(57)【要約】【課題】低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、キャリア供給層として機能する表面変性層２０が設けられる。この表面変性層２０は、ＧａＮ基板１の裏面をシリコンを含む材料と反応させ変性させることにより形成される。【選択図】図１
2007273492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板の第１の主表面側に配設された窒化物半導体素子の層構造と、
前記窒化物半導体基板の第２の主表面側に配設された金属電極と、
前記窒化物半導体基板・前記金属電極間に配設され前記窒化物半導体基板の第２の主表面をＳｉを含む第一材料と反応させ変性させることにより形成された、Ｓｉを含む表面変性層と
を備えることを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の窒化物半導体装置であって、
前記表面変性層は、さらに酸素と反応させることにより、酸素を含む
ことを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の窒化物半導体装置であって、
前記金属電極・前記表面変性層間に配設されたバリア層
をさらに備えることを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の窒化物半導体装置であって、
前記金属電極は、前記表面変性層に接するＴｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｏのいずれかを少なくとも含む金属層を有する
ことを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の窒化物半導体装置であって、
前記金属電極は、前記Ｔｉ層、Ｐｔ層、およびＡｕ層をこの順に積層してなる
ことを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項６】
窒化物半導体基板の第１の主表面上に、窒化物半導体素子の層構造を形成する工程と、
窒化物半導体基板の第２の主表面をＳｉを含む第一材料と反応させ変性させることにより前記窒化物半導体基板の第２の主表面上にＳｉを含む表面変性層を形成する変性層形成工程と、
前記表面変性層上に金属電極を形成する電極形成工程と
を備えることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の窒化物半導体装置の製造方法であって、
前記電極形成工程よりも後に、熱処理を行う熱処理工程
をさらに備えることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の窒化物半導体装置の製造方法であって、
前記変性層形成工程は、
前記窒化物半導体基板の第２の主表面に研削および研磨を行う研削研磨工程と、
前記研削研磨工程の後に、前記窒化物半導体基板の第２の主表面を前記第一材料を含むプラズマで表面処理するプラズマ処理工程と、
前記プラズマ処理工程の後に、前記窒化物半導体基板の第２の主表面を酸素を含むプラズマで表面処理する酸素プラズマ処理工程と、
を有する
ことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の窒化物半導体装置の製造方法であって、
前記研削研磨工程は、ダイアモンドスラリーを用いた機械的研磨を行う機械研磨工程を含み、
前記プラズマ処理工程は、前記機械研磨工程に引き続き行われる
ことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の窒化物半導体装置の製造方法であって、
前記ダイアモンドスラリーは、粒径が０．４μｍ以上でｐＨが８．５以下である
ことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の窒化物半導体装置の製造方法であって、
前記窒化物半導体基板は、窒化物半導体以外の第二材料と一体化されており、
前記プラズマ処理工程においては、前記第二材料をシリコンで覆った状態で塩素系ガスを前記プラズマに含ませてプラズマ処理が行われる
ことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載の窒化物半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマ処理工程は、前記窒化物半導体基板の第２の主表面の粗さが２ｎｍ以上となるように行われる
ことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれかに記載の窒化物半導体装置の製造方法であって、
前記電極形成工程は、蒸着した金属を所定パターンを有するレジストをマスクとしてイオンミリングする工程
を有することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれかに記載の窒化物半導体装置の製造方法であって、
前記熱処理工程においては、３６０℃以上４００℃以下の温度範囲で熱処理が行われる
ことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は窒化物半導体装置およびその製造方法に関し、特に、窒化物半導体基板の裏面にｎ電極を備えた窒化物半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮなどの窒化物半導体基板に電極を作製する製造方法としては、例えば特許文献１〜４のように、基板を研磨し、さらに研磨損傷をドライエッチングで除去したり、さらに酸素プラズマ処理を行う製造方法が提案されている。また、特許文献４のように、ドライエッチングの際に意図的にドーピングを行う製造方法が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】特許第２９６７７４３号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７６６０号公報
【特許文献３】特開２００４−６７１８号公報
【特許文献４】特開２００５−２６８７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら従来の製造方法では、電極蒸着後に高温の熱処理を加えて初めて低抵抗なオーミック特性が得られるものであったり、逆に熱処理なしで低抵抗なオーミック特性を有していてもデバイス組み立て工程に必要な熱処理で高抵抗化したり、低抵抗なオーミック特性を有していても十分な密着性が得られないものであったりと、オーミック特性および密着性の両方を満足出来るものは得られていなかった。
【０００５】
すなわち、高温の熱処理が必要な場合には、先に形成した表側素子構造の電気特性を低下させる恐れがある。また、デバイス組み立て工程の熱処理で電気特性が変化する場合は、これを防ぐために低温で組み立てを行うことが考えられるが、組み立て後の動作時の熱などで経時変化を招く恐れがある。また、密着性を改善するために、電極構造を工夫したり表面に酸処理を行ったりすると、プロセスに制約がかかったり、せっかく得られた低抵抗が損なわれたりする恐れがある。
【０００６】
本発明は以上のような問題点を解決するためになされたものであり、低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る窒化物半導体装置は、窒化物半導体基板と、窒化物半導体基板の第１の主表面側に配設された窒化物半導体素子の層構造と、窒化物半導体基板の第２の主表面側に配設された金属電極と、窒化物半導体基板・金属電極間に配設され窒化物半導体基板の第２の主表面をＳｉを含む第一材料と反応させ変性させることにより形成された、Ｓｉを含む表面変性層とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る窒化物半導体装置は、窒化物半導体基板と、窒化物半導体基板の第１の主表面側に配設された窒化物半導体素子の層構造と、窒化物半導体基板の第２の主表面側に配設された金属電極と、窒化物半導体基板・金属電極間に配設され窒化物半導体基板の第２の主表面をＳｉを含む第一材料と反応させ変性させることにより形成された、Ｓｉを含む表面変性層とを備えることを特徴とする。従って、窒化物半導体基板・金属電極層間において、低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
我々は電極蒸着前の基板表面処理を調べるうちに、基板の最表面が酸素プラズマまたはＳｉ含有プラズマと反応することにより何らかの変性作用を受けこれがキャリアを生成することで低抵抗な電極が形成できるというメカニズムに到達した。すなわちｎ型窒化物半導体基板と金属電極との間に少なくともシリコンあるいはシリコンと酸素とを含む表面変性層（キャリア供給層）を形成しこれを途中のプロセスで損なうことなく電極を形成する。この表面変性層は、Ｓｉ含有プラズマを含むガスによるドライエッチング処理および酸素プラズマによる表面処理を行うことにより形成する。以下、本発明の各実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下では、基板の面に関する説明を行う場合に、「表面」という語句を、裏面の反対側の面という意味で用いると同時に、面および当該面から極浅い部分までを含む基板内の領域という意味でも用いる。
【００１０】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る窒化物半導体装置であるレーザダイオードの構成例を示す図である。同図の如く、当該半導体装置は、窒化物半導体基板であるｎ型のＧａＮ基板１を用いて形成されている。
【００１１】
ＧａＮ基板１のＧａ面である表面（第１の主表面）側には、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２、ｎ型ＧａＮガイド層３、活性層４、ｐ型ＧａＮガイド層５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６およびｐ型ＧａＮコンタクト層７といった窒化物半導体よりなる層構造が形成されており、ＧａＮ基板１およびこれらの層構造によってレーザダイオード素子（窒化物半導体素子）が形成される。ｐ型ＧａＮコンタクト層７の上にはｐ電極８が搭載される。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７は、エッチングにより所定の形状にパターニングされている。ｐ電極８は、ｐ型ＧａＮコンタクト層７上部に配置されるように形成される。また、絶縁保護膜としてのＳｉＯ2膜９は、この窒化物半導体装置の上部を覆うと共に、ｐ電極８の上面が露出されるように形成される。
【００１２】
一方、ＧａＮ基板１のＮ面である裏面（第２の主表面）側には、金属電極としてのｎ電極１０が設けられるが、本実施の形態においては、ｎ電極１０とＧａＮ基板１との間に、キャリア供給層として機能する表面変性層２０が設けられる。この表面変性層２０は、後述するように、ＧａＮ基板１の裏面をシリコンを含む材料（第一材料）と反応させ変性させることにより形成される。
【００１３】
図２は、図１に示した窒化物半導体装置におけるＧａＮ基板１の裏面の拡大断面図である。図２においては、ＧａＮ基板１の裏面側を上にして描かれており、即ち図１に対して上下が逆になっている。
【００１４】
先に述べたように、ＧａＮ基板１の裏面とｎ電極１０との間には、表面変性層２０が設けられている。またｎ電極１０は、Ｔｉ膜１１、Ｐｔ膜１２およびＡｕ膜１３から成る３層構造を有しており、表面変性層２０に接続する面がＴｉ膜１１になっている。そうすることにより、ｎ電極１０とＧａＮ基板１との間におけるショットキーバリアを低減し良好な低抵抗なオーミック性が得られる。
【００１５】
図３は、ＧａＮ基板１の裏面上に、本実施の形態に係る表面変性層２０ではなく、特許文献１等に開示されている高濃度ドープ層２１を設けたレーザダイオードを比較用に示す断面図である。この高濃度ドープ層２１は、Ｓｉ含有ガスプラズマによりＧａＮ基板１の裏面に比較的に厚く形成されている。一方、本実施の形態に係る図２のレーザーダイオードの表面変性層２０は、ＧａＮ基板１の最表面か１〜２層（最表面から原子１〜２個分程度の深さ）と極めて薄い領域が変性されているという点で、図３の高濃度ドープ層２１とは異なっている。
【００１６】
図４〜図８は、本実施の形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を説明するための工程図であり、特に、図２に示したＧａＮ基板１の裏面側の電極構造を形成する工程を示している。なお、図１に示したＧａＮ基板１の表面側のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２、ｎ型ＧａＮガイド層３、活性層４、ｐ型ＧａＮガイド層５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７、ｐ電極８、ＳｉＯ2膜９の形成手法に関しては、従来の方法（例えば上記の特許文献１〜４等に開示の方法）と同様でよいため、本明細書での詳細な説明は省略する。
【００１７】
本実施の形態に係る窒化物半導体装置の製造方法においては、ｎ電極１０の形成に先立って、ＧａＮ基板１の裏面に対して所定の前処理を行う（図４）。この前処理としては、ＧａＮ基板１の薄板化のための研磨・研削処理、ＧａＮ基板１の裏面に高濃度のキャリアを供給する表面変性層２０を形成するためのプラズマ処理、および表面汚染物を除去し密着性を高めるとともにキャリア供給能力を高める酸素プラズマ処理がある。
【００１８】
研削・研磨処理の具体例としては、まず研削機を用いてＧａＮ基板１の裏面を２００〜３００μｍ程度削り、次いでダイヤモンドスラリーを用いて研削面の平坦化を行い、最後にダイヤモンドスラリーを研磨材として研磨布により研磨する、といった処理が挙げられる。この最後の研磨においては、粒径０．４μｍ以上で中性か弱アルカリ性（ｐＨが８．５以上）のダイヤモンドスラリーを用いることにより、研磨処理を、化学的なエッチングを行わない機械的研磨で終わらせる。これにより、ＧａＮ基板１の裏面において、研磨による凹凸を意図的に残すことができるので、次のプラズマ処理後においても、ＧａＮ基板１の裏面の粗さを大きくすることができる。これにより、ＧａＮ基板１の裏面の表面積を大きくすることができる。
【００１９】
プラズマ処理としては、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：inductively coupled plasma）、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）、電子サイクロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）によるドライエッチングなどを用いることが可能である。
【００２０】
このときのエッチングガスとしては、塩素（Ｃｌ）を含む塩素系のガスが用いられるが、本実施の形態においては、塩素系ガスに加えてＳｉ含有プラズマを混入させる。その手法としては、例えば、塩素系ガスにＳｉＣｌ4などのガスを所定量混合すればよい。また、一般的に、ＧａＮ基板１は、Ｓｉ基板やサファイア基板と一体に形成されることが多いが、このような場合には、別のＳｉ基板でサファイア基板を覆うことによりＧａＮ基板１以外の露出部分を全てＳｉ基板とした状態でＳｉをエッチングし、ＳｉＣｌｘ形の化学種を生成させてもよい。図９の模式図においては、基板６０は、Ｓｉ基板６１とサファイア基板６２（第二材料）とＧａＮ基板１とから一体に構成されており、サファイア基板６２をＳｉ基板７０で覆うことにより、ＧａＮ基板１以外の露出部分を全てＳｉ基板としている。また、基板６０がサファイア基板６２とＧａＮ基板１とからのみなる場合には、同様にサファイア基板６２をＳｉ基板７０で覆った状態でエッチングすればよく、基板６０がＳｉ基板６１とＧａＮ基板１とからのみなる場合には、そのままエッチングすればよい。
【００２１】
ＧａＮ基板１において、裏面をＳｉ含有プラズマと反応させることにより、ＧａＮとＳｉとが反応し、図５に示すように、表面変性層２０が形成される。これは、上述したように、比較的に深くまで注入される図３のドーピング層２１とは異なり、ＧａＮ基板１の最表面か１〜２層に限られる。従って、研磨処理を機械的研磨で終わらせ表面粗さ半径Ｒａを大きくすることによりＧａＮ基板１の裏面の表面積を大きくすることが必要となる。具体的には、機械的研磨を行った後に約２μｍドライエッチングを行った場合には、表面粗さＲａ≒２．５ｎｍとなる。この表面粗さＲａが約２ｎｍ以上であれば、後述するような低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる。
【００２２】
Ｓｉ含有プラズマ処理後に酸素アッシャーにより酸素プラズマ処理を行う。これにより、表面変性層２０の一部を酸化させたり、ＧａＮ基板１の裏面層へ欠陥を導入し擬似的にキャリア濃度を増加させたりすることができる。
【００２３】
酸素プラズマ処理を追加することで、Ｓｉ含有プラズマ処理だけを行う場合に比べて、抵抗値をさらにほぼ半分に低減することが可能となる。また、ｎ電極１０との密着性を高めることができる。
【００２４】
次に、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法等により、ＧａＮ基板１の裏面上に、ｎ電極１０の材料であるＴｉ膜１１、Ｐｔ膜１２、Ａｕ膜１３を順次堆積する（図６）。それにより、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造を有するｎ電極１０が形成される。このときＴｉ膜１１の膜厚は１０〜１００ｎｍ程度でよい。Ｐｔ膜１２は、この後の熱処理の際にＴｉ膜１１とＡｕ膜１３との反応を防止するバリア効果が得られる程度の厚さ、具体的には５０〜１００ｎｍ程度の厚さであればよい。またＡｕ膜１３は、デバイス組み立て工程におけるハンダとの反応で無くなってしまわない程度の膜厚が必要であり、例えば２００ｎｍ程度以上の膜厚があればよい。また、ｎ電極１０は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造に限らず、例えば、Ｔｉ／Ａｌの２層構造（Ｔｉ膜１１が表面変性層２０に接するようにする）であっても、上記と同様の効果が得られる。また、Ｔｉに限らず、ＮやＯとの反応性が高いＴｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｏのいずれかを少なくとも含む金属層を表面変性層２０に接するように設けることで、密着性の良いｎ電極１０を形成できる。
【００２５】
次に、必要に応じてｎ電極１０をパターニングする。即ち、図７の如くｎ電極１０の上に所定パターンのレジストマスク５０を形成し、それをマスクにしてウェットエッチングやイオンミリングなどを行い、ｎ電極１０の不要な部分を除去する（図８）。その後レジストマスク５０を除去する。
【００２６】
なお、ｎ電極１０をパターニングする手法としては、上述したような、材料の蒸着後にレジストマスク５０を形成しウェットエッチングやイオンミリングなどを行う手法の他に、所定パターンのレジストを材料の蒸着前に予め形成しておき蒸着後に剥がす手法（リフトオフ）が考えられる。しかし、リフトオフを行った場合には、蒸着前に薬液が表面変性層２０表面に作用し表面変性層２０が損なわれる可能性があるので、リフトオフではなくウェットエッチングやイオンミリングなどを行う方が好ましい。特に、イオンミリングを行うことにより、エッチングでは除去（パターニング）しにくいＰｔを確実に除去することが可能となる。
【００２７】
ｎ電極１０の形成の後に、熱処理を行う。この熱処理は、デバイス作成後のデバイス組み立て工程で使用される温度（約３６０℃）以上で行うことにより、熱的安定性を高めることができる。さらに、抵抗値が変化し始める温度（４００℃）以下に抑えることにより、低抵抗とすることができる。すなわち、熱処理を３６０〜４００℃で行うことにより、低抵抗を安定的に得ることが可能となる。この熱処理は、組み立て工程の熱処理で十分な場合には、省くことも可能である。
【００２８】
以上の工程により、ＧａＮ基板１の裏面上に本実施の形態に係るｎ電極構造が形成される。
【００２９】
図１０は、実施の形態１の効果を説明するためのグラフであり、窒化物半導体装置におけるｎ電極形成後の熱処理の温度と、ｎ型ＧａＮ基板とｎ電極との間のコンタクト抵抗との関係を示している。同グラフでは、従来構造の装置（△印および◇印で示され、図１においてＧａＮ基板１とｎ電極１０との間に表面変性層２０を有さない構造）の場合と、実施の形態１に係る装置（□印で示されている）の場合とを比較している。ｎ電極は共に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造とした。なお、グラフ中の縦軸に示すコンタクト抵抗の値は、従来構造において熱処理を行わないときのコンタクト抵抗を１としたときの相対値である。
【００３０】
図１０に示されるように、△印で示される従来構造の窒化物半導体装置では、ｎ電極１０を形成した直後には高抵抗しか得られず、高温の熱処理を行って初めて低抵抗が得られる。また、◇印で示される従来構造の窒化物半導体装置では、ｎ電極１０を形成した直後から低抵抗が得られるが、デバイスの組み立てに必要な３５０℃程度の熱処理温度で抵抗値が増大してしまう。
【００３１】
一方、□印で示される本実施の形態に係る窒化物半導体装置では、ｎ電極１０を形成した直後から低抵抗が得られ、且つ、４００℃程度の熱処理温度においても抵抗値がほとんど上昇せず安定している。すなわち、ｎ電極を、ＧａＮ基板１に、直接接触させるのではなく表面変性層２０を介して接触させることにより、低抵抗を安定的に得ることが可能となる。
【００３２】
つまり本実施の形態によれば、ｎ電極１０の形成後に熱処理を行っても、小さいコンタクト抵抗を安定して維持できるという効果が得られる。よって、デバイス組み立て工程における温度変化を経ても、ｎ電極１０のコンタクト抵抗の増大は伴わない。つまり、デバイス組み立てが完了した後においても、ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間のコンタクト抵抗を小さく維持することができる。従って、窒化物半導体装置の動作電圧を低減することが可能となり、また、発熱による影響を低減できるため、安定した動作出力を得ることができ、高出力化が可能となる。
【００３３】
さらに、金属電極であるｎ電極１０を、プラズマ処理により密着性を高めた表面変形層２０を介してＧａＮ基板１の裏面に搭載させるので、ｎ電極１０の密着性が向上するという効果も得られる。
【００３４】
このように、本実施の形態に係る窒化物半導体装置およびその製造方法によれば、低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる。これにより、安価に高性能のレーザーダイオードの製造が可能となる。
【００３５】
＜実施の形態２＞
実施の形態１においては、図２に示されるように、Ｔｉ膜１１とＧａＮ基板１との間に表面変性層２０を介在させる場合について説明したが、さらに、Ｔｉ膜１１と表面変性層２０との間にバリア層を介在させてもよい。
【００３６】
図１１は、実施の形態２に係る窒化物半導体装置におけるＧａＮ基板１の裏面の拡大断面図である。図１１は、図２において、ｎ電極１０（Ｔｉ膜１１）・表面変性層２０間に、ｎ電極１０と表面変性層２０との反応を抑制するためのバリア層３０を介在させたものである。
【００３７】
このバリア層３０の形成手法としては、バリア層３０の材料成分を含む溶液をＧａＮ基板１上に塗布する手法や、バリア層３０の材料成分を含む雰囲気に曝す手法等が考えられる。バリア層３０の材料成分としては、有機シリコン系の材料が考えられ、具体的にはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）やシロキサン系材料やＴＥＯＳ系材料がある。
【００３８】
本実施の形態では、ｎ電極１０はバリア層３０（および表面変性層２０）を介してＧａＮ基板１の裏面上に形成されているので、この熱処理の際にｎ電極１０とＧａＮ基板１との反応が抑制される。従って、その反応に起因するＧａＮ基板１の裏面層でのキャリア濃度の減少を防止でき、ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間でのバリアハイトの増加（トンネリングの減少）が抑制される。そのため熱処理を行っても、ｎ電極１０とＧａＮ基板１との間で、安定して小さいコンタクト抵抗を維持することが可能になる。
【００３９】
このように、本実施の形態に係る窒化物半導体装置およびその製造方法によれば、実施の形態の効果に加えて、さらに低抵抗なオーミック特性を実現できる。
【００４０】
なお、バリア層３０を形成した場合には、ｎ電極１０の材料の蒸着後に、バリア層３０の厚さに応じた熱処理を加えてＴｉ膜１１と反応させてもよい。これにより、バリア層３０の抵抗を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施の形態１に係る窒化物半導体装置の構成例を示す図である。
【図２】実施の形態１に係る窒化物半導体装置における基板の裏面の拡大断面図である。
【図３】比較用の窒化物半導体装置における基板の裏面の拡大断面図である。
【図４】実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図６】実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図７】実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図８】実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図９】実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図１０】実施の形態１の効果を説明するためのグラフである。
【図１１】実施の形態２に係る窒化物半導体装置における基板の裏面の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  ＧａＮ基板、２  ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、３  ｎ型ＧａＮガイド層、４  活性層、５  ｐ型ＧａＮガイド層、６  ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、７  ｐ型ＧａＮコンタクト層、８  ｐ電極、９  ＳｉＯ2膜、１０  ｎ電極、１１  Ｔｉ膜、１２  Ｐｔ膜、１３  Ａｕ膜、２０  表面変性層、２１  高濃度ドープ層、３０  バリア層、６０  基板、６１，７０  Ｓｉ基板、６２  サファイア基板。
【図１】
2007273492.tif 000003
【図２】
2007273492.tif 000004
【図３】
2007273492.tif 000005
【図４】
2007273492.tif 000006
【図５】
2007273492.tif 000007
【図６】
2007273492.tif 000008
【図７】
2007273492.tif 000009
【図８】
2007273492.tif 000010
【図９】
2007273492.tif 000011
【図１０】
2007273492.tif 000012
【図１１】
2007273492.tif 000013