(57)【要約】【課題】入力信号線の数が少なく且つ極力低い電源電圧で動作可能な切替制御回路、及びその切替制御回路を有して構成される半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】ソレノイド駆動ＩＣに、主回路トランジスタ、主回路トランジスタのオンオフを制御する制御回路、及びソレノイドユニットの駆動方式に基づいて制御回路の制御方式を切り替えるための切替制御回路１８などを形成する。切替制御回路１８は、電源ライン３０ａ及びグランド３０ｂから＋５Ｖの電源電圧Ｖccの供給を受けて動作し、入力ノードＮａに入力される切替指令信号Ｓinの状態に応じて、出力ノードＮｂ、Ｎｃから切替状態信号Ｓo1、Ｓo2を出力する。【選択図】図１
2007228372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電源線と第２の電源線から電源の供給を受けて動作し、１つの切替指令信号の状態に応じて第１の切替状態信号と第２の切替状態信号を出力する切替制御回路において、
前記第２の電源線に対するエミッタ接地の接続形態を有し、前記切替指令信号のレベルに応じた電圧がベースに与えられ、コレクタから前記第１の切替状態信号を出力する第１のトランジスタと、
前記切替指令信号が入力されていない状態で前記第１のトランジスタのベースにオン可能な電位を付与する第１の電位付与回路と、
前記第１の電源線に対するエミッタ接地の接続形態を有し、前記切替指令信号のレベルに応じた電圧がベースに与えられ、コレクタから前記第２の切替状態信号を出力する第２のトランジスタと、
前記切替指令信号が入力されていない状態で前記第２のトランジスタのベースにオン可能な電位を付与する第２の電位付与回路とを備えて構成されていることを特徴とする切替制御回路。
【請求項２】
前記第２のトランジスタのコレクタと前記第２の電源線との間に設けられたプルダウン抵抗と、
前記第２の電源線に対するエミッタ接地の接続形態を有し、前記プルダウン抵抗の端子間電圧がベースに与えられる第３のトランジスタとを備え、
前記第２の切替状態信号は、前記第２のトランジスタのコレクタに代えて前記第３のトランジスタのコレクタから出力されることを特徴とする請求項１記載の切替制御回路。
【請求項３】
前記トランジスタに代えて、ＦＥＴを用いて構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の切替制御回路。
【請求項４】
駆動方式が異なる複数種類のソレノイドバルブを駆動可能な半導体集積回路装置において、
前記ソレノイドバルブのソレノイドに供給する駆動電流の通断電を行う主回路トランジスタと、
１つの切替指令信号に応じて第１の切替状態信号及び第２の切替状態信号を出力する請求項１ないし３の何れかに記載の切替制御回路と、
前記第１の切替状態信号及び第２の切替状態信号に基づいて前記ソレノイドの駆動方式を選択し、当該駆動方式により前記主回路トランジスタの通断電を制御する制御回路とを備えて構成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記ソレノイドに流れる電流を検出する電流検出回路を有し、
前記制御回路は、少なくとも、オンオフ指令信号に従って前記主回路トランジスタをオンオフ制御する駆動方式と、前記電流検出回路によって検出される電流の値が所定の目標値と一致するように前記主回路トランジスタをオンオフ制御する駆動方式との何れかを選択可能に構成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切替指令信号の状態に応じて切替状態信号を出力する切替制御回路、及びこの切替制御回路を有して構成される半導体集積回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から車両用の自動変速機においては、油圧回路をソレノイドバルブによって切り替え、最適な変速やロックアップ作動を行っている。また、このソレノイドバルブの駆動をコンピュータによって制御することにより、油圧をきめ細かく制御するようにしている。このようなソレノイドバルブは、例えばコンピュータから出力された制御信号に応じてソレノイドに供給する電流を制御するソレノイド駆動回路によって駆動される。
【０００３】
特許文献１、２には、マイクロコンピュータからリニアソレノイドの目標電流値を表す制御信号を入力し、この制御信号に応じて生成した駆動信号によって、ＰＮＰ形トランジスタなどで構成された駆動回路を動作させることによりリニアソレノイドへの通電電流を制御するリニアソレノイド駆動装置が開示されている。このリニアソレノイド駆動装置は、内燃機関により駆動される油圧ポンプから圧送されてきた車両制御用のライン油圧を所定の作動油圧に制御するソレノイドバルブのリニアソレノイドの通電電流制御に使用される。
【特許文献１】特開平５−２１７７３７号公報
【特許文献２】特開平７−１９４１７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、車両用の自動変速機には、上述したようなライン油圧を所定の作動油圧に制御するソレノイドバルブの他に、トルクコンバータ内の２つのクラッチ板を結合させるためのもの、ギアを切り替えるためのものなど複数種類のソレノイドバルブが使用される。さらに、これらのソレノイドバルブは、自動変速機が搭載される車両の種類によって駆動方式が異なる場合もある。
【０００５】
従って、このように駆動方式の異なる複数種類のソレノイドバルブを駆動させるためには、駆動対象のソレノイドバルブ毎に異なるソレノイド駆動回路が必要となる。しかし、それぞれの駆動方式に対応した駆動回路を個別に用意すると部品点数が増加してしまう。また、これらの駆動回路をまとめてＩＣ（半導体集積回路）化することも考えられるが、この場合、回路規模の増大や端子数の増加といった問題が発生する。
【０００６】
そこで、上述したように駆動回路をＩＣ化する場合に、複数の駆動方式において共通の回路については共通化し、そうでない部分についてはそれぞれの駆動方式に対応した回路を個別に搭載する。そして、駆動するソレノイドバルブの種類に応じて内部で使用回路を切り替えることによって、上記問題を解消することができる。
【０００７】
例えば、駆動対象となるソレノイドバルブに３種類の駆動方式がある場合、上記ソレノイド駆動用のＩＣの内部において使用回路を切り替えるために、図８、図９、図１０に示すような切替制御回路１、２、３を用いることが考えられる。
【０００８】
図８（ａ）に示す切替制御回路１は、２つのコンパレータＣＰ１、ＣＰ２を備えている。各コンパレータＣＰ１、ＣＰ２は、それぞれ切替指令電圧Ｖin（アナログ電圧）と基準電圧Ｖt1、Ｖt2とを比較し、図８（ｂ）に示すように出力信号Ｓo1、Ｓo2を出力する。図９（ａ）に示す切替制御回路２も、２つのコンパレータＣＰ１、ＣＰ２を備えている。上記切替制御回路１とは異なり、各コンパレータＣＰ１、ＣＰ２には、それぞれ独立した切替指令電圧Ｖin1、Ｖin2（アナログ電圧）が入力されている。この場合の出力信号Ｓo1、Ｓo2は、図９（ｂ）に示すようになる。さらに、図１０（ａ）に示すように、デジタルの切替指令電圧Ｖin1、Ｖin2をそのまま出力信号Ｓo1、Ｓo2として出力する構成も考えられる。
【０００９】
しかしながら、切替制御回路１、２は、コンパレータＣＰ１、ＣＰ２を備えているため、回路規模が大きくなると共に、電源電圧が３Ｖ程度以下に低下したときに正常に切替動作ができなくなるという問題が考えられる。また、切替制御回路２、３は、２つの切替指令信号を必要とするため、入力用の信号線の数が増加してしまう。
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、入力信号線の数が少なく且つ極力低い電源電圧で動作可能な切替制御回路、及びその切替制御回路を有して構成される半導体集積回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１記載の切替制御回路によれば、１つの切替指令信号が入力されると、この切替指令信号に応じた電圧が、第２の電源線に対するエミッタ接地の接続形態を有する第１のトランジスタ、及び第１の電源線に対するエミッタ接地の接続形態を有する第２のトランジスタのベースにそれぞれ与えられ、そのオンオフが制御される。そして、第１及び第２のトランジスタのオン状態又はオフ状態に応じたレベルの第１及び第２の切替状態信号がそれぞれのコレクタから出力される。
【００１２】
また、切替指令信号が入力されない状態においても、第１及び第２のトランジスタのベースに、これらのトランジスタがオン可能な電位を与えるようにしたので、これら第１及び第２のトランジスタのオン状態に応じたレベルの第１及び第２の切替状態信号がそれぞれのコレクタから出力される。
【００１３】
従って、１つの切替指令信号を入力するための入力信号線を設けるだけで、第１の切替状態信号及び第２の切替状態信号という２つの切替状態信号を出力することができる。
また、第１及び第２の電源線間の電位差は、第１及び第２のトランジスタを駆動することができる大きさであればよいため、切替制御回路の電源電圧を極力低く設定することができる。
【００１４】
請求項２記載の切替制御回路によれば、第２のトランジスタのコレクタと第２の電源線との間に設けられたプルダウン抵抗の端子間電圧を、第２の電源線に対するエミッタ接地の接続形態を有する第３のトランジスタのベースに与え、そのコレクタから第２の切替状態信号を出力する構成を備えている。この構成によっても請求項１記載の切替制御回路と同様の作用、効果が得られる。
【００１５】
請求項３記載の切替制御回路によれば、第１、第２及び第３のトランジスタを、例えばＭＯＳＦＥＴなどのＦＥＴで構成している。この構成によっても請求項１又は２記載の切替制御回路と同様の作用、効果が得られる。
【００１６】
請求項４記載の半導体集積回路装置によれば、制御回路は、１つの切替指令信号の状態（レベル、入力の有無）に応じて切替制御回路から出力される第１及び第２の切替状態信号に基づいて、ソレノイドバルブの駆動方式を選択する。そして、制御回路は、この駆動方式に基づいて主回路トランジスタの通断電を制御し、ソレノイドに駆動電流を供給してソレノイドバルブを駆動する。
【００１７】
従って、上述の半導体集積回路装置を、例えば車両などの自動変速機に用いられるソレノイドバルブの駆動回路に適用すれば、駆動対象となる複数のソレノイドバルブをそれぞれ最適な方法で駆動することができる。また、搭載される車種毎にソレノイドバルブの駆動方式が異なる場合であっても、１つの切替指令信号の状態を変更するだけで最適なソレノイドバルブの駆動方式を選択可能となる。
【００１８】
請求項５記載の半導体集積回路装置によれば、制御回路は、電流検出回路によって検出されるソレノイドに流れる電流をフィードバックし、この検出電流が所定の目標電流と一致するように主回路トランジスタをオンオフ制御（一例としてＰＷＭ制御）してソレノイドへの電流供給を制御する、いわゆる電流フィードバック形のソレノイド駆動を行う。
【００１９】
さらに、制御回路は、入力されるオンオフ指令信号（一例としてＰＷＭ信号）に従って直接的に主回路トランジスタをオンオフ制御してソレノイドへの電流供給を制御する、いわゆるオープンループ形のソレノイド駆動を行う。そして、制御回路は、駆動対象のソレノイドバルブの駆動方式に応じて、上述した電流フィードバック形の駆動方式とオープンループ形の駆動方式の何れかを選択して、最適な方法でソレノイドバルブを駆動することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１実施例）
以下、本発明の第１実施例について図１ないし図４を参照して説明する。
自動変速機が搭載される車両には、当該自動変速機のソレノイドバルブを開閉するためのリニアソレノイドユニットが設けられている。図２は、リニアソレノイドユニットを駆動するためのソレノイド駆動システムの構成を示している。リニアソレノイドユニットは、車種に応じて所定の駆動方式に適した構成を有しており、図２には、典型的な構成を有するリニアソレノイドユニットＬＳ１〜ＬＳ５（以下、ソレノイドユニットと称す）を例示している。
【００２１】
ソレノイド駆動システム１１は、ソレノイド駆動ＩＣ１２と、これにより駆動される複数のリニアソレノイドユニット（例えばＬＳ１、ＬＳ５）とを有して構成されている。車種によっては、ソレノイドユニットＬＳ１に替えてソレノイドユニットＬＳ３が用いられ、ソレノイドユニットＬＳ５に替えてソレノイドユニットＬＳ２、ＬＳ４が用いられる。
【００２２】
ソレノイド駆動ＩＣ１２には、主回路トランジスタ１３、１４、１５、主回路トランジスタ１３のオンオフを制御する制御回路１６、主回路トランジスタ１４、１５のオンオフを制御する制御回路１７、ソレノイドユニットの駆動方式に基づいて制御回路１６、１７の制御方式を切り替えるための切替制御回路１８などが形成されている。
主回路トランジスタ１３、１４、１５は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴによって構成されている。主回路トランジスタ１３、１４は、ハイサイドスイッチとして動作し、主回路トランジスタ１５は、ハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチとして動作する。
【００２３】
ソレノイド駆動ＩＣ１２は、ソレノイド駆動信号Ｓd1、Ｓd2、Ｓd3の入力端子１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、切替指令信号Ｓinの入力端子２０、及びソレノイドユニットＬＳ１、ＬＳ５などを接続するための端子２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｆを備えている。端子２１ａ、２２ａ、２２ｅ及び端子２１ｂ、２２ｂ、２２ｆは、それぞれ主回路トランジスタ１３、１４、１５のドレイン及びソースに接続されている。また、電流検出用の端子２１ｃ、２１ｄ及び端子２２ｃ、２２ｄは、それぞれ制御回路１６及び１７に接続されている。
【００２４】
制御回路１６は、入力したソレノイド駆動信号Ｓd1に基づいてＰＷＭ信号Ｓp1を生成し、それを主回路トランジスタ１３のゲートに与えるように構成されている。また、端子２１ａ〜２１ｄに接続されるソレノイドユニットが電流検出用の抵抗（図２に示す抵抗Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｅ）を備えている場合、電流検出回路１６ａは、その抵抗の両端電圧をフィルタ回路によって平均化し、ソレノイドユニットに流れる電流を検出するようになっている。
【００２５】
一方、制御回路１７は、入力したソレノイド駆動信号Ｓd2、Ｓd3に基づいてＰＷＭ信号Ｓp2、Ｓp3を生成し、それを主回路トランジスタ１４、１５のゲートにそれぞれ与えるように構成されている。また、制御回路１７は、制御回路１６と同様にその内部に電流検出回路１７ａを有しており、ソレノイドユニットに流れる電流を検出可能となっている。
【００２６】
切替制御回路１８は、切替指令信号Ｓinの状態（レベル、入力の有無）に応じて切替状態信号Ｓo1及びＳo2を生成し、それを制御回路１６、１７に出力するようになっている。制御回路１６、１７は、この切替状態信号Ｓo1、Ｓo2に基づいてソレノイドユニットの駆動方式を切り替える。
【００２７】
なお、主回路トランジスタ１３によって駆動されるソレノイドユニットＬＳ１は、端子２３ａ〜２３ｄを備えており、ソレノイドコイルＬａと電流検出用の抵抗Ｒａとの直列回路に対して環流用のダイオードＤａが図示極性で並列（逆並列）に接続された回路構成となっている。また、車種によってはソレノイドユニットＬＳ１に替えて用いられるソレノイドユニットＬＳ３は、端子２５ａと２５ｂを備えており、ソレノイドコイルＬｃに対してダイオードＤｃが逆並列に接続された回路構成となっている。
【００２８】
また、主回路トランジスタ１４、１５によって駆動されるソレノイドユニットＬＳ５は、ソレノイドコイルＬｅ、電流検出用の抵抗Ｒｅ、ダイオードＤｅ、端子２７ａ〜２７ｆを備えており、端子２７ｅ、２７ｆの存在を除き、ソレノイドユニットＬＳ１と同様の回路構成となっている。また、ソレノイドユニットＬＳ２、ＬＳ４は、それぞれソレノイドユニットＬＳ１、ＬＳ３と同様に構成されている。
【００２９】
続いて、切替制御回路１８の詳細構成について図１を参照して説明する。
切替制御回路１８は、電源ライン３０ａ（第１の電源線に相当）及びグランド３０ｂ（第２の電源線に相当）から＋５Ｖの電源電圧Ｖccの供給を受けて動作し、入力ノードＮａに入力される切替指令信号Ｓinの状態に応じて、出力ノードＮｂ、Ｎｃから切替状態信号Ｓo1、Ｓo2を出力するようになっている。
【００３０】
電源ライン３０ａとグランド３０ｂとの間には、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の直列回路からなる第１の電位付与回路３１が接続されている。抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の接続点は上記ノードＮａであり、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３の接続点は、ＮＰＮ形トランジスタＱ１（第１のトランジスタに相当）のベースに接続されている。
【００３１】
このトランジスタＱ１は、グランド３０ｂに対しエミッタ接地されており、そのコレクタ（ノードＮｂ）は、抵抗Ｒ４を介して電源ライン３０ａに接続されている。なお、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３の抵抗値は、ノードＮａにＨレベル（電源電圧Ｖcc）の切替指令信号Ｓinが入力された状態において、トランジスタＱ１がオンするような値に選定されている。
【００３２】
ノードＮａは、抵抗Ｒ５を介してグランド３０ｂに接続されると共に、抵抗Ｒ６を介してＰＮＰ形トランジスタＱ２（第２のトランジスタに相当）のベースに接続されている。抵抗Ｒ１〜Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６により第２の電位付与回路３２が構成されており、それらの抵抗値は、ノードＮａに切替指令信号Ｓinが入力されていない状態（非入力状態）において、トランジスタＱ１及びトランジスタＱ２が何れもオンするような値に選定されている。
【００３３】
トランジスタＱ２は、電源ライン３０ａに対しエミッタ接地されている。トランジスタＱ２のコレクタは、抵抗Ｒ７と抵抗Ｒ８（プルダウン抵抗に相当）を介してグランド３０ｂに接続されており、抵抗Ｒ７と抵抗Ｒ８の接続点は、ＮＰＮ形トランジスタＱ３（第３のトランジスタに相当）のベースに接続されている。抵抗Ｒ７、Ｒ８の抵抗値は、トランジスタＱ２がオンしたとき、トランジスタＱ３がオンするような値に選定されている。トランジスタＱ３は、グランド３０ｂに対しエミッタ接地されており、そのコレクタ（ノードＮｃ）は、抵抗Ｒ９を介して電源ライン３０ａに接続されている。なお、上記した各抵抗Ｒ１〜Ｒ９の抵抗値は、大きすぎるとノイズに弱くなり、小さすぎると消費電流が増加してしまうため、上記した各条件を満たす適切な値に選定する。
【００３４】
次に、本実施例の作用について図３及び図４も参照して説明する。
はじめに、制御回路１６、１７の制御方式について説明する。制御回路１６、１７は、ＳＬＵ駆動、シフトソレノイド駆動、及びＳＬＴ駆動の３種類のソレノイドユニット駆動方式に対応するように、その制御方式を切り替え可能に構成されている。
【００３５】
ＳＬＵ駆動は、端子２１ａ〜２１ｄにソレノイドユニットＬＳ１が接続される場合、及び端子２２ａ〜２２ｄにソレノイドユニットＬＳ２が接続される場合の駆動方式である。この場合、制御回路１６、１７は、目標電流に応じたデューティ比を持つパルス状のソレノイド駆動信号Ｓd1、Ｓd2を入力し、電流検出回路１６ａ、１７ａにより検出したソレノイドコイルＬａ、Ｌｅの平均電流が目標電流に一致するようにＰＷＭ信号Ｓp1、Ｓp2を生成することにより電流フィードバック制御を行う。
【００３６】
シフトソレノイド駆動は、端子２１ａ、２１ｂにソレノイドユニットＬＳ３が接続される場合、及び端子２２ｅ、２２ｆにソレノイドユニットＬＳ４が接続される場合の駆動方式である。制御回路１６、１７は、ＰＷＭ波形を持つソレノイド駆動信号Ｓd1、Ｓd3を入力し、このソレノイド駆動信号Ｓd1、Ｓd3と同じ波形のＰＷＭ信号Ｓp1、Ｓp3を生成する。すなわち、制御回路１６、１７は、オープンループ制御により主回路トランジスタ１３、１５を駆動する。
【００３７】
ＳＬＴ駆動は、端子２２ａ〜２２ｆにソレノイドユニットＬＳ５が接続される場合の駆動方式である。制御回路１７は、上述したＳＬＵ駆動の場合と同様に、信号のデューティ比によって目標電流を指令するソレノイド駆動信号Ｓd2を入力し、ソレノイドコイルＬｅに流れる平均電流が目標電流に一致するようにＰＷＭ信号Ｓp2を生成することにより電流フィードバック制御を行う。
この場合、制御回路１７は、入力されるソレノイド駆動信号Ｓd3に関係なく、主回路トランジスタ１５がオンするようにＨレベルの信号Ｓp3を出力する。そして、例えばソレノイドコイルＬｅに過電流が流れるなどの異常が発生した場合、信号Ｓp3をＬレベルとし、主回路トランジスタ１５を遮断して保護する。
【００３８】
続いて、切替制御回路１８による制御回路１６、１７の制御方式の切り替えについて説明する。図３は、ソレノイド駆動システム１１が搭載される車種Ａ、Ｂ、Ｃ毎の各ソレノイドユニット駆動方式を示す図である。また、図４は、切替制御回路１８のノードＮａの状態、トランジスタＱ１〜Ｑ３の状態、及びノードＮｂ、Ｎｃから出力される切替状態信号Ｓo1、Ｓo2のレベルを示す図である。
【００３９】
車種Ａのソレノイド駆動システム１１では、端子２１ａ〜２１ｄにソレノイドユニットＬＳ１が接続され、端子２２ａ〜２２ｄにソレノイドユニットＬＳ２が接続され、端子２２ｅ、２２ｆにソレノイドユニットＬＳ４が接続される。
【００４０】
切替制御回路１８のノードＮａにＨレベル（電源電圧Ｖcc）の切替指令信号Ｓinが入力されると、トランジスタＱ１がオンしてノードＮｂはＬレベル（グランド電位）となる。また、トランジスタＱ２のベースは電源電圧Ｖccと同電位となり、トランジスタＱ２はオフする。これに伴い、トランジスタＱ３のベースはグランドと同電位となり、トランジスタＱ３もオフしてノードＮｃはＨレベルとなる。従って、ノードＮｂ、Ｎｃから出力される切替状態信号Ｓo1、Ｓo2は、図４に示すようにＳo1：Ｌレベル、Ｓo2：Ｈレベルとなる。
【００４１】
この切替状態信号Ｓo1、Ｓo2が制御回路１６及び１７に入力されると、図３に示すように、制御回路１６は、主回路トランジスタ１３を使用してＳＬＵ駆動を行うように制御方式を設定する。また、制御回路１７は、主回路トランジスタ１４を使用してＳＬＵ駆動を行い、主回路トランジスタ１５を使用してシフトソレノイド駆動を行うように制御方式を設定する。
【００４２】
車種Ｂのソレノイド駆動システム１１では、端子２１ａ、２１ｂにソレノイドユニットＬＳ３が接続され、端子２２ａ〜２２ｄにソレノイドユニットＬＳ２が接続され、端子２２ｅ、２２ｆにソレノイドユニットＬＳ４が接続される。
【００４３】
ノードＮａにＬレベルの切替指令信号Ｓinが入力されると、トランジスタＱ１がオフしてノードＮｂはＨレベルとなる。また、トランジスタＱ２はオンとなり、抵抗Ｒ８の端子間電圧により、トランジスタＱ３がオンしてノードＮｃはＬレベルとなる。従って、ノードＮｂ、Ｎｃから出力される切替状態信号Ｓo1、Ｓo2は、図４に示すようにＳo1：Ｈレベル、Ｓo2：Ｌレベルとなる。
【００４４】
この切替状態信号Ｓo1、Ｓo2が制御回路１６及び１７に入力されると、図３に示すように、制御回路１６は、主回路トランジスタ１３を使用してシフトソレノイド駆動を行うように制御方式を設定し、制御回路１７は、主回路トランジスタ１４を使用してＳＬＵ駆動を行い、主回路トランジスタ１５を使用してシフトソレノイド駆動を行うように制御方式を設定する。
【００４５】
車種Ｃのソレノイド駆動システム１１では、端子２１ａ〜２１ｄにソレノイドユニットＬＳ１が接続され、端子２２ａ〜２２ｆにソレノイドユニットＬＳ５が接続される。この場合、入力端子２０はオープン状態とされ、ノードＮａには切替指令信号Ｓinが入力されない。このとき、第１の電位付与回路３１によってトランジスタＱ１のベースにオン可能な電位が与えられ、トランジスタＱ１がオンしてノードＮｂはＬレベルとなる。
【００４６】
また、第２の電位付与回路３２によってトランジスタＱ２のベースにオン可能な電位が与えられ、トランジスタＱ２がオンする。これに伴って、トランジスタＱ３がオンしてノードＮｃはＬレベルとなる。従って、ノードＮｂ、Ｎｃから出力される切替状態信号Ｓo1、Ｓo2は、図４に示すようにＳo1：Ｌレベル、Ｓo2：Ｌレベルとなる。
【００４７】
この切替状態信号Ｓo1、Ｓo2が制御回路１６及び１７に入力されると、図３に示すように、制御回路１６は、主回路トランジスタ１３を使用してＳＬＵ駆動を行うように制御方式を設定し、制御回路１７は、主回路トランジスタ１４、１５を使用してＳＬＴ駆動を行うように制御方式を設定する。
【００４８】
以上説明したように、本実施例のソレノイド駆動ＩＣ１２は、３通りのソレノイドユニット駆動方式による駆動が可能であり、構成の異なる各種のソレノイドユニット（ソレノイドバルブ）が搭載された多種類の車両に広く適用できる。
ソレノイド駆動ＩＣ１２に含まれる切替制御回路１８は、ノードＮａに入力される１つの切替指令信号Ｓinの状態（レベル、入力の有無）に応じて、３状態を区別可能な切替状態信号Ｓo1、Ｓo2を出力することができる。従って、切替指令信号Ｓinの状態を変えるだけで各種車両に搭載されたソレノイドバルブを共通のソレノイド駆動ＩＣ１２を用いて制御できる。
切替制御回路１８は、極めて低い電源電圧Ｖcc、例えば１．５Ｖ程度の電圧でも動作可能に構成されている。従って、車載バッテリの電圧低下の影響を受けにくい利点を有している。
【００４９】
（第２実施例）
図５は本発明の第２実施例を示すものであり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。
本実施例の切替制御回路４０は、図１に示す切替制御回路１８で用いたトランジスタＱ１〜Ｑ３に替えて、ＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３を有して構成されている。また、抵抗Ｒ１〜Ｒ９の抵抗値は、ＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３がトランジスタＱ１〜Ｑ３と同様のオンオフ動作を行うような値に選定されている。このような切替制御回路４０によっても、第１実施例における切替制御回路１８と同様の作用、効果を得ることができる。
【００５０】
（第３実施例）
図６、図７は本発明の第３実施例を示すものであり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。
本実施例の切替制御回路４１は、図１に示す切替制御回路１８からトランジスタＱ３、抵抗Ｒ７、Ｒ９を削除し、トランジスタＱ２のコレクタ（ノードＮｄ）から切替状態信号Ｓo2を出力するように構成されている。
【００５１】
このような切替制御回路４１は、図７に示すように、切替状態信号Ｓo2の論理レベルが反転する以外は、第１実施例における切替制御回路１８と同様の作用、効果を得ることができる。従って、切替状態信号Ｓo1、Ｓo2の受け側である制御回路１６、１７の入力論理に応じて、切替制御回路１８と切替制御回路４１とを使い分けることができる。
【００５２】
（その他の実施例）
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施例に限定されるものではなく、次のような変形又は拡張が可能である。
抵抗Ｒ１〜Ｒ９は、ベース拡散抵抗、エミッタ拡散抵抗、エピタキシャル抵抗などで構成してもよい。
第１、第３実施例における電源電圧Ｖccは、トランジスタＱ１〜Ｑ３を駆動可能な電圧であればよい。また、第２実施例における電源電圧Ｖccは、ＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３を駆動可能な電圧であればよい。
第２実施例では、第１〜第３のトランジスタをＭＯＳ形ＦＥＴで構成したが、接合形ＦＥＴで構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１実施例を示す切替制御回路の構成図
【図２】車両用変速機におけるソレノイド駆動システムの構成図
【図３】リニアソレノイドユニットの駆動方式の選択を示す図
【図４】切替制御回路における各ノード及び各トランジスタの状態を示す図
【図５】本発明の第２実施例を示す図１相当図
【図６】本発明の第３実施例を示す図１相当図
【図７】図４相当図
【図８】第１の従来例を示すもので、（ａ）は図１相当図、（ｂ）は図４相当図
【図９】第２の従来例を示す図８相当図
【図１０】第３の従来例を示す図８相当図
【符号の説明】
【００５４】
図面中、１２はソレノイド駆動ＩＣ（半導体集積回路装置）、１３、１４、１５は主回路トランジスタ、１６、１７は制御回路、１６ａ、１７ａは電流検出回路、１８、４０、４１は切替制御回路、３０ａは電源ライン（第１の電源線）、３０ｂはグランド（第２の電源線）、３１は第１の電位付与回路、３２は第２の電位付与回路、ＬＳ１〜ＬＳ５はリニアソレノイドユニット（ソレノイド）、Ｍ１はＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（第１のトランジスタ）、Ｍ２はＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（第２のトランジスタ）、Ｍ３はＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（第３のトランジスタ）、Ｑ１はＮＰＮ形トランジスタ（第１のトランジスタ）、Ｑ２はＰＮＰ形トランジスタ（第２のトランジスタ）、Ｑ３はＮＰＮ形トランジスタ（第３のトランジスタ）、Ｒ８はプルダウン抵抗を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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