(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置の発熱を抑制して、有機ＥＬ素子の寿命特性を改善すること。【解決手段】本発明によると、各々が画素回路と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを含み、各々が含む画素回路と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは電源端子ＮＤ１と電源端子ＮＤ２との間にこの順に直列に接続された複数の画素ＰＸと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの温度変化を感知する温度センサと、電源端子ＮＤ１及びＮＤ２間に電圧を供給すると共に、温度センサが温度上昇を感知した場合に、電源端子ＮＤ１及びＮＤ２間の電圧の絶対値が小さくなるように電源端子ＮＤ２の電位を変化させる電源回路とを具備したことを特徴とするアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置が提供される。【選択図】      図１
2007101951.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が画素回路と有機ＥＬ素子とを含み、各々が含む前記画素回路と前記有機ＥＬ素子とは第１及び第２電源端子間にこの順に直列に接続された複数の画素と、
前記有機ＥＬ素子の温度変化を感知する温度センサと、
前記第１及び第２電源端子間に電圧を供給すると共に、前記温度センサが温度上昇を感知した場合に、前記第１及び第２電源端子間の電圧の絶対値が小さくなるように前記第２電源端子の電位を変化させる電源回路とを具備したことを特徴とするアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
各々が画素回路と有機ＥＬ素子とを含み、各々が含む前記画素回路と前記有機ＥＬ素子とは第１及び第２電源端子間にこの順に直列に接続された複数の画素と、前記有機ＥＬ素子の温度変化を感知する温度センサとを具備したアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、
前記温度センサが温度上昇を感知した場合に、前記第１及び第２電源端子間の電圧の絶対値が小さくなるように前記第２電源端子の電位を変化させることを特徴とするアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその駆動方法に係り、特には、アクティブマトリクス型有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置では、各画素の輝度は、有機ＥＬ素子に流す駆動電流の大きさで制御している。すなわち、駆動電流を大きくすると、輝度は高くなる。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子の高温条件下で使用した場合の寿命は、低温条件下で使用した場合の寿命と比較してより短い。有機ＥＬ表示装置はそれ自体が発熱するため、その発熱を抑制すれば、有機ＥＬ素子の寿命特性を改善することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、有機ＥＬ表示装置の発熱を抑制して、有機ＥＬ素子の寿命特性を改善することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１側面によると、各々が画素回路と有機ＥＬ素子とを含み、各々が含む前記画素回路と前記有機ＥＬ素子とは第１及び第２電源端子間にこの順に直列に接続された複数の画素と、前記有機ＥＬ素子の温度変化を感知する温度センサと、前記第１及び第２電源端子間に電圧を供給すると共に、前記温度センサが温度上昇を感知した場合に、前記第１及び第２電源端子間の電圧の絶対値が小さくなるように前記第２電源端子の電位を変化させる電源回路とを具備したことを特徴とするアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２側面によると、各々が画素回路と有機ＥＬ素子とを含み、各々が含む前記画素回路と前記有機ＥＬ素子とは第１及び第２電源端子間にこの順に直列に接続された複数の画素と、前記有機ＥＬ素子の温度変化を感知する温度センサとを具備したアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、前記温度センサが温度上昇を感知した場合に、前記第１及び第２電源端子間の電圧の絶対値が小さくなるように前記第２電源端子の電位を変化させることを特徴とするアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の駆動方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、有機ＥＬ表示装置の発熱を抑制して、有機ＥＬ素子の寿命特性を改善することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
図１は、本発明の一態様に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を概略的に示す斜視図である。
【００１０】
この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ表示パネルＤＰと、プリント回路基板ＰＣＢと、フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣとを含んでいる。また、この有機ＥＬ表示装置は、後述するように、有機ＥＬ素子の温度変化を感知する温度センサを含んでいる。
【００１１】
液晶表示パネルＤＰは、アレイ基板ＡＳを含んでいる。ここでは、一例として、封止基板ＳＳをアレイ基板ＡＳの有機ＥＬ素子を形成した面と向き合うように配置すると共に、アレイ基板ＡＳと封止基板ＳＳとの対向面周縁部に接着剤層を介在させている。
【００１２】
各フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣは、アレイ基板ＡＳとプリント回路基板ＰＣＢとを電気的に接続している。プリント回路基板ＰＣＢは、走査信号線ドライバ及び映像信号線ドライバを駆動する回路や電源回路を搭載している。
【００１３】
図２は、図１のアレイ基板ＡＳに採用可能な回路構成の一例を概略的に示す平面図である。図３は、図２に示すアレイ基板ＡＳが含む画素の等価回路図である。
【００１４】
このアレイ基板ＡＳは、複数の画素ＰＸを含んでいる。これら画素ＰＸは、例えばガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢ上にマトリクス状に配置されている。
【００１５】
基板ＳＵＢ上には、走査信号線ドライバＹＤＲ及び映像信号線ドライバＸＤＲがさらに設けられている。
【００１６】
この基板ＳＵＢ上では、走査信号線ドライバＹＤＲに接続された走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が、画素ＰＸの行方向に延在している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２には、走査信号線ドライバＹＤＲから走査信号が電圧信号として供給される。
【００１７】
また、基板ＳＵＢ上では、映像信号線ドライバＸＤＲに接続された映像信号線ＤＬが、画素ＰＸの列方向に延在している。これら映像信号線ＤＬには、映像信号線ドライバＸＤＲから映像信号が供給される。
【００１８】
さらに、この基板ＳＵＢ上には、電源線ＰＳＬが設けられている。
【００１９】
画素ＰＸは、画素回路と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを含んでいる。画素回路は、駆動制御素子ＤＲと、ダイオード接続スイッチＳＷ１と、映像信号供給制御スイッチＳＷ２と、出力制御スイッチＳＷ３と、キャパシタＣとを含んでいる。
【００２０】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、互いに対向した陽極及び陰極とそれらの間に流れる電流に応じて光学特性が変化する有機物層とを含んでいる。ここでは、一例として、陽極は下部電極として設けられ、陰極は有機物層を介して下部電極と対向配置した上部電極として設けられていることとする。
【００２１】
駆動制御素子ＤＲは、例えば、ソースとドレインとチャネルとが多結晶半導体層中に形成された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）である。ここでは、一例として、駆動制御素子ＤＲに、多結晶半導体層として多結晶シリコン層を有するｐチャネルＴＦＴを使用している。駆動制御素子ＤＲのソースは、電源線ＰＳＬに接続している。なお、電源線ＰＳＬ上のノードＮＤ１は、第１電源端子に相当している。
【００２２】
ダイオード接続スイッチＳＷ１は、駆動制御素子ＤＲのドレインとゲートとの間に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷ１のスイッチング動作は、例えば、走査信号線ドライバＹＤＲから走査信号線ＳＬ２を介して供給される走査信号によって制御する。ここでは、一例として、ダイオード接続スイッチＳＷ１としてｐチャネルＴＦＴを使用し、そのゲートを走査信号線ＳＬ２に接続している。
【００２３】
映像信号供給制御スイッチＳＷ２は、駆動制御素子ＤＲのドレインと映像信号線ＤＬとの間に接続されている。ここでは、一例として、映像信号供給制御スイッチＳＷ２としてｐチャネルＴＦＴを使用し、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続している。
【００２４】
出力制御スイッチＳＷ３と表示素子ＯＬＥＤとは、駆動制御素子ＤＲのドレインと第２電源端子ＮＤ２との間に直列に接続されている。ここでは、出力制御スイッチＳＷ３としてｐチャネルＴＦＴを使用し、そのゲートは走査信号線ＳＬ１に接続し、ソース及びドレインは駆動制御素子ＤＲのドレインと表示素子ＯＬＥＤの陽極とにそれぞれ接続している。また、ここでは、第２電源端子ＮＤ２は、第１電源端子ＮＤ１よりも低電位とする。
【００２５】
キャパシタＣの一方の電極は、駆動制御素子ＤＲのゲートに接続されている。キャパシタＣは、書込期間に続く表示期間において、駆動制御素子ＤＲのゲートの電位をほぼ一定に保つ役割を果たす。ここでは、一例として、キャパシタＣは、定電位端子ＮＤ３と駆動制御素子ＤＲのゲートとの間に接続している。
【００２６】
図４は、図３のアレイ基板に採用可能な構造の一例を示す断面図である。なお、図４には、ＴＦＴとして出力制御スイッチＳＷ３のみを描いているが、ダイオード接続スイッチＳＷ１及び映像信号供給制御スイッチＳＷ２は出力制御スイッチＳＷ３と同様の構造を有している。また、駆動制御素子ＤＲも、出力制御スイッチＳＷ３とほぼ同様の構造を有している。
【００２７】
図４に示すように、絶縁基板ＳＵＢの一主面上には、アンダーコート層ＵＣが設けられている。アンダーコート層ＵＣとしては、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯ2層との積層体などを使用することができる。
【００２８】
アンダーコート層ＵＣ上には、半導体層ＳＣとして、パターニングされた多結晶シリコン層が配置されている。各半導体層ＳＣ中には、ＴＦＴのソースＳ及びドレインＤが互いから離間して形成されている。半導体層ＳＣ中のソースＳとドレインＤとの間の領域ＣＨは、チャネルとして使用する。
【００２９】
半導体層ＳＣ上には、ゲート絶縁膜ＧＩが形成されており、このゲート絶縁膜ＧＩ上には第１導体パターン及び絶縁膜Ｉ１が順次形成されている。第１導体パターンは、ＴＦＴのゲートＧ、キャパシタＣの第１電極（図示せず）、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、これらを接続する配線などとして利用する。また、絶縁膜Ｉ１は、層間絶縁膜及びキャパシタＣの誘電体層として利用する。
【００３０】
絶縁膜Ｉ１上には、第２導体パターンが形成されている。第２導体パターンは、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、キャパシタＣの第２電極（図示せず）、映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、これらを接続する配線などとして利用する。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁膜ＧＩ及びＩ１に設けられた貫通孔の位置でＴＦＴのソースＳ及びドレインＤにそれぞれ接続されている。
【００３１】
第２導体パターン及び絶縁膜Ｉ１上には、絶縁膜Ｉ２及び第３導体パターンが順次形成されている。絶縁膜Ｉ２は、パッシベーション膜及び／又は平坦化層として利用する。他方、第３導体パターンは、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極ＰＥとして利用する。ここでは、一例として、画素電極ＰＥは陽極であることとする。
【００３２】
絶縁膜Ｉ２には、出力制御スイッチＳＷ３のソースＳに接続されたソース電極ＳＥへと連絡する貫通孔が画素ＰＸ毎に設けられている。各画素電極ＰＥは、この貫通孔の側壁及び底面を被覆しており、これにより、ソース電極ＳＥを介して出力制御スイッチＳＷ３のソースＳへと接続されている。
【００３３】
絶縁膜Ｉ２上には、隔壁絶縁層ＳＩが形成されている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＳＩを無機絶縁層ＳＩ１と有機絶縁層ＳＩ２との積層体で構成しているが、無機絶縁層ＳＩ１は省略しても良い。
【００３４】
隔壁絶縁層ＳＩには、画素電極ＰＥの位置に貫通孔が設けられている。隔壁絶縁層ＳＩの貫通孔内では、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが画素電極ＰＥを被覆している。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などをさらに含むことができる。有機物層ＯＲＧを構成している各層は、例えば、マスク蒸着法やインクジェット法により形成することができる。
【００３５】
隔壁絶縁層ＳＩ及び有機物層ＯＲＧ上には、共通電極ＣＥが設けられている。共通電極ＣＥは、絶縁膜Ｉ１、絶縁膜Ｉ２及び隔壁絶縁層ＳＩに設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して、ノードＮＤ２を提供する電極配線に電気的に接続されている。ここでは、一例として、共通電極ＣＥは陰極であることとする。
【００３６】
それぞれの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、これら画素電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び共通電極ＣＥで構成されている。
【００３７】
図５は、図２の回路構成を採用した有機ＥＬ表示装置の駆動方法の一例を概略的に示すタイミングチャートである。
【００３８】
図５において、横軸は時間を示し、縦軸は電位又は電流の大きさを示している。また、図５において、「ＸＤＲ出力（Ｉsig）」で示す波形は映像信号線ドライバＸＤＲが或る映像信号線ＤＬに流す電流を示し、「ＳＬ１電位」及び「ＳＬ２電位」で示す波形は走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の電位をそれぞれ示し、「ＤＲゲート電位」で示す波形は駆動制御素子ＤＲのゲート電位を示している。
【００３９】
図５の方法では、図２の回路構成を採用した有機ＥＬ表示装置を以下の方法により駆動する。
【００４０】
ｍ行目の画素ＰＸで或る階調を表示する場合、ｍ行目の画素ＰＸを選択する期間，すなわち、ｍ行目選択期間，では、まず、例えば、走査信号線ＳＬ１の電位を、より低い第２電位からより高い第１電位へと変化させることにより、出力制御スイッチＳＷ３を開く。出力制御スイッチＳＷ３を開いている書込期間内に、以下の書込動作を実施する。
【００４１】
すなわち、まず、例えば、走査信号線ＳＬ２の電位を第１電位からより第２電位へと変化させることにより、ダイオード接続スイッチＳＷ１及び映像信号供給制御スイッチＳＷ２を閉じる。これにより、駆動制御素子ＤＲのドレインとゲートと映像信号線ＤＬとを接続する。
【００４２】
この状態で、選択した画素ＰＸに映像信号線ドライバＸＤＲから映像信号線ＤＬを介して映像信号を供給する。すなわち、映像信号線ドライバＸＤＲにより、電源端子ＮＤ１から映像信号線ＤＬへと電流Ｉsigを流す。この電流Ｉsigの大きさは、選択した画素ＰＸの表示素子ＯＬＥＤに流すべき駆動電流に対応した大きさ，すなわち、選択した画素ＰＸで表示すべき階調，に対応している。
【００４３】
この書込動作を行うと、駆動制御素子ＴＲのゲート−ソース間電圧は、そのソース−ドレイン間に電流Ｉsigが流れる時の値Ｖgsに設定される。
【００４４】
ここで、駆動制御素子ＴＲのソース電位は、第１電源端子ＮＤ１の電位と等しい。すなわち、駆動制御素子ＴＲのソース電位は、出力制御スイッチＳＷ３を開いている書込期間及び出力制御スイッチＳＷ３を閉じている有効表示期間を通じて一定である。したがって、先の書込動作によって駆動制御素子ＴＲのゲート−ソース間電圧を電圧Ｖgsに設定することは、駆動制御素子ＴＲのゲート電位を電流Ｉsigに対応した電位Ｖgに設定することを意味する。
【００４５】
次に、例えば、走査信号線ＳＬ２の電位を第２電位から第１電位と変化させることにより、ダイオード接続スイッチＳＷ１及び映像信号供給制御スイッチＳＷ２を開く。すなわち、駆動制御素子ＤＲのドレインとゲートと映像信号線ＤＬとの接続を断つ。続いて、この状態で、走査信号線ＤＬ１の電位を第１電位から第２電位へと変化させることにより、出力制御スイッチＳＷ３を閉じる。
【００４６】
上記の通り、書込動作によって、駆動制御素子ＤＲのゲート電位は、電流Ｉsigが流れる時の値Ｖgに設定されている。このゲート電位Ｖgは、ダイオード接続スイッチＳＷ１及び映像信号供給制御スイッチＳＷ２を閉じるまで維持される。したがって、有効表示期間では、駆動制御素子ＤＲは、表示素子ＯＬＥＤを流れる駆動電流を電流Ｉsigに対応した大きさに制御する。その結果、表示素子ＯＬＥＤは駆動電流の大きさに対応した階調を表示する。
【００４７】
さて、この有機ＥＬ表示装置は、先に説明した通り、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの温度変化を感知する温度センサを含んでいる。第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間に電圧を供給する電源回路，この例ではプリント回路基板ＰＣＢに搭載された電源回路，は、温度センサが温度上昇を感知した場合に、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間の電圧の絶対値が小さくなるように第２電源端子ＮＤ２の電位を変化させる。このような制御を行うと、以下に説明するように、表示品位に影響を殆ど与えることなく、有機ＥＬ表示装置の発熱を抑制することができる。
【００４８】
図６乃至図８は、それぞれ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが低温、中温、高温条件下で示す電流電圧特性の例を示すグラフである。図中、横軸は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極ＣＥの電位を示している。また、図中、縦軸は、陰極ＣＥの電位を電位Ｖaとしたときに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流の大きさを１００％として、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流の大きさを百分率で示している。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極ＰＥの電位は一定としている。
【００４９】
図６乃至図８に示すように、陰極ＣＥの電位が電位Ｖb以下であれば、低温、中温、高温条件の何れの温度条件下であろうと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流の大きさは、陰極ＣＥの電位を電位Ｖaとした場合とほぼ等しい。したがって、第２電源端子の電位を電位Ｖaよりも高く且つ電位Ｖb以下の電位，例えば電位Ｖc，に設定すると、第２電源端子の電位を電位Ｖaに設定した場合と比較して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに加わる電圧を小さくすることができ、しかも、第２電源端子ＮＤ２の電位を電位Ｖaに設定した場合とほぼ同等の表示品位を実現できる。但し、第２電源端子の電位を電位Ｖcに固定した場合、中温及び高温条件下では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに過剰に大きな電圧が加わる。
【００５０】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに加わる電圧が大きいほど、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの消費電力及び発熱量が増大する。また、有機ＥＬ素子の高温条件下で使用した場合の寿命は、低温条件下で使用した場合の寿命と比較してより短い。
【００５１】
そこで、本態様では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの温度上昇に応じて、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間の電圧の絶対値が小さくなるように第２電源端子ＮＤ２の電位を変化させる。この例では、第２電源端子ＮＤ２は第１電源端子ＮＤ１よりも低電位としているので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの温度上昇に応じて、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間の電圧が小さくなるように第２電源端子ＮＤ２の電位を高くする。例えば、中温条件下での第２電源端子ＮＤ２の電位Ｖdは、電位Ｖcよりも１．５Ｖ程度高くし、高温条件下での第２電源端子ＮＤ２の電位Ｖeは、電位Ｖcよりも２．５Ｖ程度高くする。
【００５２】
こうすると、低温、中温、高温条件の全ての温度条件下で、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに過剰に大きな電圧が加わるのを防止することができる。したがって、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発熱量を、第２電源端子の電位を電位Ｖcに固定した場合よりもさらに小さくすることができる。それゆえ、上記の電位制御を行うと、第２電源端子ＮＤ２の電位を電位Ｖcに固定した場合と比較して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの温度を低くすることができ、より優れた寿命特性を実現できる。
【００５３】
また、先の電位制御を行うと、全ての温度条件下で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに過剰に大きな電圧が加わるのを防止することができるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの消費電力を、第２電源端子の電位を電位Ｖcに固定した場合よりもさらに小さくすることができる。しかも、第２電源端子の電位を電位Ｖcに固定した場合と同様、第２電源端子ＮＤ２の電位を電位Ｖaに固定した場合とほぼ同等の表示品位を実現できる。
【００５４】
上述した電位の制御は、例えば、電源回路に以下の構成を採用することにより可能である。
【００５５】
図９は、図１の有機ＥＬ表示装置で電源回路に採用可能な構成の一例を概略的に示す等価回路図である。なお、図９には、電源回路の一部のみを描いている。具体的には、第２電源端子ＮＤ２の電位を制御するための構成のみを描いている。
【００５６】
図９に示す電源回路は、制御回路ＣＮＴを含んでいる。制御回路ＣＮＴには、第２電源端子ＮＤ２よりも高い一定電位を供給する電源端子ＮＤ４が接続されている。
【００５７】
電源端子ＮＤ２と電源端子ＮＤ４との間には、ダイオードＤＤとスイッチＳＷ４とが、この順に直列に接続されている。このダイオードＤＤの順方向は、電源端子ＮＤ２からダイオードＤＤへ向けて流れる電流の向きと等しい。また、ここでは、一例として、スイッチＳＷ４にｐチャネルＴＦＴを使用し、そのゲートを制御回路ＣＮＴに接続している。
【００５８】
スイッチＳＷ４のドレインには、コイルＣＬの一端が接続されている。コイルＣＬの他端は、例えば、接地する。
【００５９】
電源端子ＮＤ２には、キャパシタＣ３の一方の電極が接続されている。キャパシタＣ３の他方の電極は、例えば、接地する。
【００６０】
電源端子ＮＤ２とノードＮＤ５との間には、抵抗Ｒ１が接続されている。ノードＮＤ５とノードＮＤ６との間には、抵抗Ｒ２と温度センサＴＳとが並列に接続されている。この例では、温度センサＴＳは、ノードＮＤ５とノードＮＤ６との間に直列に接続したサーミスタＴＭと抵抗Ｒ３とで構成している。
【００６１】
ノードＮＤ５及びＮＤ６は、制御回路ＣＮＴに接続している。ノードＮＤ６は、電源端子ＮＤ２の電位及び後述する基準電位Ｖregよりも低い一定電位に維持する。
【００６２】
図９の回路では、制御回路ＣＮＴは、スイッチＳＷ４を周期的に開閉させる。制御回路ＣＮＴは、ノードＮＤ５の電位であるフィードバック電位Ｖfbと電源端子ＮＤ２の電位よりも低い基準電位Ｖregとを比較し、その結果に基づいて、スイッチＳＷ４を開いている期間とスイッチＳＷ４を閉じている期間との比を制御する。
【００６３】
具体的には、基準電位Ｖregよりもフィードバック電位Ｖfbが高い場合、スイッチＳＷ４を閉じている期間を短くする。他方、基準電位Ｖregよりもフィードバック電位Ｖfbが低い場合、スイッチＳＷ４を閉じている期間を長くする。
【００６４】
スイッチＳＷ４を閉じている期間が短くなると、電源端子ＮＤ２の電位及びフィードバック電位Ｖfbが下降する。他方、スイッチＳＷ４を閉じている期間が長くなると、電源端子ＮＤ２の電位及びフィードバック電位Ｖfbが上昇する。
【００６５】
このようにして、図９の回路は、温度が一定の条件下において、フィードバック電位Ｖfbを基準電位Ｖregとほぼ等しい値に維持する。すなわち、温度が一定の条件下では、図９の回路は、電源端子ＮＤ２の電位を、基準電位Ｖregに対応した一定電位に維持する。
【００６６】
ところで、図９の回路では、電源端子ＮＤ２の電位Ｖnd2とノードＮＤ６の電位Ｖnd6との差は、電位Ｖnd6と、ノードＮＤ５の電位Ｖnd5（＝Ｖreg＝Ｖfg）と、抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒ1と、抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ2と、温度センサＴＳの抵抗値Ｒtsとを用いると、以下の等式で表すことができる。
【数１】
2007101951.tif 000003
【００６７】
図１０は、サーミスタＴＭの温度抵抗特性の一例を示すグラフである。図１１は、温度と電源端子ＮＤ２の電位との関係の一例を示すグラフである。図１０において、横軸は温度を示し、縦軸はサーミスタＴＭの抵抗値を示している。また、図１１において、横軸は温度を示し、縦軸は電源端子ＮＤ２の電位Ｖnd2を示している。
【００６８】
図１０に示すように、温度が変化すると、これに対応してサーミスタＴＭの抵抗値が変化する。すなわち、温度が上昇すると、サーミスタＴＭの抵抗値は増大する。
【００６９】
温度センサＴＳの抵抗値Ｒtsは、抵抗Ｒ３の抵抗値とサーミスタＴＭの抵抗値との和に等しい。したがって、温度上昇に伴ってサーミスタＴＭの抵抗値は増大すると、温度センサＴＳの抵抗値Ｒtsも増大する。
【００７０】
ここで、ノードＮＤ５の電位Ｖnd5，すなわちフィードバック電位Ｖfb，は、基準電位Ｖregと等しくなるように制御している。また、ノードＮＤ６の電位Ｖnd6は、一定であり且つ基準電位Ｖregよりも低い。すなわち、ノードＮＤ５の電位Ｖnd5とノードＮＤ６の電位Ｖnd6との差は正の一定値である。
【００７１】
したがって、上記等式から明らかなように、温度上昇に対応して抵抗値Ｒtsが減少すると、電源端子ＮＤ２の電位Ｖnd2とノードＮＤ６の電位Ｖnd6との差は大きくなる。すなわち、電源端子ＮＤ２の電位Ｖnd2は、温度上昇に伴って高くなる。
【００７２】
図９の回路は、このような方法で、温度が上昇した場合には電源端子ＮＤ２の電位Ｖnd2を上昇させ、温度が低下した場合には電源端子ＮＤ２の電位Ｖnd2を下降させる。
【００７３】
図９に示した例では、温度変化と電源端子ＮＤ２の電位変化との関係は、例えば、サーミスタＴＭの抵抗温度係数や抵抗Ｒ１乃至Ｒ３の各抵抗値に応じて変化させることができる。
【００７４】
また、図９に示した例では、３つの抵抗Ｒ１乃至Ｒ３を使用しているが、抵抗Ｒ２及びＲ３の一方又は双方は省略してもよい。
【００７５】
さらに、図９に示した例では、サーミスタＴＭと抵抗Ｒ３とで温度センサＴＳを構成したが、温度センサＴＳは、電気信号を出力すると共に、温度変化に対してその出力が変化するものであれば、他の構成を採用してもよい。例えば、温度センサＴＳとして、多結晶シリコン層を有するＴＦＴを使用してもよい。ＴＦＴのリーク電流の大きさは、温度変化に応じて変化する。したがって、この場合も、サーミスタＴＭを使用した場合と同様の制御が可能である。
【００７６】
温度センサＴＳは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの温度を感知可能であれば、何処に設置してもよい。例えば、温度センサＴＳは、アレイ基板ＡＳ、封止基板ＳＳ、プリント回路基板ＰＣＢなどに設けてもよい。また、温度センサＴＳを表示パネルＤＰやプリント回路基板ＰＣＢから離して配置し、これに周囲雰囲気の温度を検知させてもよい。
【００７７】
上記の態様では、画素回路に図３の構成を採用したが、画素回路は、映像信号の大きさに対応して駆動電流の大きさを制御可能なものであれば特に制限はない。例えば、画素回路には、映像信号線ＤＬから画素回路へと供給する映像信号として電流信号を利用する代わりに、電圧信号を利用する構成を採用してもよい。
【００７８】
また、上記の態様では、電源端子ＮＤ１を電源端子ＮＤ２よりも高電位としたが、電源端子ＮＤ２を電源端子ＮＤ１よりも高電位としてもよい。この場合、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極を画素回路に接続し、陽極は電源端子ＮＤ２に接続する。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の一態様に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を概略的に示す斜視図。
【図２】図１のアレイ基板に採用可能な回路構成の一例を概略的に示す平面図。
【図３】図２に示すアレイ基板が含む画素の等価回路図。
【図４】図３のアレイ基板に採用可能な構造の一例を示す断面図。
【図５】図２の回路構成を採用した有機ＥＬ表示装置の駆動方法の一例を概略的に示すタイミングチャート。
【図６】有機ＥＬ素子が低温条件下で示す電流電圧特性の例を示すグラフ。
【図７】有機ＥＬ素子が中温条件下で示す電流電圧特性の例を示すグラフ。
【図８】有機ＥＬ素子が高温条件下で示す電流電圧特性の例を示すグラフ。
【図９】図１の有機ＥＬ表示装置で電源回路に採用可能な構成の一例を概略的に示す等価回路図。
【図１０】サーミスタの温度抵抗特性の一例を示すグラフ。
【図１１】温度と電源端子の電位との関係の一例を示すグラフ。
【符号の説明】
【００８０】
ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、Ｃ３…キャパシタ、ＣＥ…共通電極、ＣＨ…チャネル、ＣＬ…コイル、ＣＮＴ…制御回路、Ｄ…ドレイン、ＤＤ…ダイオード、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…有機ＥＬ表示パネル、ＤＲ…駆動制御素子、ＦＰＣ…フレキシブルプリント回路基板、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、Ｉ１…絶縁膜、Ｉ２…絶縁膜、ＮＤ１…第１電源端子、ＮＤ２…第２電源端子、ＮＤ３…定電位端子、ＮＤ４…電源端子、ＮＤ５…ノード、ＮＤ６…ノード、ＯＬＥＤ…表示素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＣＢ…プリント回路基板、ＰＥ…画素電極、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、Ｒ１…抵抗、Ｒ２…抵抗、Ｒ３…抵抗、Ｓ…ソース、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＩ…隔壁絶縁層、ＳＩ１…無機絶縁層、ＳＩ２…有機絶縁層、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…封止基板、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷ１…ダイオード接続スイッチ、ＳＷ２…映像信号供給制御スイッチ、ＳＷ３…出力制御スイッチ、ＳＷ４…スイッチ、ＴＭ…サーミスタ、ＴＳ…温度センサ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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