(57)【要約】【課題】低背化を可能とする圧電デバイス及びその製造方法を提供すること。【解決手段】電子部品２０と、パッケージ３２内に圧電振動片３５が収容された圧電振動子３０とが、基板４０の配線パターン２７を介して電気的に接続されている圧電デバイスであって、電子部品２０は、基板４０の上面４０ａに配置され、圧電振動子３０は、基板４０と並列に配置されており、基板４０の上面４０ａ側であって、少なくとも圧電振動子３０と基板４０との接合領域に、樹脂６２が付着している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、パッケージ内に圧電振動片が収容された圧電振動子とが、基板の配線パターンを介して電気的に接続されている圧電デバイスであって、
前記電子部品は、前記基板の上面に配置され、
前記圧電振動子は、前記基板と並列に配置されており、
前記基板の上面側であって、少なくとも前記圧電振動子と前記基板との接合領域に、樹脂が付着している
ことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
前記圧電振動子の上面が外部に露出するようにして、前記圧電振動子の前記基板側の側面、及び前記電子部品を含む前記基板の上側全体が樹脂で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記圧電振動子のパッケージは、前記基板の近傍に、前記圧電振動片と電気的に接続された導電パターンを有しており、
前記基板の配線パターンは、前記導電パターンに隣接するように配置されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記電子部品は前記基板の配線パターンとワイヤボンディングされており、
前記パッケージは、前記基板側の一部が水平方向に突出して、この突出部の上面に前記導電パターンが設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の圧電デバイス。
【請求項５】
前記パッケージは、前記基板側の一部が水平方向に突出して、この突出部の上面に前記導電パターンが設けられており、
前記基板は、前記パッケージ側がクランク状になって、前記突出部の上面に載置されるようになっており、前記クランク状の端部の下面に前記配線パターンが設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の圧電デバイス。
【請求項６】
前記導電パターンは、前記パッケージの上向きの面に延伸されていることを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の圧電デバイス。
【請求項７】
圧電振動片を収容するパッケージを有する圧電振動子と、この圧電振動子と電気的に接続される電子部品と、この電子部品と前記圧電振動子とを電気的に接続するための配線パターンを有する基板とを、別々に形成する準備工程と、
前記圧電振動子と前記基板とを並列に配置する並列配置工程と、
前記電子部品を、前記基板の上面に配置する部品配置工程と、
前記基板の上面側であって、少なくとも前記圧電振動子と前記基板との接合領域に、樹脂を付着する樹脂塗布工程と
を備えることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を利用して、圧電振動子と電子部品とを接続するようにした圧電デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはページングシステム等の移動体通信機器において、圧電デバイスが広く使用されている。
図１０は従来の圧電デバイス１の概略斜視図を示しており（特許文献１参照）、図において、圧電デバイス１は、基板２と、圧電振動子３と、半導体チップ４とを有している。
【０００３】
すなわち、基板２の上面に、圧電振動子３と半導体チップ４とを横並びになるように実装し、基板２上の図示しない配線パターンを介して、圧電振動子３と半導体チップ４とを電気的に接続するようにしている。これにより、圧電振動子３と半導体チップ４とを高さ方向に並べる場合に比べて、圧電デバイス１の薄型化を可能としている。
また、圧電デバイス１は、半導体チップ４と配線パターンとを電気的に接続するためのボンディングワイヤ５を樹脂６でコートして、他の電子機器との短絡などを防止するようにしている。
【０００４】
【特許文献１】実開平１−８２５０７号のマイクロフィルム
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、近年、情報機器などの電子機器ではその薄型化が急速に進んでおり、その電子機器に用いられる圧電デバイスについても、さらなる薄型化が要求されている。このため、図１０に示すような圧電デバイス１であっても、この薄型化の要求に応えられないケースが生じてきている。
【０００６】
本発明は、低背化を可能とする圧電デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的は、第１の発明によれば、電子部品と、パッケージ内に圧電振動片が収容された圧電振動子とが、基板の配線パターンを介して電気的に接続されている圧電デバイスであって、前記電子部品は、前記基板の上面に配置され、前記圧電振動子は、前記基板と並列に配置されており、前記基板の上面側であって、少なくとも前記圧電振動子と前記基板との接合領域に、樹脂が付着している圧電デバイスにより達成される。
【０００８】
第１の発明の構成によれば、電子部品は基板の上面に配置されているが、圧電振動子は、基板と並列に配置されている。したがって、圧電振動子が基板の上面に配置されていないため、基板の厚み分、圧電デバイスを低背化することができる。そして、このように圧電振動子と基板とを並列に配置したとしても、基板の上面側であって、少なくとも圧電振動子と基板との接合領域に、樹脂が付着しているため、この樹脂によって圧電振動子と基板とを接合できる。
かくして、本発明によれば、低背化を可能とする圧電デバイスを提供することができる。
【０００９】
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記圧電振動子の上面が外部に露出するようにして、前記圧電振動子の前記基板側の側面、及び前記電子部品を含む前記基板の上側全体が樹脂で覆われていることを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、電子部品を含む基板の上側全体が樹脂で覆われているため、基板上の電子部品を樹脂封止して保護できる。また、圧電振動子の基板側の側面も樹脂で覆われているため、圧電振動子と基板との接合強度を高めることもできる。また、圧電振動子の上面が外部に露出するようになっているので、圧電振動子の上面には樹脂が付着しておらず、樹脂が圧電振動子を覆うようにした場合に比べて低背化できる。
【００１０】
第３の発明は、第１または第２の発明の構成において、前記圧電振動子のパッケージは、前記基板の近傍に、前記圧電振動片と電気的に接続された導電パターンを有しており、前記基板の配線パターンは、前記導電パターンに隣接するように配置されていることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、圧電振動子のパッケージは、基板の近傍に、圧電振動片と電気的に接続された導電パターンを有しており、基板の配線パターンは、導電パターンに隣接するように配置されている。したがって、例えば、隣接した圧電振動子側の導電パターンと基板側の配線パターンとを掛け渡すように半田づけをして、圧電振動子と基板との電気的機械的な接合を図れる。
【００１１】
第４の発明は、第３の発明の構成において、前記電子部品は前記基板の配線パターンとワイヤボンディングされており、前記パッケージは、前記基板側の一部が水平方向に突出して、この突出部の上面に前記導電パターンが設けられていることを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、パッケージは、基板側の一部が水平方向に突出して、この突出部の上面に導電パターンが設けられているため、突出部の上面に設けられた導電パターンと基板の配線パターンとをワイヤボンディングできる。したがって、電子部品と基板の配線パターンとをワイヤボンディングする際に、圧電振動子の導電パターンと基板の配線パターンとをワイヤボンディングできるため、工程数を抑えることができる。
【００１２】
第５の発明は、第３の発明の構成において、前記パッケージは、前記基板側の一部が水平方向に突出して、この突出部の上面に前記導電パターンが設けられており、前記基板は、前記パッケージ側がクランク状になって、前記突出部の上面に載置されるようになっており、前記クランク状の端部の下面に前記配線パターンが設けられていることを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、基板は、パッケージ側がクランク状になって、突出部の上面に載置されるようになっており、クランク状の端部の下面に配線パターンが設けられている。このため、圧電振動子と基板とを接合する際、突出部の上面にクランク状の端部を載置するだけで、圧電振動子と基板とを導通できる。
【００１３】
第６の発明は、第３ないし第５の発明の構成において、前記導電パターンは、前記パッケージの上向きの面に延伸されていることを特徴とする。
第６の発明の構成によれば、導電パターンは、パッケージの上向きの面に延伸されている。したがって、このパッケージの上向きの面まで延伸された導電パターンに対して、上から検査用のプローブピンを当接させ、圧電振動子の特性を容易に検査することができる。
【００１４】
また、上述の目的は、第７の発明によれば、圧電振動片を収容するパッケージを有する圧電振動子と、この圧電振動子と電気的に接続される電子部品と、この電子部品と前記圧電振動子とを電気的に接続するための配線パターンを有する基板とを、別々に形成する準備工程と、前記圧電振動子と前記基板とを並列に配置する並列配置工程と、前記電子部品を、前記基板の上面に配置する部品配置工程と、前記基板の上面側であって、少なくとも前記圧電振動子と前記基板との接合領域に、樹脂を付着する樹脂塗布工程とを備える圧電デバイスの製造方法により達成される。
【００１５】
第７の発明の構成によれば、並列配置工程において、圧電振動子と基板とを並列に配置しているので、圧電振動子を基板の上面に配置していない分、圧電デバイスを低背化できる。そして、このように圧電振動子と基板とを並列に配置したとしても、樹脂塗布工程において、基板の上面側であって、少なくとも圧電振動子と基板との接合領域に、樹脂を付着するため、この樹脂によって圧電振動子と基板とを接合できる。
したがって、本発明によれば、低背化を可能とする圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１ないし図４は、本発明の実施形態に係る圧電デバイス１０の例として圧電発振器を示しており、図１は圧電デバイス１０の概略平面図、図２は図１のＡ−Ａ線概略切断断面図、図３は圧電デバイスの後述する樹脂を透過して見た概略斜視図、図４は圧電デバイス１０の後述する樹脂と電子部品を取り除いて、圧電振動子についてはその底部基板のみを図示した概略平面図である。
これらの図において、圧電デバイス１０は、電子部品２０と、パッケージ３２内に圧電振動片３５が収容された圧電振動子３０とが、基板４０の配線パターン２７を介して電気的に接続されており、底面（下面）の四隅に実装端子４２〜４５を備えている。
【００１７】
圧電振動子３０は、所謂表面実装型の振動子であって、略矩形状のパッケージ３２を有している。
すなわち、パッケージ３２は、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成型して形成される複数の基板を積層した後に、焼結して形成されており、図２に示されるように、この実施形態では、下から第１の基板３３、及び第２の基板３４を重ねて形成されている。
【００１８】
第２の基板３４は、その内側に所定の孔を形成することで、第１の基板３３に積層した場合に、パッケージ３２の内側に所定の内部空間Ｓを形成するようにされている。この内部空間Ｓが圧電振動片３５を収容するキャビティとなる。
また、第２の基板３４の開口された上端にある開口端面には、例えば、低融点ガラス等のロウ材（図示せず）を介して、蓋体３８が接合されることにより、内部空間Ｓが密封されている。
蓋体３４は、金属製にしてアース接地するようにしてもよいが、本実施形態の場合、外部からレーザ光を圧電振動片３５の金属被覆部（図示せず）に照射して、質量削減方式により周波数調整を行うために、光を透過する材料、特に薄板ガラスで形成されている。
【００１９】
第１の基板３３は、パッケージ３２の底部基板を構成するための略平板状部材であり、内部空間Ｓに露出した内側底面（即ち、底部基板の上面）３３ｂに、例えば、タングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで形成した電極部３１，３１が設けられている。この電極部３１，３１は互いに異極となっており、その上面には導電性接着剤３７，３７が用いられて、圧電振動片３５が接合固定されている。
また、第１の基板３３の底面（下面）３３ａには、図１及び図２に示すように、実装端子４２，４３が、外側の２箇所の角部（即ち、圧電デバイス１０全体の底面の２箇所の角部）に設けられている。
【００２０】
なお、圧電振動片３５は、本実施形態では水晶等の圧電材料により形成されたＡＴカット振動片が用いられているが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、タンタル酸リチウム等の圧電材料を利用したり、或いは音叉型の圧電振動片などを利用したりしても勿論よい。
【００２１】
電子部品２０は、本実施形態の場合、少なくとも圧電振動子３０を発振させる回路構造を有する半導体素子等から形成された発振回路素子（以下、「ＩＣチップ」という）であり、図３に示すように、その上面２０ａに、複数の端子４１，４１，・・・を有している。なお、ＩＣチップ２０の端子４１の数や種類は、ＩＣチップの種類により図３に示すよりも多い場合も少ない場合もあるのは勿論であるが、本実施形態の場合、圧電振動子３０と電気的に接続されたゲート／ドレイン（Ｇ／Ｄ）端子、実装端子部と接続された発振回路の入出力端子、発振回路にデータを書き込むための制御端子、グランド端子などからなっている。
【００２２】
そして、ＩＣチップ２０は、薄型化を可能にするため、圧電振動子３０の上下方向に配置するのではなく、基板４０の上面４０ａに圧電振動子３０と横並びに実装されている。具体的には、ＩＣチップ２０は、水平方向について、圧電振動子３０よりも小さく形成されており、高さ方向について、後述する基板４０の厚みＤ２を加えても、圧電振動子３０よりも高さが低くなるように形成され、図示しない接着剤を用いて基板４０の中央付近に接合されている。
【００２３】
また、ＩＣチップ２０は、基板４０上の配線パターン２１〜２８とワイヤボンディングにより電気的に接合されている。なお、本実施形態のＩＣチップ２０は、配線パターン２１〜２８とワイヤボンディングで電気的に接続されているが、所謂フリップチップボンディングで、電気的機械的に接合されるようにしてもよい。
【００２４】
基板４０は、圧電振動子３０及びＩＣチップ２０が電気的機械的に接続される部材であり、リジット基板やフレキシブル基板を用いることができる。
本実施形態の場合、基板４０は、耐熱性などを考慮してポリイミドやガラスエポキシ等で形成された絶縁部材と、この絶縁部材の上面に形成された複数の配線パターン２１〜２８とを備えている。
配線パターン２１〜２８は、銅箔などの導電性材料が用いられて、基板４０の上面４０ａにエッチング、印刷、蒸着、メッキなどで形成されている。
【００２５】
具体的には、図３に示すように、配線パターン２１，２７は、ＩＣチップ２０のゲート／ドレイン端子とワイヤボンディングされ、圧電振動子３０の後述する導電パターン５４，５６を介して電極部３１，３１と電気的に接続されている。
配線パターン２２，２３，２６は、ＩＣチップ２０にデータを書き込む端子となる。
配線パターン２４，２５は、ＩＣチップ２０の発振回路の入出力端子とワイヤボンディングされ、それぞれ圧電デバイス１０の２箇所の角部付近に延伸されている。そして、その端部に形成されたビアホール２４ａ，２５ａ内の導電部材を介して、圧電デバイス１０の底面（下面）の２箇所の角部付近に設けられた実装端子部４４，４５と電気的に接続されている。
配線パターン２８は、ＩＣチップ２０のグランド端子とワイヤボンディングされて、後述する圧電振動子３０のパターン５２、及びこのパターン５２の端部に形成されたビアホール５２ａを介して、実装端子４３と電気的に接続されている。
【００２６】
なお、基板４０を引き回されている配線パターン２１，２７，２８の各両端部２１ａ，２１ｂ，２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂ、及び配線パターン２２〜２６のボンディングされている部分が上側に露出するようにして、基板４０の上面４０ａ全体を絶縁膜が覆うようになっている。本実施形態の場合、絶縁膜はレジスト膜から形成されており、薄膜を可能にすると共に、ファトリソグラフィー技術を用いて位置精度が高められるようになっている。これにより、圧電振動子３０と基板４０を接合する際、半田等によって配線パターン２１〜２８間でショートすることを防止している。
【００２７】
ここで、圧電振動子３０は、基板４０と並列に配置されている。すなわち、圧電振動子３０は、基板４０上に重ねられずに、圧電振動子３０の側面と基板４０の側面とが対向するように配置されている。
本実施形態の場合、図２および図３に示されるように、パッケージ３２を構成する複数の基板３３，３４のうち、第１の基板（底部基板）３３の厚みＤ１と、基板４０の厚みＤ２とが略同じ寸法で形成されており、第１の基板（底部基板）３３の側面３３ｃと基板４０の側面４０ｃとが接触している。すなわち、基板４０の上面４０ａとパッケージ３２の底部基板の上面３３ｂとが略同一面になっている。
また、図４に示されるように、圧電振動子３０の基板４０と対向する側面３２ａに対して垂直方向に沿った側面３２ｂと、基板４０の側面４０ｂとが略同一面になっている。
【００２８】
そして、圧電振動子３０のパッケージ３２は、基板４０の近傍に、圧電振動片３５と電気的に接続された導電パターン５４，５６を有している。
本実施形態の導電パターン５４，５６は、図４に示すように、電極部３１，３１がパッケージ３２の第１の基板３３の上面３３ｂを通って、基板４０側の側面３２ａまで引き回されており、電極部３１，３１と同様にタングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで形成されている。
また、図３に示すように、パッケージ３２の基板４０側の側面３２ａであって、基板４０より上側に位置する側面（即ち、パッケージ３２の第２の基板３４の側面）３４ｃには、側面３２ａを臨むようにして窪み或いは切り欠かれたキャスタレーション４６，４６が形成されており、このキャスタレーション４６，４６の内面まで導電パターン５４，５６が設けられている。
【００２９】
なお、キャスタレーション４６は、圧電振動子３０の側面３２ａに、もう一つ形成されており、その内面にも、導電パターン５４，５６と同様に導通可能なパターン５２が設けられている。この導通可能なパターン５２は、図４に示されるように、パッケージ３２の第１の基板（底部基板）３３の上面３３ｂの角部付近まで引き回されており、その角部付近に位置する端部に形成されたビアホール５２ａ内の導電部材を介して、実装端子４３と電気的に接続されている。
【００３０】
一方、ＩＣチップ２０のゲート／ドレイン端子とワイヤボンディンされた基板４０の配線パターン２１，２７は、パッケージ側面３２ａの導電パターン５４，５６に隣接して配置されるように引き回されている。また、ＩＣチップ２０のグランド端子とワイヤボンディンされた配線パターン２８も、パッケージ側面３２ａのパターン５２に隣接して配置されるように引き回されている。
【００３１】
そして、図３および図４に示されるように、圧電振動子３０の側面３４ｃに設けられた導電パターン５４，５６と、基板４０の配線パターン２１，２７の端部２１ｂ，２７ｂとは、半田等の導電材料６０，６０を用いて、電気的機械的に接続されている。この際、導電パターン５４，５６が設けられている側面３４ｃは、基板４０の上面４０ａよりも上側に位置するため、導電材料６０，６０はフィレットを形成するように両パターンに付着することになる。なお、同様にして、圧電振動子３０の側面３４ｃに設けられたパターン５２と基板４０の配線パターン２８の端部２８ｂについても、半田等の導電材料６０を用いて、フィレットを形成するようにして電気的機械的に接続されている。
【００３２】
そして、図２に示すように、圧電デバイス１０は、基板４０の上面４０ａ側であって、少なくとも圧電振動子３０と基板４０との接合領域（即ち、パッケージ３２の側面３２ａと基板４０のパッケージ３２に対向する側面４０ｃの付近）に、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性の樹脂６２が付着して、圧電振動子３０と基板４０との接合を図っている。
【００３３】
本実施形態の場合、ＩＣチップ２０を含む基板４０の上側全体が樹脂６２で覆われており、これにより、基板４０の強度を向上させ、また、ＩＣチップ２０やワイヤを樹脂封止して保護している。また、圧電振動子３０の基板４０側の側面３２ａも樹脂６２で覆われており、圧電振動子３０とＩＣチップ２０を含む基板４０との接合強度を高めている。
そして、このように基板４０の上側全体を樹脂６２で覆うようにしても、圧電振動子３０の上面（即ち、蓋体３８の上面）は外部に露出するようにしている。すなわち、圧電振動子３０の上面と樹脂６２の上面との高さ方向の位置が同じとなるように形成して、圧電デバイス１０の低背化を図っている。また、圧電振動子３０の上面を外部に露出することで、蓋体３８を透明体にした場合、例えば樹脂モールドした後であっても、圧電振動片３５の表面の金属被覆部にレーザ光を照射して、質量削減方式で周波数調整できる。
【００３４】
次に、圧電デバイス１０の製造方法の実施形態について、上述した図１ないし図４、及び圧電デバイス１０の製造方法の一例を示したフローチャートである図５を参照しながら概説する。
図５に示されるように、圧電デバイス１０は、基板と圧電振動子とＩＣチップ（電子部品）とを別々に用意しておく。すなわち、図２及び図３に示すように、圧電振動片３５を収容するパッケージ３２を有する圧電振動子３０と、この圧電振動子３０と電気的に接続されるＩＣチップ２０と、このＩＣチップ２０と圧電振動子３０とを電気的に接続するための配線パターン２１，２７を有する基板４０とを、別々に形成する準備工程を行う（図５のＳＴ１−１，ＳＴ１−２，ＳＴ１−３）。
【００３５】
次いで、図２及び図３に示されるように、圧電振動子３０の側面３２ａと基板４０の側面４０ｃが接触するようにして、圧電振動子３０と基板４０とを並列に治具に載置する（図５のＳＴ２：並列配置工程）。
次いで、図２及び図３に示されるように、圧電振動子３０の側面３２ａに設けた導電パターン５４，５６、及び導通可能なパターン５２と、これらのパターンに隣接する基板上面４０ａの配線パターン２１，２７，２８の端部２１ｂ，２７ｂ，２８ｂに半田付けをする（図５のＳＴ３）。
【００３６】
次いで、準備工程で形成したＩＣチップ２０を、図２及び図３に示すように、基板４０の上面４０ａに接着剤等を用いて接合し（図５のＳＴ４：部品配置工程）、その後、基板上面４０ａの配線パターン２１〜２８と、ＩＣチップ２０の各端子４１とをワイヤボンディングする（図５のＳＴ５）。
次いで、例えば、圧電デバイスの温度特性を検査し、周波数特性の補正を行なう必要がある場合には、基板４０の配線パターン２２，２３，２６（図３参照）にプローブピン等を当接してＩＣチップ２０にデータを書き込む（図５のＳＴ６：検査及び／又は調整）。
【００３７】
次いで、図２に示すように、基板３０の上面４０ａ側であって、少なくとも圧電振動子３０と基板４０との接合領域に、樹脂６２を付着する（図５のＳＴ７：樹脂塗布工程）。
樹脂６２は、金型を用いて、エポキシ樹脂などの絶縁部材でインジェクションモールドしてもよく、あるいは、スクリーン印刷により樹脂を塗布してもよい。
本実施形態では、樹脂６２は、圧電振動子３０の上面が外部に露出するようにして、基板４０の上側全体を覆うようにしている。なお、圧電振動子３０の上面に樹脂が付着した場合は、付着した樹脂をサンドブラストやブラシをかけるなどして除去するとよい。
【００３８】
次いで、圧電デバイス１０から所定の振動特性を得られないときは、レーザ光を、図２に示す透明な蓋体３８を透過させて、パッケージ３２内の圧電振動片３５の金属被覆部（図示せず）に照射して、質量削減方式により周波数調整を行い（図５のＳＴ８）、圧電デバイスを完成させる。
【００３９】
本発明の実施形態は以上のように構成されており、圧電振動子３０は基板４０と並列に配置されているため、基板４０の厚み分、圧電デバイス１０を低背化することができる。そして、このように圧電振動子３０と基板４０とを並列に配置したとしても、基板４０の上面４０ａ側であって、少なくとも圧電振動子３０と基板４０との接合領域に、樹脂６２が付着しているため、この樹脂６２によって圧電振動子３０と基板４０とを接合できる。
【００４０】
図６は、本発明の実施形態の第１の変形例に係る圧電デバイス１２であって、圧電振動子３０と基板４０との接合領域付近の拡大斜視図である。なお、この図では理解の便宜のため樹脂は図示していない。
この図において、図１ないし図５の説明で用いた符号と同一の符号を付した箇所は共通する構成であるから、重複した説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
この圧電デバイス１２が上述した圧電デバイス１０と異なるのは、圧電振動子３０のパッケージ３２と基板４０との接続構造についてである。
【００４１】
すなわち、圧電デバイス１２のパッケージ３２は、基板４０側の一部が水平方向に突出して、この突出部７０の上面７０ａに、導電パターン５４，５６およびパターン５２が設けられている。
具体的には、パッケージ３２を構成する最下層の基板６４の端部を、その上の二層目の基板６５に比べて基板４０側に配置して、その端部を突出部７０とし、そして、この突出部７０の上向きの段部である上面７０ａまで、圧電振動片と接続された電極部（図示せず）を引き回すようにして導電パターン５４，５６を形成している。このため、導電パターン５４，５６は上向きとなって、基板４０の上向きの配線パターン２１，２７，２８とワイヤボンディングし易くなっている。
【００４２】
また、導電パターン５４，５６は、パッケージ３２の上向きの面６５ａに延伸されている。本第１の変形例の場合、パッケージ３２の二層目の基板６５が、その上の三層目の基板６６に比べて、基板４０側に配置されて上向きの段部が形成されており、この上向きの段部が上向きの面６５ａになる。これにより、この上向きの面６５ａまで延伸された導電パターン５４，５６に対して、上から検査用のプローブピンＫを当接させ、圧電振動子３０の特性を容易に検査することができる。
【００４３】
なお、パッケージ３２は、このように複数の上向きの段部或いは上面７０ａ，６５ａを形成するようにしているため、図２の圧電デバイス１０に比べて、多くの積層基板６４，６５，６６を用いる層構造になっている。そして、圧電デバイス１２全体の高さ寸法を大きくしないため、基板６４，６５，６６の一部あるいは全ての厚みを小さくしている。本第１の変形例では、最下層の基板６４の厚みを図２の圧電デバイス１０に比べて小さくしている。
【００４４】
また、本第１の変形例の場合、この最下層の基板６４の厚みＤ３と、配線パターン２１等が設けられた基板４０の厚みＤ４とを略同じ寸法として、基板４０の厚みＤ４は可撓性がある程に薄く形成されている。具体的には、基板４０は、ポリイミド等を成分とする絶縁性フィルムの上面に、銅箔などの導電性材料を設けて、この導電性材料の一部が露出するようにしてレジスト等で絶縁膜を形成し、そして、このフィルム状のものを所定の大きさに切断することで形成されている。
【００４５】
本発明の実施形態の第１の変形例は以上のように構成されており、パッケージ３２は、基板４０側の一部が水平方向に突出して、この突出部７０の上面７０ａに導電パターン５４，５６が設けられているため、突出部７０の上面７０ａに設けられた導電パターン５４，５６と基板４０の配線パターン２１，２７とをワイヤボンディングできる。このため、圧電振動子３０の導電パターン５４，５６と基板４０の配線パターン２１，２７とを電気的に接続するためのワイヤボンディングと、ＩＣチップ２０と基板４０の配線パターン２１〜２８（図３参照）とを電気的に接続するためのワイヤボンディングとを同じ工程（図５のＳＴ５）で出来る。すなわち、図５の圧電デバイス１０の製造工程と比べると、図５のＳＴ３の半田付けの工程が不要となり、製造工程数を減らすことができる。
【００４６】
なお、本第１の変形例では、上述のように、最下層の基板６４、及び基板４０は可撓性がある程に薄く形成されている。このため、図６の一点鎖線で示すように、ワイヤボンディングする際は、粘着力のある支持用のテープ７２を固定台７４との間に挟んで、最下層の基板６４、及び基板４０が固定台７４から動かないようにするとよい。
【００４７】
また、本第１の変形例では、上述のように、導電パターン５４，５６と配線パターン２１，２７とをワイヤボンディングしているが、ＩＣチップ２０と配線パターン２１〜２８（図３参照）を、例えばフリップチップボンディングする際は、図６の圧電デバイス１２のさらなる変形例である図７に示すように、導電パターン５４，５６と配線パターン２１，２７を半田などの導電材料７６で電気的機械的に接続するようにしてもよい。
【００４８】
図８は、本発明の実施形態の第２の変形例に係る圧電デバイス１４であって、圧電振動子３０と基板４０との接合領域付近の拡大断面図である。なお、この図では理解の便宜のため樹脂は図示していない。
この図において、図１ないし図７の説明で用いた符号と同一の符号を付した箇所は共通する構成であるから、重複した説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
この圧電デバイス１４が上述した圧電デバイス１０，１２と異なるのは、圧電振動子３０のパッケージ３２と基板４０との接続構造についてである。
【００４９】
すなわち、圧電デバイス１４のパッケージ３２は、基板４０の上面４０ａよりも上側に位置し、かつ、基板４０側に位置する側面の一部が水平方向に突出しており、この突出部７８の下面７８ａに、導電パターン５４，５６が設けられている。
具体的には、パッケージ３２は、図６の第１の変形例に係る圧電デバイス１２と同様に、三層の積層基板６４，６５，６６からなっているが、下から二層目の基板６５が、最下層の基板６４より基板４０側に突出して突出部７８が形成されるようになっている。
そして、この突出部７８の下面７８ａに導電パターン５４，５６が引き回されており、本第２の変形例の場合、導電パターン５４，５６は、突出部７８の下面７８ａだけでなく、突出部７８の突出方向の側面７８ｂや、最下層の基板６４の基板４０側の側面６４ａにも一体的に形成されている。
【００５０】
また、パッケージ３２の最下層の基板６４の厚みＤ５は、ＩＣチップ２０が載置された基板４０の厚みＤ６よりも僅かに大きく形成されており、基板４０は、その上面４０ａが突出部７８の下面７８ａと対向するように配置されて、庇に潜り込むようになっている。
そして、突出部７８および最下層基板６４に設けられた導電パターン５４，５６と、ＩＣチップ２０が載置された基板４０の配線パターン２１，２７とが、半田等の導電材料７６を用いて、電気的機械的に接続されている。
【００５１】
本発明の実施形態の第２の変形例は以上のように構成されており、パッケージ３２は、基板４０よりも上側に位置し、かつ、基板４０側に位置する側面の一部が水平方向に突出しており、基板４０は、その上面４０ａが突出部７８の下面７８ａと対向するように配置されている。したがって、パッケージ３２と基板４０との接合面積を大きくとることができ、圧電振動子３０と基板４０との接合強度を向上させることができる。
【００５２】
図９は、本発明の実施形態の第３の変形例に係る圧電デバイス１６であって、圧電振動子３０と基板４０との接合領域付近の拡大断面図である。なお、この図では理解の便宜のため樹脂は図示していない。
この図において、図１ないし図８の説明で用いた符号と同一の符号を付した箇所は共通する構成であるから、重複した説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
この圧電デバイス１６が上述した圧電デバイス１０，１２，１４と異なるのは、圧電振動子３０のパッケージ３２と基板４０との接続構造についてである。
【００５３】
まず、圧電デバイス１６では、図６の第１の変形例に係る圧電デバイス１２の圧電振動子３０と略同様の構成となっている。具体的には、パッケージ３２は、基板４０側の一部（本変形例では底部基板６４）が水平方向に突出して、この突出部７０の上面７０ａに導電パターン５４，５６が設けられている。なお、図９のパッケージ３２の底部基板６４の厚みは、図６の第１の変形例と異なり、基板４０の厚みよりも大きく形成されている。
【００５４】
これに対して、基板４０は、図６の第１の変形例に係る圧電デバイス１２と異なり、パッケージ３２側がクランク状となって、突出部７０の上面７０ａに載置されるようになっており、このクランク状の端部８０の下面８０ａに配線パターン２１，２７が設けられている。また、このクランク状の端部８０を樹脂６２が覆うようになっている。なお、下面８０ａの配線パターン２１，２７は、図示しないビアホール等を利用して、基板４０の上面４０ａに引き回されて、ＩＣチップ２０とワイヤボンディングされている。
【００５５】
なお、本第３の変形例の場合、基板４０にはフレキシブル基板等の可撓性部材が利用されており、その可撓性を利用してクランク状に曲げるようにしている。
また、このように基板４０は可撓性を有しているため、図６で示した第１の変形例と同様に、樹脂モールド等で固定するまでは、粘着力のある支持用のテープ７２を固定台７４との間に挟んで、基板４０が固定台７４から動かないようにするとよい。
【００５６】
本発明の実施形態の第３の変形例は以上のように構成されており、パッケージ３２の突出部７０の上面７０ａに導電パターン５４，５６が設けられており、基板４０のパッケージ３２側が、突出部７０の上面７０ａに載置されるようにクランク状になっており、このクランク状の端部８０の下面８０ａに配線パターン２１，２７が設けられている。このため、図５のＳＴ２の並列配置工程で、圧電振動子３０と基板４０を治具に載置する際、突出部７０の上面７０ａにクランク状の端部８０を載置するだけで、圧電振動子３０と基板４０との導通を図ることができる。また、圧電振動子３０と基板４０との接触面積を大きくして、接合強度を高めることができる。
【００５７】
本発明は上述の実施形態に限定されない。実施形態や各変形例の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施形態に係る圧電デバイスの概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線概略切断断面図。
【図３】本発明の実施形態に係る圧電デバイスの樹脂を透過して見た概略斜視図。
【図４】本発明の実施形態に係る圧電デバイスの樹脂と電子部品を取り除いて、圧電振動子についてはその底部基板のみを図示した概略平面図。
【図５】本発明の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法の一例を示した工程図。
【図６】本発明の実施形態の第１の変形例に係る圧電デバイスの接合領域付近の拡大斜視図。
【図７】図６の圧電デバイスのさらなる変形例。
【図８】本発明の実施形態の第２の変形例に係る圧電デバイスの接合領域付近の拡大断面図。
【図９】本発明の実施形態の第３の変形例に係る圧電デバイスの接合領域付近の拡大断面図。
【図１０】従来の圧電デバイスの概略斜視図。
【符号の説明】
【００５９】
１０，１２，１４，１６・・・圧電デバイス、２０・・・電子部品（ＩＣチップ）、２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８・・・配線パターン、３０・・・圧電振動子、３２・・・パッケージ、４０・・・基板、５４，５６・・・導電パターン、６２・・・樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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