(57)【要約】      （修正有）【課題】化合物半導体層の結晶性を維持したまま、容易に光取り出し効率を向上させることが可能である、高性能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａ、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層６ｂ及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃを順次積層した積層体を含む半導体層６を有した発光素子であって、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃの上側表面に形成された凹凸によって光を散乱させる光散乱性反射導電層７が形成されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層を順次積層した積層体を含む半導体層を有した発光素子であって、前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の上面に、表面に形成された凹凸によって光を散乱させる光散乱性反射導電層が形成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記光散乱性反射導電層は、前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と接する界面側の表面に前記凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記凹凸が規則的に形成されており、その平均周期Ｔは、前記発光層で発光した光の波長をλ、前記λに対する前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の屈折率をｎとしたとき、１．５λ／ｎ≦Ｔ≦３．５λ／ｎであることを特徴とする請求項２記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物ガリウム系化合物半導体を利用した発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）等の発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、紫外光領域から青色光までの光を発光する発光素子として、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦1、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体（窒化物系半導体）を用いた発光素子が注目されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
このような窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子は、蛍光体と組み合わせることにより白色の光を発光することが可能であり、また省エネルギーかつ長寿命であることから、白熱電球や蛍光ランプの代替品として有望視されると共に実用化が始まっている。しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子の発光効率は、蛍光灯に比較すると低いため、更なる高効率化が求められており、そのための様々な研究が行われている。
【０００４】
ところで、発光素子の発光効率である外部量子効率は、発光層で電気エネルギーが光エネルギーに変換される割合を示す内部量子効率と、変換された光エネルギーが外部へ放出される割合を示す光取り出し効率の積によって決定される。
【０００５】
内部量子効率は、発光素子を形成する窒化ガリウム系化合物半導体層の結晶性に大きく影響を受ける。内部量子効率を向上させる方策として、基板上に非晶質または多結晶のＡｌＮ系またはＡｌＧａＮ系の材料のバッファ層を形成し、このバッファ層上に窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させることにより、基板と窒化ガリウム系化合物半導体層との格子不整合を緩和させ、窒化ガリウム系化合物半導体層の結晶性を向上させるという方法が、公知の技術として知られている（例えば、特許文献２を参照）。
【０００６】
一方、光取り出し効率の向上に関しても種々の技術が公開されており、窒化ガリウム系化合物半導体層の表面に凹凸構造を形成することで外部との屈折率差を緩和して内部全反射を抑制する方法（例えば、特許文献３を参照）や、基板裏面に凹凸構造を形成することによって、基板に入射した光を乱反射させ基板側面から効率よく取り出す方法（例えば、特許文献４を参照）、また基板表面に突出部及び陥凹部を設けることで、同様の効果を生み出す方法（例えば、特許文献５を参照）等がある。
【特許文献１】特開平２−４２７７０号公報
【特許文献２】特公平４−１５２００号公報
【特許文献３】特開平１５−６９０７５号公報
【特許文献４】特開平１４−３６８２６１号公報
【特許文献５】特開平１１−２７４５６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の発光素子の断面図を図１に示す。基板１上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａ、窒化ガリウム系化合物半導体層からなる発光層２ｂ及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃより成る半導体層２が形成されていると共に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａ上とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃ上に、それぞれｎ型電極３及びｐ型電極４が形成されている。
【０００８】
窒化ガリウム系化合物半導体層の形成に使用される基板１としては、一般的にサファイア基板が使用されているが、その屈折率は発光層２ｂで発光した光の波長を４００ｎｍとした場合に約１．７８であるのに対し、窒化ガリウム系化合物半導体の屈折率は約２．５５と高い。そのため、発光層２ｂで発光した光のうち、サファイア基板への入射角が臨界角θｒの約４４°（θｒ＝ａｒｃｓｉｎ（１．７８／２．５５））を超える角度で入射する光は、各窒化ガリウム系化合物半導体層を積層してなる半導体層２の内部で全反射を繰り返す。従って、光は半導体層２で全反射を繰り返す過程で大部分が吸収され、残った光が半導体層２の端部から外部へ向かって放射されるため、発光量が低下するという問題がある。
【０００９】
上記問題を解決するために、特許文献３の方法を用いて光取り出し効率を向上させる場合、半導体層から基板を機械的に研磨して除去した後、ウェットエッチングまたはドライエッチングによって凹凸構造を形成する必要があるため、製造プロセスが複雑になるだけでなく、研磨による半導体層へのダメージが懸念される。
【００１０】
また、特許文献４の方法において、基板裏面に形成された凹凸によって乱反射を引き起こして基板側面から外部へ取り出された光は、基板へ侵入した光に対してのみ有効であるが、発光層で発光した光の大部分は、上記のように基板及び電極の界面で全反射を繰り返して半導体層の端面から外部へ放出されるか、または半導体層内で吸収されるため、光取り出し効率向上の効果は十分に得られない。
【００１１】
さらに、特許文献５の方法では、突出部及び陥凹部の設けられた基板表面から半導体層を成長させる必要がある。つまり、平坦ではない荒れた基板表面からの窒化ガリウム系化合物半導体層の成長となるため、転位や欠陥等が入りやすく、結晶性のよい平坦な半導体層を得ることは難しいという問題がある。
【００１２】
従って、本発明は上記従来の技術における問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、複雑な製造プロセスを必要とせず、かつ窒化ガリウム系化合物半導体層の結晶性を維持したまま、容易に光取り出し効率を向上させることが可能である高性能な発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の発光素子は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層を順次積層した積層体を含む半導体層を有した発光素子であって、前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の上面に、表面に形成された凹凸によって光を散乱させる光散乱性反射導電層が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の発光素子は好ましくは、前記光散乱性反射導電層は、前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と接する界面側の表面に前記凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の発光素子は好ましくは、前記凹凸が規則的に形成されており、その平均周期Ｔは、前記発光層で発光した光の波長をλ、前記λに対する前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の屈折率をｎとしたとき、１．５λ／ｎ≦Ｔ≦３．５λ／ｎであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の発光素子は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層を順次積層した積層体を含む半導体層を有した発光素子であって、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の上面に、表面に形成された凹凸によって光を散乱させる光散乱性反射導電層が形成されていることにより、発光層で発光した光のうち、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の上面に向かう光は、光散乱性反射導電層により光取り出し方向である第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層側へと反射されるため、光取り出し側へ効率よく光を集めて放出させることが可能になる。
【００１７】
さらに、従来、半導体層と外部との界面において臨界角を超える角度で入射して半導体層側へ全反射し、各窒化ガリウム系化合物半導体層を積層してなる半導体層の内部で全反射を繰り返して吸収されていた光は、光散乱性反射導電層によって様々な角度に散乱されるため、半導体層と外部との界面において臨界角以内に入る光の割合が増加し、光取り出し効率を大幅に向上させることが可能になる。
【００１８】
また、光散乱性反射導電層における１回の反射、散乱によって他の界面で入射角が臨界角以内に入らない場合でも、光散乱性反射導電層における反射、散乱を複数回繰り返すうちに他の界面で入射角が臨界角以内に入るため、外部へ取り出せる光の量は格段に増加する。
【００１９】
また、本発明の発光素子は好ましくは、光散乱性反射導電層は、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と接する界面側の表面に凹凸が形成されていることにより、光は光散乱性反射導電層と第２導電性窒化ガリウム半導体層の界面部分で散乱し、第２導電型窒化ガリウム半導体層側へと反射、散乱されるため、光散乱性反射導電層内部へ進入して吸収される光の量を大幅に減少させることができる。
【００２０】
また、本発明の発光素子は好ましくは、凹凸が規則的に形成されており、その平均周期Ｔが、発光層で発光した光の波長をλ、波長λに対するｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の屈折率をｎとしたとき、１．５λ／ｎ≦Ｔ≦３．５λ／ｎであることから、凹凸によって散乱される光の角度分布を最大限に広げることが可能であり、外部に取り出せる光の量を最も効果的に増加させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の発光素子について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２２】
図２は本発明の発光素子の実施の形態の一例を示す模式的な断面図である。図２において、５は窒化ガリウム系化合物半導体層をエピタキシャル成長するために用いる基板、６は窒化ガリウム系化合物半導体層を複数層積層して成る半導体層（積層体）であり、６ａは第１導電型（例えばｎ型）窒化ガリウム系化合物半導体層、６ｂは窒化ガリウム系化合物半導体層からなる発光層、６ｃは第２導電型（例えばｐ型）窒化ガリウム系化合物半導体層、７は光散乱性反射導電層、８は第２導電（例えばｐ）側電極としての、あるいは第２導電側電極を形成するための第２導電側導電層、９は第１導電（例えばｎ）側電極としての、あるいは第１導電側電極を形成するための第１導電側導電層である。
【００２３】
なお、図２の例では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とする。
【００２４】
本例の発光素子は、ｐ側導電層８及びｎ側導電層９を外部実装基板の配線導体等に電気的に接続して発光素子を実装する、いわゆるフリップ実装が可能なフリップチップ構造であり、従って光の取り出し方向は基板５の側である。従って、基板５は発光層６ｂが発光する光に対して透明な材料からなるものがよい。また、基板５を半導体層６からエッチング等によって除去する場合には、基板５は不透明な材料からなっていてもよい。
【００２５】
本発明の光散乱性反射導電層７は、発光層６ｂが発光する光に対して反射性の高いアルミニウム等からなるとともに、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃとｐ側導電層８との導通がとれるように導電性を有し、さらに発光層６ｂが発光する光に対して散乱性をも有するものである。
【００２６】
この光散乱性反射導電層７は、基板５上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａ、発光層６ｂ及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃをこれらの順で成膜した後、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃ上にマスクを形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によるドライエッチングでｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃの上面に凹凸を形成し、さらにその上面から高い反射率を持つアルミニウム等からなる導電層を蒸着により成膜することにより、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃの高い結晶性を維持したまま、容易に形成することができる。
【００２７】
光散乱性反射導電層７の凹凸の平均周期Ｔは、発光層６ｂで発光した光の波長をλ、波長λに対するｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃの屈折率をｎとしたとき、１．５λ／ｎ≦Ｔ≦３．５λ／ｎであることが好ましい。具体的には、λが４００ｎｍにおけるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃの屈折率を２．５としたとき、Ｔは、１．５×４００÷２．５＝２４０ｎｍから３．５×４００÷２．５＝５６０ｎｍの範囲とするのが好ましい。２４０ｎｍ未満もしくは５６０ｎｍより大きい範囲では、凹凸によって散乱された散乱光の角度分布が狭くなり、半導体層６と外部との界面での入射角が臨界角以内に入る、外部に取り出すことが可能な散乱光が減少するため、光り取り出し効率向上の効果が十分に得られない。
【００２８】
また、光散乱性反射導電層７に形成された複数の凹凸は、Ｔが２４０ｎｍ〜５６０ｎｍであれば、単位長さ１μｍ当り２個〜４個の凹凸が存在することとなる。
【００２９】
また、光散乱性反射導電層７の凹凸の高さに関しては、単位長さあたりの先端部の数、つまり凹凸の周期が散乱に大きく関与するため、特に限定はされないが、平均周期Ｔと同じぐらいであればよい。
【００３０】
本発明における光散乱性反射導電層７の凹凸の形成方法について以下に具体的に述べる。まず、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃの上にスピンコートによりフォトマスク用のレジスト層を形成した後、電子ビーム描画法を用いて露光することによってパターニングを行い、現像処理を行う。次に、ＮｉまたはＴｉ等を蒸着し、リフトオフを実施することで、マスクパターンが完成する。最後に、このマスクパターン上からｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃをＲＩＥ法によってドライエッチングすることで、凹凸が形成される。
【００３１】
また、光散乱性反射導電層７の厚み（凹凸も含めた厚み）は３４０ｎｍ〜１μｍ程度がよく、３４０ｎｍ未満では、厚みが薄いために高い反射率が得られず、１μｍを超えると、電極抵抗増加により電流注入効率が低下する。
【００３２】
本発明のｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａ、発光層６ｂ、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃを含む半導体層６の成長方法は、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法が用いられるが、その他分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法やハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法、パルスレーザデポジション（ＰＬＤ）法等が挙げられる。
【００３３】
本発明の半導体層６は、発光層６ｂを、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃ及びｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａで挟んだ構成であるが、例えば、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃは、第１のｐ型クラッド層としてのＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層、第２のｐ型クラッド層としてのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、ｐ型コンタクト層としてのＧａＮ層の積層体等からなる。このｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃの厚みは２００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。
【００３４】
また、例えば、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａは、第１のｎ型クラッド層としてのＧａＮ層、第２のｎ型クラッド層としてのＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ層の積層体等からなる。このｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａの厚みは２μｍ〜３μｍ程度である。
【００３５】
また、例えば、発光層６ｂは、禁制帯幅の広い障壁層としてのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層と、禁制帯幅の狭い井戸層としてのＩｎ０．１１Ｇａ０．８９Ｎ層とを、交互に例えば３回繰り返し規則的に積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Muliti Quantum Well）等からなる。この発光層６ｂの厚みは２５ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。
【００３６】
なお、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃ及びｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａは、互いに逆の導電型であってもよい。
【００３７】
光散乱性反射導電層７、ｐ側導電層８及びｎ側導電層９の材質は、発光層６ｂが発生した光を損失なく反射し、かつ光散乱性反射導電層７及びｎ側導電層９は、それぞれｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃ及びｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａと良好なオーミック接続がとれるものがよい。
【００３８】
そのような材質のものとしては、例えばアルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），インジウム（Ｉｎ），錫（Ｓｎ），モリブデン（Ｍｏ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），ニオブ（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），バナジウム（Ｖ），白金（Ｐｔ），鉛（Ｐｂ），ベリリウム（Ｂｅ），酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３），金−シリコン合金（Ａｕ−Ｓｉ合金），金−ゲルマニウム合金（Ａｕ−Ｇｅ合金），金−亜鉛合金（Ａｕ−Ｚｎ合金），金−ベリリウム合金（Ａｕ−Ｂｅ合金）等を用いればよい。これらの中でも、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）は、発光層６ｂが発光する青色光（波長４５０ｎｍ）〜紫外光（波長３５０ｎｍ）の光に対して反射率が高いので好適である。また、アルミニウム（Ａｌ）はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａとのオーミック接合の点でも特に好適である。また、上記材料の中から選択した層を複数層積層したものとしても構わない。
【００３９】
また、本発明において、半導体層６は透明な基板５上にエピタキシャル成長法によって形成されていることが好ましい。この場合、例えば半導体層６内部で発光した光のうち光散乱性反射導電層７及び光反射層からなるｎ側導電層９で基板５側に反射された光を、透明な基板５から外部へ放出することが可能となる。この透明な基板５としては、サファイア、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等からなるものがよい。
【００４０】
また、基板５として、不透明なものでよい場合、ＺｒＢ２等のニホウ化物単結晶からなる基板を用いてもよい。この場合、基板５が窒化ガリウム系化合物半導体層との格子整合性及び熱膨張係数の整合性が優れたものとなるため、結晶欠陥の少ない窒化ガリウム系化合物半導体層を形成することができる。またこの場合、基板５はエッチング等によって除去されることが好ましく、発光層６ｂで発光した光をｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａ側から外部に出射させることができる。
【００４１】
また、ｐ側導電層８及びｎ側導電層９上には、それぞれ外部との電気的接続をとるための導線等を接続するｐ側電極とｎ側電極（共に図示せず）が設けられている。両電極は、例えばチタン（Ｔｉ）層、またはチタン（Ｔｉ）層を下地層として金（Ａｕ）層を積層したものを用いればよい。
【００４２】
上記本発明の構成によれば、半導体層６を構成する発光層６ｂで発光した光のうち、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ｃの上面に向かう光は、光散乱性反射導電層７により光取り出し方向である基板５の裏面側へと反射される際に、様々な角度に光が散乱されるため、半導体層６と外部との界面で入射角が臨界角以内に入る光の割合が増加し、光取り出し効率を飛躍的に向上させることが可能である。
【００４３】
もちろん、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層６ａの下面側へ向かう光が、半導体層６と外部との界面で臨界角を超えて全反射した場合であっても、再度光散乱性反射導電層７に到達することにより、再び光取り出し方向である基板５側に向かって様々な角度で散乱されるため、半導体層６と外部との界面で入射角が臨界角以内に入る光の割合が増加し、外部へ取り出せる光の量を増やすことが可能である。
【実施例】
【００４４】
本発明の発光素子の実施例について以下に説明する。本発明の発光素子の効果を確認するために、有限差分時間領域（ＦＤＴＤ：Finite Difference Time Domain Method）法と光線追跡法を用いて、光散乱性及び光取り出し効率のシミュレーションを実施した。
【００４５】
まず最初に、凹凸のみのモデルを用いてＦＤＴＤ法による光散乱のシミュレーションを行い、散乱光の散乱角分布を求めた。次に、その分布を光線追跡法における光散乱性反射導電層の境界条件として適用し、光散乱性反射導電層で反射した光に対し分布を持たせることによって、本発明の発光素子（ＬＥＤ素子）における光取り出し効率のシミュレーションを行った。
【００４６】
発光波長は４００ｎｍであるとし、サファイアからなる基板（厚み３３０μｍ）の屈折率を１．７５、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層、発光層及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層からなる半導体層（厚み３．２μｍ）の屈折率を２．５（ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層、発光層及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層について、屈折率の変化はほとんどないため、全て同じ屈折率とした）、アルミニウム（Ａｌ）からなる光散乱性反射導電層（厚み０．５μｍ）の屈折率を０．４９として計算を行った。
【００４７】
図３に凹凸の周期を変化させたときの散乱光の分布を表したシミュレーション結果を示す。なお、実際の光散乱性反射導電層に形成された複数の凹凸は、規則的ではあるが厳密に均一な周期を有する凹凸からなるものではなく、従って複数の凹凸の周期は全体として平均的な周期（平均周期）で表されるが、本シミュレーションにおいては、計算の都合上、複数の凹凸は均一な周期を有する凹凸からなるものとして計算を行った。
【００４８】
図３は、散乱角度の大きい範囲にまで散乱分布の値が存在するほど、散乱光がより幅広い角度範囲に及んでいることを示す。同図より、凹凸周期が２４０ｎｍから５６０ｎｍの範囲において、散乱光が幅広い角度範囲に及んでいることがわかる。即ち、凹凸周期が２４０ｎｍから５６０ｎｍの範囲において、散乱光が幅広い角度範囲で散乱光強度（散乱分布）が大きくなっており、特に散乱角度が０〜３０°程度の範囲において、１６０ｎｍ，６４０ｎｍの場合よりも散乱光強度が大きくなっている。また、散乱角度が３０〜６０°においても、散乱光強度は、１６０ｎｍ，６４０ｎｍの場合と同等程度以上となっている。
【００４９】
次に、凹凸の周期を変化させたときの光り取り出し効率のシミュレーション結果を図４に示す。同図より、周期が２４０ｎｍから５６０ｎｍの範囲で、光り取り出し効率の向上効果が顕著に現れており、本発明の有効性が明確に現れていることが示された。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】従来の発光素子の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の発光素子について実施の形態の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の発光素子における光散乱性反射導電層について、光の散乱角度と散乱分布との関係をシミュレーションにより求めた結果のグラフである。
【図４】本発明の発光素子の光り取り出し効率をシミュレーションにより求めた結果のグラフである。
【符号の説明】
【００５１】
５：基板
６：半導体層
６ａ：第１導電型（ｎ型）窒化ガリウム系化合物半導体層
６ｂ：発光層
６ｃ：第２導電型（ｐ型）窒化ガリウム系化合物半導体層
７：光散乱性反射導電層
８：第１導電（ｎ）側導電層
９：第２導電（ｐ）側導電層
【図１】
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【図２】
2007250714.tif 000004
【図３】
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【図４】
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