(57)【要約】【課題】基板を良好に乾燥できる基板処理装置を提供する。【解決手段】第１排出管５１は、排出口１５と排液ドレイン５３とを連通接続する。第１排出管５１の途中には、開閉可能な切換弁５２が設けられる。切換弁５２は、第１排出管５１と第２排出管５４とが接続される接続部５１ａから見て、排液ドレイン５３側に設けられる。第２排出管５４は、第１排出管５１の途中に連通接続され、チャンバ１０から気体を排出する。第２排出管５４に設けられたポンプ５６は、第２排出管５４からの気体の排出量を制御する。ポンプ５６が駆動させられるとともに、切換弁５２が閉鎖されると、チャンバ１０内の気体およびチャンバ１０内に含まれる処理液は、排出口１５、第１排出管５１、および第２排出管５４を介して基板処理装置１外部に排出される。これにより、ＩＰＡ蒸気の沸点を降下でき、チャンバ１０内で液化したＩＰＡを再度気化できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液により基板に処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽を収容するチャンバと、
基板を保持した状態で前記処理槽内と前記処理槽の上方位置との間を移動する保持機構と、
前記チャンバ内に乾燥用気体を供給する気体供給部と、
前記チャンバの下部に形成され、前記処理槽から排出された処理液を前記チャンバから排出するとともに前記チャンバ内の気体を前記チャンバから排出する排出口と、
前記排出口に連通接続され、前記チャンバから処理液および気体を排出するための第１排出管と、
前記第１排出管の途中に連通接続され、前記チャンバから気体を排出するための第２排出管と、
前記第１排出管からの気体の排出と前記第２排出管からの気体の排出とを切り換える切換手段と、
前記第２排出管に設けられ、前記第２排出管からの気体の排出量を制御する排出機構と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記処理槽の処理液に前記保持機構を浸漬させている際に、前記第１排出管から気体を排出させ、前記保持機構を前記処理槽から引き上げる際に、前記切換手段により排出経路を切り換えて前記第２排出管から気体を排出させる制御手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記処理槽の処理液に前記保持機構を浸漬させている際に、前記第１排出管から気体を排出させ、前記保持機構を前記処理槽から引き上げて前記処理槽の上方位置において基板を乾燥させている際に、前記切換手段により前記排出経路を切り換えて前記第２排出管から気体を排出させる制御手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記排出機構による減圧量を指示する指示手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記気体供給部は、前記第２排出管から気体を排出している際に、前記チャンバ内に乾燥用気体を供給することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して所定の処理を行う基板処理装置に関するもので、特に、基板の乾燥手法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、水溶性の有機溶剤（例えば、イソプロピルアルコール）の蒸気を用いた減圧引き上げ式乾燥法が知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１では、有機溶剤の蒸気をチャンバ内の基板に供給する際に、チャンバ内の圧力を大気圧よりも高い一定圧力に調整することにより、チャンバ内から装置外部に流出する有機溶剤の蒸気の量を低減させ、有機溶剤の消費量を低減させている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１１０６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１において、チャンバ内は大気圧よりも高い一定圧力に調整されており、この圧力上昇により有機溶剤の沸点が上昇する。これにより、チャンバ内に供給された有機溶剤の蒸気の一部が液化する。その結果、チャンバ内における有機溶剤の蒸気の濃度が低下し、有機溶剤の蒸気の無駄が発生する。
【０００５】
そこで、本発明では、基板を良好に乾燥できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、処理液により基板に処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽を収容するチャンバと、基板を保持した状態で前記処理槽内と前記処理槽の上方位置との間を移動する保持機構と、前記チャンバ内に乾燥用気体を供給する気体供給部と、前記チャンバの下部に形成され、前記処理槽から排出された処理液を前記チャンバから排出するとともに前記チャンバ内の気体を前記チャンバから排出する排出口と、前記排出口に連通接続され、前記チャンバから処理液および気体を排出するための第１排出管と、前記第１排出管の途中に連通接続され、前記チャンバから気体を排出するための第２排出管と、前記第１排出管からの気体の排出と前記第２排出管からの気体の排出とを切り換える切換手段と、前記第２排出管に設けられ、前記第２排出管からの気体の排出量を制御する排出機構と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記処理槽の処理液に前記保持機構を浸漬させている際に、前記第１排出管から気体を排出させ、前記保持機構を前記処理槽から引き上げる際に、前記切換手段により排出経路を切り換えて前記第２排出管から気体を排出させる制御手段、をさらに備えることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項３の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記処理槽の処理液に前記保持機構を浸漬させている際に、前記第１排出管から気体を排出させ、前記保持機構を前記処理槽から引き上げて前記処理槽の上方位置において基板を乾燥させている際に、前記切換手段により前記排出経路を切り換えて前記第２排出管から気体を排出させる制御手段、をさらに備えることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記排出機構による減圧量を指示する指示手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記気体供給部は、前記第２排出管から気体を排出している際に、前記チャンバ内に乾燥用気体を供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１ないし請求項５に記載の発明によれば、切換手段によって気体の排出を第１排出管から第２排出管に切り換えるとともに、排出機構によって第２排気管から排出される気体の排出量を制御する。これにより、チャンバ内の雰囲気を排出して負圧にでき、乾燥用気体の沸点を降下できる。そのため、チャンバ内で乾燥用気体が液化することを防止でき、または、チャンバ内で液化した乾燥用気体を再度気化できる。その結果、液化によりチャンバ内の乾燥用気体の濃度が低下して乾燥用気体の無駄な消費を抑制でき、基板乾燥を効率的に実行できる。
【００１２】
特に、請求項２に記載の発明によれば、保持機構によって処理槽から基板を引き上げる際に、排出経路を切り換えて第２排出管からチャンバ内の気体を排出する。そのため、基板を引き上げる際において、液化による乾燥用気体の濃度低下を防止でき、基板乾燥を効率的に実行できる。
【００１３】
特に、請求項３に記載の発明によれば、処理槽から基板を引き上げて処理槽の上方位置で基板を乾燥させている際に、排出経路を切り換えて第２排出管からチャンバ内の気体を排出する。そのため、基板を乾燥させている際において、液化による乾燥用気体の濃度低下を防止でき、基板乾燥を効率的に実行できる。
【００１４】
特に、請求項４に記載の発明によれば、排出機構による減圧量を指示手段によって指示している。そのため、乾燥用気体に応じた減圧量を指示でき、乾燥用気体の無駄な消費を抑制することをさらに防止できる。
【００１５】
特に、請求項５に記載の発明によれば、第２排出管から気体を排出している際に、チャンバ内に乾燥用気体を供給する。これにより、チャンバ内に乾燥用気体が供給される際において、チャンバ内から排出される乾燥用気体の排出状況が、第１排出管と連通接続された装置外部の影響を受けて変化し、チャンバ内の乾燥用気体の濃度が、不規則に変動することを防止できる。そのため、チャンバ内の乾燥用気体の濃度を安定化でき、基板乾燥を良好に実行できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１７】
＜１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の実施の形態における基板処理装置１の構成の一例を示す図である。なお、図１には、それらの方向関係を明確にすべく、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００１８】
ここで、基板処理装置１は、いわゆる「バッチ式」の装置であり、複数の基板５に対して一括してフッ酸（ＨＦ）等の薬液や純水（以下、「処理液」とも呼ぶ）による洗浄等の処理を行う。図１に示すように、基板処理装置１は、主として、チャンバ１０と、処理槽２０と、リフタ３０と、気体供給ノズル４０と、排出部５０とを備えている。
【００１９】
チャンバ１０は、内部空間１０ａに処理槽２０、リフタ３０、気体供給ノズル４０等を収容する筐体である。チャンバ１０の上部には、スライド式開閉機構（図示省略）が設けられており、チャンバ１０の上部は、このスライド式開閉機構によって開閉可能とされている。チャンバ１０の上部が開放された状態では、その開放部分からチャンバ１０内への基板５の搬出入が行われる。一方、チャンバ１０の上部が閉鎖された状態では、内部空間１０ａは密閉空間とされる。
【００２０】
処理槽２０は、処理液を貯留可能とされており、貯留された処理液２０ａに複数の基板５が浸漬されることによって洗浄等の処理が実行される。図１に示すように、チャンバ１０の底部付近には、略Ｙ軸方向（紙面垂直方向）に沿って伸びる２本の液供給ノズル２１が設けられている。各液供給ノズル２１は、対応する液分岐管２２の一端部と連通接続されている。また、各液分岐管２２の他端部は、接続部２２ａと連通接続されている。さらに、液供給管２３は、接続部２２ａと純水供給源２７とを連通接続しており、液供給管２３の途中には開閉可能な純水供給弁２５が設けられている。
【００２１】
したがって、純水供給弁２５が開放されると、純水供給源２７からの純水は、液供給管２３、および２本の液分岐管２２を介して、液供給ノズル２１に供給される。そのため、液供給ノズル２１に供給された純水は、液供給ノズル２１から処理槽２０内へ、矢印ＡＲ１のように供給される。ここで、処理槽２０内に貯留可能な貯留量を超えて純水が供給されると、超過分の純水は、処理槽２０の上端部から溢れ出し、チャンバ１０内の下部付近に貯留される。
【００２２】
また、処理槽２０内は、下端部に取り付けられた液排出管１２と連通している。また、液排出管１２の途中には、開閉可能な排出弁１３が設けられている。したがって、排出弁１３が開放されると、処理槽２０に貯留された純水２０ａは、その自重によって液排出管１２に排出され、チャンバ１０内の下部付近に貯留される。
【００２３】
また、チャンバ１０の下部には、排出口１５が形成されている。排出口１５は、処理槽２０から排出された純水２０ｂをチャンバ１０から排出するとともに、チャンバ１０内の気体（雰囲気）をチャンバ１０から排出する。例えば、処理槽２０の上部から溢れ出して、または処理槽２０内から液排出管１２を介して排出された純水は、一旦、チャンバ１０内の下部に貯留され、さらに、排出口１５を介して排出部５０に排出される。
【００２４】
リフタ３０は、複数の基板５を保持した状態で、処理槽２０内の処理位置Ｚ０（図１の実線位置）と、処理槽２０の上方位置Ｚ２（図１の破線位置）との間を、矢印ＡＲ２方向（略鉛直方向：略Ｚ軸方向）に移動する保持機構である。
【００２５】
図１に示すように、リフタ３０には、略Ｙ軸（水平）方向に沿って伸びる３本の保持棒３１が取り付けられている。各保持棒３１には、複数の保持溝（図示省略）が設けられている。したがって、各基板５は、その外縁部が対応する保持溝にはまり込むことによって起立姿勢にて保持される。
【００２６】
２本の気体供給ノズル４０は、図１に示すように、チャンバ１０内の上部付近に設けられており、略Ｙ軸方向（紙面垂直方向）に沿って伸びる気体供給部である。各気体供給ノズル４０は、対応する気体分岐管４３の一端部と連通して接続されている。また、各気体分岐管４３の他端部は、接続部４１ａと連通接続されている。
【００２７】
気体供給管４１は、接続部４１ａと乾燥用気体供給源４７とを連通接続する配管である。図１に示すように、気体供給管４１の途中には、開閉可能な乾燥用気体供給弁４２が設けられている。また、気体供給管４１について、乾燥用気体供給弁４２と接続部４１ａとの間の位置には、接続部４１ｂが設けられている。ここで、乾燥用気体供給源４７からチャンバ１０内には、乾燥用気体として使用されるイソプロピルアルコール（以下、単に「ＩＰＡ」と呼ぶ）の蒸気が供給される。
【００２８】
気体供給管４４は、接続部４１ｂと窒素ガス供給源４８とを連通接続する配管である。図１に示すように、気体供給管４４の途中には、開閉可能な窒素ガス供給弁４５が設けられている。
【００２９】
したがって、乾燥用気体供給弁４２が開放されて窒素ガス供給弁４５が閉鎖されると、気体供給ノズル４０からチャンバ１０の内部空間１０ａには、乾燥用気体としてのＩＰＡ蒸気が矢印ＡＲ３方向（斜め下方向）に供給される。一方、乾燥用気体供給弁４２が閉鎖されて窒素ガス供給弁４５が開放されると、気体供給ノズル４０からチャンバ１０の内部空間１０ａには、窒素ガスが矢印ＡＲ３方向に供給される。このように、本実施の形態において、気体供給ノズル４０は、少なくともチャンバ１０内に乾燥用気体を供給する気体供給部として使用される。
【００３０】
排出部５０は、チャンバ１０内からの気体および処理液を、基板処理装置１外部に排出する。図１に示すように、排出部５０は、主として、第１排出管５１と、切換弁５２と、第２排出管５４と、ポンプ５６と、を有している。
【００３１】
第１排出管５１は、チャンバ１０内からの処理液および気体を排出する配管であり、その一端は排出口１５に連通接続されている。図１に示すように、第１排出管５１の他端は、排液ドレイン５３に連通接続される。また、第１排出管５１の途中には、開閉可能な切換弁（切換手段）５２が設けられている。すなわち、切換弁５２は、第１排出管５１と第２排出管５４とが接続される接続部５１ａから見て、排液ドレイン５３側に設けられている。
【００３２】
ここで、排液ドレイン５３は、基板処理装置１が設置されている半導体工場内の共通設備であり、基板処理装置１の外部に設けられている。排液ドレイン５３には、基板処理装置１から排出された使用済みの処理液が廃棄される。また、排液ドレイン５３には、この使用済み処理液とともに、チャンバ１０内の気体も排気される。
【００３３】
第２排出管５４は、第１排出管５１の途中に連通接続され、チャンバ１０から気体を排出するための配管である。すなわち、図１に示すように、第２排出管５４の一端部は、第１排出管５１の途中であって切換弁５２と排出口１５との間に設けられた接続部５１ａと、第２排出管５４の他端部は排気ドレイン５５と、それぞれ連通接続されている。
【００３４】
また、第２排出管５４には、排出口１５側から排気ドレイン５５側に向かって、ポンプ５６および気液分離部５７が、この順に設けられている。ポンプ５６は、第２排出管５４からの気体の排出量を制御する排出機構である。ポンプ５６が駆動させられるとともに、切換弁５２が閉鎖されると、チャンバ１０内の気体およびチャンバ１０内に含まれる処理液は、排出口１５、第１排出管５１、および第２排出管５４を介して気液分離部５７に圧送される。
【００３５】
気液分離部５７は、第２排出管５４に設けられており、チャンバ１０内から排出された気体および処理液を回収するとともに、回収された気体および処理液を気相と液相とに分離する。また、第１排出管５１の接続部５１ｂと、気液分離部５７とは、図１に示すように、第３排出管５８によって連通接続されている。
【００３６】
したがって、分離された気相は、第２排出管５４を介して排気ドレイン５５に排気可能とされている。一方、分離された液相は、第３排出管５８および第１排出管５１を介して排液ドレイン５３に廃棄可能とされている。
【００３７】
このように、排出部５０の切換弁５２が開放されると、チャンバ１０内の気体は、第１排出管５１を介して排液ドレイン５３に排出される。一方、切換弁５２が閉鎖されるとともにポンプ５６が駆動させられると、チャンバ１０内の気体は、第１排出管５１および第２排出管５４を介して排気ドレイン５５に排出される。すなわち、本実施の形態において切換弁５２は、第１排出管５１からの気体の排出と第２排出管５４からの気体の排出とを切り換える切換手段として使用される。
【００３８】
図２は、基板処理装置１の主要な電気的構成を説明するためのブロック図である。制御部９０は、図２に示すように、プログラムや変数等を格納するメモリ９１と、メモリ９１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ９２とを備えている。また、制御部９０は、排出弁１３、純水供給弁２５、リフタ３０、乾燥用気体供給弁４２、窒素ガス供給弁４５、切換弁５２、ポンプ５６、表示部６１、および入力部６２と信号線９５を介して電気的に接続されている。
【００３９】
したがって、ＣＰＵ９２は、メモリ９１に格納されたプログラムに従って、各弁１３、２５、４２、４５、５２の開閉制御、リフタ３０の昇降制御、ポンプ５６の駆動制御、および表示部６１の表示制御等を所定のタイミングで実行する。
【００４０】
ここで、表示部６１は、タッチパネルとしての機能を有するディスプレイである。基板処理装置１の使用者（以下、単に「使用者」と呼ぶ）は、表示部６１に表示された内容に基づき、タッチパネル機能を使用した入力作業を行うことにより、データを入力したり、基板処理装置１に対して所定の処理を実行させることができる。
【００４１】
また、入力部６２は、いわゆるキーボードやマウスによって構成されており、使用者は、表示部６１の表示に基づいて入力部６２を操作することにより、データを入力したり、基板処理装置１に対して所定の処理を実行させることができる。
【００４２】
＜２．乾燥処理の手順＞
図３は、本実施の形態における乾燥処理を説明するためのタイミングチャートである。ここでは、図３を参照しつつ、チャンバ１０内で実行される引き上げ式の乾燥処理について説明する。
【００４３】
なお、図３の時刻ｔ１より前の時点において、制御部９０は、乾燥用気体供給弁４２を閉鎖させるとともに窒素ガス供給弁４５を開放させており、チャンバ１０内の内部空間１０ａは、窒素ガス雰囲気とされている。
【００４４】
また、時刻ｔ１より前の時点において、制御部９０は、リフタ３０を処理位置Ｚ０にて停止させるとともに、純水供給弁２５を開放させており、処理槽２０内には純水が供給させ続けている。これにより、処理槽２０の上部からは純水が溢れ出しており、リフタ３０に保持されて浸漬された複数の基板５には、純水による洗浄処理が施されている。
【００４５】
さらに、時刻ｔ１より前の時点において、制御部９０は、排出部５０の切換弁５２を開放させ、ポンプ５６の出力ＷをＷ０（＝「０」）に設定しており、チャンバ１０内の気体および純水は、排出口１５を介して第１排出管５１から排出されている。
【００４６】
このように、制御部９０は、純水供給弁２５、リフタ３０、切換弁５２、ポンプ５６の動作状況を制御することにより、処理槽２０の純水にリフタ３０を浸漬させている際には、第１排出管５１からチャンバ１０内の気体を排出させる。
【００４７】
時刻ｔ１において、制御部９０は、窒素ガス供給弁４５を閉鎖させるとともに乾燥用気体供給弁４２を開放させることにより、チャンバ１０内にはＩＰＡ蒸気が供給される。また、時刻ｔ１において、制御部９０は、切換弁５２を閉鎖させ、ポンプ５６の出力Ｗを気体供給時の出力Ｗ１に設定する。
【００４８】
これにより、処理槽２０内の気体は、排液ドレイン５３でなく、排気ドレイン５５に排出される。そのため、チャンバ１０内にＩＰＡ蒸気（乾燥用気体）が供給される際において、ＩＰＡ蒸気の排出状況が、第１排出管５１と連通接続された装置１外部の影響（例えば、半導体工場の共通設備の稼働状態による影響）を受けて変化し、チャンバ内の乾燥用気体の濃度が不規則に変動することを防止できる。その結果、チャンバ１０内の乾燥用気体の濃度を安定させることができる。
【００４９】
なお、時刻ｔ１において、純水供給弁２５は開放されており、処理槽２０内に純水が供給され続けており、処理槽２０内の純水２０ａに貯留された基板５は、洗浄され続けている。
【００５０】
図４は、気体供給時におけるポンプ５６の出力Ｗ１を設定する手法を説明するための図である。設定ダイアログ７０（指示手段）は、ポンプ５６による処理槽２０内の減圧量を指示するために使用されるダイアログであり、ポンプ５６の出力Ｗ１を設定する。図４に示すように、設定ダイアログ７０は、表示部６１の表示領域６１ａに表示され、主として、テキストボックス７１と、増加ボタン７２と、減少ボタン７３と、コマンドボタン７４、７５と、を有している。
【００５１】
テキストボックス７１は、ポンプ５６の気体供給時出力Ｗ１を入力する領域である。使用者は、表示部６１のタッチパネル機能を利用したり、入力部６２を使用することにより、テキストボックス７１に数値データを入力する。
【００５２】
また、テキストボックス７１の右側方には、上から順に増加ボタン７２と、減少ボタン７３と、が配置されている。使用者が、例えば入力部６２のマウス（図示省略）を使用して増加ボタン７２および減少ボタン７３を押すと、テキストボックス７１に表示された数値が単位量ずつ増加および減少する。
【００５３】
そして、テキストボックス７１に表示された値をポンプ５６の出力Ｗ１として設定する場合、使用者は、ＯＫボタン７４を押す。一方、出力Ｗ１の設定を中断する場合、使用者は、キャンセルボタン７５を押す。
【００５４】
次に、時刻ｔ２において、制御部９０は、乾燥用気体供給弁４２を開放させるとともに切換弁５２を閉鎖させ、かつ、ポンプ５６の出力ＷをＷ１に設定した状態で、リフタ３０を上昇させる。
【００５５】
これにより、制御部９０は、リフタ３０に保持された複数の基板５を、ＩＰＡ蒸気の雰囲気が形成された内部空間１０ａに引き上げることができる。そのため、制御部９０は、基板５の表面に付着した水滴をＩＰＡ蒸気と良好に置換させることができる。その結果、基板５の表面から水滴が除去されるとともに、基板５の表面はＩＰＡ蒸気またはＩＰＡ液によって覆われる。
【００５６】
また、制御部９０は、リフタ３０を処理槽２０から引き上げる際には、切換弁５２により第１排出管５１から第２排出管５４に排出経路を切り換えて、ポンプ５６によって圧送された気体を第２排出管５４から排気ドレイン５５に排出させる。すなわち、ポンプ５６の駆動により、チャンバ１０内の内部空間１０ａの雰囲気は、排出されて負圧となる。
【００５７】
これにより、ＩＰＡ蒸気の沸点を降下させることができ、チャンバ１０内で液化したＩＰＡを再度気化できる。そのため、基板５を引き上げる際において、液化によるＩＰＡ蒸気の濃度低下を防止でき、乾燥処理を効率的に実行できる。
【００５８】
なお、時刻ｔ２においては、純水供給弁２５は開放され、処理槽２０内に純水が供給され続けており、処理槽２０内の純水２０ａに貯留された基板５は、洗浄され続けている。
【００５９】
続いて、時刻ｔ３において、リフタ３０が上昇し続けてリフタ３０の位置ＺがＺ１となり、基板５が処理槽２０の純水２０ａから完全に引き上げられると、制御部９０は、純水供給弁２５を閉鎖させる。これにより、基板５の洗浄が完了する。
【００６０】
なお、時刻ｔ３において、乾燥用気体供給弁４２は開放されるとともに切換弁５２は閉鎖された状態であり、ポンプ５６の出力Ｗは、Ｗ１に設定された状態である。そのため、チャンバ１０内には、ＩＰＡ蒸気が安定、かつ、効率的に供給されており、基板５の表面に付着した水滴はＩＰＡ蒸気と良好に置換する。
【００６１】
続いて、リフタ３０の位置が上方位置Ｚ２となる時刻ｔ４において、制御部９０は、リフタ３０の上昇を停止させる。なお、時刻ｔ４においても、乾燥用気体供給弁４２は開放されるとともに切換弁５２は閉鎖された状態であり、ポンプ５６の出力Ｗは、Ｗ１に設定された状態である。そのため、基板５の表面に付着した水滴は、ＩＰＡ蒸気と良好に置換する。
【００６２】
このように、制御部９０は、リフタ３０を処理槽２０から引き上げて処理槽２０の上方位置Ｚ２において基板５を乾燥させている際に、切換弁５２により排出経路を切り換えて第２排出管５４から気体を排出させる。そのため、基板５が乾燥されている際において、液化によるＩＰＡ蒸気の濃度低下を防止でき、基板乾燥を効率的に実行できる。
【００６３】
続いて、リフタ３０が停止した時刻ｔ４から所定時間が経過した時刻ｔ５において、制御部９０は、乾燥用気体供給弁４２を閉鎖させ、ＩＰＡ蒸気の供給が停止させられる。なお、時刻ｔ５において、切換弁５２は、閉鎖された状態であり、ポンプ５６の出力Ｗは、Ｗ１に設定された状態である。そのため、液化によるＩＰＡ蒸気の濃度低下を防止でき、基板乾燥を効率的に実行できる。
【００６４】
続いて、時刻ｔ６において、制御部９０は、切換弁５２を閉鎖させた状態で、ポンプ５６の出力ＷをＷ１から減圧乾燥時のＷ２（＞Ｗ１）に設定する。これにより、基板５表面を覆っているＩＰＡが蒸発する。そして、時刻ｔ７において、制御部９０は、切換弁５２を開放させ、ポンプ５６の出力ＷをＷ０に設定するとともに、窒素ガス供給弁４５を開放させる。これにより、チャンバ１０内が窒素ガス雰囲気の略大気圧となって、乾燥処理が完了する。
【００６５】
図５は、チャンバ１０内におけるＩＰＡ蒸気（乾燥用気体）の濃度Ｃと時刻ｔとの関係を説明するための図である。ここで、時刻ｔ４’は、リフタ３０が上方位置Ｚ２に停止した時刻ｔ４から所定時間が経過した時刻である。また、濃度曲線８０のうち、時刻ｔ４’から時刻ｔ５までの期間における曲線８０ａ（実線部分）は、ポンプ５６の出力Ｗが気体供給時の出力Ｗ１に設定され、切換弁５２が閉鎖された状態において、チャンバ１０内に供給されたＩＰＡ蒸気の濃度Ｃを示す（本実施の形態に該当）。一方、濃度曲線８０のうち、時刻ｔ４’から時刻ｔ５までの期間における曲線８０ｂ（破線部分）は、ポンプ５６の出力Ｗが気体供給時の出力Ｗ０（＝「０」）に設定され、切換弁５２が閉鎖された状態において、チャンバ１０内に供給されたＩＰＡ蒸気の濃度Ｃを示す（比較例に該当）。すなわち、曲線８０ａ、８０ｂは、ポンプ５６の駆動状況のみを相違させた場合における濃度分布を示す。
【００６６】
図５に示すように、曲線８０ａの場合（ポンプ５６が駆動させられている場合）、時刻ｔ４’から時刻ｔ５までの期間においても、ＩＰＡ蒸気の供給にともなってチャンバ１０内のＩＰＡ蒸気の濃度Ｃが増加している。これに対して、曲線８０ｂの場合（ポンプ５６が停止している場合）、チャンバ１０内にＩＰＡ蒸気が供給されても、チャンバ１０内のＩＰＡ蒸気の濃度Ｃは増加せず、逆に減少している。
【００６７】
これは、時刻ｔ４’から時刻ｔ５までの期間において、ポンプ５６が駆動させられない場合には、ＩＰＡ蒸気の一部が液化したため、チャンバ１０内にＩＰＡ蒸気が供給されているにもかかわらず、濃度Ｃが減少したものと考えられる。その結果、チャンバ１０内に供給されたＩＰＡ蒸気の一部が水滴との置換に使用されず、ＩＰＡ蒸気の無駄が発生する。
【００６８】
これに対して、本実施の形態では、ポンプ５６が駆動させられて、チャンバ１０内が大気圧に対して負圧となり、ＩＰＡ蒸気の沸点が降下する。これにより、チャンバ１０内でＩＰＡ蒸気が液化することを防止でき、または、チャンバ１０内で液化したＩＰＡが再度気化される。そのため、液化によりチャンバ内のＩＰＡ蒸気の濃度Ｃが低下してＩＰＡ蒸気の無駄が発生することを抑制でき、基板乾燥を効率的に実行できる。
【００６９】
＜３．本実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、本実施の形態の基板処理装置１では、チャンバ１０内にＩＰＡ蒸気（乾燥用気体）が供給される際において、ポンプ５６の出力Ｗが気体供給時出力Ｗ１に設定され、切換弁５２が閉鎖される。これにより、チャンバ１０から排出されるＩＰＡ蒸気の排出状況が、第１排出管５１と連通する排液ドレイン５３の影響を受けて変化し、チャンバ１０内のＩＰＡ蒸気の濃度が不規則に変動することを防止できる。そのため、チャンバ１０内のＩＰＡ蒸気の濃度を安定化でき、基板５の乾燥を良好に実行できる。
【００７０】
また、本実施の形態の基板処理装置１では、チャンバ１０内の雰囲気を排出して負圧にでき、ＩＰＡ蒸気の沸点を降下できる。これにより、チャンバ１０内でＩＰＡ蒸気が液化することを防止でき、または、チャンバ１０内で液化したＩＰＡを再度気化できる。そのため、液化によりチャンバ１０内のＩＰＡ蒸気の濃度が低下してＩＰＡ蒸気の無駄が発生することを抑制でき、基板乾燥を効率的に実行できる。
【００７１】
＜４．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００７２】
本実施の形態において、処理槽２０には純水が供給されるものとして説明したが、供給される処理液は、純水に限定されず、フッ酸等の薬液であってもよい。すなわち、処理槽２０は、薬液または純水を貯留して単一槽内で各種の薬液処理や水洗処理の実行が可能な多機能槽であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す図である。
【図２】基板処理装置の主要な電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図３】本実施の形態における乾燥処理を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】ポンプ出力の設定手法を説明するための図である。
【図５】チャンバ内における乾燥用気体の濃度と時刻との関係を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７４】
１  基板処理装置
５  基板
１０  チャンバ
１５  排出口
２０  処理槽
３０  リフタ（保持機構）
４７  乾燥用気体供給源
５０  排出部
５１  第１排出管
５２  切換弁
５４  第２排出管
５６  ポンプ（排出機構）
６１  表示部
６２  入力部
７０  設定ダイアログ
８０  濃度曲線
９０  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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