(57)【要約】【課題】上下シールド層間の電気絶縁性を高め、再生特性を向上可能なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得る。【解決手段】上下シールド層間に形成した薄膜磁気ヘッド素子と、該薄膜磁気ヘッド素子の両側端面から下部シールド層上にかけて形成され、上下シールド層間の絶縁性を確保するサイドフィルギャップ層とを備えたＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、下部シールド層の上面は、トラック幅方向の中央に位置する凸部と該凸部のトラック幅方向の両側に位置する凹部とを有する非平坦面で形成し、この凸部上に上記薄膜磁気ヘッド素子を形成し、且つ、凹部内にサイドフィルギャップ層に接する埋込ギャップ層を形成した。【選択図】図１
2007141381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部シールド層と上部シールド層の間に形成された薄膜磁気ヘッド素子と；該薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅方向の両側端面から前記下部シールド層上にかけて形成され、前記下部シールド層と前記上部シールド層の絶縁性を確保するサイドフィルギャップ層と；を備え、前記薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して垂直に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部シールド層の上面は、トラック幅方向の中央に位置する凸部と該凸部のトラック幅方向の両側に位置する凹部とを有する非平坦面で形成され、この凸部上に前記薄膜磁気ヘッド素子が形成され、且つ、凹部内に前記サイドフィルギャップ層に接する埋込ギャップ層が形成されていることを特徴とするＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記埋込ギャップ層は、前記サイドフィルギャップ層よりも厚く形成されているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部シールド層の凸部は、前記薄膜磁気ヘッド素子の両側端面よりも外側に延出して前記サイドフィルギャップ層に接する延出領域を有し、この延出領域のトラック幅方向の寸法が前記薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅寸法の（１／１０）倍以上２０倍以下であるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項３記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部シールド層の延出領域の表面粗さが３０Å以下であるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部シールド層の凸部の上面と該下部シールド層の凹部内に形成された埋込ギャップ層の上面とが同一平面を構成しているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記埋込ギャップ層は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔｉ3Ｏ5、ＷＯ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＯ、ＳｉＡｌＯＮのうち１種あるいは２種以上の絶縁材料により形成されているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記サイドフィルギャップ層と前記上部シールド層の間には、該サイドフィルギャップ層側から順に積層したバイアス層とキャップ層とが介在しているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して垂直に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
下部シールド層の上に、トラック幅方向の中央に位置させて、該下部シールド層の上面のトラック幅方向の寸法を規定するリフトオフ用の第１レジストを形成する工程と、
前記第１レジストで覆われていない下部シールド層を所定深さまで除去し、前記下部シールド層の上面を、前記レジストで覆われている凸部と該凸部のトラック幅方向の両側に位置する凹部とを有する非平坦面にする工程と、
前記下部シールド層の凹部内に、埋込ギャップ層を形成する工程と、
前記第１レジストをリフトオフし、前記下部シールド層の凸部を露出させる工程と、
前記下部シールド層の凸部及び前記埋込ギャップ層の上に、薄膜磁気ヘッド素子を構成する多層膜を形成する工程と、
前記多層膜の上に、該多層膜のトラック幅寸法を規定するリフトオフ用の第２レジストを形成する工程と、
前記第２レジストで覆われていない多層膜を除去し、該除去部分に前記下部シールド層の凸部の一部と前記埋込ギャップ層を露出させるとともに、前記第２レジスト層で覆われている多層膜を薄膜磁気ヘッド素子とする工程と、
前記薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅方向の両側端面、前記露出させた下部シールド層の凸部及び埋込ギャップ層の上に、サイドフィルギャップ層、バイアス層及びキャップ層を形成する工程と、
前記第２レジストをリフトオフし、薄膜磁気ヘッド素子の上面を露出させる工程と、
前記薄膜磁気ヘッド素子と前記キャップ層の上に、前記上部シールド層を形成する工程と、
を有することを特徴とするＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記第１レジストで覆われていない下部シールド層はエッチングで削り、該エッチング角度により前記下部シールド層の凸部のトラック幅方向の両側端面の傾斜傾度を制御し、該下部シールド層の凹部内に形成される埋込ギャップ層の上面を平坦化させるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記第１レジストで覆われていない下部シールド層は、前記サイドフィルギャップ層の膜厚寸法よりも大きな深さ寸法で削り、前記埋込ギャップ層は、該埋込ギャップ層の上面と前記下部シールド層の上面とが同一平坦面を構成する膜厚で形成するＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
請求項８ないし１０のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部シールド層は、該下部シールド層の上面のトラック幅方向の寸法を前記薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅寸法よりも大きく規定して形成し、該下部シールド層の凸部のトラック幅方向の両側端面を前記薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅方向の両側端面よりも外側に位置させるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下部シールド層の凸部には、前記薄膜磁気ヘッド素子の両側端面よりも延出して前記サイドフィルギャップ層に接する延出領域を設け、この延出領域のトラック幅方向の寸法を、前記薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅方向の（１／１０）倍以上２０倍以下に規定するＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
請求項８ないし１２のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記埋込ギャップ層は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔｉ3Ｏ5、ＷＯ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＯ、ＳｉＡｌＯＮのうち１種あるいは２種以上の絶縁材料により形成するＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜厚方向（膜面に直交する方向）にセンス電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置等に搭載される薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッド素子を構成する各層の膜面に対して平行な方向にセンス電流が流れるＣＩＰ（Current In the Plane）型と、薄膜磁気ヘッド素子を構成する各層の膜面に対して垂直な方向にセンス電流が流れるＣＰＰ（Current Perpendicular to the Plane）型とに大別することができる。ＣＩＰ型薄膜磁気ヘッドは、現在製品として一般に用いられているタイプであるが、トラック幅が狭くなるにつれて出力が低下するため、今後さらに挟トラック化を進めようとすると種々の課題が生じてしまう。これに対し、ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドは、電流密度が一定に保たれていれば、トラック幅が狭くなっても出力は変化しない。このように素子出力がトラック幅寸法に依存しないＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドは、ＣＩＰ型薄膜磁気ヘッドよりも挟トラック化に適していると考えられ、近年注目を集めている。
【０００３】
図７は、従来のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド構造を示す断面図である。ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドは、下部シールド層（下部電極層）１１０と、下部シールド層１１０上に形成された薄膜磁気ヘッド素子１２０と、この薄膜磁気ヘッド素子１２０の両側領域に接して下部シールド層１１０上に形成されたサイドフィルギャップ層１４０と、このサイドフィルギャップ層１４０上に積層されたバイアス層１４１及びギャップ層１４２と、薄膜磁気ヘッド素子１２０とキャップ層１４２の上に形成された上部シールド層（上部電極層）１３０とを有している。薄膜磁気ヘッド素子１２０には、ＧＭＲ(Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ)素子やＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）が用いられている。サイドフィルギャップ層１４０は、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成され、下部シールド層１１０と上部シールド層１３０の絶縁性を確保する絶縁層である。
【０００４】
このＣＰＰ薄膜磁気ヘッドは、下部シールド層１１０及び上部シールド層１３０が電極層としても機能し、下部シールド層１１０及び上部シールド層１３０のいずれか一方から他方に向かって薄膜磁気ヘッド素子１２０膜面に直交する方向にセンス電流が流れたとき、薄膜磁気ヘッド素子１２０の磁気抵抗効果を利用して記録媒体からの漏れ磁界を検出することができる。
【特許文献１】特開２０００−１８２２２３号公報
【特許文献２】特開２００２−３５３５３８号公報
【特許文献３】特開２００１−３４４７０８号公報
【特許文献４】特開２００１−３３１９０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記ＣＣＰ型薄膜磁気ヘッドでは、素子構造上、サイドフィルギャップ層１４０を数１０Å程度と薄くせざるを得なくなっている。このため、サイドフィルギャップ層１４０にはピンホールが生じやすく、該ピンホールが原因で下部シールド層１１０と上部シールド層１３０の間で絶縁不良が発生する場合があった。下部シールド層１１０と上部シールド層１３０の間で絶縁不良が生じると、薄膜磁気ヘッド素子１２０を流れるセンス電流が減少し、再生特性が悪化してしまう。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、上下シールド層間の電気絶縁性を高め、再生特性を向上可能なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、下部シールド層とサイドフィルギャップ層の間に別の絶縁層を介在させれば上下シールド間の絶縁性を強化できること、及び、この絶縁層を下部シールド層の上面に埋め込んで設ければヘッドを大型化させずに該絶縁層の膜厚を確保できること、に着目して完成されたものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、下部シールド層と上部シールド層の間に形成された薄膜磁気ヘッド素子と；該薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅方向の両側端面から下部シールド層上にかけて形成され、下部シールド層と上部シールド層の絶縁性を確保するサイドフィルギャップ層と；を備え、薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して垂直に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、下部シールド層の上面は、トラック幅方向の中央に位置する凸部と該凸部のトラック幅方向の両側に位置する凹部とを有する非平坦面で形成され、この凸部上に薄膜磁気ヘッド素子が形成され、且つ、凹部内にサイドフィルギャップ層に接する埋込ギャップ層が形成されていることを特徴としている。
【０００９】
埋込ギャップ層は、絶縁性を十分に確保できるように、サイドフィルギャップ層よりも厚く形成する。
【００１０】
下部シールド層の凸部は、薄膜磁気ヘッド素子の両側端面よりも外側に延出してサイドフィルギャップ層に接する延出領域を有し、この延出領域のトラック幅方向の寸法が薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅寸法の（１／１０）倍以上２０倍以下であることが好ましい。この範囲内であれば、下部シールド層とサイドフィルギャップ層とが直に接している領域が極力狭められているので、サイドフィルギャップ層の欠陥による絶縁不良が発生する確率を抑えられる。
【００１１】
さらに、下部シールド層の延出領域は、その表面粗さが３０Å以下であることが好ましい。この範囲を満たしていれば、下部シールド層の上に積層されるサイドフィルギャップ層にピンホール等の欠陥が生じにくくなり、この欠陥による絶縁不良を回避できる。
【００１２】
下部シールド層の凸部の上面と該下部シールド層の凹部内に形成された埋込ギャップ層の上面とは、同一平面を構成していることが好ましい。この態様によれば、埋込ギャップ層を設けていても下部シールド層の上面の平坦性が確保され、下部シールド層の凸部及び埋込ギャップ層の上に積層形成される各層に悪影響を与えずに済む。
【００１３】
埋込ギャップ層は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔｉ3Ｏ5、ＷＯ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＯ、ＳｉＡｌＯＮのうち１種あるいは２種以上の絶縁材料により形成されていることが好ましい。
【００１４】
サイドフィルギャップ層と上部シールド層の間には、該サイドフィルギャップ層側から順に積層したバイアス層とキャップ層とが介在していることが実際的である。
【００１５】
また本発明は、製造方法の態様によれば、薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して垂直に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、下部シールド層の上に、トラック幅方向の中央に位置させて、該下部シールド層の上面のトラック幅方向の寸法を規定するリフトオフ用の第１レジストを形成する工程と、第１レジストで覆われていない下部シールド層を所定深さまで除去し、下部シールド層の上面を、レジストで覆われている凸部と該凸部のトラック幅方向の両側に位置する凹部とを有する非平坦面にする工程と、下部シールド層の凹部内に、埋込ギャップ層を形成する工程と、第１レジストをリフトオフし、下部シールド層の凸部を露出させる工程と、下部シールド層の凸部及び埋込ギャップ層の上に、薄膜磁気ヘッド素子を構成する多層膜を形成する工程と、多層膜の上に、該多層膜のトラック幅寸法を規定するリフトオフ用の第２レジストを形成する工程と、第２レジストで覆われていない多層膜を除去し、該除去部分に下部シールド層の凸部の一部と埋込ギャップ層を露出させるとともに、第２レジスト層で覆われている多層膜を薄膜磁気ヘッド素子とする工程と、薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅方向の両側端面、露出させた下部シールド層の凸部及び埋込ギャップ層の上に、サイドフィルギャップ層、バイアス層及びキャップ層を形成する工程と、第２レジストをリフトオフし、薄膜磁気ヘッド素子の上面を露出させる工程と、薄膜磁気ヘッド素子とキャップ層の上に、上部シールド層を形成する工程とを有することを特徴としている。
【００１６】
第１レジストで覆われていない下部シールド層はエッチングで削り、該エッチング角度により下部シールド層の凸部のトラック幅方向の両側端面の傾斜傾度を制御し、該下部シールド層の凹部内に形成される埋込ギャップ層の上面を平坦化させることが好ましい。
【００１７】
第１レジストで覆われていない下部シールド層は、サイドフィルギャップ層の膜厚寸法よりも大きな深さ寸法で削り、埋込ギャップ層は、該埋込ギャップ層の上面と前記下部シールド層の上面とが同一平坦面を構成する膜厚で形成する。これにより、ヘッド大型化させることなく埋込ギャップ層の膜厚を十分に確保でき、上下シールド間の絶縁性を高めることができる。
【００１８】
下部シールド層は、該下部シールド層の上面のトラック幅方向の寸法を薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅寸法よりも大きく規定して形成し、該下部シールド層の凸部のトラック幅方向の両側端面を薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅方向の両側端面よりも外側に位置させることが実際的である。より具体的には、下部シールド層の凸部には、薄膜磁気ヘッド素子の両側端面よりも延出してサイドフィルギャップ層に接する延出領域を設け、この延出領域のトラック幅方向の寸法を、薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅方向の（１／１０）倍以上２０倍以下に規定することが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、下部シールド層の上面に設けた埋込ギャップ層によってサイドフィルギャップ層の絶縁性が高まるとともに、下部シールド層とサイドフィルギャップ層が直接接する領域が低減されるので、上下シールド間の絶縁性は高まり、再生特性を向上可能なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。各図において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向（記録媒体からの洩れ磁界方向）、Ｚ方向は記録媒体の移動方向及び薄膜磁気ヘッド素子を構成する各層の積層方向である。
【００２１】
図１〜図６は、本発明によるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示している。図１は薄膜磁気ヘッド１の構造を記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【００２２】
薄膜磁気ヘッド１は、下部シールド層１０と上部シールド層３０の間に薄膜磁気ヘッド素子２０を備え、この薄膜磁気ヘッド素子２０を構成する各層の膜面に対して垂直方向（図示Ｚ方向）にセンス電流Ｉが流れたときに、薄膜磁気ヘッド素子２０の磁気抵抗効果を利用して記録媒体からの洩れ磁界を検出するＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドである。
【００２３】
薄膜磁気ヘッド素子２０には、周知のように、巨大磁気抵抗効果を発揮する巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）、トンネル巨大磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）を用いることができる。
【００２４】
下部シールド層１０及び上部シールド層３０は、薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法Ｔｗ及びハイト方向寸法ＭＲｈよりも十分に大きな面積で存在している。この下部シールド層１０及び上部シールド層３０は、例えばＮｉＦｅのような十分な磁気シールド効果が得られる軟磁性材料で形成され、磁気シールドとしての機能と薄膜磁気ヘッド素子２０に給電する電極としての機能との両方を備える。
【００２５】
下部シールド層１０と上部シールド層３０の間にはまた、薄膜磁気ヘッド素子２０の両側領域に位置させて、下部シールド層１０側から順にサイドフィルギャップ層４０、バイアス層４１及びキャップ層４２が積層形成されている。サイドフィルギャップ層４０は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の絶縁材料からなり、下部シールド層１０と上部シールド層３０の間を電気的に絶縁する。このサイドフィルギャップ層４０は、１５０Å以下のごく薄い膜厚で形成されている。バイアス層４１は、Ｃｏ−Ｐｔ合金膜やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金膜などの硬磁性材料からなり、薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅方向の両側端面２０ａに近接して該薄膜磁気ヘッド素子２０のフリー磁性層にバイアス磁界を与える。図示されていないが、バイアス層４１の直下には該バイアス層４１の特性（保磁力、角形比）を向上させるためのバイアス下地層が形成されている。キャップ層４２は、Ｔａから形成されている。
【００２６】
下部シールド層１０上にはさらに、薄膜磁気ヘッド素子２０のハイト方向奥側に位置させて、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の絶縁材料からなるバックフィルギャップ層（不図示）が形成されている。
【００２７】
以上の全体構成を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、下部シールド層１０の上面は、トラック幅方向の中央部に位置する凸部１０ａと、該凸部１０ａのトラック幅方向の両側に位置する凹部１０ｂとを有する非平坦面で形成されている。この下部シールド層１０の凸部１０ａ上には上記薄膜磁気ヘッド素子２０が形成され、下部シールド層１０の凹部１０ｂ内には、サイドフィルギャップ層４０に接する埋込ギャップ層５０が形成されている。埋込ギャップ層５０の上面と下部シールド層１０の凸部１０ａの上面は同一平面（平坦面）を構成しており、下部シールド層１０及び埋込ギャップ層５０よりも上層の平坦性は確保されている。
【００２８】
埋込ギャップ層５０は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔｉ3Ｏ5、ＷＯ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＯ、ＳｉＡｌＯＮのうち１種あるいは２種以上の絶縁材料からなり、サイドフィルギャップ層４０と共に、下部シールド層１０と上部シールド層３０の絶縁性を確保する。この埋込ギャップ層５０は、サイドフィルギャップ層４０よりも厚く形成されており、具体的にはサイドフィルギャップ層４０の膜厚の３倍以上の膜厚を有している。本実施形態の埋込ギャップ層５０は、５００Å程度の膜厚で形成されている。サイドフィルギャップ層４０は、上述したように１５０Å以下のごく薄い膜厚で形成されているため、ピンホール等の欠陥が生じている虞があるが、該サイドフィルギャップ層４０に十分な厚さの埋込ギャップ層５０が接することで、サイドフィルギャップ層４０の欠陥による絶縁不良を回避することができる。また、埋込ギャップ層５０を設けたことで、サイドフィルギャップ層４０と下部シールド層１０が直接接する領域、すなわち、サイドフィルギャップ層４０のみで絶縁性を確保する領域は狭くなり、サイドフィルギャップ層４０の欠陥による絶縁不良の発生確率が低くなる。
【００２９】
下部シールド層１０の凸部１０ａは、そのトラック幅方向の両側端面１０ｃの位置が薄膜磁気ヘッド素子２０の同方向の両側端面２０ａの位置よりも外側に延出し、サイドフィルギャップ層４０に接する延出領域を有している。この延出領域は、トラック幅方向の寸法Ｔｗ２が薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法の（１／１０）倍以上２０倍以下に規定されている。理想的には、このサイドフィルギャップ層４０と下部シールド層１０が直接接する延出領域は、存在しないことが好ましい。しかしながら、現状においては、下部シールド層１０の凸部１０ａの両側端面位置と薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅方向の両側端面位置とを高精度に揃えることが難しい。このため、下部シールド層１０の延出領域のトラック幅方向の寸法Ｔｗ２を薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法の（１／１０）倍未満にしようとすると、アライメントがとれず、下部シールド層１０側の両側端面位置が薄膜磁気ヘッド素子２０側の両側端面位置よりも内側に位置ずれしてしまう虞がある。下部シールド層１０側の両側端面位置が薄膜磁気ヘッド素子２０側の両側端面位置よりも内側にずれてしまうと、薄膜磁気ヘッド素子２０の実効的なトラック幅が小さくなり、再生特性が悪化してしまう。また、下部シールド層１０の延出領域のトラック幅方向の寸法Ｔｗ２が小さいと、該下部シールド層１０によるシールド効果が小さくなり、サイドリーディングが生じてしまう虞もある。一方、下部シールド層１０の延出領域のトラック幅方向の寸法Ｔｗ２が薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法の２０倍を超えると、下部シールド層１０がサイドフィルギャップ層４０に直に接する領域が広くなり、サイドフィルギャップ層４０の欠陥による絶縁不良の発生確率が高くなってしまう。
【００３０】
トラック幅方向の寸法Ｔｗ２が上記範囲を満たす下部シールド層１０の延出領域は、さらに、その表面粗さが３０Å以下に規定されている。この範囲内であれば、該下部シールド層１０の延出領域上に積層されるサイドフィルギャップ層４０にピンホールが生じにくく、下部シールド層１０が該延出領域でサイドフィルギャップ層４０に直に接していても絶縁性を確保することができる。
【００３１】
次に、図２〜図６を参照し、図１及び図２に示すＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１の製造方法の一実施形態について説明する。
【００３２】
先ず、図２に示すように、基板上に下部シールド層１０を全面的に成膜し、下部シールド層１０の上に、トラック幅方向の中央に位置させて、該下部シールド層１０（凸部１０ａ）の上面のトラック幅方向の寸法Ｔｗ１を規定する第１レジストＲ１を形成する。下部シールド層１０は、スパッタ法またはメッキ法を用いて、例えばＮｉＦｅ等の軟磁性材料により、約１μｍ程度の膜厚で形成する。第１レジストＲ１はリフトオフ用のレジストであり、下部シールド層１０の上面のトラック幅方向の寸法Ｔｗ１は、形成すべき薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅寸法Ｔｗよりも大きく規定される（Ｔｗ１＞Ｔｗ）。
【００３３】
次に、同図２に示すように、例えばミリング等のエッチング処理により、第１レジストＲ１で覆われていない下部シールド層１０を所定深さまで除去し、下部シールド層１０の上面を、トラック幅方向の中央に位置して第１レジストＲ１で覆われた凸部１０ａと、この凸部１０ａのトラック幅方向の両側に位置する凹部１０ｂとを有する非平坦面に形成する。このとき、凸部１０ａのトラック幅方向の両側端面１０ｃは、該凸部１０ａから凹部１０ｂに向かうにつれて下部シールド層１０のトラック幅方向の寸法を広げる傾斜面で形成する。凸部１０ａのトラック幅方向の両側端面１０ｃの傾斜角度はエッチング角度（ミリング角度）により制御可能であり、この凸部１０ａのトラック幅方向の両側端面形状によって凹部１０ｂの形状が規定される。また、第１レジストＲ１で覆われていない下部シールド層１０を除去する深さ、すなわち、凹部１０ｂの深さは、後工程で形成するサイドフィルギャップ層４０よりも厚く、好ましくはサイドフィルギャップ層４０の膜厚の３倍以上の深さに設定してある。
【００３４】
続いて、図３に示すように、第１レジストＲ１を残した状態のままで、下部シールド層１０の凹部１０ｂ内に、埋込ギャップ層５０を形成する。埋込ギャップ層５０は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔｉ3Ｏ5、ＷＯ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＯ、ＳｉＡｌＯＮのうち１種あるいは２種以上の絶縁材料を用いて、該埋込ギャップ層５０の上面と下部シールド層１０の凸部１０ａの上面とが同一平面（平坦面）を構成する膜厚で形成する。この埋込ギャップ層５０が設けられる凹部１０ｂの形状、すなわち、下部シールド層１０の凸部１０ａのトラック幅方向の両側端面１０ｃの傾斜角度を上述のように制御することで、埋込ギャップ層５０の上面を平坦に形成することができる。埋込ギャップ層５０の膜厚は、凹部１０ｂの深さとほぼ同等となり、具体的には、後工程で形成するサイドフィルギャップ層４０よりも厚く、好ましくはサイドフィルギャップ層４０の膜厚の３倍以上の膜厚となる。
【００３５】
埋込ギャップ層５０の形成後は、第１レジストＲ１をリフトオフし、図４に示すように下部シールド層１０の凸部１０ａを露出させる。
【００３６】
続いて、図５に示すように、下部シールド層１０の凸部１０ａ及び埋込ギャップ層５０の上に磁気抵抗効果を発揮する多層膜Ｍを形成し、この多層膜Ｍの上に、形成すべき薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅寸法Ｔｗを規定する第２レジストＲ２を形成する。第２レジストＲ２はリフトオフ用のレジストであり、形成すべき薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅寸法Ｔｗは、下部シールド層１０の凸部１０ａの上面のトラック幅方向の寸法Ｔｗ１よりも小さく規定される（Ｔｗ１＞Ｔｗ）。下部シールド層１０の上面のトラック幅方向の寸法Ｔｗ１は、形成すべき薄膜磁気ヘッド素子のトラック幅寸法Ｔｗよりも大きく規定される（Ｔｗ１＞Ｔｗ）。
【００３７】
第２レジストＲ２を形成したら、同図５に示すように、ミリング等のエッチング処理により、該第２レジストＲ２で覆われていない多層膜Ｍを除去し、その除去部分に、下部シールド層１０の凸部１０ａと埋込ギャップ層５０を露出させる。下部シールド層１０の凸部１０ａは、そのトラック幅方向の両側端面位置が薄膜磁気ヘッド素子２０の同方向の両側端面位置よりも延出しており、この延出領域が上記除去部分に露出することとなる。本実施形態では、凸部１０ａの延出領域のトラック幅方向の寸法Ｔｗ２が薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法Ｔｗの（１／１０）倍以上２０倍以下になるように、凸部１０ａの上面のトラック幅方向の寸法Ｔｗ１を予め規定してある。この工程により、下部シールド層１０の凸部１０ａ上に存在している多層膜（第２レジストＲ２で覆われている多層膜）Ｍが薄膜磁気ヘッド素子２０となる。
【００３８】
続いて、図６に示すように、第２レジストＲ２を残したまま、薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅方向の両側端面２０ａから上記露出させた下部シールド層１０の凸部１０ａ及び埋込ギャップ層５０にかけて、サイドフィルギャップ層４０とバイアス層４１とキャップ層４２を順に積層形成する。サイドフィルギャップ層４０は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の絶縁材料を用いて、１５０Å程度の薄い膜厚で形成する。バイアス層４１は、Ｃｏ−Ｐｔ合金膜やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金膜などの硬磁性材料で形成し、キャップ層４２はＴａから形成する。キャップ層４２の形成後は、第２レジストＲ２をリフトオフする。
【００３９】
続いて、薄膜磁気ヘッド素子２０の上に、該薄膜磁気ヘッド素子２０のハイト寸法を規定する第３レジストを形成し、この第３レジストで覆われていない薄膜磁気ヘッド素子２０をエッチング処理によって除去し、該除去部分にバックフィルギャップ層を形成する。バックフィルギャップ層の形成後は、第３レジストをリフトオフする。
【００４０】
そして、薄膜磁気ヘッド素子２０、キャップ層４２及びバックフィルギャップ層の上に、上部シールド層３０を形成する。上部シールド層３０は、スパッタ法またはメッキ法を用いて、例えばＮｉＦｅ等の軟磁性材料により、約１μｍ程度の膜厚で形成する。
【００４１】
以上の工程により、図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッド１が得られる。
【００４２】
以上では、再生用の薄膜磁気ヘッドに本発明を適用した実施形態について説明したが、本発明は、この再生用薄膜磁気ヘッドの上にさらに記録用のインダクティブヘッドを積層した録再用薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの構造を、記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【図２】同ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を、記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【図３】図２に示す工程の次工程を、記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【図４】図３に示す工程の次工程を、記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【図５】図４に示す工程の次工程を、記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【図６】図５に示す工程の次工程を、記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【図７】従来構造のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドを、記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  薄膜磁気ヘッド
１０  下部シールド層
２０  薄膜磁気ヘッド素子
３０  上部シールド層
４０  サイドフィルギャップ層（絶縁層）
４１  バイアス層
４２  キャップ層
５０  埋込ギャップ層
１１０  下部シールド層（下部電極層）
１２０  薄膜磁気ヘッド素子
１３０  上部シールド層（上部電極層）
１４０  サイドフィルギャップ層
１４１  バイアス層
１４２  ギャップ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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