(57)【要約】【課題】現像により樹脂層が除去されて形成された光反射膜の露出領域において、光反射率を測定することにより、現像液の交換時期を適切に判断して、樹脂層の現像不良の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法を提供する。【解決手段】基板上に樹脂膜を備えた電気光学装置の製造方法において、基板上に光反射膜を形成するための光反射膜形成工程と、光反射膜上に重なるように感光性樹脂材料を塗布して樹脂層を形成する塗布工程と、樹脂層に対して、パターン露光をする露光工程と、樹脂層に対して、現像液を適用して所定形状の樹脂膜を形成し、少なくとも光反射膜の一部を露出させる現像工程と、を含み、更に、光反射膜が露出した領域における光反射率を測定するための光反射率測定工程を含む。【選択図】  図１
2007101985.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学装置の製造方法において、
基板上に光反射膜を形成するための光反射膜形成工程と、
前記光反射膜上に重なるように感光性樹脂材料を塗布して樹脂層を形成する塗布工程と、
前記樹脂層に対して、パターン露光をする露光工程と、
前記樹脂層に対して、現像液を適用して所定形状の樹脂膜を形成し、少なくとも前記光反射膜の一部を露出させる現像工程と、を含み、
更に、少なくとも前記光反射膜が露出した一部の領域における光反射率を測定するための光反射率測定工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂層における吸収波長が可視光領域にある場合に、前記光反射率を測定するための入射光を可視光とすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記光反射率を測定するための入射光スポットの円相当径を１〜１００（μｍ）の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記光反射率測定を、前記基板面内の複数箇所で実施することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記現像工程の後に、前記樹脂膜を焼成する焼成工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記現像工程の後に、表面上に残留した水分を除去するためのブロー工程を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記現像工程の後に、前記樹脂膜の寸法を測定するための寸法測定工程を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記光反射率測定工程で得られた測定結果に基づいて、前記現像液の所定状態を検査するための検査工程を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記検査工程において、前記光反射率が９０％未満の値となった場合に、前記現像液を交換することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
電気光学装置の検査方法において、
基板上に光反射膜を形成するための光反射膜形成工程と、
前記光反射膜上に重なるように感光性樹脂材料を塗布して樹脂層を形成する塗布工程と、
前記樹脂層に対して、パターン露光をする露光工程と、
前記樹脂層に対して、現像液を適用して所定形状の樹脂膜を形成し、少なくとも前記光反射膜の一部を露出させる現像工程と、
少なくとも前記光反射膜が露出した一部の領域における光反射率を測定するための光反射率測定工程と、を含み、
更に、前記光反射率測定工程で得られた測定結果に基づいて、前記現像液の所定状態を検査するための検査工程を含むとともに、前記光反射率が９０％未満の値となった場合に、前記現像液を交換することを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項１１】
電気光学装置用基板における光反射膜が露出した領域の光反射率を測定するための検査装置であって、
前記電気光学装置用基板と入射光との相対位置をアライメントするためのアライメント手段と、
前記入射光のスポット径を調整するための調整手段と、
前記入射光と、前記光反射膜からの反射光と、をそれぞれ検出するための検出手段と、
前記検出手段から得られた結果を演算する演算手段と、
前記演算手段から得られた結果を表示する表示手段と、を含むことを特徴とする検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法、及び検査装置に関する。
特に、現像により樹脂層が除去されて形成された光反射膜の露出領域において、光反射率を測定することにより、現像液の交換時期を適切に判断して、樹脂層の現像不良の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法、及びそれに用いる検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様である液晶装置は、それぞれ電極を備えた一対の基板を対向配置するとともに、当該一対の基板間に液晶材料を配置して構成されている。この液晶装置は、対向する電極に電圧を印加して液晶材料を配向させ、通過する光を偏向させることにより、画像表示させるものである。
ここで、かかる液晶装置をカラー表示用液晶装置とする場合には、着色された樹脂材料からなるカラーフィルタ層を、ガラス基板上の所定位置に形成することによりカラー画像化する方法が用いられている。
このカラーフィルタ層は、一般には、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）等の顔料を分散させた感光性樹脂材料に、所定のパターニング処理を施すことで形成され、その配列や大きさにより、所望の画像特性を得ることができる。
しかしながら、このようなカラーフィルタ層の形成工程を、連続的に製造する量産ラインに適用した場合、現像処理に用いられる現像液の経時変化等に起因して、そのパターニングの加工精度が低下し、形状不良を発生させる場合が見られた。また、近年の高画質化に伴い、そのような加工精度も、従来に比べて高水準の精度が要求されてきた。
【０００３】
そこで、このような加工精度上の問題を解決するために、現像液に所定波長の光を照射し、その透過光の吸収スペクトルから、現像液の更新時期を決定する現像液管理方法、及びそれに用いられる現像液管理装置が開示されている。（例えば特許文献１参照）
より具体的には、現像液中に溶出したレジストに含まれる、アクリル基（ＣＨ2＝ＣＨ−）と、炭化水素基（ＣＨ3−ＣＨ＝）と、別の炭化水素基（−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−）と、から得られる吸収スペクトル強度を、あらかじめ設定した使用限界強度と比較することにより、現像液の使用限界を管理する現像液管理方法である。このような現像液管理方法により、現像液の透過率をリアルタイムに測定して、現像液の更新時期を管理している。
【特許文献１】特開平５−３３３５６１（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の方法は、現像液の管理方法であることから、樹脂材料の種類や、その使用環境が変化したような場合には、現像液の更新時期が、必ずしも適切な時期とはならない場合が見られた。
例えば、樹脂材料の種類として、現像液に対する溶解度が、温度に対して敏感な樹脂材料を用いたような場合には、溶解度の高い温度領域で使用していた場合であっても、溶解度の低い温度領域で使用した場合を考慮して使用限界点を設定する必要があるため、当該使用環境における使用限界よりもかなり前段階で、現像液を交換する必要が生じていた。
また、管理方法として、所定の炭化水素基の吸収スペクトルを測定する必要があることから、可視光から紫外線までの広波長領域を測定できる、大型かつ高価な測定装置を用いる必要が生じていた。
【０００５】
そこで、本発明の発明者らは鋭意検討した結果、現像により樹脂層が除去されて形成された光反射膜の露出領域において、光反射率測定することにより、現像液の交換時期を適切に判断して、常に現像状態を一定化させることで、樹脂層の現像不良の発生を防止することができることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、光反射膜からの反射強度を測定して、当該領域に残留している残留物の量を間接的に測定することにより、樹脂材料の材質や、使用環境が変化したような場合であっても、現像液の交換時期を適切に判断して、均一な現像状態を確保した電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、電気光学装置の製造方法において、基板上に光反射膜を形成するための光反射膜形成工程と、光反射膜上に重なるように感光性樹脂材料を塗布して樹脂層を形成する塗布工程と、樹脂層に対して、パターン露光をする露光工程と、樹脂層に対して、現像液を適用して所定形状の樹脂膜を形成し、少なくとも光反射膜の一部を露出させる現像工程と、を含み、更に、少なくとも光反射膜が露出した一部の領域における光反射率を測定するための光反射率測定工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、現像後の光反射膜露出領域に対して光反射率を測定して、当該露出領域に残留している残留物、例えばレジスト残渣量を測定することにより、樹脂層の現像状態を簡易かつ高精度に管理することができ、樹脂層の加工精度の高い電気光学装置を製造することができる。
【０００７】
また、本発明を実施するにあたり、樹脂層における吸収波長が可視光領域にある場合に、光反射率を測定するための入射光を可視光とすることが好ましい。
このように実施することにより、樹脂層における光吸収効率を上げることができ、光反射率の測定精度を向上させることができる。
また、光源として汎用性の高い可視光光源を用いることができ、測定装置を簡素化することができる。
【０００８】
また、本発明を実施するにあたり、光反射率を測定するための入射光スポットの円相当径を１〜１００（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましい。
このように実施することにより、入射光のスポット径を、光反射膜の露出領域の面積と同程度以下とすることができ、露出領域からの情報のみを反映した、高精度の光反射率測定ができる。
【０００９】
また、本発明を実施するにあたり、光反射率測定を、基板面内の複数箇所で実施することが好ましい。
このように実施することにより、樹脂層の現像状態を、面内分布も含めて検査することができ、より精度良く現像液の交換時期を判断することができる
【００１０】
また、本発明を実施するにあたり、現像工程の後に、樹脂膜を焼成する焼成工程を含むことが好ましい。
このように実施することにより、本発明における光反射率測定を焼成後にも実施することができ、現像後の光反射率測定と合わせて、より精度良く樹脂層の現像状態を管理することができ、現像液の交換時期を適切に判断することができる。
【００１１】
また、本発明を実施するにあたり、現像工程の後に、表面上に残留した水分を除去するためのブロー工程を含むことが好ましい。
このように実施することにより、例えば現像終了後のリンス液等の水分による光の乱反射を未然に防止して、高精度の光反射率測定を実施することができる。
【００１２】
また、本発明を実施するにあたり、現像工程の後に、樹脂膜の寸法を測定するための寸法測定工程を含むことが好ましい。
このように実施することにより、樹脂層の現像状態を検査する方法として、光反射率測定と寸法測定の両方を用いることで、その測定精度を向上させることができ、現像液の交換時期を、更に適切に判断することができる。
【００１３】
また、本発明を実施するにあたり、光反射率測定工程で得られた測定結果に基づいて、現像液の所定状態を検査する検査工程を含むことが好ましい。
このように実施することにより、特に、現像液に起因する現像不良が発生した場合に早期発見することができ、不良品の発生を最小限に留めることができる。
【００１４】
また、本発明を実施するにあたり、検査工程において、光反射率が９０％未満の値となった場合に、現像液を交換することが好ましい。
このように実施することにより、現像液の交換時期を定量的に判断することができ、更には、この光反射率測定と現像液交換とを連動させた自動化システムを構築することができる。
【００１５】
また、本発明の別の態様は、基板上に樹脂膜を備えた電気光学装置の検査方法において、基板上に光反射膜を形成するための光反射膜形成工程と、光反射膜上に重なるように感光性樹脂材料を塗布して樹脂層を形成する塗布工程と、樹脂層に対して、パターン露光をする露光工程と、樹脂層に対して、現像液を適用して所定形状の樹脂膜を形成し、少なくとも光反射膜の一部を露出させる現像工程と、少なくとも光反射膜が露出した一部の領域における光反射率を測定するための光反射率測定工程と、を含み、更に、光反射率測定工程で得られた測定結果に基づいて、現像液の所定状態を検査するための検査工程を含むとともに、光反射率が９０％未満の値となった場合に、現像液を交換することを特徴とする電気光学装置の検査方法である。
【００１６】
また、本発明の更に別の態様は、電気光学装置用基板における光反射膜が露出した領域の光反射率を測定するための検査装置であって、電気光学装置用基板と入射光との相対位置をアライメントするためのアライメント手段と、入射光のスポット径を調整するための調整手段と、入射光と、光反射膜からの反射光と、をそれぞれ検出するための検出手段と、検出手段から得られた結果を演算する演算手段と、演算手段から得られた結果を表示する表示手段と、を含むことを特徴とする検査装置である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［第１実施形態］
本発明における第１の実施形態は、基板上に樹脂膜を備えた電気光学装置の製造方法において、基板上に光反射膜を形成するための光反射膜形成工程と、光反射膜上に重なるように感光性樹脂材料を塗布して樹脂層を形成する塗布工程と、樹脂層に対して、パターン露光をする露光工程と、樹脂層に対して、現像液を適用して所定形状の樹脂膜を形成し、少なくとも光反射膜の一部を露出させる現像工程と、を含み、更に、少なくとも光反射膜が露出した一部の領域における光反射率を測定するための光反射率測定工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
以下、本実施形態の電気光学装置の製造方法として、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子構造を有する素子基板と、カラーフィルタ層を有する対向基板と、から構成される液晶装置の製造方法を例に採って、図１〜図１３を参照しつつ説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであって、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することができる。
すなわち、光反射膜及びカラーフィルタ層を素子基板側に形成する構成とすることもでき、更には、スイッチング素子として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いた構成とすることもできる。
【００１８】
１．液晶装置
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置の製造方法で製造される液晶装置について説明する。
ここで、図１に液晶装置１０の断面図を示し、図２に液晶装置１０の外観を表す概略斜視図を示す。
これらの図に示されるように、液晶装置１０は、スイッチング素子として、二端子型非線形素子であるＴＦＤ素子６９を用いたアクティブマトリクス型構造を有する素子基板６０を備えた液晶装置１０であって、図示しないものの、バックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて適宜取付けられて使用される。
また、液晶装置１０は、ガラス基板等を基体６１とする素子基板６０と、同様にガラス基板等を基体３１とする対向基板３０と、が対向配置されるとともに接着剤等のシール材２３を介して貼り合わせられている。また、素子基板６０と、対向基板３０とが形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、開口部２３ａを介して液晶材料２１を注入した後、封止材２５にて封止されてなるセル構造を備えている。すなわち、素子基板６０と、対向基板３０との間に液晶材料２１が充填されている。
【００１９】
また、対向基板３０における基体３１の内面、すなわち、素子基板６０に対向する表面上には、ストライプ状に配列された複数の対向電極３３が形成されている。一方、素子基板６０における基体６１の内面、すなわち、対向基板３０に対向する表面上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極６３が形成されている。そして、画素電極６３は、スイッチング素子としてのＴＦＤ素子６９を介してデータ線６５に対して電気的に接続されるとともに、もう一方の対向電極３３は、導電性粒子を含むシール材２３を介して素子基板６０上の引回し配線６６に対して電気的に接続されている。このように構成された画素電極６３と対向電極３３との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素（以下、画素領域と称する場合がある。）を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として表示領域Ａを構成することになる。
【００２０】
また、素子基板６０は、対向基板３０の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部６０Ｔを有し、この基板張出部６０Ｔ上には、データ線６５の一部、引回し配線６６の一部及び、独立して形成された複数の配線からなる外部接続用端子６７が形成されている。そして、データ線６５又は引回し配線６６の端部には、液晶駆動回路等を内蔵したドライバＩＣ（駆動用半導体素子）９１が実装されている。さらに、当該ドライバＩＣ９１は外部接続用端子６７の一方の端部とも電気的に接続されているとともに、外部接続用端子６７の他方の端部は、フレキシブル回路基板９３等と電気的に接続されている。
このように構成された液晶装置１０において、ドライバＩＣ９１からの駆動用信号を、データ線６５及びＴＦＤ素子６９を介して画素電極６３に出力するとともに、走査信号を、引回し配線６６を介して対向電極３３に出力する。そして、電圧が印加された画素の液晶材料２１に電界が発生するため、当該画素における液晶材料２１中を、光を通過させ、又は通過させないようにでき、表示領域全体として文字、図形等の画像を表示させることができる。
【００２１】
（２）対向基板（カラーフィルタ基板）
対向基板３０は、ガラス等からなる基体３１上に、光反射膜７９と、カラーフィルタ層３７と、対向電極３３と、リタデーションを最適化するための層厚調整層４１と、配向膜４５と、を主として備える基板である。
ここで、対向電極３３とは、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によってストライプ状に形成された走査電極である。また、この対向電極３３の下層には、素子基板６０側の画素電極６３に対応するように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）等のカラーフィルタエレメントとしてのカラーフィルタ層３７が配置されている。また、このカラーフィルタ層の下層であって、反射領域Ｒに相当する領域には、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料からなる光反射膜７９が形成してある。また、このカラーフィルタ層３７に隣接し、かつ画素電極６３に対向しない位置に、隣接色間の混色防止領域としてのブラックマトリクスすなわち遮光膜３９が設けられている。
【００２２】
（３）素子基板
また、素子基板６０は、基本的に、ガラス基板等からなる基体６１と、画素電極６３と、データ線（図示せず）と、引回し配線６６と、スイッチング素子としてのＴＦＤ素子６９と、から構成されている。また、画素電極６３上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜８５が形成されている。さらに、基体６１の外面には、位相差板（１／４波長板）８７及び偏光板８９が配置されている。
【００２３】
かかる素子基板６０を、基板面に対して垂直方向から見た概略平面図を図３に示す。かかる図３では、配向膜や偏光板等は省略されている。
かかる素子基板６０において、データ線６５は、ストライプ状に配列された複数の配線からなり、それぞれのデータ線６５の間には、画素電極６３がマトリクス状に配置されている。また、当該画素電極６３は、後述するＴＦＤ素子６９を介して、データ線６５と電気的に接続されている。そして、データ線６５は、一端側が基板張出部６０Ｔ上に実装されたドライバＩＣ９１に対して電気的に接続されており、ドライバＩＣ９１からの駆動用信号を画素電極６３に対して出力できるように構成されている。
かかるデータ線６５は、製造工程の簡略化の観点から、後述するＴＦＤ型素子の形成と同時に形成されるため、例えば、タンタル層、酸化タンタル層、及びクロム層が順次形成されて構成されている。また、画素電極６３は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電材料を用いて形成されている。
【００２４】
また、ＴＦＤ素子６９は、図１に示すように、タンタル（Ｔａ）合金からなる素子第１電極７１と、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）からなる絶縁膜７２と、クロム（Ｃｒ）からなる素子第２電極７３と、が順次積層されたサンドイッチ構造を有している。そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、素子第１電極及び素子第２電極の両端子間に印加されると導通状態となる整流特性を備えている。
【００２５】
また、引回し配線６６は、ドライバ実装領域が存在する辺に対して垂直方向に延びる二辺に沿って形成されている。かかる引回し配線６６は、一端側において、対向するカラーフィルタ基板のそれぞれの対向電極と、シール材に含まれる導電性粒子を介して電気的に接続されている。また、多端側は、ドライバＩＣ９１に対して電気的に接続されており、ドライバＩＣ９１からの走査信号を対向電極に対して出力できるように構成されている。
かかる引回し配線６６は、タンタル層、酸化タンタル層、及びクロム層等の金属材料や、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電材料を用いて形成することができる。
【００２６】
２．製造方法
２−１．対向基板の製造方法
（１）光反射膜等の形成工程
まず、図４中Ｓ１として示される光反射膜等の形成工程を実施する。この光反射膜等の形成工程は、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、光反射膜に凹凸形状を形成するための下地層としての樹脂散乱層７８を形成する工程と、この樹脂散乱層７８上に、スパッタリング法等により、Ａｌ、Ａｇ等の高い光反射性を有する金属を蒸着した後、この蒸着膜をパターニングしてマトリックス状の光反射膜７９を形成する工程と、から構成される。
【００２７】
まず、図５（ａ）に示すように、基体３１上に、感光性樹脂材料を塗布した後、所定のパターニング処理を実施することにより樹脂散乱層７８を形成する。このとき、樹脂散乱層７８表面に凹凸形状を形成する方法としては、例えば、露光において、多段階露光やハーフトーンマスクを用いて、部分的に露光量を異ならせた露光を行うことが好ましい。
この理由は、露光量のような微調整が容易な条件を変化させて形成することにより、加工精度の高い凹凸形状とすることができるためである。
次いで、図５（ｂ）に示すように、樹脂散乱層７８を備えた基体３１上に、スパッタリング法等を用いて、高い光反射性を有する金属を蒸着した後、所定のパターニング処理を実施することにより、表面に凹凸形状を備えた光反射膜７９を形成する。
また、この光反射膜７９を形成するにあたり、下地層としての樹脂散乱層７８を形成することなく、基体３１上に直接、光反射膜７９を形成することもできる。この場合は、光反射膜７９をパターニングする際に、上述したような、多段階露光やハーフトーンマスクを用いた露光量調整による方法を用いることで、樹脂散乱層７８を形成した場合と同様に、その表面に凹凸形状を形成することができる。
【００２８】
なお、本発明では、光反射膜における光反射率を測定する必要があるため、凹凸の大きさや形状によっては、後述する光反射率測定工程において、ノイズとして測定上の障害となる場合が考えられる。このような場合においては、例えば、光反射膜露出領域以外の領域にのみ凹凸形状を形成したり、反射光検出器の位置を凹凸形状からの反射角と一致させたりすることで、凹凸形状を有した光反射膜であっても、適切に光反射率を測定して、樹脂層の現像状態を精度良く検査することができる。
したがって、このような光反射膜を備えた液晶装置であれば、視野角を所望の角度に調整しつつ、樹脂層を高精度に形成して画像特性に優れた液晶装置とすることができる。
【００２９】
（２）遮光膜の形成工程
次いで、図４中Ｓ２として示される遮光膜の形成工程を実施する。かかる遮光膜の形成工程は、図５（ｃ）に示すように、それぞれの画素領域間の混色を防止するための混色防止膜としての遮光膜３９を形成する工程である。
この遮光膜３９に用いられる材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を使用したり、あるいは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のカラーフィルタ材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等のカラーフィルタ材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。
例えば、金属膜を用いて遮光膜３９を形成する場合には、クロム（Ｃｒ）等の金属材料をスパッタリング法等により基体３１上に積層した後、所定のパターンに合わせてエッチング処理することにより形成することができる。
【００３０】
（３）カラーフィルタ層の形成工程
次いで、図４中Ｓ３として示されるカラーフィルタ層の形成工程を実施する。かかるカラーフィルタ層の形成工程は、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、対向基板３０の基体３１上にカラーフィルタ層を形成する工程である。
より具体的には、顔料や染料等のカラーフィルタ材を分散させた樹脂材料からなる感光性樹脂を、光反射膜上に重なるように塗布して樹脂層を形成する塗布工程Ｓ３−１と、この樹脂層に対してパターン露光をする露光工程Ｓ３−２と、樹脂層に現像液を適用して所定形状の樹脂膜を形成し、光反射膜の一部を露出させる現像工程Ｓ３−３と、この露出領域に対して光反射率測定を実施する光反射率測定工程Ｓ３−４と、この測定結果を検査する検査工程Ｓ３−５と、樹脂膜を熱収縮させて形状を安定化させるための焼成工程Ｓ３−６と、から構成される。
すなわち、このカラーフィルタ層を、例えば、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）の三色で構成するような場合には、このカラーフィルタ層の形成工程を、各色毎に計３回繰り返すこととなる。
【００３１】
（３）−１  塗布工程
まず、図４中Ｓ３−１として示される塗布工程を実施する。かかる塗布工程は、図６（ａ）に示すように、所定の顔料を分散させた感光性樹脂材料を、光反射膜７９と重なるように塗布し、樹脂層３７Ｘを形成する工程である。このとき、用いる感光性樹脂材料の種類としては、感光した部分が現像液に対して可溶化するポジ型と、感光した部分が不溶化するネガ型と、のいずれも好適に用いることができるが、本実施形態においては、ポジ型を用いた場合を例に採って説明する。
また、樹脂層３７Ｘの厚さとしては、顔料の種類や露光条件に応じて変更することができ、特に限定されるものではないが、過度に薄い場合には、十分な色度を得ることができず、逆に厚い場合には、後述する現像工程において作業性を低下させる場合がある。したがって、かかる樹脂層の厚さとしては、０．１〜１０（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましく、１〜５（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
【００３２】
（３）−２  露光工程
次いで、図４中Ｓ３−２として示される露光工程を実施する。かかる露光工程は、図６（ｂ）に示すように、基板３１の上方に配置されたフォトマスク１１１を介して、ｉ線等のエネルギー線Ｌを照射することにより、樹脂層３７Ｘを部分的に感光させ、パターン露光する工程である。
このとき、フォトマスク１１１として、部分的に光透過率を異ならせたハーフトーンマスクを用いたり、エネルギー線Ｌの照射強度を変更しながら、複数回露光を行う多段階露光を行うことが好ましい。
この理由は、樹脂層３７Ｘの深さ方向に対して露光量に差をつけることができ、その表面に微細な段差を形成することができるためである。
したがって、樹脂層がカラーフィルタ層である場合には、厚さを部分的に変更することにより、色度の濃淡を調整するための色度調整部を備えたカラーフィルタ層とすることができる。
また、この色度調整部の少なくとも一部は、下地の光反射膜が露出するように形成してあることが好ましい。
この理由は、この色度調整部を、本発明における光反射率を測定するための光反射膜露出領域３７ａとしても使用することができ、パターン設計を簡素化することができるためである。また、このようなパターン設計が困難である場合には、ＴＥＧパターンとして、表示領域外の部分に、光反射率測定用のテストパターンを形成することもできる。
【００３３】
（３）−３  現像工程
次いで、図４中Ｓ３−３として示される現像工程を実施する。かかる現像工程は、図６（ｃ）に示すように、潜像形成された樹脂層に対して、所定の現像液Ｄを適用してパターン形成し、所定形状の樹脂膜３７を形成する工程である。このとき、現像液Ｄは、図６（ｃ）に示すように、スリット状のノズル４２を、基板平面と平行して移動させながら滴下しても良く、基板中心部の上方にシャワーノズルを設置し、霧状に滴下しても良い。
また、この現像工程には、現像液Ｄを回収して繰り返し使用するための循環経路５０を設けることが好ましい。この循環経路５０には、溶出した樹脂材料を取り除くためのフィルターが設けられ、所定レベルの品質を維持したまま、繰り返して使用することができる。しかしながら、このように現像液を循環させ、繰り返し用いた場合、現像液の有する樹脂溶解能が徐々に低下し、樹脂膜形成に不具合を生じさせる場合があるため、現像液の交換時期を適切に判断する必要がある。
【００３４】
また、この現像工程終了後には、表面上に残留した水分を除去するためのブロー工程を含むことが好ましい。
この理由は、水分が表面に残留することで、後の光反射率測定工程において、入射光が乱反射して、光反射率の値に悪影響を与えることを防止するためである。
【００３５】
（３）−４  光反射率測定工程
次いで、図４中Ｓ３−４として示される光反射率測定工程を実施する。かかる光反射率測定工程は、図６（ｃ）に示した光反射膜が露出した露出領域３７ａにおいて、強度（Ｉ0）を有する入射光（ｉ）を照射し、その反射光（ｒ）の強度（Ｉr）を測定する工程である。すなわち、現像液を繰り返し使用したような場合に、その現像液の樹脂溶解能の低下を検知するための工程である。
ここで、この光反射率の変化と現像液の樹脂溶解能との相関関係について説明する。
まず、図７（ａ）に、樹脂溶解能を十分有した現像液を用いた場合の、露出領域における樹脂層の現像状態の様子を、断面図及び平面図として模式的に示す。
すなわち、樹脂溶解能を十分に有している現像液を用いた場合、露出領域３７ａ上には、現像後の樹脂材料の残留物であるレジスト残渣４３の量が少ないことから、レジスト残渣４３による光吸収と、乱反射光（ｒ´）の発生量が少なく、入射光強度（Ｉ0）に対する反射光強度（Ｉr）の比（Ｉr／Ｉ0）×１００（％）、すなわち光反射率（％）が比較的高くなる。
その一方で、図７（ｂ）に示すように、樹脂溶解能が低下した現像液を用いた場合、レジスト残渣４３が多くなることで、このレジスト残渣４３による光吸収量と、乱反射量が増加し、その光反射率（Ｉr／Ｉ0）×１００（％）は比較的低下することとなる。
【００３６】
この関係をより詳細に説明するために、図８に、現像液の使用頻度と樹脂溶解能の関係を表す特性図を示す。この図８に示す特性図は、横軸に、現像処理した基板の枚数（相対値）を示しており、縦軸に、光反射膜が露出した露出領域における光反射率（％）を示している。また、直線Ａ及び直線Ｂは、それぞれ材質Ａ及び材質Ｂから得られたデータの近似式を示している。
この図８に示す特性図から理解できるように、現像液の使用頻度と、光反射率の変化と、の間には一次関数的な関係があり、その傾きは樹脂材料の材質に依存していると言える。
すなわち、この光反射率測定を実施することで、現像液の樹脂溶解能を適切に管理することができ、現像不良の発生を未然に防いで、現像液を適切な時期に交換することができる。
なお、この特性図の横軸において、現像液の使用状況を示す指標として、基板の処理枚数を採って示してあるが、例えば、パターン線幅の変化量や、断面における傾斜角など、現像液の現像状態を反映した指標であれば同様の傾向を示す。
【００３７】
また、この光反射率測定を実施するにあたり、図９に示すような、検査装置の一例としての光反射率測定器２００を用いて測定することが好ましい。
この光反射率測定器２００は、主に、電気光学装置用基板と入射光との相対位置をアライメントするためのアライメント手段２２０と、入射光のスポット径を調整するための調整手段２３０と、入射光及び反射光を検出するための検出手段２４０と、検出手段から得られた結果を演算する演算手段２１０と、演算手段から得られた結果を表示する表示手段２５０と、から構成される。以下、構成要素毎に分けて順次説明する。
【００３８】
まず、アライメント手段２２０は、図９に示すように、測定対象物である基体３１を載置するためのステージ２１１と、このステージ２１１を駆動させるための駆動手段２０９と、から構成されている。すなわち、このステージ２１１を駆動手段２０９によりＸＹＺ方向に適宜移動させることにより、所定位置における光反射率を測定することができる。
このようなアライメント手段２２０を用いて光反射率測定を実施する際には、基板面内の複数箇所で、光反射率測定を実施することが好ましい。
この理由は、上述した現像工程は、その現像方法によっては、面内分布ムラが発生する場合があるためである。したがって、基板中央上方から現像液を噴霧する噴射ノズル方式を採用した場合には、基板中央から外側に向かって分布を取ることが好ましく、スリットノズル方式を採用した場合には、基板端部から他端に向かって分布を取ることが好ましい。
【００３９】
また、調整手段２３０は、入射光のスポット径を調整するための光束調整手段であって、光源、レンズ、ミラー等の光学系から構成されている。
より具体的には、図９に示すように、光源２０１と、この光源２０１から出射された散乱光を平行光へと変換するための平行レンズ２０３と、この平行光を測定対象物方向及び入射光検出器２０７方向へ分岐するための第１のハーフミラー２０４と、この第１のハーフミラー２０４を透過してきた平行光を、測定対象物である露出領域３７ａ上に集光させるための集光レンズ２０６と、この露出領域３７ａからの反射光を反射光検出器２０８方向へと導くための第２のハーフミラー２０５と、から構成されている。
【００４０】
また、この光源２０１から出射される光の波長は、測定対象物の特性に合わせて、適宜選択することができるが、本実施形態に示すように、カラーフィルタ層に対して測定するような場合には、可視光領域である４００〜７００（ｎｍ）程度の波長とすることが好ましい。
この理由は、カラーフィルタ層は、吸収波長が可視光領域に存在することから、可視光領域近傍の光を用いることで、より感度の高い測定ができるためである。
また。測定対象が透明樹脂であるような場合には、入射光として可視光を用いることができない。したがって、紫外光等の短波長領域の波長を用いたり、あるいは、樹脂に、部分的に発光材料を分散させ、特定の波長に対する感度を上げることもできる。
この場合、光源２０１の先端部に、特定の波長の光に単色化するためのモノクロメータ２０２を取り付けることで、特定の波長のみを抽出して、出射させることができる。
【００４１】
また、この入射光を測定対象物上に集光させる際に、そのスポット径の円相当径を１〜１００（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、露出領域３７ａよりも小さいサイズのスポット径とすることで、測定領域からの情報のみを反映させることができ、測定精度を上げることができるためである。しかしながら、このスポット径は、入射光の波長に対応した大きさとなることから、入射光を特定した場合には、所定サイズ以下のスポット径とすることは困難となる。
したがって、かかる入射光スポットの円相当径としては、５〜８０（μｍ）とすることが好ましく、２０〜５０（μｍ）とすることがより好ましい。
【００４２】
また、検出手段２４０は、ハーフミラー２０４によって導かれる入射光（ｉ）を受光するための入射光検出器２０７と、ハーフミラー２０５によって導かれる反射光（ｒ）を受光するための反射光検出器２０８と、から構成されている。
更に、この検出手段２４０には、得られた検出結果を演算し、反射率を算出するための演算手段２１０と、この演算結果を表示するための表示手段２５０と、が接続されている。
このように構成された検査装置２００を用いて光反射率を測定するとともに、後述する検査工程を実施することにより、現像液の交換時期を適切に判断して、常に現像状態を一定化させ、樹脂層の現像不良の発生を防止することができる
【００４３】
（３）−５  検査工程
次いで、図４中Ｓ３−５として示される検査工程を実施することが好ましい。かかる検査工程は、上述した光反射率測定工程によって得られた光反射率の数値に基づいて、現像液の所定状態を検査する工程である。
より具体的には、図８に示した特性図を用いて、現像液の所定状態、すなわち樹脂溶解能が許容範囲内にあるか否かを判断する工程であり、判断基準の一つとして、例えば、光反射率が９０％未満の値となった場合に、現像液を交換することが好ましい。
この理由は、上述したように、光反射率が高いほど、現像液の樹脂溶解能は高いと判断できるためである。またこの光反射率を低く設定しすぎると、樹脂材料の材質によっては、所望の特性を得ることができなくなるためである。
したがって、かかる光反射率の基準値として、９２％未満の値とすることが好ましく、９５％未満の値とすることがより好ましい。
【００４４】
また、この検査工程に付随して、樹脂膜の形状を測定する形状測定工程を実施することが好ましい。この形状測定工程は、現像工程後であればいずれのタイミングで実施することもできるが、この検査工程と合わせて実施することが好ましい。
より具体的には、図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように、現像後の光反射膜の露出領域における、開口幅（Ｌ）や、線幅（Ｘ）を測定することが好ましい。
この理由は、上述した光反射率測定による検査に加え、直接的に形状を測定することで、より高精度に現像液の交換時期を判断することができるためである。
また、この形状測定工程により得られた測定値と、光反射率測定工程により得られた測定値と、を対応させることにより、光反射率の変化と形状変化との関係を一義的に決定できるようになり、いずれか一方に測定エラーが発生した場合であっても、この検査工程を正常に実施することができるためである。
【００４５】
また、かかる形状測定工程における現像液の交換時期の判断基準として、樹脂膜の平面寸法を測定する寸法測定工程を実施し、当該寸法測定工程において得られた測定値をＤ1（μｍ）とし、その目標値をＤ2（μｍ）としたとき、｜Ｄ1−Ｄ2｜で表される値が２以上となった場合に、現像液を交換することが好ましい。
この理由は、パターン寸法の変化は、パターンサイズに依存せずに変化することから、変化率といった割合的な管理基準値で管理するよりも、絶対量で管理した方が、より適切に判断時期を決定することができるためである。
したがって、｜Ｄ1−Ｄ2｜で表される値としては、１．８以上とすることがより好ましく、１．５以上とすることが更に好ましい。
【００４６】
（４）−６  焼成工程
次いで、図４中Ｓ３−６として示される焼成工程を実施することが好ましい。かかる焼成工程は、現像後の樹脂膜を、硬化温度近傍の温度で加熱し、その形状を安定化させる工程である。
すなわち、この焼成工程により、樹脂膜が熱収縮してパターン形状に変化が生じることとなり、上述した光反射率測定や、形状測定を実施した場合に、焼成前後で、その数値に変化が生じることとなる。
すなわち、焼成後に検査工程を実施するような場合には、現像液の交換時期を管理するための管理基準値を、上述した数値と異なる値を設定する必要がある。
【００４７】
（５）層厚調整層の形成工程
次いで、図４中Ｓ４として示される層厚調整層の形成工程を実施することが好ましい。かかる層厚調整層の形成工程は、透過領域（Ｔ）と反射領域（Ｒ）とのリタデーション調整のための層を、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の樹脂材料に対して所定のパターニングを施すことにより形成する工程である。
より具体的には、図１１（ａ）に示すように、カラーフィルタ層３７や遮光膜３９等が形成された基体３１上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の透明性樹脂材料を塗布し、所定のパターニング処理を実施することにより、層厚調整層４１を形成することができる。
なお、この層厚調整層４１は、上述したリタデーション調整機能に加え、カラーフィルタ層３７の保護膜としての機能と、光反射膜７９と画素電極との間を絶縁するための層間絶縁膜としての機能も兼ね備えている。
【００４８】
（６）対向電極等の形成工程
次いで、図４中Ｓ５として示される対向電極等の形成工程を実施する。かかる対向電極等の形成工程は、図１１（ｂ）に示すように、基体３１上に、スパッタリング法等により透明導電膜を積層した後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により、ストライプ状に対向電極３３を形成する。さらに、この対向電極３３が形成された基板表面に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５を形成することで、対向基板３０を形成することができる。
【００４９】
２−２．素子基板の製造方法
（１）ＴＦＤ素子の形成工程
次いで、図４中Ｓ１´として示されるＴＦＤ素子の形成工程を実施する。かかるＴＦＤ素子の形成工程は、素子基板６０上に、スイッチング素子としてのＴＦＤ素子を形成する工程であって、このＴＦＤ素子と接続されるデータ線や、表示領域外において対向電極と電気的に接続するための引き回し配線等も合わせて形成する工程である。
より具体的には、まず、図１２（ａ）に示すように、ガラス基板からなる基体６１上に、素子第１電極７１を形成する。この素子第１電極７１は、例えば、タンタル合金から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。このとき、素子第１電極７１の形成前に、第２のガラス基板６１に対する素子第１電極７１の密着力を著しく向上させることができるとともに、第２のガラス基板６１から素子第１電極７１への不純物の拡散を効率的に抑制することができることから、基体６１上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。
【００５０】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、素子第１電極７１の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜７２を形成する。より具体的には、素子第１電極７１が形成された基板を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、素子第１電極７１との間に所定電圧を印加して、素子第１電極７１の表面を酸化させることができる。
次いで、再び、スパッタリング法等により、素子第１電極７１を含む基板上に、全面的にクロム等の金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ法によって、パターニングすることにより、図１２（ｃ）に示すように、素子第２電極７３、７４を形成し、ＴＦＤ素子とすることができる。
また、素子第２電極を形成する工程において、同時に、所定のパターンに合わせてパターニングすることにより、データ線６５や引回し配線（図示せず）が形成される。このとき、ドライバ実装領域に相当する領域又はその近傍に、形成されるデータ線や引回し配線の形成状態を検証するための検査領域として用いられる直線状部を含むように、データ線や引回し配線を形成する。
【００５１】
（２）画素電極等の形成工程
次いで、図４中Ｓ２´として示される画素電極等の形成工程を実施する。かかる画素電極等の形成工程は、液晶材料に電圧を印加して配向させるための面状電極であって、上述したＴＦＤ素子６９と電気的に接続され、オンオフ切替ができるように構成されている。
より具体的には、図１２（ｄ）に示すように、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、ＴＦＤ素子６９に対して電気的に接続された画素電極６３を形成する。
また、図１２（ｅ）に示すように、画素電極６３等が形成された素子基板６０上に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜８５を形成することにより、素子基板６０を製造することができる。
【００５２】
２−３．組立方法
（１）貼合工程
図４中Ｓ６として示される貼合工程は、図１３（ａ）〜（ｂ）に示すように、素子基板と対向基板とを、シール材を介して貼り合わせる工程である。
より具体的には、対向基板３０と、シール材２３が形成された素子基板６０と、をアライメントして貼り合わせ位置を確定する。その後、両基板を重ね合わせて接合させた後、加熱しながら加圧保持して、対向基板３０と素子基板６０とを貼合わせることにより、液晶注入口を備えた一対の基板２０が形成される。
【００５３】
（２）後工程
図４中Ｓ７として示される後工程は、次に述べる幾つかの工程から構成される。
まず、液晶注入口から公知の方法により基板間隙内に液晶材料を注入（液晶注入工程）した後、その注入口を封止材により封止する（封止工程）。
次いで、対向基板及び素子基板のそれぞれの外面に所定の偏光板や位相差板を配置するとともに、素子基板上の張り出し部に、半導体素子等の電子部品を実装したり、フレキシブル回路基板やバックライト等を接続したりするとともに、筐体に組み込むことで図１に示すような液晶装置１０を製造する。より具体的には、図１３（ｂ）に示すように、素子基板６０の張り出し部６０Ｔ上に、データ線６５と端子６７とを電気接続するように半導体素子９１を実装するとともに、この端子６７の端部に、フレキシブル基板９３を電気接続することで、図２に示すような液晶装置１０が形成される。
【００５４】
［第２実施形態］
本発明における第２の実施形態は、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を備えた液晶装置において、基板上に光反射膜を形成するための光反射膜形成工程と、光反射膜上に重なるように感光性樹脂材料を塗布して樹脂層を形成する塗布工程と、樹脂層に対して、パターン露光をする露光工程と、樹脂層に対して、現像液を適用して所定形状の樹脂膜を形成し、少なくとも光反射膜の一部を露出させる現像工程と、を含み、更に、少なくとも光反射膜が露出した一部の領域における光反射率を測定するための光反射率測定工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
以下、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子構造を有する素子基板と、カラーフィルタ層を有する対向基板と、から構成される液晶装置において、第１実施形態における光反射膜測定を、リタデーション調整のための層厚調整層に対して実施する場合を例にとって、図１４〜図１７を参照しつつ説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであって、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することができる。
すなわち、光反射膜及び層厚調整層を対向基板側に形成する構成とすることもでき、更には、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いた構成とすることもできる。
なお、上述した第１の実施形態との共通部分については適宜省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００５５】
１．液晶装置
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置の製造方法で製造される液晶装置について説明する。
図１４で示される液晶装置１０は、カラーフィルタ層３７を備えた対向基板３０と、ＴＦＴ素子６９´を備えた素子基板６０と、がその周辺部においてシール材を介して貼り合わされ、それによって形成される間隙内に液晶材料２１を配置して形成されている。
【００５６】
（２）対向基板（カラーフィルタ基板）
対向基板３０は、ガラス等からなる基体３１上に、カラーフィルタ層３７と、対向電極３３と、配向膜４５と、を主として備える基板である。
ここで、対向電極３３とは、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって表面全域に形成された面状電極である。また、この対向電極３３の下層には、素子基板６０側の画素電極６３に対応するように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）等のカラーフィルタエレメントとしてのカラーフィルタ層３７が配置されている。また、このカラーフィルタ層３７に隣接し、かつ画素電極６３に対向しない位置に、隣接色間の混色防止領域としてのブラックマトリクスすなわち遮光膜３９が設けられている。
【００５７】
（３）素子基板
素子基板６０は、ガラス等からなる基体６１上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子６９´と、リタデーション調整のための層厚調整層４１と、この層厚調整層４１を介してＴＦＴ素子６９´の上層に形成された画素電極６３と、を主として備える基板である。
ここで、画素電極６３は、ＩＴＯなどにより透明電極として形成される。また、この画素電極６３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施される。
【００５８】
また、対向基板３０の外側（すなわち、図１４の上側）表面には、位相差板４７が形成され、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側（すなわち、図１４の下側）表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成されている。さらに、素子基板６０の下方にはバックライトユニット（図示せず）が配置される。
【００５９】
また、ＴＦＴ素子６９´は、素子基板６０上に形成されたゲート電極１７１と、このゲート電極１７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜１７２と、このゲート絶縁膜１７２を挟んでゲート電極１７１の上方位置に形成された半導体層１７０と、その半導体層１７０の一方の側にコンタクト電極１７７を介して形成されたソース電極１７３と、さらに半導体層１７０の他方の側にコンタクト電極１７７を介して形成されたドレイン電極１６６とを有する。
また、ゲート電極１７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極１７３はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は素子基板６０の横方向に延びていて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線はゲート絶縁膜１７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて横方向へ等間隔で平行に複数本形成される。
かかるゲートバス配線は液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば信号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区画される方形領域のうちＴＦＴ素子６９´に対応する部分を除いた領域に形成されている。
【００６０】
また層厚調整層４１は、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子を覆って素子基板６０上の全域に形成されている。但し、層厚調整層４１のドレイン電極１６６に対応する部分にはコンタクトホール８３が形成され、このコンタクトホール８３を介して画素電極６３とＴＦＴ素子１６９のドレイン電極１６６との導通がなされている。
【００６１】
２．製造方法
２−１．対向基板の製造方法
（１）  カラーフィルタ層等の形成工程
まず、図１５中Ｓ１として示されるカラーフィルタ層等の形成工程を実施する。かかるカラーフィルタ層等の形成工程は、対向基板の基体上にカラーフィルタ層、遮光膜及び保護膜を順次形成する工程である。
より具体的には、図１６（ａ）で示すように、基体３１上に、顔料や染料等の着色材を分散させた樹脂材料からなる感光性樹脂を基板上に塗布し、この感光性樹脂に対してパターン露光及び現像処理を順次施すことによりカラーフィルタ層を形成することができる。なお、かかる露光及び現像処理は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）それぞれの色毎に繰り返すことで、カラーフィルタ層３７を形成することができる。
【００６２】
次いで、それぞれの画素領域の境界領域に遮光膜３９を形成する。この遮光膜３９に用いられる材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を使用したり、あるいは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。
例えば、金属膜を用いて遮光膜３９を形成する場合には、クロム（Ｃｒ）等の金属材料をスパッタリング法等により基体３１上に積層した後、所定のパターンに合わせてエッチング処理することにより形成する。
【００６３】
最後に、図１６（ｂ）で示すように、カラーフィルタ層３７や遮光膜３９等が形成された対向基板３０上に、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等を用いて、全面的に保護膜８１を形成することができる。
【００６４】
（２）対向電極等の形成工程
次いで、図１５中Ｓ２として示される対向電極等の形成工程を実施する。かかる対向電極等の形成工程は、図１６（ｃ）に示すように、対向基板３０に形成された保護膜８１上に、透明導電材料等からなる対向電極３３を形成する工程である。
より具体的には、カラーフィルタ層３７及び遮光膜３９が形成された基体３１上に、スパッタリング法等により透明導電膜を積層した後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により、表示領域全面に対向電極３３を形成する。
さらに、この対向電極３３が形成された基板表面に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５を形成することで、対向基板３０を形成することができる。
ここで、素子基板に用いられるスイッチング素子が、ＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）の場合には、この対向電極３３は、それぞれのセル領域に対応した面状電極としてパターニングされる。
【００６５】
２−２．対向基板の製造方法
（１）ＴＦＴ素子の形成工程
まず、図１５中Ｓ１´として示されるＴＦＴ素子の形成工程を実施する。かかるＴＦＴ素子の形成工程は、素子基板の基体上に金属膜および絶縁膜を形成し、パターニングすることにより、図１７（ａ）に示すように、ＴＦＴ素子等のスイッチング素子を形成する工程である。
スイッチング素子を形成するにあたり、ガラス基板からなる基体６１上に、ゲート電極１７１を形成する。このゲート電極１７１は、例えば、クロム、タンタル、モリブデン等の低抵抗材料から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。
【００６６】
次いで、このゲート電極１７１上に、絶縁層としてのゲート絶縁膜１７２を形成する。このゲート絶縁膜１７２は、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（ＳｉＯx）等の電気絶縁材料を積層させて形成することができる。
次いで、このゲート絶縁膜１７２上に、ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等の半導体材料を積層させて半導体層１７０を形成することができる。さらに、この半導体層１７０の両端部分に、ドープトａ−Ｓｉ等によりコンタクト電極１７７を形成することができる。
最後に、このコンタクト電極１７７と接触するように、ソース電極１７３及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極１６６を形成することができる。このとき、ソース電極１７３、ソースバス配線（図示せず）及びドレイン電極１６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等の低抵抗材料を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることで形成することができる。
【００６７】
（２）光反射膜の形成工程
次いで、図１５中Ｓ２´として示される光反射膜の形成工程を実施する。かかる光反射膜の形成工程は、第１実施形態における光反射膜の形成工程と同様に実施することで、図１７（ｂ）に示すような光反射膜７９を形成することができる。
このとき、本発明における光反射率測定工程を実施するにあたり、図１７（ｂ）に示すように、基体６１上における表示外領域９９に、光反射率測定用のテストパターンとしての光反射膜７９を形成しておくことが好ましい。
この理由は、かかる光反射率測定を実施する際に、光反射膜露出領域が表示領域内に存在しない構造であったとしても、光反射率測定を実施することができるためである。
【００６８】
（３）層厚調整層の形成工程
次いで、図１５中Ｓ３´として示される層厚調整層の形成工程を実施する。かかる層厚調整層の形成工程は、透過領域（Ｔ）と反射領域（Ｒ）とのリタデーション調整のための層を、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の樹脂材料に対して所定のパターニングを施すことにより形成する工程である。
より具体的には、樹脂材料からなる感光性樹脂を、光反射膜上に重なるように塗布して樹脂層を形成する塗布工程Ｓ３´−１と、樹脂層に対して、パターン露光をする露光工程Ｓ３´−２と、樹脂層に対して、現像液を適用して所定形状の樹脂膜を形成して、少なくとも光反射膜の一部を露出させる現像工程Ｓ３´−３と、この露出領域に対して光反射率測定を実施する光反射率測定工程Ｓ３´−４と、この測定結果を検査する検査工程Ｓ３´−５と、樹脂膜を熱収縮させて形状を安定化させるための焼成工程Ｓ３´−６と、から構成される。
すなわち、かかる層厚調整層の形成工程は、第１実施形態におけるカラーフィルタの形成工程において実施した光反射率測定を、この層厚調整層の形成過程に適用した構成となっている。
【００６９】
（３）−１  塗布工程
まず、図１５中Ｓ３´−１として示される塗布工程を実施する。かかる塗布工程は、第１実施形態における塗布工程Ｓ３−１と同様に実施することができるが、層厚調整層に適用する場合には、樹脂材料として透明性樹脂材料を使用する必要がある。
【００７０】
（３）−２  露光工程
次いで、図１５中Ｓ３´−２として示される露光工程を実施する。かかる露光工程については、第１実施形態におけるカラーフィルタ層の場合とは異なり、色度調整部を形成することがないため、光反射率を測定するための光反射膜露出領域３７ａを、表示領域内に形成することが困難である。
したがって、層厚調整層に対して、本発明における光反射率測定を実施する場合には、図１７（ａ）に示すような表示外領域９９に、テストパターンとして、光反射膜上に樹脂層が除去され形成された露出領域を形成する。
【００７１】
（３）−３  現像工程
次いで、図１５中Ｓ３´−３として示される現像工程を実施する。かかる現像工程については、第１実施形態における露光工程Ｓ３−３と同様に実施することができる。
【００７２】
（３）−４  光反射率測定工程
次いで、図１５中Ｓ３´−４として示される光反射率測定工程を実施する。かかる光反射率測定工程は、透明性樹脂からなる層厚調整層４１を除去して形成された露出領域に対して実施することから、第１実施形態で使用したような、可視光領域の入射光を使用することができない。
したがって、紫外光等の短波長領域の波長を用いたり、あるいは、樹脂に、部分的に発光材料を分散させ、特定の波長に対する感度を上げることが必要となる。
【００７３】
（３）−５  検査工程及び焼成工程
次いで、図１５中Ｓ３´−５として示される検査工程、及び図４中Ｓ３´−６として示される焼成工程を実施する。これらの工程については、第１実施形態と同様に実施することができる。
【００７４】
（４）  画素電極等の形成工程
次いで、図１５中Ｓ４´として示される画素電極等の形成工程を実施する。かかる画素電極等の形成工程は、図１７（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子６９´が形成された基体上に、透明導電膜からなる画素電極を形成する工程である。
より具体的には、対向基板における画素電極と対向する位置に、スパッタリング法等により透明導電膜することにより、画素電極６３を形成する。
最後に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜８５を形成するとともに、この配向膜８５にラビング処理を施すことにより、配向制御機能を持たせることができる。
【００７５】
２−３．組立工程等
図１５中Ｓ５として示される貼合工程と、図１５中Ｓ６として示される後工程と、については、第１実施形態と同様に実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法及び検査装置によれば、現像により樹脂層が除去され形成された光反射膜の露出領域において、光反射率を測定することにより、現像液の交換時期を適切に判断して、樹脂層の現像不良の発生を防止することができる。
したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法及び検査装置等によって得られた電気光学装置は、高品位であって、高い経済性を発揮することができる。すなわち、本発明に係る電気光学装置やそれを用いた電子機器として、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器や、電子放出素子を使用した装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、プラズマディスプレイ装置、有機エレクトロルミネッセンス装置及び無機エレクトロルミネッセンス装置が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置を説明するために供する断面図である。
【図２】第１実施形態に係る電気光学装置を説明するために供する斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置を説明するために供する平面図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明するために供するフロー図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る対向基板の製造工程を説明するために供する図である。（その１）
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る対向基板の製造工程を説明するために供する図である。（その２）
【図７】（ａ）〜（ｂ）は、レジスト残渣と光反射率との関係を示す模式図である。
【図８】現像液の使用頻度と光反射率との関係を示す特性図である。
【図９】光反射率測定器の一例を示す概略図である。
【図１０】（ａ）〜（ｂ）は、形状測定工程における形状測定の一例を示す概略図である。
【図１１】（ａ）〜（ｂ）は、対向基板の製造工程を説明するために供する図である。（その３）
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、素子基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図１３】（ａ）〜（ｂ）は、組立工程を説明するために供する図である。
【図１４】第２実施形態に係る電気光学装置を説明するために供する断面図である。
【図１５】第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明するために供するフロー図である。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態に係る対向基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態に係る素子基板の製造工程を説明するために供する図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０：液晶装置、２０：一対の基板、２１：電気光学物質（液晶材料）、２３：シール部、２３ａ：液晶注入口、３０：対向基板（カラーフィルタ基板）、３１：基体、３３：画素電極、３７ａ：露出領域、３７Ｘ：樹脂層、３７：カラーフィルタ層（樹脂膜）、３９：遮光膜、４１：保護膜（層厚調整層）、４５：配向膜、４７：位相差板、４９：偏光板、６０：素子基板、６１：基体、６３：画素電極、６６：ドレイン電極、６９：ＴＦＤ素子、６９´：ＴＦＴ素子、７１：素子第１電極、７２：絶縁膜、７３：素子第２電極、７９：光反射膜、８１：有機絶縁膜、８３：コンタクトホール、８７：位相差板、８９：偏光板、２００：光反射率測定器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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