(57)【要約】      （修正有）【課題】経時しても凸状の欠陥部の高さを一定にするめっき方法を提供する。【解決手段】表面に導電性を付与したポリイミド基板１に対し、電気めっき法で銅めっきを施すことにより銅被覆ポリイミド基板を製造する方法において、前記電気めっきを施す際に銅めっき液中にて用いられる搬送ローラー２が、両端部を同一径の大径部２−２，２’−２となし中央部を小径部２−１となした形状のローラーであり、且つ、該搬送ローラー２の両端部の大径部２−２，２’−２の内側のみが、該基板１の両端部と接触することを特徴とする。【選択図】図１
2007009301.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に導電性を付与したポリイミド基板の表面に対し、電気めっき法で銅めっきを施すことにより銅被覆ポリイミド基板を製造する方法において、
前記電気めっきを施す際に銅めっき液中にて用いられる搬送ローラーが、両端部を同一径の大径部となし中央部を小径部となした形状のローラーであり、且つ、該搬送ローラーの両端部の大径部内側のみが、該基板の両端部と接触することを特徴とする銅被覆ポリイミド基板の製造方法。
【請求項２】
前記搬送ローラーの大径部と前記基板の端部との接触幅Wが１５ｍｍ以上、該搬送ローラーの大径部と小径部の径差ｈが２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の銅被覆ポリイミド基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき法を用いた銅被覆ポリイミド基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、銅被覆ポリイミド基板は、導電性を有さないポリイミドフィルムの表面に、蒸着、スパッタ等の乾式めっきや無電解めっき等の湿式めっきによって導電性薄膜を形成して導電性を付与した後、電気めっき法によって該導電性薄膜の上に所望の厚さまで銅をめっきすることによって得られている。
例えば、特許文献１には無電解めっきを用いた銅被覆ポリイミド基板の製造方法が提案されている。
【０００３】
このようにして製造された銅被覆ポリイミド基板は、フォトリソグラフィー法により回路を形成することによりCOFプリント回路(Chip On Flexible Printed Circuit)やFPCプリント回路(Flexible Printed Circuit)等の電子部品を製造するための素材として広く用いられている。
例えば、特許文献２には、銅被覆ポリイミド基板を用いたフレキシブル基板の製造方法が示されている。
【０００４】
ところで、フォトリソグラフィー法を用いて銅被覆ポリイミド基板に回路を形成する場合、ポリイミドフィルムに凸状の欠陥部が存在すると、この凸状欠陥部が露光ムラやエッチングムラの原因となる。そのため、ポリイミド基板表面の凸状欠陥部は極力低くすることが要求される。
【０００５】
近年の配線密度高密度化の要請は、銅被覆ポリイミド基板表面の導電層である銅層の厚さの減少を要求され、近年ではその厚さを１０μｍ前後とするようになってきている。このレベルまで銅層の厚さが減少すると、電気めっきによるレベリング効果が不充分となり、ポリイミドフィルムに内包されたフィラーの露出に起因とする１〜２μｍ程度の凸状物や、ポリイミドフィルムに導電性を付与する際に生じる１〜２μｍ程度の凸状痕の影響を受け、平滑な表面を有する銅被覆ポリイミド基板が得難いという問題を生じるに至った。
こうした問題を解消すべく、例えば、特許文献３には、銅めっき液中に光沢剤を添加してレベリング性を向上させている。
【特許文献１】特開平０５−０９０７３７号公報
【特許文献２】特開平０５−０２１５１５号公報
【特許文献３】特開平０６−１３２６３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、こうした光沢剤を添加した銅めっき液を用いて銅被覆ポリイミド基板を製造すると、製造時間の経過と共に、ポリイミド基板表面の凸状欠陥部の高さが経時的に高くなるという問題が生じた。
【０００７】
本発明は、かかる問題を是正すべくなされたものであり、経時しても凸状欠陥部の高さを一定にすることが可能な銅めっき方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討した結果、上記凸状欠陥部は、基板作製時にめっき液中でポリイミド基板の全表面と接触する搬送ローラーの表面に、添加剤成分が吸着し、それが前記基板表面へ転写されることで、該凸状欠陥部の成長が促進されてしまうことを見出し、本発明を採用するに至った。
【０００９】
即ち、本発明に係る銅被覆ポリイミ基板の製造方法は、表面に導電性を付与したポリイミド基板の表面に対し、電気めっき法で銅めっきを施すことにより銅被覆ポリイミド基板を製造する方法において、前記電気めっきを施す際に銅めっき液中にて用いられる搬送ローラーが、両端部を同一径の大径部となし中央部を小径部となした形状のローラーであり、且つ、該搬送ローラーの両端部の大径部内側のみが、該基板の両端部と接触することを特徴とするものである。
また、本発明に係る他の銅被覆ポリイミ基板の製造方法は、前記搬送ローラーの大径部と前記基板の端部との接触幅Wが１５ｍｍ以上、該搬送ローラーの大径部と小径部の径差ｈが２ｍｍ以上であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、凸状欠陥部の高さ方向への経時的な成長は抑制され、凸状欠陥部の高さは常にほぼ一定にすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明を添付図面に基づいて説明すれば、先ず、図１（ａ）に示すように、めっき液内に浸漬された銅被覆ポリイミド基板１は、搬送ローラー２により搬送される。そして、銅被覆ポリイミド基板１の上方に、整流器３を介してアノード４を設け、銅被覆ポリイミド基板１をカソードとして銅被覆めっきを施す。
本発明における搬送ローラー２は、図１（ｂ）に示すように、ほぼＨ字状の断面を有するローラー、より具体的には、両端部に同一径の大径部２−２、２’−２を設け、中央部に小径部２−１を設けた形状のローラーであり、且つ、この大径部２−２、２’ −２が銅被覆ポリイミド基板１の両端と接触している。そして大径部２−２、２’ −２の基板１に対する軸芯方向或いは幅手方向の接触幅（Ｗ）は１５ｍｍ以上で、環状の凹部の深さ（ｄ）は２ｍｍ以上とすることが好ましい。接触幅（Ｗ）と環状の凹部の深さ（ｄ）を上記の通りと限定した理由のついては後述する。
【００１２】
本発明で行う電気銅めっき方法は、公知の方法を用いて構わない。めっき浴として、例えば、一般的である硫酸銅浴を使用し、アノード４としては銅系の消耗アノードを用いる。
また、本発明で用いる表面に導電性を付与したポリイミド基板１を製造する方法は、特に限定されず、ポリイミドフィルム表面に蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、無電解めっき等を施すことによって得ることができる。
本発明で用いられる搬送ローラー２は上記のような形状とする必要があるが、その材質は特に限定されず、めっき条件等に合わせて適宜決定することができる。
【実施例１】
【００１３】
厚さ３５μｍのポリイミドフィルムの片面にスパッタリングによって厚さ０．１μｍの銅被覆を形成した。その時の凸状欠陥部の高さを測定したところ、最大２μｍであった。この導電性を付与したポリイミドフィルムに、搬送ローラーの形状を変えた状態で厚さ８μｍの電気銅めっきを施し、その時の搬送ローラー形状と凸状欠陥部の高さ方向への成長との関係について検討を行った。
尚、表１に使用しためっき液組成、表２にめっき条件を示す。
【００１４】
【表１】
2007009301.tif 000003
【００１５】
【表２】
2007009301.tif 000004
【００１６】
上述のように、搬送ローラー２の両端部分の大径部２−２、２’−２と銅被覆ポリイミド基板１の幅方向の両端部付近との接触幅（Ｗ）は、めっき工程での銅被覆ポリイミド基板の搬送性に影響を及ぼす。そこで、その影響について調査を行った結果を表３に示す。
搬送ローラー２の大径部２−２、２’−２と、銅被覆ポリイミド基板１の両端部付近との接触幅（Ｗ）が１０ｍｍ未満では、銅被覆ポリイミド基板搬送時の蛇行によって図２（ａ）、（ｂ）に示すような問題が発生し、ポリイミド基板１の表面への皺、瑕の原因となる。このことから、搬送ローラー／ポリイミド基板の接触幅（Ｗ）は１５ｍｍ以上あれば良いことがわかる。
【００１７】
【表３】
2007009301.tif 000005
【００１８】
次に、搬送ローラーの中央部の小径部２−１の深さ（ｄ）について検討を行った。ローラー／基板の接触幅（Ｗ）は１５ｍｍで一定とした。表４に結果を示す。１２０時間めっきを行った前後での凸状欠陥部の高さの変化を調査した。その結果、小径部２−１の深さ（ｄ）を２ｍｍ以上とした場合に、凸状欠陥部の高さは抑制される。
【００１９】
【表４】
2007009301.tif 000006
【産業上の利用可能性】
【００２０】
以上述べた通り、本発明によれば、凸状欠陥部の高さ方向への経時的な成長は抑制され、凸状欠陥部の高さは常にほぼ一定にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の製造方法を示す模式図で、（ａ）は製造方法を概略的に示す図、（ｂ）は本発明で用いた搬送ローラーを示す図である。
【図２】搬送ローラーと銅被覆ポリイミド基板との関係を示す図で、（ａ）と（ｂ）は問題発生時における各状態を示す図である。
【符号の説明】
【００２２】
１  銅被覆ポリイミド基板
２  搬送ローラー
２−１  小径部
２−２、２’−２  大径部
３  整流器
４  アノード
Ｗ  接触幅
ｄ  深さ
【図１】
2007009301.tif 000007
【図２】
2007009301.tif 000008