(57)【要約】【課題】生産効率を低下させずにＯＨ基を十分に除去した光ファイバ母材を製造できる光ファイバ母材の製造方法および多孔質ガラス母材の脱水条件の決定方法を提供すること。【解決手段】脱水ガス雰囲気中において加熱領域を通過させることによって多孔質ガラス層を有する多孔質ガラス母材を脱水する脱水工程を含み、前記脱水工程は、脱水ガス中の塩素ガス分圧をＰｃｌ（Ｍｐａ）、処理温度をＴ（℃）、前記加熱領域において温度が１１５０℃以上の領域の長さをＬ（ｍｍ）、前記多孔質ガラス母材の前記加熱領域に対する相対移動速度をＶ（ｍｍ／ｈ）、前記多孔質ガラス層の平均嵩密度をρ（ｇ／ｃｍ3）とすると、ρ、Ｔ、Ｌに応じて、０．０７７３×ｅ7.4873×ρ≦Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖを満たすようにＰｃｌ、Ｖを設定して脱水を行うことを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
脱水ガス雰囲気中において加熱領域を通過させることによって多孔質ガラス層を有する多孔質ガラス母材を脱水する脱水工程を含み、
前記脱水工程は、脱水ガス中の塩素ガス分圧をＰｃｌ（Ｍｐａ）、処理温度をＴ（℃）、前記加熱領域において温度が１１５０℃以上の領域の長さをＬ（ｍｍ）、前記多孔質ガラス母材の前記加熱領域に対する相対移動速度をＶ（ｍｍ／ｈ）、前記多孔質ガラス層の平均嵩密度をρ（ｇ／ｃｍ3）とすると、ρ、Ｔ、Ｌに応じて、
０．０７７３×ｅ7.4873×ρ≦Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖ
を満たすようにＰｃｌ、Ｖを設定して脱水を行うことを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
【請求項２】
前記脱水ガスはヘリウムガスを含み、前記塩素ガス分圧ＰｃｌはＰｃｌ≦０．０２０Ｍｐａを満たすことを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ母材の製造方法。
【請求項３】
前記処理温度Ｔは１１５０℃≦Ｔ≦１２５０℃を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ母材の製造方法。
【請求項４】
前記相対移動速度ＶはＶ≦５００ｍｍ／ｈを満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の光ファイバ母材の製造方法。
【請求項５】
脱水ガス雰囲気中において加熱領域を通過させることによって多孔質ガラス層を有する多孔質ガラス母材を脱水する際に、
脱水ガス中の塩素ガス分圧をＰｃｌ（Ｍｐａ）、処理温度をＴ（℃）、前記加熱領域において温度が１１５０℃以上の領域の長さをＬ（ｍｍ）、前記多孔質ガラス母材の前記加熱領域に対する相対移動速度をＶ（ｍｍ／ｈ）、前記多孔質ガラス層の平均嵩密度をρ（ｇ／ｃｍ3）とすると、ρ、Ｔ、Ｌに応じて、
０．０７７３×ｅ7.4873×ρ≦Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖ
を満たすようにＰｃｌ、Ｖを決定することを特徴とする多孔質ガラス母材の脱水条件の決定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、脱水ガス雰囲気中において加熱領域を通過させることによって多孔質ガラス層を有する多孔質ガラス母材を脱水する脱水工程を含む光ファイバ母材の製造方法および多孔質ガラス母材の脱水条件の決定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
気相合成法、たとえば気相軸付法（ＶＡＤ法）あるいは外付法（ＯＶＤ法）により合成された多孔質ガラス母材は、電気炉にて高温加熱処理することにより透明ガラス化され、透明な光ファイバ母材となる。従来、多孔質ガラス母材を透明ガラス化する方法としては、ヘリウムガス等の不活性ガス、あるいは塩素ガスなどのハロゲンガスを微量に含んだ不活性ガスの雰囲気中において高温の加熱領域を通過させるゾーン加熱方式が知られている。
【０００３】
また、ＯＨ基が十分除去された光ファイバ母材を製造する方法として、まず、多孔質ガラス母材を脱水剤としてハロゲンガスないしハロゲン化物ガスを含む不活性ガス雰囲気中で約１２００℃に加熱してＯＨ基を除去する脱水工程のあとに、約１５００℃に加熱して焼結し透明ガラス化する焼結工程を行う方法がある。
【０００４】
一方、近年光ファイバの製造コストを削減するために、光ファイバ母材の大型化が求められている。製造設備を大型化せずに光ファイバ母材の大型化を実現するためには、ＯＶＤ法を用いて多孔質ガラス母材を製造する際に多孔質ガラス層の嵩密度を高くして合成を行うことが有効である。しかし、脱水工程において高い嵩密度の多孔質ガラス層を有する多孔質ガラス母材を従来の嵩密度の多孔質ガラス層を有する多孔質ガラス母材の場合と同一の脱水条件で脱水すると、透明ガラス化後に光ファイバ母材中に残留するＯＨ基の濃度が高くなる。その結果、この光ファイバ母材から製造した光ファイバは、波長１３８０ｎｍ付近の吸収ピークが大きく、伝送損失が上昇するという問題が生じる。
【０００５】
この問題を解決する方法として、多孔質ガラス母材の多孔質ガラス層の嵩密度に応じて所定の関係式から脱水剤の濃度や多孔質ガラス母材のトラバース速度すなわち加熱領域に対する相対移動速度などの脱水条件を決定し、ゾーン加熱方式を用いて脱水工程を行う方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１０４８３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の方法では、脱水剤の濃度と嵩密度との関係式には、脱水工程における処理温度、加熱領域の長さ、相対移動速度が考慮されていない。同様にして、相対移動速度と加熱領域の長さと嵩密度との関係式には脱水剤濃度、処理温度が考慮されていない。すなわち、従来の関係式は、脱水条件を一意に決定できるものではなかった。
【０００８】
その結果、脱水する多孔質ガラス母材の多孔質ガラス層の嵩密度を変更したり、脱水条件のうちのある条件を変更したなどの場合には、ＯＨ基を十分に除去するための新たな脱水条件は迅速に決定できず、試作を繰り返すなどして時間および材料を費やして決定する必要があったため、生産効率が低下するという課題があった。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、生産効率を低下させずにＯＨ基を十分に除去した光ファイバ母材を製造できる光ファイバ母材の製造方法および多孔質ガラス母材の脱水条件の決定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、脱水ガス雰囲気中において加熱領域を通過させることによって多孔質ガラス層を有する多孔質ガラス母材を脱水する脱水工程を含み、前記脱水工程は、脱水ガス中の塩素ガス分圧をＰｃｌ（Ｍｐａ）、処理温度をＴ（℃）、前記加熱領域において温度が１１５０℃以上の領域の長さをＬ（ｍｍ）、前記多孔質ガラス母材の前記加熱領域に対する相対移動速度をＶ（ｍｍ／ｈ）、前記多孔質ガラス層の平均嵩密度をρ（ｇ／ｃｍ3）とすると、ρ、Ｔ、Ｌに応じて、０．０７７３×ｅ7.4873×ρ≦Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖを満たすようにＰｃｌ、Ｖを設定して脱水を行うことを特徴とする。
【００１１】
また、この発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、前記脱水ガスはヘリウムガスを含み、前記塩素ガス分圧ＰｃｌはＰｃｌ≦０．０２０Ｍｐａを満たすことを特徴とする。
【００１２】
また、この発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、前記処理温度Ｔは１１５０℃≦Ｔ≦１２５０℃を満たすことを特徴とする。
【００１３】
また、この発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、前記相対移動速度ＶはＶ≦５００ｍｍ／ｈを満たすことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る多孔質ガラス母材の脱水条件の決定方法は、脱水ガス雰囲気中において加熱領域を通過させることによって多孔質ガラス層を有する多孔質ガラス母材を脱水する際に、脱水ガス中の塩素ガス分圧をＰｃｌ（Ｍｐａ）、処理温度をＴ（℃）、前記加熱領域において温度が１１５０℃以上の領域の長さをＬ（ｍｍ）、前記多孔質ガラス母材の前記加熱領域に対する相対移動速度をＶ（ｍｍ／ｈ）、前記多孔質ガラス層の平均嵩密度をρ（ｇ／ｃｍ3）とすると、ρ、Ｔ、Ｌに応じて、０．０７７３×ｅ7.4873×ρ≦Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖを満たすようにＰｃｌ、Ｖを決定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、平均嵩密度ρ、処理温度Ｔ、温度が１１５０℃以上の領域の長さＬに応じて、０．０７７３×ｅ7.4873×ρ≦Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖを満たすように塩素ガス分圧Ｐｃｌ、相対移動速度Ｖを設定して脱水を行うので、嵩密度や脱水条件の変更があっても、生産効率を低下させずにＯＨ基を十分に除去した光ファイバ母材を製造できるという効果を奏する。
【００１６】
また、本発明によれば、平均嵩密度ρ、処理温度Ｔ、温度が１１５０℃以上の領域の長さＬに応じて、０．０７７３×ｅ7.4873×ρ≦Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖを満たすように塩素ガス分圧Ｐｃｌ、相対移動速度Ｖを決定するので、嵩密度や脱水条件の変更があっても、ＯＨ基を十分に除去できる多孔質ガラス母材の脱水条件を迅速に決定できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、図面を参照して本発明に係る光ファイバ母材の製造方法および多孔質ガラス母材の脱水条件の決定方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１８】
（実施の形態）
まず、本実施の形態にて用いる電気炉および多孔質ガラス母材について説明する。図１は、本実施の形態にて用いる電気炉を示す説明図である。電気炉１は、回転昇降装置２に支持棒３を介して把持された多孔質ガラス母材４を収容する上蓋５を有する石英ガラス製の炉心管６と、炉心管６の外周に備えられ外部から多孔質ガラス母材４を加熱するヒータ７と、ヒータ７の温度を測定する温度計８と、炉心管６の外周で断熱材を介してヒータ７を収容している炉体９とを備える。
【００１９】
さらに、炉心管６は、ヘリウムガスなどの不活性ガスや、塩素ガスを含む不活性ガスなどを炉心管６内に供給するためのガス供給口１０を下部に、使用済みのガスを炉心管６外に排出するためのガス排出口１１を上部に備える。
【００２０】
図２は、多孔質ガラス母材４の断面概略図である。多孔質ガラス母材４は、コア部を含むコアガラスロッド４ａと、その外周にＯＶＤ法などを用いて合成して形成した多孔質ガラス層４ｂとを有するものである。多孔質ガラス層４ｂの平均嵩密度ρ（ｇ／ｃｍ3）は、光ファイバ母材の大型化の観点からは０．３ｇ／ｃｍ3以上が好ましい。一方、脱水工程においては平均嵩密度ρは低密度のほうが脱水が容易であり、高密度になるにつれて指数関数的に脱水が困難となるので、１．０ｇ／ｃｍ3以下が好ましい。
【００２１】
平均嵩密度ρ（ｇ／ｃｍ3）は、多孔質ガラス層４ｂを合成するときのガスの条件ならびにバーナからの火炎が合成中の多孔質ガラス層の表面を単位時間当たりに掃引する速度によって調整することができる。たとえば、単位時間当たりに合成して堆積させた部分のガラス微粒子堆積層の密度ρc（ｇ／ｃｍ3）を求め、求めた密度ρcが目標の平均嵩密度ρ（ｇ／ｃｍ3）より小さいときにはバーナからの火炎の掃引速度Ｓ（ｍｍ／ｓｅｃ）を遅くし、求めた密度ρcが目標の平均嵩密度ρより大きいときにはバーナからの火炎の掃引速度Ｓを速くするように制御することで、平均嵩密度ρは調整が可能である。
【００２２】
このようにして製造した所定の平均嵩密度ρ（ｇ／ｃｍ3）の多孔質ガラス層４ｂを有する多孔質ガラス母材４に対して、図１に示す電気炉１を用いて、脱水工程および焼結工程を行う。まず、脱水工程について説明する。
【００２３】
（脱水工程）
まず、多孔質ガラス母材４の上端に接続された支持棒３を回転昇降装置２の把持部で把持する。そして、多孔質ガラス母材４を炉心管６に挿入し、上蓋５により蓋をする。つぎに、多孔質ガラス母材４を所定のスタート位置にセットし、ヒータ７を所定の温度まで昇温する。すると、炉心管６の内部のヒータ７と同じ高さの位置に、炉内温度が図１に示す分布曲線１２を有する加熱領域が形成される。なお、ここでいう炉内温度とは、炉心管６において多孔質ファイバ母材が昇降する軸上における温度である。本明細書中では、この加熱領域において図１に示すような温度が１１５０℃以上の領域１３をヒートゾーンという。
【００２４】
ヒータ７の温度は、炉内の最高温度が所定の処理温度Ｔ（℃）となるように調整される。炉内の最高温度は、温度計８でヒータ７の温度を測定して、その測定値から見積もることができる。処理温度Ｔは一般的には９００℃〜１３００℃であるが、１１５０℃以上であれば脱水の効率を高めることができ、１２５０℃以下であれば脱水工程において多孔質ガラス母材４の一部が焼結してしまうことを防止できる。このように処理温度Ｔを設定することにより曲線１２が定まり、その結果ヒートゾーンの長さＬ（ｍｍ）が定まる。
【００２５】
つぎに、ガス供給口１０から炉心管６内にヘリウムガスと塩素ガスとを含む脱水ガスを供給する。このときの炉内雰囲気の塩素ガス分圧をＰｃｌ（Ｍｐａ）とする。そして多孔質ガラス母材４を回転昇降装置２により回転させながら加熱領域に対して相対移動速度Ｖ（ｍｍ／ｈ）で降下させる。本発明においては、上記Ｐｃｌ、Ｖはρ、Ｔ、Ｌに応じて下記の式（１）、
０．０７７３×ｅ7.4873×ρ≦Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖ  ・・・  （１）
を満たすように決定したものである。式（１）を用いれば、試作などを行わなくてもＯＨ基を十分に除去できる多孔質ガラス母材の脱水条件を迅速に決定できる。
【００２６】
そして、上記決定に基づいて設定した塩素ガス分圧Ｐｃｌ、相対移動速度Ｖにおいて、多孔質ガラス母材４を下端部から順にヒートゾーンを通過させて、脱水を行う。その結果、多孔質ガラス母材４からＯＨ基を十分に除去できる。特に、所定の相対移動速度Ｖに対して式（１）において等式が成り立つように塩素ガス分圧Ｐｃｌを設定すれば、ＯＨ基を十分に除去できる条件の下でＰｃｌを最小にできる。その結果、塩素ガスの使用量を最小にすることができ、材料コストを低くできる。また、所定の塩素ガス分圧Ｐｃｌに対して式（１）において等式が成り立つように相対移動速度Ｖを設定すれば、ＯＨ基を十分に除去できる条件の下で相対移動速度Ｖを最大にできる。その結果、脱水工程にかかる時間を最小にすることができ、製造時間を短縮できる。このように材料コストや製造時間を最適化することで、製造コストを低くすることができる。
【００２７】
なお、スタート位置において炉内温度が１０００℃以下となる位置に多孔質ガラス母材４の下端部を位置させて、そこから多孔質ガラス母材４を降下させることで、製造した光ファイバ母材の下端部に外観不良が発生することを防止できる。
【００２８】
また、相対移動速度Ｖを５００ｍｍ／ｈ以下とすれば、製造した光ファイバ母材の下端部に外観不良が発生することを防止できる。一方、工程時間が長くなることによる製造コストの上昇を防止する観点からは、相対移動速度Ｖを１００ｍｍ／ｈ以上とすることが好ましい。
【００２９】
また、塩素ガス分圧Ｐｃｌを０．０２０Ｍｐａ以下とすれば、製造した光ファイバ母材から光ファイバを紡糸する際の断線を防止でき、かつ光ファイバの線径変動を防止できる。一方、工程時間が長くなることによる製造コストの上昇を防止する観点からは、塩素ガス分圧Ｐｃｌを０．００１０Ｍｐａ以上とすることが好ましい。
【００３０】
多孔質ガラス母材４の上端部がヒートゾーンを通過して上端部が十分に加熱された時点で、多孔質ガラス母材４を回転昇降装置２により引き上げ、ほぼスタート位置まで戻す。そして、つぎに焼結工程を行う。以下、焼結工程について説明する。
【００３１】
（焼結工程）
まず、ヒートゾーン内の平均の炉内温度が１５００℃〜１６００℃となるようにヒータ７の出力を調整する。つぎに、ガス供給口１０から炉心管６内にヘリウムガスと塩素ガスを供給する。ヘリウムガスのみの雰囲気中で焼結を行うと、脱水工程において多孔質ガラス母材４にドープされた塩素が多孔質ガラス母材内で外側に向かって拡散し、半径方向の塩素濃度分布が不均一になることで紡糸した光ファイバの特性、特にカットオフ波長が不安定になるという問題が生じるため、炉内雰囲気の塩素ガス分圧が０．００３Ｍｐａ〜０．００４Ｍｐａとなるように塩素ガスの供給量を調整する。
【００３２】
そして、多孔質ガラス母材４を回転昇降装置２により回転させながら加熱領域に対して所定の相対移動速度で降下させ、多孔質ガラス母材４を下端から順にヒートゾーンを通過させて、焼結を行う。この焼結工程により、多孔質ガラス母材は透明ガラス化され、透明な光ファイバ母材となる。
【００３３】
本実施の形態では、平均嵩密度ρ、処理温度Ｔ、ヒートゾーンの長さＬに応じて、式（１）を満たすように塩素ガス分圧Ｐｃｌ、相対移動速度Ｖを設定して脱水を行うので、生産効率を低下させずにＯＨ基を十分に除去した光ファイバ母材を製造できる。
【００３４】
（実施例１、２および比較例１〜５）
本発明の実施例および比較例として、コアガラスロッドの外周にＯＶＤ法により多孔質ガラス層を合成して形成した多孔質ガラス母材に脱水工程および焼結工程を施して光ファイバ母材を製造した。この製造の際に、多孔質ガラス層の平均嵩密度ρ（ｇ／ｃｍ3）および脱水工程における脱水ガス中の塩素ガス分圧Ｐｃｌ（Ｍｐａ）、処理温度Ｔ（℃）、ヒートゾーンの長さＬ（ｍｍ）、多孔質ガラス母材の相対移動速度Ｖ（ｍｍ／ｈ）を種々に変化させた。そして、製造した光ファイバ母材中のＯＨ基の濃度を測定した。
【００３５】
なお、脱水工程においては、脱水ガスは多孔質ガラス母材の外周表面から半径方向の内側に向かって拡散する。したがって、焼結工程後の光ファイバ母材に残留するＯＨ基の濃度は、外周表面からの距離や多孔質ガラス層の半径方向の密度分布の形状などによっても影響を受けるので、半径方向に対して均一ではない。また、光ファイバ母材から光ファイバを紡糸する際の加熱により残留したＯＨ基は半径方向の内側に向かって再拡散する。この再拡散によってＯＨ基が光ファイバのコア部に滲入すると、その伝送損失において波長１３８０ｎｍ付近に吸収ピークが現われる。そこで、本実施例および比較例においては、光ファイバ母材中のＯＨ基濃度の測定値として、コアガラスロッド／多孔質ガラス層界面から半径方向の外側へ光ファイバに換算して２０μｍまでの部分に含まれるＯＨ基の濃度の平均値を採用した。
【００３６】
図３は、実施例１、２および比較例１〜５についての平均嵩密度ρ、処理温度Ｔ、ヒートゾーンの長さＬ、塩素ガス分圧Ｐｃｌ、移動速度Ｖ、ＯＨ基濃度などを示す図である。また、図４は、実施例１、２および比較例１〜５についての平均嵩密度ρとＰｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖとの関係を示す図である。曲線１４は０．０７７３×ｅ7.4873×ρ＝Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖとなる曲線である。また、図５は、実施例１、２および比較例１〜５についてのＰｃｌ×Ｔ×Ｌ／ＶとＯＨ基濃度との関係を示す図である。曲線１５または曲線１６は平均嵩密度ρが０．７８ｇ／ｃｍ3または０．５８ｇ／ｃｍ3の点から計算した近似曲線である。
【００３７】
以下、図３〜５を用いて実施例１について説明する。まず、実施例１で用いた多孔質ガラス母材の多孔質ガラス層の平均嵩密度ρは図３に示すように０．７８ｇ／ｃｍ3であった。一方、電気炉における処理温度Ｔは１２１５℃、ヒートゾーンの長さＬは２９０ｍｍであった。このρの値に対して０．０７７３×ｅ7.4873×ρ計算すると、２６．５８となる。本発明ではρ、Ｔ、Ｌに応じて０．０７７３×ｅ7.4873×ρ≦Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖを満たすようにＰｃｌ、Ｖを設定するが、この式は、図４において斜線部で示される領域を表すものである。実施例１では、０．０７７３×ｅ7.4873×ρ＝Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖを満たすように塩素ガス分圧Ｐｃｌおよび移動速度Ｖを決定したので、図４において曲線１４上に点が現われている。具体的には、図３に示すように、Ｐｃｌを０．０１５Ｍｐａ、Ｖを２００ｍｍ／ｈと設定した。このように設定した条件で脱水工程を行い、光ファイバ母材を製造した結果、光ファイバ母材において測定したＯＨ基濃度は、図３および図５に示すように１．０ｐｐｍと十分小さい値となった。
【００３８】
また、平均嵩密度ρが０．５８ｇ／ｃｍ3の実施例２についても同様の方法で塩素ガス分圧Ｐｃｌおよび移動速度Ｖを設定して脱水工程を行い光ファイバ母材を製造した結果、ＯＨ基濃度は１．０ｐｐｍと十分小さい値となった。
【００３９】
つぎに、図３〜５を用いて比較例１について説明する。まず、比較例１で用いた多孔質ガラス母材の多孔質ガラス層の平均嵩密度ρは図３に示すように０．７６ｇ／ｃｍ3であった。一方、電気炉における処理温度Ｔは１２１５℃、ヒートゾーン長さＬは５００ｍｍであった。このρの値に対して０．０７７３×ｅ7.4873×ρ計算すると、２２．８８となる。比較例１では、図３に示すようにＰｃｌを０．００３Ｍｐａ、Ｖを３５０ｍｍ／ｈと設定したため、Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖを計算すると５．９５となり、０．０７７３×ｅ7.4873×ρ＞Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖとなるから、図４において斜線部から外れた領域に点が現われている。このように設定した条件で脱水工程を行い、光ファイバ母材を製造した結果、光ファイバ母材において測定したＯＨ基濃度は、図３および図５に示すように２８４．５ｐｐｍと非常に大きい値となった。また、他の比較例についても同様にＯＨ基濃度が大きい値となった。
【００４０】
なお、実施例１、２では、０．０７７３×ｅ7.4873×ρ＝Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖを満たすようにＰｃｌ、Ｖを決定したが、図５の曲線１５、１６が示すように、同じ平均嵩密度であれば、Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖが大きくなるほどＯＨ基濃度が小さくなる傾向にある。したがって、図４において０．０７７３×ｅ7.4873×ρ≦Ｐｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖとなる斜線部の領域に点が現われるように脱水条件を設定すれば、実施例１、２のＯＨ基濃度以下のＯＨ基濃度が達成されることが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態にて用いる電気炉を示す説明図である。
【図２】多孔質ガラス母材の断面概略図である。
【図３】本発明の実施例１、２および比較例１〜５についての平均嵩密度ρ、処理温度Ｔ、ヒートゾーン長さＬ、塩素ガス分圧Ｐｃｌ、移動速度Ｖ、ＯＨ基濃度などを示す図である。
【図４】本発明の実施例１、２および比較例１〜５についての平均嵩密度ρとＰｃｌ×Ｔ×Ｌ／Ｖとの関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例１、２および比較例１〜５についてのＰｃｌ×Ｔ×Ｌ／ＶとＯＨ基濃度との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  電気炉
２  回転昇降装置
３  支持棒
４  多孔質ガラス母材
４ａ  コアガラスロッド
４ｂ  多孔質ガラス層
５  上蓋
６  炉心管
７  ヒータ
８  温度計
９  炉体
１０  ガス供給口
１１  ガス排出口
【図１】
2007269527.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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