(57)【要約】【課題】形成領域における内周側および外周側の両端が直線的になるようにパターンを描画し得るパターン描画方法を提供する。【解決手段】表面に樹脂層が形成された基材を矢印Ｒの向きに回転させつつ、凹凸パターンを構成する凸部および凹部の一方の平面パターンを樹脂層に描画する際に、一方を形成すべき形成領域Ａ０における基材の回転方向に沿った帯状露光領域Ａ１の回転方向の一端部側から他端部側までの間において描画用ビームを間欠的に２回（Ｎ回）照射することにより、回転方向に沿った２個の帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂに描画用ビームを照射する。【選択図】図６
2007035138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に樹脂層が形成された基材を回転させつつ、凹凸パターンを構成する凸部および凹部の一方の平面パターンを当該樹脂層に描画する際に、前記一方を形成すべき形成領域における前記基材の回転方向に沿った帯状露光領域の当該回転方向の一端部側から他端部側までの間において前記描画用ビームを間欠的にＮ回（Ｎは２以上の自然数）照射することにより、前記回転方向に沿ったＮ個の帯状照射領域に当該描画用ビームを照射するパターン描画方法。
【請求項２】
前記基材の中心からの距離が相違する複数の前記帯状露光領域で構成される１つの前記形成領域内における少なくとも最内周側および最外周側の当該帯状露光領域の前記両端部間において前記描画用ビームを間欠的にＮ回照射する請求項１記載のパターン描画方法。
【請求項３】
前記最内周側および前記最外周側の前記帯状露光領域を除く前記帯状露光領域のうちの少なくとも１つの前記両端部間において前記描画用ビームを連続して照射する請求項２記載のパターン描画方法。
【請求項４】
１つの前記帯状露光領域内において前記回転方向で隣り合う前記帯状照射領域のうちの一方に対して前記基材のＭ回転目（Ｍは自然数）に前記描画用ビームを照射した後に、前記隣り合う帯状照射領域のうちの他方に対して前記基材のＬ回転目（Ｌは（Ｍ＋１）以上の自然数）に前記描画用ビームを照射する請求項１から３のいずれかに記載のパターン描画方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のパターン描画方法に従って前記平面パターンを描画した前記樹脂層を現像処理して前記凹凸パターンを形成し、当該凹凸パターンを所定の手順に従ってスタンパー形成用部材に転写してスタンパーを製造するスタンパー製造方法。
【請求項６】
表面に樹脂層が形成された基材を回転させる回転機構と、描画用ビームを照射するビーム照射部と、前記回転機構による前記基材の回転を制御すると共に前記ビーム照射部による前記描画用ビームの照射開始および照射停止を制御する制御部とを備え、前記基材を回転させつつ、凹凸パターンを構成する凸部および凹部の一方の平面パターンを前記樹脂層に描画可能に構成され、
前記制御部は、前記ビーム照射部を制御して前記一方を形成すべき形成領域における前記基材の回転方向に沿った帯状露光領域の当該回転方向の一端部側から他端部側までの間において前記描画用ビームを間欠的にＮ回（Ｎは２以上の自然数）照射させることにより、前記回転方向に沿ったＮ個の帯状照射領域に当該描画用ビームを照射させるパターン描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば情報記録媒体を製造するための凹凸パターンにおける凸部および凹部の一方の平面パターンを描画するパターン描画方法およびパターン描画装置、並びに描画した平面パターンを用いてスタンパーを製造するスタンパー製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のパターン描画方法として、スレーブ媒体にサーボパターン等を磁気的に転写するためのマスター担体（磁気転写用マスター担体）の製造方法が特開２００３−９１８０６号公報に開示されている。この製造方法では、マスター担体の製造に際して、まず、サーボパターン等の描画処理を実行する。具体的には、ガラス等の円板上にフォトレジストをスピンコートすることによってフォトレジストの層（以下、「レジスト層」ともいう）を形成する。次いで、レジスト層に電子ビームを照射することによってサーボパターン等を描画する。この際に、この製造方法では、その有効描画径がトラック幅よりも小さい電子ビームを用いて円板を回転させつつレジスト層に照射することにより、例えばマスター担体における凸部を形成すべき領域（以下、「形成領域」ともいう）を円板の半径方向において複数の帯状の領域（以下、「帯状領域」ともいう）に分割してサーボパターン等を描画する。
【０００３】
具体的には、図１２に示すように、円板を矢印Ｒの向きに回転させることにより、電子ビームの照射を開始すべき開始位置Ｓ１が電子銃の下方に位置した際に、電子銃を制御して電子ビームの照射を開始させ、電子ビームの照射を停止すべき停止位置Ｅ１が電子銃の下方に位置した際に、電子銃を制御して電子ビームの照射を停止させる。これにより、同図に破線で示す帯状照射領域Ａ１１に対する電子ビームの照射が完了する。次いで、円板に対する電子ビームの照射位置（照射される電子ビームの中心位置）が例えば帯状照射領域Ａ１１よりも外周側（同図における右側）となるように電子銃を調整すると共に、電子銃の下方に開始位置Ｓ２が位置した際に電子ビームの照射を開始させ、電子銃の下方に停止位置Ｅ２が位置した際に電子ビームの照射を停止させる。これにより、同図に破線で示す帯状照射領域Ａ１２に対する電子ビームの照射が完了する。同様にして、帯状照射領域Ａ１３に対しても開始位置Ｓ３から停止位置Ｅ３にかけて電子ビームを照射する。
【０００４】
次いで、描画処理が完了した円板を現像処理することによってレジスト層に凹部（凹凸パターン）を形成する。この場合、レジスト層における例えば位置Ｐ１１や位置Ｐ１２については、電子ビームの照射開始時または照射停止時の極く僅かな時間だけ電子ビームが照射されるだけで露光量が少ないため、現像処理に際して消失することなく円板上に残存する。一方、レジスト層における例えば位置Ｐ１３〜Ｐ１５については、ある程度長時間に亘って電子ビームが照射されて露光量が十分のため、現像処理に際して円板上から消失する。この結果、同図に一点鎖線で示す形成領域Ａ０ｘ内のレジスト層が消失して凹部となり、円板上に凹凸パターンが形成される。続いて、凹凸パターンの形成面に導電層を形成した後に電鋳処理を実行して金属製の基板を製作する。この際には、現像処理によって円板上（レジスト層）に形成された凹凸パターンが金属材料に転写されて、平面形状が上記の形成領域Ａ０ｘとほぼ等しい凸部が形成される。この後、基板に転写された凹凸パターンを覆うようにして磁性層を形成することにより、マスター担体が完成する。
【特許文献１】特開２００３−９１８０６号公報（第２−５頁、第１−４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、従来の製造方法には、以下の問題点がある。すなわち、従来の製造方法では、サーボパターン等の描画処理に際して、マスター担体の凸部を形成すべき形成領域Ａ０ｘの全域を露光するために、例えば、開始位置Ｓと停止位置Ｅとの間において電子ビームを照射した状態を維持することで回転方向に沿って長い帯状照射領域Ａ１１〜Ａ１３に電子ビームを照射している。この場合、前述したように、レジスト層における例えば位置Ｐ１２については、電子ビームの照射時間が短い（照射量が少ない）ため、現像処理時に消失することなく円板上に残留する。これに対して、位置Ｐ１５については、その中心が位置Ｂ１に位置するように電子ビームを照射しているとき、中心が位置Ｂ２に位置するように照射しているとき、および中心が位置Ｂ３に位置するように照射しているときのいずれにおいても電子ビームが照射されるため、フォトレジストが十分に露光されて現像処理時に円板上から消失する。この結果、マスター担体の凸部を形成すべき形成領域Ａ０ｘにおける内周側（図１２における左側）において、開始位置Ｓ１と停止位置Ｅ１との中間部分が内周側に向けて膨らむようにして形成領域Ａ０ｘが丸みを帯びることとなる。同様にして、形成領域Ａ０ｘにおける外周側においても、開始位置Ｓ３と停止位置Ｅ３との中間部分が外周側に向けて膨らむようにして形成領域Ａ０ｘが丸みを帯びることとなる。
【０００６】
この場合、サーボパターンにおける例えばバーストパターンは、複数の矩形状領域（例えば、マスター担体を用いて磁化された矩形状の領域）がスレーブ媒体の回転方向に沿って並ぶようにして設けられて磁気ヘッドの半径位置を検出可能に構成されている。一方、従来の製造方法に従って製造したマスター担体では、前述したように、サーボパターンの描画処理時における電子ビームの照射量の差異に起因して現像処理後の形成領域Ａ０ｘにおける内周側および外周側が丸みを帯びるため、マスター担体における矩形状領域の内周側および外周側が形成領域Ａ０ｘと同様にして丸みを帯びることとなる。したがって、従来の製造方法に従って製造したマスター担体を用いて製造した（サーボパターン等を磁気的に転写した）スレーブ媒体では、バーストパターンを構成する各矩形状領域（以下、「単位バースト領域」ともいう）の内周側および外周側が丸みを帯びることとなり、これに起因して、バースト信号（位置誤差信号）の品質が低下するという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、形成領域における内周側および外周側の両端が直線的になるようにパターンを描画し得るパターン描画方法およびパターン描画装置、並びに凸部または凹部の内周側および外周側の両端が直線的な凹凸パターンを有するスタンパーを製造し得るスタンパーの製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく本発明に係るパターン描画方法は、表面に樹脂層が形成された基材を回転させつつ、凹凸パターンを構成する凸部および凹部の一方の平面パターンを当該樹脂層に描画する際に、前記一方を形成すべき形成領域における前記基材の回転方向に沿った帯状露光領域の当該回転方向の一端部側から他端部側までの間において前記描画用ビームを間欠的にＮ回（Ｎは２以上の自然数）照射することにより、前記回転方向に沿ったＮ個の帯状照射領域に当該描画用ビームを照射する。なお、本明細書における「帯状露光領域」とは、平面パターンの描画が完了した後の現像処理によって基材上から消失する領域（ポジ型レジスト等で樹脂層を形成したとき）、または、現像処理によって基材上に残留する領域（ネガ型レジスト等で樹脂層を形成したとき）と一致する帯状の領域を意味する。つまり、各帯状照射領域に対する描画用ビームの照射によって現像処理時に消失または残留する程度まで露光される帯状の領域を意味する。
【０００９】
また、本発明に係るパターン描画方法は、前記基材の中心からの距離が相違する複数の前記帯状露光領域で構成される１つの前記形成領域内における少なくとも最内周側および最外周側の当該帯状露光領域の前記両端部間において前記描画用ビームを間欠的にＮ回照射する。
【００１０】
さらに、本発明に係るパターン描画方法は、前記最内周側および前記最外周側の前記帯状露光領域を除く前記帯状露光領域のうちの少なくとも１つの前記両端部間において前記描画用ビームを連続して照射する。
【００１１】
また、本発明に係るパターン描画方法は、１つの前記帯状露光領域内において前記回転方向で隣り合う前記帯状照射領域のうちの一方に対して前記基材のＭ回転目（Ｍは自然数）に前記描画用ビームを照射した後に、前記隣り合う帯状照射領域のうちの他方に対して前記基材のＬ回転目（Ｌは（Ｍ＋１）以上の自然数）に前記描画用ビームを照射する。
【００１２】
また、本発明に係るスタンパー製造方法は、上記のいずれかのパターン描画方法に従って前記平面パターンを描画した前記樹脂層を現像処理して前記凹凸パターンを形成し、当該凹凸パターンを所定の手順に従ってスタンパー形成用部材に転写してスタンパーを製造する。
【００１３】
また、本発明に係るパターン描画装置は、表面に樹脂層が形成された基材を回転させる回転機構と、描画用ビームを照射するビーム照射部と、前記回転機構による前記基材の回転を制御すると共に前記ビーム照射部による前記描画用ビームの照射開始および照射停止を制御する制御部とを備え、前記基材を回転させつつ、凹凸パターンを構成する凸部および凹部の一方の平面パターンを前記樹脂層に描画可能に構成され、前記制御部は、前記ビーム照射部を制御して前記一方を形成すべき形成領域における前記基材の回転方向に沿った帯状露光領域の当該回転方向の一端部側から他端部側までの間において前記描画用ビームを間欠的にＮ回（Ｎは２以上の自然数）照射させることにより、前記回転方向に沿ったＮ個の帯状照射領域に当該描画用ビームを照射させる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るパターン描画方法およびパターン描画装置によれば、凸部および凹部の一方を形成すべき形成領域における基材の回転方向に沿った帯状露光領域の回転方向の一端部側から他端部側までの間において描画用ビームを間欠的にＮ回照射することで回転方向に沿ったＮ個の帯状照射領域に描画用ビームを照射することにより、帯状露光領域の回転方向における中ほどにおいてその周囲に対する描画用ビームの照射量が過剰に多くなる（樹脂層が過剰に露光される）事態を回避することができる。この結果、形成領域（帯状露光領域）における内周側および外周側の両端を直線的に形成することができるため、この描画方法に従って例えばバーストパターンを構成する各単位バースト領域（矩形状領域）を描画することにより、磁気ヘッドの位置を高い精度で検出可能なバーストパターンを形成し得る凹凸パターンを形成することができる。
【００１５】
また、本発明に係るパターン描画方法によれば、複数の帯状露光領域で構成される１つの形成領域内における少なくとも最内周側および最外周側の帯状露光領域について、その回転方向の両端部間において描画用ビームを間欠的にＮ回照射することにより、最内周側および最外周側の帯状露光領域を除く帯状露光領域に対して例えばその回転方向の一端部側から他端部側までの間において描画用ビームを連続して照射したとしても、形成領域における内周側および外周側の両端を確実に直線的に形成することができる。
【００１６】
さらに、本発明に係るパターン描画方法によれば、最内周側および最外周側の帯状露光領域を除く帯状露光領域のうちの少なくとも１つの回転方向における両端部間において描画用ビームを連続して照射することにより、最内周側から最外周側までのすべての帯状露光領域が描画用ビームを間欠的な照射によって露光される描画方法と比較して、回転方向の一端部側から他端部側まで描画用ビームを連続して照射した帯状露光領域の分だけ、描画用ビームの照射開始および照射停止の制御回数を少なくすることができる。したがって、パターンの描画手順を表す描画手順データにおける照射開始位置や照射停止位置についての情報を少なくすることができる。このため、パターン描画装置の制御部によるビーム照射部の制御が煩雑化する事態を回避しつつ、形成領域における内周側および外周側の両端が直線的なパターンを容易に描画することができる。
【００１７】
また、本発明に係るパターン描画方法によれば、１つの帯状露光領域内において回転方向で隣り合う帯状照射領域のうちの一方に対して基材のＭ回転目に描画用ビームを照射した後に、他方の帯状照射領域に対して基材のＬ回転目に描画用ビームを照射することにより、１つの帯状照射領域に対する描画用ビームの照射停止から他の帯状照射領域に対する描画用ビームの照射開始までにある程度の時間があるため、基材の回転速度を十分に速くしたとしても各帯状照射領域に対して正確なタイミングで描画用ビームの照射および照射停止を実行することができる。この結果、基材の１枚当りの描画処理に要する時間を十分に短縮することができる。また、処理能力が低い安価なブランキング制御部を搭載したパターン描画装置を用いる場合にも、基材の回転速度を大きく低下させることなく正確なタイミングで描画用ビームを照射させることができる。
【００１８】
また、本発明に係るスタンパー製造方法によれば、上記のいずれかのパターン描画方法に従って平面パターンを描画した樹脂層を現像処理して凹凸パターンを形成し、凹凸パターンを所定の手順に従ってスタンパー形成用部材に転写してスタンパーを製造することにより、例えばバーストパターンにおける単位バースト領域等の矩形状領域（平面視矩形状の凸部、または、平面視矩形状の凹部）における内周側および外周側の両端が直線的な凹凸パターンを有する情報記録媒体を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るパターン描画方法、スタンパー製造方法およびパターン描画装置の最良の形態について説明する。
【００２０】
最初に、本発明に係るパターン描画方法に従ってパターンを描画する電子ビーム描画装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００２１】
図１に示す電子ビーム描画装置（以下、「描画装置」ともいう）１は、本発明におけるパターン描画装置に相当し、Ｘ−Ｙ移動機構２、ターンテーブル３、ビーム発生部４、ブランキング制御部５、ビーム成形部６、ビーム偏向部７、制御部８および記憶部９を備えて、ビーム発生部４から電子ビームＥＢ（本発明における描画用ビームの一例）を出力して情報記録媒体製造用の露光パターン（図示せず）を基材１０に描画可能に構成されている。この場合、基材１０は、スタンパー２０（図３参照）を製作するための形成用板材であって、図２に示すように、円板状のシリコン基板１１（本発明における基材）の表面に樹脂層１２（一例として、電子ビーム感光性を有するポジ型レジストを塗布することで形成したレジスト層）が形成されている。また、基材１０を用いて製作されるスタンパー２０は、図４，５に示す磁気ディスク３０を製造するための原盤であって、後述するように、描画装置１によって樹脂層１２に描画した露光パターンを現像することで形成した凹凸パターンを転写することにより、図３に示すように、凸部２５ａ，２５ａ・・および凹部２５ｂ，２５ｂ・・を有する凹凸パターン２５が形成されている。
【００２２】
さらに、スタンパー２０を使用して製造される磁気ディスク３０は、ディスクリートトラック型の情報記録媒体（パターンド媒体）であって、磁気ディスク３０を回転させるモータや、磁気ディスク３０に対する記録データの記録再生を実行する記録再生ヘッド（記録ヘッドおよび再生ヘッドが形成された浮上式ヘッドスライダ）などと共に筐体内（図示せず）に収容されて、磁気記録装置（ハードディスクドライブ）を構成する。この磁気ディスク３０は、図４に示すように、軟磁性層３２、中間層３３および磁性層３４が基材３１の上にこの順で形成され、図５に示すように、磁性層３４に形成された凸部３５ａ，３５ａ・・および凹部３５ｂ，３５ｂ・・によってデータトラックパターンＰｔおよびサーボパターンＰｓ等（凹凸パターン３５）が形成されて垂直記録方式による記録データの記録が可能に構成されている。この場合、この磁気ディスク３０では、スタンパー２０の凹凸パターン２５における凹部２５ｂ，２５ｂ・・に対応して凸部３５ａ，３５ａ・・が形成されると共に、凹凸パターン２５における凸部２５ａ，２５ａ・・に対応して凹部３５ｂ，３５ｂ・・が形成されている。また、この磁気ディスク３０では、平面視矩形状の複数の凹部３５ｂ，３５ｂ・・が回転方向（矢印Ｒの向き）に沿って並ぶようにして形成されることにより、サーボパターンＰｓにおけるバーストパターンが構成されている。
【００２３】
一方、Ｘ−Ｙ移動機構２は、制御部８の制御に従い、ターンテーブル３によって回転させられる基材１０の回転面に沿ってターンテーブル３を移動させる。ターンテーブル３は、本発明における回転機構に相当し、基材１０を載置可能に構成されて制御部８の制御下で基材１０を回転させる。ビーム発生部４は、ブランキング制御部５と相俟って本発明におけるビーム照射部を構成し、基材１０における樹脂層１２に露光パターン（本発明における平面パターン）を描画するための電子ビームＥＢを生成して出力する。ブランキング制御部５は、制御部８の制御に従ってビーム発生部４による電子ビームＥＢの出力をＯＮ／ＯＦＦ制御する。ビーム成形部６は、ビーム成形レンズおよびアパーチャ（図示せず）などを備えて、ビーム発生部４によって出力された電子ビームＥＢを成形（細径化）する。この場合、この描画装置１では、その有効描画径がデータ記録トラック間の凹部（データトラックパターンＰｔにおける凸部３５ａ，３５ａ間の凹部３５ｂ）の幅よりも十分に小さい電子ビームＥＢを照射することにより、後述するように、磁気ディスク３０の凹部３５ｂに対応する凹部を形成すべき各形成領域（「凸部および凹部の一方」が凹部である一例）の全域が露光されるように、基材１０の半径方向において複数回に分けて電子ビームＥＢを照射する。なお、基材１０の樹脂層１２を電子ビーム感光性を有するネガ型レジストで形成する場合には、磁気ディスク３０の凸部３５ａに対応する凸部を形成すべき各形成領域（「凸部および凹部の一方」が凸部である一例）の全域が露光されるように、基材１０の半径方向において複数回に分けて電子ビームＥＢを照射することとなる。
【００２４】
ビーム偏向部７は、ビーム成形部６によって成形された電子ビームＥＢを制御部８の制御に従って偏向して、樹脂層１２に対する照射位置を変化させる。制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３と共に基材１０を移動させると共に、ターンテーブル３を制御して基材１０を回転させる。また、制御部８は、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向部７を制御することにより、ターンテーブル３によって回転させられている基材１０の樹脂層１２における所定位置に電子ビームＥＢを照射させる。記憶部９は、基材１０に描画すべき露光パターンの描画手順を特定可能な描画手順データＤＰを記憶する。この場合、描画手順データＤＰには、ブランキング制御部５に対して電子ビームＥＢの照射を開始させるタイミングや電子ビームＥＢの照射を停止させるタイミングを特定可能なデータを含んで構成されている。
【００２５】
次いで、上記のスタンパー２０を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【００２６】
まず、ベーク処理後の厚みが１００ｎｍ程度となるように電子線描画用レジスト（ポジ型レジスト）をシリコン基板１１の一面にスピンコートすることにより、シリコン基板１１の上に樹脂層（レジスト層）１２を形成する。次いで、塗布した樹脂層１２に対するベーク処理を実行する。これにより、図２に示す基材１０が完成する。続いて、樹脂層１２を上向きにして基材１０を描画装置１のターンテーブル３上に載置すると共に、スタンパー２０の凹凸パターン２５におけ凸部２５ａ，２５ａ・・の平面パターン（データトラックパターンＰｔやサーボパターンＰｓの平面パターン：露光パターン）を基材１０の樹脂層１２に描画する。具体的には、オペレータによって描画開始が指示された際に、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３を移動させ、例えば平面パターンを描画すべき円環状の領域における最内周部位をビーム発生部４の下方に位置させる。次いで、制御部８は、ターンテーブル３を制御して基材１０を回転させると共に、記憶部９に記憶されている描画手順データＤＰに従い、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向部７を制御してターンテーブル３上の基材１０（樹脂層１２）に向けて電子ビームＥＢを照射させる。
【００２７】
この際に、制御部８は、基材１０を回転させつつ、スタンパー２０の凹凸パターン２５における凸部２５ａ，２５ａ・・を形成すべき形成領域に対して基材１０の回転方向に沿って長い複数の帯状露光領域が順次露光されることで形成領域の全域が露光されるように、基材１０に向けて電子ビームＥＢを照射させる。具体的には、図６に示すように、制御部８は、例えばサーボパターンＰｓのバーストパターンを構成する単位バースト領域（図５に示すバーストパターンにおける矩形状の凹部３５ｂ）に対応する形成領域Ａ０（スタンパー２０における凸部２５ａを形成すべき形成領域の一例）内において、基材１０の中心からの距離が相違するＫ個（Ｋは２以上の自然数）の帯状露光領域Ａ１〜ＡＫが順次露光されるように電子ビームＥＢを照射させることで、その形成領域Ａ０の全域を露光する。また、制御部８は、１つの形成領域Ａ０を構成する複数の帯状露光領域Ａ１〜ＡＫのうちの最内周側の帯状露光領域Ａ１と最外周側の帯状露光領域ＡＫとについては、一例として、基材１０の回転方向に沿って並ぶ２つの帯状照射領域に電子ビームＥＢを順次照射させる（本発明における「Ｎ」が「２」の例）。
【００２８】
例えば、形成領域Ａ０における最内周側の帯状露光領域Ａ１については、その全域が露光されるように、帯状露光領域Ａ１の回転方向の一端部側から他端部側までの間において電子ビームＥＢを間欠的に２回に亘って照射することで回転方向に沿って並ぶ２つの帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂに電子ビームＥＢを順次照射させる。この際に、制御部８は、帯状露光領域Ａ１における回転方向の中央部において電子ビームＥＢの照射を停止させることにより、帯状露光領域Ａ１を回転方向における中央部で２分割して露光させる。また、形成領域Ａ０における最外周側の帯状露光領域ＡＫについては、その全域が露光されるように、帯状露光領域ＡＫの回転方向の一端部側から他端部側までの間において電子ビームＥＢを間欠的に２回に亘って照射することで、回転方向に沿って並ぶ２つの帯状照射領域ＡＫａ，ＡＫｂに電子ビームＥＢを順次照射させる。この際に、制御部８は、帯状露光領域ＡＫにおける回転方向の中央部において電子ビームＥＢの照射を停止させることにより、帯状露光領域ＡＫを回転方向における中央部で２分割して露光させる。
【００２９】
具体的には、図７に示すように、制御部８は、ターンテーブル３を制御して基材１０を矢印Ｒの向きで線速度一定の条件で回転させつつ、形成領域Ａ０に対する電子ビームＥＢの照射を開始するタイミングが到来するまで待機する。また、基材１０の回転に伴い、電子ビームＥＢの照射を開始すべき開始位置Ｓ１ａがビーム発生部４の下方に位置した際には、制御部８は、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。続いて、基材１０の回転に伴い、電子ビームＥＢの照射を停止すべき停止位置Ｅ１ａがビーム発生部４の下方に位置した際には、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。これにより、同図に破線で示す帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射が完了する。
【００３０】
次いで、基材１０の回転に伴い、電子ビームＥＢの照射を開始すべき開始位置Ｓ１ｂがビーム発生部４の下方に位置した際には、制御部８は、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。続いて、電子ビームＥＢの照射を停止すべき停止位置Ｅ１ｂがビーム発生部４の下方に位置した際には、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。これにより、同図に破線で示す帯状照射領域Ａ１ｂに対する電子ビームＥＢの照射が完了し、帯状露光領域Ａ１に対する電子ビームＥＢの間欠的照射が完了する。なお、同図では、本発明についての理解を容易とするために、形成領域Ａ０内に帯状露光領域が３つだけ存在する例（Ｋ＝３の例）を図示している。
【００３１】
一方、この描画装置１では、最内周側の帯状露光領域Ａ１と最外周側の帯状露光領域ＡＫとを除く帯状露光領域Ａ２〜Ａ（Ｋ−１）については、その回転方向の一端部側から他端部側までの間において電子ビームＥＢを連続して照射する。具体的には、基材１０の２回転目において、制御部８は、ビーム偏向部７を制御して電子ビームＥＢの照射位置を基材１０の外周側（図７における右側）に変更させると共に、電子ビームＥＢの照射を開始すべき開始位置Ｓ２がビーム発生部４の下方に位置した際には、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。次いで、基材１０の回転に伴い、電子ビームＥＢの照射を停止すべき停止位置Ｅ２がビーム発生部４の下方に位置した際には、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。これにより、同図に破線で示す帯状照射領域Ａ１２に対する電子ビームＥＢの照射が完了する。続いて、基材１０の３回転目において、制御部８は、ビーム偏向部７を制御して電子ビームＥＢの照射位置を基材１０のさらに外周側に変更させると共に、前述した帯状露光領域Ａ１に対する電子ビームＥＢの照射時と同様にして帯状露光領域Ａ３に対して電子ビームＥＢを間欠的に２回に亘って照射する。これにより、帯状照射領域Ａ３ａ，Ａ３ｂに対する電子ビームＥＢの照射が完了し、最内周側のバーストパターンにおける単位バースト領域に対応する形成領域Ａ０についての描画（露光）が完了する。
【００３２】
この場合、この例では、帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂ，Ａ１２，ＡＫａ，ＡＫｂの順で電子ビームＥＢが照射されることで１つの形成領域Ａ０の全域が露光される。このように、ターンテーブル３を制御して基材１０を回転させつつ、描画手順データＤＰに従って、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの射出をブランキング制御すると共にビーム偏向部７やＸ−Ｙ移動機構２を制御して基材１０に対する電子ビームＥＢの照射位置を適宜調整することにより、基材１０の最外周領域まで電子ビームＥＢを順次照射して各形成領域Ａ０，Ａ０・・内に潜像を形成する。これより、サーボパターンＰｓやデータトラックパターンＰｔの平面パターン（描画パターン）の描画処理が完了する。なお、実際には、サーボパターンＰｓ等に付与すべきスキュー角に応じて開始位置Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂや停止位置Ｅ１ａ，Ｅ１ｂ，Ｅ２，Ｅ３ａ，Ｅ３ｂを適宜調整する必要があるが、本発明についての理解を容易とするために、スキュー角に関する説明および図示を省略する。
【００３３】
次いで、平面パターンの描画が完了した樹脂層１２に対する現像処理を実行する。この場合、図７に示すように、樹脂層１２における例えば位置Ｐ１や位置Ｐ２については、電子ビームＥＢの照射開始時または照射停止時の極く僅かな時間だけ電子ビームが照射されるだけで露光量が少ないため、現像処理に際して消失することなくシリコン基板１１上に残存する。一方、樹脂層１２における例えば位置Ｐ３については、例えば開始位置Ｓ１ａを中心とする位置から、停止位置Ｅ１ａを中心とする位置の近傍まで電子ビームＥＢが照射され続けることによって露光量が十分のため、現像処理に際してシリコン基板１１上から消失する。また、樹脂層１２における例えば位置Ｐ４については、帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射完了時には露光量が少ないものの、その後に、帯状照射領域Ａ１ｂに対して電子ビームＥＢを照射した際に十分な露光状態となる。さらに、樹脂層１２における例えば位置Ｐ５については、帯状露光領域Ａ１（帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂ）に対する電子ビームＥＢの照射完了時には露光量が少ないものの、その外周側の帯状露光領域Ａ２（帯状照射領域Ａ１２）に対して電子ビームＥＢを照射した際に十分な露光状態となる。したがって、位置Ｐ４，Ｐ５の樹脂層は、位置Ｐ３の樹脂層１２同様にして現像処理に際してシリコン基板１１上から消失する。
【００３４】
また、前述したように、描画装置１では、形成領域Ａ０における最内周側の帯状露光領域Ａ１の全域が露光されるようにその回転方向の一端部側から他端部側までの間において電子ビームＥＢを間欠的に照射することで基材１０の回転方向に沿って２つの帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂに電子ビームＥＢを順次照射している。したがって、樹脂層１２における例えば位置Ｐ６については、帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射を停止してから（ビーム発生部４の下方に停止位置Ｅ１ａが位置した状態から）帯状照射領域Ａ１ｂに対する電子ビームＥＢの照射を開始するまで（ビーム発生部４の下方に開始位置Ｓ１ｂが位置するまで）の間に亘って電子ビームＥＢが照射されていない。この結果、位置Ｐ３などと比較して露光量が少ないため、位置Ｐ１，Ｐ２等の樹脂層１２と同様にして、現像処理に際して消失することなくシリコン基板１１上に残存する。このように、電子ビームＥＢの照射量（露光量）が十分である部位が消失することにより、同図に一点鎖線で示す形成領域Ａ０の部位に凹部が形成されて、シリコン基板１１上にデータトラックパターンＰｔやサーボパターンＰｓに対応する凹凸パターンが形成される（図示せず）。
【００３５】
続いて、凹凸パターンの形成面に導電層を形成した後に電鋳処理を実行する。この際には、現像処理によってシリコン基板１１上（樹脂層１２）に形成された凹凸パターンが金属材料に転写されて平面形状が上記の形成領域Ａ０とほぼ等しい凸部が形成される（本発明における所定の手順の一例）。これにより、図３に示すように、スタンパー２０が完成する。なお、現像処理が完了した基材１０を用いてスタンパー２０を製造する方法は、上記の例に限定されず、公知の各種製造方法を採用することができる。具体的には、例えば、凹凸パターンが形成された樹脂層１２をマスクとして用いてシリコン基板１１に対するエッチング処理を実行することでシリコン基板１１に凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンを金属材料に転写する方法を採用することができる。さらに、これらの製造方法に従って製造したスタンパー２０をスタンパー形成用部材に転写してスタンパー２０の凹凸パターン２５とは凹凸位置関係が反転する凹凸パターンを有するスタンパーを製造することができる。また、凹凸位置関係が反転する凹凸パターンを有するスタンパーを用いて、さらに別のスタンパー形成用部材に凹凸パターンを転写してスタンパー２０の凹凸パターン２５と凹凸位置関係が一致する凹凸パターンを有するスタンパーを製造することもできる。
【００３６】
この場合、この描画装置１では、前述したように、帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂの間（停止位置Ｅ１ａから開始位置Ｓ１ｂまでの間）において電子ビームＥＢの照射を停止することで位置Ｐ６等の露光量を少なくしている。したがって、例えばバーストパターンにおける単位バースト領域に対応する矩形状領域（図６における形成領域Ａ０）の内周側および外周側において、例えば位置Ｐ２，Ｐ２，Ｐ６（図７参照）の各部位における樹脂層１２に対する電子ビームＥＢの照射量（露光量）がそれぞれ少なくなっているため、現像処理に際してこの部位の樹脂層１２がシリコン基板１１上から消失することなくシリコン基板１１上に残留する。この結果、図７に一点鎖線で示すように、単位バースト領域に対応する形成領域Ａ０において、内周側（同図における左側）および外周側（同図における右側）の両端が丸みを帯びることなく直線的に形成される。
【００３７】
また、本発明に係る描画方法に従い、例えば、次の描画条件で描画処理した樹脂層では、単位バースト領域に対応する矩形状の複数の形成領域Ａ０，Ａ０・・における半径方向に沿った最大幅の平均値が、各形成領域Ａ０の内周側および外周側が丸みを帯びることに起因して過剰に広くなる事態が回避される。具体的には、まず、ＺＥＰ５２０Ａ（日本ゼオン製）を用いてベーク処理後の厚みが１００ｎｍとなるようにスピンコートし、その後に、１８０℃で５分間に亘るベーク処理を実行した。また、１つの帯状露光領域に対する帯状照射領域の数（本発明における「Ｎ」）を２つとし、ターンテーブル３の回転速度を線速度１２０ｍｍ／ｓｅｃに設定した状態において、各帯状照射領域の樹脂層上における長さ（照射開始時における電子ビームＥＢのビーム中心から照射停止時における電子ビームＥＢのビーム中心までの樹脂層上での距離）を２０ｎｍとし、各帯状照射領域の樹脂層上における離間距離（一方の帯状照射領域に対する照射停止時における電子ビームＥＢのビーム中心から他方の帯状照射領域に対する照射開始時における電子ビームＥＢのビーム中心までの樹脂層上での距離）を１５ｎｍとした。この場合、電子ビームＥＢのビーム電流値を１０ｎＡに設定すると共に、１つの形成領域Ａ０内において隣り合う帯状露光領域の半径方向に沿った中心間距離が４５ｎｍとなるように描画した。このような条件（本発明に係るパターン描画方法）で描画した平面パターンでは、各矩形状領域における基材の半径方向（図７における左右方向）に沿った最大幅の平均値が１２０ｎｍとなった。
【００３８】
これに対して、従来のマスター担体の製造方法における描画処理と同様の手順に従って描画処理した樹脂層では、単位バースト領域に対応する矩形状の複数の形成領域Ａ０ｘ，Ａ０ｘ・・における半径方向に沿った最大幅の平均値が、各形成領域Ａ０ｘの内周側および外周側が丸みを帯びることに起因して形成領域Ａ０，Ａ０・・の最大幅の平均値よりも広くなる。この場合、描画条件として、各帯状露光領域の樹脂層上における長さ（照射開始時における電子ビームＥＢのビーム中心から照射停止時における電子ビームＥＢのビーム中心までの樹脂層上での距離）を５５ｎｍとした。また、それ以外の条件については、上記の描画条件と同様とした。このような条件（従来のパターン描画方法）で描画した平面パターンでは、各矩形状領域における基材の半径方向（図１２における左右方向）に沿った最大幅の平均値が１３２ｎｍとなった。したがって、本発明に係るパターン描画方法に従ってパターンを描画することで、矩形状領域（形成領域Ａ０）の内周側および外周側の両端が内周側および外周側に突出することなく直線的に形成されるのが理解できる。
【００３９】
一方、上記の製造方法に従って製造したスタンパー２０を用いて磁気ディスク３０を製造する際には、一例として、まず、磁気ディスク３０を製造するための中間体（図示せず）における樹脂マスク層にスタンパー２０の凹凸パターン２５を押し付けることによって中間体の樹脂マスク層に凹凸パターン２５を転写する（インプリント法の実行）。この場合、中間体は、一例として、軟磁性層３２、中間層３３および磁性層３４が基材３１の上にこの順で形成されると共に、磁性層３４を覆うようにして金属マスク層および樹脂マスク層がこの順で形成されている。次いで、中間体からスタンパー２０を剥離した後に、樹脂マスク層に転写された凹凸パターンをマスクとして用いて金属マスク層に対するエッチング処理を実行する。これにより、樹脂マスク層に転写した凹凸パターンと平面形状が同様で凹凸位置関係が一致する凹凸パターンが金属マスク層に形成される。続いて、金属マスク層に転写された凹凸パターンをマスクとして用いて磁性層３４に対するエッチング処理を実行する。これにより、図４，５に示すように、金属マスク層に形成した凹凸パターンと平面形状が同様で凹凸位置関係が一致する凹凸パターン３５が磁性層３４に形成されて磁気ディスク３０が完成する。なお、スタンパー２０を用いた磁気ディスク３０の製造方法は、上記の例に限定されず、公知の各種製造方法に従って製造することができる。
【００４０】
このように、この描画装置１によるパターンの描画方法では、形成領域Ａ０における基材１０の回転方向に沿った帯状露光領域Ａ１〜ＡＫの回転方向の一端部側から他端部側までの間において電子ビームＥＢを間欠的にＮ回（この例では、２回）照射することで回転方向に沿ったＮ個（この例では、２個）の帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂに電子ビームＥＢを照射する。具体的には、この描画装置１によるパターンの描画方法では、複数の帯状露光領域Ａ１〜ＡＫで構成される１つの形成領域Ａ０内における少なくとも最内周側および最外周側の帯状露光領域Ａ１，ＡＫについて、その回転方向の両端部間において電子ビームＥＢを間欠的にＮ回（この例では、２回）照射する。
【００４１】
したがって、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、例えば、帯状露光領域Ａ１の回転方向における中ほどにおいてその周囲に対する電子ビームＥＢの照射量が過剰に多くなる（樹脂層１２が過剰に露光される）事態を回避することができる。この結果、形成領域Ａ０における内周側および外周側の両端を直線的に形成することができるため、この描画方法に従ってバーストパターンを構成する各単位バースト領域（矩形状領域）を描画することにより、磁気ヘッドの位置を高い精度で検出可能なバーストパターンを形成し得る凹凸パターンを形成することができる。これにより、その凹凸パターンを用いて、磁気ヘッドの位置を高い精度で検出可能なバーストパターンを形成し得る磁気ディスク３０、およびその磁気ディスク３０を製造するためのスタンパー２０等を製造することができる。この場合、１つの形成領域Ａ０が複数の帯状露光領域Ａ１，Ａ２・・で構成されている場合であっても、少なくとも最内周側の帯状露光領域Ａ１と最外周側の帯状露光領域ＡＫとについてのみ間欠的にＮ回（この例では、２回）電子ビームＥＢを照射することで、形成領域Ａ０における内周側および外周側の両端を確実に直線的に形成することができる。
【００４２】
また、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、最内周側および最外周側の帯状露光領域Ａ１，ＡＫを除く帯状露光領域（この例では、帯状露光領域Ａ２〜Ａ（Ｋ−１））のうちの少なくとも１つ（この例では、帯状露光領域Ａ２〜Ａ（Ｋ−１）のすべて）について、その回転方向の両端部間において電子ビームＥＢを連続して照射することにより、最内周側から最外周側までのすべての帯状露光領域Ａ１〜ＡＫが電子ビームＥＢの間欠的な照射によって露光される描画方法と比較して、回転方向の一端部側から他端部側までの間において電子ビームＥＢを連続して照射した帯状露光領域（この例では、帯状露光領域Ａ２〜Ａ（Ｋ−１））の分だけ、電子ビームＥＢの照射開始および照射停止の制御回数を少なくすることができる。したがって、描画手順データＤＰにおける開始位置Ｓや停止位置Ｅについての情報を少なくすることができる。このため、制御部８によるビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向部７の制御が煩雑化する事態を回避しつつ、形成領域Ａ０における内周側および外周側の両端が直線的なパターンを容易に描画することができる。
【００４３】
また、上記のスタンパー２０の製造方法によれば、描画装置１によるパターン描画方法に従ってデータトラックパターンＰｔおよびサーボパターンＰｓの平面パターンを描画した樹脂層１２を現像処理してシリコン基板１１上に凹凸パターンを形成し、形成した凹凸パターンを所定の手順に従ってスタンパー形成用部材（金属材料）に転写して磁気ディスク３０を製造するためのスタンパー２０を製造することにより、例えばバーストパターンにおける単位バースト領域のような矩形状領域（平面視矩形状の凸部、または、平面視矩形状の凹部）における内周側および外周側の両端が直線的な凹凸パターン３５を有する磁気ディスク３０を容易に製造することができる。
【００４４】
なお、本発明は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、１つの形成領域Ａ０を複数の帯状露光領域Ａ１〜ＡＫ毎に露光する例について説明したが、形成領域Ａ０が回転方向に沿って長いときには、樹脂層１２に照射する電子ビームＥＢの有効描画径を形成領域Ａ０の半径方向に沿った幅と等しくなるようにビーム成形部６で調整した状態で照射することで、１つの帯状露光領域Ａ１が露光されることで１つの形成領域Ａ０の全域を露光するように電子ビームＥＢを照射することもできる。また、上記の描画装置１によるパターン描画方法では、例えば、帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂに対して電子ビームＥＢを照射することで帯状露光領域Ａ１の全域が露光されるが、本発明におけるパターン描画方法はこれに限定されない。例えば、帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂに対する電子ビームＥＢの照射が完了した時点において帯状露光領域Ａ１における帯状露光領域Ａ２側の部位の露光量が不足している状態で、帯状露光領域Ａ２の露光時に照射される電子ビームＥＢによって帯状露光領域Ａ１の全域が露光されるように平面パターンを描画することもできる。この描画方法を採用した場合であっても、前述した描画装置１によるパターンの描画方法で平面パターンを描画したときと同様にして、形成領域Ａ０における内周側および外周側の両端を直線的に形成することができる。
【００４５】
さらに、上記の描画装置１によるパターン描画方法では、形成領域Ａ０内の各帯状露光領域Ａ１〜ＡＫのうちの最内周側の帯状露光領域Ａ１および最外周側の帯状露光領域ＡＫのみについて電子ビームＥＢを間欠的に照射しているが、例えば、図８に示すように、形成領域Ａ０内における各帯状露光領域Ａ１〜ＡＫのすべてについて電子ビームＥＢを間欠的に照射することで各帯状露光領域Ａ１〜ＡＫ毎に２つの帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂ、帯状照射領域Ａ２ａ，Ａ２ｂ・・帯状照射領域ＡＫａ，ＡＫｂに電子ビームＥＢが順次照射されるように描画処理する描画方法を採用することができる。なお、同図および後に参照する図９，１０において、前述した描画方法についての説明内容と重複する要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００４６】
このパターン描画方法によれば、図９に示すように、例えば、各帯状露光領域Ａ１〜ＡＫのうちの最内周の帯状露光領域Ａ１について、帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂ間において電子ビームＥＢの照射を停止することで位置Ｐ６等の露光量が少なくなる。したがって、内周側の帯状露光領域Ａ１および外周側の帯状露光領域ＡＫのみに電子ビームＥＢを間欠的に照射する上記のパターン描画方法と同様にして、例えばバーストパターンにおける単位バースト領域に対応する矩形状領域（図８における形成領域Ａ０）の内周側および外周側において、例えば位置Ｐ２，Ｐ２，Ｐ６の各部位における樹脂層１２に対する電子ビームＥＢの照射量（露光量）がそれぞれ少なくなり、現像処理に際してこの部位の樹脂層１２がシリコン基板１１上から消失することなくシリコン基板１１上に残存する。この結果、図９に一点鎖線で示すように、単位バースト領域に対応する形成領域Ａ０において内周側および外周側の両端を直線的に形成することができる。
【００４７】
また、電子ビームＥＢを間欠的に照射するのは、最内周側の帯状露光領域および最外周側の帯状露光領域に限定されない。例えば、図１０に示すように、形成領域Ａ０内における各帯状露光領域Ａ１〜ＡＫのうちの最内周側から２番目の帯状露光領域Ａ２と、最外周側から２番目の帯状露光領域Ａ（Ｋ−１）とについて、２つの帯状照射領域Ａ２ａ，Ａ２ｂおよび帯状照射領域Ａ（Ｋ−１）ａ，Ａ（Ｋ−１）ｂに電子ビームＥＢを順次照射されるように電子ビームＥＢを間欠的に照射する描画方法を採用することもできる。このパターン描画方法によれば、例えば、単位バースト領域に対応する形成領域Ａ０において内周側および外周側の両端が丸みを帯びる程度を十分に軽減することができる。
【００４８】
一方、上記の描画装置１によるパターン描画方法では、例えば、帯状露光領域Ａ１内における帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂについて、帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射が完了した直後に帯状照射領域Ａ１ｂに対する電子ビームＥＢの照射を開始しているが、同一の帯状露光領域内の各帯状照射領域に対する電子ビームＥＢの照射手順は、これに限定されない。具体的には、例えば、帯状露光領域Ａ１内における２つの帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂに電子ビームを順次照射するときに、基材１０の１回転目（本発明におけるＭ回転目の一例）に帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射を実行した後に、基材１０の２回転目（本発明におけるＬ回転目の一例）に帯状照射領域Ａ１ｂに対する電子ビームＥＢの照射を実行することで、結果として、帯状露光領域Ａ１に対して基材１０の２回転に亘って間欠的に電子ビームＥＢを照射する描画方法を採用することもできる。この描画方法では、図６に示すように、電子ビームＥＢを照射すべき形成領域Ａ０が基材１０の回転方向に沿って連続して存在するときに、１つの形成領域Ａ０における帯状露光領域Ａ１の帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射が完了してから、その形成領域Ａ０に対して回転方向で隣接する形成領域Ａ０における帯状露光領域Ａ１の帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射を開始するまでの間（同図に示す距離Ｗに対応する時間）だけ、電子ビームＥＢの照射を停止した状態を維持することができる。
【００４９】
このように、例えば帯状露光領域Ａ１内において回転方向で隣り合う帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂのうちの一方の帯状照射領域Ａ１ａに対して基材のＭ回転目（例えば１回転目）に電子ビームＥＢを照射した後に、他方の帯状照射領域Ａ１ｂに対して基材のＬ回転目（この例では、２回転目）に電子ビームＥＢを照射することにより、１つの帯状照射領域（例えば、帯状照射領域Ａ１ａ）に対する電子ビームＥＢの照射停止から他の帯状照射領域（この例では、回転方向において隣接する形成領域Ａ０内の帯状照射領域Ａ１ａ）に対する電子ビームＥＢの照射開始までにある程度の時間があるため、ターンテーブル３による基材１０の回転速度を十分に速くしたとしても各帯状照射領域に対して正確なタイミングで電子ビームＥＢの照射および照射停止を実行することができる。この結果、基材１０の１枚当りの描画処理に要する時間を十分に短縮することができる。また、処理能力が低い安価なブランキング制御部５を搭載した描画装置１を用いる場合にも、基材１０の回転速度を大きく低下させることなく正確なタイミングで電子ビームＥＢを照射させることができる。
【００５０】
また、上記の例では、例えば帯状露光領域Ａ１における回転方向の中央部において電子ビームＥＢの照射を停止させることで帯状露光領域Ａ１を回転方向における中央部で２分割して露光させたが、本発明における描画用ビームの照射を停止させる位置は、帯状露光領域Ａ１，ＡＫにおける回転方向の中央部に限定されない。例えば、帯状露光領域Ａ１，ＡＫにおける回転方向の一端部寄り、または、他端部寄りの任意の位置に規定することができる。このように描画用ビームの照射を停止させる位置を中央部以外に規定した構成であっても、帯状露光領域Ａ１，ＡＫの回転方向の両端部間に描画用ビームを連続的に照射する従来の描画方法とは異なり、形成領域Ａ０における内周側および外周側の両端が丸みを帯びる事態を回避することができる。
【００５１】
さらに、上記の例では、２つの帯状照射領域に対して電子ビームＥＢを順次照射することで１つの帯状露光領域の全域が露光されるようにパターンを描画しているが、本発明における「Ｎ」の数は２つに限定されず、３つ以上の帯状照射領域に対して電子ビームＥＢを順次照射することで（１つの帯状露光領域における回転方向に沿った両端部間で電子ビームを間欠的に３回以上照射することで）１つの帯状露光領域の全域が露光されるようにパターンを描画することができる。具体的には、例えば、図１１に示すように、基材１０の回転方向（同図に示す矢印Ｒの向き）に沿った帯状露光領域Ａ１（帯状露光領域ＡＫ）の回転方向の一端部側（同図における上端部側）から他端部側（同図における下端部側）までの間において電子ビームＥＢを間欠的に５回（本発明における「Ｎ」が「５」の例）照射することにより、回転方向に沿った５個の帯状照射領域Ａ１ａ〜Ａ１ｅ（帯状照射領域ＡＫａ〜ＡＫｅ）に電子ビームＥＢを照射することができる。
【００５２】
この場合、帯状露光領域Ａ１の全域が露光されるように５個の帯状照射領域Ａ１ａ〜Ａ１ｅについて複数回転に分けて電子ビームＥＢを照射する際には、基材１０の１回転当りに電子ビームＥＢを照射する帯状照射領域の数や、各帯状照射領域に対する電子ビームＥＢの照射順序は特に限定されない。具体的には、例えば、基材１０の１回転目（本発明におけるＭ回転目の一例）に帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｃ，Ａ１ｅに対する電子ビームＥＢの照射を実行した後に、基材１０の２回転目（本発明におけるＬ回転目の一例）に帯状照射領域Ａ１ｂ，Ａ１ｄに対する電子ビームＥＢの照射を実行することで、結果として、帯状露光領域Ａ１に対して基材１０の２回転に亘って間欠的に電子ビームＥＢを照射する描画方法を採用することができる。
【００５３】
また、例えば、基材１０の１回転目に帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｄに対する電子ビームＥＢの照射を実行した後に、基材１０の２回転目に帯状照射領域Ａ１ｂ，Ａ１ｅに対する電子ビームＥＢの照射を実行し、その後に、基材１０の３回転目に帯状照射領域Ａ１ｃのみに対する電子ビームＥＢの照射を実行することで、結果として、帯状露光領域Ａ１に対して基材１０の３回転に亘って間欠的に電子ビームＥＢを照射する描画方法を採用することもできる。さらに、例えば、基材１０の１回転目に帯状照射領域Ａ１ａに電子ビームＥＢを照射し、基材１０の２回転目に帯状照射領域Ａ１ｃに電子ビームＥＢを照射し、基材１０の３回転目に帯状照射領域Ａ１ｅに電子ビームＥＢを照射し、基材１０の４回転目に帯状照射領域Ａ１ｂに電子ビームＥＢを照射し、基材１０の５回転目に帯状照射領域Ａ１ｄに電子ビームＥＢを照射することで、結果として、帯状露光領域Ａ１に対して基材１０の５回転に亘って間欠的に電子ビームＥＢを照射する描画方法を採用することもできる。これらのうちのいずれの手順で電子ビームＥＢを照射したとしても、帯状露光領域Ａ１，ＡＫの回転方向の両端部間に描画用ビームを連続的に照射する従来の描画方法とは異なり、形成領域Ａ０における内周側および外周側の両端が丸みを帯びる事態を十分に回避することができる。
【００５４】
また、本発明における描画用ビームは、前述した電子ビームＥＢに限定されず、イオンビーム等の各種の荷電粒子ビームを用いることができる。さらに、本発明に係るパターン描画方法に従って描画したパターンを用いて形成する凹凸パターンの用途は、磁気ディスク３０（スタンパー２０）のような情報記録媒体の製造に限らず、例えば、半導体素子の製造時等に用いる凹凸パターンを形成する際にも本発明に係るパターン描画方法に従ってパターンを描画することができる。これにより、例えば半導体素子を構成する矩形状部位が丸みを帯びる事態を回避することができる。また、本発明に係るパターン描画方法に従って描画したパターンを用いて製造する情報記録媒体は、上記の磁気ディスク３０のようなディスクリートトラック型の磁気ディスクに限定されず、データトラックパターンが連続磁性層に磁気的に書き込まれると共にサーボパターンが凹凸パターン３５によって形成された磁気ディスクが含まれる。さらに、磁気ディスク３０のような垂直記録方式の磁気ディスクのみならず、面内記録方式の磁気ディスクも含まれる。加えて、磁気ディスクのみならず、光ディスク（光記録媒体）の製造時にも本発明に係るパターン描画方法を好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】電子ビーム描画装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】基材１０の断面図である。
【図３】スタンパー２０の断面図である。
【図４】磁気ディスク３０の断面図である。
【図５】磁気ディスク３０の平面図である。
【図６】基材１０にバーストパターン等を描画する手順についての説明図である。
【図７】形成領域Ａ０に対して電子ビームＥＢを照射する手順についての説明図である。
【図８】基材１０にバーストパターン等を描画する他の手順についての説明図である。
【図９】形成領域Ａ０に対して電子ビームＥＢを照射する他の手順についての説明図である。
【図１０】基材１０にバーストパターンを描画するさらに他の描画手順についての説明図である。
【図１１】他の形成領域Ａ０に対して電子ビームＥＢを照射する手順についての説明図である。
【図１２】形成領域Ａ０ｘに対して電子ビームＥＢを照射する従来の手順についての説明図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  電子ビーム描画装置
２  Ｘ−Ｙ移動機構
３  ターンテーブル
４  ビーム発生部
５  ブランキング制御部
６  ビーム成形部
７  ビーム偏向部
８  制御部
９  記憶部
１０  基材
１１  シリコン基板
１２  樹脂層
２０  スタンパー
２５，３５  凹凸パターン
２５ａ，３５ａ  凸部
２５ｂ，３５ｂ  凹部
３０  磁気ディスク
Ａ０  形成領域
Ａ１〜ＡＫ  帯状露光領域
Ａ１ａ，Ａ１ｂ・・ＡＫａ，ＡＫｂ  帯状照射領域
ＤＰ  描画手順データ
Ｅ１ａ，Ｅ１ｂ・・ＥＮａ，ＥＮｂ  停止位置
ＥＢ  電子ビーム
Ｐｓ  サーボパターン
Ｐｔ  データトラックパターン
Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ・・ＳＮａ，ＳＮｂ  開始位置
【図１】
2007035138.tif 000003
【図２】
2007035138.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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