(57)【要約】      （修正有）【課題】発光素子の青色発光材料として好適なアントラセン誘導体の提供。【解決手段】一般式（１）または（２）のジベンゾアントラセン誘導体。2007112729.tif 000034Ｘ1，Ｘ2，Ｘは、アリーレン基等、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、アルキル基、アリール基等、Ｙ1〜Ｙ12、Ｒ1は、Ｈ、ハロゲン等である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジベンゾ〔ａ，ｃ〕アントラセン骨格の９位および１４位の少なくとも一方がアミノ化合物基で置換された、下記一般式（１）または下記一般式（２）で示されるジベンゾアントラセン誘導体。
【化１】
2007112729.tif 000033
［一般式（１）および一般式（２）中において、
Ｘ1，Ｘ2，Ｘは、それぞれ独立に、置換もしくは未置換のアリーレン基、または置換もしくは未置換の２価複素環基を表し、
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基を表し、隣接する基間で互いに連結し環を形成していても良く、
Ｙ1〜Ｙ12、Ｒ1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、置換もしくは未置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表し、隣接する基間で互いに連結して環を形成していても良い。
【請求項２】
請求項１記載のジベンゾアントラセン誘導体を表す前記一般式（１）および一般式（２）中において、
Ｘ1，Ｘ2，Ｘは、置換もしくは未置換の炭素原子数６〜２８のアリーレン基、または置換もしくは未置換の炭素原子数５〜２１の２価複素環基を表し、
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の炭素原子数1〜２０のアルキル基、置換もしくは未置換の炭素原子数６〜２８のアリール基、または置換もしくは未置換の炭素原子数５〜２１の複素環基を表し、隣接する基間で互いに連結し環を形成していても良く、
Ｙ1〜Ｙ12，Ｒ1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、置換もしくは未置換の炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは未置換の炭素原子数６〜２８のアリール基、または置換もしくは未置換の炭素原子数５〜２１の複素環基を表し、隣接する基間で互いに連結して環を形成していても良い、
ことを特徴とするジベンゾアントラセン誘導体。
【請求項３】
請求項１記載のジベンゾアントラセン誘導体を表す前記一般式（１）および一般式（２）中において、
Ｘ1，Ｘ2，Ｘは、置換もしくは未置換の炭素原子数６〜１８のアリーレン基、はたは置換もしくは未置換の炭素原子数５〜１７の２価複素環基を表し、
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の直鎖、分岐あるいは環状の炭素原子数1〜２０のアルキル基、置換もしくは未置換の炭素原子数６〜１８のアリール基、置換もしくは未置換の炭素原子数５〜１７の複素環基を表し、隣接する基間で互いに連結し環を形成していても良い、
ことを特徴とするジベンゾアントラセン誘導体。
【請求項４】
請求項１記載のジベンゾアントラセン誘導体を表す前記一般式（１）および一般式（２）中において、
Ｘ1，Ｘ2，Ｘは、置換もしくは未置換のフェニレン基である
ことを特徴とするジベンゾアントラセン誘導体。
【請求項５】
請求項１記載のジベンゾアントラセン誘導体を表す前記一般式（１）および一般式（２）中において、
Ｙ1〜Ｙ12，Ｒ1が水素原子である
ことを特徴とするジベンゾアントラセン誘導体。
【請求項６】
一対の電極間に、少なくとも発光層を有する有機層を狭持してなる有機電界発光素子において、
前記有機層が、上記請求項１に記載のジベンゾアントラセン誘導体を用いて構成されている
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項６記載の有機電界発光素子において、
前記ジベンゾアントラセン誘導体は、前記発光層を構成する材料として用いられている
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項８】
請求項７記載の有機電界発光素子において、
前記ジベンゾアントラセン誘導体は、発光材料として用いられている
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項９】
請求項８記載の有機電界発光素子において、
前記ジベンゾアントラセン誘導体は、青色発光材料として用いられている
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１０】
請求項８記載の有機電界発光素子において、
前記発光層には、前記ジベンゾアントラセン誘導体が４０体積％以下の割合で含まれている
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１１】
請求項６記載の有機電界発光素子において、
前記ジベンゾアントラセン誘導体は、正孔注入材料または正孔輸送材料として前記有機層に用いられている
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１２】
陽極と陰極の間に少なくとも発光層を有する有機層を挟持してなる有機電界発光素子を、基板上に複数配列形成してなる表示装置において、
前記有機電界発光素子として、前記請求項６記載の有機電界発光素子が少なくとも１つ用いられている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の表示装置において、
前記請求項６記載の有機電界発光素子が、青色発光素子として複数の画素のうちの一部の画素に設けられている
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子用の有機材料として好適に用いられるジベンゾアントラセン誘導体、およびこのジベンゾアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子、およびこの素子を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光で消費電力が小さく、応答速度が高速であり、また視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイとして、有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）を用いた表示装置が注目されている。
【０００３】
有機電界発光素子は、陰極と陽極との間に、電流を流すことによって発光する有機発光材料を含む有機層を狭持してなる。この有機層としては、例えば、正孔輸送層、有機発光材料を含む発光層、および電子輸送層を陽極側から順に積層させた構成や、さらに電子輸送層中に発光材料を含ませて電子輸送性の発光層とした構成が開発されている。
【０００４】
また、このような構成の有機電界発光素子は自発光素子であるため、この有機電界発光素子を用いて表示装置を構成する場合、有機電界発光素子の長寿命化および信頼性の確保が最も重要な課題の一つである。このため、有機電界発光素子を構成する有機材料に関する研究が取り進められている。
【０００５】
なかでも、アントラセン骨格を備えた材料については、アミノ基やアリール基を有するアントラセン誘導体、ビスアントラセン誘導体、さらにはスチリル基を有するアントラセン誘導体（例えば、下記特許文献１〜５）など、多くの誘導体が検討されている。
【０００６】
例えば、特許文献１においては、アントラセン９，１０位をアリール置換した２，６アリールアントラセン化合物を、正孔輸送層を構成する材料として用いることが示されている。そして、正孔輸送層を構成する材料のうち、蛍光性を有する芳香族アミン系化合物は発光層材料として用いられるとしている。また、特許文献２においては、アントラセン９，１０位をアリールアミノ基で置換した化合物が、発光材料として有効に使用することができるとして示されている。
【０００７】
ところで、有機電界発光素子を用いた表示装置においてフルカラー表示を実現するために、青、緑、赤の各色に発光する有機発光材料に関して様々な検討もなされている。特に青色発光材料については色純度、発光効率および発光寿命などの点でさらなる改良が求められており、例えばスチルベン、スチリルアレン、もしくはアントラセン誘導体について改良が進められている（例えば、下記非特許文献１，２参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１４６９５１号公報
【特許文献２】特開平９−２６８２８４号公報
【特許文献３】特開平９−２６８２８３号公報
【特許文献４】特開２００４−６７５２８号公報
【特許文献５】特開２００１−２８４０５０号公報
【非特許文献１】Materials Science and Engineering: R: Reports Volume 39、 Issues 5-6 、 Pages 143-222、 2002
【非特許文献２】Applied Physics Letters（米）１９９５年、第６７巻、２６号、ｐ．3853-3855
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、発光効率および寿命特性を実用的に満足する、色純度の高い青色発光材料はいまだに見つかっていない。
【００１０】
すなわち、非特許文献１，２に記載されている青色発光材料を用い有機電界発光素子を構成しても、充分に高い発光効率や寿命特性を得ることは困難である。また、特許文献2に記載されているアリールアミノアントラセン誘導体を発光材料として用いて有機電界発光素子を構成した場合であっても、その発光色は緑〜黄色であり青色領域の発光を得ることは困難である。
【００１１】
そこで本発明は、有機電界発光素子の青色発光材料として好適に用いることが可能で、かつ発光効率が高く寿命特性に優れた有機電界発光素子を構成することが可能なジベンゾアントラセン誘導体を提供すること、およびこれを用いた有機電界発光素子およびこの素子を用いた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的を達成するための本発明は、有機電界発光素子を構成する有機材料として好適に用いられるジベンゾアントラセン誘導体であり、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位および１４位の少なくとも一方がアミノ化合物基で置換された、下記一般式（１）または下記一般式（２）で示されるジベンゾアントラセン誘導体。
【００１３】
【化２】
2007112729.tif 000002
【００１４】
一般式（１）および一般式（２）中において、Ｘ1，Ｘ2，Ｘは、置換もしくは未置換のアリーレン基、または置換もしくは未置換の２価複素環基を表している。
【００１５】
一般式（１）および一般式（２）中において、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基を表している。また、これらのＡ，ＢはたはＣ，Ｄは、互いに連結し環を形成していても良い。
【００１６】
一般式（１）および一般式（２）中において、Ｙ1〜Ｙ12，Ｒ1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、置換もしくは未置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは未置換のアリーレン基、または置換もしくは未置換の複素環基を表している。また、これらのＹ1〜Ｙ12，Ｒ1は、隣接する基間で互いに連結して環を形成していても良い。
【００１７】
尚、以上で示したアルキル基は、直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、環状アルキル基を含むこととする。
【００１８】
また本発明は、上記一般式（１）または一般式（２）で示されるジベンゾアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子でもある。この有機電界発光素子は、一対の電極間に少なくとも発光層を有する有機層を狭持してなり、この有機層に上述した構成のジベンゾアントラセン誘導体が用いられている。特にこのジベンゾアントラセン誘導体は、発光層を構成する材料として好ましく用いられる。
【００１９】
このような一般式（１）または一般式（２）で示されるジベンゾアントラセン誘導体は、後の実施形態で具体的に示すように、有機電界発光素子の発光材料や正孔輸送材料（訂正前：電子輸送材料）などに好適に用いられ、このジベンゾアントラセン誘導体を発光材料として用いた有機電界発光素子において、色純度の高い青色発光が高輝度で得られることが確認された。また、このようなジベンゾアントラセン誘導体を用いて有機層を構成した有機電界発光素子においては、輝度の減衰率も低いことが確認された。
【００２０】
そして本発明は、上記構成の有機電界発光素子を用いた表示装置でもあり、特に好適には、上記構成の有機電界発光素子が青色発光素子として複数の画素のうちの一部の画素に設けられていることとする。
【００２１】
このような表示装置では、上述したように、色純度および輝度が高く、かつ輝度の減衰率が低い有機電界発光素子を青色発光素子として用いた表示装置が構成されるため、他の赤色発光素子および緑色発光素子と組み合わせることで、色再現性の高いフルカラー表示が可能になる。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように本発明の一般式（１）または一般式（２）で示されるジベンゾアントラセン誘導体を用いて有機電界発光素子を構成することにより、発光効率が高く、かつ減衰率が低くて寿命特性に優れた色純度の高い青色発光が実現可能となる。
そして、本発明の表示装置によれば、上述したように発光効率が高く、かつ寿命特性に優れた青色発光が可能な有機電界発光素子を青色発光素子として用いて表示装置が構成されるため、他の赤色発光素子および緑色発光素子と組み合わせることで、色再現性および信頼性の高いフルカラー表示が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下本発明の実施の形態を説明する。
【００２４】
＜ジベンゾアントラセン誘導体＞
次に、本発明のジベンゾアントラセン誘導体のさらに具体的な例を説明する。本発明のジベンゾアントラセン誘導体は、下記一般式（１）または一般式（２）で示されるように、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位のうちの少なくとも一方が、アミノ化合物基からなる。
【００２５】
【化３】
2007112729.tif 000003
【００２６】
上記一般式（１）および一般式（２）におけるＸ1，Ｘ2，Ｘは、それぞれ独立に、
（ａ）置換もしくは未置換の炭素数６〜２８のアリーレン基、
（ｂ）置換もしくは未置換の炭素原子数５〜２１の２価の複素環基を表す。
【００２７】
このうち（ａ）アリーレン基としては、例えばフェニレンや、次の芳香族炭化水素から誘導される２価基が挙げられる。ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、フルオレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ジベンゾフルオランテン、アセフェナンスリレン、アセアンスリレン、トリフェニレン、アセナフトトリフェニレン、クリセン、ペリレン、ベンゾクリセン、ナフタセン、プレイアデン、ピセン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェニレン、トリナフチレン、ベンゾフェナントレン、ジベンゾナフタセン、ベンゾアントラセン、ジベンゾアントラセン、ベンゾナフタセン、ナフトピレン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、ベンゾシクロオクテン、アントラナフタセン、アセナフトフルオランテン等。また、（ａ）アリーレン基は、これらの芳香族炭化水素の組み合わせから誘導される２価基であっても良い。
【００２８】
尚、これらの（ａ）アリーレン基においての置換位置については特に限定はない。より色純度の高い青色発光を得るための好ましい結合形態としては、窒素原子に直接結合する芳香族炭化水素の炭素原子数が６〜１８であり、より好ましい結合形態としては、窒素原子に直接結合する芳香族炭化水素の炭素原子数が６〜１４である。
【００２９】
また（ｂ）２価の複素環基としては、例えば、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、オキサジアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、キノリン、ベンゾキノリン、ジベンゾキノリン、イソキノリン、ベンゾイソキノリン、キナゾリン、キノキサリン、アクリジン、フェナントリジン、フェナジン、フェノキサジン等から誘導される２価基であり、これらの組み合わせであってもよい。
【００３０】
尚、これら（ｂ）２価の複素環基においての置換位置については特に限定はない。色純度の高い青色発光を得るために、好ましい結合形態としては、窒素原子に直接結合する複素環基の炭素原子数が５〜１７であり、より好ましい結合形態としては、窒素原子に直接結合する複素環基の炭素原子数が５〜1３である。
【００３１】
また、一般式（１），（２）におけるＸ1，Ｘ2，Ｘの構成として、上述で例示した（ａ）アリーレン基と（ｂ）複素環基とを結合させた２価基であっても良い。
【００３２】
そして、（ａ）アリーレン基や（ｂ）２価の複素環基に対する置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のアミノ化合物基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基が挙げられ、縮合環の置換位置、置換個数については特に限定はない。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
【００３３】
次に、一般式（１），（２）におけるＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ独立に、
（ｃ）置換もしくは未置換の炭素原子数1〜２０のアルキル基、
（ｄ）置換もしくは未置換の炭素原子数６〜２８のアリール基、
（ｅ）置換もしくは未置換の炭素原子数５〜２１の複素環基を表す。
【００３４】
このうち、（ｃ）アルキル基は、直鎖、分岐あるいは環状の何れの形態であっても良く、例えば、メチル基，エチル基，プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，ｓ−ブチル基，イソブチル基，ｔ−ブチル基，ｎ−ペンチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプチル基，ｎ−オクチル基，ヒドロキシメチル基，１−ヒドロキシエチル基，２−ヒドロキシエチル基，２−ヒドロキシイソブチル基，１，２−ジヒドロキシエチル基，１，３−ジヒドロキシイソプロピル基，２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリヒドロキシプロピル基，クロロメチル基，１−クロロエチル基，２−クロロエチル基，２−クロロイソブチル基，１，２−ジクロロエチル基，１，３−ジクロロイソプロピル基，２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリクロロプロピル基，ブロモメチル基，１−ブロモエチル基，２−ブロモエチル基，２−ブロモイソブチル基，１，２−ジブロモエチル基，１，３−ジブロモイソプロピル基，２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリブロモプロピル基，ヨードメチル基，１−ヨードエチル基，２−ヨードエチル基，２−ヨードイソブチル基，１，２−ジヨードエチル基，１，３−ジヨードイソプロピル基，２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリヨードプロピル基，アミノメチル基，１−アミノエチル基，２−アミノエチル基，２−アミノイソブチル基，１，２−ジアミノエチル基，１，３−ジアミノイソプロピル基，２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリアミノプロピル基，シアノメチル基，１−シアノエチル基，２−シアノエチル基，２−シアノイソブチル基，１，２−ジシアノエチル基，１，３−ジシアノイソプロピル基，２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリシアノプロピル基，ニトロメチル基，１−ニトロエチル基，２−ニトロエチル基，２−ニトロイソブチル基，１，２−ジニトロエチル基，１，３−ジニトロイソプロピル基，２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリニトロプロピル基シクロプロピル基，シクロブチル基，シクロペンチル基，シクロヘキシル基，４−メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。
【００３５】
そして、（ｄ）アリール基としては、例えばフェニル基や、次の芳香族炭化水素から誘導される１価基が挙げられる。ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、フルオレン、フルオランテン，ベンゾフルオランテン，ジベンゾフルオランテン，アセフェナンスリレン，アセアンスリレン，トリフェニレン，アセナフトトリフェニレン，クリセン，ペリレン，ベンゾクリセン，ナフタセン，プレイアデン，ピセン，ペンタフェン，ペンタセン，テトラフェニレン，トリナフチレン、ベンゾフェナントレン，ジベンゾナフタセン，ベンゾアントラセン，ジベンゾアントラセン，ベンゾナフタセン，ナフトピレン，ベンゾピレン，ジベンゾピレン，ベンゾシクロオクテン，アントラナフタセン，アセナフトフルオランテン等。また、（ｄ）アリール基は、これらの芳香族炭化水素の組み合わせから誘導される１価基であっても良い。
【００３６】
尚、これらの（ｄ）アリール基においての置換位置については特に限定はない。色純度の高い青色発光を得るために、好ましい結合形態としては、窒素原子に直接結合する芳香族炭化水素の炭素原子数が６〜１８であり、より好ましい結合形態としては、窒素原子に直接結合する芳香族炭化水素の炭素原子数が６〜１４である。
【００３７】
また、（ｅ）複素環基としては、例えば、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、オキサジアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、キノリン、ベンゾキノリン、ジベンゾキノリン、イソキノリン、ベンゾイソキノリン、キナゾリン、キノキサリン、アクリジン、フェナントリジン、フェナジン、フェノキサジン等から誘導される１価基であり、これらの組み合わせであってもよい。
【００３８】
尚、これら（ｅ）複素環基においての置換位置については特に限定はない。色純度の高い青色発光を得るために、好ましい結合形態としては、窒素原子に直接結合する複素環基の炭素原子数が５〜１７であり、より好ましい結合形態としては、窒素原子に直接結合する複素環基の炭素原子数が５〜1３である。
【００３９】
また、一般式（１），（２）におけるＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの構成として、上述で例示した（ｄ）アリーレン基と（ｅ）複素環基とを結合させた１価基であっても良い。
【００４０】
また、この（ｄ）アリール基および（ｅ）複素環基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基が挙げられ、縮合環の置換位置、置換個数については特に限定はない。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
【００４１】
ここで、一般式（１），（２）におけるＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄとして、適度に嵩高い置換基を導入することによって、素子特性に関わる結晶化の制御や二分子励起の抑制に効果があり、発光効率と発光寿命の向上をさらに図ることが可能になる。このため、これらＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、（ｄ）アリール基または（ｅ）複素環基に対して、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、複素環基もしくはアリール基から選ばれる置換基を導入したものが好適に用いられる。
【００４２】
尚、一般式（１），（２）においてＡとＢ、またはＣとＤが単結合または炭素環結合などで連結した化合物は、ガラス転移温度が向上し耐熱性が優れる。
【００４３】
また、一般式（１），（２）において、Ｙ1〜Ｙ12，Ｒ1は、それぞれ独立に、
（ｆ）水素原子またはハロゲン、
（ｇ）置換もしくは未置換の炭素原子数１〜２０のアルキル基、
（ｈ）炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
（ｉ）置換もしくは未置換の炭素原子数６〜２８のアリール基、
（ｊ）置換もしくは未置換の炭素原子数５〜２１の複素環基を表す。
【００４４】
このうち（ｆ）水素またはハロゲンの場合、ハロゲンであれば例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
【００４５】
また（ｇ）アルキル基は、先に説明したＡ，Ｂにおける（ｃ）アルキル基と同様である。
【００４６】
さらに（ｈ）アルコキシ基は−ＯＲで表され、Ｒとしては、例えば、メチル基，エチル基，プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，ｓ−ブチル基，イソブチル基，ｔ−ブチル基，ｎ−ペンチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプチル基，ｎ−オクチル基，ヒドロキシメチル基，１−ヒドロキシエチル基，２−ヒドロキシエチル基，２−ヒドロキシイソブチル基，１，２−ジヒドロキシエチル基，１，３−ジヒドロキシイソプロピル基，２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリヒドロキシプロピル基，クロロメチル基，１−クロロエチル基，２−クロロエチル基，２−クロロイソブチル基，１，２−ジクロロエチル基，１，３−ジクロロイソプロピル基，２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリクロロプロピル基，ブロモメチル基，１−ブロモエチル基，２−ブロモエチル基，２−ブロモイソブチル基，１，２−ジブロモエチル基，１，３−ジブロモイソプロピル基，２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリブロモプロピル基，ヨードメチル基，１−ヨードエチル基，２−ヨードエチル基，２−ヨードイソブチル基，１，２−ジヨードエチル基，１，３−ジヨードイソプロピル基，２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリヨードプロピル基，アミノメチル基，１−アミノエチル基，２−アミノエチル基，２−アミノイソブチル基，１，２−ジアミノエチル基，１，３−ジアミノイソプロピル基，２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリアミノプロピル基，シアノメチル基，１−シアノエチル基，２−シアノエチル基，２−シアノイソブチル基，１，２−ジシアノエチル基，１，３−ジシアノイソプロピル基，２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリシアノプロピル基，ニトロメチル基，１−ニトロエチル基，２−ニトロエチル基，２−ニトロイソブチル基，１，２−ジニトロエチル基，１，３−ジニトロイソプロピル基，２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基，１，２，３−トリニトロプロピル基等があげられる。
【００４７】
そして（ｉ）アリール基は、先に説明したＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄにおける（ｄ）アリール基と同様である。
【００４８】
また（ｊ）複素環基は、先に説明したＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄにおける（ｅ）複素環基と同様である。
【００４９】
以下に、一般式（１）で表されるような、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の両方がアミノ化合物基からなるジベンゾアントラセン誘導体の具体例として、化合物（１）-d〜化合物（４６）-dを示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５０】
【化４】
2007112729.tif 000004
【化５】
2007112729.tif 000005
【化６】
2007112729.tif 000006
【化７】
2007112729.tif 000007
【００５１】
次に、一般式（２）で示されるような、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位のうちの一方のみがアミノ化合物基からなるジベンゾアントラセン誘導体の具体例として、化合物（１）-m〜化合物（４２）-mを示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【化８】
2007112729.tif 000008
【化９】
2007112729.tif 000009
【化１０】
2007112729.tif 000010
【化１１】
2007112729.tif 000011
【００５２】
尚、本発明のベンゾアントラセン誘導体は、有機電界発光素子の有機層を構成する材料として用いられるものであり、有機電界発光素子の製造プロセスに供する前に純度を高めておくことが好ましく、該純度が９５％以上、より好ましくは９９％以上とするのがよい。このような高純度の有機化合物を得る方法としては、有機化合物の合成後の精製である再結晶法、再沈殿法、もしくはシリカやアルミナを用いたカラム精製のほかに、昇華精製による公知の高純度化方法を用いることができる。また、これらの精製方法を繰り返し行うことや異なる精製法を組み合わせて行うことで本発明における有機発光材料中の未反応物、反応副生成物、触媒残渣、もしくは残存溶媒などの混合物を低減させ、よりデバイス特性の優れた有機電界発光素子を得ることが可能となる。
【００５３】
＜有機電界発光素子およびこれを用いた表示装置＞
次に、上述したジベンゾアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子およびこれを用いた表示装置の構成を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の有機電界発光素子およびこれを用いた表示装置を模式的に示す断面図である。
【００５４】
この図に示す表示装置１は、基板２と、この基板２上に設けられた有機電界発光素子３とを備えている。有機電界発光素子３は、基板２上に、下部電極４、有機層５および上部電極６を順次積層してなり、基板２側または上部電極６側から発光を取り出す構成となっている。尚、この図においては、基板２上に１画素分の有機電界発光素子３を設けた構成を示しているが、この表示装置１は、複数の画素を備え、複数の有機電界発光素子３が各画素に配列形成されていることとする。
【００５５】
次に、この表示装置１を構成する各部の詳細な構成を、基板２、下部電極４および上部電極６、有機層５の順に説明する。
【００５６】
基板２は、ガラス、シリコン、プラスチック基板、さらにはＴＦＴ（thin film transistor）が形成されたＴＦＴ基板などからなり、特にこの表示装置１が基板２側から発光を取り出す透過型である場合には、この基板２は光透過性を有する材料で構成されることとする。
【００５７】
また基板２上に形成された下部電極４は、陽極または陰極として用いられるものである。尚、図面においては、代表して下部電極４が陽極である場合を例示した。
【００５８】
この下部電極４は、表示装置１の駆動方式によって適する形状にパターンニングされていることとする。例えば、この表示装置１の駆動方式が単純マトリックス方である場合には、この下部電極４は例えばストライプ状に形成される。また、表示装置１の駆動方式が画素毎にＴＦＴを備えたアクティブマトリックス方である場合には、下部電極４は複数配列された各画素に対応させてパターン形成され、同様に各画素に設けられたＴＦＴに対して、これらのＴＦＴを覆う層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール（図示省略）を介してそれぞれが接続される状態で形成されることとする。
【００５９】
一方、下部電極４上に有機層５を介して設けられる上部電極６は、下部電極４が陽極である場合には陰極として用いられ、下部電極４が陰極である場合には陽極として用いられる。尚、図面においては、上部電極６が陰極である場合が示されている。
【００６０】
そして、この表示装置１が、単純マトリックス方である場合には、この上部電極６は例えば下部電極４のストライプと交差するストライプ状に形成され、これらが交差して積層された部分が有機電界発光素子３となる。また、この表示装置１が、アクティブマトリックス方である場合には、この上部電極６は、基板２上の一面を覆う状態で成膜されたベタ膜状に形成され、各画素に共通の電極として用いられることとする。尚、表示装置１の駆動方式としてアクティブマトリックス方を採用する場合には、有機電界発光素子３の開口率を確保するために、上部電極６側から発光を取り出す上面発光型とすることが望ましい。
【００６１】
ここで、下部電極４（または上部電極６）を構成する陽極材料としては，仕事関数がなるべく大きなものがよく、たとえば、ニッケル、銀、金、白金、パラジウム、セレン、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、レニウム、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、ニオブやこれらの合金、酸化物、あるいは、酸化錫、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等が好ましい。
【００６２】
一方、上部電極６（または下部電極４）を構成する陰極材料としては仕事関数がなるべく小さなものがよく、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金が好ましい。
【００６３】
ただし、この有機電界発光素子３で生じた発光を取り出す側となる電極は、上述した材料の中から光透過性を有する材料を適宜選択して用いることとし、特に、有機電界発光素子３の発光の波長領域において３０％より多くの光を透過する材料が好ましく用いられる。
【００６４】
例えば、この表示装置１が、基板２側から発光を取り出す透過型である場合、陽極となる下部電極４としてＩＴＯのような光透過性を有する陽極材料を用い、陰極となる上部電極６としてアルミニウムのような反射率の良好な陰極材料を用いる。
【００６５】
一方、この表示装置１が、上部電極６側から発光を取り出す上面発光型である場合、陽極となる下部電極４としてクロムや銀合金のような陽極材料を用い、陰極となる上部電極６としてマグネシウムと銀（ＭｇＡｇ）との化合物のような光透過性を有する陰極材料を用いる。ただし、ＭｇＡｇは、緑色波長領域における光透過率が３０％程度であるため、次に説明する有機層５は、共振器構造を最適化して取り出し光の強度が高められるように設計されることが好ましい。
【００６６】
そして、上述した下部電極４および上部電極６に狭持される有機層５は、陽極側（図面においては下部電極４側）から順に、正孔輸送層５０１、発光層５０３、電子輸送層５０５を積層してなる。
【００６７】
このうち正孔輸送層５０１としては、ＮＰＢ［Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル（１、１’-ビフェニル）−４、４’―ジアミン］、トリフェニルアミン２量体、３量体、４量体、スターバースト型アミンなどの公知の材料を単層もしくは積層して、或いは混合して用いることができる。
【００６８】
そして、この正孔輸送層５０１上に設けられる発光層５０３が、本発明に特徴的な層であり、上記一般式（１）、一般式（２）、上記化合物（1）-d〜化合物（４６）-d、および上記化合物（1）-m〜化合物（４２）-mを用いて説明したジベンゾアントラセン誘導体を含有している。本発明のジベンゾアントラセン誘導体は、高い正孔輸送性を有する。このため、このジベンゾアントラセン誘導体を単体或いは５０体積％以上の高濃度で用いるか、もしくは正孔輸送性を有するその他の材料と混合して用いる場合には、後述の電子輸送層５０５からの発光が観測されるようになり、発光層５０３自体での発光効率が低下する。それ故、この場合には発光層５０３と電子輸送層５０５の間にホールブロック層を設けることが好ましい。
【００６９】
より好ましくは、本発明のジベンゾアントラセン誘導体は、発光層５０３内にゲストとして導入される。このため、発光層５０３中におけるジベンゾアントラセン誘導体の濃度は、５０体積％未満である。また、好ましくは１体積％以上４０体積％以下とすることにより、有機電界発光素子における発光輝度および半減寿命を高い値に保つことが可能になる。また１体積％以上２０体積％以下、さらに好ましくは１体積％以上１０体積％以下の濃度とすることにより、発光輝度および半減寿命をさらに高い値に保つことが可能になる。
【００７０】
そして、上述したジベンゾアントラセン誘導体と混合して用いられるホスト材料としては、オキサジアゾール、トリアゾール、ベンゾイミダゾール、シロール、スチリルアリーレン、パラフェニレン、スピロパラフェニレン、アリールアントラセン誘導体などの公知の材料を使用することができる。尚、好適なホスト材料としては、ゲスト材料として用いるジベンゾアントラセン誘導体の吸収スペクトルとホスト材料の蛍光スペクトルの重なりが大きい材料を選択して用いることとする。これにより、ホスト材料からゲスト材料への、より効率的なエネルギー移動が起こり、発光効率の向上が図られる。
【００７１】
また、この様な構成の発光層５０３上に設けられる電子輸送層５０５には、Ａｌｑ３、オキサジアゾール、トリアゾール、ベンゾイミダゾール、シロール誘導体などの公知の材料を使用することができる。
【００７２】
以上説明した構成の他にも、ここでの図示は省略したが、陽極となる下部電極４と正孔輸送層５０１との間に、正孔注入層を挿入しても良い。正孔注入層としてはＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）などの導電性ポリマー、フタロシアニン銅、スターバースト型アミン、トリフェニルアミン２量体、３量体、４量体などの公知の材料を単層もしくは積層して或いは混合して用いることができる。このような正孔注入層を挿入することにより正孔の注入効率が上がるため、より好ましい。
【００７３】
さらに、ここでの図示は省略したが、電子輸送層５０５と陰極（上部電極）６の間に、電子注入層を挿入しても良い。電子注入層としては、酸化リチウム、フッ化リチウム、ヨウ化セシウム、フッ化ストロンチウムなどのアルカリ金属酸化物、アルカリ金属弗化物、アルカリ土類酸化物、アルカリ土類弗化物などを用いることができる。このような電子注入層を挿入することにより電子の注入効率が上がるため、より好ましい。
【００７４】
上記述べたような材料による積層構造の有機層５の形成には、周知の方法にて合成された各有機材料を用いて、真空蒸着やスピンコートなどの周知の方法を適用することができる。
【００７５】
そして、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機電界発光素子３を備えた表示装置１においては、大気中の水分や酸素等による有機電界発光素子３の劣化を防止するために、有機電界発光素子３を覆う状態でフッ化マグネシウムや窒化シリコン膜（ＳｉＮx）からなる封止膜を基板２上に形成したり、有機電界発光素子３に封止缶を被せて中空部を乾燥した不活性ガスでパージするか真空に引いた状態にすることが望ましい。
【００７６】
また、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機電界発光素子３を備えた表示装置１においては、この有機電界発光素子３を青色発光素子とし、これと共に赤色発光素子および緑色発光素子を各画素に設け、これら画素をサブピクセルとして１画素を構成し、基板２上にこれらの画素を１組とした各画素を複数配列することで、フルカラー表示を行うものとしても良い。
【００７７】
以上説明した構成の有機電界発光素子３では、上記一般式（１）、一般式（２）、上記化合物（1）-d〜化合物（４６）-d、および上記化合物（1）-m〜化合物（４２）-mを用いて説明したジベンゾアントラセン誘導体を発光層５０３に含有させたことにより、発光効率が高く、かつ減衰率が低くて信頼性の高い、色純度の良好な青色の波長領域の発光が得られる。そして、このような有機電界発光素子３を備えた表示装置１は、この有機電界発光素子３と共に、赤色発光する有機電界発光素子および緑色発光する有機電界発光素子と組み合わせることで、色表現性の高いフルカラー表示を行うことが可能になる。
【００７８】
尚、以上の実施の形態においては、本発明のジベンゾアントラセン誘導体を発光層５０３に用いた場合を例示した。しかしながら、本発明のジベンゾアントラセン誘導体は、高い正孔輸送性を有するため、このジベンゾアントラセン誘導体を正孔輸送層５０１や正孔注入層を構成する材料として用いても良く、これらの層に対するドーピング材料として用いても良い。
【実施例】
【００７９】
次に、本発明のジベンゾアントラセン誘導体の合成例、本発明のジベンゾアントラセン誘導体を用いた本発明の有機電界発光素子の実施例について具体的に説明する。尚ここでは先ず、本発明のジベンゾアントラセン誘導体の合成例を説明し、次いでここで合成したジベンゾアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子および比較例の有機電界発光素子の作製手順、さらにはこれらの評価結果を説明する。
【００８０】
＜化合物（１）-dの合成＞
先ず、下記式（１）を参照し、次のようにして目的とする化合物の前駆体である9,14−ジブロモベンズ〔a,c〕アントラセンを合成した。
【化１２】
2007112729.tif 000012
【００８１】
すなわち先ず、窒素雰囲気下において、ジベンゾ〔a,c〕アントラセン１０．０ｇをクロロホルム１Ｌに加え、冷却下、反応系内に臭素１０ｇを４回に分けて滴下した。滴下終了後、一昼夜室温攪拌し、析出した結晶をろ取した。得られた結晶を水洗浄、アセトン洗浄した後、トルエンで再結晶を行うことにより淡黄色固体、9,14−ジブロモベンズ〔a,c〕アントラセン１２．５ｇを得た。構造は1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ、およびＦＤ−ＭＳにて確認した。
【００８２】
次に、得られた9,14−ジブロモベンズ〔a,c〕アントラセン３．０ｇと、下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ１）５．８ｇ、水酸化ナトリウム１．５ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム２．０ｇを２００ｍｌの乾燥キシレンに加え、窒素雰囲気下において１００℃で６時間反応させた。反応終了後、生成した沈殿を濾別し、水洗浄、熱アセトン懸洗し、黄色粉末状の化合物（１）-dを２．８ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝７６４で目的物と一致した。図２には、得られた化合物（１）-dについての、ジオキサン溶液中における蛍光スペクトルｓ１と吸収スペクトルｓ２とを示す。また図３に示した1Ｈ−ＮＭＲの結果からも、目的とする化合物（１）-dが得られたことが確認された。
【化１３】
2007112729.tif 000013
【００８３】
＜化合物（2）-dの合成＞
上述した＜化合物（１）-dの合成＞において用いた芳香族ホウ酸エステル（Ａ１）を、下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ２）としたこと以外は同様の手順で合成を行い、黄色粉末状の化合物（２）-dを２．５ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝９０４で目的物と一致した。
【化１４】
2007112729.tif 000014
【００８４】
＜化合物（６）-dの合成＞
上述した＜化合物（１）-dの合成＞において用いた芳香族ホウ酸エステル（Ａ１）を、下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ３）としたこと以外は同様の手順で合成を行い、黄色粉末状の2，6−ビス｛４−（Ｎ-（１-ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェニル｝アントラセン〔化合物（６）-d〕を３．４ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝８６４で目的物と一致した。
【化１５】
2007112729.tif 000015
【００８５】
＜化合物（9）-dの合成＞
上述した＜化合物（１）-dの合成＞において、芳香族ホウ酸エステル（Ａ１）を下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ４）としたこと以外は同様の手順で合成を行い、黄色粉末状の2，6−ビス｛３−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）フェニル｝アントラセン〔化合物（９）-d〕を２．５ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝７６４で目的物と一致した。
【化１６】
2007112729.tif 000016
【００８６】
＜化合物（１６）-dの合成＞
上述した＜化合物（１）-dの合成＞において用いた芳香族ホウ酸エステル（Ａ１）を、下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ５）としたこと以外は同様の手順で合成を行い、黄色粉末状の化合物（１６）-dを２．５ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝９１６で目的物と一致した。
【化１７】
2007112729.tif 000017
【００８７】
＜化合物（２５）-dの合成＞
上述した＜化合物（１）-dの合成＞において用いた芳香族ホウ酸エステル（Ａ１）を、下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ６）としたこと以外は同様の手順で合成を行い、黄色粉末状の化合物（２５）-dを２．５ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝９１６で目的物と一致した。
【化１８】
2007112729.tif 000018
【００８８】
＜化合物（２）-mの合成＞
先ず、上記式（１）を用いて説明したと同様にして、化合物の前駆体である9,14−ジブロモベンズ〔a,c〕アントラセンを合成した。
【００８９】
次に、得られた9,14−ジブロモベンズ〔a,c〕アントラセン3.0gと、下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ７）３．０ｇ、水酸化ナトリウム０．５ｇ、テトラキス（トリフェニルフォスフィノ）パラジウム０．０５ｇを１００ｍｌの乾燥キシレンに加え、窒素雰囲気下において１００℃で３時間反応させた。反応終了後、有機層を分液し、水洗浄を２回、飽和食塩水洗浄を１回行った。無水硫酸ナトリウム乾燥後、減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製を行うことにより、黄色粉末状の下記中間体（１）１．６ｇを得た。質量分析にてｍ/ｚ＝５９９で目的物と一致した。
【化１９】
2007112729.tif 000019
【００９０】
次に、得られた中間体（１）１．６ｇと、下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ８）０．８ｇ、水酸化ナトリウム０．２ｇ、テトラキス（トリフェニルフォスフィノ）パラジウム０．０５ｇを１００ｍｌの乾燥キシレンに加え、窒素雰囲気下において１００℃で６時間反応させた。反応終了後、有機層を分液し、水洗浄を２回、飽和食塩水洗浄を１回行った。無水硫酸ナトリウム乾燥後、減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製を行うことにより、黄色粉末状の化合物（２）-mを１．１ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝６４７で目的物と一致した。
【化２０】
2007112729.tif 000020
【００９１】
＜化合物（５）-mの合成＞
上述した＜化合物（２）-mの合成＞において、芳香族ホウ酸エステル（Ａ８）を下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ９）としたこと以外は同様の手順で合成を行い、黄色粉末状の化合物（５）-mを２．５ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝７７３で目的物と一致した。
【化２１】
2007112729.tif 000021
【００９２】
＜化合物（１７）-mの合成＞
上述した＜化合物（２）-mの合成＞において、芳香族ホウ酸エステル（Ａ８）を下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ１０）としたこと以外は同様の手順で合成を行い、黄色粉末状の化合物（１７）-mを２．５ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝６７３で目的物と一致した。
【化２２】
2007112729.tif 000022
【００９３】
＜化合物（２３）-mの合成＞
先ず、上述した＜化合物（２）-mの合成＞における中間体（１）の合成において、芳香族ホウ酸エステル（Ａ７）を下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ１１）としたこと以外は同様の手順で合成を行い、黄色粉末状の中間体（２）を２．０ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝６７５で目的物と一致した。
【化２３】
2007112729.tif 000023
【００９４】
そして、＜化合物（２）-mの合成＞において、中間体（１）を中間体（２）とし、芳香族ホウ酸エステル（Ａ８）を下記芳香族ホウ酸エステル（Ａ１２）としたこと以外は同様の手順で合成を行い、黄色粉末状の化合物（２３）-mを１．７ｇ得た。質量分析にてｍ/ｚ＝７４９で目的物と一致した。
【化２４】
2007112729.tif 000024
【００９５】
＜実施例１＞
上述した合成手順によって得られた化合物（１）-dを用い、以下のように透過型の有機電界発光素子（図１参照）を作製した。
【００９６】
先ず、ガラス基板２上に、膜厚１９０ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を下部電極４として形成したＩＴＯ基板を作製し、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。このＩＴＯ基板を乾燥後、さらにＵＶ／オゾン処理を１０分間行った。次いで、このＩＴＯ基板を蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を１．４×１０-4 Ｐａに減圧した。
【００９７】
そして先ず、ＩＴＯ透明電極上に、下記Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル[１、１’-ビフェニル]−４、４’―ジアミン（α−ＮＰＤ）を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで６５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層５０１を形成した。
【化２５】
2007112729.tif 000025
【００９８】
次いで、下記９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）をホストとし、下記化合物（１）-dをゲストとし、それぞれを異なる蒸着源から全蒸着速度約０．２ｎｍ／ｓｅｃで３５ｎｍの厚さに共蒸着し、ゲスト濃度が１０体積％の発光層５０３を形成した。
【化２６】
2007112729.tif 000026
【００９９】
次に、下記Ａｌｑ３を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで１８ｎｍの厚さに蒸着し、電子輸送層５０５を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を０．１ｎｍの厚さに蒸着し、さらにマグネシウムと銀を蒸着速度約０．４ｎｍ／ｓｅｃで７０ｎｍの厚さに共蒸着（原子比Ｍｇ：Ａｇ＝９５：５）して陰極（上部電極６）を形成し、下部電極４側から発光光を取り出す透過型の有機電界発光素子３を作製した。
【化２７】
2007112729.tif 000027
【０１００】
作製した有機電界発光素子を電流密度２５ｍＡ／ｃｍ2で直流電流駆動したところ、ａ）駆動電圧は５．７Ｖであり、発光効率は３．８ｃｄ／Ａ、電力効率は２．０ｌｍ／Ｗであった。また、ｂ）発光輝度＝１０５０ｃｄ／ｍ2、ｃ）発光ピーク４７１ｎｍの青色発光が確認された。また、この発光素子を初期輝度１５００ｃｄ／ｍ2で定電流駆動したところ、ｄ）半減寿命（輝度が半減するまでの寿命）は１２００時間であった。
【０１０１】
＜実施例２〜９＞
上述した実施例１の有機電界発光素子の作製手順において、発光層５０３中における化合物（１）-dのジベンゾアントラセン誘導体からなるゲストに換えて、下記表１に記載した各化合物をゲスト材料と用いたこと以外は、実施例１と同様にして透過型の有機電界発光素子３を作製した。尚、各発光層５０３におけるゲスト濃度は１０体積％とした。
【表１】
2007112729.tif 000028
【０１０２】
また、以上のようにして作製した実施例２〜９の有機電界発光素子について、実施例１と同様の測定を行った結果ａ）〜ｄ）を、上記の表１に合わせて示した。
【０１０３】
尚、各化合物（ジベンゾアントラセン誘導体）は、上述した＜化合物（１）-dの合成＞において用いた芳香族ホウ酸エステル（Ａ１）を、ジベンゾ〔a,c〕アントラセン誘導体の９，１４位に結合させたい芳香族ホウ酸エステル（アミノ化合物のホウ酸エステル）に置き換えることによって合成した。
【０１０４】
＜比較例１＞
上述した実施例１の有機電界発光素子の作製手順において、発光層５０３中における化合物（１）-dのジベンゾアントラセン誘導体からなるゲストに換えて、非特許文献２において青色発光用のゲスト材料として示された、下記ＢＣｚＶＢｉを用いたこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。尚、ゲスト濃度は５体積％とした。
【化２８】
2007112729.tif 000029
【０１０５】
作製した比較例１の有機電界発光素子について、実施例１と同様の測定を行った結果ａ）〜ｄ）を、上記の表１に合わせて示した。
【０１０６】
≪評価結果１≫
以上表１に示したように、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の両方をアミノ化合物基で置換した本発明のジベンゾアントラセン誘導体〔化合物（１）-d他〕を発光材料として用いた実施例１〜１９の有機電界発光素子は、青色の発光が得られることが確認された。また、発光輝度も９５０ｃｄ／ｍ2を上回る値を示し、半減寿命も１０５０時間を上回る値を示した。
【０１０７】
これに対して、非特許文献２において青色発光用のゲスト材料として示された、下記ＢＣｚＶＢｉを発光材料として用いた比較例１の有機電界発光素子では、青色の発光は得られるものの、特に半減寿命が３９０時間と短かった。
【０１０８】
以上から、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の両方をアミノ化合物基で置換した本発明のジベンゾアントラセン誘導体は、有機電界発光素子における青色発光材料として、発光効率および寿命特性ともに優れた材料であることが確認できた。
【０１０９】
＜実施例１０〜1４＞
上述した実施例１の有機電界発光素子の作製手順において、発光層５０３中における化合物（１）-dのジベンゾアントラセン誘導体からなるゲスト濃度を、１体積％、１０体積％、２０体積％、４０体積％、５０体積％としたこと以外は、実施例１と同様にして透過型の有機電界発光素子３を作製した。
【０１１０】
作製した各有機電界発光素子について、実施例１と同様にａ）駆動電圧、ｂ）発光輝度、ｃ）発光色、ｄ）半減寿命を測定した結果を、下記表２に示す。尚、表２には、上記比較例１の結果も合わせて示す。
【表２】
2007112729.tif 000030
【０１１１】
≪評価結果２≫
表２に示した結果から、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の両方をアミノ化合物基で置換した本発明のジベンゾアントラセン誘導体の、発光層５０３中における濃度を、１体積％以上４０体積％以下とすることで、ｂ）発光輝度およびｄ）半減寿命を、比較例１よりも高い値に保つことが可能であることがわかる。また好ましくは１体積％を越えて２０体積％以下、さらに好ましくは１０体積％程度の濃度とすることにより、ｂ）発光輝度およびｄ）半減寿命をさらに高い値に保つことが可能であることが確認された。
【０１１２】
＜実施例１５＞
本実施例１５においては、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の両方をアミノ化合物基で置換した本発明のジベンゾアントラセン誘導体を用いて上面発光型の有機電界発光素子を作製した。
【０１１３】
ガラス基板２上に、膜厚１９０ｎｍのＡｇ合金上を介して膜厚１１ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を下部電極４として積層形成し、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。乾燥後、更にＵＶ／オゾン処理を１０分間行った。この基板を蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を1×１０-6Ｔｏｒｒに減圧した。
【０１１４】
この状態で、先ず、ＩＴＯ透明電極上に、上記α−ＮＰＤを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２４ｎｍの厚さに蒸着して正孔注入輸送層５０１を形成した。次いで、上記ＡＤＮをホスト、上記化合物（１）-dをゲストとし、それぞれを異なる蒸着源から全蒸着速度約０．２ｎｍ／ｓｅｃで３５ｎｍの厚さに共蒸着し、ゲスト濃度が１０体積％の発光層５０３を形成した。次に、上記Ａｌｑ３を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで１８ｎｍの厚さに蒸着し、電子輸送層５０５を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を０．１ｎｍの厚さに蒸着し、さらにマグネシウムと銀を蒸着速度約０．４ｎｍ／ｓｅｃで１２ｎｍの厚さに共蒸着（原子比Ｍｇ：Ａｇ＝９５：５）して陰極（上部電極６）を形成し、上部電極６側から発光光を取り出す上面発光型の有機電界発光素子３を作製した。
【０１１５】
作製した有機電界発光素子を電流密度２５ｍＡ／ｃｍ2で直流電流駆動したところ、ａ）駆動電圧は４．６Ｖ、発光効率は２．０ｃｄ／Ａ、電力効率は２．１ｌｍ／Ｗであった。また、ｂ）発光輝度６８７ｃｄ／ｍ2、ｃ）発光ピーク４６８ｎｍの青色発光が確認された。この結果、上面発光の有機電界発光素子であっても、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の両方をアミノ化合物基で置換した本発明のジベンゾアントラセン誘導体を発光材料として用いることで、青色の発光が得られることが確認された。
【０１１６】
＜実施例１６〜２４＞
上述した実施例１の有機電界発光素子の作製手順において、発光層５０３中における化合物（１）-dのジベンゾアントラセン誘導体からなるゲストに換えて、下記表３に記載したアミノ化合物基を１つのみ備えた各化合物（ジベンゾアントラセン誘導体）をゲスト材料と用いたこと以外は、実施例１と同様にして透過型の有機電界発光素子３を作製した。尚、各発光層５０３におけるゲスト濃度は１０体積％とした。
【表３】
2007112729.tif 000031
【０１１７】
また、以上のようにして作製した実施例１６〜２４の有機電界発光素子について、実施例１と同様の測定を行った結果ａ）〜ｄ）を、上記の表３に合わせて示した。尚、表３には、上記比較例１の結果も合わせて示した。
【０１１８】
尚、各化合物（ジベンゾアントラセン誘導体）は、上述した＜化合物（２）-mの合成＞において用いた芳香族ホウ酸エステル（Ａ７），（Ａ８）を、ジベンゾ〔a,c〕アントラセン誘導体の９，１４位に結合させたい各芳香族ホウ酸エステル（一方はアミノ化合物のホウ酸エステル）に置き換えることによって合成した。
【０１１９】
≪評価結果３≫
以上表３に示したように、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の一方のみアミノ化合物基で置換した本発明のジベンゾアントラセン誘導体〔化合物（２）-m他〕を発光材料として用いた実施例１６〜２４の有機電界発光素子は、青色の発光が得られることが確認された。また、発光輝度も８９０ｃｄ／ｍ2を上回る値を示し、半減寿命も８６０時間を上回る値を示した。これらの値は、比較例１の結果を上回る値であった。
【０１２０】
以上から、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の一方のみをアミノ化合物基で置換した本発明のジベンゾアントラセン誘導体は、有機電界発光素子における青色発光材料として、発光効率および寿命特性ともに優れた材料であることが確認できた。
【０１２１】
＜実施例２５〜２９＞
上述した実施例１６の有機電界発光素子の作製手順において、発光層５０３中における化合物（２）-mのジベンゾアントラセン誘導体からなるゲスト濃度を、１体積％、１０体積％、２０体積％、４０体積％、５０体積％としたこと以外は、実施例１６と同様にして透過型の有機電界発光素子３を作製した。
【０１２２】
作製した各有機電界発光素子について、実施例１と同様にａ）駆動電圧、ｂ）発光輝度、ｃ）発光色、ｄ）半減寿命を測定した結果を、下記表４に示す。尚、表４には、上記比較例１の結果も合わせて示す。
【表４】
2007112729.tif 000032
【０１２３】
≪評価結果４≫
表４に示した結果から、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の一方のみアミノ化合物基で置換した本発明のジベンゾアントラセン誘導体の、発光層５０３中における濃度を、１体積％以上４０体積％以下とすることで、ｂ）発光輝度およびｄ）半減寿命を、比較例１よりも高い値に保つことが可能であることがわかる。また好ましくは１体積％を越えて２０体積％以下、さらに好ましくは１０体積％程度の濃度とすることにより、ｂ）発光輝度およびｄ）半減寿命をさらに高い値に保つことが可能であることが確認された。
【０１２４】
＜実施例３０＞
本実施例３０においては、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の一方のみアミノ化合物基で置換した本発明のジベンゾアントラセン誘導体を用いて上面発光型の有機電界発光素子を作製した。
【０１２５】
ここでは、実施例１５の有機電界発光素子の作製手順において発光層５０３中における化合物（１）-dのジベンゾアントラセン誘導体からなるゲストに換えて、化合物（７）-mをゲスト材料と用いたこと以外は、実施例１５と同様にして上面発光型の有機電界発光素子３を作製した。尚、各発光層５０３におけるゲスト濃度は１０体積％とした。
【０１２６】
作製した有機電界発光素子を電流密度２５ｍＡ／ｃｍ2で直流電流駆動したところ、ａ）駆動電圧は４．６Ｖ、発光効率は２．０ｃｄ／Ａ、電力効率は２．１ｌｍ／Ｗであった。また、ｂ）発光輝度６８７ｃｄ／ｍ2、ｃ）発光ピーク４６７ｎｍの青色発光が確認された。この結果、上面発光の有機電界発光素子であっても、ジベンゾ［ａ，ｃ］アントラセン骨格の９位と１４位の一方のみをアミノ化合物基で置換した本発明のジベンゾアントラセン誘導体を発光材料として用いることで、青色の発光が得られることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構成を説明する断面図である。
【図２】ジオキサン溶液中における化合物（１）-dの蛍光吸収スペクトルである。
【図３】合成によって得られた化合物（１）-dのＮＭＲスペクトルである。
【符号の説明】
【０１２８】
１…表示装置、３…有機電界発光素子、４…下部電極、５…有機層、６…上部電極、５０１…正孔輸送層、５０３…発光層、５０５…電子輸送層
【図１】
2007112729.tif 000035
【図２】
2007112729.tif 000036
【図３】
2007112729.tif 000037
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月26日(2007.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
基板２は、ガラス、シリコン、プラスチック基板、さらにはＴＦＴ（thin film transistor）が形成されたＴＦＴ基板などからなり、特にこの表示装置１が基板２側から発光を取り出す下面発光型である場合には、この基板２は光透過性を有する材料で構成されることとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
例えば、この表示装置１が、基板２側から発光を取り出す下面発光型である場合、陽極となる下部電極４としてＩＴＯのような光透過性を有する陽極材料を用い、陰極となる上部電極６としてアルミニウムのような反射率の良好な陰極材料を用いる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
＜実施例１＞
上述した合成手順によって得られた化合物（１）-dを用い、以下のように下面発光型の有機電界発光素子（図１参照）を作製した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
そして先ず、ＩＴＯ透明電極上に、下記Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル[１、１’-ビフェニル]−４、４’―ジアミン（α−ＮＰＤ）を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで６５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層５０１を形成した。
【化２５】
2007112729.tif 000038
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
次に、下記Ａｌｑ３を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで１８ｎｍの厚さに蒸着し、電子輸送層５０５を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を０．１ｎｍの厚さに蒸着し、さらにマグネシウムと銀を蒸着速度約０．４ｎｍ／ｓｅｃで７０ｎｍの厚さに共蒸着（原子比Ｍｇ：Ａｇ＝９５：５）して陰極（上部電極６）を形成し、下部電極４側から発光光を取り出す下面発光型の有機電界発光素子３を作製した。
【化２７】
2007112729.tif 000039
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
＜実施例２〜９＞
上述した実施例１の有機電界発光素子の作製手順において、発光層５０３中における化合物（１）-dのジベンゾアントラセン誘導体からなるゲストに換えて、下記表１に記載した各化合物をゲスト材料として用いたこと以外は、実施例１と同様にして下面発光型の有機電界発光素子３を作製した。尚、各発光層５０３におけるゲスト濃度は１０体積％とした。
【表１】
2007112729.tif 000040
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
＜実施例１０〜1４＞
上述した実施例１の有機電界発光素子の作製手順において、発光層５０３中における化合物（１）-dのジベンゾアントラセン誘導体からなるゲスト濃度を、１体積％、１０体積％、２０体積％、４０体積％、５０体積％としたこと以外は、実施例１と同様にして下面発光型の有機電界発光素子３を作製した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
＜実施例１６〜２４＞
上述した実施例１の有機電界発光素子の作製手順において、発光層５０３中における化合物（１）-dのジベンゾアントラセン誘導体からなるゲストに換えて、下記表３に記載したアミノ化合物基を１つのみ備えた各化合物（ジベンゾアントラセン誘導体）をゲスト材料と用いたこと以外は、実施例１と同様にして下面発光型の有機電界発光素子３を作製した。尚、各発光層５０３におけるゲスト濃度は１０体積％とした。
【表３】
2007112729.tif 000041
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
＜実施例２５〜２９＞
上述した実施例１６の有機電界発光素子の作製手順において、発光層５０３中における化合物（２）-mのジベンゾアントラセン誘導体からなるゲスト濃度を、１体積％、１０体積％、２０体積％、４０体積％、５０体積％としたこと以外は、実施例１６と同様にして下面発光型の有機電界発光素子３を作製した。