(57)【要約】【課題】基板の両面の各周縁領域および周端面を洗浄することができ、かつ、各周縁領域における洗浄幅を容易に変更することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８を備えている。第１ブラシ８４の先端部の側面は、円錐面をなし、周縁領域１３および周端面１５に当接する洗浄面９８となっている。一方、第２ブラシ８８の先端部の側面は、円錐面をなし、周縁領域１４および周端面１５に当接する洗浄面９９となっている。第１ブラシ８４の洗浄面９８をウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に当接させて、その周縁領域１３および周端面１５を洗浄することができ、また、第２ブラシ８８の洗浄面９９をウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に当接させて、その周縁領域１４および周端面１５を洗浄することができる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持機構と、
弾性変形可能な材料を用いて、前記基板保持機構に保持された基板の一方表面に垂直な垂線方向の一方側に向けて先細りする形状に形成され、前記垂線方向に対して傾斜する洗浄面を有する第１ブラシと、
前記基板保持機構に保持された基板に対して前記第１ブラシを移動させる第１ブラシ移動機構と、
弾性変形可能な材料を用いて、前記垂線方向における前記一方側と反対側に向けて先細りする形状に形成され、前記垂線方向に対して傾斜する洗浄面を有する第２ブラシと、
前記基板保持機構に保持された基板に対して前記第２ブラシを移動させる第２ブラシ移動機構と、
前記第１ブラシ移動機構および前記第２ブラシ移動機構を制御して、前記第１ブラシの洗浄面を前記基板保持機構に保持された基板の前記一方表面の周縁領域および周端面に当接させ、前記第２ブラシの洗浄面を当該基板の前記一方表面と反対側の他方表面の周縁領域および周端面に当接させるための制御部とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１ブラシの洗浄面を前記基板保持機構に保持された基板の前記一方表面の周縁領域および周端面に当接させつつ、前記第２ブラシの洗浄面を当該基板の前記他方表面の周縁領域および周端面に当接させることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１ブラシは、前記垂線方向に延びる中心軸線まわりに回転対称な形状を有しており、
前記第１ブラシを前記中心軸線を中心に回転させる第１ブラシ回転機構をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２ブラシは、前記垂線方向に延びる中心軸線まわりに回転対称な形状を有しており、
前記第２ブラシを前記中心軸線を中心に回転させる第２ブラシ回転機構をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板保持機構に保持された基板と前記第１ブラシとを、前記第１ブラシが当該基板の周方向に移動するように相対移動させる第１相対移動機構をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板保持機構に保持された基板と前記第２ブラシとを、前記第２ブラシが当該基板の周方向に移動するように相対移動させる第２相対移動機構をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板保持機構に保持された基板の少なくとも前記一方表面の周縁領域よりも内方の領域に処理液を供給する処理液供給機構をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板保持機構によって基板を保持する基板保持工程と、
前記基板保持機構に保持された基板の一方表面に垂直な垂線方向の一方側に向けて先細りする形状に形成され、前記垂線方向に対して傾斜する洗浄面を有する第１ブラシを移動させて、当該第１ブラシの洗浄面を前記基板保持機構に保持された基板の前記一方表面の周縁領域および周端面に当接させる一方側当接工程と、
この一方側当接工程と並行して、前記垂線方向における前記一方側と反対側に向けて先細りする形状に形成され、前記垂線方向に対して傾斜する洗浄面を有する第２ブラシを移動させて、当該第２ブラシの洗浄面を前記基板保持機構に保持された基板の前記一方表面と反対側の他方表面の周縁領域および周端面に当接させる他方側当接工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を洗浄処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハの周縁部の汚染が、半導体ウエハの処理品質に対して無視できない影響を与える場合がある。具体的には、いわゆるバッチ処理工程では、複数枚の半導体ウエハが鉛直姿勢で処理液中に浸漬されるため、半導体ウエハの周縁部に汚染物質が付着していると、その汚染物質が、処理液中に拡散し、半導体ウエハの表面のデバイス形成領域に再付着するおそれがある。
【０００３】
そのため、最近では、半導体ウエハなどの基板の周縁部の洗浄に対する要求が高まっている。
基板の周縁部の洗浄に関する先行技術として、たとえば、特許文献１〜３で提案されている構成を挙げることができる。
特許文献１では、円筒状のブラシを設けて、基板を回転させつつ、その基板の周端面にブラシの外周面を当接させることにより、基板の周端面の汚染を除去する構成が提案されている。
【０００４】
特許文献２では、特許文献１で提案されている構成と同様な構成において、基板の周端面の形状にかかわらず、基板の周端面の汚染をより良好に除去することができるように、基板の周端面に円筒状のブラシを押し付けて、ブラシの外周面に基板の周端面を食い込ませたり、ブラシの外周面に基板の周端面の形状に応じた溝を形成して、その溝に基板の周端面を嵌合させたりすることが提案されている。
【０００５】
また、特許文献３では、円筒状のブラシの外周面に基板の周縁部を嵌合可能な溝を形成し、この溝に基板の周縁部を嵌合させた状態で、基板を回転させるとともに、ブラシをその中心軸線まわりに回転させることにより、基板の表面および裏面の各周縁領域（基板の表面および裏面における各周端縁から所定幅の環状領域）および周端面を洗浄する構成が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−１９７５９２号公報
【特許文献２】特開２００３−１５１９４３号公報
【特許文献３】米国特許第６５５００９１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献１，２で提案されている構成では、基板の周端面の汚染を除去することができても、基板の表面および裏面の各周縁領域にブラシが接触しないため、それらの各周縁領域の汚染を除去することはできない。
一方、特許文献３で提案されている構成では、基板の表面および裏面の各周縁領域を洗浄することができる。しかし、基板の表面および裏面の各周縁領域における洗浄幅（ブラシの有効接触幅）を容易に変更することはできない。ブラシの溝に対する基板の周縁部の入り込み量を変更することにより、基板の表面および裏面の各周縁領域における洗浄幅を変更することが考えられるが、ブラシの溝に対する基板の周縁部の入り込み量が少ないと、基板の周端面にブラシが接触せず、基板の周端面を洗浄することができないので、この手法を採用することはできない。そのため、各周縁領域における洗浄幅を変更する場合には、ブラシを溝の深さが異なるものと交換せざるを得ず、たいへん手間がかかってしまう。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、基板の両面（一方表面およびその反対側の他方表面）の各周縁領域および周端面を洗浄することができ、かつ、各周縁領域における洗浄幅を容易に変更することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持機構（３）と、弾性変形可能な材料を用いて、前記基板保持機構に保持された基板の一方表面に垂直な垂線方向に向けて先細りする形状に形成され、前記垂線方向に対して傾斜する洗浄面（９８）を有する第１ブラシ（８４）と、前記基板保持機構に保持された基板に対して前記第１ブラシを移動させる第１ブラシ移動機構（８６，８７）と、弾性変形可能な材料を用いて、前記垂線方向における前記一方側と反対側に向けて先細りする形状に形成され、前記垂線方向に対して傾斜する洗浄面（９９）を有する第２ブラシ（８８）と、前記基板保持機構に保持された基板に対して前記第２ブラシを移動させる第２ブラシ移動機構（９０，９１）と、前記第１ブラシ移動機構および前記第２ブラシ移動機構を制御して、前記第１ブラシの洗浄面を前記基板保持機構に保持された基板の前記一方表面の周縁領域（１３）および周端面（１５）に当接させ、前記第２ブラシの洗浄面を当該基板の前記一方表面と反対側の他方表面の周縁領域（１４）および周端面（１５）に当接させるための制御部（６７）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
【０００９】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、第１ブラシを移動させる第１ブラシ移動機構が制御されて、第１ブラシの洗浄面が基板の一方表面の周縁領域および周端面に当接され、また、第２ブラシの洗浄面が基板の他方表面の周縁領域および周端面に当接される。これにより、基板の両面の周縁領域ならびに周端面を洗浄することができる。
【００１０】
また、基板に対する第１ブラシの洗浄面の押し付け量（基板に第１ブラシの洗浄面を当接させたときの当該洗浄面の弾性変形量）を変更し、基板の一方表面の周縁領域と第１ブラシの洗浄面との有効接触幅を変更することにより、基板の一方表面の周縁領域における洗浄幅を容易に変更することができる。さらに、基板に対する第２ブラシの洗浄面の押し付け量（基板に第２ブラシの洗浄面を当接させたときの当該洗浄面の弾性変形量）を変更し、基板の他方表面の周縁領域と第２ブラシの洗浄面との有効接触幅を変更することにより、基板の他方表面の周縁領域における洗浄幅を容易に変更することができる。
【００１１】
請求項２記載の発明は、前記制御部は、前記第１ブラシの洗浄面を前記基板保持機構に保持された基板の前記一方表面の周縁領域および周端面に当接させつつ、前記第２ブラシの洗浄面を当該基板の前記他方表面の周縁領域および周端面に当接させることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１ブラシによる基板の一方表面の周縁領域および周端面の洗浄と、第２ブラシによる基板の他方表面の周縁領域および周端面の洗浄とを同時に達成することができる。そのため、これらの洗浄を異なるタイミングで行う場合と比較して、基板の両面の周縁領域および周端面を短時間で洗浄することができる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、前記第１ブラシは、前記垂線方向に延びる中心軸線まわりに回転対称な形状を有しており、前記第１ブラシを前記中心軸線を中心に回転させる第１ブラシ回転機構（３２）をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１ブラシの洗浄面が基板の一方表面の周縁領域および周端面に押し付けられた状態で、第１ブラシ回転機構により第１ブラシを回転させることによって、基板の一方表面の周縁領域および周端面をスクラブすることができる。そのため、基板の一方表面の周縁領域および周端面を一層良好に洗浄することができる。
【００１３】
請求項４記載の発明は、前記第２ブラシは、前記垂線方向に延びる中心軸線まわりに回転対称な形状を有しており、前記第２ブラシを前記中心軸線を中心に回転させる第２ブラシ回転機構（３２）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第２ブラシの洗浄面が基板の他方表面の周縁領域および周端面に押し付けられた状態で、第２ブラシ回転機構により第２ブラシを回転させることによって、基板の他方表面の周縁領域および周端面をスクラブすることができる。そのため、基板の他方表面の周縁領域および周端面を一層良好に洗浄することができる。
【００１４】
請求項５記載の発明は、前記基板保持機構に保持された基板と前記第１ブラシとを、前記第１ブラシが当該基板の周方向に移動するように相対移動させる第１相対移動機構（３，９）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１ブラシと基板との相対移動により、基板の一方表面の周縁領域および周端面を効率的に洗浄することができる。
【００１５】
請求項６記載の発明は、前記基板保持機構に保持された基板と前記第２ブラシとを、前記第２ブラシが当該基板の周方向に移動するように相対移動させる第２相対移動機構（３，９）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第２ブラシと基板との相対移動により、基板の他方表面の周縁領域および周端面を効率的に洗浄することができる。
【００１６】
請求項７記載の発明は、前記基板保持機構に保持された基板の少なくとも前記一方表面の周縁領域よりも内方の領域に処理液を供給する処理液供給機構（４，５，１０，１１，１２）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液により、基板の一方表面の周縁領域よりも内方の領域の汚染を洗い流すことができる。
【００１７】
請求項８記載の発明は、基板保持機構（３）によって基板（Ｗ）を保持する基板保持工程と、前記基板保持機構に保持された基板の一方表面に垂直な垂線方向の一方側に向けて先細りする形状に形成され、前記垂線方向に対して傾斜する洗浄面（９８）を有する第１ブラシ（８４）を移動させて、当該第１ブラシの洗浄面を前記基板保持機構に保持された基板の前記一方表面の周縁領域（１３）および周端面（１５）に当接させる一方側当接工程（Ｔ５）と、この一方側当接工程と並行して、前記垂線方向における前記一方側と反対側に向けて先細りする形状に形成され、前記垂線方向に対して傾斜する洗浄面（９９）を有する第２ブラシ（８８）を移動させて、当該第２ブラシの洗浄面を前記基板保持機構に保持された基板の前記一方表面と反対側の他方表面の周縁領域（１４）および周端面（１５）に当接させる他方側当接工程（Ｔ５）とを含むことを特徴とする、基板処理方法である。
【００１８】
この方法によれば、一方側当接工程では、第１ブラシの洗浄面が基板の一方表面の周縁領域および周端面に当接され、また、他方側当接工程では、第２ブラシの洗浄面が基板の他方表面の周縁領域および周端面に当接される。これにより、基板の両面（一方表面および他方表面）の周縁領域ならびに周端面を洗浄することができる。
しかも、一方側当接工程と他方側当接工程とが並行して行われるので、第１ブラシによる基板の一方表面の周縁領域および周端面の洗浄と、第２ブラシによる基板の他方表面の周縁領域および周端面の洗浄とを同時に達成することができる。そのため、これらの洗浄を異なるタイミングで行う場合と比較して、基板の両面の周縁領域および周端面を短時間で洗浄することができる。
【００１９】
また、基板に対する第１ブラシの洗浄面の押し付け量（基板に第１ブラシの洗浄面を当接させたときの当該洗浄面の弾性変形量）を変更し、基板の一方表面の周縁領域と第１ブラシの洗浄面との有効接触幅を変更することにより、基板の一方表面の周縁領域における洗浄幅を容易に変更することができる。一方、基板に対する第２ブラシの洗浄面の押し付け量（基板に第２ブラシの洗浄面を当接させたときの当該洗浄面の弾性変形量）を変更し、基板の他方表面の周縁領域と第２ブラシの洗浄面との有効接触幅を変更することにより、基板の他方表面の周縁領域における洗浄幅を容易に変更することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。また、図２は、図１に示す基板処理装置の内部の図解的な側面図である。
この基板処理装置８１は、基板の一例としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ］という。）を１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置８１は、隔壁で区画された処理室２内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック３と、ウエハＷの表面（デバイスが形成される側の表面）に処理液を供給するための表面ノズル４と、ウエハＷの裏面に処理液を供給するための裏面ノズル５と、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５を洗浄するための第１ブラシ機構８２と、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５を洗浄するための第２ブラシ機構８３とを備えている。
【００２１】
スピンチャック３は、真空吸着式チャックであって、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸７と、このスピン軸７の上端に取り付けられて、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する吸着ベース８と、スピン軸７と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ９とを備えている。これにより、ウエハＷの裏面が吸着ベース８に吸着保持された状態で、スピンモータ９が駆動されると、ウエハＷがスピン軸７の中心軸線まわりに回転する。
【００２２】
表面ノズル４および裏面ノズル５には、それぞれ処理液供給管１０，１１が接続されている。これらの処理液供給管１０，１１には、処理液バルブ１２を介して、図示しない処理液供給源からの処理液が供給されるようになっている。表面ノズル４は、処理液供給管１０を通して供給される処理液を、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面の中央に向けて吐出する。また、裏面ノズル５は、処理液供給管１１を通して供給される処理液を、スピンチャック３に保持されたウエハＷの裏面の周端縁と吸着ベース８との間に向けて吐出する。
【００２３】
なお、処理液としては、純水が用いられる。また、純水に限らず、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）または磁気水などの機能水を用いてもよいし、アンモニア水またはアンモニア水と過酸化水素水との混合液などの薬液を用いることもできる。
第１ブラシ機構８２は、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５を洗浄するための第１ブラシ８４と、この第１ブラシ８４を先端に保持した第１揺動アーム８５と、この第１揺動アーム８５をウエハＷの回転範囲外に設定した鉛直軸線まわりに水平方向に沿って揺動させる第１揺動駆動機構８６と、第１揺動アーム８５を昇降させる第１昇降駆動機構８７とを備えている。
【００２４】
第２ブラシ機構８３は、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５を洗浄するための第２ブラシ８８と、この第２ブラシ８８を先端に保持した第２揺動アーム８９と、この第２揺動アーム８９をウエハＷの回転範囲外に設定した鉛直軸線まわりに水平方向に沿って揺動させる第２揺動駆動機構９０と、第２揺動アーム８９を昇降させる第２昇降駆動機構９１とを備えている。
【００２５】
なお、この実施形態において、周縁領域１３，１４とは、ウエハＷの周端縁から幅１〜４ｍｍの環状領域をいう。また、ウエハＷの周縁部とは、ウエハＷの表面の周縁領域１３、裏面の周縁領域１４および周端面１５を含む部分をいう。
図３は、第１ブラシ８４の構成を示す断面図である。
第１ブラシ８４および第２ブラシ８８は、同じ構成を有しており、互いに天地反転した状態で、それぞれ第１揺動アーム８５および第２揺動アーム８９に保持されている。なお、以下では、簡便のために、第１ブラシ８４の構成を中心に説明し、第２ブラシ８８における第１ブラシ８４の各部に相当する部分の参照符号を、第１ブラシ８４の各部の参照符号に括弧書きで付加する。
【００２６】
第１ブラシ８４（第２ブラシ８８）は、たとえば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などのスポンジ材からなり、略円板状の基部９２（９３）と、この基部９２（９３）の一方面上に設けられ、基部９２（９３）よりも小径の略円板状（扁平な円柱状）の胴部９４（９５）と、この胴部９４の先端に設けられた略円錐状の先端部９６（９７）とを一体的に備えている。基部９２（９３）、胴部９４（９５）および先端部９６（９７）は、各中心軸線が一致しており、第１ブラシ８４は、その中心軸線まわりに回転対称な形状を有している。そして、先端部９６（９７）の側面は、胴部９４（９５）の側面に連続する円錐面をなし、ウエハＷの周縁領域１３（１４）および周端面１５に当接する洗浄面９８（９９）となっている。
【００２７】
第１ブラシ８４（第２ブラシ８８）は、ブラシホルダ１００に保持されて、このブラシホルダ１００を介して、第１揺動アーム８５（第２揺動アーム８９）の後述するホルダ取付部３６に取り付けられている。ブラシホルダ１００は、略円柱状の樹脂ブロック１０１と、この樹脂ブロック１０１に第１ブラシ８４（第２ブラシ８８）を固定するための固定部材１０２とを備えている。
【００２８】
樹脂ブロック１０１の一方端部の周面には、その全周にわたって、断面略矩形状の嵌合溝１０３が形成されている。また、樹脂ブロック１０１の一方端部には、嵌合溝１０３に対して径方向内側に微小な間隔を隔てた位置に、断面略Ｕ字状の切込溝１０４が周方向にわたって形成されている。これにより、嵌合溝１０３と切込溝１０４との間の部分は、樹脂の撓み性による弾性が付与された弾性片１０５となっている。この弾性片１０５の外周面には、複数の半球状の係合突起１０６が形成されている。一方、樹脂ブロック１０１の他方側の端面には、扁平な円柱状のねじ部１０７が一体的に形成されている。このねじ部１０７の周面には、ホルダ取付部３６に形成されたねじと螺合可能なねじが切られている。
【００２９】
固定部材１０２は、略円形の外形を有する円板部１０８と、この円板部１０８の周縁から一方側に延びる略円筒状の円筒部１０９とを一体的に備えている。円板部１０８の中央部には、第１ブラシ８４（第２ブラシ８８）の胴部９４（９５）を挿通可能な挿通孔１１０が形成されている。円筒部１０９の内径は、第１ブラシ８４（第２ブラシ８８）の基部９２（９３）の外径にほぼ一致し、また、弾性片１０５に外力が作用していない状態で、その弾性片１０５の外径よりも若干小さく形成されている。さらに、円筒部１０９の内周面には、各係合突起１０６と係合可能な複数の係合凹部１１１が形成されている。
【００３０】
第１ブラシ８４（第２ブラシ８８）をホルダ取付部３６に取り付ける際には、第１ブラシ８４（第２ブラシ８８）を、固定部材１０２に対して、胴部９４（９５）が挿通孔１１０に挿通され、基部９２（９３）が円筒部１０９内に収容されるように装着する。その後、固定部材１０２の円筒部１０９を樹脂ブロック１０１の嵌合溝１０３に嵌めて、各係合突起１０６と各係合凹部１１１とを係合させる。これにより、第１ブラシ８４（第２ブラシ８８）がブラシホルダ１００に保持される。そして、ブラシホルダ１００のねじ部１０７をホルダ取付部３６に螺着することにより、第１ブラシ８４（第２ブラシ８８）のホルダ取付部３６への取付けが達成される。
【００３１】
図４は、第１揺動アーム８５の構成を示す断面図である。
第１揺動アーム８５は、下ケーシング３０と、この下ケーシング３０に嵌め合わされた上ケーシング３１と、下ケーシング３０および上ケーシング３１によって形成される内部空間内に配置され、第１ブラシ８４を鉛直軸線まわりに回転（自転）させるためのブラシ自転機構３２と、下ケーシング３０および上ケーシング３１によって形成される内部空間内に配置され、ウエハＷの表面の周縁領域１３に対する鉛直方向の第１ブラシ８４の押し圧（周縁領域１３に第１ブラシ８４を押し付けるときの圧力）を予め設定された押し圧に保持するための押し圧保持機構３３とを備えている。
【００３２】
下ケーシング３０の一端部（基端部）には、鉛直方向に延びるアーム支持軸３４の上端部が結合されている。このアーム支持軸３４に、第１揺動駆動機構８６（図２参照）の駆動力が入力されるようになっている。第１揺動駆動機構８６の駆動力をアーム支持軸３４に入力して、アーム支持軸３４を往復回転させることによって、第１揺動アーム８５をアーム支持軸３４を支点に揺動させることができる。また、アーム支持軸３４に、第１昇降駆動機構８７（図２参照）が結合されており、第１昇降駆動機構８７により、アーム支持軸３４を上下動させて、このアーム支持軸３４と一体的に第１揺動アーム８５を上下動させることができる。
【００３３】
下ケーシング３０の他端部（遊端部）には、鉛直方向に延びる回転軸３５が、回転可能かつ上下動可能に設けられている。この回転軸３５は、下端が下ケーシング３０の他端部から下方に突出し、上端が上ケーシング３１の鉛直方向中央付近に達している。
回転軸３５の下ケーシング３０から突出する下端部には、ブラシホルダ１００が取り付けられるホルダ取付部３６が設けられている。このホルダ取付部３６は、回転軸３５が挿通されて、回転軸３５に固定された円板状の上面部３７と、この上面部３７の周縁から下方に向けて延びる円筒状の側面部３８とを一体的に備えている。側面部３８の内周面には、ねじが切られており、このねじとブラシホルダ１００のねじ部１０７に形成されているねじとを螺合させることによって、ブラシホルダ１００をホルダ取付部３６に取り付けることができる。
【００３４】
また、回転軸３５には、下ガイドローラ支持部材３９、上ガイドローラ支持部材４０およびばね係止部材４１が外嵌されている。
下ガイドローラ支持部材３９は、回転軸３５の周面との間に微小な間隔を隔てて、回転軸３５に非接触状態で外嵌されている。この下ガイドローラ支持部材３９は、回転軸３５の中心軸線まわりに回転対称な形状を有しており、互いに間隔を隔てて配置された２個のベアリング４２を介して、下ケーシング３０の他端部に回転自在に支持されている。また、下ガイドローラ支持部材３９の上端部は、その下方の部分よりも小径な円筒状に形成されており、この円筒状の上端部には、ブラシ自転機構３２の後述するプーリ５４が相対回転不能に外嵌されている。
【００３５】
上ガイドローラ支持部材４０は、下ガイドローラ支持部材３９の上方に設けられている。この上ガイドローラ支持部材４０は、回転軸３５の周面との間に微小な間隔を隔てて、回転軸３５に非接触状態で外嵌され、ボルト４３によって、プーリ５４と連結されている。
ばね係止部材４１は、上ガイドローラ支持部材４０の上方に、上ガイドローラ支持部材４０と間隔を隔てて設けられ、回転軸３５に対して固定されている。このばね係止部材４１には、コイルばね４４の一端（上端）が係止されている。コイルばね４４は、ばね係止部材４１と上ガイドローラ支持部材４０との間に介在されて、その他端（下端）が上ガイドローラ支持部材４０に係止されている。
【００３６】
また、下ガイドローラ支持部材３９および上ガイドローラ支持部材４０には、それぞれ１対のガイドローラ４５，４６が支持されている。各ガイドローラ４５，４６は、回転軸３５と直交する方向に延びる軸を支点として回転自在に設けられ、その周面が回転軸３５の周面に接するように配置されている。これにより、各ガイドローラ４５，４６によって、回転軸３５の上下動をガイドすることができ、その上下動の際の抵抗を軽減することができる。
【００３７】
一方、回転軸３５の上端部には、ベアリング４７が外嵌されており、このベアリング４７を介して、キャップ状の当接部材４８が回転軸３５に対して相対回転可能に設けられている。
なお、下ガイドローラ支持部材３９の外周面と下ケーシング３０との間は、磁性流体シール４９によりシールされている。また、下ガイドローラ支持部材３９の内周面と回転軸３５との間は、ベローズ５０によりシールされている。これにより、それらの間を通して、処理液や洗浄液を含む雰囲気が下ケーシング３０および上ケーシング３１によって形成される内部空間内に浸入したり、その内部空間内で発生するごみが処理室２内に拡散したりすることが防止されている。
【００３８】
ブラシ自転機構３２は、上ケーシング３１内の基端部寄りの位置に、その出力軸５１が鉛直下方に向けて延びるように設けられたブラシモータ５２と、このブラシモータ５２の出力軸５１に固定されたプーリ５３と、下ガイドローラ支持部材３９に外嵌されたプーリ５４と、プーリ５３およびプーリ５４の周面に共通に巻回されたベルト５５とを備えている。これにより、ブラシモータ５２が駆動されると、ブラシモータ５２からの回転力が、プーリ５３およびベルト５５を介して、プーリ５４に伝達され、プーリ５４とともに下ガイドローラ支持部材３９および上ガイドローラ支持部材４０が回転する。そして、上ガイドローラ支持部材４０の回転に伴って、コイルばね４４およびばね係止部材４１が回転する。この結果、回転軸３５が回転し、回転軸３５の下端に取り付けられている第１ブラシ８４が回転する。
【００３９】
押し圧保持機構３３は、当接部材４８の上方に配置されたエアシリンダ５６を備えている。このエアシリンダ５６は、ロッド５７を下方に向けて、そのロッド５７が鉛直方向に進退するように配置されている。より具体的には、下ケーシング３０の底面から上方に向かって、側面視略Ｌ字状の支持板５８が延びており、この支持板５８には、当接部材４８の上方に向けて延びるシリンダ取付板５９が支持されている。エアシリンダ５６は、シリンダ取付板５９の上面に固定されて、そのロッド５７が、シリンダ取付板５９に形成されたロッド挿通孔６０に挿通されている。ロッド５７の下端は、当接部材４８に当接している。
【００４０】
エアシリンダ５６の内部は、ロッド５７の基端に固定されたピストン（図示せず）によって、ロッド５７の進退方向（鉛直方向）に２つの空間に分割されている。そして、ピストンに対してロッド５７側の空間には、定量弁（図示せず）が介装された第１エア供給配管６１が接続されている。一方、ピストンに対してロッド５７と反対側の空間には、リリーフ圧を設定変更可能なリリーフバルブ６２（図４参照）が介装された第２エア供給配管６３が接続されている。リリーフバルブ６２のリリーフ圧を上げると、第２エア供給配管６３からエアシリンダ５６に供給されるエアの圧力が上がり、ロッド５７がエアシリンダ５６から進出する。逆に、リリーフバルブ６２のリリーフ圧を下げると、第２エア供給配管６３からエアシリンダ５６に供給されるエアの圧力が下がり、第１エア供給配管６１からエアシリンダ５６に供給されるエアの圧力およびコイルばね４４の付勢力により、ロッド５７がエアシリンダ５６に退避する。
【００４１】
また、支持板５８には、シリンダ取付板５９と反対側に向けて延びるセンサ取付板６４が支持されている。このセンサ取付板６４の上面には、歪みゲージ型の圧力センサ６５が取り付けられている。
一方、当接部材４８には、押し圧検出用アーム６６が固定されている。この押し圧検出用アーム６６は、当接部材４８から圧力センサ６５の上方に向けて延びており、第１ブラシ８４がウエハＷに接触していない状態で、圧力センサ６５に対して、エアシリンダ５６による回転軸３５の鉛直方向下方への押し下げ圧（ウエハＷの表面の周縁領域１３に対する鉛直方向の第１ブラシ８４の押し圧に相当する。）で接触する。これにより、圧力センサ６５は、エアシリンダ５６による回転軸３５の鉛直方向下方への押し下げ圧を検出することができる。
【００４２】
なお、第２揺動アーム８９は、第１揺動アーム８５を天地反転させた構成である。そこで、第２揺動アーム８９についての詳細な説明は省略し、以下の説明において、第２揺動アーム８９における第１揺動アーム８５の各部に相当する部分については、それら各部と同一の参照符号を使用する。
図５は、基板処理装置８１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【００４３】
基板処理装置８１は、マイクロコンピュータを含む制御部６７を備えている。この制御部６７には、第１ブラシ機構８２および第２ブラシ機構８３の各圧力センサ６５の検出信号が入力されるようになっている。また、制御部６７には、使用者によって処理レシピ（ウエハＷの処理のための各種条件）を入力するためのレシピ入力キー６８が接続されている。さらに、制御部６７には、スピンモータ９、処理液バルブ１２、第１揺動駆動機構８６、第１昇降駆動機構８７、第２揺動駆動機構９０、第２昇降駆動機構９１、第１ブラシ機構８２および第２ブラシ機構８３の各ブラシモータ５２、ならびに、第１ブラシ機構８２および第２ブラシ機構８３の各リリーフバルブ６２などが制御対象として接続されている。
【００４４】
図６は、基板処理装置８１におけるウエハＷの処理を説明するための工程図である。また、図７は、ウエハＷの処理中における第１ブラシ８４および第２ブラシ８８の状態を示す側面図である。
ウエハＷの処理に先立ち、使用者によって、レシピ入力キー６８が操作されて、ウエハＷの表面の周縁領域１３に対する鉛直方向の第１ブラシ８４の押し圧と、ウエハＷの裏面の周縁領域１４に対する鉛直方向の第２ブラシ８８の押し圧が入力されている。このレシピ入力キー６８からの入力に従って、制御部６７により、第１ブラシ機構８２および第２ブラシ機構８３の各リリーフバルブ６２のリリーフ圧が設定される（ステップＴ１：押し圧設定）。具体的には、第１ブラシ８４がウエハＷに接触していない状態では、第１ブラシ機構８２において、押し圧検出用アーム６６が圧力センサ６５に接触しているので、圧力センサ６５によって、エアシリンダ５６による回転軸３５の鉛直方向下方への押し下げ圧を検出することができる。制御部６７は、第１ブラシ機構８２のリリーフバルブ６２のリリーフ圧を変化させて、第１ブラシ機構８２の圧力センサ６５により検出される押し下げ圧とレシピ入力キー６８から入力される第１ブラシ８４の押し圧とを比較し、両者が一致した時点で、このときのリリーフ圧をウエハＷの処理時における第１ブラシ機構８２のリリーフバルブ６２のリリーフ圧として設定する。また、制御部６７は、同様にして、第２ブラシ機構８３のリリーフバルブ６２のリリーフ圧を設定する。
【００４５】
その後、処理室２内にウエハＷが搬入され（ステップＴ２）、そのウエハＷがスピンチャック３に保持されると、制御部６７によりスピンモータ９が制御されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される（ステップＴ３）。次いで、制御部６７により処理液バルブ１２が開かれて、表面ノズル４および裏面ノズル５からそれぞれウエハＷの表面および裏面への処理液の供給が開始される（ステップＴ４）。
【００４６】
また、制御部６７により第１ブラシ機構８２および第２ブラシ機構８３の各ブラシモータ５２が制御されて、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８がそれぞれウエハＷの回転方向と同方向に回転される。
その後、制御部６７により第１揺動駆動機構８６および第１昇降駆動機構８７が制御されて、第１ブラシ８４の洗浄面９８がウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に当接される。また、これと並行して、制御部６７により第２揺動駆動機構９０および第２昇降駆動機構９１が制御されて、第２ブラシ８８の洗浄面９９がウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に当接される（ステップＴ５）。第１ブラシ８４の洗浄面９８と第２ブラシ８８の洗浄面９９とは、ウエハＷに対してその中心を挟んでほぼ対称な位置に当接される。
【００４７】
具体的には、まず、第１昇降駆動機構８７が制御されて、第１ブラシ８４の洗浄面９８がウエハＷの周端面１５に対向するように、第１ブラシ８４が上昇または下降する。次に、第１揺動駆動機構８６が制御されて、第１揺動アーム８５が旋回し、第１ブラシ８４が水平移動することにより、第１ブラシ８４の洗浄面９８にウエハＷの周縁部が食い込み、図１３に示すように、第１ブラシ８４の洗浄面９８がウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に押し付けられる。また、この第１ブラシ８４の移動と並行して、第２昇降駆動機構９１が制御されて、第２ブラシ８８の洗浄面９９がウエハＷの周端面１５に対向するように、第２ブラシ８８が上昇または下降する。次に、第２揺動駆動機構９０が制御されて、第２揺動アーム８９が旋回し、第２ブラシ８８が水平移動することにより、第２ブラシ８８の洗浄面９９にウエハＷの周縁部が食い込み、図１３に示すように、第２ブラシ８８の洗浄面９９がウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に押し付けられる。これにより、ウエハＷの表面および裏面の各周縁領域１３，１４ならびに周端面１５が同時に洗浄される。
【００４８】
このとき、第１揺動アーム８５に備えられている押し圧保持機構３３の働きによって、第１ブラシ８４は、レシピ入力キー６８から設定された押し圧で、ウエハＷの表面の周縁領域１３に押し付けられる。これにより、ウエハＷの周端面１５を洗浄することができるとともに、ウエハＷの表面の周縁領域１３を第１ブラシ８４の押し圧に応じた洗浄幅で洗浄することができる。また、第２揺動アーム８９に備えられている押し圧保持機構３３の働きによって、第２ブラシ８８は、レシピ入力キー６８から設定された押し圧で、ウエハＷの裏面の周縁領域１４に押し付けられる。これにより、ウエハＷの周端面１５を洗浄することができるとともに、ウエハＷの裏面の周縁領域１４を第２ブラシ８８の押し圧に応じた洗浄幅で洗浄することができる。
【００４９】
また、こうしてウエハＷの周縁部が洗浄されている間、ウエハＷの表面に供給される処理液により、ウエハＷの表面の中央領域（デバイス形成領域）に付着した汚染を洗い流すことができる。
第１ブラシ８４および第２ブラシ８８による洗浄開始から所定時間が経過すると、制御部６７により、第１揺動駆動機構８６、第１昇降駆動機構８７、第２揺動駆動機構９０および第２昇降駆動機構９１が制御されて、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８が処理開始前のホームポジションに退避される（ステップＴ６）。また、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８がそれぞれホームポジションに戻される間に、第１ブラシ機構８２および第２ブラシ機構８３の各ブラシモータ５２が停止されて、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８の回転が停止される。さらに、制御部６７により処理液バルブ１２が閉じられて、表面ノズル４および裏面ノズル５からの処理液の供給が停止される（ステップＴ７）。
【００５０】
その後は、制御部６７によりスピンモータ９が制御されて、ウエハＷが高速（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転される（ステップＴ８）。これにより、ウエハＷに付着している処理液を振り切って、ウエハＷを乾燥させることができる。
ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられると、スピンモータ９が停止されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が停止される（ステップＴ９）。そして、ウエハＷが静止した後、その処理済みのウエハＷが処理室２から搬出されていく（ステップＴ１０）。
【００５１】
以上のように、第１ブラシ８４の洗浄面９８をウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に当接させて、その周縁領域１３および周端面１５を洗浄することができ、また、第２ブラシ８８の洗浄面９９をウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に当接させて、その周縁領域１４および周端面１５を洗浄することができる。
また、レシピ入力キー６８を操作して、ウエハＷの表面の周縁領域１３に対する第１ブラシ８４の押し圧を変更することにより、その周縁領域１３に対する鉛直方向の第１ブラシ８４の押し付け量（ウエハＷに第１ブラシ８４の洗浄面９８を当接させたときの当該洗浄面９８の鉛直方向の弾性変形量）を変更することができ、これに伴って、周縁領域１３と第１ブラシ８４の洗浄面９８との有効接触幅を変更することができる。そのため、ウエハＷの表面の周縁領域１３における洗浄幅を容易に変更することができる。
【００５２】
一方、レシピ入力キー６８を操作して、ウエハＷの裏面の周縁領域１４に対する鉛直方向の第２ブラシ８８の押し圧を変更することにより、その周縁領域１４に対する第２ブラシ８８の押し付け量（ウエハＷに第２ブラシ８８の洗浄面９９を当接させたときの当該洗浄面９９の鉛直方向の弾性変形量）を変更することができ、これに伴って、周縁領域１４と第２ブラシ８８の洗浄面９９との有効接触幅を変更することができる。そのため、ウエハＷの裏面の周縁領域１４における洗浄幅を容易に変更することができる。
【００５３】
また、第１ブラシ８４によるウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５の洗浄と、第２ブラシ８８によるウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５の洗浄とが並行して行われるので、これらの工程を異なるタイミングで行う場合と比較して、ウエハＷの両面の周縁領域１３，１４および周端面１５を短時間で洗浄することができる。
なお、第１ブラシ８４によるウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５の洗浄と、第２ブラシ８８によるウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５の洗浄とは、別のタイミングで行われてもよい。
【００５４】
また、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８がウエハＷに当接している間、スピンチャック３によりウエハＷが回転されて、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８とウエハＷの周縁部とが相対的に移動するので、ウエハＷの周縁部を効率的に洗浄することができる。
さらに、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８がウエハＷに当接している間、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８がウエハＷと同方向に回転される。これにより、ウエハＷの周縁部をスクラブすることができ、ウエハＷの周縁部を一層良好に洗浄することができる。なお、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８の回転方向は、ウエハＷの回転方向と逆方向であってもよいが、ウエハＷの回転方向と同方向の場合、ウエハＷと第１ブラシ８４および第２ブラシ８８とを互いに擦り合わせることができるので、より高品質な洗浄を達成することができる。
【００５５】
また、この基板処理装置８１では、第１ブラシ８４の洗浄面９８がウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に当接している間、第１揺動アーム８５に備えられている押し圧保持機構３３の働きにより、ウエハＷの表面の周縁領域１３に対する鉛直方向の第１ブラシ８４の押し圧が予め設定された押し圧に保持される。そのため、たとえウエハＷに反り変形が生じていても、ウエハＷの表面の周縁領域１３における洗浄むらや洗浄幅の不均一を生じることなく、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５を良好に洗浄することができる。
【００５６】
また、第２ブラシ８８の洗浄面９９がウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に当接している間は、第２揺動アーム８９に備えられている押し圧保持機構３３の働きにより、ウエハＷの裏面の周縁領域１４に対する鉛直方向の第２ブラシ８８の押し圧が予め設定された押し圧に保持される。そのため、たとえウエハＷに反り変形が生じていても、ウエハＷの裏面の周縁領域１４における洗浄むらや洗浄幅の不均一を生じることなく、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５を良好に洗浄することができる。
＜洗浄効果確認試験＞
図８は、種々の形状のブラシによる洗浄効果を確認するための試験の結果を示すグラフである。
【００５７】
本願発明者らは、ＰＶＡを用いて、４種類の形状のブラシＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを作成し、これらのブラシＡ〜Ｄを、大日本スクリーン製造株式会社製のブラシスクラバ（商品名「ＳＳ−３０００」）に選択的に装着して、このブラシスクラバで、各ブラシＡ〜ＤによるウエハＷの周縁部の洗浄を行った。この洗浄の前後で、ウエハＷの表面の周縁領域１３、裏面の周縁領域１４および周端面１５に付着しているパーティクル数を、株式会社レイテックス製のエッジ検査機（商品名「ＲＸＷ−８００」）を用いて計数した。洗浄前の計数結果（Ｐｒｅ）が、図８にハッチング模様の棒グラフで示されており、洗浄後の計数結果（Ｐｏｓｔ）が、図８にクロスハッチング模様の棒グラフで示されている。また、洗浄前後の計数結果から算出したパーティクル除去率（ＰＲＥ）が、図８に折れ線グラフで示されている。なお、パーティクル除去率（ＰＲＥ）＝（Ｐｒｅ−Ｐｏｓｔ）÷Ｐｒｅ×１００（％）の数式により導き出される。
【００５８】
ブラシＡは、ウエハＷの側方に配置され、ウエハＷの表面に直交する軸に平行な中心軸を有する円柱状のブラシであり、ブラシＡを用いた洗浄では、ブラシＡの側面をウエハＷの周端面１５に押し付けた。この洗浄によるパーティクル除去率は、２０％程度であった。
ブラシＢは、下面がウエハＷの表面の周縁領域１３に対向し、ウエハＷの表面とほぼ平行に配置された円板状のブラシであり、ブラシＢを用いた洗浄では、ブラシＢの下面をウエハＷの表面の周縁領域１３に対して上方から押し付けた。しかしながら、パーティクルは、ほとんど除去されず、この洗浄によるパーティクル除去率は、ほぼ０％であった。
【００５９】
ブラシＣは、ウエハＷの側方に配置され、ウエハＷを嵌合可能な溝を周面に有する円筒状のブラシであり（特許文献３参照）、ブラシＣを用いた洗浄では、ブラシＣの溝にウエハＷの周縁部を嵌合させた。この洗浄によるパーティクル除去率は、１０％程度であった。
ブラシＤは、前述の実施形態に係る第１ブラシ８４および第２ブラシ８８とそれぞれ同じ形状を有する２つのブラシであり、これらのブラシＤを用いた洗浄では、前述の実施形態と同様にして、ウエハＷの表面の周縁領域１３、裏面の周縁領域１４および周端面１５を洗浄した。この洗浄によるパーティクル除去率は、８０％程度であった。
【００６０】
この結果から、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８に相当するブラシＤは、従来の提案に係るブラシＡ〜Ｃと比較して、ウエハＷの表面の周縁領域１３、裏面の周縁領域１４および周端面１５を洗浄する性能が高いことが理解される。
図９は、第１ブラシ８４の押し圧とウエハＷの表面の周縁領域１３におけるブラシ１６の接触幅との関係を示すグラフである。
【００６１】
ブラシ８４にフォトレジストを染み込ませ、このウエハＷの周縁部に第１ブラシ８４を所定の押し圧で押し付けた。そして、ウエハＷの表面の周縁領域１３に付着したフォトレジストの幅を測定した。なお、第１ブラシ８４の洗浄面９８の傾斜角度は、前述したように４５度となっている。この結果が、図９に折れ線グラフで示されている。
すなわち、第１ブラシ８４の押し圧が１［相対圧力値］のときには、ウエハＷの表面の周縁領域１３における第１ブラシ８４の接触幅は、１．２ｍｍ程度であった。第１ブラシ８４の押し圧が２［相対圧力値］のときには、ウエハＷの表面の周縁領域１３における第１ブラシ８４の接触幅は、１．８ｍｍ程度であった。また、第１ブラシ８４の押し圧が３［相対圧力値］のときには、ウエハＷの表面の周縁領域１３における第１ブラシ８４の接触幅は、２．４ｍｍ程度であった。なお、ここでいう相対圧力値とは、押し圧の所定の圧力値を１とした場合の、相対的な圧力値である。
【００６２】
この結果から、第１ブラシ８４の押し圧と第１ブラシ８４の接触幅とは、ほぼ正比例の関係を有していることが理解される。したがって、第１ブラシ８４の押し圧により、ウエハＷの表面の周縁領域１３における洗浄幅を良好に制御可能なことが理解される。また、この結果から、第２ブラシ８８についても、第１ブラシ８８と同様に、その押し圧により、ウエハＷの裏面の周縁領域１４における洗浄幅を良好に制御可能なことが予想される。
【００６３】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８がウエハＷに当接している間、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８を回転させずに静止させてもよい。
また、ウエハＷを回転させることにより、第１ブラシ８４および第２ブラシ８８とウエハＷの周縁部とが相対移動させる構成を例にとったが、たとえば、角形基板を処理対象とする場合には、基板を静止させておき、ブラシを基板の周縁部に沿って移動させる構成としてもよい。むろん、基板およびブラシの両方を移動させることによって、ブラシを基板の周縁部に沿って相対移動させてもよい。
【００６４】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の内部の図解的な側面図である。
【図３】第１ブラシの構成を示す断面図である。
【図４】揺動アームの構成を示す断面図である。
【図５】図１に示す基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図６】図１に示す基板処理装置における処理を説明するための工程図である。
【図７】処理中における第１ブラシおよび第２ブラシの状態を示す側面図である。
【図８】種々の形状のブラシによる洗浄効果を確認するための試験の結果を示すグラフである。
【図９】ブラシの押し圧とウエハの表面の周縁領域におけるブラシの接触幅（洗浄幅）との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６６】
３      スピンチャック
４      表面ノズル
５      裏面ノズル
９      スピンモータ
１０    処理液供給管
１１    処理液供給管
１２    処理液バルブ
３２    ブラシ自転機構
６７    制御部
８４    第１ブラシ
８８    第２ブラシ
９０    第２揺動駆動機構
９１    第２昇降駆動機構
９８    洗浄面
９９    洗浄面
Ｗ      ウエハ
【図１】
2007273611.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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