(57)【要約】【課題】極めて封止性に秀れた信頼性の高い有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に陽極，有機化合物層，陰極を順次積層して形成される発光部12上にこの発光部12を封止する第一封止膜13を成膜し、前記陽極若しくは前記陰極の端子部14上に積層された第一封止膜13の一部にレーザー光を照射して、この端子部14上の第一封止膜13を除去することで第一給電用開口部15を形成した後、前記第一封止膜13上に、前記発光部12を封止すると共に前記第一給電用開口部15をも隠蔽する第二封止膜16を成膜し、この第二封止膜16にレーザー光を照射して、前記第一給電用開口部15内に前記端子部14を露出せしめる第二給電用開口部17を形成するものである。【選択図】図６
2007141710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に陽極，有機化合物層，陰極を順次積層して形成される発光部上に、この発光部を封止する封止膜を形成して成る有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記発光部上にこの発光部を封止する第一封止膜を成膜し、前記陽極若しくは前記陰極の端子部上に積層された第一封止膜の一部にレーザー光を照射して、この端子部上の第一封止膜を除去することで、前記第一封止膜から成る側周部とこの第一封止膜から露出する前記端子部から成る底部とで構成される第一給電用開口部を形成した後、前記第一封止膜上に、前記発光部を封止すると共に前記第一給電用開口部の側周部及び底部をも隠蔽する第二封止膜を成膜し、前記第一給電用開口部の底部を隠蔽する第二封止膜にレーザー光を照射して、前記第一給電用開口部の底部上に積層される前記第二封止膜を除去して前記端子部を露出させることで、前記第一給電用開口部内に前記端子部を露出せしめる第二給電用開口部を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記第一給電用開口部の側周部上に積層される前記第二封止膜を残すように前記レーザー光を前記第一給電用開口部の底部を隠蔽する第二封止膜に照射して除去することで、前記第二給電用開口部を形成することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
前記第二給電用開口部の開口面積が、前記第一給電用開口部の開口面積より小さくなるように前記レーザー光を前記第一給電用開口部の底部を隠蔽する第二封止膜に照射して除去することで、前記第二給電用開口部を形成することを特徴とする請求項１，２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記第一封止膜及び第二封止膜は、マスクを用いることなく前記基板の略全面に成膜することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記第一封止膜及び第二封止膜は、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の有機ＥＬ素子（以下、ＯＥＬＤという。）は、以下のような手順で作製されている。
【０００３】
（１）ガラス基板上にスパッタ法若しくは蒸着法でアノード電極用ＩＴＯのような金属薄膜を成膜し、フォトリソプロセスを経てアノード電極配線パターンを形成する。
【０００４】
（２）メタルマスクを使用し正孔注入層（ＣｕＰｃ）、正孔輸送層（α−ＮＰＤ）、発光層（Ａｌｑ３＋ドーパント）、電子輸送層（Ａｌｑ３）、電子注入層（ＬｉＦ）を順次成膜して有機発光層を形成した後、更にカソード電極形成用メタルマスクを用いて金属薄膜（Ａｌ，Ａｌ／Ｌｉ，Ｍｎ，Ｍｎ／Ａｇ…ｅｔｃ．）を成膜し、カソード電極配線パターンを形成して発光部を形成する。
【０００５】
（３）上記（１）及び（２）のプロセスを経たサンプル（発光部）上に、無機膜の単層若しくは積層、有機膜の単層若しくは積層または無機膜及び有機膜の積層膜から成る封止膜を成膜する。この場合、図１，２に図示したように、端子部ＡをメタルマスクＢ等で遮蔽し、この端子部Ａに封止膜Ｃが成膜されないようにして給電用端子を形成する必要がある。尚、図中符号Ｄは基板、Ｅは発光部である。
【０００６】
ところで、ＯＬＥＤの信頼性能確保のためには、大気中の酸素及び水分の影響を防ぐために、有機層と腐食性の高いカソード電極層を封止膜で完全に被覆する必要がある。この際、有機層及びカソード電極層よりも封止層を十分に大きくすればデバイス性能は確保できるが、デバイスの素子面積が大きくなってしまうという問題点が生じる。
【０００７】
従って、デバイスの性能が維持できる最適な封止面積を選択する必要がある。この際、シャドーマスクを利用してＯＬＥＤへの給電端子部の形成をする場合には、マスクのアライメントが必要になる。更に、ＯＬＥＤ表示装置を携帯用等の表示パネルとして実装するためには、表示部以外の面積は出来る限り小さくしたいという要求がある。そのため、マスクアライメント精度を高め、設計余裕度を最小限に抑える必要が生じてくるが、コスト高となるのは避けられない。
【０００８】
また、封止膜として、無機層と有機層とを交互に複数層成膜する場合には、有機層用のメタルマスクや無機層用のマスクが必要になる。更に量産ラインではマスクの自動交換機構も必要になる。そして、無機層と有機層との組み合わせを複数層形成する場合には、多数の予備マスクが必要となり、非常に複雑で高コストの設備になってしまう。しかも、メタルマスクは定期的に交換洗浄する必要があり、ランニングコストも非常に高くなってしまうという問題が発生する。
【０００９】
そこで、出願人は、特許文献１（特願２００４−３４６９７０号公報）において、マスクを用いることなく封止膜を成膜した後、端子部上にのみレーザーにより給電用開口部を形成することで、フォトリソプロセス等の厄介な工程を行う必要なく簡易な方法で上記の問題点を解決できる有機ＥＬ素子の製造方法を提案している。
【００１０】
【特許文献１】特願２００４−３４６９７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上述のような問題点を解決すると共に更なる封止性の向上を図るべく上記特許文献１を元に種々検討を行った結果、第一封止膜と第二封止膜とを積層し、この第一封止膜と第二封止膜の発光部の端子部を露出せしめる給電用開口部を所定の形状に設定することで、第一封止膜と第二封止膜との積層構造により基板垂直方向からの水分の侵入を確実に阻止できるのは勿論、基板平行方向からの水分の侵入をも確実に阻止できることを見い出し完成したもので、極めて封止性に秀れた信頼性の高い有機ＥＬ素子の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
添付図面を参照して本発明の要旨を説明する。
【００１３】
基板11上に陽極，有機化合物層，陰極を順次積層して形成される発光部12上に、この発光部12を封止する封止膜を形成して成る有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記発光部12上にこの発光部12を封止する第一封止膜13を成膜し、前記陽極若しくは前記陰極の端子部14上に積層された第一封止膜13の一部にレーザー光を照射して、この端子部14上の第一封止膜13を除去することで、前記第一封止膜13から成る側周部とこの第一封止膜13から露出する前記端子部14から成る底部とで構成される第一給電用開口部15を形成した後、前記第一封止膜13上に、前記発光部12を封止すると共に前記第一給電用開口部15の側周部及び底部をも隠蔽する第二封止膜16を成膜し、前記第一給電用開口部15の底部を隠蔽する第二封止膜16にレーザー光を照射して、前記第一給電用開口部15の底部上に積層される前記第二封止膜16を除去して前記端子部14を露出させることで、前記第一給電用開口部15内に前記端子部14を露出せしめる第二給電用開口部17を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法に係るものである。
【００１４】
また、前記第一給電用開口部15の側周部上に積層される前記第二封止膜16を残すように前記レーザー光を前記第一給電用開口部15の底部を隠蔽する第二封止膜16に照射して除去することで、前記第二給電用開口部17を形成することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法に係るものである。
【００１５】
また、前記第二給電用開口部17の開口面積が、前記第一給電用開口部15の開口面積より小さくなるように前記レーザー光を前記第一給電用開口部15の底部を隠蔽する第二封止膜16に照射して除去することで、前記第二給電用開口部17を形成することを特徴とする請求項１，２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法に係るものである。
【００１６】
また、前記第一封止膜13及び第二封止膜16は、マスクを用いることなく前記基板11の略全面に成膜することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法に係るものである。
【００１７】
また、前記第一封止膜13及び第二封止膜16は、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法に係るものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、上述のように構成したから、発光部への基板垂直方向からの水分の侵入を確実に阻止できるのは勿論、基板平行方向からの水分の侵入をも確実に阻止でき、極めて封止性に秀れた信頼性の高い有機ＥＬ素子の製造方法となる。
【００１９】
また、請求項２〜６記載の発明においては、本発明を一層容易に実現できる一層実用性に秀れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
好適と考える本発明の実施形態（発明をどのように実施するか）を、図面に基づいて本発明の作用を示して簡単に説明する。
【００２１】
基板11上に、例えばＩＴＯから成る陽極（アノード電極）と、正孔注入層（ＣｕＰｃ），正孔輸送層（α−ＮＰＤ），発光層（Ａｌｑ３＋ドーパント），電子輸送層（Ａｌｑ３），電子注入層（ＬｉＦ）から成る有機発光層と、Ａｌから成る陰極（カソード電極）とを順次成膜して成る発光部12上に、この発光部12を封止する第一封止膜13を成膜する。
【００２２】
続いて、発光部12の端子部14上に積層された第一封止膜13の一部にレーザー光を照射して除去し、側周部（第一封止膜13）と底部（第一封止膜13から露出する端子部14）とから成る第一給電用開口部15を形成する。
【００２３】
続いて、第一封止膜13上に第二封止膜16を前記第一給電用開口部15の側周部及び底部も隠蔽されるように成膜する。これにより第一封止膜13上に第二封止膜16が積層されることで、第一封止膜13と第二封止膜16に夫々欠陥があっても相互に補完することができ、発光部12への基板垂直方向からの水分の侵入をより確実に阻止できることになる。
【００２４】
続いて、第一給電用開口部15の底部を隠蔽する第二封止膜16にレーザー光を照射して前記底部上に積層される第二封止膜16を除去して、第一給電用開口部15の側周部が第二封止膜16により隠蔽された状態を保持したまま第一給電用開口部15内に端子部14を露出せしめる第二給電用開口部17を形成する。
【００２５】
従って、第一給電用開口部15の側周部が第二封止膜16により隠蔽されることで、発光部12への基板平行方向からの水分の侵入も阻止できることになる。即ち、例えば、第一封止膜を発光部上に成膜した後、この第一封止膜に給電用開口部を形成せずに第二封止膜を積層成膜し、第一封止膜と第二封止膜とにまとめて給電用開口部を形成する方法を採用した場合、第一封止膜と第二封止膜の開口端面（側周部）が露出し、基板平行方向から水分が侵入する可能性が高くなってしまうが、本発明においては、第一封止膜13の側周部を第二封止膜16により隠蔽した状態を保持するように（第一給電用開口部15の側周部上に積層された第二封止膜16を残すように）、第一給電用開口部15の底部上に積層された第二封止膜16を除去するから、第一封止膜13の側周部を露出させることなく端子部14のみを露出させることができ、この第一封止膜13の側周部からの水分の侵入をそれだけ良好に阻止できることになる。
【００２６】
また、例えば、第二給電用開口部17の開口面積が、前記第一給電用開口部15の開口面積より小さくなるように前記レーザー光を前記第一給電用開口部15の底部を隠蔽する第二封止膜16に照射して除去することで、前記第二給電用開口部17を形成する場合には、端子部14と第二封止膜16との接触面積をそれだけ大きく確保でき、封止性を一層向上させることができる。
【００２７】
また、第一封止膜13及び第二封止膜16は、マスクを用いることなく前記基板11の略全面に成膜する場合には、マスクを用いる際の不都合、即ち、従来必要であったマスクのアライメント機構や、多数の予備マスクや、マスクの自動交換機構等は一切必要なくなり、極めてコスト安となり、しかも、マスクを定期的に交換洗浄する必要もないから、メンテナンス性にも秀れたものとなる。
【００２８】
また、有機ＥＬ素子の更なる高密度化・高解像度化を図るためには、発光部12（表示部）以外の面積を可及的に小さくする必要があるが、マスクを用いる場合、上述のマスクのアライメント機構の更なる高精度化は非常にコスト高となるため実現は難しく、ある程度の誤差を見越して余裕をもって発光部同士の間隔を設定しなければならなかったが、上述のような問題は一切なく、発光部12以外の面積を可及的に小さくすることができ、更なる高密度化・高解像度化を実現できることになる。
【００２９】
また、フォトリソプロセスと異なり、極めて簡易な工程でウェット工程も必要ないから、素子の劣化を阻止できるのは勿論、極めてコスト安に封止膜13を成膜できることになる。
【００３０】
また、例えば、第一封止膜13及び第二封止膜16は、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜とした場合には、基板垂直方向からの発光部12への水分の侵入を一層良好に阻止できることになる。
【実施例】
【００３１】
本発明の具体的な実施例について図３〜８に基づいて説明する。
【００３２】
本実施例は、基板11上に陽極，有機化合物層，陰極を順次積層して形成される発光部12上に、この発光部12を封止する封止膜を形成して成る有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記発光部12上にこの発光部12を封止する第一封止膜13を成膜し、前記陽極若しくは前記陰極の端子部14上に積層された第一封止膜13の一部にレーザー光を照射して、この端子部14上の第一封止膜13を除去することで、前記第一封止膜13から成る側周部とこの第一封止膜13から露出する前記端子部14から成る底部とで構成される第一給電用開口部15を形成した後、前記第一封止膜13上に、前記発光部12を封止すると共に前記第一給電用開口部15の側周部及び底部をも隠蔽する第二封止膜16を成膜し、前記第一給電用開口部15の底部を隠蔽する第二封止膜16にレーザー光を照射して、前記第一給電用開口部15の底部上に積層される前記第二封止膜16を除去して前記端子部14を露出させることで、前記第一給電用開口部15内に前記端子部14を露出せしめる第二給電用開口部17を形成するものである。
【００３３】
具体的には、図７に図示したような有機ＥＬ素子製造装置を用いて製造する。
【００３４】
例えば図７に示すように、フォトリソグラフィー法により形成されたアノード配線ＩＴＯ電極が形成されたガラス基板11を仕込み室に収納し、真空排気を行う。次にゲートバルブを開け、前記ガラス基板11を、真空排気されたプラズマ洗浄室に移動し、酸素ガス等を導入し、高周波により酸素プラズマを生成し、表面処理を行う。次に真空排気された有機成膜室１に前記ガラス基板11を移動し、正孔注入層を蒸着成膜する、更に真空排気された各々の有機成膜室（２〜４）に前記ガラス基板11を移動し、赤、緑、青各々の発光層を成膜する。
【００３５】
更に、真空排気された有機成膜室５に前記ガラス基板11を移動し、電子輸送層を蒸着成膜する。更に真空排気され成膜室６で電子注入層を蒸着成膜し、真空排気された金属電極蒸着室でカソード配線電極膜を成膜する。
【００３６】
次に真空排気若しくは窒素置換されたレーザー加工室１に前記ガラス基板11を移動し、レーザーによりカソード配線電極を形成する。
【００３７】
次に真空排気若しくは窒素置換された薄膜封止室に前記ガラス基板11を移動し、第一封止膜13を成膜する。
【００３８】
この薄膜封止室にはスパッタリング法若しくは真空蒸着法により第一封止膜13を成膜する封止膜形成機構が設けられており、この封止膜形成機構により、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜を基板11の略全面に成膜する（図３参照。図３中では第一封止膜13は第二封止膜16に隠れているが第二封止膜16と同様に基板11の略全面に成膜される。）。
【００３９】
無機膜としては、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2），シリコンナイトライド（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ），アルミナ（ＡｌＯX）等が採用される。また、有機膜としては、エポキシ系，ポリイミド系，アクリル系，シリコーン系の、熱硬化型若しくはＵＶ硬化型または熱硬化及びＵＶ硬化併用型の樹脂等が採用される。
【００４０】
更にレーザー加工室２に前記ガラス基板11を移動し、レーザーにより端子部14上の第一封止膜13を除去し、第一給電用開口部15から露出する給電端子部を形成する（図４，５参照）。
【００４１】
レーザー加工室２には、封止膜除去機構としてのレーザー光を発振するレーザー発振器（光源）と、前記基板11を駆動してレーザー発振器からのレーザー光を前記端子部14上の第一封止膜13の所定部位に照射せしめる駆動部としての、基板11が載置されるＸ，Ｙステージとを有するレーザー加工装置が設けられており、レーザー発振器として、ガスレーザー発振器若しくは固体レーザー発振器を採用する。尚、本実施例においては、基板11を駆動する駆動部を設けた構成としているが、レーザー発振器を駆動する駆動部を設けた構成としても良い。
【００４２】
例えば、前記ガスレーザー発振器としてはＣＯ2，ＫｒＦ，ＡｒＦ，Ｆ2，ＸｅＣｌ，ＸｅＦ若しくはＨｅＣｄレーザー発振器等を採用すると良く、前記固体レーザー発振器としてはＴｉサファイア，ＹＡＧ若しくはＹＶＯ4レーザー発振器等を採用すると良い。
【００４３】
具体的には、前記封止膜除去機構は、前記成膜機構によって成膜された複数層の無機膜若しくは複数層の有機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜の内、いずれかの層の波長吸収特性に応じた波長のレーザー光を照射して複数層を一括除去し得るように構成している。即ち、積層膜を一層ずつ除去する必要なく、最適な同一加工条件を選定することにより、レーザー種を変更する必要なく積層膜から成る第一封止膜を除去できる。例えば、レーザーとして、最下層の膜が吸収しやすい波長を有するレーザーを採用し（若しくは最下層の膜としてレーザーの波長を吸収しやすい材料から成るものを採用し）、この最下層の膜を除去することでその上に積層される膜をまとめて除去し得るように設定する。尚、最下層でない膜を除去することで、複数の膜を除去し得るように設定しても良い。
【００４４】
従って、複数の有機膜と無機膜とを積層した積層膜を除去する場合でも、一層ずつ除去する必要なく一の工程で簡易に且つ効率的に第一封止膜13を除去して第一給電用開口部15を形成できることになる。
【００４５】
また、本実施例においては、端子部14上の第一封止膜13を全て除去するのではなく、図４，５に図示したように一部を除去するように設定している。具体的には端子部14の接続端子18上の一部の第一封止膜13を長方形状に除去するように設定している。従って、給電用開口部15の大きさは最小で済み、それだけ第一封止膜13による封止作用は良好に発揮される。
【００４６】
また、前記発光部12上に積層成膜した第一封止膜13の周縁部をレーザー光を照射することで閉塞する封止周縁部閉塞機構を備えた構成としても良い。このように封止周縁部を閉塞することにより、封止作用は一層良好となり、素子の劣化は可及的に阻止されることになる。具体的には、この封止周縁部閉塞機構は、上述のレーザー加工室２を封止膜除去機構と兼用する構成としても良いし、別途レーザー加工室を設ける構成としても良い。
【００４７】
また、この場合には、前記第一封止膜13が、前記レーザー光が照射される周縁部のみに熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜若しくは前記周縁部のみに成膜される前記熱硬化性成分を含有する有機膜若しくは基板前面全てに渡って熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜を含むように、前記封止膜形成機構を設定すると良い。
【００４８】
続いて、前記薄膜封止室に前記ガラス基板11を移動し、第一封止膜13上に前記発光部12を封止すると共に前記第一給電用開口部15の側周部及び底部をも隠蔽する第二封止膜16を成膜する。具体的には、前記第一給電用開口部15は、前記第一封止膜13の開口端面13ａから成る側周部と、前記端子部14にして前記第一封止膜13の開口部から露出する上面14ａから成る底部とで構成されている。この第二封止膜16としては前記第一封止膜13と同じ構成のものを採用している。尚、第二封止膜16を成膜する薄膜封止室を別途設けても良い。
【００４９】
更にレーザー加工室２に前記ガラス基板11を移動し、上記レーザー加工装置により、前記第一給電用開口部15の側周部上に積層される前記第二封止膜16を残すように端子部14上に積層された第二封止膜16を除去し、第一給電用開口部15及び第二給電用開口部17から露出する給電端子部を形成する（図６参照）。
【００５０】
具体的には、前記第一給電用開口部15の側周部上に積層される前記第二封止膜16を除去しないように、前記第一給電用開口部15の底部上に積層される前記第二封止膜16の一部を除去することで、前記第二給電用開口部17の開口径が、この第二給電用開口部17より前記第一給電用開口部15の開放端側の側周部上に積層される第二封止膜16の内径より径小となるように前記第二給電用開口部17を形成する。
【００５１】
即ち、前記第一給電用開口部15の底部上に積層される第二封止膜16の外周部を残し、中央部のみを除去して、前記第一給電用開口部15の側周部上の第二封止膜16と端子部14との接触面積が可及的に広くなるようにしている。
【００５２】
以上、前記実施例についての有機成膜は低分子有機ＥＬ材料を想定し、真空蒸着法について説明した。
【００５３】
その他の実施例として高分子有機ＥＬ材料の有機成膜については、インクジェット法を利用してもよい。
【００５４】
また、更に高分子有機材料をスピン塗布法、スプレー法を利用する場合には、真空排気若しくは真空置換された乾燥室を追加したり、有機成膜をレーザー加工室でパターン形成する実施例も考えられる。
【００５５】
その他の実施例として、基板を各処理室に搬送する機構を有する搬送室の周囲に、仕込み室、プラズマ洗浄室、有機成膜室、スパッター室、ＣＶＤ室、金属電極蒸着室、薄膜封止室及び排出室を有する有機ＥＬ素子製造装置において、有機成膜室、スパッター室、ＣＶＤ室、金属電極蒸着室、薄膜封止室のうちの少なくともいずれか一台以上の処理室と、一台又は、複数台のレーザー加工室とを一体化した有機ＥＬ素子製造装置としている。
【００５６】
また、前記搬送室の周囲若しくは前記搬送室の搬送方向に沿った位置に前記処理室を配設すると共に前記レーザー加工室を配設している。
【００５７】
また、前記有機成膜室、スパッター室、ＣＶＤ室、金属電極蒸着室、薄膜封止室及びレーザー加工室内の雰囲気は、真空雰囲気若しくはＡｒ等の不活性ガス若しくは窒素ガスなどによる非酸化性雰囲気で、且つ露点が−５０℃以下の乾燥雰囲気としている。
【００５８】
また、前記有機成膜室は有機材料或いは金属材料を抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱等の蒸着源加熱手段及び高分子有機材料をインクジェット法、スピン塗布法、スクリーン印刷を含む各種印刷法若しくはスプレー印刷法を用いて成膜する手段を有し、スパッター室は、有機材料或いは絶縁材料をコンベンショナル、マグネトロン、イオンビーム、ＥＣＲ等のスパッタリング法を用いて成膜する手段を有し、ＣＶＤ室は金属材料及び絶縁材料を減圧、常圧、プラズマ法を用いて成膜する手段を有し、金属電極蒸着室は金属材料を抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱等の蒸着源加熱手段を有する。
【００５９】
また、薄膜封止室は、大気雰囲気と遮断することにより、大気雰囲気中の水及び酸素が直接有機ＥＬ素子表面と接触することを防止する機能を有する封止膜を付加する手段を有し、前記レーザー加工室は、透明導電膜、有機ＥＬ膜、金属電極膜、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等のセラミック膜をレーザー光にて加工する手段を有する。
【００６０】
本実施例では、基板を前記各処理室に搬送する機構を有する前記搬送室の周囲に仕込み室、プラズマ洗浄室、有機成膜室１、有機成膜室２、有機成膜室３、陰極金属蒸着室、レーザー加工室、薄膜封止室及び排出室を設けた構成としている。
【００６１】
また、前記基板を前記各処理室に搬送する機構を有する前記搬送室の周囲に、仕込み室、プラズマ洗浄室、スパッター室（透明導電膜形成）、レーザー加工室１、有機成膜室１、有機成膜室２、有機成膜室３、金属電極蒸着室、レーザー加工室２、薄膜封止室及び排出室を設けた構成としても良い。
【００６２】
また、基板を各処理室に搬送する機構を有する搬送室の周囲に仕込み室、プラズマ洗浄室、スパッター室（透明導電膜形成）、レーザー加工室１、有機成膜室１、有機成膜室２、有機成膜室３、金属電極蒸着室、レーザー加工室２、薄膜封止室、レーザー加工室３及び排出室を設けた構成としても良い。
【００６３】
また、基板を各処理室に搬送する機構を有する搬送室の周囲に、仕込み室、プラズマ洗浄室、スパッター室（透明導電膜形成）、レーザー加工室及び排出室を設けた構成としても良い。
【００６４】
前記仕込み室が前記排出室を兼ねる場合は、仕込む室のみでも良い。
【００６５】
また、レーザー加工室を複数室としたが、一室のみで兼用しても良い。
【００６６】
また、有機成膜室を三室としても良いし、一室で兼用しても良く、もちろん四室以上にしても良い。
【００６７】
また、本実施例では、搬送室の周囲に各処理室とレーザー加工室を配設（通称クラスター方式）したが、図８に図示したような搬送室の搬送方向に順次各処理室とレーザー加工室を縦列（通称インライン方式）した構成としても良い。
【００６８】
このようにして作製した有機ＥＬ素子に、前記給電用端子部を介して有機ＥＬ素子（発光部12）駆動用の駆動回路を接続実装し、この駆動回路を制御するコントローラやその他の電子部品などが組み込まれたプリント基板（ＰＣＢ：printed Circuit board）を基板11に取り付け、ケーブルや筐体を取り付けることで有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００６９】
本実施例は上述のようにするから、基板11上に形成される発光部12上に、この発光部12を封止する第一封止膜13を成膜し、発光部12の端子部14上に積層された第一封止膜13の一部にレーザー光を照射して除去し、側周部（第一封止膜13）と底部（第一封止膜13から露出する端子部14）とから成る第一給電用開口部15を形成した後、第一封止膜13上に第二封止膜16を前記第一給電用開口部15の側周部及び底部も隠蔽されるように成膜するから、第一封止膜13上に第二封止膜16が積層されることで、第一封止膜13と第二封止膜16に夫々欠陥があっても相互に補完することができ、発光部12への基板垂直方向からの水分の侵入をより確実に阻止できることになる。
【００７０】
更に、第一給電用開口部15の底部を隠蔽する第二封止膜16にレーザー光を照射して前記底部上に積層される第二封止膜16を除去して、第一給電用開口部15の側周部が第二封止膜16により隠蔽された状態を保持したまま第一給電用開口部15内に端子部14を露出せしめる第二給電用開口部17を形成するから、第一給電用開口部15の側周部が第二封止膜16により隠蔽されることで、発光部12への基板平行方向からの水分の侵入も阻止できることになる。即ち、第一封止膜13の側周部を露出させることなく端子部14のみを露出させることができ、この第一封止膜13の側周部からの水分の侵入をそれだけ良好に阻止できることになる。
【００７１】
また、第二給電用開口部17の開口面積が、前記第一給電用開口部15の開口面積よりも小さくなるように前記レーザー光を前記第一給電用開口部15の底部を隠蔽する第二封止膜16に照射して除去することで、前記第二給電用開口部17を形成するから、端子部14と第二封止膜16との接触面積をそれだけ大きく確保でき、封止性を一層向上させることができる。
【００７２】
また、第一封止膜13及び第二封止膜16は、マスクを用いることなく前記基板11の略全面に成膜するから、マスクを用いる際の不都合、即ち、従来必要であったマスクのアライメント機構や、多数の予備マスクや、マスクの自動交換機構等は一切必要なくなり、極めてコスト安となり、しかも、マスクを定期的に交換洗浄する必要もないから、メンテナンス性にも秀れたものとなる。また、発光部12以外の面積を可及的に小さくすることができ、更なる高密度化・高解像度化を実現できることになる。また、フォオリソプロセスと異なり、極めて簡易な工程でウェット工程も必要ないから、素子の劣化を阻止できるのは勿論、極めてコスト安に封止膜13を成膜できることになる。
【００７３】
また、第一封止膜13及び第二封止膜16は、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜としたから、基板垂直方向からの発光部12への水分の侵入を一層良好に阻止できることになる。
【００７４】
従って、本実施例は、発光部への基板垂直方向からの水分の侵入を確実に阻止できるのは勿論、基板平行方向からの水分の侵入をも確実に阻止でき、極めて封止性に秀れた信頼性の高い有機ＥＬ素子の製造方法となる。
【００７５】
本発明は、本実施例に限られるものではなく、各構成要件の具体的構成は適宜設計し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】従来の封止膜形成法の概略説明斜視図である。
【図２】従来の有機ＥＬ素子の概略説明斜視図である。
【図３】本実施例に係る有機ＥＬ素子の一部を切り欠いた概略説明斜視図である。
【図４】本実施例に係る有機ＥＬ素子の要部の概略説明平面図である。
【図５】本実施例に係る有機ＥＬ素子の要部の概略説明断面図である。
【図６】本実施例に係る有機ＥＬ素子の要部の概略説明断面図である。
【図７】有機ＥＬ素子製造装置のクラスター方式での一例を示す概略構成説明図である。
【図８】有機ＥＬ素子製造装置のインライン方式での一例を示す概略構成説明図である。
【符号の説明】
【００７７】
11  基板
12  発光部
13  第一封止膜
14  端子部
15  第一給電用開口部
16  第二封止膜
17  第二給電用開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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