(57)【要約】【課題】水分によって発光特性が劣化するのを確実に抑制することができるエレクトロルミネッセンス装置を提供する。【解決手段】素子基板Ｓの回路形成層Ｓ２上の、各有機ＥＬ素子１２が形成された領域にバリア層１５を形成した。そして、素子基板Ｓの回路形成層Ｓ２上にバリア層１５を形成した後に、素子基板Ｓを加熱して回路形成層Ｓ２中に内在する水分を回路形成層Ｓ２から除去するようにした。その後、機能層１９、対向電極２０を形成して有機ＥＬ素子１２を形成するようにした。従って、回路形成層Ｓ２中に蒸発せずに残った水分は、このバリア層１５によって遮断され機能層１９内部へ浸入されないことから、有機ＥＬ素子１２の機能層が水分に晒されることはない。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される少なくとも発光層を含む機能層と、を備えたエレクトロルミネッセンス素子を複数具備したエレクトロルミネッセンス装置であって、
少なくとも一以上のエレクトロルミネッセンス素子を含む複数のグループに区分された、各グループの一以上のエレクトロルミネッセンス素子に対して、前記基板からの水分の移動を抑制するバリア層を備え、
前記バリア層は、前記エレクトロルミネッセンス素子が形成されている領域に対応して島状に配置形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記第２電極は、光透過性を有し、
前記第１電極と前記バリア層との間には、前記発光層にて発せられた光を前記第２電極側に向かって反射させる光反射層が形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記基板は、前記各エレクトロルミネッセンス素子を区画する絶縁層を備え、
前記絶縁層を構成する材料は、前記基板を構成する材料と同じ材料であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記バリア層は、窒化珪素で構成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記バリア層は、窒化酸化珪素で構成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項２〜５のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記第２電極は、光反透過性を有し、
前記発光層と前記第１電極との間には、前記第２電極と前記反射層との間の光学的距離を調整するための光透過性を有した光透過層を備えていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
基板上に、第１電極と、光透過性を有した第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される少なくとも発光層を有する機能層と、を備えたエレクトロルミネッセンス素子を具備したエレクトロルミネッセンス装置であって、
少なくとも一以上のエレクトロルミネッセンス素子を含む複数のグループに区分された、各グループの一以上のエレクトロルミネッセンス素子に対して、前記発光層にて発せられた光を前記第２電極側に向かって反射させる一つの光反射層を形成し、
前記光反射層は、前記エレクトロルミネッセンス素子が形成されている領域に対応して島状に配置形成され、
前記光反射層の膜厚を、前記基板からの水分の移動を抑制する厚さにしたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
請求項７に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記光反射層は、アルミニウムで構成され、その膜厚は１００Å〜５０００Åであることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、軽量化、薄型化、低消費電力化等の観点から、有機エレクトロルミネッセンス素子を画素毎に設けたディスプレイや露光ヘッド等のエレクトロルミネッセンス装置の開発が盛んに行われている。この種の有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）は、一般に、２つの電極間に有機材料からなる発光層が挟持された構造を成しており、ディスプレイ等に搭載される場合においては、上記構造を有した有機ＥＬ素子を備えた画素が基板上にマトリクス状に配置されている。また、アクティブマトリクス方式の発光装置では、基板上に有機ＥＬ素子に対して供給される駆動電流を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。また、基板は、その各薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上に平坦化層を備えており、その平坦化層上に有機ＥＬ素子が形成されるようになっている。
【０００３】
ところで、上記有機ＥＬ素子は、水分の影響を受けて劣化されやすい。具体的には、水分が有機ＥＬ素子に浸入すると、発光層を構成する材料が変性したり、発光層と電極（陰極）との界面が剥離して電極（陰極）からのキャリア（電子）が発光層に供給されなくなってしまう。その結果、画素の一部または全部が常時発光しなくなる、所謂、ダークスポット（暗点）が発生してしまう。従って、平坦化層に水分が含有している場合、薄膜トランジスタや発光層からの熱によって水分が加熱され、平坦化層から電極を介して発光層に到達し、その結果、ダークスポット（暗点）が発生してしまうという問題があった。
【０００４】
そこで、有機ＥＬ素子側に位置する平坦化層上の全面に、窒化酸化シリコンからなる防湿性を有する無機バリア層を形成することによって、平坦化層からの水分が有機ＥＬ素子に浸入するのを抑制するようにしたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２９７５５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記文献に記載されたものでは、前述したように、平坦化層上の全面に無機バリア層を形成するようにしているが、無機バリア層にピンホール等の欠陥が発生した場合、その欠陥を介して水分が有機ＥＬ素子内に浸入してしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたもので、水分によって発光特性が劣化するのを確実に抑制することができるエレクトロルミネッセンス装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、基板上に、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される少なくとも発光層を含む機能層と、を備えたエレクトロルミネッセンス素子を複数具備したエレクトロルミネッセンス装置において、少なくとも一以上のエレクトロルミネッセンス素子を含む複数のグループに区分された、各グループの一以上のエレクトロルミネッセンス素子に対して、前記基板からの水分の移動を抑制するバリア層を備え、前記バリア層は、前記エレクトロルミネッセンス素子が形成されている領域に対応して島状に配置形成されていることを特徴とする。
【０００９】
これによれば、基板上には、エレクトロルミネッセンス素子が形成されるエリアに対応してアイランド状にバリア層が設けられるため、バリア層と隣接して配置される他のバリア層との間には、バリア層が形成されていない領域が存在する。従って、バリア層を形成した後であって機能層を形成する前の段階にて、基板を加熱すると、前記バリア層が形成されていない領域を通して基板中に含有した水分が蒸発し外部に放出される。そして、その後、基板上に機能層及び電極を形成してエレクトロルミネッセンス素子を形成するようにすることで、基板に内在する水分をなるべく少量にすることができる。また、各エレクトロルミネッセンス素子の直下にあるバリア層によって基板中に残留した水分、即ち、製造時に外部に放出されずに残った水分の機能層への浸入が抑制される。この結果、ダークスポットの発生を確実に抑制することができる。
【００１０】
尚、基板とは、本明細書においては、例えば、無アルカリガラス基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やその他の電子素子が形成された層（回路形成層）を備えたものをいう。
このエレクトロルミネッセンス装置において、前記第２電極は、光透過性を有し、前記第１電極と前記バリア層との間には、前記発光層にて発せられた光を前記第２電極側に向かって反射させる光反射層が形成されていてもよい。
【００１１】
これによれば、発光層にて発せられた光は、光反射層にて反射されて第２電極から外部に出射される、所謂、トップエミッションタイプのエレクトロルミネッセンス装置に対して、その水分によって発光特性の劣化を確実に抑制させることができる。
【００１２】
このエレクトロルミネッセンス装置において、前記基板は、前記各エレクトロルミネッセンス素子を区画する絶縁層を備え、前記絶縁層を構成する材料は、前記基板を構成する材料と同じ材料であってもよい。
【００１３】
これによれば、絶縁層の表面から基板に内在する水分が透過して外部に放出されやすくなる。従って、基板に内在する水分量をより少なくすることができることから、水分によって発光特性が劣化するのをさらに確実に抑制することができる。
【００１４】
このエレクトロルミネッセンス装置において、前記バリア層は、窒化珪素で構成されていてもよい。
これによれば、基板に内在した水分が機能層へ到達するのを確実に阻止することができる。
【００１５】
このエレクトロルミネッセンス装置において、前記バリア層は、窒化酸化珪素で構成されていてもよい。
これによれば、窒化珪素（ＳｉＮ）は緻密な結晶構造を有しており、基板の材料によって反ってしまう虞があるが、窒化酸化珪素（ＳｉＯＮ）は、窒化珪素（ＳｉＮ）に比べて応力が小さいので反る虞がない。従って、特に、バリア層を基板上に確実に形成することができる。
【００１６】
このエレクトロルミネッセンス装置において、前記第２電極は、光反透過性を有し、前記発光層と前記第１電極との間には、前記第２電極と前記反射層との間の光学的距離を調整するための光透過性を有した光透過層を備えていてもよい。
【００１７】
これによれば、光透過層の膜厚を変化させると、第１電極と第２電極との間の光学的距離が調整される。従って、発光層から出射された光を前記第１電極と前記第２電極との間で反射させることで所定波長の光を強調させて外部に放射するようにした、所謂マイクロキャビティ構造を有したエレクトロルミネッセンス装置に対して、その水分によって発光特性の劣化を確実に抑制させることができる。
【００１８】
また、上記光透過層を耐腐食性に優れたもので構成することで、第１電極によって発光層が変質するのを抑制させることができるので、発光層の材料選択を広げることができる。
【００１９】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、基板上に、第１電極と、光透過性を有した第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される少なくとも発光層を有する機能層と、を備えたエレクトロルミネッセンス素子を具備したエレクトロルミネッセンス装置において、少なくとも一以上のエレクトロルミネッセンス素子を含む複数のグループに区分された、各グループの一以上のエレクトロルミネッセンス素子に対して、前記発光層にて発せられた光を前記第２電極側に向かって反射させる一つの光反射層を形成し、前記光反射層は、前記エレクトロルミネッセンス素子が形成されている領域に対応して島状に配置形成され、その光反射層の膜厚を、前記基板からの水分の移動を抑制する厚さにしている。
【００２０】
これによれば、基板上には、エレクトロルミネッセンス素子が形成されるエリアに対応してアイランド状に水分の移動を抑制する厚さを有した光反射層が設けられるため、光反射層と隣接して配置される他の光反射層との間には、光反射層が形成されていない領域が存在する。従って、光反射層を形成した後であって機能層を形成する前の段階にて、基板を加熱すると、前記光反射層が形成されていない領域を通して基板中に含有した水分が蒸発し外部に放出される。そして、その後、基板上に機能層及び電極を形成してエレクトロルミネッセンス素子を形成するようにすることで、基板に内在する水分をなるべく少量にすることができる。また、各エレクトロルミネッセンス素子の直下にあるバリア層によって基板中に残留した水分、即ち、製造時に外部に放出されずに残った水分の機能層への浸入が抑制される。この結果、ダークスポットの発生を確実に抑制することができる。
【００２１】
このエレクトロルミネッセンス装置において、前記光反射層は、アルミニウムで構成され、その膜厚は１００Å〜５０００Åであってもよい。
これによれば、基板に内在した水分が機能層へ到達するのを確実に阻止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下、本発明のエレクトロルミネッセンス装置としての有機エレクトロルミネッセンス装置について各図に従って説明する。尚、以下に説明する本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、光出射面を基板と対向する面（対向電極側）とした、所謂トップエミッションタイプの有機エレクトロルミネッセンス装置である。
【００２３】
図１に示すように、エレクトロルミネッセンス装置としての有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、「有機ＥＬ装置」という）１０は、基板としての素子基板Ｓ上の中央に形成された略長方形状の領域ＺＧ内に、マトリクス状に配置された複数の画素１１を備えている。図２（ａ）に示すように、素子基板Ｓは、一方向（図２（ａ）では横方向）に沿って延設された複数の走査線ＬＹ、及び、各走査線ＬＹと交差するように延設された複数のデータ線ＬＸを備えている。
【００２４】
そして、各走査線ＬＹと各データ線ＬＸとの交差に対応した位置に一つの画素１１が配置されている。各画素１１は、エレクトロルミネッセンス素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）１２及び該有機ＥＬ素子１２に対して供給される駆動電流を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３ａ，１３ｂ及び容量素子Ｃ等を備えた公知の画素回路で構成されている。詳しくは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３ｂは、走査線ＬＹから供給される走査信号に応じてオン・オフ制御されるスイッチング素子として機能するトランジスタであって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３ａは、データ線ＬＸを介して供給されるデータ信号に応じた電流（駆動電流）を生成する駆動トランジスタである。また、容量素子Ｃは、データ信号に応じた電荷量を蓄積するためのものである。
【００２５】
図２（ｂ）に示すように、素子基板Ｓは、ガラス基板Ｓ１及び該ガラス基板Ｓ１上に配置された回路形成層Ｓ２を備えている。ガラス基板Ｓ１は、一般的に使用される無アルカリガラス製であるが、ガラス基板Ｓ１に代えてアクリル樹脂製の基板であってもよい。回路形成層Ｓ２は、前述した走査線ＬＹ、データ線ＬＸ、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３ａ，１３ｂ及び容量素子Ｃ等といった前記画素１１を構成する各種回路素子、及び、その各種電子素子を覆うようにして形成された平坦化膜を備えている。本実施形態の平坦化膜は、アクリル樹脂で構成されている。そして、この回路形成層Ｓ２の平坦化膜は、十分に乾燥処理されている。従って、その回路形成層Ｓ２の平坦化膜の内部には少量の水分しか内在していない。
【００２６】
回路形成層Ｓ２上には、各画素１１が形成される領域に開口部Ｑｏを有した絶縁層１４が形成されている。絶縁層１４は、回路形成層Ｓ２と同じ材料で構成されており、本実施形態では、アクリル樹脂で構成されている。また、回路形成層Ｓ２上であって絶縁層１４の開口部Ｑｏに対応した領域には膜厚ｄ１のバリア層１５が設けられている。つまり、各バリア層１５は、図２（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子１２が形成されている領域に対応してアイランド状（島状）に配置形成されている。バリア層１５は、水分の透過を抑制することが可能な材料で構成されている。本実施形態のバリア層１５は窒化珪素（ＳｉＮ）で構成され、その膜厚ｄ１は５０００Åである。
【００２７】
また、バリア層１５上には光反射層１６が形成されている。光反射層１６は、後述する機能層１９の発光層にて発せられた光を反射することができる程度の膜厚で構成されている。本実施形態の光反射層１６はアルミニウム（Ａｌ）で構成され、その膜厚ｄ２は５００Åである。光反射層１６上には、その全面を覆うように、光透過性を有し、且つ電気絶縁性を備えた光透過層１７が形成されている。また、光透過層１７は、光反射層１６と他の材料に対して耐腐食性に優れた材料で構成されている。さらに、光透過層１７は、画素１１から出射される光が所望の波長になるように、その膜厚が予め調整されている。
【００２８】
光透過層１７上には、第１電極としての画素電極１８が形成されている。画素電極１８は、光透過性を有した導電材料で構成されており、本実施形態においては、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）で構成されている。尚、画素電極１８はインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）に限定されるものではなく、酸化亜鉛（ＺｎＯ）といった材料で構成されていてもよい。そして、前述したように、光透過層１７は他の材料に対して耐腐食性に優れた材料で構成されていることから、本実施形態のように光反射層１６がアルミニウム（Ａｌ）で構成された場合であっても、画素電極１８と反応することで画素電極１８を変質させることはない。つまり、光透過層１７は電蝕防止層としても機能する。
【００２９】
画素電極１８上には、機能層１９が形成され、その機能層１９は絶縁層１４上にも同時に形成されている。機能層１９は、有機材料で構成された発光層及び発光層に対してキャリアを効率良く注入させるための電荷注入層等を備えた積層体である。尚、発光層は、例えば、アルキキノリール鎖体アルミニウム（Ａｌｑ３）を含有した材料で構成されている。
【００３０】
機能層１９上には第２電極としての対向電極２０が設けられている。対向電極２０は、画素電極１８の対向電極として作用するものである。対向電極２０は、光透過性を有した導電材料で構成されており、本実施形態においては、マグネシウムと銀の化合物（Ｍｇ−Ａｇ）を、光が透過する程度に十分薄くしたものを使用している。そして、前述した画素電極１８と、対向電極２０と、前記画素電極１８と対向電極２０との間に配置された機能層１９とで有機ＥＬ素子１２が構成されている。前述したように、前記バリア層１５は、有機ＥＬ素子１２が形成されている領域に対応してアイランド状（島状）に配置形成されている。例えば、バリア層１５の平面的な形状は、前記画素電極１８が形成された領域を含むような島状の形状を有していてもよい。機能層１９の発光層にて発した光が光反射層１６と対向電極２０との間で反射を繰り返す（共振する）ことで、その光反射層１６と対向電極２０との間の距離に応じた波長の光が強め合う、所謂、マイクロキャビティ構造を有している。
【００３１】
対向電極２０上には電極保護層２１が形成されている。電極保護層２１は、光透過性を有し、かつ対向電極２０を保護することが可能な材料で構成されている。また、電極保護層２１上には、公知の光透過性を有した材料で構成されたパッシベーション層２２が形成されている。
【００３２】
このように構成された有機ＥＬ装置１０は、回路形成層Ｓ２上であって各有機ＥＬ素子１２が形成された領域にバリア層１５が形成されていることから、回路形成層Ｓ２の前記アクリル樹脂で構成された平坦化膜の内部に内在した少量の水分が、このバリア層１５によって、機能層１９内部へ浸入するのが抑制される。すなわち、前記機能層１９のうち、少なくとも前記画素電極１８が形成された領域と重なる領域に存在する機能層の内部へ、前記水分が浸入することが抑制される。
【００３３】
次に、前述した有機ＥＬ装置１０の製造方法について図３及び図４に従って説明する。
まず、ガラス基板Ｓ１上に、走査線ＬＹ、データ線ＬＸ、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３ａ，１３ｂ等の各種回路素子を、リソグラフィー法等を用いて形成した後、アクリル樹脂を蒸着しＣＭＰ処理を施すことによって平坦化層を形成し回路形成層Ｓ２を形成する。その後、回路形成層Ｓ２上に図示しないマスクを載置し、その状態で窒化珪素（ＳｉＮ）を蒸着することによって、少なくとも前記有機ＥＬ素子１２が形成される領域を含む領域に、膜厚ｄ１（＝５０００Å）のバリア層１５を島状に形成する（図３（ａ）参照）。
【００３４】
続いて、バリア層１５上に光反射層１６、光透過層１７、画素電極１８及び絶縁層１４を公知の方法によって順次形成する。これは、例えば、蒸着法によって、バリア層１５上に膜厚ｄ２（＝５００Å）のアルミニウム（Ａｌ）を形成することで光反射層１６を形成し、その後、光反射層１６を覆うように光透過性材料を蒸着することによって光透過層１７を形成するようにする。続いて、光透過層１７上にインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）を蒸着形成することで画素電極１８を形成し、その後、アクリル樹脂を全面に蒸着形成する。その後、画素電極１８が形成された領域に対向した位置に開口部を有したマスク（図示略）を載置しエッチング処理することによって画素電極１８が形成された領域に開口部Ｑｏを形成して絶縁層１４を形成する（図３（ｂ）参照）。
【００３５】
次に、上記のようにして、回路形成層Ｓ２上にバリア層１５、光反射層１６、光透過層１７、画素電極１８及び絶縁層１４が形成された素子基板Ｓの乾燥処理を行う。これは、本実施形態においては、大気雰囲気中にて１５０℃、１時間、ベークすることで行う。尚、ベークには、本実施形態においては、ホットプレートを使用する。このようにすることで、図３（ｃ）に示すように、素子基板Ｓ、バリア層１５、光反射層１６、光透過層１７、画素電極１８及び絶縁層１４中に内在した水分が加熱される。そして、加熱された水分は、素子基板Ｓの回路形成層Ｓ２上のバリア層１５と隣接する他のバリア層１５との間の領域Ｒを通して絶縁層１４に移動する。また、絶縁層１４中に移動した水分は、絶縁層１４内部を通って外部に蒸発する。このとき、回路形成層Ｓ２の平坦化層と絶縁層１４はともにアクリル樹脂で構成されているので、回路形成層Ｓ２の平坦化層中の水分は、絶縁層１４を通って外部に放出されやすくなる。
【００３６】
すなわち、前記有機ＥＬ素子１２が形成された領域において、前記有機ＥＬ素子１２形成領域の下に島状に設けられた前記バリア層１５によって、前記水分が、前記有機ＥＬ素子１２に浸入することが防止され、前記有機ＥＬ素子１２が形成されていない領域において、前記バリア層が形成されていない前記領域Ｒを通して、前記水分が、前記絶縁層１４を通って外部に放出される。
【００３７】
この結果、図４（ａ）に示す回路形成層Ｓ２の平坦化膜の内部には少量の水分しか内在していない、素子基板Ｓ上に絶縁層層１４、バリア層１５、光反射層１６、光透過層１７を備えた基板が完成する。続いて、図４（ｂ）に示すように、画素電極１８上に機能層を形成する。これは、アルキキノリール鎖体アルミニウム（Ａｌｑ３）を含有した材料を所定の溶媒に溶解して得られた液状体をスピンコート法によって画素電極１８及び絶縁層１４に渡って塗布し、乾燥することで形成する。
【００３８】
次に、図４（ｃ）に示すように、マグネシウムと銀の化合物（Ｍｇ−Ａｇ）をスパッタし、対向電極２０を形成する。その後、公知の方法によって、電極保護層２１及びパッシベーション層２２を順次形成する。このようにすることで、有機ＥＬ装置１０が完成する。
【００３９】
次に、前述した有機ＥＬ装置１０の作用について図５及び図６に従って説明する。
図５及び図６は、それぞれ、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１０に対する比較例としての有機ＥＬ装置の断面図である。
【００４０】
図５に示す有機ＥＬ装置３０は、バリア層１５が形成されてなく、その他の構成は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１０と同じ構成を有した有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置３０を９５℃で５００時間放置させた後に、各有機ＥＬ素子を発光させた場合、１ｃｍ2あたり２００個のダークスポット（暗点）が確認された。
【００４１】
図６に示す有機ＥＬ装置４０は、回路形成層Ｓ２上の全面にバリア層Ｓ３を形成した以外は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１０と同じ構成を有した有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置４０を、上記と同様に、９５℃で５００時間放置させた後に、各有機ＥＬ素子を発光させた場合、１ｃｍ2あたり３００個のダークスポット（暗点）が確認された。
【００４２】
これに対して、本実施形態に係る図２（ｂ）に示す有機ＥＬ装置１０では、上記と同様に、９５℃で５００時間放置させた後に、各有機ＥＬ素子を発光させた場合、１ｃｍ2あたりではダークスポット（暗点）が確認されなかった。
【００４３】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、素子基板Ｓの回路形成層Ｓ２上であって各有機ＥＬ素子１２が形成された領域にバリア層１５を形成した。そして、素子基板Ｓの回路形成層Ｓ２上にバリア層１５を形成した後（即ち、機能層１９を形成する前）にて、素子基板Ｓを加熱して回路形成層Ｓ２中に内在する水分を回路形成層Ｓ２から除去するようにした。従って、素子基板Ｓを加熱した際、バリア層１５が形成されていない領域を通して水分が蒸発することから、素子基板Ｓの回路形成層Ｓ２中の水分を効率良く除去することができる。この結果、回路形成層Ｓ２の平坦化膜を十分に乾燥させることができる。
【００４４】
（２）本実施形態によれば、回路形成層Ｓ２の平坦化膜を十分に乾燥させた後に、機能層１９、対向電極２０を形成して有機ＥＬ素子１２を形成するようにした。従って、回路形成層Ｓ２中に蒸発せずに残った水分は、このバリア層１５によって遮断され機能層１９内部へ浸入されないことから、ダークスポットの発生を確実に抑制することができる。
【００４５】
（３）本実施形態によれば、有機ＥＬ装置１０は、対向電極２０を、光透過性を有した材料で構成するとともに、画素電極１８とバリア層１５との間に光反射層１６を備え、機能層１９の発光層にて発せられた光を対向電極側に向かって出射させる、所謂トップエミッションタイプとした。従って、このようにトップエミッションタイプの有機ＥＬ装置における素子基板Ｓ中の水分を十分に除去することができることから、その素子基板の材料選択を広げることができる。
【００４６】
（４）本実施形態によれば、回路形成層Ｓ２の平坦化層と絶縁層１４と同じ材料で形成した。従って、絶縁層１４から回路形成層Ｓ２に内在する水分が透過して外部に放出されやすくなる。この結果、素子基板Ｓに内在する水分量をより少なくすることができることから、ダークスポットの発生を確実に抑制することができる。
【００４７】
（５）本実施形態によれば、バリア層１５を窒化珪素（ＳｉＮ）で構成した。窒化珪素（ＳｉＮ）は、緻密な結晶構造を有していることから、素子基板Ｓに内在した水分が機能層へ到達するのを確実に阻止させることができる。
【００４８】
（６）本実施形態によれば、各有機ＥＬ素子１２に、発光層にて発せられた光を光反射層１６と対向電極２０との間に光透過層１７を設けた。そして、光透過層１７の膜厚を調整することで光反射層１６と対向電極２０との間の光学的距離に応じた所定の波長の光を共振させるようにした。このような構造を備えた有機ＥＬ素子１２に対して、その素子基板Ｓからの水分の浸入を確実に抑え、ダークスポットの発生を抑制することができる。
【００４９】
（７）本実施形態によれば、光透過層１７を、対腐食性に優れたもので構成したので画素電極１８が光反射層１６によって変質するのを抑制させることができる。この結果、画素電極１８及び光反射層１６の材料選択を広げることができる。
【００５０】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置１０Ａについて図７に従って説明する。
【００５１】
図７に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１０Ａは、上記第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１０のバリア層１５が形成されていない。また、本実施形態においては、光反射層１６は、水分の透過を抑制することが可能な膜厚となっている。本実施形態の光反射層１６は、その膜厚ｄ２が５０００Åである。
【００５２】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、素子基板Ｓの回路形成層Ｓ２上であって各有機ＥＬ素子１２が形成された領域に、水分の透過を抑制することが可能な膜厚を有した光反射層１６を形成した。従って、光反射層１６は、対向電極２０と対を成すことで有機ＥＬ素子１２にマイクロキャビティ構造を備えさせるとともに、回路形成層Ｓ２中に蒸発せずに残った水分を遮断して機能層１９内部へ浸入されないようにすることができる。この結果、ダークスポットの発生を確実に抑制することができる。
【００５３】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
上記第１実施形態では、各有機ＥＬ素子１２毎にバリア層１５を設けたが、本発明はこれに限定されない。例えば、２〜１００個の有機ＥＬ素子１２を一つのグループとし、そのグループに属する有機ＥＬ素子１２に共通したバリア層１５を設けてもよい。
【００５４】
上記第２実施形態では、各有機ＥＬ素子１２毎に光反射層１６を設けたが、本発明はこれに限定されない。例えば、２〜１００個の有機ＥＬ素子１２を一つのグループとし、そのグループに属する有機ＥＬ素子１２に共通した光反射層１６を設けてもよい。
【００５５】
上記第１実施形態では、バリア層１５の膜厚を５０００Åとしたが、本発明はこれに限定されない。要は、回路形成層Ｓ２中に内在した水分の移動を抑制し機能層１９内部へ浸入させない程度の膜厚であればよい。たとえば、バリア層１５の膜厚は１００Å〜３００００Åの範囲であることが好ましい。
【００５６】
上記第２実施形態では、光反射層１６の膜厚を５０００Åとしたが、本発明はこれに限定されない。要は、回路形成層Ｓ２中に内在した水分の移動を抑制し機能層１９内部へ浸入させない程度の膜厚であればよい。たとえば、バリア層１５の膜厚は１００Å〜３００００Åの範囲であることが好ましい。
【００５７】
上記各実施形態では、機能層１９上の全面に対向電極２０が形成されていたが、この機能層１９と対向電極２０との間に補助配線層が形成されていてもよい。このようにすることで、対向電極２０の抵抗値を下げることができることから、対向電極２０上の電位を均一にすることができる。この結果、各有機ＥＬ素子１２の輝度を均一にすることができるので、表示される画質を向上させることができる。
【００５８】
上記各実施形態では、有機ＥＬ素子１２から発せられた光を、対向電極２０側から出射するようにした、所謂トップエミッションタイプの有機ＥＬ装置１０，１０Ａに具体化したが、本発明はこれに限定されない。有機ＥＬ素子１２から発せられた光を、ガラス基板Ｓ１側から出射するようにした、所謂バックエミッションタイプの有機ＥＬ装置に具体化してもよい。このようにすることで、上記各実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００５９】
上記第１実施形態では、バリア層１５を窒化珪素（ＳｉＮ）で構成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の材料で構成してもよい。例えば、窒化酸化珪素でバリア層を構成してもよい。バリア層を窒化酸化珪素で構成した場合では、酸化珪素（ＳｉＮ）で構成した場合に比べて応力を小さくすることができるので、素子基板Ｓの回路形成層Ｓ２上に確実に形成することができる。
【００６０】
上記各実施形態では、回路形成層Ｓ２の平坦化層と絶縁層１４をともにアクリル樹脂で構成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の材料で構成してもよい。例えば、ノボラック樹脂で構成してもよい。要は、回路形成層Ｓ２の平坦化層と絶縁層１４を同じ材料で構成すればよい。
【００６１】
上記各実施形態では、エレクトロルミネッセンス素子としての機能層が有機材料で構成された有機エレクトロルミネッセンス素子に具体化したが、本発明はこれに限定されるものではなく、機能層が無機材料で構成された無機エレクトロルミネッセンス素子に具体化してもよい。この場合、エレクトロルミネッセンス装置は、各実施形態に記載されたような有機エレクトロルミネッセンス装置ではなく、無機エレクトロルミネッセンス装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の上面図。
【図２】（ａ）は、第１実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の構成を説明するための図、（ｂ）は、その断面図。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明するための図。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明するための図。
【図５】比較例を説明するための有機エレクトロルミネッセンス装置の断面図。
【図６】比較例を説明するための有機エレクトロルミネッセンス装置の断面図。
【図７】第２実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の構成を説明するための図。
【符号の説明】
【００６３】
Ｓ…基板としての素子基板、１０…エレクトロルミネッセンス装置としての有機エレクトロルミネッセンス装置、１２…エレクトロルミネッセンス素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、１４…絶縁層、１５…バリア層、１６…光反射層、１７…光透過層、１８…第１電極としての画素電極、１９…機能層、２０…第２電極としての対向電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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