(57)【要約】【課題】半導体プローブ及びこれを用いた記録再生方法を提供する。【解決手段】下部面に電極層が設けられた強誘電性媒体に情報を記録し、又は記録された情報を再生する半導体プローブであって、抵抗性チップと、媒体と対向する面に、電極層との間に電圧をオン／オフすることによって媒体とチップとの接触力を調節する静電力形成電極部が備わったカンチレバーと、を備えることを特徴とする半導体プローブである。また、該半導体プローブを用いる記録再生方法であって、媒体の電極層と半導体プローブの静電力形成電極部との間に電圧を印加して媒体とチップとの接触力に静電力を含める記録段階と、電極層と静電力形成電極部との間に電圧を印加せずに媒体とチップとの接触力に静電力を含めない再生段階と、を含むことを特徴とする記録再生方法である。【選択図】図６Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に電極層が設けられた強誘電性媒体に情報を記録し、又は記録された情報を再生するために、半導体不純物が低濃度にドーピングされた抵抗領域と前記半導体不純物が高濃度にドーピングされた導電領域とを含むチップ、及び前記チップの一端部に設けられたカンチレバーを備えた半導体プローブにおいて、
前記カンチレバーは、前記媒体と対向する面に、前記電極層との間の電圧をオン／オフすることによって前記媒体と前記チップとの接触力を調節する静電力形成電極部を備えることを特徴とする半導体プローブ。
【請求項２】
前記静電力形成電極部は、前記チップの導電領域と絶縁されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体プローブ。
【請求項３】
前記静電力形成電極部は、前記チップの導電領域と電気的に連結されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体プローブ。
【請求項４】
前記カンチレバーは、前記媒体と対向する面が段差構造を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちのいずれか一項に記載の半導体プローブ。
【請求項５】
低濃度にドーピングされた抵抗領域、及び高濃度にドーピングされた導電領域を含む抵抗性チップと、前記チップの一端部に設けられ、一面に電極層が設けられた強誘電性媒体と対向する面に前記導電領域と電気的に連結された静電力形成電極部を含むカンチレバーと、を備えた半導体プローブを用いて、前記媒体に情報を記録するか、或いは記録された情報を再生する記録再生方法であって、
前記電極層と前記高濃度にドーピングされた導電領域との間に電圧を印加して前記媒体に情報を記録するとき、前記静電力形成部と前記電極層との間に静電力を発生させて前記媒体と前記チップとの接触力を増大させる段階を含むことを特徴とする記録再生方法。
【請求項６】
低濃度にドーピングされた抵抗領域、及び高濃度にドーピングされた導電領域を含む抵抗性チップと、前記チップの一端部に設けられ、一面に電極層が設けられた強誘電性媒体と対向する面に前記導電領域と電気的に絶縁された静電力形成電極部を含むカンチレバーと、を備えた半導体プローブを用いて、前記媒体に情報を記録するか、或いは記録された情報を再生する記録再生方法において、
前記電極層と前記高濃度にドーピングされた導電領域との間に電圧を印加して前記媒体に情報を記録するとき、前記静電力形成部と前記電極層との間に静電力を発生させて前記媒体と前記チップとの接触力を増大させるように、前記電極層と前記静電力形成電極部との間に電圧を印加する段階を含むことを特徴とする記録再生方法。
【請求項７】
前記電極層と前記静電力形成電極部との間に電圧を印加する段階は、前記電極層と前記高濃度にドーピングされた導電領域との間に電圧を印加するより前に開始し、後で終了することを特徴とする請求項６に記載の記録再生方法。
【請求項８】
電界に関する情報を有し、かつ一面に電極層が備えられた媒体の情報を測定するプローブであって、
前記プローブは、チップと、前記媒体と対向する面に、前記電極層との間に電圧をオン／オフすることによって前記媒体と前記チップとの接触力の大きさを調節する静電力形成電極部が設けられたカンチレバーと、を備えることを特徴とするプローブ。
【請求項９】
前記カンチレバーは、前記媒体と対向する面が段差構造を含むことを特徴とする請求項８に記載のプローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）に用いられる半導体プローブ及びこれを用いた記録再生方法に係り、より詳しくは、媒体との接触力を調節できるカンチレバー構造を有した半導体プローブ及びこれを用いた記録再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プローブは、多くのＳＰＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）技術に用いられる。例えば、プローブと試料との間に印加される電圧差によって流れる電流を検出して、情報を再生する走査透過顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＳＴＭ）、プローブと試料の間の原子的力を用いる原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）、試料の磁場と磁化されたプローブの間の力を用いる磁気力顕微鏡（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＭＦＭ）、可視光線の波長による解像度限界を改善した近接場走査光学顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｎｅａｒ−Ｆｉｅｌｄ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＳＮＯＭ)、試料とプローブの間の静電力を用いた静電力顕微鏡（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＥＦＭ）などに用いられる。最近は、ＳＰＭに基づいた記録再生技術も登場している。ハードディスクドライブのような通常の磁気記録装置の場合、記録密度は、最近数十年間急激に増大しており、ヘッドとディスクとの間のインターフェースでのトライボロジー最適化と共に高度の信頼性が達成された。水平磁気記録の場合、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２の記録密度が達成され、垂直磁気記録の場合、それ以上の記録密度も可能であるというが、磁気記録技術は、基本的に超常磁性効果によって記録密度の限界を有している。最近、極度に先鋭なプローブチップを使用することによって、表面特性をナノスケールで測定できるＳＰＭが登場することによって、Ｔｂｉｔ／ｉｎ２レベルの記録密度が可能であると予想されている。このようなＳＰＭに基づいた記録技術は、小型化が可能な長所も共にあって、次世代保存技術として注目されているが、重要な解決課題としてプローブチップと記録媒体との間のインターフェース(ＰＭＩ)でのトライボロジー特性と関連した信頼性が問題になっている。
【０００３】
図１は、プローブを用いた記録再生において、カンチレバーベンディングによる機械力が接触力として作用する従来技術を示したものである。チップ３とカンチレバー５とを備えるプローブであって、カンチレバー５のベンディング（屈曲）を用いて媒体７とチップ３とが接触する。この時、ベンディングの程度は、必要な接触力によって決定される。例えば、抵抗性チップを備えた半導体プローブを用いて記録及び再生を行う場合、与えられた小さい記録電圧で安定的な記録を行うためには、比較的強い接触力が要求される。
【０００４】
この時、機械力のみで接触力を決定する従来技術の場合、記録時や再生時に同一な接触力が作用するという問題点がある。安定的な記録のために接触力を大きくすることは、プローブのチップの磨耗を起こってしまう。特に、ＰＺＴのような強誘電体を記録媒体として使用する場合、表面強度が相当に大きくて、チップの磨耗はさらに大きい問題になる。先鋭度が高いチップの場合、媒体との接触圧力が大きくなるので、媒体による磨耗破片がさらに多く発生して汚染が問題になり、またチップ自体も衝撃によって破損しうる。チップにスライディング方向に多少丸みを帯びさせれば、磨耗率が低いという研究結果があるが、これは記録密度を犠牲にしてしまう。従って、接触力を大きくしようとする場合、チップの形状は記録密度、スライディング速度、媒体の材質などを考慮して最適化されなければならないという難しさがある。一方、耐磨耗性を保証するためにチップ又は媒体に保護膜をコーティングする方法、例えば、ダイヤモンドをコーティングする方法も論議されたところがある。特許文献１は、耐磨耗性を保証するためにダイヤモンドがコーティングされたチップを用いる方法を提示しているが、強誘電体を用いたプローブ記録再生において、チップ又は媒体に異なる物質をコーティングするのは、記録再生特性を低下させるために適用しにくい。
【０００５】
安定的な記録のための接触力に合わせてカンチレバーベンディングを決定するようになれば、チップの磨耗がはなはだしくて記録再生特性を阻害し、磨耗を防止するために弱い接触になるように、カンチレバーベンディングを決定する場合、安定的な記録が行われず、やはり記録再生特性を阻害するという結果になる。
【０００６】
従って、チップと媒体との接触力は、このような問題点を考慮して適正な値に決定されなければならない。しかしながら、既存のカンチレバーのベンディングを用いた機械力を用いる方法は、記録時や再生時に同一な接触力が作用するようになっており、チップの磨耗を最小化するための弱い接触力の条件と安定した記録のための強い接触力の条件とを同時に満足させ難い。
【特許文献１】韓国特許公開第１９９９−０６９１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の技術的課題は、チップの磨耗を最小化しながらも、高記録密度での記録再生特性を保証できるように、チップと媒体との接触力を調節できる構造の半導体プローブとこれを用いた記録再生方法とを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記技術的課題を達成するために本発明は、一面に電極層が設けられた強誘電性媒体に情報を記録し、又は記録された情報を再生するために、半導体不純物が低濃度にドーピングされた抵抗領域と前記半導体不純物が高濃度にドーピングされた導電領域とを含むチップと、前記チップの一端部に設けられたカンチレバーと、を備えた半導体プローブであって、前記カンチレバーは、前記媒体と対向する面に、前記電極層との間の電圧をオン／オフすることによって前記媒体と前記チップとの接触力を調節する静電力形成電極部を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明による記録再生方法は、低濃度にドーピングされた抵抗領域及び高濃度にドーピングされた導電領域を含む抵抗性チップと、前記チップの一端部に設けられ、一面に電極層が設けられた強誘電性媒体と対向する面に、前記導電領域と電気的に連結された静電力形成電極部を備えるカンチレバーと、を備えた半導体プローブを用いて、前記媒体に情報を記録するか、或いは記録された情報を再生する記録再生方法であって、前記電極層と前記高濃度にドーピングされた導電領域との間に電圧を印加して前記媒体に情報を記録するとき、前記静電力形成部と前記電極層との間に静電力を発生させて前記媒体と前記チップとの接触力を増大させる段階を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の他の実施形態による記録再生方法は、低濃度にドーピングされた抵抗領域、及び高濃度にドーピングされた導電領域を含む抵抗性チップと、前記チップの一端部に設けられ、一面に電極層が設けられた強誘電性媒体と対向する面に前記導電領域と電気的に絶縁された静電力形成電極部を備えるカンチレバーと、を備えた半導体プローブを用いて、前記媒体に情報を記録するか、或いは記録された情報を再生する記録再生方法であって、前記電極層と前記高濃度にドーピングされた導電領域との間に電圧を印加して前記媒体に情報を記録するとき、前記静電力形成部と前記電極層との間に静電力を発生させて前記媒体と前記チップとの接触力を増大させるように、前記電極層と前記静電力形成電極部との間に電圧を印加する段階を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によって、媒体とチップとの接触力を調節できるプローブの構造が提供される。接触力に機械力以外に調節可能な静電力を含ませる構造であって、カンチレバー下部面に静電力形成のための電極部を備えて、媒体との間に電圧をオン／オフすることによって、静電力が接触力に包含又は含まれないようになる。また、抵抗性チップを備える半導体プローブとして応用されることによって、強誘電性媒体を安定的に記録再生する記録再生方法を提供する。すなわち、記録時には、静電力を共に印加して均一なドットサイズの安定的な記録を可能にし、再生時には、静電力が作用せずに機械力のみが作用するため、チップの磨耗を最小化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付した図面に基づき、本発明による好適な実施形態を詳細に説明する。
【００１３】
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明による半導体プローブの媒体とチップとの接触力の作用を示した概略図である。図２Ａのプローブ１１は、カンチレバー１３とその末端部にチップ１５とが形成されており、チップが形成された面で媒体１８と対向する面には、静電力形成電極部１７が設けられている。チップが媒体１８と接触するとき、チップ１５と媒体１８との間には、接触力が作用するが、この力は、カンチレバー１３のベンディングによる機械力ＦＭと、媒体下部電極１９とカンチレバー面に形成された前記静電力形成電極部１７との間に静電力形成電圧ＶＥとが印加される場合の静電力ＦＥとから構成される。カンチレバーベンディングによる機械力ＦＭの大きさは数式１の通りである。
【００１４】
【数１】
2007132922.tif 000003
【００１５】
ここで、ｋはカンチレバーの剛性であり、ｘはカンチレバーベンディングによる変位である。例えば、カンチレバーの剛性が０．８４Ｎ／ｍであり、変位が１ｎｍであれば、この力は８．４ｎＮになる。また、媒体下部電極１９とカンチレバーの静電力形成電極部１７との間に蓄積された静電エネルギーから静電力を計算でき、これは数式２の通りである。
【００１６】
【数２】
2007132922.tif 000004
【００１７】
ここで、ε0,ε1はそれぞれ空気の誘電定数と媒体の比誘電定数とであり、Ａは電極の断面積、ｔは媒体の厚さ、ｙは媒体と静電力形成電極部との間の距離を意味する。媒体がＰＺＴであり、比誘電定数が４００、ｔが０．０５μｍ、ｙが１μｍであり、印加電圧が５Ｖであれば、前記静電力は引力であって４３．２ｎＮになる。説明したように静電力の大きさは、機械力の数倍程度になり、これは印加電圧によって、オン／オフされることができるためにこれを用いて効果的に接触力の大きさを調節できる。また、この静電力の大きさは、前記式で示されたように媒体と静電力形成電極部との間の距離ｙに反比例するために、これを増減することによって静電力の大きさを異ならせる。
【００１８】
図２Ｂのプローブは、媒体１８と対向するカンチレバー面に段差構造が形成されたものである。すなわち、カンチレバー２３の下部面にチップ２５からカンチレバー２３の長手方向に所定距離離れたところに、前記チップ２５が形成された方向に所定厚さの突出部が形成されている。静電力形成電極部２７と媒体１８との間の距離ｙ’は、図２Ａのｙより小さい値になる構造であって静電力が大きくなる。この時、突出された部分は、媒体とより近い距離にあるようになるチップ２５の側部であることが効果的に静電力を大きくする方法になる。また、突出された高さや長さは、必要なほどの接触力が作用するように適切に決定できる。前記チップ１５、２５を抵抗性チップ３５とする場合、強誘電性媒体に情報を記録又は記録された情報を再生する半導体プローブとして応用できる。図３Ａ及び図３Ｂは、抵抗性チップを備えた半導体プローブを用いた記録及び再生原理を説明する概略図である。示した抵抗性チップ３５は、第１の不純物がドーピングされたチップであって、チップの尖端部には、第２の不純物が低濃度にドーピングされて形成された抵抗領域３２が存在し、前記抵抗領域の周辺傾斜面には、前記第２の不純物が高濃度にドーピングされた高濃度導電領域３６を備える。記録時には、図３Ａに示したように、チップの高濃度にドーピングされた導電領域３６と、強誘電性媒体３８の下部に設けられた電極層３９との間に電圧を印加し、これにより強誘電体ドメインが分極される。再生は、図３Ｂに示したように、分極されたドメインによる電場によって、抵抗性チップ３５の抵抗領域３２の抵抗変化を測定する方法による。すなわち、外部電場によって、チップ末端部分に空乏領域が形成されて抵抗領域３２の断面積が狭くなり、これにより、抵抗領域３２の抵抗値が小さくなることを測定するのである。
【００１９】
図４は、媒体とチップとの接触力と、記録されたドット大きさとの関係を説明するための図３Ａの点線部分の拡大図である。これを参照して接触力が記録特性に及ぼす影響を説明する。チップと媒体表面との接触を説明するためにチップの尖端部を拡大したものであり、Ｒはチップ尖端部の半径を示す。記録電圧によって分極されるドットのサイズは、媒体とチップとの接触力に依存する量になる。図４Ａは、強い接触を示したものであって、チップと媒体との間の接触が完璧に行われる場合である。記録電圧印加時に、チップの電圧Ｖｔｉｐは、つまり媒体表面の電圧Ｖｓと一致する。従って、記録されるドットのサイズは、接触長さ２Ａと同じである。しかしながら、接触が完璧ではない場合、図４Ｂでのように、チップと媒体表面との間の距離ｗは、０ではない有限な値になる。このような場合、強誘電性媒体の大きい誘電定数は、ｗによる電圧減少を急激にして媒体表面の電圧Ｖｓは数式３の通りである。
【００２０】
【数３】
2007132922.tif 000005
【００２１】
この場合、ドットのサイズは、図４Ａの２Ａより小さい値になる。このように、接触力によって記録特性が変わり、安定な記録のためには、媒体とチップとの間に強い接触が要求される。
【００２２】
静電力形成電極部１７、２７を備えた前記の構造のプローブは、接触力にカンチレバーベンディングによる機械力以外に、静電力を含むことができるために、さらに強い接触力で記録が可能になる。図５Ａ、図５Ｂを参照して、本発明の半導体プローブを用いた記録再生方法を詳細に説明する。図５Ａは、本発明による連続モード型半導体プローブを用いた記録再生方法を説明するための断面図であり、図５Ｂは記録及び再生時の記録電圧、静電力形成電圧及び接触力を示したグラフである。連続モードは、媒体のドメインの間に間隔を置かず、連続的に分極が起こるように記録信号を入力する方式を意味する。示した連続モード型半導体プローブ５１は、抵抗性チップ５５と抵抗性チップ５５が末端に設けられるカンチレバー５３とを備え、強誘電性媒体５８と対向するカンチレバーの面には、静電力形成電極部５７が形成されている。前記カンチレバー面は、平坦であってもよく、示したように段差構造であってもよい。また、静電力形成電極部５７は、チップ５５と距離を置かず形成されていて、チップ５５の高濃度にドーピングされた導電領域５６と電気的に連結されている。この場合、静電力形成電圧ＶＥは、記録電圧Ｖｗが印加されるときに共に印加されるために、記録時に常に静電力ＦＥが作用する。従って、連続モードで適用できる半導体プローブの構造になる。下部面に電極層５９を有する強誘電性媒体５８上に駆動部（図示せず）によって前記抵抗性チップ５５が設けられた後、記録及び再生が行われる。図５Ｂに示されるように、記録段階で抵抗性チップ５５の導電領域５６と、強誘電性媒体５８下部の電極層５９との間に記録電圧Ｖｗを印加する。この時、抵抗性チップ５５の導電領域５６とカンチレバー５３の静電力形成電極部５７とが連結されているため、記録電圧Ｖｗは、同時に静電力形成電圧ＶＥとしても機能するため、従って記録電圧Ｖｗが印加されると同時に、静電力ＦＥも発生する。チップと媒体表面との接触力は、カンチレバーベンディングによる機械力ＦＭ以外に静電力ＦＥを含んで強い接触が可能になる。この場合、チップの電圧は、媒体表面に減衰なしに伝達され、これにより、強誘電性媒体５９のドメインは分極されて安定的に記録が行われる。再生段階は、分極されたドメインからの電場による抵抗領域５２の抵抗変化を検出するものである。高濃度にドーピングされた導電領域５５と電極層５９との間に記録電圧Ｖｗが印加されず、従って静電力形成電圧ＶＥも印加されない。再生時の接触力は、ＦＭのみが作用するようになるため、チップの磨耗を減らすことができる。
【００２３】
図６Ａ、図６Ｂを参照して、本発明の他の実施形態による半導体プローブを用いた記録再生方法を説明する。図６Ａは、本発明による不連続モード型半導体プローブを用いた記録再生方法を説明するための断面図であり、図６Ｂは、記録及び再生時の記録電圧、静電力形成電圧及び接触力を示したグラフである。不連続モードは、媒体のドメイン間に一定した間隔を置いて分極が起こるように記録信号を入力する方式を意味する。示した不連続モード型半導体プローブ６１は、抵抗性チップ６５と、抵抗性チップ６５が末端に設けられるカンチレバー６３とを備え、カンチレバーの下部面で強誘電性媒体６８と対向する面には、静電力形成電極部６７が形成されている。前記カンチレバー面は、平坦であってもよく、示したように段差構造であってもよい。静電力形成電極部６７は、チップ６５と所定距離を置いて形成されており、抵抗性チップ６５の高濃度にドーピングされた導電領域６６と絶縁されるように配置されている。この場合、静電力形成電圧ＶＥは、記録電圧Ｖｗとは別個に印加されうる。下部面に電極層６９を有する強誘電性膜６８を備えた記録媒体上に駆動部（図示せず）によって抵抗性チップ６５が設けられた後で記録及び再生が行われる。記録段階は、抵抗性チップ６５の高濃度にドーピングされた導電領域６６と、強誘電性媒体６８下部の電極層６９との間に記録電圧Ｖｗを印加する以外に、カンチレバー６１の静電力形成電極部６７と前記電極層６９との間に静電力形成電圧ＶＥを印加する動作で行われる。記録電圧Ｖｗは、一定間隔下に不連続的に印加され、この時、抵抗性チップ６５の高濃度にドーピングされた導電領域６２とカンチレバー６３の静電力形成電極部６７は、別個に形成されているため、記録電圧Ｖｗが印加されると同時に、静電力形成電圧ＶＥも印加されねばならない。記録電圧Ｖｗと静電力形成電圧ＶＥは、同時にオン／オフされうる。好ましくは、記録電圧Ｖｗの印加時に接触力を確実に強くするために、示したように静電力形成電圧ＶＥが記録電圧Ｖｗより先にオンされ、後でオフされうる。記録時のチップと媒体との接触力は、カンチレバーベンディングによる機械力ＦＭ以外に静電力ＦＥを含むために、強い接触が可能になり、この場合、チップの電圧は、媒体表面に減衰なしに伝達される。これにより、強誘電性媒体６８のドメインは分極されて、安定的に記録が行われる。再生段階は、分極されたドメインからの電場による抵抗領域６２の抵抗変化を検出することにより、高濃度にドーピングされた導電領域６６と前記電極層６９との間に記録電圧Ｖｗが印加されず、静電力形成電圧ＶＥも印加されない状態で行われる。再生時の接触力は、機械力ＦＭのみが作用するため、チップの磨耗を減らすことができる。
【００２４】
本願発明の半導体プローブの構造及びこれを用いた記録再生方法は、理解を助けるために図面に示された実施形態を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決まるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】従来の半導体プローブの媒体とチップとの接触力を形成する力を示した概略図である。
【図２Ａ】本発明による半導体プローブの媒体とチップとの接触力を形成する力を示した概略図である。
【図２Ｂ】本発明による半導体プローブの媒体とチップとの接触力を形成する力を示した概略図である。
【図３Ａ】抵抗性チップが備わった半導体プローブを用いた記録の原理を説明する概略図である。
【図３Ｂ】抵抗性チップが備わった半導体プローブを用いた再生の原理を説明する概略図である。
【図４Ａ】媒体とチップとの接触力と、ドットサイズとの関係を説明するための図３Ａの点線部分の拡大図である。
【図４Ｂ】媒体とチップとの接触力と、ドットサイズとの関係を説明するための図３Ａの点線部分の拡大図である。
【図５Ａ】本発明による連続モード型半導体プローブを用いた記録再生方法を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】記録及び再生時の記録電圧、静電力形成電圧及び接触力を示したグラフである。
【図６Ａ】本発明による不連続モード型半導体プローブを用いた記録再生方法を説明するための断面図である。
【図６Ｂ】記録及び再生時の記録電圧、静電力形成電圧及び接触力を示したグラフである。
【符号の説明】
【００２６】
１１  プローブ
１３  カンチレバー
１５  チップ
１７  静電力形成電極部
１８  媒体
１９  媒体下部電極
【図１】
2007132922.tif 000006
【図２Ａ】
2007132922.tif 000007
【図２Ｂ】
2007132922.tif 000008
【図３Ａ】
2007132922.tif 000009
【図３Ｂ】
2007132922.tif 000010
【図４Ａ】
2007132922.tif 000011
【図４Ｂ】
2007132922.tif 000012
【図５Ａ】
2007132922.tif 000013
【図５Ｂ】
2007132922.tif 000014
【図６Ａ】
2007132922.tif 000015
【図６Ｂ】
2007132922.tif 000016