(57)【要約】【課題】画素電極と非線形抵抗素子の第２素子電極とを絶縁膜によって異なる層に分けた構造の電気光学装置において、画素電極と第２素子電極との間で良好なコンタクトを得る。【解決手段】基板７ａ上に設けられたＴＦＤ素子３１を有する電気光学装置である。ＴＦＤ素子３１は、第１素子電極３２と、第１素子電極３２に重ねられた絶縁膜３３と、絶縁膜３３に重ねられた第２素子電極３４ａ，３４ｂとを有する。電気光学装置はさらにＴＦＤ素子３１を覆う層間絶縁膜２２と、その層間絶縁膜２２上に設けられた画素電極２４とを有する。画素電極２４は、第２素子電極３４ａ，３４ｂと導電接続される。第２素子電極３４ａ，３４ｂはＭｏ又はＭｏ合金によって形成される。【選択図】図４
2007108554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられた第１素子電極と、該第１素子電極に重ねられた第１絶縁膜と、該
第１絶縁膜に重ねられた第２素子電極とを有する非線形抵抗素子と、
前記第２素子電極に導電接続される中継導電膜と、
前記非線形抵抗素子及び前記中継導電膜を覆う第２絶縁膜と、
該第２絶縁膜上に設けられ前記中継導電膜と導電接続される画素電極と
を有し、
前記中継導電膜はモリブデン又はモリブデン合金によって形成される
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、前記第２素子電極はモリブデン又はモリブデン
合金によって形成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記基板上には前記非線形抵抗素
子に信号を伝送する複数の配線が設けられ、前記配線はモリブデン又はモリブデン合金に
よって形成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記第２絶縁膜
はアニール処理が施されて成ることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記モリブデン
合金は、モリブデンとタングステンを含んで成る合金であって、当該合金におけるタング
ステンの濃度は６０原子％以下であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５記載の電気光学装置において、前記モリブデンとタングステンを含んで成る合
金におけるタングステンの濃度は３０原子％以上４０原子％以下であることを特徴とする
電気光学装置。
【請求項７】
基板上に第１素子電極を形成する工程と、前記第１素子電極上に第１絶縁膜を形成する
工程と、前記第１絶縁膜上に第２素子電極を形成する工程と、を備える非線形抵抗素子を
形成する工程と、
モリブデン又はモリブデン合金を材料として前記第２素子電極に導電接続される中継導
電膜を形成する工程と、
前記非線形抵抗素子及び前記中継導電膜を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、
該第２絶縁膜上に前記中継導電膜と導電接続される画素電極を形成する工程と、を有す
ることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の電気光学装置の製造方法において、前記第２素子電極を形成する工程で
は、モリブデン又はモリブデン合金を材料として前記第２素子電極を形成することを特徴
とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８記載の電気光学装置の製造方法において、前記第２絶縁膜を形成
する工程の後に、前記第２絶縁膜の膜質を調整するアニール工程をさらに有することを特
徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の電気光学装置の製造方法において、前記アニール工程の後の基板表面を
水によって洗浄する洗浄工程をさらに有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７から請求項１０のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、
前記非線形抵抗素子を形成する工程は、
前記第１素子電極を形成する工程において異なる非線形抵抗素子に属する複数の第１素
子電極を互いに一体に形成し、
前記第１絶縁膜を形成する工程において前記の互いに一体に形成された第１素子電極上
に第１絶縁膜としての陽極酸化膜を形成し、
前記の互いに一体に形成された第１素子電極を複数の島状に分離する工程を前記第２素
子電極を形成する工程の前に行う
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７から請求項１１のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、前
記画素電極を形成する工程は、前記第２絶縁膜の表面及び前記中継導電膜の表面にアモル
ファスＩＴＯを平面的に形成する工程と、該アモルファスＩＴＯをフォトエッチングによ
って画素電極形状にパターニングする工程と、該アモルファスＩＴＯをアニールして多結
晶ＩＴＯに変化させる工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等といった電気光
学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を製造するための製造方法に関する
。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等といっ
た電子機器に液晶表示装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子
機器に関する各種の表示を行うために電気光学装置が用いられている。なお、液晶表示装
置は、電気光学物質である液晶によって光を変調することにより文字、数字、図形等とい
った像を表示する電気光学装置である。
【０００３】
液晶表示装置は、一般に、それぞれが電極を有する一対の基板間にシール材によって囲
まれた空間を形成し、その空間内に液晶を封止する構造を有する。それらの電極を平面的
に重ねて見ると、電極が重なる領域が行方向及び列方向にマトリクス状に並び、これらの
各領域が画素を構成する。そして、個々の画素内に存在する液晶に印加する電圧を画素ご
とに制御して液晶の配向を制御することにより、表示が行われる。
【０００４】
このような液晶表示装置には、画素に印加する電圧をスイッチング素子を用いて制御す
ることにより液晶の配向を制御する構造のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置と、
スイッチング素子を用いることなく互いに対向するストライプ状電極に印加する電圧の制
御により液晶の配向を制御する構造のパッシブマトリクス方式、すなわち単純マトリクス
方式の液晶表示装置とがある。また、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置には、Ｔ
ＦＴ（Thin Film Transistor）等といった３端子型のスイッチング素子を用いたものと、
ＴＦＤ（Thin Film Diode）等といった２端子型の非線形抵抗素子を用いたものとがある
。
【０００５】
２端子型の非線形抵抗素子であるＴＦＤ素子は、一般に、金属（Metal）−絶縁膜（Ins
ulator）−金属（Metal）の積層構造、いわゆるＭＩＭ構造を有し、電圧−電流特性が非
線形性を有するものである。このＴＦＤ素子を有する電気光学装置として、従来、ＴＦＤ
素子と画素を形成する電極とが、ＴＦＤ素子を覆う絶縁膜によって異なる層に分けて形成
された構造の液晶表示装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この液晶表示装
置において、ＴＦＤ素子の絶縁膜上に積層された金属である第２素子電極はＣｒ（クロム
）によって形成されている。他方、他の従来技術として、ＴＦＤ素子の第２素子電極をＣ
ｒに代えてＭｏ（モリブデン）で形成した技術が知られている（例えば、特許文献２参照
）。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１５３８０４号公報（第３頁、図１）
【特許文献２】特開平８−２１１４１０号公報（第３頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示された電気光学装置では、ＴＦＤ素子上に形成した絶縁膜の膜質を調
整するためにアニール（すなわち、焼成）を行うことがある。この場合には、Ｃｒで形成
された第２素子電極のうち画素電極と接触する部分が絶縁膜から露出しているため、その
露出した部分のＣｒの表面がアニールの際に酸化することがあった。こうなると、ＴＦＤ
素子と画素電極との間において導通不良が発生するおそれがあった。
【０００８】
このことに関し、本発明者等は種々の実験を行った。その結果、第２素子電極をＭｏ又
はＭｏ合金で形成すれば、アニールの際にも、第２素子電極の表面に形成された酸化膜が
導体であるため、第２素子電極と画素電極の導通が改善されることを知見した。なお、特
許文献２に開示された電気光学装置では、第２素子電極をＭｏで形成することに触れては
いるが、この電気光学装置では第２素子電極を絶縁膜で覆うという技術思想がそもそも存
在しないので、この特許文献２は本発明を創出する上での基礎とはなり得ない。
【０００９】
本発明は、上記の知見に基づいて成されたものであって、画素電極と非線形抵抗素子の
第２素子電極とを絶縁膜によって異なる層に分けた構造の電気光学装置において、画素電
極と第２素子電極との間で良好なコンタクトが得られる電気光学装置、電気光学装置の製
造方法及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る電気光学装置は、（１）基板と、（２）該基板上に設けられた第１素子電
極と、該第１素子電極に重ねられた第１絶縁膜と、該第１絶縁膜に重ねられた第２素子電
極とを有する非線形抵抗素子と、（３）前記第２素子電極に導電接続される中継導電膜と
、（４）前記非線形抵抗素子及び前記中継導電膜を覆う第２絶縁膜と、（５）該第２絶縁
膜上に設けられ前記中継導電膜と導電接続される画素電極とを有し、（６）前記中継導電
膜はＭｏ（モリブデン）又はＭｏ合金によって形成されることを特徴とする
【００１１】
本発明に係る電気光学装置としては、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、
電気光学物質として有機ＥＬを用いる有機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガス
を用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（Ｅ
ＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ
：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。
【００１２】
本発明に係る上記の電気光学装置において、基板とは、ガラス、プラスチック等といっ
た透光性材料によって形成された板材である。この基板上に、電極、配向膜、その他各種
の要素を形成することにより、素子基板、カラーフィルタ基板、その他、電気光学装置の
種類に応じて必要とされる各種の基板が製造される。
【００１３】
本発明において、中継導電膜は、非線形抵抗素子の第２素子電極につながって第２素子
電極と画素電極とを導電接続する導電膜である。この中継導電膜としては、例えば、第２
素子電極から導出されて、先端が平面状に形成された導電膜が考えられる。このように中
継導電膜を有した構造の電気光学装置では、一般に、中継導電膜の一部を第２絶縁膜の外
側へ張出させていることが多い。そして、第２絶縁膜上に設けられた画素電極を、第２絶
縁膜の外側へ張出した中継導電膜に直接接触させることにより画素電極と第２素子電極と
を導電接続することができる。
【００１４】
このように第２絶縁膜の外側へ張出した部分の中継導電膜を介して画素電極と第２素子
電極とを導通させる構成の電気光学装置において、仮に中継導電膜が従来のようにＣｒに
よって形成されているとすると、第２絶縁膜に対してアニール処理を施したときに、第２
絶縁膜の外側へ張出している中継導電膜が酸化して不導体の酸化膜が形成されてしまい、
画素電極に対する中継導電膜の接触性が悪くなるおそれがあった。
【００１５】
これに対し、本発明に係る電気光学装置では、第２素子電極に導電接続される中継導電
膜をＭｏ又はＭｏ合金によって形成した。こうすれば、第２絶縁膜のアニール処理時に中
継導電膜が酸化してもこの酸化膜が導体であるため、画素電極と中継導電膜（従って、画
素電極と第２素子電極）とを確実に導通させることができる。なお、仮に中継導電膜の表
面に不導体の酸化膜が形成されてもその酸化膜は水溶性であるので、水で洗浄することに
よって中継導電膜の表面に形成された酸化膜を除去できる。
【００１６】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記第２素子電極はＭｏ又はＭｏ合金によ
って形成されることが望ましい。こうすれば、第２素子電極と中継導電膜を同じ材料、す
なわちＭｏ又はＭｏ合金によって同時に形成できる。また、第２素子電極をＭｏ又はＭｏ
合金によって形成すれば、非線形抵抗素子の素子特性を向上させることができる。
【００１７】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記基板上には前記非線形抵抗素子に信号
を伝送する複数の配線が形成され、前記配線はＭｏ又はＭｏ合金によって形成されること
が望ましい。これら複数の配線としては、例えば、非線形抵抗素子にデータ信号を伝送す
るデータ線や、該データ線に繋がる配線等がある。これらの配線をＭｏ又はＭｏ合金によ
って形成すれば、Ｃｒで形成した場合に比べて配線の抵抗値を低く抑えることができる。
【００１８】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記第２絶縁膜はアニール処理が施されて
成ることが望ましい。ここでアニール処理は、すなわち、焼成を行う処理であり、第２絶
縁膜の膜質を調整するために行われる。このアニール処理を施すことにより、第２絶縁膜
は絶縁膜として好適な特性を得ることができる。
【００１９】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記Ｍｏ合金は、ＭｏとＷ（タングステン
）を含んで成る合金であって、当該合金におけるＷの濃度は６０原子％以下であることが
望ましい。本発明者等の実験によれば、第２素子電極、中継導電膜及び配線を形成するＭ
ｏ合金としては、Ｍｏに高融点金属であるＷを添加した合金であるＭｏＷ（モリブデン・
タングステン）が好適であることを知見した。その理由を以下に説明する。
【００２０】
（１）まず、ＭｏとＷを含んで成る合金によって形成される非線形抵抗素子の素子特性
は、Ｃｒで形成される場合と同程度又はそれ以上である。この素子特性について考えると
きには、２端子型の非線形抵抗素子、例えばＴＦＤ素子の素子特性を表すものとして、保
持特性を表す抵抗値Ｒ４及び書込み特性を表す抵抗値Ｒ１０がある。抵抗値Ｒ４は、素子
に保持電圧として４ボルト（Ｖ）を印加したときの抵抗値である。また、抵抗値Ｒ１０は
、素子に書込み電圧として１０Ｖを印加したときの抵抗値である。今、第２素子電極とし
てＣｒを用いたＴＦＤ素子を非線形抵抗素子として考えると、室温で、
Ｒ４＝１×１０１１  Ω
Ｒ１０＝１×１０９  Ω
であり、このことをグラフによって表すと図１４に示すようになる。なお、図１４に示す
素子特性線図において、実線で示す特性が第２素子電極としてＣｒを用いたＴＦＤ素子の
素子特性である。また、図１４の特性は、バック・ツー・バックの構造を有するＴＦＤ素
子に関するものである。
【００２１】
ここで、バック・ツー・バック構造とは、例えば図５に示すように、一対のＴＦＤ要素
３１ａ，３１ｂを互いに直列に接続して成るＴＦＤ素子の構造である。１つのＴＦＤ要素
を見たとき、そのＴＦＤ要素は極性差を有する。この極性差とは、ＴＦＤ要素の端子間に
印加する電圧のプラス、マイナスの極性を変えたときにこのＴＦＤ要素の非線形特性に現
れる差のことである。このように１つのＴＦＤ要素が極性差を持っている場合、その１つ
のＴＦＤ要素だけでは安定したスイッチング特性が得られない可能性が高い。これに対し
、上記のバック・ツー・バック構造を採用すれば、極性差が相殺されて安定したスイッチ
ング特性を得ることができる。
【００２２】
第２素子電極等をＭｏとＷを含んで成る合金を用いて形成することを考えるとき、素子
特性はＣｒと同等又はそれ以上であることが望ましい。具体的には、保持特性を良好に維
持する観点から、
Ｒ４≧１×１０１１  Ω  ……（１）
であり、書込み特性を良好に維持する観点から、
Ｒ１０≦１×１０９  Ω  ……（２）
であることが望ましい。上記の（１）式及び（２）式を図１４のグラフに示せば、斜線で
示す領域が素子特性として良好な領域である。従って、鎖線Ａで示す直線のようにＣｒか
ら成る素子の特性直線よりも傾きの大きい直線で表される特性を実現できることが望まし
い。本発明者等の実験によれば、ＴＦＤ素子の第２素子電極をＭｏとＷを含んで成る合金
によって形成したところ、上記（１）式及び（２）式を満足するＴＦＤ素子が得られた。
【００２３】
（２）次に、ＭｏとＷを含んで成る合金のシート抵抗値はＣｒのシート抵抗値と同程度
又はそれ以下である。本発明者等の実験によれば、Ｃｒのシート抵抗値は、０．２μｍの
膜厚で約１Ωであり、これに対し、ＭｏとＷを含んで成る合金もほぼ同程度のシート抵抗
値、具体的には、約０．７Ωであった。
【００２４】
（３）次に、ＭｏとＷを含んで成る合金はパターニングの際にウエットエッチングを用
いることができる。Ｃｒがウェットエッチングによってパターニングできること、例えば
硝酸セリウムアンモニウムを主成分とするエッチング液によってエッチングできることは
知られている。本発明者等の実験によれば、Ｃｒの場合と同様に、ＭｏとＷを含んで成る
合金もウェットエッチングできることが確認された。
【００２５】
（４）次に、ＭｏとＷを含んで成る合金は、Ｃｕ（銅）色や黄色等といった表示の邪魔
になる色ではなく、Ｃｒと同様な、灰色に近い銀系の金属光沢色を持っているので、表示
の品質が低下することはない。
【００２６】
以上に説明した（１）〜（４）の理由により、ＭｏとＷを含んで成る合金は第２素子電
極、中継導電膜及び配線を形成する材料として好適である。
【００２７】
また、ＭｏとＷを含んで成る合金は耐腐食性を有する合金である。従って配線をＭｏと
Ｗを含んで成る合金を用いて形成すれば、その配線の耐腐食性を良好に維持できる。特に
、ＭｏとＷを含んで成る合金の全体量に対するＷの含有量を増やせば、この合金の耐腐食
性の向上が期待できる。その際、本発明者等が行った実験によれば、ＭｏとＷを含んで成
る合金におけるＷの濃度を６０原子％を越えるように設定しても、耐腐食性はほとんど向
上しないことが分かった。それ故、ＭｏとＷを含んで成る合金において、耐腐食性の向上
が期待できるＷの濃度は６０原子％までが限度であると考えられる。
【００２８】
一方、本発明者等が行った他の実験によれば、ＭｏとＷを含んで成る合金のエッチング
性はその合金の全体量に対するＷの含有量が少ない方が良いことが分かった。以上のこと
から、ＭｏとＷを含んで成る合金の耐腐食性とエッチング性との両方を良好に維持するこ
とを考えれば、その合金におけるＷの濃度は６０原子％以下とすることが望ましい。
【００２９】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記モリブデンとタングステンを含んで成
る合金におけるタングステンの濃度は３０原子％以上４０原子％以下であることが望まし
い。本発明者等が行った実験によれば、ＭｏとＷを含んで成る合金のＷの濃度が３０原子
％よりも低いと、この合金の耐腐食性、従って配線の耐腐食性が実用上十分でないと考え
られる。一方、ＭｏとＷを含んで成る合金のＷの濃度が４０原子％を越えると、この合金
のエッチングに要する時間が長くなり、ＴＦＤ素子や配線の量産に支障をきたす可能性が
ある。これらのことから、ＭｏとＷを含んで成る合金のＷの濃度は、３０原子％以上４０
原子％以下であることがより望ましい。
【００３０】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、（１）基板上に第１素子電極を形成す
る工程と、前記第１素子電極上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜上に第２
素子電極を形成する工程と、を備える非線形抵抗素子を形成する工程と、（２）Ｍｏ又は
Ｍｏ合金を材料として前記第２素子電極に導電接続される中継導電膜を形成する工程と、
（３）前記非線形抵抗素子及び前記中継導電膜を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、（４
）該第２絶縁膜上に前記中継導電膜と導電接続される画素電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする。
【００３１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、中継導電膜を形成する工程においてＭ
ｏ又はＭｏ合金を用いて中継導電膜を形成するので、第２絶縁膜を形成する工程において
、中継導電膜の表面に不導体膜を形成することを抑えることができる。これにより、中継
導電膜を介して第２素子電極と画素電極との間で良好な電気的コンタクトを得ることがで
きる。
【００３２】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２素子電極を形成する工
程では、Ｍｏ又はＭｏ合金を材料として前記第２素子電極を形成することが望ましい。こ
うすれば、第２素子電極を形成する工程と中継導電膜を形成する工程とを同時に行うこと
ができるので、これらの第２素子電極と中継導電膜とを容易に形成できる。
【００３３】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２絶縁膜形成工程の後に
、前記第２絶縁膜の膜厚を調整するアニール工程をさらに有することが望ましい。こうす
れば、第２絶縁膜の膜質を絶縁膜として好適な膜質に調整できる。
【００３４】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記アニール工程の後の基板表
面を水によって洗浄する洗浄工程をさらに有することが望ましい。アニール工程において
第２絶縁膜が焼成される際、第２絶縁膜の外側に露出した中継導電膜の表面には酸化膜が
形成されることがある。仮に、Ｃｒを用いて中継導電膜を形成した場合、Ｃｒの表面に形
成された不導体の酸化膜を除去することは困難であった。
【００３５】
本発明においても、Ｍｏ又はＭｏ合金を用いて形成された中継導電膜の表面にアニール
工程において不導体の酸化膜が形成されることがある。しかしながら、Ｍｏ及びＭｏ合金
の表面に形成される酸化膜は水溶性である。従って、本発明の電気光学装置において中継
導電膜に形成された酸化膜は、洗浄工程において水によって容易に除去できる。このよう
に中継導電膜の酸化膜を除去することにより、画素電極と第２素子電極との間で良好なコ
ンタクトを得ることができる。なお、洗浄工程において使用される水は純水が望ましい。
また、この洗浄工程において使用される水は温水であることが望ましい。その温水の温度
は室温以上であることが望ましく、その温度は高いほど望ましい。
【００３６】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記非線形抵抗素子を形成する
工程は、前記第１素子電極を形成する工程で複数の第１素子電極を互いに一体に形成し、
前記第１絶縁膜を形成する工程では、前記の互いに一体に形成された第１素子電極上に第
１絶縁膜としての陽極酸化膜を形成し、前記の互いに一体に形成された第１素子電極を複
数の島状に分離する工程を前記第２素子電極を形成する工程の前に行うことが望ましい。
【００３７】
ＭＩＭ構造の非線形抵抗素子を形成する場合には、一般に、複数の第１素子電極を互い
に一体に形成し、陽極酸化処理によって酸化膜すなわち第１絶縁膜をその第１素子電極の
上に積層し、その後、第１素子電極及びそれに積層された第１絶縁膜を複数の島状に分離
して、個々の非線形抵抗素子を形成する。Ｃｒによって第２素子電極を形成していた従来
の製造方法の場合には、第１素子電極を島状に分離する工程は、例えば図１１に工程Ｐ５
８で示すように、第１素子電極（工程Ｑ２）に絶縁膜（工程Ｑ３）及び第２素子電極（工
程Ｑ４）を形成した後にＨ２ＳＯ４溶液を用いて不要部分を剥離することによって行って
いた。
【００３８】
本発明のように第２素子電極をＭｏ又はＭｏ合金を用いて形成する場合には、それらの
形成後にＨ２ＳＯ４溶液を用いた剥離を行うことができない。従って、本発明のように、
Ｍｏ又はＭｏ合金を用いて第２素子電極を形成する場合には、第１素子電極及びそれに積
層された第１絶縁膜を島状に分離する工程を第２素子電極の形成の前に行ってしまい、島
状に分離した後にＭｏ又はＭｏ合金によって第２素子電極を形成することが望ましい。こ
うすれば、Ｃｒに代えてＭｏ又はＭｏ合金を用いる場合であっても、それらＭｏ又はＭｏ
合金によって支障なく第２素子電極を希望の形状に形成できる。
【００３９】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記画素電極を形成する工程は
、前記第２絶縁膜の表面及び前記中継導電膜の表面にアモルファスＩＴＯを平面的に形成
する工程と、該アモルファスＩＴＯをフォトエッチングによって画素電極形状にパターニ
ングする工程と、該アモルファスＩＴＯをアニールして多結晶ＩＴＯに変化させる工程と
を有することが望ましい。
【００４０】
一般に、非線形抵抗素子の第２素子電極には中継導電膜を介してドット状の電極が接続
される。この電極は、例えばＩＴＯによって形成される。中継導電膜をＣｒによって形成
していた従来の方法では、その中継導電膜の形成後に、王水系エッチング液、塩化鉄系エ
ッチング液を用いてＩＴＯのパターニングを行っていた。Ｃｒはこれらのエッチング液に
対して耐性を持っているのでＩＴＯのパターニングは支障なく行われていた。
【００４１】
これに対し、本発明において中継導電膜として用いられるＭｏ又はＭｏ合金は、上記の
王水系エッチング液、塩化鉄系エッチング液等に対する耐性が弱いので、ＩＴＯをパター
ニングするためにそれらのエッチング液を用いることができない。そこで、本発明では、
ＩＴＯをアモルファス構造であるａ−ＩＴＯとして成膜することにより、Ｍｏ及びＭｏ合
金の使用を可能にした。ａ−ＩＴＯは王水系エッチング液等よりも弱い酸、例えば蓚酸〔
（ＣＯＯＨ）２〕によってエッチングでき、しかも、Ｍｏ及びＭｏ合金はこの蓚酸には耐
性を持っているので、第２素子電極につながる中継導電膜をＭｏ又はＭｏ合金で形成し、
その上にａ−ＩＴＯを成膜し、さらにパターニングした場合でも、Ｍｏ又はＭｏ合金に支
障は生じない。なお、ａ−ＩＴＯは、通常のＩＴＯをスパッタによって成膜する場合に比
べて低い温度、例えば１００℃以下でスパッタすることによって形成できる。
【００４２】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶表示装置を有することを特
徴とする。本発明に係る電気光学装置は、非線形抵抗素子の第２素子電極、又は第２素子
電極に導電接続する中継導電膜をＭｏ又はＭｏ合金によって形成しているので、画素電極
と第２素子電極との間で良好なコンタクトを得ることができ、安定した表示を行うことが
できる。従って、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても、安定した表示
を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
（電気光学装置の第１実施形態）
以下、電気光学装置の一例として、半透過反射型でＴＦＤ（Thin Film Diode）駆動方
式でカラー表示が可能な液晶表示装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施
形態を説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されるものでないことは、もちろん
である。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数
の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは
異なった相対的な寸法で示す場合がある。
【００４４】
図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示している。図
２は、図１におけるＺ１−Ｚ１線に従った断面図である。また、図３は、図１の液晶表示
装置における画素部分を拡大して示す平面図である。図４は、図３のＺ２−Ｚ２線に従っ
てサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図２の矢印Ｂで示す部分を示している。
【００４５】
図１において、液晶表示装置１は、液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照
明装置３とを有する。液晶パネル２にはＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリ
ント回路）基板４が接続されている。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側
が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されて
バックライトとして機能する。
【００４６】
液晶パネル２は、長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた
一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。
また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材６は図
２に示すように素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップ
Ｇを形成する。シール材６は図１に示すようにその一部に液晶注入口６ａを有し、この液
晶注入口６ａを介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質としての
液晶が注入される。注入された液晶は図２に示すようにセルギャップＧ内で液晶層１２を
形成する。図１の液晶注入口６ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。
液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口６ａを通して行う方法以外に、液晶注
入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方
法も採用できる。
【００４７】
図２において、セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内
に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、
複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すな
わち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ
処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００４８】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを
有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用
いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工に
よって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対
向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、
必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必
要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００４９】
素子基板７は、図２において、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板
７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第
１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必
要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもでき
る。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｂで示す部分の拡大図である図４に
も示すように、配線としてのデータ線１９が列方向Ｙに延びて形成されている。そして、
アクティブ素子として機能する非線形抵抗素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子３
１がデータ線１９に接続して形成されている。データ線１９は図１に示すように複数本が
互いに平行に設けられている。本実施形態において、データ線１９は、ＭｏとＷとを含ん
で成る合金であるＭｏＷによって形成されている。また、ＴＦＤ素子３１は複数個が各デ
ータ線１９に沿って等間隔に設けられている。
【００５０】
それらのＴＦＤ素子３１及びデータ線１９の上に、図４に示すように、それらを覆うよ
うに第２絶縁膜としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、
その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜
２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリ
イミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成され
る。また、光反射膜２３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射
性材料をフォトエッチング処理（すなわち、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理
）によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（
Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処
理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミ
ド等を塗布することによって形成される。
【００５１】
光反射膜２３及び画素電極２４は、図１に示すように、素子基板７上にドットマトリク
ス状に複数形成される。これらの光反射膜２３及び画素電極２４は、個々のＴＦＤ素子３
１に接続されて各データ線１９に沿って設けられている。複数の画素電極２３は図示の通
り個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行列方向へマトリクス
状に並ぶように形成される。図４の配向膜２６ａは図２において素子基板７の表面の略全
域に形成される。そして、この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、
これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００５２】
図５は、図１の矢印Ｃで示す部分、すなわち複数の画素電極２４及びＴＦＤ素子３１の
うちの１つを拡大して示している。個々のＴＦＤ素子３１は、図５に示すように、互いに
電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素３１ａ及び３１ｂによって形成されている。
第１のＴＦＤ要素３１ａは、第１素子電極３２、第１絶縁膜としての絶縁膜３３、そして
第２素子電極３４ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ
要素３１ｂは、第１素子電極３２、絶縁膜３３、そして第２素子電極３４ｂをその順で重
ねることによって形成されている。第１素子電極３２は、例えば、Ｔａ（タンタル）又は
Ｔａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングス
テン）を用いることができる。絶縁膜３３は、例えば、陽極酸化処理によって形成される
。第２素子電極３４ａ，３４ｂは、Ｍｏ合金であるＭｏＷによって形成される。
【００５３】
第１ＴＦＤ要素３１ａ内の第２素子電極３４ａは図３に示すようにデータ線１９から延
びている。また、第２ＴＦＤ要素３１ｂ内の第２素子電極３４ｂは画素電極２４に接続さ
れている。データ線１９から画素電極２４へ信号が伝送されることを考えたとき、第１Ｔ
ＦＤ要素３１ａと第２ＴＦＤ要素３１ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列
に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック構造と呼ばれることがある。
本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一の
ＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。
【００５４】
第２ＴＦＤ要素３１ｂは画素電極２４に導電接続される要素であるが、この第２ＴＦＤ
要素３１ｂの第２素子電極３４ｂは、図５に示す中継導電膜２５によって画素電極２４と
導電接続されている。中継導電膜２５は、第２素子電極３４ｂから導出された導電膜であ
り、その先端には面積の広い平面部分が形成されている。この平面部分は、一部が層間絶
縁膜２２に覆われ、他の一部が層間絶縁膜２２の１つの端部Ｅから外部に露出している。
この中継導電膜２５のうち、層間絶縁膜２２の１つの端部Ｅから外部に露出した部分（す
なわち、図３の斜線部分）がコンタクト部２５ａである。また、コンタクト部２５ａと第
２素子電極３４ｂとをつなぐ部分がコネクト部２５ｂである。図４において、表示の最小
単位の領域をサブ画素Ｄと呼ぶことにすれば、層間絶縁膜２２が在る部分から層間絶縁膜
２２が無い部分にわたってサブ画素Ｄの中に形成された画素電極２４が中継導電膜２５の
コンタクト部２５ａに接触し、これにより、ＴＦＤ素子３１と画素電極２４との間の電気
的な接続が行われている。
【００５５】
本実施形態では、画素電極２４の下に層間絶縁膜２２を設けることにより、画素電極２
４の層とＴＦＴ素子３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦ
Ｄ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、以下のような利点を有する。
【００５６】
まず、ＴＦＤ素子３１とデータ線１９とを覆う層間絶縁膜２２を形成し、その層間絶縁
膜２２上に画素電極２４を形成するものとしているため、画素電極２４とＴＦＤ素子３１
及び／又はデータ線１９との間の寄生容量を低減することができる。また、層間絶縁膜２
２を介して画素電極２４とＴＦＤ素子３１及び／又はデータ線１９とを積層構造にて形成
しているため、ＴＦＤ素子３１及び／又はデータ線１９を覆う形にて画素電極２４を構成
することができ、画素電極２４をＴＦＤ素子３１及び／又はデータ線１９と同一平面上に
形成する場合に比して、画素電極２４を大きく構成することができ、ひいては有効画素領
域を大きくとることができるようになる。
【００５７】
以上のような効果を齎す結果、非常に信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能
となり、特にこれを表示装置として用いた場合には、開口率の大きい視認性に優れた表示
を実現することが可能となる。
【００５８】
図２において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａで示す観察側か
ら見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは
、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光
性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応
じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００５９】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図４にも示すように、着色膜４１が形成され、そ
の周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３
が形成され、その上に帯状電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている
。帯状電極４４は、図４の紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。配向膜２
６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００６０】
個々の着色膜４１に関して、素子基板７に設けられた光反射膜２３に平面的に重なる領
域内の一部には、着色膜４１が設けられていない領域Ｑが設けられている。図３に示すよ
うに、この領域Ｑは平面的に見て楕円形状に形成されている。この領域Ｑは、必要に応じ
て楕円形状以外の任意の形状、例えば、円形状、長円形状、方形状等に形成することもで
きる。この着色膜４１が設けられていない領域Ｑでは光の波長選択は行われず、入射した
光が強度を減衰されることなくこの領域Ｑを通過する。このため、本実施形態では、図４
の光反射膜２３において反射する光を用いた反射型表示時に明るい画像を表示できる。
【００６１】
着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また
、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て図４の紙面垂直方向（行方向Ｘ）及び左右方
向（列方向Ｙ）にマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲
む格子状に形成されている。着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを
通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て
所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向Ｙに
Ｂ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。
【００６２】
なお、着色膜４１の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば
、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色膜４１の光学的特性はＢ
，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色
を通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３
原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光膜
４２は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグ
ラフィ処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所
定の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ等といった遮光性の材料が考えられる。
【００６３】
着色膜４１及び遮光膜４２の上に形成されたオーバーコート層４３は、着色膜４１及び
遮光膜４２の表面を平坦化するものであり、帯状電極４４はこうして平坦化されたオーバ
ーコート層４３の上に形成される。帯状電極４４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物
をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。帯状電極４
４は、図１に示すように、カラーフィルタ基板８上に複数本が互いに平行に並ぶように設
けられている。個々の帯状電極４４は行方向Ｘに延びている。図４において帯状電極４４
の上に形成された配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより
、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００６４】
図１において、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的
に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。一方、カラーフィルタ基板
８上に設けられた複数の帯状電極４４は、行方向Ｘに並ぶ複数の画素電極２４と矢印Ａ方
向から平面的に見て重なるようにストライプ状に並んでいる。このように画素電極２４と
帯状電極４４とは矢印Ａ方向から見て重なり合っており、その重なり合った領域が表示の
ための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ
及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより図１の有効表示領域Ｖが形成され、この有
効表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００６５】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う
場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによ
って１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は
、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。１つの画素部分を平面的に示す図
面である図３に示すように、サブ画素Ｄは長方形状に形成されている。
【００６６】
図４において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この
光反射膜２３はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設
けられていない。領域Ｔは図３に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域である
。一方、領域Ｒはサブ画素Ｄ内の残りの領域であって、領域Ｔをコ字状に囲む領域である
。
【００６７】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射
膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図４において矢印Ａで示す観察側から
入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒ内で光反射膜２３で反射する。一方、図１の照明装
置３の導光体１４から出射した図４の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００６８】
層間絶縁膜２２の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分に
は凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ
方向から見てランダム（すなわち、無秩序）なパターンとなっている。光反射膜２３は、
そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自
身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成する
ことにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、散乱光や指向性を
持った光とすることができる。
【００６９】
本実施形態の層間絶縁膜２２は反射表示領域Ｒに設けられており、透過表示領域Ｔには
設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領
域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっ
ている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２
を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通
過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明
な表示を得るために行われるものである。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶
層厚を示している。
【００７０】
次に、図２において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板
８の外側へ張り出す張出し部４６を有している。この張出し部４６の表面には、配線４７
がフォトエチング処理等によって形成されている。配線４７は矢印Ａ方向から見て複数本
形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている
。また、張出し部４６の辺端には複数の外部接続用端子４８が紙面垂直方向へ互いに等間
隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４８は、図１に示したＦ
ＰＣ基板４に形成される複数の配線（図示せず）に導電接続される。
【００７１】
複数の配線４７の一部は、シール材６によって囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延び
てデータ線１９に繋がっている。また、複数の配線４７の他の一部は、シール材６の中に
含まれる導通材４９を介してカラーフィルタ基板８上の各帯状電極４４につながっている
。
【００７２】
図２の張出し部４６の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電
膜）５１を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５２が実装されて
いる。駆動用ＩＣ５２は、本実施形態では図１に示すように複数、例えば３個実装されて
いる。例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ５２は、データ線１９へデータ信号を伝送する。
他方、両側の駆動用ＩＣ５２，５２は、帯状電極４４へ走査信号を伝送する。
【００７３】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図２において、液晶表示装置１が明
るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射
型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照
明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００７４】
上記の反射型表示を行う場合、図４において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフ
ィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素
子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２３で反射して再び液晶層１２
へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図２の照明装置３の光源１３が点灯
し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光
出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図４の符号Ｌ１で示すように
透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２３が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される
。
【００７５】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２４とカラ
ーフィルタ基板８側の帯状電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定
される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄ
ごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。
この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図２参照）を通過すると
き、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止さ
れ、これにより、カラーフィルタ基板８の表面に文字、数字、図形等といった像が表示さ
れ、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００７６】
ところで、図５に示すＴＦＤ素子３１の第２素子電極３４ａ，３４ｂ、中継導電膜２５
、データ線１９、及び図２の配線４７は、従来、Ｃｒを用いて同時に形成されることが多
かった。しかしながら、このＣｒを用いた場合には以下の問題が生じるおそれがあった。
すなわち、素子基板７を製造する際には、ＴＦＤ素子３１上に層間絶縁膜２２を形成した
後、その層間絶縁膜２２の膜質を調整するためにアニール（すなわち、焼成）が行われる
。このとき、Ｃｒで形成された中継導電膜２５は、コンタクト部２５ａが層間絶縁膜２２
の外側に露出しているため、その露出したコンタクト部２５ａのＣｒの表面がアニール処
理の際に酸化することがあった。こうなると、ＴＦＤ素子３１と画素電極２４との間にお
いて導通不良が発生するおそれがあった。
【００７７】
これに対して、本実施形態では、ＭｏとＷを含んで成る合金であるＭｏＷをＣｒに代え
て用いて第２素子電極３４ａ，３４ｂ、中継導電膜２５、データ線１９及び配線４７（図
２参照）を形成するようにした。このＭｏＷはＣｒに比べて不導体を形成し難い金属であ
るので、層間絶縁膜２２を形成する際に行うアニール等によって中継導電膜２５のコンタ
クト部２５ａの表面に不導体膜が形成されることを抑えることができる。なお、仮にコン
タクト部２５ａの表面に酸化による不導体膜が形成されても、ＭｏＷの表面に形成された
酸化膜は水溶性であるので、水で洗浄することによってコンタクト部２５ａの表面に形成
された酸化膜を除去できる。これにより、画素電極２４とコンタクト部２５ａとの間で良
好な電気的コンタクトを得ることができる。
【００７８】
また、ＭｏＷを用いてＴＦＤ素子３１を形成した場合には、（１）素子特性がＣｒを用
いる場合とほぼ同じであり、（２）シート抵抗値がＣｒを用いる場合とほぼ同じであり、
（３）Ｃｒと同様にウェットエッチング処理によってパターニングでき、（４）Ｃｒと同
様に灰色に近い銀系の金属光沢色を有するといった、ＴＦＤ素子３１の第２素子電極３４
ａ，３４ｂとして好ましい機能を発揮することができる。
【００７９】
また、本実施形態に係る液晶表示装置１においては、図２において、データ線１９に繋
がる配線４７は、シール材６の外側に位置している。従って、この配線４７は水分や汚れ
が付着し易い、すなわち、腐蝕し易い環境下にある。仮に配線に腐蝕が生じた場合、配線
の抵抗値が変化したり配線が断線したりすることにより、液晶表示装置の表示部に表示む
らが生じるおそれがある。
【００８０】
本実施形態において、配線４７は、ＴＦＤ素子３１の第２素子電極３４ａ，３４ｂ（図
５参照）と同じ材料、すなわちＭｏＷによって形成している。このＭｏＷは耐腐食性を有
する合金である。従って、このＭｏＷを用いて形成した配線４７は、耐腐食性を良好に維
持できる。特に、ＭｏＷの全体量に対するＷの含有量を増やせば、ＭｏＷの耐腐食性の向
上、すなわち配線４７の耐腐食性の向上が期待できる。
【００８１】
本実施形態において、ＴＦＤ素子３１の第２素子電極３４ａ，３４ｂ、中継導電膜２５
、データ線１９及び図２の配線４７にＭｏＷを用いる際には、本発明者が行った実験によ
れば、耐腐食性の向上が期待できるＭｏＷのＷ濃度は６０原子％までが限度であると考え
られる。ＭｏＷの耐腐食性を考えた場合、Ｗ濃度を６０原子％以上にしてもそれ以上の効
果は望めないと考えられる。一方、本発明者が行った他の実験によれば、ＭｏＷのエッチ
ング性はＭｏＷの全体量に対するＷの含有量が少ない方が良いことが分かった。以上のこ
とから、ＭｏＷの耐腐食性とエッチング性との両方を維持することを考えれば、ＭｏＷの
Ｗ濃度は６０原子％以下とすることが望ましい。
【００８２】
この際、ＭｏＷのＷ濃度が３０原子％よりも低いと、データ線１９及び配線４７の耐腐
食性、特に、図２のシール材６の外側に形成する配線４７の耐腐食性が、実用上十分でな
いと考えられる。一方、ＭｏＷのＷ濃度が４０原子％を越えると、第２素子電極３４ａ，
３４ｂ、中継導電膜２５、データ線１９及び配線４７のエッチングに要する時間が長くな
り、ＴＦＤ素子や配線の量産に支障をきたす可能性がある。これらのことから、ＭｏＷの
Ｗ濃度は、３０原子≦Ｗ濃度≦４０原子％であることがより望ましい。こうすれば、配線
４７の耐腐蝕性を確保しつつ、速くて確実なエッチングを行うことができる。
【００８３】
（変形例）
以上の実施形態では、図５において第２素子電極３４ａ，３４ｂ、中継導電膜２５、及
びデータ線１９をＭｏＷによって形成した。また、図２において配線４７をＭｏＷによっ
て形成した。しかしながら、これらの第２素子電極３４ａ，３４ｂ、中継導電膜２５、デ
ータ線１９、及び配線４７は、ＭｏＷに代えてＭｏ単体によって形成することもできるし
、又はＭｏＷ以外のＭｏ合金によって形成することもできる。
【００８４】
（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を図６を用いて説明する。図６は本実
施形態に係る電気光学装置としての液晶表示装置の画素部分の構造を平面的に示している
。先の第１実施形態では、図３において、中継導電膜２５のうちの面積の広い平面部分を
、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界であって層間絶縁膜２２の１つの端辺Ｅに沿
って形成することにより、コンタクト部２５ａを１つの端辺Ｅに沿って設けていた。これ
に対し本実施形態では、図６に示すように、中継導電膜５５のうちの面積の広い平面部分
を層間絶縁膜２２のコ字状の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２に沿ってコ字状に形成し、それ
ら３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２に沿ってコンタクト部５５ａを設けるようにした。以下、
本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する構成につ
いては説明を省略する。
【００８５】
本実施形態における液晶表示装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。また、この
液晶表示装置の内部の構成は、概ね、図２、図３及び図４に示す構成と同じである。
【００８６】
本実施形態おいても、図２に示すように、素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に
セルギャップＧが形成され、そのセルギャップＧ内に液晶が封入されて液晶層１２が形成
されている。素子基板７は第１透光性基板７ａを有し、この第１透光性基板７ａの内側表
面の全域には、データ線１９が列方向Ｙに延びて形成され、さらに、ＴＦＤ素子３１がデ
ータ線１９に接続して形成されている。
【００８７】
それらのＴＦＤ素子３１及びデータ線１９の上には、それらを覆うように層間絶縁膜２
２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、そ
の上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及
び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処
理によってパターニングすることによって形成される。
【００８８】
光反射膜２３は、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング
処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ
等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形
成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。こ
の配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近
傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００８９】
素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は第２透光性基板８ａを有し、この第２透
光性基板８ａの内側表面には、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され
、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成され、その上に帯状電極
４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極４４は、図４の紙面
垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。また、配向膜２６ｂは、例えばポリイミ
ド等を塗布することによって形成される。配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処
理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決
められる。
【００９０】
図６において、第２素子電極３４ｂは、中継導電膜５５によって画素電極２４と導電接
続されている。中継導電膜５５は、第２素子電極３４ｂから導出された導電膜であり、そ
の先端には面積の広い平面部分が、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界である層間
絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２に沿って平面的に見てコ字状に形成されている
。このコ字状の平面部分は、一部が層間絶縁膜２２に覆われ、他の一部が層間絶縁膜２２
の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２から外部に露出している。この中継導電膜５５のうち、層
間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２から外部に露出した部分（すなわち、図６の
斜線部分）がコンタクト部５５ａである。また、コンタクト部５５ａと第２素子電極３４
ｂとをつなぐ部分がコネクト部５５ｂである。本実施形態においては、層間絶縁膜２２が
在る部分から層間絶縁膜２２が無い部分にわたってサブ画素領域Ｄの中に形成された画素
電極２４が、層間絶縁膜２２から露出した中継導電膜５５のコンタクト部５５ａに接触し
、これにより、ＴＦＤ素子３１と画素電極２４との間の電気的な接続が行われる。
【００９１】
中継導電膜５５のうちの面積の広い平面部分はコ字状に形成されている。これにより、
反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界である層間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１
，Ｅ２においてコンタクト部５５ａと画素電極２４とが確実に接触できる。また、仮に、
コ字状に形成された中継導電膜５５の平面部分に対して層間絶縁膜２２の位置がずれた場
合であっても、コンタクト部５５ａは、層間絶縁膜２２の３つの端辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２の
うちの少なくとも１つの端辺の外側、すなわち透過表示領域Ｔ内に必ず露出できるので、
コンタクト部５５ａと画素電極２４とが確実に接触できる。
【００９２】
また、本実施形態においても、中継導電膜５５をＭｏＷを用いて形成するようにした。
このＭｏＷはＣｒに比べて不導体を形成し難い金属であるので、層間絶縁膜２２を形成す
る際に行うアニール等によって中継導電膜５５のコンタクト部５５ａの表面に不導体膜が
形成されることを抑えることができる。なお、仮にコンタクト部５５ａの表面に酸化によ
る不導体膜が形成されても、ＭｏＷの表面に形成された酸化膜は水溶性であるので、水で
洗浄することによってコンタクト部５５ａの表面に形成された酸化膜を除去できる。これ
により、画素電極２４とコンタクト部５５ａとの間で良好な電気的コンタクトを得ること
ができる。
【００９３】
（電気光学装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を図７を用いて説明する。図７
は本実施形態に係る電気光学装置としての液晶表示装置の画素部分の構造を平面的に示し
ている。第１実施形態では、図３において、画素電極２４とＴＦＤ素子３１とは中継導電
膜２５のコンタクト部２５ａを介して導電接続されていた。また、第２実施形態では、図
６において、画素電極２４とＴＦＤ素子３１とは中継導電膜５５のコンタクト部５５ａを
介して導電接続されていた。これに対し本実施形態では、図７において、ＴＦＤ素子３１
の第２素子電極３４ｂにつながる中継導電膜６５に平面的に重なる位置の層間絶縁膜２２
に、その層間絶縁膜２２の厚み方向（すなわち、図７の紙面垂直方向）に貫通するコンタ
クトホール６６を設け、そのコンタクトホール６６を通して外部に空間的につながってい
るコンタクト部６５ａを介して、画素電極２４とＴＦＤ素子３１とを導電接続するように
した。以下、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通
する構成については説明を省略する。
【００９４】
本実施形態における液晶表示装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。また、この
液晶表示装置の内部の構成は、概ね、図２、図３及び図４に示す構成と同じである。
【００９５】
本実施形態おいても、図２に示すように、素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に
セルギャップＧが形成され、そのセルギャップＧ内に液晶が封入されて液晶層１２が形成
されている。素子基板７は第１透光性基板７ａを有し、この第１透光性基板７ａの内側表
面の全域には、データ線１９が列方向Ｙに延びて形成され、さらに、ＴＦＤ素子３１がデ
ータ線１９に接続して形成されている。
【００９６】
それらのＴＦＤ素子３１及びデータ線１９の上には、それらを覆うように層間絶縁膜２
２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、そ
の上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及
び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処
理によってパターニングすることによって形成される。
【００９７】
光反射膜２３は、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング
処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ
等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形
成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。こ
の配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近
傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００９８】
素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は第２透光性基板８ａを有し、この第２透
光性基板８ａの内側表面には、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され
、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成され、その上に帯状電極
４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極４４は、図４の紙面
垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。また、配向膜２６ｂは、例えばポリイミ
ド等を塗布することによって形成される。配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処
理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決
められる。
【００９９】
図７において、中継導電膜６５は、第２素子電極３４ｂにつながる導電膜である。コン
タクトホール６６は、反射表示領域Ｒ内であって、中継導電膜６５の先端の部分に平面的
に重なる位置に設けられている。このコンタクトホール６６は、層間絶縁膜２２の厚み方
向に貫通する穴である。中継導電膜６５の先端の部分のコンタクトホール６６に平面的に
重なって層間絶縁膜２２の外部に空間的につながっている部分（すなわち、図７の斜線部
分）がコンタクト部６５ａである。一方、コンタクト部６５ａと第２素子電極３４ｂとを
つなぐ部分がコネクト部６５ｂである。画素電極２４は、コンタクトホール６６を介して
コンタクト部６５ａと直接に接触することができる。これにより、第２素子電極３４ｂと
画素電極２４（すなわち、ＴＦＴ素子３１と画素電極２４）との間の電気的な接続が行わ
れる。
【０１００】
本実施形態においても、第２素子電極３４ｂ及び中継導電膜６５をＭｏＷを用いて形成
することにした。このＭｏＷはＣｒに比べて不導体を形成し難い金属であるので、層間絶
縁膜２２を形成する際に行うアニール等によって中継導電膜６５のコンタクト部６５ａに
不導体膜が形成されることを抑えることができる。なお、仮にコンタクト部６５ａに酸化
による不導体膜が形成されても、ＭｏＷの表面に形成された酸化膜は水溶性であるので、
水で洗浄することによってコンタクト部６５ａに形成された酸化膜を除去できる。これに
より、画素電極２４とコンタクト部６５（すなわち、画素電極２４と第２素子電極３４ｂ
）との間で良好な電気的コンタクトを得ることができる。
【０１０１】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定さ
れるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記それぞれの実施形態では、図４において、第２素子電極３４ａ，３４ｂ、
中継導電膜２５、及び配線１９をＭｏとＷを含んで成る合金であるＭｏＷを用いて形成し
た。また、図６において中継導電膜５５をＭｏＷで形成した。また、図７において中継導
電膜６５をＭｏＷで形成した。また、図２において配線４７をＭｏＷで形成した。しかし
ながら、これらの第２素子電極３４ａ，３４ｂ、中継導電膜２５，５５，６５、及び配線
１９，４７は、ＭｏＷに代えてＭｏ単体によって形成することもできるし、又はＭｏＷ以
外のＭｏ合金によって形成することもできる。
【０１０２】
また、上記それぞれの実施形態では、第２素子電極３４ｂをＭｏＷ（すなわち、Ｍｏを
含む材料）で形成した。しかしながら、第２素子電極３４ｂは必ずしもＭｏＷで形成しな
くても良い。少なくとも、図４の中継導電膜２５、図６の中継導電膜５５、図７の中継導
電膜６５がＭｏＷ又はＭｏを含む材料によって形成されていれば、画素電極２４と第２素
子電極３４ｂとの間で良好なコンタクトを得ることができる。
【０１０３】
また、上記実施形態では本発明を液晶表示装置に適用したが、本発明は、液晶表示装置
以外の電気光学装置、例えば有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等において、ＴＦ
Ｄ素子、あるいはその他の非線形抵抗素子を使用する場合にも適用できる。
【０１０４】
（電気光学装置の製造方法の実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を図１に示した液晶表示装置１
を製造する場合を例に挙げて説明する。図８は、液晶表示装置の製造方法の一例を工程図
として示している。図８において、工程Ｐ１から工程Ｐ６が図１の素子基板７を形成する
ための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１６が図１のカラーフィルタ基板８を形
成するための工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８がそれらの基板を組み合わせ
て液晶表示装置を完成させるための工程である。
【０１０５】
なお、本実施形態の製造方法では、図１に示す素子基板７及びカラーフィルタ基板８を
１つずつ形成するのではなく、素子基板７に関しては、複数の素子基板７を形成できる大
きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素を同時に
形成するものとする。また、カラーフィルタ基板８に関しては、複数のカラーフィルタ基
板８を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラー
フィルタ基板８の複数個分の要素を同時に形成するものとする。素子側マザー透光性基板
及びカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック
等によって形成される。
【０１０６】
まず、図８の工程Ｐ１において、素子側マザー透光性基板の表面に、図４及び図５に示
す非線形抵抗素子としてのＴＦＤ素子３１、中継導電膜２５、及び配線としてのデータ線
１９を形成する。また同時に、素子側マザー透光性基板の表面に図２の配線４７を形成す
る。次に、工程Ｐ２において、第２絶縁膜である図５の層間絶縁膜２２を基板７ａ上の一
部に形成する。次に、工程Ｐ３において、図５の光反射膜２３を所定のドット形状に形成
する。次に、工程Ｐ４において、図５の画素電極２４を所定のドット形状に形成する。こ
の工程１から工程４までについての詳細は後述する。
【０１０７】
次に、工程Ｐ５において、図４の配向膜２６ａが、例えばポリイミドを印刷することに
よって形成される。次に、工程Ｐ６において、配向膜２６ａにラビング処理が施される。
以上により、素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素が形成されて大
面積の素子側マザー基板が形成される。
【０１０８】
次に、図８の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー透光性基板の表面上に、図
４の着色膜４１を形成し、同時に各色の着色膜４１を重ねることによって遮光膜４２を形
成する。遮光膜４２は、例えば、個々のサブ画素Ｄの周りを埋めるような格子状パターン
に形成される。着色膜４１については、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。これら
の着色膜４１は、例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフ
ォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１２において、図４
のオーバーコート層４３を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂
を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【０１０９】
次に、工程Ｐ１３において、図４の帯状電極４４をＩＴＯを材料としてフォトエッチン
グ処理によって形成し、さらに工程Ｐ１４において図４の配向膜２６ｂを形成し、さらに
工程Ｐ１５において、配向処理としてのラビング処理を行う。さらにその後、工程Ｐ１６
において、図１のシール材６が、例えばエポキシ系樹脂を印刷することによって長方形又
は正方形の環状に形成される。以上により、カラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカ
ラーフィルタ基板８の複数個分の要素が形成されて大面積のカラーフィルタ側マザー基板
が形成される。
【０１１０】
その後、図８の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板
とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個
々の液晶パネルの領域において図１のシール材６を挟んで貼り合わされた構造の大面積の
パネル構造体が形成される。
【０１１１】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材６を、工
程Ｐ２２において熱硬化または紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大
面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ２３において、そのパネル構造体を１次切
断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数個が１列に並んだ状態で含ま
れる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材６
には予めその適所に開口６ａが形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパ
ネル構造体が形成されると、その開口６ａが外部に露出する。
【０１１２】
次に、図８の工程Ｐ２４において、上記のシール材６の開口６ａを通して各液晶パネル
部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口６ａを樹脂によって封止する。
次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル
構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【０１１３】
次に、図８の工程Ｐ２６において、図１の基板張出し部４６の表面に駆動用ＩＣ５２を
実装し、さらに、図１の偏光板１８ａ及び１８ｂを液晶パネル２に接着する。そしてさら
に、工程Ｐ２７において、図１の照明装置３を液晶パネル２に取付ける。これにより、液
晶表示装置１が完成する。
【０１１４】
図９は、図８におけるＴＦＤ素子、配線及び中継導電膜を形成する工程Ｐ１の一実施形
態を示している。また、図１０は、図８において工程Ｐ１に続いて行われる層間絶縁膜を
形成する工程Ｐ２、光反射膜を形成する工程Ｐ３、及び画素電極を形成する形成工程Ｐ４
の各工程を示している。まず、図９を用いてＴＦＤ素子、配線及び中継導電膜の形成工程
を説明する。ＴＦＤ素子、配線及び中継導電膜の形成工程は、図５に示すＴＦＤ素子３１
であって、第２素子電極３４ａ，３４ｂをＭｏとＷを含んで成る合金であるＭｏＷによっ
て形成したものを製造するための工程である。また、データ線１９及び配線４７（図２参
照）をＭｏＷによって形成するための工程である。また、中継導電膜２５をＭｏＷによっ
て形成するための工程である。このＴＦＤ素子、配線及び中継導電膜の形成工程は、大き
く分けて、下地層形成工程Ｑ１、第１素子電極３２を形成する工程Ｑ２、絶縁層３３を形
成する工程Ｑ３、第２素子電極３４ａ，３４ｂ等を形成する工程Ｑ４から成っている。な
お、図５では、下地層形成工程によって形成される下地層の図示は省略されている。
【０１１５】
より具体的に説明すれば、まず、工程Ｐ３１において、Ｔａ２Ｏ５をスパッタ処理によ
って成膜して下地層を形成する。次に、工程Ｐ３２において、ＴａＷをスパッタ処理によ
って一様な厚さで成膜する。次に、工程Ｐ３３において、フォトエッチング処理により、
図５の第１素子電極３２を素子ごとに分割されていない一体の状態（以下、単に一体状態
という）に形成する。なお、エッチング後のレジスト剥離処理はＨ２ＳＯ４溶液を用いて
行われる。
【０１１６】
一体状態の第１素子電極３２とは、島状でない連続した状態の第１素子電極３２という
ことである。図５に示す第１素子電極３２は個々の画素電極２４に対して１つずつ島状に
独立している。図９の第１素子電極形成工程Ｑ２では、島状の第１素子電極３２をいきな
り形成するのではなく、複数の島状の第１素子電極３２が互いに連続する状態の第１素子
電極３２が形成される。このとき、互いに連続して線状に延びる第１素子電極３２が互い
に一体状態の第１素子電極３２ということである。
【０１１７】
次に、工程Ｐ３４において、クエン酸水溶液中で１０Ｖの電圧で陽極酸化処理を行って
、層厚約２００Åの図５に示す絶縁層３３を形成する。次に、工程Ｐ３５において、温度
３２０℃で第１回目のアニール処理、すなわちアニールＡを実行する。このアニールＡは
、絶縁層３３の膜質を整えるために行われる。次に、工程Ｐ３６において、Ｈ２ＳＯ４溶
液を用いて不要な部分の絶縁層３３及び第１素子電極３２を剥離して、島状の第１素子電
極３２及び絶縁層３３を形成する。
【０１１８】
ここで、本実施形態における島状に分離する工程Ｐ３６を理解するために、ＴＦＤ素子
の第２素子電極をＣｒによって形成するようにした従来のＴＦＤ素子の製造方法について
考える。図１１は、従来のＴＦＤ素子の一例を示している。図１１の従来方法は、図９の
実施形態と同様に、下地層形成工程Ｑ１、一体状態の第１素子電極形成工程Ｑ２、絶縁層
形成工程Ｑ３、第２素子電極形成工程Ｑ４によって構成される。従来の方法において、Ｔ
ａ２Ｏ５のスパッタ工程Ｐ５１からアニールＡ工程Ｐ５５までの処理は、図９の実施形態
と同様に行うことができる。
【０１１９】
図９の本実施形態では、絶縁層形成工程Ｑ３を実行した後、第２素子電極等形成工程Ｑ
４を実行する前に島状に分離する工程Ｐ３６を実行しているが、図１１の従来の方法では
、絶縁層等形成工程Ｑ３の後、さらに第２素子電極等形成工程Ｑ４を実行した後に、島状
に分離する工程Ｐ５８を行っている。この違いについて説明すれば次の通りである。すな
わち、本発明に係るＴＦＤ素子では第２素子電極をＣｒからＭｏＷに変更した。このＭｏ
ＷがＴＦＤ素子の第２素子電極として存在すると、島状に分離する工程Ｐ５８におけるＨ
２ＳＯ４を用いた剥離処理の際に第２素子電極であるＭｏＷが溶けて消失してしまうおそ
れがある。この現象を避けるため、本実施形態では、工程Ｐ３６〜Ｐ３８のように、Ｍｏ
Ｗを積層する前に島状に分離して、第１素子電極及び絶縁層の島状部分を形成するように
した。
【０１２０】
次に、図９の工程Ｐ３７において、第２素子電極３４ａ，３４ｂ、データ線１９、配線
４７及び中継導電膜２５の材料であるＭｏＷをスパッタ処理によって、例えば膜厚約０．
２μｍに形成する。次に、工程Ｐ３８において、ＭｏＷに対してフォトエッチング処理を
施すことにより、ＭｏＷを第２素子電極３４ａ，３４ｂ、データ線１９、配線４７及び中
継導電膜２５のための所定の形状にパターニングする。
【０１２１】
本実施形態において、図２のデータ線１９及び配線４７は、ＴＦＤ素子３１の第２素子
電極３４ａ，３４ｂ（図５参照）と同じ材料、すなわちＭｏＷによって形成している。こ
のＭｏＷは耐腐食性を有する合金である。従って、このＭｏＷを用いて形成したデータ線
１９及び配線４７は、耐腐食性を良好に維持できる。特に、ＭｏＷの全体量に対するＷの
含有量を増やせば、ＭｏＷの耐腐食性の向上、すなわちデータ線１９及び配線４７の耐腐
食性の向上が期待できる。
【０１２２】
上記のように、第２素子電極３４ａ，３４ｂ、データ線１９、配線４７及び中継導電膜
２５にＭｏＷを用いる際には、本発明者等が行った実験によれば、耐腐食性の向上が期待
できるＭｏＷにおけるＷの濃度は６０原子％までが限度であると考えられる。ＭｏＷの耐
腐食性を考えた場合、Ｗの濃度を６０原子％以上にしてもそれ以上の効果は望めないと考
えられる。一方、本発明者等が行った他の実験によれば、ＭｏＷのエッチング性はＭｏＷ
の全体量に対するＷの含有量が少ない方が良いことが分かった。以上のことから、ＭｏＷ
の耐腐食性とエッチング性との両方を維持することを考えれば、ＭｏＷにおけるＷの濃度
は６０原子％以下とすることが望ましい。
【０１２３】
この際、ＭｏＷのＷ濃度が３０原子％よりも低いと、配線４７の耐腐食性が、実用上十
分でないと考えられる。一方、ＭｏＷのＷ濃度が４０原子％を越えると、第２素子電極３
４ａ，３４ｂ、データ線１９、配線４７及び中継導電膜２５のエッチングに要する時間が
長くなり、ＴＦＤ素子や配線の量産に支障をきたす可能性がある。これらのことから、Ｍ
ｏＷのＷ濃度は、３０原子％≦Ｗ濃度≦４０原子％であることがより望ましい。こうすれ
ば、配線の耐腐蝕性を確保しつつ、速くて確実なエッチングを行うことができる。
【０１２４】
また、本発明者等の実験によれば、燐硝酢酸水溶液の硝酸濃度を２％にすれば、ＭｏＷ
に対して良好なエッチングができることが分かった。また、レジスト剥離は、Ｈ２ＳＯ４
溶液ではなくＭｏ系合金を溶かさない有機溶剤を用いる。
【０１２５】
次に、ＴＦＤ素子、配線及び中継導電膜の形成工程に続いて行われる層間絶縁膜、光反
射膜、電極の形成工程を、図１０を用いて説明する。層間絶縁膜、光反射膜、電極の形成
工程は、図５に示す層間絶縁膜２２を感光性樹脂によって製造するための工程である。ま
た、光反射膜２３をＡｌ合金によって形成するための工程である。また、画素電極２４を
ａ−ＩＴＯによって形成するための工程である。この層間絶縁膜、光反射膜、電極の形成
工程は、大きく分けて、層間絶縁膜２２を形成する工程Ｑ１１、酸化膜を除去する工程Ｑ
１２、光反射膜２３を形成する工程Ｑ１３、画素電極２４を形成する工程Ｑ１４から成っ
ている。
【０１２６】
より具体的に説明すれば、まず、工程Ｐ４１において、図５に示すように、基板７ａの
上にＴＦＤ素子３１、データ線１９及び中継導電膜２５を覆うように、層間絶縁膜２２の
材料、例えばポジ型レジストである感光性樹脂をスピンコート等によって一様な厚さに塗
布する。次に、工程Ｐ４２において、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によって所望
の形状に形成して層間絶縁膜２２を形成する。この層間絶縁膜２２は、ＴＦＤ素子３１か
ら延びる中継導電膜２５の一部が当該層間絶縁膜２２から露出するように形成される。ま
たこのとき、層間絶縁膜２２の表面に凹凸パターンが形成される。
【０１２７】
次に、工程Ｐ４３において、層間絶縁膜を焼成する。この焼成工程は層間絶縁層２２の
膜質を整えるために行われる。この焼成を行う際には、中継導電膜２５の一部、すなわち
コンタクト部２５ａが層間絶縁膜２２から露出しているので、コンタクト部２５ａの表面
が熱によって酸化し、不導体膜が形成されることがある。そこで、次の工程Ｐ４４におい
て、コンタクト部２５ａの表面を水を用いて洗浄することによって不導体膜を除去する。
本実施形態において、コンタクト部２５ａはＭｏＷによって形成されている。このＭｏＷ
の表面に形成される酸化不導体膜は水溶性であり、水を用いて洗浄することにより容易に
除去できる。なお、洗浄工程Ｐ４４において使用される水は純水が望ましい。また、この
洗浄工程Ｐ４４において使用される水は温水であることが望ましい。その温水の温度は室
温以上であることが望ましく、その温度は高いほど望ましい。
【０１２８】
次に、工程Ｐ４５において、図５の光反射膜２３の材料、例えばＡｌ合金であるＡｌＮ
ｄ（アルミニオブ）をスパッタ処理によって一様な厚さに成膜する。次に、工程Ｐ４６に
おいて、ＡｌＮｄの膜をフォトエッチング処理によって所定の形状の光反射膜２３を形成
する。光反射膜２３はサブ画素Ｄ（図４参照）の一部に形成され、残りの一部には形成さ
れない。光反射膜２３が形成された領域が反射表示領域Ｒとなり、光反射膜２３が形成さ
れない領域が透過表示領域Ｔとなる。
【０１２９】
次に、図１０の電極形成工程Ｑ１４において、図５のＴＦＤ素子３１の第２素子電極３
４ｂに繋がる中継導電膜２５のコンタクト部２５ａに接触するように、画素電極２４を形
成する。具体的には、工程Ｐ４７において、ａ（アモルファス）−ＩＴＯをスパッタ処理
によって一様な膜厚で形成する。例えば、Ａｒ（アルゴン）流量１００ＳＣＣＭ、Ｏ２流
量０．４ＳＣＣＭ、トータル圧力０．８パスカルの混入ガスの下、２３℃の室温で５００
Åのａ−ＩＴＯを成膜した。
【０１３０】
次に、工程Ｐ４８において、ａ−ＩＴＯの層膜に対してフォトエッチング処理を施すこ
とにより、ａ−ＩＴＯを希望する画素電極形状にパターニングする。このときのエッチン
グ処理は、エッチング液として蓚酸（（ＣＯＯＨ）２）、例えば関東化学社製のＩＴＯ―
０６Ｎを用いて、４０℃で４０秒間行った。
【０１３１】
なお、従来の方法では、王水系エッチング液（ＨＮＯ３：ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ＝１：１０：
１０）を用いてＩＴＯをエッチング処理した。本実施形態においてＩＴＯのためのエッチ
ング液として王水系エッチング液よりも弱い酸である蓚酸を用いたのは、ＴＦＤ素子の第
２素子電極を形成するＭｏＷが王水系エッチング液に耐えることができないが、蓚酸には
耐えることができるからである。ＩＴＯをアモルファス組成のａ−ＩＴＯとして成膜し、
これに蓚酸によるエッチングを行うことにより、ＭｏＷのパターンを維持しつつ、ＩＴＯ
のパターニングを可能にしている。レジスト剥離は、Ｈ２ＳＯ４溶液ではなくＩＴＯを溶
かさない有機溶剤を用いる。
【０１３２】
次に、図１０の工程Ｐ４９において、アニールＢを実行する。具体的には、２５０℃で
６０分のアニール処理を行う。なお、ＴＦＤ素子３１の素子特性を表すものとして、保持
特性を表す抵抗値Ｒ４及び書込み特性を表す抵抗値Ｒ１０がある。抵抗値Ｒ４は、ＴＦＤ
素子に保持電圧として４Ｖを印加したときの抵抗値であり、抵抗値Ｒ１０は、ＴＦＤ素子
に書込み電圧として１０Ｖを印加したときの抵抗値である。工程Ｐ４９のアニール処理を
行うにあたって、アニール温度条件及びアニール時間が変化すると、ＴＦＤ素子における
Ｒ４及びＲ１０が変化する。本実施形態において、図１０の工程Ｐ４９のアニールＣは、
ＴＦＤ素子３１の素子特性が
Ｒ４  ＝１×１０１２
Ｒ１０＝１×１０９
となることを目指して行われる。なお、工程Ｐ４９のアニールＢを行うことにより、ａ−
ＩＴＯは多結晶ＩＴＯになる。これにより、ＩＴＯの透明性が確保される。
【０１３３】
以上のように、本実施形態では、図８のＴＦＤ素子、配線、中継導電膜形成工程Ｐ１に
おいて、ＭｏＷを用いて図４の第２素子電極３４ａ，３４ｂ及び中継導電膜２５を形成し
た。層間絶縁膜２２を形成する工程Ｐ２において、図４の中継導電膜２５のコンタクト部
２５ａの表面が酸化することを抑えることができる。これにより、層間絶縁膜２２から露
出したコンタクト部２５ａと画素電極２４との間で良好な電気的コンタクトを得ることが
できる。
【０１３４】
（変形例）
以上の実施形態では、図９の第２素子電極等形成工程Ｑ４において、図４の第２素子電
極３４ａ，３４ｂ、中継導電膜２５、配線１９及び図２の配線４７をＭｏとＷを含んで成
る合金であるＭｏＷを用いて形成した。しかしながら、これらの第２素子電極３４ａ，３
４ｂ、中継導電膜２５、及び配線１９，４７は、ＭｏＷに代えてＭｏ単体によって形成す
ることもできるし、又はＭｏＷ以外のＭｏ合金によって形成することもできる。
【０１３５】
また、以上の実施形態では、図９の第２素子電極等形成工程Ｑ４において、図４の配線
１９、中継導電膜２５及び図２の配線４７と同じく図４の第２素子電極３４ｂをＭｏＷで
形成した。しかしながら、第２素子電極３４ｂは必ずしもＭｏＷで形成しなくても良い。
すなわち、第２素子電極３４ｂと配線１９、中継導電膜２５及び図２の配線４７とは別の
工程において形成してもよい。少なくとも、図４の中継導電膜２５、図６の中継導電膜５
５、図７の中継導電膜６５がＭｏＷによって形成されていれば、画素電極２４と第２素子
電極３４ｂとの間で良好なコンタクトを得ることができる。
【０１３６】
また、以上の実施形態では、液晶表示装置を製造する場合を例に挙げて本発明に係る電
気光学装置の製造方法を説明したが、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例え
ば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等を製造する場合にも適用できる。
【０１３７】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発
明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【０１３８】
図１２は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、
液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１００とを有する。制御回路１００は、
表示情報出力源１０４、表示情報処理回路１０５、電源回路１０６及びタイミングジェネ
レータ１０７によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０２及び
駆動回路１０３を有する。
【０１３９】
表示情報出力源１０４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種デ
ィスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等
を備え、タイミングジェネレータ１０７により生成される各種のクロック信号に基づいて
、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０５に供給する
。
【０１４０】
次に、表示情報処理回路１０５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ
補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を
実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０３へ供給する。ここで、駆
動回路１０３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したもの
である。また、電源回路１０６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１４１】
液晶表示装置１０１は、例えば、図２に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図
２の液晶表示装置１では、図４においてＴＦＤ素子３１の第２素子電極３４ａ，３４ｂを
ＭｏＷによって形成しているので、画素電極２４と第２素子電極３４ｂとの間で良好なコ
ンタクトを得ることができ、安定した表示を行うことができる。従って、本発明に係る液
晶表示装置を用いた電子機器においても、安定した表示を行うことができる。
【０１４２】
図１３は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここ
に示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１
２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３
は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２に
おいて表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列さ
れている。
【０１４３】
表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部
１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。
また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内
蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制
御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１
２の内部に格納される。
【０１４４】
表示装置１１３は、例えば、図２に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図２の
液晶表示装置１では、図４においてＴＦＤ素子３１の第２素子電極３４ａ，３４ｂをＭｏ
Ｗによって形成しているので、画素電極２４と第２素子電極３４ｂとの間で良好なコンタ
クトを得ることができ、安定した表示を行うことができる。従って、本発明に係る液晶表
示装置を用いた電子機器においても、安定した表示を行うことができる。
【０１４５】
（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュ
ータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【実施例１】
【０１４６】
次の条件でエッチング処理を行った。
（１）（ａ）Ｗ濃度が０％のＭｏ単体、（ｂ）Ｗ濃度が５原子％のＭｏＷ、（ｃ）Ｗ濃
度が１０原子％のＭｏＷ、（ｄ）Ｗ濃度が２０原子％のＭｏＷ、及び（ｅ）Ｗ濃度が３５
原子％のＭｏＷの５種類の金属によって図５のＴＦＤ素子３１の第２素子電極３４ａ，３
４ｂを、いずれも膜厚２０００Åで形成した。
（２）ＭｏＷのエッチング液として、（ａ）従来から用いられていた燐硝酢酸水溶液（
硝酸濃度１％）、（ｂ）燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度２％）、（ｃ）燐硝酢酸水溶液（硝酸
濃度３％）の３種類を液温４０℃及び液温５０℃で用いた。
（３）２ｃｍ×１ｃｍのＭｏＷをビーカーに入れ、揺動なしでビーカー内でエッチング
を行い、ジャストエッチング、すなわち希望のエッチング量が得られたこと、を目視で確
認した。
【０１４７】
その結果、図１５及び図１６に示す結果を得た。図１５は、上記（２）のエッチング液
の液温を４０℃にしたときであって、ＭｏＷをサンプルとしたときのジャストエッチング
時間を、Ｗの含有率ごとに示した棒グラフである。また、図１６は、上記（２）のエッチ
ング液の液温を５０℃にしたときであって、ＭｏＷをサンプルとしたときのジャストエッ
チング時間を、Ｗの含有率ごとに示した棒グラフである。
【０１４８】
以上の実験結果から次のことが分かった。
（１）Ｗ濃度が高くなるとエッチングしづらくなるが、エッチング液の硝酸濃度を上げる
ことでエッチング時間を速めることができる。特に、Ｗ濃度の低い領域でその効果が大き
い。
（２）Ｗ濃度が高くなるにつれ、硝酸濃度に対するエッチング時間の長さが逆傾向になる
。
（３）２０００ÅのＭｏＷにおいて、エッチング時間を考慮した量産適応可能なＷ濃度は
３５原子％以下、望ましくは２０％以下であった。
（４）ＭｏＷは、燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度１％）ではエッチングしづらいが、硝酸濃度
を２〜３％にすることでエッチングレートを上げる、すなわちエッチング時間を速くする
、ことができる。
（５）２０００Å、燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度２％）、液温５０℃の条件で、Ｗ濃度３５
％までのエッチング時間は３９１秒であり、液晶表示装置の製造過程において実用上適用
可能な範囲であると考えられる。
【実施例２】
【０１４９】
次の条件でＭｏＷの電蝕に関する実験を行った。
（１）図１７に示すように、純水中において、Ｌ１×Ｌ２＝３０μｍ×５０μｍの寸法を
有した２つの電極を、距離Ｔ＝１０μｍ離した位置に対峙させた。
（２）使用する電極は、（ａ）Ｗ濃度が０％のＭｏ単体、（ｂ）Ｗ濃度が５原子％のＭｏ
Ｗ、（ｃ）Ｗ濃度が１０原子％のＭｏＷ、（ｄ）Ｗ濃度が２０原子％のＭｏＷ、及び（ｅ
）Ｗ濃度が３５原子％のＭｏＷの５種類の金属を用いて形成した。
（３）（ａ）〜（ｅ）の５種類の電極に関して、対峙させた電極間に電圧を印加し、その
ときの最大貫通電流（すなわち、反応電流）を計測した。
【０１５０】
その結果、図１８に示す結果を得た。図１８は、電極のＷ濃度と、両電極間に電圧を印
加したときに流れる電流値との関係を近似的に表している。実線は、実際に計測を行った
結果を示し、破線は、電極のＷ濃度を上げた場合の結果を予測した外挿線を示している。
【０１５１】
以上の実験結果から次のことが分かった。
（１）電極のＷ濃度が上がると共に、反応電流が減少した。つまり、ＭｏＷはＷ濃度を上
げることで腐蝕し難くなることが分かった。
（２）図１８において破線で示すように、電極の腐蝕が進行しないＷ濃度は、６０原子％
以上であると推測される。
（３）耐腐食性とエッチング性の両方を維持することを考えた場合、ＭｏＷのＷ濃度は６
０原子％以下であることが望ましい。
（４）実施例１の結果を考慮すれば、実用上における電極の耐腐食性と、実用上における
電極のエッチング性の両方を維持することを考えた場合、ＭｏＷのＷ濃度は３０原子％≦
Ｗ濃度≦４０原子％とすることがより望ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図１のＺ１−Ｚ１線に従った断面図である。
【図３】図１の画素部分を拡大して示す平面図である。
【図４】図３のＺ２−Ｚ２線に従った断面、すなわち図２の矢印Ｂで示す部分を拡大して示す断面図である。
【図５】図１の装置で用いるＴＦＤ素子の一例を示す斜視図である。
【図６】本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の要部を示す平面図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部を示す平面図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図９】図８の主要工程の内容を示す工程図である。
【図１０】図８の他の主要工程の内容を示す工程図である。
【図１１】図９に対応する従来の工程を示す工程図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【図１４】ＴＦＤ素子の素子特性を示すグラフである。
【図１５】ＭｏＷに関して行った実験の結果を示すグラフである。
【図１６】ＭｏＷに関して行った実験の他の結果を示すグラフである。
【図１７】ＭｏＷに関して行った実験で用いた装置を示す模式図である。
【図１８】図１７の装置を用いて行った実験の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１５３】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル（電気光学パネル）、  
３．照明装置、  ４．ＦＰＣ基板、  ６．シール材、  ６ａ．液晶注入口、
７．素子基板、  ７ａ．第１透光性基板、  ８．カラーフィルタ基板、  
８ａ．第２透光性基板、  １２．液晶層、  １３．ＬＥＤ、  １４．導光体、
１６．光反射層、  １７．光拡散層、  １８ａ，１８ｂ．偏光板、  
１９．データ線（配線）、  ２２．層間絶縁膜（第２絶縁膜）、  ２３．光反射膜、
２４．画素電極、  ２５，５５，６５．中継導電膜、
２５ａ，５５ａ，６５ａ．コンタクト部、  ２５ｂ，５５ｂ，６５ｂ．コネクト部、  
２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ３１．ＴＦＤ素子（非線形抵抗素子）、  
３１ａ．第１ＴＦＤ要素、  ３１ｂ．第２ＴＦＤ要素、  ３２．第１素子電極、  
３３．絶縁膜（第１絶縁膜）、  ３４ａ，３４ｂ．第２素子電極、  ４１．着色膜、  
４２．遮光膜、  ４３．オーバーコート層、  ４４．共通電極、  ４６．張出し部、  
４７．配線、  ４８．外部接続用端子、  ４９．導通材、  ５１．ＡＣＦ、  
５２．駆動用ＩＣ、  ５４．走査線、  ６６．コンタクトホール、  １００．制御回路、
１０１．液晶表示装置（電気光学装置）、  １０２．液晶パネル（電気光学パネル）、
１０３．駆動回路、  １１０．携帯電話機（電子機器）、  １１１．本体部、
１１２．表示体部、  １１３．表示装置、  Ｇ．セルギャップ、  Ｌ０．外部光、  
Ｌ１．透過光、  Ｒ．反射表示領域、  Ｔ．透過表示領域
【図１】
2007108554.tif 000003
【図２】
2007108554.tif 000004
【図３】
2007108554.tif 000005
【図４】
2007108554.tif 000006
【図５】
2007108554.tif 000007
【図６】
2007108554.tif 000008
【図７】
2007108554.tif 000009
【図８】
2007108554.tif 000010
【図９】
2007108554.tif 000011
【図１０】
2007108554.tif 000012
【図１１】
2007108554.tif 000013
【図１２】
2007108554.tif 000014
【図１３】
2007108554.tif 000015
【図１４】
2007108554.tif 000016
【図１５】
2007108554.tif 000017
【図１６】
2007108554.tif 000018
【図１７】
2007108554.tif 000019
【図１８】
2007108554.tif 000020