(57)【要約】【課題】厚さ方向の引張応力や厚さ方向に直交する方向のせん断応力に対する強度が高く、従来に比べてより一層信頼性が高い多層配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】プリプレグ３１の一方の面の銅箔に窪みを形成し、その窪みの上にはんだ層３５を形成する。次に、銅箔をパターニングしてランド３６を形成した後、プリプレグ３１の他方の面側からレーザを照射して貫通孔３１ａを形成する。その後、ランド３５の裏面側をエッチングして凹部３６ａを形成し、貫通孔３１ａ内にはんだペーストを充填してコンタクトビア３７を形成する。その後、プリプレグ３１の他方の面側に張り付けたＰＥＴフィルム３３を除去する。次いで、複数のプリプレグ３１を接着フィルム３８を挟んで積層し、加熱しながら加圧して一体化して多層配線基板３０とする。このとき、はんだ層３５がコンタクトビア３７と一体化して、両端が膨出したリベット形状が得られる。【選択図】図４
2007250581.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向に積層された複数の絶縁板と、
前記複数の絶縁板にそれぞれ個別に形成され、前記絶縁板を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に充填された導電体により構成され、厚さ方向の両端部がそれぞれ前記貫通孔の径よりも大きく、前記貫通孔の外側に膨出した形状のコンタクトビアと、
厚さ方向に重なる前記コンタクトビア間に配置され、前記コンタクトビア間を電気的に接続するランドと
を有することを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記コンタクトビアを構成する導電体の融点が、前記ランドを構成する導電体の融点よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
絶縁板の第１の面に第１の導電体膜を形成し、第２の面に樹脂膜を形成する第１の工程と、
前記第１の導電体膜の上に所定の形状の開口部が設けられたレジスト膜を形成する第２の工程と、
前記レジスト膜の開口部を介して前記第１の導電体膜に窪みを形成する第３の工程と、
前記レジスト膜の開口部内に露出した前記第１の導電体膜の上に第２の導電体膜を形成する第４の工程と、
前記レジスト膜を除去する第５の工程と、
前記第１の導電体膜をパターニングして、前記第２の導電体膜により覆われたランドを形成する第６の工程と、
前記樹脂膜側から前記ランドに到達する貫通孔を形成する第７の工程と、
前記貫通孔を介して前記ランドの前記絶縁板側の面に、前記貫通孔の前記ランド側の開口径よりも大きなサイズの凹部を形成する第８の工程と、
前記貫通孔内に導電体を充填してコンタクトビアを形成する第９の工程と、
前記樹脂膜を除去する第１０の工程と、
前記第１の工程から前記第１０の工程までの工程を実施した後の複数の前記絶縁板を重ね合わせ、加熱しながら加圧して各絶縁板を一体化する積層工程と
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２の導電膜を構成する導電体と前記コンタクトビアを構成する導電体が同じであることを特徴とする請求項３に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記コンタクトビアを構成する導電体の融点が、前記積層工程で印加される温度よりも低いことを特徴とする請求項３に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の配線層を有し各配線層間がコンタクトビアにより電気的に接続された多層配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置（ＬＳＩ）の高集積化及び高速化に伴って、半導体装置を実装する基板にもより一層の高密度化が要求されている。このような要求に応じて、高密度半導体装置実装用基板として、ビルドアップ基板が使用されるようになった。ビルドアップ基板は、絶縁層を形成する工程と、絶縁層を貫通するビアホール（ＩＶＨ：Interstitial Via Hole ）を形成し、ビアホール内に導電体を充填してコンタクトビアを形成する工程と、絶縁層上に配線層を形成する工程とを繰り返して形成される。
【０００３】
ビルドアップ基板は、配線層の数を増やすことにより配線を高密度化することができる。しかし、ビルドアップ基板は、絶縁層形成工程、コンタクトビア形成工程及び配線層形成工程を順番に繰り返すことにより形成されるため、配線層の数が多くなるほど製造工程数が増大し、コストの上昇を招くという欠点がある。この欠点を解消すべく、複数の絶縁性薄板を用意し、各絶縁性薄板にコンタクトビア及び配線層を形成した後、それらの絶縁性薄板を一括して積層する多層配線基板の製造方法が提案されている。
【０００４】
このような多層配線基板の製造方法では、各絶縁性薄板のコンタクトビア間の導通をとることが重要である。従来から、例えばビアホール内に導電体を充填してコンタクトビアとし、厚さ方向に重なるコンタクトビアを相互に接触させて導通をとる方法が知られている。しかし、単にコンタクトビアを接触させるだけでは接触部の抵抗値が高く且つ不安定になり、信頼性が十分とはいえない。そのため、一般的には、コンタクトビアを低融点金属により形成するとともに、厚さ方向に重なるコンタクトビア間に金属からなるランドを配置し、熱処理を施してコンタクトビアとランドとを拡散接合させてコンタクトビア間の抵抗値を低減し且つ安定させる方法が用いられている。
【０００５】
図１は、従来の多層配線基板の製造方法の一例を示す模式図である。まず、２種類の絶縁性薄板１１，１６を用意する。そして、絶縁性薄板１１の所定の位置に貫通孔（ビアホール）を形成した後、貫通孔内に低融点金属を主成分とする導電ペーストを充填してコンタクトビア１２を形成する。次に、絶縁性薄板１１の両面に銅膜を形成した後、フォトリソグラフィ法により銅膜をパターニングして、コンタクトビア１２の厚さ方向の両端に接触するランド１３と、配線（図示せず）とを形成する。
【０００６】
一方、絶縁性薄板１６の所定の位置に貫通孔（ビアホール）を形成した後、貫通孔内に低融点金属を主成分とする導電ペーストを充填してコンタクトビア１７とする。次に、絶縁性薄板１１と絶縁性薄板１６とを交互に重ね合わせ、例えば２４０℃の温度に加熱しながら加圧して、絶縁性薄板１１，１６を一体化する。このとき、コンタクトビア１２，１７とランド１３とが拡散接合して、コンタクトビア１２，１７とランド１３との間の抵抗値が低くなり、且つ安定する。このようにして、多層配線基板１０が完成する。
【０００７】
図２は、従来の多層配線基板の製造方法の他の例を示す模式図である。まず、一方の面上に銅箔が張り付けられた複数の絶縁性薄板２１を用意する。そして、絶縁性薄板２１の所定の位置に他方の面側からレーザを照射して、絶縁性薄板２１を貫通し銅箔に到達する貫通孔（ビアホール）を形成する。その後、貫通孔内に低融点金属を主成分とする導電ペーストを充填してコンタクトビア２２を形成する。次に、絶縁性薄板２１の一方の面側の銅箔をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、コンタクトビア２２に接触するランド２３と、配線（図示せず）とを形成する。
【０００８】
次に、上述のようにして形成した複数の絶縁性薄板２１を重ね合わせ、例えば２４０℃の温度に加熱しながら加圧して、それらの絶縁性薄板２１を一体化する。このとき、コンタクトビア２２とランド２３とが拡散接合して、コンタクトビア２２とランド２３との間の抵抗値が低くなり、且つ安定する。このようにして、多層配線基板２０が完成する。
【０００９】
なお、特許文献１には、絶縁性薄板の一方の面上にランドを形成した後、他方の面側からレーザを照射して絶縁性薄板を貫通する貫通孔を形成するとともにランドの裏面側に窪みを形成し、その後貫通孔内に導電体を充填してコンタクトビアを形成することが記載されている。また、特許文献２，３には、ランドの表面に窪みを形成して表面積を増大し、平坦なランドに比べてはんだに対する接合強度を高くすることが記載されている。
【特許文献１】特開２００４−２５３５６９号公報（図４）
【特許文献２】特開２００３−２９７９７５号公報
【特許文献３】特公平６−１０１６２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述した従来の多層配線基板では、温度変化や反りなどにより基板に厚さ方向の引張応力や厚さ方向に直交する方向のせん断応力が印加されると、コンタクトビアとランドとの接合部分（異種金属接合部）に応力が集中してクラックが発生したり、極端な場合はランドがコンタクトビアから剥れて断線不良が発生することがある。
【００１１】
以上から、本発明の目的は、厚さ方向の引張応力や厚さ方向に直交する方向のせん断応力に対する強度が高く、従来に比べてより一層信頼性が高い多層配線基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一観点によれば、厚さ方向に積層された複数の絶縁板と、前記複数の絶縁板にそれぞれ個別に形成され、前記絶縁板を厚さ方向に貫通する貫通孔と、前記貫通孔内に充填された導電体により構成され、厚さ方向の両端部がそれぞれ前記貫通孔の径よりも大きく、前記貫通孔の外側に膨出した形状のコンタクトビアと、厚さ方向に重なる前記コンタクトビア間に配置され、前記コンタクトビア間を電気的に接続するランドとを有することを特徴とする多層配線基板が提供される。
【００１３】
温度変化や基板の反りなどにより印加される引張応力やせん断応力は、貫通孔の端部に集中する。従来の多層配線基板では、コンタクトビアとランドとの界面（異種金属接合面）が貫通孔の端部にあるため、貫通孔の端部に集中した応力によりコンタクトビアとランドとの界面に剥れが発生していた。
【００１４】
しかし、本発明においては、コンタクトビアの端部が貫通孔の外側に膨出した形状であるため、貫通孔の端部には異種金属接合面が存在しない。このため、本発明に係る多層配線基板は、従来に比べて引張応力やせん断応力に対する強度が高い。また、本発明に係る多層配線基板は、貫通孔の径が従来と同じであるとすると、コンタクトビアの端部が膨出している分だけコンタクトビアとランドとの接合面積が従来よりも大きくなる。このため、コンタクトビアとランドとの接合強度が従来に比べて高い。これらにより、本発明に係る多層配線基板は、従来に比べて信頼性が著しく向上する。
【００１５】
本発明の他の観点によれば、絶縁板の第１の面に第１の導電体膜を形成し、第２の面に樹脂膜を形成する第１の工程と、前記第１の導電体膜の上に所定の形状の開口部が設けられたレジスト膜を形成する第２の工程と、前記レジスト膜の開口部を介して前記第１の導電体膜に窪みを形成する第３の工程と、前記レジスト膜の開口部内に露出した前記第１の導電体膜の上に第２の導電体膜を形成する第４の工程と、前記レジスト膜を除去する第５の工程と、前記第１の導電体膜をパターニングして、前記第２の導電体膜により覆われたランドを形成する第６の工程と、前記樹脂膜側から前記ランドに到達する貫通孔を形成する第７の工程と、前記貫通孔を介して前記ランドの前記絶縁板側の面に、前記貫通孔の前記ランド側の開口径よりも大きなサイズの凹部を形成する第８の工程と、前記貫通孔内に導電体を充填してコンタクトビアを形成する第９の工程と、前記樹脂膜を除去する第１０の工程と、前記第１の工程から前記第１０の工程までの工程を実施した後の複数の前記絶縁板を重ね合わせ、加熱しながら加圧して各絶縁板を一体化する積層工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明によれば、厚さ方向の両端部がそれぞれ貫通孔の径よりも大きく、貫通孔の外側に膨出した形状のコンタクトビアを容易に形成することができる。これにより、上述したように、引張応力やせん断応力に対する強度が従来に比べて高く、従来に比べてより一層信頼性が高い多層配線基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
図３，図４は、本発明の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、絶縁板として、例えばサイズが３４０ｍｍ×５１０ｍｍ、厚さが０．０６ｍｍのプリプレグ（ガラス繊維に樹脂を含浸した未硬化状態のシート）３１を用意する。そして、このプリプレグ３１の一方の面（図３（ａ）では下側）に、厚さが１８μｍの電解銅箔３２を張り付けて片面銅張り板とする。また、プリプレグ３１の他方の面（図３（ａ）では上側）に厚さが２０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンフタレート）フィルム３３を張り付ける。
【００１９】
次に、図３（ｂ）に示すように、銅箔３２の上（図３（ｂ）では下側）にドライフィルム（感光性レジストフィルム）３４をラミネートする。その後、所定のパターンが設けられた露光マスク（図示せず）を介してドライフィルム３４を露光した後、現像処理してドライフィルム３４に所望の形状の開口部３４ａを形成する。この開口部３４ａのサイズは、後述する工程でプリプレグ３１に形成する貫通孔３１ａの直径（上部開口径）よりも大きいことが必要である。
【００２０】
次に、図３（ｃ）に示すように、ドライフィルム３４をエッチングマスクとして銅箔３２をソフトエッチングし、窪み３２ａを形成する。このとき、エッチング液には、例えば希硫酸と過酸化水素との混合液や過硫酸アンモニウムを使用すればよい。窪み３２ａの深さは、銅箔３２の厚さの１／２以下とする。
【００２１】
次に、図３（ｄ）に示すように、ドライフィルム３４の開口部３４ａの内側に露出した銅箔３２の上に例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ（低融点金属）をめっきして、窪み３２ａを埋めるはんだ層３５を形成する。なお、はんだ層３５の直径は、後述する貫通孔３１ａの直径（上部開口径）の１．２倍以上とすることが好ましい。本実施形態においては、後述するように貫通孔３１ａの上部開口径は６０μｍであるので、はんだ層３５の直径は７２μｍとする。
【００２２】
次に、図３（ｅ）に示すように、ドライフィルム３４を剥離する。その後、プリプレグ３１の一方の面側（銅箔３２側）に再度ドライフィルム（図示せず）をラミネートする。そして、所定のパターンが設けられた露光マスク（図示せず）を介してドライフィルムを露光する。その後、現像処理して、ドライフィルムに所定のパターンの開口部を形成する。このドライフィルムとはんだ層３５とをエッチングマスクとして銅箔３２をエッチングし、図３（ｆ）に示すように、はんだ層３５に覆われたランド３６を形成するとともに、所定のパターンの配線（図示せず）と、位置合わせマーク（図示せず）とを形成する。位置合わせマークは、後述する積層工程で各プリプレグ３１を位置合わせするときの目印として使用する。ランド３６を形成した後、ドライフィルムを除去する。
【００２３】
次に、炭酸ガスレーザを用いて、図４（ａ）に示すように、ＰＥＴフィルム３３側からプリプレグ３１を貫通しランド３６に到達する貫通孔（ビアホール）３１ａを形成する。貫通孔３１ａの直径は例えば１０〜２００μｍとする。本実施形態のように炭酸ガスレーザにより貫通孔３１ａを形成すると、図４（ａ）に示すように、貫通孔３１ａの下部の直径（下部開口径）が上部の直径（上部開口径）よりも小さくなる。本実施形態において、貫通孔３１ａの上部の直径（上部開口径）は６０μｍ、下部の直径（下部開口径）は４０μｍとする。
【００２４】
その後、図４（ｂ）に示すように、ＰＥＴフィルム３３側からランド３６の裏面（プリプレグ３１側の面）をソフトエッチングして、凹部３６ａを形成する。このとき、凹部３６ａの直径は、貫通孔３１ａの直径（下部開口径）よりも大きくすることが必要である。例えば、凹部３６ａの直径は、貫通孔３１ａの直径（下部開口径）の１．２倍以上とする。本実施形態においては、上述したように貫通孔３１ａの下部開口径が４０μｍであるので、凹部３６ａの直径は４８μｍとする。また、凹部３６ａの深さは銅箔３２（ランド３６）の厚さの１／２以下とし、凹部３６ａとはんだ層３５とが直接連絡しないようにすることが重要である。
【００２５】
次に、図４（ｃ）に示すように、印刷法により、貫通孔３１ａ内に低融点金属を主成分とする導電ペースト（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだペースト）を充填し、コンタクトビア３７とする。その後、図４（ｄ）に示すように、ＰＥＴフィルム３３を剥離する。
【００２６】
このようにして、はんだ層３５、ランド３６、コンタクトビア３７及び配線を有するプリプレグ３１を複数形成した後、図４（ｅ）に示すように、それらのプリプレグ３１を、コンタクトビア３７に対応する部分が開口された接着フィルム３８を挟んで重ね合わせる。接着フィルム３８としては、例えば厚さが３０μｍのＢステージのエポキシ樹脂シートを用いることができる。この接着フィルム３８の開口部の直径は例えば１２０μｍであり、炭酸ガスレーザによって形成することができる。
【００２７】
複数のプリプレグ３１を重ね合わせるときには、各プリプレグ３１に形成した位置合わせマークを用い、認識積層装置を用いて各プリプレグ３１の位置合わせを行う。そして、１２０℃の温度で各プリプレグ３１を仮接合した後、真空プレス機を用いて２４０℃に加熱しながら加圧して本接合する。この真空プレス機を用いた積層工程において、図４（ｆ）に示すように、はんだ層３５は溶融してコンタクトビア３７と一体化し、コンタクトビア３７は厚さ方向の両端部が貫通孔３１ａの外側に膨出したリベット形状となる。また、コンタクトビア３７とランド３６とが拡散接合し、コンタクトビア３７とランド３６との間の抵抗値が低く且つ安定する。
【００２８】
次に、このプリプレグの積層体の両面にソルダーレジスト膜（図示せず）を成膜した後、フォトリソグラフィ法によりソルダーレジスト膜をパターニングして、プリプレグ積層体の表面に設けられた電極を露出させる。その後、電極の上に例えばＮｉ−Ｐを３μｍ、Ａｕを０．１μｍの厚さに順次に無電解めっきして、表面電極（図示せず）を形成する。このようにして、本実施形態の多層配線基板３０が完成する。
【００２９】
なお、この多層配線基板３０を実際に使用するときには、多層配線基板３０を例えば所定のパッケージサイズに切断し、その上に例えば厚さが０．３ｍｍの半導体チップ（ＬＳＩチップ）をはんだ接合する。そして、半導体チップと多層配線基板３０との間を絶縁樹脂で封止し、スティフナ（補強板）とヒートシンクとを取り付ける。このようにして、半導体装置が完成する。
【００３０】
以下、本実施形態の効果について説明する。
【００３１】
図５（ａ）は、従来の多層配線基板の断面を示す模式図である。この図５（ａ）において、４１は絶縁性薄板、４２はランド、４３はコンタクトビアを示している。温度変化や反りなどにより基板に厚さ方向の引張応力や厚さ方向に直交する方向のせん断応力が印加されると、貫通孔（ビアホール）の上端及び下端の部分（図５（ａ）中、破線円で示す部分）に応力が集中する。従来の多層配線基板では、貫通孔の上端部及び下端部にランド４２とコンタクトビア４３との異種金属接合面が存在しているので、引張応力やせん断応力が印加されると、ランド４２とコンタクトビア４３との異種金属接合面で剥れが発生し、クラックや断線不良の原因となる。
【００３２】
図５（ｂ）は、本実施形態の多層配線基板の断面を示す模式図である。この図５（ｂ）において、５１は絶縁性薄板（プリプレグ）、５２はランド、５３はコンタクトビアを示している。この図５（ｂ）に示すように、本実施形態の多層配線基板ではコンタクトビア５３の上部及び下部がドーム状であり且つ貫通孔の外側に膨出しているので、応力が集中する貫通孔（ビアホール）の上端及び下端の部分（図中破線円で示す部分）には異種金属接合が存在しない。このため、本実施形態の多層配線基板は、厚さ方向の引張応力や厚さ方向に直交する方向のせん断応力によるクラックや断線不良の発生が回避される。これにより、多層配線基板の信頼性が従来に比べて著しく向上する。
【００３３】
図６は、ビア断面の応力分布をＦＥＭ（有限要素法）によるシミュレーションにより解析した結果を示す図である。なお、図６において、６１ａ，６１ｂは基板（樹脂）内のビアコンタクトを示し、６２ａ，６２ｂ，６２ｃはランドを示している。これらのビアコンタクト６１ａ，６１ｂ及びランド６２ａ，６２ｂ，６２ｃは銅（Ｃｕ）により形成されているものとしている。
【００３４】
この図６に示すように、コンタクトビアとランドとの界面のランド部に印加される応力は、ビアホールの径をほぼ反映している。このことから、応力集中箇所はビアホールとランドとの界面であるため，従来ではビアコンタクト材料とランド材料の接合界面に応力が集中してしまう。この界面は、異種材料間で化合物層や合金層を形成するため、硬くて脆い層を形成している。この部分に繰返し応力が印加されると、界面にクラックが伝搬してしまう場合がある。これに対し、本発明では、応力が集中する部分にビアコンタクトとランドとの界面が存在しない。このため、本発明では、従来に比べてクラックが発生しにくい構造となる。
【００３５】
本実施形態では、前述したように、貫通孔（ビアホール）の上部の直径（上部開口径）が６０μｍ、下部の直径（下部開口径）が４０μｍとしている。この場合、従来の多層配線基板（図５（ａ）参照）では、コンタクトビア４３と上側のランド４２との接合面積は約２８２７μｍ2、コンタクトビア４３と下側のランド４２との接合面積は約１２５７μｍ2となる。一方、本実施形態（図５（ｂ）参照）では、コンタクトビア５３の上側の膨出部の直径は７２μｍ、下側の膨出部の直径は４８μｍであるので、コンタクトビア５３と上側のランド５２との接合面積は４０７２μｍ2よりも大きく、コンタクトビア５３と下側のランド５２との接合面積は１８１０μｍ2よりも大きくなる。即ち、本実施形態のコンタクトビア５３とランド５２との接合強度は、従来の多層配線基板の１．４４倍以上となる。
【００３６】
なお、上記実施形態では、コンタクトビアをＳｎ−Ａｇ−Ｃｕを主成分とするはんだにより形成しているが、コンタクトビアの材料はこれに限定されるものでないことは勿論である。しかし、コンタクトビアとランド（銅箔）とを拡散接合させることを考慮すると、コンタクトビアは、Ｓｎ（スズ）を主成分とし、Ｂｉ（ビスマス）、Ｐｂ（鉛）、Ｚｎ（亜鉛）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）及びＩｎ（インジウム）のうちの少なくとも１種の金属元素を含む低融点金属（融点が積層工程で印加される温度よりも低い金属）により形成することが好ましい。
【００３７】
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
【００３８】
（付記１）厚さ方向に積層された複数の絶縁板と、
前記複数の絶縁板にそれぞれ個別に形成され、前記絶縁板を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に充填された導電体により構成され、厚さ方向の両端部がそれぞれ前記貫通孔の径よりも大きく、前記貫通孔の外側に膨出した形状のコンタクトビアと、
厚さ方向に重なる前記コンタクトビア間に配置され、前記コンタクトビア間を電気的に接続するランドと
を有することを特徴とする多層配線基板。
【００３９】
（付記２）前記コンタクトビアと前記ランドとが拡散接合していることを特徴とする付記１に記載の多層配線基板。
【００４０】
（付記３）前記コンタクトビアを構成する導電体の融点が、前記ランドを構成する導電体の融点よりも低いことを特徴とする付記１に記載の多層配線基板。
【００４１】
（付記４）前記コンタクトビアの両端の直径が、前記貫通孔の端部における直径の１．２倍以上であることを特徴とする付記１に記載の多層配線基板。
【００４２】
（付記５）絶縁板の第１の面に第１の導電体膜を形成し、第２の面に樹脂膜を形成する第１の工程と、
前記第１の導電体膜の上に所定の形状の開口部が設けられたレジスト膜を形成する第２の工程と、
前記レジスト膜の開口部を介して前記第１の導電体膜に窪みを形成する第３の工程と、
前記レジスト膜の開口部内に露出した前記第１の導電体膜の上に第２の導電体膜を形成する第４の工程と、
前記レジスト膜を除去する第５の工程と、
前記第１の導電体膜をパターニングして、前記第２の導電体膜により覆われたランドを形成する第６の工程と、
前記樹脂膜側から前記ランドに到達する貫通孔を形成する第７の工程と、
前記貫通孔を介して前記ランドの前記絶縁板側の面に、前記貫通孔の前記ランド側の開口径よりも大きなサイズの凹部を形成する第８の工程と、
前記貫通孔内に導電体を充填してコンタクトビアを形成する第９の工程と、
前記樹脂膜を除去する第１０の工程と、
前記第１の工程から前記第１０の工程までの工程を実施した後の複数の前記絶縁板を重ね合わせ、加熱しながら加圧して各絶縁板を一体化する積層工程と
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００４３】
（付記６）前記第２の導電体膜を構成する導電体と前記コンタクトビアを構成する導電体が同じであることを特徴とする付記５に記載の多層配線基板の製造方法。
【００４４】
（付記７）前記コンタクトビアを構成する導電体の融点が、前記積層工程で印加される温度よりも低いことを特徴とする付記５に記載の多層配線基板の製造方法。
【００４５】
（付記８）前記コンタクトビアを構成する導電体が、Ｓｎを主成分とし、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｕ及びＩｎのうちの少なくとも１種の金属元素を含むことを特徴とする付記７に記載の多層配線基板の製造方法。
【００４６】
（付記９）前記窪みの直径が前記貫通孔の前記窪み側の開口径の１．２倍以上であり、前記凹部の直径が前記貫通孔の前記凹部側の開口径の１．２倍以上であることを特徴とする付記５に記載の多層配線基板の製造方法。
【００４７】
（付記１０）前記窪みの深さ及び前記凹部の深さが、いずれも前記第１の導電体膜の厚さの１／２以下であることを特徴とする付記５に記載の多層配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】図１は、従来の多層配線基板の製造方法の一例を示す模式図である。
【図２】図２は、従来の多層配線基板の製造方法の他の例を示す模式図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）は従来の多層配線基板の断面を示す模式図、図５（ｂ）は実施形態の多層配線基板の断面を示す模式図である。
【図６】図６は、ビア断面の応力分布をＦＥＭ（有限要素法）によるシミュレーションにより解析した結果を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０，２０，３０…多層配線基板、
１１，１６，２１，４１…絶縁性薄板、
１２，１７，２２，３７，４３，５３…コンタクトビア、
１３，２３，３６，４２，５２…ランド、
３１，５１…プリプレグ、
３１ａ…貫通孔、
３２…銅箔、
３２ａ…窪み、
３３…ＰＥＴフィルム、
３４…ドライフィルム、
３５…はんだ層、
３６ａ…凹部、
３８…接着フィルム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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