(57)【要約】【課題】半導体素子の微細パターンの形成方法を提供すること。【解決手段】エッチング対象層（１２）上に、カーボンリッチな第１ポリマー層を形成するステップと、該第１ポリマー層上に、シリコンリッチな第２ポリマー層を形成するステップと、該第２ポリマー層をパターニングするステップと、パターニングされた前記第２ポリマー層（１４Ａ）の表面を酸化させるステップと、表面酸化され、パターニングされた第２ポリマー層（１４Ａ、１６）を用いて、前記第１ポリマー層をエッチングするステップと、表面酸化され、パターニングされた第２ポリマー層（１４Ａ、１６）と、エッチングされた第１ポリマー層（１３Ａ）とを用いて、エッチング対象層（１２）をエッチングするステップとを含む。【選択図】図１Ｄ
2007300125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング対象層上に、カーボンリッチな第１ポリマー層を形成する第１ステップと、
該第１ポリマー層上に、シリコンリッチな第２ポリマー層を形成する第２ステップと、
該第２ポリマー層をパターニングする第３ステップと、
パターニングされた前記第２ポリマー層の表面を酸化させる第４ステップと、
表面酸化され、パターニングされた前記第２ポリマー層を用いて、前記第１ポリマー層をエッチングする第５ステップと、
表面酸化され、パターニングされた前記第２ポリマー層と、エッチングされた前記第１ポリマー層とを用いて、前記エッチング対象層をエッチングする第６ステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項２】
パターニングされた前記第２ポリマー層の表面を酸化させる前記第４ステップが、
前記第２ポリマー層に対し、Ｏ２プラズマ処理を行うステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項３】
前記第４ステップにおいて、パターニングされた前記第２ポリマー層の表面にＳｉ−Ｏ系ポリマーを形成し、表面の酸化を行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項４】
前記Ｏ２プラズマ処理が、
１００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ）以上の圧力、５００Ｗ以下の圧力の条件下で行われることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項５】
前記第２ポリマー層をパターニングする前記第３ステップが、
前記第２ポリマー層上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
フッ素系ガスを用いて前記第２ポリマー層をエッチングするステップと
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項６】
前記フッ素系ガスが、
ＣＦ４ガスを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項７】
表面酸化され、パターニングされた前記第２ポリマー層を用いて、前記第１ポリマー層をエッチングする前記第５ステップにおいて、
Ｎ２／Ｏ２ガスおよびＮ２／Ｈ２ガスのいずれか一方又は両方を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項８】
前記第１ポリマー層及び前記第２ポリマー層が、
スピンコート法にて形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項９】
前記第２ポリマー層が、
シロキサン又はシルセスキオキサンで形成され、シリコン含有量が３０％〜４５％の範囲であることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項１０】
前記エッチング対象層が、
導電層、絶縁層、及び半導体基板からなる群から選ばれたいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項１１】
エッチング対象層上に、カーボンリッチなパターニングされた第１ポリマー層を形成する第１ステップと、
パターニングされた前記第１ポリマー層上に、シリコンと酸素とが含有され、酸化された上部表面を有する、パターングされた第２ポリマー層を形成する第２ステップと、
パターニングされた前記第１ポリマー層と第２ポリマー層とを用いて、前記エッチング対象層をエッチングする第３ステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項１２】
パターニングされた前記第２ポリマー層を形成する前記第２ステップが、
前記第２ポリマー層をパターニングして前記第１ポリマー層の一部を露出させた開放部を画定する第４ステップと、
前記第１ポリマー層の露出部分を、パターニングされた前記第２ポリマー層を用いてエッチングする第５ステップと
を含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項１３】
前記第５ステップにおいて、前記第１ポリマー層の露出部がエッチングされると同時に、パターニングされた前記第２ポリマー層が酸化されることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項１４】
前記第５ステップに続き、表面酸化され、パターニングされた前記第２ポリマー層を用いて、残留する前記第１ポリマー層をエッチングする第６ステップを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項１５】
前記第６ステップにおいて、残留する前記第１ポリマー層が、第１圧力レベル及び第１パワーレベルでエッチングされ、
前記第１ポリマー層の露出部分がエッチングされると同時に、パターニングされた前記第２ポリマー層が酸化される前記第５ステップにおいて、前記第２ポリマー層が、第２圧力レベル及び第２パワーレベルで酸化され、
前記第２圧力レベルは、前記第１圧力レベルよりも高く、
前記第２パワーレベルは、前記第１パワーレベルよりも低いことを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項１６】
前記第２圧力レベル及び第２パワーレベルが、それぞれ
１００ｍＴｏｒｒ〜５００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ〜６６．７Ｐａ）の範囲の圧力、及び１０Ｗ〜５００Ｗの範囲のパワーであることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項１７】
パターニングされた前記第２ポリマー層の上部表面が、Ｓｉ−Ｏ系ポリマーを含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項１８】
前記第１圧力レベルが、１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ〜１３．３Ｐａ）の範囲であり、
第１パワーレベルが、５００Ｗ〜１０００Ｗの範囲であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項１９】
パターニングされた前記第２ポリマー層を形成する前記第２ステップが、
前記第２ポリマー層をパターニングして前記第１ポリマー層の一部を露出させた開放部を画定する第４ステップと、
前記第１ポリマー層の露出部分を、パターニングされた前記第２ポリマー層を用いてエッチングする第５ステップと、
表面酸化され、パターニングされた前記第２ポリマー層を用いて、残留する前記第１ポリマー層をエッチングする第６ステップとを含み、
前記第５ステップにおいて、Ｎ２／Ｏ２、Ｎ２／Ｏ２／ＣＨ４、およびＮ２／Ｏ２／Ｃ２Ｈ２からなる群の中から選択される何れかのプラズマを用いて、前記第１ポリマー層の露出部分がエッチングされると同時に、パターニングされた前記第２ポリマー層が酸化されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項２０】
パターニングされた前記第２ポリマー層を形成する前記第２ステップが、
前記第２ポリマー層上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
フッ素系ガスを用いて前記第２ポリマー層をエッチングするステップと
を含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項２１】
前記フッ素系ガスが、
ＣＦ４ガスを含むことを特徴とする請求項２０に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項２２】
パターニングされた前記第２ポリマー層が、
シロキサン又はシルセスキオキサンで形成され、シリコンの含量が３０％〜４５％の範囲であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項２３】
前記エッチング対象層が、
導電層、絶縁層、及び半導体基板からなる群の中から選択されたいずれか１つであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、半導体素子の微細パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成時、ＮＭＯＳＦＥＴ素子のパターニング用ハードマスク積層体の一部として非晶質カーボンを使用する技術が用いられているが、この技術で使用される非晶質カーボンは、パターニングが容易であり、従来のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）、及びシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）のキャッピング又は保護物質に比べて、選択比が高いとされている。
【０００３】
しかし、非晶質カーボンをハードマスクとして使用すると、ポリシリコン膜をハードマスクとして使用した場合に比べて、費用が高く、製造コストが約５倍〜１０倍上昇する問題がある。
【０００４】
更に、非晶質カーボンは、周辺領域上の深い段差を有する領域、例えば、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程のモニタリングのために用いられる各種キーボックス（整列キー）に蒸着するとき、ステップカバレッジが劣悪なため、その後に蒸着されるシリコン酸窒化膜が不均一になる。これにより、露光工程のうち、フォトレジストに対するリワーク処理を行った場合、非晶質カーボンの一部が消失し、その部分におけるリフティングやパーティクルの発生といった素子の不良現象を誘発する問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、上記のような従来技術の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、スピンコート法による多層有機物ポリマーハードマスクを用いることで、ステップカバレッジ特性を改善し、第２ポリマーハードマスクによる第１ポリマーハードマスクのエッチングの直前又はエッチングのステップにおいて、第２ポリマーハードマスクの表面に対するプラズマエッチング装置内で適切な酸化処理を行い、第２ポリマーハードマスクの変形を防止することで、微細パターンの実現に適した半導体素子の微細パターンの形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための特徴的な本発明の半導体素子の微細パターンの形成方法は、エッチング対象層上に、カーボンリッチな第１ポリマー層を形成する第１ステップと、該第１ポリマー層上に、シリコンリッチな第２ポリマー層を形成する第２ステップと、該第２ポリマー層をパターニングする第３ステップと、パターニングされた前記第２ポリマー層の表面を酸化させる第４ステップと、表面酸化され、パターニングされた前記第２ポリマー層を用いて、前記第１ポリマー層をエッチングする第５ステップと、表面酸化され、パターニングされた前記第２ポリマー層と、エッチングされた前記第１ポリマー層とを用いて、前記エッチング対象層をエッチングする第６ステップとを含む。
【０００７】
また、本発明の別の半導体素子の微細パターンの形成方法は、エッチング対象層上に、カーボンリッチなパターニングされた第１ポリマー層を形成する第１ステップと、パターニングされた前記第１ポリマー層上に、シリコンと酸素とが含有され、酸化された上部表面を含む、パターニングされた第２ポリマー層を形成する第２ステップと、パターニングされた前記第１ポリマー層と第２ポリマー層とを用いて、前記エッチング対象層をエッチングする第３ステップとを含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、カーボンリッチな第１ポリマー層と、シリコンリッチな第２ポリマー層とをハードマスクとして用いることによって、周辺領域上の深い段差を有する領域のステップカバレッジ特性を改善できる効果がある。
【０００９】
また、第２ポリマーハードマスクを用いた第１ポリマー層のエッチング時、第２ポリマーハードマスクの表面に酸化処理を行った後、第１ポリマー層をエッチングすることによって、第２ポリマーハードマスクの変形を防止することができ、目的の微細パターンを容易に実現することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００１１】
本発明の第１実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法について説明する。まず、図１Ａに示すように、半導体基板１１上にエッチング対象層１２を形成する。本実施形態では、エッチング対象層１２は、導電層、絶縁層、又はシリコンなどの半導体層であり得る。
【００１２】
続いて、エッチング対象層１２上に、スピンコート（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ）法を用いて、カーボンリッチな第１ポリマー層１３と、シリコンリッチな第２ポリマー層１４とを順に形成する。第２ポリマー層１４は、シロキサン又はシルセスキオキサン（ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）で形成され、３０％〜４５％の範囲のシリコン含有量を有する。次に、第２ポリマー層１４の所定領域上にフォトレジストパターン１５を形成する。
【００１３】
図１Ｂに示すように、フォトレジストパターン１５をエッチングバリアとして、第２ポリマー層１４をエッチングする。以下、エッチングされた後の第２ポリマー層１４を、「第２ポリマーハードマスク１４Ａ」と表現する。
【００１４】
尚、第２ポリマー層１４のエッチングは、フッ素系ガス、例えば、ＣＦ４ガスを用いて行われるが、このとき、第２ポリマー層１４のエッチングと同時に、フォトレジストパターン１５の全て又は一部が除去される。
【００１５】
図１Ｃに示すように、Ｏ２プラズマ処理を行い、第２ポリマーハードマスク１４Ａの表面を酸化させる。Ｏ２プラズマ処理は、５００Ｗ以下の低パワー、１００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ）以上の高圧力の条件下で行われ、これにより、第２ポリマーハードマスク１４Ａの表面が酸化されてＳｉＯＸ系ポリマー（Ｓｉ−Ｏ系ポリマーとも記す）１６が形成される。低パワー、高圧力の条件下でＯ２プラズマ処理を行う理由は、Ｏ２プラズマによる基板の損傷を最小化しつつ、第２ポリマーハードマスク１４Ａの表面のみを酸化させるためである。
【００１６】
図１Ｄに示すように、ＳｉＯＸ系ポリマー１６が形成された第２ポリマーハードマスク１４Ａをエッチングバリアとして、第１ポリマー層１３をエッチングする。第１ポリマー層１３は、Ｎ２／Ｏ２又はＮ２／Ｈ２ガス（“Ａ／Ｂ”は“ＡおよびＢ”を意味する）を用いてエッチングするが、第２ポリマーハードマスク１４Ａの表面にＳｉＯＸ系ポリマー１６が形成されているため、第１ポリマー層１３のエッチング時に用いられるエッチングガスによる第２ポリマーハードマスク１４Ａの変形を防止することができる。したがって、第１ポリマー層１３をエッチングしながら、実現しようとする線幅を維持することができる。以下、エッチングされた後の第１ポリマー層１３を、「第１ポリマーハードマスク１３Ａ」と表現する。
【００１７】
図１Ｅに示すように、ＳｉＯＸ系ポリマー１６が形成された第２ポリマーハードマスク１４Ａと、第１ポリマーハードマスク１３Ａとをエッチングバリアとして、エッチング対象層１２をエッチングする。以下、エッチングされた後のエッチング対象層１２を、「エッチング対象層パターン１２Ａ」と表現する。
【００１８】
上述したように、エッチング対象層をエッチングするためのハードマスクとして、カーボンリッチな第１ポリマー層と、シリコンリッチな第２ポリマー層とを用いることによって、段差の深い領域のステップカバレッジ特性を改善することができる。
【００１９】
また、第２ポリマー層をエッチングした後、Ｏ２プラズマ処理を行い、第２ポリマー層の表面を酸化させた後、第１ポリマー層をエッチングするので、第１ポリマー層のエッチング時に用いられるエッチングガスによる第２ポリマー層の変形を防止することができ、所望の線幅を維持しつつ、エッチング対象層をエッチングすることができる。
【００２０】
本発明の第２実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法について説明する。まず、図２Ａに示すように、半導体基板２１上にエッチング対象層２２を形成する。本実施形態では、エッチング対象層２２は、導電層、絶縁層、又はシリコンなどの半導体層であり得る。
【００２１】
続いて、エッチング対象層２２上に、スピンコート法を用いて、カーボンリッチな第１ポリマー層２３と、シリコンリッチな第２ポリマー層２４とを順に形成する。第２ポリマー層２４は、シロキサン又はシルセスキオキサンで形成され、３０％〜４５％の範囲のシリコン含有量を有する。次に、第２ポリマー層２４の所定領域上にフォトレジストパターン２５を形成する。
【００２２】
図２Ｂに示すように、フォトレジストパターン２５をエッチングバリアとして、第２ポリマー層２４をエッチングする。以下、エッチングされた後の第２ポリマー層２４を、「第２ポリマーハードマスク２４Ａ」と表現する。
【００２３】
尚、第２ポリマー層２４のエッチングは、フッ素系ガス、例えば、ＣＦ４ガスを用いて行われるが、このとき、第２ポリマー層２４のエッチングと同時に、フォトレジストパターン２５の全て又は一部が除去される。
【００２４】
図２Ｃに示すように、第２ポリマーハードマスク２４Ａをエッチングバリアとして、第１ポリマー層２３の一部をエッチングする。第１ポリマー層２３は、Ｎ２／Ｏ２、Ｎ２／Ｏ２／ＣＨ４、及びＮ２／Ｏ２／Ｃ２Ｈ２からなる群の中から選ばれた物質のプラズマを用いるが、第１ポリマー層２３の一部だけをエッチングするために、エッチング速度を遅くし、かつエッチング深さを浅くする条件、すなわち、相対的に高い圧力、低いパワーの雰囲気でエッチングする。詳しくは、１００ｍＴｏｒｒ〜５００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ〜６６．７Ｐａ）の範囲の圧力、１０Ｗ〜５００Ｗの範囲のパワーとする。このような条件下でエッチングによって除去される第１ポリマー層２３の厚さは、元の第１ポリマー層２３の総厚の１／５〜４／５となる。このようなエッチングガスを用い、この際の圧力及びパワーが、後続のエッチング工程の条件に比べて、相対的に高い圧力及び低いパワーに設定した雰囲気において、Ｏ２プラズマと第２ポリマーハードマスク２４Ａとが反応する。これにより、第１ポリマー層２３のエッチングと同時に、第２ポリマーハードマスク２４Ａの酸化が行われ、第２ポリマーハードマスク２４Ａの表面にＳｉＯＸ系ポリマー２６が形成される。一部がエッチングされた第１ポリマー層２３を、「残留する第１ポリマー層２３Ａ」と表現する。
【００２５】
次に、図２Ｄに示すように、表面にＳｉＯＸ系ポリマー２６が形成された第２ポリマーハードマスク２４Ａを用いて、残留する第１ポリマー層２３Ａをエッチングし、エッチング対象層２２の表面を露出させる。このとき、残留する第１ポリマー層２３Ａのエッチングには、Ｎ２／Ｈ２プラズマを用いるが、エッチング速度を速くし、かつ工程による損傷を低減させるために、図２Ｃにおける工程条件に比べて、相対的に低い圧力、高いパワーの雰囲気でエッチングする。詳しくは、１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ〜１３．３Ｐａ）の範囲の圧力、５００Ｗ〜１０００Ｗの範囲のパワーの条件下でエッチングする。
【００２６】
このとき、第２ポリマーハードマスク２４Ａの表面にＳｉＯＸ系ポリマー２６が形成されているため、Ｎ２／Ｈ２プラズマによる第２ポリマーハードマスク２４Ａの損傷を防止することができる。すなわち、ＳｉＯＸ系ポリマー２６がＮ２／Ｈ２プラズマによる第２ポリマーハードマスク２４Ａの損傷を防止する機能をするため、第２ポリマーハードマスク２４Ａを変形させずに、残留する第１ポリマー層２３Ａをエッチングし、第１ポリマーハードマスク２３Ｂを形成することができる。以下、エッチングされた後に残留する第１ポリマー層２３Ａを、「第１ポリマーハードマスク２３Ｂ」と表現する。
【００２７】
次に、図２Ｅに示すように、表面にＳｉＯＸ系ポリマー２６が形成された第２ポリマーハードマスク２４Ａと、第１ポリマーハードマスク２３Ｂとをエッチングバリアとして、エッチング対象層２２をエッチングする。以下、エッチングされた後のエッチング対象層２２を、「エッチング対象層パターン２２Ａ」と表現する。
【００２８】
図３Ａ〜３Ｃは、第２実施形態におけるステップ毎の状態を示すＴＥＭ写真である。図３Ａを参照すると、Ｎ２／Ｏ２、Ｎ２／Ｏ２／ＣＨ４、及びＮ２／Ｏ２／Ｃ２Ｈ２からなる群の中から選ばれた物質のプラズマを含むエッチングガスを用い、高圧力、低パワーの雰囲気で、第１ポリマー層のエッチングを行った結果、Ｏ２プラズマと第２ポリマーハードマスクとが反応し、これにより、第１ポリマー層のエッチングと同時に、第２ポリマーハードマスクの酸化が行われることが分かる。この後、第２ポリマーハードマスクの表面にＳｉＯＸ系ポリマーが形成される。
【００２９】
図３Ｂを参照すると、ＳｉＯＸ系ポリマーがＮ２／Ｈ２プラズマによる第２ポリマーハードマスクの損傷を防止する機能をするため、第２ポリマーハードマスクを変形させずに、残留する第１ポリマー層をエッチングし、第１ポリマーハードマスクを形成できることが分かる。
【００３０】
図３Ｃを参照すると、表面にＳｉＯＸ系ポリマーが形成された第２ポリマーハードマスクと、第１ポリマーハードマスクとをエッチングバリアとして、エッチング対象層をエッチングし、エッチング対象層パターンを形成できることが分かる。
【００３１】
上述したように、第２ポリマーハードマスクを形成した後、Ｏ２プラズマを含むエッチングガスを用いて第１ポリマー層の一部をエッチングするが、このとき、エッチングと同時に、第２ポリマーハードマスクの表面にＳｉＯＸ系ポリマーが形成される。続いて、ＳｉＯＸ系ポリマーが形成された第２ポリマーハードマスクを用いて、残留する第１ポリマー層を全てエッチングによって除去するが、第２ポリマーハードマスクの表面にＳｉＯＸ系ポリマーが形成されているため、残留する第１ポリマー層のエッチング時に用いられるエッチングガスによる損傷を防止することができ、実現しようとする線幅を維持しつつ、微細パターンを形成することができる。
【００３２】
本発明は、カーボンリッチな第１ポリマー層と、シリコンリッチな第２ポリマー層とをハードマスクとして用いることで、周辺領域上の深い段差を有する領域のステップカバレッジ特性を改善するという効果がある。
【００３３】
また、第２ポリマーハードマスクを用いた第１ポリマー層のエッチング時、第２ポリマーハードマスクの表面に酸化処理を行った後、第１ポリマー層をエッチングすることで、第２ポリマーハードマスクの変形を防止可能なため、パターニングしようとする微細パターンを容易に実現することができるという効果がある。
【００３４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の第１実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明の第１実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図である。
【図１Ｄ】本発明の第１実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図である。
【図１Ｅ】本発明の第１実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の第２実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第２実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図である。
【図２Ｃ】本発明の第２実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図である。
【図２Ｄ】本発明の第２実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図である。
【図２Ｅ】本発明の第２実施形態に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態におけるステップ毎のＴＥＭ写真である。
【図３Ｂ】本発明の第２実施形態におけるステップ毎のＴＥＭ写真である。
【図３Ｃ】本発明の第２実施形態におけるステップ毎のＴＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００３６】
１１、２１      半導体基板
１２、２２      エッチング対象層
１３、２３      第１ポリマー層
１３Ａ、２３Ｂ  第１ポリマーハードマスク
１４、２４      第２ポリマー層
１４Ａ、２４Ａ  第２ポリマーハードマスク
１５、２５      フォトレジストパターン
１６、２６      ＳｉＯｘポリマー
２３Ａ          残留する第１ポリマー層
【図１Ａ】
2007300125.tif 000003
【図１Ｂ】
2007300125.tif 000004
【図１Ｃ】
2007300125.tif 000005
【図１Ｄ】
2007300125.tif 000006
【図１Ｅ】
2007300125.tif 000007
【図２Ａ】
2007300125.tif 000008
【図２Ｂ】
2007300125.tif 000009
【図２Ｃ】
2007300125.tif 000010
【図２Ｄ】
2007300125.tif 000011
【図２Ｅ】
2007300125.tif 000012
【図３Ａ】
2007300125.tif 000013
【図３Ｂ】
2007300125.tif 000014
【図３Ｃ】
2007300125.tif 000015