(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイシングシートの撓み、あるいはダイシングシートのステージに対する位置ズレに起因するダイシングブレードとチップとの相対位置のズレを防止し、ダイシングによってチップ側面や裏面にクラックが発生しないダイシング支持構造を提供する。【解決手段】ダイシング部のステージ５の上に、ガラスウェハ３を介してウェハをマウントしたダイシングシート２を載置する。ダイシングシート２の下面（ウェハマウントされていない面）とガラスウェハ３の上面とは接着材の層を介して接着する。また、ガラスウェハ３の下面を、ステージ５上に形成されている細孔を介して真空吸着しステージ５に固定する。【選択図】図９
2007227644.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ダイシング装置により半導体ウェハをダイシングする際の、半導体ウェハのダイシング支持構造であって、
前記半導体ダイシング装置のダイシング部に備わるステージ上に固定されるガラスウェハと、
前記ガラスウェハ上に接着され、ダイシング対象となる半導体ウェハが上に接着されるダイシングシートと
を具備する半導体ウェハのダイシング支持構造。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造において、
前記ガラスウェハの径は、前記ダイシング対象となる半導体ウェハの径よりも大きく設定され、前記ガラスウェハの厚さは、前記ダイシング対象となる半導体ウェハの厚さよりも厚く設定される半導体ウェハのダイシング支持構造。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造において、
前記ステージ上には細孔が形成され、前記細孔からの真空吸引により前記ガラスウェハが前記ステージ上に固定され、
前記ダイシングシートは、その下面が前記ガラスウェハの前記ステージに固定されている面の裏面であるガラスウェハ上面と第１の粘着剤によって接着され、前記ダイシングシートの上面には前記ダイシング対象となる半導体ウェハの裏面と接着するための第２の粘着剤が備えられる半導体ウェハのダイシング支持構造。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造において、
前記第１の粘着剤および前記第２の粘着剤は、それぞれＵＶ硬化型粘着剤である半導体ウェハのダイシング支持構造。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造において、
前記第１の粘着剤は、前記ダイシングシートの下面にあらかじめ備えられていたものである半導体ウェハのダイシング支持構造。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造において、
前記第１の粘着剤および前記第２の粘着剤は、それぞれ熱剥離発泡剤である半導体ウェハのダイシング支持構造。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造において、
前記第１の粘着剤は、前記ダイシングシートの下面にあらかじめ備えられていたものである半導体ウェハのダイシング支持構造。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造において、
前記第１の粘着剤は、前記ガラスウェハの上面に塗布により備えられたものである半導体ウェハのダイシング支持構造。
【請求項９】
ダイシングシートのウェハマウント面上に、ダイシング対象となる半導体ウェハとウェハリングとをマウントするためのウェハマウント部と、
請求項１から８までのいずれか一項に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造により支持することにより、ダイシング対象となる前記半導体ウェハをダイシングするダイシング部と、
ダイシングされた前記半導体ウェハを洗浄および乾燥させるためのスピンナー部と、
乾燥後に、前記ダイシングシートと、ダイシングにより前記半導体ウェハから切り出された半導体チップとの接着力を低下させる機構と
を具備する半導体ダイシング装置。
【請求項１０】
ダイシングシートのウェハマウント面上に、ダイシング対象となる半導体ウェハとウェハリングとをマウントするためのウェハマウント部と、
請求項４または５に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造により支持することにより、ダイシング対象となる前記半導体ウェハをダイシングするダイシング部と、
ダイシングされた前記半導体ウェハを洗浄および乾燥させるためのスピンナー部と、
乾燥後に、前記ダイシングシートと、ダイシングにより前記半導体ウェハから切り出された半導体チップとの接着力を低下させる機構と
を具備する半導体ダイシング装置であって、
前記接着力を低下させる機構はＵＶ照射部であり、前記ＵＶ照射部は、前記第１の粘着剤および前記第２の粘着剤の層に対してＵＶ照射を行う半導体ダイシング装置。
【請求項１１】
ダイシングシートのウェハマウント面上に、ダイシング対象となる半導体ウェハとウェハリングとをマウントするためのウェハマウント部と、
請求項６から８までのいずれか一項に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造により支持することにより、ダイシング対象となる前記半導体ウェハをダイシングするダイシング部と、
ダイシングされた前記半導体ウェハを洗浄および乾燥させるためのスピンナー部と、
乾燥後に、前記ダイシングシートと、ダイシングにより前記半導体ウェハから切り出された半導体チップとの接着力を低下させる機構と
を具備する半導体ダイシング装置であって、
前記接着力を低下させる機構は加熱部であり、前記加熱部は、前記ガラスウェハを介して前記第１の粘着剤および前記第２の粘着剤の層を加熱する半導体ダイシング装置。
【請求項１２】
ダイシングシートのウェハマウント面上に、ダイシング対象となる半導体ウェハとウェハリングとをマウントするためのウェハマウント部と、
請求項８に記載の半導体ウェハのダイシング支持構造により支持することにより、ダイシング対象となる前記半導体ウェハをダイシングするダイシング部と、
ダイシングされた前記半導体ウェハを洗浄および乾燥させるためのスピンナー部と、
乾燥後に、前記ダイシングシートと、ダイシングにより前記半導体ウェハから切り出された半導体チップとの接着力を低下させる機構と
を具備する半導体ダイシング装置であって、
さらに、前記ガラスウェハが前記ウェハマウント部において前記ダイシングシートにマウントされる前に、前記ガラスウェハの前記ダイシングシートとの接着面に、前記第１の粘着剤を塗布するための塗布部を具備し、
前記接着力を低下させる機構は加熱部であり、前記加熱部は前記ガラスウェハを介して前記第１の粘着剤および第２の粘着剤の層を加熱する半導体ダイシング装置。
【請求項１３】
ダイシングシートのウェハマウント面上に、ダイシング対象となる半導体ウェハとウェハリングとをマウントするためのウェハマウントステップと、
ステージ上に固定されるガラスウェハと前記ガラスウェハ上に接着されるダイシングシートと前記ダイシンシート上に接着されるダイシング対象となる前記半導体ウェハとを有する半導体ウェハのダイシング支持構造により支持することにより、ダイシング対象となる前記半導体ウェハをダイシングするダイシングステップと、
ダイシングされた前記半導体ウェハを洗浄および乾燥させるスピンナーステップと、
乾燥後に、前記ダイシングシートと、ダイシングにより前記半導体ウェハから切り出された半導体チップとの接着力を低下させるステップと
を具備する半導体ウェハのダイシング方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体ウェハのダイシング方法において、
前記ダイシングシートの下面と前記ガラスウェハの前記ステージに固定されて居る面の裏面であるガラスウェハ上面とを第１の粘着剤によって接着し、前記ダイシングシートの上面と前記半導体ウェハの裏面とを前記ダイシングシートの上面にあらかじめ備えられた第２の粘着剤によって接着する半導体ウェハのダイシング方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体ウェハのダイシング方法において、
前記第１の粘着剤および前記第２の粘着剤は、それぞれＵＶ硬化型粘着剤であり、
前記接着力を低下させるステップは、前記第１の粘着剤および前記第２の粘着剤の層に対してＵＶ照射を行うことである半導体ウェハのダイシング方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の半導体ウェハのダイシング方法において、
前記第１の粘着剤および前記第２の粘着剤は、それぞれ熱剥離発泡剤であり、
前記接着力を低下させるステップは、前記ガラスウェハを介して前記第１の粘着剤および前記第２の粘着剤の層を加熱することである半導体ウェハのダイシング方法。
【請求項１７】
請求項１４から１６までのいずれか一項に記載の半導体ウェハのダイシング方法において、
前記第１の粘着剤は、前記ダイシングシートの下面にあらかじめ備えられているものである半導体ウェハのダイシング方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の半導体ウェハのダイシング方法において、
さらに、前記ガラスウェハが、前記ウェハマウント部において前記ダイシングシートにマウントされる前に、前記ガラスウェハの前記ダイシングシートとの接着面に、前記第１の粘着剤を塗布するステップを具備する半導体ウェハのダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウェハのダイシング支持構造、半導体ダイシング装置およびそのダイシング方法に関し、特に小型化の進む半導体チップをダイシングするのに好適な半導体ウェハのダイシング支持構造、半導体ダイシング装置およびそのダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップのダイシングプロセスでは、ダイシングシート上にウェハがマウントされ、ウェハのマウントされたダイシングシートがダイシング装置のステージ上に真空吸着により固定されてダイシングが行われる。近年の半導体チップの小型化により、特に極小幅の１次元ＣＣＤセンサなどが形成される半導体ウェハをチップへとダイシングする場合、ダイシング中にダイシングシート上で当該チップの位置にズレ生じることがある。この際、当該チップ側面や裏面にクラックが発生し、チップ上にシリコン屑が付着する。そして、チップ上に付着するシリコン屑によりチップの電気特性が不良となり、歩留り低下や品質低下を招くことになる。従って、そのようなチップへのクラックやシリコン屑の発生を低減する半導体ウェハのダイシング支持構造、半導体ダイシング装置およびそのダイシング方法の開発が望まれている。
【０００３】
図１に、従来のダイシング装置の概略構成を示す。従来のダイシング装置５０は、リング１に対してダイシングシートとダイシング対象となるウェハ４とを位置合わせしてマウントしたウェハリングカセットを格納するためのウェハリングカセット収納部１２ａと、実際にダイシングブレードにより当該ウェハをダイシングするためのダイシング部９と、ダイシングしたチップを洗浄し、洗浄の際の水分を除去するためのスピンナー部１０とを備えている。
【０００４】
従来のダイシング装置５０において、ウェハ４のダイシングプロセスが開始される前に、ウェハリングカセット収納部１２ａにセットするダイシングシート２に接着されたウェハ４を準備する。まず、図２に示されるウェハマウント装置１００において、ウェハカセット収納部７に、ウェハカセットに収納されたウェハ４がセットされ、リング１とダイシングシート２とを所定の箇所にセットする。次に、ウェハマウント部８において、リング１とダイシングシート２とが、それぞれ収納先から１枚ずつ取り出され、リング１上にダイシングシート２とウェハ４を接着し、ウェハリングカセット収納部１２ｂへ収納される。このウェハリングカセットを、ダイシング装置５０のウェハリングカセット収納部１２ａへ運搬する。図１のダイシング装置５０では、ウェハリングカセット収納部１２ａにあるダイシング対象となるウェハ４をウェハリングカセットより１枚ずつリング１が取り出され、ウェハリングカセット収納部１２ａとダイシング部９へ搬送するまでの中間部にステージ５（ステージ５については、ダイシング部９におけるウェハ４のダイシング支持構造を示す図３参照）が移動し、リング１とステージ５の位置合わせを行う。その後、ステージ５が移動し、ダイシング部９へ搬送する。
【０００５】
従来のダイシング装置５０のダイシング部９における半導体ウェハのダイシング支持構造を図３に示す。ダイシング部９においては、ダイシングシート２上にリング１およびウェハ４がマウントされた状態で、ダイシングシート２のマウントされていない面がダイシング部９のステージ５上に直接的に真空吸着により固定されている。この固定は、ダイシング部へ搬送される前にリング１とステージ５の位置合わせ時に行われる。次に、図４に示されるように、ダイシングブレード１８により、ウェハ４がチップ１７単体に切断される。ダイシング工程が終了すると、ダイシングシート上に接着されているチップ１７およびリング１は、それぞれスピンナー部１０へ搬送される。スピンナー部１０では、リング１を１０００ｒｐｍ前後で回転させながら、ウェハ（正確には複数のチップにダイシングされた状態）表面を純水で洗浄し、２０００〜３０００ｒｐｍの高速回転で乾燥させる。その後、ダイシングシート２上に接着されているチップ１７およびリング１は、元のウェハリングカセット収納部１２ａへ収納される。
【０００６】
図５に、ダイシング後のウェハ４にＵＶを照射し、ダイシングシート２からチップ１７を剥離するためのＵＶ照射装置１５０の概略構成を示す。ダイシングシート２上に接着されているチップ１７およびリング１は、ウェハリングカセット収納部１２ｃからＵＶ照射装置１５０の搬送準備部２０に搬送される。その後、ＵＶ照射ランプ部２１に搬送され、ダイシングシート２のマウントされていない裏面方向からＵＶ照射ランプ２２によりＵＶ照射が行われる。ダイシングシート２は、そのマウント面にＵＶ硬化型の粘着剤層を備えており、例えば１００ｍｊ程度のＵＶ照射により、ウェハ４およびリング１に対する接着力が低下する。このため、ＵＶ照射ランプ部２１におけるＵＶ照射により、ダイシングシート２のＵＶ硬化型粘着剤層の粘着力が低減され、チップ１７をダイシングシート２から剥離するのが容易な状態となる。この状態で、ダイシングシート上に接着されているチップ１７およびリング１は、再度ウェハリングカセット収納部１２ｃへ収納される。
【０００７】
上記した技術に関連して、以下に示す提案がなされている。
【０００８】
特開２００３−０８６５３８号公報に開示されている「半導体チップの製造方法」では、テープ基材と半導体ウエハを保持する粘着層とを有するダイシングテープに、半導体ウエハを貼り付けた後ダイシング前に、粘着層を硬化させ、この状態で半導体ウエハをダイシングし、その後半導体ウエハとダイシングテープとの剥離前に粘着層の接着力を低下させて、ダイシングテープから、半導体チップを剥離する半導体チップの製造方法が提案されている。
【０００９】
また、特開２００５−２０３７４９号公報に開示されている「ウェハ加工用テープおよびその製造方法」では、半導体装置を製造するにあたり、ウェハを固定し、ダイシングし、さらにリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用される、基材フィルムの少なくとも片面に接着剤層と粘着剤層とを設けたウェハ加工用テープであって、ウェハと貼り合わされる面において粘着剤層が存在しない領域と存在する領域を設け、ピックアップ時に、粘着剤層の存在しない領域では接着剤層がチップ側に移り、テープ剥離時に、粘着剤層の存在する領域では接着剤層が基材フィルム側に残るようにしたウェハ加工用テープが提案されている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−０８６５３８号公報
【特許文献２】特開２００５−２０３７４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図１に示される従来のダイシング装置５０では、ダイシング部９において、ウェハ４がマウントされたダイシングシート２の裏面をステージ５上に直接的に真空吸着により固定してダイシングが行われる。当該ダイシング部９では、図４に見られるように、ダイシング時にダイシングシート２の裏面がダイシング装置５０のステージ５と完全に固定されていないため、ダイシングシート２の撓み、あるいはダイシングシート２のステージ５に対する位置ズレに起因して、ダイシングブレード１８に対してチップ１７の位置にズレが生じ、チップ側面や裏面にクラック２３が発生する。また、チップのクラック低減のため、ダイシング時において、ダイシングブレード幅が太いブレードと細いブレードとを使って２段階にステップカットする方法を用いても、同様にダイシングシート２の撓み、あるいはダイシングシート２のステージ５に対する位置ズレが生じ、チップにクラック２３が発生する。このため、チップ上にシリコン屑が付着し、電気特性不良となり、歩留り低下や品質低下を招く。また、従来のダイシングプロセスにおいては、ダイシング装置５０とウェハマウント装置１００とＵＶ照射装置１５０とが、それぞれ独立に構成されている。この結果、各装置間におけるウェハリングカセットの運搬工数が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用する括弧付き符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの符号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］の記載との対応関係を明らかにするために付加されたものであるが、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１３】
本発明の半導体ウェハのダイシング支持構造は、半導体ダイシング装置（３００、３５０）により半導体ウェハをダイシングする際の、半導体ウェハのダイシング支持構造であって、半導体ダイシング装置のダイシング部（９）に備わるステージ（５）上に固定されるガラスウェハ（３）と、ガラスウェハ上に接着され、ダイシング対象となる半導体ウェハが上に接着されるダイシングシート（２）とを備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、半導体ウェハをダイシングするに際して、チップ側面や裏面におけるクラックの発生を抑制し、特に小型化の進む半導体チップに対するダイシングに好適な半導体ウェハのダイシング支持構造、半導体ダイシング装置およびそのダイシング方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
添付図面を参照して、本発明による半導体ウェハのダイシング支持構造、半導体ダイシング装置およびそのダイシング方法を実施するための最良の形態を以下に説明する。
【００１６】
本発明の半導体ダイシング装置においては、そのダイシング部のステージに対して、ガラスウェハを介してウェハマウントされたダイシングシートが載置される。ダイシングシートの下面（ウェハマウントされていない面）とガラスウェハの上面とは接着材の層を介して接着される。また、ガラスウェハは、ガラスウェハの下面が、ステージ上に形成される細孔を介して真空吸着されることによりステージに対して固定される。これにより、ダイシング時に、ダイシングシートの下面は、ガラスウェハに対して完全に固定され、さらにガラスウェハ自体もステージに対して固着される。
【００１７】
本発明の半導体ダイシング装置においては、上記したようなダイシング部における半導体ウェハのダイシング支持構造を有することにより、特に小型化の進む半導体チップを対象とするダイシングを行うに際してもダイシングシートに撓みが生じることはない。また、ガラスウェハに対するダイシングシートの位置ズレ、およびダイシングブレードに対する半導体チップの位置にズレに起因する、半導体チップ側面および裏面におけるクラックの発生が抑制される。これにより、近年において更に小型化の進む半導体チップを対象とするダイシングを行うに際しても、信頼性を維持し生産効率を向上させる半導体ウェハのダイシング支持構造、およびダイシング装置とそのダイシング方法を提供することができる。
【００１８】
（実施の形態１）半導体ウェハのダイシング支持構造、半導体ダイシング装置
本発明の実施の形態１に係わる半導体ダイシング装置の概略構成を図６に示す。本実施の形態の半導体ダイシング装置３００は、リング１およびダイシングシート２をそれぞれ収納しておく収納部と、ダイシング前のウェハ４を収納しておくウェハカセット収納部７と、ガラスウェハ３を収納するためのガラスウェハ収納部３’と、ウェハカセットに収納されたウェハ４とダイシングシート２とが、リング１に接着された状態で格納されるウェハリングカセット収納部１２とを備えている。また、本実施の形態においては、リング１にダイシングシート２を貼り、その後、ダイシングシート２のウェハマウント面の裏面にガラスウェハ３を接着する、あるいは、リング１とウェハ４とを裏面を上にして載置し、リング１とウェハ４とに対して同時にダイシングシート２を接着し、その後、ダイシングシート２のウェハマウント面の裏面に対してガラスウェハ３を接着するためのウェハマウント部８を備えている。さらに、ウェハマウントされた状態でウェハ４をダイシングするダイシング部９と、ダイシング後にウェハ４を洗浄するスピンナー部１０と、ダイシングシート２とウェハ４との間に介在されるＵＶ硬化型の粘着剤層、あるいはダイシングシート２とガラスウェハ３との間に介在されるＵＶ硬化型の粘着剤層の接着力を低下させるために当該粘着剤層に対してＵＶ照射を行うためのＵＶ照射部１１とを備えている。
【００１９】
本実施の形態に係わる半導体ダイシング装置３００のダイシング部９では、特に図７（ｅ）に示されるように、ダイシング部９のステージ５に対して、ガラスウェハ３を介してウェハマウントされるダイシングシート２が載置される。図８に示すように、ダイシングシート２は、ダイシングシート基材１４（ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）や、ポリオレフィン等）の両面に粘着剤１５（アクリル系のＵＶ硬化型の粘着剤）が積層され、粘着剤の層はそれぞれ剥離シート（ポリエステル等）により被覆されて使用時に剥離される構成を有している。当該ダイシングシート２の厚さは、剥離シート部を除いて１００μｍ程度となるのが最適である。ダイシングシート２の下面とガラスウェハ３の上面とは粘着剤１５の層を介して接着される。また、ガラスウェハ３は、ダイシングシート２と接着されていない面が、ステージ５上に形成される細孔を介して真空吸着されることによりステージ５に対して固定される。これにより、ダイシング時に、ダイシングシート２の下面は、ガラスウェハ３、つまりステージ５に対して完全に固定される。また、本実施の形態のダイシング部９では、図７（ｆ）に示されるように、ダイシング部９のステージ（図示せぬ）に対して、さらに、ガラスウェハ３を当該ステージに対して固定するためのガラスウェハガイド５’を介することにより、ガラスウェハ３に接着されたダイシングシート２をより確実に固定する構成としても良い。
【００２０】
本実施の形態におけるガラスウェハ３は、その径が、ダイシング対象となるウェハ４の径よりも大きいものであって、例えばその径が、ダイシング対象となるウェハ４の径よりも１２０ｍｍ程度大きいものが最適である。また、本実施の形態におけるガラスウェハ３は、その厚さが、ダイシング対象となるウェハ４の厚さよりも厚いものであって、例えばその厚さが、ダイシング対象となるウェハ４の厚さの約１．５倍程度のものが最適である。具体的には、ダイシング対象となるウェハ４の径が１５０ｍｍとすると、ガラスウェハ３の径は２７０ｍｍ程度のものが適している。また、本実施の形態におけるダイシングシート２は、その形状をリング１の外周形状に基づいて成形され、その大きさは、ガラスウェハ３の全面を覆う大きさを有するものであれば特に限定されることはない。さらに、本実施の形態において、ガラスウェハ３およびダイシングシート２を固定するリング１の外径は、例えば、ダイシング対象となるウェハ４の径を１５０ｍｍとすると、２９０ｍｍ程度とすることが最適である。
【００２１】
本実施の形態においては、上記したような半導体ウェハのダイシング支持構造を有することにより、特に小型化の進む半導体チップを対象とするダイシングを行うに際しても、下面に接着されるダイシングシートに撓みが生じることはない。また、ガラスウェハ２を備え、ダイシングシート２を当該ガラスウェハ３に粘着剤を介して固着することにより、ダイシングシートの位置ズレに起因するチップ側面や裏面におけるクラックの発生を抑制する。また、本実施の形態においては、図６に見られるように、ダイシング装置３００が、ウェハマウントする機能とスピンナー機能とＵＶ照射機能とを一括して備えている。この結果、本実施の形態においては、ウェハマウント機能や、スピンナー機能や、ＵＶ照射機能といった、従来はそれぞれ独立した機能を有する個別装置として構成されていたものを一体化して構成することにより、従来の各装置間におけるウェハリングカセットの運搬工数を大幅に低減し、半導体チップの生産効率の向上を実現することが出来る。
【００２２】
（実施の形態１の動作原理）半導体ダイシング方法
本発明の実施の形態１に係わる半導体ダイシング装置による半導体ダイシング方法を、図６および図７に基づいて説明する。
【００２３】
実施の形態１に係わる半導体ダイシング装置３００により、対象となるウェハ４のダイシングプロセスが開始されると、図６に示すように、ダイシング対象となるウェハ４が１枚ずつウェハカセット収納部７から取り出される。また、これに伴い、リング１およびダイシングシート２が、それぞれの収納部から１枚ずつ取り出される。そして、ウェハマウント部８において、リング１にダイシングシート２が接着される（ステップＳ１；図７（ａ）、（ｂ））。次に、ダイシングシート２のウェハマウント面の裏面にウェハ４より大きいガラスウェハ３が接着される（ステップＳ２；図７（ｃ））。その後、半導体ダイシング装置３００のウェハマウント部８において、ダイシングシート２のウェハマウント面に、ダイシング対象となるウェハ４がマウント接着される（ステップＳ３；図７（ｄ））。この状態で、図６のダイシング部９へ移動し、ダイシング部９のステージ５上に、ガラスウェハ３のダイシングシートと接着されていない面が真空吸着により固定される（ステップＳ４；図７（ｅ））。但し、ステップＳ４により、ステージにガラスウェハが固定されるのは、ステージの移動により、ガラスウェハがウェハマウント部８からダイシング部９へと搬送される搬送経路上の任意の位置で実施することができる。本実施の形態においては、図７（ｆ）に示されるように、ガラスウェハ３を直接的にステージ５に固定せず、さらにガラスウェハガイド５’を備えて、ガラスウェハガイド５’にてガラスウェハ３を外周からガイドして固定する方法でも良い。そして、図９に示されるように、ダイシングブレード１８により、対象ウェハ４のダイシングが実行される（ステップＳ５）。ダイシングでは、ダイシングブレードが、従来と同様にウェハ裏面の接着面からダイシングシート２をたとえば２０μｍ程度の深さまでカットし、ガラスウェハ３まではカットしない。ダイシングシート２への深さは、使用するダイシングシート２の粘着剤１５の種類や膜厚などにより、最適な条件を求める。ステップＳ５によるダイシングの後、ダイシングされたチップ１７は、それぞれダイシングシート２に接着されたままスピンナー部１０に搬送される。そして、スピンナー部１０において、表面を純水で洗浄され、高速回転による乾燥が行われる（ステップＳ６）。チップ１７の乾燥が終了すると、それぞれのチップ１７はダイシングシート２に接着されたまま、ＵＶ照射部１１に搬送される。ＵＶ硬化型粘着剤を粘着剤１５として備えたダイシングシート２がガラスウェハ３に接着されている場合、ＵＶ照射部１１は、粘着剤１５に対して１００ｍｊのＵＶを照射する（ステップＳ７）。このとき、ＵＶ照射をガラスウェハ３の裏面側から行えるように、ガラスウェハ３の裏面に固定されたステージ中央は開口部を有しているか、あるいはリング１が周辺から固定される構成とする。また、ガラスウェハ３にはＵＶ光が透過するガラス材質が使用される。但し、ガラス材質と同等の物性特性を示すものであれば、ガラス材質に限定されるものではない。ステップＳ７によるＵＶ照射後、ダイシングシート基材１４の両面に形成された粘着剤１５の層の、チップ１７およびガラスウェハ３に対する接着力が低下する。これにより、ガラ���ウェハ３がダイシングシート２から取り外される（ステップＳ８）。ガラスウェハ３を脱着した後は、ガラスウェハ収納部３’にガラスウェハ３が収納され、チップ１７がリング１のダイシングシート２上に接着された状態で、ウェハリングカセット収納部１２のウェハリングカセット１３へ収納される。このガラスウェハ３はリサイクル可能である。ガラスウェハ３がダイシングシート２から取り外された後、チップ１７は、次の工程に備えて、ダイシングシート２に接着されたままの状態でウェハリングカセット収納部１２に戻される。
【００２４】
本実施の形態においてステップＳ１からステップＳ４までを実現するためには、上記した方法に限らず、図１０に示される他の方法を用いても良い。つまり、初めのステップとして、リング１とダイシング対象となるウェハ４のマウント面を上にして台６に乗せる（ステップＳ１０；図１０（ａ）、（ｂ））。次に、リング１およびダイシング対象となるウェハ４の上向きに置かれているマウント面に対して、同時にダイシングシート２を接着する（ステップＳ２０；図１０（ｃ））。その後、リング１とダイシング対象となるウェハ４とがマウントされたダイシングシート２を裏返しして、ダイシングシート２のマウントされていない裏面にガラスウェハ３を接着する（ステップＳ３０；図１０（ｄ）、（ｅ））。そして、この状態で、図６のダイシング部９へ移動し、ダイシング部９のステージ５上に、ガラスウェハ３のダイシングシートと接着されていない面が真空吸着により固定される（ステップＳ４０；図１０（ｆ））。
【００２５】
上記してきたように、本実施の形態においては、ダイシング部９におけるダイシング時に、ダイシングシート２下面がガラスウェハ３に対してしっかりと固定されるため、ダイシングブレードに対してチップ１７がぶれず、チップ側面や裏面におけるクラックの発生を抑制することができる。この結果、小型化されたチップ１７に対しても、その信頼性および生産効率を向上させることができる。
【００２６】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係わる半導体ダイシング装置の概略構成を、図１１に示す。本実施の形態の基本的な構成は、実施の形態１のそれと同様である。但し、本実施の形態に係わる半導体ダイシング装置３５０は、実施の形態１におけるＵＶ照射部１１に換わって、加熱部１１’を備えている。加熱部１１’は、ガラスウェハ４裏面に熱的に接続され、ヒータープレートとなるステージ部を備えている。
【００２７】
本実施の形態のダイシング部９における半導体ウェハのダイシング支持構造は、実施の形態１のそれと同様であるが、ダイシングシート２の両面に積層して備えられる接着剤１５として、ＵＶ硬化型粘着剤に換わって熱剥離発泡剤を採用している。これは、加熱剥離型粘着シートと呼ばれるものである。本実施の形態において、ダイシングシート２のダイシングシート基材１４のガラスウェハ３と接着される面に積層して備えられる接着剤を第１接着剤とし、ダイシングシート基材１４の半導体ウェハ４と接着される面に積層して備えられる接着剤を第２接着剤とすると、第２接着剤は、常にダイシングシート２のダイシングシート基材１４の半導体ウェハ４と接着される面に積層して備えられる。一方、第１接着剤は、ダイシングシート２のダイシングシート基材１４のガラスウェハ３と接着される面に積層して備えられても良いし、また、ダイシングシート基材１４のガラスウェハ３と接着される面には積層されずに、ガラスウェハ３のダイシングシート２との接着面上に塗布されて備えられる構成としても良い。ガラスウェハ３のダイシングシート２との接着面上に第１接着剤として熱剥離発泡剤が塗布されて備えられる構成とした場合、図１１に示されるように、本実施の形態は、さらに、ガラスウェハ３上面に熱剥離発泡剤を塗布する塗布部１９を備える。
【００２８】
（実施の形態２の動作原理）半導体ダイシング方法
本発明の実施の形態２に係わる半導体ダイシング装置による半導体ダイシング方法の基本的動作原理は、実施の形態１のそれと同様である。但し、実施の形態１において、チップ１７とダイシングシート２、およびダイシングシート２とガラスウェハ３との間に介在している粘着剤１５に対して、ＵＶ照射部１１によりＵＶ照射をする（ステップＳ７）代わりに、スピンナー部１０で洗浄されたチップ１７を加熱部１１’に搬送する。そして、加熱部１１’において、ガラスウェハ４裏面に熱的に接触するように設置されているヒータープレートにより、ガラスウェハ３を介して、粘着剤１５である熱剥離発泡剤を１００℃〜１５０℃に加熱する（ステップＳ７’）。ステップＳ７’により、粘着剤１５である熱剥離発泡剤の上層に微細な凹凸ができる。これにより、ダイシングシート２からのチップ１７の剥離、およびダイシングシート２からのガラスウェハ３の剥離を容易に行うことができる。
【００２９】
また、本実施の形態においてガラスウェハ３側に粘着剤１５である熱剥離発泡剤を塗布する場合、ガラスウェハ３がガラスウェハ収納部から取り出され、ウェハマウント部８においてダイシングシート２に接着される前に、塗布部１９において、ガラスウェハ３のダイシングシート２との接着面に、熱剥離発泡剤である粘着剤１５が塗布される。
【００３０】
このように、本実施の形態においては、実施の形態１と同様に、ダイシング部９におけるダイシング時に、ダイシングシート２下面がガラスウェハ３に対してしっかりと固定されるため、ダイシングブレードに対するチップ１７のぶれが生じない。これにより、チップ側面や裏面におけるクラックの発生を抑制することが可能となり、小型化されたチップ１７に対しても、その信頼性および生産効率を向上させることができる。さらに、上記した作用効果を維持しつつ、複数の粘着剤の選択肢を有することにより、半導体ダイシング装置を構成する構成要件、および半導体ダイシング方法の処理工程の選択範囲を広げることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来のダイシング装置の概略構成を示す図である。
【図２】従来のウェハマウント装置の概略構成を示す図である。
【図３】従来のダイシング装置のダイシング部における半導体ウェハのダイシング支持構造を示す図である。
【図４】図３におけるダイシング時の模式を示す図である。
【図５】従来のＵＶ照射装置の概略構成を示す図である。
【図６】実施の形態１に係わる半導体ダイシング装置の概略構成を示す図である。
【図７】実施の形態１に係わる半導体ダイシング装置によるダイシングプロセスを示す図である。
【図８】実施の形態１におけるダイシングシートの構成を示す図である。
【図９】ダイシング時における、実施の形態１のダイシング部における半導体ウェハのダイシング支持構造の模式を示す図である。
【図１０】実施の形態１に係わる半導体ダイシング装置による、他のダイシングプロセスを示す図である。
【図１１】実施の形態２に係わる半導体ダイシング装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１…リング
２…ダイシングシート
３…ガラスウェハ
３’…ガラスウェハ収納部
４…ウェハ
５…ステージ
５’…ガラスウェハガイド
６…台
７…ウェハカセット収納部
８…ウェハマウント部
９…ダイシング部
１０…スピンナー部
１１…ＵＶ照射部
１１’…加熱部
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ…ウェハリングカセット収納部
１３…ウェハリングカセット
１４…ダイシングシート基材
１５…粘着剤
１６…剥離シート
１７…チップ
１８…ダイシングブレード
１９…塗布部
２０…搬送準備部
２１…ＵＶ照射ランプ部
２２…ＵＶ照射ランプ
２３…クラック
５０…従来のダイシング装置
１００…従来のウェハマウント装置
１５０…従来のＵＶ照射装置
３００、３５０…半導体ダイシング装置
【図１】
2007227644.tif 000003
【図２】
2007227644.tif 000004
【図３】
2007227644.tif 000005
【図４】
2007227644.tif 000006
【図５】
2007227644.tif 000007
【図６】
2007227644.tif 000008
【図７】
2007227644.tif 000009
【図８】
2007227644.tif 000010
【図９】
2007227644.tif 000011
【図１０】
2007227644.tif 000012
【図１１】
2007227644.tif 000013