(57)【要約】【課題】  成膜品質に大きく影響する気相反応の制御を簡便に行なうことができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。【解決手段】  気相成長装置２１は、反応炉２２と、反応管２３と、被処理基板２６を載置するサセプタ２７と、サセプタ２７を介して被処理基板２６を加熱するヒータ３３とを備えている。ヒータ３３は、原料ガスの流れる方向に対して平行な方向に移動可能に設けられており、必要に応じてヒータ３３を上流側または下流側に移動させる。これにより気相反応を制御することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜原料成分を含有する原料ガスを、被処理基板が配置された反応管の内部に導入し、前記被処理基板の成膜される面に沿う方向に前記原料ガスを流し、前記原料ガスが加熱されることによって前記被処理基板と反応して、前記被処理基板に前記成膜原料成分を成長させる気相成長装置であって、
前記被処理基板を加熱する発熱体を備え、前記発熱体は前記原料ガスが流れる方向に平行な方向に位置調節可能に設けられている、気相成長装置。
【請求項２】
前記被処理基板を回転させる回転機構をさらに備え、前記回転機構は、前記発熱体と独立して前記被処理基板を回転させる、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の気相成長装置を用いた気相成長方法であって、
前記被処理基板の成膜処理中に、前記発熱体を前記原料ガスが流れる方向に平行な方向に移動させる工程を含む、気相成長方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の気相成長装置を用いた気相成長方法であって、
前記反応管に導入される原料ガスの流速を変化させる工程と、
前記原料ガスの流速を変化させる工程に伴って、前記発熱体を前記原料ガスが流れる方向と平行な方向に移動させる工程とを含む、気相成長方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の気相成長装置を用いた気相成長方法であって、
前記反応管に導入される原料ガスの種類を変化させる工程と、
前記原料ガスの種類を変化させる工程に伴って、前記発熱体を前記原料ガスが流れる方向と平行な方向に移動させる工程とを含む、気相成長方法。
【請求項６】
請求項１または２に記載の気相成長装置を用いた気相成長方法であって、
前記発熱体を前記原料ガスが流れる方向と平行な方向に移動することにより、前記反応管の内部の前記被処理基板近傍における上流側と下流側との温度分布を変化させる工程を含む、気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、気相成長装置およびそれを用いた気相成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザなどの半導体デバイスの製造方法として、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）等のIII族有機金属ガス、アンモニア（ＮＨ3）、ホスフィン、アルシン、シラン等の水素化合物とを原料として化合物半導体薄膜を形成する有機金属化学気相蒸着法（MetalOrganic Chemical Vapor Deposition：以下、「ＭＯＣＶＤ」）が利用されている。
【０００３】
ＭＯＣＶＤ法は、前述の原料ガスを反応炉内に導入して混合し、被処理基板上で熱化学反応させることによって被処理基板上に薄膜を形成するものである。ＭＯＣＶＤ法を用いる薄膜成長装置の１つとして、横型ＭＯＣＶＤ装置がある。
【０００４】
横型ＭＯＣＶＤ装置は、原料ガスを流す反応管内に載置される被処理基板に対し、水平方向に原料を導入して被処理基板上で反応させ成膜させるものである。したがって、原料ガスの流れが、被処理基板の成膜される面に沿った層流状になるので、横型ＭＯＣＶＤ装置は一般的に広く用いられている（たとえば、特許文献１（特開２００１−１８５４８８号公報）参照）。
【０００５】
図１０は、従来の典型的な横型ＭＯＣＶＤ装置の構造を示す縦断面図である。従来の横型ＭＯＣＶＤ装置１では、反応炉２内に水平方向に延びる筒状の反応管３が設けられる。反応管３は、一端部が反応炉２の外に臨んで開口し、成膜原料成分を含有する原料ガスを反応管３内に導入するガス導入口４を構成している。また反応管３の他端部は、反応炉２の外に臨んで開口し、成膜原料成分を含有する原料ガスを反応管３の外に排出するガス排気口５を構成している。
【０００６】
反応管３の長手方向の略中央部には被処理基板６を載置するサセプタ７が設けられている。また、サセプタ７の下部には、被処理基板６を加熱するためのヒータ８が設けられる。被処理基板６の表面に成膜するに際しては、矢印９に示す方向に原料ガスをガス導入口４から反応管３内へ導入する。そして、サセプタ７の下部に設けられるヒータ８によって被処理基板６を加熱し、成膜化学反応を促進して被処理基板６上に薄膜を形成する。
【０００７】
薄膜の形成に使用され、被処理基板６上を通過した原料ガスはガス排気口５から矢印１０の方向に排出される。また薄膜の均一性を高めるために、基板回転機構１１が設けられており、被処理基板６を回転させながら薄膜が形成される。
【０００８】
このような従来のＭＯＣＶＤ装置１においては、成膜時に反応管３内に導入された原料ガスが、ヒータ８によって加熱された被処理基板６およびサセプタ７によって、被処理基板６の周辺において間接的に昇温され、気相中で熱化学反応が促進され、被処理基板６上に薄膜が形成される。成膜品質の向上にはこの原料ガスの気相中での熱化学反応、すなわち気相反応の制御が重要となる。しかし、気相反応は原料ガスの組み合わせによって異なり、成膜品質を向上させるためには、気相反応を抑制しなければならないものもある。
【０００９】
たとえばＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ3の３種類のガスからＡｌＧａＮ膜を成膜する場合、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ3の３種類のガスが混合および加熱されると、次第に意図しない気相反応が発生し、ＡｌＧａＮ膜の正常な成膜を妨げてしまう。
【００１０】
このような現象を回避するために、原料ガスが混合された状態で反応炉内を流れる時間を短くするようにした気相成長装置が提案されている。このような気相成長装置として、被処理基板の近傍まで、ＴＭＡおよびＴＭＧとＮＨ3とは混合しないで別々に供給し、被処理基板の近傍で３種類の原料ガスが混合および加熱されるようにしたもの（たとえば、特許文献２（特開平８−１３９０３４号公報）参照）や、被処理基板加熱用のヒータだけでなく、被処理基板上流の気相温度を制御する予備加熱ヒータを配したもの（たとえば、特許文献３（特開平１１−７４２０２号公報）参照）などが提案されている。
【特許文献１】特開２００１−１８５４８８号公報
【特許文献２】特開平８−１３９０３４号公報
【特許文献３】特開平１１−７４２０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
このように成膜品質を向上させるためには、気相および基板表面での化学反応をいかに制御するか、つまり化学反応を支配する材料の濃度、温度および反応時間をいかに制御するかが課題となる。
【００１２】
しかしながら、前述の特許文献２に記載された気相成長装置のように原料ガスを分離供給して混合から成膜までの気相反応時間を抑制する方法では、原料ガスを分離するために、流路を仕切る仕切り板が必要となる。仕切り板終端の下流側で原料ガスが混合される際、原料ガスの流れが乱れてしまう。これにより、成膜品質が低下する場合がある。
【００１３】
さらにその乱れを最小限にするためには、合流前のそれぞれの原料ガスの流量を一致させる必要がある。そのためにはＨ2やＮ2などの成膜に直接寄与しないキャリアガスの流量で、原料ガスの流量を調整することになる。そのため、III族有機金属ガスとＶ族ガスとの比（Ｖ／III比）を調整するたびにキャリアガスの流量を調整しなければならない。その結果、反応管内における原料ガスの濃度が変化して、気相反応現象の特定が困難になり、成膜条件の最適化が困難かつ時間を要するという問題もある。
【００１４】
また、前述の特許文献３のように、被処理基板加熱用ヒータに加えて、被処理基板上流の気相温度を制御する予備加熱ヒータを配する気相成長装置においては、各ヒータに、ヒータを保持する保持機構、ヒータの電極、加熱効率を上げるための輻射熱反射板(リフレクタ)などが必要となるため、ヒータを含めた加熱装置全体としてみると非常に大きくなってしまう。そのため、両ヒータの間に隙間が生じてしまい、気相温度を連続的に上げていくことが困難となる。
【００１５】
加えて、成膜における均一性を高めるために、被処理基板基板回転機構を加えようとすると、さらに気相成長装置が複雑かつ大型なものとなり、現実的ではない。
【００１６】
この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、成膜品質に大きく影響する気相反応の制御を簡便に行なうことができる気相成長装置および気相成長方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
この発明に基づいた気相成長装置に従えば、成膜原料成分を含有する原料ガスを被処理基板が配置された反応管の内部に導入し、上記被処理基板の成膜される面に沿う方向に上記原料ガスを流し、上記原料ガスが加熱されることによって上記被処理基板と反応して、上記被処理基板に上記成膜原料成分を成長させる気相成長装置であって、上記被処理基板を加熱する発熱体を備え、上記発熱体は上記原料ガスが流れる方向に平行な方向に位置調節可能に設けられている。
【００１８】
この発明に基づいた気相成長方法のある局面に従えば、上記の気相成長装置を用いた気相成長方法であって、前記被処理基板の成膜処理中に、前記発熱体を前記原料ガスが流れる方向に平行な方向に移動させる工程を含んでいる。
【００１９】
この発明に基づいた気相成長方法の他の局面に従えば、上記の気相成長装置を用いた気相成長方法であって、前記原料ガスの流速を変化させる工程に伴って、前記発熱体を前記原料ガスが流れる方向と平行な方向に移動させる工程を含んでいる。
【００２０】
この発明に基づいた気相成長方法の他の局面に従えば、上記の気相成長装置を用いた気相成長方法であって、前記原料ガスの種類を変化させる工程に伴って、前記発熱体を前記原料ガスが流れる方向と平行な方向に移動させる工程を含んでいる。
【００２１】
この発明に基づいた気相成長方法の他の局面に従えば、上記の気相成長装置を用いた気相成長方法であって、前記発熱体を前記原料ガスが流れる方向と平行な方向に移動することにより、前記反応管の内部の前記被処理基板近傍における上流側と下流側との温度分布を変化させる工程を含んでいる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る気相成長装置およびそれを用いた気相成長方法によると、気相反応の制御を簡便に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、この発明に基づいた各実施の形態における気相成長装置およびそれを用いた気相成長方法について、図を参照しながら説明する。なお、各実施の形態において、同一または相当箇所については同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さないこととする。
【００２４】
（実施の形態１）
以下、本発明に係る実施の形態１について、図１から図４を参照して説明する。図１は、本実施の形態の気相成長装置の構造を簡略化して示す縦断面図である。
【００２５】
本実施の形態の気相成長装置２１は、反応炉２２と、反応管２３と、被処理基板２６を載置するサセプタ２７と、サセプタ２７を保持し回転させるための回転機構２８から３１と、サセプタ２７の下部に設けられるヒータ３３と、ヒータ３３を保持しガス流に対して平行に移動させる駆動手段３４，３５とを備えている。
【００２６】
気相成長に用いられる原料ガスは、ガス導入口２４より矢印３７の方向に反応管２３内に導入される。導入された原料ガスは、ヒータ３３により加熱された、反応管２３、サセプタ２７および被処理基板２６などにより昇温され、気相反応を経て、被処理基板２６に薄膜を形成する。成膜に使用されなかった原料ガスはガス排出口２５より矢印３８の方向に排出される。このような気相成長装置２１としては、たとえば半導体基板に薄膜形成処理を施す半導体処理装置などがある。
【００２７】
反応炉２２は、直方体形状を有する筐体であり、たとえば金属製の殻体に耐火物等が内張りされて形成される。反応炉２２の、図１中左右方向の両端において対向する側面部に亙るように反応管２３が装着されている。反応管２３は、円筒あるいは略角筒形状を有し、耐熱性を有する材料、たとえば石英、ボロンナイトライドやシリコンカーバイドなどのセラミック、モリブデンなどの金属などが使用される。
【００２８】
サセプタ２７は被処理基板回転機構を備える場合、平面視略円形状を有するが、基板回転機構を持たない場合は、その限りではない。サセプタ２７についても反応管２３と同様、耐熱性を有する材料、たとえば石英、ボロンナイトライドやシリコンカーバイドなどのセラミック、モリブデンなどの金属などが使用される。
【００２９】
反応管２３のガス導入口２４へは、図示しない、高圧ガスボンベ等のガス供給源、ガス供給源に接続される圧力／流量調整弁およびガス供給源と反応管２３とに接続されるガス供給管路を含んで構成されるガス供給装置によって、原料ガスが供給される。
【００３０】
反応管２３の略中央下部には、サセプタ２７の寸法よりも大きい開口部が形成されておいる。サセプタ２７は、この開口部に挿入されており、サセプタ２７の表面と、反応管２３の底面とは略同一平面内に位置している。
【００３１】
サセプタ２７は、たとえば回転機構２８から３１によって保持され、回転可能とされている。円筒状の本体の上端に水平方向に広がるフランジを有する、基板回転シャフト２８がサセプタ２７を保持している。この基板回転シャフト２８の下部の外周には基板回転ギア２９が取り付けられている。基板回転ギア２９とかみ合うように、基板回転モータギア３０が設けられており、基板回転モータギア３０は基板回転モータ３１によって回転駆動される。
【００３２】
ヒータ３３は、たとえば抵抗発熱体などで構成される。ヒータ３３は、垂直方向に延びる可動シャフト３４に保持されている。可動シャフト３４は可動レール３５上に配置される。可動レール３５は、反応管２３内に供給される原料ガスの流れの方向に沿って移動することができる。ヒータ３３はサセプタ２７の内部空間に配置され、可動シャフト３４は、サセプタ２７の内部から基板回転シャフト２８の内部空間に到るように配置されている。可動レール３５に保持された可動シャフト３４およびヒータ３３は、周知のモータとギアとの組み合わせにより電動で移動するように構成する。また、気相成長装置のセッティング時に作業者が手動で位置調節してもよい。
【００３３】
ヒータ３３は、図示しない電源から電力が供給されて発熱する。ヒータ３３に電力を供給して発熱させると共にサセプタ２７を回転駆動させることによって、サセプタ２７が回転しながら加熱される。さらにサセプタ２７上に載置される被処理基板２６も、反応管２３内で回転しながら加熱される。
【００３４】
以下、被処理基板２６に薄膜を形成する手順について説明する。まず、原料ガスが、ガス導入口２４から反応管２３内へ導入される。導入された原料ガスは、発熱されたヒータ３３によって加熱された反応管２３およびサセプタ２７から放射される輻射熱、ならびにこれらからの熱伝導により加熱される。
【００３５】
加熱された原料ガスは、気相反応しながら、被処理基板２６の付近に到達し、表面反応により被処理基板２６の表面に薄膜を形成する。
【００３６】
ここで、前述したように使用する原料ガスあるいは所望の膜組成によって気相反応が異なる。たとえばＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ3を原料ガスとして、ＡｌＧａＮ膜を成膜する場合には、被処理基板２６に到達するまでの間における気相反応は抑制すべきである。このように気相反応を抑制したい成膜の場合は、ヒータ３３を下流側に移動させる。
【００３７】
逆に、たとえばＴＭＧ、ＮＨ3を原料ガスとして、ＧａＮ膜を成膜する場合には、気相反応の進行が、成膜品質の低下に大きくは影響しない。そのため、ヒータ３３を上流側に移動させてあらかじめ十分に原料ガスを加熱することにより、後述の理由で成膜品質を向上させることができる。
【００３８】
１つめに、原料ガスの温度が上がると原料ガスが膨張するが、反応管２３の体積は変わらない。そのため結果として原料ガスが流れる流速が上がり、その結果、ガスの境界層の厚みが薄くなり、被処理基板２６への原料ガスの拡散量が増えて成膜速度を上げることができる。
【００３９】
２つめに、原料ガスの温度を予め上げられるということは、原料ガスの温度を被処理基板２６に到達する前に予め十分に上げられることになる。これにより低温の原料ガスにさらされて被処理基板２６自体の温度が低下する量を減らすことができる。さらに、原料ガスが流れる方向に対して上流側の被処理基板表面の温度と下流側の被処理基板表面の温度との温度差が小さくなるため、成膜時における被処理基板の温度均一性が高まり成膜品質が向上する。
【００４０】
このようにヒータ３３の位置を移動させることにより、原料ガスの種類や、所望の膜特性（組成比）に応じた気相反応量の制御が可能となり、被処理基板２６への成膜品質を向上させることができる。
【００４１】
また、原料ガスの流量を変えるときにも原料ガスと接する被処理基板２６およびサセプタ２７の温度は変化する。この変化に対応してヒータ３３の位置を制御することにより、安定した成膜結果を得ることができる。たとえば、原料ガスの流量を増やすと、被処理基板２６およびサセプタ２７から奪われる熱量が増え、表面温度は下がり、原料ガスの温度も下がってしまう。このとき、ヒータ３３を上流側に移動させておけば、原料ガス流量増加前と同程度に気相反応を促進させることができる。
【００４２】
供給する原料ガスの種類や混合比を変化させた場合にも、原料ガスの種類によって熱伝導率が異なることに起因する原料ガスの温度変化を制御するためにヒータの移動が適用できる。
【００４３】
さらに、被処理基板２６近傍の温度分布を変化させたい場合にも、本実施の形態の装置により、ヒータ３３を移動させることは効果的である。被処理基板２６の温度を下げたいときにはヒータを下流側に、被処理基板２６の温度を上げたいときには上流側に移動させる。これにより、被処理基板２６の温度変化に大きく影響する、上流側から流れ込む原料ガスの温度を調整することができる。
【００４４】
すなわち、被処理基板２６の温度を下げたいときにはヒータ３３を下流側に設置すると、サセプタ２７の上流側の温度が下がり、原料ガスの温度も上がらないため、被処理基板２６へ到達するガス温度は下がり被処理基板２６の冷却が促進される。逆に被処理基板の温度を上げたいときには、ヒータ３３を上流側に移動するとで、サセプタ２７の上流側の温度が上がり、原料ガスの温度も上がるため、結果として被処理基板２６へ到達するガス温度も上がり、ヒータ３３が下流側にあるときよりも被処理基板２６の温度は上がりやすくなる。このように、被処理基板２６の温度を変化させるときにも、ヒータ３３が移動可能とされていることは有効である。なお、ヒータ３３の移動は、被処理基板２６の処理工程中に行なうようにしてもよい。
【００４５】
ヒータ３３を移動させたことによる温度分布の変化を、熱流体シミュレーションにより評価した。シミュレーションに用いた計算モデルを図２に示す。計算負荷を軽減するために、被処理基板付近の温度分布に大きな影響を与えない範囲で、計算モデルは簡略化されている。反応炉２２を計算領域の端とし、ここには一定温度（ここでは３２３Ｋ）の境界条件を与えた。
【００４６】
反応炉２２を横断するように反応管２３を配置し、反応管２３の両端には矢印３７の方向に原料ガスを導入するガス導入口２４と、ガス導入口２４より導入されたガスを矢印３８の方向に排出するガス排出口２５とがそれぞれ配置され、反応管２３の略中央部片側（ここでは下側）に被処理基板２６を配置するためのサセプタ２７と、それらを加熱するためのヒータ３３が設けられている。
【００４７】
ガス導入口２４より導入される原料ガスをＮ2ガス、原料ガスの流速を１ｍ／ｓ、ヒータ３３の発熱密度を２０ＭＷ／ｍ3としている。さらにサセプタ２７は被処理基板２６を配置するための凹部を設けてあり、被処理基板２６の被処理面とサセプタ表面が同一平面となるよう構成している。
【００４８】
また、被処理基板２６の直径は５０ｍｍ、サセプタ２７の直径は１００ｍｍ、ヒータ３３の直径は６５ｍｍとし、被処理基板２６の中心とヒータ３３の中心とが、原料ガスが流れる方向に±７．５ｍｍずれたときの熱流体シミュレーションを実施した。
【００４９】
被処理基板２６およびサセプタ２７表面の温度分布結果は図３のとおりである。図の横軸の単位はミリメートル（ｍｍ）で、原点は被処理基板２６の中心とし、縦軸は温度で単位はケルビン（Ｋ）である。また、図３において、上流側と記載した線は、ヒータ３３を上流側に７．５ｍｍ移動させた場合を示し、下流側と記載した丸印を付した線は、ヒータ３３を下流側に７．５ｍｍ移動させた場合を示している。
【００５０】
中心の約５０ｍｍの範囲６２では、温度が約８７３Ｋであり、ほぼ一定の温度分布が得られている。サセプタ２７の被処理基板２６よりも上流側６１（図中横軸マイナス側）においては、ヒータ３３を下流側に移動させた場合の方が、上流側に移動させた場合に比べて１００Ｋ前後低くなった。ヒータ３３を下流側に移動させた場合、サセプタ２７の下流側６３（図中横軸プラス側）の温度が高くなるが、被処理基板２６よりも下流側の温度変化は被処理基板２６への成膜には影響しない。
【００５１】
この結果から、ヒータ３３を移動させることにより、被処理基板２６の温度分布を変えることなく被処理基板よりも上流側にあるサセプタ２７の温度分布を変えることができ、気相反応の制御ができることが確認された。
【００５２】
また、ここまでに述べた例では、たとえば電気抵抗により発熱するヒータ３３自体を移動させたが、図４に示すような、誘導加熱方式の場合は、高周波誘導コイル３９により加熱されて発熱する発熱体４０を移動させることにより、同様の効果が得られる。
【００５３】
なお、上記の説明においては、被処理基板２６を１枚づつ処理する気相成長装置について説明したが、複数枚同時に処理する気相成長装置においても同様の効果が期待できる。その場合について次の実施の形態で説明する。
【００５４】
（実施の形態２）
実施の形態２について、図５から図９を参照して説明する。図５は、本実施の形態にかかる気相成長装置の反応管の構造を示す斜視図である。
【００５５】
図５に示すように本実施の形態は、反応管２３の底部に円周状に配置された複数の被処理基板２６を同時に処理することができる気相成長装置である。各被処理基板２６の間は、平面視楔形の仕切り部材４１で仕切られている。これにより、反応管２３の中心部から被処理基板２６を経由してガス排出口２５に至る原料ガスの流路の幅Ｗが、上流から下流まで一定に保たれる。原料ガスは、中心部に供給され、放射状に広がり各被処理基板２６と反応するが、原料ガスの流路の幅Ｗが一定であるので、被処理基板２６の表面に均一な薄膜を形成することができる。
【００５６】
図６は、本実施の形態の気相成長装置の縦断面図である。図６に示すように、各被処理基板２６は、サセプタ２７に保持されており、その内部には、反応管２３の半径方向に移動可能にヒータ３３が設けられている。ヒータ３３は、可動シャフト３４を介して、ラックギア４３に連結されている。
【００５７】
ラックギア４３は、上部小歯車４４とかみ合っており、上部小歯車４４を回転駆動することで原料ガスが流れる方向に沿って水平に移動する（図７および図８参照）。上部小歯車４４の下方には、上部小歯車４４と同軸に直結された下部小歯車４５が設けられている。下部小歯車４５は、大歯車４６とかみ合っており、大歯車４６を回転駆動することにより、下部小歯車４５は回転駆動される（図９参照）。
【００５８】
ヒータ３３を移動させる場合には、大歯車４６を回転駆動することで、全ての下部小歯車４５が回転駆動され、同時に、下部小歯車４５に直結された上部小歯車４４も回転駆動される。上部小歯車４４の回転駆動に伴って、ラックギア４３が原料ガスの流れる方向と平行かつ水平方向に移動する。これにより、ラックギア４３に保持された可動シャフト３４およびヒータ３３が駆動される。
【００５９】
このように、複数の被処理基板２６を処理する気相成長装置においては、複数のヒータ３３をそれぞれ移動させる必要があるが、上記のような移動機構を設けることで、同時に移動させることができ、ヒータ３３の位置調節を容易に行なうことができる。また、被処理基板２６の被膜形成処理中においても、ヒータ３３を移動させることができる。
【００６０】
なお、本実施の形態では、上記のような移動機構を設けることで、全てのヒータ３３を同時に移動させる場合について説明したが、気相成長装置２１のセッティング時に各ヒータ３３をそれぞれ手動で位置調節するようにしてもよい。
【００６１】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】この発明に基づいた実施の形態１における気相成長装置の構造を簡略化して示す縦断面図である。
【図２】シミュレーションに用いた計算モデルの気相成長装置の構造を示す縦断面図である。
【図３】温度分布の計算結果を示す図である。
【図４】この発明に基づいた実施の形態１の変形例における気相成長装置の構造を簡略化して示す縦断面図である。
【図５】この発明に基づいた実施の形態２における気相成長装置の内部構造を簡略化して示す斜視図である。
【図６】この発明に基づいた実施の形態２における気相成長装置の構造を簡略化して示す縦断面図である。
【図７】この発明に基づいた実施の形態２における気相成長装置の構造を簡略化して示す縦断面図である。
【図８】この発明に基づいた実施の形態２における気相成長装置の、上部小歯車とラックギアとの関係を示す平面図である。
【図９】この発明に基づいた実施の形態２における気相成長装置の、下部小歯車と大歯車との関係を示す平面図である。
【図１０】従来の技術における気相成長装置の構造を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
２１  気相成長装置、２２  反応炉、２３  反応管、２４  ガス導入口、２５  ガス排出口、２６  被処理基板、２７  サセプタ、２８  基板回転シャフト、２９  基板回転ギア、３０  基板回転モータギア、３１  基板回転モータ、３３  ヒータ、３４  可動シャフト、３５  可動レール、３９  高周波誘導コイル、４０  発熱体。
【図１】
2007035727.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007035727.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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