(57)【要約】【課題】  大口径なウェーハであってもガス分布及び温度分布の均一化を図ることができ均一性の高い薄膜を形成することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る縦型基板処理装置は、反応管内において基板を保持するボート２が、中心軸を軸心として回転する中心軸回転運動と中心軸に対して偏心した位置を軸心として回転する偏心軸回転運動とを同時に行うように構成されている。これにより、図（ａ）にように、ボート２は反応管１の内部において矢印Ａ１のように中心軸回転運動しながら矢印Ａ２のように偏心軸回転運動を行う。従って、ウェーハ３の上にあるｑ点の軌跡は、図（ｂ）のようにハイポサイクロイド曲線を描き、同心円の軌跡は描かない。従って、ウェーハ３を回転してもそのウェーハ３の全面において温度分布を均一にすることができる。同様にして、ガス分布もウェーハ３の全面において均一にすることができる。【選択図】    図１
2007035775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持手段によって基板を保持しながらその基板に対して所望の処理を施す処理室と、
前記処理室の内部を加熱する加熱手段と、
前記基板保持手段の中心軸を軸心としてその基板保持手段を回転させる第１の回転機構と、
前記基板保持手段の中心軸とは偏心した位置を軸心としてその基板保持手段と共に前記第１の回転機構を回転させる第２の回転機構と、
を備えることを特徹とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱しながら基板に所定の処理を施す基板処理装置に関し、特に、回転軸を備えて炉内を回転させながら基板に処理を施す縦型の基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製品のコストダウンを図るために、半導体デバイスは基板（以下、ウェーハという）の大口径化が進みつつあり、現在ではウェーハの直径が３００ｍｍのものが主流となっている。また、半導体デバイスの高性能化を図るために微細化が進み、ウェーハを構成する薄膜の均一性をさらに向上させる必要性が生じている。大口径のウェーハに対して均一に薄膜を形成させるために、縦型の基板処理装置（以下、縦型基板処理装置という）では、ウェーハを保持するボート（石英治具）を回転させることで、薄膜を形成するために必要なガスの均一化と、ウェーハを加熱させるのに必要なヒータ（加熱機構）の温度ムラを減少させることができる。
【０００３】
図６は、一般的な縦型基板処理装置の概略的な縦断面構成図である。縦型基板処理装置１０は、反応管１の内部に中心軸（図示せず）によって自在に回転できるボート２が配置されていて、ボート２の各棚にはウェーハ３が載置されている。また、反応管１の内部には反応用のガス４が供給されている。さらに、反応管１の周囲には加熱手段としてのヒータ５が配置され、反応管１の内部を加熱している。このような構成によって、ウェーハ３に所望の処理を施すことができる。
【０００４】
図7は、図６に示す縦型基板処理装置の横断面図であってボートを回転させた状態を示す概念図である。図７（ａ）に示すように、反応管１に収納されたボート２の中心には中心軸６が設けられていて、この中心軸６を軸心としてボート２が矢印の方向へ回転すると、ボート２に載置されたウェーハ３も同方向に回転する。従って、図７（ｂ）に示すように、ボート２が回転した際のウェーハ３の回転軌跡（丸印Ｐ点の軌跡）も中心軸６に対して同心円となっている。このように、縦型基板処理装置１０の運転中においては、中心軸６を軸心としてボート２を回転させる（以下、中心軸回転という）ことによって、ウェーハ３に薄膜を形成するために必要なガス４の均一化と、ウェーハ３を加熱させるヒータ５の温度ムラを低減させている。
【０００５】
なお、反応管の中心部に回転軸を備えた基板処理装置の技術は、例えば、下記の特許文献１などに開示されている。この技術によれば、回転軸パージ用のガスを回転軸に供給することによって基板表面のガスを不均一にさせないようにし、基板上に形成される膜厚の均一化を図っている。これによって、基板の製品歩留りを向上させることができる。
【特許文献１】特開平１０−３３５３１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の縦型基板処理装置のように反応管の中心軸による回転（中心軸回転）だけでは、大口径なウェーハを処理する場合にはウェーハ近傍のガス及び温度分布の均一化を図ることができない。従って、ウェーハに対して微細化に対応した均一な薄膜形成を行うことができない場合がある。すなわち、半導体デバイスの高性能化を図るためには、さらに均一な薄膜形成を行う必要があるが、反応管の中心軸回転だけでは高精度な薄膜形成を行うことができない。
【０００７】
図８は、図６に示す縦型基板処理装置において反応管を中心軸回転させたときのウェーハの温度分布を示す概念図である。一般的には、上述のようにボート２の中心軸を介してウェーハ３を回転させることによって（つまり、中心軸回転を行うことによって）、原料ガスの供給が均一となり、かつヒータ５からの放射熱に対しても均一な加熱を得ることが出来るので、ウェーハ表面の薄膜の均一性を向上させることができる。
【０００８】
しかし、ボート２の中心軸回転だけでは、図７（ｂ）に示したＰ点の軌跡はウェーハ３の表面に同心円の軌跡を描くために、図８（ａ）に示す同心円状のヒータ５からの加熱エネルギ（図８（ａ）の矢印）が均一な場合は、ウェーハ３の温度分布は均一とはならない。すなわち、図８（ｂ）に示すようにヒータ５に近いウェーハ３の周辺部分の温度が高くなり、ウェーハ３の中心部分の温度が低くなる。いいかえれば、図８（ｃ）に示すように、ウェーハ３の同心円状に同じ温度分布であれば、ウェーハ３を中心軸回転させてもウェーハ３の温度分布は周辺に高く中心に低い勾配となるため、ウェーハ３の温度均一性は向上しない。
【０００９】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、大口径なウェーハであってもガス分布及び温度分布の均一化を図ることができ、均一性の高い薄膜を形成することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板保持手段によって基板を保持しながらその基板に対して所望の処理を施す処理室と、処理室の内部を加熱する加熱手段と、基板保持手段の中心軸を軸心としてその基板保持手段を回転させる第１の回転機構と、基板保持手段の中心軸とは偏心した位置を軸心としてその基板保持手段と共に第１の回転機構を回転させる第２の回転機構とを備える構成を採っている。
【００１１】
すなわち、本発明の基板処理装置は、例えば、縦型基板処理装置であって、処理室となる反応管内において基板を保持する基板保持手段（ボート）が、中心軸を軸心としてボートを回転させる中心軸回転運動と、中心軸に対して偏心した位置を軸心としてボートを回転させる偏心軸回転運動とを同時に行うように構成されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の基板処理装置によれば、ボートに対して中心軸回転運動と偏心軸回転運動とを行わせることにより、基板に対して高品質な膜生成を行うことが可能となる。これによって、半導体素子の性能をさらに向上させることができ、かつウェーハの生産性を高めることができる。また、ウェーハの面上における温度分布の均一性がさらに向上するため、ウェーハに対して均一性の高い高品質な膜形成を行うことができる。さらに、ＣＶＤにおいて、反応管の加工不良や経時変化によって反応管の形状が設計値通りとならない場合でも、ウェーハに対して均一性の高い高品質な膜形成を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜発明の概要＞
本発明に係る縦型基板処理装置は、反応管内において基板を保持する石英治具のボートが、中心軸回転運動と偏心軸回転運動とを同時に行うように構成されている。なお、中心軸回転運動とは、ボートの中心軸を軸心としてそのボートを回転させる回転状態であり、偏心軸回転運動とは、ボートの中心軸に対して偏心した位置を軸心としてボートを回転させる回転状態である。このようにして、ボートに対して中心軸回転運動と偏心軸回転運動とを加えた複合回転運動を行わせることにより、ボートに載置されたウェーハの温度分布及びガス分布を均一にすることができ、結果的に、ウェーハに対して均一な薄膜を形成することができる。
【００１４】
＜第１の実施の形態＞
以下、図面を参照しながら、本発明に係る基板処理装置の実施の形態について、縦型基板処理装置を例に挙げて説明する。本発明に係る基板処理装置の基本的な構造は図６の縦型基板処理装置と同じである。すなわち、縦型基板処理装置１０は、反応管１の内部に回転自在なボート２が配置されていて、ボート２の各棚にはウェーハ３が載置されている。また、反応管１の内部には反応用のガス４が供給されている。さらに、反応管１の周囲には加熱手段としてのヒータ５が配置され、反応管１の内部を加熱している。
【００１５】
図１は、本発明の実施の形態による縦型基板処理装置のボートの動きを示す概念図であり、（ａ）はボートを中心軸回転運動させながら偏心軸回転運動させた状態を示す概念図、（ｂ）は（ａ）のｑ点の軌跡を示すハイポサイクロイド曲線である。
【００１６】
図１（ａ）は、ボート２が、反応管１の内部において、矢印Ａ１のように中心軸回転運動しながら矢印Ａ２のように偏心軸回転運動を行っている状態を示している。従って、この図はボート２の偏心軸回転運動の軌跡を示しているのであって、ボート２が３個あるわけではない。なお、ボート２に偏心軸回転運動を行わせるための偏心軸は図には示されていない。
【００１７】
ボート２が、図１（ａ）のように中心軸回転運動と偏心軸回転運動とを加えた複合回転運動を行うと、ウェーハ３の上にあるｑ点の軌跡は、図１（ｂ）のようにハイポサイクロイド曲線を描き、同心円の軌跡は描かない。従って、このような複合回転運動を行うことによって、ウェーハ３は同心円状に同じ温度分布となることはなく、ウェーハ３を回転してもそのウェーハ３の全面において温度分布を均一にすることができる。同様にして、ガス分布もウェーハ３の全面において均一にすることができる。
【００１８】
図２は、縦型基板処理装置において、ボートを中心軸回転運動させたときと複合回転運動させたときのウェーハの温度分布の様子を示す概念図である。図２（ａ）に示すように、ウェーハ３を回転させない状態ではヒータ５に近いウェーハ３の周辺部分の温度が高くなり、ウェーハ３の中心部分の温度が低くなる。このように、ウェーハ３が同心円状に同じ温度分布であれば、ウェーハ３を中心軸回転運動させても、図２（ｂ）に示すように、ウェーハ３は周辺部分の温度が高く中心部分の温度が低くなる同心円状に同じ温度分布となり、ウェーハ３の温度均一性は向上しない。
【００１９】
ところが、ウェーハ３に対して図１（ａ）に示すような中心軸回転運動と偏心軸回転運動とを加えた複合回転運動を行えば、ウェーハ３上のｑ点の軌跡は図1（ｂ）に示すようなハイポサイクロイド曲線となるので、結果的には、図２（ｃ）に示すように、ウェーハ３は周辺部分から中心部分に亘ってほぼ均一な温度分布となる。これによって、ウェーハ３に対して均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
【００２０】
＜第２の実施の形態＞
また、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理では、膜厚分布を均一にするためには、気相反応を抑えて表面反応律速（粒子表面における化学反応支配）に近い条件で成膜することが望ましい。しかし、使用するガスによっては気相反応が抑えられない場合がある。例えば、ＳｉＨ4ガスとＮ2０ガスを使用してウェーハにシリコン酸化膜を生成しようとする場合は気相反応が抑えられない。このような気相反応は、表面反応とは異なって、ウェーハの表面で反応するのではなく、ウェーハから離れた反応室の空間で反応する。従って、ウェーハと反応管の位置関係（つまり、ウェーハと反応管のクリアランス）や反応管の形状が気相反応に大きく影響する。
【００２１】
図３は、縦型基板処理装置において、ボートを中心軸で回転させることによってウェーハと反応管のクリアランスが異なる状態を示す概念図であり、（ａ）はボートの回転角０度の状態、（ｂ）はボートの回転角１８０度の状態を示している。また、図４は、図３の横断面図であり、（ａ）はボートの回転角０度の状態、（ｂ）はボートの回転角１８０度の状態を示している。
【００２２】
ボートを中心軸で回転させた場合は、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ウェーハ３と反応管１のクリアランスの狭いところは、ボート２を回転してもやはり狭い。つまり、ボート２を中心軸回転運動した場合はクリアランスが狭いところは変化がない。
【００２３】
図３及び図４に示すように、ボートの回転角度によってウェーハ３と反応管１のクリアランス（隙間、距離）が異なると、空間の広さが異なるために反応速度が変わり、ウェーハ３の膜厚分布が悪くなってしまう。つまり、ウェーハ３と反応管１の空間が狭いと反応するスペースが狭くなるので成膜速度が遅くなり、ウェーハ３と反応管１の空間が広いと反応するスペースが広くなるので成膜速度が速くなる。従って、ボート２の回転中にウェーハ３と反応管１のクリアランスが変動することによって成膜速度が変動するので、ウェーハ３の膜厚分布が不均一になってしまう。
【００２４】
このように、ボートの回転角度によってクリアランスが異なる原因としては、反応管１の加工不良や、経時変化によって反応管１の形状に歪が生じて、反応管１の各部の寸法が設計値の通りにならないためである。そのため、ある程度のクリアランスを吸収できるためのマージンを確保したり、ウェーハ３の処理枚数を減らしたりして、ウェーハ３の膜厚分布の均一性の確保、及び基板処理装置の運転中におけるトラブルの抑止を図っている。
【００２５】
しかし、ウェーハ３処理で気相反応を使用する場合において、ウェーハ３の処理枚数を減らせば生産性が低下してコストアップにつながり、クリアランスの吸収マージンを大きく取れば製品歩留りが低下するなどの不具合が生じる。そこで、本発明の基板処理装置では、ウェーハの処理で気相反応を使用する場合においても、前述のように、中心軸回転運動と偏心軸回転運動とを加えた複合回転運動を行うことによって、ウェーハ３と反応管１のクリアランスを均等化して反応管１の形状が気相反応に影響を及ぼさないようにしている。
【００２６】
図５は、縦型基板処理装置において、ウェーハと反応管のクリアランスが異なる場合に中心軸回転運動と偏心軸回転運動とを加えた複合回転運動を行う状態を示す概念図であり、（ａ）はウェーハの回転状態を示す概念図、（ｂ）は（ａ）のｑ点の軌跡を示すハイポサイクロイド曲線である。
【００２７】
ボートに対して中心軸回転運動と偏心軸回転運動とを加えた複合回転運動を行わせることによって、図５（ａ）におけるウェーハ３のｑ点が示す軌跡は、図５（ｂ）のようにハイポサイクロイド曲線の軌跡を描くので、ボートの傾きによってウェーハ３と反応管１のクリアランスが変化しても、ウェーハ３の面上における見かけのクリアランスは回転に関わらず一定である。つまり、図４で示したような、中心軸回転運動のときに発生したクリアランスの狭いウェーハ３の部分は回転しても狭いという状態は解消される。
【００２８】
このように、ウェーハの処理で気相反応を使用する場合においても、ボートに対して中心軸回転運動と偏心軸回転運動とを組み合わせて行うことにより、反応管１とボート２のクリアランスの変動に関わらず、ウェーハ３のクリアランスを均一化することができるので、結果的に、ウェーハ３に対して均一な膜厚分布で成膜処理を行うことが可能となる。
【００２９】
つまり、図５（ａ）に示すように、ウェーハ３が中心軸回転と偏心軸回転を行うことによって、反応管１とボード２とのクリアランスがずれていた場合でも、ウェーハ３がハイポサイクロイド曲線の動きを呈するので、ウェーハ３のクリアランスの狭いところは同じ位置とはならない。よって、ウェーハ３に対して均一な膜厚で成膜処理を行うことができる。なお、反応管１の寸法を広げてボート２との接触を避ければパーティクルの抑制を行うこともできる。
【００３０】
＜第３の実施の形態＞
本発明に適用される縦型の減圧ＣＶＤ処理炉の実施例モデルについて説明する。図９は、本発明に適用される縦型の減圧ＣＶＤ処理炉の構成図である。以下、図９に示す減圧ＣＶＤ処理炉について説明する。
【００３１】
外管（以下、アウターチューブ２０５）は、例えば石英（ＳｉＯ2）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞されて下端に開口を有する円筒状の形態である。内管（以下、インナーチューブ２０４）は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ２０５内に同心円状に配置されている。アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４の間の空間は筒状空間２５０をなしている。また、インナーチューブ２０４の上部開口から上昇したガスは、筒状空間２５０を通過して排気管２３１から排気されるようになっている。
【００３２】
アウターチューブ２０５及びインナーチューブ２０４の下端には、例えば、ステンレス等よりなるマニホールド２０９が係合され、このマニホールド２０９にアウターチューブ２０５及びインナーチューブ２０４が保持されている。このマニホールド２０９は保持手段（以下ヒータベース２５１）に固定される。アウターチューブ２０５の下端部及びマニホールド２０９の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材（以下Ｏリング２２０）が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【００３３】
マニホールド２０９の下端開口部には、例えば、ステンレス等よりなる円盤状の蓋体（以下、シールキャップ２１９）がＯリング２２０を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。また、シールキャップ２１９には、ガスの供給管２３２が貫通するように設けられている。これらのガスの供給管２３２により、処理用のガスがアウターチューブ２０５内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管２３２はガスの流量制御手段（以下マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１）に連結されており、ＭＦＣ２４１はガス流量制御部に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御することができる。
【００３４】
マニホールド２０９の上部には、圧力調節器（例えば、ＡＰＣ、Ｎ２バラスト制御器があり、以下、ここではＡＰＣ２４２とする）及び、排気装置（以下、真空ポンプ２４６）に連結されたガスの排気管２３１が接続されており、アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４との間の筒状空間２５０を流れるガスを排出し、アウターチューブ２０５内をＡＰＣ２４２により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするように圧力検出手段（以下圧力センサ２４５）により検出し、圧力制御部により制御を行っている。
【００３５】
シールキャップ２１９には、回転機構（以下、回転軸２５４ａ，ｂ）が連結されており、回転軸２５４ａ，ｂにより、基板保持手段（以下、ボート２１７）及びボート２１７上に保持されている基板（以下、ウェーハ２００）を回転させる。すなわち、ボート２１７の中心軸を軸心として回転する回転軸２５４ａと、ボート２１７の中心軸を軸心とせずに偏心した回転軸２５４ｂとにより、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウェーハ２００を回転させる。又、シールキャップ２１９は昇降手段（以下、ボートエレベータ１１５）に連結されていて、ボート２１７を昇降させる。回転軸２５４ａ，ｂ及びボートエレベータ１１５を所定のスピードにするように、駆動制御部によって制御を行っている。
【００３６】
アウターチューブ２０５の外周には加熱手段（以下、ヒータ２０７）が同心円状に配置されている。ヒータ２０７は、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段（以下、熱電対２６３）により温度を検出し、温度制御部によって制御を行っている。
【００３７】
図９に示した処理炉による減圧ＣＶＤ処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ１１５によりボート２１７を下降させる。そして、ボート２１７に複数枚のウェーハ２００を保持する。次いで、ヒータ２０７により加熱しながら、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にする。また、ガスの供給管２３２に接続されたＭＦＣ２４１により、予めアウターチューブ２０５内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ１１５によりボート２１７を上昇させてアウターチューブ２０５内に移し、アウターチューブ２０５の内部温度を所定の処理温度に維持する。
【００３８】
そして、アウターチューブ２０５内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸２５４ａ，ｂにより、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウェーハ２００を回転させる。すなわち、ボート２１７の中心軸を軸心として回転する回転軸２５４ａと、ボート２１７の中心軸を軸心とせずに偏心した回転軸２５４ｂとにより、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウェーハ２００を回転させる。同時にガスの供給管２３２から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ２０５内を上昇し、ウェーハ２００に対して均等に供給される。
【００３９】
減圧ＣＶＤ処理中のアウターチューブ２０５内は、排気管２３１を介して排気され、所定の真空になるようにＡＰＣ２４２により圧力が制御され、所定時間に亘って減圧ＣＶＤ処理を行う。
【００４０】
このようにして減圧ＣＶＤ処理が終了すると、次のウェーハ２００の減圧ＣＶＤ処理に移るため、アウターチューブ２０５内のガスを不活性ガスで置換すると共に圧力を常圧にする。その後、ボートエレベータ１１５によりボート２１７を下降させて、ボート２１７及び処理済のウェーハ２００をアウターチューブ２０５から取出す。アウターチューブ２０５から取出されたボート２１７上の処理済のウェーハ２００は、未処理のウェーハ２００と交換され、再度、前述と同様にしてアウターチューブ２０５内に上昇され、減圧ＣＶＤ処理が成される。
【００４１】
なお、一例として、本実施の形態のＣＶＤ処理炉で処理される処理条件は、シリコン窒化膜の成膜において、処理室温度３００〜９００℃、ガス種供給量はSiCl2H2（ジクロロシラン）、NH3（アンモニア）、処理圧力は５〜２６０Ｐａであり、この処理室温度や処理圧力から選択される条件にて、所定の時間維持され、処理がなされる。例えば、処理室温度３００℃、処理圧力は５Ｐａにて所定の時間維持され、処理がなされる。また、ガス種としては、シリコン窒化膜の成膜において、シリコンソースとして、SiH4、SiCl2H2、Si2H6、SiCl3H、SiCl4、BTBAS、HCD(Si2H6) 、HSi(OC2H5)3、TEOSのいずれか、窒素ソースとして、NH3、N、N2O、NO、NO2、H2NNH2のいずれかから選択される。また、シリコン酸化膜の成膜において、ガス種はシリコンソースとして、SiH4、SiCl2H2、Si2H6、SiCl3H、SiCl4、BTBAS、HCD(Si2H6) 、HSi(OC2H5)3、TEOSのいずれか、窒素ソースとして、O3、NO、NO2、N2Oのいずれかから選択される。また、Ｐｏｌｙ膜の成膜において、ガス種はシリコンソースとして、SiH4、SiCl2H2、Si2H6、SiCl3H、SiCl4、BTBAS、HCD(Si2H6) 、HSi(OC2H5)3、TEOSのいずれか、ドーピングソースとして、PH3、B2H6、BCl3、AsH3のいずれかから選択される。また、その他Ta2O5やTiN、Al2O3、HfO2等にも適用可能である。尚、回転軸２５４ｂは、アウターチューブ２０５もしくは、インナーチューブ２０４もしくは、ヒータ２０７の中心軸を軸心として回転するように設けると、ウェーハ２００全面において、より温度分布を均一にすることができる。同様にしてガス分布もウェーハ２００の全面において、より均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態による縦型基板処理装置のボートの動きを示す概念図であり、（ａ）はボートを中心軸回転運動させながら偏心軸回転運動させた状態を示す概念図、（ｂ）は（ａ）のｑ点の軌跡を示すハイポサイクロイド曲線である。
【図２】縦型基板処理装置において、ボートを中心軸回転運動させたときと複合回転運動させたときのウェーハの温度分布の様子を示す概念図である。
【図３】縦型基板処理装置において、ボートを中心軸で回転させることによってウェーハと反応管のクリアランスが異なる状態を示す概念図であり、（ａ）はボートの回転角０度の状態、（ｂ）はボートの回転角１８０度の状態を示している。
【図４】図３の横断面図であり、（ａ）はボートの回転角０度の状態、（ｂ）はボートの回転角１８０度の状態を示している。
【図５】縦型基板処理装置において、ウェーハと反応管のクリアランスが異なる場合に中心軸回転運動と偏心軸回転運動とを加えた複合回転運動を行う状態を示す概念図であり、（ａ）はウェーハの回転状態を示す概念図、（ｂ）は（ａ）のｑ点の軌跡を示すハイポサイクロイド曲線である。
【図６】一般的な縦型基板処理装置の概略的な縦断面構成図である。
【図７】図６に示す縦型基板処理装置の横断面図であってボートを回転させた状態を示す概念図である。
【図８】図６に示す縦型基板処理装置において反応管を中心軸回転させたときのウェーハの温度分布を示す概念図である。
【図９】本発明に適用される縦型の減圧ＣＶＤ処理炉の構成図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  反応管
２  ボート
３  ウェーハ
４  ガス
５  ヒータ
６  中心軸
１０  縦型基板処理装置
【図１】
2007035775.tif 000003
【図２】
2007035775.tif 000004
【図３】
2007035775.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007035775.tif 000007
【図６】
2007035775.tif 000008
【図７】
2007035775.tif 000009
【図８】
2007035775.tif 000010
【図９】
2007035775.tif 000011