(57)【要約】【課題】光検出器の受光部に対応して層間絶縁膜に開口部を設けると、開口部壁面からの吸湿により層間絶縁膜内の配線が劣化する。【解決手段】ＳＯＧ等からなる層間絶縁膜とＡｌ層とが積層された配線構造層９０の受光部５２に対応する位置をエッチバックして開口部１２０を形成した後、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜１３０を開口部１２０の側壁面及び底面に堆積する。このシリコン窒化膜１３０により配線構造層９０への湿気の進入が阻止される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の半導体基板に受光部と回路部とが隣接配置される半導体装置であって、
前記半導体基板上に積層され、前記回路部を構成する金属配線及び層間絶縁膜を含む配線構造層と、
前記受光部の位置に形成された前記配線構造層の開口部と、
前記開口部の側壁面を被覆する防湿膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記開口部は、前記配線構造層の途中までの深さを有し、
前記防湿膜は、前記開口部の前記側壁面及び底面を被覆し、
前記底面を被覆する前記防湿膜は、前記開口部から前記受光部への入射光に対する反射防止膜を兼ねること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置において、
前記防湿膜はシリコン窒化物からなること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項４】
共通の半導体基板に受光部と回路部とが隣接配置される半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体基板上に、少なくとも前記回路部に形成する金属配線と、前記半導体基板上全面に形成する層間絶縁膜とからなる配線構造層を積層する配線構造形成工程と、
前記受光部に対応する領域の前記配線構造層をエッチングして開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部の側壁面に防湿膜を堆積する防湿膜形成工程と、
を有することを特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置製造方法において、
前記配線構造形成工程に先立って、前記受光部に対応した前記半導体基板上に、前記開口部形成工程でのエッチングストッパとなる開口底部層を形成する底部層形成工程と、
前記防湿膜形成工程後、前記開口底部層上に堆積した前記防湿膜及び前記開口底部層を順次、エッチング除去する開口底部除去工程と、
を有することを特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置製造方法において、
前記底部層形成工程に先立って、前記半導体基板上に前記受光部への入射光に対する反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程を有し、
前記開口底部除去工程は、前記反射防止膜をエッチングストッパとして前記開口底部層をエッチングすること、
を特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項７】
請求項４から請求項６のいずれか１つに記載の半導体装置製造方法において、
前記防湿膜はシリコン窒化物で形成されること、
を特徴とする半導体装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共通の半導体基板に受光部と回路部とが隣接配置された半導体装置及びその製造方法に関し、特に、半導体基板上に積層された配線構造層に設けられる、受光部へ入射光を取り入れるための開口部に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報記録媒体として、ＣＤ（Compact Disk）やＤＶＤ（Digital Versatile Disk）といった光ディスクが大きな位置を占めるようになってきた。これら光ディスクの再生装置は、光ピックアップ機構により光ディスクのトラックに沿ってレーザ光を照射し、その反射光を検知する。そして、反射光強度の変化に基づいて記録データが再生される。
【０００３】
光ディスクから読み出されるデータレートは非常に高いため、反射光を検知する光検出器は、応答速度の速いＰＩＮフォトダイオードを用いた半導体素子で構成されている。当該半導体素子の受光部にて発生した微弱な光電変換信号は増幅器にて増幅され、後段の信号処理回路へ出力される。ここで、光電変換信号の周波数特性の確保やノイズの重畳を抑制する観点から、受光部と増幅器との間の配線長をできるだけ短くするように構成される。この観点と、光検出器の製造コスト低減の観点とから、受光部と増幅器等を含む回路部とは同一の半導体チップ上に形成することが好適である。
【０００４】
図７は、同一半導体基板に受光部と回路部とが隣接配置された光検出器の模式的な断面図である。受光部４に対応する領域の半導体基板２にはＰＩＮフォトダイオードの構造が形成され、回路部６に対応する領域にはトランジスタ等の回路素子が形成される。
【０００５】
図７の光検出器は２層配線構造であり、配線構造層１０として、半導体基板２上に、第１層間絶縁膜１２、第１アルミニウム（Ａｌ）層１４、第２層間絶縁膜１６、第２Ａｌ層１８、第３層間絶縁膜２０が順次積層される。第１Ａｌ層１４及び第２Ａｌ層１８はそれぞれフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングされる。例えば、第１Ａｌ層１４により配線２２及び平坦化パッド２４が回路部６に形成され、第２Ａｌ層１８により、配線２６及び平坦化パッド２８が回路部６に形成される。
【０００６】
ここで、平坦化パッド２４，２８は、それぞれ配線２２，２６の隙間に配置され、それぞれ第１Ａｌ層１４、第２Ａｌ層１８の上に積層される層間絶縁膜１６，２０の表面の凹凸を低減する。
【０００７】
回路部６の配線構造層１０の上には、遮光のためのＡｌ層３０が積層され、さらに、保護膜としてシリコン酸化膜３２及びシリコン窒化膜３４が順次積層される。
【０００８】
層間絶縁膜は、ＳＯＧ（Spin on Glass）、ＢＰＳＧ（Borophosphosilicate Glass）、ＴＥＯＳ（Tetra-ethoxy-silane）といった材料を用いて形成される。これら材料は吸湿性を有し、吸収された水分はＡｌ配線の劣化を生じ得る。その点、シリコン窒化膜は比較的に湿気を吸収しにくい性質を有し、従来、層間絶縁膜の上に堆積されるシリコン窒化膜３４はその下の層間絶縁膜への防湿膜の機能を有する。
【０００９】
さて、配線構造層１０は、受光部４の半導体基板２の上にも積層される。ちなみに、上記各Ａｌ層は受光部４においてはパターニングにより除去され、当該受光部４には層間絶縁膜１２，１６，２０等が積層される。
【００１０】
ここで、受光部４における半導体基板２への光の入射効率を高めるために、受光部４の配線構造層１０をエッチバックし、開口部３６を形成することが行われる。例えば、開口部３６の底部には、層間絶縁膜の一部の厚みだけが残され得る。このように受光部４において配線構造層１０をエッチングによって薄くすることにより、半導体基板２へ光の透過率が向上し、レーザ反射光による光電変換信号の確保が図られる。ちなみに、図７では、受光部４上に積層された各層のうちエッチングで除去される部分を点線で示した。このエッチングにて残存する層間絶縁膜によって受光部４の表面の保護層４０が形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
受光部４に対応する領域の配線構造層１０に開口部３６を形成すると、その内側に露出した層間絶縁膜から湿気が吸収される。特に、開口部３６の側壁は回路部６に隣接するため、この部分からの吸湿が配線の劣化を引き起こしやすいという問題がある。
【００１２】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、受光部に隣接して配置される回路部の配線の劣化が抑制される半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る半導体装置は、共通の半導体基板に受光部と回路部とが隣接配置されるものであって、前記半導体基板上に積層され、前記回路部を構成する金属配線及び層間絶縁膜を含む配線構造層と、前記受光部の位置に形成された前記配線構造層の開口部と、前記開口部の側壁面を被覆する防湿膜と、を有する。
【００１４】
他の本発明に係る半導体装置においては、前記開口部が、前記配線構造層の途中までの深さを有し、前記防湿膜が、前記開口部の前記側壁面及び底面を被覆し、前記底面を被覆する前記防湿膜が、前記開口部から前記受光部への入射光に対する反射防止膜を兼ねる。
【００１５】
本発明の好適な態様は、前記防湿膜はシリコン窒化物からなる半導体装置である。
【００１６】
本発明に係る半導体装置製造方法は、共通の半導体基板に受光部と回路部とが隣接配置される半導体装置を製造する方法であって、前記半導体基板上に、少なくとも前記回路部に形成する金属配線と、前記半導体基板上全面に形成する層間絶縁膜とからなる配線構造層を積層する配線構造形成工程と、前記受光部に対応する領域の前記配線構造層をエッチングして開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部の側壁面に防湿膜を堆積する防湿膜形成工程と、を有する。
【００１７】
他の本発明に係る半導体装置製造方法は、さらに、前記配線構造形成工程に先立って、前記受光部に対応した前記半導体基板上に、前記開口部形成工程でのエッチングストッパとなる開口底部層を形成する底部層形成工程と、前記防湿膜形成工程後、前記開口底部層上に堆積した前記防湿膜及び前記開口底部層を順次、エッチング除去する開口底部除去工程と、を有する。
【００１８】
上記半導体装置製造方法において、さらに、前記底部層形成工程に先立って、前記半導体基板上に前記受光部への入射光に対する反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程を設け、前記開口底部除去工程が、前記反射防止膜をエッチングストッパとして前記開口底部層をエッチングする構成とすることができる。
【００１９】
上記本発明に係る各半導体装置製造方法においては、前記防湿膜をシリコン窒化物で形成することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、配線構造層に設けた開口部の側面が防湿膜で被覆され、当該部分からの吸湿が妨げされるので、配線構造層内の金属配線の劣化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態（以下実施形態という）について、図面に基づいて説明する。
【００２２】
［第１の実施形態］
第１の実施形態は、ＣＤやＤＶＤといった光ディスクの再生装置の光ピックアップ機構に搭載される光検出器である。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る光検出器である半導体素子の概略の平面図である。本光検出器５０はシリコンからなる半導体基板に形成され、受光部５２と回路部５４とを含んで構成される。受光部５２は、例えば、２×２に配列された４つのＰＩＮフォトダイオード（ＰＤ）５６を含み、光学系から基板表面へ入射する光を２×２の４区画に分割して受光する。回路部５４は、例えば、受光部５２の周囲に配置される。回路部５４は例えば、ＣＭＯＳ５８等の回路素子を含み、これら回路素子を用いて、受光部５２からの出力信号に対する増幅回路やその他の信号処理回路を受光部５２と同一の半導体チップに形成することができる。なお、図１には示されていないが、回路部５４には、回路素子に接続される配線や受光部５２を構成する拡散層に接続される配線が配置される。これら配線は、半導体基板上に積層されるＡｌ膜をパターニングして形成される。
【００２４】
図２は、図１に示す直線Ａ−Ａ’を通り半導体基板に垂直な断面での受光部５２及び回路部５４の構造を示す模式的な断面図である。この断面には受光部５２の２つのＰＤ５６、回路部５４のＣＭＯＳ５８、及びそれらが形成された半導体基板６０上に積層される配線や層間絶縁膜等の構造が表されている。
【００２５】
本光検出器５０は、ｐ型不純物が導入されたｐ型シリコン基板であるＰ-sub層７０の一方主面に、Ｐ-sub層７０より不純物濃度が低く高比抵抗を有するエピタキシャル層７２が積層された半導体基板６０を用いて形成される。Ｐ-sub層７０は各ＰＤ５６に共通のアノードを構成し、例えば、基板裏面から接地電位を印加される。分離領域７４は、基板表面側に設けられた配線７６により接地電位を印加され、Ｐ-sub層７０と共にアノードを構成する。
【００２６】
エピタキシャル層７２は、受光部５２ではＰＤ５６のｉ層を構成する。受光部５２において、エピタキシャル層７２の表面には、上述の分離領域７４及びカソード領域７８が形成される。
【００２７】
半導体基板６０の表面にはゲート酸化膜や局所酸化膜（ＬＯＣＯＳ）を構成するシリコン酸化膜８０が形成され、ゲート酸化膜の上にはＣＭＯＳ５８を構成するＭＯＳＦＥＴ等のゲート電極８２が例えば、ポリシリコンやタングステン（Ｗ）等を用いて形成される。さらにその上を覆って基板表面にシリコン酸化膜８４が形成される。
【００２８】
ＰＤ５６及びＣＭＯＳ５８等の回路素子の構造が形成された半導体基板上には、配線構造や保護膜等の構造が形成される。本光検出器５０は２層配線構造であり、配線構造層９０として、半導体基板６０上に、第１層間絶縁膜９２、第１Ａｌ層９４、第２層間絶縁膜９６、第２Ａｌ層９８、第３層間絶縁膜１００が順次積層される。第１Ａｌ層９４及び第２Ａｌ層９８はそれぞれフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングされる。例えば、第１Ａｌ層９４により配線７６及び平坦化パッド１０２が回路部５４に形成され、第２Ａｌ層９８により、配線１０４及び平坦化パッド１０６が回路部５４に形成される。
【００２９】
ここで、平坦化パッド１０２，１０６は、それぞれ配線７６，１０４の隙間に配置され、それぞれ第１Ａｌ層９４、第２Ａｌ層９８の上に積層される層間絶縁膜９６，１００の表面の凹凸を抑制する。また、層間絶縁膜は、ＳＯＧ、ＢＰＳＧ、ＴＥＯＳといった材料を用いて形成される。
【００３０】
回路部５４の配線構造層９０の上には、遮光のためのＡｌ層１１０が積層され、さらに、保護膜としてシリコン酸化膜１１２が順次積層される。
【００３１】
ここで、受光部５２のＰＤ５６への光の入射効率を高めるために、配線構造層９０及びその上の積層をエッチバックして、受光部５２に対応する領域に開口部１２０が形成される。開口部１２０の底部には、受光部５２の半導体基板６０表面の保護層１２２として、配線構造層９０を構成する層間絶縁膜が薄く残される。このように受光部５２において配線構造層９０をエッチングし開口部１２０を設けることにより、ＰＤ５６への光の透過率が向上し、レーザ反射光による光電変換信号の振幅の確保が図られる。ちなみに、図２では、受光部５２上に積層された各層のうちエッチングで除去される部分を点線で示した。
【００３２】
本光検出器５０においては、開口部１２０の形成後、シリコン窒化膜１３０が堆積される。このシリコン窒化膜１３０は、シリコン酸化膜１１２と共に上面の保護膜を構成すると共に、側壁面及び底面に露出する層間絶縁膜を被覆する。シリコン窒化膜１３０は防湿性を有し、開口部１２０の側壁面及び底面から配線構造層９０への湿気の進入を抑制し、配線７６，１０４の劣化を防止する。
【００３３】
次に、図３を用いて、本光検出器５０の製造方法を説明する。図３は、本光検出器５０の製造方法に特徴的な開口部１２０の形成方法を説明する模式図であり、主要な工程における受光部５２近傍の模式的な断面図を示している。半導体基板６０に上述したＰＤ５６やＣＭＯＳ５８等を形成した後、配線構造層９０を積層し、さらにその上に遮光Ａｌ層１１０及びシリコン酸化膜１１２を含む上部層１４０を積層する（図３（ａ））。これらの積層は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法を用いて行うことができる。
【００３４】
次に上部層１４０の表面にフォトレジスト１４２を塗布する。フォトレジスト１４２は、フォトマスクを用いた露光等の一連のリソグラフィ工程により、受光部５２の位置に対応する部分を除去され、当該位置にフォトレジスト１４２の開口１４４が形成される（図３（ｂ））。
【００３５】
このフォトレジスト１４２をマスクとして、上部層１４０及び配線構造層９０をエッチングし、開口部１２０が形成される。このエッチングは、例えば、ドライエッチングを用いて異方的に行うことができる。開口部１２０の深さは、エッチング時間等の条件により調節可能であり、底部に保護層１２２分の層間絶縁膜が残るように制御する（図３（ｃ））。
【００３６】
フォトレジスト１４２を除去した後、シリコン窒化膜１３０を形成する。ここで、ステップカバレッジが良好な方法及び条件を採用することにより、開口部１２０の側壁面にシリコン窒化膜１３０を好適に成長させることが可能である。これにより、上部層１４０の表面と共に開口部１２０の側壁面及び底面にシリコン窒化膜１３０が形成される（図３（ｄ））。例えば、シリコン窒化膜１３０はＣＶＤ法により堆積される。
【００３７】
なお、また、開口部１２０の底面を被覆するシリコン窒化膜１３０の厚さを調節することにより、当該シリコン窒化膜１３０に、防湿膜としての機能に加え、開口部１２０の底面からＰＤ５６への入射光の反射を抑制する反射防止膜としての機能を持たせることができる。具体的には、反射防止膜としての好適なシリコン窒化膜１３０の厚みは、本光検出器５０が検出対象とするレーザ光の波長に応じて定まる。例えば、ＣＤやＤＶＤで用いられるレーザ光は７８０ｎｍ帯や６５０ｎｍ帯の波長を有する。シリコン窒化膜１３０の厚みを例えば、当該レーザ光の波長の１／４に応じた値とすることにより、反射防止の効果が得られる。
【００３８】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態は、上記第１の実施形態と同様の光検出器であり、以下、第１の実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付して説明の簡略化を図る。本光検出器の平面図は図１に示すものを援用することができる。また、図４は、図１に示す直線Ａ−Ａ’を通り半導体基板に垂直な断面での本光検出器の受光部５２及び回路部５４の構造を示す模式的な断面図である。本光検出器が第１の実施形態の光検出器５０と基本的に相違する点は、受光部５２に形成される開口部の構造にあり、以下、この点に関して説明する。
【００３９】
本光検出器の半導体基板６０の表面には、第１の実施形態と同様にゲート酸化膜やＬＯＣＯＳを構成するシリコン酸化膜８０が形成され、ゲート酸化膜の上にはＣＭＯＳ５８を構成するＭＯＳＦＥＴ等のゲート電極８２が形成される。さらにその上を覆って基板表面にシリコン酸化膜８４が形成される。
【００４０】
シリコン酸化膜８４を形成後、受光部５２に対応する位置にポリシリコン膜が形成される。後に説明するように、このポリシリコン膜は、配線構造層９０をエッチバックして受光部５２の位置に開口部２０２を形成する際のエッチングストッパとして用いられる。そのため、ポリシリコン膜は開口部２０２の開口より外側に拡張して形成される。このポリシリコン膜の形成後、第１の実施形態と同様の配線構造層９０及び上部層１４０が順次、積層される。
【００４１】
なお、配線構造層９０の下に配置された上記ポリシリコン膜は、開口部２０２の形成工程においてエッチバックされ、開口部２０２の底面に存在する部分は除去される。そのため、図４において、開口部２０２の底面部分のポリシリコン膜は既に存在せず、開口部２０２より外側への拡張部分２０４のみが残っている。
【００４２】
本光検出器５０においては、開口部２０２の側壁面に露出する層間絶縁膜を被覆するシリコン窒化膜２０６が形成される。シリコン窒化膜２０６は、シリコン窒化膜１３０と同様、開口部２０２の側壁面から配線構造層９０への湿気の進入を抑制し、配線７６，１０４の劣化を防止する。なお、シリコン酸化膜２０６はシリコン酸化膜１１２の上面及び開口部２０２の底面も覆うように形成される。
【００４３】
次に、図５及び図６を用いて、本光検出器の製造方法を説明する。図５及び図６は、本光検出器の製造方法に特徴的な開口部２０２の形成方法を説明する模式図であり、主要な工程における受光部５２近傍の模式的な断面図を示している。上述したＰＤ５６やＣＭＯＳ５８等を形成した半導体基板６０上に、シリコン酸化膜８４を成膜する（図５（ａ））。シリコン酸化膜８４は例えば、ＣＶＤ法により堆積して形成される。
【００４４】
シリコン酸化膜８４の上に、ポリシリコン膜をＣＶＤ法等により形成する。このポリシリコン膜をフォトリソグラフィ技術によりパターニングして、受光部５２に対応する位置にポリシリコン膜２１０を残す（図５（ｂ））。ポリシリコン膜２１０は、開口部２０２のエッチバックに対するエッチングストッパとしての機能を確実に果たし得るように、開口部２０２の予定開口形状に対してマージンを持たせた形状・大きさに形成される。具体的には、その形状・大きさは、開口部２０２をエッチバックする際のエッチングマスクの位置精度（目合わせ精度）や当該エッチング自体の加工精度を考慮して、ポリシリコン膜２１０まで到達した開口部２０２の開口が当該ポリシリコン膜２１０の面内に包含されるように定められる。
【００４５】
なお、受光部５２は、配線構造層９０に第１Ａｌ層９４及び第２Ａｌ層９８を含まず、また上部層１４０に遮光Ａｌ層１１０を含まないため、配線構造層９０及び上部層１４０の厚さが、回路部５４における厚さより薄くなる。ポリシリコン膜２１０の厚さは、この受光部５２と回路部５４とでの配線構造層９０及び上部層１４０の厚さの差を補うように設定することができる。これにより配線構造層９０や上部層１４０として堆積される各層が受光部５２にて窪むことを抑制し、各層の平坦性が向上する。その結果、例えば、受光部５２からの各Ａｌ層のエッチング除去や開口部２０２のエッチバックを好適に行うことが可能となる。
【００４６】
ポリシリコン膜２１０の形成後、配線構造層９０及び上部層１４０を順次、積層する（図５（ｃ））。
【００４７】
次に上部層１４０の表面にフォトレジスト１４２を塗布する。フォトレジスト１４２は、上記第１の実施形態と同様に受光部５２の位置に対応する部分を除去され、当該位置にフォトレジスト１４２の開口１４４が形成される（図５（ｄ））。
【００４８】
このフォトレジスト１４２をマスクとして、上部層１４０及び配線構造層９０をエッチングする。このエッチングは、例えば、ドライエッチングを用いて異方的に行うことができる。また、エッチングは、ポリシリコン膜２１０に対し、受光部５２における配線構造層９０を構成するＳＯＧ等の選択比が確保され、ポリシリコン膜２１０が当該エッチングのストッパとなるような種類、条件とする。このエッチングで開口部２０２はポリシリコン膜２１０の上面に到達するまで掘り下げられる（図６（ａ））。
【００４９】
さらに、フォトレジスト１４２をマスクとして用い、ポリシリコン膜２１０をエッチングする。このエッチングも、ドライエッチングを用いて異方的に行うことができるが、配線構造層９０を構成するＳＯＧ等に対する上記エッチングとはエッチャント等を変えて行われる。すなわち、ポリシリコン膜２１０のエッチングは、ポリシリコン膜２１０の下に形成されているシリコン酸化膜８４に対し選択比が確保され、シリコン酸化膜８４が当該エッチングのストッパとなるような種類、条件で行われる。このエッチングで開口部２０２はシリコン酸化膜８４の上面に到達するまで掘り下げられる（図６（ｂ））。
【００５０】
開口部２０２を形成するエッチバックが完了すると、フォトレジスト１４２を除去する。そして、例えばＣＶＤ法を用いて窒化シリコンを堆積し、上部層１４０の表面と共に開口部２０２の側壁面及び底面にシリコン窒化膜２０６を形成する（図６（ｃ））。これにより、開口部２０２の側壁面及び底面がシリコン窒化膜２０６で被覆される。
【００５１】
開口部２０２の側壁面を覆うシリコン窒化膜２０６は、上述したように、配線構造層９０への湿気の進入を抑制し、配線７６，１０４の劣化を防止する。一方、開口部２０２の底面を覆うシリコン窒化膜２０６は、開口部２０２の底面からＰＤ５６への入射光の反射を抑制する反射防止膜としての機能を有する。好適な反射防止機能を実現するシリコン窒化膜２０６の厚みは、上記第１の実施形態にて述べたように本光検出器が検出対象とするレーザ光の波長に応じて定まる。また、本構成では、ＰＤ５６の上には、シリコン酸化膜８４及びシリコン窒化膜２０６が存在し、これら両方が協同して反射防止機能を実現する。例えば、底面におけるシリコン窒化膜２０６の好適な膜厚は、シリコン窒化膜２０６の屈折率、シリコン酸化膜８４の屈折率及び膜厚に応じて定まる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施形態に係る光検出器である半導体素子の概略の平面図である。
【図２】第１の実施形態である光検出器の受光部及び回路部の構造を示す模式的な断面図である。
【図３】第１の実施形態の光検出器における開口部の形成方法を説明する模式図である。
【図４】第２の実施形態である光検出器の受光部及び回路部の構造を示す模式的な断面図である。
【図５】第２の実施形態の光検出器における開口部の形成方法を説明する模式図である。
【図６】第２の実施形態の光検出器における開口部の形成方法を説明する模式図である。
【図７】従来の光検出器の受光部及び回路部の構造を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
５０  光検出器、５２  受光部、５４  回路部、５６  ＰＩＮフォトダイオード、５８  ＣＭＯＳ、６０  半導体基板、７０  Ｐ-sub層、７２  エピタキシャル層、７４  分離領域、７６，１０４  配線、７８  カソード領域、８０，８４，１１２    シリコン酸化膜、８２  ゲート電極、９０  配線構造層、９２  第１層間絶縁膜、９４  第１Ａｌ層、９６  第２層間絶縁膜、９８  第２Ａｌ層、１００  第３層間絶縁膜、１０２，１０６  平坦化パッド、１１０  遮光Ａｌ層、１３０，２０６  シリコン窒化膜、１２０，２０２  開口部、１２２  保護層、１４０  上部層、１４２  フォトレジスト、１４４  開口、２０４  拡張部分、２１０  ポリシリコン膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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