(57)【要約】      （修正有）【課題】特定の波長域における表面での異常な光の反射の発生を抑え、画像濃度ムラが生じにくい電子写真感光体及びその製造方法を提供する。【解決手段】減圧可能な反応容器内に回転可能な基体を設置し、前記反応容器中に供給した原料ガスを高周波電力によって分解し、該基体を回転させながらシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法において、光導電層の堆積速度Ｒｄ（単位：ｎｍ／ｓ）と基体の回転数Ｒｓ（単位：ｒｐｍ）との関係Ｒｄ／Ｒｓが、少なくとも光導電層の表面側から５μｍの領域においてほぼ一定と見なせる場合、３．４×１０-3≦Ｒｄ／Ｒｓ≦０．８、または、１．７５≦Ｒｄ／Ｒｓ＜５０のいずれか一方を満たす電子写真感光体の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器内に回転可能な基体を設置し、前記反応容器中に供給した原料ガスを高周波電力によって分解し、該基体を回転させながらシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法において、
光導電層の堆積速度Ｒｄ（単位：ｎｍ／ｓ）と基体の回転数Ｒｓ（単位：ｒｐｍ）との関係Ｒｄ／Ｒｓが、少なくとも光導電層の表面側から５μｍの領域においてほぼ一定と見なせる場合、
３．４×１０-3≦Ｒｄ／Ｒｓ≦０．８、または、
１．７５≦Ｒｄ／Ｒｓ＜５０のいずれか一方を満たすことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記Ｒｄが、０．５ｎｍ／ｓ以上２．０ｎｍ／ｓ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記Ｒｓが、０．５ｒｐｍ以上５．０ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記Ｒｄ／Ｒｓが、０．１≦Ｒｄ／Ｒｓ＜０．８を満たすことを特徴とする請求項１ないし３に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記Ｒｄ／Ｒｓが、１．７５＜Ｒｄ／Ｒｓ≦４．０を満たすことを特徴とする請求項１ないし３に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記堆積速度Ｒｄと基体の回転数Ｒｓとの比Ｒｄ／Ｒｓが、実質的に回転数のみを調整することにより制御される事を特徴とする請求項１ないし５に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
減圧可能な反応容器内に回転可能な基体を設置し、前記反応容器中に供給した原料ガスを高周波電力によって分解し、該基体を回転させながらシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法において、
光導電層の堆積速度Ｒｄ（単位：ｎｍ／ｓ）と基体の回転数Ｒｓ（単位：ｒｐｍ）との関係Ｒｄ／Ｒｓが、光導電層形成中で、表面側から５μｍ以内において変化する期間を少なくとも有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
前記Ｒｄ／Ｒｓが、０．８より小さい期間または１．７５より大きい期間を少なくとも持つことを特徴とする請求項７に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項９】
前記Ｒｓが０である（静止している）期間を持つ、請求項７ないし８に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１０】
前記Ｒｓが０である（静止している）期間が、周期性を持たない、請求項９に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１１】
前記Ｒｄが、０．５ｎｍ／ｓ以上２．０ｎｍ／ｓ以下であることを特徴とする請求項７ないし１０に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１２】
前記Ｒｓが、０．５ｒｐｍ以上５．０ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求項７ないし１１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１３】
導電性基体上に、少なくともシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層が積層した電子写真感光体であり、
該光導電層が、屈折率に差をもつ領域が明確な界面を持たないまま交互に積層した多積層様構造をなしており、該多積層様構造の一層の厚さをΔｄ（ｎｍ）としたとき、
０．２≦Δｄ＜４８、または、
１０５＜Δｄ≦３０００、
のいずれか一方の条件をみたし。且つ、
光導電層の表面側から５μｍ以内で少なくともΔｄが変化する期間を有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項１４】
導電性基体上に、少なくともシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層が積層した電子写真感光体であり、
波長４００〜７５０ｎｍの範囲における分光反射波形において、特定の波長の光に対する反射率（単位：％）が周方向に持つ分布を、最大値をＭａｘ（％）、最小値をＭｉｎ（％）としたとき、（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／（Ｍａｘ＋Ｍｉｎ）で定義される分布として、０．２以上の分布を持つ波長領域と持たない波長領域とがあり、波長６００〜７００ｎｍの範囲の領域では、０．２以上の分布を持たないことを特徴とする電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等を作成する際、種々の膜が形成されている。これらの膜の形成方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法およびプラズマＣＶＤ法等が用いられ、そのための装置も実用に付されている。
【０００３】
中でも高周波電力を用いたプラズマプロセスは、様々な材料を用いた堆積膜作成に用いることが出来、酸化膜や窒化膜などの絶縁性の材料形成にも使用できる等様々な利点より使用されている。プラズマプロセスの好適な使用例としては、例えば電子写真用水素化アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと表記する）堆積膜の形成等、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も各種提案されている。
【０００４】
また、大面積で均一な堆積膜を行うための検討も数多く行われており、特に非対称な放電空間に基板を設置して堆積膜を堆積する際の工夫も各種提案されている。例えば、特許文献１等に、放電空間を複数の基体が取り囲む形の反応炉を使用し、基体を回転させることで均一な膜を形成する方法が開示されている。特許文献１では、基体を回転させることで基体表面が放電空間に面したとき膜が堆積され、放電空間に対して裏面になる位置では、膜が堆積されない。回転にこのサイクルが繰り返される。この際堆積される積層膜の一層あたりの膜厚を１００００ｎｍ以下にすることにより、特性の悪い斜め方向の膜の影響を少なくし、膜特性を向上させることが開示されている。
【０００５】
特許文献２等には、同様の非対称な装置で、複数の組成の異なる層を積層する際、原料ガス導入、排気、電力供給のうち少なくとも一つの制御と連動して基体の回転を制御することにより、組成の異なる層間の変位部分が回転の影響を受けにくくすることが開示されている。
【０００６】
特許文献３等には、同様の非対称な装置で、複数の組成の異なる層を積層し、組成の異なる層の成長を開始する際、プラズマ条件を変化させるタイミングにおける基体の回転位置を、各層の開始タイミング毎に異ならせ均一性を向上させることが開示されている。
【０００７】
特許文献４等には、電子写真感光体の、界面における光の屈折率が異なることによる反射の影響を少なくするため、表面層と感光層との界面における屈折率差ΔｎをΔｎ≦０．６２とすることで、画像形成処理上無視できる程度の差にすることが開示されている。
【特許文献１】特開平１−１２７６７９号公報
【特許文献２】特開２００２−１４６５４１号公報
【特許文献３】特開２００４−１３４４５７号公報
【特許文献４】特開昭６２−２５８４６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記従来の方法及び装置により、良好な堆積膜形成処理がなされる。しかしながら、このような処理を用いた感光体に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質化等が実現可能な電子写真感光体の製造方法が求められるようになっている。
【０００９】
例えば、電子写真装置の場合、高画質化の要求は非常に強く、これらを実現するためには感光体特性、具体的には帯電能、感度等の向上と共に、それらの特性の面内におけるムラの更なる向上が不可欠となっている。また、近年その普及が目覚しいデジタル電子写真装置、カラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等の出力も頻繁に為されるため、高解像度化、画像濃度ムラの低減、画像欠陥の低減などが従来以上に強く求められるようになっている。特に画像濃度ムラに対する要求は年々高くなっており、例えば風景写真の青空部分などに相当するハーフトーン領域においては、微妙な濃度ムラも非常に目立つため、従来に増して画像濃度ムラを無くすことが求められるようになってきた。
【００１０】
上述した感光体の例においては、例えば堆積膜形成方法の改善なども続けられており、膜特性の向上、均一性の改善などの品質向上の余地が残されているのが現状である。
【００１１】
例えば、一般的な堆積膜形成装置を用いたａ−Ｓｉ：Ｈ感光体の作成においては、放電が比較的均一な場合にも回転により更に均一性を向上でき、放電が偏っている場合には比較的高速で回転させることにより、膜の均一性が向上出来ると考えられてきた。
【００１２】
しかし、特定の波長における感光体表面からの光の反射を測定すると、製造条件によっては異常な反射を起こす可能性のあることが明らかとなった。この異常な反射によって、感光体内部に透過する光量が大きく変動する事があり、場合によっては感度の周方向ムラが異常に大きくなることがあった。このような表面反射は、通常光導電層と表面層との界面など、明確な界面を持つ場合に干渉によって大きく現れる事が知られているが、この光導電層と表面層との界面をなだらかに組成変化させて干渉を抑えても、必ずしも特定の波長における異常な反射を抑えることが出来ない場合のあることがわかった。近年の画像濃度ムラに対する要求の高まりにより、このような異常な反射を起こさない電子写真感光体の製造方法、及びそのような電子写真感光体が望まれてきた。
【００１３】
本発明は上記課題の解決を目的とするものである。即ち、特定の波長域における表面での異常な光の反射の発生を抑え、画像濃度ムラが生じにくい電子写真感光体及びその製造方法を提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の電子写真感光体の製造方法は、減圧可能な反応容器内に回転可能な基体を設置し、前記反応容器中に供給した原料ガスを高周波電力によって分解し、該基体を回転させながらシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法において、光導電層の堆積速度Ｒｄ（単位：ｎｍ／ｓ）と基体の回転数Ｒｓ（単位：ｒｐｍ）との関係Ｒｄ／Ｒｓが、少なくとも光導電層の表面側から５μｍの領域においてほぼ一定と見なせる場合、３．４×１０-3≦Ｒｄ／Ｒｓ≦０．８、または、１．７５≦Ｒｄ／Ｒｓ＜５０のいずれか一方を満たすことを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【００１５】
更に、減圧可能な反応容器内に回転可能な基体を設置し、前記反応容器中に供給した原料ガスを高周波電力によって分解し、該基体を回転させながらシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法において、光導電層の堆積速度Ｒｄ（単位：ｎｍ／ｓ）と基体の回転数Ｒｓ（単位：ｒｐｍ）との関係Ｒｄ／Ｒｓが、光導電層形成中で、表面側から５μｍ以内において変化する期間を少なくとも有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【００１６】
また、導電性基体上に、少なくともシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層が積層した電子写真感光体であり、該光導電層が、屈折率に差をもつ領域が明確な界面を持たないまま交互に積層した多積層様構造をなしており、該多積層様構造の一層の厚さをΔｄ（ｎｍ）としたとき、０．２≦Δｄ＜４８、または、１０５＜Δｄ≦３０００のいずれか一方の条件をみたし。且つ、光導電層の表面側から５μｍ以内で少なくともΔｄが変化する期間を有することを特徴とする電子写真感光体である。
【００１７】
更に、導電性基体上に、少なくともシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層が積層した電子写真感光体であり、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における分光反射波形において、特定の波長の光に対する反射率（単位：％）が周方向に持つ分布を、最大値をＭａｘ（％）、最小値をＭｉｎ（％）としたとき、（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／（Ｍａｘ＋Ｍｉｎ）で定義される分布として、０．２以上の分布を持つ波長領域と持たない波長領域とがあり、波長６００〜７００ｎｍの範囲の領域では、０．２以上の分布を持たないことを特徴とする電子写真感光体である。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、減圧可能な反応容器内に回転可能な基体を設置し、前記反応容器中に供給した原料ガスを高周波電力によって分解し、該基体を回転させながらシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法において、
光導電層の堆積速度Ｒｄ（単位：ｎｍ／ｓ）と基体の回転数Ｒｓ（単位：ｒｐｍ）との関係Ｒｄ／Ｒｓが、少なくとも光導電層の表面側から５μｍの領域において常に一定としたとき、０．８≦Ｒｄ／Ｒｓ≦１．７５を満たさない（３．４×１０-3≦Ｒｄ／Ｒｓ≦０．８、または、１．７５≦Ｒｄ／Ｒｓ＜５０のいずれか一方を満たす）ようにすることで、像露光に好適な５５０〜７５０ｎｍ程度の実用波長領域、特に６００〜７００ｎｍ程度の好適使用範囲において異常反射を効果的に抑制しながら、回転による周方向ムラ抑制効果を得ることが可能な電子写真感光体の製造方法、及びこれを用いて作成した電子写真感光体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討を行った結果、表面における異常な反射は、光導電層と表面層との界面付近からの反射に起因するのではなく、光導電層中の微妙な屈折率差の集積による異常な干渉のためであることを突き止めた。光導電層中の微妙な屈折率差の集積による異常な干渉を防止するためには、基体の回転数と膜の堆積速度の関係を特定の範囲から外す必要があることを見出し、本発明に至った。
【００２０】
本発明の実施の形態について、以下、図面に基づいて詳細に説明する。
【００２１】
図１は、垂直方向における表面の分光反射波形を示している。図１（ａ）は、異常反射が起きている場合の垂直方向における表面の分光反射波形を示し、図１（ｂ）は、異常反射が起きていない場合の垂直方向における表面の分光反射波形を示している。
【００２２】
例えば、電子写真プロセスの像露光波長における表面での反射率が大きいと、感光体内部に透過する光量が減り、感光体としての見かけの感度が低下する。この像露光波長における反射率に異常があり、例えば周方向で大きな変動があると、感度の周方向ムラが増大する事になる。このような異常な反射は、ある程度波長方向に広がりをもっており、影響は単一波長に留まらないことが判っている。よって、このような異常反射が、感光体を好適に使用できる５５０〜７５０ｎｍの波長範囲、特に、好適使用範囲である６００〜７００ｎｍの波長範囲で生じてないようにすることが、使用上より好ましいと考えられる。
【００２３】
そこで本発明者らはまず、異常反射がどの部分から起こっているかを特定することを試みた。まずは上述したように光導電層と表面層との界面部分の組成を更になだらかにすることで、屈折率の段差を極力無くすことを試みたが、特定波長における異常反射はなくならなかった。そこで、その他の部分について鋭意検討したところ、光導電層の作成条件が異なるもの、回転数が異なるもの、回転させず静止したままで作成したもので、異常反射が起きていない場合のあることが判った。
【００２４】
この理由としては現時点では完全に明らかとなったわけではないが、次のように考えることができる。
【００２５】
本発明者らは光導電層の作成時における違いに着目した。
【００２６】
光導電層が同じ膜であれば、膜堆積中の基体の回転数を変化させると、異常反射を起こす波長が変化する事が判った。一方、同じ回転数であれば、膜の堆積速度が変化するように堆積条件を変えると、同様に異常反射を起こす波長が変化した。
【００２７】
この結果、放電空間に分布があって、屈折率が微小に異なった膜が周期的に堆積することで、明確な界面こそ持たないものの、「屈折率の異なる多積層膜のような構造」が形成され、この多積層様構造における多重反射成分が積算して、異常反射が起こったと考えた。この考え方を模式的に図２に示す。図２（ａ）、（ｂ）は、堆積膜製造装置の反応容器２０１の模式的横断面図で有る。
【００２８】
図２（ａ）、（ｂ）の堆積膜製造装置は、反応容器２０１の中央に基体２０２、反応用ガスを供給するガス管２０３が配されている。この装置は、対称性が高く、放電の分布のムラはさほどないと考えられていた。しかしながら、実際には基体２０２の表面の図面の左右方向で放電に若干の偏りが生じていると思われる。
図２（ａ）は、基体２０２を回転させずに膜を堆積した場合を示し図２（ｂ）は、基体２０２を回転して膜を堆積した場合を示している。
図２（ａ）、（ｂ）の堆積膜製造装置の図の下に、基体２０２を矩形部で切り取った、膜の模式的断面の拡大図が示されている。膜は、基体２０２上に、光導電層２０５および表面層２０４が形成された状態を示している。
【００２９】
図２（ａ）のように、基体を回転させずに堆積させた場合、放電に若干の偏りがあっても光導電層２０５は、一様な分布を示していると考えられる。一方、図２（ａ）のように、若干の放電の偏りが生じている中で、基体を回転させて堆積させた場合、光導電層２０５は、膜特性の異なる多積層様状態が生じていると考えられる。膜特性の異なる多積層様状態が生じている場合、光に関係する膜特性としては屈折率が挙げられる。放電空間の右側と左側で、放電状態が異なっているため、膜の屈折率が微妙に異なり、屈折率の異なる多積層膜と同様の多積層様形態が出来上がると考えられる。このような感光体に光が入射した状態を図２（ｃ）に示す。
【００３０】
例えば、電子写真プロセスで像露光に用いる光の波長を６６０ｎｍとすると、この波長の光はａ−ＳｉＣからなる表面層２０４では８０％〜９０％透過し、ａ−Ｓｉからなる光導電層２０５中では、およそ５〜１０μｍの深さまで到達する。この５〜１０μｍの間で、多層膜様の領域を光が進む際に多重反射が起こり、これが表面にまで帰ってくることで表面の反射波形を乱していると考えている。このことから、図２（ｂ）で示したような屈折率差が生じること、多積層様状態の１層あたりの膜厚、このような状態が何層積層しているか、といったファクターが、異常反射を起こすか否かを決定していると考えられる。この１層あたりの膜厚を決定するのは、膜の堆積速度、回転数であり、これらが特定の範囲に入らないようにすることで、異常反射を起こさない膜厚に制御されると考えられる。
【００３１】
この現象は、図２（ａ）、（ｂ）に挙げたような、対称性の高い放電を用いた場合でも、回転しながら膜堆積をすると発現することがある一方で、例えば特許文献１〜３にあるような完全に非対称な放電を用いた膜堆積であっても、必ずしも異常反射を起こすわけではない。この場合でも、回転数、堆積膜の堆積速度が特定の関係を持つ場合にのみ、異常反射が発現すると考えられる。
【００３２】
異常反射現象を起こさないためには、仮に一定の膜堆積条件で、一定速度で回転させた基体上に膜堆積を行う場合、光導電層の堆積速度をＲｄ（単位：ｎｍ／ｓ）とし、基体の回転数をＲｓ（単位：ｒｐｍ）としたとき、Ｒｄ／Ｒｓが一定ならば、式１の関係を満たさないようにすることが必要である。
【数１】
2007108579.tif 000002
【００３３】
光導電層として機能する屈折率はおよそ３．４程度であるが、その程度の屈折率の場合、（１）式を満たすことで、電子写真装置として使用するのに好適な波長域として５５０ｎｍ〜７５０ｎｍ付近、特に、好適使用範囲である６００〜７００ｎｍの波長範囲の中において、異常反射が起こってしまう可能性が非常に強い。一方、この範囲を満たさないようにすれば、異常反射が上述したような波長域にあらわれないようにすることが出来る。
【００３４】
上述したように、Ｒｄ／Ｒｓが光学的に重要なファクターであるが、これを決定するＲｄ、Ｒｓにもそれぞれより好ましい範囲が存在する。
【００３５】
Ｒｄとしては０．５ｎｍ／ｓ以上２．０ｎｍ／ｓ以下がより好ましい。Ｒｄが０．５ｎｍ／ｓ以上とすることで、感光体作成時間を短く出来るためより好ましい。２．０ｎｍ／ｓ以下とすることで、膜質を良好に保つことが容易となり、より好ましい。
【００３６】
Ｒｓとしては、０．５ｒｐｍ以上５．０ｒｐｍ以下が更に好ましい。０．５ｒｐｍ以上とすることで、回転による周方向ムラの改善が顕著に得られるため、より好ましい。回転数としてはある程度高い方がより周方向ムラ改善効果は高いが、５．０ｒｐｍ以下とすることで、ムラ改善効果をより高いレベルで保つ事が可能となり、より好ましい。
【００３７】
５．０ｒｐｍ以下で周方向ムラがより改善する原因としては、現状では推測の域を出ないが、次のように考えている。あまり回転を速くしすぎた場合には、ガスが基体にまとわりつくような状態となりやすいと考えられ、放電条件によっては局所的な放電が基体について回る現象が発生しやすくなる可能性が考えられる。このような現象が起こらないようにすれば、周方向のムラがより改善すると考えられる。このため、５．０ｒｐｍ以下とすることで周方向ムラがより改善したのではないかと考えている。
【００３８】
以上を踏まえると、Ｒｄ／Ｒｓが小さい方向で（１）式を満たさない場合でも、ＲｄやＲｓから決まる下限が存在する事は明らかであり、Ｒｄ／Ｒｓとしては３．４×１０-3以上の範囲である必要がある。また、より好適な範囲としては、０．１≦Ｒｄ／Ｒｓ＜０．８の範囲を満たすことが好ましい。Ｒｄ／Ｒｓが３．４×１０-3よりも小さくなると、Ｒｄが極端に小さくなるか、Ｒｓが極端に大きくなる方向であり、それぞれより好ましい範囲を考えれば、Ｒｄ／Ｒｓも３．４×１０-3以上の範囲である必要があり、更には０．１以上であることが好ましい。
【００３９】
同様に、Ｒｄ／Ｒｓが大きい方向で（１）式を満たさない場合を考えれば、同様に、Ｒｄ／Ｒｓが５０以下である必要があり、より好適な範囲としては、Ｒｄ／Ｒｓが、４．０以下である事が好ましい。Ｒｄ／Ｒｓが５０よりも大きくなると、Ｒｄが極端に大きいか、Ｒｓが極端に小さい方向であり、同様にそれぞれより好ましい範囲を考えれば、Ｒｄ／Ｒｓも５０以下の範囲である必要があり、更には４．０以下であることが好ましい。
【００４０】
また、このＲｄ／Ｒｓは、実質的に回転数Ｒｓのみを可変することにより制御されることが、堆積膜形成条件を変更する必要がないため好ましい。特に、所望の特性を得るためにＲｄが決まってしまう場合、実質的にＲｓのみを制御する事でＲｄ／Ｒｓが決定でき、より好ましい。また、もしも膜の特性を変える都合上、Ｒｄが変わる場合には、Ｒｓを可変してＲｄ／Ｒｓが（１）式を満たさないように注意すればよい。
【００４１】
また、ここで仮定しているメカニズムによれば、回転による多積層膜様の構造が完全な周期構造を取る事が問題の本質であると考えられるから、光導電層中の光が到達する範囲でＲｄ／Ｒｓが一定でないように変化させる事で、異常反射を起こさないはずである。実際に、図３（ａ）のように一定の比率でＲｄ／Ｒｓを変化させる場合、図３（ｂ）のように階段状に変化させる場合、図３（ｃ）のようにランダムに変化させる場合のいずれの場合にも、５５０〜７５０ｎｍ程度の実用領域、特に、好適使用範囲である６００〜７００ｎｍの波長領域において異常反射が起こらないことが確認できた。
【００４２】
この光が到達する範囲とは、具体的には光が８０〜１００％吸収される膜厚の半分程度の膜厚範囲（表面で干渉に影響を及ぼすためには往復の長さが重要）である。通常のａ−Ｓｉからなる感光体で、実用的に用いられる好適使用範囲である６００〜７００ｎｍ近辺であれば、「５μｍよりも表面側」が顕著に影響する範囲であるから、その範囲においてＲｄ／Ｒｓを変化させれば、異常反射を起こさないことが予想できる。
【００４３】
例えば、図３（ｄ）のように、光導電層の表面から５μｍ以内の位置でＲｄ／Ｒｓを変化させる期間を設ければよく、その他の期間は一定値であってもよい。このようにすることで、同じ膜厚の周期構造では無くなるため、異常反射を低減する効果は十分発揮される。ただし、変化する際のＲｄ／Ｒｓの変化幅は大きい方が好ましく、また図３（ａ）〜図３（ｃ）のように変化する回数や割合が多いほど、効果は高いことは言うまでもない。
【００４４】
一方、図３（ｅ）のｅ１、ｅ２のように、Ｒｄ／Ｒｓが変化する期間は持っているものの、光導電層の表面側から５μｍよりも深い位置にある場合で、表面側５μｍの領域で一定値を持つ場合には、その一定値Ｒｄ／Ｒｓが０．８〜１．７５の範囲外であることが重要である。即ち、ｅ１のように５μｍの一定期間でＲｄ／Ｒｓが０．８〜１．７５の範囲（図３（ｅ）のハッチング領域）内の場合、異常反射が発生する。一方、ｅ２のように５μｍの一定期間が０．８〜１．７５の範囲外の場合には、異常反射が発生しない。
【００４５】
以上のことからわかる様に、光導電層の表面側から５μｍ以内においてＲｄ／Ｒｓが一定でない期間を持つことが必須であり、もしそれよりも奥側で一定でない領域をもち、少なくとも５μｍ以内が一定ならば、Ｒｄ／Ｒｓが０．８〜１．７５以外の値を持つことが必須である。
【００４６】
更に、Ｒｓ＝０、即ち、膜の堆積中に基体が静止している期間を持つ場合、異常反射の抑制が更に効果的に行える事が判った。当然、全期間において回転を止めればよいが、特性の周方向のムラ改善には、基体の回転は一定の効果をあげられる為、適宜回転と静止を織り交ぜる事で、ムラ低減と作成方法の自由度向上の両立が出来る。
【００４７】
また、基体の回転と停止の間隔および停止期間の長さが、周期性を持たないことが好ましい。周期性を持つと、この周期が引き起こす多重反射の影響が生じる可能性も出てくる。よって、回転と静止を繰り返す場合、基体の回転と停止の間隔および停止期間の長さが周期性を持たないように気をつける必要がある。
【００４８】
また、本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に、少なくともシリコンを含むアモルファス物質からなる光導電層が積層した電子写真感光体であり、該光導電層が、屈折率に差をもつ領域が明確な界面を持たないまま交互に積層した多積層様構造をなしており、該多積層様構造の一層の厚さがΔｄ（ｎｍ）であるとき、４８≦Δｄ≦１０５（光導電層の表面側から５μｍ以内でΔｄが常に一定）の条件の全てを同時に満たさないようにすることが必要である。このような範囲に設定することにより、多積層様構造であっても、異常反射が起こらず、特性ムラなども少ない良好な感光体が得られる。また、この４８≦Δｄ≦１０５の範囲を満たさず、異常反射が起こらない範囲であっても、Ｒｄ／Ｒｓの適切な範囲で説明したのと同様に、求められる感光体特性を満たす必要性から好ましい下限と上限があり、下限としては０．２（ｎｍ）、上限としては３０００（ｎｍ）を満たしている必要がある。Δｄがこれよりも薄かったり、厚かったりした場合には、最適な感光体特性が得られない場合がある。
【００４９】
ここでいう異常反射は、換言すれば、分光反射波形が局所的に歪んだような形状をしており、この歪み領域が周方向で分布を持っている状況を指している。
【００５０】
ここで、異常反射時の反射率ムラの大きさの指標として、以下のように定義する。まず、特定の波長の光に対する反射率（単位：％）が周方向に持つ分布の最大値をＭａｘ（％）、最小値をＭｉｎ（％）と定義する。このとき、分光反射波形の平均値は（Ｍａｘ＋Ｍｉｎ）／２で表され、周方向のピークツーピークの半分の値は（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／２で表される。よって、ピークツーピーク値の半分を平均値で割った値である（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／（Ｍａｘ＋Ｍｉｎ）が、平均値からどの程度乖離しているか、即ち周方向でどれだけムラを持っているかの指標として適切である。
【００５１】
そこで、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における分光反射波形において、この（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／（Ｍａｘ＋Ｍｉｎ）で定義される周方向分布を考えたとき、０．２以上の分布を持つ波長領域と持たない波長領域とがあり、特に、好適使用範囲である６００〜７００ｎｍの範囲の波長領域では、０．２以上の分布を持たないように調整することで、特性ムラを抑えることが可能となる。
【００５２】
次に、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００５３】
まず、電子写真感光体作製を行う方法及び装置を説明する。
【００５４】
図４は、電子写真感光体の膜の堆積を行なう製造装置である、電源周波数としてＲＦ帯を用いた高周波プラズマＣＶＤ装置（ＲＦ−ＰＣＶＤとも略記する）の一例を示す模式的な構成図である。
【００５５】
図４に示す装置の構成は以下の通りである。
【００５６】
この装置は大別すると、堆積装置４１００、原料ガスの供給装置４２００、反応容器４１１１内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置４１００中の反応容器４１１１はカソード電極を兼ねており、その内部には円筒状基体４１１２、基体加熱用ヒーター４１１３、原料ガス導入管４１１４が設置され、さらに円筒状基体４１１２にはこれを回転させるモーター４１２１が接続され、反応容器４１１１には高周波マッチングボックス４１１５を介して高周波電源４１２０が接続されている。反応容器４１１１は中空構造をとり、冷媒導入機構４１２５を用いて内部に冷却用の冷媒を強制的に流すことで冷却してもよい。具体的には、例えば水を循環させる事で冷却すればよい。
【００５７】
原料ガス供給装置（４２００）は、ＳｉＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＣＦ4、Ｎ2、Ｏ2、ＮＯ、Ｈｅ、Ａｒ等から選ばれる必要な原料ガスのボンベ（４２２１〜４２２６）とバルブ（４２３１〜４２３６、４２４１〜４２４６、４２５１〜４２５６）及びマスフローコントローラー（４２１１〜４２１６）から構成され、各原料ガスのボンベは補助バルブ（４２６０）を介して反応容器（４１１１）内のガス導入管４１１４に接続されている。
【００５８】
この装置を用いたプラズマ処理は、例えば以下のように行うことができる。
【００５９】
先ず、反応容器４１１１内に円筒状基体４１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器４１１１内を排気する。
【００６０】
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器４１１１に流入させるには、ガスボンベのバルブ４２３１〜４２３６、反応容器のリークバルブ４１１７が閉じられていることを確認し、又、ガス流入バルブ４２４１〜４２４６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ４１１８を開いて反応容器４１１１及び原料ガス配管内４１１６を排気する。
【００６１】
次に、真空計４１１９の読みが約０．１Ｐａ以下になった時点で補助バルブ４２６０、ガス流出バルブ４２５１〜４２５６を閉じる。その後、ガスボンベ４２２１〜４２２６より所望のガスを原料ガスボンベバルブ４２３１〜４２３６を開いて導入し、圧力調整器４２６１〜４２６６により所望のガスラインの圧力を０．２ＭＰａに調整する。次に、ガス流入バルブ４２４１〜４２４６を徐々に開けて、所望のガスをマスフローコントローラー４２１１〜４２１６内に導入する。
【００６２】
同装置を用いた堆積膜の形成は、例えば以下のように行うことができる。
【００６３】
先ず、反応容器４１１１内に円筒状基体４１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器４１１１内を排気する。続いて、基体加熱用ヒーター４１１３により円筒状基体４１１２の温度を１５０℃乃至３５０℃の所定の温度に制御する。また、膜形成の均一化を図るために、層形成を行なっている間、円筒状基体４１１２をモーター４１２１によって所定の速度で回転させる。
【００６４】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。
【００６５】
円筒状基体４１１２が所定の温度になったところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうちの必要なもの及び補助バルブ４２６０を徐々に開き、ガスボンベ４２２１〜４２２６から所定のガスを原料ガス導入管４１１４を介して反応容器４１１１内に導入する。次にマスフローコントローラー４２１１〜４２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器４１１１内の圧力が１×１０2Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計４１１９を見ながらメインバルブ４１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源４１２０を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス４１１５を通じて反応容器４１１１内にＲＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。
【００６６】
高周波放電のエネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体４１１２上に所定の堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００６７】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の積層構造の電子写真感光体が形成される。それぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うまでもなく、また、それぞれのガスが反応容器４１１１内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器４１１１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を開き、さらにメインバルブ４１１８を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【００６８】
さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の作製条件に従って変更が加えられることは言うまでもない。
【００６９】
基体の加熱方法は、真空仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とした熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【００７０】
それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で基体を搬送する方法が用いられる。
【００７１】
図５は本発明における電子写真感光体の層構成の一例について示した模式図である。
【００７２】
図５（ａ）に示す電子写真感光体４００は、導電性基体５０１の上に非単結晶シリコン系感光層５０２が堆積された構造であって、感光層５０２は下部注入阻止層５０５、光導電層５０３、表面層５０４を含む構成である。図５（ｂ）に示す電子写真感光体５００は、導電性基体５０１の上に非単結晶シリコン系感光層５０２が堆積された構造であって、感光層５０２は下部注入阻止層５０５、光導電層５０３、上部注入阻止層５０６、表面層５０４を含む構成である。
【００７３】
下部注入阻止層５０５は、導電性基体側からの電荷の注入を阻止するために設ける事が好ましい。また、上部注入阻止層５０６は、上部からの電荷注入を低減し、帯電性を向上させる目的で設けることが好ましく、このような構成は負帯電用電子写真感光体に特に好適である。
【００７４】
また、図５（ｃ）にあるように、例えば表面層５０４と上部注入阻止層５０６との間で、屈折率の変化が連続的になるような組成変化領域５０７を設けても良い。このように、表面層５０４の屈折率と上部注入阻止層５０６の屈折率とをなだらかに接続する事により、この層界面における光の反射が抑えられる。界面における干渉を持っていると削れによる感度の変動が起こりやすく、ほんの少しの削れムラによっても画像濃度の顕著なムラが表れてしまう可能性があるため、このような界面における反射を出来るだけ少なくすることがより好ましい。また、図５（ｂ）は上部注入阻止層５０６と光導電層５０３の屈折率差が少ない場合に好適な一例であるが、この屈折率差が大きい場合には、上部注入阻止層５０６と光導電層５０３との間にも屈折率のなだらかに変化する変化領域を設けても良い。これらのような組成変化領域を設ける事により、各層の境界に反射面が生じず、表面での反射の影響を効果的に防止できるため、異常反射による感度ムラの増大や感度変動の増大を効果的に防止できる。
【００７５】
ここで、前述した各層について詳細に説明する。
【００７６】
＜基体＞
本発明において使用される基体としては、導電性基体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等を挙げることができる。また、電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等を挙げることができる。これらの電気絶縁性基体の少なくとも光受容層を形成する側の表面は、導電処理され使用される。
【００７７】
本発明の効果を得る上では、基体は基本的には導電性でも電気絶縁性でも構わないが、特に、金属からなる基体の方がより好ましく、中でもＡｌないしＡｌ合金は非常に好ましい。これは表面の制御性の良さなどが関わっている。ここで言う制御性のよさとは、表面形状の制御や表面の安定性などが挙げられ、例えば表面を切削や研磨で平坦化する際の扱いやすさや、錆び等の表面反応をしにくい点などを指している。これらの点でＡｌないしＡｌ合金からなる基体を用いた場合、切削により平坦で清浄な表面を得る事が出来、また鉄や銅などのように錆びが成長することがなく、好ましい。
【００７８】
一例として挙げられたＡｌ合金からなる円筒状基体は、まず表面を平坦化し且つ不純物や汚れを取り去ることが重要である。この際には、例えばバイトによる切削を行い、その後洗浄により脱脂、付着物の除去を行うなどの方法がある。この際、バイトによる切削ピッチは１０〜２００μｍの範囲、高さは２μｍ以内の範囲で適宜選択すればよい。また、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１で規定しているＲｚｊｉｓにおいて１μｍ以下程度が好ましく、より好ましくは０．７μｍ以下がよい。
【００７９】
＜光導電層＞
基体上に例えばグロー放電法によって光導電層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスと、必要に応じてハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスとを、内部を減圧できる反応容器内に所望のガス状態で導入して、反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の基体上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。
【００８０】
本発明においては、その堆積速度Ｒｄ（単位：ｎｍ／ｓ）と基体の回転数（単位：ｒｐｍ）の関係を一定範囲外とするか、一定速度で回転させず、回転数を変化させる事が重要である。このとき、膜特性を維持するためにはあまり堆積速度が速くないほうが好ましいが、ある程度以上の堆積速度がある方が生産上好ましい。よって、堆積速度Ｒｄは０．１ｎｍ／ｓ以上、５ｎｍ／ｓ以下が好ましく、より望ましくは０．３ｎｍ／ｓ以上３ｎｍ／ｓ以下、最適には０．５ｎｍ／ｓ以上２ｎｍ／ｓ以下が好ましい。一方、基体の回転数Ｒｓに関しても、回転による周方向の特性ムラ改善を考えると、０．１ｒｐｍ以上が好ましく、真空を保持しながら回転しなければならない機械的制約から、３０ｒｐｍ以下が好ましい。より好ましくは０．３ｒｐｍ以上２０ｒｐｍ以下、最適には０．５ｒｐｍ以上５．０ｒｐｍ以下が好ましい。特に、高速回転時に基体の回転にガスがつられて回転し、放電が偏在して基体の回転に連動してしまう現象を効果的に抑えるためには、５．０ｒｐｍ以下となるようにすることが最も好ましい。
【００８１】
このようにＲｄとＲｓはそれぞれ個別に上記のような制約があるが、これらの関係であるＲｄ／Ｒｓは、少なくとも光導電層の表面側から５μｍの領域において一定値を取るならば、０．８以上１．７５以下を満たさないことが必要である。このＲｄ／Ｒｓで、多積層様構造の１層あたりの膜厚が決定される。
【００８２】
このような多積層様構造は本来明確な反射面を形成しないと考えられるが、例えば明確な界面を持つ多積層膜での干渉の条件２ｎｄ＝ｋλ／２を用いれば、屈折率、一層当りの膜厚、波長が特定の範囲にあれば干渉を起こす事は明確である。例えば、屈折率が３．４、像露光波長が６６０ｎｍを仮定すれば、９７ｎｍのときに干渉条件を満たすことがすぐに計算できる。しかし本願の多積層様構造ではその界面は曖昧であり、且つ条件によっては積層数が大きいために、単純計算された波長以外にも複雑に様々な干渉を起こしていると考えられる。よって、この多積層様構造の一層当りの膜厚を決めるＲｄ／Ｒｓとしては、５５０ｎｍ〜７５０ｎｍ程度の実用波長範囲において、特に、好適使用範囲である６００〜７００ｎｍの波長範囲において、異常干渉を起こさないために、一定値ならば０．８以上１．７５以下を避ける、ないしは光の影響が大きい、光導電層の表面側から５μｍ以内の領域において一定の値を取らないように何らかの工夫をする必要がある。
【００８３】
この観点から考えると、本発明の電子写真感光体は、多積層様構造の１層あたりの膜厚Δｄが４８ｎｍ以上１０５ｎｍ以下の範囲に入らないようにすることで、表面からの異常反射を防ぐ事が可能となる。また、この同一周期の多積層様構造が少なければ、多重反射の影響が小さくなる。よって、４８≦Δｄ≦１０５（ｎｍ）（光導電層の表面側５μｍ以内でΔｄが一定）の条件を２つとも同時に満たさないようにすることで、表面での異常反射を防ぐ事が可能となる。
【００８４】
光導電層中の水素原子、更に必要に応じて添加されるハロゲン原子は、シリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上させる。
【００８５】
水素原子の含有量は、特に制限はないが、シリコン原子と水素原子の和に対して１０〜４０ａｔｍ％とされるのが好ましい。また、その分布形状に関しても、露光系の波長に合わせて含有量を変化させるなど、適宜調整することが好ましい。特に、水素原子やハロゲン原子の含有量をある程度多くすると、光学的バンドギャップが大きくなり、感度のピークが短波長側にシフトすることが知られている。このような光学的バンドギャップの拡大は、短波長の露光を用いる際には好ましく、その場合にはシリコンと水素原子の和に対して１５ａｔｍ％以上とすることが好ましい。
【００８６】
Ｓｉ供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素化ケイ素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。なお、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えない。
【００８７】
そして、膜の物性の制御性、ガスの供給の利便性などを考慮し、これらのガスに更に、Ｈ2、Ｈｅ及び水素原子を含むケイ素化合物から選ばれる１種以上のガスを所望量混合して層形成することも出来る。ハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、具体的には、フッ素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン間化合物、ＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等のフッ化ケイ素が好ましいものとして挙げることができる。
【００８８】
光導電層中に含有されるハロゲン元素の量を制御するには、例えば、基体の温度、ハロゲン元素を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電空間の圧力、放電電力等を制御すればよい。
【００８９】
加えて、光導電層には伝導性を制御する原子を光導電層の層厚方向に不均一な分布状態で含有することが好ましい。これは、光導電層のキャリアの走行性を調整し、また或は補償して走行性を高次元でバランスさせることにより、帯電能の向上、光メモリー低減、感度の向上のために有効である。
【００９０】
伝導性を制御する原子の含有量は、特に制限されないが、一般には０．０５〜５ａｔｍｐｐｍとするのが好ましい。また、光の到達する範囲においては、伝導性を制御する原子を実質的に含有しないように制御を行う（積極的な添加を行わない）とすることも出来る。
【００９１】
この伝導性制御原子は、膜厚方向に連続的に、又は段階的に変化する領域を含んでいてもよく、一定の領域を含んでいてもよい。
【００９２】
伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導性を与える周期表第１３族に属する原子（第１３族原子とも略記する）、又はｎ型伝導特性を与える周期表第１５族に属する原子（第１５族原子とも略記する）を用いることができる。
【００９３】
第１３族原子としては、具体的には、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。
【００９４】
そのような第１３族原子導入用の原料物質としては具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ6Ｈ12、Ｂ6Ｈ14等の水素化ホウ素、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ3等のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3、ＴｌＣｌ3等も挙げることができる。
【００９５】
第１５族原子として、具体的には、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓ、Ｓｂが好適である。
【００９６】
第１５族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、リン原子導入用としては、ＰＨ3、Ｐ2Ｈ4等の水素化リン、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣl5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＩ3等のハロゲン化リンが挙げられる。この他、ＡｓＨ3、ＡｓＦ3、ＡｓＣｌ3、ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、ＳｂＦ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、ＢｉＣｌ3、ＢｉＢｒ3等も第１５族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる。
【００９７】
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2および／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。
【００９８】
光導電層の層厚は所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜４５μｍ、最適には２０〜４０μｍとされるのが好ましい。層厚が５μｍより薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が実用上不充分となり、５０μｍより厚くなると、光導電層の作製時間が長くなって製造コストが高くなる。
【００９９】
所望の膜特性を有する光導電層を形成するには、Ｓｉ供給用、ハロゲン添加用等のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体温度を適宜設定することが好ましい。
【０１００】
希釈ガスとして使用するＨ2および／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対し、通常の場合３〜３０倍、好ましくは４〜１５倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御することが好ましい。反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０-2〜１×１０3Ｐａ、好ましくは５×１０-2〜５×１０2Ｐａ、最適には１×１０-1〜２×１０2Ｐａとするのが好ましい。
【０１０１】
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力の比を、０．５〜８、好ましくは２〜６の範囲に設定することが好ましい。
【０１０２】
さらに、基体の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２１０〜３３０℃、最適には２２０〜３００℃とするのが好ましい。
【０１０３】
光導電層を形成するための基体温度、ガス圧の好ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的に最適値を決めるのが好ましい。
【０１０４】
＜表面層＞
本発明における表面層は、主に短波長光透過性、高解像度、連続繰り返し使用耐性、耐湿性、使用環境耐性、良好な電気特性などに関して良好な特性を得るために設けられている。負帯電用電子写真感光体の場合、それ自体が帯電保持層としての役割を持ってもよいが、後述する上部注入阻止層に帯電保持の機能を持たせる方が、表面層の組成設計自由度の点から好ましい。
【０１０５】
本発明における表面層の材質は、シリコン原子と炭素原子を母体する非単結晶材料からなる。また、水素原子及び／又はハロゲン原子を膜中に適宜含んでいることが好ましい。
【０１０６】
例えば、グロー放電法によってこのようなａ−ＳｉＣ系材料よりなる表面層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスを、内部を減圧し得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層などを形成した基体上にａ−ＳｉＣ系材料からなる層を形成すればよい。
【０１０７】
このとき、表面層に含まれる炭素量は、前述したようにシリコン原子と炭素原子の和に対する炭素原子の数として５０ａｔｍ％から８０ａｔｍ％の範囲が好ましい。
【０１０８】
また、表面層中に水素原子が含有されることが好ましいが、水素原子はシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向上させる。水素含有量は、構成原子の総量に対して通常の場合、膜中の平均値として５〜７０ａｔｍ％、好適には８〜６０ａｔｍ％、最適には１０〜５０ａｔｍ％とするのが好ましい。
【０１０９】
また、適宜窒素原子、酸素原子を含んでもよく、ａ−ＳｉＣＯＮ系の材料としても構わない。
【０１１０】
表面層の形成において使用されるシリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状物、またはガス化し得る水素化ケイ素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１１１】
窒素、酸素、炭素供給用ガスとなり得る物質としては、Ｎ2、ＮＨ3、ＮＯ、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10等のガス状物、またはガス化し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。中でも、炭素供給用としてはＣＨ4が好ましい。また、これらの原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１１２】
また、フッ素原子供給のために、フッ素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン間化合物や、ＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等のフッ化ケイ素を導入してもよい。
【０１１３】
表面層を形成するには、反応容器のガス圧、放電電力、ならびに基体の温度を適宜設定することが必要である。基体温度は、層設計に従って最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、好ましくは１５０℃以上３５０℃以下、より好ましくは１８０℃以上３３０℃以下、最適には２００℃以上３００℃以下とするのが好ましい。
【０１１４】
反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０-2Ｐａ以上１×１０3Ｐａ以下、好ましくは５×１０-2Ｐａ以上５×１０2Ｐａ以下、最適には１×１０-1Ｐａ以上１×１０2Ｐａ以下とするのが好ましい。
【０１１５】
本発明においては、表面層を形成するための導電性基体の温度、ガス圧の好ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが好ましい。
【０１１６】
また、例えばＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電法にて表面層を作成する場合には、放電電力としては１０Ｗ〜５０００Ｗ、カソード電極面積あたりに換算すると２ｍＷ／ｃｍ2から１．４Ｗ／ｃｍ2程度の範囲が好適である。
【０１１７】
さらに、表面層には必要に応じて、第１３族原子および第１５族原子などの伝導性を制御する原子を含有させてもよい。伝導性を制御する原子は、表面層中に万遍なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【０１１８】
表面層に伝導性を制御する原子を含有させる場合の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×１０3ａｔｍｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１０2ａｔｍｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１０2ａｔｍｐｐｍとされるのが好ましい。
【０１１９】
表面層の層厚としては、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが好ましいものである。層厚が０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を使用中に磨耗等の理由により表面層が失われる場合があり、３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下が発生する場合がある。
【０１２０】
以上の様な表面層を形成するには、基体の温度、反応容器内のガス圧等を所望にしたがって、適宜設定する必要がある。
【０１２１】
基体の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが好ましい。
【０１２２】
また、表面層および光導電層の間に、炭素原子の含有量が光導電層または上部注入阻止層に向かって減少するように変化する領域を設けても良い。これにより表面層と光導電層または上部注入阻止層との密着性を向上させ、光キャリアの表面への移動がスムーズになるとともに各層の界面での光の反射による干渉の影響をより少なくすることができる。
【０１２３】
＜上部注入阻止層＞
本発明において、例えば図５（ｂ）に示すように、光導電層５０３と表面層５０４の間に上部注入阻止層５０６を設けることが、負帯電電子写真感光体の場合、その目的を効果的に達成するためには好ましい構成である。
【０１２４】
本発明の上部注入阻止層５０６は、上部から（即ち表面層側から）の電荷の侵入を阻止し、帯電能を向上させる。そのためには、母体となるａ−ＳｉＣ系の膜に、ｐ型の伝導性を付与するために周期表第１３族元素を含有させることが好ましい。
【０１２５】
前記周期表第１３族元素としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に硼素が好適である。
【０１２６】
本発明における上部注入阻止層に含有される周期表第１３族元素の含有量は、構成原子の総量に対して３０ａｔｍｐｐｍ以上５０００ａｔｍｐｐｍ以下、好適には１００ａｔｍｐｐｍ以上３０００ａｔｍｐｐｍ以下の範囲とするのが好ましい。
【０１２７】
上部注入阻止層に含有される周期表第１３族元素は、上部注入阻止層に万偏なく均一に分布されていても良いし、あるいは層厚方向に不均一に分布する状態で含有していてもよい。しかしながら、いずれの場合にも基体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化を図る点からも必要である。
【０１２８】
本発明において、上部注入阻止層は、表面保護層と同じくシリコン原子と炭素原子を母体とした非単結晶層で構成されている。上部注入阻止層に含有されるシリコン原子および炭素原子は、該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、あるいは層厚方向に不均一に分布する状態で含有していてもよい。しかしながら、いずれの場合にも基体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化を図る点からも必要である。
【０１２９】
本発明における上部注入阻止層の各層領域に含有される炭素原子の含有量は、構成原子のシリコン原子と炭素原子の総和に対して５ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％以下の範囲とするのが好ましい。より好ましくは１０ａｔｍ％以上４０ａｔｍ％以下、更に好ましくは１５ａｔｍ％以上３５ａｔｍ％以下であるのが良い。
【０１３０】
また、本発明においては上部注入阻止層の各層領域には、水素原子が含有されることが好ましく必要であるが、水素原子はシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向上させるために必須不可欠である。水素原子の含有量は、上部注入阻止層中の構成原子の総量に対して通常の場合５ａｔｍ％以上７０ａｔｍ％以下、好適には１０ａｔｍ％以上６５ａｔｍ％以下、最適には１５ａｔｍ％以上６０ａｔｍ％以下とするのが好ましい。
【０１３１】
本発明において、上部注入阻止層の各々の層厚は所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等の点から好ましくは５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、最適には１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされるのが好ましい。層厚が５ｎｍ未満になると、表面側からの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能が得られず電子写真特性の低下を招くことがあり、１０００ｎｍを超えると電子写真特性の向上は期待できず、むしろ感度等の特性の低下を招くことがある。
【０１３２】
上部注入阻止層５０６は光導電層５０３側から表面層５０４に向かって組成を連続的に変化させることも好ましく、密着性の向上や干渉防止等に効果がある。
【０１３３】
本発明の目的を達成し得る特性を有する上部注入阻止層５０６を形成するには、シリコン原子供給用のガスと炭素原子供給用のガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体の温度を適宜設定することが必要である。
【０１３４】
反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０-2Ｐａ以上１×１０3Ｐａ以下、好ましくは５×１０-2Ｐａ以上５×１０2Ｐａ以下、最適には１×１０-1Ｐａ以上１×１０2Ｐａ以下とするのが好ましい。
【０１３５】
さらに、基体の温度は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、好ましくは１５０℃以上３５０℃以下、より好ましくは１８０℃以上３３０℃以下、最適には２００℃以上３００℃以下とするのが好ましい。
【０１３６】
＜下部注入阻止層＞
本発明において、図５（ａ）から図５（ｃ）に示すように、導電性基体５０１の上層には、基体５０１側からの電荷の注入を阻止する働きのある下部注入阻止層５０５を設けるのが効果的である。下部注入阻止層５０５は光受容層５０２が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、基体５０１側より光導電層５０３側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有している。
【０１３７】
下部注入阻止層５０５には、シリコン原子を母材に導電性を制御する不純物を、光導電層５０３に比べて比較的多く含有させる。正帯電用電子写真感光体の場合、下部注入阻止層５０５に含有される不純物元素としては、周期表第１３族元素を用いることが出来る。また、負帯電用電子写真感光体の場合、下部注入阻止層５０５に含有される不純物元素としては、周期表第１５族元素を用いることが出来る。本発明においては下部注入阻止層５０５中に含有される不純物元素の含有量は、本発明の目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜決定されるが、好ましくは下部注入阻止層中の構成原子の総量に対して１０ａｔｍｐｐｍ以上１００００ａｔｍｐｐｍ以下、より好適には５０ａｔｍｐｐｍ以上７０００ａｔｍｐｐｍ以下、最適には１００ａｔｍｐｐｍ以上５０００ａｔｍｐｐｍ以下とされるのが好ましい。
【０１３８】
更に、下部注入阻止層には、窒素及び酸素を含有させることによって、該下部注入阻止層と基体との間の密着性の向上を図ることが可能となる。また、負帯電用電子写真感光体の場合には、下部注入阻止層に不純物元素をドープしなくても窒素および酸素を最適に含有させることで優れた電荷注入阻止能を有することも可能となる。具体的に、下部注入阻止層の全層領域に含有される窒素原子および酸素原子の含有量は、窒素および酸素の和を下部注入阻止層中の構成原子の原子の総量に対して、好ましくは０．１ａｔｍ％以上４０ａｔｍ％以下、より好ましくは１．２ａｔｍ％以上２０ａｔｍ％以下、また、４０ａｔｍ％以下、より好ましくは２０ａｔｍ％以下とすることにより、電荷注入阻止能が向上する。
【０１３９】
また、本発明における下部注入阻止層には水素原子を含有させるのが好ましく、この場合、含有される水素原子は、層内に存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。下部注入阻止層５０５中に含有される水素原子の含有量は、下部注入阻止層中の構成原子の総量に対して１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％以下が好ましく、５ａｔｍ％以上４０ａｔｍ％以下がより好ましく、１０ａｔｍ％以上３０ａｔｍ％以下が更に好ましい。
【０１４０】
本発明において、下部注入阻止層の層厚は所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等の点から好ましくは１００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以上４０００ｎｍ以下、最適には５００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下とすることが好ましい。層厚を１００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下とすることにより、基体５０１からの電荷の注入阻止能が充分となり、充分な帯電能が得られると共に電子写真特性の向上が期待でき、残留電位の上昇などの弊害が発生しない。
【０１４１】
下部注入阻止層を形成するには、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体の温度を適宜設定することが必要である。導電性基体温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、好ましくは１５０℃以上３５０℃以下、より好ましくは１８０℃以上３３０℃以下、最適には２００℃以上３００℃以下とするのが好ましい。
【０１４２】
反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０-2Ｐａ以上１×１０3Ｐａ以下、好ましくは５×１０-2Ｐａ以上５×１０2Ｐａ以下、最適には１×１０-1Ｐａ以上１×１０2Ｐａ以下とするのが好ましい。
【０１４３】
＜電子写真装置＞
図６には、本発明の電子写真感光体を好適に使用できる画像形成装置の模式図を示した。
【０１４４】
図６は、フィルム状の誘電体ベルトからなる中間転写ベルト６０５を用いて転写を行う電子写真プロセスを利用したカラー画像形成装置（複写機またはレーザービームプリンター）の一例である。
【０１４５】
この画像形成装置は、表面に静電潜像が形成され、この静電潜像上にトナーが付着されてトナー像が形成される第１の画像担持体である、繰り返し使用される電子写真感光体からなる、回転ドラム型の感光体ドラム６０１を有している。感光体ドラム６０１の周りには、感光体ドラム６０１の表面を所定の極性・電位に一様に帯電させる１次帯電器６０２と、帯電された感光体ドラム６０１の表面に画像露光６０３を行って静電潜像を形成する、不図示の画像露光装置とが配置されている。また、形成された静電潜像上にトナーを付着させて現像する現像器として、ブラックトナーＢを付着させる第１現像器６０４ａと、イエロートナーＹを付着させる現像器とマゼンタトナーＭを付着させる現像器とシアントナーＣを付着させる現像器とを内蔵した回転型の第２の現像器６０４ｂとが配置されている。さらに、中間転写ベルト６０５にトナー像を転写した後、感光体ドラム６０１上をクリーニングする感光体クリーナ６０６、及び、感光体ドラム６０１の除電を行う除電露光６０７が設けられている。
【０１４６】
中間転写ベルト６０５は、感光体ドラム６０１に当接ニップ部を介して駆動するように配置されており、内側には感光体ドラム６０１上に形成されたトナー像を中間転写ベルト６０５に転写するための一次転写ローラ６０８が配備されている。一次転写ローラ６０８には、感光体ドラム６０１上のトナー像を中間転写ベルト６０５に転写するための一次転写バイアスを印加するバイアス電源（不図示）が接続されている。中間転写ベルト６０５の周りには、中間転写ベルト６０５に転写されたトナー像を記録材６１３にさらに転写するための二次転写ローラ６０９が、中間転写ベルト６０５の下面部に接触するように設けられている。二次転写ローラ６０９には、中間転写ベルト６０５上のトナー像を記録材６１３に転写するための二次転写バイアスを印加するバイアス電源が接続されている。また、中間転写ベルト６０５上のトナー像を記録材６１３に転写した後、中間転写ベルト６０５の表面上に残留した転写残トナーをクリーニングするための中間転写ベルトクリーナ６１０が設けられている。
【０１４７】
また、この画像形成装置は、画像が形成される複数の記録材６１３を保持する給紙カセット６１４と、記録材６１３を給紙カセット６１４から中間転写ベルト６０５と二次転写ローラ６０９との当接ニップ部を介して搬送する搬送機構とが設けられている。記録材６１３の搬送経路上には、記録材６１３上に転写されたトナー像を記録材６１３上に定着させる定着器６１５が配置されている。
【０１４８】
一次帯電器６０２としては磁気ブラシ方式の帯電器などが用いられる。画像露光装置としては、カラー原稿画像の色分解・結像露光光学系や、画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調されたレーザービームを出力するレーザースキャナによる走査露光系などが用いられる。
【０１４９】
次に、この画像形成装置の動作について説明する。
【０１５０】
まず、図６に矢印で示すように、感光体ドラム６０１が、時計方向に所定の周速度（プロセススピード）で回転駆動され、中間転写ベルト６０５が、反時計方向に、感光体ドラム６０１と同じ周速度で回転駆動される。
【０１５１】
感光体ドラム６０１は、回転過程で、一次帯電器６０２により所定の極性・電位に一様に帯電処理され、次いで、画像露光６０３を受け、これにより感光体ドラム６０１の表面上には、目的のカラー画像の第１の色成分像（例えばマゼンタ成分像）に対応した静電潜像が形成される。次いで、第２現像器が回転し、マゼンタトナーＭを付着させる現像器が所定の位置にセットされ、その静電潜像が第１色であるマゼンタトナーＭにより現像される。この時、第１現像器６０４ａは、作動オフになっていて感光体ドラム６０１には作用せず、第１色のマゼンタトナー像に影響を与えることはない。
【０１５２】
このようにして、感光体ドラム６０１上に形成担持された第１色のマゼンタトナー像は、感光体ドラム６０１と中間転写ベルト６０５とのニップ部を通過する過程で、一次転写バイアスがバイアス電源（不図示）から一次転写ローラ６０８に印加されることによって形成される電界により、中間転写ベルト６０５外周面に順次中間転写される。
【０１５３】
中間転写ベルト６０５に第１色のマゼンタトナー像を転写し終えた感光体ドラム６０１の表面は、感光体クリーナ６０６によりクリーニングされる。次に、感光体ドラム６０１の清掃された表面上に、第１色のトナー像の形成と同様に、第２色のトナー像（例えばシアントナー像）が形成され、この第２色のトナー像が、第１色のトナー像が転写された中間転写ベルト６０５の表面上に重畳転写される。以下同様に、第３色のトナー像（例えばイエロートナー像）、第４色のトナー像（例えばブラックトナー像）が中間転写ベルト６０５上に順次重畳転写され、目的のカラー画像に対応した合成カラートナー像が形成される。
【０１５４】
次に、給紙カセット６１４から中間転写ベルト６０５と二次転写ローラ６０９との当接ニップ部に所定のタイミングで記録材６１３が給送され、二次転写ローラ６０９が中間転写ベルト６０５に当接されると共に、二次転写バイアスがバイアス電源から二次転写ローラ６０９に印加されることにより、中間転写ベルト６０５上に重畳転写された合成カラートナー像が、第２の画像担持体である記録材６１３に転写される。記録材６１３へのトナー像の転写終了後、中間転写ベルト６０５上の転写残トナーは中間転写ベルトクリーナ６１０によりクリーニングされる。トナー像が転写された記録材６１３は定着器６１５に導かれ、ここで記録材６１３上にトナー像が加熱定着される。
【０１５５】
本画像形成装置の動作において、感光体ドラム６０１から中間転写ベルト６０５への第１〜第４色のトナー像の順次転写実行時には、二次転写ローラ６０９および中間転写ベルトクリーナ６１０は中間転写ベルト６０５から離間させるようにしてもよい。
【０１５６】
このような中間転写ベルトを用いた電子写真によるカラー画像形成装置は、以下に示す特徴を有している。
【０１５７】
第一に、重ね合わせ時に各色のトナー像の形成位置がずれる色ズレが少ない。また、図６に示すように、記録材６１３をなんら加工、制御（例えばグリッパーに把持する、吸着する、曲率を持たせるなど）する必要なしに、中間転写ベルト６０５からトナー像を転写させることができ、記録材６１３として多種多様なものを用いることができる。例えば、薄い紙（４０ｇ／ｍ2紙）から厚い紙（２００ｇ／ｍ2紙）までの種々の厚みのものを選択して記録材６１３として使用可能である。また、幅の広狭または長さの長短によらず種々の大きさのものを記録材６１３として使用可能である。さらには、封筒、ハガキ、ラベル紙などを記録材６１３として使用可能である。
【０１５８】
また、中間転写ベルト６０５は、柔軟性に優れており、感光体ドラム６０１や記録材６１３とのニップを自由に設定することができるため、設計の自由度が高く、転写効率などを最適化しやすいといった特徴がある。
【０１５９】
このように、中間転写ベルト６０５を用いた画像形成装置には種々の利点がある。
【０１６０】
＜実施例＞
以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【０１６１】
＜実施例１＞
図４に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。光導電層と表面層との間には、両者間をなだらかに接続するために各パラメータをなだらかに変化させる変化領域を設け、光導電層と表面層との界面における干渉を低減させた。
【０１６２】
このとき、高周波電力と水素希釈量を変化させて高Ｒｄ（２．５ｎｍ／ｓ）、低Ｒｄ（０．５ｎｍ／ｓ）の光導電層を含むドラム１−１、１−２を作成した。高Ｒｄのドラム１−１の場合には電力を大きく（５００Ｗ）、水素希釈量を少なく（４００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））し、低Ｒｄのドラム１−２の場合には電力を低く（２００Ｗ）、水素希釈量を多く（９００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とした。このとき、Ｒｓは１（ｒｐｍ）とした。
【０１６３】
また、Ｒｄ＝１．６ｎｍ／ｓ固定（電力３５０Ｗ、水素希釈量６００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とし、回転数Ｒｓを５．３３、２．２９および０．８５（ｒｐｍ）としたドラム１−３〜１−５を作成した。
【０１６４】
また、比較的極端な例として、Ｒｄ＝０．１０２ｎｍ／ｓ（電力５０Ｗ、水素希釈量１４００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とし、回転数Ｒｓを３０ｒｐｍとしたドラム１−６と、Ｒｄ＝５ｎｍ／ｓ  （電力１０００Ｗ、水素希釈量８０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とし、回転数Ｒｓを０．１ｒｐｍとしたドラム１−７を作成した。
【０１６５】
＜比較例１＞
図４に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層、及び、表面層からなる堆積膜を順次積層した。このとき、Ｒｄ＝１．６ｎｍ／ｓ固定（電力３５０Ｗ、水素希釈量６００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とし、回転数Ｒｓを２．０、１．３３および０．９１（ｒｐｍ）としたドラム１−８〜１−１０を作成した。
また、極端な例として、Ｒｄ＝０．０９９ｎｍ／ｓ（電力５０Ｗ、水素希釈量１５００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とし、回転数Ｒｓを３０ｒｐｍとしたドラム１−１１と、Ｒｄ＝５．１ｎｍ／ｓ（電力１１００Ｗ、水素希釈量８０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））としたドラム１−１２を作成した。
また、Ｒｓ＝０、即ち静止でドラム１−１３を作成した。
【０１６６】
尚、表中の一層あたりの膜厚は、基体が１回転する間に、基体に堆積する膜の厚を示すものである。一層あたりの膜厚は、（Ｒｄ（ｎｍ／ｓ）／Ｒｓ（ｒｐｍ：回転数／ｍｉｎ．））×６０の式で計算することができる。
【０１６７】
このようにして得られた感光体は、大塚電子社製のＳＰＥＣＴＲＯ  ＭＵＬＴＩＣＨＡＮＮＥＬ  ＰＨＯＴＯＤＥＴＥＣＴＯＲ（ＭＣＰＤ−２０００）を用いて反射分光法により表面における光の反射を測定した。具体的には、感光体の周方向を４５度刻みで８箇所、３５０〜７５０ｎｍの範囲で１ｎｍ刻みの測定を行い、それぞれの角度における反射分光波形を得た。得られた反射分光波形について、特に、好適使用範囲である６００〜７００ｎｍの範囲において、図１（ａ）のように他の波長域と比較して異常な反射波形を示している場所があるかないかを判断した。具体的には、各角度の反射波形を比較し、周方向で最大何ポイントのズレ（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）があるかを見て、そのズレが５ポイント以上あればこれを異常反射と見なした。
【０１６８】
ここで、Ｍａｘ−Ｍｉｎが５ポイントと言うのは、全てのドラムで反射率平均値（Ｍａｘ＋Ｍｉｎ）／２が１０〜１５％であるので、平均値からの乖離を示す（Ｍａｘ−ｍｉｎ）／（Ｍａｘ＋Ｍｉｎ）の値に換算すると０．２となり、反射の平均値から片側で２割程度乖離していることを示す値である。よって、５ポイントの差というのは充分「異常な」反射として、一見して認識できるレベルである。そこで、表２にはこのような判定による異常反射の有り無しの判断に加え、周方向における差が、特に、好適使用範囲である６００〜７００ｎｍの波長範囲内で現実に最大何ポイントあったかを括弧内の数値で表している。
【０１６９】
また、得られた感光体を、図６に概略構成を示す電子写真装置（キヤノン製電子写真装置ｉＲＣ６８００を用い、実験用に改造したもの）に搭載して、後述する評価項目について評価を行った。
【０１７０】
（１）暗電位ムラ（帯電能ムラ）
帯電を行い、現像器位置に設置した表面電位計（Ｔｒｅｋ社製Ｍｏｄｅｌ  ３４４）により電子写真感光体の暗部表面電位を測定した。このとき、比較のために帯電器へ流れる電流値（Ｉｐ）は一定とした。この状態で暗電位の測定を行い、デジタルスコープ（横河電機製、ＤＬ７０８Ｅ）を用いて周方向に１０度刻みでデータ収集を行い、その分布（最大値−最小値）を暗電位ムラとして定義した。
【０１７１】
得られた結果は、比較例１で作成した感光体１−９の値を１００％とした場合の相対評価でランク付けを行った。
【０１７２】
◎・・・８５％未満。非常にムラが少ない。非常に優れている。
【０１７３】
○・・・８５％以上９５％未満。ムラが少なく、優れている。
【０１７４】
△・・・９５％以上１０５％未満。回転を行わない静止で作成したドラム並みのムラレベル。
【０１７５】
×・・・１０５％以上。回転を行わない静止で作成したドラムのムラレベルよりも若干劣る。
【０１７６】
（２）感度ムラ（電位コントラストムラ）
現像器位置における表面電位が周方向平均で４５０Ｖ（暗電位）になるように帯電器に流す電流値（Ｉｐ）を調整した後、像露光（波長６６０ｎｍの半導体レーザー）を照射し、像露光光源の光量を調整して、表面電位が周方向平均で１００Ｖ（明電位）となるように調整した。
【０１７７】
次に、周方向で、１０度刻みで明電位の測定を行い、前述した暗電位との差（暗電位−明電位＝コントラスト）を計算し、その分布（最大値−最小値）を感度ムラとして定義した。
【０１７８】
得られた結果は、比較例１で作成した感光体１−９の値を１００％とした場合の相対評価でランク付けを行った。
【０１７９】
◎・・・８５％未満。非常にムラが少ない。非常に優れている。
【０１８０】
○・・・８５％以上９５％未満。ムラが少なく、優れている。
【０１８１】
△・・・９５％以上１０５％未満。回転を行わない静止で作成したドラム並みのムラレベル。
【０１８２】
×・・・１０５％以上。回転を行わない静止で作成したドラムのムラレベルよりも若干劣る。
【０１８３】
以上の評価を行った結果を表２に示す。
【０１８４】
表２の結果から、堆積速度Ｒｄを変えた場合でも、回転数Ｒｓを変えた場合でも、Ｒｄ／Ｒｓの値が０．８（基体が１回転する間に堆積する膜厚が４８ｎｍ）未満か１．７５（基体が１回転する間に堆積する膜厚が１０５ｎｍ）より大きい場合、反射分光法による光の反射スペクトル波形には、異常反射が生じない事が明らかとなった。一方、比較例１において、Ｒｄ／Ｒｓが０．８以上１．７５以下の場合には、異常反射が起きている事が判った。比較例１だが、静止で作成したドラム１−１３では異常反射が起きなかった。
【０１８５】
一方、特性のムラに関して、暗電位ムラ、感度ムラをそれぞれ調べたところ、実施例１で作成したドラム１−１〜１−７では、静止で作成したドラム１−９に比べて回転で作成したことによるメリットが得られる事が判る。一方、比較例１のドラム１−８〜１−１０は、暗電位のムラに関しては回転数に応じた特性向上の様子を示しているのに対し、感度のムラに関しては静止で作成したドラム１−９と比べてあまり改善しておらず、特にドラム１−９に関しては感度ムラがむしろドラム１−９よりも大きかった。この理由としては、異常反射が起きた波長がちょうど好適使用範囲である６００〜７００ｎｍの範囲であり、且つ周方向でその異常反射の反射率が大きく異なったためと考えている。
【０１８６】
また、ドラム１−９に関してはその異常反射の最も振幅の大きな部分がちょうど６６０ｎｍの像露光波長と重なったために、周方向の感度ムラが大きくなってしまったと考えられる。このように、波長によっては初期の感度ムラに大きく影響を与える可能性があることが判った。
【０１８７】
また、ドラム１−６とドラム１−１１とを比較すると、僅差ではあるがドラム１−６が静止で作成したドラム１−１３に比べて暗電位ムラ、感度ムラ共に若干ながら（５％強）良化しているのに対し、ドラム１−１１ではドラム１−１３と同程度の評価（５％弱）となった。
【０１８８】
同様に、ドラム１−７とドラム１−１２とを比較すると、同様に僅差でドラム１−７が静止で作成したドラム１−１３よりもムラ特性がよく、ドラム１−１２が同程度という結果となった。この原因としては、高回転でムラ特性が良化する効果と、放電がシリンダーの回転に連れて回るように分布を持つためにムラを形成する現象が起こり、相殺された可能性が考えられるが、詳しくは不明である。
【０１８９】
以上のことから、異常反射波形の有無、特性ムラの良化・悪化は、Ｒｄ／Ｒｓを適切に選択する事で制御が可能であり、Ｒｄ／Ｒｓを０．８未満或いは２より大きくすれば、異常反射を起こさず、回転させずに作成したドラムと比較して特性ムラを良化させることが可能である事が判った。
【０１９０】
【表１】
2007108579.tif 000003
【０１９１】
【表２】
2007108579.tif 000004
【０１９２】
＜実施例２＞
図４に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。光導電層と表面層との間には、両者間をなだらかに接続するために各パラメータをなだらかに変化させる変化領域を設け、光導電層と表面層との界面における干渉を低減させた。
【０１９３】
このとき、Ｒｓ＝３ｒｐｍ固定とし、水素希釈量と電力を可変することで、堆積速度Ｒｄを変化させた。具体的には水素量が多いほど、電力が少ないほどＲｄは小さくなる。このようにしてＲｄを０．２８〜２．１ｎｍ／ｓまで変化させ、ドラム２−１〜２−７を作成した。
【０１９４】
得られたドラムを電子写真装置に搭載し、実施例１と同様の評価を行った。加えて、ゴースト電位の評価を以下のようにして行った。
【０１９５】
現像器位置における表面電位が周方向平均で４５０Ｖ（暗電位）になるように帯電器に流す電流値（Ｉｐ）を調整した後、像露光（波長６６０ｎｍの半導体レーザー）を照射し、像露光光源の光量を調整して、表面電位が周方向平均で１００Ｖ（明電位）となるようにした。次に表面電位が明電位となる光量の画像露光を照射した時の１周後の表面電位と、画像露光を照射しない時の１周後の表面電位との電位差を測定し、これをゴースト電位とした。
【０１９６】
得られた結果は、比較例１で作成した感光体１−９の値を１００％とした場合の相対評価でランク付けを行った。
【０１９７】
◎・・・１０％以上の低減（改善）。非常に優れている。
【０１９８】
○・・・０％以上１０％未満の低減。優れている。比較例１のドラム１−９のレベル。
【０１９９】
△・・・０％より大きく１０％未満の増加。実用上問題とならないレベル。
【０２００】
×・・・１０％以上の増加。画像の種類によってはやや気になるレベル。
【０２０１】
結果を表３に示す。
【０２０２】
表３を見て判るように、全てのドラム２−１〜２−７において、異常な反射は見られなかった。また、静止した状態で作成したドラム１−９に比べ、実施例２の感光体２−１〜２−７では、暗電位ムラ、感度ムラとも改善できている事がわかった。これは静止に比べ、回転による効果が充分に発揮されていることを示している。ただし、ドラム２−７（Ｒｄ＝２．１ｎｍ／ｓ）は、異常反射が見られない点で、比較例１のドラム１−９よりも優れているものの、感度ムラに関しては他のドラム（２−２〜２−６）よりも改善量は少ない。また、実用上全く問題のないレベルではあるものの、ゴースト電位のレベルが比較例１のドラム１−９よりやや悪かった。
【０２０３】
この結果は、ドラム２−７のＲｄ／Ｒｓが０．７と、異常反射が出た比較例１のドラム１−６のＲｄ／Ｒｓである０．８にやや近いことと、Ｒｄ＝２．１ｎｍ／ｓのドラム２−７に比べ、Ｒｄ＝１．６ｎｍ／ｓのドラム１−９の方が膜の特性が良い事を示している。
【０２０４】
また、Ｒｄが２．０ｎｍ／ｓのドラム２−６の結果と比較すると、ドラム２−６の方が全てにおいてより好ましい事を示している。
【０２０５】
一方、Ｒｄが０．２８ｎｍ／ｓの場合には、Ｒｄ／Ｒｓに注目すると、０．０９となり、暗電位ムラ、感度ムラとも比較例１のドラム１−９よりは優れるものの、他の実施例と比較すると改善の程度が少なくなっている事が判った。この原因としては想像の域を出ないが、堆積速度Ｒｄが極端に遅くなると、ガスの供給、排気の影響をより受けやすくなり、ガス流量調節やポンプの排気速度の揺らぎ、副生成物の装置への堆積による排気経路の状態変化などが微妙に影響して、周方向の特性ムラが変化した可能性がある。
【０２０６】
また、評価結果には現れていないが、Ｒｄが０．５ｎｍ／ｓよりも遅い場合、ドラムのトータルの作成時間が非常に長くなり、生産性の観点からは０．５ｎｍ／ｓ以上が好ましいと言える。
【０２０７】
以上の点から、感光体作成時には、Ｒｄ／Ｒｓが０．０９（基体が１回転する間に堆積する膜厚が５４ｎｍ）以上であることが好ましく、０．１（基体が１回転する間に堆積する膜厚が５．４ｎｍ）以上であることがより好ましい。更に、Ｒｄに関しては０．５ｎｍ／ｓ以上２ｎｍ／ｓ以下であることが好ましい事がわかった。
【０２０８】
堆積速度の上述の最適範囲は、後述の実施例全体にいえることはいうまでもない。
【０２０９】
【表３】
2007108579.tif 000005
【０２１０】
＜実施例３＞
図４に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。光導電層と表面層との間には、両者間をなだらかに接続するために各パラメータをなだらかに変化させる変化領域を設け、光導電層と表面層との界面における干渉を低減させた。
【０２１１】
このとき、Ｒｄ＝１．２ｎｍ／ｓ固定（電力２８０Ｗ、水素希釈量６５０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とし、回転数Ｒｓを０．２９〜５．２０ｒｐｍまで変化させ、ドラム３−１〜３−７を作成した。
【０２１２】
得られたドラムを電子写真装置に搭載し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表４に示す。
【０２１３】
表４を見て判るように、全てのドラム３−１〜３−７において、異常な反射は見られなかった。また、静止した状態で作成したドラム１−９に比べ、実施例３の感光体３−１〜３−７では、暗電位ムラ、感度ムラとも改善できている事がわかった。
【０２１４】
これは静止に比べ、回転による効果が充分に発揮されていることを示している。ただし、Ｒｓが０．５より小さいドラム３−１（Ｒｓ＝０．２９ｒｐｍ）、ドラム３−２（Ｒｓ＝０．３ｒｐｍ）では、暗電位ムラの改善がやや少なかった。
【０２１５】
これは回転数が比較的速くないために、静止で作成した比較例１のドラム１−９に近づいたためと考えられる。また、特にドラム３−１では、Ｒｄ／Ｒｓ＝４．１４となり、異常反射は殆ど出ていないが、周方向では１．８ポイントの差が見られた。このことから、感度ムラの改善も他のドラム（３−２〜３−６）に比べてやや少なかった。
【０２１６】
また、ドラム３−７（Ｒｓ＝５．２ｒｐｍ）では、比較例１のドラム１−９よりも優れているものの、暗電位ムラ、感度ムラに関して他のドラム（３−３〜３−６）よりも改善量は少ない。この原因も推測の域を出ないが、回転数が速くなる事で放電がシリンダーに局在して回転に伴って回るような現象が起きやすくなり、その影響で改善量がやや低下した可能性がある。
【０２１７】
以上の点から、感光体作成時には、Ｒｄ／Ｒｓが４．１４（基体が１回転する間に堆積する膜厚が２４８．４ｎｍ）以下であることが好ましく、４（基体が１回転する間に堆積する膜厚が２４０ｎｍ）以下であることがより好ましい。更に、Ｒｓに関しては０．５ｒｐｍ以上５ｒｐｍ以下であることが好ましい事がわかった。
【０２１８】
回転数の最適範囲については、後述の実施例全体にいえることはいうまでもない。
【０２１９】
尚、上述の、実施例１〜４からわかるように、Ｒｄ／Ｒｓの関係を、堆積速度を変えることで満足することができるが、堆積速度は、膜の成長条件を変えることで変化する。成長の最適条件で堆積することが膜の特性を維持する観点から好ましいので、Ｒｄ／Ｒｓの関係は、回転数を変えることで行なうことが、堆積速度を変えるよりも好ましい。
【０２２０】
【表４】
2007108579.tif 000006
【０２２１】
＜実施例４＞
図４に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。光導電層と表面層との間には、両者間をなだらかに接続するために各パラメータをなだらかに変化させる変化領域を設け、光導電層と表面層との界面における干渉を低減させた。
【０２２２】
このとき、Ｒｄ＝１．６ｎｍ／ｓ固定（電力３５０Ｗ、水素希釈量６００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とし、回転数Ｒｓを図３に示したように変化させた。図３（ａ）のようにＲｄ／Ｒｓを１．４から０．８まで直線的且つ連続的に変化させ、ドラム４−１を完成させた。次に、図３（ｂ）のようにＲｄ／Ｒｓを１．４から０．８まで階段状に変化させ、ドラム４−２を完成させた。最後に、図３（ｃ）のようにＲｄ／Ｒｓをランダムに変化させ、ドラム４−３を完成させた。ドラム４−３では、回転数はランダムだが、Ｒｄ／Ｒｓの最高値は２．３、最低値は０．５の範囲で変化させた。ドラム４−２とドラム４−３は、およそ１０回転（１０レイヤー）毎にＲｓを変化させた。
【０２２３】
得られたドラムを電子写真装置に搭載し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表５に示す。
【０２２４】
表５を見て判るように、全てのドラム４−１〜４−３において、異常な反射は見られなかった。また、比較例１において静止した状態で作成したドラム１−９に比べ、実施例４の感光体４−１〜４−３では、暗電位ムラ、感度ムラとも改善できている事がわかった。
【０２２５】
また、特にＲｄ／Ｒｓが０．８〜１．７５の範囲外の期間を持つ場合には、更に暗電位ムラ、感度ムラが改善する事がわかった。
【０２２６】
以上のことから、感光体作成時には、基体の回転数は常に変化させる事で、回転によるムラ低減のメリットを享受しながら、異常反射を効果的に防止できることが明らかとなった。また更には、０．８〜１．７５の範囲外の期間を持つ場合には、より効果的に異常反射を防止できることもわかった。
【０２２７】
【表５】
2007108579.tif 000007
【０２２８】
＜実施例５＞
図４に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）を設置し、表６に示した条件で下部注入阻止層、光導電層１、光導電層２、表面層からなる堆積膜を順次積層した。光導電層２と表面層との間には、両者間をなだらかに接続するために各パラメータをなだらかに変化させる変化領域を設け、光導電層２と表面層との界面における干渉を低減させた。
【０２２９】
このとき、光導電層１のＲｄ＝１．６ｎｍ／ｓ固定（電力３５０Ｗ、水素希釈量６００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とし、光導電層２のＲｄはＲＦ電力を調整する事によりＲｄを０．４ｎｍ／ｓ（５０Ｗの時）、０．８ｎｍ／ｓ（１００Ｗの時）、１ｎｍ／ｓ（２００Ｗの時）とした３通りの作成方法を用い、光導電層２の膜厚を３、６μｍに変化させて、ドラム５−１〜５−３を作成した。
【０２３０】
結果を表７に示す。
【０２３１】
＜比較例２＞
実施例５と同様に表６で示した条件でドラム５−４を作成した。
【０２３２】
このとき、光導電層１のＲｄ＝１．６ｎｍ／ｓ固定（電力３５０Ｗ、水素希釈量６００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とし、光導電層２のＲｄ＝０．８ｎｍ／ｓとし、光導電層２の膜厚を６μｍとした。
【０２３３】
得られたドラムを電子写真装置に搭載し、実施例１と同様に異常反射の有無の評価を行った。
【０２３４】
結果を実施例５の結果と合わせて表７に示す。
【０２３５】
実施例５、比較例２のドラムは、物性値の異なる２種類の光導電層１、２を積層したタイプの感光体であり、光導電層２のＲｄ（膜質に強い相関がある）と膜厚が違う４種類の感光体である。
【０２３６】
このような条件下で、それぞれの感光体を比較すると、まずドラム５−１は異常反射が最も少ない。これは像露光が光導電層中で異常反射を起こすと考えられる表面から５μｍ程度の深さ以内（表面側３μｍの位置）で、Ｒｄ／Ｒｓが変化し、且つ表面側の光導電層２におけるＲｄ／Ｒｓが、好ましい範囲である０．８未満（０．７７）であるためと考えられる。
【０２３７】
また、ドラム５−２は、同様に光導電層の表面側から５μｍ以内（表面側３μｍの位置）でＲｄ／Ｒｓが変化しているので、異常反射はない（周方向差１．５ポイント）と言える。また、ドラム５−３は、光導電層の表面側から６μｍのところでＲｄ／Ｒｓが変化しており、５μｍ以内に変化がないが、５μｍ以内ではＲｄ／Ｒｓが１．９２であり、異常反射はやはり起きていない（周方向差１．８ポイント）。
【０２３８】
一方、比較例２のドラム５−４においては、光導電層２の表面側から５μｍ以内にＲｄ／Ｒｓが変化する場所がなく（表面側から６μｍの位置）、Ｒｄ／Ｒｓも１．５４で０．８以上１．７５以下の範囲に入っている。これが原因で、異常反射（５．７ポイント）が発生している。
【０２３９】
以上の点から、光導電層の表面側から５μｍ以内でＲｄ／Ｒｓが一定でない期間を含むように作成することで、異常反射が抑制でき、更にはＲｄ／Ｒｓが０．８以上１．７５以下を満たさない範囲となった場合、より異常反射を効果的に抑制できることが判った。また、少なくとも５μｍ以内においてＲｄ／Ｒｓが一定である場合、Ｒｄ／Ｒｓは０．８以上１．７５以下を満たさない範囲であれば異常反射を抑制できる事がわかった。
【０２４０】
【表６】
2007108579.tif 000008
【０２４１】
【表７】
2007108579.tif 000009
【０２４２】
＜実施例６＞
図４に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）を設置し、表１に示した条件で下部注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層した。光導電層と表面層との間には、両者間をなだらかに接続するために各パラメータをなだらかに変化させる変化領域を設け、光導電層と表面層との界面における干渉を低減させた。
【０２４３】
このとき、Ｒｄ＝１．６ｎｍ／ｓ固定（電力３５０Ｗ、水素希釈量６００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））とし、回転数Ｒｓを１．３３ｒｐｍ一定だが、適宜静止期間を設けるようにし、ドラム６−１を作成した。更に具体的には、およそ１０回転（１０レイヤー）毎におよそ３回転分（３レイヤー分）程度回転を静止させた。このとき、静止期間は正確な周期構造を敢えて持たないようにした。ここで、およそ１０回転とは、９．４回転分だったり、１１回転分だったりすることを指している。静止期間の「およそ３回転」も同様である。このようにしてドラム６−１を完成させた。
【０２４４】
得られたドラムを電子写真装置に搭載し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表８に示す。
【０２４５】
表８では、ドラム６−１と、比較例１で、静止で作成したもの（ドラム１−９）と、一定速度で常に回転させたもの（ドラム１−７）とを比較した。表６を見て判るとおり、ドラム１−７では異常反射が起きているのに対し、ドラム６−１においては異常反射は起こらず、且つ特性のムラが静止で作成したドラム１−９よりも改善している。このことから、光導電層作成時に、Ｒｓ＝０（静止している）期間を持ち、且つそれが周期性を持たないようにすることで、両者のメリットを両立できることがわかった。
【０２４６】
【表８】
2007108579.tif 000010
【図面の簡単な説明】
【０２４７】
【図１】電子写真感光体表面の反射分光法による測定結果を示す模式図であり、異常反射を説明する模式図である。
【図２】本発明において推測される異常反射防止のためのメカニズムを説明するための説明図である。
【図３】本発明におけるＲｄ／Ｒｓの変化方法について説明するための模式図である。
【図４】本発明の電子写真感光体の製造に使用することが可能な、ＲＦ帯の高周波を用いたプラズマＣＶＤ堆積装置の好適な構成の一例を模式的に示した図である。
【図５】本発明の電子写真感光体の層構成について説明する図である。
【図６】本発明の電子写真感光体を好適に使用できる電子写真装置の一例を表す模式図である。
【符号の説明】
【０２４８】
２０１  反応容器
２０２  基体
２０３  ガス管
２０４  表面層
２０５  光導電層
４１００  堆積装置
４１１１  反応容器
４１１２  円筒状基体
４１１３  基体加熱用ヒーター
４１１４  原料ガス導入管
４１１５  高周波マッチングボックス
４１１６  原料ガス配管
４１１７  反応容器リークバルブ
４１１８  メイン排気バルブ
４１１９  真空計
４１２０  ＲＦ電源
４１２１  モーター
４１２４  直流電源
４２１１〜４２１６  マスフローコントローラー
４２２１〜４２２６  原料ガスのボンベ
４２３１〜４２３６  原料ガスボンベバルブ
４２４１〜４２４６  ガス流入バルブ
４２５１〜４２５６  ガス流出バルブ
４２６０  補助バルブ
４２６１〜４２６６  圧力調整器
５００  電子写真感光体
５０１  基体
５０２  感光層
５０３  光導電層
５０４  表面層
５０５  下部注入阻止層
５０６  上部注入阻止層
５０７  組成変化領域
６０１  感光体
６０２  一次帯電器
６０３  画像露光
６０４ａ  第１現像器
６０４ｂ  第２現像器
６０５  中間転写ベルト
６０６  感光体クリーナ
６０７  除電露光
６０８  一次転写ローラ
６０９  二次転写ローラ
６１０  中間転写ベルトクリーナ
６１３  記録材
６１４  給紙カセット
６１５  定着器
【図１】
2007108579.tif 000011
【図２】
2007108579.tif 000012
【図３】
2007108579.tif 000013
【図４】
2007108579.tif 000014
【図５】
2007108579.tif 000015
【図６】
2007108579.tif 000016