(57)【要約】【課題】実用的な回路加工性を有し、部品実装やＡＣＦ接続などの二次加工性や電気的信頼性を有し、充分な回路の電気容量を有しつつ、かつ屈曲を繰り返した場合に導体回路の断線を防止することを可能とし、折畳み型若しくは摺動型の携帯電話の変形部分に使用される配線基板用として適する配線基板用積層体を提供する。【解決手段】２５℃における引張弾性率が５ＧＰａ以下であり厚さ１０〜１５μｍのポリイミド絶縁層の片側又は両側に、２５℃における引張弾性率が４０ＧＰａ以下であり厚さ７〜１５μｍの金属箔層を設けた配線基板用積層体。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
２５℃における引張弾性率が５ＧＰａ以下であり厚さ１０〜１５μｍのポリイミド絶縁層の片側又は両側に、２５℃における引張弾性率が４０ＧＰａ以下であり厚さ７〜１５μｍの金属箔層を有することを特徴とする配線基板用積層体。
【請求項２】
ポリイミド絶縁層が金属箔上にポリイミド前駆体樹脂を溶液状態で塗布、乾燥及び硬化して得られたものである請求項１の配線基板用積層体。
【請求項３】
配線基板用積層体が折畳み型若しくは摺動型の携帯電話の変形部分に使用される配線基板用である請求項１又は２記載の配線基板用積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、折畳み型携帯電話等の電子機器用の基板として有用なフレキシブルプリント基板やＨＤＤサスペンション等に用いられる配線基板用積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、高機能化が急速に進んでおり、これに伴い電子機器に用いられる電子部品やそれらを実装する基板に対しても、より高密度で高性能なものへと要求が高まっている。一方、電子機器は益々軽量化、小型化、薄型化の傾向にあり、電子部品を収容するスペースは狭まる一方である。そして、折畳み型携帯電話や摺動型携帯電話等の可動部に用いられるフレキシブルプリント基板においても同様に配線の高密度化が求められ、フレキシブルプリント基板の高耐屈曲性が要求されるようになった。しかしながら、従来のフレキシブルプリント基板は多層化や小屈曲半径化すると長期間の使用後に断線を発生するといった問題があり、折畳み型携帯電話や摺動型携帯電話の可動部に十分な耐屈曲性を有するものは必ずしも得られていなかった。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−８４０５０号公報
【特許文献２】特開２００４−３１１７４０号公報
【特許文献３】特開２００５−２０９９１３号公報
【特許文献４】特許第３３５６５６８号公報
【特許文献５】特開平６−２９６６７号公報
【０００４】
フレキシブルプリント基板への適用を目的としたこれまでの技術として、例えば、特開２００２−８４０５０号公報において、総厚が２０〜６０μｍの接着剤型片面銅張板、特開２００４−３１１７４０号公報において、総厚が７０μｍ以下の接着剤型片面銅張板、特開２００５−２０９９１３号公報において、総厚が２０μｍ以下の接着剤型片面銅張板が開示されている。しかしながら、これらの銅張板は、何れも接着剤層を必要とすることから、使用可能なベース材や導体層が限られる上に、導体層を薄くした場合には、電気容量の不足の問題があった。また、接着剤層を有することから、電気的信頼性や高温での部品実装に適さないなどの問題もあった。
【０００５】
また、特許第３３５６５６８号公報において、ポリイミド層の厚さを１０μｍ以下かつ導体層の厚さを１０μｍ以下とした積層体が提案されている。しかしながら、１０μｍ以下のポリイミド層は回路加工などのプロセスにおいて取り扱いが困難である上、フィルムの両側に同一形状のランドを形成した場合にフィルムがせん断力により破断し、ランド部が脱離してしまう、いわゆるランド抜けが発生しやすいという問題があった。また、１０μｍ以下の導体は、電気容量の不足の問題と異方導電膜（ＡＣＦ）による接続加工の際の導通信頼性に問題が発生する問題があった。
【０００６】
また、特開平６−２９６６７号公報において、ポリイミド層をレーザー熔融、化学的エッチング、プラズマエッチングもしくは研磨にて薄化する方法が提案されているが、薄化した部位の表面平滑性や機械的強度の問題から、充分な効果を得ることは難しいという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、実用的な回路加工性を有し、部品実装やＡＣＦ接続などの二次加工性や電気的信頼性を有し、充分な回路の電気容量を有しつつ、かつ屈曲を繰り返した場合に導体回路の断線を十分に防止することを可能とする配線基板用積層体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記課題を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、ポリイミド絶縁層の２５℃における引張弾性率を５ＧＰａ以下のものを用いることで耐屈曲性が向上され、その厚さを１０〜１５μｍの範囲とすることで実用的な機械的強度と耐屈曲性を両立し、２５℃における引張弾性率が４０ＧＰａ以下である柔軟性の高い金属箔層を用いることで耐屈曲性を向上させ、その厚さを７〜１５μｍの範囲に設定することで、耐屈曲性と電気容量とＡＣＦ接合性を両立する配線基板用積層体とすることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、２５℃における引張弾性率が５ＧＰａ以下であり厚さ１０〜１５μｍのポリイミド絶縁層の片側又は両側に、２５℃における引張弾性率が４０ＧＰａ以下であり厚さ７〜１５μｍの金属箔層を有することを特徴とする配線基板用積層体である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線基板用積層体は、実用的な回路加工性を有し、配線基板に要求される回路の電気容量も有し、屈曲特性も高いことから、特に、折畳み型携帯電話や摺動型携帯電話等の可動部に適して使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の配線基板用積層体は、ポリイミド絶縁層の片側又は両側に金属箔層を有する。配線基板用積層体を構成するポリイミド絶縁層には、ポリイミド前駆体樹脂溶液（ポリアミド酸溶液ともいう。）を塗布した後、乾燥・硬化することにより形成された所謂キャスト法によるもの、ポリイミドフィルムに熱可塑性のポリイミドを塗布した後に金属箔を熱ラミネートすることにより形成された所謂ラミネート法によるもの、ポリイミドフィルムの表面にスパッタ処理により導通層を形成した後電気めっきにより導体層を形成した所謂スパッタめっき法によるもののいずれを用いても良い。これらのうち、ポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布した後、乾燥・硬化することにより形成されたものが最も適するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１２】
上記キャスト法に用いられるポリイミド前駆体樹脂溶液は、公知のジアミンと酸無水物とを溶媒の存在下で重合して製造することができる。
【００１３】
用いられるジアミンとしては、例えば、4,6-ジメチル-m-フェニレンジアミン、2,5-ジメチル-p-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノメシチレン、4,4'-メチレンジ-o-トルイジン、4,4'-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4'-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、2,4-トルエンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルプロパン、3,3'-ジアミノジフェニルプロパン、4,4'-ジアミノジフェニルエタン、3,3'-ジアミノジフェニルエタン、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,3'-ジアミノジフェニルメタン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノジフェニルスルホン、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、1,4-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、ベンジジン、3,3'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメトキシベンジジン、4,4'-ジアミノ-p-テルフェニル、3,3'-ジアミノ-p-テルフェニル、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,7-ジアミノジベンゾフラン、1,5-ジアミノフルオレン、ジベンゾ-p-ジオキシン-2,7-ジアミン、4,4'-ジアミノベンジルなどが挙げられる。
【００１４】
また、酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3'',4,4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3'',4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1, 2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。
【００１５】
ジアミン、酸無水物はそれぞれ、その１種のみを使用してもよく2種以上を併用して使用することもできる。そして、ポリイミド前駆体を経由して得られるポリイミド絶縁層となったとき、引張弾性率が上記数値を満足するように、これらの組合せが選沢される。ポリイミド絶縁層が複数のポリイミド層から形成される場合は、全体として上記数値を満足すればよい。
【００１６】
溶媒は、ジメチルアセトアミド、ｎ-メチルピロリジノン、2-ブタノン、ジグライム、キシレン等が挙げられ、1種若しくは2種以上併用して使用することもできる。
【００１７】
ポリイミド絶縁層は、ポリイミド前駆体状態で金属箔上に直接塗布して形成することが好ましく、この際、重合された樹脂粘度を500cps〜35,000cpsの範囲とすることが好ましい。ポリイミド絶縁層は、単層のみから形成されるものでも、複数層からなるものでもよい。ポリイミド絶縁層を複数層とする場合、異なる構成成分からなるポリイミド前駆体樹脂の上に他のポリイミド前駆体樹脂を順次塗布して形成することができる。ポリイミド絶縁層が３層以上からなる場合、同一の構成のポリイミド前駆体樹脂を２回以上使用してもよい。
【００１８】
本発明の配線基板用積層体は、上記したように金属箔上にポリイミド前駆体樹脂を塗布することにより製造することができるが、１層以上のポリイミドフィルムを銅箔にラミネートして製造することもできる。このように製造された配線基板用積層体は金属箔を片面のみに有する片面配線基板用積層体としてもよく、また、金属箔を両面に有する両面配線基板用積層体とすることもできる。これら配線基板用積層体において、金属箔に銅箔を使用したものは、それぞれ片面銅張積層板、両面銅張積層板と呼ばれている。両面配線基板用積層体は、片面配線基板用積層体を形成後、金属箔を熱プレスにより圧着する方法、2枚の金属箔層間にポリイミドフィルムを挟み熱プレスにより圧着する方法等によって得ることができる。
【００１９】
本発明の配線基板用積層体において、ポリイミド絶縁層は、２５℃における引張弾性率が５ＧＰａ以下であることが必要であり、２．５〜４．６ＧＰａの範囲とすることが好ましい。ポリイミド絶縁層の引張弾性率の値が、５ＧＰａを超えると、充分な耐屈曲性能の発現が困難となる。また、ポリイミド絶縁層の厚さは１０〜１５μｍの範囲とする必要がある。ポリイミド絶縁層の厚さが１０μｍに満たないと、回路加工などのプロセスにおいてシワや折れが発生しやすく、取り扱いが困難である上、フィルムの両側に同一形状のランドを形成した場合にフィルムがせん断力により破断し、ランド部が脱離してしまう、いわゆるランド抜けが発生しやすいという問題があり、１５μｍを超えると、充分な耐屈曲性能の発現が困難となったり、配線板の柔軟性が損なわれたりする。なお、ポリイミド絶縁層が多層のポリイミド層から構成される場合、これら引張弾性率と厚みは、ポリイミド層全体についての値である。
【００２０】
本発明において、ポリイミド絶縁層の引張弾性率を５ＧＰａ以下とする必要があるが、低弾性とプリント配線板用の積層板として必要である低線膨張係数は相反する性質である。これを両立するためには、2'-メトキシ-4,4'-ジアミノベンズアニリドや、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニルや2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物といった剛直な構造をもつモノマーを用い、かつ硬化条件を最適化することで分子配向を制御し、低線膨張係数のものとすることができる。一方で、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物や4,4'-ジアミノジフェニルエーテルといった柔軟性のモノマーを適切に選択し、これを最適な量の共重合体とすることで弾性率を低下させることができる。
【００２１】
ポリイミド絶縁層の厚さを１０〜１５μｍとするには、銅箔にポリイミド前駆体を塗布乾燥し、硬化するキャスト法が最も適している。これは、前駆体を塗布する際に溶液状態おこなうことから、実際の仕上がりの５倍から２０倍の厚さで塗布するため、厚さを高精度で制御することが可能となるためである。この結果、薄膜ポリイミドの実用化の上で必要な、厚さの精密制御化が可能となる。ポリイミドフィルムの両面に熱可塑性ポリイミドを塗布して銅箔を圧着するラミネート法を用いることも可能であるが、原材料であるポリイミドとしては５〜９μｍと非常に薄いものを用いる必要がある。
【００２２】
本発明で使用される金属箔は、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛およびそれらの合金等の導電性金属箔を挙げることができ、これらの中でも銅箔又は銅を90％以上含む合金銅箔が好ましい。金属箔のポリイミド絶縁層形成面側の表面粗さ(Rz)は、３．５μｍ以下であることが好ましく、２．５μｍ以下の電解銅箔がより好ましい。
【００２３】
本発明では、配線基板用積層体において、金属箔を２５℃における引張弾性率が４０ＧＰａ以下とする必要があり、２５〜３５ＧＰａの範囲とすることが好ましい。引張弾性率の値が、４０ＧＰａを超えると、金属箔の柔軟性が低くなるため、充分な耐屈曲特性を発現することが困難となる。また、金属箔の厚さは７〜１５μｍの範囲とする必要がある。金属箔の厚さが７μｍに満たないと、回路断面が充分に確保できなくなり、電気容量の不足の問題が発生する。また、異方導電膜（ＡＣＦ）による接続加工の際に、接続すべき端子間の距離が長くなりすぎるため、導通の信頼性に問題が発生する場合がある。１５μｍを超えると、金属箔の弾性率に関わらず、金属箔に発生する応力が増加し、充分な耐屈曲特性を発現することが困難となる。このような特性を有する金属箔としては、市販の銅箔を使用することができるが、一般に市販されている銅箔は、１０μｍ未満のものは少なく、そのような場合、上記引張弾性率の値を満たす銅箔を選択し、銅箔厚みが大きい場合は、必要により化学エッチング処理等により、銅箔厚みを所定の厚みとすることができる。また、前記のポリイミドシート層へのスパッタ処理後に電気めっきを施すことにより析出させ所望の金属箔を形成してもよい。
【００２４】
本発明の配線基板用積層体は、エッチングにより、パターン加工を行なった後にカバーレイフィルムにて配線回路を保護することで配線回路基板とすることができる。エッチング処理の方法は特に制限されず、適宜公知の方法を用いることができる。このようなエッチング処理の好適な方法としては、例えば、金属箔上にアルカリ現像型のドライフィルムを用いて回路パターンを形成した後に、エッチング液を利用してドライフィルムに保護されていない部分の導体膜を除去して配線回路を形成し、その後ドライフィルムを剥離する方法を挙げることができる。
【００２５】
使用されるカバーレイフィルムは、特に制限されないが、例えば、ポリイミドフィルムの一方の面にエポキシ系やアクリル系樹脂の接着層が設けられたカバーレイフィルムが例示される。カバーレイフィルムの厚さは特に限定されるものではないが、５〜５０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。このようなカバーレイフィルムとしては、市販されているカバーレイフィルムを用いてもよく、特に制限されないが、例えば、ＣＶＡ０５２５ＫＡ（有沢社製）、ＣＶＡ０５１５ＫＡ（有沢社製）、ＣＩＳＶ１２２５（ニッカン工業社製）、ＣＡ２３１（信越製）が挙げられる。
【実施例】
【００２６】
以下、実施例に基づいて本発明の内容を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例の範囲に限定されるものではない。
実施例等に用いた略号を下記に示す。
BAPP:2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
PMDA：ピロメリット酸二無水物
BPDA:3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
DAPE：4,4'-ジアミノジフェニルエーテル
MABA: 2'-メトキシ-4,4'-ジアミノベンズアニリド
m-TB: 2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル
NTCDA：2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
DMAc：N,N-ジメチルアセトアミド
【００２７】
［ポリイミドの引張弾性率の測定］
配線基板用積層体の銅箔部分を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去してポリイミドフィルムを作成し、テンションテスターを用い、幅12.7mm、長さ170mmのポリイミドフィルムをチャック間距離100mmで10kgの荷重を加えながら50mm/minで引張試験を行った。
【００２８】
［銅箔の引張弾性率の測定］
配線基板用積層体のポリイミド部分を東レエンジニアリング製ポリイミドケミカルエッチング液 TPE3000を用いてエッチング除去して銅箔サンプルを作成し、テンションテスターを用い、幅12.7mm、長さ170mmの銅箔をチャック間距離100mmで10kgの荷重を加えながら5mm/minで引張試験を行った。
【００２９】
［耐屈曲性試験(IPC屈曲試験)］
試験片幅：8mm、試験片長さ：150mmの配線基板用積層体にＬ／Ｓ＝100μｍ／100μｍの回路を形成し、カバー材として（株）有沢製作所製のCVK0525KAを用い、プレスにより回路上にカバー材を積層し、曲率r：1.25mm、振動ストローク：20mm、振動速度：1500回/分の条件で信越エンジニアリング（株）製IPC屈曲試験機を用いて加速試験を行った。本試験ではサンプルの電気抵抗値が5％上昇するまでの回数を求めた。
【００３０】
合成例１
BAPP40モル（16421g）をDMAｃ102kgに溶解した後、PMDA34モル（7416g）とBPDA6モル(1765g)を徐々に加えて反応させ、粘稠なポリアミド酸溶液を得た。
合成例２
DAPE20モル（4005g）とMABA20モル（5146g）をDMAc72kgに溶解した後、PMDA40モル（8725g）を徐々に加えて反応させ、粘稠なポリアミド酸溶液を得た。
合成例３
DAPE20モル（4005g）とm-TB20モル（4246g）をDMAc68kgに溶解した後、PMDA40モル（8725g）を徐々に加えて反応させ、粘稠なポリアミド酸溶液を得た。
合成例４
DAPE20モル（4005g）とm-TB20モル（4246g）をDMAc71kgに溶解した後、PMDA30モル（6544g）とBPDA10モル(2942g)を徐々に加えて反応させ、粘稠なポリアミド酸溶液を得た。
合成例５
DAPE32モル（6408g）とm-TB8モル（1698g）をDMAc75kgに溶解した後、NTCDA40モル（10727g）を徐々に加えて反応させ、粘稠なポリアミド酸溶液を得た。
【００３１】
実施例１
合成例１で得たポリアミド酸溶液を、厚さ12μｍの古河サーキットフォイル製F2-WS上にアプリケータを用いて硬化後の膜厚が約2μｍとなるように塗布し、130℃で1分間乾燥した後、続けて合成例２で得たポリアミド酸溶液を、硬化後の膜厚が約8μｍとなるように各々塗布し、130℃で1分間乾燥した。さらに、その上に合成例１で得たポリアミド酸溶液を硬化後の膜厚が約2μｍとなるように塗布した後、130℃、160℃、200℃、230℃、280℃、320℃、360℃で各2〜12分段階的な熱処理を行い、総厚で12μmとなる多層のポリイミド層を有する配線基板用積層体を得た。
得られた配線基板用積層体のポリイミドの引張弾性率を測定したところ４．５ＧＰａであり、銅箔の引張弾性率を測定したところ３０ＧＰａであった。また、回路加工した配線基板用積層体のIPC屈曲回数を求めたところ、1,200,000回であった。
【００３２】
比較例１
合成例２で得たポリアミド酸溶液を硬化後の膜厚が約21μｍとなるように塗布し、総厚を25μmとなるようにする以外は、実施例１と同様に実施した。得られた配線基板用積層体のポリイミドの引張弾性率を測定したところ４．５ＧＰａであり、銅箔の引張弾性率を測定したところ３０ＧＰａであった。銅箔のIPC屈曲回数を求めたところ、19,000回であった。
【００３３】
実施例２
合成例１で得たポリアミド酸溶液を、厚さ12μｍの日本電解（株）製HLB上にアプリケータを用いて硬化後の膜厚が約2μｍとなるように塗布し、130℃で1分間乾燥した後、続けて合成例３で得たポリアミド酸溶液を、硬化後の膜厚が約8μｍとなるように各々塗布し、130℃で1分間乾燥した。さらに、その上に合成例１で得たポリアミド酸溶液を硬化後の膜厚が約2μｍとなるように塗布した後、130℃、160℃、200℃、230℃、280℃、320℃、360℃で各2〜12分段階的な熱処理を行い、総厚で12μmとなる多層のポリイミド層を有する配線基板用積層体を得た。
得られた配線基板用積層体のポリイミドの引張弾性率を測定したところ４．６ＧＰａであり、銅箔の引張弾性率を測定したところ２５ＧＰａであった。回路加工した配線基板用積層体のIPC屈曲回数を求めたところ、1,500,000回であった。
【００３４】
比較例２
合成例３で得たポリアミド酸溶液の代わりに、合成例４で得たポリアミド酸溶液を塗布する以外は、実施例２と同様に実施した。得られた配線基板用積層体について、ポリイミドの引張弾性率を測定したところ７．５ＧＰａであり、銅箔の引張弾性率を測定したところ２５ＧＰａであった。回路加工した配線基板用積層体のIPC屈曲回数を求めたところ、860,000回であった。
【００３５】
比較例３
厚さ12μｍの日本電解（株）製HLBの代わりに、厚さ18μmの日鉱金属（株）製ＢＨＹ箔を用いる以外は実施例２と同様に実施した。得られた配線基板用積層体について、ポリイミドの引張弾性率を測定したところ４．６ＧＰａであり、銅箔の引張弾性率を測定したところ２８ＧＰａであった。回路加工した配線基板用積層体のIPC屈曲回数を求めたところ、660,000回であった。
【００３６】
比較例４
厚さ12μｍの日本電解（株）製HLBの代わりに、厚さ12μmの三井金属鉱業（株）製ＳＱ−ＶＬＰ箔を用いる以外は実施例２と同様に実施した。得られた配線基板用積層体について、ポリイミドの引張弾性率を測定したところ４．６ＧＰａであり、銅箔の引張弾性率を測定したところ６９ＧＰａであった。回路加工した配線基板用積層体のIPC屈曲回数を求めたところ、150,000回であった。
【００３７】
実施例３
合成例２で得たポリアミド酸溶液の代わりに、合成例５で得たポリアミド酸溶液を塗布する以外は、実施例１と同様に実施した。得られた配線基板用積層体について、ポリイミドの引張弾性率を測定したところ２．６ＧＰａであり、銅箔の引張弾性率を測定したところ３０ＧＰａであった。回路加工した配線基板用積層体のIPC屈曲回数を求めたところ、1,200,000回であった。
【００３８】
比較例５
合成例５で得たポリアミド酸溶液を硬化後の膜厚が約4μｍとなるように塗布し、総厚を８μmとなるようにする以外は、実施例３と同様に実施した。得られた配線基板用積層体について、ポリイミドの引張弾性率を測定したところ２．６ＧＰａであった。また、銅箔の引張弾性率を測定したところ３０ＧＰａであった。回路加工した配線基板用積層体のIPC屈曲回数を求めたところ、210,000回であった。
【００３９】
結果をまとめて表１に示す。
【表１】
2007273766.tif 000002