(57)【要約】【課題】レーザ熱転写法を利用してアクセプタ基板上に有機膜層を形成する際に、磁石が形成された基板と磁性体を含む密着フレームとの磁気力によって、アクセプタ基板とドナーフィルムの転写層との間の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置を提供すること。【解決手段】ドナーフィルム３５０及びアクセプタ基板２５０が内部に配置され、ドナーフィルム３５０の転写層をアクセプタ基板２５０に転写する工程が実施される空間を備えたチャンバ２３０と、チャンバ２３０内に配置され、磁石２１０を備えたアクセプタ基板２５０を支持する基板ステージ２００と、基板ステージ２００との間にドナーフィルム３５０及びアクセプタ基板２５０を介し、チャンバ２３０内にで基板ステージ２００より上部に配置され、磁性体３１０を備える密着フレーム３００と、前記チャンバ２３０の外部または内部に配置されるレーザオシレータ４００とを含む。【選択図】図２
2007141810.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナーフィルム及びアクセプタ基板が内部に配置され、前記ドナーフィルムの転写層を前記アクセプタ基板に転写する工程が実施される空間を備えたチャンバと；
前記チャンバ内に配置され、磁石を備えた前記アクセプタ基板を支持する基板ステージと；
前記基板ステージとの間に前記ドナーフィルム及び前記アクセプタ基板を介し、前記チャンバ内で前記基板ステージより上部に配置され、磁性体を備えた密着フレームと；
前記チャンバの外部または内部に配置されるレーザオシレータと；
を含むことを特徴とする、レーザ熱転写装置。
【請求項２】
前記密着フレームの上面または下面に前記磁性体が形成されることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３】
前記密着フレーム自体が前記磁性体で形成されることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４】
前記アクセプタ基板の上面または下面に前記磁石が形成されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５】
前記磁石は、永久磁石であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項６】
前記永久磁石は、少なくとも一つの角柱または円筒形状で形成されることを特徴とする、請求項５に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項７】
前記永久磁石は、永久磁石ナノ粒子で構成されることを特徴とする、請求項５に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項８】
前記磁石は、電磁石であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項９】
前記電磁石は、少なくとも一つの角柱または円筒形状で形成されることを特徴とする、請求項８に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１０】
前記密着フレームには、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１１】
前記密着フレームと連結され、前記密着フレームを上下駆動する昇降駆動部をさらに具備することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１２】
前記昇降駆動部は、前記ドナーフィルムと前記アクセプタ基板との密着強度を調節可能に構成されていることを特徴とする、請求項１１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１３】
前記レーザオシレータは、前記密着フレームより上部に配置されることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１４】
前記チャンバは、真空チャンバであることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１５】
チャンバ内に配置された基板ステージと磁性体が形成された密着フレームとの間に、少なくとも一面に磁石が形成されたアクセプタ基板を配置する段階と；
前記アクセプタ基板上にドナーフィルムを配置する段階と；
前記密着フレームに形成された磁性体と前記アクセプタ基板の磁石との間に作用する磁気力によって、前記ドナーフィルムと前記アクセプタ基板とをラミネーションする段階と；
前記ドナーフィルム上にレーザを照射して、転写層の少なくとも一領域をアクセプタ基板上に転写させる段階と；
を含むことを特徴とする、レーザ熱転写法。
【請求項１６】
前記アクセプタ基板上に前記ドナーフィルムを配置する段階の後、前記密着フレームを下降させて、前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムとを密着させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載のレーザ熱転写法。
【請求項１７】
レーザ熱転写法によって、第１電極層と第２電極層との間に発光層が形成される有機発光素子の製造方法において：
基板ステージ上に、画素領域が形成され、磁石が形成されたアクセプタ基板を、磁性体が形成された密着フレームの下部に配置させるアクセプタ基板配置段階と；
発光層を備えたドナーフィルムを、前記アクセプタ基板上に配置させるドナーフィルム配置段階と；
前記アクセプタ基板に形成された前記磁石と前記密着フレームに形成された前記磁性体のと間の磁気力によって、前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムとを接合するラミネーション段階と；
前記ドナーフィルムにレーザを照射して、前記アクセプタ基板の前記画素領域に前記発光層を転写する転写段階と；
を含むことを特徴とする、レーザ熱転写法を利用した有機発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ熱転写装置、レーザ熱転写法、及びレーザ熱転写法を利用した有機発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子の有機膜層を形成する方法のうち、蒸着法はシャドウマスクを利用して有機発光物質を真空蒸着して有機膜層を形成する方法で、マスクの変形などによって高精細の微細パターンを形成し難く、大面積表示装置に適用し難い。
【０００３】
蒸着法の問題点を解決するために、直接有機膜層をパターニングするインクジェット方式が提案された。インクジェット方式は、発光材料を溶媒に溶解または分散させたものを吐出液として、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出させ、有機膜層を形成する方法である。インクジェット方式は、工程が比較的簡単であるが、歩留まり低下や膜厚さの不均一性が発生し、大面積の表示装置に適用し難いという問題点がある。
【０００４】
一方、レーザ熱転写法を利用して有機膜層を形成する方法が提案された。レーザ熱転写法は、基材基板、光−熱変換層及び転写層を含むドナーフィルムにレーザを照射させ、基材基板を通過したレーザを光−熱変換層で熱に変換し、光−熱変換層を膨脹させることで、光−熱変換層に隣接する転写層を膨脹させ、アクセプタ基板に転写層を接着させて転写させる方法である。
【０００５】
レーザ熱転写法は、レーザで誘導されたイメージングプロセスで、高解像度のパターン形成、フィルム厚さの均一性、マルチレイヤー積層能力、大型マザーガラスへの拡張性のような固有の利点を持っている。
【０００６】
従来、レーザ熱転写法を行う場合、発光層の転写が行われるチャンバ内部は、発光表示素子形成の他の蒸着工程と同様に調整されるようにするため、真空状態でなされることが好ましく、主に真空状態でなされる。しかし、従来の方法によって真空状態でレーザ熱転写を行う場合、ドナーフィルムとアクセプタ基板の間の接合力が弱くなって転写層の転写特性が悪くなるという問題点がある。よって、レーザ熱転写法において、ドナーフィルムとアクセプタ基板をラミネーションさせる方法は、重要な意味を持っており、これを解決するためのさまざまな方案が研究されている。
【０００７】
以下では図面を参照して従来の技術によるレーザ熱転写法及びレーザ熱転写装置を具体的に説明する。
【０００８】
図１は、従来の技術によるレーザ熱転写装置の部分断面図である。図１を参照すると、レーザ熱転写装置１００は、チャンバ１１０内に配置される基板ステージ１２０及びチャンバ１１０の上部に配置されるレーザ照射装置１３０を含んで構成される。
【０００９】
基板ステージ１２０は、チャンバ１１０内に配置されるアクセプタ基板１４０とドナーフィルム１５０とをそれぞれ順次配置させるためのもので、基板ステージ１２０には、アクセプタ基板１４０とドナーフィルム１５０をそれぞれ整列させるための第１装着ホーム１２１及び第２装着ホーム１２３が形成されている。
【００１０】
第１装着ホーム１２１は、アクセプタ基板１４０の外周に沿って形成され、第２装着ホーム１２３は、ドナーフィルム１５０の外周に沿って形成される。通常、アクセプタ基板１４０は、ドナーフィルム１５０より面積が小さいので、第２装着ホーム１２３より第１装着ホーム１２１のほうが小さく形成される。
【００１１】
このとき、アクセプタ基板１４０とドナーフィルム１５０とを、両者の間に異物を挿入させたり、空間が形成されることなくラミネーションさせるため、レーザ熱転写がなされるチャンバ１１０内部を真空状態で維持せず、第１装着ホーム１２１及び第２装着ホーム１２３の下部一区間にパイプ１６１及び１６３を連結し、真空ポンプＰで吸いこんでアクセプタ基板１４０とドナーフィルム１５０を合着させる。
【００１２】
しかし、有機発光素子を製作する他の工程が真空状態を維持して行われる一方、真空ポンプによってアクセプタ基板とドナーフィルムを密着させる方法は、チャンバ内部の真空状態を維持することができなくなることにより、製品の信頼性と寿命に良くない影響を及ぼすという問題点がある。
【００１３】
一方、前記従来のレーザ熱転写装置、レーザ熱転写法、及びレーザ熱転写法を利用した有機発光素子の製造方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１〜３がある。
【００１４】
【特許文献１】特開２００４−２９６２２４号明細書
【特許文献２】特開２００４−３５５９４９号明細書
【特許文献３】米国特許第４、３７７、３３９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、密着フレームとアクセプタ基板の間の磁気力を利用して、ドナーフィルムとアクセプタ基板の密着性及び有機発光素子の寿命、歩留まり及び信頼性を高めることが可能な、新規かつ改良されたレーザ熱転写装置、レーザ熱転写法及びレーザ熱転写法を利用した有機発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、ドナーフィルム及びアクセプタ基板が内部に配置され、ドナーフィルムの転写層をアクセプタ基板に転写する工程が実施される空間を備えたチャンバと、チャンバ内に配置され、磁石を備えたアクセプタ基板を支持する基板ステージと、基板ステージとの間にドナーフィルム及びアクセプタ基板を介し、チャンバ内で基板ステージより上部に配置され、磁性体を備える密着フレームと、チャンバの外部または内部に配置されるレーザオシレータと、を含むことを特徴とする、レーザ熱転写装置が提供される。
【００１７】
また、密着フレームの上面または下面に磁性体が形成されてもよい。
【００１８】
また、密着フレーム自体が磁性体で形成されてもよい。
【００１９】
また、アクセプタ基板の上面または下面に磁石が形成されてもよい。
【００２０】
また、磁石は、永久磁石であってもよい。
【００２１】
また、永久磁石は、少なくとも一つの角柱または円筒形状で形成されてもよい。
【００２２】
また、永久磁石は、永久磁石ナノ粒子で構成されてもよい。
【００２３】
また、磁石は、電磁石であってもよい。
【００２４】
また、電磁石は、少なくとも一つの角柱または円筒形状で形成されてもよい。
【００２５】
また、密着フレームには、ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されてもよい。
【００２６】
また、密着フレームと連結されて、密着フレームを上下駆動する昇降駆動部をさらに備えてもよい。
【００２７】
また、昇降駆動部は、ドナーフィルムとアクセプタ基板との密着強度を調節可能に構成されてもよい。
【００２８】
また、レーザオシレータは、密着フレームより上部に配置されてもよい。
【００２９】
また、チャンバは、真空チャンバであってもよい。
【００３０】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、チャンバ内に配置された基板ステージと、磁性体が形成された密着フレームとの間に、少なくとも一面に磁石が形成されたアクセプタ基板を配置する段階と、アクセプタ基板上にドナーフィルムを配置する段階と、密着フレームに形成された磁性体とアクセプタ基板の磁石との間に作用する磁気力によって、ドナーフィルムとアクセプタ基板とをラミネーションする段階と、ドナーフィルム上にレーザを照射して、転写層の少なくとも一領域をアクセプタ基板上に転写させる段階と、を含むことを特徴とする、レーザ熱転写法が提供される。
【００３１】
また、アクセプタ基板上にドナーフィルムを配置する段階の後、密着フレームを下降させることにより、アクセプタ基板とドナーフィルムとを密着させる段階をさらに含んでもよい。
【００３２】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、レーザ熱転写法によって、第１電極層と第２電極層との間に発光層が形成される有機発光素子の製造方法において、基板ステージ上に、画素領域が形成され磁石を有するアクセプタ基板を、磁性体を有する密着フレームの下部に配置させるアクセプタ基板配置段階と、発光層を備えたドナーフィルムを、アクセプタ基板上に配置させるドナーフィルム配置段階と、アクセプタ基板に形成された磁石と密着フレームに形成された磁性体との間の磁気力によって、アクセプタ基板とドナーフィルムとを接合するラミネーション段階と、ドナーフィルムにレーザを照射して、アクセプタ基板の画素領域に発光層を転写する転写段階と、を含むことを特徴とする、レーザ熱転写法を利用した有機発光素子の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００３３】
以上、説明したように、本発明によれば、レーザ熱転写法においてドナーフィルムとアクセプタ基板とをラミネーションする際に、アクセプタ基板に形成された磁石と、密着フレームに形成された磁性体との間に発生する磁気力によって、ドナーフィルムとアクセプタ基板との密着性及び有機発光素子の寿命、歩留まり及び信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な一実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３５】
以下、本発明の好ましい一実施形態を、添付した図面を参照して詳しく説明する。図２は、本発明によるレーザ熱転写装置の一例を示した斜視図である。図２を参照して説明すれば、本発明によるレーザ熱転写装置は、チャンバ２３０、基板ステージ２００、密着フレーム３００、レーザオシレータ４００及び昇降部５００ａ、５００ｂを含む。
【００３６】
チャンバ２３０内では、基板２５０上に所定の有機物を転写するための蒸着源であるドナーフィルム３５０を転写する工程が実施される。よって、チャンバ２３０内部には、アクセプタ基板２５０とドナーフィルム３５０との合着工程を実施するために、少なくとも基板ステージ２００と密着フレーム３００とを備える。このとき、チャンバ２３０内部は真空状態である。
【００３７】
基板ステージ２００は、アクセプタ基板２５０とドナーフィルム３５０とをそれぞれ整列する第１整列ホーム２０２ａと第２整列ホーム２０２ｂとで構成される。一般に、ドナーフィルム３５０は、アクセプタ基板２５０より面積が広いので、第２整列ホーム２０２ｂは、第１整列ホーム２０２ａの外周より外側にドナーフィルム３５０の形状に沿って形成される。このとき、第１整列ホーム２０２ａと第２整列ホーム２０２ｂは、所定の段差を有して形成され、第２整列ホーム２０２ｂは第１整列ホーム２０２ａより所定の高さほど高く形成される。
【００３８】
密着フレーム３００は、磁性体３１０を具備し、チャンバ２３０内でアクセプタ基板２５０及びドナーフィルム３５０を基板ステージ２００との間に介して基板ステージ２００より上部に位置する。そして、密着フレーム３００には、ドナーフィルム３５０の転写される部分に対応するパターンの開口部３１１が形成される。すなわち、アクセプタ基板２５０上に有機物を転写するための転写源としてドナーフィルム３５０を用いるため、基板２５０上に転写される有機物に対応するドナーフィルム３５０が転写されなければならない。
【００３９】
したがって、密着フレーム３００に所定パターンの開口部３１１を形成して所定パターンのドナーフィルム３５０をアクセプタ基板２５０上に転写する。一方、密着フレーム３００は、それ自体が磁性体３１０で形成されてもよく、密着フレーム３００の上面または下面に磁性体３１０が形成されてもよい。そして、密着フレーム３００は、密着フレームトレイ３０１によって固定され上下駆動される。
【００４０】
一方、アクセプタ基板２５０の上面または下面に磁石２１０が形成され、磁石２１０は、好ましくは、アクセプタ基板２５０の下面またはアクセプタ基板２５０とバッファー層（図示せず）の間に形成される。密着フレーム３００は、アクセプタ基板２５０と密着フレーム３００との磁気力によってアクセプタ基板２５０とドナーフィルム３５０とを密着させる。よって、密着フレーム３００とアクセプタ基板２５０はそれぞれ磁性体３１０及び磁石２１０を具備しなければならない。好ましくは、アクセプタ基板２５０は永久磁石を備え、密着フレーム３００が磁性体で形成されるか、またはアクセプタ基板２５０が電磁石を備え、密着フレーム３００が磁性体で形成される。このとき、永久磁石及び電磁石は、少なくとも一つの角柱または円筒形状で形成される。
【００４１】
レーザオシレータ４００は、チャンバ２３０の外部または内部に形成されうる。好ましくは、密着フレーム３００の上部に位置して密着フレーム３００上にレーザを転写する。
【００４２】
昇降部５００ａ及び５００ｂは、第１昇降部５００ａと第２昇降部５００ｂに区分される。そして、第１昇降部５００ａは、第１ピン５５０ａを具備してアクセプタ基板２５０を上下駆動し、第２昇降部５００ｂは第２ピン５５０ｂを具備してドナーフィルム３５０を上下駆動する。一例として、まず、第１昇降部５００ａを上昇させて移動手段（図示せず）からアクセプタ基板２５０が伝達され、再度下降して第１整列ホーム２０２ａ上にアクセプタ基板２５０を整列させる。次に、第２昇降部５００ｂを上昇させて移動手段（図示せず）からドナーフィルム３５０が伝達され、再度下降して第２整列ホーム２０２ｂ上にドナーフィルム３５０を整列させる。
【００４３】
このような動作でアクセプタ基板２５０とドナーフィルム３５０とを合着させる。このとき、ドナーフィルム３５０は、フィルムトレイ３５１によって固定されて昇降する。
【００４４】
上述した本発明によるレーザ熱転写装置は、昇降駆動部（図示せず）をさらに具備して密着フレーム３００と連結し、昇降駆動部によって密着フレーム３００が上下駆動される。
【００４５】
図３ａ〜図３ｅは、本発明によるレーザ熱転写法を示した図である。図３ａ〜図３ｅを参照して説明すれば、本発明によるレーザ熱転写法は、まず、チャンバ２３０を備え、エンドイペックト７００を利用して基板ステージ２００の第１整列ホーム２０２ａ上に基板２５０を整列させる。このとき、第１昇降部５００ａを上昇させ、第１昇降部５００ａに設けられた第１ピン５５０ａを利用し、エンドイペックト７００から基板２５０を伝達されて、第１ピン５５０ａによって支持する（図３ａ）。
【００４６】
それから、エンドイペックト７００をチャンバ２３０の外部に移動させる（図３ｂ）。
【００４７】
次に、エンドイペックト７００を利用し、基板ステージ２００の第２整列ホーム２０２ｂ上にドナーフィルム３５０を整列させる。このとき、第２昇降部５００ｂを上昇させ、第２昇降部５００ｂに設けられた第２ピン５５０ｂを利用し、エンドイペックト７００からドナーフィルム３５０を伝達されて、第２ピン５５０ｂによって支持する（図３ｃ）。
【００４８】
それから、あらかじめ配置されているアクセプタ基板２５０上にドナーフィルム３５０を密着させる。このとき、ドナーフィルム３５０は、フィルムトレイ３５１によって固定されている状態で第２整列ホーム２０２ｂ上に整列される（図３ｄ）。
【００４９】
次に、密着されているアクセプタ基板２５０とドナーフィルム３５０との間に微細な空隙が生じないように、密着強度を調節して密着フレーム３００をドナーフィルム３５０上にさらに密着させる。このとき、密着フレーム３００は、密着フレームトレイ３０１によって固定された状態で下降する。そして、アクセプタ基板２５０の上部または下部に磁石２１０が具備されているので、密着フレーム３００に形成された磁性体３１０との間に発生する磁気力によって、密着フレーム３００とアクセプタ基板２５０との密着強度を調節し、アクセプタ基板２５０とドナーフィルム３５０との接着特性を高めることができる。
【００５０】
後続工程として、レーザオシレータ４００を用いて、所定パターンの開口部（図示せず）が形成された密着フレーム３００上にレーザ転写工程を実施する。ドナーフィルム３５０は、アクセプタ基板２５０に有機物を転写する転写源であり、所定のパターンで基板２５０上に転写される。よって、所定パターンの開口部が形成された密着フレーム３００上にレーザを照射することによって、開口部に相当する所定パターンの有機物がアクセプタ基板２５０上に転写される。すなわち、密着フレーム３００は、レーザが所定の領域のみに照射されるようにするためのマスクとしての役割を果たす（図３ｅ）。
【００５１】
上述した本発明によるレーザ熱転写法によれば、アクセプタ基板２５０とドナーフィルム３５０を密着させた後、密着フレーム３００に荷重を加える工程でアクセプタ基板２５０を固定し、密着フレーム３００を下降させて上述した工程を進行する。そして、図２ｅに図示された工程が完了すれば、昇降駆動部（図示せず）を利用して密着フレーム３００を再度上昇させて下降させる前の元の位置に戻す。
【００５２】
図４ａ及び図４ｂは、本発明による有機発光素子の一例を示した図である。図４ａ及び図４ｂを参照して説明すれば、本発明による有機発光素子は、基板８００上にバッファ層８０２、半導体層８０３、ゲート絶縁層８０４、ゲート電極８０５、層間絶縁層８０６、ソース電極８０７ａ、ドレイン電極８０７ｂ及び平坦化層８０８などが形成される。
【００５３】
基板８００上にはまず、バッファ層８０２が形成され、バッファ層８０２の一領域上にはアクティブ層８０３ａ及びオミックコンタクト層８０３ｂを含む半導体層８０３が形成される。そして、図３ａに図示されたように、基板８００の下部面に磁石８０１が形成されてもよく、あるいは図３ｂに図示されたように、基板８００とバッファ層８０２との間に磁石８０１が形成されてもよい。このとき、磁石８０１は、永久磁石または電磁石であり、一つの同一平面上に配置されうるが、好ましくは、複数の磁石８０１を備えて、同心円型または横及び縦の複数列で配置される。
【００５４】
バッファ層８０２上には、半導体層８０３を含んでゲート絶縁層８０４が形成され、ゲート絶縁層８０４の一領域上にはアクティブ層８０３ａの幅に対応する大きさのゲート電極８０５が形成される。
【００５５】
ゲート絶縁層８０４上には、ゲート電極８０５を含んで層間絶縁層８０６が形成され、層間絶縁層８０６の所定の領域上にはソース電極８０７ａ及びドレイン電極８０７ｂが形成される。
【００５６】
ソース電極８０７ａ及びドレイン電極８０７ｂは、オミックコンタクト層８０３ｂの露出された一領域とそれぞれ接続されるように形成され、層間絶縁層８０６上には、ソース電極８０７ａ及びドレイン電極８０７ｂを含んで平坦化層８０８が形成される。
【００５７】
平坦化層８０８の一領域上には第１電極層８０９が形成され、このとき第１電極８０９はソース電極８０７ａまたはドレイン電極８０７ｂのうちいずれかの露出した一領域と接続されるようにする。
【００５８】
平坦化層８０８上には、第１電極層８０９を含んで、第１電極層８０９の少なくとも一領域を露出する開口部（図示せず）が具備された画素定義膜８１０が形成される。
【００５９】
画素定義膜８１０の開口部上には発光層８１１が形成され、画素定義膜８１０上には発光層８１１を含んで第２電極層８１２が形成される。
【００６０】
以上、説明したように、本発明によれば、レーザ熱転写法においてドナーフィルムとアクセプタ基板とをラミネーションする際に、チャンバ内部を真空状態に維持したままで、ドナーフィルムとアクセプタ基板との間に異物及び空間が生じないようにすると同時に、アクセプタ基板に形成された磁石と、密着フレームに形成された磁性体との間に発生する磁気力によってドナーフィルムとアクセプタ基板をラミネーションすることで、密着性及び有機発光素子の寿命、歩留まり及び信頼性を高めることができる。
【００６１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】従来の技術によるレーザ熱転写装置の部分断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかるレーザ熱転写装置を示した斜視図である。
【図３ａ】本発明の一実施形態にかかるレーザ熱転写法を示した断面図である。
【図３ｂ】本発明の一実施形態にかかるレーザ熱転写法を示した断面図である。
【図３ｃ】本発明の一実施形態にかかるレーザ熱転写法を示した断面図である。
【図３ｄ】本発明の一実施形態にかかるレーザ熱転写法を示した断面図である。
【図３ｅ】本発明の一実施形態にかかるレーザ熱転写法を示した断面図である。
【図４ａ】本発明の一実施形態にかかる有機発光素子の一例を示した断面図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態にかかる有機発光素子の一例を示した断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
２００    基板ステージ
２１０    磁石
２３０    チャンバ
２５０    アクセプタ基板
３００    密着フレーム
３１０    磁性体
３５０    ドナーフィルム
４００    レーザオシレータ
５００ａ、５００ｂ  昇降部
【図１】
2007141810.tif 000003
【図２】
2007141810.tif 000004
【図３ａ】
2007141810.tif 000005
【図３ｂ】
2007141810.tif 000006
【図３ｃ】
2007141810.tif 000007
【図３ｄ】
2007141810.tif 000008
【図３ｅ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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