(57)【要約】【課題】特性の良好な金属酸化膜を提供し、電子デバイスの特性を向上させる。【解決手段】電子デバイス（例えば、液晶表示装置のＴＦＴ部）の製造において、基板１００上に例えば透明導電性膜となる、金属アルコキシド塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、金属アルコキシド塗布膜を焼成するとともに、形成される透明導電性膜（金属酸化膜）の改質を行う。かかる熱処理によれば、火炎中もしくは火炎の周囲の水酸基ラジカル（ＯＨ*）や酸素ラジカル（Ｏ*）等により、加水分解や重縮合反応が促進され、未反応部が低減し、透明導電性膜（金属酸化膜）の膜質が向上する。【選択図】図１
2007141892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜方法であって、
基板上に塗布された有機金属化合物溶液に、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、有機金属化合物溶液の加水分解もしくは重縮合反応を促進することにより、前記有機金属化合物が焼成して成る導電性膜を形成する工程を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記導電性膜は、透明導電性膜であることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記熱処理は、前記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌとすることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項４】
前記熱処理は、前記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌとした場合より水酸基ラジカル（ＯＨ*）がリッチな状態で行われることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項５】
前記熱処理は、前記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより酸素の組成比が大きい状態で行われることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項６】
前記熱処理は、
（ａ）前記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌとした場合より水酸基ラジカル（ＯＨ*）がリッチな状態で行われる第１処理と、
（ｂ）前記第１処理の後に、前記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより酸素の組成比が大きい状態で行われる第２処理と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項７】
前記熱処理は、さらに、
（ｃ）前記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより水素の組成比が大きい状態で行われる第３処理を含むことを特徴とする請求項６記載の成膜方法。
【請求項８】
前記熱処理は、前記ガスバーナーの火炎を前記基板上に塗布された有機金属化合物溶液に対し相対的に走査することによって行われることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項９】
前記ガスバーナーの走査速度を調整して、前記基板温度を調整することを特徴とする請求項８記載の成膜方法。
【請求項１０】
請求項１〜９に記載の成膜方法を用いて形成される導電性膜を有する電子デバイス用基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子デバイス用基板を備える電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子デバイスを備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は成膜方法等に関し、中でも、電子デバイス用基板に用いられる透明導電性膜（透明電極）の形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
透過型液晶表示装置に用いられる透明電極は、金属酸化物（無機酸化物）の一種である。一例として、ＩＴＯ（インジウム−錫酸化物合金）、ＩＯ（酸化インジウム）や酸化錫（ＳｎＯ2）等が挙げられる。
【０００３】
このような金属酸化物の形成方法としては、ＰＶＤ（physical vapor deposition、物理気相成長）法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、気相成長）法、真空蒸着法のような気相プロセスでの成膜方法がある。
【０００４】
一方、金属酸化物の形成方法としては、ゾルゲル法（ゾルジェル法）のような液相プロセスでの製造方法もある。ゾルゲル法とは、（有機）金属化合物の溶液を基板に塗布し、塗布膜を乾燥させた後、熱処理（焼成）を施すことにより、金属化合物の加水分解や重縮合反応を促進し、金属酸化膜を形成する方法である。
【０００５】
このようなゾルゲル法は、前述した気相プロセスによる成膜と比較し、化学組成制御がし易く、分子レベルで均一性の高い膜を得られるといった利点がある。また、製造コストも低く、また、成膜効率（スループット、生産性）も高いといった利点もある。
【０００６】
例えば、下記特許文献１（特開２００１−１４３５３５号公報）には、透明導電膜形成用塗布液に、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）を含む化合物と有機酸から生成したヒドロキシ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体を含有させ、この塗布液を塗布、乾燥し、焼成することによって、透明導電膜を形成する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−１４３５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者は、電子デバイスの研究・開発に従事しており、ゾルゲル法による透明電極（透明導電性膜）の特性の向上を図るべく、鋭意検討を重ねている。
【０００８】
例えば、上記特許文献１に記載の技術を用いても、膜中の空隙（膜がポーラスである）や欠陥が発生しやすい等、膜特性が十分ではない。その結果、適用する電子デバイスによっては、その使用が制限される等の問題があった。
【０００９】
かかる問題は、金属化合物の加水分解が不十分であることに起因すると考えられる。従って、他の方法で加水分解（加水分解重縮合反応）を促進させ、膜質を向上させる技術の開発が重要となってくる。
【００１０】
本発明は、特性の良好な金属酸化膜を提供することを目的とする。また、特性の良好な金属酸化膜を用いることで、電子デバイス（装置）の特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の成膜方法は、基板上に塗布された有機金属化合物溶液に、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、有機金属化合物溶液の加水分解もしくは重縮合反応を促進することにより、上記有機金属化合物が焼成して成る導電性膜を形成する工程を有するものである。
【００１２】
このようにガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を行ったので、有機金属化合物溶液の加水分解もしくは重縮合反応を促進することができ、有機金属化合物溶液（塗布膜）の焼成を行うとともに、形成された導電性膜の膜質を向上させることができる。具体的には、導電性膜の未反応部を低減することができる。
【００１３】
上記導電性膜は、透明導電性膜である。
【００１４】
上記熱処理は、例えば、上記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌとする。
【００１５】
上記熱処理は、例えば、上記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌとした場合より水酸基ラジカル（ＯＨ*）がリッチな状態で行われる。
【００１６】
上記熱処理は、例えば、上記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより酸素の組成比が大きい状態で行われる。
【００１７】
上記熱処理は、（ａ）上記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌとした場合より水酸基ラジカル（ＯＨ*）がリッチな状態で行われる第１処理と、（ｂ）上記第１処理の後に、上記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより酸素の組成比が大きい状態で行われる第２処理と、を含む。
【００１８】
上記熱処理は、さらに、（ｃ）上記混合ガスの水素及び酸素の比を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより水素の組成比が大きい状態で行われる第３処理を含む。
【００１９】
上記熱処理は、上記ガスバーナーの火炎を上記基板上に塗布された有機金属化合物溶液に対し相対的に走査することによって行われる。
【００２０】
上記ガスバーナーの走査速度を調整して、上記基板温度を調整する。
【００２１】
本発明は、上記膜方法を用いて形成される導電性膜を有する電子デバイス用基板である。
【００２２】
また、本発明は、上記電子デバイス用基板を備える電子デバイスである。
【００２３】
また、本発明は、上記電子デバイスを備える電子機器である。ここで「電子機器」とは、本発明にかかる半導体記憶装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、その構成に特に限定はないが、例えば、上記半導体記憶装置を備えたコンピュータ装置一般、携帯電話、ＰＨＳ、ＰＤＡ、電子手帳、ＩＣカードなど、記憶装置を必要とするあらゆる装置が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の実施の形態では、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーを用いて金属化合物の溶液を塗布した塗布膜に対し加熱処理を行うことによって焼成を行うとともに、形成される金属酸化物の改質を行う。
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の機能を有するものには同一もしくは関連の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する。
【００２６】
１）電子デバイス製造装置
まず、本実施の形態の電子デバイスの製造に用いられる電子デバイス製造装置について図１〜図９を参照しながら説明する。
【００２７】
図１は、本実施の形態の電子デバイスの製造に用いられる電子デバイス製造装置の構成例を示す図である。図１において、水タンク１１には純水が蓄えられおり、電気分解槽（電気分解装置）１２に水を供給する。水は電気分解槽１２によって電気分解されて水素ガス及び酸素ガスに分離される。分離された水素ガス及び酸素ガスはガスコントローラ１５に供給される。ガスコントローラ１５はコンピュータシステムと調圧弁、流量調整弁、各種センサ等によって構成されており、予め設定されたプログラムに従って下流のガスバーナー２２に供給する水素ガス及び酸素ガス（混合ガス）の供給量、供給圧力、両ガスの混合比等を調整する。
【００２８】
また、ガスコントローラ１５は図示しないガス貯蔵タンクから供給される、水素ガス（Ｈ2）、酸素ガス（Ｏ2）を更に前述の混合ガスに導入し、ガスバーナー２２に供給する。これにより、混合ガスの水素および酸素の混合比（混合比率）を水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成比（Ｈ2：Ｏ2＝２ｍｏｌ：１ｍｏｌ）からずらし、水素過剰（水素リッチ）あるいは酸素過剰（酸素リッチ）な混合ガスを得る。
【００２９】
また、ガスコントローラ１５は、図示しないガス貯蔵タンクから供給される、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ2）等の不活性ガスを更に上記混合ガスに導入することができる。これにより、ガスバーナー２２の火炎温度（燃焼温度）や火炎状態の制御を行っている。
【００３０】
上述した水タンク１１、電気分解槽１２およびガスコントローラ１５は燃料（原料）供給部を構成する。
【００３１】
ガスコントローラ１５の下流には閉空間を形成するチャンバー（処理室）２１が配置されている。チャンバー２１には、熱処理の火炎を発生するガスバーナー２２、処理対象の基板（半導体基板やガラス基板等）１００を載置してガスバーナー２２に対して相対的に移動可能とするステージ部５１等が配置されている。
【００３２】
チャンバー２１内の雰囲気は、これに限定されないが、例えば、内部圧力が大気圧〜０．５ＭＰａ程度、内部温度が室温〜１００℃程度に設定可能なよう構成されている。チャンバー２１内の気圧を所望状態に保つために、前述のアルゴンなどの不活性ガスをチャンバー２１内に導入することができる。
【００３３】
ステージ部５１はパーティクル防止のために基板を載置した台を一定速度で移動する機構が設けられている。また、急激な温度差等による基板１００のヒートショックを防止するため、基板１００の載置台に加熱（予熱）や冷却を行う機構が設けられており、外部の温度調節部５２によってこの温度制御がなされる。加熱には電気ヒーター機構、冷却には冷却ガスや冷却水を用いる冷却機構などが用いられる。
【００３４】
図２は、電子デバイス製造装置のガスバーナー部の構成例を示す平面図である。図２に示すように、図１の電子デバイス製造装置のガスバーナー２２はステージ部５１の幅（図示の上下方向）よりも大きい長手部材によって形成され、ステージ部５１の幅より広い幅の火炎を放射できる。ガスバーナー２２の長手方向と直交する方向（図中の矢印方向）にステージ部５１を移動することにより、あるいはガスバーナー２２を移動することによって、ガスバーナー２２が基板１００を走査するように構成されている。
【００３５】
図３は、電子デバイス製造装置のガスバーナー部の構成例を示す断面図である。図３に示すように、ガスバーナー２２は、混合ガスを燃焼室に導出するガスの出口穴が設けられた導気管２２ａ、導気管２２ａを囲む遮蔽器２２ｂ、遮蔽器２２ｂによって囲まれて混合ガスが燃焼する燃焼室２２ｃ、燃焼ガスが遮蔽器２２ｂから外方に出る出口となるノズル２２ｄ、導気管２２ａに設けられた混合ガスの流出口２２ｅなどによって構成されている。
【００３６】
ノズル２２ｄと基板１００とのギャップ（距離）を広く設定すると、燃焼ガスがノズルから放出される際に圧力が低下する。ノズル２２ｄと基板１００とのギャップをせまく設定する（しぼる）と、燃焼ガスの圧力低下が抑制され、圧力は高くなる。従って、ギャップを調整することによってガス圧力を調整することができる。加圧によって水蒸気アニール、水素リッチアニール、酸素リッチアニールなどを促進することができる。各種アニールは混合ガスの設定によって選択可能である。図中には、水蒸気（Ｈ2Ｏ蒸気）の噴出の様子を示す。
【００３７】
後述するように、混合ガスの流出口２２ｅを複数あるいは線状に形成することによって、ガスバーナー２２の燃焼室２２ｃの火炎（トーチ）形状を線状（長尺の火炎）、複数のトーチ状等にすることができる。ガスバーナー２２近傍の温度プロファイルは流出口２２ｅや遮蔽器２２ｂのノズル２２ｄ等の設計により、好ましくは、火炎の走査方向において矩形となるように設定される。
【００３８】
図４は、電子デバイス製造装置のガスバーナー部の第１構成例を示す図である。図４（Ａ）はガスバーナー２２の短手方向における断面図、図４（Ｂ）はガスバーナー２２の長手方向における部分断面図を示し、図４（Ｃ）はガスバーナー部を模式的に示した見取り図である。これらの図において、図３と対応する部分には同一符号を付している。
【００３９】
この例では、導気管２２ａを囲むように遮蔽器２２ｂが形成されている。遮蔽器２２ｂの下方がノズル２２ｄとなっており、導気管２２ａの下方（ノズル２２ｄ側）にガス流出口２２ｅが線状（長穴）に設けられている。なお、直線状のガス流出口２２ｅの各部位の流出量を同じにするために穴の幅を場所に応じて変えるようにしてもよい。
【００４０】
図５は、電子デバイス製造装置のガスバーナー部の第２構成例を示す図である。ガスバーナー２２の他の構成例を示している。図５（Ａ）はガスバーナー２２の短手方向における断面図、図５（Ｂ）はガスバーナー２２の長手方向における部分断面図を示している。両図において、図３と対応する部分には同一符号を付している。
【００４１】
この例では、導気管２２ａを囲むように遮蔽器２２ｂが形成されている。遮蔽器２２ｂの下方がノズル２２ｄとなっており、導気管２２ａの下方（ノズル２２ｄ側）に複数のガス流出口２２ｅが等間隔で設けられている。この構成では燃焼室のガス密度を一様とし、ノズル２２ｄから外部に流れるガス流量を均一にするために、導気管２２ａを例えば図示の左右方向に適宜移動可能なように構成されている。なお、導気管２２ａを固定とし、ガス流出口２２ｅの各部位の流出量を同じにするために、必要によりガス流出口２２ｅの間隔を場所に応じて変えるようにしてもよい。
【００４２】
図６は、電子デバイス製造装置のガスバーナー部の第３構成例を示す図である。図６（Ａ）はガスバーナー２２の短手方向における断面図、図６（Ｂ）はガスバーナー２２の長手方向における部分断面図を示している。両図において、図３と対応する部分には同一符号を付している。
【００４３】
この例でも、導気管２２ａを囲むように遮蔽器２２ｂが形成されている。遮蔽器２２ｂの下方がノズル２２ｄとなっており、導気管２２ａの側面に複数のガス流出口２２ｅが螺旋状に等間隔で設けられている。この構成では燃焼室のガス密度を一様とし、ノズル２２ｄから外部に流れるガス流量を均一にするために、導気管２２ａを図中の矢印のように回転可能に構成している。
【００４４】
図７は、ノズルの高さと流出ガスの圧力との関係を示す図である。図７（Ａ）に示すように、基板１００の表面からノズル２２ｄを離間させることによって流出燃焼ガスの圧力を下げることができる。また、図７（Ｂ）に示すように、基板１００の表面にノズル２２ｄを接近させることによって流出燃焼ガスの圧力を上げることができる。
【００４５】
図８は、ノズルの形状および角度と流出ガスの圧力との関係を示す図である。図８に示すように、ノズル２２ｄの形状や姿勢の調整（例えば、流出口の形状や基板に対する角度の調整）により流出ガス圧力を調整することができる。この例では、図８（Ａ）に示すように、ノズル２２ｄの流出口形状を片側に開放した形状としている。このため、ガスバーナー２２が直立した状態では流出燃焼ガスの圧力を下げることができる。また、図８（Ｂ）に示すように、ガスバーナー２２を回動あるいは傾斜させると、基板１００の表面にノズル２２ｄの流出口が接近して流出燃焼ガスの圧力を上げることができる。
【００４６】
図９は、ノズルと導気管との距離と流出ガスの圧力との関係を示す図である。図９に示すように、導気管２２ａと遮蔽器２２ｂとの相対的な位置関係を可変としてノズル２２ｄから流出する燃焼ガスの温度を調整することができる。例えば、導気管２２ａが遮蔽器２２ｂ内でノズル２２ｄに向かって進退可能である構造にして、燃焼室２２ｃを移動し、熱源とノズル２２ｄ間の距離を変えることが可能となる。また、熱源と基板間との距離の調整が可能となる。
【００４７】
従って、図９（Ａ）に示すように、導気管２２ａがノズル２２ｄに相対的に接近する場合にはノズル２２ｄから流出する燃焼ガスは相対的に高温になる。また、図９（Ｂ）に示すように、導気管２２ａがノズル２２ｄから相対的に離間する場合にはノズル２２ｄから流出する燃焼ガスは相対的に低温になる。
【００４８】
このような構造は、ガスバーナー２２と基板１００間のギャップを変えることなく、流出燃焼ガスの温度を調整することを可能とし、具合がよい。もちろん、ガスバーナー２２と基板間のギャップを変えて基板温度を調整してもよい。もちろん、ガスバーナー２２と基板間のギャップを変えて、更に、導気管２２ａと遮蔽器２２ｂとの相対的な位置関係を調整してガス温度を調整する構成とすることができる。また、ガスバーナー２２の基板に対する走査速度を変えることにより基板温度を調整することができる。
【００４９】
なお、図４〜図９に示したガスバーナーの構造は、これらを適宜に組み合わせることが可能である。
【００５０】
例えば、図７に示す構成と図９に示す構成とを組み合わせることができる。図７に示すガスバーナー２２全体を基板１００に対して接近あるいは離間する構成としてノズル２２ｄと基板１００間のギャップを調整可能とし、基板１００の温度（例えば、表面温度）を調節する。更に、図９に示したようにガスバーナー２２内の導気管２２ａをノズル２２ｄに向かって進退可能とすることによって基板１００の温度を微調節する。これによって、基板１００の温度を目標とする熱処理温度とすることがより容易となる。
【００５１】
また、図７と図８に示す構成を組み合わせることができる。ガスバーナー２２全体を基板１００に対して接近あるいは離間する構成としてノズル２２ｄと基板１００間のギャップを調整可能とし（図７参照）、基板１００の表面温度や火炎の圧力を調節する。更に、ガスバーナー２２全体の基板１００に対する姿勢を調整することによって基板１００の表面温度や火炎の圧力を調節する（図８参照）。
【００５２】
また、図７と図８と図９に示す構成を組み合わせることができる。ガスバーナー２２全体を基板１００に対して接近あるいは離間する構成としてノズル２２ｄと基板１００間のギャップを調整可能とし、基板１００の表面温度や火炎の圧力を粗調節する（図７参照）。更に、ガスバーナー２２全体の基板１００に対する姿勢を調整することによって基板１００表面の火炎の圧力を調節する（図８参照）。更に、ガスバーナー２２内の導気管２２ａをノズル２２ｄに向かって進退可能とすることによって基板１００の表面温度を微調節する（図９参照）。かかる構成により、より正確な熱処理が可能となる。
【００５３】
また、図示していないが、ガスバーナー２２の遮蔽板２２ｂを可動式として、ノズル２２ｄの開口（流出口、絞り）をガスバーナー２２の走査方向において広狭に変更可能とすることができる。それにより、ガスバーナー２２の走査方向における基板１００の被処理部部分の暴露時間、基板１００の熱処理の温度プロファイル、熱処理温度、火炎圧などを調整することが可能となる。
【００５４】
以上説明した電子デバイス製造装置においては、基板を横切るような長尺のガスバーナーを備えるので、窓ガラスのような大面積の基板の熱処理を行うことができる。また、燃料となる水素と酸素を水の電気分解によって得ることができるので、ガス材料の入手が容易でランニングコストが安価である。
【００５５】
また、熱処理工程において、水素と酸素の混合比及び供給量を適宜に設定することによって還元雰囲気（水素リッチ）あるいは酸化雰囲気（酸素リッチ）を容易に設定出来る。火炎温度の調整も容易である。更に、必要により不活性ガスを導入し、もしくは原料ガスの流量を調整して火炎状態（温度、ガス圧力など）を調整することができる。
【００５６】
また、ガスバーナーのノズル形状などを調整することによって所望の温度プロファイルを得ることが容易である。
【００５７】
２）電子デバイスの製造方法（透明電極への適用例）
次に、前述した電子デバイス製造装置を使用した電子デバイス（液晶表示装置）の製造方法について説明する。
【００５８】
まず、アクティブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置の構成について説明する。図１０は、アクティブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置の構成図であり、図１０（Ａ）に示すように、当該装置１０００は、液晶パネル１０２０とバックライト１０６０を有している。この装置１０００は、バックライト１０６０からの光を液晶パネル１０２０に透過させることにより画像を表示し得るものである。
【００５９】
液晶パネル１０２０は、互いに対向して配置された第１の基板１２２０と第２の基板１２３０とを有し、これらの基板の間には、表示領域を囲むようにシール材（図示せず）が設けられている。さらに、これらの基板およびシール材で囲まれる空間には、電気光学物質である液晶が充填され、液晶層１２４０を構成する。なお、図示は省略したが、この液晶層の上面および下面には、配向膜が設けられている。この配向膜により液晶層１２４０に充填された液晶分子の配向方向が規制される。
【００６０】
また、第１の基板１２２０と第２の基板１２３０は、透過性を有する絶縁性の材料（例えば、ガラス基板）より成り、第１の基板１２２０の上面（液晶層１２４０側）には、マトリックス状に配置された複数の画素電極１２２３と、Ｘ方向に延在する走査線１２２４と、Ｙ方向に延在する信号線１２２８とが設けられている。
【００６１】
各画素電極１２２３は、透明性（光透過性）を有する透明導電性膜により構成され、それぞれ一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔを介して、走査線１２２４および信号線１２２８に接続されている。
【００６２】
なお、本実施の形態では、第１の基板１２２０と、画素電極１２２３と、走査線１２２４と、信号線１２２８と、追って詳細に説明する薄膜トランジスタＴとにより、本発明の電子デバイス用基板が構成される。図１０（Ｂ）は、１の薄膜トランジスタＴおよび画素電極１２２３部の部分拡大平面図である。
【００６３】
次いで、本実施の形態の電子デバイス（液晶表示装置）の製造方法について図１１〜図１９を参照しながら説明する。なお、ここでは説明をわかりやすくするため、図１の薄膜トランジスタＴ部の断面を参照しながら説明する。図１１および図１２は、本実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ部の製造方法を示す工程断面図である。
【００６４】
まず、図１１（Ａ）に示すように、ガラス基板（石英基板、基板、透明基板、絶縁性基板）１００上に、下地保護膜（下地酸化膜、下地絶縁膜）１０１として例えば酸化シリコン膜を１００ｎｍ程度形成する。この酸化シリコン膜は、ＴＥＯＳ（tetra ethyl ortho silicate、テトラエトキシシラン）および酸素ガスなどを原料ガスとして、例えばプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学気相成長）法を用いて形成する。
【００６５】
次いで、下地保護膜（下地酸化膜、下地絶縁膜）１０１上に半導体膜として例えばシリコン膜１０２を形成する。このシリコン膜は、例えば、ＳｉＨ4（モノシラン）ガスを用いたＣＶＤ法で形成する。次いで、シリコン膜に熱処理を施し、シリコンを再結晶化し、多結晶シリコン膜（１０２）とする。
【００６６】
次に、シリコン膜１０２上に、図示しないフォトレジスト膜（以下、単に「レジスト膜」という）を形成し、露光および現像（フォトリソグラフィー）することにより、島状にレジスト膜（マスク膜、レジストマスク）を残存させる。次いで、かかるレジスト膜をマスクに、シリコン膜１０２をエッチングし、半導体素子領域（島状領域）を形成する。以下、このフォトリソグラフィー、エッチングおよび後述するレジスト膜の除去の処理をパターニングと言う。
【００６７】
次に、レジスト膜を例えばアッシング（灰化）処理により除去し、図１１（Ｂ）に示すように、シリコン膜１０２上に、ゲート絶縁膜１０３として例えば酸化シリコン膜を形成する。この酸化シリコン膜は、例えばＴＥＯＳおよび酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法を用いて形成する。
【００６８】
次いで、ゲート絶縁膜１０３上に、導電性膜１０４として例えばＡｌ（アルミニウム）等の金属材料を例えばスパッタ法により形成する。次に、導電性膜１０４を所望の形状にパターニングし、ゲート電極（ゲート電極配線）Ｇを形成する。導電性膜１０４としては、Ａｌの他、Ｔａ（タンタル）等の高融点金属を用いてもよい。
【００６９】
次いで、ゲート電極Ｇをマスクとしてシリコン膜１０２中に、不純物イオンを打ち込む（ドープする、注入する）ことにより、ソース、ドレイン領域１０４ａ、１０４ｂを形成する。なお、１０４ａ、１０４ｂのうち、いずれか一方がソース領域となり、他方がドレイン領域となる。また、不純物イオンは、ｎ型半導体層を形成する場合には、例えば、ＰＨ3（リン化水素、Phosphine）を、ｐ型半導体層を形成する場合には、例えば、Ｂ2Ｈ6（ジボラン）をイオン打ち込みする。
【００７０】
次いで、図１２（Ａ）に示すように、ゲート電極Ｇ上に、層間絶縁膜１０５を形成する。この層間絶縁膜１０５は、例えば、酸化シリコン膜より成り、ＴＥＯＳ膜やポリシラザン溶液の焼成により形成する。ポリシラザン溶液とは、ポリシラザンを有機溶媒に溶かしたものである。
【００７１】
次いで、図１２（Ｂ）に示すように、層間絶縁膜１０５をパターニングすることにより、ソース、ドレイン領域１０４ａ、１０４ｂ上にコンタクトホールを形成する。
【００７２】
次いで、このコンタクトホールの内部を含む層間絶縁膜１０５上に、透明導電性膜（金属酸化膜）１０６として例えばＩＴＯを前述したゾルゲル法で形成する。即ち、金属化合物の溶液を基板に塗布し、塗布膜を乾燥させ、前駆体を形成した後、熱処理（焼成）を施すことにより、金属化合物の加水分解や重縮合反応（脱水縮合）を促進し、金属酸化膜を形成する。この透明導電性膜（金属酸化膜）１０６は、ソース、ドレイン電極（ソース、ドレイン引き出し電極、引き出し配線）１０６ａ、１０６ｂとなる。例えば、図１０（Ｂ）の画素電極１２２３と接続される。
【００７３】
金属化合物の溶液には、金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液が挙げられる。金属アルコキシド化合物は、例えばＭ（ＲＯ）4で表せ、Ｍは金属元素、Ｒはアルコキシド基である。アルコキシド（基）とは、水と反応してアルコール（基）になる材料の総称である。
【００７４】
図１３に、金属アルコキシド化合物の加水分解の反応機構の一例を示す。図１３（Ａ）に示すように、Ｍ（ＲＯ）4のアルコキシド基Ｒが水と反応して、ＲＯＨ（アルコール）となり、金属の水酸化物が形成される（図１３（Ｂ））。次いで、加熱等により脱水し、縮合が進み（図１３（Ｃ））、金属酸化物（ＭｘＯｙ）が形成される（図１３（Ｄ））。なお、ここでは、１種類の金属アルコキシド（Ｍ（ＲＯ）4）の反応として説明したが、Ｍ１（Ｒ１Ｏ）4と、Ｍ２（Ｒ２Ｏ）4を原料とし、金属Ｍ１およびＭ２の酸化物（Ｍ１ｘＭ２ｙＯｚ）を形成する場合や、３種以上の金属酸化物を形成する場合も同様の機構で反応が進む。また、ここでは、アルコキシド基の配位数を４としたが、他の配位数の場合もある。
【００７５】
例えば、炉内（処理室）に水蒸気を導入しつつ熱処理を施すことにより前述の加水分解や重縮合反応を行っても、膜中に未反応の水酸基やアルコキシド基が残存し、膜の劣化をもたらすと考えられる。また、加熱（乾燥、焼成）時間が長いため、膜の中間部や底部での反応が、膜の表面の反応より後に起こることにより、脱ガスが徐々に起こり、膜がポーラス状になったり、また、クラックが発生したりすると考えられる。また、膜中の未反応の水酸基やアルコキシド基による脱ガスは、成膜工程以降の熱処理工程の際にも生じ得る。その結果、かかる脱ガスによる処理室や電子デバイスの各構成部に対する汚染が生じ得る。
【００７６】
そこで、本実施の形態においては、ゾルゲル法により形成される透明導電性膜（透過率の高い導電性膜）１０６の膜質を改善し、以降の工程の脱ガス汚染を低減すべく、以下の方法で透明導電性膜１０６（例えばＩＴＯ）を形成した。
【００７７】
図１４は、透明導電性膜１０６の形成方法を示す工程断面図である。図１４（Ａ）に示すように、コンタクトホール内を含む層間絶縁膜１０５上に金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液をスピンコート法で塗布し、金属アルコキシド塗布膜１０６ｃを形成する。スピンコートの条件は、例えば２０００ｒｐｍで１０秒程度である。なお、インクジェット法を用いて金属アルコキシド溶液を塗布してもよい。
【００７８】
次いで、基板を図示しない載置台（ホットプレート）に搭載し、基板上面温度が上記溶液の溶媒の沸点温度以下の温度（例えば１００℃）となるようプレート温度を制御し、１分程度加熱することにより、金属アルコキシド塗布膜１０６ｃを乾燥（溶媒を揮発）させる。次いで、基板上面温度が約３００℃となるようプレート温度を制御し、１０分程度加熱（仮焼成、中間焼成、第１焼成）する。なお、１回の塗布量は、膜厚換算で１０００Å以下が望ましい。従って、１０００Å以上の膜を形成する場合には、塗布、乾燥および仮焼成を複数回繰り返すことが望ましい。
【００７９】
次いで、図１４（Ｂ）に示すように、基板１００を図１のステージ部５１に搭載し、ガスバーナー２２を基板１００上に走査することによって熱処理（火炎アニール、最終焼成、第２焼成）を施し、金属アルコキシド塗布膜１０６ｃを焼成するとともに、形成される透明導電性膜１０６の改質を行う。火炎アニール条件は、例えば、基板上面温度が５００〜８００℃程度、５分以下である。基板上面温度は、例えばガスバーナー２２の走査速度によって調整する。ここでは、例えば、２ｍ／secのスピードで走査する。また、ガスバーナー２２へ供給される水素ガス（Ｈ2）、酸素ガス（Ｏ2）の比率は、例えば、水（Ｈ2Ｏ）の化学量論組成である２ｍｏｌ：１ｍｏｌとする。
【００８０】
このように、本実施の形態によれば、金属アルコキシド塗布膜に火炎アニール処理を施したので、当該膜の焼成を短時間で行うとともに、膜の改質を行うことができ、膜中の未反応部の低減を図ることができる。また、前述した気相プロセスによる成膜と比較し、製造コストを低くでき、成膜効率（スループット、生産性）を向上させることができる。
【００８１】
即ち、通常の炉での熱処理の場合には、炉内の温度を４５０〜５００℃程度に設定しても３０分程度の焼成が必要であるのに対し、本実施の形態においては、数十秒から数分単位（３０分以下）で処理を終了させることができる。
【００８２】
次いで、膜の特性が向上する理由について説明する。図１５および図１６は、本実施の形態の金属アルコキシド塗布膜の加水分解の様子を模式的に示した反応機構図である。
【００８３】
図１５（Ａ）に示すように、下層の無機材料表面（層間絶縁膜１０５）に、水酸基が配位し、この水酸基（ＯＨ）とアルコキシド基（Ｒ）からＲＯＨ（アルコール）が脱し、無機材料表面に金属アルコキシド化合物が定着する（図１５（Ｂ））。さらに、定着した金属アルコキシド化合物同士からも脱ＲＯＲ反応（脱水反応、脱ＲＯＨ反応等）が進む。このような反応は、塗布、乾燥および第１焼成の間に行われる。なお、ここでは脱ＲＯＲ反応として説明したが、図１３を参照しながら説明した脱水反応や脱ＲＯＨ反応も起こる。
【００８４】
このような重縮合反応（脱ＲＯＲ反応、脱水反応、脱ＲＯＨ反応等）が進んだ状態においても、図１６（Ａ）に示すように、未反応の水酸基やアルコキシド基が存在する。そこで、上述の火炎アニールを施すと、未反応のこれらの基から重縮合反応が促進され、良好な透明導電性膜（金属酸化膜）が得られる（図１６（Ｂ））。
【００８５】
即ち、発明者の検討によれば、火炎中もしくは火炎の周囲には、原料ガス（Ｏ2、Ｈ2）や燃焼による生成物であるＨ2Ｏ（水蒸気）の他、酸素ラジカル（Ｏ*）、水酸基ラジカル（ＯＨ*）等が存在すると考えられる。これらのラジカルは、例えば、火炎の熱エネルギーにより原料ガスや水蒸気が分解したもの、もしくは反応中間物のラジカル化等により発生すると考えられる。
【００８６】
このようなラジカルは、反応活性種であり、金属アルコキシド化合物の重縮合反応を促進させる。また、このようなラジカルは、Ｏ2、Ｈ2Ｏより、分子サイズが小さく、膜中に拡散しやすい。よって、反応が膜の中心部や底部でも促進されるものと考えられる。その結果、未反応部が低減し、透明導電性膜（金属酸化膜）の膜質が向上すると考えられる。なお、これらのラジカルの膜中への拡散のし易さは、前述した処理時間の短縮にも寄与しているものと考えられる。また、ラジカルは、励起不安定物質であるためその反応速度も速く、処理時間の短縮に寄与する。
【００８７】
なお、膜の焼成と改質は並行して進むと思われるため、これらの処理を明確に分けることは困難であるが、焼成に十分な火炎アニールを行った後、さらに、改質のための火炎アニールを施してもよい。
【００８８】
なお、本実施の形態においては、前述した通り乾燥、第１焼成および第２焼成からなる熱処理の内、第２焼成を火炎アニール処理としたが、他の乾燥や第１焼成も火炎アニール処理としてもよい。この際、ガスバーナー２２へ供給される水素ガス（Ｈ2）、酸素ガス（Ｏ2）の流量や比率を以下に示すように調整してもよい。図１７および図１８は、本実施の形態の金属アルコキシド塗布膜の加水分解において反応種の関与の様子を模式的に示した反応機構図である。
【００８９】
金属アルコキシド化合物から金属酸化膜への変化の様子は、図１５および図１６と同じであるためその説明を省略する。図１７（Ａ）に示すように、乾燥ステップでの火炎アニールに際しては、加水分解に直接的に寄与する水蒸気（Ｈ2Ｏ）や水酸基ラジカル（ＯＨ*）がリッチな状態で処理することが望ましい。
【００９０】
例えば、Ｈ2Ｏリッチとするには、後述する第１焼成や第２焼成よりも水素ガス（Ｈ2）、酸素ガス（Ｏ2）の流量を多くする、もしくは、ガスバーナー２２に別途直接水蒸気を供給するなどの方法が挙げられる。
【００９１】
また、水酸基ラジカルは、上記Ｈ2Ｏリッチの条件によっても、増加すると考えられるが、さらに、水素ガス（Ｈ2）、酸素ガス（Ｏ2）の比率を、水の化学量論組成である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより酸素の組成比（割合、比率）を大きく（酸素リッチに）しても、水酸基ラジカルが増加すると考えられる。なお、供給ガス種を変える、もしくは、外部から火炎に対して励起エネルギーを与える等、他の方法で水酸基ラジカル（ＯＨ*）をリッチにすることも考えられる。
【００９２】
次いで、第１焼成ステップの火炎アニールを行う。この場合は、水素ガス（Ｈ2）、酸素ガス（Ｏ2）の流量を下げ、もしくは、水蒸気の供給を停止する。また、水素ガス（Ｈ2）、酸素ガス（Ｏ2）の比率を、水の化学量論組成である２ｍｏｌ：１ｍｏｌに戻す。即ち、通常の火炎アニールを施す。なお、この第１焼成ステップの火炎アニールを省略してもよい。
【００９３】
次いで、第２焼成ステップの火炎アニールにおいては、図１８に示すように、重縮合反応や酸化反応に直接的に寄与すると考えられる酸素（Ｏ2）や酸素ラジカル（Ｏ2*、Ｏ*）がリッチな状態で処理することが望ましいと考えられる。
【００９４】
例えば、酸素（Ｏ2）や酸素ラジカル（Ｏ2*、Ｏ*）をリッチとするには、水素ガス（Ｈ2）、酸素ガス（Ｏ2）の比率を、水の化学量論組成である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより酸素の組成比を大きくする方法が挙げられる。また、他の方法で酸素ラジカル（Ｏ2*、Ｏ*）をリッチとしてもよい。
【００９５】
なお、このように乾燥、第１焼成および第２焼成の各ステップを火炎アニールで行う場合には、一連の処理として行うことができる。即ち、火炎アニール処理の初期（第１期）においては、水蒸気（Ｈ2Ｏ）や水酸基ラジカルがリッチな状態となるよう、ガスバーナー２２へ供給される各種ガスを調整し、中期（第２期）においては、通常の条件に戻し、後期（第３期）においては、酸素（Ｏ2）や酸素ラジカル（Ｏ2*、Ｏ*）がリッチな状態となるよう、ガスバーナー２２へ供給される各種ガスを調整する。なお、中期を省略してもよい。
【００９６】
このように、本実施の形態においては、金属アルコキシド塗布膜の熱処理（乾燥、第１、第２焼成）に際し、加水分解や重縮合反応の反応種の関与を考慮して、ガスバーナー２２へ供給される各種ガスを調整したので、反応がさらに促進され、膜の改質を行うことができ、膜中の未反応部の低減を図ることができる。その結果、装置特性の向上を図ることができる。
【００９７】
また、前述の一連の火炎アニール処理が終了した後（第３期以降）に、第４期の処理として水素（Ｈ2）や水素ラジカル（Ｈ2*、Ｈ*）がリッチな状態となるよう、ガスバーナー２２へ供給される各種ガスを調整する。
【００９８】
例えば、水素（Ｈ2）や水素ラジカル（Ｈ2*、Ｈ*）をリッチとするには、水素ガス（Ｈ2）、酸素ガス（Ｏ2）の比率を、水の化学量論組成である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより水素の組成比を大きくする方法が挙げられる。他の方法で水素ラジカル（Ｈ2*、Ｈ*）をリッチとしてもよい。
【００９９】
かかる処理を行うことによって、透明導電性膜（金属酸化物）の導電率が良くなる（抵抗値が下がる）。図１９は、水素等がリッチな状態で処理を行った場合の透明導電性膜の低抵抗化の様子を示す模式図である。図１９（Ａ）に示すように、透明導電性膜のキャリア密度は、例えばＩＴＯの場合には、４価のＳｎによるキャリアの生成の他に、酸素空孔（酸素欠陥）によるキャリアの生成も関与する。従って、膜質を維持しながらも酸素空孔が多い方が、抵抗が低い。
【０１００】
そこで、図１９（Ｂ）に示すように、水素（Ｈ2）や水素ラジカル（Ｈ2*、Ｈ*）をリッチとした火炎アニールにより、酸素を引き抜き（図１９（Ｃ））、キャリア密度を増加させ、低抵抗化を図るのである。
【０１０１】
なお、金属アルコキシド化合物、有機溶剤および形成される透明導電性膜（金属酸化物）としてＩＴＯを形成する場合の金属アルコキシド化合物としては、トリメトキシインジウム（Ｉｎ（ＯＣＨ3）3）、トリエトキシインジウム（Ｉｎ（ＯＣ2Ｈ5）3）、トリ-ｉ-プロポキシインジウム（Ｉｎ（Ｏ−Ｉ−Ｃ3Ｈ7）3、メトキシエトキシインジウム（Ｉｎ（ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3）3等が挙げられる。この他、前述のゾルゲル法により透明導電性膜１０６（ＩＴＯ、ＴＯ，ＦＴＯ、ＡＺＯ等）を形成することができる。
【０１０２】
次いで、以上の工程で形成された透明導電性膜１０６をパターニングすることにより、ソース、ドレイン電極（ソース、ドレイン引き出し電極、引き出し配線）１０６ａ、１０６ｂを形成する（図１２（Ｂ）参照）。なお、１０６ａ、１０６ｂのうち、いずれか一方がソース電極となり、他方がドレイン電極となる。また、ソース、ドレイン電極１０６ｂを延在させ画素電極１２２３としてもよい（図１０（Ｂ）参照）。
【０１０３】
また、画素電極（透明電極）１２２３単体を本発明の方法で形成してもよい。例えば、画素電極（透明電極）１２２３を本発明を用いて形成する場合、ソース、ドレイン電極１０６ｂ上に例えば層間絶縁膜を介して前述したように金属アルコキシド化合物を塗布し、火炎アニール処理を施し、透明導電性膜（金属酸化物）として例えばＩＴＯを形成する。その後、所望の形状にパターニングし、画素電極（透明電極）１２２３とする。なお、あらかじめソース、ドレイン電極１０６ｂより下層に透明導電性膜（金属酸化物）として例えばＩＴＯを形成した後、ソース、ドレイン電極１０６ｂ形成の際に、これらを接続してもよい。また、当該画素電極１２２３と対向する電極（例えば第２の基板１２３０表面に形成される電極）に本発明を適用してもよい。この場合、基板上に、金属アルコキシド化合物を塗布し、火炎アニール処理を施し、透明導電性膜（金属酸化物）として例えばＩＴＯを形成する。その後、必要に応じてパターニングし、電極（透明電極）とする。
【０１０４】
なお、これらの電極は、透過性を有する必要があり、本発明の透明導電性膜（金属酸化物）を用いて好適である。
【０１０５】
以上の工程によって、ＴＦＴ（第１の基板側）がほぼ完成する。次いで、別途形成された第２の基板と、第１の基板とを貼り合わせ、液晶を注入することにより、液晶表示装置が略完成する（図１０（Ａ）参照）。
【０１０６】
なお、本実施の形態においては、有機金属化合物として、金属アルコキシド化合物（形成する金属酸化物を構成する金属のメトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキシド等）を用いたが、この他、対象金属のアセテート化合物を用いてもよい。
【０１０７】
また、本実施の形態においては、透明導電性膜を用いる電子デバイスとしてＴＦＴや画素電極を例に説明したが、かかる部位に限定されることはなく、透明導電性膜を用いる装置に広く適用可能である。
【０１０８】
また、本発明は、ゾルゲル法の他、ＭＯＤ（metal organic deconposition）法による金属酸化物の形成にも適用可能である。ＭＯＤ法は、ゾルゲル法と同様に金属化合物の有機溶媒溶液を塗布して熱処理を施すことにより金属酸化物を形成する方法であるが、その主たる反応が熱分解であることがゾルゲル法と異なる。しかしながら、本発明の火炎アニールにより発生するラジカル等は、かかる熱分解も促進させると考えられる。従って、ＭＯＤ法の熱処理に本発明の火炎アニールを用いることにより、熱分解が促進され、形成される膜の熱処理（焼成）を短時間で行うとともに、膜中の未反応部の低減を図ることができ、膜の改質を行うことができる。
【０１０９】
このように、本発明は、金属化合物の有機溶媒溶液を用いた成膜方法に広く適用可能である。
＜電気光学装置および電子機器の説明＞
次に、前述の実施の形態で説明した方法で形成される電子デバイス（液晶表示装置）が使用される電気光学装置や電子機器について説明する。
【０１１０】
前述の電子デバイス（例えばＴＦＴのような半導体装置）は、例えば、電気光学装置（表示装置）の駆動素子として用いられる。図２０に、本発明の電気光学装置を用いた電子機器の例を示す。図２０（Ａ）は携帯電話への適用例であり、図２０（Ｂ）は、ビデオカメラへの適用例である。また、図２０（Ｃ）は、テレビジョンへ（ＴＶ）の適用例であり、図２０（Ｄ）は、ロールアップ式テレビジョンへの適用例である。
【０１１１】
図２０（Ａ）に示すように、携帯電話５３０には、アンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４および電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明の電気光学装置を使用することができる。
【０１１２】
図２０（Ｂ）に示すように、ビデオカメラ５４０には、受像部５４１、操作部５４２、音声入力部５４３および電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明の電気光学装置を使用することができる。
【０１１３】
図２０（Ｃ）に示すように、テレビジョン５５０は、電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明の電気光学装置を使用することができる。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置（電気光学装置）にも本発明の電気光学装置を使用することができる。
【０１１４】
図２０（Ｄ）に示すように、ロールアップ式テレビジョン５６０は、電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明の電気光学装置を使用することができる。
【０１１５】
なお、電気光学装置を有する電子機器には、上記の他、大型スクリーン、パーソナルコンピュータ、携帯型情報機器（いわゆるＰＤＡ、電子手帳）等、さらには、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイなど、各種のものが含まれる。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】実施の形態１の電子デバイスの製造に用いられる電子デバイス製造装置の構成例を示す図
【図２】電子デバイス製造装置のガスバーナー部の構成例を示す平面図
【図３】電子デバイス製造装置のガスバーナー部の構成例を示す断面図
【図４】電子デバイス製造装置のガスバーナー部の第１構成例を示す図
【図５】電子デバイス製造装置のガスバーナー部の第２構成例を示す図
【図６】電子デバイス製造装置のガスバーナー部の第３構成例を示す図
【図７】ノズルの高さと流出ガスの圧力との関係を示す図
【図８】ノズルの形状および角度と流出ガスの圧力との関係を示す図
【図９】ノズルと導気管との距離と基板温度との関係を示す図
【図１０】アクティブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置の構成図
【図１１】本実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ部の製造方法を示す工程断面図
【図１２】本実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ部の製造方法を示す工程断面図
【図１３】金属アルコキシド化合物の加水分解の反応機構の一例を示す図
【図１４】透明導電性膜１０６の形成方法を示す工程断面図
【図１５】本実施の形態の金属アルコキシド塗布膜の加水分解の様子を模式的に示した反応機構図
【図１６】本実施の形態の金属アルコキシド塗布膜の加水分解の様子を模式的に示した反応機構図
【図１７】本実施の形態の金属アルコキシド塗布膜の加水分解において反応種の関与の様子を模式的に示した反応機構図
【図１８】本実施の形態の金属アルコキシド塗布膜の加水分解において反応種の関与の様子を模式的に示した反応機構図
【図１９】水素等がリッチな状態で処理を行った場合の透明導電性膜の低抵抗化の様子を示す模式図
【図２０】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の例を示す図
【符号の説明】
【０１１７】
１１…水タンク、１２…電気分解槽、１５…ガスコントローラ、２１…チャンバー（処理室）、２２…ガスバーナー、２２ａ…導気管、２２ｂ…遮蔽器、２２ｃ…燃焼室、２２ｄ…ノズル、２２ｅ…流出口、５１…ステージ部、１００…ガラス基板（基板）、１０１…下地保護膜、１０２…シリコン膜、１０３…ゲート絶縁膜、１０４…導電性膜、１０４ａ、１０４ｂ…ソース、ドレイン領域、１０５…層間絶縁膜、１０６ｃ…ポリシラザン塗布膜、１０６…導電性膜、１０６ａ、１０６ｂ…ソース、ドレイン電極、５００…電気光学装置、５３０…携帯電話、５３１…アンテナ部、５３２…音声出力部、５３３…音声入力部、５３４…操作部、５４０…ビデオカメラ、５４１…受像部、５４２…操作部、５４３…音声入力部、５５０…テレビジョン、５６０…ロールアップ式テレビジョン、１０００…透過型液晶表示装置、１０２０…液晶パネル、１０６０…バックライト、１２２０…第１の基板、１２２３…画素電極、１２２４…走査線、１２２８…信号線１２２８、１２３０…第２の基板、１２４０…液晶層、Ｇ…ゲート電極、Ｔ…薄膜トランジスタ
【図１】
2007141892.tif 000003
【図２】
2007141892.tif 000004
【図３】
2007141892.tif 000005
【図４】
2007141892.tif 000006
【図５】
2007141892.tif 000007
【図６】
2007141892.tif 000008
【図７】
2007141892.tif 000009
【図８】
2007141892.tif 000010
【図９】
2007141892.tif 000011
【図１０】
2007141892.tif 000012
【図１１】
2007141892.tif 000013
【図１２】
2007141892.tif 000014
【図１３】
2007141892.tif 000015
【図１４】
2007141892.tif 000016
【図１５】
2007141892.tif 000017
【図１６】
2007141892.tif 000018
【図１７】
2007141892.tif 000019
【図１８】
2007141892.tif 000020
【図１９】
2007141892.tif 000021
【図２０】
2007141892.tif 000022