(57)【要約】      （修正有）【課題】圧力発生室等の流路をエッチングにより高精度に形成することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィ法により流路形成基板用ウェハ１１０に形成された保護膜５１を所定形状にパターニングする工程の前に、この保護膜のパターニング時の流路形成基板用ウェハ１１０の反り状態に基づいて選択した材料からなり圧縮又は引張りの応力を有する矯正膜を保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０との接合面とは反対側の面に形成する工程を設ける。【選択図】図６
2007237401.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成される流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に設けられて前記圧力発生室に圧力を付与する圧電素子と、前記流路形成基板の前記一方面側に接合される保護基板とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板が複数一体的に形成される流路形成基板用ウェハに前記圧電素子を形成する工程と、当該流路形成基板用ウェハと前記保護基板が複数一体的に形成される保護基板用ウェハとを接合する工程と、前記流路形成基板用ウェハを所定の厚さに加工する工程と、前記流路形成基板用ウェハの前記保護基板用ウェハとの接合面とは反対側の面に、前記圧力発生室をエッチングにより形成するためのマスクとなる保護膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法により前記保護膜を所定形状にパターニングする工程と、当該保護膜をマスクとして前記流路形成基板用ウェハをエッチングすることにより前記圧力発生室を形成する工程と、前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハを所定の大きさに分割する工程とを有し、且つ前記保護膜をパターニングする工程の前に、当該保護膜のパターニング時の前記流路形成基板用ウェハの反り状態に基づいて選択した材料からなり圧縮又は引張りの応力を有する矯正膜を前記保護基板用ウェハの前記流路形成基板用ウェハとの接合面とは反対側の面に形成する工程を有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記流路形成基板用ウェハの前記保護基板用ウェハとの接合面とは反対側の面に保護膜を形成する工程の後に、前記矯正膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記矯正膜の材料を、前記流路形成基板用ウェハの反りの向きに基づいて選択することを特徴とする請求項１又は２に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記矯正膜を形成する際の前記流路形成基板用ウェハに前記保護基板用ウェハ側が凸となるように反りが生じている場合には、圧縮応力を有する矯正膜を形成し、前記保護基板用ウェハとは反対側が凸となるように反りが生じている場合には引張り応力を有する矯正膜を形成することを特徴とする請求項１〜３に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記矯正膜の厚さを前記流路形成基板用ウェハの反り量に基づいて調整することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記矯正膜をスパッタリング法により形成し、前記矯正膜の厚さをスパッタ出力に基づいてさらに調整することを特徴とする請求項５に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記矯正膜が窒化シリコン（ＳｉＮ）又はチタンタングステン（ＴｉＷ）からなることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法に関し、特に、液滴としてインク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室等のインク流路が形成される流路形成基板と、この流路形成基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側の面に接合され圧電素子を保護するための圧電素子保持部を有する保護基板とを具備するものがある。そして、このようなインクジェット式記録ヘッドは、例えば、流路形成基板用ウェハと保護基板用ウェハとを接合して接合体を形成し、流路形成基板用ウェハをその表面に形成した所定パターンの保護膜をマスクとしてウェットエッチングすることで圧力発生室等を形成し、その後、この接合体を所定の大きさに分割することによって製造される（例えば、引用文献１参照）。
【０００３】
ここで、流路形成基板用ウェハと保護基板用ウェハとを接合した接合体には、反りが生じる場合がある。例えば、保護基板上には、圧電素子を駆動するための駆動ＩＣが実装される駆動配線が形成されており、このような金属からなる駆動配線等と単結晶シリコンからなる流路形成基板用ウェハあるいは保護基板用ウェハとの材料の違いに起因する線膨張係数の違いによって、接合体に反りが生じる場合がある。
【０００４】
そして、このような反りが生じてしまっている場合、圧力発生室を高精度に形成することができないという問題がある。上記保護膜は、例えば、窒化シリコン等からなり、一般的にフォトリソグラフィ法によって形成されている。すなわち、流路形成基板用ウェハの全面に保護膜を形成し、この保護膜上にレジストを塗布、露光及び現像して所定パターンのレジスト膜を形成した後、このレジスト膜を介してエッチングすることによって保護膜を所定形状にパターニングしている。このため、上述したように接合体に反りが生じてしまっていると、レジスト膜を高精度に形成することができない場合がある。具体的には、レジストを露光するための露光装置（アライナ）には、焦点の合う範囲、いわゆるフォーカスマージンがあり、反りによりフォーカスマージンを超えた領域にレジストが存在していると、その部分のレジストを良好に露光することができず、レジスト膜を所定の寸法精度で形成することができなくなる。その結果、保護膜の寸法精度が低下すると共に、圧力発生室の寸法精度も大幅に低下してしまうという問題が生じる。
【０００５】
なお、このような問題は、インク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドだけでなく、他の液滴を吐出する各種液体噴射ヘッドにおいても同様に存在する。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３３５１４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑み、圧力発生室等の流路をエッチングにより高精度に形成することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成される流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に設けられて前記圧力発生室に圧力を付与する圧電素子と、前記流路形成基板の前記一方面側に接合される保護基板とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記流路形成基板が複数一体的に形成される流路形成基板用ウェハに前記圧電素子を形成する工程と、当該流路形成基板用ウェハと前記保護基板が複数一体的に形成される保護基板用ウェハとを接合する工程と、前記流路形成基板用ウェハを所定の厚さに加工する工程と、前記流路形成基板用ウェハの前記保護基板用ウェハとの接合面とは反対側の面に、前記圧力発生室をエッチングにより形成するためのマスクとなる保護膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法により前記保護膜を所定形状にパターニングする工程と、当該保護膜をマスクとして前記流路形成基板用ウェハをエッチングすることにより前記圧力発生室を形成する工程と、前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハを所定の大きさに分割する工程とを有し、且つ前記保護膜をパターニングする工程の前に、当該保護膜のパターニング時の前記流路形成基板用ウェハの反り状態に基づいて選択した材料からなり圧縮又は引張りの応力を有する矯正膜を前記保護基板用ウェハの前記流路形成基板用ウェハとの接合面とは反対側の面に形成する工程を有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第１の態様では、保護膜上にレジストを塗布、露光及び現像することによって保護膜のパターニングに用いるレジスト膜を形成する際、レジストを良好に露光することができる。これにより、保護膜を高精度にパターニングすることができ、それに伴い、圧力発生室等を高精度に形成することができる。
【０００９】
本発明の第２の態様では、前記流路形成基板用ウェハの前記保護基板用ウェハとの接合面とは反対側の面に保護膜を形成する工程の後に、前記矯正膜を形成する工程を有することを特徴とする第１の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第２の態様では、矯正膜の材料等の条件を適宜選択することで、流路形成基板用ウェハの反りをより確実に矯正することができる。
【００１０】
本発明の第３の態様は、前記矯正膜の材料を、前記流路形成基板用ウェハの反りの向きに基づいて選択することを特徴とする第１又は２の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第３の態様では、矯正膜によって流路形成基板用ウェハの反りをより確実に矯正することができる。
【００１１】
本発明の４の態様は、前記矯正膜を形成する際の前記流路形成基板用ウェハに前記保護基板用ウェハ側が凸となるように反りが生じている場合には、圧縮応力を有する矯正膜を形成し、前記保護基板用ウェハとは反対側が凸となるように反りが生じている場合には引張り応力を有する矯正膜を形成することを特徴とする第１〜３の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第４の態様では、矯正膜によって流路形成基板用ウェハの反りをより確実に矯正することができる。
【００１２】
本発明の第５の態様は、前記矯正膜の厚さを前記流路形成基板用ウェハの反り量に基づいて調整することを特徴とする第１〜４の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第５の態様では、矯正膜の応力が調整され、流路形成基板用ウェハの反りをより確実に矯正することができる。
【００１３】
本発明の第６の態様は、前記矯正膜をスパッタリング法により形成し、前記矯正膜の厚さをスパッタ出力に基づいてさらに調整することを特徴とする第５の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第６の態様では、矯正膜の応力が高精度に調整されるため、流路形成基板用ウェハの表面をより確実に平坦にすることができる。
【００１４】
本発明の第７の態様は、前記矯正膜が窒化シリコン（ＳｉＮ）又はチタンタングステン（ＴｉＷ）からなることを特徴とする第１〜６の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第７の態様では、矯正膜を所定の材料で形成することで、流路形成基板用ウェハの反りをより確実に矯正することができる。また、保護基板用ウェハ上に配線等が形成されている場合であっても、この配線等にダメージを与えることなく矯正膜を比較的容易に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、インクジェット式記録ヘッドの要部平面図及びそのＡ−Ａ′断面図である。
【００１６】
図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。なお、連通部１３は、後述するリザーバ形成基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１７】
また、流路形成基板１０の開口面側には、複数のノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、詳しく後述するが圧力発生室１２等を形成する際のマスクとして用いられる保護膜５１を介して接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００１８】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等からなり厚さが例えば、約０．３〜０．４μｍの絶縁体膜５５が積層形成されている。また、絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．１〜０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約０．５〜５μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。例えば、本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。
【００１９】
さらに、圧電素子３００の個別電極である各上電極膜８０の端部近傍には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が接続され、このリード電極９０は、後述するように圧電素子３００を駆動するための駆動回路に接続される。
【００２０】
また、圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接合されている。なお、圧電素子保持部３１は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。また、保護基板３０の連通部１３に対向する領域にはリザーバ部３２が設けられている。このリザーバ部３２は、上述したように、流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。また、保護基板３０には、圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域に、保護基板３０を厚さ方向に貫通する接続孔３３が設けられ、この接続孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出されている。
【００２１】
なお、保護基板３０は、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等で形成されていることが好ましく、例えば、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２２】
また、保護基板３０上には、所定形状の駆動配線２１０が形成され、この駆動配線２１０上に圧電素子３００を駆動するための駆動回路２００が実装されている。この駆動回路２００としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路２００とリード電極９０とはボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線２２０を介して電気的に接続されている。
【００２３】
保護基板３０上には、さらに、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されてリザーバ部３２が封止されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、固定板４２は、金属等の硬質の材料で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。但し、コンプライアンス基板４０には図示しないインク導入口が形成されており、そのインク導入口はリザーバ部３２に連通することで、図示しない外部インク供給手段からインクをリザーバ部３２に導入している。
【００２４】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００２５】
ここで、インクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図７を参照して説明する。なお、図３〜図５及び図７は、圧力発生室１２の長手方向の断面図であり、図６は、流路形成基板用ウェハの反り状態を示す概略図である。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５２を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００２６】
次に、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５２）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５２）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。
【００２７】
次に、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。
【００２８】
次に、図３（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）等からなる上電極膜８０とを流路形成基板１０の全面に形成後、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。また、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成している。
【００２９】
次に、図４（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなる金属層９１を形成し、この金属層９１を、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して圧電素子３００毎にパターニングすることによってリード電極９０を形成する。
【００３０】
次に、図４（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に、複数の保護基板３０が一体的に形成される保護基板用ウェハ１３０を、例えば、接着剤３５によって接合する。なお、本実施形態では、保護基板用ウェハ１３０として、厚さが４００μｍ程度のシリコン単結晶基板を用いている。そして、この保護基板用ウェハ１３０には、予め、圧電素子保持部３１、リザーバ部３２及び接続孔３３が形成されており、保護基板用ウェハ１３０上には、上述した駆動配線２１０が形成されている。
【００３１】
次に、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、約７０μｍ厚になるように流路形成基板用ウェハ１１０をエッチング加工した。次いで、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の表面に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる保護膜５１を全面に亘って形成する。なお、この保護膜５１は、後述するように圧力発生室を形成する際にマスクとして用いられる。
【００３２】
ここで、このような流路形成基板用ウェハ１１０と保護基板用ウェハ１３０との接合体には、この段階で反りが生じていることが多い。これは、例えば、主に単結晶シリコンからなる流路形成基板用ウェハ１１０、金属からなる駆動配線２１０、窒化膜からなる保護膜５１等、各構成要素の材料に起因する線膨張係数の違いによるものである。
【００３３】
このため本発明では、次に、図５（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０との接合面とは反対側の面上に、流路形成基板用ウェハ１１０（接合体）の反り状態に基づいて選択した材料からなり圧縮又は引張りの応力を有する矯正膜１５０を所定の厚さで形成して、流路形成基板用ウェハ１１０（接合体）の反りを矯正して流路形成基板用ウェハ１１０の表面が略平坦となるようにしている。この矯正膜１５０の材料は、流路形成基板用ウェハ１１０の反りの向きに基づいて選択する。すなわち、図６（ａ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０側が凸となるように流路形成基板用ウェハ１１０に反りが生じている場合には、圧縮応力を持つ矯正膜１５０Ａを形成し、図６（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０とは反対側が凸となるように反りが生じている場合には引張り応力を持つ矯正膜１５０Ｂを形成する。なお、矯正膜１５０は、単層で構成されていても複数層で構成されていてもよい。そして、矯正膜１５０が複数層で構成されている場合、各層の応力の合計が圧縮応力又は引張り応力となっていればよい。例えば、圧縮応力を有する矯正膜１５０Ａを形成する場合、矯正膜１５０Ａを構成する応力の合計が圧縮応力となっていれば、引張り応力を有する層を含んでいてもよい。このような矯正膜１５０の材料は、特に限定されないが、例えば、圧縮応力を有するものとしては、窒化シリコン（ＳｉＮ）又はチタンタングステン（ＴｉＷ）等が好適に用いられる。
【００３４】
また、矯正膜１５０の形成方法は、特に限定されないが、例えば、スパッタリング法が好適に用いられる。そして、矯正膜１５０の応力は、その厚さによって調整され、矯正膜１５０の厚さは、流路形成基板用ウェハ１１０の反り量に基づいて適宜決定される。さらに、矯正膜１５０をスパッタリング法によって形成する場合、スパッタ出力に基づいて矯正膜１５０の厚さをさらに調整するのが好ましい。
【００３５】
図８は、スパッタ出力を変化させてシリコンウェハ上に矯正膜を形成したときの矯正膜の膜厚とウェハの反りとの関係を近似線で示したグラフである。例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）からなる矯正膜を平坦なシリコンウェハ上にスパッタリング法によって形成すると、この図８のグラフに示すように、矯正膜を同一の厚さで形成した場合でも、スパッタ出力の大きさによって矯正膜の応力によるシリコンウェハの反り量は異なる。すなわち、矯正膜を形成する際のスパッタ出力を大きくする程、同一の膜厚の矯正膜であってもその応力は大きくなる。このため、スパッタリング法によって保護基板用ウェハ１３０上に矯正膜１５０を形成する場合、スパッタ出力に基づいて矯正膜１５０の膜厚をさらに調整することが好ましい。
【００３６】
なお、矯正膜１５０の材料、厚さ等の条件は、流路形成基板用ウェハ１１０の反り状態（反り量）を計測してその結果に基づいて適宜決定するようにしてもよいが、勿論、予め計測したデータに基づいて決定していてもよい。
【００３７】
そして、このように矯正膜１５０を形成して流路形成基板用ウェハ１１０の反りを矯正した状態で、図７（ａ）に示すように、保護膜５１上にレジストを塗布、露光、現像することによってレジスト膜１６０を形成し、このレジスト膜１６０を介して保護膜５１をエッチングすることにより、保護膜５１を所定形状にパターニングする。すなわち、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４が形成される領域の保護膜５１を除去して開口部５１ａを形成する。
【００３８】
上述したように本発明では、レジスト膜１６０を形成する際に、流路形成基板用ウェハ１１０の反りを矯正膜１５０によって矯正し流路形成基板用ウェハ１１０の表面が略平坦となるようにしている。特に、本実施形態では、保護膜５１を流路形成基板用ウェハ１１０の表面に形成した後に、矯正膜１５０を形成するようにしているので、矯正膜１５０の膜厚等を適宜調整すれば流路形成基板用ウェハ１１０の反りを確実に矯正することができる。このため、保護膜５１上に塗布されたレジストを、露光装置（アライナ）によって高精度に露光することができる。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０が略平坦となっていることで、露光装置のフォーカスマージンの内側のみにレジストが存在するため、レジストを良好に露光することができ、レジスト膜１６０を高精度に形成することができる。そして、このように高精度に形成されたレジスト膜１６０を介して保護膜５１をエッチングすることで、保護膜５１に開口部５１ａを高精度に形成することができる。
【００３９】
次いで、レジスト膜１６０を除去した後、図７（ｂ）に示すように、開口部５１ａを有する保護膜５１をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を、例えば、ＫＯＨ等のアルカリ溶液によって異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４を形成する。上述したように保護膜５１が高精度に形成されているため、この保護膜５１を介して流路形成基板用ウェハ１１０をエッチングすることにより、圧力発生室１２等を極めて高精度に形成することができる。
【００４０】
次に、図７（ｃ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０上に形成された矯正膜１５０を除去する。矯正膜１５０の除去方法は、保護基板用ウェハ１３０上に形成されている駆動配線２１０にダメージを与えることない方法であれば、特に限定されるものではない。例えば、矯正膜１５０を窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成している場合、四フッ化炭素（ＣＦ４）を用いたプラズマエッチングにより、駆動配線２１０にダメージを与えることなく矯正膜１５０を良好に除去することができる。また、例えば、矯正膜１５０をチタンタングステン（ＴｉＷ）で形成している場合、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）によってエッチングすることにより、駆動配線２１０にダメージを与えることなく矯正膜１５０を良好に除去することができる。
【００４１】
その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、これら流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズに分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００４２】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０の表面に保護膜５１を全面に形成した後に、保護基板用ウェハ１３０上に矯正膜１５０を形成するようにしたが、矯正膜１５０を形成するタイミングは、保護膜５１上にレジスト膜１６０を形成する前であればよい。ただし、保護基板用ウェハ１３０を流路形成基板用ウェハ１１０と接合する前に矯正膜１５０を形成すると、保護基板用ウェハ１３０に反りが生じてしまうことが考えられるため、矯正膜１５０は、保護基板用ウェハ１３０を流路形成基板用ウェハ１１０に接合した後に形成するのが望ましい。
【００４３】
また、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて本発明を説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの要部平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す概略図である。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図８】スパッタ出力を変化させたときの矯正膜の膜厚とウェハの反りとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４５】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  ２０  ノズルプレート、  ３０  保護基板、  ４０  コンプライアンス基板、  ５１  保護膜、  ５１ａ  開口部、  １１０  流路形成基板用ウェハ、  １３０  保護基板用ウェハ、  １５０  矯正膜、  ２００  駆動回路、  ２１０  駆動配線、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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