(57)【要約】【課題】  被乾燥体を減圧下で乾燥するときに、収容室内に残留した溶媒成分の影響を低減させて、膜の品質劣化を防ぐことが可能な乾燥方法、乾燥機、及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】  乾燥機１００は、被乾燥体Ｑを収容可能な収容室１１８（１１９）と、第１の減圧過程で、収容室１１８を減圧する第１の減圧部としての第１減圧ポンプ１０２と、被乾燥体Ｑを乾燥するための乾燥部１１０とを備えている。第２の減圧過程で、収容室１１９内を減圧する第２の減圧部としての第２減圧ポンプ１０３、被乾燥体Ｑを乾燥した後に、収容室１１９内をクリーニングするための除去部１２０とを備えている。さらに、第１減圧ポンプ１０２と、乾燥部１１０と、第２減圧ポンプ１０３と、除去部１２０と、を制御する制御部１４２とを備えている。【選択図】      図１
2007101024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能液が塗布された被乾燥体を乾燥する乾燥機であって、
前記被乾燥体を収容可能な収容室と、
第１の減圧過程で、前記収容室を減圧する第１の減圧部と、
前記被乾燥体を乾燥するための乾燥部と、
第２の減圧過程で、前記収容室内を減圧する第２の減圧部と、
前記被乾燥体を乾燥した後に、前記収容室をクリーニングするための除去部と、
前記第１の減圧部と、前記乾燥部と、前記第２の減圧部と、前記除去部と、を制御する制御部と、
を備えていることを特徴とする乾燥機。
【請求項２】
請求項１に記載の乾燥機において、
前記第１の減圧部には、第１の検出部を有しており、
前記第１の検出部が、圧力、積算時間、処理枚数、を検出するための検出装置のうち、少なくとも一つの前記検出装置を備えていることを特徴とする乾燥機。
【請求項３】
請求項１に記載の乾燥機において、
前記第２の減圧部には、第２の検出部を有しており、
前記第２の検出部が、圧力、ガス濃度、積算時間、を検出するための検出装置のうち、少なくとも一つの前記検出装置を備えていることを特徴とする乾燥機。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の乾燥機において、
前記収容室を少なくとも２つ以上備えていることを特徴とする乾燥機。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の乾燥機において、
前記除去部に、赤外線ランプを備えていることを特徴とする乾燥機。
【請求項６】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の乾燥機において、
前記除去部に、プラズマ照射装置を備えていることを特徴とする乾燥機。
【請求項７】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の乾燥機において、
前記除去部に、紫外線照射装置を備えていることを特徴とする乾燥機。
【請求項８】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の乾燥機において、
前記除去部に、ヒータを備えていることを特徴とする乾燥機。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の乾燥機において、
前記制御部が、前記収容室の減圧をする第１の減圧過程で少なくとも前記収容室内の圧力が許容値に達したら、前記除去部への通電を開始するように制御することを特徴とする乾燥機。
【請求項１０】
請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の乾燥機において、
前記制御部が、前記収容室の減圧をする第２の減圧過程で前記収容室内の圧力またはガス濃度のうち少なくとも一方が許容値に達したら、前記除去部への通電を停止するように制御することを特徴とする乾燥機。
【請求項１１】
機能液が塗布された被乾燥体の乾燥方法であって、
前記被乾燥体を収容可能な収容室に収容して、前記収容室内を減圧させて前記被乾燥体を乾燥する乾燥工程と、
前記収容室内の汚染度を検出する第１検出工程と、
前記第１検出工程で得られた汚染度が許容値に達したら、除去部の通電をＯＮにして前記収容室のクリーニングをする工程と、
前記除去部の通電状態で、前記収容室内の清浄度を検出する第２検出工程と、
前記第２検出工程で得られた清浄度が許容値に達したら、前記除去部の通電をＯＦＦにして前記収容室のクリーニングを停止する工程と、
を備えていることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の乾燥方法において、
前記第１検出工程では、圧力、積算時間、処理枚数、を検出するための検出方法のうち、少なくとも一つの前記検出方法を備えていることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の乾燥方法において、
前記第２検出工程では、圧力、ガス濃度、積算時間、を検出するための検出方法のうち、少なくとも一つの前記検出方法を備えていることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１４】
請求項１１〜請求項１３のいずれか一項に記載の乾燥方法において、
前記クリーニングをする工程では、赤外線ランプで加熱して前記収容室をクリーニングすることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１５】
請求項１１〜請求項１３のいずれか一項に記載の乾燥方法において、
前記クリーニングをする工程では、プラズマを照射して前記収容室をクリーニングすることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１６】
請求項１１〜請求項１３のいずれか一項に記載の乾燥方法において、
前記クリーニングをする工程では、紫外線を照射して前記収容室をクリーニングすることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１７】
請求項１１〜請求項１３のいずれか一項に記載の乾燥方法において、
前記クリーニングをする工程では、ヒータで加熱して前記収容室をクリーニングすることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１８】
液滴吐出法によって基板上に画素を形成するデバイスの製造方法であって、
請求項１１〜請求項１７のいずれか一項に記載の乾燥方法を用いたことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被乾燥体の乾燥方法、乾燥機、及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示されているように、半導体ウエハや、液晶ディスプレイ用基板などの被処理基板の上に塗布液を塗布して、この塗布液を減圧下で乾燥させて、塗布膜を形成する方法や、装置が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２３９４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上記の方法や、装置では、装置に接続された配管に残留した溶媒を除去するものなので、収容室内（特に、被処理基板近傍）における付着した溶媒を除去しないため、その効果は小さい。このため、収容室内に溶媒成分が残ってしまうことがあった。収容室内に溶媒成分が残留した状態で収容室を大気開放すると、溶媒成分が液化して基板に付着してしまうことがあり、乾燥後の膜質や、膜形状の再現性が得られないことがあった。その結果、膜品質を悪化させることがあった。収容室内に付着した溶媒成分を拭き取ることも可能であるが、その間は装置を停止しなければならないので、面倒であり、生産性を向上させることが困難であった。また、溶媒成分が収容室内に残留してしまうと、収容室内の真空度が低下する。そのため、真空度を正常値に戻すのに長時間減圧する必要があった。その結果、多くの電力を消費していた。
【０００５】
本発明の目的は、被乾燥体を減圧下で乾燥するときに、収容室内に残留した溶媒成分の影響を低減させて、膜の品質劣化を防ぐことが可能な乾燥方法、乾燥機、及びデバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の乾燥機は、機能液が塗布された被乾燥体を乾燥する乾燥機であって、前記被乾燥体を収容可能な収容室と、第１の減圧過程で、前記収容室を減圧する第１の減圧部と、前記被乾燥体を乾燥するための乾燥部と、第２の減圧過程で、前記収容室内を減圧する第２の減圧部と、前記被乾燥体を乾燥した後に、前記収容室をクリーニングするための除去部と、前記第１の減圧部と、前記乾燥部と、前記第２の減圧部と、前記除去部と、を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする。
【０００７】
この発明によれば、被乾燥体を乾燥する乾燥部と、収容室をクリーニングするための除去部とに構成されているから、分離されているので、収容室内の清浄度が低下すれば、収容室内を除去部でクリーニングすることができる。したがって、収容室内を常に清浄な状態に維持して被乾燥体を乾燥することができるから、安定した品質の膜を形成可能な乾燥機を提供できる。
【０００８】
本発明の乾燥機は、前記第１の減圧部には、第１の検出部を有しており、前記第１の検出部が、圧力、積算時間、処理枚数、を検出するための検出装置のうち、少なくとも一つの前記検出装置を備えていることが望ましい。
【０００９】
この発明によれば、圧力、積算時間、処理枚数、を検出するための検出装置を備えているから、収容室をクリーニング開始するための判断を定量的にできるので、精度が高い。
【００１０】
本発明の乾燥機は、前記第２の減圧部には、第２の検出部を有しており、前記第２の検出部が、圧力、ガス濃度、積算時間、を検出するための検出装置のうち、少なくとも一つの前記検出装置を備えていることが望ましい。
【００１１】
この発明によれば、圧力、ガス濃度、積算時間、を検出するための検出装置を備えているから、収容室をクリーニング終了するための判断を定量的にできるので、精度が高い。
【００１２】
本発明の乾燥機は、前記収容室を少なくとも２つ以上備えていることが望ましい。
【００１３】
この発明によれば、２つの収容室を乾燥とクリーニングとに交互に使用することが可能であるから、乾燥作業を途中で中断することなくほぼ連続的にできることになるので、生産性の高い乾燥機を提供できる。
【００１４】
本発明の乾燥機は、前記除去部に、赤外線ランプを備えていることが望ましい。
【００１５】
この発明によれば、赤外線ランプを加熱することで、収容室内の溶媒成分を加熱分解して、除去できるから、収容室をクリーニングすることが可能な乾燥機を提供できる。
【００１６】
本発明の乾燥機は、前記除去部に、プラズマ照射装置を備えていることが望ましい。
【００１７】
この発明によれば、プラズマ照射装置を作動してプラズマを発生させることで、収容室内の溶媒成分を分解して、揮発させることができるので、収容室をクリーニングすることが可能な乾燥機を提供できる。しかも、プラズマを高密度に照射できるから、短時間で収容室をクリーニングすることができるので、効率的である。
【００１８】
本発明の乾燥機は、前記除去部に、紫外線照射装置を備えていることが望ましい。
【００１９】
この発明によれば、紫外線照射装置を作動して紫外線を発生させることで、紫外線のエネルギーで収容室内の溶媒成分を分解して、除去させることができるので、収容室をクリーニングすることが可能な乾燥機を提供できる。収容室の除去面になるたけ近づけると、紫外線のエネルギーをできるだけ有効に活用できるので、効果は大きい。
【００２０】
本発明の乾燥機は、前記除去部に、ヒータを備えていることが望ましい。
【００２１】
この発明によれば、ヒータを加熱することで、収容室内の溶媒成分を加熱分解して、除去できるから、収容室をクリーニングすることが可能な乾燥機を提供できる。
【００２２】
本発明の乾燥機は、前記制御部が、前記収容室の減圧をする第１の減圧過程で少なくとも前記収容室内の圧力が許容値に達したら、前記除去部への通電を開始するように制御することを特徴とする。
【００２３】
この発明によれば、制御部が第１の減圧過程における収容室の圧力を検出することで、収容室内における溶媒成分の残渣の程度がわかるから、残渣が許容値を超えたら収容室のクリーニングを開始させることができる。
【００２４】
本発明の乾燥機は、前記制御部が、前記収容室の減圧をする第２の減圧過程で前記収容室内の圧力またはガス濃度のうち少なくとも一方が許容値に達したら、前記除去部への通電を停止するように制御することを特徴とする。
【００２５】
この発明によれば、制御部が第２の減圧過程における収容室内の圧力またはガス濃度のうち少なくとも一方を検出することで、収容室内における溶媒成分の残渣の程度がわかるから、残渣が許容値を超えたら収容室のクリーニングを停止させることができる。
【００２６】
本発明の乾燥方法は、機能液が塗布された被乾燥体の乾燥方法であって、前記被乾燥体を収容可能な収容室に収容して、前記収容室内を減圧させて前記被乾燥体を乾燥する乾燥工程と、前記収容室内の汚染度を検出する第１検出工程と、前記第１検出工程で得られた汚染度が許容値に達したら、除去部の通電をＯＮにして前記収容室のクリーニングをする工程と、前記除去部の通電状態で、前記収容室内の清浄度を検出する第２検出工程と、前記第２検出工程で得られた清浄度が許容値に達したら、前記除去部の通電をＯＦＦにして前記収容室のクリーニングを停止する工程と、を備えていることを特徴とする。
【００２７】
この発明によれば、除去部の通電をＯＮにするための第１検出工程における収容室内の汚染度の許容値と、除去部の通電をＯＦＦにするための第２検出工程における収容室内の清浄度とを予め決めておけばよいので、管理が簡単である。そして、清浄度の維持された状態で被乾燥体を乾燥すれば、品質の安定した塗布膜を形成できる。
【００２８】
本発明の乾燥方法は、前記第１検出工程では、圧力、積算時間、処理枚数、を検出するための検出方法のうち、少なくとも一つの前記検出方法を備えていることが望ましい。
【００２９】
この発明によれば、圧力、積算時間、処理枚数、を検出するための検出方法を備えているから、収容室をクリーニング開始するための判断を簡単にできる。
【００３０】
本発明の乾燥方法は、前記第２検出工程では、圧力、ガス濃度、積算時間、を検出するための検出方法のうち、少なくとも一つの前記検出方法を備えていることが望ましい。
【００３１】
この発明によれば、圧力、ガス濃度、積算時間、を検出するための検出方法を備えているから、収容室をクリーニング終了するための判断を簡単にできる。
【００３２】
本発明の乾燥方法は、前記クリーニングをする工程では、赤外線ランプで加熱して前記収容室をクリーニングすることが望ましい。
【００３３】
この発明によれば、赤外線ランプで収容室内を加熱することによって、収容室内に残った溶媒成分を蒸発させて除去できるから、収容室をきれいにクリーニングできる。
【００３４】
本発明の乾燥方法は、前記クリーニングをする工程では、プラズマを照射して前記収容室をクリーニングすることが望ましい。
【００３５】
この発明によれば、プラズマ照射装置で発生したプラズマを照射することによって、収容室内に残った溶媒成分を揮発させて除去できるから、収容室をきれいにクリーニングできる。
【００３６】
本発明の乾燥方法は、前記クリーニングをする工程では、紫外線を照射して前記収容室をクリーニングすることが望ましい。
【００３７】
この発明によれば、紫外線照射装置で発生した紫外線を照射することによって、収容室内に残った溶媒成分を分解させて除去できるから、収容室をきれいにクリーニングできる。
【００３８】
本発明の乾燥方法は、前記クリーニングをする工程では、ヒータで加熱して前記収容室をクリーニングすることが望ましい。
【００３９】
この発明によれば、ヒータで収容室を加熱することによって、収容室内に残った溶媒成分を分解させて除去できるから、収容室をきれいにクリーニングできる。
【００４０】
本発明のデバイスの製造方法は、液滴吐出法によって基板上に画素を形成するデバイスの製造方法であって、前述の乾燥方法を用いたことを特徴とする。
【００４１】
この発明によれば、収容室内の清浄度を向上させてから塗布膜の乾燥処理をするから、塗布膜の品質が安定する。そして、安定した品質が得られるデバイスの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の被乾燥体の乾燥方法、乾燥機、及びデバイスの製造方法について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。なお、被乾燥体としては基体上に液滴吐出法によって機能液が塗布された基板を例に挙げて説明する。
（第１実施形態）
【００４３】
図１は、乾燥機の全体構成を示す概略図である。同図（ａ）は、概略平面図であり、同図（ｂ）は、概略断面図である。
【００４４】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、乾燥機１００は、被乾燥体Ｑを乾燥させるための乾燥部１１０と、赤外線ランプ１２１を有する除去部１２０と、チャンバ１１２を搬送可能な移動装置１３０と、乾燥機１００を操作するための操作パネル１４０とで構成されている。
【００４５】
乾燥部１１０は、被乾燥体Ｑを積載するための積載台１１１と、引っ掛け部１１３を備えたチャンバ１１２と、チャンバ１１２（収容室１１８）内を減圧するための第１の減圧部としての減圧ポンプ１０２と、チャンバ１１２（収容室１１８）内の圧力を検出するための第１検出部としての圧力センサ１１４と、で構成されている。被乾燥体Ｑは、基板Ｐ上に機能液Ｌが塗布されて形成されている。
【００４６】
減圧ポンプ１０２を作動させると、チャンバ１１２（収容室１１８）内を大気圧から減圧することができる。減圧ポンプ１０２は、台１０４の上に配置されている。排気ガスを排気するための排気ダクト１０６が、図示しない方法で減圧ポンプ１０２と接続されている。台１０４は、図示しない方法で架台１０１に固定されている。
【００４７】
また、圧力センサ１１４は、図示しない方法で減圧ポンプ１０２の配管に固定されている。
【００４８】
除去部１２０は、引っ掛け部１１３を備えたチャンバ１１２と、チャンバ１１２を加熱する赤外線ランプ１２１と、チャンバ１１２（収容室１１９）内を減圧するための第２の減圧部としての減圧ポンプ１０３と、チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力を検出するための第２検出部としての圧力センサ１１５と、チャンバ１１２（収容室１１９）内の溶媒の濃度を検出するためのガス濃度センサ１１６とで構成されている。また、赤外線ランプ１２１の近傍には、チャンバ１１２（収容室１１９）内の温度を監視するための熱電対１２９が、配置されている。
【００４９】
チャンバ１１２（収容室１１９）内を減圧するためには、減圧ポンプ１０３を作動させてチャンバ１１２（収容室１１９）内を大気圧から減圧していく。この減圧ポンプ１０３は、台１０５の上に配置されている。また、この減圧ポンプ１０３を作動させると、チャンバ１１２（収容室１１９）内に存在する溶媒が、乾燥機１００の外側に排気されるように構成されている。そして、減圧ポンプ１０３が作動することで、チャンバ１１２（収容室１１９）内が減圧される。また、赤外線ランプ１２１の通電をＯＮにすることによって、チャンバ１１２（収容室１１９）内が加熱される。溶媒を排気するための排気ダクト１０７が、図示しない方法で減圧ポンプ１０３と接続されている。台１０５は、図示しない方法で架台１０１に固定されている。
【００５０】
移動装置１３０は、チャンバ１１２を上下方向（Ｚ方向）に移動させるための図示しない空圧シリンダと、チャンバ１１２を回転方向（Ｒ方向）に移動させて、赤外線ランプ１２１の上にかぶせるための図示しない空圧シリンダとを有する。移動装置１３０は、フック部１３１を備えている。このフック部１３１をチャンバ１１２に備えた引っ掛け部１１３に引っ掛けて、図示しない空圧シリンダを作動させればチャンバ１１２を移動させることができるように構成されている。
【００５１】
さらに、乾燥機１００は、この乾燥機１００を操作するための操作パネル１４０が、図示しない方法で架台１０１に固定されている。
【００５２】
図２は、乾燥機１００の制御系のブロック図である。図２に示すように、操作パネル１４０、入出力装置１４１、制御部１４２の各機器は、入出力インターフェイス１４３及びバス１４４を介してＣＰＵ１４５と、ＲＡＭ１４６とに接続されている。そして、入出力装置１４１には、第１減圧ポンプ１０２、第１圧力センサ１１４、移動装置１３０、第２減圧ポンプ１０３、第２圧力センサ１１５、ガス濃度センサ１１６とが接続されている。制御部１４２には、赤外線ランプ１２１、熱電対１２９とが接続されている。
【００５３】
入出力装置１４１は、図示しない駆動回路やＡＤ変換器などで構成されており、第１圧力センサ１１４、第２圧力センサ１１５、ガス濃度センサ１１６で検出された値を入出力装置１４１に入力できる。また、入出力装置１４１は、第１減圧ポンプ１０２、第２減圧ポンプ１０３、移動装置１３０を駆動するための出力ができる。さらに、移動装置１３０には、バルブ、センサ、空圧シリンダなどを作動するためのスイッチなどを備えている。
【００５４】
本実施形態における乾燥機１００の構成は以上のようであって、乾燥機１００を使用して、被乾燥体Ｑを乾燥する乾燥方法について説明する。図３は、乾燥機１００の動作手順を示す概略フローチャートである。
【００５５】
作業開始の指示をすると、ＣＰＵ１４５は、入出力装置１４１に信号を送り、基板Ｐ上に塗布された液滴Ｌに対して減圧下で乾燥処理を施す（図１（ａ）（ｂ）参照）。より具体的な乾燥方法について、詳細を以下に記す。
【００５６】
被乾燥体Ｑを積載台１１１の上に載せて、その上からチャンバ１１２をかぶせる。そこで、図３のステップＳ１に示すように、乾燥機１００に備えられた操作パネル１４０を操作して、第１減圧ポンプ１０２の通電をＯＮにして、チャンバ１１２（収容室１１８）内を減圧する。チャンバ１１２（収容室１１８）内を減圧すると、液滴Ｌに含まれる溶媒が蒸発していき、蒸発した溶媒は、排気ダクト１０６を通して乾燥機１００の外部へ排気される。所定の時間が経過すると、基板Ｐ上に塗布された液滴Ｌが乾燥し、塗布膜が形成される。被乾燥体Ｑを乾燥させる方法は、常温で減圧しながら乾燥させる減圧乾燥である。なお、減圧乾燥は、加熱できない物に対して有効であり、低温で乾燥させたい場合に用いられる。また、減圧乾燥は、揮発しにくい（蒸気圧の低い）溶媒を揮発させることができる。
【００５７】
次に、図３のステップＳ２に示すように、チャンバ１１２（収容室１１８）内の圧力を第１圧力センサ１１４で検出して、チャンバ１１２（収容室１１８）内の圧力が一定時間で設定圧力に達するかどうか判定する。
【００５８】
次に、図３のステップＳ３に示すように、ステップＳ２の判定結果、チャンバ１１２（収容室１１８）内の圧力が一定時間で設定圧力に達すれば、第１減圧ポンプ１０２の圧力制御を停止させてチャンバ１１２（収容室１１８）内を昇圧させて、乾燥機１００を停止させる。そして、被乾燥体Ｑの乾燥作業を繰り返し実施する。被乾燥体Ｑの乾燥作業を繰り返し行うと、チャンバ１１２（収容室１１８）内に溶媒の残渣が徐々に多くなり、チャンバ１１２（収容室１１８）内の清浄度が劣化していく。チャンバ１１２（収容室１１８）内の汚染度と、圧力とは対応しており、清浄度が劣化（溶媒の残渣）すると、圧力が低下しにくくなる。なお、あらかじめチャンバ１１２（収容室１１８）内の圧力をある値に設定しておけば、汚染度の程度を把握するのに役に立つ。また、圧力は定量的に把握できるから精度が高い。しかも、簡単に表示できる。そして、チャンバ１１２（収容室１１８）内の圧力は、基板Ｐの大きさ、厚さ、材質、または液滴Ｌの塗布量、液滴Ｌに含まれる溶媒の量などの条件よって異なる。また、被乾燥体Ｑの要求品質（乾燥状態など）によっても変わる。そして、被乾燥体Ｑの乾燥処理可能な枚数は、基板Ｐの大きさ、厚さ、材質、または液滴Ｌの塗布量、液滴Ｌに含まれる溶媒の量などの条件によって異なる。
【００５９】
次に、図３のステップＳ４に示すように、ステップＳ２の判定結果でチャンバ１１２（収容室１１８）内の圧力が一定時間で設定圧力に達しなくなると、清浄度が劣化（溶媒の残渣）してきたことを示す。これは、溶媒の残渣の影響で、継続して被乾燥体Ｑを乾燥することができない状態を示し、チャンバ１１２（収容室１１８）内のクリーニングを開始しなければならない。そこで、第１減圧ポンプ１０２の圧力制御を停止させてチャンバ１１２（収容室１１８）内を昇圧して、大気開放する。大気開放すれば、チャンバ１１２をクリーニングできる。なお、チャンバ１１２内のクリーニングを開始するタイミングは、被乾燥体Ｑの要求品質や、基板Ｐの大きさ、厚さ、材質、または液滴Ｌの塗布量、液滴Ｌに含まれる溶媒の量などの条件によって異なるから、第１圧力センサ１１４には、その条件に応じて異なる圧力の値を設定することになる。
【００６０】
次に、図３のステップＳ５に示すように、チャンバ１１２を移動させる。チャンバ１１２の移動は、図示しない空圧シリンダによって移動装置１３０を下方向（Ｚ方向）に移動させて、移動装置１３０に備えたフック部１３１をチャンバ１１２に備えた引っ掛け部１１３に引っ掛ける。そして、図示しない空圧シリンダによって上方向（Ｚ方向）に持ち上げる。さらに、図示しない空圧シリンダによってチャンバ１１２を旋回方向（Ｒ方向）に旋回、下方向（Ｚ方向）に下げて、乾燥部１１０から除去部１２０へ移動させる。
【００６１】
次に、図３のステップＳ６に示すように、第２減圧ポンプ１０３の通電をＯＮにして、チャンバ１１２（収容室１１９）内を減圧する。チャンバ１１２（収容室１１９）内を減圧することで、積極的に溶媒を除去できる。なお、減圧時の圧力、溶媒の種類や、塗布量などによって適宜変更する。また、第２減圧ポンプ１０３には、減圧時にドライエアーあるいは窒素ガスなどの不活性ガスを導入しても構わない。
【００６２】
次に、図３のステップＳ７に示すように、赤外線ランプ１２１の通電をＯＮにして、チャンバ１１２を加熱する。チャンバ１１２を加熱することで、積極的に溶媒を除去できる。なお、加熱温度は、溶媒の種類や、塗布量などによって適宜変更する。また、赤外線ランプ１２１の近傍に配置されている熱電対１２９を用いて、チャンバ１１２（収容室１１９）内の温度が設定範囲を超えないように監視、制御する。
【００６３】
次に、図３のステップＳ８に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力が設定圧力まで下がったかを第２圧力センサ１１５で検出する。チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力が設定圧力に下がらなければ、減圧と加熱とを継続して実施する。チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力が設定圧力に下がれば、次のステップに進む。
【００６４】
次に、図３のステップＳ９に示すように、赤外線ランプ１２１の通電をＯＦＦにして、チャンバ１１２の加熱を停止する。
【００６５】
次に、図３のステップＳ１０に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内がある温度まで下がったかを熱電対１２９で検出する。チャンバ１１２（収容室１１９）内の温度が、設定した温度以下に下がるまで待ち、温度が下がれば、次のステップに進む。
【００６６】
最後に、図３のステップＳ１１に示すように、第２減圧ポンプ１０３の通電をＯＦＦにして、チャンバ１１２（収容室１１９）内を昇圧させる。チャンバ１１２（収容室１１９）内の溶媒を除去することによって、チャンバ１１２はきれいにクリーニングできる。そして、チャンバ１１２を除去部１２０から乾燥部１１０へ移動すれば、被乾燥体Ｑの乾燥作業を継続してできる。
【００６７】
次に、チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力を検出する方法に変えて、ガスの濃度を検出する方法について説明する。
【００６８】
図４は、ガス濃度センサ１１６を使用した場合の乾燥機１００の動作手順を示す概略フローチャートである。なお、ステップＳ１〜Ｓ７およびステップＳ９〜Ｓ１１は、図３のステップＳ２１〜Ｓ２７およびステップＳ３０〜Ｓ３２と同一であるので、説明を省略する。ステップＳ２８、Ｓ２９について説明する。
【００６９】
図４のステップＳ２８に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内から排気された排気ガス組成分析を開始する。
【００７０】
次に、図４のステップＳ２９に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内のガス濃度が設定濃度まで下がったかをガス濃度センサ１１６で検出する。ガス濃度が設定濃度に下がらなければ、減圧と加熱とを継続して実施する。ガス濃度が設定濃度に下がれば、次のステップに進む。なお、ガス濃度センサ１１６は、例えばガス分析計ＦＴ−ＩＲなどを用いたものである。
【００７１】
なお、図１に示すチャンバ１１２（収容室１１９）内の温度を検出するための熱電対１２９と、加熱するための赤外線ランプ１２１と接続されている制御部１４２は、熱電対１２９の検出結果によって、温度を演算してチャンバ１１２（収容室１１９）内の温度を制御する。そして、第１圧力センサ１１４、第１減圧ポンプ１０２、第２圧力センサ１１５、第２減圧ポンプ１０３と接続されている入出力装置１４１は、第１圧力センサ１１４によって、チャンバ１１２（収容室１１８）内の圧力を検出する。同様に、第２圧力センサ１１５によって、チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力を検出する。また、入出力装置１４１は、ガス濃度センサ１１６によって、チャンバ１１２（収容室１１９）内のガス濃度を検出する。これらの機能を、ＣＰＵ１４５を用いるプログラムソフトによって実現している。また、ＲＡＭ１４６は、乾燥機１００の動作の制御手順が記述されたプログラムソフトを記憶する記憶領域や、チャンバ１１２（収容室１１８、１１９）内の温度や圧力、ガス濃度などのデータを記録できる。
【００７２】
次に、液晶表示装置の概略について説明する。
【００７３】
図５は、デバイスとしての液晶表示装置５０の概略を示す断面図である。図５に示すように、液晶表示装置５０は、ガラスや、プラスチックなどからなる矩形平板形状の基板５２と、基板５４とがシール材およびスペーサ（図示省略）を介して対向配置されている。この基板５２と、基板５４との間にＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶等からなる液晶５６が挟持されている。
【００７４】
基板５２と液晶５６との間には、基板５２側から順に、複数のセグメント電極５８および配向膜６０が形成されている。セグメント電極５８は、図５に示すように、ストライプ状に形成されており、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍｕ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜により形成されている。また、配向膜６０は、ポリイミド樹脂等により形成されている。
【００７５】
基板５４と液晶５６との間には、基板５４側から順に、カラーフィルタ６２、オーバーコート膜６６、コモン電極６８および配向膜７０が形成されている。カラーフィルタ６２は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色素層６２ｒ、６２ｇ、６２ｂから構成されている。カラーフィルタ６２を構成する各色素層６２ｒ、６２ｇ、６２ｂの間（境界）には、樹脂ブラックや、光の反射率が低いクロム（Ｃｒ）等の金属により構成されるブラックマトリックス６４が形成されている。なお、カラーフィルタ６２を構成する各色素層６２ｒ、６２ｇ、６２ｂは、基板５２に形成されているセグメント電極５８に対向して配置されている。
【００７６】
また、オーバーコート膜６６は、各色素層６２ｒ、６２ｇ、６２ｂ間の段差を平坦化するとともに各色素層６２ｒ、６２ｇ、６２ｂの表面を保護するものである。アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン酸化膜などの無機膜により形成されている。また、コモン電極６８は、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成されており、基板５２に形成されているセグメント電極５８と直交する位置にストライプ状に形成されている。また、配向膜７０は、ポリイミド樹脂等により形成されている。
【００７７】
次に、セグメント電極５８が形成された基板５２またはカラーフィルタ６２、ブラックマトリックス６４、オーバーコート膜６６およびコモン電極６８が形成された基板５４に対する配向膜６０、７０の形成方法について説明する。
【００７８】
図６は、液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００７９】
図６に示すように、液晶表示装置５０の配向膜６０、７０の製造方法は、基板洗浄工程、配向膜材料塗布工程、減圧乾燥工程、焼成工程とから概略構成される。
【００８０】
図６のステップＳ２０１に示すように、例えばセグメント電極５８が形成された基板５２をアルカリ系洗剤や、純水などを用いて洗浄する。洗浄された基板５２は、所定の温度および時間、例えば、８０〜９０℃で５〜１０分間乾燥させる処理が行われる。
【００８１】
次に、図６のステップＳ２０２に示すように、配向膜材料を基板５２に塗布する。なお、配向膜材料の組成は、溶媒（γブチルラクトン）が９８％で、固形分（ポリイミド）が２％である。配向膜材料を塗布するには液滴吐出装置を用いて行い、所定の描画領域に所定の量の配向膜材料を配置させることができる。
【００８２】
ここで、液滴吐出法の吐出技術は様々あるが、オンデマンドで微細な配線パターンが形成可能であるので、インクジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。ここで、帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００８３】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。
【００８４】
以上説明した液滴吐出装置は、本発明に係る配置方法や製造方法において用いることができるものであるが、本発明はこれに限られることはなく、液滴を吐出し、所定の着弾予定位置に着弾させることができるものであれば、如何なる方法および装置を用いることも可能である。例えば、スピンコート法や、スリットコート法、ディスペンス法、印刷法などの方法で配向膜材料を塗布してもよい。
【００８５】
次に、図６のステップＳ２０３に示すように、基板５２に塗布された配向膜材料を、例えば、図１に示す乾燥機１００を用いて、常温下における減圧乾燥処理を行う。処理時間は、配向膜材料を減圧乾燥させて配向膜材料に含まれる溶媒を蒸発させるのに適当な時間でよい。なお、処理時間はこの範囲にこだわることはなく、配向膜材料の種類や、その塗布量などによって適宜変更してもよい。
【００８６】
最後に、図６のステップＳ２０４に示すように、配向膜材料を焼成する。例えば、温度が１８０〜２５０℃の温度範囲で処理を行い、配向膜材料を完全に固化若しくは硬化させて配向膜６０を形成する。この焼成処理の温度は、配向膜材料の組成等によって適宜に決定できる。また、特に高温に加熱することなく、単に通常とは異なる雰囲気（窒素ガス中や乾燥空気中等）などで乾燥若しくはエージングさせるだけでもよい。そして、組立装置（図示省略）において、セグメント電極５８、配向膜６０が形成された基板５２は、カラーフィルタ６２、ブラックマトリックス６４、オーバーコート膜６６およびコモン電極６８および配向膜７０が形成された基板５４と貼り合わせられる。そして、基板５２と基板５４との間に液晶５６が注入されることにより、図５に示す液晶表示装置５０ができる。
【００８７】
以上のような第１実施形態では、次のような効果が得られる。
【００８８】
（１）乾燥機１００は、被乾燥体Ｑを乾燥する乾燥部１１０と、チャンバ１１２（収容室１１９）内をクリーニングするための除去部１２０とで構成されているから、分離されているので、チャンバ１１２（収容室１１８）内の清浄度が低下すれば、除去部１２０でクリーニングすることができる。したがって、チャンバ１１２（収容室１１８）内を常に清浄な状態に維持して被乾燥体Ｑを乾燥することができるから、安定した品質の膜を形成可能な乾燥機１００を提供できる。
（２）乾燥機１００は、圧力を検出するための検出装置としての第１圧力センサ１１４を備えているから、チャンバ１１２（収容室１１９）内をクリーニング開始するための判断を定量的にできるので、精度が高い。しかも、簡単である。
（３）乾燥機１００は、圧力を検出するための検出装置としての第２圧力センサ１１５または、ガス濃度を検出するための検出装置としてガス濃度センサ１１６を備えているから、収容室をクリーニング終了するための判断を定量的にできるので、精度が高い。しかも、簡単である。
（４）乾燥機１００は、２つの収容室１１８、１１９を備えていて、乾燥とクリーニングとを交互に行うことができるから、乾燥作業を途中で中断することなく、ほぼ連続的に実施できるので、生産性を向上させることができる。
（５）乾燥機１００は、赤外線ランプ１２１を備えていて、チャンバ１１２を加熱することによって、チャンバ１１２の内壁に付着した溶媒成分や、有機物を加熱分解して、除去できるから、チャンバ１１２（収容室１１９）をクリーニングすることができる。
（６）制御部１４２が、第１の減圧過程におけるチャンバ１１２（収容室１１８）内の圧力値を検出することで、溶媒成分の残渣の程度がわかるから、残渣が許容値を超えたらクリーニングを開始させることができる。圧力値を定量的に検出するから、精度が高い。しかも、簡単である。
（７）制御部１４２は、第２の減圧過程におけるチャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力値またはガス濃度を検出することで、溶媒成分の残渣の程度がわかるから、残渣が許容値を超えたらクリーニングを停止させることができる。圧力値またはガス濃度の値を定量的に検出するから、精度が高い。しかも、簡単である。
（８）制御部１４２に、除去部１２０の通電をＯＮにするための第１検出工程における圧力の許容値と、除去部１２０の通電をＯＦＦにするための第２検出工程における圧力の許容値とを予め決めておけばよいので、管理が簡単である。そして、清浄度の維持された状態で被乾燥体Ｑを乾燥すれば、品質の安定した塗布膜を形成できる。
（９）塗布膜の形成方法は、チャンバ１１２（収容室１１８、１１９）をきれいにクリーニングしてから被乾燥体Ｑを乾燥処理するから、塗布膜の品質を安定させることができる。そして、安定した品質が得られるデバイスの製造方法を提供できる。
（第２実施形態）
【００８９】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、前述の第１実施形態における除去部の構成が異なるものであって、赤外線ランプに変えてプラズマ照射装置を備えている点が異なる。なお、乾燥機は、前述の第１実施形態とほぼ同様の構成なので、異なる箇所について簡単に説明をする。
【００９０】
図７は、本実施形態の乾燥機の全体構成を示す概略図である。同図（ａ）は、概略平面図であり、同図（ｂ）は、概略断面図である。
【００９１】
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、乾燥機１００は、被乾燥体Ｑを乾燥させるための乾燥部１１０と、プラズマ照射装置１２２を有する除去部１２０と、チャンバ１１２を搬送可能な移動装置１３０と、乾燥機１００を操作するための操作パネル１４０とで構成されている。なお、第１実施形態とは異なり、チャンバ１１２を加熱しない。
【００９２】
プラズマ照射装置１２２は、図示しない放電用電源と接続されており、高周波放電が可能である。例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波放電ができる。また、プラズマ照射装置１２２と、チャンバ１１２とは絶縁されている（図示省略）。
【００９３】
図８は、乾燥機１００の制御系のブロック図である。図８に示すように、操作パネル１４０、入出力装置１４１、制御部１４２の各機器は、入出力インターフェイス１４３及びバス１４４を介してＣＰＵ１４５と、ＲＡＭ１４６とに接続されている。そして、入出力装置１４１には、第１減圧ポンプ１０２、第１圧力センサ１１４、移動装置１３０、第２減圧ポンプ１０３、第２圧力センサ１１５、ガス濃度センサ１１６とが接続されている。制御部１４２には、プラズマ照射装置１２２が接続されている。
【００９４】
本実施形態における乾燥機１００の構成は以上のようであって、乾燥機１００を使用して、被乾燥体Ｑを乾燥する乾燥方法について説明する。
【００９５】
図９は、乾燥機１００の動作手順を示す概略フローチャートである。なお、ステップＳ４１〜Ｓ４６は、図３のステップＳ１〜Ｓ６と同一であるので、説明を省略する。ここでは、第１実施形態と内容の異なるステップＳ４７〜Ｓ５０について説明する。
【００９６】
図９のステップＳ４７に示すように、プラズマ照射装置１２２の通電をＯＮにして、チャンバ１１２の内壁にプラズマを照射する。チャンバ１１２の内壁をプラズマ照射することで、チャンバ１１２の内壁に付着した溶媒や、有機物を積極的に分解、揮発させることができる。同様に、無機成分を含んだ付着物も除去できる。本実施形態では、プラズマ照射装置１２２にはＯ2ガスを導入したが、これにこだわることはなく、その他のガスを導入してもかまわない。溶媒の種類や、塗布量などによって適宜変更してもよい。例えば、Ａｒガス、Ｈｅガスなどの不活性ガスや、ＣＦ4などのフッ素系ガス、塩素系ガスなどのエッチング用ガスを使用してもよい。Ｏ2ガスにエッチング用ガスを添加すれば、有機物との反応が促進されるので、クリーニング効果をより向上させることができる。したがって、クリーニングする時間を短縮できるので、効率的である。また、１３．５６ＭＨｚの高周波放電のプラズマを利用すれば、直流放電よりも高密度プラズマが形成されるので、より効果的である。
【００９７】
図９のステップＳ４８に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力が設定圧力まで下がったかを第２圧力センサ１１５で検出する。圧力が設定圧力に下がらなければ、減圧とプラズマ照射とを継続して実施する。圧力が設定圧力に下がれば、次のステップに進む。
【００９８】
次に、図９のステップＳ４９に示すように、プラズマ照射装置１２２の通電をＯＦＦにして、チャンバ１１２（収容室１１９）内のプラズマ照射を停止する。
【００９９】
最後に、図９のステップＳ５０に示すように、第２減圧ポンプ１０３の通電をＯＦＦにして、チャンバ１１２（収容室１１９）内を昇圧する。チャンバ１１２（収容室１１９）内は、溶媒を除去することによって、きれいにクリーニングされている。そして、チャンバ１１２を除去部１２０から乾燥部１１０へ移動すれば、被乾燥体Ｑの乾燥作業を再開できる。
【０１００】
次に、チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力を検出する方法に変えて、ガスの濃度を検出する方法について説明する。
【０１０１】
図１０は、ガス濃度センサ１１６を使用した場合の乾燥機１００の動作手順を示す概略フローチャートである。なお、ステップＳ５１〜Ｓ５７およびステップＳ６０、Ｓ６１は、図９のステップＳ４１〜Ｓ４７およびステップＳ４９、Ｓ５０と同一であるので、説明を省略する。ステップＳ５８、Ｓ５９について説明する。
【０１０２】
図１０のステップＳ５８に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内から排気された排気ガス組成分析を開始する。
【０１０３】
次に、図１０のステップＳ５９に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内のガス濃度が設定濃度まで下がったかをガス濃度センサ１１６で検出する。ガス濃度が設定濃度に下がらなければ、減圧とプラズマ照射とを継続して実施する。ガス濃度が設定濃度に下がれば、次のステップに進む。なお、ガス濃度センサ１１６は、例えばガス分析計ＦＴ−ＩＲなどを用いたものである。
【０１０４】
以上のような第２実施形態では、以下の効果が得られる。
【０１０５】
（１０）プラズマ照射装置１２２で発生させたプラズマをチャンバ１１２の内壁に照射させることによって、チャンバ１１２の内壁に付着した溶媒成分や、有機物を揮発させて除去できるので、チャンバ１１２（収容室１１８、１１９）内をきれいにクリーニングできる。きれいにクリーニングされたチャンバ１１２（収容室１１８、１１９）内で被乾燥体Ｑを乾燥すれば、品質の安定した塗布膜を形成できる。しかも、チャンバ１１２（収容室１１９）を加熱しないから、チャンバ１１２を加熱する場合に比べて冷却時間を必要としないから、短時間でできるので、効率的である。
（第３実施形態）
【０１０６】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態は、前述の第１実施形態および第２実施形態における除去部の構成が異なるものであって、赤外線ランプまたはプラズマ照射装置に変えて紫外線照射装置を備えている点が異なる。なお、乾燥機は、前述の第１実施形態および第２実施形態とほぼ同様の構成なので、異なる箇所について簡単に説明をする。
【０１０７】
図１１は、本実施形態の乾燥機の全体構成を示す概略図である。同図（ａ）は、概略平面図であり、同図（ｂ）は、概略断面図である。
【０１０８】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、乾燥機１００は、被乾燥体Ｑを乾燥させるための乾燥部１１０と、紫外線照射装置１２３を有する除去部１２０と、チャンバ１１２を搬送可能な移動装置１３０と、乾燥機１００を操作するための操作パネル１４０とで構成されている。紫外線照射装置１２３の内部には紫外線ランプ１２３Ｌが複数配置されている。なお、第２実施形態と同様に、チャンバ１１２を加熱しない。
【０１０９】
紫外線照射装置１２３は、例えば、紫外線ランプ１２３Ｌとしてエキシマランプを使用しており、紫外線の波長が１７２ｎｍである。紫外線の波長が２００ｎｍ以下の短波長であれば、紫外線のエネルギーが高いので、付着した有機物の分解・除去には、より効果がある。また、紫外線ランプ１２３Ｌをチャンバ１１２により近づけることによって、紫外線のエネルギー損失を低減することができるので、より効果が大きい。例えば、チャンバ１１２と、紫外線ランプ１２３Ｌとの間隔は、５ｍｍ以下になっていることが好ましい。
【０１１０】
図１２は、乾燥機１００の制御系のブロック図である。図１２に示すように、操作パネル１４０、入出力装置１４１、制御部１４２の各機器は、入出力インターフェイス１４３及びバス１４４を介してＣＰＵ１４５と、ＲＡＭ１４６とに接続されている。そして、入出力装置１４１には、第１減圧ポンプ１０２、第１圧力センサ１１４、移動装置１３０、第２減圧ポンプ１０３、第２圧力センサ１１５、ガス濃度センサ１１６とが接続されている。制御部１４２には、紫外線照射装置１２３が接続されている。
【０１１１】
本実施形態における乾燥機１００の構成は以上のようであって、乾燥機１００を使用して、被乾燥体Ｑを乾燥する乾燥方法について説明する。
【０１１２】
図１３は、乾燥機１００の動作手順を示す概略フローチャートである。なお、ステップＳ７１〜Ｓ７６およびステップＳ８０は、図９のステップＳ４１〜Ｓ４６およびステップＳ５０と同一であるので、説明を省略する。ここでは、第２実施形態と内容の異なるステップＳ７７、Ｓ７８、Ｓ７９について説明する。
【０１１３】
図１３のステップＳ７７に示すように、紫外線照射装置１２３の通電をＯＮにして、チャンバ１１２の内壁に紫外線を照射する。チャンバ１１２の内壁を紫外線照射することで、チャンバ１１２の内壁に付着した溶媒や、有機物を分解、除去させることができる。なお、酸素雰囲気中で紫外線を照射すれば、紫外線とオゾンとの相乗作用によって、溶媒や、有機物を分解、除去するのにより効果的である。
【０１１４】
図１３のステップＳ７８に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力が設定圧力まで下がったかを第２圧力センサ１１５で検出する。圧力が設定圧力に下がらなければ、減圧と紫外線照射とを継続して実施する。圧力が設定圧力に下がれば、次のステップに進む。
【０１１５】
次に、図１３のステップＳ７９に示すように、紫外線照射装置１２３の通電をＯＦＦにして、チャンバ１１２（収容室１１９）内の紫外線照射を停止する。
【０１１６】
次に、チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力を検出する方法に変えて、ガスの濃度を検出する方法について説明する。
【０１１７】
図１４は、ガス濃度センサ１１６を使用した場合の乾燥機１００の動作手順を示す概略フローチャートである。なお、ステップＳ８１〜Ｓ８７およびステップＳ９０、Ｓ９１は、図１３のステップＳ７１〜Ｓ７７およびステップＳ７９、Ｓ８０と同一であるので、説明を省略する。ステップＳ８８、Ｓ８９について説明する。
【０１１８】
図１４のステップＳ８８に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内から排気された排気ガス組成分析を開始する。
【０１１９】
次に、図１４のステップＳ８９に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内のガス濃度が設定濃度まで下がったかをガス濃度センサ１１６で検出する。ガス濃度が設定濃度に下がらなければ、減圧と紫外線照射とを継続して実施する。ガス濃度が設定濃度に下がれば、次のステップに進む。なお、ガス濃度センサ１１６は、例えばガス分析計ＦＴ−ＩＲなどを用いたものである。
【０１２０】
以上のような第３実施形態では、以下の効果が得られる。
【０１２１】
（１１）紫外線照射装置１２３で発生させた紫外線をチャンバ１１２（収容室１１９）の内壁に照射することによって、チャンバ１１２の内壁に付着した溶媒成分や、有機物を紫外線の洗浄効果によって除去できるから、チャンバ１１２（収容室１１９）内をきれいにクリーニングできる。さらに、Ｏ2雰囲気中で紫外線を照射すれば、紫外線とオゾンとの相乗作用で、より、クリーニング効果は高い。きれいにクリーニングされたチャンバ１１２（収容室１１８、１１９）内で被乾燥体Ｑを乾燥すれば、品質の安定した塗布膜を形成できる。なお、チャンバ１１２（収容室１１９）を加熱しないから、チャンバ１１２を加熱する場合に比べて冷却時間を必要としないので、短時間でできるので、効率的である。
（第４実施形態）
【０１２２】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。第４実施形態は、前述の第１実施形態、第２実施形態および第３実施形態における除去部の構成が異なるものであって、赤外線ランプ、プラズマ照射装置または紫外線照射装置に変えてヒータを備えている点が異なる。なお、乾燥機は、前述の第１実施形態、第２実施形態および第３実施形態とほぼ同様の構成なので、異なる箇所について簡単に説明をする。
【０１２３】
図１５は、本実施形態の乾燥機の全体構成を示す概略図である。同図（ａ）は、概略平面図であり、同図（ｂ）は、概略断面図である。
【０１２４】
図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、乾燥機１００は、被乾燥体Ｑを乾燥させるための乾燥部１１０と、ヒータ１２４を有する除去部１２０と、チャンバ１１２を搬送可能な移動装置１３０と、乾燥機１００を操作するための操作パネル１４０とで構成されている。なお、ヒータ１２４は、チャンバ１１２の周囲を取り囲むように、その外周に配置されている。
【０１２５】
ヒータ１２４は、図示しない加熱用電源と接続されており、チャンバ１１２（収容室１１９）を外部から加熱することが可能である。
【０１２６】
図１６は、乾燥機１００の制御系のブロック図である。図１６に示すように、操作パネル１４０、入出力装置１４１、制御部１４２の各機器は、入出力インターフェイス１４３及びバス１４４を介してＣＰＵ１４５と、ＲＡＭ１４６とに接続されている。そして、入出力装置１４１には、第１減圧ポンプ１０２、第１圧力センサ１１４、移動装置１３０、第２減圧ポンプ１０３、第２圧力センサ１１５、ガス濃度センサ１１６とが接続されている。制御部１４２には、ヒータ１２４、熱電対１２９とが接続されている。
【０１２７】
本実施形態における乾燥機１００の構成は以上のようであって、乾燥機１００を使用して、被乾燥体Ｑを乾燥する乾燥方法について説明する。
【０１２８】
図１７は、乾燥機１００の動作手順を示す概略フローチャートである。なお、ステップＳ１０１〜Ｓ１０６およびステップＳ１０８、Ｓ１１０、Ｓ１１１は、図３のステップＳ１〜Ｓ６およびステップＳ８、Ｓ１０、Ｓ１１と同一であるので、説明を省略する。ここでは、第１実施形態と内容の異なるステップＳ１０７、Ｓ１０９について説明する。
【０１２９】
図１７のステップＳ１０７に示すように、ヒータ１２４の通電をＯＮにして、チャンバ１１２を加熱する。チャンバ１１２を加熱することで、チャンバ１１２の内壁に付着した溶媒や、有機物を分解、除去させることができる。なお、加熱温度は１００〜１５０℃の範囲に設定して実施したが、これにこだわることはなく、溶媒の種類や、塗布量などによって適宜変更してもよい。また、熱電対１２９を用いて、チャンバ１１２（収容室１１９）内の温度が設定範囲を超えないように監視、制御する。
【０１３０】
図１７のステップＳ１０９に示すように、ヒータ１２４の通電をＯＦＦにして、チャンバ１１２の加熱を停止する。
【０１３１】
次に、チャンバ１１２（収容室１１９）内の圧力を検出する方法に変えて、ガスの濃度を検出する方法について説明する。
【０１３２】
図１８は、ガス濃度センサ１１６を使用した場合の乾燥機１００の動作手順を示す概略フローチャートである。なお、ステップＳ１２１〜Ｓ１２７およびＳ１３０〜Ｓ１３２は、図１７のステップＳ１０１〜Ｓ１０７およびＳ１０９〜Ｓ１１１と同一であるので、説明を省略する。ステップＳ１２８、Ｓ１２９について説明する。
【０１３３】
図１８のステップＳ１２８に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内から排気された排気ガス組成分析を開始する。
【０１３４】
次に、図１８のステップＳ１２９に示すように、チャンバ１１２（収容室１１９）内のガス濃度が設定濃度まで下がったかをガス濃度センサ１１６で検出する。ガス濃度が設定濃度に下がらなければ、減圧と加熱とを継続して実施する。ガス濃度が設定濃度に下がれば、次のステップに進む。なお、ガス濃度センサ１１６は、例えばガス分析計ＦＴ−ＩＲなどを用いたものである。
【０１３５】
以上のような第４実施形態では、以下の効果が得られる。
【０１３６】
（１２）ヒータ１２４で外部からチャンバ１１２（収容室１１９）内を加熱すると、チャンバ１１２の内壁に付着した溶媒成分や、有機物を加熱分解して、除去できるので、チャンバ１１２（収容室１１９）内をきれいにクリーニングできる。きれいにクリーニングされたチャンバ１１２（収容室１１８、１１９）内で被乾燥体Ｑを乾燥すれば、品質の安定した塗布膜を形成できる。
【０１３７】
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
【０１３８】
（変形例１）前述の第１実施形態又は第４実施形態で、チャンバ１１２を加熱し、クリーニングをしてから自然冷却をしたが、これに限らない。例えばチャンバ１１２の周囲にチラーなどの冷却装置を設けてもよい。このようにすれば、積極的にチャンバ１１２を冷却することができるから、より短時間で冷却できることになるので、効率的である。
【０１３９】
（変形例２）前述の第４実施形態で、ヒータ１２４をチャンバ１１２の外周部に設けた構成としたが、これに限らない。例えば、チャンバ１１２の外周部と天井部とに設置してもよい。このようにすれば、短時間で積極的にチャンバ１１２を加熱することができるから、より短時間で溶媒や有機物の除去をすることができるので、効率的である。
【０１４０】
（変形例３）前述の第１実施形態で、配向膜６０、７０を形成する方法について述べたが、これに限らない。例えばフォトレジストの膜や、絶縁性を有する絶縁膜、カラーフィルタで使用される光学膜、などの膜を形成するのに用いることができる。
【０１４１】
（変形例４）前述の第１実施形態〜第４実施形態で、第１検出工程では、圧力を検出したが、これに限らない。例えば積算時間や、処理枚数などを予め決めておいて、被乾燥体を乾燥処理した積算時間や、処理枚数などを検出してもよい。このようにしても、チャンバ１１２（収容室１１８）内のクリーニングを開始させることができるから、第１実施形態〜第４実施形態と同様の効果が得られる。
【０１４２】
（変形例５）前述の第１実施形態〜第４実施形態で、第２検出工程では、圧力またはガス濃度を検出したが、これに限らない。例えば積算時間を予め決めておいて、被乾燥体を乾燥処理した積算時間を検出してもよい。このようにしても、チャンバ１１２（収容室１１９）内のクリーニングを終了させることができるから、第１実施形態〜第４実施形態と同様の効果が得られる。
【０１４３】
（変形例６）前述の第１実施形態〜第４実施形態で、チャンバ１１２（収容室１１８、１１９）を二つの構成としたがこれに限らない。例えば一つの構成としてもよい。このようにしても、チャンバ１１２内のクリーニングをすることができるから、第１実施形態〜第４実施形態と同様の効果が得られ、膜品質の安定化が図れる。
【０１４４】
（変形例７）前述の第１実施形態〜第４実施形態で、チャンバ１１２（収容室１１９）内を減圧してからクリーニングをしたが、これに限らない。例えばチャンバ１１２（収容室１１９）内を減圧しないでクリーニングをしてもよい。このようにしても、チャンバ１１２（収容室１１９）内のクリーニングをすることができるから、第１実施形態〜第４実施形態と同様の効果が得られる。
【０１４５】
（変形例８）前述の第１実施形態〜第４実施形態で使用される乾燥機１００は、液晶表示装置５０に限定されるものではない。例えば、ＥＬ装置や、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ・Ｅｍｉｓｓｉｏｎ・Ｄｉｓｐｌａｙ：フィールドエミッションディスプレイ）などの電子放出装置、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ・Ｄｉｓｐｌｙ・Ｐａｎｅｌ：プラズマディスプレイパネル）、電気泳動装置すなわち荷電粒子を含有する機能性液状体である材料を各画素の隔壁間の凹部に吐出し、各画素を上下に挟持するように配設される電極間に電圧を印加して荷電粒子を一方の電極側に寄せて各画素での表示をする装置、薄型のブラウン管、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ―Ｒａｙ・Ｔｕｂｅ：陰極線管）ディスプレイなど、基板（基材）を有し、その上方の領域に所定の層を形成する工程を有する様々な表示装置（電気光学装置）に用いることができる。
【０１４６】
（変形例９）前述の第１実施形態〜第４実施形態で使用される乾燥機１００は、被乾燥体Ｑに限らない。例えば、減圧乾燥時に溶媒などを生じるような固形物などでもよい。このようにしても、乾燥と、溶媒の除去とを併行してできるから、乾燥機１００の用途は広い。
【０１４７】
（変形例１０）前述の第１実施形態〜第４実施形態で使用される乾燥機１００は、乾燥作業に限らない。例えば、接着剤及び樹脂の硬化、流動物の硬化などに使用してもよい。このようにしても、乾燥と、溶媒の除去とを併行してできるので、乾燥機１００の用途は広い。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】第１実施形態における乾燥機の全体構成を示す概略図であり、（ａ）は、概略平面図であり、（ｂ）は、概略断面図。
【図２】乾燥機の制御系のブロック図。
【図３】乾燥機の動作手順を示す概略フローチャート。
【図４】乾燥機の動作手順を示す概略フローチャート。
【図５】液晶表示装置の概略を示す断面図。
【図６】液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート。
【図７】第２実施形態における乾燥機の全体構成を示す概略図であり、（ａ）は、概略平面図であり、（ｂ）は、概略断面図。
【図８】乾燥機の制御系のブロック図。
【図９】乾燥機の動作手順を示す概略フローチャート。
【図１０】乾燥機の動作手順を示す概略フローチャート。
【図１１】第３実施形態における乾燥機の全体構成を示す概略図であり、（ａ）は、概略平面図であり、（ｂ）は、概略断面図。
【図１２】乾燥機の制御系のブロック図。
【図１３】乾燥機の動作手順を示す概略フローチャート。
【図１４】乾燥機の動作手順を示す概略フローチャート。
【図１５】第４実施形態における乾燥機の全体構成を示す概略図であり、（ａ）は、概略平面図であり、（ｂ）は、概略断面図。
【図１６】乾燥機の制御系のブロック図。
【図１７】乾燥機の動作手順を示す概略フローチャート。
【図１８】乾燥機の動作手順を示す概略フローチャート。
【符号の説明】
【０１４９】
５０…デバイスとしての液晶表示装置、１００…乾燥機、１０２…第１減圧部としての第１減圧ポンプ、１０３…第２減圧部としての第２減圧ポンプ、１１０…乾燥部、１１２…チャンバ、１１４…第１検出部としての第１圧力センサ、１１５…第２検出部としての第２圧力センサ、１１６…ガス濃度センサ、１１８…収容室、１１９…収容室、１２０…除去部、１２１…赤外線ランプ、１２２…プラズマ照射装置、１２３…紫外線照射装置、１２４…ヒータ、１２９…熱電対、１３０…基板供給装置、１４０…操作パネル、１４１…入出力装置、１４２…制御部、１４５…ＣＰＵ、１４６…ＲＡＭ、Ｐ…基板、Ｑ…被乾燥体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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