(57)【要約】【課題】伝送損失の少ない導波路接続構造およびＬＮＢを提供する。【解決手段】ＬＮＢ５０ａは、導波管５４と、中心導体５１と、誘電体５２を有する第１の導波路と、ストリップ導体５６を有するマイクロストリップ線路と、ストリップ導体５６と中心導体５１を取囲む導電性シールド部材５５と、誘電体５３を有する第２の導波路とを備える。マイクロストリップ線路のインピーダンスと、第１の導波路のインピーダンスと、第２の導波路のインピーダンスとがほぼ等しい。ストリップ導体５６は導電性シールド部材５５と導波管５４とに接触する誘電体基板５７の上に設けられる。第１の導波路を構成する誘電体５２はテフロン（登録商標）であり、第２の導波路を構成する誘電体５３は空気である。【選択図】図６
2007228625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
孔を有する導電性の導波管と、
前記孔を貫通して前記導波管の外側に延在する中心導体と、
誘電体が前記導波管の孔内で前記中心導体を覆うことにより形成された第１の導波路と、
前記外側に延在した中心導体に接続されるストリップ導体を誘電体基板上に形成することにより構成されるマイクロストリップ線路と、
前記マイクロストリップ線路と前記外側に延在した中心導体とを取囲むように設けられる導電性シールド部材と、
前記外側に延在した中心導体と前記導電性シールド部材との間に誘電体が設けられて前記中心導体を覆うことにより形成された第２の導波路とを備え、
前記マイクロストリップ線路のインピーダンスと、前記第１の導波路のインピーダンスと、前記第２の導波路のインピーダンスとがほぼ等しく、
前記ストリップ導体は前記導電性シールド部材と前記導波管とに接触する前記誘電体基板の上に設けられ、
前記第１の導波路を構成する誘電体はテフロン（登録商標）であり、前記第２の導波路を構成する誘電体は空気である、導波路接続構造。
【請求項２】
請求項１に記載の導波路接続構造が用いられた、ＬＮＢ（Low Noise Block Down Converter）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、導波路接続構造に関し、特に、導波管とマイクロストリップ線路との接続構造であって、衛星放送や衛星通信で使用される低ノイズダウンコンバータに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、衛星放送や衛星通信では、電気信号中のノイズを低減するための低雑音ダウンコンバータが用いられる。この低雑音ダウンコンバータは、いわゆるＬＮＢ（Low Noise Block Down Converter）として知られている。
【０００３】
図８は、従来の一般的なＬＮＢの構造を模式的に示す図である。図８を参照して、従来のＬＮＢ１００においては、導波管１０４上に誘電体基板１０７が形成されている。導波管１０４は「コ」の字状であり、開口部１０４ａを有する。この開口部１０４ａに電磁波が入射する。導波管１０４は導電体により構成され、たとえば、アルミニウム合金などで構成される。
【０００４】
導波管１０４には、孔１０４ｂが形成されている。また、この孔１０４ｂに連なるように誘電体基板１０７には、孔１０７ａが形成されている。孔１０４ｂを充填するように誘電体１０２が設けられている。誘電体１０２を貫通するように導電性の中心導体１０１が設けられている。中心導体１０１の下端部は導波管１０４で囲まれた部分に突出する。また、中心導体１０１の上端部は孔１０７ａから突出する。
【０００５】
誘電体基板１０７上には、ストリップ導体１０６が形成されている。ストリップ導体１０６は、金属片１０９により中心導体１０１に接続されている。ストリップ導体１０６と、誘電体基板１０７と、導波管１０４の壁とがマイクロストリップ線路を構成する。そのため、図８で示すＬＮＢ１００では、導波管１０４の内部に形成された導波路と、ストリップ導体１０６を有するマイクロストリップ線路とが中心導体１０１と金属片１０９により接続された構造となっている。
【０００６】
図８で示す一般的なＬＮＢにおける、中心導体とストリップ導体との接続構造について説明する。図９〜図１１は、従来の導波路接続構造を示す断面図である。図９を参照して、従来の１つの局面に従った接続構造では、中心導体１０１とストリップ導体１０６とが、金属片１０９とはんだ１１０とにより接続されている。中心導体１０１を囲むように誘電体１０２が設けられている。また、ストリップ導体１０６の下には誘電体基板１０７と導波管１０４が設けられている。
【０００７】
図１０を参照して、従来の別の局面に従った接続構造では、中心導体１０１とストリップ導体１０６とが直接接触しており、かつ中心導体１０１とストリップ導体１０６とがはんだ１１０により固着されている。中心導体１０１を取囲むように誘電体１０２が設けられる。ストリップ導体１０６の下には、誘電体基板１０７が設けられ、誘電体基板１０７の下には導波管１０４が設けられる。
【０００８】
中心導体１０１は、ストリップ導体１０６の孔１０６ａを貫通するように位置決めされる。中心導体１０１の延びる方向とストリップ導体１０６の延びる方向とはほぼ直交する。
【０００９】
図１１を参照して、従来のさらに別の局面に従った接続構造では、中心導体１０１とストリップ導体１０６とは、はんだ１１０により接続されている。中心導体１０１を取囲むように誘電体１０２が設けられ、誘電体１０２を取囲むように導波管１０４が設けられている。中心導体１０１の延びる方向と、ストリップ導体１０６の延びる方向とがほぼ同一方向である。
【００１０】
従来の衛星放送等の分野では、送受信する信号量が比較的少なかったため、ＬＮＢで使用される電磁波の周波数は、いわゆるＫｕ帯（１２ＧＨｚ帯）とされてきた。このＫｕ帯で使用される場合には、上述の図９〜図１１で示すいずれの構造でも、接続部分での損失は特に問題とならなかった。
【００１１】
しかしながら、近年、情報量の高密度化により、ＬＮＢで使用される電磁波の周波数も大きくなり、いわゆるＫａ帯（２０ＧＨｚ帯）が使用されるようになっている。これに伴い、中心導体とストリップ導体との接続部分での電磁波の損失も大きくなっている。
【００１２】
図９〜図１１で示す構造において、同一の材質および同一の寸法の中心導体１０１およびストリップ導体１０６を用いた場合に生じる損失と、接続部を流れる電磁波の周波数との関係を表１に示す。
【００１３】
【表１】
2007228625.tif 000003
【００１４】
表１中、接続部のＬＯＳＳ（損失）は、入力波のパワーをＡ、出力波のパワーをＢとし、（損失）＝１０ｌｏｇ（Ａ／Ｂ）で示す式に従って算出した。なお、入力波のパワーおよび出力波のパワーは、ベクトルネットワークアナライザで測定した。
【００１５】
表１から明らかなように、Ｋｕ帯では、図９〜図１１で示すいずれの構造でも大きな損失は見られない。しかし、さらに周波数を高くし、周波数が２１ＧＨｚとなると、図９で示す接続構造では損失が大きくなり、図１０および図１１で示す接続構造でも損失が目立つようになっている。
【００１６】
また、図１０と図１１で示す構造を比べると、図１０で示す構造ではストリップ導体１０６に孔１０６ａを形成する必要があるので、製造工程が複雑となる。その結果、高周波帯で使用されるＬＮＢにおいては、図１１のような構造が広く用いられている。
【００１７】
しかしながら、図１１で示すような構造でも、誘電体１０２で囲まれていない中心導体１０１の部分から電磁波が漏れることがある。これにより、信号のエネルギ損失が発生する。そのため、図１２で示すような構造が提案されている。図１２は、改良された従来のＬＮＢの断面図である。図１２を参照して、改良されたＬＮＢ２００は、中心導体２３１と、ストリップ導体２３６と、誘電体基板２３７と、導波管２３４と、導電性シールド部材２３５とを備える。
【００１８】
導波管２３４は開口部２３４ｂを有し、開口部２３４ｂから電磁波が入射される。導波管２３４は、孔２３４ａを有する。孔２３４ａ内にはテフロンからなる誘電体２３２が形成されている。誘電体２３２はほぼ円筒形状であり、その中心部には中心導体２３１が差し込まれている。中心導体２３１は、はんだ２３８によりストリップ導体２３６に接続されている。ストリップ導体２３６は誘電体基板２３７上に設けられる。
【００１９】
誘電体基板２３７を支持するように接地導電体２３９が設けられる。誘電体基板２３７上には導電性シールド部材２３５が設けられる。中心導体２３１の一方端は、導波管２３４で囲まれた空気層へ突出し、中心導体２３１の他方端は導電性シールド部材２３５で囲まれた空気層へ突出する。また、導電性シールド部材２３５の下部の一方端は誘電体基板２３７に固定され、他方端は、中心導体２３１へ近接するように延びる。
【００２０】
図１２で示す構造によれば、導電性シールド部材２３５が中心導体２３１へ近接するように設けられているため、中心導体２３１から高周波が漏れることがなく、エネルギの損失を防ぐことができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、図１２で示すＬＮＢにおいてもさらに問題がある。その問題点について以下説明する。導波路内を電磁波が伝播する際には、その伝播しやすさは導波路のインピーダンスにより決定される。インピーダンスの異なる２つの導波路が接続されると、その接続部分でインピーダンスが一致しないため、電磁波の反射が起こり種々の悪影響が生じる。そのため、通常インピーダンスが異なる導波路が接続される箇所を少なくするように配慮されている。
【００２２】
図１２で示す構造では、導波管２３４のインピーダンスは通常１００Ω以上である。
ところで、孔２３４ａ内の中心導体２３１と、中心導体２３１を取囲む誘電体２３２と、誘電体２３２を取囲む導波管２３４の部分は同軸ケーブルを形成している。この同軸ケーブルのインピーダンスは中心導体２３１の外径をＤ1、誘電体２３２の誘電率をε、孔２３４ａの内径をＤ2とすると、この同軸ケーブルのインピーダンスは以下の式で表わされ、この同軸ケーブルのインピーダンスは通常５０Ω程度である。
【００２３】
【数１】
2007228625.tif 000004
【００２４】
また、孔２３４ａから図１２中の右側へ突出した中心導体２３１と、中心導体２３１を取囲む空気により構成される誘電体２３３と、導電性シールド部材２３５の端面２３５ａおよび誘電体基板２３７の表面２３７ａとが同軸ケーブルを形成する。この同軸ケーブルのインピーダンスも上述の（１）で示す式で表わされ、この部分のインピーダンスは５０Ωを超える。
【００２５】
さらに、ストリップ導体２３６と、誘電体基板２３７と、接地導電体２３９により構成されるマイクロストリップ線路のインピーダンスは５０Ω程度である。
【００２６】
このように、誘電体２３２を有する同軸ケーブルと、誘電体２３３を有する同軸ケーブルとのインピーダンスも整合していない。また、誘電体２３３を有する同軸ケーブルのインピーダンスと、マイクロストリップ線路のインピーダンスとも整合していない。その結果、導波管からマイクロストリップ線路の間の２箇所でインピーダンスが整合しておらず、電磁波の反射などが生じやすく、伝送損失が発生しやすいという問題がある。
【００２７】
そこで、この発明は、上述のような問題点を解決するためになされたものであり、伝送損失を抑えることができる導波管接続構造およびＬＮＢを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
この発明に従った導波路接続構造は、孔を有する導電性の導波管と、孔を貫通して導波管の外側に延在する中心導体と、誘電体が導波管の孔内で中心導体を覆うことにより形成された第１の導波路と、外側に延在した中心導体に接続されるストリップ導体を誘電体基板上に形成することにより構成されるマイクロストリップ線路と、マイクロストリップ線路と外側に延在した中心導体とを取囲むように設けられる導電性シールド部材と、外側に延在した中心導体と導電性シールド部材との間に誘電体が設けられて中心導体を覆うことにより形成された第２の導波路とを備える。マイクロストリップ線路のインピーダンスと、第１の導波路のインピーダンスと、第２の導波路のインピーダンスとがほぼ等しい。ストリップ導体は導電性シールド部材と導波管とに接触する誘電体基板の上に設けられる。第１の導波路を構成する誘電体はテフロン（登録商標）であり、第２の導波路を構成する誘電体は空気である。
【００２９】
この発明に従ったＬＮＢ（Low Noise Block Down Converter）は、上述のいずれかに記載の導波路接続構造が用いられる。
【発明の効果】
【００３０】
この発明に従えば、伝送損失を低下させることができる導波路接続構造およびＬＮＢを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１に従った導波路接続構造が用いられる衛星放送受信システムのブロック図である。図１を参照して、このシステムは、大きくアウトドア部とインドア部とにより構成される。アウトドア部は、アンテナ１と、アンテナ１に接続されたＬＮＢ３０ａとにより構成される。インドア部は、インドアレシーバ４と、テレビジョン９とにより構成される。
【００３２】
ＬＮＢ３０ａは、アンテナ１で受信した、衛星からの電波を増幅し、同軸ケーブル３を介してインドアレシーバ４に低雑音でかつ十分なレベルの信号を供給する。インドアレシーバ４は、ＤＢＳ（Direct Broadcasting by Satellite）チューナ５とＦＭ（Frequency Modulation）デモジュレータ６と、映像および音声回路７と、ＲＦ（Radio Frequency）モジュレータ８とにより構成される。ＬＮＢ３０ａから同軸ケーブル３を介してインドアレシーバ４に与えられた信号は、ＤＳＢチューナ５、ＦＭデモジュレータ６、映像および音声回路７、ＲＦモジュレータ８により加工される。その加工された信号がテレビジョン４に与えられる。
【００３３】
次に、図１で示すＬＮＢについて説明する。図２は、図１のＬＮＢを示すブロック図である。図２を参照して、ＬＮＢ３０ａは、ＬＮＡ（Low Noise Amplifier）２２と、ＢＰＦ（Band Pass Filter）２３と、混成回路２４と、ＩＦ（Intermediate Frequency）アンプ２５と、電源２６と、ＬＯ（Local Oscillator）２７とを有する。
【００３４】
ＬＮＡ２２は導波管３４に接続されている。ＬＮＡ２２はＢＰＦ２３に接続され、ＬＮＡ２２とＢＰＦ２３とには電源２６から電力が供給される。混成回路２４はＬＯ２７と接続される。また、混成回路２４は、ＢＰＦ２３およびＩＦアンプ２５と接続される。ＩＦアンプ２５はコイルを介して電源２６と接続される。
【００３５】
次に、図２で示すＬＮＢの構造を詳細に説明する。図３は、図２で示すＬＮＢの構造を示す断面図である。図３を参照して、ＬＮＢ３０ａは、導波管３４と、中心導体３１と、ストリップ導体３６とを有する。
【００３６】
導波管３４はアルミニウム合金により形成される。導波管３４は、導波管３４を貫通する孔３４ａを有する。孔３４ａは円筒形状である。導波管３４の一方端部には開口部３４ｂが設けられている。開口部３４ｂはアンテナの近傍に設けられ、アンテナが受信した電磁波が開口部３４ｂから導波管３４内へ入射される。導波管３４で囲まれた部分には誘電体としての空気が存在するので、この空気の中を電磁波が伝送する。
【００３７】
導波管３４に接触するように接地導電体３９が設けられている。接地導電体３９はアルミニウム合金により構成される。接地導電体３９は平板状であり、図３中紙面の手前方向から奥方向へ延びるように形成されている。接地導電体３９上には、誘電体基板３７が設けられている。誘電体基板３７はテフロン材からなり、その厚みは０．５ｍｍである。誘電体基板３７上にはストリップ導体３６が形成されている。ストリップ導体３６は銅からなり、その厚みは１８μｍである。ストリップ導体３６上には回路部４１が形成されている。回路部４１には、図２で示すＬＮＡ２２、ＢＰＦ２３などのさまざまな回路が形成されており、これらの回路により信号の処理が行なわれる。
【００３８】
孔３４ａを充填するように、テフロンからなる誘電体３２が設けられている。中心導体３１は導波管３４内に突出するように設けられており、かつ、導波管３４の外側に延在するように設けられている。外側に延在した中心導体３１とストリップ導体３６とを取囲むように導電性シールド部材３５が設けられている。導電性シールド部材３５の端部３５ａは、導波管３４の外側へ延在するように突出した中心導体３１に近接するように設けられる。
【００３９】
誘電体基板３７と導電性シールド部材３５との間では、中心導体３１を取囲むようにテフロンからなる誘電体３３が形成されている。中心導体３１の端部は、はんだ３８によりストリップ導体３６に接続されている。
【００４０】
ストリップ導体３６の一方端部は中心導体３１に接続され、他方端部は金属片４５により同軸ケーブル４８に接続されている。同軸ケーブル４８は、中心導体４７と、中心導体４７を取囲む誘電体４４とにより構成される。中心導体４７が金属片４５によりストリップ導体３６と接続されている。同軸ケーブル４８は、接地導電体３９を貫通し、かつ、ナット４２内を通り外部に達するように構成されている。
【００４１】
導波管３４と、接地導電体３９と、導電性シールド部材３５とを覆うように、電磁波の漏れを防ぐための金属製のカバー４０が形成されている。カバー４０には、接地導電体３９と接触する部分で孔が設けられており、この孔を介して同軸ケーブル４８が外部へ接続可能に設けられている。同軸ケーブル４８は、図１で示す同軸ケーブル３に相当し、ＤＢＳチューナ５に接続される。ストリップ導体３６と誘電体基板３７と接地導電体３９とがマイクロストリップ線路を構成し、このマイクロストリップ線路が導波管３４と接続される構造となっている。
【００４２】
次に、図３で示すマイクロストリップ線路と導波管との接続構造を詳細に説明する。図４は、図３で示すマイクロストリップ線路と導波管との接続構造を詳細に示す断面図である。図４を参照して、ＬＮＢ３０ａでは、導波管３４の孔３４ａ内に誘電体３２が設けられている。誘電体３２を貫通するように中心導体３１が設けられている。そのため、導波管３４の孔３４ａと、誘電体３２と、中心導体３１とが第１の導波路としての同軸ケーブルを構成している。中心導体３１の外径は０．９ｍｍである。誘電体３２の誘電率は１．８５である。孔３４ａの内径は２．８ｍｍである。そのため、誘電体３２を有する同軸ケーブルのインピーダンスは約５０Ωとなる。
【００４３】
中心導体３１は、導波管３４の外側へ突出するように延在している。その延在する中心導体３１を覆うように誘電体３３が形成されている。誘電体３３は、導電性シールド部材３５の端面３５ａと誘電体基板３７の表面３７ａとに接触するように構成されている。誘電体３３の誘電率は１．８５以下である。中心導体３１と、誘電体３３と、導電性シールド部材３５と、誘電体基板３７と、接地導電体３９とにより第２の導波路としての同軸ケーブルが構成されている。この誘電体３３を有する同軸ケーブルのインピーダンスは約５０Ωである。中心導体３１の端部は、はんだ３８によりストリップ導体３６と接続されている。ストリップ導体３６と、誘電体基板３７と、接地導電体３９とによりマイクロストリップ線路が構成されており、このマイクロストリップ線路のインピーダンスは約５０Ωである。ストリップ導体３６は図４中の右から左方向へ延びており、中心導体３１も図４中の右から左方向へ延びている。そのため、ストリップ導体３６と中心導体３１とはほぼ等しい方向に延びている。
【００４４】
このように構成された導波路の接続構造を有するＬＮＢ３０ａでは、誘電体３２を有する第１の導波路のインピーダンスと、誘電体３３を有する第２の導波路のインピーダンスと、ストリップ導体３６を有するマイクロストリップ線路のインピーダンスとはそれぞれ約５０Ωでありほぼ等しい。そのため、この部分で電磁波の反射等が起こることはなく、伝送損失を低下させることができる。
【００４５】
さらに、導電性シールド部材３５とカバー４０とが中心導体３１およびストリップ導体３６を覆うため、これらの導体から電磁波が漏れることはない。そのため、伝送損失を低下させることができる。
【００４６】
また、導波管３４は、導電性シールド部材３５と接地導電体３５とに接触するように設けられているため、この接続部分での電磁波の漏れをさらに低減することができる。
【００４７】
（実施の形態２）
図５は、この発明の実施の形態２に従ったＬＮＢの断面図である。図５を参照して、ＬＮＢ３０ｂでは、導電性シールド部材３５の端面３５ａと、誘電体基板３７の表面３７ａで囲まれた部分に図４で示す誘電体３３ではなく空気からなる誘電体４３が設けられている点で、図３および４で示すＬＮＢ３０ａと異なる。その他の点については、図５で示すＬＮＢは、図３および４で示すＬＮＢ３０ａと同様である。なお、図５では、図３で示すようなカバー４０、回路部４１、ナット４２、金属片４５および同軸ケーブル４８は省略している。
【００４８】
誘電体４３の比誘電率は１．０である。中心導体３１と、誘電体４３と、導電性シールド部材５３と、誘電体基板３７とにより第２の導波路としての同軸ケーブルが構成される。この誘電体４３を有する同軸ケーブルのインピーダンスは約５０Ωになるように調整される。そのため、中心導体３１から導電性シールド部材３５の端面３５ａまでの距離は０．６ｍｍとされ、中心導体３１から誘電体基板３７の表面３７ａまでの距離は０．１ｍｍとされる。
【００４９】
このように構成されたＬＮＢ３０ｂでは、まず、誘電体３２を有する第１の導波路のインピーダンスと、誘電体４３を有する第２の導波路のインピーダンスと、ストリップ導体３６を有するマイクロストリップ線路のインピーダンスとがそれぞれ約５０Ωでほぼ等しいため、実施の形態１で示したＬＮＢ３０ａと同様の効果がある。
【００５０】
さらに、誘電体４３は空気により構成されるため、この部分に図４示すような誘電体３３を新たに設ける必要がない。その結果、製造コストを低下させることができる。
【００５１】
（実施の形態３）
図６は、この発明の実施の形態３に従ったＬＮＢの断面図である。図６を参照して、この発明の実施の形態３に従った導波路接続構造を有するＬＮＢ５０ａは、導波管５４と、中心導体５１と、ストリップ導体５６とを有する。導波管５４はアルミニウム合金により構成され、導波管５４を貫通する孔５４ａを有する。導波管５４の端部には開口部５４ｂが設けられている。この開口部５４ｂはアンテナ近傍に位置し、アンテナにより集められた電磁波が開口部５４ｂから導波管５４内に入射される。
【００５２】
孔５４ａ内にはテフロンからなる誘電体５２が設けられている。誘電体５２の誘電率は２．６である。孔５４ａの内径は２．８ｍｍである。誘電体５２を貫通するように中心導体５１が設けられている。中心導体５１の外径は０．９ｍｍである。中心導体５１の一方端は導波管５４の内側に位置し、他方端は、導波管５４の外側に突出するように延在して設けられている。中心導体５１と、誘電体５２と、孔５４ａを構成する導波管５４とが第１の導波路としての同軸ケーブルを構成する。
【００５３】
導波管５４と一体となるように接地導電体５９が形成されている。接地導電体５９と導波管５４の上には誘電体基板５７が形成されている。中心導体５１は、導波管５４の外側へ延在するように突出して設けられており、導波管５４の外側の部分で中心導体５１に近接するようにアルミニウム合金からなる導電性シールド部材５５が設けられている。導電性シールド部材５５は、中心導体５１のうち導波管５４から外側に延在する部分と、ストリップ導体５６とを覆う。中心導体５１の周囲には、空気からなる誘電体５３が位置する。
【００５４】
中心導体５１と、誘電体５３と、導電性シールド部材５５と、誘電体基板５７とにより第２の導波路としての同軸ケーブルが形成される。導電性シールド部材５５の端面５５ａから中心導体５１までの距離は０．６ｍｍである。また、誘電体基板５７の表面５７ａから中心導体５１までの距離は０．１ｍｍである。そのため、誘電体５３を有する同軸ケーブルのインピーダンスは約５０Ωである。
【００５５】
中心導体５１の端部は、はんだ５８によりストリップ導体５６に接続される。ストリップ導体５６の下には誘電体基板５７と接地導電体５９とが形成されている。ストリップ導体５６と誘電体基板５７と接地導電体５９とがマイクロストリップ線路を構成する。このマイクロストリップ線路のインピーダンスは約５０Ωである。ストリップ導体５６と中心導体５１とは同じ方向に延びるように形成されている。また、ストリップ導体５６と中心導体５１とは直接接触しておらず、はんだ５８を介して互いに接続している。さらに、孔５４ａを構成する側壁は１方向に延在するように形成されており、マイクロストリップ導体５６は、延在する側壁の上に設けられている。また、ＬＮＢ５０ａは、図３で示すカバー４０、回路部４１、ナット４２、金属片４５および同軸ケーブル４８を有する。
【００５６】
このように構成された導波路接続構造を有するＬＮＢ５０ａにおいては、まず、実施の形態１で示したＬＮＢと同様の効果がある。さらに、導波管５４と接地導電体５９が一体となって構成されているため、導波管５４と接地導電体５９との間の隙間から電磁波が漏れることがない。その結果、さらに伝送損失を小さくすることができる。
【００５７】
（実施の形態４）
図７は、この発明の実施の形態４に従ったＬＮＢの断面図である。図７を参照して、図７で示すＬＮＢ５０ｂでは、導波管５４に設けられた孔５４ｃが誘電体基板５７の一部分を除去して設けられる点で、図６で示すＬＮＢ５０ａと異なる。
【００５８】
また、中心導体５１の外径は０．９ｍｍであり、孔５４ｃの内径は２．８ｍｍである。さらに、中心導体５１から導電性シールド部材５５の端面５５ａまでの距離は０．６ｍｍであり、中心導体５１から誘電体基板５７の表面５７ａまでの距離は０．６ｍｍである。
【００５９】
中心導体５１と、誘電体５２と、孔５４ｃを構成する導波管５４とが第１の導波路としての同軸ケーブルを構成する。誘電体５２を有する同軸ケーブルのインピーダンスは約５０Ωである。
【００６０】
中心導体５１と、誘電体５３と、導電性シールド部材５５と、誘電体基板５７とにより第２の導波路としての同軸ケーブルが形成される。誘電体５３を有する同軸ケーブルのインピーダンスは約５０Ωである。ストリップ導体５６を有するマイクロストリップ線路のインピーダンスは約５０Ωである。
【００６１】
このように構成された導波路接続構造を有するＬＮＢ５０ｂでは、まず、実施の形態３で示したＬＮＢと同様の効果がある。
【００６２】
さらに、誘電体基板５７の一部分を除去して孔５４ｃを形成しているため、中心導体５１とストリップ導体５６との距離が近くなる。そのため、ストリップ導体５６の厚さが薄くなってもストリップ導体５６と中心導体５１との距離が大きく離れることはなく、ストリップ導体５６と中心導体５１との間での接続部分での電磁波の漏れを防止することができ、さらに伝送損失を低下させることができる。
【００６３】
以上、この発明の実施の形態について説明したが、ここで示した実施の形態はさまざまに変形することが可能である。まず、導体の材質として、アルミニウム合金だけでなく、通常導波路等に用いられている材質を用いることができる。
【００６４】
さらに、誘電体としては、テフロンや空気などを示したが、その他の誘電体を用いてもよい。なお、これらの誘電体を用いる場合でも、それぞれの同軸ケーブルのインピーダンスは５０Ωとなるように調整される。
【００６５】
さらに、導波管とマイクロストリップ線路との接続構造については、従来技術で示した図９および図１０のような構造としてもよい。
【００６６】
本願発明の別の局面に従った導波路接続構造について説明すると、導波路接続構造は、導電性の導波管と、中心導体と、第１の導波路と、マイクロストリップ線路と、導電性シールド部材と、第２の導波路とを備える。導電性の導波管は孔を有する。中心導体は、孔を貫通して導波管の外側に延在する。第１の導波路は、誘電体が導波管の孔内で中心導体を覆うことにより形成される。マイクロストリップ線路は、外側に延在した中心導体に接続されるストリップ導体を誘電体基板の上に形成することにより構成される。導電性シールド部材は、マイクロストリップ線路と、外側に延在した中心導体とを取囲むように設けられる。第２の導波路は、外側に延在した中心導体と導電性シールド部材との間に誘電体が設けられて中心導体を覆うことにより形成される。マイクロストリップ線路のインピーダンスと、第１の導波路のインピーダンスと、第２の導波路のインピーダンスとがほぼ等しい。
【００６７】
このように構成された導波路接続構造においては、ストリップ導体と外側に延在した中心導体とを取囲むように導電性シールド部材が設けられるので、中心導体やストリップ導体から電磁波が漏れることがない。そのため、伝送損失を低下させることができる。さらに、マイクロストリップ線路のインピーダンスと、第１の導波路のインピーダンスと、第２の導波路のインピーダンスとがほぼ等しくなるため、これらの接続部分でインピーダンスが整合する。その結果、接続部分で反射などが生じず、伝送損失を低下させることができる。
【００６８】
また好ましくは、ストリップ導体の延びる方向と、中心導体の延びる方向とはほぼ等しい。
【００６９】
また好ましくは、導電性シールド部材は導波管に接触している。この場合、導電性シールド部材と導波管との間から電磁波が漏れることはなく、伝送損失をさらに低下させることができる。
【００７０】
また好ましくは、ストリップ導体は導電性シールド部材と導波管とに接触する誘電体基板の上に設けられる。この場合、誘電体基板と導波管とが接触するため、その誘電体基板上に形成されたストリップ導体からの電磁波の漏れを少なくすることができ、伝送損失をさらに低下させることができる。
【００７１】
また、好ましくは、孔の壁面は１方向に延在するように形成されており、ストリップ導体は延在する壁面の上に設けられる。
【００７２】
この場合、壁面が１方向に延在し、その上にストリップ導体が設けられるので、導波管の一部分が延長されて、その部分上にストリップ導体が形成される。その結果、新たな部材を設けることなくマイクロストリップ線路を形成することができる。
【００７３】
さらに好ましくは、第１の導波路を構成する誘電体はテフロンであり、第２の導波路を構成する誘電体は空気である。
【００７４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】この発明の実施の形態１に従った導波路接続構造が用いられる衛星放送受信システムのブロック図である。
【図２】図１のＬＮＢを示すブロック図である。
【図３】図２で示すＬＮＢの構造を示す断面図である。
【図４】図３で示すマイクロストリップ線路と導波管との接続構造を詳細に示す断面図である。
【図５】この発明の実施の形態２に従ったＬＮＢの断面図である。
【図６】この発明の実施の形態３に従ったＬＮＢの断面図である。
【図７】この発明の実施の形態４に従ったＬＮＢの断面図である。
【図８】従来の一般的なＬＮＢの構造を模式的に示す断面図である。
【図９】従来の１つの局面に従った導波路接続構造を示す断面図である。
【図１０】従来の別の局面に従った導波路接続構造を示す断面図である。
【図１１】従来のさらに別の局面に従った導波路接続構造の断面図である。
【図１２】改良された従来のＬＮＢの断面図である。
【符号の説明】
【００７６】
３０ａ，３０ｂ，５０ａ，５０ｂ  ＬＮＢ、３１，５１  中心導体、３２，３３，４３，５２，５３  誘電体、３４ａ，５４ａ  孔、３５，５５  導電性シールド部材、３６，５６  ストリップ導体、３７，５７  誘電体基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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