(57)【要約】【課題】積層基板のパターン損傷に考慮され、積層基板の厚み方向に対して深い位置に改質層を形成することができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】封止基板１１の面に複数の第１及び第２積層部材１２，１３が区画形成されてなる積層基板としての液滴吐出ヘッド１０であって、隣接する第１積層部材１２間に相当する封止基板１１のレーザ照射面Ｓ２に向けてレーザ光６０を照射して、封止基板１１の内部に改質層Ｒｃを形成するレーザスクライブ方法であって、レーザ照射面Ｓ２の上部に、シリコン材４１を配置する屈折物質配置工程と、シリコン材４１を介してレーザ照射面Ｓ２に向けてレーザ光６０を照射するレーザ照射工程とを有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の面に複数の積層部材が区画形成されてなる積層基板であって、隣接する前記積層部材間に相当する前記基材のレーザ照射面に向けてレーザ光を照射して、前記基材の内部に改質層を形成するレーザスクライブ方法であって、
前記レーザ照射面の上部に、少なくとも空気よりも屈折率が大きい屈折物質を配置する屈折物質配置工程と、
前記屈折物質を介して前記レーザ照射面に向けて前記レーザ光を照射するレーザ照射工程と、を有することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、前記レーザの集光点が、前記レーザ照射面の反対面に達する位置に前記屈折物質を配置することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のレーザスクライブ方法において、
前記レーザ照射工程では、前記屈折部材に対するレーザ照射幅が、隣接する前記積層部材間の幅以内となるように、前記レーザ光を照射することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、前記屈折物質は、シリコン材であることを特長とするレーザスクライブ方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、前記屈折物質は、レンズ材であることを特長とするレーザスクライブ方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、前記屈折物質は、２以上の異なった物質で構成されていることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、マスクに前記屈折物質を備え、前記マスクの前記屈折物質が前記レーザ照射面の上部に位置するように、前記マスクを配置することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、前記屈折物質を配置するとともに、前記積層部材の上部には、前記レーザ光の透過を抑制する抑制部材を配置することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法によって加工されたことを特徴とする積層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層基板を切断するレーザスクライブ方法及び当該レーザスクライブ方法によって切断された積層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光を用いて積層基板を切断するレーザスクライブ方法が知られている。例えば、特許文献１に記載のレーザスクライブ方法では、切断しようとする積層基板の内部にレーザ光の集光点を合わせて、即ち、集光点でレーザ光のパワー密度が最大となるようにレーザ光を照射し、多光子吸収という現象を利用することにより、集光点部に改質層を形成させる。そして、積層基板に外力を加えることにより改質領域を起点にして切断するという方法を用いている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基材の面に積層部材が形成された積層基板において、積層部材へのレーザ光の照射による損傷を防ぐため、積層部材を避けるようにして基材のレーザ照射面にレーザ光を照射する必要がある。このため、レーザ光の照射幅が制限され、レーザ照射面におけるレーザ照射幅が狭くなり、基材の厚み方向に対してレーザ照射面から深い位置に改質層を形成することができないという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、積層基板の積層部材の損傷防止に考慮され、基材の厚み方向に対して深い位置に改質層を形成することができるレーザスクライブ方法及び積層基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、基材の面に複数の積層部材が区画形成されてなる積層基板であって、隣接する積層部材間に相当する基材のレーザ照射面に向けてレーザ光を照射して、基材の内部に改質層を形成するレーザスクライブ方法であって、レーザ照射面の上部に、少なくとも空気よりも屈折率が大きい屈折物質を配置する屈折物質配置工程と、屈折物質を介してレーザ照射面に向けてレーザ光を照射するレーザ照射工程とを有することを要旨とする。
【０００７】
本発明に係るレーザスクライブ方法によれば、基材のレーザ照射面に向けて、照射されたレーザ光が屈折物質に入射される。入射されたレーザ光は、屈折物質中を屈折物質の屈折率にしたがって屈折し、屈折物質を介して基材のレーザ照射面に入射される。基材のレーザ照射面に入射されたレーザ光は、基材の屈折率にしたがって屈折し、基材の内部で集光される。従って、基材のレーザ照射面に向けて集光されたレーザ光は、基材のレーザ照射面に入射される前に、屈折物質によって屈折されるので、直接基材のレーザ照射面にレーザ光を入射させるよりも、レーザ照射面におけるレーザ照射幅が長くなり、基材のレーザ照射面から基材の厚み方向の深い位置でレーザ光を集光して、改質層を形成することができる。
【０００８】
本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、レーザの集光点が、レーザ照射面の反対面に達する位置に屈折物質を配置してもよい。
【０００９】
これによれば、基材の面のうちの一方のレーザ照射面に向けてレーザ照射すれば、基材の厚み方向のほぼ全域に改質層が形成されるので、基材の両面からレーザ光を照射する必要がなく、加工作業を簡略化することができる。
【００１０】
本発明のレーザスクライブ方法のレーザ照射工程では、屈折部材に対するレーザ照射幅が、隣接する積層部材間の幅以内となるように、レーザ光を照射してもよい。
【００１１】
これによれば、レーザ光の照射幅を積層基板間の幅以内で照射することにより、積層部材にレーザ光が照射されることがないので、積層部材のレーザ光の照射による損傷を防止することができる。
【００１２】
本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、屈折物質は、シリコン材であってもよい。
【００１３】
これによれば、レーザ光は、屈折物質としてのシリコン材の屈折率によって屈折され、屈折されたレーザ光が基材のレーザ照射面に入射されるので、基材の厚み方向の深い位置でレーザ光を集光して、改質層を形成することができる。
【００１４】
本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、屈折物質は、レンズ材であってもよい。
【００１５】
これによれば、レーザ光は、屈折物質としてのレンズ材の屈折率によって屈折され、屈折されたレーザ光が基材のレーザ照射面に入射するので、基材の厚み方向の深い位置でレーザ光を集光して、改質層を形成することができる。
【００１６】
本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、屈折物質は、２以上の異なった物質で構成されてもよい。
【００１７】
これによれば、レーザ光は、基材のレーザ照射面から基材の厚み方向の深い位置でレーザ光が集光され、改質層を形成することができるとともに、レーザ光は、異なった２以上の物質を介することにより、それぞれの屈折率が異なったレーザ光が基材に入射されるので、基材の内部に２以上の集光点ができ、改質層を効率良く形成することができる。
【００１８】
本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、マスクに屈折物質を備え、マスクの屈折物質がレーザ照射面の上部に位置するように、マスクを配置してもよい。
【００１９】
これによれば、マスクを用いて屈折物質を配置するので、作業性を向上させることができる。
【００２０】
本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、屈折物質を配置するとともに、積層部材の上部には、レーザ光の透過を抑制する抑制部材を配置してもよい。
【００２１】
これによれば、積層部材の上部にはレーザ光の透過を抑制する抑制部材が配置されるので、レーザ光の照射による積層部材の損傷を防ぐことができる。
【００２２】
本発明の積層基板は、上記のレーザスクライブ方法によって加工されたことを要旨とする。
【００２３】
これによれば、積層基板の積層部材の損傷に考慮され、基材の厚み方向に対して深い位置に改質層を形成することにより、切断作業を簡略できるので、廉価で信頼性の高い積層基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した第１〜第３実施形態について図面に従って説明する。
【００２５】
[第１実施形態]
（マザー基板の構成）
まず、マザー基板の構成について説明する。図１は、マザー基板の概略を示し、図１（ａ）は、平面図を示し、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ線の断面図を示す。
【００２６】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、マザー基板１は、基材としての封止基板１１と、封止基板１１の面のそれそれに積層部材としての第１積層部材１２及び第２積層部材１３とが形成され、複数の積層基板としての液滴吐出ヘッド１０が区画形成して構成されている。そして、１つの液滴吐出ヘッド１０は、それぞれ区画された液滴吐出ヘッド１０間の封止基板１１のレーザ照射面Ｓ２またはＳ３に向けてレーザ光を照射して、封止基板１１の内部に改質層を形成することによって切断され、マザー基板１から分割される。
【００２７】
（積層基板の構成）
次に、積層基板の構成について説明する。図２は、積層基板としての液滴吐出ヘッドの構成を示す断面図である。
【００２８】
図２において、液滴吐出ヘッド１０は、シリコン単結晶からなる基材としての封止基板１１と、封止基板１１の一の面に形成された第１積層部材１２と、封止基板１１の他の面に形成された第２積層部材１３等で構成されている。第１積層部材１２は、機能液を供給するための供給穴２１を有するコンプライアンス基板１４から構成され、第２積層部材１３は、アクチュエータ基板１５と、さらにアクチュエータ基板１５に接着されたノズル穴３１を有するノズルプレート３０で構成されている。アクチュエータ基板１５は、駆動膜２２と、駆動膜２２の一部である駆動部２２ａに電圧を印加するための配線２５と、駆動部２２ａに接する酸化シリコン層２６ａと酸化ジルコニウム層２６ｂによって構成される弾性膜２６と、圧力室２７ａを有する圧力室部材２７で構成されている。
【００２９】
（レーザ照射装置の構成）
次に、マザー基板１の封止基板１１の内部に改質層を形成するためのレーザ照射装置について説明する。図３は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。
【００３０】
図３に示すように、レーザ照射装置１００は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源１０１と、出射されたパルスレーザ光を反射するダイクロイックミラー１０２と、反射したパルスレーザ光を集光する集光レンズ１０３とを備えている。また、加工対象物となるマザー基板１を載置するステージ１０７と、ステージ１０７を集光レンズ１０３に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させるＸ軸スライド部１１０およびＹ軸スライド部１０８とを備えている。また、ステージ１０７に載置されたマザー基板１に対して集光レンズ１０３のＺ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置を調整するＺ軸スライド機構１０４を備えている。さらには、ダイクロイックミラー１０２を挟んで集光レンズ１０３と反対側に位置する撮像装置１１２を備えている。
【００３１】
レーザ照射装置１００は、上記各構成を制御するメインコンピュータ１２０を備えており、メインコンピュータ１２０には、ＣＰＵや各種メモリーの他に撮像装置１１２が撮像した画像情報を処理する画像処理部１２４を有している。撮像装置１１２は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ１０３を透過して焦点を結ぶ。
【００３２】
メインコンピュータ１２０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部１２５とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部１２６が接続されている。また、レーザ光源１０１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部１２１と、Ｚ軸スライド機構１０４を駆動して集光レンズ１０３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部１２２とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部１１０とＹ軸スライド部１０８をそれぞれレール１０９，１１１に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部１２３が接続されている。
【００３３】
集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構１０４には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部１２２は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ１０３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置１１２の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板Ｗの表面と合うように集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させれば、基板Ｗの厚みを計測することが可能である。
【００３４】
レーザ光源１０１は、パルスレーザ光を発生するＮｄ：ＹＡＧレーザである。この他にレーザ光源１０１に用いることができるレーザとして、この他に、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザやＮｄ：ＹＬＦレーザやチタンサファイアレーザがある。
【００３５】
尚、本実施形態では、ステージ１０７は、Ｙ軸スライド部１０８に支持されているが、Ｘ軸スライド部１１０とＹ軸スライド部１０８との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部１１０に支持される形態としてもよい。また、ステージ１０７をθテーブル（図示せず）を介してＹ軸スライド部１０８に支持することが好ましい。これによれば、マザー基板Ｗを光軸１０１ａに対してより垂直な状態とすることが可能である。
【００３６】
（レーザスクライブ方法）
次に、本実施形態に係るレーザスクライブ方法について説明する。図４は、本実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図である。
【００３７】
図４（ａ）の屈折物質配置工程では、レーザ照射面Ｓ２の上部に、少なくとも空気よりも屈折率が大きい屈折物質を配置する。本実施形態では、屈折物質としてのシリコン材４１を配置した。シリコン材４１は、レーザ照射面Ｓ２をほぼ覆うように配置されるとともに、レーザ光を照射したときに、レーザ光の集光点が、レーザ照射面Ｓ２の反対面にほぼ到達するように適宜高さ調節される。また、シリコン材４１は、マスク４０に備えられており、マスク４０のシリコン材４１がレーザ照射面Ｓ２の上部に位置するように、マスク４０を配置する。
【００３８】
マスク４０には、レーザ光の透過を抑制する抑制部材４２が備えられ、抑止部材４２が、第１積層部材１２の上部に位置するように、マスク４０が配置される。抑制部材４２は、照射されたレーザ光を反射、吸収、散乱等により、レーザ光の透過を抑制し、第１積層部材１２の損傷を防止するためのものである。抑制部材４２は、例えば、金属材、樹脂材等を用いることができる。なお、抑止部材４２は、第１積層部材１２の全面を覆うように設ける必要はなく、少なくともレーザ光が照射される領域付近に備えればよい。
【００３９】
図４（ｂ）のレーザ照射工程では、レーザ照射装置１００を用いて、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光を集光する集光レンズ１０３から、シリコン材４１を介してレーザ照射面Ｓ２に向けて、レーザ照射面Ｓ２に垂直な方向に、かつ、切断予定ラインＬに沿って、封止基板１１の内部にレーザ光６０の集光点Ｐ１が位置するように照射する。このとき、シリコン材４１のレーザ照射面Ｓ１におけるレーザ光６０の照射幅が、隣接する第１積層部材１２間幅Ｗ以内となるように照射される。
【００４０】
レーザ光６０は、レーザ照射面Ｓ２の反対面に到達する位置Ｐ１に集光点が設定され、切断予定ラインＬに沿ってレーザ光６０を照射しながら走査する。その後、集光点の位置がレーザ照射面Ｓ２に近づくようにＺ軸方向に集光点の位置を移動させ、レーザ光６０を照射させながら切断予定ラインＬに沿って走査する。そして、集光点の位置Ｐ２に達するまで、複数回走査することにより、切断予定ラインＬに沿った改質層Ｒｃが形成される。
【００４１】
図４（ｃ）の分割工程では、積層基板１０に外力を与えることにより、応力が改質層Ｒｃにかかり、改質層Ｒｃを起点として封止基板１１が切断され、液滴吐出ヘッド１０に分割される。
【００４２】
従って、上記の第１実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００４３】
（１）封止基板１１のレーザ照射面Ｓ２に向けて、レーザ光６０の照射幅が第１積層部材１２間幅Ｗ以内となるように照射されたレーザ光６０が、シリコン材４１のレーザ照射面Ｓ１に入射される。入射されたレーザ光６０は、シリコン材４１の屈折率にしたがって屈折し、シリコン材４１を介してレーザ照射面Ｓ２に入射される。レーザ照射面Ｓ２に入射されたレーザ光６０は、封止基板１１の屈折率にしたがって屈折し、封止基板１１の内部で集光される。従って、レーザ照射面Ｓ２に向けて照射されたレーザ光６０は、レーザ照射面Ｓ２に入射される前に、シリコン材４１によって屈折されるので、直接レーザ照射面Ｓ２にレーザ光６０を入射させるよりも、レーザ照射面Ｓ２におけるレーザ光６０の照射幅が長くなり、レーザ照射面Ｓ２から封止基板１１の厚み方向の深い位置でレーザ光６０が集光され、改質層Ｒｃを形成することができる。
【００４４】
（２）第１積層部材１２の上部にはレーザ光６０の透過を抑制する抑制部材４２が配置されるので、シリコン材４１のレーザ照射面Ｓ２におけるレーザ光６０の照射幅が第１積層部材１２間幅Ｗを超えても、第１積層部材１２の損傷を防ぐことができる。
【００４５】
[第２実施形態]
次に、第２実施形態について説明する。なお、マザー基板の構成、積層基板としての液滴吐出ヘッドの構成およびレーザ照射装置の構成については、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００４６】
（レーザスクライブ方法）
図５は、本実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図である。
【００４７】
図５（ａ）の屈折物質配置工程では、レーザ照射面Ｓ２の上部に、少なくとも空気よりも屈折率が大きい屈折物質を配置する。本実施形態では、屈折物質としてのレンズ材５１を配置した。レンズ材５１は、レーザ照射面Ｓ２をほぼ覆うように配置されるとともに、レーザ光を照射したときに、レーザ光の集光点が、レーザ照射面Ｓ２の反対面にほぼ到達するように、レンズの曲率、設置高さ等適宜調節される。
【００４８】
図５（ｂ）のレーザ照射工程では、レーザ照射装置１００を用いて、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光を集光する集光レンズ１０３から、レンズ材５１を介してレーザ照射面Ｓ２に向けて、レーザ照射面Ｓ２に垂直な方向に、かつ、切断予定ラインＬに沿って、封止基板１１の内部にレーザ光６０の集光点Ｐ１が位置するように照射する。このとき、レンズ材５１のレーザ照射面Ｓ１におけるレーザ光６０の照射幅が、隣接する第１積層部材１２間幅Ｗ以内となるように照射される。
【００４９】
レーザ光６０は、レーザ照射面Ｓ２の反対面に到達する位置Ｐ１に集光点が設定され、切断予定ラインＬに沿ってレーザ光６０を照射しながら走査する。その後、集光点の位置がレーザ照射面Ｓ２に近づくようにＺ軸方向に集光点の位置を移動させ、レーザ光６０を照射させながら切断予定ラインＬに沿って走査する。そして、集光点の位置Ｐ２に達するまで、複数回走査することにより、切断予定ラインＬに沿った改質層Ｒｃが形成される。
【００５０】
図５（ｃ）の分割工程では、積層基板１０に外力を与えることにより、応力が改質層Ｒｃにかかり、改質層Ｒｃを起点として封止基板１１が切断され、液滴吐出ヘッド１０に分割される。
【００５１】
従って、上記の第２実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００５２】
（１）封止基板１１のレーザ照射面Ｓ２に向けて、レーザ光６０の照射幅が第１積層部材１２間幅Ｗ以内となるように照射されたレーザ光６０が、レンズ材５１のレーザ照射面Ｓ１に入射される。入射されたレーザ光６０は、レンズ材５１の屈折率にしたがって屈折し、レンズ材５１を介してレーザ照射面Ｓ２に入射される。レーザ照射面Ｓ２に入射されたレーザ光６０は、封止基板１１の屈折率にしたがって屈折し、封止基板１１の内部で集光される。従って、レーザ照射面Ｓ２に向けて照射されたレーザ光６０は、レーザ照射面Ｓ２に入射される前に、レンズ材５１によって屈折されるので、直接レーザ照射面Ｓ２にレーザ光６０を入射させるよりも、レーザ照射面Ｓ２におけるレーザ光６０の照射幅が長くなり、レーザ照射面Ｓ２から封止基板１１の厚み方向の深い位置でレーザ光６０が集光され、改質層Ｒｃを形成することができる。
【００５３】
[第３実施形態]
次に、第３実施形態について説明する。なお、マザー基板の構成、積層基板としての液滴吐出ヘッドの構成およびレーザ照射装置の構成については、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００５４】
（レーザスクライブ方法）
図６は、本実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図である。
【００５５】
図６（ａ）の屈折物質配置工程では、レーザ照射面Ｓ２の上部に、少なくとも空気よりも屈折率が大きい２以上の異なった屈折物質を配置する。本実施形態では、屈折物質としてシリコン材６１ａと光学ガラス６１ｂからなる屈折部材６１を配置した。屈折部材６１は、２つの物質のうち屈折率が小さい方が中央部に配置され、その外周部に屈折率が大きい方が配置される。本実施形態では、光学ガラス６１ｂの方がシリコン材６１ａよりも屈折率が小さいので、屈折部材６１の中央部には、光学ガラス６１ｂが配置され、光学ガラス６１ｂの外周部にシリコン材６１ａが配置される。屈折部材６１は、レーザ照射面Ｓ２をほぼ覆うように配置されとともに、レーザ光を照射したときに、レーザ光の集光点が、レーザ照射面Ｓ２の反対面にほぼ到達するように、レンズの曲率、設置高さ等適宜調節される。
【００５６】
図６（ｂ）のレーザ照射工程では、レーザ照射装置１００を用いて、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光を集光する集光レンズ１０３から、屈折部材６１を介してレーザ照射面Ｓ２に向けて、レーザ照射面Ｓ２に垂直な方向に、かつ、切断予定ラインＬに沿って、封止基板１１の内部にレーザ光６０を照射する。このとき、屈折部材６１のレーザ照射面Ｓ１におけるレーザ光６０の照射幅が、隣接する第１積層部材１２間幅Ｗ以内となるように照射される。
【００５７】
屈折部材６１に照射されたレーザ光６０は、シリコン材６１ａと光学ガラス６１ｂにそれぞれ屈折され、屈折角が異なるレーザ光６０ａ，６０ｂがレーザ照射面Ｓ２入射される。このうち、レーザ光６０ａは、レーザ照射面Ｓ２の反対面に到達する位置Ｐ１に集光点が設定され、レーザ光６０ｂは、封止基板１１の厚みの中央部分の位置Ｐ２に集光点が設定され、切断予定ラインＬに沿ってレーザ光６０を照射しながら走査する。その後、集光点の位置がレーザ照射面Ｓ２に近づくようにＺ軸方向に集光点の位置を移動させ、レーザ光６０を照射させながら切断予定ラインＬに沿って走査する。そして、集光点の位置Ｐ３に達するまで、複数回走査することにより、切断予定ラインＬに沿った改質層Ｒｃが形成される。
【００５８】
図６（ｃ）の分割工程では、積層基板１０に外力を与えることにより、応力が改質層Ｒｃにかかり、改質層Ｒｃを起点として封止基板１１が切断され、液滴吐出ヘッド１０に分割される。
【００５９】
従って、上記の第３実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００６０】
（１）封止基板１１のレーザ照射面Ｓ２に向けて、レーザ光６０の照射幅が第１積層部材１２間幅Ｗ以内となるように照射されたレーザ光６０が、屈折部材６１のレーザ照射面Ｓ１に入射される。入射されたレーザ光６０は、屈折部材６１を構成するシリコン材６１ａと光学ガラス６１ｂのそれぞれ屈折率にしたがって屈折し、屈折部材６１を介してレーザ照射面Ｓ２に入射される。レーザ照射面Ｓ２に入射されたレーザ光６０ａ，６０ｂは、封止基板１１の屈折率にしたがって屈折し、封止基板１１の内部の異なる２点（Ｐ１，Ｐ２）で集光される。従って、レーザ照射面Ｓ２に向けて照射されたレーザ光６０は、レーザ照射面Ｓ２に入射される前に、屈折部材６１によって屈折されるので、直接レーザ照射面Ｓ２にレーザ光６０を入射させるよりも、レーザ照射面Ｓ２におけるレーザ光６０の照射幅が長くなり、レーザ照射面Ｓ２から封止基板１１の厚み方向の深い位置で集光され、改質層Ｒｃを形成することができるとともに、封止基板１１の内部には、異なった２つの集光点ができるので、改質層を効率良く形成することができる。
【００６１】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
【００６２】
（変形例１）第１〜第３実施形態では、屈折物質として、シリコン材４１，レンズ材５１，シリコン材６１ａと光学ガラス６１ｂで構成された屈折部材６１を配置したが、これに限定されない。屈折物質は、少なくとも空気よりも屈折率が大きい屈折物質を配置すればよい。例えば、水晶、光学ガラス、ダイヤモンド等、或いはこれらの組み合わせであってもよい。このようにしても、積層基板１１のレーザ照射面Ｓ２にレーザ光６０が照射される前に、レーザ光６０が屈折されるので、積層基板１０の厚み方向の深い位置でレーザ光６０が集光されるとともに改質層Ｒｃを形成することができる。
【００６３】
（変形例２）第１〜第３実施形態において、シリコン材４１，レンズ材５１，屈折部材６１を封止基板１１のレーザ照射面Ｓ２から離れた上方に配置したが、これに限定されない。例えば、レーザ照射面Ｓ２に接していてもよい。このようにしても、レーザ照射面Ｓ２にレーザ光６０が入射される前に、レーザ光６０を屈折させることができる。
【００６４】
（変形例３）第１〜第３実施形態では、レーザ光６０をレーザ照射面Ｓ２に向けて照射したが、これに限定されない。第２積層部材１３側のレーザ照射面Ｓ３に向けてレーザ光６０を照射してもよい。この場合において、第２積層部材１３側の封止基板１１のレーザ照射面の上部に屈折物質を配置すればよい。このようにしても、照射されたレーザ光６０は、屈折物質を介して封止基板１１に入射されるので、積層基板１０の厚み方向の深い位置でレーザ光６０が集光されるとともに改質層Ｒｃを形成することができる。
【００６５】
（変形例４）第２実施形態では、屈折物質として凸形状のレンズ材５１を用いたが、これに限定されない。例えば、フレネルレンズ、重力レンズ等を用いてもよい。このようにしても、レーザ光６０を屈折させることができ、さらに、屈折されたレーザ光６０は、封止基板１１の内部に複数の集光点が形成されるので、改質層Ｒｃを効率良く形成することができる。
【００６６】
（変形例５）第２及び第３実施形態では、レンズ材５１、屈折部材６１をレーザ照射面Ｓ２の上部に配置したが、第１実施形態と同様にマスクを用いて配置してもよい。さらに、第１積層部材１２の上部にレーザ光６０の透過を抑制する抑制部材４２を配置してもよい。このようにすれば、第１積層部材１２のレーザ光６０の照射による損傷を防止するとともにマスクを用いることにより、作業性を向上させることができる。
【００６７】
（変形例６）第１〜第３実施形態では、固体の屈折物質を用いたが、これに限定されない。例えば、液体であってもよく、例えば、水やエチルアルコールを用いることができる。このようにしても、封止基板１１のレーザ照射面Ｓ２に入射される前に、レーザ光６０を屈折させることができる。
【００６８】
（変形例７）第１〜第３実施形態では、積層基板としての液滴吐出ヘッド１０を用いて説明したが、これに限定されない。例えば、積層基板は、半導体装置であってもよい。このようにしても、シリコン基板の上に区画形成されたパターン毎に構成された半導体チップに対して、パターンの損傷を与えることなく、レーザ光を照射して、容易に分割させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】積層基板の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）概略断面図。
【図２】液滴吐出ヘッドの構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図。
【図３】レーザ照射装置の構成を示す模式図。
【図４】第１実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図。
【図５】第２実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図。
【図６】第３実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図。
【符号の説明】
【００７０】
１…マザー基板、１０…積層基板としての液滴吐出ヘッド、１１…基材としての封止基板、１２…積層部材としての第１積層部材、１３…積層部材としての第２積層部材、４０…マスク、４１…屈折物質としてのシリコン材、４２…抑止部材、５１…屈折物質としてのレンズ材、６０，６０ａ，６０ｂ…レーザ光、６１…屈折物質としての屈折部材、６１ａ…屈折部材を構成するシリコン材、６１ｂ…屈折部材を構成する光学ガラス、１００…レーザ照射装置、Ｌ…切断予定ライン、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…レーザ照射面、Ｗ…第１積層部材間幅、Ｐ１，Ｐ２…集光点の位置、Ｒｃ…改質層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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