(57)【要約】【課題】良好な圧電特性を有する圧電素子を提供する。【解決手段】本発明に係る圧電素子１００は，基体１と、基体１の上方に形成された下部電極４と、下部電極４の上方に形成された圧電体層５と、圧電体層５の上方に形成された上部電極６と、少なくとも圧電体層５を被覆する保護層１２と、保護層１２を被覆するバリア層１４と、を含み、バリア層１４のヤング率は、保護層１２のヤング率よりも大きく、バリア層１４は、平面視において，上部電極６のうちの少なくとも一部とは重ならない。【選択図】図１
2007250572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、
少なくとも前記圧電体層を被覆する保護層と、
前記保護層を被覆するバリア層と、を含み、
前記バリア層のヤング率は、前記保護層のヤング率よりも大きく、
前記バリア層は、平面視において、前記上部電極のうちの少なくとも一部とは重ならない、圧電素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記バリア層は、平面視において、前記上部電極のうちの全部と重ならない、圧電素子。
【請求項３】
請求項１において、
前記バリア層は、平面視において、前記上部電極の周縁と重なっている、圧電素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記保護層は、前記上部電極の上面を被覆している、圧電素子。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記保護層は、前記上部電極の上面を被覆していない、圧電素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記保護層は、サイドウォール形状である、圧電素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記保護層の前記上部電極と接している側面の上端は、前記上部電極の上面よりも下に位置している、圧電素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記バリア層は、水分をバリアする、圧電素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記保護層は、酸化シリコンからなり、
前記バリア層は、酸化アルミニウムからなる、圧電素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電素子に用いられる圧電体材料であるＰＺＴなどは、水分を吸収することにより絶縁破壊を起こすことがある。このため、圧電素子は、通常、水分バリア層により被覆されている。特に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などは良好な水分バリア性を有することが、例えば特開２００５−１７８２９３号公報などに開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１７８２９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、良好な圧電特性を有する圧電素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明に係る圧電素子は、
基体と、
前記基体の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、
少なくとも前記圧電体層を被覆する保護層と、
前記保護層を被覆するバリア層と、を含み、
前記バリア層のヤング率は、前記保護層のヤング率よりも大きく、
前記バリア層は、平面視において、前記上部電極のうちの少なくとも一部とは重ならない。
【０００５】
この圧電素子では、ヤング率の大きな前記バリア層が、平面視において、前記上部電極のうちの少なくとも一部とは重ならない。これにより、圧電素子を駆動する際に、前記上部電極や前記圧電体層を振動させ易くすることができる。即ち、本発明によれば、圧電素子の変位量を大きくすることができ、良好な圧電特性を有する圧電素子を提供することができる。
【０００６】
本発明に係る圧電素子において、
前記バリア層は、平面視において、前記上部電極のうちの全部と重ならないことができる。
【０００７】
本発明に係る圧電素子において、
前記バリア層は、平面視において、前記上部電極の周縁と重なっていることができる。
【０００８】
本発明に係る圧電素子において、
前記保護層は、前記上部電極の上面を被覆していることができる。
【０００９】
本発明に係る圧電素子において、
前記保護層は、前記上部電極の上面を被覆していないことができる。
【００１０】
本発明に係る圧電素子において、
前記保護層は、サイドウォール形状であることができる。
【００１１】
本発明に係る圧電素子において、
前記保護層の前記上部電極と接している側面の上端は、前記上部電極の上面よりも下に位置していることができる。
【００１２】
本発明に係る圧電素子において、
前記バリア層は、水分をバリアすることができる。
【００１３】
本発明に係る圧電素子において、
前記保護層は、酸化シリコンからなり、
前記バリア層は、酸化アルミニウムからなることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１５】
１．  まず、本実施形態に係る圧電素子１００について、図１および図２を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る圧電素子１００を模式的に示す断面図である。図２は、本実施形態に係る圧電素子１００を模式的に示す平面図である。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線における断面を示す図である。
【００１６】
圧電素子１００は、基体１と、基体１上に形成された下部電極４と、下部電極４上に形成された圧電体層５と、圧電体層５上に形成された上部電極６と、保護層１２と、バリア層１４と、を含む。圧電素子１００は、上部電極６と電気的に接続されている配線層２０を有することができる。
【００１７】
基体１としては、例えば、半導体基板、樹脂基板などを用途に応じて任意に用いることができ、特に限定されない。下部電極４および上部電極６としては、例えば、Ｉｒ、Ｐｔなどの高融点金属やその酸化物などを用いることができる。圧電体層５としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ３：ＰＺＴ）、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ３）（以下「ＰＺＴＮ」という）などを用いることができる。下部電極４の膜厚は、例えば２００ｎｍ、圧電体層５の膜厚は、例えば１μｍ、上部電極６の膜厚は、例えば１５０ｎｍとすることができる。
【００１８】
保護層１２は、図１に示すように、下部電極４の上面、圧電体層５の側面、および、上部電極６の側面を被覆することができる。保護層１２は、例えば、図１および図２に示すように、上部電極６の上面を被覆しないことができる。即ち、上部電極６の上面は露出されていることができる。保護層１２は開口部を有し、該開口部は、図示の開口部４０の一部を構成することができる。保護層１２は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などからなることができる。保護層１２の膜厚は、例えば１００ｎｍとすることができる。
【００１９】
バリア層１４は、図１に示すように、保護層１２の上面を被覆することができる。バリア層１４は、例えば、水分および水素のうちの少なくとも一方をバリアすることができる。バリア層１４は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化チタンなどからなることができる。
【００２０】
バリア層１４のヤング率は、保護層１２のヤング率よりも大きい。例えば、バリア層１４がＡｌ２Ｏ３からなる場合には、バリア層１４のヤング率は、約２００ＧＰａであり、保護層１２がＳｉＯ２からなる場合には、保護層１２のヤング率は、約７０ＧＰａである。
【００２１】
バリア層１４は、図２に示すように、平面視において、例えば、上部電極６の上面のうちの全部と重ならないことができる。即ち、バリア層１４は、開口部を有し、平面視において、該開口部は、上部電極６の上面と同じ領域に設けられることができる。バリア層１４の開口部は、保護層１２の開口部とともに、図示の開口部４０を構成することができる。
【００２２】
配線層２０は、例えば図２に示すように、上部電極６の一部分と接しており、そこからバリア層１４の上に引き出されていることができる。配線層２０としては、例えばアルミニウムなどを用いることができる。
【００２３】
２．  次に、本実施形態に係る圧電素子１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図３〜図７は、本実施形態に係る圧電素子１００の一製造工程を模式的に示す断面図である。
【００２４】
（１）まず、基体１上に下部電極４、圧電体層５、上部電極６を順次積層する。下部電極４および上部電極６は、例えば、スパッタ法、蒸着法などにより形成されることができる。圧電体層５が例えばＰＺＴＮからなるように形成する場合には、圧電体層５は、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂを含むゾルゲル溶液を、例えばスピンコート法などを用いて、下部電極４上に塗布することにより形成されることができる。
【００２５】
また、例えば、基体１上に下部電極４を積層し、予め下部電極４をエッチングなどにより所望の形状にパターニングし、その後、基体１および下部電極４の上に圧電体層５、上部電極６を順次積層することもできる。
【００２６】
次に、図３に示すように、例えば、上部電極６および圧電体層５をエッチングして所望の形状に加工する。これにより、基体１上に、圧電体層５および上部電極６から構成される柱状の堆積体（以下「柱状部」という）３０が形成される。
【００２７】
（２）次に、図４に示すように、圧電体層５および上部電極６、即ち、柱状部３０を被覆するように、保護層１２を形成する。これにより、後述するバリア層形成工程において、バリア層１４が形成される面をなだらかにすることができる。ここでは、保護層１２が酸化シリコンからなる場合について説明する。保護層１２は、トリメトキシシラン（ＴＭＳ）を用いて形成されることが好ましい。保護層１２は、例えば化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成されることができる。ＣＶＤ法としては、例えば、プラズマソース側とバイアス側の両方にＲＦ（radio frequency）を印加する２周波プラズマＣＶＤ法を用いることができる。また、ＣＶＤ法としては、例えば、プラズマソース側のみにＲＦを印加する１周波プラズマＣＶＤ法を用いることができる。また、保護層１２は、例えば、１周波プラズマＣＶＤ法により形成された第１層と、その上に２周波プラズマＣＶＤ法により形成された第２層との２層構造であることもできる。ＣＶＤ法に用いられる酸化剤としては、例えば、酸素（Ｏ２）、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）などを挙げることができる。プラズマソース側の電力としては、例えば３００Ｗ程度とすることができ、バイアス側の電力としては、例えば３００Ｗ程度とすることができる。
【００２８】
トリメトキシシラン（ＴＭＳ：（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＨ）における１分子当りの炭素原子（Ｃ）と水素原子（Ｈ）の数は、酸化シリコン膜の形成に一般的に用いられているテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ：（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４Ｓｉ）に比べ、約半分である。このため、ＴＭＳを用いることにより、ＣＶＤプロセス中の水素の発生が抑えられるとともに、ＴＥＯＳと比較してＴＭＳは分解されやすく、低温（室温〜３５０℃）で良質な保護層１２を得ることができる。即ち、ＴＭＳを用いた保護層１２の形成プロセスは、ＴＥＯＳを用いた形成プロセス（形成温度４００℃以上）に比べて、低水素量、低温で行うことができるため、水素が圧電体層５へ拡散するのを抑えることができる。従って、ＴＭＳを用いることにより、圧電体層５への還元反応によるプロセスダメージを低減させつつ、良質な保護層１２を得ることができる。特に、圧電体層５としてＰＺＴＮを用い、ＴＭＳを用いて保護層１２を形成すると、圧電体層５にほとんどダメージが入らない。
【００２９】
本工程において成膜される保護層１２の膜厚としては、例えば５００ｎｍとすることができる。なお、保護層１２は、例えばＳＯＧ（spin on glass）法などにより成膜されることもできる。
【００３０】
（３）次に、必要に応じて熱処理を行うことができる。熱処理の条件としては、例えば、６００℃、５分間などとすることができる。
【００３１】
（４）次に、例えば、図５に示すように、保護層１２をエッチバックすることができる。これにより、保護層１２の表面がより一層なだらかになり、次の工程で形成されるバリア層１４をより良好なカバレッジで成膜することができる。エッチバックされる膜厚は、例えば４００ｎｍとすることができる。エッチバックは、例えば、ＣＨＦ３とＯ２の混合ガスを用いたＲＩＥ（reactive ion etching）などにより行うことができる。
【００３２】
（５）次に、図６に示すように、保護層１２を被覆するようにバリア層１４を形成する。バリア層１４は、例えばスパッタ法により形成することができる。
【００３３】
バリア層１４が形成される面は、柱状部３０が保護層１２により被覆されていない場合に比べ、被覆されている方がなだらかである。従って、本実施形態では、なだらかな保護層１２上に、バリア層１４を良好なカバレッジで成膜することができる。その結果、バリア層１４を薄くしても、所望のバリア性を確保することができる。バリア層１４として例えば酸化アルミニウムを用いる場合には、バリア層１４の膜厚を例えば２０ｎｍ程度としても所望のバリア性を確保することができる。これに対し、例えば、柱状部３０が保護層１２により被覆されていない場合では、柱状部３０を被覆する酸化アルミニウムを均一に成膜することが難しいため、所望のバリア性を確保するためには、バリア層１４の膜厚は例えば６０ｎｍ程度となる。従って、バリア層１４として例えば酸化アルミニウムを用いる場合には、柱状部３０が保護層１２により被覆されている方が、被覆されていない場合に比べ、バリア層１４の膜厚を例えば１／３程度に減らすことができる。
【００３４】
（６）次に、図７に示すように、公知の方法により、バリア層１４の上の所望の領域にレジスト層４２を形成する。次に、図７に示すように、レジスト層４２をマスクとして、バリア層１４をエッチングしてバリア層１４を貫通する開口部４４を形成する。本工程では、例えば、図７に示すように、バリア層１４の下に形成された保護層１２はオーバーエッチングされることができる。開口部４４は、保護層１２を貫通しないことができる。このように、バリア層１４と上部電極６との間に保護層１２が形成されているため、バリア層１４のエッチングを行う際に、保護層１２がオーバーエッチングされても、保護層１２を貫通しないようにすることができるので、上部電極６がオーバーエッチングされるのを防ぐことができる。バリア層１４のエッチングは、例えば、ＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスを用いた高密度プラズマエッチングなどにより行うことができる。これにより、例えば、後述する保護層１２のエッチングと同じく例えばＣＨＦ３とＯ２の混合ガスを用いたＲＩＥなどにより行う場合に比べ、エッチングレートを大きくすることができる。例えば、バリア層１４が酸化アルミニウムからなり、バリア層１４のエッチングをＣＨＦ３とＯ２の混合ガスを用いたＲＩＥにより行う場合、エッチングレートは、例えば１０ｎｍ／ｍｉｎ程度となる。これに対し、バリア層１４のエッチングをＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスを用いた高密度プラズマエッチングにより行う場合、エッチングレートは、例えば１００ｎｍ／ｍｉｎ程度となる。
【００３５】
次に、レジスト層４２をマスクとして保護層１２をエッチングして、開口部４０（図１参照）を形成する。本実施形態では、保護層１２の上部電極６に対するエッチング選択比（＝保護層１２のエッチングレート／上部電極６のエッチングレート）を、バリア層１４の上部電極６に対するエッチング選択比（＝バリア層１４のエッチングレート／上部電極６のエッチングレート）よりも大きくすることができる。これにより、上部電極６がオーバーエッチングされないようにすることができる。即ち、例えば、上部電極６上に直接バリア層１４を形成するような場合に比べ、上部電極６はエッチングされにくくなる。従って、上部電極６を構成する物質（例えばＩｒなどの不揮発性の金属）が開口部４０内に叩き上げられて付着し、パーティクルや配線層２０の断線の原因になるのを防ぐことができる。また、上部電極６の厚さは、素子の圧電特性に大きく影響を与えるため、本実施形態によれば、圧電特性のばらつきを小さくすることができる。
【００３６】
例えば、保護層１２のエッチングは、ＣＨＦ３とＯ２の混合ガスを用いたＲＩＥにより行うことができる。このとき、上部電極６を構成する物質は、エッチングガスとほとんど反応しない。さらに、物理的な作用を弱くすれば、上部電極６は保護層１２と比較してほとんどエッチングされない。よって、保護層１２の上部電極６に対するエッチング選択比を、例えば１０以上とすることができる。一方、バリア層１４の上部電極６に対するエッチング選択比は１程度である。
【００３７】
（７）次に、図２に示すように、配線層２０を形成する。配線層２０は、例えばスパッタ法などにより形成されることができる。配線層２０は、公知の方法によりパターニングされ、所望の領域に形成されることができる。
【００３８】
（８）以上の工程によって、図１および図２に示すように、本実施形態に係る圧電素子１００を形成することができる。
【００３９】
３．  本実施形態では、図２に示すように、ヤング率の大きな酸化アルミニウムなどからなるバリア層１４が、平面視において、上部電極６の上面のうちの全部と重なっていない。即ち、上部電極６の上面の垂直上方には、ヤング率の大きなバリア層１４が形成されていない。これにより、圧電素子１００を駆動する際に、上部電極６や圧電体層５を振動させ易くすることができる。即ち、本実施形態によれば、圧電素子１００の変位量を大きくすることができ、良好な圧電特性を有する圧電素子１００を提供することができる。
【００４０】
また、本実施形態では、図１および図２に示すように、上部電極６の上面の垂直上方には、保護層１２も形成されておらず、上部電極６の上面が露出している。これにより、圧電素子１００を駆動する際に、上部電極６や圧電体層５をより一層振動させ易くすることができる。即ち、本実施形態によれば、圧電素子１００の変位量をより一層大きくすることができる。
【００４１】
また、本実施形態では、保護層１２の上部電極６に対するエッチング選択比を、バリア層１４の上部電極６に対するエッチング選択比よりも大きくすることができる。これにより、上部電極６がオーバーエッチングされないようにすることができる。従って、上部電極６の残膜量（膜厚）をウェハ面内で均一にすることができ、変位量のばらつきの少ない圧電素子１００を提供することができる。
【００４２】
また、本実施形態によれば、上述したように、上部電極６がオーバーエッチングされないようにすることができる。これにより、上部電極６を構成する物質（例えばＩｒなどの不揮発性の金属）が開口部４０内に叩き上げられて付着するのを防ぐことができる。従って、開口部４０内のパーティクルの発生や配線不良を防ぐことができる。本実施形態によれば、パーティクルの発生を防ぐことができるため、歩留りの向上やエッチング装置のメンテナンスサイクルを長くすることができる。
【００４３】
また、本実施形態によれば、上述したように、柱状部３０が保護層１２により被覆されているため、所望のバリア性を確保しつつ、バリア層１４を薄くすることができる。これにより、生産性の向上および生産コストの低減を図ることができる。特に、バリア層１４の形成工程では、成膜速度を遅くすると良質な膜を得ることができるため、本実施形態のようにバリア層１４を薄くすることができると、所望のスループットを確保しつつ、良質なバリア層１４を得ることができる。
【００４４】
４．  次に、本実施形態に係る圧電素子の変形例について、図面を参照しながら説明する。なお、上述した圧電素子１００（以下「圧電素子１００の例」という）と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【００４５】
（１）まず、第１の変形例について説明する。図８は、本変形例に係る圧電素子１２０を模式的に示す断面図である。図９は、本変形例に係る圧電素子１２０を模式的に示す平面図である。なお、図８は、図９のVIII−VIII線における断面を示す図である。
【００４６】
本変形例では、保護層１２およびバリア層１４が、平面視において、上部電極６のうちの一部と重なっていることができる。より具体的には、図８および図９に示すように、保護層１２およびバリア層１４は、平面視において、上部電極６の周縁と重なっていることができる。言い換えるならば、保護層１２およびバリア層１４は、平面視において、上部電極６の内側に開口部４０を有することができる。本変形例によれば、レジスト層４２を形成するリソグラフィ工程において（図７参照）、アライメントマージンを大きくすることができる。即ち、レジスト層４２の形成位置が所定の位置から少しずれた場合に、該レジスト層４２をマスクとして開口部４０を形成しても、保護層１２は確実に圧電体層５を被覆していることができ、該保護層１２の上面上にバリア層１４が形成されていることができる。
【００４７】
（２）次に、第２の変形例について説明する。図１０は、本変形例に係る圧電素子１４０を模式的に示す断面図である。
【００４８】
圧電素子１００の例では、保護層１２が上部電極６の上面を被覆していない場合について説明したが、本変形例のように、保護層１２は、上部電極６の上面を被覆していることができる。本変形例によれば、上部電極６が露出されていないため、例えば、開口部４６を形成した後の工程（例えば配線層形成工程等）において、上部電極６がダメージを受けるのを防ぐことができる。また、本変形例では、上部電極６の上面上にヤング率の小さな保護層１２が形成されている。これにより、例えば、上部電極６の上面上にヤング率の大きなバリア層などが形成されている場合に比べ、圧電素子１００を駆動する際に、上部電極６や圧電体層５を振動させ易くすることができ、圧電素子１４０の変位量を大きくすることができる。
【００４９】
本変形例に係る配線層２０を形成する工程では、配線層２０と上部電極６とを接続するために、公知の方法により、上部電極６上の保護層１２の一部にコンタクトホール（図示せず）を形成することができる。また、本変形例に係る圧電素子１４０の開口部４６は、例えば、圧電素子１００の例におけるバリア層１４をエッチングする工程（図７参照）において、保護層１２を所望の膜厚分だけオーバーエッチングして形成されることができる。また、本変形例に係る開口部４６は、例えば、圧電素子１００の例における保護層１２をエッチングする工程（開口部４０の形成工程）（図１参照）において、保護層１２を所望の膜厚分だけエッチングして、上部電極６上に保護層１２が残るようにして形成されることもできる。
【００５０】
（３）次に、第３の変形例について説明する。図１１は、本変形例に係る圧電素子１６０を模式的に示す断面図である。
【００５１】
本変形例では、保護層１２は、図１１に示すように、サイドウォール形状であることができる。該サイドウォール形状は、圧電素子１００の例における保護層１２をエッチバックする工程（図５参照）において、下部電極４の上面の一部および上部電極６の上面が露出するまでエッチバックを行うことにより形成されることができる。本変形例によれば、圧電素子１００の例における保護層１２をエッチングする工程（開口部４０の形成工程）（図１参照）を行うことなく、上部電極６の上面を露出させることができるので、製造工程を簡素化することができる。
【００５２】
本変形例では、バリア層１４は、下部電極４の上面の一部と接していることができる。保護層１２は、圧電体層５および上部電極６の側方に形成されている。保護層１２の最上端の高さは、基体１を基準として、上部電極６の上面の高さと同じになっている。保護層１２には、圧電素子１００の例のような開口部は形成されておらず、バリア層１４にのみ開口部４８が形成されている。
【００５３】
（４）次に、第４の変形例について説明する。図１２は、本変形例に係る圧電素子１８０を模式的に示す断面図である。
【００５４】
圧電素子１００の例では、上部電極６の側面すべてが保護層１２により覆われている場合について説明したが、本変形例のように、上部電極６の側面のうちの少なくとも一部が保護層１２により覆われていないことができる。図示の例では、上部電極６の側面のうち、上側が保護層１２により覆われておらず、下側が保護層１２により覆われている。言い換えるならば、図示の例では、保護層１２の上部電極６と接している側面の上端が、基体１を基準として、上部電極６の上面よりも下に位置していることができる。本変形例によれば、上部電極６が露出している面積（上部電極６が保護層１２により覆われていない面積）が、圧電素子１００の例よりも大きくなるため、上部電極６と配線層２０との密着性を向上させることができる。
【００５５】
本変形例に係る圧電素子１８０は、例えば、圧電素子１００の例における保護層１２をエッチングする工程（開口部４０の形成工程）（図１参照）において、フッ酸などを用いて保護層１２をウェットエッチングすることにより、保護層１２の側面の上端の位置が上部電極６の上面よりも下になるようにして、形成されることができる。
【００５６】
（５）なお、上述した変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。
【００５７】
５．  上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【００５８】
例えば、上述した本発明の実施形態に係る圧電素子は、例えば、インクジェットプリンタ等に用いられるインクジェット式記録ヘッド、アクチュエータ等に適用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本実施形態に係る圧電素子を模式的に示す断面図。
【図２】本実施形態に係る圧電素子を模式的に示す平面図。
【図３】本実施形態に係る圧電素子の一製造工程を模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態に係る圧電素子の一製造工程を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態に係る圧電素子の一製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る圧電素子の一製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本実施形態に係る圧電素子の一製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本実施形態に係る圧電素子の変形例を模式的に示す断面図。
【図９】本実施形態に係る圧電素子の変形例を模式的に示す平面図。
【図１０】本実施形態に係る圧電素子の変形例を模式的に示す断面図。
【図１１】本実施形態に係る圧電素子の変形例を模式的に示す断面図。
【図１２】本実施形態に係る圧電素子の変形例を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００６０】
１  基体、４  下部電極、５  圧電体層、６  上部電極、１２  保護層、１４  バリア層、２０  配線層、３０  柱状部、４０  開口部、４２  レジスト層、４４、４６、４８  開口部、１００、１２０、１４０，１６０  圧電素子
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図２】
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【図９】
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