(57)【要約】【課題】封止基板に乾燥部材を形成した場合に、例えば温度差により封止部材と乾燥部材が剥離することを防止すること、封止部材が撓んだ場合であっても、封止部材に貼り付けられた乾燥部材が、基板上に形成された自発光素子や電極に接触することを防止すること、封止部材が自発光素子が接触することによる自発光素子の破損を防止すること、封止部材の破損の防止、等。【解決手段】光デバイス１は、略中央部に開口パターン９Ａが形成された乾燥部材９を備え、封止部材８は、基板２上に形成された有機ＥＬ素子１００に対向する面に封止凹部８Ａが形成され、その封止凹部８Ａの乾燥部材９が配置される面に粗面処理が施された粗面部８１と、封止凹部の内側の中央表面部を備える平坦面部８２とが形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光素子を一画素として、基板上に一つ又は複数個の前記自発光素子が形成され、当該自発光素子を封止する封止部材を備える光デバイスであって、
中央部に開口パターンが形成されたシート状の乾燥部材を有し、
前記封止部材は、前記基板上の自発光素子に対向する面側に形成され、前記乾燥部材が配置される、粗面処理が施された粗面部と、
当該封止部材の中央部に形成された平坦面部とを備えることを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
自発光素子を一画素として、基板上に一つ又は複数個の前記自発光素子を備える光デバイスであって、
基板と、
前記基板上に形成された第１電極、当該第１電極表面に絶縁膜により開口部が区画形成された開口部内に、少なくとも一層の発光層を含む成膜層、および当該成膜層上に形成された第２電極とを備える自発光素子と、
前記基板上の前記自発光素子に対向する面に形成された封止凹部を備え、当該封止凹部において、中央表面に形成された平坦面部と、それ以外の領域に形成された粗面部とを備える封止部材と、
前記粗面部上に配置され、中央部に開口パターンが形成された乾燥部材とを有し、
前記基板と前記封止部材とが接着部材を介して封止接合されていることを特徴とする光デバイス。
【請求項３】
前記封止部材は、前記自発光素子を囲む支持部にて前記基板に接着支持され、
前記封止部材は、前記基板の自発光素子に対向する面側において、前記支持部内の中央部に、前記平坦面部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記乾燥部材の中央部に形成された開口パターン、および前記封止部材に形成された平坦部の形状が、前記自発光素子を囲む支持部の形状に応じて規定されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一に記載の光デバイス。
【請求項５】
複数の自発光素子を一つの画素として、当該自発光素子を一つ又は複数個備え、当該自発光素子を封止する封止部材を備える光デバイスの製造方法であって、
前記基板上の自発光素子に対向する面側に、粗面処理が施された粗面部と、中央部に形成された平坦面部とを備える封止部材に、中央部に開口パターンが形成されたシート状の乾燥部材を前記粗面部上に配置する工程と、
前記乾燥部材が配置された前記封止部材により前記自発光素子を封止する工程と
を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項６】
複数の自発光素子を一つの画素として、当該自発光素子を一つ又は複数個備える光デバイスの製造方法であって、
基板上に第１電極、前記第１電極の表面に開口部により画素を形成する絶縁膜、前記開口部内に少なくとも一層の発光層を有する成膜層、および前記成膜層上に第２電極を形成する自発光素子形成工程と、
前記基板上の自発光素子に対向する面に封止凹部を備え、当該封止凹部の中央表面に平坦部と、当該封止凹部の他の領域に粗面部を形成する封止部材形成工程と、
中央部に開口パターンを備える乾燥部材を形成する乾燥部材形成工程と、
前記封止部材の封止凹部の粗面部に前記乾燥部材を貼り付け、前記基板と封止基板とを接着部材により封止接合する封止工程と
を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイス、および光デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光デバイスは、例えば携帯電話、車載用モニタ、家庭用電化製品のモニタ、パーソナルコンピュータの表示装置やテレビジョン受像装置等のドットマトリックス表示を行う情報表示装置や、時計や宣伝用パネル等の固定表示装置、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライト等の照明装置、光電変換機能を利用した光通信装置等の各種デバイスに採用されている。この光デバイスは、一般的に複数の画素により形成されており、各画素に対して表示駆動や非表示駆動を行うことにより所望の情報を表示する。この光デバイスを形成する画素に、自発光素子を採用したものが知られている。自発光素子は、低電力且つバックライトが不要であるという利点を有し、この自発光素子を複数個ドットマトリックス状に配置した光パネルや、アイコン部（固定表示部）を形成した表示部、平面状や球面状等の照明器具などの光デバイスにも採用されており、その光デバイスの大きさも小型用から大型スクリーンなど様々なものが知られている。
【０００３】
自発光素子の代表的なものとしては、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、ＦＥＤ（Field Emission Display）素子、発光ダイオード、等が知られている。有機ＥＬ素子は、例えば有機ＥＬ（ＯＥＬ：Organic electroluminescence）デバイス、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic light emitting diode）デバイス、自発光素子、電場発光光源とも呼ばれている。一般的に有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極に相当する）と、カソード（陰極、電子注入層に相当する）との間に有機層（発光層）を挟み込んだ構造を有する。一般的に有機層は、複数の機能層が積層した構造を有し、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、および電子注入層等が順に積層された構造を有する。この各層は、単一の有機材料からなる単層、複数の材料を混ぜ合わせた混合層、高分子バインダの中に有機材料や無機材料の機能材料（電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能等）を分散させた層、等を採用することができる。また各層に、上部電極をスパッタ法により形成する際に有機層がダメージを受けないようにバッファ機能を設けたものや、成膜プロセスによる凹凸を防ぐために平坦化機能を設けた有機ＥＬ素子も知られている。
【０００４】
上記構成の有機ＥＬ素子では、両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入および輸送された正孔と、カソードから有機層内に注入および輸送された電子とが有機層内で再結合し、この再結合により有機層内の有機分子の電子状態が基底状態から励起状態に遷移し、励起状態から基底状態に遷移する際に発光する。
【０００５】
ところで、有機ＥＬパネルは、有機層が外気に曝されると特性が劣化することが知られている。これは例えば有機層と電極との界面に水分が浸入することにより電子や正孔等のキャリアの注入が妨げられ、未発光領域としてのダークスポットが発生したり、電極が腐食する現象によるもので、有機ＥＬ素子の安定性及び耐久性を高めるためには、有機ＥＬ素子を外気から遮断する封止技術が不可欠となっている。この封止技術に関しては、電極および有機層が形成された基板上に、電極および有機層を覆う封止部材を接着剤を介して接着する技術が知られている。また封止部材に乾燥部材を貼り付けて、封止部材と自発光素子間に形成される封止領域内の水分を吸着させる技術も知られている。
【０００６】
しかし、例えば温度が上昇および下降を繰り返した場合に、封止ガラス基板の膨張率と接着部材の膨張率の差により、封止ガラス基板と接着部材間に応力が生じ、その応力が接着力より大きいと剥離や破損等の不具合が生じる場合がある。
【０００７】
特許文献１には、表面に凹凸が形成されるように粗面化処理された前記封止基板の表面に、乾燥剤層を配置して防止する技術が知られている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１８６１００号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
また、有機ＥＬパネルでは、薄型化の要求が高く、封止部材内の封止空間も可能な限り薄くする必要がある。また一方では充分な除湿機能を確保するためには、乾燥部材の厚さはある程度確保せざるを得ない。
【００１０】
しかし、上述したように封止基板に乾燥部材を単純に貼り付けた場合に、封止部材がなんらかの外力又は封止部材内と外との圧力差によって撓みが生じ、乾燥部材の中央部が自発光素子に向かって凸状になることが確認されている。また、材料の種類によっては乾燥部材が水分等を吸収することでその体積が膨張し、特に乾燥部材の中央部が凸状に膨らむという現象が生じることも確認されている。この封止部材の中央部の膨らみが大きくなると自発光素子に接触する虞がある。
【００１１】
このような事態が生じると、乾燥部材で一旦吸収した水分等の劣化因子が表面張力で自発光素子に移行して、電極や有機層を劣化させて表示不良が生じる虞がある。
【００１２】
また光デバイスの大型化、薄型化を行う場合、封止部材の強度が重要であり、特にガラス板等を封止部材として採用した場合には、封止部材の破損等の問題があった。
【００１３】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、封止基板に乾燥部材を貼り付けた場合であっても、例えば温度差により封止部材と乾燥部材が剥離することを防止すること、封止部材が撓んだ場合であっても、封止部材に貼り付けられた乾燥部材が、基板上に形成された自発光素子に接触することを防止すること、封止部材が自発光素子が接触することによる自発光素子の破損を防止すること、光デバイスの表示不良を防止すること、封止部材の破損の防止、薄型化を実現すること、等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１５】
請求項１に記載の発明は、自発光素子を一画素として、基板上に一つ又は複数個の前記自発光素子が形成され、当該自発光素子を封止する封止部材を備える光デバイスであって、中央部に開口パターンが形成されたシート状の乾燥部材を有し、前記封止部材は、前記基板上の自発光素子に対向する面側に形成され、前記乾燥部材が配置される、粗面処理が施された粗面部と、当該封止部材の前記中央部に形成された平坦面部とを備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、自発光素子を一画素として、基板上に一つ又は複数個の前記自発光素子を備える光デバイスであって、基板と、前記基板上に形成された第１電極、当該第１電極表面に絶縁膜により開口部が区画形成された開口部内に、少なくとも一層の発光層を含む成膜層、および当該成膜層上に形成された第２電極とを備える自発光素子と、前記基板上の前記自発光素子に対向する面に形成された封止凹部を備え、当該封止凹部において、中央表面に形成された平坦面部と、それ以外の領域に形成された粗面部とを備える封止部材と、前記粗面部上に配置され、中央部に開口パターンが形成された乾燥部材とを有し、前記基板と前記封止部材とが接着部材を介して封止接合されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、複数の自発光素子を一つの画素として、当該自発光素子を一つ又は複数個備え、当該自発光素子を封止する封止部材を備える光デバイスの製造方法であって、前記基板上の自発光素子に対向する面側に、粗面処理が施された粗面部と、中央部に形成された平坦面部とが形成された封止部材に、中央部に開口パターンが形成されたシート状の乾燥部材を前記粗面部上に配置する工程と、前記乾燥部材が配置された前記封止部材により前記自発光素子を封止する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、複数の自発光素子を一つの画素として、当該自発光素子を一つ又は複数個備える光デバイスの製造方法であって、基板上に第１電極、前記第１電極の表面に開口部により画素を形成する絶縁膜、前記開口部内に少なくとも一層の発光層を有する成膜層、および前記成膜層上に第２電極を形成する自発光素子形成工程と、前記基板上の自発光素子に対向する面に封止凹部を備え、当該封止凹部の中央表面に平坦部と、当該封止凹部の他の領域に粗面部を形成する封止部材形成工程と、中央部に開口パターンが形成された乾燥部材を形成する乾燥部材形成工程と、前記封止部材の封止凹部の粗面部に前記乾燥部材を貼り付け、前記基板と封止基板とを接着部材により封止接合する封止工程とを有することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の一実施形態に係る光デバイスは、自発光素子を一画素として、基板上に一つ又は複数個の前記自発光素子が形成され、当該自発光素子を封止する封止部材を備える光デバイスであって、中央部に開口パターンが形成されたシート状の乾燥部材を有し、前記封止部材は、前記基板上の自発光素子に対向する面側に形成され、前記乾燥部材が配置される、粗面処理が施された粗面部と、当該封止部材の前記中央部に形成された平坦面部とを備える。
【００２０】
詳細には、自発光素子を一画素として、基板上に一つ又は複数個の前記自発光素子を備える光デバイスであって、基板と、前記基板上に形成された第１電極、当該第１電極表面に絶縁膜により開口部が区画形成された開口部内に、少なくとも一層の発光層を含む成膜層、および当該成膜層上に形成された第２電極とを備える自発光素子と、前記基板上の前記自発光素子に対向する面に形成された封止凹部を備え、当該封止凹部において、中央表面に形成された平坦面部と、それ以外の領域に形成された粗面部とを備える封止部材と、前記粗面部上に配置され、中央部に開口パターンが形成された乾燥部材とを有し、前記基板と前記封止部材とが接着部材を介して封止接合されていることを特徴とする。
【００２１】
上記構成の光デバイスでは、粗面部上に封止部材が配置されているので、乾燥部材と封止部材との接着性が向上し、乾燥部材と封止部材の剥離等の不良を低減することができる。また封止凹部において、中央部表面に平坦面部を形成し、中央部に開口パターンが形成された乾燥部材を粗面部上に配置したので、封止部材が撓んだ場合であっても、封止部材に貼り付けられた乾燥部材が、基板上に形成された自発光素子に接触することを防止することができる。また更に封止部材が撓んだ場合であっても、乾燥部材が中央部に開口パターンを備え、封止部材が、乾燥部材の開口パターン内に露出した平坦面部を備えるので、封止部材と自発光素子とが接触することによる自発光素子の破損を低減することができる。また上記撓みや接触などによる光デバイスの表示不良を低減することができる。
【００２２】
また、複数の自発光素子を一つの画素として、当該自発光素子を一つ又は複数個備え、当該自発光素子を封止する封止部材を備える光デバイスの製造方法であって、前記基板上の自発光素子に対向する面側に、粗面処理が施された粗面部と、中央部に形成された平坦面部とが形成された封止部材に、中央部に開口パターンが形成された乾燥部材を前記粗面部上に配置する工程と、前記乾燥部材が配置された前記封止部材により前記自発光素子を封止する工程とを有することを特徴とする。
【００２３】
詳細には、複数の自発光素子を一つの画素として、当該自発光素子を一つ又は複数個備える光デバイスの製造方法であって、基板上に第１電極、前記第１電極の表面に開口部により画素を形成する絶縁膜、前記開口部内に少なくとも一層の発光層を有する成膜層、および前記成膜層上に第２電極を形成する自発光素子形成工程と、前記基板上の自発光素子に対向する面に封止凹部を備え、当該封止凹部の中央表面に平坦部と、当該封止凹部の他の領域に粗面部を形成する封止部材形成工程と、中央部に開口パターンを備える乾燥部材を形成する乾燥部材形成工程と、前記封止部材の封止凹部の粗面部に前記乾燥部材を貼り付け、前記基板と封止基板とを接着部材により封止接合する封止工程とを有することを特徴とする。
【００２４】
上記光デバイスの製造方法では、中央部に開口パターンが形成された乾燥部材を、封止部材の粗面部上に配置して、その乾燥部材が配置された封止部材により自発光素子を封止するので、簡単に上記構成の光デバイスを作製することができる。またパンチングなどにより中央部に開口パターンが形成された乾燥部材を
作業性が向上する。
【００２５】
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施形態に係る光デバイス、および光デバイスの製造方法を説明する。
【００２６】
図１は、本発明の一実施形態に係る光デバイス１を説明するための図である。図１（ａ）は光デバイスの断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示した封止部材のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００２７】
本発明の一実施形態に係る光デバイス１は、自発光素子が発光および非発光することにより情報表示を行うことができる。この光デバイス１は、例えば情報表示装置、照明等に応用することができる。この光デバイスには、基板２上に形成された自発光素子１００の封止基板の中央部の基板側表面に平坦面部を設け、中央部に開口部パターンが形成された乾燥部材が配置される面には、粗面部が形成されている。本実施形態に係る粗面部の表面は、表面の凹凸が１〜５００μｍ程度に形成されており、平坦面部は表面凹凸が１μｍ以下の範囲となるように形成されている。自発光素子としては、例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＦＥＤ（Field Emission Display）、発光ダイオードなどを採用することができ、本実施形態に係る自発光素子として有機ＥＬ素子を採用する。
【００２８】
以下、光デバイス１の構成要素を詳細に説明する。
【００２９】
本実施形態に係る光デバイス１は、基板２、有機ＥＬ素子１００、引出配線部７、封止部材８、乾燥部材９、および接着部材８５を有する。基板２は、本発明に係る基板の一実施形態に相当し、有機ＥＬ素子１００は本発明の自発光素子の一実施形態に相当する。封止部材８は本発明に係る封止部材の一実施形態に相当し、乾燥部材９は本発明に係る乾燥部材の一実施形態に相当する。基板２上には、有機ＥＬ素子１００、引出配線部７、および封止部材８等が形成されている。
【００３０】
基板２は、ボトムエミッションタイプの光デバイスでは、有機ＥＬ素子１００から出射された光が基板を透過するように、光透過性を有する材料により形成されることが好ましい。また基板２は、有機ＥＬ素子の劣化因子の一つである水分や酸素を遮断する機能を有する。基板２の材料として、例えばプラスチック、無機材料、特にガラスを採用することが好ましい。また基板２として、透明ポリマー上にＳｉＯ2 等の各種材料により封止膜をコーティングしたフレキシブル基板を採用してもよい。
【００３１】
有機ＥＬ素子１００は、正孔注入電極と、電子注入電極との間に成膜層が形成され、正孔注入電極からの正孔と電子注入電極からの電子が成膜層にてホッピング移動し、電子と正孔の再結合により電子状態が励起した後、基底状態にエネルギー遷移する際に発光する。本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、例えば第１電極（下部電極）３、絶縁膜４、成膜層５、および第２電極（上部電極）６を有する。
【００３２】
第１電極３は、基板２上に形成される。第１電極３は、例えば基板２上に成膜および所定形状にパターニングすることにより形成される。パッシブマトリクス型光デバイスを採用する場合には、第１電極３は、複数のライン状の電極をパターニングして形成される。またアクティブマトリクス型光デバイスを採用する場合には、トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）や層間絶縁層が形成された、いわゆるアクティブ基板上に画素毎に第１電極３を形成する。第１電極３は、ボトムエミッションタイプの光デバイスを採用する場合には、基板２側に光を出射するので、透明性を有する材料により形成する。第１電極３の形成材料は、例えば正孔注入電極として機能するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を採用し、その他にもＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）や金属電極、導電酸化物、等の各種導電材料を採用することができる。
【００３３】
絶縁膜４は、例えば光デバイスが情報表示のために、ドットマトリクス状に有機ＥＬ素子を形成する場合には、画素を区画形成する。例えば絶縁膜４は、先にパターニングした第１電極３の上部の一部を開口し、開口部の周辺部から隣り合う開口部まで覆う形状に形成されている。絶縁膜４の形成材料としては、例えばポリイミドやエポキシ、光受光性樹脂、等の各種材料が挙げられる。
【００３４】
成膜層５は、第１電極３上に形成され、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機ＥＬ発光層、電子輸送層、電子注入層、等の各種機能層が薄膜状に成膜されて形成されている。成膜層５の成膜プロセスは、例えば低分子有機材料を蒸着してもよく、高分子有機材料を印刷、化学蒸着、レーザ転写法、等の各種成膜方法にて薄膜形成する。成膜層５の各層は、単一の有機材料で形成されてもよく、複数の材料を混ぜ合わせたもの（混合層）、高分子バインダーの中に有機材料や無機材料の機能材料（例えば電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能等を備える材料）を分散させたものでもよい。
【００３５】
第２電極６は、成膜層５上に形成されている。例えばパッシブ型有機ＥＬ素子を採用した場合には、第２電極６は、第１電極３と直交する方向に沿って複数のストライプ電極をパターニングして形成される。アクディブ駆動型有機ＥＬ素子を採用した場合には、第２電極６は、例えば複数の画素部上に共通に成膜される。第１電極３を正孔注入電極とした場合には、第２電極６は、電子注入機能を有する材料を採用する。電子機能を有する材料は、例えばアルミニウム、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）合金、等を採用することができる。例えば第２電極６の形成材料として、アルミニウムを採用した場合には、成膜層５と第２電極６との間に、リチウム（Ｌｉ）等のアルカリ金属化合物を形成することが好ましい。
【００３６】
引出配線部７は、例えば有機ＥＬ素子の発光および非発光を制御させる制御信号を、例えば駆動回路や制御回路等の外部回路から入力するための配線であり、導電材料からなる。引出配線部７は、例えば第１電極３に電気的に接続する第１電極用引出配線３ａ、および第２電極６に電気的に接続する第２電極用引出配線７６を有する。また引出配線部７は、第１電極３や第２電極６に積層させてもよい。引出配線部７は、例えば第１電極３や第２電極６と同じ材料で形成してもよく、これらよりも低抵抗な金属材料により形成してもよい。詳細には、引出配線部７の形成材料としては銀、アルミニウム、クロム等の低抵抗金属や、それらのいずれか２つ以上の合金等を挙げることができる。
【００３７】
封止部材８は、基板２上に形成された有機ＥＬ素子１００の劣化因子の一つである水分や酸素等を遮断する機能を有する。封止部材８は、例えば金属、ガラス、プラスチック、等の各種材料により形成する。例えば図１に示すように、封止領域１１０を形成するように、ＵＶ硬化型のエポキシ樹脂等の接着剤により、基板２と封止部材８とを配置する。
【００３８】
本実施形態に係る封止部材８は、図１に示すように、有機ＥＬ素子１００の対面に形成された封止凹部（凹部ともいう）８Ａと、封止部材８の端部に形成され、有機ＥＬ素子１００を囲むように形成された支持部８Ｂを有する。封止領域１１０は、この凹部８Ａ、支持部８Ｂ、基板２に囲まれて形成されている。
【００３９】
詳細には、封止部材８は、例えば基板２に対向する面に乾燥部材９が形成され、その形成位置を接着部材８５の形成位置よりも基板表面から離して形成する。封止部材８は、例えばガラス基板からなる場合には、エッチングなどでガラス基板に凹部８Ａが形成され、例えば金属板からなる場合には、金属プレス法により、金属板に凹部８Ａが形成される。
【００４０】
本実施形態に係る封止部材８は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、粗面部８１、および平坦面部８２を有する。
【００４１】
粗面部８１は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、封止部材８の基板２に対向する面側に形成され、少なくとも乾燥部材９が配置される位置に形成されている。粗面部８１は、例えばエッチング、サンドブラスト等の各種製造方法にて封止部材８の表面に粗面化処理を施すことにより形成される。粗面部８１は、例えば表面凹凸が約１μｍ〜５００μｍ程度の範囲のいずれかの値となるように形成されている。また、この粗面部８１は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、封止凹部８Ａの平坦面部８２が形成された領域以外の領域に形成されていてもよいし、例えば乾燥部材９の開口パターン９Ａ内の、平坦面部８２を除く一部にも形成されていてもよい。
【００４２】
この粗面部８１に乾燥部材９を配置することにより、乾燥部材９と封止部材８との接着性が向上し、乾燥部材９と封止部材８の剥離等の不良を低減することができる。
【００４３】
平坦面部８２は、封止部材８の中央部に形成されている。詳細には、平坦面部８２は、有機ＥＬ素子１００を囲むように形成された支持部内の中央部に形成されている。この平坦面部８２の形状は、封止部材８の形状に応じた形状、例えば略矩形状、略円形状、略楕円形状、等の各種形状に形成されている。平坦面部８２は、例えば表面凹凸が約１μｍ以下の範囲のいずれかの値となるように形成されている。また、平坦面部８２は、後述する乾燥部材９の中央部に形成された開口パターン内に位置するように形成されている。また粗面部８１と平坦面部８２の面積比率や形状は、特に限定されものではなく、封止部材８の中央部に平坦面部８２、乾燥部材形成位置に粗面部８１が形成されていればよい。
【００４４】
また有機ＥＬ素子１００の封止は、上記形態に限られるものではない。平板形状の封止部材８の端部に沿って、リング状の支持部材が配置されていてもよい。この支持部材は有機ＥＬ素子１００を囲むように形成されている。
【００４５】
乾燥部材９は、封止領域１１０内の水分などの自発光素子１００の劣化因子を化学的又は物理的に吸着する。乾燥部材９は、例えばシート状、粒子形状等の各種形状に形成されており、本実施形態に係る乾燥部材９は、シート状に形成されている。また乾燥部材９は、例えば１．中央部が抜けたパターン形状の環形状に形成されたもの（中央部に開口パターン９Ａが形成された環形状）、２．中央に形成された開口パターン９Ａとそのパターン形状の外側の部分とがつながるように形成されたパターンが形成されたもの、３．一部でつながっていない環状パターン、等の各種形状を採用することができる。
【００４６】
図２は、本発明に係る光デバイスの乾燥部材の具体例を説明するための図である。
乾燥部材９は、例えば図２（ａ）に示すように、略中央部に開口パターン９Ａを備える環状パターンＱに形成されている。詳細には乾燥部材９は、その環状の一部が繋がっていない形状、つまり環状の一部に間隙部９Ｂが形成されたパターンＱを有する。乾燥部材９は、図２（ａ）に示すように、矩形のＣ形状のパターンＱ１を有してもよいし、図２（ｂ）に示すように、間隙部９Ｂを角部近傍に形成した矩形の環状パターンＱ２でもよいし、間隙部９Ｂがそれ以外の位置に形成されていてもよい。また乾燥部材９は、図２（ｃ），（ｄ），（ｅ）に示すように、パターン形状の角部に丸みをつけたパターンＱ３，Ｑ４，Ｑ５であってもよい。また乾燥部材９は、図２（ｆ）に示すように、乾燥部材９の幅を大きくして、略中央部に形成された開口パターン９Ａを、図２（ａ）に示したパターンと比べて小さく形成したパターンＱ６であってもよい。また乾燥部材９は、図２（ｇ）に示すように、間隙部９Ｂを大きくしたパターンＱ７であってもよい。また乾燥部材９は図２（ｈ）に示すように、矩形の環状パターンＱ８であってもよいし、図２（ｉ）に示すように、角部に丸みをつけた環状パターンＱ９であってもよい。また乾燥部材９は図２（ｊ）に示すように、中央部に形成された開口パターン９Ａと２つの間隙部９Ｂを備え２つのパターンＱ１０，Ｑ１１を有してもよい。
【００４７】
図３は、本発明に係る光デバイスの封止形態の具体例を説明するための図である。
粗面部８１は、図３（ａ）に示すように少なくとも上記乾燥部材９の形成位置に形成されていてもよい。平坦面部８２は、図３（ａ）に示すように、乾燥部材９の開口パターンと略同じ形状および大きさに形成されていてもよい。
【００４８】
また粗面部８１は、図３（ｂ）に示すように、乾燥部材９よりも規定長さＲ８１だけ幅広に形成してもよい。この構成では例えば乾燥部材９を粗面部８１に貼り付ける際の精度を比較的低く設定することができる。また図３（ｃ），（ｄ）に示すように、平坦面部８２は、略楕円形状、略長円形状、略円形状など各種形状に形成されていてもよい。
【００４９】
また乾燥部材９は、例えば吸湿剤と樹脂成分を含有する成形体を剥離シート上に積層して形成されている。またその成形体を含有する成形体を剥離シート上に積層して形成されたものでもよい。吸湿剤は、少なくとも水分を吸着できる機能を有し、特に化学的に水分を吸着するとともに吸湿しても固体状態を維持する化合物を採用することが好ましい。
【００５０】
このような化合物としては、例えば金属酸化物、金属の無機酸塩・有機酸塩等が挙げられるが、特にアルカリ土類金属酸化物、及び硫酸塩の少なくとも１種を採用することが好ましい。
【００５１】
アルカリ土類金属酸化物としては、例えば酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等が挙げられる。硫酸塩としては、例えば硫酸リチウム（Ｌｉ2 ＳＯ4 ）、硫酸ナトリウム（ＮａＳＯ4 ）、硫酸カルシウム（ＣａＳＯ4 ）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ4 ）、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ4 ）、硫酸ガリウム（Ｇａ2 （ＳＯ4 ）3 ）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ4 ）2 ）、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4 ）等を挙げることができる。その他にも吸湿剤として吸湿性を有する有機材料を採用することができる。
【００５２】
樹脂成分としては、吸湿剤の水分除去作用を妨げないものであれば特に限定されるものではなく、好ましくは気体透過性の高い材料、（すなわち、バリアー性の低い材料、特に気体透過性樹脂）を採用することができる。このような材料としては、例えばポリオレフィン系、ポリアクリル系、ポリアクリロニトリル系、ポリアミド系、ポリエステル系、エポキシ系、ポリカーボネート系等の高分子材料が挙げられる。この中でも特にポリオレフィン系の樹脂成分が好ましい。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、等の他、これらの共重合体等を挙げることができる。
【００５３】
吸湿剤及び樹脂成分の含有量は、これらの種類等に応じて適宜設定すれば良いが、通常は吸収剤及び樹脂成分の合計量を１００重量％として、吸収剤３０〜８５重量％程度（樹脂成分７０〜１５重量％程度）に設定する。好ましくは、吸収剤を４０〜８０重量％程度（樹脂成分６０〜２０重量％程度）に設定し、最も好ましくは吸湿剤５０〜７０重量％程度（樹脂成分５０〜３０重量％）のいずれかに設定すればよい。吸湿性成形体は、これらの各成分を均一に混合し、所望の形状に成形することによって得られる。この場合、吸湿剤、ガス吸着剤等は予め充分に乾燥させてから配合することが好ましい。また樹脂成分との混合に関しては、必要に応じて加熱して溶解状態としてもよい。
【００５４】
上述した封止部材８には、有機ＥＬ素子１００形成側の凹部８Ａ内の表面中央部に粗面部８１が形成され、その粗面部８１上に乾燥部材９が配置されている。乾燥部材９には、略中央部に開口パターンが形成されているので、例えば封止部材が水分を吸収したとしても、乾燥部材の凸状変形による自発光素子への接触を低減することができる。
【００５５】
また封止部材において上述したように、このような構成を有する光デバイスは、光デバイス形成後に生じる第２電極の形状不良に基づく発光不良を削減する作用・効果を有している。
【００５６】
また、予め略中央部に開口パターンが形成されたシート状部材を、封止部材の自発光素子形成側の表面に形成された粗面部に貼り付けることで、簡単に封止部材上に配置することができる。
【００５７】
図４は、本発明の一実施形態に係る光デバイス１の製造方法を説明するためのフローチャートである。上記構成の光デバイス１の製造方法を図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る光デバイス１は、少なくとも一つの画素１０又は複数の画素１０を有している。また本実施形態に係る光デバイス１は複数の画素１０が格子状に形成されている。また光デバイス１において、一つの画素１０に一つの自発光素子１００が形成されている。この自発光素子１００それぞれについて、一対の電極間に形成された発光層（成膜層）の発光と非発光とを駆動制御することにより、各種情報表示を行う。詳細には光デバイス１では、例えば電源回路、コントローラＩＣ（Integrated circuit）等の外部回路からの入力信号により、各自発光素子１００の発光および非発光が駆動制御される。
【００５８】
また本実施形態に係る光デバイス１の製造方法は、例えば図４に示すように、自発光素子形成工程Ｓ１、乾燥部材形成工程Ｓ２、封止部材形成工程Ｓ３、貼り付け工程Ｓ４、封止工程Ｓ５、および検査工程Ｓ６を有する。光デバイスの製造方法の順番は、上記順番に限られるものではない。例えば封止部材形成工程Ｓ３の次に乾燥部材形成工程Ｓ２を実行してもよいし、その工程を同時並行に行ってもよい。また自発光素子形成工程Ｓ１は、乾燥部材形成工程Ｓ２、封止部材形成工程Ｓ３、貼り付け工程Ｓ４と同時並行に行ってもよい。各工程を詳細に説明する。
【００５９】
［自発光素子形成工程（Ｓ１）］
本実施形態に係る自発光素子形成工程Ｓ１は、例えば第１電極（下部電極）形成工程、画素領域（絶縁膜）形成工程、成膜層形成工程、および第２電極（上部電極）形成工程を有する。
【００６０】
［第１電極（下部電極）形成工程］
図５は、本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の第１電極形成工程を説明するための図である。図５（ａ）は基板２の全体図を示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示した基板の領域Ａ付近の拡大断面図である。
【００６１】
先ず図５（ａ），（ｂ）に示すように、ガラス等の基板２上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明電極の形成材料を、スパッタ成膜法などの各種成膜方法により成膜して、下部電極３を形成する。詳細には先ず第１電極３の形成材料を基板２の一方の面側全面に規定膜厚となるように成膜する。次に図５（ａ），（ｂ）に示すように、第１電極３、第１電極用引出配線、第２電極用引出配線をパターニングにより形成する。具体的には図５（ａ），（ｂ）に示すように、第１電極と第１電極用引出配線を形作る複数の第１電極ライン３Ａと、複数の第２電極用引出配線３ｂをフォトリソグラフィ法でストライプ状にパターニングする。このとき、第１電極３の表面を平滑にするために研磨、エッチング等の処理を施してもよく、第１電極用配線３ａおよび第２電極用配線の両方または一方の上部に、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）等の低抵抗金属材料やその合金を積層しているパターニングしてもよい。
【００６２】
［画素領域（絶縁膜）形成工程］
図６は、本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の画素領域（絶縁膜）形成工程を説明するための図である。図６（ａ）は基板の全体図を示し、図６（ｂ）は図６（ａ）に示した基板の領域Ａ付近の拡大断面図である。
【００６３】
本実施形態に係る光デバイス１では、情報表示を行うために、一つの有機ＥＬ素子１００が一つの画素１０として機能する。本実施形態に係る光デバイス１では複数の画素１０を有し、この画素の発光領域を絶縁膜４により区画して開口部１１を形成している。絶縁膜４の形成材料としては、例えばポリイミド、エポキシ樹脂等の各種絶縁材料を挙げることができる。絶縁膜４は、この絶縁材料を基板２の第１電極形成側の全面にスパッタ法等の各種製造方法により成膜した後、例えばストライプ状に複数並んでパターニングされている第１電極ライン３Ａ間と第１電極ライン３Ａと直交する方向に格子状になるようにパターニングする。第１電極３の両端に複数絶縁膜が存在するように図６に示したが、絶縁膜４は、一回の成膜で形成された一層の絶縁膜をパターニングして形成されるものである。またこの形態に限られるものではなく、絶縁膜４は、複数回上記成膜を行い、パターニングおよび成膜を繰り返すことにより、形成してもよい。
【００６４】
上記画素領域（絶縁膜）形成工程後、絶縁膜４上に隔壁を形成してもよい。この隔壁は、例えば逆テーパ形状やオーバーハング部を備えた形状に形成されていることが好ましい。この隔壁を形成することにより、成膜層５や第２電極６を成膜用マスクを利用せずにパターニングすることができる。この際オーバーハング部は、下部電極３と第２電極６とが接触しないように、絶縁膜４の幅より狭くなるように形成することが好ましい。
【００６５】
［成膜層形成工程］
図７は、本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の成膜層形成工程を説明するための図である。図７（ａ）は基板の全体図を示し、図７（ｂ）は図７（ａ）に示した基板の領域Ａ付近の拡大断面図である。
【００６６】
上記画素領域（絶縁膜）形成工程の後、上記第１電極３及び絶縁膜４等が形成された基板２に、前処理工程を施す。前処理工程としては、例えば界面活性剤、純水等による洗浄工程や、ＵＶ（ultraviolet）照射洗浄やオゾン洗浄等の各種洗浄工程を採用することができる。
【００６７】
次に前処理工程後、その基板２を、例えば真空度１×１０-4 Ｐａに設定した成膜室内に搬送して、抵抗加熱蒸着法など各種製造方法により有機材料を成膜することで成膜層５を形成する。抵抗加熱蒸着法は、成膜室内に上記基板２を設置して、成膜材料を充填した成膜源を加熱することにより、蒸発や昇華した成膜材料を絶縁膜４により区画形成された開口部１１内に成膜する。本実施形態では成膜方法として抵抗加熱法を採用したが、この形態に限られるものではない。例えば塗布法、印刷法、レーザ熱転写法等の各種成膜方法により成膜層５を形成してもよい。また本発明に係る光デバイス１を利用する状況、環境など各種条件に応じて材料、膜厚、成膜方法などを適宜設計してもよい。
【００６８】
次に成膜方法の一具体例として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層が順次積層された５層構造を有する成膜層５を、抵抗加熱蒸着法により形成する方法を説明する。例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を膜厚３０ｎｍ程度となるように蒸着して正孔注入層を形成する。次にＮＰＢ（N,N-di（naphthalene-1-yl）-N,N-diphenyl-benzidene）を膜厚３０ｎｍ程度となるように蒸着して正孔輸送層を形成する。次に例えばホスト材料のアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）及びゲスト材料のクマリン（０．６７重量％）を膜厚３０ｎｍ程度となるように蒸着して成膜層５を形成する。次にアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）を膜厚３０ｎｍ程度となるように蒸着して電子輸送層を形成する。次に酸化リチウム（Ｌｉ2 Ｏ）を膜厚３０ｎｍ程度となるように成膜して電子注入層を形成する。上記製造方法により成膜層５が作製される。成膜層形成工程は、上記実施形態に限られるものではなく、例えばマルチフォトン技術を用いた成膜方法など各種成膜方法を採用することができる。
【００６９】
［第２電極（上部電極）形成工程］
図８は、本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の第２電極形成工程を説明するための図である。
【００７０】
次に図８に示すように、成膜層５の上部に第２電極６を形成する。詳細には、成膜層５の上部に第１電極３Ａと直交する方向に沿って第２電極６を成膜およびパターニングすることより、第２電極ライン６Ａを形成する。パターニング方法は、例えば成膜用マスクを利用したパターニング方法でもよいし、第２電極ライン６Ａと平行な方向に沿って、予め形成した隔壁を利用してパターニングを行ってもよい。また第２電極ライン６Ａは、例えば絶縁膜４の開口部１１に形成される第２電極６と、前処理処理工程時（第１電極形成工程時）に形成した、第２電極用引出配線３ｂと電気的に接続するように成膜する。第２電極６は、電子注入電極として機能するように正孔注入電極よりも仕事関数の低い材料を用いる。第２電極６の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム合金（Ｍｇ−Ａｇ）を採用することが好ましい。但しアルミニウムは、電子注入機能が比較的低いために、アルミニウムと電荷輸送層との間にフッ化リチウム（ＬｉＦ）などの電子注入層を設けることが好ましい。
【００７１】
また本実施形態では、図１、図８に示すように第２電極６の端部付近は、電極用引出配線７６に相当する。
【００７２】
［乾燥部材形成工程（Ｓ２）］
次に、図２を参照しながら乾燥部材形成工程を説明する。本実施形態に係る乾燥部材形成工程では、封止基板に対して、切り込みによって所望のパターンに形成されるシート状乾燥部材を形成する。詳細には、先ずシート状乾燥部材の基材を準備し、例えばロール状に巻かれた帯状の基材を伸ばして型抜き装置にセットする。次に型抜き装置により、そのシート状乾燥部材の基材を、図２に示すような所定の形状に型抜きを行う。ここでは、シート状乾燥部材の基材に対して、パターン形状の切り込みを一つの抜き型で形成する。乾燥部材９の形状は、馬蹄形のものの他に環形状であってもよい。
【００７３】
図９は、本発明の一実施形態に係るシート状乾燥部材９を示す説明図である。図９（ａ１），（ｂ１）は平面図、図９（ａ２），（ｂ２）はＡ−Ａ線に沿った断面図を示す。乾燥部材９を下記の方法により作製してもよい。例えばこのシート状乾燥部材９は剥離シート９０１上に接着層９０２を介して物理的又は化学的に水分を吸着する乾燥剤層９０３を積層した基材からなり、これを切り込みによって所望のパターンに形成するものである。ここでは剥離シート９０１を有するものを例にして説明するが、この剥離シート９０１が無く乾燥剤層９０３のみによって基材が形成されるものであってもよい。
【００７４】
先ず図９（ａ１），（ａ２）に示すように、基材における中央部に不要部分Ｑ１INと、パターン形状Ｑの外側の不要部分Ｑ１OUT が繋がり部分Ｑ１ａで繋がるように、一つの抜き型を用いて、一つの連続した切り込みＣ0 でパターン形状Ｑを形成する。次に図９（ｂ１），（ｂ２）に示すように、不要部分Ｑ１IN，Ｑ１OUT ，Ｑ１ａを一体にして取り除くことができ、一回の不要部取り除き工程を行うことにより、所定形状の乾燥部材９を得ることができる。
【００７５】
［封止部材形成工程（Ｓ３）］
図１０は、本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の封止部材形成工程を説明するための図である。
【００７６】
先ず図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、ガラスや金属等の各種材料からなる平板状の封止基板８０１に、規定の開口パターンが形成された、クロム等の規定材料からなるマスク（レジストマスク）８０２を介してエッチング処理を施して凹部８Ａを形成する。本実施形態ではガラス製の封止基板８０１に、マスク８０２を介してフッ化水素酸にてエッチング処理を施す。レジストマスク８０２の封止凹部形成領域８０３には、粗面部８１に対応した粗面部形成領域８１１に開口孔部８１２が形成され、平坦面部８２に対応した平坦部形成領域８２１に開口孔部８２２が形成されている。詳細には、粗面部形成領域８１１には、比較的小さい複数の開口孔部８１２が形成され、平坦部形成領域８２１には比較的大きな開口孔部８２２が形成されている。
【００７７】
上記構成のマスク８０２を用いて封止基板８０１にエッチング処理を施すことにより、１回の掘り込み工程により、中央部８０５に形成された平坦面部８２と、乾燥部材９が設けられる粗面部８１とを備えた封止部材８を作製することができる。
【００７８】
封止部材８の製造方法は、上記形態に限られるものではない。例えばサンドブラスト法を用いて本発明に係る封止部材８を作製してもよい。サンドブラスト法は、例えば砂等の微粒子をノズルから高圧で噴出させて、その微粒子による物理的衝撃により封止基板８０１の表面をエッチングする方法である。
【００７９】
［貼り付け工程（Ｓ４）］
次に図１に示すように、乾燥部材形成工程により作製した乾燥部材９を、封止部材形成工程により形成した封止部材８に配置する。この際、封止基板形成工程により形成した封止部材８の粗面部８１に乾燥部材９を貼り付ける。この際、図１に示すように、乾燥部材９の開口パターン９Ａが、平坦面部８２の形成位置に対応する位置に乾燥部材９を貼り付ける。
【００８０】
［封止工程（Ｓ５）］
図１１は、本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の封止工程を説明するための図である。
【００８１】
次に図１１，図１に示すように、基板２と封止部材８とにより形成される封止領域１１０に窒素（Ｎ2 ）等の不活性ガスを充填して、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂などの接着部材８５を介して、基板２と封止部材８を接合する。
【００８２】
次に封止工程後に、封止された基板を大気圧状態に戻し、基板２上に形成した引出配線部７、詳細には第１電極用引出配線３ａ、および第２電極用引出配線７６に、例えば異方性導電性膜（ＡＣＦ：Anisotropic conductive film）等の導電材料を介して、フレキシブル基板（配線基板）２０１，２０２を圧着接続する。配線基板８０には駆動回路などの外部回路８５が接続されている。また光デバイス１と外部回路との接続は、上記実施形態に限られるものではない。例えば外部回路の実装としては、駆動回路を基板２上に形成するＣＯＧ（Chip on glass）や、フレキシブル基板上に駆動回路を形成したＦＯＧ（Flip chip on glass）等の各種実装技術を採用してもよい。
【００８３】
［検査工程（Ｓ６）］
次に外部回路２１０（２２０）により、光デバイス１の各有機ＥＬ素子１００に対して駆動信号を印加して、有機ＥＬ素子１００の発光および非発光の検査等の各種検査を行い、外部回路を備えた光デバイス１を得る。
【００８４】
以上説明したように、本実施形態に係る光デバイス１は、略中央部に開口パターンが形成されたシート状の乾燥部材９を備え、封止部材８は、基板２上に形成された有機ＥＬ素子１００に対向する面に封止凹部が形成され、その封止凹部の乾燥部材９が配置される面に粗面処理が施された粗面部８１と、封止凹部の内側の中央表面部に形成された平坦面部８２とが形成されているので、例えば温度差により封止部材と乾燥部材が剥離することを防止することができる。
【００８５】
また例えば図１２に示すように、外力や内外圧力差により封止部材８が撓んだ場合であっても、封止部材８に貼り付けられた乾燥部材９が、基板２上に形成された有機ＥＬ素子１００や第２電極６等に接触することを防止することができる。また更に封止部材８が撓んだ場合であっても、封止部材８が有機ＥＬ素子１００に接触することによる有機ＥＬ素子１００の破損を防止することができる。また上記有機ＥＬ素子１００の破損や接触を防止することができるので、光デバイス１の表示不良を防止することができる。
【００８６】
なお、本発明は上述した実施形態に限られるものではない。上述した実施形態や具体例を組み合わせてもよい。
【００８７】
また上述した実施形態では、本発明に係る光デバイス１をパッシブ駆動型の有機ＥＬパネルに適用したが、この形態に限られるものではない。例えば各有機ＥＬ素子に対してスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）を設けたアクティブ駆動型有機ＥＬパネルに、本発明に係る光デバイス１を適用してもよい。また本発明に係る光デバイス１を実現することができれば、上記実施形態に限定されるものではない。
【００８８】
また上記実施形態では、ボトムエミッションタイプの光デバイス１説明したが、この形態に限られるものではない。例えば本発明に係る光デバイスを基板２とは反対側から光を取り出すトップエミッションタイプの光デバイスに適用してもよい。さらに、基板側および基板と反対側の両側から光を取り出すタイプの光デバイスに適用してもよい。このトップエミッションタイプのパッシブ駆動型光デバイスは、例えば、各実施形態に係る各層を逆に積層した構造を有する。
【００８９】
また上述した実施形態では真空蒸着法による成膜方法を採用したが、この形態に限られるものではない。例えば塗布法、印刷法、レーザ熱転写法等の各種成膜方法を採用してもよい。
【００９０】
また上述したように、本発明の実施形態に係る光デバイス１の製造方法により形成される光デバイス１について、本発明をなんら限定しない細部を以下に説明する。
【００９１】
まず、有機ＥＬ素子について説明すると、一般的に有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極）とカソード（陰極、電子注入電極）との間に有機ＥＬ機能層を挟み込んだ構造をとっている。両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機ＥＬ機能層内に注入・輸送された正孔とカソードから有機ＥＬ機能層内に注入・輸送された電子がこの層内（発光層）で再結合することで発光を得るものである。基板上に、下部電極，有機ＥＬ機能層からなる成膜層，上部電極を積層した有機ＥＬ素子の具体的構成および材料例を示すと以下の通りである。
【００９２】
基板については、透明性を有する平板状、フィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス又はプラスチックを用いることができる。
【００９３】
下部又は上部電極ついては、一方が陰極、他方が陽極に設定されることになる。この場合、陽極は仕事関数が高い材料で構成されるのがよく、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜，或いはＩＴＯ，ＩＺＯ等の酸化金属膜等による透明導電膜が用いられる。そして、陰極は仕事関数の低い金属で構成されるのがよく、特に、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ），アルカリ土類金属（Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ），希土類といった仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金を用いることができる。また、下部電極、上部電極ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成とすることもできる。
【００９４】
また下部電極又は上部電極から封止領域に外側に引き出される引出電極は、有機ＥＬパネルとそれを駆動するＩＣ（集積回路），ドライバ等の駆動手段とを接続するために設けられる配線電極であって、好ましくはＡｇ，Ｃｒ，Ａｌ等などの低抵抗金属材料やそれらの合金を用いるのがよい。
【００９５】
一般に、下部電極と引出電極の形成は、ＩＴＯ，ＩＺＯ等によって下部電極及び引出電極のための薄膜を蒸着或いはスパッタリング等の方法で形成し、フォトリソグラフィ法などによってパターン形成がなされる。下部電極と引出電極（特に低抵抗化の必要な引出電極）に関しては、前述のＩＴＯ，ＩＺＯ等の下地層にＡｇ，Ａｌ，Ｃｒ等の低抵抗金属もしくはその合金を積層した２層構造にしたもの、或いはＡｇ等の保護層としてＣｕ，Ｃｒ，Ｔａ等の耐酸化性の高い材料を更に積層した３層構造にしたものを採用することができる。
【００９６】
下部電極と上部電極との間に成膜される有機ＥＬ機能層としては、下部電極を陽極，上部電極を陰極とした場合には、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の積層構造が一般的であるが（下部電極を陰極、上部電極を陽極とした場合にはその逆の積層順となる）、発光層、正孔輸送層、電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略して発光層のみにしても構わない。また有機ＥＬ機能層としては、正孔注入層，電子注入層，正孔障壁層，電子障壁層等の有機機能層を用途に応じて挿入することができる。
【００９７】
有機ＥＬ機能層の材料は、有機ＥＬ素子の用途に合わせて適宜選択可能である。以下に例を示すがこれらに限定されるものではない。
【００９８】
正孔輸送層としては、正孔移動度が高い機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポルフィリン化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族第三アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベンゼン等のスチルベンゼン化合物、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた高分子分散系の材料も使用できる。好ましくは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が封止用樹脂を加熱硬化させる温度より高い材料が好ましく、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェルミアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）が挙げられる。
【００９９】
発光層は、公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料を使用できる。上述したような発光材料のみから構成したものでもよいし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）または発光ドーパント等が含有されてもよい。また、これらが高分子材料又は無機材料中に分散されていてもよい。
【０１００】
電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体等の有機材料、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン等が使用できる。
【０１０１】
上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層は、本発明に係る成膜工程および加熱工程を同時又は交互に行う層を除いては、スピンコーティング法、ディッピング法等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法等のウェットプロセス、又は蒸着法、レーザ転写法等のドライプロセスで形成することができる。
【０１０２】
また封止部材としては、気密性を確保できる材料であればよく、特に限定されるものではないが、接着剤を加熱硬化させる都合上、熱膨張や経時的変化の少ない材料を用いることが好ましく、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス等のガラス材、ステンレス、アルミニウム等の金属材、プラスチック等を採用することができる。また封止部材としては、ガラス製の封止基板にプレス成形、エッチング、ブラスト処理等の加工によって封止凹部（一段掘り込み、二段掘り込みを問わない）を形成したもの、または平板ガラスを使用し、ガラス（プラスチックでもよい）製のスペーサにより基板と封止領域を形成したもの、封止部材と基板間の気密空間を樹脂等で充填したものなども採用することができる。
【０１０３】
また封止材料（接着剤）としては、熱硬化型、化学硬化型（二液混合）、光（紫外線）硬化型等を用いることができ、材料としてアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリオレフィン等を用いる。特に、紫外線硬化型のエポキシ樹脂製の使用が好ましい。
【０１０４】
乾燥部材は、ゼオライト、シリカゲル、カーボン、カーボンナノチューブ等の物理的乾燥剤、アルカリ金属酸化物、金属ハロゲン化合物，過酸化塩素等の化学的乾燥剤、有機金属錯体をトルエン，キシレン，脂肪族有機溶剤等の石油系溶剤に溶解した乾燥剤、乾燥剤粒子を透明性を有するポリエチレン，ポリイソプレン，ポリビニルシンナエート等のバインダに分散させた乾燥剤により形成することができる。
【０１０５】
また上記実施形態では光デバイスとして有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬパネルを説明したが、この形態に限られるものではない。例えば本発明に係る光デバイスを、発光ダイオード等の自発光素子を備える光デバイスに適用してもよい。また本発明に係る光デバイスを、携帯電話や車載用モニタ、家庭用電化製品のモニタ、パーソナルコンピュータの表示装置やテレビジョン受像装置等のドットマトリクス表示を行う情報表示装置や、時計や宣伝用パネル等の固定表示装置、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライト等の照明装置、光電変換機能を利用した光通信装置等の各種光デバイス等に適用してもよい。
【０１０６】
以上説明したように、本発明の一実施形態に係る光デバイス１は、自発光素子（有機ＥＬ素子）１００を一画素として、基板２上に一つ又は複数個の有機ＥＬ素子１００を備え、当該有機ＥＬ素子１００を封止する封止部材８を有し、この光デバイス１は、略中央部に開口パターンが形成されたシート状の乾燥部材９を備え、封止部材８は、基板２上に形成された有機ＥＬ素子１００に対向する面に封止凹部８Ａが形成され、その封止凹部８Ａの内側の、乾燥部材９が配置される面に粗面処理が施された粗面部８１と、封止凹部８Ａの内側の中央表面部に形成された平坦面部８２とを有し、基板２と乾燥部材９とが支持部８Ｂにて接着部材８５を介して封止接合されているので、例えば温度差により封止部材と乾燥部材が剥離することを防止することができる。また例えば外力や内外圧力差により封止部材８が撓んだ場合であっても、封止部材８に貼り付けられた乾燥部材９が、基板２上に形成された有機ＥＬ素子１００や第２電極６等に接触することを防止することができる。
【０１０７】
またさらに撓みの度合いが大きい場合であっても、封止部材８の中央部に平坦面部８２が形成されているので、例えば封止部材８の凹部全面に粗面加工処理が施された部材と比べて、仮に有機ＥＬ素子１００に封止部材８が接触した場合であっても、有機ＥＬ素子１００の破損、劣化、等の不良を低減することができる。
【０１０８】
また、封止部材８の封止凹部８Ａに粗面部８１および平坦面部８２を備えるので、封止部材８の内部応力が低減して、封止部材８の破損を防止する効果も有している。特に光デバイスを大型化や薄型化を行う場合であっても封止部材の破損を防止することができる。また封止基板としてガラス板等を採用した場合でも破損を防止することができる。
【０１０９】
また、例えば乾燥部材９の中央部に形成された露出面に粗面処理が施されている場合には、表面積が大きくなり水分や汚れ等の劣化因子がその粗面処理された面に付着して封止効果が低減してしまう。一方、本発明では封止部材８の中央部に平坦面部８２が形成されているので、表面積が比較的小さく、水分や汚れ等の劣化因子が付着することを低減することができ、封止効果を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る光デバイス１を説明するための図である。（ａ）は光デバイスの断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した封止部材のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図２】本発明に係る光デバイスの乾燥部材の具体例を説明するための図である。
【図３】本発明に係る光デバイスの封止形態の具体例を説明するための図である。（ａ）は粗面部８１が乾燥部材９と略同じ大きさに形成されている封止部材、（ｂ）は粗面部８１が乾燥部材９よりも規定長さＲ８１だけ幅広に形成している封止部材、（ｃ）は平坦面部８２が略楕円形状に形成されてる封止部材、（ｄ）は平坦面部８２が略円形状に形成されている封止部材を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る光デバイス１の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の第１電極形成工程を説明するための図である。（ａ）は基板２の全体図を示し、（ｂ）は（ａ）に示した基板の領域Ａ付近の拡大断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の画素領域（絶縁膜）形成工程を説明するための図である。（ａ）は基板の全体図を示し、（ｂ）は（ａ）に示した基板の領域Ａ付近の拡大断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の成膜層形成工程を説明するための図である。（ａ）は基板の全体図を示し、（ｂ）は（ａ）に示した基板の領域Ａ付近の拡大断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の第２電極形成工程を説明するための図である。（ａ）は基板の全体図を示し、（ｂ）は（ａ）に示した基板の領域Ａ付近の拡大断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係るシート状乾燥部材９を示す説明図である。（ａ１），（ｂ１）は平面図、（ａ２），（ｂ２）はＡ−Ａ線に沿った断面図を示す。
【図１０】本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の封止部材形成工程を説明するための図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法の封止工程を説明するための図である。（ａ）は基板の全体図を示し、（ｂ）は（ａ）に示した基板の領域Ａ付近の拡大断面図である。
【図１２】図１に示した光デバイスの効果を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１  光デバイス（有機ＥＬパネル）
２  基板
３  第１電極（下部電極）
３ａ  第１電極用引出配線
４  絶縁膜（区画層）
５  成膜層（発光層）
６  第２電極（上部電極）
７  引出配線部
８  封止部材
８Ａ  封止凹部
９  乾燥部材
１０  画素
１１  開口部
７６  第２電極用引出配線
８０  配線基板（フレキシブル基板）
８１  粗面部
８２  平坦面部
８５  外部回路
１００  自発光素子（有機ＥＬ素子）
１１０  封止領域
【図１】
2007250251.tif 000003
【図２】
2007250251.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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