縁層
２ａ  熱硬化性ポリイミド樹脂層
２ｂ  熱可塑性ポリイミド樹脂層
７    導体パターン
９    インナリード
１３  錫めっき層
２１  半導体素子
２２  金端子
【図１】
2007035869.tif 000004
【図２】
2007035869.tif 000005
【図３】
2007035869.tif 000006
【図４】
2007035869.tif 000007
【図５】
2007035869.tif 000008
【図６】
2007035869.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み４μｍ以下の熱可塑性ポリイミド樹脂層を表面層として含むベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンとを備え、
前記導体パターンは、半導体素子の金端子と接続するための接続端子を含み、
前記接続端子の表面に、錫めっき層が形成されていることを特徴とする、ＴＡＢ用テープキャリア。
【請求項２】
前記熱可塑性ポリイミド樹脂層を形成する熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移点が、３５０℃以下であることを特徴とする、請求項１に記載のＴＡＢ用テープキャリア。
【請求項３】
前記ベース絶縁層は、その上に前記熱可塑性ポリイミド樹脂層が形成される熱硬化性ポリイミド樹脂層を備え、
前記熱硬化性ポリイミド樹脂層を形成する熱硬化性ポリイミド樹脂の線膨張係数が、３０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする、請求項２に記載のＴＡＢ用テープキャリア。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアでは、前記熱可塑性ポリイミド樹脂層を形成する熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移点が、３５０℃以下であることが好適である。
また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアでは、前記ベース絶縁層は、その上に前記熱可塑性ポリイミド樹脂層が形成される熱硬化性ポリイミド樹脂層を備え、前記熱硬化性ポリイミド樹脂層を形成する熱硬化性ポリイミド樹脂の線膨張係数が、３０ｐｐｍ／℃以下であることが好適である。