(57)【要約】【課題】高精度なパターニングおよび塗り分けが可能であり、低コストで大面積の電界発光素子を製造する。【解決手段】ノズル部２を備えた塗布装置により、ノズル部２を矢印で示すように走査しながら基板１上に液状材料を吐出することで、電界発光素子の発光層等の薄膜層をパターニングする。矢印で示す走行方向（走査方向）にノズル部２を傾斜させ、その傾斜角度θを、液状材料の吐出速度および走査速度に基づいて制御することで、基板１上に吐出された液状材料の横広がりによるパターン不良を防ぐ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と陰極間に設けられた少なくとも１層の薄膜層を有する電界発光素子の製造方法において、
基体に対して相対的にノズルを走査させながら、前記ノズルから吐出された液状材料を前記基体に塗布することによって前記薄膜層を成膜する薄膜形成工程を有し、前記基体に塗布された前記液状材料の横広がりを抑制するために、前記ノズルの走査方向に前記ノズルを傾けて走査させることを特徴とする電界発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記ノズルからの前記液状材料の吐出速度および前記ノズルの走査速度に基づいて、前記ノズルの傾斜角度を制御することを特徴とする請求項１記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記ノズルが金属または高分子系材料で形成された吐出孔面を有することを特徴とする請求項１または２記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記液状材料を前記基体に塗布した後、エージング処理を行うことを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項５】
複数のノズルから同時に液状材料を吐出することを特徴する請求項１ないし４いずれか１項記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記複数のノズルが、前記走査方向に対して傾斜した直線上に配列されることを特徴とする請求項５記載の電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、正極と陰極間に設けられた薄膜層のうちの少なくとも１層が、溶液塗布方法によって成膜された薄膜層を有する電界発光素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電界発光素子は、蛍光有機材料あるいはリン光有機材料を含む薄膜層を陽極と陰極で挟んだ構造を有する。薄膜層内で注入された正孔と電子を再結合させることにより励起子（励起状態）を生成させ、この励起子（励起状態）が基底状態に戻る際の光放出を利用したデバイスである。
【０００３】
近年、電界発光素子が有する低電圧駆動、高応答性、高効率あるいは高視認性という特徴から、次世代フルカラーディスプレイへの応用が期待されており、それに伴い、材料開発を含めて実用レベルを視野に入れたデバイス研究が精力的に行われている。
【０００４】
電界発光素子の製造にあっては、電極層や薄膜層のパターニングが通常なされている。このパターニングを行う手段として、有機化合物をシャドウマスクを介して蒸着する方法（蒸着法）がある。例えば、非特許文献１に記載されているように、性質の異なる有機化合物を順に重ねた構造の素子が試作されており、現在では実用化の段階を迎えつつある。
【０００５】
しかしながら、蒸着法は適応する有機材料が低分子（分子量が１０００程度）に限られてしまい、低分子材料の結晶化や熱安定性などの問題は素子性能や信頼性低下に関わる大きな因子であった。さらに、蒸着法はシャドウマスクが必須であるために有機材料の材料使用効率が非常に小さいといった問題が生じていた。また、例えば１ｍ2 程度の大面積のパターン形成を行う場合には、マスクの自重、マスクの張りの均一性、マスク−基板間距離などの面に課題があった。
【０００６】
一方、上記課題を解決すべく、低分子〜高分子材料を溶剤に溶かした液状材料を塗布してパターニングする溶液塗布法も盛んに行われている。溶液塗布法によるパターニングは、用いる材料の分子量に制約を受けず、また、蒸着法に比べて材料使用効率の大幅な改善、製造プロセスの簡略化が可能となる。
【０００７】
有機薄膜の溶液塗布法としては、スクリーン印刷法、スタンプ法、インクジェットプリント法、グラビア印刷（マイクログラビア）法またはフォトリソグラフィー法等が報告されている。
【０００８】
上記スクリーン印刷法による電界発光素子の有機薄膜の形成については、非特許文献２に、4,800ｃｄ／ｍ2 の輝度を有する有機薄膜の例が報告されており、発光自身も実用化に足る方法と言え、１０μｍ程度の微細パターンから大面積に対応可能な方法である。しかしながら、高精細化にはスクリーンマスクが必要であるという欠点がある。
【０００９】
スタンプ法の例として、イオン化した高分子材料を溶剤に溶かして基板にスタンプする方法が知られており、電界発光素子への応用例が非特許文献３に記載されている。本方法においては、スタンプによって形成された膜の均一性が悪いことの他に、高分子中のイオンにより電界発光素子が不安定化すると言う報告もあることから、実用化が困難である。
【００１０】
インクジェット法による有機膜の作成は古くから行われているが、近年ではインクジェット法によるパターニングとスピンコートを組み合わせたマルチインクジェット法（非特許文献４および非特許文献５参照）がある。また、発光、正孔輸送、電子輸送材料を混合した液状材料を用いて単層素子を作成する方法が報告されている（非特許文献６参照）。
【００１１】
インクジェット法は、２０μｍ程度の精細なパターニングが可能であり、材料を必要部に塗り分けできるため、高価な有機材料の使用量も最小とできるなどの利点がある。また、インクジェットプリンターを考えると、１０ｍ2 程度の大面積にも対応できていることから、大面積対応の塗布法として注目されている。
【非特許文献１】Applied PhysicsLetters, 第51巻(vol.51)、p913(1987)
【非特許文献２】森ら、応用物理学会欧文誌レター、第39巻、p942(2000)
【非特許文献３】Nuesch,Applied Physics letter, 第75巻、p1799(1999)
【非特許文献４】Pschenitzka,Strum,Applied Physics letter,第74巻,p1913(1999)
【非特許文献５】Bharathan,Yang,Applied Physics Letter, 第72巻、p2660(1998)
【非特許文献６】吉森ら、第18回国際ディスプレイ研究会議(アジアディスプレイ’98)アブストラクト,p213(1998)
【非特許文献７】甲斐ら、第18回応用物理学関係連合講演会、29p−ZN−11(2001)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記インクジェット法ではノズルからインクの液滴を吐出させて塗布を行うため、ノズルエッジ部の微小なインクの付着や、静電気およびインクに含有される気泡等の影響を受ける。このため、わずかな確率で起こる飛行曲がり（塗工液をノズルの吐出口から吐出させた際、塗工液が着弾した位置が目標位置に対して、５０μｍ以上ずれていることをいう）による混色を防止することが困難であった。また、揮発性の高いインクを用いた場合、ノズル先端におけるノズル詰まりが発生するが、その根本的な解決策はなかった。このような問題点を解決するために、基板上に高い隔壁を設置したり、撥液処理を施す等の基板の前処理を行ったり、ノズル先端を加温したり、インク組成やインク粘度の厳密な調整を行う等の手段が試みられた。しかしながら、このような手段によっても完全に問題点を払拭することは困難であった。さらには、パターニングに時間がかかること、ドット周辺で膜厚が高くなる、いわゆる膜厚ムラ等の問題があった。
【００１３】
グラビア印刷法については、基本的にロール−ツウ−ロール方式であるため、大面積で高速な製造が可能であり、電界発光素子に応用した場合においても発光させることができることが報告されている（非特許文献７参照）。しかしながら、塗り分けが困難であり、インクの使用量が多い等の問題があった。
【００１４】
また、フォトリソグラフィー法を用いて有機膜を形成する場合は、処理液を用いて現像、洗浄することによりパターニングを行うため、このパターニング工程の際に生じる廃液の問題や、処理液と電界発光層以外の層との相溶性等の問題を考慮する必要があった。さらに製造工程に手間を要することから、コスト的にも不利であった。
【００１５】
本発明は、上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、高品質な塗り分けが可能であり、かつ、低コストで大面積のパターニングが可能な電界発光素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の電界発光素子の製造方法は、正極と陰極間に設けられた少なくとも１層の薄膜層を有する電界発光素子の製造方法において、基体に対して相対的にノズルを走査させながら、前記ノズルから吐出された液状材料を前記基体に塗布することによって前記薄膜層を成膜する薄膜形成工程を有し、前記基体に塗布された前記液状材料の横広がりを抑制するために、前記ノズルの走査方向に前記ノズルを傾けて走査させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
蒸着法で必要となるシャドウマスク等を用いることなく、液状材料を目的とするエリアのみに塗布することができる。また特別な装置を必要としないことから、大面積の基板上にも比較的容易にパターニングができ、さらに、高濃度の液状材料であっても、既存の塗布法で見られるようなノズル孔詰まりや版溝詰まり等がない。
【００１８】
よって、安価に効率よく様々な種類の電界発光素子を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
図１および図２に示すように、基板（基体）１に対して接触または非接触の状態で相対的に移動可能なノズル部２を有する塗布装置を用いて、液状の有機材料（液状材料）をパターンニングすることにより、電界発光素子の有機薄膜（薄膜層）を形成する。この塗布装置は、基板１の上方に、ノズル３とノズル駆動部４を有するノズル部２を設置して、液状材料供給機構５から供給される液状材料をノズル３から基板１上に吐出する。基板１に対してノズル部２を相対的に走査させると同時に、ノズル駆動部４に配備されたノズル角度可変機構とノズル傾倒反転機構により、ノズル部２の走行方向（走査方向）に角度θだけ傾倒させて液状材料を塗布する。その後、乾燥または光照射を行い、有機薄膜を形成する。
【００２１】
このように、ノズル部２のノズル３を基板１と例えば非接触な状態で相対的に移動させることにより液状材料を基板面にパターニングする。ノズル部２は、液状材料タンク９、ポンプ８、緩衝部７およびフィルター６等を有する液状材料供給機構５に接続される。制御部１０は、基板移動装置１１、ノズル部２の高さ位置を調整する高さ位置調整機構１２等をマルチ制御する。これにより、効率的にノズル部２に液状材料を供給することができ、液状材料のパターニングをより正確に効率よく行うことが可能になる。
【００２２】
連続的に線状のパターニングを行うライン式の場合は、図２の（ａ）に示すように、ノズル３を一定の高さ位置に保持して液状材料を吐出する。また、破線状のパターニングを行うドット式の場合は、図２の（ｂ）に示すように、ノズル駆動部４によってノズル３を高さ方向へ往復移動させる。
【００２３】
ノズル部２は、基板１と接触または非接触状態で相対的に移動させることが可能であり、ノズル部２の先端はノズル３である。ノズル３の基板１に対する傾斜角度θは、０度以上９０度以下である。ノズル３は一本あるいは複数配設され、それぞれ、金属または高分子系材料で構成されるが、その素材等は特に限定されない。金属の例を挙げれば、金、ステンレス、イリドスミン（イリジウム、オスミウムおよびルテニウムなどの合金）等であり、金属表面を金属メッキ処理や高分子系材料（例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂）で被覆してもよい。いずれにせよ耐薬品性、耐久性が確保できる金属または金属複合物を適時選ぶことができる。
【００２４】
金属の他に高分子系材料をノズル３の素材として用いることも可能であり、例えばスーパーエンジニアリングプラスチックにより形成してもよい。スーパーエンジニアリングプラスチックは、優れた力学的性質と耐熱、耐久性を持ち、機械部品を中心に電気部品、住宅用材などで強度維持が必要な部分に使用されるプラスチックである。例えばポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトンなどの芳香族系ポリマーも含まれる。スーパーエンジニアリングプラスチックから作られたノズル部表面を、さらに金属メッキ処理や高分子系材料被服処理を施して耐薬品性、耐久性を向上させることも可能である。
【００２５】
次に、ノズル３の形状の具体例を図３および図４に示す。図３のノズル形状は、スリーブ３ａを有する凸状であり、図４のノズル形状は、平面に吐出孔３ｂが開口している構成であるが、これらに限定するものではない。
【００２６】
ノズル３の先端の吐出孔面には、撥液処理を施すことにより吐出孔周辺に液状材料の付着を防ぐ効果があり、付着物による吐出方向の曲がりなどの現象を防止することができるため、安定した吐出状態を作り出すことが可能になる。
【００２７】
また、図３に示すように、吐出孔をスリーブ３ａで覆うことで、吐出の際に液状材料中に巻き込まれたエアー等によって発生する吐出孔からの飛沫状の液滴が基板上の薄膜形成の所望箇所以外に付着することを防ぐ効果がある。また、吐出孔周辺の液状材料の固着を防ぐ効果があり、固着物による吐出方向の曲がりなどの現象を防止することができ、安定した吐出状態を作り出すことができる。
【００２８】
本発明はこの構造を電界発光素子の製造装置に応用した初めての試みである。
【００２９】
次に、液状材料供給機構５について説明する。液状材料供給機構５とは、ノズル部２に、有機薄膜を形成するための液状材料を供給するものである。液状材料供給機構５を設けることにより、効率的に塗工液（液状材料）を塗布することが可能となり、効率よく電界発光素子を製造することができる。
【００３０】
液状材料供給機構５の構成は特に限定されるものではないが、図２に示すように、ノズル部２上に、液状材料タンク９、ポンプ８、緩衝部７およびフィルター６を有するものが望ましい。液状材料タンク９とは、液状材料を溜めておくものであり、ポンプ８は液状材料を押し出したり戻したりするものである。また、緩衝部７とはノズル部２に一時に多くの液状材料が流出しないようにノズル部２への液状材料供給量をコントロールする役割を果たすものである。フィルター６は、基板１上に移したくないものを除くためのものであり、液状材料中のごみや未溶解物を除去する目的や、液状材料が微粒子の場合には任意の粒径のもののみ通過させる目的で設置される。このような液状材料供給機構５により液だれ等を伴わずに、目的とする均一な膜厚の有機薄膜を形成することが可能となる。
【００３１】
液状材料を基板１に均一に塗布するためには、ノズル部２より吐出する液状材料の量をコントロールし、ノズル先端から液状材料を一定量で吐出することが必要になる。この手段としては、一定圧力を液状材料に加えてノズル３からの吐出量をコントロールする方法が考えられる。緩衝部７はポンプ８と連動してノズル３からの吐出量を管理／調整するものである。また、流量管理だけでなくポンプ８を使用して機械的に塗工液を加圧するとともに圧力を検出してポンプにフィードバックする方法で行うこともできる。上記のような方法の他に、例えば注射器のようにシリンダ内でピストンを一定速度で押し出す方法を用いることや、一定圧力に調整した窒素などの気体を介して液状材料を加圧する方法を用いることも可能である。この場合には液状材料供給機構５内にピストンや気体導入装置が加わることになる。
【００３２】
次に、基板１に対するノズル部２の位置調整等について説明する。
【００３３】
本実施の形態において、基板１とノズル部２は接触しない場合でも塗布が可能であるが、接触した場合においては接触圧力を調整することが好ましい。接触圧力の調整方法としては特に限定はないが、圧力調整機１３を用いることができる。圧力調整機１３としてはバネやオイルダンパー（油圧機構）を備えたものがある。具体的な制御法としては、ノズル部２に圧力センサを設け、この圧力センサによって検出された接触圧力（押圧力）を電気信号に変えて制御部１０に送り、制御部１０からの信号を受け取ってバネの弾性力や油圧力を調整する。
【００３４】
一方、基板１とノズル部２が接触しない場合においては、基板１の凹凸を感知して基板１とノズル部２の高さ位置（距離）を調整できることが好ましい。ノズル部２の高さ位置の調整方法としては特に限定はないが、例えば、塗布装置内に高さ位置調整機構１２を設けることができる。
【００３５】
ノズル部２の高さ位置を調整する手段の一例として、走査トンネル顕微鏡（Scanning
Tunneling Microscope，STM ）を設けてノズル部２の高さや位置を調整することが可能である。ノズル部２に導電性を持つプローブ（一般には、探針と呼ばれる）を設け、基板１との間にバイアス電圧をかけて、上記プローブと基板１間の距離を流れるトンネル電流を制御部１０に送り、該制御部１０からの信号を受け取って高さや位置を決定する。このときトンネル電流を一定に保つようにすればノズル部２と基板１間の距離を一定に保つこともできる。
【００３６】
また、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscopy, AFM）を設けてノズル部２の高さや位置を調整することが可能である。ＡＦＭ法はプローブと基板１間に働く力を検出することを基本原理にしており、プローブは柔らかいバネの先端に鋭い探針を備えた形状である。プローブと基板１間に働く力（バネのたわみ）はレーザ光を使って検出し、電気信号に変えて制御部１０に送り、該制御部１０からの信号を受け取ってノズル部２の高さや位置を調整することができる。プローブと基板１間に働く力を一定に保てば、プローブと基板１間を一定に保つことも可能である。このときプローブと基板１間に働く力を一定に保つために圧電素子に加えた制御電圧を記録・画像化することによりＡＦＭ像が得られ、ノズル部２の位置を観察することもできる。ＡＦＭはレーザ光などを使用して「力」を検出するので、基板１が導電性であっても絶縁性であっても構わないことが特徴であるために、好適に使用できる。
【００３７】
上記ＳＴＭやＡＦＭなどを使用した走査プローブ顕微鏡はノズル部２に直接設置されていても、ノズル部２の移動方向前方に設置されていてもよい。また、基板１上の凹凸を感知して高さ位置が調整できるのと同時に、液状材料の液流量を調整すれば、凹部では液状材料を付与して凸部では液状材料を付与しないようにもできる。
【００３８】
ノズル部２と基板１の距離は１０ｍｍ以下である。ノズル部２と基板１との距離が１０ｍｍより大きいと、液状材料を基板１にパターンニングする際に溶媒の蒸発により、液状材料の粘性変化による膜質悪化の原因になるために好ましくない。
【００３９】
塗布装置の走査ステージ機構は、基板１とノズル部２が非接触の状態で相対的に移動するのであれば特に制限はない。例えば、図５を使って説明すれば、ノズル部２のＸ方向移動と基板１のＹ方向移動の組み合わせ、ノズル部２のＹ方向移動と基板１のＸ方向移動の組み合わせ、ノズル部２のＹ1 方向移動と基板１のＹ2 方向移動の組み合わせなど種々な動作が可能である。また、基板１の動きを固定して、ノズル部２の動きのみによってＸ、Ｙ方向の移動を行うこともできる。このときのパターン形成はノズル走査によって行う。塗布装置は、基板１とノズル部２を非接触な状態で相対的に移動させると同時に、前述のノズル角度可変機構と、走査方向により傾斜角度を反転させるノズル傾倒反転機構により、走査方向にノズル部２を傾倒させる。このとき、液状材料を吐出する吐出速度とノズル部２の走査速度を、ノズル部２の傾斜角度に基づいて制御する。このようにして、吐出された液状材料の横広がりを抑えて、例えば、隣接する塗布部位に混ざり合うことによるパターン不良を防ぐことができる。
【００４０】
次に、電界発光素子の基板１について説明する。基板１は、電界発光素子の用途に応じて適宜選択されるものであり、液状材料が接する部材、すなわち、液状材料が接する直下の基材である電極までの構成要素すべてを含む。
【００４１】
基板１の最も下部の部材である基材に関しては特に限定されるものではなく、具体的にはガラス等の無機材料や、透明樹脂等を用いることができる。透明樹脂としては、フィルム状に成形が可能であれば特に限定されるものではないが、透明性が高く、耐溶媒性、耐熱性の比較的高い高分子材料が好ましい。具体的には、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフッ化ビニル（ＰＦＶ）、ポリアクリレート（ＰＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、非晶質ポリオレフィン、またはフッ素系樹脂等が挙げられる。
【００４２】
また、このような基材を洗浄することが好ましく、その洗浄方法としては、酸素、オゾン等による紫外光照射処理や、プラズマ処理、アルゴンスパッタ処理等を行うことが好ましい。
【００４３】
これにより、水分や酸素の吸着のない状態とすることができる。
【００４４】
基板１はＴＦＴ駆動回路を含むことが好ましい。例えば、図６は、ＴＦＴ駆動回路を備えたアクティブマトリックス方式における電界発光素子の基板の一例を模式的に示したものである。
【００４５】
パネルには、走査信号ドライバー１４、情報信号ドライバー１５、電流供給源１６が配置され、それぞれゲート選択線、情報信号線、電流供給線が配置される。また、ゲート選択線と情報信号線の交点には画素回路が配置される。走査信号ドライバーは、ゲート選択線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３・・・Ｇｎを順次選択し、これに同期して情報信号ドライバーから画像信号が印加されることになる。該画素回路においては、ゲート選択線に選択信号が印加されると、ＴＦＴがＯＮとなりＣａｄｄに画像信号が供給され、ＴＦＴのゲート電位が決定される。電界発光素子の電極には、ＴＦＴのゲート電位に応じて電流供給線より電流が供給される。ＴＦＴのゲート電位は、次に走査選択されるまでＣａｄｄに保持されるため、電界発光素子には次の走査が行われるまで流れつづける。これにより一定期間常に発光させることが可能となる。
【００４６】
駆動回路としては、上記ＴＦＴ駆動回路の数をさらに多くしたもの「Yumotoらの『Pixel-Driving Methods for Large-Sized Poly-Si AM-OLED Displays』Asia Display/IDW'01P.1395-1398」、時分割階調回路「Mizukamiらの『6-bit Digital VGA OLED』SID'00 P.912-915」、面積分割階調回路「miyashitaらの「Full Color Displays Fabricated by Ink-Jet Printing」Asia Display/IDW'01 P.1399-1402」などのデジタル階調駆動回路が考えられ、これらのどの回路を備えていてもよい。
【００４７】
ＴＦＴ駆動回路を備えた基板は、例えば以下のように製造される。基材としてガラス基板を使用し、該ガラス基板上にバッファ層を設ける。バッファ層上の一部に、単結晶シリコン、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜または連続粒界シリコン（ＣＧシリコン）膜等から選ばれる膜を積層する。ｐ−Ｓｉ膜や連続粒界シリコン膜は、ａ−Ｓｉ膜よりも電荷移動度が高いので、ＴＦＴの大電流処理が可能であり、電流駆動素子である電界発光の駆動に適していることから好ましい材料である。シリコン膜には、チャンネルと、該チャンネルの両サイドにドレインまたはソースを設け、この上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。さらに、ゲート絶縁膜およびゲート電極上に、例えばＳｉＯ2 膜／ＳｉＮｘ膜／ＳｉＯ2 膜のように積層された絶縁膜を設ける。絶縁膜のソースに対応した位置にコンタクトホールを作り、これに金属を充填して、正電源電圧は供給される電源線とする。一方、絶縁膜のドレインに対応した位置にもコンタクトホールを作り、金属を充填して基板の最上部に形成される電界発光素子の電極とコンタクトさせることによって基板ができあがる。
【００４８】
電界発光素子に用いられる基板において、液状材料と接する部分は電極であり、該電極が陽極である場合と陰極である場合の２通りが考えられる。上記電極の一つ（陽極または陰極）の他に、電界発光素子の薄膜層を形成した後に、対応するもう一つの電極（陰極または陽極）が設けられることになる。
【００４９】
基板側の電極が陽極の場合、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい導電性材料が好ましい。一方、基板側の電極が陰極である場合、電子が注入し易いように仕事関数の小さな導電性材料であることが好ましい。また、複数の材料を混合させてもよい。いずれにせよ電極の抵抗はできるだけ小さいものが好ましく、一般には、金属材料が用いられるが、有機物あるいは無機化合物を用いてもよい。
【００５０】
基板側の電極が陽極である場合（ボトムエミッションタイプの電界発光素子を製造したい場合）には、安定な透明電極層であり、かつ表面が平坦であることが好ましい。具体的な例を挙げれば、仕事関数４．５〜５．５ｅＶの物質が好ましく、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）のいずれかを主組成としたものを適時使用することができる。これらの酸化物はその化学量論組成から多少偏倚していてもよい。Ｉｎ2 Ｏ3 に対するＳｎＯ2 の混合比は、１〜２０％（質量百分率）、さらには５〜１２％（質量百分率）が好ましい。また、ＩＺＯでのＩｎ2 Ｏ3 に対するＺｎＯの混合比は、通常、１２〜３２％（質量百分率）程度である。また、仕事関数を調整するため、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を含有していてもよい。酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）の含有量は、ＩＴＯに対するＳｉＯ2 のモル比で０．５〜１０％程度が好ましい。ＳｉＯ2 を含有することにより、ＩＴＯの仕事関数が増大する。具体的な例としては、酸化錫膜、酸化インジウムと酸化錫との複合酸化物膜（ＩＴＯ膜）、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合酸化物膜（ＩＺＯ膜）等が挙げられる。
【００５１】
一方、基板側の電極が陰極である場合（トップエミッションタイプの電界発光素子を製造したい場合）には、可視光を反射する性質を有し、かつ表面が平坦であり、酸化しにくく安定なものであれば特に制限されず、通常の金属を用いることができる。中でも、導電率や扱い易さの点で、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、ＰｄおよびＮｉ、特にＡｌ、Ａｇから選択される１種または２種等の金属元素が好適に使用できる。
【００５２】
また、Ｋ、Ｃｓ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む２成分、３成分の合金電極や積層電極を使用しても構わない。合金電極としては、例えばＡｇ・Ｍｇ合金（Ａｇ量０．１〜５０％（原子比））、Ａｌ・Ｌｉ合金（Ｌｉ量０．０１〜１４％（原子比））、Ｉｎ・Ｍｇ合金（Ｍｇ：５０〜８０％（原子比））、Ａｌ・Ｃａ合金（Ｃａ量０．０１〜２０％（原子比））、Ｃｓ・Ｔｅ等が挙げられる。積層電極としては、例えばＣａ／Ａｌ、Ｍｇ／Ａｌ、Ｌｉ／Ａｌ、Ｃｓ／Ａｌ、Ｃｓ2 Ｏ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ、ＥｒＦ3 ／Ａｌ等が挙げられる。
【００５３】
基板を構成する電極が形成された後に、電極のエッジ部を覆うように、絶縁性薄膜を形成してもよい。このような絶縁性膜としては、通常、電界発光素子に絶縁性膜として用いられているものを用いることが可能である。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリスチレン、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、フッ素樹脂等、ガスバリア性、密着性、耐熱性、および柔軟性を兼ね備える材料であることが好ましい。
【００５４】
電界発光素子は前記基板（ＴＦＴ駆動回路や電極を具備する）の上に多層あるいは単層の電界発光層／陰極層を順次積層して得られる。
【００５５】
次に、上記塗布装置を使用した塗布およびパターニング法を説明する。
【００５６】
液状材料は有機材料と溶剤から成り、電界発光素子の用途に応じて適宜選択されるものである。また、図１の基板１に対して付与可能なものであり、かつ付与後に、例えば、乾燥や光硬化させることにより有機薄膜を形成できるものであれば、その材料等は特に限定されるものではない。また、有機材料は溶剤に完全に溶けていても、溶けずに微粒子が分散された液でも構わない。
【００５７】
液状材料の粘度としては、１０-4Ｐａ・ｓ〜１０Ｐａ・ｓの範囲内であることが好ましい。これにより、液状材料を、例えば図１のノズル部２から容易に基板１上にパターニングすることが可能となるからである。
【００５８】
有機材料は液状材料を構成する材料の一つであり、一般に電界発光素子に用いられる材料、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子ブロック材料（インターレイヤー材料）、発光材料（ホストとドーパント）、正孔ブロック材料、電子輸送材料、電子注入材料などから選ばれる。
【００５９】
電界発光素子に用いられる発光材料は、通常電界発光素子の発光層に用いることが可能な材料であれば、特に限定されるものではなく、例えば色素系材料、金属錯体系材料、および高分子系材料を挙げることができる。
【００６０】
色素系材料として、具体的にはシクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を挙げることができる。
【００６１】
金属錯体系材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、イリジウム錯体または白金錯体等のように、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等のアルカリ金属、アルカリ土類金属または希土類金属から選ばれる金属原子を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、ジフルオロフェニルピリジン、フェニルイソキノリン、フルオレノピリジン、フルオレノキノリン、フェニルベンゾイミダゾール、アセチルアセトン誘導体およびキノリン構造等を有する金属錯体等を挙げることができる。
【００６２】
高分子系の材料として、具体的にはポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体、金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を挙げることができる。
【００６３】
これらの材料を単独で用いてもよく、また組み合わせて用いてもよい。
【００６４】
また、リン光を有する有機発光材料も用いることができる。燐光を有する有機発光材料として、具体的には、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＡｕおよびＣｕ等のスピン軌道相互作用が大きい重金属を中心金属とする金属錯体等を用いることができる。代表例としては、フェニルピリジン、チエニルピリジン、ジフルオロフェニルピリジン、フェニルイソキノリン、フルオレノピリジン、フルオレノキノリンおよびアセチルアセトン誘導体などを配位子とするイリジウム錯体や白金錯体等が挙げられる。
【００６５】
また、上記発光材料を、発光効率の向上、発光波長を変える目的でドーピング材料として使用することもできる。また、上記以外のドーピング材料として、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィレン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラン系化合物、デカシクレン、フェノキサゾン等を適時使用することもできる。上記ドーパントと一緒に用いられるホスト材料は、キャリア（正孔と電子）を輸送する材料であれば特に限定されず、正孔または電子輸送の性質を有する材料を単独または混合してホスト材料としても構わない。上記キャリアを輸送する材料としては、例えば、４，４′−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。
【００６６】
正孔注入材料または正孔輸送材料とは、電極から正孔を注入したり、注入された正孔を運ぶものであり、場合によっては何れかの材料１つで注入と輸送を司る正孔注入輸送材料として用いることができる。本発明においては通常の電界発光素子の製造方法に用いられている材料を適時使用できる。
【００６７】
上記材料としては、トリフェニルメタン、ヒドラゾリン、アリールアミン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニルアミン、チオフェン、オキサジアゾール、オキサゾール、フェニルカルボン酸またはフェニルスルホン酸のユニットを有する有機材料が挙げられ、これらのユニットを含んでいれば高分子でも低分子でも構わない。高分子の有機材料として、具体的には、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（ＰＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
【００６８】
また、低分子の有機材料としては、ＴＰＤや、ＰＤＡ、ＴＰＡＣ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ等の芳香族アミン誘導体等でよく、上記材料を単独で用いてもよく、また二種類以上の材料を組み合わせて用いてもよい。
【００６９】
次に、電界発光素子に用いられる電子注入材料または電子輸送材料について説明する。前記電子注入材料または電子輸送材料とは、陰極からの電子授受や、発光材料まで電子輸送を担う材料である。該材料としては、通常電界発光素子に用いられる材料を用いることができ、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミニウム錯体等が挙げられる。具体的には、２，５−ビスｓ（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）および２，５−ビス（６′−（２′，２′′−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等が挙げられる。本発明においては、上記材料を単独で用いてもよく、また組み合わせて用いてもよい。
【００７０】
電子ブロック材料（インターレイヤー材料とも言う）とは、正孔輸送層と発光層の間に設けられる層を構成する材料であり、電子ブロック機能を有する材料である。材料の最低非占有軌道準位（ＬＵＭＯ）の絶対値が小さい低分子〜高分子材料を用いることができ、例えば、ポリピリジン、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。該材料は、電子が陽極に流れ出てしまうことを抑制する性質があり、発光層中で正孔と電子の衝突確率を高め、電界発光素子を高輝度化および高効率化する。
【００７１】
次に、電界発光素子に用いられる正孔ブロック材料（正孔阻止材料とも言う）について説明する。正孔ブロック材料の機能は、正孔が陰極に流れてしまうことを抑制することである。該正孔ブロック材料としては、通常電界発光素子に用いられる電子輸送の性質を有する材料を用いることができ、例えばバソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ター−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）等が挙げられる。
【００７２】
電界発光素子は、上述した正孔輸送、電子輸送、および発光のそれぞれの性質を有する各材料を混合して使用してもよいが、正孔輸送、電子輸送、および発光の全ての性質を兼備する材料を用いてもよい。これらの正孔輸送、電子輸送、および発光の性質を有する材料として、例えば、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系、ポリ（２−メソキシ、５−（２′−エチル−ヘキリキシ）−１，４−（フェニレン−ビニレン））（ＭＥＨ−ＰＰＶ）系、ポリフルオレン系などの共役高分子等が挙げられる。また、デンドリマー系材料も利用することが可能である。
【００７３】
本発明における液状材料とは、上述した少なくとも発光の性質、正孔輸送の性質、および電子輸送の性質を有する材料を溶媒に溶解または分散させたものである。該溶媒としては、上述した材料を溶解もしくは分散するのみならず、所定の粘度を与えることが可能な溶媒であれば、特に限定されるものではない。
【００７４】
具体的には、キシレンやトルエンなどの炭化水素系、ハロゲン炭化水素系、エタノールやイソプロピルアルコールなどのアルコール系、ケトン、アルデヒド、酢酸ブチル、ドデシルベンゼン、ジクロロエタン、ジクロロメタン、エチレングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等を挙げることができる。
【００７５】
上記の溶剤の中で比較的低沸点（キシレンは約１４０℃、トルエンは１１０．６℃）の溶媒を使用する際、微小なノズル孔からの液滴（吐出）を伴うパターニング（例えば、インクジェット法）においては、ノズル先端で溶媒の蒸発が進み、開口面積が低下する。このため、最終的に目詰まりを起こすことになる。しかし、本発明のように、液体材料をノズルより吐出することで、上記のような問題は起こらない。また、ノズル開口部の目詰まり防止の観点から溶媒として同じ芳香族系のテトラリンやシクロヘキシルベンゼンなどの高沸点（テトラリンは２０７．２℃、シクロヘキシルベンゼンは２４０℃）の溶媒を使用することが考えられる。しかしながら、これらの溶媒は高沸点であるとともに高粘度（テトラリンは０．００２Ｐａ・ｓ、シクロヘキシルベンゼンは０．００３７Ｐａ・ｓ）でもあるため、微小なノズル孔から吐出する場合には十分な流量を得るのが困難であるという問題が生じる場合があるが、本発明のパターニングにおいては上記のような問題は起こりにくい。
【００７６】
液状材料の粘度は、１０-4Ｐａ・ｓ〜１０Ｐａ・ｓの範囲内であることが好ましい。これにより、本発明の装置を用いて容易にパターニングすることが可能となるからである。
【００７７】
本発明の製造法で積層構造を有する薄膜層を製膜する際、積層工程で下層の膜にダメージを与えないようにする場合には溶剤を適時選択することが好ましい。すなわち、下層の有機材料から成る膜が犯されない溶剤を選択することもできる。
【００７８】
溶剤は固有の溶解度パラメーターを持つが、溶解度パラメーターは正則溶液理論における凝集エネルギー密度（凝集エネルギーを物質のモル体積で割ったもの）の平方根で、単位は（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 またはＭＰａである。溶解度パラメーターは、ある分子集団の集まる強さ、すなわち分子間力の強さを表わす。従って、溶解度パラメーターが似ているということは、分子間力の強さも似ており、近接して互いの分子が入れ替わっても何ら問題が生じないということになる。その結果、溶解度パラメーターの近いものほど、互いに良好に混合し、良好に濡れ、良好に接合することになる。高分子の分野では溶剤に溶かす際、高分子の溶解度パラメーターと溶媒の溶解度パラメーターを近づけることが行われており、溶解度パラメーターは溶解性を予測するときに用いられる高分子の特性を意味する場合もある。各種溶剤の溶解度パラメーターは、例えば、「溶剤ポケットブック」、ｐ１１〜１３、（株）オーム社発行、（社）有機合成化学協会編者に記載されている。
【００７９】
上記溶解度パラメーターに注目すると、下層で用いた溶剤は下層を構成する有機材料を良好に溶解しているため、該有機材料の溶解度パラメーターは用いた溶剤の溶解度パラメーターに近似する。したがって、上層で選択する有機溶剤は、下層で使用した有機溶剤の溶解度パラメーターとの差が大きくなる溶剤を選択する。好ましくは、下層に使用した溶剤と上層で使用する溶剤の溶解度パラメーターの差が２（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 以上に設定することで、下層にダメージを与えることなく積層することが可能になる。例えば、下層の溶剤が水（水の溶解度パラメーター：２３．４（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ））で上層の溶剤がトルエン（トルエンの溶解度パラメーター：８．９（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）の組み合わせがある。または、下層の溶剤がメタノール（メタノールの溶解度パラメーター：１４．５（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）で上層の溶剤がヘキサン（ヘキサンの溶解度パラメーター：７．４（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）の組み合わせが考えられる。
【００８０】
前記の目的とは異なり下層膜に浸透させる場合や、上層の一部を下層の一部と混合させたい場合は上記の手段は必要ない。
【００８１】
次に、本実施の形態による電界発光素子の製造方法について説明する。
【００８２】
図２の液状材料供給機構５からノズル部２に液状材料が供給され、ノズル部２の先端のノズル３から吐出し、基板１に付与される。ノズル先端と基板１は接触しても接触しなくても構わない。また、ノズル３と基板１の距離をとることで、液状材料を濃縮して固形分量を大きくした後にパターニングすることもできる。
【００８３】
さらに、上記液状材料を、あらかじめダミー部に移した後、目的とする有機薄膜を形成する位置に液状材料を移しても構わない。ダミー部とは、例えば、基板１の端部等、有機薄膜を形成する以外の部分であり、液状材料を移した場合であっても電界発光素子の性能に影響を与えない部分を言う。このダミー部に最初に液状材料を塗布することにより、塗布初期部分のかすれ等を防ぐことができ、有機薄膜の膜厚均一化を図ることも可能である。このダミー部の位置等については特に限定されないが、有機薄膜を形成する位置の手前であってもよい。
【００８４】
図７にＲＧＢドット式と、図８にＲＧＢライン式のパターニングの模式図を例示したが、もちろん本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８５】
図７では、複数の画素ＳがＸ方向とＹ方向に所定ピッチで分布した状態で形成されている。それぞれの画素Ｓは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三色に対応する複数のドットから構成される。図７または図８のパターニングは、ノズル部２を、基板１に対して相対的に変位させる走査方向と交わる直線上に配置されるよう横方向に並べたが、これに限定されるものではなく、例えばＲ、Ｇ、Ｂの各ドットを正方配列するようにしてもよい。
【００８６】
液状材料を塗布した後、乾燥または硬化させることにより、有機薄膜とすることができる。これらの乾燥または硬化の方法は、通常用いられている方法により行うことができ、具体的には、加熱減圧乾燥、ホットプレート焼成や、ガスフローによる乾燥等が挙げられる。
【００８７】
また、図９に示すように、ノズル部２の進行方向の後方に光照射ユニット１７を設けることもできる。照射される光は特に限定しないが、紫外線でもよく、例えば、ノズル部２ともに基板１に対して相対的に移動しつつ紫外線を照射できる。光照射ユニット１７により、基板１に付与された液状材料に対する紫外線照射が可能となり、液状材料中に含まれる光硬化成分を紫外線吸収によって硬化させることが可能になる。
【００８８】
電界発光素子は、例えば図１０の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す膜構成によって作成することが可能である。
【００８９】
図１０の（ａ）に示す構成では、透明電極（陽極）２１を形成した基板上の薄膜層が、ホール注入輸送層２２、発光層２３、電子注入輸送層２４とからなる。透明電極２１としては、仕事関数が大きなＩＴＯを用い、透明電極２１からホール注入輸送層２２へ正孔が注入し易くしている。電極（陰極）２５には、アルミニウム、マグネシウム、あるいはそれらの合金など、仕事関数の小さな金属材料を用い、薄膜層への電子注入をし易くしている。
【００９０】
発光層２３には、例えば、リン光性金属錯体が含まれ、ホール注入輸送層２２には、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（ＰＤＯＴ／ＰＳＳ）などが使用できる。このように構成した素子は電気的整流性を示し、電極２５を陰極に透明電極２１を陽極になるように電界を印加すると電子と正孔が発光層２３に注入される。そして発光層２３内で再結合して励起子が生じ、発光する。このとき、ホール注入輸送層２２は電子ブロッキングの役割も担い、発光層２３おける電子と正孔の再結合効率が上がり、発光効率が上がる。
【００９１】
図１０の（ｂ）に示す構成では、発光層２３とホール注入輸送層２２の間に、電子ブロック層２６（インターレイヤー層）が設けられている。電子ブロッキング能力を高める効果の他に、ホール注入輸送層２２に用いた材料（例えば、上記ＰＤＯＴ／ＰＳＳ）による発光層２３への経時的なダメージを緩和することもできる。これにより、発光効率を上げ、かつ耐久性を改善することができる。電子ブロック層２６の材料としては、例えばポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）およびその誘導体などを用いることができる。
【００９２】
図１０の（ｃ）に示す構成では、陽極である透明電極２１側から、ホール注入輸送層２２、発光層２３、正孔ブロック層２７、電子注入輸送層２４および電極２５からなる４層構成であり、発光層２３の中で励起子を閉じ込めて発光効率の向上を図ることも可能である。
【００９３】
図１０の（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示す構成において、電極間の薄膜層は２層以上の積層構造であるが、少なくとも１層が本発明の製造方法で作成されていればよい。残りの層の作成は、既知の膜作成法により成膜することが可能であり、例えばスピンコート法や蒸着法またはインクジェット法等でも構わない。
【００９４】
上記の電界発光素子を製造する際、ちりやほこりを介在させないためにクリンブース内で行うことが好ましい。また、塗布装置のみならず、乾燥工程または光照射工程で使用される機器全てをボックス内に格納して、窒素などの不活性ガス中で全ての製造工程を行えば、ちりやほこりだけでなく、空気中の水などが限りなく少ない環境下で電界発光素子が製造できる。一般に電界発光素子の性能や信頼性に関しては、ちり、ほこりまたは水などの外的環境要因を如何に除くかが課題とされており、上記環境下で製造することが好ましい。
【００９５】
本実施の形態によれば、塗布装置を用いて電界発光素子の薄膜層を作成することにより、蒸着系で必須のシャドウマスク等を用いることなく、目的とする部分のみに、液状材料を付与してパターン成膜することが可能となる。従って、例えば発光の性質を有する薄膜層の塗り分け等を容易に行うことが可能となる。また、大面積の基板であっても、電界発光素子を安価に効率よく形成することが可能である。
【実施例１】
【００９６】
（基板）
ガラス基板（商標名・コーニング社製，７０５９番）上に厚み１００ｎｍのＩＴＯを電極面積が３．１４ｍｍ2 になるようにパターニングする。このＩＴＯ付きガラス基板をアルカリ洗剤、純水、エタノール、アセトンにて超音波洗浄し、最後にＵＶ／Ｏ3 処理を施した。
【００９７】
（ノズル部）
ノズル部がスリーブによって覆われたノズルを有する。
【００９８】
（塗布装置）
上記のように処置された基板とノズル部を図１に示すようにセットした。このときのパターン形成はノズル部の移動動作（走査）によって行い、塗布装置は基板とノズルを非接触な状態で相対的に移動させると同時に、ノズル角度可変機構とノズル傾倒反転機構によりノズル部を走査方向に傾倒させる。このときの液状材料の吐出速度とノズルの走査速度と傾斜角度とを制御し、液状材料の着材時間Ｔ1 とノズル移動時間Ｔ2 を等しくすることで、液状材料の横広がりを防ぐ。
【００９９】
（電界発光素子の作成）
本実施例では素子構成として、図１０の（ａ）に示すように薄膜層が３層の素子を作成した。
【０１００】
水に分散したポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（商標名・Ｂａｙｔｒｏｎ社製、ＰＥＤＯＴ/ＰＳＳ  ＡＩ  ４０８３）を液状材料タンクに充填した塗布装置で、基板上にノズル吐出により一直線に塗布して２００℃にて５分間乾燥した。成膜された部分はライン状であり、ライン幅は０．５５ｍｍであり、膜厚は５５０Åであった。
【０１０１】
次に、発光層の積層を行った。テトラフルオレン（４ＦＬ）にクロロホルムを加えて０．３ｗｔ％濃度とし、これを塗布装置の液状材料タンクに充填し、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層上にノズル吐出により一直線に塗布した。これを８０℃にて減圧乾燥（２０分間）したところ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層上にライン幅が約０．２ｍｍの薄膜層が積層され、該薄膜層の厚さは６００Åであった。
【０１０２】
さらに、電子注入輸送層と電極の形成を蒸着法で行った。まず、Ｂｐｈｅｎ（商標名・Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を使用して２００Å積層し、電子注入輸送層を形成した。最後にＬｉＦとＡｌをそれぞれ１０Å、１２００Å積層し、積層タイプの電極を形成した。
【０１０３】
（素子評価）
ＩＴＯ部分を陽極に、Ａｌ部分を陰極につなぎ６Ｖの電圧をかけたところ、直線状の青色発光（輝度５００ｃｄ／ｍ2 ）が観察され、ノズル吐出を使用した塗布装置において、電界発光素子の製造が可能であることが実証できた。
【実施例２】
【０１０４】
本実施例では、発光層にホスト−ゲスト系を用いた電界発光素子を作成した。発光層を積層する工程で、テトラフルオレン（４ＦＬ）の替わりに、１０ｗｔ％のトリス（フェニル−イソキノリン）イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｉｑ）3 ）を含有したテトラフルオレン（４ＦＬ）を用いた以外は、実施例１と同様の製造方法で電界発光素子を作成した。
【０１０５】
（素子評価）
ＩＴＯ部分を陽極に、Ａｌ部分を陰極につなぎ９Ｖの電圧をかけたところ、直線状の赤色発光（輝度４００ｃｄ／ｍ2 ）が観察され、ノズル吐出を使用した塗布装置において、ホスト−ゲスト系の電界発光素子の製造が可能であることが実証できた。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】一実施の形態を説明する図である。
【図２】塗布装置を示す図である。
【図３】ノズル部の構成を示す図である。
【図４】図３のノズル部の変形例を示す図である。
【図５】塗布装置の動作を示す図である。
【図６】ＴＦＴ駆動回路を備えた基板を示す概略図である。
【図７】ドット状のパターニングを示す図である。
【図８】ライン状のパターニングを示す図である。
【図９】光照射ユニットを備えた塗布装置を示す図である。
【図１０】電界発光素子の膜構成を説明する図である。
【符号の説明】
【０１０７】
２    ノズル部
３    ノズル
４    ノズル駆動部
５    液状材料供給機構
１０    制御部
【図１】
2007273287.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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