(57)【要約】【課題】セラミックハニカム成形体を所定寸法に正確に切断する際、セルの融着やチッピング、ふち欠け等の欠陥を起さず、且つセル内に入り込む切屑を微細化可能で、切断後の切屑除去性に優れるセラミックハニカム成形体の切断方法及び円形切断刃を提供する。【解決手段】円形基盤２２の円周端部に、刃先側面の断面形状が略逆Ｖ字形状の切断チップ２１が、一定間隔で複数個、８°以上のすくい角で接合されてなる円形切断刃を用いることを特徴とするセラミックハニカム成形体の切断方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形基盤の円周端部に、刃先側面の断面形状が略逆Ｖ字形状の切断チップが、一定間隔で複数個、８°以上のすくい角で接合されてなる円形切断刃を用いることを特徴とするセラミックハニカム成形体の切断方法。
【請求項２】
前記切断チップの略逆Ｖ字状部をなす角度が１２０°以下の円形切断刃を用いる請求項１に記載のセラミックハニカム成形体の切断方法。
【請求項３】
前記切断チップの略逆Ｖ字状部の先端の中央部に、巾１ｍｍ以下の平坦部を有する円形切断刃を用いる請求項１又は２に記載のセラミックハニカム成形体の切断方法。
【請求項４】
前記切断チップの側面方向の刃巾が３ｍｍ以下の円形切断刃を用いる請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミックハニカム成形体の切断方法。
【請求項５】
前記セラミックハニカム成形体は、ハニカムを成形後乾燥させた乾燥体である請求項１〜４のいずれか１項に記載のセラミックハニカム成形体の切断方法。
【請求項６】
前記セラミックハニカム成形体は、セラミック原料組成中の全固形分を１００体積％とした場合、有機材料が５０体積％以上配合されたものである請求項１〜５のいずれか１項に記載のセラミックハニカム成形体の切断方法。
【請求項７】
円形基盤の円周端部に、刃先側面の断面形状が略逆Ｖ字形状の切断チップが、一定間隔で複数個、８°以上のすくい角で接合されてなる円形切断刃。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックハニカム成形体の切断方法及び円形切断刃に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディーゼル自動車から排出される微粒子などを除去する排ガス浄化装置としてセラミックハニカム排ガスフィルターが用いられる。触媒担持型のセラミックハニカム排ガスフィルターでは、近年排ガス規制の高まりとともに、触媒担持後でも圧損が大幅に上昇しないことが要求されるようになってきており、そのため触媒担持前のセラミックフィルターにも、高い気孔率が要求されるようになってきた。このため、高気孔率のセラミックフィルターを得る手段として、セラミック原料組成中に気孔形成材として有機材料であるアクリル樹脂などの樹脂粒子を添加する手法がとられるケースが出てきた（例えば特許文献１及び２参照）。
【０００３】
一般的にセラミックフィルターの製造において、連続的に押し出し成形された生のセラミックハニカム成形体は、押出し直後に一旦概ね一定の長さに切断され、成形体中の水分を、電磁波や熱風乾燥などの手段で完全に乾燥し、乾燥収縮させた後に、焼成前の正確な切断が施される。この切断の際の切断面が、最終的なセラミック焼成体の外観面になるため、切断品質は、切断後の目封じ工程など、次工程での品質や歩留まりにも影響する。そのため、ふち欠けやセル面内チッピング（以下、チッピングという）等の外観欠陥が無いことや、切断面に融着によるバリが残らないこと、また切断後のセル内部に切屑が残らないことなどが要求される。要求される切断品質のうち、ふち欠けやチッピングの問題を解決するため、回転砥石を用いる切断方法では、回転砥石外周端部の断面形状を略Ｖ字形状にすることにより、ふち欠けやチッピングの原因となる被削材に付与される回転砥石のコーナー部からの集中応力が破断強度以下に抑制され、ふち欠けを防止することが可能とされている（例えば特許文献３参照）。
【０００４】
一方で、切断面のバリや、切断後のセル内部の切屑を除去する方法としては、セラミック成形体切断部における貫通孔よりエアを吹き出させ、同時に切断面のブラッシングを行うことで、切断時に生じたバリを除去する方法が開示されている（例えば特許文献４参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１７５３０７号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２００５−４７７９６号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開２００３−５３７２３号公報（特許請求の範囲、図１）
【特許文献４】特開２０００−４３０２４号公報（特許請求の範囲、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら近年、セラミックハニカム成形体には、高気孔率化のため、セラミック原料組成中に、有機材料であるアクリル樹脂などの樹脂粒子が多く添加されるようになってきた。このようなセラミックハニカム成形体においては、切断する際、前述のような刃先断面形状が略Ｖ字形状の切断刃を用いれば、ふち欠けやチッピングは防止できるものの、高速切断条件で切断すると、切断時の摩擦抵抗による発熱で、添加された樹脂粒子が溶融し刃の表面に付着する、いわゆる目詰まりの状態を引き起こし、全く切断能力をなくしてしまうという問題があった。また、他の問題としては、高速切断条件で切断すると、溶融した樹脂粒子の樹脂成分とセラミック無機成分の切屑からなる融着物により、切断面のセルが潰れてしまうため、生産性を犠牲にし、切断速度を大幅に落とさざるを得なくなっていた。また切断速度を落としても、切断時に発生する微細なセラミック無機成分の切屑と、前述の溶融した樹脂粒子の樹脂成分とが交じり合いながら再固化し、切断の進行とともに切屑片が成長しながら製品側のセル内に入り込む現象が生じていた。このようにしてセル内に入り込んだ切屑は、セル幅に等しい寸法形状でセル内に残留し固化しているので、前述のようなエアブロー装置を用いて十分なエアブローを行っても、切屑がセル内に引っかかり、完全に除去することが困難となっていた。切屑がセル内に残留したまま焼成すると、セル内に切屑が残留した状態で焼結されるため、焼成時の部分的異常発熱によるセル貫通孔の発生や、フィルター流路閉塞による圧損上昇などの欠陥となるため、再度手作業で丹念にエアブローする必要があり、生産コストを上昇させる問題があった。
【０００７】
本発明は、このような問題を解決するため、無機系以外の主原料として有機材料が添加されたセラミックハニカム成形体であっても、切断後の切断面品質が良好で、且つ残留切屑を容易に除去することが可能なセラミックハニカム成形体の切断方法及びそのための円形切断刃を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、円形基盤の円周端部に、刃先側面の断面形状が略逆Ｖ字形状の切断チップが、一定間隔で複数個、８°以上のすくい角で接合されてなる円形切断刃を用いることを特徴とするセラミックハニカム成形体の切断方法を提供する。
【０００９】
また、本発明は、円形基盤の円周端部に、刃先側面の断面形状が略逆Ｖ字形状の切断チップが、一定間隔で複数個、８°以上のすくい角で接合されてなる円形切断刃を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、セラミックハニカム成形体を切断する際、高速切断条件で切断しても、切断面に融着や融着に伴うバリを生じさせず、また、ふち欠けやチッピングを防止する効果を有し、切断後の切屑除去性が良好な切断方法を提供することができる。
【００１１】
請求項１及び７の発明によれば、円形基盤の円周端部に、刃先側面の断面形状が略逆Ｖ字形状の切断チップが、一定間隔で複数個接合された円形切断刃を用いることにより、次のような効果を有する。
【００１２】
（１）セラミック原料組成中に、有機材料としてアクリル樹脂などの樹脂粒子が多く添加されたセラミックハニカム成形体の切断において、従来のように、回転砥石を用いて研削する場合に比べ、切削刃である切断チップが断続的に配置されているため、空冷効果が大きく、切断時の発熱を大幅に抑制する効果を有するので、刃の表面や被削材の切断面に融着を生じる心配がない。
【００１３】
（２）従来の回転砥石では、切断時の発熱を抑えるために、切断速度を落とさざるを得なかったが、本発明によれば、高速切断条件でも切断時の発熱が抑制されるので、切断速度を落とす必要がなく、高い生産性を実現することができる。
【００１４】
（３）回転砥石により削り取りながら切断する方法に比べ、切断チップによる切断では、切断チップにより切り欠きながらの切断となるため、融着によるバリも生じず、切断表面もざらつかず、高品位な切断を行うことができる。
【００１５】
（４）さらに略逆Ｖ字形状の切断チップのもう一つの効果として、切断時の切屑が微細化する効果を有する。これは、刃先側面の断面形状が略逆Ｖ字形状でない平らな切断チップで切断を行うと、切屑は切断チップの巾と等しい形状で発生するが、略Ｖ字形状にすることで、切屑が細分化されるためである。このため、微細化された切屑は、セル内に入り込んでも残留することなく、容易に除去することが可能となる。
【００１６】
（５）また、本発明の円形切断刃においては、切断チップのすくい角が８°以上である。すくい角を大きくするほど、快削性は増すので、切断抵抗も低減し、それによる発熱抑制効果や、切屑の微細化、易排出効果も更に向上する効果が認められる。ここで言うすくい角とは、一般的に、円形基盤の円周端部に切断チップが一定間隔で複数個接合されている円形切断刃（通称チップソーと呼ばれる）において、円形基盤の中心と各切断チップの刃先先端部の頂点とを結ぶ線に対して、各切断チップの回転方向端面（すくい面と言う）が交差する角度を指す。
【００１７】
請求項２の発明によれば、前記切断チップの逆Ｖ字状部をなす角度が１２０°以下の円形切断刃を用いることにより、微細なセル構造からなるハニカム成形体の切断時に、切断チップが断続的にハニカムの壁面を打撃する際の刃先先端部での応力集中を分散する効果を有するので、ふち欠けやセル壁面のチッピングを防止することができる。
【００１８】
請求項３の発明によれば、前記切断チップの逆Ｖ字状部の先端の中央部に、巾１ｍｍ以下の平坦部を有する円形切断刃を用いるため、摩擦抵抗低減と融着防止効果が得られる。すなわち、平坦部が少ないほど刃先抵抗は減少する。逆に平坦部が切断チップの刃巾に近くなると、切断時の摩擦抵抗による発熱が増加するため、樹脂成分が融着する。本発明では、平坦部を１ｍｍ以下とすることにより、切断時の切断抵抗の低下による円滑な切断性及び発熱の低下による融着防止の効果が得られる。
【００１９】
請求項４の発明によれば、前記切断チップの正面方向の刃巾が３ｍｍ以下の円形切断刃を用いるため、切断時の切断抵抗の低下による発熱低下及びこれに伴う融着防止の効果が得られる。
【００２０】
請求項５の発明によれば、セラミックハニカム成形体は、ハニカムを成形後乾燥させた乾燥体であるため、高速切断条件で切断しても、切断面に融着やこれに伴うバリが発生せず、また、ふち欠けやチッピングを防止することができ、切断後の切屑の除去性が良好になる。
【００２１】
請求項６の発明によれば、セラミック原料組成中の全固形分を１００体積％としたとき有機材料が５０体積％以上配合されるため、上記請求項１〜５の発明の効果が有効に発揮される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明のセラミックハニカム成形体の切断方法に用いられる円形切断刃のほぼ上半分を示す一部正面拡大図であり、この円形切断刃は円形基盤の円周端部に、刃先側面の断面形状が略逆Ｖ字形状の切断チップが、一定間隔で複数個接合されている。
【００２３】
本発明における、前記切断チップ２１の刃先側面の断面形状が略逆Ｖ字形状とは、後述する実施例にも示すように、単純な逆Ｖ字形状だけでなく、逆Ｖ字から多少変形されていても全体的に逆Ｖ字がイメージできるような形状を含むものであって、完全な逆Ｖ字形状に限定されるものではない。また、逆Ｖ字形状としては、逆Ｖ字形状の刃先の先端の中央部に平坦部がある形状（凸形状）も含まれる。
【００２４】
図１において、ａは切断チップのすくい角を示すが、このすくい角ａが８°以上であることが必要である。このすくい角ａが８°未満であると、セラミックハニカム成形体１（図２参照）の壁面に直接作用する打撃力の壁面垂直方向分力が増加するので、ふち欠けやセルのチッピングを生じさせるという問題が生じる。すくい角ａの上限値については、刃の直径や刃数にも関連する設計要件となるが、設計可能な範囲で大きい方が望ましい。好ましくは１０°以上とする。
【００２５】
また図１に示す、切断チップ２１の刃先先端部２４の頂点ｉと円形基盤２２の中心点ｏとを結ぶ線に対し、刃先先端部２４の頂点ｉで直交する接線Ｌと、各切断チップ２１の刃先先端部２４の円周端面２５とがなす角度ｂを一般的に逃げ角と呼び、円周方向端面２５を逃げ面と呼ぶが、この逃げ面は切断の進行中、常に被削材と接触するため、摩擦抵抗を減少させ、発熱による融着を防止するためには、逃げ角ｂは１０°以上設けることが望ましい。
【００２６】
図２は本発明の切断方法を模式的に示した概略図である。図２において、１はセラミックハニカム成形体を、２２は円形基盤を示す。
【００２７】
図２において、２３は円形切断刃の円周端部（周縁部）を示し、図３には、刃先の断面形状が略Ｖ字形状の、図示しない切断チップ２１が円形基盤２２の円周端部に一定間隔で複数個接合されている。円形基盤２２と切断チップ２１との接合体を、以下、円形切断刃２という。図２において、セラミックハニカム成形体１は、円形切断刃２と直交する向きで配置されており、円形切断刃２は、回転しながら図示セラミックハニカム成形体端部手前の下面側（又は上面側）から切断を開始し、上面側（又は下面側）に完全に通り抜けることにより、セラミックハニカム成形体１を完全に切断する。
【００２８】
図２には示していないが、セラミックハニカム成形体１端部の奥側にも同様に円形切断刃２が対向配置されており、セラミックハニカム両端部を同時に切断できるように構成されている。このように、セラミックハニカム成形体１の下面側から上面側（又は上面側から下面側）、すなわちハニカムの上下２面間の巾方向を切断するように円形切断刃２を配置することにより、円形切断刃２の移動ストロークを最短にすることができ、切断タクトが短縮され、生産性を高めることが可能となるので、このような配置にすることが望ましい。しかし、これに限定されることなく、円形切断刃２を定位置固定で回転させ、セラミックハニカム成形体を上下もしくは左右に移動させ切断を行っても、何ら問題なく同様の効果が得られる。
【００２９】
本発明における円盤状の円形基盤２２は、その円周端部に、一定間隔で複数個の切断チップ２１が接合された円形切断刃２となっており、この円形切断刃２が高速回転するため、ビビリや振動が生じない十分な剛性と、基盤面の平滑性、繰返し使用に耐える耐久性等を備えた材質を選定する必要がある。これらを満たす材質としては、例えば高速度工具鋼などを用いることが望ましい。また図には示していないが、ビビリや振動を防止する目的で、円形基盤２２の円周端部に切断チップ２１の配置間隔とは異なるピッチで、スリットが加工された基盤を用いると、ビビリや振動防止に有効である。
【００３０】
また円形基盤２２の厚みについては、円形切断刃２の剛性に直接影響を及ぼす因子であり、円形切断刃２の直径に関わる設計要件とも関連するが、おおよそ１ｍｍ以上の厚みであることが望ましい。また前記切断チップ２１の材質としては、例えば機械的特性に優れるＷｃ−Ｃｏ系合金等に代表される超硬材を切断チップ２１として用いると、刃先の磨耗により切れ味が低下しても、再研磨を行うことにより、数回程度再生使用ができるので、コスト的にも望ましい。なお、コストに見合えば切断チップ２１の材質として、より耐久性に優れるダイヤモンドなどの超硬質材を選択することもできる。ダイヤモンドチップを用いれば、刃先磨耗に至るまでの耐久切断数が大幅に向上し、頻繁に刃を交換する手間も省けるので、メンテナンス性も向上する。
【００３１】
図３は略逆Ｖ字形状をなす切断チップ２１を有する円形切断刃２の要部の側面拡大図を示す。
【００３２】
図３において、ｄは刃先先端部２４の側面方向において、略逆Ｖ字形状の延長線の交点がなす角度を示すが、この角度ｄは、１２０°以下であることが望ましい。この角度ｄが１２０°を越えると、切断チップ２１の刃先先端部２４の先端から傾斜するテーパー面と、切断チップ２１の基部２９との接点ｊにおける交角ｇが鈍角から鋭角に近づくため、この部分におけるセルの壁面を切断する際の応力分散効果が低下し、応力集中によるチッピング発生のおそれが生じる。
【００３３】
図３において、ｅは前記切断チップの刃先先端部２４の側面方向において、略逆Ｖ字状部の先端の中央部に設けられた平坦部２６の巾を示す。この平坦部２６の巾ｅが狭いほど、切断時の刃先の抵抗は減少するが、先端部分の磨耗は激しくなるので、耐久性が低下する。また逆に平坦部２６の巾ｅが切断チップ２１の側面方向の刃巾ｆに近くなると、切断時の摩擦抵抗による発熱が増加する。このため、融着防止の観点から、切断チップ２１の側面方向の刃巾ｆにも関係するが、平坦部２６の巾ｅは１ｍｍ以下であることが望ましい。この平坦部２６の巾ｅが１ｍｍを超えると、切断チップ２１の刃巾ｆに占める平坦部２６の巾ｅの割合が増加するため、切屑が微細化する効果も低下し、切断後の切屑除去性に支障を来たすおそれが生じる。
【００３４】
また図３において、切断チップ２１の側面方向の刃巾ｆは、前記摩擦抵抗による発熱抑制、融着防止の観点から、３ｍｍ以下であることが望ましい。また、円形基盤２２の面と平行な面２７と、切断チップ２１の基部２９とが上記接点ｊにおいてなす角度ｃについては、１°程度の逃げを設ける事が望ましい。この逃げを設けることで、切断の進行に伴い、切断チップ２１の側面と被削材切断面との間で摩擦が生じ、発熱することによる融着の発生を防止できる。
【００３５】
また、前記セラミックハニカム成形体はハニカムを乾燥させた乾燥体であることが、高速切断条件で切断しても、切断面に融着や融着に伴うバリを生じさせず、また、ふち欠けやチッピングを防止することができ、切断後の切屑除去性が良好な切断ができる点で望ましい。
【００３６】
また、前記セラミックハニカム成形体は、セラミック原料組成中の全固形分を１００体積％とした場合、無機系以外の主原料として、有機材料が５０体積％以上配合されていることが好ましく、この場合には、特に前記作用効果が有効に発揮される。
【実施例】
【００３７】
以下に本発明を、実施例及び比較例を挙げてさらに具体的に説明するが、この説明が本発明を限定するものではない。
【００３８】
［例１］
図１及び図３の構成を有する円形切断刃２として、高速度工具鋼からなる厚み１ｍｍ、直径ｈが３０５ｍｍの円形基盤２２の基盤円周端部に、超硬材からなる刃巾１．５ｍｍの切断チップ２１が９６個、均等間隔で接合されたものを用い、
（実施例１）として、刃先断面の逆Ｖ字形状がなす角度ｄが９０°で、刃先先端部２４の中央の平坦部２６の巾ｅが０．５ｍｍの切断チップを用い、
（実施例２）として、逆Ｖ字形状がなす角度ｄが１２０°で、刃先先端部２４の中央の平坦部２６の巾ｅが０．５ｍｍの切断チップを用い、
（比較例１）として、図４に示す刃先先端の平坦部の巾ｅが刃巾ｆに等しく、逆Ｖ字形状を成さない、即ち刃先の角度が１８０°でｄ＝０°の切断チップを用いた。
【００３９】
また切断チップの配置として、それぞれすくい角が１０°となるように配置された同上の切断チップが９６個、均等間隔で接合された、３０５ｍｍの円形切断刃を用いた。
【００４０】
セラミックハニカム成形体としては、外径が５５ｍｍ、セル寸法が１．５ｍｍ、セル壁厚みが０．３ｍｍ、外皮の厚みが０．３ｍｍで構成され、セラミック原料組成中の全固形分を１００体積％とした場合、無機系以外の主原料として、有機材料が、それぞれ３０体積％、５０体積％、７０体積％配合された乾燥体サンプルを用いた。
【００４１】
切断条件としては、円形切断刃の回転数を２０００ｒｐｍ、円形切断刃の送り速度を３５ｍｍ／ｓｅｃで切断した。得られたセラミックハニカム切断体を切屑除去ステージに移動させ、図６に示す、セラミックハニカム切断体１１の切断面の片側に、ブラシ付パルスエア吹出しノズル３（ショックガン）のブラシ３１を接触させ、ノズルを前後に往復移動（５往復／１０ｓｅｃ）させながら、圧力０．５Ｍｐａの乾燥エアを吹出させ、且つセラミックハニカム切断体の反対側の切断面から吐き出される切屑を、集塵ダクト４で吸引しながら１０ｓｅｃ間切屑除去を行った。その後、セラミックハニカム切断体を、ブラシ付パルスエア吹出しノズルと集塵ダクトの配置を逆にした次の切屑除去ステージに移動させ、同様に反対切断面の切屑除去を行った。その後切断面のチッピングの有無、残留切屑量を観察し、結果を○△×の３段階で評価した。その結果を表１に示す。なお、○は十分高いレベルであることを示し、△は場合によっては許容されるレベルであることを示し、×は許容レベルに満たない場合を示すが、刃先角度が９０°（実施例１）及び１２０°（実施例２）の場合は、チッピングや残留切屑は認められなかった。
【００４２】
【表１】
2007237558.tif 000003
【００４３】
［例２］
次に、図１及び図３の構成を有する円形切断刃として、高速度工具鋼からなる厚み１ｍｍの円形基盤２２の円周端部に、超硬材からなる刃巾ｆが１．５ｍｍの切断チップ２１の形状として、刃先断面の略Ｖ字形状がなす角度が１２０°で、刃先先端部２４の中央の平坦部２６の巾ｅが０．５ｍｍの切断チップ２１を用い、切断チップの配置として、すくい角を５°としたものを（比較例２）とし、すくい角を１０°としたものを（実施例３）とし、すくい角を３０°としたものを（実施例４）とした。上記の切断チップが９６個、均等間隔で接合された、直径ｈが３０５ｍｍの円形切断刃２を用い、例１と同じセラミックハニカム乾燥体サンプルを用い、例１と同じ切断条件で切断後、切屑除去を行い、例１と同じ判断基準で評価した。その結果を表２に示すが、すくい角が１０°（実施例３）及び３０°（実施例４）の場合は、チッピングや残留切屑は認められなかった。
【００４４】
【表２】
2007237558.tif 000004
【００４５】
［例３］
次に、（比較例３）として、図５に示すように、金属製の基盤外周部に、刃先先端部２４の先端が６０°の凸形状で、＃８０のダイヤモンドが電着加工された、ダイヤ部２８の巾が１．５ｍｍで、直径が３０５ｍｍの回転砥石を用いた。
【００４６】
（実施例５）として、図１及び図３の構成を有する円形切断刃２として、高速度工具鋼からなる厚み１ｍｍの円形基盤２２の基盤円周端部に、超硬材からなる刃巾１．５ｍｍの切断チップの形状として、切先断面の略Ｖ字形状がなす角度が９０°で刃先先端部２４の中央の平坦部２６の巾ｅが０．５ｍｍの切断チップ２１を用い、切断チップ２１の配置として、すくい角が３０°となるように配置された切断チップが９６個、均等間隔で接合された、直径が３０５ｍｍの円形切断刃２を用いた。
【００４７】
例１と同じセラミックハニカム乾燥体サンプルを用い、例１と同じ切断条件で切断後、切屑除去を行い、その後切断面のチッピングの有無、残留切屑量に加え、切断面の融着状態を観察し、例１と同じ判断基準で評価した。その結果を表３に示すが、先端形状が６０°のダイヤモンドカッターでは、有機材の配合比率が５０体積％を超えるセラミックハニカム成形体（比較例３）を切断した際に、切断面の融着や、残留切屑量の悪化が認められた。
【００４８】
【表３】
2007237558.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、セラミックハニカム成形体を、高い生産性で高品位に切断でき、切断後の切屑除去性も良好であるので、セラミックハニカム成形体の切断に好適な切断法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明のセラミックハニカム成形体の切断方法に用いる円形切断刃のほぼ上半分を示す一部正面拡大図
【図２】本発明の切断方法を模式的に示した概略図
【図３】略逆Ｖ字形状をなす切断チップを有する円形切断刃の要部の側面拡大図
【図４】例１に係る比較例（比較例１）の切断チップを有する円形切断刃の要部の側面拡大図
【図５】例３に係る比較例（比較例３）の回転砥石の基本的構成を模式的に示した概略図
【図６】例１〜３に係る切屑除去方法の説明図
【符号の説明】
【００５１】
１：セラミックハニカム成形体
２：円形切断刃
３：ブラシ付パルスエア吹出しノズル
４：集塵ダクト
１１：セラミックハニカム切断体
２１：切断チップ
２２：円形基盤
２３：円周端部
２４：刃先先端部
２５：逃げ面
２６：平坦部
２７：接線
２８：ダイヤ部
２９：切断チップの基部
３１：ブラシ
ａ：すくい角
ｂ：逃げ角
ｃ：逃げ角
ｄ：切断チップのＶ字形状の角度
ｅ：切断チップの刃先の平坦部の巾
ｆ：切断チップの刃巾
ｈ：円形基盤直径
ｉ：刃先先端部の頂点
ｊ：刃先先端部の先端から傾斜するテーパー面と、切断チップの基部との接点
ｏ：円形基盤の中心点
Ｌ：接線
【図１】
2007237558.tif 000006
【図２】
2007237558.tif 000007
【図３】
2007237558.tif 000008
【図４】
2007237558.tif 000009
【図５】
2007237558.tif 000010
【図６】
2007237558.tif 000011