(57)【要約】【課題】寄生容量および寄生インダクタンスを低減でき、安定した特性を有する小型の弾性表面波デバイスを提供すること。【解決手段】ＩＤＴ電極７のバスバー７５，７７からそれぞれ引出し電極９により延長され、回路接続パッド５に接続されているため、ＩＤＴ電極７を延長して発振回路などと接続するための接続パッドを設ける必要がない。これにより、寄生容量により電流が消費されることを低減し、発振回路などの消費電力を低減することができる。また、接続パッドと回路接続パッド５とを繋げる金属ワイヤが不要となる。これにより、発振周波数および位相のずれを低減することができる。したがって、発振回路における寄生容量および寄生インダクタンスを低減できる。特に、低電圧駆動に対応し、安定した特性を有するＳＡＷ発振器１０を提供することができる。【選択図】図１
2007228329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に回路素子が形成された回路領域と、該回路領域上方に圧電薄膜およびＩＤＴ電極が形成された弾性表面波素子領域とを備えた弾性表面波デバイスであって、
前記弾性表面波デバイスの外部および前記回路素子に接続される外部接続パッドと、
前記ＩＤＴ電極および前記回路素子に接続される回路接続パッドとを備え、
前記ＩＤＴ電極の一部が延長され、前記回路接続パッドに接続されている
ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記回路接続パッドおよび前記外部接続パッドが前記弾性表面波デバイスの一辺に集めて形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記ＩＤＴ電極を１つ備えた１ポート型であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記ＩＤＴ電極を２つ備えた２ポート型であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項５】
半導体基板に回路素子が形成された回路領域と、圧電薄膜およびＩＤＴ電極が形成された弾性表面波素子領域とを並列に備えた弾性表面波デバイスであって、
前記弾性表面波デバイスの外部および前記回路素子に接続される外部接続パッドと、
前記ＩＤＴ電極および前記回路素子に接続される回路接続パッドとを備え、
前記ＩＤＴ電極の一部が延長され、前記回路接続パッドに接続されている
ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記回路接続パッドおよび前記外部接続パッドが前記弾性表面波素子領域と前記回路領域との境界付近に集めて形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記ＩＤＴ電極を１つ備えた１ポート型であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記ＩＤＴ電極を２つ備えた２ポート型であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に回路領域と弾性表面波素子領域とを備え、１つのチップに構成した弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧電基板の表面に電極指を交互に配置したＩＤＴ（Interdigital  Transducer）電極と反射器とを備え、ＩＤＴ電極から励振される弾性表面波を利用する弾性表面波デバイスが、様々な電子機器に用いられている。
【０００３】
従来の弾性表面波デバイスにおいて、圧電基板の表面に形成されたＩＤＴ電極は複数の電極指がバスバーに連結され、ＩＤＴ電極のバスバーから延長された引出し電極の終端に接続パッドが形成されている。そして、この接続パッドと、パッケージ側のボンディングパッドとが、金属ワイヤにより接続されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、近年、弾性表面波デバイスの小型化を図り、半導体基板に回路素子を形成した回路領域と、圧電薄膜上にＩＤＴ電極を形成した弾性表面波素子領域を１つのチップに構成した弾性表面波デバイスが提案されている。
たとえば、図６に示すように、弾性表面波デバイス１００は、回路領域１０２の上方に、弾性表面波素子領域１０３を備えている。回路領域１０２には、半導体基板１０１に形成された複数の回路素子１２１が配線１１９により接続され、発振回路などを構成している。そして、一部の回路素子１２１は、配線１１９により外部接続パッド１０４に接続され、この外部接続パッド１０４から弾性表面波デバイス１００の外部との接続を可能にしている。また、一部の回路素子１２１は、配線１１９により回路接続パッド１０５に接続され、ＩＤＴ電極１０７に接続されている。弾性表面波素子領域１０３には、圧電薄膜１０６が形成され、その上にＩＤＴ電極１０７と反射器１０８とが形成されている。ＩＤＴ電極１０７のバスバーから延長された引出し電極の終端に接続パッド１７５が形成されている。そして、金属ワイヤ１０９により接続パッド１７５と回路接続パッド１０５とが接続されている。このようにして、ＩＤＴ電極１０７が、半導体基板１０１に構成された発振回路などに接続されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−９５８５号公報（３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の弾性表面波デバイスでは、比較的大きな面積を有する回路接続パッドと接続パッドを備えていることから、発振回路における寄生容量が大きくなる。これにより、寄生容量へ電流のリークが増大して回路の消費電力が増大してしまうという問題がある。また、それぞれのパッドを金属ワイヤで接続することで配線が長くなり、寄生インダクタンスも大きくなる。これにより、発振周波数および位相がシフトしてしまうという問題がある。特に、低電圧駆動に対応し、安定した特性を得るために、これらを低減する必要がある。そして、回路接続パッドおよび外部接続パッドを形成するために、その上に形成された圧電薄膜をエッチングなどにより除去する際、エッチングにより除去される圧電薄膜上面の領域は、回路接続パッドおよび接続パッドを形成する領域よりも大きくなる。つまり、各パッド開口のためのエッチングしろが必要であり、回路接続パッド部および外部接続パッド部の面積を増大させ、これが弾性表面波デバイスの小型化を阻害する要因となっている。
【０００７】
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、寄生容量および寄生インダクタンスを低減でき、安定した特性を有する小型の弾性表面波デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の弾性表面波デバイスは、半導体基板に回路素子が形成された回路領域と、該回路領域上方に圧電薄膜およびＩＤＴ電極が形成された弾性表面波素子領域とを備えた弾性表面波デバイスであって、前記弾性表面波デバイスの外部および前記回路素子に接続される外部接続パッドと、前記ＩＤＴ電極および前記回路素子に接続される回路接続パッドとを備え、前記ＩＤＴ電極の一部が延長され、前記回路接続パッドに接続されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、ＩＤＴ電極の一部が延長され、回路素子と接続された回路接続パッドに接続されているため、ＩＤＴ電極を延長して発振回路などと接続するための接続パッドを設ける必要がない。また、接続パッドと回路接続パッドとを繋げる金属ワイヤが不要となる。したがって、発振回路における寄生容量および寄生インダクタンスを低減できる。特に、低電圧駆動に対応し、安定した特性を有する弾性表面波デバイスを提供することができる。
【００１０】
本発明の弾性表面波デバイスは、前記回路接続パッドおよび前記外部接続パッドが前記弾性表面波デバイスの一辺に集めて形成されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、回路接続パッドおよび外部接続パッドが前記弾性表面波デバイスの一辺に集めて形成されることから、従来のように回路接続パッドをバスバー側にそれぞれ配置した場合と比べて、弾性表面波デバイスの大きさを小さくすることができる。また、回路接続パッドおよび外部接続パッドを弾性表面波デバイスの片側に配置することにより、両側に配置する場合と比べて、パッド開口のためのエッチングしろが片側に収まるため、弾性表面波デバイスの大きさを小さくすることができる。
【００１２】
本発明の弾性表面波デバイスは、ＩＤＴ電極を１つ備えた１ポート型であることが好ましい。
この構成によれば、寄生容量および寄生インダクタンスが低減され、小型化された１ポート型弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００１３】
本発明の弾性表面波デバイスは、ＩＤＴ電極を２つ備えた２ポート型であっても良い。
この構成によれば、寄生容量および寄生インダクタンスが低減され、小型化された２ポート型弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００１４】
本発明の弾性表面波デバイスは、半導体基板に回路素子が形成された回路領域と、圧電薄膜およびＩＤＴ電極が形成された弾性表面波素子領域とを並列に備えた弾性表面波デバイスであって、前記弾性表面波デバイスの外部および前記回路素子に接続される外部接続パッドと、前記ＩＤＴ電極および前記回路素子に接続される回路接続パッドとを備え、前記ＩＤＴ電極の一部が延長され、前記回路接続パッドに接続されていることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、回路領域と弾性表面波素子領域とを並列に形成する弾性表面波デバイスにおいても、ＩＤＴ電極の一部が延長され、回路素子と接続された回路接続パッドに接続されているため、ＩＤＴ電極を延長して発振回路などと接続するための接続パッドを設ける必要がない。また、接続パッドと回路接続パッドとを繋げる金属ワイヤが不要となる。したがって、発振回路における寄生容量および寄生インダクタンスを低減できる。
【００１６】
本発明の弾性表面波デバイスは、前記回路接続パッドおよび前記外部接続パッドが前記弾性表面波素子領域と前記回路領域との境界付近に集めて形成されていることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、回路接続パッドおよび外部接続パッドが弾性表面波素子領域と前記回路領域との境界付近に集めて形成されることから、従来のように回路接続パッドをバスバー側にそれぞれ配置した場合と比べて、弾性表面波デバイスを小さくすることができる。また、回路接続パッドおよび外部接続パッドを弾性表面波デバイスの片側に配置することにより、両側に配置する場合と比べて、パッド開口のためのエッチングしろが片側に収まるため、弾性表面波デバイスの大きさを小さくすることができる。
【００１８】
本発明の弾性表面波デバイスは、ＩＤＴ電極を１つ備えた１ポート型であることが好ましい。
この構成によれば、寄生容量および寄生インダクタンスが低減され、小型化された１ポート型弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００１９】
本発明の弾性表面波デバイスは、ＩＤＴ電極を２つ備えた２ポート型であっても良い。
この構成によれば、寄生容量および寄生インダクタンスが低減され、小型化された２ポート型弾性表面波デバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
（第一実施形態）
【００２１】
以下の実施形態では、弾性表面波デバイスとしてＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）発振器の例を挙げて説明する。
図１（ａ）は、本実施形態におけるＳＡＷ発振器の概略平面図であり、図１（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う概略断面図である。
図１（ａ）において、ＳＡＷ発振器１０は、ＩＤＴ電極７を一つ備える１ポート型である。また、図１（ｂ）に示すように、回路領域２の上方に、弾性表面波素子領域３を備えている。
【００２２】
回路領域２は、半導体基板１と、半導体基板１に形成された回路素子１２と、配線１９と、外部接続パッド４と、回路接続パッド５とを備えている。回路素子１２は、それぞれ配線１９により接続され、発振回路などを構成している。回路素子１２は、配線１９により外部接続パッド４に接続され、この外部接続パッド４からＳＡＷ発振器１０の外部との接続を可能に構成されている。回路素子１２は、配線１９により回路接続パッド５に接続され、ＩＤＴ電極７に接続されている。
【００２３】
弾性表面波素子領域３は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などで形成された圧電薄膜６と、圧電薄膜６上にアルミニウム（Ａｌ）などの導電性金属材料で形成されたＩＤＴ電極７と反射器８とを備えている。
【００２４】
ＩＤＴ電極７は、複数の電極指７１，７３がそれぞれバスバー７５，７７に連結された構造となっている。一方の電極指７１と他方の電極指７３とが交互に配置され、且つ接触しないように形成されている。ここで、ＩＤＴ電極７はバスバー７５，７７からそれぞれ引出し電極９により延長され、回路接続パッド５に接続されている。
そして、電極指７１，７３間に交流電圧を印加することで、ＩＤＴ電極７を駆動可能な構成としている。
【００２５】
反射器８は、ＩＤＴ電極７で励振される弾性表面波が伝播する方向に、ＩＤＴ電極７を両側から挟むように配置されている。そして、反射器８は、電極指７１，７３に対して向い合せに形成された複数の反射指８１と反射器バスバー８５とが連結された構造となっている。
【００２６】
このような構成のＳＡＷ発振器１０は、回路領域２の回路素子１２で構成される発振回路によりＩＤＴ電極７が励振され、ＩＤＴ電極７から発振する弾性表面波を反射器８で反射させ、ＩＤＴ電極７内に弾性表面波エネルギーを閉じ込めることにより、エネルギー損失の少ない共振特性を得ている。
【００２７】
以上、本実施形態のＳＡＷ発振器１０は、ＩＤＴ電極７のバスバー７５，７７からそれぞれ引出し電極９により延長され、回路接続パッド５に接続されているため、ＩＤＴ電極７を延長して発振回路などと接続するための接続パッドを設ける必要がない。これにより、寄生容量により電流が消費されることを低減し、発振回路などの消費電力を低減することができる。また、接続パッドと回路接続パッド５とを繋げる金属ワイヤが不要となる。これにより、発振周波数および位相のずれを低減することができる。したがって、発振回路における寄生容量および寄生インダクタンスを低減できる。特に、低電圧駆動に対応し、安定した特性を有するＳＡＷ発振器１０を提供することができる。
（第二実施形態）
【００２８】
図２（ａ）は、本実施形態におけるＳＡＷ発振器の概略平面図であり、図２（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ断線に沿う概略断面図である。
図２（ａ）において、ＳＡＷ発振器２０は、第一実施形態と同様に、ＩＤＴ電極２７を一つ備える１ポート型である。また、図２（ｂ）に示すように、回路領域２２の上方に、弾性表面波素子領域２３を備えている。
【００２９】
回路領域２２は、半導体基板２１と、半導体基板２１に形成された回路素子２１２と、配線２９と、外部接続パッド２４と、回路接続パッド２５とを備えている。回路素子２１２は、それぞれ配線２９により接続され、発振回路などを構成している。回路素子２１２は、配線２９により外部接続パッド２４に接続され、この外部接続パッド２４からＳＡＷ発振器２０の外部との接続を可能に構成されている。回路素子２１２は、配線２９により回路接続パッド２５に接続され、ＩＤＴ電極２７に接続されている。
図２（ａ）において、回路接続パッド２５は、バスバー２７５を形成する側の、ＳＡＷ発振器２０の一辺に集めて形成されている。そして、外部接続パッド２４も回路接続パッド２５を形成するＳＡＷ発振器２０の一辺に集めて形成されている。
【００３０】
弾性表面波素子領域２３は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などで形成された圧電薄膜２６と、圧電薄膜２６上にアルミニウム（Ａｌ）などの導電性金属材料で形成されたＩＤＴ電極２７と反射器２８とを備えている。
【００３１】
ＩＤＴ電極２７は、複数の電極指２７１，２７３がそれぞれバスバー２７５，２７７に連結された構造となっている。一方の電極指２７１と他方の電極指２７３とが交互に配置され、且つ接触しないように形成されている。ここで、電極指２７１が連結されたＩＤＴ電極２７は、バスバー２７５から引出し電極９１により延長され、回路接続パッド２５に接続されている。また、電極指２７３が連結されたＩＤＴ電極２７は、電極指２７３の一部から引出し電極９２により延長され、回路接続パッド２５に接続されている。
そして、電極指２７１，２７３間に交流電圧を印加することで、ＩＤＴ電極２７を駆動可能な構成としている。
【００３２】
反射器２８は、第一実施形態と同様に、圧電薄膜２６上に形成され、ＩＤＴ電極２７で励振される弾性表面波が伝播する方向に、ＩＤＴ電極２７を両側から挟むように配置されている。そして、反射器２８は、電極指２７１，２７３に対して向い合せに形成された複数の反射指２８１と反射器バスバー２８５とが連結された構造となっている。
【００３３】
このような構成のＳＡＷ発振器２０は、回路領域２２の回路素子２１２で構成される発振回路によりＩＤＴ電極２７が励振され、ＩＤＴ電極２７から発振する弾性表面波を反射器２８で反射させ、ＩＤＴ電極２７内に弾性表面波エネルギーを閉じ込めることにより、エネルギー損失の少ない共振特性を得ている。
【００３４】
本実施形態のＳＡＷ発振器２０は、ＩＤＴ電極２７のバスバー２７５から引出し電極９１により延長され、回路接続パッド２５に接続されている。そして、電極指２７３の一部から引出し電極９２により延長され、回路接続パッド２５に接続されている。これにより、ＩＤＴ電極２７を延長して発振回路などと接続するための接続パッドを設ける必要がない。これにより、寄生容量により電流が消費されることを低減し、発振回路などの消費電力を低減することができる。また、接続パッドと回路接続パッド２５とを繋げる金属ワイヤが不要となる。これにより、発振周波数および位相のずれを低減することができる。したがって、発振回路における寄生容量および寄生インダクタンスを低減できる。特に、低電圧駆動に対応し、安定した特性を有するＳＡＷ発振器２０を提供することができる。
また、本実施形態のＳＡＷ発振器２０は、回路接続パッド２５および外部接続パッド２４がＳＡＷ発振器２０の一辺に集めて形成されることから、従来のようにして回路接続パッド２５をバスバー２７５，２７７側にそれぞれ配置した場合と比べてＳＡＷ発振器２０の大きさを小さくすることができる。また、回路接続パッドおよび外部接続パッドを弾性表面波デバイスの片側に配置することにより、両側に配置する場合と比べて、パッド開口のためのエッチングしろが片側に収まるため、弾性表面波デバイスの大きさを小さくすることができる。
（変形例）
【００３５】
次に、前記第二実施形態における弾性表面波素子領域のＩＤＴ電極を２ポート型とした変形例について説明する。
図３は、変形例の構成を示す模式平面図である。
図３において、ＳＡＷ発振器３０は、圧電薄膜３６上に、２つのＩＤＴ電極３７，３９を備えている。
【００３６】
ＩＤＴ電極３７は、その一部から引出し電極９３，９４により延長され、回路接続パッド３１に接続されている。ＩＤＴ電極３９も同様に、ＩＤＴ電極３９の一部から引出し電極９３，９４により延長され、回路接続パッド３５に接続されている。
回路接続パッド３１，３５および外部接続パッド３４は、ＳＡＷ発振器３０の一辺に集めて形成されている。
反射器３８は、ＩＤＴ電極３７，３９を両側から挟むように配置されている。
また、この２ポート型のＳＡＷ発振器３０においても、回路接続パッド３１，３５および外部接続パッド３４がＳＡＷ発振器３０の一辺に集めて形成される。
【００３７】
以上のように、２ポート型のＳＡＷ発振器３０においても、第二実施形態と同様な効果を享受することができる。
（第三実施形態）
【００３８】
図４（ａ）は、本実施形態におけるＳＡＷ発振器の概略平面図であり、図４（ｂ）は、同図（ａ）のＣ−Ｃ断線に沿う概略断面図である。
図４（ａ）において、ＳＡＷ発振器４０は、第二実施形態と同様に、ＩＤＴ電極４７を一つ備える１ポート型である。ここで、ＳＡＷ発振器４０は、回路領域４２と、弾性表面波素子領域４３とを半導体基板４１上に並列に備えている。
【００３９】
回路領域４２は、半導体基板４１と、半導体基板４１に形成された回路素子４１２と、配線４９と、外部接続パッド４４と、回路接続パッド４５とを備えている。回路素子４１２はそれぞれ配線４９により接続され、発振回路などを構成している。回路素子４１２は、配線４９により外部接続パッド４４に接続され、この外部接続パッド４４からＳＡＷ発振器４０の外部との接続を可能に構成されている。回路素子４１２は、配線４９により回路接続パッド４５に接続され、ＩＤＴ電極４７に接続されている。
図４（ａ）において、回路接続パッド４５および外部接続パッド４４は、回路領域４２と弾性表面波素子領域４３との境界付近に集めて形成されている。
【００４０】
弾性表面波素子領域４３は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの圧電薄膜４６と、圧電薄膜４６上にアルミニウム（Ａｌ）などの導電性金属材料で形成されたＩＤＴ電極４７と反射器４８とを備えている。
【００４１】
ＩＤＴ電極４７は、複数の電極指４７１，４７３がそれぞれバスバー４７５，４７７に連結された構造となっている。一方の電極指４７１と他方の電極指４７３とが交互に配置され、且つ接触しないように形成されている。ここで、電極指４７１が連結されたＩＤＴ電極４７は、バスバー４７５から引出し電極９５により延長され、回路接続パッド４５に接続されている。また、電極指４７３が連結されたＩＤＴ電極４７は、電極指４７３の一部から引出し電極９６により延長され、回路接続パッド４５に接続されている。
そして、電極指４７１，４７３間に交流電圧を印加することで、ＩＤＴ電極４７を駆動可能な構成としている。
【００４２】
反射器４８は、第二実施形態と同様に、ＩＤＴ電極４７で励振される弾性表面波が伝播する方向に、ＩＤＴ電極４７を両側から挟むように配置されている。そして、反射器４８は、電極指４７１，４７３に対して向い合せに形成された複数の反射指４８１と反射器バスバー４８５とが連結された構造となっている。
【００４３】
このような構成のＳＡＷ発振器４０は、回路領域４２の回路素子４１２で構成される発振回路によりＩＤＴ電極４７が励振され、ＩＤＴ電極４７から発振する弾性表面波を反射器４８で反射させ、ＩＤＴ電極４７内に弾性表面波エネルギーを閉じ込めることにより、エネルギー損失の少ない共振特性を得ている。
【００４４】
以上、本実施形態のＳＡＷ発振器４０は、ＩＤＴ電極４７のバスバー４７５から引出し電極９５により延長され、回路接続パッド４５に接続されている。そして、電極指４７３の一部から引出し電極９６により延長され、回路接続パッド４５に接続されている。これにより、ＩＤＴ電極４７を延長して発振回路などと接続するための接続パッドを設ける必要がない。これにより、寄生容量により電流が消費されることを低減し発振回路などの消費電力を低減することができる。また、接続パッドと回路接続パッド４５とを繋げる金属ワイヤが不要となる。これにより、発振周波数および位相のずれを低減することができる。したがって、発振回路における寄生容量および寄生インダクタンスを低減できる。特に、低電圧駆動に対応し、安定した特性を有するＳＡＷ発振器４０を提供することができる。
そして、回路接続パッド４５および外部接続パッド４４が、回路領域４２と弾性表面波素子領域４３との境界付近に集めて形成されることから、従来のようにして回路接続パッド４５をバスバー４７５，４７７側にそれぞれ配置した場合と比べてＳＡＷ発振器４０の大きさを小さくすることができる。
また、弾性表面波素子領域４３の下方に、回路素子４１２を形成していないため、圧電薄膜４６を形成する面に回路素子４１２の形成による凹凸などのばらつきをなくすことができる。これにより、ＩＤＴ電極４７で励振される弾性表面波が、ばらつきのない良好なＳＡＷ発振器４０を提供することができる。
（変形例）
【００４５】
次に、前記第三実施形態における弾性表面波素子領域のＩＤＴ電極を２ポート型とした変形例について説明する。
図５は、変形例の構成を示す模式平面図である。
図５において、ＳＡＷ発振器５０は、圧電薄膜５６上に、２つのＩＤＴ電極５７，５９を備えている。
【００４６】
ＩＤＴ電極５７は、その一部から引出し電極９７，９８により延長され、回路接続パッド５１に接続されている。ＩＤＴ電極５９も同様に、ＩＤＴ電極５９の一部から引出し電極９７，９８により延長され、回路接続パッド５５に接続されている。回路接続パッド５１，５５および外部接続パッド５４は、回路領域５２と弾性表面波素子領域５３との境界付近に集めて形成されている。
反射器５８は、ＩＤＴ電極５７，５９を両側から挟むように配置されている。
また、この２ポート型のＳＡＷ発振器５０においても、回路接続パッド５１，５５および外部接続パッド５４が、回路領域５２と弾性表面波素子領域５３との境界付近に集めて形成される。
【００４７】
以上のように、２ポート型のＳＡＷ発振器５０においても、第三実施形態と同様な効果を享受することができる。
【００４８】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、回路接続パッドの上にバスバーを形成し接続してもよく、外部接続パッドの上に反射器バスバーを形成し接続してもよい。
また、圧電薄膜の材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）だけに限らず、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などを用いることができる。そして、ＩＤＴ電極、反射器の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）だけに限らず、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）などを用いることができる。
【００４９】
本発明の弾性表面波デバイスは、前述のＳＡＷ発振器に限らず、ＳＡＷフィルタにも用いることができる。
【００５０】
また、本発明を実施するための最良の方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、使用する材料、接続方法、その他の詳細な事項において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した材料などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの材料、接続方法などの限定の一部もしくは全部の限定を外した記載は、本発明に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）は、第一実施形態に係るＳＡＷ発振器の概略平面図であり、同図（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ概略断面図。
【図２】（ａ）は、第二実施形態に係るＳＡＷ発振器の概略平面図であり、同図（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ概略断面図。
【図３】第二実施形態に係る変形例の構成を示す概略平面図。
【図４】（ａ）は、第三実施形態に係るＳＡＷ発振器の概略平面図であり、同図（ｂ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃ概略断面図。
【図５】第三実施形態に係る変形例の構成を示す概略平面図。
【図６】発明が解決しようとする課題を説明する説明図。
【符号の説明】
【００５２】
１…半導体基板、２…回路領域、３…弾性表面波素子領域、４…外部接続パッド、５…回路接続パッド、６…圧電薄膜、７…ＩＤＴ電極、９…引出し電極、１０…弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷ発振器、１２…回路素子、７１，７３…電極指、７５，７７…バスバー。
【図１】
2007228329.tif 000003
【図２】
2007228329.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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