(57)【要約】【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスを可能にする。【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に設けられる保護管３６の外周面に光センサユニット３８を取付け、点灯されていることが検出されると、ＣＰＵ９０１は、メモリ９０３に記憶される点灯時間を積算して更新し、メモリ９０４に予め記憶されている閾値点灯時間となると、交換時期であることを操作部９５に表示する。したがって、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスが可能になり、メンテナンスのコストを抑えつつも、安定したプルームＰを得ることができる。【選択図】図１０
2007227071.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波発生手段で発生されたマイクロ波をプラズマ発生ノズルが受信し、そのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生装置において、
前記プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの点灯状態を表すパラメータを検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記プラズマ発生ノズルの寿命を推測する寿命推測手段とを含むことを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２】
前記検出手段の検出結果を記憶しておく記憶手段と、
少なくとも起動時に前記記憶手段の記憶内容を読出し、前記プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの点灯状態を変化することができるパラメータを調整する制御手段を備えることを特徴とする請求項１記載のプラズマ発生装置。
【請求項３】
前記マイクロ波発生手段からのマイクロ波は、導波管によって伝搬され、プラズマ発生部の導波管において複数個配列して取付けられる前記プラズマ発生ノズルでそれぞれ受信され、
前記検出手段は、各プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの点灯／消灯状態を検出することを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ発生装置。
【請求項４】
前記複数のプラズマ発生ノズルは、同様に点灯／消灯制御されるものが１つのグループに纏められており、前記検出手段は、各グループ内のプラズマ発生ノズルの１つだけの点灯／消灯状態を検出し、代表値とすることを特徴とする請求項３記載のプラズマ発生装置。
【請求項５】
前記請求項３または４記載のプラズマ発生装置に、そのプラズマ照射方向とは交差する面上で前記ワークとプラズマ発生ノズルとを相対的に移動させる移動手段を備え、相対的な移動を行いつつ、前記ワークにプラズマを照射して所定の処理を施与することを特徴とするワーク処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板等の被処理ワークなどに対してプラズマを照射することで、前記ワークの表面の清浄化や改質などを図ることが可能なプラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば半導体基板等の被処理ワークに対してプラズマを照射し、その表面の有機汚染物の除去、表面改質、エッチング、薄膜形成または薄膜除去等を行うワーク処理装置が知られている。たとえば特許文献１には、同心状の内側導電体と外側導電体とを有するプラズマ発生ノズルを用い、両導電体間に高周波のパルス電界を印加することで、アーク放電ではなく、グロー放電を生じさせてプラズマを発生させ、ガス供給源からの処理ガスを両導電体間で旋回させながら基端側から遊端側へ向かわせることで高密度なプラズマを生成し、前記遊端に取付けられたノズルから被処理ワークに放射することで、常圧下で高密度なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１９７３９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述の従来技術では、プラズマ発生ノズルの構造が示されているだけで、寿命のある前記プラズマ発生ノズルを、どのようにメンテナンスすればよいのかが想到し得ない。前記プラズマ発生ノズルの寿命は、主に導電体の寿命に左右される。したがって、大きなマイクロ波パワーで駆動した場合と、小さなマイクロ波パワーで駆動した場合とで、同じ時間駆動しても導電体の消耗具合が異なり、また複数の被処理ワークや大面積の被処理ワークの処理などに対応するにあたって、プラズマ発生ノズルを複数個１列に設け、ワークをその配列方向と直角方向に搬送してプラズマ照射を行うとき、中央部は毎回駆動し、両端部は大きなワークに照射する等などで選択的に駆動される場合、中央部と両端部とでプラズマ発生ノズルの稼働時間が異なってくる。
【０００４】
本発明の目的は、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスを行うことができるプラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプラズマ発生装置は、マイクロ波発生手段で発生されたマイクロ波をプラズマ発生ノズルが受信し、そのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生装置において、前記プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの点灯状態を表すパラメータを検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に基づいて、前記プラズマ発生ノズルの寿命を推測する寿命推測手段とを含むことを特徴とする。
【０００６】
上記の構成によれば、基板の改質等、ワークの処理などに使用することができるプラズマ発生装置において、検出手段および寿命推測手段を設け、寿命推測手段は、検出手段で検出されたプラズマ発生ノズルにおけるプラズマの点灯状態を表すパラメータに基づいて、前記プラズマ発生ノズルの寿命を推測する。たとえば、プラズマ発生ノズルがどのような状態（マイクロ波パワー、ガス流量、ガス質等の間接的なパラメータ、或いはプルームの光量や温度等の直接的なパラメータの１または複数の組合わせ）で、それぞれどれだけの時間点灯されたかなどの稼働履歴を積算し、その積算値が予め定める値となると、交換や清掃などのメンテナンス予告を報知する。
【０００７】
したがって、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスが可能になり、メンテナンスのコストを抑えつつも、安定したプルームを得ることができる。
【０００８】
また、本発明のプラズマ発生装置は、前記検出手段の検出結果を記憶しておく記憶手段と、少なくとも起動時に前記記憶手段の記憶内容を読出し、前記プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの点灯状態を変化することができるパラメータを調整する制御手段を備えることを特徴とする。
【０００９】
上記の構成によれば、プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの点灯状態を変化することができるパラメータ、たとえばマイクロ波パワー、ガス流量、ガス質等を検出手段で検出すると、その結果を記憶手段に記憶しておき、制御手段は、次回起動時に自動的にそれらのパラメータ設定を行う。
【００１０】
したがって、運転毎のばらつきを抑え、プラズマが正常に発生するように管理することができる。
【００１１】
さらにまた、本発明のプラズマ発生装置では、前記マイクロ波発生手段からのマイクロ波は、導波管によって伝搬され、プラズマ発生部の導波管において複数個配列して取付けられる前記プラズマ発生ノズルでそれぞれ受信され、前記検出手段は、各プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの点灯／消灯状態を検出することを特徴とする。
【００１２】
上記の構成によれば、複数の被処理ワークや大面積の被処理ワークの処理などに対応するにあたって、プラズマ発生ノズルが複数設けられる場合に、前記寿命推測手段は各プラズマ発生ノズルの点灯時間を個別に積算し、残り寿命を推定する。
【００１３】
したがって、複数の被処理ワークや大面積の被処理ワークの処理などに対応して、個別にまたはグループ分けして駆動される各プラズマ発生ノズルの寿命をそれぞれ管理することができる。
【００１４】
また、本発明のプラズマ発生装置では、前記複数のプラズマ発生ノズルは、同様に点灯／消灯制御されるものが１つのグループに纏められており、前記検出手段は、各グループ内のプラズマ発生ノズルの１つだけの点灯／消灯状態を検出し、代表値とすることを特徴とする。
【００１５】
上記の構成によれば、複数のプラズマ発生ノズルを設ける場合、同様に点灯／消灯制御される１または複数のプラズマ発生ノズルを１つのグループとして、前記検出手段は、各グループ内のプラズマ発生ノズルの１つだけの点灯／消灯状態を検出し、前記寿命推測手段は、その代表値で、各グループのプラズマ発生ノズルの寿命管理を行う。
【００１６】
したがって、検出手段を削減し、また寿命推測手段の処理を削減し、管理コストを低減することができる。
【００１７】
さらにまた、本発明のワーク処理装置は、前記のプラズマ発生装置に、そのプラズマ照射方向とは交差する面上で前記ワークとプラズマ発生ノズルとを相対的に移動させる移動手段を備え、相対的な移動を行いつつ、前記ワークにプラズマを照射して所定の処理を施与することを特徴とする。
【００１８】
上記の構成によれば、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスを行うことができるワーク処理装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のプラズマ発生装置は、以上のように、基板の改質等、ワークの処理などに使用することができるプラズマ発生装置において、検出手段および寿命推測手段を設け、寿命推測手段は、検出手段で検出されたプラズマ発生ノズルにおけるプラズマの点灯状態を表すパラメータに基づいて、前記プラズマ発生ノズルの寿命を推測する。
【００２０】
それゆえ、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスが可能になり、メンテナンスのコストを抑えつつも、安定したプルームを得ることができる。
【００２１】
さらにまた、本発明のワーク処理装置は、以上のように、前記のプラズマ発生装置に、そのプラズマ照射方向とは交差する面上で前記ワークとプラズマ発生ノズルとを相対的に移動させる移動手段を備え、相対的な移動を行いつつ、前記ワークにプラズマを照射して所定の処理を施与する。
【００２２】
それゆえ、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスを行うことができるワーク処理装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の一形態に係るワーク処理装置Ｓの全体構成を示す斜視図である。このワーク処理装置Ｓは、プラズマを発生し被処理物となるワークＷに前記プラズマを照射するプラズマ発生ユニットＰＵ（プラズマ発生装置）と、ワークＷを前記プラズマの照射領域を経由する所定のルートで搬送する搬送手段Ｃとから構成されている。図２は、図１とは視線方向を異ならせたプラズマ発生ユニットＰＵの斜視図、図３は一部透視側面図である。なお、図１〜図３において、Ｘ−Ｘ方向を前後方向、Ｙ−Ｙ方向を左右方向、Ｚ−Ｚ方向を上下方向というものとし、−Ｘ方向を前方向、＋Ｘ方向を後方向、−Ｙを左方向、＋Ｙ方向を右方向、−Ｚ方向を下方向、＋Ｚ方向を上方向として説明する。
【００２４】
プラズマ発生ユニットＰＵは、マイクロ波を利用し、常温常圧でのプラズマ発生が可能なユニットであって、大略的に、マイクロ波を伝搬させる導波管１０、この導波管１０の一端側（左側）に配置され所定波長のマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置２０、導波管１０に設けられたプラズマ発生部３０、導波管１０の他端側（右側）に配置されマイクロ波を反射させるスライディングショート４０、導波管１０に放出されたマイクロ波のうち反射マイクロ波がマイクロ波発生装置２０に戻らないよう分離するサーキュレータ５０、サーキュレータ５０で分離された反射マイクロ波を吸収するダミーロード６０および導波管１０とプラズマ発生ノズル３１とのインピーダンス整合を図るスタブチューナ７０を備えて構成されている。また搬送手段Ｃは、図略の駆動手段により回転駆動される搬送ローラ８０を含んで構成されている。本実施形態では、平板状のワークＷが搬送手段Ｃにより搬送される例を示している。
【００２５】
導波管１０は、アルミニウム等の非磁性金属から成り、断面矩形の長尺管状を呈し、マイクロ波発生装置２０により発生されたマイクロ波をプラズマ発生部３０へ向けて、その長手方向に伝搬させるものである。導波管１０は、分割された複数の導波管ピースが互いのフランジ部同士で連結された連結体で構成されており、一端側から順に、マイクロ波発生装置２０が搭載される第１導波管ピース１１、スタブチューナ７０が組付けられる第２導波管ピース１２およびプラズマ発生部３０が設けられている第３導波管ピース１３が連結されて成る。なお、第１導波管ピース１１と第２導波管ピース１２との間にはサーキュレータ５０が介在され、第３導波管ピース１３の他端側にはスライディングショート４０が連結されている。
【００２６】
また、第１導波管ピース１１、第２導波管ピース１２および第３導波管ピース１３は、それぞれ金属平板からなる上面板、下面板および２枚の側面板を用いて角筒状に組立てられ、その両端にフランジ板が取付けられて構成されている。なお、このような平板の組み立てによらず、押出し成形や板状部材の折り曲げ加工等により形成された矩形導波管ピースもしくは非分割型の導波管を用いるようにしてもよい。また、断面矩形の導波管に限らず、たとえば断面楕円の導波管を用いることも可能である。さらに、非磁性金属に限らず、導波作用を有する各種の部材で導波管を構成することができる。
【００２７】
マイクロ波発生装置２０は、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロン等のマイクロ波発生源を具備する装置本体部２１と、装置本体部２１で発生されたマイクロ波を導波管１０の内部へ放出するマイクロ波送信アンテナ２２とを備えて構成されている。本実施形態に係るプラズマ発生ユニットＰＵでは、たとえば１Ｗ〜３ｋＷのマイクロ波エネルギーを出力できる連続可変型のマイクロ波発生装置２０が好適に用いられる。
【００２８】
図３に示すように、マイクロ波発生装置２０は、装置本体部２１からマイクロ波送信アンテナ２２が突設された形態のものであり、第１導波管ピース１１に載置される態様で固定されている。詳しくは、装置本体部２１が第１導波管ピース１１の上面板１１Ｕに載置され、マイクロ波送信アンテナ２２が上面板１１Ｕに穿設された貫通孔１１１を通して第１導波管ピース１１内部の導波空間１１０に突出する態様で固定されている。このように構成されることで、マイクロ波送信アンテナ２２から放出された、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、導波管１０により、その一端側（左側）から他端側（右側）に向けて伝搬される。
【００２９】
プラズマ発生部３０は、第３導波管ピース１３の下面板１３Ｂ（処理対象ワークとの対向面）に、左右方向へ一列に整列して突設された８個のプラズマ発生ノズル３１を具備して構成されている。このプラズマ発生部３０の幅員、つまり８個のプラズマ発生ノズル３１の左右方向の配列幅は、平板状ワークＷの搬送方向と直交する幅方向のサイズｔと略合致する幅員とされている。これにより、ワークＷを搬送ローラ８０で搬送しながら、ワークＷの全表面（下面板１３Ｂと対向する面）に対してプラズマ処理が行えるようになっている。なお、８個のプラズマ発生ノズル３１の配列間隔は、導波管１０内を伝搬させるマイクロ波の波長λＧに応じて定めることが望ましい。たとえば、波長λＧの１／２ピッチ、１／４ピッチでプラズマ発生ノズル３１を配列することが望ましく、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いる場合は、λＧ＝２３０ｍｍであるので、１１５ｍｍ（λＧ／２）ピッチ、或いは５７．５ｍｍ（λＧ／４）ピッチでプラズマ発生ノズル３１を配列すればよい。
【００３０】
図４は、２つのプラズマ発生ノズル３１を拡大して示す側面図（一方のプラズマ発生ノズル３１は分解図として描いている）、図５は、図４のＡ−Ａ線側断面図である。プラズマ発生ノズル３１は、中心導電体３２（内部導電体）、ノズル本体３３（外部導電体）、ノズルホルダ３４、シール部材３５および保護管３６を含んで構成されている。
【００３１】
中心導電体３２は、銅、アルミ、真鍮などの良導電性の金属から構成され、φ１〜５ｍｍ程度の棒状部材から成り、その上端部３２１の側が第３導波管ピース１３の下面板１３Ｂを貫通して導波空間１３０に所定長さだけ突出（この突出部分を受信アンテナ部３２０という）する一方で、下端部３２２がノズル本体３３の下端縁３３１と略面一になるように、上下方向に配置されている。この中心導電体３２には、受信アンテナ部３２０が導波管１０内を伝搬するマイクロ波を受信することで、マイクロ波エネルギー（マイクロ波電力）が与えられるようになっている。当該中心導電体３２は、長さ方向略中間部において、シール部材３５により保持されている。
【００３２】
ノズル本体３３は、良導電性の金属から構成され、中心導電体３２を収納する筒状空間３３２を有する筒状体である。また、ノズルホルダ３４も良導電性の金属から構成され、ノズル本体３３を保持する比較的大径の下部保持空間３４１と、シール部材３５を保持する比較的小径の上部保持空間３４２とを有する筒状体である。一方、シール部材３５は、テフロン（登録商標）等の耐熱性樹脂材料やセラミック等の絶縁性部材から成り、前記中心導電体３２を固定的に保持する保持孔３５１をその中心軸上に備える筒状体から成る。
【００３３】
ノズル本体３３は、上方から順に、ノズルホルダ３４の下部保持空間３４１に嵌合される上側胴部３３Ｕと、後述するガスシールリング３７を保持するための環状凹部３３Ｓと、環状に突設されたフランジ部３３Ｆと、ノズルホルダ３４から突出する下側胴部３３Ｂとを具備している。また、上側胴部３３Ｕには、所定の処理ガスを前記筒状空間３３２へ供給させるための連通孔３３３が穿孔されている。
【００３４】
このノズル本体３３は、中心導電体３２の周囲に配置された外部導電体として機能するもので、中心導電体３２は所定の環状空間Ｈ（絶縁間隔）が周囲に確保された状態で筒状空間３３２の中心軸上に挿通されている。ノズル本体３３は、上側胴部３３Ｕの外周部がノズルホルダ３４の下部保持空間３４１の内周壁と接触し、またフランジ部３３Ｆの上端面がノズルホルダ３４の下端縁３４３と接触するようにノズルホルダ３４に嵌合されている。なお、ノズル本体３３は、たとえばプランジャやセットビス等を用いて、ノズルホルダ３４に対して着脱自在な固定構造で装着されることが望ましい。
【００３５】
ノズルホルダ３４は、第３導波管ピース１３の下面板１３Ｂに穿孔された貫通孔１３１に密嵌合される上側胴部３４Ｕ（上部保持空間３４２の位置に略対応する）と、下面板１３Ｂから下方向に延出する下側胴部３４Ｂ（下部保持空間３４１の位置に略対応する）とを備えている。下側胴部３４Ｂの外周には、処理ガスを前記環状空間Ｈに供給するためのガス供給孔３４４が穿孔されている。図示は省略しているが、このガス供給孔３４４には、所定の処理ガスを供給するガス供給管の終端部が接続するための管継手等が取り付けられる。かかるガス供給孔３４４と、ノズル本体３３の連通孔３３３とは、ノズル本体３３がノズルホルダ３４への定位置嵌合された場合に互いに連通状態となるように、各々位置設定されている。なお、ガス供給孔３４４と連通孔３３３との突き合わせ部からのガス漏洩を抑止するために、ノズル本体３３とノズルホルダ３４との間にはガスシールリング３７が介在されている。
【００３６】
これらガス供給孔３４４および連通孔３３３は、周方向に等間隔に複数穿孔されていてもよく、また中心へ向けて半径方向に穿孔されるのではなく、前述の特許文献１のように、処理ガスを旋回させるように、前記筒状空間３３２の外周面の接線方向に穿孔されてもよい。また、ガス供給孔３４４および連通孔３３３は、中心導電体３２に対して垂直ではなく、処理ガスの流れを良くするために、上端部３２１側から下端部３２２側へ斜めに穿設されてもよい。
【００３７】
シール部材３５は、その下端縁３５２がノズル本体３３の上端縁３３４と当接し、その上端縁３５３がノズルホルダ３４の上端係止部３４５と当接する態様で、ノズルホルダ３４の上部保持空間３４２に保持されている。すなわち、上部保持空間３４２に中心導電体３２を支持した状態のシール部材３５が嵌合され、ノズル本体３３の上端縁３３４でその下端縁３５２が押圧されるようにして組付けられているものである。
【００３８】
保護管３６は、所定長さの透明な石英ガラスパイプ等から成り、ノズル本体３３の筒状空間３３２の内径に略等しい外径を有する。この保護管３６は、ノズル本体３３の下端縁３３１での異常放電（アーキング）を防止して、後述するプルームＰを正常に放射させる機能を有しており、その一部がノズル本体３３の下端縁３３１から突出するように、前記筒状空間３３２に内挿されている。なお、保護管３６は、その先端部が下端縁３３１と一致するように、或いは下端縁３３１よりも内側へ入り込むように、その全体が筒状空間３３２に収納されていてもよい。
【００３９】
プラズマ発生ノズル３１は上記のように構成されている結果、ノズル本体３３、ノズルホルダ３４および第３導波管ピース１３（導波管１０）は導通状態（同電位）とされている一方で、中心導電体３２は絶縁性のシール部材３５で支持されていることから、これらの部材とは電気的に絶縁されている。したがって、図６に示すように、導波管１０がアース電位とされた状態で、中心導電体３２の受信アンテナ部３２０でマイクロ波が受信され中心導電体３２にマイクロ波電力が給電されると、その下端部３２２およびノズル本体３３の下端縁３３１の近傍に電界集中部が形成されるようになる。
【００４０】
かかる状態で、ガス供給孔３４４から、たとえば酸素ガスや空気のような酸素系の処理ガスが環状空間Ｈへ供給されると、前記マイクロ波電力により処理ガスが励起されて中心導電体３２の下端部３２２付近においてプラズマ（電離気体）が発生する。このプラズマは、電子温度が数万度であるものの、ガス温度は外界温度に近い反応性プラズマ（中性分子が示すガス温度に比較して、電子が示す電子温度が極めて高い状態のプラズマ）であって、常圧下で発生するプラズマである。
【００４１】
このようにしてプラズマ化された処理ガスは、ガス供給孔３４４から与えられるガス流によりプルームＰとしてノズル本体３３の下端縁３３１から放射される。このプルームＰにはラジカルが含まれ、たとえば処理ガスとして酸素系ガスを使用すると酸素ラジカルが生成されることとなり、有機物の分解・除去作用、レジスト除去作用等を有するプルームＰとすることができる。本実施形態に係るプラズマ発生ユニットＰＵでは、プラズマ発生ノズル３１が複数個配列されていることから、左右方向に延びるライン状のプルームＰを発生させることが可能となる。
【００４２】
因みに、処理ガスとしてアルゴンガスのような不活性ガスや窒素ガスを用いれば、各種基板の表面クリーニングや表面改質を行うことができる。また、フッ素を含有する化合物ガスを用いれば基板表面を撥水性表面に改質することができ、親水基を含む化合物ガスを用いることで基板表面を親水性表面に改質することができる。さらに、金属元素を含む化合物ガスを用いれば、基板上に金属薄膜層を形成することができる。
【００４３】
各プラズマ発生ノズル３１には、その先端である前記保護管３６の外周面３６１に、検出手段である光センサユニット３８が取付けられている。保護管３６が前記石英ガラスパイプから成ることで、その外周面３６１から、前記光センサユニット３８はプルームＰの光量を検出することができる。光センサユニット３８は、前記プルームＰにおける相互に異なる波長λ１，λ２，λ３の各成分の光量をそれぞれ検出するセンサ３８１，３８２，３８３と、そのセンサ３８１，３８２，３８３をバイアスするとともに、検出結果を信号処理する信号処理回路３８４と、前記センサ３８１，３８２，３８３および信号処理回路３８４を一体に封止する基体３８５と、信号処理回路３８４から引出される信号線３８６とを備えて構成される。
【００４４】
前記センサ３８１，３８２，３８３は、フォトダイオードなどから成り、１つのセンサがエリア分割して使用されてもよく、或いは異なるセンサが組合わせて使用されてもよく、前記各波長λ１，λ２，λ３、たとえば７００ｎｍ，６００ｎｍ，５００ｎｍに、検出ピークをそれぞれ有するように、不純物が調整され、或いは分光フィルタが被せられている。
【００４５】
図１１は、前記信号処理回路３８４の一構成例を示すブロック図である。この信号処理回路３８４では、前記各センサ３８１〜３８３は、バイアス抵抗Ｒ１〜Ｒ３によって、所定電圧＋Ｖでバイアスされており、それらの接続点の電圧が、可変ゲインアンプＡ１〜Ａ３を介して、信号出力Ｓ１〜Ｓ３として取出される。したがって、前記各波長λ１，λ２，λ３の色成分を、それぞれ任意のゲインで検出することができる。
【００４６】
上述のように構成される光センサユニット３８は、取付け部材３９１およびビス３９２によって、センサ３８１〜３８３の面が前記保護管３６の外周面３６１に密着するように、ノズル本体３３の下端縁３３１に取付けられる。前記信号線３８６は、前記ガス供給孔３４４に接続される後述するガス供給管９２２などと干渉しないように適宜引回され、線材止め具３９５によって前記第３導波管ピース１３の下面板１３Ｂに取付けられる。
【００４７】
スライディングショート４０は、各々のプラズマ発生ノズル３１に備えられている中心導電体３２と、導波管１０の内部を伝搬されるマイクロ波との結合状態を最適化するために備えられているもので、マイクロ波の反射位置を変化させて定在波パターンを調整可能とするべく第３導波管ピース１３の右側端部に連結されている。したがって、定在波を利用しない場合は、当該スライディングショート４０に代えて、電波吸収作用を有するダミーロードが取付けられる。
【００４８】
図７は、スライディングショート４０の内部構造を示す透視斜視図である。図７に示すように、スライディングショート４０は、導波管１０と同様な断面矩形の筐体構造を備えており、導波管１０と同じ材料で構成された中空空間４１０を有する筐体部４１と、前記中空空間４１０内に収納された円柱状の反射ブロック４２と、反射ブロック４２の基端部に一体的に取り付けられ前記中空空間４１０内を左右方向に摺動する矩形ブロック４３と、この矩形ブロック４３に組付けられた移動機構４４と、反射ブロック４２にシャフト４５を介して直結されている調整ノブ４６とを備えている。
【００４９】
反射ブロック４２は、マイクロ波の反射面となる先端面４２１が第３導波管ピース１３の導波空間１３０に対向するよう左右方向に延在する円柱体である。この反射ブロック４２は、矩形ブロック４３と同様な角柱状を呈していてもよい。前記移動機構４４は、調整ノブ４６の回転操作により、矩形ブロック４３およびこれと一体化された反射ブロック４２を左右方向に推進若しくは後退させる機構であって、調整ノブ４６を回転させることで反射ブロック４２が中空空間４１０内において矩形ブロック４３にてガイドされつつ左右方向に移動可能とされている。かかる反射ブロック４２の移動による先端面４２１の位置調整によって、定在波パターンが最適化される。なお、調整ノブ４６の回転操作を、ステッピングモータ等を用いて自動化することが望ましい。
【００５０】
サーキュレータ５０は、たとえばフェライト柱を内蔵する導波管型の３ポートサーキュレータからなり、一旦はプラズマ発生部３０へ向けて伝搬されたマイクロ波のうち、プラズマ発生部３０で電力消費されずに戻って来る反射マイクロ波を、マイクロ波発生装置２０に戻さずダミーロード６０へ向かわせるものである。このようなサーキュレータ５０を配置することで、マイクロ波発生装置２０が反射マイクロ波によって過熱状態となることが防止される。
【００５１】
図８は、サーキュレータ５０の作用を説明するためのプラズマ発生ユニットＰＵの上面図である。図示するように、サーキュレータ５０の第１ポート５１には第１導波管ピース１１が、第２ポート５２には第２導波管ピース１２が、さらに第３ポート５３にはダミーロード６０がそれぞれ接続されている。そして、マイクロ波発生装置２０のマイクロ波送信アンテナ２２から発生されたマイクロ波は、矢印ａで示すように第１ポート５１から第２ポート５２を経由して第２導波管ピース１２へ向かう。これに対して、第２導波管ピース１２側から入射する反射マイクロ波は、矢印ｂで示すように、第２ポート５２から第３ポート５３へ向かうよう偏向され、ダミーロード６０へ入射される。
【００５２】
ダミーロード６０は、上述の反射マイクロ波を吸収して熱に変換する水冷型（空冷型でも良い）の電波吸収体である。このダミーロード６０には、冷却水を内部に流通させるための冷却水流通口６１が設けられており、反射マイクロ波を熱変換することにより発生した熱が前記冷却水に熱交換されるようになっている。
【００５３】
スタブチューナ７０は、導波管１０とプラズマ発生ノズル３１とのインピーダンス整合を図るためのもので、第２導波管ピース１２の上面板１２Ｕに所定間隔を置いて直列配置された３つのスタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃを備えている。図９は、スタブチューナ７０の設置状況を示す透視側面図である。図示するように、３つのスタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃは同一構造を備えており、第２導波管ピース１２の導波空間１２０に突出するスタブ７１と、該スタブ７１に直結された操作棒７２と、スタブ７１を上下方向に出没動作させるための移動機構７３と、これら機構を保持する外套７４とから構成されている。
【００５４】
スタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃに各々備えられているスタブ７１は、その導波空間１２０への突出長が各操作棒７２により独立して調整可能とされている。これらスタブ７１の突出長は、たとえばマイクロ波電力パワーをモニタしつつ、中心導電体３２による消費電力が最大となるポイント（反射マイクロ波が最小になるポイント）を探索することで決定される。なお、このようなインピーダンス整合は、必要に応じてスライディングショート４０と連動させて実行される。このスタブチューナ７０の操作も、ステッピングモータ等を用いて自動化することが望ましい。
【００５５】
搬送手段Ｃは、所定の搬送路に沿って配置された複数の搬送ローラ８０を備え、図略の駆動手段により搬送ローラ８０が駆動されることで、処理対象となるワークＷを、前記プラズマ発生部３０を経由して搬送させるものである。ここで、処理対象となるワークＷとしては、プラズマディスプレイパネルや半導体基板のような平型基板、電子部品が実装された回路基板等を例示することができる。また、平型形状でないパーツや組部品等も処理対象とすることができ、この場合は搬送ローラに代えてベルトコンベア等を採用すればよい。
【００５６】
次に、本実施形態に係るワーク処理装置Ｓの電気的構成について説明する。図１０は、ワーク処理装置Ｓの制御系を示すブロック図である。この制御系は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）９０１およびその周辺回路等から成り、制御手段である全体制御部９０と、出力インタフェイスや駆動回路等から成るマイクロ波出力制御部９１、ガス流量制御部９２および搬送制御部９３と、表示手段や操作パネル等から成り、前記全体制御部９０に対して所定の操作信号を与える操作部９５と、入力インタフェイスやアナログ／デジタル変換器等から成るセンサ入力部９６，９７，９８と、センサ９６１，９７１、前記光センサユニット３８、駆動モータ９３１および流量制御弁９２３とを備えて構成される。
【００５７】
マイクロ波出力制御部９１は、マイクロ波発生装置２０から出力されるマイクロ波のＯＮ−ＯＦＦ制御、出力強度制御を行うもので、前記２．４５ＧＨｚのパルス信号を生成してマイクロ波発生装置２０の装置本体部２１によるマイクロ波発生の動作制御を行う。
【００５８】
ガス流量制御部９２は、プラズマ発生部３０の各プラズマ発生ノズル３１へ供給する処理ガスの流量制御を行うものである。具体的には、ガスボンベ等の処理ガス供給源９２１と各プラズマ発生ノズル３１との間を接続するガス供給管９２２に設けられた前記流量制御弁９２３の開閉制御乃至は開度調整をそれぞれ行う。
【００５９】
搬送制御部９３は、搬送ローラ８０を回転駆動させる駆動モータ９３１の動作制御を行うもので、ワークＷの搬送開始／停止、および搬送速度の制御等を行うものである。
【００６０】
全体制御部９０は、当該ワーク処理装置Ｓの全体的な動作制御を司るもので、操作部９５から与えられる操作信号に応じて、センサ入力部９６から入力される流量センサ９６１の測定結果、センサ入力部９７から入力される速度センサ９７１によるワークＷの搬送速度、センサ入力部９８から入力される光センサユニット３８による各プラズマ発生ノズル３１におけるプルームＰの光量の測定結果等をモニタし、上記マイクロ波出力制御部９１、ガス流量制御部９２および搬送制御部９３を、所定のシーケンスに基づいて動作制御する。
【００６１】
具体的には、前記ＣＰＵ９０１は、メモリ９０２に予め格納されている制御プログラムに基づいて、ワークＷの搬送を開始させてワークＷをプラズマ発生部３０へ導き、所定流量の処理ガスを各プラズマ発生ノズル３１へ供給させつつマイクロ波電力を与えてプラズマ（プルームＰ）を発生させ、ワークＷを搬送しながらその表面にプルームＰを放射させるものである。これにより、複数のワークＷを連続的に処理する。
【００６２】
このとき、前記ＣＰＵ９０１は、複数のプラズマ発生ノズル３１のそれぞれに対して設けられる前記光センサユニット３８によって検出されるプルームＰの点灯／消灯状態をセンサ入力部９８を介してモニタしており、点灯されている間は、不揮発性のメモリ９０３に格納されている積算点灯時間を逐次更新する。そして、前記ＣＰＵ９０１は、不揮発性のメモリ９０４に予め格納されている第１の閾値点灯時間となると、前記操作部９５の表示手段に、交換の準備を促す表示を行う。これによって、使用者は、新たなプラズマ発生ノズル３１の手配を行うことができる。その後、適宜設定される閾値点灯時間となる毎に、残り寿命時間などが表示され、予め定められた第２の閾値点灯時間となると、設計寿命時間を満了したことが表示される。
【００６３】
前記プルームＰの点灯／消灯は、マイクロ波発生部２０から出力されるマイクロ波エネルギーを絞ってゆくことで、複数のプラズマ発生ノズル３１の内、マイクロ波発生部２０から遠い側のプラズマ発生ノズルを消灯させてゆくことができ、また処理ガスを供給するか否かで切換えることができる。処理ガスを供給しないことでプルームＰを消灯させると、プラズマ発生ノズル３１の温度が上昇するので、その場合、冷却することができる程度のガスだけを供給するようにすればよい。また、プラズマ発生ノズル３１において、内部導電体である中心導電体３２と、外部導電体であるノズル本体３３との間を短絡し、受信アンテナ部３２０をアースすることでも、プルームＰを発生しないようにすることができる。
【００６４】
また、ＣＰＵ９０１は、定常運転時において、予め定めるタイミングで光センサユニット３８の検出出力Ｓ１〜Ｓ３、すなわち各波長λ１，λ２，λ３の成分の光量を不揮発性のメモリ９０５に取込んでいる。そして、次回起動時に、同じ条件（処理ガスの種類、流量、マイクロ波電力等）で運転される場合には、その記憶しておいたプラズマが再現されるように、前記マイクロ波出力制御部９１からのマイクロ波パワーを調整するとともに、前記流量制御弁９２３の開度を調整する。前記予め定めるタイミングは、たとえば起動時、起動調整終了時、たとえば６時間の予め定める時間毎、停止時などである。
【００６５】
図１２は、起動調整時におけるＣＰＵ９０１の動作を説明するためのフローチャートである。ステップＳ１では、流量センサ９６１によって検出される処理ガスの流量が所定の流量となるまで流量制御弁９２３が開放され、プラズマ点灯すべきプラズマ発生ノズル３１に処理ガスを供給した状態で、マイクロ波発生部２０からマイクロ波を発生させてプラズマ点火を行う。ステップＳ２では、前記各波長λ１，λ２，λ３の成分の光量Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が０でなくなるまで、すなわち検出されるまで待機し、総ての波長λ１，λ２，λ３の成分の光量Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が検出されるとステップＳ３に移る。
【００６６】
ステップＳ３では、先ず長波長λ１の成分の光量Ｌ１が予め定める基準範囲に入っているか否かが判断され、入っておらず、基準範囲より大きい場合はステップＳ４に移る。ステップＳ４では、マイクロ波出力制御部９１からマイクロ波発生部２０に与えられる前記２．４５ＧＨｚのパルス信号のデューティが小さくされて前記マイクロ波発生部２０で発生されるマイクロ波のエネルギーが小さくされて前記ステップＳ３に戻る。一方、前記ステップＳ３において基準範囲より小さい場合はステップＳ５に移り、前記パルス信号のデューティが大きくされて前記マイクロ波発生部２０で発生されるマイクロ波のエネルギーが大きくされて前記ステップＳ３に戻る。
【００６７】
一方、前記ステップＳ３で長波長λ１の成分の光量Ｌ１が前記基準範囲に入っている場合にはステップＳ６に移り、次に前記各波長λ１，λ２，λ３の成分の光量Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が略等しいか否かが判断され、等しくない場合にはステップＳ７に移り、前記流量制御弁９２３の開度が調整されて前記ステップＳ３に戻る。こうして、ステップＳ３〜Ｓ７を繰返すことで、プルームＰの光量、すなわち大きさが前記基準範囲で、各波長λ１，λ２，λ３の成分が略均等なプラズマが発生されることになる。このような動作を、プラズマ点灯すべき総てのプラズマ発生ノズル３１に対して行うことで、各プラズマ発生ノズル３１に、略等しい大きさで同じ波長成分のプラズマを発生させ、当該ワーク処理装置Ｓを、毎回同じ条件で起動させることができる。
【００６８】
なお、前記各センサ３８１〜３８３の較正は、メーカ側で、プルームＰが発生していない状態で、保護管３６内に前記各波長λ１，λ２，λ３を均等に、前記基準範囲の光量で発生する光源を挿入し、前記アンプＡ１〜Ａ３のゲインを調整することで行うことができ、光センサユニット３８側での調整が困難な場合は、センサ入力部９８側にもアンプを設けて、そのゲインで調整すればよい。図１２の説明では、各波長λ１，λ２，λ３の成分が均等になるように調整する例を示しているが、ガス種などに応じて、各波長λ１，λ２，λ３の成分の基準範囲が設定されればよい。
【００６９】
また、プルームＰが発生しているか否かを判断するだけであれば、光センサユニット３８には、ガス種などに応じた特定の波長に設定されている光センサが、ガス種分設けられればよいが、判定に上述のように複数の波長を用いることで、不所望なガスの混入や、混合ガスの成分比の変化なども判定することができる。詳しくは、特定の色のプラズマが間違いなく発生すると分っている場合には、その色に対応する光センサ（白色の場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応したものに限らず、任意の光成分に対応したものでよい）が設けられればよいが、たとえば前記ガス供給管９２２に処理ガス供給源９２１が複数接続され、処理ガスが不所望に混ざってしまった場合には、本来の処理ガスの色は継続して検出されるので、その色に対応したセンサしか設けられていなければ、異常なしの検出結果となるが、その対応する色以外の光センサが設けられていると、本来検出されないはずの成分も検出され、漏洩が検出可能となる。或いは、元々複数色の光センサを設けることで、多くの種類のガスを切換えて使用する場合には、少ないセンサ数で、点灯状態を判定することができ、この場合には設定波長は或る程度離間している方がよい。
【００７０】
前記センサ入力部９８は、前記各光センサユニット３８からの検出出力Ｓ１〜Ｓ３を時分割で選択するマルチプレクサ９８１と、そのマルチプレクサ９８１からの出力をアナログ／デジタル変換して前記全体制御部９０へ与えるアナログ／デジタル変換器９８４とを備えて構成される。ＣＰＵ９０１は、前記点灯時間の積算には、各波長λ１，λ２，λ３の成分のいずれか１つから点灯しているかどうかを判定していればよく、図１２で示すように波長λ１，λ２，λ３毎の成分を検出する必要のあるときには、総ての成分を取込めばよい。
【００７１】
以上説明したワーク処理装置Ｓによれば、ワーク搬送手段ＣでワークＷを搬送しつつ、導波管１０に複数個配列して取付けられたプラズマ発生ノズル３１からプラズマ化されたガスをワークＷに対して放射することが可能であるので、複数の被処理ワークに対して連続的にプラズマ処理を行うことができ、また大面積のワークに対しても効率良くプラズマ処理を行うことができる。したがって、バッチ処理タイプのワーク処理装置に比較して、各種の被処理ワークに対するプラズマ処理作業性に優れるワーク処理装置Ｓ若しくはプラズマ発生装置ＰＵを提供することができる。しかも、外界の温度および圧力でプラズマを発生させることができるので、真空チャンバー等を必要とせず、設備構成を簡素化することができる。
【００７２】
また、マイクロ波発生装置２０から発生されたマイクロ波を、各々のプラズマ発生ノズル３１が備える中心導電体３２で受信させ、そのマイクロ波のエネルギーに基づきそれぞれのプラズマ発生ノズル３１からプラズマ化されたガスを放出させることができるので、マイクロ波が保有するエネルギーの各プラズマ発生ノズル３１への伝達系を簡素化することができる。したがって、装置構成のシンプル化、コストダウン等を図ることができる。
【００７３】
さらに、複数のプラズマ発生ノズル３１が一列に整列配置されて成るプラズマ発生部３０が、平板状のワークＷの搬送方向と直交する幅方向のサイズｔに略合致した幅員を有しているので、当該ワークＷを、搬送手段Ｃにより一度だけプラズマ発生部３０を通過させるだけで、その全面の処理を完了させることができ、平板状のワークに対するプラズマ処理効率を格段に向上させることができる。また、搬送されて来るワークＷに対して同じタイミングでプラズマ化されたガスを放射できるようになり、均質的な表面処理等を行うことができる。
【００７４】
さらにまた、各プラズマ発生ノズル３１のプルームＰの点灯／消灯状態を光センサユニット３８で捉え、ＣＰＵ９０１が、メモリ９０３に記憶されるその稼働履歴を積算して更新すし、各プラズマ発生ノズル３１の寿命がメモリ９０４に記憶されている閾値点灯時間となると、操作部９５に、交換のメンテナンス予告を表示することで、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスが可能になり、メンテナンスのコストを抑えつつも、安定したプルームを得ることができるとともに、複数の被処理ワークや大面積の被処理ワークの処理などに対応するにあたって、各プラズマ発生ノズル３１の寿命をそれぞれ管理することができる。
【００７５】
また、前回駆動時に、マイクロ波パワーおよび各プラズマ発生ノズル３１におけるガス流量を検出してメモリ９０５に記憶しておき、ＣＰＵ９０１は、同じ条件で運転される場合には、次回起動時に自動的にそれらのパラメータ設定を自動で行うことで、運転毎のばらつきを抑え、プラズマが正常に発生するように管理することができる。なお、メモリ９０５に記憶しておくパラメータは、プラズマの点灯状態を変化することができるパラメータであればよく、前記マイクロ波パワーおよびガス流量以外に、ガス質等の他のパラメータが含められてもよい。
【００７６】
また、操作部９５への表示は、前記プラズマ発生ノズル３１の交換時期としても、主に中心導電体３２の交換時期であるが、それに限らず、ガスシーリング３７の交換時期など、複数の部品が個別に管理されてもよく、また交換時期に限らず、清掃などの他のメンテナンスの時期であってもよい。さらにまた、プラズマ発生ノズル３１の寿命を推測するにあたって、上述のようなプラズマの点灯／消灯状態だけでなく、どのような状態（マイクロ波パワー、ガス流量、ガス質等の間接的なパラメータ、或いはプルームＰの光量や温度等の直接的なパラメータの１または複数の組合わせ）で、それぞれどれだけの時間点灯されたかなどのさらに詳しい稼働履歴を積算するようにしてもよい。
【００７７】
また、プラズマ発生ノズル３１の寿命を判定するにあたっては、上述のような稼働履歴の積算に限らず、マイクロ波電力、ガス種および流量など、同じ条件で運転されていて（或いはテスト運転してみて）、プラズマ（プルームＰ）の光量が所定値以下に低下した時点で判定したり、光量低下のレベルが所定値以上になると判定するなど、上述のような推測ではなく、実際の性能低下から判定するようにしてもよい。前記２つの判定方法のうち、後者の判定方法は、寿命末期まで特性の劣化が少なく、寿命末期に急速に特性が劣化する場合に、その寿命の満了を精度良く判定することができる。
【００７８】
或いは、上述のように複数のプラズマ発生ノズル３１が備えられ、同様に点灯／消灯制御されるグループが存在する場合、前記光センサユニット３８は、各グループ内のプラズマ発生ノズルの１つだけの点灯／消灯状態を、代表値として検出するようにしてもよい。このように構成することで、光センサユニット３８を削減し、またＣＰＵの処理を削減し、管理コストを低減することができる。
【００７９】
以上、本発明の一実施形態に係るワーク処理装置Ｓについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえば下記の実施形態を取ることができる。
（１）上記実施形態では、複数のプラズマ発生ノズル３１を一列に整列配置した例を示したが、ノズル配列はワークＷの形状やマイクロ波電力のパワー等に応じて適宜決定すればよく、たとえばワークＷの搬送方向に複数列プラズマ発生ノズル３１をマトリクス整列したり、千鳥配列したりしてもよい。
（２）上記実施形態では、移動手段としてワークＷを搬送する搬送手段Ｃが用いられ、その搬送手段Ｃとしては搬送ローラ８０の上面にワークＷを載置して搬送する形態を例示したが、この他に、たとえば上下の搬送ローラ間にワークＷをニップさせて搬送させる形態、搬送ローラを用いず所定のバスケット等にワークを収納し前記バスケット等をラインコンベア等で搬送させる形態、或いはロボットハンド等でワークＷを把持してプラズマ発生部３０へ搬送させる形態であってもよい。或いは、移動手段としてはプラズマ発生ノズル３１側を移動させる構成であってもよい。すなわち、ワークＷとプラズマ発生ノズル３１とは、プラズマ照射方向（Ｚ方向）とは交差する面（Ｘ，Ｙ面）上で相対的に移動すればよい。
（３）上記実施形態では、マイクロ波発生源として２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロンを例示したが、マグネトロン以外の各種高周波電源も使用可能であり、また２．４５ＧＨｚとは異なる波長のマイクロ波を用いるようにしてもよい。
（４）導波管１０内におけるマイクロ波電力を測定するために、パワーメータを導波管１０の適所に設置することが望ましい。たとえば、マイクロ波発生装置２０のマイクロ波送信アンテナ２２から放出されたマイクロ波電力に対する反射マイクロ波電力の比を知見するために、サーキュレータ５０と第２導波管ピース１２との間に、パワーメータを内蔵する導波管を介在させるようにすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明に係るワーク処理装置およびプラズマ発生装置は、半導体ウェハ等の半導体基板に対するエッチング処理装置や成膜装置、プラズマディスプレイパネル等のガラス基板やプリント基板の清浄化処理装置、医療機器等に対する滅菌処理装置、タンパク質の分解装置等に好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明に係るワーク処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１とは視線方向を異ならせたプラズマ発生ユニットの斜視図である。
【図３】ワーク処理装置の一部透視側面図である。
【図４】２つのプラズマ発生ノズルを拡大して示す側面図（一方のプラズマ発生ノズルは分解図として描いている）である。
【図５】図４のＡ−Ａ線側断面図である。
【図６】プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの発生状態を説明するための透視側面図である。
【図７】スライディングショートの内部構造を示す透視斜視図である。
【図８】サーキュレータの作用を説明するためのプラズマ発生ユニットの上面図である。
【図９】スタブチューナの設置状況を示す透視側面図である。
【図１０】ワーク処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図１１】プラズマ光量を検出する光センサユニットにおける信号処理回路の一構成例を示すブロック図である。
【図１２】起動調整時におけるＣＰＵの動作を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００８２】
１０    導波管
２０    マイクロ波発生装置（マイクロ波発生手段）
３０    プラズマ発生部
３１    プラズマ発生ノズル
３２    中心導電体（内部導電体）
３３    ノズル本体（外部導電体）
３４    ノズルホルダ
３４４  ガス供給孔（ガス供給部）
３６    保護管
３８    光センサユニット
３８１，３８２，３８３    センサ
３８４  信号処理回路
３８５  基体
３８６  信号線
３９１  取付け部材
４０    スライディングショート
５０    サーキュレータ
６０    ダミーロード
７０    スタブチューナ
８０    搬送ローラ
９０    全体制御部
９０１  ＣＰＵ
９０２〜９０５    メモリ
９１    マイクロ波出力制御部
９２    ガス流量制御部
９２１  処理ガス供給源
９２２  ガス供給管
９２３  流量制御弁
９３    搬送制御部
９３１  駆動モータ
９５    操作部
９６，９７，９８    センサ入力部
９８１  マルチプレクサ
９８２  アナログ／デジタル変換器
Ｓ      ワーク処理装置
ＰＵ    プラズマ発生ユニット（プラズマ発生装置）
Ｃ    搬送手段
Ｗ    ワーク
【図１】
2007227071.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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