(57)【要約】【課題】薄膜圧電アクチュエータおよびセンサにおいて、クラックの発生や基板の反りを低減する。【解決手段】薄膜圧電アクチュエータおよびセンサ（１０）は、基板（１１）と、前記基板上に位置し、分割された複数の圧電領域（１３ａ）で構成される圧電体パターン（１３）と、前記圧電体パターンに電界を印加するための一対の電極（１２ａ、１２ｂ）とを備える。複数の圧電領域の各々は、たとえば、基板の長手方向にそった短冊状の領域であり、基板の幅方向に互い違いになるように配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、分割された複数の圧電領域で構成される圧電体パターンと、
前記圧電体パターンに電界を印加するための一対の電極と
を備える薄膜圧電デバイス。
【請求項２】
前記複数の圧電領域の各々は、前記基板の長手方向にそった短冊状の領域であり、前記基板の幅方向に互い違いになるように配置されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜圧電デバイス。
【請求項３】
前記圧電体パターンは、前記基板の長手方向に沿った第１の分離部と、前記基板の幅方向に沿った第２の分離部により複数の圧電領域に分割され、
前記複数の圧電領域は、前記第２の分離部が、前記基板の幅方向に沿って連続しないように配置されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜圧電デバイス。
【請求項４】
前記分割された複数の圧電領域の間を充填する樹脂層
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜圧電デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４記載の薄膜圧電デバイスを備える圧電アクチュエータおよびセンサ。
【請求項６】
磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを支持するサスペンション基板と、
前記サスペンション基板上に設けられた薄膜圧電アクチュエータおよびセンサ
を備え、
前記薄膜圧電アクチュエータおよびセンサは、分割された複数の圧電領域で構成される圧電体パターンを有することを特徴とする磁気ヘッド支持機構。
【請求項７】
基板上に、下部電極を形成し、
前記下部電極上に、圧電材料のアモルファス膜を形成し、
前記アモルファス膜を、複数の短冊状の領域が所定のパターンで配置されるようにパターニングし、
前記パターニングされたアモルファス膜を結晶化して、前記複数の短冊状の領域で構成される圧電体パターンを形成し、
前記圧電体パターン上に上部電極を形成する
工程を含むことを特徴とする薄膜圧電デバイスの作製方法。
【請求項８】
前記アモルファス膜のパターニングは、前記短冊状の領域の長辺が、前記基板の長手方向と平行に延び、かつ、前記短冊状の領域が前記基板の幅方向に互い違いになるように、パターニングされることを特徴とする請求項７に記載の薄膜圧電デバイスの作製方法。
【請求項９】
前記アモルファス膜のパターニングは、前記圧電体パターンを構成する複数の短冊状の領域が、前記アモルファス膜の膜厚の３倍以下の分離部で隔てられ、かつ、前記分離部が、前記基板の幅方向に沿って連続しないようにパターニングされることを特徴とする請求項７に記載の薄膜圧電デバイスの作製方法。
【請求項１０】
磁気ヘッドを支持するサスペンション基板上に、下部電極を形成し、
前記下部電極上に、圧電材料のアモルファス膜を形成し、
前記アモルファス膜を、複数の短冊状の領域が所定のパターンで配置されるようにパターニングし、
前記パターニングされたアモルファス膜を結晶化して、前記複数の短冊状の領域で構成される圧電体パターンを形成し、
前記圧電体パターン上に上部電極を形成して薄膜圧電アクチュエータおよびセンサを作製する工程を含むことを特徴とする磁気ヘッド支持機構の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜圧電デバイスとその作製方法に関し、特に、強誘電体セラミックスの圧電作用による基板のたわみを利用した薄膜圧電アクチュエータおよびセンサと、その作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜圧電アクチュエータは、基板上に形成された圧電（電歪）セラミックス薄膜の圧電効果により対象物を駆動する。圧電体に圧力または応力を加えると電圧を発生し（圧電または電歪効果）、逆に、電圧を印加すると圧電体が変形する。ここでは、説明の便宜上、双方の効果を圧電効果と称する。
【０００３】
一般的に大きな圧電効果を有する材料は、強誘電性を有する圧電セラミックスである。圧電セラミックスで構成される薄膜圧電アクチュエータおよびセンサは、特にハードディスクドライブのサスペンションへの応用が期待されている。ハードディスクドライブの記憶容量の増大に伴い、磁気ヘッドと媒体（磁気ディスク）との間隙の制御が求められてきているためである。
【０００４】
高密度ＨＤＤにおいてトラッキング精度を向上させるために、磁気ヘッドのヘッドスライダをサスペンションに対して微小変位させるためのアクチュエータおよびセンサを、ヘッドスライダとサスペンションの間に配置する構成が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００５】
ヘッド浮上量を制御する方法として、磁気ディスクとヘッドスライダとの間に電圧を印加して、ヘッドスライダと磁気ディスクの互いに対向する面に逆符号の電荷を発生させて吸引力を生じさせ、これによって浮上力を一定に制御する方法が提案されている（たとえば、特許文献２参照）。
【０００６】
また、磁気ヘッドの変位を能動的に制御して一定の浮上高を維持するために、磁気ヘッドを支持するサスペンション上に、サスペンションの変形を検出するセンサと、サスペンションの位置を矯正する圧電セラミックスの薄膜（アクチュエータ）を形成する方法が提案されている（たとえば、特許文献３参照）。この方法では、センサにより検出された変形量に従って、圧電セラミックスのアクチュエータに矯正信号を印加し、これによって磁気ディスクからのヘッド浮上量を一定に制御する。
【特許文献１】特許第３５０１７５８号公報
【特許文献２】特開平９−８２０１４号公報
【特許文献３】特開平７−２６２７２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
圧電セラミックスの薄膜は、一般に、スパッタ法、ゾルゲル法、パルスレーザ蒸着法、ＭＯＣＶＤ法などにより基板上に形成される。これらの成膜方法では、セラミックスの結晶化のため、５００℃以上の高温熱処理が必要となる。熱処理中にセラミックスは結晶化するが、その後室温に降温すると、圧電セラミックスと基板の熱膨張係数の差異により、セラミックスにクラックが発生し、基板に大きな反りが発生してしまう。この問題は、サスペンションのように基板が薄い場合に特に顕著になる。
【０００８】
そこで、本発明は、薄い基板上に圧電セラミックスの薄膜を形成する場合にも、セラミックス薄膜におけるクラックの発生や基板の反りを防止し、動作の信頼性を向上できる圧電薄膜デバイスの構成と、その作製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明では、基板上に形成される圧電体を、分割され所定の配置で並べられる複数の領域で構成する。より具体的には、以下の構成を採用する。
【００１０】
第１の側面では、薄膜圧電デバイスは、
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板上に位置し、分割された複数の圧電領域で構成される圧電体パターンと、
（ｃ）前記圧電体パターンに電界を印加するための一対の電極と
を備える。
【００１１】
良好な構成例では、前記複数の圧電領域の各々は、基板の長手方向にそった短冊状の領域であり、前記基板の幅方向に互い違いになるように配置される。
【００１２】
別な見方をすると、圧電体パターンは、基板の長手方向に沿った第１の分離部と、基板の幅方向に沿った第２の分離部により複数の圧電領域に分割され、複数の圧電領域は、第２の分離部が、前記基板の幅方向に沿って連続しないように配置される。
【００１３】
第２の側面では、磁気ヘッド支持機構を提供する。磁気ヘッド支持機構は、
（ａ）磁気ヘッドと、
（ｂ）前記磁気ヘッドを支持するサスペンション基板と、
（ｃ）前記サスペンション基板上に設けられた薄膜圧電アクチュエータおよびセンサと
を備え、前記薄膜圧電アクチュエータおよびセンサは、分割された複数の圧電領域で構成される圧電体パターンを有する。
【００１４】
良好な構成例では、前記複数の圧電領域の各々は、サスペンション基板の長手方向にそった短冊状の領域であり、サスペンション基板の幅方向に互い違いになるように配置される。
【００１５】
第３の側面では、薄膜圧電デバイスの作製方法を提供する。この方法は、
（ａ）基板上に、下部電極を形成し、
（ｂ）前記下部電極上に、圧電材料のアモルファス膜を形成し、
（ｃ）前記アモルファス膜を、複数の短冊状の領域が所定のパターンで配置されるようにパターニングし、
（ｄ）前記パターニングされたアモルファス膜を結晶化して、前記複数の短冊状の領域で構成される圧電体パターンを形成し、
（ｅ）前記圧電体パターン上に上部電極を形成する
工程を含む。
【発明の効果】
【００１６】
薄膜形成プロセスにおける熱処理後も、圧電性薄膜のクラックの発生や基板の反りを防止し、カンチレバーの均一な変位（たわみ）が実現される。
【００１７】
薄膜圧電アクチュエータ／センサ以外にも、圧電材料を用いた多様な薄膜圧電デバイス、たとえば加速度センサ、圧力センサ、変位センサなどにも広く適用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態に係る薄膜圧電アクチュエータおよびセンサ１０の概略斜視図（上部電極および配線層は省略）、図２は、図１のアクチュエータおよびセンサ１０のＡ−Ａ'断面図である。
【００１９】
薄膜圧電アクチュエータおよびセンサ１０は、基板１１と、基板１１上で積層方向に配置される一対の電極１２ａ、１２ｂと、前記電極１２ａ、１２ｂの間に挟持され、複数の圧電領域１３ａに分割される圧電体パターン１３と、分割された圧電領域１３ａの間に充填される樹脂１４を含む。また、絶縁層１６に形成されたビアコンタクト１７と上部電極１２ｂを介して、圧電体パターン１３に電圧を印加するための配線１８が設けられている。圧電体パターン１３は、後述するように、アモルファス段階で複数の圧電領域１３ａに分割されている。
【００２０】
基板１１は、薄い金属や合金、半導体や絶縁体などで構成され、特に限定はない。上部および下部電極１２ａ、１２ｂは、任意の導電体であり、金属、導電性酸化物などで構成される。圧電体パターン１３は、圧電セラミックスで構成され、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ：Pb(Zr,Ti)O3）に代表される圧電材料や、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ：(Pb,La)(Zr,Ti)O3）に代表される電歪材料等、電界により機械的に変形するセラミックスであれば良い。
【００２１】
圧電体パターン１３に電圧を印加する上下電極１２ａ、１２ｂを絶縁するために、複数の圧電領域１３ａの間に充填される樹脂１４は、エポキシ、アクリル、ポリイミド等を用いる。樹脂材料はヤング率が小さく、カンチレバーの変位を阻害しない。これ以外にも、セラミックスと密着がよく、圧電領域１３ａ間および圧電パターン１３の周囲を完全に充填し、プロセス中に剥離が発生しないものであれば、任意の樹脂を用いることができる。
【００２２】
図３に示すように、基板１１は、短冊形状でカンチレバーを構成する。図３の構成例では、圧電体パターン１３を構成する複数の圧電領域１３ａの各々は、基板１１の長手方向に沿って延びる短冊形状のエリアである。より具体的には、圧電体パターン１３は、カンチレバーの長手方向に延設される分離部（スペース）１９ｌで互いに隔てられる複数の圧電列（図３の例では１５列）を含み、各圧電列がさらに幅方向の分離部（スペース）１９ｗで分割されて、ひとつの圧電領域１３ａを構成する。圧電領域１３ａは、たとえば２ミクロン×１０ミクロンのエリアであり、それぞれ１ミクロン間隔のスペース１９ｌ、１９ｗで、隣接する圧電領域１３ａと分割されている。
【００２３】
これらの圧電領域１３ａは、アモルファス段階でセラミックス膜を分割することにより形成される。この結果、各圧電領域１３ａのセラミックス膜と基板１１との接触面積が小さくなり、高温の結晶化プロセス後に降温する際にも、セラミックス膜のクラックを防止し、基板の反りを分散することができる。
【００２４】
各圧電列内で圧電領域１３ａを分割する幅方向のスペース１９ｗは、カンチレバーの短手方向（幅方向）で隣接する圧電列のスペース１９ｗと一致しないように、互い違いに配置されている。このような配置とすることで、カンチレバーの任意の位置で短手方向の断面（Ｂ−Ｂ'）をとったときに、幅方向のスペース１９ｗが幅方向につながって完全に圧電体パターン１３を分断するような事態を回避する。すなわち、カンチレバーのどの位置で短手方向の断面（Ｂ−Ｂ'）をとっても、かならず断面に２以上の圧電領域１３ａが存在する。この結果、カンチレバーのたわみ時に節を生じることなく、一様なたわみが実現される。
【００２５】
各圧電領域１３ａの周囲は、図２に示すように樹脂１４で充填され、複数の圧電領域１３ａに一様な電圧を印加するための共通の上部電極１２ｂが圧電体パターン１３上に配置される。樹脂１４は、一般に弾性体であり、圧電体パターン１３の変位を妨げない。また、圧電樹脂を用いた場合は、薄膜圧電アクチュエータおよびセンサ１０の変位（たわみ）をさらに精度よく制御できる。
【００２６】
図４は、図１〜３に示す薄膜圧電アクチュエータおよびセンサ１０を適用した磁気ヘッド支持機構２０の概略図である。磁気ヘッド支持機構２０は、ハードディスクドライブのヘッドスライダ２２と、スライダ２２を支持するサスペンション２１と、サスペンション２１上に形成される薄膜圧アクチュエータおよびセンサ１０を含む。複数の圧電領域１３ａが互い違いに配置された圧電体パターン１３を有する薄膜圧電アクチュエータおよびセンサ１０の構成は、スライダ２２を支持する薄いサスペンション基板の上でも実現できるので、スライダ２２の媒体からの浮上量を制御することが可能となる。
【００２７】
図５〜図７は、図１および２に示す薄膜圧電アクチュエータおよびセンサ１０の作製工程図である。
【００２８】
まず、図５（ａ）に示すように、薄い基板１１、たとえば厚さ５０ミクロンのステンレス基板（ＳＵＳ３０４）を準備する。
【００２９】
次に、図５（ｂ）に示すように、基板１１上に下部電極１２ａを形成する。一例として、白金（Ｐｔ）を２００ｎｍの厚さで、スパッタ法を用いて成膜する。スパッタ法に限らず、真空蒸着法などを用いても良い。白金などの高融点金属に限らず、導電性酸化物であるルテニウム酸ストロンチウム（ＳｒＲｕＯ3）や、導電性窒化物である窒化チタン（ＴｉＮ）等、高温に耐え得る材料で電極１２ａを形成してもよい。
【００３０】
次に、図５（ｃ）に示すように、下部電極１２ａ上に、圧電体となるセラミックスのアモルファス膜２１を形成する。一例としてＰＺＴのアモルファス膜を、室温でのスパッタ法、パルスレーザ蒸着法（PLD）、ＭＯＣＶＤ法などにより、２ミクロンの厚さで成膜する。ゾルゲル法で焼成プロセスを行わず、複数回塗布して多層に形成してもよい。
【００３１】
次に、図５（ｄ）に示すように、アモルファス膜２１上に、フォトレジスト２４を１０ミクロンの厚さで形成する。レジストはフォトレジストに限らず、セラミックスＫｒＦやＡｒＦレジスト、ＥＢレジストを用いても良い。
【００３２】
次に、図５（ｅ）に示すように、リソグラフィー技術により露光現像を行い、レジスト２４を所望のパターンに加工してレジストマスク２４Ｍを形成する。レジストのパターンは、たとえば図３に示す圧電体のパターン配置が実現されるようなパターンとする。
【００３３】
次に、図６（ｆ）に示すように、圧電セラミックスのアモルファス膜２１のパターニングを行うためのエッチングを行う。エッチングはドライエッチでもウェットエッチでも良い。ドライエッチの場合は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を用いる。エッチングガスはＡｒ、ＣＦ4、ＳＦ6等を用いて、最適なプラズマプロセス条件により、圧電セラミックスの側壁を基板に対して垂直に加工する。ウェットエッチの場合は、フッ酸等の強酸を用いる。その際に、基板１１等の他部位が損傷しないように、ポリイミド等の保護膜を形成することが望ましい。
【００３４】
次に、図６（ｇ）に示すように、レジストマスク２４Ｍを除去する。エッチングの結果、図３と関連して述べたように、２ミクロン×１０ミクロンのエリアが幅１ミクロンのスペース１９で隔てられるパターンとなる。スペース１９の幅は、十分な圧電効果を引き出すとともに、基板の反りを防止するために、アモルファス膜２１の膜厚の３倍以下であることが望ましい。
【００３５】
次に、図６（ｈ）に示すように、パターニングされた圧電セラミックスのアモルファス膜２１を、たとえば焼結して結晶化し、複数の圧電領域１３ａで構成される圧電体パターン１３を形成する。結晶化の前に各分割領域にパターニングすることで、熱応力を緩和することができる。
【００３６】
次に、図６（ｉ）に示すように、圧電領域１３ａの周囲に樹脂膜１４を充填する。充填される樹脂はアクリル、エポキシおよびポリイミド等である。より具体的には、これらの樹脂を溶剤に溶かした低粘度のワニスを、圧電体パターン１３上にスピンコート法またはディップ法を用いて塗布する。
【００３７】
次に、図６（ｊ）に示すように、樹脂膜１４の乾燥後、樹脂膜１４の高さを圧電体パターン１３の高さに揃える。たとえば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）や化学物理研磨（ＣＭＰ）により、圧電体パターン１３の上面が露出するまで樹脂膜１４を除去する。
【００３８】
次に、図７（ｋ）に示すように、樹脂１４が充填された圧電体パターン１３上に、上部電極１２ｂを形成する。上部電極１２ｂは、スパッタ法、真空蒸着法等を用いて、充填された樹脂１４が熱による変形および揮発しない程度の温度で形成する。温度は常温でも良い。このとき、上部電極１２ｂを形成する位置に、メタルスルーマスクを使用する。上部電極１２ｂの材料としては、金属、酸化物等を使用する。
【００３９】
次に、図７（ｌ）に示すように、全面に絶縁層１６を形成する。一例として、スピンコート法やディップ法によるポリマ膜、あるいは、スパッタ法等によるシリカ膜またはアルミナ膜を、２ミクロン程度の膜厚に形成する。
【００４０】
次に、図７（ｍ）に示すように、絶縁層１６に、上部電極１２ｂとコンタクトを取るためのビア孔２３を形成する。ビア孔２３は、フォトレジストのマスク（不図示）を成膜後に、マスクの開口部からＲＩＥ等でエッチング除去して形成する。
【００４１】
次に、図７（ｎ）に示すように、ビア穴２３にスパッタおよび鍍金等の技術で、金属膜たとえば、金（Ａｕ）等を充填し、不要な部分の金を除去して、ビアコンタクト１７を形成する。
【００４２】
最後に、図７（ｏ）に示すように、ビアコンタクト１７に接続する配線層１８を形成する。配線層１８に代えて、ビア１７の上部をパッドとしてリード線をボンディングするためのパッドを形成してもよい。この場合は、メタルスルーマスクを使用してスパッタ法、真空蒸着法等によりパッドを形成する。
【００４３】
以上のプロセスで形成した素子を有する基板１１を、ダイシングソーによりカンチレバー形状に切断する。図４のように、ハードディスクのサスペンション２１として利用する場合、基板を金属板とし、サスペンション形状に切断および加工を行う。
【００４４】
上述した構成および作製方法によれば、圧電セラミックス膜をアモルファス状態で、複数の圧電領域が所定のパターンで配置される形状に加工するので、熱応力が緩和され、降温度後も、圧電体パターン１３に生じるクラックや、基板の反りを防止できる。
【００４５】
以上、薄膜圧電アクチュエータおよびセンサ１０を例にとって、良好な実施形態を説明したが、本発明の構成および作製方法は、これ以外の薄膜圧電デバイス、たとえば、圧電材料を用いた加速度センサ、圧力センサ、変位センサなどにも適用できる。
【００４６】
最後に、以上の説明に関して、以下の付記を開示する。  
（付記１）  基板と、
前記基板上に位置し、分割された複数の圧電領域で構成される圧電体パターンと、
前記圧電体パターンに電界を印加するための一対の電極と
を備える薄膜圧電デバイス。
（付記２）  前記複数の圧電領域の各々は、前記基板の長手方向にそった短冊状の領域であり、前記基板の幅方向に互い違いになるように配置されることを特徴とする付記１に記載の薄膜圧電デバイス。
（付記３）  前記圧電体パターンは、前記基板の長手方向に沿った第１の分離部と、前記基板の幅方向に沿った第２の分離部により複数の圧電領域に分割され、
前記複数の圧電領域は、前記第２の分離部が、前記基板の幅方向に沿って連続しないように配置されることを特徴とする付記１に記載の薄膜圧電デバイス。
（付記４）  前記分割された複数の圧電領域の間を充填する樹脂層
をさらに備えることを特徴とする付記１に記載の薄膜圧電デバイス。
（付記５）  前記樹脂層は、圧電性樹脂で構成されることを特徴とする付記４に記載の薄膜圧電デバイス。
（付記６）
付記１乃至付記４記載の薄膜圧電デバイスを備える圧電アクチュエータおよびセンサ。
（付記７）  磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを支持するサスペンション基板と、
前記サスペンション基板上に設けられた薄膜圧電アクチュエータおよびセンサと
を備え、
前記薄膜圧電アクチュエータおよびセンサは、分割された複数の圧電領域で構成される圧電体パターンを有することを特徴とする磁気ヘッド支持機構。
（付記８）  前記複数の圧電領域の各々は、前記サスペンション基板の長手方向にそった短冊状の領域であり、前記サスペンション基板の幅方向に互い違いになるように配置されることを特徴とする付記７に記載の磁気ヘッド支持機構。
（付記９）  基板上に、下部電極を形成し、
前記下部電極上に、圧電材料のアモルファス膜を形成し、
前記アモルファス膜を、複数の短冊状の領域が所定のパターンで配置されるようにパターニングし、
前記パターニングされたアモルファス膜を結晶化して、前記複数の短冊状の領域で構成される圧電体パターンを形成し、
前記圧電体パターン上に上部電極を形成する
工程を含むことを特徴とする薄膜圧電デバイスの作製方法。
（付記１０）  前記アモルファス膜のパターニングは、前記短冊状の領域の長辺が、前記基板の長手方向と平行に延び、かつ、前記短冊状の領域が前記基板の幅方向に互い違いになるように、パターニングされることを特徴とする付記９に記載の薄膜圧電デバイスの作製方法。
（付記１１）  前記アモルファス膜のパターニングは、前記圧電体パターンを構成する複数の短冊状の領域が、前記アモルファス膜の膜厚の３倍以下の分離部で隔てられ、かつ、前記分離部が、前記基板の幅方向に沿って連続しないようにパターニングされることを特徴とする付記９に記載の薄膜圧電デバイスの作製方法。
（付記１２）  前記結晶化された複数の短冊状の領域の間を樹脂で充填する工程をさらに含むことを特徴とする付記９に記載の薄膜圧電デバイスの作製方法。
（付記１３）  前記樹脂を、前記圧電体パターンが露出するように平坦化する工程
をさらに含み、前記上部電極は、前記平坦化された樹脂および圧電体パターン上に形成されることを特徴とする付記１２に記載の薄膜圧電デバイスの作製方法。
（付記１４）  前記結晶化工程は、焼結により行うことを特徴とする付記９に記載の薄膜圧電デバイスの作製方法。
（付記１５）  磁気ヘッドを支持するサスペンション基板上に、下部電極を形成し、
前記下部電極上に、圧電材料のアモルファス膜を形成し、
前記アモルファス膜を、複数の短冊状の領域が所定のパターンで配置されるようにパターニングし、
前記パターニングされたアモルファス膜を結晶化して、前記複数の短冊状の領域で構成される圧電体パターンを形成し、
前記圧電体パターン上に上部電極を形成して薄膜圧電アクチュエータおよびセンサを作製する工程を含むことを特徴とする磁気ヘッド支持機構の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態に係る薄膜圧電アクチュエータおよびセンサの一部を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の薄膜圧電アクチュエータおよびセンサの断面図であり、図１のＡ−Ａ'断面に対応する図である。
【図３】圧電体パターンの配置例を示す図である。
【図４】薄膜圧電アクチュエータおよびセンサの磁気ディスク装置のサスペンションへの適用例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る薄膜圧電アクチュエータおよびセンサの作製工程図（その１）である。
【図６】本発明の一実施形態に係る薄膜圧電アクチュエータおよびセンサの作製工程図（その２）である。
【図７】本発明の一実施形態に係る薄膜圧電アクチュエータおよびセンサの作製工程図（その３）である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  薄膜圧電アクチュエータおよびセンサ（薄膜圧電デバイス）
１１  基板
１２ａ  下部電極
１２ｂ  上部電極
１３  圧電体パターン
１３ａ  圧電領域
１４  樹脂
１９ｌ、１９ｗ  スペース（分離部）
２０  磁気ヘッド支持機構  
２１  サスペンション
２２  ヘッド（スライダ）
【図１】
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【図２】
2007273589.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007273589.tif 000006
【図５】
2007273589.tif 000007
【図６】
2007273589.tif 000008
【図７】
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