(57)【要約】【課題】  制御性に優れ、シンプルで効果的な構成により、小型化及び軽量化が図れるハイブリッド型の磁気軸受を提供する。【解決手段】  ステータと、前記ステータに磁気力によって非接触状態で支持されて回転する浮上対象物であるロータを有する磁気軸受において、電磁石の鉄心、永久磁石で構成される磁気支持対象物に対して磁気回路を２次元平面上に構成し、補極近辺に設ける永久磁石を利用することにより制御応答性を高めることがでる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステータと、前記ステータに磁気力によって非接触状態で支持されて回転する浮上対象物であるロータを有する磁気軸受において、
前記ステータは、少なくとも１以上のコアにより構成され、
前記ロータに向けて径方向に突設されて先端の磁束集中部が前記ロータに対して所定のギャップを介して対向する補極と、
前記補極は少なくとも２つ以上の突極の間に、前記コアを介してバイアス磁束を供給する永久磁石を配置し、
前記コアの略中心付近に前記ロータに対して所定のギャップを介して対向する励磁コイルを具備することを特徴とする磁気軸受。
【請求項２】
ステータと、前記ステータに磁気力によって非接触状態で支持されて回転する浮上対象物であるロータを有する磁気軸受において、
前記ステータは、少なくとも１以上のコアにより構成され、
前記ロータに向けて径方向に突設されて先端の磁束集中部が前記ロータに対して所定のギャップを介して対向する励磁コイルを有する複数の主極と、
前記複数の主極の磁束集中部に対してそれぞれ周方向にずれた位置に配置される複数の補極を有し、
前記補極は少なくとも２つ以上の突極の間に、前記コアを介してバイアス磁束を供給する永久磁石を配置し、前記ロータに対して所定のギャップを介して対向する励磁コイルを具備することを特徴とする磁気軸受。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気軸受の主極と浮上対象物（鉄心）の間隙に高さ方向制御用の軸方向ローレンツ力発生用電線を配置することを特徴とする請求項２に記載の磁気軸受。
【請求項４】
ステータと、前記ステータに磁気力によって非接触状態で支持されて回転する浮上対象物であるロータを有する磁気軸受において、
前記ステータは、少なくとも１以上のコアにより構成され、
前記ロータに向けて径方向に突設されて先端の磁束集中部が前記ロータに対して所定のギャップを介して対向する励磁コイルを有する複数の主極と、
前記複数の主極の磁束集中部に対してそれぞれ周方向にずれた位置に配置され、前記ロータに対して所定のギャップを介して対向する複数の補極を有し、
少なくとも２つ以上の突極の間に、前記コアを介してバイアス磁束を供給する永久磁石を配置する前記補極を具備することを特徴とする磁気軸受。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気軸受の主極と浮上対象物（鉄心）の間隙に高さ方向制御用の軸方向ローレンツ力発生用電線を配置することを特徴とする請求項４に記載の磁気軸受。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気力によってロータを非接触状態で支持する磁気軸受に関し、特に永久磁石によるバイアス磁束を用いて電磁石の消費電力を低減させるようにしたハイブリッド型の磁気軸受に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気軸受は、回転体を非接触で支持することができるため、制御技術の発展に伴って各種の軸受に利用されてきている。従来、回転体用の磁気軸受は、電磁石を使用した磁気軸受は、ロータを浮上させるために大きな電流を必要とするため、消費電力が大きくなってしまう。また、少ない電流で磁気力を大きくするためには、ロータとステータとの間のギャップが小さいことが要求され、高い工作精度が必要になる。
【０００３】
これらの問題を解決する方法として、性能向上が顕著な永久磁石のバイアス磁束を利用したハイブリッド型の磁気軸受が使用されるようになってきた。ハイブリッド型の磁気軸受の基本的な構成は、ロータの回転軸方向に隔てて配置された２つのラジアル磁気軸受の間に軸方向に着磁された永久磁石を挟み、一方のラジアル軸受をＮ極に、他方のラジアル軸受をＳ極にバイアス磁化し、このバイアス磁束を励磁コイルによってラジアル方向の一方では強め、他方では弱めることによってラジアル吸引力を制御するようにしたものである。
【０００４】
また、特許文献１に開示される磁気軸受は、ロータに向けて突設された複数の主極の磁束集中部に対して、バイアス磁束を供給する永久磁石を有する補極の先端が、周方向にずれた位置に配置され、補極の先端が第１極性となりこれと隣接する主極の磁束集中部が第２極性となるように磁気回路が形成される。
【０００５】
そして、複数の主極にのみ巻回された励磁コイルによって発生磁束を制御してラジアル方向の磁気力を制御するようにしている。このため、主極の励磁コイルによって生成される制御磁束と、補極によるバイアス磁束とをほぼ独立した磁気回路とすることができ、相互の干渉を少なくして、制御応答性を高めることができる。
【０００６】
また、制御磁束を発生させる主極と、バイアス磁束を発生させる補極の周方向位置をずらしたことにより、主極とロータとの間のギャップと、補極とロータとの間のギャップを、それぞれに適した個別のギャップとすることもできる。従って、例えば補極とロータとのギャップを主極とロータとのギャップよりも大きく設定することもでき、これにより永久磁石による高い磁束密度の影響を低減させると同時に、主極による制御応答性を高める提案がされている。
【特許文献１】特開２００５−６１５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示された磁気軸受では、主極に巻回した励磁コイルを制御して磁気力を制御する構成であるが、補極によりバイアス磁束を制御する構成ではない。また、永久磁石の配設方法が接着などによる貼り付けであるため、製造に時間がかかるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記のような実情に鑑みてなされたものであり、制御性に優れ、シンプルで効果的な構成により、小型化及び軽量化ができ、製造時間が短縮できるハイブリッド型の磁気軸受を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の態様のひとつである磁気軸受は、ステータと、上記ステータに磁気力によって非接触状態で支持されて回転する浮上対象物であるロータを有する磁気軸受において、上記ステータは、少なくとも１以上のコアにより構成され、上記ロータに向けて径方向に突設されて先端の磁束集中部が上記ロータに対して所定のギャップを介して対向する補極と、上記補極は少なくとも２つ以上の突極の間に、上記コアを介してバイアス磁束を供給する永久磁石を配置し、上記コアの略中心付近に上記ロータに対して所定のギャップを介して対向する励磁コイルを具備する構成とする。
【００１０】
また、本発明の態様のひとつである磁気軸受は、ステータと、上記ステータに磁気力によって非接触状態で支持されて回転する浮上対象物であるロータを有する磁気軸受において、上記ステータは、少なくとも１以上のコアにより構成され、上記ロータに向けて径方向に突設されて先端の磁束集中部が上記ロータに対して所定のギャップを介して対向する励磁コイルを有する複数の主極と、上記複数の主極の磁束集中部に対してそれぞれ周方向にずれた位置に配置される複数の補極を有し、上記補極は少なくとも２つ以上の突極の間に、上記コアを介してバイアス磁束を供給する永久磁石を配置し、上記ロータに対して所定のギャップを介して対向する励磁コイルを具備する構成とする。
【００１１】
好適には、上記構成の磁気軸受の主極と浮上対象物（鉄心）の間隙に高さ方向制御用の軸方向ローレンツ力発生用電線を配置する構成としてもよい。
本発明の態様のひとつである磁気軸受は、ステータと、上記ステータに磁気力によって非接触状態で支持されて回転する浮上対象物であるロータを有する磁気軸受において、上記ステータは、少なくとも１以上のコアにより構成され、上記ロータに向けて径方向に突設されて先端の磁束集中部が上記ロータに対して所定のギャップを介して対向する励磁コイルを有する複数の主極と、上記複数の主極の磁束集中部に対してそれぞれ周方向にずれた位置に配置され、上記ロータに対して所定のギャップを介して対向する複数の補極を有し、少なくとも２つ以上の突極の間に、上記コアを介してバイアス磁束を供給する永久磁石を配置する上記補極を具備する構成とする。
【００１２】
好適には、上記に示した磁気軸受の主極と浮上対象物（鉄心）の間隙に高さ方向制御用の軸方向ローレンツ力発生用電線を配置してもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、電磁石の鉄心、永久磁石で構成される磁気支持対象物に対して磁気回路を２次元平面上に構成し、補極近辺に設ける永久磁石を利用することにより制御応答性を高めることがでる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下図面に基づいて、本発明の実施形態について詳細を説明する。
（実施例１）
図１に一軸制御型ハイブリッド型磁気軸受の原理図を示す。本磁気軸受は二つの半円コア１１、１２と、二つのバイアス磁束発生用永久磁石１３、１４と、浮上対象物（鉄心など）１５からなっている。半円コアは積層鋼板等の磁性材料からなり、その両終端に中心に向けた突極を有する。突極１６、１７、１８、１９は補極を形成する。半円コア間にはコア内で磁束が衝突する向きに二つのバイアス磁束発生用永久磁石１３、１４を配置する。永久磁石の配置は図に示すようにコア１１、１２で挟み込む形でも、後述する図３のようにコアに埋め込む形でもよい。また、永久磁石はサマリュームコバルト、サマリューム鉄窒素、サマリューム鉄窒素など（希土類）を用いる。
【００１５】
浮上対象物１５は、少なくとも外周部に積層鋼板や電磁材料等の磁性体を配したもので、半円コア１１、１２などから構成されるステータの内側に配置されている。浮上対象物１５の外周面と突極部（補極）１６、１７、１８、１９ の先端とのギャップは、例えば、１ｍｍというように、補極の浮上対象物１５（ロータ）に対するギャップは、それぞれ個別に設定することもできる。また、励磁コイル（電磁石用など）１１０、１１１は、半円コア１１、１２の略中心に巻く構成にする。
【００１６】
このような磁気軸受によれば、図１に矢印線で示すように、バイアス磁束発生用永久磁石１３、１４が装着されているので、バイアス磁束発生用永久磁石１３側では、バイアス磁束発生用永久磁石１３によって生成されるバイアス磁束ΦｂがＮ極側の補極１６の先端から浮上対象物１５を介して両側で隣接する補極１７に至りバイアス磁束発生用永久磁石１３のＳ極に戻る経路に形成される。
【００１７】
また、対向するバイアス磁束発生用永久磁石１４側では、バイアス磁束発生用永久磁石１４によって生成されるバイアス磁束ΦｂがＮ極側の補極１８の先端から浮上対象物１５を介して両側で隣接する補極１９に至りバイアス磁束発生用永久磁石１４のＳ極に戻る経路に形成される。
【００１８】
また、コイル１１０、１１１同士を直列に接続し、電流の向きを同じ向きとする、即ち対向する補極１６、１７と補極１８、１９の対向面を互いに異なる極とするように励磁することにより、コイル１１０、１１１で生成される制御磁束Φｃは、一方の補極１６、１７に形成される磁束を強め、他方の補極１８、１９の磁束を弱めるように作用する。これにより、ラジアル方向の力が発生しラジアル軸受としての機能を発揮する。制御磁束Φｃは、補極同士を介した経路、つまりバイアス磁束Φｂの経路とは独立した経路に形成されるので、制御磁束Φｃが、バイアス磁束Φｂに影響されることが少なく、制御力及び制御応答性が向上する。
【００１９】
図１のようにコア内でバイアス磁束が流れている状態で、コイル１１０、１１１に磁束発生方向が逆向きになるように同一の大きさの電流を流す。コアと鉄心の空隙Ａ点で磁束が増加する場合、対向する空隙Ｂ点では磁束が減少することとなり、浮上対象物１５（鉄心）に、Ｙ軸方向の吸引力が発生し、プッシュプル形式の位置制御が可能となる。
【００２０】
また、バイアス磁束発生用永久磁石１３、１４から供給されるバイアス磁束は、一度浮上対象物１５に達し、浮上対象物１５から補極の間隔は、上述したギャップの２倍以上となるように設定することが望ましい。
（実施例２）
図２に二軸制御・２極型ハイブリッド型磁気軸受の原理図を示す。本磁気軸受は二つの半円コア２１、２２、二つのバイアス磁束発生用永久磁石２３、２４、浮上対象物（鉄心）２５から構成されている。半円コア２１、２２は、その両終端および半円中間部に半円中心に向けた計３個の突極２６、２７、２８、２９、２１０、２１１を有する。半円コア２１、２２間にはコア内で磁束が衝突する向きに二つのバイアス磁束発生用永久磁石２３、２４を配置する（永久磁石のＮ極とＮ極が向かい合わせになるように配置する）。永久磁石の配置は図２のようにコアで挟み込む形でも、後述する図３のようにコアに埋め込む形でもよい。
【００２１】
コイル（電磁石用など）２１２、２１３、２１４、２１５、２１６、２１７は、半円コア中間部に一つ形成され、半円コア終端部にも形成される。半円コア終端部のコイル２１２、２１３、２１４、２１５は、半円コア２１と半円コア２２両方の終端突極２６、２７と２８、２９にまたがって形成される（巻かれる）。また半円コア２１の略中心部分に突極（主極）２１０と、半円コア２２の略中心部分に突極（主極）２１１を設ける。
【００２２】
図２中のコイル２１２を半円コア２１の突極２６に巻いたコイルと、コイル２１３を半円コア２２の突極２７に巻いたコイルは直列に接続する。ただし、この二つのコイルは電流を流すと、それぞれ反対方向に磁束が発生するコイルの巻き方または接続方法とする。  ただし、この二つのコイルは電流を流すと、それぞれ反対方向に磁束が発生するコイルの巻き方または接続方法とする。また、図２中のコイル２１４の場合、半円コア２１の突極２８に巻いたコイルと半円コア２２の突極２９に巻いたコイルは直列に接続する。この二つのコイルも電流を流すと、それぞれ反対方向に磁束が発生するコイルの巻き方または接続方法とする。
【００２３】
同図のようにコア内でバイアス磁束が流れている状態でコイル２１６、２１７に電流を流すことで、Ｙ軸方向の位置制御ができる。また、同様の状態でコイル２１２、２１３、２１４、２１５、２１６、２１７に電流を流すことで、Ｘ軸方向の位置制御が制御できる。このように制御をすることで、Ｙ軸方向の位置制御とＸ軸方向の位置制御が、それぞれ独立に可能となる。
【００２４】
詳細には、このような磁気軸受によれば、図２に矢印線で示すように、永久磁石２３の先端側がＮ極に着磁されているので、永久磁石２３によって生成されるバイアス磁束Φｂが、補極２６の先端から浮上対象物２５を介して両側で隣接する補極２７と主極２１１に至る。さらに半円コア２１を介して主極２１０の先端から浮上対象物２５を介し、補極２７と主極２１１を経て永久磁石２３のＳ極に戻る経路が形成される。
【００２５】
また、永久磁石２４によって生成されるバイアス磁束Φｂが、補極２８の先端から浮上対象物２５を介して両側で隣接する補極２１０と主極２１１に至り、さらに半円コア２１を介して主極２１０の先端から浮上対象物２５を介し、補極２９と主極２１１を経て永久磁石２４のＳ極に戻る経路が形成される。
【００２６】
また、対向する主極２１１、２１２に巻かれたコイル２１６、２１７と、補極２６、２７、２８、２９に巻かれたコイル２１２、２１３、２１４、２１５に、電流を流す。このときコイルに流す電流の向きは同じ向きとする、すなわち対向する主極２１０、２１１の対向面を互いに異なる極とするように励磁する。
【００２７】
補極２６からコア２１を介し主極２１０にコイル磁束Φｃ１をバイアス磁束Φｂと同じ方向に発生させる。また、補極２８からコア２１を介し主極２１０にコイル磁束Φｃ２をバイアス磁束Φｂと同じ方向に発生させる。
【００２８】
補極２７からコア２２を介し主極２１１にコイル磁束Φｃ３をバイアス磁束Φｂと反対方向に発生させる。また、補極２９からコア２２を介し主極２１１にコイル磁束Φｃ４をバイアス磁束Φｂと反対方向に発生させる。
【００２９】
上記コイルで生成される制御磁束Φｃ１〜Φｃ４は、一方の主極２１０の磁束を強め、他方の主極２１１の磁束を弱めるように作用する。これにより、ラジアル方向の力が発生しラジアル軸受としての機能を発揮する。コイル磁束Φｃ１〜Φｃ４は、主極２１０、２１１同士を介した経路、つまりバイアス磁束Φｂの経路とは独立した経路に形成されるので、制御磁束Φｃ１〜Φｃ４が、バイアス磁束Φｂに影響されることが少なく、制御力及び制御応答性が向上する。
【００３０】
また、この構造を採ることによりシンプルかつ効果的な磁気軸受が構成できる。
（実施例３）
図３に二軸制御・４極型ハイブリッド型磁気軸受の原理図を示す。本磁気軸受は４分の１円コア３１、３２、３３、３４と、４つのバイアス磁束発生用永久磁石３５、３６、３７、３８、浮上対象物（鉄心）３９から構成する。
【００３１】
４分の１円コアはその両終端および中間部に半円中心に向けた計３個の突極を有する。中央の突極を主極、両端の突極を補極とする。本例ではバイアス磁束発生用永久磁石３５から３６までの間を４分の１円コア３１、バイアス磁束発生用永久磁石３６から３７までを４分の１円コア３２、バイアス磁束発生用永久磁石３７から３８までを４分の１円コア３３、バイアス磁束発生用永久磁石３８から３５までを４分の１円コア３４として配設している。
【００３２】
突極は、３１０〜３２１に示され、主極は、３１１、３１３、３１６、３１９、補極は、３１０、３１２、３１４、３１５、３１７、３１８、３２０、３２１である。
次に、４分の１円コア間にはコア内で磁束が衝突する向きに４つのバイアス磁束発生用永久磁石３１、３２、３３、３４を配置する（永久磁石のＮ極と他磁石のＮ極が、Ｓ極と他方のＳ極が向かい合わせになるように配置する）。永久磁石の配置は図１、２のようにコアで挟み込む形でも、図３のようにコアに埋め込む形でもよい。
【００３３】
電磁石用コイルはそれぞれの４分の１円コアの主極に一つ形成する。主極の長さと補極の長さは異なってもよいものとする（主極が補極にくらべて長い＝主極と浮上対象物３９の間隙が補極と浮上対象物３９の間隙に比べて狭い）。
【００３４】
図３のようにコア内でバイアス磁束が流れている状態で、コイル３２３、３２５に電流を流すと、Ｙ軸方向の位置制御される。また、コイル３２２、３２４に電流を流すと、Ｘ軸方向の位置制御され、それぞれ独立に制御が可能になる。この構造によりシンプルかつ効果的な磁気軸受が構成できる。
【００３５】
詳細には図３に矢印線で示すように、永久磁石３５、３６、３７、３８によって生成されるバイアス磁束Φｂが、主極の先端から浮上対象物３９を介して両側で隣接する補極に至り、さらにコアを介して主極に戻る経路に形成される。
【００３６】
例えば、同図中で主極３１３に巻かれたコイル３２３によりコア３２に発生する制御磁束Φｃ１、Φｃ２ は、主極３１３の磁束を強める。また、主極３１９に巻かれたコイル３２５によりコア３４に発生する制御磁束Φｃ３、Φｃ４は、他方の主極３１９の磁束を弱めるように作用する。
【００３７】
制御磁束Φｃ１〜Φｃ４は、主極同士を介した経路、つまりバイアス磁束Φｂ の経路とは独立した経路に形成されるので、制御磁束Φｃ１〜Φｃ４が、バイアス磁束Φｂに影響されることが少なく、制御力及び制御応答性が向上する。
【００３８】
また、変形例として二軸制御・多極型が考えられる。例えば、二軸制御型の６極以上の構造である。さらに、変形例として「三軸制御・２極型」が考えられる。
図４に「二軸制御・２極型」のコイル２１６、２１７の主極と浮上対象物（鉄心）２５の間隙にＺ軸方向へのローレンツカ発生用電線４１（コイルなど）を配置することにより垂直方向（Ｚ軸）の位置制御も可能となり、三軸制御に拡張が可能となる。また、「三軸制御・４極型」として、「二軸制御・４極型」のコイル３２２、３２３、３２４、３２５の主極と浮上対象物（鉄心）３９の間隙にＺ軸方向ローレンツ力発生用電線を配置することにより垂直方向（Ｚ軸）の位置制御も可能となり、三軸制御に拡張可能となる。
【００３９】
ここで、ローレンツ力の制御は、Ｚ軸方向へのロータが移動したことを検出するセンサを配設し、検出結果をＺ方向コントローラによって制御し、Ｚ軸方向コントローラの出力をパワーアンプなどで増幅して軸方向ローレンツカ発生用電線への電流制御をする。
（制御方法）
図５は、本実施形態の磁気軸受を制御する制御回路を示し、各種極に右ネジの方向に（ネジ先端が中心方向）にコイルが巻かれているときの回路図である。
【００４０】
ｘｙ座標系で０°と９０°の位置の主極に、それぞれ位置センサ５１、５２が、設けられる。この位置センサ５１、５２は、渦電流センサ、インダクタンスセンサ等を用いることができる。位置センサ５１、５２の出力は、それぞれセンサアンプ５３、５４にて増幅され、それらの出力がそれぞれｘ方向変位信号、ｙ方向変位信号としてｘ方向コントローラ５５ 及びｙ方向コントローラ５６に供給される。ｘ方向コントローラ５５およびｙ方向コントローラ５６は、それぞれｘ方向変位信号およびｙ方向変位信号に基づいて、例えばＰＩＤ制御信号を出力し、これをパワーアンプ５６、５７を介して、各主極の励磁コイルにフィードバックする。このようにｘ、ｙ方向それぞれを独立して制御することにより、ラジアル方向の位置決めが可能になる。
【００４１】
また、このように、対向する主極の励磁コイル１５同士を直列に接続することにより、２極分を１つのパワーアンプで駆動することができる。
また、本発明は、上記実施の形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施形態（一軸制御型）に係る磁気軸受の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態（二軸制御・２極型）に係る磁気軸受の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態（二軸制御・４極型）に係る磁気軸受の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態（三軸制御・２極型）に係る磁気軸受の断面図である。
【図５】磁気軸受の制御回路を示す回路図である。
【符号の説明】
【００４３】
１１  ・・・  半円コア
１２  ・・・  半円コア
１３  ・・・  バイアス磁束発生用永久磁石
１４  ・・・  バイアス磁束発生用永久磁石
１５  ・・・  浮上対象物（鉄心など）
１６〜１９  ・・・  突極、補極
１１０  ・・・  コイル
１１１  ・・・  コイル
２１  ・・・  半円コア
２２  ・・・  半円コア
２３  ・・・  バイアス磁束発生用永久磁石
２４  ・・・  バイアス磁束発生用永久磁石
２５  ・・・  浮上対象物（鉄心など）
２６〜２９  ・・・  突極、補極
２１０  ・・・  突極、主極
２１１  ・・・  突極、主極
２１２〜２１７  ・・・  コイル
３１〜３４  ・・・  ４分の１円コア
３５〜３８  ・・・  バイアス磁束発生用永久磁石
３９  ・・・  浮上対象物（鉄心など）
３１０  ・・・  突極、主極
３１１  ・・・  突極、補極
３１２  ・・・  突極、補極
３１３  ・・・  突極、主極
３１４  ・・・  突極、補極
３１５  ・・・  突極、補極
３１６  ・・・  突極、主極
３１７  ・・・  突極、補極
３１８  ・・・  突極、補極
３１９  ・・・  突極、主極
３２０  ・・・  突極、補極
３２１  ・・・  突極、補極
３２２  ・・・  突極、主極
４１  ・・・  ローレンツカ発生用電線
５１  ・・・  センサ
５２  ・・・  センサ
５３  ・・・  センサアンプ
５４  ・・・  センサアンプ
５５  ・・・  ｘ方向コントローラ
５６  ・・・  ｙ方向コントローラ
５７  ・・・  パワーアンプ
５８  ・・・  パワーアンプ
【図１】
2007009949.tif 000003
【図２】
2007009949.tif 000004
【図３】
2007009949.tif 000005
【図４】
2007009949.tif 000006
【図５】
2007009949.tif 000007