(57)【要約】【課題】ウェット処理における半導体基板表面へのダメージを低減する。【解決手段】表面に素子が形成された半導体基板１０の裏面に導電性の第１の薬液５０を供給する工程と、第１の薬液５０を供給する工程を開始した後に、半導体基板１０の表面に導電性の第２の薬液５２を供給してウェット処理を行う工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に素子が形成された半導体基板の裏面に導電性の第１の薬液を供給する工程と、
前記第１の薬液を供給する工程を開始した後に、前記半導体基板の前記表面に導電性の第２の薬液を供給してウェット処理を行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の薬液と前記第２の薬液とが同じ材料を含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェット処理を行う工程において、前記第２の薬液により、前記半導体基板の前記表面に形成された酸化膜を除去する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の薬液を供給する工程を開始した後に、前記半導体基板の帯電量を検出する工程をさらに含み、
前記半導体基板の帯電量を検出する工程において前記半導体基板の帯電量が所定の基準値以下となったことが検出されてから、前記ウェット処理を行う工程を開始する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から３いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板が除電されてから前記ウェット処理を行う工程を開始する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から３いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板を、前記表面に前記第２の薬液を供給した際に前記表面に形成された素子に欠陥が生じないような帯電量にするのに必要な時間が経過してから、前記ウェット処理を行う工程を開始する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板を載置する載置台と、
前記載置台に載置された半導体基板の表面に導電性の薬液を供給する第１の薬液ノズルと、
前記載置台に載置された半導体基板の裏面に導電性の薬液を供給する第２の薬液ノズルと、
前記第１の薬液ノズルからの前記薬液の供給タイミングおよび前記第２の薬液ノズルからの前記薬液の供給タイミングを制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記第２の薬液ノズルからの前記薬液の供給を開始した後に、前記第１の薬液ノズルからの前記薬液の供給を開始するウェット処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法およびウェット処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電源電圧（Ｖｄｄ）の異なる２種類のトランジスタを１つのチップに集積するためには、異なる膜厚のゲート絶縁膜を同一シリコン基板上に形成する必要がある。このようなゲート絶縁膜は、いわゆるマルチオキサイド技術により形成される。以下、手順を説明する。まず、２つのトランジスタ形成領域に膜厚の厚いシリコン酸化膜を形成する。その後、Ｖｄｄの高いトランジスタ（Ｉ／Ｏなど）の形成領域をレジストで覆い、Ｖｄｄの低いトランジスタ（コアトランジスタ）形成領域に形成されたシリコン酸化膜をＢＨＦ等によりエッチング除去する。つづいて、レジストを剥離し、Ｖｄｄの低いトランジスタ形成領域に膜厚の薄いシリコン酸化膜を形成する。これにより、膜厚の異なるゲート絶縁膜が形成される。
【０００３】
近年、デバイスの微細化に伴い、シリコン酸化膜をエッチング除去する際に、高均一性や異物の低減が要求されるようになっている。そのため、枚葉方式でシリコン酸化膜を除去する手法が採用されるようになってきた。枚葉方式では、一定の回転数に保持した基板表面上のたとえば中心に薬液吐出ノズルを向け、ノズルからＢＨＦ等の薬液を吐出する。これにより、基板表面のシリコン酸化膜がエッチング除去される。
【０００４】
特許文献１（特開平１０−７９３７１号公報）には、基板の表面にエッチング液を吹付けてこの表面をエッチングするウェットエッチング処理方法において、上記基板の裏面に、表面と同時にエッチング液を吹付ける方法が開示されている。これにより、基板の裏面に、表面と同時にエッチング液を吹付けるため、裏面に液流が発生し、この液流によって基板の裏面へのエッチング液の回り込みを防止できる。そのため基板の表面から流れるエッチング液中に含まれているパーティクルが表面に付着し難くなる、とされている。また、基板の表面と裏面とで同じエッチング液を用いて処理するため、その表面と裏面とで生じるゼータ電位が同電位となるから、電位差によってパーティクルの裏面への付着を防止できるとされている。
【特許文献１】特開平１０−７９３７１号公報
【特許文献２】特開２００５−３０７３１１号公報
【特許文献３】特開２００３−１８８１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、枚葉方式で酸化膜をエッチング除去する際に、基板表面の拡散層が掘れたり、溶けたりしてしまう等の欠陥が発生し、歩留まりが低下するという問題が生じている。本発明者は、このような欠陥が発生する原因を鋭意検討した。その結果、エッチング除去時に、基板がチャージしており、基板上のある特定個所（たとえば中心）にＢＨＦ薬液が接触する際に、基板に蓄積していたチャージが酸化膜を介して導電性の薬液側に一気に抜けてしまうことが原因であることを見出した。
【０００６】
図１０は、帯電した半導体基板１０００の表面に導電性の薬液であるＢＨＦが供給された状態を示す図である。枚葉式のウェット処理装置において、半導体基板１０００がたとえばテフロン（登録商標）等により構成された載置台上に配置されると、半導体基板１０００の裏面が正に帯電し、それに伴い半導体基板１０００の表面が負に帯電する。このように、半導体基板１０００が帯電した状態で、半導体基板１０００の表面から導電性の薬液を供給すると、半導体装置１０００表面から導電性の薬液中に静電気が抜けて電流経路が形成され、半導体基板１０００表面にダメージが生じる。
【０００７】
特許文献２（特開２００５−３０７３１１号公報）には、静電気調整部と、湿式処理装置とを有する基板処理装置が開示されている。静電気調整部は、基板の帯電状態を検知する静電気センサと、帯電部ブロアとを有し、基板に帯電した静電気を除去するか、または基板を任意な帯電状態に帯電させる。これにより、基板の帯電状態を湿式プロセスの種類に合わせて適切にコントロールすることで、基板表面の静電気による不良を抑制することができるとされている。しかし、この構成では、帯電ブロアを設ける必要があり、装置構成が複雑、大型化してしまう。
【０００８】
特許文献３（特開２００３−１８８１３８号公報）には、被処理基板の帯電を抑制するために、洗浄処理工程中に、帯電量が制御可能な帯電された除電用流体を半導体ウェハに供給し、洗浄処理工程の際に半導体ウェハの表面側に帯電する電荷を除去する、という工程が開示されている。当該文献には、ウェハ表面に洗浄用の純水が噴射される前に、除電用の純水をウェハ裏面に供給してもよいとの記載がある。
【０００９】
図１１に、特許文献３に記載の技術を模式的に示す。表面が負、裏面が正に帯電した半導体基板１０００に、負に帯電した純水を作用させると、半導体基板１０００の裏面の正電荷が中和され、半導体基板１０００の帯電量を低減することができるとされている。しかし、このような方法では、半導体基板１０００の帯電をほぼゼロに低減するタイミングを制御するのが困難である。また、負に帯電した純水の供給時間が長くなると、半導体基板１０００の裏面側が負に帯電するとともに表面が正に帯電するおそれがある。半導体基板１０００が帯電した状態のままだと、半導体基板１０００の表面から導電性の薬液を作用させると、図１０に示したのと同様に、導電性の薬液が電流経路となり、半導体基板１０００表面へのダメージを防ぐことができない。
【００１０】
また、特許文献１に記載のように、半導体基板の裏面に、表面と同時にエッチング液を吹付けても、半導体基板表面へのダメージを防ぐことができない。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、
表面に素子が形成された半導体基板の裏面に導電性の第１の薬液を供給する工程と、
前記第１の薬液を供給する工程を開始した後に、前記半導体基板の前記表面に導電性の第２の薬液を供給してウェット処理を行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【００１２】
ここで、導電性の薬液は、たとえばＢＨＦ（Buffered Hydrofluoric Acid）、ＤＨＦ（希フッ酸、Diluted Hydrofluoric Acid）、ＳＰＭ（硫酸過水、Salfaric Acid / Hydrogen Peroxide (/ Water) Mixture）、ＡＰＭ（アンモニア過水、Ammonium Hydroxide / Hydrogen Peroxide (/ Water) Mixture）、またはＨＰＭ（塩酸過水、Hydrochloride / Hydrogen Peroxide (/ Water) Mixture）とすることができる。導電性の薬液は、電解質を含む溶液とすることができる。第１の薬液を供給する工程を開始してから、ウェット処理を行う工程を開始するまでの時間は、ウェット処理の内容やウェット処理装置の特性に応じて決定することができ、半導体基板の帯電量が所定値以下となるのに充分な時間とすることができる。この時間は、たとえば数秒〜数１０秒とすることができる。
【００１３】
このようにすれば、半導体基板の表面のウェット処理を行う際に、半導体基板の表面から導電性の薬液を供給する前に半導体基板の裏面から帯電を除去することができるため、半導体基板表面の拡散層掘れや溶けといった欠陥の発生等のダメージが生じるのを防ぐことができる。本発明によれば、簡易な方法で、装置のコストアップを抑制しつつ半導体基板を除電することができる。
【００１４】
本発明によれば、
半導体基板を載置する載置台と、
前記載置台に載置された半導体基板の表面に導電性の薬液を供給する第１の薬液ノズルと、
前記載置台に載置された半導体基板の裏面に導電性の薬液を供給する第２の薬液ノズルと、
前記第１の薬液ノズルからの前記薬液の供給タイミングおよび前記第２の薬液ノズルからの前記薬液の供給タイミングを制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記第２の薬液ノズルからの前記薬液の供給を開始した後に、前記第１の薬液ノズルからの前記薬液の供給を開始するウェット処理装置が提供される。
【００１５】
このようにすれば、半導体基板の表面のウェット処理を行う際に、半導体基板の表面から導電性の薬液を供給する前に半導体基板の裏面から帯電を除去することができるため、半導体基板表面にダメージが生じるのを防ぐことができる。
【００１６】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ウェット処理における半導体基板表面へのダメージを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態におけるウェット処理装置の構成を模式的に示す図である。
ウェット処理装置２００は、載置台２０２、チャック２０４、第１の薬液ノズル２１０、第１のバルブ２１２、第２の薬液ノズル２１４、および第２のバルブ２１６を含む。載置台２０２には、半導体基板１０が載置される。チャック２０４は、半導体基板１０を保持する。半導体基板１０の表面には、たとえばトランジスタなどの素子（不図示）が途中まで形成されている。第１の薬液ノズル２１０は、半導体基板１０の表面に薬液を供給する。第２の薬液ノズル２１４は、半導体基板１０の裏面に薬液を供給する。第１のバルブ２１２を開くことにより、第１の薬液ノズル２１０から薬液が供給される。第２のバルブ２１６を開くことにより、第２の薬液ノズル２１４から薬液が供給される。載置台２０２の中央部には開口部２０２ａが形成されており、第２の薬液ノズル２１４の先端は開口部２０２ａ内に導入され、半導体基板１０の裏面に薬液を供給するようになっている。
【００２０】
本実施の形態において、載置台２０２は、テフロン（登録商標）等のフッ素樹脂により構成することができる。また、載置台２０２は、半導体基板１０を回転可能に保持する。ここで、載置台２０２は、負に帯電しており、半導体基板１０を載置台２０２上に載置すると、半導体基板１０の裏面が正に、表面が負に帯電する。
【００２１】
次に、本実施の形態において、ウェット処理装置２００を用いて半導体基板１０の表面にウェット処理を施す手順を説明する。
【００２２】
図２は、本実施の形態におけるウェット処理手順を示す模式図である。まず、図２（ａ）に示すように、第２の薬液ノズル２１４から、電解質を含む導電性の第１の薬液５０を半導体基板１０の裏面に供給する。ここで、第１の薬液５０は、たとえばＢＨＦ、ＤＨＦ、ＳＰＭ、ＡＰＭ、またはＨＰＭ等の導電性の薬液とすることができる。このように導電性の第１の薬液５０を半導体基板１０の裏面から供給することにより、半導体基板１０の裏面から第１の薬液５０中に静電気が抜けて電流経路が形成され、半導体基板１０を除電することができる。第１の薬液５０の導電性は、導電率１μＳ／cm以上（または比抵抗１ＭΩ・cm以下）とすることができ、より好ましくは、導電率５μＳ／cm以上（または比抵抗０．２ＭΩ・cm以下）とすることができる。
【００２３】
つづいて、図２（ｂ）に示すように、第１の薬液ノズル２１０から、導電性の第２の薬液５２を半導体基板１０の表面に供給する。このようにすれば、半導体基板１０が帯電していない状態で半導体基板１０の表面から第２の薬液５２を供給することができる。これにより、第２の薬液５２が電解質を含む場合でも、半導体基板１０の表面側に電流経路が形成されることなく、半導体基板１０の表面へのダメージを低減することができる。第１の薬液５０は、第２の薬液５２と同じ材料を含む構成とすることができる。本実施の形態において、第１の薬液５０および第２の薬液５２は、同じ薬液とすることができる。図２では、第１の薬液５０および第２の薬液５２がＢＨＦである場合を例として示している。また、他の例において、第１の薬液５０および第２の薬液５２は、異なる薬液とすることもできる。第２の薬液５２の供給は、半導体基板１０が除電されてから開始することができる。半導体基板１０が除電されたか否かは、半導体基板１０の帯電量を検出して、当該帯電量が所定の基準値以下となったときとすることもでき、また、帯電量が所定の基準値以下となるのに充分な時間が経過したときとすることもできる。
【００２４】
図３は、第１の薬液５０および第２の薬液５２を供給するタイミングを示す図である。
まず、時間ゼロにおいて、半導体基板１０の裏面に第１の薬液５０を供給する。つづいて、時間ｔ１後に、半導体基板１０の表面に第２の薬液５２を供給する。時間ｔ１は、ウェット処理の内容やウェット処理装置の特性に応じて決定することができ、半導体基板１０の帯電量が所定値以下となるのに充分な時間とすることができる。たとえば、時間ｔ１は、半導体基板１０のチャージ量に応じて決定することができる。また、時間ｔ１は、第１の薬液５０の種類に応じて決定することができる。なお、半導体基板１０の表面に第２の薬液５２を供給している間、半導体基板１０の裏面に第１の薬液５０を供給し続けてもよく、第１の薬液５０の供給を停止してもいずれでもよい。
【００２５】
次に、本実施の形態における半導体装置の製造手順を説明する。本実施の形態において、本発明は、膜厚の異なるゲート絶縁膜の製造に適用される。
【００２６】
図４および図５は、本実施の形態において、膜厚の異なるゲート絶縁膜を製造する手順を示す工程断面図である。
まず、半導体基板１０上に素子分離領域１２を形成した後、第１の領域１３ａおよび第２の領域１３ｂに熱酸化法により第１の酸化膜１４（たとえば膜厚５．０ｎｍ）および第２の酸化膜１６（たとえば膜厚５．０ｎｍ）をそれぞれ形成する（図４（ａ））。ここで、半導体基板１０はシリコン基板、第１の酸化膜１４および第２の酸化膜１６はシリコン酸化膜である。素子分離領域１２は、シャロートレンチアイソレーション法（ＳＴＩ法）により形成され、熱酸化法およびＣＶＤ法により形成された酸化膜により構成される。つづいて、第２の酸化膜１６上にレジスト層１８を形成する（図４（ｂ））。
【００２７】
この状態で、図１に示したウェット処理装置２００により、第１の酸化膜１４を除去する処理を行う（図４（ｃ））。ウェット処理装置２００において、バッファドフッ酸（ＢＨＦ）（第２の薬液５２）を用いたウェットエッチングにより、半導体基板１０の表面に形成された第１の酸化膜１４を除去する。本実施の形態において、第２の薬液５２により半導体基板１０の表面へのウェット処理を開始する前に、半導体基板１０の裏面にＢＨＦ（第１の薬液５０）を供給する。これにより、半導体基板１０が帯電していない状態で半導体基板１０の表面のウェット処理を行うことができ、半導体基板１０の表面がダメージを受けるのを防ぐことができる。この処理により、第１の酸化膜１４が除去される（図４（ｄ））。
【００２８】
その後、ウェットエッチングによりレジスト層１８を除去する。ここで、ウェットエッチングは、浸漬方式でも枚葉方式でも行うことができる。これにより、レジスト層１８が除去される（図５（ａ））。
【００２９】
つづいて、ＲＴＯ（rapid thermal oxidation）により第３の酸化膜２０（たとえば膜厚０．８ｎｍ）を形成する（図５（ｄ））。これにより、膜厚の異なる二つのゲート絶縁膜が形成される。この後、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、ソース・ドレイン領域を形成することにより、ゲート絶縁膜の膜厚が異なるトランジスタを形成することができる。
【００３０】
（第２の実施の形態）
図６は、本実施の形態におけるウェット処理装置２００の構成を示す図である。
本実施の形態において、ウェット処理装置２００は、第１の実施の形態で図１を参照して説明した構成に加え、さらにコントローラ（制御部）２１８を含む。コントローラ２１８は、第１のバルブ２１２および第２のバルブ２１６の開閉を制御する。本実施の形態において、コントローラ２１８は、第１のバルブ２１２を開いて第１の薬液ノズル２１０から薬液を供給する処理に先立ち、第２のバルブ２１６を開いて第２の薬液ノズル２１４から薬液を供給する処理を行う。これにより、半導体基板１０の表面のウェット処理を行う際に、半導体基板１０の表面から導電性の薬液を供給する前に半導体基板１０の裏面から帯電を除去することができるため、半導体基板１０表面にダメージが生じるのを防ぐことができる。
【００３１】
図７は、本実施の形態におけるウェット処理装置２００の他の例を示す図である。
ウェット処理装置２００は、図６を参照して説明した構成に加えて、さらに静電容量センサ２２０を含む構成とすることができる。静電容量センサ２２０は、非接触で半導体基板１０の帯電量を測定する装置とすることができる。静電容量センサ２２０は、測定した帯電量をコントローラ２１８に通知する。コントローラ２１８は、第２のバルブ２１６を開いて第２の薬液ノズル２１４から薬液を供給する処理を開始した後、静電容量センサ２２０が測定した半導体基板１０の帯電量が所定の基準値以下となったタイミングを検出する。コントローラ２１８は、半導体基板１０の帯電量が所定の基準値以下となったら、第１のバルブ２１２を開いて第１の薬液ノズル２１０から薬液を供給する処理を開始する。
【００３２】
このような構成とすることにより、適切なタイミングで半導体基板１０の表面のウェット処理を開始することができる。なお、図７では、コントローラ２１８が第１のバルブ２１２および第２のバルブ２１６の開閉を制御する構成としたが、コントローラ２１８は、半導体基板１０の帯電量が所定の基準値以下となったタイミングを検出すると、それを図示しない通知部等によりユーザに通知させることができる。これにより、ウェット処理装置２００のユーザが適切なタイミングで第１のバルブ２１２を開いて半導体基板１０の表面のウェット処理を開始することができる。
【００３３】
図８は、本実施の形態におけるウェット処理装置２００の他の例を示す図である。
ウェット処理装置２００は、さらに入力受付部２３０および記憶部２３２を含む構成とすることができる。記憶部２３２は、たとえば半導体装置の製造プロセスにおける各段階の処理と、その処理において半導体基板１０の帯電を除去するために必要な処理時間とを対応付けて記憶することができる。ここで、必要な処理時間とは、半導体基板１０の裏面から第１の薬液５０を供給し始めてから、半導体基板１０の帯電量が所定値以下となるのに必要な時間である。コントローラ２１８は、入力受付部２３０が処理内容を受け付けると、記憶部２３２を参照して、該当する処理に対応付けられた処理時間を取得する。つづいて、コントローラ２１８は、第２のバルブ２１６を開いて半導体基板１０の裏面への導電性の薬液の供給を開始し、取得した処理時間が経過したら、第１のバルブ２１２を開いて半導体基板１０の表面への薬液の供給を開始する。
【００３４】
ここで、図６〜図８に示したウェット処理装置２００のコントローラ２１８および記憶部２３２は、ハードウエア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。これらは、任意のコンピュータのＣＰＵ、メモリ、メモリにロードされたプログラム、そのプログラムを格納する記憶ユニット等を中心にハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。
【実施例】
【００３５】
図４および図５を参照して説明した手順で半導体装置を製造した。この際、図４（ｃ）の第１の酸化膜１４の除去工程において、半導体基板１０の裏面への第１の薬液５０の供給を開始してから半導体基板１０の表面への第２の薬液５２の供給を開始するまでの時間ｔ１を０秒、５秒、１５秒、３０秒とした。第１の薬液５０および第２の薬液５２ともにＢＨＦを用いて、流量は２Ｌ／ｍｉｎ程度とした。このような条件で、半導体基板１０表面の拡散層の欠陥個数（やられ欠陥個数）を観測した。ｔ１が０秒のとき、欠陥個数は４５個だったが、ｔ１を５秒とすると、欠陥個数が２個と大幅に減少した。また、ｔ１を３０秒とした場合、欠陥が見られなかった。また、第１の薬液５０の供給を開始する前の半導体基板１０のチャージ量は約−５〜６ＫＶであったが、ｔ１が３０秒のとき、チャージ量が約０．１ＫＶとなっていた。
このように、半導体基板１０表面に形成された素子の欠陥が生じないまたは欠陥個数が所定の値以下になる帯電量を測定し、それによってｔ１を決定してもよい。また、半導体基板１０表面に形成された素子の欠陥が生じないまたは欠陥個数が所定の値以下になる時間によって、ｔ１を決定してもよい。
【００３６】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００３７】
以上の実施の形態においては、半導体基板１０表面に形成された酸化膜を除去する工程を例として説明したが、本発明は、たとえば半導体基板上に形成された多層配線構造の形成工程に適用することもできる。たとえば、多層配線構造において、銅配線を形成した際のリンス工程に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態におけるウェット処理装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるウェット処理手順を示す模式図である。
【図３】第１の薬液および第２の薬液を供給するタイミングを示す図である。
【図４】本発明の実施の形態において、膜厚の異なるゲート絶縁膜を製造する手順を示す工程断面図である。
【図５】本発明の実施の形態において、膜厚の異なるゲート絶縁膜を製造する手順を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態におけるウェット処理装置の構成を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態におけるウェット処理装置の構成を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態におけるウェット処理装置の構成を示す図である。
【図９】半導体基板の表面にウェット処理を行う前に半導体基板の裏面に導電性の薬液を供給する時間と、欠陥個数との関係を示す図である。
【図１０】帯電した半導体基板の表面に導電性の薬液であるＢＨＦが供給された状態を示す図である。
【図１１】従来技術を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  半導体基板
５０  第１の薬液
５２  第２の薬液
２００  ウェット処理装置
２０２  載置台
２０２ａ  開口部
２０４  チャック
２１０  第１の薬液ノズル
２１２  第１のバルブ
２１４  第２の薬液ノズル
２１６  第２のバルブ
２１８  コントローラ
２２０  静電容量センサ
２３０  入力受付部
２３２  記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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