(57)【要約】      （修正有）【課題】分割された半導体チップが表面保護用粘着シートで連結された状態であっても、通常の搬送装置等の適用が可能な半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】複数の回路が形成されたウエハの回路面側に、該回路に沿って該ウエハの厚さより浅い切込み深さの溝を形成する工程、前記回路面上に固定ジグ３を積層する工程、および溝に到達するまで前記ウエハを裏面研削してチップ群に分割する工程からなるウエハ分割方法において、前記固定ジグが、片面に複数の突起物３６を有し、かつ該片面の外周部に該突起物と略同じ高さの側壁を有するジグ基台３０と、ジグ基台の突起物を有する面上に積層され、側壁の上面で接着された密着層３１とからなり、前記ジグ基台の突起物を有する面には、密着層、突起物および側壁により区画空間が形成され、前記ジグ基台には外部と前記区画空間とを貫通する少なくとも１つの貫通孔３８が設けられている。【選択図】図８
2007250790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（I）複数の回路が形成されたウエハの回路面側に、該回路に沿って該ウエハの厚さよ
り浅い切込み深さの溝を形成する工程、（II）前記回路面上に固定ジグを積層する工程、および（III）前記溝に到達するまで前記ウエハを裏面研削してチップ群に分割する工程
を含み、
前記固定ジグが、片面に複数の突起物を有し、かつ該片面の外周部に該突起物と略同じ高さの側壁を有するジグ基台と、該ジグ基台の突起物を有する面上に積層され、該側壁の上面で接着された密着層とからなり、
前記ジグ基台の突起物を有する面には、前記密着層、前記突起物および前記側壁により区画空間が形成され、
前記ジグ基台には、外部と前記区画空間とを貫通する少なくとも１つの貫通孔が設けられ、
前記密着層が前記回路面上に積層されていることを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
前記工程（III）でウエハをチップ群に分割した後、フレームに固定した転写テープを
該チップ群の裏面に貼着し、
次いで、前記貫通孔から前記区画空間内の気体を吸引して密着層を凹凸状に変形させることにより、前記チップ群を密着層から取り外し、前記転写テープに転写することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
前記密着層が粘着シートを介してウエハの回路面上に積層されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハを裏面研削することにより、ウエハの厚さを薄くするとともに最終的に個々のチップへ分割する半導体チップの製造方法に関し、特に、裏面研削後の半導体チップの取扱性に優れた半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣカードの普及が進み、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。
【０００３】
このようなチップの薄厚化を達成する方法として、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成（ハーフカットダイシング）した後、ウエハの裏面側から研削する半導体チップの製造方法が知られている。このようなプロセスは、「先ダイシング法」とも呼ばれている（特許文献１）。
【０００４】
先ダイシング法によるプロセスでは、ウエハが極薄の状態になるときは同時にチップに分割され、厚さに比較して面積が狭くなるため、ウエハの搬送や受け渡しで破損が起こりにくくなる。また、フルカットダイシングを行った場合に起きやすいチップ断面の欠け（チッピング）は、先ダイシング法では起こりにくい。
【０００５】
ところで、先ダイシング法によって分割されたチップは表面保護用の粘着シートで連結された状態であり、粘着シートが剛直性を持たないため、全面を支えられる特殊な搬送装置を使わなければ、その後の工程が行えないという問題があった。また、粘着シートにチップを支持できるまでの剛直性を与えた場合は、チップから粘着シートを剥離することが困難になるという問題があった。
【特許文献１】特開平５−３３５４１１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであって、先ダイシング法において通常の搬送装置等の使用が可能な半導体チップの製造方法を提供することを目的とし、これにより極薄で高信頼性のチップを比較的安価に実現することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体チップの製造方法は、（I）複数の回路が形成されたウエハの回路
面側に、該回路に沿って該ウエハの厚さより浅い切込み深さの溝を形成する工程、（II）前記回路面上に固定ジグを積層する工程、および（III）前記溝に到達するまで前記ウエ
ハを裏面研削してチップ群に分割する工程を含み、前記固定ジグが、片面に複数の突起物を有し、かつ該片面の外周部に該突起物と略同じ高さの側壁を有するジグ基台と、該ジグ基台の突起物を有する面上に積層され、該側壁の上面で接着された密着層とからなり、前記ジグ基台の突起物を有する面には、前記密着層、前記突起物および前記側壁により区画空間が形成され、前記ジグ基台には、外部と前記区画空間とを貫通する少なくとも１つの貫通孔が設けられ、前記密着層が前記回路面上に積層されていることを特徴とする。
【０００８】
また、上記製造方法では、前記工程（III）でウエハをチップ群に分割した後、フレー
ムに固定した転写テープを該チップ群の裏面に貼着し、次いで、前記貫通孔から前記区画
空間内の気体を吸引して密着層を凹凸状に変形させることにより、前記チップ群を密着層から取り外し、前記転写テープに転写することが好ましい。
【０００９】
前記密着層は粘着シートを介してウエハの回路面上に積層されていることが好ましい。
このように、分割されたチップを容易に取り外すことができ、かつ剛直性を有する固定ジグを用いることにより、先ダイシングを行った後で特殊な搬送装置を使用することなく次工程に進むことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら、本発明をさらに具体的に説明する。
＜固定ジグ＞
まず、本発明に用いられる固定ジグについて説明する。本発明に用いられる固定ジグ３は、図１に示すようにジグ基台３０と密着層３１とからなる。ジグ基台３０の形状としては、略円形、略楕円形、略矩形、略多角形が挙げられ、略円形が好ましい。ジグ基台３０の一方の面には、図２および図３に示すように、複数の突起物３６が間隔をおいて上方に突出して形成されている。突起物３６の形状は特に限定されないが、円柱形または円錐台形が好ましい。また、この突起物を有する面の外周部には、突起物３６と略同じ高さの側壁３５が形成されている。また、この突起物を有する面上には密着層３１が積層されている。この密着層３１は側壁３５の上面で接着され、また、突起物３６の上面と密着層３１は接着されてもよいし接着されていなくてもよい。ジグ基台３０の突起物を有する面、すなわちジグ基台３０と密着層３１との間には、突起物３６、側壁３５および密着層３１により区画空間３７が形成されている（図１）。一方、ジグ基台３０の突起物を有しない面には、この面側の外部と区画空間３７とを貫通する貫通孔３８がジグ基台３０の厚さ方向に設けられている。貫通孔３８はジグ基台３０に少なくとも１個が設けられていればよく、複数個が設けられてもよい。また、ジグ基台３０の突起物を有しない面の貫通孔３８の代わりに、ジグ基台３０の水平方向に貫通孔３８を設け、側壁３５に開口部を設けてもよい。この貫通孔３８の開口部に、着脱自在のバキューム装置を接続することにより、区画空間内の気体が排気され密着層３１を凹凸状に変形させることができる。
【００１１】
ジグ基台３０の材質は、機械強度に優れたものであれば特に限定されないが、たとえば、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニルなどの熱可塑性樹脂；アルミニウム合金、マグネシウム合金、ステンレスなどの金属材料；ガラスなどの無機材料；ガラス繊維強化エポキシ樹脂などの有機無機複合材料等が挙げられる。ジグ基台３０の曲げ弾性率は、１ＧＰa以上で
あることが好ましい。このような曲げ弾性率を有していれば、ジグ基台の厚さを必要以上に厚くすることなく剛直性を与えることができる。このような材料を用いることにより、ウエハの裏面研削の後でウエハを湾曲させずに十分に支持することができる。また、半導体ウエハの研削砥石の回転による剪断応力に対向する強度を持ち、先ダイシングの後でチップの配列を乱すことがない。
【００１２】
ジグ基台３０の外径は、半導体ウエハの外径と略同一または半導体ウエハの外径よりも大きいことが好ましい。ジグ基台３０が半導体ウエハの規格サイズの最大径（例えば３００ｍｍ径）に対応できる外径を有していれば、それより小さい全ての半導体ウエハに対して適用することができる。また、ジグ基台３０の厚さは、０．５〜２．０ｍｍが好ましく、０．５〜０．８ｍｍがより好ましい。ジグ基台の厚さが上記範囲にあると、ウエハの裏面研削の後でウエハを湾曲させずに十分に支持することができる。
【００１３】
突起物３６および側壁３５の高さは、０．０５〜０．５ｍｍがより好ましい。また、突起物３６の上面の径は０．０５〜１．０ｍｍが好ましい。さらに、突起物の間隔（突起物の中心間距離）は０．２〜２．０ｍｍが好ましい。突起物３６の大きさならびに突起物の
間隔が上記範囲にあると、区画空間３７内の脱気により密着層３１を十分に凹凸状に変形させることができ、半導体チップを容易に密着層３１から取り外すことができる。さらに、密着層３１の凹凸の変形を何度も繰り返した後でも、元の平坦な状態に復元し続けることができる。
【００１４】
貫通孔３８の径は特に限定されないが、２ｍｍ以下が好ましい。
このようなジグ基台は、たとえば、熱可塑性の樹脂材料を金型を用いて加熱成形して、ジグ基台の底部、側壁３５および突起物３６を一体で製造してもよいし、平面円形板上に側壁３５および突起物３６を形成して製造してもよいし、あるいは、凹型円板の凹部内表面に突起物３６を形成して製造してもよい。突起物３６の形成方法としては、電鋳法により金属を所定の形状に析出させる方法、スクリーン印刷により突起物を形成する方法、平面円形板上にフォトレジストを積層し、露光、現像して突起物を形成する方法などが挙げられる。また、金属製平面円形板の表面をエッチングにより突起物形成部分を残して侵食除去する方法やサンドブラストにより平面円形板の表面を突起物形成部分を残して除去する方法などによりジグ基台３０を製造することもできる。なお、貫通孔３８は突起物を形成する前に予め形成してもよいし、後で形成してもよい。また、ジグ基台の成型と同時に形成してもよい。
【００１５】
ジグ基台３０の突起物を有する面上には密着層３１が形成されている。この密着層３１の材質としては、可撓性、柔軟性、耐熱性、弾性、粘着性等に優れた、ウレタン系、アクリル系、フッ素系またはシリコーン系のエラストマーが挙げられる。このエラストマーには、必要に応じて補強性フィラーや疎水性シリカなどの各種添加剤を添加してもよい。
【００１６】
密着層３１はジグ基台３０と略同一形状の平板であることが好ましく、密着層３１の外径はジグ基台３０の外径と略同一であることが好ましく、厚さは、２０〜２００μｍが好ましい。密着層３１の厚さが２０μｍ未満では、吸引の繰り返しに対する機械的な耐久性に乏しくなることがある。一方、密着層３１の厚さが２００μｍを超えると、吸引による粘着シート２との剥離に著しく時間がかかることがあり好ましくない。
【００１７】
また、密着層３１の引張破断強度は５ＭＰａ以上であることが好ましく、引張破断伸度は５００％以上であることが好ましい。引張破断強度や引張破断伸度が上記範囲にあると、密着層３１の変形を何度も繰り返した場合でも、密着層３１の破断も弛みも発生せず、元の平坦な状態に復元させることができる。
【００１８】
また、密着層３１の曲げ弾性率は、１０〜１００ＭＰａの範囲が好ましい。密着層３１の曲げ弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、密着層３１は突起物３６との接点以外の部分が重力でたわんでしまい、ウエハに密着できなくなる場合がある。一方、１００ＭＰａを超えると、吸引による変形が起こりにくくなり、ウエハを容易に剥離することができなくなる場合がある。
【００１９】
また、密着層３１の粘着シート２に接する側の面のせん断密着力は３５Ｎ以上であることが好ましい。３５Ｎ未満の場合、ウエハの剪断方向（ウエハ面に水平方向）に力が加えられた場合にウエハが粘着シートごと剥離して、ウエハを破損させるおそれがある。本発明においてせん断密着力は、密着層３１とシリコンウエハのミラー面との間で測定した値をいい、縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ×厚さ３ｍｍの大きさを有する周知のガラス板に密着層３１を貼り付けてシリコンからなるミラーウェーハ上に配置し、ガラス板と密着層３１の全体に９００ｇの荷重を５秒間加え、ガラス板をミラーウェーハと平行に荷重を加えて押圧した場合に、動き出した時の荷重を測定したものである。
【００２０】
さらに、密着層３１の密着力は２Ｎ／２５ｍｍ以下であることが望ましい。これを超え
る値では密着層３１と粘着シート２の基材との密着が大きくなりすぎてブロッキング状態となり、吸引による剥離ができなくなるおそれがある。なお、本発明において密着力とは、密着層３１をウエハのミラー面に貼り付け、これを剥離したときの剥離強度をいう。
【００２１】
このような密着層３１は、たとえば、カレンダー法、プレス法、コーティング法または印刷法等により、予め上記エラストマーからなるフィルムを作製し、このエラストマーフィルムをジグ基台３０の少なくとも側壁３５の上面に接着することにより形成することができ、これにより、区画空間３７が形成される。上記密着層３１を接着する方法としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂あるいはエラストマー樹脂からなる接着剤を介して接着する方法や、密着層３１がヒートシール性の場合はヒートシールによって接着する方法が挙げられる。
【００２２】
密着層３１の表面には、非粘着処理が施されていてもよく、特に、凹凸状に変形した時に粘着シート２と接触する突起物３６上部の密着層表面のみが、非粘着処理されていることが好ましい。このように処理すると、密着層３１が変形する前は密着層表面の非粘着処理されていない部分で粘着シート２に密着し、凹凸状に変形した密着層３１は突起物３６上部の表面、すなわち非粘着性の凸部表面のみで半導体チップと接触しているため、半導体チップをさらに容易に密着層３１から取り外すことができる。非粘着処理方法としては、たとえば、バキューム装置により区画空間３７内の空気を吸引して密着層３１を凹凸状に変形させ、凸部先端を砥石ローラー等により物理的に粗面化する方法、ＵＶ処理する方法、非粘着性ゴムを積層する方法、非粘着性塗料をコーティングする方法などが挙げられる。また、非粘着部は、上記凸部ではなく、密着層３１の中心を通るように十字にパターン形成してもよい。非粘着部の表面粗さは、算術平均粗さＲａが１．６μｍ以上が好ましく、１．６〜１２．５μｍがより好ましい。非粘着部を上記範囲の表面粗さで粗面化することにより、密着層３１は劣化せず、さらに、半導体チップを容易に密着層３１から取り外すことができる。
【００２３】
＜粘着シート＞
本発明では、半導体ウエハの回路面を保護するために、必要に応じて、図１０に示すように半導体ウエハ１の回路面に粘着シート２を貼着してもよい。粘着シート２は基材と粘着剤層とからなり、基材と粘着剤層との間に中間層を有することがより好ましい。
【００２４】
（基材）
粘着シート２に用いられる基材は、樹脂シートであれば、特に選択されず使用可能である。このような樹脂シートとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリ塩化ビニル、アクリルゴム、ポリアミド、ウレタン、ポリイミド等の樹脂フィルムが挙げられる。基材はこれらの単層であってもよいし、積層体からなってもよい。また、架橋等の処理を施したシートであってもよい。さらに、基材は硬化性樹脂を製膜、硬化したものであっても、熱可塑性樹脂を製膜したものであっても良い。
【００２５】
基材の厚さは、好ましくは３０〜１０００μｍ、さらに好ましくは５０〜８００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。
上記基材は、少なくとも固定ジグ３の密着層３１に当接する面の表面エネルギーが２０〜６０ｍＮ／ｍが好ましく、２５〜５０ｍＮ／ｍがより好ましい。表面エネルギーが上記範囲にあると、密着層３１との密着力が最適となり、ブロッキングも密着力不足によるウエハの脱落も起こらない。
【００２６】
また、基材は、表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１．０μｍ以下が好ましく０．２μｍ以下がより好ましい。算術平均粗さＲａが上記範囲にあると、密着層３１と粘着シート２との密着力を低下させる要因がないので、安定した密着力が得られる。
【００２７】
基材は、樹脂フィルムからなり、上記の物性を満たすかぎり、特に限定されず、樹脂そのものが上記の物性を示すものであっても、他の添加剤を加えたり表面処理を施すことにより、上記物性となるものであっても良い。
【００２８】
さらに、上述の樹脂中に、炭酸カルシウム、シリカ、雲母などの無機フィラー、鉄、鉛等の金属フィラー、顔料や染料等の着色剤等の添加物が含有されていてもよい。
基材は、液状の樹脂（硬化前の樹脂、樹脂の溶液等）を、キャスト用工程シートに薄膜状にキャストした後に、これを所定の手段によりフィルム化することで製造できる。このような製法によれば、成膜時に樹脂にかかる応力が少なく、フィッシュアイの形成が少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚さ精度は、通常２％以内になる。また、別の製造方法としては、Ｔダイやインフレーション法による押出成形やカレンダー法により、基材を単層のフィルムとして製造する方法が挙げられる。
【００２９】
（粘着剤層）
粘着剤層は、従来より公知の種々の感圧性粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。特に本発明においてはエネルギー線硬化型、特に紫外線硬化型粘着剤が好ましく用いられる。
【００３０】
エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的には、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物とを主成分としてなる。エネルギー線硬化型粘着剤に用いられるエネルギー線重合性化合物としては、光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどが用いられる。
【００３１】
エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アクリル系粘着剤１００重量部に対してエネルギー線重合性化合物は１０〜１０００重量部、好ましくは２０〜５００重量部、特に好ましくは５０〜２００重量部の範囲の量で用いられることが望ましい。この場合には、得られる粘着シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー線照射後には粘着力は大きく低下する。したがって、裏面研削終了後における半導体チップとエネルギー線硬化型粘着剤層との界面での剥離が容易になる。
【００３２】
また、エネルギー線硬化型粘着剤は、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。
【００３３】
エネルギー線硬化型粘着剤に光重合開始剤を配合させることにより、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少なくすることができる。
このような光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサ
イド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが例示できる。
【００３４】
光重合開始剤の使用量は、粘着剤の合計１００重量部に対して、好ましくは０．０５〜１５重量部、さらに好ましくは０．１〜１０重量部、特に好ましくは０．５〜５重量部である。
【００３５】
前記粘着剤中のポリマー成分を部分架橋するために架橋剤を用いてもよい。この架橋剤としては、例えばエポキシ系架橋剤、イソシアナート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤などが用いられる。
【００３６】
上記のようなアクリル系エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線照射前には半導体ウエハに対して充分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、粘着シート２と半導体ウエハとを充分な接着力で密着させ表面保護を可能にし、エネルギー線照射後には、研削された半導体チップから容易に剥離することができる。
【００３７】
粘着剤層の厚さは、その材質にもよるが、通常は３〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０〜５０μｍ程度である。
（中間層）
ウエハの回路面に凹凸差の大きなバンプが形成されている場合は、粘着剤層をバンプの凹凸面に追従させるために、粘着シート２において、基材と粘着剤層との層間に中間層を設けてもよい。
【００３８】
中間層の材質としては、上記物性を満たす限り特に限定はされず、たとえばアクリル系、ゴム系、シリコーン系などの各種の粘着剤組成物、紫外線硬化型樹脂および熱可塑性エラストマーなどが用いられる。
【００３９】
中間層と粘着剤層の合計厚さは、粘着シート２が貼着される被着体のバンプ高さ、バンプ形状、バンプ間隔のピッチ等を考慮して適宜に選定され、一般的には、中間層と粘着剤層の合計厚さは、バンプ高さの５０％以上、好ましくは１００〜２００％となるように選定することが望ましい。このように中間層と粘着剤層の合計厚さを選定すると、回路面の凹凸に粘着シート２が追随して凹凸差を解消できる。このため、中間層の厚さも回路面の凹凸差に応じ、例えば５〜５００μｍの範囲にある。
【００４０】
（粘着シートの製造方法）
粘着シート２は、上記粘着剤をナイフコーター、ロールコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法にしたがって基材上に適宜の厚さで塗工して乾燥させて粘着剤層を形成し、次いで必要に応じ粘着剤層上に剥離シートを貼り合わせることによって得られる。反対に、剥離シートの剥離処理面に粘着剤層を形成した後、基材と貼合することによって粘着シート２を得てもよい。
【００４１】
中間層を形成する場合には、基材上に、中間層を形成する樹脂を塗布後、所要の手段で樹脂を乾燥または硬化させて中間層を形成し、この中間層上に上記方法により粘着剤層を形成することによって中間層付き粘着シート２が得られる。また、剥離シートの剥離面に中間層を形成して基材に転写し、この剥離シートを剥がした中間層の面に別の剥離シート上に形成した粘着剤層を貼合して中間層付き粘着シート２を得てもよい。
【００４２】
＜転写テープ＞
固定ジグ３または粘着シート２上で個片化された半導体チップ１３をピックアップできるようにするため、半導体チップ１３を転写テープ５に転写する。この転写テープ５は粘着シート２と同様に基材と粘着剤層からなり、転写されたチップ１３をピックアップできる程度の剥離力を示す再剥離性粘着シートや、エネルギー線の照射により粘着力を低減または消失できるエネルギー線硬化型粘着シートが好ましく用いられる。このような転写テープ５は、いわゆる市販のダイシングシートと同様のものも使用できる。
【００４３】
＜半導体チップの製造方法＞
本発明に係る半導体チップの製造方法では、まず、複数の回路が形成されたウエハ１の回路面側に、該回路に沿って該ウエハ１の厚さより浅い切込み深さの溝１１を形成する（図４）。溝１１は、ウエハ１の表面に形成された複数の回路を区画するように形成される。溝１１の深さは、目的とするチップの厚さよりもやや深い程度であれば、特に限定はされない。溝１１の形成は、ダイシング装置のダイシングブレードなどを用いて行われる。
【００４４】
次に、溝１１を形成した面に、この面と密着層３１とが当接するように固定ジグ３を貼着する（図５）。その後、ウエハ１の裏面（研削面）１２を、グラインダーを用いて研削をすることでウエハの厚さを薄くするとともに、最終的には個々のチップ１３へ分割する。すなわち、溝１１の底部が除去されるまで裏面研削を行い、ウエハを各回路毎にチップ化する（図６）。さらに必要に応じて裏面研削を行うことにより所定厚さの複数のチップ（以下、「チップ群」ともいう）を得ることができる。この研削加工の間、ジグ基台３０は処理テーブルに吸引固定されているが、ジグ基台３０の貫通孔３８に当接する処理テーブルの吸着面を塞ぐなどして、処理テーブルは、貫通孔３８を通じて区画空間３７の気体を吸引できない構造となっている。固定ジグが極めて剛直な支持体となるため、ウエハ１は例えば１００μｍ以下、特に５０μｍ以下の極薄まで研削加工することができる。
【００４５】
得られたチップ群のピックアップ方法は特に限定されないが、たとえば、以下の方法が好ましく採用できる。分割された各チップ１３を、整列状態を保ったまま、研削面（裏面）にピックアップ用転写テープ５を貼着する（図７）。転写テープ５はチップ群よりも面積が広く、その周囲がフレーム５１で固定される。
【００４６】
次いで、バキューム装置４により固定ジグ３の貫通孔３８から区画空間３７内の気体を吸引して密着層３１を凹凸状に変形させ、チップ１３を側壁３５の上面および密着層３１の凸部上面のみで固定ジグ３と接触させる（図８）。これにより、チップ１３と固定ジグ３との密着力が低下して固定ジグ３から容易に取り外すことができ、チップ１３は転写テープ５に転写される（図９）。
【００４７】
このようにして転写テープ５に転写された半導体チップ１３を、従来公知の方法で転写テープ５からピックアップし、通常の工程を経て半導体装置が製造される。転写テープ５をエネルギー線硬化型粘着剤で形成した場合には、転写テープ５の基材側からエネルギー線を照射して転写テープ５の接着力を低下させることにより、半導体チップ１３を転写テープ５から容易にピックアップすることができる。
【００４８】
また、回路面の凹凸が大きく密着層３１ではウエハ１をしっかりと固定できない場合は、溝１１が形成された回路面に粘着シート２を貼付し（図１０）、その粘着シート２の基材面に固定ジグ３を貼着する（図１１）。回路面に電極などのバンプが形成され凹凸の大きさがさらに大きい場合は、中間層を有する粘着シート２が用いられる。
【００４９】
その後、粘着シート２を介して固定ジグ３に固定されたウエハ１も、前述と同様に裏面
研削を施し、さらに個片化されたチップ群は転写テープ５に転写される（図１２〜図１５）。次に、半導体チップ１３から粘着シート２を取り除く。粘着剤層をエネルギー線硬化型粘着剤で形成した場合には、粘着シート２の基材側からエネルギー線を照射して粘着剤層の接着力を低下させることにより、チップ１３から粘着シート２を容易に剥離することができる。
【００５０】
また、上記の工程の代わりに、転写テープ５をチップ群に貼着する前に固定ジグ３を粘着シート２の基材面から取り外した後、チップ群を転写テープ５に転写し、次いで、粘着シート２を剥離する順番であってもよい。
【００５１】
［実施例］
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、この実施例により何ら限定されるものではない。また、以下の方法により評価した。
【００５２】
（曲げ弾性率）ジグ基台の曲げ弾性率は、ＪＩＳ  Ｋ６９１１に規定された曲げ試験方法（３点曲げ試験方法）により測定した。また、密着層の曲げ弾性率は、ＡＳＴＭ  Ｄ７４７−７０により測定した。
【００５３】
（引張破断強度）ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠し、試験片タイプ２、引張速度２００ｍｍ／分で測定した。
（引張破断応力）ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠し、試験片タイプ２、引張速度２００ｍｍ／分で測定した。
【００５４】
（せん断密着力）縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ×厚さ３ｍｍの大きさを有する周知のガラス板に密着層を貼り付けて、シリコンからなるミラーウェーハ上に配置し、ガラス板と密着層の全体に９００ｇの荷重を５秒間加え、ガラス板をミラーウェーハと平行に荷重を加えて押圧した場合に、動き出した時の荷重を測定した。荷重３５Ｎで動き出さない場合、結果は「３５Ｎ超」とし、これより上の測定は行わなかった。
【００５５】
（密着力）密着力は、密着層３１を構成するフィルム単体を３０ｍｍ幅にカットし、ウエハのミラー面にゴムローラーで貼り付け、２０分間放置した後、３００ｍｍ／分の速度、角度１８０°で剥離したときの剥離強度により評価した。
【００５６】
（表面粗さ）ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１に基づき、表面粗さ計（ミツトヨ社製、商品名  ＳＵＲＦＰＡＣＫ  ＳＶ−３０００）により算術平均粗さＲａを測定した。
【実施例１】
【００５７】
（固定ジグの作成）
厚さ０．７ｍｍのポリカーボネートシート（曲げ弾性率２．３ＧＰａ）を直径２０２ｍｍの円形にカットし、片面に高さ０．１ｍｍ、直径０．２ｍｍの突起物をピッチ１．０ｍｍの配列で、また外周部を幅１．０ｍｍ、高さ０．１ｍｍの側壁となるように熱プレス法で成形した。さらに側壁から１ｃｍ内側の位置で突起物のない部分に、ボール盤を使って直径１ｍｍの貫通孔を設け、ジグ基台を作製した。また、密着層として厚さ１００μｍ、引張破断強度９ＭＰａ、引張破断伸度７５０％、曲げ弾性率２７ＭＰａ、せん断密着力３５Ｎ超、密着力０．１Ｎ／２５ｍｍ未満（測定下限未満）のエチレンメチルメタクリレート樹脂よりなるフィルム（住友化学社製、商品名：アクリフトＷＨ３０３）を変性シリコーン系接着剤でジグ基台の側壁及び突起物の上面に接着して、直径２０２ｍｍの固定ジグを作製した。
【００５８】
（ウエハ先ダイシング工程）
シリコンウエハ（２００ｍｍ直径、厚さ７５０μｍ）の鏡面側に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズで溝の深さが１２０μｍとなるようにダイシング装置（ディスコ社製、ＤＦＤ−６５６１）を用いてハーフカットダイシングを行った。続いて、ウエハの鏡面に対して、固定ジグの密着層面をそれぞれの中心が一致するようにして真空貼り合せ装置（芝浦メカトロニクス社製）により貼付し、ウエハを固定ジグに固定させた。
【００５９】
これを先ダイシング用の受け渡し機構を具備していないウエハ研削装置（ディスコ社製、商品名ＤＦＧ−８４０）の処理テーブルに吸引により支持固定し、ウエハの厚さが１００μｍとなるまで裏面研削を行い、ウエハを個片化した。なお、固定ジグの貫通孔に位置する処理テーブルの吸着面を粘着テープで部分的に塞ぎ、処理テーブル固定時の吸引によって固定ジグの区画空間の気体を吸引しないようにした。
【００６０】
次に、転写テープ（リンテック社製紫外線硬化型ダイシングテープ、商品名Ａｄｗｉｌｌ  Ｄ６５０）を剥離機構付きのウエハマウンタ（リンテック社製、Ａｄｗｉｌｌ  ＲＡＤ−２５００Ｆ／８ＭＵＬ）により、ウエハの研削面（チップ面）に貼付してリングフレームに固定した。続いて、固定ジグの貫通孔の開口部に真空ポンプのノズルを接続し、固定ジグの区画空間の気体を吸引して密着層を変形させた。これによって、チップ群から固定ジグの密着層が容易に剥離し、チップ群は固定ジグから転写テープに転写された。
【００６１】
このように、固定ジグを使用することによって、チップの破損や配列の乱れを起こすことなく先ダイシング工程を行うことができた。さらに、特別な受け渡し装置が具備されていないウエハ研削装置を用いて先ダイシング工程を行うことができた。また、これらの工程の間、シリコンウエハ（チップ群）は破損させることなしに各装置を受け渡すことができた。
【実施例２】
【００６２】
実施例１のシリコンウエハに代えて、直径２００ｍｍ、厚さ７５０μｍのシリコンウエハの鏡面にインクドット（高さ１００μｍ、直径１００〜２００μｍ、ピッチ１ｍｍ）を形成した、模擬的に高バンプを有するウエハを用いた。また、中間層を有する粘着シートとして、リンテック社製の紫外線硬化型保護用粘着シート（商品名  Ａｄｗｉｌｌ  Ｅ８３１０ＬＳ３４２Ｆ、中間層厚１１０μｍ、粘着剤層厚４０μｍ）を用いた。また、特に記述しない装置、材料等は実施例１と同じものを使用した。
【００６３】
バンプを有するウエハのバンプ側を、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズで溝の深さが１２０μｍとなるようにダイシング装置を用いてハーフカットダイシングを行った。続いて、バンプ面にテープラミネータ（リンテック社製、Adwill RAD3500/m12）を用いて粘着シートを貼付し、シリコンウエハの輪郭に沿って粘着シートを切断した。さらに、粘着シートの基材面に対して、固定ジグの密着層面をそれぞれの中心が一致するようにして真空貼り合せ装置により貼付し、ウエハを固定ジグに固定させた。
【００６４】
これをウエハ研削装置の処理テーブルに吸引により支持固定し、ウエハの厚さが１００μｍとなるまで裏面研削を行い、ウエハを個片化した。なお、固定ジグの貫通孔に位置する処理テーブルの吸着面を粘着テープで部分的に塞ぎ、処理テーブル固定時の吸引によって固定ジグの区画空間の気体を吸引しないようにした。
【００６５】
次に、転写テープをウエハマウンタにより、ウエハの研削面（チップ面）に貼付してリングフレームに固定した。続いて、固定ジグの貫通孔の開口部に真空ポンプのノズルを接続し、固定ジグの区画空間の気体を吸引して密着層を変形させた。これによって、チップ群から固定ジグの密着層が容易に剥離し、粘着シート付きのチップ群は固定ジグから転写テープに転写された。さらに、ウエハマウンタの剥離機構を用いて粘着シートを剥離し、
転写テープにチップ群だけが貼付されている状態とした。
【００６６】
このように、固定ジグを使用することによって、チップの破損や配列の乱れを起こすことなく先ダイシング工程を行うことができた。さらに、特別な受け渡し装置の用意されていないウエハ研削装置を用いて先ダイシング工程を行うことができた。また、これらの工程の間、シリコンウエハ（チップ群）は破損させることなしに各装置を受け渡すことができた。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】図１は、本発明に用いられる固定ジグの一例の概略断面図を示す。
【図２】図２は、本発明に用いられる固定ジグを構成するジグ基台の概略上面図を示す。
【図３】図３は、本発明に用いられる固定ジグを構成するジグ基台の概略断面図を示す。
【図４】図４は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図５】図５は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図６】図６は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図７】図７は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図８】図８は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図９】図９は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１０】図１０は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１１】図１１は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１２】図１２は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１３】図１３は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１４】図１４は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１５】図１５は、本発明に係る半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【符号の説明】
【００６８】
１・・・半導体ウエハ
１１・・・溝
１２・・・研削面
１３・・・半導体チップ
２・・・粘着シート
３・・・固定ジグ
３０・・・ジグ基台
３１・・・密着層
３５・・・側壁
３６・・・突起物
３７・・・区画空間
３８・・・貫通孔
４・・・バキューム装置
５・・・転写テープ
５１・・・フレーム
【図１】
2007250790.tif 000003
【図２】
2007250790.tif 000004
【図３】
2007250790.tif 000005
【図４】
2007250790.tif 000006
【図５】
2007250790.tif 000007
【図６】
2007250790.tif 000008
【図７】
2007250790.tif 000009
【図８】
2007250790.tif 000010
【図９】
2007250790.tif 000011
【図１０】
2007250790.tif 000012
【図１１】
2007250790.tif 000013
【図１２】
2007250790.tif 000014
【図１３】
2007250790.tif 000015
【図１４】
2007250790.tif 000016
【図１５】
2007250790.tif 000017