(57)【要約】      （修正有）【課題】外光の反射率が抑制され、且つ、他の積層フィルムとの密着性が向上された電磁波遮蔽シートを提供する。【解決手段】透明基材１１の一方の面に、少なくともメッシュ状の導電体層１２を設けてなる電磁波遮蔽シートであって、当該導電体層１２は金属メッキ層１４を含み、当該金属メッキ層１４において、透明基材１１と反対側表面の結晶粒径が、厚み方向ｘに対峙する透明基材１１側表面の結晶粒径に比べて増大していることを特徴とする電磁波遮蔽シートである。【選択図】図４
2007227532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材の一方の面に、少なくともメッシュ状の導電体層を設けてなる電磁波遮蔽シートであって、当該導電体層は金属メッキ層を含み、当該金属メッキ層において、透明基材と反対側表面の結晶粒径が、厚み方向に対峙する透明基材側表面の結晶粒径に比べて増大していることを特徴とする電磁波遮蔽シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＲＴ、ＰＤＰなどのディスプレイから発生する電磁波を遮蔽（シールド）する電磁波遮蔽シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気電子機器の機能高度化と増加利用に伴い、電磁気的なノイズ妨害（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ；ＥＭＩ）が増え、陰極線管（ＣＲＴという）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰという）などのディスプレイでも電磁波が発生する。プラズマディスプレイパネルは、データ電極と蛍光層を有するガラスと透明電極を有するガラスとの組合体であり、作動すると電磁波、近赤外線、及び熱が大量に発生する。通常、電磁波を遮蔽するためにプラズマディスプレイパネルの前面に、電磁波遮蔽シートを含む前面板を設ける。ディスプレイ前面から発生する電磁波の遮蔽性は、３０ＭＨｚ〜１ＧＨｚにおいて３０ｄＢ以上の機能が必要である。尚、本明細書中に於いて、単に電磁波と言った場合は、周波数が上記範囲を中心とするｋＨｚ〜ＧＨｚ帯の電磁波のことを言い、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線等は含まないものとする（例えば、赤外線帯域の周波数の電磁波は赤外線と呼称する）。
【０００３】
この様な用途に用いる電磁波遮蔽シートは、電磁波シールド性能と共に光透過性も要求される。従って、電磁波遮蔽シートとしては、透明基材の全面に透明導電性のＩＴＯ（酸化スズインジウム）膜を設けたもの（特許文献１等）や、樹脂フィルムからなる透明基材に接着剤で貼り合わせた銅箔等の金属箔をエッチングしてメッシュ状としたもの等が知られている（特許文献２等）。
但し、ＩＴＯの透明導電性膜を用いたものは、高い光透過性と高い電磁波遮蔽性との両立が難しいという問題があった。また、透明基材上に金属箔を接着してメッシュ状にエッチングしたものは、開口部に露出した接着剤表面に金属箔から転写された粗面を生じ、透過画像が白濁するという問題、及びメッシュ面に接着剤層を介して赤外線吸収フィルタ等他の基材を積層する場合、開口部内に接着剤が充填しきらず、気泡残留を生じ、これが更に白濁を生じるという問題があった。
【０００４】
これを解決すべく、透明基材上に、接着剤層を介することなく直接、導電層となる金属層を、メッキ法により形成することも試みられている。例えば、（１）透明基材の上に導電インキをパターン状に印刷し、該パターン状導電インキ層の上へ金属メッキする方法（特許文献３等）、（２）透明基材の上に導電インキ又は化学メッキ触媒含有感光性塗布液を全面に塗布し、該塗布層をフォトリソグラフィー法でメッシュ状とした後に、該メッシュの上へ金属メッキする方法（非特許文献１等）、（３）透明基材の上に導電処理層を施し、その上に電解メッキにより金属メッキ層を形成した後、金属メッキ層及び導電処理層をフォトリソグラフィー法でメッシュ状とする方法（特許文献４）などが知られている。導電層となる金属層をメッキ法により形成する場合には、接着剤で貼り合わせた金属箔を導電層とする場合に比べて、反りが発生し難く、メッシュ開口部の接着剤表面に転写された金属箔の粗さに起因する透明性の悪化がなく、薄膜とすることが可能で、後述のように光学フィルタとメッシュ部分の接着時にメッシュ開口部内に気泡が混入し難くなるというメリットがある。
【０００５】
また、ディスプレイの前面に配置する前面板には、電磁波遮蔽機能以外に、ディスプレイから放射する不要な光（例えばＰＤＰではネオン発光による波長５９０ｎｍ付近の光）を遮断し画像の色相調整を行い色再現性を向上させる機能、外光の不要な反射を抑える機能、ディスプレイからの不要な赤外線放射を抑え赤外線利用機器の誤動作を防ぐ機能等が求められることがある。そこで実際の前面板としては、電磁波遮蔽シートに、他のフィルタ機能を有する光学フィルタ、例えば、色補正フィルタ、反射防止フィルタ、近赤外線吸収フィルタ等と積層一体化して複合フィルタとしたものが使用されることが多い（例えば、特許文献５）。
【０００６】
【特許文献１】特開平１−２７８８００号公報
【特許文献２】特開平１０−４１６８２号公報
【特許文献３】特開２０００−１３０８８号公報
【特許文献４】特開２００４−２４１７６１号公報
【特許文献５】特開２００３−８６９９１号公報
【非特許文献１】住友大阪セメント株式会社新材料事業部新規材料研究所新材料研究グループ、“光解像性化学メッキ触媒”、［ｏｎｌｉｎｅ］、掲載年月日記載なし、住友大阪セメント株式会社、［平成１５年１月７日検索］、インターネット〈ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｏｃｎｂ．ｃｏｍ／ｐｒｏｄｕｃｔ／ｈｐｒｏｄｕｃｔ／ｄｉｓｐｌａｙ．ｈｔｍｌ〉
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
導電体層を、上記のようにメッキ法により形成する場合には上述のようなメリットを有するが、一方で通常、金属メッキ層表面の光沢が高くなり、外光を鏡面反射し、反射する金属光沢が透視画像の明室コントラストを低下させるという問題があった。またこの場合、通常、表面の平滑性が高く、金属メッキ層表面に接着剤層を介して他の層を積層する場合の接着力が不充分な場合があった。これらは、金属メッキ層の結晶粒径が小さいことによるものであると考えられた。
しかしながら、金属メッキ層表面の結晶粒径を所望以上に大きくしようと、例えば電解メッキの場合、大電流密度を必要とするため、透明基材や、メッキするための薄膜の下地層、或いは析出し始めた薄膜メッキ層等がジュール熱で発熱して、溶解又は変質するという問題があった。
【０００８】
本発明は以上のような問題点を考慮してなされたものであり、外光の反射率が抑制され、且つ、他の積層フィルムとの密着性が向上された電磁波遮蔽シートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明により提供される電磁波遮蔽シートは、透明基材の一方の面に、少なくともメッシュ状の導電体層を設けてなる電磁波遮蔽シートであって、当該導電体層は金属メッキ層を含み、当該金属メッキ層において、透明基材と反対側表面の結晶粒径が、厚み方向に対峙する透明基材側表面の結晶粒径に比べて増大していることを特徴とするものである。
本発明に係る電磁波遮蔽シートは、当該金属メッキ層において、透明基材と反対側表面の結晶粒径が、厚み方向に対峙する透明基材側表面の結晶粒径に比べて増大していることによって、透明基材と導電体層の界面形成時には結晶粒径を小さくすることにより界面を溶解・変質させることなく、導電体層表面側においては、結晶粒径の大きな金属メッキ層とすることができるため、導電体層表面の粗さや凹凸が大きくなり、外光の反射率が抑制され、且つ、投錨効果により他の積層フィルムとの密着性が向上したものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る電磁波遮蔽シートは、当該金属メッキ層において、透明基材と反対側表面の結晶粒径が、厚み方向に対峙する透明基材側表面の結晶粒径に比べて増大していることによって、透明基材と導電体層の界面形成時には結晶粒径を小さくすることにより界面を溶解・変質させることなく、導電体層表面側においては、結晶粒径の大きな金属メッキ層とすることができるため、導電体層表面の粗さや凹凸が大きくなり、外光の反射率が抑制され、且つ、他の積層フィルムとの密着性が向上したものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明により提供される電磁波遮蔽シートは、透明基材の一方の面に、少なくともメッシュ状の導電体層を設けてなる電磁波遮蔽シートであって、当該導電体層は金属メッキ層を含み、当該金属メッキ層において、透明基材と反対側表面の結晶粒径が、厚み方向に対峙する透明基材側表面の結晶粒径に比べて増大していることを特徴とするものである。
ここで、本発明において結晶粒径とは、平均結晶粒径であり、例えば、金属メッキ層の特定の表面上の、或いは金属メッキ層の厚み方向の特定位置の透明基材に平行な面上の結晶粒を顕微鏡下で観察して計測した個々の結晶粒径を平均することによって、測定したものである。（厚み方向のある位置ｘの透明基材に平行な平面上に存在する結晶粒径Ｄ（ｘ）を該平面内において平均した平均値{Ｄ（ｘ）}）従って、本発明においては、金属メッキ層における透明基材と反対側表面の平均結晶粒径が、当該箇所の厚み方向に対峙する透明基材側表面の箇所における平均結晶粒径に比べて増大している。厚み方向ｘの関数{Ｄ（ｘ）}としては、透明基材表面をｘ＝０、金属メッキ層成長方向をｘ＞０とした場合、増加関数となる。当該増加関数としては、狭義又は広義の単調増加関数、傾きが０の領域を含む１段または多段の階段関数を含む。
【００１２】
本発明に係る電磁波遮蔽シートの一例を図１に示す。図１（Ａ）は、本発明に用いられる電磁波遮蔽シートの一例の平面図であり、図１（Ｂ）は、本発明に用いられる電磁波遮蔽シートの一例の断面図である。
図１（Ａ）に示すように、本発明の電磁波遮蔽用シート１は、平面方向においては、適用されるディスプレイの画像表示領域を全て覆うことが可能なメッシュ状領域１０１と、当該メッシュ状領域の周囲の少なくとも一部に接地用領域１０２を有する導電体層１２が形成されている。
メッシュ状領域１０１は、適用されるディスプレイの画像表示領域を全て覆うことが可能な寸法及び形状を有し、適用されるディスプレイの画像表示領域に対峙する部分３０が必ず含まれる。当該ディスプレイの画像表示領域に対峙する部分３０の外の領域となる外縁部は、メッシュ状領域１０１が含まれても良いし、接地用領域１０２のみからなっても良い。接地用領域１０２は、通常、メッシュ状領域１０１と同じ層構成を有しながら開口部を形成しないものであり、ディスプレイへ設置した場合にアースをとり易いために設けられる。なお、接地用領域１０２は、開口部が形成されたメッシュ状であっても良い。接地用領域１０２は、通常四角形のディスプレイの画像表示領域に対峙する部分３０の外の領域となる外縁部である画像表示に影響しない部分に、四辺周囲の額縁状に設けられることが多いが、メッシュ状領域１０１の全周囲でなくても、周囲の一部に設ける形態でもよく、三辺、二辺、或いは一辺のみに設ける形態でも良い。
【００１３】
また、図１（Ｂ）に示すように、本発明の電磁波遮蔽用シート１は、厚み方向においては、透明基材１１の一方の面に、メッシュ状領域１０１と接地用領域１０２を有する導電体層１２が少なくとも積層されて形成されている。図１（Ｂ）の例においては、導電体層１２は、金属メッキ層１４に加えて、下地層となる導電処理層１３を含んでいる。この例での導電体層１２は、下地層である導電処理層１３と、導電体層の主たる部位である金属メッキ層１４とを有する。導電体層１２は、メッシュ状金属メッキ層のみからなるものであってもよいし、導電処理層１３以外の他の層を含んでいても良い。本発明の電磁波遮蔽用シートは、導電体層の表裏面上に、導電性を有しない層が更に積層されて形成されていても良い。当該導電性を有しない層としては、例えば、導電性を有しない防錆層や黒化層等が挙げられる。防錆層や黒化層等であっても、導電性を有する限り、本発明において導電体層に含まれる。導電体層の表裏面上に更に積層された導電性を有しない層は、導電体層と一体となって、メッシュ状領域や接地用領域を形成する。
なお、図示している電磁波遮蔽シートは、いずれも枚葉化されたものであるが、本発明において電磁波遮蔽シートは、枚葉シート２枚分以上の区画を含む連続帯状シートの状態であってもよい。
【００１４】
以下、本発明の電磁波遮蔽シートについて、透明基材１１から順に説明する。
［透明基材］
透明基材１１は、機械的強度が弱いメッシュ層を補強するための層である。従って、機械的強度と共に光透過性を有すれば、その他、耐熱性、絶縁性等も適宜勘案した上で、用途に応じたものを選択使用すれば良い。透明基材の具体例としては、例えば、樹脂、ガラス等の透明な材料から成る板、シート、又はフィルムが用いられる。
樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、テレフタル酸−イソフタル酸−エチレングリコール共重合体、テレフタル酸−シクロヘキサンジメタノール−エチレングリコール共重合体などのポリエステル系樹脂、ナイロン６などのポリアミド系樹脂、ポリプロピレン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン系樹脂、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体などのスチレン系樹脂、トリアセチルセルロースなどのセルロース系樹脂、イミド系樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。
なお、これら樹脂は、樹脂材料的には、単独、又は複数種類の混合樹脂（ポリマーアロイを含む）として用いられ、また層的には、単層、又は２層以上の積層体として用いられる。また、樹脂シートの場合、１軸延伸や２軸延伸した延伸シートが機械的強度の点でより好ましい。
また、これら樹脂中には、必要に応じて適宜、紫外線吸収剤、充填剤、可塑剤、帯電防止剤などの添加剤を加えても良い。
【００１５】
また、ガラスとしては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラスなどがあり、より好ましくは熱膨脹率が小さく寸法安定性および高温加熱処理における作業性に優れ、また、ガラス中にアルカリ成分を含まない無アルカリガラス等が挙げられ、ディスプレイの前面基板等とする電極基板と兼用することもできる。
なお、透明基材の厚さは、用途に応じたものとすれば良く特に制限は無く、透明樹脂から成る場合は、通常１２〜１０００μｍ程度であるが、好ましくは５０〜５００μｍである。一方、透明基材がガラス板である場合には、通常１〜５ｍｍ程度が好適である。いずれの材料に於いても、上記未満の厚さとなると機械的強度が不足して反りや弛み、破断などが起こり、上記を超える厚さとなると過剰性能でコスト高となる上、薄型化が難しくなる。
【００１６】
なお、透明基材は、ディスプレイ本体の一構成要素である前面基板と兼用しても良いが、前面基板の前に配置する前面フィルタとして、電磁波シールド以外の機能を付加した電磁波シールドフィルタを用いる形態では、薄さ、軽さの点で、板よりもシートが優れており、また割れない等の点でも、ガラス板よりも樹脂シートが優れている。
また、電磁波シールドフィルタを連続的に製造し生産性を向上できる点では、透明基材は、メッシュ層形成等の少なくとも製造初期の段階に於いては、連続帯状のシートの形態で取り扱うのが好ましい。
この様な点で、透明基材としては樹脂シートが好ましい材料である。なお、ガラス板等の剛直な透明基材を用いる場合と比べて、可撓性の樹脂シートを透明基材として用いる場合には、中間製品を加工する際に金属メッキ層の破損する危険性が大きい。従って、本発明は、透明基材としては樹脂シートを用いる電磁波遮蔽シートに対して特に好適に適用される。
【００１７】
樹脂シートのなかでも、特に、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂シートが、透明性、耐熱性、コスト等の点で好ましく、より好ましくは２軸延伸ポリエチレンテレフタレートシートが最適である。なお、透明基材の透明性は高いほどよいが、好ましくは可視光線透過率で８０％以上となる光透過性が良い。
なお、樹脂シート等の透明基材は、適宜その表面に、コロナ放電処理、プラズマ処理、オゾン処理、フレーム処理、プライマー処理、予熱処理、除塵埃処理、蒸着処理、アルカリ処理、などの公知の易接着処理を行ってもよい。
【００１８】
［導電体層］
導電体層１２は、導電性を有する層であって、電磁波遮蔽機能を担う層であり、またそれ自体は不透明性であっても、メッシュ状の形状で開口部が存在することにより、電磁波シールド性能と光透過性を両立させている。メッシュ状領域１０１を形成している導電体層１２の一例を図２に示す。メッシュ状領域１０１を形成している導電体層１２は、開口部１０３が密に配列したメッシュ状であり、該メッシュ状領域は開口部１０３と各開口部間を区割する枠をなしているライン部１０４から構成されている。
【００１９】
本発明において導電体層１２は、主たる層として金属メッキ層１４を含み、金属メッキ層１４のみからなるものであってもよいが、通常は金属メッキ層１４に加えて、メッキをするための下地層となる導電処理層１３を含み、場合により、後述するような導電性を有する黒化層や防錆層をさらに含むものである。
メッシュの形状は、任意で特に限定されないが、開口部の形状としては正方形が代表的である。開口部の形状は、例えば、正三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、台形等の四角形、六角形、等の多角形、或いは、円形、楕円形などが挙げられる。
【００２０】
メッシュはこれら形状からなる複数の開口部を有し、開口部間は通常、幅均一のライン状のライン部となり、通常は、開口部及びライン部は全面で同一形状同一サイズである。具体的サイズを例示すれば、開口率及びメッシュの非視認性の点で、開口部間のライン部１０４の幅は、図２に示すようにライン幅Ｗと称し、２５μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下であることが好ましい。但し、電磁波遮蔽効果の発現、破断防止のためには、少なくとも５μｍ以上のライン幅Ｗを確保することが好ましい。また、開口部の間口幅は（ラインピッチＰ）−（ライン幅Ｗ）で表され、本発明においては１５０μｍ以上、好ましくは２００μｍ以上とするのが、光透過性、及び後述する光学フィルタとの積層時に開口部内に気泡が残留し難い点から好ましい。但し、ＭＨｚ〜ＧＨｚ帯の電磁波遮蔽性発現のためには、最大３０００μｍ以下とする。
【００２１】
また、本発明においては、最終的に得られるメッシュ状領域におけるライン部の総厚み、すなわち、開口部間のライン部１０４の高さＨを、２０μｍ以下、又電磁波遮蔽性の点からは１μｍ以上とすることが好ましく、２μｍ以上１０μｍ以下とすることがさらに好ましく、メッシュ状領域上の接着剤層塗工時の開口部内への気泡残留防止の点から３μｍ程度とすることが特に好ましい。
なお、メッシュ状領域のライン部の高さＨは、ライン部１０４を形成する層の厚みを全て含む総厚みをいう。例えば、ライン部１０４が導電体層のみから成る場合は、ライン部の高さは導電体層の厚さに等しいが、例えば、ライン部が導電体層、非導電性黒化層、及び非導電性防錆層とから成る場合は、ライン部の高さは導電体層、非導電性黒化層、及び非導電性防錆層の厚みの合計値となる。
ライン部の総厚みが大きすぎると、メッシュに加工した際にライン部と開口部の段差が大きくなり、接着剤層を積層する際に気泡が残留し易くなる。また、ライン部の厚みが更に厚くなるとエッチング加工時のサイドエッチング等により所望する高精細なメッシュの形状が得られ難くなる。
これに対して、金属メッキ層を含むライン部の総厚みを２０μｍ以下とすることで、銅使用量の節約及びメッシュ面の平坦化が可能となる。特に、ライン部の総厚みを３μｍ程度とする場合には、平坦化の効果が大きい。このような場合には、光学フィルタとの積層前に予めメッシュ面への平坦化工程を省略した場合であっても、電磁波遮蔽シートと光学フィルタの積層及び接着時に金属メッシュの開口部内に接着剤層が均一に入り易く、開口部内に気泡が残留し難いからである。この場合には、該気泡の光散乱による複合フィルタの曇価（ヘイズ）が上昇するという不都合を回避でき、透明性の高い複合フィルタを生産効率良く得ることができる。
一方、ライン部の総厚みＨが小さ過ぎると、導電体層の厚みも小さくなりすぎる為、金属の電気抵抗値が増え電磁波遮蔽効果が損なわれやすくなる。電磁波遮蔽機能の点を考慮すると、金属メッキ層を含む導電体層の厚みは前記のライン幅及びラインピッチの場合に於いて、１μｍ以上であることが好ましく、更に２μｍ以上であることが好ましい。故に、メッシュ状領域のライン部の高さは、１μｍ以上とすることが好ましく、２μｍ以上となるようにすることが更に好ましい。
また、メッシュ状領域のバイアス角度（メッシュのライン部と電磁波遮蔽シートの外周辺とのなす角度）は、ディスプレイの画素ピッチや発光特性を考慮して、モアレが出難い角度に適宜設定すれば良い。
【００２２】
このような、メッシュ状領域を有する導電体層が少なくとも積層されてなり、当該導電体層に、厚み方向に結晶粒径が異なる金属メッキ層が含まれる電磁波遮蔽用シートを準備する方法としては、特に制限されず、例えば、次の３つの方法が挙げられる。
（１）透明基材へ導電インキをパターン状に印刷し、該導電インキ層の上へ金属メッキする方法（例えば、特開２０００−１３０８８号公報）。
（２）透明基材へ、導電インキ又は化学メッキ触媒含有感光性塗布液を全面に塗布し、該塗布層をフォトリソグラフィー法でメッシュ状とした後に、該メッシュの上へ金属メッキする方法（例えば、住友大阪セメント株式会社新材料事業部新規材料研究所新材料研究グループ、“光解像性化学メッキ触媒”、［ｏｎｌｉｎｅ］、掲載年月日記載なし、住友大阪セメント株式会社、［平成１５年１月７日検索］、インターネット〈ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｏｃｎｂ．ｃｏｍ／ｐｒｏｄｕｃｔ／ｈｐｒｏｄｕｃｔ／ｄｉｓｐｌａｙ．ｈｔｍｌ〉）。
（３）透明基材の一方の面へ、金属薄膜をスパッタ等により形成して導電処理層を形成し、その上に電解メッキにより金属メッキ層を形成した透明基材を準備し、該透明基材上の金属メッキ層及び導電処理層を、フォトリソグラフィー法でメッシュ状とする(例えば、特許第３５０２９７９号公報、特開２００４−２４１７６１号公報)。
【００２３】
中でも、本発明においては特に、透明性及びメッシュ精度に優れるのでディスプレイ画像を良好に視認性でき、さらに、製造工程において、短い工程で歩留りがよく安価に製造できる点から、上記（３）の方法を用いることが特に好ましい。そこで、上記（３）の方法によりメッシュ状導電体層を形成する方法を、詳細に説明する。
上記（３）の方法により形成された、透明基材の一方の面に、メッシュ状領域を形成している導電体層が少なくとも積層されてなる電磁波遮蔽シートについて、その一例を図３に示す。図３は、図２のＡＡ断面図、及びＢＢ断面図である。なお、いずれの図においても、平面方向（図でいうと左右方向）の縮尺に比べて厚み方向（図でいうと上下方向）の縮尺を現実寸法より大幅に拡大して図示してある。且つ、導電層１２の縮尺を透明基材１１の縮尺に比べて現実よりも大幅に拡大して誇張図示してある。図３（Ａ）は開口部を横断するＡＡ断面を示し、開口部１０３とライン１０４が交互に構成され、図３（Ｂ）はライン１０４を縦断するＢＢ断面を示し、導電体層１２からなるライン１０４が連続して形成されている。図３において、導電体層１２は、透明基材１１に近い側から、導電処理層１３、第一の黒化層１５Ａ、金属メッキ層１４、第二の黒化層１５Ｂ、及び防錆層１６が、この順に積層した構造を有する。尚、これらの層のうち、最低限必須のものは金属メッキ層１４である。其の他の層は必要に応じ適宜設ける。
【００２４】
（導電処理層の形成）
上記のような透明基材１１に、上記（３）の方法においては、後述する金属電解メッキに先立ち導電処理を行い、導電処理層を形成する。該導電処理の方法としては、公知の導電性を持つ材料の薄膜を形成すればよい。該導電性を持つ材料としては、例えば金、銀、銅、ニッケル、クロムなどの金属、或いはこれらの金属の合金（例えば、ニッケル−クロッム合金）から成る。また、酸化スズ、ＩＴＯ、ＡＴＯなどの透明な金属酸化物でもよい。該導電処理は単層あるいは多層（例えば、ニッケル−クロッム合金と銅層との積層）であってもよく、これらの材料を公知の真空蒸着法、スパッタリング法、無電解メッキ法などの方法で形成し導電処理層１３とする。該導電処理層１３の厚さは、メッキ時に必要な導電性が得られればよいので、０．００１〜１μｍ程度の極薄い層であることが好ましい。
【００２５】
（金属メッキ層）
金属メッキ層は本発明に係る電磁波遮蔽シートの導電体層において必須の層であり、電解メッキ法によって形成される金属層をいう。上記（３）の方法で形成される否かに関わらず、以下のような特徴を有するものである。
図４に、本発明に用いられる電磁波遮蔽シートの一例の一部拡大断面模式図を示す。本発明の導電体層１２は、金属メッキ層１４を含み、当該金属メッキ層１４において、透明基材と反対側表面２１の結晶粒径が、厚み方向ｘに対峙する透明基材側表面２２の結晶粒径に比べて増大している。透明基材と反対側表面２１の結晶粒径が、厚み方向ｘに対峙する透明基材側表面２２の結晶粒径に比べて増大していれば、前述のように結晶粒径の増大の仕方は特に限定されないが、透明基材１１側から厚み方向に遠ざかる方向２３に従って、増大していることが、好ましい。このような場合には、表示装置の観察者側に対峙する導電体層１２の外側表面（透明基材と反対側表面２１）においては結晶粒径が大きいため外来光の鏡面反射を低減して、画像の白化を防止し、コントラストを向上できる。その一方で、透明基材側表面の結晶粒径は小さくすることができるため電解メッキの際の電流密度を抑えることができ、金属メッキ層の製造時の溶解又は変質を防止できる。
【００２６】
結晶粒径が透明基材１１から厚み方向に遠ざかるに従って増大する仕方は、連続的に漸次増大しても良いし、不連続で段階的に漸次増大しても良い。連続的に漸次増大する場合には、結晶粒径が不連続的に変化する界面において金属メッキ層に加わる応力が集中することがないため、電磁波遮蔽シートに反りや界面での剥離が生じ難くなる点から好ましい。なお、本発明においては、透明基材と反対側表面２１の結晶粒径が、透明基材側表面２２の結晶粒径に比べて増大していれば、厚み方向での結晶粒径は、必ずしも単調増加していなくても、結晶粒径が厚み方向で一部減少する箇所が含まれていても良い。
また、厚み方向ｘ＝Ｘの位置における面内方向の平均結晶粒径｛Ｄ（Ｘ）｝を求める方法としては、金属メッキ層を表面からｘ＞Ｘの部分を研磨したり腐食したりして、ｘ＝Ｘ面を露出させ、必要に応じて軽く露出面を腐食したり染色したり等して結晶粒境界を強調した上で顕微鏡写真を撮影し、粒径を計測する方法が一般的である。その他、金属メッキ層の製造過程において、金属メッキ層がｘ＝Ｘまで成長した時点でメッキを停止し、ｘ＝Ｘ面を上記と同様の方法で計測する方法でも良い。
【００２７】
本発明に係る電磁波遮蔽シートにおいては、前記金属メッキ層において、透明基材と反対側表面の結晶粒径は、金属メッキ層の層厚みによって好適な値が異なり、金属メッキ層の層厚みの４０％〜６７％程度が好ましい。一方、透明基材側表面の結晶粒径は１．５μｍ以下であることが好ましい。このような場合には、金属メッキ層を電解メッキにより製造した場合においても、透明基材との界面において溶解又は変質するという問題が起こることなく、外光の反射率が抑制され、他の積層フィルムとの密着性が向上された電磁波遮蔽シートを好適に得ることができる。前記金属メッキ層において、透明基材と反対側表面の結晶粒径は、更に好ましくは金属メッキ層の層厚みの５０％〜６０％である。また、透明基材と反対側表面の結晶粒径は、エッチング加工適性の点から、通常は２０μｍ以下である。一方、透明基材側表面の結晶粒径は、更に好ましくは１．０μｍ以下である。また、透明基材側表面の結晶粒径は、エッチング加工適性及びメッキ加工時間の効率の点から、通常は０．５μｍ以上である。
また、本発明に係る電磁波遮蔽シートにおいては、前記金属メッキ層の、透明基材側表面の結晶粒径と、透明基材と反対側表面の結晶粒径との差が、金属メッキ層の層厚みの３０〜６０％程度、更に４０〜６０％程度であることが、製造上溶解又は変質するという問題を防止しつつ、金属メッキ層表面の大きな結晶粒径により外光の反射率が抑制され、他の積層フィルムとの密着性が向上される点から好ましい。
【００２８】
前記金属メッキ層１４において、透明基材と反対側表面２１の結晶粒径が、厚み方向ｘに対峙する透明基材側表面２２の結晶粒径に比べて増大していれば、透明基材に平行な面内における結晶粒径の分布は特に限定されないが、透明基材に平行な面内における結晶粒径は、金属メッキ層の光反射率や機械的強度など物性の均一性の点から、実質的に同じであることが好ましい。上述のように、金属メッキ層は、下地面から上方に向かって金属結晶が成長することによって堆積するので、透明基材に平行な面内における結晶は通常ほぼ同時に成長していると考えられ、透明基材に平行な面内における結晶粒径は、通常は、平均値に近い値に揃った（統計学上の分散が小さい）ものである。
【００２９】
該導電処理層１３の面へ金属メッキ層１４を形成する方法としては電解メッキ法が挙げられる。本発明においては、メッキ法によって金属層を形成することにより、銅箔などの金属箔を貼り合わせる工程を必要とせずに効率よく金属層を形成できる。特に、極薄い金属層（例えば５μｍ以下）を形成したい場合には、金属箔を貼合わせる工程での金属箔の取り扱いが非常に困難であり、破損を生じやすいが、メッキ法による場合には極薄い金属層を容易に形成することができる。
金属メッキ層１４の材料としては、例えば金、銀、銅、鉄、ニッケル、クロム、コバルトなど充分に電磁波をシールドできる程度の導電性を持つ金属を１種又は２種以上混合して、或いはこれら金属を含む合金が適用できる。金属メッキ層１４は単体でなくても、多層であってもよく、電解メッキのしやすさと導電性から銅又は銅合金が好ましい。銅合金としては、銅を主体として、金、銀、銅、鉄、ニッケル、クロム、コバルトのような他の金属を含むものが挙げられる。金属メッキ層が、銅と他の金属との混合物または銅合金である場合には、銅の含有量が全金属成分の９０重量％以上であることが好ましく、９５重量％以上であることがさらに好ましい。
【００３０】
金属メッキ層は、下地面から上方に向かって金属結晶が成長することによって堆積して形成されると考えられる。従って、当該金属メッキ層において透明基材と反対側表面２１の結晶粒径が、厚み方向ｘに対峙する透明基材側表面２２の結晶粒径に比べて増大するようにする方法としては、例えば、電解メッキ法を用い、厚み方向に金属が結晶成長していくに従って、電流密度を順次増加させる方法が挙げられる。この場合、例えば、メッキ開始時は電流密度を０．１〜０．５Ａ／ｄｍ2とし、以後連続的に漸次増加、又は段階的に漸次増加させ、メッキ終了時は電流密度を５〜１０Ａ／ｄｍ2とすることができる。電流密度の増加の仕方を連続的に漸次増加することにより、結晶粒径を厚み方向に連続的に漸次増加することが可能である。また、電流密度を段階的に増加することにより、結晶粒径を厚み方向に段階的に増加することが可能である。透明基材と反対側表面２１の結晶粒径が、厚み方向ｘに対峙する透明基材側表面２２の結晶粒径に比べて増大するようにする別の方法としては、厚み方向に金属が結晶成長していくに従って、順次、メッキ浴組成を変える方法が挙げられる。この場合のメッキ浴組成の変更としては、例えば、硫酸銅濃度等の析出すべき金属イオンを供給する化合物の濃度、添加剤の種類と量などを変更すること等が挙げられる。
【００３１】
電解メッキ法を用いる場合の金属メッキ液としては、硫酸銅浴、青化銅浴、硼弗化銅浴、ピロ燐酸銅浴等、公知のメッキ浴が使用できるが、代表的なメッキ浴としては硫酸銅浴が用いられる。硫酸銅浴の組成としては、例えば、硫酸銅、及び硫酸を含む水溶液をベースとして、結晶を調節するためのメッキ添加剤を加えたものを用いる。硫酸濃度は、１５０〜２２０ｇ／Ｌ（リットル）程度、硫酸銅濃度は、５水和物で５０〜８５ｇ／Ｌ程度が挙げられる。
メッキ添加剤に含まれる結晶調節成分としては、例えば炭化水素系高分子化合物、含硫黄炭化水素化合物、蛋白質、膠、アミン、アルカロイド、メルカプタン、スルフィド、或いは各種染料系化合物等公知のものが挙げられる。このような結晶調節成分を１種又は２種以上、適宜選択して用いても良い。結晶調節成分の添加量は１〜１００ｇ／Ｌ程度である。この種の添加剤は、一般に、添加量を増やすに従って結晶粒径を小さくする。又、必要に応じて、金属メッキ層表面を粗面化する為に、塩酸を塩素濃度４０〜８０ｍｇ／Ｌ程度添加しても良い。
【００３２】
メッキ条件としては、具体的には例えば、浴温を２０〜３０℃、電流密度を０．１〜１０Ａ／ｄｍ２、メッキ時間を３０分から２時間とし、メッキ浴を攪拌することが挙げられる。メッキ層の堆積後、結晶配向を安定化するために必要に応じてアニール処理を行うことが好ましい。アニール処理の条件としては、例えば、１００〜２００℃、３０分から２時間とする。
【００３３】
金属メッキ層の厚さは、充分な遮蔽性能と加工プロセス中に破損しない物性を有し得る範囲内で可能な限り薄くすることが好ましいが、金属メッキ層を含む導電体層全体の厚さの範囲内で他の層の厚さを考慮のうえ決定される。かかる観点から、導電体層に含まれる金属メッキ層１４の厚さは、２０μｍ以下とすることが好ましく、５μｍ以下とすることがさらに好ましく、メッシュ状領域上の接着剤層塗工時の開口部内への気泡残留防止の点から３μｍ程度とすることが特に好ましい。また、該金属メッキ層１４の厚さは、電磁波遮蔽性の点からは１μｍ以上であることが好ましく、２μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３４】
また、金属メッキ層表面のＪＩＳ  Ｚ８７２２に準拠して測定した全光線反射率（ＲＳＣＩ）は、４０％以下、更に３０％以下であることが、メッシュ状の導電体層表面のＪＩＳ  Ｚ８７２２に準拠して測定した全光線反射率（ＲＳＣＩ）を２０％以下とすることが容易となり、透視画像の明室コントラストを向上させる点から好ましい。
【００３５】
（黒化層）
本発明は、導電体層の透明基材と反対側面の結晶粒径を大きくすることにより、明室コントラストの向上を図るものであるが、このようなコントラストの更なる向上を図るためには、メッシュ状領域を形成している導電体層１２の観察側に黒化処理を行って、当該黒化処理面により電磁波遮蔽用シートに入射する外光を吸収させることが好ましい。また、黒化層はディスプレイ面側に設けられてもよく、この場合は、ディスプレイから発生する迷光を抑えられるので、さらに、画像の視認性が向上する。このために、図３（Ａ）に示されるように、金属メッキ層１４の少なくとも片面に、必要に応じて、黒化層１５Ａ及び／又は１５Ｂを設ける。該黒化層は金属メッキ層１４面を粗化するか、全可視光スペクトルに亘って光吸収性を付与する（黒化）か、或いは両者を併用するかの何れかにより行なう。また、透明基材１１面に黒化層を設ける場合には、該透明基材へ透明な導電性薄膜による導電処理を行い、黒色メッキ層を設けた後に、金属メッキ層１４を設ければよい。
【００３６】
金属メッキ層が銅を含有する場合に好ましい黒化層形成法としては、銅を硫酸、硫酸銅及び硫酸コバルトなどからなる電解液中で、陰極電解処理を行って、カチオン性粒子を付着させるカソーディック電着が挙げられる。該カチオン性粒子を設けることでより粗化し、同時に黒色が得られる。記カチオン性粒子としては、銅粒子、銅と他の金属との合金粒子が適用できるが、好ましくは銅‐コバルト合金の粒子である。該カチオン性粒子の粒径は、黒濃度の点から、平均粒径０．１〜１μｍ程度が好ましい。
其の他、黒化層形成法として、ニッケル−亜鉛合金、硫化ニッケル、或いはこれらの複合体からなる黒化ニッケルメッキ、並びに酸化銅も好適に使用できる。
【００３７】
該黒化層の好ましい黒濃度は０．６以上である。なお、黒濃度の測定方法は、ＣＯＬＯＲ ＣＯＮＴＲＯＬ ＳＹＳＴＥＭのＧＲＥＴＡＧ ＳＰＭ１００−１１（キモト社製、商品名）を用いて、観察視野角１０度、観察光源Ｄ５０、照明タイプとして濃度標準ＡＮＳＩＴに設定し、白色キャリブレイション後に、試験片を測定する。また、該黒化層の光線反射率としては５％以下が好ましい。光線反射率は、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準拠して、ヘイズメーターＨＭ１５０（村上色彩社製、商品名）を用いて測定する。また、反射率の測定に換えて、色差計により反射のＹ値で表わしてもよく、この際にはＹ値として１０以下が好ましい。
【００３８】
（防錆層）
さらに、金属メッキ層１４の表面を覆うように、また、黒化層を設けた場合には、黒化層１５Ｂの表面を覆うように、防錆層１６を設けることが好ましい。
該防錆層１６は、防錆機能と黒化層の脱落や変形を防止するために、少なくとも、黒化層上に設けることが好ましい。該防錆層１６としては、ニッケル、亜鉛、及び／又は銅の酸化物、又はクロメート処理層が適用できる。ニッケル、亜鉛、及び／又は銅の酸化物の形成は、公知のメッキ法でよく、厚さとしては、０．００１〜１μｍ程度、好ましくは０．００１〜０．１μｍである。
【００３９】
（メッシュ加工）
次に、上述のように設けられた透明基材上の導電体層を、フォトリソグラフィー法でメッシュ状とする工程について説明する。
まず、上記のように準備した透明基材上の導電体層１２面へ、レジスト層を設け、メッシュパターン化し、レジスト層で覆われていない部分の導電体層１２をエッチングにより除去した後に、レジスト層を除去する所謂フォトリソグラフィー法で、メッシュ状の金属層とする。さらに、既存の設備を使用でき、これらの製造工程の多くを連続的に行うことで、品質がよく、かつ、生産効率が高く歩留りがよく、安価に生産できる。
【００４０】
（マスキング工程）
まず、透明基材１１と導電体層１２の積層体の導電体層側の面をフォトリソグラフィー法でメッシュ状とし、メッシュ状領域１０１を形成する。この工程も、帯状で連続して巻き取られたロール状の積層体を加工して行く（巻取り加工、ロールツーロール加工という）ことが好ましい。該積層体を連続的又は間歇的に搬送しながら、緩みなく伸張した状態で、マスキング、エッチング、レジスト剥離する。透明基材１１としてガラスを用いる場合には、１枚毎に加工する（枚葉加工、枚葉工程という）。
まず、マスキングは、例えば、メッシュ状領域を形成する導電体層１２上へ感光性レジストを塗布し、乾燥した後に、所定のパターンを有するフォトマスクにて密着露光し、水現像し、硬膜処理などを施し、ベーキングする。尚、感光性レジストのネガ型、ポジ型の何れも使用可である。感光性レジストがネガ型の場合は、フォトマスクのメッシュパターンはライン部が透明なものとする。又感光性レジストがポジ型の場合は、フォトマスクのメッシュパターンは開口部が透明なものとする。又、露光パターンとしては、電磁波遮蔽用シートとして所望のパターンであり、最低限メッシュ状領域のパターンから構成される。更に必要に応じて、図１の如く、メッシュ状領域の外周に接地用領域のパターンを追加する。
レジストの塗布は、巻取り加工では、帯状の積層体（透明基材１１と、導電体層１２との積層体）を連続又は間歇で搬送させながら、メッシュ状領域を形成する導電体層１２面へ、カゼイン、ＰＶＡ、ゼラチンなどのレジストをディッピング（浸漬）、カーテンコート、掛け流しなどの方法で行う。また、レジストは塗布ではなく、ドライフィルムレジストを用いてもよく、作業性が向上できる。ベーキングはカゼインレジストの場合、２００〜３００℃で行うが、積層体の反りを防止するために、できるだけ低温度が好ましい。
【００４１】
（エッチング工程）
マスキング後にエッチングを行う。該エッチングに用いるエッチング液としては、エッチングを連続して行う本発明には循環使用が容易にできる塩化第二鉄、塩化第二銅の水溶液が好ましい。また、該エッチングは、帯状で連続する鋼材、特に厚さ２０〜８０μｍの薄板をエッチングするカラーＴＶのブラウン管用のシャドウマスクを製造する設備と、基本的に同様の工程である。即ち、該シャドウマスクの既存の製造設備を流用でき、マスキングからエッチングまでが一貫して連続生産できて、極めて効率が良い。透明基材１１としてガラスを用いる場合の枚葉加工もより古くから行われている。エッチング後は、水洗、アルカリ液によるレジスト剥離、洗浄を行ってから乾燥すればよい。このようにして形成された、メッシュ開口部の表面は透明基材が露出しているので、メッシュ開口部の透明性がよい。
以上のメッシュ加工により、メッシュ状導電体層が形成され、電磁波遮蔽シートが得られる。
【００４２】
（物性値）
以上のようにして得られた導電体層表面の全光線反射率（ＲＳＣＩ）は非メッシュ部においてＪＩＳ  Ｚ８７２２に準拠して測定した値で評価して、２０％以下であることが好ましい。このような場合には反射防止フィルムを貼着後における外光反射率も低くなり、光反射防止機能に優れたものとなる。上記全光線反射率（ＲＳＣＩ）は、更に３％以下であることが好ましい。
【００４３】
また、メッシュ状の導電体層表面には、通常、次工程（反射防止フィルムの積層等）開始までの間は、導電体層の表面には再剥離可能な保護フィルムを一時的に積層するが、導電体層表面の非メッシュ部における当該保護フィルムに対する剥離抵抗値は、０．１〜３．３Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。このような場合には、他の積層フィルムを積層する場合に密着性が十分に高く自然脱落せず、且つ再剥離必要時には容易に剥離除去可能なものとなる。メッシュ状の導電体層表面の保護フィルムに対する剥離抵抗値は、更に０．１〜０．５Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。ここで上記保護フィルムに対する剥離抵抗値は、以下のようにして測定することができる。例えば、市販の保護フィルム（例えば、サンエー化研製、Ｃ２００）を、長さ１５０ｍｍ、幅２５ｍｍに切り抜いて、これをその接着剤層側がメッシュ状の導電体層表面側を向くようにして、表面を脱脂したメッシュ状の導電体層表面側に貼り、これを１８〜２５℃の室温にて引張り試験機を用いて、該メッシュ状の導電体層表面と該保護フィルムとを両者の角度が１８０°となる方向に引張速度３００ｍｍ／分で、２０〜２５℃の雰囲気中で引張って、剥離時抗張力として測定することができる。
【００４４】
（光学フィルタの付加）
本発明の電磁波遮蔽シートは、そのメッシュ状導電体層を有する側に、さらに光学フィルタを積層、接着してもよい。光学フィルタとしては、光学フィルタの透明基材上に、様々な機能発現層、例えば近赤外線吸収層（ＮＩＲ層）、ネオン光吸収層、紫外線吸収層、反射防止層（ＡＲ層）、ハードコート層（ＨＣ層）、防眩層（ＡＧ層）、防汚層などのなかから１つまたは２つ以上を積層したものが用いられる。
本発明の電磁波遮蔽シート上に光学フィルタを積層する際、導電体層の厚みが比較的厚かったり、或いは接着剤の流動性が比較的低い場合には、メッシュ開口部内の接着剤に気泡が残留することがある。この場合には、メッシュ状導電体層の上に平坦化層を被覆し、該平坦化層の上に接着剤を用いて光学フィルタを貼り合せる。平坦化層は透明性が高く、メッシュの導電体層との接着性が良く、次工程の接着剤との接着性がよいものであればよい。該平坦化層に用いる樹脂としては、特に限定されず各種の天然又は合成樹脂が適用できるが、樹脂の耐久性、塗布性、平坦化しやすさ、平面性などから、アクリル系の紫外線硬化樹脂が好適である。
【００４５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００４６】
＜実施例１＞
（１）電磁波遮蔽シートの製造
透明基材１１として厚さ１００μｍで片面にポリエステル樹脂系プライマー層を形成した、連続帯状の無着色透明な２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを用意した。
この透明基材のプライマー層上に、スパッタ法で、順次、厚さが０．１μｍのニッケル−クロム合金層及び厚さが０．２μｍの銅層（導電体層の一部）を設けて導電処理層１３とした。
【００４７】
該導電処理層面に、硫酸銅浴を用いた電解メッキ法で厚さが１８．０μｍの銅の金属メッキ層１４（導電体層の残りの部分）を設け、これら導電処理層１３及び金属メッキ層１４の両層を導電体層１２として形成した。メッキ液としては、溶媒として水を用い、硫酸銅五水和物：７５ｇ／リットル、硫酸：１８０ｇ／リットル、塩素（塩酸として添加）：６０ｍｇ／リットル、炭化水素系高分子系メッキ添加剤１：４０ｍｌ／リットルを混合して用いた。メッキ条件は次の通りである。浴量：５００ｍｌ、攪拌：エアー攪拌、浴温：２５℃、メッキ時間：４０ｍｉｎ（狙い膜厚：１８μｍ）。電流密度はメッキ開始時に０．５Ａ／ｄｍ２とし、以後漸次増加させ、メッキ終了時に１０Ａ／ｄｍ２とした。
メッキ開始直後、すなわち導電処理層面直上（金属メッキ層の透明基材側表面付近）の結晶粒径を評価したところ、１μｍであった。メッキ開始直後の走査型電子顕微鏡写真を図５に示す。また、メッキ終了時の結晶粒径を評価したところ、１２μｍであった。メッキ終了時の走査型電子顕微鏡写真を図６に示す。
なお、結晶粒径の評価は、金属メッキ層表面の走査型電子顕微鏡写真を基に、面内の結晶粒子の直径をランダムに１０個抽出して計測し、その相加平均値（単位はμｍ）を算出して求めた。なお、粒子形状が非球形の場合は、写真上の粒子の外接円直径で近似して計算した。
【００４８】
次いで、上記積層シートに対して、その導電体層をフォトリソグラフィー法を利用したエッチングにより、開口部１０３及びライン部１０４とから成るメッシュ状領域、及びメッシュ状領域の４周を囲繞する外縁部に額縁状の接地用領域を形成した。
エッチングは、具体的には、カラーＴＶシャドウマスク用の製造ラインを利用して、連続帯状の上記積層シートに対してマスキングからエッチングまでを一貫して行った。すなわち、上記積層シートの導電体層面全面に感光性のエッチングレジストを塗布後、所望のメッシュパターンを密着露光し、現像、硬膜処理、ベーキングして、メッシュのライン部に相当する領域上にはレジスト層が残留し、開口部に相当する領域上にはレジスト層が無い様なパターンにレジスト層を加工した後、塩化第二鉄水溶液で、導電体層を、エッチング除去してメッシュ状の開口部を形成し、次いで、水洗、レジスト剥離、洗浄、乾燥を順次行った。
【００４９】
メッシュ状領域のメッシュの形状は、その開口部が正方形で非開口部となる線状部分のライン幅は１０μｍ、そのライン間隔（ピッチ）は３００μｍ、ライン部の高さは、１８．３μｍ、長方形の枚葉シートに切断した場合に、該長方形の長辺に対する劣角として定義されるバイアス角度は４９度であった。また、メッシュ状領域１０１は、完成された複合フィルタを画像表示装置（ディスプレイ）前面に装着した際に、該ディスプレイの画像表示領域に対峙する部分が存在し、また該メッシュ状領域の周縁部には、電磁波遮蔽シートを四角形の枚葉シートに切断した時に、その四辺外周に接地用領域として開口部が無い幅１５ｍｍの額縁部を残す様なパターンに設計した。このようにして、電磁波遮蔽シートを得た。
【００５０】
＜比較例１＞
金属メッキ層１４の形成時に電流密度をメッキ開始から終了時まで０．５Ａ／ｄｍ２とした以外は、実施例１と同様に、電磁波遮蔽シートを得た。メッキ開始直後、すなわち導電処理層面直上（金属メッキ層の透明基材側表面付近）の結晶粒径を、実施例１と同様に評価したところ、１μｍであった。また、メッキ終了時の結晶粒径を、実施例１と同様に評価したところ、同じく１μｍであった。
【００５１】
＜評価＞
上記実施例及び比較例で得られた電磁波遮蔽シートについて、反射特性（単体による外光反射率）、光反射防止性能（反射防止層を貼り付け後の外光反射率）、及び他の積層フィルムとの密着性を評価した。
なお、導電体層（上記実施例及び比較例においては金属メッキ層）の反射特性、光反射防止性能及び密着性は、メッシュ層のメッシュ部の外周に在る非メッシュ部のメッシュ層表面で評価した。また、光反射防止性能もメッシュ部の開口部の影響を削除できる点で、非メッシュ部の部分（但し、透明樹脂層を介して反射防止フィルムが積層され濡れ色となる内周部分）で行った。
【００５２】
（１）反射特性
導電体層のＪＩＳ  Ｚ８７２２に準拠して測定した全光線反射率（％）は、分光測色計（コニカミノルタセンシング株式会社製、ＣＭ−３６００ｄ）を反射モードに設定し、光源は標準の光Ｄ６５、視野２°を用いて、検出器を、反射光のうち、拡散反射光と鏡面反射光の両方を総合した全反射光の（積分）強度を測定するようなＳＣＩ（Ｓｐｅｃｕｌａｒ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  Ｉｎｃｌｕｄｅｄ）モードに設定して、Ｙ値（３刺激値ＸＹＺのＹ）を測定した。
【００５３】
（２）光反射防止性能
電磁波シールドフィルタの光反射防止性能の評価は、透明樹脂層及び光反射防止フィルムを積層した後の濡れ色となった状態で、導電体層の側の全光線反射率（％）を、反射防止フィルム側から測定した。全光線反射率の測定方法は、（１）における全光線反射率の測定方法と同様に行なった。濡れ色となった状態での全光線反射率（ＡＲ）は小さい方が好ましく、全光線反射率が５％未満である場合が、光反射防止性能として許容範囲である。
【００５４】
（３）密着性
粘着性保護フィルム（透明ＰＥＴフィルム／アクリル系粘着剤層；サンエー化研製、Ｃ２００）を貼着した際の剥離抵抗値で評価した。すなわち、上記粘着性保護フィルムを、長さ１５０ｍｍ、幅２５ｍｍに切り抜いて、これをその接着剤層側が導電体層表面側を向くようにして、表面を脱脂した導電体層表面側に貼り、これを引張り試験機を用いて、該導電体層表面と粘着性保護フィルムとを両者の角度が１８０°となる方向に引張速度３００ｍｍ／分で、２０〜２５℃の雰囲気中で引張って、剥離時抗張力を測定した。
【００５５】
（評価結果）
各電磁波遮蔽シートについての試験結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
2007227532.tif 000003
【００５７】
評価結果より、透明基材側表面の結晶粒径が１μｍで、透明基材と反対側表面の結晶粒径も１μｍである従来の金属メッキ層を有する電磁波遮蔽シートは、外光反射率が高く、光反射防止性能も許容範囲外となるもので、他の積層フィルムとの密着性も低いものであった。それに対し、透明基材側表面の結晶粒径が１μｍだが、透明基材と反対側表面の結晶粒径は１２μｍである、本発明に係る金属メッキ層を有する実施例１の電磁波遮蔽シートは、外光反射率が低くなり、光反射防止性能も許容範囲内の優れたものとなり、更に、他の積層フィルムとの密着性も向上したものであった。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１（Ａ）は、本発明に用いられる電磁波遮蔽シートの一例の平面図であり、図１（Ｂ)は、本発明に用いられる電磁波遮蔽シートの一例の断面図である。
【図２】本発明の導電体層のメッシュ状領域１０１の一例を示す斜視図である。
【図３】図３（Ａ）は、本発明に用いられる電磁波遮蔽シートの一例におけるライン部の横面図であり、図３（Ｂ)は、本発明に用いられる電磁波遮蔽シートの一例におけるライン部の縦断面図である。
【図４】図４は、本発明に用いられる電磁波遮蔽シートの一例の一部拡大断面模式図である。
【図５】図５は、メッキ開始直後の金属メッキ層表面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図６】図６は、メッキ終了直後の金属メッキ層表面の走査型電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５９】
１  電磁波遮蔽シート
１１  透明基材
１２  導電体層
１３  導電処理層
１４  金属メッキ層
１５  黒化層
１６  防錆層
２１  透明基材と反対側表面
２２  透明基材側表面
１０１  メッシュ状領域
１０２  接地用領域
１０３  開口部
１０４  ライン部
ｘ    厚み方向
【図１】
2007227532.tif 000004
【図２】
2007227532.tif 000005
【図３】
2007227532.tif 000006
【図４】
2007227532.tif 000007
【図５】
2007227532.tif 000008
【図６】
2007227532.tif 000009