(57)【要約】【課題】  樹脂絶縁層（ソルダーレジスト層）に形成された半田バンプを良好なものとすることが可能で高密度配線化及び多端子化となる配線基板を提供することにある。【解決手段】  主表面ＣＰを有する配線積層部Ｌ１とソルダーレジスト層ＳＲ１とを備える配線基板１であって、ソルダーレジスト層ＳＲ１の厚さが２５μｍより上とされ、ソルダ−レジスト層ＳＲ１には、配線積層部Ｌ１の主表面ＣＰに形成された導体パッド１０を露出させる露出孔９が設けられ、露出孔９に導体パッド１０と接続された半田バンプ１１形成されており、露出孔９の内周壁９ｃが板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面であって、露出孔９上面９ａ及び露出孔９底面９ｂの直径差は５μｍ以上のテーパ面とされてなることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する配線積層部とソルダーレジスト層とを備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層の厚さが２５μｍより上とされ、
該ソルダ−レジスト層には、前記配線積層部の主表面に形成された導体パッドを露出させる露出孔が設けられ、該露出孔に該導体パッドと接続された半田バンプが形成されており、
当該露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面であって、前記露出孔上面及び前記露出孔底面の直径差は５μｍ以上のテーパ面とされてなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層の厚みをＬ、前記露出孔上面及び底面の直径差をｄとしたとき、Ｌ／ｄが１０以下の範囲である請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
主表面を有する配線積層部とソルダーレジスト層と備える配線基板であって、
該ソルダ−レジスト層には、前記配線積層部の主表面に形成された導体パッドを露出させる露出孔が設けられ、該露出孔に該導体パッドと接続された半田バンプが形成されており、
当該露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面とされ、
前記ソルダーレジスト層の厚みをＬ、前記露出孔上面及び底面の直径差をｄとしたとき、Ｌ／ｄが１０以下の範囲であることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記ソルダーレジスト層の厚みをＬ、前記露出孔の底面直径をｒ、前記露出孔上面及び底面の直径差をｄとしたとき、７ｄ＋０．７ｒ≧３２＋２Ｌの範囲である請求項１ないし３に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、その一主面にＬＳＩやＩＣチップ等の電子部品を搭載する際に用いる多数の導体（電極）を備えており、他方の主面にはマザーボード等と接続するための多数の導体（電極）及びそれに設置された接続端子を備えたものとされている。このようなタイプの配線基板においては、搭載するＬＳＩやＩＣチップあるいはチップコンデンサなどの電子部品の高密度集積化を図るために、高密度配線化及び多端子化が求められている。
【特許文献１】特開平１１−２６８９２号公報
【０００３】
従来から、例えばＩＣチップを配線基板に実装する場合には、ＩＣチップ及び配線基板の接続面に、複数の半田バンプを格子状又は千鳥状に形成し、これにＩＣチップを重ね合わせて所定の接続温度に加熱することにより半田バンプを介して両者を接続する、いわゆるフリップチップと呼ばれる接続方式が知られている。
【０００４】
そして、上述のような配線基板に半田バンプを形成する方法としては、半田ペーストをスクリーンマスク（あるいはメタルマスク）を介して基板上の所定位置に設けられた開口（露出孔）に印刷し、さらにこれを加熱（リフロー）して半田ペーストを溶融させることにより基板上に半田バンプを形成する半田ペースト印刷法が知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半田ペースト印刷法によりこれら開口に半田バンプを形成する方法においては、塗布される半田ペーストの体積にばらつきが生じ易く、例えばその開口（露出孔）に対し体積が過剰となった場合には、リフロー時に溶融した半田の表面張力により半田が開口の上側に浮き上がり、底側にある導体（電極）と溶着されず半田バンプ欠損不良が発生する恐れがあり、逆に開口（露出孔）に対し体積が不足した場合には、ＩＣチップ等を基板に実装する際に半田バンプの高さが不足して部品実装時の端子間接続不良等を招く恐れがあるため電気的接続信頼性が得られないという問題がある。
【０００６】
そこで、半田バンプを良好に形成するためにこれら開口を大きくすることが考えられるが、大きすぎると配線基板の高密度配線化の妨げとなるジレンマがあり、また開口が設けられる基板の主表面をなす樹脂絶縁層（ソルダーレジスト層）の厚みを薄くすることが考えられるが、薄すぎると導体の保護、導体間の絶縁性の維持等の信頼性が得られないというジレンマがある。
【０００７】
本発明の課題は、樹脂絶縁層（ソルダーレジスト層）に形成された半田バンプを良好なものとすることが可能で高密度配線化及び多端子化となる配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び効果】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の配線基板は、
主表面を有する配線積層部とソルダーレジスト層とを備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層の厚さが２５μｍより上とされ、
該ソルダ−レジスト層には、前記配線積層部の主表面に形成された導体パッドを露出させる露出孔が設けられ、該露出孔に該導体パッドと接続された半田バンプが形成されており、
当該露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面であって、前記露出孔上面及び前記露出孔底面の直径差は５μｍ以上のテーパ面とされてなることを特徴とする。
【０００９】
上記本発明によれば、ソルダーレジスト層が２５μｍより厚く形成され、露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面（換言すれば、内周壁が板厚方向底部側に向かうほど径が小さくなるテーパ面）で形成されているので、具体的には、露出孔上面と底面との直径差が５μｍ以上となるテーパ面で形成されているので、ソルダーレジスト層を厚く形成した場合にも、高密度配線化を実現するとともに、露出孔の開口が大きく設けられているので、その形成された半田バンプを良好なものとすることができる。また、ソルダーレジスト層が厚く形成されているので、半田の付着防止、導体の保護、導体間の絶縁性の維持等で信頼性を得ることができる。一方、露出孔上面と底面との直径差が５μｍより下となると、ソルダーレジスト層を厚く形成した場合に、露出孔の開口を十分に大きく設けることができなくなり、良好な半田バンプを形成することができなくなる。
【００１０】
また、本発明の配線基板は、
主表面を有する配線積層部とソルダーレジスト層とを備える配線基板であって、
該ソルダ−レジスト層には、前記配線積層部の主表面に形成された導体パッドを露出させる露出孔が設けられ、該露出孔に該導体パッドと接続された半田バンプが形成されており、
当該露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面とされ、
前記ソルダーレジスト層の厚みをＬ、前記露出孔上面及び底面の直径差をｄとしたとき、Ｌ／ｄが１０以下の範囲であることを特徴とする。
【００１１】
上記本発明によれば、露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面で形成され、ソルダーレジスト層の厚みをＬ、露出孔上面及び底面の直径差（以下、単に径差というときもある）をｄとしたときにＬ／ｄを１０以下とすることで、テーパ面による半田ペーストの接触領域が十分に確保することができるので、例えばリフロー時に溶融した半田の表面張力が発生した場合にも半田が開口の上側に浮き上がるのを抑制することができ、また、リフロー時に溶融した半田の進入が容易となり露出孔底部まで到達しやすくなるため導体パッドに溶着しやすくなる。Ｌ／ｄを１０より大きくした場合には、より露出孔の傾斜が急勾配（略垂直に近づく）となるので、ソルダーレジスト層の厚みに対して半田ペーストを印刷するのに十分な開口を確保することができなくなり、信頼性ある導体パッドとの接続を行うことができない恐れがある。なお、この開口に半田ペーストの印刷工程を繰り返し行うことで、半田バンプを形成することもできるが、その場合には、作業効率が悪くなり、製造コストが高くなってしまう場合がある。他方、Ｌ／ｄは１以上であることが望ましい。１よりも小さくなると、露出孔開口が広がりすぎてしまい、配線領域が縮小するため高密度配線化の妨げとなってきてしまう。
【００１２】
また本発明の配線基板は、
主表面を有する配線積層部とソルダーレジスト層とを備える配線基板であって、
該ソルダ−レジスト層には、前記配線積層部の主表面に形成された導体パッドを露出させる露出孔が設けられ、該露出孔に該導体パッドと接続された半田バンプが形成されており、
当該露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面とされ、
前記ソルダーレジスト層の厚みをＬ、前記露出孔の底面直径をｒ、前記露出孔上面及び底面の直径差をｄとしたとき、７ｄ＋０．７ｒ≧３２＋２Ｌの範囲であることを特徴とする。
【００１３】
上記本発明によれば、露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面で形成され、ソルダーレジスト層の厚みをＬ、露出孔の底面直径（以下、単に底面径というときもある）をｒ、露出孔上面及び底面の径差をｄとしたとき、７ｄ＋０．７ｒ≧３２＋２Ｌとすることで、例えばソルダーレジスト層の厚みを所定の厚さで形成した場合に、露出孔の底面径を大きく形成していくと露出孔の上面と底面との径差を小さくすることが可能となり、反対に、径差を大きく形成していくと底面径を小さく形成することが可能となるため、高密度配線化を実現するとともに十分な大きさの開口を備える露出孔を形成することができるので、その露出孔に形成された半田バンプが良好なものとなる。また、ソルダーレジスト層の厚みに対応して、露出孔の大きさ（底面径）、形状（テーパ面）が設けられ、ソルダーレジスト層が厚くなると、底面径もしくは径差が大きく形成され、反対に、薄くなると、底面径もしくは径差が小さく形成することができるので、ソルダーレジスト層の厚さに対して十分な開口を備える露出孔を形成することができるので、その露出孔に形成された半田バンプが良好なものとなる。
【００１４】
露出孔は、上記条件でソルダーレジスト層に形成されるため、得られる半田バンプの体積と形状の安定化を図ることができ、また、良好な半田バンプを形成することができるので配線基板の半田工程歩留りを向上させることができ、ひいては作業性に優れたものとなる。さらに、露出孔外への半田の流出が起こり難くなるので、例えば隣の露出孔に設けられた半田と短絡する半田ブリッジの発生が抑制され電気的接続信頼性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。このように配線基板１は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面ＭＰ１，ＭＰ２に、所定の配線パターンをなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させる内壁面メッキ層（スルーホール導体）３０が形成されている。また、スルーホール１２には、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１がスルーホール導体３０の内側に充填形成されている。
【００１６】
コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１も含め配線積層部Ｌ１，Ｌ２が形成されている。具体的には、感光性または熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第１樹脂絶縁層（ビルドアップ樹脂絶縁層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ所定パターンをなす金属配線７を有する第１導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第１導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第１導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、感光性または熱硬化性樹脂組成物６を用いた第２樹脂絶縁層（ビルドアップ樹脂絶縁層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。その表面には、金属端子パッド（導体パッド）１０，１７を有する第２導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第１導体層Ｍ２，Ｍ１２と第２導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。このビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。ビアホール３４ｈは、各樹脂絶縁層を感光性樹脂を用いる場合には、所定パターンでマスクされて紫外線で露光、現像等することにより形成される。また、熱硬化性樹脂を用いる場合には、レーザまたはプラズマ等によって穿孔し形成される。
【００１７】
また、第２導体層Ｍ３，Ｍ１３及び第２樹脂絶縁層Ｖ２，Ｖ１２の上層には、感光性または熱硬化性樹脂組成物８，１８を用いたソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１がそれぞれ形成されており、金属端子パッド１０，１７に対応する位置にそのパッドを露出するための露出孔９，１９が設けられている。また、少なくとも露出孔９においては、後述する内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面とされている。なお、露出孔９，１９は、ビアホール３４ｈと同様にソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１に感光性樹脂を用いる場合には、所定パターンでマスクされて紫外線で露光、現像等することにより形成される。また、熱硬化性樹脂を用いる場合には、レーザまたはプラズマ等によって穿孔し形成される。
【００１８】
このように、板状コア２の表面ＭＰ１においては、コア導体層Ｍ１、第１樹脂絶縁層Ｖ１、第１導体層Ｍ２、第２樹脂絶縁層Ｖ２および第２導体層Ｍ３が積層されて第１の配線積層部Ｌ１が形成されている。また、板状コア２の表面ＭＰ２においては、コア導体層Ｍ１１、第１樹脂絶縁層Ｖ１１、第１導体層Ｍ１２、第２樹脂絶縁層Ｖ１２および第２導体層Ｍ１３が積層されて第２の配線積層部Ｌ２が形成されている。配線積層部Ｌ１，Ｌ２は、いずれも樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されたものであり、板状コア２から遠い側の主表面ＣＰには、複数の金属端子パッド１０，１７およびソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１がそれぞれ形成されている。
【００１９】
第１配線積層部Ｌ１側の金属端子パッド１０は、ＩＣチップなどをフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）である半田ランドを構成する。また、第２配線積層部Ｌ２側の金属端子パッド１７は、配線基板自体をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面ランド（ＰＧＡパッド、ＢＧＡパッド）として利用されるものである。図２に示すように、金属端子パッド（半田ランド）１０は配線基板１の主表面ＣＰの略中央部分に格子状または千鳥状に配列し、各々その上に形成された半田バンプ１１（図１参照）とともにチップ搭載部４０を形成している。半田バンプ１１は、たとえばＳｎ−Ｐｂ半田もしくはＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田（Ｐｂフリー半田）にて構成することができる。また、図３に示すように、第２導体層Ｍ１３内の金属端子パッド（裏面ランド）１７も、格子状に配列形成されている。なお、配線基板１において信号伝送経路は、板状コア２の一主表面側（第１配線積層部Ｌ１側）に形成された金属端子パッド１０から、他方の主表面側（第２配線積層部Ｌ２側）に形成された金属端子パッド１７に至る形で形成される。
【００２０】
図４は、露出孔９を示す拡大模式図である。図４に示すように、第１配線積層部Ｌ１側に形成された露出孔９は、金属端子パッド１０に対応する位置にソルダーレジスト層ＳＲ１を構成する樹脂組成物８を板厚方向に貫通して形成されてなり、開口する上面９ａと、金属端子パッド１０の表面が位置する底面９ｂと、上面９ａと底面９ｂとで貫通して形成される内周壁９ｃとを有している。内周壁９ｃは各横断面略円形形状で底面９ｂから上面９ａ側に向かうほど径が大きくなるテーパ面とされている。また、底面９ｂにおいては、金属端子パッド１０の外周縁よりも内側に位置しており、底面９ｂ全面において金属端子パッド１０の少なくとも一部が露出されている。これにより、ソルダーレジスト層ＳＲ１の露出孔９の内周壁９ｃを含む部分が金属端子パッド外縁被覆部となっている。この露出孔９に上述する半田バンプ１１が充填形成され金属端子パッド１０と接続される。
【００２１】
ソルダーレジスト層ＳＲ１の金属端子パッド１０の表面上に位置する部分の厚みＬ（本実施例においては、この厚みＬをソルダーレジスト層の厚みという）は、２０μｍ以上３０μｍ以下とすることができる。また、露出孔９の底面９ｂの直径ｒは、８０μｍ以上１２０μｍ以下とすることができる。また、露出孔９の上面９ａと底面９ｂとの直径差ｄは５以上１０μｍ以下とすることができる。このような条件でソルダーレジスト層ＳＲ１に露出孔９が形成されるため、例えば内周壁（テーパ面）９ｃによる半田バンプ１１（図１参照）の形成が容易となり、得られる半田バンプ１１の体積と形状の安定化を図ることができるため良好なものとすることができる。
【００２２】
次に、図５を参照しながら本発明の配線基板１の製造工程について説明する。まず、周知のビルドアップ法等により、板状コア２の両表面に導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層して、配線積層部Ｌ１，Ｌ２をそれぞれ形成する。次に、配線積層部Ｌ１，Ｌ２のうち最も外側（最上層）に位置する樹脂絶縁層６の主面（第１配線積層部Ｌ１及び第２配線積層部Ｌ２の各主表面ＣＰ）上に、金属端子パッド１０，１７を形成する（工程１参照）。具体的には、第１配線積層部Ｌ１および第２配線積層部Ｌ２の各主表面ＣＰに、無電解Ｃｕメッキを施し、その上にフォトレジスト等からなるマスク材をフォトリソグラフィー工程により、金属端子パッド１０，１７を有する導体層の形成予定領域が露出するように覆い、電解Ｃｕメッキを施した後、マスク材を除去するとともに、無電解Ｃｕメッキをエッチング除去する。このようにしてパターンメッキ工程を行い、金属端子パッド１０，１７を有する導体層（Ｃｕメッキ層）を形成する。
【００２３】
次に、図５の工程２〜４に示すように、配線積層部Ｌ１を構成する樹脂絶縁層６の主表面ＣＰ及び金属端子パッド１０を有する導体層をソルダーレジスト層８にて覆う。続いて、ソルダーレジスト層８の表面を金属端子パッド１０に対応してパターン化されたマスク材７０で覆い、そのマスク材７０を通して紫外線により露光、現像によって露出孔９を形成する。このとき、金属端子パッド１０を個別に露出させるための露出孔９が形成されるとともに、露出孔９の底面周縁が金属端子パッド１０の表面外周縁よりも内側に張り出して位置するように形成する。なお、ソルダーレジスト層としてネガ型を用いた場合には、通常（露出孔を垂直に形成する場合）の露光及び現像時間よりも長く露光及び現像することにより、また、ポジ型を用いた場合には、逆に露光及び現像を短くすることで露出孔９の内周壁９ｃがテーパ状をなすように形成する。
【００２４】
次に、工程５に示すように、ソルダーレジスト層８の表面を露出孔９に対応したマスク材で覆い、露出孔９内に半田ペーストを印刷法により充填形成する。その後、マスク材を除去し、リフロー工程を行うことにより、金属端子パッド１０の上に半田バンプ１１を良好に形成することができる。
【００２５】
図６及び図７は、露出孔９形成における別の例を示す図である。図６に示すように、ソルダーレジスト層８の表面からマスク材７０を所定距離ｔ隔てた位置に設置して紫外線により露光、現像によって露出孔９を形成すると、マスク材７０を通過した紫外線が一部拡散するので、マスク材を密着させて露出孔９を形成する場合よりもソルダーレジスト層８の表面が広く照射されるため、得られる露出孔９の内周壁９ｃを金属端子パッド１０に向かうほど縮径するテーパ状のものとすることができる。また、所定距離ｔを適宜調整することで、ソルダーレジスト層８の表面を照射する大きさを調整することができるため、ひいてはテーパ面の形状を調整することができる。
【００２６】
また、図７に示すように、露出孔９は、レーザービーム照射により、ソルダーレジスト層８を表面側からいわば焼き飛ばす形で形成することもできる。ここで、レーザービームの焦点を適宜設定することにより、例えば該焦点を露出孔形成位置より遠ざけることにより得られる露出孔９の内周壁９ｃを金属端子パッド１０に向かうほど縮径するテーパ状のものとすることができる。また、レーザービームの強度を通常より弱く設定すると、レーザービームからのソルダーレジスト層８への入熱量は、表面側ほど大きくなるように深さ方向に分布を生ずる。その結果、焼き飛ばされる樹脂組成物（ソルダーレジスト層８）の体積は表面側ほど大きくなるので、得られる露出孔９の内周壁９ｃを金属端子パッド１０に向かうほど縮径するテーパ状のものとすることができる。
【００２７】
なお、露出孔９の形成方法としては、上記製造方法に限定するものではなく、種々の変更が可能である。例えば、デスミア処理によりスミアの除去とともに、樹脂の表面（内周壁）も溶解し除去することができるため、デスミアの処理方法や処理時間などを適宜調整することにより内周壁の一部を溶解しテーパ状のものとすることができる。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明の効果を確認するために次の実験を行った。使用した試験品は以下の通りである。
まず、上述したように板状コアの両表面上に導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層して配線積層部をそれぞれ形成し、続いてＩＣチップ等を搭載する側の配線積層部の主表面（樹脂絶縁層及び金属端子パッドを有する導体層）を厚さ２６．３μｍのソルダーレジスト層で覆う。次に、ソルダーレジスト層の金属端子パッドに対応する位置に２条件で各１０００サンプルずつ露出孔を形成した後、金属端子パッドと接続するように半田ペーストを露出孔に印刷充填してその得られた半田バンプの歩留りを測定した。その結果を表１に示す。なお、各条件における上面径及び底面径の大きさは１０００サンプルにおける平均値である。また、良好な半田バンプかを半田歩留りが９０％以上であるか否かで判断した。
【００２９】
【表１】
2007227654.tif 000003
【００３０】
実施例の結果として、ソルダーレジスト層が２５μｍより上としたとき、露出孔の内周壁をテーパ面とすると半田歩留りは良好であった。具体的には、表１の結果からも分かるように、実施例のようにＬ／ｄ（図４参照）が３．１（１０以下）のとき（具体的には、ソルダーレジスト層の厚みが２６．３μｍ（２５μｍより上）、直径差が８．４μｍ（５μｍ以上）のとき）半田歩留りは９５．６％と良好であったのに比べて、比較例のようにＬ／ｄ（図４参照）が１２．５（１０より上）のとき（具体的には、ソルダーレジスト層の厚みが２６．３μｍ（２５μｍより上）、直径差が２．１μｍ（５μｍ未満）のとき）は、十分なテーパ面とならず略垂直となり、明らかに半田歩留りが２０．５％と低くなる傾向があった。つまり、半田バンプが金属端子パッドに溶着されず、上側に浮き上がり半田バンプ欠損不良となった。
【００３１】
図８は、各条件による半田歩留りの評価が示されている。図８（ａ）（ｂ）に示すように、露出孔における底面径を大きくしていくと、径差を小さくしても良好な半田歩留りを得ることができた。また、径差を大きくしていくと、底面径を小さくしても良好な半田歩留りを得ることができた。さらに、ソルダーレジスト層の厚みを薄くしていくと、露出孔（底面径及び径差）を小さくしても良好な半田歩留りを得ることができた（換言すれば、ソルダーレジスト層の厚みを厚く形成した場合にも、露出孔（底面径及び径差）を大きくすることで良好な半田歩留りを得ることができた）。
【００３２】
なお、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲の趣旨を逸脱しない限りにおいて、目的、用途に応じて当業者の知識に基づく種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る配線基板の断面構造の一例を示す図。
【図２】本発明に係る配線基板の表面図
【図３】図２における裏面図
【図４】露出孔を示す説明図
【図５】本発明に係る配線基板の製造工程の一部を示す説明図
【図６】製造工程の別の例を示す説明図１
【図７】製造工程の別の例を示す説明図２
【図８】ソルダーレジスト層と露出孔と半田歩留りとの関係を示す図
【符号の説明】
【００３４】
１    配線基板（樹脂製配線基板）
２    板状コア
８（ＳＲ１）  ソルダーレジスト層
９    露出孔
９ｃ  内周壁
１０  導体パッド（金属端子パッド）
１１  半田バンプ
【図１】
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【図２】
2007227654.tif 000005
【図３】
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【図４】
2007227654.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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