(57)【要約】【課題】マスクパターンの線幅が製造誤差を有する場合も、設計値と等しい線幅を有するレジストパターンを形成可能な露光量を予測する露光システムを提供する。【解決手段】マスクパターンのマスク実測値及び試験露光量でマスクパターンの像が第１レジスト膜上に投影されたレジストパターンの投影実測値を測定する測定装置332、マスク実測値のマスクパターンの像を投影して投影実測値を得るための基準露光量をシミュレーションする基準露光量予測モジュール121、マスク実測値のマスクパターンの像を投影して設計値のレジストパターンを得るための設計露光量をシミュレーションする設計露光量予測モジュール122、試験露光量に設計露光量を掛けて基準露光量で割った補正露光量を算出する補正露光量算出モジュール123、及び補正露光量でマスクパターンの像を第２レジスト膜上に投影する露光装置3を備える。【選択図】図１
2007141949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンのマスク実測値及び試験露光量で前記マスクパターンの像が第１レジスト膜上に投影されたレジストパターンの投影実測値を測定する測定装置と、
前記マスク実測値の前記マスクパターンの像を投影して前記投影実測値を得るための基準露光量をシミュレーションする基準露光量予測モジュールと、
前記マスク実測値の前記マスクパターンの像を投影して設計値の前記レジストパターンを得るための設計露光量をシミュレーションする設計露光量予測モジュールと、
前記試験露光量に前記設計露光量を掛けて前記基準露光量で割った補正露光量を算出する補正露光量算出モジュールと、
前記補正露光量で前記マスクパターンの像を第２レジスト膜上に投影する露光装置
とを備えることを特徴とする露光システム。
【請求項２】
第１マスクパターンの第１マスク実測値を測定するステップと、
試験露光量で前記第１マスクパターンの像をレジスト膜上に投影してレジストパターンを形成するステップと、
前記レジストパターンの投影実測値を測定するステップと、
前記第１マスク実測値の前記第１マスクパターンの像を投影して前記投影実測値を得るための基準露光量をシミュレーションするステップと、
前記第１マスク実測値の前記第１マスクパターンの像を投影して設計値の前記レジストパターンを得るための設計露光量をシミュレーションするステップと、
前記試験露光量に前記設計露光量を掛けて前記基準露光量で割り、前記第１マスクパターンの像の投影に用いる補正露光量を算出するステップ
とを含むことを特徴とする露光量予測方法。
【請求項３】
前記第１マスクパターンと同一の設計寸法を有する第２マスクパターンの第２マスク実測値を測定するステップと、
前記第２マスク実測値の前記第２マスクパターンの像を投影して前記設計値の前記レジストパターンを得るための修正露光量をシミュレーションするステップ
とを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の露光量予測方法。
【請求項４】
前記補正露光量に前記修正露光量を掛けて前記設計露光量で割り、前記第２マスクパターンの像の投影に用いる変更露光量を算出するステップを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の露光量予測方法。
【請求項５】
マスクパターンのマスク実測値を測定するステップと、
第１半導体基板上に第１レジスト膜を塗布するステップと、
試験露光量で前記マスクパターンの像を前記第１レジスト膜上に投影し、第１レジストパターンを形成するステップと、
前記第１レジストパターンの投影実測値を測定するステップと、
前記マスク実測値の前記マスクパターンの像を投影して前記投影実測値を得るための基準露光量をシミュレーションするステップと、
前記マスク実測値の前記マスクパターンの像を投影して設計値の前記第１レジストパターンを得るための設計露光量をシミュレーションするステップと、
前記試験露光量に前記設計露光量を掛け、さらに前記基準露光量で割った補正露光量を算出するステップと、
第２半導体基板上に第２レジスト膜を塗布するステップと、
前記補正露光量で前記マスクパターンの像を前記第２レジスト膜上に投影し、前記設計値の第２レジストパターンを形成するステップ
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は露光装置の光学補正技術に係り、特に露光システム、露光量予測方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造におけるリソグラフィ工程においては、マスクごとに最適な露光量及び焦点位置等の露光条件を求めることが精度の高い半導体装置を製造する上で重要となる（例えば、特許文献1参照。）。しかし最適な露光条件を求める作業をしている間、半導体装置の製造ラインを稼働することはできない。また複数の露光パラメータの組み合わせを考慮する必要があるため、作業に時間がかかり、生産現場の生産効率の低下をもたらすという問題がある。さらに、マスク上のマスクパターンの線幅に製造誤差がある場合には、マスク線幅の設計値に基づいて最適な露光量を予測しても、マスクパターンの像を投影して形成されるレジストパターンの線幅に誤差が生じるという問題があった。
【特許文献１】特許第3152776号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、マスクパターンの線幅が製造誤差を有する場合も、設計値と等しい線幅を有するレジストパターンを形成可能な露光量を予測する露光システム、露光量予測方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の態様によれば、マスクパターンのマスク実測値及び試験露光量でマスクパターンの像が第１レジスト膜上に投影されたレジストパターンの投影実測値を測定する測定装置と、マスク実測値のマスクパターンの像を投影して投影実測値を得るための基準露光量をシミュレーションする基準露光量予測モジュールと、マスク実測値のマスクパターンの像を投影して設計値のレジストパターンを得るための設計露光量をシミュレーションする設計露光量予測モジュールと、試験露光量に設計露光量を掛けて基準露光量で割った補正露光量を算出する補正露光量算出モジュールと、補正露光量でマスクパターンの像を第２レジスト膜上に投影する露光装置とを備える露光システムが提供される。
【０００５】
本発明の他の態様によれば、第１マスクパターンの第１マスク実測値を測定するステップと、試験露光量で第１マスクパターンの像をレジスト膜上に投影してレジストパターンを形成するステップと、レジストパターンの投影実測値を測定するステップと、第１マスク実測値の第１マスクパターンの像を投影して投影実測値を得るための基準露光量をシミュレーションするステップと、第１マスク実測値の第１マスクパターンの像を投影して設計値のレジストパターンを得るための設計露光量をシミュレーションするステップと、試験露光量に設計露光量を掛けて基準露光量で割り、第１マスクパターンの像の投影に用いる補正露光量を算出するステップとを含む露光量予測方法が提供される。
【０００６】
本発明の更に他の態様によれば、マスクパターンのマスク実測値を測定するステップと、第１半導体基板上に第１レジスト膜を塗布するステップと、試験露光量でマスクパターンの像を第１レジスト膜上に投影し、第１レジストパターンを形成するステップと、第１レジストパターンの投影実測値を測定するステップと、マスク実測値のマスクパターンの像を投影して投影実測値を得るための基準露光量をシミュレーションするステップと、マスク実測値のマスクパターンの像を投影して設計値の第１レジストパターンを得るための設計露光量をシミュレーションするステップと、試験露光量に設計露光量を掛け、さらに基準露光量で割った補正露光量を算出するステップと、第２半導体基板上に第２レジスト膜を塗布するステップと、補正露光量でマスクパターンの像を第２レジスト膜上に投影し、設計値の第２レジストパターンを形成するステップとを含む半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、マスクパターンの線幅が製造誤差を有する場合も、設計値と等しい線幅を有するレジストパターンを形成可能な露光量を予測する露光システム、露光量予測方法、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。なお以下の示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は構成部品の配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において種々の変更を加えることができる。
【０００９】
（第1の実施の形態）
第1の実施の形態に係る露光システムは、図1に示すように、試験露光量VTで第1マスクに含まれる第1マスクパターンの一部である第1基準パターンの像を第1レジスト膜上に投影して第1レジストパターンを形成する露光装置3を有する。ここで試験露光量VTとは、設計値のマスク線幅を有する第1基準パターンの像を投影して設計値のレジスト線幅を有する第1レジストパターンを形成するために要する経験的に予測された露光量、あるいはリソグラフィシミュレーションによって予測された露光量である。さらに露光システムは、第1基準パターンのマスク線幅の第1マスク実測値及び第1レジストパターンのレジスト線幅の投影実測値を測定する測定装置332、及び中央演算処理装置(CPU)300Aを有する。CPU300Aは、基準露光量予測モジュール121、設計露光量予測モジュール122、及び補正露光量算出モジュール123を有する。基準露光量予測モジュール121は、第1マスク実測値のマスク線幅を有する第1基準パターンの像を投影して投影実測値のレジスト線幅を有する第1レジストパターンを形成するための基準露光量VSをリソグラフィシミュレーションで予測する。設計露光量予測モジュール122は、第1マスク実測値のマスク線幅を有する第1基準パターンの像を投影して設計値のレジスト線幅を有する第1レジストパターンを形成するための設計露光量VDをリソグラフィシミュレーションで予測する。補正露光量算出モジュール123は、試験露光量VTに設計露光量VDを掛け、さらに基準露光量VSで割った補正露光量VCを算出する。露光装置3は、補正露光量VCで第1基準パターンの像を第2レジスト膜上に投影する
図2に一例を示す第1マスクは、150nmのデザインルールで設計されたフォトマスクである。第1マスクは周囲を遮光領域17に囲まれたデバイスパターン領域57を有する。デバイスパターン領域57には、製造されるSRAMの集積回路パターンが描画されている。遮光領域17に設けられた第1基準パターン20aは図3に示すように複数の透光部66a, 66b, 66c, 66d, 66e, 66fを有する。透光部66a〜66fはそれぞれマスク線幅Wの間隔をおいて配置される。一例として、マスク線幅Wの設計値は600nmである。図1に示す測定装置332等でマスク線幅Wの実測値である第1マスク実測値DA1を測定し、設計値と比較することにより、第1マスクの製造誤差が評価される。図2に示す第1基準パターン20b, 20cも第1基準パターン20aと同様であるので説明は省略する。なお、以下においては第1基準パターン20aに着目して第1の実施の形態に係る露光システムを説明する。アライメントマーク26a, 26b, 26cは、第1マスクを図1及び図4に示す露光装置3のレチクルステージ15に配置する際の位置あわせに用いられる。
【００１０】
露光装置3は、図4に示すように、照明光源41、照明光源41の下部に配置される開口絞りホルダ58、照明光源41より照射された光を偏光にする偏光子59、照明光を集光する集光光学系43、集光光学系43の下部に配置されるスリットホルダ54、スリットホルダ54の下部に配置されるレチクルステージ15、レチクルステージ15の下部に配置される投影光学系42、投影光学系42の下部に配置されるウェハステージ32を備える。
【００１１】
レチクルステージ15は、レチクル用XYステージ81、レチクル用XYステージ81上部に配置されたレチクル用可動軸83a, 83b、レチクル用可動軸83a, 83bのそれぞれでレチクル用XYステージ81に接続されるレチクル用Z傾斜ステージ82を備える。レチクルステージ15にはレチクルステージ駆動部97が接続される。レチクルステージ駆動部97はレチクル用XYステージ81を水平方向に走査する。またレチクル用可動軸83a, 83bのそれぞれを垂直方向に駆動する。よって、レチクル用Z傾斜ステージ82はレチクル用XYステージ81によって水平方向に位置決めされ、かつレチクル用可動軸83a, 83bのそれぞれにより水平面に対して傾斜をつけて配置することができる。レチクル用Z傾斜ステージ82端部にはレチクル用移動鏡98が配置される。レチクル用Z傾斜ステージ82の配置位置はレチクル用移動鏡98に対向して配置されたレチクル用レーザ干渉計99で計測される。
【００１２】
ウェハステージ32は、ウェハ用XYステージ91、ウェハ用XYステージ91上部に配置されたウェハ用可動軸93a, 93b、ウェハ用可動軸93a, 93bのそれぞれでウェハ用XYステージ91に接続されるウェハ用Z傾斜ステージ92を備える。ウェハステージ32にはウェハステージ駆動部94が接続される。ウェハステージ駆動部94はウェハ用XYステージ91を水平方向に走査する。またウェハ用可動軸93a, 93bのそれぞれを垂直方向に駆動する。よって、ウェハ用Z傾斜ステージ92はウェハ用XYステージ91によって水平方向に位置決めされ、かつウェハ用可動軸93a, 93bのそれぞれにより水平面に対して傾斜をつけて配置することができる。ウェハ用Z傾斜ステージ92端部にはウェハ用移動鏡96が配置される。ウェハ用Z傾斜ステージ92の配置位置はウェハ用移動鏡96に対向して配置されたウェハ用レーザ干渉計95で計測される。
【００１３】
図1に示す測定装置332は図3に示した第1基準パターン20aを観察し、「第1マスク実測値DA1」を測定する。さらに測定装置332は、図4に示す露光装置3で第1基準パターン20aの像を第1レジスト膜上に投影し、形成される第1レジストパターンのレジスト線幅の実測値である「投影実測値」も測定する。測定装置332には原子間力顕微鏡(AFM)や走査型電子顕微鏡(SEM)等が使用可能である。
【００１４】
図１に示すCPU300Aに含まれるシミュレーションエンジン21Aは、露光装置3で投影された第1基準パターン20aの第1レジスト膜上の投影像の光強度を、複数の露光量の値を用いてフーリエ変換プログラム等を実行することにより予測する。またシミュレーションエンジン21Aは、加熱装置5による加熱後の第1レジスト膜の分子状態を予測する分子動力学シミュレーション、及び現像装置4による現像後の第1レジスト膜の表面形状を予測するストリングモデル等のリソグラフィシミュレーションを実行し、第1レジスト膜に形成される第1レジストパターンのレジスト線幅の値を複数の露光量の値を用いて予測する。さらにシミュレーションエンジン21Aは、露光量の値及び予測された第1レジストパターンのレジスト線幅の値を標本として、露光量及び第1レジストパターンのレジスト線幅のそれぞれを変数とする第1の近似関数を算出する。第1の近似関数は例えば下記(1)式で与えられ、第1の近似関数のグラフは図5に示される。
【００１５】
CD = k ×log V + a    …(1)
(1)式において、CDはレジスト線幅、k, aのそれぞれは定数、Vは露光量を表す。なおシミュレーションエンジン21Aによるシミュレーションには、後述する装置情報記憶部338から塗布装置2、露光装置3、加熱装置5、及び現像装置4の計器誤差及び機械誤差等をリソグラフィシミュレーションのパラメータとして入力可能なものを使用し、計器誤差及び機械誤差を反映する第1の近似関数を算出してもよい。
【００１６】
基準露光量予測モジュール121は、シミュレーションエンジン21Aが算出した(1)式で与えられる第1の近似関数のレジスト線幅の変数CDに投影実測値を代入し、投影実測値のレジスト線幅を有する第1レジストパターンを第1基準パターン20aで形成するための露光量である基準露光量VSを予測する。また設計露光量予測モジュール122は、シミュレーションエンジン21Aが予測した第1の近似関数のレジスト線幅の変数CDに設計値を代入し、設計値のレジスト線幅を有する第1レジストパターンを第1基準パターン20aで形成するための露光量である設計露光量VDを予測する。補正露光量算出モジュール123は、下記(2)式に示すように、試験露光量VTに設計露光量VDを掛け、さらに基準露光量VSで割った補正露光量VCを算出する。
【００１７】
VC = VT × (VD / VS)    …(2)
図1に示すCPU300Aには、塗布装置2、加熱装置5、現像装置4、及び膜厚計201がさらに接続されている。塗布装置2は半導体基板上に反射防止膜及び第1レジスト膜を塗布するための装置である。塗布装置2にはスピンコータ等が使用可能である。塗布装置2によって第1レジスト膜を塗布された半導体基板は、図4に示した露光装置3のウェハステージ32に配置される。図1に示す膜厚計201は、塗布装置2によって半導体基板上に塗布された反射防止膜及び第1レジスト膜のそれぞれの膜厚を計測する装置である。膜厚計201には分光器等が使用可能である。加熱装置5は、露光装置3で露光された半導体基板上の第1レジスト膜を露光後加熱(PEB : Post Exposure Bake)処理するための装置である。加熱装置5には、加熱温度及び加熱時間等の加熱条件を管理可能な装置が使用可能である。現像装置4は第1レジスト膜を現像するための装置である。現像装置4には、現像液濃度、温度、及び現像時間等の現像条件を管理可能な装置が使用可能である。
【００１８】
CPU300Aにはデータ記憶装置335が接続される。データ記憶装置335はマスクデータ記憶部336、工程情報記憶部339、製品情報記憶部340、装置情報記憶部338、近似関数記憶部341、及び露光量記憶部342を有する。マスクデータ記憶部336は測定装置332によって測定された第1マスク実測値DA1を保存する。工程情報記憶部339は測定装置332によって測定された第1レジストパターンの投影実測値を、使用したフォトマスクの識別名称、半導体基板のロット番号や識別子の情報と共に保存する。また工程情報記憶部339は、膜厚計201が計測した反射防止膜及び第1レジスト膜のそれぞれの膜厚実測値を、半導体基板のロット番号や識別子と共に保存する。製品情報記憶部340は、図2に示した第1マスクを用いて製造される半導体装置の製造レシピを保存する。「製造レシピ」とは、半導体装置の製造に用いられる半導体基板、反射防止膜及び第1レジスト膜等の薬液の種類、薬液の塗布条件、露光工程における開口数(NA)、コヒーレンスファクタσ、及び輪帯遮蔽率等の露光条件、PEB処理における加熱条件、現像工程において用いられる現像液の種類、濃度、現像時間等、及び第1レジストパターンのレジスト線幅の設計値の情報等からなるデータファイルである。装置情報記憶部338は、塗布装置2、露光装置3、加熱装置5、及び現像装置4のそれぞれが有する設定値に対する機械誤差あるいは計器誤差等を保存する。具体的には、塗布装置2についてはコータの回転速度誤差等を保存する。露光装置3については、図4に示す照明光源41の露光量誤差、レチクルステージ15とウェハステージ32の配置位置誤差及びレベリング精度、投影光学系42のテレセントリック光学系の精度、複屈折、透過光の強度ムラ、形状、及び収差等を保存する。図1に示す加熱装置5については内蔵される温度センサの計測誤差等を保存する。現像装置4については、内蔵される温度センサ及び濃度センサの計測誤差等を保存する。近似関数記憶部341は、シミュレーションエンジン21Aが算出する第1の近似関数を保存する。露光量記憶部342は、試験露光量VT、基準露光量予測モジュール121が予測する基準露光量VS、設計露光量予測モジュール122が予測する設計露光量VD、及び補正露光量算出モジュール123が算出する補正露光量VCを保存する。
【００１９】
図1に示すCPU300Aは、露光装置制御部253、測定装置制御部323、塗布装置制御部252、膜厚計制御部321、加熱装置制御部255、及び現像装置制御部254をさらに備える。露光装置制御部253は、製品情報記憶部340に保存されている製造レシピに従って、露光装置3に露光条件に合った露光環境を設定する。例えば、露光装置制御部253は図4に示したレチクルステージ駆動部97、ウェハステージ駆動部94を駆動させる信号を露光装置3に与え、レチクルステージ15及びウェハステージ32を移動させる。さらに露光装置制御部253は、レチクルステージ15及びウェハステージ32のそれぞれの配置位置、走査方向、及び走査速度等をレチクル用レーザ干渉計99及びウェハ用レーザ干渉計95で監視することにより、露光環境を設定する。測定装置制御部323は、測定装置332のスキャン速度、解像度、及び倍率等を設定する。塗布装置制御部252は製品情報記憶部340に保存されている製造レシピに従って薬液タンク等から塗布装置2に供給する反射防止剤やレジスト液の種類を選択し、スピンコータである塗布装置2の回転加速度、回転速度、及び回転時間等を設定する。膜厚計制御部321は膜厚計201の測定条件を設定する。加熱装置制御部255は製品情報記憶部340に保存されている製造レシピに従って加熱装置5の加熱条件を設定する。現像装置制御部254は製品情報記憶部340に保存されている製造レシピに従って現像装置4の現像条件を設定する。
【００２０】
図1に示すCPU300Aには、さらに入力装置312、出力装置313、プログラム記憶装置330、及び一時記憶装置331が接続される。入力装置312としては、キーボード、マウス等が使用可能である。出力装置313としては液晶表示装置(LCD)、発光ダイオード(LED)等によるモニタ画面等が使用可能である。プログラム記憶装置330は、CPU300Aに接続された装置間のデータ送受信等をCPU300Aに実行させるためのプログラムを保存している。一時記憶装置331は、CPU300Aの演算過程でのデータを一時的に保存する。
【００２１】
次に、第1の実施の形態に係る露光システム及び露光量予測方法を用いる半導体装置の製造方法の一部をゲート電極のパターンを形成する工程に着目して、図6に示すフローチャートを用いて説明する。なお、図1に示したCPU300Aによる演算結果は、一時記憶装置331に逐次格納される。
【００２２】
(a) ステップS100で、SRAM製造用の図2に示す第1マスクを製造する。ステップS101で、図1に示す測定装置332は図2及び図3に示す第1マスクの第1基準パターン20aのマスク線幅Wを測定する。測定装置332は、測定したマスク線幅Wの実測値を第1マスク実測値DA1として、第1基準パターン20aの第1マスク上における座標位置の情報と共に、図1に示すマスクデータ記憶部336に保存する。一例として、マスク線幅Wの設計値は600nmであり、第1マスク実測値DA1は605nmであるとする。
【００２３】
(b) ステップS102で、シリコン(Si)基板の表面にゲート酸化膜及び多結晶シリコン膜を形成し、第1半導体基板を用意する。次に塗布装置2は、製品情報記憶部340に保存されている使用反射防止膜及び使用レジストの種類、スピン速度、温度、レジスト吐出量等の塗布条件に従って、第1半導体基板上に一例として膜厚設計値60nmの反射防止膜をスピン塗布し、更に反射防止膜上に膜厚設計値300nmの化学増幅型ポジレジストである第1レジスト膜をスピン塗布する。次にステップS103で、膜厚計201は第1半導体基板に塗布された反射防止膜及び第1レジスト膜のそれぞれの膜厚実測値を測定し、膜厚実測値を第1半導体基板の識別子と共に工程情報記憶部339に保存する。
【００２４】
(c) ステップS104で、図4に示す露光装置3のレチクルステージ15に図2に示す第1マスクを配置する。さらに、ウェハステージ32にステップS101で用意した第1半導体基板を配置し、第1レジスト膜上に試験露光量VTで図3に示す第1基準パターン20aの像を縮小投影する。なお、開口数(NA)、コヒーレンスファクタσ、及び輪帯遮蔽率等の照明条件は、図1に示す製品情報記憶部340に保存されている製造レシピの一定の値を用いる。ここで露光条件としては、一例として、光源波長が193nm、開口数が0.63、輪帯照明の外側のコヒーレンスファクタσの値が0.75、及び内側のコヒーレンスファクタσの値が0.5の1/4縮小投影露光であるとする。露光装置制御部253は、試験露光量VTを露光量記憶部342に保存する。
【００２５】
(d) ステップS105で、加熱装置5は、製品情報記憶部340に保存されている製造レシピの加熱条件に従って、ステップS104で第1マスクを露光された第1レジスト膜を加熱処理する。その後、現像装置4は製品情報記憶部340に保存されている製造レシピの現像条件に従って、第1レジスト膜を現像処理し、第1半導体基板上に第1レジストパターンを形成させる。また現像装置4は第1レジスト膜の現像速度の実測値を内蔵する現像速度モニタ(DRM)等で計測し、工程情報記憶部339に保存する。
【００２６】
(e) ステップS106で、第1レジストパターンの形状を測定装置332で観察し、第1レジストパターンのレジスト線幅の投影実測値を計測する。測定装置制御部323は、投影実測値を半導体基板の識別子と共に工程情報記憶部339に保存する。ステップS107でシミュレーションエンジン21Aは、製品情報記憶部340に保存されている図4に示す露光装置3の偏光条件、開口数(NA)、コヒーレンスファクタσ、及び輪帯遮蔽率等の露光量以外の露光条件を読み出す。また予測精度を向上のために、シミュレーションエンジン21Aは装置情報記憶部338に保存されている露光装置3の照明光源41の露光量誤差、レチクルステージ15とウェハステージ32の配置位置誤差及びレベリング精度、投影光学系42のテレセントリック光学系の精度、複屈折、透過光の強度ムラ、形状、収差等を読み出す。
【００２７】
(f) ステップS108で、シミュレーションエンジン21Aは製品情報記憶部340に保存されている反射防止膜及び第1レジスト膜のそれぞれの反射率、屈折率、及び工程情報記憶部339に保存されている膜厚実測値等のレジスト特性を読み出す。ステップS109で、シミュレーションエンジン21Aは製品情報記憶部340に保存されているベーク条件、現像液濃度、現像時間等の現像条件を読み出す。またシミュレーションエンジン21Aは、工程情報記憶部339に保存されている現像速度の実測値、装置情報記憶部338に保存されている図1に示す加熱装置5の温度制御誤差、及び現像装置4の現像温度及び濃度誤差等を読み出す。ステップS110で、図1に示すシミュレーションエンジン21Aはマスクデータ記憶部336から第1マスク実測値DA1を読み出す。
【００２８】
(g) ステップS111で、シミュレーションエンジン21Aは、マスク線幅Wが第1マスク実測値DA1と等しい605nmの第1基準パターン20aの像をレジスト膜に投影し、加熱及び現像処理した場合のレジスト線幅と露光量の関係を示す上記(1)式で与えられる第1の近似関数を算出する。算出の際には、ステップS107乃至ステップS109で入力された露光条件、レジスト特性、及び現像条件を用いる。シミュレーションエンジン21Aは第1の近似関数を近似関数記憶部341に保存する。次に基準露光量予測モジュール121は近似関数記憶部341から第1の近似関数を読み出し、工程情報記憶部339から投影実測値を読み出す。その後、第1の近似関数のレジスト線幅の変数CDに投影実測値を代入し、投影実測値のレジスト線幅を有する第1レジストパターンを形成するために要する基準露光量VSを予測する。基準露光量予測モジュール121は予測した基準露光量VSを露光量記憶部342に保存する。
【００２９】
(h) ステップS112で設計露光量予測モジュール122は近似関数記憶部341から第1の近似関数を読み出し、製品情報記憶部340から第1レジストパターンのレジスト線幅の設計値を読み出す。その後、第1の近似関数のレジスト線幅の変数CDにレジスト線幅の設計値を代入し、設計値のレジスト線幅を有する第1レジストパターンを形成するために要する設計露光量VDを予測する。設計露光量予測モジュール122は予測した設計露光量VDを露光量記憶部342に保存する。ステップS113で、補正露光量算出モジュール123は、露光量記憶部342から試験露光量VT、設計露光量VD、及び基準露光量VSを読み出す。次に補正露光量算出モジュール123は、試験露光量VTに設計露光量VDを掛け、さらに基準露光量VSで割った補正露光量VCを算出する。補正露光量算出モジュール123は算出した補正露光量VCを露光量記憶部342に保存する。
【００３０】
(i) ステップS114で、Si基板表面にゲート酸化膜及び多結晶シリコン膜を形成し、第2半導体基板を用意する。第2半導体基板は、第1半導体基板と同様の特性を有する。次に塗布装置2は、製品情報記憶部340に保存されている使用反射防止膜及び使用レジストの種類、スピン速度、温度、レジスト吐出量等の塗布条件に従って、第2半導体基板上に反射防止膜をスピン塗布し、更に反射防止膜上に第2レジスト膜をスピン塗布する。第2レジスト膜の特性は第1レジスト膜と同様である。
【００３１】
(j) ステップS115で、第2半導体基板をウェハステージ32に配置する。次に図1に示す露光装置制御部253は露光量記憶部342から補正露光量VCを読み出し、露光装置3の照明光源41から照射される照明光の露光量を補正露光量VCに設定する。露光装置3は、補正露光量VCで第2レジスト膜上に図2に示す第1基準パターン20aの像を投影する。その後、図1に示す製品情報記憶部340に保存されている製造レシピに従って加熱装置5及び現像装置4で第2レジスト膜を加熱及び現像処理し、設計値のレジスト線幅を有する第2レジストパターンを第2レジスト膜に形成させる。同時に、図2に示すデバイスパターン領域57に含まれる集積回路パターンに対応する製造用レジストパターンも第2レジスト膜に形成される。
【００３２】
(k) ステップS116で、製造用レジストパターンの開口部から表出する多結晶シリコン膜を異方性エッチング法により選択的除去し、ゲート電極を第2半導体基板上に形成させる。さらに不純物イオンを半導体基板に注入後、熱処理することによりソース領域及びドレイン領域を形成させる。その後、多層配線層を半導体基板上に形成させ、半導体装置が完成する。
【００３３】
以上示した第1の実施の形態に係る露光システム及び半導体装置の製造方法によれば、第1基準パターン20aのマスク線幅Wが誤差を有する場合にも、露光量を補正することにより設計値のレジスト線幅を有する第2レジストパターンを第2レジスト膜に形成することが可能となる。そのため、設計値どおりの形状を有する半導体装置の製造が可能となり、歩留まりの向上が可能となる。従来は露光量の値を細かく振ることにより、150nmのレジスト線幅を有する第2レジストパターンを形成可能な補正露光量を実験的に求める方法があった。しかし補正露光量を実験的に求める間は露光装置3が占有されるため、露光装置3の稼働率が低下し、製造される半導体装置のコスト向上をもたらしていた。これに対し第1の実施の形態によれば、経験的に設定される試験露光量、または第1基準パターン20aが設計値と等しいマスク線幅を有すると仮定して予測される試験露光量で第1レジストパターンを一度形成した後は、CPU300Aで補正露光量が算出される。そのため、実験的に求めるよりも高速に補正露光量が算出可能であり、また露光装置3の占有時間を減らすことも可能となる。さらに補正露光量を用いて、設計値のレジスト線幅を有する第2レジストパターンを第2レジスト膜に形成することが可能となる。また、補正露光量は第1レジストパターンの実測値及び試験露光量が反映されているため、シミュレーションのみで予測される露光量に比べて信用性も高い。なお、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は図6に示した順序に限定されない。例えば、ステップS106をステップS100の次に実施してもかまわない。
【００３４】
（第1の実施の形態の変形例1）
第1の実施の形態の変形例1に係る図7に示す露光システムが図1と異なるのは、読み取り装置250がさらにCPU300Aに接続されている点である。読み取り装置250は、図8に示す第1マスクの遮光領域17に設けられた2次元バーコード等のバーコードあるいはICタグ等である標識部30に含まれる情報を読み取る装置である。ここで、標識部30には図3に示したマスク線幅Wの第1実測値DA1等の情報が記録される。図7に示す露光システムのその他の構成要素は図1と同様であるので説明は省略する。図7に示す露光システムを用いる場合、図6に示すステップS106で測定される第1マスク実測値DA1はバーコードあるいはICタグ等に記録され、図8に示すように第1マスクの遮光領域17上に標識部30として添付される。またステップS110では、第1マスクの標識部30から図7に示す読み取り装置250で第1マスク実測値DA1を読み出す。その他のステップは第1の実施の形態と同様であるので説明は省略する。
【００３５】
（第2の実施の形態）
半導体装置は、SRAMやDRAM等のそれぞれの製品群において、同一デザインルールの下、次々とマイナーチェンジが加えられるのが常である。そのため、半導体装置にマイナーチェンジが加えられる場合には、新たなフォトマスクを製造し、再度最適な露光条件を求める必要がある。また生産現場においては、製造される半導体装置自体に変更はないものの、ロットの異なるフォトマスクに交換しなければならない事態が生ずることもある。この際も、フォトマスクの製造誤差に起因する透過特性の個体差を考慮して、再度最適な露光条件を求める必要がある。第2の実施の形態においては、図2に示した第1マスクと同一デザインルールかつ同一製品群の半導体装置の製造に用いる第2マスクで設計値と等しい線幅を有するレジストパターンを形成可能な露光システム、露光量予測方法、及び半導体装置の製造方法を説明する。なお、第2マスクは第1マスクの第1基準パターン20a〜20cのそれぞれと同一の設計寸法を有する第2基準パターンを第2マスクパターンの一部として有している。
【００３６】
第2の実施の形態に係る図9に示す露光システムが図1と異なるのは、CPU300Bがシミュレーションエンジン21B、修正露光量予測モジュール125、及び変更露光量算出モジュール124を備える点である。シミュレーションエンジン21Bは、マスク線幅が第2マスク実測値DA2の第2基準パターンの像をレジスト膜に投影し、加熱及び現像処理した場合のレジスト線幅と露光量の関係を示す第2の近似関数を算出する。修正露光量予測モジュール125は第2の近似関数のレジスト線幅の変数にレジスト線幅の設計値を代入し、第2マスクで設計値のレジスト線幅を有する第1レジストパターンを形成するために要する修正露光量VAを予測する。変更露光量算出モジュール124は、下記(3)式に示すように、補正露光量VCに修正露光量VAを掛け、さらに設計露光量VDで割った変更露光量VMを算出する。
【００３７】
VM = VC × (VA / VD)    …(3)
次に、第2の実施の形態に係る露光システム及び露光量予測方法を用いる半導体装置の製造方法を、図10に示すフローチャートを用いて説明する。
【００３８】
(a) ステップS200で、図6に示した方法により補正露光量VCを算出する。ステップS201で、図2に示す第1マスクにマイナーチェンジを加えた第2マスクを製造する。ステップS202で、図1に示す測定装置332は第2マスクの第2基準パターンのマスク線幅を測定する。測定装置332は、測定したマスク線幅の実測値を第2マスク実測値DA2として、第2基準パターンの第2マスク上における座標位置の情報と共に、図9に示すマスクデータ記憶部336に保存する。一例として、第2マスク実測値DA2は602nmであるとする。
【００３９】
(b) ステップS203乃至ステップS205を、図6に示したステップS107乃至ステップS109と同様に実施する。ステップS206で、図9に示すシミュレーションエンジン21Bはマスクデータ記憶部336から第2マスク実測値DA2を読み出す。ステップS207で、シミュレーションエンジン21Bは、マスク線幅が第2マスク実測値DA2と等しい602nmの第2基準パターンの像をレジスト膜に投影し、加熱及び現像処理した場合のレジスト線幅と露光量の関係を示す第2の近似関数を算出する。算出の際には、ステップS203乃至ステップS205で入力された露光条件、レジスト特性、及び現像条件を用いる。シミュレーションエンジン21Bは第2の近似関数を近似関数記憶部341に保存する。
【００４０】
(c) ステップS207で修正露光量予測モジュール125は近似関数記憶部341から第2の近似関数を読み出し、製品情報記憶部340から第1レジストパターンのレジスト線幅の設計値を読み出す。その後、第2の近似関数のレジスト線幅の変数にレジスト線幅の設計値を代入し、設計値のレジスト線幅を有する第1レジストパターンを形成するために要する修正露光量VAを予測する。修正露光量予測モジュール125は予測した修正露光量VAを露光量記憶部342に保存する。
【００４１】
(d) ステップS208で変更露光量算出モジュール124は、露光量記憶部342から補正露光量VC、修正露光量VA、及び設計露光量VDを読み出す。次に変更露光量算出モジュール124は補正露光量VCに修正露光量VAを掛け、さらに設計露光量VDで割った変更露光量VMを算出する。変更露光量算出モジュール124は変更露光量VMを露光量記憶部342に保存する。
【００４２】
(e) ステップS209で、表面にゲート酸化膜及び多結晶シリコン膜が形成されたSi基板等の第3半導体基板を用意する。次に塗布装置2は、製品情報記憶部340に保存されている使用反射防止膜及び使用レジストの種類、スピン速度、温度、レジスト吐出量等の塗布条件に従って、第3半導体基板上に反射防止膜をスピン塗布し、更に反射防止膜上に第3レジスト膜をスピン塗布する。第3レジスト膜の特性は第1及び第2レジスト膜と同様である。
【００４３】
(f) ステップS210で、図4に示す露光装置3のレチクルステージ15に第2マスクを配置し、ウェハステージ32にステップS209で用意した第3半導体基板を配置する。次に露光装置制御部253は露光量記憶部342から変更露光量VMを読み出し、露光装置3の照明光源41から照射される照明光の露光量を変更露光量VMに設定する。露光装置3は、変更露光量VMで第3レジスト膜上に第2基準パターンの像を投影する。次に、製品情報記憶部340に保存されている製造レシピに従って加熱装置5及び現像装置4で第3レジスト膜を加熱及び現像処理し、設計値のレジスト線幅を有する第3レジストパターンを第3レジスト膜に形成させる。その後、ステップS211をステップS116と同様に実施し、半導体装置が完成する。
【００４４】
半導体装置の製造現場においては、当初第1マスクを使用していたところ、第1マスクに欠陥等が生じ、ロットの異なる第2マスクに交換する必要が生じることがある。あるいは半導体装置にマイナーチェンジが加えられ、第1マスクから第2マスクに交換する必要が生じることもある。これに対し、図9及び図10に示した露光システム及び半導体装置の製造方法によれば、第1マスクから第2マスクに交換した後も、変更露光量VMを用いることにより、第1マスクで形成される第2レジストパターンと線幅の等しい第3レジストパターンを形成することが可能となる。
【００４５】
従来においては、第1マスクから第2マスクに交換する前後でレジストパターンの寸法を揃えるためには、第2基準パターンの像を投影する際の露光量を実験的に求めていた。そのため、露光量を実験的に求めている間は、半導体装置の製造ラインは使用不可能となり、稼働率の低下をもたらす原因となっていた。これに対し、図9及び図10に示した露光システム及び半導体装置の製造方法によれば、変更露光量VMをシミュレーションエンジン21B、修正露光量予測モジュール125、及び変更露光量算出モジュール124で算出するため、その間半導体装置の製造ラインを停止する必要がなく、生産効率の向上をもたらすことが可能となる。また変更露光量VMは補正露光量VC及び第2マスク実測値DA2に基づいて算出されているため、シミュレーションエンジン21Bが予測する修正露光量VAをそのまま採用して投影する場合に比べ、より設計値に近いレジストパターンを形成することが可能となる。
【００４６】
（第3の実施の形態）
図11に示す第3の実施の形態に係る露光システムが図9と異なるのは、第1露光装置6と第2露光装置13の2台の露光装置がCPU300Cに接続されており、CPU300Cが誤差抑制露光量算出モジュール327を更に含む点である。図11に示す露光システムのその他の構成要素は、図9と同様であるので説明は省略する。また図11に示す第1露光装置6及び第2露光装置13の詳細は図4に示した露光装置3と同様であるので、説明を省略する。なお、第1露光装置6及び第2露光装置13の計測誤差及び機械誤差は装置情報記憶部338に保存される。
【００４７】
誤差抑制露光量算出モジュール327は、露光装置制御部253が設定する変更露光量VMに対して第1露光装置6で実際に照射される照明光の露光量を装置情報記憶部338から読み出し、第1実露光量S1と定義する。また誤差抑制露光量算出モジュール327は、変更露光量VMに対して第2露光装置13で実際に照射される照明光の露光量を読み出し、第2実露光量S2と定義する。誤差抑制露光量算出モジュール327は、下記(4)式に従って第2実露光量S2を第1実露光量S1で除した値を算出し、装置補正定数Aと定義する。:
A = S2 / S1     …(4)
さらに誤差抑制露光量算出モジュール327は、下記(5)式に従って変更露光量VMに装置補正定数Aを掛けた誤差抑制露光量VRを算出する。:
VR = VM ×A      …(5)
次に、第3の実施の形態に係る露光システム及び露光量予測方法を用いる半導体装置の製造方法を、図12に示すフローチャートを用いて説明する。
【００４８】
(a) ステップS300からステップS308を図10のステップS200からステップS208で説明した方法と同様に実施する。なお補正露光量VCは第1露光装置6を用いて導かれる。次に図12のステップS309で、誤差抑制露光量算出モジュール327は露光装置制御部253が設定する変更露光量VMに対して第1露光装置6で実際に照射される照明光の露光量を装置情報記憶部338から読み出し、第1実露光量S1と定義する。次に誤差抑制露光量算出モジュール327は、変更露光量VMに対して第2露光装置13で実際に照射される照明光の露光量を装置情報記憶部338から読み出し、第2実露光量S2と定義する。さらに誤差抑制露光量算出モジュール327は、(4)式に従って第2実露光量S2を第1実露光量S1で除した値を算出し、装置補正定数Aと定義する。
【００４９】
(b) ステップS310で誤差抑制露光量算出モジュール327は、(5)式に従って変更露光量VMに装置補正定数Aを乗じ、誤差抑制露光量VRを算出する。誤差抑制露光量算出モジュール327は誤差抑制露光量VRを露光量記憶部342に保存する。次にステップS311をステップS209と同様に実施する。ステップS312で第2露光装置13のレチクルステージ15に第2マスクを配置し、ウェハステージ32にステップS311で用意した第3半導体基板を配置する。次に露光装置制御部253は露光量記憶部342から誤差抑制露光量VRを読み出し、第2露光装置13の照明光源から照射される照明光の露光量を誤差抑制露光量VRに設定する。第2露光装置13は、照明光を照射して第3レジスト膜上に第2基準パターンの像を投影する。その後、ステップS313をステップS211と同様に実施し、半導体装置が完成する。
【００５０】
以上、図11及び図12に示した第3の実施の形態に係る露光システム及び半導体装置の製造方法によれば、第1マスクから第2マスクにフォトマスクを交換し、さらに使用する露光装置を図11に示す第1露光装置6から第2露光装置13に交換した場合でも、フォトマスク及び露光装置の交換前後で生じうるレジストパターンの寸法変動を抑制することが可能となる。
【００５１】
（第4の実施の形態）
図13に示す第3の実施の形態に係る露光システムが図1と異なるのは、CPU300Dがシミュレーションエンジン21D、補正係数算出モジュール156、補正率算出モジュール157、及び補正量算出モジュール158を備えている点である。図14は、マスク線幅Wとレジスト線幅を150nmに保つための露光量との関係をシミュレーションエンジン21Dで予測し、グラフにしたものである。図13に示すシミュレーションエンジン21Dは、例えば図15に示すように設計値600nmのマスク線幅を有する第1基準パターン20aの像を投影して、設計値150nmのレジスト線幅を有する第1レジストパターンを形成するための第1予測露光量V1を予測する。また図13に示すシミュレーションエンジン21Dは、設計値の近傍でΔLm変動したマスク線幅を有する第1基準パターン20aの像を投影して、設計値150nmのレジスト線幅を有する第1レジストパターンを形成するための第2予測露光量V2を予測する。
【００５２】
補正係数算出モジュール156は、下記(6)式に従って、第1予測露光量V1と第2予測露光量V2との差である露光変動量ΔVを線幅変動量ΔLmで除して比例定数Rを算出する。さらに補正係数算出モジュール156は下記(7)式に従って比例定数Rを第1予測露光量V1で除し、補正係数Cを算出する。:
R = (V1 - V2) / ΔLm     …(6)
C = R / V1      …(7)
補正率算出モジュール157は、下記(8)式に従って、第1実測値DA1と第2実測値DA2との差に補正係数Cを乗じ、補正率Fを算出する。:
F = (DA1 - DA2) × C      …(8)
補正量算出モジュール158は、下記(9)式に従って補正露光量VCに補正率Fを乗じ、露光補正量ΔVaを算出する。さらに補正量算出モジュール158は、下記(10)式に従って補正露光量VCと露光補正量ΔVaの差をとり、変更露光量VMを算出する。:
ΔVa = VC × F   …(9)
VM = VC - ΔVa  …(10)
図13に示す露光システムのその他の構成要素は図1と同様であるので、説明は省略する。次に、第4の実施の形態に係る露光システム及び露光量予測方法を用いた半導体装置の製造方法を、図16に示すフローチャートを用いて説明する。
【００５３】
(a) ステップS400で第1マスク及び第2マスクを製造した後、ステップS401からステップS403で、図6のステップS107からステップS109と同様の手順により、シミュレーションエンジン21Dは露光条件、レジスト特性、及び現像条件等を取得する。次に図16のステップS404でシミュレーションエンジン21Dは、図3に示す設計値600nmのマスク線幅Wを有する第1基準パターン20aを第1レジスト膜上に投影する場合に、設計値150nmのレジスト線幅を有する第1レジストパターンを形成するための図15に示す第1予測露光量V1を予測する。さらにシミュレーションエンジン21Dは、マスク線幅Wが設計値の600nmの近傍でΔLm(nm)変動した場合に、第1レジストパターンのレジスト線幅を150nmに保つための図15に示す第2予測露光量V2を予測する。
【００５４】
(b) ステップS405で図13に示す補正係数算出モジュール156は、(6)式に従って図15に示す第2予測露光量V2と第1予測露光量V1との差である露光変動量ΔV(mJ)を線幅変動量ΔLm(nm)で除し、比例定数R(mJ / nm)を算出する。さらにステップS406で補正係数算出モジュール156は、(7)式に従って比例定数R(mJ / nm)を図15に示す第1予測露光量V1(mJ)で除し、補正係数C(1 / nm)を算出する。一例として、算出された補正係数C(1 / nm)の値が0.3 × 10-2 (1 / nm)であるとする。
【００５５】
(c) ステップS407で補正率算出モジュール157は、マスクデータ記憶部336から第1マスク実測値DA1及び第2マスク実測値DA2を読み出す。一例として、第1マスク実測値DA1は605nmであり、第2マスク実測値DA2は602nmであるとする。ステップS408で、図13に示す補正率算出モジュール157は(8)式に従って第1マスク実測値DA1と第2マスク実測値DA2との差に補正係数C(1 / nm)を乗じ、補正率Fを求める。第1マスク実測値DA1が605nm、第2マスク実測値DA2が602nm、及び補正係数C(1 / nm)が0.3 × 10-2 (1 / nm)の場合は、補正率Fは3.9 × 10-2となる。
【００５６】
(d) ステップS409で図13に示す補正量算出モジュール158は、露光量記憶部342から補正露光量VCを読み出す。一例として、補正露光量VCは18.39mJであるとする。ステップS410で、補正量算出モジュール158は(9)式に従って補正露光量VCに補正率Fを乗じ、露光補正量ΔVaを算出する。補正露光量VCが18.39mJで補正率Fが3.9 × 10-2の場合、露光補正量ΔVaは0.72mJである。ステップS411で補正量算出モジュール158は、(10)式に従って補正露光量VCと露光補正量ΔVaの差をとり、変更露光量VMを算出する。補正露光量VCが18.39mJ、露光補正量ΔVaが0.72mJである場合、変更露光量VMは17.67mJとなる。その後、ステップS412乃至ステップS414を図10に示したステップS209乃至ステップS211と同様に実施して半導体装置が完成する。
【００５７】
以上、図13及び図16に示した第4の実施の形態に係る露光システム及び半導体装置の製造方法によれば、あらかじめステップS401からステップS406で変更露光量VMの算出に必要な補正係数Cを算出している。そのため、一度補正係数Cを算出すれば、次回のマスク交換からはステップS401からステップS406を省略することが可能となる。この場合も、ステップS407からステップS411でマスク線幅Wのマスク実測値を反映させて変更露光量VMを算出するため、レジスト線幅の精度維持が可能となる。
【００５８】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。例えば図1に示した塗布装置2、露光装置3、加熱装置5、現像装置4、測定装置332、及び膜厚計201等と、CPU300Aは遠隔地に配置され、インターネット等のコンピュータネットワークで塗布装置2、露光装置3、加熱装置5、現像装置4、測定装置332、及び膜厚計201等が管理されるものとしても良い。さらに、第1乃至第4の実施の形態においては、第1マスク実測値DA1及び第2マスク実測値DA2は第1基準パターン20a及び第2基準パターンのそれぞれのマスク線幅Wを計測して求めたが、計測対象は第1基準パターン20aに限らない。例えば、図2に示すデバイスパターン領域57に含まれる回路パターンを計測して求めてもよい。また回路パターンは光近接効果補正(OPC)されたものでもかまわない。以上示したように、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明からは妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る露光システムを示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る第１マスクの上面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る第１マスクの拡大上面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る露光装置を示す模式図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る第１の近似関数のグラフである。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る露光システムを示すブロック図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る第１マスクの上面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る露光システムを示すブロック図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る露光システムを示すブロック図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の第４の実施の形態に係る露光システムを示すブロック図である。
【図１４】本発明の第４の実施の形態に係る露光量とマスク線幅の関係を示す第１のグラフである。
【図１５】本発明の第４の実施の形態に係る露光量とマスク線幅の関係を示す第２のグラフである。
【図１６】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６０】
3…露光装置
121…基準露光量予測モジュール
122…設計露光量予測モジュール
123…補正露光量算出モジュール
332…測定装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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