(57)【要約】【課題】情報記録再生装置によるパワーのばらつき、変動に対しても光記録媒体に最適なパワーで記録することができる光パワー決定方法を提供し、該光パワー決定方法に好適な光記録媒体並びに該光記録媒体を用いた光情報記録装置を提供する。【解決手段】光学的な変化を利用した２つの情報層を有する片面２層光記録媒体に対して３値以上のパワーをもつパルス状の光を入射させて情報を記録する光情報記録装置における前記入射光の光パワー決定方法であって、前記光情報記録装置が前記情報層に１回または２回以上の範囲内の所定回数のデータ信号のオーバーライトを行い、該オーバーライトした情報層の再生信号の特性値を用いて前記入射光の最適パワーを決定する。【選択図】図６
2007250160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的な変化を利用した２つの情報層を有する片面２層光記録媒体に対して３値以上のパワーをもつパルス状の光を入射させて情報を記録する光情報記録装置における前記入射光の光パワー決定方法であって、前記光情報記録装置が前記情報層に１回または２回以上の範囲内の所定回数のデータ信号のオーバーライトを行い、該オーバーライトした情報層の再生信号の特性値を用いて前記入射光の最適パワーを決定することを特徴とする光パワー決定方法。
【請求項２】
前記オーバーライト回数が１回の場合の特性値を用いて前記入射光の最適パワーを決定することを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項３】
前記オーバーライト回数が９回の場合の特性値を用いて前記入射光の最適パワーを決定することを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項４】
前記入射光の記録パワー及び消去パワーについて最適パワーを決定することを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項５】
前記入射光の記録パワーのみについて最適パワーを決定することを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項６】
前記入射光の消去パワーのみについて最適パワーを決定することを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項７】
前記特性値は、ＰＲＳＮＲであることを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項８】
前記特性値は、変調度であることを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項９】
前記特性値は、アシンメトリーであることを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項１０】
前記特性値として変調度を用いて前記入射光の記録パワーについて最適パワーを決定し、ついで前記記録パワーを一定にして前記オーバーライトを行いこのときの特性値を用いて前記入射光の消去パワーについて最適パワーを決定することを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項１１】
前記オーバーライトを１回行った後に前記特性値として変調度を用いて前記入射光の記録パワーについて最適パワーを決定し、ついで前記記録パワーを前記最適パワーに固定し所定の消去パワー範囲で前記オーバーライトを１回行った後に前記特性値としてＰＲＳＮＲが最大となる消去パワーを最適消去パワーとすることを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項１２】
前記オーバーライトを１回行った後に前記特性値として変調度を用いて前記入射光の記録パワーについて最適パワーを決定し、ついで前記記録パワーを前記最適パワーに固定し所定の消去パワー範囲で前記オーバーライトを１回行った後に前記特性値としてアシンメトリーが予め決めた値となる消去パワーを最適消去パワーとすることを特徴とする請求項１に記載の光パワー決定方法。
【請求項１３】
前記記録パワーを決定する際のオーバーライトを行う前に、前記情報層に消去パワーをもつ入射光を連続的に照射して消去を行うことを特徴とする請求項１１または１２に記載の光パワー決定方法。
【請求項１４】
光学的な変化を利用した２つの情報層を有し、請求項１〜１３のいずれかに記載の光パワー決定方法により求められた前記入射光の最適パワーを決定するために必要なパラメータが予め記録されていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項１５】
請求項１４に記載の光記録媒体を用い、前記パラメータに基づいて該光記録媒体に記録する際の入射光の最適パワーを求めることを特徴とする光情報記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光パワー決定方法、光記録媒体並びに光情報記録装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
中心波長４０５ｎｍの青紫色レーザー及び０．６５以上の高い開口率（以下、ＮＡ）対物レンズを用いて高密度に記録する光記録媒体は、ＣＤ，ＤＶＤに比べて、最短記録マーク長がより短くなっている。この最短記録マーク長は記録変調方式にもよるが、０．１５μｍから０．２μｍにもなる。
【０００３】
最短記録マーク長がこの大きさになると、光ピックアップで再生する信号の振幅は小さくなり、ＤＶＤと同様の波形等価方法を用いても最短マーク信号とそれよりも長いマークを判別し、エラーなく読み取ることが難しくなる。すなわち、隣接マークとの波形干渉が顕著になってくるからである。これら信号をエラーなく再生するためには、一つは、マーク長及びマーク間隔を狙いの長さに記録することが必要になる。
【０００４】
相変化記録型において、光入射パワーを３値以上で制御し、パルス状に照射して、各パワーの照射時間、照射開始、終了時間を制御することで精度よく記録することができる。３値の場合のパワーとは、記録（ピーク）パワー Ｐｐ、消去パワー Ｐｅ、ボトムパワー Ｐｂを基本として、マーク長に応じて、Ｐｐ、Ｐｂの照射時間、各パルスの数を最適化する。よりマーク長を精密に制御するためにはＰｐを先頭部パルスと、それ以降のパルスで値を変える４値で制御することもある。これら方法は、光記録媒体の構成条件により、最適な方法を見出すことが必要になる。
【０００５】
記録媒体毎に、最適条件が異なる場合、異なる光情報記録再生装置では、最適条件が異なることが考えられる。しかも、装置の光入射パワーは、装置内の埃が対物レンズに付着することや、レーザー自身の寿命により、パワーの変動があり得る。高密度記録で、しかも高線速記録では記録条件のマージンが狭くなるために、最適パワーを装置で決めることがますます必要になる。単に、予め、記録媒体のユーザー使用領域外のリードインエリアにピットあるいは溝を蛇行させ、その周期を変調させるなどの方法で記録条件が入っていたとしても、その条件を単に読み取り、情報記録再生装置で記録しても最適な記録ができるとは限らない。
【０００６】
特許文献１、２は、各情報記録再生装置の光入射パワーの状態に依らず、最適な記録を可能する方法を示している。最短マークから最長マーク及びマーク間隔をランダムに記録するためのパターンを用いて記録後、最長マークの非晶質と結晶部の反射信号電圧を結晶部の反射信号電圧で割った変調度という特性値を用いて、最適記録パワーを決定する。この方法によれば、特に情報記録装置毎に絶対的な記録パワーは異なるので、その値が異なっても最適に記録できる方法として用いられている。
【０００７】
ところで、青紫色レーザーと対物レンズのＮＡ０．６５を用いて、ＤＶＤサイズで容量１５ＧＢをもつ新たな書き換え可能型媒体のフォーマットが最近開発されている。ＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｋ）−ＲＥ（Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）と同様、溝部（ｇｒｏｏｖｅ）に記録するものである。
【０００８】
このような１５ＧＢの容量をもつ媒体としては、ＨＤ  ＤＶＤ  ＲＯＭ、ＨＤ  ＤＶＤ  Ｒがあるが、前記書き換え可能型媒体はこれと容量が同じで、−Ｒと基本的には同じフォーマットである。さらに、該書き換え可能型媒体には光の入射方向側に２つの記録層を有し、容量が２倍の３０ＧＢをもった媒体も含まれるが、本発明ではこれを片面２層記録媒体と呼ぶ。
【０００９】
これら媒体は、最短マーク長が２Ｔ（Ｔは、基準クロック周波数）マーク、最長マークが１１Ｔの２Ｔから１１Ｔのマークの種類があり、これをランダムに記録する。２Ｔマークの長さは、約０．２μｍである。情報をこの変調方式により媒体に記録し、信号を再生すると、ＰＤ(ｐｈｏｔｏ  ｄｉｏｄｅ)から得られる反射信号の内、２Ｔマーク、マーク間の信号振幅は、他の長いマークに比べてより小さく、ＤＶＤと同様の波形等価方法では、隣接マークを一部再生してしまうことにより、所定のマークを完全に分離して再生できないために再生方法を工夫している。
【００１０】
例えば、波長寄与分以上の高密度、大容量化を実現するための特別な信号処理方式として、適応型ＰＲＭＬ方式の適用により分解能低下に伴う振幅マージン劣化を補償し、安定な高密度再生を可能にしている。ＰＲＭＬ(Ｐａｒｔｉａｌ  ｒｅｓｐｏｎｓｅ  Ｍａｘｉｍｕｍ  Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ)とは、記録再生で発生する再生歪みを修正して目的の波形に変形する波形等化技術と、記録変調符号に基づいて等化波形自身の持つ冗長性を積極的に利用して、データ誤りを含んでいる再生信号から最も確からしいデータ系列を選択する信号処理技術とを組み合わせた技術である。また記録符号化方式は、ＥＴＭ(Ｅｉｇｈｔ  ｔｏ  Ｔｗｅｌｖｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ )と名づけた変復調方式を用いる。
【００１１】
また、マーク品質を評価するための指標として、ＣＤ，ＤＶＤで用いられるジッターではなく、ＰＲＳＮＲ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）という指標を用いる。これは、再生信号のＳＮ比（信号対雑音比）及び、実際の再生波形と理論的なＰＲ波形線形性を同時に表現できる指標のことで、ディスクのビット誤り率の推定を行うために必要である。特殊な信号処理をして目標とする信号を作り出し、実際の再生信号との差異をＰＲＳＮＲ値としている。
【００１２】
このような再生方法を必要とする場合に、従来の方法により決定される最適パワー（光入射パワー）では、十分と言えない。最短マークと最長マークの再生信号振幅に対する対称性のずれを測る指標であるアシンメトリー（最長マーク振幅の中心と最短マーク振幅中心のずれ量）が重要になってくる。変調度を主な指標にしている従来の方法では十分でない。また、アシンメトリーは、オーバーライト回数によっても変動するため、より最適な方法を考案する必要がある。例えば、特許文献３には、ＤＣ消去後にパワーキャリブレーション（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｍｕｍ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）と呼ばれる試し書きを実行する技術が開示されている。
【００１３】
また従来の最適入射パワーを決定する方法としては、このほかにアシンメトリーを指標とする方法もある。アシンメトリーを指標にする場合は、十分な記録信号振幅が得られない記録パワーで、理想値である０になることも記録方法によってはあり得る。また、アシンメトリーの最適値が０でなければ、十分な記録品質が得られないことはなく、０付近に近いほど良いということになる。この場合、どの値を設定するかは、情報記録再生装置によって、読み取り誤差で変わってしまい、値を指定することは難しい。
【００１４】
また従来の最適パワー（以下、最適入射パワーを最適パワーと呼ぶ）決定方法は、記録層は１層であり、片面２層記録媒体に対して適用することはなかった。片面２層記録媒体のうち、光入射方向の手前側の情報層は、奥側または、１層媒体に比べて、構成条件が異なる。奥側の情報層に光を透過させ、なおかつ手前側の情報層に光を吸収させて、非晶質相と結晶相を相変化により、オーバーライトができなければならない。理想的には、手前側の情報層の透過率は５０％以上必要になる。この場合、手前側の情報層は、記録層の膜厚がより薄く、光を反射させ、かつ放熱の役割を果たす反射放熱層の膜厚も薄くする必要がある。従って、手前側の層の記録条件は、従来になくマージンが狭くなってくる。すなわち、熱の放熱効率、吸収効率が悪くなってくるため、最適パワーの範囲が狭くなってくる。よって、片面２層記録媒体、中でも入射手前側の情報層に対しては、光記録再生装置による新たな最適パワー決定方法が必要になる。
【００１５】
【特許文献１】特許第３２５９６４２号公報
【特許文献２】特許第３１２４７２１号公報
【特許文献３】特開２００５−０３８４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、情報記録再生装置によるパワーのばらつき、変動に対しても光記録媒体に最適なパワーで記録することができる光パワー決定方法を提供し、該光パワー決定方法に好適な光記録媒体並びに該光記録媒体を用いた光情報記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記課題を解決するために提供する請求項１の発明は、光学的な変化を利用した２つの情報層を有する片面２層光記録媒体に対して３値以上のパワーをもつパルス状の光を入射させて情報を記録する光情報記録装置における前記入射光の光パワー決定方法であって、前記光情報記録装置が前記情報層に１回または２回以上の範囲内の所定回数のデータ信号のオーバーライトを行い、該オーバーライトした情報層の再生信号の特性値を用いて前記入射光の最適パワーを決定することを特徴とする光パワー決定方法である。
【００１８】
また前記課題を解決するために提供する請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記オーバーライト回数が１回の場合の特性値を用いて前記入射光の最適パワーを決定することを特徴とする光パワー決定方法である。
【００１９】
また前記課題を解決するために提供する請求項３の発明は、請求項１の発明において、前記オーバーライト回数が９回の場合の特性値を用いて前記入射光の最適パワーを決定することを特徴とする光パワー決定方法である。
【００２０】
また前記課題を解決するために提供する請求項４の発明は、請求項１の発明において、前記入射光の記録パワー及び消去パワーについて最適パワーを決定することを特徴とする光パワー決定方法である。
【００２１】
また前記課題を解決するために提供する請求項５の発明は、請求項１の発明において、前記入射光の記録パワーのみについて最適パワーを決定することを特徴とする光パワー決定方法である。
【００２２】
また前記課題を解決するために提供する請求項６の発明は、請求項１の発明において、前記入射光の消去パワーのみについて最適パワーを決定することを特徴とする光パワー決定方法である。
【００２３】
また前記課題を解決するために提供する請求項７の発明は、請求項１の発明において、前記特性値は、ＰＲＳＮＲであることを特徴とする光パワー決定方法である。
【００２４】
前記課題を解決するために提供する請求項８の発明は、請求項１の発明において、前記特性値は、変調度であることを特徴とする光パワー決定方法である。
【００２５】
前記課題を解決するために提供する請求項９の発明は、請求項１の発明において、前記特性値は、アシンメトリーであることを特徴とする光パワー決定方法である。
【００２６】
前記課題を解決するために提供する請求項１０の発明は、請求項１の発明において、前記特性値として変調度を用いて前記入射光の記録パワーについて最適パワーを決定し、ついで前記記録パワーを一定にして前記オーバーライトを行いこのときの特性値を用いて前記入射光の消去パワーについて最適パワーを決定することを特徴とする光パワー決定方法である。
【００２７】
前記課題を解決するために提供する請求項１１の発明は、請求項１の発明において、前記オーバーライトを１回行った後に前記特性値として変調度を用いて前記入射光の記録パワーについて最適パワーを決定し、ついで前記記録パワーを前記最適パワーに固定し所定の消去パワー範囲で前記オーバーライトを１回行った後に前記特性値としてＰＲＳＮＲが最大となる消去パワーを最適消去パワーとすることを特徴とする光パワー決定方法である。
【００２８】
前記課題を解決するために提供する請求項１２の発明は、請求項１の発明において、前記オーバーライトを１回行った後に前記特性値として変調度を用いて前記入射光の記録パワーについて最適パワーを決定し、ついで前記記録パワーを前記最適パワーに固定し所定の消去パワー範囲で前記オーバーライトを１回行った後に前記特性値としてアシンメトリーが予め決めた値となる消去パワーを最適消去パワーとすることを特徴とする光パワー決定方法である。
【００２９】
前記課題を解決するために提供する請求項１３の発明は、請求項１１または１２の発明において、前記記録パワーを決定する際のオーバーライトを行う前に、前記情報層に消去パワーをもつ入射光を連続的に照射して消去を行うことを特徴とする光パワー決定方法である。
【００３０】
前記課題を解決するために提供する請求項１４の発明は、光学的な変化を利用した２つの情報層を有し、請求項１〜１３のいずれかに記載の光パワー決定方法により求められた前記入射光の最適パワーを決定するために必要なパラメータが予め記録されていることを特徴とする光記録媒体である。
【００３１】
前記課題を解決するために提供する請求項１５の発明は、請求項１４に記載の光記録媒体を用い、前記パラメータに基づいて該光記録媒体に記録する際の入射光の最適パワーを求めることを特徴とする光情報記録装置である。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の光パワー決定方法によれば、情報記録再生装置によるパワーのばらつき、変動に対しても光記録媒体に最適なパワーで記録することができる。また、本発明の光記録媒体によれば、前記光パワー決定方法に好適な光記録媒体を提供することができる。また、本発明の光情報記録装置によれば、前記光記録媒体に最適なパワーで記録することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本発明は、波長４０５ｎｍ，対物レンズのＮＡ０．６５を用いて記録再生を行う、特に書き換え型ＨＤ  ＤＶＤに関する技術であって、片面２層型光記録媒体に関する最適パワー決定方法を提供するものである。
【００３４】
本発明で言う最適パワーとは、記録パワー（Ｐｐ）、消去パワー（Ｐｅ）、バイアスパワー（Ｐｂ）の３値を基本とする。記録パワーを２値以上で制御する場合は、さらにＰｐ２というパワーが追加される。
【００３５】
最適パワーを決定する手段としては、基本的に、記録されるマークのうち、最長マーク及びマーク間の反射信号電圧の差（最長マーク振幅）をマーク間の反射信号電圧（反射電圧）で割った値、すなわち変調度を特性値として用いる。記録媒体に各パワーを変えながら記録再生装置（ここでは、市場で発売されている情報記録装置に限らず、媒体特性を評価できる装置であれば特に限定されない。）により、ＰＲＳＮＲ、エラーレート、変調度、アシンメトリーが所定の値に入るように調整する。このとき、発光パルス条件、以下、記録ストラテジー（図１参照）というが、これら時間も同時に調整しながら、最適条件を予め決める。
【００３６】
ここで、変調度ｍは、次の式で定義される。
（変調度）＝（１１Ｔマークの反射信号電圧−１１Ｔマーク間の反射信号電圧）/（１１Ｔマークの反射信号電圧）
【００３７】
最適パワーを決定するに当っては、まず予め決められた記録ストラテジー、（消去パワー  Ｐｅ）/(記録パワー  Ｐｐ)、Ｐｂを用いて、記録パワーＰｐを変化させながら記録する。この最適パワーを決定するための記録領域は、ユーザーが使用するユーザーデータ領域に記録しないで、より内側の半径位置の所定位置を試し書き領域として決めておき行なう。
【００３８】
このとき、記録再生装置で可能なＰｐを低いパワーから、高いパワーの範囲まで変えながら、変調度ｍを測定し、その結果をデータ処理用ＬＳＩに記憶させる。このとき、図２のような変調度ｍの記録パワー（Ｐｐ）依存性を示す。ここで、Ｐｅ，Ｐｂは予め設定した値 Ｐｅ/Ｐｐ， Ｐｂ/Ｐｐから決まる値を用いる。従来方法では、ここで、ガンマ値γ＝（ｄｍ／ｄＰp）×（Ｐp／ｍ）を求める。そして、これより目標ガンマ値（γｔａｒｇｅｔ値）を選択する。
【００３９】
γｔａｒｇｅｔ値は、変調度ｍが飽和する領域または変調度ｍの増加率が大きい、すなわちかなり記録パワーが低い領域での値は選択しない。変調度ｍが飽和する前、例えば飽和値が０．６〜０．６５である場合、変調度ｍが０．４〜０．５レベルあたりの対応する値を選択するのが好ましい。これにより、情報記録装置ごとに記録パワーの絶対値がずれても、変調度曲線のパワー依存性は保存されているので、γｔａｒｇｅｔ値を決めておけば、最適な記録パワーが求められる。
【００４０】
γｔａｒｇｅｔに相当するパワーであるＰｔａｒｇｅｔに係数ρをかけた値が最適パワー  Ｐｐｏとなる。ここで、Ｐｔａｒｇｅｔは、記録媒体にＰｉｎｄとして入れられるが、この係数ρは、特性値が最大、または最小あるいは一定基準を満たすように選ばれる。こうすることにより、情報記録装置ごとにパワーが変動していても、最適パワー、すなわち最適記録特性が得られるパワーを選ぶことになるという方法である。
【００４１】
前記方法は、これまで片面に１層の情報層を持つ場合に適用されてきた。しかし、片面２層タイプの媒体のように、特性マージンが狭くなるということは、記録条件のマージンが狭くなるため、変調度のみで最適パワーを選択しても特性値によっては、必ずしも最適値をとるとは限らない。
【００４２】
書き換え型記録媒体の場合、オーバーライト回数毎に特性の変動が大きいことが媒体によっては見られる。最近では、基準線速（１倍速）の４倍、８倍、１２倍などより高速記録が要求されるが、相変化型記録媒体において、片面１層媒体でも、記録回数２回後すなわち、オーバーライト１回目の特性変化が、１回目（未記録状態から最初に記録）や記録回数１０回記録後に比べて、著しく特性が劣化する傾向にある。これらは、何回目の記録回数で、上記パラメータを選んだかによっては、オーバーライトまで含めた最適パワーになっているかというと、そうでないケースが出てくる。通常、オーバーライト回数が９回目あるいは１０回目のときに最適化するのがよい。
【００４３】
前記のような変調度という特性値を用いて最適パワーを決定する方法以外に、アシンメトリーを用いる方法がある。ここで、アシンメトリーは以下のように定義される。
（アシンメトリー）＝（Ａ１+Ａ２）／（Ａ１-Ａ２）
【００４４】
２Ｔから１１Ｔまでの記録マークをランダムに記録後、情報記録媒体から得られた波形等価前の反射信号をＡＣ結合させて得られた信号のうち、１１Ｔの結晶状態の反射電圧をＡ１、１１Ｔの非晶質状態の反射電圧をＡ２とする。変調度が大きくとれても、パワー条件によってはこの量がゼロになることが望ましいが、これがゼロから大きくずれるとエラー増大につながる。ＰＲＳＮＲという特性値を考えた場合、同様に従来の変調度、アシンメトリーのどちらかだけからでは、最適なパワーを決めることは難しい。
【００４５】
変調度が小さくても記録条件によっては、アシンメトリーはゼロにすることは可能である。しかしながら、変調度が大きい方が良いため、記録条件、特に記録ストラテジーが最適化されていれば変調度のみで最適パワーを決めることも可能である。記録パワーＰｐを決定するには変調度で決定する。また、変調度を用いてγ値を決定する場合において、気をつけなければならないことは、γ＝（ｄｍ／ｄＰp）×（Ｐp／ｍ）のｄＰｐの値の選び方である。ｄＰｐが０．１ｍＷが可能とした場合、変調度が飽和してくるパワーの領域では、γが図２のような曲線にならず、γ値が振動するような変化が見られる。（図３）
【００４６】
図３のような結果の場合、情報記録装置が、予め媒体に入力されている図のγt1という値を選択すると、２種類のＰｔａｒｇｅｔ値 Ｐt1，Ｐt2が存在してしまう。ここでＰｔａｒｇｅｔ値としてＰt2を選ぶと、最適記録パワーはＰｐｏ２のより高いパワーを選択することになる。記録パワーが高すぎると、変調度は小さくなってくるため、最適パワーでない値を決定してしまうことになる。特性値が最適値の範囲内にあったとしても、オーバーライト回数が１００回、１０００回といった回数になると劣化が大きくなってしまうことがある。
【００４７】
このような場合は、ｄＰｐの間隔を広くとる、例えば０．５ｍＷ以上にするとγ値の変化が小さくなる。あるいは、変調度曲線を２次の関数で近似して、変調度曲線の測定ばらつきを小さくすることにより解消することができる。
【００４８】
最適パワーが正しく決定されたものの、この値が情報記録装置で出せる最大パワーを超えていた場合は、記録装置の最大パワーで記録する方法をとればよい。最適なパワーの決定方法については、実施例において詳細に説明する。
【００４９】
書き換え可能な片面２層光記録媒体の一例を図４に示す。
片面２層光記録媒体１５は、レーザ光の入射側から順に、第１基板１、第１情報層２、中間層３、第２情報層４、及び第２基板５からなる。第１情報層２は、第１基板１に近い方から順に、第１下部保護層２ａ、第１記録層２ｂ、第１上部保護層２ｃ、第１反射層２ｄ及び熱拡散層２ｅを有している。また、上記第２情報層４は、中間層３に近い方から順に、第２下部保護層４ａ、第２記録層４ｂ、第２上部保護層４ｃ及び第２反射層４ｄを有している。
【００５０】
第１記録層２ｂに用いられる材料としてはＳｂ（アンチモン）の含有量が７０％前後となるＳｂとＴｅ（テルル）の共晶組成を用いる。より、具体的にはＡｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅなどが用いられる。記録線速がより速くなった場合は、他の材料を用いることが考えられる。Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂを主成分とし、これに他の元素、例としてＺｎなどを添加した系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂに他の元素、例としてＭｎ、Ｚｎを添加した系などがある。
【００５１】
第１記録層２ｂの膜厚は、５〜９ｎｍの範囲内にあることが好ましい。第１記録層２ｂの膜厚が５ｎｍよりも薄いと、光の透過量が高く、記録感度が低下するとともに、繰り返し記録に対する溶融するまで十分な温度に達成しないことと、さらには急冷速度が遅く、初期特性はもちろんのこと、繰り返し記録特性が悪い。第１記録層の膜厚が９ｎｍよりも厚いと、第１情報層の光透過率が低くなりすぎて、第２情報層４の記録感度が大きく低下する。第２記録層４ｂの膜厚は、１０〜２０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
【００５２】
第１反射層２ｄの膜厚は、７〜１２ｎｍの範囲内にあることが好ましい。第１反射層２ｄの膜厚が７ｎｍよりも薄いと、反射率の低下、変調度が小さくなる。また、１２ｎｍよりも厚いと、第１情報層２の光透過率が低くなりすぎて、第２情報層の記録感度が大きく低下する。なお、第１反射層２ｄは、Ａｇを用いる。また、特にＡｇに０．２〜５．０重量％の元素Ｂｉ、Ｃｕ，Ｉｎなどから選ばれる少なくとも１つの金属元素を含有させることで、第１情報層の再生安定性や信頼性を向上させることが可能となる。第２反射層４ｄは、ＡｇよりもＡｇ合金が好ましい。膜厚範囲は、１００〜２００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
【００５３】
各情報層に用いる上部保護層２ｃ，４ｃは、記録層の耐環境性を向上させ、透明で、かつ融点が記録層よりも高い材料であることが好ましく、片面１層の相変化型光記録媒体では、特にＺｎＳ-ＳｉＯ２が良く用いられ、その場合の混合比としてはＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０が最も好ましいとされている。しかしながら、片面２層光記録媒体は、第１反射層２ｄの膜厚が片面１層媒体に比べて薄いために、放熱性が悪くなり非結晶相が形成しにくくなる。そのため、第１上部保護層２ｃはできるだけ熱伝導率の高い材料を用いた方が良い。従って、ＺｎＳ-ＳｉＯ２よりも放熱性の高い酸化物を用いることが好ましい。具体的にはＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＴａＯ、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５などの金属酸化物が良い。なお上部保護層２ｃにＺｎＳ・ＳｉＯ２を用い、反射層２ｄにＡｇを用いる場合は、反射層中のＡｇと上部保護層中のＳが反応しないように硫化防止層を設ける必要がある。この場合の層として、例えばＴｉＯ２とＴｉＣの混合物がある。第１上部保護層２ｃの膜厚は、１０〜３５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。また第２上部保護層ｄ３については、従来と同様にＺｎＳ-ＳｉＯ２を用いる。第２反射層４ｄにＡｇまたはＡｇ合金が用いられる場合は、ＴｉＯＣなどの界面層（膜厚２ｎｍ〜４ｎｍ）を第２上部保護層４ｃと第２反射層４ｄの間に設ける。各下部保護層２ａ，４ａは、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０が最も好ましい。
【００５４】
熱拡散層２ｅは、光が照射された第１記録層２ｂを急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、第２情報層４に対して記録及び再生ができるよう、照射された光の波長での吸収率が小さいこと、すなわち照射された光に対して透明であり、屈折率が２以上と高いことも望まれる。例えば、ＩｎＺｎＯｘ、若しくはＩｎＳｎＯｘが好ましい。また、ＩｎＳｎＯｘに含まれている酸化スズは１〜１０重量％であることが好ましい。この含有率を外れると、熱伝導率および透過率が低下してしまう。ＩｎＺｎＯｘおよびＩｎＳｎＯｘ中に含まれているＩｎ２Ｏ３は９０モル％程度であることが好ましい。熱拡散層２ｅの膜厚は、１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲にあることが好ましい。他の材料としては、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２も好ましい材料である。
【００５５】
第１基板１は、記録及び再生のために照射する光を十分に透過させるものであることが必要であり、当該技術分野において従来知られているものが適用される。すなわち、ガラス、セラミックスあるいは樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性及びコストの点で好適である。樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性及びコストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。第１基板１上の第１情報層２が積層される面には、スパイラル状又は同心円状のグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは、通常、射出成形法またはフォトポリマー法などによって成形される。第１基板１の厚さは、５９０〜６１０μｍが好ましい。また第２基板２の材料としては、第１基板と同様の材料を用いる。
【００５６】
中間層３は、記録及び再生を行なうために照射される光の波長における光吸収が小さいことが好ましく、材料としては成形性やコストの点で樹脂が好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。第２基板５及び中間層３には、第１基板１と同様な、射出成形法またはフォトポリマー法などによって成形されるグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていても良い。中間層３は、記録及び再生を行なう際に、第１情報層２と第２情報層４とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは１０μｍ〜７０μｍが好ましい。中間層３の厚さが１０μｍよりも薄いと、情報層間クロストークが生じやすくなる。一方、中間層３の厚さが７０μｍより厚いと、第２記録層４ｂに対して記録及び再生を行うときに球面収差が発生し、記録及び再生が困難になる。
【００５７】
片面２層記録媒体の各情報層２，４の反射率は、３．５％以上８％以下である。これ以上低いと、情報記録再生装置により、フォーカシング、トラッキングができない可能性がでてくる。また、上限値は制約はないが、相変化型光記録媒体ではあまり高くできないため、８％程度が限界である。下限値は好ましくは、４％以上が良い。また、各層のどちらかの層の反射率を高くすることは容易であるが、もう一層の情報層の反射率が低すぎてしまうと反射率差が大きくなるため、手前側の情報層から奥側の情報層あるいはその逆において、他層への切り替え時にフォーカスが入りにくくなったりするなどの不具合が生じる。各情報層の反射率の比率は、１．５倍以下が良い。
【００５８】
本実施形態では、光記録媒体に後述の記録処理で用いられる記録条件に関する情報すなわち、記録パワーの最適値及び消去パワーの最適値などを求める際に用いられる設定値情報が、記録媒体のユーザーデータ領域以外のより内周部のリードイン領域及びより外周部のリードアウト領域の少なくとも一方にプリフォーマットされている。プリフォーマットされているとは、予めＲＯＭと同じようにピットが形成されている状態を指す。
【００５９】
光記録媒体の製造方法について簡単に説明すると、製造方法は、成膜工程、初期化工程及び密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程が行なわれる。成膜工程では、第１基板１の凹凸パターンが形成されている面に、順に第１下部保護層２ａ、第１記録層２ｂ、第１上部保護層２ｃ、第１反射層２ｄ及び熱拡散層２ｅを成膜する。このようにして第１基板１上に第１情報層２が形成されたものを以下では便宜上、「第１記録部材」という。
【００６０】
また、第２基板５の凹凸パターンが形成されている面に、順に第２反射層４ｄ、第２上部保護層４ｃ、第２記録層４ｂ及び第２下部保護層４ａを成膜する。このようにして第２基板５上に第２情報層４が形成されたものを以下では便宜上、「第２記録部材」という。
【００６１】
各層はそれぞれ、スパッタリング法によって成膜される。初期化工程では、上記第１記録部材及び第２記録部材に対して、それぞれレーザ光を照射し、各記録層の全面を初期化、すなわち結晶化させる。この初期化工程は、各部材を予め初期化するか、第２記録部材を初期化して、貼り合わせ、それから第１記録部材をさらに初期化しても良い。
【００６２】
第１記録部材及び第２記録部材を貼り合わせる工程である密着工程は、第１記録部材と第２記録部材とを中間層３を介して貼り合わせる。例えば、熱拡散層２ｅ及び第２下部保護層４ａのいずれか一方の面にＵＶ樹脂を塗布した後、熱拡散層２ｅと第２下部保護層４ａとを対向させて、第１記録部材と第２記録部材とを密着させ、紫外線を照射してＵＶ樹脂を硬化させる。これにより、第１記録部材と第２記録部材とが中間層３を介して一体化され、片面２層光記録媒体となる。
【００６３】
次に、光情報記録再生装置２０について、一例を図５に示す。
本発明の一実施形態に係る片面２層光記録媒体としての光ディスク１５を回転駆動するためのスピンドルモータ２２、光ピックアップ装置２３、該光ピックアップ装置２３をスレッジ方向に駆動するためのシークモータ２１、レーザ制御回路２４、エンコーダ２５、駆動制御回路２６、再生信号処理回路２８、バッファＲＡＭ３４、バッファマネージャ３７、インターフェース３８、フラッシュメモリ３９、ＣＰＵ４０及びＲＡＭ４１などを備えている。なお、図５における矢印は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。また、本実施形態では、光ディスク装置２０は片面多層光ディスクに対応しているものとする。
【００６４】
前記再生信号処理回路２８は、前記受光器ＰＤの出力信号（複数の光電変換信号）に基づいて、サーボ信号（フォーカスエラー信号やトラックエラー信号など）、アドレス情報、同期情報、ＲＦ信号、変調度（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）情報、ガンマ値（ｇａｍｍａ）情報、アシンメトリー（Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ）情報、及び和信号の振幅情報などを取得する。
【００６５】
ここで得られたサーボ信号は前記駆動制御回路２６に出力され、アドレス情報はＣＰＵ４０に出力され、同期信号はエンコーダ２５や駆動制御回路２６などに出力される。さらに、再生信号処理回路２８は、ＲＦ信号に対して復号処理及び誤り検出処理などを行い、誤りが検出されたときには誤り訂正処理を行った後、再生データとして前記バッファマネージャ３７を介して前記バッファＲＡＭ３４に格納する。また、再生データに含まれるアドレス情報はＣＰＵ４０に出力される。また、再生信号処理回路２８は、前記変調度情報、ガンマ値情報、アシンメトリー情報、及び和信号の振幅情報、ＰＲＳＮＲ値をＣＰＵ４０に通知する。
【００６６】
前記駆動制御回路２６は、再生信号処理回路２８からのサーボ信号に基づいて、前記駆動系の駆動信号を生成し、光ピックアップ装置２３に出力する。これにより、トラッキング制御及びフォーカス制御が行われる。また、駆動制御回路２６は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、シークモータ２１を駆動するための駆動信号、及びスピンドルモータ２２を駆動するための駆動信号を生成する。各モータの駆動信号は、それぞれシークモータ２１及びスピンドルモータ２２に出力される。
【００６７】
前記バッファＲＡＭ３４には、光ディスク１５に記録するデータ（記録用データ）、及び光ディスク１５から再生したデータ（再生データ）などが一時的に格納される。このバッファＲＡＭ３４へのデータの入出力は、前記バッファマネージャ３７によって管理されている。
【００６８】
前記エンコーダ２５は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、バッファＲＡＭ３４に蓄積されている記録用データをバッファマネージャ３７を介して取り出し、データの変調及びエラー訂正コードの付加などを行ない、光ディスク１５への書き込み信号を生成する。ここで生成された書き込み信号はレーザ制御回路２４に出力される。
【００６９】
前記レーザ制御回路２４は、前記半導体レーザＬＤの発光パワーを制御する。例えば記録の際には、前記書き込み信号、記録条件、及び半導体レーザＬＤの発光特性などに基づいて、半導体レーザＬＤの駆動信号がレーザ制御回路２４にて生成される。
【００７０】
前記インターフェース３８は、上位装置９０（例えば、パソコン）との双方向の通信インターフェースであり、ＡＴＡＰＩ（Ａｔ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＳＣＳＩ（Ｓｍａｌｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）及びＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）などの標準インターフェースに準拠している。
【００７１】
前記フラッシュメモリ３９には、ＣＰＵ４０にて解読可能なコードで記述された最適パワーを求めるためのプログラムを含む各種プログラム、及び半導体レーザＬＤの発光特性などが格納されている。
【００７２】
前記ＣＰＵ４０は、フラッシュメモリ３９に格納されている上記プログラムに従って前記各部の動作を制御するとともに、制御に必要なデータなどをＲＡＭ４１及びバッファＲＡＭ３４に保存する。
【００７３】
次に上位装置９０から記録要求があったときの、光ディスク装置２０における処理（記録処理）について図６及び図７を用いて説明する。図６及び図７のフローチャートは、ＣＰＵ４０によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。ここでは、オーバーライト１回の変調度を用いてＰｐｏを求め、オーバーライト１回後のＰＲＳＮＲを用いてＰｅｏを求める場合を説明する。
【００７４】
上位装置９０から記録要求コマンドを受信すると、フラッシュメモリ３９に格納されている図６及び図７のフローチャートに対応するプログラムの先頭アドレスがＣＰＵ４０のプログラムカウンタにセットされ、記録処理がスタートする。
【００７５】
最初のステップ４０１では、所定の線速度（又は角速度）で光ディスク１５が回転するように駆動制御回路２６に指示するとともに、上位装置９０から記録要求コマンドを受信した旨を再生信号処理回路２８に通知する。
【００７６】
次のステップ４０３では、記録要求コマンドから指定アドレスを抽出し、その指定アドレスから、対象記録層が第１記録層２ｂであるか第２記録層４ｂであるかを特定する。
【００７７】
次のステップ４０５では、光ディスク１５から記録条件に関する情報が入っているピット部から情報を取り出し、消去パワー（Ｐｅ）と記録パワー（Ｐｐ）との比ε（＝Ｐｅ／Ｐｐ）、目標ガンマ値（γｔａｒｇｅｔ）、記録パワーを変えて特性を測定するための中心パワー（Ｐｉｎｄ）、最適記録パワーを求めるための乗算係数ρを読み込む。これら値は、それぞれＲＡＭ４１に保存される。
【００７８】
次のステップ４０７では、記録パワーＰｐの初期値を設定し、レーザ制御回路２４に通知する。
【００７９】
次のステップ４０９では、消去パワーＰｅと記録パワーＰｐとの比がεとなるように、消去パワーＰｅを算出し、レーザ制御回路２４に通知する。
【００８０】
次のステップ４１１では、対象記録層に予め設けられている試し書きの領域にテスト用データ（２Ｔから１１Ｔまでの各マークがランダムに記録されるが、各マークの発生頻度が予め決められている）の記録を指示する。これにより、レーザ制御回路２４及び光ピックアップ装置２３を介して試し書きの領域にテスト用データが記録される。
【００８１】
次のステップ４１３では、試し書きが完了したか否かを判断する。試し書きが完了していなければ、ここでの判断は否定され、ステップ４１５に移行する。
【００８２】
このステップ４１５では、記録パワーＰｐに予め設定されている変分Δｐを加算する。そして、上記ステップ４０９に戻る。
【００８３】
以下、ステップ４１３での判断が肯定されるまで、ステップ４０９→ステップ４１１→ステップ４１３→ステップ４１５の処理を繰り返し行う。予め設定されている互いに異なる複数の記録パワーＰｐでの試し書きが完了すると、ステップ４１３での判断が肯定され、ステップ４１７に移行する。ここでは、オーバーライト１回の記録まで実行される。
【００８４】
このステップ４１７では、再生信号処理回路２８を介して、テスト用データが記録された試し書きの領域を再生し、前記変調度情報を取得する。同時にガンマ値情報も算出する。
【００８５】
次のステップ４１９では、変調度情報から、一例として図２に示されるように、記録パワーＰｐと変調度ｍとの関係を求め、さらにガンマ値との関係も求める。
【００８６】
次のステップ４２１では、記録パワーＰｐとガンマ値γとの関係、並びに記録パワーＰｐと変調度ｍとの関係から、目標ガンマ値（γｔａｒｇｅｔ）を用いて記録パワーＰｔａｒｇｅｔを求める。
【００８７】
次のステップ４２３では、Ｐｐｏ＝ρ×Ｐｔａｒｇｅｔに基づいて、記録パワーの最適値（Ｐｐｏとする）を算出する。
【００８８】
次のステップ４３１では、記録パワーを最適値Ｐｐｏとし、レーザ制御回路２４に通知する。
【００８９】
次のステップ４３３では、εの初期値を設定する。
【００９０】
次のステップ４３５では、ε×Ｐｐｏを演算し、消去パワーＰｅとしてレーザ制御回路２４に通知する。
【００９１】
次のステップ４３７では、対象記録層に予め設けられている試し書きの領域にテスト用データの記録を指示する。これにより、レーザ制御回路２４及び光ピックアップ装置２３を介して試し書きの領域にテスト用データが記録される。
【００９２】
次のステップ４３９では、試し書きが完了したか否かを判断する。試し書きが完了していなければ、ここでの判断は否定され、ステップ４４１に移行する。
【００９３】
このステップ４４１では、εに予め設定されている変分Δεを加算する。そして、上記ステップ４３５に戻る。
【００９４】
以下、ステップ４３９での判断が肯定されるまで、ステップ４３５→ステップ４３７→ステップ４３９→ステップ４４１の処理を繰り返し行う。予め設定されている互いに異なる複数のεでの試し書きが完了すると、ステップ４３９での判断が肯定され、ステップ４４３に移行する。ここでは、オーバーライト１回の記録まで実行される。
【００９５】
このステップ４４３では、再生信号処理回路２８を介して、テスト用データが記録された試し書きの領域を再生し、前記ＰＲＳＮＲ情報を取得する。
【００９６】
次のステップ４４５では、ＰＲＳＮＲ情報から、一例として図８に示されるように、消去パワーＰｅとＰＲＳＮＲの関係を求める。
【００９７】
次のステップ４４７では、消去パワーＰｅとＰＲＳＮＲとの関係から最大ＰＲＳＮＲに対応する消去パワー値（Ｐｅｏとする）を求める（図８参照）。この消去パワー値Ｐｅｏを消去パワーの最適値とする。最大ＰＲＳＮＲは１５以上である。
【００９８】
次のステップ５０１では、目標位置への位置決めを指示する。具体的には、指定アドレスに対応する目標位置近傍に光スポットが形成されるように、駆動制御回路２６に指示する。これにより、シーク動作が行なわれる。なお、シーク動作が不要であれば、ここでの処理はスキップされる。
【００９９】
次のステップ５０３では、記録条件を設定する。ここでは、記録パワーはＰｐｏ、消去パワーはＰｅｏとする。すなわち、いずれも最適値をセットする。
【０１００】
次のステップ５０５では、記録を許可する。これにより、エンコーダ２５、レーザ制御回路２４及び光ピックアップ装置２３を介して指定アドレスに、最適な記録条件でユーザーデータが記録される。
【０１０１】
さて、以上を基本的な流れとする最適パワー決定方法があるが、より具体的に説明する。
相変化記録材料を用いた書き換え可能なタイプの媒体特性は、オーバーライト記録回数毎に特性値が変化する。変化が小さく、基準値を満足していれば実用上問題ないということになるが、ある記録回数で基準値付近にあって、最適パワーにマージンがないと実用上問題になる。図９に記録回数が１回から１１回、すなわち、オーバーライト回数１０回までの第１情報層２について、ＰＲＳＮＲの特性変化を示す。この結果、オーバーライト１回目で特性が下がることがわかる。ここで、基準値を１５以上とした場合、基準値近傍である。また、この図の結果が得られた記録パワー、消去パワーよりも高いか、あるいは低いパワーでは基準値を満たさない。満たしても、非常にマージンが狭くなる場合が多い。このような場合は、オーバーライト１回目で最適記録パワーを求めるのが良い。もちろん、他の記録回数でも劣化しないことが前提である。オーバーライト１回目の特性は、消去パワーに対する依存性が記録パワーの依存性より大きい。そのため、消去パワーの最適化が重要になる。従って、最適パワーをオーバーライト１回目の特性で求めることが良い。
【０１０２】
片面２層記録媒体の場合、記録媒体によっては、第１情報層２とそれより奥側の第２情報層４の記録感度が異なる場合がある。特に第２情報層４は、第１情報層２が記録された場合とされない場合でさらに差がでる媒体もあり得る。従って、それぞれの情報層で光パワーを最適化することが重要になってくる。その場合の方法として、リードイン、すなわちユーザーデータ領域より内側の領域で試し書きを行う。次に、第２情報層４はディスクのユーザーデータ領域より外側の最外周側の試し書き領域を用いて最適パワー及び条件を決定する。このとき、この試し書き領域と同じ、つまり半径位置が同じ第１情報層２を予め記録しておき、実行する方が好ましい。しかし、予め記録する場合、所定の試し書き領域にピックアップヘッドをシークする時間がかかってしまう。そこで、この場合、媒体製造メーカー側で予め、第１情報層２が記録された場合の第２情報層４の記録パワーのずれを補正係数として、光記録媒体に情報記録する。そうすることにより、第１情報層２が未記録状態で、第２情報層４のγｔａｒｇｅｔ，Ｐｔａｒｇｅｔ，ρ，εを求め、最適パワーを求めることが可能になる。
【０１０３】
上記、最適パワーを求めるために記録媒体に情報としていれておく値は、γｔａｒｇｅｔ、Ｐｉｎｄ、ρ、ε、βｔａｒｇｅｔであり、光記録媒体が片面２層媒体の場合は、各情報層毎にこれら条件を入れるようにする。さらに、第１情報層２と第２情報層４の記録感度補正係数を入れる。これら情報は具体的には、リードインと呼ばれる、ある決まった領域にエンボスピットの形態で入れる。特性値は、以上で用いてきた他にエラーレートを使用しても良い。
【０１０４】
このような予め光記録媒体に最適パワーを求めるために必要な上記パラメータは、光記録媒体を供給する側で決めた値が入れられている。これら値を決定するまでの方法は、変調度、アシンメトリーともオーバーライト１回後の特性値を測定し決める。あるいは、記録媒体側は、オーバーライト９回後の特性から求めても良い。
【０１０５】
特性値がアシンメトリーの場合、図２７のような消去パワー（Ｐｅ）依存性を示す。ここで、アシンメトリーのどの値を選択するかであるが、ＰＲＳＮＲが最大となる時の値が選ばれる。これをβｔａｒｇｅｔというパラメータとする。βｔａｒｇｅｔの値は０近傍であるが、−０．０５から０．０５の範囲が好ましい。
【０１０６】
ところで、図６,図７に示す方法において、各特性値を測定する前に一度記録すべきトラックを消去パワー、すなわち光記録媒体から読みとった消去パワーでパルス状ではなく、連続的に消去した（以下ＤＣ消去と呼ぶ）後、記録することが好ましい。この場合は、記録回数は１回でも良い。光情報記録装置では、できるだけ短い時間に最適パワーを決定するためには記録回数は少ないほど良い。あるいは、多くてもオーバーライト１回が良い。
【０１０７】
最適パワーを求める領域で決定したパワーが、ユーザー領域でオーバーライト回数が何回目であっても最適に記録できることが望ましい。ＤＣ消去を行うことで、媒体供給側で予め結晶化した状態よりも光情報記録装置で定められたトラックを消去して得られる結晶状態にすることで、変調度、アシンメトリーがオーバーライトをした場合に近い状態にすることができる。ＤＣ消去しないで、1回のみ記録した場合の変調度、アシンメトリーはオーバーライト1回以降に比べて、値のずれが大きい。
【０１０８】
以下、前記ＤＣ消去を取り入れた場合の上位装置９０から記録要求があったときの、光ディスク装置２０における処理（記録処理）について図１０及び図１１を用いて説明する。図１０及び図１１のフローチャートは、ＣＰＵ４０によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。ここでは、オーバーライト１回の変調度を用いてＰｐｏを求め、オーバーライト１回後のアシンメトリーを用いてＰｅｏを求める場合を説明する。
【０１０９】
上位装置９０から記録要求コマンドを受信すると、フラッシュメモリ３９に格納されている図１０及び図１１のフローチャートに対応するプログラムの先頭アドレスがＣＰＵ４０のプログラムカウンタにセットされ、記録処理がスタートする。
【０１１０】
最初のステップ６０１では、所定の線速度（又は角速度）で光ディスク１５が回転するように駆動制御回路２６に指示するとともに、上位装置９０から記録要求コマンドを受信した旨を再生信号処理回路２８に通知する。
【０１１１】
次のステップ６０３では、記録要求コマンドから指定アドレスを抽出し、その指定アドレスから、対象記録層（Ｌ０層）が第１記録層２ｂであるか第２記録層４ｂであるかを特定する。
【０１１２】
次のステップ６０５では、光ディスク１５から記録条件に関する情報が入っているピット部から情報を取り出し、消去パワー（Ｐｅ）と記録パワー（Ｐｐ）との比ε１（＝Ｐｅ／Ｐｐ）、目標ガンマ値（γｔａｒｇｅｔ）、記録パワーを変えて特性を測定するための中心パワー（Ｐｉｎｄ）、最適記録パワーを求めるための乗算係数ρを読み込む。これら値は、それぞれＲＡＭ４１に保存される。
【０１１３】
次のステップ６０７では、記録パワーＰｐの初期値を設定し、レーザ制御回路２４に通知する。
【０１１４】
次のステップ６０９では、消去パワーＰｅと記録パワーＰｐとの比がε１となるように、消去パワーＰｅを算出し、レーザ制御回路２４に通知する。
【０１１５】
次のステップ６１０では、Ｌ０層に予め設けられている試し書きの領域についてステップＳ６０９の消去パワーＰｅで連続的に消去を行う。
【０１１６】
次のステップ６１１では、Ｌ０層のＤＣ消去した試し書きの領域にテスト用データ（２Ｔから１１Ｔまでの各マークがランダムに記録されるが、各マークの発生頻度が予め決められている）の記録を指示する。これにより、レーザ制御回路２４及び光ピックアップ装置２３を介して試し書きの領域にテスト用データが記録される。
【０１１７】
次のステップ６１３では、試し書きが完了したか否かを判断する。試し書きが完了していなければ、ここでの判断は否定され、ステップ６１５に移行する。
【０１１８】
このステップ６１５では、記録パワーＰｐに予め設定されている変分Δｐを加算する。そして、上記ステップ６０９に戻る。
【０１１９】
以下、ステップ６１３での判断が肯定されるまで、ステップ６０９→ステップ６１０→ステップ６１１→ステップ６１３→ステップ６１５の処理を繰り返し行う。予め設定されている互いに異なる複数の記録パワーＰｐでの試し書きが完了すると、ステップ６１３での判断が肯定され、ステップ６１７に移行する。ここでは、オーバーライト１回の記録まで実行される。
【０１２０】
このステップ６１７では、再生信号処理回路２８を介して、テスト用データが記録された試し書きの領域を再生し、前記変調度情報を取得する。同時にガンマ値情報も算出する。
【０１２１】
次のステップ６１９では、変調度情報から、一例として図２に示されるように、記録パワーＰｐと変調度ｍとの関係を求め、さらにガンマ値との関係も求める。
【０１２２】
次のステップ６２１では、記録パワーＰｐとガンマ値γとの関係、並びに記録パワーＰｐと変調度ｍとの関係から、目標ガンマ値（γｔａｒｇｅｔ）を用いて記録パワーＰｔａｒｇｅｔを求める。
【０１２３】
次のステップ６２３では、Ｐｐｏ＝ρ×Ｐｔａｒｇｅｔに基づいて、記録パワーの最適値（Ｐｐｏとする）を算出する。
【０１２４】
次のステップ６３１では、記録パワーを最適値Ｐｐｏの固定値とし、レーザ制御回路２４に通知する。
【０１２５】
次のステップ６３３では、εの初期値を設定する。
【０１２６】
次のステップ６３５では、ε×Ｐｐｏを演算し、消去パワーＰｅとしてレーザ制御回路２４に通知する。
【０１２７】
次のステップ６３７では、Ｌ０層に予め設けられている試し書きの領域にテスト用データの記録を指示する。これにより、レーザ制御回路２４及び光ピックアップ装置２３を介して試し書きの領域にテスト用データが記録される。
【０１２８】
次のステップ６３９では、試し書きが完了したか否かを判断する。試し書きが完了していなければ、ここでの判断は否定され、ステップ６４１に移行する。
【０１２９】
このステップ６４１では、εに予め設定されている変分Δεを加算する。そして、上記ステップ６３５に戻る。
【０１３０】
以下、ステップ６３９での判断が肯定されるまで、ステップ６３５→ステップ６３７→ステップ６３９→ステップ６４１の処理を繰り返し行う。予め設定されている互いに異なる複数のεでの試し書きが完了すると、ステップ６３９での判断が肯定され、ステップ６４３に移行する。ここでは、オーバーライト１回の記録まで実行される。
【０１３１】
このステップ６４３では、再生信号処理回路２８を介して、テスト用データが記録された試し書きの領域を再生し、前記アシンメトリー情報を取得する。
【０１３２】
次のステップ６４５では、アシンメトリー情報から、消去パワーＰｅとアシンメトリーの関係を求める。
【０１３３】
次のステップ６４７では、消去パワーＰｅとアシンメトリーとの関係からβｔａｒｇｅｔに対応する消去パワー値（Ｐｅｏとする）を求める。この消去パワー値Ｐｅｏを消去パワーの最適値とする。
【０１３４】
次のステップ７０１では、目標位置への位置決めを指示する。具体的には、指定アドレスに対応する目標位置近傍に光スポットが形成されるように、駆動制御回路２６に指示する。これにより、シーク動作が行なわれる。なお、シーク動作が不要であれば、ここでの処理はスキップされる。
【０１３５】
次のステップ７０３では、記録条件を設定する。ここでは、記録パワーはＰｐｏ、消去パワーはＰｅｏとする。すなわち、いずれも最適値をセットする。
【０１３６】
次のステップ７０５では、記録を許可する。これにより、エンコーダ２５、レーザ制御回路２４及び光ピックアップ装置２３を介して指定アドレスに、最適な記録条件でユーザーデータが記録される。
【０１３７】
なお、図１１に代えて、図１２に示すプロシージャーで最適消去パワーを求めてもよい。以下、図１２において図１１とは異なるステップ（ステップ８４３，８４５，８４７）のみ説明する。それ以外のステップは図１１の場合と同じである。
【０１３８】
このステップ８４３では、再生信号処理回路２８を介して、テスト用データが記録された試し書きの領域を再生し、前記ＰＲＳＮＲ情報を取得する。
【０１３９】
次のステップ８４５では、ＰＲＳＮＲ情報から、一例として図８に示されるように、消去パワーＰｅとＰＲＳＮＲの関係を求める。
【０１４０】
次のステップ８４７では、消去パワーＰｅとＰＲＳＮＲとの関係から最大ＰＲＳＮＲに対応する消去パワー値（Ｐｅｏとする）を求める（図８参照）。この消去パワー値Ｐｅｏを消去パワーの最適値とする。最大ＰＲＳＮＲは１５以上である。
【実施例】
【０１４１】
以下、実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、情報の記録は、図１に示すストラテジーを用いて行い、記録再生線速は６．６１ｍ／ｓ、再生パワーは０．７ｍＷとした。スパッタ装置は、バルザース社製のＤＶＤスプリンター（枚葉スパッタ装置）を用いた。以下、記録回数の値について、１０回は、オーバーライト９回、２回はオーバーライト１回を指す。
【０１４２】
（実施例１）
第１基板１としての直径１２ｃｍ、平均厚さ０．５９５ｍｍで、片面にトラックピッチ０．４０μｍの連続した蛇行溝が形成されたポリカーボネート樹脂の上に、第１下部保護層２ａを、ＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)のスパッタリング用ターゲット組成を用いて膜厚４４ｎｍとして、第１記録層２ｂをスパッタリング用ターゲット組成  Ａｇ０．２Ｉｎ３．５Ｓｂ６９．８Ｔｅ２２Ｇｅ４．５を用いて膜厚７．５ｎｍとして、第１上部保護層２ｃをターゲット組成  Ｉｎ２Ｏ３（７．５ｍoｌ％）−ＺｎＯ（２２．５ｍoｌ％）−ＳｎＯ２（６０ｍoｌ％）−Ｔａ２Ｏ５（１０ｍoｌ％）を用いて膜厚２０ｎｍとして、第１反射層２ｄをＡｇターゲットを用いて膜厚１０ｎｍとして、熱拡散層２ｅをターゲット組成  Ｉｎ２Ｏ３（９０ｍoｌ％）−ＺｎＯ（１０ｍoｌ％）を用いて膜厚２５ｎｍとして、順にＡｒガス雰囲気中のマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
【０１４３】
また第２基板５としての直径１２ｃｍ、平均厚さ０．６００ｍｍで、片面にトラックピッチ０．４０μｍの連続した蛇行溝が形成されたポリカーボネート樹脂上に、第２反射層４ｄとしての膜厚が１４０ｎｍのＡｇＢｉ（Ｂｉ  ０．５重量％、以下ターゲット組成を示す）、第２上部保護層４ｃとしての膜厚が２２ｎｍのＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)、第２記録層４ｂとしての膜厚が１５ｎｍのＡｇ０．２Ｉｎ３．５Ｓｂ６９．８Ｔｅ２２Ｇｅ４．５、第２下部保護層４ａとしての膜厚が６５ｎｍのＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)を、順にＡｒガス雰囲気中のマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
【０１４４】
熱拡散層２ｅの表面に紫外線硬化樹脂（日本化薬社製カヤラッドＤＶＤ００３Ｍ）を塗布し、第２下部保護層４ａと貼り合わせた。そして、第１基板側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層３とし、２つの情報層を有する２層相変化型光ディスクを作成した。なお、中間層３の厚さは２５μｍ±３μｍ（内周から外周）とした。
【０１４５】
次に、初期化専用装置を用いて、第１基板側からレーザ光を照射し、第２記録層４ｂ、第１記録層２ｂの順に初期化処理を行なった。初期化は、半導体レーザ（発振波長８１０±１０ｎｍ）から出射されるレーザ光を、ＮＡ＝０.５５の対物レンズで各記録層にそれぞれ集光することにより行なった。第２記録層４ｂの初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光ディスクを回転させ、線速３ｍ/ｓ、送り量３６μｍ/回転、半径位置（回転中心からの距離）２２ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー３５０ｍＷとした。第１記録層２ｂの初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光ディスクを回転させ、線速５ｍ/ｓ、送り量５０μｍ/回転、半径位置（回転中心からの距離）２３ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー５００ｍＷとした。初期化後の第１情報層２の光透過率は４０．１％であった。
【０１４６】
第１情報層２に対して、Ｔｔｏｐ＝０．３０Ｔ、ｄＴｔｏｐ＝０．０５Ｔ、Ｔｍｐ＝０．２５Ｔ、ｄＴｅｒａ＝０．０Ｔのストラテジー条件を用いて試し書きを１０回行なったところ、図１３に示される変調度（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）ｍと記録パワーＰｐとの関係が得られた。この時のＰｂは０．１ｍＷ，εは０．２５とした。またγｔａｒｇｅｔとして１．２を選んだ。さらに、あらかじめ、ＰＲＳＮＲの記録パワー依存性をテスターで測定しておき、そこからＰＲＳＮＲ特性が最大となる記録パワーは９．５ｍＷであった。またこのときの消去パワーは２．５ｍＷであった。
【０１４７】
そこで、記録パワーＰｐｏが９．５ｍＷ付近になるようにρの値を決めることを行う。具体的には、先に選んだγｔａｒｇｅｔ値からＰｔａｒｇｅｔを求めると７．５５ｍＷになる（図１３参照）。ついで、その値を基に記録パワーＰｐｏが９．５ｍＷに近似するように、ρ＝１．２６と選ぶことを行う。すなわち、Ｐｐｏ＝１．２６＊７．５５＝９．５１ｍＷとなった。
【０１４８】
次に、図１４に示すように、記録パワーＰｐｏ＝９．５ｍＷとし、消去パワーＰｅを変えることにより、ε＝Ｐｅ／Ｐｐｏを変化させながら、記録回数１０回後のＰＲＳＮＲを算出した。ＰＲＳＮＲ最大となるεは０．２６であった。このときのＰｅｏは２．５ｍＷであり、仮に決定した値とほぼ同じパワーを選んだことになる。この結果、εは０．２６とした。情報記録装置で決定する場合、ＰＲＳＮＲの変化率がゼロになる消去パワーを選択しても良い。この条件におけるアシンメトリーは、０．００５であり、ほとんど０の値を示していた。
【０１４９】
（実施例２）
実施例１の第２情報層４について、実施例１と同じ手順で、最適パワーを求める。この場合、第１情報層２の第１基板１側のリードイン領域に、第１情報層２と第２情報層４の各層のγ値、ρ値、ε値、記録ストラテジーに関するパラメータを予め入れておく。第２情報層４で試し書きする場合は、第２情報層４の外周側のリードアウト領域で行うか、リードイン領域のどちらかで実施する。この実施例では、リードアウト領域で行った。ここで、γ＝１．５、ρ＝１．２０、ε＝０．５を記録媒体から読み取り、Ｔｔｏｐ＝０．５Ｔ、ｄＴｔｏｐ＝０Ｔ、Ｔｍｐ＝０．４Ｔ、ｄＴｅｒａ＝−０．２Ｔ（ここでマイナス符号は、図１の最終のＰｂパワーをデータ信号の終了時間より０．２Ｔ長く照射することを意味する）のストラテジー条件を用いて試し書きを１０回行なったところ、図１５のような記録パワーＰｐの変調度依存性になった。実施例１と同様の方法で行うと、Ｐｔａｒｇｅｔ値は１０．７ｍＷ、ρ＝１．２０が選ばれ、Ｐｐｏ＝１．２０＊１０．７＝１２．８４ｍＷとなった。すなわち、記録パワーＰｐｏは１２．８５ｍＷとなる。
【０１５０】
次に、記録パワーＰｐｏ＝１２．８５ｍＷとし、消去パワーＰｅを変えることにより、ε＝Ｐｅ／Ｐｐｏを変化させながら、記録回数１０回後のＰＲＳＮＲ値を算出した結果を図１６に示す。ＰＲＳＮＲ最大となるε＝Ｐｅ／Ｐｐｏは０．５であった。このときのＰｅｏは、６．４２５ｍＷである。
【０１５１】
（実施例３）
実施例１と同じ光記録媒体を用いて、第１情報層２の変調度（Modulation）ｍと記録パワーＰｐとの関係を図１７に示す。この時のεは、０．２５とした。
この結果から、γｔａｒｇｅｔ値を１．３とすると、Ｐｔａｒｇｅｔ値はこれにより８．３３ｍＷとなった。記録パワーに対するＰＲＳＮＲの依存性から、最適記録パワーＰｐｏ＝９．５ｍＷであることから、ρの値を１．１４とした。すなわち、これから求められる最適記録パワーＰｐｏは、ρ*Ｐｔａｒｇｅｔ＝９．５ｍＷである。
【０１５２】
次に、記録パワーＰｐｏ＝９．５ｍＷとし、消去パワーＰｅを変えることにより、ε＝Ｐｅ／Ｐｐｏを変化させながら、記録回数２回後のＰＲＳＮＲを算出した（図１８）。この結果から、ε＝０．２６５がＰＲＳＮＲが最大となり、Ｐｅｏは２．５２ｍＷとなる。この結果から、εを０．２７５とした。
【０１５３】
（実施例４）
実施例３と同様にε＝０．２６５がＰＲＳＮＲが最大になった。記録再生情報装置において、ＰＲＳＮＲ値をばらつきなく測定することが難しいか、装置毎のばらつきが大きいなどの不具合がある場合は、アシンメトリー値を対応させることが有効である。図２０に、記録回数２回後のアシンメトリーのε＝Ｐｅ／Ｐｗｏ依存性を示す。ＰＲＳＮＲが最大になるアシンメトリー値は、０．００４であり、ほぼ０である。情報記録装置で、最適消去パワーを求める場合、この指定されたアシンメトリー値βを用いる。従って、記録媒体の第１情報層２に必要なパラメータとして、ストラテジー、ε、γｔａｒｇｅｔ、Ｐｔａｒｇｅｔ、ρの他に、アシンメトリー値βを情報としていれておく。ここでは、β＝０．００とした。
【０１５４】
（実施例５）
実施例１と同じ記録媒体を用いて、第１情報層２の最適記録条件を求めた後に、第２情報層４の最適パワーを求める。ここでは、第１情報層２は予め最適記録パワーで記録されていて、その記録領域に相対する第２情報層４に記録する。この場合の第２情報層４の変調度の記録パワー依存性を図２１に示す。
第１情報層が記録されている場合のオーバーライト回数１０回後のサンプル（第１情報層記録サンプル）について、第１情報層が未記録の場合のオーバーライト回数１０回後のサンプル（第１情報層未記録サンプル）と比較した。その結果、約０．５ｍＷの記録感度差になり、第１情報層２が記録されている方が感度が悪くなる。この場合、第１情報層２を記録しないで、第１情報層２が記録されている場合の感度を反映するために、感度補正係数を新たにパラメータとして追加しておく。この場合、１３．５／１３．０＝１．０４として、係数１．０４とする。
【０１５５】
なお、実施例５の補正係数の考え方として、記録パワーに対する比率とするか、求めた記録パワーに感度ずれ量を情報として入れるのも良い。この場合、感度ずれ量を１．０ｍＷとすると、Ｐｐｏ（Ｌ０記録した場合の予想最低パワー）＝Ｐｐｏ（Ｌ０記録しない場合）+１．０ｍＷとして求まる。ここで、Ｌ０は第１情報層２を指す。
【０１５６】
（実施例６）
実施例１における光記録媒体を実施例１及び２の最適記録パワーで記録回数１０回後に記録した最長マークのマーク間の反射信号電圧を、第１情報層２、第２情報層４で各々測定した。次に、ガラス基板上にＡｇの膜をスパッタリング装置により、厚さ２００ｎｍ作製したディスクを、再生パワー  ０．７ｍＷで媒体評価装置でフォーカスをかけて、反射電圧を測定した。この反射電圧を反射率７５％とし、各情報層の反射率Ｒを次式で求めた。
Ｒ＝７５＊（各情報層の反射電圧）／（Ａｇ単体の膜の反射率）
その結果、第１情報層の反射率Ｒ１、第２情報層の反射率Ｒ２は、それぞれ、４．０％、３．２％であった。
【０１５７】
以降の実施例では、光記録媒体供給側でパラメータを決定する実施例、これらパラメータを読み取り、光情報記録装置で最適パワーを求める実施例、両方を含めた実施例を示す。
【０１５８】
（実施例７）
第１基板１としての直径１２ｃｍ、平均厚さ０．５９５ｍｍで、片面にトラックピッチ０．４０μｍの連続した蛇行溝が形成されたポリカーボネート樹脂の上に、第１下部保護層２ａを、ＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)のスパッタリング用ターゲット組成を用いて膜厚４４ｎｍとし、第１記録層２ｂをスパッタリング用ターゲット組成  Ａｇ０．２Ｉｎ３．５Ｓｂ６９．８Ｔｅ２２Ｇｅ４．５を用いて膜厚７．５ｎｍとし、第１上部保護層２ｃをターゲット組成  Ｉｎ２Ｏ３（７．５ｍoｌ％）−ＺｎＯ（２２．５ｍoｌ％）−ＳｎＯ２（６０ｍoｌ％）−Ｔａ２Ｏ５（１０ｍoｌ％）を用いて膜厚２０ｎｍとし、第１反射層２ｄをＡｇターゲットを用いて膜厚１０ｎｍとし、熱拡散層２ｅを、ターゲット組成  Ｉｎ２Ｏ３（９０ｍoｌ％）−ＺｎＯ（１０ｍoｌ％）を用いて膜厚が２５ｎｍとして、順にＡｒガス雰囲気中のマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
【０１５９】
また第２基板５としての直径１２ｃｍ、平均厚さ０．６００ｍｍで、片面にトラックピッチ０．４０μｍの連続した蛇行溝が形成されたポリカーボネート樹脂上に、第２反射層４ｄとしての膜厚が１４０ｎｍのＡｇＢｉ（Ｂｉ  ０．５重量％、以下ターゲット組成を示す）、第２上部保護層４ｃとしての膜厚が２２ｎｍのＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)、第２記録層４ｂとしての膜厚が１５ｎｍのＡｇ０．２Ｉｎ３．５Ｓｂ６９．８Ｔｅ２２Ｇｅ４．５、第２下部保護層４ｂとしての膜厚が６５ｎｍのＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)を、順にＡｒガス雰囲気中のマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
【０１６０】
熱拡散層２ｅの表面に紫外線硬化樹脂（日本化薬社製カヤラッドＤＶＤ００３Ｍ）を塗布し、第２下部保護層４ａと貼り合わせた。そして、第１基板側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層３とし、２つの情報層を有する２層相変化型光ディスクを作成した。中間層３の厚さは２５μｍ±３μｍ（内周から外周）とした。
【０１６１】
次に、初期化専用装置を用いて、第１基板側からレーザ光を照射し、第２記録層４ｂ、第１記録層２ｂの順に初期化処理を行なった。初期化は、半導体レーザ（発振波長８１０±１０ｎｍ）から出射されるレーザ光を、ＮＡ＝０.５５の対物レンズで各記録層にそれぞれ集光することにより行なった。第２記録層４ｂの初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光ディスクを回転させ、線速３ｍ/ｓ、送り量３６μｍ/回転、半径位置（回転中心からの距離）２２ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー３５０ｍＷとした。第１記録層２ｂの初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光ディスクを回転させ、線速５ｍ/ｓ、送り量５０μｍ/回転、半径位置（回転中心からの距離）２３ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー５００ｍＷとした。初期化後の第１情報層２の光透過率は４２％であった。
【０１６２】
第１情報層２に対して、Ｔｔｏｐ＝０．３０Ｔ、ｄＴｔｏｐ＝０．１５Ｔ、Ｔｍｐ＝０．２５Ｔ、ｄＴｅｒａ＝０．３Ｔのストラテジー条件を用いてオーバーライト９回行なったところ、図２２に示される変調度（Modulation）と記録パワーＰｐとの関係が得られた。またＰＲＳＮＲとアシンメトリーの記録パワー依存性をテスターで測定したところ、ＰＲＳＮＲが最大となる記録パワーは１０ｍＷであり、このときの消去パワーは２．６５ｍＷであった（図２３参照）。また、この時のバイアスパワーＰｂは０．１ｍＷ，εは０．２６５となる。
【０１６３】
次に、図２２において、変調度曲線からガンマ値曲線を求め、γｔａｒｇｅｔとして１．５を選んだ。ついで記録パワー１０ｍＷが最適パワーになるようにρの値を決めることを行った。具体的には、先に選んだγｔａｒｇｅｔ値から、Ｐｔａｒｇｅｔを求めると７．５７ｍＷになるが、その結果からρを１．３２と選ぶことにより、Ｐｐｏ＝１．３２＊７．５７＝９．９９２４≒１０．０ｍＷとなる。
また、図２３の結果から、ＰＲＳＮＲが最大となるアシンメトリーは０．０５５であった。
【０１６４】
以上の結果から、光記録媒体に予めいれておくパラメータは、ε１＝０．２６５、Ｐｉｎｄ＝７．５７ｍＷ、ρ＝１．３２、γｔａｒｇｅｔ＝１．５、βｔａｒｇｅｔ＝０．０５５とした。
【０１６５】
（実施例８）
本実施例では、実施例７と同じ光記録媒体を用いて、以下の試し書きを行った。
すなわち、第１情報層に対して、Ｔｔｏｐ＝０．３０Ｔ、ｄＴｔｏｐ＝０．１５Ｔ、Ｔｍｐ＝０．２５Ｔ、ｄＴｅｒａ＝０．３Ｔのストラテジー条件を用いてオーバーライト１回行なったところ、図２４に示される変調度（Modulation）と記録パワーＰｐとの関係が得られた。またＰＲＳＮＲとアシンメトリーの記録パワー依存性をテスターで測定したところ、ＰＲＳＮＲが最大となる記録パワーは１０ｍＷであり、このときの消去パワーは２．７ｍＷであった（図２５参照）。また、この時のバイアスパワーＰｂは０．１ｍＷ，εは０．２７となる。
【０１６６】
次に、図２４において、変調度曲線からガンマ値曲線を求め、γｔａｒｇｅｔとして１．５を選んだ。ついで記録パワー１０ｍＷが最適パワーになるようにρの値を決めることを行った。具体的には、先に選んだγｔａｒｇｅｔ値から、Ｐｔａｒｇｅｔを求めると８．０８ｍＷになるが、その結果からρを１．２４と選ぶことにより、Ｐｐｏ＝１．２４＊８．０８＝１０．０１９２≒１０．０ｍＷとなる。
また、図２５の結果から、ＰＲＳＮＲが最大となるアシンメトリーは０．０４であった。
【０１６７】
以上の結果から、光記録媒体に予めいれておくパラメータは、ε１＝０．２７、Ｐｉｎｄ＝８．０８ｍＷ、ρ＝１．２４、γｔａｒｇｅｔ＝１．５、βｔａｒｇｅｔ＝０．０４とした。
【０１６８】
（実施例９）
実施例７の最適パワーに関するパラメータ（ε１＝０．２６５、Ｐｉｎｄ＝７．５７ｍＷ、ρ＝１．３２、γｔａｒｇｅｔ＝１．５、βｔａｒｇｅｔ＝０．０５５）が入れられた光記録媒体について、図５に示した光記録情報装置を用いて、図１０，図１１のプロシージャーに基づいて最適記録パワー及び消去パワーを求めた。ここでは第１情報層２をＬ０層とした。
【０１６９】
すなわち、図１０のプロシージャーに基づき、変調度の記録パワー依存性とそこから求めたガンマ値γの曲線は、図２６に示すとおりになった。ここで、γｔａｒｇｅｔ＝１．５から求めたＰｔａｒｇｅｔは８．１８ｍＷとなり、ρ＝１．３２から、最適記録パワーＰｐｏ＝１０．８ｍＷとなった。なお、ΔＰは、０．５ｍＷとした。
【０１７０】
次に、図２７に、オーバーライト一回のアシンメトリーの消去パワー依存性を示す。なお記録パワーは１０．８ｍＷに固定しており、図２７のプロットの横軸方向の変化はεを０．１ずつ変化させたことと同じである。ここで、βｔａｒｇｅｔ＝０．０５５から、Ｐｅｏ＝２．６６ｍＷになった。
【０１７１】
以上のように、実施例７の結果に対して、最適記録パワーは約０．８ｍＷの増加になった。この記録条件で、光記録媒体のユーザー領域（半径位置  ４０ｍｍ）を記録したところ、オーバーライト回数９回まで、すべてＰＲＳＮＲが１５を超えていた。
【０１７２】
（実施例１０）
実施例８の最適パワーに関するパラメータ（ε１＝０．２７、Ｐｉｎｄ＝８．０８ｍＷ、ρ＝１．２４、γｔａｒｇｅｔ＝１．５、βｔａｒｇｅｔ＝０．０４）が入れられた光記録媒体について、図５に示した光記録情報装置を用いて、図１０，図１１のプロシージャーに基づいて最適記録パワー及び消去パワーを求めた。ここでは第１情報層２をＬ０層とした。
【０１７３】
すなわち、図１０のプロシージャーに基づき、変調度の記録パワー依存性とそこから求めたガンマ値γの曲線は、図２８に示すとおりになった。ここで、γｔａｒｇｅｔ＝１．５から求めたＰｔａｒｇｅｔは８．１８ｍＷとなり、ρ＝１．２４から、最適記録パワーＰｐｏ＝１０．１２ｍＷとなった。なお、ΔＰは、０．５ｍＷとした。
【０１７４】
次に、図２９に、オーバーライト一回のアシンメトリーの消去パワー依存性を示す。なお記録パワーは１０．８ｍＷに固定しており、図２７のプロットの横軸方向の変化はεを０．１ずつ変化させたことと同じである。ここで、βｔａｒｇｅｔ＝０．０４から、Ｐｅｏ＝２．７２ｍＷになった。
【０１７５】
以上のように、実施例８の結果に対して、最適記録パワーは約０．８ｍＷの増加になった。この記録条件で、光記録媒体のユーザー領域（半径位置  ４０ｍｍ）を記録したところ、オーバーライト回数９回まで、すべてＰＲＳＮＲが１５を超えていた。
【０１７６】
（実施例１１）
実施例８で決定したＰｐ,Ｐｅ,Ｐｉｎｄ,ρ,γｔａｒｇｅｔを用いて、実施例１０の図２８の方法により、光情報記録装置により、最適記録パワーＰｐｏを求めた。この最適記録パワーＰｐｏは、前述の通りＰｐｏ＝１０．１２ｍＷである。
次に、光情報記録装置により図１２に示すプロシージャーにより、オーバーライト１回目の最大ＰＲＳＮＲの消去パワー依存性を求め、ＰＲＳＮＲ最大になる、すなわち消去パワーに対する変化率がゼロになる消去パワーを求めたところ、図３０のようになり、Ｐｅｏ＝２．６５ｍＷとなった。この記録条件で、ユーザー領域（半径位置  ４０ｍｍ）を記録したところ、オーバーライト回数９回まで、すべてＰＲＳＮＲが１５を超えていた。
【０１７７】
（実施例１２）
ある光記録媒体で図４に示す構成のものについてオーバーライト１回のＰＲＳＮＲが最大になる最適記録パワーＰｐｏ、最適消去パワーＰｅｏを求めたところ、Ｐｐｏ＝１０ｍＷ、Ｐｅｏ＝２．７ｍＷであった。ついで、該光記録媒体に、記録ストラテジー以外にこのＰｐｏ、Ｐｅｏのパラメータを予めいれておく。
次に、図５に示した光記録情報装置に前記光記録媒体をセットし、該光記録媒体に予め入れられたパラメータ（Ｐｐｏ、Ｐｅｏ）を読みこみ、記録パワーは読み込んだ値（Ｐｐｏ）を用いた。この記録パワーを固定して、消去パワーをより最適化するために、オーバーライト１回のＰＲＳＮＲと消去パワー依存性を求めた。ここで、ＰＲＳＮＲが最大になる消去パワーを求めたところ、２．８ｍＷであった。
この記録条件（Ｐｐ＝１０ｍＷ、Ｐｅ＝２．８ｍＷ）で、ユーザー領域（半径位置  ４０ｍｍ）を記録したところ、オーバーライト回数９回まで、すべてＰＲＳＮＲが１５を超えていた。
【０１７８】
以上説明したように、本発明のパワー決定方法によれば、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに記録する際の適切な発光パワーを決定するのに適している。また、本発明の記録方法及び光ディスク装置によれば、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうのに適している。また、本発明のプログラム及び記憶媒体によれば、光ディスク装置に、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なわせるのに適している。また、本発明の片面２層光ディスクによれば、本発明のパワー決定方法の実施に適している。
また本発明による方法を用いて、情報層１層の場合に適用しても、最適パワーを求めることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１７９】
【図１】本発明で用いる発光パルス条件（記録ストラテジー）の模式図である。
【図２】記録パワーと変調度、ガンマ値との関係を示す模式図１である。
【図３】記録パワーと変調度、ガンマ値との関係を示す模式図２である。
【図４】本発明に係る光記録媒体の構成を示す断面図である。
【図５】本発明で用いる光情報記録再生装置の構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の光パワー決定方法のフローチャート１である。
【図７】本発明の光パワー決定方法のフローチャート２である。
【図８】消去パワーＰｅとＰＲＳＮＲの関係を示す図である。
【図９】オーバーライト回数１０回までの第１情報層についてＰＲＳＮＲの特性変化を示す図である。
【図１０】本発明の光パワー決定方法のフローチャート３である。
【図１１】本発明の光パワー決定方法のフローチャート４である。
【図１２】本発明の光パワー決定方法のフローチャート４である。
【図１３】実施例１における記録パワーと変調度、ガンマ値との関係を示す図である。
【図１４】実施例１におけるＰｅ／Ｐｐｏと記録回数１０回後のＰＲＳＮＲとの関係を示す図である。
【図１５】実施例２における記録パワーと変調度、ガンマ値との関係を示す図である。
【図１６】実施例２におけるＰｅ／Ｐｐｏと記録回数１０回後のＰＲＳＮＲとの関係を示す図である。
【図１７】実施例３における記録パワーと変調度、ガンマ値との関係を示す図である。
【図１８】実施例３におけるＰｅ／Ｐｐｏと記録回数２回後のＰＲＳＮＲとの関係を示す図である。
【図１９】記録パワーとＰＲＳＮＲとの関係を示す図である。
【図２０】実施例４におけるＰｅ／Ｐｐｏアシンメトリーとの関係を示す図である。
【図２１】実施例５における記録パワーと変調度との関係を示す図である。
【図２２】実施例７における記録パワーと変調度、ガンマ値との関係を示す図である。
【図２３】実施例７における記録パワーとＰＲＳＮＲ、アシンメトリーとの関係を示す図である。
【図２４】実施例８における記録パワーと変調度、ガンマ値との関係を示す図である。
【図２５】実施例８における記録パワーとＰＲＳＮＲ、アシンメトリーとの関係を示す図である。
【図２６】実施例９における記録パワーと変調度、ガンマ値との関係を示す図である。
【図２７】実施例９におけるオーバーライト１回のアシンメトリーの消去パワー依存性を示す図である。
【図２８】実施例１０における記録パワーと変調度、ガンマ値との関係を示す図である。
【図２９】実施例１０におけるオーバーライト一回のアシンメトリーの消去パワー依存性を示す図である。
【図３０】実施例１１におけるオーバーライト１回目の最大ＰＲＳＮＲの消去パワー依存性を示す図である。
【符号の説明】
【０１８０】
１    第１基板
２    第１情報層
２ａ    第１下部保護層
２ｂ    第１記録層
２ｃ    第１上部保護層
２ｄ    第１反射層
２ｅ    熱拡散層
３    中間層
４    第２情報層
４ａ    第２下部保護層
４ｂ    第２記録層
４ｃ    第２上部保護層
４ｄ    第２反射層
５    第２基板
１５    光記録媒体
２０    光情報記録再生装置
２１    シークモータ
２２    スピンドルモータ
２３    光ピックアップ装置
２４    レーザ制御装置
２５    エンコーダ
２６    駆動制御装置
２８    再生信号処理回路
３４    バッファＲＡＭ
３７    バッファマネージャ
３８    インターフェース
３９    フラッシュメモリ
４０    ＣＰＵ
４１    ＲＡＭ
９０    上位装置
【図１】
2007250160.tif 000003
【図２】
2007250160.tif 000004
【図３】
2007250160.tif 000005
【図４】
2007250160.tif 000006
【図５】
2007250160.tif 000007
【図６】
2007250160.tif 000008
【図７】
2007250160.tif 000009
【図８】
2007250160.tif 000010
【図９】
2007250160.tif 000011
【図１０】
2007250160.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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