(57)【要約】【課題】  回路基板等への取り付けの自由度が高いセンサパッケージを提供することを目的とする。【解決手段】  加速度センサ用のセラミックパッケージ１１０は、加速度検出素子をメムスにより形成したシリコンチップと、シリコンチップを収容するセラミックパッケージ１１０を備えている。セラミックパッケージ１１０は、６面体を有し、その底面１１２には、リード端子１２１〜１２８が形成されている。また、底面１１２に直交する側面１１４には、リード端子１３１〜１３８が形成されている。リード端子１２１〜１２８は、リード端子１３１〜１３８と重複しており、底面１１２または側面１１４のいずれかを選択して加速度センサが回路基板へ実装される。【選択図】    図１
2007132687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出素子が形成されたチップと、
内部にチップを収容するセラミックパッケージと、
セラミックパッケージの少なくとも第１の面と第２の面に形成され、かつチップと電気的に接続された複数のリード端子とを有し、
第１の面に形成された複数のリード端子と第２の面に形成された複数のリード端子の少なくとも１部が重複している、センサ用パッケージ。
【請求項２】
第１の面は、セラミックパッケージの底面であり、第２の面は、底面と直交するセラミックパッケージの側面である、請求項１に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項３】
複数のリード端子は、第１の面および第２の面にメタライズされている、請求項１または２に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項４】
複数のリード端子は、少なくとも電源供給用端子、接地用端子および検出素子の出力信号用端子を含み、これら電源供給用端子、接地用端子および検出素子の出力信号用端子が重複して第１の面および第２の面に形成されている、請求項１ないし３いずれか１つに記載のセンサ用パッケージ。
【請求項５】
第２の面の複数のリード端子は、所定の基準線に関し対称に配列される、請求項１ないし４いずれか１つに記載のセンサ用パッケージ。
【請求項６】
第２の面の複数のリード端子は、ダミー用のリード端子を含む、請求項５に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項７】
セラミックパッケージは、複数のセラミックプレートを積層した多層構造を有し、第１の面の選択されたリード端子は、選択されたセラミックプレートに形成された配線層およびスルーホールを介して第２の面の選択されたリード端子に電気的に接続される、請求項１ないし６いずれか１つに記載のセンサ用パッケージ。
【請求項８】
検出素子は、加速度、振動、角速度および傾斜のいずれかを検出する、請求項１ないし７いずれか１つに記載のセンサ用パッケージ。
【請求項９】
第１の面および第２の面は、検出素子の検出軸と一定の関係にある、請求項１ないし９いずれか１つに記載のセンサ用パッケージ。
【請求項１０】
請求項１ないし９いずれか１つに記載のセンサ用パッケージと、当該パッケージを実装する回路基板とを有する検出装置。
【請求項１１】
回路基板には、第１の面および第２の面の少なくとも一方のリード端子に対応する導電性のランドパターンが形成されている、請求項１０に記載の検出装置。
【請求項１２】
センサ用パッケージの第１の面が回路基板に対向するように表面実装されるとき、第１の面の複数のリード端子が導電性のランドパターンにはんだ接続される、請求項１１に記載の検出装置。
【請求項１３】
センサ用パッケージの第２の面が回路基板に対向するように表面実装されるとき、第２の面の複数のリード端子が導電性のランドパターンにはんだ接続される、請求項１１に記載の検出装置。
【請求項１４】
第１の面が回路基板に表面実装されたとき、回路基板に関して第１の方向の検出が可能であり、第２の面が回路基板に表面実装されたとき、回路基板に関して第２の方向の検出が可能である、請求項１１ないし１３いずれか１つに記載の検出装置。
【請求項１５】
回路基板は、エンジン制御用基板である、請求項１０ないし１４いずれか１つに記載の検出装置。
【請求項１６】
回路基板は、携帯用電子機器に取り付けられる回路基板である、請求項１０ないし１４いずれか１つに記載の検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車、携帯電話その他の電子装置において利用されるセンサ用パッケージに関し、特に、回路基板に実装される加速度センサ、角速度センサ、傾斜センサ、振動センサ等のパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体シリコンプロセスの進化に伴い、メムス（MEMS：Micro Electro Mechanical Systems）を利用したセンサやアクチュエータの開発、実用化が進んでいる。例えば、加速度センサや振動センサは、シリコン基板上に質量マスを形成し、質量マスが変位したとき、質量マスの変位量に応じた電気抵抗を検出し、加速度や振動を検出したり、質量マスと基板との間に形成される容量の変化を検出している。
【０００３】
特許文献１は、基板内にトレンチを形成するエッチング方法と、その方法を利用して基板上にマイクロマシン構造のデバイスを製造する方法を開示している。また、特許文献２は、熱電対とヒータ素子を有するサーマル加速度センサを備えた加速度装置を開示している。この加速度装置は、メムスを利用するものであり、ヒータ素子が加速度により変位し温度分布の変化が引き起こされたとき、その温度分布の変化に対応する熱電対の抵抗を検出するものである。
【０００４】
一般に加速度センサは、１軸方向または２軸方向の加速度を検出することが可能である。従って、３軸方向の加速度を検出する場合には、２つ若しくはそれ以上の加速度センサを必要とする。図１２は、２つの加速度センサを用いた３軸方向の加速度を検出するときの例を示している。マザーボード（メイン回路基板）１０上に、２軸方向の加速度を検出する２つの加速度センサ２０、３０が取り付けられている。加速度センサ２０は、パッケージがマザーボード１０に水平になるように載置され、加速度センサ３０は、パッケージの側面がマザーボード１０と垂直になるように載置されている。これにより、加速度センサ２０は、マザーボード１０のＸ軸方向（＋Ｘ、−Ｘ）とＹ軸方向（＋Ｙ、−Ｙ）の加速度を検出し、加速度センサ３０は、マザーボード１０のＹ軸方向とＺ軸方向の加速度を検出する。
【０００５】
図１３は、従来の加速度センサの外観構成を示す図であり、図１４は、そのＡ−Ａ線断面図である。加速度センサ２０、３０は、ＬＣＣ（Leadless Chip Carrier）タイプの多層積層構造のセラミックパッケージ４０を有し、その内部空間４２にシリコンチップ４４を配置している。シリコンチップ４４は、加速度の検出を行うべくメムスにより形成された検出素子と、検出素子により検出された信号を処理する、制御回路、クロック生成回路および増幅回路等の周辺回路を有している。周辺回路は、好ましくはＣＭＯＳプロセスにより形成される。シリコンチップ４４は、銀エポキシ４６等によりセラミックパッケージ内に固定され、シリコンチップ４４の上面の電極は、ボンディングワイヤ４８により電極パッド５０に接続されている。セラミックパッケージ４０の内部空間４２は、リッド５２により封止される。セラミックパッケージ４０の底面５４と側面５６、５８とを連結するコーナーには、それぞれくの字状の電極６０、６２が形成されている。電極６０、６２は、セラミックパッケージ内の図示しない配線により内部の電極パッド５０に接続されている。
【０００６】
特許文献３は、物理量を検出する素子を内蔵した素子取付パッケージにおいて、特定の面を所定の方向に向かせて回路基板に取り付けることができる素子取付パッケージを開示している。このパッケージは、物理量を検出する基準面を有する素子を内蔵し、パッケージの回路基板上への取付面は、基準面が所定の方向に向くように回路基板に対して角度を規定している。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６７１２９８３号Ｂ２
【特許文献２】米国特許６７９５７５２号Ｂ１
【特許文献３】特開２００４−３６１１７５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図１５は、加速度センサ２０をマザーボード１０に水平に載置するときのマザーボード上の電極ランドのパターンを示している。図中、Ｖｄｄは、電源供給用ランド、ＧＮＤは、接地用ランド、Ｘoutは、Ｘ軸方向の加速度検出用ランド、Ｙoutは、Ｙ軸方向の加速度検出用ランドであり、ＮＣは、チップへの電気的接続がなされないことを意味している。加速度センサ２０の電極６０、６２は、このようなランドパターンにはんだ等によって接続される。しかし、レイアウトの関係で、加速度センサを取り付けるマザーボードの方向が、検出したい加速度または傾斜の方向と異なる場合がある。このような場合、加速度センサ２０を、他の回路基板（ドーターボード）や他の取り付け部品を使用してマザーボードに取り付けることで、取り付け方向と検出軸とを一致させる必要がある。さらに、図１２に示したように、加速度センサ３０の側面をマザーボード上に垂直に載置する場合にも、ドーターボードや他の取り付け部品を使用する必要がある。
【０００９】
図１６は、加速度センサをドーターボードを使用してマザーボードに取り付けたときの例を示している。加速度センサ７０は、ドーターボード７２上に実装され、ドーターボード７２がコネクター７４を介してマザーボード７６に接続される。コネクター７４には、複数の接続ピン７８が形成され、接続ピン７８は、マザーボード７６に形成されたスルーホール８０内に挿入される。加速度センサ７０は、Ｘ軸、Ｙ軸方向の加速度を検出するが、コネクター７４を用いることでマザーボード７６と垂直方向の加速度の検出を可能にしている。
【００１０】
このように、従来の加速度センサをマザーボードに取り付ける場合には、レイアウトの自由度が制限され、またその一方で、取り付け方向と加速度センサの検出軸とが合致しない場合には、ドーターボード等の追加が必要となり、大幅なコストアップが発生してしまうという課題があった。
【００１１】
本発明は、上記従来の課題を解決し、回路基板等への取り付けの自由度が高いセンサ用パッケージを提供することを目的とする。
さらに本発明は、検出軸と取り付け方向とを容易に一致させることができるセンサ用パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係るセラミック用パッケージは、検出素子が形成されたチップと、内部にチップを収容するセラミックパッケージと、セラミックパッケージの少なくとも第１の面と第２の面に形成され、かつチップと電気的に接続された複数のリード端子とを有し、第１の面に形成された複数のリード端子と第２の面に形成された複数のリード端子の少なくとも１部が重複している。
【００１３】
好ましくは、第１の面は、セラミックパッケージの底面であり、第２の面は、底面と直交するセラミックパッケージの側面である。複数のリード端子は、少なくとも電源供給用端子（Ｖｄｄ）、接地用端子（ＧＮＤ）、検出素子の出力信号用端子を含み、これらの端子が第１の面および第２の面において重複する。好ましくは、第２の面に配置される複数のリード端子は、所定の基準線に関し対称に配列される。センサ用パッケージを回路基板へ実装するとき、リード端子は回路基板の導電性ランドパターンにはんだリフローにより接続されるが、リード端子の配列が対称であれば、リフローによる熱的な歪みまたは応力が拮抗し、リード端子の剥がれ等の接続不良の発生を軽減することができる。リード端子は、ダミーの端子を用いることで対称の配列を行ってもよい。
【００１４】
好ましくは、セラミックパッケージは、複数のセラミックプレートを積層した多層構造を有し、第１の面の選択されたリード端子は、選択されたセラミックプレートに形成された配線層およびスルーホールを介して第２の面の選択されたリード端子に電気的に接続される。検出素子は、加速度、振動および傾斜のいずれかを検出する。検出素子は、例えばメムスによってシリコン基板内に形成され、チップは、検出素子以外に、検出素子による信号を増幅、較正するような周辺回路を含むものであってもよい。検出素子が、方向性をもって状態の変化を検出するものであるとき、検出素子の検出軸は、セラミックパッケージの第１の面および第２の面と一定の関係にある。例えば、検出素子の検出軸は、第１の面と平行であり、第２の面と垂直な関係にある。
【００１５】
本発明に係る検出装置は、上記した特徴を備えたセンサ用パッケージと、当該パッケージを実装する回路基板とを有する。回路基板には、第１の面および第２の面の少なくとも一方のリード端子に対応する導電性のランドパターンが形成され、第１の面が回路基板に対向するように表面実装されるとき、第１の面のリード端子がランドパターンにはんだ接続され、第２の面が回路基板に対向するように表面実装されるとき、第２の面の複数のリード端子が導電性のランドパターンにはんだ接続される。第１の面が回路基板に表面実装されたとき、回路基板に関して第１の方向の検出が可能であり、第２の面が回路基板に表面実装されたとき、回路基板に関して第２の方向の検出が可能である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るセンサ用パッケージによれば、セラミックパッケージの少なくとも第１の面と第２の面に少なくとも１部が重複する複数のリード端子が形成されているため、センサ用パッケージの第１の面または第２の面を選択し、その面を回路基板へ実装させることができる。チップに形成された検出素子が方向性を持つとき、パッケージの回路基板への実装面を変更するだけで、検出素子の方向性を変更することができ、パッケージの実装時のレイアウトの自由度が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の最良の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。多くの加速度／傾斜センサ（検出軸が２軸以下）は、重力加速度の方向に拠らず、あらゆる方向に取り付けられても計測可能である。この特性により、センサの検出軸と検出したい加速度／傾斜の方向を合致させることができれば、あらゆる方向の加速度／傾斜を１つのセンサで測定できることになる（同時に複数の方向の加速度／傾斜を計測する場合は、センサの測定可能軸数による）。よって１つの取り付け面に対して、複数（２面以上）の角度で取り付けが可能なパッケージをもつセンサは、従来のように、ドーターボードや他の取り付け部品を使用することなく、あらゆる方向を検出することが可能となる。
【実施例】
【００１８】
図１は、本発明の実施例に係る加速度センサ用のパッケージの外観を示す図であり、同図(ａ)は、パッケージの底面側の斜視図、同図（ｂ）はパッケージの側面側の斜視図である。
【００１９】
加速度センサ１００は、加速度を検出するための素子および周辺回路が形成されたシリコンチップをセラミックパッケージ１１０内に収容している。セラミックパッケージ１１０は、多層セラミック構造からなり、底面１１２、側面１１４、１１５、１１６、１１７、上面１１８の６面体を形成している。パッケージ１１０の底面１１２には、ストリップ状の金属層がメタライズされ、これにより、８つのリード端子１２１、１２２、１２３、１２４、１２５、１２６、１２７、１２８が形成されている。
【００２０】
リード端子１２１は、パッケージ内のシリコンチップへ電源電圧（Ｖｄｄ）を供給するＶｄｄ端子、リード端子１２２は、加速度センサのＸ軸方向の検出信号を出力する端子、リード端子１２３は、加速度センサのＹ軸方向の検出信号を出力する端子、リード端子１２４は、ＧＮＤ端子である。その他のリード端子１２５、１２６、１２７、１２８は、オプション用の端子であって、キャリブレーションのための入力信号を与えたり、出力信号をアナログまたはディジタルに切替えるための制御信号を与えることができる。また、チップに電気的に接続されないダミー用またはＮＣ用のリード端子を含んでいてもよい。
【００２１】
底面１１２と直交する側面１１４には、金属層がメタライズされ、これにより、８つのリード端子１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６、１３７、１３８が形成されている。底面１１２に形成されたリード端子１２１、１２２、１２３、１２４は、底面１１２と側面１１４が交差するコーナーを延在し、側面１１４に形成されたリード端子１３１、１３２、１３３、１３４に接続されている。同様に、底面１１２と直交する他の側面１１５、１１６、１１７には、金属層がメタライズされ、それぞれリード端子１２５、１２６、１２７および１２８が形成されている。これらのリード端子１２５、１２６、１２７、１２８は、セラミックパッケージ内の内部接続を通じて、側面側１１４のリード端子１３５、１３６、１３７、１３８に電気的に接続されている。また、対向する側面１１５、１１７には、パッケージ１１０の側面１１４が表面実装されるときの強度を保つ目的で補強用の金属層１３９がそれぞれ形成されている。リード端子１２１〜１２８、１３１〜１３９は、例えば、タングステン、ニッケルメッキ、金メッキによりパッケージの表面にメタライズされる。
【００２２】
図２は、加速度センサ１００を取り付けるための回路基板に形成された電極のランドパターンを示す図である。回路基板２００上には、パッケージ１１０の底面１１２を基板と対向するようにパッケージ１１０を表面実装するとき（以下、水平実装という）のランドパターン２１０と、パッケージ１１０の側面１１４を基板と対向するようにパッケージ１１０を表面実装するとき（以下、垂直実装という）のランドパターン２２０が形成されている。
【００２３】
水平実装時のランドパターン２１０は、底面１１２の各リード端子１２１〜１２８の位置および形状に対応するストリップ状のランド２１１、２１２、２１３、２１４、２１５、２１６、２１７、２１８を有している。垂直実装時のランドパターン２２０は、側面１１４の各リード端子１３１〜１３８の位置および形状に対応するストリップ状のランド２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７、２２８と、補強用の金属層１３９に接続される補強用のランド２２９とを有している。ランド２１１〜２１４とランド２２１〜２２４とは、共通のストリップである。各ランド２１１〜２２９は、例えば、銅箔により基板上に形成される。
【００２４】
パッケージが基板上に水平実装されるとき、リード端子１２１〜１２８は、ランド２１１〜２１８にリフロープロセスによりはんだ接続される。同様にパッケージが垂直実装されるとき、リード端子１３１〜１３９は、ランド２２１〜２２９にはんだ接続される。
【００２５】
パッケージ１１０を垂直実装するとき、側面１１４の面積は小さく、それに応じてリード端子１３１〜１３８がランド２２１〜２２８と接触する面積が小さくなり、パッケージ１１０の接合強度が小さくなる。これを補うため、補強用の金属層１３９をランド２２９にはんだ接続している。さらに、垂直実装の場合、接合強度が小さいため、対向するリード端子が側面１１４の長手方向の中心軸に関して非対称であると、熱ひずみや熱応力により一方の側のリード端子がランドから剥がれやすくなる。このため、好ましくは、リード端子を対称に配列することが望ましい。
【００２６】
次に、本実施例の加速度センサの詳細な構成について図３ないし図９を参照して説明する。図３（ａ）は、セラミックパッケージの蓋（リム）を取り除いたときの上面図であり、図３（ｂ）は背面図、図３（ｃ）はＡ１−Ａ１線断面図である。セラミックパッケージ１１０は、６層のセラミックプレート３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０を積層して構成される。各層の厚さは、約０．４ｍｍである。パッケージの側面１１４に形成されたリード端子（図３（ｃ）では、１３３、１３４、１３７、１３８のみ示す）の高さＴは、約０．９ｍｍである。
【００２７】
セラミックパッケージ１１０において、各リード端子は次のような内部接続により電気的に接続される。（リード端子１３８−電極パッドＧ−リード端子１２５）、（リード端子１３６−電極パッドＪ−リード端子１２７）、（リード端子１３５−電極パッドＫ−リード端子１２８）、（リード端子１３７−電極パッドＨ−リード端子１２６）、（電極パッドＥ−リード端子１３３）、（電極パッドＦ−リード端子１３４）、（電極パッドＬ−リード端子１３１）、（電極パッドＭ−リード端子１３２）。電極パッドＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍは、２層目のセラミックプレート３２０に形成される。
【００２８】
図４は、１層目のセラミックプレート３１０の平面図である。セラミックプレート３１０には、中央に矩形状の貫通穴３１２が形成され、その周囲に金属層３１４が形成されている。金属層３１４の所定箇所にスルーホール３１６が形成されている。金属層３１４は、タングステンと、その上にニッケルメッキおよび金メッキが施されたものであり、スルーホール３１６は、貫通孔内にタングステン、金メッキが施されたものである。また、パッケージの側面１１４に形成されたリード端子１３８、１３７、１３６、１３５は、その一部がプレートの上面にまで延在している。
【００２９】
図５は、２層目のセラミックプレート３２０の平面図である。セラミックプレート３２０には、中央に矩形状の貫通穴３２２が形成されている。貫通穴３２２は、１層目の貫通穴３１２よりも幾分小さい。貫通穴３２２の対向する側にそれぞれ電極パッドＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈと、電極パッドＭ、Ｌ、Ｋ、Ｊが形成されている。これらの電極パッドは、チップ上の対応する電極にボンディングワイヤによって接続される。各電極パッドには、パッド領域３２４が接続され、パッド領域３２４内にスルーホール３２６が形成されている。また、電極パッドＧ、Ｈ、Ｊ、Ｋのパッド領域３２６には、配線層３２８が接続され、配線層３２８は、パッケージの側面１１４のリード端子１３８、１３７、１３６、１３５に接続されている。
【００３０】
図６は、３層目のセラミックプレート３３０の平面図である。セラミックプレート３３０には、中央に矩形状の貫通穴３３２が形成されている。貫通穴３３２は、貫通穴３２２より幾分小さく、言い換えれば、電極パッドに相当する分だけ小さくなっている。貫通穴３３２の周囲には、８つのパッド領域３３４が形成され、そこに８つのスルーホール３３６が形成されている。さらに、スルーホールが形成されないパッド領域３３８が形成されている。このパッド領域３３８は、２層目のセラミックプレート３２０に形成されたスルーホール３２６と電気的に接続される。
【００３１】
図７は、４層目のセラミックプレート３４０の平面図である。セラミックプレート３４０は、中央に矩形状のチップマウント領域３４２を有する。チップマウント領域３４２は、３層目のセラミックプレート３３０の貫通穴３３２にほぼ等しく、他の配線層、電極パッドと同様に、タングステン上に、ニッケルメッキ、金メッキを施したものである。チップマウント領域３４２には、銀エポキシ等を介して、加速度を検出する素子、例えば特許文献２のヒータ素子をメムスにより形成したシリコンチップが固定される。
【００３２】
チップマウンド領域３４２には、スルーホール３４２ａが形成されている。チップマウント領域３４２を取り囲むように金属層３４４が形成され、金属層３４４には、３層目のスルーホール３２６と電気的に接続されるパッド領域３４４ａが形成されている。さらに金属層３４４の周囲には、７つのパッド領域３４６と、パッド領域３４６内にスルーホール３４８が形成されている。
【００３３】
図８は、５層目のセラミックプレート３５０の平面図である。セラミックプレート３５０には、リード端子１３４、１３３、１３２、１３１に接続される配線層３５２が所定のパターンに形成されている。また、４つのパッド領域３５４と、パッド領域３５４内にスルーホール３５６が形成されている。４層目のスルーホールと電気的に接続されるパッド領域３５８は配線層３５８ａが接続され、配線層３５８ａは、それぞれの側面にまで延在している。
【００３４】
図９は、６層目（最下層）のセラミックプレート３６０の平面図である。セラミックプレート３６０には、５層目のスルーホールと電気的に接続されるパッド領域３６２、３６４、３６６、３６８とリード端子１３４、１３３、１３２、１３１とを接続する配線層３６２ａ、３６４ａ、３６６ａ、３６８ａが形成されている。このような１層目から６層目までのセラミックプレートを積層することで、底面１１２の選択されたリート端子１２５〜１２８と側面１１４の選択されたリード端子１３５〜１３８との内部接続が実現される。
【００３５】
このように本実施例によれば、セラミックパッケージの底面１１２および側面１１４の双方に機能が重複するリード端子を配置することで、底面１１２または側面１１４のいずれかの面を選択して、回路基板に加速度センサを表面実装することが可能となり、その結果、１つの加速度センサでありながら、その実装面を変えることで異なる方向の加速度を検出することができる。これにより設計の自由度が大幅に広がる。また、従来のように、加速度センサの取り付け位置を変更するに際して、ドーターボードや取り付けよう部品を必要としないため、コスト増加を抑制し、しかも回路基板の実装スペースも削減することができる。
【００３６】
さらにセラミックパッケージを採用しているため、パッケージの底面１１２の水平度を確保しつつ、側面１１４の垂直度を確保することができるため、水平実装または垂直実装のいずれを行ったとしても、加速度センサの検出精度を保つことができる。
【００３７】
さらに、回路基板上にセラミックパッケージを実装し、それ自身で加速度の検出を行うことができるため、回路基板そのものが移動するような携帯電話機やその他の携帯用電子機器、自動車のＥＣＵにおいて有効である。
【００３８】
次に本発明の第２の実施例について説明する。第１の実施例では、セラミックパッケージを垂直実装するとき、補強用のリード端子１３９を用いたが、これは必須のものではない。第２の実施例は、補強用リードを用いず、リード端子により補強を行う。図１０（ａ）は、第２の実施例に係るセラミックパッケージの蓋を取り除いたときの上面図であり、同図（ｂ）はその背面図、同図（ｃ）はＡ２−Ａ２線断面図であり、これらの図１０は、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に対応するものである。また、図１１は、図１０のパッケージに用いられる１層目のセラミックプレートの平面図である。
【００３９】
パッケージ１１０ａの側面１１４〜１１７の各コーナーには、面取りまたは凹部４００が形成されている。垂直実装の際にランドに接続されるリード端子のうち、パッケージ１１０ａの長手方向の両側に位置するリード端子１３１ａ（１２１ａ）、１３４ａ（１２４ａ）、１３５ａおよび１３８ａの金属層４０２が底面および側面において凹部４００まで延在している。垂直実装するとき、パッケージ１１０ａの凹部４００の金属層４０２が半田によって基板ランドと接続されるようにすることで、パッケージの接合面積が増加し、接合強度が強化される。さらに、はんだが凹部４００に回り込むことで、より接合強度が増強される。
【００４０】
本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明に係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００４１】
上記実施例では、２軸検出可能な加速度センサ用のパッケージを例示したが、加速度センサは１軸であってもよいし、回路基板上に複数の加速度センサを実装するものであってもよい。さらに本発明のセンサ用パッケージは、加速度センサ以外にも、振動センサ、角速度センサ、傾斜センサ用のパッケージにも適用することができる。さらに上記実施例では、セラミックパッケージの底面と側面に重複するリード端子を形成したが、リード端子を形成する面は適宜選択することが可能であり、また、セラミックパッケージの３面もしくはそれ以上の面に重複するリード端子を形成するようにしてもよい。セラミックパッケージに形成されるリード端子の配列や数等は、使用する目的や用途等に応じて適宜変更することができる。
【００４２】
さらにパッケージを垂直実装する場合に、対向する側のリード端子を均等にバランスさせて配置させたが、これに用いるリード端子は、実際に動作に関係のないダミー用端子、すなわちシリコンチップに接続されないリード端子（ＮＣ端子）を用いるようにしてもよい。さらに、セラミックパッケージを回路基板へ実装したとき、その接合強度が充分に得られるのであれば、リード端子は必ずしも対称に配列されなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明に係るセンサ用パッケージは、加速度センサ、振動センサ、傾斜センサなどの方向性をもつセンサ用パッケージとして利用することができる。特に、回路基板上に実装して、加速度等の検出を行う電子機器、電子装置、ＥＣＵなどにおいて利用される。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施例に係る加速度センサの外観を示し、同図（ａ）は、底面方向からの斜視図、同図（ｂ）は、側面方向からの斜視図である。
【図２】回路基板上に形成されるランドパターンを示す図である。
【図３】図３（ａ）は、セラミックパッケージの蓋（リム）を取り除いたときの上面図であり、図３（ｂ）は背面図、図３（ｃ）はＡ１−Ａ１線断面図である。
【図４】セラミックパッケージの１層目のセラミックプレートの平面図である。
【図５】セラミックパッケージの２層目のセラミックプレートの平面図である。
【図６】セラミックパッケージの３層目のセラミックプレートの平面図である。
【図７】セラミックパッケージの４層目のセラミックプレートの平面図である。
【図８】セラミックパッケージの５層目のセラミックプレートの平面図である。
【図９】セラミックパッケージの６層目のセラミックプレートの平面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、本発明の第２の実施例に係るセラミックパッケージの蓋（リム）を取り除いたときの上面図であり、図１０（ｂ）は背面図、図１０（ｃ）はＡ２−Ａ２線断面図である。
【図１１】図１０に示すパッケージの１層目のセラミックプレートの平面図である。
【図１２】従来の２つの加速度センサを用いた３軸方向の加速度を検出例を示す図である。
【図１３】従来の加速度センサの外観構成を示す図である。
【図１４】図１３は、そのＡ−Ａ線断面図である。
【図１５】従来の回路基板上の電極ランドのパターンを示している。
【図１６】従来の加速度センサをドーターボードを使用してマザーボードに取り付けたときの例である。
【符号の説明】
【００４５】
１００：加速度センサ              １１０：セラミックパッケージ
１１２：底面                      １１４〜１１７：側面
１１８：上面                      １２１〜１２８：リード端子
１３１〜１３８：リード端子        １３９：補強用リード端子
２００：回路基板                  ２１０、２２０：ランドパターン
２１１〜２１９：ランド            ２２１〜２２９：ランド
３１０〜３６０：セラミックプレート
３１２、３２２、３３２：貫通穴    ４００：凹部
４０２：金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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