(57)【要約】      （修正有）【課題】より容量の小さい給電設備を利用して基板をプラズマ処理すること。【解決手段】プラズマ処理装置（チャンバＣＨ）は，電力を供給されることによりマイクロ波を発生するｎ（ｎ≧２）個のマグネトロンＭ１〜Ｍ３と，（ｎ−１）個以下の高電圧電源７００と，（ｎ−１）個以下の高電圧電源７００からそれぞれ出力された電力の供給先をマグネトロンＭ１〜Ｍ３のいずれかに所定時間毎に切り替えるスイッチＳＷと，を備える。スイッチＳＷは，電力の供給先を１ｍ秒〜１０μ秒の範囲の所定時間毎に切り替える。電力を供給されたマグネトロンＭ１〜Ｍ３から出力されるマイクロ波によりチャンバＣＨ内に供給されたガスがプラズマ化され，生成されたプラズマにより基板Ｇがプラズマ処理される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波発生器から出力されたパルス状のマイクロ波により処理室内に供給されたガスをプラズマ化させて，被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって，
電力の供給によりマイクロ波を発生するｎ（ｎ≧２）個のマイクロ波発生器と，
前記ｎ個のマイクロ波発生器と接続可能な（ｎ−１）個以下の電源と，
前記（ｎ−１）個以下の電源からそれぞれ出力された電力の供給先を所定時間毎に前記ｎ個のマイクロ波発生器のいずれかに切り替える切替部と，を備えるプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記切替部は，
前記電力の供給先を１ｍ秒〜１０μ秒の範囲の所定時間毎に切り替える請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記電源の個数は，１／ｎ個である請求項１または請求項２のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記切替部は，
半導体スイッチから構成される請求項１〜３のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項５】
マイクロ波発生器から出力されたマイクロ波により処理室内に供給されたガスをプラズマ化させて，被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置をｋ（ｋ≧２）個有する基板処理システムであって，
前記ｋ個のプラズマ処理装置は，
電力の供給によりマイクロ波を発生するｎ（ｎ≧２）個のマイクロ波発生器をそれぞれ有し，
前記基板処理システムは，さらに，
前記基板処理システムに設けられたすべてのマイクロ波発生器数より少ない数であってｎ個以上の電源と，
前記電力の供給先の切替を要求する電力切替要求部と，
前記電力切替要求部からの切替要求に応じて，前記電源から出力される電力の供給先をｋ個のプラズマ処理装置のいずれかに設けられたｎ個のマイクロ波発生器に切り替える切替部と，を備える基板処理システム。
【請求項６】
前記電力切替要求部は，
各プラズマ処理装置の所定位置に被処理体が配置されたタイミングに応じて，前記各プラズマ処理装置への前記電力の供給先の切替を要求する請求項５に記載された基板処理システム。
【請求項７】
前記電力切替要求部は，
各プラズマ処理装置に被処理体が搬入されたタイミングに応じて，前記各プラズマ処理装置への前記電力の供給先の切替を要求する請求項５に記載された基板処理システム。
【請求項８】
前記ｋ個のプラズマ処理装置は，すべて同数のマイクロ波発生器を有し，
前記電源は，前記各プラズマ処理装置に設けられたマイクロ波発生器数と同数である請求項５〜７のいずれかに記載された基板処理システム。
【請求項９】
マイクロ波発生器から出力されたパルス状のマイクロ波により処理室内に供給されたガスをプラズマ化させて，被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置のための電力切替方法であって，
ｎ（ｎ≧２）個のマイクロ波発生器と接続可能な（ｎ−１）個以下の電源から電力を出力し，
前記（ｎ−１）個以下の電源からそれぞれ出力された電力の供給先を所定時間毎に前記ｎ個のマイクロ波発生器のいずれかに切り替える電力切替方法。
【請求項１０】
前記電力の供給先を１ｍ秒〜１０μ秒の範囲の所定時間毎に切り替える請求項９に記載された電力切替方法。
【請求項１１】
マイクロ波発生器から出力されたマイクロ波により処理室内に供給されたガスをプラズマ化させて，被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置をｋ（ｋ≧２）個有する基板処理システムのための電力切替方法であって，
前記ｋ個のプラズマ処理装置のそれぞれに設けられたｎ（ｎ≧２）個のマイクロ波発生器に接続可能な電源であって，その数が前記基板処理システムに設けられたすべてのマイクロ波発生器数より少ない数であってｎ個以上の電源から出力される電力に対して，前記電力の供給先の切替を要求し，
切替要求に応じて前記電源から出力される電力の供給先をｋ個のプラズマ処理装置のいずれかに設けられたｎ個のマイクロ波発生器に切り替える電力切替方法。
【請求項１２】
前記各プラズマ処理装置の所定位置に被処理体が配置されたタイミングに応じて，前記各プラズマ処理装置への前記電力の供給先の切替を要求する請求項１１に記載された電力切替方法。
【請求項１３】
前記各プラズマ処理装置に被処理体が搬入されたタイミングに応じて，前記各プラズマ処理装置への前記電力の供給先の切替を要求する請求項１１に記載された電力切替方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，マイクロ波発生器から出力されたマイクロ波によりガスをプラズマ化させて，被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置および基板処理システムに関する。特に，マイクロ波発生器へ電力を供給する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０（ａ）に示したように，従来から，マグネトロンＭ（マイクロ波発生器に設けられている）からパルス状のマイクロ波を発生させ，マイクロ波の電界エネルギーによりガスをプラズマ化させて，被処理体としての基板Ｇにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置が知られている。
【０００３】
マグネトロンＭには，スイッチＳＷを介して高電圧電源９００が接続されていて，スイッチＳＷをオンすると，マグネトロンＭから所定の周波数のマイクロ波が出力される。一方，スイッチＳＷをオフすると，電力がマグネトロンＭに供給されないため，マグネトロンＭからマイクロ波は出力されない。このようにして，スイッチＳＷをオン／オフすることにより，マグネトロンＭは，パルス状のマイクロ波を発振する発振器となる。
【０００４】
たとえば，図１０（ｂ）に示したように，１つのチャンバＣＨに複数のマグネトロンＭ１〜Ｍ３が設けられている場合について考える。この場合，高電圧電源９００ａ，９００ｂ，９００ｃと複数のマグネトロンＭ１〜Ｍ３とはスイッチＳＷを介して１対１に接続されるようになっている。各スイッチは，たとえば，オンを１０μ秒，オフを２０μ秒というように，オン／オフを周期的に同期して繰り返す。これに応じて，図１０（ｃ）に示したように，マグネトロンＭ１〜Ｍ３は，同一なパルス状のマイクロ波を同期して発振する（たとえば，特許文献１を参照。）。
【０００５】
チャンバＣＨの内部では，マグネトロンＭ１〜Ｍ３から供給されたマイクロ波の電界エネルギーによりガスがプラズマ化される。このとき，マイクロ波は断続的に発振されているので，チャンバ内のプラズマの電子温度Ｔｅを下げることができ，この結果，ガスの過剰解離を抑制することができる。また，スイッチＳＷの切替のタイミングを変えて，出力されるマイクロ波の波形を変化させることにより，プラズマ中の異なる物質の寿命の違い（たとえば，複数種のラジカルが持つ寿命の違いやラジカルとイオンとが持つ寿命の違い）を利用して，プラズマ中に存在する複数の物質の比を制御することができる。この結果，基板Ｇに精度良く所望のプラズマ処理を施すことができる。
【０００６】
【特許文献１】特開平４−６２６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら，従来の技術では，チャンバＣＨに設けられたマグネトロンの数だけ高電圧電源９００が用意されていた。また，すべてのスイッチＳＷが，同期してオン／オフを繰り返していた。このため，特に，スイッチＳＷをオンした直後に消費する電力量が大きくなり，これに合わせて給電設備（高電圧電源９００）の容量を大きくしなければならなかった。また，従来の技術では，スイッチＳＷをオフしている間，すべての高電圧電源９００が休止することになり，高電圧電源９００の稼働率が低かった。
【０００８】
図１１に示したように，複数のチャンバＣＨを有し，各チャンバＣＨが複数のマグネトロンをそれぞれ有する従来の基板処理システム９５０についても同様なことがいえる。すなわち，従来の基板処理システム９５０では，システム内に配設されたマグネトロンＭ１〜Ｍｎの数だけ高電圧電源９００ａ〜９００ｎが設けられていた。このため，従来の基板処理システム９５０では，給電設備（高電圧電源９００）の容量が大きく，無駄なエネルギーが消費されていた。また，次の理由で高電圧電源９００の稼働率は低かった。
【０００９】
すなわち，一般的に，基板処理システム９５０は，基板Ｇのプラズマ処理よりも基板Ｇの搬送処理に多くの時間がかかる。特に，短時間プロセスの場合にはこの傾向は顕著である。よって，搬送律速により，プラズマ処理済みの基板ＧがチャンバＣＨから搬出された後，次に処理すべき基板ＧがいずれかのチャンバＣＨに搬入されるまでに待ち時間が生じる。その間，高電圧電源９００は休止する。
【００１０】
以上の結果，従来のプラズマ処理装置および基板処理システムでは，容量が大きい給電設備を設置しなければならず，消費エネルギーが大きく，かつ，コストが高かったにもかかわらず，給電設備の利用効率が悪く非常に不経済であった。
【００１１】
そこで，本発明は，より容量の小さい給電設備を利用して被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置，基板処理システムおよび電力切替方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前述したように，従来のマイクロ波プラズマ処理装置のうち，すべてのマグネトロンＭに対してマイクロ波を同期して断続的に供給するプラズマ処理装置では（図１０（ｃ）参照），プラズマの電子温度Ｔｅを下げた状態にチャンバ内を保ち，ガスの過剰解離を抑制しながら，基板にプラズマ処理が施されていた。このように，従来から，連続的に出力されるマイクロ波により基板を処理するプラズマ処理装置に対して，断続的に供給されるマイクロ波により基板を処理するプラズマ処理装置が存在していた。
【００１３】
このようなマイクロ波の供給方法の違いがあっても基板に良好なプラズマ処理を施すことができるのは，プラズマには寿命があるためである。たとえば，プラズマの寿命（イオン，ラジカル）は，１０μｓ〜数１００μｓ，電子の寿命は２０μｓであり，マイクロ波が供給されていない間であっても，上記の時間，プラズマは消滅せずにプラズマ処理装置内に残っている。このため，断続的にマイクロ波を供給しても，マイクロ波が供給されているときに生成されたプラズマにより，絶え間なく基板にプラズマ処理を施すことができる。
【００１４】
一方，本発明においても，同様なプラズマ処理が可能である。すなわち，本発明のある観点によれば，マイクロ波発生器から出力されたパルス状のマイクロ波により処理室内に供給されたガスをプラズマ化させて，被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって，電力の供給によりマイクロ波を発生するｎ（ｎ≧２）個のマイクロ波発生器と，前記ｎ個のマイクロ波発生器と接続可能な（ｎ−１）個以下の電源と，上記（ｎ−１）個以下の電源からそれぞれ出力された電力の供給先を所定時間毎に上記ｎ個のマイクロ波発生器のいずれかに切り替える切替部と，を備えるプラズマ処理装置が提供される。
【００１５】
これによれば，マイクロ波発生器の数より少ない数の電源を設置すればよく，設置された電源から出力される電力は所定時間毎に切り替えられて複数のマイクロ波発生器に供給される。これにより，各マイクロ波発生器は，スイッチを切り替えるタイミングに応じて位相のずれを持つパルス状のマイクロ波を断続的にチャンバ内に共有する。
【００１６】
これにより，出力されるマイクロ波は，位相のずれはあるものの従来と同一形状のパルス波となる（図６（ｂ）および図１０（ｃ）参照）。これにより，従来と変わりないマイクロ波のエネルギーがプラズマ処理装置内に供給され，プラズマの電子温度Ｔｅを下げた状態にてガスの過剰解離を抑制しながら，従来と同様に基板に良好なプラズマ処理を施すことができる。
【００１７】
このように，プラズマの均一性は従来と変わらない状態に保ちながら，本発明では，各マイクロ波発生器への電力供給時を所定時間ずらすことにより，一度に消費する電力量を減らすことができる。これにより，マイクロ波発生器の数だけ電源が必要であった従来の設備に比べ，電源の数を減らし，給電設備の容量を小さくすることができる。この結果，消費エネルギーを抑えるとともに給電設備のコストを低減することができる。特に，２４時間連続稼働し，稼働中は常にガスや電力などのエネルギーを大量に使用する半導体工場では，本発明の省エネ効果は非常に大きい。
【００１８】
切替部は，プラズマの寿命が，１０μｓ〜数１００μｓであるため，１ｍ秒〜１０μ秒の範囲の所定時間毎に（すなわち，１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲の所定周波数毎）順次供給先を切り替えるのがよく，さらに，一定所定時間毎に順次供給先を切り替える方が好ましい。
【００１９】
これによれば，生成されたプラズマが寿命を終えて消滅する前に次のマイクロ波が供給される。これにより，プラズマ処理装置内のプラズマが消滅する前に新たなプラズマが生成されるため，常時，均一なプラズマを安定的に生成することができる。この結果，被処理体に良好なプラズマ処理を施すことができる。
【００２０】
この切替方法によれば，たとえば，ｎ個のマイクロ波発生器に対して電源の数を１／ｎ個に減らすことも可能である。これにより，給電設備のコストを著しく低減しつつ，給電設備の有効利用により更なる省エネを図ることができる。
【００２１】
上記切替部は，半導体スイッチから構成されていてもよい。これによれば，マイクロ波発生器への電力供給の切り替えを高速かつ正確に行うことができ，この結果，より均一なプラズマを生成することができる。
【００２２】
また，本発明の他の観点によれば，マイクロ波発生器から出力されたマイクロ波により処理室内に供給されたガスをプラズマ化させて，被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置をｋ（ｋ≧２）個有する基板処理システムであって，上記ｋ個のプラズマ処理装置は，電力の供給によりマイクロ波を発生するｎ（ｎ≧２）個のマイクロ波発生器をそれぞれ有し，上記基板処理システムは，さらに，上記基板処理システムに設けられたすべてのマイクロ波発生器数より少ない数であってｎ個以上の電源と，上記電力の供給先の切替を要求する電力切替要求部と，上記電力切替要求部からの切替要求に応じて，上記電源から出力される電力の供給先をｋ個のプラズマ処理装置のいずれかに設けられたｎ個のマイクロ波発生器に切り替える切替部と，を備える基板処理システムが提供される。
【００２３】
一般的に，複数のプラズマ処理装置を有する基板処理システムでは，基板をプラズマ処理装置へ搬送する処理が，プラズマ処理装置内でのプラズマ処理よりも多くの時間を必要とする。よって，従来の装置によれば，通常の状態では，搬送律速により，次に処理すべき基板が各プラズマ処理装置内に搬入されるのを待つ間，そのプラズマ処理装置に接続されたすべての高電圧電源は休止する（図１１参照）。
【００２４】
しかし，本発明によれば，基板の搬送状態に応じて切替要求が出力され，これに応じて各電源から出力される電力の供給先が複数のプラズマ処理装置のいずれか（具体的には，基板が搬入されたプラズマ処理装置）に切り替えられる。この結果，搬送律速により稼働率が低かった給電設備の休止時間を減らすことができる。これにより，従来の設備に比べ給電設備の容量を小さくしても，スループットを低下させることなく，従来と同様に製品を製造することができる。
【００２５】
この切替要求のタイミングは，各プラズマ処理装置に被処理体を搬送するタイミングにより定められる。たとえば，上記電力切替要求部は，各プラズマ処理装置の所定位置に被処理体が配置されたタイミングに応じて切替を要求してもよく，各プラズマ処理装置に被処理体が搬入されたタイミングに応じて切替を要求してもよい。
【００２６】
この切替方法によれば，基板処理システムに設けられたすべてのマイクロ波発生器の数より少ない数であって，かつ，各プラズマ処理装置に設けられたマイクロ波発生器の数と同数だけ電源を設ければよい。これにより，基板処理システムに設けられたすべてのマイクロ波発生器の数だけ電源が必要であった従来の基板処理システムに比べ電源の個数を１／ｋ（ｋ：基板処理システムに設けられたプラズマ処理装置の個数）にすることができる。
【００２７】
これにより，従来の設備に比べ，給電設備の容量を著しく小さくすることができる。この結果，電源の消費エネルギーを抑えるとともに給電設備のコストを著しく低減することができる。なお，基板処理システムは，２４時間連続稼働している半導体工場の基幹システムであるため，本発明の省エネ効果は非常に大きい。
【００２８】
また，本発明の他の観点によれば，マイクロ波発生器から出力されたパルス状のマイクロ波により処理室内に供給されたガスをプラズマ化させて，被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置のための電力切替方法であって，ｎ（ｎ≧２）個のマイクロ波発生器と接続可能な（ｎ−１）個以下の電源から電力を出力し，上記（ｎ−１）個以下の電源からそれぞれ出力された電力の供給先を所定時間毎に上記ｎ個のマイクロ波発生器のいずれかに切り替える電力切替方法が提供される。
【００２９】
これによれば，プラズマの均一性を従来と変わらない状態に保ちながら，従来に比べ給電設備の容量を小さくすることができる。このため，電源稼働時の消費エネルギーを抑えるとともに給電設備のコストを低減することができる。
【００３０】
このとき，上記電力の供給先を１ｍ秒〜１０μ秒の範囲の所定時間毎に切り替えることが好ましい。
【００３１】
また，本発明の他の観点によれば，マイクロ波発生器から出力されたマイクロ波により処理室内に供給されたガスをプラズマ化させて，被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置をｋ（ｋ≧２）個有する基板処理システムのための電力切替方法であって，上記ｋ個のプラズマ処理装置のそれぞれに設けられたｎ（ｎ≧２）個のマイクロ波発生器に接続可能な電源であって，その数が上記基板処理システムに設けられたすべてのマイクロ波発生器数より少ない数であってｎ個以上の電源から出力される電力に対して，上記電力の供給先の切替を要求し，切替要求に応じて上記電源から出力される電力の供給先をｋ個のプラズマ処理装置のいずれかに設けられたｎ個のマイクロ波発生器に切り替える電力切替方法が提供される。
【００３２】
これによれば，スループットを低下させることなく，従来の設備に比べ給電設備の容量を小さくすることができる。このため，電源稼働時の消費エネルギーを抑えるとともに給電設備のコストを低減することができる。
【００３３】
このとき，上記各プラズマ処理装置の所定位置に被処理体が配置されたタイミングに応じて，上記各プラズマ処理装置への上記電力の供給先の切替を要求するようにしてもよい。また，上記各プラズマ処理装置に被処理体が搬入されたタイミングに応じて，上記各プラズマ処理装置への上記電力の供給先の切替を要求するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００３４】
以上説明したように本発明によれば，より容量の小さい給電設備を利用して被処理体をプラズマ処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施形態について説明する。なお，以下の説明及び添付図面において，同一の構成及び機能を有する構成要素については，同一符号を付することにより，重複説明を省略する。
【００３６】
（一実施形態）
本発明の一実施形態にかかる基板処理システムの概要について，図１を参照しながら説明する。なお，本実施形態では，ＬＣＤ（Liquid Crystal Display:液晶表示装置）用のガラス基板（被処理体の一例）をエッチングする処理を例に挙げて説明する。
【００３７】
（基板処理システム）
基板処理システム１０００は，ホストコンピュータ１００，装置コントローラ（以下，ＥＣ２００（ＥＣ（Equipment controller）と称呼する），ｎ個の制御コントローラ３００ａ〜３００ｎおよびｎ個のＰＭ（Process Module）システム４００ａ〜４００ｎを有している。ホストコンピュータ１００とＥＣ２００とは，インターネットなどのネットワーク５００により接続されている。また，ＥＣ２００と制御コントローラとは，ＬＡＮ（Local Area Network）などのネットワーク６００により接続されている。
【００３８】
ホストコンピュータ１００は，基板処理システム１０００全体を管理する。ＥＣ２００は，基板のエッチング処理を制御するために使用されるレシピにしたがって制御コントローラ３００ａ〜３００ｎにエッチング処理を制御する指令を送信したり，使用されたレシピの履歴を保存するなどの管理を行う。
【００３９】
制御コントローラ３００ａ〜３００ｎは，ＥＣ２００から送信された指令に基づいてＰＭシステム４００ａ〜４００ｎに駆動信号を出力し，各ＰＭシステム４００ａ〜４００ｎは，その駆動信号に基づいて基板を搬送したり，基板にエッチング処理を施す。そのときの処理デ−タ（たとえば，温度，圧力およびガス流量などの経時変化）は，制御コントローラ３００ａ〜３００ｎからＥＣ２００を介してホストコンピュータ１００に送信される。
【００４０】
つぎに，ＥＣ２００およびＰＭシステム４００のハードウエア構成について，図２および図３を参照しながらそれぞれ説明する。なお，ホストコンピュータ１００および制御コントローラ３００のハードウエア構成については図示していないが，ＥＣ２００と同様な構成である。
【００４１】
（ＥＣのハードウエア構成）
図２に示したように，ＥＣ２００は，ＲＯＭ２０５，ＲＡＭ２１０，ＣＰＵ２１５，バス２２０，内部インタフェース（内部Ｉ／Ｆ）２２５および外部インタフェース（外部Ｉ／Ｆ）２３０を有している。
【００４２】
ＲＯＭ２０５には，ＥＣ２００にて実行される基本的なプログラムや，異常時に起動するプログラム，レシピ等が記録されている。ＲＡＭ２１０には，各種プログラムやデータが蓄積されている。ＲＯＭ２０５およびＲＡＭ２１０は，記憶装置の一例であり，ＥＥＰＲＯＭ，光ディスク，光磁気ディスクなどの記憶装置であってもよい。ＣＰＵ２１５は，レシピにしたがって基板のエッチング処理を制御したり，各ＰＭへの電力の供給切替を制御する。バス２２０は，各デバイス間で情報をやりとりする経路である。
【００４３】
内部インタフェース２２５は，オペレータの操作によりキーボード７１０やタッチパネル７１５から各種データを入力し，必要なデータをモニタ７２０やスピーカ７２５に出力する。外部インタフェース２３０は，ネットワーク５００，６００に接続されたホストコンピュータ１００および各制御コントローラ３００とデータをそれぞれ送受信する。
【００４４】
（ＰＭシステムのハードウエア構成）
つぎに，ＰＭシステム４００のハードウエハ構成を図３の平面図を参照しながら説明する。ＰＭシステム４００は，複数のチャンバＣＨ（チャンバＣＨ１〜ＣＨ５：プラズマ処理装置に相当）を有するいわゆるマルチチャンバ型のシステムであり，基板Ｇを搬送する搬送部Ｈと基板Ｇをエッチング処理する処理部Ｓとを有している。搬送部Ｈと処理部Ｓとは，ロードロック室ＬＬＭを介して連結されている。
【００４５】
搬送部Ｈは，カセットステージ４０５と搬送ステージ４１０とを有している。カセットステージ４０５には，３つのカセット容器Ｃａ１〜Ｃａ３が載置されている。各カセット容器Ｃａには，略長方形の薄板状の基板Ｇが略水平な姿勢で複数枚並べて収容されている。
【００４６】
搬送ステージ４１０には，搬送方向（ｘ軸方向）に沿って延びる案内レール（図示せず）をスライド移動する搬送機構４１０ａが設けられている。搬送機構４１０ａには，屈伸および旋回可能な搬送アーム４１０ａ１が設けられていて，一枚の基板Ｇを略水平に保持しながら，各カセット容器Ｃａとロードロック室ＬＬＭとの間にて基板Ｇを搬送するようになっている。
【００４７】
処理部Ｓには，５つのチャンバＣＨ１〜ＣＨ５および移載室４１５が設けられている。チャンバＣＨ１〜ＣＨ５は，気密に開閉可能なゲートバルブ４２０ａ〜４２０ｅを介して移載室４１５と接合されている。
【００４８】
チャンバＣＨ１〜ＣＨ５および移載室４１５内は，所望の程度までそれぞれ真空引きされている。移載室４１５には，屈伸および旋回可能な搬送アーム４１５ａ１を有する搬送機構４１５ａが設けられている。搬送アーム４１５ａ１は，基板Ｇをロードロック室ＬＬＭから移載室４１５を経由して各チャンバＣＨに搬入し，エッチング処理後の基板Ｇを移載室４１５を経由してロードロック室ＬＬＭへ搬出するようになっている。なお，チャンバＣＨ１〜ＣＨ５では，エッチング処理の他，拡散処理，成膜処理，アッシング処理，スパッタリング処理等の各種処理が行われる。
【００４９】
（各チャンバＣＨの内部構成）
つぎに，各チャンバＣＨの内部構成について，図４に模式的に示したチャンバＣＨの縦断面図を参照しながら説明する。各チャンバＣＨは，処理容器１０と蓋体２０とを備えている。処理容器１０と蓋体２０とは，蓋体２０の下面外周部と処理容器１０の上面外周部との間に配設されたＯリング３２により密閉され，これにより，プラズマ処理を施す処理室Ｕが形成されている。処理容器１０および蓋体２０は，たとえば，アルミニウム等の金属からなり，電気的に接地されている。
【００５０】
処理容器１０には，基板Ｇを載置するためのサセプタ１１（載置台）が設けられている。サセプタ１１は，たとえば窒化アルミニウムからなり，その内部には，給電部１１ａが設けられている。
【００５１】
給電部１１ａには，整合器１２ａ（たとえば，コンデンサ）を介して高周波電源１２ｂが接続されている。また，給電部１１ａには，コイル１３ａを介して高圧直流電源１３ｂが接続されている。給電部１１ａは，高周波電源１２ｂから出力された高周波電力により処理容器１０の内部に所定のバイアス電圧を印加するようになっている。また，給電部１１ａは，高圧直流電源１３ｂから出力された直流電圧により基板Ｇを静電吸着するようになっている。
【００５２】
処理容器１０の底面は筒状に開口され，その外部周縁にはベローズ１５の一端が装着されている。また，ベローズ１５の他端は昇降プレート１６に固着されている。これにより処理容器１０底面の開口部分は密閉されている。
【００５３】
サセプタ１１は，筒体１７に支持されていて，昇降プレート１６および筒体１７と一体となって昇降し，これにより，サセプタ１１を処理プロセスに応じた高さに調整するようになっている。サセプタ１１の周囲には，処理室Ｕのガスの流れを好ましい状態に制御するためのバッフル板１８が設けられている。
【００５４】
処理容器１０の底部には，処理容器１０の外部に設けられた真空ポンプ（図示せず）が備えられている。真空ポンプは，ガス排出管１９を介して処理容器１０内のガスを排出することにより処理室Ｕを所望の真空度まで減圧するようになっている。
【００５５】
蓋体２０には，蓋本体２１，６本の方形導波管３３，スロットアンテナ３０，および，誘電体（複数枚の誘電体パーツ３１から構成）が設けられている。方形導波管３３は，その断面形状が矩形状であり，蓋本体２１の内部にて平行に並べて設けられている。スロットアンテナ３０は，蓋体２０の下方にて蓋本体２１と一体となって形成されている。
【００５６】
スロットアンテナ３０には，各方形導波管３３の下面にて，スロット３７（開口）が設けられている。図５に示したように，チャンバＣＨの天井面には，タイル状に形成された複数の誘電体パーツ３１が，その周縁にて格子状の梁２７に支持された状態で蓋本体２１の下面に配設されている。１３枚の誘電体パーツ３１は，２本の方形導波管３３を跨ぐように３列に配置されていて，方形導波管３３およびＹ分岐管４１を介してマイクロ波発生器４０ａ〜４０ｃに接続されている。
【００５７】
マイクロ波発生器４０ａ〜４０ｃには，スイッチＳＷを介して高電圧電源７００が接続されている。スイッチＳＷは，高電圧電源７００から出力された電力の供給先を所定時間毎に３つのマイクロ波発生器４０ａ〜４０ｃのいずれかに切り替えるようになっている。なお，スイッチＳＷは，半導体スイッチから構成されていてもよい。これによれば，接続先を高速かつ正確に切り替えることができる。
【００５８】
スイッチＳＷによりマイクロ波発生器４０のいずれかと高電圧電源７００とが接続されると，高電圧電源７００から出力された直流電圧が，マイクロ波発生器４０に設けられたマグネトロン内部の陰極に印加され，陰極から放出された電子は，電界と磁界の影響を受け，回転しながら空洞共振器にマイクロ波エネルギーを与える。これにより，所定の周波数のマイクロ波がマグネトロンから出力される。
【００５９】
再び図４に戻ると，ガス供給源４３には，流路４２を介してガス導入管２９が接続されていて，ガス供給源４３から出力されたガスは，梁２７を貫通したガス導入管２９から処理室Ｕ内に供給される。冷却水配管４４には，チャンバＣＨの外部に配置された冷却水供給源４５が接続されていて，冷却水供給源４５から供給された冷却水が冷却水配管４４内を循環して冷却水供給源４５に戻ることにより，蓋本体２１は，所望の温度に保たれるようになっている。さらに，チャンバＣＨには，その側壁に光センサ５０が設置されていて，レーザの反射光の状態によって基板Ｇがサセプタ１１に載置されているか否かを検知するようになっている。
【００６０】
以上に説明した構成により，たとえば，マイクロ波発生器４０から出力された２．４５ＧＨｚ×３のマイクロ波が各スロット３７を通り，各誘電体パーツ３１を透過して処理室Ｕ内に入射されるとともに，ガス供給源４３から所望のガスが処理室Ｕ内に供給される。供給されたガスは，所望の真空度に保たれた処理室Ｕ内にてマイクロ波の電界エネルギーによりプラズマ化され，これにより基板Ｇにエッチング処理が施される。
【００６１】
（一チャンバにおける切替動作）
つぎに，マイクロ波発生器４０（マグネトロン）をｎ個有するチャンバＣＨにおいて，電力の供給先を切り替える動作について，従来の装置と比較しながら説明する。ここでは，図６（ａ）に示したように，一チャンバＣＨに３個（すなわち，ｎ＝３）のマグネトロン（マイクロ波発生器は図示せず）が設けられていて，３個のマグネトロンに対して１／３（＝１）個の高電圧電源７００が設けられている場合について説明する。
【００６２】
かかる構成によれば，高電圧電源７００から出力された直流電圧は，スイッチＳＷにより所定時間毎に高速に切り替えられ，マグネトロンＭ１〜Ｍ３に順次供給される。スイッチＳＷによる切替時間は，１ｍ秒〜１０μ秒の範囲のいずれかの時間である。これによれば，直流電圧は，１ｍ秒〜１０μ秒の範囲の所定時間毎（すなわち，１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲の所定周波数毎）にマグネトロンＭ１〜Ｍ３のいずれかに順次供給される。
【００６３】
たとえば，スイッチＳＷが，１０μ秒（すなわち，１００ｋＨｚ）毎に電力の供給先を切り替えた場合，図６（ｂ）に示したように，マグネトロンＭ１〜Ｍ３は，１０μ秒間は２，４５ＧＨｚのマイクロ波を出力し，２０μ秒間はマイクロ波の出力を停止したパルス形状のマイクロ波を，１０μ秒ずつ位相をずらしながら順次出力する。
【００６４】
これに対して，図１０（ｂ）に示したように，チャンバＣＨに設けられたマグネトロンの数だけ高電圧電源９００ａ〜９００ｃを設置した従来の装置においても，スイッチＳＷが，１０μ秒（すなわち，１００ｋＨｚ）毎にオン／オフを切り替えた場合，図１０（ｃ）に示したように，マグネトロンＭ１〜Ｍ３は，１０μ秒間は２，４５ＧＨｚのマイクロ波を出力し，２０μ秒間はマイクロ波の出力を停止したパルス形状のマイクロ波を同期して出力する。
【００６５】
すなわち，従来は，ｎ個の高電圧電源を用いて各電源のオン／オフを同じタイミングで切り替えるため，各マイクロ波発生器から出力されるマイクロ波は，同じタイミングで出力，停止を繰り返していた。一方，本実施形態では，１／ｎ個の高電圧電源を用いてその電源をオンさせた状態で所定時間毎に切り替えるため，各マイクロ波発生器４０から出力されるマイクロ波は，所定時間だけずれて出力，停止を繰り返す。この結果，本実施形態にかかるマイクロ波発生器４０（マグネトロン）では，位相のずれはあるものの従来と同様なパルス状のマイクロ波を出力することができる。これにより，高電圧電源を従来の１／ｎ個にしても，従来と変わりないマイクロ波の効果を得ることができる。
【００６６】
このとき，前述したようにスイッチＳＷは，１ｍ秒〜１０μ秒の範囲の所定時間毎に切り替えられる。よって，各マイクロ波発生器４０からマイクロ波が供給されていない時間が存在する。しかし，プラズマの寿命（イオン，ラジカル）は，１０μｓ〜数１００μｓ，電子の寿命は２０μｓであるため，マイクロ波が供給されていない間であっても，上記の時間，プラズマは消滅せずにプラズマ処理装置内に残留している。このため，１／ｎ個の高電圧電源を用いて断続的にマイクロ波を供給しても，ｎ個の高電圧電源を用いて断続的にマイクロ波を供給していた従来と同様に，装置内に残留しているプラズマにより，絶え間なく基板にプラズマ処理を施すことができる。この結果，従来と同様にマイクロ波を断続的に供給することにより，プラズマの電子温度Ｔｅを下げた状態にてガスの過剰解離を抑制しながら，基板に良好なプラズマ処理を施すことができる。
【００６７】
このようにして，本実施形態では，プラズマの均一性は従来と変わらない状態に保ちながら，スイッチＳＷによって各マイクロ波発生器４０への電力の供給先を高速に切り替えることにより，一度に消費する電力量を減らすことができる。これにより，マイクロ波発生器４０の数だけ電源が必要であった従来の設備に比べ，給電設備の容量を小さくすることができる。この結果，消費エネルギーを抑えるとともに給電設備のコストを低減することができる。特に，２４時間連続稼働し，稼働中は常にガスや電力などのエネルギーを大量に使用する半導体工場では，この省エネ効果は非常に大きい。
【００６８】
なお，スイッチＳＷは，（ｎ−１）個以下の高電圧電源７００からそれぞれ出力された電力の供給先を所定時間毎にｎ（ｎ≧２）個のマイクロ波発生器４０のいずれかに切り替える切替部の一例である。
【００６９】
（基板処理システムにおける切替動作）
つぎに，ＰＭシステム４００を含んだ基板処理システム１０００において，電力の供給先を切り替える機能および動作について，従来のシステムと比較しながら説明する。図７に示したように，ＰＭシステム４００は，３個のマグネトロンがそれぞれ設けられたチャンバＣＨをｋ個有している。すなわち，各チャンバＣＨに設けられたマイクロ波発生器（マグネトロン）の数はすべて同数である。
【００７０】
各チャンバＣＨにそれぞれ設けられたマグネトロンＭ１は，スイッチＳＷのＳＷ１を介して高電圧電源７００ａに接続される。同様に，各チャンバＣＨにそれぞれ設けられたマグネトロンＭ２，Ｍ３は，スイッチＳＷのＳＷ２，３を介して高電圧電源７００ｂ，７００ｃにそれぞれ接続される。なお，各マグネトロンから出力されるマイクロ波は，パルス波（Pulse wave）であってもよく，連続波（ＣＷ:Continuous wave）であってもよい。
【００７１】
ＥＣ２００は，各チャンバＣＨに設けられた光センサなどのオン信号に応じて，電力の供給先の切り替えを要求する切替要求信号を出力する。ＥＣ２００は，ＰＭシステム４００内の電力供給を調停する電力切替要求部に相当する。
【００７２】
スイッチＳＷは，ＥＣ２００から出力された切替要求信号に応じて，高電圧電源７００ａ，７００ｂ，７００ｃから出力された電力の供給先を切替要求信号により指示されたチャンバＣＨに同期しながら切り替える。これにより，所定のタイミング毎に，チャンバＣＨ単位で電力の供給先が切り替わる。
【００７３】
なお，ＥＣ２００の電力切替要求部の機能は，実際には，図２のＣＰＵ２１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラムを実行することにより，または，各機能を実現するための図示しないＩＣ等を制御することにより達成されるようにしてもよい。
【００７４】
（調停処理）
つぎに，ＥＣ２００の調停処理（電力切替要求信号出力処理）について，図８および図９を参照しながら説明する。図８は，ＥＣ２００が実行する調停処理を示したフローチャートであり，オペレータがロットスタートボタンを「ＯＮ」した後，所定時間毎に繰り返し実行される。
【００７５】
図９は，調停処理時にＥＣ２００により使用されるプロセス要求テーブルである。プロセス要求テーブルは，ＦＩＦＯ（First In First Out）型のファイルであり，格納されたデータは，古く格納した順に取り出され，一番後に格納されたデータは最後に取り出されるようになっている。プロセス要求テーブルは，たとえば，図２のＲＡＭ２１０に格納されている。
【００７６】
オペレータがロットスタートボタンを「ＯＮ」すると，図８のステップ８００から調停処理が開始され，ステップ８０５に進んで，ＥＣ２００は，各チャンバＣＨに配設された光センサ５０のいずれかがオフからオンになったか否かを判定する。たとえば，図７に示したように，搬送機構４１０ａが基板ＧをチャンバＣＨ１に搬入した後，次に，基板ＧをチャンバＣＨｋに搬入しようと動作している途中の場合，チャンバＣＨ１の光センサ５０のみオンを出力する。よって，ＥＣ２００は，チャンバＣＨ１のサセプタ１１に基板Ｇが載置されたと判定し，ステップ８１０に進んでプロセス要求テーブルのプロセス要求番号にオンを出力した光センサ５０のチャンバＣＨの番号「１」を格納する。この結果，図９（ａ）に示したように，プロセス要求テーブルには，プロセスを要求するチャンバＣＨの番号「１」が格納される。
【００７７】
つぎに，ＥＣ２００は，ステップ８１５に進み，各チャンバＣＨに配設した光センサ５０のいずれかがオンからオフになったか否か，または，本調停処理が初めての処理であるか否かを判定する。この時点では，初めての処理であるので，ＥＣ２００は，ステップ８２０に進んでプロセス要求テーブルに最初（ｍ＝１）に記憶されたデータ「１」を取り出す。この結果，図９（ｂ）に示したように，プロセス要求テーブルに格納された番号はなくなる。
【００７８】
つぎに，ＥＣ２００は，ステップ８２５に進み，取り出したデータにて特定されるチャンバ，すなわち，チャンバＣＨ１に電力を供給することを指示する切替要求信号をスイッチＳＷに出力し，ステップ８９５に進んで本処理を終了する。この結果，スイッチＳＷのＳＷ１〜ＳＷ３は，図７に示したように，すべての高電圧電源７００の接続位置を「１」に切り替える。この結果，電力がチャンバＣＨ１のマグネトロンＭ１〜Ｍ３に供給され，チャンバＣＨ１内にマイクロ波が供給され，これにより，ガスがプラズマ化されて，基板Ｇにエッチング処理が施される。
【００７９】
所定時間後，ＥＣ２００が再びステップ８００から処理を開始し，この時点で，搬送機構４１０ａが基板ＧをチャンバＣＨｋに搬入し終えていた場合，チャンバＣＨｋの光センサ５０はオンを出力する。よって，ＥＣ２００は，ステップ８１０にてプロセス要求テーブルのプロセス要求番号に「ｋ」を格納する。この結果，図９（ｃ）に示したように，プロセス要求テーブルの一番上には，プロセスを要求するチャンバＣＨの番号「ｋ」が格納される。
【００８０】
通常の状態では，搬送律速により，次に処理すべき基板ＧがいずれかのチャンバＣＨに搬入される前に，チャンバＣＨｋに搬入された基板Ｇのエッチング処理は終了し，その基板Ｇは搬出されている。しかし，たとえば，何かのトラブルや長時間プロセスの場合，次に処理すべき基板ＧがいずれかのチャンバＣＨに搬入される前に，それまでに搬入された基板Ｇのエッチング処理が終了していない場合が生じる。このような場合，ＥＣ２００は，ステップ８００，８０５に続くステップ８１０にて，次に処理すべき基板Ｇが搬入されたチャンバＣＨの番号（図９（ｃ）の場合には「３」）をプロセス要求テーブルに格納し，ステップ８１５にて「Ｎｏ」と判定して，ステップ８９５にて本処理を終了する。
【００８１】
その後，チャンバＣＨｋのエッチング処理が終了した時点で，ＥＣ２００が調停処理を実行すると，ステップ８０５にて「Ｎｏ」と判定し，ステップ８１５にて「Ｙｅｓ」と判定して，ステップ８２０にてプロセス要求テーブルからデータ「ｋ」を取り出し，ステップ８２５にてチャンバＣＨｋへの切替要求信号をスイッチＳＷに出力し，ステップ８９５に進んで本処理を終了する。この結果，図９（ｄ）に示したように，プロセス要求テーブルの一番上には，プロセスを要求するチャンバＣＨの番号「３」が格納される。
【００８２】
この結果，スイッチＳＷは，すべての高電圧電源７００の接続先をチャンバＣＨｋに切り替え，チャンバＣＨｋ内にマイクロ波が供給され，これにより，ガスがプラズマ化されて，チャンバＣＨｋ内の基板Ｇにエッチング処理が施される。
【００８３】
以上に説明した切替方法によれば，ＰＭシステム４００に設けられたすべてのマイクロ波発生器４０の数より少ない数であって，かつ，各チャンバＣＨに設けられたマイクロ波発生器４０の数と同数だけ高電圧電源７００を設ければよい。これによれば，ＰＭシステム４００に設けられたすべてのマイクロ波発生器４０の数だけ高電圧電源が必要であった従来の基板処理システムに比べ電源の個数を１／ｋ（ｋ：基板処理システムに設けられたチャンバＣＨの個数）にすることができる。
【００８４】
前述したように，一般的に，複数のチャンバＣＨを有するＰＭシステム４００内では，基板Ｇの搬送処理が，チャンバＣＨ内での基板Ｇのエッチング処理よりも多くの時間を必要とする。特に，短時間プロセスの場合にはこの傾向は顕著である。よって，図７に示したように，通常，搬送機構４１０ａが，カセット容器Ｃａに収容された基板ＧをチャンバＣＨｋに搬入する前に，それ以外のチャンバ（すなわち，チャンバＣＨ１〜ＣＨ（ｋ−１））に搬入された基板Ｇのエッチング処理はすべて完了している。すなわち，通常の状態では，搬送律速により，次に処理すべき基板Ｇが各チャンバＣＨ内に搬入されてくるのを待つ時間が生じる。よって，図１１に示した従来のシステムでは，基板Ｇの搬入を待っている間，そのチャンバＣＨに接続されたすべての高電圧電源は休止する。
【００８５】
そこで，図７に示した本実施形態にかかるＰＭシステム４００では，ＥＣ２００が，電力の供給先の切り替えを要求する切替要求信号を出力し，これに応じて，スイッチＳＷのＳＷ１〜ＳＷ３が同期して，要求された１〜ｋまでのいずれかの位置に接続を切り替える。これにより，従来の設備に比べ給電設備の容量を小さくすることができるとともに，搬送律速により稼働率が低かった従来の給電設備に比べ，給電設備の休止時間を減らすことにより，スループットを低下させることなく，従来と同様に製品を製造することができる。なお，基板処理システム１０００は，２４時間連続稼働している半導体工場の基幹システムであるため，本切替方法による省エネ効果は非常に大きい。
【００８６】
切替要求信号が出力されるタイミングは，搬送律速により定まる。以上の説明では，ＥＣ２００は，各チャンバＣＨにて基板Ｇをサセプタ１１に載置したタイミングに応じて，各チャンバＣＨへの電力の供給先の切替を要求したが，これに限られず，たとえば，ＥＣ２００は，各チャンバＣＨのサセプタ１１の位置以外の所定位置に基板Ｇが配置されたタイミングに応じて切替要求信号を出力してもよい。
【００８７】
また，ＥＣ２００は，各チャンバＣＨに基板Ｇが搬入されたタイミング（図３のゲートバルブ４２０ａ〜４２０ｅの開閉の制御）に応じて，切替要求信号を出力してもよい。さらに，ＥＣ２００は，搬送機構４１０ａに取り付けられた位置センサにより搬送アーム４１０ａ１の位置を検出することにより，搬送アーム４１０ａ１の位置に応じて切替要求信号を出力してもよい。
【００８８】
また，ＥＣ２００は，光センサを用いて基板Ｇの位置を特定したが，これに限られず，たとえば，ＥＣ２００は，基板Ｇの検出に圧力センサを用いてもよいし，センサを用いずにゲートバルブ４２０ａ〜４２０ｅの開閉を要求する制御コントローラ３００からの駆動信号に連動して切替要求信号を出力するようにしてもよい。
【００８９】
以上，本実施形態にかかるプラズマ処理装置および基板処理システムによれば，従来の設備に比べ，給電設備の容量を著しく小さくすることにより，省エネを図ることができる。
【００９０】
上記実施形態において，各部の動作はお互いに関連しており，互いの関連を考慮しながら，一連の動作として置き換えることができる。したがって，プラズマ処理装置の発明は，プラズマ処理装置のための電力切替方法の発明とすることができる。また，基板処理システムの発明は，基板処理システムのための電力切替方法の発明とすることができる。
【００９１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９２】
たとえば，以上の説明では，本発明にかかる基板処理装置の制御装置は，ＥＣ２００の機能により達成されているが，ホストコンピュータ１００または制御コントローラ３００にこのような機能を持たせることにより達成するようにしてもよい。
【００９３】
また，本発明にかかるプラズマ処理装置では，エッチング処理に限られず，熱拡散処理，成膜処理，アッシング処理，スパッタリング処理等のあらゆる基板処理が実行可能である。
【００９４】
また，本発明にかかるプラズマ処理装置は，大型ディスプレイ装置製造において大型のガラス基板を処理するためのプラズマ処理装置に限られず，半導体ウエハを処理する半導体装置製造用のプラズマ処理装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明のある実施形態にかかるシステム全体図である。
【図２】同実施形態にかかるＥＣのハードウエア構成図である。
【図３】同実施形態にかかるＰＭシステムのハードウエア構成図である。
【図４】同実施形態にかかるチャンバＣＨの縦断面図である。
【図５】同実施形態にかかるチャンバＣＨの天井面を示した図である。
【図６】図６（ａ）は，同実施形態にかかる一チャンバ内の電力切替方法を説明するための図であり，図６（ｂ）は，各マグネトロンから出力されるマイクロ波を示した図である。
【図７】同実施形態にかかるＰＭシステム内の電力切替方法を説明するための図である。
【図８】同実施形態にて実行される調停処理ルーチンを示したフローチャートである。
【図９】同実施形態にて使用されるプロセス要求テーブルの一例を示した図である。
【図１０】図６（ａ）は，一般的なマグネトロンの動作を説明するための図であり，図６（ｂ）は，従来の設備による一チャンバ内の電力切替方法を説明するための図であり，図６（ｃ）は，従来の設備による各マグネトロンから出力されるマイクロ波を示した図である。
【図１１】従来の設備によるＰＭシステム内の電力切替方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００９６】
４０ａ，４０ｂ，４０ｃ  マイクロ波発生器
５０        光センサ
１００      ホストコンピュータ
２００      ＥＣ
３００      制御コントローラ
４００      ＰＭシステム
４０５      カセットステージ
４１０      搬送ステージ
４１０ａ，４１５ａ  搬送機構
４１０ａ１，４１５ａ１  搬送アーム
４１５      移載室
４２０ａ〜４２０ｅ  ゲートバルブ
７００，７００ａ，７００ｂ，７００ｃ  高電圧電源
１０００    基板処理システム
ＣＨ，ＣＨ１〜ＣＨ５  チャンバ
Ｍ，Ｍ１〜Ｍ３  マグネトロン
ＬＬＭ      ロードロック室
Ｃａ，Ｃａ１〜Ｃａ３  カセット容器
Ｇ          基板
ＳＷ        スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007273189.tif 000009
【図８】
2007273189.tif 000010
【図９】
2007273189.tif 000011
【図１０】
2007273189.tif 000012
【図１１】
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