(57)【要約】      （修正有）【課題】ＬＳＩチップに貫通孔を形成しなくても、容易におもて面側と裏面側で接続が可能な両面電極パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える。少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行なう。この複数のインナーリード部の少なくとも一部には、さらに、リードフレームの一部を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成し、そのおもて面電極の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極を他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成する。【選択図】図１
2007141994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える両面電極パッケージにおいて、
少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行い、
前記複数のインナーリード部の少なくとも一部には、さらに、リードフレームの一部を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成し、そのおもて面電極の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極を他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成した、
ことを特徴とする両面電極パッケージ。
【請求項２】
ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える両面電極パッケージにおいて、
裏面側に備えたバンプ又はランドを裏面側電極として露出させた有機基板のおもて面上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとの間で配線を行い、
前記有機基板のおもて面上には、さらに、おもて面電極として金属突起物を接続し、その金属突起物の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極を他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成した、
ことを特徴とする両面電極パッケージ。
【請求項３】
前記バンプ電極は、インクジェットあるいは印刷技術により再配線することにより、おもて面電極の頭部露出位置と異なったところに配置した請求項１又は２に記載の両面電極パッケージ。
【請求項４】
ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える両面電極パッケージの製造方法において、
少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームを多数個同時に形成し、
前記リードフレームの複数のインナーリード部の少なくとも一部には、リードフレームの一部を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成し、
それぞれのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行い、
モールド樹脂により一括封止し、
おもて面電極の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極をモールド樹脂上に露出させて、他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成した後、個片化のための切断を行う、
ことを特徴とする両面電極パッケージの製造方法。
【請求項５】
ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える両面電極パッケージの製造方法において、
裏面側に備えたバンプ又はランドを裏面側電極として露出させた有機基板を多数個同時に形成し、
前記有機基板のおもて面上にはＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとの間で配線を行い、かつ、このおもて面上には、おもて面電極として金属突起物を接続し、
モールド樹脂により一括封止し、
おもて面電極の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極をモールド樹脂上に露出させて、他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成した後、個片化のための切断を行う、
ことを特徴とする両面電極パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止して、おもて（表）面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える両面電極パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩチップの高集積化に伴い、パッケージサイズの縮小化も強く要求されており、様々な実装パッケージ構造が提案されている。近年、半導体ベアチップに貫通電極を形成して積層しようとする開発が盛んに行われている。一方、リアルサイズの両面電極パッケージもこれから製品化される可能性が高い。いずれの技術においても、従来の両面電極パッケージは常に貫通電極構造を必要としているが（特許文献１，特許文献２参照）、現在の貫通孔の絶縁方法は、高温で処理されるため半導体の実装プロセスへの適用は困難であった。このように、半導体基板への貫通孔の形成とその絶縁方法にはまだ課題が残されていて、貫通電極を必要とせずに配線することが望まれる。
【特許文献１】特開２００３−２４９６０４号公報
【特許文献２】特開２００２−１５８３１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、係る問題点を解決して、貫通電極技術を必要とすること無く、容易に両面電極パッケージを製造し、供給することを目的としている。これによって、リードフレームタイプ両面電極パッケージ、或いは多層または単層有機基板タイプ両面電極パッケージの製造を可能にして、従来の携帯電話への応用以外に各種センサー（音、磁気、圧力、等）用パッケージとしても有効となる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の両面電極パッケージは、ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える。少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行なう。この複数のインナーリード部の少なくとも一部には、さらに、リードフレームの一部を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成し、そのおもて面電極の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極を他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成する。
【０００５】
また、本発明の両面電極パッケージは、裏面側に備えたバンプ又はランドを裏面側電極として露出させた多層または単層有機基板のおもて面上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとの間で配線を行なう。この多層または単層有機基板のおもて面上には、さらに、おもて面電極として金属突起物を接続し、その金属突起物の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極を他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成する。
【０００６】
また、本発明の両面電極パッケージの製造方法は、少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームを多数個同時に形成し、このリードフレームの複数のインナーリード部の少なくとも一部には、リードフレームの一部を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成する。それぞれのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行なう。モールド樹脂により一括封止した後、おもて面電極の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極をモールド樹脂上に露出させて、他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成した後、個片化のための切断を行う。
【０００７】
また、本発明の両面電極パッケージの製造方法は、裏面側に備えたバンプ又はランドを裏面側電極として露出させた多層または単層有機基板を多数個同時に形成し、この多層または単層有機基板のおもて面上にはＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとの間で配線を行い、かつ、このおもて面上には、おもて面電極として金属突起物を接続する。モールド樹脂により一括封止した後、おもて面電極の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極をモールド樹脂上に露出させて、他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成した後、個片化のための切断を行う。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、貫通孔を形成しなくても両面電極パッケージが可能となるため、従来の携帯電話への応用以外に各種センサー（音、磁気、圧力、等）用パッケージとしても有効となる。
【０００９】
本発明によれば、チップサイズが小さくウエハレベルでは対応できない分野にも対応可能な両面電極パッケージを提供して、例えばマイク直結のＤＳＰ用パッケージや磁気センサー、圧力センサーなど処理プロセッサーのチップサイズが小さいＬＳＩに有効となる。通常のリードフレーム技術が使えるので安いコストで提供可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の両面電極パッケージについて、例示に基づき説明するが、本発明の両面電極パッケージは、単独で使用することができるだけでなく、積層して上下に位置するものを相互に接続して１つの積層型半導体装置として使用することもできる。図１は、リードフレームタイプ両面電極パッケージを例示し、（Ａ）はおもて面図を、（Ｂ）は裏面図を、（Ｃ）は、（Ａ）中のラインＸ−Ｘ’で切断した断面図をそれぞれ示している。例示のリードフレームタイプ両面電極パッケージは、おもて面側に頭部面が露出するように絞り加工により形成したおもて面電極に特徴を有している。このおもて面電極の頭部面が、外部への接続端子として機能する。
【００１１】
図１（Ｃ）の断面図に示されるように、ＬＳＩチップは、リードフレームのダイパッド上にＡｇペースト等によるダイボンド材により接着されている（チップダイボンド）。１個のＬＳＩチップを例示したが、複数のチップを積層することも可能である。リードフレームのインナーリード部と、ＬＳＩチップは、Ａｕワイヤーにより接続される（ワイヤーボンド）。このリードフレームを周囲の回路と電気的に接続するためのアウターリード部は、その先端断面が、リードフレーム裏面だけでなく（裏面アウターリード部）、側面にも露出している（側面アウターリード部）。
【００１２】
そして、本発明の特徴とするおもて面電極が、リードフレームの一部絞り加工により、インナーリード部及び（裏面或いは側面）アウターリード部の一部と一体に形成される。このように、本発明は、リードフレームの一部を加工し、三次元的に凸部を形成し、その凸部を利用して両面電極を形成する。リードフレームは、例えば、ＰｄメッキしたＣｕ合金のような金属板から、プレス加工により、多数個同時に形成される（後の工程で、この多数個同時に形成されたリードフレームが、各個片に切断される）。このプレス加工の際に、同時に、おもて面電極に相当する部分を絞り加工することができる。或いは、通常にリードフレームをプレス加工した後に、一部絞り加工をすることもできる。
【００１３】
図２は、リードフレームの一部絞り加工を説明する図であり、（Ａ）は金型が開いている状態のプレス機を、（Ｂ）は絞り加工前のリードフレームを、（Ｃ）は金型が閉じている状態のプレス機を、（Ｄ）は絞り加工後のリードフレームをそれぞれ断面図で示している。図２（Ａ）に示すように、一方の金型は、円柱或いは四角柱形などの絞り部形状を有する凸部に形成され、かつ、他方の金型には、この凸部に合致する形状の凹部が形成される。
【００１４】
図２（Ｂ）に例示したような絞り加工前のリードフレームの絞り加工部を、（Ａ）に示すように金型が開いた状態のプレス機の間に挿入して、（Ｃ）に示すようにプレスする。プレス加工後のリードフレームを、（Ｄ）に例示している。なお、（Ｂ）及び（Ｄ）において、点線矩形は、最終製品外形を仮想的に示しており、ここで（Ｂ）に例示した加工前のリードフレーム自体は、例えば、一括封止リードフレーム型パッケージ（一般的にはQFN：Quad Flat Non-lead パッケージ）に用いられるような公知の構成にすることができる。
【００１５】
図１（Ｃ）に示すように、ワイヤーボンドをした後に、リードフレームを外界からの応力、汚染から守るためにエポキシ樹脂により封止される。図３は、島形状に一括モールドした状態のリードフレーム（後述する有機多層または単層基板の場合も同様）を例示している。このときおもて面電極の頭部面がモールドおもて面にきちんと顔が出ない場合は、モールド上面の研削または研磨を行い、おもて面電極の頭部面をきちんと露出させる。
【００１６】
おもて面電極の配置のままを外部接続電極として利用してもよいが、おもて面電極の配置から、例えばエリア配置に持っていくためにインクジェットあるいはスクリーン印刷で再配置をすることもできる。このために、まず、モールドおもて面の上で、おもて面電極の頭部面に接続される再配線をインクジェット（あるいはスクリーン印刷）で実施する。図４は、１個のチップのみを取り出してモールド上面の再配線を例示する図である。
【００１７】
さらに、この再配線の上に、保護膜を塗布した後、再配線上のバンプ形成部上の保護膜に開口を設け、ここに、外部接続用のバンプ電極を形成することができる。または、バンプ電極の形成は、インクジェットにより保護膜をバンプ部以外に選択的に塗布することによって、行うことができる。これによって、おもて面電極の頭部露出位置と異なったところに電極を配置することが可能となる。
【００１８】
つぎに、チップ個片化のための切断が行われる。金属板から、多数個同時に形成されたリードフレームが、各個片に切断されることによって、製品として完成する。
【００１９】
このように、例示のパッケージは、側面配線を使わなくてもボンディングワイヤーを工夫することにより、パッケージ内部接続で両面電極が可能となる。
【００２０】
図５は、有機基板タイプの両面電極パッケージを例示し、（Ａ）はおもて面図を、（Ｂ）は裏面図を、（Ｃ）は、フリップチップ接続方式について（Ａ）中のラインＹ−Ｙ’で切断した断面図をそれぞれ示している。例示の多層または単層有機基板タイプ両面電極パッケージは、おもて面側に頭部面が露出するおもて面電極に特徴を有している。このおもて面電極の頭部面が、外部への接続端子として機能する。
【００２１】
図５（Ｃ）において、ＬＳＩチップは、有機基板に対してフリップチップボンド接続するものとして例示している。この場合、ＬＳＩチップは、多層または単層有機基板の最上層の配線パターンに、通常の技術を用いて、フリップチップボンド接続される。
【００２２】
或いは、ＬＳＩチップは、多層有機基板上にＡｇペースト等によるダイボンド材により接着して、有機基板の最上層の配線パターンとはワイヤーボンド接続方式により接続することも可能である。多層または単層有機基板の最上層の配線パターンに、ボンディングワイヤー接続電極となる金属パッド部が形成されると共に、該電極への配線が形成される。この多層または単層有機基板のおもて面の金属パッド部と、ＬＳＩチップは、図１を参照して説明したリードフレームタイプと同様に、Ａｕワイヤーにより接続される。或いは、有機基板に代えて、リードフレームとすることもできる。リードフレームは、ボンディングをする場合予め絞り加工をした突起部があるとボンディングが制約を受ける場合があり、このような場合、図１を参照して説明したようにおもて面電極を絞り加工により形成することに代えて、ボンディングを行った後に金属突起を接続（接着）することができる。
【００２３】
この有機基板の配線パターン、或いはリードフレームの所定の位置には、本発明の特徴とするおもて面電極としての金属突起物が接着され、或いは接続される。
【００２４】
また、図５（Ｃ）には、１個のＬＳＩチップを例示したが、複数のチップを積層することも可能である。多層または単層有機基板は、単層2層配線構造や複数層から成る基板の各層に、それぞれ配線パターンを形成した後これらの基板を貼り合わせ、必要に応じて各層の配線パターンを接続するためのスルーホールを形成したものである。このスルーホールの内部には導体層が形成され、この導体層が裏面側に形成された端面電極部であるランドと接続されている。即ち、スルーホールの導体層は、必ずしもそのままランドにはならない。さらに、このランドには、ハンダ材料を付着させて、外部接続用のバンプを形成することができる。このような多層または単層有機基板は、例えば、「ハンダボール」と呼ばれる小さいハンダ材料を丸めたもの（バンプ）を裏面に実装した（BGA：Ball Grid Array）一括封止有機基板として公知である。
【００２５】
おもて面電極としての金属突起物は、図５（Ｃ）の下部に拡大して示すように、単体加工により、或いは薄物カシメ積層により、例えば例示したように円柱形状に形成することができる。このようにして、例えば銅のような導電性金属から形成された金属突起物は、導電性ペースト等を用いて有機基板上の所定の位置に接続される。
【００２６】
図６は、薄物カシメ積層の製造を説明する図である。例えば銅のような所定枚数の導電性金属薄板を、所定厚さになるように積層した後、プレス機によりプレスして、円柱形状の中央部を凹ませる。これによって、積層薄板の円柱外径部の切断とカシメ積層が同時にできる。
【００２７】
図７は、有機基板タイプの１個のチップのみを取り出してモールド上面の再配線を例示する図である。おもて面電極の配置のままを外部接続電極として利用してもよいが、おもて面電極の配置から、例えばエリア配置に持っていくためにインクジェットあるいはスクリーン印刷で再配置をすることもできる。この再配線の上に、保護膜を塗布した後、再配線上のバンプ形成部上の保護膜に開口を設け、またはインクジェットにより保護膜をバンプ部以外に選択的に塗布することによって、ここに、外部接続用のバンプ電極を形成することができる。これによって、おもて面電極の頭部露出位置と異なったところに電極を配置することが可能となる。つぎに、チップ個片化のための切断が行われて、製品として完成する。このように、例示のパッケージは、側面配線を使わなくても、パッケージ内部接続で両面電極が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】リードフレームタイプ両面電極パッケージを例示し、（Ａ）はおもて面図を、（Ｂ）は裏面図を、（Ｃ）は、（Ａ）中のラインＸ−Ｘ’で切断した断面図をそれぞれ示している。
【図２】リードフレームの一部絞り加工を説明する図であり、（Ａ）は金型が開いている状態のプレス機を、（Ｂ）は絞り加工前のリードフレームを、（Ｃ）は金型が閉じている状態のプレス機を、（Ｄ）は絞り加工後のリードフレームをそれぞれ断面図で示している。
【図３】島形状に一括モールドした状態のリードフレーム或いは有機基板を例示する図である。
【図４】１個のチップのみを取り出してモールド上面の再配線を例示する図である。
【図５】有機基板タイプの両面電極パッケージを例示し、（Ａ）はおもて面図を、（Ｂ）は裏面図を、（Ｃ）は、フリップチップ接続方式について（Ａ）中のラインＹ−Ｙ’で切断した断面図をそれぞれ示している。
【図６】薄物カシメ積層の製造を説明する図である。
【図７】有機基板タイプの１個のチップのみを取り出してモールド上面の再配線を例示する図である。
【図１】
2007141994.tif 000003
【図２】
2007141994.tif 000004
【図３】
2007141994.tif 000005
【図４】
2007141994.tif 000006
【図５】
2007141994.tif 000007
【図６】
2007141994.tif 000008
【図７】
2007141994.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月2日(2006.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える両面電極パッケージにおいて、
少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行い、
前記複数のインナーリード部の少なくとも一部には、さらに、リードフレームの一部を加工することによりおもて面電極を一体に形成し、そのおもて面電極の頭部面に接続されたバンプ電極を他の基板、素子と接続するための外部接続用電極として構成し、
前記バンプ電極は、前記モールド樹脂上で再配線することにより、おもて面電極の頭部露出位置と異なったところに配置した、
ことを特徴とする両面電極パッケージ。
【請求項２】
ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える両面電極パッケージの製造方法において、
少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームを多数個同時に形成し、
前記リードフレームの複数のインナーリード部の少なくとも一部には、リードフレームの一部を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成し、
それぞれのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行い、
モールド樹脂により一括封止し、
おもて面電極の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極をモールド樹脂上に露出させて、他の基板、素子と接続するための外部接続用電極として構成した後、個片化のための切断を行う、
ことを特徴とする両面電極パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明は、係る問題点を解決して、貫通電極技術を必要とすること無く、容易に両面電極パッケージを製造し、供給することを目的としている。これによって、リードフレームタイプ両面電極パッケージの製造を可能にして、従来の携帯電話への応用以外に各種センサー（音、磁気、圧力、等）用パッケージとしても有効となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の両面電極パッケージは、ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える。少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行なう。この複数のインナーリード部の少なくとも一部には、さらに、リードフレームの一部を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成し、そのおもて面電極の頭部面に接続されたバンプ電極を他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成する。このバンプ電極は、モールド樹脂上で再配線することにより、おもて面電極の頭部露出位置と異なったところに配置する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える両面電極パッケージにおいて、
少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行い、
前記複数のインナーリード部の少なくとも一部には、さらに、リードフレームの一部を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成し、そのおもて面電極の頭部面に接続されたバンプ電極を他の基板又は素子と接続するための外部接続用電極として構成し、
前記バンプ電極は、前記モールド樹脂上で再配線することにより、おもて面電極の頭部露出位置と異なったところに配置した、
ことを特徴とする両面電極パッケージ。
【請求項２】
ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える両面電極パッケージの製造方法において、
少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームを多数個同時に形成し、
前記リードフレームの複数のインナーリード部の少なくとも一部には、リードフレームの一部を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成し、
それぞれのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行い、
モールド樹脂により一括封止し、
おもて面電極の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極をモールド樹脂上に露出させて、他の基板又は素子と接続するための外部接続用電極として構成した後、個片化のための切断を行う、
ことを特徴とする両面電極パッケージの製造方法。