(57)【要約】 【課題】表示パネル用アレイ基板、その製造方法、これを有する表示パネル、及びこれを有する液晶表示装置が開示される。【解決手段】表示パネル用アレイ基板は、ベース基板、信号印加モジュール、第１電極、第２電極、及び保護層を含む。信号印加モジュールはベース基板上に配置され、データ信号を出力する出力端を含む。第１電極はベース基板上に配置され、出力端と電気的に接続される。第２電極は第１電極上に配置され、第１電極と電気的に接続され、銀を含む。保護層は第２電極上に配置され、第２電極の少なくとも一部をカバーする。これによって、第２電極の下部膜に対する付着力を向上させ、第２電極の変色を防止することができる。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に配置され、データ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュールと、
前記ベース基板上に配置され、前記出力端と電気的に接続された第１電極と、
前記第１電極上に配置され、前記第１電極と電気的に接続され、銀を含む第２電極と、
前記第２電極上に配置され、前記第２電極の少なくとも一部をカバーする保護層と、
を含むことを特徴とする表示パネル用アレイ基板。
【請求項２】
前記信号印加モジュールは、
タイミング信号の印加を受けるゲートラインから突出したゲート電極と、
前記ゲート電極を絶縁するゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極と対応する前記ゲート絶縁膜上に配置されたチャンネル層と、
前記チャンネル層に前記データ信号を出力するために、データラインから突出したソース電極と、を更に含み、
前記出力端は前記ソース電極と離隔して配置されたドレイン電極であることを特徴とする請求項１記載の表示パネル用アレイ基板。
【請求項３】
前記出力端を露出させるコンタクトホールを有する絶縁パターンを更に含むことを特徴とする請求項１記載の表示パネル用アレイ基板。
【請求項４】
前記第１電極は、前記絶縁パターン上に配置されることを特徴とする請求項３記載の表示パネル用アレイ基板。
【請求項５】
前記絶縁パターンの上面には、エンボスパターンが形成されることを特徴とする請求項３記載の表示パネル用アレイ基板。
【請求項６】
前記第２電極は、前記第１電極の少なくとも一部をカバーすることを特徴とする請求項１記載の表示パネル用アレイ基板。
【請求項７】
前記第１電極は、透明で導電性の材質を含むことを特徴とする請求項６記載の表示パネル用アレイ基板。
【請求項８】
前記第１電極は、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）及びアモルファス酸化スズインジウム（ａ−ＩＴＯ）のうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項７記載の表示パネル用アレイ基板。
【請求項９】
前記保護層は、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）及びアモルファス酸化スズインジウム（ａ−ＩＴＯ）のうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載の表示パネル用アレイ基板。
【請求項１０】
前記保護層の厚みは、３０ｎｍ乃至５０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の表示パネル用アレイ基板。
【請求項１１】
前記第２電極の厚みは、２００ｎｍ乃至３００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の表示パネル用アレイ基板。
【請求項１２】
基板上にデータ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュールを形成し、
前記信号印加モジュールをカバーする絶縁層上に出力端の一部を露出させるためのコンタクトホールを形成して絶縁パターンを形成し、
前記絶縁パターン上に前記出力端と電気的に接続し、透明で導電性の第１電極を形成し、
前記第１電極上に前記第１電極と電気的に接続され、銀を含む第２電極及び前記第２電極の少なくとも一部をカバーする保護層を形成すること、
を含むことを特徴とする表示パネル用アレイ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁パターンの形成は、前記絶縁層の上面にエンボスパターンを形成することを更に含むことを特徴とする請求項１２記載の表示パネル用アレイ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第２電極は、前記第１電極の少なくとも一部をカバーするように形成することを特徴とする請求項１２記載の表示パネル用アレイ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１電極の形成後に、前記第１電極をハードベーキングすることを更に含むことを特徴とする請求項１２記載の表示パネル用アレイ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第２電極及び前記保護層の形成は、
前記第１電極上に予備第２電極層を形成し、
前記予備第２電極層上に予備保護層を形成し、
前記予備第２電極層及び前記予備保護層を同時にエッチングして前記第２電極及び前記保護層をパターニングすること、
を特徴とする請求項１２記載の表示パネル用アレイ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記予備第２電極層及び前記予備保護層は、リン酸、窒酸、酢酸、及び過酸化水素のうち、少なくとも１つを含むエッチング液を用いてエッチングされることを特徴とする請求項１６記載の表示パネル用アレイ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記保護層の厚みは、３０ｎｍ乃至５０ｎｍであることを特徴とする請求項１２記載の表示パネル用アレイ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第２電極の厚みは、２００ｎｍ乃至３００ｎｍであることを特徴とする請求項１２記載の表示パネル用アレイ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第１電極及び前記保護層は、それぞれアモルファス酸化スズインジウム（ａ−ＩＴＯ）を含むことを特徴とする請求項１２記載の表示パネル用アレイ基板の製造方法。
【請求項２１】
第１ベース基板、前記第１ベース基板上に配置されデータ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュール、前記第１ベース基板上に配置され前記出力端と電気的に接続された第１電極、前記第１電極上に配置され前記第１電極と電気的に接続され銀を含む第２電極、及び前記第２電極上に配置され前記第２電極の少なくとも一部をカバーする保護層を含むアレイ基板と、
前記第１ベース基板と向き合う第２ベース基板、及び前記第２ベース基板上に配置され前記第１及び第２電極と対向する共通電極を含む対向基板と、
前記第１及び第２基板の間に介在された液晶層と、
を含むことを特徴とする表示パネル。
【請求項２２】
前記アレイ基板は、前記出力端を露出させるコンタクトホールを有する絶縁パターンを更に含むことを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
【請求項２３】
前記保護層の厚みは３０ｎｍ乃至５０ｎｍで、前記第２電極の厚みは２００ｎｍ乃至３００ｎｍであることを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
【請求項２４】
前記第２電極は、前記第１電極の少なくとも一部をカバーすることを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
【請求項２５】
光を利用して画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルに前記光を提供するバックライトアセンブリと、を含み、
前記表示パネルは、
第１ベース基板、前記第１ベース基板上に配置されデータ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュール、前記第１ベース基板上に配置され前記出力端と電気的に接続された透明電極、前記透明電極上に配置され前記透明電極と電気的に接続され銀を含む反射電極、及び前記反射電極上に配置され前記反射電極の少なくとも一部をカバーする保護層を含むアレイ基板と、
前記第１ベース基板と向き合う第２ベース基板、及び前記第２ベース基板上に配置され前記透明電極及び前記反射電極と対向する共通電極を含む対向基板と、
前記第１及び第２基板間に介在する液晶層と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２６】
前記透明電極及び前記保護層は、それぞれ酸化スズインジウム及びアモルファス酸化スズインジウムのうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２５記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記保護層の厚みは３０ｎｍ乃至５０ｎｍで、前記反射電極の厚みは２００ｎｍ乃至３００ｎｍであることを特徴とする請求項２５記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル用アレイ基板、その製造方法、これを有する表示パネル、及びこれを有する液晶表示装置に係り、より詳細には、下部膜との付着力を向上させ、変色を防止することができる表示パネル用アレイ基板、その製造方法、これを有する表示パネル、及びこれを有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置は、情報処理装置で処理された情報を画像に変換する。
【０００３】
代表的な表示装置としては、陰極線管（ＣＲＴ）方式表示装置、液晶表示装置（ＬＣＤ  ｄｅｖｉｃｅ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ  ｄｅｖｉｃｅ）等がある。
【０００４】
液晶表示装置は、光の利用方法によって透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、及び反射−透過型液晶表示装置に区分される。
【０００５】
透過型液晶表示装置は、内蔵されたランプから発生した内部光を利用して画像を表示し、反射型液晶表示装置は、太陽、照明灯等から発生した外部光を利用して画像を表示する。反射−透過型液晶表示装置は、内蔵されたランプ等から発生した内部光及び太陽、照明灯等から発生した外部光を利用して画像を表示する。
【０００６】
透過型液晶表示装置は、透明で導電性の透明電極を含み、反射型液晶表示装置は、透明電極に比して光反射率が高い反射電極を含む。反射−透過型液晶表示装置は、透明電極及び反射電極のいずれも含む。
【０００７】
反射型液晶表示装置及び反射−透過型液晶表示装置において採用する反射電極は、反射率の高い材料を含むことが望ましい。従って、通常、反射電極は反射率の高いアルミニウム又はアルミニウム合金を含む。
【０００８】
最近では、アルミニウム又はアルミニウム合金より反射率が高い銀を反射電極として採用する研究が進行している。しかし、銀は下部膜との付着力が弱く、後続の工程で変色するおそれがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような従来の問題点を解決するためのもので、本発明の第１の目的は、反射電極の下部膜との付着力を向上させ、変色を防止することができる表示パネル用アレイ基板を提供することにある。
【００１０】
本発明の第２の目的は、前記アレイ基板の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の第３の目的は、前記アレイ基板を有する表示パネルを提供することにある。
【００１２】
本発明の第４の目的は、前記アレイ基板を有する液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前述した本発明の第１の目的を達成するための表示パネル用アレイ基板は、ベース基板、信号印加モジュール、第１電極、第２電極、及び保護層を含む。信号印加モジュールは、ベース基板上に配置されデータ信号を出力する出力端を含む。第１電極はベース基板上に配置され、出力端と電気的に接続される。第２電極は第１電極上に配置され、第１電極と電気的に接続され、銀を含む。保護層は第２電極上に配置され、第２電極の少なくとも一部をカバーする。
【００１４】
前述した本発明の第２の目的を達成するための表示パネル用アレイ基板の製造方法は、基板上にデータ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュールを形成し、信号印加モジュールをカバーする絶縁層上に出力端の一部を露出させるためのコンタクトホールを形成して絶縁パターンを形成し、絶縁パターン上に出力端と電気的に接続され、透明で導電性を有する第１電極を形成し、並びに、第１電極上に第１電極と電気的に接続され、銀を含む第２電極及び第２電極の少なくとも一部をカバーする保護層を形成する。
【００１５】
前述した本発明の第３の目的を達成するための表示パネルは、アレイ基板、対向基板、及び液晶層を含む。アレイ基板は、第１ベース基板、第１ベース基板上に配置されデータ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュール、第１ベース基板上に配置され出力端と電気的に接続された第１電極、第１電極上に配置され第１電極と電気的に接続され銀を含む第２電極、及び第２電極上に配置され第２電極の少なくとも一部をカバーする保護層を含む。対向基板は、第１ベース基板と向き合う第２ベース基板及び第２ベース基板上に配置され第１及び第２電極と対向する共通電極を含む。液晶層は、第１及び第２基板の間に介在する。
【００１６】
前述した本発明の第４の目的を達成するための液晶表示装置は、表示パネル及びバックライトアセンブリを含む。表示パネルは、光を利用して画像を表示する。表示パネルは、アレイ基板、対向基板、及び液晶層を含む。アレイ基板は第１ベース基板、第１ベース基板上に配置されデータ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュール、第１ベース基板上に配置され出力端と電気的に接続された透明電極、透明電極上に配置され透明電極と電気的に接続され銀を含む反射電極、及び反射電極上に配置され反射電極の少なくとも一部をカバーする保護層を含む。対向基板は、第１ベース基板と向かい合う第２ベース基板及び第２ベース基板上に配置され透明電極及び反射電極と対向する共通電極を含む。液晶層は、第１及び第２基板間に介在する。バックライトアセンブリは、表示パネルに光を提供する。
【００１７】
本発明によると、銀を含む第２電極上に保護層を形成して後続の工程で第２電極が変色することを防止することができる。又、第２電極の下部に酸化スズインジウム又はアモルファス酸化スズインジウム等からなる第１電極を形成して、第２電極と下部膜との付着力を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の望ましい実施例による表示パネル用アレイ基板、その製造方法、これを有する表示パネル、及びこれを有する液晶表示装置について詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施例によるアレイ基板の一部を示す平面図である。図２は、図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【００２０】
図１及び図２を参照すると、アレイ基板１００は、ベース基板１１０、信号印加モジュール１２０、絶縁パターン１３０、第１電極１４０、第２電極１５０、及び保護層１６０を含む。
【００２１】
ベース基板１１０は、光が透過するガラス基板のような透明基板を含む。
【００２２】
信号印加モジュール１２０は、ベース基板１１０上に配置される。信号印加モジュール１２０は、外部から印加された画像データ信号を指定された時間に出力端を通じて出力する。
【００２３】
本実施例において、信号印加モジュール１２０は、ゲート電極ＧＥ、ゲート絶縁膜ＧＩＬ、チャンネルパターンＣＰ、ソース電極ＳＥ、及び出力端に対応するドレイン電極ＤＥを含む。
【００２４】
ゲート電極ＧＥは、タイミング信号の印加を受けるゲートラインＧＬから突出し、ソース電極ＳＥは、チャンネルパターンＣＰにデータ信号を出力するためにデータラインＤＬから突出している。
【００２５】
前記ゲートラインＧＬは、図１に図示する第１方向に延びている。図示されていないが、アレイ基板１００の解像度に対応する本数の複数のゲートラインＧＬは、第１方向に対して実質的に垂直な第２方向に互いに平行に配置される。又、図示されていないが、解像度に対応する本数の複数のゲート電極ＧＥは、それぞれゲートラインＧＬの１つからベース基板１１０に沿って第２方向と実質的に平行な方向に突出している。
【００２６】
ゲート絶縁膜ＧＩＬは、ゲート電極ＧＥを有するゲートラインＧＬをカバーして、ゲートラインＧＬをソース電極ＳＥを有するデータラインＤＬから絶縁させる。例えば、ゲート絶縁膜ＧＩＬは、透明な窒化シリコンを含んでもよい。
【００２７】
チャンネルパターンＣＰは、ゲート絶縁膜ＧＩＬ上に形成される。チャンネルパターンＣＰは、例えば、ゲート電極ＧＥと対応するゲート絶縁膜ＧＩＬ上に配置される。チャンネルパターンＣＰは、アモルファスシリコンパターン（ＡＳＰ）及び一対の高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）を含む。一対の高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）は、アモルファスシリコンパターンＡＳＰの上部に互いに離隔して配置される。
【００２８】
データラインＤＬは、ゲート絶縁膜ＧＩＬ上に配置される。データラインＤＬは、第２方向に配置される。図示されていないが、アレイ基板１００の解像度に対応する本数の複数のデータラインＤＬは、第１方向に互いに平行に配置される。又、図示されていないが、前記解像度に対応する本数の複数のソース電極ＳＥは、それぞれデータラインＤＬの１つからベース基板１１０に沿って第１方向と実質的に平行な方向に突出する。ソース電極ＳＥは、高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）のうちの１つに電気的に接続される。
【００２９】
ドレイン電極ＤＥは、高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）のうち、残り１つに電気的に接続される。ドレイン電極ＤＥは、データラインＤＬと共に形成される。ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥと離隔して配置される。
【００３０】
絶縁パターン１３０は、信号印加モジュール１２０が形成されたベース基板１１０上に配置される。絶縁パターン１３０には、信号印加モジュール１２０のドレイン電極ＤＥを露出させるコンタクトホールが形成される。絶縁パターン１３０は、コンタクトホールを形成するために光と反応する感光物質を含んでもよい。
【００３１】
第１電極１４０は、絶縁パターン１３０上に配置される。第１電極１４０は、コンタクトホールによって露出したドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。第１電極１４０は、絶縁パターン１３０の少なくとも一部をカバーする。
【００３２】
第１電極１４０は、透明で導電性の物質を含む。ベース基板１１０の下部から光が供給される場合、光は透明な第１電極１４０を透過して進行する。従って、第１電極１４０は、反射−透過型液晶表示装置の透明電極として機能することができる。
【００３３】
第１電極１４０は、例えば、酸化スズインジウム、アモルファス酸化スズインジウム、及び酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）のうち、少なくとも１つを含む。第１電極１４０が酸化スズインジウム、アモルファス酸化スズインジウム、及び酸化亜鉛インジウムのうち、いずれか１つ以上で形成した場合、後述される銀を含む第２電極１５０と下部膜の間の付着力が向上する。
【００３４】
第１電極１４０は、例えば、４０ｎｍ乃至７０ｎｍの厚みを有してもよい。
【００３５】
第２電極１５０は第１電極１４０上に配置され、第１電極１４０に電気的に接続される。第２電極１５０は、第１電極１４０の少なくとも一部をカバーする。
【００３６】
第２電極１５０は銀を含む。銀は、一般的にアルミニウム又はアルミニウム合金よりも高い反射率を有する。ベース基板１１０の上部から光が供給される場合、光は第２電極１５０で反射され進行する。従って、第２電極１５０は、反射−透過型液晶表示装置の反射電極として機能することができる。
【００３７】
銀は一般的にアルミニウム又はアルミニウム合金より高い反射率を有する反面、付着力は弱い。しかし、銀は酸化スズインジウム、アモルファス酸化スズインジウム、酸化亜鉛インジウム等に対しては強い付着力を有するので、銀を含む第２電極１５０の下部に酸化スズインジウム、アモルファス酸化スズインジウム、及び酸化亜鉛インジウムのうち、少なくとも１つを含む第１電極１４０が配置される場合、第２電極１５０は、第１電極１４０に対して強く付着することができる。従って、第２電極と第１電極の間の付着力が弱い場合に発生するおそれがある第２電極１５０のリフティング（ｌｉｆｔ  ｏｆｆ）を防止することができる。
【００３８】
第２電極１５０は、例えば、２００ｎｍ乃至３００ｎｍの厚みを有してもよい。
【００３９】
保護層１６０は、第２電極１５０上に配置される。保護層１６０は、第２電極１５０に対応して形成される。保護層１６０は、透明で導電性である物質を含む。保護層１６０は、酸化スズインジウム、アモルファス酸化スズインジウム、及び酸化亜鉛インジウムのうち、少なくとも１つを含んでもよい。
【００４０】
保護層１６０が第２電極１５０上に配置されるので、保護層１６０は、銀を含む第２電極１５０のキャッピング層として機能することができる。従って、銀を含む第２電極１５０が変色することを防止することができる。
【００４１】
保護層１６０は、第２電極１５０と同時にエッチングしてパターニングすることができる。銀を含む層は、多くのエッチング液によって素早くエッチングされる。従って、保護層１６０は、銀を含む第２電極１５０上に配置して、銀のエッチング時間を遅延させることができる。保護層１６０は、エッチング遅延の機能を発揮するために、例えば、３０ｎｍ乃至５０ｎｍの厚みを有する。
【００４２】
本実施例において、第２電極１５０及び保護層１６０は、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬによって範囲が確定される画素の周辺部に形成される。従って、図１に示すように、第２電極１５０及び保護層１６０は、１つの開口を含む。これとは異なり、第２電極１５０及び保護層１６０は、複数の開口を含んでもよい。例えば、開口のそれぞれは、平面上で見たとき、多角形形状を有してもよい。
【００４３】
第１電極１４０、第２電極１５０、及び保護層１６０が順次に形成されたアレイ基板１００上に配向膜１７０を形成してもよい。配向膜１７０は、例えば、ポリイミド樹脂を含み、配向膜１７０の上面には液晶を配向するための配向溝（図示せず）が形成される。
【００４４】
本実施例によるアレイ基板１００は、反射領域と透過領域を有する反射−透過型液晶表示装置の表示パネルとして採用してもよい。これとは異なり、アレイ基板１００は、反射領域のみを有する反射型液晶表示装置の表示パネルとして採用してもよい。この場合、アレイ基板１００の第２電極１５０が第１電極１４０の全部をカバーしてもよい。
【００４５】
図３は、本発明の第２の実施例によるアレイ基板の一部を示す断面図である。図３に図示するアレイ基板は、絶縁パターン、第１電極、第２電極、及び保護層の形状を除くと、図１及び図２に図示したアレイ基板１００と実質的に同じである。従って、同じ部分についての重複説明は省略する。
【００４６】
図３を参照すると、アレイ基板１０２は、ベース基板１１０、信号印加モジュール１２０、絶縁パターン１３０、第１電極１４２、第２電極１５２、及び保護層１６２を含む。
【００４７】
前記絶縁パターン１３０の上面には、複数のエンボスパターン（ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ  ｐａｔｔｅｒｎ）１３２が形成される。エンボスパターン１３２が形成された絶縁パターン１３０上には第１電極１４２、第２電極１５２、及び保護層１６２が順次に配置される。
【００４８】
エンボスパターン１３２は、第２電極１５２の反射面積を増加させ、第２電極１５２に反射された光を拡散させることができる。
【００４９】
図４は、本発明の第３の実施例によるアレイ基板の一部を示す平面図である。図５は、図４のＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した断面図である。図４及び図５に図示するアレイ基板は、第２電極及び保護層が形成された位置を除くと、図１及び図２に図示したアレイ基板１００と実質的に同じである。従って、同じ部分についての重複説明は省略する。
【００５０】
図４及び図５を参照すると、アレイ基板１０４は、ベース基板１１０、信号印加モジュール１２０、絶縁パターン１３０、第１電極１４４、第２電極１５４、及び保護層１６４を含む。
【００５１】
本実施例において、第２電極１５４及び保護層１６４は、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬによって範囲が確定される画素の中央部に形成される。
【００５２】
図６は、本発明の第４の実施例によるアレイ基板の一部を示す断面図である。図６にするアレイ基板は、絶縁パターン、第１電極、第２電極、及び保護層の形状を除くと、図４及び図５に図示したアレイ基板１０４と実質的に同じである。従って、同じ部分についての重複説明は省略する。
【００５３】
図６を参照すると、アレイ基板１０６は、ベース基板１１０、信号印加モジュール１２０、絶縁パターン１３０、第１電極１４６、第２電極１５６、及び保護層１６６を含む。
【００５４】
絶縁パターン１３０の上面には、複数のエンボスパターン１３６が形成される。エンボスパターン１３６が形成された絶縁パターン１３０上には、第１電極１４６、第２電極１５６、及び保護層１６６が順次に配置される。
【００５５】
エンボシングパターン１３６は、第２電極１５６の反射面積を増加させ、第２電極１５６に反射された光を拡散させることができる。
【００５６】
図７乃至図１０は、本発明の第５の実施例によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。本実施例では、図１及び図２に図示したアレイ基板１００の製造方法について詳細に説明する。しかし、図４及び図５に図示したアレイ基板１０４も同じ製造方法によって形成してもよい。
【００５７】
図７を参照すると、アレイ基板１００を製造するために、まず、ベース基板１１０上に信号印加モジュール１２０が形成される。
【００５８】
信号印加モジュール１２０を形成するためには、まず、ベース基板１１０上にゲート金属が化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程又はスパッタリング工程を通じて形成する。ゲート金属は、例えば、アルミニウム又はモリブデンを含む。
【００５９】
ゲート金属は、フォトリソグラフィ工程を通じてパターニングされ、ベース基板１１０上にはゲートラインＧＬから突出したゲート電極ＧＥが形成される。
【００６０】
その後、ベース基板１１０上には、ゲート絶縁膜ＧＩＬが化学気相蒸着工程を通じて形成される。ゲート絶縁膜ＧＩＬは、例えば、透明なシリコン窒化物を含む。
【００６１】
ゲート絶縁膜ＧＩＬ上には、高濃度イオンドーピングアモルファスシリコン薄膜（図示せず）、アモルファスシリコン薄膜（図示せず）、及びソース／ドレイン薄膜（図示せず）が順次に形成される。
【００６２】
その後、ソース／ドレイン薄膜は、フォトリソグラフィ工程によってパターニングされ、高濃度イオンドーピングアモルファスシリコン薄膜上には、データラインＤＬ、データラインＤＬから突出したソース電極ＳＥ、及びソース電極ＳＥと離隔されたドレイン電極ＤＥが形成される。
【００６３】
その後、データラインＤＬ及びドレイン電極ＤＥをマスクとして、高濃度イオンドーピングアモルファスシリコン薄膜及びアモルファスシリコン薄膜がパターニングされる。従って、ゲート絶縁膜ＧＩＬ上には、高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）及びアモルファスシリコンパターン（ＡＳＰ）を含むチャンネルパターンＣＰが形成される。
【００６４】
図８を参照すると、信号印加モジュール１２０が形成されたベース基板１１０上には、厚い絶縁膜（図示せず）が形成される。例えば、絶縁膜は、光と反応する感光物質を含む有機膜である。これとは異なり、絶縁膜は、シリコン窒化物等の無機膜と有機膜を有する二重膜で形成してもよい。ベース基板１１０上に形成された絶縁膜は、パターンマスクを通過した光によってパターニングされ、絶縁パターン１３０を形成する。絶縁パターン１３０には、信号印加モジュール１２０のドレイン電極ＤＥの一部を露出させるコンタクトホールＣＴが形成される。
【００６５】
本実施例では、絶縁パターン１３０の上面にエンボスパターンは形成しない。これとは異なり、絶縁パターン１３０の上面に、図３に図示する複数のエンボスパターン１３２を形成してもよい。又、図４及び図５に図示したアレイ基板１０４を製造する場合にも、絶縁パターン１３０の上面には図６に図示した複数のエンボスパターン１３６を形成してもよい。
【００６６】
図９を参照すると、絶縁パターン１３０上には第１電極１４０が形成される。例えば、第１電極１４０は、４０ｎｍ乃至７０ｎｍの厚みに形成される。
【００６７】
第１電極１４０は、透明で導電性の物質を含む。第１電極１４０は、例えば、酸化スズインジウム又はアモルファス酸化スズインジウムを含む。
【００６８】
第１電極１４０が酸化亜鉛インジウムを含む場合、後述される第２電極１５０がエッチングされるときに、第１電極１４０もエッチングされ損傷するおそれがある。
【００６９】
第１電極１４０が酸化スズインジウムを含む場合、第１電極１４０は王水を用いてエッチングされる。第１電極１４０を王水を用いてエッチングする場合、第１電極１４０の下部に位置する下部膜も王水によって損傷される。
【００７０】
これとは異なり、第１電極１４０がアモルファス酸化スズインジウムを含む場合、第１電極１４０は弱酸を用いてエッチングしてもよい。第１電極１４０が弱酸を用いてエッチングする場合は、下部膜の損傷を防止することができる。
【００７１】
第１電極１４０がアモルファス酸化スズインジウムを含む場合、第１電極１４０は所定の条件下で熱処理してもよい。例えば、第１電極１４０は約２００℃の温度で約２時間ハードベーキングする。
【００７２】
第１電極１４０がハードベーキングされると、アモルファス酸化スズインジウムは、ポリ酸化スズインジウムとなる。アモルファス酸化スズインジウムからなる第１電極１４０をハードベーキングする温度が高く時間が長いほど、第１電極１４０は後述される銀エッチング液によってエッチングがよく行われない。又、第１電極１４０の厚みが厚いほど、エッチングがよく行われない。
【００７３】
図１０を参照すると、第１電極１４０上には、第２電極１５０及び保護層１６０が形成される。
【００７４】
第２電極１５０は銀を含み、保護層１６０は透明で導電性の物質を含む。保護層１６０は、例えば、酸化スズインジウム又はアモルファス酸化スズインジウムを含む。
【００７５】
銀を含む予備第２電極層（図示せず）は例えば、５０℃以下で蒸着され、予備保護層（図示せず）は、例えば、常温で蒸着される。この際、予備第２電極層及び予備保護層はそれぞれエッチングされてパターニングされる前の第２電極１５０及び保護層１６０を意味する。
【００７６】
予備第２電極層及び前記予備保護層が蒸着された後、フォトリソグラフィ工程を通じてパターニングされる。この際、予備第２電極層及び予備保護層は、銀のエッチング液を用いて同時にエッチングされる。銀のエッチング液は、例えば、リン酸、窒酸、酢酸、及び過酸化水素のうち、少なくとも１つを含む。
【００７７】
銀を含む層は、大部分のエッチング液によって素早くエッチングされる。予備保護層は、銀を含む予備第２電極層上に形成された後に同時にエッチングされるので、予備保護層は銀を含む予備第２電極層のエッチング時間を遅延させることができる。例えば、予備第２電極層は、２００ｎｍ乃至３００ｎｍの厚みに形成され、前記予備保護層はエッチング遅延の機能をするために、例えば、３０ｎｍ乃至５０ｎｍの厚みに形成される。
【００７８】
エッチングされた予備第２電極層及び予備保護層は、それぞれ第２電極１５０及び保護層１６０を形成する。
【００７９】
銀を含む第２電極１５０は付着力が弱い。しかし、下部に形成された第１電極１４０が酸化スズインジウム、アモルファス酸化スズインジウム、又は酸化亜鉛インジウムを含む場合には、第１電極１４０に強く付着することができる。
【００８０】
図１１は、銀からなる単一膜がベース基板上に形成されたことを示す写真である。図１２は、酸化スズインジウムと銀とからなる二重膜がベース基板上に形成されたことを示す写真である。
【００８１】
図１１及び図１２を参照すると、絶縁パターン１３０上に第２電極１５０が形成された場合、第２電極１５０の付着力が弱いので、リフティングが発生する。従って、第２電極１５０のパターン形状が歪曲される。反面、第１電極１４０上に第２電極１５０が形成された場合、第２電極１５０の付着力が強いので、リフティングが発生しない。従って、第２電極１５０のパターン形状が歪曲されない。
【００８２】
一方、第１電極１４０、第２電極１５０、及び保護層１６０が順次に形成されたアレイ基板１００上に図２に図示した配向膜１７０を形成してもよい。一例として、配向膜１７０はポリイミド樹脂を含み、配向膜１７０の上面には液晶を配向するための配向溝（図示せず）が形成される。
【００８３】
図１３は、本発明の第６の実施例による表示パネルを示す断面図である。
【００８４】
図１３を参照すると、表示パネル６００は、アレイ基板１００、対向基板２００、及び液晶層３００を含む。
【００８５】
アレイ基板１００は、第１ベース基板１１０、信号印加モジュール１２０、絶縁パターン１３０、第１電極１４０、第２電極１５０、保護層１６０、及び第１配向膜１７０を含む。アレイ基板１００は、第１実施例のアレイ基板１００と実質的に同じなので、重複する詳細な説明は省略する。
【００８６】
対向基板２００は、第２ベース基板２１０、カラーフィルタ２２０、共通電極２３０、及び第２配向膜２４０を含む。
【００８７】
第２ベース基板２１０は、光が透過するガラス基板のような透明基板を含む。
【００８８】
カラーフィルタ２２０は、第２ベース基板２１０上に配置される。カラーフィルタ２２０は、白色光のうち、赤色光を通過させる赤色カラーフィルタ、白色光のうち、緑色光を通過させる緑色カラーフィルタ、及び白色光のうち、青色光を通過させる青色カラーフィルタを含む。
【００８９】
共通電極２３０はカラーフィルタ２２０上に形成され、透明で導電性の物質を含む。共通電極２３０は、例えば、酸化スズインジウム、アモルファス酸化スズインジウム、及び酸化亜鉛インジウムのうち、少なくとも１つを含む。共通電極２３０は、アレイ基板１００の第１及び第２電極１４０、１５０と向き合う。
【００９０】
第２配向膜２４０は、第１配向膜１７０と向き合うように配置され、第２配向膜２４０上には液晶を配向するための配向溝が形成される。
【００９１】
液晶層３００は、アレイ基板１００及び対向基板２００の間に介在する。
【００９２】
本実施例において、表示パネル６００は、第１実施例のアレイ基板１００を採用するが、これとは異なり、第２、第３、及び第４実施例のアレイ基板１０２、１０４、１０６を採用してもよい。
【００９３】
図１４は、本発明の第７の実施例による液晶表示装置を示す断面図である。
【００９４】
図１４を参照すると、液晶表示装置１０００は、表示パネル６００及びバックライトアセンブリ７００を含む。
【００９５】
表示パネル６００は、アレイ基板１００、対向基板２００、及び液晶層３００を含む。表示パネル６００は、第６の実施例の表示パネル６００と実質的に同じなので、重複説明は省略する。
【００９６】
バックライトアセンブリ７００は、表示パネル６００に光を提供する。液晶表示装置１０００は、バックライトアセンブリ７００から提供された光を利用して画像を表示するか、外部から提供された光を利用して画像を表示することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明によると、銀を含む反射電極上に保護層を形成して、後続工程で反射電極が変色することを防止することができる。
【００９８】
又、反射電極の下部に酸化スズインジウム又はアモルファス酸化スズインジウム等からなる透明電極を形成して、反射電極と下部膜との間の付着力を向上させることができる。
【００９９】
以上、本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の第１の実施例によるアレイ基板の一部を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例によるアレイ基板の一部を示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例によるアレイ基板の一部を示す平面図である。
【図５】図４のＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した断面図である。
【図６】本発明の第４の実施例によるアレイ基板の一部を示す断面図である。
【図７】本発明の第５の実施例によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第５の実施例によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第５の実施例によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第５の実施例によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１１】銀からなる単一膜がベース基板上に形成されたことを示す写真である。
【図１２】酸化スズインジウムと銀とからなる二重膜がベース基板上に形成されたことを示す写真である。
【図１３】本発明の第６の実施例による表示パネルを示す断面図である。
【図１４】本発明の第７の実施例による液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１００、１０２、１０４、１０６    アレイ基板
１１０    ベース基板
１２０    信号印加モジュール
１３０    絶縁パターン
１４０、１４２、１４４、１４６    第１電極
１５０、１５２、１５４、１５６    第２電極
１６０、１６２、１６４、１６６    保護層
２００    対向基板
３００    液晶層
６００    表示パネル
１０００    液晶表示装置
【図１】
2007108737.tif 000003
【図２】
2007108737.tif 000004
【図３】
2007108737.tif 000005
【図４】
2007108737.tif 000006
【図５】
2007108737.tif 000007
【図６】
2007108737.tif 000008
【図７】
2007108737.tif 000009
【図８】
2007108737.tif 000010
【図９】
2007108737.tif 000011
【図１０】
2007108737.tif 000012
【図１３】
2007108737.tif 000013
【図１４】
2007108737.tif 000014
【図１１】
2007108737.tif 000015
【図１２】
2007108737.tif 000016