(57)【要約】【課題】  低い製造コストで製造でき、リフローによる正極集電体の内部抵抗増加が抑制された電気二重層キャパシタを提供する。【解決手段】  正極１ａ、負極１ｂ、該正極１ａと負極１ｂとを分離するセパレータ１ｃ、電解液７、及び、前記正極１ａと前記負極１ｂと前記セパレータ１ｃと電解液７とを収納する容器１０を備えた電気二重層キャパシタにおいて、前記正極１ａには、正極集電体２が電気的に接続されており、該正極集電体２は、酸化物不動態化現象を示す金属元素とアルミニウムとの合金からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極、前記正極と前記負極とを分離するセパレータ、電解液、及び、前記正極と前記負極と前記セパレータと前記電解液とを収納する容器を備えた電気二重層キャパシタにおいて、
前記正極には、正極集電体が電気的に接続されており、前記正極集電体は、酸化物不動態化現象を示す金属元素とアルミニウムとの合金からなることを特徴とする電気二重層キャパシタ。
【請求項２】
前記金属元素がクロムであることを特徴とする請求項１に記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項３】
前記合金中の前記クロムの含有率が１０ａｔ％以上９５ａｔ％以下であることを特徴とする請求項２に記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項４】
前記合金中の前記クロムの含有率が２０ａｔ％以上８０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項２に記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項５】
前記金属元素がニッケルであることを特徴とする請求項１に記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項６】
前記合金中の前記ニッケルの含有率が５ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項５に記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項７】
前記金属元素がモリブデンであることを特徴とする請求項１に記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項８】
前記金属元素がタングステンであることを特徴とする請求項１に記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項９】
前記正極集電体が厚さ０．３μｍ以上５０μｍ以下の膜であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電気二重層キャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気二重層キャパシタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック等を用いた外装容器に端子を設け、この外装容器内に、一対の電極間にセパレータが設けられた電極体と、電解液とを収容させ、この外装容器の開口部に封口板を取り付けて、開口部を封口するようにした電気二重層キャパシタが提案されている。
【０００３】
このような電気二重層キャパシタは携帯電話や家庭用電気製品のバックアップ用電源や補助電源として用いる場合、プリント基板上にリフローハンダ付けして実装させるようになっている。したがって、ハンダ付けの際に２００〜３００℃の温度に数秒間さらされても、特性が劣化しないように、使用する構成部材を選択する必要がある。
【０００４】
電気二重層キャパシタにおいて、外装容器のうち凹状容器側の内側底面に正極集電体を設ける場合、その集電体材料として、特許文献１、特許文献２で示されているように金(Ａｕ)やアルミニウム(Ａｌ)などが使用されていた。
【０００５】
正極集電体としてＡｕが使用された場合、高価であるという問題と同時に、正負極間に３Ｖ以上の高い電圧が印加されるとＡｕは電解液中に溶解するため、セルの内部抵抗が増大し、サイクル寿命が短いという問題があった。
【０００６】
また、正極集電体としてＡｌが使用された場合、高電圧印加による溶解は抑制されるが、リフローにより内部抵抗が急激に増大してしまうという問題があった。リフローによる内部抵抗増加の原因は、正極中に含浸した電解液中に存在するフッ素イオンや塩化物イオン等のハロゲンイオンとアルミニウムが反応して絶縁性のフッ化アルミニウムや塩化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウムが、正極と電気的に接続された箇所の集電体表面に形成されるためと考えられる。このような内部抵抗の増加はＩＲドロップにより電圧が低下し、放電容量が低下する原因となる。
【特許文献１】特開２００４−２２７９５９号公報
【特許文献２】特開２００５−２１００６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、電気二重層キャパシタの製造コストを低減すること、電気二重層キャパシタの正極集電体のリフロー及び高電圧印加による内部抵抗増加を低減することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記のような課題を解決するため、本発明に係る電気二重層キャパシタは、正極、負極、前記正極と前記負極とを分離するセパレータ、電解液、及び、前記正極と前記負極と前記セパレータと前記電解液とを収納する容器を備えた電気二重層キャパシタにおいて、前記正極には、正極集電体が電気的に接続されており、前記正極集電体は、酸化物不動態化現象を示す金属元素とアルミニウムとの合金からなることを特徴とする。
【０００９】
ここで、不動態化現象とは、金属の表面が酸化物等の不溶性の超薄膜に覆われて腐食されにくくなる現象のことをいう。
【００１０】
ここで、前記金属元素としてはクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）が挙げられる。
【００１１】
ここで、本発明に係る電気二重層キャパシタにおいては、前記金属元素がクロムであることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る電気二重層キャパシタにおいて、より好ましくは、前記合金中の前記クロムの含有率が１０ａｔ％以上９５ａｔ％以下である。
【００１３】
本発明に係る電気二重層キャパシタにおいて、より好ましくは、前記合金中の前記クロムの含有率が２０ａｔ％以上８０ａｔ％以下である。
【００１４】
また、本発明に係る電気二重層キャパシタにおいては、前記金属元素がニッケルであってもよい。
【００１５】
この場合には、前記合金中の前記ニッケルの含有率が５ａｔ％以上５０ａｔ％以下であるのが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る電気二重層キャパシタにおいては、前記金属元素がモリブデンであってもよい。
【００１７】
また、本発明に係る電気二重層キャパシタにおいては、前記金属元素がタングステンであってもよい。
【００１８】
以上の本発明に係る電気二重層キャパシタにおいて、好ましくは、前記正極集電体が厚さ０．３μｍ以上５０μｍ以下の膜である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る電気二重層キャパシタによれば、高い電圧が印加された時の集電体材料の溶解による内部抵抗の増加とリフロー時のハロゲン化アルミニウム形成による内部抵抗の増加の両方を抑制することが可能となった。この原因としては、正極集電体を、酸化物不動態化現象を示す金属元素とアルミニウムとの合金とすることにより、表面に形成される酸化皮膜がより緻密化され、ハロゲンイオンが正極集電体に接触するのを抑制するため、絶縁性のハロゲン化アルミニウムの形成が抑制されたためと考えられる。また、前記酸化皮膜は非常に薄いため、酸化皮膜が形成されることによって内部抵抗はほとんど増加しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態に係る電気二重層キャパシタを図面に基づいて説明する。なお、本発明に係る電気二重層キャパシタは、下記の実施形態に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することができるものである。
【００２１】
（実施形態１）
実施形態１に係る電気二重層キャパシタの構成について、図１を用いて説明する。図１は、実施形態１に係る電気二重層キャパシタ１００の断面を示す模式図である。実施形態１に係る電気二重層キャパシタ１００は、図１に示すように、外装容器１０の収容部１１内に、正極１ａ、負極１ｂ間にセパレータ１ｃが設けられた電極体１が収容されている。
【００２２】
外装容器１０における収容部１１の底部１６表面にはコーティング層４が設けられ、コーティング層４の上に正極集電体２が配置されている。また、正極集電体２は前記正極１ａ表面に、導電性ペーストにより貼り付ける等電気的に接続されるように設けられている。さらに、正極集電体２と接触するようにして、正極接続端子５ａが設けられている。正極接続端子５ａは、収容部１１の底部に接触するようにして外装容器１０の側壁１７に向かって延び、さらに側壁１７を貫通して外装容器１０の底面１８に延びている。
【００２３】
すなわち、図１に示すように、正極集電体２を介して正極１ａと正極接続端子５ａとが電気的に接続され、コーティング層により正極接続端子５ａの一部が被覆されることにより正極接続端子５ａの一部が電解液７に接触しないように構成されている。
【００２４】
また、外装容器１０には、収容部１１における上面の開口部６の縁部１９から外装容器１０の底面１８に延びた負極接続端子５ｂが設けられている。
【００２５】
さらに、負極１ｂと接触する側の面に負極集電体３が形成された封口板２０が、外装容器１０の収容部１１上方の開口部６を閉塞させるように配されている。ここで、負極集電体３が負極１ｂに接触するように封口板２０を負極１ｂに押し付け、この状態で、熱溶着によって、この封口板２０を外装容器１０の縁部１９に取り付けて、外装容器１０の開口部６を封口させるようにしている。
【００２６】
すなわち、図１に示すように、負極集電体３を介して負極１ｂと負極接続端子５ｂとが電気的に接続され、負極接続端子５ｂが電解液７に接触しないように構成されている。
【００２７】
また、収容部１１には、正極１ａ及び負極１ｂに十分含浸させるように、電解液７が注入されている。
【００２８】
外装容器１０としては、たとえば、セラミック等の剛性を有する絶縁性材料や耐熱性の樹脂材料を用いることができる。
【００２９】
正極１ａ及び負極１ｂとしては、活性炭等の炭素材料とポリテトラフルオロエチレン等の結着剤とを混錬し、所定の大きさとなるように加圧成形したもの、あるいは活性炭繊維布等、電解液が含浸される物質を用いることができる。
【００３０】
セパレータ１ｃとしては、たとえばガラス繊維やセルロース繊維等を用いることができる。
【００３１】
コーティング層４としては、たとえばアルミナやシリカ等の酸化物、あるいは窒化物や炭化物等、電解液に腐食されない物質を用いることができる。
【００３２】
負極集電体３としては、たとえば金やニッケル等を用いることができる。
【００３３】
封口板２０としては、たとえばニッケルやアルミニウム、ステンレス、アルミニウム合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等を用いることができる。
【００３４】
電解液７としては、たとえば有機系電解液が用いられる。ここで電解液に用いる溶媒は、電解質を溶解させることのできるものであれば良く、一般に使用されている公知のものを用いることができる。たとえば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、γ―ブチロラクトン、γ―バレロラクトン、スルホラン、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ビニレンカーボネート、クロロエチレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、メトキシエトキシエタン、ジエトキシエタン、テトラヒドロフラン、２−メチル−テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、メチルホルメイト、ジオキソラン、４−メチル−１,３−ジオキソラン等を用いることができる。上記電解液における電解質としては、アルカリ金属塩やアンモニウム塩等が使用できる。たとえば、電解質塩のカチオンとしてはＬｉ＋、（ＣＨ３）４Ｎ＋、（ＣＨ３）３Ｃ２Ｈ５Ｎ＋、（ＣＨ３）２（Ｃ２Ｈ５）２Ｎ＋、ＣＨ３（Ｃ２Ｈ５）３Ｎ＋、（Ｃ２Ｈ５）４Ｎ＋、（Ｃ３Ｈ７）４Ｎ＋、（Ｃ４Ｈ９）４Ｎ＋、アニオンとしてはＣｌＯ４−、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＣＦ３ＳＯ３−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、Ｃ４Ｆ９ＳＯ３−、Ｂ１０Ｃｌ１０２−、Ｂ１２Ｃｌ１２２−などが使用できる。ハロゲンイオンを含む電解液を用いた場合に、特に、本発明の効果が奏される。
【００３５】
正極接続端子５ａ、負極接続端子５ｂとしては、たとえば、タングステン（Ｗ）やモリブデン(Ｍｏ)等の高融点金属を用いることができる。正極接続端子５ａと正極集電体２の界面にはＮｉやＡｕが形成されていても良い。また、これらの両接続端子にもＮｉメッキ層とＡｕメッキ層の二重メッキ層構造が形成されていても良い。
【００３６】
なお、本実施形態に係る電気二重層キャパシタでは、外装容器１０の収容部１１内に、正極１ａ、負極１ｂ間にセパレータ１ｃが設けられた電極体１が収容されている。これに限らず、正極１ａと負極１ｂの周辺部をスペーサを用いて保持することにより正極１ａと負極１ｂとを離して固定する等、正極１ａと負極１ｂとが接触しないようにスペーサにより固定されて、外装容器１０の収容部１１内に収容されていてもよい。
【００３７】
（実施例１）
以下に、本発明の実施例１に係る電気二重層キャパシタについて、その製造方法を説明する。
【００３８】
まず、外装容器１０における収容部１１の底面１６の所定箇所に、ＡｌとＣｒを成分とする合金からなる正極集電体２を、スパッタリング法により、形成した。外装容器１０における収容部１１の底面１６とスパッタリングターゲットが対向するように外装容器１０を成膜室内に設置し、外装容器１０の底面の所定箇所に成膜されるようなメタルマスクを、外装容器１０とスパッタリングターゲットの間に設置して、正極集電体２を形成した。本実施例においては、純度９９．９９９％のＡｌターゲット上に、純度９９．９％のＣｒチップを設置してスパッタリング法により成膜することによって、合金中のＣｒ含有率が約５０ａｔ％となるように、厚さ１μｍのＡｌ−Ｃｒ合金からなる正極集電体２を形成した。
【００３９】
ここで、外装容器１０としては、線膨張率が７×１０−６のアルミナで構成され、一辺の長さが５.０ｍｍの正方形状で、高さが１.３ｍｍの枠体からなり、その上面に一辺の長さが３.６ｍｍの正方形状で、深さが１.１ｍｍになった収容部１１が形成された容器を用いた。図１に示すように、この外装容器１０における上記の収容部１１の底部１６に容器外部より側壁１７を貫通して引き込まれたタングステンからなる正極接続端子５ａが形成されている。この正極接続端子５ａは中央部のみ露出し、その他の部分はアルミナからなるコーティング層４により覆われている。このコーティング層があることにより、正極接続端子５ａに電解液７が接触するのを防いでいる。この露出した正極接続端子５ａを覆うようにして、正極集電体２が形成される。正極接続端子５ａは外装容器１０の側壁１７を貫通してその底面１８に伸びている。また、上記の外装容器１０の縁部１９から底面１８に伸びた負極接続端子５ｂとが設けられている。
【００４０】
また、本実施例においては、電極を作製するにあたり、比表面積が約１５００ｍ２／ｇの活性炭粉末１００重量部に、アセチレンブラックを５重量部、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を５重量部の割合で加えたものを混錬し、これを成形して一辺が２.０ｍｍの正方形で厚みが約０.５ｍｍになった電極を作製した。
【００４１】
また、電解液７を調製するにあたっては、溶媒にプロピレンカーボネートを使用し、これに溶質の（Ｃ２Ｈ５）４ＮＢＦ４を１ｍｏｌ／ｌの濃度になるように溶解させて電解液７を調製した。
【００４２】
封口板２０としては、線膨張率が５×１０−６で厚みが約０.１ｍｍになったＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を使用した。封口板の負極電極と接する面にはＮｉメッキ層とＡｕメッキ層の二重メッキ層構造が施されたものを使用した。
【００４３】
電気二重層キャパシタ１００を作製するにあたっては、図１に示すように上記のようにして作製した正極１ａ、負極１ｂの間にガラス繊維製のセパレータ１ｃを介在させて対向させた電極体１を上記の外装容器１０の収容部１１内に収容させて、正極１ａを収容部１１の底部１６に設けた正極集電体２に導電性ペーストにより貼付け、その後、この外装容器１０の収容部１１内に上記の電解液７を注液させて、前記の正極１ａに電解液を十分に含浸させるようにした。ついで、上記の封口板を外装容器１０の縁部１９に熱溶着させて封口し、電気二重層キャパシタ１００を作製した。
【００４４】
（実施例２）
本実施例においては、純度９９．９９９％のＡｌターゲット上に、純度９９．９９％のＮｉチップを設置してスパッタリング法により成膜することによって、合金中のＮｉ含有率が約５０ａｔ％となるように、厚さ１μｍのＡｌ−Ｎｉ合金からなる正極集電体１ａを形成したことを除いて、実施例１と同様に電気二重層キャパシタ１００を作製した。
【００４５】
（実施例３）
本実施例においては、純度９９．９９９％のＡｌターゲット上に、純度９９．９％のＭｏチップを設置してスパッタリング法により成膜することによって、合金中のＭｏ含有率が約１２ａｔ％となるように、厚さ１μｍのＡｌ−Ｍｏ合金からなる正極集電体２を形成したことを除いて、実施例１と同様に電気二重層キャパシタ１００を作製した。
【００４６】
（実施例４）
本実施例においては、純度９９．９９９％のＡｌターゲット上に、純度９９．９％のＷチップを設置してスパッタリング法により成膜することによって、合金中のＷ含有率が約６ａｔ％となるように、厚さ１μｍのＡｌ−Ｗ合金からなる正極集電体１ａを形成したことを除いて、実施例１と同様に電気二重層キャパシタ１００を作製した。
【００４７】
（比較例１〜４）
比較例１、２、３、４においては、それぞれ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕからなるターゲットを用いてスパッタリング法により成膜することによって、厚さ１μｍのそれぞれ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕからなる正極集電体２を形成したことを除いて、実施例１と同様に電気二重層キャパシタ１００を作製した。
【００４８】
（測定）
次に、上記のようにして作製した実施例１〜４及び比較例１〜４の各電気二重層キャパシタに対して、周波数が１ｋＨｚの交流電流（０．１ｍＡ）を印加させて、各電気二重層キャパシタの作製後の室温における内部抵抗（Ω）を測定した。
【００４９】
次に、上記の各電気二重層キャパシタを、１７０℃で５分間、２６０℃で１分間加熱させる熱処理を３回行うリフローを行い、かかるリフロー後に上記と同様に、各電気二重層キャパシタの内部抵抗を測定した。
【００５０】
その後、上記の各電気二重層キャパシタを、６０℃の雰囲気中において、３．２Ｖの一定電圧で１時間充電させた後、０．２ｍＡの一定電流で２．０Ｖまで放電させることを１サイクルとする充放電を１０サイクル行った。その後、上記と同様の方法により、各電気二重層キャパシタの内部抵抗を測定した。
【００５１】
表１に、測定結果を示す。
【００５２】
【表１】
2007273906.tif 000003
また、実施例１、３、４及び比較例４の各電気二重層キャパシタについて、上記の充放電を合計１００サイクル行った後、上記と同様の方法により、各電気二重層キャパシタの内部抵抗を測定した。
【００５３】
表２に、測定結果を示す。
【００５４】
【表２】
2007273906.tif 000004
表１からわかるように、比較例１では、リフロー後に内部抵抗が著しく増加した。これは、正極集電体であるＡｌの表面に絶縁性のフッ化アルミニウムが形成されたためであると考えられる。
【００５５】
また、比較例２及び比較例３では、充放電１０サイクル後に内部抵抗が著しく増加した。これは、３Ｖ以上の電圧印加によって集電体材料の電解液への溶解が急激に起こるためであると考えられる。
【００５６】
これに対して、実施例１、２、３、４では、充放電１０サイクル後であっても、比較例１、２、３に比べて、内部抵抗の増加は抑制された。
【００５７】
また、表２からわかるように、比較例４では、充放電１０サイクル後の内部抵抗は実施例１、３、４と同程度であるが、充放電１００サイクル後には内部抵抗が著しく増加した。これは、正極集電体材料であるＡｕの一部が電解液に溶解したためと考えられる。
【００５８】
これに対して、実施例１、３、４では、充放電１００サイクル後であっても、内部抵抗の増加は小さく、正極集電体材料として、Ａｌ−Ｃｒ（５０ａｔ％）、Ａｌ−Ｍｏ（１２ａｔ％）、Ａｌ−Ｗ（６ａｔ％）を用いた電気二重層キャパシタは、特に長期特性に優れていることがわかる。
【００５９】
（実施例５）
次に、正極集電体材料としてＡｌ−Ｃｒ合金を用いて、内部抵抗がＣｒの含有率の違いによってどのように異なるかについて調べた。
【００６０】
本実施例においては、正極集電体を形成する時に、Ａｌターゲット上に配置するＣｒチップの数量を変えることによって、合金中のＣｒの含有率を変えた。それを除いては、実施例１と同様の方法で電気二重層キャパシタを作製した。
【００６１】
上記のようにして作製した、異なるＣｒ含有率を有する電気二重層キャパシタそれぞれに対して、上記と同様に、リフロー後の内部抵抗、充放電１０サイクル後の内部抵抗、充放電１００サイクル後の内部抵抗を測定した。
【００６２】
図２に、Ａｌ−Ｃｒ合金中のＣｒの含有率と、リフロー後の内部抵抗、充放電１０サイクル後の内部抵抗及び充放電１００サイクル後の内部抵抗との関係を示す。
【００６３】
バックアップ用電源として電気二重層キャパシタを用いる場合、内部抵抗が１０００Ω以下であることが望ましい。図２から、充放電１０サイクル後の内部抵抗が１０００Ω以下であるのは、Ｃｒ含有率が１０〜９５ａｔ％の範囲であることがわかる。また、充放電１００サイクル後の内部抵抗が１０００Ω以下であるのは、Ｃｒ含有率が２０〜８０ａｔ％の範囲であることがわかる。したがって、Ａｌ−Ｃｒ合金中のＣｒの含有率が１０〜９５ａｔ％であることが好ましく、２０〜８０ａｔ％であることがさらに好ましい。
【００６４】
（実施例６）
次に、正極集電体材料としてＡｌ−Ｎｉ合金を用いて、内部抵抗がＮｉの含有率の違いによってどのように異なるかについて調べた。
【００６５】
本実施例においては、正極集電体を形成する時に、Ａｌターゲット上に配置するＮｉチップの数量を変えることによって、合金中のＮｉの含有率を変えた。それを除いては、実施例２と同様の方法で電気二重層キャパシタを作製した。
【００６６】
上記のようにして作製した、異なるＮｉ含有率を有する正極集電体を備えた電気二重層キャパシタそれぞれに対して、上記と同様に、リフロー後の内部抵抗、充放電２０サイクル後の内部抵抗を測定した。
【００６７】
図３に、Ａｌ−Ｎｉ合金中のＮｉの含有率と、リフロー後の内部抵抗及び充放電２０サイクル後の内部抵抗との関係を示す。
【００６８】
図３から、充放電２０サイクル後の内部抵抗が１０００Ω以下であるのは、Ｎｉ含有率が５〜５０ａｔ％の範囲であることがわかる。したがって、Ａｌ−Ｎｉ合金中のＮｉの含有率が５〜５０ａｔ％であることが好ましい。
【００６９】
（実施例７）
次に、正極集電体材料としてＣｒ含有率が５０ａｔ％のＡｌ−Ｃｒ合金を用いて、内部抵抗が正極集電体の厚みの違いによってどのように異なるかについて調べた。
【００７０】
本実施例においては、正極集電体を形成する際の成膜速度又は成膜時間を変えることによって、正極集電体の厚みを変えた。それを除いては、実施例１と同様の方法で電気二重層キャパシタを作製した。
【００７１】
上記のようにして作製した、異なる厚みの正極集電体を有する電気二重層キャパシタに対して、上記と同様に、リフロー後の内部抵抗又は充放電１０サイクル後の内部抵抗を測定した。
【００７２】
表３に、充放電１０サイクル後の内部抵抗の測定結果を示す。
【００７３】
【表３】
2007273906.tif 000005
表４に、リフロー後の内部抵抗の測定結果を示す。
【００７４】
【表４】
2007273906.tif 000006
表３からわかるように、正極集電体の厚みが０．２μｍの場合には、内部抵抗が大きく増加し、１０００Ωよりも高くなった。これは、正極集電体の厚みが非常に薄いので、正極集電体にピンホールが存在し、そのピンホールから電解液が浸入し、タングステンからなる正極接続端子１５ａが腐食されたためと考えられる。
【００７５】
また、表４からわかるように、正極集電体の厚みが１００μｍの場合には、リフロー後の内部抵抗が大きく増加し、１０００Ωよりも高くなった。これは、膜中応力の増加によって、正極集電体が正極接続端子１５ａから剥離したためと考えられる。
【００７６】
したがって、正極集電体の厚みは、０．３μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましいことがわかる。
【００７７】
なお、内部抵抗の基準値として１０００Ω以下であることが望ましいとしたが、携帯機器の技術開発および技術動向により消費電力の低減あるいは最低動作電圧の低下の可能性があり、内部抵抗が１０００Ω以上の電気二重層キャパシタを使用できる場合がありうる。したがって、本願発明に係る電気二重層キャパシタは内部抵抗が１０００Ω以下のものには限られない。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施形態１による電気二重層キャパシタの断面図である。
【図２】Ａｌ−Ｃｒ合金からなる正極集電体中のＣｒ含有率と各工程後の内部抵抗の関係を表す図である。
【図３】Ａｌ−Ｎｉ合金からなる正極集電体中のＮｉ含有率と各工程後の内部抵抗の変化を表す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１    電極体
１ａ  正極
１ｂ  負極
１ｃ  セパレータ
２    正極集電体
３    負極集電体
４    コーティング層
５ａ  正極接続端子
５ｂ  負極接続端子
６    開口部
７    電解液
【図１】
2007273906.tif 000007
【図２】
2007273906.tif 000008
【図３】
2007273906.tif 000009