(57)【要約】【課題】耐久性に優れる液晶パネル、かかる液晶パネルの製造方法および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶パネル１は、ＴＦＴ基板１７と、ＴＦＴ基板１７に対向する液晶パネル用対向基板１２と、ＴＦＴ基板１７に接合された無機配向膜３と、液晶パネル用対向基板１２と、液晶パネル用対向基板１２に接合された無機配向膜４と、無機配向膜３と無機配向膜４との空隙に封入された液晶分子を含有する液晶層２とを有している。そして、各無機配向膜３、４の封止部５と重なる領域には、細孔３０、４０内を満たし、かつ表面を覆うように、無機配向膜３、４との親和性の高い第１の官能基と、封止部５との親和性の高い第２の官能基とを有する化合物を含む充填物６が充填されている。【選択図】図２
2007108371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記各基板の対向する面側に設けられ、複数の細孔を有する無機配向膜と、
前記無機配向膜同士の間に設けられた液晶層と、
前記無機配向膜同士の間であって、前記無機配向膜の外周部に沿って設けられ、前記液晶層を封止する封止部とを有し、
前記各無機配向膜の前記封止部と重なる領域に、前記細孔内を満たし、かつ表面を覆うように、前記無機配向膜との親和性の高い第１の官能基と、前記封止部との親和性の高い第２の官能基とを有する化合物を含む充填物を充填してなることを特徴とする液晶パネル。
【請求項２】
前記第１の官能基は、前記無機配向膜と共有結合を形成する基である請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項３】
前記無機配向膜は、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を主材料として構成され、
前記第１の官能基は、アルキルシリル基または水酸基である請求項２に記載の液晶パネル。
【請求項４】
前記無機配向膜は、斜方蒸着膜である請求項１ないし３のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項５】
前記第２の官能基は、前記封止部と共有結合を形成する基である請求項１ないし４のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項６】
前記封止部は、重合性基を有する樹脂材料を主材料として構成され、
前記第２の官能基は、前記重合性基と重合する基である請求項５に記載の液晶パネル。
【請求項７】
前記充填物中の前記化合物の含有量は、５０ｗｔ％以上である請求項１ないし６のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項８】
前記化合物の平均分子量は、１００〜５００である請求項１ないし７のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項９】
一対の基板と、前記各基板の対向する面側に設けられ、複数の細孔を有する無機配向膜と、前記無機配向膜同士の間に設けられた液晶層と、前記無機配向膜同士の間であって、前記無機配向膜の外周部に沿って設けられ、前記液晶層を封止する封止部とを有する液晶パネルを製造する方法であって、
一方の面側に、前記無機配向膜を有する基板を一対用意する第１の工程と、
前記各無機配向膜の外周部において、その細孔内を満たし、かつ表面を覆うように、前記無機配向膜との親和性の高い第１の官能基と、前記封止部との親和性の高い第２の官能基とを有する化合物を含む充填物を充填する第２の工程と、
前記各無機配向膜の前記充填物が充填された領域内に、前記封止部を形成するための液状の封止材を供給する第３の工程と、
前記一対の基板を、これらの間に間隙が形成されるように、前記封止材同士を接触させて配置した後、前記封止材を硬化させる第４の工程と、
前記間隙に液晶組成物を注入して、前記液晶層を形成する第５の工程と、
前記液晶組成物を注入するのに用いた注入口を封止する第６の工程とを有することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程において、前記充填物の充填は、該充填物を含む液状の充填物組成物を、前記各無機配向膜に供給することにより行われる請求項９に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記充填物組成物の粘度は、前記封止材の粘度より低い請求項１０に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし８のいずれかに記載の液晶パネルを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネル、液晶パネルの製造方法および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、垂直配向タイプの液晶表示素子（液晶パネル）が液晶テレビ（直視型表示装置）、液晶プロジェクタ（投射型表示装置）等で実用化されている。
これらの垂直配向タイプの液晶表示素子に用いられる垂直配向膜としては、例えば液晶テレビにはポリイミド等の有機配向膜が用いられている。また、液晶プロジェクタには、無機配向膜が多用されている。
【０００３】
また、液晶パネルの封止構造や封止材についても、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１、２参照。）。
しかしながら、封止材には、広く、有機材料を主成分とする接着剤を用いる。このため、配向膜が無機配向膜である場合、封止材と配向膜との接着強度や密着性が低く、これらの界面から水分等が侵入し易くなる。そして、水分が液晶層に侵入すると、液晶分子が変質・劣化し、その結果、液晶パネルに表示不良が発生するという問題がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３５０８７４号公報
【特許文献２】特開２００１−８９５６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、耐久性に優れる液晶パネル、かかる液晶パネルの製造方法および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の液晶パネルは、一対の基板と、
前記各基板の対向する面側に設けられ、複数の細孔を有する無機配向膜と、
前記無機配向膜同士の間に設けられた液晶層と、
前記無機配向膜同士の間であって、前記無機配向膜の外周部に沿って設けられ、前記液晶層を封止する封止部とを有し、
前記各無機配向膜の前記封止部と重なる領域に、前記細孔内を満たし、かつ表面を覆うように、前記無機配向膜との親和性の高い第１の官能基と、前記封止部との親和性の高い第２の官能基とを有する化合物を含む充填物を充填してなることを特徴とする。
本発明によれば、封止部と無機配向膜との界面や、無機配向膜の細孔を介して、水分等が液晶層に侵入するのを防止することができ、これにより、耐久性に優れる液晶パネルが得られる。
【０００７】
本発明の液晶パネルは、前記第１の官能基は、前記無機配向膜と共有結合を形成する基であることが好ましい。
これにより、充填物を介した無機配向膜と封止部との密着性をより向上させることができる。
本発明の液晶パネルでは、前記無機配向膜は、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を主材料として構成され、
前記第１の官能基は、アルキルシリル基または水酸基であることが好ましい。
これらの官能基は、無機配向膜に存在する水酸基との反応性が高く、充填物と無機配向膜との密着性の向上を図ることができる。
【０００８】
本発明の液晶パネルでは、前記無機配向膜は、斜方蒸着膜であることが好ましい。
斜方蒸着膜による無機配向膜は、特に、細孔が高密度で存在するため、かかる無機配向膜を備える液晶パネルに、本発明を適用すれば、水分等の液晶層への侵入防止効果がより顕著に発揮される。
本発明の液晶パネルでは、前記第２の官能基は、前記封止部と共有結合を形成する基であることが好ましい。
これにより、充填物を介した無機配向膜と封止部との密着性をより向上させることができる。
【０００９】
本発明の液晶パネルでは、前記封止部は、重合性基を有する樹脂材料を主材料として構成され、
前記第２の官能基は、前記重合性基と重合する基であることが好ましい。
これにより、充填物と封止部との密着性の向上を図ることができる。
本発明の液晶パネルでは、前記充填物中の前記化合物の含有量は、５０ｗｔ％以上であることが好ましい。
充填物において前記化合物の含有量（含有率）をこの範囲とすることにより、封止部の構成材料の種類や前記化合物の種類等によらず、封止部と充填物との十分な密着性が得られる。
【００１０】
本発明の液晶パネルでは、前記化合物の平均分子量は、１００〜５００であることが好ましい。
かかる分子量の化合物は、常温で液状または比較的低温で液状となるため、取り扱い易く、また、各種溶媒に対する溶解性が高い。このため、液晶パネルの製造工程で使用する充填物組成物の調製や、その取り扱いが容易となる。
【００１１】
本発明の液晶パネルの製造方法は、一対の基板と、前記各基板の対向する面側に設けられ、複数の細孔を有する無機配向膜と、前記無機配向膜同士の間に設けられた液晶層と、前記無機配向膜同士の間であって、前記無機配向膜の外周部に沿って設けられ、前記液晶層を封止する封止部とを有する液晶パネルを製造する方法であって、
一方の面側に、前記無機配向膜を有する基板を一対用意する第１の工程と、
前記各無機配向膜の外周部において、その細孔内を満たし、かつ表面を覆うように、前記無機配向膜との親和性の高い第１の官能基と、前記封止部との親和性の高い第２の官能基とを有する化合物を含む充填物を充填する第２の工程と、
前記各無機配向膜の前記充填物が充填された領域内に、前記封止部を形成するための液状の封止材を供給する第３の工程と、
前記一対の基板を、これらの間に間隙が形成されるように、前記封止材同士を接触させて配置した後、前記封止材を硬化させる第４の工程と、
前記間隙に液晶組成物を注入して、前記液晶層を形成する第５の工程と、
前記液晶組成物を注入するのに用いた注入口を封止する第６の工程とを有することを特徴とする。
これにより、封止部と無機配向膜との界面や、無機配向膜の細孔を介して、水分等が液晶層に侵入するのを防止することができる液晶パネル、すなわち、耐久性に優れる液晶パネルを製造することができる。
【００１２】
本発明の液晶パネルの製造方法では、前記第２の工程において、前記充填物の充填は、該充填物を含む液状の充填物組成物を、前記各無機配向膜に供給することにより行われることが好ましい。
このような方法、すなわち、液相プロセスを用いることにより、充填物の細孔への充填率をより向上させることができる。
【００１３】
本発明の液晶パネルの製造方法では、前記充填物組成物の粘度は、前記封止材の粘度より低いことが好ましい。
これにより、無機配向膜の細孔のより奥深くにまで、十分な量の充填物を充填することができる。
本発明の電子機器は、本発明の液晶パネルを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の液晶パネル、液晶パネルの製造方法および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明の液晶パネルの実施形態を模式的に示す縦断面図、図２は、図１に示す液晶パネルの外周部付近を拡大して示す縦断面図である。なお、図１では、配線等の記載は省略した。また、以下の説明では、図１および図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１５】
図１に示す液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）１は、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）１７と、ＴＦＴ基板１７に接合された無機配向膜３と、液晶パネル用対向基板１２と、液晶パネル用対向基板１２に接合された無機配向膜４と、無機配向膜３と無機配向膜４との空隙に封入された液晶分子を含有する液晶層２と、液晶パネル１の外周部に設けられた封止部（シール部）５と、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）１７の外表面（上面）側に接合された偏光膜７と、液晶パネル用対向基板１２の外表面（下面）側に接合された偏光膜８とを有している。
【００１６】
液晶パネル用対向基板１２は、マイクロレンズ基板１１と、かかるマイクロレンズ基板１１の表層１１４上に設けられ、開口１３１が形成されたブラックマトリックス１３と、表層１１４上にブラックマトリックス１３を覆うように設けられた透明導電膜（共通電極）１４とを有している。
マイクロレンズ基板１１は、凹曲面を有する複数（多数）の凹部（マイクロレンズ用凹部）１１２が設けられたマイクロレンズ用凹部付き基板１１１と、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板１１１の凹部１１２が設けられた面に樹脂層（接着剤層）１１５を介して接合された表層１１４とを有している。
【００１７】
また、樹脂層１１５では、凹部１１２内に充填された樹脂によりマイクロレンズ１１３が形成されている。
マイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、平板状の母材（透明基板）より製造され、その表面には、複数（多数）の凹部１１２が形成されている。
凹部１１２は、例えば、マスクを用いた、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等により形成することができる。
【００１８】
このマイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、例えば、ガラス等で構成されている。
前記母材の熱膨張係数は、ガラス基板１７１の熱膨張係数とほぼ等しいもの（例えば両者の熱膨張係数の比が１／１０〜１０程度）であることが好ましい。これにより、得られる液晶パネル１では、温度が変化したときに二者の熱膨張係数が違うことにより生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。
【００１９】
かかる観点からは、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と、ガラス基板１７１とは、同種類の材質で構成されていることが好ましい。これにより、温度変化時の熱膨張係数の相違によるそり、たわみ、剥離等が効果的に防止される。
特に、後述するＴＦＴ基板１７には、製造時の環境により特性が変化しにくい石英ガラスが好ましく用いられる。このため、これに対応させて、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１を石英ガラスで構成することが好ましい。これにより、そり、たわみ等の生じにくい、安定性に優れた液晶パネル１を得ることができる。
【００２０】
マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の上面には、凹部１１２を覆う樹脂層（接着剤層）１１５が設けられている。
凹部１１２内には、樹脂層１１５の構成材料が充填されることにより、マイクロレンズ１１３が形成されている。
樹脂層１１５は、例えば、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の構成材料の屈折率よりも高い屈折率の樹脂（接着剤）で構成することができ、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルエポキシ系のような紫外線硬化樹脂等で好適に構成することができる。
【００２１】
樹脂層１１５の上面には、平板状の表層１１４が設けられている。
表層（ガラス層）１１４は、例えばガラスで構成することができる。この場合、表層１１４の熱膨張係数は、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の熱膨張係数とほぼ等しいもの（例えば両者の熱膨張係数の比が１／１０〜１０程度）とすることが好ましい。これにより、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と表層１１４の熱膨張係数の相違により生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。このような効果は、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と表層１１４とを同種類の材料で構成すると、より効果的に得られる。
【００２２】
表層１１４の平均厚さは、必要な光学特性を得る観点からは、通常、５〜１０００μｍ程度とされ、より好ましくは１０〜１５０μｍ程度とされる。
なお、表層（バリア層）１１４は、例えばセラミックスで構成することもできる。なお、セラミックスとしては、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等の窒化物系セラミックス、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の酸化物系セラミックス、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＴａＣ等の炭化物系セラミックスなどが挙げられる。
表層１１４をセラミックスで構成する場合、表層１１４の平均厚さは、特に限定されないが、２０ｎｍ〜２０μｍ程度とすることが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度とすることがより好ましい。
なお、このような表層１１４は、必要に応じて省略することができる。
【００２３】
ブラックマトリックス１３は、遮光機能を有し、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ等の金属、カーボンやチタン等を分散した樹脂等で構成されている。
透明導電膜１４は、導電性を有し、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等で構成されている。
ＴＦＴ基板１７は、液晶層２が含有する液晶分子を駆動（配向制御）する基板であり、ガラス基板１７１と、かかるガラス基板１７１上に設けられ、マトリックス状（行列状）に配設された複数（多数）の画素電極１７２と、各画素電極１７２に対応する複数（多数）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７３とを有している。
【００２４】
ガラス基板１７１は、前述したような理由から、石英ガラスで構成されていることが好ましい。
画素電極１７２は、透明導電膜（共通電極）１４との間で充放電を行うことにより、液晶層２の液晶分子を駆動する。この画素電極１７２は、例えば、前述した透明導電膜１４と同様の材料で構成されている。
【００２５】
薄膜トランジスタ１７３は、近傍の対応する画素電極１７２に接続されている。また、薄膜トランジスタ１７３は、図示しない制御回路に接続され、画素電極１７２へ供給する電流を制御する。これにより、画素電極１７２の充放電が制御される。
ＴＦＴ基板１７の外表面（図１中上面）側には、偏光膜（偏光板、偏光フィルム）７が配置されている。同様に、液晶パネル用対向基板１２の外表面（図１中下面）側には、偏光膜（偏光板、偏光フィルム）８が配置されている。
【００２６】
偏光膜７、８の構成材料としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等が挙げられる。また、偏光膜としては、前記材料にヨウ素をドープしたもの等を用いてもよい。
偏光膜としては、例えば、上記材料で構成された膜を一軸方向に延伸したものを用いることができる。
このような偏光膜７、８を配置することにより、通電量の調節による光の透過率の制御をより確実に行うことができる。
偏光膜７、８の偏光軸の方向は、通常、無機配向膜３、４の配向方向（本実施形態では、電圧印加時）に応じて決定される。
【００２７】
また、ＴＦＴ基板１７には、画素電極１７２に接合して無機配向膜３が設けられ、液晶パネル用対向基板１２には、透明導電膜１４に接合して無機配向膜４が設けられている。
本実施形態では、ＴＦＴ基板１７と無機配向膜３とにより第１の電子デバイス用基板が構成され、液晶パネル用対向基板１２と無機配向膜４とにより、第２の電子デバイス用基板が構成される。
【００２８】
そして、これらの無機配向膜３と無機配向膜４との間に液晶層２が介挿され（設けられ）ている。液晶層２は、液晶分子（液晶材料）を含有しており、画素電極１７２の充放電に対応して、かかる液晶分子の配向が変化する。
液晶分子としては、例えば、フェニルシクロヘキサン誘導体、ビフェニル誘導体、ビフェニルシクロヘキサン誘導体、ターフェニル誘導体、フェニルエーテル誘導体、フェニルエステル誘導体、ビシクロヘキサン誘導体、アゾメチン誘導体、アゾキシ誘導体、ピリミジン誘導体、ジオキサン誘導体、キュバン誘導体、さらに、これらの誘導体に、フルオロ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基などのフッ素系置換基を導入したもの等が挙げられる。
なお、後述するように、無機配向膜３、４を用いた場合、液晶分子は垂直配向し易くなるが、垂直配向に適する液晶分子としては、例えば、下記化１〜化３で表される化合物等が挙げられる。
【００２９】
【化１】
2007108371.tif 000003
【００３０】
【化２】
2007108371.tif 000004
【００３１】
【化３】
2007108371.tif 000005
［式中、環Ａ〜Ｉは、それぞれ独立して、シクロヘキサン環またはベンゼン環を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基またはフッ素原子のいずれかを示し、Ｘ１〜Ｘ１８は、それぞれ独立して、水素原子またはフッ素原子を示す。］
【００３２】
無機配向膜（垂直配向膜）３、４は、液晶層２が含有する液晶分子の（電圧無印加時における）配向状態を規制する機能を有している。
なお、これらの無機配向膜３、４の構成については、後に詳述する。
このような液晶パネル１では、通常、１個のマイクロレンズ１１３と、かかるマイクロレンズ１１３の光軸Ｑに対応したブラックマトリックス１３の１個の開口１３１と、１個の画素電極１７２と、かかる画素電極１７２に接続された１個の薄膜トランジスタ１７３とが、１画素に対応している。
【００３３】
液晶パネル用対向基板１２側から入射した入射光Ｌは、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１を通り、マイクロレンズ１１３を通過する際に集光されつつ、樹脂層１１５、表層１１４、ブラックマトリックス１３の開口１３１、透明導電膜１４、液晶層２、画素電極１７２、ガラス基板１７１を透過する。
このとき、マイクロレンズ基板１１の入射側に偏光膜８が設けられているため、入射光Ｌが液晶層２を透過する際に、入射光Ｌは直線偏光となっている。
【００３４】
その際、この入射光Ｌの偏光方向は、液晶層２の液晶分子の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パネル１を透過した入射光Ｌを偏光膜７に透過させることにより、出射光の輝度を制御することができる。
このように、液晶パネル１は、マイクロレンズ１１３を有しており、しかも、マイクロレンズ１１３を通過した入射光Ｌは、集光されてブラックマトリックス１３の開口１３１を通過する。
【００３５】
一方、ブラックマトリックス１３の開口１３１が形成されていない部分では、入射光Ｌは遮光される。したがって、液晶パネル１では、画素以外の部分から不要光が漏洩することが防止され、かつ、画素部分での入射光Ｌの減衰が抑制される。このため、液晶パネル１は、画素部で高い光の透過率を有する。
さて、無機配向膜３、４は、それぞれ、図２に示すように、複数の細孔３０、４０を有する構造をなし、各細孔３０、４０の軸は、ＴＦＴ基板１７（液晶パネル用対向基板１２）の上面（無機配向膜３、４が形成される面）に対して、傾斜した状態で一軸配向している。
【００３６】
ここで、各細孔３０、４０の軸が一軸配向しているとは、大多数の細孔３０、４０の軸がほぼ等しい方向を向いていること（細孔３０、４０の軸の平均的な方向が制御されていること）をいい、複数の細孔３０、４０の中には、軸の方向が大多数のものと異なる方向を向いた細孔３０、４０が含まれていてもよい。
このように、各細孔３０、４０が規則的に配列していることにより、無機配向膜３、４は、高い構造規則性を有している。
【００３７】
このような構成により、液晶層２が含有する液晶分子は、垂直配向（ホメオトロピック配向）し易くなる。したがって、このような構成の無機配向膜３、４は、ＶＡ（Vertical Alignment）型の液晶パネルの構築に有用である。
また、無機配向膜３、４が高い構造規則性を有することから、液晶分子の配向方向もより正確に一定方向（垂直方向）に揃うようになる。その結果、液晶パネル１の性能（特性）の向上を図ることができる。
【００３８】
なお、細孔３０、４０とＴＦＴ基板１７または液晶パネル用対向基板１２の上面とのなす角度（図２中角度θ）は、特に限定されないが、４５〜８５°程度であるのが好ましく、５５〜７５°程度であるのがより好ましい。これにより、液晶分子をより確実に垂直配向させることができる。
このような無機配向膜３、４は、例えば、斜方蒸着膜、電子ビーム蒸着膜、マグネトロンスパッタ法やイオンビームスパッタ法により形成された膜等で構成することができるが、特に、斜方蒸着膜で構成するのが好ましい。斜方蒸着膜は、細孔３０、４０の配向性が高く、また、その形成を寸法精度高く行い得ることから好ましい。
【００３９】
また、斜方蒸着膜による無機配向膜３、４は、特に、細孔３０、４０が高密度で存在するため、かかる無機配向膜３、４を備える液晶パネル１に対して、本発明の構成を適用することにより、後述する本発明の効果がより顕著に発揮される。
無機配向膜３、４は、好ましくは無機酸化物を主材料として構成される。一般に、無機材料は、有機材料に比べて、優れた化学的安定性（光安定性）を有している。このため、無機配向膜３、４は、有機材料で構成された配向膜に比べ、特に優れた耐光性を有するものとなる。
【００４０】
また、無機配向膜３、４を構成する無機酸化物は、その誘電率が比較的低いものが好ましい。これにより、液晶パネル１において焼き付き等をより効果的に防止することができる。
このような無機酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯのようなシリコン酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３，Ｓｂ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＷＯ３、ＣｒＯ３、ＧａＯ３、ＨｆＯ２、Ｔｉ３Ｏ５、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を主成分とするものが好ましい。ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３は、誘電率が特に低く、かつ、高い光安定性を有する。
【００４１】
このような無機配向膜３、４は、細孔３０、４０の占める割合が多くなる程、すなわち、規則的に配列した細孔３０、４０が高密度に存在する程、液晶層２が含有する液晶分子に対する配向性（無機配向膜の形状に依存した配向性）が増大する傾向を示すが、一方で、細孔３０、４０の占める割合が多過ぎると、無機配向膜３、４の表面および細孔３０、４０の内面に露出存在する活性な水酸基の数が多くなり、各種不純物の付着や、液晶分子との反応が経時的に生じて、垂直アンカリング力が低下し、配向異常を生じ易くなる傾向を示す。
【００４２】
したがって、無機配向膜３、４において、細孔３０、４０の占める割合を適度な範囲に設定することにより、長期に亘って、液晶分子に対する優れた配向性が発揮されるようになる。
なお、前記不純物としては、例えば、液晶層２を封止する封止材（シール材）中の不純物および未反応成分、液晶層中の不純物および水分、製造過程で付着した汚れ等が挙げられる。
【００４３】
ここで、無機配向膜３、４における細孔３０、４０の占める割合は、それぞれ、ＴＦＴ基板１７の上面および液晶パネル用対向基板１２の上面、すなわち、無機配向膜３、４が形成される基板の一方の面の表面積に対する、無機配向膜３、４の表面積の比を指標とすることができる。なお、無機配向膜３、４の表面積の値とは、無機配向膜３、４の表面の面積と、細孔３０、４０の内面の面積とを合計した値である。
【００４４】
この表面積の比の値が大きい程、無機配向膜３、４における細孔３０、４０の占める割合が多いことを示す。
各表面積の測定方法には、それぞれ、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）法が好適に用いられる。表面積の測定法としては、気体吸着法（ＢＥＴ法、Ｈａｒｋｉｎｓ−Ｊｕｒａの相対法）、液相吸着法、浸漬熱法、透過法などがあるが、このＢＥＴ法によれば、複雑な形状の無機配向膜３、４の表面積、すなわち、無機配向膜３、４の表面および細孔３０、４０の内面の全面積を正確に測定することができる。
【００４５】
なお、この表面積の比の値は、無機配向膜３、４の膜厚にも影響を受けて（依存して）変動する。
このようなことを考慮して、本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、無機配向膜３、４が、次のような関係を満足すると、液晶分子の配向性が極めて良好なものとなることを見出した。
【００４６】
すなわち、無機配向膜３、４が、ＢＥＴ法で測定されるＴＦＴ基板１７、液晶パネル用対向基板１２の上面の表面積をＳ１［ｎｍ２］とし、ＢＥＴ法で測定される無機配向膜３、４の表面積をＳ２［ｎｍ２］とし、無機配向膜３、４の平均厚さをｔ［ｎｍ］としたとき、０．５５ｌｏｇｅｔ≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５ｌｏｇｅｔ＋４．４なる関係を満足するのが好ましい。
【００４７】
これにより、面積比Ｓ２／Ｓ１が小さ過ぎること、すなわち、無機配向膜３、４における細孔３０、４０の占める割合が小さ過ぎることに起因して、初期における液晶分子の配向性が著しく低下するのを防止することができる。一方で、面積比Ｓ２／Ｓ１が大き過ぎること、すなわち、無機配向膜３、４に存在する活性な水酸基の数が多くなり過ぎることに起因して、経時的な液晶分子の配向性の低下を防止することができる。
【００４８】
このＢＥＴ法には、ＢＥＴ多点法、ＢＥＴ一点法のいずれでもよいが、ＢＥＴ多点法を用いるのが好ましい。ＢＥＴ多点法によれば、無機配向膜３、４の表面積をより正確に測定することがでる。
さらに、ＢＥＴ法に用いる吸着ガスとしては、例えば、クリプトンガス、ネオンガスのような希ガス、窒素ガス等が挙げられるが、希ガス、特に、クリプトンガスを用いるのが好ましい。クリプトンガスを用いるＢＥＴ法によれば、特に、再現性よくかつ正確に表面積の測定が可能である。
【００４９】
また、面積比Ｓ２／Ｓ１と平均厚さｔとは、０．５５ｌｏｇｅｔ≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５ｌｏｇｅｔ＋４．４なる関係を満足すればよいが、０．５５ｌｏｇｅｔ≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５ｌｏｇｅｔ＋３．５なる関係を満足するのが好ましく、０．５５ｌｏｇｅｔ＋０．５≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５ｌｏｇｅｔ＋２なる関係を満足するのがより好ましい。
なお、無機配向膜３、４の表面積は、無機配向膜３、４の成膜時の条件（例えば、後述するような斜方蒸着に際する蒸着装置内の真空度、蒸着レート等の各種条件）を適宜設定することにより調整することができる。
【００５０】
平均厚さｔの具体的な値は、２０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましく、４０〜８０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。無機配向膜３、４の厚さが薄過ぎると、液晶分子が直接、画素電極１７２（透明導電膜１４）に接触し、ショートするのを十分に防止することができないおそれがある。一方、無機配向膜３、４の厚さが厚過ぎると、液晶パネル１の駆動電圧が高くなり、消費電力が大きくなる可能性がある。
【００５１】
また、面積比Ｓ２／Ｓ１の具体的な値は、２〜５程度であるのが好ましく、２．５〜４程度であるのがより好ましい。これにより、液晶分子の配向性をより向上させることができる。
なお、上記では、無機配向膜３、４が無機酸化物を主材料として構成される場合を代表して説明したが、無機配向膜３、４は、例えば、ＳｉＮのような無機窒化物、ＭｇＦ２のような無機フッ化物等を主材料として、また、無機酸化物、無機窒化物および無機フッ化物のうちの任意の２種以上を組み合わせた材料を主材料として構成することができる。これらの場合においても、面積比Ｓ２／Ｓ１と平均厚さｔとの関係、面積比Ｓ２／Ｓ１および平均厚さｔの具体的な値は、前記範囲とするのが好ましい。
【００５２】
また、無機配向膜３、４が無機酸化物を主材料として構成される場合、無機配向膜３、４には、その少なくとも表面（好ましくは表面および細孔３０、４０の内面）に、水酸基低減処理を施すのが好ましい。
この水酸基低減処理は、無機配向膜３、４に存在（露出）する活性な水酸基と、この水酸基と反応し得る化合物とを反応させる処理である。
【００５３】
この処理により、無機配向膜３、４に存在する活性な水酸基の数を減少させることができ、無機配向膜３、４に対して各種不純物が付着することや、無機配向膜３、４が液晶分子と反応すること等を防止することができる。このため、例えば、無機配向膜３、４の液晶分子に対する垂直アンカリング力の低下等を防止することができ、結果として、液晶分子に配向異常が生じるのをより確実に防止することができる。
【００５４】
特に、細孔３０、４０の内面に存在する水酸基にも前記化合物を化学結合させることにより、前記効果がより顕著となる。
なお、無機配向膜３、４が前述したような関係（面積比Ｓ２／Ｓ１と平均厚さｔとの関係）を満足することにより、無機配向膜３、４の表面のみならず、細孔３０、４０の内面に存在する水酸基にも前記化合物を確実に化学結合させることができる。
【００５５】
かかる化合物としては、アルコールが好適に用いられる。
この場合、無機配向膜３、４が同組成（同種）のアルコールで処理され、無機配向膜３と無機配向膜４とにおいて、化学結合したアルコールの平均分子量が等しくなっていてもよいが、無機配向膜３と無機配向膜４とにおいて、化学結合したアルコールの平均分子量が異なっているのが好ましい。
【００５６】
本実施形態では、ＴＦＴ基板１７側に設けられた配向膜３のアルコールの平均分子量が、液晶パネル対向基板１２側に設けられた配向膜４のアルコールの平均分子量より大きくなるようにするのが好ましい。すなわち、無機配向膜４より無機配向膜３に、分子量の大きい（炭素数の多い）アルコールがより多く化学結合するようにするのが好ましい。これにより、液晶パネル１の特性の向上を図ることができる。
【００５７】
一般に、液晶パネル１の焼き付きを防止する観点からは、液晶分子を配向させる力が必要以上に強すぎると、焼き付きが生じる傾向が高くなるため、液晶分子と配向膜との分子間力をある程度弱くすべく、無機配向膜３、４に化学結合させるアルコールとしては、比較的分子量の小さい（比較的炭素数の少ない）ものを選択するのが好ましい。
一方、無機配向膜３、４に存在する水酸基と液晶分子との反応に伴う液晶パネル１の配向異常の発生を防止（耐光性、耐久性を向上）する観点からは、無機配向膜３、４の表面に残存する水酸基から液晶分子をできる限り遠ざけるべく、無機配向膜３、４に化学結合させるアルコールとしては、比較的分子量の大きい（比較的炭素数の多い）ものを選択するのが好ましい。
【００５８】
ところで、ＴＦＴ基板１７は、ＴＦＴ１７３を備えることから、液晶パネル用対向基板１２に対して高温となり易く、無機配向膜３に残存する水酸基は、加熱により、その活性がより高まっている。このため、無機配向膜３と液晶層２との界面において、液晶分子が活性な水酸基と反応して変質・劣化し易い状態となっている。したがって、ＴＦＴ基板１７側の無機配向膜３において、より分子量の大きいアルコールを化学結合させ、液晶分子が無機配向膜３に接触するのを確実に防止するのことは、特に有効である。
【００５９】
一方、液晶パネル用対向基板１２側の無機配向膜４では、焼き付きを防止することに主眼に置けばよいため、分子量の小さいアルコールが積極的に選択するのが好ましい。
なお、この場合、各無機配向膜３、４のアルコールにおいて、それらの平均分子量に差が存在すればよく、アルコールとしては、高分子量のアルコールと低分子量のアルコールとを適宜組み合わせるようにしてもよい。
【００６０】
特に、高分子量のアルコールを用いるべき無機配向膜３において、低分子量のアルコールを組み合わせて用いると、高分子量のアルコール同士の間の水酸基や、細孔３０の奥に存在する水酸基にもアルコールを化学結合させることができ、無機配向膜３に残存する水酸基の数をより確実に減少させることができるという利点もある。
このようなことから、本実施形態では、ＴＦＴ基板１７側に設けられた無機配向膜３のアルコールの平均分子量が、液晶パネル対向基板１２側に設けられた無機配向膜４のアルコールの平均分子量より大きくなるように処理に用いるアルコールが選択するのが好ましい。
ここで、分子量がアルコールＸ＞アルコールＹ＞アルコールＺである場合、無機配向膜３のアルコールの平均分子量が、無機配向膜４のアルコールの平均分子量より大きくなる組み合わせとしては、例えば、次のような組み合わせが挙げられる。
【００６１】
Ｉ ：無機配向膜３：Ｘ、    無機配向膜４：ＹまたはＺ
II ：無機配向膜３：Ｘ＋Ｙ、無機配向膜４：Ｘ＋Ｙ
（ただし、Ｘ／Ｙ：無機配向膜３＞無機配向膜４）
III：無機配向膜３：Ｘ＋Ｙ、無機配向膜４：Ｙ＋Ｚ
IV ：無機配向膜３：Ｘ、    無機配向膜４：Ｘ＋Ｚ
【００６２】
また、無機配向膜３のアルコールおよび無機配向膜４のアルコールのうちのいずれか一方が複数種のアルコールを含んでなるものであり、他方が１種のアルコールからなるものである場合、一方の配向膜のアルコールは、他方の配向膜のアルコールと同種のアルコールを含んでいるのが好ましい（前記IV参照）。
また、無機配向膜３のアルコールおよび無機配向膜４のアルコールの双方が、複数種のアルコールを含んでなるものである場合、無機配向膜３のアルコールおよび無機配向膜４のアルコールは、同種のアルコールを含んでいるのが好ましい（前記III参照）。
【００６３】
このように、無機配向膜３のアルコールと無機配向膜４のアルコールとが同種のアルコールを含むことにより、液晶分子に対する垂直アンカリング力を調整する場合、無機配向膜３、４における垂直アンカリング力に大きな差が生じるのを防止すること、換言すれば、微小な力の差の制御を容易に行うことができる。すなわち、液晶分子に対する垂直アンカリング力を調整し易くなるという利点がある。
【００６４】
無機配向膜３のアルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。これにより、液晶パネル１において、配向異常の発生に要する時間をより確実に延長させること、すなわち、耐久性（耐光性）をより確実に向上させることができる。
また、無機配向膜３のアルコールは、炭素数６〜３０のもの（特に、炭素数８〜３０のもの）を主成分とするものが好ましい。これにより、前記効果がより顕著となる。
【００６５】
また、このような炭素数のアルコールは、常温で液状であるか、または半固形状（固形状）であっても比較的低温で液状とすることができる。このため、後述する処理液により無機配向膜３、４を処理する際の取り扱いが容易である。また、液晶分子に対する親和性がより高いため、液晶分子に対する垂直アンカリング力を確実に増大させることができる。
【００６６】
このようなアルコールとしては、脂肪族アルコール、芳香族アルコール、脂環アルコール、複素環アルコール、多価アルコールまたはこれらのハロゲン置換体（特に、フッ素置換体）が挙げられるが、これらの中でも、脂肪族アルコール、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体（フルオロアルコール）が好ましい。脂肪族アルコール、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体を用いることにより、液晶分子に対する垂直アンカリング力がさらに増大し、液晶分子をより確実に垂直配向させることができる。
【００６７】
また、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体は、ステロイド骨格を有するものがより好ましい。ステロイド骨格を有する脂環アルコールまたはそのフッ素置換体は、平面性の高い構造を有するため、液晶分子を配向制御する機能に特に優れるものである。
これらのことから、無機配向膜３のアルコールとしては、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ヘキサデカノール、ヘプタデカノール、オクタデカノール、エイコサノール、ヘンエイコサノール、ドコサノール、トリコサノール、テトラコサノール等の脂肪族アルコール、コレステロール、エピコレステロール、コレスタノール、エピコレスタノール、エルゴスタノール、エピエルゴスタノール、コプレスタノール、エピコプレスタノール、α−エルゴステロール、β−シトステロール、スチグマステロール、カンペステロール等の脂環アルコールまたはこれらのフッ素置換体を主とするものが好適である。
【００６８】
また、脂肪族アルコールまたはそのフッ素置換体は、その炭化水素部分またはフッ化炭素部分（主骨格部分）が、直鎖状をなすもの、分枝状をなすもののいずれであってもよい。
一方、無機配向膜４のアルコールの平均分子量は、３２〜７０程度であるのが好ましく、３２〜６０程度であるのがより好ましい。これにより、液晶パネル１の焼き付きをより確実に防止することができる。
【００６９】
また、無機配向膜４のアルコールは、炭素数１〜４のもの（特に、炭素数１〜３のもの）を主成分とするものが好ましい。これにより、前記効果がより顕著となる。
また、このような炭素数のアルコールは、分子サイズが小さいため、細孔４０の奥深くにまで確実に浸透させることもできる。また、常温で液状であるため、後述する処理液により無機配向膜４を処理する際の取り扱いが容易である。
【００７０】
このようなアルコールとしては、脂肪族アルコール、多価アルコールまたはこれらのハロゲン置換体（特に、フッ素置換体）が挙げられるが、これらの中でも、脂肪族アルコールまたはそのフッ素置換体（フルオロアルコール）が好ましい。
このようなことから、無機配向膜４のアルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノールまたはこれらのフッ素置換体を主とするものが好適である。
【００７１】
なお、液晶分子には、フッ素化されたものが多いことから、フッ素置換体を用いることにより、液晶分子との親和性が向上し、液晶分子を垂直配向させる効果がより高まる。
また、無機配向膜３、４において、アルコールの平均分子量を変える目的としては、配向異常の発生や焼き付きの発生を防止すること以外に、例えば、一対の配向膜における電気的なバラツキを解消すること等が挙げられる。
【００７２】
また、水酸基低減処理には、アルコールを化学結合させる処理の他、例えば、前述したようなアルコールの炭化水素部分を有するシランカップリング剤等の各種カップリング剤を化学結合させる処理が挙げられる。かかるカップリング剤を化学結合させる処理を用いた場合でも、前記と同様の効果が得られる。
なお、アルコールは、入手を容易かつ安価に行えること、取り扱いが特に容易であること等から、水酸基低減処理には、アルコール処理を用いるのが好ましい。
【００７３】
なお、必要に応じて、水酸基低減処理は、省略してもよい。
また、液晶パネル１では、図１および２に示すように、無機配向膜３、４の間であって、それらの外周部に沿って封止部５が設けられている。
この封止部５は、液晶層２を封止して、液晶パネル１の外部に流出するのを防止する機能を有する。
【００７４】
封止部５の構成材料としては、例えば、エポキシ系樹脂（エポキシ樹脂、アクリル変性エポキシ樹脂）、アクリル系樹脂、ビニル系樹脂のような重合性基を有する樹脂材料、ポリカーネート、ポリイミド、ポリアミド等が挙げられる。
本発明では、各無機配向膜３、４の封止部５と重なる領域に、細孔３０、４０内を満たし、かつ表面を覆うように、無機配向膜３、４との親和性の高い第１の官能基と、封止部５との親和性の高い第２の官能基とを有する化合物を含む充填物６を充填したことに特徴を有する。
【００７５】
これにより、封止部５と各無機配向膜３、４との密着性の向上を図ることができる。このため、封止部５と各無機配向膜３、４との界面（境界部）から水分等が液晶層２に侵入するのを防止することができる。
また、各無機配向膜３、４の外周部において、細孔３０、４０が充填物６で満たされる。このため、細孔３０、４０を介して水分等が液晶層２に侵入するのを防止することができる。
【００７６】
このようなことから、液晶層２中の液晶分子が水分に触れることにより、短期間で変質・劣化するのを防止することができる。すなわち、液晶パネル１の長寿命化を図ることができる。
特に、前述したような関係（面積比Ｓ２／Ｓ１と平均厚さｔとの関係）を満足する無機配向膜３、４は、細孔３０、４０が占める割合が大きい。このため、かかる無機配向膜３、４を備える液晶パネル１では、細孔３０、４０を介した液晶層２への水分等の侵入を無視することができないが、本発明によれば、細孔３０、４０を充填物６を満たすため、このような細孔３０、４０の占める割合が大きい無機配向膜３、４を用いつつも、水分等の液晶層２への進入を確実に防止することができる。
【００７７】
したがって、前述したような関係（面積比Ｓ２／Ｓ１と平均厚さｔとの関係）を満足する無機配向膜３、４を備える液晶パネル１に対して、本発明を適用すれば、長期に亘って、液晶分子に対する優れた配向性を発揮するとともに、液晶分子の変質・劣化が生じ難い液晶パネル１、すなわち、長期に亘って優れた特性を維持する液晶パネル１を構築することができる。
【００７８】
充填物６は、前記化合物を主成分とするものであってもよく、前記化合物と他の材料との混合物であってもよい。
後者の場合、他の材料としては、前記化合物との反応性が乏しいものが好適に用いられる。かかる材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタンのような樹脂材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７９】
また、充填物６中における前記化合物の含有量は、特に限定されないが、５０ｗｔ％以上であるのが好ましく、７０ｗｔ％以上であるのがより好ましい。充填物６において前記化合物の含有量（含有率）が低過ぎると、封止部５の構成材料の種類や前記化合物の種類等によっては、封止部５と充填物６との密着性が低下する傾向を示す。
このような化合物において、第１の官能基は、無機配向膜３、４と共有結合を形成する基であるのが好ましく、一方、第２の官能基は、封止部５と共有結合を形成する基が好ましい。これにより、充填物６を介した無機配向膜３、４と封止部５との密着性をより向上させることができる。その結果、液晶層２への水分等の侵入をより確実に防止することができる。
【００８０】
無機配向膜３、４は、前述したように、それぞれ、好ましくは無機酸化物（特に、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３）を主材料として構成される。この場合、第１の官能基としては、例えば、アルキルシリル基、ハロゲン化シリル基、水酸基、チオール基、ハロゲン基等が挙げられるが、これらの中でも、特に、アルキルシリル基または水酸基が好ましい。これらの官能基は、無機配向膜３、４に存在する水酸基との反応性が高く、充填物６と無機配向膜３、４との密着性の向上を図ることができる。
【００８１】
一方、封止部５が重合性基を有する樹脂材料を主材料として構成される場合、第２の官能基は、前記重合性基と重合する基が好ましい。これにより、充填物６と封止部５との密着性の向上を図ることができる。
例えば、封止部５を構成する樹脂材料が、重合性基としてエポキシ基を有する場合、第２の官能基としては、エポキシ基、（メタ）アクリル基、ビニル基、アミノ基等が挙げられるが、特に、エポキシ基が好適であり、重合性基として（メタ）アクリル基を有する場合、第２の官能基としては、（メタ）アクリル基、エポキシ基、（メタ）アクリル基、ビニル基等が挙げられるが、特に、（メタ）アクリル基またはビニル基が好適である。
【００８２】
このような化合物の分子量は、１００〜５００程度であるのが好ましく、１３０〜４００程度であるのがより好ましい。かかる分子量の化合物は、常温で液状または比較的低温で液状となるため、取り扱い易く、また、各種溶媒に対する溶解性が高い。このようなことから、後述する充填物組成物の調製や、その取り扱いが容易となる。
また、かかる分子量の化合物を用いることにより、充填物６を他の材料との混合物とする場合、これらの均一な混和を図ることができることからも好ましい。
【００８３】
このような化合物の具体例としては、例えば、ビニルメトキシシラン、ビニルエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミンのようなシラン系カップリング剤、ビニルアルコール、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピパノール、３−アミノプロパノール、３−グリシドキシプロパノール、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エタノール、３−メタクロキシプロパノール、Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（ヒドロキシ）プロピル］エチレンジアミンのようなアルコール類等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、前記化合物には、前述したような第１の官能基および第２の官能基を有するポリマーを用いることもできる。
このような液晶パネル１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００８４】
［１］  まず、ＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１２とを、公知の方法により製造し、ＴＦＴ基板１７上に画素電極１７２およびＴＦＴ１７３を覆うように無機配向膜３を、一方、液晶パネル用対向基板１２の透明導電膜１４上に無機配向膜４をそれぞれ形成する（第１の工程）。
無機配向膜３、４の形成方法（形成工程）は、同様であるので、以下、無機配向膜３の形成方法を代表に説明する。
【００８５】
ここでは、無機配向膜３を斜方蒸着法により形成する場合について説明する。
斜方蒸着法では、図３に示すように、チャンバ（図示せず）内に、無機酸化物（原料）８００を収納した蒸着源８１０と、ＴＦＴ基板１７とを設置し、これらの間にスリット８２１が形成されたスリット板８２０を配置する。
なお、ＴＦＴ基板１７は、駆動装置８３０に固定され、後述する蒸着角度（図３中、角度θ２）を維持した状態で、平行移動可能になっている。また、ＴＦＴ基板１７は、図示しない加熱手段により加熱可能となっている。
【００８６】
この状態で、蒸着源８１０に設けられた加熱手段（図示せず）により無機酸化物８００を加熱して蒸発（気化）させる。そして、無機酸化物８００の蒸発粒子を、スリット板８２０のスリット８２１を介してＴＦＴ基板１７の上面（無機配向膜３を形成する面）に到達させる。
なお、このとき、ＴＦＴ基板１７を、前述の加熱手段により所定の温度に加熱するとともに、駆動装置８３０により所定の速度で平行移動させる。
【００８７】
これにより、ＴＦＴ基板１７上に、複数の細孔３０を有する無機配向膜３が得られる。
ここで、蒸発源から気化した無機酸化物（蒸発粒子）８００が、ＴＦＴ基板１７の上面に到達する蒸着角度（図３中、角度θ２）を適宜設定することにより、細孔３０のＴＦＴ基板１７の上面に対する角度を調整することができる。
また、無機配向膜３の表面積Ｓ２は、気化した無機酸化物８００が基板に到着した際に形成される構造（カラム構造）の状態に大きく依存しており、蒸着時のチャンバ内の真空度、蒸着レート、ＴＦＴ基板１７の温度（基板温度）、蒸着角度θ２等の各種条件を適宜設定することにより調整することができる。
【００８８】
チャンバ（蒸着装置）内の真空度は、１×１０−５〜１×１０−２Ｐａ程度であるのが好ましく、５×１０−５〜５×１０−３Ｐａ程度であるのがより好ましい。
また、蒸着時の基板温度は、２０〜１５０℃程度であるのが好ましく、５０〜１２０℃程度であるのがより好ましい。
また、蒸着レートは、２．５〜２５Å／秒程度であるのが好ましく、４〜２０Å／秒程度であるのがより好ましい。
【００８９】
また、蒸着角度θ２は、４５〜８５°程度であるのが好ましく、５０〜７５°程度であるのがより好ましい。
各種条件を、それぞれ前記範囲に設定することにより、目的とする面積比Ｓ２／Ｓ１の無機配向膜３を精度よく形成することができる。
例えば、真空度を高く設定すると、表面積Ｓ２が小さくなる傾向を示し、基板温度を高く設定すると、表面積Ｓ２が小さくなる傾向を示し、蒸着角度θ２を大きく設定すると、セルフシャドーイング（自己影づけ）効果により表面積Ｓ２が大きくなる傾向を示す。
また、蒸着源８１０とＴＦＴ基板１７との方位角度（図３中、角度θ１）や、ＴＦＴ基板１７と蒸着源８１０との離間距離（図３中Ｌ）、スリット板８２０の厚さ（図３中Ｔ）やスリット８２１の幅（図３中Ｗ）等を適宜設定することにより、カラム構造の方向均一性を制御すること、すなわち、無機配向膜３の配向性を制御することができる。
【００９０】
［２］  次に、無機配向膜３に対して、水酸基低減処理を施す。
この水酸基低減処理は、例えば、図４に示すような処理装置９００が用いられる。
図４に示す処理装置９００は、チャンバ９１０と、チャンバ９１０内に設けられたステージ９５０と、ステージ９５０上に配置された容器９２０と、容器９２０内に処理液Ｓを供給する給液手段９６０と、容器９２０内の処理液Ｓを排液する排液手段９４０と、チャンバ９１０内の排気を行う排気手段９３０とを有している。
【００９１】
また、ステージ９５０には、例えば、ヒータ等の加熱手段（図示せず）が設けられている。
排気手段９３０は、ポンプ９３２と、ポンプ９３２とチャンバ９１０とを連通する排気ライン９３１と、排気ライン９３１の途中に設けられたバルブ９３３とで構成されている。
【００９２】
また、排液手段９４０は、処理液Ｓを回収する回収タンク９４４と、回収タンク９４４と容器９２０とを連通する排液ライン９４１と、排液ライン９４１の途中に設けられたポンプ９４２およびバルブ９４３とで構成されている。
また、給液手段９６０は、処理液Ｓを貯留する貯留タンク９６４と、貯留タンク９６４から処理液Ｓを容器９２０に導く給液ライン９６１と、給液ライン９６１の途中に設けられたポンプ９６２およびバルブ９６３とで構成されている。
また、排液手段９４０および給液手段９６０には、それぞれ、図示しない加熱手段（例えば、ヒータ等）が設けられ、処理液Ｓを加熱し得るよう構成されている。
ここでは、処理液Ｓとしてアルコールを用いる場合を一例に説明する。
【００９３】
［２−１］  まず、無機配向膜３が形成されたＴＦＴ基板１７を、前述したようなアルコールを含有する処理液Ｓに浸漬する。
具体的には、チャンバ９１０を開放し、無機配向膜３が形成されたＴＦＴ基板１７を搬入して、容器９２０内に設置する。
次に、チャンバ９１０を密閉した状態とし、ポンプ９６２を作動し、この状態で、バルブ９６３を開くことにより、給液ライン９６１を介して、処理液Ｓを貯留タンク９６４から容器９２０内に供給する。
【００９４】
そして、容器９２０内に所定量の処理液Ｓ、すなわち、ＴＦＴ基板１７が完全に漬かる量の処理液Ｓを供給すると、ポンプ９６２を停止するとともに、バルブ９６３を閉じる。
ここで、アルコールとしては、常温で液状のものであっても、常温で固形状または半固形状のものであってもよい。
常温で液状のアルコールを用いる場合、処理液Ｓには、このアルコールそのもの（アルコールの含有量がほぼ１００％のもの）を用いることができる他、適当な溶媒にアルコールを混合して用いることができる。
【００９５】
また、常温で固形状または半固形状のアルコールを用いる場合、処理液Ｓには、このアルコールを加熱により液状としたものを用いることができる他、適当な溶媒にアルコールを溶解して用いることができる。
アルコールを溶媒に混合または溶解する場合、溶媒には、アルコールを混合または溶解可能であり、かつ、アルコールより極性の低いものが選択される。これにより、溶媒が無機配向膜３の水酸基とアルコールとの反応を妨げることを防止することができ、化学反応を確実に生じさせることができる。
【００９６】
［２−２］  次に、チャンバ９１０内（処理液Ｓが設置された空間）を減圧することにより、無機配向膜３の細孔３０内に処理液Ｓを浸透させる。
具体的には、チャンバ９１０を密閉した状態とし、ポンプ９３２を作動し、この状態で、バルブ９３３を開くことにより、排気ライン９３１を介して、チャンバ９１０内の気体を処理装置９００外に排出する。
【００９７】
チャンバ９１０内の圧力が徐々に低下することにより、処理液Ｓ中および無機配向膜３の細孔３０内の気体（例えば空気等）が取り除かれ、細孔３０内に処理液Ｓが浸透していく。
そして、チャンバ９１０内が所定の圧力になると、ポンプ９３２を停止するとともに、バルブ９３３を閉じる。
【００９８】
このチャンバ９１０内（空間）の所定の圧力、すなわち、チャンバ９１０内の真空度は、１×１０−４〜１×１０４Ｐａ程度であるのが好ましく、１×１０−２〜１×１０３Ｐａ程度であるのがより好ましい。これにより、無機配向膜３の細孔３０内から十分に空気が取り除かれ、細孔３０内に処理液Ｓを十分に浸透させることができる。
次に、ポンプ９４２を作動し、この状態で、バルブ９４３を開くことにより、容器９２０内の余剰の処理液Ｓを排液ライン９４１を介して回収タンク９４４に回収する。
そして、容器９２０内から処理液Ｓのほぼ全てが回収されると、ポンプ９４２を停止するとともに、バルブ９４３を閉じる。
【００９９】
［２−３］  次に、無機配向膜３の表面および細孔３０の内面に、アルコールを化学結合させる。
具体的には、ステージ９５０に設けられた加熱手段を作動させることにより、無機配向膜３が形成されたＴＦＴ基板１７を加熱する。
これにより、無機配向膜３の表面および細孔３０の内面に存在する水酸基と、アルコールが有する水酸基との間に脱水縮合反応が生じ、無機配向膜３の表面および細孔３０の内面に、アルコールが化学結合する。
【０１００】
なお、この加熱を行うのに先立って、必要に応じて、再度、チャンバ９１０内を減圧するようにしてもよい。
ＴＦＴ基板１７の加熱温度は、特に限定されないが、８０〜２５０℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。加熱温度が低過ぎると、アルコールの種類や、無機配向膜３の構成材料の種類等によっては、無機配向膜３にアルコールを十分に化学結合させることができないおそれがあり、一方、加熱温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果の増大が見込めない。
【０１０１】
また、ＴＦＴ基板１７の加熱時間も、特に限定されないが、２０〜１８０分程度であるのが好ましく、４０〜１００分程度であるのがより好ましい。加熱時間が短過ぎると、加熱温度等の他の条件によっては、無機配向膜３にアルコールを十分に化学結合させることができないおそれがあり、一方、加熱温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果の増大が見込めない。
【０１０２】
以上のように、無機配向膜３の表面および細孔３０の内面に存在する水酸基と、アルコールとを反応させる方法として、加熱による方法を用いることにより、前記反応を比較的容易かつ確実に行うことができる。
なお、前記反応は、加熱による方法に限定されず、例えば、紫外線の照射、赤外線の照射等により行うこともできる。これらの場合、各処理を行うのに必要な機構（手段）が処理装置９００に設けられる。
【０１０３】
なお、アルコールとして、複数種のものを用いる場合には、前記処理液Ｓ中に複数のアルコールを同時に混合するようにしてもよい。この場合、無機配向膜３に化学結合する複数種のアルコールの比率は、例えば、処理液中における複数種のアルコールの配合比、種類や分子量、処理条件等を適宜設定することにより調整することができる。
また、各アルコールをそれぞれ含有する複数の処理液を用意し、各処理液を順次用いて、前述したようにしてＴＦＴ基板１７を処理するようにしてもよい。この場合、最も分子量の小さいアルコールを含有する処理液から、より分子量の大きいアルコールを含有する処理液へと順に変更して、ＴＦＴ基板１７を処理するのが好ましい。これにより、低分子量のアルコールを細孔３０の奥にまでより確実に化学結合させることができる。
【０１０４】
さらに、無機配向膜３の表面付近に選択的にアルコールが化学結合していればよい場合には、無機配向膜３の表面に処理液Ｓを単に接触させるようにすればよい。これにより、前述したような処理装置９００の使用を省略することができ、液晶パネル１の製造工程の簡略化や、製造コストの低減を図ることができる。
無機配向膜３に処理液Ｓを接触させる方法としては、例えば、無機配向膜３に処理液Ｓを塗布する方法（塗布法）、無機配向膜３が形成されたＴＦＴ基板１７を処理液Ｓに浸漬する方法（浸漬法）、無機配向膜３を処理液Ｓの蒸気に曝す方法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、塗布法には、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いることができる。
【０１０５】
［３］  次に、無機配向膜３、４の外周部（封止部５を形成する領域）において、その細孔３０、４０内を満たし、かつ表面を覆うように、前述したような化合物を含む充填物６を充填する（第２の工程）。
まず、充填物６を含む液状の充填物組成物を用意する。
充填物６が常温で液状の場合、充填物組成物は、充填物６をそのまま、または適当な溶媒に溶解して調製することができる。また、充填物６が固形状の場合、充填物組成物は、充填物６を加熱により液状とするか、または適当な溶媒に溶解して調整することができる。
【０１０６】
次に、この充填物組成物を、無機配向膜３、４の外周部に選択的に供給し、その後、必要に応じて乾燥する。これにより、充填物６を無機配向膜３、４の細孔３０、４０内を満たし、かつ表面を覆うように充填することができる。
充填物組成物を無機配向膜３、４の外周部に選択的に供給する方法には、インクジェット印刷法（液滴吐出法）により充填物組成物を液滴として吐出する方法、液晶層２を設ける領域（充填物６を充填することを要しない領域）をマスクで覆った状態で、スピンコート法やディップコート法等により充填物組成物を供給する方法等が挙げられる。
【０１０７】
この充填物組成物の粘度は、できるだけ低い方が好ましく、次工程［４］で用いる液状の封止材の粘度より低いのが好ましい。これにより、無機配向膜３、４の細孔３０、４０のより奥深くにまで、十分な量の充填物６を充填することができる。
具体的には、充填物組成物の粘度は、０．１〜１００ｃＰ程度であるのが好ましく、０．５〜５０ｃＰ程度であるのがより好ましい。
【０１０８】
なお、充填物６は、例えば、真空蒸着法のような物理的気相成膜法や、化学的気相成膜法等の気相プロセスにより、無機配向膜３、４に供給することもできるが、前述したような液相プロセスを用いるのが好ましい。液相プロセスを用いることにより、充填物６の細孔３０、４０への充填率をより向上させることができる。
また、この充填物６の無機配向膜３、４の表面を覆った部分の平均厚さ（図２中ｍ）は、特に限定されないが、１〜２５ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜１０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、本工程［３］は、前記工程［２］に先立って行うようにしてもよい。
【０１０９】
［４］  次に、無機配向膜３、４の充填物６が充填された領域内に、封止部５を形成するための液状の封止材を供給する（第３の工程）。
この封止材には、封止部５の構成材料またはその前駆体を含む組成物が用いられる。
封止材の粘度は、好ましくは前記充填物組成物の粘度より高くなるように設定され、５０〜１０００００ｃＰ程度であるのが好ましく、１００〜５００００ｃＰ程度であるのがより好ましい。
また、封止材の供給方法としては、前記工程［３］と同様の方法を用いることができる。
【０１１０】
［５］  次に、ＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１２とを、これらの間に間隙が形成されるように、封止材同士を接触させて配置した後、封止材を硬化させる（第４の工程）。
具体的には、無機配向膜３、４を対向させ、ＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１２とを、所定の距離離間するように封止材同士を接触させた後、封止材を硬化させる。
【０１１１】
この封止材を硬化させる方法としては、例えば、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）、紫外線照射、加熱等の方法が挙げられる。
なお、前記工程［４］および本工程［５］は、封止材の硬化物の一部に、貫通孔が形成されるように行う。この貫通孔は、次工程［５］において液晶組成物を、無機配向膜３、４と封止材の硬化物で囲まれる空間（間隙）に注入するための注入口を構成する。
【０１１２】
［６］  次に、前記空間に液晶組成物を注入口から注入して、液晶層２を形成する（第５の工程）。
［７］  次に、前記注入口を封止する（第６の工程）。
この注入口の封止に用いる材料としては、前記封止材と同じものであってもよく、異なるものであってよい。
以上の工程を経て、液晶パネル１が製造される。
【０１１３】
なお、前記工程［２］に先立って、無機配向膜３、４には、これらを形成する際に付着した有機物やパーティクル等の汚れを除去する処理を行うようにしてもよい。これにより、充填物６と無機配向膜３、４との密着性のさらなる向上や、水酸基低減処理の高効率化を図ることができる。
有機物を除去する処理としては、紫外線照射、プラズマ処理や、図４に示す処理装置９００において、処理液Ｓとして洗浄液（例えば、超純水等）を用いた洗浄処理が好適であり、パーティクルを除去する処理としては、前記洗浄処理が好適である。
以上説明した液晶パネル１では、液晶駆動基板としてＴＦＴ基板を用いたが、液晶駆動基板にＴＦＴ基板以外の他の液晶駆動基板、例えば、ＴＦＤ基板、ＳＴＮ基板などを用いてもよい。
【０１１４】
次に、本発明の電子機器の一例として、上記液晶パネル１を用いた電子機器（液晶プロジェクタ）について説明する。
図５は、本発明の電子機器（投射型表示装置）の光学系を模式的に示す図である。
同図に示すように、投射型表示装置３００は、光源３０１と、複数のインテグレータレンズを備えた照明光学系と、複数のダイクロイックミラー等を備えた色分離光学系（導光光学系）と、赤色に対応した（赤色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２４と、緑色に対応した（緑色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２５と、青色に対応した（青色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２６と、赤色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１１および青色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１２が形成されたダイクロイックプリズム（色合成光学系）２１と、投射レンズ（投射光学系）２２とを有している。
【０１１５】
また、照明光学系は、インテグレータレンズ３０２および３０３を有している。色分離光学系は、ミラー３０４、３０６、３０９、青色光および緑色光を反射する（赤色光のみを透過する）ダイクロイックミラー３０５、緑色光のみを反射するダイクロイックミラー３０７、青色光のみを反射するダイクロイックミラー（または青色光を反射するミラー）３０８、集光レンズ３１０、３１１、３１２、３１３および３１４とを有している。
【０１１６】
液晶ライトバルブ２５は、前述した液晶パネル１を備えている。液晶ライトバルブ２４および２６も、液晶ライトバルブ２５と同様の構成となっている。これら液晶ライトバルブ２４、２５および２６が備えている液晶パネル１は、図示しない駆動回路にそれぞれ接続されている。
なお、投射型表示装置３００では、ダイクロイックプリズム２１と投射レンズ２２とで、光学ブロック２０が構成されている。また、この光学ブロック２０と、ダイクロイックプリズム２１に対して固定的に設置された液晶ライトバルブ２４、２５および２６とで、表示ユニット２３が構成されている。
【０１１７】
以下、投射型表示装置３００の作用を説明する。
光源３０１から出射された白色光（白色光束）は、インテグレータレンズ３０２および３０３を透過する。この白色光の光強度（輝度分布）は、インテグレータレンズ３０２および３０３により均一にされる。光源３０１から出射される白色光は、その光強度が比較的大きいものであるのが好ましい。これにより、スクリーン３２０上に形成される画像をより鮮明なものとすることができる。また、投射型表示装置３００では、耐光性に優れた液晶パネル１を用いているため、光源３０１から出射される光の強度が大きい場合であっても、優れた長期安定性が得られる。
【０１１８】
インテグレータレンズ３０２および３０３を透過した白色光は、ミラー３０４で図５中左側に反射し、その反射光のうちの青色光（Ｂ）および緑色光（Ｇ）は、それぞれダイクロイックミラー３０５で図５中下側に反射し、赤色光（Ｒ）は、ダイクロイックミラー３０５を透過する。
ダイクロイックミラー３０５を透過した赤色光は、ミラー３０６で図５中下側に反射し、その反射光は、集光レンズ３１０により整形され、赤色用の液晶ライトバルブ２４に入射する。
【０１１９】
ダイクロイックミラー３０５で反射した青色光および緑色光のうちの緑色光は、ダイクロイックミラー３０７で図５中左側に反射し、青色光は、ダイクロイックミラー３０７を透過する。
ダイクロイックミラー３０７で反射した緑色光は、集光レンズ３１１により整形され、緑色用の液晶ライトバルブ２５に入射する。
【０１２０】
また、ダイクロイックミラー３０７を透過した青色光は、ダイクロイックミラー（またはミラー）３０８で図５中左側に反射し、その反射光は、ミラー３０９で図５中上側に反射する。前記青色光は、集光レンズ３１２、３１３および３１４により整形され、青色用の液晶ライトバルブ２６に入射する。
このように、光源３０１から出射された白色光は、色分離光学系により、赤色、緑色および青色の三原色に色分離され、それぞれ、対応する液晶ライトバルブに導かれ、入射する。
【０１２１】
この際、液晶ライトバルブ２４が有する液晶パネル１の各画素（薄膜トランジスタ１７３とこれに接続された画素電極１７２）は、赤色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路（駆動手段）により、スイッチング制御（オン／オフ）、すなわち変調される。
同様に、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２５および２６に入射し、それぞれの液晶パネル１で変調され、これにより緑色用の画像および青色用の画像が形成される。この際、液晶ライトバルブ２５が有する液晶パネル１の各画素は、緑色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御され、液晶ライトバルブ２６が有する液晶パネル１の各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御される。
【０１２２】
これにより赤色光、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２４、２５および２６で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用の画像がそれぞれ形成される。
前記液晶ライトバルブ２４により形成された赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２４からの赤色光は、面２１３からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１で図５中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１２を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１２３】
また、前記液晶ライトバルブ２５により形成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２５からの緑色光は、面２１４からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１および２１２をそれぞれ透過して、出射面２１６から出射する。
また、前記液晶ライトバルブ２６により形成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２６からの青色光は、面２１５からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１２で図５中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１１を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１２４】
このように、前記液晶ライトバルブ２４、２５および２６からの各色の光、すなわち液晶ライトバルブ２４、２５および２６により形成された各画像は、ダイクロイックプリズム２１により合成され、これによりカラーの画像が形成される。この画像は、投射レンズ２２により、所定の位置に設置されているスクリーン３２０上に投影（拡大投射）される。
【０１２５】
本実施形態の投射型表示装置３００は、３個の液晶パネルを有するものであり、これらの全てに液晶パネル１を適用したものについて説明したが、これらのうちの少なくとも１つが、液晶パネル１であればよい。この場合、少なくとも、青色用の液晶ライトバルブに液晶パネル１を適用するのが好ましい。
なお、本発明の電子機器は、図５の投射型表示装置の他にも、例えば、パーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、携帯電話機（ＰＨＳを含む）、ディジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータなどが挙げられる。そして、これらの各種電子機器が表示部、モニタ部に備える液晶パネルに、本発明を適用可能なことは言うまでもない。
【０１２６】
以上、本発明の液晶パネル、液晶パネルの製造方法および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、本発明の液晶パネルおよび電子機器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、本発明の液晶パネルの製造方法では、任意の１または２以上の工程を追加することもできる。
【実施例】
【０１２７】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．液晶パネルの製造
（実施例１）
＜１＞  まず、図１に示すＴＦＴ基板を用意し、図３に示す真空蒸着装置のチャンバ内に基板面が蒸着源に対して、角度θ1が５０°となるようにセットした。また、スリット板の厚さは１．５ｃｍ、スリットの幅は２．０ｃｍとし、蒸着角度θ２は６０°、蒸着距離は１．５ｍ、基板の稼動速度（移動速度）は２．５ｃｍ／分とした。
【０１２８】
そして、チャンバ内を減圧（１×１０−４Ｐａ）し、基板温度１１０℃、蒸着レート１０Å／秒で、ＳｉＯ２を斜方蒸着して、無機配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた無機配向膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであり、細孔の平均開口径が０．００３μｍであった。
また、この無機配向膜の表面積Ｓ２と、ＴＦＴ基板の表面積Ｓ１との面積比Ｓ２／Ｓ１は、２．８５であった。
【０１２９】
これは、前記と同様にして作製した無機配向膜付きＴＦＴ基板を所定のサイズ（１．５ｃｍ×１．８ｃｍ）に切断して、この切片をそれぞれ試験管に５枚封入し、高精度全自動ガス吸着装置（日本ベル社製、「ＢＥＬＳＯＲＰ  ３６」）を用いて、表面積の測定することにより行った。
具体的には、各切片が封入された試験管内をヘリウムガスで置換した後、１００℃で真空脱気した。そして、無機配向膜を含む各切片全体に、吸着温度７７Ｋ（液体窒素温度）でクリプトンガスを吸着させた。測定範囲は、相対圧（Ｐ／Ｐ０）＝０．０〜０．４、各平衡相対圧に対して１８０秒を平衡時間とした。なお、表面積の測定には、ＢＥＴ理論を適用した。このように測定した各切片全体の表面積Ｓから無機配向膜が形成されていない部分の幾何表面積ｓを差し引いて、無機配向膜の表面積Ｓ２を算出した。
また、無機配向膜形成前のＴＦＴ基板に対しても同様にして、表面積Ｓ１を測定した。
そして、測定されたＳ１およびＳ２の値に基づいて、面積比Ｓ２／Ｓ１を算出した。
【０１３０】
＜２＞  次に、無機配向膜付きＴＦＴ基板を、クリーンオーブン中、２００℃×９０分間で加熱し、加熱終了直後、乾燥窒素雰囲気中に移動し、そのまま放置した。
＜３＞  次に、無機配向膜に対して、波長２５４ｎｍ、強度３０ｍｗ／ｃｍ２の紫外線を１０分間照射した。
＜４＞  次に、図４に示す処理装置内に、無機配向膜付き基板を搬入し、容器（ポリテトラフルオロエチレン製）内に、無機配向膜を上にして設置し、チャンバを密閉した。
そして、準備した超純水（洗浄液）を容器内に供給して、無機配向膜付き基板を洗浄液に浸漬させた。その後、チャンバ内を１３３Ｐａに減圧し、この状態を１０分間維持した。これにより、無機配向膜の細孔内の気体を超純水に置換した。
なお、超純水の温度は、３０℃とした。
次いで、チャンバ内を大気圧に復帰させた後、超純水を容器から排液した。その後、再度、チャンバ内を減圧しつつ、基板を２００℃×９０分間、加熱した。これにより、無機配向膜を乾燥させた。
加熱終了後、減圧状態を維持しつつ、放冷した。
【０１３１】
＜５＞  次に、１−オクタノール（分子量：１３０）を用意し、ろ過フィルターを用いてイオン性不純物を除去した後、窒素バブリングにより微量含有水分を除去した。
そして、図４に示す処理装置を用いて、前記工程＜３＞と同様にして、無機配向膜の細孔内の気体を１−オクタノールに置換した。
次いで、チャンバ内を大気圧に復帰させた後、１−オクタノールを容器から排出した。その後、再度、チャンバ内を１３３Ｐａに減圧しつつ、基板を１５０℃×１時間で加熱した。これにより、無機配向膜の表面および細孔の内面に、１−オクタノールを化学結合させた。
加熱終了後、減圧状態を維持しつつ、放冷した。
【０１３２】
＜６＞  一方、図１に示す液晶パネル用対向基板を用意し、１−オクタノールに代えて２−プロパノール（分子量：６０）を用いた以外は、前記工程＜１＞〜＜５＞と同様にして、無機配向膜付き液晶パネル用対向基板を得た。
＜７＞  次に、各無機配向膜の外周部に沿って、充填物（充填物組成物）として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（分子量：２２０）を、インクジェト印刷法により供給して、細孔内を満たし、かつ表面を覆った。なお、無機配向膜の表面を覆った部分の平均厚さは、５ｎｍであった。
なお、充填物組成物の粘度は、３ｃＰであった。
【０１３３】
＜８＞  次に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを供給（充填）した部分に、注入口となる部分を残して、熱硬化型接着剤（日本化薬社製、「ＭＬ３８０４Ｐ」）を印刷し、８０℃×１０分間加熱して溶媒を除去した。
なお、熱硬化型接着剤は、直径約３μｍのシリカ球を混合したエポキシ樹脂であり、その粘度は、約２５０００ｃＰであった。
【０１３４】
＜９＞  次に、無機配向膜を内側にして、２枚の基板を圧着しつつ、１４０℃×１時間で加熱することにより貼り合わせた。なお、２枚の基板は、無機配向膜の配向方向が互いに１８０°となるように配置した。
＜１０＞  次に、２枚の基板を貼り合わせて形成された内側の空間に、注入口から、フッ素系の負の誘電異方性液晶（メルク社製、「ＭＬＣ−６６１０」）を真空注入法により注入した。
＜１１＞  次に、注入口をアクリル系のＵＶ接着剤（ヘンケルジャパン社製、「ＬＰＤ−２０４」）を用いて、波長３６５ｎｍのＵＶを３０００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化し、注入口を封止した。
以上のようにして、液晶パネルを製造した。
【０１３５】
（実施例２）
充填物として、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（分子量：２４６）と、エチレン−酢酸ビニル共重合体との混合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
なお、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン：エチレン−酢酸ビニル共重合体＝７０：３０（重量比）とした。
また、この混合物は、ヘキサンに溶解して充填物組成物を調製し、インクジェト印刷法により、無機配向膜に供給した。
なお、充填物組成物の粘度は、２０ｃＰであった。
（比較例）
充填物の充填を省略したい以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
【０１３６】
２．液晶パネルの耐久性試験
各実施例および比較例で製造した液晶パネルを、高温多湿な環境（８０℃、８０％ＲＨ）に放置し、経時的に表示性能を確認し、表示異常が生じるまでの時間を測定した。
その結果、各実施例で製造した液晶パネルは、いずれも、表示異常が生じるまでの時間が、比較例で製造した液晶パネルにおいて表示異常が生じるまでの時間より明らかに長いことが確認された。
また、ＳｉＯ２に代えて、Ａｌ２Ｏ３を用いて無機配向膜付きＴＦＴ基板および無機配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製し、前記と同様にして、液晶パネルを製造して、前記と同様にして評価を行ったところ、前記と同様の結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】本発明の液晶パネルの実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図２】図１に示す液晶パネルの外周部付近を拡大して示す縦断面図である。
【図３】図１に示す液晶パネルの製造方法に用いる真空蒸着装置の構成を示す模式図である。
【図４】図１に示す液晶パネルの製造方法に用いる処理装置の構成を示す模式図である。
【図５】本発明の電子機器を適用した投射型表示装置の光学系を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１３８】
１……液晶パネル  ２……液晶層  ３、４……無機配向膜  ３０、４０……細孔  ５……封止部  ６……充填物  １１……マイクロレンズ基板  １１１……マイクロレンズ用凹部付き基板  １１２……凹部  １１３……マイクロレンズ  １１４……表層  １１５……樹脂層  １２……液晶パネル用対向基板  １３……ブラックマトリックス  １３１……開口  １４……透明導電膜  １７……ＴＦＴ基板  １７１……ガラス基板  １７２……画素電極  １７３……薄膜トランジスタ  ８００……無機酸化物（原料）  ８１０……蒸着源  ８２０……スリット板  ８２１……スリット  ８３０……駆動装置  ９００……処理装置  ９１０……チャンバ  ９２０……容器  ９３０……排気手段  ９３１……排気ライン  ９３２……ポンプ  ９３３……バルブ  ９４０……排液手段  ９４１……排液ライン  ９４２……ポンプ  ９４３……バルブ  ９４４……回収タンク  ９５０……ステージ  ９６０……給液手段  ９６１……給液ライン  ９６２……ポンプ  ９６３……バルブ  ９６４……貯留タンク  Ｓ……処理液  ３００……投射型表示装置  ３０１……光源  ３０２、３０３……インテグレータレンズ  ３０４、３０６、３０９……ミラー  ３０５、３０７、３０８……ダイクロイックミラー  ３１０〜３１４……集光レンズ  ３２０……スクリーン  ２０……光学ブロック  ２１……ダイクロイックプリズム  ２１１、２１２……ダイクロイックミラー面  ２１３〜２１５……面  ２１６……出射面  ２２……投射レンズ  ２３……表示ユニット  ２４〜２６……液晶ライトバルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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