(57)【要約】【課題】半導体装置のリード切断箇所のせん断面を安定的に形成するとともに、せん断面へのめっき被膜の形成比率を高める。【解決手段】リードカット装置は、ダイ１０６と、少なくともダイ１０６との対向面に刃が設けられた切断用パンチ１１０とを含む。ここで、ダイ１０６と切断用パンチ１１０との間のクリアランスＴを切断対象のリードとその上下のめっき層との全厚の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイと、少なくとも前記ダイとの対向面に刃が設けられた切断用パンチとを含むリードカット装置であって、
前記ダイと前記切断用パンチとの間のクリアランスを切断対象のリードとその上下のめっき層との全厚の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定したリードカット装置。
【請求項２】
請求項１に記載のリードカット装置において、
前記刃の表面粗さＲａ値が０．０５以下であるリードカット装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のリードカット装置において、
前記リードの前記半導体装置から切り離される部分を載置する切り離し側ダイをさらに含み、
前記切断用パンチは、前記切り離し側ダイとの対向面に設けられた刃をさらに含み、
前記切り離し側ダイと前記切断用パンチとの間のクリアランスを前記切断対象のリードとその上下のめっき層との全厚の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定したリードカット装置。
【請求項４】
請求項３に記載のリードカット装置において、
前記切り離し側ダイと前記切断用パンチとの間のクリアランスを、前記ダイと前記切断用パンチとの間のクリアランスと実質的に同じに設定したリードカット装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載のリードカット装置において、
前記リードを前記切断用パンチで切断する際に、前記リードの前記半導体装置から切り離される切り離し部分が水平に保たれるように、前記切り離し部分を支持した状態で前記切断用パンチと同期して移動可能に構成された支持部をさらに含むリードカット装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載のリードカット装置において、
前記リードの前記半導体装置から切り離される切り離し部分を支持して固定する支持部をさらに含み、
前記切断用パンチは、前記ダイとの対向面から遠ざかる方向に向かって上がる勾配面を有し、前記対向面と前記勾配面とがなす鋭角Θは、前記切り離し部分が前記半導体から切り離されたときに、前記切断用パンチの前記対向面と反対側の面が前記切り離し部分に接触しない角度に設定されたリードカット装置。
【請求項７】
請求項１から６いずれかに記載のリードカット装置で、リードの上下にめっき層が形成された半導体装置のリードを切断する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードを切断する工程において、前記リードの上下に形成された前記めっき層の膜厚が、それぞれ、５μｍ以下である半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードを切断する工程において、前記めっき層が鉛フリーめっきにより構成された半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードを切断する工程において、前記めっき層がニッケル／金、ニッケル／パラジウム 、またはニッケル／パラジウム ／金により構成された半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードカット装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを封止するための封止樹脂の外縁部に複数のアウターリードを備えた半導体装置は、以下の手順で製造される。まず、リードフレーム上に半導体チップを搭載し、半導体チップの樹脂封止処理を行う。その後、封止樹脂バリ除去や、あらかじめ外装処理がなされていないリードフレームではめっき等の外装処理を行う。さらにその後、半導体装置をリードフレームから切り離す。表面実装タイプの場合、半導体装置をリードフレームから切り離した後、所定のリード寸法にてフォーミング加工する。具体的には、水平方向に突出したアウターリードを下方に折り曲げさらに水平方向に折り曲げてガルウィング形状とする。
【０００３】
半導体装置を基板等に実装する際、アウターリードは、半田フィレットにより基板に固定される。ところで、半導体装置において、上記の半導体装置をリードフレームから切り離す工程における切断部がそのままリード先端部となることがある。このような場合、リード先端部の切断面状態の影響により、リード先端部に半田フィレットが安定して形成されにくくなってしまうという問題がある。
【０００４】
特許文献１（特開２００５−２０９９９９号公報）には、半導体チップを封止するための封止樹脂と、封止樹脂の外縁部に複数のリードを備えた半導体装置において、リードの先端部が半抜き工法により上方へ折り曲げられている構成が開示されている。これにより、リードの段差部を含む下面および側面に半田フィレットが形成され、リード先端の半田付着性を向上させることができるとされている。
【０００５】
特許文献２（特開平９−２３２４９９号公報）には、専用金型で切断されガルウィング状に曲げ成形された外部接続用アウターリードのパッドに載置される載置部に、先端の切断面のリード厚を小さくするための傾斜状面が形成された構成が開示されている。
【０００６】
特許文献３（特開平８−１７２１５３号公報）には、カッティングライン上のリード下面にノッチ部を加工形成し、同ライン上のアウターリードを切断することにより、リード先端面にノッチ痕によるメッキ被膜を残すようにした構成が開示されている。これにより、アウターリードの先端面に確実にメッキ被膜を残すことができるとされている。
【０００７】
特許文献４（特開平７−３００４２号公報）には、リード加工後の各リード先端に当たる部分へ、上方から溝を形成した構成のリードフレームが開示されている。これにより、リード先端面に半田フィレットが確実に形成されるようにすることができるとされている。
【０００８】
特許文献５（特開平７−２１１８３８号公報）には、ダイとパンチとから構成された半導体装置のリードカット装置において、前記パンチと前記ダイとの抜きクリアランスをリードとそのリードの上下の半田層との全厚の１４〜２１％の範囲に設定して、前記パンチを前記ダイに対して配置し、そして上下方向に可動するように構成したことを特徴とする半導体装置のリードカット装置が開示されている。これにより、リードの上方の半田層に塑性変形を与えて、その切断面の上縁から下縁にかけて半田層のメッキだれを形成させることができるとされている。
【特許文献１】特開２００５−２０９９９９号公報
【特許文献２】特開平９−２３２４９９号公報
【特許文献３】特開平８−１７２１５３号公報
【特許文献４】特開平７−３００４２号公報
【特許文献５】特開平７−２１１８３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献１、特許文献２、特許文献３、および特許文献４に記載の技術では、いずれも、リード先端部の形状を変更するために追加工程が必要だった。たとえば、リードフレーム製造時のエッチング加工やコイニング加工、リードカット処理時の予備加工等が必要だった。そのため、製造工程が増えてコストが嵩むという問題がある。
【００１０】
また、本発明者は、リードの切断面のめっき被膜の形成比率を高めるためには、切断面におけるせん断面の形成比率を向上させることが重要であることを見出した。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、
ダイと、少なくとも前記ダイとの対向面に刃が設けられた切断用パンチとを含むリードカット装置であって、
前記ダイと前記切断用パンチとの間のクリアランスを切断対象のリードとその上下のめっき層との全厚の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定したリードカット装置が提供される。
【００１２】
また、本発明によれば、
ダイと、少なくとも前記ダイとの対向面に刃が設けられた切断用パンチとを含むリードカット装置で半導体装置のリードを切断する方法であって、
前記ダイと前記切断用パンチとの間のクリアランスを切断対象のリードとその上下のめっき層との全厚の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定して、前記切断用パンチで前記リードを切断する工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【００１３】
このような構成とすることにより、リードを切断した切断面において、せん断面が安定的に形成され、せん断面の形成比率を向上させることができる。また、リードの上下にめっき層が形成された半導体装置のリードを切断する際に、せん断面表面にめっき層のめっき被膜を形成することができ、切断面におけるめっき被膜の形成比率を高めることができる。
また、このようにクリアランスを切断対象のリードとその上下のめっき層との全厚の１４．０％未満程度に狭くすることにより、切断面におけるダレ面を微小にすることができ、リード切断時に切断用パンチに加わる横方向の荷重を設計上ほぼ無視できるレベルにすることができる。これにより、本発明のリードカット装置において、パンチガイドを不要とすることができる。たとえば、クリアランスが切断対象のリードとその上下のめっき層との全厚の２０％相当に設定された場合、リード切断時に、リードのせん断加工が始まるまでに大きなダレ面が生成され、この際にパンチが横方向の荷重を受け破損する可能性がある。そのため、たとえば特許文献５に記載されたように、従来、横方向の加重がパンチに加わる際の破損対策として、パンチガイドを設ける必要があった。クリアランスを本発明の範囲に設定することにより、リードカット装置において、パンチガイドを不要とすることができ、リードカット装置の構成を簡易にすることができるとともに、製造コストを削減することができる。
【００１４】
本発明において、前記めっき層は、鉛フリーめっきにより構成することができる。前記めっき層は、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム 、またはニッケル／パラジウム ／金により構成することができる。
【００１５】
特許文献５に記載された技術では、リードの上下に半田層が形成されたリードを切断対象としている。鉛を含む従来の半田層は粘性が高く、鉛フリーのめっき層とは異なる特性を有する。鉛フリーのめっき層を用いた場合、リードの切断面への影響が半田層を用いた場合と異なる。本発明者の検討により、鉛フリーのめっき層を用いた場合、ダイと切断用パンチとの間のクリアランスがある程度以上あれば、せん断面へのめっき被膜の形成比率はほぼ９０％以上になることが明らかになった。一方、ダイと切断用パンチとの間のクリアランスをリードとその上下のめっき層との全厚の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定することにより、切断面におけるせん断面の形成比率が高めることができる。これにより、切断面におけるめっき被膜の形成比率も高めることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、半導体装置のリード切断箇所のせん断面を安定的に形成することができ、せん断面へのめっき被膜の形成比率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１８】
図１は、本実施の形態におけるリードカット装置の構成を示す断面図である。
リードカット装置１００は、下金型１０２と、上金型１０４と、下金型１０２に取り付けられたダイ１０６および上金型保持ブロック１０８と、上金型１０４に取り付けられた切断用パンチ１１０と、上金型１０４を上下に移動可能に保持する支柱１１２とを含む。ダイ１０６には、半導体装置２００が載置される。
【００１９】
切断用パンチ１１０は、たとえば、合金工具鋼、高速度工具鋼、または超硬合金等により構成することができる。切断用パンチ１１０のダイ１０６との対向面には、半導体装置２００のアウターリード２０２を切断する切断刃が設けられる。ここで、切断刃は、切断用パンチ１１０のダイ１０６との対向面の少なくともエッジに設けることができる。本実施の形態において、切断用パンチ１１０のダイ１０６との対向面全面を切断刃とすることができる。切断用パンチ１１０において、切断刃の表面粗さＲａ値は、０．０５以下（Ｒａは、算術平均粗さＲａ：平均線から絶対値偏差の平均値）とすることができる。これにより、アウターリード２０２の切断面に安定的にせん断面を形成するとともに、せん断面上のめっき皮膜の形成比率を高めることができる。
【００２０】
図１（ａ）は、アウターリード２０２を切断する前の状態を示す図である。図１（ｂ）は、切断用パンチ１１０により、アウターリード２０２を切断している状態を示す図である。
【００２１】
図２は、切断用パンチ１１０とダイ１０６との間のクリアランスを示す拡大断面図である。
本実施の形態において、ダイ１０６と切断用パンチ１１０との間のクリアランスＴは、切断対象のアウターリード２０２の全厚（リードとその上下のめっき層との全厚）の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定される。これにより、アウターリード２０２の切断面にせん断面が安定的に形成され、せん断面の形成比率を向上させることができる。さらに、せん断面表面にめっき層のめっき被膜を形成することができ、切断面におけるめっき被膜の形成比率を高めることができる。
【００２２】
図３は、本実施の形態におけるリードカット装置１００によりアウターリード２０２が切断された半導体装置２００の構成を示す側面図である。
本実施の形態において、半導体装置２００は、ガルウィング形状のアウターリード２０２を有するＩＣパッケージである。半導体装置２００は、封止樹脂の側面に複数のアウターリード２０２が設けられた構成を有する。また、アウターリード２０２は、所定の寸法にフォーミング加工されている。
【００２３】
図４は、図３に示した半導体装置２００のアウターリード２０２を詳細に示す断面図である。
アウターリード２０２は、リード素材により構成されたリード部２０４およびリード部２０４の周囲（上面、下面および側面）に形成されためっき層２０６により構成される。リード素材は、銅合金またはＦｅ−Ｎｉ合金等とすることができる。本実施の形態において、リード部２０４の膜厚Ｄ１は、約０．１２５〜０．１５０ｍｍ（ミリメートル）、幅は約０．２ｍｍとすることができる。めっき層２０６は、鉛フリーのめっき膜により構成される。めっき層２０６は、たとえば、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム 、またはニッケル／パラジウム ／金により構成することができる。Ｐｄにより構成することができる。めっき層２０６の膜厚Ｄ２は、５μｍ（マイクロメートル）以下とすることができる。
【００２４】
図５は、図３に示した半導体装置２００のアウターリード２０２の切断部分の拡大図である。図５（ａ）は、図３の破線で囲んだ箇所の拡大側面図である。図５（ｂ）は、図３のＡの方向から見た拡大図である。
【００２５】
アウターリード２０２の切断面には、下面側（以下、ダレ面側２２０という。以下、上面側を切断バリ側２１０という。）から、ダレ面、せん断面、破断面、および切断バリが形成されている。リードカット装置１００でアウターリード２０２を切断すると、切断用パンチ１１０と先に接する側から順に、ダレ面、せん断面、破断面、および切断バリが形成される。
【００２６】
ここで、アウターリード２０２の切断面において、ダレ面とせん断面との面積比率を高めるとともに、めっき層２０６による切断面へのめっき被膜の形成比率を高めることが好ましい。また、切断バリは、小さい方が好ましい。このような構成とすることにより、アウターリード２０２の電気抵抗の増大、接合強度の低下、切断面の腐食等の外観不良の発生等を防止することができる。これにより、後の工程で半導体装置２００を実装基板上に載置し、半田フィレットでアウターリード２０２と実装基板とを接合する際の半田付着性を充分に保証することができる。その結果、半導体装置２００の品質上の信頼性を向上させることができる。
【００２７】
図６および図７は、半導体装置２００を実装基板３００上に設置し、アウターリード２０２を半田フィレット３０２で実装基板３００に固定した状態を示す断面図である。
図６は、アウターリード２０２のダレ面側２２０が下面になるようにして、半導体装置が実装基板３００上に載置された状態を示す。本実施の形態において、アウターリード２０２の切断面におけるせん断面比率を高め、さらにめっき被膜の形成比率を高めることができるため、半田フィレット３０２が安定して形成される。
【００２８】
図７は、アウターリード２０２の切断面全体が半田フィレット３０２で覆われた状態を示す。
【００２９】
図７（ａ）は、アウターリード２０２のダレ面側２２０が下面になるようにして、半導体装置が実装基板３００上に載置された状態を示す。ここで、切断バリを小さくし、半田フィレット３０２として用いるフラックスに高活性のものを選定することができる。これにより、半田フィレット３０２形成時の表面張力が高まり、半田フィレット３０２が切断バリの部分まで覆い、アウターリード２０２全体を半田フィレット３０２で覆うようにすることができる。
【００３０】
図７（ｂ）は、アウターリード２０２の切断バリ側２１０が下側になるようにして、半導体装置が実装基板３００上に載置された状態を示す。ここでも、切断バリを小さくし、半田フィレット３０２として用いるフラックスに高活性のものを選定することができる。これにより、アウターリード２０２全体を半田フィレット３０２で覆うようにすることができる。
【００３１】
次に、アウターリード２０２の切断方法を説明する。
図８は、アウターリード２０２を切断する際に、切断屑となる部分を打ち抜く加工方法を示す図である。この構成において、リードカット装置１００は、図１に示した構成に加えて、半導体装置２００から切り離されるリードフレーム側のアウターリード２０２を保持する切り離し側ダイ１１６をさらに含む。また、切断用パンチ１１０は、切り離し側ダイ１１６との対向面に設けられた刃をさらに含む。切断用パンチ１１０の切り離し側ダイ１１６との対向面に設けられた刃は、ダイ１０６との対向面に設けられた刃と同一寸法とすることができる。ただし、切断用パンチ１１０の切り離し側ダイ１１６との対向面に設けられた刃は、表面粗さＲａ値が０．０５以下となるようにしてもしなくてもいずれでもよい。
【００３２】
ここで、ダイ１０６と切断用パンチ１１０との間の切断クリアランスａは、図２のＴと同様、切断対象のアウターリード２０２の全厚（リードとその上下のめっき層との全厚）の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定される。切断用パンチ１１０と切り離し側ダイ１１６との間の切断クリアランスｂも、切断クリアランスａと同様、切断対象のアウターリード２０２の全厚（リードとその上下のめっき層との全厚）の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定される。また、切断クリアランスａと切断クリアランスｂとは、実質的に同じに設定することができる。これにより、切断用パンチ１１０によりアウターリード２０２を切断する際に切断用パンチ１１０の横方向にかかる荷重を低減することができ、アウターリード２０２にかかる荷重を均等にすることができ、切断面にせん断面を安定的に形成することができる。
【００３３】
図９は、アウターリード２０２を切断する際に、切断屑となる部分を打ち抜かず、かつ切断屑を支持しながら切断する加工方法を示す図である。この構成において、リードカット装置１００は、図１に示した構成に加えて、リードフレーム側のアウターリード２０２を上下からそれぞれ保持するリード支持部１１８およびリード支持部１２０をさらに含む。リード支持部１１８およびリード支持部１２０は、切断用パンチ１１０とともに上下に可動に設けられる。ここで、ダイ１０６と切断用パンチ１１０との間の切断クリアランスｄは、図２のＴと同様、切断対象のアウターリード２０２の全厚（リードとその上下のめっき層との全厚）の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定される。
【００３４】
図９（ａ）は、アウターリード２０２を切断する前の状態を示す図である。アウターリード２０２のリードフレーム側をリード支持部１１８およびリード支持部１２０で固定する。このような構成で、図９（ｂ）に示すように、切断用パンチ１１０を下に移動させ、アウターリード２０２を切断する。リード支持部１１８およびリード支持部１２０は、切断用パンチ１１０の移動に同期して下に移動される。これにより、切断用パンチ１１０によりアウターリード２０２を切断する際に、アウターリード２０２の切断屑部分を常に水平に保った状態とすることができ、アウターリード２０２にかかる荷重を均等にすることができる。そのため、切断面にせん断面を安定的に形成することができる。
【００３５】
なお、切断用パンチ１１０とリード支持部１１８は一体に形成してもよい。また、リード支持部１１８とリード支持部１２０も一体に形成してもよい。この場合、一体に形成した金型に溝を設けることにより、アウターリード２０２を上下から支持するようにすることができる。
【００３６】
図１０は、アウターリード２０２を切断する際に、切断屑となる部分を打ち抜かず、かつ切断屑を支持しながら切断する加工方法を示す図である。この構成において、切断用パンチ１１０は、鋭角形状を有する。また、リードカット装置１００は、図１に示した構成に加えて、リード支持部１２２およびリード支持部１２４をさらに含む。リード支持部１２２およびリード支持部１２４は、移動しない点で図９に示したリード支持部１１８およびリード支持部１２０と異なる。ここで、ダイ１０６と切断用パンチ１１０との間の切断クリアランスｅは、図２のＴと同様、切断対象のアウターリード２０２の全厚（リードとその上下のめっき層との全厚）の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定される。
【００３７】
図１０（ａ）は、アウターリード２０２を切断中の状態を示す図である。図１０（ｂ）は、アウターリード２０２の切断完了後の状態を示す図である。
切断用パンチ１１０のリード先端側側面は垂直であり、リード切断部に鋭角な先端角Θを設ける。ここで、先端角Θは、アウターリード２０２の切断開始から切断完了に至るまでの間、切断用パンチ１１０と切断屑の間の隙間ｈが０＜ｈとなる条件に設定することができる。このような設定とすることにより、切断加工時に切断用パンチ１１０とアウターリード２０２の切断屑とが干渉するのを防ぐことができる。一方、切断用パンチ１１０の先端角Θを大きくすること(限りなく９０度に近いこと)により、切断用パンチ１１０の刃先の磨耗を低減して刃先の寿命延長することができる。切断用パンチ１１０の先端角Θは、以上の条件を好適に満たすように設定することができる。
【００３８】
以上のように、切断用パンチ１１０によりアウターリード２０２を切断する際に、アウターリード２０２をリード支持部１２２およびリード支持部１２４で固定するとともに、アウターリード２０２の切断屑部分に切断用パンチ１１０が緩衝しないようにすることにより、アウターリード２０２にかかる荷重を均等にすることができる。そのため、切断面にせん断面を安定的に形成することができる。
【００３９】
リード支持部１２２とリード支持部１２４は、一体に形成してもよい。この場合、一体に形成した金型に溝を設けることにより、アウターリード２０２を上下から支持するようにすることができる。
【００４０】
図１１は、アウターリード２０２を切断する際に、切断屑となる部分を打ち抜かず、かつ切断屑を支持することなく切断する加工方法を示す図である。ダイ１０６と切断用パンチ１１０との間の切断クリアランスｃは、図２のＴと同様、切断対象のアウターリード２０２の全厚（リードとその上下のめっき層との全厚）の２．３％以上１４．０％未満の範囲に設定される（図１１（ａ））。
【００４１】
図１１（ｂ）は、アウターリード２０２を切断中の状態を示す図である。この構成では、アウターリード２０２は、切断屑が折れ曲がった状態で加工される。この結果、図１２に示すように、アウターリード２０２のリード先端部分の破断面上にえぐれ部が生じる。このような工程においても、切断クリアランスｃを上記のように設定することにより、えぐれ部の発生を低減するとともに、切断バリの発生を抑えることができ、後の工程での半田フィレット３０２との接合を良好にすることができる。
【実施例】
【００４２】
（実施例１）
図８を参照して説明した切断方法でアウターリード２０２を切断した。めっき層２０６の膜厚Ｄ２を１μｍ、５μｍとし、リード部２０４の膜厚Ｄ１は、リード部２０４とその上下のめっき層２０６との全厚が０．１５ｍｍ（１５０μｍ）となるようにした。すなわち、めっき層２０６の膜厚Ｄ２が１μｍの場合は、めっき層２０６の膜厚Ｄ１＝０．１４８ｍｍ、めっき層２０６の膜厚Ｄ２が５μｍの場合は、めっき層２０６の膜厚Ｄ１＝０．１４０ｍｍとした。ここで、鉛フリーのニッケル／パラジウム ／金めっきを用いた。切断クリアランスａ＝ｂとした。切断クリアランスａ＝ｂがアウターリード２０２の全厚の０％、２．７％、５．３％、８．０％、１０．７％、１３．３％、１６．０％となるようにして、切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率、せん断面上へのめっき被膜形成比率、切断バリ発生状態を観測した。結果を図１３に示す。
【００４３】
図１３に示すように、切断クリアランスａ＝ｂがアウターリード２０２の全厚の１３．３％の場合には、切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率が４０％だった。一方、切断クリアランスａ＝ｂがアウターリード２０２の全厚の１６．０％の場合には、切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率が４０％未満となった。このように、切断クリアランスａ＝ｂがアウターリード２０２の全厚の１４．０％未満となるようにすることにより、切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率を４０％以上に高めることができた。
また、切断クリアランスａ＝ｂがアウターリード２０２の全厚の２．７％の場合には、せん断面上へのめっき被膜形成比率が９０％〜１００％となった。切断クリアランスａ＝ｂがアウターリード２０２の全厚の２．３％以上となるようにすることにより、せん断面上へのめっき被膜形成比率を９０％以上とすることができた。さらに、切断クリアランスａ＝ｂがアウターリード２０２の全厚の１４．０％未満となるようにすることにより、切断バリの発生も抑えて良好にすることができた。以上から、切断クリアランスａ＝ｂをアウターリード２０２の全厚の２．３％以上１４．０％未満に設定することにより、切断面の状態を良好にすることができる。これにより、後の工程において、半田フィレット３０２との接合状態を良好にすることができる。さらに、切断クリアランスａ＝ｂをアウターリード２０２の全厚の２．３％以上１１％以下に設定することにより切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率を約５０％以上とすることができ、切断面の形状をより良好にすることができる。
【００４４】
（実施例２）
図１０を参照して説明した切断方法でアウターリード２０２を切断した。切断対象のアウターリード２０２は、実施例１と同様とした。切断クリアランスｅがアウターリード２０２の全厚の０％、２．７％、５．３％、８．０％、１０．７％、１３．３％、１６．０％となるようにして、切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率、せん断面上へのめっき被膜形成比率、切断バリ発生状態を観測した。結果を図１４に示す。
【００４５】
図１４に示すように、切断クリアランスｅがアウターリード２０２の全厚の１４．０％未満となるようにすることにより、切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率を４０％以上に高めることができた。切断クリアランスｅがアウターリード２０２の全厚の２．３％以上となるようにすることにより、せん断面上へのめっき被膜形成比率を９０％以上とすることができた。さらに、切断クリアランスｅがアウターリード２０２の全厚の１４．０％未満となるようにすることにより、切断バリの発生も抑えて良好にすることができた。以上から、切断クリアランスｅをアウターリード２０２の全厚の２．３％以上１４．０％未満に設定することにより、切断面の状態を良好にすることができる。これにより、後の工程において、半田フィレット３０２との接合状態を良好にすることができる。さらに、切断クリアランスｅをアウターリード２０２の全厚の２．３％以上１１％以下に設定することにより切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率を約５０％以上とすることができ、切断面の形状をより良好にすることができる。
【００４６】
（実施例３）
図１１を参照して説明した切断方法でアウターリード２０２を切断した。切断対象のアウターリード２０２は、実施例１と同様とした。切断クリアランスｃがアウターリード２０２の全厚の０％、２．７％、５．３％、８．０％、１０．７％、１３．３％、１６．０％となるようにして、切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率、せん断面上へのめっき被膜形成比率、切断バリ発生状態、えぐれ深さを観測した。結果を図１５（図１５（ａ））に示す。
【００４７】
図１５（ａ）に示すように、切断クリアランスｃがアウターリード２０２の全厚の２．３％以上となるようにすることにより、せん断面上へのめっき被膜形成比率を９０％以上とすることができた。本例では、切断クリアランスｃがアウターリード２０２の全厚の２．３％以上の場合、いずれの場合も切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率は４０％〜６０％で変化がなかった。本実施例において、切断クリアランスｃが狭い場合、実施例１および実施例２に示した結果に比べてダレ面＋せん断面の形成比率が低くなってしまう。一方、切断クリアランスｃがアウターリード２０２の全厚の２．３％以上１４．０％未満となるようにすることにより、切断バリの発生も抑えて良好にすることができた。さらに、切断クリアランスｃがアウターリード２０２の全厚の１４．０％未満となるようにすることにより、えぐれ深さも低減することができた。以上から、本例においても、切断クリアランスｃをアウターリード２０２の全厚の２．３％以上１４．０％未満に設定することにより、切断面の状態を良好にすることができる。これにより、後の工程において、半田フィレット３０２との接合状態を良好にすることができる。
【００４８】
また、本例では、アウターリード２０２のめっき層２０６の膜厚Ｄ２を１５μｍとし、リード部２０４とその上下のめっき層２０６との全厚が０．１７ｍｍ（１７０μｍ）とし、切断クリアランスｃがアウターリード２０２の全厚の０％、２．４％、４．７％、７．１％、９．４％、１１．８％、１４．１％となるようにして、切断面におけるダレ面＋せん断面の形成比率、せん断面上へのめっき被膜形成比率、切断バリ発生状態、えぐれ深さを観測した。結果を図１５（ｂ）に示す。この場合も、切断クリアランスｃをアウターリード２０２の全厚の２．３％以上１４．０％未満に設定することにより、切断面の状態を良好にすることができる。これにより、後の工程において、半田フィレット３０２との接合状態を良好にすることができる。
【００４９】
また、図９を参照して説明した切断方法の場合も、実施例１および実施例２と同様、切断クリアランスｄをアウターリード２０２の全厚の２．３％以上１４．０％未満に設定することにより、切断面の状態を良好にすることができた。
【００５０】
以上の結果から、ダイ１０６と切断用パンチ１１０との間の切断クリアランスをアウターリード２０２の全厚の２．３％以上１４．０％未満に設定することにより、アウターリード２０２切断面の状態を良好にすることができる。さらに、アウターリード２０２切断時のアウターリード２０２の支持方法を適宜設定して切断クリアランスを上記の範囲に設定することにより、アウターリード２０２の切断面におけるせん断面をより安定的に形成することができ、結果として切断面におけるめっき膜の形成比率を高めることができる。
【００５１】
本実施の形態におけるリードの切断方法によれば、リード切断時の切断クリアランス、リード支持方法、パンチ側面の状態等を加工条件として設定し、リード先端部位形状を変更することなく、（ｉ）安定したせん断面の形成、（ｉｉ）せん断面形成比率の向上、（ｉｉｉ）せん断面上への安定しためっき皮膜形成により、半導体装置製造段階において、リード先端部の半田フィレット形成状態の向上と安定化を図ることができる。
【００５２】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態におけるリードカット装置の構成を示す断面図である。
【図２】切断用パンチとダイとの間のクリアランスを示す拡大断面図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるリードカット装置によりアウターリードの先端が切断された半導体装置の構成を示す側面図である。
【図４】図３に示した半導体装置のアウターリードを詳細に示す断面図である。
【図５】図３に示した半導体装置のアウターリードの先端部分の拡大図である。
【図６】半導体装置を実装基板上に設置し、アウターリードを半田フィレットで実装基板に固定した状態を示す断面図である。
【図７】半導体装置を実装基板上に設置し、アウターリードを半田フィレットで実装基板に固定した状態を示す断面図である。
【図８】アウターリードを切断する際に、切断屑となる部分を打ち抜く加工方法を示す図である。
【図９】アウターリードを切断する際に、切断屑となる部分を打ち抜かず、かつ切断屑を支持しながら切断する加工方法を示す図である。
【図１０】アウターリードを切断する際に、切断屑となる部分を打ち抜かず、かつ切断屑を支持しながら切断する加工方法を示す図である。
【図１１】アウターリードを切断する際に、切断屑となる部分を打ち抜かず、かつ切断屑を支持することなく切断する加工方法を示す図である。
【図１２】図１１に示した加工方法で形成したアウターリードの先端部を示す図である。
【図１３】実施例１の結果を示す図である。
【図１４】実施例２の結果を示す図である。
【図１５】実施例３の結果を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１００ リードカット装置
１０２ 下金型
１０４ 上金型
１０６ ダイ
１０８ 上金型保持ブロック
１１０ 切断用パンチ
１１２ 支柱
１１６ 切り離し側ダイ
１１８ リード支持部
１２０ リード支持部
１２２ リード支持部
１２４ リード支持部
２００ 半導体装置
２０２ アウターリード
２０４ リード部
２０６ めっき層
２１０ 切断バリ側
２２０ ダレ面側
３００ 実装基板
３０２ 半田フィレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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