(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁層と半導体層との電気抵抗の関係などを考慮する必要がなく、半導体層中の移動度を向上させること。【解決手段】基板上に下地絶縁層を介して形成された順スタガ型薄膜トランジスタであって、ソース電極およびドレイン電極の上に接して有機半導体層が設けられており、その上にゲート絶縁層を介してゲート電極が設けられている。ここで、上記下地絶縁層が、下記一般式（１）2007250798.tif 000007（式中、Ｒ１およびＲ２は置換基を有していてもよいアルキレン基を示し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は水素または電子吸引性基を示し、ｎは１００〜１０００００を示す。）で表される化合物を含むことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面側に設けられた、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、
該ゲート電極に対して該ソース電極およびドレイン電極を絶縁する第１の絶縁層と、
該第１の絶縁層に接して設けられた有機半導体層と、
該有機半導体層に接して設けられた第２の絶縁層とを有し、
前記第２の絶縁層が、下記一般式（１）
【化１】
2007250798.tif 000006
（式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよいアルキレン基を示し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は水素または電子吸引性基を示し、ｎは１００〜１０００００を示す。ただし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４がすべて水素である場合は除く。）
で表される化合物を含むことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記アルキレン基は、炭素数１〜１０のアルキレン基である請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、いずれか２つが前記電子吸引性基である請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記電子吸引性基は、ハロゲン原子、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、水酸基、スルホン基またはチオール基から選択される１種または２種以上の基である請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記一般式（１）の化合物は、その重量平均分子量が１万〜１００万である請求項１ないし５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
前記一般式（１）の化合物は、ポリ−（ジクロロ）−ｐ−キシリレンである請求項１ないし６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項８】
前記第２の絶縁層は、前記基板と接して設けられている請求項１ないし７のいずれかに記載の回路基板。
【請求項９】
前記有機半導体層は、ｐ型の半導体特性を有する請求項１ないし８のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１０】
前記基板上に前記第２の絶縁層が形成され、前記第２の絶縁層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に前記有機半導体層が形成され、前記有機半導体層上に前記第１の絶縁層が形成され、前記第１の絶縁層上に前記ゲート電極が形成される請求項１ないし９のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１１】
前記基板上に前記第２の絶縁層が形成され、前記第２の絶縁層上に前記有機半導体層が形成され、前記有機半導体層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に前記第１の絶縁層が形成され、前記第１の絶縁層上に前記ゲート電極が形成される請求項１ないし９のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の回路基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコンに代表される無機材料を用いた薄膜電界効果型トランジスタから置き換わるデバイスとして、有機半導体材料を用いた有機薄膜電界効果型トランジスタが注目されている。これは、簡便な方法で素子作製が可能であるということ、有機半導体材料の分子構造を変化させることで材料特性を変化させることができるということ、無機半導体に比べてフレキシブル、軽量、壊れにくいといった特徴を有していることなどによるものである。
【０００３】
このようなトランジスタを形成するにおいて、その基板と半導体層に相互作用が働くため、基板の選択は重要な要素となっている。例えば、特許文献１では、有機絶縁層中に芳香族化合物などを含有した有機電界効果型トランジスタの研究などが行われている。
しかしながら、かかるトランジスタは絶縁層中の活性基の含有量や絶縁層と半導体層との電気抵抗の関係などを考慮する必要があり、また、半導体中の移動度を上げる効果が十分でないという問題点がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１０１５５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、絶縁層と半導体層との電気抵抗の関係などを考慮する必要がなく、半導体層中の移動度を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の回路基板は、基板の一方の面側に設けられた、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、
該ゲート電極に対して該ソース電極およびドレイン電極を絶縁する第１の絶縁層と、
該第１の絶縁層に接して設けられた有機半導体層と、
該有機半導体層に接して設けられた第２の絶縁層とを有し、
前記第２の絶縁層が、下記一般式（１）
【化１】
2007250798.tif 000002
（式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよいアルキレン基を示し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は水素または電子吸引性基を示し、ｎは１００〜１０００００を示す。ただし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４がすべて水素である場合は除く。）
で表される化合物を含むことを特徴とする。
これにより、移動度を向上させることができることに加え、オンオフ比の向上、閾値電圧の低化、寿命の向上および素子が水分や酸素の影響を受けにくくなるなど、高性能化された回路基板を得ることができる。
【０００７】
本発明の回路基板では、前記アルキレン基は、炭素数１〜１０のアルキレン基であることが好ましい。
これにより、一般式（１）で表される化合物の合成が容易になり、コストを低く抑えた回路基板を簡便に得ることができる。
本発明の回路基板では、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、いずれか２つが前記電子吸引性基であることが好ましい。
これにより、一般式（１）で表される化合物の合成が容易になり、コストを低く抑えた回路基板を簡便に得ることができる。
【０００８】
本発明の回路基板では、前記電子吸引性基は、ハロゲン原子、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、水酸基、スルホン基またはチオール基から選択される１種または２種以上の基であることが好ましい。
これにより、移動度を向上させることができることに加え、オンオフ比の向上、閾値電圧の低化および寿命の向上など、より高性能化された回路基板を得ることができる。
本発明の回路基板では、前記ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であることが好ましい。
これにより、より一層、移動度を向上させることができることに加え、オンオフ比の向上、閾値電圧の低化および寿命の向上など、より高性能な回路基板を得ることができる。
【０００９】
本発明の回路基板では、前記一般式（１）の化合物は、その重量平均分子量が１万〜１００万であることが好ましい。
これにより、一般式（１）で表される化合物を簡便に得ることができる。
本発明の回路基板では、前記一般式（１）の化合物は、ポリ−（ジクロロ）−ｐ−キシリレンであることが好ましい。
これにより、より一層、移動度を向上させることができることに加え、オンオフ比の向上、閾値電圧の低化および寿命の向上など、より高性能な回路基板を得ることができる。
【００１０】
本発明の回路基板では、前記第２の絶縁層は、前記基板と接して設けられていることが好ましい。
これにより、基板との絶縁効果を高めることができ、高性能な回路基板を得ることができる。
本発明の回路基板では、前記有機半導体層は、ｐ型の半導体特性を有することが好ましい。
これにより、適切に正孔が移動する為、高性能な半導体特性を得ることができる。
【００１１】
本発明の回路基板では、前記基板上に前記第２の絶縁層が形成され、前記第２の絶縁層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に前記有機半導体層が形成され、前記有機半導体層上に前記第１の絶縁層が形成され、前記第１の絶縁層上に前記ゲート電極が形成されることが好ましい。
これにより、液晶表示素子など種々の用途に用いることができる。
【００１２】
本発明の回路基板では、前記基板上に前記第２の絶縁層が形成され、前記第２の絶縁層上に前記有機半導体層が形成され、前記有機半導体層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に前記第１の絶縁層が形成され、前記第１の絶縁層上に前記ゲート電極が形成される。
これにより、液晶表示素子など種々の用途に用いることができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置は、本発明の回路基板を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の前記電気光学装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
なお、本発明の作用効果が得られるメカニズムは明らかではないが、電子吸引性の置換基を持った化合物を絶縁層に含有させることにより、半導体層から電子を引き付け、半導体層のキャリア密度の向上およびキャリアトラップ準位の低減を図ることができることによるものと考えられる。これにより、従来よりも良好なトランジスタ特性を示す素子を作成できるものと考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の回路基板、回路基板の製造方法、電気光学装置および電子機器について、図を用いて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の回路基板の第１実施形態について説明する。
（１）回路基板
図１は、本発明の一実施形態を示した図で、回路基板１の概略縦断面図を示している。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００１５】
図１に示した回路基板１は、ゲート電極２、第１の絶縁層３、有機半導体層４、ソース電極５、ドレイン電極６、第２の絶縁層７および基板８で構成されており、トップゲート・ボトムコンタクト型の構造であるトランジスタを有している。なお、回路基板１は、実際にはこのようなトランジスタが基板上に形成されたものである。
以下、各部の構成について、順次説明する。
【００１６】
ゲート電極２は、有機半導体層４に電界を付与するためのものであり、基板８の一方の面側に設けられ、ソース電極５およびドレイン電極６に接しないで、第１の絶縁層３と接して設けられている。
かかるゲート電極２の材料は、導電性を有する材料であれば特に限定されない。具体的な材料として、例えば、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニオブ、銅、銀、金、白金、プラチナ、パラジウム、インジウム、ニッケル、ネオジウムなどの金属もしくはそれらの合金、または、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物もしくはインジウムスズ複合酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す。）、インジウム亜鉛複合酸化物（以下、「ＩＺＯ」と略す。）、アルミニウム亜鉛複合酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛複合酸化物（ＧＺＯ）などの導電性金属複合酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子もしくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、ヨウ素などのハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、もしくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などが挙げられる。また、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。これらのうち、金属の合金が好ましく、金とクロムの合金がより好ましい。これにより、より顕著に電気が流れ、優れた特性を有するトランジスタを含む回路基板１を得ることができる。
【００１７】
ゲート電極２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
第１の絶縁層３は、ゲート電極２に対してソース電極５およびドレイン電極６を絶縁するための層であり、基板８の一方の面側に設けられ、ゲート電極２および有機半導体層４と接して設けられている。
【００１８】
かかる第１の絶縁層３の材料は、絶縁性を有する公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
有機材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテートまたは後述する一般式（１）で表される化合物などの高分子が挙げられる。これらは、１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００１９】
無機材料としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルトなどの金属酸化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化セリウム、窒化亜鉛、窒化コバルト、窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛などの金属複合酸化物が挙げられる。これらは、１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００２０】
これらのうち、有機材料が好ましく、一般式（１）で表される化合物またはポリメチルメタクリレートがより好ましい。これにより、絶縁性を高めることができる。
有機材料が一般式（１）で表される化合物の場合、第１の絶縁層３に当該化合物を含んでいればよいが、当該化合物を主材料として構成していることが好ましく、５０〜１００ｗｔ％含有していることがより好ましく、７０〜１００ｗｔ％含有していることが最も好ましい。これにより、有機半導体層４から適切に電子を引き付け、キャリア密度の向上およびキャリアトラップ準位の低減ができるため、移動度の向上や閾値電圧の低下などを実現することができる。なお、一般式（１）で表される化合物の詳細は後述する。
【００２１】
第１の絶縁層３の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜１００００ｎｍであるのが好ましく、５００〜１５００ｎｍであるのがより好ましい。これにより、回路基板１のトランジスタの動作電圧を低くすることができる。
有機半導体層４は、ゲート電極２によって付与された電界により、ソース電極５からドレイン電極６に電気を流すための層であり、基板８の一方の面側に設けられ、第１の絶縁層３、ソース電極５、ドレイン電極６および第２の絶縁層７と接して形成されている。
【００２２】
かかる有機半導体層４の材料は、半導体特性を有すれば特に限定されない。例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）もしくはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）およびオクタチオフェンなどのα−オリゴチオフェン類もしくは２,５−ビス（５'−ビフェニル−２'−チエニル）−チオフェン（ＢＰＴ３）、２,５−［２,２'−（５,５'−ジフェニル）ジチエニル］−チオフェンなどのチオフェン誘導体、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）などのフェニレンビニレン誘導体、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＦＯ）などのフルオレン誘導体、トリアリルアミン系ポリマー、アントラセン、テトラセン、ペンタセンおよびヘキサセン等のアセン化合物、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）および１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）などのベンゼン誘導体、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）および鉄フタロシアニン、全フッ素化フタロシアニンのようなフタロシアニン誘導体、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、およびファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような有機金属化合物、Ｃ６０、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子およびフルオレン系高分子のような高分子系化合物ならびにポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール）（ＢＴ）、フルオレン−トリアリルアミン共重合体およびポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）などのフルオレンとの共重合体などが挙げられる。これらは、１種または２種以上組み合わせて用いることができる。これらのうち、フルオレンとの共重合体が好ましく、Ｆ８Ｔ２がより好ましい。これにより、顕著に半導体特性を示すことができる。
【００２３】
また、これらの半導体材料は、ｐ型の半導体特性を示すことが好ましい。これにより、適切に正孔が移動し、高性能なトランジスタを有する回路基板１を得ることができる。
有機半導体層４の平均厚さは、０．５〜１０００ｎｍであるのが好ましく、１〜５００ｎｍであることがより好ましい。かかる範囲内であれば、電気が適切に流れ、移動度の向上等の効果を奏することができる。
【００２４】
ソース電極５は、基板８上に設けられ、有機半導体層４および第２の絶縁層７と接して形成されていている。
かかるソース電極５の材料は、ゲート電極２で説明したものと同様である。
ソース電極５の平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ〜２０００ｎｍであるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍであるのがより好ましい。これにより、導電性を顕著に示すことができる。
【００２５】
ドレイン電極６の構成、材料および平均厚さは、ソース電極５と同様である。
ソース電極５およびドレイン電極６は、同一の化合物で構成されていても別異の化合物で構成されていてもよいが、同一の化合物であることが好ましい。これにより、簡便に回路基板１を得ることができる。
ソース電極５とドレイン電極６との距離（チャネル長）は、１〜５００μｍであるのが好ましく、５〜２０μｍであるのがより好ましい。かかる範囲であれば、回路基板１のトランジスタ特性の向上を図ることができる。
【００２６】
また、ソース電極５とドレイン電極６の長さ（チャネル幅）は、０．０５〜１０ｍｍであるのが好ましく、０．０１〜１ｍｍであるのがより好ましい。かかる範囲であれば、適切なオン電流を得る事ができ、また寄生容量を低減させる効果も期待でき、良好な特性のトランジスタを有する回路基板１が得られる。
第２の絶縁層７は、ゲート電極２、有機半導体層４、ソース電極５、ドレイン電極６または基板８などを絶縁するための層であり、基板８の一方の面側に設けられ、有機半導体層４、ソース電極５、ドレイン電極６および基板８と接して形成されている。
【００２７】
かかる第２の絶縁層７の材料は、前記第１の絶縁層３と同様であるが、一般式（１）で表される化合物を主材料としていることが好ましく、５０〜１００ｗｔ％含有していることがより好ましく、７０〜１００ｗｔ％含有していることが最も好ましい。これにより、有機半導体層４から適切に電子を引き付け、キャリア密度の向上およびキャリアトラップ準位の低減をできるため、移動度の向上や閾値電圧の低下などを実現することができる。
なお、一般式（１）で表される化合物を主材料としている場合、回路基板１のトランジスタ特性に影響を与えない限り他にいずれの化合物を含んでいてもよく、２種以上の異なる一般式（１）で表される化合物を含んでもよい。
【００２８】
【化２】
2007250798.tif 000003
（式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよいアルキレン基を示し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は水素または電子吸引性基を示し、ｎは１００〜１０００００を示す。ただし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４がすべて水素である場合は除く。）
【００２９】
ここで、一般式（１）中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよいアルキレン基を示す。アルキレン基は、炭素数１〜２０のアルキレン基であることが好ましく、炭素数１〜１０のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数１〜４のアルキレン基であることが最も好ましい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ペンチレン基、ヘプチレン基、ノニレン基などが挙げられる。このうち、特にメチレン基が好ましい。これにより、簡便に一般式（１）で表される化合物を合成することができる。
【００３０】
アルキレン基の水素に置換し得る置換基としては、炭素数１から１０のアルキル基やフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、水酸基、スルホン基またはチオール基などの電子吸引基が挙げられる。このうち、有機半導体層４から適切に電子を引き付けることができるため、電子吸引性であるハロゲン原子が好ましい。これにより、有機半導体層４のキャリア密度の向上およびキャリアトラップ準位の低減をすることができる。
【００３１】
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、水素または電子吸引性基を示すが、それらの全てが水素である場合は除かれる。電子吸引性基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、水酸基、スルホン基またはチオール基などが挙げられる。これらは２種以上組み合わせて用いることもできる。このうち、有機半導体層４からより電子を引き付けることができるハロゲン原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。これにより、確実に、キャリア密度の向上およびキャリアトラップ準位の低減ができるため、移動度の向上や閾値電圧の低下をすることができる。
【００３２】
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、いずれが水素または電子吸引性基に置換されているかは特に限定されない。例えば、Ｒ１およびＲ２が同じ基である場合であって、電子吸引性基が一置換または三置換の場合は、Ｘ１からＸ４のいずれの基が置換されていてもよい。電子吸引性基が二置換の場合、Ｘ１とＸ２、Ｘ１とＸ３またはＸ１とＸ４が電子吸引性基で置換される。一方、Ｒ１およびＲ２が異なる基である場合であって、電子吸引性基が一置換の場合はいずれの基が置換されていてもよいが、電子吸引性基が二置換の場合、前記二置換の場合の組み合わせに加え、Ｘ２とＸ４が電子吸引性基で置換されることがある。電子吸引性基が三置換の場合は、Ｘ１、Ｘ２とＸ３またはＸ１、Ｘ２とＸ４が電子吸引性基で置換されることがある。
【００３３】
これらのうち、より確実に、有機半導体層４から電子を引き付けるという観点からは、少なくともいずれか二つが電子吸引性基で置換されていることが好ましく、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４のすべてが置換されているこがさらに好ましい。これにより、より確実に、キャリア密度の向上およびキャリアトラップ準位の低減を図ることができ、移動度の向上、オンオフ比の向上、閾値電圧の低下、酸素、水分雰囲気中での安定動作、素子寿命の向上、等を実現することができる。
【００３４】
以上のような構成をとる一般式（１）で表される化合物は、その重量平均分子量が、  １万〜１００万であることが好ましい。したがって、ｎは、１００〜１００００であることが好ましい。かかる範囲内であれば、簡便に一般式（１）で表される化合物を合成でき、電子吸引性基の増加により有機半導体層４から適切に電子を引き付けることができる。
上記説明したＲ１、Ｒ２、Ｘ１からＸ４を組み合わせ、一般式（１）で表される化合物をより具体的に示す。
【００３５】
【化３】
2007250798.tif 000004
【００３６】
これらのうち、有機半導体層４から電子を引き付けるという観点から、２、４、６の化合物が特に好ましい。これらの電子を良くひきつける物質を用いる事で、有機半導体層４中のトラップ準位が減少し、また正孔濃度を高める事ができるので、移動度の向上、オンオフ比の向上、閾値電圧の低下などを図ることができる。
第２の絶縁層７の平均厚さは、１０〜１００００ｎｍであることが好ましく、２００〜１０００ｎｍであることが好ましい。これにより、低コストかつ高性能なトランジスタが両立された回路基板１を作成する事ができる。
【００３７】
基板８は、回路基板を構成する各層（各部）を支持するものである。例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用いることができる。
これらのうち、プラスチック基板が好ましい。このような基板を用いる事により、軽量でフレキシブル、安価な回路基板を作成する事が可能となる。また、一般式（１）で表される化合物の成膜を常温で行うことができる。また、トランジスタを形成する表面だけでなく裏面にも同時にプロセス耐性が良好な一般式（１）で表される化合物を成膜することにより、基板裏面に耐プロセス性、耐薬品性を付与することができる。
【００３８】
このようなプラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
以上の構成により、本発明の回路基板１を得ることができる。
【００３９】
このような回路基板１は、アクティブマトリクス装置として用いることが好ましい。アクティブマトリクス装置とは、詳細は後述するが、液晶素子、高分子分散型液晶素子、電気泳動表示素子、エレクトロルミネッセント素子、エレクトロクロミック素子などの電気光学素子を上方に形成して制御することのできるものである。この場合、回路基板１に含まれるトランジスタは、アクティブマトリクス装置に含まれるスイッチング素子として機能する。また、本発明の回路基板１は、トランジスタを集積することにより、ＡＮＤ、ＯＲ、ＮＡＮＤ、ＮＯＴなどの論理回路、メモリー素子、発振素子、増幅素子などデジタル素子やアナログ素子の機能を有することもできる。さらに、これらを組み合わせることにより、ＩＣカードやＩＣタグを作成することもできる。
【００４０】
（２）半導体装置の製造方法
次に、本発明の回路基板１の製造方法について説明する。前記説明した回路基板１は、例えば、次のような方法で製造することができる。
図１に示す回路基板１の製造方法は、基板８上に第２の絶縁層７を形成する工程［Ａ１］と、第２の絶縁層７にソース電極５およびドレイン電極６を形成する工程［Ａ２］と、ソース電極５、ドレイン電極６および第２の絶縁層７上に有機半導体層４を形成する工程［Ａ３］と、有機半導体層４上に第１の絶縁層３を形成する工程［Ａ４］と、第１の絶縁層３上にゲート電極２を形成する工程［Ａ５］を有している。
【００４１】
［Ａ１］第２の絶縁層形成工程
まず、基板８上に、第２の絶縁層７を形成するが、その前に、一般式（１）で表される化合物の基板８への密着性向上のための前処理を行うことが好ましい。かかる前処理は、ヘキサメチルジシラザン、シクロヘキセン、オクタデシルトリクロロシランなどの表面改質材を用いた表面処理、アセトンやイソプロピルアルコールなどを用いた有機洗浄処理、塩酸や硫酸、酢酸などの酸処理、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニアなどのアルカリ処理、ＵＶオゾン処理、フッ素化処理、酸素やアルゴン等のプラズマ処理、ラングミュアプロジェット膜の形成処理が挙げられる。これらの処理は、複数の処理を用いることができる。これらのうち、有機洗浄処理が好ましい。これにより、表面の脱脂を行うことができ、第２の絶縁層７を密着性よく形成させることができる。
【００４２】
次に、第２の絶縁層７を形成する。第２の絶縁層７の形成には、気化炉、分解炉、蒸着室を有する公知の化学蒸着装置を用いる。まず、気化炉において、減圧下一般式（１）で表される化合物の原料となる化合物、例えば、置換キシレンダイマーを加熱蒸発させ、次に、蒸発した当該化合物を分解炉に通して熱分解させ、ジラジカルモノマーを発生させる。その後、蒸着室に発生したジラジカルモノマーを導入することにより、蒸着室に設置した基板８上にジラジカルモノマーが付着、ラジカル重合し、一般式（１）で表される化合物で形成された第２の絶縁層７を得ることができる。
【００４３】
気化炉の具体的な条件としては、圧力０．１〜１Ｔｏｒｒ、温度５０〜２００℃が好ましい。
分解炉の具体的条件として、圧力０．１〜１Ｔｏｒｒ、温度５００〜１０００℃が好ましい。
蒸着室の具体的条件としては、圧力０．０１〜０．５Ｐａ、温度−５０〜５０℃、成膜レートは０．０１〜１μｍ/分が好ましく、圧力０．０５〜０．２Ｐａ、温度１０〜３０℃、成膜レート０．１〜０．５μｍ/分であることがより好ましい。
【００４４】
これらの条件により、適切に第２の絶縁層７を形成することができる。
これにより、前述した数平均分子量（または重量平均分子量）である一般式（１）で表される化合物で形成された第２の絶縁層７を基板８上に得ることができる。
その他、一般式（１）で表される化合物をあらかじめ合成しておき、熱酸化法、ＣＶＤ法、ＳＯＧ法、スピンコート法やディップコート法のような塗布法、インクジェット法やスクリーン法などの印刷法等などによっても形成させることができる。
【００４５】
［Ａ２］ソース電極およびドレイン電極形成工程
次に、第２の絶縁層７上に、ソース電極５およびドレイン電極６を形成する。
第２の絶縁層７上にスパッタリング法などの真空成膜法、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、インクジェット法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法により導電膜を形成させ、その後、フォトエッチングを行うことでソース電極５およびドレイン電極６の形成を行うことができる。
【００４６】
また、所定の形状のマスクを用いて、第２の絶縁層７上に前記方法によってソース電極５およびドレイン電極６を形成させることもできる。
また、金属微粒子およびグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いる場合、インクジェットのような溶液パターニングを行うことにより、簡易かつ低コストで電極形成を行うこともできる。
【００４７】
［Ａ３］有機半導体層形成工程
次に、第２の絶縁層７、ソース電極５およびドレイン電極６上に有機半導体層４を形成する。
その前に、［Ａ１］で説明した前処理を施すことにより、有機半導体層４の密着性向上を図ることができる。
第２の絶縁層７、ソース電極５およびドレイン電極６上に、所定の有機半導体材料を、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、引き上げ法、ラングミュアプロジェット法、スプレイ法、インクジェット法またはシルクスクリーン法などにより形成させることができる。
【００４８】
［Ａ４］第１の絶縁層形成工程
次に、有機半導体層４上に第１の絶縁層３を形成する。
第１の絶縁層３を無機材料で構成する場合、第１の絶縁層３は、例えば、熱酸化法、ＣＶＤ法、ＳＯＧ法により形成することができる。また、原材料にポリシラザンを用いることにより、第１の絶縁層３として、シリカ膜、窒化珪素膜を湿式プロセスで成膜することが可能となる。
【００４９】
第１の絶縁層３を有機材料で構成する場合、第１の絶縁層３は、有機材料またはその前駆体を含む溶液を、第１の絶縁層３上を覆うように塗布した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。有機材料またはその前駆体を含む溶液を、第１の絶縁層３へ塗布する方法としては、スピンコート法やディップコート法のような塗布法、インクジェット法やスクリーン法などの印刷法等を用いることができる。
【００５０】
［Ａ５］ゲート電極形成工程
最後に、第１の絶縁層３上にゲート電極２を形成する。
第１の絶縁層３上に、所定の電極材料を、［Ａ２］で説明した方法と同様の方法により、ゲート電極２を形成させることができる。
以上のような工程を含む製造方法により、本発明の回路基板１を得ることができる。  
【００５１】
＜第２実施形態＞
本発明の回路基板１およびその製造方法の第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
（１）回路基板
図２は、本発明の一実施形態を示した図で、回路基板１の概略縦断面図を示している。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図２に示した回路基板１は、それに含まれるトランジスタが、第１実施形態の回路基板１に含まれるトランジスタと、有機半導体層４と、ソース電極５およびドレイン電極６の形成順序が異なり、それ以外は第１実施形態の回路基板１と同様である。すなわち、本実施形態は、トップゲート・トップコンタクト型の構造のトランジスタを有している。
【００５２】
（２）回路基板の製造方法
このような回路基板１は、例えば次のようにして製造することができる。
図２に示す回路基板１の製造方法は、基板８上に第１の絶縁層７を形成する工程［Ｂ１］と、第１の絶縁層７に有機半導体層４を形成する工程［Ｂ２］と、有機半導体層４上にソース電極５およびドレイン電極６を形成する工程［Ｂ３］と、ソース電極５、ドレイン電極６および有機半導体層４上に第１の絶縁層３を形成する工程［Ｂ４］と、第１の絶縁層３上にゲート電極２を形成する工程［Ｂ５］を有している。
【００５３】
［Ｂ１］第１の絶縁層７形成工程
本工程は、第１実施形態［Ａ１］で説明した方法と同様である。
［Ｂ２］有機半導体層形成工程
第１の絶縁層７上に有機半導体層４を形成する以外は、第１実施形態［Ａ３］で説明した方法と同様である。
［Ｂ３］ソース電極およびドレイン電極形成工程
有機半導体層４上にソース電極５およびドレイン電極６を形成する以外は、第１実施形態［Ａ２］で説明した方法と同様である。
【００５４】
［Ｂ４］第１の絶縁層形成工程
有機半導体層４、ソース電極５およびドレイン電極６上に第１の絶縁層３を形成する以外は、第１実施形態［Ａ４］で説明した方法と同様である。
［Ｂ５］ゲート電極形成工程
本工程は、第１実施形態［Ａ５］で説明した方法と同様である。
以上のような工程を含む製造方法により、本発明の回路基板１を簡便に得ることができる。
【００５５】
＜電気光学装置＞
次に、本発明の回路基板を備える電気光学装置について説明する。
本発明の電気光学装置は、上述の電気光学素子を回路基板上に形成したものであり、例えば、液晶表示装置などの液晶装置、有機ＥＬ表示装置などの有機ＥＬ装置、電気泳動表示装置等が挙げられる。
以下、本発明の回路基板を備える電気光学装置およびその製造方法を、電気泳動表示装置を一例に、図を用いて説明する。
【００５６】
（１）電気泳動表示装置
図３は、電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図、図４は、電気泳動表示装置が備える回路基板の一例としてのアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。
なお、以下では、説明の都合上、図３および図４中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
【００５７】
図３に示す電気泳動表示装置２０は、電気泳動表示シート（フロントプレーン）２１と、アクティブマトリクス装置（バックプレーン）２２と、電気泳動表示シート２１とアクティブマトリクス装置２２との間の間隙を気密的に封止する封止部３６とを有している。
電気泳動表示シート２１は、平板状の基部３１と基部３１の下面に設けられた第２の電極３３とを備える基板３９と、この基板３９の下面（一方の面）側に設けられ、マイクロカプセル４０とバインダ材４１とで構成されたマイクロカプセル含有層４００とを有している。
【００５８】
一方、アクティブマトリクス装置２２は、平板状の基部３０と基部３０の上面に設けられた複数の第１の電極３２とを備えている。
図４に示すように、アクティブマトリクス装置２２は、互いに直交する複数のデータ線３０１と、複数の走査線３０２と、これらのデータ線３０１と走査線３０２との各交点付近に設けられたトランジスタ１０とを有している。
【００５９】
そして、トランジスタ１０が有するゲート部６は走査線３０２に、ソース部２はデータ線３０１に、ドレイン部３は後述する画素電極（第１の電極）３２に、それぞれ接続されている。
各カプセル４０内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子３４ａ、３４ｂ、液相分散媒３５を含む電気泳動分散液３７が封入されている。
【００６０】
以下、各部の構成について説明する。
基部３０および基部３１は、それぞれ、シート状（平板状）の部材で構成され、これらの間に配される各部材を支持および保護する機能を有する。
各基部３０、３１は、それぞれ、可撓性を有するもの、硬質なもののいずれであってもよいが、可撓性を有するものであるのが好ましい。可撓性を有する基部３０、３１を用いることにより、可撓性を有する電気泳動表示装置２０、すなわち、例えば電子ペーパーを構築する上で有用な電気泳動表示装置２０を得ることができる。
【００６１】
また、各基部（基材層）３０、３１を可撓性を有するものとする場合、その構成材料としては、それぞれ、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【００６２】
このような基部３０、３１の平均厚さは、それぞれ、構成材料、用途等により適宜設定され、特に限定されないが、可撓性を有するものとする場合、２０〜５００μｍ程度であるのが好ましく、２５〜２５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、電気泳動表示装置２０の柔軟性と強度との調和を図りつつ、電気泳動表示装置２０の小型化（特に、薄型化）を図ることができる。
【００６３】
これらの基部３０、３１のマイクロカプセル４０側の面、すなわち、基部３０の上面および基部３１の下面に、それぞれ、層状（膜状）をなす第１の電極３２および第２の電極３３が設けられている。
第１の電極３２と第２の電極３３との間に電圧を印加すると、これらの間に電界が生じ、この電界が電気泳動粒子（表示粒子）３４ａ、３４ｂに作用する。
【００６４】
本実施形態では、第２の電極３３が共通電極とされ、第１の電極３２がマトリックス状（行列状）に分割された個別電極（スイッチング素子に接続された画素電極）とされており、第２の電極３３と１つの第１の電極３２とが重なる部分が１画素を構成する。
なお、第２の電極３３も、第１の電極３２と同様に複数に分割するようにしてもよい。
また、第１の電極３２がストライプ状に分割され、第２の電極３３も同様にストライプ状に分割され、これらが交差するように配置された形態であってもよい。
【００６５】
各電極３２、３３の構成材料としては、それぞれ、実質的に導電性を有するものであれば特に限定されず、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、金、銀、モリブデン、タンタルまたはこれらを含む合金等の金属材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の電子導電性高分子材料、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリエチレンオキシド、ポリビニルブチラール、ポリビニルカルバゾール、酢酸ビニル等のマトリックス樹脂中に、ＮａＣｌ、ＬｉＣｌＯ４、ＫＣｌ、Ｈ２Ｏ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＬｉＮＯ３、ＬｉＳＣＮ、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＮａＳＣＮ、ＮａＣｌＯ４、ＮａＣＦ３ＳＯ３、ＫＩ、ＫＳＣＮ、ＫＣｌＯ４、ＫＣＦ３ＳＯ３、ＮＨ４Ｉ、ＮＨ４ＳＣＮ、ＮＨ４ＣｌＯ４、ＮＨ４ＣＦ３ＳＯ３、ＭｇＣｌ２、ＭｇＢｒ２、ＭｇＩ２、Ｍｇ（ＮＯ３）２、ＭｇＳＣＮ２、Ｍｇ（ＣＦ３ＳＯ３）２、ＺｎＣｌ２、ＺｎＩ２、ＺｎＳＣＮ２、Ｚｎ（ＣｌＯ４）２、Ｚｎ（ＣＦ３ＳＯ３）２、ＣｕＣｌ２、ＣｕＩ２、ＣｕＳＣＮ２、Ｃｕ（ＣｌＯ４）２、Ｃｕ（ＣＦ３ＳＯ３）２等のイオン性物質を分散させたイオン導電性高分子材料、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープした錫酸化物（ＦＴＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ２）、インジウム酸化物（ＩＯ）等の導電性酸化物材料のような各種導電性材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６６】
このような電極３２、３３の平均厚さは、それぞれ、構成材料、用途等により適宜設定され、特に限定されないが、０．０５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．０５〜５μｍ程度であるのがより好ましい。
なお、各基部３０、３１および各電極３２、３３のうち、表示面側に配置される基部および電極は、それぞれ、光透過性を有するもの、すなわち、実質的に透明（無色透明、有色透明または半透明）とされる。これにより、後述する電気泳動分散液３７中における電気泳動粒子３４ａ、３４ｂの状態、すなわち電気泳動表示装置２０に表示された情報（画像）を目視により容易に認識することができる。
【００６７】
電気泳動表示シート２１では、第２の電極３３の下面に接触して、マイクロカプセル含有層４００が設けられている。
このマイクロカプセル含有層４００は、電気泳動分散液３７をカプセル本体（殻体）４０１内に封入した複数のマイクロカプセル４０が、バインダ材４１で固定（保持）されて構成されている。
【００６８】
マイクロカプセル４０は、アクティブマトリクス装置２２と基板３９との間に、縦横に並列するように単層で配設されている。
本実施形態では、第１の電極と第３２の電極３３とで挟持されることにより、マイクロカプセル４０は、上下方向に圧縮され、水平方向に拡がって扁平形状となっている。換言すれば、マイクロカプセル４０は、平面視において石垣構造を形成している。
このような構成により、電気泳動表示装置２０では、有効表示領域が増大し、コントラストが良好なものとなる。また、電気泳動粒子３４ａ、３４ｂの上下方向への移動距離を短縮することができるため、電気泳動粒子３４ａ、３４ｂを短時間に所定の電極近傍に移動・集合させることができ、応答速度の向上を図ることもできる。
【００６９】
カプセル本体（殻体）４０１の構成材料としては、例えば、ゼラチン、アラビアゴムとゼラチンとの複合材料、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、尿素樹脂、ポリアミド、ポリエーテルのような各種樹脂材料が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このようなマイクロカプセル４０は、その大きさがほぼ均一であることが好ましい。これにより、電気泳動表示装置２０では、表示ムラの発生が防止または低減され、より優れた表示性能を発揮することができる。
【００７０】
カプセル本体４０１内に封入された電気泳動分散液３７は、少なくとも１種の電気泳動粒子３４ａ、３４ｂ（本実施形態では、３４ａは着色粒子、３４ｂは白色粒子）を液相分散媒３５に分散（懸濁）してなるものである。
電気泳動粒子３４ａ、３４ｂは、荷電を有し、電界が作用することにより、液相分散媒３５中を電気泳動し得る粒子（帯電粒子）であれば、いかなるものをも用いることができ、特に限定はされないが、顔料粒子、樹脂粒子またはこれらの複合粒子のうちの少なくとも１種が好適に使用される。これらの粒子は、製造が容易であるとともに、荷電の制御を比較的容易に行うことができるという利点を有している。
【００７１】
顔料粒子を構成する顔料としては、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック、チタンブラック等の黒色顔料、酸化チタン、酸化アンチモン、硫酸バリウム、硫化亜鉛、亜鉛華、酸化珪素、酸化アルミニウム等の白色顔料、モノアゾ、ジスアゾ、ポリアゾ等のアゾ系顔料、イソインドリノン、黄鉛、黄色酸化鉄、カドミウムイエロー、チタンイエロー、アンチモン等の黄色顔料、モノアゾ、ジスアゾ、ポリアゾ等のアゾ系顔料、キナクリドンレッド、クロムバーミリオン等の赤色顔料、フタロシアニンブルー、インダスレンブルー、紺青、群青、コバルトブルー等の青色顔料、フタロシアニングリーン等の緑色顔料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７２】
また、樹脂粒子を構成する樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、尿素系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリスチレン、ポリエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、複合粒子としては、例えば、顔料粒子の表面を樹脂材料や他の顔料で被覆したもの、樹脂粒子の表面を顔料で被覆したもの、顔料と樹脂材料とを適当な組成比で混合した混合物で構成される粒子等が挙げられる。
【００７３】
電気泳動粒子３４ａ、３４ｂの平均粒径は、０．１〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜７．５μｍ程度であるのがより好ましい。電気泳動粒子３４ａ、３４ｂの平均粒径を前記範囲とすることにより、電気泳動粒子３４ａ、３４ｂ同士の凝集や、液相分散媒３５中における沈降を確実に防止することができ、その結果、電気泳動表示装置２０の表示品質の劣化を好適に防止することができる。
【００７４】
一方、液相分散媒３５としては、カプセル本体４０１に対する溶解性が低く、かつ比較的高い絶縁性を有するものが好適に使用される。また、このような有機分散媒３５は、極性が低いか、実質的に極性を有しない、非極性の有機材料（非プロトン性分散媒）で構成されている。
かかる液相分散媒３５としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ギ酸エチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ペンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素類（流動パラフィン）、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼンのような長鎖アルキル基を有するベンゼン類等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族復素環類、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、カルボン酸塩またはその他の各種油類等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いることができる。
【００７５】
かかる電気泳動粒子３４ａ、３４ｂの液相分散媒３５への分散は、例えば、ペイントシェーカー法、ボールミル法、メディアミル法、超音波分散法、撹拌分散法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて行うことができる。
また、電気泳動粒子３４ａ、３４ｂの比重は、液相分散媒３５の比重とほぼ等しくなるように設定されているのが好ましい。これにより、電気泳動粒子３４ａ、３４ｂは、電極３２、３３間への電圧の印加を停止した後においても、液相分散液３５中において一定の位置に長時間滞留することができる。すなわち、電気泳動表示装置２０に表示された情報が長時間保持されることとなる。
【００７６】
バインダ材４１は、例えば、アクティブマトリクス装置２２と基板３９とを接合する目的、アクティブマトリクス装置２２および基板３９とマイクロカプセル４０を固定する目的、電極３２、３３間の絶縁性を確保する目的等により供給される。これにより、電気泳動表示装置２０の耐久性および信頼性をより向上させることができる。
このバインダ材４１には、各電極３２、３３およびカプセル本体４０１（マイクロカプセル４０）との親和性（密着性）に優れ、かつ、絶縁性に優れる樹脂材料が好適に使用される。
【００７７】
このようなバインダ材４１としては、例えば、ポリエチレン、塩素化ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、ポリプロピレン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、メタクリル酸メチル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニルアクリル酸エステル共重合体、塩化ビニル−メタクリル酸共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、エチレン−ビニルアルコール−塩化ビニル共重合体、プロピレン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、セルロース系樹脂等の熱可塑性樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルホン、ポリアミドイミド、ポリアミノビスマレイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリアリレート、グラフト化ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド等の高分子、ポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化エチレンプロピレン、四フッ化エチレン−パーフロロアルコキシエチレン共重合体、エチレン−四フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化エチレン、フッ素ゴム等のフッ素系樹脂、シリコーン樹脂、シリコーンゴム等のシリコーン系樹脂、ポリウレタン等のウレタン系樹脂、その他として、メタクリル酸−スチレン共重合体、ポリブチレン、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等の各種樹脂材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７８】
基部３０と基部３１との間であって、それらの縁部に沿って、封止部３６が設けられている。この封止部３６により、各電極３２、３３およびマイクロカプセル含有層４００が気密的に封止されている。これにより、電気泳動表示装置２０内への水分の浸入を防止して、電気泳動表示装置２０の表示性能の劣化をより確実に防止することができる。
封止部３６の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、オレフィン系樹脂のような熱可塑性樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂のような熱硬化性樹脂等の各種樹脂材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７９】
なお、封止部３６は、必要に応じて設ければよく、省略することもできる。
このような電気泳動表示装置２０では、１本あるいは複数本の走査線３０２に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された走査線３０２に接続されているトランジスタ１０がＯＮとなる。
これにより、かかるトランジスタ１０に接続されているデータ線３０１と画素電極３２とは、実質的に導通する。このとき、データ線３０１に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極３２に供給される。
【００８０】
これにより、画素電極３２と第２の電極３３との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子３４ａ、３４ｂの特性等に応じて、電気泳動粒子３４ａ、３４ｂは、いずれかの電極に向かって電気泳動する。
一方、この状態から、走査線３０２への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、トランジスタ１０はＯＦＦとなり、かかるトランジスタ１０に接続されているデータ線３０１と画素電極３２とは非導通状態となる。
【００８１】
したがって、走査線３０２への選択信号の供給および停止、あるいは、データ線３０１へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２０の電気泳動表示シート２１側（第２の電極３３側）に、所望の画像（情報）を表示させることができる。
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２０では、電気泳動粒子３４ａ、３４ｂの色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。
【００８２】
また、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、アクティブマトリクス装置２２を有することにより、特定の走査線３０２に接続されたトランジスタ１０を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
このような電気光学装置の製造方法は、本発明の回路基板を製造する方法を含んでいれば、特に限定されず、公知のいずれの方法も用いることができる。例えば、以下の方法で製造することができる。
【００８３】
（２）電気泳動表示装置の製造方法
図５は、図３に示す電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
［Ｃ１］マイクロカプセル４０の作製工程
まず、電気泳動分散液３７が封入されたマイクロカプセル４０を作製する。
【００８４】
マイクロカプセル４０の作製手法（カプセル本体４０１への電気泳動分散液３７の封入方法）としては、特に限定されないが、例えば、界面重合法、Ｉｎ−ｓｉｔｕ重合法、相分離法、界面沈降法、スプレードライ法等の各種マイクロカプセル化手法を用いることができる。
また、均一な大きさのマイクロカプセル４０は、例えば、ふるいにかけて選別する方法、濾過法、比重差分級法等を用いることにより得ることができる。
マイクロカプセル４０の平均粒径は、２０〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。マイクロカプセル４０の平均粒径を前記範囲とすることにより、製造される電気泳動表示装置２０において電気泳動粒子３４ａ、３４ｂの電気泳動をより確実に制御することができるようになる。
【００８５】
［Ｃ２］マイクロカプセル分散液の調製工程
次に、前述のようにして作製されたマイクロカプセル４０と、バインダ材４１と、分散媒とを含むマイクロカプセル分散液を調製する。
分散媒としては、親水性が高い（すなわち疎水性が低い）溶媒（水系溶媒）が好ましい。水系溶媒としては、具体的には、蒸留水、純水等の水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等の低級アルコール類等が挙げられ、これらのうちでは、特に水が好ましい。低級アルコール類には、メトキシ基等の疎水性の低い置換基が導入されていてもよい。このような水系溶媒を用いることにより、マイクロカプセル４０への溶媒の浸透が抑えられ、溶媒の浸透によるマイクロカプセル４０の膨潤、溶解がより確実に防止される。
【００８６】
マイクロカプセル４０を除くマイクロカプセル分散液中のバインダ材４１の濃度（含有量）は、５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、０．０５〜２５ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
前記バインダ材４１の濃度を前記のように設定することにより、マイクロカプセル分散液の粘度を好適な値にすることができ、後述するマイクロカプセル４０の間隙を埋めるようにマイクロカプセル分散液を供給する工程において、マイクロカプセル４０を容易かつ確実に移動させることができる。
【００８７】
また、マイクロカプセル分散液の粘度は、１〜１０００ｃＰ(２５℃)程度であるのが好ましく、２〜７００ｃＰ(２５℃)程度であるのがより好ましい。
また、マイクロカプセル分散液中におけるマイクロカプセル４０の含有量は、１０〜８０ｗｔ％程度であるのが好ましく、３０〜６０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
マイクロカプセル４０の含有量を前記範囲に設定すると、マイクロカプセル４０が厚さ方向に重ならないように（単層で）、マイクロカプセル含有層４００において移動（再配置）させる配設する上で、非常に有利である。
【００８８】
［Ｃ３］マイクロカプセル含有層の形成工程
次に、図５（ａ）に示すような基板３９を用意する。
そして、図５（ｂ）に示すように、基板３９上にマイクロカプセル分散液を供給する。
マイクロカプセル分散液を供給する方法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法等の各種塗布法を用いることができる。
【００８９】
次に、必要に応じて、基板３９の各部において、マイクロカプセル分散液の厚さ（量）が均一になるように、好ましくはマイクロカプセル４０が厚さ方向に重ならないように１個ずつ（単層に）配置されるように均す。
これは、例えば、図５（ｃ）に示すように、スキージ（平板状の治具）１００を基板３９上を通過させ、マイクロカプセル４０を掃くことにより行うことができる。
これにより、マイクロカプセル含有層４００が形成され、図５（ｄ）に示すような電気泳動表示シート２１が得られる。
【００９０】
［Ｃ４］アクティブマトリクス装置２２の接合工程
次に、図５（ｅ）に示すように、マイクロカプセル含有層４００上に、前記本発明の回路基板１の製造方法で製造した回路基板１であるアクティブマトリクス装置２２を、第１の電極３２がマイクロカプセル含有層４００に接触するように重ね合わせる。  
これにより、マイクロカプセル含有層４００を介して、電気泳動表示シート２１とアクティブマトリクス装置２２とが接合される。
【００９１】
［Ｃ５］封止工程
次に、図５（ｆ）に示すように、電気泳動表示シート２１およびアクティブマトリクス装置２２の縁部に沿って、封止部３６を形成する。
これは、電気泳動表示シート２１（基部３１）とアクティブマトリクス装置２２（基部３０）との間であって、これらの縁部に沿って封止部３６を形成するための材料を、例えば、ディスペンサ等により供給し、固化または硬化させることにより形成することができる。
以上の工程を経て、電気泳動表示装置２０が得られる。
【００９２】
＜電子機器＞
次に、本発明の回路基板を備える電子機器について説明する。
本発明の電子機器は、例えば、パーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、携帯電話機、ディジタルスチルカメラの他、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等が挙げられる。
【００９３】
（１）電子ペーパー
図６は、本発明の電子機器である電子ペーパーを示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。
このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２０で構成されている。
このような電子ペーパーの製造方法は、本発明の回路基板を製造する方法を含む、または、本発明の回路基板を製造する方法を含む電気光学装置の製造方法を含んでいれば、特に限定されず、公知のいずれの方法も用いることができる。
【００９４】
（２）ディスプレイ
図７は、本発明の電子機器であるディスプレイを示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図６に示す構成と同様のものである。
【００９５】
本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。
【００９６】
また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。
【００９７】
また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
【００９８】
また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２０で構成されている。
アクティブマトリクス装置に本発明の回路基板１を用いた、このようなディスプレイ８００は、ディスプレイの開口率向上につながり、好ましい。
このようなディスプレイ８００の製造方法は、本発明の回路基板を製造する方法を含む、または、本発明の回路基板を製造する方法を含む電気光学装置の製造方法を含んでいれば、特に限定されず、公知のいずれの方法も用いることができる。
【００９９】
以上、本発明の回路基板、回路基板の製造方法、かかる装置を備える電気光学装置および電子機器について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、本発明の回路基板では、各層の間に任意の目的の層が設けられていてもよく、各層とも所定の条件を満たす限り、いずれの層と接していてもよい。
また、本発明の回路基板の製造方法では、本発明の効果を奏する限り、他にいかなる工程を含んでいてもよい。
【実施例】
【０１００】
１．薄膜トランジスタの製造
（実施例１）
＜１＞第２の絶縁層形成工程
ポリエチレンナフタレート基板（帝人デュポンフィルム社製；テオネックスＱ６５（登録商標））をイソプロピルアルコール溶媒で１０分間超音波洗浄し、表面の脱脂処理を行った。
【０１０１】
次に、ポリ−ｐ−キシリレン膜形成装置に基板を導入し、成膜を行った。すなわち、減圧下（０．７Ｔｏｒｒ）、１８０度の温度に設定した気化炉に、クロロ−ｐ−キシリレンダイマーを導入し、加熱蒸発させた。次に、蒸発したそれらの化合物を、０．５Ｔｏｒｒ、６５０℃に加熱した分解炉に通して熱分解させ、ラジカルモノマーを発生させた。その後、０．０５Ｔｏｒｒに減圧し、室温（２５℃）に設定した蒸着室に、発生したラジカルモノマーを導入し、蒸着室に設置した基板上に０．１μｍ/分の成膜レートで蒸着させ、膜厚５００ｎｍのポリ−（クロロ）−ｐ−キシリレンからなる第２の絶縁層を形成した。
【０１０２】
＜２＞ソース電極およびドレイン電極形成工程
この第２の絶縁層上に、密着層としてＣｒを１０ｎｍ真空蒸着し、続いてＡｕを１０００ｎｍ真空蒸着した。このＡｕ/Ｃｒ膜をフォトレジスト（ 東京応化工業社製、「ＴＳＭＲ８９００」）を用いて、ＡｕとＣｒのフォトエッチングを行う事によって、チャネル長５０μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極およびドレイン電極の形状となるようにパターニングした後、レジストを剥離した。
【０１０３】
＜３＞有機半導体層形成工程
ＲＦパワー２００Ｗ、酸素流量１００ｓｃｃｍに設定したプラズマ処理装置を用いて、５分間酸素プラズマ処理を施して、＜２＞で得た基板の洗浄を行った。その後、該基板に、ポリ−９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン（Ｆ８Ｔ２）の１ｗｔ％トルエン溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した。６０℃で１０分間乾燥し、膜厚４０ｎｍの有機半導体層を形成した。
＜４＞第１の絶縁層形成工程
有機半導体層上に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の１０ｗｔ％酢酸ブチル溶液をスピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃で１０分乾燥した。これにより、膜厚１０００ｎｍのＰＭＭＡのゲート絶縁層を形成した。
【０１０４】
＜５＞ゲート電極形成工程
第１の絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域（チャネル領域）に、直径１０ｎｍの金微粒子がトルエン中に分散した金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）をインクジェット法により塗布した後、８０℃で１０分間乾燥し、膜厚１０００ｎｍのゲート電極を形成した。
以上の工程により、第２の絶縁層がポリ−（クロロ）−ｐ−キシリレンで形成されたトップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタを有する回路基板を得た。
【０１０５】
（実施例２）
実施例１のクロロ−ｐ−キシリレンダイマーをジクロロ−ｐ−キシリレンダイマーに替えた以外は実施例１と同様に行い、第２の絶縁層がポリ−（ジクロロ）−ｐ−キシリレンで形成されたトップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタを有する回路基板を得た。
【０１０６】
（比較例１）
実施例１の＜１＞において、クロロ−ｐ−キシリレンダイマーをｐ−キシリレンダイマーに替えた以外は実施例１と同様に行い、ポリ−ｐ−キシリレンからなる第２の絶縁層を有するトップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタを有する回路基板を得た。
（比較例２）
実施例１の＜１＞において、第２の絶縁層を形成しない以外は実施例１と同様に行い、トップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタを有する回路基板を得た。
【０１０７】
２．評価
上記実施例で得られた薄膜トランジスタを有する回路基板のトランスファー特性を、半導体パラメータアナライザー（アジレント・テクノロジー社製：４１５６Ｃ）を用いて測定した。測定条件は、ドレイン電圧を−４０Ｖ印加し、ゲート電圧を＋１０Ｖから−４０Ｖまでスイープした場合のドレイン電流を測定した。その結果を表１および図８に示す。なお、表１中の各項目は、以下に示す方法で求めた。
【０１０８】
（１）オフ電流
得られたゲート電圧とドレイン電流との関係図（図８）から、ゲート電圧が０のときの電流を求めた。
（２）オンオフ比
ゲート電圧が０Ｖのときと、ゲート電圧が−４０ｖのときのドレイン電流の比から求めた。
（３）移動度
ドレイン電流の１／２乗を縦軸、ゲート電圧を横軸に取ったグラフの直線の切片から閾値電圧を求め、また直線の傾きから、飽和領域でのトランジスタの移動度を算出した。
【０１０９】
【表１】
2007250798.tif 000005
【０１１０】
表１および図８に示すとおり、いずれの実施例においても比較例と比較して、オフ電流、オンオフ比、移動度および閾値電圧のいずれもが良好な結果であり、高性能で信頼性の高いトランジスタを有する回路基板を得ることができた。特に、実施例１、２ではその効果が顕著であった。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の回路基板の実施形態を模式的に示す図である。
【図２】本発明の回路基板の実施形態を模式的に示す図である。
【図３】本発明の電気光学装置の実施形態である電気泳動表示装置を模式的に示す図である。
【図４】アクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。
【図５】図３に示す電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図６】本発明の電子機器の実施形態である電子ペーパーを模式的に示す図である。
【図７】本発明の電子機器の実施形態であるディスプレイを模式的に示す図である。
【図８】ゲート電圧とドレイン電流の関係を示す図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１……回路基板  ２……ゲート電極  ３……第１の絶縁層  ４……有機半導体層  ５……ソース電極  ６……ドレイン電極  ７……第２の絶縁層  ８……基板  １０……トランジスタ  ２０……電気泳動表示装置  ２１……電気泳動表示シート  ２２……アクティブマトリクス装置  ３０……基部  ３１……基部  ３２……第１の電極  ３３……第２の電極  ３４ａ……電気泳動粒子  ３４ｂ……電気泳動粒子  ３５……液相分散媒  ３６……封止部  ３７……電気泳動分散液  ３９……基板  ４０……マイクロカプセル  ４１……バインダ材  １００……スキージ  ３０１……データ線  ３０２……走査線  ４００……マイクロカプセル含有層  ４０１……カプセル本体  ６００……電子ペーパー  ６０１……本体  ６０２……表示ユニット  ８００……ディスプレイ  ８０１……本体部  ８０２ａ……搬送ローラ対  ８０２ｂ……搬送ローラ対  ８０３……孔部  ８０４……透明ガラス板  ８０５……挿入口  ８０６……端子部  ８０７……ソケット  ８０８……コントローラー  ８０９……操作部
【図１】
2007250798.tif 000008
【図２】
2007250798.tif 000009
【図３】
2007250798.tif 000010
【図４】
2007250798.tif 000011
【図５】
2007250798.tif 000012
【図６】
2007250798.tif 000013
【図７】
2007250798.tif 000014
【図８】
2007250798.tif 000015