(57)【要約】  【課題】スループットおよび歩留りを高める。  【解決手段】ウエハ１を載置するサセプタ電極５０を複数段、処理室３２内に所定の間隔を置いて配置し、各段のサセプタ電極５０に電力をそれぞれ供給してプラズマを生成し、各段のサセプタ電極５０に載置したウエハ１をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置１０において、ウエハ１を搬送するツィーザ２５に中央が長く両脇が短い３本の支持バー２６、２７、２８を設け、３本の支持バーはウエハ１の外周縁部下面の３点を支持するように構成する。各段のサセプタ電極５０には３本の支持バーが挿通する三つの挿通部５２、５３、５４を開設する。複数段のサセプタ電極に複数枚のウエハを同時に移載できるので、スループットを向上できる。ツィーザが挿通部に接触するのを防止することで、パーティクルを発生させるのを防止できるので、歩留りを向上できる。  【選択図】図３
2007250988.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を載置するサセプタ電極を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、前記各段のサセプタ電極に電力をフィーダによってそれぞれ供給してプラズマを生成し、前記各段のサセプタ電極に載置した前記被処理基板をプラズマ処理する基板処理装置であって、
前記各段のサセプタ電極には前記被処理基板を搬送するツィーザが上下に挿通可能な挿通部がそれぞれ開設されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にプラズマ処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法においてウエハにプラズマ処理を施す場合には、枚葉式プラズマ処理装置を使用するのが、一般的である。
しかしながら、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを一枚ずつ処理するために、スループットが小さくなるという問題点がある。
また、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを保持したサセプタだけが処理温度に加熱されるコールドウオール形が一般的であるために、ウエハ面内を均一に加熱することが困難であるという問題点がある。
【０００３】
そこで、複数枚のウエハが搬入される処理室を備え、かつ、ヒータによって加熱されるプロセスチューブの処理室に一対の電極が縦長に配置されたバッチ式リモートプラズマ処理装置が提案されている。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開２００４−２８９１６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記したバッチ式リモートプラズマ処理装置においては、プラズマが各ウエハに遠隔的にそれぞれ供給されるために、被処理基板内の処理状況やバッチ内のウエハ相互間の処理状況が不均一になる可能性が有ると、考えられる。
そこで、処理室内にウエハを一枚ずつ載置するサセプタ電極を所定の間隔を置いて複数段配置し、各段のサセプタ電極に載置したウエハ毎にプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置が、提案され得る。
しかしながら、このようなバッチ式プラズマ処理装置において、複数段のサセプタ電極にウエハを移載するのに枚葉式プラズマ処理装置の突き上げピン式のウエハ移載装置を採用すると、複数段のサセプタ電極にウエハを一枚ずつ移載するために、スループットが低下するという問題点があるばかりでなく、突き上げピンとサセプタ電極との接触によってパーティクルが発生するために、歩留りが低下するという問題点がある。
【０００５】
本発明の目的は、このような問題点を回避することができるとともに、被処理基板内の処理状況や被処理基板相互間の処理状況の均一性を向上することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）被処理基板を載置するサセプタ電極を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、前記各段のサセプタ電極に電力をフィーダによってそれぞれ供給してプラズマを生成し、前記各段のサセプタ電極に載置した前記被処理基板をプラズマ処理する基板処理装置であって、
前記各段のサセプタ電極には前記被処理基板を搬送するツィーザが上下に挿通可能な挿通部がそれぞれ開設されていることを特徴とする基板処理装置。
（２）前記ツィーザが前記挿通部を挿通する３本の支持バーを備えており、これら３本の支持バーのうち中央の支持バーが長く形成されているとともに、両脇の２本が短く形成されており、これら３本の支持バーは前記被処理基板の３点を支持するように構成されていることを特徴とする前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記複数段のサセプタ電極がボートに支持されており、このボートには前記フィーダが設けられていることを特徴とする前記（１）（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記挿通部は複数個設けられていることを特徴とする前記（１）（２）（３）に記載の基板処理装置。
（５）前記挿通部は前記ツィーザの形状に対応されていることを特徴とする前記（１）に記載の基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記（１）によれば、複数段のサセプタ電極のそれぞれにツィーザが挿通可能な挿通部が開設されていることにより、複数段のサセプタ電極に複数枚の被処理基板を同時に移載することができるので、スループットを向上させることができる。
また、複数段のサセプタ電極のそれぞれにツィーザが挿通可能な挿通部が開設されていることにより、ツィーザが挿通部に接触するのを防止することができるので、パーティクルが発生するのを防止することができ、その結果、歩留りを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法において、ウエハに各種のプラズマ処理を施すバッチ式縦形ホットウオール形プラズマ処理装置（以下、バッチ式プラズマ処理装置という。）として構成されている。
なお、本実施の形態においては、便宜上、一回のバッチ処理のウエハの枚数が１０枚の場合について説明しているが、実際上は５枚〜１５０枚程度のバッチを取り扱うことができるものとする。
【００１０】
図１に示されているように、本実施の形態に係るバッチ式プラズマ処理装置１０においては、被処理基板であるウエハ１を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、オープンカセット（以下、カセットという。）２が使用されている。
バッチ式プラズマ処理装置１０は筐体１１を備えている。筐体１１の正面壁の下部にはメンテナンスするための正面メンテナンス口１２が開設されており、正面メンテナンス口１２には正面メンテナンス扉１３が開閉するように建て付けられている。
正面メンテナンス扉１３にはカセット搬入搬出口１４が筐体１１内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１４はフロントシャッタ１５によって開閉されるようになっている。
【００１１】
カセット搬入搬出口１４の筐体１１の内部にはカセットステージ１６が設置されている。カセット２はカセットステージ１６の上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、カセットステージ１６の上から搬出されるようになっている。
工程内搬送装置により、カセットステージ１６にはカセット２が、カセット２内のウエハ１が垂直姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１６はカセット２を筐体１１の後方に右回り縦方向９０度回転させ、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向く動作が可能となるように構成されている。
【００１２】
筐体１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚１７が設置されている。カセット棚１７には複数のカセット２が収納される移載棚１８が複数段設けられており、カセット棚１７は複数段複数列にて複数個のカセット２を保管するように構成されている。
また、カセットステージ１６の上方には予備カセット棚１９が設けられており、予備カセット棚１９はカセット２を予備的に保管するように構成されている。
【００１３】
カセットステージ１６とカセット棚１７との間には、カセット搬送装置２０が設置されている。カセット搬送装置２０は、カセット２を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ２０ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構２０ｂとによって構成されており、カセットエレベータ２０ａとカセット搬送機構２０ｂとの連続動作により、カセットステージ１６とカセット棚１７と予備カセット棚１９との間でカセット２を搬送するように構成されている。
【００１４】
カセット棚１７の後方にはウエハ移載機構２１が設置されている。ウエハ移載機構２１はウエハ移載装置エレベータ２２と、ウエハ移載装置エレベータ２２によって昇降されるウエハ移載装置２３とを備えている。ウエハ移載装置エレベータ２２は筐体１１の右側端部に設置されている。
ウエハ移載装置２３はツィーザホルダ２４を二次元方向に移動させるように構成されており、ツィーザホルダ２４には複数枚（本実施の形態においては、５枚）のツィーザ２５が、垂直方向に等間隔に配置されて水平に保持されている。但し、５枚のツィーザ２５のうち最上段のツィーザ２５は独立して進退し得るように構成されている。
図３に示されているように、ツィーザ２５は３本の支持バー２６、２７、２８を有する大略櫛形状に形成されている。これら３本の支持バー２６、２７、２８のうち中央の支持バー２６が細長く形成されているとともに、両脇の２本の支持バー２７、２８がそれぞれ短く形成されている。
３本の支持バー２６、２７、２８の水平方向の幅は、可及的に狭くなるように設定されている。また、３本の支持バー２６、２７、２８の垂直方向の厚みは、ウエハ１の荷重を確実に支えることができる範囲で可及的に薄くなるように設定されている。
これら３本の支持バー２６、２７、２８の先端部には受け部２６ａ、２７ａ、２８ａが、それぞれウエハ１の厚さ分だけ下がった段差によって形成されており、各受け部２６ａ、２７ａ、２８ａの内側には逃げ凹部２６ｂ、２７ｂ、２８ｂがそれぞれ適当な深さの段差によって形成されている。
すなわち、ツィーザ２５は３本の支持バー２６、２７、２８の受け部２６ａ、２７ａ、２８ａによってウエハ１の外周縁辺部の下面における３点を受けるとともに、水平面内での移動を規制するように構成されている。
このように、ツィーザ２５はウエハ１を下から３点で位置規制しつつ水平に支持することにより、ウエハ１との接触面積を最小限としてウエハ１に対する接触による汚染を可及的に抑制しているとともに、搬送中のガタツキの発生を防止している。
【００１５】
図１に示されているように、カセット棚１７の上方にはファンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット２９が設置されており、クリーンユニット２９は清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１の内部に流通させるように構成されている。
便宜上、図示は省略するが、ウエハ移載装置エレベータ２２側と反対側である筐体１１の左側端部にもクリーンユニットが設置されており、このクリーンユニットはクリーンエアを筐体１１内の後部空間に流通させるように構成されている。
【００１６】
図１および図２に示されているように、筐体１１の後側上部には処理炉３０が垂直に設置されている。
図２に示されているように、処理炉３０は処理室３２を形成するプロセスチューブ３１を備えている。プロセスチューブ３１は石英等の誘電体が使用されて一端開口で他端閉塞の円筒形状に形成されており、プロセスチューブ３１は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。
プロセスチューブ３１の筒中空部は複数枚のウエハ１が収容される処理室３２を形成しており、プロセスチューブ３１の内径は取り扱うウエハ１の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１７】
プロセスチューブ３１の下端面にはマニホールド３３が当接されており、マニホールド３３は誘電体が使用されて上下両端部に径方向外向きに突出したフランジを有する円筒形状に形成されている。プロセスチューブ３１についての保守点検作業や清掃作業のために、マニホールド３３はプロセスチューブ３１に着脱自在に取り付けられている。
そして、マニホールド３３が筐体１１に支持されることにより、プロセスチューブ３１は垂直に据え付けられた状態になっている。
マニホールド３３の下端開口はウエハ１を出し入れするための炉口３４を形成している。炉口３４は通常時には炉口シャッタ３５によって閉塞されるようになっている。
【００１８】
マニホールド３３の側壁には排気管３６の一端が接続されており、排気管３６は他端が排気装置（図示せず）に接続されて処理室３２を排気し得るように構成されている。
【００１９】
マニホールド３３の排気管３６と異なる位置（図示例では１８０度反対側の位置）には、処理ガスを供給するためのガス供給管３７が垂直に立脚されており、ガス供給管３７は誘電体が使用されて細長い円形のパイプ形状に形成されている。
ガス供給管３７には複数個の吹出口３８が垂直方向に並べられて開設されている。吹出口３８の個数は処理すべきウエハ１の枚数に一致されており、各吹出口３８の高さの位置は上下で隣合うウエハ１、１間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
【００２０】
プロセスチューブ３１の外部には処理室３２を全体にわたって均一に加熱するためのヒータ３９が、プロセスチューブ３１の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータ３９は筐体１１の上に垂直に据え付けられた状態になっている。
【００２１】
図１に示されているように、筐体１１内における処理炉３０の真下近傍にはボートエレベータ４０が設置されており、ボートエレベータ４０のアーム４１には、処理に際して炉口３４を閉塞するシールキャップ４２が水平に支持されている。
シールキャップ４２はマニホールド３３の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ４０によって上昇されることにより、炉口３４を気密シールして閉塞するように構成されている。
【００２２】
シールキャップ４２の上には複数枚のウエハ１を保持して処理室３２に搬入搬出するボート（搬送治具）４３が、垂直に立脚されて支持されている。
ボート４３は上下で一対の端板４４、４５と、両端板４４、４５間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では、４本）の保持柱４６とを備えている。
保持柱４６は後記するサセプタ電極に電力を供給するフィーダを兼用するように構成されている。各保持柱（以下、電極支柱という。）４６は、ウエハ１の金属汚染源とならない導電性を有する材料としての炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて形成されている。
【００２３】
各電極支柱４６にはサセプタ電極５０が複数段（本実施の形態では１１段）、上下方向に等間隔に配置されて水平に保持されている。
上下で隣り合うサセプタ電極５０、５０の間隔は、ウエハ移載装置２３のツィーザ２５によるウエハ１の受け渡しに必要な寸法と、後述するプラズマ処理の作用とを考慮して定められている。
【００２４】
図３に示されているように、サセプタ電極５０はウエハ１を金属汚染させない導電性を有する材料としての炭化シリコンが使用されて円形の平板形状に形成されており、外径はウエハ１の外径よりも大きめに設定されている。
サセプタ電極５０の外周におけるウエハ移載装置２３と反対側になる位置には、略正方形平板形状の接続部５１が径方向外向きに突設されている。
サセプタ電極５０におけるツィーザ２５の３本の支持バー２６、２７、２８に対向する位置には、三つの挿通部５２、５３、５４がそれぞれ上下方向に貫通する切欠き形状に開設されている。
これら三つの挿通部５２、５３、５４のうち中央の挿通部５２は、接続部５１の法線上に配置されているとともに、ウエハ１の直径よりも細長く形成されている。すなわち、接続部５１は細長い挿通部５２によって二分割されるサセプタ電極５０を機械的かつ電気的に接続している。
両脇の二つの挿通部５３、５４は２本の支持バー２７、２８に対向する位置に配されて、２本の支持バー２７、２８に対応するようにそれぞれ短く形成されている。
三つの挿通部５２、５３、５４の水平方向の幅は、３本の支持バー２６、２７、２８の幅よりも大きめに設定されている。すなわち、三つの挿通部５２、５３、５４の水平方向の幅は、３本の支持バー２６、２７、２８を上下方向に挿通可能な範囲内で可及的に狭くなるように設定されている。
【００２５】
図４に示されているように、上下で隣り合うサセプタ電極５０、５０間には、交流電力を印加する交流電源６１が整合器６２を介して電気的に接続されており、各サセプタ電極５０、５０はそれぞれ並列に接続されている。
交流電力としては、数ｋＨｚの低周波数から１３．５６ＭＨｚ等の高周波数の交流電源が使用される。
【００２６】
次に、前記構成に係るバッチ式プラズマ処理装置１０の作用を説明する。
【００２７】
図１に示されているように、カセット２がカセットステージ１６に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１４がフロントシャッタ１５によって開放される。
その後、カセット２はカセット搬入搬出口１４から搬入され、カセットステージ１６の上にウエハ１が垂直姿勢であって、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
その後、カセット２はカセットステージ１６によって、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向けるように、筐体１１の後方に右周り縦方向に９０度回転させられる。
次に、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９の指定された棚位置へ、カセット搬送装置２０によって自動的に搬送されて受け渡される。
【００２８】
一時的に保管された後、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９からカセット搬送装置２０によって移載棚１８に移載されるか、もしくは、直接、移載棚１８に搬送される。
カセット２が移載棚１８に移載されると、ウエハ移載装置２３は５枚のツイーザ２５によってカセット２内の５枚のウエハ１をカセット２のウエハ出し入れ口を通じて、一度にピックアップし、ウエハ１をカセット２内からボート４３に搬送し、５枚のウエハ１を５枚のツィーザ２５からボート４３の５段のサセプタ電極５０の上に一度に移載する。
この５枚のツィーザ２５から５段のサセプタ電極５０への５枚のウエハ１の受け渡しに際しては、図５（ａ）に示されているように、５枚のウエハ１をそれぞれ保持した５枚のツィーザ２５が各段のサセプタ電極５０の上方に一度に搬入される。このとき、各ツィーザ２５における３本の支持バー２６、２７、２８がサセプタ電極５０における三つの挿通部５２、５３、５４の真上にそれぞれ整合される。
続いて、図５（ｂ）に示されているように、５枚のツィーザ２５が５段のサセプタ電極５０に対して垂直に一度に下降されると、各ツィーザ２５における３本の支持バー２６、２７、２８が各サセプタ電極５０における三つの挿通部５２、５３、５４をそれぞれ潜り抜けるので、５枚のウエハ１は５段のサセプタ電極５０の上に一度に移載される。
以上のようにして、５枚のウエハ１を５段のサセプタ電極５０の上に一度に移載すると、ウエハ移載装置２３はツィーザ２５をカセット２に戻し、次回の５枚のウエハ１を５枚のツィーザ２５によって一度にピックアップする。
ウエハ移載装置２３は以上の作動を繰り返すことによって、最下段（本実施の形態においては、１１段目）までのサセプタ電極５０群の上にウエハ１を５枚ずつ順次に移載して行く。
なお、最後に、ウエハ１が残った場合には、独立して移動可能なツィーザ２５を使用することにより、必要なウエハ１をサセプタ電極５０に移載する。
【００２９】
所定の段のサセプタ電極５０の上にウエハ１が移載されたボート４３はボートエレベータ４０によって上昇されて、図６に示されているように、処理炉３０の処理室３２に搬入（ボートローディング）される。
ボート４３が上限に達すると、シールキャップ４２が炉口３４をシール状態に閉塞するために、処理室３２は気密に閉じられた状態になる。
気密に閉じられると、処理室３２は排気管３６によって排気され、ヒータ３９によって所定の温度（例えば、８００℃程度）に加熱される。
この際、ヒータ３９がホットウオール形構造であることにより、処理室３２の温度は全体にわたって均一に維持された状態になるために、ボート４３に保持されたウエハ１群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ１の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
【００３０】
処理室３２内の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガス４８が処理室３２内にガス供給管３７から供給されて、処理室３２内の圧力が予め設定された値に達すると、各段のサセプタ電極５０には、それぞれ１８０度位相が異なる交流電力が交流電源６１や整合器６２によって印加される。
【００３１】
図４に示されているように、サセプタ電極５０のウエハ１のアクティブエリア側を向く表面である下面には、全体にわたって均一で平坦なプラズマ６０が生成される。
この全体にわたって均一で平坦なプラズマ６０は、ウエハ１のアクティブエリア側に生成されているために、ウエハ１のアクティブエリア側の主面にはプラズマ処理が全面にわたって均一に施される。
【００３２】
ガス供給管３７に供給された処理ガス４８は各吹出口３８から各段のウエハ１の上方空間にそれぞれ吹き出して、各サセプタ電極５０の下面に生成されたプラズマ６０により、反応が活性な状態になる。
各段のサセプタ電極５０で活性化した粒子（以下、活性粒子という。）は、各段のサセプタ電極５０の上に載置されたウエハ１のアクティブエリア側の主面に接触し、ウエハ１にプラズマ処理を施す。
この際、前述した通りに、ウエハ１の温度分布がボート４３の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、均一で平坦なプラズマ６０による活性粒子のウエハ１との接触分布が各段のウエハ１同士で同等かつ各段のウエハ１のウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子のプラズマ反応によるウエハ１におけるプラズマ処理状況は各段のウエハ１同士で、かつ、各段のウエハ１のウエハ面内において均一な状態になる。
【００３３】
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガス４８の供給、ヒータ３９の加熱、交流電力の印加および排気管３６の排気等が停止された後、ボートエレベータ４０によってシールキャップ４２が下降されることにより、炉口３４が開口されるとともに、ボート４３が炉口３４から処理室３２の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００３４】
処理室３２の外部に搬出されたウエハ１は、前述したウエハ移載装置２３の作動とは逆の手順により、カセット２内に収納される。
以上の作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１がバッチ処理される。
【００３５】
ところで、複数段のサセプタ電極にウエハを移載するのに枚葉式プラズマ処理装置における突き上げピン式のウエハ移載装置を採用すると、図７に示されているように、複数段のサセプタ電極５０にウエハ１を一枚ずつ移載することになるために、スループットが低下するという問題点がある。
すなわち、図７（ａ）に示されているように、突き上げピン７０は複数段のサセプタ電極５０を全体にわたって最下段から最上段まで貫通している。
まず、突き上げピン７０の上端が一段目のサセプタ電極５０より上方に突き出された状態で、ウエハ１を保持したツィーザ２５が突き上げピン７０の上方に搬入される。
続いて、図７（ｂ）に示されているように、突き上げピン７０が上昇されることにより、ツィーザ２５の上のウエハ１を突き上げピン７０が受け取る。
次いで、図７（ｃ）に示されているように、突き上げピン７０が二段目のサセプタ電極５０の所定の高さまで下降されると、突き上げピン７０に保持されたウエハ１は一段目のサセプタ電極５０の上に受け渡される。
以後、前述した作動が繰り返されることにより、ウエハ１が一枚ずつサセプタ電極５０に移載されて行く。
これに対して、本実施の形態においては、５枚のツィーザ２５によって５枚のウエハ１を５段のサセプタ電極５０へ一度に移載することができるために、スループットを５倍に向上させることができる。
【００３６】
ところで、サセプタ電極５０に突き上げピン７０が挿通する挿通孔７１が開設されていると、図８に示されているように、異物７２が挿通孔７１の内周面に堆積する。
他方、突き上げピン７０は最下段のサセプタ電極５０から最上段のサセプタ電極５０まで貫通して細長く形成されているために、所謂先振れが起こり易い。
この先振れによって突き上げピン７０の上端部が挿通孔７１の内周面に接触すると、堆積した異物７２が削り取られるために、パーティクル７３が発生する。
【００３７】
しかし、本実施の形態においては、各ツィーザ２５はツィーザホルダ２４にそれぞれ支持されているために、所謂先振れが発生することはないため、パーティクルが発生することはない。
すなわち、ツィーザ２５からサセプタ電極５０へのウエハ１の受け渡しに際しての潜り抜け時に、ツィーザ２５の３本の支持バー２６、２７、２８がサセプタ電極５０の三つの挿通部５２、５３、５４に接触しないので、パーティクルが発生することはない。
【００３８】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３９】
1)  複数枚のウエハを複数段のサセプタ電極のそれぞれに載置してプラズマ処理することにより、プラズマを各段のウエハのそれぞれにおいて専用的に生成することができるために、プラズマ処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。
【００４０】
2)  複数段のサセプタ電極のそれぞれに載置された複数枚のウエハをホットウオール形のヒータによって一律に加熱することにより、ウエハのボート全長および各ウエハ面内の温度を均一に分布させることができるため、ウエハのプラズマ処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。
【００４１】
3)  複数枚のウエハを一括してバッチ処理することにより、ウエハを一枚ずつ枚葉処理する場合に比べて、スループットを大幅に向上させることができる。
【００４２】
4)  ５枚のツィーザによって５枚のウエハを５段のサセプタ電極へ一度に移載することにより、ウエハを一枚ずつサセプタ電極に移載する場合に比べてスループットを５倍に向上させることができる。
【００４３】
5)  ツィーザからサセプタ電極へのウエハの受け渡しに際しての潜り抜け時に、ツィーザの３本の支持バーがサセプタ電極の三つの挿通部に接触するのを防止することができるので、パーティクルが発生するのを防止することができ、その結果、歩留りを向上させることができる。
【００４４】
6)  ３本の支持バーの受け部によってウエハの外周縁辺部の下面における３点を受けるとともに、水平面内での移動を規制するようにツィーザを構成することにより、ウエハとの接触面積を最小限としてウエハに対する接触による汚染を可及的に抑制することができるとともに、搬送中のガタツキの発生を防止することができるので、歩留りをより一層向上させることができる。
【００４５】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４６】
例えば、ウエハ移載装置は５枚のウエハを５段のサセプタ電極に一度に移載することができるように構成するに限らず、２枚以上のウエハを一度に移載することができるように構成してもよい。
【００４７】
サセプタ電極に電力を供給するフィーダは、ボートの保持柱に兼用させるように構成するに限らず、保持柱から独立させて形成してもよい。
【００４８】
本発明に係るバッチ式プラズマ処理装置は、プラズマＣＶＤやドライエッチング等のプラズマ処理全般に使用することができる。
【００４９】
また、被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態であるバッチ式プラズマ処理装置を示す一部省略斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿う正面断面図である。
【図３】サセプタ電極とツィーザとの関係を示す斜視図である。
【図４】交流電力の供給回路を示す回路図である。
【図５】ウエハのサセプタ電極への移載作動を示す各模式図であり、（ａ）は移載前を示し、（ｂ）は移載後を示している。
【図６】プラズマ処理ステップを示す一部省略正面断面図である。
【図７】比較例である突き上げピンによる移載作動を示す各模式図である。
【図８】同じく突き上げピンによるパーティクル作用を示す各模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…ウエハ（基板）、２…カセット、１０…バッチ式プラズマ処理装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１４…カセット搬入搬出口、１５…フロントシャッタ、１６…カセットステージ、１７…カセット棚、１８…移載棚、１９…予備カセット棚、２０…カセット搬送装置、２０ａ…カセットエレベータ、２０ｂ…カセット搬送機構、２１…ウエハ移載機構、２２…ウエハ移載装置エレベータ、２３…ウエハ移載装置、２４…ツィーザホルダ、２５…ツィーザ、２６、２７、２８…支持バー、２６ａ、２７ａ、２８ａ…受け部、２６ｂ、２７ｂ、２８ｂ…逃げ凹部、２９…クリーンユニット、３０…処理炉、３１…プロセスチューブ、３２…処理室、３３…マニホールド、３４…炉口、３５…炉口シャッタ、３６…排気管、３７…ガス供給管、３８…吹出口、３９…ヒータ、４０…ボートエレベータ、４１…アーム、４２…シールキャップ、４３…ボート（搬送治具）、４４、４５…端板、４６…電極支柱、４８…処理ガス、５０…サセプタ電極、５１…接続部、５２、５３、５４…挿通部、６０…プラズマ、６１…交流電源、６２…整合器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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