(57)【要約】【課題】簡単な構造、安価で個々のセンサチップのＯＫまたはＮＧ判定を行うことができる。【解決手段】この発明に係るセンサチップの破壊強度検査装置は、ダイヤフラム部３を有する複数のセンサチップ２９が配列された半導体ウエハ８におけるセンサチップ２９の破壊強度検査を行うセンサチップの破壊強度検査装置において、半導体ウエハ８を載置するステージ２３と、センサチップ２９の規格破壊強度相当の圧力の媒体をセンサチップ２９に噴射するノズル２０とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤフラム部を有する複数のセンサチップが配置された半導体ウエハにおけるセンサチップの破壊強度検査を行うセンサチップの破壊強度検査装置において、
前記半導体ウエハを載置するステージと、
前記センサチップの規格破壊強度相当の圧力の媒体を前記センサチップに噴射するノズルと
を備えたことを特徴とするセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項２】
ダイヤフラム部を有する複数のセンサチップが配置された半導体ウエハにおけるセンサチップの破壊強度検査を行うセンサチップの破壊強度検査装置において、
前記半導体ウエハを載置するステージと、
前記センサチップの規格破壊強度相当の押圧力を前記センサチップに加えるプローブと
を備えたことを特徴とするセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項３】
前記センサチップに力が加えられた後の前記センサチップの破壊の有無を検出する破壊有無検出手段を備えた請求項１または２に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項４】
前記破壊有無検出手段は、前記センサチップの破壊を画像認識する画像認識装置である請求項３に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項５】
前記破壊有無検出手段は、前記ステージに設けられ各前記センサチップの表面に形成されたパターン回路のパッド部に接触する電極と、この電極間に電気的に接続され前記パッド部間の抵抗を測定する抵抗測定器とを備えている請求項３に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項６】
前記破壊有無検出手段は、前記センサチップに光を照射する発光器と、表面に不透明なパターンが形成された前記センサチップを挟んで前記発光器の反対側に設けられセンサチップを透過した前記発光器からの光を検出する光検出器とを備えている請求項３に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項７】
前記破壊有無検出手段は、前記センサチップに光を照射する発光器と、前記センサチップの表面に形成された光反射パターンで反射された前記発光器からの光を検出する光検出器とを備えている請求項３に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項８】
前記破壊有無検出手段は、前記ステージを貫通して先端部が前記ダイヤフラム部に指向した吸入管と、この吸入管に接続され、前記媒体を検出する媒体検出器とを備えている請求項３に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項９】
前記ノズルから噴射される媒体の圧力は、大気圧以上である請求項１、３〜８の何れか１項に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項１０】
前記ノズル及び前記半導体ウエハは、相対移動され、半導体ウエハの全面に前記媒体が噴射される請求項１、３〜９の何れか１項に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項１１】
前記ノズルは、複数本あり、直線上に設けられた各ノズルの噴出口は、前記半導体ウエハの面に指向している請求項１、３〜１０の何れか１項に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項１２】
前記ノズルの噴出口は、ドーナツ形状である請求項１、３〜１１の何れか１項に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項１３】
前記ノズルは、複数本あり、噴出口を有するノズルの周りに吸込口を有するノズルが囲んでいる請求項１、３〜１０の何れか１項に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項１４】
前記噴出口は、前記センサチップに対向している請求項１３に記載のセンサチップの破壊強度検査装置。
【請求項１５】
ダイヤフラム部を有する複数のセンサチップが配置された半導体ウエハのダイシング中、またはダイシング後の洗浄の際に、前記センサチップの規格破壊強度相当の圧力を有する媒体を前記センサチップに噴射してセンサチップの破壊強度検査を行うことを特徴とするセンサチップの破壊強度検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば自動車に用いられる流量センサー、圧力センサー、加速度センサーのセンサチップの破壊強度検査装置、及びそのセンサチップの破壊強度検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ダイヤフラム部を有するセンサチップが縦横に並ぶ半導体ウエハにおけるセンサチップの検査装置として、センサチップの裏面側からダイヤフラム部にガス圧を作用させることにより、ダイヤフラム部に所定の変形力を付与してセンサチップの特性検査を行うものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３３５６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このセンサチップの検査装置では、ダイヤフラム部の変形量を求めることはできるものの、センサチップの破壊強度を求めるのは困難であるといった問題点があった。
即ち、一般的にはセンサチップの破壊強度を求めるにはかなりの圧力をセンサチップに加えなければならないが、上記センサチップの検査装置は、半導体ウエハの全面にガス圧が付与される構造であり、個々のセンサチップに規格破壊強度の力を加えようとした場合には、半導体ウエハの全面に加わる力は大きな力となってしまう。そのため、半導体ウエハを機械的に保持している部位に局部的に応力が集中し、その力に耐えられずに半導体ウエハが破壊してしまい、個々のセンサチップの破壊強度を検査できないという問題点があった。
【０００５】
また、チァンバ内を真空吸引して半導体ウエハに力を付与するタイプの検査装置の場合、大気圧までの圧力しか半導体ウエハには付与できないので、センサチップの破壊強度検査には不適であるという問題点があった。
また、加圧チャンバ内に半導体ウエハを入れた後、半導体ウエハを真空吸引すれば大気圧以上の圧力を加えることができるが、そのためには大掛かりな加圧チャンバを作製しなくてはならず、コスト増加や、検査の手間の増加といった問題点があった。
【０００６】
この発明は、上記のような問題点を解決することを課題とするものであって、簡単な構造で個々のセンサチップのＯＫまたはＮＧ判定を行うことができるセンサチップの破壊強度検査装置を提供するものである。
また、センサチップの洗浄工程でセンサチップの破壊強度検査を行うことができ、センサチップの破壊強度検査工程を新たに設定する必要性の無いセンサチップの破壊強度検査方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係るセンサチップの破壊強度検査装置は、半導体ウエハを載置するステージと、センサチップの規格破壊強度相当の圧力の媒体を前記センサチップに噴射するノズルとを備えたものである。
また、この発明に係るセンサチップの破壊強度検査方法は、ダイヤフラム部を有するセンサチップが縦横に並ぶ半導体ウエハのダイシング中、またはダイシング後の洗浄の際に、前記センサチップの規格破壊強度相当の圧力を有する媒体を前記センサチップに噴射するものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によるセンサチップの破壊強度検査装置によれば、簡単な構造でセンサチップの破壊強度検査を行うことができる。
また、この発明によるセンサチップの破壊強度検査方法によれば、センサチップの洗浄工程でセンサチップの破壊強度検査を行うことができ、センサチップの破壊強度検査工程を新たに設定する必要性が無い。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、この発明の各実施の形態について図に基づいて説明するが、各図において同一、または相当部材、部位については、同一符号を付して説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明のセンサチップの破壊強度検査装置の断面を示す模式図、図２は図１のセンサチップの破壊強度検査装置を真上から視たときの平面図である。
このセンサチップの破壊強度検査装置は、半導体ウエハ８を載置するステージ２３と、先端が半導体ウエハ８に指向し媒体であるガスを噴出するノズル２０と、ノズル２０から噴射されるガスの圧力をモニタする圧力計２１と、ノズル２０から噴射されるガスの圧力を調整する圧力調整器２２と、ステージ２３に設けられ半導体ウエハ８を真空吸着する真空ライン２４とを備えている。
【００１０】
半導体ウエハ８は、中央に薄肉化して変形し易いダイヤフラム部３を有するセンサチップ２９が縦横に配列されている。センサチップ２９の表面には、例えば歪検出用のパターン回路が形成されている。この半導体ウエハ８は、パターン回路が形成された後に、ダイシングされて個々のセンサチップ２９に分離される。
なお、この半導体ウエハ８では、ダイヤフラム部３の一部が上下に貫通したタイプのブリッジ形のダイヤフラム部２５も含まれている。
【００１１】
このセンサチップの破壊強度検査装置では、ノズル２０からは半導体ウエハ８の全域に渡って、センサチップ２９の規格破壊強度相当である大気圧以上のガス圧力が個々のセンサチップ２９に加えられるように、ガスが噴射される。この規格破壊強度相当の値の圧力がダイヤフラム部３，２５に付与されることで、破壊しないセンサチップ２９はそのまま使用することが可能であるが、この圧力に耐えられずに破壊したセンサチップ２９は規格を満足していないので、このセンサチップ２９は当然ＮＧとなる。
【００１２】
ところで、この発明では、ダイヤフラム部３，２５に規格破壊強度相当の圧力が全センサチップ２９に加えられることになるが、その場合懸念される事項として一度圧力が加えられたセンサチップ２９の強度が２回目に同じ圧力をかけた時に耐えられるかということである。
即ち、全センサチップ２９を破壊強度検査することで、全てのセンサチップ２９の強度が低下してしまし、最初は規格破壊強度を満足していても実際の製品は検査によるダメージが残っていて、規格破壊強度を満足しなくなる恐れがある。
そのため、今までは規格破壊強度相当の圧力を全センサチップ２９に加える検査を行っていなかった。
【００１３】
これに関して、本願発明者は、実験により十数回程度の再加圧ではセンサチップ２９の強度低下が見出されないことを突き止めた。
図３は、そのときの実験結果を示す図である。
この実験では、Ｓｉターゲットを用い、Ａｒ中に窒素ガスを約３０％混入し、１．０Ｐａ程度の圧力で５Ｗ／ｃｍ２のスパッタパワー密度で成膜したＳｉＮ膜を用いてセンサチップ２９の破壊強度実験を行った。
半導体ウエハＮｏ.１は半導体ウエハの裏面から加圧した例であり、半導体ウエハＮｏ.２は半導体ウエハの表面から加圧した例である。
なお、半導体ウエハＮｏ.１と半導体ウエハＮｏ.２との破壊耐性の値が異なるが、この２枚の半導体ウエハはロットや膜厚等が異なるため、元々の破壊耐性が異なるものであって、センサチップの表からの破壊耐性と裏からの破壊耐性とが異なるものではない。
【００１４】
図３において、横軸に示された数値は、半導体ウエハのセンサチップのアドレスＮｏ．を示しており、例えば１−０９９は半導体ウエハＮｏ.１におけるセンサチップ２９のアドレスＮｏ．０９９を示しており、１−１００は、１−０９９に隣接したセンサチップ２９を示している。
縦軸に示された数値は、規格破壊強度に対するセンサチップが実際に破壊する強度の値の相対値である。
斜線の棒グラフは、通常の１回加圧を行い、センサチップが破壊するまで順次加圧し、その最大の耐えられる圧力を相対値で示したものである。例えば、半導体ウエハＮｏ.１を裏面から、０→１．０→１．１→１．２→１．３→・・・のように、センサチップに加える力を相対値が０．１ずつ段階的に増加させていったとき、相対値が１．５のときに破壊したことを示している。
それに対し白色の棒グラフは、複数回の加圧を行った時の結果である。例えば、半導体ウエハＮｏ.１を裏面から、（０→１．５）→（０→１．５）→（０→１．６）→（０→１．６）→（０→１．７）→・・・のように２回ずつ同じ値の圧力をセンサチップに加えながら、センサチップに加わる力を相対値が０．１ずつ段階的に増加させていったとき、相対値が１．５のときに破壊したことを示している。
【００１５】
実験用に供されたセンサチップは互いに隣接したセンサチップを用いており、斜線棒グラフの間の白色棒グラフで表されているセンサチップの破壊強度は、斜線棒グラフの内挿強度に近い（点線の値）と考えられる。
この図からも分かるように、２回の加圧を行ってもセンサチップの破壊強度は、殆ど変化していないことが分かる。
なお、本願発明者は、加圧の回数については、十数回繰り返してもセンサチップの破壊強度は、殆ど変化していないことも実験によって突き止めている。
即ち、全センサチップに規格破壊強度の値の圧力を加えると、規格を満足していないセンサチップは破壊するが、規格破壊強度を満足しているセンサチップは破壊強度の値が低下することはなく、元の破壊強度の値を維持しているといえる。
【００１６】
従って、実施の形態１のセンサチップの破壊強度検査装置を用いて、全センサチップ２９について破壊強度検査を実施しても、検査後のセンサチップ２９の破壊強度は低下することなく、破壊強度検査で選別されたＯＫのセンサチップ２９は、そのまま製品として提供される。
【００１７】
なお、上記実施の形態では、媒体としてガスを用いたが、水であってもよい。また、ガス、水について、それぞれ超音波を併用してもよい。超音波を併用するときは超音波の周波数と強度によってセンサチップ２９の破壊強度が変わるので、ガス、水自身の圧力は、規格以下で十分である。併用する場合は、規格値について別途較正を行う必要がある。
【００１８】
図４は、半導体ウエハ８を回転させながら上記ノズル２０を左右に動かした場合の半導体ウエハ８上に描かれるノズル２０の軌跡３８である。この時のノズル２０の軌跡３８は、レコード盤の溝のようにらせん状の軌跡を示しており、半導体ウエハ８の全面に縦横に配置されたセンサチップ２９の全数の破壊強度を検査できる。
【００１９】
なお、ノズル２０の軌跡３８については、図５に示す例でもよい。
この例は、半導体ウエハ８の横方向には大きく、上下方向には少しずつノズル２０を動かす例である。センサチップ２９に沿って動かすことで、センサチップ２９の無い所にはガスが噴射されることはなく、無駄な動きは抑えられ、より短い時間でセンサチップ２９の全数についての破壊強度検査が可能となる。
また、図６に示す例でもよい。この例は、ノズル２０を上下、左右にそれぞれ小刻みに動かす例である。この例も、図５のものと同様に無駄な動きは抑えられ、より短い時間でセンサチップ２９の全数についての破壊強度検査が可能となる。
【００２０】
ところで、図１に示されたノズル２０は一本のノズル２０であり、一本のノズル２０を用いてセンサチップ２９の全数についての破壊強度検査を行う例であるが、ノズル２０を一本だけ用いた場合、ガスや水等の媒体を均一な圧力で当てることができる面積は限られている。その結果、半導体ウエハ８の全面に渡るセンサチップ２９の検査には時間がかかる。
図７に示されたものは、複数本のノズル２０を揃え、それぞれの噴出口３９が直線上に一列になるようにノズル２０を配置したり、噴出口３９が重なり合わないように互い違いに２列にノズル２０を配置したり、３列に配置することで、センサチップ２９の全数についての破壊強度の検査に要する時間を短縮することが可能となる。
【００２１】
なお、図１に示したノズル２０の噴出口３９は図８に示すように円形の噴出口３９であり、均圧領域は狭いが、図９に示すように噴出口３９をドーナツ型にすることで、均圧領域を拡げることができ、それだけセンサチップ２９の破壊強度の検査効率が向上する。
【００２２】
図１０、図１１は半導体ウエハ８の面積が大であり、それに適用されるノズル２０を複数本束ねた例である。そのままノズル２０を束ねると、中央付近に位置したノズル２０から噴出される媒体の逃げ場が無くなり、その結果、均一な圧力領域が減ってしまう。
この例は、媒体が噴出するノズル２０の周りに吸引口４０を有するノズル２０が囲まれている。この結果、噴出口３９から噴出した媒体は隣接したノズル２０の吸込口４０から吸引され、媒体はスムーズに流れ、大面積の半導体ウエハ８の全面を均一に加圧することが可能となる。
【００２３】
特に、図１２では、センサチップ２９の配置に沿って各ノズル２０の噴出口３９を配置した例である。この例の場合にも、媒体が噴出するノズル２０の周りに吸引口４０を有するノズル２０が囲まれている。
このものの場合、一度に全数のセンサチップ２９の破壊強度検査を行うことができ、検査効率が大幅に向上し、コスト低下効果は大である。
実施の形態２．
図１３はこの発明のセンサチップの破壊強度検査装置の断面を示す模式図である。
この実施の形態では、半導体ウエハ８の裏表を逆にしてステージ２３上に半導体ウエハ８が載置されている。また、半導体ウエハ８の表面に形成されたパターン回路がステージ２３に当接するのを防止するために、ステージ２３には、各センサチップ２９に対応して溝２３ａが形成されている。
他の構成は、実施の形態１と同じであり、この実施の形態も、実施の形態１と同様の作用、効果を得ることができる。
【００２４】
実施の形態３．
図１４はこの発明のセンサチップの破壊強度検査装置の断面を示す模式図である。
この実施の形態のセンサチップの破壊強度検査装置は、半導体ウエハを載置するステージ２３と、センサチップ２９の規格破壊強度相当の押圧力をセンサチップ２９に加えるプローブ１２と、プローブ１２を加圧するとともに、プローブ１２の変位を計測する加圧・変位計測装置２６とを備えている。ステージ２３には、各センサチップ２９に対応して溝２３ａが形成されている。
【００２５】
このセンサチップの破壊強度検査装置では、プローブ１２を半導体ウエハの裏面にセンサチップ２９の規格破壊強度の値で押し当て、規格破壊強度以下のセンサチップ２９では、破壊するので、プローブ１２を用いてセンサチップ２９の特性を検査するとともに、破壊強度検査も可能となる。
また、センサチップ２９の数だけプローブ１２を揃えているので、一度に半導体ウエハ８内の全数のセンサチップ２９の破壊強度検査を行うことが可能となり、検査効率が向上し、コスト低下効果は大である。
【００２６】
実施の形態４．
図１５はこの発明のセンサチップの破壊強度検査装置の断面を示す模式図である。
この実施の形態の検査装置は、半導体ウエハ８をダイシングテープ用リング２８のダイシングテープ２７に貼り付け、ダイシングした後の洗浄工程おいて用いられている。
この実施の形態では、半導体ウエハ８のダイシングにより形成された溝３０により分離されたセンサチップ２９は、ダイシングテープ２７に貼り付けられているが、ダイシングかすの洗浄工程の際に、ノズル２０からセンサチップ２９の規格破壊強度相当の圧力の水や洗浄液をセンサチップ２９に向けて噴射することで、センサチップ２９の破壊強度検査も併せて行うことができ、センサチップ２９の破壊強度検査工程を新たに設定する必要性が無い。
【００２７】
実施の形態５．
実施の形態１〜４の検査装置では、センサチップ２９の破壊の有無を肉眼で行っているが、この実施の形態では、センサチップ２９の破壊の有無を検出する破壊有無検出手段をさらに備えた例である。
図１６はこの実施の形態５のセンサチップの破壊強度検査装置における破壊有無検出手段を示す模式図である。
この破壊有無検出手段は、センサチップ２９の破壊を画像認識する画像認識装置３１が半導体ウエハ８の上方に配置されている。
【００２８】
なお、破壊有無検出手段として、他にも図１７〜図２１に示す例がある。
図１７に示す破壊有無検出手段は、ステージ２３に設けられ各センサチップ２９の表面に形成されたパターン回路のパッド部に接触する電極３２と、この電極３２間に電気的に接続されパッド部間の抵抗を測定する抵抗測定器３３とを備えている。
【００２９】
また、図１８に示す破壊有無検出手段は、センサチップ２９に光を照射する発光器３４と、表面に不透明なパターンが形成されたセンサチップ２９を挟んで発光器３４の反対側に設けられセンサチップ２９を透過した発光器３４からの光を検出する光検出器３５とを備えている。
【００３０】
また、図１９に示す破壊有無検出手段は、センサチップ２９に光を照射する発光器３４と、センサチップ２９の表面に形成された光反射パターンで反射された発光器３４からの光を検出する光検出器３５とを備えている。
【００３１】
また、図２０に示す破壊有無検出手段は、ステージ２３を貫通して先端部がセンサチップ２９に指向した吸入管５０と、この吸入管５０に接続され媒体を検出する媒体検出器である圧力計３６とを備えている。
また、図２１に示す破壊有無検出手段は、ステージ２３を貫通して先端部がセンサチップ２９に指向した吸入管５０と、この吸入管５０に接続されたバルブ３７と、センサチップ２９内の媒体を検出する媒体検出器３６とを備えている。
【００３２】
図２０のもの及び図２１のものは、共にダイヤフラム部３，２５の裏側を多少減圧にしておく。
図２０のものの場合は、一度に検査可能であるが、各センサチップ２９分の圧力計３６が必要となる。
この例では、あるセンサチップ２９が破壊したとき、そのセンサチップ２９に対応した圧力計３６の値が他の圧力計３６と異なるため、容易に破壊したセンサチップ２９を検出することができる。
【００３３】
図２１のものの場合は、各バルブ３７を切り替えて、順番に各センサチップ２９の状況をモニタすることで、破壊したセンサチップ２９を容易に検出することができる。
【００３４】
また、噴出したガスの中に例えばＡｒやＨｅ等のガスを混ぜておき、圧力計３６の代わりに媒体検出器として質量分析器を用いれば、破壊したセンサチップ２９からは通常の窒素や酸素以外にもＡｒやＨｅ等の気体が検出できるため、容易に破壊したセンサチップ２９を検出することができる。
また、媒体として純水を用い、純水の中に電気を通す成分（アンモニア、過酸化水素、二酸化炭素等）を混入させ、媒体検出器として抵抗測定器を用いれば、破壊したセンサチップ２９からは電気を通す液体が検出できるため、容易に破壊したセンサチップ２９を検出することができる。
このように、上記実施の形態１〜４のセンサチップの破壊強度検査装置に上記各破壊有無検出手段を付設することで、各センサチップ２９の合否の判定を正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の実施の形態１のセンサチップの破壊強度検査装置の断面を示す模式図である。
【図２】図１のセンサチップの破壊強度検査装置を真上から視たときの平面図である。
【図３】センサチップの破壊強度の実験結果を示す図である。
【図４】半導体ウエハに対するノズルの軌跡の一例を示した模式図である。
【図５】半導体ウエハに対するノズルの軌跡の他の例を示した模式図である。
【図６】半導体ウエハに対するノズルの軌跡の他の例を示した模式図である。
【図７】複数本のノズルの配置を示した模式図である。
【図８】ノズルの形状の一例を示した模式図である。
【図９】ノズルの形状の他の例を示した模式図である。
【図１０】ノズルの噴出口一例を示した模式図である。
【図１１】図１０のノズルの断面を示した模式図である。
【図１２】ノズルの噴出口の他の例を示した模式図である。
【図１３】この発明の実施の形態２のセンサチップの破壊強度検査装置の断面を示した模式図である。
【図１４】この発明の実施の形態３のセンサチップの破壊強度検査装置の断面を示した模式図である。
【図１５】この発明の実施の形態４のセンサチップの破壊強度検査装置の断面を示した模式図である。
【図１６】この発明の実施の形態５のセンサチップの破壊強度検査装置の破壊有無検出手段の断面を示した模式図である。
【図１７】図１６の破壊有無検出手段と異なる例の断面を示した模式図である。
【図１８】図１６の破壊有無検出手段と異なる例の断面を示した模式図である。
【図１９】図１６の破壊有無検出手段と異なる例の断面を示した模式図である。
【図２０】図１６の破壊有無検出手段と異なる例の断面を示した模式図である。
【図２１】図１６の破壊有無検出手段と異なる例の断面を示した模式図である。
【符号の説明】
【００３６】
３  ダイヤフラム部、８  半導体ウエハ、１２  プローブ、２１  圧力計、２２  圧力調整器、２３  ステージ、２４  真空ライン、２５  ブリッジ部、２６  加圧・変位測定装置、２７  ダイシングテープ、２８  ダイシングテープ用リング、２９  センサチップ、３０  ダイシング溝、３１  画像認識装置、３２  電極、３３  抵抗測定器、３４  発光装置、３５  検出器、３６  媒体検出器、３７  バルブ、３８  軌跡、３９  噴出口、４０  吸込口、５０  吸入管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2007155642.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2007155642.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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