(57)【要約】【課題】トップエミッション構造を採用し補助配線を設けた有機ＥＬ装置において、表示品質の低下を防止することを目的とする。【解決手段】基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機ＥＬ素子を前記基板上に形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記補助配線上の共通電極に接続部材を打ち込むことにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続する。  【選択図】    図１
2007108469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機ＥＬ素子を前記基板上に形成する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記補助配線上の共通電極に所定の接続部材を打ち込むことにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続する
ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
補助配線が画素電極の下層に形成される場合には、前記補助配線上に当該補助配線の一部が露出するように開口を形成した上で有機機能層と共通電極とを形成することを特徴とする請求項1記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
接続部材を含む溶剤を前記補助配線に沿って連続的または間欠的に共通電極上に塗布し、当該塗布した溶剤に圧力を加えることによって前記接続部材を共通電極に打ち込むことを特徴とする請求項１または２記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
ピン状の接続部材を前記補助配線に沿って離間的に打ち込むことを特徴とする請求項1または２記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記補助配線の長さと略同一の長さを有する板状の接続部材を前記補助配線に沿って打ち込むことを特徴とする請求項1または２記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板のカラーフィルタ基板側に、ピン状の接続部材を補助配線の長さ方向に離間的に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記ピン状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことを特徴とする請求項１または2記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板のカラーフィルタ基板側に、板状の接続部材を補助配線の長さ方向に垂直に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記板状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことを特徴とする請求項１または2記載の有機ＥＬ装置の製造方法。      
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法により製造されることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項９】
請求項８記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
バックライト等の光源を必要としない自発光素子を備えた表示装置として、近年、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称す）素子を備えた有機ＥＬ装置が注目されている。有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ材料からなる発光層を一対の電極により挟持した発光素子を、基板面内に複数設けた構成を備えたもので、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造と、封止基板やカラーフィルタ基板等の対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造とに分類される。近年では、有機ＥＬ装置の大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、発光素子の高開口率化、高効率化を実現するのに有利なトップエミッション構造の有機ＥＬ装置の研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
トップエミッション構造の有機ＥＬ装置においては、一般的に、発光層を挟む一対の電極のうち共通電極は、光が射出される側に配置されている。そして、この共通電極は透光性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）膜やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）膜等によって形成されている。このようなＩＴＯ膜やＩＺＯ膜は金属膜と比べて抵抗が大きいため、共通電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する恐れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造の有機ＥＬ装置では、基板上に抵抗が小さい補助配線を形成し、この補助配線と共通電極の途中部位とを電気的に接続することによって共通電極の電圧降下を防止している。
【０００４】
ところで、発光層を形成する方法としては、一般的に、真空下で有機ＥＬ材料を配置した蒸着ボートを蒸着マスクを挟んで基板と対向させ、上記蒸着ボートを加熱することにより有機ＥＬ材料を蒸着マスクを介して基板（より具体的には画素領域）に蒸着させる真空蒸着法が採用されている（例えば下記特許文献１参照）。この場合、画素毎に異なる色（Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれか）を発光する有機ＥＬ材料をそれぞれ蒸着して発光層を形成することでフルカラー表示を行っている。一方、発光層に白色発光の有機ＥＬ材料を用い、対向基板にカラーフィルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機ＥＬ表示装置の場合、画素毎に有機ＥＬ材料を変更する必要がないので、蒸着マスクを用いず、白色発光の有機ＥＬ材料を基板全面にべた蒸着することで発光層を形成している。
【０００５】
このように、白色発光の有機ＥＬ材料を基板全面にべた蒸着するような場合、上記のようなトップエミッション構造を採用すると、補助配線上に有機ＥＬ材料が蒸着されることによって、補助配線と共通電極との導通が図れなくなるという問題がある。これを解決するために、有機ＥＬ材料を基板全面にべた蒸着するような場合であっても、蒸着マスクを用いることによって補助配線上に有機ＥＬ材料が蒸着することを防いでいた。
【特許文献１】特開２００３−３１３６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のように、補助配線上に有機ＥＬ材料が蒸着されないようにするためには、高精度の蒸着マスクや、位置合わせ技術が要求され、これらの精度が十分でない場合、補助配線と共通電極との間に付着した有機ＥＬ材料が抵抗成分となり、共通電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する恐れがあった。
【０００７】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、トップエミッション構造を採用し補助配線を設けた有機ＥＬ装置において、表示品質の低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、有機ＥＬ装置の製造方法に係る解決手段として、基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機ＥＬ素子を前記基板上に形成する有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記補助配線上の共通電極に所定の接続部材を打ち込むことにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続することを特徴とする。
この発明によれば、補助配線上の共通電極に接続部材を打ち込んで当該共通電極と補助配線とを相互接続することにより、補助配線上に蒸着された有機ＥＬ材料による抵抗の増加を防ぐことができ、その結果、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止することが可能である。
【０００９】
また、本発明では、補助配線が画素電極の下層に形成される場合には、前記補助配線上に当該補助配線の一部が露出するように開口を形成した上で有機機能層と共通電極とを形成することが好ましい。
この発明によれば、画素電極の形成された層より下層に補助配線を形成した場合であっても、開口を設けることにより確実に接続部材を打ち込んで共通電極と補助配線とを接続することが可能である。
【００１０】
また、本発明では、接続部材を含む溶剤を前記補助配線に沿って連続的または間欠的に共通電極上に塗布し、当該塗布した溶剤に圧力を加えることによって前記接続部材を共通電極に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【００１１】
また、本発明では、ピン状の接続部材を前記補助配線に沿って離間的に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【００１２】
また、本発明では、前記補助配線の長さと略同一の長さを有する板状の接続部材を前記補助配線に沿って打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【００１３】
また、本発明では、前記基板のカラーフィルタ基板側に、ピン状の接続部材を補助配線の長さ方向に離間的に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記ピン状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【００１４】
また、本発明では、前記基板のカラーフィルタ基板側に、板状の接続部材を補助配線の長さ方向に垂直に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記板状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【００１５】
一方、本発明では、有機ＥＬ装置に係る解決手段として、上記のいずれかの有機ＥＬ装置の製造方法により製造されることを特徴とする。
この発明によれば、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止した有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１６】
さらに、本発明では、電子機器に係る解決手段として、上記有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。
この発明によれば、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止した有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
なお、本実施形態は、発光層に白色発光の有機ＥＬ材料を用い、対向基板にカラーフィ
ルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機ＥＬ装置の製造方法に関するものである。
【００１８】
〔有機ＥＬ装置の構成〕
最初に、本実施形態によって製造された有機ＥＬ装置について説明する。
図１は、本実施形態によって製造された有機ＥＬ装置１の構成を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は上記平面図におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
この有機ＥＬ表示装置１は、図１（ａ）に示すように、基板２上には三原色の各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応する長円形状の画素領域３が行列状に複数配置すると共に、横方向に配列する画素領域３間に横方向に延在する帯状の補助配線４が複数本配置されている。
【００１９】
また、図１（ｂ）に示すように、基板２上には駆動用ＴＦＴ５が形成されている。この駆動用ＴＦＴ５は、半導体膜６に形成されたソース領域５ａ、ドレイン領域５ｂ、及びチャネル領域５ｃと、半導体膜６の表面に形成されたゲート絶縁膜７を介してチャネル領域５ｃに対向するゲート電極５ｄとによって主に構成されている。また、半導体膜６及びゲート絶縁膜７を覆う第１層間絶縁膜８が形成されており、この第１層間絶縁膜８を貫通して半導体膜６に達するコンタクトホール９，１０内に、それぞれドレイン電極１１、ソース電極１２が埋設され、この各電極は上記ドレイン領域５ｂ、ソース領域５ａに導電接続されている。
【００２０】
上記第１層間絶縁膜８上には第２平坦化絶縁膜１３が形成されており、また、この第２平坦化絶縁膜１３上には画素電極１４と上述した補助配線４とが形成されている。画素電極１４の一部は、第２平坦化絶縁膜１３に貫設されたコンタクトホールに埋設されており、ドレイン電極１１と導電接続されている。補助配線４は、上記画素電極１４と同一層に形成されている。また、画素電極１４の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機バンク（第１隔壁層）１６が形成されている。この無機バンク１６上には、有機材料からなるバンク（第２隔壁層）１７が積層されている。
【００２１】
上記有機ＥＬ素子１５は、画素電極１４、当該画素電極１４上に形成された正孔注入／輸送層１８、当該正孔注入／輸送層１８上に形成された発光層１９、当該発光層１９上に形成された電子注入／輸送層２０及び当該電子注入／輸送層２０上に形成された共通電極２１によって構成されている。これら正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０は、有機機能層を構成している。そして、共通電極２１上には、補助配線４に沿って連続的に、つまり図１（ａ）の横方向に、導電性を有する球状の接続部材Ｘを多数含むペーストＰ（溶剤）が塗布されており、以下で説明するように、ペーストＰに圧力を加えて接続部材Ｘを共通電極２１に打ち込むことにより、当該共通電極２１と補助電極４とは接続部材Ｘを介して導電接続されている。なお、この接触部材Ｘは、導電性を有するものであれば他の形状でも良い。
【００２２】
基板２としては、いわゆるトップエミッション構造の有機ＥＬ装置の場合、有機ＥＬ素子１５が配設された側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。また、画素電極１４は、トップエミッション構造の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。
【００２３】
本実施形態における有機ＥＬ素子１５は、共通電極２１に透明な材料を用いることにより、発光層１９で発光する光を共通電極２１側から出射させるトップエミッション構造を採用したものである。透明な材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、アルミニウム薄膜、マグネシウム銀の薄膜等を用いる事ができる。
【００２４】
さらに、基板２と対向してカラーフィルタ基板２２が設けられている。このカラーフィルタ基板２２上には、三原色の各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応するカラーフィルタ２３と遮光用のＢＭ（Black Matrix）パターン２４が形成されている。また、カラーフィルタ基板２２は、基板２側の画素領域３とカラーフィルタ２３とが対向するように設けられている。なお、このカラーフィルタ基板２２にはガラス等の透明性を有する基板が使用される。
【００２５】
〔有機ＥＬ装置の製造方法〕
次に、上記有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。本実施形態では、ガラス等の基板２上に各種配線や駆動用ＴＦＴ５等を形成する工程、該駆動用ＴＦＴ５上に画素電極１４及び補助配線４を形成する工程、当該画素電極１４及び補助配線４上に隔壁（無機バンク１６及びバンク１７）を形成する工程、この隔壁上に有機機能層を形成する工程、有機機能層上に共通電極２１を形成する工程、補助配線４に沿って連続的に共通電極２１上にペーストＰを塗布し、ペーストＰに含まれる接続部材Ｘによって補助配線４と共通電極２１とを導電接続する工程を実施することにより、有機ＥＬ装置１を製造するものである。これら各工程のうち、各種配線や駆動用ＴＦＴ５等を形成する工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について詳しく説明する。
【００２６】
（１）画素電極・補助配線形成工程
図２（ａ）に示すように、基板２上に駆動用ＴＦＴ５、半導体膜６、ゲート絶縁膜７、第１層間絶縁膜８、ドレイン電極１１、ソース電極１２及び第２平坦化絶縁膜１３が形成されると、蒸着法により第２平坦化絶縁膜１３上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を全面成膜し、またこの膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図２（ｂ）に示すように画素電極１４及び補助配線４を形成する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、前述したようにトップエミッションタイプなので、画素電極１４及び補助配線４は、透明である必要がないので、よって上記インジウム・スズ酸化物に限定されることなく適宜な導電材料によって形成することができる。
【００２７】
（２）隔壁形成工程
次に、図２（ｃ）に示すように、第２平坦化絶縁膜１３、画素電極１４及び補助配線４上に第１の隔壁として無機バンク１６を形成し、さらに図２（ｄ）に示すように、第２の隔壁としてバンク１７を形成する。無機バンク１６は、例えばＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって第２平坦化絶縁膜１３、画素電極１４及び補助配線４上の全面にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等の無機物膜を形成し、この無機物膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成する。この無機バンク１６は、第２平坦化絶縁膜１３上、画素電極１４及び補助配線４の周縁部上のみに設けられ、画素電極１４の中央近傍に位置する電極面１４ａ及び補助配線４の中央近傍に位置する電極面４ａは露出している。
【００２８】
次いで、上記無機バンク１６上にバンク１７を形成する。このバンク１７は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機樹脂を材料として用いることができる。バンク１７は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を溶媒に溶かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して形成する。そして、バンク１７をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口を設ける。このバンク１７の開口部は、図２（ｄ）に示すように、無機バンク１６の開口部よりやや広く形成することが好ましい。
【００２９】
このようにしてバンク１７が形成されると、続いてプラズマ処理を行う。このプラズマ処理は、画素電極１４の電極面１４ａを活性化するものであり、画素電極１４の電極面１４ａの表面洗浄、更に仕事関数の調整、更には親液化を主な目的として行われる。
【００３０】
（３）機機能層形成工程
次に、図３に示すように、画素電極１４、無機バンク１６及びバンク１７の全面に正孔注入／輸送層１８を形成し、さらにその上に発光層１９を形成し、さらにその上に電子注入／輸送層２０を形成することによって有機機能層を形成する。正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０は、各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される。
【００３１】
発光層１９の蒸着材料としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。また、電子注入／輸送層２０の蒸着材料としては、ＬｉＦ等のアルカリ金属のフッ化物あるいは酸化物、マグネシウムリチウム等の合金等を用いることができる。
【００３２】
（４）共通電極形成工程
そして、図４に示すように、電子注入／輸送層２０上の全面に、共通電極２１を形成する。この共通電極形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法により透明なＩＴＯを共通電極２１として成膜する。またはアルミニウムの薄膜、マグネシウム銀の薄膜を蒸着法で形成して共通電極２１とする。また、酸素や水分の影響による有機ＥＬ素子１５の劣化を防止するために、共通電極２１上に、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等の保護層を設けても良い。
【００３３】
（５）ペースト塗布及び共通電極２１と補助配線４との導通接続工程
続いて、図４に示すように、接続部材Ｘを含むペーストＰを、ディスペンサ装置を用いて、補助配線４に沿って連続的に共通電極２１上に塗布する。そして、ペーストＰに対して上方から圧力を加えることによって、図１（ｂ）に示すように、接続部材Ｘを共通電極２１側から補助配線４側へ打ち込む。これにより、共通電極２１と補助配線４とは、接続部材Ｘを介して導通接続される。
このような導通接続工程後に、基板２と対向する側にカラーフィルタ基板２２を重ね合わせ、基板２とカラーフィルタ基板２２とを封止樹脂にて貼り合せることにより、図１に示した有機ＥＬ装置１が完成する。なお、上記のような基板２とカラーフィルタ基板２２との貼り合せ工程を利用してペーストＰに圧力を加えても良い。
【００３４】
以上のように、本実施形態によれば、補助配線４上の共通電極２１に接続部材Ｘを打ち込んで当該共通電極２１と補助配線４とを導通接続することにより、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術を用いることなく、補助配線４と共通電極２１を接続することが可能である。そして、この結果として、共通電極２１の電圧の不均一に起因する表示品質の低下を防止することができる。
【００３５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例が考えられる。
（１）上記実施形態では、補助配線４に沿って連続的に共通電極２１上にペーストＰを塗布したが、例えば図５に示すように、補助配線４に沿って間欠的にペーストＰを共通電極２１上に塗布して接続部材Ｘを打ち込んでも良い。また、図６に示すように、補助配線４が間欠的に配置されている場合でも、補助配線４に沿って連続的に共通電極２１上にペーストＰを塗布しても良い。さらに、図７に示すように、補助配線４が間欠的に配置されている場合、これら補助配線４と平面的に重ね合わさるように、間欠的に共通電極２１上にペーストＰを塗布しても良い。
【００３６】
（２）また、上記実施形態では補助配線４が画素電極１４と同一層に形成される有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明したが、補助配線４を画素電極１４よりも下層に設けることが考えられる。図８は、このように補助配線４が画素電極１４よりも下層に設けられた有機ＥＬ装置を示している。図８（ａ）は、ゲート電極５ｄと同一層に補助配線４を形成する場合を示し、図８（ｂ）は、ドレイン電極１１及びソース電極１２と同一層に補助配線４を形成する場合を示している。また、図１０（ａ）は、ゲート電極５ｄと同一層に補助配線４を形成する場合の、補助配線４、画素領域３、駆動用ＴＦＴ５、開口部３０の位置関係の一例を示す平面図である。この図に示すように、補助配線４は下層に形成されているため、共通電極２１とのコンタクト用の開口部３０が設けられている。
【００３７】
また、ドレイン電極１１及びソース電極１２並びにゲート電極５ｄとは異なる専用層に補助配線４を形成するようにしても良い。図９は、補助配線４をバンク１７の上面に設けた場合の断面図であり、図１０（ｂ）は、このような場合の、補助配線４、画素領域３、駆動用ＴＦＴ５の位置関係の一例を示す平面図である。この図に示すように、補助配線４をバンク１７の上面に設けた場合も、補助配線４の上には有機機能層が積層するためペーストＰを塗布して接続部材Ｘを打ち込む必要がある。
【００３８】
このように補助配線４を画素電極１４層の他層に設ける場合には、フォトリソグラフィ法に基づくパターニングによって補助配線４上に位置する各層に開口を形成した上で有機機能層を形成することが有効である。このような開口を形成した場合、接続部材Ｘは有機機能層を貫通しさえすれば、簡単に補助配線４に到達することができ、確実に導通接続する可能性が高くなる。
【００３９】
（３）上記実施形態では、接続部材Ｘを含むペーストＰを塗布することで、接続部材Ｘを打ち込んでいたが、例えば図１１（ａ）に示すように、ピン状の導電性部材Ｘ１に圧力を加えるなどの方法によって、当該導電性部材Ｘ１を補助配線４に沿って離間的に複数本打ち込んでも良い。また、補助配線４の横方向の長さ分を長辺方向の長さとする板状の導電性部材を打ち込むことにより、補助配線４上の横方向の長さ分を全て導通接続しても良い。
【００４０】
さらに、図１１（ｂ）に示すように、カラーフィルタ基板２２のＢＭパターン２４にピン状の導電性部材Ｘ２を形成し、基板２と貼り合わせることによって、共通電極２１側から上記導電性部材Ｘ２を打ち込んでも良い。なお、この導電性部材Ｘ２は、離間的に複数本形成しても良いし、上記と同様に、補助配線４の横方向の長さ分を長辺方向の長さとする板状の導電性部材をＢＭパターン２４に形成しても良い。
【００４１】
[電子機器]
最後に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。  
図１２は、携帯電話３００の全体構成を示す斜視図である。携帯電話３００は、筺体３０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部３０２、画像や動画、文字等を表示する表示部３０３を有する。表示部３０３には、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１が搭載されている。このように、共通電極２１の電圧の不均一に起因する表示品質の低下を防止した有機ＥＬ装置１を搭載したので、快適な表示を実現可能な電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態によって製造された有機ＥＬ装置１の構成を示す平面図及び当該平面図におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
【図２】本発明の一実施形態における画素電極・補助配線形成工程及び隔壁形成工程を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施形態における有機機能層形成工程を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施形態における導通接続工程を示す説明図である。
【図５】本発明の一実施形態におけるペーストＰの塗布方法の変形例を示す第１説明図である。
【図６】本発明の一実施形態におけるペーストＰの塗布方法の変形例を示す第２説明図である。
【図７】本発明の一実施形態におけるペーストＰの塗布方法の変形例を示す第３説明図である。
【図８】本発明の一実施形態における補助配線４の変形例を示す第1の説明図である。
【図９】本発明の一実施形態における補助配線４の変形例を示す第２の説明図である。
【図１０】本発明の一実施形態における画素領域３の平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態における接続部材Ｘの変形例を示す説明図である。
【図１２】本発明の一実施形態における有機ＥＬ装置１を備えた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…有機ＥＬ装置、２…基板、３…画素領域、４…補助配線、５…駆動用ＴＦＴ、１４…画素電極、１８…正孔注入／輸送層、１９…発光層、２０…電子注入／輸送層、２１共通電極、２２…カラーフィルタ基板、２３…カラーフィルタ、２４…ＢＭパターン
【図１】
2007108469.tif 000003
【図２】
2007108469.tif 000004
【図３】
2007108469.tif 000005
【図４】
2007108469.tif 000006
【図５】
2007108469.tif 000007
【図６】
2007108469.tif 000008
【図７】
2007108469.tif 000009
【図８】
2007108469.tif 000010
【図９】
2007108469.tif 000011
【図１０】
2007108469.tif 000012
【図１１】
2007108469.tif 000013
【図１２】
2007108469.tif 000014