(57)【要約】【課題】半導体装置のさらなる高機能化を図る。【解決手段】半導体装置１０は、リードフレーム２０と、第１電極パッド３２ｃを有する第１半導体チップ３２と、第１半導体チップの表面３２ａ上に搭載されている第２半導体チップ３４と、複数本のボンディングワイヤを含む第１ボンディングワイヤ群４０と、第１半導体チップ、第２半導体チップ、リード２２の一部分及び第１ボンディングワイヤ群を封止する第１封止部５０と、第１封止部上に搭載されている第３半導体チップ６２と、第３半導体チップの表面６２ａ上に搭載されている第４半導体チップ６４と、複数本のボンディングワイヤを含む第２ボンディングワイヤ群７０と、第３半導体チップ、第４半導体チップ、第１封止部から露出しているリードの一部分及び第２ボンディングワイヤ群を封止している第２封止部８０とを具えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載部、それぞれの端部が当該チップ搭載部の端縁方向に向かって延在しており、かつ当該端部は前記チップ搭載部とは離間して設けられている複数のリードを有するリードフレームと、
前記チップ搭載部に搭載されている第１半導体チップであって、当該第１半導体チップの表面に露出している複数の第１電極パッドの配列を有する当該第１半導体チップと、
前記第１半導体チップの前記表面上であり、前記第１電極パッドの配列の内側に搭載されている第２半導体チップであって、当該第２半導体チップの表面に露出している複数の第２電極パッドの配列を有する当該第２半導体チップと、
前記第１電極パッド、前記第２電極パッド及び前記リードの電気的な接続を形成する、複数本のボンディングワイヤを含む第１ボンディングワイヤ群と、
前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、前記リードの一部分及び前記第１ボンディングワイヤ群を封止する第１封止部と、
前記第１封止部上に搭載されている第３半導体チップであって、当該第３半導体チップの表面に露出している複数の第３電極パッドの配列を有する当該第３半導体チップと、
前記第３半導体チップの前記表面上に、前記第３電極パッドの配列の内側に搭載されている第４半導体チップであって、当該第４半導体チップの表面に露出している複数の第４電極パッドの配列を有する当該第４半導体チップと、
前記第３電極パッド、前記第４電極パッド及び前記第１封止部から露出している前記リードの電気的な接続を形成する、複数本のボンディングワイヤを含む第２ボンディングワイヤ群と、
前記第３半導体チップ、前記第４半導体チップ、前記第１封止部から露出している前記リードの一部分及び前記第２ボンディングワイヤ群を封止している第２封止部と
を具えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チップ搭載部、それぞれの端部が当該チップ搭載部の端縁方向に向かって延在しており、かつ当該端部は前記チップ搭載部とは離間して設けられている複数のリードを有するリードフレームと、
前記チップ搭載部に搭載されている第１半導体チップであって、当該第１半導体チップの表面に露出している複数の第１電極パッドの配列を有する第１半導体チップと、
前記第１半導体チップの前記表面上であり、前記第１電極パッドの配列の内側に搭載されている第２半導体チップであって、当該第２半導体チップの表面に露出している複数の第２電極パッドの配列を有している当該第２半導体チップと、
前記チップ搭載部の裏面に搭載されている第３半導体チップであって、当該第３半導体チップの表面に露出している複数の第３電極パッドの配列を有している当該第３半導体チップと、
前記第３半導体チップの前記表面上であり、前記第３電極パッドの配列の内側に搭載されている第４半導体チップであって、該第４半導体チップの表面に露出している複数の第４電極パッドの配列を有している当該第４半導体チップと、
前記第１電極パッド、前記第２電極パッド及び前記リードの組み合わせと前記第３電極パッド、前記第４電極パッド及び前記リードの組み合わせとを電気的に接続している、複数本のボンディングワイヤを含む第１ボンディングワイヤ群と、
前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、前記第３半導体チップ、前記第４半導体チップ、前記リードの一部分及び前記第１ボンディングワイヤ群を封止している第１封止部と、
前記第１封止部の上面に搭載されている第５半導体チップであって、該第５半導体チップの表面にそれぞれ露出している複数の第５電極パッドの配列を有している当該第５半導体チップと、
前記第５半導体チップの前記表面上であり、前記第５電極パッドの配列の内側に搭載されている第６半導体チップであって、該第６半導体チップの表面に露出している複数の第６電極パッドの配列を有している当該第６半導体チップと、
前記第１封止部の下面に搭載されている第７半導体チップであって、該第７半導体チップの表面に露出している複数の第７電極パッドの配列を有している当該第７半導体チップと、
前記第７半導体チップの前記表面上であり、前記第７電極パッドの配列の内側に搭載されている第８半導体チップであって、該第８半導体チップの表面に露出している複数の第８電極パッドの配列を有している当該第８半導体チップと、
前記第５電極パッド、前記第６電極パッド及び前記リードの組み合わせと前記第７電極パッド、前記第８電極パッド及び前記リードの組み合わせとを電気的に接続している、複数本のボンディングワイヤを含む第２ボンディングワイヤ群と、
前記第５半導体チップ、前記第６半導体チップ、前記第７半導体チップ、前記第８半導体チップ、前記第１封止部から露出している前記リードの一部分及び前記第２ボンディングワイヤ群を封止している第２封止部と
を具えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１封止部は、前記第２ボンディングワイヤ群に属するボンディングワイヤのうち、当該第１封止部上を通過する前記ボンディングワイヤの全長の一部分を非接触として、内部を通過することができる溝部をさらに有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１封止部及び前記第２封止部のいずれか一方または両方は、前記第１半導体チップ群及び前記第２半導体チップ群のいずれか一方又は両方の搭載を確認するための確認マークをさらに有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
（１）２つの平行に延在しているフレーム部と、当該フレーム部から離間して配置されている複数のチップ搭載部と、前記フレーム部及び前記チップ搭載部間を接続して、前記チップ搭載部を前記フレーム部に支持する支持リードと、前記チップ搭載部の端縁から離間して互いに平行に配列されており、前記チップ搭載部と対向している第１タイバー、当該第１タイバーから離間している第２タイバー及び第３タイバーを含むタイバーと、当該タイバーそれぞれと交差して接続されており、前記チップ搭載部の端縁方向に向かって延在しており、かつその端部が前記チップ搭載部とは離間して設けられている複数のリードとを具えるリードフレームを準備する工程と、
（２）複数の前記チップ搭載部の表面それぞれに、表面に露出している第１電極パッドを有する複数個の第１半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、
（３）前記第１半導体チップの前記表面上であって、前記第１電極パッドの配列の内側に、表面に露出している複数の第２電極パッドの配列を有する第２半導体チップを搭載する工程と、
（４）前記第１電極パッド、前記第２電極パッド及び前記リードの組み合わせとして、複数本のボンディングワイヤを含む第１ボンディングワイヤ群により電気的な接続を形成する工程と、
（５）前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、前記第１タイバーより前記チップ搭載部側に位置する前記リードの一部分及び前記第１ボンディングワイヤ群を、前記第１タイバーにより余剰封止樹脂をせき止めつつ封止して、複数の第１封止部を形成する工程と、
（６）前記第１タイバー及び余剰封止樹脂を切断して除去する工程と、
（７）複数の前記第１封止部上に、表面に露出している複数の第３電極パッドの配列を有する複数個の第３半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、
（８）前記第３半導体チップの前記表面上であって、前記第３電極パッドの配列の内側に、表面に露出している複数の第４電極パッドの配列を有する第４半導体チップを搭載する工程と、
（９）前記第３電極パッド、前記第４電極パッド及び前記第１封止部から露出している前記リードの組み合わせを、複数本のボンディングワイヤを含む第２ボンディングワイヤ群により電気的に接続する工程と、
（１０）前記第３半導体チップ、前記第４半導体チップ、前記第１封止部から露出している前記リードの一部分及び前記第２ボンディングワイヤを、前記第２タイバーにより余剰封止樹脂をせき止めつつ封止して、複数の第２封止部を形成する工程と、
（１１）前記第２タイバー及び余剰封止樹脂を切断して除去する工程と、
（１２）前記第３タイバーより前記チップ搭載部側に位置して前記第２封止部から露出しているリードを切断して個片化を行う工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（１）２つの平行に延在しているフレーム部と、当該フレーム部から離間して配置されている複数のチップ搭載部と、前記フレーム部及び前記チップ搭載部間を接続して、前記チップ搭載部を前記フレーム部に支持する支持リードと、前記チップ搭載部の端縁から離間して互いに平行に配列されており、前記チップ搭載部と対向している第１タイバー、当該第１タイバーから離間している第２タイバー及び第３タイバーを含むタイバーと、当該タイバーそれぞれと交差して接続されており、前記チップ搭載部の端縁方向に向かって延在しており、かつその端部は前記チップ搭載部とは離間して設けられている複数のリードとを具えるリードフレームを準備する工程と、
（２）複数の前記チップ搭載部の表面それぞれに、表面に露出している複数の第１電極パッドを有する複数個の第１半導体チップを搭載する工程と、
（３）前記第１半導体チップの前記表面上であって、前記第１電極パッドの配列の内側に、表面に露出している複数の第２電極パッドの配列を有する第２半導体チップを搭載する工程と、
（４）複数の前記チップ搭載部の裏面それぞれに、表面に露出している複数の第３電極パッドの配列を有する複数個の第３半導体チップを搭載する工程と、
（５）前記第３半導体チップの前記表面上に、前記第３電極パッドを露出して、表面に露出している第４電極パッドを有する第４半導体チップを搭載する工程と、
（６）前記第１電極パッド、前記第２電極パッド及び前記リードの組み合わせと前記第３電極パッド、前記第４電極パッド及び前記リードの組み合わせを、複数本のボンディングワイヤを含む第１ボンディングワイヤ群により電気的に接続する工程と、
（７）前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、前記第３半導体チップ、前記第４半導体チップ、前記第１タイバーより前記チップ搭載部側に位置する前記リードの一部分及び前記第１ボンディングワイヤ群を、前記第１タイバーにより余剰封止樹脂をせき止めつつ封止して、複数の第１封止部を形成する工程と、
（８）前記第１タイバー及び余剰封止樹脂を切断して除去する工程と、
（９）複数の前記第１封止部の上面それぞれに、表面に露出している複数の第５電極パッドの配列を有する複数個の第５半導体チップを搭載する工程と、
（１０）複数の前記第５半導体チップの前記表面上に、前記第５電極パッドの配列の内側に、表面に露出している複数の第６電極パッドの配列を有する第６半導体チップを搭載する工程と、
（１１）複数の前記第１封止部の下面それぞれに、表面に露出している複数の第７電極パッドの配列を有する複数の第７半導体チップを搭載する工程と、
（１２）前記第７半導体チップの前記表面上であって、前記第７電極パッドの配列の内側に、表面に露出している複数の第８電極パッドの配列を有する第８半導体チップを搭載する工程と、
（１３）前記第５電極パッド、前記第６電極パッド及び前記リードの組み合わせと前記第７電極パッド、前記第８電極パッド及び前記リードの組み合わせとを、複数本のボンディングワイヤを含む第２ボンディングワイヤ群により電気的に接続する工程と、
（１４）前記第５半導体チップ、前記第６半導体チップ、前記第７半導体チップ、前記第８半導体チップ、前記第１封止部から露出している前記リードの一部分及び前記第２ボンディングワイヤ群を、前記第２タイバーにより余剰封止樹脂をせき止めつつ封止して、複数の第２封止部を形成する工程と、
（１５）前記第２タイバー及び余剰封止樹脂を切断して除去する工程と、
（１６）前記第３タイバーより前記チップ搭載部側に位置して前記第２封止部から露出しているリードを切断して個片化を行う工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１封止部を形成する工程は、前記第２ボンディングワイヤ群に属するボンディングワイヤのうち、当該第１封止部上を通過する前記ボンディングワイヤの全長の一部分を非接触として、内部を通過することができる溝部をさらに有する前記第１封止部を形成する工程であることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１封止部及び前記第２封止部を形成する工程のいずれか一方または両方は、前記第１封止部及び前記第２封止部のいずれか一方または両方に、前記第１半導体チップ群及び前記第２半導体チップ群のいずれか一方又は両方の搭載を確認するための確認マークをさらに有している封止部を形成する工程であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
２つの平行に延在しているフレーム部と、
当該フレーム部から離間して配置されている複数のチップ搭載部と、
前記フレーム部及び前記チップ搭載部間を接続して、前記チップ搭載部を前記フレーム部に支持する支持リードと、
前記チップ搭載部の端縁から離間して互いに平行に配列されており、前記チップ搭載部と対向している第１タイバー、当該第１タイバーから離間している第２タイバー及び第３タイバーを含むタイバーと、
前記タイバーそれぞれと交差して接続されており、前記チップ搭載部の端縁方向に向かって延在しており、かつその端部は前記チップ搭載部とは離間して設けられている複数のリードと
を具えていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項１０】
チップ搭載部、当該チップ搭載部を取り囲んで設けられている第１タイバー、当該第１タイバーを取り囲んで設けられている第２タイバー、前記第１タイバーと前記チップ搭載部との間に延在している第１の部分及び前記第１タイバーと前記第２タイバーとの間に延在している第２の部分をそれぞれ含んでいる複数のリードを含むリードフレームを準備する工程と、
前記チップ搭載部上に、表面に複数の電極パッドを有している第１半導体チップを搭載する工程と、
前記第１半導体チップの前記電極パッド及び前記リードの前記第１の部分とを第１ボンディングワイヤにより接続する工程と、
前記第１タイバーの内側で前記第１半導体チップ、前記第１ボンディングワイヤを樹脂封止して第１封止部を形成する工程と、
前記第１封止部を形成した後に、複数の前記リード同士の間の前記第１タイバーを切断する工程と、
前記第１封止部上に、表面に複数の電極パッドを複数の電極パッドを有する第２半導体チップを搭載する工程と、
前記第２半導体チップの前記電極パッドと、前記リードの前記第２の部分とを第２ボンディングワイヤにより接続する工程と、
前記第２タイバーと前記第１封止部との間で、前記第２半導体チップ、前記第２ボンディングワイヤを樹脂封止して第２封止部を形成する工程と、
前記第２封止部を形成した後に、複数の前記リード同士の間の前記第２タイバーを切断する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１半導体チップ上に、表面に複数の電極パッドを有する第３半導体チップを搭載する工程と、
前記第１半導体チップの電極パッドと前記第３半導体チップの電極パッドとを第３ボンディングワイヤにより接続する工程とをさらに含み、
前記第３のボンディングワイヤによる接続を行った後に樹脂封止を行って前記第１封止部を形成する工程を行うことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置に関し、特に樹脂封止型の半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
いわゆる樹脂封止型半導体装置として、配線基板上にフリップチップ接続される第１の半導体素子と、第１の半導体素子を包囲して配線基板上に設けられている樹脂周壁と、樹脂周壁の内方に充填されて硬化される封止用樹脂と、封止用樹脂の上面に背面が固着され表面に設けられた電極が配線基板の配線にボンディングワイヤによって接続される第２の半導体素子とを具備した半導体装置及びその製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−２２２９１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
複数の半導体チップを積層する従来の樹脂封止型半導体装置においては、より上側に位置させる半導体チップの表面積は、下側に位置させる半導体チップの表面積よりも小さくする必要があった。従って、この種の半導体装置は、所望の機能を備えた半導体チップを、特に上側のチップサイズの制限により実装できず、パッケージとしての機能が制限されてしまう場合があった。
【０００４】
また、それぞれの半導体チップ間及び半導体チップと外部との電気的な信号のやり取りをボンディングワイヤによって行う構成の場合には、ボンディングワイヤのレイアウトを行うのが困難となり、ボンディングワイヤ同士の接触、又はボンディングワイヤと半導体チップの接触による電気的な短絡が発生するおそれがある。
【０００５】
さらに、モールド樹脂の封止時に、モールド樹脂の充填が不十分となり、封止部にボイドが生じるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。上記課題を解決するにあたり、この発明の半導体装置は、下記のような構成を有している。
【０００７】
すなわち、半導体装置は、チップ搭載部、及びそれぞれの端部が当該チップ搭載部の端縁方向に向かって延在しており、かつその端部はチップ搭載部とは離間して設けられている複数のリードを有するリードフレームを具えている。
【０００８】
また、半導体装置は、チップ搭載部に搭載されていて、表面に露出している複数の第１電極パッドの配列を有する第１半導体チップを具えている。
【０００９】
半導体装置は、第１半導体チップの表面上に、第１電極パッドの配列の内側に搭載されていて、表面に露出している複数の第２電極パッドの配列を有する第２半導体チップを具えている。
【００１０】
半導体装置は、第１電極パッド、第２電極パッド及びリードの電気的な接続を形成する、複数本のボンディングワイヤを含む第１ボンディングワイヤ群を具えている。
【００１１】
半導体装置は、第１半導体チップ、第２半導体チップ、リードの一部分及び第１ボンディングワイヤ群を封止する第１封止部を具えている。
【００１２】
半導体装置は、第１封止部上に搭載されていて、表面に露出している複数の第３電極パッドの配列を有する第３半導体チップを具えている。
【００１３】
半導体装置は、第３半導体チップの表面上に、第３電極パッドの配列の内側に搭載されていて、表面に露出している複数の第４電極パッドの配列を有する第４半導体チップを具えている。
【００１４】
半導体装置は、第３電極パッド、第４電極パッド及び第１封止部から露出しているリードの電気的な接続を形成する、複数本のボンディングワイヤを含む第２ボンディングワイヤ群を具えている。
【００１５】
半導体装置は、第３半導体チップ、第４半導体チップ、第１封止部から露出しているリードの一部分及び第２ボンディングワイヤ群を封止している第２封止部を具えている。
【００１６】
また、この発明の半導体装置の製造方法は、主として、下記のような工程を含んでいる。
【００１７】
すなわち、（１）２つの平行に延在しているフレーム部と、このフレーム部から離間して配置されている複数のチップ搭載部と、フレーム部及びチップ搭載部間を接続して、チップ搭載部をフレーム部に支持する支持リードと、チップ搭載部の端縁から離間して互いに平行に配列されており、チップ搭載部と対向している第１タイバー、この第１タイバーから離間している第２タイバー及び第３タイバーを含むタイバーと、このタイバーそれぞれと交差して接続されており、チップ搭載部の端縁方向に向かって延在しており、かつその端部がチップ搭載部とは離間して設けられている複数のリードとを具えるリードフレームを準備する。
【００１８】
（２）複数のチップ搭載部の表面それぞれに、表面に露出している第１電極パッドを有する複数個の第１半導体チップをそれぞれ搭載する。
【００１９】
（３）第１半導体チップの表面上であって、第１電極パッドの配列の内側に、表面に露出している複数の第２電極パッドの配列を有する第２半導体チップを搭載する。
【００２０】
（４）第１電極パッド、第２電極パッド及びリードの組み合わせとして、複数本のボンディングワイヤを含む第１ボンディングワイヤ群により電気的な接続を形成する。
【００２１】
（５）第１半導体チップ、第２半導体チップ、第１タイバーよりチップ搭載部側に位置するリードの一部分及び第１ボンディングワイヤ群を、第１タイバーにより余剰封止樹脂をせき止めつつ封止して、複数の第１封止部を形成する。
【００２２】
（６）第１タイバー及び余剰封止樹脂を切断して除去する。
【００２３】
（７）複数の第１封止部上に、表面に露出している複数の第３電極パッドの配列を有する複数個の第３半導体チップをそれぞれ搭載する。
【００２４】
（８）第３半導体チップの表面上であって、第３電極パッドの配列の内側に、表面に露出している複数の第４電極パッドの配列を有する第４半導体チップを搭載する。
【００２５】
（９）第３電極パッド、第４電極パッド及び第１封止部から露出しているリードの組み合わせを、複数本のボンディングワイヤを含む第２ボンディングワイヤ群により電気的に接続する。
【００２６】
（１０）第３半導体チップ、第４半導体チップ、第１封止部から露出しているリードの一部分及び第２ボンディングワイヤを、第２タイバーにより余剰封止樹脂をせき止めつつ封止して、複数の第２封止部を形成する。
【００２７】
（１１）第２タイバー及び余剰封止樹脂を切断して除去する。
【００２８】
（１２）第３タイバーよりチップ搭載部側に位置して前記第２封止部から露出しているリードを切断して個片化を行う。
【００２９】
この発明の半導体装置の製造方法に適用して好適なリードフレームは、下記のような構成を具えている。
【００３０】
すなわち、リードフレームは、２つの平行に延在しているフレーム部と、このフレーム部から離間して配置されている複数のチップ搭載部と、フレーム部及びチップ搭載部間を接続して、チップ搭載部をフレーム部に支持する支持リードと、チップ搭載部の端縁から離間して互いに平行に配列されており、チップ搭載部と対向している第１タイバー、この第１タイバーから離間している第２タイバー及び第３タイバーと、これらタイバー各々と交差して接続されており、チップ搭載部の端縁方向に向かって延在しており、かつその端部はチップ搭載部とは離間して設けられている複数のリードとを有している。
【発明の効果】
【００３１】
この発明の半導体装置の構成によれば、複数の封止部、すなわち第１封止部上にさらなる半導体チップを積層して、第１封止部全体をさらに覆う第２封止部を設けるので、第１封止部に封止される半導体チップのサイズに、第２封止部内に封止される半導体チップのサイズは制限されることがない。従って、パッケージ内に封止される半導体チップの選択の幅をさらに拡げることができる。結果として、半導体装置（パッケージ）のさらなる高機能化を図ることができる。
【００３２】
この発明の半導体装置の製造方法によれば、複数本のタイバーを有するリードフレームを用いるので、複数回の封止工程ごとに、タイバーにより余剰樹脂をせき止めることができ、封止工程終了後、順次にタイバーを除去しつつリードを延伸させながら封止工程を実施することができる。従って、この発明の半導体装置をより簡易な工程でより効率的に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、図面には、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係が概略的に示されているに過ぎず、これによりこの発明が特に限定されるものではない。また、以下の説明において、特定の材料、条件及び数値条件等を用いることがあるが、これらは好適例の１つに過ぎず、従って、この発明は何らこれらに限定されない。
【００３４】
なお、この発明の半導体装置の製造方法における各製造工程は、原則として、従来公知の材料及び製造装置を用いて実施することができる。従って、各製造工程における材料、条件等の詳細な説明は省略する場合もある。
【００３５】
１．リードフレームの構造
先ず、図１を参照して、この発明の半導体装置及びその製造方法に適用して好適なリードフレームの構成例について説明する。
【００３６】
図１は、リードフレームの模式的な部分平面図である。チップ搭載部とリードの組み合わせを１コマとして、複数コマが一直線方向に並置されているリードフレームの一部分（１コマ分）を示している。
【００３７】
この発明のリードフレーム２０は、２本の平行なフレーム部２１と、複数のチップ搭載部２４と、支持リード２３と、複数本のタイバー２５と、複数本のリード２２とを具えている。
【００３８】
リードフレーム２０は、この例では長尺のフィルム状の形状を有している。リードフレーム２０は、例えば導体板、好ましくは銅等の導体金属材料により構成されたものを用いるのがよい。
【００３９】
フレーム部２１は、リードフレーム２０の基部である。フレーム部２１は、互いに平行に延在する２本の長尺レール状の構成を有している。
【００４０】
チップ搭載部２４は、リードフレーム２０の、半導体チップを搭載するための部分であり、ダイパッドとも称する。このチップ搭載部２４の表面２４ａはチップ搭載面である。これら複数のチップ搭載部２４は、２本のフレーム部２１間に挟まれて（すなわち、両側を囲まれて）いる。複数のチップ搭載部２４は、リードフレーム２０の長尺方向に沿って、それぞれが互いに等間隔にかつ直線的に配列されている。
【００４１】
チップ搭載部２４は、図１に示す構成例では矩形状としてある。しかしながら、チップ搭載部２４は設計に応じた任意好適な形状とすることができる。
【００４２】
チップ搭載部２４は、第１の辺２４Ｘ及びこの第１の辺２４Ｘと平行に対向する第２の辺２４Ｙ、及びこれらに直交する２つの対向辺（以下、直交辺とも称する。）により画成されている。これら第１の辺２４Ｘは、フレーム部２１の延在方向に直交しており、また、直交辺はフレーム部２１の延在方向に対して平行である。従って、２本の直交辺が、２本のフレーム部２１それぞれと対向している。
【００４３】
チップ搭載部２４の面積は、搭載される半導体チップの仕様、及び製造される半導体装置の仕様に応じて任意好適な面積とすることができる。
【００４４】
チップ搭載部２４は、フレーム部２１の延在方向に沿って、互いに離間して設けられている。
【００４５】
支持リード２３は、フレーム部２１に接続されている。この例では、これら支持リード２３は、直線状のリードとしてそれぞれのフレーム部２１から１本ずつチップ搭載部２４に接続して形成されている。
【００４６】
これら支持リード２３は、その一端がフレーム部２１にそれぞれ接続されていて、他端がチップ搭載部２４の互いに対向する２つの直交辺それぞれに接続されている。図１に示す構成例では、支持リード２３それぞれは、フレーム部２１の延在方向及び２つの直交辺のいずれにも直交する方向にすなわち垂直に接続されている。
【００４７】
タイバー２５は、封止工程において余剰となった封止樹脂が金型に挟まれたリードフレーム２０のリードの隙間から金型外に流出するのをせき止めて防止する機能を有している。
【００４８】
タイバー２５は、図１に示す構成例では、第１タイバー２５ａ、第２タイバー２５ｂ及び第３タイバー２５ｃの３本を一組として２つのフレーム部２１間にわたって設けられている。すなわち、この例では、タイバー２５は、チップ搭載部（２４）１つあたり、チップ搭載部２４の第１の辺２４Ｘ及び第２の辺２４Ｙそれぞれに対向して３本ずつが設けられている。
【００４９】
タイバー２５は、チップ搭載部２４の端縁すなわち第１及び第２の辺２４Ｘ及び２４Ｙから離間して設けられている。タイバー２５は、この例では直線状（短冊状）の形状を有している。タイバー２５の両端縁は、フレーム部２１に対して垂直に接続されている。
【００５０】
これら第１タイバー２５ａ、第２タイバー２５ｂ及び第３タイバー２５ｃは、それぞれ互いに平行にかつ離間して、フレーム部２１の延在方向に沿って配列されている。第１タイバー２５ａはチップ搭載部２４と対向して、これと直近に配置されている。第２タイバー２５ｂは、チップ搭載部２４を基準にして、第１タイバー２５ａの外側に配置されている。第３タイバー２５ｃは、チップ搭載部２４を基準にして、第２タイバー２５ｂのさらに外側に配置されている。
【００５１】
タイバー２５の本数は、後述する封止工程の実施回数に応じて、任意好適な本数とすればよい。具体的には、好ましくは、封止工程の実施回数と同数本、又は封止工程の実施回数と等しい本数とすればよい。すなわち、２回の封止工程を実施する場合には、第１の辺２４Ｘ及び第２の辺２４Ｙそれぞれにつき、少なくとも２本のタイバー２５を対向させて設けるのがよい。
【００５２】
リード２２は、パッケージ内に封入される複数の半導体チップ同士の電気的な導通又は外部との電気的な導通を取るための機能部として機能する。
【００５３】
リード２２は、チップ搭載部２４の第１及び第２の辺２４Ｘ及び２４Ｙそれぞれに対向して、複数本例えば５本ずつが設けられている。
【００５４】
リード２２は、チップ搭載部２４の端縁、すなわち第１及び第２の辺２４Ｘ及び２４Ｙに向かって直線状に延在する短冊状の形態を有している。各リード２２の端部はチップ搭載部２４とは離間してかつ対向して設けられている。各リード２２は、第１及び第２の辺２４Ｘ及び２４Ｙと直交する方向にすなわちフレーム部２１の延在方向に沿ってそれぞれ延在している。すなわち、直線状の複数、この例では５本のリード２２は、タイバー２５、すなわち第１タイバー２５ａ、第２タイバー２５ｂ及び第３タイバー２５ｃ各々とそれぞれ直角に交差して接続されているとともに２本のフレーム部２１と互いに平行にかつ離間して配列されている。
【００５５】
リード２２の本数、リード２２同士の間隔は、チップ搭載部２４上に搭載される半導体チップの仕様、及び製造される半導体装置（パッケージ）の外部端子の間隔に等しく決定すればよい。
【００５６】
上述のリードフレーム２０の説明において、各構成要素の位置関係を説明するにあたり、「接続」という用語を用いた。
【００５７】
一般に、リードフレームは、１枚の帯状体（ストリップ）である導体金属板を、パンチ加工して型抜きするか、又はエッチングすることにより一体形成される。
【００５８】
従って、リードフレーム２０は、チップ搭載部２４、並びにチップ搭載部２４に接続されている支持リード２３、リード２２及びタイバー２５が連続的なパターンとして、一体成形されている。
【００５９】
上述したリードフレーム２０の構成例は、好適例であり、この発明の目的を損なわない範囲で、これに限定されない。例えば、リード２２の形状は、複数本が互いに接触しない屈曲した形状のパターンであってもよい。
【００６０】
また、リードフレーム２０は、チップ搭載部２４とリード２２の組み合わせを１コマとして、複数コマが一直線方向に並列している例につき説明したが、複数コマがマトリクス状に配置されているいわゆるマトリクスリードフレームとする構成としてももちろんよい。この場合には、支持リード２３は、矩形のチップ搭載部２４の４つの角隅部それぞれとフレーム部２１とを接続する形態とすればよい。
【００６１】
この場合には、タイバー２５、すなわち第１タイバー２５ａ、第２タイバー２５ｂ及び第３タイバー２５ｃを、チップ搭載部２４の各辺に、対向させかつ離間させるように、すなわちチップ搭載部２４が例えば矩形状である場合には、チップ搭載部２４の各辺から離間してこれを一体としてドーナツ状に取り囲むように配置することもできる。このとき第２タイバー２５ｂは、第１タイバー２５ａと相似形として第１タイバー２５ａの外側に第１タイバー２５ａと対向させて設ければよい。同様に第３タイバー２５ｃは、第２タイバー２５ｂと相似形として第２タイバー２５ｂの外側に第２タイバー２５ｂと対向させて設ければよい。
【００６２】
支持リード２３の接続位置及び本数は、上述した例に限定されず任意好適な接続位置及び本数とすることができる。
【００６３】
２．半導体装置の構成例（１）
図２（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、この発明の半導体装置の構成例につき説明する。
【００６４】
図２（Ａ）は、半導体装置１０の構成を説明するための概略的な拡大斜視図であって、リードフレームから切り出した状態で示してある。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＩ−Ｉ’で示した一点鎖線に沿って、半導体装置１０を切断した切断面を示す模式的な図である。
【００６５】
図２（Ｂ）に示すように、この発明の半導体装置１０は、チップ搭載部（ダイパッド）２４及びリード２２を含むリードフレーム２０を含んでいる。
【００６６】
チップ搭載部２４の表面２４ａ上（上側）には、複数の半導体チップを含む第１半導体チップ群３０が搭載されている。
【００６７】
第１半導体チップ群３０は、この構成例ではダイパッド表面側第１チップ３２及びダイパッド表面側第２チップ３４を含んでいる。これらダイパッド表面側第１チップ３２及びダイパッド表面側第２チップ３４は、いずれも略直方体状の形状を有している。
【００６８】
ダイパッド表面側第１チップ３２は、第１の主表面３２ａと、この第１の主表面３２ａに対向する第２の主表面３２ｂ、これら第１の主表面３２ａと第２の主表面３２ｂとの間の端面すなわち側面を有している。
【００６９】
ダイパッド表面側第２チップ３４は、第１の主表面３４ａと、この第１の主表面３４ａに対向する第２の主表面３４ｂ、これら第１の主表面３４ａと第２の主表面３４ｂとの間に側面を有している。
【００７０】
ダイパッド表面側第１チップ３２は、複数の電極パッド３２ｃ（第１電極パッド）を有している。電極パッド３２ｃは、その表面が第１の主表面３２ａと同一平面内において当該主表面３２ａから露出している。この電極パッド３２ｃは第１の主表面３２ａの端縁に沿って、直線的に配列されている。
【００７１】
同様に、ダイパッド表面側第２チップ３４は、複数の電極パッド３４ｃ（第２電極パッド）を有している。電極パッド３４ｃは、その表面が第１の主表面３４ａと同一平面内において当該主表面３４ａから露出している。この電極パッド３４ｃは第１の主表面３４ａの端縁に沿って、直線的に配列されている。
【００７２】
ダイパッド表面側第１チップ３２は、チップ搭載部２４の表面２４ａに、その第２の主表面３２ｂが、任意好適な接着手段、例えば絶縁性の接着材（図示しない。）により接着されて設けられている。
【００７３】
ダイパッド表面側第２チップ３４は、ダイパッド表面側第１チップ３２の第１の主表面３２ａに、その第２の主表面３４ｂが、例えば絶縁性の接着材（図示しない。）により接着されて設けられている。このとき、ダイパッド表面側第２チップ３４は、ダイパッド表面側第１チップ３２の電極パッド３２ｃの配列の内側に搭載されている。すなわち、この電極パッド３２ｃの配列は、ダイパッド表面側第２チップ３４の輪郭外に露出されている。
【００７４】
半導体装置１０は、図１を参照して既に説明した複数のリード２２を外部端子としている。ダイパッド表面側第１チップ３２の電極パッド３２ｃ及びダイパッド表面側第２チップ３４の電極パッド３４ｃ、並びに電極パッド３４ｃ及びリード２２は、複数本のボンディングワイヤ（金属細線）を含む第１ボンディングワイヤ群４０により互いに電気的に接続されている。
【００７５】
この例では、複数の電極パッド３２ｃと複数の電極パッド３４ｃ、複数の電極パッド３２ｃと複数のリード２２とは、図示例ではそれぞれ１対１の対応関係で電気的に接続されている。
【００７６】
すなわち、第１ボンディングワイヤ群４０は、複数の電極パッド３２ｃと複数の電極パッド３４ｃとを互いに１対１の対応関係で接続する第１ボンディングワイヤ４２、電極パッド３２ｃとリード２２とを互いに１対１の対応関係で接続する第２ボンディングワイヤ４４を含んでいる。第１ボンディングワイヤ群４０を構成するボンディングワイヤの接続形態は図示例に限定されない。第１ボンディングワイヤ群４０には、例えば電極パッド３４ｃとリード２２とを接続する形態のボンディングワイヤも含まれる。
【００７７】
半導体装置１０は、チップ搭載部２４、第１半導体チップ群３０、及び第１ボンディングワイヤ群４０と、リード２２の一部分を封止する第１封止部５０を具えている。この構成例では、第１封止部５０は、リード２２の一部分を露出する略直方体の封止体として設けられている。また、第１封止部５０は、チップ搭載部２４の裏面及びリード２２の裏面を露出させている。
【００７８】
第１封止部５０の上面５０ａ上（上側）には、複数の半導体チップを含む第２半導体チップ群６０が搭載されている。
【００７９】
第２半導体チップ群６０は、この例では第１封止部表面側第１チップ６２及び第１封止部表面側第２チップ６４を含んでいる。これら第１封止部表面側第１チップ６２及び第１封止部表面側第２チップ６４は、いずれも略直方体状の形状を有している。
【００８０】
第１封止部表面側第１チップ６２は、第１の主表面６２ａと、この第１の主表面６２ａに対向する第２の主表面６２ｂ、これら第１の主表面６２ａと第２の主表面６２ｂとの間の端面すなわち側面を有している。
【００８１】
第１封止部表面側第２チップ６４は、第１の主表面６４ａと、この第１の主表面６４ａに対向する第２の主表面６４ｂ、これら第１の主表面６４ａと第２の主表面６４ｂとの間に側面を有している。
【００８２】
第１封止部表面側第１チップ６２は、複数の電極パッド６２ｃ（第３電極パッド）を有している。電極パッド６２ｃは、その表面が第１の主表面６２ａと同一平面内で、当該第１の主表面６２ａから露出している。この電極パッド６２ｃは第１の主表面６２ａの端縁に沿って、直線的に配列されている。
【００８３】
同様に、第１封止部表面側第２チップ６４は、複数の電極パッド６４ｃ（第４電極パッド）を有している。電極パッド６４ｃは、第１の主表面６４ａから露出している。この電極パッド６４ｃは第１の主表面６４ａの端縁に沿って、配列されている。
【００８４】
第１封止部表面側第１チップ６２は、第１封止部５０の上面５０ａ上に接着されて設けられている。このとき、第１封止部表面側第１チップ６２の第２の主表面６２ｂは、任意好適な接着手段、好ましくは例えば絶縁性の接着樹脂、熱圧着フィルム（図示しない。）により接着するのがよい。
【００８５】
第１封止部表面側第２チップ６４は、第１封止部表面側第１チップ６２の第１の主表面６２ａに、その第２の主表面６４ｂが、例えば絶縁性の接着材（図示しない。）により接着されて設けられている。このとき、第１封止部表面側第２チップ６４は、第１封止部表面側第１チップ６２の電極パッド６２ｃの配列の内側に搭載されている。従って、電極パッド６２ｃの配列は、第１封止部表面側第２チップ６４の輪郭外に露出されている。
【００８６】
半導体装置１０は、既に説明したように複数のリード２２を外部端子としている。第１封止部表面側第１チップ６２の電極パッド６２ｃ及び第１封止部表面側第２チップ６４の電極パッド６４ｃ、並びに電極パッド６２ｃ及びリード２２は、複数本のボンディングワイヤを含む第２ボンディングワイヤ群７０により互いに電気的に接続されている。
【００８７】
この構成例では、複数の電極パッド６２ｃと複数の電極パッド６４ｃ、複数の電極パッド６２ｃと複数のリード２２とは、それぞれ１対１の対応関係で電気的に接続されている。
【００８８】
すなわち、第２ボンディングワイヤ群７０は、複数の電極パッド６２ｃと複数の電極パッド６４ｃとを互いに１対１の対応関係で接続する第１ボンディングワイヤ７２、電極パッド６２ｃとリード２２とを互いに１対１の対応関係で接続する第２ボンディングワイヤ７４を含んでいる。第２ボンディングワイヤ群７０を構成するボンディングワイヤの接続形態は図示例に限定されない。第２ボンディングワイヤ群７０には、例えば電極パッド６４ｃとリード２２とを接続する形態のボンディングワイヤも含まれる。
【００８９】
半導体装置１０は、第１半導体チップ群、第１ボンディングワイヤ群を封止している第１封止部５０、第２半導体チップ群６０、及び第２ボンディングワイヤ群７０と、リード２２の一部分を封止する第２封止部８０とを具えている。この構成例では、第２封止部８０は、リード２２の一部分を露出する略直方体の封止体として設けられている。またこの構成例の第２封止部８０は、チップ搭載部２４の裏面及びリード２２の裏面を露出させている。この露出したリード２２の一部分が外部端子として機能する。
【００９０】
第２封止部８０は、上面８０ａとこの上面と対向する下面８０ｃとを有している。第２封止部８０の側面８０ｂからは、リードフレーム２０の切断された支持リード２３の断面が露出している（図２（Ａ）参照。）。
【００９１】
外部端子である複数のリード２２は、側面８０ｂで、互いに等間隔に離間して並設されている。これらは、第２封止部８０の対向する２つの側面８０ｂからそれぞれの面に対して直交する方向に突出して配設されている。
【００９２】
このような構成とすれば、第１半導体チップ群３０の封止後に第２半導体チップ群６０を搭載することができるので、第２半導体チップ群６０を構成する半導体チップの平面サイズは、第１半導体チップ群３０を構成する半導体チップの平面サイズに制限されることがない。従って、半導体装置（パッケージ）のさらなる高機能化を図ることができる。
【００９３】
３．半導体装置の構成例（２）
図３を参照して、この発明の半導体装置の別の構成例につき説明する。
【００９４】
図３は、図２（Ｂ）と同様な半導体装置１０を切断した切断面を示す模式的な図である。
【００９５】
図３に示すように、半導体装置１０は、チップ搭載部２４及びリード２２を含むリードフレーム２０を含んでいる。
【００９６】
この構成例の半導体装置１０は、既に説明した構成例（１）の構成要素に加えて、チップ搭載部２４の裏面２４ｂ側にもさらなる半導体チップを搭載したことを特徴としている。すなわち、この半導体装置１０は、チップ搭載部２４及びリード２２を含む面を中心として上下に面対称の関係で構成要素が設けられている。なお、チップ搭載部２４の表面２４ａ側に存在する構成要素については、上述の構成例（１）と何ら変わるところがないため、対応する構成要素については同一番号を付してその詳細な説明は省略する。
【００９７】
チップ搭載部２４の表面２４ａ上（上側）には、複数の半導体チップを含む第１半導体チップ群３０が搭載されている。
【００９８】
第１半導体チップ群３０は、ダイパッド表面側第１チップ３２及びダイパッド表面側第２チップ３４を含んでいる。
【００９９】
ダイパッド表面側第１チップ３２の電極パッド３２ｃ及びダイパッド表面側第２チップ３４の電極パッド３４ｃ、並びに電極パッド３２ｃ及びリード２２は、複数本のボンディングワイヤ（金属細線）を含む第１ボンディングワイヤ群４０により互いに電気的に接続されている。
【０１００】
複数の電極パッド３２ｃと複数の電極パッド３４ｃ、複数の電極パッド３２ｃと複数のリード２２とは、それぞれ１対１の対応関係で電気的に接続されている。
【０１０１】
すなわち、第１ボンディングワイヤ群４０は、複数の電極パッド３２ｃと複数の電極パッド３４ｃとを互いに１対１の対応関係で接続する第１ボンディングワイヤ４２、電極パッド３２ｃとリード２２とを互いに１対１の対応関係で接続する第２ボンディングワイヤ４４を含んでいる。
【０１０２】
チップ搭載部２４の裏面２４ｂ上（上側：図面の下方向）には、複数の半導体チップを含む第１半導体チップ群３０が搭載されている。
【０１０３】
この例の第１半導体チップ群３０は、既に説明したダイパッド表面側第１チップ３２及びダイパッド表面側第２チップ３４に加えて、ダイパッド裏面側第１チップ３６（第３半導体チップ）及びダイパッド裏面側第２チップ３８（第４半導体チップ）を含んでいる。これらダイパッド裏面側第１チップ３６及びダイパッド裏面側第２チップ３８は、いずれも略直方体状の形状を有している。
【０１０４】
ダイパッド裏面側第１チップ３６は、第１の主表面３６ａと、この第１の主表面３６ａに対向する第２の主表面３６ｂ、これら第１の主表面３６ａと第２の主表面３６ｂとの間の端面すなわち側面を有している。
【０１０５】
ダイパッド裏面側第２チップ３８は、第１の主表面３８ａと、この第１の主表面３８ａに対向する第２の主表面３８ｂ、これら第１の主表面３８ａと第２の主表面３８ｂとの間に側面を有している。
【０１０６】
ダイパッド裏面側第１チップ３６は、複数の電極パッド３６ｃ（第３電極パッド）を有している。電極パッド３６ｃは、その表面が第１の主表面３６ａと同一平面内において、当該主表面３６ａから露出している。この電極パッド３６ｃは第１の主表面３６ａの端縁に沿って、直線的に配列されている。
【０１０７】
同様に、ダイパッド裏面側第２チップ３８は、複数の電極パッド３８ｃ（第４電極パッド）を有している。電極パッド３８ｃは、その表面が第１の主表面３８ａと同一平面内において当該主表面３８ａから露出している。この電極パッド３８ｃは第１の主表面３８ａの端縁に沿って、直線的に配列されている。
【０１０８】
ダイパッド裏面側第１チップ３６は、チップ搭載部２４の裏面２４ｂに、その第２の主表面３６ｂが、任意好適な接着手段、例えば絶縁性の接着材（図示しない。）により接着されて設けられている。
【０１０９】
ダイパッド裏面側第２チップ３８は、ダイパッド裏面側第１チップ３６の第１の主表面３６ａに、その第２の主表面３８ｂが、例えば絶縁性の接着材（図示しない。）により接着されて設けられている。このとき、ダイパッド裏面側第２チップ３８は、ダイパッド裏面側第１チップ３６の電極パッド３６ｃの配列の内側に搭載されている。すなわち、この電極パッド３６ｃの配列は、ダイパッド裏面側第２チップ３８の輪郭外に露出されている。
【０１１０】
半導体装置１０は、上述した複数のリード２２を外部端子としている。ダイパッド裏面側第１チップ３６の電極パッド３６ｃ及びダイパッド裏面側第２チップ３８の電極パッド３８ｃ、並びに電極パッド３６ｃ及びリード２２は、複数本のボンディングワイヤを含む第１ボンディングワイヤ群４０により互いに電気的に接続されている。
【０１１１】
この構成例では、複数の電極パッド３６ｃと複数の電極パッド３８ｃ、複数の電極パッド３６ｃと複数のリード２２とは、それぞれ１対１の対応関係で電気的に接続されている。
【０１１２】
すなわち、第１ボンディングワイヤ群４０は、既に説明した第１ボンディングワイヤ４２及び第２ボンディングワイヤ４４に加え、複数の電極パッド３６ｃと複数の電極パッド３８ｃとを互いに１対１の対応関係で接続する第３ボンディングワイヤ４６、電極パッド３６ｃとリード２２とを互いに１対１の対応関係で接続する第４ボンディングワイヤ４８を含んでいる。
【０１１３】
半導体装置１０は、チップ搭載部２４の表面２４ａ及び裏面２４ｂ、第１半導体チップ群３０、及び第１ボンディングワイヤ群４０と、リード２２の一部分を封止する第１封止部５０を具えている。この例では、第１封止部５０は、チップ搭載部２４の裏面２４ｂ側に搭載されているダイパッド裏面側第１チップ３６、ダイパッド裏面側第２チップ３８、第３ボンディングワイヤ４６及び第４ボンディングワイヤ４８をも封止し、かつリード２２の一部分を露出する、リードフレーム２０を中央に挟んだ略直方体の封止体として設けられている。
【０１１４】
第１封止部５０の上面５０ａ上（上側）には、複数の半導体チップを含む第２半導体チップ群６０が搭載されている。
【０１１５】
第２半導体チップ群６０は、この例では第１封止部表面側第１チップ６２（第５半導体チップ）及び第１封止部表面側第２チップ６４（第６半導体チップ）を含んでいる。これら第１封止部表面側第１チップ６２及び第１封止部表面側第２チップ６４は、いずれも略直方体状の形状を有している。
【０１１６】
第１封止部表面側第１チップ６２は、第１の主表面６２ａと、この第１の主表面６２ａに対向する第２の主表面６２ｂ、これら第１の主表面６２ａと第２の主表面６２ｂとの間の端面すなわち側面を有している。
【０１１７】
第１封止部表面側第２チップ６４は、第１の主表面６４ａと、この第１の主表面６４ａに対向する第２の主表面６４ｂ、これら第１の主表面６４ａと第２の主表面６４ｂとの間に側面を有している。
【０１１８】
第１封止部表面側第１チップ６２は、複数の電極パッド６２ｃ（第５電極パッド）を有している。電極パッド６２ｃは、その表面が第１の主表面６２ａと同一平面内において、当該第１の主表面６２ａから露出している。この電極パッド６２ｃは第１の主表面６２ａの端縁に沿って、直線的に配列されている。
【０１１９】
同様に、第１封止部表面側第２チップ６４は、複数の電極パッド６４ｃ（第６電極パッド）を有している。電極パッド６４ｃは、その表面が第１の主表面６４ａと同一平面内において、当該第１の主表面６４ａから露出している。この電極パッド６４ｃは第１の主表面６４ａの端縁に沿って、直線的に配列されている。
【０１２０】
第１封止部表面側第１チップ６２は、第１封止部５０の上面５０ａ上に接着されて設けられている。このとき、第１封止部表面側第１チップ６２の第２の主表面６２ｂは、任意好適な接着手段、好ましくは例えば絶縁性の接着樹脂、熱圧着フィルム（図示しない。）により接着するのがよい。
【０１２１】
第１封止部表面側第２チップ６４は、第１封止部表面側第１チップ６２の第１の主表面６２ａに、その第２の主表面６４ｂが、例えば絶縁性の接着材（図示しない。）により接着されて設けられている。このとき、第１封止部表面側第２チップ６４は、第１封止部表面側第１チップ６２の電極パッド６２ｃの配列の内側に搭載されている。従って、電極パッド６２ｃの配列は、第１封止部表面側第２チップ６４の輪郭外に露出されている。
【０１２２】
第１封止部５０の裏面５０ｂ上（上側：図面の下方向）には、複数の半導体チップを含む第２半導体チップ群６０が搭載されている。
【０１２３】
第２半導体チップ群６０は、既に説明した第１封止部表面側第１チップ６２及び第１封止部表面側第２チップ６４に加え、第１封止部裏面側第１チップ６６（第７半導体チップ）及び第１封止部裏面側第２チップ６８（第８半導体チップ）をさらに含んでいる。これら第１封止部裏面側第１チップ６６及び第１封止部裏面側第２チップ６８は、いずれも略直方体状の形状を有している。
【０１２４】
第１封止部裏面側第１チップ６６は、第１の主表面６６ａと、この第１の主表面６６ａに対向する第２の主表面６６ｂ、これら第１の主表面６６ａと第２の主表面６６ｂとの間の端面すなわち側面を有している。
【０１２５】
第１封止部裏面側第２チップ６８は、第１の主表面６８ａと、この第１の主表面６８ａに対向する第２の主表面６８ｂ、これら第１の主表面６８ａと第２の主表面６８ｂとの間に側面を有している。
【０１２６】
第１封止部裏面側第１チップ６６は、複数の電極パッド６６ｃ（第７電極パッド）を有している。電極パッド６６ｃは、その表面が第１の主表面６６ａを同一平面内において、当該第１の主表面６６ａから露出している。この電極パッド６６ｃは第１の主表面６６ａの端縁に沿って、直線的に配列されている。
【０１２７】
同様に、第１封止部裏面側第２チップ６８は、複数の電極パッド６８ｃ（第８電極パッド）を有している。電極パッド６８ｃは、その表面が第１の主表面６８ａと同一平面内において、当該第１の主表面６８ａから露出している。この電極パッド６８ｃは第１の主表面６８ａの端縁に沿って、直線的に配列されている。
【０１２８】
第１封止部裏面側第１チップ６６は、第１封止部５０の下面５０ｂ上に接着されて設けられている。このとき、第１封止部裏面側第１チップ６６の第２の主表面６６ｂは、任意好適な接着手段、好ましくは例えば絶縁性の接着樹脂、熱圧着フィルム（図示しない。）により接着するのがよい。
【０１２９】
第１封止部裏面側第２チップ６８は、第１封止部裏面側第１チップ６６の第１の主表面６６ａに、接着されて設けられている。第１封止部裏面側第２チップ６８の第２の主表面６８ｂが、例えば絶縁性の接着材（図示しない。）により接着されている。このとき、第１封止部裏面側第２チップ６８は、第１封止部裏面側第１チップ６６の電極パッド６６ｃの配列の内側に搭載されている。従って、電極パッド６６ｃの配列は、第１封止部裏面側第２チップ６８の輪郭外に露出させて搭載されている。
【０１３０】
半導体装置１０は、既に説明したように複数のリード２２を外部端子としている。第１封止部裏面側第１チップ６６の電極パッド６６ｃ及び第１封止部裏面側第２チップ６８の電極パッド６８ｃ、並びに電極パッド６６ｃ及びリード２２は、複数本のボンディングワイヤを含む第２ボンディングワイヤ群７０により互いに電気的に接続されている。
【０１３１】
この例では、複数の電極パッド６６ｃと複数の電極パッド６８ｃ、複数の電極パッド６６ｃと複数のリード２２とは、それぞれ１対１の対応関係で電気的に接続されている。
【０１３２】
すなわち、第２ボンディングワイヤ群７０は、この構成例では複数の電極パッド６６ｃと複数の電極パッド６８ｃとを互いに１対１の対応関係で接続する第１ボンディングワイヤ７６、電極パッド６６ｃとリード２２とを互いに１対１の対応関係で接続する第２ボンディングワイヤ７８を含んでいる。
【０１３３】
半導体装置１０は、第１封止部５０、第１封止部表面側第１チップ６２の電極パッド６２ｃ及び第１封止部表面側第２チップ６４を含む第２半導体チップ群６０、及び第１ボンディングワイヤ７２及び第２ボンディングワイヤ７４を含む第２ボンディングワイヤ群７０と、第１封止部裏面側第１チップ６６の電極パッド６６ｃ及び第１封止部裏面側第２チップ６８を含む第２半導体チップ群６０、及び第１ボンディングワイヤ７６及び第２ボンディングワイヤ７８を含む第２ボンディングワイヤ群７０と、リード２２の一部分を封止する第２封止部８０を具えている。
【０１３４】
この例では、第２封止部８０は、リード２２の一部分を露出して、リードフレーム２０を中央に挟んだ略直方体の封止体として設けられている。また、第２封止部８０から露出したリード２２の一部分が外部端子として機能する。
【０１３５】
４．半導体装置の変形例（１）
図４を参照して、既に説明したこの発明の半導体装置の変形例の構成につき説明する。
【０１３６】
図４（Ａ）は、半導体装置１０の変形例の構成を説明するための概略的な拡大斜視図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＩ−Ｉ’で示した一点鎖線に沿って、半導体装置１０を切断した切断面を示す模式的な図である。なお、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）において、図の複雑化を回避するために第２封止部（８０）の図示を省略して示してある。
【０１３７】
図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この構成例の半導体装置１０は、既に説明した半導体装置１０の構成に加え、第１封止部５０に複数の溝部５２を具えている。
【０１３８】
なお、ここでは既に説明した構成例（１）に溝部５２を設ける例につき説明するが、構成例（２）に適用することも可能である。
【０１３９】
第１封止部５０は、第２ボンディングワイヤ群７０に属するボンディングワイヤのうち、第１封止部５０上を通過するボンディングワイヤの全長の一部分が非接触として、内部を通過することができる溝部５２をさらに有している。
【０１４０】
溝部５２は、第１封止部５０とこのボンディングワイヤとが非接触となる十分な離間距離をとることができることを条件として、任意好適な形状及びサイズとすることができる。
【０１４１】
溝部５２は、溝部５２、すなわち第１封止部５０とボンディングワイヤとの離間距離が、好ましくはボンディングワイヤ径の５倍程度となるような形態として設けるのがよい。
【０１４２】
溝部５２の設置数は、最大でも第２ボンディングワイヤ７４の本数と同数とするのがよい。
【０１４３】
この例では溝部５２は、第１封止部５０の上面５０ａの端縁及び側面５０ｃの上面５０ａと接する側の端縁に沿って設けられている。すなわち、溝部５２は上面５０ａ及び側面５０ｃそれぞれに開口を有している。これらの開口形状はこの例では矩形（長方形）状とされている。すなわち、溝部５２は、上面５０ａから側面５０ｃに連通して、上面５０ａ及び側面５０ｃが互いに接して画成する角部を切り欠いて設けられている。
【０１４４】
このように第１封止部５０に溝部５２を形成する構成とすれば、ボンディングワイヤと第１封止部とが接触することによる短絡を防止しつつ、ボンディングワイヤをより短くすることができる。すなわち、電気的な特性を損なうことなく半導体装置のさらなる小型化が可能となる。
【０１４５】
５．半導体装置の変形例（２）
図５を参照して、既に説明したこの発明の半導体装置の変形例の構成につき説明する。
【０１４６】
図５は、半導体装置１０の変形例（２）を説明するための概略的な上面図である。
【０１４７】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この例の半導体装置１０は、既に説明した半導体装置１０の構成要素に加え、複数の各封止部、すなわち第１封止部５０及び第２封止部８０のいずれか一方又は両方に、少なくとも１つの確認マーク９０を具えている。
【０１４８】
なお、ここでは既に説明した構成例（１）に、さらに確認マーク９０を設ける例につき説明するが、確認マーク９０を構成例（２）に適用することも可能である。また、変形例（１）と組み合わせることももちろん可能である。
【０１４９】
確認マーク９０は、後述する封止工程終了後に、各封止部内に所定数の半導体チップが適正に存在しているか否かを確認するための構成要素である。
【０１５０】
確認マーク９０は、第１封止部５０の上面５０ａ及び第２封止部８０の上面８０ａに設けられる。確認マーク９０は、第１封止部５０の上面５０ａに形成される第１マーク９２及び第２封止部８０の上面８０ａに形成される第２マーク９４を有している。この例では、例えば三角形、四角形といった任意好適な図形の輪郭を有し、かつ任意好適なサイズを有する刻印として形成される。確認マーク９０は、好ましくは最大幅が１ｍｍ以上であるマークとするのがよい。
【０１５１】
従って、確認マーク９０は、後述する封止工程において、キャビティを構成する金型（上型）内部に凸部を設け、これにより第１封止部５０の上面５０ａ及び第２封止部８０の上面８０ａそれぞれに確認マーク９０である凹部を形成するものとすればよい。
【０１５２】
確認マーク９０は、封止工程終了後に、Ｘ線検査装置又は超音波探査装置（超音波探傷装置）等の任意好適な検出手段を用いて検出するのがよい。確認マーク９０が適正に検出されれば、半導体チップの搭載が成功していると確認される。
【０１５３】
このように確認マーク９０を封止工程時に形成すれば、全ての半導体チップが適正に半導体装置１０に搭載されているか否かの確認をより容易に行うことができる。
【０１５４】
６．半導体装置の製造方法
この発明の半導体装置の製造方法について、図６から図１１を参照して説明する。
【０１５５】
図６は、この発明の半導体装置の製造工程の説明図（その１）であって、リードフレームの一部分を拡大して示す概略的な平面図である。
【０１５６】
図７から図１１は、それぞれ図６に引き続き半導体装置の製造工程を説明する概略的な平面図である。
【０１５７】
ここではリードフレーム２０が、図１を参照して説明した直線状の長尺の帯状体（ストリップ）形状を有している例を説明する。
【０１５８】
図６に示すように、まず、リードフレーム２０を準備する。リードフレーム２０の複数のチップ搭載部２４それぞれの表面２４ａ上に、複数個の半導体チップ、すなわちダイパッド表面側第１チップ３２（第１半導体チップ群３０）を個別に搭載する。
【０１５９】
ダイパッド表面側第１チップ３２の搭載に際しては、ダイパッド表面側第１チップ３２の第２の主表面３２ｂが、例えば絶縁性の接着材により、チップ搭載部２４に接着される。
【０１６０】
絶縁性の接着材としては、従来公知の任意好適なものを使用することができる。接着材はペースト状の接着材のみならず、例えば、絶縁性の接着テープとしてもよい。
【０１６１】
次に、複数のダイパッド表面側第１チップ３２の第１の主表面３２ａそれぞれに、ダイパッド表面側第２チップ３４を搭載する。このとき、ダイパッド表面側第２チップ３４は、ダイパッド表面側第１チップ３２の電極パッド３２ｃの配列をダイパッド表面側第２チップ３４の輪郭外に露出させて、搭載される。
【０１６２】
次いで、ボンディングワイヤ（第１ボンディングワイヤ群４０）により、ダイパッド表面側第１チップ３２の電極パッド３２ｃ及びダイパッド表面側第２チップ３４の電極パッド３４ｃ、並びに電極パッド３２ｃ及びリード２２を互いに電気的に接続する。
【０１６３】
この例では、第１ボンディングワイヤ４２は複数の電極パッド３２ｃと複数の電極パッド３４ｃとを互いに１対１の対応関係で接続する。また、第２ボンディングワイヤ４４は電極パッド３２ｃとリード２２とを互いに１対１の対応関係で接続する。
【０１６４】
このボンディング工程は、従来公知のボンディングワイヤ及びボンディング装置を用いて、熱圧着、超音波熱圧着等の任意好適な方法により行われる。
【０１６５】
さらに図７に示すように、第１封止部５０を、金型を用いる従来公知の封止工程により形成する。この工程により、チップ搭載部２４、第１半導体チップ群３０、及び第１ボンディングワイヤ群４０と、リード２２の一部分を封止する。
【０１６６】
この例では、第１封止部５０は、チップ搭載部２４の裏面及びリード２２の裏面を露出させて封止される。
【０１６７】
上述したように、この第１封止部５０に確認マーク９０を形成する場合には、上部金型の凹部内に突出する所定形状の頂面形状を有する凸部を形成して封止工程を行えばよい。
【０１６８】
具体的には、この封止工程は、従来公知のモールド樹脂、液状樹脂等の任意好適な材料を、金型を用いた従来公知の封止工程により形成することができる。
【０１６９】
この封止工程に使用される金型（図示せず。）は、複数のキャビティ（閉空間）を形成する。これらのキャビティは、リードフレーム２０の長尺方向（行方向）に対して直交する方向に並ぶ、チップ搭載部２４、第１半導体チップ群３０、及び第１ボンディングワイヤ群４０の組をそれぞれ収納可能としてある。
【０１７０】
使用される金型は、リードフレーム２０に対してその上面側から接する上部金型とこれと対向する下部金型とを有している。上部金型には、キャビティを画成する凹部が設けられている。また、下部金型は、この例では平坦面を具えていて、リードフレーム２０の下面側全面に当該平坦面を当接させる。
【０１７１】
上部金型及び下部金型は、リードフレーム２０を挟み込んでリードフレーム２０上に、キャビティを形成する。このとき、複数のタイバーのうち少なくとも第１タイバー２５ａは、上部金型及び下部金型により強固にクランプされる。また、リードフレーム２０の延在方向に直交する方向では上部金型の端縁はフレーム部２１に重ならない内側に位置させる。
【０１７２】
次いで、図７に示すように、キャビティ内に溶融した封止樹脂材料を充填して第１封止部５０を形成する。このとき、余剰の封止樹脂材料はクランプされたリードフレーム２０が形成する隙間部分からキャビティ外に流出しようとするが、第１タイバー２５ａによりせき止められる。然る後、溶融した封止樹脂材料を所定の条件で硬化した後、金型を取り外す。これにより第１封止部５０が形成されるが、第１封止部５０と第１タイバー２５ａとの間には薄片状の突出部分５４（第１突出部分：余剰封止樹脂）が残存する。
【０１７３】
次に、図８に示すように、第１タイバー２５ａと第１封止部５０から突出する薄片状の突出部分５４とを除去する。具体的には、好ましくは例えば金型を利用したパンチ加工により、第１タイバー２５ａ及び突出部分５４のみを選択的に押し切って切断することにより除去する。
【０１７４】
次いで、第１封止部５０の上面５０ａ上に、第１封止部表面側第１チップ６２を搭載する。
【０１７５】
第１封止部表面側第１チップ６２は、第１封止部５０の上面５０ａ上に接着される。このとき、第１封止部表面側第１チップ６２の第２の主表面６２ｂは、任意好適な接着手段、好ましくは例えば絶縁性の接着樹脂、熱圧着フィルム（図示しない。）により接着するのがよい。
【０１７６】
同様にして、第１封止部表面側第２チップ６４を、第１封止部表面側第１チップ６２の第１の主表面６２ａに搭載する。第１封止部表面側第２チップ６４の第２の主表面６４ｂは、例えば絶縁性の接着材（図示しない。）により接着される。このとき、第１封止部表面側第２チップ６４は、第１封止部表面側第１チップ６２の電極パッド６２ｃを第１封止部表面側第２チップ６４の輪郭外に露出させて搭載される。
【０１７７】
次いで、ボンディングワイヤ（第２ボンディングワイヤ群７０）により、第１封止部表面側第１チップ６２の電極パッド６２ｃ及び第１封止部表面側第２チップ６４の電極パッド６４ｃ、並びに電極パッド６２ｃ及びリード２２を互いに電気的に接続する。
【０１７８】
この例では、第１ボンディングワイヤ７２は複数の電極パッド７２ｃと複数の電極パッド７４ｃとを互いに１対１の対応関係で接続する。また、第２ボンディングワイヤ７４は電極パッド７４ｃ（図示しない。）とリード２２とを互いに１対１の対応関係で接続する。
【０１７９】
このボンディング工程は、従来公知のボンディングワイヤ及びボンディング装置を用いて、熱圧着、超音波熱圧着等の任意好適な方法により行えばよい。
【０１８０】
次に、図９に示すように、第２封止部８０を、金型を用いる従来公知の封止工程により形成する。この工程により、第１封止部５０、第２ボンディングワイヤ群７０及びリード２２の一部分を封止する。
【０１８１】
この例では、第２封止部８０は、チップ搭載部２４の裏面及びリード２２の裏面を露出させて封止する。
【０１８２】
具体的には、この封止工程は、従来公知のモールド樹脂、液状樹脂等の任意好適な材料をによる、金型を用いた従来公知の封止工程により形成することができる。
【０１８３】
この封止工程に使用される金型（図示せず。）は、キャビティ（閉空間）を形成する。これらのキャビティは、リードフレーム２０の長尺方向（行方向）に対して直交する方向に並ぶ、第１封止部５０、第２半導体チップ群６０、及び第２ボンディングワイヤ群７０を収納可能としてある。
【０１８４】
使用される金型は、既に説明した第１封止部５０を形成するための金型と同様に、リードフレーム２０に対して上面側から接する上部金型とこれと対向してキャビティを形成する下部金型とを有している。上部金型には、キャビティを画成する凹部が設けられている。また、下部金型は、この例では平坦面を具えていて、リードフレーム２０の下面側全面に当該平坦面を当接させる。
【０１８５】
なお、上述したように、この第２封止部８０に確認マーク９０を形成する場合には、上部金型の凹部内に突出する所定形状の頂面形状を有する凸部を形成して封止工程を行えばよい。
【０１８６】
上部金型及び下部金型は、リードフレーム２０を挟み込んでリードフレーム２０上に、キャビティを形成する。このとき、少なくとも第２タイバー２５ｂは、上部金型及び下部金型により強固にクランプされる。また、リードフレーム２０の延在方向に直交する方向では上部金型の端縁はフレーム部２１に重ならない内側に位置させる。
【０１８７】
次いで、キャビティ内に溶融した封止樹脂材料を充填する。このとき、余剰の封止樹脂材料はクランプされたリードフレーム２０部分からキャビティ外に流出しようとするが、第２タイバー２５ｂによりせき止められる。然る後、溶融した封止樹脂材料を所定の条件で硬化した後、金型を取り外す。これにより第２封止部８０が形成されるが、第２封止部８０と第２タイバー２５ｂとの間には薄片状の突出部分８２（第２突出部分：余剰封止樹脂）が残存する。
【０１８８】
次に、図１０に示すように、第２タイバー２５ｂと第２封止部８０から突出する薄片状の突出部分８２とを除去する。具体的には、好ましくは例えば金型を利用したパンチ加工により、第２タイバー２５ｂ及び突出部分８２を選択的に押し切って切断することにより除去する。
【０１８９】
最後に、図１１に示すように、金型を取り外し、個片化工程を行って、複数の半導体装置１０を得る。この個片化工程は、例えば、直線状のブレードを用いるパンチ加工工程、又は高速回転する回転ブレードを用いるいわゆるダイシング工程により実施することができる。
【０１９０】
この個片化工程により、第３タイバー２５ｃよりチップ搭載部２４、すなわち第２封止部８０側に位置して第２封止部８０から露出しているリード２２及び支持リード２３を切断して複数の半導体装置１０が切り出される。
【０１９１】
上述の製造方法の説明では、リードフレーム２０の片面のみに半導体チップが搭載されている構成例（１）の製造方法につき説明したが、凹部を有する下部金型を適用することで、構成例（２）の製造も同様に実施することができる。
【０１９２】
このような製造方法とすれば、複数のタイバーを具えたリードフレームを用いて、複数回の封止工程をタイバーを除去しつつ実施できるので、既に説明した構成を有する半導体装置を簡易な工程で効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１９３】
【図１】この発明の半導体装置の製造方法に適用して好適なリードフレームの模式的な部分平面図である。
【図２】（Ａ）は、半導体装置の構成を説明するための概略的な斜視図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＩ−Ｉ’で示した一点鎖線に沿って、半導体装置を切断した切断面を示す模式的な図である。
【図３】半導体装置の構成例（２）を説明するための概略的な図である。
【図４】（Ａ）は、半導体装置の変形例（１）を説明するための概略的な斜視図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＩ−Ｉ’で示した一点鎖線に沿って、半導体装置を切断した切断面を示す模式的な図である。
【図５】半導体装置の変形例（２）を説明するための概略的な上面図である。
【図６】半導体装置の製造工程を説明するための概略的な上面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程を説明するための概略的な上面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程を説明するための概略的な上面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程を説明するための概略的な上面図である。
【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程を説明するための概略的な上面図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程を説明するための概略的な上面図である。
【符号の説明】
【０１９４】
１０：半導体装置
２０：リードフレーム
２１：フレーム部
２２：リード（外部端子）
２３：支持リード
２４：ダイパッド（チップ搭載部）
２４ａ：表面
２４ｂ：裏面
２４Ｘ：第１の辺
２４Ｙ：第２の辺
２５：タイバー（樹脂止め部）
２５ａ：第１タイバー
２５ｂ：第２ダイバー
２５ｃ：第３タイバー
３０：第１半導体チップ群
３２：ダイパッド表面側第１チップ
３２ａ：第１の主表面
３２ｂ：第２の主表面
３４：ダイパッド表面側第２チップ
３６：ダイパッド裏面側第１チップ
３８：ダイパッド裏面側第２チップ
４０：第１ボンディングワイヤ群
４２：第１ボンディングワイヤ
４４：第２ボンディングワイヤ
４６：第３ボンディングワイヤ
４８：第４ボンディングワイヤ
５０：第１封止部
５０ａ：上面
５０ｂ：下面
５０ｃ：側面
５２：溝部（凹部）
５４：（第１）突出部
６０：第２半導体チップ群
６２：第１封止部表面側第１チップ
６４：第１封止部表面側第２チップ
６６：第１封止部裏面側第１チップ
６８：第１封止部裏面側第２チップ
７０：第２ボンディングワイヤ群
７２：第１ボンディングワイヤ
７４：第２ボンディングワイヤ
７６：第３ボンディングワイヤ
７８：第４ボンディングワイヤ
８０：第２封止部
８０ａ：上面
８０ｂ：側面
８０ｃ：下面
８２：（第２）突出部
９０：確認マーク
９２：第１マーク
９４：第２マーク
【図１】
2007227650.tif 000003
【図２】
2007227650.tif 000004
【図３】
2007227650.tif 000005
【図４】
2007227650.tif 000006
【図５】
2007227650.tif 000007
【図６】
2007227650.tif 000008
【図７】
2007227650.tif 000009
【図８】
2007227650.tif 000010
【図９】
2007227650.tif 000011
【図１０】
2007227650.tif 000012
【図１１】
2007227650.tif 000013