(57)【要約】【課題】スループットの改善を図ることができる露光方法およびその実施に好適な露光装置を提供する。【解決手段】レチクル２１に設けられたブランク露光用の開口部２３に露光光を照射し、該開口部２３を通過した前記露光光を、ウェーハ１５の外周部のブランク領域１３に照射することでブランク露光工程が行われる。この工程においては、レクチル２１を静止させた状態で、ウェーハ１５のみを走査させながら露光光が前記ウェーハに向けて照射されるようになっている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルに設けられたブランク露光用の開口部を通過した前記露光光を、ウェーハ外周部のブランク領域に照射する露光方法であって、
前記露光光を照射する工程は、前記レクチルを静止させた状態で前記ウェーハのみを走査させながら、前記露光光を前記ウェーハに向けて照射する露光方法。
【請求項２】
前記露光光を照射する工程では、ブランクパターン、または、前記走査の方向に一様なパターンを形成できるような態様で前記露光光が照射される、請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
レチクルに設けられたブランク露光用の開口部を通過した前記露光光を、ウェーハ外周部のブランク領域に照射する露光装置であって、
前記露光光を前記ブランク領域に照射する際に、前記レチクルを静止させた状態で前記ウェーハのみを走査させながら、露光光を前記ウェーハに向けて照射できるように構成されている露光装置。
【請求項４】
前記レチクルと前記ウェーハとの間に位置に投影光学部材が配置されている、請求項３に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路等の配線パターンをウェーハ上に形成するための露光技術に関し、特に、チップ領域以外の領域に対して露光（ブランク露光）を行う露光方法および露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は、従来の操作型露光装置の一般的構成を説明するための図であり、図示するように、この露光装置は、マスク（レチクル）１２１を保持するステージ１２２と、投影光学系１１４と、ウェーハ１３１を保持するステージ１３２とを有している。この露光装置の動作は、ステージ１２２とステージ１３２との同期を取りながら、光学系１１４に対して、マスク１２１とウェーハ１３１との両方を走査させることにより、ウェーハ３１上にパターン像が転写されるようになっている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来、図９に示すようなウェーハ基板１５の外周部（無効領域）１０について、パーティクルの低減および配線で使用している金属汚染を低減するため、当該領域を露光、現像することによってレジストを除去することが行われている。こうした露光は、「ブランク露光」と呼ばれることもある。
【特許文献１】特開２０００−２９２２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように、無効領域のレジストの除去を行う場合、従来の手法のなかには、この露光のためだけの（すなわちブランク露光専用の）レチクルを用いて露光を行うものがあった。この場合、専用のレチクルを装置に搭載しなおして露光を行う必要があったため、これがスループットの低下につながっていた。
【０００５】
また、１枚のレチクルに、チップ領域を露光するための開口部と、ブランク露光用の開口部とが設けられたレチクルが用いられることもあるが、この場合においても、スループットの改善を図ることが望ましい。
【０００６】
そこで本発明の目的は、チップ領域以外の領域に対してブランク露光を行う露光方法および露光装置において、スループットの改善を図ることができる露光方法およびその実施に好適な露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の露光方法は、レチクルに設けられたブランク露光用の開口部を通過した前記露光光を、ウェーハ外周部のブランク領域に照射する露光方法であって、前記露光光を照射する工程は、前記レクチルを静止させた状態で前記ウェーハのみを走査させながら、露光光を前記ウェーハに向けて照射する。また、上記本発明の露光方法を好適に実施可能な、本発明の露光装置は、レチクルに設けられたブランク露光用の開口部を通過した前記露光光を、ウェーハ外周部のブランク領域に照射する露光装置であって、前記露光光を前記ブランク領域に照射する際に、前記レチクルを静止させた状態で前記ウェーハのみを走査させながら、露光光を前記ウェーハに向けて照射できるように構成されている。
【０００８】
上記本発明によれば、レチクルとウェーハとの両方を走査させるのではなく、ウェーハのみを走査させて露出が行われるようになっているので、スループットの向上が図られる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、上述の通り、ウェーハのみを走査させて露光を行うものであるので、レチクルとウェーハのそれぞれを同期的に走査させながら露光を行っていた従来技術と比較して、スループットの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図１は、ウェーハ上におけるチップのレイアウトを示す模式図である。
【００１１】
図１に示すように、本実施形態では、一例として、一回の露光（露光ショット１１）により４つ分のチップのパターン像が転写されるようになっている。露光ショット１１は、１チップ分のパターンを縦横にそれぞれ２つずつ配置したものである。ハッチングにて示す領域は、有効なチップ（有効チップ１２）が形成される領域を示している。ウェーハ１５の外周部は、１つ分のチップ領域を確保できないブランク露光領域１３となっている。
【００１２】
次に、図２を参照して、本実施形態で利用可能なレチクルの一例について説明すると、レチクル２１は、中央部分に形成された製品チップ用の開口部２２と、それに隣接して形成されたブランク露光用の開口部２３とを有している。開口部２２にはパターン転写用のマスクが形成されており、ブランク露光用の開口部２３は全面ガラス部となっている。両開口部２２、２３はいずれも、露光光が透過することができるようになっているが、ブラインド２４の部分は露光光が透過しないようになっている。
【００１３】
図３、図４には、本発明に係る露光装置の概略構成が示されている。図示するように、本実施形態の露光装置は、露光光の照射方向の上流側から順に見て、露光スリット４６と、レチクルブラインド４５と、レチクル２１を保持するステージ（不図示）と、レンズ（投影光学部材）４４と、ウェーハ１５を保持するステージ（不図示）とを有している。レチクル２１をステージとウェーハ１５を保持するステージとは、それぞれ、図示横方向に移動可能となっており、これにより、レチクル２１とウェーハ１５との相対移動ができるようになっている。レチクルブラインド４５は、所望領域外へ露光光が照射されるのを防止するためのものであり、図示横方向に移動可能に設けられている。
【００１４】
なお、図３は、レチクル２１の製品チップ用開口部２２を通じて露光光がウェーハ１５に向けて照射される状態を示しており、図４は、他方の開口部２３を通じて露光光が照射される状態を示している。図４のような動作（ブランク露光）は、有効チップ１２（図１参照）以外の領域であるウェーハエッジ部分（ブランク露光領域１３）に対して行われる露光動作である。
【００１５】
以上のように構成された露光装置の動作例について、以下説明する。
【００１６】
まず、図３に示すように、有効チップ領域に対して露光を行う場合には、露光光が製品チップ領域２２を通過するような位置にレチクル２１を移動させ露光動作が行われる。露光光は、スリット４６を通過した後、レチクル２１およびレンズ４４へと入射し、ウェーハ１５上に到達する。
【００１７】
走査型露光装置でウェーハを露光する場合、露光スリット４６の開口がレチクル２１よりも小さいため、図５に示すように、レチクル２１およびレチクルブラインド（不図示）を走査させ、かつ、それに合わせてウェーハ１５も走査させることによって、レチクル全面の露光が行われるようになっている。図５において、矢印Ｘ方向はスキャン方向を示し、図示Ｙ方向はステップ方向を示している。
【００１８】
次いで、有効チップ領域以外の領域に対する露光を行う場合、図４に示すように露光光が開口部２３を通過するような位置にレチクル２１を移動させて露光が行われる。図６は、この露光の様子を模式的に示す平面図であるが、この図に示すように、開口部２３を通過した露光光３２によりブランク領域全体の露光が行われるようになっている。
【００１９】
具体的には、この露光動作（ブランク露光）は、図４に示すように、レチクル２１およびレチクルブラインド４５を静止させ、ウェーハ１５側のみを走査させながら実施される。通常の有効チップ領域に対しては、レチクル２１とウェーハ１５とのそれぞれを同期移動させながら露光が行われるが、ブランク露光では、レチクルを静止させウェーハのみが走査されるようになっている。これにより、スループットを低下させることなくブランク露光を実施することができるものとなる。
【００２０】
ウェーハのブランク領域全体を露光した後、現像装置によって現像を行うことにより、チップ領域には製品チップのパターンが形成され、ブランク領域ではレジストの全てが除去されることとなる。レチクル内の露光領域の設定は、レチクルブラインドの位置を変えることにより所望の露光領域以外の露光光を遮光することにより実施されている。
【００２１】
なお、以上、ブランク露光する手法について述べてきたが、ブランクパターンを形成するのではなく、ウェーハの走査方向に一様なパターンを形成する場合であっても、ウェーハのみを走査させて露光する上記手法を利用することが可能である。一様なパターンを形成するためには、ブランク領域１３に対して照射される露光光の強度を変化させるようにしてもよく、具体的な一例としては、露光光を間欠的に照射するような構成としてもよい。
【００２２】
（第２の実施形態）
ところで、この種のチップ製造技術において、配線パターンを形成した後にＣＭＰ（化学機械的研磨）によって表面の平坦化が行われる場合がある。ブランク露光により、ブランク領域の配線層を除去してしまうと、図７（ａ）に示すように、エッジ部分にグローバルな段差Ｓが生じることとなる。よって、これを防止するためにはブランク領域１３にダミーパターン４９を残すことが好ましい（図６（ｂ）参照）。このためには、上記したような一様なパターンを形成する露光態様を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】ウエーハ上におけるチップのレイアウトを示す模式図である。
【図２】本発明に係る露光方法で利用可能なレチクルの一例を示す平面図である。
【図３】本発明に係る露光装置の構成およびその動作について説明するための模式的側面図である。
【図４】本発明に係る露光装置の構成およびその動作について説明するための模式的側面図である。
【図５】操作型露光装置の動作時の様子を模式的に示す斜視図である。
【図６】ブランク露光の様子を模式的に示す平面図である。
【図７】ウェーハ外周部の断面を拡大して示す断面図である。
【図８】従来の操作型露光装置の一般的構成を説明するための模式図である。
【図９】ウェーハ上におけるチップのレイアウトを示す模式図である。
【符号の説明】
【００２４】
１１  露光ショット
１２  有効チップ
１３  ブランク領域
１５  ウェーハ
２１  レチクル
２２  チップ用開口部
２３  ブランク露光用開口部
４４  レンズ
４５  レチクルブラインド
４６  露光スリット
４９  ダミーパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2007250741.tif 000008
【図７】
2007250741.tif 000009
【図８】
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【図９】
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