(57)【要約】      （修正有）【課題】エピタキシャルシリコンウェーハの平坦度を向上させるためのエピタキシャル層の形成方法等、特に、ウェーハ外周部のエピタキシャル層膜厚を制御する方法等を提供する。【解決手段】基板となる半導体ウェーハを保持するサセプタのレッジ部３３の形状を変更することにより、ウェーハ外周部のエピタキシャル層膜厚を制御し、平坦度を向上させる。また、基板となる半導体ウェーハの組合せにより、製造されるエピタキシャルウェーハの平坦度を向上させる。【選択図】図３
2007273623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応炉内で半導体ウェーハとソースガスとを反応させてエピタキシャルを成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記半導体ウェーハは、該半導体ウェーハが配置される開口部を有するサセプタのレッジ部に置載され、
前記レッジ部は、前記サセプタの前記開口部の内周側に所定の長さで延び、前記半導体ウェーハが置載されるように前記開口部の下部に備えられるが、
前記レッジ部の前記所定の長さを変えることにより成長するエピタキシャル層膜厚を制御することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウェーハは、少なくとも一方の面がデバイスの使用領域及びその周りを囲う周縁部から構成され、
前記レッジ部の前記所定の長さは、置載される前記半導体ウェーハの前記使用領域にウェーハ面上において相当する位置まで前記レッジ部が至らないように調整されていることを特徴とする請求項１記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記レッジ部の前記所定の長さは、前記開口部の周方向に沿って可変であり、
前記半導体ウェーハ及び前記開口部のそれぞれの形状に合わせて変えられることを特徴とする請求項１又は２記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記レッジ部の前記所定の長さは、２ｍｍ以上６ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１から３のいずれか記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
反応炉内で半導体ウェーハとソースガスとを反応させてエピタキシャルを成長させるエピタキシャルウェーハの製造装置において、
前記半導体ウェーハが配置される開口部を有するサセプタと、
前記開口部の周方向に沿って備えられ、前記開口部の内周側に所定の長さで延び、前記半導体ウェーハが置載されるように前記開口部の下部に備えられるレッジ部とを含み、
少なくともその一方の面がデバイスの使用領域及びその周りを囲う周縁部から構成される前記半導体ウェーハの前記使用領域にウェーハ面上において相当する位置まで前記レッジ部が至らないようにされていることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。
【請求項６】
前記レッジ部の前記所定の長さは、２ｍｍ以上６ｍｍ未満であることを特徴とする請求項５記載のエピタキシャルウェーハの製造装置。
【請求項７】
請求項１から４のいずれか記載の方法によって製造されたエピタキシャルウェーハであって、基板となる半導体ウェーハの平坦度より平坦度が良いことを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置に関するもので、さらに詳しくは、平坦度の高いエピタキシャルウェーハを製造する方法及びその製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャルシリコンウェーハは、一般に、デバイスを作成する表面のエピタキシャル層に酸素起因の欠陥や単結晶インゴット育成時に導入されるＧｒｏｗｎ‐ｉｎ欠陥（ＣＯＰを含む）がない優れた特性を有している。
【０００３】
近年、ＭＰＵやフラッシュメモリー等の高性能デバイスやＭＯＳ  ＦＥＴ、ＩＧＢＴ等の高性能Ｐｏｗｅｒデバイスにはエピタキシャルシリコンウェーハが使用されつつある。一方、デバイスの高集積化に伴って、半導体基板の高品質化とともに微細化パターンの作製のために、高平坦化が特に重要視されている。
【０００４】
高平坦度が要求されているウェーハのエピタキシャル成長は、枚葉処理によって膜厚均一性の向上が図られている。しかし、基板となるシリコン単結晶ウェーハの周縁部に向って、エピタキシャル層の膜厚が減少する傾向があり、エピタキシャル層の形成の際に平坦度を維持するのは容易ではない。更に、基板となるシリコン単結晶ウェーハの周縁部では、エピタキシャル層の形成膜厚の急激な変化が生じやすく、特に周縁部の平坦化は困難である。
【０００５】
そこで、エピタキシャル成長条件の最適化を図り、膜厚みの不均一分布を低減する方法が多々提案されているが、十分とは言い難い。更に、エピタキシャル成長の後に、平坦度不良が発生した場合、再び平坦化加工を行うことができないため、製品は不良品となり無駄になってしまう。
【０００６】
例えば、所要の平坦度を満足した基板は、基板平坦度の予測工程にてエピタキシャル成長後の平坦度をシミュレートし、目的の成膜後の基板平坦度を満足すると判断された基板は次工程のエピタキシャル成長へと送られ、基準を満足しなかった基板は再度平坦化加工工程へ戻されるというエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法が提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−３０２３９５号公報
【０００７】
しかしながら、特許文献１ではエピタキシャル成長における膜形成のシミュレートの方法が具体的に開示されていない。一般に、膜形成のシミュレートは種々の因子が影響し合うため必ずしも容易ではない。従って、特許文献１の方法を用いて、エピタキシャル層が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハの平坦度を予測するためにシミュレートを行うことは極めて困難である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のような事情に鑑みて、エピタキシャルシリコンウェーハの平坦度を向上させるためのエピタキシャル層の形成方法及びそのための装置、特に、ウェーハ外周部のエピタキシャル層膜厚を制御する方法及びそのための装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、基板となるシリコン単結晶ウェーハを保持するサセプタの形状を変更することにより、ウェーハ外周部のエピタキシャル層膜厚を制御することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置を提供する。
【００１０】
より具体的には、以下のものを提供する。
【００１１】
（１）反応炉内で半導体ウェーハとソースガスとを反応させてエピタキシャルを成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、  前記半導体ウェーハは、該半導体ウェーハが配置される開口部を有するサセプタのレッジ部に置載され、  前記レッジ部は、前記サセプタの前記開口部の内周側に所定の長さで延び、前記半導体ウェーハが置載されるように前記開口部の下部に備えられるが、  前記レッジ部の前記所定の長さを変えることにより成長するエピタキシャル層膜厚を制御することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【００１２】
ここで、半導体ウェーハはサセプタの開口部であるポケット内に作られたレッジ（Ledge）部で保持されている。例えば、ポケットは基本的に平坦な底面を持つ円形凹形状（円板形状のウェーハを収納できる形状）を有することができる。即ち、ポケットの円形凹形状は、ほぼ垂直に切り立った面（以下、「内周面」という）及び底面により規定される。レッジ部は、この内周面から内周側に所定長さだけ延びるテーパ状（なだらかなすり鉢状）の上面を持つ、開口部の周方向に沿う底面に備えられた部材であってよい。このレッジ部は、この半導体ウェーハとの接触をなるべく少なくしつつ、確実に保持するために、その上面をテーパ状とするが、上記所定長さだけ内周側に向えば、いわゆる棚落ちをする。つまり、そこで、ほぼ垂直に切り立つ壁によりポケットの底面へと導かれるのである。このように、レッジ部は、棚落ちにより形成される段差を持つ、棚形状を有する。これは、円形凹形状に丁度嵌まり込んだワッシャが、底面に固定されてできた棚形状に類似する。上面がテーパ状であるので、ワッシャが皿ばねのようなものであるとしてもよい。このレッジ部は、別個の部品ではなく、サセプタと一体的に形成されるものであってよい。上記半導体ウェーハは、その裏面の一部（例えば円環状のリング）でこのレッジ部に直接又は間接的に接触することにより、レッジ部によって保持されるのである。従って、このレッジ部は、この半導体ウェーハの裏面に近接するが、このレッジ部から棚落ちする開口部の底部は、この半導体ウェーハの裏面からの距離が格段に大きくなるのである。
【００１３】
サセプタから供給される熱によりレッジ部が高温になる場合、半導体ウェーハの裏面からの距離が近いためレッジ部からの熱が伝わり易く、半導体ウェーハがレッジ部と重なり合う半導体ウェーハの周辺部（以下「レッジ領域」という）は高温になり易い。そのため、半導体ウェーハのこのレッジ領域では、側面と裏面から伝達された熱によってより高温となった半導体ウェーハの表面でのエピタキシャル層の成長速度が速くなると考えられる。そのため、エピタキシャル層の厚さは、レッジ領域において外周側に向かって急激に増加するのである。ここで、半導体ウェーハがレッジ部と重なり合うレッジ領域とは、半導体ウェーハの上面（レッジ部に接触する半導体ウェーハの裏面の反対側の面）にあって、レッジ部が備えられる位置に相当する半導体ウェーハの上面の周辺部のことを意味する。
【００１４】
（２）前記半導体ウェーハは、少なくとも一方の面がデバイスの使用領域及びその周りを囲う周縁部から構成され、  前記レッジ部の前記所定の長さは、置載される前記半導体ウェーハの前記使用領域にウェーハ面上において相当する位置まで前記レッジ部が至らないように調整されていることを特徴とする上記（１）記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【００１５】
上述のように半導体ウェーハのレッジ領域のエピタキシャル層の厚さは大きく変化し易くなる一方、出来上がったエピタキシャルシリコンウェーハの平坦度要求は厳しくなるため、基板となる半導体ウェーハの厚みを調整することだけにより、エピタキシャルシリコンウェーハの平坦度を高く維持することが困難になってきている。また、エピタキシャルシリコンウェーハの使用領域を広げたいとの要請から、エッジ除外領域の縮小及びエピタキシャルシリコンウェーハの周辺部の平坦度の改善が強く望まれている。ここで、平坦度とは、一般に平らであることの度合いを意味するが、平坦度が低ければ平らではなく、平坦度が高いときは平らであると考えることができる。より具体的には、平坦度はＳＦＱＲにより表すことができる。
【００１６】
上述のようにレッジ部の所定長さを使用領域まで延びないようにした場合（或いはレッジ領域を小さくした場合）、エピタキシャルシリコンウェーハの使用領域での平坦度は向上することになる。
【００１７】
（３）前記レッジ部の前記所定の長さは、前記開口部の周方向に沿って可変であり、  前記半導体ウェーハ及び前記開口部のそれぞれの形状に合わせて変えられることを特徴とする上記（１）又は（２）記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【００１８】
一方、半導体ウェーハの外周辺では、その形状の大きな変化（例えば、面取り等の厚みの大きな変化）に伴い、その位置及び近傍でのエピタキシャル層の膜厚の急激な減少等の大きな変化が生じる場合がある。このとき、上述のようなレッジ部の長さ変化に伴うエピタキシャル層の膜厚の変化（急激な増加）と相殺させることにより、結果として、より高平坦度なエピタキシャルウェーハを製造することができる。ここで、開口部の周方向に沿って可変であるとは、例えば、上面視した開口部の円形状の周方向に沿って時計回りにレッジ部の上面の内周面からの距離が変化することを意味することができる。
【００１９】
（４）前記レッジ部の前記所定の長さは、２ｍｍ以上６ｍｍ未満であることを特徴とする上記（１）から（３）のいずれか記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【００２０】
例えば、レッジ部の長さを６ｍｍ未満とすれば、上述するような膜厚の大きな変化点はレッジ領域の境目にでき易いので、変化点の位置をエピタキシャルシリコンウェーハの外周辺から６ｍｍ以下のところにすることが可能となり、それより内周側のエピタキシャルシリコンウェーハの使用領域での平坦度を高く維持し易いのである。つまり、膜厚の変化点をデバイス使用領域外に出すことができる。このように、外周部エピタキシャル層の膜厚分布を改善するとともに、エピタキシャル成長による平坦度の悪化を低減させることができる。このレッジ部の長さをより短く、例えば、４ｍｍ未満とすれば、それだけ高い平坦度を周辺領域まで維持できる可能性があるのである。
【００２１】
一方、レッジ部は半導体ウェーハを保持する機能を維持しなければならず、このために、少なくとも２ｍｍの長さを持つことが好ましい。しかしながら、半導体ウェーハを保持する機能を維持することができれば、これより短くすることも可能である。
【００２２】
（５）反応炉内で半導体ウェーハとソースガスとを反応させてエピタキシャルを成長させるエピタキシャルウェーハの製造装置において、  前記半導体ウェーハが配置される開口部を有するサセプタと、  前記開口部の周方向に沿って備えられ、前記開口部の内周側に所定の長さで延び、前記半導体ウェーハが置載されるように前記開口部の下部に備えられるレッジ部とを含み、  少なくともその一方の面がデバイスの使用領域及びその周りを囲う周縁部から構成される前記半導体ウェーハの前記使用領域にウェーハ面上において相当する位置まで前記レッジ部が至らないようにされていることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。
【００２３】
（６）前記レッジ部の前記所定の長さは、２ｍｍ以上６mm未満であることを特徴とする上記（５）記載のエピタキシャルウェーハの製造装置。
【発明の効果】
【００２４】
上述のように、本発明によれば、エピタキシャル層の膜厚の大きな変化点をデバイス使用領域外にすることができ、デバイス使用領域内の膜厚分布の均一化に貢献することが可能であり、エピタキシャルウェーハの平坦度を向上させることができる。また、基板となる半導体ウェーハとの形状の組合せによりエピタキシャルウェーハの平坦度を高く（良く）することができる。即ち、エピタキシャル層の膜厚分布があまり均一ではない（不均一の程度が高い）としても、基板となる半導体ウェーハの平坦度があまり高くないとしても、両者を組み合わせてできるエピタキシャルウェーハの平坦度を結果的により良くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に本発明の実施例について、図面に基づいてより詳しく説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００２６】
図１は、サセプタ４の縦断面を模式的に表した図である。サセプタ４の開口部であるポケット１３の底部は、以下に説明するように棚部およびテーパ面からなる。例えば、直径３００ｍｍのウェーハをエピタキシャル成膜処理する装置においては、サセプタ４として直径が３５０〜４００ｍｍ、厚さが３〜６ｍｍの円板部材を用いる。
【００２７】
サセプタ４の上面外周から２０〜４０ｍｍ中心に向かった位置から、基板となる半導体ウェーハ１２を受け入れる円形凹部であるポケット１３が設けられ、その底部にはテーパ面３１が設けられている。このテーパ面３１は、緩やかな傾斜を有する。
【００２８】
テーパ面３１から更に中心に向かって、円形凹部である棚部３２を設けている。この棚部３２はテーパ面３１から少し下がった位置に設けた円形の平坦面であり、サセプタ４の上面と平行な水平面である。
【００２９】
図１では説明の都合上２個しか図示していないが、棚部３２には３個の貫通穴２２が設けられ、各々の貫通穴２２の上部は上方に向かって拡大開口する皿状穴２２´を形成している。３個の貫通穴２２にはそれぞれウェーハ支持用のリフトピン２３が挿通している。この貫通穴２２の穴径はリフトピン２３の直径よりも大きくし、サセプタ４に対してリフトピン２３が上下動する際に接触しない大きさを有するように形成する。
【００３０】
リフトピン２３は、石英，炭素Ｃ，炭化シリコンＳｉＣ等よりなる。リフトピン２３は円柱または円筒状をなし、上端部には、皿状穴２２´に対応するように下部外周にテーパ面２４ｂを有する頭部２４を備える。この頭部２４のテーパ面２４ｂのテーパ角は、皿状穴２２´のテーパ面のテーパ角と適合する。
【００３１】
頭部２４の上部２４ａは頂角が鈍角をなす円錐形状をなし、ウェーハ裏面を支持する際の接触面積を極めて小さくすることにより、リフトピン２３によるウェーハ裏面への傷の発生を防止している。リフトピン２３は頭部２４がサセプタ４の皿状穴２２´の内壁に係合し、リフトピン２３が下降した状態においては、自重により鉛直に垂下される。このとき、頭部２４の上部２４ａが棚部３２の上面から突出することはない。
【００３２】
図２は、図１のサセプタ４等が用いられるエピタキシャルウェーハ製造装置１の概略構造を示す縦断面である。この枚葉式のエピタキシャルウェーハ製造装置においては、通常、ウェーハを１枚だけ水平に支持するサセプタ４（ウェーハ支持台）が処理チャンバ２内に設けられている。また、サセプタ４上にウェーハ１２を搬送するために、ウェーハ１２をサセプタ４に対して上下動させるためのリフト機構を設けている。リフト機構は、サセプタ４を貫通して延びる複数本のリフトピン２３を有しており、これらのリフトピン２３の上端にウェーハ１２を載せ、サセプタ４に対して相対的にリフトピン２３を上下動させることでウェーハ１２を昇降させる。このようなリフト機構により、搬送用アームのハンドに載せられてチャンバ２内に運ばれてきたウェーハ１２をサセプタ４上に移載したり、或いはその逆に、ウェーハ１２をサセプタ４からハンドに受け渡したりすることが可能となる。
【００３３】
また、エピタキシャル層の成長を行うためには、サセプタ４上で支持されたウェーハ１２を高温に加熱する必要がある。このため、多数のハロゲンランプ（赤外線ランプ）等の熱源８，９を処理チャンバ２の上下に配置し、サセプタ４及びウェーハ１２を加熱している。
【００３４】
サセプタ４は、炭素Ｃの基材に炭化シリコンＳｉＣの被膜を施したものであり、ウェーハ１２を加熱する際にウェーハ１２全体の温度を均一に保つ均熱盤としての役割を果たす。図１に示すようにサセプタ４の上面には、例えばシリコンウェーハを収めるためにウェーハ１２より一回り大きく、深さがｌ〜２ｍｍ程度のくぼみであるポケット１３が形成されている。このポケット１３の底面は、半導体ウェーハ１２の外周部のみと接触するようにテーパ面とする構成が用いられ、底面とウェーハ１２の面接触をできるだけ減らすように工夫が施されている。このくぼみ内にウェーハ１２を収容し、所定温度にて原料ガスを含むキャリアガス中にサセプタ４を保持することにより、ウェーハ１２の表面にシリコン薄膜よりなるエピタキシャル層が成長する。ここで原料ガスとは、シリコンソースガスとドーパントガスを指している。
【００３５】
シリコンソースガスには、トリクロロシランＳｉＨＣｌ３やジクロロシランＳｉＨ２Ｃｌ２等のクロロシラン系ガスが、またドーパントガスには、ジボラン（Ｐ型）やホスフィン（Ｎ型）が使われるのが一般的である。これらのガスはキャリアガスである水素Ｈ２とともにチャンバ内に導入される。
【００３６】
チャンバ２は、円筒状のベースリング３を円板状の上部窓５および受皿状の下部窓６によって上下から挟んでなり、内部の閉空間は反応炉を形成する。上部窓５および下部窓６は、熱源からの光を遮ることが無いように透光性を有する石英を用いている。チャンバ２内に形成された反応炉は、ウェーハ１２よりも上部の空間である上部チャンバ７ａと、ウェーハ１２よりも下部の空間である下部チャンバ７ｂとに大別される。
【００３７】
さらに、反応炉を加熱する熱源８，９をチャンバ２の上下に備えている。本実施の形態においては、上下の熱源８，９はそれぞれ複数本のハロゲンランプ（赤外線ランプ）から構成されている。
【００３８】
チャンバ２内には、ウェーハ１２を上部に支持するサセプタ４を収納している。サセプタ４は上方から見ると円板形状をしており、その直径はウェーハ１２よりも大きく、サセプタ４の上面にはウェーハ１２が収納される円形凹状の開口部であるポケット１３を設けている。サセプタ４は、本例においては炭素Ｃの基材に炭化シリコンＳｉＣの被膜を施したものであり、ウェーハ１２を加熱する際にウェーハ１２全体の温度を均一に保つ均熱盤としての役割を果たす。そのため、サセプタ４はウェーハ１２よりも数倍の厚さおよび数倍の熱容量を有している。また、通常ウェーハ１２よりも高温となる。
【００３９】
ウェーハ１２の上面に均一なエピタキシャル層が形成されるように、エピタキシャル層成長処理操作の間、サセプタ４はウェーハ１２の板面と平行な面内において垂直軸を回転中心として回転する。当然のことながら、サセプタ４に設けたポケット１３の中心は、サセプタ４の回転中心と一致する。
【００４０】
サセプタ４の下方には、サセプタ４の回転軸となる円柱状または円筒状のサセプタ支持軸１４が垂直に配置され、サセプタ支持軸１４の上部にはサセプタ４を水平に支持する３本のサセプタアーム１５を備える。３本のサセプタアーム１５は上方から見たときにそれぞれが１２０°の角度をなすように放射状に配置され、サセプタアーム１５の先端に設けた上方向凸部がサセプタ４の下面に当接してサセプタ４を支持する。
【００４１】
サセプタ支持軸１４は、その軸心とサセプタ４の円板中心とが一致する位置に垂直に配置され、サセプタ支持軸１４の回転によりサセプタ４が回転する。サセプタ支持軸１４への回転は、不図示の回転駆動機構によって与えられる。サセプタ支持軸１４およびサセプタアーム１５は、下部熱源９からの光を遮ることのないよう、透光性の石英から形成されている。
【００４２】
（実施例１）
図３は、図１のサセプタ４の右端部を拡大して表示する概略図及びこの装置で形成されたエピタキシャル層膜厚分布のグラフである。このサセプタ４は、ポケット幅３０２ｍｍを有している。テーパ面３１を備えるレッジ（Ｌｅｄｇｅ）部３３のレッジ長さＬは６．０ｍｍである。半導体ウェーハ１２の外周面とテーパ面３１とポケット１３の内周面で規定される空間１３aは、その幅が約１ｍｍである。このような装置で形成されるエピタキシャル層膜厚はウェーハ１２の中心から約１４５ｍｍのところのＰで膜厚が最小となり、そこから急激に膜厚が上昇する。このとき、デバイス使用領域内での外周部エピタキシャル層の膜厚分布が０．９０％であった。ここで、図３の縦軸は、エピタキシャル層膜厚の平均値からの変化を、目標とするエピタキシャル層の膜厚に対する相対値で示したものである。以下同様のグラフの縦軸について同じである。
【００４３】
（実施例２）
図４は、図３と基本的に同じものであるが、テーパ面３１を備えるレッジ（Ｌｅｄｇｅ）部３３のレッジ長さＬを３．０ｍｍとしたものである。同様に、半導体ウェーハ１２の外周面とテーパ面３１とポケット１３の内周面で規定される空間１３aは、その幅が約１ｍｍである。このような装置で、数ミクロンのエピタキシャル層の形成を行ったところ、形成されるエピタキシャル層膜厚はウェーハ１２の中心から約１４８ｍｍのところのＱで膜厚が最小となり、そこから急激に膜厚が上昇した。
【００４４】
作成されるエピタキシャルウェーハの使用領域が、例えば、該ウェーハの外周から２ｍｍ以上入った領域（即ち、エッジ除外２ｍｍ）であるとすれば、実施例２のものは、その境目でエピタキシャル層膜厚が最小となる。即ち、レッジ部３３の長さＬを３．０ｍｍとすれば、膜厚の最小となるポイントＱは、デバイス使用領域内に入らないこととなる。このとき、デバイス使用領域内での外周部エピタキシャル層の膜厚分布が実施例１の０．９０％から実施例２の０．５３％まで改善した。
【００４５】
（実施例３）
図５は、ポケット幅３０２ｍｍのサセプタ４において、レッジ（Ｌｅｄｇｅ）部３３のレッジ長さＬを４．０ｍｍとした場合を示す。上記実施例とそれ以外の製造条件は同一にして、このサセプタ４を用いて数ミクロンのエピタキシャル層の形成を行ったところ、図５（ｂ）に示すようなエピタキシャル層の膜厚分布を得た。膜厚が最小となるのは、中心から１４７ｍｍ（端から３ｍｍ）のところであった。このとき、基板となる半導体ウェーハ１２の厚さは、そのエピタキシャル層形成面において、図５（a）に示すようなものを用いた。このウェーハは、表面の高さが中心から約１４７ｍｍ（端から３ｍｍ）のところで最高となっていた。このような基板と膜との組合せとなるエピタキシャルウェーハの厚み分布は、図５（ｃ）に示すようになった。この図からわかるように、このような組合せにより、結果として得られるエピタキシャルウェーハの平坦度は高いものとなる。
【００４６】
上述するように、レッジ部の長さを変えることにより、形成されるエピタキシャル層の膜厚を変化させることができる。特に、エピタキシャルウェーハの外周辺近傍のエピタキシャル層の膜厚増加が始まる位置やその増加の程度を制御することが可能である。更に、レッジ長さを、レッジ部の半導体ウェーハを保持するという機能を満足する範囲において、自由に変えることができるので、容易に制御ができる。更に、基板形状にあったレッジ長さを選択すれば、デバイス使用領域における平坦度を周縁近傍に至るまで高く保つことが可能である。
【００４７】
また、基板となる半導体ウェーハのエピタキシャル層形成面の凹凸と組み合わせることにより、製造されるエピタキシャルウェーハの平坦度を向上させることができる。
【００４８】
以上、本発明者がなした発明の実施形態について説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定はされず、本発明の要旨を変更しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本願のエピタキシャルウェーハ製造装置の概略を示す、縦断面図である。
【図２】サセプタの概略を示す、縦断面図である。
【図３】実施例１のサセプタの概略を示す縦断面図及びそれを用いたエピタキシャル層の膜厚分布を示す図である。
【図４】実施例２のサセプタの概略を示す縦断面図及びそれを用いたエピタキシャル層の膜厚分布を示す図である。
【図５】実施例３の基板となる半導体ウェーハの表面の高さ分布及びエピタキシャル層の膜厚分布と、得られるエピタキシャルウェーハの厚み分布を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１    エピタキシャルウェーハ製造装置
４    サセプタ
８、９    熱源
１２    半導体ウェーハ
１３     ポケット
３１     テーパ面
３２    棚
３３    レッジ部
１２    エピタキシャル層
【図１】
2007273623.tif 000003
【図２】
2007273623.tif 000004
【図３】
2007273623.tif 000005
【図４】
2007273623.tif 000006
【図５】
2007273623.tif 000007