(57)【要約】【課題】内部貫通ホールが完全に充填された印刷回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明は、内部貫通ホールが形成されたコア層と、上記内部貫通ホールの一側を塞いで上記内部貫通ホール内に余剰空間が形成された第１メッキ層と、上記余剰空間が充填されて上記内部貫通ホールの他側を塞ぐ第２メッキ層を含む印刷回路基板及びその製造方法を提供する。  コア層の両面に非対称的に電流密度を印加することで、内部貫通ホールの一面が優先的に連結されるようにするものであって、両面に均一な電流密度を印加する方法を適用する場合に発生する問題である、貫通ホールの内部がメッキで充填されることにより内部の中央部位が先に繋がってホール内部中心部の撹拌特性が急激に低下されたり、未充填領域（Ｖｏｉｄ）が生ずる問題点を改善する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部貫通ホール（ＩＶＨ；Ｉｎｎｅｒ Ｖｉａ Ｈｏｌｅ）が形成されたコア層と、
前記内部貫通ホールの一側を塞いで前記内部貫通ホール内に余剰空間が形成された第１メッキ層と、
前記余剰空間が充填されて前記内部貫通ホールの他側を塞ぐ第２メッキ層と、
を含む印刷回路基板。
【請求項２】
前記余剰空間は、円錐形状を有することを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項３】
（ａ）内部貫通ホールが形成されたコア層の両面に前記内部貫通ホールの内壁から中心方向に均等成長する第１メッキ層が繋がるように第１電流を加える段階と、
（ｂ）第２電流を加えて前記内部貫通ホールの余剰空間を充填する段階と、
を含む内部貫通ホールを有する印刷回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記段階（ａ）は、前記コア層の両面に互いに異なる電流密度を有する前記第１電流を加えることを特徴とする請求項３に記載の内部貫通ホールを有する印刷回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記段階（ａ）は、前記コア層の両面において、加えられた前記第１電流の電流密度が相対的に大きい表面の近くで前記第１メッキ層が繋がることを特徴とする請求項４に記載の内部貫通ホールを有する印刷回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記段階（ｂ）は、前記余剰空間を充填メッキすることを特徴とする請求項３に記載の内部貫通ホールを有する印刷回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷回路基板に関するもので、より詳細には、内部貫通ホール（ＩＶＨ；Ｉｎｎｅｒ Ｖｉａ Ｈｏｌｅ）の内部を未充填領域（Ｖｏｉｄ）がないように充填メッキした印刷回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、印刷回路基板は、各種熱硬化性合成樹脂からなったボードの一面または両面を銅線で配線した後、ボード上に半導体チップ、集積回路（ＩＣ）または電子部品を配置固定し、これらの間の電気的配線を具現して絶縁体でコーティングしたものである。
【０００３】
デジタル時代が到来することにより、電子機器は薄くて小くなり、より多い機能とさらに高い性能が求められている。このような要求に対応するために印刷回路基板（ＰＣＢ；Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）は多層化、微細化、高集積化への変化を模索している。ビルドアップ（Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）方式による多層基板製作、線幅及びビア（Ｖｉａ）の微細化、そしてスタックビア（Ｓｔａｃｋ ｖｉａ）構造適用などをその例に挙げられる。
【０００４】
スタックビア構造を適用するためには、ブラインドビアホール（ＢＶＨ；Ｂｌｉｎｄ Ｖｉａ Ｈｏｌｅ）と内層貫通ホール（ＩＶＨ；Ｉｎｎｅｒ Ｖｉａ Ｈｏｌｅ）を充填する必要がある。ブラインドビアホールの場合、メッキ方法による充填方法が開発されつつあり、製品に適用中である。しかし、内部貫通ホールに対しては、絶縁インク及び導電性ペーストを用いて充填する方法が用いられているが、まだメッキ方式による充填法は適用されていない。
【０００５】
一般的なビルドアップ工程による方式は、導体層と絶縁層を交互に一層ずつ積んでいく方式であって、多層基板の場合中心となる基板に導体層と絶縁層を順に積層する。先ず、コア層にドリルを用いて内部貫通ホール（ＩＶＨ）を穿ち、化学銅及び電気銅でメッキすることにより層間導通を可能にさせる。しかし、内部貫通ホールは完全に充填されなく、内部貫通ホールの未充填空間を絶縁インクで充填することになる。以後、ビルドアップ工程を行って内部貫通ホールの上部または回路上にブラインドビアホール（ＢＶＨ）をスタッガードビア（Ｓｔａｇｇｅｒｅｄ Ｖｉａ）またはスタックビア（Ｓｔａｃｋｅｄ Ｖｉａ）構造で積層する。
【０００６】
多層基板を製造する工程において、各層における電気配線を形成する回路（すなわち、内層回路または外層回路）形成方法としては、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）工法、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）工法またはセミ−アディティブ（Ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）工法などがある。
【０００７】
アディティブ工法は、絶縁基板上にて導電性材料を無電解メッキまたは電解メッキなどを介して選択的に析出させるなどの方法によりメッキして導体パターンを形成する印刷回路基板の回路形成方法である。電解銅メッキ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ ｃｏｐｐｅｒ ｐｌａｔｉｎｇ）のためのシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）の存在有無に応じてフル−アディティブ（ｆｕｌｌ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）方式とセミ−アディティブ（Ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）方式に分けられる。
【０００８】
サブトラクティブ工法は、金属が塗布された絶縁基板上に導体以外の不要な部分をエッチングなどで選択的に除去して導体パターンを形成する印刷回路基板の回路形成方法である。一般的にフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）により導体パターンが形成される部分及びホール（ｈｏｌｅ）内をテンティング（Ｔｅｎｔｉｎｇ）した後エッチングするのでテント及びエチ（Ｔｅｎｔ ａｎｄ ｅｔｃｈ）工法とも言う。
【０００９】
図１は上述した回路形成方法の中のサブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）工法を用いた一般的な内層メッキ形成工程を示す図面である。
【００１０】
図１の（ａ）を参照すると、コア層１１０が示されている。コア層１１０はエポキシレジン（ｅｐｏｘｙ ｒｅｇｉｎ）などからなった絶縁層１１３と、絶縁層１１３の両表面を覆った銅箔１２０で構成された銅箔積層板（ＣＣＬ；Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｙｅｒ）基板であることが好ましい。多層基板の場合にコア層１１０の絶縁層１１３は、内層を形成する内層基板１１６をさらに含むことができる。
【００１１】
そして、図１の（ｂ）及び（ｃ）を参照すると、コア層１１０の予め定められた位置に機械的ドリルを用いて内部貫通ホール（ＩＶＨ；１３０）を穿ち、無電解銅メッキ（すなわち、化学銅メッキ）及び電気銅メッキにより銅箔１２０上に導体層１５０を形成することで内部貫通ホール１３０による層間導通が可能になる。しかし、この場合、内部貫通ホール１３０は、完全に充填されなく空き空間が発生するので、内部貫通ホール１３０の未充填空間を絶縁インク１４０で充填することになる。
【００１２】
図１の（ｄ）を参照すると、絶縁インク１４０を充填した後、内部貫通ホールの上にブラインドビアを積む（Ｓｔａｃｋ）構造を適用するためには導体層と電気的接続がなされるように内部貫通ホールの上にメッキ層を形成するキャップメッキ（Ｃａｐ ｐｌａｔｉｎｇ）を行う。そして、図１の（ｅ）ないし（ｇ）を参照すると、導体層１５０及びキャップメッキがなされた部分１６０の上にドライフィルム（Ｄｒｙ ｆｉｌｍ）を塗布し、露光、現像工程を経てパターンをオープン（Ｏｐｅｎ）させた後、銅（Ｃｕ）が露出された部位をエッチングしてパターンを具現することにより内層回路を形成する。
【００１３】
サブトラクティブ工法の以外にもアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）工法、セミ−アディティブ（Ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）工法、修正セミ−アディティブ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）工法による内部貫通ホールの充填も上述した内容と同様である。
【００１４】
内部貫通ホールを絶縁インクで充填する場合、未充填領域（Ｖｏｉｄ）が発生して層間接続が良くない。そして、信頼性の側面から電気的特性が良くないし、製造工程が長くなるので製造費用が上昇するという問題点がある。
【００１５】
印刷回路基板において、充填メッキとは一般的にブラインドビアホールの充填を意味する。ブラインドビアホールの一般的な充填メッキ方法は、両面に均一な電流密度を有する電流を加えて所望する厚みまで一度にメッキをする。
【００１６】
しかし、内部貫通ホールにブラインドビアホールの充填メッキ方法を適用する場合には、内部貫通ホールの内部がメッキで充填されることにより内部の中央部位が先に繋がる。この際、内部貫通ホールの中心部の撹拌特性が急激に低下したり、未充填領域（Ｖｏｉｄ）が生ずる問題が発生する。撹拌（ａｇｉｔａｔｉｏｎ）とは、物理的または化学的性質が異なる２種以上の物質を外部的な機械エネルギーを用いて均一な混合状態を作ることであって、ここでの撹拌特性とはメッキ液内のイオン物質が均一に混合されている性質を意味する。内部貫通ホールの内部をメッキ充填する場合、メッキ液は充填用メッキ液であって、充填用メッキ液の添加剤の特性上、内部貫通ホールの内部におけるメッキが表面より速く左右に均等成長して、ホール内部のメッキ成長が進行されることにより縦横比（Ａｓｐｅｃｔｒａｔｉｏ）、ここでは内部貫通ホールのホール直径（ＨｏｌｅΦ）に対する基板の厚みの割合、が大きくなり、結局にはホール内の溶液の流れが容易ではなくなりホール内部の撹拌特性が急激に低下される。
【００１７】
図２は、両面に同一な電流密度を印加した場合の内部貫通ホールの充填メッキ写真の例示図である。図２の（ａ）は、コア層の厚みが６０μｍであり、内部貫通ホールの径が約６５μｍである場合で、図２の（ｂ）はコア層の厚みが１００μｍであって、内部貫通ホールの径が約７５μｍである場合を示す。
【００１８】
図２の（ａ）及び（ｂ）を参照すると、内部貫通ホールの内部中央部位に未充填領域（Ｖｏｉｄ）２１０、２２０が発生したことが分かる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は、未充填領域（Ｖｏｉｄ）が発生しなく、内部貫通ホールが完全に充填された印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【００２０】
また、本発明は、内部貫通ホールの完全充填メッキによりキャップメッキなどの追加工程なしで特性が優れて電気的に良好な内層貫通ホールの上にビーアを積む構造（スタックビア構造）を適用できる印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【００２１】
また、本発明は、絶縁インク充填工程、絶縁インク上に伝導層を形成するためのメッキ工程などを削除することができるので、製造プロセスが簡素化されるしリードタイムが減少することにより生産力が増大され原価低減の効果を有する印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【００２２】
本発明の以外の目的は下記の説明を介して易しく理解されるだろう。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記の目的を達成するために、本発明の一実施形態によれば、内部貫通ホール（ＩＶＨ；Ｉｎｎｅｒ Ｖｉａ Ｈｏｌｅ）が形成されたコア層と、上記内部貫通ホールの一側を塞いで上記内部貫通ホール内に余剰空間が形成された第１メッキ層と、及び上記余剰空間が充填されて上記内部貫通ホールの他側を塞ぐ第２メッキ層と、を含む印刷回路基板が提供される。
【００２４】
好ましくは、上記余剰空間は円錐形状を有しても良い。
【００２５】
上記目的を達成するために、本発明の他の実施形態によれば、（ａ）内部貫通ホールが形成されたコア層の両面に上記内部貫通ホールの内壁から中心方向に均等成長する第１メッキ層が繋がるように第１電流を加える段階と、及び（ｂ）第２電流を加えて上記内部貫通ホールの余剰空間を充填する段階と、を含む内部貫通ホールを有する印刷回路基板の製造方法が提供される。
【００２６】
好ましくは、上記段階（ａ）は上記コア層の両面に互いに異なる電流密度を有する上記第１電流を加えることができる。そして、上記段階（ａ）は上記コア層の両面において、加えられた上記第１電流の電流密度が相対的に大きい表面の近くで上記第１メッキ層が繋がることができる。
【００２７】
また、上記段階（ｂ）は上記余剰空間を充填メッキすることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明による印刷回路基板及びその製造方法は、非対称的にコア層の両面に電流を印加することで、内部貫通ホールの片表面から先に連結されるようにして撹拌特性が低下される問題点を解決することができる。
【００２９】
また、先に繋がることにより形成された円錐形状（断面はＶ字形状）の余剰空間をメッキ充填することで内部に未充填領域（Ｖｏｉｄ）が発生しない。
【００３０】
また、内部貫通ホールの完全充填メッキによりスタックビア構造を適用することができ、絶縁インク充填工程、絶縁インク上に伝導層を形成するためのメッキ工程などを削除することができるので製造プロセスが簡素化され、リードタイムが減少することにより生産力が増大されて原価低減の効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、添付された図面を参照して本発明による内部貫通ホールを有する印刷回路基板及びその製造方法の好ましい実施例を詳しく説明する。本発明を説明することにおいて、関連される公知技術の具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を略する。本明細書の説明過程において用いられる数字（例えば、第１、第２など）は、同一または類似した個体を順次に区分するための識別記号に過ぎない。
【００３２】
図３は、本発明の一実施例による内部貫通ホールの充填メッキ方法を示す図面である。
【００３３】
図３の（ａ）を参照すると、コア層３１０は、絶縁層３１３と、絶縁層３１３の表面を覆った銅箔３２０ａ及び３２０ｂから構成された銅箔積層基板（ＣＣＬ）である。
【００３４】
コア層３１０の予め定められた位置に内部貫通ホール３００が形成されている。内部貫通ホール３００は、機械的ドリルまたはレーザドリル（すなわち、ＣＯ２またはＮｄ−Ｙａｇレーザドリル）などにより形成されることができる。
【００３５】
コア層３１０の上面の銅箔３２０ａと下面の銅箔３２０ｂに第１電流を加えて第１メッキ層を形成する。本実施例においては、上面の銅箔３２０ａに加えられる電流はなく、下面の銅箔３２０ｂにだけ第１電流が加えられると仮定する。よって、上面の銅箔３２０ａ及び下面の銅箔３２０ｂに加えられる電流の電流密度が同様である場合、第１メッキ層は内部貫通ホール３００の内部から中心方向に均一成長して内部中央部位にて繋がることとは異なって、下面の銅箔（３２０ｂ）にだけ第一電流が加えられる場合、下面に近接した部位にて繋がる。第１メッキ層３３０が内部中央部位にて繋がる場合には上述したようにメッキ液の流れが円滑ではなくなって撹拌特性が悪くなるが、下面に近接した部位にて繋がる場合にはメッキ液の流れが内部貫通ホール３００の内部よりは円滑になって撹拌特性がよくなる。すなわち、撹拌特性が悪くなることにより発生する気孔が本実施例においては発生しない。
【００３６】
第１メッキ層３３０が下面に近接した部位にて繋がることに応じて内部貫通ホール３００の内部には円錐形状の余剰空間が生成される。余剰空間はまだメッキされていない空間であって、追後第２メッキ層で充填される空間を意味する。円錐形状の余剰空間は一般的なブラインドビアホールと類似した形態を有していて、ブラインドビアホールは完全充填メッキが可能であるため、一般的なブラインドビアホール充填工程を用いることができる。
【００３７】
また、下面の銅箔３２０ｂ上に第１メッキ層３３０が積層されて回路パターン形成のための伝導層を形成する。
【００３８】
以後、図３の（ｂ）を参照すると、上面の銅箔３２０ａに第２メッキ層３４０を形成してブラインドビアホールと類似した形態を有する内部貫通ホール３００の余剰空間を完全充填メッキ、すなわち、フィル（ｆｉｌｌ）メッキする。ブラインドビアホールの充填メッキ方法は次のとおりである。
【００３９】
高い金属濃度のメッキ液を使用し、分極剤（Ｌｅｖｅｌｌｅｒｄ）と促進剤（Ｂｒｉｇｈｔｅｎｅｒ）を入れることにより、ホールの表面には分極剤（Ｌｅｖｅｌｌｅｒｄ）が多量吸着されてメッキ成長を抑制し、ホール内部には促進剤（Ｂｒｉｇｈｔｅｎｅｒ）が吸着されてメッキ成長を促進して充填メッキがなされる。
【００４０】
よって、内部貫通ホール３００は、第１メッキ層３３０及び第２メッキ層３４０により内部が完全充填されて未充填領域（Ｖｏｉｄ）が発生しないし、層間電気的接続が優れる特性を有する。
【００４１】
図４は、本発明の他の実施例による内部貫通ホールの充填メッキ方法を示す図面である。
【００４２】
図４の（ａ）を参照すると、コア層４１０の上面の銅箔４２０ａと下面の銅箔４２０ｂに第１電流を加えて第１メッキ層４３０を形成する。本実施例においては、下面の銅箔４２０ｂに加えられる第１電流の電流密度が上面の銅箔４２０ａに加えられる第１電流の電流密度より相対的に大きい。よって、上面の銅箔４２０ａ及び下面の銅箔４２０ｂに加えられる電流の電流密度が同様である場合、第１メッキ層４３０は内部貫通ホール３００の内部から中心方向に均一成長して内部中央部位４００にて繋がることとは異なって、内部中央部位４００と下面との間の地点にて繋がる。第１メッキ層４３０が内部中央部位４００にて繋がる場合には、上述したように、メッキ液の流れが円滑ではなく撹拌特性が悪くなるが、内部中央部位４００ではない下面に近接した部位にて繋がる場合には、メッキ液の流れが内部貫通ホール３００の内部より円滑になり撹拌特性がよくなる。すなわち、ホール内部のメッキ成長に応じて撹拌特性が悪くなるので発生する未充填領域（Ｖｏｉｄ）が本実施例においては発生しない。
【００４３】
第１メッキ層４３０が繋がることに応じて内部貫通ホール３００の内部には円錐形状の余剰空間が上方向と下方向に二つ生成される。二つの円錐形状の余剰空間は、一般的なブラインドビアホールと類似した形態を有し、ブラインドビアホールは完全充填メッキが可能であるので一般的な工程を用いる。
【００４４】
また、上面の銅箔４２０ａ及び下面の銅箔４２０ｂの上に第１メッキ層４３０が積層されて回路パターンを形成するための伝導層を形成する。
【００４５】
以後、図４の（ｂ）を参照すると、ブラインドビアホールと類似した形態を有する内部貫通ホール３００の二つの余剰空間を完全充填する。
【００４６】
よって、内部貫通ホール３００は第１メッキ層４３０及び第２メッキ層４４０により内部が完全充填され、未充填領域（Ｖｏｉｄ）が発生しないし、層間電気的接続が優れる特性を有する。
【００４７】
図３または図４に示した実施例による印刷回路基板の内部貫通ホール３００は、伝導性物質で充填メッキされるので、既存のように、絶縁インクを充填した後にキャップメッキをする必要がない。そして、内部貫通ホール３００の上に追加工程なしで外郭層のブラインドビアホール（ＢＶＨ）を積み上げることができるので、ビアの上にビアを形成するスタックビア（Ｓｔａｃｋ Ｖｉａ；Ｖｉａｏｎ Ｖｉａ）構造の適用が可能である。また、放熱効果が優れ、電気信号の伝達が迅速になるなどの長所がある。
【００４８】
図５は、本発明の一実施例による内部貫通ホールを完全充填メッキする印刷回路基板の製造方法の流れ図である。
【００４９】
段階Ｓ５１０で、内部貫通ホールが形成されているコア層の両面（すなわち、上面と下面）に第１電流を加える。第１電流を加えることにより第１メッキ層が形成され、第１メッキ層は内部貫通ホールの内壁から中心方向に均等成長して繋がる。第１電流はコア層の両面の中のいずれか一面にだけ加えられる。または、第１電流がコア層の両面に加えられる場合、その電流密度が互いに異なっても良い。コア層の両面に加えられる第１電流のうち、相対的に電流密度が大きい一面の方の第１メッキ層は未充填領域（Ｖｏｉｄ）が発生しないで繋がる。そして、第１メッキ層の連結により内部貫通ホールには円錐形状の余剰空間が形成される。
【００５０】
段階Ｓ５２０で、コア層の両面に第２電流を加えて円錐形状の余剰空間を完全充填メッキ（フィルメッキ）する。円錐形状の余剰空間はブラインドビアホールと類似した形状を有していて、上述したように一般的なブラインドビアホール充填メッキ方法により完全充填が可能である。
【００５１】
本発明は、多層印刷回路基板の内層回路を形成する方法のうち、図１から説明したサブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）工法だけではなく、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）工法、セミ−アディティブ（Ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）工法、修正セミ−アディティブ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）工法など、内層回路を形成する各工法により形成された内部貫通ホールを充填することにおいてすべて適用可能である。
【００５２】
図６ないし図８は、本発明の一実施例による製造方法により内部貫通ホールが充填メッキされた印刷回路基板の断面図である。
【００５３】
図６を参照すると、１次的にコア層６００に形成された内部貫通ホールに円錐形状の余剰空間（図６においてＶ字模様の断面を有する余剰空間）を有する第１メッキ層６１０が形成される。そして、２次的に余剰空間を完全充填することにより内部に未充填領域（Ｖｏｉｄ）が発生しない第２メッキ層６２０が形成される。
【００５４】
図７を参照すると、コア層の厚みが１００μｍであり内部貫通ホールの径が７５μｍである場合、表面の厚みを２６μｍでメッキして内部貫通ホールを充填した写真である。図３に示されている模式図を実験を介して確認した写真である。図７の（ａ）を参照すると、１次的に内部貫通ホールに第１メッキ層７１０がメッキされながら余剰空間７２０を形成する。そして、２次的に余剰空間７２０を第２メッキ層７３０が完全充填メッキされることにより内部貫通ホールに未充填領域（Ｖｏｉｄ）が発生しないことを確認できる。
【００５５】
図８を参照すると、コア層の厚みが６０μｍであり内部貫通ホールの径が６５μｍである場合、表面厚みを２０μｍ以内にメッキして内部貫通ホールを充填した写真である。この場合にも内部貫通ホールに未充填領域（Ｖｏｉｄ）が発生しなかったことを確認できる。
【００５６】
上記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野における通常の知識を有した者であれば、下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させ得ることを理解できるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】上述した回路形成方法のうち、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）工法を用いた一般的な内層メッキ形成工程を示す図面である。
【図２】ブラインドビアホールの一般的な充填メッキ方法である、両面に均一な電流密度を適用した内部貫通ホールの充填メッキ写真の例示図である。
【図３】本発明の一実施例による内部貫通ホールの充填メッキ方法を示す図面である。
【図４】本発明の他の実施例による内部貫通ホールの充填メッキ方法を示す図面である。
【図５】本発明の一実施例による内部貫通ホールを完全充填メッキする印刷回路基板の製造方法の流れ図である。
【図６】本発明の一実施例による製造方法により内部貫通ホールが充填メッキされた印刷回路基板の断面図である。
【図７】本発明の一実施例による製造方法により内部貫通ホールが充填メッキされた印刷回路基板の断面図である。
【図８】本発明の一実施例による製造方法により内部貫通ホールが充填メッキされた印刷回路基板の断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
３００  内部貫通ホール
３１０、６００  コア層
３１６、４１６  内層基板
３３０、６１０、７１０  第１メッキ層
３４０、６２０、７３０  第２メッキ層
【図１】
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【図２】
2007227929.tif 000004
【図３】
2007227929.tif 000005
【図４】
2007227929.tif 000006
【図５】
2007227929.tif 000007
【図６】
2007227929.tif 000008
【図７】
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【図８】
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