(57)【要約】【課題】面内、またはロット間で、コンタクト抵抗の小さい発光素子を安定的に得る。【解決手段】MgドープAlGaNからなるｐ型クラッド層7と、5×1019/cm3以上7×1019/cm3以下の濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第１コンタクト層８と、1×1020/cm3以上2×1020/cm3以下の濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第２コンタクト層９と、陽電極１０とが順に積層されている。この構成により、高濃度ドープした最表面のｐ型第２コンタクト層９中のMg熱拡散を抑えてMg濃度プロファイルを矩形に近づけることができるので、面内、またはロット間で、コンタクト抵抗の小さい発光素子を安定的に得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Alを含むｐ型窒化物半導体からなる半導体層と、前記半導体層上にｐ型窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を介して形成された陽電極とを有する窒化物半導体素子において、前記ｐ型コンタクト層は、ｐ型第１コンタクト層と、前記ｐ型第１コンタクト層の主面及び前記陽電極と接するｐ型第２コンタクト層との複層を有し、前記ｐ型第１コンタクト層はｐ型不純物が5×1019/cm3以上7×1019/cm3以下の濃度でドープされ、前記ｐ型第２コンタクト層はｐ型不純物が1×1020/cm3以上2×1020/cm3以下の濃度でドープされたことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記ｐ型コンタクト層は、さらに、前記ｐ型第１コンタクト層の主面と反対側に、前記ｐ型第１コンタクト層のｐ型不純物濃度よりも低い濃度でｐ型不純物がドープされたｐ型第３コンタクト層を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記ｐ型コンタクト層の膜厚が60nm以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記ｐ型コンタクト層にドープされたｐ型不純物がMgであることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記ｐ型コンタクト層を構成する窒化物半導体がGaNからなることを特徴とする請求項１〜４の何れか１つに記載の窒化物半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は青色から紫外域の波長にわたる発光ダイオードまたは同波長域における半導体レーザダイオード等の発光素子、あるいは太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化物半導体素子に係わり、特に電気的、光学的特性に優れた窒化ガリウム系半導体への不純物ドーピング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
III族元素としてAl、Ga、In等を含み、Ｖ族元素としてN等を含むAlGaInNで表される窒化物半導体は、可視光発光デバイスや高温動作電子デバイス用の半導体材料として近年多用されるようになった。そして、特に、青色や緑色の発光ダイオードの分野での実用化や青紫色レーザダイオードの分野での展開が進んでいる。これらの発光素子の多くは、図１２に示すように（特許文献３参照）、サファイアやSiC及びGaN等からなる基板１０１上にSiドープGaNからなるn型コンタクト層１０２と、SiドープAlGaNからなるn型クラッド層１０３と、SiドープGaNからなるn型ガイド層１０４と、InGaNを活性層とする単一又は多重量子井戸構造からなるInGaN系MQW活性層１０５と、MgドープGaNからなるｐ型ガイド層１０６と、MgドープAlGaNからなるｐ型クラッド層１０７と、MgドープGaNからなるｐ型コンタクト層１０８と、陽電極１１０が順に積層された構造を有している。
【０００３】
上記の半導体素子を作製する場合、特にｐ型窒化物半導体はその作製が困難であり、ｐ型不純物であるMgをドープするだけでは低抵抗なｐ型結晶を得ることはできない。そこで、ｐ型不純物をドープした窒化物半導体層を、（特許文献１）に示される400℃以上のアニーリング（熱処理）を行い水素除去してMgを活性化することによって低抵抗化を実現している。
【０００４】
さらに、上記の半導体素子に電極を形成し効率よく電流を注入することが不可欠であるが、この際の電極とｐ型半導体との界面に生じるコンタクト抵抗を低減するために、ｐ型窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層１０８の不純物ドーピング方法に工夫を施さなければならない。例えば、（特許文献２）や（特許文献３）、または （特許文献４）で示される方法であれば、電極と良好なオーミックコンタクトを得るために、ｐ型コンタクト層１０８はMgを1×1020cm-3から1×1021cm-3程度の高い濃度でドープされ、その膜厚は50nm以下と比較的薄く抑えられている。
【０００５】
ここで、コンタクト層膜厚が比較的薄く抑えられている理由は、高濃度のｐ型層の膜厚が増すに連れバルク抵抗が増大してしまうことが挙げられる。
【特許文献１】特開平５−１８３１８９号公報
【特許文献２】特開平８−９７４７１号公報
【特許文献３】特開平１０−２４２５８７号公報
【特許文献４】特開２０００−１６４９２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の比較的薄いコンタクト層において順方向電圧等に問題のない素子が形成されても、そのコンタクト抵抗の面内分布が大きく、LDの電圧歩留まりが低いといった課題が存在する。それは、以下の理由による。
【０００７】
まず、陽電極１１０と接する最表面ｐ型コンタクト層１０８に、ｐ型不純物として1×1020cm-3から2×1020cm-3程度の高濃度にMgをドープすると、ショットキー障壁の幅が狭くなり、キャリアが障壁を越えることなくトンネル効果によって通り抜けるようになるので、オーミックコンタクトが得られる。
【０００８】
ここで、安定的なオーミックコンタクトを得るためには、ｐ型コンタクト層１０８のMg濃度プロファイルは表面において濃度が一定であるのがよい。それは、表面において濃度が一定でない場合、ショットキー障壁が厚くなり、トンネルするキャリアの割合が減少し、それが不安定要因となるからである。
【０００９】
しかし、前記コンタクト層直下のAlGaNからなるｐ型クラッド層１０７では、通常バルク抵抗低減を図り、アクセプターであるMgの活性化率が最大になるよう1〜2×1019cm-3程度のMg濃度に抑えられている。よって、前記のような従来のMgドーピング方法ではｐ型クラッド層１０７とｐ型コンタクト層１０８においてMg濃度差が１桁程度と大きいため、ｐ型コンタクト層１０８からｐ型クラッド層１０７へのMg拡散が大きい。
【００１０】
従って、結晶成長中にはMg濃度プロファイルは表面において濃度一定、すなわち矩形に形成できていたとしても、降温時、熱拡散が生じて結晶成長終了後には図２に示すようにMg濃度プロファイルは崩れてしまうことが多い（図２は横軸を膜の厚み方向にとり、膜の厚み方向とｐ型クラッド層１０７及びｐ型コンタクト層１０８のMg濃度との関係を示した降温前（エピタキシャル成長直後）及び降温後におけるグラフである。降温前はMg濃度プロファイルが矩形に形成できているが、降温後はMg濃度プロファイルの矩形が崩れてしまう。）。もしくは、Mgの濃度差が大きいことでMgドーピング遅れの問題が顕著になり、急峻に立ち上がったMg濃度プロファイルを有するコンタクト層を作製することが困難である。
【００１１】
これらが原因で、面内でのコンタクト抵抗に分布が生じやすくなる。
【００１２】
本発明は以上のような点に鑑みて成されたものであり、その目的は、面内におけるコンタクト抵抗値を一様にし、かつ再現性を向上させ、低コンタクト抵抗を有する窒化物半導体素子を安定的に得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために本発明の請求項１記載の窒化物半導体素子は、Alを含むｐ型窒化物半導体からなる半導体層と、前記半導体層上にｐ型窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を介して形成された陽電極とを有する窒化物半導体素子において、前記ｐ型コンタクト層は、ｐ型第１コンタクト層と、前記ｐ型第１コンタクト層の主面及び前記陽電極と接するｐ型第２コンタクト層との複層を有し、前記ｐ型第１コンタクト層はｐ型不純物が5×1019/cm3以上7×1019/cm3以下の濃度でドープされ、前記ｐ型第２コンタクト層はｐ型不純物が1×1020/cm3以上2×1020/cm3以下の濃度でドープされたことを特徴として構成される。
【００１４】
本発明の請求項２記載の窒化物半導体素子は、さらに前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型第１コンタクト層の主面と反対側に、前記ｐ型第１コンタクト層のｐ型不純物濃度よりも低い濃度でｐ型不純物がドープされたｐ型第３コンタクト層を有しても良い。
【００１５】
本発明の請求項３記載の窒化物半導体素子は、さらに前記ｐ型コンタクト層の膜厚が60nm以下であることが好ましい。
【００１６】
本発明の請求項４記載の窒化物半導体素子は、さらに前記ｐ型コンタクト層にドープされたｐ型不純物がMgであることが好ましい。
【００１７】
本発明の請求項５記載の窒化物半導体素子は、さらに前記ｐ型コンタクト層を構成する窒化物半導体がGaNからなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の構成によれば、陽電極と接するｐ型コンタクト層（ｐ型第２コンタクト層）と、その活性層側に形成されたより低濃度のｐ型コンタクト層（ｐ型第１コンタクト層）との間のｐ型不純物の濃度差は小さいため、表面側（ｐ型第２コンタクト層側）から内部（基板側）へのMg拡散が抑制でき、Mg濃度プロファイルを容易に矩形に近づけることができる。
【００１９】
本発明の構成により、従来に比べて、面内、またはロット間でのコンタクト抵抗値のばらつきを抑えることができ、低コンタクト抵抗を有する窒化物半導体素子を安定的に得ることが可能となるため、半導体レーザダイオード等の電圧歩留まりの改善に寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態に係る半導体素子の断面図を示したものである。図１に示すように、本発明の第１の実施形態における半導体素子は、サファイアやSiC及びGaN等からなる基板１上にSiドープGaNからなるn型コンタクト層２と、SiドープAlGaNからなるn型クラッド層３と、SiドープGaNからなるn型ガイド層４と、InGaNを活性層とする単一又は多重量子井戸構造からなるInGaN系MQW活性層５と、MgドープGaNからなるｐ型ガイド層６と、MgドープAlGaNからなるｐ型クラッド層７と、MgドープGaNからなるｐ型第１コンタクト層８と、MgドープGaNからなるｐ型第２コンタクト層９と、陽電極１０が順に積層された構造を有している。
【００２１】
まず、面内でのコンタクト抵抗分布のばらつきを低減するためには、降温後においても1×1020cm-3から2×1020cm-3程度の高Mg濃度ｐ型コンタクト層のMg濃度プロファイルが表面において矩形であり、最適な膜厚を有することが望ましい。そのために、1×1020cm-3から2×1020cm-3程度の高濃度ドープしたｐ型コンタクト層中のMgが熱拡散することを抑制することが必要である。
【００２２】
そこで、本発明の窒化物半導体素子のｐ型コンタクト層は、図３に示すように少なくとも３層以上の異なるMg濃度からなる層で構成されていて、陽電極と接する最表面のｐ型第２コンタクト層９は最も高濃度にｐ型不純物（Mg）がドープされ、かつ表面から第２層目のｐ型第１コンタクト層８にはｐ型クラッド層７のMg濃度とｐ型第２コンタクト層９のMg濃度の中間的な濃度にｐ型不純物（Mg）がドープされる構成を有することを特徴として、最表面のｐ型第２コンタクト層９からのMgの拡散を低減する（図３は横軸を膜の厚み方向にとり、膜の厚み方向とｐ型クラッド層７、ｐ型第１コンタクト層８及びｐ型第２コンタクト層９のMg濃度との関係を示した降温前（エピタキシャル成長直後）及び降温後におけるグラフである。図３は図２と比較して、降温後のMg濃度プロファイルの矩形の崩れが小さい。）。
【００２３】
具体的には、ｐ型第２コンタクト層９は50nm以下の薄膜でｐ型不純物を1×1020/cm3以上2×1020/cm3以下の高濃度にドープする。ここで、ｐ型第２コンタクト層９を高濃度にMgドープすることで低コンタクト抵抗が得られ、薄膜にすることで高バルク抵抗の影響を低減できる効果がある。
【００２４】
なお、一般にMgの拡散係数はMg濃度差が大きいほど増大する。本実施の形態では、ｐ型第１コンタクト層８のMg濃度を、最表面のｐ型第２コンタクト層９のMg濃度とｐ型クラッド層７のMg濃度を勘案して中間的な値にしてあるため、高濃度で膜厚の薄いｐ型第２コンタクト層９におけるMgの拡散を抑制できる。
【００２５】
ここで、陽電極１０とｐ型第２コンタクト層９との界面に生じるコンタクト抵抗について、ｐ型第１コンタクト層８におけるMg濃度と膜厚とをパラメータとしたときの関係を詳細に検討した。その結果を図４に示す（ただし図４において、ｐ型第２コンタクト層９の膜厚は20nm, Mg濃度は1.5×1020/cm3とする）。この検討結果によると、ｐ型第１コンタクト層８が20nm以上の厚さにおいて、ｐ型第１コンタクト層８のMg濃度が少なくとも3×1019/cm3以上、7×1019/cm3以下の範囲で従来の薄膜単層コンタクト条件のコンタクト抵抗よりも低いコンタクト抵抗が得られることが分かった。
【００２６】
これは、図５、図６からｐ型第１コンタクト層８中のキャリアが増加すると、ｐ型第２コンタクト層９にもキャリアが流入し、それが寄与してコンタクト抵抗を低減していると考えられる（図５はｐ型第１コンタクト層８の膜厚が40nm、ｐ型第２コンタクト層９の膜厚が20nmの場合におけるｐ型第１コンタクト層８のMg濃度とコンタクト抵抗との関係を表し、図６はｐ型GaNのMg濃度とホール濃度との関係を表す。図５、図６を参照すると、コンタクト抵抗はｐ型第１コンタクト層８のホール濃度と相関があることが分かる。すなわち、ｐ型第１コンタクト層８は高濃度にドープされた最表面のｐ型第２コンタクト層９からのMg拡散を抑制するだけではなく、キャリアを貯えてコンタクト抵抗を低減させるのに寄与する層でもある）。
【００２７】
さらに、これらコンタクト抵抗値の面内分布評価を行い、度数分布をヒストグラムで、従来構造の場合を図７、ｐ型第１コンタクト層８のMg濃度が3×1019/cm3の場合を図８、5×1019/cm3の場合を図９、7×1019/cm3の場合を図１０にそれぞれ示した（ただし、図７の度数分布を示す従来構造は、コンタクト層が１層しかなく、そのｐ型コンタクト層１０８の膜厚は20nm、濃度は1.5×1020/cm3であり、図８、図９、図１０の度数分布を示す構造は、コンタクト層が２層あり、ｐ型第１コンタクト層８の膜厚は40nm、ｐ型第２コンタクト層９の膜厚は20nm、 ｐ型第２コンタクト層９の濃度は1.5×1020/cm3である）。
【００２８】
これらによると、従来構造の薄膜単層コンタクト条件におけるコンタクト抵抗値面内分布（図７）、及びｐ型第１コンタクト層８のMg濃度が3×1019/cm3でのコンタクト抵抗値面内分布（図８）よりも、ｐ型第１コンタクト層８のMg濃度5×1019/cm3でのコンタクト抵抗値面内分布（図９）、及びｐ型第１コンタクト層８のMg濃度7×1019/cm3でのコンタクト抵抗値面内分布（図１０）は非常に良化していることが分かった。
【００２９】
これは、ｐ型第１コンタクト層８のMg濃度が3×1019/cm3の場合は、最表面のｐ型コンタクト層であるｐ型第２コンタクト層９からのMg拡散抑制効果が十分に得られていないが、ｐ型第１コンタクト層８のMg濃度が5×1019/cm3及び7×1019/cm3の場合は、最表面ｐ型コンタクト層であるｐ型第２コンタクト層９からのMg拡散抑制効果が十分に得られていることを示す。
【００３０】
なお、ｐ型第１コンタクト層８のMg濃度が5×1019/cm3以上7×1019/cm3以下の範囲においても、ｐ型第１コンタクト層８のMg濃度が5×1019/cm3及び7×1019/cm3の場合と同等の効果が得られると考えられる。
【００３１】
また、本実施形態では、ｐ型第２コンタクト層９のMg濃度は1.5×1020/cm3であったが、その前後の濃度である1×1020/cm3以上2×1020/cm3以下であれば、十分に同様の効果を得ることができる。
【００３２】
以上から、ｐ型第２コンタクト層９のｐ型不純物（Mg）を1×1020/cm3以上2×1020/cm3以下の濃度にドープした場合、ｐ型第１コンタクト層８は、ｐ型不純物濃度（Mg濃度）が5×1019/cm3以上7×1019/cm3以下であれば、低コンタクト抵抗を有する窒化物半導体素子を安定的に得ることが可能となる。
【００３３】
なお、本発明の実施形態において、ｐ型不純物としてMgを用いたが、Mg以外にZn、Cd、Be、Ca、Ba等を用いても同様の効果を得ることができる。
【００３４】
また、ｐ型第１コンタクト層８及びｐ型第２コンタクト層９のバルク抵抗は、膜厚が薄いほど低いため、ｐ型第１コンタクト層８は最表面のｐ型第２コンタクト層９からのMgの拡散を抑制し、かつキャリアを貯める機能を維持する範囲で薄くすることが好ましい。従って、ｐ型第１コンタクト層８の膜厚とｐ型第２コンタクト層９の膜厚の和は本実施形態で示した60nmか、若しくは60nmより小さいことが好ましい。
【００３５】
（第１の実施形態の製造方法）
図１に示す本発明の第１の実施形態に係る半導体素子(青紫半導体レーザ)は、有機金属気層成長(MOVPE)法を用いた結晶成長により形成される。そこで以下は、この図１を参照しながら本発明の半導体発光素子の構造及び具体的な製造方法について、順を追って説明する。
【００３６】
まず気層成長に先立ち、基板１を反応炉内のサセプター上に設置し、真空排気した後、水素とアンモニアの混合雰囲気中において950℃で１０分間加熱して基板１表面のクリーニングを行う。ここでGaNからなる基板１の替わりに、C面、R面、又はA面を主面とするサファイア基板や、SiC等を用いることができるが、本発明のｐ型窒化物半導体層において、より顕著な効果を得るには転位密度が107/cm3以下のGaN,InGaN,AlGaN等からなる基板を用いることが望ましい。
【００３７】
次に、TMGの供給のみを停止し、温度を1030℃まで昇温した後、TMGとモノシランを供給し、n型コンタクト層２を形成する。
【００３８】
その後、基板温度を1050℃まで昇温し、トリメチルアルミニウム(TMA)をさらに加え、n型クラッド層３を形成する。
【００３９】
次に、TMAの供給を停止して再びn型ガイド層４を堆積する。
【００４０】
そして、アンモニアと窒素の混合雰囲気に切り替え、基板温度を800℃程度に降温した後、トリメチルインジウム(TMI)、TMGを加え、InGaN井戸層、続けてTMIの供給を停止し、GaN障壁層を交互に作製し、InGaN系MQW活性層５を形成する。ここで、GaN障壁層にはInGaN井戸層よりも少ないIn組成のInが含まれても良い。
【００４１】
次に、TMI、TMGの供給を停止し、再びアンモニアと水素の混合雰囲気中で成長温度を930℃まで昇温し、一定温度になった後、TMG、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を加え、ｐ型ガイド層６、さらにTMAを加え、AlGaNからなるｐ型クラッド層７を形成する。
【００４２】
その後、TMA供給のみを停止し、GaNからなるｐ型第１コンタクト層８、 GaNからなるｐ型第２コンタクト層９をそれぞれ40nm、20nmの膜厚に形成する。ここで、ｐ型第１コンタクト層８形成時のCp2Mg供給量は、ｐ型クラッド層７形成時のCp2Mg供給量の５倍とする。また、ｐ型第２コンタクト層９形成時のCp2Mg供給量は、ｐ型クラッド層７形成時のCp2Mg供給量の１０倍とする。またはCp2Mg供給量を一定とし、ｐ型第１コンタクト層８形成時、ｐ型第２コンタクト層９形成時それぞれのTMG供給量を、ｐ型クラッド層７形成時のTMG供給量の５分の１倍、１０分の１倍とそれぞれしてもよい。そして、ｐ型クラッド層７と合わせて、３段階の異なるMg濃度を有するｐ型層を形成する。
【００４３】
なお、GaNからなるｐ型第１コンタクト層８及びｐ型第２コンタクト層９にはAl又はInが含まれていても良い。
【００４４】
ここで、成長温度が高いほどMgの拡散係数は増大し、長い時間高温で保持するほど拡散長が大きくなることから、最表面のｐ型第２コンタクト層９をできる限り低温で成長することが望ましい。
【００４５】
上記結晶成長終了後、アンモニア、水素の供給を直ちに停止し、キャリアガスをN2のみとしてすばやく降温する。こうすることで降温中の結晶表面からの結晶の再脱離を抑制でき欠陥の発生を効果的に低減できる。また、急冷することで最表面のMgが内部へ拡散する量も抑制できる。結果的に低いコンタクト抵抗を再現性、均一性良く実現することができ、その結果さらにコンタクト抵抗を低減し、面内、またはロット間で安定的に低コンタクト抵抗を得ることが可能となる。ここで、500℃までは１℃/秒以上のスピードで急冷することにより、あわせて活性化熱処理を行うことなく熱処理を行った場合と同程度の活性化ができ、ｐ型層の低抵抗化が実現できる。
【００４６】
最後に、レーザ素子構造を有した結晶試料のｐ型GaN最表面層にフォトリソグラフィー技術等により、選択的に陽電極１０を堆積する。
【００４７】
以上の製造方法を用いることで、ｐ型第１コンタクト層８及びｐ型第２コンタクト層９のｐ型不純物濃度を前述の条件（ｐ型第１コンタクト層８のｐ型不純物濃度が5×1019/cm3以上7×1019/cm3以下であって、ｐ型第２コンタクト層９のｐ型不純物濃度が1×1020/cm3以上2×1020/cm3以下である条件）にすれば、面内の測定位置によってコンタクト抵抗の値がばらつくことを抑え、低コンタクト抵抗を有する窒化物半導体素子を安定的に得ることが可能となる。
【００４８】
（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態について図面を参照して説明する。図１１は第２の実施形態に係る半導体素子の断面図を示したものである。図１１において、図１と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
【００４９】
図１１に示すように、本発明の第２の実施形態の半導体素子は、ｐ型クラッド層７とｐ型第１コンタクト層８の間に、ｐ型第１コンタクト層のMg濃度よりも低い濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第３コンタクト層１１が形成されている。
【００５０】
本実施形態のように、ｐ型第３コンタクト層１１が形成されていても、第１の実施形態と同様、面内の測定位置によってコンタクト抵抗の値がばらつくことを抑え、安定的に低コンタクト抵抗を得ることが可能である。
【００５１】
なお、本発明の第１及び第２の実施形態では、半導体レーザダイオード等の窒化物半導体からなる発光素子を例に挙げて述べたが、本発明の「安定的に低コンタクト抵抗を得ることができる」という効果は、発光素子に限らず、窒化物半導体素子全般において得ることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、発光ダイオードまたは半導体レーザダイオード等の発光素子、あるいは太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化物半導体素子に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体素子の断面図
【図２】従来の降温前及び降温後における膜の厚み方向とｐ型層のMg濃度との関係を示したグラフ
【図３】本発明の第１の実施形態に係る降温前及び降温後における膜の厚み方向とｐ型層のMg濃度との関係を示したグラフ
【図４】本発明の第１の実施形態に係るコンタクト抵抗について、ｐ型第１コンタクト層におけるMg濃度と膜厚とをパラメータとしたときの関係を表すグラフ
【図５】本発明の第１の実施形態に係る膜厚40nmのｐ型第１コンタクト層のMg濃度とコンタクト抵抗との関係を表すグラフ
【図６】ｐ型GaNのMg濃度とホール濃度との関係を表すグラフ
【図７】従来構造コンタクト層におけるコンタクト抵抗面内分布評価結果を表すヒストグラム測定図
【図８】本発明の第１の実施形態に係る第１コンタクト層のMg濃度が3×1019/cm3の場合におけるコンタクト抵抗面内分布評価結果を表すヒストグラム測定図
【図９】本発明の第１の実施形態に係る第１コンタクト層のMg濃度が5×1019/cm3の場合におけるコンタクト抵抗面内分布評価結果を表すヒストグラム測定図
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る第１コンタクト層のMg濃度が7×1019/cm3の場合におけるコンタクト抵抗面内分布評価結果を表すヒストグラム測定図
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る半導体素子の断面図
【図１２】従来の半導体素子の断面図
【符号の説明】
【００５４】
１  基板
２  n型コンタクト層
３  n型クラッド層
４  n型ガイド層
５  InGaN MQW活性層
６  ｐ型ガイド層
７  ｐ型クラッド層
８  ｐ型第１コンタクト層
９  ｐ型第２コンタクト層
１０  陽電極
１１  ｐ型第３コンタクト層
１０１  基板
１０２  n型コンタクト層
１０３  n型クラッド層
１０４  n型ガイド層
１０５  InGaN系MQW活性層
１０６  ｐ型ガイド層
１０７  ｐ型クラッド層
１０８  ｐ型コンタクト層
１１０  陽電極
【図１】
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【図２】
2007227832.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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