(57)【要約】【課題】溶融半田の電極層への滲み出しを阻止することによりロータの振動・異音発生を抑制できるリングバリスタの提供。【解決手段】リングバリスタ１０は円環状バリスタ素体１２の主面１２ａ上に相独立して形成された３つの扇状銀電極層１５を備える。各電極層１５は、中央部分に位置し整流子辺のライザと半田で固着される端子接続層１５ａと、この周方向の両側に位置する一対の張出電極層１５ｂ，１５ｃとから成る。端子接続層１５ａと張出電極層１５ｂ，１５ｃとは縁辺溝Ａ１，Ａ２で区画されている。縁辺溝Ａ１，Ａ２の外周側の切り残し部１５ａｂ，１５ａｃが一部連結部となっている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状バリスタ素体の主面上に相離間する複数の電極層を有するリングバリスタであって、
前記電極層は、その中央部分に位置して整流子片の端子と半田で導電接続するべき端子接続層と、この端子接続層の周方向の両側において分離溝を以って区画形成されており、一部連結部を介して前記端子接続層と導電接続した一対の張出電極層とを有することを特徴とするリングバリスタ。
【請求項２】
請求項１に記載のリングバリスタにおいて、前記分離溝の深さは前記環状バリスタ素体に達していることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のリングバリスタにおいて、前記分離溝は、前記環状バリスタ素体の内周側から外周側へ向けて切り込まれて前記端子接続層の両縁辺を形成する一対の縁辺溝であり、前記一部連結部は前記各縁辺溝の前記外周側での切り残し部であることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項４】
請求項３に記載のリングバリスタにおいて、前記一対の縁辺溝間の距離は前記内周側から外周側にかけて漸減していることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項５】
請求項３に記載のリングバリスタにおいて、前記一対の縁辺溝は実質的に平行であることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項６】
請求項１又は請求項２に記載のリングバリスタにおいて、前記分離溝は、前記環状バリスタ素体の外周側から内周側へ向けて切り込まれて前記端子接続層の両縁辺を形成する一対の縁辺溝であり、前記一部連結部は前記各縁辺溝の前記内周側での切り残し部であることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項７】
請求項６に記載のリングバリスタにおいて、前記一対の縁辺溝は実質的に平行であることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項８】
請求項６に記載のリングバリスタにおいて、前記一対の縁辺溝はそれぞれ放射状であることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項９】
請求項８に記載のリングバリスタにおいて、前記各縁辺溝から前記端子接続層側へ食い込んだ複数の第１分岐溝が形成されていることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項１０】
請求項９に記載のリングバリスタにおいて、前記各縁辺溝から前記張出電極層側へ食い込んだ複数の第２分岐溝が形成されていることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項１１】
請求項６に記載のリングバリスタにおいて、前記一対の縁辺溝は前記外周側で交差し、前記一対の縁辺溝間の距離は前記外周側から前記内周側にかけて漸増していることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項１２】
請求項１又は請求項２に記載のリングバリスタにおいて、前記分離溝は開ループ溝であることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項１３】
請求項１２に記載のリングバリスタにおいて、前記開ループ溝の一端は前記環状バリスタ素体の貫通孔に繋がっていることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項１４】
請求項１３に記載のリングバリスタにおいて、前記一部連結部は前記端子接続層と一方の前記張出電極層とを連結する内周側連結部と前記一方の張出電極層と他方の前記張出電極層とを連結する外周側連結部とであることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項１５】
請求項１４に記載のリングバリスタにおいて、前記端子接続層は放射方向を短径とする楕円状であることを特徴とするリングバリスタ。
【請求項１６】
請求項１４に記載のリングバリスタにおいて、前記端子接続層は前記外周側に円弧を持つ扇状であることを特徴とするリングバリスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直流モータにおける整流子片のライザに搭載されるリングバリスタに関し、特に、その電極形状に関する。
【背景技術】
【０００２】
小形直流モータにおいて、リングバリスタの周面に複数の電極層が形成されたものは、電極面積が確保できないため、バリスタ容量が小さくなることから、多くの場合、主面（端面）に複数の電極層を形成したものが使用される。
【０００３】
例えば、実開昭６１−１９５７６１においては外周側突片を持つリングバリスタが開示されている。このリングバリスタは円環状ではないため製造コスト高となるものであるが、外周側突片の部分だけ電極面積を広くできるので、バリスタ容量を高めることができる。
【特許文献１】実開昭６１−１９５７６１（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、外周側突片と整流子片の端子（ライザ）とを重ね合わせて両者に電機子巻線を絡げた後、その絡げ部分を半田付けしているため、半田付けの際の溶融半田が外周側突片からリングバリスタの円弧縁側へ滲み出て、半田付固着部分の拡大と偏りによってリングバリスタの重心、つまりロータの重心が回転中心からずれるおそれがあり、ロータの振動・異音発生の原因となる。
【０００５】
そこで上記問題点に鑑み、本発明の課題は、溶融半田の電極層への滲み出しを阻止することによりロータの振動・異音発生を抑制できるリングバリスタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明は、環状バリスタ素体の主面上に相離間する複数の電極層を有するリングバリスタであって、電極層は、その中央部分に位置して整流子片の端子と半田で導電接続するべき端子接続層と、この端子接続層の周方向の両側において分離溝を以って区画形成されており、一部連結部を介して端子接続層と導電接続した一対の張出電極層とを有することを特徴とする。
【０００７】
斯かる構成においては、分離溝で端子接続層が区画されているので、溶融半田の滲み出しが張出電極層へは拡がり難く、半田盛りによる偏重心の発生を抑制でき、ロータの振動・異音発生を抑制できる。しかも、溶融半田の溶融熱が分離溝により熱容量の少ない端子接続層に限定されるので、低温の張出電極層への拡がりを抑制している。また、溶融半田の滲み出しに影響されない張出電極層の面積を拡大できるため、バリスタ容量が高まり、ノイズ吸収効果が向上すると共に、端子接続層の面積比率が相対的に減少するので偏重心の発生を一層抑制できる。
【０００８】
分離溝の深さとしては電極層の厚さで、溝底が環状バリスタ素体の主面にある場合の外、環状バリスタ素体内にも分離溝が深く形成されていても良い。溶融半田の滲み出しが多い場合や分離溝の溝幅が狭い場合でも、その滲み出しが分離溝を越えて張出電極層へは架橋し難い。
【０００９】
分離溝としては、環状バリスタ素体の内周側から外周側へ向けて切り込まれて端子接続層の両縁辺を形成する一対の縁辺溝とし、一部連結部としては各縁辺溝の外周側での切り残し部とすることができる。斯かる場合、一対の縁辺溝間の距離は内周側から外周側にかけて漸減しても好く、また一対の縁辺溝は実質的に平行でも好い。
【００１０】
逆に、分離溝としては、環状バリスタ素体の外周側から内周側へ向けて切り込まれて端子接続層の両縁辺を形成する一対の縁辺溝とし、一部連結部としては各縁辺溝の内周側での切り残し部とすることができる。端子接続層の外周側は一対の縁辺溝により両張出電極層とは分離されているため、外周側から溶融熱と溶融半田の滲み出しが張出電極層へ伝うことがなく、また内周側の一部連結部では温度が低いため、滲み出しが張出電極層へ拡がり難い。端子接続層の内周側へ滲み出しがあっても、回転中心との距離（モーメントの腕の長さ）が短いため、半田盛りによる偏重心に与える寄与は小さくなる。
【００１１】
斯かる場合、一対の縁辺溝は実質的に平行でも好いし、一対の縁辺溝はそれぞれ放射状でも好い。一対の縁辺溝がそれぞれ放射状の場合、各縁辺溝から端子接続層側へ食い込んだ複数の第１分岐溝が形成されていても好い。この第１分岐溝が溶融半田溜まりとなる。また、各縁辺溝から張出電極層側へ食い込んだ複数の第２分岐溝が形成されていても好い。この第２分岐溝も溶融半田溜まりとなる。
【００１２】
また、一対の縁辺溝として外周側で交差し、一対の縁辺溝間の距離は外周側から内周側にかけて漸増していることが望ましい。つまり、端子接続層は内周側から外周側にかけて山形状になるため、回転中心との距離（モーメントの腕の長さ）が長くなる程、外周側の滲み出し幅を限定できるので、半田盛りによる偏重心の発生を一層抑制できる。
【００１３】
環状バリスタ素体の主面上に電極層を形成する方法は、一般に銀電極のペーストインクをスクリーン印刷するものであるから、非電極層の分離溝はマスクされているため、マスク合わせの手間を省くには、分離溝としては開ループ溝としても好い。この場合、端子接続層はいわば半島状となるが、溶融熱の伝導と溶融半田の滲み出しを限定できるので、偏重心の発生を抑制できると共に、張出電極層の面積拡大によりバリスタ容量を高めることができる。
【００１４】
通常、開ループ溝の一端は環状バリスタ素体の貫通孔に繋がっているのが望ましい。複数の電極部を持つリングバリスタの製造においては一枚のマスクの使用で足りる。
【００１５】
この開ループ溝を有する場合、一部連結部としては端子接続層と一方の張出電極層とを連結する内周側連結部と一方の張出電極層と他方の張出電極層とを連結する外周側連結部とである。そして、端子接続層としては放射方向を短径とする楕円状でも好く、また外周側に円弧を持つ扇状でも好い。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るリングバリスタによれば、分離溝で端子接続層が区画されているので、溶融半田の滲み出しが張出電極層へは拡がり難く、半田盛りによる偏重心の発生を抑制でき、ロータの振動・異音発生を抑制できる。しかも、溶融半田の溶融熱が分離溝により熱容量の少ない端子接続層に限定されるので、低温の張出電極層への拡がりを抑制している。また、溶融半田の滲み出しに影響されない張出電極層の面積を拡大できるため、バリスタ容量が高まり、ノイズ吸収効果が向上すると共に、端子接続層の面積比率が相対的に減少するので偏重心の発生を一層抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は本発明に係る実施例１のリングバリスタを示す斜視図、図２は同リングバリスタを整流子のライザに搭載した状態を示す斜視図である。
【００１９】
本例のリングバリスタ１０は、中央に貫通孔１１を有する焼結体の円環状バリスタ素体１２と、そのリング状の主面（端面）１２ａ上に相独立して形成された３つの扇状銀電極層１５とを備えて成る。各扇状銀電極層１５は、中央部分に位置する端子接続層１５ａと、この周方向の両側に位置する一対の張出電極層１５ｂ，１５ｃとから成る。
【００２０】
端子接続層１５ａと一方の張出電極層１５ｂとは円環状バリスタ素体１２の内周側から外周側へかけて直線状に切り込まれた縁辺溝Ａ１で分離され、また端子接続層１５ａと他方の張出電極層１５ｃとは同じく内周側から外周側へかけて直線状に切り込まれた縁辺溝Ａ２で分離されている。縁辺溝Ａ１，Ａ２の間の距離は内周側から外周側にかけて漸減しており、内周側縁を下辺と見る場合、縁辺溝Ａ１，Ａ２は「ハ」の字状に形成され、それ故、端子接続層１５ａは概ね台形状であり、張出電極層１５ｂ，１５ｃはそれぞれ扇状となっている。この端子接続層１５ａは、図２に示す如く、整流子片１のライザ（端子）２と半田で導電接続するべき専用領域である。縁辺溝Ａ１，Ａ２は非電極部であって円環状バリスタ素体１２の主面１２ａが露出している。縁辺溝Ａ１の外周側でその終端を形成する切り残し部１５ａｂは端子接続層１５ａと一方の張出電極層１５ｂとを導電接続するための一部連結部となっている。また縁辺溝Ａ２の外周側でその終端を形成する切り残し部１５ａｃは端子接続層１５ａと他方の張出電極層１５ｃとを導電接続するための一部連結部となっている。
【００２１】
図２に示す如く、ライザ２はその括れ部２ａに電機子巻線が絡げられた巻回部（図示せず）を有しているものであるが、この括れ部２ａは端子接続層１５ａの上に位置し、この部分に溶融半田を盛ってライザ２と電極層１５とを導電接続して固着する。端子接続層１５ａは縁辺溝Ａ１，Ａ２で張出電極層１５ｂ，１５ｃとは分離しているので、滲み出し半田が張出電極層１５ｂ，１５ｃへは拡がり難く、半田盛りによる偏重心の発生を抑制でき、ロータの振動・異音発生を抑制できる。しかも、溶融半田の溶融熱が縁辺溝Ａ１，Ａ２により熱容量の少ない端子接続層１５ａに限定されるので、低温の張出電極層１５ｂ，１５ｃへの拡がりを抑制している。また、滲み出し半田に影響されない張出電極層１５ｂ，１５ｃの面積を拡大できるため、バリスタ容量が高まり、ノイズ吸収効果が向上すると共に、端子接続層１５ａの面積比率が相対的に減少するので偏重心の発生を一層抑制できる。
【実施例２】
【００２２】
図３は本発明に係る実施例２のリングバリスタを示す斜視図である。なお、図２において図１に示す部分と同一部分には同一参照符号を付し、その説明は省略する。
【００２３】
本例のリングバリスタ２０において、各扇状銀電極層１５′は、中央部分に位置する端子接続層１５ａ′と、この周方向の両側に位置する一対の張出電極層１５ｂ′，１５ｃ′とから成る。縁辺溝Ｂ１，Ｂ２も内周側から外周側へ切り込まれているが、その距離は平行になっており、外周側の切り残し部１５ａｂ′，１５ａｃ′が一部連結部となっている。このリングバリスタ２０においても実施例１のリングバリスタ１０と同様の効果を得ることができる。
【実施例３】
【００２４】
図４は本発明に係る実施例３のリングバリスタを示す斜視図である。なお、図４において図３に示す部分と同一部分には同一参照符号を付し、その説明は省略する。
【００２５】
本例のリングバリスタ３０における扇状銀電極層１５′は実施例２のものと同じであるが、縁辺溝Ｂ１′，Ｂ２′は円環状バリスタ素体１２も貫通したスリットとなっている。縁辺溝Ｂ１′，Ｂ２′が深く貫通しているため、滲み出し半田量が多い場合や縁辺溝Ｂ１′，Ｂ２′の溝幅が狭い場合でも、その滲み出し半田の張出電極層１５ｂ′，１５ｃ′への架橋が起り難い。
【実施例４】
【００２６】
図５は本発明に係る実施例４のリングバリスタを示す斜視図である。本例のリングバリスタ４０は、中央に貫通孔１１を有する焼結体の円環状バリスタ素体１２と、そのリング状の主面（端面）１２ａ上に相独立して形成された３つの扇状銀電極層２５とを備えて成る。各扇状銀電極層２５は、中央部分に位置する端子接続層２５ａと、この周方向の両側に位置する一対の張出電極層２５ｂ，２５ｃとから成る。
【００２７】
端子接続層２５ａと一方の張出電極層２５ｂとは、実施例１〜３とは逆に、外周側から内周側へかけて直線状に切り込まれた縁辺溝Ｃ１で分離され、また端子接続層２５ａと他方の張出電極層２５ｃとは外周側から内周側へかけて直線状に切り込まれた縁辺溝Ｃ２で分離されている。縁辺溝Ｃ１，Ｃ２は平行である。本例の場合も、この端子接続層２５ａも整流子片のライザ（端子）と半田で導電接続するべき専用領域である。縁辺溝Ｃ１，Ｃ２は非電極部であって円環状バリスタ素体１２の主面１２ａが露出している。縁辺溝Ｃ１の外周側でその終端を形成する切り残し部２５ａｂは端子接続層２５ａと一方の張出電極層２５ｂとを導電接続するための一部連結部となっている。また縁辺溝Ｃ２の外周側でその終端を形成する切り残し部２５ａｃは端子接続層２５ａと他方の張出電極層２５ｃとを導電接続するための一部連結部となっている。
【００２８】
本例の場合も、図２に示すようなライザ２はその括れ部２ａに電機子巻線が絡げられた巻回部（図示せず）を有しているものであるが、この括れ部２ａは端子接続層２５ａの上に位置し、この部分に溶融半田を盛ってライザ２と電極層２５とを導電接続して固着する。端子接続層２５ａは縁辺溝Ｃ１，Ｃ２で張出電極層２５ｂ，２５ｃとは分離しているので、滲み出し半田が張出電極層２５ｂ，２５ｃへは拡がり難く、半田盛りによる偏重心の発生を抑制でき、ロータの振動・異音発生を抑制できる。しかも、溶融半田の溶融熱が縁辺溝Ｃ１，Ｃ２により熱容量の少ない端子接続層２５ａに限定されるので、低温の張出電極層２５ｂ，２５ｃへの拡がりを抑制している。また、滲み出し半田に影響されない張出電極層２５ｂ，２５ｃの面積を拡大できるため、バリスタ容量が高まり、ノイズ吸収効果が向上すると共に、端子接続層２５ａの面積比率が相対的に減少するので偏重心の発生を一層抑制できる。
【００２９】
以上の効果は実施例１〜３と同様であるが、特に本例の場合、端子接続層２５ａの外周側が縁辺溝Ｃ１，Ｃ２で張出電極層２５ｂ，２５ｃとは分離しているので、ライザの先端側に付着した溶融半田から張出電極層２５ｂ，２５ｃ側への滲み出しが起らない。外周側での溶融半田の滲み出しを端子接続層２５ａ内に限定できるので、回転中心から滲み出し半田までの距離を短くでき、半田盛りによる偏重心を一層抑制できる。一方、端子接続層２５ａの内周側は切り残し部２５ａｂ，２５ａｃを介して張出電極層２５ｂ，２５ｃに連結しているため、端子接続層２５ａの内周側でのヒートシンク効果が強まり、端子接続層２５ａの内周側への溶融半田の滲み出し量も減少する。
【００３０】
なお、縁辺溝Ｃ１，Ｃ２は実施例１のように「ハ」の字状に形成しても好く、また実施例３のように円環状バリスタ素体１２も貫通したスリットとしても好い。
【実施例５】
【００３１】
図６は本発明に係る実施例５のリングバリスタを示す斜視図である。なお、図６において図５に示す部分と同一部分には同一参照符号を付し、その説明は省略する。
【００３２】
本例のリングバリスタ５０において、各扇状銀電極層２５′は、中央部分に位置する端子接続層２５ａ′と、この周方向の両側に位置する一対の張出電極層２５ｂ，２５ｃとから成る。放射状の縁辺溝Ｃ１′（Ｃ２′）の中途部分から端子接続層２５ａ′側へ食い込んだ２つの第１分岐溝Ｘ１（Ｘ２）が形成されている。端子接続層２５ａ′上の溶融半田の滲み出しは、縁辺溝Ｃ１′，Ｃ２′よりも第１分岐溝Ｘ１，Ｘ２で溶融半田溜まりとなり、半田盛りをより限定できるので、偏重心を抑制できる。
【実施例６】
【００３３】
図７は本発明に係る実施例６のリングバリスタを示す斜視図である。なお、図７において図６に示す部分と同一部分には同一参照符号を付し、その説明は省略する。
【００３４】
本例のリングバリスタ６０において、各扇状銀電極層２５″は、中央部分に位置する端子接続層２５ａ′と、この周方向の両側に位置する一対の張出電極層２５ｂ′，２５ｃ′とから成る。放射状の縁辺溝Ｃ１′（Ｃ２′）の中途部分から張出電極層２５ｂ′（２５ｃ′）側へ食い込んだ２つの第２分岐溝Ｙ１（Ｙ２）が形成されている。端子接続層２５ａ′上での溶融半田の滲み出し量が多い場合でも、第１分岐溝Ｘ１（Ｘ２）と第２分岐溝Ｙ１（Ｙ２）との間で溶融半田溜まりとなり、半田盛りをより限定できるので、偏重心を抑制できる。
【実施例７】
【００３５】
図８は本発明に係る実施例７のリングバリスタを示す斜視図、図９は同リングバリスタを整流子のライザに搭載した状態を示す斜視図である。
【００３６】
本例のリングバリスタ７０は、中央に貫通孔１１を有する焼結体の円環状バリスタ素体１２と、そのリング状の主面（端面）１２ａ上に相独立して形成された３つの扇状銀電極層３５とを備えて成る。各扇状銀電極層３５は、中央部分に位置する端子接続層３５ａと、この周方向の両側に位置する一対の張出電極層３５ｂ，３５ｃとから成る。
【００３７】
端子接続層３５ａと一方の張出電極層３５ｂとは外周側から内周側へかけて直線状に切り込まれた縁辺溝Ｄ１で分離され、また端子接続層３５ａと他方の張出電極層３５ｃとは外周側から内周側へかけて直線状に切り込まれた縁辺溝Ｄ２で分離されている。縁辺溝Ｄ１と縁辺溝Ｄ２とは外周側の切り込み口Ｐで交差し、縁辺溝Ｄ１，Ｄ２の間の距離は内周側から外周側にかけて漸減しており、内周側縁を下辺と見る場合、端子接続層３５ａは二等辺三角形状である。この端子接続層３５ａは、図９に示す如く、整流子片１のライザ（端子）２と半田で導電接続するべき専用領域である。縁辺溝Ｄ１，Ｄ２は非電極部であって円環状バリスタ素体１２の主面１２ａが露出している。縁辺溝Ｄ１の内周側でその終端を形成する切り残し部３５ａｂは端子接続層３５ａと一方の張出電極層３５ｂとを導電接続するための一部連結部となっている。また縁辺溝Ｄ２の内周側でその終端を形成する切り残し部３５ａｃは端子接続層３５ａと他方の張出電極層３５ｃとを導電接続するための一部連結部となっている。
【００３８】
図９に示す如く、ライザ２はその括れ部２ａに電機子巻線が絡げられた巻回部（図示せず）を有しているものであるが、この括れ部２ａは端子接続層３５ａの上に位置し、この部分に溶融半田を盛ってライザ２と電極層３５とを導電接続して固着する。端子接続層３５ａは縁辺溝Ｄ１，Ｄ２で張出電極層３５ｂ，３５ｃとは分離しているので、滲み出し半田が張出電極層３５ｂ，３５ｃへは拡がり難く、半田盛りによる偏重心の発生を抑制でき、ロータの振動・異音発生を抑制できる。しかも、溶融半田の溶融熱が縁辺溝Ｄ１，Ｄ２により熱容量の少ない端子接続層３５ａに限定されるので、低温の張出電極層３５ｂ，３５ｃへの拡がりを抑制している。また、滲み出し半田に影響されない張出電極層３５ｂ，３５ｃの面積を拡大できるため、バリスタ容量が高まり、ノイズ吸収効果が向上すると共に、端子接続層３５ａの面積比率が相対的に減少するので偏重心の発生を一層抑制できる。
【００３９】
以上の効果は実施例１〜３と同様であるが、特に本例の場合、括れ部２ａが端子接続層３５ａの三角頂点付近に位置し、切り込み口Ｐで張出電極層３５ｂ，３５ｃの外周側を分離しているので、ライザ２の先端側に付着した溶融半田は切り込み口Ｐに半田溜まりとして集まる。これによって張出電極層３５ｂ，３５ｃが切り込み口Ｐ内で架橋しても導通抵抗がむしろ低減するだけで、半田盛りによる偏重心の抑制効果に悪影響しない。端子接続層３５ａの内周側は切り残し部３５ａｂ，３５ａｃを介して張出電極層３５ｂ，３５ｃに連結しているため、端子接続層３５ａの内周側でのヒートシンク効果が強まり、端子接続層３５ａの内周側への溶融半田の滲み出し量も減少する。
【実施例８】
【００４０】
図１０は本発明に係る実施例８のリングバリスタを示す斜視図である。本例のリングバリスタ８０は、中央に貫通孔１１を有する焼結体の円環状バリスタ素体１２と、そのリング状の主面（端面）１２ａ上に相独立して形成された３つの扇状銀電極層４５とを備えて成る。各扇状銀電極層４５は、中央部分に位置して放射方向を短径とする楕円状の端子接続層４５ａと、この周方向の両側に位置する一対の張出電極層４５ｂ，４５ｃとから成る。
【００４１】
端子接続層４５ａと張出電極層４５ｂ，４５ｃとは貫通孔１１に繋がる開ループ溝Ｅで区画されている。端子接続層４５ａと一方の張出電極層４５ｂとは内周側の切り残し部（内周側連結部）４５ａｂで一部連結し、一方の張出電極層４５ｂと他方の張出電極層４５ｃとは外周側連結部４５ｂｃを介して導電接続している。この端子接続層４５ａは、図２に示す如く、整流子片１のライザ（端子）２と半田で導電接続するべき専用領域である。
【００４２】
ここで、主面（端面）１２ａ上に３つの扇状銀電極層４５を形成する方法は、一般に銀電極のペーストインクをスクリーン印刷するものであるから、主面１２ａが露出する非電極層の部分をマスクするものであるが、複数枚のマスクを用いるとマスク合わせの手間が増えるため、１枚のマスクのみを使用するのが望ましい。そこで、貫通孔１１の部分をマスクの連結部分とするために、貫通孔１１に繋がる開ループ溝Ｅを形成したものである。開ループ溝Ｅの切り込み口Ｑが回転中心により近づくため、位置精度が高まる。
【００４３】
図２に示す如く、ライザ２はその括れ部２ａに電機子巻線が絡げられた巻回部（図示せず）を有しているものであるが、この括れ部２ａは端子接続層４５ａの上に位置し、この部分に溶融半田を盛ってライザ２と電極層４５とを導電接続して固着する。端子接続層４５ａは開ループ溝Ｅで張出電極層４５ｂ，４５ｃとは分離しているので、滲み出し半田が張出電極層４５ｂ，４５ｃへは拡がり難く、半田盛りによる偏重心の発生を抑制でき、ロータの振動・異音発生を抑制できる。しかも、溶融半田の溶融熱が開ループ溝Ｅにより熱容量の少ない端子接続層４５ａに限定されるので、低温の張出電極層４５ｂ，４５ｃへの拡がりを抑制している。また、滲み出し半田に影響されない張出電極層４５ｂ，４５ｃの面積を拡大できるため、バリスタ容量が高まり、ノイズ吸収効果が向上すると共に、端子接続層４５ａの面積比率が相対的に減少するので偏重心の発生を一層抑制できる。
【実施例９】
【００４４】
図１１は本発明に係る実施例９のリングバリスタを示す斜視図である。本例のリングバリスタ９０は、中央に貫通孔１１を有する焼結体の円環状バリスタ素体１２と、そのリング状の主面（端面）１２ａ上に相独立して形成された３つの扇状銀電極層４５′とを備えて成る。各扇状銀電極層４５′は、中央部分に位置して外周側に円弧を持つ扇状の端子接続層４５ａ′と、この周方向の両側に位置する一対の張出電極層４５ｂ′，４５ｃ′とから成る。
【００４５】
端子接続層４５ａ′と張出電極層４５ｂ′，４５ｃ′とは貫通孔１１に繋がる開ループ溝Ｅ′で区画されている。端子接続層４５ａ′と一方の張出電極層４５ｂ′とは内周側の切り残し部（内周側連結部）４５ａｂ′で一部連結し、一方の張出電極層４５ｂ′と他方の張出電極層４５ｃ′とは外周側連結部４５ｂｃ′を介して導電接続している。この端子接続層４５ａ′は、図２に示す如く、整流子片１のライザ（端子）２と半田で導電接続するべき専用領域である。
【００４６】
このような扇状の端子接続層４５ａ′でも、実施例８と同様な効果を奏する。
【００４７】
なお、上記各実施例における端子接続層１５ａ，１５ａ′，２５ａ，２５ａ′，３５ａ，４５ａ、４５ａ′の全領域又は一部領域において、溶融半田の滲み出しを一層抑制するため、溝Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ１′，Ｂ２′，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ１′，Ｃ２′，Ｄ１，Ｄ２，Ｅ，Ｅ′の溝幅以下の細かな凹凸を粗面形成しても好い。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る実施例１のリングバリスタを示す斜視図である。
【図２】同リングバリスタを整流子のライザに搭載した状態を示す斜視図である。
【図３】本発明に係る実施例２のリングバリスタを示す斜視図である。
【図４】本発明に係る実施例３のリングバリスタを示す斜視図である。
【図５】本発明に係る実施例４のリングバリスタを示す斜視図である。
【図６】本発明に係る実施例５のリングバリスタを示す斜視図である。
【図７】本発明に係る実施例６のリングバリスタを示す斜視図である。
【図８】本発明に係る実施例７のリングバリスタを示す斜視図である。
【図９】同リングバリスタを整流子のライザに搭載した状態を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る実施例８のリングバリスタを示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る実施例９のリングバリスタを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…整流子片
２…ライザ（端子）
２ａ…括れ部
１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０…リングバリスタ
１１…貫通孔
１２…円環状バリスタ素体
１２ａ…主面（端面）
１５，１５′，２５，２５′，２５″，３５，４５，４５′…扇状銀電極層
１５ａ，１５ａ′，２５ａ，２５ａ′，３５ａ，４５ａ、４５ａ′…端子接続層
１５ｂ，１５ｃ，１５ｂ′，１５ｃ′，２５ｂ，２５ｃ，２５ｂ′，２５ｃ′，３５ｂ，３５ｃ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｂ′，４５ｃ′…張出電極層
１５ａｂ，１５ａｃ，１５ａｂ′，１５ａｃ′，２５ａｂ，２５ａｃ，３５ａｂ，３５ａｃ…切り残し部（一部連結部）
４５ａｂ，４５ａｂ′…切り残し部（内周側連結部）
４５ｂｃ，４５ｂｃ′…外周側連結部
Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ１′，Ｂ２′，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ１′，Ｃ２′，Ｄ１，Ｄ２…縁辺溝
Ｅ，Ｅ′…開ループ溝
Ｐ，Ｑ，Ｑ′…切り込み口
Ｘ１，Ｘ２…第１分岐溝
Ｙ１，Ｙ２…第２分岐溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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