(57)【要約】【課題】露光マスクパターンに忠実なパターンが設けられた基板の加工方法を提供する。【解決手段】基板の上にフォトレジストを設け、該フォトレジストにパターンを有するマスクを用いて露光し、現像し、エッチング処理することで、前記基板に前記マスクに基づいたパターンを加工する基板の加工方法において、前記露光する光が透過する前記基板の上に、前記露光する光を反射する反射膜を設ける反射膜形成工程と、前記反射膜の上に前記フォトレジストを設けるフォトレジスト形成工程と、前記フォトレジストに前記パターンを有するマスクを用いて露光し、現像してフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターンに基づいて前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工する基板エッチング工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上にフォトレジストを設け、該フォトレジストにパターンを有するマスクを用いて露光し、現像し、エッチング処理することで、前記基板に前記マスクに基づいたパターンを加工する基板の加工方法において、
前記露光する光が透過する前記基板の上に、前記露光する光を反射する反射膜を設ける反射膜形成工程と、
前記反射膜の上に前記フォトレジストを設けるフォトレジスト形成工程と、
前記フォトレジストに前記パターンを有するマスクを用いて露光し、現像してフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、
前記フォトレジストパターンに基づいて前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工する基板エッチング工程と、を含むことを特徴とする基板の加工方法。
【請求項２】
前記基板エッチング工程において、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工することを特徴とする請求項１に記載の基板の加工方法。
【請求項３】
前記基板エッチング工程において、前記フォトレジストパターンに基づいてリフトオフ法により形成したパターンをエッチングマスクとして前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工することを特徴とする請求項１に記載の基板の加工方法。
【請求項４】
前記反射膜は、金属膜であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インクジェット記録方法での画質の高精細化の進展および工業用途における適用範囲の拡大に伴い、微細パターン形成および高粘度のインク吐出の要請がますます強まっている。これらの課題を従来のインクジェット記録方法で解決しようとすると、ノズルの微小化や高粘度のインク吐出による液吐出力の向上を図る必要が生じ、それに伴ってインクの吐出のための駆動電圧が高くなり、ヘッドや装置のコストが非常に高価になってしまうため、実用に適う装置は実現されていない。
【０００３】
上記要請に応え、微小化されたノズルから低粘度のみならず高粘度の液滴を吐出させる技術として、ノズル内の液体を帯電させ、ノズルと液滴の着弾を受ける対象物となる各種の基材との間に形成される電界から受ける静電吸引力により吐出させるいわゆる静電吸引方式の液滴吐出技術が知られている（特許文献１参照）。
【０００４】
この液滴吐出技術と、ピエゾ素子の変形や液体内部での気泡の発生による圧力を利用して液滴を吐出する技術とを組み合わせることで効率よく液滴を吐出する、いわゆる電界アシスト法を用いた液滴吐出装置の開発が進んでいる（例えば、特許文献２〜５参照）。
【０００５】
電界アシスト法は、メニスカス形成手段と静電吸引力を用いてノズルの吐出孔に液体のメニスカスを隆起させることにより、メニスカスに対する静電吸引力を高め、液表面張力に打ち勝ってメニスカスを液滴化し吐出する方法である。
【０００６】
電界アシスト法で用いられるノズル部は、インクの吐出口の形状を凸状として絶縁性の板に設けてあり、静電吸引型インクジェット記録ヘッドでは、この形状とすることによって、電界の集中がよくなり、低電圧でのインクの吐出を可能とすることができる（特許文献４参照）。
【０００７】
発明者らにより、インクの吐出口がノズル面から突出していないか、インクの吐出口が凸状に突出していてもその突出の程度が小さい（３０μｍ以下）フラットな吐出面を有するヘッドとして構成し、電界アシスト法を用いた液滴吐出に関する精力的な実験・検討の結果、液滴を吐出するノズルから液滴を安定に吐出させるためにはメニスカス先端部の電界強度が１．５×１０7Ｖ／ｍ以上であることが必要であることが得られ、そのためには、ノズル穴を有するノズルプレートの体積抵抗率は１０15Ω・ｍ以上であることが好ましいことが分かった。上記の高い体積抵抗率を有する材料として、高抵抗ガラスである石英がある。
【０００８】
一方、更なる高解像度化と高画質化が求められていることから、インクヘッド部材の熱、湿度、更には外的負荷による変形が問題となっている。又、高画質化のために種々の成分のインクが開発されているが、熱、湿度、変形に耐性があると考えられる金属材料と化学反応を起こすことが考えられ、インクヘッドに金属材料の使用は好ましくない状況にある。
【０００９】
そこで、熱や湿度変化による変形が少なく、高強度でインクとの反応性の悪い材料としてガラスが注目されている。ガラス製ノズルプレートの製造方法に関して、ノズル穴が連続して形成されたノズルプレートの製造方法であって、加熱軟化したガラス素材の金型によるプレス成形によってガラス製ノズルプレートを得る方法がある（特許文献６）。
【特許文献１】国際公開第０３／０７０３８１号パンフレット
【特許文献２】特開平５−１０４７２５号公報
【特許文献３】特開平５−２７８２１２号公報
【特許文献４】特開平６−１３４９９２号公報
【特許文献５】特開２００３−５３９７７号公報
【特許文献６】特開２００２−２０５３８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献６に記載のガラス製ノズルプレートを得る方法は、例えば、直径３０μｍ、長さ０．２ｍｍ程度の微細突起をピッチ７０μｍで２４個を有する上型と、この微細突起に嵌合することで粘度を１０9.5Ｐａ・ｓとする温度（６２０℃）に加熱したガラス素材に穴を設けるための微細穴を有する下型とを用いているが、上型及び下型は微細形状を有することで製造が容易でなく、それぞれの型の使用に際しては微細突起の欠損、微細穴の目詰まりが懸念され、またガラス素材の粘度を加熱等により微細形状がプレス成形にて十分に形成することができるように精密に制御する必要があると考えられる。従って、容易にガラス製ノズルプレートを得ることは、困難であると予想される。また、ガラス素材を石英とする場合、石英の軟化点が約１６００℃であることから、粘度にもよるが、プレス成形するためには１０００℃以上の高温とする必要があると考えられ高価な成形装置が必要になる。
【００１１】
一方、微細加工方法として半導体プロセスとして確立されているフォトリソグラフィ−処理及びエッチング処理により石英等のガラスを加工する方法がある。図３に示す様に、ガラス基板３０にフォトレジスト３２を塗布し（図３（ａ））、ガラス基板３０に設けるパターンを有するフォトマスク３４を用いて露光（図３（ｂ））・現像する、いわゆるフォトリソグラフィ−処理を行うことで、フォトレジストパターン３２ａを得る（図３（ｃ））。このフォトレジストパターン３２ａをマスクとしてエッチング処理、例えば、ドライエッチング処理を行うことでマスクパターンが転写されたガラス基板３０ａを得ることができる（図３（ｄ））。
【００１２】
フォトリソグラフィ−の露光で用いられる光は、マスクパターンをできるだけ忠実にフォトレジストに対して露光できるようにフォトレジスト面にほぼ垂直に入射するようにされている。しかしながら、フォトレジストに入射する光を露光面の全面において完全に垂直入射させ、また、基板が露光される光を透過することから生じる反射面となる基板の裏面の状態を理想的な平面で且つ散乱を生じない鏡面とすることは容易でない。
【００１３】
従って、フォトレジスト３２に入射する光Ａは、フォトレジスト３２の状態を含めて多少の傾きを持って入射し、基板３０の裏面に達した光は、裏面への入射角及び面の状態による散乱等に依存した反射光となって本来フォトマスク３４により遮光されて露光しない部分のフォトレジスト３２へ戻る、回り込み露光が生じることになる。
【００１４】
回り込み露光に関して具体的に以下に説明する。図３（ｂ）で示すフォトマスク３４が有するパターンをフォトレジスト３２に露光する際、基板３０が透明であるため、フォトレジスト３２を露光する光が基板３０を透過して、基板３０の裏面で反射された光がフォトレジスト３２まで戻りフォトマスク３４で遮光されている部分のフォトレジスト３２が感光してしまう、回り込み露光が生じる。こうした露光が行われて現像を行うと、例えば図３（ｃ）で示すようにフォトマスク３４のパターンより大きな開口となるといった、フォトマスク３４が有するパターンが忠実にフォトレジストパターン３２ａとして転写されなくなり、この結果フォトレジストパターン３２ａをマスクとして基板３０に加工されたパターンは、フォトマスク３４が有するパターンと異なったパターンになってしまうという問題がある。
【００１５】
また、リフトオフを利用した場合、上記と反転したパターンを基板に転写することができる。この場合、図４に示す様に、ガラス基板４０にフォトレジスト４２を塗布し（図４（ａ））、ガラス基板４０に設けるパターンを有するフォトマスク４４を用いて露光（図４（ｂ））・現像する、いわゆるフォトリソグラフィ−処理を行うことで、フォトレジストパターン４２ａを得る（図４（ｃ））。フォトレジストパターン４２ａは、上記と同じ回り込み露光により大きな開口を持つため、フォトレジスト４２ａは、本来のパターンより細くなってしまう。
【００１６】
フォトレジストパターン４２ａの上に、リフトオフ法により基板をエッチングするためのエッチングマスクとなる膜４３を設け（図４（ｄ））、リフトオフによりエッチングマスク４３ａを設けると（図４（ｅ））、基板４０をエッチングするためのエッチングマスク４３ａの開口部がほとんどなくなってしまい基板４０を十分にエッチングできなくなってしまうことになる（図４（ｆ））。従って、フォトマスクが有するパターンが忠実にフォトレジストパターン４２ａとして転写されなくなり、この結果フォトレジストパターン４２ａを用いてリフトオフにより反転転写されたエッチングマスク４３ａで加工された基板４０ａが有するパターンは、フォトマスク４４が有するパターンと異なったパターンになってしまうという問題がある。尚、図４（ｂ）は、基板４０の裏面側に加工された部分からの反射光を示している。
【００１７】
フォトマスクが有するパターン形状が単純な場合は、上記の回り込み露光量を見込んだマスクパターンを作製して用いることで上記の問題に対応することが考えられる。しかし、パターン形状が複雑であったり、基板の裏面が単純な平面ではなく、図４に示す様に、加工された部分がある場合、回り込み露光量を見込んだマスクパターンを作製することは、試行錯誤を余儀なくされ、実用的なマスクパターンを得ることは困難であると考えられる。
【００１８】
本発明は、上記の問題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、露光されるマスクが有するパターンに忠実なパターンを基板に設けることができる基板の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の課題は、以下の構成により解決される。
【００２０】
１．  基板の上にフォトレジストを設け、該フォトレジストにパターンを有するマスクを用いて露光し、現像し、エッチング処理することで、前記基板に前記マスクに基づいたパターンを加工する基板の加工方法において、
前記露光する光が透過する前記基板の上に、前記露光する光を反射する反射膜を設ける反射膜形成工程と、
前記反射膜の上に前記フォトレジストを設けるフォトレジスト形成工程と、
前記フォトレジストに前記パターンを有するマスクを用いて露光し、現像してフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、
前記フォトレジストパターンに基づいて前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工する基板エッチング工程と、を含むことを特徴とする基板の加工方法。
【００２１】
２．  前記基板エッチング工程において、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工することを特徴とする１に記載の基板の加工方法。
【００２２】
３．  前記基板エッチング工程において、前記フォトレジストパターンに基づいてリフトオフ法により形成したパターンをエッチングマスクとして前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工することを特徴とする１に記載の基板の加工方法。
【００２３】
４．  前記反射膜は、金属膜であることを特徴とする１乃至３の何れか一つに記載の基板の加工方法。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、露光する光が透過する基板の上に、露光する光を反射する反射膜を設け、この反射膜の上にフォトレジストを設け、このフォトレジストに対してパターンを有するマスクを用いて露光し、現像してフォトレジストパターンを設け、このフォトレジストパターンに基づいてエッチング処理することで基板にパターンを加工することができる。
【００２５】
よって、フォトレジストの直下にフォトレジストを透過し露光する光を反射することができる金属膜を設け、このフォトレジストに対して露光し、現像することができることになる。このため、フォトレジストを露光するために入射した光は、金属膜の下に位置する基板に入射することなく金属膜のフォトレジスト側の表面にて反射され、入射位置より離れた位置に反射して戻ることで露光領域を広げることなく、入射位置に近い位置に反射されて戻ることになるため、マスクが有するパターンに忠実な露光をフォトレジストに対して行うことができる。この露光したフォトレジストを現像することで得られるフォトレジストパターンに基づいて反射膜及び基板のエッチング処理を行うことができる。
【００２６】
従って、露光されるマスクが有するパターンに忠実なパターンを基板に設けることができる基板の加工方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明に係わる基板の加工方法に関して、基板に円筒穴を加工することを例にして図を参照しながら以下に説明する。基板は、後述するフォトレジストを露光する光が透過することができ、エッチング加工可能であれば、特に限定されることはなく、ガラス、石英が挙げられる。以降では、基板を石英基板として説明する。
【００２８】
石英基板に円筒形の穴を加工する工程を図１示す。材料が石英である基板１０の上に、後で設けるフォトレジスト１４を露光するための光を反射する反射膜１２を設ける（図１（ａ））。反射膜１２を設ける方法は、特に限定されるものではなく、公知の方法、例えば蒸着法またはマグネトロンスパッタ法でよいが、基板１０に強固に固着させる必要がないため、基板１０をヒーター等を用いた加熱をしないのが好ましい。
【００２９】
反射膜１２の厚みは、フォトレジスト１４を感光させるために必要な強度を有する、例えば、紫外線等の光を十分に反射させることができればよく、剥離のための処理に長時間費やすことがないように必要以上に厚くしないことが好ましい。
【００３０】
反射膜１２は、薄い膜でありながら十分に光を反射することができる金属膜とするのが好ましい。必要以上に厚くしない反射膜１２は、反射膜１２が設けられた基板１０に作用する応力が大きくならないため、基板１０が反る等の変形を生じないので好ましい。この金属膜１２の厚みは、０．０５μｍ以上０．３μｍ以下の範囲が好ましく、０．１μｍ以上０．２μｍ以下の範囲とするのがより好ましい。金属膜１２となる材料は、成膜、パターニング及び除去が容易な材料が好ましく、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕを挙げることができる。
【００３１】
次に、反射膜１２の上にフォトレジスト１４を設ける（図１（ｂ））。設ける方法は、特に限定されることはなく、公知のものでよい。例えば、半導体プロセスで使用される紫外線感光性樹脂をフォトレジストとして、これをスピンコート法で反射膜１２の上に塗布しても良いし、又は、ドライフィルムフォトレジストを反射膜１２の上に貼り付けてもよい。フォトレジスト１４の厚みは、特に限定されるものではなく、以降に行うフォトレジストの現像、フォトレジストをマスクとしたエッチング処理等を考慮した厚みとすれば良い。
【００３２】
次に、フォトマスク１８と基板１０との配置を決めて露光することを可能とする装置であるマスクアライナーを用いて基板１０に設けたフォトレジスト１４に対してマスクアライナーに予めセットされているフォトマスク１８のパターンの露光を行う（図１（ｃ））。引き続き、現像処理を行うことでフォトレジストパターン１４ａを得ることができる（図１（ｄ））。
【００３３】
図１（ｃ）に示す様に、基板１０の上でフォトレジスト１４の直下に金属膜１２を設けたことで、フォトマスク１８を通過した露光する光Ａ、例えば紫外線、は、フォトレジスト１４を露光した後、反射膜１２に到達後、反射膜１２の表面で反射される。金属膜１２で反射される光は、フォトレジストの厚みが１μｍ程度と薄いこともあって、入射位置より離れた位置に反射して戻ることで露光領域を広げることなく、入射位置に近い位置に反射されて戻ることになるため、十分に許容される範囲で、フォトマスクが有するパターンに忠実にフォトレジスト１４を露光することができる。このように、金属膜１２は、フォトレジストを露光する光に、基板１０に設けられた金属膜１２による反射光以外、例えば基板１０の裏面に溝が加工されているとか、散乱状態であるとかといった外乱により生じる光を含むことがないようにすることができる。
【００３４】
例えば、基板１０の裏面側に何らかの加工を施した基板では、フォトレジストが設けてある面から入射した光が裏面側に加工されている形状や加工面の状態により様々な反射角度や散乱状態で反射されてフォトレジストに戻ってくることからフォトレジストの露光状態は複雑で様々な変化を生じ、基板１０に加工されるパターンが不安定になってしまう。この場合、金属膜１２を設けることで、裏面に設けられている形状に左右されることなく露光する光がフォトレジストの直下に設けてある金属膜１２で反射されるため、上記の回り込み露光現象を避けることができ、安定したフォトレジストパターンを設けることができる。
【００３５】
露光後、フォトレジスト１４を現像してフォトレジストパターン１４ａを得て、フォトレジストパターン１４ａをエッチングマスクとして金属膜１２及び基板１０のエッチング処理を行う（図１（ｅ））。金属膜１２のエッチングは、金属材料に応じた公知の方法を用いれば良く、例えば、エッチング液に浸漬、ドライエッチング法等が挙げられ、基板１０のエッチングは、ガラスであればフッ化水素酸溶液を用いたウエットエッチング法、石英であればＣＨＦ3を反応ガスとするドライエッチング法が挙げられる。次に、残ったフォトレジストパターン１４ａ及び反射膜１２ａを除去して基板の加工（パターニング）が完了する（図１（ｆ））。フォトレジストパターン１４ａに対しては、例えば、有機溶剤に浸漬または酸素プラズマによるアッシング、反射膜１２ａに対しては上記と同じエッチング液、ドライエッチング法等により除去することができる。フォトレジストパターン１４ａや金属膜１２ａの除去の際、基板１０ａに設けられたパターン形状に対して問題となる影響が生じることはない。
【００３６】
上記の例とネガポジの関係となる、図２に示す様な、フォトレジストで露光されない部分をエッチング加工するためにリフトオフ法を利用する場合も、上記と同じ金属膜を設けることで容易にフォトマスクに忠実なパターンを有する基板に加工することができる。
【００３７】
基板２０の上に金属膜２２を設け（図２（ａ））、更にフォトレジスト２４を重ねて設けて（図２（ｂ））、マスクアライナーに基板２０をセットし、フォトマスク２８を用いて露光を行い（図２（ｃ））、現像を行うことでフォトレジストパターン２４ａを得ることができる（図２（ｄ））。このフォトレジストパターン２４ａは、金属膜２２が直下にあることで、図１を用いて説明した上記と例と同様にフォトマスク２８に忠実なパターンとすることができる。
【００３８】
次に、基板２０のエッチングマスクとなる膜２６、例えばＮｉ膜等を設ける（図２（ｅ））。エッチングマスクの材料及び作製方法は、特に限定されるものではなく、エッチングマスク材として公知のものから適宜選べば良く、また作製方法も真空蒸着、スパッタ法等の公知の方法から適宜選んで用いれば良い。
【００３９】
次に、フォトレジストパターン２４ａを有機溶剤に浸漬する等により除去（リフトオフ）して、フォトレジストパターン２４ａに対して反転したエッチングマスク２６ａを得ることができる（図２（ｆ））。このエッチングマスク２６ａに基づいて金属膜２２及び基板２０のエッチング処理を行うことで、反転したパターンが加工された基板２０ａを得ることができる（図２（ｇ））。次に、金属膜２２ａ、エッチングマスク２６ａをドライエッチング等を用いて除去して基板の加工（パターニング）が完了する（図２（ｈ））。この除去の際、基板２０ａに設けられたパターン形状に対して問題となる影響が生じることはない。
【実施例】
【００４０】
（実施例１）
厚さ２００μｍ、大きさ３インチの白板ガラスに直径５００μｍ、深さ５０μｍの穴を２ｍｍ間隔で１列に３０個を以下の通り作製した。図１に示す工程に沿って説明する。
（１）マグネトロンスパッタ法で基板１０を３００℃に加熱した状態で、膜厚０．１μｍのＣｒ膜１２を設けた（図１（ａ））。
（２）Ｃｒ膜１２の上にフォトレジスト１４をスピンコート法で厚み０．５μｍ塗布した（図１（ｂ））。
（３）フォトマスク１８を備えたマスクアライナーを用いてＣｒ膜１２とフォトレジスト１４が設けてある基板１０に露光し（図１（ｃ））、現像することで、フォトレジストパターン１４ａを形成した（図１（ｄ））。
（４）フォトレジストパターン１４ａをマスクとして、ＥＣＲ２（Ｃｒエッチング液）を用いてＣｒ膜を除去し、続いてフッ化水素で白板ガラスを深さ１００μｍまでエッチングした（図１（ｅ））。
（５）フォトレジストを酸素プラズマによるアッシングで除去し、ＥＣＲ２（Ｃｒエッチング液）を用いてＣｒ膜を除去することで形状加工が完了した（図１（ｆ））。
【００４１】
（比較例１）
厚さ２００μｍ、大きさ３インチの白板ガラスに直径５００μｍ、深さ５０μｍの穴を２ｍｍ間隔で１列に３０個を実施例１の（１）を除いた同じ方法で作製した。
【００４２】
（実施例１と比較例１との結果）
実施例１と比較例１とで製作した直径５００μｍを目標とする穴径と比較した。実施例１では目標の穴径に対して５％以内に収まっていた。比較例１の場合は目標の穴径より２０％大きくなっていた。Ｃｒ膜を設けることで光の回り込みによる露光が抑えられていることが確認出来た。
【００４３】
（実施例２）
厚さ２５０μｍ、直径３インチの石英基板に直径５μｍ、深さ５０μｍの穴を２５０μｍ間隔で１列に１２８個を以下の通り作製した。この基板には、裏面に先の直径５μｍの穴にそれぞれに同軸となる様に対応した直径１００μｍ、深さ２００μｍの穴が予め設けてある。図２に示す工程に沿って説明する。
（１）マグネトロンスパッタ法で無加熱にて、石英基板２０に膜厚０．２５μｍのＴｉ膜２２を設けた（図２（ａ））。
（２）フォトレジスト２４をスピンコート法で１．２μｍ塗布した（図２（ｂ））。
（３）フォトマスク２８を用いて両面マスクアライナーを用いて表裏の整合を取りながらＴｉ膜２２とフォトレジスト２４が設けてある基板面に露光し（図２（ｃ））、現像することで、フォトレジストパターン２４ａを形成した（図２（ｄ））。
（５）フォトレジスト２４ａを除去せずに、マグネトロンスパッタで無加熱にて、膜厚０．７μｍのＮｉ膜２６を設けた（図２（ｅ））。
（６）フォトレジスト２４ａをレジスト剥離液で除去することでフォトレジスト２４ａに位置するＮｉ膜も同時に除去（リフトオフ）した（図２（ｆ））。
（７）加工済みの基板２０の裏面が加工されないように保護膜としてポリイミドフィルム（図示しない）を貼って、ＣＨＦ3プラズマ雰囲気でＮｉ膜２６ａをエッチングマスクとしてＴｉ膜２２及び石英基板２０を、穴が貫通するように深さ６０μｍ程度までエッチングした（図２（ｇ））。このとき、Ｔｉ膜はＣＨＦ3により石英と同様にエッチングすることができる。
（８）Ｎｉ膜２６ａを硫酸で除去し、ＣＨＦ3プラズマ雰囲気でＴｉ膜を除去することで加工が完了した。
【００４４】
（比較例２）
厚さ２５０μｍ、大きさ３インチの石英に直径５μｍ、深さ５０μｍの穴を２５０μｍ間隔で１列に１２８個を実施例２の（１）を除いた同じ方法で作製した。この基板には、裏面に先の直径５μｍの穴にそれぞれに同軸となる様に対応した直径１００μｍ、深さ２００μｍの穴が予め設けてある。
【００４５】
（実施例２と比較例２との結果）
実施例２と比較例２とで製作した直径５μｍを目標とする穴径と比較した。実施例２では目標の穴径に対して５％以内に収まっていた。比較例２の場合は目標の穴径より４０％小さくなっていた。Ｔｉ膜を設けることで光の回り込みによる露光が抑えられていることが確認出来た。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】透明基板の加工の工程の一例を示す図である。
【図２】透明基板の加工の工程の一例を示す図である。
【図３】従来の透明基板の加工の工程の一例を示す図である。
【図４】従来の透明基板の加工の工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０  基板
１０ａ  パターン加工（パターニング）された基板
１２  金属膜
１２ａ  金属膜パターン
１４  フォトレジスト
１４ａ  フォトレジストパターン
１８  フォトマスク
Ａ  露光用光
【図１】
2007322615.tif 000003
【図２】
2007322615.tif 000004
【図３】
2007322615.tif 000005
【図４】
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