(57)【要約】【課題】燐以外のＶ族元素を構成元素として含むIII−Ｖ化合物半導体を基板の表面上に堆積するときに基板の裏面の荒れを低減可能なサセプタを提供する。【解決手段】リン供給体１３はＩｎＰ表面１３ａを有する。サセプタ本体１５のベース部１５ａはリン供給体１３を支持する。サセプタ本体１５の支持部１５ｂは、リン供給体１３の表面１３ａが基板と間隔をあけて対面するように基板を支持する。支持部１５ｂは、基板を支持する支持面１５ｃを有する。また、支持部１５ｂは、リン供給体１３を受け入れる凹部１５ｄを規定するようにベース部１５ａの回りに位置する。凹部１５ｄには、ベース部１５ａが現れ、ベース部１５ａの支持面１５ｅがリン供給体１３を直接に支持する。支持面１５ｃに支持される基板の裏面と凹部１５ｄに収容されたリン供給体１３の上面との間隔は、１０マイクロメートル以上５００マイクロメートル以下である。【選択図】図１
2007227545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にIII−Ｖ化合物半導体を堆積する方法であって、
ＩｎＰ半導体から成る基板を結晶成長装置のサセプタ上に配置する工程と、
前記基板を結晶成長装置のサセプタ上に配置した後に、リンをＶ族元素を構成元素として含まない第１のIII−Ｖ化合物半導体を堆積する工程と
を含み、
前記サセプタは、
リンを構成元素として含むと共にヒ素を構成元素として含まない第２のIII−Ｖ化合物半導体からなるリン供給体と、
前記リン供給体を支持するベース部と、前記リン供給体の表面が前記基板の裏面と間隔をあけて対面するように前記基板を支持するための支持部とを含むサセプタ本体とを含む、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第２のIII−Ｖ化合物半導体はＩｎＰである、ことを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項３】
前記リン供給体は多結晶ＩｎＰからなる、ことを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項４】
結晶成長装置を用いてIII−Ｖ化合物半導体を成長する第１の面を有する基板を支持するためのサセプタであって、
リンを構成元素として含むと共にヒ素を構成元素として含まないIII−Ｖ化合物半導体からなるリン供給体と、
前記リン供給体を支持するベース部と、前記リン供給体が前記基板の前記第１の面の反対側の第２の面に間隔をあけて対面するように前記基板を支持するための支持部とを含む本体と
を備えることを特徴とするサセプタ。
【請求項５】
前記支持体は、前記リン供給体の側面を位置決めするためのガイド部を有する、ことを特徴とする請求項４に記載されたサセプタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III−Ｖ化合物半導体を堆積する方法およびサセプタに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体製造装置が記載されている。この半導体製造装置は、反応装置内に設けられた半導体基板の表面に化合物半導体薄膜結晶層をエピタキシャル結晶成長法によって成長するために用いられる。反応装置のハウジング本体内には、第１ウェーハホルダ部と、第１ウェーハホルダ部に設けられた凹部に収容されるようにして組み合わされる第２ウェーハホルダ部と、加熱源とが収容されている。半導体製造装置は、第２ウェーハホルダ部の第１ウェーハホルダ部との対向面に形成された凹部を含む。この凹部を形成することによって、空間部を設けることができる。この空間部により、第１ウェーハホルダ部から第２ウェーハホルダ部への伝達熱量を第２ウェーハホルダ部の周縁部と中央部とで異ならせるようにできる。これによって、処理すべき半導体基板の表面の温度分布の均一性が向上する。
【特許文献１】特開２００３−８６５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
気相成長方法によりエピタキシャル膜を化合物半導体基板上に成長する場合、特許文献１のようなサセプタに載せられた化合物半導体基板上で、供給された原料ガスを分解させて、エピタキシャル膜を化合物半導体基板上に成長する。このような方法で、Ｖ族元素としてリンを含まずヒ素を含むエピタキシャル膜（例えば、ＧａＩｎＡｓ膜）をＩｎＰ基板上に成長すると、エピタキシャル膜の表面は鏡面になる。しかしながら、エピタキシャル膜が成長しないＩｎＰ基板の裏面は荒れてしまう。発明者の知見によれば、この荒れは、基板の裏面からリンが抜けることに起因すると考えられる。特許文献１に記載されているような気相成長方法により、例えば、裏面入射型フォトダイオードを作製すると、エピタキシャル膜成長時にリン抜けにより裏面が汚れたようになる。このため、基板裏面の研磨および鏡面仕上げ処理を施さなければならない。
【０００４】
本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、リン以外のＶ族元素を構成元素として含む第１のIII−Ｖ化合物半導体を基板の表面上に堆積するときに基板の裏面の荒れを低減可能な、III−Ｖ化合物半導体を堆積する方法を提供することを目的として、また該方法を行うために好適なサセプタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面は、基板上にIII−Ｖ化合物半導体を堆積する方法である。この方法は、（ａ）ＩｎＰ半導体から成る基板を結晶成長装置のサセプタ上に配置する工程と、（ｂ）前記基板を結晶成長装置のサセプタ上に配置した後に、リンをＶ族元素を構成元素として含まない第１のIII−Ｖ化合物半導体を堆積する工程とを含み、前記サセプタは、リンを構成元素として含むと共にヒ素を構成元素として含まない第２のIII−Ｖ化合物半導体からなるリン供給体と、前記リン供給体を支持するベース部と、前記リン供給体の表面が前記基板の裏面と間隔をあけて対面するように前記基板を支持するための支持部とを含むサセプタ本体とを含む。
【０００６】
この方法によれば、第１のIII−Ｖ化合物半導体の堆積中に基板の裏面からリンが抜けるけれども、これを補償できる程のリンが堆積中にサセプタのリン供給体から供給される。これゆえに、リン抜けに起因する裏面荒れは低減される。また、サセプタのリン供給体から供給されるリン蒸気は僅かであるので、堆積される第１のIII−Ｖ化合物半導体の組成への影響はほとんどない。さらに、リン供給体の表面と基板の裏面との間に間隔があくようにサセプタが基板を支持するので、リン供給体と基板との接触の有無による熱伝導に違いが生じない。
【０００７】
本発明に係る方法では、前記第２のIII−Ｖ化合物半導体はＩｎＰであることが好ましい。
【０００８】
この方法によれば、二元化合物であるので、リン供給体の作製および取扱が容易である。
【０００９】
本発明に係る方法では、前記リン供給体は多結晶ＩｎＰからなることが好ましい。
【００１０】
この方法によれば、単結晶ＩｎＰに比べて多結晶ＩｎＰがより多くのリンを供給できる。
【００１１】
本発明の別の側面は、結晶成長装置を用いてIII−Ｖ化合物半導体を成長する第１の面を有する基板を支持するためのサセプタである。このサセプタは、（ａ）リンを構成元素として含むと共にヒ素を構成元素として含まないIII−Ｖ化合物半導体からなるリン供給体と、（ｂ）前記リン供給体を支持するベース部と、前記リン供給体が前記基板の前記第１の面の反対側の第２の面に間隔をあけて対面するように前記基板を支持するための支持部とを含む本体とを備える。
【００１２】
このサセプタによれば、サセプタのリン供給体は、III−Ｖ化合物半導体の堆積中に基板の裏面から抜けるリンを補償できる程のリンを供給可能である。これゆえに、リン抜けに起因する裏面荒れは低減される。また、リン供給体の表面と基板の裏面との間に間隔があくようにサセプタが基板を支持するので、リン供給体と基板との接触の有無による熱伝導に違いが生じない。
【００１３】
本発明に係るサセプタでは、前記支持体は、前記リン供給体の側面を位置決めするためのガイド部を有することが好ましい。
【００１４】
このサセプタによりは、リン供給体からリンが、基板の表面に回り込む量を調整できる。
【００１５】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明の一側面によれば、III−Ｖ化合物半導体を堆積する方法が提供される。この方法によれば、リン以外のＶ族元素を構成元素として含む第１のIII−Ｖ化合物半導体を基板の表面上に堆積するときに基板の裏面の荒れを低減可能である。また、本発明の別の側面によれば、該方法を行うために好適なサセプタを提供することを目的とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のIII−Ｖ化合物半導体を堆積する方法およびサセプタに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）は、本実施の形態に係るIII−Ｖ化合物半導体を堆積する方法に用いるサセプタを示す図面である。図１（Ｂ）および図１（Ｃ）は、本実施の形態に係るIII−Ｖ化合物半導体を堆積する方法を示す図面である。まず、図１（Ａ）に示されるように、サセプタ１１は、リン供給体１３と、サセプタ本体１５とを含む。リン供給体１３は、リンを構成元素として含むIII−Ｖ化合物半導体からなる表面１３ａを有する。リン供給体１３として、例えばＩｎＰウエハ、ＩｎＰ他結晶体等を用いることができる。サセプタ本体１５は、ベース部１５ａと、支持体１５ｂとを含む。ベース部１５ａは、リン供給体１３を支持する。支持部１５ｂは、リン供給体１３の表面１３ａが基板と間隔をあけて対面するように基板を支持する。サセプタ本体の材料としては、カーボン、ＳｉＣコートされたカーボン、石英、モリブデンなどが用いられる。支持部１５ｂは、基板を支持するために支持面１５ｃを有する。また、支持部１５ｂは、リン供給体１３を受け入れる凹部１５ｄを規定するようにベース部１５ａの回りに位置していてもよい。この凹部１５ｄには、ベース部１５ａが現れており、ベース部１５ａの支持面１５ｅがリン供給体１３を直接に支持している。支持面１５ｃに支持される基板の裏面と凹部１５ｄに収容されたリン供給体１３の上面との間隔は、１０マイクロメートル以上であることが好ましい。結晶成長用の基板とリン供給体１３との間に間隔をとることにより、リン供給体１３の摩耗を防ぐことができる。該間隔は、５００マイクロメートル以下であることが好ましい。５００マイクロメートルを越えると、基板裏面へリンの供給具合が好ましくない。
【００１９】
引き続いて、図１（Ｂ）および図１（Ｃ）を参照しながら、基板上にIII−Ｖ化合物半導体を堆積する方法を説明する。図１（Ｂ）に示されるように、結晶成長装置２１のサセプタ１１上に結晶成長用の基板２３を配置する。基板２３は、ＩｎＰ半導体から成る裏面２３ａと該裏面２３ａの反対側の表面２３ｂとを有する。基板２３として、例えば、ＩｎＰウエハ、又は、ＩｎＰウエハ上に成長された一または複数のIII−Ｖ化合物半導体からなるエピタキシャル膜を有するエピタキシャル基板であることができる。基板２３は、サセプタ１１の支持部１５ｂに支持されている。基板２３の裏面２３ａは、リン供給体１３の表面に対面している。
【００２０】
図１（Ｃ）に示されるように、基板２３を結晶成長装置２１のサセプタ１１上に配置した後に、原料ガスＧを供給して第１のIII−Ｖ化合物半導体２５を堆積する。第１のIII−Ｖ化合物半導体２５は、リン以外のＶ族元素を構成元素として含む。第１のIII−Ｖ化合物半導体２５としては、例えばヒ素系III−Ｖ化合物半導体であり、具体的には、ＩｎＧａＡｓ半導体が一例である。
【００２１】
この方法によれば、第１のIII−Ｖ化合物半導体２５の堆積中に基板２３の裏面２３ａからリンが抜けるけれども、これを補償できる程のリンが堆積中にサセプタ１１のリン供給体１３から供給される。これゆえに、リン抜けに起因する裏面荒れは低減される。また、サセプタ１１のリン供給体１３から供給されるリン蒸気は僅かであるので、堆積される第１のIII−Ｖ化合物半導体２５の組成への影響はほとんどない。さらに、リン供給体１３の表面１３ａと基板２３の裏面２３ａとの間に間隔Ｄがあくようにサセプタ１１が基板２３を支持するので、リン供給体１３と基板２３との接触の有無による熱伝導に違いが生じない。
【００２２】
この方法では、第２のIII−Ｖ化合物半導体はＩｎＰであることが好ましい。ＩｎＰは二元化合物であるのでリン供給体の作製および取扱が容易である。
【００２３】
この方法では、リン供給体１３の表面１３ａは多結晶ＩｎＰからなることが好ましい。多結晶ＩｎＰは、単結晶ＩｎＰに比べてより多くのリンを供給できる。
【００２４】
上記の説明から理解されるように、基板２３の裏面２３ａのリン抜けを抑制するためには、堆積中にリン蒸気を基板２３の裏面２３ａへ供給する必要がある。気相成長のための原料ガスにリン供給源（例えばＰＨ３ガス）を加えると、基板２３の裏面２３ａからのリン抜けは抑制されるけれども、Ｖ族の構成元素としてリンがヒ素系III−Ｖ化合物半導体に混ざり、この結果、ヒ素系III−Ｖ化合物半導体の組成が所望の値と異なることになる。そのため、リン供給源を含む原料ガスは採用できない。そこで、本実施の形態では、基板２３の裏面２３ａにリン供給源を設けることにより、基板２３（例えば、ＩｎＰ基板）より脱離するリンを抑える。サセプタ１１のリン供給体１３によって供給されるリン蒸気は僅かであるので、ヒ素系エピタキシャル層への影響はほとんどないが、このリン蒸気は、ＩｎＰ基板の裏面からのリン抜けを防止するのには十分である。サセプタの温度をＩｎＰ基板より高くすることが好ましく、このために、ＲＦコイル、ハロゲンランプ等を用いて、サセプタ１１の下部を加熱しながら気相成長を行うことができる。
【００２５】
（第２の実施の形態）
図２は、結晶成長装置を用いてIII−Ｖ化合物半導体を成長する第１の面を有する基板を支持するためのサセプタの構造の一例を示す図面である。このサセプタ３１は、リン供給体３３と、サセプタ本体３５とを備える。リン供給体３３は、リンを構成元素として含むIII−Ｖ化合物半導体からなる表面３３ａを有している。サセプタ本体３５はベース部３５ａと支持部３５ｂとを有している。ベース部３５ａはリン供給体３３を支持する支持面３５ｃを有しており、また支持部３５ｂは、結晶成長のための基板を支持するための支持面３５ｄを有する。ベース部３５ａの支持面３５ｃは、リン供給体３３の裏面のサイズと実質的に同じサイズを有している。ベース部３５ａを支持部３５ｂが囲んでいる。リン供給体３３を支持面３５ｃ上に配置するとき、支持部３５ｂがリン供給体３３をガイドする。このガイドにより、リン供給体３３が位置決めされる。このサセプタ３１のリン供給体３３は、III−Ｖ化合物半導体の堆積中に基板の裏面から抜けるリンを補償できる程のリンを供給可能である。これゆえに、リン抜けに起因する裏面荒れは低減される。
【００２６】
具体的には、サセプタ３１の支持部３５ｂは、リン供給体３３を囲む第１の側壁３５ｆを含むことが好ましい。第１の側壁３５ｆは、リン供給体３３をガイドする側面３５ｅを有している。このサセプタ３１と基板とにより、リン蒸気を保つための空間が提供される。この空間を介して、リン供給体３３は基板の裏面と対向している。第１の側壁３５ｆは、リン供給体３３からのリンが基板の表面に回り込む量を低減できる。支持面３５ｄは側壁３５ｆの上面を構成する。サセプタ３１の支持部３５ｂは、第１の側壁３５ｆ上に設けられた第２の側壁３５ｇを含むことが好ましい。第２の側壁３５ｇは、基板をガイドする側面３５ｈを有している。第１の側壁３５ｆおよび第２の側壁３５ｇにより、リン供給体３３と基板との相対的な位置関係が提供される。第１の側壁３５ｆのサイズＤ１は第２の側壁３５ｇのサイズＤ２より小さい。
【００２７】
支持部３５ｂの第１の側壁３５ｆは、リン供給体３３の表面３３ａが基板の裏面に間隔をあけて対面するように該基板を支持することを可能にしており、これにより、リン供給体３３の表面３３ａと基板の裏面との間に間隔があくようにサセプタが基板が支持される。これ故に、リン供給体３３と基板との接触の有無による熱伝導に違いが生じない。また、ベース部３５ａの熱膨張係数とリン供給体３３の熱膨張係数との違いにより、使用回数が増したときに生じる可能性のあるリン供給体３３の変形が低減される。さらに、ベース部３５ａとリン供給体３３とを接触させると、基板への熱伝導にバラツキといった不具合を生じる。このため、既に説明したように、リン供給体３３と基板との間隔を１０マイクロメートル〜５００マイクロメートル以下であることが好ましい。
【００２８】
（実施例１）
サセプタ３１を有する有機金属気相成長炉を用いて、半導体デバイスを作製する。図３（Ａ）に示されるように、両面研磨されたｎ型ＩｎＰ基板４１をサセプタ（例えばサセプタ３１）上に置く。つまり、ｎ型ＩｎＰ基板４１は、ミラー研磨された表面４１ａとミラー研磨された裏面４１ｂとを有する。引き続く結晶成長中、ｎ型ＩｎＰ基板４１の裏面４１ｂは、ＩｎＰの多結晶体から供給されるリン雰囲気に触れている。図３（Ｂ）に示されるように、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）およびフォスフィン（ＰＨ３）を含む原料ガスＧ１を基板の上方から供給して、ＩｎＰ基板４１上に高濃度ｎ型ＩｎＰ半導体膜４３を成長する。次いで、図３（Ｃ）に示されるように、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）およびアルシン（ＡｓＨ３）を含む原料ガスＧ２を基板の上方から供給して、ｎ型ＩｎＰ半導体膜４３上にＩｎＧａＡｓ半導体膜４５を成長する。この後に、図３（Ｄ）に示されるように、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）およびフォスフィン（ＰＨ３）を含む原料ガスＧ３を基板の上方から供給して、ＩｎＧａＡｓ半導体膜４５上に低濃度ｎ型ＩｎＰ半導体膜４７を成長する。これにより、エピタキシャル基板４９が作製される。エピタキシャル基板４９の裏面４９ａを観察すると、裏面からのリン抜けが抑制されていた。
【００２９】
続けて、化学的気相成長（ＣＶＤ）技術、フォトリソグラフィ、およびエッチングにより、エピタキシャル基板４９上に絶縁物マスクを形成する。例えば、絶縁物マスクとしてリング形状のＳｉＮを用いた。ついで、リング形状の絶縁物マスクを用いて、低濃度ｎ型ＩｎＰ層に選択的に亜鉛（Ｚｎ）を拡散して高濃度ｐ型ＩｎＰ領域を形成する。次いで、リフトオフ法によりｐ型ＩｎＰ領域上にｐ型領域のためのアノード電極を形成した後に、その周りをＣＶＤ技術により絶縁膜を形成する。アノード電極は、例えばＡｎＺｎ系材料からなる。裏面研磨することなくエピタキシャル基板４９の裏面４９ａに、ｎ型領域のためのカソード電極を形成した後に、低反射膜を形成する。カソード電極は、例えばＡｎＧｅ系材料からなる。本実施例では、カソード電極は、リング形状を有する。低反射膜は、例えば酸化チタンと酸化アルミニウムとの多層膜よりなる。このようにして、フォトダイオードを作製した。このフォトダイオードの
このフォトダイオードは、裏面研磨を施して作製したフォトダイオードと同等の特性を示した。
【００３０】
（実施例２）
サセプタ３１を有する有機金属気相成長炉を用いて、半導体デバイスを作製する。両面研磨されたｎ型ＩｎＰ基板５１をサセプタ（例えばサセプタ）上に置く。つまり、ｎ型ＩｎＰ基板５１は、ミラー研磨された表面５１ａとミラー研磨された裏面５１ｂとを有する。引き続く結晶成長中、ｎ型ＩｎＰ基板５１の裏面５１ｂは、ＩｎＰの多結晶体から供給されるリン雰囲気に触れている。有機金属気相成長炉の成長圧力を６０Ｔｏｒｒにする。Ｈ２（例えば１０ｓｌｍのＨ２）だけを供給しながら、有機金属気相成長炉の温度を摂氏４００度まで上昇する。摂氏４００度に到達したとき、ＩｎＰ基板５１の表面５１ａからのリン抜けを防止するために、水素に加えてＰＨ３を流しながら、摂氏６５０度まで温度を上昇する。摂氏６５０度において温度が安定した後に、ＴＭＩｎおよびＳｉＨ４を含む原料ガスＧ４を有機金属気相成長炉に供給して、図４（Ａ）に示されるように、ｎ型ＩｎＰクラッド膜５３をｎ型ＩｎＰ基板５１の表面５１ａ成長する。クラッド膜５３を成長した後に、ＰＨ３を含む雰囲気で摂氏７００度まで温度を上昇する。摂氏７００度において温度が安定した後に、ＰＨ３の供給を止めると共に、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ３を含む原料ガスを供給して、図４（Ｂ）に示されるように、ｎ型ＩｎＰクラッド膜５３上にＡｌＧａＩｎＡｓ活性層５５を成長する。ＧａＩｎＡｓ活性層５５を成長した後に、図４（Ｃ）に示されるように、ＡｓＨ３を含む雰囲気で摂氏６５０度において温度が安定した後に、ＡｓＨ３の供給を止めると共に、ＰＨ３、ＴＭＩｎおよびトリエチルジンク（ＴＥＺｎ）を含む原料ガスＧ６を有機金属気相成長炉に供給して、図４（Ｃ）に示されるように、ｐ型ＩｎＰクラッド膜５７をＡｌＧａＩｎＡｓ活性層５５上に成長する。さらに、図４（Ｄ）に示されるように、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＥＺｎおよびＡｓＨ３を含む原料ガスＧ７を有機金属気相成長炉に供給して、図４（Ｄ）に示されるように、ｐ型ＩｎＧａＡｓ膜５９をｐ型ＩｎＰクラッド膜５７上に成長する。これにより、エピタキシャル基板６１が作製される。エピタキシャル基板６１の裏面６１ａを観察すると、裏面からのリン抜けが抑制されミラー面が維持されていた。
【００３１】
図５に示されるように、エピタキシャル基板６１のフォトルミネッセンス（ＰＬ）特性を測定した。ＰＬ測定ために、エピタキシャル基板６１の裏面６１ａにＹＡＧレーザからのレーザビームＬ１を照射した。裏面６１ａにはミラー面が維持されているので、レーザビームＬ１の大部分は、基板５１に入射して、ビームＬ２になる。ビームＬ２により活性層において生じたフォトルミネッセンス光Ｌ３は、エピタキシャル基板６１の裏面６１ａにより殆ど散乱されることなく、エピタキシャル基板６１から出射して信号光Ｌ４が得られる。本実施の形態に係るサセプタ３１を用いることにより裏面のリン抜けが抑制されたことにより安定したＰＬ測定ができる。
【００３２】
本実施の形態に係るサセプタ３１を用いることなく作製されたエピタキシャル基板６３では、ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層のＰＬスペクトルは、裏面のリン抜け具合がロット間でばらついていたため、安定に測定できなかった。
【００３３】
本実施例では、裏面入射のＰＬ測定を説明したが、エピタキシャル基板６１の上面入射のＰＬ測定も裏面のリン抜けの具合により強度にばらつきが生じるので、ＰＬ測定の安定化を図ることもできる。
【００３４】
以上説明したように、本実施の形態によれば、エピタキシャル膜成長時に生じる基板裏面のリン抜けが抑制される。また、裏面入射型フォトダイオードの製造において基板裏面の研磨および鏡面仕上げ処理を無くすことができ、工程を簡略化できる製造方法を提供することである。
【００３５】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本実施の形態では、例えば、裏面入射型フォトダイオード、半導体レーザのＰＬ測定を説明したけれども、本発明の適用は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１（Ａ）は本実施の形態に係るサセプタを概略的に示す図面である。図１（Ｂ）および図１（Ｃ）は、III−Ｖ化合物半導体を堆積する方法の主要な工程を示す図面である。
【図２】図２は、本実施の形態に係るサセプタを示す図面である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、裏面入射型フォトダイオードの主要な結晶成長工程を示す図面である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、Ａｌ系半導体レーザの主要な結晶成長工程を示す図面である。
【図５】図５（Ａ）は、本実施の形態に係るエピタキシャル基板のＰＬ測定を示す図面であり、図５（Ｂ）は、比較のためのエピタキシャル基板のＰＬ測定を示す図面である。
【符号の説明】
【００３７】
１１…サセプタ、１３…リン供給体、１３ａ…リン供給体表面、１５…サセプタ本体、１５ａ…ベース部、１５ｂ…支持体、１５ｃ…支持面、１５ｄ…凹部、１５ｅ…支持面、２１…結晶成長装置、２３…基板、２３ａ…基板裏面、２３ｂ…基板表面、Ｇ…原料ガス、２５…第１のIII−Ｖ化合物半導体、３１…サセプタ、３３…リン供給体、３５…サセプタ本体、３３ａ…リン供給体表面、３５ａ…ベース部、３５ｃ…支持面、３５ｂ…支持部、３５ｄ…支持面、３５ｆ…第１の側壁、３５ｇ…第２の側壁、４１…ｎ型ＩｎＰ基板、４１ａ…ミラー研磨表面、４１ｂ…ミラー研磨裏面、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６…原料ガス、４３…高濃度ｎ型ＩｎＰ半導体膜、４５…ＩｎＧａＡｓ半導体膜、４７…低濃度ｎ型ＩｎＰ半導体膜、４９…エピタキシャル基板、４９ａ…エピタキシャル基板裏面、５１…ｎ型ＩｎＰ基板、５１ａ…ミラー研磨表面、５１ｂ…ミラー研磨裏面、５３…ｎ型ＩｎＰクラッド膜、５５…ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層、５７…ｐ型ＩｎＰクラッド膜、５９…ｐ型ＩｎＧａＡｓ膜、６１…エピタキシャル基板、６１ａ…エピタキシャル基板裏面  
【図１】
2007227545.tif 000003
【図２】
2007227545.tif 000004
【図３】
2007227545.tif 000005
【図４】
2007227545.tif 000006
【図５】
2007227545.tif 000007