(57)【要約】      （修正有）【課題】外部電極端子の形成が良好な半導体装置の製造技術を提供する。【解決手段】第１の面２ａ及び反対面となる第２の面２ｂを有する絶縁性樹脂で形成される四角形の樹脂体３と、樹脂体３内に封止される複数の金属のリード４とからなり、リード４は、一端側のリード部分４ａを樹脂体３の周縁部分に位置させて樹脂体３の第１の面２ａに露出させ、他端側のリード部分４ｂを四角形の内側に向かって延在させるとともに樹脂体３の第２の面２ｂに露出させる構造となる配線基板２と、樹脂体３の第１の面２ａに接着剤８を介して固定される半導体チップ９と、半導体チップ９の各電極と一端側のリード部分４ａを電気的に接続する接続手段１０と、半導体チップ９及び接続手段１０を覆い、かつ配線基板２に重なる絶縁性樹脂からなる樹脂層７と、樹脂体３の前記第２の面２ｂに露出する他端側のリード部分４ｂに形成された突起電極５とを有する。【選択図】図２
2007250702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及びこの第１の面の反対面となる第２の面を有する絶縁性樹脂で形成される四角形の樹脂体と、前記樹脂体内に封止される複数の金属のリードとからなり、前記リードは、一端側のリード部分を前記樹脂体の周縁部分に位置させて前記樹脂体の前記第１の面に露出させ、他端側のリード部分を前記四角形の内側に向かって延在させるとともに前記樹脂体の前記第２の面に露出させる構造となる配線基板と、
前記樹脂体の前記第１の面に接着剤を介して固定される半導体チップと、
前記半導体チップの各電極と前記一端側のリード部分を電気的に接続する接続手段と、
前記半導体チップ及び前記接続手段を覆い、かつ前記配線基板に重なる絶縁性樹脂からなる樹脂層と、
前記樹脂体の前記第２の面に露出する前記他端側のリード部分に形成された突起電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁体の前記第２の面に露出する前記リードの前記他端側のリード部分は、四角形の前記樹脂体の各辺に沿って複数列に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記接続手段が接続される前記リード部分の表面には金属メッキ膜が形成され、前記突起電極が形成される前記リード部分の表面には金属メッキ膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁体の周縁、前記樹脂層の周縁及び前記リードの外端縁は一致していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リードの厚さは７５〜１００μｍ、前記樹脂体の厚さは２５０〜３００μｍ、前記樹脂層の厚さは３００〜４００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記樹脂体には複数の半導体チップが固定され、かつ各半導体チップの各電極が所定の前記リード部分に前記接続手段で接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記樹脂体の第１の面は部分的に一段低く窪み、前記窪みの底に前記接着剤を介して前記半導体チップが固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記樹脂体及び前記樹脂層は同じ材質の絶縁性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１の面及びこの第１の面の反対面となる第２の面を有する絶縁性樹脂で形成される四角形の樹脂体と、前記樹脂体の前記第１の面に表面を露出する金属の支持体と、前記支持体に連なり前記樹脂体の周縁にまで延在する複数の金属の吊りリードと、前記樹脂体内に封止され、一端側のリード部分を前記樹脂体の周縁部分に位置させて前記樹脂体の前記第１の面に露出させ、他端側のリード部分を前記四角形の内側に向かって延在させて前記樹脂体の前記第２の面に露出させる複数のリードとからなる配線基板と、
前記支持体に接着剤を介して固定される半導体チップと、
前記半導体チップの各電極と前記一端側のリード部分を電気的に接続する接続手段と、
前記半導体チップ、前記接続手段、前記支持体及び前記吊りリードを覆い、かつ前記配線基板に重なる絶縁性樹脂からなる樹脂層と、
前記樹脂体の前記第２の面に露出する前記他端側のリード部分に形成された突起電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記絶縁体の前記第２の面に露出する前記リードの前記他端側のリード部分は、四角形の前記樹脂体の各辺に沿って複数列に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記接続手段が接続される前記リード部分の表面には金属メッキ膜が形成され、前記突起電極が形成される前記リード部分の表面には金属メッキ膜が形成され、前記半導体チップが固定される前記支持板の表面には金属メッキ膜が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記リードの厚さは７５〜１００μｍ、前記樹脂体の厚さは２５０〜３００μｍ、前記樹脂層の厚さは３００〜４００μｍであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記絶縁体の前記第１の面の中央寄りに前記支持体が位置し、前記リードの前記他端側のリード部分は前記支持体を囲みかつ前記絶縁体の周辺部分にそれぞれ位置していることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記樹脂体及び前記樹脂層は同じ材質の絶縁性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１５】
（ａ）単位リードパターンをマトリックス状に複数配置した金属からなるリードフレームと、前記リードフレームを絶縁性樹脂で封止して形成した樹脂体とからなり、前記単位リードパターンに対応する部分が製品形成部を構成する配線基板を準備する工程、
（ｂ）前記各製品形成部の第１の面に少なくとも一つの半導体チップを固定する工程、
（ｃ）前記半導体チップの電極を接続手段によって前記配線基板に電気的に接続する工程、
（ｄ）前記配線基板の前記第１の面に絶縁性樹脂による樹脂層を形成して前記半導体チップ及び前記接続手段を覆う工程、
（ｅ）前記各製品形成部において、前記配線基板の第２の面に外部電極端子を形成する工程、
（ｆ）前記配線基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって半導体装置を製造する方法であって、
前記工程（ａ）で準備する前記配線基板における前記リードフレームの前記単位リードパターンは、四角形の枠と、前記枠の内側から枠内側に片持ち梁状に突出する複数のリードとからなり、前記枠は前記製品形成部の境界に沿って延在するパターンとなり、前記枠の表面は前記樹脂体の第１の面に露出し、前記枠から延在する前記各リードは途中から階段状に折れ曲がる構造となって前記樹脂体内を延在し、その先端を前記樹脂体の第１の面の反対面となる第２の面に露出させる構造となり、
前記工程（ｂ）では、前記半導体チップは接着剤によって前記樹脂体に固定し、
前記工程（ｃ）では、前記半導体チップの電極と前記リードを前記接続手段で接続し、
前記工程（ｆ）では、前記個片化された部分に前記半導体チップ及び前記接続手段が位置するように前記枠の近傍で前記リードを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記工程（ａ）では、前記リードフレームの前記各リードの先端部分が前記枠の各辺に沿って複数列に配置されるように形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記工程（ｄ）では、前記樹脂体と同じ材質の樹脂によって前記樹脂層を形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記工程（ａ）では、前記リードフレームをトランスファモールディング装置の下型と上型とからなる成形金型にシートを介して型締めしてトランスファモールディングを行い、前記枠の表面が前記樹脂体の第１の面に露出し、前記各リードの前記先端が前記樹脂体の前記第２の面に露出する構造の前記配線基板を形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記工程（ａ）では、前記リードフレームをトランスファモールディング装置の下型と上型とからなる成形金型にシートを介して型締めした後、前記枠の表面を前記樹脂体で覆い、前記各リードの前記先端を前記樹脂体の前記第２の面に露出するようにトランスファモールディングを行い、その後、前記樹脂体の前記第１の面側を研磨して前記枠を露出させて前記配線基板を形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記工程（ａ）では、前記リードフレームをトランスファモールディング装置の下型と上型とからなる成形金型にシートを介して型締めしてトランスファモールディングを行い、前記枠の表面が前記樹脂体の第１の面に露出し、前記各リードの前記先端が前記樹脂体の前記第２の面に露出し、かつ前記半導体チップを固定する前記樹脂体部分が一段窪んだ構造の前記配線基板を形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記工程（ｄ）と前記工程（ｅ）との間において、前記配線基板の表面に露出する前記リード部分の表面に金属メッキ膜を形成することを特徴とする請求項１８乃至請求項２０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記リードフレームは７５〜１００μｍの金属板から形成し、
前記樹脂体は２５０〜３００μｍの厚さに形成し、
前記樹脂層は３００〜４００μｍの厚さに形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
（ａ）単位リードパターンをマトリックス状に複数配置した金属からなるリードフレームと、前記リードフレームを絶縁性樹脂で封止して形成した樹脂体とからなり、前記単位リードパターンに対応する部分が製品形成部を構成する配線基板を準備する工程、
（ｂ）前記各製品形成部の第１の面に少なくとも一つの半導体チップを固定する工程、
（ｃ）前記半導体チップの電極を接続手段によって前記配線基板に電気的に接続する工程、
（ｄ）前記配線基板の前記第１の面に絶縁性樹脂による樹脂層を形成して前記半導体チップ及び前記接続手段を覆う工程、
（ｅ）前記各製品形成部において、前記配線基板の第２の面に外部電極端子を形成する工程、
（ｆ）前記配線基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって半導体装置を製造する方法であって、
前記工程（ａ）で準備する前記配線基板における前記リードフレームの前記単位リードパターンは、四角形の枠と、前記枠内に位置する支持体と、前記枠から延在し前記支持体を支持する複数の吊りリードと、前記枠の内側から枠内側に片持ち梁状に突出する複数のリードとからなり、前記枠は前記製品形成部の境界に沿って延在するパターンとなり、前記枠及び前記支持体の表面は前記樹脂体の第１の面に露出し、前記枠から延在する前記各リードは途中から階段状に折れ曲がる構造となって前記樹脂体内を延在し、その先端を前記樹脂体の第１の面の反対面となる第２の面に露出させる構造となり、
前記工程（ｂ）では、前記半導体チップは接着剤によって前記支持体に固定し、
前記工程（ｃ）では、前記半導体チップの電極と前記リードを前記接続手段で接続し、
前記工程（ｆ）では、前記個片化された部分に前記半導体チップ及び前記接続手段が位置するように前記枠の近傍で前記リードを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記工程（ａ）では、前記リードフレームの前記各リードの先端部分が前記枠の各辺に沿って複数列に配置されるように形成することを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記工程（ｄ）では、前記樹脂体と同じ材質の樹脂によって前記樹脂層を形成することを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記工程（ａ）では、前記リードフレームをトランスファモールディング装置の下型と上型とからなる成形金型にシートを介して型締めしてトランスファモールディングを行い、前記枠及び前記支持体の表面が前記樹脂体の第１の面に露出し、前記各リードの前記先端が前記樹脂体の前記第２の面に露出する構造の前記配線基板を形成することを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記工程（ｄ）と前記工程（ｅ）との間において、前記配線基板の表面に露出する前記リード部分の表面に金属メッキ膜を形成することを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記リードフレームは７５〜１００μｍの金属板から形成し、
前記樹脂体は２５０〜３００μｍの厚さに形成し、
前記樹脂層は３００〜４００μｍの厚さに形成することを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
単位リードパターンをマトリックス状に複数配置した金属からなるリードフレームと、前記リードフレームを絶縁性樹脂で封止して形成した樹脂体とからなり、前記単位リードパターンに対応する部分が製品形成部を構成する配線基板であって、
前記単位リードパターンは、四角形の枠と、前記枠の内側から枠内側に片持ち梁状に突出する複数のリードとからなり、前記枠は前記製品形成部の境界に沿って延在するパターンとなり、前記枠の表面は前記樹脂体の第１の面に露出し、前記枠から延在する前記各リードは途中から階段状に折れ曲がる構造となって前記樹脂体内を延在し、その先端を前記樹脂体の第１の面の反対面となる第２の面に露出させる構造となっていることを特徴とする配線基板。
【請求項３０】
前記各リードの先端部分は前記枠の各辺に沿って複数列に配置され、
前記樹脂体の前記第１及び第２の面に露出する前記リードの表面には金属メッキ膜が形成されていることを特徴とする請求項２９に記載の配線基板。
【請求項３１】
単位リードパターンをマトリックス状に複数配置した金属からなるリードフレームと、前記リードフレームを絶縁性樹脂で封止して形成した樹脂体とからなり、前記単位リードパターンに対応する部分が製品形成部を構成する配線基板であって、
前記単位リードパターンは、四角形の枠と、前記枠内に位置する支持体と、前記枠から延在し前記支持体を支持する複数の吊りリードと、前記枠の内側から枠内側に片持ち梁状に突出する複数のリードとからなり、前記枠は前記製品形成部の境界に沿って延在するパターンとなり、前記枠及び前記支持体の表面は前記樹脂体の第１の面に露出し、前記枠から延在する前記各リードは途中から階段状に折れ曲がる構造となって前記樹脂体内を延在し、その先端を前記樹脂体の第１の面の反対面となる第２の面に露出させる構造となっていることを特徴とする配線基板。
【請求項３２】
前記各リードの先端部分は前記枠の各辺に沿って複数列に配置され、
前記樹脂体の前記第１及び第２の面に露出する前記リードの表面には金属メッキ膜が形成されていることを特徴とする請求項３１に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＢＧＡ（Ball Grid Array ）型の半導体装置及びその製造方法並びに配線基板に係わり、特に、配線基板を使用して一括モールド方式を採用する半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一つとして、いわゆる一括モールド方式を採用する半導体装置の製造方法が知られている。この方法は、一つの半導体装置が形成される製品形成部を整列配置した配線基板（配線母基板）を使用する。半導体装置の製造においては、最初に、配線基板（配線母基板）の各製品形成部に、半導体チップを固定するとともに、半導体チップの電極と配線を導電性のワイヤで接続する。つぎに、配線基板の一面に絶縁性樹脂からなる樹脂層を形成して各半導体チップ及びワイヤを覆う。つぎに、配線基板の裏面に外部電極端子（ボール電極）を形成し、その後、配線基板を樹脂層共々縦横に切断して複数の半導体装置を製造する（例えば、特許文献１、２）。
【０００３】
特許文献１には、「配線基板上に１つの領域を封止樹脂により封止すると封止樹脂と配線基板が一体となった基板は配線基板、封止樹脂、半導体チップの物性値の違いにより反りが発生し、樹脂封止する領域が大きくなる程、配線基板全体の反りは大きくなる。」、旨記載されている。
【０００４】
特許文献２には、「複数の半導体素子を配線基板に搭載して封止を行うと、加熱時に封止体が反ってしまい、封止体の裏面の外部電極が平坦な位置からずれてしまうので、ボール電極を外部電極に高精度に搭載することが困難となる。」、旨記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−４４２２９号公報
【特許文献２】特開２００２−２５２２３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＢＧＡ型半導体装置の製造においては、製品形成部をマトリックス状に配置した配線基板（配線母基板）が使用される。この配線母基板は、絶縁性樹脂板からなる基材と、この基材に設ける配線とからなっている。配線の一部は、半導体チップ等の電子部品を固定するための固定用パッド、ワイヤを接続するためのワイヤ接続パッド、ボール電極等の外部電極端子を形成するための電極接続パッド等ともなる。配線母基板として多用されるものの一つとして、ガラス・エポキシ樹脂配線基板がある。このガラス・エポキシ樹脂配線基板は、ガラス・エポキシ樹脂板の表面等に配線が形成されている。配線は、例えば、ガラス・エポキシ樹脂板の表面に接着した銅箔をエッチングして形成される。
【０００７】
また、半導体装置の製造において、配線母基板の一面に半導体チップを固定し、かつこの半導体チップの電極と配線母基板の配線を電気的に接続し、さらに配線母基板の一面に半導体チップ等を覆うように樹脂層を形成した段階では、材質の熱膨張係数の違いによって配線母基板が反り返ることがある。即ち、半導体装置を構成する配線母基板はガラス・エポキシ樹脂の基材であり、半導体チップはシリコン等の半導体であり、半導体チップを覆う樹脂層はエポキシ樹脂等の樹脂である。このため、各部材の熱膨張係数の違いから、特許文献にも記載されているように樹脂層付きの配線母基板が反りやすくなる。また、一度に多数の半導体装置を製造するために、より多く製品形成部を配置した配線母基板では、その反りは大きくなる。従って、配線母基板の一面に樹脂層を形成した後、配線母基板の他の一面に治具を用いてボール電極（金属ボール）を一括して接続する際、配線母基板の反りによってボール電極接続位置のピッチが変化し、一部のボール電極が配線母基板の電極接続パッドに接続できなくなることもある。
【０００８】
一方、樹脂封止型半導体装置の製造においては、鉄−ニッケル系金属や銅等によるリードフレームが使用されている。リードフレームは、ガラス・エポキシ樹脂配線基板に比較して安価である。そこで、本発明者はリードフレームを樹脂で封止して形成する配線母基板を使用することによって半導体装置のコスト低減が可能になることに気が付き本発明をなした。
【０００９】
本発明の目的は外部電極端子の形成が良好な半導体装置の製造技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は製造コストの低減が達成できる半導体装置の製造技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、反りが発生し難い配線基板を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１４】
（１）半導体装置は、
第１の面及びこの第１の面の反対面となる第２の面を有する絶縁性樹脂（例えば、エポキシ樹脂）で形成される四角形の樹脂体と、前記樹脂体内に封止される複数の金属（例えば、銅）のリードとからなり、前記リードは、一端側のリード部分を前記樹脂体の周縁部分に位置させて前記樹脂体の前記第１の面に露出させ、他端側のリード部分を前記四角形の内側に向かって延在させるとともに前記樹脂体の前記第２の面に露出させる構造となる配線基板と、
前記樹脂体の前記第１の面に接着剤を介して固定される半導体チップと、
前記半導体チップの各電極と前記一端側のリード部分を電気的に接続する接続手段（例えば、ワイヤ）と、
前記半導体チップ及び前記接続手段を覆い、かつ前記配線基板に重なる絶縁性樹脂（例えば、エポキシ樹脂）からなる樹脂層と、
前記樹脂体の前記第２の面に露出する前記他端側のリード部分に形成された突起電極とを有することを特徴とする。
【００１５】
また、前記絶縁体の前記第２の面に露出する前記リードの前記他端側のリード部分は、四角形の前記樹脂体の各辺に沿って複数列に配置されている。前記接続手段が接続される前記リード部分の表面には金属メッキ膜が形成され、前記突起電極が形成される前記リード部分の表面には金属メッキ膜が形成されている。前記絶縁体の周縁、前記樹脂層の周縁及び前記リードの外端縁は一致している。前記リードの厚さは７５〜１００μｍ、前記樹脂体の厚さは２５０〜３００μｍ、前記樹脂層の厚さは３００〜４００μｍである。
【００１６】
このような半導体装置は、
（ａ）単位リードパターンをマトリックス状に複数配置した金属（例えば、銅）からなるリードフレームと、前記リードフレームを絶縁性樹脂（エポキシ樹脂）で封止して形成した樹脂体とからなり、前記単位リードパターンに対応する部分が製品形成部を構成する配線基板を準備する工程、
（ｂ）前記各製品形成部の第１の面に少なくとも一つの半導体チップを固定する工程、
（ｃ）前記半導体チップの電極を接続手段（例えば、ワイヤ）によって前記配線基板に電気的に接続する工程、
（ｄ）前記配線基板の前記第１の面に絶縁性樹脂による樹脂層（例えば、エポキシ樹脂）を形成して前記半導体チップ及び前記接続手段を覆う工程、
（ｅ）前記各製品形成部において、前記配線基板の第２の面に外部電極端子（ボール電極を接続）を形成する工程、
（ｆ）前記配線基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって半導体装置を製造する方法であって、
前記工程（ａ）で準備する前記配線基板における前記リードフレームの前記単位リードパターンは、四角形の枠と、前記枠の内側から枠内側に片持ち梁状に突出する複数のリードとからなり、前記枠は前記製品形成部の境界に沿って延在するパターンとなり、前記枠の表面は前記樹脂体の第１の面に露出し、前記枠から延在する前記各リードは途中から階段状に折れ曲がる構造となって前記樹脂体内を延在し、その先端を前記樹脂体の第１の面の反対面となる第２の面に露出させる構造となり、
前記工程（ｂ）では、前記半導体チップは接着剤によって前記樹脂体に固定し、
前記工程（ｃ）では、前記半導体チップの電極と前記リードを前記接続手段で接続し、
前記工程（ｆ）では、前記個片化された部分に前記半導体チップ及び前記接続手段が位置するように前記枠の近傍で前記リードを切断することによって製造される。
【００１７】
また、前記工程（ａ）では、前記リードフレームの前記各リードの先端部分が前記枠の各辺に沿って複数列に配置されるように形成する。前記リードフレームは７５〜１００μｍの金属板から形成し、前記樹脂体は２５０〜３００μｍの厚さに形成し、前記樹脂層は３００〜４００μｍの厚さに形成する。前記工程（ａ）では、前記リードフレームをトランスファモールディング装置の下型と上型とからなる成形金型にシートを介して型締めしてトランスファモールディングを行い、前記枠の表面が前記樹脂体の第１の面に露出し、前記各リードの前記先端が前記樹脂体の前記第２の面に露出する構造の前記配線基板を形成する。前記工程（ｄ）と前記工程（ｅ）との間において、前記配線基板の表面に露出する前記リード部分の表面に金属メッキ膜（例えば、半導体チップ固定部分はＡｇ／Ｃｕメッキ膜、外部電極端子形成部分はＡｕ／Ｎｉメッキ膜）を形成する。
【００１８】
この半導体装置の製造方法においては、予め下記の配線基板を製造しておいて使用することができる。
【００１９】
配線基板は、
単位リードパターンをマトリックス状に複数配置した金属からなるリードフレームと、前記リードフレームを絶縁性樹脂で封止して形成した樹脂体とからなり、前記単位リードパターンに対応する部分が製品形成部を構成する配線基板であって、
前記単位リードパターンは、四角形の枠と、前記枠の内側から枠内側に片持ち梁状に突出する複数のリードとからなり、前記枠は前記製品形成部の境界に沿って延在するパターンとなり、前記枠の表面は前記樹脂体の第１の面に露出し、前記枠から延在する前記各リードは途中から階段状に折れ曲がる構造となって前記樹脂体内を延在し、その先端を前記樹脂体の第１の面の反対面となる第２の面に露出させる構造となっている。また、前記各リードの先端部分は前記枠の各辺に沿って複数列に配置され、前記樹脂体の前記第１及び第２の面に露出する前記リードの表面には金属メッキ膜が形成されている。
【００２０】
（２）上記（１）の構成において、前記樹脂体の第１の面は部分的に一段低く窪み、前記窪みの底に前記接着剤を介して前記半導体チップが固定されている。
【００２１】
このような半導体装置は、上記（１）の半導体装置の製造方法において、前記工程（ａ）では、前記リードフレームをトランスファモールディング装置の下型と上型とからなる成形金型にシートを介して型締めしてトランスファモールディングを行い、前記枠の表面が前記樹脂体の第１の面に露出し、前記各リードの前記先端が前記樹脂体の前記第２の面に露出し、かつ前記半導体チップを固定する前記樹脂体部分が一段窪んだ構造の前記配線基板を形成することによって製造される。
【００２２】
（３）上記（１）の構成において、前記配線基板には、前記樹脂体の前記第１の面に表面を露出する金属の支持体と、前記支持体に連なり前記樹脂体の周縁にまで延在する複数の金属の吊りリードとをさらに有し、前記半導体チップは前記支持体に接着剤を介して固定され、前記樹脂層は前記半導体チップ、前記接続手段、前記支持体及び前記吊りリードを覆う構造になっている。
【００２３】
このような半導体装置は、
上記（１）の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ａ）で準備する前記配線基板における前記リードフレームの前記単位リードパターンは、前記四角形の枠及び前記リードに加えて、前記枠内に位置する支持体と、前記枠から延在し前記支持体を支持する複数の吊りリードとを有し、前記支持体の表面は前記枠の表面と同様に前記樹脂体の第１の面に露出した構造となり、
前記工程（ｂ）では、前記支持体の表面に接着剤によって前記半導体チップを固定し、  前記工程（ｄ）では、前記配線基板の前記第１の面に絶縁性樹脂による樹脂層を形成して前記半導体チップ、前記接続手段、前記支持体及び吊りリードを覆うことによって製造される。
【００２４】
この半導体装置の製造方法においては、予め下記の配線基板を製造しておいて使用することができる。
【００２５】
配線基板は、
単位リードパターンをマトリックス状に複数配置した金属からなるリードフレームと、前記リードフレームを絶縁性樹脂で封止して形成した樹脂体とからなり、前記単位リードパターンに対応する部分が製品形成部を構成する配線基板であって、
前記単位リードパターンは、四角形の枠と、前記枠内に位置する支持体と、前記枠から延在し前記支持体を支持する複数の吊りリードと、前記枠の内側から枠内側に片持ち梁状に突出する複数のリードとからなり、前記枠は前記製品形成部の境界に沿って延在するパターンとなり、前記枠及び前記支持体の表面は前記樹脂体の第１の面に露出し、前記枠から延在する前記各リードは途中から階段状に折れ曲がる構造となって前記樹脂体内を延在し、その先端を前記樹脂体の第１の面の反対面となる第２の面に露出させる構造となっている。また、前記各リードの先端部分は前記枠の各辺に沿って複数列に配置され、前記樹脂体の前記第１及び第２の面に露出する前記リードの表面には金属メッキ膜が形成されている。
【発明の効果】
【００２６】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
前記（１）の手段によれば、（ａ）半導体装置の製造に使用する配線基板は、厚さ３００μｍの樹脂体と、この樹脂体に封止された厚さ７５〜１００μｍの金属のリードフレームとで形成されている。厚さ７５〜１００μｍのリードフレームは充分な強度部材となる。また、リードフレームは、単位リードパターンをマトリックス状に配列したパターンとなっている。そして、単位リードパターンは、四角形の枠と、この枠の内側から枠内側に突出する複数のリードとからなっている。前記枠及び枠から延在するリード部分（一端側のリード部分）は樹脂体の第１の面に露出している。また、前記第１の面に露出する一端側のリード部分に連なるリード部分は樹脂体の第２の面に向かって延在し、その先端側である他端側のリード部分は樹脂体の第２の面に露出する構造となっている。従って、配線基板においては第１及び第２の面にリード部分を有し、第１の面から第２の面に向かう筋交い配置のリード部分を有することから、配線基板は反り難いものとなる。
【００２７】
（ｂ）前記（ａ）で説明した反り難い構造の配線基板を使用して半導体装置を製造する場合、配線基板の第１の面に樹脂層を形成した段階において、樹脂体と樹脂層との接着界面部分には、リードフレームの前記四角形の枠と、この枠の内側から突出する一端側のリード部分が、樹脂体と樹脂層とから構成される樹脂部の中段（中層）の心材となるため、樹脂部は反り難くなる。即ち、樹脂体の第１の面部分の高さ（中段）においては、リード部分の下側には２００μｍの厚さに樹脂体が重なり、リード部分の上側には４００μｍの厚さの樹脂層が重なることになり、配線基板の厚さ方向の樹脂のバランスが良好となり、金属のリードと樹脂からなる樹脂体との熱膨張係数の違いによっても反り難くなる。
【００２８】
特に、樹脂体と樹脂層を同じ材質の樹脂（エポキシ樹脂）で形成した場合には、樹脂部の中段に位置するリードフレーム部分の上下面側にそれぞれ同じ機械的強度を有する樹脂（樹脂体及び樹脂層）が位置することになり、樹脂部の反り発生がより一層抑えられることになる。
【００２９】
（ｃ）前記（ｂ）で説明したように、配線基板に樹脂層を形成した段階でも樹脂層付き配線基板は反り難く、平坦を維持することから、配線基板の第２の面にボール電極を接続して外部電極端子を形成する場合、外部電極端子の形成部分である他端側のリード部分の位置のズレがない、あるいは小さいので、ボール電極を治具を使用して供給しても供給する全てのボール電極は高精度に供給されることになり、接続の信頼性が高い外部電極端子を高歩留りに形成することができる。従って、品質の優れた半導体装置を高歩留りに製造することができる。
【００３０】
（ｄ）配線基板を樹脂層共々切断（個片化）することによって半導体装置が複数製造される。製造された半導体装置の外周部分（四角形の４辺部分）の配線基板と樹脂層との接着面部分には、リード部分（一端側のリード部分）が密に配置されている。この密に配置されたリード部分（一端側のリード部分）は、四角形の配線基板の周辺全体の機械的強度部材として作用すること、また樹脂体と樹脂層とからなる樹脂部の中段に位置することから、半導体装置の反りも防止することができる。従って、半導体装置の反りに伴う実装時の実装不良の発生を抑止することができる。
【００３１】
（ｅ）配線基板として、従来使用する高価なガラス・エポキシ樹脂配線基板に代えて、リードフレームとこのリードフレームを樹脂（エポキシ樹脂）で封止した安価な配線基板を使用して半導体装置を製造することから、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００３２】
前記（２）の手段によれば、上記（ａ）乃至（ｅ）に記載の効果を得ることができるとともに、半導体装置の薄型化を図ることができる。即ち、樹脂体の第１の面に窪みを設け、この窪みの底に半導体チップを固定する構造とすることから、半導体チップの高さ及び半導体チップの電極と配線基板を接続する接続手段（例えば、ワイヤ）の高さを低くできるため、樹脂層の厚さも薄くできる。この結果、半導体装置の薄型化を図ることができるようになる。
【００３３】
前記（３）の手段によれば、上記（ａ）乃至（ｅ）に記載の効果を得ることができるとともに、放熱性が良好な半導体装置を得ることができる。即ち、樹脂体の第１の面に樹脂体の外周にまで延在する吊りリードに連結される支持体が設けられ、この支持体上に半導体チップが固定されていることから、半導体チップで発生した熱は支持体及び吊りリードを介して樹脂体及び樹脂層の外周面側に速やかに伝達されることになり、放熱性が良好となり、半導体装置の安定動作が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００３５】
図１乃至図１２は本発明の実施例１である半導体装置及びその製造方法に係わる図である。図１及び図２は半導体装置の構造に係わる図であり、図３乃至図１２は半導体装置の製造方法に係わる図である。
【００３６】
実施例１においては、ＢＧＡ型の半導体装置及びその製造方法に本発明を適用した例について説明する。半導体装置１は図１及び図２に示すような構造になっている。図１は半導体装置の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００３７】
実施例１の半導体装置１は、図１及び図２に示すように、外観的には、四角形の配線基板２と、前記配線基板２の第１の面２ａ上に形成された樹脂層７と、配線基板２の第１の面２ａの反対面となる第２の面２ｂに取り付けられた複数の外部電極端子５とからなっている。外部電極端子５は、特に限定はされないが、図１に示すように、四角形の配線基板２の各辺に沿って２列に配置された構造になっている。
【００３８】
配線基板２は、図２に示すように、四角形の樹脂体３と、この樹脂体３に封止された金属からなる複数のリード４とによって形成されている。リード４は、例えば、プレスによって階段状に屈曲し、その外端を樹脂体３の外周部分に位置させている。リード４は、鉄−ニッケル系合金、あるいは銅等、半導体装置の製造に用いる金属が使用される。リード４は、厚さ７５〜１００μｍの銅で形成される。実施例では、リード４は銅からなり、その厚さは１００μｍとなっている。樹脂体３は、例えば、厚さ３００μｍのエポキシ樹脂で形成されている。
【００３９】
樹脂体３の外周部分に位置するリード部分（一端側のリード部分４ａ）は、図２に示すように、樹脂体３の第１の面３ａに表面（上面）が露出する構造になっている。また、リード４の内端（先端）のリード部分（他端側のリード部分４ｂ）の表面（下面）は樹脂体３の第１の面３ａの反対面となる第２の面３ｂに露出する構造になっている。リード４も平面において必要に応じて屈曲している。
【００４０】
リード４は四角形の樹脂体３の各辺において、図１に示すように、並列に複数配置されているが、一部のものに比較して残りのものは長く延在している。この結果、樹脂体３の第２の面３ｂに露出する他端側のリード部分４ｂは、各辺に沿って２列に配置されることになる。前記他端側のリード部分４ｂにはボール電極５ａ（金属ボール）が取り付けられて外部電極端子５が形成されている。
【００４１】
樹脂体３の第２の面３ｂと他端側のリード部分４ｂの表面は、特に限定はされないが、図２に示すように、同一の平面に位置している。そして、露出する他端側のリード部分４ｂには金属メッキ膜６が形成されている。この金属メッキ膜６は、例えば、５．０μｍの厚さのＮｉ層と、このＮｉ層上に設けられる厚さ０．５μｍのＡｕ層とからなっている。ボール電極５ａはこの金属メッキ膜６によって他端側のリード部分４ｂに接続されている。ボール電極５ａの直径は、例えば、０．２５ｍｍであり、外部電極端子５のピッチは、例えば、０．４ｍｍである。図１には、リード４及び外部電極端子５を点々で表示してある。なお、ボール電極５ａ（金属ボール）は鉛を含まない半田ボール、あるいは鉛を含む半田ボールのいずれでもよい。
【００４２】
一方、樹脂体３の第１の面３ａの中央部分には、厚さ１０μｍ程度のダイアタッチテープからなる接着剤８によって半導体チップ９が固定されている。半導体チップ９の露出する表面には、図示はしないが、電極が設けられている。そして、この電極と配線基板２の配線となる他端側のリード部分４ｂが接続手段によって電気的に接続されている。接続手段は、例えば、導電性のワイヤ１０であり、ワイヤ１０によって半導体チップ９の電極と樹脂体３の第１の面３ａに露出する他端側のリード部分４ｂが接続されている。他端側のリード部分４ｂの表面には金属メッキ膜１１が形成され、この金属メッキ膜１１に前記ワイヤ１０が接続される。金属メッキ膜１１は、例えば、厚さ０．１μｍのＣｕ層と、このＣｕ層上に形成される１．５μｍのＡｇ層とからなっている。
【００４３】
また、樹脂体３の第１の面３ａの全域には樹脂層７が設けられている。この樹脂層７によって半導体チップ９及び接続手段であるワイヤ１０は覆われる（封止される）。樹脂層７は樹脂体３と同じ材質（特性）のエポキシ樹脂で形成されている。
【００４４】
半導体チップ９は、例えば、一辺が４ｍｍの正方形となるとともに、その厚さが２００μｍになっている。このような半導体チップ９を搭載する場合、樹脂層７の厚さは、例えば、４００μｍとなり、樹脂体３及び樹脂層７は共に一辺が５ｍｍの正方形になっている。樹脂体３及び樹脂層７の周縁は一致し、かつリード４の外端面は樹脂体３及び樹脂層７の周面と一致している。樹脂体３及び樹脂層７はいずれも同じ材質のエポキシ樹脂で形成され、かつ周縁が一致して重なることから、樹脂体３及び樹脂層７を、以後の説明において、樹脂部とも呼称する。
【００４５】
他方、リード４の外端、即ち、一端側のリード部分４ａの端は樹脂部の周面に露出している。半導体装置１の中層（中段）部分、即ち、樹脂体３と樹脂層７の重なり部分の外周部分には、図１及び図２に示すように、リード４（一端側のリード部分４ａ）が並んで位置していることから、樹脂部の中層部分の機械的強度が高くなるため、配線基板は反り難くなる。
【００４６】
即ち、中層に位置するリード４の下層及び上層には、同じ材質の樹脂（エポキシ樹脂）が重なる状態となることから、厚さ方向の樹脂のバランスが良好となり、熱ストレスの発生が小さくなり、リードを含む配線基板及び樹脂層が反り難くなる。また、１００μｍの厚さのリードの下に２００μｍの厚さに樹脂体３が重なり、リードの上に４００μｍの厚さの樹脂層７が重なる状態では、共に樹脂の厚さが薄く、反りを発生させるに強く作用させる程の厚さでないことから、半導体装置１に反りが発生し難くなる。
【００４７】
なお、半導体チップ９の上面からのワイヤ１０の高さは、例えば、１２０μｍ以下にされる。この結果、ワイヤ１０上の樹脂層７を形成するエポキシ樹脂の厚さは、少なくとも７０μｍとなり、封止体としての樹脂層７は良好な耐湿性を維持することができる。
【００４８】
つぎに、実施例１の半導体装置１の製造方法について、図３乃至図１２を参照して説明する。実施例１の半導体装置は、図３のフローチャートで示すように、配線基板準備（Ｓ１０１）、半導体チップ固定（Ｓ１０２）、ワイヤボンディング（Ｓ１０３）、樹脂層形成（Ｓ１０４）、外部電極端子形成（Ｓ１０５）、個片化（Ｓ１０６）の各工程を経て製造される。図４（ａ）〜（ｅ）は半導体装置の製造方法における各工程での製造品の模式的断面図である。図４（ａ）は配線基板（配線母基板）の断面図、図４（ｂ）は半導体チップを固定した状態を示す断面図、図４（ｃ）は樹脂層を形成した状態を示す断面図、図４（ｄ）は外部電極端子を形成する状態を示す断面図、図４（ｅ）は個片化の状態を示す断面図である。
【００４９】
半導体装置１の製造においては、最初に配線基板が準備される。一括モールド方式で使用する配線基板は、半導体装置を製造する製品形成部をマトリックス状に配列した構造になっていて、製造の最終段階で配線基板を縦横に切断して複数の半導体装置を製造する。そこで、一括モールド方式で使用する配線基板を、特に配線母基板１５とも呼称する。図５は配線母基板（配線基板）１５の平面図である。図６は配線母基板１５の製品形成部１６の拡大平面図、図７は図６のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図８は配線母基板１５の製品形成部１６の拡大底面図である。
【００５０】
配線母基板１５は、金属（例えば、銅）からなるリードフレーム１７と、このリードフレーム１７を封止する樹脂体３とで形成されている。図５乃至図８において、点々を施した部分が樹脂体３である。樹脂体３はエポキシ樹脂である。
【００５１】
リードフレーム１７は図９乃至図１１に示す構造になっている。図９は配線母基板を製造するためのリードフレームの平面図であり、図１０はリードフレームの単一のリードパターンの拡大平面図、図１１は図１０のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【００５２】
リードフレーム１７は、図９に示すように、単位リードパターン２０をマトリックス状に配置した構造になっている。特に限定はされないが、図９では単位リードパターン２０は４行７列で合計２８個配列されている。単位リードパターン２０群を囲む枠状の部分が枠部１７ａである。枠部１７ａには位置決め時あるいは搬送時に使用するガイド孔１７ｂが設けられている。また、枠部１７ａには配線母基板１５を切断する際の目印になる切断マーク１７ｃ，１７ｄが設けられている。
【００５３】
単位リードパターン２０は、四角形の枠２１と、枠２１の内側から枠内側に片持ち梁状に突出する複数のリード４とからなっている。実施例１では、リード４は四角形枠の各辺からそれぞれ突出する構造となっているが、例えば、対面する一対の辺の内側からそれぞれリードを突出させる構造でもよい。枠２１の各辺は隣接する単位リードパターン２０の枠を構成している。従って、隣接する単位リードパターン２０同士の境界線は枠２１の中心線ということになる。しかしながら、製品状態ではこの枠２１は除去され、各リード４は分離状態となる。
【００５４】
リードフレーム１７をエポキシ樹脂で封止することによって、図５に示すように配線母基板１５が製造される。この際、リードフレーム１７の単位リードパターン２０に対応する部分は、半導体装置１を製造する製品形成部１６となる。製品形成部１６は単位リードパターン２０と樹脂体３とによって形成される。従って、隣接する製品形成部１６同士の境界線は枠２１の中心線ということになる。換言するならば、枠２１は製品形成部１６の境界に沿って延在するパターンとなる。
【００５５】
リードフレーム１７は、図９乃至図１１に示すように、第１の面１７ｆと、この第１の面１７ｆの反対面となる第２の面１７ｇを有する。そして、前記枠部１７ａ及び枠２１の第１の面１７ｆは同一平面上に位置し、延在するリード４が途中で階段状に屈曲する構造になっている。従って、リードフレーム１７は全体的には平坦な板材となる。
【００５６】
また、各リード４は、図１１に示すように、途中から階段状に一段折れ曲がる構造となるとともに、リード４の先端は再び第１の面に平行な面となり、図１０に示すように、ボール電極５ａを接続できるような円形のパターンになっている。前記階段状の折れ曲がりは、例えば、プレス機械による折り曲げによって形成される。また、一部のリード４に対して一部のリード４は長く延在し、先端が枠２１の各辺に沿って２列に位置するようになっている。これは、外部電極端子をグリッド・アレイ（ＧＡ）構造とするためである。実施例では２列であるが、さらに多い列とすることも可能である。
【００５７】
なお、既に説明した半導体装置１におけるリード４の呼称部分と一致させるため、枠２１から突出するリード部分、即ち、枠２１の付け根部分のリード部分を、一端側のリード部分４ａとも呼称し、リード４の先端を他端側のリード部分４ｂとも呼称する。
【００５８】
前記一端側のリード部分４ａの第１の面１７ｆは、枠２１及び枠部１７ａの第１の面１７ｆと同じ面となる。他端側のリード部分４ｂの第２の面１７ｇから一端側のリード部分４ａの第１の面１７ｆに至る高さ（厚さ）、換言するならば、配線母基板１５の厚さは、特に限定はされないが、例えば、３００μｍである。実施例では、リードフレーム１７の厚さは１００μｍである。
【００５９】
このようなリードフレーム１７を、図１２（ａ）に示すように、トランスファモールディング装置の下型２５と上型２６とからなる成形金型２７に弾力性のあるシート２８，２９を介して型締めし、図１２（ｂ）に示すように、ゲート３０から下型２５と上型２６によって形成されたキャビティ３１内に樹脂３２（エポキシ樹脂）を圧入させ、かつ樹脂をキュアーさせることによって硬化した樹脂体３を形成して配線母基板１５を製造する。図１２（ｂ）では、樹脂３２は点々を施した部分で示してある。このトランスファモールディングにおいては、リードフレーム１７の一端側のリード部分４ａ及び枠２１の表面を樹脂体３の第１の面３ａに露出させ、リードフレーム１７の他端側のリード部分４ｂを樹脂体３の第２の面３ｂ側に露出させるようにモールドを行う。モールド後、成形金型２７を型開きしてリードフレーム１７と樹脂体３とからなる配線母基板１５を取り出す。このようにして形成された配線母基板１５が、図４（ａ）及び図５に示されるものである。
【００６０】
図７に示すように、リードフレーム１７の第１の面１７ｆは、配線母基板１５の第１の面１５ａを樹脂体３の第１の面３ａと共に形成する。また、リードフレーム１７の他端（先端：他端側のリード部分４ｂ）の第２の面１７ｇは、配線母基板１５の第２の面１５ｂを樹脂体３の第２の面３ｂと共に形成する。また、製品形成部１６の境界部分はリードフレーム１７の枠部１７ａによって形成される。
【００６１】
図６に示すように、製品形成部１６においては、枠２１及び一端側のリード部分４ａの表面（第１の面１７ｆ）は配線母基板１５の第１の面１５ａ、即ち、樹脂体３の第１の面３ａに露出する。また、図７に示すように、枠２１の各辺の内側から延在するリード４は途中から階段状に折れ曲がる構造となって樹脂体３内を延在し、その先端（他端側のリード部分４ｂ）の第２の面１７ｇを、図７及び図８に示すように、樹脂体３の第２の面３ｂ、即ち、配線母基板１５の第２の面１５ｂに露出させる構造となっている。
【００６２】
リードフレーム１７を樹脂体３で封止した後、樹脂体３の表面に露出するリードフレーム部分に対してメッキ処理を行う。このメッキ処理は、メッキ膜を形成しない配線母基板面をマスキングして２度に亘って行う。図７に示すように、例えば、１回目のメッキ処理によって、ワイヤ１０を接続する一端側のリード部分４ａの表面（第１の面１７ｆ）に金属メッキ膜１１を形成し、２回目のメッキ処理によって、ボール電極５ａを接続する他端側のリード部分４ｂの表面（第２の面１７ｇ）に金属メッキ膜６を形成する。金属メッキ膜６は、例えば、０．５μｍの厚さのＮｉ層と、このＮｉ層上に設けられる厚さ０．５μｍのＡｕ層とからなっている。金属メッキ膜１１は、例えば、厚さ０．１μｍのＣｕ層と、このＣｕ層上に形成される１．５μｍのＡｇ層とからなっている。なお、図４乃至図６、図８では金属メッキ膜は省略してある。また、実施例では、樹脂体３の形成後に金属メッキ膜６、１１を形成したが、樹脂体３の形成前にリードフレーム１７にそれぞれ金属メッキ膜６、１１を形成しておいてもよい。この場合、金属メッキ膜６、１１の表面はそれぞれ樹脂体３の表面と一致する構造になる。
【００６３】
実施例の配線母基板１５は、厚さ１００μｍの金属のリードフレーム１７を樹脂体３で封止した構造になっているとともに、配線母基板１５の周辺は、例えば、幅が１０ｍｍとなるリードフレーム１７の枠部１７ａで形成されていることから、この枠部１７ａが強度部材として作用するため、配線母基板１５は反り難くなる。
【００６４】
また、リードフレーム１７の枠２１の各辺は枠部１７ａ内を格子状に延在していることから、この枠２１も強度部材として作用し、配線母基板１５を反り難くする。
【００６５】
さらに、四角形の各枠２１においては、枠２１の各辺の内側から枠の内側に向かって複数のリード４が片持ち梁状に延在し、樹脂体３に噛み合うことから、これらリード４も強度部材として作用し、配線母基板１５は反り難くなる。配線母基板１５を断面的に見ると、樹脂体３の第１の面３ａ側にはリードフレーム１７の枠部１７ａ、枠２１及び一端側のリード部分４ａが寄り、樹脂体３の第２の面３ｂ側にはリードフレーム１７の他端側のリード部分４ｂ（先端側）が寄り、リード４は樹脂体３の第１の面３ａから第２の面３ｂに向かって延在している。そして、製品形成部１６では、四角形の枠２１の各辺の内側から枠の内側に向かって複数のリード４が片持ち梁状にかつ階段状に延在する。樹脂体３の内部を階段状に延在する複数のリード４は、各部でその方向を違え、中央から外側に放射状に近いパターンで配置されるため、建物の筋交いのような役割を果たすことになり、さらに配線母基板１５を反り難くする。
【００６６】
このようにして製造した配線母基板１５に対して半導体チップが固定される。図４（ｂ）は、各製品形成部１６の樹脂体３の第１の面３ａに半導体チップ９を固定した状態を示す模式図である。図４（ｂ）には、製品形成部１６の中央部分の樹脂体３の第１の面３ａに接着剤８（図２参照）によって半導体チップ９が位置決め固定されている（Ｓ１０２）。
【００６７】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、各製品形成部１６において、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ９の図示しない電極と一端側のリード部分４ａを導電性のワイヤ１０で接続する（Ｓ１０３）。
【００６８】
つぎに、図４（ｃ）に示すように、配線母基板１５の第１の面１５ａに樹脂層７を形成する（Ｓ１０４）。樹脂層７は、例えばトランスファモールディング法によって形成される。即ち、トランスファモールディング装置によって全ての製品形成部１６を覆うように樹脂層７が形成される。各製品形成部１６の半導体チップ９及びワイヤ１０は樹脂層７によって覆われる。この樹脂層７の形成において、熱膨張係数がそれぞれ異なる金属のリードフレーム１７、樹脂層７、半導体チップ９、樹脂層７等が加熱されても、配線母基板１５は上述のように反り難い構造になっていることから、樹脂層７付きの配線母基板１５の反りは小さい（例えば、１００ｍｍ当たり２．０ｍｍ程度以下の反り）。
【００６９】
つぎに、図４（ｄ）に示すように、樹脂層７の表面にダイシングテープ２４を接着し、ダイシングテープ２４によって配線母基板１５を支持する。その後、配線母基板１５の第２の面１５ｂに露出する各他端側のリード部分４ｂ上にボール電極５ａを供給して外部電極端子５を形成する（Ｓ１０５）。ボール電極５ａの供給は、ボール電極搭載ヘッド３５で行う。ボール電極搭載ヘッド３５は、図４（ｄ）に示すように、箱体からなり、箱体の底板３６に下面にボール電極５ａを真空吸着保持できる吸着孔３７を有している。この孔は複数設けられ、配線母基板１５の第２の面１５ｂに露出する他端側のリード部分４ｂ（リード４の先端）に対応している。ボール電極搭載ヘッド３５は、図示しない平面ＸＹ方向及び垂直方向に制御される図示しないアームの先端に取り付けられて位置制御されるようになっている。また、箱体には真空吸引装置に接続されるパイプが接続されている。従って、ボール電極搭載ヘッド３５の各吸着孔３７にボール電極５ａを真空吸着した状態でアームを操作してボール電極搭載ヘッド３５を配線母基板１５上に位置決め供給することができる。即ち、ボール電極搭載ヘッド３５は各吸着孔３７にボール電極５ａを真空吸着保持した状態で図示しないテーブル上に載置された配線母基板１５上に運ばれる。その後、真空吸引装置のオフ制御によって吸着孔３７に真空吸着保持されているでボール電極５ａを吸着孔３７から脱落させて、近接する他端側のリード部分４ｂ上にボール電極５ａを供給する。さらに、ボール電極５ａは図示しない熱風等の加熱機構によって加熱されるため、ボール電極５ａは他端側のリード部分４ｂに球状状態で接続される。
【００７０】
配線母基板１５は、上述のようにトランスファモールディングによって樹脂層７を形成した段階においても、反りが小さいことから、配線母基板１５の第２の面１５ｂの他端側のリード部分４ｂの位置関係は大きくずれることはない。この結果、ボール電極搭載ヘッド３５によって配線母基板１５に一括して正確にボール電極５ａを供給することができ、良好に外部電極端子５を形成することができる。
【００７１】
つぎに、図４（ｅ）に示すように、配線母基板１５を図示しないダイシングブレードで縦横に切断して配線母基板１５を個片化する（Ｓ１０６）。ダイシングブレードによる切断によって形成される切断溝４０の底はダイシングテープ２４の途中深さまでとされる。これにより、個片化された半導体装置１はダイシングテープ２４に支持されることになる。そこで、ダイシング終了後、ダイシングテープ２４を剥がすことによって、図１及び図２に示す半導体装置１を複数製造することができる。配線母基板１５は切断されて配線基板２になる。配線母基板１５を構成する樹脂体３及び樹脂層７は切断されて半導体装置１の樹脂体３及び樹脂層７を形成する。図４（ｅ）では、ダイシングブレードで１本の切断溝４０を形成して個片化を図っているが、２本のダイシングブレードで２本の切断溝を形成して個片化を図るようにしてもよい。１本の切断溝４０の場合は、リードフレーム１７の枠２１を枠２１に反って切断除去してリード４を分離するが、２本のダイシングブレードで２本の切断溝を形成して個片化を図る場合は、枠２１を切断することなく枠２１の左右から突出するリード４の付け根部分を横切るように切断することになる。いずれの切断方法でもよい。
【００７２】
図１３（ａ），（ｂ）は、実施例１の第１の変形例における配線母基板の製造方法を示す断面図である。
【００７３】
この変形例では、実施例１の半導体装置の製造方法における配線母基板１５の製造の段階で、図１３（ａ）に示すように、リードフレーム１７の第１の面１７ｆを樹脂体３で覆い、その後、リードフレーム１７上の樹脂体３の第１の面３ａを研磨して枠２１及び枠部１７ａ（図１３では図示せず）の第１の面１７ｆを樹脂体３の第１の面３ａに露出させるものである。
【００７４】
即ち、リードフレーム１７をトランスファモールディング装置の下型と上型とからなる成形金型にシートを介して型締めした後、モールディングを行いリードフレーム１７の第１の面１７ｆを樹脂層７で覆う。この際、リードフレーム１７の第２の面１７ｇは、実施例１と同様に樹脂体３の第２の面３ｂに露出するようにトランスファモールディングを行う。その後、樹脂体３の第１の面３ａ側を研磨して枠２１及び枠部１７ａを露出させて配線母基板１５を形成する。また、図示はしないが、樹脂体３の第１及び第２の面３ａ，３ｂに露出する少なくとも一端側のリード部分４ａ及び他端側のリード部分４ｂの表面に金属メッキ膜をそれぞれ形成して配線母基板１５の製造を終了する。この変形例によれば、樹脂充填性、リードの反り・傾きの修正効果がある。
【００７５】
図１４乃至図１７は実施例１の第２の変形例による半導体装置とその製造方法に係わる図である。図１４は半導体装置の一部を切り欠いた平面図、図１５は図１４のＤ−Ｄ線に沿う断面図、図１６は半導体装置の製造に使用するリードフレームの単位リードパターンを示す平面図、図１７は配線母基板１５の製品形成部１６を示す平面図である。
【００７６】
この変形例は、図１４及び図１５に示すように、複数の半導体チップ、例えば、２個の半導体チップ９ａ，９ｂを樹脂体３に固定し、かつこれら各半導体チップ９ａ，９ｂの電極１３と樹脂体３の一端側のリード部分４ａを導電性のワイヤ１０で接続し、かつ半導体チップ９ａ，９ｂ及びワイヤ１０等を樹脂層７で覆った構造になっている。半導体チップを２個搭載し、かつ電極１３と一端側のリード部分４ａをワイヤ１０で接続するため、配線母基板１５の製品形成部１６は図１７に示すような構造となる。また、配線母基板１５を構成するリードフレーム１７の単位リードパターン２０は図１６に示すようなパターンになる。この変形例によれば、半導体装置の高集積度化が達成できる。
【００７７】
実施例１の半導体装置の製造技術によれば、以下の効果を有する。
【００７８】
（１）半導体装置１の製造に使用する配線母基板（配線基板）１５は、厚さ３００μｍの樹脂体３と、この樹脂体３に封止された厚さ１００μｍの金属のリードフレーム１７とで形成されている。厚さ１００μｍのリードフレーム１７は充分な強度部材となる。また、リードフレーム１７は、単位リードパターン２０をマトリックス状に配列したパターンとなっている。そして、単位リードパターン２０は、四角形の枠２１と、この枠２１の内側から枠内側に突出する複数のリード４とからなっている。前記枠２１及び枠２１から延在するリード部分（一端側のリード部分４ａ）は樹脂体３の第１の面３ａに露出している。また、樹脂体３の第１の面３ａに露出する一端側のリード部分４ａに連なるリード部分は樹脂体３の第２の面３ｂに向かって延在し、その先端側である他端側のリード部分４ｂは樹脂体３の第２の面３ｂに露出する構造となっている。従って、配線母基板１５においては第１及び第２の面１５ａ，１５ｂにリード部分を有し、第１の面１５ａから第２の面１５ｂに向かう筋交い配置のリード部分を有することから、配線母基板１５は反り難いものとなる。
【００７９】
（２）前記（１）で説明した反り難い構造の配線母基板１５を使用して半導体装置１を製造する場合、配線母基板１５の第１の面１５ａに樹脂層７を形成した段階において、樹脂体３と樹脂層７との接着界面部分には、リードフレーム１７の前記四角形の枠２１と、この枠２１の内側から突出する一端側のリード部分４ａが、樹脂体３と樹脂層７とから構成される樹脂部の中段（中層）の心材となるため、樹脂部は反り難くなる。即ち、樹脂体３の第１の面部分の高さ（中段）においては、リード部分の下側には２００μｍの厚さに樹脂体３が重なり、リード部分の上側には４００μｍの厚さの樹脂層７が重なることになり、配線母基板１５の厚さ方向の樹脂のバランスが良好となり、金属のリード４と樹脂からなる樹脂体３との熱膨張係数の違いによっても反り難くなる。
【００８０】
特に、樹脂体３と樹脂層７を同じ材質の樹脂（エポキシ樹脂）で形成した場合には、樹脂部の中段に位置するリードフレーム部分の上下面側にそれぞれ同じ機械的強度を有する樹脂（樹脂体３及び樹脂層７）が位置することになり、樹脂部の反り発生がより一層抑えられることになる。
【００８１】
（３）前記（２）で説明したように、配線母基板１５に樹脂層７を形成した段階でも樹脂層７付き配線母基板１５は反り難く、平坦を維持することから、配線母基板１５の第２の面１５ｂにボール電極５ａを接続して外部電極端子５を形成する場合、外部電極端子５の形成部分である他端側のリード部分４ｂの位置のズレがないあるいは小さいので、ボール電極５ａを治具を使用して供給しても供給する全てのボール電極５ａは高精度に供給されることになり、接続の信頼性が高い外部電極端子５を高歩留りに形成することができる。従って、品質の優れた半導体装置１を高歩留りに製造することができる。
【００８２】
（４）配線母基板１５を樹脂層７共々切断（個片化）することによって半導体装置１が複数製造される。製造された半導体装置１の外周部分（四角形の４辺部分）の配線基板２と樹脂層７との接着面部分には、リード部分（一端側のリード部分４ａ）が密に配置されている。この密に配置されたリード部分（一端側のリード部分４ａ）は、四角形の配線基板２の周辺全体の機械的強度部材として作用すること、また樹脂体３と樹脂層７とからなる樹脂部の中段に位置することから、半導体装置１の反りも防止することができる。従って、半導体装置１の反りに伴う実装時の実装不良の発生を抑止することができる。
【００８３】
（５）配線基板（配線母基板１５）として、従来使用する高価なガラス・エポキシ樹脂配線基板に代えて、リードフレーム１７とこのリードフレーム１７を樹脂（エポキシ樹脂）で封止した安価な配線基板（配線母基板１５）を使用して半導体装置１を製造することから、半導体装置１の製造コストの低減を図ることができる。
【実施例２】
【００８４】
図１８及び図１９は本発明の実施例２である半導体装置の断面図である。図１８は半導体装置の断面図、図１９は半導体装置の製造に用いるリードフレームと、そのリードフレームを使用して製造した配線母基板を示す断面図である。
【００８５】
実施例２は実施例１の配線母基板１５を構成するリードフレーム１７をエッチングで形成した例である。図１９（ａ）は、金属板の上下面をそれぞれ常用のエッチングによって選択的に除去して形成したリードフレーム１７の断面図である。リードフレーム１７の単位リードパターンは実施例１のリードフレームと同様である。図１９（ａ）において、一点鎖線間の部分が単位リードパターン２０である。そして、一点鎖線部分に枠２１が位置し、枠２１から突出するリード４部分が一端側のリード部分４ａである。そして、階段状に屈曲した先端がリード部分４ｂである。図１９（ｂ）はリードフレーム１７を樹脂体３で封止して形成した配線母基板１５の断面図である。図１９（ｂ）に示す配線母基板１５を用いて製造した半導体装置１が図１８で示す半導体装置１である。
【００８６】
このようにリードフレーム１７は、エッチングによって製造したものでも実施例１と同様の半導体装置１を製造することができる。従って、実施例２による半導体装置の製造技術によれば、実施例１と同様な効果を得ることができる。
【実施例３】
【００８７】
図２０乃至図２５は本発明の実施例３である半導体装置及びその製造方法に係わる図である。図２０は半導体装置の断面図である。図２１乃至図２５は半導体装置の製造方法に係わる図である。図２１は半導体装置の製造方法における各工程での製造品の断面図、図２２は製造で用いる配線母基板の平面図、図２３は配線母基板の製品形成部の拡大平面図、図２４は図２３のＥ−Ｅ線に沿う断面図、図２５は配線母基板の製造方法を示す断面図である。
【００８８】
実施例３の半導体装置１は、実施例１の半導体装置１において、図２０に示すように、樹脂体３の第１の面３ａは部分的に一段低く窪んだ窪み４５を有している。そして、この窪み４５上に接着剤８を介して半導体チップ９が固定されている。
【００８９】
このような半導体装置１は、実施例１の半導体装置の製造方法において、配線母基板１５の製造では、図２５（ａ）に示すように、トランスファモールディング装置の下型２５と上型２６とからなる成形金型２７にシート２８，２９を介してリードフレーム１７を型締めしてトランスファモールディングを行う。即ち、ゲート３０からキャビティ３１内に溶けた樹脂３２を圧入してリードフレーム１７を封止する。
【００９０】
この際、単位リードパターン２０の中央部分に対面する上型２６をあらかじめ部分的に突出させておくことによって、図２５（ａ）に示すように、周囲よりもキャビティ高さが低い低キャビティ部３３を形成することができる。この結果、図２５（ｂ）に示すように、樹脂３２をキャビティ３１に充填して樹脂体３を形成した場合、低キャビティ部３３によって窪み４５が形成される。図２４は配線母基板１５の第１及び第２の面１５ａ，１５ｂに金属メッキ膜１１，６を形成した製品形成部１６の断面を示す図であるが、配線母基板１５の第１の面１５ａに窪み４５が形成されている。図２２は、製造された配線母基板１５の平面図である。各製品形成部１６の中央に窪み４５が形成されている。図２３は製品形成部１６の拡大平面図であり、図２４は図２３のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。図２４では、金属メッキ膜６及び金属メッキ膜１１が形成された状態の配線母基板１５を示す図である。
【００９１】
製品形成部１６に窪み４５を有する配線母基板１５を使用する半導体装置の製造方法を図２１（ａ）〜（ｅ）に示す。図２１（ａ）〜（ｅ）は実施例１の図４（ａ）〜（ｅ）に対応する図であり、配線母基板１５に窪み４５を設けた点以外は図４（ａ）〜（ｅ）に示す図と同じである。なお図２１（ｄ）ではボール電極搭載ヘッド３５は省略してある。
【００９２】
実施例３の半導体装置の製造方法においては、図２１（ａ）に示すように窪み４５を有する配線母基板１５を準備した後、図２１（ｂ）に示すように、各窪み４５の底に接着剤８（図２０参照）によって半導体チップ９をそれぞれ固定する。その後、図２１（ｂ）に示すように、実施例１と同様に、半導体チップ９の図示しない電極と一端側のリード部分４ａをワイヤ１０で電気的に接続する。ワイヤ１０は一端側のリード部分４ａの表面に設けられた金属メッキ膜１１（図２０参照）上に接続される。その後は、実施例１と同様に、図２１（ｃ）に示すように、配線母基板１５上に樹脂層７を形成する。つぎに、実施例１と同様に、図２１（ｄ）に示すように、配線母基板１５の第２の面１５ｂの他端側のリード部分４ｂにボール電極５ａを接続して外部電極端子５を形成する。ボール電極５ａは他端側のリード部分４ｂの表面に設けられた金属メッキ膜６上に接続される（図２０参照）。この外部電極端子５の形成においても、配線母基板１５の反りがないあるいは小さいことから、確実にボール電極５ａの接続が可能になる。つぎに、実施例１と同様に、図２１（ｅ）に示すように、配線母基板１５を樹脂層７と共に切断して個片化を行い、図２０に示す半導体装置１を複数製造する。
【００９３】
この実施例によれば、樹脂体３の第１の面３ａに窪み４５を設け、この窪み４５上に半導体チップ９を固定することから、製造された半導体装置１は前記窪み４５の深さに相当する分だけ薄く（低く）することができ、半導体装置の小型化を図ることができる。
【実施例４】
【００９４】
図２６乃至図３１は本発明の実施例４である半導体装置及びその製造方法に係わる図である。図２６は半導体装置の断面図である。図２７〜図３１は半導体装置の製造方法に係わる図である。図２７は半導体装置の製造方法における各工程での製造品の断面図、図２８は半導体装置の製造で用いるリードフレームの単位リードパターンの平面図、図２９は図２８のＦ−Ｆ線に沿う断面図、図３０は配線母基板の製品形成部の平面図、図３１は図３０のＧ−Ｇ線に沿う断面図ある。
【００９５】
実施例４の半導体装置１は、実施例１の半導体装置１において、図２６に示すように、配線基板２には、樹脂体３の表面（第１の面３ａ）に表面を露出する金属の支持体５０と、支持体５０に連なり樹脂体３及び樹脂層７の周縁にまで延在する複数の金属の吊りリード５１とをさらに有している。また、半導体チップ９は支持体５０に接着剤８を介して固定されている。そして、半導体チップ９の図示しない電極と一端側のリード部分４ａは、実施例１と同様に導電性のワイヤ１０で電気的に接続されている。さらに、樹脂層７は半導体チップ９、ワイヤ１０及び吊りリード５１等を覆う構造になっている。これ以外の部分は実施例１の構造と同じである。
【００９６】
図２６では、吊りリード５１は表示されていないが、吊りリード５１は支持体５０を支持するとともに半導体装置１の製造時には、図３０に示すように配線母基板（配線基板）１５の枠２１に繋がっている。従って、半導体装置１の製造の最終段階で配線母基板１５を樹脂層７と共に切断して個片化することから、半導体装置１の周縁（周面）、即ち、樹脂体３及び樹脂層７の周縁（周面）には吊りリード５１の外端が露出することになる。
【００９７】
実施例４では、図２８及び図２９に示すように、実施例１のリードフレーム１７の単位リードパターン２０において、リードパターンの中央に四角形の支持体５０を配し、この支持体５０を枠２１から延在する４本の吊りリード５１で支持する構造になっている。この場合、吊りリード５１とリード４が接触、あるいはショートする程に近接しないようにリードパターンの設計がなされている。
【００９８】
なお、実施例４では、支持体５０は、枠２１の各辺の中間部分から突出する吊りリード５１によって四角形の各辺の中間部分を支持される構造になっているが、四角形枠からなる枠２１の各隅から対角線上に沿って吊りリード５１を突出させ、四角形の吊りリード５１の各頂点（各角部）を支持するパターンとしてもよい。この場合は、使用するリードの数を増大できる実益もある。
【００９９】
このような実施例４の半導体装置は、図２７（ａ）〜（ｅ）に示す各工程を経て製造される。図２７（ａ）〜（ｅ）は、実施例１の半導体装置１の製造方法を示す図４（ａ）〜（ｅ）に対応するものである。なお図２７（ｄ）ではボール電極搭載ヘッド３５は省略してある。
【０１００】
実施例４の半導体装置の製造方法においては、図２７（ａ）、図３０及び図３１に示す配線母基板１５が準備される。この配線母基板１５は、既に説明したが、配線母基板１５におけるリードフレーム１７の単位リードパターン２０は、図２８及び図２９に示すように、実施例１の単位リードパターン２０における四角形の枠２１及びリード４に加えて、枠２１内に位置する支持体５０と枠２１から延在し支持体５０を支持する複数の吊りリード５１とを有し、支持体５０の表面は枠２１の表面と同様に樹脂体３の第１の面３ａに露出した構造となっている。
【０１０１】
即ち、実施例４で使用する配線母基板１５は、単位リードパターン２０をマトリックス状に複数配置した金属からなるリードフレーム１７と、リードフレーム１７を絶縁性樹脂で封止して形成した樹脂体３とからなり、単位リードパターン２０に対応する部分が製品形成部１６を構成する構造になっている。
【０１０２】
そして、単位リードパターン２０は、四角形の枠２１と、枠２１内に位置する支持体５０と、枠２１から延在し支持体５０を支持する複数の吊りリード５１と、枠２１の内側から枠内側に片持ち梁状に突出する複数のリード４とからなっている。また、図３０に示すように、枠２１は製品形成部１６の境界に沿って延在するパターンとなり、図３１にも示すように、枠２１及び支持体５０の表面は樹脂体３の第１の面３ａに露出し、枠２１から延在するリード４は途中から階段状に折れ曲がる構造となって樹脂体３内を延在し、その先端（他端側のリード部分４ｂ）を樹脂体３の第１の面３ａの反対面となる第２の面３ｂに露出させる構造となっている。また、各リード４の先端部分（他端側のリード部分４ｂ）は枠２１の各辺に沿って複数列に配置され、樹脂体３の第１及び第２の面３ａ，３ｂに露出するリード４の表面には金属メッキ膜１１，６が形成されている。
【０１０３】
このような配線母基板１５を準備した後、図２７（ｂ）に示すように、支持体５０上に接着剤８（図２６参照）によって半導体チップ９を固定する。なお、実施例１と同様に、配線母基板１５の第１の面１５ａに露出するリードフレーム部分には金属メッキ膜１１を形成してあるが、使用する接着剤８によっては支持体５０の表面に金属メッキ膜１１を形成しなくともよい。
【０１０４】
つぎに、実施例１と同様に、図２７（ｂ）に示すように、半導体チップ９の図示しない電極と一端側のリード部分４ａをワイヤ１０で電気的に接続する（図２６参照）。ワイヤ１０は一端側のリード部分４ａの表面に設けられた金属メッキ膜１１上に接続される。その後は、実施例１と同様に、図２７（ｃ）に示すように、配線母基板１５上に樹脂層７を形成する。樹脂層７は半導体チップ９，ワイヤ１０，枠２１，一端側のリード部分４ａ，支持体５０及び吊りリード５１等を覆う。
【０１０５】
つぎに、図２７（ｄ）に示すように、実施例１と同様に、配線母基板１５の第２の面１５ｂの他端側のリード部分４ｂにボール電極５ａを接続して外部電極端子５を形成する。ボール電極５ａは他端側のリード部分４ｂの表面に設けられた金属メッキ膜６上に接続される（図２６参照）。この外部電極端子５の形成においても、配線母基板１５の反りがないあるいは小さいことから、確実にボール電極５ａの接続が可能になる。
【０１０６】
つぎに、図２７（ｅ）に示すように、実施例１と同様に、配線母基板１５を樹脂層７と共に切断して個片化を行い、図２０に示す半導体装置１を複数製造する。
【０１０７】
実施例４によれば、実施例１による効果を得ることができるとともに、放熱性が良好な半導体装置を得ることができる。即ち、樹脂体３の第１の面３ａに樹脂体３の外周にまで延在する吊りリード５１に連結される支持体５０が設けられ、この支持体５０上に半導体チップ９が固定されていることから、半導体チップ９で発生した熱は支持体５０及び吊りリード５１を介して樹脂体３及び樹脂層７の外周面側に速やかに伝達されることになり、放熱性が良好となり、半導体装置１の安定動作が可能になる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１０８】
例えば、本実施例ではワイヤボンディングタイプの半導体装置に適用した場合に基づき具体的に説明したが、図３２に示すようにフリップチップタイプの半導体装置等に適用することも可能である。これにより、リアルチップサイズの半導体装置を実現することができると共に、半導体装置の電気特性を向上できる。図３２の半導体装置１では、半導体チップ９の突起電極（フリップチップ電極）５５がリード４の一端側のリード部分４ａに接続される構造になる。フリップチップ電極５５は一端側のリード部分４ａの表面に設けられた金属メッキ膜１１上に接続されている。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の実施例１である半導体装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】実施例１の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】実施例１の半導体装置の製造方法における各工程での製造品の断面図である。
【図５】実施例１の半導体装置の製造で用いる配線母基板の平面図である。
【図６】前記配線母基板の製品形成部の拡大平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図８】前記配線母基板の製品形成部の拡大底面図である。
【図９】前記配線母基板を製造するためのリードフレームの平面図である。
【図１０】前記リードフレームの単一のリードパターンの拡大平面図である。
【図１１】図１０のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図１２】前記配線母基板の製造方法を示す断面図である。
【図１３】実施例１の第１の変形例における配線母基板の製造方法を示す断面図である。
【図１４】実施例１の第２の変形例である半導体装置の一部を切り欠いた平面図である。
【図１５】図１４のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
【図１６】前記第２の変形例である半導体装置の製造に用いるリードフレームの単位リードパターンの平面図である。
【図１７】前記第２の変形例である半導体装置の製造に用いる配線母基板の製品形成部の平面図である。
【図１８】本発明の実施例２である半導体装置の断面図である。
【図１９】実施例２の半導体装置の製造に用いるリードフレームと、そのリードフレームを使用して製造した配線母基板を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施例３である半導体装置の断面図である。
【図２１】実施例３の半導体装置の製造方法における各工程での製造品の断面図である。
【図２２】実施例３の半導体装置の製造で用いる配線母基板の平面図である。
【図２３】実施例３の配線母基板の製品形成部の拡大平面図である。
【図２４】図２３のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。
【図２５】実施例３の配線母基板の製造方法を示す断面図である。
【図２６】本発明の実施例４である半導体装置の断面図である。
【図２７】実施例４の半導体装置の製造方法における各工程での製造品の断面図である。
【図２８】実施例４の半導体装置の製造で用いるリードフレームの単位リードパターンの平面図である。
【図２９】図２８のＦ−Ｆ線に沿う断面図である。
【図３０】実施例４で使用する配線母基板の製品形成部の平面図である。
【図３１】図３０のＧ−Ｇ線に沿う断面図である。
【図３２】他の実施例であるフリップチップタイプの半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１…半導体装置、２…配線基板、２ａ…第１の面、２ｂ…第２の面、３…樹脂体、３ａ…第１の面、３ｂ…第２の面、４…リード、４ａ…一端側のリード部分、４ｂ…他端側のリード部分、５…外部電極端子、５ａ…ボール電極、６…金属メッキ膜、７…樹脂層、８…接着剤、９…半導体チップ、９ａ，９ｂ…半導体チップ、１０…ワイヤ、１１…金属メッキ膜、１３…電極、１５…配線母基板（配線基板）、１５ａ…第１の面、１５ｂ…第２の面、１５ｃ…枠部、１６…製品形成部、１７…リードフレーム、１７ａ…枠部、１７ｂ…ガイド孔、１７ｃ，１７ｄ…切断マーク、１７ｆ…第１の面、１７ｇ…第２の面、２０…単位リードパターン、２１…枠、２４…ダイシングテープ、２５…下型、２６…上型、２７…成形金型、２８，２９…シート、３０…ゲート、３１…キャビティ、３２…樹脂、３３…低キャビティ部、３５…ボール電極搭載ヘッド、３６…底板、３７…吸着孔、４０…切断溝、４５…窪み、５０…支持体、５１…吊りリード、５５…突起電極（フリップチップ電極）。
【図１】
2007250702.tif 000003
【図２】
2007250702.tif 000004
【図３】
2007250702.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007250702.tif 000007
【図６】
2007250702.tif 000008
【図７】
2007250702.tif 000009
【図８】
2007250702.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2007250702.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2007250702.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
2007250702.tif 000023
【図２２】
2007250702.tif 000024
【図２３】
2007250702.tif 000025
【図２４】
2007250702.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
2007250702.tif 000030
【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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