(57)【要約】【課題】  第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板の製造方法において、エッチング処理に伴うダメージを回復させて、素子特性の向上を図る。【解決手段】  本発明の素子基板製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０、絶縁膜３０、及び第２導電膜４０を含む積層体２を形成する工程と、積層体２をエッチング処理により所定平面形状に形成する工程と、エッチング処理によって露出した積層体２の側壁２ａにラジカル状態又はイオン状態の改質ガス５５を供給する工程とを有する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、第１導電膜、絶縁膜、及び第２導電膜を含む積層体を形成する工程と、
前記積層体をエッチング処理により所定平面形状に形成する工程と、
前記エッチング処理によって露出した前記積層体の側壁にラジカル状態又はイオン状態の改質ガスを供給する工程と、を有することを特徴とする素子基板製造方法。
【請求項２】
前記積層体に対する熱処理温度が４００℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の素子基板製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜が酸化物であり、前記改質ガスがラジカル状態又はイオン状態の窒素又は酸素を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の素子基板製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜が窒化物であり、前記改質ガスがラジカル状態又はイオン状態の窒素を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の素子基板製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜が二酸化シリコンであり、前記改質ガスの材料ガスが、酸素、二酸化窒素、一酸化窒素、アンモニア、及び窒素の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項３に記載の素子基板製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜が窒化シリコンであり、前記改質ガスの材料ガスが、窒素、アンモニア、アルゴンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項４に記載の素子基板製造方法。
【請求項７】
前記絶縁膜が酸化アルミニウムであり、前記改質ガスの材料ガスが、窒素、アンモニア、一酸化窒素、及び酸素の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項３に記載の素子基板製造方法。
【請求項８】
前記絶縁膜が五酸化タンタルであり、前記改質ガスの材料ガスが、窒素、アンモニア、一酸化窒素、及び酸素の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項３に記載の素子基板製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の素子基板製造方法により得られたことを特徴とする素子基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の素子基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板製造方法、素子基板、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体装置などの電子装置の構成素子として、第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子が用いられる。こうした素子を具備した基板の製造方法においては、エッチング処理を用いたパターニングにより素子容量部分の小面積化を図る技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−４３７４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
こうした素子基板の製造方法では、エッチング処理によって絶縁膜の一部が損傷する場合がある。例えば、上記積層構造を有する膜をエッチング処理を用いて所定平面形状にパターニングすると、絶縁膜の露出面（側壁部分）における原子間結合が切断され、その切断に伴うダメージが素子特性の劣化につながる可能性がある。
【０００４】
本発明は、第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板の製造方法において、エッチング処理に伴うダメージを回復させて、素子特性の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の素子基板製造方法は、基体上に、第１導電膜、絶縁膜、及び第２導電膜を含む積層体を形成する工程と、前記積層体をエッチング処理により所定平面形状に形成する工程と、前記エッチング処理によって露出した前記積層体の側壁にラジカル状態又はイオン状態の改質ガスを供給する工程と、を有することを特徴とする。
【０００６】
このような素子基板製造方法によれば、改質ガスの供給により、絶縁膜の側壁におけるエッチングダメージが回復される。すなわち、絶縁膜の側壁における原子間結合の切断部が、改質ガスに含まれる原子と結合することによって終端処理される。改質ガスに含まれる原子がラジカル状態又はイオン状態であることにより、比較的低温状態であっても、この結合に関わる高い反応性が得られる。エッチングダメージの回復により、この製造方法では、素子特性の向上を図ることができる。
【０００７】
本発明の素子基板製造方法において、前記積層体に対する熱処理温度が４００℃以下であることが好ましい。
これによれば、積層体におけるエッチングダメージの回復が比較的低温状態で可能であるので、第１導電膜又は第２導電膜に様々な材料を用いることが可能である。
【０００８】
本発明の素子基板製造方法において、前記絶縁膜が酸化物であり、前記改質ガスがラジカル状態又はイオン状態の窒素又は酸素を含むことが好ましい。
【０００９】
本発明の素子基板製造方法において、前記絶縁膜が窒化物であり、前記改質ガスがラジカル状態又はイオン状態の窒素を含むことが好ましい。
【００１０】
本発明の素子基板製造方法において、前記絶縁膜が二酸化シリコン（ＳｉＯ２）であり、前記改質ガスの材料ガスが、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（ＮＯ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、アンモニア（ＮＨ３）、及び窒素（Ｎ２）の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００１１】
本発明の素子基板製造方法において、前記絶縁膜が窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）であり、前記改質ガスの材料ガスが、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、アルゴン（Ａｒ）の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００１２】
本発明の素子基板製造方法において、前記絶縁膜が酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であり、前記改質ガスの材料ガスが、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、一酸化窒素（ＮＯ）、及び酸素（Ｏ２）の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００１３】
本発明の素子基板製造方法において、前記絶縁膜が五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）であり、前記改質ガスの材料ガスが、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、一酸化窒素（ＮＯ）、及び酸素（Ｏ２）の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００１４】
本発明の素子基板は、先に記載の本発明の素子基板製造方法により得られたことを特徴とする。
このような素子基板によれば、エッチングダメージの回復により、素子特性の向上を図ることができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置は、先に記載の本発明の素子基板を備えたことを特徴とする。
このような電気光学装置によれば、素子基板における素子特性の向上により、表示の均一性、及び表示の高精細化が図られる。
なお、本願発明において、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。
【００１６】
本発明の電子機器は、先に記載の本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
このような電子機器によれば、表示品質の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る素子基板を示す模式断面図である。
図１に示すように、この素子基板１は、基体１０（絶縁体）と、基体１０上に形成された第１導電膜２０と、第１導電膜２０上に形成された絶縁膜３０と、絶縁膜３０上に形成された第２導電膜４０とを備える。
【００１９】
この素子基板１は、例えば、後述するように、液晶表示装置に用いられる。そして、第１導電膜２０／絶縁膜３０／第２導電膜４０の積層構造（いわゆるＭＩＭ構造）を有する積層体２が、例えば、その液晶表示装置におけるスイッチング素子の少なくとも一部として用いられる。
【００２０】
第１導電膜２０は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの各種の金属材料、あるいはその金属材料を主成分とする合金材料によって形成される。
また、第２導電膜４０も同様に、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの各種の金属材料、あるいはその金属材料を主成分とする合金材料によって形成される。なお、上記の金属は一例であって、第１導電膜２０及び第２導電膜４０の形成材料は、上記以外の導電材料でもよい。また、第１導電膜２０及び第２導電膜４０の一方が、アモルファスシリコン層などの半導体膜であってもよい。
【００２１】
絶縁膜３０は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）などのシリコン化合物からなる。この他、絶縁膜３０の形成材料としては、アルミナ（ＡｌＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニア（ＨｆＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）など、各種の絶縁材料が適用可能である。
【００２２】
上記の第１導電膜２０／絶縁膜３０／第２導電膜４０の積層体２は、エッチング処理により所定平面形状にパターニングされている。そして、その積層体２は、上記エッチング処理において生じた側壁２ａのダメージが後述する所定の処理によって回復されている。
【００２３】
次に、上記の素子基板１の製造方法の一例について説明する。
図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、上記の素子基板１の製造方法の説明図である。
本例では、絶縁膜３０として窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を用いる。
【００２４】
図２（Ａ）〜図２（Ｄ）に示すように、この製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０、絶縁膜３０、及び第２導電膜４０を含む積層体２を形成する工程（図２（Ａ））と、積層体２をエッチング処理により所定平面形状に形成する工程（図２（Ｂ）、図２（Ｃ））と、エッチング処理によって露出した積層体の側壁におけるダメージを回復する工程（図２（Ｄ））とを有する。
【００２５】
具体的には、まず、図２（Ａ）に示すように、基体１０上に第１導電膜２０を形成する。第１導電膜２０は、スパッタ法等の公知の成膜法により形成することができる。あるいは、第１導電膜２０は、インクジェット法を用いて金属材料または半導体材料を基体１０上に配置した後に熱処理することによって形成してもよい。
【００２６】
続いて、第１導電膜２０上に絶縁膜３０を形成する。絶縁膜３０は、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）や塗布法あるいはスパッタ法などの公知の成膜法を用いて形成することができる。本例では、ＣＶＤ装置を用いて、第１導電膜２０上に材料ガスを供給して窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）からなる絶縁膜３０を形成する。材料ガスは、原料ガスとしてのシラン系ガス（モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）など）と補ガスとを含む。補ガスは、キャリアガスあるいは窒化ガスであり、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、窒素（Ｎ２）、及び一酸化窒素（ＮＯ）から選ばれる１種又は２種以上のガスを含む。
【００２７】
続いて、絶縁膜３０上に第２導電膜４０を形成する。第２導電膜４０は、第１導電膜２０と同様に、スパッタ法等の公知の成膜法により形成することができる。あるいは、第２導電膜４０は、インクジェット法を用いて金属材料または半導体材料を基体１０上に配置した後に熱処理することによって形成してもよい。
【００２８】
次に、図２（Ｂ）に示すように、第１導電膜２０／絶縁膜３０／第２導電膜４０の積層体２上に所定平面形状のレジスト膜５０を形成する。このレジスト膜５０は、レジスト材料を積層体２の表面全体に配置した後にフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより形成することができる。あるいは、所定平面形状のレジストフィルムを積層体２上に配置することにより形成してもよい。
【００２９】
次に、図２（Ｃ）に示すように、レジスト膜５０をマスクとして、積層体２をエッチング処理により所定平面形状に形成する。エッチング処理には、ドライエッチングなどの公知のエッチング法を用いることができる。エッチング処理により、積層体２が所定平面形状に形成され、その側壁２ａにおける原子間結合（絶縁膜３０におけるシリコン−窒素間の結合）が切断される。なお、エッチング処理後、レジスト膜５０は適宜剥離される。
【００３０】
次に、図２（Ｄ）に示すように、エッチング処理によって露出した積層体２の側壁２ａに改質ガス５５を供給し、その側壁２ａにおけるダメージを回復する。本例では、改質ガス５５は、ラジカル状態又はイオン状態の窒素を含む。プラズマ法または触媒法などの公知の方法を用いることにより、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、アルゴン（Ａｒ）の少なくとも１つを含む材料ガスから、ラジカル状態又はイオン状態の窒素を発生させることができる。
【００３１】
ラジカル状態又はイオン状態の原子を含む改質ガス５５の供給により、積層体２の側壁２ａにおける原子間結合の切断部が、改質ガス５５に含まれる原子と結合することによって終端処理される。具体的には、絶縁膜３０におけるシリコン−窒素間の結合の切断部が、改質ガス５５に含まれる窒素と結合することによって終端処理される。改質ガス５５に含まれる窒素がラジカル状態又はイオン状態であることにより、比較的低温状態であっても、この結合に関わる高い反応性が得られる。
【００３２】
なお、終端処理後に、積層体２に対して熱処理（アニール）することにより、積層体２の表面から余分な化合物（例えば窒素化合物）を脱離させるようにしてもよい。積層体２の表面から予め余分な化合物を脱離させておくことで、その後において不純物が脱離するのを抑制し、不純物を含む脱離ガスによる特性劣化を防止することができる。
【００３３】
以上の工程により、第１導電膜２０／絶縁膜３０／第２導電膜４０の積層体２を有する素子基板１が完成する。本例の製造方法では、改質ガスの供給により、積層体２の側壁２ａにおけるエッチングダメージを回復することができる。その結果、エッチングダメージに伴うリーク電流の抑制することができるなど、素子特性の向上を図ることができる。
【００３４】
なお、本例の製造方法において、熱処理温度の上限は第１導電膜２０または第２導電膜４０の融点に基づいて定められ、例えば４００℃である。前述したように積層体２におけるエッチングダメージの回復が比較的低温状態で可能であるので、第１導電膜２０又は第２導電膜４０に様々な材料を用いることが可能である。
【００３５】
なお、素子基板１の変形例として、積層体２における絶縁膜３０が二酸化シリコン（ＳｉＯ２）である場合には、その絶縁膜３０の形成に使用される材料ガスは、例えば、原料ガスとしてのシラン系ガス（モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）など）と補ガスとを含み、補ガスは、キャリアガスあるいは酸化ガスであり、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、酸素（Ｏ２）、水蒸気（Ｈ２０）、二酸化炭素（ＣＯ２）、及び窒素（Ｎ２）から選ばれる１種又は２種以上のガスを含むとよい。そして、エッチングダメージの回復に使用される改質ガスとして、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（ＮＯ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、アンモニア（ＮＨ３）、及び窒素（Ｎ２）の少なくとも１つを含む材料ガスからラジカル状態又はイオン状態の窒素又は酸素を発生させたガスを使用することができる。
【００３６】
また、素子基板１の変形例として、積層体２における絶縁膜３０が酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）である場合には、その絶縁膜３０の形成に使用される材料ガスは、例えば、原料ガスとしてのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と補ガスとを含み、補ガスは、キャリアガスあるいは酸化ガスであり、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、酸素（Ｏ２）、及び水蒸気（Ｈ２０）から選ばれる１種又は２種以上のガスを含むとよい。そして、エッチングダメージの回復に使用される改質ガスとして、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、一酸化窒素（ＮＯ）、及び酸素（Ｏ２）の少なくとも１つを含む材料ガスからラジカル状態又はイオン状態の窒素又は酸素を発生させたガスを使用することができる。
【００３７】
また、素子基板１の変形例として、積層体２における絶縁膜３０が五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）である場合には、エッチングダメージの回復に使用される改質ガスとして、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、一酸化窒素（ＮＯ）、及び酸素（Ｏ２）の少なくとも１つを含む材料ガスからラジカル状態又はイオン状態の窒素又は酸素を発生させたガスを使用することができる。
【００３８】
（電気光学装置）
次に、本発明の素子基板が適用される電気光学装置の一例として、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。
図３は液晶表示装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００３９】
図３及び図４に示すように、液晶表示装置３００は、アレイ基板３１０（基板）と対向基板３２０とがシール材３５２によって貼り合わされ、このシール材３５２によって区画された領域内に液晶層３５０が封入されている。シール材３５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）３５３が形成されている。シール材３５２の外側の領域には、データ線駆動回路４０１及び外部回路実装端子４０２がアレイ基板３１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路４０４が形成されている。アレイ基板３１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路４０４の間を接続するための複数の配線４０５が設けられている。また、対向基板３２０の角部においては、アレイ基板３１０と対向基板３２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材４０６が配設されている。
【００４０】
なお、データ線駆動回路４０１及び走査線駆動回路４０４をアレイ基板３０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とアレイ基板３１０上の端子群とを異方性導電膜を介して接続するようにしてもよい。液晶表示装置３００においては、使用する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００４１】
図５は、図３の液晶表示装置３００の表示領域の画素を拡大して示した平面図である。
図５に示すように、液晶表示装置３００の表示領域には、Ｘ軸方向に延在する走査線３０７ａ，３０７ｂ，…，３０７ｍと、Ｙ軸方向に延在するデータ線３０６ａ，３０６ｂ，…，３０６ｎが互いに交差して形成されている。走査線３０７ａには、パルス的に走査信号Ｇ１が印加され、同様に走査線３０７ｂ，…，３０７ｍには、走査信号Ｇ２，…，Ｇｍがこの順に線順次で印加される。データ線３０６ａには、画素信号Ｓ１が供給され、同様にデータ線３０６ａ，…，３０６ｎには、画素信号Ｓ２，…，Ｓｎがこの順に線順次で供給される。走査線３０７ａ，３０７ｂ…とデータ線３０６ａ，３０６ｂ…とに区画される領域には、複数のサブ画素５１０ａ，５１０ｂ…がマトリクス状に形成されている。
【００４２】
サブ画素５１０ａについて、下部電極３３４が、走査線３０７ａ及びデータ線３０６ａ上に跨って略Ｌ字状に形成されている。この下部電極３３４の配線幅は、データ線３０６ａと略同じ配線幅であり、画素電極３０９の一部と平面的に重なって形成されている。容量線３０３ａは、走査線３０７ａ上に延在して形成されている。そして、データ線３０６ａと交差する容量線３０３ａ部分においては、データ線３０６ａ上に沿って延出して形成され、延出方向の長さは下部電極３３４の端部と略重なる位置にまで延出している。ここでは、Ｌ字状の下部電極３３４に対向する位置に形成される容量線３０３ａを上部電極３０３と称している。また、下部電極３３４と上部電極３０３と両者の間に配設される不図示の絶縁膜とによってキャパシタ配線３６０が構成されている。スイッチング素子３３０は、走査線３０７ａとデータ線３０６ａとの交差領域に形成されている。また、画素電極３０９は、走査線３０７ａとデータ線３０６ａとに区画される領域に形成されている。そして、画素電極３０９は、コンタクトホール３４０を介してキャパシタ３６０の下部電極３３４に電気的に接続されている。
【００４３】
スイッチング素子３３０は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子、またはＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる。本発明における第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層体は、ＴＦＤ素子におけるＭＩＭ構造として適用することができる。あるいは、本発明における第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層体は、ＴＦＴ素子におけるゲート電極／ゲート絶縁膜／半導体層の積層構造として適用することができる。そして、この液晶表示装置３００によれば、上記適用により、スイッチング素子３３０の素子特性が向上し、表示の均一性、及び表示の高精細化が図られる。
【００４４】
（電子機器）
次に、電子機器について説明する。
図６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００４５】
なお、上述した電気光学装置は、携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。
【００４６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】素子基板を示す模式断面図。
【図２】素子基板の製造方法の説明図。
【図３】液晶表示装置の全体構成を示す平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図５】同、液晶表示装置のサブ画素を示す平面図。
【図６】電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００４８】
１…素子基板、２…積層体、２ａ…側壁、１０…基体、２０…第１導電膜、３０…絶縁膜、４０…第２導電膜、５０…レジスト膜、５５…改質ガス、３００…液晶表示装置（電気光学装置）、３３０…スイッチング素子、５１０ａ…サブ画素。
【図１】
2007035831.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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