(57)【要約】【課題】放射線平面検出器において、寄生容量やトランジスタのフィードスルーの影響を排除し、その検出精度を高める。【解決手段】複数の信号線および複数のデータ線の交差部近傍にマトリクス状に配された複数の画素を備え、各画素がスイッチング素子および電荷を蓄える容量を有するとともに、該スイッチング素子の制御端子が上記信号線に接続され、かつ該容量がスイッチング素子を介して上記データ線に接続された電荷検出器において、同一信号線に接続された複数のスイッチング素子それぞれに繋がるデータ線を１本あるいは複数本づつ選択していくことで、各スイッチング素子に繋がる容量に蓄えられていた電荷をデータ線に読み出していく。【選択図】図１
2007108082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の信号線および複数のデータ線の各交差部近傍にマトリクス状に配された複数の画素を備え、各画素がスイッチング素子および電荷を蓄える容量を有するとともに、該スイッチング素子の制御端子が上記信号線に接続され、かつ該容量がスイッチング素子を介して上記データ線に接続された電荷検出装置であって、
同一信号線に接続された複数のスイッチング素子それぞれに繋がるデータ線を１本あるいは複数本づつ順次選択していくことで、各スイッチング素子に繋がる容量に蓄えられていた電荷をデータ線に読み出していくことを特徴とする電荷検出装置。
【請求項２】
上記複数のデータ線のうち、任意のデータ線を第１および第２のデータ線とし、
上記複数の信号線のうち、任意の信号線を第１の信号線とし、
第１のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第１のスイッチング素子とし、第２のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第２のスイッチング素子として、
上記第１および第２のデータ線それぞれに、第１および第２の選択用スイッチが設けられており、
まず、第１の選択用スイッチをＯＮして第１のデータ線を選択しつつ、第１の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第１のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第１の選択用スイッチをＯＦＦし、
ついで、第２の選択用スイッチをＯＮして第２のデータ線を選択し、第１の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第２のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第２の選択用スイッチをＯＦＦすることを特徴とする請求項１記載の電荷検出装置。
【請求項３】
上記複数のデータ線のうち、任意のデータ線を第１〜４のデータ線とし、
上記複数の信号線のうち、任意の信号線を第１および第２の信号線とし、
第１のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第１のスイッチング素子とし、第２のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第２のスイッチング素子とし、第１のデータ線と第２の信号線とに接続するスイッチング素子を第３のスイッチング素子とし、第２のデータ線と第２の信号線とに接続するスイッチング素子を第４のスイッチング素子とし、
第３のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第５のスイッチング素子とし、第４のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第６のスイッチング素子とし、第３のデータ線と第２の信号線とに接続するスイッチング素子を第７のスイッチング素子とし、第４のデータ線と第２の信号線とに接続するスイッチング素子を第８のスイッチング素子として、
上記第１〜第４のデータ線それぞれに、第１〜第４の選択用スイッチが設けられており、
まず、第１および第２の選択用スイッチをＯＮして第１および第２のデータ線を選択しつつ、第１および第２の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第１〜第４のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第１および第２の選択用スイッチをＯＦＦし、
ついで、第３および第４の選択用スイッチをＯＮして第３および第４のデータ線を選択しつつ、第１および第２の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第５〜第８のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第３および第４の選択用スイッチをＯＦＦすることを特徴とする請求項１記載の電荷検出装置。
【請求項４】
複数の信号線および複数のデータ線の各交差部近傍にマトリクス状に配された複数の画素を備え、各画素がスイッチング素子および電荷を蓄える容量を有するとともに、該スイッチング素子の制御端子が上記信号線に接続され、かつ該容量がスイッチング素子を介して上記データ線に接続された電荷検出装置を駆動するための電荷検出装置の駆動方法であって、
上記複数のデータ線のうち、任意のデータ線を第１および第２のデータ線とし、
上記複数の信号線のうち、任意の信号線を第１の信号線とし、
上記第１のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第１のスイッチング素子とし、第２のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第２のスイッチング素子として、
まず、第１のデータ線を選択しつつ、第１の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第１のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第１データ線を非選択とし、
ついで、第２のデータ線を選択し、第１の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第２のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第２のデータ線を非選択とすることを特徴とする電荷検出装置の駆動方法。
【請求項５】
入射した放射線をその強度に対応した電荷に変換する変換部と、電荷検出部とを備えた放射線検出装置であって、
上記電荷検出部は、複数の信号線および複数のデータ線の各交差部近傍にマトリクス状に配された複数の画素を備え、各画素がスイッチング素子および上記電荷を蓄える容量を有するとともに、該スイッチング素子の制御端子が上記信号線に接続され、かつ該容量がスイッチング素子を介して上記データ線に接続されており、
該電荷検出部では、同一信号線に接続された複数のスイッチング素子それぞれに繋がるデータ線を１本あるいは複数本づつ順次選択していくことで、各スイッチング素子に繋がる容量に蓄えられていた電荷をデータ線に読み出していくことを特徴とする放射線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサ機能を有する放射線検出器、特に、マトリクス状に配置された複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた放射線平面検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、医療用のX線診断装置として、放射線平面検出器が用いられつつある。この放射線平面検出器は、石英、ガラスなどの透光性の基板上に薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)をマトリクス状に配置し、その上に放射線変換素子を設けたものであり、放射線を直接電気信号に変換する直接変換型と、一旦光に変換し、フォトダイオード等の光撮像素子で電気信号に変換する間接変換型とがある。この放射線平面検出器は、従来のX線診断装置より薄く、低放射線量で撮影することができるという利点がある。
【０００３】
例えば乳房撮影用の放射線平面検出器においては、乳房撮影の目的のひとつである微小石灰化の大きさが１００μｍから２００μｍであるため、その発見には、放射線平面検出器の画素ピッチを５０〜１００μｍにする必要がある。このような高精細な放射線平面検出器では、画素と同じピッチで信号読み出し用のアンプを接続すると配線密度が高くなり過ぎる。そこで、例えば特許文献１記載の構成（以下、従来の放射線平面検出器）のように、複数のデータラインを、マルチプレクサ用スイッチを用いて1つのアンプに接続している。
【０００４】
この従来の放射線平面検出器の構成を図２１に示す。同図に示されるように、従来の放射線平面検出器は、ゲートラインｇＬ、データラインｄＬ、画素ｐ、マルチプレクサ用スイッチｓｗ、アンプＡｍ１・Ａｍ２、水平シフトレジスタ、および垂直シフトレジスタを備える。各画素ｐは、ゲートラインｇＬおよびデータラインｄＬの交差部近傍にマトリクス状に配され、各マルチプレクサ用スイッチｓｗは、データラインｄＬごとに設けられ、垂直シフトレジスタによってＯＮ／ＯＦＦが制御される。また、画素ｐは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒおよび電荷を蓄えるための容量ｃを有しており、該容量ｃが薄膜トランジスタＴｒのソース・ドレインを介してデータラインｄＬに接続されているとともに、該薄膜トランジスタＴｒのゲート（制御端子）がゲートラインｇＬに接続される。各ゲートラインｇＬは水平シフトレジスタに接続されており、各薄膜トランジスタＴｒは、水平シフトレジスタによってＯＮ／ＯＦＦが制御される。
【０００５】
この従来の放射線平面検出器では、まず、入射した放射線をその強度に対応した電荷に変換して各画素ｐの容量ｃに蓄えておく。そして、マルチプレクサ用スイッチｓｗ１をＯＮした状態で、このｓｗ１が設けられたデータラインｄＬ１に繋がる複数の薄膜トランジスタＴｒ（１，１）〜Ｔｒ（１，ｍ）を順次ＯＮしていく。これにより、（各薄膜トランジスタに繋がる）容量ｃ（１，１）〜ｃ（１，ｍ）に蓄えられていた電荷が順次アンプＡｍ１に読み出される。ついで、マルチプレクサ用スイッチｓｗ２をＯＮした状態で、このｓｗ２が設けられたデータラインｄＬ２に繋がる薄膜トランジスタＴｒ（２，１）〜Ｔｒ（２，ｍ）を順次ＯＮしていく。これにより、（各薄膜トランジスタに繋がる）容量ｃ（２，１）〜ｃ（２，ｍ）に蓄えられていた電荷が順次アンプＡｍ２に読み出されていく。以上の手順をデータラインマルチプレクサ用スイッチｓｗ１〜ｓｗｎについて行うことで、全ての画素（容量ｃ）に蓄えられた電荷を読み出し、イメージ化することができる。
【特許文献１】特開２００１−３３０６７９号公報（２００１年１１月３０日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この従来の放射線平面検出器では、以下のような問題が発生する。すなわち、マルチプレクサ用スイッチｓｗ１をＯＮした状態で、データラインｄＬ１に繋がる薄膜トランジスタＴｒ（１，１）〜Ｔｒ（１，ｍ）を順次ＯＮするには、ゲートラインｇＬ１〜ｇＬｍに順次ゲート信号（ＯＮ電位）を与えなければならない。そうすると、選択されたデータラインｄＬ１以外のデータライン、例えばデータラインｄＬ２に繋がる薄膜トランジスタＴｒ（２，１）〜Ｔｒ（２，ｍ）も順次ＯＮされる。このとき、容量ｃ（２，１）〜ｃ（２，ｍ）に蓄えられていた電荷の一部がデータラインｄＬ２の寄生容量（データラインとゲートラインあるいはＣｓラインとの交差部分に存在する容量）に次々に移動してしまう。このような状態でマルチプレクサ用スイッチｓｗ２をＯＮすれば、薄膜トランジスタＴｒ（２，１）をＯＮした際にデータラインｄＬ２の寄生容量に蓄積された電荷がアンプＡｍ２に読み出され、容量ｃ（２，１）〜ｃ（２，ｍ）からは、本来蓄えられていた電荷から寄生容量へ移動した電荷を除いた残り電荷だけが読み出されることになる。
【０００７】
このように、従来の放射線平面検出器では、各画素から本来蓄えられていた電荷（所望のデータ）を読み出すことができず、高精度（高コントラスト）のイメージ化ができなかった。特に、乳癌検査においては、小さい種瘤が発見しづらいという問題があり、乳房撮影用の高精度放射線平面検出器の開発が強く要求されている。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、放射線平面検出器の検出精度を高める点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電荷検出装置は、上記課題を解決するために、複数の信号線（例えば、ゲート信号線）および複数のデータ線の各交差部近傍にマトリクス状に配された複数の画素を備え、各画素がスイッチング素子（例えば、トランジスタ）および電荷を蓄える容量（画素容量）を有するとともに、該スイッチング素子の制御端子（ＭＯＳトランジスタであればゲート）が上記信号線に接続され、かつ該容量がスイッチング素子を介して上記データ線に接続された電荷検出装置であって、同一信号線に接続された複数のスイッチング素子それぞれに繋がるデータ線を１本あるいは複数本づつ順次選択していくことで、各スイッチング素子に繋がる容量に蓄えられていた電荷をデータ線に読み出していくことを特徴とする。
【００１０】
以下の説明では、上記複数のデータ線のうち、任意のデータ線を第１および第２のデータ線とし、上記複数の信号線のうち、任意の信号線を第１の信号線とし、第１のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第１のスイッチング素子とするとともにこの第１のスイッチング素子に接続する容量を第１の容量とし、第２のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第２のスイッチング素子とするとともにこの第２のスイッチング素子に接続する容量を第２の容量とする。なお、第１および第２のデータ線が隣り合う（連続する）ものであっても良い。
【００１１】
上記構成は、同一信号線に接続された複数のスイッチング素子（例えば、薄膜トランジスタ）を、１つあるいは複数ずつ順次ＯＮしていき、この複数のスイッチング素子をすべてＯＮさせると、次の信号線に移るという工程を繰り返すものである。すなわち、まず第１の信号線にＯＮ信号を送りながら第１のデータ線を選択して第１のスイッチング素子をＯＮさせ、ついで、第１の信号線にＯＮ信号を送りつつ第２のデータ線を選択して第２のスイッチング素子をＯＮさせる。
【００１２】
上記構成によれば、第１の信号線にＯＮ信号を送ったときに、（第１のスイッチング素子に繋がる）第１の容量に蓄えられていた電荷が第１のデータ線を介して読み出される。このとき、第２のスイッチング素子もＯＮされるため、（第２のスイッチング素子に繋がる）第２の容量に蓄えられていた電荷の一部が第２のデータ線の寄生容量に移動する。すなわち、第２の容量に蓄えられていた電荷が、第２の容量と第２のデータ線の寄生容量とに分配される。ここで、第１の信号線にＯＮ信号を送りつつ第２のデータ線を選択して第２のスイッチング素子をＯＮさせると、第２の容量に残留した電荷および第２のデータ線の寄生容量に移動した電荷の双方（すなわち、第２の容量に当初蓄えられていた電荷）が第２のデータ線を介して読み出される。
【００１３】
このように、本電荷検出装置においては、読み出し過程でデータ線の寄生容量が関与するものの、各画素から読み出される電荷量は寄生容量に影響されないものとなる。したがって、例えば、本電荷検出装置を放射線平面検出器に用いれば、その検出精度を高めることができる。
【００１４】
本電荷検出装置においては、上記第１および第２のデータ線それぞれに、第１および第２の選択用スイッチが設け、まず、第１の選択用スイッチをＯＮして第１のデータ線を選択しつつ、第１の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第１のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第１の選択用スイッチをＯＦＦし、ついで、第２の選択用スイッチをＯＮして第２のデータ線を選択し、第１の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第２のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第２の選択用スイッチをＯＦＦすることが好ましい。
【００１５】
上記構成によれば、各画素から読み出される電荷量が寄生容量に影響されないという上記効果に加え、以下の効果を得ることができる。すなわち、第１の選択用スイッチをＯＮしつつ、第１の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第１のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第１の選択用スイッチをＯＦＦするため、第１のスイッチング素子をＯＮさせたときに生じるフィードスルー電荷を、第１のスイッチング素子をＯＦＦさせるときに生じるフィードスルー電荷によって打ち消し相殺することができる。なお、フィードスルーとは、トランジスタのゲート・ドレイン（ソース）間の寄生容量により、ゲート電圧の変動にともなって電荷が移動する現象をいう。このときの移動電荷がフィードスルー（ＦＴ）電荷であり、トランジスタのオンとオフで同じ大きさであり、極性が異なる。
【００１６】
したがって、本電荷検出装置においては、読み出し過程で寄生容量やフィードスルー現象が関与するものの、各画素から読み出される電荷量はこのフィードスルー現象や寄生容量に影響されないものとなる。したがって、例えば、本電荷検出装置を放射線平面検出器に用いれば、その検出精度を一層高めることができる。
【００１７】
本電荷検出装置においては、上記複数のデータ線のうち、任意の４本のデータ線を第１〜４のデータ線とし、上記複数の信号線のうち、任意の２本の信号線を第１および第２の信号線とし、第１のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第１のスイッチング素子とし、第２のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第２のスイッチング素子とし、第１のデータ線と第２の信号線とに接続するスイッチング素子を第３のスイッチング素子とし、第２のデータ線と第２の信号線とに接続するスイッチング素子を第４のスイッチング素子とし、第３のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第５のスイッチング素子とし、第４のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第６のスイッチング素子とし、第３のデータ線と第２の信号線とに接続するスイッチング素子を第７のスイッチング素子とし、第４のデータ線と第２の信号線とに接続するスイッチング素子を第８のスイッチング素子として、上記第１〜第４のデータ線それぞれに、第１〜第４の選択用スイッチが設けられており、まず、第１および第２の選択用スイッチをＯＮして第１および第２のデータ線を選択しつつ、第１および第２の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第１〜第４のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第１および第２の選択用スイッチをＯＦＦし、ついで、第３および第４の選択用スイッチをＯＮして第３および第４のデータ線を選択しつつ、第１および第２の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第５〜第８のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第３および第４の選択用スイッチをＯＦＦする構成とすることもできる。なお、第１〜第４のデータ線が互いに隣り合う（連続する）ものであっても良いし、第１および第２の信号線が互いに隣り合う（連続する）ものであっても良い。
【００１８】
上記構成は4画素分の電荷をまとめて取得するものである。したがって、各画素から読み出される電荷量がフィードスルー現象や寄生容量に影響されないという上記効果に加え、高速の読み出しが可能になるという効果がある。特に動画像取得の際に好適である。
【００１９】
本発明の電荷検出装置の駆動方法は、複数の信号線および複数のデータ線の各交差部近傍にマトリクス状に配された複数の画素を備え、各画素がスイッチング素子および電荷を蓄える容量を有するとともに、該スイッチング素子の制御端子が上記信号線に接続され、かつ該容量がスイッチング素子を介して上記データ線に接続された電荷検出装置を駆動するための電荷検出装置の駆動方法であって、上記複数のデータ線のうち、任意の２本のデータ線を第１および第２のデータ線とし、上記複数の信号線のうち、任意の１本の信号線を第１の信号線とし、第１のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第１のスイッチング素子とし、第２のデータ線と第１の信号線とに接続するスイッチング素子を第２のスイッチング素子として、まず、第１のデータ線を選択しつつ、第１の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第１のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第１データ線を非選択とし、ついで、第２のデータ線を選択し、第１の信号線にＯＮ信号およびＯＦＦ信号をこの順に送って第２のスイッチング素子をＯＮおよびＯＦＦさせた後に第２のデータ線を非選択とすることを特徴とする。
【００２０】
本発明の放射線検出装置は、入射した放射線をその強度に対応した電荷に変換する変換部と電荷検出部とを備え、この電荷検出部は、複数の信号線および複数のデータ線の各交差部近傍にマトリクス状に配された複数の画素を備え、各画素がスイッチング素子および電荷を蓄える容量を有するとともに、該スイッチング素子の制御端子が上記信号線に接続され、かつ該容量がスイッチング素子を介して上記データ線に接続されており、該電荷検出部では、同一信号線に接続された複数のスイッチング素子それぞれに繋がるデータ線を１本あるいは複数本づつ順次選択していくことで、各スイッチング素子に繋がる容量に蓄えられていた電荷をデータ線に読み出してことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、本発明の電荷検出装置によれば、各画素から読み出される電荷量は寄生容量に影響されないものとなる。さらに、各画素から読み出される電荷量をトランジスタのフィードスルー現象に影響されないものとすることも可能である。したがって、本電荷検出装置を放射線平面検出器に用いれば、その検出精度を大幅に高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施の一形態を、図１〜図２０を用いて説明すれば、以下のとおりである。本発明に係る放射線平面検出器は、入射した放射線をその強度に対応した電荷に変換する変換部と、この変換された電荷を検出する電荷検出部とを備える。この電荷検出部の模式図を図２に示す。同図に示すように、電荷検出部１０は、コントローラ８、ゲートドライバ７、パネル部３、マルチプレクサ用スイッチ５、電荷検出用アンプ（ＣＳＡ）回路９（９ａ・９ｂ）、サンプリングホールド回路１２、ＡＤ変換回路（ＡＤＣ）１３、およびマルチプレクサフレームメモリ１４を備える。
【００２３】
パネル部３は、ゲートドライバ７、ゲートラインＧＬ（信号線）、データラインＤＬ（データ線）および画素Ｐを備える。ゲートラインＧＬは、これを駆動するゲートドライバ７に接続されており、データラインＤＬは、マルチプレクサ用スイッチ５を介して電荷検出用アンプ回路９（９ａあるいは９ｂ）に接続されている。画素Ｐは、ゲートラインＧＬおよびデータラインＤＬの各交差部近傍に、マトリクス状に配されており、各画素Ｐに、薄膜トランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）ＴＲと容量（画素容量）Ｃとが設けられている。容量Ｃは変換部（図示せず）で得られた電荷を蓄え、薄膜トランジスタＴＲはこの電荷を入出力するためのスイッチングを行う。各画素Ｐにおいては、薄膜トランジスタＴＲのゲート（制御端子）がゲートラインＧＬに接続され、かつ容量Ｃの一方電極が薄膜トランジスタＴＲのドレイン（あるいはソース）に接続され、薄膜トランジスタＴＲのソース（ドレイン）がデータラインＤＬに接続されている。例えば、ゲートラインＧＬ１には、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（ｎ，１）の各ゲートが接続されている（図３参照）。そして、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）は、そのソースがデータラインＤＬ１に、そのドレインが容量Ｃ（１，１）に接続され、薄膜トランジスタＴＲ（２，１）は、そのソースがデータラインＤＬ２に、そのドレインが容量Ｃ（１，２）に接続され、薄膜トランジスタＴＲ（ｎ，１）は、そのソースがデータラインＤＬｎに、そのドレインが容量Ｃ（ｎ，１）に接続されている。また、ゲートラインＧＬｍには、薄膜トランジスタＴＲ（１，ｍ）〜ＴＲ（ｎ，ｍ）の各ゲートが接続されている。そして、薄膜トランジスタＴＲ（１，ｍ）は、そのソースがデータラインＤＬ１に、そのドレインが容量Ｃ（１，ｍ）に接続され、薄膜トランジスタＴＲ（２，ｍ）は、そのソースがデータラインＤＬ２に、そのドレインが容量Ｃ（２，ｍ）に接続され、薄膜トランジスタＴＲ（ｎ，ｍ）は、そのソースがデータラインＤＬｎに、そのドレインが容量Ｃ（ｎ，ｍ）に接続されている。
【００２４】
マルチプレクサ用スイッチ５は、薄膜トランジスタ等の選択用スイッチＳＷ１〜ＳＷｎからなり、選択用スイッチＳＷ１〜ＳＷｉは、データラインＤＬ１〜ＤＬｉの端部と電荷検出用アンプ回路９ａの入力に繋がるノードＰ１との間に設けられ、選択用スイッチＳＷ（ｉ＋１）〜ＳＷｎは、データラインＤＬ（ｉ＋１）〜ＤＬｎの端部と電荷検出用アンプ回路９ｂの入力に繋がるノードＰ２との間に設けられる。例えば、選択用スイッチＳＷ１はデータラインＤＬ１の端部とノードＰ１との間に設けられ、選択用スイッチＳＷｎはデータラインＤＬｎの端部とノードＰ２との間に設けられる。従来では１本のデータラインに１つの電荷検出用アンプ回路を設けていたが、本実施の形態に係る電荷検出部では、各データラインＤＬに選択用スイッチＳＷを設けることで、1つの電荷検出用アンプ回路９（９ａ・９ｂ）を複数のデータラインＤＬで共有している。
【００２５】
また、電荷検出用アンプ回路９は、アンプ回路の入・出力間に並列してコンデンサとリセットスイッチとを設けた構成であり、コントローラ８は、このリセットスイッチ、サンプルホールド回路１２、ＡＤ変換回路１３、およびマルチプレクサフレームメモリ１４の制御を行う。
【００２６】
上記構成において、コントローラ８がゲートドライバ７およびマルチプレクサ用スイッチ５を制御することで、パネル３の任意画素Ｐに蓄えられた電荷を選択用スイッチＳＷおよびデータラインＤＬを介して電荷検出用アンプ回路９に入力する。そして、コントローラ８の制御によって、電荷検出用アンプ回路９にて上記電荷から検出電圧（アナログデータ）を生成し、さらにこれをサンプルホールド回路１２およびＡＤ変換回路１３にてデジタルデータ化してマルチプレクサフレームメモリ１４に格納していく。
【００２７】
以下に、図１〜１２を用いて、コントローラ８によるゲートドライバ７およびマルチプレクサ用スイッチ５の制御について説明する。ここで、図１は、本実施の形態での、リセットスイッチのＯＮ／ＯＦＦのタイミング、選択用スイッチＳＷのＯＮ／ＯＦＦのタイミング、サンプルホールドのタイミング、および各ゲートラインＧＬのＯＮ／ＯＦＦのタイミングと、電荷検出用アンプ回路９ａの出力変動との関係を示すタイミングチャートである。また、図３は、本放射線平面検出器の電荷検出部の一部を示し、図４は、図３の一部を模式化したものである。図３・４に示すように、各データラインＤＬには、ゲートラインＧＬあるいはＣｓラインとの交差部分に寄生容量ＰＣが存在する。例えば、データラインＤＬ１には寄生容量ＰＣ１が存在し、同様に、データラインＤＬ２には寄生容量ＰＣ２が存在し、データラインＤＬｎには寄生容量ＰＣｎが存在する。なお、図４に示すように、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（ｎ，１）に繋がる容量Ｃ（１，１）〜Ｃ（ｎ，１）にはそれぞれ、変換部で得られた電荷Ｑ１〜Ｑｎが蓄えられているものとする。
【００２８】
まず、マルチプレクサ用スイッチ５の選択用スイッチＳＷ１をＯＮする（図５参照）。このとき、選択用スイッチＳＷ１をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する（図１のＡ領域を参照）。なお、フィードスルーとは、薄膜トランジスタのゲート・ドレイン（ソース）間の寄生容量により、ゲート電圧の変動にともなって電荷が移動する現象をいう。この移動電荷がフィードスルー（ＦＴ）電荷であり、ゲートのオンとオフで同じ大きさであり、極性が異なる。
【００２９】
ついで、ゲートラインＧＬ１にゲートＯＮ信号を与え、ゲートラインＧＬ１に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（ｎ，１）をＯＮ状態にする（図６参照）。これにより、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）に繋がる容量Ｃ（１，１）の電荷Ｑ１が、データラインＤＬ１および選択用スイッチＳＷ１を介して電荷検出用アンプ回路９ａに送られる。これと同時に、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する（図１のＢ領域を参照）。さらに、ＯＮ状態となった各トランジスタに繋がる容量Ｃ（２，１）〜Ｃ（ｎ，１）に蓄えられていた電荷の一部が、対応するデータラインＤＬの寄生容量ＰＣ２〜ＰＣｎに移動する。例えば、容量Ｃ（２，１）に蓄えられていた電荷Ｑ２の一部ｑ２’がデータラインＤＬ２の寄生容量ＰＣ２に移動し、容量Ｃ（２，１）にはｑ２（Ｑ２−ｑ２’）が残留する。すなわち、容量Ｃ（２，１）に当初蓄えられていた電荷Ｑ２が、容量Ｃ（２，１）と寄生容量とに分配される。このときの分配比（ｑ２’：ｑ２）は、容量Ｃ（２，１）と寄生容量ＰＣ２の容量値比によって決まる。同様に、容量Ｃ（ｎ，１）に蓄えられていた電荷Ｑｎの一部ｑｎ’がデータラインＤＬｎの寄生容量ＰＣｎに移動し、容量Ｃ（ｎ，１）にはｑｎ（Ｑｎ−ｑｎ’）が残留する。このときの分配比（ｑｎ’：ｑｎ）は、容量Ｃ（ｎ，１）と寄生容量ＰＣｎの容量値比によって決まる。
【００３０】
ついで、ゲートラインＧＬ１にゲートＯＦＦ信号を与え、ゲートラインＧＬ１に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（ｎ，１）をＯＦＦ状態にする（図７参照）。このとき、選択用スイッチＳＷ１はＯＮのままなので、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）をＯＦＦすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する（図１のＣ領域を参照）。これにより、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が相殺される。なお、容量Ｃ（２，１）には電荷ｑ２が残留し、容量Ｃ（ｎ，１）には電荷ｑｎが残留し、寄生容量ＰＣ２には電荷ｑ２’が保持され、寄生容量ＰＣｎには電荷ｑｎ’が保持される。
【００３１】
ついで、選択用スイッチＳＷ１をＯＦＦする（図８参照）。これにより、選択用スイッチＳＷ１をＯＦＦすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する（図１のＤ領域を参照）。これにより、選択用スイッチＳＷ１をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が相殺される。結果、電荷検出用アンプ回路９ａには、容量Ｃ（１，１）に当初蓄えられていた電荷Ｑ１だけが残ることになる。
【００３２】
以上の工程により、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）のＯＮ／ＯＦＦ時のフィードスルー電荷の影響および選択用スイッチＳＷ１のＯＮ／ＯＦＦ時のフィードスルー電荷の影響を排除しつつ、容量Ｃ（１，１）に蓄えられていた電荷Ｑ１を電荷検出用アンプ回路９ａに読み出すことができる。その後、電荷検出用アンプ回路９のリセットスイッチをＯＮさせる（図１のＥ領域を参照）。
【００３３】
引き続き、マルチプレクサ用スイッチ５の選択用スイッチＳＷ２をＯＮする（図９参照）。これにより、寄生容量ＰＣ２に保持されていた電荷ｑ２’がデータラインＤＬ２および選択用スイッチＳＷ２を介して電荷検出用アンプ回路９ａに送られ、同時に、選択用スイッチＳＷ２をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する（図１のＦ領域を参照）。
【００３４】
ついで、ゲートラインＧＬ１にゲートＯＮ信号を与え、ゲートラインＧＬ１に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（ｎ，１）をＯＮ状態にする（図１０参照）。これにより、薄膜トランジスタＴＲ（２，１）に繋がる容量Ｃ（２，１）に残留していたｑ２（Ｑ２−ｑ２’）が、データラインＤＬ２および選択用スイッチＳＷ２を介して電荷検出用アンプ回路９ａに読み出され、同時に薄膜トランジスタＴＲ（２，１）をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する（図１のＧ領域を参照）。なお、容量Ｃ（ｎ，１）には電荷ｑｎが残留し、寄生容量ＰＣｎには電荷ｑｎ’が保持されたままである。
【００３５】
ついで、ゲートラインＧＬ２にゲートＯＦＦ信号を与え、ゲートラインＧＬ１に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（ｎ，１）をＯＦＦ状態にする（図１１参照）。このとき、選択用スイッチＳＷ２はＯＮのままなので、薄膜トランジスタＴＲ（２，１）をＯＦＦすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する（図１のＨ領域を参照）。これにより、薄膜トランジスタＴＲ（２，１）をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が相殺される。
【００３６】
ついで、選択用スイッチＳＷ２をＯＦＦする（図１２参照）。これにより、選択用スイッチＳＷ２をＯＦＦすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに送られる（図１のＩ領域を参照）。これにより、選択用スイッチＳＷ２をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が相殺される。結果、電荷検出用アンプ回路９ａには、容量Ｃ（２，１）に当初蓄えられていた電荷Ｑ２だけが残ることになる。
【００３７】
以上の工程により、薄膜トランジスタＴＲ（２，１）のＯＮ／ＯＦＦおよび選択用スイッチＳＷ１のＯＮ／ＯＦＦ時のフィードスルー電荷の影響並びにデータラインＤＬ２の寄生容量の影響を排除しつつ、容量Ｃ（２，１）に蓄えられていた電荷Ｑ２を電荷検出用アンプ回路９ａに読み出すことができる。
【００３８】
このように、選択用スイッチＳＷ１をＯＮ→ゲートラインＧＬ１をＯＮ→ゲートラインＧＬ１をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ１をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ２をＯＮ→ゲートラインＧＬ１をＯＮ→ゲートラインＧＬ１をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ１をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ２をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ３をＯＮ・・・という流れを選択用スイッチＳＷｎまで行う（ゲートラインＧＬ１の読み出し）。ついで、選択用スイッチＳＷ１をＯＮ→ゲートラインＧＬ２をＯＮ→ゲートラインＧＬ２をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ１をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ２をＯＮ→ゲートラインＧＬ２をＯＮ→ゲートラインＧＬ２をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ２をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ３をＯＮ・・・という流れを選択用スイッチＳＷｎまで行う（ゲートラインＧＬ２の読み出し）。これをゲートラインＧＬｎの読み出しまで繰り返すことで、パネル３のすべての画素Ｐ（１，１）〜（ｎ，ｍ）に蓄えられた電荷を、薄膜トランジスタＴＲおよび選択用スイッチＳＷＳＷ）のＯＮ／ＯＦＦ時のフィードスルー電荷やデータラインの寄生容量の影響を排除しつつ、電荷検出用アンプ回路９ａに読み出すことができる。これにより、精度の高い検出（高品位なイメージ化）が実現される。
【００３９】
コントローラ８によるゲートドライバ７およびマルチプレクサ用スイッチ５の制御を、図１３〜図１９に示すように行うこともできる（２×２  ｂｉｎｎｉｎｇ  ｍｏｄｅ）。なお、図１３に示すように、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（４，１）に繋がる容量Ｃ（１，１）〜Ｃ（４，１）にはそれぞれ、変換部で得られた電荷Ｑ１ａ〜Ｑ４ａが蓄えられ、薄膜トランジスタＴＲ（１，２）〜ＴＲ（４，２）に繋がる容量Ｃ（１，２）〜Ｃ（４，２）にはそれぞれ、変換部で得られた電荷Ｑ１ｂ〜Ｑ４ｂが蓄えられているものとする。
【００４０】
まず、マルチプレクサ用スイッチ５の選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２をＯＮする（図１３参照）。このとき、選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する。
【００４１】
ついで、ゲートラインＧＬ１・ＧＬ２にゲートＯＮ信号を与え、ゲートラインＧＬ１に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（ｎ，１）と、ゲートラインＧＬ２に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，２）〜ＴＲ（ｎ，２）とをＯＮ状態にする（図１４参照）。
これにより、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）に繋がる容量Ｃ（１，１）の電荷Ｑ１ａと、薄膜トランジスタＴＲ（１，２）に繋がる容量Ｃ（１，２）の電荷Ｑ１ｂとがデータラインＤＬ１および選択用スイッチＳＷ１を介して電荷検出用アンプ回路９ａに送られ、薄膜トランジスタＴＲ（２，１）に繋がる容量Ｃ（２，１）の電荷Ｑ１ｂと、薄膜トランジスタＴＲ（２，２）に繋がる容量Ｃ（２，２）の電荷Ｑ２ｂとが、データラインＤＬ２および選択用スイッチＳＷ２を介して電荷検出用アンプ回路９ａに送られる。これと同時に、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）・ＴＲ（１，２）・ＴＲ（２，１）・ＴＲ（２，２）をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する。
さらに、ＯＮ状態となった各トランジスタに繋がる容量Ｃ（３，１）〜Ｃ（ｎ，１）および容量Ｃ（３，２）〜Ｃ（ｎ，２）に蓄えられていた電荷の一部が、対応するデータラインＤＬの寄生容量ＰＣ２〜ＰＣｎに移動する。例えば、容量Ｃ（３，１）に蓄えられていた電荷Ｑ３ａの一部ｑ３ａ’と、容量Ｃ（３，２）に蓄えられていた電荷Ｑ３ｂの一部ｑ３ｂ’とがデータラインＤＬ３の寄生容量ＰＣ３に移動し、容量Ｃ（３，１）にはｑ３ａ（Ｑ３ａ−ｑ３ａ’）が残留し、容量Ｃ（３，２）にはｑ３ｂ（Ｑ３ｂ−ｑ３ｂ’）が残留する。同様に、容量Ｃ（４，１）に蓄えられていた電荷Ｑ４ａの一部ｑ４ａ’と、容量Ｃ（４，２）に蓄えられていた電荷Ｑ４ｂの一部ｑ４ｂ’とがデータラインＤＬ４の寄生容量ＰＣ４に移動し、容量Ｃ（４，１）にはｑ４ａ（Ｑ４ａ−ｑ４ａ’）が残留し、容量Ｃ（４，２）にはｑ４ｂ（Ｑ４ｂ−ｑ４ｂ’）が残留する。
【００４２】
ついで、ゲートラインＧＬ１・ＧＬ２にゲートＯＦＦ信号を与え、ゲートラインＧＬ１に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（ｎ，１）およびゲートラインＧＬ２に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，２）〜ＴＲ（ｎ，２）をＯＦＦ状態にする（図１５参照）。このとき、選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２はＯＮのままなので、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）・ＴＲ（１，２）・ＴＲ（２，１）・ＴＲ（２，２）をＯＦＦすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する。これにより、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）・ＴＲ（１，２）・ＴＲ（２，１）・ＴＲ（２，２）をＯＮしたときに生じたフィードスルー電荷が相殺される。
【００４３】
ついで、選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２をＯＦＦする（図１６参照）。これにより、選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２をＯＦＦすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する。これにより、選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２をＯＮしたときに生じたフィードスルー電荷が相殺される。結果、電荷検出用アンプ回路９ａには、容量Ｃ（１，１）・Ｃ（１，２）・Ｃ（２，１）・Ｃ（２，２）に当初蓄えられていた総電荷（Ｑ１ａ＋Ｑ１ｂ＋Ｑ２ａ＋Ｑ２ｂ）だけが残ることになる。
【００４４】
以上の工程により、薄膜トランジスタＴＲ（１，１）・ＴＲ（１，２）・ＴＲ（２，１）・ＴＲ（２，２）のＯＮ／ＯＦＦ時のフィードスルー電荷の影響および選択用スイッチＳＷ１／ＳＷ２のＯＮ／ＯＦＦ時のフィードスルー電荷の影響を排除しつつ、容量Ｃ（１，１）・Ｃ（１，２）・Ｃ（２，１）・Ｃ（２，２）に蓄えられていた総電荷を電荷検出用アンプ回路９ａに読み出すことができる。
【００４５】
引き続き、マルチプレクサ用スイッチ５の選択用スイッチＳＷ３・ＳＷ４をＯＮする（図１７参照）。これにより、寄生容量ＰＣ３に保持されていた電荷ｑ３ａ’＋ｑ３ｂ’がデータラインＤＬ３および選択用スイッチＳＷ３を介して電荷検出用アンプ回路９ａに送られ、寄生容量ＰＣ４に保持されていた電荷ｑ４ａ’＋ｑ４ｂ’がデータラインＤＬ４および選択用スイッチＳＷ４を介して電荷検出用アンプ回路９ａに送られる。同時に、選択用スイッチＳＷ３・ＳＷ４をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する。
【００４６】
ついで、ゲートラインＧＬ１・ＧＬ２にゲートＯＮ信号を与え、ゲートラインＧＬ１に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（ｎ，１）とゲートラインＧＬ２に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，２）〜ＴＲ（ｎ，２）とをＯＮ状態にする（図１８参照）。
これにより、薄膜トランジスタＴＲ（３，１）に繋がる容量Ｃ（３，１）の残留電荷ｑ３ａと、薄膜トランジスタＴＲ（３，２）に繋がる容量Ｃ（３，２）の残留電荷ｑ３ｂとがデータラインＤＬ３および選択用スイッチＳＷ３を介して電荷検出用アンプ回路９ａに送られ、薄膜トランジスタＴＲ（４，１）に繋がる容量Ｃ（４，１）の残留電荷ｑ４ａと、薄膜トランジスタＴＲ（４，２）に繋がる容量Ｃ（４，２）の残留電荷ｑ４ｂとが、データラインＤＬ４および選択用スイッチＳＷ４を介して電荷検出用アンプ回路９ａに送られる。これと同時に、薄膜トランジスタＴＲ（３，１）・ＴＲ（３，２）・ＴＲ（４，１）・ＴＲ（４，２）をＯＮすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する。
【００４７】
ついで、ゲートラインＧＬ１・ＧＬ２にゲートＯＦＦ信号を与え、ゲートラインＧＬ１に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，１）〜ＴＲ（ｎ，１）およびゲートラインＧＬ２に繋がる薄膜トランジスタＴＲ（１，２）〜ＴＲ（ｎ，２）をＯＦＦ状態にする（図１９参照）。このとき、選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２はＯＮのままなので、薄膜トランジスタＴＲ（３，１）・ＴＲ（３，２）・ＴＲ（４，１）・ＴＲ（４，２）をＯＦＦすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する。これにより、薄膜トランジスタＴＲ（３，１）・ＴＲ（３，２）・ＴＲ（４，１）・ＴＲ（４，２）をＯＮしたときに生じたフィードスルー電荷が相殺される。
【００４８】
ついで、選択用スイッチＳＷ３・ＳＷ４をＯＦＦする（図２０参照）。これにより、選択用スイッチＳＷ３・ＳＷ４をＯＦＦすることによって生じたフィードスルー電荷が電荷検出用アンプ回路９ａに移動する。これにより、選択用スイッチＳＷ３・ＳＷ４をＯＮしたときに生じたフィードスルー電荷が相殺される。結果、電荷検出用アンプ回路９ａには、容量Ｃ（３，１）・Ｃ（３，２）・Ｃ（４，１）・Ｃ（４，２）に当初蓄えられていた総電荷（Ｑ３ａ＋Ｑ３ｂ＋Ｑ４ａ＋Ｑ４ｂ）だけが残ることになる。
【００４９】
以上の工程により、薄膜トランジスタＴＲ（３，１）・ＴＲ（３，２）・ＴＲ（４，１）・ＴＲ（４，２）のＯＮ／ＯＦＦおよび選択用スイッチＳＷ３・ＳＷ４のＯＮ／ＯＦＦ時のフィードスルー電荷の影響並びにデータラインＤＬ３・ＤＬ４の寄生容量の影響を排除しつつ、容量Ｃ（３，１）・Ｃ（３，２）・Ｃ（４，１）・Ｃ（４，２）に蓄えられていた総電荷（Ｑ３ａ＋Ｑ３ｂ＋Ｑ４ａ＋Ｑ４ｂ）を電荷検出用アンプ回路９ａに読み出すことができる。
【００５０】
このように、選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２をＯＮ→ゲートラインＧＬ１・ＧＬ２をＯＮ→ゲートラインＧＬ１・ＧＬ２をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ３・ＳＷ４をＯＮ→ゲートラインＧＬ１・ＧＬ２をＯＮ→ゲートラインＧＬ１・ＧＬ２をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ３・ＳＷ４をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ５・６をＯＮ・・・という流れを選択用スイッチＳＷｎまで行う（ゲートラインＧＬ１・ＧＬ２の読み出し）。ついで、選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２をＯＮ→ゲートラインＧＬ３・ＧＬ４をＯＮ→ゲートラインＧＬ３・ＧＬ４をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ１・ＳＷ２をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ３・ＳＷ４をＯＮ→ゲートラインＧＬ３・ＧＬ４をＯＮ→ゲートラインＧＬ３・４をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ３・ＳＷ４をＯＦＦ→選択用スイッチＳＷ５・ＳＷ６をＯＮ・・・という流れを選択用スイッチＳＷｎまで行う（ゲートラインＧＬ３・ＧＬ４の読み出し）。これをゲートラインＧＬｎの読み出しまで繰り返すことで、パネル３のすべての画素Ｐ（１，１）〜（ｎ，ｍ）に蓄えられた電荷を、薄膜トランジスタＴＲおよび選択用スイッチＳＷＳＷ）のＯＮ／ＯＦＦ時のフィードスルー電荷やデータラインの寄生容量の影響を排除しつつ、電荷検出用アンプ回路９ａに読み出すことができる。これにより、精度の高い検出（高品位なイメージ化）が実現される。
【００５１】
上記読み出し方法（２×２  ｂｉｎｎｉｎｇ  ｍｏｄｅ）は4画素分の電荷を１単位として取得するものである。したがって、解像度は半分になるものの高速の読み出しが可能であり、特に動画像取得の際に好適である。
【００５２】
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、実施の形態に開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係る電荷検出装置は、放射線平面検出器等に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本放射線平面検出器の各スイッチの制御タイミングとＣＳＡの出力との関係を説明するタイミングチャートである。
【図２】本放射線平面検出器の電荷検出部の構成を示す回路図である。
【図３】図２に示す電荷検出部の一部の構成を示す回路図である。
【図４】図３に示す電荷検出部の一部を模式的に示す回路図である。
【図５】本実施の形態（通常モード）におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（選択用スイッチをＯＮ）を示す模式図である。
【図６】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（ゲートラインをＯＮ）を示す模式図である。
【図７】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（ゲートラインをＯＦＦ）を示す模式図である。
【図８】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（選択用スイッチＳＷをＯＦＦ）を示す模式図である。
【図９】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（選択用スイッチＳＷをＯＮ）を示す模式図である。
【図１０】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（ゲートラインＧＬをＯＮ）を示す模式図である。
【図１１】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（ゲートラインＧＬをＯＦＦ）を示す模式図である。
【図１２】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（選択用スイッチＳＷをＯＦＦ）を示す模式図である。
【図１３】本実施の形態（低解像度・高速モード）におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（選択用スイッチＳＷをＯＮ）を示す模式図である。
【図１４】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（ゲートラインＧＬをＯＮ）を示す模式図である。
【図１５】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（ゲートラインＧＬをＯＦＦ）を示す模式図である。
【図１６】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（選択用スイッチＳＷをＯＦＦ）を示す模式図である。
【図１７】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（選択用スイッチＳＷをＯＮ）を示す模式図である。
【図１８】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（ゲートラインＧＬをＯＮ）を示す模式図である。
【図１９】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（ゲートラインＧＬをＯＦＦ）を示す模式図である。
【図２０】本実施の形態におけるゲートラインおよび選択用スイッチの制御工程（選択用スイッチＳＷをＯＦＦ）を示す模式図である。
【図２１】従来の放射線平面検出器の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００５５】
３  パネル部
５  マルチプレクサ用スイッチ
７  ゲートドライバ
８  コントローラ
９  電荷検出用アンプ回路
１０  電荷検出部
ＴＲ  薄膜（ＭＯＳ）トランジスタ
ＳＷ  選択用スイッチ
ＧＬ  ゲートライン（信号線）
ＤＬ  データライン（データ線）
Ｐ  画素
Ｃ  容量
ＰＣ  寄生容量
Ｑ  当初蓄えられていた電荷
ｑ’  移動電荷
ｑ  残留電荷
【図１】
2007108082.tif 000003
【図２】
2007108082.tif 000004
【図３】
2007108082.tif 000005
【図４】
2007108082.tif 000006
【図５】
2007108082.tif 000007
【図６】
2007108082.tif 000008
【図７】
2007108082.tif 000009
【図８】
2007108082.tif 000010
【図９】
2007108082.tif 000011
【図１０】
2007108082.tif 000012
【図１１】
2007108082.tif 000013
【図１２】
2007108082.tif 000014
【図１３】
2007108082.tif 000015
【図１４】
2007108082.tif 000016
【図１５】
2007108082.tif 000017
【図１６】
2007108082.tif 000018
【図１７】
2007108082.tif 000019
【図１８】
2007108082.tif 000020
【図１９】
2007108082.tif 000021
【図２０】
2007108082.tif 000022
【図２１】
2007108082.tif 000023