(57)【要約】【課題】  特に、基板の表面に形成される複数の凹部の深さを個別に制御でき、凹部形状の自由度を高めることが可能なエッチング装置、基板、基板の製造方法、型、ならびに成型品を提供することを目的としている。【解決手段】  対向電極２２を複数の小電極部２３に分け、各電極部２３に個別に電圧を印加できるようになっている。したがって電界の大きさを基板表面の異なる場所ごとに自由に制御でき、従来に比べて、適切且つ簡単に、前記基板表面に任意の深さの凹部を形成できる。【選択図】  図２
2007009239.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング対象となる基板と、エッチング液が入れられる槽と、前記槽内に前記基板と対向して設けられた対向電極と、前記基板の前記対向電極が設けられている側と反対側に設けられた光源と、を有し、
前記対向電極は複数の小電極部に分けられており、各小電極部には、異なる大きさの電圧が印加可能とされていることを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
エッチング対象となる基板と、エッチング液が入れられる槽と、前記槽内に前記基板と対向して設けられた対向電極と、前記基板の前記対向電極が設けられている側と反対側に設けられた光源と、を有し、
前記光源から基板へ照射される光を、少なくとも２階調以上にできる光量調整部材が設けられていることを特徴とするエッチング装置。
【請求項３】
前記光量調整部材は、前記基板と光源との間に設けられる請求項２記載のエッチング装置。
【請求項４】
前記光量調整部材は、印加する電圧により光の透過量を変える液晶光学素子あるいはグレースケールマスクである請求項２または３に記載のエッチング装置。
【請求項５】
前記対向電極は、複数の小電極部に分けられ、各小電極部には、異なる大きさの電圧が印加可能とされている請求項２ないし４のいずれかに記載のエッチング装置。
【請求項６】
前記小電極部は、マトリクス状に配置されている請求項１または５に記載のエッチング装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載されたエッチング装置により、表面がエッチング加工されて、前記表面に複数の凹部が形成されていることを特徴とする基板。
【請求項８】
前記表面は複数の凹部が形成された曲面で、前記凹部が同じ深さで形成されている請求項７記載の基板。
【請求項９】
前記表面は複数の凹部が形成された平坦化面で、前記凹部が異なる深さで形成されている請求項７記載の基板。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれかに記載されたエッチング装置を用いて、表面をエッチング加工し、前記表面に複数の凹部を形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１１】
前記表面は曲面であり、一回の前記エッチング加工により、前記表面に複数の凹部を、同じ深さで形成する請求項１０記載の基板の製造方法。
【請求項１２】
前記表面は平坦化面であり、一回の前記エッチング加工により、前記表面に複数の凹部を、異なる深さで形成する請求項１０記載の基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項７ないし９のいずれかに記載された基板を用いて形成され、前記基板との対向面に、前記基板に形成された凹部に対応する凸部が形成されていることを特徴とする型。
【請求項１４】
請求項１３に記載された型もしくはその複製品を用いて形成されたことを特徴とする成型品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばシリコン基板の表面に電気化学エッチング（ＥＣＥ；Electrochemical  Etching）により超微細形状を形成する際に使用されるエッチング装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１には、シリコン基板の表面に電気化学エッチングにより、複数の凹部を形成することが開示されている。
【０００３】
電気化学エッチングを用いる利点は、簡便な装置構成で、シリコン基板の表面に深い凹部を多数、微細形成できる点にある。
【０００４】
電気化学エッチングの原理は、シリコン基板の表面に、予め非常に小さな窪みによるトリガー部（特許文献１ではイニシャルピットと呼んでいる）を形成し、前記シリコン基板と対向電極間に電圧を印加する。このとき前記トリガー部に電界が集中する。また前記シリコン基板の裏面側には光源が設けられており、前記光源からの光により、前記シリコン基板中に正孔（ホール）が生じる。前記正孔は、電界が集中する前記トリガー部に引き寄せられ、前記トリガー部からエッチングが、前記シリコン基板の表面から裏面方向に、しかもシリコン基板の膜厚方向（垂直下方向）に向けて進行する。これにより、深さの深い凹部を前記シリコン基板の表面に多数、微細形成することが可能になっている。
【０００５】
特許文献１の図１に示すようにシリコン基板の表面に形成された多数の凹部は、全てほぼ同じ深さで形成されている。これは、前記シリコン基板の表面が平坦化面で、対向電極（特許文献１の対向電極３２）と前記シリコン基板の表面間の距離がどの位置においても同じであるために、電界の大きさが前記シリコン基板の表面に形成された全てのトリガー部においてほぼ同じであるとこと、及び、前記シリコン基板の膜厚も一定で、しかも、前記光源からの光は、シリコン基板の裏面全体にほぼ同じ光量の光が照射されるため、正孔の各トリガー部への到達量がほぼ一定であることによる。
【特許文献１】特開平２００４−１０９４３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、前記シリコン基板の表面が曲面であると、前記シリコン基板の表面と対向電極間の距離は均一でなく場所によって変動し、前記シリコン基板の表面で発生する電界が異なる等の要因により、前記シリコン基板の表面に形成される凹部が一定の深さで形成されないといった問題が発生した。
【０００７】
また、特許文献１の図１に示すような表面が平坦化面であるシリコン基板の表面に、一定の深さの凹部は形成できても、異なる深さの凹部を形成することはできなかった。
【０００８】
このように従来では、前記シリコン基板の表面に形成される複数の凹部の深さを個別に制御できず、夫々の凹部を、任意の深さにて形成することが出来なかった。
【０００９】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、基板表面に形成される複数の凹部の深さ調整の自由度を、従来に比べて高めることが可能なエッチング装置、基板、基板の製造方法、型、ならびに成型品を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明におけるエッチング装置は、エッチング対象となる基板と、エッチング液が入れられる槽と、前記槽内に前記基板と対向して設けられた対向電極と、前記基板の前記対向電極が設けられている側と反対側に設けられた光源と、を有し、
前記対向電極は複数の小電極部に分けられており、各小電極部には、異なる大きさの電圧が印加可能とされていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明によれば、前記対向電極に設けられた複数の小電極部に、夫々異なる電圧を印加できるため、基板表面の電界の大きさを、前記基板表面の形状等に係らず、自由に制御でき、従来に比べて、適切且つ簡単に、前記基板表面に任意の深さの凹部を形成できる。
【００１２】
また本発明におけるエッチング装置は、
エッチング対象となる基板と、エッチング液が入れられた槽と、前記槽内に前記基板と対向して設けられた対向電極と、前記基板の前記対向電極が設けられている側と反対側に設けられた光源と、を有し、
前記光源から基板に照射される光を、少なくとも２階調以上にできる光量調整部材が設けられていることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明によれば、前記光源からの光を、少なくとも２階調以上に制御できるため、前記基板の膜厚等に係らず、前記基板の表面への正孔の到達量を、自由に制御でき、従来に比べて、適切且つ簡単に、前記基板表面に任意の深さの凹部を形成できる。
【００１４】
本発明では、前記光量調整部材は、前記基板と光源との間に設けられることが、前記光源からの光を、２階調以上に適切に制御しやすいため好ましい。
【００１５】
また本発明では、前記光量調整部材は、印加する電圧により光の透過量を変える液晶光学素子あるいはグレースケールマスクであることが好ましい。
【００１６】
また本発明では、前記対向電極は、複数の小電極部に分けられ、各小電極部には、異なる大きさの電圧が印加可能とされていることがより好ましい。これにより、電界の大きさを基板表面の異なる場所ごとに自由に制御でき、前記の階調調整と組み合わせることで、より適切且つ簡単に、前記基板表面に任意の深さの凹部を形成できる。
【００１７】
また本発明では、前記小電極部は、マトリクス状に配置されていることが、前記小電極部を対向電極の前記基板との対向面にバランス良く配置でき、電界の制御をより適切且つ簡単に行うことができて好ましい。
【００１８】
また本発明における基板は、上記のいずれかに記載されたエッチング装置により、表面がエッチング加工されて、前記表面に複数の凹部が形成されていることを特徴とするものである。本発明では、表面の形状等に係らず、前記表面に任意の深さの凹部が精度良く形成された基板となる。
【００１９】
例えば、前記表面は複数の凹部が形成された曲面で、前記凹部が同じ深さで形成されている基板構造、あるいは、前記表面は複数の凹部が形成された平坦化面で、前記凹部が異なる深さで形成されている基板構造となる。
【００２０】
また本発明における基板の製造方法は、上記のいずれかに記載されたエッチング装置を用いて、表面をエッチング加工し、前記表面に複数の凹部を形成することを特徴とするものである。本発明によれば、前記基板の表面の形状等に係らず、前記表面に形成される凹部の深さを、任意の深さで、適切且つ簡単に形成できる。
【００２１】
例えば、前記表面は曲面であり、一回の前記エッチング加工により、前記表面に複数の凹部を、同じ深さで形成することが出来る。あるいは、前記表面は平坦化面であり、一回の前記エッチング加工により、前記表面に複数の凹部を、異なる深さで形成することが出来る。このように一回のエッチング加工だけで、前記凹部の深さを任意の深さに形成できるため、簡単且つ適切に、前記基板を製造することが出来る。
【００２２】
また本発明における型は、上記いずれかに記載された基板を用いて形成され、前記基板との対向面に、前記基板に形成された凹部に対応する凸部が形成されていることを特徴とするものである。
これにより、前記凸部の高さが、任意の寸法にて精度良く形成された型となる。
【００２３】
また本発明における成型品は、上記に記載された型もしくはその複製品を用いて形成されたことを特徴とするものである。これにより、表面に形成される凹部の深さが、任意の寸法にて精度良く形成された成型品となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明におけるエッチング装置では、基板と対向する対向電極が、複数の小電極部に分けられており、各小電極部には、異なる大きさの電圧を印加可能になっている。あるいは、前記基板の前記対向電極が設けられている側と反対側に設けられた光源からの光を、少なくとも２階調以上にできる光量調整部材を設けている。
【００２５】
これにより、従来に比べて、適切且つ簡単に、前記基板表面に任意の深さの凹部を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は、本実施の形態のエッチング装置を模式図的に示すものであり前記エッチング装置を高さ方向から切断した部分縦断面図、図２は、本実施の形態の対向電極のシリコン基板との対向面の部分平面図、図３ないし図１０は、本実施の形態のシリコン基板の製造工程を示す一工程図であり、各図は、製造工程中のシリコン基板等を膜厚方向から切断した部分縦断面図、図１１は、図１０とは異なるシリコン基板の構造を説明するためのものであり、前記シリコン基板を膜厚方向から切断した部分縦断面図、図１２及び図１３は、図１０に示すシリコン基板を用いて型を製造する際の一工程図であり、各図は、製造工程中の型等を膜厚方向から切断した部分縦断面図、である。
【００２７】
また各図における図示Ｘ方向は幅方向、図示Ｙ方向は長さ方向、図示Ｚ方向は高さ方向を示し、各方向は残り２つの方向に対し直交する関係となっている。
【００２８】
まずシリコン基板の製造方法について説明する。図３に示す符号１０は、シリコン基板１０であり、図３に示すように前記シリコン基板１０の膜厚はどの部位においても一定の大きさで形成されている。また前記シリコン基板１０の表面１０ａは平坦化面となっている。前記シリコン基板１０は、例えばＮ型である。
【００２９】
次に図４に示す工程では、前記シリコン基板１０の表面１０ａにレジスト層１１を形成する。まず前記レジスト層を前記表面１０ａの全体に塗布し、露光現像にて必要な箇所にだけ前記レジスト層１１を残す。
【００３０】
次に図５に示す工程では、前記レジスト層１１に覆われていない前記シリコン基板１０を、途中までエッチングにて除去する。図５に示す点線箇所の前記シリコン基板１０を除去する。これにより前記シリコン基板１０は、前記レジスト層１１の下に形成された突出部１０ｂと、前記突出部１０ｂの周囲に形成された膜厚の薄い周辺部１０ｃとで構成される。
【００３１】
次に図６に示す工程では、前記レジスト層１１を除去した後、等方的エッチングを用いて、前記シリコン基板１０の突出部１０ｂの表面１０ｂ１を曲面形状に形成する。図６に示すように、前記表面１０ｂ１を、前記シリコン基板１０の中央Ｏ―Ｏから前記周辺部１０ｃにかけて前記シリコン基板１０の膜厚が徐々に薄くなる曲面形状、具体的には半球状や半楕円球状に形成する。前記等方的なエッチングは、例えばフッ酸、硝酸、酢酸などの混酸を用いたウエットエッチングで行う。
【００３２】
次に図７に示す工程では、前記シリコン基板１０の突出部１０ｂの表面１０ｂ１及び周辺部１０ｃの表面１０ｃ１の全面にレジスト層１２を形成する。
【００３３】
次に図８に示す工程では、前記突出部１０ｂの表面１０ｂ１に形成されたレジスト層１２の部分に露光現像によって、所定の大きさの穴１２ａを複数形成する。
【００３４】
そして図９では、前記レジスト層１２の穴１２ａから露出する前記シリコン基板１０の表面１０ｂ１をエッチングにて若干掘り、非常に小さな窪みによるトリガー部１３を、アルカリ水溶液による結晶異方性エッチングやドライエッチングを用いて形成することが出来る。
【００３５】
図９に示すように前記シリコン基板１０には突出部１０ｂが形成され、その表面１０ｂ１は曲面形状であり、しかも前記表面１０ｂ１には、複数の微小窪みのトリガー部１３が形成されている。
【００３６】
そして、図９に示すシリコン基板１０を、電気化学エッチング（ＥＣＥ；Electrochemical  Etching）に用いられるエッチング装置２０にセットする。
【００３７】
図１に示すように、前記エッチング装置１０を構成する槽２１内にはフッ酸溶液２５が入れられている。前記フッ酸溶液２５はエッチング液である。
【００３８】
図１に示すように、前記槽２１の底面２１ａには貫通孔２１ｂが設けられ、前記シリコン基板１０を前記槽２１の底面２１ａ側から前記貫通孔２１ｂと対向する位置にセットできるようになっている。前記槽２１の底面２１ａには前記シリコン基板１０を保持するホルダ２６等が設けられている。
【００３９】
図１に示すように、前記槽２１内には対向電極２２が設けられる。前記対向電極２２は前記シリコン基板１０の表面１０ｂ１，１０ｃ１と高さ方向（図示Ｚ方向）にて対向する位置に設けられる。
【００４０】
前記対向電極２２は平板形状であるが、前記シリコン基板１０の裏面側に設けられたもう一方の電極２７は、真ん中に貫通孔２７ａを有するリング形状で形成されている。前記対向電極２２の前記シリコン基板１０の表面１０ｂ１，１０ｃ１と対向する対向面２２ａは、平坦化面となっている。
【００４１】
前記シリコン基板１０の裏面側には、光源２３が設けられている。また前記シリコン基板１０と前記光源２３との間には、印加する電圧により光の透過量を変える液晶光学素子２４が設けられている。
【００４２】
図１に示すように、電源３０、制御部３１及びドライバ３２等が前記エッチング装置２０に接続されている。
【００４３】
図２は前記対向電極２２の前記シリコン基板１０の表面１０ｂ１，１０ｃ１と対向する対向面２２ａを上向きにして示した平面図である。
【００４４】
図２に示すように、前記対向電極２２には、多数の小電極部２３が形成されている。前記小電極部２３は図示Ｘ方向及び図示Ｙ方向に所定の間隔を空けて規則正しく設けられる。前記小電極部２３は前記対向電極２２の対向面２２ａにマトリクス状に形成される。
【００４５】
本実施の形態では、各小電極部２３に個別に電圧を印加できるようになっている。各小電極部２３における電圧の大きさの制御は図１に示す制御部３１にて行われる。
【００４６】
本実施の形態では、多数設けられた小電極部２３のうち、前記対向電極２２の中心から、図示Ｘ方向及び図示Ｙ方向に離れるにしたがって、徐々に、前記対向電極２２と前記シリコン基板１０間の電圧が大きくなるように制御されている。
【００４７】
図９に示すように前記シリコン基板１０には突出部１０ｂが形成され、その表面１０ｂ１は曲面形状となっており、しかも、ちょうど、シリコン基板１０の中心Ｏ−Ｏが最も突出するように形成されている。したがって図１に示すように、平板形状で形成された前記対向電極２２と前記シリコン基板２０の突出部１０ｂの表面１０ｂ１間の距離Ｈ１（図１を参照）は、前記シリコン基板２０の中心Ｏ−Ｏでの表面１０ｂ１と前記対向電極２２間で最も短くなり、図示Ｘ方向及び図示Ｙ方向に離れるほど、前記距離Ｈ１は大きくなっていく。
【００４８】
したがって、前記距離Ｈ１が大きくなるほど、前記対向電極２２と前記シリコン基板１０間の電圧を大きくすることで、前記シリコン基板１０の突出部１０ｂの表面１０ｂ１に形成された複数のトリガー部１３にほぼ一定の大きさの電界を集中させることが出来る。
【００４９】
また図１に示すエッチング装置２０には前記シリコン基板１０と光源２３の間に液晶光学素子２４が設けられている。前記液晶光学素子２４に対しても前記電源３０から電圧を供給し、このとき制御部３１にて、前記液晶光学素子２４の中心から図示Ｘ方向及び図示Ｙ方向に離れるほど、前記光源２３から前記シリコン基板１０の裏面に向けての光量が小さくなるように、前記液晶光学素子２４の各画素の階調を調整している。
【００５０】
前記光源２３から光が前記シリコン基板１０の裏面に照射されると前記シリコン基板１０の裏面で正孔（ホール）が生じる。この正孔は、電界の効果によって、前記シリコン基板１０の表面１０ｂ１のトリガー部１３に集まりエッチング反応が生じるが、前記シリコン基板１０の裏面に照射される光量が一定であると仮定すると、前記正孔は、前記シリコン基板１０の膜厚が薄い部位ほど、前記表面１０ｂ１に集まりやすい。図９に示すように、前記シリコン基板１０の中心Ｏ−Ｏに向かうほど前記シリコン基板１０の膜厚は厚くなるから、前記シリコン基板１０の各部位において正孔が表面１０ｂ１へ到達する量を、ほぼ一定にするために、本実施形態では、前記前記シリコン基板１０の中心１０ほど光量が大きくなるようにしている。
【００５１】
上記したように電界の効果によって正孔が各トリガー部１３に集まりエッチングが開始される。前記エッチング後、前記レジスト層１２を除去する。
【００５２】
本実施の形態では、各トリガー部１３での電界の大きさや、各トリガー部１３への正孔の到達量を前記シリコン基板１０のどの部分においてもほぼ一定に制御できるため、前記トリガー部１３から垂直下方向にエッチングされて成る凹部４０の深さＨ２は、どの凹部４０においてもほぼ同じ深さに出来る（図示１０を参照）。なお各凹部４０の深さＨ２は、前記凹部４０の上面として、シリコン基板１０の前記表面１０ｂ１の形状に倣って引いた仮想線Ａの中心Ｂから前記凹部４０の底面までの高さ方向（図示Ｚ方向）と平行な方向への寸法で設定される。
【００５３】
このように、本実施の形態では、前記対向電極２２に複数の小電極部２３が設けられ、各小電極部２３に個別に電圧を印加できる。したがって、前記シリコン基板１０に図９に示すような表面１０ｂ１が曲面状の突出部１０ｂが設けられ、前記突出部１０ｂの表面１０ｂ１と、前記対向電極２２間の距離Ｈ１が一律でない場合でも、前記小電極部毎に電圧を調整することで、前記シリコン基板１０の表面１０ｂ１に形成された複数のトリガー部１３への電界の大きさをほぼ一定にすることができる。また前記シリコン基板１０と前記光源２３との間に液晶光学素子２４を設け、前記光源２３から前記シリコン基板１０に照射される階調を前記液晶光学素子２４にて調整することで、前記シリコン基板１０の膜厚等に係らず正孔（ホール）の各トリガー部１３への到達量をほぼ同じように調整できる。したがって、本実施の形態では、前記シリコン基板１０の表面１０ｂ１が曲面形状であっても曲面形状の前記表面１０ｂ１にほぼ同じ深さの凹部４０をエッチングにて設けることが可能である。
【００５４】
また図１に示すエッチング装置を用いれば、図１１に示すように、平板形状のシリコン基板５０の表面５０ａに、異なる深さのエッチング溝５１を形成することも出来る。
【００５５】
このように図１に示すエッチング装置を用いれば、シリコン基板の形状に係らず、複数形成する凹部の深さを夫々、違った深さに形成したり、あるいは同じ深さに形成したりでき、従来に比べて凹部の深さ調整の自由度を増すことができる。
【００５６】
特に本実施形態では、たった一回のエッチングにて、各凹部を所定の深さにて形成できる。よって従来に比べて簡単に且つ適切に、所定深さの凹部が形成されたシリコン基板１０を製造できる。
【００５７】
なお、前記光源２３の階調を調整する液晶光学素子２４は設けられるが、前記対向電極２２は従来の電極が用いられ、前記対向電極とシリコン基板１０間の電圧が一定となっている形態であってもよい。逆に、前記対向電極２２には、図１及び図２に示す複数の小電極部２３が設けられ、各小電極部２３に異なる電圧を印加できるようになっているが、前記液晶光学素子２４は設けられず、前記光源２３から前記シリコン基板１０に向けて一定の階調の光が照射される形態であってもよい。
【００５８】
また前記液晶光学素子２４に代えてグレースケールマスクを用いて、前記前記光源２３から前記シリコン基板１０に照射される光が少なくとも２階調以上に調整されてもよい。
【００５９】
また前記シリコン基板１０にＮ型を用いたが、本実施の形態ではＰ型のシリコン基板１０にも適用できる。
【００６０】
図１０や図１１に示すシリコン基板１０，５０はこのまま製品として出荷されてもよいし、あるいは前記シリコン基板１０，５０から型を形成してもよい。
【００６１】
図１２では、金型６０を、前記シリコン基板１０の表面１０ｂ１，１０ｃ１に、スパッタ法、蒸着法、メタルＣＶＤ法、メッキ法等、によって形成する。
【００６２】
そして図１３工程では、前記シリコン基板１０を除去する。残った前記金型６０の前記シリコン基板１０の表面１０ａと対向する対向面６０ａには、下方向（図示Ｚ方向と反対方向）に向けて複数の凸部６１が突出している。これら凸部６１の長さは全て同じ長さとなっている。
【００６３】
そして図１３に示す金型６０を用いて、例えば光学素子の原料となるガラスの表面に、前記金型６０の前記対向面６０ａをプレスすることで、前記ガラスの表面に図１０に示すのとほぼ同じ凹部を形成できる。前記ガラスの表面に形成された凹部の深さは全てほぼ同じ深さとなっている。このようにして、光学素子（成型品）を製造することができる。前記金型６０の複製品を用いて前記成型品を形成してもよい。
【００６４】
本実施形態では、曲面上に所定深さの凹部を適切に形成できることで、製品としてのシリコン基板１０，５０や成型品の表面に反射防止形状を適切に付与でき、また、平面上に所定深さの凹部を適切に形成できることで、前記シリコン基板１０，５０や成型品を高効率の回折格子や、ホログラム素子等として製造するできる。
【００６５】
以上のように本実施の形態では図１に示すエッチング装置を用いて、表面に所定深さの凹部が形成されたシリコン基板１０，５０を形成できる。そして、前記シリコン基板１０，５０から型を形成するときに、前記型に所定高さの凸部を適切且つ簡単に形成でき、さらに前記型から成型品を形成するとき、前記成型品に所定深さの凹部を適切且つ簡単に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本実施の形態のエッチング装置を模式図的に示すものであり前記エッチング装置を高さ方向から切断した部分縦断面図、
【図２】本実施の形態の対向電極のシリコン基板との対向面の部分平面図、
【図３】本実施の形態のシリコン基板の製造工程を示す一工程図であり、製造工程中のシリコン基板等を膜厚方向から切断した部分縦断面図、
【図４】図３の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図５】図４の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図６】図５の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図７】図６の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図８】図７の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図９】図８の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図１０】図９の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図１１】図１０とは異なるシリコン基板の構造を説明するためのものであり、前記シリコン基板を膜厚方向から切断した部分縦断面図、
【図１２】図１０に示すシリコン基板を用いて型を製造する際の一工程図であり、製造工程中の型等を膜厚方向から切断した部分縦断面図、
【図１３】図１２の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【符号の説明】
【００６７】
１０、５０  シリコン基板
１０ｂ  突出部
１１、１２  レジスト層
１３  トリガー部
２０  エッチング装置
４０、５１  凹部
６０  金型
６１  凸部
【図１】
2007009239.tif 000003
【図２】
2007009239.tif 000004
【図３】
2007009239.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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