(57)【要約】【課題】欠陥検査装置により予め検出された欠陥を高いスループットで再検出する。【解決手段】解像度を変更することなく、外部の記検査装置における前記欠陥位置情報の精度分布に応じて再検出の際の画像サイズまたは画素数を変更する。【選択図】図６
2007101202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の検査装置が検出した試料の欠陥位置情報を取り込む欠陥位置情報入力手段と、
前記欠陥位置情報に基づいて前記検査装置により欠陥と検出された箇所が視野内に入るよう前記試料を移動させる移動手段と、
荷電粒子線を生成して前記試料に照射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子線の照射により前記試料から放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出し、前記欠陥の箇所における試料表面の検査画像のデータを出力する信号処理手段と、
前記検査画像に基づいて前記欠陥と検出された箇所の異常を再検出する検査手段と、
解像度を一定にしたままで、前記検査装置における前記欠陥位置情報の精度分布に応じて画像サイズまたは画素数を調整する視野調整手段と、
を備えるパターン観察装置。
【請求項２】
前記視野調整手段は、互いに直交して二次元を構成する第１および第２の方向において相互に独立に前記画像サイズまたは前記画素数を変更することを特徴とする請求項１に記載のパターン観察装置。
【請求項３】
前記視野調整手段は、
前記欠陥と検出された箇所で異常が検出されない場合に、前記欠陥位置情報の精度分布に応じた方向に前記視野を移動させることを特徴とする請求項１に記載のパターン観察装置。
【請求項４】
検査装置により得られた試料の欠陥位置情報に基づいて前記試料を移動し、前記検査装置により欠陥と検出された箇所が視野内に入る位置で荷電粒子線を生成して前記試料に照射する手順と、
前記荷電粒子線の照射により前記試料から放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出し、前記欠陥と検出された箇所における試料表面の検査画像を取得する手順と、
前記検査画像に基づいて前記欠陥と検出された箇所の異常を再検出する手順と、
解像度を一定にしたままで、前記検査装置に依存する、前記欠陥位置情報の精度分布に応じて画像サイズまたは画素数を調整する手順と、
を備えるパターン観察方法。
【請求項５】
荷電粒子顕微鏡に接続されるコンピュータに請求項４に記載のパターン観察方法を実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン観察装置、パターン観察方法およびプログラムに関し、例えば荷電粒子線を用いた半導体パターンの欠陥の再検出を対象とする。  
【背景技術】
【０００２】
パターン検査装置が検出した欠陥の情報を別個の走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：以下、単に「ＳＥＭ」という）に取り込んで上記欠陥をさらに詳細に観察する際に、検査装置の座標精度が悪いと欠陥が視野に入らないことがある。この場合、視野を拡大する必要があるが、単純に倍率を下げるだけでは画素サイズが大きくなり欠陥検出感度が低下してしまう。そこで、従来は、倍率を一定のままにして画素数を増やすことにより視野を拡大させていた。
【０００３】
しかしながら、単純に一方向あたりの画素数をｎ倍にすると画像取得時間はｎn倍になるため、スループットが大幅に低下してしまうという欠点があった。
【０００４】
また、別の方法として、視野内に欠陥を検出できなかった場合にその視野の周辺領域を探索する手法がある。しかしながら、この方法では探索した回数だけ余計な観察時間を要するため、やはりスループットが低下するという問題があった。
【０００５】
さらに、パターン検査装置の座標精度に関する個体データを元に座標を補正する手法があるが、パターン検査装置の座標精度の経時変化や装置メンテナンス毎に補正データを修正する必要があり、煩雑な運用を求められるという問題があった。  
【特許文献１】特開２０００−２１５８３９号公報
【特許文献２】特開２００３−０８３７３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、欠陥検査装置により予め検出された欠陥に対し、高いスループットで再検出するパターン観察装置、パターン観察方法およびプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、
外部の検査装置が検出した試料の欠陥位置情報を取り込む欠陥位置情報入力手段と、
前記欠陥位置情報に基づいて前記検査装置により欠陥と検出された箇所が視野内に入るよう前記試料を移動させる移動手段と、
荷電粒子線を生成して前記試料に照射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子線の照射により前記試料から放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出し、前記欠陥の箇所における試料表面の検査画像のデータを出力する信号処理手段と、
前記検査画像に基づいて前記欠陥と検出された箇所の異常を再検出する検査手段と、
解像度を一定にしたままで、前記検査装置における前記欠陥位置情報の精度分布に応じて画像サイズまたは画素数を調整する視野調整手段と、
を備えるパターン観察装置が提供される。
【０００８】
また、本発明によれば、
検査装置により得られた試料の欠陥位置情報に基づいて前記試料を移動し、前記検査装置により欠陥と検出された箇所が視野内に入る位置で荷電粒子線を生成して前記試料に照射する手順と、
前記荷電粒子線の照射により前記試料から放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出し、前記欠陥と検出された箇所における試料表面の検査画像を取得する手順と、
前記検査画像に基づいて前記欠陥と検出された箇所の異常を再検出する手順と、
解像度を一定にしたままで、前記検査装置に依存する、前記欠陥位置情報の精度分布に応じて画像サイズまたは画素数を調整する手順と、
を備えるパターン観察方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、欠陥検査装置により予め検出された欠陥を高いスループットで再検出することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（１）本発明想到に至る経緯
本発明の実施の形態について説明する前に本願発明者が本発明を想到するに至った経緯について図１乃至図３を参照しながら説明する。
【００１１】
図１は欠陥検査装置が検出する欠陥位置の精度分布の一例を示す図である。本例において、検査対象の試料は、半導体パターンの設計データに予め欠陥を作り込み、この欠陥を含むパターンをウェーハ上に転写して作成したものである。このような試料について欠陥検査装置で検査を行い、検出した欠陥の座標と設計データ上の座標とを同一グラフ上にプロットして比較を容易にしたものである。図１において、作り込み欠陥の設計データ上の座標位置は各ダイ毎に（Ｘｒ，Ｙｒ）であり、ダイの数をｎとすると、欠陥検査装置が検出した欠陥の座標は（Ｘｉ，Ｙｉ（１≦ｉ≦ｎ））である。図１からは、欠陥の位置精度が一方向（Ｘ方向）にのみ劣ることが読み取れる。これは欠陥検査装置のビームスキャン方向およびステージスキャン方向と一致する。また、検査時間を短縮するために、ウェーハに照射する面のビーム形状を楕円またはライン形状にした検査装置があるが、この場合は、ビームの長径方向の欠陥位置精度が悪いことが判明している。このように欠陥の位置ずれ量は正規分布ではなく、特定の方向における精度の劣悪性に依存する傾向を持つことがある。
【００１２】
次に、図２は検出された欠陥をＳＥＭで詳細に観察を行うときの視野サイズと画素数との関係を欠陥の位置精度との関連で説明する図である。視野を調整するために倍率を変化させると画像の分解能、すなわち一画素あたりの大きさ（倍率）が変化してしまい欠陥検出感度に影響が出てしまう。この場合、現状では、例えば図２（ａ）の視野ＦＶ１から図２（ｂ）の視野ＦＶ８のように、画素数を増減させることにより視野を調整しているが、画素サイズをｎ倍にすると画像取得時間がnn倍になるため、スループットが大幅に低減するという欠点がある。倍率および画素数を変更することなく、欠陥を検出できなかった場合にのみ周辺の領域を探索する方法も考えられるが、隣接する８つの領域を逐次探索するのは効率が悪く、例えば図３に示すように、最悪の場合は最初の検査領域を含めて９回の画像取得が必要になる。  
そこで、本願発明者は、欠陥の位置ずれ量が正規分布とはならず、特定の方向における精度の劣悪性に依存する傾向を有するという点に着目し、欠陥の位置精度分布が予め判っている場合には位置精度の悪い方向にのみ視野を広げれば画像取得時間を短縮できると考えた。また、倍率および画素数を一定にしたままで、欠陥を検出できなかった場合にのみ周辺領域を探索する場合、欠陥の位置精度が悪い方向から優先的に探索すれば効率が改善することを見出した。
【００１３】
本発明は上記知見に基づいてなされたものである。以下、図４乃至図８を参照しながら本発明の実施の形態のいくつかについて詳細に説明する。
【００１４】
なお、以下の実施形態では、荷電粒子線として電子ビームを用いる場合について説明するが、本発明はこれに限ることなく、例えばイオンビームを用いる場合にも適用可能である。
【００１５】
（２）パターン観察装置の実施の一形態
図４は、本発明にかかるパターン観察装置の実施の一形態の概略構成を示すブロック図である。同図に示すパターン観察装置２は、集束された電子ビームＥＢを走査することにより半導体パターンを観察する走査型電子顕微鏡を応用したパターン観察装置であり、外部の検査装置から欠陥位置情報の提供を受けて、試料上の欠陥位置へ移動し、画像を取得した後、欠陥位置を特定し再検査する。
【００１６】
パターン観察装置２は、電子ビーム鏡筒１０と、各種制御回路４０，４２，４４，４６と、試料である半導体基板（以下、「被検査基板」という）Ｓを支持するＸＹステージ２２と、モータ２４と、ステージ制御回路２６と、検出器３２と、画像メモリ３４と、画像処理装置３６と、モニタ３８と、制御コンピュータ５０と、通信回路７０と、予め装置に内蔵された記録媒体ＭＲ２とを備える。通信回路７０は、例えば欠陥位置情報入力手段に対応する。また、ＸＹステージ２２、モータ２４およびステージ制御回路２６は、例えば移動手段に対応する。さらに、検出器３２は、例えば信号処理手段に対応し、画像処理装置３６は、例えば検査手段に対応する。
【００１７】
制御コンピュータ５０は、視野サイズ調整回路５２および探索方向決定回路５４を備える。視野サイズ調整回路５２および探索方向決定回路５４は、例えば視野調整手段に対応する。制御コンピュータ５０はまた、各種制御回路４０，４２，４４，４６、ステージ制御回路２６等を介して装置全体を制御する。
【００１８】
記録媒体ＭＲ２には、被検査基板Ｓのアライメント（位置決め）に使用するためのデータが格納される。このアライメント用データは、外部の欠陥検査装置（図示せず）から通信回路７０を介して制御コンピュータ５０に伝送され、制御コンピュータ５０により記録媒体ＭＲ２に格納される。記録媒体ＭＲ２には、外部の欠陥検査装置（図示せず）が検出した被検査基板Ｓの欠陥の座標データも格納される。この欠陥座標データも通信回路７０を介して制御コンピュータ５０に伝送され、制御コンピュータ５０により記録媒体ＭＲ２に格納される。さらに、欠陥座標データにおける、外部の欠陥検査装置（図示せず）に特有の精度分布データも通信回路７０および制御コンピュータ５０を介して記録媒体ＭＲ２，ＭＲ４に格納される。これらのアライメント用データ、欠陥座標データおよび精度分布データについては後に詳述する。なお、これらのデータを通信回路７０および制御コンピュータ５０を介して予め装着された記録媒体ＭＲ２に格納することに代えて、図４に併せて示す、脱着可能な記録媒体ＭＲ４にオフラインにて外部の欠陥検査装置（図示せず）からデータを入力し、再検査の都度制御コンピュータ５０に接続することとしても良い。
【００１９】
電子ビーム鏡筒１０は、電子銃１２と、コンデンサレンズ１４と、走査レンズ１６と、対物レンズ１８とを含む。電子銃１２は、電子銃制御回路４０から制御信号を受けて電子ビームＥＢを生成し、被検査基板Ｓに照射する。コンデンサレンズ１４は、コンデンサレンズ制御回路４２の制御信号を受けて磁界または電界を励磁し、適切なビーム径となるように電子ビームＥＢを集束させる。対物レンズ１８は、対物レンズ制御回路４６からの制御信号により磁界または電界を励磁し、電子ビームＥＢが被検査基板Ｓ上にジャストフォーカスで照射するように電子ビームを再度集束させる。走査レンズ１６は、走査レンズ制御回路４４から制御信号を受けて、電子ビームＥＢを偏向するための電界または磁界を励起し、これにより、被検査基板Ｓを電子ビームＥＢで２次元的に走査する。モータ２４は、ステージ制御回路２６から制御信号を受けて動作し、ＸＹステージ２２をＸＹ平面内で移動させる。
【００２０】
検出器３２は、電子ビームＥＢの照射によって被検査基板Ｓから発生する二次電子、反射電子および後方散乱電子を検出する。検出器３２の出力信号は、被検査基板Ｓの表面の状態を表わす二次元像を構成し、この二次元像のデータが画像メモリ３４に格納される。
【００２１】
二次元像のデータは、画像メモリ３４からモニタ３８に出力され、二次元像が表示されてウェーハ表面の観察に供されるとともに、画像処理装置３６にも出力される。
【００２２】
画像処理装置３６は、記録媒体ＭＲ２から制御コンピュータ５０により取り出されたアライメント用データと、画像メモリ３４から供給された検査画像のデータとを比較し、これらの座標系の間のずれ量を算出し、得られた値を制御コンピュータ５０へ供給する。制御コンピュータ５０は、走査レンズ制御回路４４およびステージ制御回路２６の少なくともいずれかに指令信号を供給することにより、走査レンズ１６およびＸＹステージ２２の少なくとも一方を用いて上記ずれ量を補正する。
【００２３】
制御コンピュータ５０は、本実施形態において特徴的な構成要素である視野サイズ調整回路５２および探索方向決定回路５４を含む。視野サイズ調整回路５２は、記録媒体ＭＲ２から取出された欠陥座標の精度分布データに基づいて再検査用の視野が縦方向と横方向とで互いに独立に変形するように、画像サイズまたは画素数を調整するための制御信号を生成して走査レンズ制御回路４４へ伝送する。また、探索方向決定回路５４は、再検査において最初の視野内に欠陥を検出できなかった場合に、視野形状の変更に代えて、優先的に探索する方向を決定して制御信号を生成し、走査レンズ制御回路４４へ伝送する。
【００２４】
図４に示すパターン観察装置２の動作を、本発明にかかるパターン観察方法の実施の形態として図５乃至図７を参照しながら説明する。
【００２５】
（３）パターン観察方法の第１の実施の形態
図５は本実施形態によるパターン観察方法の概略手順を示すフローチャートであり、また、図６は本実施形態による画素構成を従来の技術との対比で示す図である。
【００２６】
まず、前処理として、外部の欠陥検査装置（図示せず）から被検査基板Ｓのアライメントに使用したパターンの光学画像および座標データ、並びに、検出した欠陥の座標データおよび欠陥位置情報の精度分布に関するデータを取り出し、脱着可能な記録媒体ＭＲ４、または通信回路７０を介してデータ記録媒体ＭＲ２へ転送する（図５、ステップＳ１）。このアライメントに関するデータは、パターン観察装置２と、図示しない外部の欠陥検査装置との間で欠陥位置の座標を共有するために必要なデータであり、このアライメントデータに基づいて両装置間の座標のずれ量を算出し、パターン観察装置２の座標系に補正をすることにより、図示しない外部の欠陥検査装置により検出された欠陥の再検査が可能になる。なお、アライメントに使用されるパターンは、十字やパターンのコーナ部などの特徴的なパターンで、かつ、被検査基板Ｓ上に一定の間隔で配置されているものが好ましい。
【００２７】
次に、被検査基板Ｓを試料室ＳＣ内に搬送し、試料室ＳＣの真空排気を行う（図５、ステップＳ２）。続いて、データ記録媒体ＭＲ２からアライメントに使用したパターンの画像データと座標データを取り出してアライメントを実行する（ステップＳ４）。より具体的には、ＸＹステージ制御回路２６によりＸＹステージ２２を駆動してアライメントパターンの座標へ移動し、アライメントパターンの画像データを取得し画像メモリ３４に格納する。次に、画像データを画像処理装置３６へ転送しアライメントパターンの位置と画像中心とのずれ量、すなわち欠陥検査装置上のアライメントパターン座標とＳＥＭ画像の中心座標とのずれ量を算出する。次に、ＸＹステージ制御回路２６によりＸＹステージ２２を駆動して被検査基板Ｓ上の別の位置にあるアライメントパターンの座標へ移動し、同様の動作を繰り返す。以上の動作を少なくとも2点以上について実行し、得られたデータに基づいてＸＹステージ２２の直行度補正、スキュー補正、ピッチ補正、および、被検査基板Ｓの回転補正と欠陥検査装置（図示せず）との座標オフセット値（Δｘ, Δｙ）補正を実行する。以上により欠陥検査装置（図示せず）とパターン観察装置２との座標の合わせ込みが完了する。
【００２８】
次に、データ記録媒体ＭＲ２から欠陥検査装置が検出した任意の欠陥の座標データを抽出し（図５、ステップＳ５）、ＸＹステージ制御回路２６により欠陥の位置へＸＹステージ２２を移動させ、予め設定された視野にてSEM画像を取得し画像メモリ１５に格納する。このとき、上記アライメントでは光学像を用いているため、欠陥の座標には光学画像の分解能に応じた誤差が発生している。このため、ＳＥＭ画像の中心に狙いの欠陥が位置するとは限らない。したがって、得られたＳＥＭ画像の画像データを画像処理装置３６へ転送し、欠陥の中心位置とＳＥＭ画像の中心との差分を算出し、欠陥検査装置（図示せず）とパターン観察装置２との間の座標オフセット値（Δｘ, Δｙ）の微調整を行う（図５、ステップＳ６）。調整された、欠陥検査装置とパターン観察装置２との座標オフセット値（Δｘc, Δｙc）は制御コンピュータ５０へ転送され、これ以降のステージ移動の際に座標補正データとして利用される。このように、本実施形態では、光学像よりも高倍率のＳＥＭ画像を使用することにより、座標オフセットを精密に調整することができる。このため、欠陥の位置出し精度を大幅に改善することが可能である。
【００２９】
次に、データ記録媒体ＭＲ２から、パターン観察装置２による詳細な観察が必要な欠陥を選び、予め設定された視野にて取得したＳＥＭ画像データを画像処理装置３６へ転送して欠陥の抽出を行う。欠陥の抽出は欠陥の存在する座標を中心としたＳＥＭ画像と、欠陥の存在しない他の場所のＳＥＭ画像（基準画像）とを比較することにより行う。基準画像は隣接するダイに設定するのが一般的である。まず、ｎ＝１として（図５、ステップＳ７）、任意の欠陥位置へ視野を移動し、その位置でＳＥＭ画像を取得し、さらに、その欠陥位置に隣接するダイについてＳＥＭ画像を取得して基準画像とする（図５、ステップＳ８）。次に、欠陥位置でのＳＥＭ画像と基準画像との比較により、欠陥の有無を特定する（図５、ステップＳ９）。欠陥が特定されたら、特定された欠陥の位置を中心にして高倍率、すなわち視野を小さくして欠陥箇所のＳＥＭ画像を再度取得し、欠陥をより詳細に観察する（図５、ステップＳ１０）。以上の動作を観察したい欠陥数だけ繰り返し（図５、ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ８〜Ｓ１０）、再検査が終了したら、被検査基板Ｓを搬出する（図５、ステップＳ１３）。
【００３０】
欠陥を抽出する際の視野は、パターン観察装置２の座標精度、上述したアライメント精度、および外部の欠陥検査装置（図示せず）の欠陥位置精度を考慮して決定される。例えば、パターン観察装置２の座標精度を＋／−１．５μｍ、上記アライメント精度を＋／−２μｍ、欠陥の位置精度を＋／−４μｍとすると、ＳＥＭ画面上の欠陥位置ずれ量は（１．５２＋２２＋４２）１／２＝４．７μｍとなる。したがって、図６（ａ）に示すように、この場合の視野ＦＶ１は＋／−５μｍ＝１０μｍ角となり、画素数は５１２×５１２とする。ここで、欠陥検査装置の欠陥の位置精度に癖があり、Ｘ方向の位置精度が＋／−８μｍ、Ｙ方向が＋／−４μｍとすると、ＳＥＭ画面上のＹ方向での欠陥位置ずれ量は上述した４．７μｍであるが、Ｘ方向での欠陥位置ずれ量は（１．５２＋２２＋８２）１／２＝８．４μｍとなる。したがって、図６（ｃ）に示すように、この場合の視野ＦＶ１２は２０μｍ×１０μｍに、画素数は１０２４×５１２に設定する。
【００３１】
従来の技術による方法では、画像の分解能すなわち１画素あたりのサイズを変えずに視野を２０μｍ×２０μｍにするためには図６（ｂ）の視野ＦＶ８に示すように、画素数は１０２４×１０２４が必要であった。また、画素数を５１２×５１２のままで視野を２０μｍ×２０μｍに拡大すると、スループットは低下しないが１画素あたりのサイズが２倍になるので最小検出欠陥サイズが大きくなってしまう弊害が生じていた。
【００３２】
これに対して本実施形態では２０μｍ×１０μｍの視野、１０２４×５１２の画素数で済むので、１画素あたりのサイズを変更することなく、視野内を電子ビームで走査する時間、すなわち画像取得時間を従来手法の１／２に短縮することが可能になる。
【００３３】
このように、本実施形態によれば、外部の欠陥検査装置の位置精度データを利用して欠陥再検出の際の視野または画素数の設定値を最適化するので、再検出時間の短縮と再検出率の改善を同時に達成することができる。
【００３４】
なお、本実施形態においては、欠陥箇所の近傍領域に電子ビームを照射して得られたＳＥＭ画像を基準画像としたが、これに限ることなく、例えば設計データから基準画像を予め作成しておき、これを記録媒体ＭＲ２に格納し、適宜取出して検査画像と比較することにより異常の再検査をすることとしても良い。
【００３５】
（４）パターン観察方法の第２の実施の形態
上述した第１の実施の形態では視野サイズをX方向に拡大させたが、X方向の欠陥位置精度が悪いことが予め分かっているならば、視野サイズを５１２×５１２のままにしておいて、視野内に欠陥を検出できなかった場合のみ視野をX方向に1画面分ずらして画像を取得すれば、簡易かつ迅速に欠陥を検出することができる。図７は、本実施形態のパターン観察方法による探索方法の説明図である。同図に示す例では、最初の観察視野ＦＶ１内で欠陥を検出できなかった場合に、Ｘ方向の探索方向ＳＤ１２に従い、視野ＦＶ２→ＦＶ３（→ＦＶ２）とずらして画像が取得される。このように探索方向を予め指定することにより、または探索方向に予め優先順位をつけることにより図3に示した隣接する8方向の領域すべてを探索する従来技術の方法と比べて、欠陥の検出時間を大幅に短縮することが可能である。本実施形態のパターン観察方法は、例えば画素の縦横比が大きく、電子ビームの偏向回路上の制約により走査が困難な場合、または画像処理装置の制約により欠陥検出処理に不具合が生じる場合に特に有効である。
【００３６】
このように、本実施形態によれば、外部の欠陥検査装置の位置精度データを利用して、欠陥を検出できなかった場合の探索方向を最適化するので、再検出時間の短縮と再検出率の改善を同時に達成することができる。
【００３７】
（５）プログラム
上述したパターン観察方法の一連の手順は、コンピュータに実行させるプログラムとしてフロッピーディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に、例えばレシピファイルの形態で収納し、コンピュータに読込ませて実行させても良い。これにより、本発明にかかるパターン観察方法を汎用の制御コンピュータを用いて実現することができる。
【００３８】
図８は、本発明にかかるプログラムの実施の一形態に従いパターン観察を実行するパターン観察装置の概略構成を示すブロック図である。図８に示すパターン観察装置１２は、図４のパターン観察装置２と同様に走査型電子顕微鏡を応用したパターン観察装置であり、視野サイズ調整部および探索方向決定部を含む制御コンピュータ５０に代えて、汎用の制御コンピュータ６０を備える点で図４のパターン観察装置２と相違する。また、本実施形態において、画像処理装置３６は画像処理用コンピュータで構成される。パターン観察装置１２のその他の構成は、図４のパターン観察装置２と実質的に同一である。本実施形態において、制御コンピュータ６０および画像処理装置３６は、例えば荷電粒子顕微鏡に接続されるコンピュータに対応する。パターン観察装置１２においては、上述したパターン観察方法の一連の手順がレシピファイルの形態で、例えば着脱可能な記録媒体ＭＲ４および通信回路７０を介して記録媒体ＭＲ２に一旦格納され、欠陥検査の都度、制御コンピュータ６０に読出されて、上記実施形態で説明したパターン観察が実行される。
【００３９】
ここで、記録媒体ＭＲ２は、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体に限定されず、磁気ディスクや光ディスク等の携帯可能なものでも良い。また、上述したパターン観察方法の一連の手順を組込んだプログラムをインターネット等の通信回線（無線通信を含む）を介して複数のパターン観察装置に向けて頒布しても良い。さらに、上述したパターン観察方法の一連の手順を組込んだプログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、または記録媒体に収納して頒布しても良い。
【００４０】
（６）半導体装置の製造方法
上述した本発明にかかるパターン観察方法の少なくともいずれかを半導体装置の製造工程において実行すれば、高いスループットでのパターン観察が可能になるので、高い歩留まりで半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】欠陥検査装置が検出する欠陥位置の精度分布の一例を示す図である。
【図２】同一解像度の下での視野サイズと画素数との関係を説明する図である。
【図３】従来の技術による欠陥の探索方法の一例を示す図である。
【図４】本発明にかかるパターン観察装置の第１の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。
【図５】本発明にかかるパターン観察方法の第１の実施の形態の概略手順を示すフローチャートである。
【図６】図５に示すパターン観察方法による画素構成を従来の技術との対比で示す図である。
【図７】本発明にかかるパターン観察方法の第２の実施の形態において、欠陥を検出できなかった場合の探索方法の説明図である。
【図８】本発明にかかるプログラムの実施の一形態に従いパターン観察を実行するパターン観察装置の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００４２】
２，１２  パターン観察装置
１０  電子ビーム鏡筒
１２  電子銃
１４  コンデンサレンズ
１６  走査レンズ
１８  対物レンズ
２２  Ｘ−Ｙステージ
２４  モータ
２６  ステージ制御回路
３２  検出器
３４  画像メモリ
３６  画像処理装置
３８  モニタ
４０  電子銃制御回路
４２  コンデンサレンズ制御回路
４４  走査レンズ制御回路
４６  対物レンズ制御回路
５０，６０  制御コンピュータ
５２  視野サイズ調整回路
５４  探索方向決定回路
６２  脱着可能な記録媒体
７０  通信回路
ＥＢ  電子ビーム
ＦＶ１〜３，ＦＶ８，ＦＶ１２  視野
ＭＲ  記録媒体
ＳＤ２，ＳＤ１２  探索方向
【図１】
2007101202.tif 000003
【図２】
2007101202.tif 000004
【図３】
2007101202.tif 000005
【図４】
2007101202.tif 000006
【図５】
2007101202.tif 000007
【図６】
2007101202.tif 000008
【図７】
2007101202.tif 000009
【図８】
2007101202.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月21日(2006.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2007101202.tif 000011