(57)【要約】【課題】接触開始から飽和領域に至るまでの動作領域を、高圧までの広い領域で確保することができ、感度が高く、高耐圧な圧力センサを提供する。【解決手段】基体３０と、可撓性を有する薄肉部２２と当該薄肉部２２の周囲に形成された厚肉部２４とから成り、前記厚肉部２４が前記基体３０に接合されて前記基体３０と前記薄肉部２２との間に密閉空間を形成する検出片２０とを有し、前記検出片２０の下面における前記薄肉部２２に上部電極膜２６を形成し、前記基体３０上面における前記上部電極膜２６に対向する部位に下部電極膜３２を形成すると共に当該下部電極膜３２を誘電体膜３４で覆う構成とした圧力センサである。そして、前記薄肉部２２を平坦部２２ａと前記平坦部２２ａと一体に形成され、前記厚肉部２４に向けて漸次肉厚を厚くした傾斜部２２ｂとによって構成し、前記上部電極膜２６を前記傾斜部２２ｂに配置したことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料から成る基体と、可撓性を有する薄肉部と当該薄肉部の周囲に形成された厚肉部とから成り、前記厚肉部が前記基体に接合されて前記基体と前記薄肉部との間に密閉空間を形成する検出片とを有し、前記検出片の下面における前記薄肉部に上部電極膜を形成し、前記基体上面における前記上部電極膜に対向する部位に下部電極膜を形成すると共に当該下部電極膜を誘電体膜で覆う構成とした圧力センサであって、
前記薄肉部を平坦部と前記平坦部と一体に形成され、前記厚肉部に向けて漸次肉厚を厚くした傾斜部とによって構成し、
前記上部電極膜を前記傾斜部に配置した、
ことを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記密閉空間は、前記検出片の下面又は／および前記基体上面に形成した凹部により構成することを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記検出片は、ＡＴカット水晶板によって構成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記検出片は、前記基体との接合面に前記上部電極膜の一部を当該検出片の上面側へ導くための貫通孔を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の圧力センサ。
【請求項５】
前記基体は、前記検出片との接合面に前記上部電極膜の一部を当該基体の下面側へ導くための貫通孔を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の圧力センサ。
【請求項６】
前記基体と前記検出片との接合を陽極接合としたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧力センサに係り、特に検出片にダイヤフラムを用いて電極間の容量変化を測定するタッチモード型の絶対圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
絶対圧力センサには大別して２種類のものがあることが知られている。すなわち、ピエゾ抵抗型のものと、容量変化型のものである。ピエゾ抵抗型のセンサは、圧力検出部に歪みゲージを配置し、圧力検出部の歪みを受けて検出される電圧を圧力に変換して圧力情報を得るものである。一方、容量変化型のセンサは、負荷圧力によって押圧され、誘電体膜を介して漸近される電極間の静電容量の変化を圧力に変換して圧力情報を得るというものである。
【０００３】
容量変化型のセンサには、さらにギャップ型とタッチモード型というものがあり、タッチモード型のセンサはギャップ型のセンサに比べて感度及び耐圧性に優れているという特性がある。このような特性を持つタッチモード型の絶対圧力センサとして特許文献１に開示されているようなものがある。
【０００４】
特許文献１に開示されている絶対圧力センサは、図５に示すように、ダイヤフラム２と、このダイヤフラム２を接合する基体３、及び基体３に配置される下部電極膜５とを基本的な構成としている。詳細には、前記ダイヤフラム２はシリコンによって構成し、当該ダイヤフラム２に通電し、その薄肉部２ａを上部電極として作用させる。前記基体３はガラス（ソーダライムガラス）等の絶縁部材を用いれば良く、当該基体３の上面であって前記薄肉部２ａに対向する位置に下部電極膜５が形成されている。そして、前記下部電極膜５の上面には当該下部電極膜５を被覆するように誘電体膜４が形成されている。
【０００５】
このような構成の絶対圧力センサ１は、検出片であるダイヤフラム２の薄肉部２ａに圧力が負荷されると、前記薄肉部２ａが撓み、前記誘電体膜４に押付けられる。負荷圧力が増すと薄肉部２ａの撓み量が増加し、誘電体膜４に対する薄肉部２ａの接触面積が増す。このような作用によれば、前記下部電極膜５と前記薄肉部２ａとは誘電体膜４を介して電極間に帯電を生じさせるコンデンサの役割を果たす。このため、下部電極膜５と薄肉部２ａとの間の容量の変化を圧力に変換することで圧力データを得ることができる。ここで、電極間における静電容量Ｃは、
【数１】
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と表すことができる。ここで、εは誘電体膜４の誘電率、Ｓは誘電体膜４を介して対向する電極膜の面積、ｄは誘電体膜４の膜厚であるため、薄肉部２ａの撓み量の変化、すなわち誘電体膜４を介した薄肉部２ａと下部電極膜５との接触面積の変化によって静電容量が変化することが判る。
【特許文献１】特開２００２−２１４０５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような構成の絶対圧力センサは感度及び耐圧性に優れているが、圧力の増加に対する静電容量の増加の割合が高く、接触開始から飽和領域に至るまでの作動領域が狭いという欠点がある。すなわち、圧力−容量特性における直線性が悪いのである。
【０００７】
したがって、本発明では、圧力−容量特性の直線性を改善し、接触開始から飽和領域に至るまでの動作領域を、高圧までの広い領域で確保することができ、感度が高く、高耐圧な圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明に係る圧力センサは、絶縁材料から成る基体と、可撓性を有する薄肉部と当該薄肉部の周囲に形成された厚肉部とから成り、前記厚肉が前記基体に接合されて前記基体と前記薄肉部との間に密閉空間を形成する検出片とを有し、前記検出片の下面における前記薄肉部に上部電極膜を形成し、前記基体上面における前記上部電極膜に対向する部位に下部電極膜を形成すると共に当該下部電極膜を誘電体膜で覆う構成とした圧力センサであって、前記薄肉部を平坦部と前記平坦部と一体に形成され、前記厚肉部に向けて漸次肉厚を厚くした傾斜部とによって構成し、前記上部電極膜を前記傾斜部に配置した、ことを特徴とする。このような構成とすることにより、平坦部が基体の上面と接触する初期接触では上部電極膜が下部電極膜を覆う誘電体膜に接触することは無く、加圧に伴って緩やかに上部電極膜と誘電体膜との接触面積が増加することとなる。このため、静電容量と圧力とによって示される特性は、高圧領域にまで作動領域を広げて示すことが可能となり、その直線性も改善されることとなる。また、上記構成の圧力センサは、前述のように、ギャップモード型の圧力センサのような特性を持ちつつ、構成自体はタッチモード型の圧力センサであるため、タッチモード型センサの特徴である高感度、高耐圧という特性をも持ち合わせることとなる。
【０００９】
また、上記のような構成の圧力センサでは、前記密閉空間は、前記検出片の下面又は／および前記基体上面に形成した凹部により構成すると良い。検出片と基体との間に設けられる密閉空間は、検出片における薄肉部が撓むことによって両者を接触させることができる程度の微小な間隙であるが、この間隙は、検出片の下面又は基体の上面、又は検出片の下面及び基体の上面に凹部を形成することによって構成することができる。また、このように少なくともいずれか１つの部材に凹部を形成して間隙を構成することによれば、設計自由度を増すことができる。
【００１０】
また、上記のような構成の圧力センサでは、前記検出片は、ＡＴカット水晶板によって構成することが望ましい。ＡＴカット水晶板は、結晶方位の特性によりウエットエッチングで薄肉部を形成することで薄肉部に厚み差を生じさせる特性を持つ。また、ＡＴカット水晶板は厚み滑り振動を励起するため、共振周波数を計測することにより厚みを測定することができる。このため、共振周波数に基づいて厚みを微調整することにより、厚み加工を高精度に行うことが可能となる。また、この作用を用いて厚み調整を行うことにより歩留りを向上させることができる。また、水晶は、シリコン等の部材に比べて物質的に安定した素材であるため、経年変化が少ない。
【００１１】
また、上記のような構成の圧力センサにおいて前記検出片は、前記基体との接合面に前記上部電極膜の一部を当該検出片の上面側へ導くための貫通孔を有するものであっても良い。接合面は密閉空間を確保するために気密に封止されるため、貫通孔を形成した場合であっても前記間隙部の気密性を保つことができる。
【００１２】
また、上記のような構成の圧力センサにおいて前記基体は、前記検出片との接合面に前記上部電極膜の一部を当該基体の下面側へ導くための貫通孔を有するものであっても良い。接合面は気密に封止されるため、貫通孔を形成した場合であっても前記間隙部の気密性を保つことができる。
【００１３】
また、前記基体と前記検出片との接合は陽極接合とすることが望ましい。陽極接合は静電引力により物質同士を接合するため、接合強度が高く、間隙部の気密性を長期的に保つことに有利となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の圧力センサに係る実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態は、本発明に係る一部の実施形態であり、本発明の技術的範囲は以下に示す実施形態のみに限定されるものでは無い。
【００１５】
まず、図１、図２を参照して、本発明の圧力センサ（絶対圧力センサ）に係る第１の実施形態について説明する。ここで、図１は、本実施形態の圧力センサのセンサ部の断面図を示し、図２は圧力センサの全体構成を示す図である。なお、図２において、図２（Ａ）は後述する検出片の上面と右側面を示す図であり、図２（Ｂ）は同じく検出片の下面と左側面を示す図であり、図２（Ｃ）は、後述する基板の上面を示す図である。
【００１６】
本実施形態の圧力センサ１０は、検出片２０と、基体３０、前記検出片２０と前記基体３０との双方に形成された電極膜２６，３２、及び前記基体３０側に形成された電極膜３２を覆う誘電体膜３４とから成ることを基本とする。
【００１７】
まず検出片２０について説明する。前記検出片２０は、図１に示すように、検出位置に薄肉部２２を形成し、この薄肉部２２の周囲に、前記薄肉部と一体に形成した厚肉部２４を有する、いわゆるダイヤフラムを構成している。本実施形態の検出片２０は、検出片２０の母材となる基板の両方の板面の対向した位置に凹部２３，２５を形成し、薄肉部２２を形成する構成を採っている。凹部２３，２５の形成については、一方の面（上面）からの堀量を大きくし、他方の面（下面）からの堀量を小さくするようにする。前記薄肉部２２は、肉厚が、薄肉部２２の中でも他より薄く、平坦に形成された平坦部２２ａと、この平坦部２２ａと一体に形成され、前記厚肉部２４に向けて漸次肉厚を厚くする傾斜部２２ｂとによって構成する。
【００１８】
検出片２０の構成材料としては、例えばシリコンや水晶等を挙げることができる。そして、加工方法としては、エッチング（ドライエッチング、ウエットエッチング）やプラズマＣＶＭを用いた加工方法等を挙げることができる。例えば構成材料をシリコンとする場合には、プラズマＣＶＭを用いて薄肉部２２を形成することで、上述した平坦部２２ａと傾斜部２２ｂとを任意に形成することが可能となる。
【００１９】
一方、構成材料を水晶とする場合には、シリコンと同様にプラズマＣＶＭを用いた加工方法を採用することもできるが、母材となる水晶基板を切り出すカット角を工夫することにより、エッチング（ウエットエッチング）によっても上記のような平坦部２２ａと傾斜部２２ｂとを持つ薄肉部２２を形成することができる。すなわち結晶構造の異方性に基づくエッチングレートの違いを利用するのである。また、エッチングにより水晶基板を加工することによれば、バッチ処理が可能となり生産性を増すことができる。このようなエッチングによる加工方法に最も適した水晶基板は、ＡＴカットの水晶板である。
【００２０】
ＡＴカット水晶板において、Ｚ´軸の方向を図１に示す方向に設定した場合（回転Ｙカット）、検出片における上面側の凹部２３は、堀量が増すに従って徐々に傾斜部を形成し、平坦部２２ａの割合を小さくしていく。一方、下面側の凹部２５は、上面側の凹部２３に比べて極めて堀量が少ないため、平坦構造を維持することとなる。
【００２１】
また、構成材料とする水晶基板は、ＡＴカット水晶板のように厚み滑り振動を励起するものや、厚み縦振動を励起することができるものを選択すると良い。このような水晶基板では、基板の板厚によって共振周波数を調整することができる。したがって、共振周波数に基づいてエッチング処理を施すことで、薄肉部２２の板厚調整を高精度に行うことが可能となる。例えば、従来の圧力センサのように検出片の母材をシリコンとして、加工をエッチングによって実施した場合、加工目標とする板厚が１０μｍであるところ、実際の板厚は８〜１２μｍ程度の仕上げ精度となっていた。これに対し、本実施形態のように検出片２０の母材を水晶とし、共振周波数に基づいて板厚を調整した場合、加工目標とする板厚が１０μｍであるところ、９．９７〜１０．０３μｍ程度の高い精度で仕上げることが可能となる。また、水晶は、シリコン等の部材に比べて物質的に安定した素材であるため、経年変化が少ない高品質な圧力センサを提供することが可能となる。従って本実施形態では、以下の説明において検出片２０の母材としてＡＴカット水晶板を採用した場合を例に挙げて説明する。
【００２２】
上記のような検出片２０は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す全体の構成を参照すると判るように、前記厚肉部２４に、貫通孔２８が形成されている。当該貫通孔２８は、検出片２０の下面側に形成された詳細を後述する電極膜（以下上部電極膜という）２６を、検出片２０の上面側に引き出すスルーホールである。
【００２３】
前記上部電極膜２６は、検出片２０の下面における前記薄肉部２２に形成される。詳細には、前記薄肉部２２の傾斜部２２ｂに配置される。薄肉部２２は圧力センサ１０の検出部となり、検出片２０の上面側から負荷される圧力に応じて下面側へ撓み、後述する基体３０の上面に接触することとなる。この時の基体３０上面への接触は、肉厚の最も薄い平坦部２２ａが初期接触し、ついで負荷圧力が高まると共に傾斜部２２ｂが漸次接触していくこととなる。つまり、傾斜部２２ｂは、低圧力の領域から高圧力の領域までの広い領域に亙って、導電体膜３４との接触面積に変化を来たすのである。したがって、本実施形態の圧力センサ１０における検出片２０では、上部電極膜２６の配置位置を、初期接触位置から肉厚が増加する傾斜部２２ｂ側へずらした構造を採用し、広い領域での圧力検出が可能な構成とした。
【００２４】
上記のようにして配置した上部電極膜２６には、引出電極２６ａが形成されており、引出電極２６ａは、前述したスルーホール（貫通孔）２８の周囲にまで導かれている。スルーホール（貫通孔）２８には導通処理（スルーホールメッキ）が施されており、検出片２０の上面側におけるスルーホール（貫通孔）２８の周囲には、実装用の外部端子２６ｂとしての金属パターンが形成されている。
【００２５】
また、図２（Ｂ）を参照すると判るように、検出片２０の下面には、前記上部電極膜２６及び引出電極２６ａの他に、前記厚肉部２４の周囲を囲うように金属パターン３２ｂが配されている。また、前記金属パターン３２ｂの一部は、検出片２０の側面に延設され、外部端子３２ｃとしての体を成す構成とされている。
【００２６】
次に、基体３０について説明する。本実施形態における基体３０は、図１及び図２（Ｃ）に示すように上述した検出片２０と同一の外形形状、すなわち矩形をした絶縁基板である。なお、基体３０の形状については、前述した凹部２５によって形成される検出片２０と基体３０との間に密閉空間を確保し、これを気密に保つことができる形状であれば、特に限定するものでは無い。基体３０の構成材料としては、例えば、ガラス、水晶、セラミック等を挙げることができる。本実施形態では基体３０の材料としてガラス、具体的にはソーダライムガラスを採用した場合を例に挙げて説明する。なお、構成材料を選択するにあたっての好適な条件は、上述した検出片２０の構成材料と熱膨張率が近いものであるということである。
【００２７】
基体３０は後述するように、上述した検出片２０と接合される。基体３０の上面には、検出片２０と接合した際に、前記検出片２０の下面に配置された上部電極膜２６と対向する位置に電極膜（以下、下部電極膜という）３２が形成されている。そして、このように配置された前記下部電極膜３２には引出電極３２ａが形成されている。引出電極３２ａは、基体３０と前記検出片２０とを接合した際に、前記厚肉部２４の周囲に配された金属パターン３２ｂと接触し、上部電極膜２６、及びその引出電極２６ａとは接触しない位置に引き回されている。また、前記下部電極膜３２は、誘電体膜３４で覆われている。当該誘電体膜３４により下部電極膜３２と前記上部電極膜２６とが直接接触し、短絡することを防止することができる。
【００２８】
上記のような構成の検出片２０と基体３０とを接合することで本実施形態の圧力センサ１０が構成される。検出片２０と基体３０とは、前記電極パターン３２ｂを介して陽極接合により接合される。検出片２０と基体３０とを接合する場合、薄肉部２２の下面側に形成された凹部２５によって構成される間隙（密閉空間）は、真空とすることが望ましい。こうすることにより、外気の温度等が検出圧力に影響を与えることが無くなるためである。したがって、接合は真空チャンバ等の真空領域で行うこととし、陽極接合は、次のような工程で行う。まず、接合対象となる部材、すなわち検出片２０と基体３０とを重ね合わせ、両者を加熱し、基体３０の構成材料であるガラスを軟化させる。そして本実施形態の場合、水晶で構成された検出片２０（検出片２０に形成された金属パターン３２ｂ）を陽極に設定し、両部材間に高電圧を印加する。これにより両部材の接合面には電気的二重層が発生し、静電引力により強固な接合が実現され、前記凹部２５によって構成される空間は気密に封止されることとなる。なお、検出片２０にはスルーホール（貫通孔）２８が形成されているが、検出片２０と基体３０とは陽極接合により強固に接合されているため、前記スルーホール（貫通孔）２８を介して前記空間の気密が妨げられることは無い。
【００２９】
上記のようにして構成された圧力センサ１０による圧力の検出は次のようになる。まず、検出片２０の薄肉部２２に圧力が負荷されると、薄肉部２２が弾性的に下面方向へ撓み、基体３０の上面に接触する。基体３０の上面への薄肉部２２の接触は、初期接触として肉厚が薄く撓み易い平坦部２２ａが接触する。ここで、上記密閉空間を真空とした本実施形態の圧力センサ１０では、圧力センサ１０を外部空間（大気中）に晒すことにより平坦部２２ａによる初期接触が生じる（図１の２点鎖線参照）。この状態で薄肉部２２に対する負荷圧力が増すと、徐々に上部電極膜２６が配置してある傾斜部２２ｂが基体３０の上面へ接触することとなる。ここで、上述したように薄肉部２２の傾斜部２２ｂは、平坦部２２ａから厚肉部２４にかけて漸次肉厚を増す構造をしているため、負荷圧力に対する変形、すなわち基体３０上面に対する接触度合いの変化は、従来の一定厚の薄肉部を有するダイヤフラムに比べて緩やかなものとなる。また、平坦部２２ａと傾斜部２２ｂとでは、圧力に対する撓み具合が異なるため、傾斜部２２ｂに上部電極膜２６を配置する構成とすることで、負荷圧力に対する静電容量の変化が安定することとなる。
【００３０】
本実施形態の圧力センサ１０は上述したように、検出片２０の薄肉部２２において、初期設置位置となる平坦部２２ａから傾斜部２２ｂ側へずらした位置に上部電極膜２６を配置している。そして、下部電極膜３２は基体３０の上面において前記上部電極膜２６に対向する位置に配置され、両電極膜２６，３２の直接接触を防止するために誘電体膜３４で被覆されている。また、タッチモード型の圧力センサは、上部電極膜と下部電極膜との接触面によって構成されるコンデンサにおける静電容量の変化を圧力値に変換する。したがって、本実施形態の圧力センサ１０は、上部電極膜２６が配置された傾斜部２２ｂの変化が負荷圧力に対して緩やかになることにより、両電極膜２６，３２によって構成されるコンデンサの静電容量が、従来の圧力センサよりも飽和領域を高圧側へシフトさせることができることとなる。すなわち、圧力−容量特性の直線性が改善され、この特性によって示される動作領域を広げることができるのである。図３に本実施形態の圧力センサ１０における圧力−容量特性と、従来のタッチモード型圧力センサの圧力−容量特性とを示す。このように図３からも、本実施形態に係る圧力センサ１０の圧力−容量特性が従来に比べて高圧域まで特性が伸びていることを読み取ることができる。
【００３１】
上記のような圧力センサ１０では、タッチモード型のセンサ特有の効果、すなわちギャップモード型のセンサ等に比べて感度が高いこと、及び耐圧性が高いことに加え、次のような効果を得ることができる。まず、従来のタッチモード型のセンサに比べ、圧力−容量特性を示すグラフにおいて、動作領域での直線性が改善される。また、従来のタッチモード型のセンサに比べ、高圧域まで動作領域を広げることができる。また、検出片２０を水晶とした場合には、水晶特有の厚み制御技術により、薄肉部２２の厚みのバラツキを小さくすることができる。これにより、検出する圧力のバラツキを押えることができ、高精度な圧力センサとすることができる。
【００３２】
なお、本実施形態では、検出片２０にスルーホール（貫通孔）２８を形成し、上部電極膜２６を検出片２０の上面へ電気的に接続する構成としていたが、スルーホールを基体３０に形成し、下部電極膜３２を基体３０の下面へ電気的に接続する構成としても良い。また当然に、検出片２０、あるいは基体３０のいずれかに二つのスルーホールを形成し、上部電極膜２６、下部電極膜３２のそれぞれの電極を外部端子に電気的に接続する構成としても良い。
【００３３】
次に、本発明の圧力センサに係る第２の実施形態について図４を参照して説明する。なお、本実施形態における圧力センサの基本的構成は、第１の実施形態に示した圧力センサと同様である。すなわち、検出片と、基体、前記検出片と前記基体との双方に形成された電極膜、及び前記基体側に形成された電極膜を覆う誘電体膜とから成ることを基本とするのである。したがって、その機能を同一とする箇所には、図１に示した符号に１００を足した符号を附して、その詳細な説明は省略することとする。
【００３４】
本実施形態の圧力センサ１１０と第１の実施形態で説明した圧力センサ１０の違いは、検出片の形状、及び気体の形状である。詳細には、本実施形態の検出片１２０は、母材の下面側を平坦な形状とし、凹部２５によって構成していた空間を確保するための凹部１３５を基体３０に形成したということである。このような構成の圧力センサ１１０であっても、上述した第１の実施形態に示す圧力センサ１０と同等な効果を奏することができる。なお、本実施形態に示す圧力センサ１１０を製造する場合、検出片１２０における凹部１２３の加工は、ブラスト加工とエッチングやプラズマＣＶＭ等の組合せによって行うことで、加工時間の短縮を図ることが可能となる。これは、本実施形態の検出片１２０の下面を平坦とすることにより、ブラスト加工時における割れを抑制することが可能となることによる。
【００３５】
上記実施形態では、検出片２０，１２０と基体３０，１３０とを接合する際、陽極接合を用いる旨記載した。しかしながら、上部電極膜２６，１２６と下部電極膜３２，１３２との間に設ける間隙（空間）の気密性を保つことができる接合方法であれば当然に、他の接合方法であっても、本発明の実施形態とみなすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１の実施形態に係る圧力センサのセンサ部の構成を示す図である。
【図２】圧力センサを構成する検出片と基体とを分解した様子を示す図である。
【図３】従来のタッチモード型圧力センサと本発明に係る圧力センサとの圧力−容量特性を示す図である。
【図４】第２の実施形態に係る圧力センサのセンサ部の構成を示す図である。
【図５】従来のタッチモード型圧力センサの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０………圧力センサ、２０………検出片、２２………薄肉部、２２ａ………平坦部、２２ｂ………傾斜部、２３………凹部、２４………厚肉部、２５………凹部、２６………上部電極膜、２８………スルーホール、３０………基体、３２………下部電極膜、３４………誘電体膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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