(57)【要約】【課題】基板上に所望の個数のリブを容易に形成する。【解決手段】リブ形成装置は、複数の吐出口が一定のピッチにて配列形成された主吐出部、および、単一の吐出口４３２を有する補助吐出部４３１を備える。リブを形成する際には、主吐出部を走査して基板９上に複数のリブ８１１を配列形成した後、最も外側のリブ８１１ｃと補助吐出部４３１の吐出口４３２の一方の側壁４３６とを対向させつつ補助吐出部４３１を基板９に対して相対的に走査して追加リブ８４１ａを形成する動作が実行される。リブ形成装置では、吐出口４３２の側壁４３６の厚さが、追加リブ８４１ａの形成時に基板９上に既に形成されている最も外側のリブ８１１ｃとの干渉を避ける厚さとされており、補助吐出部４３１により基板９上に追加リブ８４１ａ，８４１ｂが繰り返し形成されることにより、基板９上に所望の個数のリブを容易に形成することができる。【選択図】図７
2007273202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面表示装置用のパネルとなる基板上に一定のピッチにてリブを形成するリブ形成装置であって、
基板に向けてリブ形成材料を吐出する複数の吐出口が所定の方向に関して一定のピッチにて配列形成された主吐出部と、
基板に向けてリブ形成材料を吐出する単一の吐出口を有する補助吐出部と、
前記所定の方向に垂直かつ基板の主面に沿う主走査方向に前記主吐出部および前記補助吐出部を基板に対して相対的に走査する走査機構と、
前記主吐出部を走査しつつ基板上に複数のリブを配列形成する動作と、前記基板上に既に形成されている複数のリブのうち最も外側のリブと前記単一の吐出口の一方の側壁とを対向させて前記補助吐出部を前記基板に対して相対的に走査しつつ前記基板上に追加リブを形成する動作とを実行する制御部と、
を備え、
前記単一の吐出口の前記一方の側壁の厚さが、前記追加リブの形成時に前記基板上に既に形成されている前記最も外側のリブとの干渉を避ける厚さであることを特徴とするリブ形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載のリブ形成装置であって、
前記補助吐出部が、金属にて形成されることを特徴とするリブ形成装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のリブ形成装置であって、
前記補助吐出部の前記単一の吐出口の両側の側壁の厚さが等しいことを特徴とするリブ形成装置。
【請求項４】
請求項３に記載のリブ形成装置であって、
前記主吐出部および前記補助吐出部を基板に対して前記所定の方向に移動する移動機構をさらに備え、
前記制御部により、前記主吐出部の２回目の走査により複数のリブが配列形成される前に、前記主吐出部が、１回目の走査時の前記所定の方向の位置から、前記ピッチと前記複数の吐出口の個数との積に前記ピッチのｎ倍（ｎは１以上の整数）を加えた距離だけ基板に対して前記所定の方向に相対的にシフトした位置へと移動し、
前記主吐出部において、前記２回目の走査時に前記１回目の走査位置に最も近い吐出口の前記１回目の走査位置側の側壁が、吐出口間の壁の厚さより厚く、かつ、前記１回目の走査時に形成される複数のリブとの干渉を避ける厚さであり、
ｎ個の追加リブが、前記主吐出部の前記１回目の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブと、前記主吐出部の前記２回目の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブとの間に、前記ピッチにて形成されることを特徴とするリブ形成装置。
【請求項５】
請求項３に記載のリブ形成装置であって、
前記主吐出部と同様の構造であり、前記所定の方向に関する前記主吐出部との間の中心間の距離が前記ピッチと前記複数の吐出口の個数との積に前記ピッチのｎ倍（ｎは１以上の整数）を加えた距離であり、前記走査機構により前記主走査方向に前記主吐出部に先行して基板に対して相対的に走査されるもう１つの主吐出部をさらに備え、
前記主吐出部において、前記もう１つの主吐出部に最も近い吐出口の前記もう１つの主吐出部側の側壁が、吐出口間の壁の厚さよりも厚く、かつ、前記もう１つの主吐出部の走査により形成される複数のリブとの干渉を避ける厚さであり、
ｎ個の追加リブが、前記主吐出部の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブと、前記もう１つの主吐出部の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブとの間に、前記ピッチにて形成されることを特徴とするリブ形成装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載のリブ形成装置であって、
前記主吐出部の前記複数の吐出口の周囲が、セラミックにて形成されることを特徴とするリブ形成装置。
【請求項７】
平面表示装置用のパネルとなる基板上に一定のピッチにてリブを形成するリブ形成方法であって、
ａ）基板に向けてリブ形成材料を吐出する複数の吐出口が所定の方向に関して一定のピッチにて配列形成された主吐出部を前記所定の方向に垂直かつ前記基板の主面に沿う主走査方向に前記基板に対して相対的に走査することにより、前記基板上に複数のリブを配列形成する工程と、
ｂ）前記基板に向けてリブ形成材料を吐出する単一の吐出口を有する補助吐出部を、前記基板上に既に形成されている複数のリブのうち最も外側のリブと前記単一の吐出口の一方の側壁とを対向させつつ、前記主走査方向に前記基板に対して相対的に走査することにより、前記基板上に追加リブを形成する工程と、
を備え、
前記単一の吐出口の前記一方の側壁の厚さが、前記追加リブの形成時に前記基板上に既に形成されている前記最も外側のリブとの干渉を避ける厚さであることを特徴とするリブ形成方法。
【請求項８】
請求項７に記載のリブ形成方法であって、
前記補助吐出部の前記単一の吐出口の両側の側壁の厚さが等しいことを特徴とするリブ形成方法。
【請求項９】
請求項８に記載のリブ形成方法であって、
前記ａ）工程が、前記主吐出部の２回目の走査により複数のリブが配列形成される前に、前記主吐出部を、１回目の走査時の前記所定の方向の位置から、前記ピッチと前記複数の吐出口の個数との積に前記ピッチのｎ倍（ｎは１以上の整数）を加えた距離だけ前記基板に対して前記所定の方向に相対的にシフトした位置へと移動する工程を備え、
前記主吐出部において、前記２回目の走査時に前記１回目の走査位置に最も近い吐出口の前記１回目の走査位置側の側壁が、吐出口間の壁の厚さより厚く、かつ、前記１回目の走査時に形成される複数のリブとの干渉を避ける厚さであり、
ｎ個の追加リブが、前記主吐出部の前記１回目の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブと、前記主吐出部の前記２回目の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブとの間に、前記ピッチにて形成されることを特徴とするリブ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面表示装置用のパネルとなる基板上に一定のピッチにてリブを形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、プラズマ表示装置等の平面表示装置に用いられるパネルにリブを形成する様々な手法が知られており、近年、微細な複数の吐出口を有する吐出部（マルチノズルとも呼ばれる。）を走査しつつ吐出部からペースト状のリブ形成材料を吐出してガラスの基板上にリブを形成するリブ形成装置が提案されている。例えば、特許文献１では、リブ形成装置においてそれぞれが複数の吐出口を有する複数の吐出部が走査方向に垂直な方向に沿って千鳥状に２列に並べられ、複数の吐出部の走査時における後続の列に含まれる各吐出部において、先行の列に含まれる吐出部により形成されるリブとの干渉を避けるための凹部を形成することにより、吐出口を基板に近接させつつ多数のリブを効率よく形成する手法が開示されている。
【０００３】
なお、微小な管状体を形成する手法として、特許文献２では、金属にて形成される薄板を管形状にプレス加工する手法が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２３４０６３号公報
【特許文献２】特開２００３−１３６１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このようなリブ形成装置において使用される吐出部の製造方法として、例えば、薄いディスク状の砥石やワイヤーソウを用いた切削加工にて金属やセラミックの板状の被加工部材に多数の微細な溝を形成し、被加工部材の溝が形成された面に蓋部材を貼り合わせる方法が考えられる。しかしながら、基板上に形成すべきリブの個数は、平面表示装置の設計に応じて様々であり、リブ形成装置において当該個数に応じた吐出部（すなわち、基板上に形成するリブ数、または、このリブ数の約数の吐出口を有するマルチノズル）が存在しない場合には、専用の吐出部を別途製造する必要が生じる。
【０００５】
一方で、近年、平面表示装置の高解像度化に伴ってパネル上に微細なリブを微小なピッチにて配列形成することが求められつつある。この場合、リブ形成装置では互いに隣接する吐出口を仕切る隔壁の厚さが微小な吐出部が必要となるが、このような吐出部は製造が容易ではなく高価となるため、基板上に形成すべきリブの個数毎に専用の吐出部を作製すると、平面表示装置用のパネルの製造に係るコストが上昇してしまう。したがって、既存の吐出部を用いつつ基板上に所望の個数のリブを形成することができる新規な手法が必要となる。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板上に吐出部の複数の吐出口の個数よりも多い所望の個数のリブを容易に形成することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、平面表示装置用のパネルとなる基板上に一定のピッチにてリブを形成するリブ形成装置であって、基板に向けてリブ形成材料を吐出する複数の吐出口が所定の方向に関して一定のピッチにて配列形成された主吐出部と、基板に向けてリブ形成材料を吐出する単一の吐出口を有する補助吐出部と、前記所定の方向に垂直かつ基板の主面に沿う主走査方向に前記主吐出部および前記補助吐出部を基板に対して相対的に走査する走査機構と、前記主吐出部を走査しつつ基板上に複数のリブを配列形成する動作と、前記基板上に既に形成されている複数のリブのうち最も外側のリブと前記単一の吐出口の一方の側壁とを対向させて前記補助吐出部を前記基板に対して相対的に走査しつつ前記基板上に追加リブを形成する動作とを実行する制御部とを備え、前記単一の吐出口の前記一方の側壁の厚さが、前記追加リブの形成時に前記基板上に既に形成されている前記最も外側のリブとの干渉を避ける厚さである。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のリブ形成装置であって、前記補助吐出部が、金属にて形成される。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のリブ形成装置であって、前記補助吐出部の前記単一の吐出口の両側の側壁の厚さが等しい。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のリブ形成装置であって、前記主吐出部および前記補助吐出部を基板に対して前記所定の方向に移動する移動機構をさらに備え、前記制御部により、前記主吐出部の２回目の走査により複数のリブが配列形成される前に、前記主吐出部が、１回目の走査時の前記所定の方向の位置から、前記ピッチと前記複数の吐出口の個数との積に前記ピッチのｎ倍（ｎは１以上の整数）を加えた距離だけ基板に対して前記所定の方向に相対的にシフトした位置へと移動し、前記主吐出部において、前記２回目の走査時に前記１回目の走査位置に最も近い吐出口の前記１回目の走査位置側の側壁が、吐出口間の壁の厚さより厚く、かつ、前記１回目の走査時に形成される複数のリブとの干渉を避ける厚さであり、ｎ個の追加リブが、前記主吐出部の前記１回目の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブと、前記主吐出部の前記２回目の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブとの間に、前記ピッチにて形成される。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項３に記載のリブ形成装置であって、前記主吐出部と同様の構造であり、前記所定の方向に関する前記主吐出部との間の中心間の距離が前記ピッチと前記複数の吐出口の個数との積に前記ピッチのｎ倍（ｎは１以上の整数）を加えた距離であり、前記走査機構により前記主走査方向に前記主吐出部に先行して基板に対して相対的に走査されるもう１つの主吐出部をさらに備え、前記主吐出部において、前記もう１つの主吐出部に最も近い吐出口の前記もう１つの主吐出部側の側壁が、吐出口間の壁の厚さよりも厚く、かつ、前記もう１つの主吐出部の走査により形成される複数のリブとの干渉を避ける厚さであり、ｎ個の追加リブが、前記主吐出部の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブと、前記もう１つの主吐出部の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブとの間に、前記ピッチにて形成される。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載のリブ形成装置であって、前記主吐出部の前記複数の吐出口の周囲が、セラミックにて形成される。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、平面表示装置用のパネルとなる基板上に一定のピッチにてリブを形成するリブ形成方法であって、ａ）基板に向けてリブ形成材料を吐出する複数の吐出口が所定の方向に関して一定のピッチにて配列形成された主吐出部を前記所定の方向に垂直かつ前記基板の主面に沿う主走査方向に前記基板に対して相対的に走査することにより、前記基板上に複数のリブを配列形成する工程と、ｂ）前記基板に向けてリブ形成材料を吐出する単一の吐出口を有する補助吐出部を、前記基板上に既に形成されている複数のリブのうち最も外側のリブと前記単一の吐出口の一方の側壁とを対向させつつ、前記主走査方向に前記基板に対して相対的に走査することにより、前記基板上に追加リブを形成する工程とを備え、前記単一の吐出口の前記一方の側壁の厚さが、前記追加リブの形成時に前記基板上に既に形成されている前記最も外側のリブとの干渉を避ける厚さである。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載のリブ形成方法であって、前記補助吐出部の前記単一の吐出口の両側の側壁の厚さが等しい。
【００１５】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載のリブ形成方法であって、前記ａ）工程が、前記主吐出部の２回目の走査により複数のリブが配列形成される前に、前記主吐出部を、１回目の走査時の前記所定の方向の位置から、前記ピッチと前記複数の吐出口の個数との積に前記ピッチのｎ倍（ｎは１以上の整数）を加えた距離だけ前記基板に対して前記所定の方向に相対的にシフトした位置へと移動する工程を備え、前記主吐出部において、前記２回目の走査時に前記１回目の走査位置に最も近い吐出口の前記１回目の走査位置側の側壁が、吐出口間の壁の厚さより厚く、かつ、前記１回目の走査時に形成される複数のリブとの干渉を避ける厚さであり、ｎ個の追加リブが、前記主吐出部の前記１回目の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブと、前記主吐出部の前記２回目の走査により前記基板上に配列形成される複数のリブとの間に、前記ピッチにて形成される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板上に主吐出部の吐出口の個数よりも多い所望の個数のリブを容易に形成することができる。
【００１７】
また、請求項２の発明では、補助吐出部を容易に製造することができ、請求項４、５および９の発明では、吐出口間の壁の厚さよりも厚い側壁を有する主吐出部を用いつつ多数のリブを容易に形成することができ、請求項６の発明では、主吐出部を精度よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１はリブ形成装置１の構成を示す図である。リブ形成装置１は、プラズマ表示装置や電界放出表示装置（Field Emission Display）等の平面表示装置用のガラス基板（以下、「基板」という。）９上にリブまたはリブ状のスペーサ（以下、「リブ」と総称する。）を形成する装置であり、リブが形成された基板９は他の工程を介して平面表示装置の組立部品であるパネルとなる。
【００１９】
リブ形成装置１では、基台１１上にステージ移動機構２が設けられ、ステージ移動機構２により基板９を保持するステージ２０が図１中に示すＸ方向に移動可能とされる。基台１１にはステージ２０を跨ぐようにしてフレーム１２が固定され、フレーム１２にはヘッド移動機構３を介してヘッド部４が取り付けられる。
【００２０】
ステージ移動機構２は、モータ２１にボールねじ２２が接続され、さらに、ステージ２０に固定されたナット２３がボールねじ２２に取り付けられた構造となっている。ボールねじ２２の上方にはガイドレール２４が固定され、モータ２１が回転すると、ナット２３とともにステージ２０がガイドレール２４に沿ってＸ方向に滑らかに移動する（すなわち、ヘッド部４が基板９に対して相対的に主走査する。）。
【００２１】
ヘッド移動機構３はフレーム１２に支持されたモータ３１、モータ３１の回転軸に接続されたボールねじ３２、および、ボールねじ３２に取り付けられたナット３３を有し、モータ３１が回転することによりナット３３が図１中のＹ方向に移動する。ナット３３にはヘッド部４のベース４０が取り付けられ、これにより、ヘッド部４がＹ方向に移動（副走査）可能とされる。ベース４０はフレーム１２に固定されたガイドレール３４に接続され、ガイドレール３４により滑らかに案内される。
【００２２】
図２はヘッド部４を示す底面図である。図２に示すように、ヘッド部４は、Ｙ方向に配列形成された複数の吐出口４２２から基板９上にペースト状のリブ形成材料を吐出する主吐出部４２１、単一の吐出口４３２から基板９上にリブ形成材料を吐出する補助吐出部４３１、並びに、主吐出部４２１および補助吐出部４３１の（−Ｘ）側にてそれぞれ基板９に向けて紫外線を出射する２つの硬化部４４１，４４２を有する。主吐出部４２１は保持部材４２０に着脱可能に取り付けられ、保持部材４２０は主昇降機構４１１の下部に固定される（図１参照）。また、補助吐出部４３１は保持部材４３０に着脱可能に取り付けられ、保持部材４３０は補助昇降機構４１２に固定される。なお、硬化部４４１，４４２もそれぞれ保持部材４２０，４３０に固定される。主昇降機構４１１および補助昇降機構４１２はベース４０に固定され、主昇降機構４１１により主吐出部４２１および硬化部４４１が図２中のＺ方向に移動し、補助昇降機構４１２により補助吐出部４３１および硬化部４４２がＺ方向に移動する。リブ形成材料は、光開始剤や、バインダである樹脂、さらには、ガラスの粉体である低軟化点ガラスフリットを含む。
【００２３】
図３は主吐出部４２１の先端近傍を拡大して示す図である。図３に示すように、主吐出部４２１において各吐出口４２２へと連続する流路４２３（図３では、１つの吐出口４２２および１つの流路４２３のみに符号を付している。）は、ＺＸ平面に平行かつＸ方向に対して傾斜した方向に伸びており、吐出口４２２の開口面も、その法線がＺＸ平面に平行かつＸ方向に対して傾斜している。主吐出部４２１の図３中の（−Ｚ）側の部位には、基板９の主面に平行な対向面４２４が形成され、図１の主昇降機構４１１が主吐出部４２１をＺ方向に移動することにより、主吐出部４２１を用いてリブを形成する際には、主吐出部４２１の対向面４２４と基板９の主面との間の距離（図３中の符号Ｈ１を付す矢印にて示す距離であり、例えば、数十マイクロメートル［μｍ］とされる。）がほぼ一定に保たれ、他の場合には、主吐出部４２１が上昇して基板９の表面から退避する。また、硬化部４４１は主吐出部４２１の（−Ｘ）側において基板９に向かって光を出射し、各吐出口４２２に対応する光のスポットまたはＹ方向に伸びる光のラインを基板９上に形成する。
【００２４】
リブ形成装置１では、図２に示す補助吐出部４３１においても同様に、単一の吐出口４３２の開口面の法線、および、吐出口４３２へと連続する流路がＺＸ平面に平行かつＸ方向に対して主吐出部４２１と同じ傾斜角だけ傾いており（図３参照）、補助吐出部４３１の（−Ｚ）側の部位には対向面４３４が形成される。そして、補助昇降機構４１２が補助吐出部４３１をＺ方向に移動することにより、補助吐出部４３１を用いてリブを形成する際には、補助吐出部４３１の対向面４３４と基板９の主面との間の距離がほぼ一定に保たれ、他の場合には、補助吐出部４３１が上昇して基板９の表面から退避する。硬化部４４２は補助吐出部４３１の（−Ｘ）側において基板９に向かって光を出射し、吐出口４３２に対応する光のスポットを基板９上に形成する。
【００２５】
本実施の形態では、図２に示す主吐出部４２１の複数の吐出口４２２の周囲はセラミックにて形成され、Ｙ方向に関して吐出口４２２の幅Ｗ１は１００μｍ、互いに隣接する２つの吐出口４２２間を仕切る隔壁４２５の厚さＴ１は１００μｍとされ、吐出口４２２のピッチ（以下、「吐出口ピッチ」という。）Ｐは２００μｍとなる。また、（−Ｙ）側の吐出口４２２の外側（（−Ｙ）側）の側壁４２６および（＋Ｙ）側の吐出口４２２の外側（（＋Ｙ）側）の側壁４２６のそれぞれの厚さＴ２は、吐出口４２２間の隔壁４２５の厚さＴ１よりも厚い２６０μｍとされる。このような主吐出部４２１は、セラミック（例えばジルコニア）の切削加工により精度よく製造することが可能である。
【００２６】
また、補助吐出部４３１の吐出口４３２の周囲は金属にて形成され、Ｙ方向に関して吐出口４３２の幅Ｄ１は１００μｍとされ、吐出口４３２の両側の側壁４３６のそれぞれの厚さＶ１は８０μｍにて等しくされる。このように、補助吐出部４３１では、吐出口４３２の幅Ｄ１を主吐出部４２１の吐出口４２２の幅Ｗ１と等しくしつつ、側壁４３６の厚さＶ１は主吐出部４２１の隔壁４２５の厚さＴ１よりも薄くされ、補助吐出部４３１の全体の幅Ｄ２は２６０μｍとなる。補助吐出部４３１は、例えば金属にて形成される薄板状の被加工部材をプレス加工（丸め加工）や絞り加工（引き抜き加工）することにより容易に製造することが可能である。なお、補助吐出部４３１は極めて薄い側壁４３６を有しているが、金属にて形成されるため、セラミック等にて形成される場合に比べて耐久性が向上する。
【００２７】
図１に示すように、主吐出部４２１には逆止弁４５１を有する供給管４５２が取り付けられ、供給管４５２は分岐しており、一方がポンプ４５３に接続され、他方が制御弁４５４を介してリブ形成材料を貯留するタンク４５５に接続される。すなわち、逆止弁４５１、供給管４５２、ポンプ４５３、制御弁４５４およびタンク４５５により、主吐出部４２１にリブ形成材料を供給する材料供給部４５が構成される。また、リブ形成装置１は、材料供給部４５と同様のもう１つの材料供給部（図示省略）を有し、この材料供給部により図２に示す補助吐出部４３１にリブ形成材料が供給される。また、硬化部４４１，４４２は図１の光ファイバ４４３（実際には、光ファイバの束となっている。）を介して紫外線を発生する光源ユニット４４４に接続される。
【００２８】
リブ形成装置１の各構成要素は制御部６に接続され、これらの構成要素が制御部６により制御されることにより、リブ形成装置１による基板９上へのリブの形成が行われる。
【００２９】
次に、リブ形成装置１が基板９上に複数のリブを配列形成する動作について図４を参照しつつ説明を行う。リブ形成装置１に基板９が搬入されると、主昇降機構４１１により主吐出部４２１が基板９の主面に近接した高さに配置されるとともに、補助昇降機構４１２により補助吐出部４３１が基板９の表面から離間する。そして、ステージ移動機構２およびヘッド移動機構３により主吐出部４２１が基板９に対して所定の主走査開始位置に配置されるとともに、硬化部４４１から紫外線の出射が開始され、主吐出部４２１から基板９に向かってリブ形成材料の吐出が行われる。主吐出部４２１からのリブ形成材料の吐出は、図１に示す逆止弁４５１、ポンプ４５３および制御弁４５４により行われる。まず、制御部６の制御により制御弁４５４が開放された状態でポンプ４５３が吸引動作を行う。このとき、逆止弁４５１によりリブ形成材料の逆流が阻止されるため、タンク４５５からポンプ４５３へとリブ形成材料が引き込まれる。次に、制御弁４５４が閉じられ、ポンプ４５３が押出動作を行う。これにより、主吐出部４２１から連続的にリブ形成材料が吐出される。
【００３０】
主吐出部４２１からリブ形成材料の吐出が行われる際には、制御部６がステージ移動機構２のモータ２１を駆動制御することにより、主吐出部４２１の下方にて基板９が（−Ｘ）方向に連続的に移動する。すなわち、ヘッド部４が基板９の主面に沿う主走査方向（（＋Ｘ）方向）に基板９に対して相対的に主走査する。これにより、図３に示すように、主吐出部４２１の吐出口４２２から吐出されたリブ形成材料が基板９上に順次付着しつつ、主吐出部４２１の相対的な進行方向の後方に配置されている硬化部４４１からの紫外線が基板９上のリブ形成材料に照射される。既述のように、リブ形成材料には紫外線により硬化（架橋反応）が開始する光開始剤が添加されており、リブ形成材料は複数の吐出口４２２から基板９上に吐出された直後に硬化する。
【００３１】
主吐出部４２１の吐出口４２２が基板９上のリブ形成の終点上に達すると、リブ形成材料の吐出が停止される。終点近傍のリブ形成材料を硬化させるために基板９はさらに移動を続行し、その後、ステージ２０の移動が停止される。このようにして、複数のリブ８１１（図３では１つのリブ８１１のみに符号を付している。）が基板９上に配列形成される（ステップＳ１１）。実際には、複数のリブ８１１はＹ方向に吐出口ピッチＰにて並び、各リブ８１１のＹ方向の幅は吐出口４２２のＹ方向の幅Ｗ１とほぼ同じとなる。
【００３２】
主吐出部４２１の主走査が完了すると、制御部６がヘッド移動機構３を制御することにより、ヘッド部４が主吐出部４２１の吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に吐出口ピッチＰを加えた距離（後述する図５中に符号Ｙ１を付す矢印にて示す距離）だけ主走査方向に垂直なＹ方向へと副走査し（ステップＳ１２，Ｓ１３）、続いて、ヘッド部４が基板９の（−Ｘ）側に相対的に移動して、主吐出部４２１が次の主走査の開始位置に配置される。なお、主昇降機構４１１が主吐出部４２１を基板９の主面から一時的に退避させることにより、主吐出部４２１と基板９上に形成されたリブとの干渉を防止しつつ、ヘッド部４のＸ方向およびＹ方向への基板９に対する相対的な移動が同時に行われ、主吐出部４２１が次の主走査の開始位置に配置されてもよい。
【００３３】
その後、主吐出部４２１の主走査が開始され、主吐出部４２１からのリブ形成材料の吐出および硬化部４４１による基板９上の吐出直後のリブ形成材料の硬化が繰り返される。このとき、図５に示すように、２回目の主走査時における主吐出部４２１（図５中にて実線にて示す。）の最も（−Ｙ）側の吐出口４２２ｂと、１回目の主走査時における主吐出部４２１（図５中にて二点鎖線にて示す。）の最も（＋Ｙ）側の吐出口４２２ａとの間のＹ方向の中心間距離は、吐出口ピッチＰの２倍となり、２回目の主走査時における（−Ｙ）側の吐出口４２２ｂの（−Ｙ）側のエッジと、１回目の主走査時における（＋Ｙ）側の吐出口４２２ａの（＋Ｙ）側のエッジとの間のＹ方向の距離Ｇは、主吐出部４２１の吐出口４２２ｂの外側（（−Ｙ）側）の側壁４２６の厚さＴ２よりも大きくなる。換言すれば、主吐出部４２１において、２回目の主走査時に１回目の主走査位置に最も近い吐出口４２２ｂの１回目の主走査位置側の側壁４２６が、１回目の主走査時に形成される複数のリブ８１１（図５中にてクロスハッチングを付すリブ８１１）との干渉を避ける厚さとされている。これにより、２回目の主走査時に主吐出部４２１が１回目の主走査時に形成された複数のリブ８１１に当接してリブ８１１を損傷することを防止しつつ、１回目の主走査にて配列形成された複数のリブ８１１の（＋Ｙ）側に複数のリブ８１１が配列形成される（ステップＳ１１）。以下の説明では、主吐出部４２１の一の主走査にて同時に形成される複数のリブをリブ群と呼び、α回目の主走査にて形成される複数のリブを第αリブ群と呼ぶ。
【００３４】
なお、主吐出部４２１の１回目の主走査にて形成される第１リブ群のうち最も（＋Ｙ）側のリブ８１１ａと２回目の主走査にて形成される第２リブ群のうち最も（−Ｙ）側のリブ８１１ｂとの間のＹ方向の中心間距離も、１回目の主走査時における吐出口４２２ａと２回目の主走査時における吐出口４２２ｂとの間の中心間距離と同様に、吐出口ピッチＰの２倍となる。したがって、第１リブ群のリブ８１１ａと第２リブ群のリブ８１１ｂとの間の間隙（図５中の矢印Ｇにて示す幅に相当する間隙であり、以下、「リブ群間間隙」という。）のＹ方向の幅は、図２に示す主吐出部４２１において一の吐出口４２２から吐出口ピッチＰの２倍だけ離れた他の吐出口４２２の当該一の吐出口４２２側のエッジと、当該一の吐出口４２２の当該他の吐出口４２２側のエッジとの間のＹ方向の距離（吐出口ピッチＰに隔壁４２５の厚さＴ１を加えた値として求められ、本実施の形態では、３００μｍとなる。）にほぼ等しくなる。
【００３５】
リブ形成装置１では、主吐出部４２１の一回目の主走査の後、上記のようにしてヘッド部４の副走査（ステップＳ１３）および主吐出部４２１の主走査（ステップＳ１１）が所定回数（ｋ−１）だけ繰り返され（ステップＳ１２）、ｋ個のリブ群（すなわち、主吐出部４２１の吐出口４２２の個数にｋを乗じた個数のリブ８１１）が基板９上に形成される。その後、硬化部４４１からの光の出射が停止されて主吐出部４２１によるリブ８１１の形成が終了する（ステップＳ１２）。なお、ｋ個のリブ群が形成された直後の基板９上には（ｋ−１）個のリブ群間間隙が存在することとなる。
【００３６】
続いて、主昇降機構４１１により図３の主吐出部４２１が基板９の表面から離れた後、Ｙ方向に関して主吐出部４２１の（ｋ−１）回目の主走査時に形成された第（ｋ−１）リブ群とｋ回目の主走査時に形成された第ｋリブ群との間の中央であって、基板９の（−Ｘ）側の位置に補助吐出部４３１が配置され、その後、補助昇降機構４１２により基板９の表面に近接する。そして、補助吐出部４３１の（−Ｘ）側の硬化部４４２から紫外線の出射が開始され、ステージ２０の（−Ｘ）方向への移動が開始される。
【００３７】
図６は、基板９上の第（ｋ−１）リブ群８２の一部および第ｋリブ群８３の一部を示す図である。ここで、既述のように、本実施の形態では、第（ｋ−１）リブ群８２と第ｋリブ群８３との間のリブ群間間隙の幅（図５中の矢印Ｇにて示す幅にほぼ等しい幅であるため、図６においても同様に符号Ｇを付す矢印にて示している。）は３００μｍとなり、補助吐出部４３１のＹ方向の幅Ｄ２（２６０μｍ）よりも大きくなっている。
【００３８】
したがって、第（ｋ−１）リブ群８２と第ｋリブ群８３との間のリブ群間間隙の中央に配置された補助吐出部４３１が基板９に対してＸ方向に相対的に主走査する際には、第（ｋ−１）リブ群８２の第ｋリブ群８３側のリブ８２１と補助吐出部４３１の吐出口４３２の第（ｋ−１）リブ群８２側の側壁４３６とが微小な間隙を介して対向するとともに、第ｋリブ群８３の第（ｋ−１）リブ群８２側のリブ８３１と補助吐出部４３１の吐出口４３２の第ｋリブ群８３側の側壁４３６とが微小な間隙を介して対向する。そして、補助吐出部４３１の主走査に並行して補助吐出部４３１から基板９に向かってリブ形成材料の吐出が行われ、第（ｋ−１）リブ群８２のリブ８２１と第ｋリブ群８３のリブ８３１との間において、両リブ８２１，８３１からＹ方向に吐出口ピッチＰだけ離れた位置に補助吐出部４３１によりＸ方向に伸びる１本のリブ８４１（以下、補助吐出部４３１により基板９上に形成されるリブを「追加リブ」と呼ぶ。）が追加される。
【００３９】
このように、リブ形成装置１では、追加リブ８４１の形成時において、補助吐出部４３１の吐出口４３２の（−Ｙ）側の側壁４３６の厚さが基板９上に既に形成されている第（ｋ−１）リブ群８２の最も外側のリブ８２１との干渉を避ける厚さとされ、補助吐出部４３１の吐出口４３２の（＋Ｙ）側の側壁４３６の厚さが基板９上に既に形成されている第ｋリブ群８３において最も外側のリブ８３１との干渉を避ける厚さとされている。これにより、補助吐出部４３１が第（ｋ−１）リブ群８２および第ｋリブ群８３のいずれにも当接することなく基板９上の追加リブ８４１が形成される。
【００４０】
リブ形成装置１では、（ｋ−１）個のリブ群間間隙に対して上記動作を順次繰り返すことにより、各リブ群間間隙に追加リブ８４１が形成され（ステップＳ１４）、基板９上において、主吐出部４２１の吐出口４２２の個数と主吐出部４２１の主走査の回数ｋとの積に（ｋ−１）を加えた個数のリブ（すなわち、ｋ個のリブ群に含まれるリブ８１１および（ｋ−１）個の追加リブ８４１）が一定の吐出口ピッチＰにて配列される。
【００４１】
続いて、基板９上に所望の個数のリブが形成されているか否かが確認され、形成されていない場合には（ステップＳ１５）、図７に示すように、基板９上に既に形成されているリブ（ｋ個のリブ群および（ｋ−１）個の追加リブ８４１）のうち最も（−Ｙ）側のリブ群の最も外側（（−Ｙ）側）のリブ８１１ｃからＹ方向に吐出口ピッチＰだけ離れた位置に補助吐出部４３１の吐出口４３２が配置される。そして、リブ８１１ｃと吐出口４３２の一方の側壁４３６（正確には、リブ８１１ｃ側の側壁４３６）とを対向させて補助吐出部４３１を基板９に対して相対的に主走査することにより、基板９上に追加リブ８４１ａがさらに形成される（ステップＳ１６）。このとき、リブ群間間隙に追加リブ８４１を形成する場合と同様に、吐出口４３２のリブ８１１ｃ側の側壁４３６の厚さが、基板９上に既に形成されているリブのうち最も外側のリブ８１１ｃとの干渉を避ける厚さとされているため、補助吐出部４３１とリブ８１１ｃとが当接してリブ８１１ｃが損傷することはない。
【００４２】
リブ形成装置１では、基板９上のリブの個数が所望の個数となるまで、ステップＳ１６の動作が繰り返される（ステップＳ１５）。ここで、次の追加リブ（図７中にて二点鎖線にて示すリブ８４１ｂ）を形成する際には、基板９上に既に形成されているリブのうち最も外側の追加リブ８４１ａからＹ方向に吐出口ピッチＰだけ離れた位置に補助吐出部４３１の吐出口４３２を配置して補助吐出部４３１の主走査が行われる。そして、基板９上のリブの個数が所望の個数となると、リブ形成装置１におけるリブ形成動作が終了する（ステップＳ１５）。なお、ステップＳ１６における追加リブの形成動作は基板９上のリブの個数を所望の個数に調整するためのものであるため、通常、当該動作の繰り返し回数は主吐出部４２１の吐出口４２２の個数よりも少ない。
【００４３】
以上の工程にて形成されたリブは他の工程において焼成され、リブ形成材料中の樹脂分が除去されるとともに、低軟化点ガラスフリットが融着する。そして、適宜、他の必要な工程を経て平面表示装置の組立部品であるパネルが完成する。
【００４４】
以上に説明したように、リブ形成装置１では、主吐出部４２１により基板９上に複数のリブ群を配列形成する動作、複数のリブ群において互いに隣接する２つのリブ群間におけるリブ群間間隙に補助吐出部４３１により追加リブ８４１を形成する動作、並びに、最も外側のリブ群の外側に補助吐出部４３１により追加リブ８４１をさらに形成する動作が制御部６により実行される。そして、補助吐出部４３１において吐出口４３２の側壁４３６が主吐出部４２１の隔壁４２５の厚さＴ１よりも薄くされ、追加リブ８４１の形成時に隣接するリブ群の最も近接するリブとの干渉を避ける厚さとされることにより、補助吐出部４３１が基板９上に既に形成されているリブ群を損傷させることなく、基板９上に主吐出部４２１の吐出口４２２の個数よりも多い所望の個数のリブを容易に形成することができる。
【００４５】
ところで、上記のように幅１００μｍのリブをピッチ２００μｍにて配列形成する場合に、マルチノズルのみを有する比較例のリブ形成装置を想定すると、副走査時の移動距離をマルチノズルの吐出口の個数と吐出口のピッチとの積に等しくしつつ、マルチノズルの基板に対する主走査および副走査を繰り返して基板上に多数のリブを一定のピッチにて配列形成しようとすると、一の主走査時に基板上に形成されたリブを損傷することなく次の主走査を行うには、マルチノズルの最も外側の吐出口の側壁の厚さを、互いに隣接する２つの吐出口間を仕切る隔壁の厚さ１００μｍ未満（加工ばらつきも考慮すると６０〜８０μｍ程度）とする必要が生じる。
【００４６】
しかしながら、一般的に、金属の被加工部材に対する切削加工によりマルチノズルを製造する場合には、加工時に発生するバリの除去の困難性や曲がりの発生等の問題により、側壁の厚さが５００μｍ程度になるとマルチノズルの製造が困難となる。セラミックの被加工部材に対する切削加工によりマルチノズルを製造する場合には、精度よくノズルを製造することは可能であるが、側壁の厚さが１００μｍ以下となると剛性が極めて低くなり（すなわち、脆くなり）、加工途上や使用時に破損し易くなってしまう。また、金属のプレス加工によりマルチノズルを製造することも考えられるが、微小なマルチノズル用の金型の製造は容易ではない。さらに、金属のプレス加工や絞り加工により、それぞれが単一の吐出口を有する複数のシングルノズルを作製し、これらのシングルノズルを配列することにより複数の吐出口を有するマルチノズルを製造することも考えられるが、製造工程が極めて煩雑となり、マルチノズルの製造コストが増大してしまう。
【００４７】
これに対し、リブ形成装置１では、マルチノズルである主吐出部４２１の一の主走査後の副走査時の移動距離を主吐出部４２１の吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に吐出口ピッチＰを加えた距離とすることにより、次の主走査時に一の主走査位置に最も近い吐出口４２２の一の主走査位置側の側壁４２６の厚さを、一の主走査時に形成されるリブ群との干渉を避けることが可能な範囲内で、吐出口４２２間を仕切る隔壁４２５よりも厚くすることができる。そして、一の主走査にて形成されるリブ群と次の主走査にて形成されるリブ群との間のリブ群間隙に、シングルノズルである補助吐出部４３１により吐出口ピッチＰにて追加リブ８４１が形成される。これにより、リブ形成装置１では、吐出口４２２間を仕切る隔壁４２５の厚さよりも厚い側壁４２６を有する主吐出部４２１を用いつつ基板９上に一定の吐出口ピッチＰにて多数のリブ８１１を容易に形成することができる。なお、側壁の厚さが吐出口間を仕切る隔壁よりも厚いマルチノズルは、側壁の厚さが隔壁よりも薄いマルチノズルよりも高い歩留まりにて製造することが可能であり、マルチノズルの耐久性も向上する。
【００４８】
また、図４のリブ形成動作では、主吐出部４２１の副走査時の移動距離が主吐出部４２１の吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に吐出口ピッチＰを加えた距離とされるが、リブ形成装置１では主吐出部４２１の側壁４２６の厚さに応じて主吐出部４２１の副走査時の移動距離が変更されてもよい。
【００４９】
例えば、吐出口４２２の側壁４２６の厚さが、上記のリブ形成動作におけるリブ群間間隙（すなわち、吐出口ピッチＰの２倍だけ離れた２つのリブ間の間隙）の幅よりも大きく、吐出口ピッチＰの３倍だけ離れた２つのリブの間の間隙の幅よりも狭い場合には、吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に吐出口ピッチＰの２倍を加えた距離だけ主吐出部４２１が副走査する。この場合、図８に示すように、１回目の主走査にて基板９上に形成される第１リブ群８２と２回目の主走査にて基板９上に形成される第２リブ群８３との間のリブ群間隙には、２本の追加リブ８４１（図８中にて形成途上の追加リブ８４１および二点鎖線にて示す追加リブ８４１）が形成されることとなる。
【００５０】
以上のように、側壁４２６の厚さが隔壁４２５よりも厚い主吐出部４２１を用いつつ基板９上に一定の吐出口ピッチＰにて多数のリブ８１１を配列形成する場合には、主吐出部４２１の２回目の主走査により第２リブ群が形成される前に、主吐出部４２１が１回目の主走査時のＹ方向の位置から、主吐出部４２１の吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に吐出口ピッチＰのｎ倍（ｎは１以上の整数）を加えた距離だけ基板９に対してＹ方向に相対的にシフトした位置へと移動して、第１リブ群との間にｎ個のリブ分の間隙を設けて第２リブ群を形成し、その後、補助吐出部４３１によりｎ個の追加リブ８４１が第１リブ群と第２リブ群との間に吐出口ピッチＰにて形成される。この場合、２回目の主走査時の主吐出部４２１の１回目の主走査位置側の側壁４２６の厚さは、吐出口ピッチＰとｎとの積と、隔壁４２５の厚さとの和よりも薄くされる必要があり、これにより、主吐出部４２１の２回目の主走査において、１回目の主走査の際に基板９上に形成されたリブとの干渉が避けられる。
【００５１】
なお、主吐出部４２１の一の主走査と次の主走査との間における副走査時の移動距離を他の副走査時の距離から変更することにより、図４のステップＳ１５，Ｓ１６の動作にて形成されるべき個数の追加リブ８４１が、当該一の主走査にて基板９上に配列形成されるリブ群と当該次の主走査にて基板９上に配列形成されるリブ群との間に吐出口ピッチＰにて形成されてもよい。
【００５２】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るリブ形成装置について説明する。図９は、第２の実施の形態に係るヘッド部４ａを示す底面図である。図９のヘッド部４ａは、保持部材４２０ａに取り付けられる複数の主吐出部４２１（ただし、図９では３つの主吐出部に符号４２１Ａ，４２１Ｂ，４２１Ｃをそれぞれ付している。）を有し、各主吐出部４２１の（−Ｘ）側には硬化部４４１が設けられる。本実施の形態におけるリブ形成装置の他の構成は、図１のリブ形成装置１と同様であり、同符号を付している。
【００５３】
図９のヘッド部４ａにおいて、複数の主吐出部４２１はＹ方向に向かって千鳥状に２列に配列されており、Ｙ方向に着目した場合に、（＋Ｘ）側の主吐出部の列において互いに隣接する２つの主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃの間に、（−Ｘ）側の主吐出部の列の１つの主吐出部４２１Ｂが配置される。後述するように、主吐出部４２１によるリブの形成時に（＋Ｘ）側の主吐出部の列が（−Ｘ）側の主吐出部の列よりも先行してＸ方向に基板９に対して相対的に主走査するため、以下の説明では、（＋Ｘ）側の主吐出部の列に含まれる主吐出部４２１を先行主吐出部４２１と呼び、（−Ｘ）側の主吐出部の列に含まれる主吐出部４２１を後続主吐出部４２１と呼ぶ。
【００５４】
１つの後続主吐出部４２１Ｂに注目した場合、この後続主吐出部４２１Ｂと後続主吐出部４２１Ｂの（＋Ｙ）側の先行主吐出部４２１Ａおよび（−Ｙ）側の先行主吐出部４２１Ｃのそれぞれとの間のＹ方向の中心間距離Ｙ１は、主吐出部４２１の吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に吐出口ピッチＰを加えた距離とされる。これにより、後続主吐出部４２１Ｂにおける最も（＋Ｙ）側の吐出口４２２ｃと、先行主吐出部４２１Ａにおける最も（−Ｙ）側の吐出口４２２ｄとの間のＹ方向の中心間距離は吐出口ピッチＰの２倍となり、後続主吐出部４２１Ｂにおける最も（−Ｙ）側の吐出口４２２ｅと、先行主吐出部４２１Ｃにおける最も（＋Ｙ）側の吐出口４２２ｆとの間のＹ方向の中心間距離も吐出口ピッチＰの２倍となる。
【００５５】
各主吐出部４２１および補助吐出部４３１の形状については、第１の実施の形態と同様であり、後続主吐出部４２１Ｂにおける（＋Ｙ）側の吐出口４２２ｃの（＋Ｙ）側のエッジと、先行主吐出部４２１Ａにおける（−Ｙ）側の吐出口４２２ｄの（−Ｙ）側のエッジとの間のＹ方向の距離Ｇは、後続主吐出部４２１Ｂの吐出口４２２ｃの外側（（＋Ｙ）側）の側壁４２６の厚さＴ２よりも大きくされ、後続主吐出部４２１Ｂにおける（−Ｙ）側の吐出口４２２ｅの（−Ｙ）側のエッジと、先行主吐出部４２１Ｃにおける（＋Ｙ）側の吐出口４２２ｆの（＋Ｙ）側のエッジとの間のＹ方向の距離Ｇも、後続主吐出部４２１Ｂの吐出口４２２ｅの外側（（−Ｙ）側）の側壁４２６の厚さＴ２よりも大きくされる。また、補助吐出部４３１のＹ方向の幅Ｄ２は、後続主吐出部４２１Ｂの吐出口４２２ｃと先行主吐出部４２１Ａ吐出口４２２ｄとの間のエッジ間の距離Ｇ、並びに、後続主吐出部４２１Ｂの吐出口４２２ｅと先行主吐出部４２１Ｃの吐出口４２２ｆとの間のエッジ間の距離Ｇのそれぞれよりも小さくされる。
【００５６】
次に、図９のヘッド部４ａを有するリブ形成装置が基板９上に複数のリブを配列形成する動作について図４に準じて説明を行う。なお、本実施の形態では、図４中のステップＳ１２，Ｓ１３の動作は省略される。
【００５７】
リブ形成装置では、複数の主吐出部４２１が先端を基板９に近接させつつ（＋Ｘ）方向に主走査することにより、図１０に示すように、複数のリブ群８２が基板９上に配列形成される（ステップＳ１１）。なお、図１０では、主吐出部４２１Ａ，４２１Ｂ，４２１Ｃにより配列形成されるリブ群にそれぞれ符号８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃを付している。
【００５８】
このとき、後続主吐出部４２１Ｂにおいて先行主吐出部４２１Ａに最も近い吐出口４２２ｃの先行主吐出部４２１Ａ側の側壁４２６が、先行主吐出部４２１Ａにより形成されるリブ群８２Ａとの干渉を避ける厚さとされ、後続主吐出部４２１Ｂにおいて先行主吐出部４２１Ｃに最も近い吐出口４２２ｅの先行主吐出部４２１Ｃ側の側壁４２６が、先行主吐出部４２１Ｃにより形成されるリブ群８２Ｃとの干渉を避ける厚さとされている。これにより、後続主吐出部４２１Ｂが先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃにより形成されたリブ群８２Ａ，８２Ｃに当接してリブ８１１を損傷することが防止される。また、互いに隣接する２つのリブ群８２の間におけるリブ群間間隙の幅は、後続主吐出部４２１Ｂおよび各先行主吐出部４２１Ａ，４２１ＣにおいてＹ方向に関して互いに隣接する吐出口の間のエッジ間の距離Ｇ（図９参照）にほぼ等しくなる。
【００５９】
続いて、リブ形成装置では、図６を参照して説明した動作と同様に、各リブ群間間隙に追加リブ８４１が形成される（ステップＳ１４）。このとき、補助吐出部４３１の吐出口４３２の中心が２つのリブ群８２の間のリブ群間間隙の中央に配置され、Ｙ方向に関して補助吐出部４３１の幅Ｄ２がリブ群間間隙の幅Ｇよりも小さくされていることにより、補助吐出部４３１が主吐出部４２１により形成されたリブ群８２に当接してリブ８１１を損傷することを防止しつつ、吐出口ピッチＰにて追加リブ８４１が形成される。
【００６０】
各リブ群間間隙に追加リブ８４１が形成されると、基板９上に所望の個数のリブが形成されているか否かが確認され、形成されていない場合には（ステップＳ１５）、基板９上に既に形成されているリブのうち最も外側のリブからＹ方向に吐出口ピッチＰだけ離れた位置に補助吐出部４３１が配置され、補助吐出部４３１を基板９に対して相対的に主走査しつつ基板９上に追加リブがさらに形成される（ステップＳ１６）。リブ形成装置では、基板９上に所望の個数のリブが形成されるまでステップＳ１６の動作が繰り返され（ステップＳ１５）、最終的に基板９上に所望の個数のリブが形成される。
【００６１】
以上に説明したように、図９のヘッド部４ａを有するリブ形成装置では、ステージ移動機構２により後続主吐出部４２１Ｂに先行して基板９に対して主走査方向に相対的に走査される先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃが設けられる。また、Ｙ方向に関して、各先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃと後続主吐出部４２１Ｂとの間の中心間の距離が、吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に吐出口ピッチＰを加えた距離とされ、後続主吐出部４２１Ｂにおいて両端の吐出口４２２のそれぞれの外側の側壁４２６が、吐出口４２２間を仕切る隔壁４２５よりも厚く、かつ、主吐出部４２１の主走査時に各先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃにより形成されるリブ群８２Ａ，８２Ｃとの干渉を避ける厚さとされる。そして、複数の主吐出部４２１による複数のリブ群８２の形成後に、補助吐出部４３１により各リブ群間間隙に追加リブ８４１が形成される。これにより、側壁４２６が吐出口４２２間を仕切る隔壁４２５よりも厚い主吐出部４２１を用いつつ基板９上に多数のリブ８１１を一定の吐出口ピッチＰにて容易かつ短時間に形成することができる。また、基板９上に既に形成されている最も外側のリブ群の外側に補助吐出部４３１により追加リブ８４１をさらに形成する動作を実行することにより、基板９上に所望の個数のリブを容易に形成することができる。
【００６２】
また、後続主吐出部４２１Ｂの側壁４２６の厚さによっては、後続主吐出部４２１Ｂと各先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃとの間のＹ方向の中心間距離が吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に、例えば吐出口ピッチＰの２倍を加えた距離とされてもよい。この場合、各先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃにより基板９上に配列形成されるリブ群と後続主吐出部４２１Ｂにより基板９上に配列形成されるリブ群との間のリブ群間隙には、２本の追加リブ８４１が形成されることとなる（図８参照）。
【００６３】
このように、側壁４２６の厚さが隔壁４２５よりも厚い複数の主吐出部４２１を用いつつ基板９上に一定の吐出口ピッチＰにて多数のリブ８１１を短時間に形成する場合には、互いに同様の構造である各先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃと後続主吐出部４２１Ｂとの間のＹ方向に関する中心間の距離を後続主吐出部４２１Ｂの吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に吐出口ピッチＰのｎ倍（ｎは１以上の整数）を加えた距離とし、各先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃにより配列形成されるリブ群からＹ方向にｎ個のリブ分の間隙を設けて後続主吐出部４２１Ｂによりリブ群を配列形成し、補助吐出部４３１によりｎ個の追加リブ８４１が各先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃにより形成されるリブ群と後続主吐出部４２１Ｂにより形成されるリブ群との間に吐出口ピッチＰにて形成される。この場合、後続主吐出部４２１Ｂの各先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃ側の側壁４２６の厚さは、吐出口ピッチＰとｎとの積と、隔壁４２５の厚さとの和よりも薄くされる必要があり、これにより、後続主吐出部４２１Ｂにおいて、各先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃの主走査により基板９上に形成されるリブとの干渉が避けられる。
【００６４】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００６５】
上記第１および第２の実施の形態では、基板９上に形成されるリブ８１１の幅が主吐出部４２１の各吐出口４２２のＹ方向の幅とほぼ同じとされるため、補助吐出部４３１の側壁４３６の厚さが主吐出部４２１の隔壁４２５よりも薄くされることにより、補助吐出部４３１の主走査時に補助吐出部４３１が基板９上に既に形成されているリブ８１１と干渉することが防止されるが、主吐出部４２１では、実用上、各吐出口４２２のＹ方向の幅よりも最大で１０％程度（（＋Ｙ）側に５％だけ太くなり、（−Ｙ）側に５％だけ太くなる。）太いリブを形成することが可能である。したがって、このような場合も考慮すれば、補助吐出部４３１の側壁４３６の厚さは、主吐出部４２１の隔壁４２５の厚さから吐出口４２２の幅の５％を引いた値よりも薄くされることが好ましく、これにより、補助吐出部４３１において、追加リブ８４１の形成時に基板９上に既に形成されている最も外側のリブ８１１との干渉が避けられる。
【００６６】
同様に、上記第１の実施の形態において、主吐出部４２１の一の主走査と次の主走査との間の副走査時の移動距離が、主吐出部４２１の吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に吐出口ピッチＰのｎ倍（ｎは１以上の整数）を加えた距離とされる場合には、次の主走査時の主吐出部４２１の一の主走査位置側の側壁４２６の厚さは、吐出口ピッチＰとｎとの積と、隔壁４２５の厚さから吐出口４２２の幅の５％を引いた値との和よりも薄くされることが好ましく、これにより、主吐出部４２１の一の主走査の次の主走査において、一の主走査の際に基板９上に形成されたリブとの干渉が避けられる。
【００６７】
さらに、上記第２の実施の形態において、先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃと後続主吐出部４２１Ｂとの間のＹ方向に関する中心間の距離が後続主吐出部４２１Ｂの吐出口４２２の個数と吐出口ピッチＰとの積に吐出口ピッチＰのｎ倍（ｎは１以上の整数）を加えた距離とされる場合には、後続主吐出部４２１の先行主吐出部４２１Ａ，４２１Ｃ側の側壁４２６の厚さは、吐出口ピッチＰとｎとの積と、隔壁４２５の厚さから吐出口４２２の幅の５％を引いた値との和よりも薄くされることが好ましく、これにより、後続主吐出部４２１Ｂにおいて、各先行主吐出部４２１Ａ，Ｃの主走査により基板９上に形成されるリブとの干渉が避けられる。
【００６８】
リブ形成装置では、ステージ２０上の基板９がヘッド部４，４ａに対してＸ方向に移動するが、ヘッド部４，４ａをステージ２０に対してＸ方向に移動する機構が設けられてもよい。また、ヘッド部４の基板９に対する副走査は、ステージ２０をＹ方向に移動する機構により実現されてもよい。さらに、主吐出部４２１および補助吐出部４３１のＸ方向への基板９に対する相対的な主走査は個別の走査機構により実現されてもよく、主吐出部４２１および補助吐出部４３１のＹ方向への基板９に対する相対的な移動（副走査）も個別の移動機構により実現されてもよい。
【００６９】
また、補助吐出部４３１は金属にて形成されるため、プレス加工や絞り加工により容易に製造することが可能であるが、補助吐出部４３１は、使い捨てを前提とする場合には、例えばセラミック等の金属以外の材料にて形成されてもよい。この場合、補助吐出部４３１の耐久性が低下して、実用上、補助吐出部４３１を高頻度に交換する必要が生じるが、補助吐出部４３１には１つの吐出口４３２が設けられるのみであり、安価に製造することができるため、平面表示装置用のパネルの製造に係るコストが大幅に上昇することはない。
【００７０】
主吐出部４２１の複数の吐出口４２２は必ずしも正確にＹ方向に並んでいる必要はなく、例えば、主吐出部４２１がＺ方向に平行な軸を中心として微小な回転角だけ回転した状態で保持部材４２０に固定され、主吐出部４２１において複数の吐出口４２２がＹ方向に対して傾斜した方向に並んでいてもよい。すなわち、主吐出部４２１では、複数の吐出口４２２がＹ方向に関して一定のピッチにて配列形成されていればよい。
【００７１】
平面表示装置の種類によっては、基板９はガラス以外の材料にて形成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１の実施の形態に係るリブ形成装置の構成を示す図である。
【図２】ヘッド部を示す底面図である。
【図３】主吐出部の先端近傍を拡大して示す図である。
【図４】リブ形成装置がリブを配列形成する動作の流れを示す図である。
【図５】主吐出部により配列形成されるリブを示す図である。
【図６】リブ群間間隙に形成される追加リブを示す図である。
【図７】追加リブをさらに形成する動作を説明するための図である。
【図８】リブ群間間隙に追加リブを形成する他の動作例を説明するための図である。
【図９】第２の実施の形態に係るヘッド部を示す底面図である。
【図１０】複数の主吐出部により配列形成されるリブを示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１    リブ形成装置
２    ステージ移動機構
３    ヘッド移動機構
６    制御部
９    基板
８２，８２Ａ〜８２Ｃ，８３    リブ群
４２１，４２１Ａ〜４２１Ｃ    主吐出部
４２２，４２２ａ〜４２２ｆ    （主吐出部の）吐出口
４２５    隔壁
４２６    （主吐出部の）側壁
４３１    補助吐出部
４３２    （補助吐出部の）吐出口
４３６    （補助吐出部の）側壁
８１１，８１１ａ〜８１１ｃ，８２１，８３１    リブ
８４１，８４１ａ，８４１ｂ    追加リブ
Ｐ    吐出口ピッチ
Ｓ１１〜Ｓ１６    ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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