(57)【要約】【課題】各プラズマ発生ノズルからプルームの大きさが均一なプラズマを長時間安定して出力する。【解決手段】パワーメータ１００は、マイクロ波発生装置２０から出力されたマイクロ波の電力効率が目標値を保つように、マイクロ波発生装置２０に供給するバイアス電流Ｉｂの値を調整して、マイクロ波発生装置２０を制御する。ここで、目標値は、各プラズマ発生ノズル３１から大きさが均一なプルームのプラズマが放出されるような値が採用されている。そのため、各プラズマ発生ノズル３１からプルームの大きさが均一なプラズマを発生させることができる。【選択図】図１０
2007227201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波発生部により発生されたマイクロ波を伝搬する導波管と、
プラズマ化されるガスを供給するガス供給部と、
前記マイクロ波を受信し、受信したマイクロ波のエネルギーを基に、前記ガス供給部から供給されるガスをプラズマ化して放出するプラズマ発生ノズルが前記導波管に複数個配列して取り付けられたプラズマ発生部と、
前記マイクロ波発生部から出力されるマイクロ波のパワーを測定するマイクロ波測定部と、
各プラズマ発生ノズルから、プラズマ化されたガスからなるプルームがほぼ均一な大きさで放出されるように予め定められたマイクロ波のパワーの目標値を記憶する目標値記憶部と、
前記マイクロ波測定部により測定されたマイクロ波のパワーが前記目標値を保つように、前記マイクロ波発生部から出力されるマイクロ波のパワーを調整するマイクロ波制御部とを備えることを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２】
前記マイクロ波発生部は、前記マイクロ波制御部より出力されるバイアス電流によって出力するマイクロ波のパワーが調整され、
前記マイクロ波制御部は、前記バイアス電流を調整することで、前記マイクロ波測定部により測定されるマイクロ波のパワーを目標値にすることを特徴とする請求項１記載のプラズマ発生装置。
【請求項３】
前記ガス供給部が供給するガス流量が一定の値を保つように、前記ガス供給部を制御するガス供給制御部を更に備えることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ発生装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ発生装置を備え、前記プラズマ発生装置から放出されたプラズマをワークに照射することを特徴とするワーク処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板等の被処理ワークなどに対してプラズマを照射することで、前記ワークの表面の清浄化や改質などを図ることが可能なプラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体基板等の被処理ワークに対してプラズマを照射し、その表面の有機汚染物の除去、表面改質、エッチング、薄膜形成または薄膜除去等を行う技術が知られている。また、特許文献１には、反応ガスをプラズマで活性化させる低温プラズマ処理装置において、プラズマ又は反応ガスの放射光スペクトルに基づいて、プラズマ又は反応ガスの放電状態を一定に制御する技術が開示されている。
【特許文献１】特開昭６２−２２８４８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１には、複数のプラズマ発生ノズルの各々から、プルームが均一なプラズマを放出することに関しての記載が何らなされておらず、この点改良の余地がある。特に、複数のプラズマ発生ノズルからワークに対してプラズマを照射する場合、各プラズマ発生ノズルから均一なプルームのプラズマを長時間安定して照射しなければ、ワークから効率良く有機物を除去したり、表面を改質させたりすることができなくなる。
【０００４】
本発明の目的は、各プラズマ発生ノズルからプルームが均一なプラズマを長時間安定して出力することができるプラズマ発生装置及びワーク処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によるマイクロ波発生装置は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部により発生されたマイクロ波を伝搬する導波管と、プラズマ化されるガスを供給するガス供給部と、前記マイクロ波を受信し、受信したマイクロ波のエネルギーを基に、前記ガス供給部から供給されるガスをプラズマ化して放出するプラズマ発生ノズルが前記導波管に複数個配列して取り付けられたプラズマ発生部と、前記マイクロ波発生部から出力されるマイクロ波のパワーを測定するマイクロ波測定部と、各プラズマ発生ノズルから、プラズマ化されたガスからなるプルームがほぼ均一な大きさで放出されるように予め定められたマイクロ波のパワーの目標値を記憶する目標値記憶部と、前記マイクロ波測定部により測定されたマイクロ波のパワーが前記目標値を保つように、前記マイクロ波発生部から出力されるマイクロ波のパワーを調整するマイクロ波制御部とを備えることを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、マイクロ波発生部により発生されたマイクロ波のパワーが、マイクロ波測定部により測定され、測定されたマイクロ波のパワーが目標値となるようにマイクロ波発生部が制御される。ここで、目標値は、各プラズマ発生ノズルから大きさが均一なプルームのプラズマが発生することができる値が採用されている。つまり、マイクロ波発生部は、各プラズマ発生ノズルから、プルームの大きさが均一なプラズマを発生されるようにフィードバック制御される。そのため、プラズマ発生部を構成する各プラズマ発生ノズルは、プルームの大きさが均一なプラズマを長時間安定して発生することができる。
【０００７】
また、上記構成によれば、前記マイクロ波制御部は、前記マイクロ波発生部にマイクロ波を発生させるために、前記マイクロ波発生部に供給するバイアス電流を調節することで、前記マイクロ波発生部を制御することが好ましい。
【０００８】
この構成によれば、マイクロ波発生部に供給するバイアス電流を調節することで、マイクロ波発生部が制御されるため、より正確にマイクロ波のパワーを一定の大きさに保つことができる。
【０００９】
また、上記構成において、前記ガス供給部が供給するガス流量が一定の値を保つように、前記ガス供給部を制御するガス供給制御部を更に備えることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、ガス流量が一定の値を保つようにガス供給部が制御されるため、各プラズマ発生ノズルに供給されるガス流量が一定になり、各プラズマ発生ノズルは、よりプルームの大きさが均一なプラズマを発生することができる。
【００１１】
本発明によるワーク処理装置は、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ発生装置を備え、前記プラズマ発生装置により放出されたプラズマをワークに照射することを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、プラズマ発生部を構成する各プラズマ発生ノズルは、プルームの大きさが均一なプラズマを発生することができ、プラズマが照射されるワークへの表面改質効果及び有機物除去効果をより高めることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、マイクロ波発生装置から出力されるマイクロ波のパワーが一定になるようにフィードバック制御されているため、安定したプルームのプラズマを長時間発生させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明の実施の一形態に係るワーク処理装置Ｓの全体構成を示す斜視図である。このワーク処理装置Ｓは、プラズマを発生し被処理物となるワークＷに前記プラズマを照射するプラズマ発生ユニットＰＵ（プラズマ発生装置）と、ワークＷを前記プラズマの照射領域を経由する所定のルートで搬送する搬送手段Ｃとから構成されている。図２は、図１とは視線方向を異ならせたプラズマ発生ユニットＰＵの斜視図、図３は一部透視側面図である。なお、図１〜図３において、Ｘ−Ｘ方向を前後方向、Ｙ−Ｙ方向を左右方向、Ｚ−Ｚ方向を上下方向というものとし、−Ｘ方向を前方向、＋Ｘ方向を後方向、−Ｙを左方向、＋Ｙ方向を右方向、−Ｚ方向を下方向、＋Ｚ方向を上方向として説明する。
【００１５】
プラズマ発生ユニットＰＵは、マイクロ波を利用し、常温常圧でのプラズマ発生が可能なユニットであって、大略的に、マイクロ波を伝搬させる導波管１０、この導波管１０の一端側（左側）に配置され所定波長のマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置２０、導波管１０に設けられたプラズマ発生部３０、導波管１０の他端側（右側）に配置されマイクロ波を反射させるスライディングショート４０、導波管１０に放出されたマイクロ波のうち反射マイクロ波がマイクロ波発生装置２０に戻らないよう分離するサーキュレータ５０、サーキュレータ５０で分離された反射マイクロ波を吸収するダミーロード６０、インピーダンス整合を行うスタブチューナ７０およびパワーメータ１００を備えて構成されている。また搬送手段Ｃは、図略の駆動手段により回転駆動される搬送ローラ８０を含んで構成されている。本実施の形態では、平板状のワークＷが搬送手段Ｃにより搬送される例を示している。
【００１６】
導波管１０は、アルミニウム等の非磁性金属から成り、断面矩形の長尺管状を呈し、マイクロ波発生装置２０により発生されたマイクロ波をプラズマ発生部３０へ向けて、その長手方向に伝搬させるものである。導波管１０は、分割された複数の導波管ピースが互いのフランジ部同士で連結された連結体で構成されており、一端側から順に、マイクロ波発生装置２０が搭載される第１導波管ピース１１、パワーメータ１００が組付けられる第４導波管ピース１４、スタブチューナ７０が組付けられる第２導波管ピース１２およびプラズマ発生部３０が設けられている第３導波管ピース１３が連結されて成る。なお、第１導波管ピース１１と第４導波管ピース１４との間にはサーキュレータ５０が介在され、第３導波管ピース１３の他端側にはスライディングショート４０が連結されている。
【００１７】
また、各導波管ピース１１〜１４は、それぞれ金属平板からなる上面板、下面板および２枚の側面板を用いて角筒状に組立てられ、その両端にフランジ板が取付けられて構成されている。なお、このような平板の組み立てによらず、押出し成形や板状部材の折り曲げ加工等により形成された矩形導波管ピースもしくは非分割型の導波管を用いるようにしてもよい。また、断面矩形の導波管に限らず、たとえば断面楕円の導波管を用いることも可能である。さらに、非磁性金属に限らず、導波作用を有する各種の部材で導波管を構成することができる。
【００１８】
マイクロ波発生装置２０は、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロン等のマイクロ波発生源を具備する装置本体部２１と、装置本体部２１で発生されたマイクロ波を導波管１０の内部へ放出するマイクロ波送信アンテナ２２とを備えて構成されている。本実施の形態に係るプラズマ発生ユニットＰＵでは、たとえば１Ｗ〜３ｋＷのマイクロ波エネルギーを出力できる連続可変型のマイクロ波発生装置２０が好適に用いられる。
【００１９】
図３に示すように、マイクロ波発生装置２０は、装置本体部２１からマイクロ波送信アンテナ２２が突設された形態のものであり、第１導波管ピース１１に載置される態様で固定されている。詳しくは、装置本体部２１が第１導波管ピース１１の上面板１１Ｕに載置され、マイクロ波送信アンテナ２２が上面板１１Ｕに穿設された貫通孔１１１を通して第１導波管ピース１１内部の導波空間１１０に突出する態様で固定されている。このように構成されることで、マイクロ波送信アンテナ２２から放出された、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、導波管１０により、その一端側（左側）から他端側（右側）に向けて伝搬される。
【００２０】
プラズマ発生部３０は、第３導波管ピース１３の下面板１３Ｂ（処理対象ワークとの対向面）に、左右方向へ一列に整列して突設された８個のプラズマ発生ノズル３１を具備して構成されている。このプラズマ発生部３０の幅員、つまり８個のプラズマ発生ノズル３１の左右方向の配列幅は、平板状ワークＷの搬送方向と直交する幅方向のサイズｔと略合致する幅員とされている。これにより、ワークＷを搬送ローラ８０で搬送しながら、ワークＷの全表面（下面板１３Ｂと対向する面）に対してプラズマ処理が行えるようになっている。なお、８個のプラズマ発生ノズル３１の配列間隔は、導波管１０内を伝搬させるマイクロ波の波長λＧに応じて定めることが望ましい。たとえば、波長λＧの１／２ピッチ、１／４ピッチでプラズマ発生ノズル３１を配列することが望ましく、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いる場合は、λＧ＝２３０ｍｍであるので、１１５ｍｍ（λＧ／２）ピッチ、或いは５７．５ｍｍ（λＧ／４）ピッチでプラズマ発生ノズル３１を配列すればよい。
【００２１】
図４は、２つのプラズマ発生ノズル３１を拡大して示す側面図（一方のプラズマ発生ノズル３１は分解図として描いている）、図５は、図４のＡ−Ａ線側断面図である。プラズマ発生ノズル３１は、中心導電体３２（内部導電体）、ノズル本体３３（外部導電体）、ノズルホルダ３４、シール部材３５および保護管３６を含んで構成されている。
【００２２】
中心導電体３２は、銅、アルミ、真鍮などの良導電性の金属から構成され、φ１〜５ｍｍ程度の棒状部材から成り、その上端部３２１の側が第３導波管ピース１３の下面板１３Ｂを貫通して導波空間１３０に所定長さだけ突出（この突出部分を受信アンテナ部３２０という）する一方で、下端部３２２がノズル本体３３の下端縁３３１と略面一になるように、上下方向に配置されている。この中心導電体３２には、受信アンテナ部３２０が導波管１０内を伝搬するマイクロ波を受信することで、マイクロ波エネルギー（マイクロ波電力）が与えられるようになっている。当該中心導電体３２は、長さ方向略中間部において、シール部材３５により保持されている。
【００２３】
ノズル本体３３は、良導電性の金属から構成され、中心導電体３２を収納する筒状空間３３２を有する筒状体である。また、ノズルホルダ３４も良導電性の金属から構成され、ノズル本体３３を保持する比較的大径の下部保持空間３４１と、シール部材３５を保持する比較的小径の上部保持空間３４２とを有する筒状体である。一方、シール部材３５は、テフロン（登録商標）等の耐熱性樹脂材料やセラミック等の絶縁性部材から成り、前記中心導電体３２を固定的に保持する保持孔３５１をその中心軸上に備える筒状体から成る。
【００２４】
ノズル本体３３は、上方から順に、ノズルホルダ３４の下部保持空間３４１に嵌合される上側胴部３３Ｕと、後述するガスシールリング３７を保持するための環状凹部３３Ｓと、環状に突設されたフランジ部３３Ｆと、ノズルホルダ３４から突出する下側胴部３３Ｂとを具備している。また、上側胴部３３Ｕには、所定の処理ガスを前記筒状空間３３２へ供給させるための連通孔３３３が穿孔されている。
【００２５】
このノズル本体３３は、中心導電体３２の周囲に配置された外部導電体として機能するもので、中心導電体３２は所定の環状空間Ｈ（絶縁間隔）が周囲に確保された状態で筒状空間３３２の中心軸上に挿通されている。ノズル本体３３は、上側胴部３３Ｕの外周部がノズルホルダ３４の下部保持空間３４１の内周壁と接触し、またフランジ部３３Ｆの上端面がノズルホルダ３４の下端縁３４３と接触するようにノズルホルダ３４に嵌合されている。なお、ノズル本体３３は、たとえばプランジャやセットビス等を用いて、ノズルホルダ３４に対して着脱自在な固定構造で装着されることが望ましい。
【００２６】
ノズルホルダ３４は、第３導波管ピース１３の下面板１３Ｂに穿孔された貫通孔１３１に密嵌合される上側胴部３４Ｕ（上部保持空間３４２の位置に略対応する）と、下面板１３Ｂから下方向に延出する下側胴部３４Ｂ（下部保持空間３４１の位置に略対応する）とを備えている。下側胴部３４Ｂの外周には、処理ガスを前記環状空間Ｈに供給するためのガス供給孔３４４が穿孔されている。図示は省略しているが、このガス供給孔３４４には、所定の処理ガスを供給するガス供給管の終端部が接続するための管継手等が取り付けられる。かかるガス供給孔３４４と、ノズル本体３３の連通孔３３３とは、ノズル本体３３がノズルホルダ３４への定位置嵌合された場合に互いに連通状態となるように、各々位置設定されている。なお、ガス供給孔３４４と連通孔３３３との突き合わせ部からのガス漏洩を抑止するために、ノズル本体３３とノズルホルダ３４との間にはガスシールリング３７が介在されている。
【００２７】
これらガス供給孔３４４および連通孔３３３は、周方向に等間隔に複数穿孔されていてもよく、また中心へ向けて半径方向に穿孔されるのではなく、前述の特許文献１のように、処理ガスを旋回させるように、前記筒状空間３３２の外周面の接線方向に穿孔されてもよい。また、ガス供給孔３４４および連通孔３３３は、中心導電体３２に対して垂直ではなく、処理ガスの流れを良くするために、上端部３２１側から下端部３２２側へ斜めに穿設されてもよい。
【００２８】
シール部材３５は、その下端縁３５２がノズル本体３３の上端縁３３４と当接し、その上端縁３５３がノズルホルダ３４の上端係止部３４５と当接する態様で、ノズルホルダ３４の上部保持空間３４２に保持されている。すなわち、上部保持空間３４２に中心導電体３２を支持した状態のシール部材３５が嵌合され、ノズル本体３３の上端縁３３４でその下端縁３５２が押圧されるようにして組付けられているものである。
【００２９】
保護管３６（図５では図示省略している）は、所定長さの石英ガラスパイプ等から成り、ノズル本体３３の筒状空間３３２の内径に略等しい外径を有する。この保護管３６は、ノズル本体３３の下端縁３３１の耐蝕性を向上させるため、その一部がノズル本体３３の下端縁３３１から突出するように、前記筒状空間３３２に内挿されている。なお、保護管３６は、その先端部が下端縁３３１と一致するように、或いは下端縁３３１よりも内側へ入り込むように、その全体が筒状空間３３２に収納されていてもよい。
【００３０】
プラズマ発生ノズル３１は上記のように構成されている結果、ノズル本体３３、ノズルホルダ３４および第３導波管ピース１３（導波管１０）は導通状態（同電位）とされている一方で、中心導電体３２は絶縁性のシール部材３５で支持されていることから、これらの部材とは電気的に絶縁されている。したがって、図６に示すように、導波管１０がアース電位とされた状態で、中心導電体３２の受信アンテナ部３２０でマイクロ波が受信され中心導電体３２にマイクロ波電力が給電されると、その下端部３２２およびノズル本体３３の下端縁３３１の近傍に電界集中部が形成されるようになる。なお、本実施の形態では、各中心導体３２の長さは、中心導体３２が後述する目標値となるようにパワーが調整されたマイクロ波を受信したときに、各プラズマ発生ノズル３１からプルームの大きさが均一なプラズマが放射されるような値が採用されている。
【００３１】
かかる状態で、ガス供給孔３４４から、たとえば酸素ガスや空気のような酸素系の処理ガスが環状空間Ｈへ供給されると、前記マイクロ波電力により処理ガスが励起されて中心導電体３２の下端部３２２付近においてプラズマ（電離気体）が発生する。このプラズマは、電子温度が数万度であるものの、ガス温度は外界温度に近い反応性プラズマ（中性分子が示すガス温度に比較して、電子が示す電子温度が極めて高い状態のプラズマ）であって、常圧下で発生するプラズマである。
【００３２】
このようにしてプラズマ化された処理ガスは、ガス供給孔３４４から与えられるガス流によりプルームＰとしてノズル本体３３の下端縁３３１から放射される。このプルームＰにはラジカルが含まれ、たとえば処理ガスとして酸素系ガスを使用すると酸素ラジカルが生成されることとなり、有機物の分解・除去作用、レジスト除去作用等を有するプルームＰとすることができる。本実施の形態に係るプラズマ発生ユニットＰＵでは、プラズマ発生ノズル３１が複数個配列されていることから、左右方向に延びるライン状のプルームＰを発生させることが可能となる。
【００３３】
因みに、処理ガスとしてアルゴンガスのような不活性ガスや窒素ガスを用いれば、各種基板の表面クリーニングや表面改質を行うことができる。また、フッ素を含有する化合物ガスを用いれば基板表面を撥水性表面に改質することができ、親水基を含む化合物ガスを用いることで基板表面を親水性表面に改質することができる。さらに、金属元素を含む化合物ガスを用いれば、基板上に金属薄膜層を形成することができる。
【００３４】
スライディングショート４０は、各々のプラズマ発生ノズル３１に備えられている中心導電体３２と、導波管１０の内部を伝搬されるマイクロ波との結合状態を最適化するために備えられているもので、マイクロ波の反射位置を変化させて定在波パターンを調整可能とするべく第３導波管ピース１３の右側端部に連結されている。
【００３５】
図７は、スライディングショート４０の内部構造を示す透視斜視図である。図７に示すように、スライディングショート４０は、導波管１０と同様な断面矩形の筐体構造を備えており、導波管１０と同じ材料で構成された中空空間４１０を有する筐体部４１と、前記中空空間４１０内に収納された反射ブロック４２と、反射ブロック４２の基端部に一体的に取り付けられ、前記断面矩形の中空空間４１０内を左右方向に摺動する矩形ブロック４３と、この矩形ブロック４３に組付けられたナット４４と、前記ナット４４に螺合し、前記矩形ブロック４３および反射ブロック４２を摺動させるボールねじ４５と、前記ボールねじ４５を回転駆動するステッピングモータ４６と、前記ステッピングモータ４６の出力軸４６１と前記ボールねじ４５の一端部４５１とを直結する継手４７とを備えている。
【００３６】
反射ブロック４２は、円筒状の筒状部４２２の一端にマイクロ波の反射面となる端板４２１が、第３導波管ピース１３の導波空間１３０に対向するよう取付けられて成り、前記筒状部４２２の他端は前記矩形ブロック４３に固着され、その内部には前記ボールねじ４５の他端部４５２側を収納可能となっている。この反射ブロック４２の前記筒状部４２２は、矩形ブロック４３と同様な角筒状を呈していてもよい。前記矩形ブロック４３の中央に形成された孔４３１には、ナット４４が嵌め込まれており、このナット４４の内ねじに螺合しているボールねじ４５が回転すると、該矩形ブロック４３および前記反射ブロック４２が左右方向に摺動する。かかる反射ブロック４２の移動による端板４２１の位置調整によって、定在波パターンが最適化される。前記ボールねじ４５の一端部４５１とステッピングモータ４６の出力軸４６１とは、ビス４８によって継手４７にそれぞれ固定され、連動して回転するようになる。
【００３７】
サーキュレータ５０は、たとえばフェライト柱を内蔵する導波管型の３ポートサーキュレータからなり、一旦はプラズマ発生部３０へ向けて伝搬されたマイクロ波のうち、プラズマ発生部３０で電力消費されずに戻って来る反射マイクロ波を、マイクロ波発生装置２０に戻さずダミーロード６０へ向かわせるものである。このようなサーキュレータ５０を配置することで、マイクロ波発生装置２０が反射マイクロ波によって過熱状態となることが防止される。
【００３８】
図８は、サーキュレータ５０の作用を説明するためのプラズマ発生ユニットＰＵの上面図である。図示するように、サーキュレータ５０の第１ポート５１には第１導波管ピース１１が、第２ポート５２には第２導波管ピース１２が、さらに第３ポート５３にはダミーロード６０がそれぞれ接続されている。そして、マイクロ波発生装置２０のマイクロ波送信アンテナ２２から発生されたマイクロ波は、矢印ａで示すように第１ポート５１から第２ポート５２を経由して第２導波管ピース１２へ向かう。これに対して、第２導波管ピース１２側から入射する反射マイクロ波は、矢印ｂで示すように、第２ポート５２から第３ポート５３へ向かうよう偏向され、ダミーロード６０へ入射される。
【００３９】
ダミーロード６０は、上述の反射マイクロ波を吸収して熱に変換する水冷型（空冷型でも良い）の電波吸収体である。このダミーロード６０には、冷却水を内部に流通させるための冷却水流通口６１が設けられており、反射マイクロ波を熱変換することにより発生した熱が前記冷却水に熱交換されるようになっている。
【００４０】
スタブチューナ７０は、導波管１０とプラズマ発生ノズル３１とのインピーダンス整合を図るためのもので、第２導波管ピース１２の上面板１２Ｕに所定間隔を置いて直列配置された３つのスタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃを備えている。図９は、スタブチューナ７０の設置状況を示す透視側面図である。図示するように、３つのスタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃは同一構造を備えており、第２導波管ピース１２の導波空間１２０に突出するスタブ７１と、該スタブ７１に一端７２１が直結された筒状体７２と、前記筒状体７２の他端７２２固着されるナット７３と、前記ナット７３に螺合し、前記ナット７３ならびにそれに連なる筒状体７２およびスタブ７１を前記導波空間１２０に出没させるボールねじ７５と、前記ボールねじ７５を回転駆動するステッピングモータ７６と、前記ステッピングモータ７６の出力軸７６１と前記ボールねじ７５の一端部７５１とを直結する継手７７と、後述する外套７４の内周面に固定され、筒状に形成されて前記筒状体７２およびスタブ７１を収納するとともに、軸方向に形成された長孔７９１を有し、その長孔７９１内を前記筒状体７２に立設されたピン７２３が摺動することで前記ボールねじ７５によって回転駆動される筒状体７２を軸方向に変位させ、スタブ７１を導波空間１２０に出没させる案内筒７９と、これら機構を保持する前記外套７４とから構成されている。前記ステッピングモータ７６の出力軸７６１と前記ボールねじ７５の一端部７５１とは、ビス７８によって継手７７にそれぞれ固定され、連動して回転するようになる。
【００４１】
パワーメータ１００は、図３で示すように、第４導波管ピース１４の上面板１４Ｕに所定間隔を置いて直列配置された２つのパワーメータ１００Ａ，１００Ｂを備えている。２つのパワーメータユニット１００Ａ，１００Ｂは同一構造を備えており、第４導波管ピース１４の導波空間１４０に突出し、伝搬されるマイクロ波の電力を検知する検知部１０１を有する。マイクロ波発生装置２０側のパワーメータユニット１００Ａはプラズマ発生部３０への入力波の電力を検知し、プラズマ発生部３０側のパワーメータユニット１００Ｂは該プラズマ発生部３０からの反射波の電力を検知する。
【００４２】
搬送手段Ｃは、所定の搬送路に沿って配置された複数の搬送ローラ８０を備え、図略の駆動手段により搬送ローラ８０が駆動されることで、処理対象となるワークＷを、前記プラズマ発生部３０を経由して搬送させるものである。ここで、処理対象となるワークＷとしては、プラズマディスプレイパネルや半導体基板のような平型基板、電子部品が実装された回路基板等を例示することができる。また、平型形状でないパーツや組部品等も処理対象とすることができ、この場合は搬送ローラに代えてベルトコンベア等を採用すればよい。
【００４３】
次に、本実施の形態に係るワーク処理装置Ｓの電気的構成について説明する。図１０は、ワーク処理装置Ｓの制御系を示すブロック図である。この制御系は、全体制御部９０と、出力インタフェイスや駆動回路等から成るマイクロ波出力制御部９１、ガス流量制御部９２、搬送制御部９３、スタブチューナ駆動部９８およびスライディングショート駆動部９９と、表示手段や操作パネル等から成り、前記全体制御部９０に対して所定の操作信号を与える操作部９５と、入力インタフェイスやアナログ／デジタル変換器等から成るセンサ入力部９４，９７と、センサ９７１ならびに駆動モータ９３１および流量制御弁９２３とを備えて構成される。
【００４４】
マイクロ波出力制御部９１は、マイクロ波発生装置２０から出力されるマイクロ波のＯＮ−ＯＦＦ制御、出力強度制御を行うもので、前記２．４５ＧＨｚのパルス信号を生成してマイクロ波発生装置２０の装置本体部２１によるマイクロ波発生の動作制御を行う。
【００４５】
ガス流量制御部９２は、プラズマ発生部３０の各プラズマ発生ノズル３１へ供給する処理ガスの流量制御を行うものである。具体的には、ガスボンベ等の処理ガス供給源９２１と各プラズマ発生ノズル３１との間を接続するガス供給管９２２に設けられた前記流量制御弁９２３の開度調整をそれぞれ行う。本実施の形態では、ガス流量制御部９２は、各流量制御弁９２３の開度が同じ大きさになるように、各流量制御弁９２３の開度調整を行う。
【００４６】
搬送制御部９３は、搬送ローラ８０を回転駆動させる駆動モータ９３１の動作制御を行うもので、ワークＷの搬送開始／停止、および搬送速度の制御等を行うものである。
【００４７】
全体制御部９０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等から構成され、当該ワーク処理装置Ｓの全体的な動作制御を司るもので、操作部９５から与えられる操作信号に応じて、センサ入力部９７から入力される速度センサ９７１によるワークＷの搬送速度の測定結果等をモニタし、ワークＷの搬送速度を一定にする。
【００４８】
具体的には、全体制御部９０は、ＲＯＭに予め格納されている制御プログラムに基づいて、ワークＷの搬送を開始させてワークＷをプラズマ発生部３０へ導き、所定流量の処理ガスを各プラズマ発生ノズル３１へ供給させつつマイクロ波電力を与えてプラズマ（プルームＰ）を発生させ、ワークＷを搬送しながらその表面にプルームＰを放射させるものである。これにより、複数のワークＷを連続的に処理する。
【００４９】
また、全体制御部９０は、バイアス電流調整部９０１、及び目標値記憶部９０２の機能を備えている。バイアス電流調整部９０１は、操作部９５からの作業者の操作などに応答して、センサ入力部９４から入力されるパワーメータ１００のパワーメータユニット１００Ａ，１００Ｂの測定結果をモニタしながら、測定結果の差（パワーメータユニット１００Ａで測定されるプラズマ発生部３０への入力波の電力から、パワーメータユニット１００Ｂで測定されるプラズマ発生部３０からの反射波の電力を減算した値）が予め定められた目標値を保つように、すなわち、各プラズマ発生ノズル３１での受信マイクロ波電力及び電力伝送効率が一定の値を保つように、バイアス電流Ｉｂの値を調整する。具体的には、バイアス電流調整部９０１は、測定結果の差が目標値よりも大きい場合は、目標値となるまでバイアス電流Ｉｂの値を１ビットずつ減じていき、測定結果の差が目標値よりも小さい場合は、目標値となるまでバイアス電流Ｉｂの値を１ビットずつ増加させていく。これにより、マイクロ波発生装置２０から出力されるマイクロ波のパワーが一定の値に保たれる。
【００５０】
目標値記憶部９０２は、マイクロ波発生装置２０から出力されるマイクロ波のパワーの目標値を記憶している。この目標値は、各プラズマ発生ノズル３１から放出されるプルームＰの大きさが均一になるように、実験的に得られた値が採用されている。そのため、センサ入力部９４に取り込まれた測定結果の差が目標値となるようにマイクロ波発生装置２０を制御することで、各プラズマ発生ノズル３１からプルームの大きさが均一なプラズマを発生させることができる。
【００５１】
Ｄ／Ａ変換器９０３は、所定ビット、例えば１０ビットの分解能を有し、出力端がマイクロ波発生装置２０を構成するマグネトロンのアノード電極に接続され、バイアス電流調整部９０１から出力されるデジタルのバイアス電流Ｉｂをアナログのバイアス電流Ｉｂに変換し、マイクロ波発生装置２０に出力する。
【００５２】
図１１は、全体制御部９０による処理を示すフローチャートである。まず、ステップＳ１において、ユーザにより図略の電源スイッチがオンされると、全体制御部９０は、装置を構成する各回路に対して商用電源からの電力の供給を開始する。
【００５３】
ステップＳ２において、全体制御部９０は、ガス流量制御部９２にガス流量弁９２３の開度を調整するための開信号を出力して、全ての流量制御弁９２３を開け、処理ガス供給源９２１からのガスを、プラズマ発生ノズル３１に供給する。ここで、ガス流量制御部９２は、各流量制御弁９２３の開度が同一となるように、各流量制御弁９２３の開度を調節する。
【００５４】
ステップＳ３において、マイクロ波出力制御部９１は、マイクロ波発生信号をマイクロ波出力制御部９１に出力し、バイアス電流調整部９０１は、バイアス電流ＩｂをＤ／Ａ変換器９０３を介してマイクロ波発生装置２０に出力することで、マイクロ波発生装置２０からマイクロ波を発生させる。これにより、マイクロ波発生装置２０は、バイアス電流Ｉｂに応じたパワーを有するマイクロ波を出力する。そして、８個のプラズマ発生ノズル３１は、搬送手段Ｃによって搬送されるワークＷに対してプラズマを照射する。
【００５５】
ステップＳ４において、バイアス電流調整部９０１は、ステップＳ３、Ｓ７、又はＳ９の処理が終了してから、所定時間経過（例えば３秒）したか否かを判定し、所定時間経過した場合は（ステップＳ４でＹＥＳ）、センサ入力部９４は、パワーメータ１００による測定結果を取り込み、バイアス電流調整部９０１に出力する（Ｓ５）。すなわち、センサ入力部９４は、パワーメータ１００による測定結果を所定時間間隔で取り込む。
【００５６】
ステップＳ６において、バイアス電流調整部９０１は、ステップＳ５で取り込まれた測定結果の差が目標値よりも大きい場合（Ｓ６でＹＥＳ）、バイアス電流Ｉｂの値を１ビット分下げる（ステップＳ８）。一方、ステップＳ５で取り込まれた測定結果の差が目標値よりも小さい場合（Ｓ６でＮＯ、Ｓ７でＹＥＳ）、バイアス電流調整部９０１は、バイアス電流Ｉｂの値を１ビット分上げる（Ｓ９）。
【００５７】
以上説明したように、本マイクロ波発生装置ＰＵによれば、マイクロ波発生装置２０から出力されるパワーメータ１００による測定結果の差が目標値を保つようにマイクロ波発生装置２０がフィードバック制御されている。ここで、目標値は、各プラズマ発生ノズル３１からプルームの大きさが均一なプラズマが発生されるような値が採用されている。そのため、各プラズマ発生ノズル３１は、プルームが均一プラズマを長時間安定して発生させることができる。
【００５８】
なお、本発明は以下の態様を採用してもよい。
【００５９】
（１）上記実施の形態では、複数のプラズマ発生ノズル３１を一列に整列配置した例を示したが、ノズル配列はワークＷの形状やマイクロ波電力のパワー等に応じて適宜決定すればよく、たとえばワークＷの搬送方向に複数列プラズマ発生ノズル３１をマトリクス整列したり、千鳥配列したりしてもよい。
（２）上記実施の形態では、搬送手段Ｃとして搬送ローラ８０の上面に平板状のワークを載置して搬送する形態を例示したが、この他に、たとえば上下の搬送ローラ間にワークをニップさせて搬送させる形態、搬送ローラを用いず所定のバスケット等にワークを収納し前記バスケット等をラインコンベア等で搬送させる形態、或いはロボットハンド等でワークを把持してプラズマ発生部３０へ搬送させる形態であってもよい。
（３）上記実施の形態では、マイクロ波発生源として２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロンを例示したが、マグネトロン以外の各種高周波電源も使用可能であり、また２．４５ＧＨｚとは異なる波長のマイクロ波を用いるようにしてもよい。
（４）上記実施の形態では、パワーメータ１００が組付けられる第４導波管ピース１４をサーキュレータ５０及び第２導波管ピース１２間に設けたが、これに限定されず、スライディングショート４０及び第３導波管ピース１３間に設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明に係るワーク処理装置およびプラズマ発生装置は、半導体ウェハ等の半導体基板に対するエッチング処理装置や成膜装置、プラズマディスプレイパネル等のガラス基板やプリント基板の清浄化処理装置、医療機器等に対する滅菌処理装置、タンパク質の分解装置等に好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明に係るワーク処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１とは視線方向を異ならせたプラズマ発生ユニットの斜視図である。
【図３】ワーク処理装置の一部透視側面図である。
【図４】２つのプラズマ発生ノズルを拡大して示す側面図（一方のプラズマ発生ノズルは分解図として描いている）である。
【図５】図４のＡ−Ａ線側断面図である。
【図６】プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの発生状態を説明するための透視側面図である。
【図７】スライディングショートの内部構造を示す透視斜視図である。
【図８】サーキュレータの作用を説明するためのプラズマ発生ユニットの上面図である。
【図９】スタブチューナの設置状況を示す透視側面図である。
【図１０】ワーク処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図１１】ワーク処理装置の処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６２】
１０    導波管
２０    マイクロ波発生装置（マイクロ波発生手段）
３０    プラズマ発生部
３１    プラズマ発生ノズル
３２    中心導電体（内部導電体）
３３    ノズル本体（外部導電体）
３４    ノズルホルダ
３４４  ガス供給孔（ガス供給部）
３６    保護管
４０    スライディングショート
５０    サーキュレータ
６０    ダミーロード
７０    スタブチューナ
８０    搬送ローラ
９０    全体制御部
９０１  バイアス電流調整部
９０２  目標値記憶部
９０３  Ｄ／Ａ変換器
９１    マイクロ波出力制御部
９２    ガス流量制御部
９２１  処理ガス供給源
９２２  ガス供給管
９２３  流量制御弁
９３    搬送制御部
９３１  駆動モータ
９５    操作部
９４，９７    センサ入力部
Ｓ      ワーク処理装置
ＰＵ    プラズマ発生装置
Ｃ    搬送手段
Ｗ    ワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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