(57)【要約】【課題】耐久性に優れるとともに、モールド表面に凹部等が生じることがなく、高精度であり、且つ安価なＳｉＣモールドを提供する。【解決手段】ＳｉＣ（炭化珪素）焼結体からなる基板と、該基板上に気相成長或いは液相成長によって形成され、表面が鏡面状に研磨された多結晶ＳｉＣ膜とからなり、該多結晶ＳｉＣ膜の表面に凹凸のパターンが形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ（炭化珪素）焼結体からなる基板と、該基板上に気相成長或いは液相成長によって形成され、表面が鏡面状に研磨された多結晶ＳｉＣ膜とからなり、該多結晶ＳｉＣ膜の表面に凹凸のパターンが形成されていることを特徴とするＳｉＣモールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリントや射出成形等に用いられるモールド（金型）に関するものであり、特に、耐久性が重視される成形品の製造に適用される、パターン形成用のＳｉＣ（炭化珪素）モールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ナノインプリントや射出成形等に用いられるモールドに関しては、Ｓｉ基板上の酸化膜に形成した直径２５ｍｍ、深さ１００ｎｍ、周期１２０ｎｍのドットパターンをモールドとして、このパターンがＰＭＭＡ（ｐｏｌｙ  ｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）に転写可能なことが示され、ナノインプリント技術として提案されている（非特許文献１を参照）。
【０００３】
非特許文献１に記載のモールド（金型）は、電子線描画装置を用いてＳｉ基板上の酸化膜にパターンを形成し、反応性イオンエッチングによってシリコン酸化膜をエッチングし、ドットパターンを形成している。
このようなモールドを用いた転写プロセスは以下の通りである。
Ｓｉ基板上に塗布したＰＭＭＡ薄膜及びモールドを２００℃に加熱し、モールドを約１３ＭＰａの圧力でＰＭＭＡ薄膜に押し付け、ＰＭＭＡのガラス転移点（１０５℃）以下まで冷却してからモールドをＰＭＭＡ薄膜から引き離す（離型）。離型後、パターンを転写されたＰＭＭＡ薄膜には、モールドの凸部に押し込められた領域にＰＭＭＡ残渣（ベース層）が残存しており、その部分を酸素ガスによる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって除去し、パターン転写が完了する。ここで、ＰＭＭＡを用いる理由としては、ＰＭＭＡはシリコン酸化膜に付着しにくいことと、温度変化や圧力変化に対して収縮率が小さいこと等が挙げられる。
【０００４】
非特許文献１に記載のモールドを用いて成形を行う技術は、現在、熱ナノインプリント技術と呼ばれているが、熱可塑性材料であれば、どんな材料に対しても適用可能であるため、産業上の応用範囲が広く、今後、重要な技術になると考えられる。
モールドの材料としては、シリコン、ニッケル電鋳品、石英等が用いられている。モールドに石英材料を用いた場合には、下地パターンに対して位置合わせすることが可能となる。また、モールドを試料に押し付ける圧力は、通常の樹脂材料の場合でも数ＭＰａ〜１０数ＭＰａ程度必要であるため、モールド材料には硬さも要求される。リソグラフィとして用いる場合には、上述したようにモールドの凸部によって圧縮されたベース層を、酸素ＲＩＥ等によって除去する必要がある。
【０００５】
上述のような熱ナノインプリント用の転写装置は、既に多くのメーカから提案され、販売されている。例えば、モールドの試料に対する位置合わせ精度は約１μｍ以下、モールドを試料にプレスする圧力は数ＭＰａ〜１０数ＭＰａ程度であり、モールドと試料を同時に、或いは何れか一方のみの加熱及び冷却を行い、昇温速度は通常０．５〜５℃／ｓｅｃ程度で、最高温度３００℃付近まで加熱可能な転写装置が主流となっている。
また、パターンの転写方式は、試料の移動と転写を繰り返して行う、ステップ＆リピート方式が主流となっている。
上述のように、熱ナノインプリント用のモールドは、高温及び高荷重の繰り返し条件下で使用されるため、商用生産の際には、繰り返し使用に耐えうる耐久性が要求される。
【０００６】
また、非特許文献２に記載されているように、モールドの材料選定にあたっては、耐摩耗性、耐食性、鏡面仕上げ性等が検討され、適宜選択して用いられている。
モールドを繰り返し使用するためには高い耐摩耗性が要求されるが、耐摩耗性が高い材料とは、硬度（ビッカース硬度或いはロックウェル硬度）が大きい材料である。また、腐食性プラスチックや難燃化プラスチックを加工するためには、ハロゲン化合物に対する耐食性が要求されるとともに、光学部品や光ディスク等を加工するためには高い鏡面度が要求される。
【０００７】
熱ナノインプリント用のモールドにおいて、現在、最も一般的に用いられているシリコン、ニッケル電鋳品、石英のビッカース硬度は、それぞれ１０５０、５００、９５０程度である。また、通常の成形品製造に使用されているモールド材料として、超硬合金（主に、ＷＣ−Ｃｏ系合金）があるが、この超硬合金のビッカース硬度は１４００程度となっている。
一方、ＳｉＣ焼結体には２２００という大きなビッカース硬度を持つものがあり、また、ほとんどの酸に対して優れた耐食性を有しているため、現在、一般に使用されているモールドの材料に比べて大きな耐久性を有している。さらに、ＳｉＣ焼結体は、熱伝導率がシリコンに比べて５０％程度大きいため、シリコンモールドに比べて加熱、冷却サイクルを高速化でき、スループットを大きくできるという利点もある。
【０００８】
上述のようなＳｉＣ焼結体は、モールドの材料として優れた特性を有しているものの、焼結工程によって製造されることから、結晶粒間に気孔と呼ばれる隙間ができてしまうという問題がある。ＳｉＣ焼結体基板を研磨して表面を鏡面化しても、気孔が生じた部分がわずかな凹部として表面に残ってしまうことがある。ナノインプリントのような、ナノメータオーダの製品を製造する際には、このような凹部の存在が大きな問題となる。
【０００９】
また、特許文献１には、ＷＣ等の合金にＳｉＣをコーティングすることによってＳｉＣ膜を形成したモールドが記載されている。特許文献１に記載のモールドは、合金の表面にＳｉＣ膜が形成され、該ＳｉＣ膜にパターンが形成されることにより、耐久性を向上させている。
しかしながら、特許文献１に記載のモールドは、ＷＣ等の合金材料を用いているため、良質なＳｉＣ膜の形成が可能な１０００℃程度の高温下においてＳｉＣをコーティングすることが困難となる。このため、より低温域でＳｉＣのコーティングを行わなければならず、良質なＳｉＣ膜が形成できず、ナノメータオーダの製品を製造するための充分な硬度が得られないという問題がある。
【特許文献１】特開２００２−９７０３０号公報
【非特許文献１】ステファン・Ｙ・チョウ（Ｓｔｅｐｈｅｎ  Ｙ．Ｃｈｏｕ），外３名，「アプライド・フィジックス・レター（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）第６７巻（Ｖｏｌ．６７）インプリント・オブ・サブ−２５ｎｍ・ビアス・アンド・トレンチイズ・ポリマーズ（Ｉｍｐｒｉｎｔ  ｏｆ  ｓｕｂ−２５ｎｍ  ｖｉａｓ  ａｎｄ  ｔｒｅｎｃｈｅｓ  ｉｎ  ｐｏｌｙｍｅｒｓ）」，（米国），アメリカン・インスティテュート・オブ・フィジックス（Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ），１９９５年１１月，Ｎｏ．２１，ｐ．３１１４
【非特許文献２】独立行政法人  産業技術総合研究所「テクノナレッジ・ネットワーク“セクション１１  金型材料、処理”」，［ｏｎｌｉｎｅ］，［平成１７年９月２８日検索］，＜インターネット＞ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｔｅｃｈｎｏ−ｑａｎｄａ．ｎｅｔ／ｄｓｗｅｂ／Ｇｅｔ／Ｄｏｃｕｍｅｎｔ−１１６７６／
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、耐久性に優れるとともに、モールド表面に凹部等が生じることが無く高い鏡面度を有し、高精度、且つ安価なＳｉＣモールド及びその作製方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記目的を達成するためになされたもので、ＳｉＣ（炭化珪素）焼結体からなる基板と、該基板上に気相成長或いは液相成長によって形成され、表面が鏡面状に研磨された多結晶ＳｉＣ膜とからなり、該多結晶ＳｉＣ膜の表面に凹凸のパターンが形成されていることを特徴とするＳｉＣモールドである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のＳｉＣモールドによれば、ＳｉＣ（炭化珪素）焼結体からなる基板と、該基板上に気相成長或いは液相成長によって形成され、表面が鏡面状に研磨された多結晶ＳｉＣ膜とからなり、該多結晶ＳｉＣ膜の表面に凹凸のパターンが形成された構成としている。
ＳｉＣ焼結体基板上に、該基板と同じ組成及び熱膨張率を有する多結晶ＳｉＣ膜を形成し、研磨後の多結晶ＳｉＣ膜にのみ凹凸パターンを形成することで、ＳｉＣ焼結体基板が支持体としてのみ存在している。ＳｉＣを緻密な多結晶ＳｉＣ膜として成膜することで、多結晶ＳｉＣ膜内に気泡が生じるのを防止することができるため、多結晶ＳｉＣ膜の表面を研磨した際に凹部等が生じることが無く、高い鏡面度を有した表面が得られる。
また、ＳｉＣ焼結体基板と多結晶ＳｉＣ膜は組成及び熱膨張率が同一であるため、温度変化によってＳｉＣモールドに歪が発生することがない。
上述の作用により、ＳｉＣが持つ優れた耐磨耗性、耐食性、熱伝導性を活かした微細なパターンを、ＳｉＣモールドに高精度で形成することが可能となる。
従って、高精度な製品を製造することが可能であり、且つ耐久性に優れたＳｉＣモールドを安価な構成で得ることができ、特に、ナノインプリント用として好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明のＳｉＣモールドの実施の形態について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明のＳｉＣモールドの一例を示す断面図であり、このＳｉＣモールド１は、該ＳｉＣモールド１全体の支持体であるＳｉＣ焼結体基板１１と、該ＳｉＣ焼結体基板１１上に気相成長或いは液相成長によって形成された多結晶ＳｉＣ膜１２と、該多結晶ＳｉＣ膜１２の表面１２ａに形成された凹凸パターン１３とから概略構成される。
【００１４】
ＳｉＣ焼結体基板１１は、ＳｉＣ焼結体からなる基板であり、上述したように、ＳｉＣモールド１全体の支持体として設けられる。
ＳｉＣ焼結体基板１１は、厚さを０．３〜５ｍｍ程度とすることが好ましいが、強度やＳｉＣモールド１によって製造される製品を勘案しながら、適宜決定することができる。また、ＳｉＣ焼結体基板１１の平面視の大きさについても、ＳｉＣモールド１によって製造される製品の大きさ等を勘案しながら、適宜決定することができる。
また、図１に示す例では、ＳｉＣ焼結体基板１１を板状に形成し、ＳｉＣモールド１全体も板状として構成されているが、本発明のＳｉＣモールドは、この形状には限定されない。例えば、ＳｉＣ焼結体基板をブロック状に形成するとともに、ＳｉＣモールド全体をブロック状に構成しても良く、ＳｉＣモールド及びＳｉＣ焼結体基板の形状は、ＳｉＣモールドを用いて成形される製品の形状や大きさ等を勘案しながら、適宜決定することができる。
【００１５】
多結晶ＳｉＣ膜１２は、ＳｉＣ焼結体基板１１上に堆積して形成され、緻密な多結晶ＳｉＣからなる膜であり、図１に示す例では、ＳｉＣ焼結体基板１１を覆うように形成されている。
多結晶ＳｉＣ膜１２は、例えば減圧ＣＶＤ法やスパッタリング法によってＳｉＣ焼結体基板１１上に形成することができる。
多結晶ＳｉＣ膜１２は、凹凸パターン１３が形成される表面１２ａが研磨処理によって鏡面化されている。また、図１に示す例では、表面１２ａの膜厚が裏面１２ｂ側の膜厚よりも研磨処理によって薄くなっている。表面１２ａを鏡面化する際は、例えば、ダイアモンドペースト等を用いて研磨することができる。
多結晶ＳｉＣ膜１２の膜厚は、例えば０．５〜１０μｍ程度とすることが好ましいが、表面１２ａを鏡面化するための研磨量、モールドとしての凹凸パターン１３の深さ、必要残存膜厚を勘案し、適宜決定することができる。
【００１６】
凹凸パターン１３は、多結晶ＳｉＣ膜１２の表面１２ａに形成される凹凸状のパターンであり、ＳｉＣモールド１を用いて製品成形を行う際のモールドとなる。
凹凸パターン１３の、多結晶ＳｉＣ膜１２の表面１２ａへの形成は、例えば、公知のリソグラフィ技術及びエッチング技術等、従来より集積回路製造等で用いられてきた微細加工によって行うことができる。
なお、凹凸パターン１３の深さは、多結晶ＳｉＣ膜１２の膜厚よりも短寸となり、例えば、多結晶ＳｉＣ膜１２の膜厚が上述した０．５〜１０μｍの範囲である場合、０．１〜５μｍとすることができるが、成形される製品のサイズ等を勘案しながら、適宜決定することができる。
【００１７】
本発明のＳｉＣモールドは、多結晶ＳｉＣからなる多結晶ＳｉＣ膜１２に凹凸パターン１３を形成した構成としている。
多結晶ＳｉＣは、融点が２３００℃前後で耐熱性に優れるとともに、ヤング率が３９０Ｇｐａと大きく、耐摩耗性にも優れた安定な化合物であり、また、酸やアルカリ等の腐食性薬品に対する耐薬品性にも優れている。このため、本発明のＳｉＣモールドを用いて製品成形を行う際、多結晶ＳｉＣ膜１２の表面１２ａ及び凹凸パターン１３に、高温溶解で活性化した状態の成形材料が密着しても、多結晶ＳｉＣ膜１２が変質することがない。これにより、本発明のＳｉＣモールドは、安定して多数回の成形を行うことができ、長期間にわたって使用することが可能となる。
【００１８】
また、本発明のＳｉＣモールドは、多結晶ＳｉＣ膜１２に用いるＳｉＣを、結晶粒の小さな多結晶構造のＳｉＣとしている。
単結晶ＳｉＣでは、荷重が局部に集中して結晶に微小な亀裂が生じると、転移によってＳｉＣ膜に大きな亀裂が生じるという問題がある。これに対し、多結晶ＳｉＣは、数十ｎｍの結晶粒の大きさの範囲内で亀裂が収束するため、機械的強度に優れている。
本発明では、凹凸パターン１３が形成される多結晶ＳｉＣ膜１２を多結晶ＳｉＣで構成することにより、機械的強度が向上して安定性が高く、且つ安価な構成のＳｉＣモールドが得られる。
【００１９】
上述したＳｉＣモールド１を用いた製品成形は、例えば、以下のようにして行うことができる。
まず、多結晶ＳｉＣ膜１２の表面１２ａに、溶解したガラスやプラスチックを加圧しながら押し当てる。そして、ガラスやプラスチックが冷却、固化してからＳｉＣモールド１を離型し、ガラスやプラスチックの表面に凹凸パターン１３のパターンを転写することにより、成形が完了する。
【００２０】
また、ＳｉＣモールド１を、熱ナノインプリントのリソグラフィに用いる場合には、例えば、以下のようにして行うことができる。
まず、ＳｉＣモールド１及び試料のＰＭＭＡを２００℃に加熱し、ＳｉＣモールド１を１３ＭＰａの圧力でＰＭＭＡに押し付ける。次いで、ＳｉＣモールド１及びＰＭＭＡを、ＰＭＭＡのガラス転移点である１０５℃以下まで冷却した後、ＳｉＣモールド１を離型する。そして、凹凸パターン１３のパターンが転写されたＰＭＭＡの、パターン凹部に残存しているＰＭＭＡ残渣（ベース層）をＲＩＥによって除去し、パターン転写が完了する。
【００２１】
なお、本実施形態のＳｉＣモールド１では、多結晶ＳｉＣ膜１２の表面１２ａのみを鏡面化した構成としているが、裏面１２ｂも鏡面化した構成とすれば、図示略のモールド固定部とＳｉＣモールド１との密着性が向上するため、成形品の製造品質を向上させることができる。
【００２２】
また、本実施形態のＳｉＣモールド１では、ＳｉＣ焼結体基板１１上に多結晶ＳｉＣ膜１２を形成しているが、基板材料として単結晶ＳｉＣを用いて基板表面に凹凸パターンを形成することにより、この単結晶ＳｉＣ基板のみの構成であっても耐熱性や耐摩耗性に優れた特性を有するナノインプリント用のＳｉＣモールドを得ることも可能となる。
しかしながら、単結晶ＳｉＣでＳｉＣモールドを構成した場合には価格が非常に高価となり、また、マイクロパイプ等の結晶欠陥を有するために凹凸パターンの欠落等が生じ易い。また、上述したように、結晶に微小な亀裂が生じると、転移によってＳｉＣ膜に大きな亀裂が生じる等の問題がある。
本発明では、ＳｉＣ焼結体基板１１上に多結晶ＳｉＣ膜１２を形成した構成とすることにより、良質且つ安価なＳｉＣモールドを提供することができる。
【００２３】
また、本発明のＳｉＣモールドはナノインプリント用モールドに好適であるが、ガラス射出成形用モールドとして適用することも可能である。
即ち、ガラス射出成形では、ガラス融点（４００〜８００℃）程度の温度でモールドが使用されるので、ＳｉＣの高温耐性、高対磨耗性、高耐食性及び微細凹凸加工性を持ち合わせた本発明のＳｉＣモールドの材料特性が、現在、ガラス射出成形用モールドとして主流となっている超硬材よりも有効に作用する。
【００２４】
以下、本発明のＳｉＣモールドの作製方法の一例について、図２を用いて説明する。なお、図２（及び図１）においては、本発明のＳｉＣモールドの作製方法を模式的に説明するため、各寸法関係を適宜変更して示している。
本例では、以下に説明する作製方法により、最終的に、図１に示すようなＳｉＣモールド１を得ることができる。
【００２５】
図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態のＳｉＣモールドの作製方法は、ＳｉＣ焼結体からなるＳｉＣ焼結体基板２１上に、気相成長或いは液相成長によって多結晶ＳｉＣ膜２２を形成する工程と、該多結晶ＳｉＣ膜２２の表面２２ａを鏡面状に研磨して表面２２ｃとする工程と、多結晶ＳｉＣ膜２２の２２ｃ表面に凹凸パターン（図１の凹凸パターン１３を参照）を形成する工程とを備えた作製方法としている。
【００２６】
また、本実施形態では、上述のＳｉＣモールドの作製方法において、多結晶ＳｉＣ膜２２の表面２２ｃに凹凸パターンを形成する工程を、多結晶ＳｉＣ膜２２の表面２２ｃにレジストを形成し、次いで、該レジストを所定のパターンに加工し、次いで、パターン化されたレジストをマスクとして多結晶ＳｉＣ膜２２の表面２２ｃをエッチングし、次いで、エッチングでパターン化された多結晶ＳｉＣ膜２２の表面２２ｃからレジストを剥離する作製方法とすることができる。
以下、本実施形態のＳｉＣモールドの作製方法の各工程について詳しく説明する。
【００２７】
図２（ａ）に示すように、まず、ＳｉＣ焼結体基板２１を用意する。
本例では、ＳｉＣ焼結体からなる直径１００ｍｍ、厚さ６２５μｍのウェハ状基板をＳｉＣ焼結体基板２１として用いている。なお、ＳｉＣ焼結体基板２１の基板表面２１ａは、該基板表面２１ａの平面度等の状態を勘案しながら、必要に応じて研磨することが好ましい。
【００２８】
そして、図２（ｂ）に示すように、ＳｉＣ焼結体基板２１上に、減圧ＣＶＤ法を用いて多結晶ＳｉＣ膜２２を堆積して形成する。多結晶ＳｉＣ膜２２は、通常、ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）−アセチレン（Ｃ２Ｈ２）−水素（Ｈ２）系、或いは、シラン−プロパン−水素系等のガスを用い、ガス圧を５０〜６００Ｐａ程度とし、８００〜１２００℃程度の温度中で反応させることによって形成する。ここで、形成した多結晶ＳｉＣ膜２２の膜厚は、表面を鏡面化するための研磨量、モールドとしての凹凸パターンの深さ、必要残存膜厚を勘案して決める。本例においては、多結晶ＳｉＣ膜２２の膜厚Ｔ１、Ｔ２を２．５μｍとしている。
【００２９】
次いで、図２（ｃ）に示すように、多結晶ＳｉＣ膜２２の表面２２ａを、ダイアモンドペーストを用いて、０．５μｍ程度の取り代（図２（ｃ）のＴ３）で研磨して鏡面化することにより、表面２２ｃとする。
また、必要に応じて、多結晶ＳｉＣ膜２２の裏面２２ｂを研磨して鏡面化しても良い。
【００３０】
次いで、多結晶ＳｉＣ膜２２の表面２２ｃに、公知のリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて微細加工を行い、図１に示すＳｉＣモールド１の表面１２ａに形成されている凹凸パターン１３のような、モールドとしての微細なパターンを形成する。
【００３１】
ここで、ナノインプリントに用いられるナノメータ級の微細なパターンを形成する際は、例えば、以下の手順で行うことができる。
まず、表面２２ｃに、図示略のレジストを形成する。
次いで、電子ビーム描画装置を用いて前記レジストにパターンを描画し、現像してエッチングマスクとする。
次いで、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、多結晶ＳｉＣ膜２２の表面２２ｃの一部をエッチングして取り除き、凹凸パターン(図１の凹凸パターン１３を参照)を形成する。
そして、前記レジストを、多結晶ＳｉＣ膜２２の表面２２ｃから剥離することにより、図１に示すようなＳｉＣモールド１が完成する。
【００３２】
以上、説明したように、本発明のＳｉＣモールドは、図１に示す例のように、ＳｉＣ焼結体基板１１と、該ＳｉＣ焼結体基板１１上に形成され、表面が鏡面状に研磨された多結晶ＳｉＣ膜１２とからなり、該多結晶ＳｉＣ膜１２の表面１２ａに凹凸パターン１３が形成された構成としている。
ＳｉＣ焼結体基板１１上に、該基板と同じ組成及び熱膨張率を有する多結晶ＳｉＣ膜１２を形成し、研磨した多結晶ＳｉＣ膜１２の表面１２ａにのみ凹凸パターン１３を形成するため、ＳｉＣ焼結体基板１１は支持体としてのみ存在している。ＳｉＣを緻密な多結晶ＳｉＣ膜１２として成膜することで、多結晶ＳｉＣ膜１２内に気泡が生じるのを防止することができるため、多結晶ＳｉＣ膜１２の表面１２ａを研磨した際に凹部等が生じることが無く、高い鏡面度を有した表面１２ａが得られる。
また、ＳｉＣ焼結体基板１１と多結晶ＳｉＣ膜１２は組成及び熱膨張率が同一であるため、温度変化によってＳｉＣモールドに歪が発生することがない。
上述の作用により、ＳｉＣが持つ優れた耐磨耗性、耐食性、熱伝導性を活かした微細なパターンを、ＳｉＣモールドに高精度で形成することが可能となる。
従って、高精度な製品を製造することが可能であり、且つ耐久性に優れたＳｉＣモールドを安価な構成で得ることができ、特にナノインプリント用として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明のＳｉＣモールドの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明のＳｉＣモールドの作製方法の一例を説明する図であり、（ａ）はＳｉＣ焼結体基板の断面図、（ｂ）は（ａ）のＳｉＣ焼結体基板上に多結晶ＳｉＣ膜を形成した状態の断面図、（ｃ）は（ｂ）の多結晶ＳｉＣ膜表面を研磨して鏡面化した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１…ＳｉＣモールド、１１、２１…ＳｉＣ焼結体基板、１２、２２…多結晶ＳｉＣ膜、１２ａ、２２ａ、２２ｃ…表面、１３…凹凸パターン
【図１】
2007112648.tif 000003
【図２】
2007112648.tif 000004