(57)【要約】【課題】大画面のプラズマディスプレイパネルを用いても電力回収率が高く、高輝度、低消費電力のプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】一対の維持パルス発生部１００、２００を有するプラズマディスプレイ装置であって、維持パルス発生部１００、２００は対応する表示電極対の一方を第１の電圧Ｖｓ（Ｖ）にクランプする第１のスイッチング素子Ｑ１３、Ｑ２３と、同じく対応する表示電極対の一方を第２の電圧０（Ｖ）にクランプする第２のスイッチング素子Ｑ１４、Ｑ２４とを有するクランプ部１２０、２２０を備え、第１のスイッチング素子Ｑ１３、Ｑ２３および第２のスイッチング素子Ｑ１４、Ｑ２４のうち、放電セルで維持放電を開始させる電圧を印加するスイッチング素子にはＭＯＳＦＥＴを用い、放電セルで維持放電を開始させない電圧を印加するスイッチング素子にはＩＧＢＴを用いる。【選択図】図５
2007108627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対とデータ電極との対向する部分に放電セルを形成してなるプラズマディスプレイパネルに対して、前記表示電極対に交互に維持パルスを印加して前記放電セルで維持放電を発生させるための一対の維持パルス発生部を有するプラズマディスプレイ装置であって、
前記維持パルス発生部のそれぞれは、対応する表示電極対の一方を第１の電圧にクランプする第１のスイッチング素子と、同じく前記対応する表示電極対の一方を第２の電圧にクランプする第２のスイッチング素子とを有するクランプ部を備え、
前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子のうち、前記放電セルで前記維持放電を開始させる電圧を印加するスイッチング素子にはＭＯＳＦＥＴを用い、前記放電セルで維持放電を開始させない電圧を印加するスイッチング素子にはＩＧＢＴを用いたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記維持パルス発生部のそれぞれは、電力回収インダクタと電力回収コンデンサとを有する電力回収部をさらに備え、
前記電力回収部は、前記電力回収コンデンサから前記電力回収インダクタを介して前記対応する表示電極対の一方に電荷を移動するための第３のスイッチング素子と、前記対応する表示電極対の一方から前記電力回収インダクタを介して前記電力回収コンデンサに電荷を移動するための第４のスイッチング素子とを備え、
前記第３のスイッチング素子および前記第４のスイッチング素子にはＩＧＢＴを用いたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第１の電圧は正の電圧であり、前記第２の電圧は接地電位であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、一対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極との対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線でＲＧＢ各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としてはサブフィールド法、すなわち、１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般的である。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有し、初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を各電極上に形成する。書込み期間では、表示を行うべき放電セルにおいて選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
【０００４】
このようなプラズマディスプレイ装置では、消費電力を削減するために様々な消費電力削減技術が提案されている。特に維持期間における消費電力を削減する技術の１つとして、表示電極対のそれぞれが表示電極対の電極間容量を持つ容量性の負荷であることに着目し、インダクタを構成要素に含む共振回路を用いてそのインダクタと電極間容量とをＬＣ共振させ、電極間容量に蓄えられた電荷を電力回収用のコンデンサに回収し、回収した電荷を表示電極対の駆動に再利用する、いわゆる電力回収回路が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特公平７−１０９５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来は上述したような電力回収回路を制御するスイッチング素子として、高耐圧、かつ高速で比較的大電流が流せるパワーＭＯＳＦＥＴが一般的に用いられていた。しかし、最近の高輝度化、大画面化に伴って扱う電流が増大し、ＭＯＳＦＥＴのＯＮ抵抗による消費電力が無視できなくなり、電力回収率を十分大きくすることが難しくなってきている。
【０００６】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、これらの課題に鑑みなされたものであり、大画面のパネルを用いても電力回収率が高く、高輝度、低消費電力のプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対とデータ電極との対向する部分に放電セルを形成してなるプラズマディスプレイパネルに対して、表示電極対に交互に維持パルスを印加して放電セルで維持放電を発生させるための一対の維持パルス発生部を有するプラズマディスプレイ装置であって、維持パルス発生部のそれぞれは対応する表示電極対の一方を第１の電圧にクランプする第１のスイッチング素子と、同じく対応する表示電極対の一方を第２の電圧にクランプする第２のスイッチング素子とを有するクランプ部を備え、第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子のうち放電セルで維持放電を開始させる電圧を印加するスイッチング素子にはＭＯＳＦＥＴを用い、放電セルで維持放電を開始させない電圧を印加するスイッチング素子にはＩＧＢＴを用いたことを特徴とする。この構成により、大画面のパネルを用いても電力回収率が高く、高輝度、低消費電力のプラズマディスプレイ装置を提供することができる。
【０００８】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置の維持パルス発生部のそれぞれは電力回収インダクタと電力回収コンデンサとを有する電力回収部をさらに備え、電力回収部は電力回収コンデンサから電力回収インダクタを介して対応する表示電極対の一方に電荷を移動するための第３のスイッチング素子と対応する表示電極対の一方から電力回収インダクタを介して電力回収コンデンサに電荷を移動するための第４のスイッチング素子とを備え、第３のスイッチング素子および第４のスイッチング素子にはＩＧＢＴを用いることが望ましい。この構成により電力回収部における消費電力が抑えられ電力回収率をさらに高めることができる。
【０００９】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置の第１の電圧は正の電圧であり、第２の電圧は接地電位であってもよい。この構成により、維持パルス発生部および電源回路を簡素化できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、大画面のパネルを用いても電力回収率が高く、高輝度、低消費電力のプラズマディスプレイ装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態におけるパネルの駆動方法について、図面を用いて説明する。
【００１２】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１に用いるパネルの要部を示す分解斜視図である。パネル１０は、ガラス製の前面基板２１と背面基板３１とを対向配置して、その間に放電空間を形成するように構成されている。前面基板２１上には表示電極を構成する走査電極２２と維持電極２３とが互いに平行に対をなして複数形成されている。そして、走査電極２２および維持電極２３を覆うように誘電体層２４が形成され、誘電体層２４上には保護層２５が形成されている。また、背面基板３１上には絶縁体層３３で覆われた複数のデータ電極３２が設けられ、絶縁体層３３上に井桁状の隔壁３４が設けられている。また、絶縁体層３３の表面および隔壁３４の側面に蛍光体層３５が設けられている。そして、走査電極２２および維持電極２３とデータ電極３２とが交差するように前面基板２１と背面基板３１とが対向配置されており、その間に形成される放電空間には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンの混合ガスが封入されている。なお、パネルの構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００１３】
図２は本発明の実施の形態１におけるパネルの電極配列図である。行方向にｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向にｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、一対の走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ（ｉ＝１〜ｎ）と１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。
【００１４】
図３は本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。このプラズマディスプレイ装置は、パネル１０、画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３、維持電極駆動回路５４、タイミング発生回路５５および電源回路（図示せず）を備えている。
【００１５】
画像信号処理回路５１は、画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の画像データに変換する。データ電極駆動回路５２はサブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。タイミング発生回路５５は水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖをもとにして各種のタイミング信号を発生し、各回路ブロックへ供給している。走査電極駆動回路５３はタイミング信号にもとづいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに駆動電圧波形を供給し、維持電極駆動回路５４はタイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに駆動電圧波形を供給する。ここで、走査電極駆動回路５３は後述する維持パルスを発生させるための維持パルス発生部１００を備え、維持電極駆動回路５４にも同様に維持パルス発生部２００を備えている。
【００１６】
次に、パネルを駆動するための駆動電圧波形とその動作について説明する。本発明の実施の形態１においては、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間、維持期間を有している。図４は本発明の実施の形態１におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。
【００１７】
第１サブフィールドの初期化期間では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍおよび維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０（Ｖ）に保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２（Ｖ）に向かって緩やかに上昇するランプ電圧を印加する。すると、すべての放電セルにおいて１回目の微弱な初期化放電を起こし、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上に負の壁電圧が蓄えられるとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上およびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に正の壁電圧が蓄えられる。ここで、電極上の壁電圧とは電極を覆う誘電体層や蛍光体層上などに蓄積した壁電荷により生じる電圧を指す。その後、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを正の電圧Ｖｈ（Ｖ）に保ち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｉ３（Ｖ）から電圧Ｖｉ４（Ｖ）に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。すると、すべての放電セルにおいて２回目の微弱な初期化放電を起こし、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上と維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上との間の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。
【００１８】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを一旦Ｖｒ（Ｖ）に保持する。次に、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａ（Ｖ）を印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目に表示すべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄ（Ｖ）を印加する。このときデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は、外部印加電圧（Ｖｄ−Ｖａ）（Ｖ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧とが加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に書込み放電が起こり、この放電セルの走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。このようにして、１行目に表示すべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄ（Ｖ）を印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００１９】
続く維持期間では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには第１の電圧として正の維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには第２の電圧として接地電位、すなわち０（Ｖ）をそれぞれ印加する。このとき書込み放電を起こした放電セルにおいては、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との間の電圧は維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）に走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。このときデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保持される。続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには第２の電圧である０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには第１の電圧である維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）をそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との間の電圧が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に輝度重みに応じた数の維持パルスを印加することにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。こうして維持期間における維持動作が終了する。
【００２０】
続くサブフィールドにおける初期化期間、書込み期間、維持期間の動作も第１サブフィールドにおける動作とほぼ同様のため、説明を省略する。
【００２１】
次に、維持パルス発生部１００、２００の詳細について説明する。図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の維持パルス発生部１００、２００の回路図である。維持パルス発生部１００は電力回収部１１０とクランプ部１２０とから構成されている。電力回収部１１０は、電力回収コンデンサＣ１０、第３のスイッチング素子Ｑ１１、第４のスイッチング素子Ｑ１２、逆流防止用のダイオードＤ１１、Ｄ１２、電力回収インダクタＬ１０を有している。ここで、スイッチング素子Ｑ１１、Ｑ１２としてはＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅｄ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いている。クランプ部１２０は、第１の電圧Ｖｓ（Ｖ）である電源ＶＳ、第１のスイッチング素子Ｑ１３、第２のスイッチング素子Ｑ１４を有しており、スイッチング素子Ｑ１３としてはＭＯＳＦＥＴを、スイッチング素子Ｑ１４としてはＩＧＢＴを用いている。なお、本実施の形態においては第２の電圧は接地電位０（Ｖ）としているため、第２の電圧のための電源は必要としない。そしてこれらの電力回収部１１０およびクランプ部１２０は走査パルス発生回路（維持期間中は短絡状態となるため図示せず）を介して電極間容量Ｃｐの一端である走査電極２２に接続されている。電力回収コンデンサＣ１０は電極間容量Ｃｐに比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収部１１０の電源として働く。
【００２２】
維持パルス発生部２００も維持パルス発生部１００と同様の回路構成であり、電力回収コンデンサＣ２０、ＩＧＢＴを用いた第３および第４のスイッチング素子Ｑ２１、Ｑ２２、逆流防止用のダイオードＤ２１、Ｄ２２、電力回収インダクタＬ２０を有する電力回収部２１０と、電源ＶＳ、ＭＯＳＦＥＴを用いた第１のスイッチング素子Ｑ２３、ＩＧＢＴを用いた第２のスイッチング素子Ｑ２４を有するクランプ部２２０とを備え、維持パルス発生部２００の出力は電極間容量Ｃｐの他端である維持電極２３に接続されている。
【００２３】
ここで、スイッチング素子としてＩＧＢＴとＭＯＳＦＥＴとを使い分けているのは以下の理由による。ＭＯＳＦＥＴは応答速度が速く、かつ高耐圧の特性を持つものを安価に入手することができる。しかしＭＯＳＦＥＴのＯＮ抵抗は比較的高く、パネルの放電電流のような大電流を扱うとこのＯＮ抵抗による消費電力が大きくなる。またＯＮ抵抗を下げるためには多数のＭＯＳＦＥＴを並列接続して使用する必要がありコストアップの原因となっていた。一方、ＩＧＢＴはＯＮ抵抗が低く大電流を取り扱うことができるが、応答速度が遅いという弱点がある。本実施の形態においては、維持パルス発生部１００、２００の回路構成とそこで発生させるべき維持パルスのタイミングとを考慮し、速い応答速度が要求されるスイッチング素子としてはＭＯＳＦＥＴを、低いＯＮ抵抗が要求されるスイッチング素子としてはＩＧＢＴを用いている。なお、ここでスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１４には並列にダイオードＤ１４が接続され、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２４には並列にダイオードＤ２４が接続されている。これらのダイオードＤ１４、Ｄ２４は、対応する維持パルス発生部１００、２００の出力が接地電位０（Ｖ）以下に下降しないように設けられている。
【００２４】
次に、維持パルスのタイミングについて詳細に説明する。図６は本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の維持パルス発生部１００、２００のタイミングチャートである。維持パルスの１周期をＴ１〜Ｔ６で示した６つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。なお、走査電極２２に印加される維持パルスと維持電極２３に印加される維持パルスとは位相は異なるが同じ波形であるため、期間Ｔ４から期間Ｔ６までの動作は期間Ｔ１から期間Ｔ３までの動作で走査電極２２と維持電極２３とを入替えた動作に等しい。
【００２５】
（期間Ｔ１）
時刻ｔ１で第４のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１２をＯＮにする。すると走査電極２２側の電荷は電力回収インダクタＬ１０、ダイオードＤ１２、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１２を通して電力回収コンデンサＣ１０に流れ始め、走査電極２２の電圧が下がり始める。ここで、電力回収インダクタＬ１０と電極間容量Ｃｐとが形成する共振回路の共振周期は本実施の形態においては２μｓ〜２．５μｓに設定されているので、スイッチング素子Ｑ１２の応答速度は遅くてもよい。したがって、スイッチング素子Ｑ１２としてはＯＮ抵抗の小さいＩＧＢＴを用いている。
【００２６】
（期間Ｔ２）
電力回収インダクタＬ１０と電極間容量Ｃｐとの共振周期の１／２の時間経過後の時刻ｔ２において走査電極２２の電圧は０（Ｖ）付近まで低下する。しかし共振回路の抵抗成分による電力損失のため、維持電極２３の電圧は０（Ｖ）にまでは下がりきらない。そして時刻ｔ２で第２のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１４をＯＮにする。すると走査電極２２はスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１４を通して接地されるため、走査電極２２の電圧は強制的に０（Ｖ）にクランプされる。
【００２７】
その後、第３のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２１をＯＮにする。すると、電力回収コンデンサＣ２０からスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２１、ダイオードＤ２１、電力回収インダクタＬ２０を通して電流が流れ始め、維持電極２３の電圧が上がり始める。
【００２８】
ここでも、スイッチング素子Ｑ１４、Ｑ２１は速い応答速度を要求されていないので、ＯＮ抵抗の小さいＩＧＢＴを用いている。
【００２９】
（期間Ｔ３）
電力回収インダクタＬ２０と電極間容量Ｃｐとも共振回路を形成しているので、共振周期の１／２の時間経過後の時刻ｔ３において維持電極２３の電圧はＶｓ（Ｖ）付近まで上昇するが、共振回路の抵抗成分による電力損失のため、維持電極２３の電圧はＶｓ（Ｖ）にまでは上がりきらない。そして、時刻ｔ３で第１のスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）Ｑ２３をＯＮにする。すると維持電極２３はスイッチング素子Ｑ２３を通して電源ＶＳへ接続されるため、維持電極２３の電圧は強制的にＶｓ（Ｖ）にクランプされる。すると、書込み放電を起こした放電セルでは走査電極２２−維持電極２３間の電圧が放電開始電圧を超え維持放電が発生する。
【００３０】
ここで維持放電を開始させる電圧を印加するスイッチング素子の応答速度は放電の強さ、放電の安定性に影響を及ぼし、応答速度が遅くなると放電が弱く不安定になる。逆に十分速い応答速度を持つスイッチング素子を用いて維持放電を開始させる電圧を印加すると、強く安定した放電を発生させることができる。上述したように、第１のスイッチング素子Ｑ２３は維持放電を開始させる電圧を印加するスイッチング素子であるので、本実施の形態においては応答速度の速いＭＯＳＦＥＴを用いている。
【００３１】
なお、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１２は時刻ｔ２以降、時刻ｔ５までにＯＦＦにすればよく、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２１は時刻ｔ３以降、時刻ｔ４までにＯＦＦにすればよい。また、維持パルス発生部１００、２００の出力インピーダンスを下げるために、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１４は時刻ｔ５直前に、スイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）Ｑ２３は時刻ｔ４直前にＯＦＦにするのが望ましい。
【００３２】
（期間Ｔ４）
時刻ｔ４で第４のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２２をＯＮにする。すると維持電極２３側の電荷は電力回収インダクタＬ２０、ダイオードＤ２２、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２２を通して電力回収コンデンサＣ２０に流れ始め、維持電極２３の電圧が下がり始める。
【００３３】
（期間Ｔ５）
電力回収インダクタＬ２０と電極間容量Ｃｐとの共振周期の１／２の時間経過後の時刻ｔ５において維持電極２３の電圧は０（Ｖ）付近まで低下する。時刻ｔ５で第２のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２４をＯＮにする。すると維持電極２３はスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２４を通して接地されるため、維持電極２３の電圧は強制的に０（Ｖ）にクランプされる。
【００３４】
その後、第３のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１１をＯＮにする。すると、電力回収コンデンサＣ１０からスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１１、ダイオードＤ１１、電力回収インダクタＬ１０を通して電流が流れ始め、走査電極２２の電圧が上がり始める。
【００３５】
（期間Ｔ６）
電力回収インダクタＬ１０と電極間容量Ｃｐとは共振回路を形成しているので、共振周期の１／２の時間経過後の時刻ｔ６において走査電極２２の電圧はＶｓ（Ｖ）付近まで上昇する。そして、時刻ｔ６で第１のスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）Ｑ１３をＯＮにする。すると走査電極２２はスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）Ｑ１３を通して電源ＶＳへ接続されるため、走査電極２２の電圧は強制的にＶｓ（Ｖ）にクランプされる。すると、書込み放電を起こした放電セルでは走査電極２２−維持電極２３間の電圧が放電開始電圧を超え維持放電が発生する。
【００３６】
なお、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２２は時刻ｔ５以降、時刻ｔ２までにＯＦＦにすればよく、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１１は時刻ｔ６以降、時刻ｔ１までにＯＦＦにすればよい。また、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２４は時刻ｔ２直前に、スイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）Ｑ１３は時刻ｔ１直前にＯＦＦにするのが望ましい。
【００３７】
このように、放電セルで放電を開始させる電圧を印加するスイッチング素子、本実施の形態においては第１のスイッチング素子Ｑ１３、Ｑ２３に対しては応答速度の速いＭＯＳＦＥＴを用いている。またそれ以外の、直接には放電を開始させない電圧を印加する第２のスイッチング素子Ｑ１４、Ｑ２４、第３のスイッチング素子Ｑ１１、Ｑ２１、第４のスイッチング素子Ｑ１２、Ｑ２２に対してはＯＮ抵抗の低いＩＧＢＴを用いることにより、高輝度、かつ電力回収率が高く低消費電力のプラズマディスプレイ装置を実現している。
【００３８】
なお、放電セルで放電を開始させる電圧を印加するスイッチング素子は回路構成にのみ依存するのではなく、維持パルスのタイミングによっても依存する。次に実施の形態１とは異なるタイミングを持った維持パルスを発生させる場合ついて説明する。
【００３９】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２が実施の形態１と大きく異なるところは、維持パルスのタイミングである。図７は本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の維持パルス発生部１００、２００のタイミングチャートである。実施の形態１においては走査電極２２または維持電極２３に印加される電圧が強制的にＶｓ（Ｖ）にクランプされるタイミングで維持放電を発生させたが、実施の形態２においては走査電極２２または維持電極２３に印加される電圧が強制的に０（Ｖ）にクランプされるタイミングで維持放電を発生させている。これに伴い、実施の形態２においては、走査電極２２または維持電極２３に印加する電圧を強制的に０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子に対して応答速度の速いＭＯＳＦＥＴを用い、その他のスイッチング素子としてＩＧＢＴを用いている。
【００４０】
図８は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の維持パルス発生部１００、２００の回路図である。以下に、図７および図８を用いて維持パルスのタイミングと維持パルス発生部１００、２００の動作について詳細に説明する。ここでも維持パルスの１周期をＴ１〜Ｔ６で示した６つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。なお、走査電極２２に印加される維持パルスと維持電極２３に印加される第１の維持パルスとは位相は異なるが同じ波形であるため、期間Ｔ４から期間Ｔ６までの動作は期間Ｔ１から期間Ｔ３までの動作で走査電極２２と維持電極２３とを入替えた動作に等しい。また、ここでもスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１５には並列にダイオードＤ１５が接続され、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２５には並列にダイオードＤ２５が接続されている。これらのダイオードＤ１５、Ｄ２５は、対応する維持パルス発生部１００、２００の出力が電圧Ｖｓ（Ｖ）以上に上昇しないように設けられている。
【００４１】
（期間Ｔ１）
時刻ｔ１で第３のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２１をＯＮにする。すると、電力回収コンデンサＣ２０からスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２１、ダイオードＤ２１、電力回収インダクタＬ２０を通して電流が流れ始め、維持電極２３の電圧が上がり始める。ここで、スイッチング素子Ｑ２１は速い応答速度を要求されていないので、ＯＮ抵抗の小さいＩＧＢＴを用いている。
【００４２】
（期間Ｔ２）
電力回収インダクタＬ２０と電極間容量Ｃｐとの共振周期の１／２の時間経過後の時刻ｔ２において維持電極２３の電圧はＶｓ（Ｖ）付近まで上昇するが、共振回路の抵抗成分による電力損失のため、維持電極２３の電圧はＶｓ（Ｖ）にまでは上がりきらない。そして、時刻ｔ２で第１のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２５をＯＮする。すると維持電極２３はスイッチング素子Ｑ２５を通して電源ＶＳへ接続されるため、維持電極２３の電圧は強制的にＶｓ（Ｖ）にクランプされる。
【００４３】
その後、第４のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１２をＯＮにする。すると走査電極２２側の電荷は電力回収インダクタＬ１０、ダイオードＤ１２、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１２を通して電力回収コンデンサＣ１０に流れ始め、走査電極２２の電圧が下がり始める。ここでも、スイッチング素子Ｑ２５、Ｑ１２は速い応答速度を要求されていないので、ＯＮ抵抗の小さいＩＧＢＴを用いている。
【００４４】
（期間Ｔ３）
電力回収インダクタＬ１０と電極間容量Ｃｐとの共振周期の１／２の時間経過後の時刻ｔ３において走査電極２２の電圧は０（Ｖ）付近まで低下する。しかし共振回路の抵抗成分による電力損失のため、維持電極２３の電圧は０（Ｖ）にまでは下がりきらない。そして時刻ｔ３で第２のスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）Ｑ１６をＯＮにする。すると走査電極２２はスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）Ｑ１６を通して接地されるため、走査電極２２の電圧は強制的に０（Ｖ）にクランプされる。すると、書込み放電を起こした放電セルでは走査電極２２−維持電極２３間の電圧が放電開始電圧を超え維持放電が発生する。このように、第２のスイッチング素子Ｑ１６は放電を発生させる電圧を印加するスイッチング素子であるので応答速度の速いＭＯＳＦＥＴを用いている。
【００４５】
（期間Ｔ４）
時刻ｔ４で第３のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１１をＯＮにする。すると、電力回収コンデンサＣ１０からスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１１、ダイオードＤ１１、電力回収インダクタＬ１０を通して電流が流れ始め、走査電極２２の電圧が上がり始める。
【００４６】
（期間Ｔ５）
電力回収インダクタＬ１０と電極間容量Ｃｐとの共振周期の１／２の時間経過後の時刻ｔ５において走査電極２２の電圧はＶｓ（Ｖ）付近まで上昇する。そして、時刻ｔ５で第１のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１５をＯＮにする。すると走査電極２２はスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ１５を通して電源ＶＳへ接続されるため、走査電極２２の電圧は強制的にＶｓ（Ｖ）にクランプされる。
【００４７】
その後、第４のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２２をＯＮにする。すると維持電極２３側の電荷は電力回収インダクタＬ２０、ダイオードＤ２２、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）Ｑ２２を通して電力回収コンデンサＣ２０に流れ始め、維持電極２３の電圧が下がり始める。
【００４８】
（期間Ｔ６）
維持電極２３の電圧は、電力回収インダクタＬ２０と電極間容量Ｃｐとの共振周期の１／２の時間経過後の時刻ｔ６において維持電極２３の電圧は０（Ｖ）付近まで低下する。時刻ｔ６で第２のスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）Ｑ２６をＯＮにする。すると維持電極２３はスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）Ｑ２６を通して接地されるため、維持電極２３の電圧は強制的に０（Ｖ）にクランプされる。すると、書込み放電を起こした放電セルでは走査電極２２−維持電極２３間の電圧が放電開始電圧を超え維持放電が発生する。ここでも、第２のスイッチング素子Ｑ２６は放電を発生させる電圧を印加するスイッチング素子であるので応答速度の速いＭＯＳＦＥＴを用いている。
【００４９】
このように、放電セルで放電を開始させる電圧を印加するスイッチング素子、本実施の形態においては第２のスイッチング素子Ｑ１６、Ｑ２６に対しては応答速度の速いＭＯＳＦＥＴを用いている。またそれ以外の、直接には放電を開始させない電圧を印加する第１のスイッチング素子Ｑ１５、Ｑ２５、第３のスイッチング素子Ｑ１１、Ｑ２１、第４のスイッチング素子Ｑ１２、Ｑ２２に対してはＯＮ抵抗の低いＩＧＢＴを用いることにより、高輝度、かつ電力回収率が高く低消費電力のプラズマディスプレイ装置を実現している。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、大画面のパネルを用いても電力回収率が高く、高輝度、低消費電力を実現できるので、パネルを用いたプラズマディスプレイ装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態１に用いるパネルの要部を示す分解斜視図
【図２】同パネルの電極配列図
【図３】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図４】本発明の実施の形態１におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図
【図５】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の維持パルス発生部の回路図
【図６】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の維持パルス発生部のタイミングチャート
【図７】本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の維持パルス発生部のタイミングチャート
【図８】本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の維持パルス発生部の回路図
【符号の説明】
【００５２】
１０    パネル
２２    走査電極
２３    維持電極
３２    データ電極
５１    画像信号処理回路
５２    データ電極駆動回路
５３    走査電極駆動回路
５４    維持電極駆動回路
５５    タイミング発生回路
１００，２００    維持パルス発生部
１１０，２１０    電力回収部
１２０，２２０    クランプ部
Ｑ１１，Ｑ２１    （第３の）スイッチング素子
Ｑ１２，Ｑ２２    （第４の）スイッチング素子
Ｑ１３，Ｑ１５，Ｑ２３，Ｑ２５    （第１の）スイッチング素子
Ｑ１４，Ｑ１６，Ｑ２４，Ｑ２６    （第２の）スイッチング素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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