(57)【要約】      （修正有）【課題】  成膜雰囲気の圧力制御により良好な埋め込み性と高速度での埋め込み成膜を両立させることができる埋め込み成膜装置を提供する。【解決手段】  ラジカルＣｌ＊でＣｕ製の被エッチング部材１１をエッチングして得る前駆体２４を、基板３の凹部３ａに吸着させ、その後前記ラジカルＣｌ＊で還元してＣｕ膜を形成する成膜反応と、成膜雰囲気の圧力を低圧から徐々に高圧に変化させながら、前記圧力を制御して前記底部のみに前記Ｃｕ膜を形成し、続けて前記底部より少し上方で前記圧力を制御して先に形成したＣｕ膜の上に新たなＣｕ膜を堆積させるとともに、以後前記前駆体２４とラジカルＣｌ＊の供給バランス点が凹部３ａの開口側に移動するように前記圧力を制御して前記凹部３ａにＣｕ膜の埋め込み成膜を行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲンを含有する作用ガスをプラズマ化して得るハロゲンラジカルで、高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る金属を含む材料で形成した被エッチング部材をエッチングして前記金属とハロゲンとからなる前駆体を形成する一方、溝又はホール等の凹部を形成した基板の前記凹部に前記前駆体を吸着させ、その後前記前駆体を前記ハロゲンラジカルで還元して前記金属成分を析出させることにより前記金属の金属膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成された前記金属膜を前記ハロゲンガスラジカルでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、
成膜雰囲気の圧力を低圧から徐々に高圧に変化させながら、先ず前記凹部の底部で前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランスが取れるように前記圧力を制御して前記底部のみに前記金属膜を形成し、続けて前記底部より少し上方で前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランスが取れるように前記圧力を制御して先に形成した前記金属膜の上に新たな金属膜を堆積させるとともに、以後前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランス点が凹部の開口側に移動するように前記圧力を制御して前記凹部に前記金属膜の埋め込みを行うことを特徴とする埋め込み成膜方法。
【請求項２】
請求項１において、
成膜雰囲気の圧力は、作用ガスが供給されて成膜雰囲気を形成するチャンバの容積を徐々に減少させることにより制御することを特徴とする埋め込み成膜方法。
【請求項３】
請求項１において、
成膜雰囲気の圧力は、作用ガスが供給されて成膜雰囲気を形成するチャンバ内から作用ガスの排気する排気速度を徐々に遅くすることにより制御することを特徴とする埋め込み成膜方法。
【請求項４】
溝又はホール等の凹部を形成した基板を内部に収容するチャンバに高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る金属で形成した被エッチング部材を配設する一方、前記作用ガスプラズマで前記被エッチング部材をエッチングして前記金属と前記作用ガスとの前駆体を形成し、この前駆体の金属成分を前記基板に析出させて成膜を行うことにより前記凹部に前記金属膜の埋め込みを行う埋め込み成膜装置であって、
前記金属膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成された金属膜を前記作用ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させる一方、
前記チャンバ内の圧力を低圧から徐々に高圧に変化させながら、先ず前記凹部の底部で前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランスが取れるように前記圧力を制御して前記底部のみに前記金属膜を形成し、続けて前記底部より少し上方で前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランスが取れるように前記圧力を制御して先に形成した前記金属膜の上に新たな金属膜を堆積させるとともに、以後前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランス点が凹部の開口側に移動するように前記圧力を制御して前記凹部に前記金属膜の埋め込みを行う制御手段を有することを特徴とする埋め込み成膜装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記チャンバ内に配設されて基板を載置する支持台が昇降可能に形成してあり、
前記制御手段が、前記支持台を徐々に上昇させることによりチャンバ内の成膜雰囲気の容積を徐々に減少させて前記成膜雰囲気の圧力を制御するものであることを特徴とする埋め込み成膜装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記制御手段が、チャンバ内の成膜雰囲気の排気を行う排気手段による排気速度が徐々に遅くなるように制御するものであることを特徴とする埋め込み成膜装置。
【請求項７】
請求項４において、
前記制御手段が、チャンバ内の成膜雰囲気の排気を行う排気系に設けたバルブの開度を徐々に開くように制御するものであることを特徴とする埋め込み成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は埋め込み成膜方法及び装置に関し、特にアスペクト比が大きい凹部への金属膜の埋め込み成膜に適用して有用なものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ用途に、大サイズ（深さの大きい）ホールまたはトレンチへの金属膜の埋め込み技術が重要となってきている。これに対し、従来のスパッタ法ではホール底部より基板表面に多くの堆積物が形成されるため、ホール開口部の閉塞がおこり、埋め込みが困難になるという問題を有している。そこで、現在はめっき法が主流となっている。しかし、このメッキ法では埋め込み速度が遅いばかりでなく、ＭＯＣＶＤ法でシールド層を形成する前工程が必要になる等、コスト面での問題を有している。
【０００３】
当該分野の公知技術としては、エッチングと成膜を併用したホール開口部閉塞の抑止成膜技術を開示する特開２００２−２８０４４９号公報（特許文献１）、無電解めっきによるボトムアップ成膜技術を開示する特開２００３−１１９５６８号公報（特許文献２）、めっき法による高アスペクトホール埋め込み技術を開示する特開２００４−１１９４１９号（特許文献３）を挙げることができるが、いずれも上述のような問題を有しており、埋め込み性を改善した埋め込み成膜技術の出現が待望されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２８０４４９号公報
【特許文献２】特開２００３−１１９５６８号公報
【特許文献３】特開２００４−１１９４１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
最近、本発明者等は旧来のＣＶＤ装置とは全く異なるＣＶＤ装置を開発した。これは、基板を収容する真空のチャンバ内にＣｌ２ガスを供給し、このＣｌ２ガスをプラズマ発生手段によりプラズマ化する一方、前記チャンバに配設した銅板からなる被エッチング部材を、Ｃｌ２ガスプラズマでエッチグした場合、銅板と基板との温度の関係を適切に制御することにより、エッチングされたＣｕを基板に析出させてＣｕの薄膜を形成するという金属膜の成膜装置である。すなわち、エッチング部材である銅板を高温（例えば３００℃〜４００℃）に、また基板を低温（２００℃程度）に保持して基板に銅薄膜を形成するというものである。
【０００６】
したがって、相対的な高温雰囲気を形成するＣｌ２ガスプラズマに臨んで銅板を配設する一方、このプラズマ雰囲気を挟んで銅板に対向する相対的な低温雰囲気に基板を配設するとともに、両者の温度を適切に制御することにより容易にＣｕ薄膜の作製装置を提供することができる。ここで、被エッチング部材としては、Ｃｕの他に、例えば、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等、高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属であれば一般に用いることができ、また原料ガスとしてはＣｌ２の他に、ハロゲンガスであれば一般に用いることができる。
【０００７】
上述のＣｕ薄膜の作製装置においては、次の様な反応が起こっていると考えられる。
１）  プラズマの解離反応；  Ｃｌ２→２Ｃｌ＊
２）  エッチング反応；      Ｃｕ＋Ｃｌ＊→ＣｕＣｌ（ｇ）
３）  基板への吸着反応；    ＣｕＣｌ（ｇ）→ＣｕＣｌ（ａｄ）
４）  成膜反応；            ＣｕＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ＊→Ｃｕ＋Ｃｌ２↑・・・（１）
【０００８】
ここで、Ｃｌ＊はＣｌのラジカルであることを、（ｇ）はガス状態であることを、（ａｄ）は吸着状態であることをそれぞれ表している。
【０００９】
ただ、上式（１）に示す成膜反応の際には、この成膜反応だけでなく析出したＣｕ膜に対するＣｌ＊によるエッチング反応も同時に起こっている。すなわち、ＣｕＣｌ（ａｄ）に適量のＣｌ＊が作用すれば、上式（１）に示す成膜反応によりＣｕ膜が析出するが、高密度でＣｌ＊が存在する雰囲気では、析出したＣｕ膜のＣｌ＊によるエッチング反応が優勢になりＣｕ膜を成長させることはできない。このことは、Ｃｌ＊の量を制御することにより、成膜反応又はエッチング反応の何れかを選択し得ることを意味する。
【００１０】
したがって、成膜反応の速度がエッチング反応の速度よりも若干大きくなるような雰囲気を作ることができれば、成膜反応によるＣｕ膜の析出と同時に、このＣｕ膜の表面をエッチングしつつ膜厚を徐徐に厚くする成膜法が考えられる。すなわち、基板の凹部が、例えば極く細径のビアホールであったとしても、その底部から順にＣｕを積層してＣｕ膜を埋め込み成膜することができる。
【００１１】
ここでＣｌ＊は成膜雰囲気の圧力、すなわちチャンバ内の圧力を制御することでその寿命を制御することができる。このことは、前記圧力の制御により成膜反応に寄与する前駆体とエッチング反応に寄与するハロゲンラジカルとの供給バランスが取れ、成膜反応が優勢になって成膜が開始されるバランス点を制御し得ることを意味する。したがって、このときの圧力制御を適切に行えば、前記バランス点を凹部の底部から開口側に移動させつつ、この凹部に対する良好な埋め込み成膜を行い得る。
【００１２】
本発明は、上記の点に鑑み、成膜雰囲気の圧力制御によりハロゲンラジカルの寿命を制御して良好な埋め込み性と高速度での埋め込み成膜を両立させることができる埋め込み成膜方法及び装置を提供すること目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決する本発明の第１の態様に係る埋め込み成膜方法は、
ハロゲンを含有する作用ガスをプラズマ化して得るハロゲンラジカルで、高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る金属を含む材料で形成した被エッチング部材をエッチングして前記金属とハロゲンとからなる前駆体を形成する一方、溝又はホール等の凹部を形成した基板の前記凹部に前記前駆体を吸着させ、その後前記前駆体を前記ハロゲンラジカルで還元して前記金属成分を析出させることにより前記金属の金属膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成された前記金属膜を前記ハロゲンガスラジカルでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、
成膜雰囲気の圧力を低圧から徐々に高圧に変化させながら、先ず前記凹部の底部で前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランスが取れるように前記圧力を制御して前記底部のみに前記金属膜を形成し、続けて前記底部より少し上方で前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランスが取れるように前記圧力を制御して先に形成した前記金属膜の上に新たな金属膜を堆積させるとともに、以後前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランス点が凹部の開口側に移動するように前記圧力を制御して前記凹部に前記金属膜の埋め込みを行うことを特徴とする。
【００１４】
本発明の第２の態様に係る埋め込み成膜方法は、
上記第１の態様において、
成膜雰囲気の圧力は、作用ガスが供給されて成膜雰囲気を形成するチャンバの容積を徐々に減少させることにより制御することを特徴とする。
【００１５】
本発明の第３の態様に係る埋め込み成膜方法は、
上記第１の態様において、
成膜雰囲気の圧力は、作用ガスが供給されて成膜雰囲気を形成するチャンバ内から作用ガスの排気する排気速度を徐々に遅くすることにより制御することを特徴とする。
【００１６】
本発明の第４の態様に係る埋め込み成膜装置は、
溝又はホール等の凹部を形成した基板を内部に収容するチャンバに高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る金属で形成した被エッチング部材を配設する一方、前記作用ガスプラズマで前記被エッチング部材をエッチングして前記金属と前記作用ガスとの前駆体を形成し、この前駆体の金属成分を前記基板に析出させて成膜を行うことにより前記凹部に前記金属膜の埋め込みを行う埋め込み成膜装置であって、
前記金属膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成された金属膜を前記作用ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させる一方、
前記チャンバ内の圧力を低圧から徐々に高圧に変化させながら、先ず前記凹部の底部で前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランスが取れるように前記圧力を制御して前記底部のみに前記金属膜を形成し、続けて前記底部より少し上方で前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランスが取れるように前記圧力を制御して先に形成した前記金属膜の上に新たな金属膜を堆積させるとともに、以後前記前駆体とハロゲンラジカルの供給バランス点が凹部の開口側に移動するように前記圧力を制御して前記凹部に前記金属膜の埋め込みを行う制御手段を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の第５の態様に係る埋め込み成膜装置は、
上記第４の態様において、
前記チャンバ内に配設されて基板を載置する支持台が昇降可能に形成してあり、
前記制御手段が、前記支持台を徐々に上昇させることによりチャンバ内の成膜雰囲気の容積を徐々に減少させて前記成膜雰囲気の圧力を制御するものであることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第６の態様に係る埋め込み成膜装置は、
上記第４の態様において、
前記制御手段が、チャンバ内の成膜雰囲気の排気を行う排気手段による排気速度が徐々に遅くなるように制御するものであることを特徴とする。
【００１９】
本発明の第７の態様に係る埋め込み成膜装置は、
上記第４の態様において、
前記制御手段が、チャンバ内の成膜雰囲気の排気を行う排気系に設けたバルブの開度を徐々に開くように制御するものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
上記本発明によれば、成膜雰囲気の圧力が低い程、エッチングを行うハロゲンラジカルの寿命が長くなり凹部の底部まで到達する一方、圧力の上昇とともに到達距離が短くなる。したがって、前記圧力を徐々に高くすることにより成膜反応に寄与する前駆体とエッチング反応に寄与するハロゲンラジカルとの供給バランスが取れ、成膜反応が優勢になって成膜が開始されるバランス点を徐々に凹部の開口側に移動させることができる。
【００２１】
この結果、ボイド等を含むことなく金属膜を凹部に順次堆積させて良好に充填していくことができる。すなわち、良好な埋め込み成膜を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２３】
図１は本発明の実施の形態に係る埋め込み成膜装置を示す概略側断面図である。同図に示すように、円筒状に形成された、例えばセラミックス製のチャンバ１の底部近傍には支持台２が設けられ、支持台２には基板３が載置されている。支持台２にはヒータ４及び冷媒流通手段５を備えた温度制御手段６が設けられ、温度制御手段６により支持台２は所定温度（例えば、基板３が１００℃から３００℃に維持される温度）に制御される。また、基板３には、溝及びホール等からなる凹部３ａが形成してある。この凹部にＣｕ膜を埋め込み成膜をするためである。
【００２４】
さらに、支持台２はその両端部がチャンバ１の内周面に摺接した状態で昇降駆動手段２６によりチャンバ１内を昇降してチャンバ１内の成膜雰囲気の容積を制御し得るようになっている。支持台３２の上昇により前記容積が拡大し、下降により縮小される。そして、拡大時にチャンバ１内の圧力が低下し、縮小時に圧力が上昇するように構成してある。
【００２５】
チャンバ１の上面は開口部とされ、開口部は絶縁材料であるセラミックス製の平板状の天井板７によって塞がれている。天井板７の上方にはチャンバ１の内部に供給されたガスをプラズマ化するためのプラズマアンテナ８が設けられ、このプラズマアンテナ８は天井板７の面と平行な平面でリング状に形成されている。プラズマアンテナ８には整合器９及び高周波電源１０が接続されており、プラズマアンテナ８を介して高周波の電磁波をチャンバ１内に導入するように構成してある。これら、プラズマアンテナ８、整合器９及び高周波電源１０によりプラズマ発生手段を構成している。
【００２６】
被エッチング部材１１は、高蒸気圧ハロゲン化物を形成し得る金属（本例では銅）で形成して、プラズマアンテナ８の下方のチャンバ１内に配設してある。この被エッチング部材１１は、ハロゲンプラズマによるエッチングス作用により当該装置で作製する金属薄膜（本例では銅）の前駆体を形成するためのものである。ここで、ハロゲンプラズマは、チャンバ１内に供給するハロゲン（本例では塩素）を含有する作用ガスを前記プラズマアンテナ８が供給する高周波の電磁エネルギーを利用してプラズマ化することにより得る。
【００２７】
また、被エッチング部材１１は、図１のＩ−Ｉ線矢視図である図２を参照すれば明らかな通り、棒状の突起部１２とリング部１３とからなり、各突起部１２はその先端部が隣接する突起部１２の先端部と接触することなくチャンバ１の中心に向かって延びるように、その各基端部をリング部１３に固着してある。これにより、各突起部１２は電気的に独立した構造となっており、プラズマアンテナ８で形成し、チャンバ１内に導入される電磁界を遮蔽することがないように工夫してある。
【００２８】
チャンバ１の筒部の周囲にはチャンバ１の内部にハロゲンとしての塩素を含有する作用ガス（Ｈｅで塩素濃度が≦５０％、好ましくは１０％程度に希釈された作用ガス）２１を供給する作用ガス供給手段としてのノズル１４が周方向に等間隔で複数（例えば８箇所：図には２箇所を示してある）接続されている。ノズル１４には作用ガス２１の流量及び圧力を制御する流量制御器１５を介して作用ガス２１が送られる。
【００２９】
成膜に関与しないガス等は排気口１８から排気され、天井板７によって塞がれたチャンバ１の内部は真空ポンプ１９によって所定の真空圧に維持される。さらに、詳言するとチャンバ１に設けた排気口１８は、支持台２に設けた排気口１７を介してチャンバ１内の成膜雰囲気に連通するとともに、ゲート弁２２を介して真空ポンプ１９に連通させてある。かくして、ゲート弁２２の開度を制御することによっても、また真空ポンプ１９の回転数を制御することによってもチャンバ１内の圧力を制御し得るようになっている。
【００３０】
かかる埋め込み成膜装置における埋め込み成膜時の態様は次の通りである。
【００３１】
先ず、チャンバ１の内部にノズル１４から作用ガスを供給しつつ、プラズマアンテナ８から電磁波をチャンバ１の内部に入射することで、Ｃｌ２ガスをイオン化してＣｌ２ガスプラズマ（ハロゲンガスプラズマ）２５を発生させる。このＣｌ２ガスプラズマ２５は、チャンバ１内のプラズマアンテナ８に隣接する空間、すなわちチャンバ１の被エッチング部材１１側（上部）の空間に形成される。この空間が成膜環境となる。このとき、Ｃｌ＊も発生する。
【００３２】
Ｃｌ２ガスプラズマ２５により、被エッチング部材１１にエッチング反応が生じ、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）２４が生成される。このとき、被エッチング部材１１はＣｌ２ガスプラズマ２５により基板３の温度よりも高い所定温度（例えば、２００℃乃至４００℃）に維持されている。
【００３３】
チャンバ１の内部で生成された前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）２４は、被エッチング部材１１よりも低い温度に制御された基板３に搬送される。基板３に搬送されてこれに吸着された前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）２４は、成膜反応を表す前式（１）の反応により基板３にＣｕを析出させる。かくして、基板３にＣｕ薄膜が形成される。同時に、基板３に形成されるＣｕ薄膜は、Ｃｌ＊によりエッチングされる。そして、このエッチング反応はＣｌ＊の成膜雰囲気の圧力によりその強弱の程度が決まる。そこで、本形態では、成膜雰囲気のＣｌ＊の量を適切に制御することにより成膜反応に寄与する前駆体とエッチング反応に寄与するハロゲンラジカルとの供給バランスが取れ、成膜反応が優勢になって成膜が開始されるバランス点を徐々に凹部３ａの開口側に移動させることができる。成膜雰囲気の圧力が低い場合には、Ｃｌ＊の寿命が長いのでＣｌ＊は凹部３ａの底部まで到達することができるのに対し、成膜雰囲気の圧力が高い場合には、Ｃｌ＊の寿命が長いのでＣｌ＊は凹部３ａの底部まで到達することができないからである。
【００３４】
さらに詳言すると次の通りである。
１）  凹部３ａの底部でＣｕＣｌ及びＣｌ＊の供給バランスが取れる低圧条件として成膜を実施することにより凹部３ａの底部のみにＣｕを堆積させる。
２）  上記１）より圧力を若干高圧にして、凹部３ａの底部より少し上方でＣｕＣｌ及びＣｌ＊の供給バランスが取れる条件とし、１）で堆積したＣｕ膜の上にＣｕ膜を堆積させる。
３）  上記２）の後、さらに圧力を高圧側の条件とし、ＣｕＣｌとＣｌ＊のバランス点を凹部３ａの開口側に移動させる。このように、順次圧力を高圧側に変更していくことで、高アスペクト比の凹部３ａにＣｕ膜を堆積させることができ、開口部の閉塞を回避することができる。このときの成膜速度は例えば約０．５μｍ／ｍｉｎとする。この条件では、例えば３０μｍ深さのホールを約７５ｍｉｎで埋め込む計算となる。
４）埋め込み終了後、基板３の表面にＣｕ膜が形成しない条件（凹部３ａ内には成膜する。）で成膜処理を行なうと、表面に形成されたＣｕ膜を除去する等後工程のＣＭＰ負荷を軽減できる。
【００３５】
このように、成膜雰囲気の圧力を徐々に高くすることにより成膜反応に寄与する前駆体とエッチング反応に寄与するハロゲンラジカルとの供給バランスが取れ、成膜反応が優勢になって成膜が開始されるバランス点を徐々に凹部の開口側に移動させることができる。
【００３６】
この結果、ボイド等を含むことなく金属膜を凹部に順次堆積させて良好に充填していくことができる。すなわち、良好な埋め込み成膜を行うことができる。
【００３７】
すなわち、図３（ａ）乃至図３（ｃ）にその形成過程の横断面図として示すように、図３（ａ）に示す初期状態から、順に凹部３ａの底部から開口部（上方）に向けてＣｕ膜１６が徐々に積層されて埋め込みＣｕ膜１６が形成される。
【００３８】
上記図３（ｃ）に示す状態で成膜反応よりもエッチング反応が優勢になるような条件に制御することにより、基板３の表面へのＣｕ膜１６の付着を防止することができ、後工程のＣＭＰ処理を必要としないか、又は必要とした場合でもＣＭＰ負荷を顕著に低減することができる。
【００３９】
上述の如き実施の形態において成膜雰囲気の圧力の制御方法に特別な限定はないが、次のような方法が好適なものとして考えられる。
１）  昇降駆動手段２６により支持台２を徐々に上昇させることによりチャンバ１内の成膜雰囲気の容積が徐々に減少するように制御する。
【００４０】
２）  真空ポンプ１９によるチャンバ１内の成膜雰囲気の排気を行う排気速度を徐々に遅くなるように制御する。
【００４１】
３）  チャンバ内の成膜雰囲気の排気を行う排気系に設けたゲート弁２２の開度を徐々に開くように制御する。
【００４２】
なお、上記各実施の形態においては、作用ガスとして、Ｈｅで希釈されたＣｌ２ガスを例に挙げて説明したが、Ｃｌ２ガスを単独で用いたり、ＨＣｌガスを適用することも可能である。ＨＣｌガスを適用した場合、作用ガスプラズマはＨＣｌガスプラズマが生成されるが、銅製の被エッチング部材のエッチングにより生成される前駆体はＣｕｘＣｌｙである。したがって、作用ガスは塩素を含有するガスであればよく、ＨＣｌガスとＣｌ２ガスとの混合ガスを用いることも可能である。さらに、一般的には塩素に限らず、ハロゲンガスであれば、本発明の作用ガスとして利用することができる。
【００４３】
また、被エッチング部材は銅に限らず、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ等の高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属であれば同様に用いることができる。この場合、前駆体はＴａ，Ｔｉ，Ｗ等の塩化物（ハロゲン化物）となり、基板３の表面に生成される薄膜はＴａ，Ｔｉ，Ｗ等となる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明はＭＥＭＵＳＵ等の微細な埋め込み成膜を必要とする産業分野で有効に利用し得る。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態に係る埋め込み成膜装置の概略側断面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線矢視図である。
【図３】本発明の埋め込み成膜による成膜過程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１        チャンバ
２        支持台
３        基板
３ａ      凹部
８        プラズマアンテナ
１１      被エッチング部材
１６      Ｃｕ膜
１９      真空ポンプ
２１      作用ガス
２２      ゲート弁
２４      前駆体
２５      Ｃｌ２ガスプラズマ
２６      昇降駆動手段
【図１】
2007009282.tif 000003
【図２】
2007009282.tif 000004
【図３】
2007009282.tif 000005