(57)【要約】【課題】  パッケージ基板上に接続されたチップコンデンサの半田付けにおいて、半田付け状態を確実に検査する手段を提供する。【解決手段】  ２つのプローブのうちの一方をチップコンデンサ１の第１の電極１ａに接触し、他方のプローブを第１の電極１ａと半田接合されている第１のランド３ａに接触し、各プローブ間の電気抵抗値を測定部７によって測定することにより、チップコンデンサ１の半田付け状態を検査するものである。これにより、パッケージ基板２上のランド３ａおよび３ｂに接続されたチップコンデンサ１の半田付けにおいて、半田付け状態を確実に検査することができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の電極を備えるチップコンデンサをパッケージ基板上のランドの上に半田付けしたものにおいて、
２つのプローブのうちの一方を前記チップコンデンサの第１の電極に接触し、他方のプローブを前記第１の電極と半田接合されている第１のランドに接触し、
各プローブ間の電気抵抗値を測定部によって測定することにより、前記チップコンデンサの半田付け状態を検査する実装部品検査方法。
【請求項２】
さらに、２つのプローブのうちの一方を前記第１のランドに接触し、他方のプローブを前記チップコンデンサの第２の電極と半田接合されている第２のランドに接触し、
各プローブ間の電気抵抗値を測定部によって測定することにより、前記チップコンデンサの半田付け状態を検査する請求項１に記載の実装部品検査方法。
【請求項３】
さらに、２つのプローブのうちの一方を前記第２の電極に接触し、他方のプローブを前記第２のランドに接触し、
各プローブ間の電気抵抗値を測定部によって測定することにより、前記チップコンデンサの半田付け状態を検査する請求項１または２に記載の実装部品検査方法。
【請求項４】
前記第１の電極と第１のランドとの間の測定、前記第１のランドと第２のランドとの間の測定及び前記第２の電極と第２のランドとの間の測定を連続的に実施する、請求項３に記載の実装部品検査方法。
【請求項５】
前記第１の電極と第１のランドとの間の測定、前記第１のランドと第２のランドとの間の測定及び前記第２の電極と第２のランドとの間の測定を、同一のプローブ・ペアを使用して行う請求項４に記載の実装部品検査方法。
【請求項６】
第１および第２の電極を備えるチップコンデンサをパッケージ基板の表面のランドの上に半田付けしたものにおいて、
第１のプローブを前記チップコンデンサの第１の電極に接触し、
第２のプローブを前記チップコンデンサの第１の電極と半田接合されている第１のランドに接触し、
第３のプローブを前記チップコンデンサの第２の電極に接触し、
第４のプローブを前記チップコンデンサの第２の電極と半田接合されている第２のランドに接触し、
第１と第２のプローブ間の電気抵抗値、第３と第４のプローブ間の電気抵抗値及び第２と第４のプローブ間の電気抵抗値を測定部によって測定し、前記チップコンデンサの半田付け状態を検査する実装部品検査方法。
【請求項７】
前記第１及び第２のランドのそれぞれは、前記チップコンデンサの第１及び第２の電極の対向する面に対し垂直方向に延び、プローブ先端幅以上のプローブ接触領域を持つ請求項１〜６のいずれかに記載の実装部品検査方法。
【請求項８】
前記第１及び第２のランドのそれぞれは、前記チップコンデンサの第１及び第２の電極の対向する面に対し平行方向に延び、プローブ先端幅以上のプローブ接触領域を持つ請求項１〜６のいずれかに記載の実装部品検査方法。
【請求項９】
前記チップコンデンサが、パッケージ基板の電源ラインと接地ライン間に実装されるバイパスコンデンサである請求項１〜８のいずれかに記載の実装部品検査方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品が実装されている基板の検査方法に関して、特にパッケージ基板上のランドに接続されたチップコンデンサの半田付けにおいて、半田付け状態を確実に検査することを目的とする。
【背景技術】
【０００２】
パッケージ基板の表面においては、複数の電子部品が表面実装技術（ＳＭＴ：Surface Mounting Technology）を用いて半田付けされている。一般的にパッケージ基板の実装工程は、リフロー工程によってチップ部品を実装基板に半田付けした後、封止工程によってパッケージ基板をパッケージ状態に封じ、電気機能試験によって機能を確認する工程となっている。
【０００３】
例えば、電気機能試験の結果、パッケージが内部にあるチップ部品の半田付け不良によって不合格となった場合、パッケージを破壊して開封しない限りチップ部品の半田付け不良は修正できないため、パッケージとそのパッケージに実装されたデバイスが廃却処分となり、材料コストが増加する。
【０００４】
従って、図１０に示すように、通常は封止工程Ｓ１３によってパッケージ基板を封じる前に、パッケージ基板内部にあるチップ部品の半田付け状態を確認する検査工程Ｓ１２が含まれる。検査工程Ｓ１２において、半田付け状態が不合格である場合、半田付けを修正するリワーク工程Ｓ１６が実施される。再度検査工程Ｓ１２を経て合格の後、パッケージ基板を封止する（Ｓ１３）ことにより、パッケージ基板内部のチップ部品の半田付け不良のためにパッケージ全部が廃却となることを防いでいる。
【０００５】
従来、封止工程前におけるチップ部品の半田付け状態の検査は、パッケージ内部を目視や実体顕微鏡等によって確認する。具体的には、チップ部品の有無や半田付け部の半田形状、半田量および半田濡れ性等を確認する。また、基板上のチップ部品に関する実装状態の検査方法としては、例えば特許文献１〜３に開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１８６４８３号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１５７４号公報
【特許文献３】特開２００４−２７１２９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述のように、パッケージ基板内部を目視や実体顕微鏡等によって確認する場合、電気的なチェックではないため、実際に電気的な導通が得られているかどうかの確認ができないという難点がある。
【０００７】
図１１は、チップコンデンサ１１の電極１１ａ、１１ｂとパッケージ基板１２上のランド１３ａ、１３ｂとの接続不良を示す断面図である。図１１では、チップコンデンサ１１の第１の電極１１ａとパッケージ基板１２の上のランド１３ａとを接合する半田１４ａが、電極１１ａと馴染んでいない様子を示す。この状態は、チップコンデンサ１１の電極１１ａ、１１ｂの酸化や、半田付け条件の不適正等の場合に発生する。このような場合は、接触はしているが接合してはいないため、電気的な特性は得られない。
【０００８】
上述のような場合、電極１１ａと半田１４ａの接続不良部分が見え難いため、従来の目視検査では検出できないことがある。その結果、半田付け不良品が次工程である封止工程に流れてしまう不具合が発生する。従って、封止工程後の電気特性試験で不合格となり、パッケージ基板１２全部が廃却となる。このような場合、使用材料全ての費用だけでなく、最終工程までの工数分の費用がかかる。なお、図１１は、チップコンデンサ１１の電極１１ａ、１１ｂとパッケージ基板１２上のランド１３ａ、１３ｂと間の接続不良における一例であり、パッケージ基板１２の上のランド１３ａ、１３ｂと半田１４ａ、１４ｂとの間に接続不良が発生する場合もある。
【０００９】
特にチップコンデンサがバイパスコンデンサの場合、電源ラインと接地ラインの間に複数のチップコンデンサが並列に配置されている。例えばその中の一つのチップコンデンサが、前述した半田付け部の接続不良のため使用できない場合、電気機能試験では不良が検出できないことがある。バイパスコンデンサの目的は、電源を安定化させるものであり、基本的には無くても機能するからである。また、並列に配置された他のチップコンデンサによって、機能が補われる場合もある。その結果、バイパスコンデンサに関しては、封止前の目視検査で検出できない場合、次工程の封止工程だけでなく、市場にまで不良品が流出しうる。
【００１０】
この発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、パッケージ基板１２上に接続されたチップコンデンサ１１の半田付けにおいて、半田付け状態を確実に検査することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、第１および第２の電極を備えるチップコンデンサをパッケージ基板上のランドの上に半田付けしたものにおいて、２つのプローブのうちの一方を前記チップコンデンサの第１の電極に接触し、他方のプローブを前記第１の電極と半田接合されている第１のランドに接触し、各プローブ間の電気抵抗値を測定部によって測定することにより、前記チップコンデンサの半田付け状態を検査するものである。これにより、パッケージ基板上のランドに接続されたチップコンデンサの半田付けにおいて、半田付け状態を確実に検査することができる。
【００１２】
また、第１および第２の電極を備えるチップコンデンサをパッケージ基板の表面のランドの上に半田付けしたものにおいて、第１のプローブを前記チップコンデンサの第１の電極に接触し、第２のプローブを前記チップコンデンサの第１の電極と半田接合されている第１のランドに接触し、第３のプローブを前記チップコンデンサの第２の電極に接触し、第４のプローブを前記チップコンデンサの第２の電極と半田接合されている第２のランドに接触し、第１と第２のプローブ間の電気抵抗値、第３と第４のプローブ間の電気抵抗値及び第２と第４のプローブ間の電気抵抗値を測定部によって測定し、前記チップコンデンサの半田付け状態を検査するものである。これにより、パッケージ基板上のランドに接続されたチップコンデンサの半田付けにおいて、半田付け状態を迅速に検査することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、パッケージ基板上に接続されたチップコンデンサの半田付けにおいて、半田付け状態を確実に検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
発明の実施の形態１．
図１（ａ）は、本実施形態の接続検査対象となるチップコンデンサ１の構造を模式的に示している。このチップコンデンサ１は、対向する２辺に電極１ａおよび１ｂを設けたチップ形状の積層セラミックコンデンサであり、特にバイパスコンデンサにおける使用が好ましい。図１（ｂ）の回路図に示すように、通常バイパスコンデンサは、デバイス１５と電源１６との間に配置され、その複数個が電源ライン１７および接地ライン１８との間に並列に半田付けされる。
【００１５】
図１（ｃ）にチップコンデンサ１を実装したパッケージ基板２を示す。パッケージ基板２は、表面にチップコンデンサ１およびデバイス１５等のチップ部品を実装した後、例えばアルミ等の金属性の外枠を取り付けてパッケージ状態に封じられる。また、例えば多層構造の回路基板であり、裏面等に形成されているＢＧＡ端子１９等の電極端子によって、外部配線と接続されるものである。
【００１６】
図２を用いて、本形態の接続検査手法の一工程について説明する。図２は、チップコンデンサ１の電極１ａとパッケージ基板２のランド間３ａの半田付け状態を検査する構成を例示したものであるが、チップコンデンサ１の電極１ｂとパッケージ基板２のランド間３ｂの半田付け状態を検査する構成も同様である。チップコンデンサの電極１ａ、１ｂとパッケージ基板２の上のランド３ａ、３ｂとは、それぞれ、半田４ａ、４ｂによって接合されている。５はパッケージ基板２上をＸ、ＹおよびＺ方向に移動できる第１プローブであり、６は第１プローブ５と同機能を備える第２プローブ、７は第１プローブ５と第２プローブ６を測定端子に持つ測定部である。
【００１７】
パッケージ基板２の上に形成されているランド３ａ、３ｂは、チップコンデンサ１をパッケージ基板２に接続する端子部であり、電気伝導性の良い金属材料で形成され、パッケージ基板２の上に接続するチップコンデンサ１の電極１ａ、１ｂに対応する寸法および間隔で形成される。
【００１８】
チップコンデンサ１とパッケージ基板２とを接続している半田４ａ、４ｂは、表面実装用チップ部品のはんだ付け工法として一般的な印刷工法用のクリーム半田が使われる。クリーム半田は、クリーム状の半田材料であり、印刷工法によってパッケージ基板上のランドに印刷された後、チップ部品を載せた状態で加熱され、チップ部品の電極とパッケージ基板のランドとを接合せしめるものである。なお、リワーク時等で手半田付けをする場合は、ワイヤ形状の半田である糸半田が用いられてもよい。
【００１９】
本形態では、第１プローブ５の先端をチップコンデンサ１の第１の電極１ａに接触させつつ、第２プローブ６を電極１ａと半田接合されているランド３ａ（半田４ａに覆われず露出している）に接触させ、電極１ａとランド３ａと間の電気抵抗値を測定部７によって測定する。なお、第１プローブ５は、チップコンデンサ１の第１の電極１ａのパッケージ基板２に対する反対面に接触するものとする。
【００２０】
第１プローブ５および第２プローブ６は、図に示されない駆動部により、パッケージ基板２に対してＸ、Ｙ、およびＺ軸方向の任意の位置に移動することができる。また、各プローブの先端部は、例えば靭性や導電性の高い金属にて形成されており、数１００μｍ角の領域における接触が可能な形状を備えている。なお、第１プローブ５と第２プローブ６は同機能を有しているが、形状は同一でなくてもよい。
【００２１】
また、第１プローブ５および第２プローブ６を測定端子として接続している測定部７は、例えば各プローブ間に任意の電圧を印加しつつ各プローブ間の電圧値および電流値を測定することにより、プローブ間の電気抵抗値を測定するものである。本形態では、接続不良状態の場合の確認が必要であることから、低い電気抵抗値が測定可能な測定部７を使用することが好ましい。
【００２２】
例えば電極１ａとランド３ａとの間の電気抵抗値は、電極１ａとランド３ａとを接合している半田４ａ自体の抵抗成分と、電極１ａと半田４ａ接合部の接触抵抗による抵抗成分、および半田４ａとランド３ａ接合部の接触抵抗による抵抗成分で構成される。
【００２３】
前記半田４ａは、金属材料であるため、半田４ａ自体の電気抵抗値は非常に低く０オームに近い値を示す。また、電極１ａと半田４ａが良好に接合されている場合、もしくは半田４ａとランド３ａが良好に接合されている場合は、接合部に合金層が形成されているため、それらの間の電気抵抗値は非常に低く０オームに近い値を示す。
【００２４】
従って、電極１ａとランド３ａとが良好に半田付けされている場合は、その間の電気抵抗値は導通状態を示す。逆に、電極１ａと半田４ａの界面、あるいは半田４ａとランド３ａとの界面、あるいは半田４ａ自身のいずれかにおいて、接続不良あるいは導通不良がある場合は、電極１ａとランド３ａ間の電気抵抗値は非導通状態か、または一定とならない高抵抗値を示す。
【００２５】
よって、測定部７による測定の結果、導通状態の場合は、チップコンデンサ１の電極１ａとパッケージ基板２上のランド３ａとの間の半田付けが良好であると判断でき、所定の閾値を超える電気抵抗値を示した場合は、前記測定箇所の半田付けが不良と判断できる。
【００２６】
なお、チップコンデンサ１の電極１ｂとパッケージ基板２のランド間３ｂの半田付け状態を検査においては、例えば、第１プローブ５の先端をチップコンデンサの第２の電極１ｂに接触させつつ、第２プローブ６を電極１ｂと半田接合されているランド３ｂに接触させ、電極１ｂとランド３ｂとの間の電気抵抗値を測定部７によって、測定する。なお、第１プローブ５は、チップコンデンサ１の第２の電極１ｂのパッケージ基板２に対する反対面に接触するものとする。
【００２７】
図３は、チップコンデンサ１が半田付けされている一対のランド３ａ、３ｂ間の半田付け状態を検査する構成を示したものである。本形態では、第１プローブ５の先端をチップコンデンサ１が半田付けされている第１のランド３ａに接触させつつ、第２プローブ６の先端を第１プローブ５が接触しているランド３ａと対応する第２のランド３ｂに接触させ、ランド３ａとランド３ｂとの間の電気抵抗値を測定部７によって測定する。なお、チップコンデンサ１の電極１ａ、１ｂとランド３ａ、３ｂ間の半田付け状態が良好であれば、上記測定部７による測定は、チップコンデンサ１の電極１ａおよび１ｂとの間でなされてもよい。
【００２８】
また、図３は、チップコンデンサ１の電極１ａ、１ｂに接続しているランド３ａ、３ｂの間を半田が繋がっている様子を示した不具合例である。通常は、ランド３ａと３ｂの間を半田が繋がることはないが、半田付けに使用される半田の供給量が多すぎる等の場合、ランド３ａおよび３ｂからはみ出した半田によってランド間が繋がることがある。上述のような場合、半田の繋がりがチップコンデンサ１本体の下にあることから、従来の目視検査では検出できない。その結果、不良品が次工程である封止工程に流れてしまう不具合が発生する。
【００２９】
本来、ランド３ａとランド３ｂとの間にはチップコンデンサが接続されているため、直流電圧を印加した場合、電気抵抗値測定では非導通状態となる。しかし、ランド３ａとランド３ｂとの間に半田等の導電体が存在した場合、電気抵抗値は導通状態となり、チップコンデンサが機能不良となる。
【００３０】
従って、測定部７による測定の結果、非導通状態の場合は、パッケージ基板２上に半田付けされているチップコンデンサ１のランド３ａと３ｂとの間の半田付けが良好であると判断でき、導通状態の場合は、前記箇所の半田付けが不良と判断できる。
【００３１】
また、図４に示すように、例えば第１プローブ５と第２プローブ６は、先端の測定端子５ａおよび６ａの間をばね等の伸縮可能な機構によってお互いを固定し、同時に移動できるような形状としてもよい。第１プローブ５の測定端子５ａと第２プローブ６の測定端子６ａは、お互いに向かい合う方向に形成され、ばね等の伸縮機能によって、チップコンデンサ１を挟みこみながら測定することができる。この場合、測定端子５ａおよび６ｂは、電極１ａおよび１ｂの形成面に沿う箇所に接触する。これにより、チップコンデンサ１の電極１ａおよび１ｂ間の電気抵抗値が簡便に測定できる。なお、各プローブの測定端子５ａおよび６ａが半田４ａおよび４ｂ等に接触し、測定誤差が生じることを防ぐために、各プローブの測定端子５ａおよび６ａの先端に絶縁体でストッパ５ｂ、６ｂを形成してもよい。
【００３２】
図５は、チップコンデンサ１の半田付け状態を連続的に検査する構成を示したものである。本形態は、図に示されない駆動部を用いて第１プローブ５を電極１ａに接触させつつ、第２プローブ６をランド３ａに接触させ、電極１ａとランド３ａとの間の電気抵抗値を測定部７によって測定する。次に、第１プローブ５をランド３ａに接触させつつ、第２プローブ６をランド３ｂに接触させ、ランド３ａとランド３ｂとの間の電気抵抗値を測定部７によって測定する。次に、第１プローブ５を電極１ｂに接触させつつ、第２プローブ６をランド３ｂに接触させ、電極１ｂとランド３ｂとの間の電気抵抗値を測定部７によって測定する。これら３回の測定動作を連続的に実施し、効率的な検査を実現する。
【００３３】
この測定において、各プローブが測定する箇所や、測定する順序は、変更することができる。また、パッケージ基板２上に複数のチップコンデンサが半田付けされている場合は、上記実施形態を用いて第１のチップコンデンサの検査をした後、他のチップコンデンサにおいても連続して検査することができる。
【００３４】
３箇所の電気抵抗値を測定した結果、電極１ａとランド３ａ間、および電極１ｂとランド３ｂ間が導通状態であり、ランド３ａおよびランド３ｂ間が非導通状態でれば、パッケージ基板２上に半田付けされているチップコンデンサ１の半田付け状態は良好であると判断できる。
【００３５】
ただし、３箇所の中でいずれか１箇所でも所望の結果とならない場合は、チップコンデンサ１の半田付け状態は不良と判断される。つまり、電極１ａとランド３ａ間および電極１ｂとランド３ｂ間が所定の閾値以上の電気抵抗値を示す場合、またランド３ａおよびランド３ｂが導通状態を示した場合である。
【００３６】
以上の方法によって、チップコンデンサ１の半田付け状態における、接続不良および導通不良の両モードを確認し、確実にチップコンデンサ１の半田付け不良を検出することができる。
【００３７】
発明の実施の形態２．
図６は、チップコンデンサ１の半田付け状態を検査する別の実施形態を示したものである。８は第３プローブ、９は第４プローブであり、第１プローブ５や第２プローブ６と同様に測定部７に接続している。１０は第１プローブ５から第４プローブ９の４本のプローブから任意の２プローブを測定部７で測定することができるよう選択する切換機構である。
【００３８】
第３プローブ８および第４プローブ９は、第１プローブ５や第２プローブ６と同機能を備えるが、形状は同一でなくてもよい。測定部７は、第１プローブ５から第４プローブ９まで４本のプローブが接続されているが、測定は４本から選択される２本のプローブ間で行われる。２プローブの選択は切換機構１０で行われ、それによって選択された２プローブが測定部７と接続され、その２プローブ間の電気抵抗値を測定する。
【００３９】
なお、例えば第１プローブ５、第２プローブ６、第３プローブ８および第４プローブ９は、各プローブを所定の間隔にセットした固定プローブとして、同時に移動できるような形状としてもよい。
【００４０】
本形態は、図に示されない駆動部を用いて、第１プローブ５を電極１ａ、第２プローブ６をランド３ａ、第３プローブ８を電極１ｂ、および第４プローブ９をランド３ｂに接触する位置に、４本のプローブを同時に移動する。その後、切換機構１０によって測定端子を第１プローブ５と第２プローブ６に切り換え、測定部７によって電極１ａとランド３ａの間の電気抵抗値を測定し、その後切換機構１０によって測定端子を第３プローブ８と第４プローブ９に切り換え、測定部７によって電極１ｂとランド３ｂの間の電気抵抗値を測定し、その後切換機構１０によって測定端子を第２プローブ６と第４プローブ９に切り換え、測定部７によってランド３ａとランド３ｂの間の電気抵抗値を測定する。
【００４１】
上述の測定処理において、各プローブが測定する箇所や、測定する順序は、変更することができる。また、パッケージ基板２上に複数のチップコンデンサが半田付けされている場合は、上記実施形態を用いて第１のチップコンデンサの検査をした後、他のチップコンデンサにおいても連続して検査することができる。
【００４２】
以上の方法によって、チップコンデンサ１の半田付け状態における、接続不良および導通不良の両モードを迅速に確認し、確実にチップコンデンサ１の半田付け不良を検出することができる。
【００４３】
発明の実施の形態３．
図７は、チップコンデンサ１が半田付けされるパッケージ基板２上のランド３ａおよび３ｂを示したものである。本形態におけるランド３ａ、３ｂは、それぞれ、チップコンデンサ１の電極１ａと電極１ｂの対向する面に対し垂直方向（Ｘ−Ｘ方向）に沿って延び、プローブ先端幅と同等以上のプローブ接触領域を備えている。それにより、ランド３ａおよび３ｂに流れ出した半田４ａおよび４ｂに接触することなく、プロービングすることができる。
【００４４】
図８は、チップコンデンサ１が半田付けされるパッケージ基板２上のランド３ａおよび３ｂを示した別の形態である。本形態におけるランド３ａ、３ｂは、それぞれ、チップコンデンサ１の電極１ａと電極１ｂの対向する面に対し平行方向（Ｙ−Ｙ方向）に沿って延び、プローブ先端幅と同等以上のプローブ接触領域を備えている。それにより、ランド３ａおよび３ｂに流れ出した半田４ａおよび４ｂに接触することなく、プロービングすることができる。なお、形成されるプローブ接触領域はチップコンデンサ電極に対して非対称に、片側のみとなる。従って、ランド形成に必要な面積が少なくなるため、パッケージ基板２上の実装密度の低下が抑えられる。
【００４５】
あるいは、バイパスコンデンサに接続するランドとして、図９のようなランドを形成することもできる。図９（ａ）には、パッケージ基板２上に実装されたデバイスと、デバイスを中心に形成されたチップコンデンサのランド３ａおよび３ｂが示されている。矢印は、前記ランドにチップコンデンサを半田付けした図９（ｂ）を示す。
【００４６】
接地側ランド３ｂには、その周囲が接地側ランド３ｂで囲まれた開口が形成されており、その開口内に島状の電源側ランド３ａが形成されている。電源側ランド３ａおよび接地側ランド３ｂは、プローブ先端幅と同等以上のプローブ接触領域を確保し、更に接地側ランド３ｂはパッケージ基板２上に可能なかぎり大きな領域を確保する。それによって、接地ラインが強化され電気的に安定する効果が得られる。なお、接地側ランド３ｂの形状は矩形に限らない。また、パッケージ基板２上に複数のチップコンデンサが存在する場合は、接地側ランド３ｂを接続させて共通に形成することも可能である。
【００４７】
なお、本発明が上記の各実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。例えば、測定部７や切換機構１０等は、同様の動作をする構成であれば、自動的に測定する構成でも、その他の構成でもよい。
【００４８】
あるいは、パッケージ基板２上に複数のチップコンデンサが半田付けされている場合、チップコンデンサの半田付け状態の測定に必要な全ての測定箇所と同数のプローブを用意し、全ての測定箇所に同時に接触し、切換機構１０によって測定箇所を順次切り換え、パッケージ基板２上の全てのチップコンデンサの電気抵抗値を自動的に測定することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施形態が検査対象とするチップコンデンサおよび使用状態を示した図である。
【図２】チップコンデンサの電極とパッケージ基板上のランド間の半田付け状態を検査する構成を示した図である。
【図３】チップコンデンサが半田付けされている一対のランド間の半田付け状態を検査する構成を示した図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る、別の形態のプローブを示した図である。
【図５】チップコンデンサの半田付け状態を検査する構成を示した図である。
【図６】チップコンデンサの半田付け状態を検査する別の形態を示した図である。
【図７】パッケージ基板上に形成されたランドを示した図である。
【図８】パッケージ基板上に形成されたランドの別の形態を示した図である。
【図９】パッケージ基板上に形成されたランドの別の形態を示した図である。
【図１０】パッケージ基板の実装工程フロー図を示す。
【図１１】チップコンデンサの電極とパッケージ基板上のランドとの接続不良を示す断面図を示す。
【符号の説明】
【００５０】
１  チップコンデンサ、  １ａ、１ｂ  電極
２  パッケージ基板
３ａ  ランド、電源側ランド
３ｂ  ランド、接地側ランド
４ａ、４ｂ  半田
５  第１プローブ、  ５ａ  測定端子、５ｂ  ストッパ
６  第２プローブ、  ６ａ  測定端子、６ｂ  ストッパ
７  測定部
８  第３プローブ
９  第４プローブ
１０  切換機構
１１  チップコンデンサ、  １１ａ、１１ｂ  電極
１２  パッケージ基板
１３ａ、１３ｂ  ランド
１４ａ、１４ｂ  半田
１５  デバイス
１６  電源
１７  電源ライン
１８  接地ライン
１９  ＢＧＡ端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2007035751.tif 000006
【図５】
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【図６】
2007035751.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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