(57)【要約】【課題】レーザ光照射による導電路切断の信頼度を高め、これにより、輝点又は滅点として視認された画素が表示品位に与える影響を十分に小さくする。【解決手段】本発明の方法は、光透過性を有する絶縁基板ＳＵＢと、前記絶縁基板ＳＵＢ上で配列した複数の画素ＰＸとを具備したアクティブマトリクス型表示装置の製造方法であって、前記複数の画素ＰＸの中から輝点又は滅点として視認されるものを選択する工程と、選択した前記画素ＰＸが含み且つ金属又は合金からなる導電路ＤＥに向けて前記絶縁基板ＳＵＢ側からレーザ光を照射して前記導電路ＤＥを切断する工程とを含み、前記絶縁基板ＳＵＢと前記導電路ＤＥとの間であって前記導電路ＤＥを切断すべき位置にアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる修復用光吸収層ＬＡを形成しておくことを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上で配列した複数の画素とを具備し、前記複数の画素の各々は、金属又は合金からなる導電路と、絶縁基板と前記導電路との間に介在したアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる修復用光吸収層とを含んだことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素の一部において、前記導電路は前記修復用光吸収層に対応した位置で切断されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の画素の一部において、前記導電路が切断されると共に、前記導電路が切断された位置で前記修復用光吸収層が切断されているか又は開口していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記導電路を切断すべき位置において、前記修復用光吸収層は、前記導電路と比較して、前記導電路の幅方向に平行な寸法がより大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
光透過性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上で配列した複数の画素回路とを具備し、前記複数の画素回路の各々は、金属又は合金からなる導電路と、絶縁基板と前記導電路との間に介在したアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる修復用光吸収層とを含んだことを特徴とするアレイ基板。
【請求項６】
光透過性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上で配列した複数の画素とを具備したアクティブマトリクス型表示装置の製造方法であって、
前記複数の画素の中から輝点又は滅点として視認されるものを選択する工程と、
選択した前記画素が含み且つ金属又は合金からなる導電路に向けて前記絶縁基板側からレーザ光を照射して前記導電路を切断する工程とを含み、
前記絶縁基板と前記導電路との間であって前記導電路を切断すべき位置にアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる修復用光吸収層を形成しておくことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、アレイ基板及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置では、駆動電流がばらつくと、輝度むら等の画質不良が生じる。それゆえ、この表示装置でアクティブマトリクス駆動方式を採用した場合には、駆動電流の大きさを制御する駆動制御素子の特性が各画素間でほぼ同一であることが要求される。しかしながら、この表示装置では、通常、駆動制御素子をガラス基板などの絶縁体上に形成するため、その特性にばらつきを生じ易い。
【０００３】
以下の特許文献１には、カレントコピー型の回路を画素回路に採用した有機ＥＬ表示装置が記載されている。このカレントコピー型の画素回路は、駆動制御素子であるｎチャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、キャパシタと、出力制御スイッチと、映像信号供給制御スイッチと、ダイオード接続スイッチとを含んでいる。
【０００４】
駆動制御素子のソースは低電位の第１電源線に接続されており、キャパシタは駆動制御素子のゲートと第１電源線との間に接続されている。出力制御スイッチは駆動制御素子のドレインと有機ＥＬ素子の陰極との間に接続されており、有機ＥＬ素子の陽極はより高電位の第２電源線に接続されている。映像信号供給制御スイッチは駆動制御素子のドレインと映像信号線との間に接続されており、ダイオード接続スイッチは駆動制御素子のドレインとゲートとの間に接続されている。
【０００５】
このカレントコピー型の画素回路を含んだ画素には、書込期間において、映像信号を電流信号Ｉsigとして供給する。書込期間に続く保持期間では、電流Ｉsigとほぼ等しい大きさの駆動電流が、駆動制御素子のドレインとソースとの間に流れる。それゆえ、駆動制御素子の閾値Ｖthだけでなく移動度や寸法などが駆動電流に与える影響も排除することができる。
【０００６】
ところで、アクティブマトリクス駆動方式の表示装置では、画素内での断線や短絡などに起因して、一部の画素が輝点又は滅点として視認されることがある。この場合、輝点又は滅点として視認される画素内の導電路をレーザ光照射によって切断すると、これら画素が表示品位に与える影響を小さくすることができる。
【０００７】
しかしながら、レーザ光照射によって金属又は合金からなる導電路を切断することは難しく、輝点又は滅点として視認された画素の一部又は全てにおいて、導電路の側面近傍の部分が切断されないまま残ってしまうことがある。この場合、先の画素が表示品位に与える影響を十分に小さくすることができない。
【特許文献１】米国特許第６３７３４５４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、レーザ光照射による導電路切断の信頼度を高め、これにより、輝点又は滅点として視認された画素が表示品位に与える影響を十分に小さくすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１側面によると、光透過性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上で配列した複数の画素とを具備し、前記複数の画素の各々は、金属又は合金からなる導電路と、絶縁基板と前記導電路との間に介在したアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる修復用光吸収層とを含んだことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置が提供される。
【００１０】
本発明の第２側面によると、光透過性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上で配列した複数の画素回路とを具備し、前記複数の画素回路の各々は、金属又は合金からなる導電路と、絶縁基板と前記導電路との間に介在したアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる修復用光吸収層とを含んだことを特徴とするアレイ基板が提供される。
【００１１】
本発明の第３側面によると、光透過性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上で配列した複数の画素とを具備したアクティブマトリクス型表示装置の製造方法であって、前記複数の画素の中から輝点又は滅点として視認されるものを選択する工程と、選択した前記画素が含み且つ金属又は合金からなる導電路に向けて前記絶縁基板側からレーザ光を照射して前記導電路を切断する工程とを含み、前記絶縁基板と前記導電路との間であって前記導電路を切断すべき位置にアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる修復用光吸収層を形成しておくことを特徴とする方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、レーザ光照射による導電路切断の信頼度を高め、これにより、輝点又は滅点として視認された画素が表示品位に与える影響を十分に小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す平面図である。図３は、図２に示す構造のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。なお、図３では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。また、図２には、表示面側から見た画素の構造を描いている。
【００１５】
この表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、例えば、ガラス基板などの光透過性を有する絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。
【００１６】
基板ＳＵＢ上には、図３に示すように、アンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。
【００１７】
アンダーコート層ＵＣ上では、例えばソース及びドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層ＳＣが配列している。さらに、アンダーコート層ＵＣ上では、アモルファスシリコン又はポリシリコンからなる修復用光吸収層ＬＡが配列している。
【００１８】
半導体層ＳＣ及び修復用光吸収層ＬＡは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成され得る。
【００１９】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、ゲートＧが配列している。半導体層ＳＣとゲートＧとゲート絶縁膜ＧＩとは、トップゲート型のＴＦＴを構成している。この例では、これらＴＦＴは、ｐチャネルＴＦＴであり、図１及び図２の画素ＰＸが含む駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷ１乃至ＳＷ３として利用している。
【００２０】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１と図２とに示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２並びに図２に示す電極Ｅ１がさらに配置されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２並びに電極Ｅ１は、ゲートＧと同一の工程で形成可能である。
【００２１】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、図１及び図２に示すように、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。
【００２２】
電極Ｅ１は、駆動制御素子ＤＲのゲートＧに接続されている。電極Ｅ１は、後述するキャパシタＣの一方の電極として利用する。
【００２３】
ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲートＧ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに電極Ｅ１は、図３に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる。この層間絶縁膜ＩＩのうち電極Ｅ１上の部分は、キャパシタＣの誘電体層として利用する。
【００２４】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図２と図３とに示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥ、図１と図２とに示す映像信号線ＤＬ及び電源線ＰＳＬ、並びに図３に示す電極Ｅ２が配置されている。これらは、同一工程で形成可能であり、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。
【００２５】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース及びドレインに電気的に接続されている。各画素ＰＸにおいて、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥの少なくとも１つは、修復用光吸収層ＬＡと向き合っている。ここでは、一例として、後述する画素電極ＰＥに接続されたドレイン電極ＤＥが修復用光吸収層ＬＡと向き合っていることとする。
【００２６】
映像信号線ＤＬは、図１及び図２に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。
【００２７】
電源線ＰＳＬは、この例では、図２に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２８】
電極Ｅ２は、電源線ＰＳＬに接続されている。電極Ｅ２は、キャパシタＣの他方の電極として利用する。
【００２９】
ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、及び電極Ｅ２は、図３に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxなどからなる。
【００３０】
パッシベーション膜ＰＳ上には、図３に示すように、前面電極として、光透過性の画素電極ＰＥが互いから離間して並置されている。各画素電極ＰＥは、図２及び図３に示すように、パッシベーション膜ＰＳに設けた貫通孔を介して、スイッチＳＷ１のドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００３１】
画素電極ＰＥは、この例では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などの透明導電性酸化物を使用することができる。
【００３２】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、図３に示す隔壁絶縁層ＰＩが配置されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００３３】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００３４】
画素電極ＰＥ上には、活性層として、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが配置されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００３５】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、背面電極である対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された共通電極であり、この例では光反射性の陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥで構成されている。
【００３６】
各画素ＰＸは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと画素回路とを含んでいる。この例では、画素回路は、図１及び図２に示すように、駆動制御素子ＤＲと、出力制御スイッチＳＷ１と、映像信号供給制御スイッチＳＷ２と、ダイオード接続スイッチＳＷ３と、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷ１乃至ＳＷ３はｐチャネルＴＦＴである。また、この例では、映像信号供給制御スイッチＳＷ２とダイオード接続スイッチＳＷ３とは、駆動制御素子ＤＲのドレインと映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのゲートとの接続状態を、それらが互いに接続された第１状態と、それらが互いから遮断された第２状態との間で切り替えるスイッチ群を構成している。
【００３７】
駆動制御素子ＤＲと出力制御スイッチＳＷ１と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３８】
出力制御スイッチＳＷ１のゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。映像信号供給制御スイッチＳＷ２は映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷ３は駆動制御素子ＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。キャパシタＣは、駆動制御素子ＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。
【００３９】
なお、この有機ＥＬ表示装置のうち絶縁基板ＳＵＢから画素電極ＰＥまでの構造がアレイ基板に相当している。アレイ基板は、隔壁絶縁層ＰＩをさらに含むことができる。また、アレイ基板は、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲをさらに含むことができる。
【００４０】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。そして、或る画素ＰＸに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷ１を開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷ２及びＳＷ３を閉じる走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先の画素ＰＸが接続された映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力し、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷ２及びＳＷ３を開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷ１を閉じる走査信号を電圧信号として出力する。
【００４１】
スイッチＳＷ１を閉じている有効表示期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【００４２】
この表示装置は、例えば、以下の方法により製造する。  
まず、通常の方法により、図１乃至図３に示す構造を作製する。次に、修復工程を実施する。
【００４３】
修復工程では、まず、画素ＰＸの中から、輝点又は滅点として視認され得るものを選択する。ここでは、一例として、輝点として視認される画素ＰＸを選択することとする。
【００４４】
次に、選択した画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと接続されたドレイン電極ＤＥを断線させる。具体的には、そのドレイン電極ＤＥと向き合った修復用光吸収層ＬＡに基板ＳＵＢ側からレーザ光を照射する。
【００４５】
修復用光吸収層ＬＡは、ドレイン電極ＤＥと比較して光吸収率がより高い。そのため、修復用光吸収層ＬＡのレーザ光照射部の温度は、速やかに上昇する。
【００４６】
修復用光吸収層ＬＡが切断されると、レーザ光はドレイン電極ＤＥに到達可能となる。ドレイン電極ＤＥは、レーザ光照射によって発熱すると共に、修復用光吸収層ＬＡのレーザ光照射部からの熱伝導によって加熱される。それゆえ、ドレイン電極ＤＥのレーザ光照射部は、その全体が十分に高い温度に加熱される。さらに、条件によっては、修復用光吸収層ＬＡのレーザ光照射部でシリコンが気化する。したがって、この方法によると、ドレイン電極ＤＥを高い信頼度で切断することができる。
【００４７】
選択した画素ＰＸにおいて先のドレイン電極ＤＥを切断すると、その画素ＰＸが含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは有効表示期間において発光しない。したがって、この画素ＰＸが輝点として視認されることはない。それゆえ、先の修復を行うと、画像中に輝点が現れるのを防止可能となる。
【００４８】
図４は、図２の画素に修復を施した後の構造を概略的に示す平面図である。  
上記の通り、本態様では、輝点又は滅点として視認され得る画素ＰＸを選択し、その画素ＰＸにおいてドレイン電極ＤＥを切断する。また、本態様では、そのドレイン電極ＤＥを切断するために、修復用光吸収層ＬＡにレーザ光を照射する。したがって、一部の画素ＰＸでは、ドレイン電極ＤＥが切断され、さらに、このドレイン電極ＤＥの切断位置で修復用光吸収層ＬＡも切断されているか又は開口している。
【００４９】
図５は、比較例に係る表示装置の構造を概略的に示す平面図である。図６は、図５の画素に修復を施した後の構造を概略的に示す平面図である。
【００５０】
比較例に係る表示装置は、修復用光吸収層ＡＬを省略したこと以外は、図１乃至図３を参照しながら説明した表示装置と同様の構造を有している。この表示装置は修復用光吸収層ＡＬを含んでいないので、先の修復を行うべく、ドレイン電極ＤＥにレーザ光を照射しても、修復用光吸収層ＬＡからドレイン電極ＤＥへの熱伝導や修復用光吸収層ＬＡのレーザ光照射部におけるシリコンの気化は生じない。そのため、特にドレイン電極ＤＥの側面近傍において温度上昇が不十分となる。その結果、図６に示すように、ドレイン電極ＤＥの側面近傍の部分が切断されないまま残ってしまうことがある。この場合、先の画素ＰＸが表示品位に与える影響を十分に小さくすることができない。
【００５１】
このように、本態様によると、修復用光吸収層ＬＡを省略した場合と比較して、レーザ光照射によるドレイン電極ＤＥの切断信頼度を高めることができる。したがって、輝点又は滅点として視認された画素ＰＸが表示品位に与える影響を十分に小さくすることができる。
【００５２】
上記の修復では、レーザ光の波長は、修復用光吸収層ＬＡの材料に応じて適宜設定する。レーザ光としては、例えば、ＹＡＧレーザの第二高調波や第三高調波などを使用することができる。
【００５３】
典型的には、ドレイン電極ＤＥを切断すべき位置において、修復用光吸収層ＬＡは、ドレイン電極ＤＥと比較して、ドレイン電極ＤＥの幅方向に平行な寸法がより大きい。こうすると、修復用光吸収層ＬＡの寸法がドレイン電極ＤＥの幅以下である場合と比較して、ドレイン電極ＤＥを切断する信頼性がより高くなる。
【００５４】
本態様では、画素電極ＰＥに接続されたドレイン電極ＤＥを切断したが、他のドレイン電極ＤＥ又はソース電極ＳＥを切断してもよい。また、１つの画素ＰＸにおいて、複数個所で導電路を切断してもよい。
【００５５】
本態様では、画素ＰＸに映像信号として電流信号を書き込む構成を採用した場合を例に説明したが、先の技術は、画素ＰＸに映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用した場合にも適用可能である。また、本態様では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例示したが、先の技術は、液晶表示装置などの他のアクティブマトリクス型表示装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す平面図。
【図３】図２に示す構造のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図。
【図４】図２の画素に修復を施した後の構造を概略的に示す平面図。
【図５】比較例に係る表示装置の構造を概略的に示す平面図。
【図６】図５の画素に修復を施した後の構造を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【００５７】
Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＲ…駆動制御素子、Ｅ１…電極、Ｅ２…電極、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＬＡ…修復用光吸収層、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷ１…スイッチ、ＳＷ２…スイッチ、ＳＷ３…スイッチ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
2007155818.tif 000003
【図２】
2007155818.tif 000004
【図３】
2007155818.tif 000005
【図４】
2007155818.tif 000006
【図５】
2007155818.tif 000007
【図６】
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