(57)【要約】      （修正有）【課題】複数段の有機層を持つ有機半導体を効率的に、かつ、一部の故障が発生しても、ライン停止することなく生産を継続でき、かつ、任意の段数の有機半導体を製造する方法及び装置を提供する。【解決手段】複数段の有機層を持つ有機ＥＬパネルを製造する方法であって、電荷発生層蒸着室１、正孔注入層蒸着室２、正孔輸送層蒸着室３、発光層蒸着室４、電子注入層蒸着室５及びＡＬ蒸着室６よりなる蒸着処理ラインを並列に配置し、そのうちの一の蒸着処理ラインの入口からその出口へ基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第１段目の有機層ユニットを成膜した後、該基板を前記一の蒸着処理ラインの出口からバイパスライン８，９により搬出して並列に配置された蒸着処理ラインのうちの他の前記蒸着処理ラインの入口へ搬入し、更に、当該他の蒸着処理ラインの入口からその出口へ前記基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第２段目の有機層を成膜する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数段の有機層ユニットを持つ有機半導体を製造する方法であって、並列に配置された蒸着処理ラインのうちの一の蒸着処理ラインの入口からその出口へ基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第１段目の有機層ユニットを成膜した後、該基板を一の前記蒸着処理ラインの出口からバイパス機構により搬出して並列に配置された蒸着処理ラインのうちの他の蒸着処理ラインの入口へ搬入し、更に、他の前記蒸着処理ラインの入口からその出口へ前記基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第２段目の有機層ユニットを成膜することを特徴とする有機半導体製造方法。
【請求項２】
複数段の有機層ユニットを持つ有機半導体を製造する方法であって、並列に配置された蒸着処理ラインのうちの一の蒸着処理ラインの入口からその出口へ基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第１段目の有機層ユニットを成膜した後、該基板を一の前記蒸着処理ラインの出口から多関節ロボットにより搬出して並列に配置された蒸着処理ラインのうちの他の蒸着処理ラインの入口へ搬入し、更に、他の前記蒸着処理ラインの入口からその出口へ前記基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第２段目の有機層ユニットを成膜することを特徴とする有機半導体製造方法。
【請求項３】
複数段の有機層ユニットを持つ有機半導体を製造する方法であって、並列に配置された蒸着処理ラインのうちの一の蒸着処理ラインの入口からその出口へ基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第１段目の有機層ユニットを成膜した後、該基板を一の前記蒸着処理ラインの出口からバイパスラインへ多関節ロボットにより搬出して、該バイパスラインで前記基板を搬送し、並列に配置された蒸着処理ラインのうちの他の蒸着処理ラインの入口へ多関節ロボットにより搬入し、更に、他の前記蒸着処理ラインの入口からその出口へ前記基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第２段目の有機層ユニットを成膜することを特徴とする有機半導体製造方法。
【請求項４】
前記蒸着処理ラインの少なくとも何れかが停止した場合には、前記バイパスライン、前記バイパス機構乃至前記多関節ロボットにより、当該停止した蒸着処理ラインを回避して当該停止した蒸着処理ライン以外の蒸着処理ラインへ前記基板を搬送することを特徴とする請求項１，２又は３記載の有機半導体製造方法。
【請求項５】
複数段の有機層ユニットを持つ有機半導体を製造する装置であって、基板を搬送して該基板上に複数層よりなる有機層ユニットを成膜する蒸着処理ラインを並列に配置すると共に一の前記蒸着処理ラインの出口から搬出される前記基板を他の前記蒸着処理ラインの入口へ搬入するパイパス機構を設けたことを特徴とする有機半導体製造装置。
【請求項６】
前記蒸着処理ラインは、入口と出口とが反対側に位置すると共に隣接する前記蒸着処理ラインにおいては入口と出口が交互に配置され、前記パイパス機構は前記蒸着処理ラインの両側に平行に配置されるバイパスラインであり、前記蒸着処理ラインの入口及び出口にそれぞれ接続することを特徴とする請求項５記載の有機半導体製造装置。
【請求項７】
前記パイパスラインは、各位置で前記基板を自由に前進又は後退させることを特徴とする請求項６記載の有機半導体製造装置。
【請求項８】
前記蒸着処理ラインは、入口と出口とが一方側に位置し、前記パイパス機構は前記蒸着処理ラインの一方側に配置され、前記蒸着処理ラインの入口及び出口にそれぞれ接続することを特徴とする請求項５記載の有機半導体製造装置。
【請求項９】
前記蒸着処理ラインの入口又は出口と前記パイパス機構との間には、前記基板を搬送する多関節ロボットを配置した移送室が介装されることを特徴とする請求項５記載の有機半導体製造装置。
【請求項１０】
前記蒸着処理ラインは、入口と出口とが反対側に位置すると共に隣接する前記蒸着処理ラインにおいては入口と出口が交互に配置され、前記蒸着処理ラインの入口又は出口の間に前記パイパス機構として、前記基板を搬送する多関節ロボットを配置した移送室が介装されることを特徴とする請求項５記載の有機半導体製造装置。
【請求項１１】
前記各蒸着処理ラインと前記パイパス機構との接続部に、仕切り弁を装備したことを特徴とする請求項５，６，７，８，９又は１０記載の有機半導体製造装置。
【請求項１２】
前記パイパス機構及び前記各蒸着処理ラインの任意の位置に基板冷却・加熱装置を設置したことを特徴とする請求項５，６，７，８，９，１０又は１１記載の有機半導体製造装置。
【請求項１３】
前記蒸着処理ラインを上下に並列に配置し、前記パイパス機構を鉛直に設置して高層型としたことを特徴とする請求項５，６，７，８，９，１０，１１又は１２記載の有機半導体製造装置。
【請求項１４】
前記各蒸着処理ラインに予備チャンバーを設置したことを特徴とする請求項５，６，７，８，９，１０，１１，１２又は１３記載の有機半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機太陽電池やその他の有機半導体を製造する方法及びその装置に関する。例えば、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略す）パネルを製造する有機ＥＬパネル製造方法及び装置に適用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬパネルを製造する装置として、現在、生産工場に採用されているものは、ロボット室の周囲に蒸着室を配したマルチチャンバー方式（クラスター方式）が主流である。
【０００３】
マルチチャンバー方式では、図１４に例示するように、ロボットアームの設けられたロボット室２０を中心として、電荷発生層（ＣＧＬ）蒸着室１、正孔注入層（ＨＩＬ）蒸着室２、正孔輸送層（ＨＴＬ）蒸着室３、発光層（ＥＭＬ）蒸着室４、電子注入層（ＥＩＬ）蒸着室５及びＡＬ蒸着室６を円環状に配置している。
そして、図中矢印で示すように、ガラス基板（図示省略）を載せた基板ホルダー（図示省略）を基板前処理部１０から搬入し、ロボットアーム２０で各蒸着室１，２，３，４，５，６に順番に移し変えて有機層ユニットを成膜し、基板後処理（封止）部１１へ搬出する方法である。
【０００４】
有機層ユニットは、例えば、電荷発生層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層及びＡＬ層よりなる。
しかし、特許文献１で提案されるような有機層ユニットを多段に蒸着するケースでは特に、以下の問題がある。
【０００５】
１） 積層数が、ｎ段×（３〜７層）と多くなる為、単位時間当たりの生産量が少ない。
２） 生産時間を短縮するため、このマルチチャンバーをｎ段直列に配置すれば、単位時間当たりの生産量増大は図れるが、１台故障すると、ライン全体の停止を余儀なくされる。
また、複数の蒸発源上を連続で基板搬送するインライン方式も特許文献２等多数提案されている。
【０００６】
インライン方式は、図１５に示すように、基板前処理部１０から基板後処理（封止）部１１の間に、電荷発生層蒸着室１、正孔注入層蒸着室２、正孔輸送層蒸着室３、発光層蒸着室４、電子注入層蒸着室５及びＡＬ蒸着室６を順に配置したものである。
このインライン方式でも上記マルチチャンバー方式と同様に、以下の問題を抱えている。
１） １段分のインライン装置の場合、ｎ段積層するためには、繰返し装置を通過させる必要があり、単位時間当たりの生産量が少ない。
２） 生産時間を短縮するため、ｎ段分の蒸着源を直列に配置すれば、単位時間当たりの生産量増大は図れるが、１箇所故障すると、ライン全体の停止を余儀なくされる。
３） また、図１６に示すように、蒸着室１，２，３，４，５，６をｎ段分を直列配置すると（特許文献３参照）、長大なラインとなり、設備配置計画にも制約が多くなる。
【０００７】
また、特許文献３では、複数の有機ＥＬ蒸着処理装置を方形状に配置して、マスクのみリターンラインを通り最前段に戻す閉ループ配置が提案されている。
これは基本的にディスプレイを製造するための赤、緑、青の３原色を連続して蒸着することを狙ったものであり、以下の問題を抱えている。
１）最前段に戻るのはマスクだけであり、基板は戻すことは出来ない。従って、多段成膜の段数は装置構成から決まってくるため、任意のｎ段分の成膜を行うことは出来ない。
２）ある１箇所が故障した場合、ライン全体の停止を余儀なくされる。
【特許文献１】特開２００３‐２７２８６０
【特許文献２】特開２００２‐３４８６５９
【特許文献３】特開２００３‐１５７９７３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、特許文献１で提案される複数段の有機層ユニットを効率的に、かつ、一部の故障が発生しても、生産量を落とすことで、ライン停止することなく生産を継続でき、かつ、任意の段数の有機層ユニットを製造できる有機半導体製造方法及びその装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の請求項１に係る有機半導体製造方法は、複数段の有機層ユニットを持つ有機半導体を製造する方法であって、並列に配置された蒸着処理ラインのうちの一の蒸着処理ラインの入口からその出口へ基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第１段目の有機層ユニットを成膜した後、該基板を一の前記蒸着処理ラインの出口からバイパス機構により搬出して並列に配置された蒸着処理ラインのうちの他の前記蒸着処理ラインの入口へ搬入し、更に、他の前記蒸着処理ラインの入口からその出口へ前記基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第２段目の有機層ユニットを成膜することを特徴とする。
【００１０】
上記課題を解決する本発明の請求項２に係る有機半導体製造方法は、複数段の有機層ユニットを持つ有機半導体を製造する方法であって、並列に配置された蒸着処理ラインのうちの一の蒸着処理ラインの入口からその出口へ基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第１段目の有機層ユニットを成膜した後、該基板を一の前記蒸着処理ラインの出口から多関節ロボットにより搬出して並列に配置された蒸着処理ラインのうちの他の蒸着処理ラインの入口へ搬入し、更に、他の前記蒸着処理ラインの入口からその出口へ前記基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第２段目の有機層ユニットを成膜することを特徴とする。
【００１１】
上記課題を解決する本発明の請求項３に係る有機半導体製造方法は、複数段の有機層ユニットを持つ有機半導体を製造する方法であって、並列に配置された蒸着処理ラインのうちの一の蒸着処理ラインの入口からその出口へ基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第１段目の有機層ユニットを成膜した後、該基板を一の前記蒸着処理ラインの出口からバイパスラインへ多関節ロボットにより搬出して、該バイパスラインで前記基板を搬送し、並列に配置された蒸着処理ラインのうちの他の蒸着処理ラインの入口へ多関節ロボットにより搬入し、更に、他の前記蒸着処理ラインの入口からその出口へ前記基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第２段目の有機層ユニットを成膜することを特徴とする。
【００１２】
上記課題を解決する本発明の請求項４に係る有機半導体製造方法は、請求項１，２又は３において、前記蒸着処理ラインの少なくとも何れかが停止した場合には、前記バイパスライン、前記バイパス機構乃至前記多関節ロボットにより、当該停止した蒸着処理ラインを回避して当該停止した蒸着処理ライン以外の蒸着処理ラインへ前記基板を搬送することを特徴とする。
【００１３】
上記課題を解決する本発明の請求項５に係る有機半導体製造装置は、複数段の有機層ユニットを持つ有機半導体を製造する装置であって、基板を搬送して該基板上に複数層よりなる有機層ユニットを成膜する蒸着処理ラインを並列に配置すると共に一の前記蒸着処理ラインの出口から搬出される前記基板を他の前記蒸着処理ラインの入口へ搬入するパイパス機構を設けたことを特徴とする。
【００１４】
上記課題を解決する本発明の請求項６に係る有機半導体製造装置は、請求項５において、前記蒸着処理ラインは、入口と出口とが反対側に位置すると共に隣接する前記蒸着処理ラインにおいては入口と出口が交互に配置され、前記パイパス機構は前記蒸着処理ラインの両側に平行に配置されるバイパスラインであり、前記蒸着処理ラインの入口及び出口にそれぞれ接続することを特徴とする。
【００１５】
上記課題を解決する本発明の請求項７に係る有機半導体製造装置は、請求項６において、前記パイパスラインは、各位置で前記基板を自由に前進又は後退させることを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決する本発明の請求項８に係る有機半導体製造装置は、請求項５記載において、前記蒸着処理ラインは、入口と出口とが一方側に位置し、前記パイパス機構は前記蒸着処理ラインの一方側に配置され、前記蒸着処理ラインの入口及び出口にそれぞれ接続することを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決する本発明の請求項９に係る有機半導体製造装置は、請求項５において、前記蒸着処理ラインの入口又は出口と前記パイパス機構との間には、前記基板を搬送する多関節ロボットを配置した移送室が介装されることを特徴とする。
【００１８】
上記課題を解決する本発明の請求項１０に係る有機半導体製造装置は、請求項５において、前記蒸着処理ラインは、入口と出口とが反対側に位置すると共に隣接する前記蒸着処理ラインにおいては入口と出口が交互に配置され、前記蒸着処理ラインの入口又は出口の間に前記パイパス機構として、前記基板を搬送する多関節ロボットを配置した移送室が介装されることを特徴とする。
【００１９】
上記課題を解決する本発明の請求項１１に係る有機半導体製造装置は、請求項５，６，７，８，９又は１０において、前記各蒸着処理ラインと前記パイパス機構との接続部に、仕切り弁を装備したことを特徴とする。
【００２０】
上記課題を解決する本発明の請求項１２に係る有機半導体製造装置は、請求項５，６，７，８，９，１０又は１１において、前記パイパス機構及び前記各蒸着処理ラインの任意の位置に基板冷却・加熱装置を設置したことを特徴とする。
【００２１】
上記課題を解決する本発明の請求項１３に係る有機半導体製造装置は、請求項５，６，７，８，９，１０，１１又は１２において、前記蒸着処理ラインを上下に並列に配置し、前記パイパス機構を鉛直に設置して高層型としたことを特徴とする。
【００２２】
上記課題を解決する本発明の請求項１４に係る有機半導体製造装置は、請求項５，６，７，８，９，１０，１１，１２又は１３において、前記各蒸着処理ラインに予備チャンバーを設置したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明においては、通常運転時は、バイパスライン、バイパス機構乃至多関節ロボットを経由し、並列に配置された蒸着処理ラインで基板が連続して蒸着処理され、基板が同じ蒸着処理ラインを複数回通過することがなくなるため、タクトタイムが短くなり、量産化が可能となる。
【００２４】
万一、ある蒸着処理ラインが生産不能となっても、その蒸着処理ラインをバイパスライン、バイパス機構乃至多関節ロボットを回避して、他の蒸着処理ラインに基板を流すことによって、生産を継続することが出来る。
また、複数段分の蒸着処理ラインを直列に配置する場合に比べて、全長を短くすることが出来る為、設備配置上有利である。
【００２５】
更に、バイパスライン、バイパス機構乃至多関節ロボットを経由して、基板が同じ蒸着処理ラインを複数回通過させれば、蒸着処理ラインの段数に関係なく、希望の段数の有機ＥＬパネルを生産することが出来る。
【００２６】
また、蒸着処理ラインを折り返して配置するとバイパス機構を１本とすることができるので設備コスト削減に寄与する。
【００２７】
また、各蒸着処理ラインとバイパス機構との間に仕切り弁を設けると、故障した蒸着処理ラインを大気開放しつつ、その他の蒸着処理ラインを利用して生産を維持することができる。
【００２８】
また、バイパス機構及び前記各蒸着処理ラインの任意の位置に基板冷却装置を設置すると、熱に弱い有機材料を含む有機層ユニットを成膜する基板の温度上昇を抑えることができる。
【００２９】
また、バイパス機構及び前記各蒸着処理ラインの任意の位置に基板加熱装置を設置すると、基板上に有機層ユニットを成膜する際の温度を一定に維持することが可能となる。
【００３０】
また、蒸着処理ラインを上下に並列に配置し、バイパス機構を鉛直に設置し高層型の設備配置とすると、設置床面積を減少させることができる利点がある。
【００３１】
また、各蒸着処理ラインに予備チャンバーを付加すると、各段の発光層材料が異なる場合にも対応できる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明の有機ＥＬパネル製造装置を実施するための最良の形態を図１及び図２に示す。
図１に示すように、マルチチャンバー方式の蒸着処理ラインがｎ段並列に配置され、各蒸着処理ラインは、ロボット室を中心として電荷発生層蒸着室１、正孔注入層蒸着室２、正孔輸送層蒸着室３、発光層蒸着室４、電子注入層蒸着室５及びＡＬ蒸着室６を円環状に配置してなるものである。
【００３３】
これらの各蒸着処理ラインにおいて、ガラス基板を各蒸着室１，２，３，４，５，６に順番に移し変えて複数層よりなる有機層ユニットを成膜する。有機層ユニットは、この例に限るものではなく、例えば、３〜７層とすることができる。
図１に示すマルチチャンバー方式に代えて、図２に示すように、各蒸着室１，２，３，４，５，６を直線的に配置したインライン方式を用いても良い。
ここで、奇数段の各蒸着処理ラインは、図１及び図２中左側に入口が位置し、同図中右側に出口が位置する。また、偶数段の各蒸着処理ラインは、図１及び図２中右側に入口が位置し、同図中左側に出口が位置する。つまり、隣接する蒸着処理ラインにおいては、入口と出口とが交互に配置されている。
【００３４】
更に、並列に配置されたｎ段の蒸着処理ラインの両側にはバイパスライン８，９が平行に配置され、各蒸着処理ラインの入口及び出口にそれぞれ接続されている。バイパスライン８，９は、一方の蒸着処理ラインの出口から搬出された基板を他方の蒸着処理ラインの入口へ搬入するものである。また、バイパスライン８，９は、各位置で、基板を下流に流す（前進）ことができ、基板を上流に戻す（後退）こともできる。例えば、バイパスラインとしては、複数の領域毎に前進又は後退可能なベルトコンベアなどを用いることができる。
ここで、バイパスライン８の上流側には基板前処理部１０が配置され、その下流側に基板後処理部（封止）１１が配置されている。基板後処理部（封止）１１の直前には、カソード蒸着室７が配置される。
【００３５】
また、各蒸着処理ラインとバイパスライン８，９の間は、仕切り弁１４が設置されている。
従って、故障した蒸着処理ラインの前後の仕切り弁１４を閉止することによって、故障した蒸着処理ラインだけ大気開放することが可能である。
【００３６】
本発明においては、通常生産時は、図１，２に矢印で示すように、基板前処理部１０から搬入された基板は、バイパスライン８，９を経由して全ての蒸着処理ラインを梯子状に連続して通過して基板後処理部１１へ搬出され、所定の段数の有機ＥＬパネルを生産できる。言い換えると、基板が同じ蒸着処理ラインを複数回通過することがなくなるため、タクトタイムが短くなり、量産化が可能となる。
【００３７】
本発明においては、ある蒸着処理ラインが１ヶ所停止した場合は、その蒸着処理ラインに基板を通過させずに、バイパスライン８，９を介して他の蒸着処理ラインに基板を搬送することができる。
但し、このまま基板を下流に流すと、所定のｎ段の蒸着が達成できないので、所定の段数の蒸着を行う為、バイパスライン８，９で上流に戻すことで所定の段数の蒸着を行う必要がある。
【００３８】
例えば、図３（ａ）に示すように、３段以降の蒸着処理ラインに不具合が生じた場合には、図中矢印で示すように、３段以降の蒸着処理ラインを回避し、１段及び２段の蒸着処理ラインにより成膜を継続するものである。
即ち、基板を１段目の蒸着処理ラインを図中右方向に搬送しつつ有機層ユニットを成膜し、その出口から搬出された基板を図中右側のバイパスライン９で次段まで前進させて２段目の蒸着処理ラインの入口に搬入し、２段目の蒸着処理ラインを左方に搬送しつつ有機層ユニットを成膜し、その出口から搬出された基板を図中左側のバイパスライン８で前段まで後退させ、再度、１段目の蒸着処理ライン、２段目の蒸着処理ラインに繰り返して通過させて有機層ユニットを同様に成膜するのである。
【００３９】
一方、図３（ｂ）に示すように、２段目〜（ｎ−１）段目の蒸着処理ラインに不具合が生じた場合には、図中矢印で示すように、２段目〜（ｎ−１）段目の蒸着処理ラインを回避し、１段及びｎ段の蒸着処理ラインにより成膜を継続するものである。
即ち、基板を１段目の蒸着処理ラインを図中右方向に搬送しつつ有機層ユニットを成膜し、その出口から搬出された基板を図中右側のバイパスライン９で（ｎ−１）段前進させてｎ段目の蒸着処理ラインの入口に搬入し、ｎ段目の蒸着処理ラインを左方に搬送しつつ有機層ユニットを成膜し、その出口から搬出された基板を図中左側のバイパスライン８で（ｎ−１）段後退させ、再度、１段目の蒸着処理ライン、ｎ段目の蒸着処理ラインに繰り返して通過させて有機層ユニットを同様に成膜するのである。
【００４０】
このように、生産量を落としつつ生産続行しながら、故障した蒸着処理ラインの前後の仕切り弁１４を閉止することによって、故障した蒸着処理ラインだけ大気開放して修理することが可能となる。
上記ｎ段各段の層構成及び膜厚がほぼ等しい場合、各蒸着処理ラインを通過する時間はほぼ同じとなるため、バッファー部を設けなくとも、スムーズな連続搬送が可能であるが、各段の層構成及び膜厚が異なる場合には、バッファー部を付加しても良い。
上記ｎ段各段の層構成及び膜厚が異なる場合、各層の蒸着源温度・蒸着源シャッタ開度を調整することで、各ラインへの基板投入から排出までの時間を合わせることで、スムーズな連続搬送が可能とある。
【００４１】
本発明においては、蒸着処理ラインのいずれかが故障した場合でなくても、バイパスライン８，９によって基板を上流に戻す、或いは下流に流すことによって、蒸着処理ラインの段数に関係なく、任意の段数の有機ＥＬパネルを製造することが可能である。
【００４２】
更に、バイパスライン８，９の有効な使用方法として、ある蒸着処理ラインが故障等で使用不可能になっても、使用可能なラインに複数回基板を流すことで、生産量を落としつつ設備を稼動させることが出来るが、その場合の基板搬送制御は、新規投入基板と戻された基板との衝突を回避するために新規基板の投入を一定周期で断続的に行うと良い。
【実施例１】
【００４３】
本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置を図４に示す。
本実施例は、バイパスライン８，９に冷却装置１２を付設したものである。その他は図２に示す構成と同様であり、同様な作用効果を奏する。
上記冷却装置１２の実施例としては、放射冷却を利用した冷却板を用いることができる。
【００４４】
本実施例では、バイパスライン８，９に冷却装置１２を付設したので、蒸着処理中は蒸発源からの熱放射等によって上昇する基板の温度を抑えることが可能となる。
有機材料は一般的に熱に弱いので、本実施例のように、バイパスライン８，９に冷却装置１２を付設すると好適である。
なお、冷却装置１２は、バイパスライン８，９の任意の位置に設けても良いし、各蒸着処理ラインの任意の位置に基板冷却・加熱装置を設置しても良い。
【実施例２】
【００４５】
本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置を図５に示す。
本実施例は、設備の初期投資を出来るだけ抑え、希望の段数の有機ＥＬパネルを生産できる装置として、蒸着処理ラインを２段並列に配置したものである。
その他は、図２に示す構成と同様であり、同様な作用効果を奏する。
【００４６】
従って、通常生産時は、図５に矢印で示すように、基板前処理部１０から搬入された基板は、バイパスライン８，９を経由して全ての蒸着処理ラインを梯子状に連続して通過して基板後処理部１１へ搬出され、所定の段数の有機ＥＬパネルを生産できる。
【実施例３】
【００４７】
本発明の第３の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置を図６に示す。
本実施例は、高層型の設備配置とした例である。
即ち、蒸着処理ラインを上下に並列に配置し、バイパスライン８，９を鉛直に設置したものであり、設置床面積を減少させることができる。
その他は、図２に示す構成と同様であり、同様な作用効果を奏する。
【００４８】
従って、通常生産時は、図６に矢印で示すように、搬入された基板は、バイパスライン８，９を経由して全ての蒸着処理ラインを梯子状に連続して通過し、所定の段数の有機ＥＬパネルを生産できる。
また、ある蒸着処理ラインが１ヶ所停止した場合は、その蒸着処理ラインに基板を通過させずに、バイパスライン８，９を介して他の蒸着処理ラインに基板を搬送することができる。
【実施例４】
【００４９】
本発明の第４の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置を図７に示す。
本実施例は、各蒸着処理ラインに予備蒸着室１３を付加したものである。予備蒸着室１３は、主に発光層の予備チャンバーであり、このようにすると、各段の発光層材料が異なる場合にも対応できる利点がある。
その他は、図２に示す構成と同様であり、同様な作用効果を奏する。
【００５０】
従って、通常生産時は、基板前処理部１０から搬入された基板は、バイパスライン８，９を経由して全ての蒸着処理ラインを梯子状に連続して通過して基板後処理部１１へ搬出され、所定の段数の有機ＥＬパネルを生産できる。
また、ある蒸着処理ラインが１ヶ所停止した場合は、その蒸着処理ラインに基板を通過させずに、バイパスライン８，９を介して他の蒸着処理ラインに基板を搬送することができる。
【実施例５】
【００５１】
本発明の第５の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置を図８に示す。
本実施例は、各蒸着処理ラインを折り返し式にして、バイパスラインを１本としたものである。
【００５２】
即ち、並列にｎ段配置された各蒸着処理ラインは、電荷発生層蒸着室１、正孔注入層蒸着室２、正孔輸送層蒸着室３、発光層蒸着室４、電子注入層蒸着室５及びＡＬ蒸着室６よりなり、正孔輸送層蒸着室３と発光層蒸着室４の間で１８０°折り返され、各蒸着処理ラインの入口及び出口は、図中左方の一方側に位置している。
ここで、折り返す位置は、上記では正孔輸送層蒸着室３と発光層蒸着室４の間としたが、これに限るものではなく、蒸着処理ライン中の任意の位置で折り返しても良い。
一方、バイパスライン８は蒸着処理ラインの一方側に配置され、蒸着処理ラインの入口及び出口にそれぞれ接続されている。
【００５３】
通常生産時は、図８に矢印で示すように、バイパスライン８を経由して、基板が全ての蒸着処理ラインを折り返して連続して通過して、所定の段数の有機ＥＬパネルを生産できる。
ある蒸着処理ラインが１ヶ所停止した場合は、その蒸着処理ラインに基板を通過させずに、バイパスライン８を経由して他の蒸着処理ラインに基板を搬送することができる。
また、所定の段数の蒸着を行う為、図９に示すように、バイパスライン８で基板を上流に戻すことで所定の段数の蒸着を行うこともできる。
【実施例６】
【００５４】
本発明の第６の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置を図１０及び図１１に示す。
本実施例は、各蒸着処理ライン２１，２２，２３，２４及びバイパスライン３１，３２，３３を移送室４１，４２，４３，４４，４５にて接続し、これらの移送室内４１，４２，４３，４４，４５に配置された多関節ロボット５１，５２，５３，５４，５５によって基板の移送を行うものである。
【００５５】
即ち、Ｖ字状にｎ段配置された各蒸着処理ライン２１，２２，２３，２４は、電荷発生層蒸着室１、正孔注入層蒸着室２、正孔輸送層蒸着室３、発光層蒸着室４、予備蒸着室１３、電子注入層蒸着室５及びＡＬ蒸着室６よりなる。
基板投入口と蒸着処理ライン２１の入口とは移送室４１によって接続され、蒸着処理ライン２１の出口と次の蒸着処理ライン２２との入口とは移送室４２によってＶ字状に接続され、蒸着処理ライン２２の出口と次の蒸着処理ライン２３との入口とは移送室４３によってＶ字状に接続され、同様にして各蒸着処理ライン２３，２４…の入口、出口は移送室４４，４５…によってＶ字状に接続され、更に、ｎ段目の蒸着処理ラインの出口と基板排出口は移送室によって接続される。
【００５６】
更にこのＶ字状の頂点間を連結するため、移送室４１と移送室４３との間はバイパスライン３１によって接続され、移送室４２と移送室４４との間はバイパスライン３２によって接続され、移送室４３と移送室４５との間はバイパスライン３３によって接続される。
各蒸着処理ライン２１〜２４とバイパスライン３１〜３３はほぼ等しい長さであり、移送室４１〜４５により各蒸着処理ライン２１〜２４とバイパスライン３１〜３３は約６０度の角度で接続される。
【００５７】
通常生産時は、図１０に矢印で示すように、バイパスライン３１〜３３は経由せずに、移送室４１〜４５内の移送ロボット５１，５２，５３，５４，５５によって、基板を蒸着処理ライン２１、蒸着処理ライン２２、蒸着処理ライン２３、蒸着処理ライン２４の順に連続して移し変えて移送させ、所定の段数の有機ＥＬパネルを生産できる。
また、蒸着処理ライン２１〜２４のうちの何れか１ヶ所停止した場合は、その蒸着処理ラインに基板を通過させずに、バイパスライン３１〜３３を経由して他の蒸着処理ラインに基板を移送することができる。
【００５８】
例えば、図１１に矢印で示すように、蒸着処理ライン２２が停止した場合には、蒸着処理ライン２２を回避し、蒸着処理ライン２１からバイパスライン３２を経由して蒸着処理ライン２４へ基板を順に移し変えて移送させ、更に、蒸着処理ライン２４からバイパスライン３３で上流の蒸着処理ライン２３に基板を戻すことで所定の段数の蒸着を行うこともできる。
【実施例７】
【００５９】
本発明の第７の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置を図１２及び図１３に示す。
本実施例は、図２のバイパスライン８，９に代えて多関節ロボット６１，６２，６３，６４…を配置したものである。
即ち、蒸着処理ラインは、入口と出口とが反対側に位置すると共に隣接する前記蒸着処理ラインにおいては入口と出口が交互に配置され、前記入口と出口は多関節ロボット６１，６２，６３，６４…が配置された移送室７１，７２，７３，７４…によってそれぞれ接続したものである。
【００６０】
通常生産時は、図１２に矢印で示すように、移送室７１，７２，７３，７４…内の多関節ロボット６１，６２，６３，６４…によって基板を全ての蒸着処理ラインに順に連続して移し変えて移送することにより、所定の段数の有機ＥＬパネルを生産できる。
また、蒸着処理ラインのうちの何れか１ヶ所停止した場合は、その蒸着処理ラインに基板を通過させずに、移送室７１，７２，７３，７４…の多関節ロボット６１，６２，６３，６４…にて他の蒸着処理ラインに基板を移送することができる。
【００６１】
例えば、図１３に矢印で示すように、第２段の蒸着処理ラインが停止した場合には、第２段の蒸着処理ラインを回避し、第１段の蒸着処理ラインを通過した基板を移送室７２内の多関節ロボット６２で第３段〜第ｎ段の蒸着処理ラインに通過させ、更に、何れかの移送室７１，７２，７３，７４…の多関節ロボット６１，６２，６３，６４…にてで基板を上流の蒸着処理ラインに戻すことで所定の段数の蒸着を行うこともできる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、有機ＥＬパネルを製造する有機ＥＬパネル製造方法及び装置に適用できるだけでなく、有機太陽電池やその他の有機半導体を製造する方法及びその装置にも利用可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明を実施するために好適な態様に係る有機ＥＬパネル製造装置（マルチチャンバー方式）の概略図である。
【図２】本発明を実施するために好適な態様に係る有機ＥＬパネル製造装置（インライン方式）の概略図である。
【図３】図２に示す有機ＥＬパネル製造装置において、一部の蒸着処理ライン停止した場合の基板の流れを示す説明図である。
【図４】本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置の概略図である。
【図５】本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置の概略図である。
【図６】本発明の第３の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置の概略図である。
【図７】本発明の第４の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置の概略図である。
【図８】本発明の第５の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置の概略図である。
【図９】ある蒸着処理ラインが１ヶ所停止した場合の基板の流れを示す説明図である。
【図１０】本発明の第６の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置の概略図である。
【図１１】図１０に示す有機ＥＬパネル製造装置において、一部の蒸着処理ライン停止した場合の基板の流れを示す説明図である。
【図１２】本発明の第７の実施例に係る有機ＥＬパネル製造装置の概略図である。
【図１３】図１２に示す有機ＥＬパネル製造装置において、一部の蒸着処理ライン停止した場合の基板の流れを示す説明図である。
【図１４】従来技術（マルチチャンバー方式）の説明図である。
【図１５】従来技術（インライン方式）の説明図である。
【図１６】従来技術（多段直列インライン方式）の説明図である。
【符号の説明】
【００６４】
１  電荷発生層（ＣＧＬ）蒸着室
２  正孔注入層（ＨＩＬ）蒸着室
３  正孔輸送層（ＨＴＬ）蒸着室
４  発光層（ＥＭＬ）蒸着室
５  電子注入層（ＥＩＬ）蒸着室
６  ＡＬ蒸着室
７  カソード蒸着室
８  バイパスライン
９  バイパスライン
１０  基板前処理
１１  基板後処理（封止）
１２  冷却装置
１３  予備蒸着室（発光層）
１４  仕切り弁
２１〜２４  蒸着処理ライン
３１〜３３  バイパスライン
４１〜４５，７１〜７４  移送室
５１〜５５，６１〜６４  多関節ロボット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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