(57)【要約】【課題】オーバーエッチングにより発生するＳｉ基板のリセス量を低減し、ゲート配線を垂直に加工する方法を提供する。【解決手段】半導体基板１０にゲート配線層１２のメインエッチング処理（ｂ）の後にオーバーエッチング処理を行ってゲート配線加工を行うドライエッチング方法であって、オーバーエッチング処理（ｃ）を、ＨＢｒガスを含むエッチングガスに一般式がＣｘＨｙで表されるガスもしくはＣＯ、ＣＯ２ガスのうち少なくとも１つを添加した配合ガスを用いて施す。【選択図】図２
2007250940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にゲート配線層のメインエッチング処理の後にオーバーエッチング処理を行ってゲート配線加工を行うドライエッチング方法であって、
オーバーエッチング処理を、ＨＢｒガスを含むエッチングガスに一般式がＣｘＨｙで表されるガスもしくはＣＯ、ＣＯ２ガスのうち少なくとも１つを添加した配合ガスを用いて施す
ことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１記載のドライエッチング方法であって、オーバーエッチング処理時にＨＢｒガスに添加する一般式ＣｘＨｙで表されるガスがＣＨ４であり、ＨＢｒガスの２〜２０％の量としてオーバーエッチング処理することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項１記載のドライエッチング方法であって、オーバーエッチング処理時に前記ＨＢｒを含むエッチングガスに添加するガスを炭素原子を含有するガスとすることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項４】
請求項１記載のドライエッチング方法であって、ＲＦバイアスによりプラズマ中のイオンをＳｉ基板に入射させるエネルギーを、４００ｅＶ以下としてオーバーエッチング処理することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項５】
請求項１記載のドライエッチング方法であって、ＲＦバイアスによりプラズマ中のイオンをＳｉ基板に入射させるエネルギーを、１５０ｅＶ〜４００ｅＶとしてオーバーエッチング処理することを特徴とするドライエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスのエッチング方法に関する。さらに詳細には、半導体デバイス製造時に、ゲート配線をエッチングするときのゲート酸化膜下のＳｉ基板へのイオン入射によるダメージ層の発生を低減させると同時に、サイドエッチ等の異常形状を発生させずに、ゲート配線を垂直加工するドライエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイス製造時の処理速度の高速化を進めるにあたり、ゲート酸化膜の薄膜化が進んでいる。しかし、ゲート配線を加工する過程で、プラズマ生成されたイオンをＲＦバイアスによりウエハ表面に入射させるドライエッチングを行うと、入射されたイオンが薄膜のゲート酸化膜を透過し、ゲート酸化膜下層のＳｉ基板にダメージを与える問題がある。このＳｉ基板へのダメージにより、Ｓｉ基板が後退する現象（Ｓｉリセス）が発生する。このＳｉ基板のリセス量が大きいと、デバイス特性に影響を与えてしまうことが知られており、Ｓｉリセス量の低減がデバイス性能向上のための重要な要素となっている。
【０００３】
従来のドライエッチング方法では、酸素等の添加ガスを最適化することによりゲート酸化膜の抜けを防止しながら、垂直な加工形状を維持するために比較的高いＲＦバイアスを印加する必要があった。しかし、この方法ではウエハへのイオン入射エネルギーが高くなり、Ｓｉリセス量が増加してしまうという問題がある。
【０００４】
このようなオーバーエッチング時のＳｉリセス量を低く維持しながらポリシリコンを垂直加工するために、カーボンを含まないハロゲン化ガス（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ｈａｌｉｄｅ  ｇａｓ）によるポリシリコンのサイドエッチを抑制する手法が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。この手法によれば、オーバーエッチングガスのハロゲン（例えば、Ｃｌ）が含まれると、堆積性の反応生成物を生じさせえるためにＣを多く必要とし、Ｏ２を含むとさらに多くのＣを必要とする。
【非特許文献１】２００５年  ドライプロセス  インターナショナルシンポジウム（２００５  Ｄｒｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ)、１０‐１６項、２７１〜２７２ページ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ドライエッチング時のオーバーエッチングにより発生するＳｉ基板のリセス量を低減し、ゲート配線を垂直に加工することにより、デバイスの信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題は、電極へのＲＦ印加バイアスの出力低減や、プロセスパラメータの変更によりプラズマ密度を調整することにより、ウエハへのイオン入射エネルギーを下げると同時に、添加ガスにより反応生成物を制御することでＳｉ基板へのイオン入射を抑制し、また、ゲート配線の側壁を保護させることにより達成できる。
【０００７】
すなわち、本発明は、半導体基板にゲート配線層のメインエッチング処理の後にオーバーエッチング処理を行ってゲート配線加工を行うドライエッチング方法であって、オーバーエッチング処理を、ＨＢｒガスを含むエッチングガスに一般式がＣｘＨｙで表されるガスもしくはＣＯ、ＣＯ２ガスのうち少なくとも１つを添加した配合ガスを用いて施すことによって達成される。
【０００８】
さらに、本発明は、上記ドライエッチング方法であって、オーバーエッチング処理時にＨＢｒガスに添加する一般式ＣｘＨｙで表されるガスがＣＨ４であり、ＨＢｒガスの２〜２０％の量としてオーバーエッチング処理すること、または、オーバーエッチング処理時に前記ＨＢｒを含むエッチングガスに添加するＡｒガスに配合するガスを炭素原子を含有するガスとすること、もしくは、ＲＦバイアスによりプラズマ中のイオンをＳｉ基板に入射させるエネルギーを４００ｅＶ以下としてオーバーエッチング処理すること、または、ＲＦバイアスによりプラズマ中のイオンをＳｉ基板に入射させるエネルギーを１５０ｅＶ〜４００ｅＶとしてオーバーエッチング処理すること、などにより達成される。
【０００９】
この加工方法では、添加ガスにより生成されるカーボンを含む反応生成物が、一時的にゲート酸化膜上へ堆積することにより、ゲート酸化膜層を透過しようとするイオンの入射を阻害し、イオンのＳｉ基板への到達を抑制することができる。このため、過度にイオン入射エネルギーを落す必要がなく、低出力化に伴うＲＦ電源の負担低減ができる。また、プロセス性能のマージンも低下させることなく、安定してデバイス生産が可能である。
【００１０】
同時に、添加ガスにより生成される反応性生物は、ゲート配線の側壁保護を行うことができ、イオン入射エネルギーの低下により発生するサイドエッチ形状やノッチ形状等のゲート配線の加工形状の不良の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上、本発明によれば、ドライエッチングにより発生するＳｉ基板のリセス量を低減し、ゲート配線を垂直に加工することにより、デバイス信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明によるプラズマエッチング方法について説明する。なお、本発明が適用されるプラズマエッチング処理装置としては、マイクロ波プラズマエッチング装置、誘導結合型プラズマエッチング装置、ヘリコン波プラズマエッチング雄装置、２周波励起平行平板型プラズマエッチング装置等が採用される。図１は、本発明に用いたエッチング装置を示す。本一実施例はプラズマ生成手段にマイクロ波と磁界を利用したマイクロ波プラズマエッチング装置の例である。マイクロ波はマグネトロン１で発振され、導波管２を経て石英板３を通過して真空容器へ入射される。真空容器の周りにはソレノイドコイル４が設けてあり、これより発生する磁界と、入射してくるマイクロ波により電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を起こす。これにより図示を省略したプロセスガス導入手段から導入されるプロセスガスは、効率良く高密度にプラズマ化５される。半導体ウエハ６は、静電吸着電源７から試料台８の内部に設けた電極に直流電圧を印加することで、静電吸着力により試料台８に固定される。また、試料台８の内部に設けた電極には高周波電源９が接続してあり、高周波電力（ＲＦバイアス）を印加して、プラズマ中のイオンにウエハに対して垂直方向の加速電位を与える。エッチング後のプロセスガス等は装置下部に設けられた排気口から、ターボポンプ・ドライポンプ（図省略）等の排気手段により排気される。
【００１３】
図２は、図１のエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法を示す図である。本図に示すように、図２（ａ）は半導体ウエハの構造を示す。図２（ｂ）はレジストマスクを用いた半導体ウエハのポリシリコンの主エッチング工程を、図２（ｃ）は半導体ウエハのポリシリコンの追加エッチング（オーバーエッチング）工程を示す。
【００１４】
本実施例で使用した半導体ウエハの構造を図２（ａ）に示す。直径１２インチのシリコン基板１０の上にゲート酸化膜１１を１．２ｎｍ成膜し、その上にポリシリコン膜１２を１００ｎｍ成膜し、さらにその上にフォトレジスト１３を２５０ｎｍの順に形成し、フォトリソグラフィ技術等よってマスクパターンを形成する。
【００１５】
図２（ｂ）は、ポリシリコンの主エッチング工程であり、エッチング処理中は、ＥＰＤ（Ｅｎｄ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）等のエッチングモニターで、ポリシリコン膜１２とゲート酸化膜１１の界面を検出しながらエッチング処理を行う。ポリシリコン膜１２のメインエッチング処理のエッチング条件は、処理圧力０．４Ｐａ、マイクロ波８００Ｗ、ＲＦバイアス５０ＷでＨＢｒ＋Ｏ２＋Ｃｌ２ガスを用いて行った。このエッチング工程（ｂ）では、ゲート酸化膜１１の表面の露出が始まった時点で、エッチング処理を中断した。この状態では、ポリシリコン膜１２は、下部構造の影響によって生じた段差部分に部分的にエッチングされないでゲート酸化膜１１上に残る部分がある。図２においては、下地の下部構造の段差は無視してＳｉ基板１０やゲート絶縁膜１１等は平坦な形状で示している。
【００１６】
図２（ｃ）に示すポリシリコン膜の追加エッチング（オーバーエッチング）工程は、下地の段差部分に残るポリシリコン膜を除去する工程である。本発明をこのゲート酸化膜１１が露出された状態で適用することにより、ＲＦバイアスにより引き込まれるイオンがゲート酸化膜１１を透過し、Ｓｉ基板１０に到達することを抑制し、同時に追加エッチング時にポリシリコン膜１２に発生するサイドエッチ等の加工形状の不具合を解消できる。
【００１７】
すなわち、本発明による追加エッチング処理は、ＨＢｒ＋Ｏ２ガスからなるエッチングガスにＡｒに炭素原子を含有するガスを配合したガスを添加して、マイクロ波５００Ｗ，ＲＦバイアス２０Ｗで行うことで、炭素原子を含む反応性生物がゲート酸化膜１１の表面およびポリシリコン膜１２の側壁に堆積して、入射するイオンがゲート酸化膜１１を透過することを抑制してゲート酸化膜１１下のＳｉ基板１０のリセスの発生を抑え、さらに、低いＲＦバイアスを用いたエッチングによるサイドエッチの発生をも抑制してポリシリコン膜１２の側壁の垂直性を維持することができ、デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００１８】
ポリシリコン膜の追加エッチング（オーバーエッチング）工程において、イオン入射エネルギーとＳｉ基板のリセス量（Ｓｉリセス量）との関係を図３に示す。図３の上部分は、イオン入射エネルギーとＳｉリセス量およびポリシリコン膜のサイドエッチ形状の関係を説明する図であり、図３の下部分はエッチングにおけるリセス量を説明する図である。このときのエッチング条件としては、処理圧力２．０Ｐａ、マイクロ波５００ＷによりＨＢｒ／Ｏ２ガスからなる混合プラズマを生成し、電極に印加するＲＦバイアスを増減させイオン入射エネルギーを変動させた場合のＳｉリセス量を測定した。●を結んだ折れ線が上記条件でのエッチングの結果を示しており、イオン入射エネルギーは略２００，４００，６００ｅＶであった。図３に示すように、イオン入射エネルギーが高いと、Ｓｉ基板へのイオンの到達が容易になり、Ｓｉリセス量が増大することがわかる。図３からＳｉリセス量を１．０ｎｍ程度に抑えるには、１００ｅＶ以下に抑える必要があることが分かる。
【００１９】
一方で、ポリシリコンの加工形状は、入射エネルギーを減少させることで、イオン入射の垂直方向性を失うと共に、フォトレジストマスクのエッチング量も低下するため、プラズマ中のカーボンを含んだ反応成生物量が低下し、ポリシリコンの側壁を保護できなくなりサイドエッチ形状が発生する。このサイドエッチを抑制するためのイオン入射エネルギーは５００ｅＶ程度必要であり、そのときのＳｉリセス量は２．２ｎｍ程度まで増大してしまう。
【００２０】
本実施例では、図２（ｃ）のポリシリコン膜の追加エッチング工程において、ＲＦバイアスの出力を２０Ｗとしてイオン入射エネルギーを３００ｅＶ程度に抑えた条件により処理を行った。またカーボンを含むガスとしてＡｒガスにＣＨ４ガスを配合した混合ガスをＨＢｒ／Ｏ２の混合ガスに添加し、処理圧力２．０Ｐａ、マイクロ波５００Ｗにより生成される混合プラズマによりエッチングを行った。このとき、ＨＢｒガス７０ｍｌ／ｍｉｎに対してＣＨ４ガス３ｍｌ／ｍｉｎを添加し、ＣＨ４ガスの添加量としては、ＣＨ４ガスとＣＨ４の和のエッチングガス流量の４％程度添加した。
【００２１】
この方法によりエッチング処理された半導体ウエハのＳｉリセス量は、図３に○を結ぶ線分を●で示した折れ線に倣って破線で示すと、１．０ｎｍ程度に抑えられており、且つ、サイドエッチ等の発生しない垂直加工形状を形成することができた。すなわち、この実施例の○では、入射エネルギーが３００ｅＶと４００ｅＶでのＳｉリセス量の測定およびサイドエッチング形状の発生を観察している。
【００２２】
ウエハに入射するイオンの最大エネルギーεｍａｘ（ｅＶ）は次の（１）式で表される。
【００２３】
【数１】
2007250940.tif 000003
【００２４】
ここで、（１）式の右辺の第１項はイオンの平均入射エネルギーであり、第２項Δε（ｅＶ)はイオンの入射エネルギーの広がりである。また入射エネルギーの広がりΔεは次の（２）式で与えられる。
【００２５】
【数２】
2007250940.tif 000004
【００２６】
上記（２）式において、ｅ（Ｃ）は電子の電荷、ＶＲＦ（Ｖ）はＲＦバイアス電圧の振幅、ω（ｒａｄ／ｓ）はＲＦバイアスの各周波数、ｄ（ｍ）はシース厚み、ｍ１はイオンの質量である。
【００２７】
これらの式は、既に知られており、その詳細は、例えば、菅井秀郎外１名著、「インターユニバーシティプラズマエレクトロニクス」、オーム社、平成１３年２月２５日発行を参照されたい。
【００２８】
上記（１）式および（２）式より、ＲＦバイアス周波数を４００ｋＨｚとすると、最大入射エネルギーを３００ｅＶ程度とするにはＶＲＦが１５０Ｖ（３００Ｖｐｐ）程度となる。ＲＦバイアス周波数を１ＭＨｚとすると、最大入射エネルギー３００ｅＶ程度とするにはＶＲＦが２３０Ｖ（４６０Ｖｐｐ）程度となることが分かる。本実施例ではＲＦバイアス周波数４００ｋＨｚの電源を使用し、ＲＦバイアス出力を２０Ｗとすることでイオン入射エネルギーを３００ｅＶ程度に制御したが、上記（１）式１、（２）式で示すように使用するＲＦバイアスの周波数により電源出力の設定値は変わってくる。
【００２９】
このとき、ＣＨ４ガス添加量を増加していくと、ポリシリコン膜のエッチングレートが低下していき、ある一定量からエッチングが進行しなくなる。逆に、添加量が少なすぎると、カーボン供給量が少なくなり、ポリシリコンにサイドエッチが発生する。本実施例では、ＡｒガスにＣＨ４を４％配合した混合ガスを用いたが、ＣもしくはＣＨを含むガス、例えば、ＣＣｌ４、Ｃ２Ｈ２，Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ６，Ｃ３Ｈ３，Ｃ３Ｈ８，Ｃ６Ｈ６，ＣＯ，ＣＯ２，ＣＳ２ガス等の炭素分子を含有するガスであれば反応によって生じる炭素を含有する反応性生物の働きにより同様の作用があり、また、最適な添加量もエッチング条件や、被エッチング材の構造に依存するため、エッチング条件及び、ＣもしくはＣＨを含むガスの添加量の最適化が必要である。
【００３０】
本発明を実用に供するには、ＣＨ４は、ＨＢｒの流量の２〜１０％が望ましい。
【００３１】
また、ＣＨ４を含むガスを添加することにより生成された反応生成物が、ポリシリコン膜の側壁保護に働くだけでなくゲート酸化膜上にも堆積するため、入射イオンのＳｉ基板への到達を抑制する働きがある。この作用によりＳｉリセス量を１．０ｎｍ程度まで抑えるためにイオン入射エネルギーを１６０ｅＶ程度まで下げる必要がなく、３００ｅＶでもＳｉリセス量を１．０ｎｍ程度に抑えることができる。Ｓｉリセス量を１．５ｎｍ程度に抑えるのであれば、４００ｅＶ程度の入射エネルギーに抑える程度で達成できる。
【００３２】
イオン入射エネルギーを高く保つことができると、ＲＦバイアスの出力を高く設定することができるため、ＲＦ電源の安定性を維持することができ、また、エッチングチャンバ（真空容器）内壁等の経時変化に影響され難い安定したプロセス性能を確保できる。
【００３３】
これにより、本実施例では、Ｓｉリセス量を１．０ｎｍ程度に抑えることができ、且つ、ポリシリコン膜の垂直加工を実現することができた。
【００３４】
本実施例は、半導体デバイスの半導体ウエハについて最適化を行ったプロセス条件であり、ポリシリコン膜１２のエッチング方法については、本実施条件に限られたものではない。
【００３５】
本実施例では、フォトレジストマスクを用いた半導体ウエハを用いたが、ＳｉＮや、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２等の無機膜マスクの半導体ウエハについても、本発明の方法が適応可能である。
【００３６】
なお、本発明は、マイクロ波と磁場を用いたプラズマエッチング装置を使用したが、プラズマの生成方法の如何に関わらず適用可能であり、例えば、ヘリコン波エッチング装置、誘導結合型エッチング装置、容量結合型エッチング装置等によって実施しても同等の効果を得ることができる。
【００３７】
本発明によれば、半導体基板にゲート配線層のメインエッチング処理の後にオーバーエッチング処理を行ってゲート配線加工を行うドライエッチング方法において、ゲート酸化膜下層のＳｉ基板へダメージを与えず、ポリシリコン膜を垂直にエッチング加工を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明のドライエッチング方法が適用されるマイクロ波プラズマエッチング装置の概略構成を説明する断面図。
【図２】本発明のドライエッチング方法が適用される半導体基板の構造および処理工程を説明する要所断面図。
【図３】ドライエッチング方法におけるイオン入射エネルギーとＳｉリセス量の関係と、ポリシリコンのサイドエッチングの発生を説明するグラフ。
【符号の説明】
【００３９】
１…マグネトロン、２…導波管、３…石英版、４…ソレノイドコイル、５…プラズマ、６…半導体ウエハ、７…静電吸着電源、８…試料台、９…高周波電源、１０…シリコン基板、１１…ゲート酸化膜、１２…ポリシリコン膜、１４…フォトレジスト
【図１】
2007250940.tif 000005
【図２】
2007250940.tif 000006
【図３】
2007250940.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本実施例では、図２（ｃ）のポリシリコン膜の追加エッチング工程において、ＲＦバイアスの出力を２０Ｗとしてイオン入射エネルギーを３００ｅＶ程度に抑えた条件により処理を行った。またカーボンを含むガスとしてＡｒガスにＣＨ４ガスを配合した混合ガスをＨＢｒ／Ｏ２の混合ガスに添加し、処理圧力２．０Ｐａ、マイクロ波５００Ｗにより生成される混合プラズマによりエッチングを行った。このとき、ＨＢｒガス７０ｍｌ／ｍｉｎに対してＣＨ４ガス３ｍｌ／ｍｉｎを添加し、ＣＨ４ガスの添加量としては、ＨＢｒガスとＣＨ４の和のエッチングガス流量の４％程度添加した。