(57)【要約】【課題】半導体ウエーハ等の被加工物に効率よく細孔を形成することができるレーザー加工装置を提供する。【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段を加工送り方向（X軸方向）に相対的に移動せしめる加工送り手段と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段を加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に相対移動せしめる割り出し送り手段とを具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射手段はレーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学偏向手段と、レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を割り出し送り方向(Y軸方向)に偏向する第２の音響光学偏向手段とを具備している。【選択図】図２
2007160374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向（X軸方向）に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を該加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に相対移動せしめる割り出し送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、
該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学偏向手段と、
該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を割り出し送り方向(Y軸方向)に偏向する第２の音響光学偏向手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項２】
該第１の音響光学偏向手段は、該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学素子と、該第１の音響光学素子にRFを印加する第１のRF発振器と、該第１のRF発振器から出力されるRFの周波数を調整する第１の偏向角度調整手段を具備しており、
該第２の音響光学偏向手段は、該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を割り出し送り方向（Y軸方向）に偏向する第２の音響光学素子と、該第２の音響光学素子にRFを印加する第２のRF発振器と、該第２のRF発振器から出力されるRFの周波数を調整する第２の偏向角度調整手段を具備している、請求項１記載のレーザー加工装置。
【請求項３】
該第１の音響光学偏向手段は、該第１のRF発振器から出力されるRFの振幅を調整する第１の出力調整手段を具備しており、
該第２の音響光学偏向手段は、該第２のRF発振器から出力されるRFの振幅を調整する第２の出力調整手段を具備している、請求項２記載のレーザー加工装置。
【請求項４】
該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段との相対的な加工送り量を検出する加工送り量検出手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段との相対的な割り出し送り量を検出する割り出し送り量検出手段と、被加工物における加工すべき領域のX,Y座標値を記憶する記憶手段を備え該記憶手段に記憶された該X,Y座標値と該加工送り量検出手段および該割り出し送り量検出手段からの検出信号に基づいて該第１の音響光学手段および該第２の音響光学偏向手段を制御する制御手段とを具備している、請求項１記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物に複数の細孔を形成するレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。
【０００３】
装置の小型化、高機能化を図るため、複数の半導体チップを積層し、積層された半導体チップの電極を接続するモジュール構造が実用化されている。このモジュール構造は、半導体ウエーハにおける電極が形成された箇所に貫通孔（ビアホール）を形成し、この貫通孔（ビアホール）に電極と接続するアルミニウム等の導電性材料を埋め込む構成である。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００３−１６３３２３号公報
【０００４】
上述した半導体ウエーハに設けられる貫通孔（ビアホール）は、ドリルによって形成されている。しかるに、半導体ウエーハに設けられる貫通孔（ビアホール）は直径が１００〜３００μmと小さく、ドリルによる穿孔では生産性が悪いという問題がある。
【０００５】
上記問題を解消するために本出願人は、半導体ウエーハ等の被加工物に効率よく細孔を形成することができるレーザー加工装置を特願２００５−６４８６７号として提案した。このレーザー加工装置は、被加工物を保持するチャックテーブルとレーザー光線照射手段との相対的な加工送り量を検出する加工送り量検出手段と、被加工物に形成する細孔のX,Y座標値を記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された細孔のX,Y座標値と加工送り量検出手段からの検出信号に基づいてレーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備し、被加工物に形成する細孔のX,Y座標値がレーザー光線照射手段の集光器の直下に達したら１パルスのレーザー光線を照射するように構成したものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
而して、被加工物に貫通孔を形成するには、同一個所に複数回パルスレーザー光線を照射する必要があるが、上述したレーザー加工装置を用いると、被加工物の移動を複数回実施しなければならず、生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。
また、被加工物を加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向（Y軸方向）に割り出し送りすることなく、加工送りするだけで被加工物に複数のレーザー加工溝を形成できることが望ましい。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、半導体ウエーハ等の被加工物に効率よく細孔を形成することができるとともに、被加工物を加工送りするだけで複数のレーザー加工溝を形成できる等所望の加工ができるレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向（X軸方向）に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を該加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に相対移動せしめる割り出し送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、
該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学偏向手段と、
該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を割り出し送り方向(Y軸方向)に偏向する第２の音響光学偏向手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【０００９】
上記第１の音響光学偏向手段は、上記レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学素子と、該第１の音響光学素子にRFを印加する第１のRF発振器と、該第１のRF発振器から出力されるRFの周波数を調整する第１の偏向角度調整手段を具備しており、
上記第２の音響光学偏向手段は、上記レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を割り出し送り方向（Y軸方向）に偏向する第２の音響光学素子と、該第２の音響光学素子にRFを印加する第２のRF発振器と、該第２のRF発振器から出力されるRFの周波数を調整する第２の偏向角度調整手段を具備している。
また、上記第１の音響光学偏向手段は上記第１のRF発振器から出力されるRFの振幅を調整する第１の出力調整手段を具備しており、上記第２の音響光学偏向手段は上記第２のRF発振器から出力されるRFの振幅を調整する第２の出力調整手段を具備している。
更に、レーザー加工装置は、上記チャックテーブルと上記レーザー光線照射手段との相対的な加工送り量を検出する加工送り量検出手段と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段との相対的な割り出し送り量を検出する割り出し送り量検出手段と、被加工物における加工すべき領域のX,Y座標値を記憶する記憶手段を備え該記憶手段に記憶された該X,Y座標値と加工送り量検出手段および割り出し送り量検出手段からの検出信号に基づいて上記第１の音響光学手段および上記第２の音響光学偏向手段を制御する制御手段とを具備している。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によるレーザー加工装置においては、制御手段が加工送り量検出手段からの検出信号に基いて第１の音響光学偏向手段を制御し、レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向することにより、チャックテーブルに保持された被加工物が加工送り方向に移動している状態においても所定の加工位置に複数のパルスのパルスレーザー光線を照射することができるため、効率良くレーザー加工穴を形成することができる。
また、本発明によるレーザー加工装置においては、レーザー加工手段の第２の音響光学偏向手段を作動してパルスレーザー光線の光軸を割り出し送り方向（Y軸方向）に偏向させて被加工物にパルスレーザー光線を照射することにより、割り出し送りを実施することなく、加工送りを実施するだけで被加工物に複数のレーザー加工溝を形成したり、X軸方向とY軸方向の２次元加工を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１２】
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向（X軸方向）と直角な矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
【００１３】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。
【００１４】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動せしめられる。
【００１５】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３６の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段３７４を備えている。加工送り量検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。この送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示に実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出する。なお、上記加工送り手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することもできる。
【００１６】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００１７】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第２の滑動ブロック３３の割り出し加工送り量を検出するための第１の割り出し送り量検出手段３８４を備えている。第１の割り出し送り量検出手段３８４は、案内レール３２２に沿って配設されたリニアスケール３８４aと、第２の滑動ブロック３３に配設され第２の滑動ブロック３３とともにリニアスケール３８４aに沿って移動する読み取りヘッド３８４bとからなっている。この送り量検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bは、図示に実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出する。なお、上記第１の割り出し送り手段３８の駆動源としてパルスモータ３８２を用いた場合には、パルスモータ３８２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出することもできる。
【００１８】
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００１９】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記レーザー光線照射ユニット支持機構４の可動支持基台４２の割り出し送り量を検出するための第２の割り出し送り量検出手段４３３を備えている。第２の割り出し送り量検出手段４３３は、案内レール４１に沿って配設されたリニアスケール４３３aと、可動支持基台４２に配設されリニアスケール４３３aに沿って移動する読み取りヘッド４３３bとからなっている。この送り量検出手段４３３の読み取りヘッド４３３bは、図示に実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、レーザー光線照射ユニット５の割り出し送り量を検出する。なお、上記第２の割り出し送り手段４３の駆動源としてパルスモータ４３２を用いた場合には、パルスモータ４３２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、レーザー光線照射ユニット５の割り出し送り量を検出することもできる。また、上記第２の割り出し送り手段４３の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、レーザー光線照射ユニット５の割り出し送り量を検出することもできる。
【００２０】
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動可能に支持される。
【００２１】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を下方に移動するようになっている。
【００２２】
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１と、図２に示すようにケーシング５２１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段６と、伝送光学系７と、パルスレーザー光線発振手段６が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学偏向手段８１と、レーザー光線発振手段６が発振したレーザー光線の光軸を割り出し送り方向（Y軸方向）に偏向する第２の音響光学偏向手段８２を具備している。また、レーザー光線照射手段５２は、第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２を通過したパルスレーザー光線を上記チャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する加工ヘッド９を具備している。
【００２３】
上記パルスレーザー光線発振手段６は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器６１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段６２とから構成されている。上記伝送光学系７は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。
【００２４】
上記第１の音響光学偏向手段８１は、レーザー光線発振手段６が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学素子８１１と、該第１の音響光学素子８１１に印加するRF（radio  frequency）を生成する第１のRF発振器８１２と、該第１のRF発振器８１２によって生成されたRFのパワーを増幅して第１の音響光学素子８１１に印加する第１のRFアンプ８１３と、第１のRF発振器８１２によって生成されるRFの周波数を調整する第１の偏向角度調整手段８１４と、第１のRF発振器８１２によって生成されるRFの振幅を調整する第１の出力調整手段８１５を具備している。上記第１の音響光学素子８１１は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記第１の偏向角度調整手段８１４および第１の出力調整手段８１５は、後述する制御手段によって制御される。
【００２５】
上記第２の音響光学偏向手段８２は、レーザー光線発振手段６が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向（Y軸方向：図２において紙面に垂直な方向）に偏向する第２の音響光学素子８２１と、該第２の音響光学素子８２１に印加するRFを生成する第２のRF発振器８２２と、該RF発振器８２２によって生成されたRFのパワーを増幅して第２の音響光学素子８２１に印加する第２のRFアンプ８２３と、第２のRF発振器８２２によって生成されるRFの周波数を調整する第２の偏向角度調整手段８２４と、第２のRF発振器８２２によって生成されるRFの振幅を調整する第２の出力調整手段８２５を具備している。上記第２の音響光学素子８２１は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記第２の偏向角度調整手段８２４および第２の出力調整手段８２５は、後述する制御手段によって制御される。
【００２６】
また、図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段５２は、上記第１の音響光学素子８１１にRFが印加されない場合に、図２において１点差線で示すように第１の音響光学素子８１１によって偏向されないレーザー光線を吸収するためのレーザー光線吸収手段８３を具備している。
【００２７】
上記加工ヘッド９は、ケーシング５２１の先端に装着されており、上記第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２を通過したパルスレーザー光線を下方に向けて方向変換する方向変換ミラー９１と、該方向変換ミラー９１によって方向変換されたレーザー光線を集光する集光レンズ９２を具備している。
【００２８】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段５２は以上のように構成されており、第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１にRFが印加されていない場合には、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、伝送光学系７、第１の音響光学素子８１１、第２の音響光学素子８２１を介して図２において１点鎖線で示すようにレーザー光線吸収手段８３に導かれる。一方、第１の音響光学素子８１１に例えば１０kHzの周波数を有するRFが印加されると、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように偏向され集光点Paに集光される。また、第１の音響光学素子８１１に例えば２０kHzの周波数を有するRFが印加されると、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において破線で示すように偏向され、上記集光点Paから加工送り方向（X軸方向）に所定量変位した集光点Pbに集光される。なお、第２の音響光学素子８２１に所定周波数を有するRFが印加されると、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸を加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向（Y軸方向：図２において紙面に垂直な方向）に所定量変位した集光点に集光される。
【００２９】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、ケーシング５２１の前端部に配設され上記レーザー光線照射手段５２によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段１１を備えている。この撮像手段１１は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
【００３０】
図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、制御手段１０を具備している。制御手段１０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）１０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）１０２と、後述する被加工物の設計値のデータや演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３と、カウンター１０４と、入力インターフェース１０５および出力インターフェース１０６とを備えている。制御手段１０の入力インターフェース１０５には、上記加工送り量検出手段３７４、第１の割り出し送り量検出手段３８４、第２の割り出し送り量検出手段４３３および撮像手段６等からの検出信号が入力される。そして、制御手段１０の出力インターフェース１０６からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、レーザー光線照射手段５２等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３は、後述する被加工物の設計値のデータを記憶する第１の記憶領域１０３aや、後述する検出値のデータを記憶する第２の記憶領域１０３bおよび他の記憶領域を備えている。
【００３１】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図３にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハ２０の平面図が示されている。図３に示す半導体ウエーハ２０は、シリコンウエーハからなっており、その表面２０ａに格子状に配列された複数の分割予定ライン２０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２０２がそれぞれ形成されている。この各デバイス２０２は、全て同一の構成をしている。デバイス２０２の表面にはそれぞれ図４に示すように複数の電極２０３（２０３a〜２０３j）が形成されている。なお、図示の実施形態においては、２０３aと２０３f、２０３bと２０３g、２０３cと２０３h、２０３dと２０３i、２０３eと２０３jは、X方向位置が同一である。この複数の電極２０３（２０３a〜２０３j）部にそれぞれ貫通孔（ビアホール）が形成される。各デバイス２０２における電極２０３（２０３a〜２０３j）のX方向（図４において左右方向）の間隔Ａ、および各デバイス２０２に形成された電極２０３における分割予定２０１を挟んでX方向（図４において左右方向）に隣接する電極即ち電極２０３eと電極２０３aとの間隔Bは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。また、各デバイス２０２における電極２０３（２０３a〜２０３j）のY方向（図４において上下方向）の間隔C、および各デバイス２０２に形成された電極２０３における分割予定ライン２０１を挟んでY方向（図４において上下方向）に隣接する電極即ち電極２０３fと電極２０３aおよび電極２０３jと電極２０３eとの間隔Dは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。このように構成された半導体ウエーハ２０について、図３に示す各行Ｅ1・・・・Enおよび各列F1・・・・Fnに配設されたデバイス２０２の個数と上記各間隔A,B,C,Dは、その設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３の第１に記憶領域１０３aに格納されている。
【００３２】
上述したレーザー加工装置を用い、上記半導体ウエーハ２０に形成された各デバイス２０２の電極２０３（２０３a〜２０３j）部に貫通孔（ビアホール）を形成するレーザー加工の実施形態について説明する。
上記のように構成された半導体ウエーハ１０は、図５に示すように環状のフレーム２１に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ２２に表面２０ａを上側にして貼着する。
このようにして環状のフレーム２１に保護テープ２２を介して支持された半導体ウエーハ２０は、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に保護テープ２２側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２０は、保護テープ２２を介してチャックテーブル３６上に吸引保持される。また、環状のフレーム２１は、クランプ３６２によって固定される。
【００３３】
上述したように半導体ウエーハ２０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段１１の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段１１の直下に位置付けられると、チャックテーブル３６上の半導体ウエーハ２０は、図６に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ２０に形成されている格子状の分割予定ライン２０１がX軸方向とY軸方向に平行に配設されているか否かのアライメント作業を実施する。即ち、撮像手段１１によってチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ２０を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。
【００３４】
次に、チャックテーブル３６を移動して、半導体ウエーハ２０に形成されたデバイス２０２における最上位の行E1の図６において最左端のデバイス２０２を撮像手段１１の直下に位置付ける。そして、更にデバイス２０２に形成された電極２０３（２０３a〜２０３j）における図６において左上の電極２０３aを撮像手段１１の直下に位置付ける。この状態で撮像手段１１が電極２０３aを検出したならばその座標値(a1)を第１の加工送り開始位置座標値として制御手段１０に送る。そして、制御手段１０は、この座標値(a1)を第１の加工送り開始位置座標値としてランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３に格納する（加工送り開始位置検出工程）。このとき、撮像手段６とレーザー光線照射手段５２の加工ヘッド９はX軸方向に所定の間隔を置いて配設されているので、X座標値は上記撮像手段１１と加工ヘッド９との間隔を加えた値が格納される。
【００３５】
このようにして図６において最上位の行E1のデバイス２０２における第１の加工送り開始位置座標値(a1)を検出したならば、チャックテーブル３６を分割予定ライン２０１の間隔だけＹ軸方向に割り出し送りするとともにX軸方向に移動して、図６において最上位から２番目の行E2における最左端のデバイス２０２を撮像手段１１の直下に位置付ける。そして、更にデバイス２０２に形成された電極２０３(２０３a〜２０３j）における図６において左上の電極２０３aを撮像手段１１の直下に位置付ける。この状態で撮像手段１１が電極２０３aを検出したならばその座標値(a2)を第２の加工送り開始位置座標値として制御手段１０に送る。そして、制御手段１０は、この座標値(a2)を第２の加工送り開始位置座標値としてランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３の第２に記憶領域１０３bに格納する。このとき、撮像手段１１とレーザー光線照射手段５２の加工ヘッド９は上述したようにX軸方向に所定の間隔を置いて配設されているので、X座標値は上記撮像手段６と加工ヘッド９との間隔を加えた値が格納される。以後、上述した割り出し送りと加工送り開始位置検出工程を図６において最下位の行Ｅｎまで繰り返し実行し、各行に形成されたデバイス２０２の加工送り開始位置座標値（a３〜aｎ）を検出して、これをランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３の第２に記憶領域１０３bに格納する。
【００３６】
次に、半導体ウエーハ２０の各デバイス２０２に形成された各電極２０３(２０３a〜２０３j）部に貫通孔（ビアホール）を穿孔する穿孔工程を実施する。穿孔工程は、先ず加工送り手段３７を作動しチャックテーブル３６を移動して、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３の第２に記憶領域１０３bに格納されている第１の加工送り開始位置座標値（a１）をレーザー光線照射手段５２の加工ヘッド９の直下に位置付ける。このように第１の加工送り開始位置座標値（a１）が加工ヘッド９の直下に位置付けられた状態が図７の(a)に示す状態である。図７の(a)に示す状態から制御手段１０は、チャックテーブル３６を図７の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように上記加工送り手段３７を制御すると同時に、レーザー光線照射手段５２を作動し加工ヘッド９から所定時間パルスレーザー光線を照射する。なお、加工ヘッド９から照射されるレーザー光線の集光点Pは、半導体ウエーハ２０の表面２０a付近に合わせる。このとき、制御手段１０は、パルスレーザー光線を照射する所定時間の間に、加工送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号に基いて第１の音響光学偏向手段８１の第１の偏向角度調整手段８１４および第１の出力調整手段８１５に制御信号を出力する。即ち、制御手段１０は、第１のRF発振器８１２によって生成されるRFの周波数を例えば１０〜２０kHzの範囲で制御するとともに、第１のRF発振器８１２によって生成されるRFの振幅が所定の振幅となるように制御信号を出力する。第１のRF発振器８１２は第１の偏向角度調整手段８１４および第１の出力調整手段８１５からの制御信号に対応したRFを出力する。第１のRF発振器８１２から出力されたRFのパワーは、第１のRFアンプ８１３によって増幅され第１の音響光学素子８１１に印加される。この結果、第１の音響光学素子８１１は、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線の光軸を図２において実線で示す位置から破線で示す位置までの範囲で偏向する。
【００３７】
上記穿孔工程における加工条件の一例について説明する。
光源              ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４
波長              ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数    ：５０kHz
出力              ：３W
集光スポット径    ：φ１５μｍ
加工送り速度      ：１００ｍｍ／秒
このような加工条件によって穿孔工程を実施すると、シリコンウエーハにはパルスレーザー光線の１パルス当たり深さが５μm程度のレーザー加工孔を形成することができる。従って、厚さが５０μmのシリコンウエーハに貫通孔を形成するにはパルスレーザー光線を１１パルス照射する必要がある。このため、上記加工条件においては１００ｍｍ／秒の加工送り速度で移動しているチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ２０の第１の加工送り開始位置座標値（a１）に１０パルスのパルスレーザー光線を照射しなければならない。
【００３８】
ここで、半導体ウエーハ２０が１００ｍｍ／秒の加工送り速度で移動している際に、半導体ウエーハ２０の第１の加工送り開始位置座標値（a１）に１１パルスのパルスレーザー光線を照射する方法について、図８を参照して説明する。
上記加工条件においてはパルスレーザー光線の繰り返し周波数が５０kHzであるので、１秒間に５００００パルス（５００００／秒）のパルスレーザー光線が照射される。従って、１１パルスのパルスレーザー光線を照射するための時間は、１／５０００秒となる。一方、１００ｍｍ／秒の加工送り速度でX1で示す方向に移動している半導体ウエーハ２０は、１／５０００秒間に２０μm移動する。従って、半導体ウエーハ２０が２０μm移動する間に１／５０００秒間レーザー光線照射手段５２を作動し、この間にパルスレーザー光線の集光点を第１の加工送り開始位置座標値（a１）に位置付けるように、第１の偏向角度調整手段８１４は第１のRF発振器８１２が出力するRFの周波数を１／５０００秒間に１１段階制御すればよい。即ち、図８の(a)に示すように半導体ウエーハ２０の第１の加工送り開始位置座標値（a１）が集光レンズ９２の直下に位置付けられた状態で、例えば第１の音響光学素子８１１に例えば１０kHzの周波数を有するRFパワーを印加しパルスレーザー光線の光軸を実線で示すように照射するとともに、半導体ウエーハ２０が２０μm移動する間にレーザー光線の光軸を実線で示す位置から破線で示す位置まで１１等分してX1で示す方向に偏向する。このレーザー光線の光軸の偏向は、上述したように加工送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号に基いて第１の音響光学偏向手段８１の第１の音響光学素子８１１に印加するRFパワーの周波数を制御することによって行うことができる。この結果、半導体ウエーハ２０が加工送り方向X1で移動している状態においても第１の加工送り開始位置座標値（a１）に１０パルスのパルスレーザー光線を照射することができるため、図８の(b)に示すように半導体ウエーハ２０の第１の加工送り開始位置座標値（a１）に貫通孔２０４が形成される。なお、上記穿孔工程においては、第１の出力調整手段８１５によって第１のRF発振器８１２が出力するRFの振幅を制御してパルスレーザー光線の出力を調整してもよい。
【００３９】
一方、制御手段１０は、加工送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号を入力しており、この検出信号をカウンター１０４によってカウントしている。そして、カウンター１０４によるカウント値が電極２０３の図４においてX軸方向の間隔Ａに相当する値に達したら、制御手段１０はレーザー光線照射手段５２を制御し上記穿孔工程を実施する。その後も制御手段１０は、カウンター１０４によるカウント値が電極２０３の図４においてX軸方向の間隔ＡおよびBに達する都度、制御手段１０はレーザー光線照射手段５２を作動し上記穿孔工程を実施する。そして、図７の（ｂ）で示すように半導体ウエーハ２０のE1行の最右端のデバイス２０２に形成された電極２０３における図４において最右端の電極２０３e位置に上記穿孔工程を実施したら、上記加工送り手段３７の作動を停止してチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２０には、図７の（ｂ）で示すように各電極２０３（図示せず）部にレーザー加工孔２０４が形成される。
【００４０】
次に、制御手段１０は、レーザー光線照射手段５２の加工ヘッド９を図７の（ｂ）において紙面に垂直な方向に割り出し送りするように上記第1の割り出し送り手段３８または
第２の割り出し送り手段４３を制御する。一方、制御手段１０は、割り出し送り量検出手段４３３の読み取りヘッド４３３bからの検出信号を入力しており、この検出信号をカウンター１０４によってカウントしている。そして、カウンター１０４によるカウント値が電極２０３の図４においてY軸方向の間隔Cに相当する値に達したら、第２の割り出し送り手段４３の作動を停止し、レーザー光線照射手段５２の加工ヘッド９の割り出し送りを停止する。この結果、加工ヘッド９は上記電極２０３eと対向する電極２０３j（図４参照）の直上に位置付けられる。この状態が図９の(a)に示す状態である。図９の(a)に示す状態で制御手段１０は、チャックテーブル３６を図９の(a)において矢印Ｘ２で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように上記加工送り手段３７を制御すると同時に、レーザー光線照射手段５２を作動し上記穿孔工程を実施する。そして、制御手段１０は、上述したように加工送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号をカウンター１０４によりカウントし、そのカウント値が電極２０３の図４においてX軸方向の間隔ＡおよびBに達する都度、制御手段１０はレーザー光線照射手段５２を作動し上記穿孔工程を実施する。そして、図９の（ｂ）で示すように半導体ウエーハ２０のE1行の最右端のデバイス２０２に形成された電極２０３f位置に上記穿孔工程を実施したら、上記加工送り手段３７の作動を停止してチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２０には、図９の（ｂ）で示すように各電極２０３（図示せず）部にレーザー加工孔２０４が形成される。
【００４１】
以上のようにして、半導体ウエーハ２０のE1行のデバイス２０２に形成された電極２０３部にレーザー加工孔２０４が形成されたならば、制御手段１０は加工送り手段３７および第２の割り出し送り手段４３を作動し、半導体ウエーハ２０のE2行のデバイス２０２に形成された電極２０３における上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３の第２に記憶領域１０３bに格納されている第２の加工送り開始位置座標値（a2）をレーザー光線照射手段５２の加工ヘッド９の直下に位置付ける。そして、制御装置１０は、レーザー光線照射手段５２と加工送り手段３７および第２の割り出し送り手段４３を制御し、半導体ウエーハ２０のE2行のデバイス２０２に形成された電極２０３部に上述した穿孔工程を実施する。以後、半導体ウエーハ２０のE3〜En行のデバイス２０２に形成された電極２０３部に対しても上述した穿孔工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ２０の各デバイス２０２に形成された全ての電極２０３部にレーザー加工穴２０４が形成される。
【００４２】
なお、上記穿孔工程において、図４におけるX軸方向の間隔Ａ領域および間隔B領域には半導体ウエーハ２０にパルスレーザー光線を照射しない。このように、半導体ウエーハ２０にパルスレーザー光線を照射しないために、上記制御手段１０は第１の音響光学偏向手段８１の１の音響光学素子８１１に印加するRFを停止する。この結果、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、図２において１点鎖線で示すようにレーザー光線吸収手段８３に照射さて吸収され上記加工ヘッド９に導かれないので、半導体ウエーハ２０に照射されない。
【００４３】
以上のように、図示の実施形態におけるレーザー加工装置によれば、加工送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号に基いて第１の音響光学偏向手段８１の第１の音響光学素子８１１に印加する高周波電流の周波数を制御することにより、半導体ウエーハ２０が加工送り方向に移動している状態においても所定の加工位置に複数のパルスのパルスレーザー光線を照射することができるため、効率良くレーザー加工穴２０４を形成することができる。
【００４４】
また、上述した穿孔工程において、第１の音響光学偏向手段８１の第１の出力調整手段８１５を制御して第１のRF発振器８１２から発振するRFの振幅を調整し、第１の音響光学素子８１１に印加するRFの振幅を調整することにより、パルスレーザー光線の上記出力を適宜調整することができる。
【００４５】
次に、上述したレーザー光線照射手段５２の第１の音響光学偏向手段８１と第２の音響光学偏向手段８２を作動してレーザー加工する他の実施形態について、図１０を参照して説明する。
即ち、上記チャックテーブル３６に保持された被加工物を加工送りした状態で、第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２を作動してパルスレーザー光線の光軸をX軸方向とY軸方向に順次偏向させるとともに、パルスレーザー光線の出力を調整して被加工物にパルスレーザー光線を照射することにより、図１０の(a)に示すようにトレパリング等の２次元加工して複数のレーザー加工孔２０４を形成することにより、図１０の(b)に示すように所望の大きさの穴２０５を開けることができる。
【００４６】
次に、上述したレーザー光線照射手段５２の第２の音響光学偏向手段８２を作動してレーザー加工する更に他の実施形態について、図１１を参照して説明する。
即ち、図１１の(a)に示すように被加工物Wを集光レンズ９２の直下に位置付け、パルスレーザー光線を照射しつつ被加工物Wを紙面に垂直な方向に加工送りすることによりレーザー加工溝２０６を形成する。次に、図１１の(b)に示すように上述したレーザー加工手段５２の第２の音響光学偏向手段８２を作動してパルスレーザー光線の光軸を割り出し送り方向（Y軸方向）に偏向させてパルスレーザー光線を照射しつつ被加工物Wを紙面に垂直な方向に加工送りすることにより、割り出し送りを実施することなく、加工送りを実施するだけで被加工物Wに複数のレーザー加工溝２０６を形成することができる。なお、上記レーザー加工溝２０６を形成する際に、第１の音響光学偏向手段８１を作動して所定位置でパルスレーザー光線の出力を変更することにより、レーザー加工溝２０６の所定位置で溝の深さを変えることができる。
【００４７】
また、上記図２に示すレーザー加工手段５２の第１の音響光学偏向手段８１によってパルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線の光軸を偏向しないで、レーザー光線吸収手段８３に吸収させる制御をパルスレーザー光線の繰り返し周波数と同期させて例えば１パルス毎に交互にパルスレーザー光線の光軸を偏向することにより、パルス幅を偏向することなく所定の繰り返し周波数のパルスレーザー光線を被加工物に照射することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー加工手段の構成ブロック図。
【図３】被加工物としての半導体ウエーハの平面図。
【図４】図３に示す半導体ウエーハの一部を拡大して示す平面図。
【図５】図３に示す半導体ウエーハを環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【図６】図３に示す半導体ウエーハが図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブルの所定位置に保持された状態における座標との関係を示す説明図。
【図７】図１に示すレーザー加工装置によって実施する穿孔工程の説明図。
【図８】図７に示す穿孔工程の詳細を拡大して示す説明図。
【図９】図１に示すレーザー加工装置によって実施する穿孔工程の説明図。
【図１０】図１に示すレーザー加工装置によって実施するレーザー加工方法の他の実施形態を示す説明図。
【図１１】図１に示すレーザー加工装置によって実施するレーザー加工方法の更に他の実施形態を示す説明図。
【符号の説明】
【００４９】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３７４：加工送り量検出手段
３８：第１の割り出し送り手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４１：案内レール
４２：可動支持基台
４３：第２の割り出し送り手段
４３３：割り出し送り量検出手段
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザー光線加工手段
6：パルスレーザー光線発振手段
６１：パルスレーザー光線発振器
６２：繰り返し周波数設定手段
７：伝送光学系
８１：第１の音響光学偏向手段
８１１：第１の音響光学素子
８１２：第１のRF発振器
８１３：第１のRFアンプ
８１４：第１の偏向角度調整手段
８１５：第１の出力調整手段
８２：第２の音響光学偏向手段
８２１：第２の音響光学素子
８２２：第２のRF発振器
８２３：第２のRFアンプ
８２４：第２の偏向角度調整手段
８２５：第２の出力調整手段
８３：レーザー光線吸収手段
９：加工ヘッド
９１：方向変換ミラー
９２：集光レンズ
１０：制御手段
１１：撮像手段
２０：半導体ウエーハ
２０１：分割予定ライン
２０２：回路
２０３：電極
２０４：レーザー加工孔
２１：環状のフレーム
２２：保護テープ
【図１】
2007160374.tif 000003
【図２】
2007160374.tif 000004
【図３】
2007160374.tif 000005
【図４】
2007160374.tif 000006
【図５】
2007160374.tif 000007
【図６】
2007160374.tif 000008
【図７】
2007160374.tif 000009
【図８】
2007160374.tif 000010
【図９】
2007160374.tif 000011
【図１０】
2007160374.tif 000012
【図１１】
2007160374.tif 000013