(57)【要約】【課題】第１の帯域受信時に第２の帯域側で発生する妨害信号を減衰させ、受信性能を改善すること。【解決手段】チューナ集積回路１の前段に、ＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１及びＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２を内蔵したＲＦアンプ２００を接続する。ＵＨＦ帯受信時はデュアルゲートＦＥＴ２０１の出力するテレビジョン信号をＵＨＦ同調回路１１０を介してＵＨＦ用ＲＦ回路３０１へ入力する。ＶＨＦ帯受信時はデュアルゲートＦＥＴ２０２の出力するテレビジョン信号をＶＨＦ同調回路１２０を介してＶＨＦ用ＲＦ回路３０２へ入力する。ＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端子３０２ａがトランジスタ１１のコレクタ−エミッタを介してグラウンドに接続され、ＵＨＦ帯受信時はトランジスタ１１をオンさせる。【選択図】図１
2007300300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の帯域のテレビジョン信号が入力する第１の増幅素子及び第１の帯域と異なる第２の帯域のテレビジョン信号が入力する第２の増幅素子が前段に接続されたテレビジョンチューナ用集積回路であって、
前記第１の増幅素子から出力された第１の帯域のテレビジョン信号が入力する第１の入力端子と、
前記第１の入力端子に隣接して設けられ前記第２の増幅素子から出力された第２の帯域のテレビジョン信号が入力する第２の入力端子と、
前記第１の入力端子に入力端が接続された第１の帯域用の第１の高周波回路と、
前記第２の入力端子に入力端が接続された第２の帯域用の第２の高周波回路と、
前記第２の入力端子とグラウンドとの間に設けられ、前記第１の帯域のテレビジョン信号を受信する場合、前記第２の入力端子を接地するスイッチング素子と、
を具備したことを特徴とするテレビジョンチューナ用集積回路。
【請求項２】
前記第２の増幅素子をオンさせ得る所定電圧が前記第２の入力端子に印加されることを特徴とする請求項１記載のテレビジョンチューナ用集積回路。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載のテレビジョンチューナ用集積回路を備えたテレビジョンチューナであって、前記第１及び第２の増幅素子並びにテレビジョン信号を出力すべき第１又は第２の増幅素子を受信帯域に応じて切替える切替回路を同一パッケージに内蔵した増幅用集積回路を備え、前記増幅用集積回路の後段に前記テレビジョンチューナ用集積回路を接続していることを特徴とするテレビジョンチューナ。
【請求項４】
請求項２記載のテレビジョンチューナ用集積回路を備えたテレビジョンチューナであって、前記第１及び第２の増幅素子を内蔵する一方で第１及び第２の増幅素子を切替えるための切替回路を内蔵しない増幅用集積回路を備え、前記増幅用集積回路の後段に前記テレビジョンチューナ用集積回路を接続し、前記第２の入力端子と前記第２の増幅素子の入力端とを直流的に接続し、
前記第２の帯域のテレビジョン信号を受信する場合、前記第２の入力端子に印加されている前記所定電圧を前記第２の増幅素子の入力端に印加することによって当該第２の増幅素子をオンし、
前記第１の帯域のテレビジョン信号を受信する場合、前記第２の増幅素子の入力端を接地することによって当該第２の増幅素子をオフすることを特徴とするテレビジョンチューナ。
【請求項５】
前記第１の帯域はＵＨＦバンド帯域であり、前記第２の帯域はＶＨＦバンド帯域であることを特徴とする請求項３又は請求項４記載のテレビジョンチューナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の帯域用及び第２の帯域用の高周波回路をそれぞれ備えたテレビジョンチューナ用集積回路及びその集積回路を用いたテレビジョンチューナに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナにおいて、ＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯のテレビジョン信号を別々に高周波増幅するＲＦアンプが設けられていた。かかるＲＦアンプとして、ＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯のテレビジョン信号を個々に増幅する一対のデュアルゲートＦＥＴアンプと、ＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯とで動作させるデュアルゲートＦＥＴを切替える切替スイッチとを内蔵したものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図３はデュアルゲートＦＥＴを切替え可能なＲＦアンプ部を備えたテレビジョンチューナの構成図である。図示していないアンテナからテレビジョン受信信号がＵＨＦアンテナ同調回路１０１及びＶＨＦアンテナ同調回路１０２に入力される。ＵＨＦアンテナ同調回路１０１及びＶＨＦアンテナ同調回路１０２の出力端にＲＦアンプ２００が接続され、ＲＦアンプ２００のＵＨＦ側出力端子２００ａにＵＨＦ複同調回路１１０が接続され、ＶＨＦ側出力端子２００ｂにＶＨＦ複同調回路１２０が接続されている。各複同調回路１１０、１２０の出力端は、チューナ用集積回路３００のＵＨＦ用入力端子３０１ａ、３０１ｂ及びＶＨＦ用入力端子３０２ａに接続されている。
【０００４】
ＲＦアンプ２００は、ＵＨＦアンテナ同調回路１０１の出力端に第１ゲートが接続されたデュアルゲートＦＥＴ２０１と、ＶＨＦアンテナ同調回路１０２の出力端に第１ゲートが接続されたデュアルゲートＦＥＴ２０２と、２つのデュアルゲートＦＥＴ２０１及び２０２を切替えるＦＥＴ２０３とを備える。デュアルゲートＦＥＴ２０１及び２０２は、それぞれのソースがグラウンドに接続され、それぞれのドレインが電源電圧Ｂの印加される出力端子２００ａ，２００ｂに接続されている。デュアルゲートＦＥＴ２０１及び２０２の第２ゲートにはＡＧＣ電圧ＶＡＧＣが印加される。ＦＥＴ２０３は、ソースがグラウンドに接続され、ゲートが抵抗２０４を介してデュアルゲートＦＥＴ２０１の第１ゲートに接続され、ドレインが抵抗２０５を介してデュアルゲートＦＥＴ２０２の第１ゲートに接続されると共に抵抗２０６を介して出力端子２００ａに接続されている。ＲＦアンプ２００の回路構成の詳細は上記特許文献１に開示されている。
【０００５】
ＲＦアンプ２００のＵＨＦ用出力端子２００ａには、給電抵抗１１１及びチョークインダクタ１１２の直列回路を介して電源電圧Ｂが印加される。ＵＨＦ複同調回路１１０の一次側回路は、バラクタダイオード１１３とインダクタ１１４とからなり、高電位点であるバラクタダイオード１１３のアノードとインダクタ１１４との中間接続点が結合コンデンサ１１５を介してデュアルゲートＦＥＴ２０１のドレインに結合される。バラクタダイオード１１３のカソードは高周波的に接地され、インダクタ１１４の他端も接地されている。そして、バラクタダイオード１１３のカソードにチューニング電圧が印加される。ＵＨＦ複同調回路１１０の一次側回路に対して二次側回路１１６がＭ結合されており、一次側回路と同様に構成されている。
【０００６】
ＲＦアンプ２００のＶＨＦ用出力端子２００ｂには、ＶＨＦ複同調回路１２０の一次側回路が接続されている。ＶＨＦ複同調回路１２０の一次側回路は、バラクタダイオード１２１とインダクタ１２２及び１２３から構成されおり、高電位点であるバラクタダイオード１２３のカソードとインダクタ１２２との中間接続点がデュアルゲートＦＥＴ２０２のドレインに結合されている。バラクタダイオード１２３のアノードは接地され、カソードにはチューニング電圧が印加される。インダクタ１２３の他端は結合コンデンサ１２６を介して接地されている。このインダクタ１２３の他端に電源電圧Ｂが印加される。また、ＶＨＦローバンド／ハイバンドを切替えるために、インダクタ１２２とインダクタ１２３の中間接続点がダイオード１２４のアノードに接続されている。ダイオード１２４のカソードは結合コンデンサ１２７を介して高周波的に接地されている。ＶＨＦ複同調回路１２０の二次側回路１２５は、一次側回路とＭ結合されており、一次側回路と同様に構成されている。
【０００７】
チューナ用集積回路３００は、ＵＨＦ帯のテレビジョン受信信号の周波数変換を行う混合回路等からなるＵＨＦ用ＲＦ回路３０１と、ＶＨＦ帯のテレビジョン受信信号の周波数変換を行う混合回路等からなるＶＨＦ用ＲＦ回路３０２とを備える。ＵＨＦ用ＲＦ回路３０１は、ＵＨＦ複同調回路の二次側回路１１６から平衡出力が印加される入力端子３０１ａ、３０１ｂに接続されている。ＶＨＦ用ＲＦ回路３０２は、ＶＨＦ複同調回路の二次側回路１２５から不平衡出力が印加される入力端子３０２ａに接続されている。さらに、外部端子３１０に直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加される。外部端子３１０はトランジスタ３１１のコレクタ−エミッタを介して入力端子３０１ｂに接続されている。トランジスタ３１１のベースにはＵＨＦ帯選択時にハイレベルとなるＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）が印加される。トランジスタ３１１のエミッタと入力端子３０１ｂとの間に抵抗３１２が設けられている。トランジスタ３１１を介して直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加される入力端子３０１ｂからＲＦアンプ２００のＵＨＦ側の入力端子２００ｃに掛けてＵＨＦ／ＶＨＦ切替えライン３１４が設けられている。また、直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加される外部端子３１０は、抵抗３２１を介して外部端子３２２に接続されており、この外部端子３２２がＶＨＦ複同調回路切替えライン３２４を介してダイオード１２４のカソードに接続されている。ＶＨＦ複同調回路切替えライン３２４は、チューナ用集積回路３００内に設けたトランジスタ３２３のコレクタ−エミッタを介して接地されている。トランジスタ３２３のベースにはＶＨＦハイバンドを選択時にハイレベルとなるＶＨＦハイバンド選択信号（ＢＳ２）及びＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）が印加される。
【０００８】
次に、上記テレビジョンチューナにおけるＵＨＦ／ＶＨＦ切替え動作について説明する。ＵＨＦ帯選択時は、トランジスタ３１１がオン状態となり直流バイアス電圧ＶｃｃがＵＨＦ／ＶＨＦ切替えライン３１４を経由してＲＦアンプ２００のＵＨＦ側の入力端子２００ｃに印加される。これにより、第１ゲートに直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加されたＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１が増幅動作可能な状態になる。一方、ＦＥＴ２０３のゲートにも直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加され、ＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２の第１ゲートがＦＥＴ２０３を介して接地される。ＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２の第１ゲートは０Ｖとなり、動作しない状態となる。
【０００９】
一方、ＶＨＦ帯選択時は、ＵＨＦ帯選択信号ＢＳ４がローレベルとなるので、トランジスタ３１１がオフ状態となり、ＵＨＦ／ＶＨＦ切替えライン３１４からＲＦアンプ２００のＵＨＦ側の入力端子２００ｃには０Ｖが印加される。これにより、第１ゲートが０ＶになったＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１は動作しない状態になる。一方、ＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２の第１ゲートには、ＦＥＴ２０３がオフ状態となることにより電源電圧Ｂが印加されて、増幅動作可能な状態となる。また、ＶＨＦ帯のハイバンド選択時（及びＵＨＦ帯選択時）にはＶＨＦハイバンド選択信号（ＢＳ２）がハイレベルとなりダイオード１２４のカソードが接地される。これにより、ダイオード１２４は導通状態となり、ＶＨＦ複同調回路１２０の一次側はインダクタ１２２に応じた周波数で共振してＶＨＦハイバンドが選択される。また、ＶＨＦ帯のローバンド選択時にはＶＨＦハイバンド選択信号（ＢＳ２）及びＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）が共にローレベルとなり、トランジスタ３２３がオフ状態となる。これにより、ダイオード１２４は非導通状態となり、ＶＨＦ複同調回路１２０の一次側は直列接続された２つのインダクタ１２２及び１２３に応じた周波数で共振してＶＨＦローバンドが選択される。このように、ダイオード１２４のオン／オフによりＶＨＦハイバンド／ローバンドの切り替えが行われる。
【特許文献１】特開２００２−３６８６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、チューナ集積回路３００ではＵＨＦ用ＲＦ回路３０１の入力端子３０１ａ（３０１ｂ）とＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端子３０２ａとが隣接配置されるため、その間に寄生容量Ｃｏが存在する。このため、ＵＨＦ帯受信時にＵＨＦ帯の１／２の周波数に相当するＶＨＦ信号（ＶＨＦハイバンド）が寄生容量Ｃｏを介してＵＨＦ用ＲＦ回路３０１に入り込み、妨害信号となる問題がある。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、第１の帯域受信時に第２の帯域の妨害信号を減衰させることができて受信性能を改善し得るテレビジョンチューナ用集積回路及びその集積回路を用いたテレビジョンチューナを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のテレビジョンチューナ用集積回路は、第１の帯域のテレビジョン信号が入力する第１の増幅素子及び第１の帯域と異なる第２の帯域のテレビジョン信号が入力する第２の増幅素子が前段に接続された集積回路であって、前記第１の増幅素子から出力された第１の帯域のテレビジョン信号が入力する第１の入力端子と、前記第１の入力端子に隣接して設けられ前記第２の増幅素子から出力された第２の帯域のテレビジョン信号が入力する第２の入力端子と、前記第１の入力端子に入力端が接続された第１の帯域用の第１の高周波回路と、前記第２の入力端子に入力端が接続された第２の帯域用の第２の高周波回路と、前記第２の入力端子とグラウンドとの間に設けられ、前記第１の帯域のテレビジョン信号を受信する場合、前記第２の入力端子を接地するスイッチング素子とを具備したことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、第１の帯域のテレビジョン信号を受信する場合、第２の入力端子を接地するスイッチング素子を設けたので、第１の帯域のテレビジョン信号受信時に第１の入力端子に隣接した第２の入力端子から第１の入力端子に流入する第２の帯域の妨害信号を大幅に減衰することができる。
【００１４】
また本発明は、上記テレビジョンチューナ用集積回路において、前記第２の増幅素子をオンさせ得る所定電圧が前記第２の入力端子に印加されることを特徴とする。
【００１５】
この構成により、第２の増幅素子をオンさせるための所定電圧が前記第２の入力端子に印加されるので、増幅用集積回路が切替回路を内蔵しないタイプの場合には第２の入力端子と第２の増幅素子の入力端とを直流的に接続すれば、第２の帯域のテレビジョン信号受信時には第２の増幅素子をオンさせることができ、第１の増幅素子をオンして第２の増幅素子をオフさせる第１の帯域のテレビジョン信号受信時には、第２の入力端子が接地されることにより直流的に接続された第２の増幅素子の入力端も接地され、第２の増幅素子をオフさせることができる。すなわち、第１又は第２の増幅素子を切替える切替回路を備えない増幅用集積回路も採用可能なテレビジョンチューナ用集積回路を実現できる。上記従来のテレビジョンチューナは、チューナ集積回路３００がＵＨＦ／ＶＨＦ切替え用のＦＥＴ２０３内蔵のＲＦアンプ２００を前提とした回路構成を採るため、切替スイッチ（ＦＥＴ２０３）を内蔵しないデュアルＦＥＴアンプを使用する場合にはＲＦアンプ２００とは別に切替スイッチを設けなければならないので、回路規模が大きくなると共に汎用性に欠けるといった問題があったが、本発明によればそのような問題を解決できることになる。
【００１６】
本発明のテレビジョンチューナは、上記テレビジョンチューナ用集積回路を備え、前記第１及び第２の増幅素子並びにテレビジョン信号を出力すべき第１又は第２の増幅素子を受信帯域に応じて切替える切替回路を同一パッケージに内蔵した増幅用集積回路を備え、前記増幅用集積回路の後段に前記テレビジョンチューナ用集積回路を接続していることを特徴とする。
【００１７】
この構成により、第１の帯域のテレビジョン信号受信時に第１の入力端子に隣接した第２の入力端子から第１の入力端子に流入する第２の帯域の妨害信号を大幅に減衰することができる。
【００１８】
本発明のテレビジョンチューナは、上記テレビジョンチューナ用集積回路を備え、前記第１及び第２の増幅素子を内蔵する一方で第１及び第２の増幅素子を切替えるための切替回路を内蔵しない増幅用集積回路を備え、前記増幅用集積回路の後段に前記テレビジョンチューナ用集積回路を接続し、前記第２の入力端子と前記第２の増幅素子の入力端とを直流的に接続し、前記第２の帯域のテレビジョン信号を受信する場合、前記第２の入力端子に印加されている前記所定電圧を前記第２の増幅素子の入力端に印加することによって当該第２の増幅素子をオンし、前記第１の帯域のテレビジョン信号を受信する場合、前記第２の増幅素子の入力端を接地することによって当該第２の増幅素子をオフすることを特徴とする。
【００１９】
この構成により、第２の入力端子と第２の増幅素子の入力端とを直流的に接続し、第２の増幅素子をオンさせるための所定電圧が前記第２の入力端子に印加されるので、第２の帯域のテレビジョン信号受信時には第２の増幅素子をオンさせることができ、第１の増幅素子をオンして第２の増幅素子をオフさせる第１の帯域のテレビジョン信号受信時には、第２の入力端子が接地されることにより直流的に接続された第２の増幅素子の入力端も接地され、第２の増幅素子をオフさせることができる。
【００２０】
なお、前記第１の帯域はＵＨＦバンド帯域とし、前記第２の帯域はＶＨＦバンド帯域としてテレビジョンチューナを構成することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第１の帯域受信時に第２の帯域の妨害信号を減衰させることができ、受信性能を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施の形態に係るテレビジョンチューナの構成図である。前述した図３に示すテレビジョンチューナと同一部分には同一符号を付している。本実施の形態に係るテレビジョンチューナは、ＵＨＦ帯受信時の妨害信号を減衰させる機能を有するチューナ集積回路１を備えている。チューナ集積回路１は、ＵＨＦ帯受信時にＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端を接地させる一方、ＶＨＦ帯受信時はＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端を非接地状態に切替えるスイッチ回路１０を備える。スイッチ回路１０は、ＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端をコレクタ−エミッタ間を介してグラウンドに接続するトランジスタ１１を備えている。トランジスタ１１のコレクタには抵抗１２を介して直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加され、ベースにはＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）が印加されるように構成されている。その他の構成は図３に示すテレビジョンチューナと同一である。すなわち、チューナ集積回路１内には、上記スイッチ回路１０の他に、ＵＨＦ用ＲＦ回路３０１及びＶＨＦ用ＲＦ回路３０２を備え、直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加される外部端子３１０をトランジスタ３１１のコレクタ−エミッタ間を介して入力端子３０１ｂに接続する。また、外部端子３１０を抵抗３２１経由でチューナ集積回路１の外部端子３２２に接続する一方、トランジスタ３２３のコレクタ−エミッタを介してグラウンドに接地している。一方のトランジスタ３１１のベースにはＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）が印加され、もう一方のトランジスタ３２３のベースにはＶＨＦハイバンド選択信号（ＢＳ２）及びＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）が印加される。また、チューナ集積回路１の前段に切替スイッチ内蔵の増幅用集積回路であるデュアルＦＥＴアンプを構成するＲＦアンプ２００を配置し、ＲＦアンプ２００のＵＨＦ側の出力端子２００ａにＵＨＦ複同調回路１１０の一次側回路を接続し、ＲＦアンプ２００のＶＨＦ側の出力端子２００ｂにＶＨＦ複同調回路１２０の一次側回路を接続している。ＵＨＦ複同調回路１１０の二次側回路１１６の出力端をチューナ集積回路１のＵＨＦ用入力端子３０１ａ，３０１ｂに接続し、ＶＨＦ複同調回路１２０の二次側回路１２５の出力端をチューナ集積回路１のＶＨＦ用入力端子３０２ａに接続している。また、ＵＨＦ用入力端子３０１ｂからＲＦアンプ２００のＵＨＦ用入力端子２００ｃの前段とを接続するＵＨＦ／ＶＨＦ切替えライン３１４が設けられている。ＶＨＦローバンド選択時に直流バイアス電圧Ｖｃｃが現れるチューナ集積回路１の外部端子３２２とダイオード１２４のカソードとを接続するＶＨＦ複同調回路切替えライン３２４が設けられている。
【００２３】
次に、以上のように構成された本実施の形態の動作について説明する。
ＵＨＦ帯選択時は、ＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）がハイレベルとなるので、トランジスタ３１１がオン状態となり、直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加される外部端子３１０と入力端子３０１ｂとが導通する。直流バイアス電圧Ｖｃｃがチューナ集積回路１のＵＨＦ用の入力端子３０１ｂに印加され、ＵＨＦ／ＶＨＦ切替えライン３１４を経由して、ＲＦアンプ２００のＵＨＦ側の入力端子２００ｃに印加される。これにより、第１ゲートに直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加されたＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１が増幅動作可能な状態になる。
【００２４】
一方、切替スイッチとなるＦＥＴ２０３のゲートにも抵抗２０４を介して直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加されるため、ＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２の第１ゲートがＦＥＴ２０３を介して接地される。ＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２の第１ゲートは０Ｖとなり、動作しない状態となる。このようにして、ＲＦアンプ２００において、ＦＥＴ２０３によりＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１が選択される。
【００２５】
ＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１のドレインには電源電圧Ｂが給電抵抗１１１及びチョークインダクタ１１２を経由して印加される一方、当該デュアルゲートＦＥＴ２０１の第１ゲートにはＵＨＦ用アンテナ同調回路１０１からＵＨＦ帯のテレビジョン信号が入力される。デュアルゲートＦＥＴ２０１は、第２ゲートに印加されるＡＧＣ電圧ＶＡＧＣに応じた利得でＵＨＦ帯のテレビジョン信号を増幅する。増幅されたＵＨＦ帯のテレビジョン信号はＵＨＦ複同調回路１１０においてチューニング電圧で選局されたテレビジョン信号が取り出されてチューナ集積回路１のＵＨＦ用入力端子３０１ａ，３０１ｂに供給される。チューナ集積回路１のＵＨＦ用ＲＦ回路３０１は、入力するテレビジョン信号を周波数変換して後段の回路へ出力する。
【００２６】
このとき、チューナ集積回路１のスイッチ回路１０において、トランジスタ１１のベースにＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）が印加されてコレクタ−エミッタ間が導通状態となっている。したがって、ＵＨＦ帯選択時はＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端子３０２ａがトランジスタ１１のコレクタ−エミッタ間を介して接地される。これにより、ＵＨＦ帯の１／２の周波数に相当するＶＨＦハイバンドの妨害信号は、スイッチ回路１０によって減衰され、寄生容量Ｃｏを介してＵＨＦ用ＲＦ回路３０１へ流入する流入量は大きく低減される。
【００２７】
ＶＨＦ帯選択時は、ＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）がローレベルとなるので、トランジスタ３１１がオフ状態となり、直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加される外部端子３１０と入力端子３０１ｂとが遮断される。ＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１は、第１ゲートに直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加されなくなり増幅動作しない状態になる。
【００２８】
一方、ＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２では、ＦＥＴ２０３がオフ状態となることから、電源電圧Ｂが給電抵抗１１１、チョークインダクタ１１２、抵抗２０６及び抵抗２０５を経由して第１ゲートに印加される。これにより、ＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２は増幅動作可能な状態となる。
【００２９】
ＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２のドレインには電源電圧Ｂがインダクタ１２３，１２２を経由して印加される一方、当該デュアルゲートＦＥＴ２０２の第１ゲートにはＶＨＦ用アンテナ同調回路１０２からＶＨＦ帯のテレビジョン信号が入力される。デュアルゲートＦＥＴ２０２は、第２ゲートに印加されるＡＧＣ電圧ＶＡＧＣに応じた利得でＶＨＦ帯のテレビジョン信号を増幅する。増幅されたＶＨＦ帯のテレビジョン信号はＶＨＦ複同調回路１２０においてチューニング電圧で選局されたテレビジョン信号が取り出されてチューナ集積回路１のＶＨＦ用入力端子３０２ａに供給される。チューナ集積回路１のＶＨＦ用ＲＦ回路３０２は、入力するテレビジョン信号を周波数変換して後段の回路へ出力する。
【００３０】
なお、ＶＨＦハイバンド選択時は、ＶＨＦハイバンド選択信号（ＢＳ２）がハイレベルとなるので、チューナ集積回路１のトランジスタ３２３がオン状態となる。この結果、ＶＨＦ複同調回路１２０のダイオード１２４は抵抗を介して接地されるのでダイオード１２４が導通となることから、ＶＨＦ複同調回路１２０としてはインダクタ１２３を含まない状態で動作してＶＨＦハイバンドが選択される。また、ＶＨＦローバンド選択時は、ＶＨＦハイバンド選択信号（ＢＳ２）及びＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）が共にローレベルとなるので、チューナ集積回路１のトランジスタ３２３がオフ状態となる。ＶＨＦ複同調回路１２０のダイオード１２４のカソードに対してＶＨＦ複同調回路切替えライン３２４を介して直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加され、ダイオード１２４が非導通状態となる。この結果、ＶＨＦ複同調回路１２０はインダクタ１２２とインダクタ１２３が直列接続された状態で回路が形成されので、同調回路１２０としてはインダクタ１２３を含む形で動作してＶＨＦローバンドが選択される。
【００３１】
このように本実施の形態によれば、ＵＨＦ帯選択時にＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端に接続される入力端子３０２ａを接地してＶＨＦハイバンドの妨害信号を減衰させるスイッチ回路１０をチューナ集積回路１に設けたので、ＵＨＦ帯選択時にＵＨＦ用ＲＦ回路３０１に流入する妨害信号を大幅に減衰させることができ、ＵＨＦ帯への妨害を改善することができる。
【００３２】
なお、図１に示すテレビジョンチューナは、増幅用集積回路となるＲＦアンプ２００に切替スイッチとしてＦＥＴ２０３を内蔵しているが、本発明は同一パッケージに切替スイッチとしてのＦＥＴ２０３を内蔵しないタイプのＲＦアンプ（増幅用集積回路）にも適用可能である。
【００３３】
図２は切替スイッチを内蔵しない増幅用集積回路（ＲＦアンプ）を上記チューナ集積回路１を適用した場合の構成例である。なお、図１に示すテレビジョンチューナと同一部分には同一符号を付している。ＲＦアンプ２０は、切替スイッチを内蔵しないタイプのデュアルゲートＦＥＴアンプであり、ＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１及びＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２で構成される。
【００３４】
本実施の形態では、ＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端子３０２ａとＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２の入力端とを接続するＶＨＦ用ＲＦアンプ選択ライン２１が設けられている。その他の構成は、ＲＦアンプ２０が切替スイッチを内蔵しないタイプであることを除き、図１に示すテレビジョンチューナと同一構成である。
【００３５】
以上のように構成されたテレビジョンチューナの動作について説明する。
ＶＨＦ帯選択時は、ＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）がローレベルとなり、トランジスタ１１がオフするので、直流バイアス電圧Ｖｃｃが抵抗１２を介してＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端子３０２ａに印加される。ＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端子３０２ａにはＶＨＦ用ＲＦアンプ選択ライン２１の一端が接続されているので、直流バイアス電圧ＶｃｃがＶＨＦ用ＲＦアンプ選択ライン２１を介してＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２の第１ゲートに印加される。このとき、トランジスタ３１１が非導通状態なっているので、ＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１の第１ゲートには直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加されない状態となる。この結果、ＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２が選択されたことになる。
【００３６】
ＵＨＦ帯選択時は、ＵＨＦ帯選択信号（ＢＳ４）がハイレベルとなり、トランジスタ１１がオンするので、直流バイアス電圧Ｖｃｃはトランジスタ１１のコレクタ−エミッタ間を介して接地される。したがって、ＶＨＦ用ＲＦアンプ選択ライン２１を介してＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端子３０２ａに接続されているＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２の第１ゲートが接地される。一方、トランジスタ３１１はオンしているので、ＵＨＦ／ＶＨＦ切替えライン３１４を経由してＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１の第１ゲートに直流バイアス電圧Ｖｃｃが印加され、ＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１が増幅動作可能な状態となる。この結果、ＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１が選択されたことになる。
【００３７】
上記のような切替スイッチを内蔵しないＲＦアンプ２０を用いた場合も、ＵＨＦ帯選択時にはスイッチ回路１０がＶＨＦ用ＲＦ回路３０２の入力端子３０２ａを接地してＶＨＦハイバンドの妨害信号を減衰させるように作用するので、ＵＨＦ帯選択時にＵＨＦ用ＲＦ回路３０１に流入する妨害信号を大幅に減衰させることができ、ＵＨＦ帯への妨害を改善することができる。また、ＵＨＦ帯選択時には、ＶＨＦ用ＲＦアンプ選択ライン２１を介してＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２の第１ゲートを接地するので、切替スイッチを内蔵しなくてもデュアルゲートＦＥＴ２０１，２０２を切替えることができる。
【００３８】
以上の説明では、ＵＨＦ帯とＶＨＦ帯とに分けてテレビジョン信号を受信しているが、ＵＨＦ帯とＶＨＦ帯とに分ける場合に限らず、周波数帯の異なる第１の帯域と第２の帯域とに分けて受信する場合には同様に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、第１の帯域と第２の帯域とに分けてテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナ用集積回路及びテレビジョンチューナに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施の形態に係るテレビジョンチューナの構成図
【図２】切替スイッチを内蔵しないＲＦアンプを備えた一実施の形態に係るテレビジョンチューナの構成図
【図３】切替スイッチを内蔵したＲＦアンプを備えた従来のテレビジョンチューナの構成図
【符号の説明】
【００４１】
１  チューナ集積回路
１０  スイッチ回路
１１、３１１、３２３  トランジスタ
１２  抵抗
２０、２００  ＲＦアンプ（増幅用集積回路）
２１  ＶＨＦ用ＲＦアンプ選択ライン
１０１  ＵＨＦアンテナ同調回路
１０２  ＶＨＦアンテナ同調回路
１１０  ＵＨＦ複同調回路
１１６  ＵＨＦ複同調回路の二次側回路
１２０  ＶＨＦ複同調回路
１２５  ＶＨＦ複同調回路の二次側回路
２０１  ＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ
２０２  ＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ
２０３  ＦＥＴ
３０１  ＵＨＦ用ＲＦ回路
３０２  ＶＨＦ用ＲＦ回路
３１４  ＵＨＦ／ＶＨＦ切替えライン
３２４  ＶＨＦ複同調回路切替えライン
【図１】
2007300300.tif 000003
【図２】
2007300300.tif 000004
【図３】
2007300300.tif 000005