(57)【要約】【課題】  外来ノイズの影響を低減させることによりセンサの検出精度の向上を図る。【解決手段】  物体に働く加速度を、可撓基板１０で支持された錘部３０の姿勢変化に基づいて検出する。可撓基板１０は、フレーム２０に固定され、その中心部に錘部３０がハンダ付けにより固定されている。錘部３０に加速度などの力が作用すると、錘部３０の姿勢が変化し、これに伴い可撓基板１０も変形する。この錘部３０の姿勢変化や可撓基板１０の変形を、梁部１４に設けられた検出素子である圧電抵抗素子の回路定数の変化量に基づいて検出する。検出素子により検出された信号の処理を行う信号処理回路をＩＣチップに形成し、このＩＣチップによって錘部３０を構成する。錘部３０をＩＣチップで構成することにより、信号処理回路と検出素子との距離を短く構成することができ、外来ノイズの影響を低減させることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレームと、
前記フレームに固定された可撓部と、前記可撓部で支持され、外力の作用により姿勢が変化する錘部と、からなる可動部と、
少なくとも一部が前記可動部に設けられた検出素子と、
前記可動部に設けられ、前記検出素子の回路定数の変化に基づいて、前記錘部の姿勢変化を検出する検出手段と、
前記検出手段で検出された前記錘部の姿勢の変化を力学量に変換する変換手段と、
を備えたことを特徴とする力学量センサ。
【請求項２】
前記検出手段は、前記錘部に形成されていることを特徴とする請求項１記載の力学量センサ。
【請求項３】
前記検出素子は、前記可撓部に設けられた圧電抵抗素子からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の力学量センサ。
【請求項４】
前記検出素子は、一方の電極が前記可動部に設けられた静電容量素子からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の力学量センサ。
【請求項５】
前記検出素子は、前記可撓部に設けられた圧電素子からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の力学量センサ。
【請求項６】
前記錘部は、少なくとも前記検出手段が形成された半導体チップからなることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の力学量センサ。
【請求項７】
前記半導体チップおよび前記可撓部は、互いに対になる固定パッドを備え、前記固定パッドを介してフリップチップボンディングまたはワイヤーボンディングにより接合されていることを特徴とする請求項６記載の力学量センサ。
【請求項８】
前記固定パッドは、前記錘部の重量バランスを保持するように重量配分された部位に設けられていることを特徴とする請求項７記載の力学量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば加速度や角速度などの力学量を検出する力学量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
ビデオカメラの手ぶれ補正装置や車載用のエアバッグ装置、ロボットの姿勢制御装置など広い分野において、様々な力学量センサが用いられている。
【０００３】
力学量センサには、例えば下記の特許文献に開示されているような、物体に作用する加速度や角速度を検出するものがある。
【特許文献１】特開平４−８１６３０号公報
【特許文献２】特開平７−４３２２６号公報
【特許文献３】特開平１１−１０１６９７号公報  特許文献１および特許文献２には、可撓部に支持された錘部に作用する加速度を、可撓部の機械的変形を検出することにより測定するセンサが開示されている。
【０００４】
詳しくは、可撓部の機械的変形を検出するため、特許文献１では可撓部上の所定の向きに形成された抵抗素子の電気抵抗の変化を、特許文献２では可撓部に形成された圧電素子の圧電効果による電圧（電荷）の変化を用いる手段が開示されている。
【０００５】
特許文献３には、可撓部によって支持された可動部の傾きを検出することにより可動部に作用する加速度を測定する装置が開示されている。
【０００６】
詳しくは、ｘ軸およびｙ軸の２方向にそれぞれ設けられた２組の対向電極間の静電容量差に基づいて、可動部の傾きを算出する。
【０００７】
なお、可動部の傾きの算出は、対向電極間の静電容量をＣ／Ｖ変換回路を用いて電気信号（電圧信号）に変換した値に基づいて行われる。
【０００８】
また、特許文献３には、可動部をｚ軸方向に所定の周波数で振動させるための駆動用の電極を設け、可動部に作用する角速度を測定する装置も開示されている。
【０００９】
詳しくは、可動部をｚ軸方向に振動させた状態で、ｘ軸あるいはｙ軸周りに角速度が働くと、コリオリ力が発生する。このコリオリ力の作用による可動部の傾きを、対向電極間の静電容量差に基づいて算出することにより、角速度を測定することができる。
【００１０】
上述したような、錘部（可動部）の姿勢変化に基づいて加速度や角速度を検出する力学量センサでは、錘部（可動部）の姿勢変化を電気信号として検出するセンサ部（検出素子）と、検出された電気信号を処理する信号処理部（検出手段）と、がそれぞれ独立して形成されている。そして、センサ部における検出信号が信号処理部に入力されるように配線されている。
【００１１】
力学量センサは、電波雑音等の外乱ノイズの影響を受けると、検出精度が低下するおそれがある。特に、信号処理部における処理前の信号、即ちセンサ部における検出信号が外来ノイズを受けるような場合には、その影響がセンサ出力に顕著に現れてしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来の力学量センサでは、信号処理部がフレームの外部に設けられているため、センサ部と信号処理部の接続線は、センサ部における検出信号を外部の信号処理部へ引き出すように配線されている。
【００１３】
信号処理部（検出手段）における処理前の信号を引き出す接続線は、その配線長が長くなると寄生容量が増えノイズの影響を受けやすくなる。そのため、センサ部（検出素子）と信号処理部（検出手段）が互いに離れた位置に配設された場合、センサの検出精度が低下するおそれがある。
【００１４】
そこで本発明は、検出手段へ入力される信号が受けるノイズの影響を低下させることにより検出精度の向上を図る力学量センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１記載の発明は、フレームと、前記フレームに固定された可撓部と、前記可撓部で支持され、外力の作用により姿勢が変化する錘部と、からなる可動部と、少なくとも一部が前記可動部に設けられた検出素子と、前記可動部に設けられ、前記検出素子の回路定数の変化に基づいて、前記錘部の姿勢変化を検出する検出手段と、前記検出手段で検出された前記錘部の姿勢の変化を力学量に変換する変換手段と、を備えることにより前記目的を達成する。
【００１６】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記検出手段は、前記錘部に形成されている。
【００１７】
請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２記載の発明において、前記検出素子は、前記可撓部に設けられた圧電抵抗素子からなる。
【００１８】
請求項４記載の発明は、請求項１または請求項２記載の発明において、前記検出素子は、一方の電極が前記可動部に設けられた静電容量素子からなる。
【００１９】
請求項５記載の発明は、請求項１または請求項２記載の発明において、前記検出素子は、前記可撓部に設けられた圧電素子からなる。
【００２０】
請求項６記載の発明は、請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の発明において、前記錘部は、前記検出手段が形成された半導体チップからなる。
【００２１】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の発明において、前記半導体チップおよび前記可撓部は、互いに対になる固定パッドを備え、前記固定パッドを介してフリップチップボンディングまたはワイヤーボンディングにより接合されている。
【００２２】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の発明において、前記固定パッドは、前記錘部の重量バランスを保持するように重量配分された部位に設けられている。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１記載の発明によれば、検出手段を可動部に設けることにより、検出素子と検出手段とを接続する配線の短く構成することができる。これにより、接続配線を介して受ける外来ノイズが低減するため、センサ精度の向上を図ることができる。
【００２４】
請求項２記載の発明によれば、錘部に検出手段を形成することにより、センサの小型化を容易に図ることができる。
【００２５】
請求項３、請求項４または請求項５記載の発明によれば、検出素子を圧電抵抗素子、または静電容量素子、圧電素子で構成することにより、汎用性の高い安価な構成を用いて錘部の姿勢変化を検出することができる。
【００２６】
請求項６記載の発明によれば、錘部を検出手段が形成された半導体チップで構成することにより、センサの小型化を図った場合であっても、可動部の重量を確保することができるため、センサ感度の低下を抑制することができる。
【００２７】
請求項７記載の発明によれば、半導体チップおよび可撓部に固定パッドを設け、固定パッドを介してフリップチップボンディングまたはワイヤーボンディングによる接合をおこなうことにより、半導体チップおよび可撓部を電気的に適切に接合することができる。
【００２８】
請求項８記載の発明によれば、固定パッドを錘部の重量バランスを保持するように重量配分された部位に設けることにより、重量バランスを適切に保つことができ、クロストークによる不具合の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図１〜図４を参照して詳細に説明する。
（１）実施形態の概要
物体に働く加速度や角速度などの力学量を、可撓部材で支持された錘部（質量体）の姿勢変化に基づいて検出する。
【００３０】
可撓部材は、薄いシリコン基板など容易に変形（撓み・反り・曲がり）が可能な部材により構成される。また、可撓部材は、フレームに固定されており、その中心部に錘部（質量体）が固定されている。
【００３１】
錘部に加速度などの力が作用すると、錘部の姿勢が変化し、これに伴い可撓部材も変形する。
【００３２】
信号処理回路（検出手段）は、この錘部の姿勢変化や可撓部材の変形を、可動部位に設けられた検出素子における回路定数の変化量など特性の変化量に基づいて検出する。検出素子として、圧電抵抗素子や静電容量素子を用いる。
【００３３】
本実施の形態に係る力学量センサでは、検出素子により検出された信号の処理を行う信号処理回路をＩＣチップに形成し、このＩＣチップによって錘部を構成する。
【００３４】
このように、錘部を信号処理回路が形成されたＩＣチップで構成することにより、信号処理回路と検出素子との距離を短くすることができる。
【００３５】
従って、信号処理回路と検出素子間の配線を短く構成することができるため、この配線の寄生インダクタンスや寄生容量（浮遊容量）を小さくすることができる。
【００３６】
そして、寄生インダクタンスや寄生容量（浮遊容量）の低減を図ることにより、センサが受ける外来ノイズの影響を低減させることができるため、結果としてセンサの感度・精度の向上を図ることができる。
【００３７】
また、本実施の形態によれば、信号処理回路をＩＣチップ化して錘部として機能させることにより、可動部および検出素子からなるセンサ構造体の外部に従来設けられていた信号処理回路の形成領域を省くことができ、適切に小型化を図ることができる。
（２）実施形態の詳細
本実施の形態では、力学量センサの例として、加速度センサおよび角速度センサについて説明する。
【００３８】
また、本実施の形態に係る力学量センサは、半導体基板を加工して形成された半導体センサ素子を用いて構成されている。なお、半導体基板の加工は、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）技術を用いて行うことができる。
【００３９】
センサを構成する基板のレイアウト面と直交する方向を上下方向、即ちｚ軸（方向）と定義する。そして、このｚ軸と直交し、かつ互いの軸と直交する軸をｘ軸（方向）およびｙ軸（方向）と定義する。つまり、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸は、それぞれ互いに直交する３軸となる。
（第１の実施形態）
第１の実施形態では、検出素子として圧電抵抗素子を用いた加速度センサについて説明する。
【００４０】
図１は、第１の実施形態に係る加速度センサの概略構成を示した断面図である。
【００４１】
また、図２は、図１に示す加速度センサの可撓基板１０を下部方向から見た平面図である。
【００４２】
図１に示すように、加速度センサは、可撓基板１０、フレーム２０、錘部３０を備えている。
【００４３】
可撓基板１０は、可撓性を有する基板（例えばシリコン基板など）により形成されている。
【００４４】
可撓基板１０には、図２に示すように、錘部３０が配設される部位の周囲４箇所にＬ字型のエッチング処理を施すことにより、梁部１４が形成されている。
【００４５】
梁部１４は、錘部３０の中心から放射方向に（フレーム２０の方向に）十字方向に延びる帯状の可撓性を有する部位である。錘部３０は、４つの梁部１４によって可動な状態に支持されている。
【００４６】
また、梁部１４には、梁部１４自身の変形を検出する検出素子である圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２が所定の向きに形成されている。
【００４７】
なお、可撓基板１０をシリコン基板で構成した場合、これらの圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２は、可撓基板１０にイオン注入等の処理を施すことにより直接作り込むことができる。
【００４８】
フレーム２０は、錘部３０を囲むように周縁部に設けられた中空角柱状の部材からなる固定部であり、加速度センサの枠組みを構成する。
【００４９】
錘部３０は、可撓基板１０の４つの梁部１４を介してフレーム２０に固定された質量体である。錘部３０は、梁部１４の作用により、外部より加わる力により振動させたり、捩れる動きが可能となっている。
【００５０】
錘部３０は、検出素子により検出された検出信号を電気的に処理する信号処理回路が形成されたＩＣチップによって形成されている。
【００５１】
なお、本実施の形態では、錘部３０を構成するＩＣチップと可撓基板１０間、即ち錘部接合部４０は、可撓基板１０上に形成されている複数のＩＣ接続パッド１３とＩＣチップ側に設けられたパッド３１とを、ＦＣＢ（フリップ・チップ・ボンディング）などを用いてハンダ付けすることによって固定されている。
【００５２】
図２に示すように、上述した圧電抵抗Ｒｘ１とＲｘ２、Ｒｙ１とＲｙ２、Ｒｚ１とＲｚ２は、それぞれ対になるように、対置する梁部１４上に設けられている。
【００５３】
加速度センサに加速度が加わると、錘部３０に外力が作用する。これにより、錘部３０を支持する梁部１４に機械的変形が生じる。
【００５４】
梁部１４に機械的変形が生じると、圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２の抵抗値に変化が生じる。
【００５５】
各軸方向における圧電抵抗の抵抗値の変化に基づいて、梁部１４の機械的変形を検出し、この検出結果に基づいて錘部３０に作用する外力、即ち加速度センサに加えられた加速度を測定する。
【００５６】
錘部３０に作用する外力のｘ軸方向成分は、圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２の抵抗値の変化に基づいて算出される。同様に、錘部３０に作用する外力のｙ軸方向成分は、圧電抵抗Ｒｙ１、Ｒｙ２の抵抗値の変化に基づいて算出され、ｚ軸方向成分は、圧電抵抗Ｒｚ１、Ｒｚ２の抵抗値の変化に基づいて算出する。
【００５７】
なお、これら錘部３０に作用する外力の各軸方向の成分は、錘部３０を構成するＩＣチップに形成された信号処理回路内における処理結果として出力される。
【００５８】
ＩＣ接続パッド１３は、それぞれの圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２が配線パターン１１を介して電気的に接続されている。
【００５９】
ＩＣチップ側に設けられたパッド３１と、ＩＣ接続パッド１３とをハンダバンプ等を介して接合することによって、圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２と信号処理回路を電気的に接続することができる。
【００６０】
また、可撓基板１０には、その外縁部近傍に外部取出パッド１２ａ〜ｅが設けられている。
【００６１】
外部取出パッド１２ａ〜ｅも、配線パターン１１を介してＩＣ接続パッド１３と電気的に接続されている。
【００６２】
外部取出パッド１２ａは、圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２からなる検出回路やＩＣチップに形成された信号処理回路の動作電圧を外部から印加するための電源入力端子である。
【００６３】
外部取出パッド１２ｂは、ＩＣチップに形成された信号処理回路内における処理結果として出力される、錘部３０に作用する外力のｘ軸方向の成分、即ち、加速度のｘ軸方向成分の出力端子である。
【００６４】
外部取出パッド１２ｃは、ＩＣチップに形成された信号処理回路内における処理結果として出力される、錘部３０に作用する外力のｙ軸方向の成分、即ち、加速度のｙ軸方向成分の出力端子である。
【００６５】
外部取出パッド１２ｄは、ＩＣチップに形成された信号処理回路内における処理結果として出力される、錘部３０に作用する外力のｚ軸方向の成分、即ち、加速度のｚ軸方向成分の出力端子である。
【００６６】
外部取出パッド１２ｅは、ＩＣチップに形成された信号処理回路内のグランド（ＧＮＤ）電位を引き出すグランド端子である。外部取出パッド１２ｅは、加速度センサのフレームグランド（ＦＧ）と接続されている。
【００６７】
このように構成される３軸加速度センサでは、外部から印加される加速度の作用に対応して変化する錘部３０の姿勢変化を、圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２の抵抗値の変化に基づいて検出する。
【００６８】
そして、検出された抵抗値の変化量に基づいて、ＩＣチップの信号処理回路において、錘部３０の姿勢変化量、即ち変位を各軸方向成分ごとに算出（検出）する処理を行う。
【００６９】
そして、信号処理回路は、算出（検出）された錘部３０の姿勢変化量に基づいて加速度を算出する。
【００７０】
ＩＣチップで処理された結果は、力学量信号（ここでは加速度信号）として外部取出パッド１２ｂ〜ｄから外部に出力される。
【００７１】
なお、本実施の形態では、信号処理回路は検出手段および変換手段として機能する。
【００７２】
第１の実施形態によれば、錘部３０の変位検出手段（検出素子）である圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２の近くに、信号処理回路、即ちＩＣチップを配設することにより、検出素子と信号処理回路とを接続する配線の短縮化を図ることができる。
【００７３】
これにより、検出素子と信号処理回路とを接続する配線を介して受ける外乱ノイズの影響を低減することができるため、センサの感度・精度をより向上させることができる。
【００７４】
また、信号処理回路が形成されたＩＣチップにより錘部３０を構成することにより、錘部３０の形状を大きく変えることなく、加速度センサの小型化を図ることができる。
【００７５】
このように、センサ部において、錘部３０の形状を変えることなく、即ち可動部の重量を軽減することなく構成することができるため、小型化に伴うセンサの感度・精度の低下を生じることがない。
【００７６】
第１の実施形態に係る加速度センサにおいて、可撓基板１０およびフレーム２０は、別々に形成されているが、可撓基板１０をシリコン（Ｓｉ）基板で形成した場合には、可撓基板１０およびフレーム２０を一体形成することが可能である。
【００７７】
可撓基板１０およびフレーム２０を一体形成する場合には、例えば、プラズマによる深いトレンチエッチングを施すＤ−ＲＩＥ（ディープ−リアクティブ・イオン・エッチング）技術を用いる。
【００７８】
Ｄ−ＲＩＥは、ドライエッチングの一種である特定の方向にエッチングが進行する異方性エッチングである。
【００７９】
なお、エッチング処理では、エッチング用のマスク材として、酸化珪素や窒化珪素、レジストが用いられる。
【００８０】
また、Ｄ−ＲＩＥの他、反応性イオンエッチングや誘導結合プラズマエッチングといったドライエッチング処理を用いるようにしてもよい。
【００８１】
第１の実施形態に係る加速度センサでは、可撓基板１０とＩＣチップ（錘部３０）とをＦＣＢを用いたハンダ付けにより固定（接続）されているが、ＩＣチップの固定方法は、これに限定されるものではない。
【００８２】
例えば、Ｗ／Ｂ（ワイヤ／ボンディング）を用いて可撓基板１０とＩＣチップとを電気的に接続するようにしてもよい。但し、Ｗ／Ｂを用いて配線する場合には、予めＩＣチップを可撓基板１０に接着剤等を用いて固定しておく。
【００８３】
また、第１の実施形態に係る加速度センサでは、４つの梁部１４を介して錘部３０を支持するように構成されているが、錘部３０の支持方法はこれに限定されるものではない。
【００８４】
例えば、錘部３０を可動な状態に支持することができる程度に十分な可撓性を有する部材によって可撓基板１０が構成されている場合には、梁部１４を設けないダイアフラム構造を用いるようにしてもよい。
【００８５】
さらに、第１の実施形態に係る加速度センサは、加速度におけるｘ軸、ｙ軸、ｚ軸の３軸成分を検出（測定）することができるように構成されているが、加速度センサはこのような３軸型センサに限定されるものではない。例えば、ｘ軸方向に働く加速度のみを検出する１軸型センサやｘ軸およびｙ軸方向に働く加速度を検出する２軸型センサであってもよい。
【００８６】
第１の実施形態に係る加速度センサには、検出素子である圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２や外部取出パッド１２ａ〜ｅ、信号処理回路などと電気的に接続されていないダミーパッド１３ａ〜ｃが設けられている。
【００８７】
このようなダミーパッド１３ａ〜ｃを設けることにより、ＩＣチップ（錘部３０）の固定強度を向上させることができる。
【００８８】
また、このようなダミーパッド１３ａ〜ｃを設けることにより、パッド（電極）配置を左右対称にすることができ、錘部３０（ＩＣチップ）の重量バランスを適切に保つことができる。
【００８９】
このように、重量バランスを適切に保った状態で錘部３０を支持することにより、ｘ軸ｙ軸の検出時の他軸感度、即ちクロストークによる不具合の発生を抑制することができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明の好適な第２の実施形態として、角速度センサ（ジャイロセンサ）について説明する。
【００９０】
第２の実施形態では、検出素子として静電容量素子を用いた角速度センサについて説明する。
【００９１】
図３は、第２の実施形態に係る角速度センサの概略構成を示した断面図である。
【００９２】
図４（ａ）は、図３に示す角速度センサの可撓基板５０を上部方向（固定電極側）から見た平面図であり、図４（ｂ）は、可撓基板５０を下部方向から見た平面図である。
【００９３】
また、図５は、第２の実施形態に係る角速度センサの固定基板の下部方向からみた平面図である。
【００９４】
図３に示すように、角速度センサは、可撓基板５０、フレーム６０、錘部７０および固定基板８０を備えている。
【００９５】
可撓基板５０は、ＳＵＳ（ステンレス鋼）など金属のばね材からなる芯部５１、この芯部５１の表面を覆うように設けられた絶縁膜５２により形成されている。
【００９６】
なお、可撓基板５０は、十分な可撓性を有する構造であれば、シリコン基板等で構成するようにしてもよい。
【００９７】
フレーム６０は、錘部７０を囲むように周縁部に設けられた中空角柱状の部材からなる固定部であり、角速度センサの枠組みを構成する。
【００９８】
錘部７０は、可撓基板５０の中心部に接着剤などの接合部材５３により固定された質量体である。錘部７０は、可撓基板５０の作用により、外部より加わる力により振動させたり、捩れる動きが可能となっている。
【００９９】
錘部７０は、検出素子により検出された検出信号を電気的に処理する信号処理回路が形成されたＩＣチップによって形成されている。
【０１００】
錘部７０を構成するＩＣチップの表面には、図４（ｂ）に示すように、配線のためのＩＣ電極パッド７１が複数設けられている。
【０１０１】
また、可撓基板５０には、ワイヤパッド５４が複数設けられており、ＩＣ電極パッド７１とワイヤパッド５４とは、Ｗ／Ｂ（ワイヤ／ボンディング）を用いて電気的に接続されている。
【０１０２】
なお、ＩＣ電極パッド７１とワイヤパッド５４とを接続するワイヤ１００は、錘部７０の姿勢が変化した場合に切断しないように、十分に撓みを持たせた状態で配線されている。
【０１０３】
このように、ＩＣ電極パッド７１とワイヤパッド５４とを配線することにより、錘部７０を構成するＩＣチップ、即ち信号処理回路に検出信号を入力したり、信号処理回路から処理された信号を取り出したりすることができる。
【０１０４】
また、可撓基板５０には、その外縁部近傍に外部取出パッド５５ａ〜ｄが設けられている。
【０１０５】
外部取出パッド５５ａ〜ｄも、配線パターン５６を介してワイヤパッド５４と電気的に接続されている。
【０１０６】
外部取出パッド５５ａは、後述する検出素子である静電容量素子Ｃｘ１、Ｃｘ２、Ｃｙ１、Ｃｙ２やＩＣチップに形成された信号処理回路の動作電圧を外部から印加するための電源入力端子である。
【０１０７】
外部取出パッド５５ｂは、ＩＣチップに形成された信号処理回路内のグランド（ＧＮＤ）電位を引き出すグランド端子である。外部取出パッド５５ｂは、角速度センサのフレームグランド（ＦＧ）と接続されている。
【０１０８】
外部取出パッド５５ｃは、ＩＣチップに形成された信号処理回路内における処理結果として出力される、錘部７０に作用する外力のｘ軸方向の成分、即ち、角速度のｘ軸方向成分の出力端子である。
【０１０９】
外部取出パッド５５ｄは、ＩＣチップに形成された信号処理回路内における処理結果として出力される、錘部７０に作用する外力のｙ軸方向の成分、即ち、角速度のｙ軸方向成分の出力端子である。
【０１１０】
第２の実施形態に係る角速度センサには、錘部７０の姿勢状態を検出するための姿勢検出手段が設けられている。
【０１１１】
錘部７０の姿勢状態の検出は、錘部７０を支持する可撓基板５０と、この可撓基板５０にスペーサ９０を介して固定された固定基板８０とに設けられた電極間の静電容量を検出することによって行う。固定基板８０と可撓基板５０との対向面にそれぞれ設けられた固定電極および可動電極によって静電容量素子（コンデンサ）を構成し、このコンデンサの静電容量を検出することにより錘部７０の姿勢状態を検出する。
【０１１２】
なお、錘部７０の姿勢状態を検出するための固定電極および可動電極を検出用電極とする。
【０１１３】
第２の実施形態に係る角速度センサでは、錘部７０の姿勢検出をｘ軸方向およびｙ軸方向の傾き状態を検出することによって行う。即ち、錘部７０の姿勢検出は、２軸方向の傾き成分をそれぞれ検出することによって行う。
【０１１４】
図４（ａ）に示すように、錘部７０の中心軸を基準として、ｘ軸方向成分をＸ１およびＸ２における部位の錘部７０の姿勢状態（傾き状態）から検出する。同様に、ｙ軸方向成分をＹ１およびＹ２における部位の錘部７０の姿勢状態（傾き状態）から検出する。
【０１１５】
詳しくは、図４（ａ）に示すように、可撓基板５０の固定基板８０と対向する面上に４つの検出用可動電極５９ａ〜５９ｄを設ける。
【０１１６】
また、図３に示すように、固定基板８０の可撓基板５０と対向する面上に、固定電極８９を設ける。固定電極８９は、検出用可動電極５９ａ〜５９ｄと対置する位置に設けられている。
【０１１７】
固定電極８９は、検出用可動電極５９ａ〜５９ｄ、および後述する駆動用可動電極５８に対しての共通電極となっており、通常はグランドに接続される。なお、検出用可動電極５９ａ〜５９ｄ、および駆動用可動電極５８に対して個別に固定電極を設けるようにしてよい。この場合、各固定電極と信号処理回路（ＩＣチップ）とを接続するための配線が必要となる。従って、共通電極とすることにより回路構成を簡単にすることができる。
【０１１８】
そして、固定電極８９と検出用可動電極５９ａによって検出用静電容量素子Ｃｘ１を構成する。同様に、固定電極８９と検出用可動電極５９ｄによって検出用静電容量素子Ｃｙ１を構成し、固定電極８９と検出用可動電極５９ｃによって検出用静電容量素子Ｃｘ２を構成し、固定電極８９と検出用可動電極５９ｂによって検出用静電容量素子Ｃｙ２を構成する。
【０１１９】
検出用静電容量素子Ｃｘ１、Ｃｘ２の静電容量に基づいて錘部７０の姿勢状態のｘ軸方向成分を検出し、検出用静電容量素子Ｃｙ１、Ｃｙ２の静電容量に基づいて錘部７０の姿勢状態のｙ軸方向成分を検出する。
【０１２０】
第２の実施形態では、固定電極８９は、検出用可動電極５９ａ〜５９ｄ全面と対向するように形成されている。
【０１２１】
図４（ａ）に示すように、それぞれの検出用可動電極５９ａ〜５９ｄの形状は、台形であり、それぞれの電極の並行をなす辺の短い方が、可撓基板５０（錘部７０の実装位置）の中心方向に向くように、後述する駆動用可動電極５８を取り囲んで９０°ごとに配置されている。
【０１２２】
同一平面上の対向する電極同士、即ち中央を挟んで反対側に位置する電極同士が対となり、錘部７０の姿勢状態の各軸方向成分を検出する。
【０１２３】
検出用可動電極５９ａ〜５９ｄは、ビアホール６１および配線パターン５６を介して、可撓基板５０の反対側に実装された錘部７０を形成するＩＣチップと電気的に接続されている。また、固定基板上の固定電極パッド８１と可撓基板５０上の固定電極取り出しパッド５７をＷ／Ｂにより接続することで、固定電極８９とＩＣチップ（信号処理回路）は、電気的に接続される。
【０１２４】
そして、これらの引出配線を介して、各種信号が電極に印加されるように構成されている。
【０１２５】
なお、電極間の静電容量は、静電容量／電圧変換（Ｃ／Ｖ変換）回路を用いて電気的に検出することができる。
【０１２６】
Ｃ／Ｖ変換回路として、例えば、十分周波数の高いキャリア信号（参照信号）を静電容量素子に印加し、その出力信号の振幅の変化量を静電容量として検出する方法がある。
【０１２７】
静電容量素子に印加されたキャリア信号の出力は、その振幅が静電容量に比例する。そのため、入力キャリア信号と出力キャリア信号の振幅を比較することによって、静電容量を検出することができるようになっている。
【０１２８】
第２の実施形態に係る角速度センサでは、前述した検出用静電容量素子Ｃｘ１、Ｃｘ２、Ｃｙ１、Ｃｙ２の電極にキャリア信号として、周波数帯域が数百ｋＨｚ〜数ＭＨｚである交流信号が印加されている。
【０１２９】
また、第２の実施形態に係る角速度センサにおいては、検出用静電容量素子Ｃｘ１、Ｃｘ２、Ｃｙ１、Ｃｙ２の素子ごとに静電容量を検出するためのＣ／Ｖ変換回路が設けられている。
【０１３０】
第２の実施形態に係る角速度センサは、錘部７０を上下方向（ｚ軸方向）に振動させ、振動運動をしている錘部７０にコリオリ力を生じさせることによって、錘部７０の周りに加わる角速度を検出する方式を用いている。
【０１３１】
そこで、第２の実施形態に係る角速度センサは、錘部７０を上下振動させる駆動手段を備えている。
【０１３２】
錘部７０の振動駆動は、図４（ａ）に示すように、可撓基板５０の中心（錘部７０の実装位置の中心）に設けられた駆動用可動電極５８と、固定基板８０上の駆動用可動電極５８と対置して設けられた固定電極８９との間に駆動用の制御信号を印加することによって行う。この駆動用の制御信号は、例えば、錘部７０と可撓基板５０から構成される可撓部の共振周波数（数ｋＨｚ程度）の交流信号とする。
【０１３３】
固定電極８９および駆動用可動電極５８との間、即ち駆動用電極間に制御信号が印加されると、電極間に静電力（静電気力）が作用する。この静電力の作用によって錘部７０を振動させる。静電力とは、電荷によって生じる吸引力や反発力を示す。電極間に印加する駆動用の制御信号を変化させることによって、電極間に作用させる静電力を調整できる。
【０１３４】
駆動用可動電極５８は、ビアホール６１および配線パターン５６を介して、可撓基板５０の反対側に実装された錘部７０を形成するＩＣチップと電気的に接続されている。
【０１３５】
そして、これらの引出配線を介して、駆動用の制御信号が電極に印加されるように構成されている。
【０１３６】
また、可撓基板５０と固定基板８０との配置間隔、即ち、各固定電極と可動電極間の距離は、スペーサ９０の高さを調節することにより任意に変更することができる。
【０１３７】
次に、このような構成を有する角速度センサにおける角速度の検出動作について説明する。
【０１３８】
角速度センサは、駆動用可動電極５８と固定電極８９との間に交流電圧を印加し、電極間に働く静電力により錘部７０を上下（ｚ軸方向）に振動させる。
【０１３９】
錘部７０を振動させるために印加する交流電圧の周波数、即ち錘部７０の振動周波数は、錘部７０が共振振動する３ｋＨｚ程度の共振周波数ｆに設定されている。
【０１４０】
このように、錘部７０を共振周波数ｆで振動させることにより、錘部７０の大きな変位量を得ることができる。
【０１４１】
速度ｖで振動している質量ｍの錘部７０の周りに角速度Ωが加わると、錘部７０の中心には、“Ｆ＝２ｍｖΩ”のコリオリ力Ｆが、錘部７０の運動方向に対して直交する方向に発生する。
【０１４２】
このコリオリ力Ｆが発生すると、錘部７０にねじれが加わり錘部７０の姿勢が変化する。即ち、錘部７０の振動の運動方向と直交する面に対して、錘部７０が傾く。この錘部７０の姿勢の変化（傾き、ねじれ量）を検出することによって、作用する角速度の向きや大きさを検出するようになっている。
【０１４３】
錘部７０の姿勢の変化は、検出素子である静電容量素子Ｃｘ１、Ｃｘ２、Ｃｙ１、Ｃｙ２の静電容量の変化を検出することによって行う。
【０１４４】
つまり、固定電極と可動電極との距離の変化を検出することによって錘部７０の姿勢の変化を検出する。
【０１４５】
なお、電極間の静電容量は、静電容量／電圧変換（Ｃ／Ｖ変換）回路を用いて電気的に検出することができる。このＣ／Ｖ変換回路は、信号処理回路の１つであり、錘部７０を構成するＩＣチップ内に設けられている。
【０１４６】
検出された錘部７０の姿勢の変化（傾斜方向、傾斜度合い等）に基づいて発生したコリオリ力Ｆを検出する。
【０１４７】
そして、検出されたコリオリ力Ｆに基づいて、角速度Ωを算出（導出）する。つまり、錘部７０の姿勢の変化量を角速度に変換する。
【０１４８】
第２の実施形態に係る角速度センサでは、ＩＣ電極パッド７１とワイヤパッド５４とをＷ／Ｂ（ワイヤ／ボンディング）を用いて電気的に接続するように構成されているが、ＩＣチップの固定（接続）方法は、これに限定されるものではない。
【０１４９】
例えば、第１の実施形態で用いられているＦＣＢによるハンダ付け処理によって、ＩＣチップを可撓基板５０に固定（接続）するようにしてもよい。
【０１５０】
ＦＣＢによるハンダ付け処理によりＩＣチップと可撓基板５０とを電気的に接続した場合、Ｗ／Ｂを用いた場合よりも短い配線による接続が可能となり、検出素子と信号処理回路とを接続する配線を介して受ける外乱ノイズの影響をさらに低減することができる。
【０１５１】
また、ＦＣＢによるハンダ付け処理を用いた場合には、ＩＣチップ上のパッドと可撓基板５０上のパッドとを直接（ダイレクト）に接合させることができるため、Ｗ／Ｂを用いた場合よりもセンサ構造を小型にすることができる。
【０１５２】
なお、ＦＣＢでは、Ａｕ（金）バンプやハンダバンプなどが用いられる。その形成方法は様々であるが、Ａｕバンプの場合、スタッドバンプタイプ（Ａｕ線材をボール状にしてその先端部を切断）とメッキバンプタイプ（電解、無電解メッキにより形成）がある。接合の種類としては、例えば、Ａｕ−Ｓｎ（金−錫）、Ａｕ−Ａｕ（金−金）、ＡＣＦ（異方性導電接続用フィルム／導電粒子有り）、ＮＣＰ（異方性導電接続用ペースト／導電粒子無し）、Ａｇ（銀）ペースト、ハンダ等がある。
【０１５３】
一方、ＩＣチップと可撓基板５０との接続にＷ／Ｂを用いた場合、熱応力の影響を抑制することができるため、可撓基板５０の反りや歪みなどの変形を防止することができる。
【０１５４】
第２の実施形態によれば、錘部７０の変位検出手段（検出素子）である静電容量素子Ｃｘ１、Ｃｘ２、Ｃｙ１、Ｃｙ２の近くに、信号処理回路、即ちＩＣチップを配設することにより、検出素子と信号処理回路とを接続する配線の短縮化を図ることができる。
【０１５５】
これにより、検出素子と信号処理回路とを接続する配線を介して受ける外乱ノイズの影響を低減することができるため、センサの感度・精度をより向上させることができる。
【０１５６】
また、信号処理回路が形成されたＩＣチップにより錘部７０を構成することにより、錘部７０の形状を大きく変えることなく、角速度センサの小型化を図ることができる。
【０１５７】
このように、センサ部において、錘部７０の形状を変えることなく、即ち可動部の重量を軽減することなく構成することができるため、小型化に伴うセンサの感度・精度の低下を生じることがない。
【０１５８】
第１の実施形態に係る加速度センサにおいても、第２の実施形態に係る角速度センサと同様に錘部３０をｚ軸方向に振動させる駆動手段を設け、角速度センサとして機能させるように構成してもよい。
【０１５９】
駆動手段により錘部３０をｚ軸方向に振動させ、振動方向と直交する面に対する錘部３０の傾きを可撓基板１０の変形量に基づいて検出するように構成する。
【０１６０】
詳しくは、可撓基板１０に設けられた圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２における抵抗値の変化に基づいて、錘部３０に作用するコリオリ力を検出する。そして、検出されたコリオリ力に基づいて、角速度を算出（導出）する。つまり、錘部３０の姿勢の変化量を角速度に変換する。
【０１６１】
第１の形態に係る加速度センサにおいても、第２の実施形態に係る角速度センサと同様の検出素子を用いて構成してもよい。
【０１６２】
詳しくは、可撓基板１０に所定のギャップ（隙間）を介して検出用固定電極が設けられた固定基板を設け、さらに、圧電抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｚ１、Ｒｚ２を設ける替わりに、可撓基板１０に検出用可動電極を設ける。そして、検出用固定電極と検出用可動電極間の静電容量の変化量に基づいて、錘部３０の姿勢変化を検出するようにする。
【０１６３】
上述した第１および第２の実施形態では、信号処理回路をＩＣチップに形成し、このＩＣチップを錘部として機能させるように構成されているが、信号処理回路の可動部への形成（組み込み）方法は、これに限定されるものではない。例えば、信号処理回路を可撓基板上に直接形成するようにしてもよい。
【０１６４】
このように、可撓基板上に信号処理回路を形成した場合も、センサの固定部位に信号処理回路を形成した場合よりも、検出素子と信号処理回路との接続配線を短く形成することができる。そのため、より外来ノイズに対する耐性を向上させることができる。
【０１６５】
また、上述した第１および第２の実施形態のように、信号処理回路をＩＣチップ化してしまうことにより、半導体プロセス、即ち、力学量センサの製造工程の煩雑化（複雑化）を抑制することができ、製造コストの削減を図ることができる。
（第３の実施形態）
次に、本発明の好適な第３の実施形態として、圧電素子を検出素子として用いた加速度センサについて説明する。
【０１６６】
図６は、第３の実施形態に係る加速度センサの概略構成を示した断面図である。
【０１６７】
図７（ａ）は、図６に示す加速度センサの可撓基板１１０を下部方向から見た平面図であり、図７（ｂ）は、可撓基板１１０を上部方向から見た平面図である。
【０１６８】
図６に示すように、加速度センサは、可撓基板１１０、フレーム１２０、錘部１３０を備えている。
【０１６９】
可撓基板１１０は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）やチタン酸バリウムなどの圧電性材料からなり、十分な可撓性を有するよう形成されている。
【０１７０】
なお、可撓基板１１０は、本実施の形態において、単純な平板形状、所謂ダイアフラム形状であるが、第１の実施形態のように、梁形状としてもよい。
【０１７１】
フレーム１２０は、錘部１３０を囲むように周縁部に設けられた中空角柱状の部材からなる固定部であり、加速度センサの枠組みを構成する。このフレーム１２０は、可撓基板１１０と別体で形成し、接合してもよいが、可撓基板１１０と一体形成することも可能である。
【０１７２】
錘部１３０は、可撓基板１１０を介してフレーム１２０に固定された質量体である。錘部１３０は、可撓基板１１０の作用により、外部より加わる力により振動させたり、捩れる動きが可能となっている。
【０１７３】
また、錘部１３０は、検出素子により検出された検出信号を電気的に処理する信号処理  回路が形成されたＩＣチップから形成されている。
本実施の形態では、錘部１３０を構成するＩＣチップと可撓基板１１０間、即ち錘部接合部１４０は、可撓基板１１０上に形成されている複数のＩＣ接続パッド１１３とＩＣチップ側に設けられたパッド１３１とを、ＦＣＢ（フリップ・チップ・ボンディング）などを用いてハンダ付けすることによって固定することが可能である。しかしこの場合、高熱による可撓基板１１０の圧電性能の劣化（あるいは破壊）を防止するため、低融点ハンダを使用する方が望ましい。あるいは、接合に導電性接着剤（Ａｇペーストなど）を用いてもよい。
【０１７４】
なお、ＩＣチップには、第１の実施の形態と同様に、電気的に導通させるパッド１１３以外にも、錘部１３０の重量バランスを保持するためのダミーパッド１１３ａ、１１３ｂも設けられている。
【０１７５】
図７(a)に示すように、可撓基板１１０の下面には、フレーム１２０と錘部１３０の間、即ち錘部１３０が外力により姿勢が変化した際に変形する（撓む）部分に下面検出電極１１４ａ〜ｄが形成され、配線パターン１１１によりＩＣ接続パッド１１３に接続されている。さらに、可撓基板１１０の上面には、下面の検出電極１１４ａ〜ｄと対向する位置にそれぞれ、上面検出電極１１５ａ〜ｄが形成されている。なお、これらの上面検出電極１１５ａ〜ｄは、配線パターン１１８によりすべて共通電位となるよう接続されている。また、配線１１８とＩＣチップとの電気的な接続は、ビアホール１１７を形成した下面パッド１１２ａと上面パッド１１６を介して行われる。
【０１７６】
その他、可撓基板１１０の下面には、第１の実施形態と同様に、外部との電源接続や、加速度信号の取り出しのための外部取出パッド１１２も形成されている。
【０１７７】
可撓基板１１０の下面検出電極１１４ａと上面検出電極１１５ａで挟まれた領域は、圧電素子Ｐｘ１として機能する。同様に下面検出電極１１４ｂと上面検出電極１１５ｂから圧電素子Ｐｘ２、下面検出電極１１４ｃと上面検出電極１１５ｃから圧電素子Ｐｙ１、下面検出電極１１４ｄと上面検出電極１１５ｄから圧電素子Ｐｙ２、がそれぞれ形成される。圧電素子Ｐｘ１とＰｘ２は、錘部１３０を挟んだｘ軸方向に配置され、同様にｙ軸には圧電素子Ｐｙ１とＰｙ２が配置されている。OLE_LINK1
OLE_LINK1これらの圧電素子は、圧電効果と呼ばれる機能により、その素子に作用する応力（あるいは変形量）を、電極間の電圧（あるいは電荷）出力として検出することが可能である。
【０１７８】
本実施の形態では、例えば加速度によって発生した外力の作用により錘部１３０がｘ軸方向に対して傾斜した場合、可撓基板１１０が変形し、圧電素子Ｐｘ１とＰｘ２には逆向きの応力が作用する。この際、ｘ軸方向に圧電効果が得られるように予め分極しておくと、それぞれの圧電素子から発生した電圧は、逆方向に変化するため、その差を検出することで、作用したｘ軸方向の加速度を検出することが可能となる。また、同様に圧電素子Ｐｙ１とＰｙ２からｙ軸方向の加速度を検出可能である。
【０１７９】
また、ｚ軸方向に加速度が作用した場合には、錘部１３０は垂直方向に水平状態を保ったまま変位することになるが、この場合は、圧電素子Ｐｘ１、Ｐｘ２、Ｐｙ１、Ｐｙ２は、同じ方向に伸長（あるいは圧縮）することになる。この場合電圧の差を取るのではなく、加算することで、ｚ軸方向の加速度を検出することが可能となる。つまり、ｘ軸、ｙ軸方向に配置した圧電素子を用いて、ｚ方向の加速度も検出することができる。
ただし、第１の実施形態と同様に、ｚ軸方向の加速度を検出するための、圧電素子（電極対）を形成することも可能である。
【０１８０】
なお、第３の実施形態で示した、圧電素子の構成はこれに限定されるものではない。例えば、圧電素子をより面積を大きくする、あるいは軸あたりの個数を増やすことでさらに感度を向上できる。あるいは、可撓基板１１０として圧電材料を用いるのではなく、第３の実施形態で示した位置に、別体の圧電素子を形成（あるいは固着）してもよい。
【０１８１】
また、駆動する機構を設けることで、角速度センサとしての構成可能である。
詳しくは、可撓基板１１０の上面に駆動用電極を設けるとともに、その対向する面（可撓基板の上側）に、第２の実施形態と同様に固定電極を設けることで、静電力による駆動が可能となる。
あるいは、圧電素子は電圧を印加することで伸縮させることが可能となるため（逆圧電効果）、例えば圧電素子Ｐｘ１、Ｐｘ２、Ｐｙ１、Ｐｙ２それぞれに同じ電位を印加することで、ｚ軸方向に駆動することも可能となる。その場合、別途検出用の圧電素子を設けれる必要がある。
【０１８２】
上述のように、第３の実施形態では圧電素子を用いたが、第１の実施形態のように圧電抵抗を用いる場合には、その形成に大規模な装置が必要であるのに対して、第３の実施形態では、圧電基板上に電極を配置するだけでよく、設備投資を低減できる。また、第２の実施形態に対しては、一般的に静電容量検出より、圧電素子の方が高い検出感度を得られる場合が多く、その点で有利となる。
【図面の簡単な説明】
【０１８３】
【図１】第１の実施形態に係る加速度センサの概略構成を示した断面図である。
【図２】加速度センサの可撓基板を下部方向から見た平面図である。
【図３】第２の実施形態に係る角速度センサの概略構成を示した断面図である。
【図４】（ａ）は角速度センサの可撓基板を上部方向から見た平面図であり、（ｂ）は可撓基板を下部方向から見た平面図である。
【図５】第２の実施形態に係る角速度センサの固定基板の下部方向からみた平面図である。
【図６】第３の実施形態に係る加速度センサの概略構成を示した断面図である。
【図７】（ａ）は加速度センサの可撓基板を下部方向から見た平面図であり、（ｂ）は可撓基板を上部方向から見た平面図である。
【符号の説明】
【０１８４】
１０  可撓基板
１１  配線パターン
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ  外部取出パッド
１３  ＩＣ接続パッド
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ  ダミーパッド
１４  梁部
２０  フレーム
３０  錘部
３１  パッド
４０  錘部接合部
５０  可撓基板
５１  芯部
５２  絶縁膜
５３  接合部材
５４  ワイヤパッド
５５ａ、５５ｂ、５５ｃ、５５ｄ  外部取出パッド
５６  配線パターン
５７  固定電極取り出しパッド５７
５８  駆動用可動電極
５９ａ、５９ｂ、５９ｃ、５９ｄ  検出用可動電極
６０  フレーム
６１  ビアホール
７０  錘部
７１  電極パッド
８０  固定基板
８１  固定電極パッド
８８  駆動用固定電極
８９  固定電極
９０  スペーサ
１００  ワイヤ
１１０  可撓基板
１１１  配線パターン
１１２  外部取出パッド
１１２ａ  下面取出パッド
１１３  ＩＣ接続パッド
１１３ａ、１１３ｂ  ダミーパッド
１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ  下面検出電極
１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ  上面検出電極
１１６  上面取出パッド
１１７  ビアホール
１１８  配線パターン
１２０  フレーム
１３０  錘部
１３１  パッド
１４０  錘部接合部
Ｒｘ１、Ｒｘ２  圧電抵抗
Ｒｙ１、Ｒｙ２  圧電抵抗
Ｒｚ１、Ｒｚ２  圧電抵抗
【図１】
2007101531.tif 000003
【図２】
2007101531.tif 000004
【図３】
2007101531.tif 000005
【図４】
2007101531.tif 000006
【図５】
2007101531.tif 000007
【図６】
2007101531.tif 000008
【図７】
2007101531.tif 000009