(57)【要約】      （修正有）【課題】レジスト膜のパターン異常を防止し、基板を常に高精度に加工することができる基板加工方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】基板３０上に塗布したレジストを露光及び現像することで所定パターンのレジスト膜１３２を形成し、このレジスト膜をマスクとして前記基板をエッチングすることにより基板を所定形状に加工する際、基板上にレジストを塗布する前に、湿度が４０％以下のヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）１５１雰囲気中に基板を一定時間保持するＨＭＤＳ処理工程を実施する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布したレジストを露光及び現像することで所定パターンのレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとして前記基板をエッチングすることにより当該基板を所定形状に加工する基板加工方法であって、
前記基板上にレジストを塗布する前に、湿度が４０％以下のヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）雰囲気中に前記基板を一定時間保持するＨＭＤＳ処理工程を有することを特徴とする基板加工方法。
【請求項２】
前記ＨＭＤＳ処理工程では、前記基板表面を親水性から親油性に改質することを特徴とする請求項１に記載の基板加工方法。
【請求項３】
前記基板が、基材と該基材の表面に設けられた保護層とからなり、前記保護層を所定形状に加工後、この保護層をマスクとして前記基材をエッチングして当該基材を所定形状に加工することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板加工方法。
【請求項４】
前記基材がシリコン（Ｓｉ）からなることを特徴とする請求項３に記載の基板加工方法。
【請求項５】
液滴を吐出するノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に設けられて前記圧力発生室内に液滴を吐出するための圧力を付与する圧力発生手段とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板の加工に、請求項１〜４の何れかに記載の基板加工方法を用いたことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
液滴を吐出するノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に設けられて前記圧力発生室内に液滴を吐出するための圧力を付与する圧力発生手段と、前記流路形成基板に接合されて前記圧力発生室に供給するためのリザーバを有するリザーバ形成基板とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板及び前記リザーバ形成基板の少なくとも何れか一方の加工に、請求項１〜４の何れかに記載の基板加工方法を用いたことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト膜を介してエッチングすることで基板を所定形状に形成する基板加工方法及びこの基板加工方法を用いた液体噴射ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、シリコン基板等の各種基板に微細加工を施す場合、所定のマスクを介して基板をエッチングする方法が一般的に知られている。その際、基板上にレジストを塗布し露光及び現像することで形成した所定パターンのレジスト膜が上記マスクとして用いられることが多い。このようなマスクとなるレジスト膜を基板上に形成する際、基板のレジストとの密着性が低いと、レジストはじき、すなわち、部分的にレジストが形成されないという問題が生じる場合がある。このようなレジストはじきが生じると、レジストを露光及び現像することによって形成されたレジスト膜が所望の形状にならないパターン異常が発生する虞がある。さらに、このようなパターン異常が生じたレジスト膜を介して基板をエッチングすると、基板の加工精度が大幅に低下してしまうという問題がある。
【０００３】
このような問題は、例えば、インク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドの製造方法においても存在する。インクジェット式記録ヘッドとしては、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、圧力発生室内に圧力を付与するための圧力発生手段としての圧電素子と、リザーバを有するリザーバ形成基板（封止基板）とを有するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この特許文献１には、封止基板形成材にリザーバ等を形成する際に、二酸化シリコン膜からなるマスクパターン（保護層）を介して封止基板形成材をエッチングすることが記載されている。そして、この二酸化シリコン等からなるマスクパターン（保護層）は、一般的に、レジスト膜をマスクとしてエッチングすることによって形成される。このとき、上記のようにレジスト膜にパターン異常があると、マスクパターン（保護層）の加工精度が低下すると共にリザーバ等の加工精度も低下し、吐出特性が低下するという問題や、歩留まりが低下して製造コストが増加する等の問題が生じる虞がある。
【０００５】
このような問題を解決するための方法として、基板上にレジストを塗布する前に、基板表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）によって処理することで、レジストと基板との密着性を高める方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
このような方法を採用することで、レジストはじきを抑えてレジスト膜のパターン異常をある程度は防止することができる。しかしながら、レジスト膜のパターン異常を完全に抑えることは難しい。
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００４／００７２０６号パンフレット（第１１−１２図等）
【特許文献２】特開２００３−４５０９５号公報（第４頁等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑み、レジスト膜のパターン異常を防止し、基板を常に高精度に加工することができる基板加工方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、基板上に塗布したレジストを露光及び現像することで所定パターンのレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとして前記基板をエッチングすることにより当該基板を所定形状に加工する基板加工方法であって、前記基板上にレジストを塗布する前に、湿度が４０％以下のヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）雰囲気中に前記基板を一定時間保持するＨＭＤＳ処理工程を有することを特徴とする基板加工方法にある。
かかる第１の態様では、基板のレジストとの密着性が大幅に向上するため、レジスト膜が所望の形状に良好に形成される。したがって、このレジスト膜をマスクとして基板をエッチングすることで、基板を高精度に加工することができる。
【００１０】
本発明の第２の態様は、前記ＨＭＤＳ処理工程では、前記基板表面を親水性から親油性に改質することを特徴とする第１の態様の基板加工方法にある。
かかる第２の態様では、基板表面が親水性から親油性に改質される結果、基板のレジストとの密着性が大幅に向上する。
【００１１】
本発明の第３の態様は、前記基板が、基材と該基材の表面に設けられた保護層とからなり、前記保護層を所定形状に加工後、この保護層をマスクとして前記基材をエッチングして当該基材を所定形状に加工することを特徴とする第１又は２の何れかの態様の基板加工方法にある。
かかる第３の態様では、基材を極めて高精度に加工することができる。
【００１２】
本発明の第４の態様は、前記基材がシリコン（Ｓｉ）からなることを特徴とする第３の態様の基板加工方法にある。
かかる第４の態様では、シリコンからなる基材をエッチングにより極めて高精度に加工することができる。
【００１３】
本発明の第５の態様は、液滴を吐出するノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に設けられて前記圧力発生室内に液滴を吐出するための圧力を付与する圧力発生手段とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記流路形成基板の加工に、第１〜４の何れかに記載の基板加工方法を用いたことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第５の態様では、流路形成基板を極めて高精度に形成することができ、圧力発生室等の流路内に液体が良好に流れ込むようになり、液滴の吐出特性が向上する。また、歩留まりが向上するため、製造コストを削減することもできる。
【００１４】
本発明の第６の態様は、液滴を吐出するノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に設けられて前記圧力発生室内に液滴を吐出するための圧力を付与する圧力発生手段と、前記流路形成基板に接合されて前記圧力発生室に供給するためのリザーバを有するリザーバ形成基板とを具備する液体噴射ヘッドの製造法方法であって、前記流路形成基板及び前記リザーバ形成基板の少なくとも何れか一方の加工に、第１〜４の何れかの態様の基板加工方法を用いたことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第６の態様では、流路形成基板、リザーバ形成基板等を極めて高精度に形成することができ、圧力発生室等の流路内に液体が良好に流れ込むようになり、液滴の吐出特性が向上する。また、歩留まりが向上するため、製造コストを削減することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図２は、その平面図及びＡ−Ａ′断面図である。本実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、図示するように、例えば、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなる流路形成基板１０を有し、その一方面側には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。この流路形成基板１０には、その他方面側から異方性エッチングすることによって形成され、複数の隔壁１１によって区画される複数の圧力発生室１２が並設されている。また、圧力発生室１２の長手方向外側には、各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００の一部を構成する連通部１３が形成され、各圧力発生室１２の長手方向一端部とそれぞれインク供給路１４を介して連通されている。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１６】
また、流路形成基板１０の開口面側には、圧力発生室１２を形成する際のマスクとして用いられた保護膜５１を有し、この保護膜５１上には各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側で連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、ステンレス鋼（ＳＵＳ）あるいはシリコン単結晶基板等からなる。
【００１７】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、酸化ジルコニウム等からなり厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、白金及びイリジウム等からなり厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなり厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、イリジウム等からなり厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を圧力発生室１２毎にパターニングすることによって形成されている。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。
【００１８】
また、各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０がそれぞれ接続されている。このリード電極９０は、各圧電素子３００の長手方向端部近傍から引き出され、本実施形態では、インク供給路１４に対応する領域までそれぞれ延設されている。
【００１９】
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、リザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３１を有するリザーバ形成基板３０が接着剤等によって接合されている。このリザーバ部３１は、本実施形態では、リザーバ形成基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。また、リザーバ形成基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子３００を保護するための圧電素子保持部３２が設けられている。なお、この圧電素子保持部３２は、密封されていてもよいが、密封されていなくてもよい。また、リザーバ形成基板３０のリザーバ部３１と圧電素子保持部３２との間の領域には、リザーバ形成基板３０を厚さ方向に貫通する配線接続孔３３が設けられている。そして、上述した各リード電極９０は、その端部近傍がこの配線接続孔３３内に露出するように設けられている。さらに、本実施形態では、リザーバ形成基板３０のリザーバ部３１等の内面を含む表面に、耐インク性を有する材料からなるインク保護膜３４が形成されている（図２参照）。
【００２０】
このようなリザーバ形成基板３０は、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等で形成されていることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料であるシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２１】
リザーバ形成基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっており、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２２】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００２３】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法、特に、リザーバ形成基板の製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。
【００２４】
まず、図３（ａ）に示すように、複数のリザーバ形成基板３０が一体的に形成されるリザーバ形成基板用ウェハ（基材）１３０の表面に保護膜１３１を形成する。例えば、本実施形態では、リザーバ形成基板用ウェハ１３０は、厚さが４００μｍ程度のシリコンウェハからなる。そして、このリザーバ形成基板用ウェハ１３０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化することにより、その表面に、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる保護膜１３１を形成する。なお、この保護膜１３１は、詳しくは後述するが、リザーバ形成基板用ウェハ１３０をエッチングする際のマスクとして用いられるものである。このため、保護膜１３１は、リザーバ形成基板用ウェハ１３０とはエッチングの選択性を有する材料であれば、二酸化シリコン以外の材料で形成されていてもよい。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、保護膜１３１が形成されたリザーバ形成基板用ウェハ１３０を、湿度４０％以下でありヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）１５１が充填されたＨＭＤＳ処理装置１５０内で一定時間、例えば、３分〜４０分程度保持する。すなわち、リザーバ形成基板用ウェハ１３０上に形成されている保護膜１３１表面を湿度４０％以下でＨＭＤＳ処理する。このときの湿度の管理方法は特に限定されないが、例えば、本実施形態では、ＨＭＤＳ処理装置１５０をサーマルチャンバ（図示なし）内に配置し、このサーマルチャンバによって、ＨＭＤＳ処理時の湿度を管理するようにしている。例えば、本実施形態では、サーマルチャンバ内を、湿度３２．５％以下、温度２１．５℃となるように設定するようにしている。
【００２６】
このように湿度が４０％以下のヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）雰囲気中にリザーバ形成基板用ウェハ１３０を一定時間保持することにより、リザーバ形成基板用ウェハ１３０（保護膜１３１）の表面が、親水性から親油性に良好に改質され、以下の工程でリザーバ形成基板用ウェハ１３０（保護膜１３１）上に形成されるレジストとの密着性が大幅に向上する。
【００２７】
次に、図３（ｃ）に示すように、リザーバ形成基板用ウェハ１３０表面に形成された保護膜１３１上に、レジストを塗布し、露光及び現像することにより、所定パターンのレジスト膜１３２を形成する。すなわち、リザーバ部３１に対向する領域等の所定領域に開口１３３を有するレジスト膜１３２を形成する。なお、レジストは、例えば、ネガレジストをスピンコート法等により塗布して形成し、レジスト膜１３２は、その後、所定のマスクを用いて露光・現像・ベークを行うことにより形成する。勿論、ネガレジストの代わりにポジレジストを用いてもよい。
【００２８】
このようにレジスト膜１３２を形成する際、上述したように保護膜１３１の表面は、湿度４０％以下でＨＭＤＳ処理されて親水性から親油性に改質されている。このため、保護膜１３１上にレジストを塗布した際に、「レジストはじき」、すなわち、部分的にレジストがはじかれて塗布されない領域が形成されるのを防止することができる。このレジストはじきは、単に保護膜１３１表面をＨＭＤＳ処理しただけでは、完全に防止することはできないが、本発明のように、ＨＭＤＳ処理する際の湿度を４０％以下とすることで完全に防止することができる。
【００２９】
ここで、ＨＭＤＳ処理時のＨＭＤＳ雰囲気の湿度（サーマルチャンバ内の湿度）と、レジストはじき数（レジストが存在しない領域の数）との関係を調べた結果について説明する。ＨＭＤＳ雰囲気の湿度条件を変化させた以外は一定の条件として、複数枚のリザーバ形成基板用ウェハをＨＭＤＳ処理し、その後、各リザーバ形成基板（保護膜）上にレジスト膜を形成した。そして、各リザーバ形成基板のレジスト膜のレジストはじき数（レジストが存在しない領域の数）を調べた。その結果を、ＨＭＤＳ処理時のＨＭＤＳ雰囲気の湿度と、レジストはじき数（レジストが存在しない領域の数）との関係のグラフとして図７に示す。
【００３０】
図７に示すように、ＨＭＤＳ雰囲気の湿度がおよそ５０％前後のときには、レジストはじきは、最大で４０個も発生していた。しかしながら、ＨＭＤＳ雰囲気の湿度を低下させるのに伴ってレジストはじき数は少なくなり、湿度を４０％程度としたときには、レジストはじきは全く確認できなかった。
【００３１】
この結果から分かるように、基板（リザーバ形成基板用ウェハ）上にレジスト膜を形成する前に、この基板（リザーバ形成基板用ウェハ）の表面を湿度４０％以下でＨＭＤＳ処理することにより、レジストはじきの発生を確実に防止することができる。すなわち、従来のように、単に基板をＨＭＤＳ処理するだけではレジストはじきを完全に防止することは難しかったが、本発明のように基板をＨＭＤＳ処理する際の湿度を管理することで、レジストはじきを確実に防止することができる。
【００３２】
なお、このように保護膜１３１上にレジスト膜１３２を形成した後は、図３（ｄ）に示すように、このレジスト膜１３２をマスクとして保護膜１３１をエッチングすることにより、保護膜１３１を所定形状に形成する。すなわち、保護膜１３１の所定領域、例えば、リザーバ部３１等が形成される所定領域に、開口部１３４を形成する。このとき、上述したようにレジスト膜１３２は、レジストはじきが発生することなく良好に形成されているため、保護膜１３１に開口部１３４を極めて高精度に形成することができる。
【００３３】
次に、レジスト膜１３２を除去し、図４（ａ）に示すように、所定形状に形成された保護膜１３１をマスクとして、リザーバ形成基板用ウェハ１３０をエッチングすることにより、リザーバ部３１、圧電素子保持部３２及び配線接続孔３３を形成する。なお、本実施形態では、ＫＯＨ等のアルカリ溶液による異方性エッチングにより、リザーバ形成基板用ウェハ１３０にリザーバ部３１等を形成している。
【００３４】
上述したように保護膜１３１に開口部１３４が高精度に形成されているため、この保護膜１３１をマスクとしてリザーバ形成基板用ウェハ１３０をエッチングすることにより、リザーバ部３１等も高精度に形成される。これにより、各ヘッドのインク吐出特性が向上すると共に、ヘッド毎のインク吐出特性のばらつきも抑えられる。また、歩留まりが大幅に向上するため、製造コストを削減することができるという効果もある。
【００３５】
次いで、図４（ｂ）に示すように、リザーバ形成基板用ウェハ１３０表面の保護膜１３１を除去する。具体的には、例えば、フッ酸（ＨＦ）等のエッチング液を用いてリザーバ形成基板用ウェハ１３０の表面に形成された保護膜１３１を除去する。次に、図４（ｃ）に示すように、少なくともリザーバ形成基板用ウェハ１３０のリザーバ部３１内に耐インク性を有する材料からなるインク保護膜３４を形成する。例えば、本実施形態では、リザーバ形成基板用ウェハ１３０を、再度、熱酸化することにより、リザーバ形成基板用ウェハ１３０のリザーバ部３１の内面を含む表面全体に二酸化シリコンからなるインク保護膜３４を形成している。
【００３６】
次に、図５（ａ）に示すように、このようなリザーバ形成基板用ウェハ１３０を、一方面側に圧電素子３００が形成された流路形成基板用ウェハ１１０に接合する。なお、この流路形成基板用ウェハ１１０は、本実施形態では、膜厚が約６２５μｍのシリコンウェハであり、複数の流路形成基板１０が一体的に形成される。次に、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることによって所定の厚み、例えば、７０μｍ程度の厚みにする。次いで、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる保護膜５１を形成する。次に、図６（ａ）に示すように、この保護膜５１上にレジストを塗布し、露光及び現像することにより所定パターンのレジスト膜５２形成する。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０の圧力発生室１２等が形成される領域に対向する部分に開口５３を有するレジスト膜５２を形成する。次いで、図６（ｂ）に示すように、このレジスト膜５２をマスクとして保護膜５１をエッチングすることにより保護膜５１を所定形状に形成する。すなわち、保護膜５１をエッチングすることにより開口部５４を形成する。そして、この開口部５４を有する保護膜５１をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４を形成する。
【００３７】
その後は、図示しないが、流路形成基板用ウェハ１１０及びリザーバ形成基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０のリザーバ形成基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、リザーバ形成基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによってインクジェット式記録ヘッドとする。
【００３８】
（他の実施形態）
以上、本発明の各実施形態を説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、本実施形態では、リザーバ形成基板用ウェハ（保護膜）の表面を湿度４０％以下でＨＭＤＳ処理するようにした例を説明したが、これに限定されず、本発明は、基板上にレジストを塗布し、露光及び現像してレジスト膜を形成するものであれば、何れの製造方法にも適用することができる。例えば、上述した流路形成基板用ウェハ（保護膜）上にレジスト膜を形成する前に、流路形成基板用ウェハ（保護膜）の表面を湿度４０％以下でＨＭＤＳ処理するようにしてもよい。これにより、圧力発生室等を極めて高精度に形成することができる。また、例えば、上述の実施形態では、レジスト膜をマスクとして保護膜をエッチングするようにしたが、これに限定されず、勿論、レジスト膜を介して基材であるリザーバ形成基板用ウェハ自体をエッチングするようにしてもよい。さらに、ノズルプレートがシリコン基板等からなり、ノズル開口をエッチングによって形成する場合には、ノズルプレートの製造にも本発明を採用することができる。
【００３９】
また、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッドの製造方法全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００４０】
さらに、本発明は、液体噴射ヘッドの製造方法に限定されず、シリコン基板、ガラス基板等の各種基板上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとして基板を加工するあらゆる基板加工方法に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図７】ＨＭＤＳ処理時の湿度とレジストはじき数との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４２】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  リザーバ形成基板、  ３１  リザーバ部、  ３２  圧電素子保持部、  ４０  コンプライアンス基板、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １００  リザーバ、  １１０  流路形成基板用ウェハ、  １３０  リザーバ形成基板用ウェハ、  １３１  保護膜、  １３２  レジスト膜、  １３３  開口部、  １５０  ＨＭＤＳ処理装置、  ３００  圧電素子
【図１】
2007160672.tif 000003
【図２】
2007160672.tif 000004
【図３】
2007160672.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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