(57)【要約】【課題】  基板の端部に到達する配線を有する表示パネルにおける、前記配線の剥がれの進行を防ぐ。【解決手段】  基板の表面に、端子よりも外側に延在する第１の導電層と、前記第１の導電層と対をなし、かつ、前記第１の導電層と前記基板の端部の間に配置された第２の導電層と、前記第１の導電層および前記第２の導電層の上に絶縁層を介して設けられた第３の導電層とを有し、前記第３の導電層は、前記対をなす前記第１の導電層および前記第２の導電層のそれぞれと、スルーホールで接続されている表示パネルを有する表示装置。【選択図】        図４
2007322611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に、端子よりも外側に延在する第１の導電層と、
前記第１の導電層と対をなし、かつ、前記第１の導電層と前記基板の端部の間に配置された第２の導電層と、
前記第１の導電層および前記第２の導電層の上に絶縁層を介して設けられた第３の導電層とを有し、
前記第３の導電層は、前記対をなす前記第１の導電層および前記第２の導電層のそれぞれと、スルーホールで接続されている表示パネルを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第２の導電層は、前記基板の端面に到達していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第３の導電層は、透明導電膜からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の導電層および前記第２の導電層は、２種類以上の異なる導電膜が積層されていることを特徴とする。請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の導電層および前記第２の導電層は、前記基板と接する面が透明導電膜からなることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の導電層および前記第２の導電層は、前記基板と接する面の透明導電膜で電気的に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
基板の表面に、端子よりも外側に延在する第１の導電層と、
前記端子よりも外側で、絶縁層を介して前記第１の導電層と立体的に交差する第２の導電層とが設けられた表示パネルを有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記第２の導電層は、前記第１の導電層毎に独立して設けられており、
対をなす前記第１の導電層と前記第２の導電層は、電気的に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記基板は、前記第１の導電層および前記第２の導電層の上に、絶縁層を介して設けられた第３の導電層を有し、
前記第３の導電層は、前記対をなす前記第１の導電層および前記第２の導電層のそれぞれとスルーホールで接続されていることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第３の導電層は、透明導電膜からなることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の導電層は、２種類以上の異なる導電膜が積層されていることを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の導電層は、前記基板と接する面が透明導電膜からなることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記表示パネルは、液晶表示パネルであることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に、液晶表示装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、映像や画像を表示する表示装置として、液晶表示パネルを用いた液晶表示装置が知られている。
【０００３】
前記液晶表示パネルは、一対の基板の間に液晶材料を封入した表示パネルであり、前記一対の基板のうちの一方の基板は、主にＴＦＴ基板と呼ばれ、たとえば、複数本の走査信号線と、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線と立体的に交差する映像信号線とが設けられている。また、前記ＴＦＴ基板には、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた画素領域に対してＴＦＴ素子や画素電極が配置されている。
【０００４】
前記ＴＦＴ基板を製造するときには、たとえば、マザーガラスと呼ばれるガラス基板を用いて製造される。このとき、マザーガラスには、１箇所から数カ所のＴＦＴ基板として切り出す領域があり、その領域に前記走査信号線など形成した後、マザーガラスを切断して所望の大きさのＴＦＴ基板を切り出している。
【０００５】
また、前記ＴＦＴ基板を製造するときには、たとえば、製造過程における帯電によるＴＦＴ素子の静電破壊を防ぐことや、完成したＴＦＴ基板の検査を容易にすることを目的として、前記切り出す領域に形成される複数本の走査信号線を前記切り出す領域の外側で短絡させている。このとき、前記切り出す領域を外側で短絡している複数本の走査信号線は、前記マザーガラスを切断する際に、ガラス基板などとともに切断され、電気的に独立する。
【０００６】
またこのとき、前記ガラス基板の端部には、前記走査信号線などの導体層の他に、たとえば、前記静電破壊を防ぐためのダミーのメタル層を設けることもある（たとえば、特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開２００５−４９７３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記従来のＴＦＴ基板の製造方法では、マザーガラスを切断する際に、前記切り出す領域の内側から外側にかけて延在する複数本の走査信号線も同時に切断される。そのため、切断時の衝撃などで、走査信号線が、ガラス基板から剥がれてしまうことがある。
【０００８】
また、ＴＦＴ基板の表示領域に形成する画素の構成によっては、走査信号線とガラス基板の間に、ＩＴＯ膜などの透明導電膜が介在していることがある。この透明導電膜は、たとえば、ガラス基板との密着性が低く、マザーガラスを切断する際に、ＩＴＯ膜とガラス基板の界面で剥がれが生じやすい。
【０００９】
このように、マザーガラスを切断する際に、走査信号線がガラス基板から剥がれてしまうと、その剥がれが、たとえば、ドライバＩＣやドライバＩＣが実装されたＴＣＰなどとの接続端子部まで進行してしまい、接続不良などの原因になるという問題があった。
【００１０】
本発明の目的は、基板の端部に到達する配線を有する表示パネルにおける、前記配線の剥がれの進行を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。
【００１３】
（１）基板の表面に、端子よりも外側に延在する第１の導電層と、前記第１の導電層と対をなし、かつ、前記第１の導電層と前記基板の端部の間に配置された第２の導電層と、前記第１の導電層および前記第２の導電層の上に絶縁層を介して設けられた第３の導電層とを有し、前記第３の導電層は、前記対をなす前記第１の導電層および前記第２の導電層のそれぞれと、スルーホールで接続されている表示パネルを有する表示装置。
【００１４】
（２）前記（１）の表示装置において、第２の導電層は、前記基板の端面に到達している表示装置。
【００１５】
（３）前記（１）または（２）の表示装置において、前記第３の導電層は、透明導電膜からなる表示装置。
【００１６】
（４）前記（１）乃至（３）のいずれかの表示装置において、前記第１の導電層および前記第２の導電層は、２種類以上の異なる導電膜が積層されている表示装置。
【００１７】
（５）前記（４）の表示装置において、前記第１の導電層および前記第２の導電層は、前記基板と接する面が透明導電膜からなる表示装置。
【００１８】
（６）前記（５）の表示装置において、前記第１の導電層および前記第２の導電層は、前記基板と接する面の透明導電膜で電気的に接続されている表示装置。
【００１９】
（７）基板の表面に、端子よりも外側に延在する第１の導電層と、前記端子よりも外側で、絶縁層を介して前記第１の導電層と立体的に交差する第２の導電層とが設けられた表示パネルを有する表示装置。
【００２０】
（８）前記（７）の表示装置において、前記第２の導電層は、前記第１の導電層毎に独立して設けられており、対をなす前記第１の導電層と前記第２の導電層は、電気的に接続されている表示装置。
【００２１】
（９）前記（８）の表示装置において、前記基板は、前記第１の導電層および前記第２の導電層の上に、絶縁層を介して設けられた第３の導電層を有し、前記第３の導電層は、前記対をなす前記第１の導電層および前記第２の導電層のそれぞれとスルーホールで接続されている表示装置。
【００２２】
（１０）前記（９）の表示装置において、前記第３の導電層は、透明導電膜からなる表示装置。
【００２３】
（１１）前記（７）乃至（１０）のいずれかの表示装置において、前記第１の導電層は、２種類以上の異なる導電膜が積層されている表示装置。
【００２４】
（１２）前記（１１）の表示装置において、前記第１の導電層は、前記基板と接する面が透明導電膜からなる表示装置。
【００２５】
（１３）前記（１）乃至（１２）のいずれかの表示装置において、前記表示パネルは、液晶表示パネルである表示装置。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の表示装置は、表示パネル（基板）に設けられた端子よりも外側に延在する第１の導電層のさらに外側に第２の導電層が設けられている。このとき、たとえば、基板の端部において第２の導電層がガラス基板から剥がれても、その剥がれは、第２の導電層のみで終わる。そのため、第１の導電膜がガラス基板から剥がれるのを防ぎ、端子の剥がれによるドライバＩＣやＴＣＰとの接続不良を低減することができる。
【００２７】
また、第１の導電層と第２の導電層を、第３の導電層で電気的に接続しておけば、たとえば、マザーガラスを切断する前の状態のときに、切り出す領域の外側で第２の導電層を短絡させておくことで、第１の導電層を短絡させることができ、たとえば、ＴＦＴ素子などの静電破壊を防ぐことができる。この場合、マザーガラスから切り出した後、第２の導電層が基板の端部に到達している。
【００２８】
また、前記表示パネルが、たとえば、液晶表示パネルの場合、前記第３の導電層は、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電膜で形成する。
【００２９】
また、第１の導電層および第２の導電層は、たとえば、単一の金属材料からなる導電層でもよいし、２種類以上の導電膜が積層されていてもよい。また、前記表示パネルが液晶表示パネルの場合、たとえば、前記第１の導電層および前記第２の導電層は、前記基板と接する面が透明導電膜であってもよい。またこのとき、前記第１の導電層および前記第２の導電層は、前記基板と接する面の透明導電膜で電気的に接続されていてもよい。
【００３０】
また、本発明の表示パネルは、表示パネル（基板）に設けられた端子よりも外側に延在する第１の導電層のさらに外側に第２の導電層を設ける代わりに、前記端子よりも外側に、絶縁層を介して前記第１の導電層と立体的に交差する第２の導電層を設けてもよい。このようにすると、たとえば、基板の端部側から前記第１の導電層に剥がれが生じたときに、その剥がれの進行が第２の導電層が立体的に交差している位置で食い止められる。
【００３１】
なお、第１の導電層と立体的に交差する第２の導電層を設ける場合、前記第２の導電層は、前記第１の導電層毎に独立して設けることが望ましい。またこのとき、対をなす前記第１の導電層と前記第２の導電層は、電気的に接続することが望ましい。このとき、前記基板には、たとえば、前記第１の導電層および前記第２の導電層の上に、絶縁層を介して第３の導電層を設け、前記第３の導電層を、前記対をなす前記第１の導電層および前記第２の導電層のそれぞれとスルーホールで接続すればよい。
【００３２】
またこのときも、前記第３の導電層は、たとえば、ＩＴＯ膜などの透明導電膜で形成する。また、前記第１の導電層は、２種類以上の異なる導電膜が積層されていてもよい。このとき、前記第１の導電層は、前記基板と接する面が透明導電膜であってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００３４】
図１乃至図５は、本発明による実施例１の表示パネルの概略構成を示す模式図である。
図１は、液晶表示パネルを観察者側からみたときの概略構成を示す模式平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線における模式断面図である。図３は、図１に示した領域ＡＲ１を拡大した模式平面図である。図４は、実施例１の表示パネルの端子部分の概略構成を示す模式平面図である。図５は、図４のＢ−Ｂ’線における模式断面図である。
【００３５】
実施例１の表示パネルは、たとえば、図１および図２に示すように、一対の基板１，２の間に液晶材料３を封入した液晶表示パネルである。このとき、一対の基板１，２は、表示領域ＤＡの外側に環状に配置されたシール材４で接着されており、液晶材料３は、一対の基板１，２およびシール材４で囲まれた空間に封入されている。
【００３６】
一対の基板１，２のうち、観察者側からみた外形寸法が大きい方の基板１は、一般に、ＴＦＴ基板と呼ばれる。図１および図２では省略しているが、ＴＦＴ基板１は、ガラス基板などの透明な基板の表面の上に、複数本の走査信号線と、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線が形成されている。そして、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域が１つの画素領域に相当し、各画素領域に対してＴＦＴ素子や画素電極などが配置されている。また、ＴＦＴ基板１と対をなす他方の基板２は、一般に、対向基板と呼ばれる。
【００３７】
また、図１に示した領域ＡＲ１におけるＴＦＴ基板１の構成は、たとえば、図３に示すようになっている。つまり、表示領域ＤＡを通る複数本の走査信号線ＧＬは、基板の端部１Ａの近傍に集線されており、ドライバＩＣや、ドライバＩＣが実装されたＴＣＰなどのアウターリードと接続される端子ＧＰが設けられている。また、各走査信号線ＧＬは、端子ＧＰの外側に延在する部分を有する。
【００３８】
実施例１の表示パネルにおいて、走査信号線の端子ＧＰおよびその外側の構成は、たとえば、図４および図５に示すようになっている。つまり、走査信号線ＧＬの端部は、ガラス基板ＳＵＢの端面よりも内側にあり、走査信号線ＧＬの端部とガラス基板ＳＵＢの端部の間には、走査信号線ＧＬと対になる導電層５が設けられている。また、走査信号線ＧＬおよび導電層５の上には、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２を介して透明導電膜６が設けられている。この透明導電膜６は、たとえば、ＩＴＯ膜からなる。また、透明導電膜６は、たとえば、スルーホールＴＨ１により走査信号線ＧＬに接続され、スルーホールＴＨ２により導電層５に接続されている。すなわち、走査信号線ＧＬと導電層５は、透明導電膜６により電気的に接続されている。
【００３９】
図６および図７は、実施例１の表示パネルの作用効果を説明するための模式図である。
図６は、ＴＦＴ基板の製造方法の概要を説明するための模式平面図である。図７は、図６に示した領域ＡＲ２を拡大した模式平面図である。
【００４０】
実施例１の液晶表示パネルで用いられるＴＦＴ基板１を製造するときには、たとえば、図６に示すように、１枚の大きなマザーガラス７の４つの領域７０１〜７０４のそれぞれにＴＦＴ基板１が形成される。そして、ＴＦＴ基板１が完成した後、各領域７０１〜７０４をマザーガラス７から切り出して個別のＴＦＴ基板１にする。
【００４１】
このとき、たとえば、図５に示した領域ＡＲ２を拡大すると、その構成は、たとえば、図７に示すようになっている。すなわち、マザーガラス７にある１つのＴＦＴ基板１として切り出す領域７０１の内側にある導電層５は、切り出す領域７０１の外側において短絡している。そのため、領域７０１を切り出すときには、ガラス基板ＳＵＢとともに、導電層５も切断する必要がある。
【００４２】
しかしながら、ガラス基板ＳＵＢとともに導電層５を切断すると、切断時の衝撃などにより、導電層５がガラス基板ＳＵＢから剥がれることがある。このとき、導電層５の剥がれは、ガラス基板の内側、すなわち走査信号線ＧＬの端子ＧＰがある方向に進行するが、導電層５と走査信号線ＧＬは、それぞれ独立したパターンであるため、導電層５の剥がれの進行は、導電層５の端部で終わり、走査信号線ＧＬの端子ＧＰまで進行することはない。
【００４３】
このように、実施例１の表示パネルでは、走査信号線ＧＬとガラス基板の端部の間に走査信号線ＧＬとは独立した導電層５を設けることにより、走査信号線ＧＬの端子ＧＰがガラス基板から剥がれるのを防ぐことができる。そのため、端子ＧＰの剥がれによるドライバＩＣやＴＣＰのアウターリードの接続不良を低減することができる。
【００４４】
また、実施例１の表示パネルのように、走査信号線ＧＬとガラス基板ＳＵＢの端部の間に走査信号線ＧＬとは独立した導電層５を設けた場合、たとえば、導電層５が、ＴＦＴ基板１の切断端面に露出しており、水分により腐食や酸化が起こる。このときも、腐食や酸化はガラス基板ＳＵＢの端面から内側に進行するが、それらの進行を導電層５で終わらせることができる。そのため、実施例１の表示パネルでは、走査信号線ＧＬの端子ＧＰの腐食や酸化も防ぐことができる。
【００４５】
図８は、実施例１の表示パネルの変形例を説明するための模式平面図である。図９は、図８のＣ−Ｃ’線における模式断面図である。
【００４６】
実施例１では、液晶表示パネルを例に挙げ、ＴＦＴ基板１の走査信号線ＧＬの端子ＧＰの近傍の構成について説明している。液晶表示パネルのＴＦＴ基板１の場合、一般的には、図５に示すように、ガラス基板ＳＵＢの表面に直接、走査信号線ＧＬが形成されている。
【００４７】
しかしながら、液晶表示パネルの種類によっては、たとえば、図８および図９に示すように、ガラス基板ＳＵＢの表面と走査信号線ＧＬや導電層５の間に、ＩＴＯ膜などの透明導電膜８が介在することがある。この場合、たとえば、前記透明導電膜８は、図８および図９に示すように、走査信号線ＧＬと導電層５を電気的に接続するように介在していてもよいし、走査信号線ＧＬの下層と導電層５の下層に、それぞれ独立したパターンで介在していてもよい。
【００４８】
図１０は、前記変形例を適用できるＴＦＴ基板の１画素の構成例を示す模式平面図である。図１１は、図１０のＤ−Ｄ’線における模式断面図である。図１２は、図１０のＥ−Ｅ’線における模式断面図である。
【００４９】
実施例１の液晶表示パネルにおいて、前記変形例を適用できるのは、たとえば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式のような横電界駆動方式であり、画素電極と対向電極が絶縁層を介して異なる層に配置されており、かつ、画素電極または対向電極がガラス基板の表面に設けられている表示パネルである。このとき、ＴＦＴ基板１は、たとえば、図１０乃至図１２に示すように、ガラス基板ＳＵＢの表面に、ｘ方向に延在する複数本の走査信号線ＧＬが設けられており、走査信号線ＧＬの上には、第１の絶縁層ＰＡＳ１を介してｙ方向に延在し、複数本の走査信号線ＧＬと立体的に交差する複数本の映像信号線ＤＬが設けられている。そして、２本の隣接する走査信号線ＧＬと２本の隣接する映像信号線ＤＬによって囲まれた領域が１つの画素領域に相当する。
【００５０】
また、ガラス基板ＳＵＢの表面には、たとえば、画素領域毎に、平板状の対向電極ＣＴが設けられている。このとき、ｘ方向に並んだ各画素領域の対向電極ＣＴは、走査信号線ＧＬと並行した共通信号線ＣＬによって電気的に接続されている。また、走査信号線ＧＬからみて、共通信号線ＣＬが設けられている方向と反対側には、対向電極ＣＴと電気的に接続されている共通接続パッドＣＰが設けられている。このとき、たとえば、ＩＴＯ膜とアルミニウムなどの金属膜を続けて成膜した後、金属膜およびＩＴＯ膜を一括してパターニングして対向電極ＣＴと、走査信号線ＧＬや共通信号線ＣＬなどを形成すると、走査信号線ＧＬとガラス基板ＳＵＢの間に、たとえば、対向電極ＣＴの形成に用いられるＩＴＯ膜などの透明導電膜８が残る。またこのとき、ガラス基板ＳＵＢの端部では、走査信号線ＧＬと対をなす導電層５も形成されているので、図９に示すように、走査信号線ＧＬおよび導電層５の下層に透明導電膜８を介在させることができる。
【００５１】
また、第１の絶縁層ＰＡＳ１の上には、映像信号線ＤＬの他に、半導体層、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電極ＳＤ２が設けられている。このとき、半導体層は、たとえば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いて形成されており、各画素領域に対して配置されるＴＦＴ素子のチャネル層ＳＣとしての機能を持つものの他に、たとえば、走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬが立体的に交差する領域における走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬの短絡を防ぐもの（図示しない）がある。このとき、ＴＦＴ素子のチャネル層ＳＣとしての機能を持つ半導体層は、映像信号線ＤＬに接続しているドレイン電極ＳＤ１とソース電極ＳＤ２の両方が接続されている。
【００５２】
また、映像信号線ＤＬなどが形成された面（層）の上には、第２の絶縁層ＰＡＳ２を介して画素電極ＰＸが設けられている。画素電極ＰＸは、画素領域毎に独立した電極であり、第２の絶縁層ＰＡＳに設けられた開口部（スルーホール）ＴＨ３においてソース電極ＳＤ２と電気的に接続されている。また、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸが、図３乃至図５に示したように、第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２を介して積層配置されている場合、画素電極ＰＸは、スリットＳＬが設けられたくし歯形状の電極になっている。
【００５３】
また、第２の絶縁層ＰＡＳ２の上には、画素電極ＰＸの他に、たとえば、走査信号線ＧＬを挟んで上下に配置された２つの対向電極ＣＴを電気的に接続するためのブリッジ配線ＢＲが設けられている。このとき、ブリッジ配線ＢＲは、走査信号線ＧＬを挟んで配置された共通信号線ＣＬおよび共通接続パッドＣＰとスルーホールＴＨ４，ＴＨ５によって接続される。
【００５４】
また、第２の絶縁層ＰＡＳ２の上には、画素電極ＰＸおよびブリッジ配線ＢＲを覆うように配向膜ＯＲＩが設けられている。なお、図示は省略するが、対向基板２は、ＴＦＴ基板１の配向膜ＯＲＩが設けられた面に対向するように配置される。
【００５５】
なお、図１０乃至図１２に示した構成は、第１の変形例が適用できる構成の一例であり、これに限らず、別の構成であっても適用できることはもちろんである。
【実施例２】
【００５６】
図１３は、本発明による実施例２の表示パネルの端子部分の概略構成を示す模式平面図である。図１４は、図１３のＦ−Ｆ’線における模式断面図である。
【００５７】
実施例２の表示パネルは、たとえば、実施例１と同様の構成の液晶表示パネルであるため、全体的な構成の説明は省略する。
【００５８】
実施例２において、実施例１と異なる点は、走査信号線ＧＬの端子ＧＰとガラス基板ＳＵＢの端面の間に導電層５を設ける代わりに、たとえば、図１３および図１４に示すように、走査信号線ＧＬの端子ＧＰとガラス基板ＳＵＢの間に、第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して走査信号線ＧＬと立体的に交差する導電層９を設ける点である。このとき、導電層９は、たとえば、映像信号線ＤＬ、ＴＦＴ素子のドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２を形成する工程で同時に形成する。
【００５９】
またこのとき、導電層９は、たとえば、図１３に示すように、走査信号線ＧＬ毎に独立したパターンで設けることが望ましい。またさらに、対になる走査信号線ＧＬと導電層９は、電気的に接続されていることが望ましく、たとえば、図１４に示すように、導電層９の上にある第２の絶縁膜ＰＡＳ２にスルーホールＴＨ６を設け、走査信号線ＧＬの端子ＧＰに設けられる透明導電膜６で電気的に接続する。
【００６０】
このようにすると、たとえば、導電層９を設けた位置では、導電層９の存在により走査信号線ＧＬなどが変形しにくくなる。そのため、たとえば、マザーガラス７から切り出す際に、基板の端面１Ａにおいて走査信号線ＧＬがガラス基板ＳＵＢから剥がれても、その剥がれの進行を、導電層９を設けた位置で食い止めることができる。
【００６１】
また、図を示しての説明は省略するが、実施例２の表示パネルにおいても、走査信号線ＧＬとガラス基板の間に、ＩＴＯ膜などの透明導電膜８が介在していてもよいことはもちろんである。
【００６２】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【００６３】
たとえば、前記実施例では、液晶表示パネルのＴＦＴ基板を例に挙げたが、これに限らず、液晶表示パネルのＴＦＴ基板と同様の構成の基板を有する表示パネルであれば、本発明を適用可能であることはもちろんである。液晶表示パネル以外で本発明を適用可能な表示パネル（表示装置）としては、たとえば、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）や、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を用いたディスプレイがある。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】液晶表示パネルを観察者側からみたときの概略構成を示す模式平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における模式断面図である。
【図３】図１に示した領域ＡＲ１を拡大した模式平面図である。
【図４】実施例１の表示パネルの端子部分の概略構成を示す模式平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ’線における模式断面図である。
【図６】ＴＦＴ基板の製造方法の概要を説明するための模式平面図である。
【図７】図６に示した領域ＡＲ２を拡大した模式平面図である。
【図８】実施例１の表示パネルの変形例を説明するための模式平面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ’線における模式断面図である。
【図１０】前記変形例を適用できるＴＦＴ基板の１画素の構成例を示す模式平面図である。
【図１１】図１０のＤ−Ｄ’線における模式断面図である。
【図１２】図１０のＥ−Ｅ’線における模式断面図である。
【図１３】本発明による実施例２の表示パネルの端子部分の概略構成を示す模式平面図である。
【図１４】図１３のＦ−Ｆ’線における模式断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１…ＴＦＴ基板
２…対向基板
３…液晶材料
４…シール材
５，９…導電層
６，８…透明導電膜
７…マザーガラス
ＳＵＢ…ガラス基板
ＧＬ…走査信号線
ＣＬ…共通信号線
ＣＰ…共通接続パッド
ＣＴ…対向電極（共通電極）
ＰＡＳ１…第１の絶縁層
ＤＬ…映像信号線
ＳＣ…ＴＦＴ素子のチャネル層（半導体層）
ＳＤ１…ドレイン電極
ＳＤ２…ソース電極
ＰＡＳ２…第２の絶縁層
ＰＸ…画素電極
ＳＬ…スリット
ＢＲ…ブリッジ配線
ＯＲＩ…配向膜
ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨ４，ＴＨ５…スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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