(57)【要約】  【課題】  反応管と蓋体との接触による損傷を防止すると共に反応室に極力金属表面が露出しない様にする。  【解決手段】  基板３１を処理する反応室４を画成し、一端が開口された石英製の反応管２と、前記基板を加熱する加熱手段４２と、前記反応室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記反応室の雰囲気ガスを排気する排気手段６８と、前記反応管の開口端側に係合して該反応管を支持する金属製の支持部材と、該支持部材に当接して前記反応管の開口１９を気密に閉塞する蓋体３５とを具備し、前記反応管の内壁面は前記支持部材の前記反応室隣接面を覆う様に前記蓋体方向に延出した。  【選択図】      図２
2007227470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する反応室を画成し、一端が開口された石英製の反応管と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記反応室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記反応室の雰囲気ガスを排気する排気手段と、前記反応管の開口端側に係合して該反応管を支持する金属製の支持部材と、該支持部材に当接して前記反応管の開口を気密に閉塞する蓋体とを具備し、前記反応管の内壁面は前記支持部材の前記反応室隣接面を覆う様に前記蓋体方向に延出したことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、アニール、エッチング等の処理を行い半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置の一例として、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置がある。
【０００３】
バッチ式の基板処理装置の１つとして縦型基板処理装置があり、該縦型基板処理装置は縦型の基板処理炉を具備している。
【０００４】
図８は従来の基板処理炉１の一例を示しており、該基板処理炉１は上端が閉塞された石英製の反応管２と、該反応管２を囲繞する加熱装置３を有する。前記反応管２は反応室４を画成し、該反応室４に所定枚数の基板（ウェーハ５）が石英製の基板保持具（ボート６）に保持された状態で気密に収納される。前記加熱装置３によりウェーハ５が処理温度に加熱維持され、処理ガス導入ライン７から処理ガス導入管８を介して処理ガスが導入されつつ、排気管９を介して排気ライン１１より処理圧力が維持される様排気され、ウェーハ５に薄膜の生成等所要の処理がなされる。又、基板処理を行うと、反応副生成物が前記反応室４の壁面等該反応室４に面する面に付着し、放置すると反応副生成物が剥離してパーティクルとなって前記反応室４内に浮遊し、ウェーハ５を汚染する可能性があるので、前記反応室４は定期的にプラズマ洗浄処理等のクリーニング処理がされている。尚、図中、１２は前記加熱装置３と同心に設けられた均熱管である。
【０００５】
前記反応管２は下端にフランジ１３を有し、該フランジ１３の外周部が金属製の反応管受台１４に載置され、更に金属製のフランジ押え１５と前記反応管受台１４との間に前記フランジ１３が挾持され、前記反応管受台１４に固定されることで前記反応管２が固定されている。
【０００６】
前記ボート６は石英製のボート支持台１６を介して金属製の蓋体であるシールキャップ１７に載置され、該シールキャップ１７は図示しない昇降装置により昇降可能に支持される様になっている。前記シールキャップ１７はシール部材１８を介して前記フランジ１３に当接し、前記反応管２の下端開口部（炉口部１９）を気密に閉塞可能となっている。又、前記フランジ１３と前記反応管受台１４との間にもシール部材７４を設けることで、気密に閉塞可能となっている。
【０００７】
図９は図８のＣ部詳細を示しており、図９中、前記シールキャップ１７の前記反応室４に露出する部分を覆う様に設けられた石英製のカバープレート２０を示し、該カバープレート２０上に前記ボート支持台１６が載置される。尚、該ボート支持台１６の底板を前記カバープレート２０と兼ねることもできる。
【０００８】
図９で示される前記反応管２の支持構造であると、前記反応室４に金属部分が露出しないので、基板の成膜処理時の反応副生成物による腐食、クリーニング処理時の腐食が避けられる。
【０００９】
然し乍ら、上記した様に前記ボート６を前記反応室４に収納させる為に、前記シールキャップ１７は昇降し、前記炉口部１９を閉塞する。この為、前記シールキャップ１７は前記フランジ１３と接触する可能性があり、該フランジ１３は石英製であり、前記シールキャップ１７は金属製であるので、前記フランジ１３に対する金属接触で破損、クラックの発生等が生じる虞れがある。
【００１０】
次に、図１０は、図８のＣ部相当図であり、前記フランジ１３に対する金属接触を防止したものである。
【００１１】
図１０に示す構造では、前記反応管受台１４を内径側に延出し、前記フランジ１３が完全に載置され、前記シールキャップ１７が前記反応管受台１４の下面に当接する様にしたものである。斯かる構造では、前記シールキャップ１７と前記フランジ１３との金属接触は避けられるが、前記反応管受台１４の内端面が前記反応室４内に露出し、該反応管受台１４の内端面が反応生成物により腐食、洗浄により腐食する虞れが生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は斯かる実情に鑑み、反応管と蓋体との接触による損傷を防止すると共に反応室に極力金属表面が露出しない様にするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、基板を処理する反応室を画成し、一端が開口された石英製の反応管と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記反応室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記反応室の雰囲気ガスを排気する排気手段と、前記反応管の開口端側に係合して該反応管を支持する金属製の支持部材と、該支持部材に当接して前記反応管の開口を気密に閉塞する蓋体とを具備し、前記反応管の内壁面は前記支持部材の前記反応室隣接面を覆う様に前記蓋体方向に延出した基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板を処理する反応室を画成し、一端が開口された石英製の反応管と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記反応室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記反応室の雰囲気ガスを排気する排気手段と、前記反応管の開口端側に係合して該反応管を支持する金属製の支持部材と、該支持部材に当接して前記反応管の開口を気密に閉塞する蓋体とを具備し、前記反応管の内壁面は前記支持部材の前記反応室隣接面を覆う様に前記蓋体方向に延出したので、前記支持部材が前記反応室に露出することがなく、基板処理での反応生成物により、又洗浄時での前記支持部材の腐食が防止でき、又前記蓋体と前記反応管との接触が避けられ、前記蓋体と前記反応管との接触に起因する損傷が防止できる等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１６】
先ず、図１により本発明が適用される基板処理装置の概略を説明する。
【００１７】
筐体２１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカ
セット２２の授受を行う容器授受手段としてのカセットステージ２３が設けられ、該カセットステージ２３の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ２４が設けられ、該カセットエレベータ２４にはカセット搬送手段としてのカセット搬送機２５が取付けられている。又、前記カセットエレベータ２４の後側には、前記カセット２２の収納手段としてのカセット棚２６が設けられると共に前記カセットステージ２３の上方にもカセット収納手段である予備カセット棚２７が設けられている。該予備カセット棚２７の上方にはファン、防塵フィルタで構成されたクリーンユニット２８が設けられ、クリーンエアを前記筐体２１の内部、例えば前記カセット２２が搬送される領域を流通させる様に構成されている。
【００１８】
前記筐体２１の後部上方には、基板処理炉２９が設けられ、該基板処理炉２９の下方には基板としてのウェーハ３１を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート３２を前記基板処理炉２９に装入、引出しする昇降手段としてのボートエレベータ３３が設けられ、該ボートエレベータ３３に取付けられた昇降部材３４の先端部には前記基板処理炉２９の炉口部を閉塞する蓋体としてのシールキャップ３５が取付けられ、該シールキャップ３５に前記ボート３２が垂直に支持され、該ボート３２は後述するウェーハ３１を水平姿勢で多段に保持する。
【００１９】
前記ボートエレベータ３３と前記カセット棚２６との間には昇降手段としての移載エレベータ３６が設けられ、該移載エレベータ３６には基板移載手段としてのウェーハ移載機３７が取付けられている。該ウェーハ移載機３７は、基板を載置する所要枚数（例えば５枚）の基板搬送プレート４０を有し、該基板搬送プレート４０は進退、回転可能となっている。
【００２０】
又、前記基板処理炉２９下部近傍には、開閉機構を持ち前記基板処理炉２９の炉口を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ３８が設けられている。
【００２１】
前記移載エレベータ３６と対向する前記筐体２１の側面には、ファン、防塵フィルタで構成されたクリーンユニット３０が設けられ、該クリーンユニット３０から送出されたクリーンエアは、前記ウェーハ移載機３７、前記ボート３２、前記ボートエレベータ３３を含む領域を流通した後、図示しない排気装置により前記筐体２１の外部に排気される様になっている。
【００２２】
前記カセット搬送機２５、前記ウェーハ移載機３７、前記ボートエレベータ３３等の駆動制御、前記基板処理炉２９の加熱制御等は制御部４１により行われる。
される。
【００２３】
以下、作動について説明する。
【００２４】
前記ウェーハ３１が垂直姿勢で装填された前記カセット２２は、図示しない外部搬送装置から前記カセットステージ２３に搬入され、前記ウェーハ３１が水平姿勢となる様、前記カセットステージ２３で９０°回転させられる。更に、前記カセット２２は、前記カセットエレベータ２４の昇降動作、横行動作及び前記カセット搬送機２５の進退動作、回転動作の協働により前記カセットステージ２３から前記カセット棚２６又は前記予備カセット棚２７に搬送される。
【００２５】
前記カセット棚２６には前記ウェーハ移載機３７の搬送対象となる前記カセット２２が収納される移載棚３９があり、前記ウェーハ３１が移載に供される前記カセット２２は前記カセットエレベータ２４、前記カセット搬送機２５により前記移載棚３９に移載される。
【００２６】
前記カセット２２が前記移載棚３９に移載されると、前記ウェーハ移載機３７は、前記基板搬送プレート４０の進退動作、回転動作及び前記移載エレベータ３６の昇降動作の協働により前記移載棚３９から降下状態の前記ボート３２に前記ウェーハ３１を移載する。
【００２７】
前記ボート３２に所定枚数の前記ウェーハ３１が移載されると、前記ボートエレベータ３３により前記ボート３２が上昇され、該ボート３２が前記基板処理炉２９に装入される。完全に前記ボート３２が装入された状態では、前記シールキャップ３５により前記基板処理炉２９が気密に閉塞される。
【００２８】
気密に閉塞された該基板処理炉２９内では、選択された処理レシピに従い、前記ウェーハ３１が加熱されると共に処理ガスが前記基板処理炉２９内に供給され、前記排気管９から図示しない排気装置によって反応室４の雰囲気が排出されつつ、前記ウェーハ３１に処理がなされる。
【００２９】
図２、図３により上記基板処理装置に用いられる縦型の基板処理炉２９について説明する。
【００３０】
加熱装置（加熱手段）であるヒータ４２の内側に、反応室４を画成する石英製の反応管２が設けられ、該反応管２の下端にはフランジ４３が形成され、該フランジ４３の内側は炉口部１９を形成し、該炉口部１９はＯリング等のシール部材１８を介してシールキャップ３５によって気密に閉塞される。
【００３１】
該シールキャップ３５にはボート支持台４５を介してボート３２が載置されている。該ボート３２にはバッチ処理される所要数のウェーハ３１が水平姿勢で多段に装填される。前記ヒータ４２は前記反応室４に装入されたウェーハ３１を所定の温度に加熱する。
【００３２】
前記反応室４へは複数種類、ここでは２種類の処理ガスを供給する供給経路としての２本のガス供給管（第１ガス供給管４７、第２ガス供給管４８）が設けられている。
【００３３】
前記第１ガス供給管４７には上流から順に流量制御装置（流量制御手段）である液体マスフローコントローラ４９、気化器５１、及び開閉弁である第１バルブ５２が設けられ、該第１バルブ５２の下流側に、キャリアガスを供給する第１キャリアガス供給管５３が合流され、該第１キャリアガス供給管５３には上流から順に流量制御装置（流量制御手段）である第２マスフローコントローラ５４、及び開閉弁である第３バルブ５５が設けられている。又、前記第１ガス供給管４７の先端部には、前記反応管２の内壁に沿って下部より上部に亘り、第１ノズル５６が設けられ、該第１ノズル５６の側面にはガスを供給する第１ガス供給孔５７が設けられている。該第１ガス供給孔５７は、下部から上部に亘って等ピッチで設けられ、それぞれ同一の開口面積を有している。
【００３４】
前記第２ガス供給管４８には上流方向から順に流量制御装置（流量制御手段）である第１マスフローコントローラ５８、開閉弁である第２バルブ５９が設けられ、該第２バルブ５９下流側にキャリアガスを供給する第２キャリアガス供給管６１が合流されている。該第２キャリアガス供給管６１には上流から順に流量制御装置（流量制御手段）である第３マスフローコントローラ６２、及び開閉弁である第４バルブ６３が設けられている。前記第２ガス供給管４８の先端部には、前記第１ノズル５６と平行に第２ノズル６４が設けられ、該第２ノズル６４の側面にはガスを供給する供給孔である第２ガス供給孔６５が設けられている。該第２ガス供給孔６５は、下部から上部に亘って等ピッチで設けられ、それぞれ同一の開口面積を有している。
【００３５】
例えば、前記第１ガス供給管４７から供給される原料が液体の場合、該第１ガス供給管４７からは、前記液体マスフローコントローラ４９、前記気化器５１、及び前記第１バルブ５２を介し、前記第１キャリアガス供給管５３と合流し、更に前記第１ノズル５６を介して前記反応室４内に処理ガスが供給される。例えば、前記第１ガス供給管４７から供給される原料が気体の場合には、前記液体マスフローコントローラ４９を気体用のマスフローコントローラに交換し、前記気化器５１は不要となる。前記第２ガス供給管４８からは前記第１マスフローコントローラ５８、前記第２バルブ５９を介し、前記第２キャリアガス供給管６１と合流し、更に前記第２ノズル６４を介して前記反応室４に処理ガスが供給される。
【００３６】
該反応室４は、ガスを排気するガス排気管６６により第５バルブ６７を介して排気装置（排気手段）である真空ポンプ６８に接続され、真空排気される様になっている。尚、前記第５バルブ６７は弁を開閉して前記反応室４の真空排気及び真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。
【００３７】
前記シールキャップ３５にはボート回転機構６９が設けられ、該ボート回転機構６９は処理の均一性を向上する為に前記ボート３２を回転する様になっている。
【００３８】
制御手段である制御部７１は、前記液体マスフローコントローラ４９、前記第１〜第３マスフローコントローラ５８，５４，６２、前記第１〜第５バルブ５２，５９，５５，６３，６７、前記ヒータ４２、前記真空ポンプ６８、前記ボート回転機構６９、図示しないボート昇降機構とに接続されており、前記液体マスフローコントローラ４９、及び前記第１〜第３マスフローコントローラ５８，５４，６２の流量調整、前記第１〜第４バルブ５２，５９，５５，６３の開閉動作、前記第５バルブ６７の開閉及び圧力調整動作、前記ヒータ４２の温度調整、前記真空ポンプ６８の起動及び停止、前記ボート回転機構６９の回転速度調節、前記ボート昇降機構の昇降動作制御が行われる。
【００３９】
次に、ＡＬＤ法を用いた成膜処理例について、半導体デバイスの製造工程の一つである、ＴＥＭＡＨ及びＯ3 を用いてＨｆＯ2 膜を成膜する例を基に説明する。
【００４０】
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の一つであるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる少なくとも２種類の原料となる反応性ガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子単位で基板上に吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。この時、膜厚の制御は、反応性ガスを供給するサイクル数で行う（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、２０サイクル行う）。
【００４１】
ＡＬＤ法では、例えばＨｆＯ2 膜形成の場合、ＴＥＭＡＨ（Ｈｆ［ＮＣＨ3 Ｃ2 Ｈ5 ］4 、テトラキスメチルエチルアミノハフニウム）とＯ3 （オゾン）を用いて１８０〜２５０℃の低温で高品質の成膜が可能である。
【００４２】
先ず、上述した様にウェーハ３１をボート３２に装填し、反応室４に搬入する。前記ボート３２を前記反応室４に搬入後、後述する３つのステップを順次実行する。
【００４３】
（ステップ１）
第１ガス供給管４７にＴＥＭＡＨ、第１キャリアガス供給管５３にキャリアガス（Ｎ2 ）を流す。前記第１ガス供給管４７の第１バルブ５２、前記第１キャリアガス供給管５３の第３バルブ５５、及びガス排気管６６の第５バルブ６７を共に開ける。キャリアガスは、前記第１キャリアガス供給管５３から流れ、前記第２マスフローコントローラ５４により流量調整される。ＴＥＭＡＨは、前記第１ガス供給管４７から流れ、液体マスフローコントローラ４９により流量調整され、気化器５１により気化され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第１ノズル５６の第１ガス供給孔５７から反応室４内に供給されつつ前記ガス排気管６６から排気される。この時、前記第５バルブ６７を適正に調整して前記反応室４内の圧力を３０〜９００Ｐａの範囲であって、例えば２００Ｐａに維持する。前記液体マスフローコントローラ４９で制御するＴＥＭＡＨの供給量は０．０１〜０．７ｇ／ｍｉｎである。ＴＥＭＡＨガスにウェーハ３１を晒す時間は３０〜１８０秒間である。この時ヒータ４２の温度はウェーハ３１の温度が１５０〜３００℃の範囲であって、例えば２００℃になる様設定してある。ＴＥＭＡＨを反応室４内に供給することで、ウェーハ３１上の下地膜等の表面部分と表面反応（化学吸着）する。
【００４４】
（ステップ２）
前記第１ガス供給管４７の前記第１バルブ５２を閉め、ＴＥＭＡＨの供給を停止する。この時前記ガス排気管６６の前記第５バルブ６７は開いたままとし、真空ポンプ６８により前記反応室４内を２０Ｐａ以下となる迄排気し、残留ＴＥＭＡＨガスを前記反応室４内から排除する。この時Ｎ2 等の不活性ガスを該反応室４内へ供給すると、更に残留ＴＥＭＡＨガスを排除する効果が高まる。
【００４５】
（ステップ３）
第２ガス供給管４８にＯ3 、第２キャリアガス供給管６１にキャリアガス（Ｎ2 ）を流す。前記第２ガス供給管４８の第２バルブ５９、前記第２キャリアガス供給管６１の第４バルブ６３を共に開ける。キャリアガスは、前記第２キャリアガス供給管６１から流れ、第３マスフローコントローラ６２により流量調整される。Ｏ3 は前記第２ガス供給管４８から流れ、前記第１マスフローコントローラ５８により流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第２ノズル６４の第２ガス供給孔６５から前記反応室４内に供給されつつ前記ガス排気管６６から排気される。この時、前記第５バルブ６７を適正に調整して前記反応室４内の圧力を３０〜９００Ｐａの範囲であって、例えば３００Ｐａに維持する。Ｏ3 にウェーハ３１を晒す時間は１０〜１２０秒間である。この時のウェーハ３１の温度が、ステップ１のＴＥＭＡＨガスの供給時と同じく１５０〜３００℃の範囲であって、例えば２００℃となる様前記ヒータ４２を設定する。Ｏ3 の供給により、ウェーハ３１の表面に化学吸着したＴＥＭＡＨとＯ3 とが表面反応して、ウェーハ３１上にＨｆＯ2 膜が成膜される。
【００４６】
成膜後、前記第２ガス供給管４８の前記第２バルブ５９及び、前記第２キャリアガス供給管６１の前記第４バルブ６３を閉じ、前記真空ポンプ６８により前記反応室４内を真空排気し、残留するＯ3 の成膜に寄与した後のガスを排除する。この時、Ｎ2 等の不活性ガスを前記反応管２内に供給すると、更に残留するＯ3 の成膜に寄与した後のガスを前記反応室４から排除する効果が高まる。
【００４７】
又、上述したステップ１〜３を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰返すことにより、ウェーハ３１上に所定の膜厚のＨｆＯ2 膜を成膜することができる。
【００４８】
次に、上記した基板処理炉２９の前記反応管２の支持部について図４〜図７に於いて説明する。
【００４９】
図４は本発明に係る支持部の第１の例を示しており、図２のＢ部拡大図であり、図４中、図９中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【００５０】
反応管２の下端に形成されたフランジ１３は反応管受台１４に載置され、該反応管受台１４に固着されるフランジ押え１５によって前記反応管受台１４に固定され、前記反応管２が前記反応管受台１４に載置固定される様になっている。
【００５１】
前記反応管２の下端内縁部７２は、前記シールキャップ３５に向って、即ち下方に向ってテーパ形状に突出し、前記下端内縁部７２の下端は略前記シールキャップ３５に達する様になっている。前記反応管受台１４の内縁部は、前記下端内縁部７２との干渉を避ける様に、漸次厚みが減少する様なテーパ断面となっている。従って、前記下端内縁部７２が突設されることで、前記反応管２の内壁面が下方に延出し、前記反応管受台１４の内端面、即ち反応室４を囲む隣接面を覆う状態となっている。
【００５２】
又、前記反応管受台１４の内縁部下面は、前記反応管２の内壁近傍迄延出し、前記シールキャップ３５の周縁部は、シール部材１８を介して前記反応管受台１４の下面に密着可能となっている。
【００５３】
而して、前記シールキャップ３５は前記フランジ１３に接触することなく、前記反応管受台１４に密着して前記反応室４を気密に閉塞し、又、前記反応管受台１４の内端面は前記下端内縁部７２に覆われて、前記反応室４に露出しない。従って、本発明で基板処理、洗浄処理を行っても、金属部材である前記反応管受台１４が腐食されることはなく、更にボート装脱時に、前記シールキャップ３５と前記フランジ１３との金属接触で、該フランジ１３を損傷させることがない。
【００５４】
図５は本発明に係る支持部の第２の例を示しており、該第２の例では、下端内縁部７２の形状を変化させたものであり、該下端内縁部７２を薄肉円筒形状としたものであり、該下端内縁部７２が前記反応管受台１４に内嵌して、該反応管受台１４の内周面を覆う様にしたものである。
【００５５】
図６は本発明に係る支持部の第３の例を示しており、第１の例と同様な形状の下端内縁部７２が反応管２の下端内縁に形成される。更に、フランジ１３の下面外縁部に下方に突出する凸環部７３が形成される。該凸環部７３の断面は、矩形形状であり、下面は平面となっていることが好ましく、前記下端内縁部７２に比べ充分大きな断面を有している。
【００５６】
又、前記凸環部７３の下面の位置は前記下端内縁部７２の下端の位置と等しいか、好ましくは少し下方に突出しているものとする。
【００５７】
前記凸環部７３を形成したことで、組立て時、保守時等に前記反応管２が単体で扱われる状態で、該反応管２を前記フランジ１３を下側に自立させた場合に、前記凸環部７３が前記反応管２の自重を負担することとなり、前記下端内縁部７２に該反応管２の重量を負担させることがないので、単体取扱い時での前記下端内縁部７２の損傷が防止できる。
【００５８】
図７は本発明に係る支持部の第４の例を示しており、第２の例と同様な形状の下端内縁部７２が反応管２の下端内縁に形成される。更に、フランジ１３の下面外縁部には、第３の例で示したと同様に、下方に突出する凸環部７３が形成される。
【００５９】
又、該凸環部７３の断面は、矩形形状であり、下面は平面となっていることが好ましく、前記下端内縁部７２に比べ充分大きな断面を有していること、前記凸環部７３の下面の位置は前記下端内縁部７２の下端の位置と等しいか、好ましくは少し下方に突出していることは、第３の例と同様である。
【００６０】
前記凸環部７３を形成したことで、組立て時、保守時等に前記反応管２が単体で扱われる状態で、該反応管２を前記フランジ１３を下側に自立させた場合に、前記凸環部７３が前記反応管２の自重を負担することとなり、強度が小さく、割れやすい前記下端内縁部７２に前記反応管２の重量を負担させることがないので、単体取扱い時での前記下端内縁部７２の損傷が防止できる。
【００６１】
尚、前記下端内縁部７２は前記反応管受台１４の内端面を覆う形状であれば良く、上記した形状に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略を示す斜視図である。
【図２】該基板処理装置に使用される基板処理炉の概略断面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ矢視図である。
【図４】反応管支持部の第１の例を示す図２のＢ部拡大図である。
【図５】反応管支持部の第２の例を示す図２のＢ部拡大図である。
【図６】反応管支持部の第３の例を示す図２のＢ部拡大図である。
【図７】反応管支持部の第４の例を示す図２のＢ部拡大図である。
【図８】従来例の基板処理装置の概略を示す断面図である。
【図９】従来の反応管支持部の一例を示す図８のＣ部詳細図である。
【図１０】従来の反応管支持部の他の例を示す図８のＣ部詳細図である。
【符号の説明】
【００６３】
２              反応管
４              反応室
７              処理ガス導入ライン
１１            排気ライン
１３            フランジ
１４            反応管受台
１５            フランジ押え
１８            シール部材
１９            炉口部
３１            ウェーハ
３２            ボート
３５            シールキャップ
４２            加熱装置
４５            ボート支持台
７２            下端内縁部
７３            凸環部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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