(57)【要約】【課題】鉛フリーはんだによるはんだ付けを伴うとともに，従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだを利用したときと比べて同等以上の放熱性を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】パワーモジュール１００は，半導体素子１と，半導体素子１を支持する電極基板２と，電極基板２と接合する放熱板３と，これらを収容するパワーモジュールケース５とを備えている。さらに，パワーモジュール１００は，半導体素子１と電極基板２とがはんだ４１によって，電極基板２と放熱板３とがはんだ４２によってそれぞれ接合されている。はんだ４２は，Ｓｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだであり，Ｉｎの含有量が１４〜２０重量％の範囲内になっている。【選択図】            図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と，その半導体素子を支持する基板と，その基板に接合される放熱板とを備えた半導体装置において，
前記基板と前記放熱板とは，Ｉｎの含有量が１４重量％以上であり，残部がＳｎであるＳｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだによって接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載する半導体装置において，
前記はんだは，Ｉｎの含有量が１４重量％〜２０重量％の範囲内であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載する半導体装置において，
前記はんだは，Ｉｎの含有量が１４重量％〜１６重量％の範囲内であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
放熱板と半導体素子を支持する基板との間にはんだをセットし，そのはんだを溶融させて前記放熱板と前記基板とを接合するはんだ接合ステップを含む半導体装置の製造方法において，
前記はんだ接合ステップで利用するはんだは，Ｉｎの含有量が１４重量％以上であり，残部がＳｎであるＳｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載する半導体装置の製造方法において，
前記はんだ接合ステップで利用するはんだは，Ｉｎの含有量が１４重量％〜２０重量％の範囲内であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載する半導体装置の製造方法において，
前記はんだ接合ステップで利用するはんだは，Ｉｎの含有量が１４重量％〜１６重量％の範囲内であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４から請求項６のいずれか１つに記載する半導体装置の製造方法において，
前記はんだ接合ステップは，
前記はんだの溶融後に，その溶融状態のはんだを減圧雰囲気下におく減圧ステップと，
前記減圧ステップ後に，その溶融状態のはんだを常圧雰囲気下におく常圧ステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，電力制御に供する半導体装置およびその製造方法に関する。さらに詳細には，放熱板による高放熱構造を備え，その放熱板と基板とを鉛フリーはんだによって接合する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から，ハイブリッド自動車や電気自動車等に車載される高耐圧・大電流用のパワーモジュールは，半導体素子の動作時の自己発熱が大きいことから，放熱性を向上させるための構成が必要になる。そのため，一般的なパワーモジュールは，図１に示すように，半導体素子１，半導体素子１を支持する電極基板２，および放熱板３によって高放熱性を有する構造を有している。さらに，それらの接合には，はんだ４１，４２が使用されている。そして，パワーモジュールは，パワーモジュールケース５に収納されており，半導体素子１で生じた熱は，放熱板１およびパワーモジュールケース５を介して拡散される。
【０００３】
また，近年，鉛による環境汚染が問題視されており，はんだ中から鉛を排除した鉛フリーはんだの使用が要請されている。そのため，鉛フリーはんだを半導体装置に適用する技術が幾つか提案されている（例えば，特許文献１，特許文献２）。鉛フリーはんだとしては，Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｚｎ系，あるいはこれらの材料にＩｎやＢｉを添加したものなど各種の材料が提案されている。これら鉛フリーはんだは，従来の共晶はんだ（Ｓｎ−Ｐｂ系）の融点（１８３℃）と比較して高融点であるという特徴を有している。
【特許文献１】特開２００２−２６１１０４号公報
【特許文献２】特開２００４−１８８４５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら，前記した従来の技術には，次のような問題があった。すなわち，図１に示したパワーモジュールの電極基板２は，セラミック材（アルミナ，窒化アルミニウム，窒化シリコン等）を基材としている。一方，放熱板３は，金属（Ｃｕ，Ｃｕ−Ｍｏ等）を基材としている。そのため，線膨張係数差が大きい。
【０００５】
そして，電極基板２と放熱板３との接合に高融点（１８３℃以上）である鉛フリーはんだを適用すると，接合後に常温へ戻るまでの温度差が大きくなる。そのため，熱膨張係数差によって放熱板３に反りが生じる。さらに，放熱板３の反りは，図９に示すように，パワーモジュールケース５との間に大きな隙間を生む。そのため，パワーモジュールの放熱性が大きく阻害される。その結果，Ｓｎ−Ｐｂ系のはんだを利用したときと比較して，放熱性が悪化してしまう。
【０００６】
本発明は，前記した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは，鉛フリーはんだによるはんだ付けを伴うとともに，従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだを利用したときと比べて同等以上の放熱性を有する半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題の解決を目的としてなされた半導体装置は，半導体素子と，その半導体素子を支持する基板と，その基板に接合される放熱板とを備えた半導体装置であって，基板と放熱板とは，Ｉｎの含有量が１４重量％以上であり，残部がＳｎであるＳｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだによって接合されていることを特徴としている。
【０００８】
本発明の半導体装置は，基板と放熱板とをＳｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだによって接合する。そして，その鉛フリーはんだは，Ｉｎの含有量を１４重量％以上とする。Ｓｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだは，Ｉｎの含有量が１４重量％以上であればその融点が１８３℃以下となる。すなわち，本発明に適用される鉛フリーはんだは，Ｓｎ−Ｐｂ系の共晶はんだよりも低融点である。従って，共晶はんだと比べて同等以下の温度で接合することができ，放熱板の反りが抑制される。
【０００９】
また，本発明の半導体装置に適用されるはんだは，Ｉｎの含有量が１４重量％〜２０重量％の範囲内であることとするとよりよい。すなわち，自動車のエンジンルーム内等の過酷な環境下に配置されるパワーモジュールでは，少なくとも−４０℃〜１５０℃の範囲内の環境温度での動作が要求される。一方，本発明の半導体装置に適用されるはんだは，Ｉｎの含有量が多くなるほどその融点が低くなる傾向がある。そこで，はんだのＩｎの含有量を２０重量％以下とする。これにより，はんだの融点が１５０℃以上となり，環境温度の要求を満たすことができる。よって，Ｉｎの含有量が１４重量％〜２０重量％の範囲内であれば，放熱板の反りが抑制されるとともに車載用のパワーモジュールに要求される環境温度が満たされる。
【００１０】
また，本発明の半導体装置に適用されるはんだは，Ｉｎの含有量が１４重量％〜１６重量％の範囲内であることとするとよりよい。すなわち，Ｓｎ−Ｉｎ系のはんだは，Ｉｎを多く含有するほどクラックが発生し易くなる。また，Ｉｎは稀少金属であり，Ｉｎを含有させるほどコストアップを招く。そのため，コストアップを抑制する観点からは，Ｉｎをできる限り少なく含有させることが好ましい。よって，Ｉｎの含有量が１４重量％〜１６重量％の範囲内であれば，放熱板の反りを抑制するとともに，信頼性の向上およびコストアップの抑制を図ることができる。
【００１１】
また，本発明の半導体装置の製造方法は，放熱板と半導体素子を支持する基板との間にはんだをセットし，そのはんだを溶融させて放熱板と基板とを接合するはんだ接合ステップを含む半導体装置の製造方法であって，はんだ接合ステップで利用するはんだは，Ｉｎの含有量が１４重量％以上であり，残部がＳｎであるＳｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだであることを特徴としている。
【００１２】
本発明の製造方法では，放熱板と基板との接合に，Ｉｎの含有量が１４重量％以上のＳｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだを利用する。すなわち，低融点の鉛フリーはんだを利用することにより，共晶はんだと比べて同等以下の温度で接合することができる。よって，本発明の製造方法によって製造される半導体装置は，放熱板の反りが抑制される。なお，Ｉｎの含有量が１４重量％〜２０重量％の範囲内とすることで，車載用のパワーモジュールに要求される環境温度を満たすことができる。さらに，Ｉｎの含有量が１４重量％〜１６重量％の範囲内であれば，コストアップを抑制することができる。
【００１３】
また，本発明の製造方法中のはんだ接合ステップは，はんだの溶融後に，その溶融状態のはんだを減圧雰囲気下におく減圧ステップと，その減圧ステップ後に，その溶融状態のはんだを常圧雰囲気下におく常圧ステップとを含むこととするとよりよい。
【００１４】
すなわち，Ｉｎの含有量が１４重量％以上のＳｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだは，共晶はんだと比べてヌレ性が悪い。そのため，はんだが基板全体に行き渡らない。そこで，はんだを溶融させた後に，減圧ステップとしてその溶融状態のはんだを減圧雰囲気下におく。これにより，はんだ内に閉じ込められたボイドの脱泡が図られる。さらに，減圧雰囲気下で脱泡した後に，常圧ステップとしてはんだを溶融状態としたまま減圧雰囲気から常圧雰囲気に戻す。これにより，減圧ステップにて脱泡しきれなかったボイドが圧縮される。よって，この製造方法により接合されたはんだのボイド率は小さい。
【００１５】
また，本発明の製造方法中のはんだ接合ステップは，還元性雰囲気下ではんだを溶融させるとよりよい。これにより，はんだの表面，すなわちボイドの内面が還元され，はんだのヌレ性が向上する。よって，ボイドのさらなる縮小化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば，鉛フリーはんだを適用しつつ放熱板の反りを抑制することができる。そのため，放熱板とパワーモジュールケースとの隙間を小さくすることができ，放熱性の悪化を抑制することができる。よって，本発明の半導体装置は，鉛フリーはんだによるはんだ付けを伴うとともに，従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだを利用したときと比べて同等以上の放熱性を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下，本発明を具体化した実施の形態について，添付図面を参照しつつ詳細に説明する。なお，以下の形態では，車載用のパワーモジュール（半導体装置）として本発明を適用する。
【００１８】
本形態の車載用パワーモジュール１００は，図１に示すように，ＩＧＢＴ素子である半導体素子１と，半導体素子１を支持する電極基板２と，電極基板２と接合する放熱板３と，これらを収容するパワーモジュールケース５とを備えている。さらに，パワーモジュール１００は，半導体素子１と電極基板２とがはんだ４１によって，電極基板２と放熱板３とがはんだ４２によってそれぞれ接合されている。また，パワーモジュールケース５内には放熱グリースが充填されており，放熱板３とパワーモジュールケース５との隙間を埋めている。
【００１９】
電極基板２は，ＡｌＮ（窒化アルミニウム）の基材からなり，その両表面にＡｌ電極層が形成されている。電極基板２の大きさは，縦３２．５ｍｍ×横５０．０ｍｍ×高さ１．５ｍｍである。電極基板２には，一方の面上に半導体素子１が，他方の面上に放熱板３が，それぞれはんだ付けによって接合されている。なお，電極基板２の基材の材質は，ＡｌＮに限定するものではなく，例えばアルミナや窒化シリコンであってもよい。また，電極基板２のサイズもこれに限定するものではない。
【００２０】
放熱板３は，Ｃｕ（銅）−Ｍｏ（モリブデン）の基材からなっている。放熱板３の大きさは，縦８１ｍｍ×横２１０ｍｍ×高さ３ｍｍである。なお，放熱板３の材質は，Ｃｕ−Ｍｏに限定するものではなく，例えばＣｕであってもよい。また，放熱板３のサイズもこれに限定するものではない。
【００２１】
はんだ４２は，Ｓｎ（錫）とＩｎ（インジウム）とからなるＳｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだである。詳細には，Ｉｎの含有量が１４〜２０重量％の範囲内になっており，残りがＳｎとなっている。
【００２２】
はんだ４２は，車載用のパワーモジュールに利用されるものであり，次の表１の特性を満たすことが要請される。
【表１】
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【００２３】
図２は，はんだの材料マップ（縦軸：融点，横軸：熱伝導率）を示している。そして，熱伝導率の要求を満たしている材料をプロットしている。図２に示したように，Ｓｎ１００からなるはんだの融点およびＳｎ−９Ｚｎからなるはんだの融点は，いずれも１５０℃以上であってパワーモジュールの環境温度特性を満たしている。しかし，これらのはんだは，従来の鉛はんだ（５０Ｓｎ−５０Ｐｂ）の融点（１８３℃）よりも高い。そのため，従来のはんだと比較して放熱板の反り量が大きくなることが懸念される。
【００２４】
一方，Ｓｎ−１５Ｉｎからなるはんだの融点は，１５０℃以上であり，かつ，従来の鉛はんだ（５０Ｓｎ−５０Ｐｂ）の融点（１８３℃）よりも低い。そのため，パワーモジュールの環境温度特性を満たしつつ放熱性の向上を図ることができる。
【００２５】
なお，３元素以上の組成の鉛フリーはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系，Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系，Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系，Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ系等）では，その融点が１８３℃以上であった。
【００２６】
本発明者は，各種のはんだ材料について，実際に融点および放熱板の反り量を調べた。以下，その試験結果を説明する。本試験では，実施の形態と同様の電極基板および放熱板を使用し，電極基板と放熱板とを結合するはんだの材料を替え，材料ごとに放熱板の反り量を計測した。
【００２７】
図３は，材料ごとに実際の放熱板の反り量の最大値を示している。図３に示すように，従来の鉛はんだ（５０Ｓｎ−５０Ｐｂ）を利用したときの最大反り量は，２３９μｍであった。そのため，この２３９μｍを基準として，同等もしくは最大反り量がそれ以下となる材料を調べた。
【００２８】
本実験では，次のようなことがわかった。すなわち，Ｓｎ１００を利用したときの最大反り量およびＳｎ−９Ｚｎを利用したときの最大反り量は，いずれも２４０μｍ以上となり，放熱板の反りは改善されない。また，Ｓｎ−１０Ｉｎを利用したときも最大反り量が２７１μｍとなり，放熱板の反りが改善されない。なお，Ｓｎ−１０Ｉｎについては，後述する状態線図（図４）より，固相線温度が２００℃と高温になることがわかる。このことからも，最大反り量が大きくなることがわかる。
【００２９】
一方，Ｓｎ−１５ＩｎやＳｎ−２０Ｉｎについては，最大反り量が２４０μｍ以下となり，放熱板の反りが改善される。これらについても，後述する状態線図（図４）により，固相線温度が１８３℃以下と低温になることがわかる。このことからも，最大反り量が小さくなることがわかる。
【００３０】
なお，図示していないが，Ｓｎ−１４Ｉｎについては，最大反り量が２３６μｍとなり，放熱板の反りの改善が図られることがわかった。一方，Ｓｎ−１３Ｉｎについては，最大反り量が２４０μｍとなり，放熱板の反りの改善が図られていないことがわかった。このことからも，少なくともＩｎの含有量が１４重量％なければならないことがわかった。
【００３１】
また，Ｓｎ−１５ＩｎとＳｎ−２０Ｉｎとを比較すると，Ｓｎ−２０Ｉｎの方が反り量が小さいことがわかる。すなわち，Ｉｎの含有量が多くなるほど放熱板の反りの改善が図られることがわかる。すなわち，放熱板の反りの改善の観点からは，要求される環境温度を満たす限りにおいてＩｎをできる限り多く含有させることが好ましいことがわかる。一方，Ｉｎは稀少金属であり，Ｉｎを含有させるほどコストアップを招く。また，Ｉｎを含有させるほどクラックが発生しやすくなる。そのため，コストアップの抑制および信頼性の確保の観点からは，要求させる反り量を満たすようにＩｎをできる限り少なく含有させることが好ましい。
【００３２】
図４および図５に，Ｉｎ−Ｓｎの状態線図を示す。図４に示すように，Ｉｎの含有量が１４重量％以上であれば固相線温度が概ね１８３℃以下となる。そのため，Ｉｎの含有量が１４重量％以上であれば，従来の車載用パワーモジュールに利用されているＳｎ−Ｐｂ系の鉛はんだと同等もしくはそれ以下の融点となる。
【００３３】
また，図５のＩｎ−Ｓｎの状態線図に示すように，Ｉｎの含有量が２０重量％以下であれば固相線温度が１５０℃以上となる。すなわち，車載用パワーモジュールに要求される環境温度の上限は少なくとも１５０℃である。しかし，Ｉｎの含有量が２０重量％以上となると，融点が１５０℃以下となってしまう。そのため，パワーモジュールに要求される環境温度を満たすことができない。従って，はんだ４２のＩｎの含有量は，１４〜２０重量％の範囲内が適当である。
【００３４】
なお，電極基板２と半導体素子１とを接合するはんだ４１は，クラックが発生し難く，高熱伝導性を有する鉛フリー材料であればよい。例えば，Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系の鉛フリーはんだが適用可能である。
【００３５】
続いて，本形態の半導体装置１００の製造方法について，図６，図７および図８を基に説明する。なお，以下の説明では，半導体素子１と電極基板２とをはんだ４１にて接合した後の工程を中心に説明する。
【００３６】
まず，放熱板３をチャンバー内にセットし，図６および図７（ａ）に示すように，半導体装置１００のはんだ層４２となる線はんだ４２を放熱板３上にマウントする（図８：初期）。このとき，線はんだ４０は，電極基板２の外周に合わせて閉ループを構成するように配置される。その後，半導体素子１が接合された電極基板２を線はんだ４２上にマウントし，線はんだ４２を放熱板３と電極基板２によって挟み込む。なお，初期過程では，ワーク搬入時に持ち込まれる酸素を取り除き，窒素を注入して不活性雰囲気下とするための置換処理をワーク搬入後に行う。
【００３７】
次に，チャンバー内が加熱され，線はんだ４２が溶融を開始する（図８：溶融）。線はんだ４２が溶融を開始すると，溶融した線はんだ４２は，図７（ｂ）〜（ｄ）に示すように，閉ループ内を充填するように広がる。線はんだ４２が広がりきった段階では，ワークの温度が３００℃に達する。
【００３８】
なお，この溶融過程が終了した段階で，閉ループ内にボイド４０が残存することになる。特に，本形態のはんだ４２（Ｓｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだ）は，ヌレ性が悪く，閉ループ内に行き渡らない。これは，本形態のはんだ４２の表面張力が他の鉛フリーはんだの表面張力に比べて大きく，ヌレ広がろうとする力よりも大きくなるためと考えられる。また，１７５℃〜３００℃の範囲内でのはんだの粘度が高いことも要因と考えられる。そのため，本形態では，従来の鉛はんだやＳｎ−Ｉｎ系以外の鉛フリーはんだと比べてボイドが大きい傾向にあり，電極基板との接合部分に占めるボイドの割合（ボイド率）が大きい。
【００３９】
そこで，線はんだ４２を溶融させ，ワークを所望の温度とした後に，ワークの温度を維持したまま，すなわちはんだ４０を溶融状態としたままチャンバー内を減圧する（図８：減圧）。これにより，溶融したはんだ４２内に閉じ込められたボイド４０が真空脱泡される。本形態では，チャンバー内をおよそ１０3 Ｐａにまで減圧し，さらに５分程度の間，減圧状態を継続する。これにより，図７（ｅ）〜（ｆ）に示すように，多くのボイド４０の脱泡が図られ，ボイド率が小さくなる。
【００４０】
次に，ワークの温度を３００℃以上に維持したまま，すなわちはんだ４０を溶融状態としたままチャンバー内を常圧に戻す（図８：常圧）。これにより，図７（ｇ）に示すように，先の減圧過程で脱泡しきれなかったボイド４０の縮小化が図られ，ボイド率がさらに小さくなる。そして，チャンバー内が常圧となった後に，ワークの冷却を開始する（冷却過程）。これにより，Ｓｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだを利用した半導体装置１００であっても，ボイド率を１０％以下とすることができる。
【００４１】
なお，チャンバー内を，水素ガス等を含む還元性雰囲気下とすることで，ボイド４０内に還元性ガスを充填することができる。これにより，はんだ４２の表面，すなわちボイド４０の内面が還元され，ヌレ性が向上する。よって，ボイド４０のさらなる縮小化を図ることができる。
【００４２】
また，減圧過程および常圧過程は，１回に限るものではない。すなわち，減圧過程と常圧過程とを繰り返すことで，はんだ４２のヌレ性が向上する。よって，ボイド４０のさらなる縮小化を図ることができる。
【００４３】
以上詳細に説明したように本形態の半導体装置１００は，電極基板２と放熱板３とをはんだ４２によって接合し，そのはんだ４２にはＳｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだを利用することとしている。さらに詳細には，Ｉｎの含有量が１４重量％以上のＳｎ−Ｉｎ系はんだを利用することとしている。このような組成のはんだであれば，その融点が１８３℃以下となる。すなわち，Ｓｎ−Ｐｂ系の鉛はんだよりも低融点となる。そのため，放熱板の反り量の低減を図ることができる。従って，放熱板とパワーモジュールケースとの隙間を小さくすることができ，従来の鉛はんだと同等以上の放熱性を確保することができる。
【００４４】
また，はんだ４２では，Ｉｎの含有量が２０重量％以下のＳｎ−Ｉｎ系はんだを利用することとしている。すなわち，ハイブリッド車等に車載されるパワーモジュールでは，概ね１５０℃までの環境温度での動作が要求される。そのため，Ｉｎの含有量を２０重量％以下とし，その融点を１５０℃以上としている。よって，Ｉｎの含有量を１４重量％〜２０重量％の範囲内とすることにより，放熱板の反りを抑制するとともにパワーモジュールに要求される環境温度を満たすことができる。
【００４５】
また，本形態の半導体装置１００は，電極基板２と放熱板３とを接合する際，はんだ４２を溶融させた後に，その溶融状態のはんだ４２を減圧雰囲気下におくこととしている。これにより，はんだ４２内のボイドを脱泡することができる。さらにその後に，その溶融状態のはんだ４２を常圧雰囲気下に戻すこととしている。これにより，はんだ４２内のボイドを縮小することができる。よって，本形態のはんだ４２のようにヌレ性が悪いはんだであってもボイド率が小さい。
【００４６】
なお，本実施の形態は単なる例示にすぎず，本発明を何ら限定するものではない。したがって本発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良，変形が可能である。例えば，半導体素子１は，ＩＧＢＴ素子に限るものではなく，パワーＭＯＳＦＥＴ，サイリスタ，ＧＴＯ，ダイオードなどであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】半導体装置の構成を示す図である。
【図２】各材料の融点および熱伝導率を示す図である。
【図３】各材料の放熱板反り量を示す図である。
【図４】Ｉｎ−Ｓｎの状態線図（その１）である。
【図５】Ｉｎ−Ｓｎの状態線図（その２）である。
【図６】線はんだを放熱板上にマウントした状態を示す図である。
【図７】半導体装置の製造工程中のはんだの状態を示す図である。
【図８】半導体装置の製造工程中の温度プロファイルおよび圧力の一例を示すチャートである。
【図９】反りが発生した状態の半導体装置を示す概念図である。
【符号の説明】
【００４８】
１      半導体素子
２      電極基板
３      放熱板
４０    ボイド
４１    はんだ
４２    はんだ
５      パワーモジュールケース
１００  パワーモジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2007141901.tif 000007
【図５】
2007141901.tif 000008
【図６】
2007141901.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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