(57)【要約】【課題】  液晶装置の応答時間のうち特に立下り応答時間を短縮することにより高速応答を実現した液晶装置を提供する。【解決手段】  本発明の液晶装置１００は、液晶を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板の前記液晶側に配置された第１電極９及び第２電極１９と、前記第２基板の前記液晶側に配置された第３電極２２とを備え、前記第１電極９及び前記第２電極１９と前記第３電極２２との間に生じる縦電界によって前記液晶の立ち上がり応答期間における配向状態が制御され、前記第１電極９と前記第２電極１９との間に生じる横電界によって前記液晶の立ち下がり応答期間における配向状態が制御されることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、
前記第１基板の前記液晶側に配置された第１電極及び第２電極と、
前記第２基板の前記液晶側に配置された第３電極とを備え、
前記第１電極及び前記第２電極と前記第３電極との間に生じる縦電界によって前記液晶の立ち上がり応答期間における配向状態が制御され、前記第１電極と前記第２電極との間に生じる横電界によって前記液晶の立ち下がり応答期間における配向状態が制御されることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記液晶の立ち下がり応答期間の初期段階において、前記第１電極と前記第２電極との間に、階調変化よりも大きな電圧変化量に相当する電圧が印加されることを特徴とすることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記液晶の立ち上がり応答期間の初期段階において、前記第１電極と前記第３電極との間及び前記第２電極と前記第３電極との間に、階調変化よりも大きな電圧変化量に相当する電圧が印加されることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶装置。
【請求項４】
前記液晶の立ち上がり応答期間において、前記第１電極と前記第２電極とが同じ電位に制御されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１基板及び前記第２基板の前記液晶側の面に、前記液晶を前記基板に対して垂直に配向させる配向膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかの項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、液晶分子の電圧印加に対する配向状態の変化（透過光量の変化）により表示を行なう。従来、液晶装置はブラウン管よりも透過率変化の応答時間が遅いといわれており、この問題を解決するために駆動電圧においてオーバードライブ駆動を適用することが検討されている（例えば特許文献１〜４を参照）。また特許文献５では、共通電極と画素電極以外に第３の電極を同一基板上に形成し、電圧信号の印加初期においてオーバードライブ電圧を第３の電極に印加することにより、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式でのオーバードライブ駆動を実現している。
【特許文献１】特開２００４−１３３１５９号公報
【特許文献２】特開２００４−７８１２９号公報
【特許文献３】特開２００４−２３３９４９号公報
【特許文献４】特開２００４−２４６３１２号公報
【特許文献５】特開２００３−９１０１４号公報
【特許文献６】特開２００４−３５４４０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１〜５に示した従来のオーバードライブ駆動は、いずれも液晶分子の電圧印加強度の変化に伴う立ち上がり応答を改善するものであり、電圧無印加状態における液晶分子の緩和過程（配向膜のアンカリングによる緩和過程）である立ち下がり応答に関しては何ら寄与するものではない。すなわち、液晶分子の立ち下がり応答に関しては、配向膜の極角、方位角方向でのアンカリング、および液晶材料の弾性定数等、材料特性のみに依存しており、上記のオーバードライブ駆動では改善することができなかった。このため、応答時間全体として見た場合には、オーバードライブ駆動による応答時間の高速化は必ずしも十分とはいえなかった。
【０００４】
一方、特許文献６には、ＩＰＳ方式の擬似インパルス駆動において立ち下がり応答時間を短縮する方法が開示されている。この方法では、通常の共通電極及び画素電極以外に対向基板上にも電極を形成し、画像非表示期間（黒表示期間）の初期段階で該電極に電圧を印加して縦電界を発生させることにより、液晶分子を基板に垂直に配向させている。この場合、液晶分子が垂直に配向した状態は黒表示であるため、立下り時間は見かけ上短縮されることになる。しかしながら、この方法では、本来液晶分子が配向すべき方向（水平方向）とは異なる方向（垂直方向）に液晶分子を配向させるため、中間調を表示する場合に階調の乱れを生じる場合がある。また、液晶分子をいったん基板に垂直な方向に配向させてから再び基板に水平な方向に配向し直す必要があるため、その間の動作が無駄になり、応答時間はそれ程短縮されない。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液晶装置の応答時間のうち特に立下り応答時間を短縮することにより高速応答を実現した液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、液晶を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板の前記液晶側に配置された第１電極及び第２電極と、前記第２基板の前記液晶側に配置された第３電極とを備え、前記第１電極及び前記第２電極と前記第３電極との間に生じる縦電界によって前記液晶の立ち上がり応答期間における配向状態が制御され、前記第１電極と前記第２電極との間に生じる横電界によって前記液晶の立ち下がり応答期間における配向状態が制御されることを特徴とする。
この構成によれば、液晶の立ち下がり応答期間における配向状態の変化が横電界の配向力によって加速されるため、主に立ち上がり応答に使用する電界による配向規制力を除いた液晶の配向緩和のみによって配向変化を従来の液晶装置に比べて、立ち下がりに要する応答時間を大幅に短縮することができる。
【０００７】
本発明においては、前記液晶の立ち下がり応答期間の初期段階において、前記第１電極と前記第２電極との間に、階調変化よりも大きな電圧変化量に相当する電圧が印加されるものとすることができる。
この構成によれば、液晶の立ち下がり応答時間をより短縮することができる。
【０００８】
本発明においては、前記液晶の立ち上がり応答期間の初期段階において、前記第１電極と前記第３電極との間及び前記第２電極と前記第３電極との間に、階調変化よりも大きな電圧変化量に相当する電圧が印加されるものとすることができる。
この構成によれば、液晶の立ち上がり応答時間を短縮することができる。
【０００９】
本発明においては、前記液晶の立ち上がり応答期間において、前記第１電極と前記第２電極とが同じ電位に制御されるものとすることができる。
この構成によれば、第１電極と第２電極との間に横電界が生じないので、立ち上がり応答期間における液晶の配向変化が当該横電界によって阻害されることはない。このため、液晶の立ち上がり応答時間の短縮化が可能である。
【００１０】
本発明においては、前記第１基板及び前記第２基板の前記液晶側の面に、前記液晶を前記基板に対して垂直に配向させる配向膜が設けられているものとすることができる。
電界無印加状態では、水平配向よりも黒透過率が低い状態で済む垂直配向とする方が好ましい。こうすることで、黒表示時の光学補償が不要になるので、低コストで液晶装置を提供することが可能となる。
【００１１】
本発明の電子機器は、前述した本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、動画像を表示する場合にも残像を生じない高品質な表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせている。
【００１３】
［液晶装置の構成］
図１は、本実施形態の液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素のうちの１画素を示す平面模式図であり、図２は、図１のＡ−Ａ'線に沿う部分断面図である。なお、本実施形態では、液晶に対して基板垂直方向の電界（縦電界）を生じさせて配向を制御することにより画像表示を行う縦電界方式のうち、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置を例に挙げて説明する。
【００１４】
図１に示すように、液晶装置１００の１画素内には、平面視略櫛歯状を成してＹ軸方向に延在する一対の電極９，１９からなる画素電極が設けられている。第１電極９は、Ｘ軸方向に延びる複数本（図示では６本）の帯状電極９ａと、これら複数の帯状電極９ａの図示左側（―Ｘ側）の各端部に接続されてＹ軸方向に延在する基端部９ｂとを有している。第２電極１９は、画素電極９の帯状電極９ａと交互に配置されて帯状電極９ａと平行（Ｘ軸方向）に延びる複数本（図示では６本）の帯状電極１９ａと、これら複数の帯状電極１９ａの図示右側（＋Ｘ側）の各端部に接続されてＹ軸方向に延在する基端部１９ｂとを有している。帯状電極９ａと帯状電極１９ａとは互いに噛み合うように一定の間隔で配置されている。
【００１５】
また、図１に示す画素領域には、Ｙ軸方向に延びる第１データ線６と、第１データ線６と反対側の画素領域の辺縁部で第１データ線６と平行に延びる第２データ線７と、Ｘ軸方向に延びる第１走査線３と、第１走査線３と反対側の画素領域の辺縁部で第１走査線３と平行に延びる第２走査線４とが設けられている。
【００１６】
第１データ線６と第１走査線３との交差部の近傍には、第１電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子である第１ＴＦＴ（第１スイッチング素子）３０が設けられている。第１ＴＦＴ３０は、第１走査線３からＹ軸方向に分岐して形成したゲート電極３３と、アモルファスシリコンからなる半導体層３５と、半導体層３５とゲート電極３３の平面領域内において一部平面的に重なって形成されたソース電極３１及びドレイン電極３２と、を備えている。ソース電極３１は、第１データ線６からＸ軸方向に分岐して形成されており、ソース電極３１とドレイン電極３２とは同一層内に形成されている。ドレイン電極３２は図示略のコンタクトホールを介して第１電極９と電気的に接続されている。
【００１７】
第２データ線７と第２走査線４との交差部の近傍には、第２電極１９への通電制御を行うためのスイッチング素子である第２ＴＦＴ（第２スイッチング素子）４０が設けられている。第２ＴＦＴ４０は、第２走査線４からＹ軸方向に分岐して形成したゲート電極４３と、アモルファスシリコンからなる半導体層４５と、半導体層４５とゲート電極４３の平面領域内において一部平面的に重なって形成されたソース電極４１及びドレイン電極４２と、を備えている。ソース電極４１は、第２データ線７からＸ軸方向に分岐して形成されており、ソース電極４１とドレイン電極４２とは同一層内に形成されている。ドレイン電極４２は図示略のコンタクトホールを介して第２電極１９と電気的に接続されている。
【００１８】
図１に示す画素領域では、第１電極９と第２電極１９に対する信号の供給が、それぞれ第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ４０を介して独立に行なえるようになっている。すなわち、Ｘ軸方向に延びる複数の帯状電極９ａと、これらの帯状電極９ａの間に配置された複数の帯状電極１９ａとの間に電圧を印加することで、当該画素領域の液晶にＸＹ面方向（基板平面方向）の電界を印加して駆動することが可能となっている。また、液晶層５０（図２参照）を挟んで画素電極９，１９と対向する平面領域内には、共通電極（第３電極）２２が設けられており、これら画素電極９，１９と共通電極２２との間に電圧を印加することで、当該画素領域の液晶にＺ方向（基板垂直方向）の電界を印加して駆動することが可能となっている。すなわち、液晶装置１００においては、基板平面方向から基板垂直方向への配向状態の変化と、基板垂直方向から基板水平方向への配向状態の変化とを、共に電界によって制御することが可能となっている。
【００１９】
次に、図２に示す断面構造をみると、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と対向基板（第２基板）２０との間に、誘電異方性が正の液晶からなる液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の外面側（液晶層５０と反対側）には、それぞれ偏光板１４，２４が配設されている。
【００２０】
ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には走査線３，４が形成され、走査線３，４を覆って酸化シリコン等の透明絶縁膜からなるゲート絶縁膜１１が形成されている。
【００２１】
ゲート絶縁膜１１上には、アモルファスシリコンの半導体層３５，４５が形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して第１走査線３と対向配置されており、当該対向領域で第１走査線３が第１ＴＦＴ３０のゲート電極３３を構成するようになっている。また、半導体層４５は、ゲート絶縁膜１１を介して第２走査線４と対向配置されており、当該対向領域で第２走査線４が第２ＴＦＴ４０のゲート電極４３を構成するようになっている。
【００２２】
ゲート絶縁膜１１上には、半導体層３５，４５を覆って酸化シリコン等からなる第１層間絶縁膜１２が形成されており、第２層間絶縁膜１２上には、ソース電極３１，４１及びドレイン電極３２，４２が形成されている。ソース電極３１、ソース電極４１は、それぞれ第１データ線６、第２データ線７と一体に形成されている。ソース電極３１、ドレイン電極３２は、第１層間絶縁膜１２に形成したコンタクトホールを介して、それぞれ半導体層３５のソース領域、ドレイン領域と電気的に接続されている。また、ソース電極４１、ドレイン電極４２は、第１層間絶縁膜１２に形成したコンタクトホールを介して、それぞれ半導体層４５のソース領域、ドレイン領域と電気的に接続されている。
【００２３】
層間絶縁膜１２上には、ソース電極３１，４１及びドレイン電極３２，４２を覆って酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されており、第２層間絶縁膜１３上には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９，１９が形成されている。第１電極９、第２電極１９は、第２層間絶縁膜１３に形成したコンタクトホールを介して、それぞれドレイン電極３２、ドレイン電極４２と電気的に接続されている。また、第１電極９、第２電極１９は、帯状電極９ａ、帯状電極１９ａをそれぞれ有しており、これらが一定の間隔でＹ軸方向に交互に配列されている。更に、第２層間絶縁膜１３上には、第１電極９及び第２電極１９を覆ってポリイミド又はＳｉＯ２等からなる配向膜１８が形成されている。
【００２４】
一方、対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体２０Ａを基体としてなり、基板本体２０Ａの内面側（液晶層５０側）には、共通電極２２が形成されている。共通電極２２は、全ての画素の画素電極９，１９に共通の共通電極である。画素電極９，１９と共通電極２２との間に電圧を印加することで、基板垂直方向（Ｚ方向）に電界（縦電界）を印加できるようになっており、これにより、液晶の立ち上がり応答期間における配向状態を制御するようになっている。基板本体２０Ａ上には、このような共通電極２２を覆ってポリイミド又はＳｉＯ２等からなる配向膜２８が形成されている。
【００２５】
配向膜１８及び配向膜２８は、膜面に対して液晶を垂直に配向させる垂直配向膜である。これらの配向膜１８，２８には、ラビング処理等の配向処理は施されていない。帯状電極９ａと帯状電極１９ａとの間に横電界を発生させたときに、それによって生じる配向で液晶の方位方向が決定されるからである。
【００２６】
偏光板１４及び偏光板２４の光透過軸は互いに直交するように配置されている。図３に示すように、これらの透過軸はそれぞれ、電圧無印加状態における液晶装置１００の光透過率が０％、電圧印加時における液晶装置の光透過率が１００％となるように、帯状電極９ａ，１９ａの配列方向（すなわち液晶分子の配向される方向）に対して４５°をなす方向に配置されている。
【００２７】
図４は、液晶装置１００の１画素内における各種素子、配線等の等価回路図である。
液晶装置１００の各々の画素には、２つのＴＦＴ３０，４０が形成されている。第１ＴＦＴ３０のゲート電極３３、第２ＴＦＴ４０のゲート電極４３は、それぞれ第１走査線３、第２走査線４と電気的に接続されており、各走査線３，４は互いに電気的に接続されて図示略の走査線駆動回路に接続されている。第１ＴＦＴ３０のソース電極３１、第２ＴＦＴ４０のソース電極４１は、それぞれ第１データ線６、第２データ線７と電気的に接続されており、各データ線６，７はそれぞれ図示略の別々のデータ線駆動回路に接続されている。第１ＴＦＴ３０のドレイン電極３２、第２ＴＦＴ４０のドレイン電極４２は、それぞれ第１電極９、第２電極１９と電気的に接続されており、これら第１電極９及び第２電極１９の間に液晶容量５５が接続されている。また、第１電極９及び第２電極１９には、それぞれ液晶容量５５を介して共通電極２２が電気的に接続されており、共通電極２２は図示略の共通電極駆動回路に接続されている。
【００２８】
［液晶装置の駆動方法］
次に、図５及び図６を用いて、液晶装置１００の駆動方法について説明する。
図５は液晶の駆動波形の一例を示す図であり、図５(ａ)、図５（ｂ）はそれぞれ液晶の立ち上がり応答期間、立ち下がり応答期間における電圧波形を示す図である。ｔは時間、Ｖ１は第１電極９と共通電極２２との間の電圧の大きさ、Ｖ２は第２電極１９と共通電極２２との間の電圧の大きさ、Ｔは液晶装置１００の光透過率の時間変化、をそれぞれ示している。また、電圧波形は、１フレーム期間の電圧波形を示している。
【００２９】
立ち上がりの場合は第１電極９および第２電極１９と共通電極２２の間に図５(ａ)に示す電圧を印加し、立ち下がりの場合は図５（ｂ）に示すような電圧を印加する。立ち下がりの場合は、共通電極２２と第１電極９との間の電界強度及び共通電極２２と第２電極１９との間の電界強度が、それぞれ第１電極９と第２電極１９との間の電界強度よりも小さくなるように設定する。図６は当該電圧による液晶の配向状態を示す模式図であり、図６（ａ）は液晶の立ち下がり応答期間における配向状態を示す模式図であり、図６（ｂ）は液晶の立ち下がり応答過程における配向状態を示す模式図である。
【００３０】
図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、液晶の立ち上がり応答過程においては、１フレーム期間内の初期段階（ｔ０≦ｔ≦ｔａ）において、第１電極９と共通電極２２との間、及び第２電極１９と共通電極２２との間に、それぞれ階調変化よりも大きな電圧変化量に相当する電圧Ｖａ（オーバードライブ電圧）を印加し、基板垂直方向に液晶分子Ｌを急峻に立ち上がらせる。そして、このオーバードライブ電圧Ｖａによって目的とする配向状態に近い状態が得られたら、第１電極９と共通電極２２との間、及び第２電極１９と共通電極２２との間に、それぞれ階調変化に対応した電圧変化量に相当する電圧Ｖｂを印加し、目的の配向状態で液晶分子Ｌを安定させる。この液晶の立ち上がり応答過程においては、第１電極９と第２電極１９とは同じ電位に制御され、第１電極９と第２電極１９との間に不要な横電界が発生しないものとされる。
【００３１】
このような駆動を行なうと、液晶装置１００の光透過率Ｔは、オーバードライブ電圧を加えなかった場合に比べて急峻な変化を示すようになる。また、第１電極９と第２電極１９との間に横電界が発生しないので、基板水平方向に不要な配向規制力が生じることがなく、画素全体でスムーズな配向変化が実現される。
【００３２】
次に、図５（ｂ）及び図６（ｂ）に示すように、液晶の立ち下がり応答過程においては、１フレーム期間内の初期段階（ｔ０≦ｔ≦ｔｃ）において、第１電極９と共通電極２２との間、及び第２電極１９と共通電極２２との間に、それぞれ階調変化よりも大きな電圧変化量に相当する電圧を印加する。図５（ｂ）では、第１電極９と第２電極１９との間に、目的とする階調変化よりも大きな階調変化を生じさせるような電圧Ｖｃ＋Ｖｅが印加されており、これにより、液晶分子Ｌを第１電極９と第２電極１９との間に発生する電界に対して速やかに平行に（すなわち基板に対してほぼ平行に）配向させることができるようになっている。
【００３３】
また、図５（ｂ）では、第１電極９と共通電極２２との間、及び第２電極１９と共通電極２２との間には、それぞれＶｃ−Ｖｃｏｍ、Ｖｃｏｍ−Ｖｅの電圧が印加されるが、これらによって生じる電界（縦電界）は、第１電極と第２電極との間に生じる電界（横電界）よりも相対的に小さい電界とされており、これにより、さらに液晶の立ち下がり時間を短縮化できるようになっている。
【００３４】
基板水平方向の過電圧印加により液晶の配向が急速に変化したら、第１電極９と第２電極１９との間に、階調変化に対応した電圧変化量に相当する電圧Ｖｄ＋Ｖｆを印加し、所定の配向状態で液晶を安定化させる。
【００３５】
このような駆動を行なうと、液晶装置１００の光透過率Ｔは、基板水平方向にオーバードライブ電圧を加えなかった場合に比べて急峻な変化を示し、立ち下がり応答過程においても見かけ上の駆動速度が向上する。
【００３６】
以上のように本実施形態の液晶装置１００においては、液晶の立ち下がり応答期間における配向状態の変化が横電界の配向力によって加速されるため、液晶の緩和過程のみによって配向変化を実現する従来の液晶装置に比べて、立ち下がりに要する応答時間を大幅に短縮することができる。
【００３７】
なお、本実施形態ではＥＣＢ方式の液晶装置を例に挙げたが、本発明の液晶装置は必ずしもＥＣＢ方式に限定されるものではなく、液晶に対して基板垂直方向の電界（縦電界）を生じさせて立ち上がり応答時の配向を制御する縦電界方式の液晶装置であれば、本発明を広く適用することが可能である。
【００３８】
［電子機器］
次に、上述の液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図７は、本発明に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視構成図であり、この携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
【００３９】
上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、画像の切り換え速度が速く、動画を表示した場合でも残像を生じない高品質な画像表示が可能である。
【００４０】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】液晶装置の１画素の構成を示す平面模式図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′線に沿う断面模式図である。
【図３】１画素内における各種素子、配線等の等価回路を示す図である。
【図４】画素電極の配置と偏光板の透過軸との組み合わせを示す平面図である。
【図５】（ａ）は、液晶の立ち上がり応答過程における駆動方法を説明するための図であり、（ｂ）は、液晶の立ち下がり応答過程における駆動方法を説明するための図である。
【図６】（ａ）は、液晶の立ち上がり応答過程における液晶分子の挙動と印加される電界との関係を説明する説明図であり、（ｂ）は、液晶の立ち下がり応答過程における液晶分子の挙動と印加される電界との関係を説明する説明図である。
【図７】電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４２】
９…第１電極、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、１９…第２電極、２０…対向基板（第２基板）、２２…共通電極（第３電極）、５０…液晶層、１００…液晶装置、１３００…携帯電話（電子機器）、Ｅ１…縦電界、Ｅ２…横電界、Ｌ…液晶分子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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