(57)【要約】      （修正有）【課題】比較的簡易な構成でありながらも、基板上に供給した処理液を確実に除去し、かつ効率よく回収することができるとともに、処理液による処理の面内均一性を高めることが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】現像ユニットは、基板Ｇを、その被処理面が上方を向いた状態で搬送する搬送路５と、搬送路５を搬送される基板Ｇ上に現像液を供給する現像液供給機構と、搬送路５を搬送される基板Ｇ上の現像液を吸引する現像液吸引機構６５とを具備し、搬送路５は、通過時の基板Ｇが谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部Ｐ１を有しており、現像液供給機構は、谷折り部Ｐ１よりも搬送方向上流側で現像液を供給し、現像液吸引機構６５は、谷折り部Ｐ１位置または谷折り部Ｐ１近傍位置で現像液を吸引する。【選択図】図３
2007250592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液による液処理を施す基板処理装置であって、
基板を、その被処理面が上方を向いた状態で搬送する搬送路と、
前記搬送路を搬送される基板上に処理液を供給する処理液供給機構と、
前記搬送路を搬送される基板上の処理液を吸引する処理液吸引機構と
を具備し、
前記搬送路は、通過時の基板が谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部を有しており、
前記処理液供給機構は、前記谷折り部よりも搬送方向上流側で処理液を供給し、
前記処理液吸引機構は、前記谷折り部位置または谷折り部近傍位置で処理液を吸引することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記搬送路は、搬送方向上流側から下流側に向かって順に、基板を水平に搬送する第１の搬送区間と、基板を上り傾斜させて搬送する第２の搬送区間とを有し、
前記谷折り部は、前記第１の搬送区間と前記第２の搬送区間との境界部であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液吸引機構は、前記第１の搬送区間側の前記谷折り部近傍位置で処理液を吸引することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記搬送路は、
基板を水平に搬送する第１の搬送区間と、
前記第１の搬送区間の搬送方向下流側に設けられた、基板を上り傾斜させて搬送する第２の搬送区間と、
前記第１の搬送区間と前記第２の搬送区間との間に設けられ、基板の長さおよび前記第２の搬送区間の長さよりも短い長さに設定された、基板を下り傾斜させて搬送する中継区間と
を有し、
前記谷折り部は、前記中継区間と前記第２の搬送区間との境界部であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板に処理液による液処理を施す基板処理装置であって、
基板を、その被処理面が上方を向いた状態で搬送する搬送路と、
前記搬送路を搬送される基板上に第１の処理液を供給する第１の処理液供給機構と、
前記搬送路を搬送される基板上の第１の処理液を吸引する処理液吸引機構と、
前記搬送路を搬送される基板上に第２の処理液を供給する第２の処理液供給機構と
を具備し、
前記搬送路は、搬送方向上流側から下流側に向かって順に、通過時の基板が谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部と、通過時の基板が山側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる山折り部とを有しており、
前記第１の処理液供給機構は、前記谷折り部よりも搬送方向上流側で第１の処理液を供給し、
前記処理液吸引機構は、前記谷折り部位置または谷折り部近傍位置で第１の処理液を吸引し、
前記第２の処理液供給機構は、前記山折り部よりも搬送方向下流側で第２の処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記搬送路は、搬送方向上流側から下流側に向かって順に、基板を水平に搬送する第１の搬送区間と、基板を上り傾斜させて搬送する第２の搬送区間と、基板を下り傾斜させて搬送する第３の搬送区間とを有し、
前記谷折り部は、前記第１の搬送区間と前記第２の搬送区間との境界部であり、
前記山折り部は、前記第２の搬送区間と前記第３の搬送区間との境界部であることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２の搬送区間の長さは、基板の長さよりも短いことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記搬送路は、前記第３の搬送区間の搬送方向下流側に、基板を水平に搬送する第４の搬送区間をさらに有し、
前記第２の搬送区間と前記第３の搬送区間との合計長さは、基板の長さよりも短いことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２の搬送区間と前記第３の搬送区間との境界部には、実質的に水平な搬送ラインが形成されていることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記搬送路は、基板が前記山折り部を通過する際に、基板を上方から押さえ付け可能な押さえ付け部を有することを特徴とする請求項５から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記押さえ付け部は、基板の幅方向両縁部に当接する回転可能な一対のローラであることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記処理液吸引機構は、内部に回転可能な揚液用の羽根車が設けられた吸引ノズルを有し、
前記吸引ノズルは、前記羽根車が回転して基板上の処理液を吸引することを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記吸引ノズル近傍の処理液の液面高さを検出する液面高さ検出部と、前記液面高さ検出部によって検出される液面高さに応じて前記羽根車の回転速度を制御する制御部とをさらに具備することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記液面高さ検出部は、処理液上に浮くフロート部と、前記フロート部の高さ位置を検出する位置センサとを有することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
基板に処理液による液処理を施す基板処理方法であって、
基板を、その被処理面が上方を向いた状態で搬送する搬送路に、通過時の基板が谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部を設けておき、
前記搬送路を搬送される基板上に前記谷折り部よりも搬送方向上流側で処理液を供給し、
前記搬送路を搬送される基板上の処理液を前記谷折り部位置または谷折り部近傍位置で吸引することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
基板に処理液による液処理を施す基板処理方法であって、
基板を、その被処理面が上方を向いた状態で搬送する搬送路に、搬送方向上流側から下流側に向かって順に、通過時の基板が谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部と、通過時の基板が山側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる山折り部とを設けておき、
前記搬送路を搬送される基板上に前記谷折り部よりも搬送方向上流側で第１の処理液を供給し、
前記搬送路を搬送される基板上の第１の処理液を前記谷折り部位置または谷折り部近傍位置で吸引し、
前記搬送路を搬送される基板上に前記山折り部よりも搬送方向下流側で第２の処理液を供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項１５または請求項１６に記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用のガラス基板等の基板に、現像液等の処理液による現像処理等の液処理を施す基板処理装置および基板処理方法、ならびにこのような基板処理方法を行うためのコンピュータ読取可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤの製造においては、ＦＰＤ用のガラス製の基板上に回路パターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術が用いられる。フォトリソグラフィによる回路パターンの形成は、基板上にレジスト膜を塗布形成し、回路パターンに対応するようにレジスト膜を露光し、これを現像処理するといった手順で行われる。
【０００３】
現像処理を行う装置としては、基板をコロ搬送等によるいわゆる平流し式の搬送路で搬送しつつ、基板上への現像液の液盛り、傾斜およびリンス液の供給による基板上からの現像液の除去、基板の乾燥を順次行うものが知られている（例えば特許文献１参照）。この処理装置は、まず、現像ノズルが搬送路に沿って基板と相対移動しながら基板上に現像液を液盛りする。そして、液盛り状態を所定時間保持した後、基板上の現像液が確実に除去されるように、あるいは基板上の現像液がリンス液に確実に置換されるように、基板上へのリンス液の供給前に、傾斜機構が基板を傾斜させて基板上の現像液を液切りするとともに、落下した現像液を再利用できるようにパンによって回収する。その後、基板を水平姿勢に戻し、リンスノズルが基板上にリンス液を吐出し、基板上の現像液をリンス液に置換して現像を停止させ、エアナイフが基板に乾燥ガスを吐出して基板を乾燥させる。
【０００４】
しかしながら、上記した従来の処理装置は、基板の搬送を一旦停止し、基板を水平姿勢から傾斜姿勢に変換した後、基板を再び水平姿勢に戻して搬送するといった液切り時の一連の動作が煩雑である上、近時の基板の大型化に伴って傾斜機構そのものが大掛かりになるという問題を有している。
【０００５】
また、傾斜姿勢への姿勢変換の際の運動範囲や運動速度等が基板の各部位間（基板の揺動または回動中心部と揺動または回動外周部との間）で異なり、傾斜姿勢後の高さ位置も基板の各部位間で異なるため、上記した従来の処理装置では、現像液供給時から液切り時までの時間に基板の各部位間でばらつきが生じてしまい、結果的に処理ムラの発生を招くおそれがある。
【０００６】
さらに、上記した従来の処理装置は、液切りの際に落下した現像液によってミストが発生しやすく、後続の基板上にミストが付着することによっても処理ムラを生じさせるおそれがある。
【０００７】
一方、現像液の回収効率を考慮すると、液切り時の基板の傾斜時間を長く設定することが望ましいが、液切り時にも現像は進行しているため、過度な現像を避けるには傾斜時間を短く設定せざるを得ない。このため、上記した従来の処理装置は、現像液の回収効率の観点においても改善の余地がある。
【特許文献１】特開２００３−７５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、比較的簡易な構成でありながらも、基板上に供給した処理液を確実に除去し、かつ効率よく回収することができるとともに、処理液による処理の面内均一性を高めることが可能な基板処理装置および基板処理方法、ならびにこのような基板処理方法を行うためのコンピュータ読取可能な記憶媒体の提供を目的とする。
【０００９】
また、本発明は、比較的簡易な構成でありながらも、基板上に供給した第１の処理液を第２の処理液に確実に置換し、かつ、第１の処理液を効率よく回収することができるとともに、第１および第２の処理液による処理の面内均一性を高めることが可能な基板処理装置および基板処理方法、ならびにこのような基板処理方法を行うためのコンピュータ読取可能な記憶媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、基板に処理液による液処理を施す基板処理装置であって、基板を、その被処理面が上方を向いた状態で搬送する搬送路と、前記搬送路を搬送される基板上に処理液を供給する処理液供給機構と、前記搬送路を搬送される基板上の処理液を吸引する処理液吸引機構とを具備し、前記搬送路は、通過時の基板が谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部を有しており、前記処理液供給機構は、前記谷折り部よりも搬送方向上流側で処理液を供給し、前記処理液吸引機構は、前記谷折り部位置または谷折り部近傍位置で処理液を吸引することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１１】
本発明において、前記搬送路は、搬送方向上流側から下流側に向かって順に、基板を水平に搬送する第１の搬送区間と、基板を上り傾斜させて搬送する第２の搬送区間とを有し、前記谷折り部は、前記第１の搬送区間と前記第２の搬送区間との境界部であることが好ましく、この場合に、前記処理液吸引機構は、前記第１の搬送区間側の前記谷折り部近傍位置で処理液を吸引することがなお好ましい。あるいは、本発明において、前記搬送路は、基板を水平に搬送する第１の搬送区間と、前記第１の搬送区間の搬送方向下流側に設けられた、基板を上り傾斜させて搬送する第２の搬送区間と、前記第１の搬送区間と前記第２の搬送区間との間に設けられ、基板の長さおよび前記第２の搬送区間の長さよりも短い長さに設定された、基板を下り傾斜させて搬送する中継区間とを有し、前記谷折り部は、前記中継区間と前記第２の搬送区間との境界部であることが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、基板に処理液による液処理を施す基板処理装置であって、基板を、その被処理面が上方を向いた状態で搬送する搬送路と、前記搬送路を搬送される基板上に第１の処理液を供給する第１の処理液供給機構と、前記搬送路を搬送される基板上の第１の処理液を吸引する処理液吸引機構と、前記搬送路を搬送される基板上に第２の処理液を供給する第２の処理液供給機構とを具備し、前記搬送路は、搬送方向上流側から下流側に向かって順に、通過時の基板が谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部と、通過時の基板が山側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる山折り部とを有しており、前記第１の処理液供給機構は、前記谷折り部よりも搬送方向上流側で第１の処理液を供給し、前記処理液吸引機構は、前記谷折り部位置または谷折り部近傍位置で第１の処理液を吸引し、前記第２の処理液供給機構は、前記山折り部よりも搬送方向下流側で第２の処理液を供給することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１３】
本発明において、前記搬送路は、搬送方向上流側から下流側に向かって順に、基板を水平に搬送する第１の搬送区間と、基板を上り傾斜させて搬送する第２の搬送区間と、基板を下り傾斜させて搬送する第３の搬送区間とを有し、前記谷折り部は、前記第１の搬送区間と前記第２の搬送区間との境界部であり、前記山折り部は、前記第２の搬送区間と前記第３の搬送区間との境界部であることが好ましい。この場合に、前記第２の搬送区間の長さは、基板の長さよりも短いことが好ましく、前記搬送路は、前記第３の搬送区間の搬送方向下流側に、基板を水平に搬送する第４の搬送区間をさらに有し、前記第２の搬送区間と前記第３の搬送区間との合計長さは、基板の長さよりも短いことが好ましい。また、これらの場合に、前記第２の搬送区間と前記第３の搬送区間との境界部には、実質的に水平な搬送ラインが形成されていることが好ましい。また、以上の本発明において、前記搬送路は、基板が前記山折り部を通過する際に、基板を上方から押さえ付け可能な押さえ付け部を有することが好ましく、この場合に、前記押さえ付け部は、基板の幅方向両縁部に当接する回転可能な一対のローラであることがなお好ましい。
【００１４】
以上の本発明において、前記処理液吸引機構は、内部に回転可能な揚液用の羽根車が設けられた吸引ノズルを有し、前記吸引ノズルは、前記羽根車が回転して基板上の処理液を吸引することが好ましく、この場合に、前記吸引ノズル近傍の処理液の液面高さを検出する液面高さ検出部と、前記液面高さ検出部によって検出される液面高さに応じて前記羽根車の回転速度を制御する制御部とをさらに具備することが好ましく、さらに、この場合に、前記液面高さ検出部は、処理液上に浮くフロート部と、前記フロート部の高さ位置を検出する位置センサとを有することがなお好ましい。
【００１５】
また、本発明は、基板に処理液による液処理を施す基板処理方法であって、基板を、その被処理面が上方を向いた状態で搬送する搬送路に、通過時の基板が谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部を設けておき、前記搬送路を搬送される基板上に前記谷折り部よりも搬送方向上流側で処理液を供給し、前記搬送路を搬送される基板上の処理液を前記谷折り部位置または谷折り部近傍位置で吸引することを特徴とする基板処理方法を提供する。
【００１６】
また、本発明は、基板に処理液による液処理を施す基板処理方法であって、基板を、その被処理面が上方を向いた状態で搬送する搬送路に、搬送方向上流側から下流側に向かって順に、通過時の基板が谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部と、通過時の基板が山側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる山折り部とを設けておき、前記搬送路を搬送される基板上に前記谷折り部よりも搬送方向上流側で第１の処理液を供給し、前記搬送路を搬送される基板上の第１の処理液を前記谷折り部位置または谷折り部近傍位置で吸引し、前記搬送路を搬送される基板上に前記山折り部よりも搬送方向下流側で第２の処理液を供給することを特徴とする基板処理方法を提供する。
【００１７】
さらに、本発明は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に上記基板処理方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基板を、その被処理面が上方を向いた状態で搬送する搬送路に、通過時の基板が谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部を設けておき、搬送路を搬送される基板上に供給された処理液を谷折り部位置または谷折り部近傍位置で吸引するように構成したため、搬送路を搬送中の基板が谷折り部を通過する際に基板上の処理液を谷折り部位置または谷折り部近傍位置に溜めて効率よく吸引することができる。したがって、従来のように基板の搬送を停止させてから基板全体を傾斜させるといった必要がなく、処理液の基板上からの落下を抑止することができるとともに、処理液供給時から処理液吸引時までの時間差を基板の各部位間で略等しくすることができるため、構成の簡素化を図りつつも、基板上に供給した処理液を確実に除去し、かつ効率よく回収することができるとともに、処理液による処理の面内均一性を高めることが可能となる。
【００１９】
また、本発明によれば、搬送路に搬送方向上流側から下流側に向かって順に、通過時の基板が谷側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる谷折り部と、通過時の基板が山側に湾曲または屈曲するように搬送方向の傾斜角度を変更させる山折り部とを設けておき、搬送路を搬送される基板上に供給された第１の処理液を谷折り部位置または谷折り部近傍位置で吸引し、山折り部よりも搬送方向下流側で基板上に第２の処理液を供給するように構成したため、搬送路を搬送中の基板が谷折り部を通過する際に基板上の第１の処理液を谷折り部位置または谷折り部近傍位置に溜めて効率よく吸引し、第１の処理液が除去された、または殆ど除去された状態の基板上に第２の処理液を供給することができるとともに、山折り部によって基板上での第１および第２の処理液の混合を抑止することができる。したがって、従来のように基板の搬送を停止させてから基板全体を傾斜させるといった必要がなく、第１の処理液の基板上からの落下を抑止することができるとともに、第１の処理液供給時から第１の処理液吸引時までの時間差、さらには第１の処理液吸引時から第２の処理液供給時までの時間差を基板の各部位間で略等しくすることができるため、構成の簡素化を図りつつも、基板上に供給した第１の処理液を第２の処理液に確実に置換し、かつ、第１の処理液を効率よく回収することができるとともに、第１および第２の処理液による処理の面内均一性を高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態に係る現像ユニットが搭載された、ＦＰＤ用のガラス基板（以下、単に「基板」と記す）へのレジスト膜の形成および露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図である。
【００２２】
レジスト塗布・現像処理システム１００は、複数の基板Ｇを収容するためのカセットＣが載置されるカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施す処理ステーション２と、基板Ｇに露光処理を施す露光装置９との間で基板Ｇの受け渡しを行うインターフェースステーション４とを備えており、カセットステーション１およびインターフェースステーション４はそれぞれ、処理ステーション２の両側に配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００２３】
カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並列に載置可能な載置台１２と、処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出を行う搬送装置１１を備え、載置台１２と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。搬送装置１１に設けられた搬送アーム１１ａは、Ｙ方向に延びるガイド１０に沿って移動可能であるとともに、上下動、前後動および水平回転可能であり、カセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出を行うものである。
【００２４】
処理ステーション２は、カセットステーション１とインターフェースステーション４との間にＸ方向に伸びる平行な２列の基板Ｇの搬送ラインＡ、Ｂを有している。搬送ラインＡは、コロ搬送やベルト搬送等の所謂平流し搬送によって基板Ｇをカセットステーション１側からインターフェースステーション４側に向かって搬送するように構成され、搬送ラインＢは、コロ搬送やベルト搬送等の所謂平流し搬送によって基板Ｇをインターフェースステーション４側からカセットステーション１側に向かって搬送するように構成されている。
【００２５】
搬送ラインＡ上には、カセットステーション１側からインターフェースステーション４側に向かって、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２、プリヒートユニット（ＰＨ）２３、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２４、冷却ユニット（ＣＯＬ）２５、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２７、プリベークユニット（ＰＲＥＢ）２８、冷却ユニット（ＣＯＬ）２９が順に配列されている。
【００２６】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１は基板Ｇに含まれる有機物の除去処理を行い、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２は基板Ｇのスクラブ洗浄処理および乾燥処理を行う。プリヒートユニット（ＰＨ）２３は基板Ｇの脱水加熱処理を行い、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２４は基板Ｇの疎水化処理を行い、冷却ユニット（ＣＯＬ）２５は基板Ｇを冷却する。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６は基板Ｇ上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成し、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２７は、減圧下で基板Ｇ上のレジスト膜に含まれる揮発成分を蒸発させてレジスト膜を乾燥させる。プリベークユニット（ＰＲＥＢ）２８は基板Ｇのプリベーク処理を行い、冷却ユニット（ＣＯＬ）２９は冷却ユニット（ＣＯＬ）２５と同様に基板Ｇを冷却する。
【００２７】
搬送ラインＢ上には、インターフェースステーション４側からカセットステーション１側に向かって、現像ユニット（ＤＥＶ）３０、ポストベークユニット（ＰＯＢ）３１、冷却ユニット（ＣＯＬ）３２が順に配列されている。なお、冷却ユニット（ＣＯＬ）３２とセットステーション１との間には、レジスト塗布および現像を含む一連の処理が施された基板Ｇを検査する検査装置（ＩＰ）３５が設けられている。
【００２８】
後に詳述する現像ユニット（ＤＥＶ）３０（現像処理装置）は、基板Ｇ上への現像液の塗布、基板Ｇのリンス処理、基板Ｇの乾燥処理を順次行う。ポストベークユニット（ＰＯＢ）３１は、基板Ｇのポストベーク処理を行い、冷却ユニット（ＣＯＬ）３２は、冷却ユニット（ＣＯＬ）２５と同様に基板Ｇを冷却する。
【００２９】
インターフェースステーション４は、基板Ｇを収容可能なバッファカセットが配置された、基板Ｇの受け渡し部であるロータリーステージ（ＲＳ）４４と、搬送ラインＡを搬送された基板Ｇを受け取ってロータリーステージ（ＲＳ）４４に搬送する搬送アーム４３とを備えている。搬送アーム４３は、上下動、前後動および水平回転可能であり、搬送アーム４３に隣接して設けられた露光装置９と、搬送アーム４３および現像ユニット（ＤＥＶ）３０に隣接して設けられた、周辺露光装置（ＥＥ）およびタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）を有する外部装置ブロック９０とにもアクセス可能である。
【００３０】
レジスト塗布・現像処理装置１００は、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ１０１に接続されて制御されるように構成されている。プロセスコントローラ１０１には、工程管理者がレジスト塗布・現像処理装置１００の各部または各ユニットを管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、各部または各ユニットの稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース１０２と、レジスト塗布・現像処理装置１００で実行される加熱処理や冷却処理などの各種処理をプロセスコントローラ１０１の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部１０３とが接続されている。
【００３１】
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース１０２からの指示等にて任意のレシピを記憶部１０３から呼び出してプロセスコントローラ１０１に実行させることで、プロセスコントローラ１０１の制御下で、レジスト塗布・現像処理装置１００で所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３２】
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１の載置台１２に載置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１の搬送アーム１１ａによって処理ステーション２の搬送ラインＡの上流側端部に搬送され、さらに搬送ラインＡ上を搬送されて、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１で基板Ｇに含まれる有機物の除去処理が行われる。エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１での有機物の除去処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２でスクラブ洗浄処理および乾燥処理が施される。
【００３３】
スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２でのスクラブ洗浄処理および乾燥処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、プリヒートユニット（ＰＨ）２３で加熱されて脱水される。プリヒートユニット（ＰＨ）２３での脱水加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２４で疎水化処理が施される。アドヒージョンユニット（ＡＤ）２４での疎水化処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）２５で冷却される。
【００３４】
冷却ユニット（ＣＯＬ）２５で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６でレジスト膜が形成される。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６でのレジスト膜の形成は、基板Ｇが搬送ラインＡ上を搬送されながら、基板Ｇ上にレジスト液が供給されることにより行われる。
【００３５】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６でレジスト膜が形成された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２７で減圧雰囲気に晒されることにより、レジスト膜の乾燥処理が施される。
【００３６】
減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２７でレジスト膜の乾燥処理が施された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、プリベークユニット（ＰＲＥＢ）２８でプリベーク処理が施され、レジスト膜に含まれる溶剤が除去される。基板Ｇのプリベーク処理は、後述する搬送路５によって搬送ラインＡ上を搬送されながら行われる。プリベークユニット（ＰＲＥＢ）２８での加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）２９で冷却される。
【００３７】
冷却ユニット（ＣＯＬ）２９で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を下流側端部まで搬送された後、インターフェースステーション４の搬送アーム４３によってロータリーステージ（ＲＳ）４４に搬送される。次に、基板Ｇは、搬送アーム４３によって外部装置ブロック９０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺露光装置（ＥＥ）でレジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光処理が施される。続いて、基板Ｇは、搬送アーム４３により露光装置９に搬送され、レジスト膜に所定パターンの露光処理が施される。なお、基板Ｇは、一時的にロータリーステージ（ＲＳ）４４上のバッファカセットに収容された後に、露光装置９に搬送される場合がある。露光処理が終了した基板Ｇは、搬送アーム４３により外部装置ブロック９０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬送され、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）で所定の情報が記される。
【００３８】
タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）で所定の情報が記された基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、現像ユニット（ＤＥＶ）３０で現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理が順次施される。現像ユニット（ＤＥＶ）３０での現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理については後に詳細に説明する。
【００３９】
現像ユニット（ＤＥＶ）３０での現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、ポストベークユニット（ＰＯＢ）３１でポストベーク処理が施され、レジスト膜に含まれる溶剤および水分が除去される。基板Ｇのポストベーク処理は、後述するコロ搬送機構５によって搬送ラインＢ上を搬送されながら行われる。なお、現像ユニット（ＤＥＶ）３０とポストベークユニット（ＰＯＢ）３１との間には、現像液の脱色処理を行うｉ線ＵＶ照射ユニットを設けてもよい。ポストベークユニット（ＰＯＢ）３１での加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）３２で冷却される。
【００４０】
冷却ユニット（ＣＯＬ）３２で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、検査ユニット（ＩＰ）３５で検査される。検査を通過した基板Ｇは、カセットステーション１に設けられた搬送装置１１の搬送アーム１１ａにより載置台１２に載置された所定のカセットＣに収容されることとなる。
【００４１】
次に、現像ユニット（ＤＥＶ）３０（基板処理装置）について詳細に説明する。
図２は現像ユニット（ＤＥＶ）３０の側面図である。
【００４２】
現像ユニット（ＤＥＶ）３０は、搬送ラインＢの一部を構成する搬送路５と、搬送路５を収容するように設けられたハウジング６とを有し、ハウジング６内に搬送路５に沿って上流側（外部装置ブロック９０側）から下流側（ポストベークユニット（ＰＯＢ）３１側）に向かって順に、現像液供給ゾーン３０ｂ、現像液除去ゾーン３０ｃ、リンスゾーン３０ｄ、乾燥ゾーン３０ｅを有して構成されている。
【００４３】
搬送路５は、Ｙ方向に延びる略円柱状に形成されたコロ５０をＸ方向に所定の間隔で複数有し、被処理面が上方を向くように載置された基板Ｇを、各コロ５０の回転によって搬送するように構成されている。搬送路５の各コロ５０は、例えば、モータ等の駆動源に歯車やベルト等の伝動機構を介して接続されており（図示せず）、駆動源の駆動によって回転するように構成されている。なお、各コロ５０は、例えば、現像液供給ゾーン３０ｂ、現像液除去ゾーン３０ｃ、リンスゾーン３０ｄ、乾燥ゾーン３０ｅの各ゾーンに設けられた駆動源によってゾーンごとに独立して回転するように構成ことができる。
【００４４】
搬送路５は、上流側端から下流側端まで等しい高さとなるように延びているのではなく、途中に搬送方向の傾斜角度が変わる傾斜角変更箇所Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３があり、各傾斜角変更箇所Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を境界部として区分けされると、上流側から下流側に向かって順に、第１の搬送区間Ｍｌ、第２の搬送区間Ｍ２、第３の搬送区間Ｍ３、第４の搬送区間Ｍ４から構成される。
【００４５】
第１の搬送区間Ｍｌは、現像液供給ゾーン３０ｂの上流側端部から現像液除去ゾーン３０ｃの上流側部に設けられた傾斜角変更箇所Ｐ１まで水平または略水平に延びている。第２の搬送区間Ｍ２は、傾斜角変更箇所Ｐ１から現像液除去ゾーン３０ｃの略中央部に設けられた傾斜角変更箇所Ｐ２まで所定の角度、例えば２〜５°で上り傾斜して延びている。第２の搬送区間Ｍ２の長さは、例えば数十ｃｍ程度であり、搬送路５を搬送される基板Ｇの長さ（Ｘ方向長さ）、例えば１００〜２５０ｃｍよりも短く設定されている。第３の搬送区間Ｍ３は、傾斜角変更箇所Ｐ２から現像液除去ゾーン３０ｃの下流側部に設けられた傾斜角変更箇所Ｐ３まで所定の角度、例えば２〜５°で下り傾斜して延びている。第３の搬送区間Ｍ３の長さ、および第２の搬送区間Ｍ２と第３の搬送区間Ｍ３との合計長さはそれぞれ、例えば数十ｃｍ程度であり、搬送路５を搬送される基板Ｇの長さよりも短く設定されている。第４の搬送区間Ｍ４は、傾斜角変更箇所Ｐ３から乾燥ゾーン３０ｅの下流側端部まで水平または略水平に延びている。なお、第１の搬送区間Ｍｌと第４の搬送区間Ｍ４とは、略同一の高さに設けられている。
【００４６】
搬送路５は、各傾斜角変更箇所Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３において、折れ曲がるように傾斜角度が変わるよりは、適度な曲率半径を描いて傾斜角度が変わるのが好ましい。傾斜角変更箇所Ｐ２は、フラット（水平）な頂上を有する略台形状に形成されていてもよい。第２の搬送区間Ｍ２および第３の搬送区間Ｍ３のコロ５０には、基板Ｇが滑り落ちないように、例えばゴム製の滑り止めリング（図示せず）を外周面に設けておくことが好ましい。
【００４７】
現像液供給ゾーン３０ｂは、搬送路５または搬送路５の第１の搬送区間Ｍｌ内を搬送される基板Ｇ上に現像液（処理液：第１の処理液）を供給する現像液供給機構６０（処理液供給機構：第１の処理液供給機構）を有している。
【００４８】
現像液供給機構６０は、図示しない現像液供給源と、現像液供給源からの現像液を基板Ｇ上に吐出する現像ノズル６２とを有している。現像ノズル６２は、搬送路５の上方に、例えばＸ方向に複数配列されており、Ｘ方向に移動可能である。現像ノズル６２は、Ｙ方向に延びるスリット状の図示しない吐出口を有し、現像液供給源からの現像液を吐出口から基板Ｇに全幅（Ｙ方向全長）にわたって帯状に吐出するように構成されている。なお、現像ノズル６２としては、スリット状の吐出口を有するものに代えて、複数の吐出口がＹ方向に間隔をあけて複数形成されているものを用いることもできる。
【００４９】
現像液除去ゾーン３０ｃは、搬送路５を搬送される基板Ｇ上の現像液を吸引する現像液吸引機構６５（処理液吸引機構）と、現像液吸引機構６５による現像液の吸引後の基板Ｇ上にリンス液（第２の処理液）を供給する第１のリンス液供給機構６７（第２の処理液供給機構）とを有している。
【００５０】
図３は現像ユニット（ＤＥＶ）３０を構成する現像液除去ゾーン３０ｃ部分の側面図および平面図であり、図４はその斜視図であり、図５は現像ユニット（ＤＥＶ）３０を構成する現像液吸引機構６５の要部を示す断面図である。現像液吸引機構６５は、図示しない現像液吸引源と、配管６９を介して現像液吸引源と接続された、基板Ｇ上の現像液を吸引する吸引ノズル７０とを有している。現像液吸引源は、例えば、バキュームポンプまたはエジェクタ、現像液回収容器、開閉弁等から構成される。吸引ノズル７０は、搬送路５の傾斜角変更箇所Ｐ１の上方、より具体的には、第１の搬送区間Ｍ１側の傾斜角変更箇所Ｐ１近傍位置の上方に設けられており、Ｙ方向に延びるスリット状の図示しない吸引口を有し、現像液吸引源の吸引力によって、基板Ｇ上の現像液を傾斜角変更箇所Ｐ１位置または第１の搬送区間Ｍ１側の傾斜角変更箇所Ｐ１近傍位置で全幅にわたって吸引口から吸引できるように構成されている。なお、吸引ノズル７０としては、スリット状の吸引口を有するものに代えて、複数の吸引口がＹ方向に間隔をあけて複数形成されているものを用いることもできる。現像液吸引機構６５によって吸引された現像液は、後述する現像液再利用機構６４によって回収された後、現像液供給機構６０の現像液供給源に送られて再利用される。
【００５１】
第１のリンス液供給機構６７は、図示しないリンス液供給源と、リンス液供給源からの純水等のリンス液を基板Ｇ上に吐出する第１リンスノズル７１とを有している。リンス液供給源は、例えば、希釈液容器、希釈液吐出ポンプ、開閉弁等から構成される。第１リンスノズル７１は、搬送路５の傾斜角変更箇所Ｐ２よりも下流側の上方、例えば第３の搬送区間Ｍ３の上方に設けられており、Ｙ方向に延びるスリット状の図示しない吐出口を有し、リンス液供給源からのリンス液を吐出口から基板Ｇ上の傾斜角変更箇所Ｐ２よりも下流側位置、例えば第３の搬送区間Ｍ３内位置で全幅にわたって帯状に吐出するように構成されている。なお、第１リンスノズル７１は、Ｘ方向に複数配列されていてもよく、また、第１リンスノズル７１としては、スリット状の吐出口を有するものに代えて、複数の吐出口がＹ方向に間隔をあけて複数形成されているものを用いることもできる。
【００５２】
搬送路５の下方には、第１の搬送区間Ｍ１の上流側端位置から第２の搬送区間Ｍ２の下流側端位置にわたって、搬送路５上を搬送される基板Ｇからこぼれ落ちる現像液を受け止めるパン６６が設けられている。パン６６は、回収配管７２に接続されており、受け止めた現像液を回収配管７２に送るように構成されている。パン６６から回収配管７２に送られた現像液は、後述する現像液再利用機構６４によって回収された後、現像液供給機構６０の現像液供給源に送られて再利用される。
【００５３】
現像液再利用機構６４は、現像液吸引機構６５によって吸引された現像液、ならびにパン６６によって受け集められた現像液を回収して基準濃度に調整した後、このリサイクル現像液を現像液供給機構６０の現像液供給源に送るように構成されている。
【００５４】
リンスゾーン３０ｄは、搬送路５を搬送される基板Ｇにリンス液を供給する第２のリンス液供給機構７４を有している。第２のリンス液供給機構７４は、図示しないリンス液供給源と、リンス液供給源からのリンス液を基板Ｇに吐出する第２リンスノズル７６とを有している。第２リンスノズル７６は、例えば、搬送路５の上方および下方にＸ方向に複数配列されており、リンス液供給源からのリンス液を、搬送路５を搬送される基板Ｇの上面（表面）および下面（裏面）に略全幅にわたって吐出するように構成されている。
【００５５】
搬送路５の下方には、第３の搬送区間Ｍ３の上流側端位置からリンスゾーン３０ｄの下流側端位置にわたって、搬送路５上を搬送される基板Ｇからこぼれ落ちるリンス液または現像液とリンス液との混合液を受け止めるパン７５が設けられている。パン７５は、排液配管７７に接続されており、受け止めたリンス液または現像液とリンス液との混合液を排液配管７７に送るように構成されている。パン７５から排液配管７７に送られたリンス液または現像液とリンス液との混合液は排液される。
【００５６】
乾燥ゾーン３０ｅは、搬送路５を搬送される基板Ｇに窒素ガス等の乾燥流体を供給する乾燥流体供給機構７８を有し、乾燥流体供給機構７８は、図示しない乾燥流体供給源と、乾燥流体供給源からの乾燥流体を基板Ｇに吐出するエアナイフ７９とを有している。エアナイフ７９は、例えば、搬送路５の上方および下方にＸ方向に複数配列されており、乾燥流体供給源からの乾燥流体を、搬送路５を搬送される基板Ｇの上面（表面）および下面（裏面）に略全幅にわたって吐出するように構成されている。なお、乾燥ゾーン３０ｅにおいても、基板Ｇから落下したリンス液を受け集めるためのパンを搬送路５の下方に設けてもよい。
【００５７】
図６は現像ユニット（ＤＥＶ）３０の制御系を示す概念図である。搬送路５、現像液供給機構６０、現像液吸引機構６５、第１のリンス液供給機構６７、第２のリンス液供給機構７４、乾燥流体供給機構７８および現像液再利用機構６４の動作は、プロセスコントローラ１０１から指令を受けた、ＣＰＵを備えたユニットコントローラ１０４（制御部）によって制御されるように構成されている。
【００５８】
次に、現像ユニット（ＤＥＶ）３０における現像処理工程について説明する。
【００５９】
まず、外部装置ブロック９０に設けられた搬送機構によって搬送された基板Ｇは、搬送路５上に受け渡され、搬送路５上を搬送されて現像液供給ゾーン３０ｂに入る。
【００６０】
現像液供給ゾーン３０ｂに入った基板Ｇは、搬送路５を搬送されている間に、現像液供給機構６０の現像ノズル６２によって上面に現像液が液盛りされる。ここで、現像ノズル６２が、例えば、下流側から上流側に向かって移動しながら現像液を吐出することにより、基板Ｇ上に下流側端部から上流側端部に向かって現像液が液盛りされる。この際に、あるいは現像液供給ゾーン３０ｂ内を搬送される際に、基板Ｇ上からこぼれ落ちた現像液は、パン６６によって受け集められる。なお、現像液の液盛りは、現像ノズル６２を移動させずに、基板Ｇを、搬送路５上を搬送させながら行ってもよく、搬送路５による基板Ｇの搬送を一旦停止させ、現像ノズル６２を下流側から上流側に向かって移動させながら行ってもよい。また、現像液の液盛り後に、搬送路５による基板Ｇの搬送を一旦停止させて基板Ｇの現像を進行させてもよい。いかなる現像液の供給態様であっても、現像液供給時の現像ノズル６２と搬送路５を搬送される基板Ｇとの相対移動速度は、現像液吸引機構６５による現像液吸引時および第１のリンス液供給機構６７によるリンス液供給時の搬送路５を搬送される基板Ｇとの移動速度と等しく、または略等しく設定される。
【００６１】
現像液供給ゾーン３０ｂにおいて現像液が液盛りされた基板Ｇは、搬送路５上をさらに搬送されて現像液除去ゾーン３０ｃに入る。この間にも基板Ｇの現像が進行する。現像液除去ゾーン３０ｃに入った基板は、図３、４に示すように、搬送路５を搬送されて傾斜角変更箇所Ｐ１位置または第１の搬送区間Ｍ１側の傾斜角変更箇所Ｐ１近傍位置を通過する際に、現像液吸引機構６５の吸引ノズル７０によって下流側から上流側に向かって順次、上面の現像液が吸引されて現像の進行が抑制される。そして、基板Ｇは、傾斜角変更箇所Ｐ１位置を通過する際に、第２の搬送区間Ｍ２によって下流側端部から上流側端部に向かって順次、谷側に湾曲または屈曲して上り傾斜する。傾斜角変更箇所Ｐ１は、基板Ｇを谷側に湾曲または屈曲させる谷折り部を構成する。ここで、吸引ノズル７０によって吸引しきれなかった現像液が残存する状態で基板Ｇの一部が傾斜角変更箇所Ｐ１位置を通過してしまっても、基板Ｇ上の現像液が、第２の搬送区間Ｍ２の上り傾斜によって下流側から上流側に向かって流れ、傾斜角変更箇所Ｐ１位置または第１の搬送区間Ｍ１側の傾斜角変更箇所Ｐ１近傍位置に溜まることとなる（図５参照）。したがって、基板Ｇが傾斜角変更箇所Ｐ１位置を完全に通過するまでには、基板Ｇ上の現像液を吸引ノズル７０によって効率よく吸引することができる。第１の搬送区間Ｍ１が水平であり、第２の搬送区間Ｍ２が上り傾斜している場合には、第１の搬送区間Ｍ１側の傾斜角変更箇所Ｐ１近傍位置で吸引することにより吸引効率がさらに高められる。
【００６２】
また、現像液供給時の現像ノズル６２と搬送路５を搬送される基板Ｇとの相対移動速度と、現像液吸引機構６５による現像液吸引時の搬送路５による基板Ｇの搬送速度とが等しい、または略等しいため、現像時間の面内均一性、すなわち現像均一性を向上させることができる。
【００６３】
現像液の吸引の際に、基板Ｇからこぼれ落ちた現像液は、パン６６によって受け集められるが、基板Ｇ上の現像液は、吸引ノズル７０によって効率よく吸引されるため、落下量も少なく抑えられる。したがって、現像液の落下に起因するミストの発生も抑止される。なお、基板Ｇ上の現像液は、溜まりやすい傾斜角変更箇所Ｐ１位置から比較的こぼれ落ちやすいため、現像液を受け集めるパンを傾斜角変更箇所Ｐ１の下方部分にのみ設けてもよい。
【００６４】
搬送路５をさらに搬送された基板Ｇは、傾斜角変更箇所Ｐ２位置を通過する際に、第３の搬送区間Ｍ３によって下流側端部から上流側端部に向かって順次、山側に湾曲または屈曲して下り傾斜する。傾斜角変更箇所Ｐ２は、基板Ｇを山側に湾曲または屈曲させる山折り部を構成する。搬送路５をさらに搬送された基板Ｇは、第３の搬送区間Ｍ３を通過する際に、第１のリンス液吸引機構６７の第１リンスノズル７１によって下流側から上流側に向かって順次、上面にリンス液が供給される。これにより、基板Ｇ上に残存していた現像液が略除去され、あるいはリンス液に置換されて現像が停止する。ここで、第２の搬送区間Ｍ２と第３の搬送区間Ｍ３との合計長さが基板Ｇの長さよりも短く、すなわち、吸引ノズル７０と第１リンスノズル７１との間隔が基板Ｇの長さよりも短いため、基板Ｇ上の現像液が乾かないうちに間髪を入れずに基板Ｇ上にリンス液を供給することができ、基板Ｇ上の現像液の吸引と基板Ｇ上へのリンス液の供給とを略並行して行うことができる。したがって、現像液吸引後の現像が緩やかに進行する時間を短く抑え、現像液の不所望な乾燥に起因する現像不良（斑の発生等）を防止することができるため、精緻な現像処理を行うことが可能となる。
【００６５】
また、この際に、基板Ｇ上の現像液の吸引と基板Ｇ上へのリンス液の供給とが略並行して行われることにより、現像液吸引時の搬送路５による基板Ｇの搬送速度と、リンス液供給時の搬送路５による基板Ｇの搬送速度とが等しいため、現像時間の面内均一性、すなわち現像均一性を向上させることができる。
【００６６】
さらに、第２の搬送区間Ｍ２および第３の搬送区間Ｍ３によって、上方に隆起する隆起部が搬送路５に構成されるため、第１リンスノズル７１から吐出されたリンス液が、傾斜角変更箇所Ｐ２位置よりも上流側で基板Ｇ上の現像液と混合されて吸引ノズル７０によって吸引されたり、パン６６上に落下したりするといったことが防止され、これにより、現像液の回収効率を向上させることができる。
【００６７】
搬送路５上をさらに搬送された基板Ｇは、傾斜角変更箇所Ｐ３位置を通過する際に、第４の搬送区間Ｍ４によって搬送方向上流側端から順次、谷側に湾曲または屈曲して水平状態となる。なお、基板Ｇからこぼれ落ちたリンス液または現像液とリンス液との混合液は、パン７５によって受け集められる。
【００６８】
基板Ｇが第２の搬送区間Ｍ２および第３の搬送区間Ｍ３を通過する際には、第２の搬送区間Ｍ２と第３の搬送区間Ｍ３との合計長さが基板Ｇの長さよりも短いことにより、第２の搬送区間Ｍ２および第３の搬送区間Ｍ３による基板Ｇの傾斜は局所的であるため、基板全体でみると基板Ｇ上の現像液の流れは低速でゆっくりしており、基板Ｇ上の現像液に乱流や液割れが起こり難い。したがって、基板上で急速に流下する現像液が乱流や液割れを起こしやすい、基板全体を水平姿勢から急激に所定角度の傾斜姿勢に姿勢変換する従来方式と比較して、現像均一性を大幅に向上させることができる。
【００６９】
現像液除去ゾーン３０ｃにおいて現像液が除去された基板Ｇは、搬送路５上をさらに搬送されてリンスゾーン３０ｄに入る。リンスゾーン３０ｄに入った基板Ｇは、搬送路５上をさらに搬送されながら、第２のリンス液供給機構７４の第２リンスノズル７６によって上面および下面にリンス液が吐出されることにより、洗浄されて現像液の残渣が除去される。なお、基板Ｇからこぼれ落ちたリンス液または現像液とリンス液との混合液は、パン７５によって受け集められる。
【００７０】
リンスゾーン３０ｄにおいて現像液の残渣が除去された基板Ｇは、搬送路５上をさらに搬送されて乾燥ゾーン３０ｅに入る。乾燥ゾーン３０ｅに入った基板Ｇは、搬送路５上をさらに搬送されながら、乾燥流体供給機構７８のエアナイフ７９によって上面および下面に乾燥流体が吐出されることにより、リンス液が液切りされて乾燥する。その後、基板Ｇは、搬送路５上をさらに搬送されてポストベークユニット（ＰＯＢ）３１に受け渡されることとなる。
【００７１】
次に、現像ユニット（ＤＥＶ）３０を構成する各部の他の例について説明する。
【００７２】
図７は現像ユニット（ＤＥＶ）３０を構成する搬送路５の他の例を示す図である。搬送路５の第２の搬送区間Ｍ２を急勾配に構成する場合には、隣接するコロ５０，５０同士の間に無端状の連結ベルト８０を掛け渡しておくことが好ましい。これにより、基板Ｇが、第１の搬送区間Ｍ１を通過した際に、連結ベルト８０上に載置されて案内され、第２の搬送区間Ｍ２にスムーズに受け渡される。
【００７３】
図８は搬送路５のさらに他の例を示す図である。第２の搬送区間Ｍ２位置または第２の搬送区間Ｍ２と第３の搬送区間Ｍ３との境界部位置には、基板Ｇを上方から押さえ付け可能な押さえ付けローラ８２（押さえ付け部）を設けておくことが好ましい。押さえ付けローラ８２は、回転可能であり、例えば、基板Ｇの上面の幅方向両縁部に当接可能に一対設けられる。これにより、基板Ｇが傾斜角変更箇所Ｐ２を通過する際に、基板Ｇの上流側部が上方に跳ね上がてってしまうこと（図８の仮想線参照）が防止され、基板Ｇ上の現像液の飛散が防止される。
【００７４】
図９は現像液除去ゾーン３０ｃの他の例を示す側面図および平面図である。搬送路５は、第１の搬送区間Ｍ１と第２の搬送区間Ｍ２との間に、基板を所定の角度、例えば２〜５°で下り傾斜させて搬送する中継区間Ｍ０を設けて構成してもよい。中継区間Ｍ０は、基板Ｇの長さおよび第２の搬送区間Ｍ２の長さよりも短い長さ、例えば数ｃｍ程度に設定される。この場合には、搬送路５を搬送された基板Ｇが、中継区間Ｍ０と第２の搬送区間Ｍ２との境界部を通過する際に、谷側に湾曲または屈曲することにより、基板Ｇ上の現像液が中継区間Ｍ０と第２の搬送区間Ｍ２との境界部位置Ｐ０に溜まるため、基板Ｇ上の現像液を境界部Ｐ０位置で吸引するように吸引ノズル７０を設けることが好ましい。この場合に、境界部Ｐ０は、基板Ｇを谷側に湾曲または屈曲させる谷折り部を構成する。
【００７５】
図１０は現像液吸引機構６５の他の例を示す斜視図であり、図１１はその断面図である。現像液吸引機構６５は、吸引ノズル７０に代えて、内部に揚水用の羽根車８３を有する吸引ノズル８４と、羽根車８３を回転させるモータ等の羽根車駆動源８５とを備えて構成することができる。吸引ノズル８４は、吸引ノズル７０と同様に、基板Ｇ上の現像液を略全幅にわたって吸引可能にＹ方向に延びており、羽根車８３は、吸引ノズル８４と対応してＹ方向に延び、かつ、Ｙ方向を軸として回転可能である。羽根車駆動源８５は、吸引ノズル８４のＹ方向に対向する側面部の一方に設けられている。吸引ノズル８４は、現像液吸引源の吸引力に加え、羽根車８３の回転に起因する揚水作用によって、基板Ｇ上の現像液をより効果的に吸引することができる。
【００７６】
また、この場合には、吸引ノズル８４の近傍位置、例えば上流側近傍位置における基板Ｇ上の現像液の液面高さを検出する液面高さ検出部８６を設けておくことが好ましい。液面高さ検出部８６は、この吸引ノズル８４の上流側近傍位置で基板Ｇ上の現像液の液面に浮くフロート部８７と、このフロート部８７の浮いている（現像液で押し上げられている）量または高さ位置を検出する位置センサ８８とから構成することができる。そして、ユニットコントローラ１０４（図６参照）が、位置センサ８８から送られた出力信号に基づいて、フロート部８７の浮き量が基準値よりも大きいときは羽根車駆動源８５を通じて羽根車８３の回転速度を上げ、フロート部８７の浮き量が基準値よりも小さいときは羽根車駆動源８５を通じて羽根車８３の回転速度を下げるようにフィードバック制御を行うように構成することができる。これにより、現像液の粘性や走査速度等の影響を補償して一定のレートで吸い取りを行うことができる。
【００７７】
フロート部８７は、例えば発砲ステロールまたは中空の硬質ゴムまたは合成樹脂等で構成することができる。位置センサ８８は、フロート部８７の上面から垂直上方に延びる支持棒８９の高さ位置を通じてフロート部８７の浮き量、すなわち現像液の液面の高さを検出することができる。なお、液面高さ検出部８６として、フロート式に代えて液面高さを光学的に検出する方式を用いることも可能である。
【００７８】
羽根車８３の材質および構造（特に羽部部または翼部の形状）は種々の変形が可能である。例えば、羽根車８３の翼部をスポンジまたはゴム等の弾性体で構成する場合には、図１２に示すように、羽根車８３の翼部と吸引口の反対側位置で加圧接触するロータ９５を設けることが好ましい。
【００７９】
また、図１３に示すように、２つの羽根車８３ａ、８３ｂを、互いに係合するようにＸ方向に並列に吸引ノズル８４内に設け、例えば、一方の羽根車８３ａを羽根車駆動源８５によって下流側回り（図１３中の右回り）に回転させ、これに伴って、他方の羽根車８３ｂが上流側回り（図１３中の左回り）に回転することにより、基板Ｇ上の現像液を吸引するギヤポンプ方式とすることもできる。この場合には、吸引ノズル８４の吸引口から吸引された現像液は、吸引ノズル８４内の羽根車８３ａの上流側空間および羽根車８３ｂの下流側空間を通って配管６９内に送られる。
【００８０】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。例えば、搬送路は、コロ搬送方式以外に、ベルト搬送方式であってもよく、第１の搬送区間および第４の搬送区間はそれぞれ、搬送中の基板上の処理液がこぼれ落ちない程度であれば傾斜していてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明によれば、ＦＰＤ用のガラス基板に限らず、半導体ウエハ、フォトマスク、あるいはプリント基板等の他の基板の現像処理にも広く適用することができる。また、本発明によれば、基板上に供給した現像液を除去する場合、あるいは基板上に供給した現像液をリンス液に置換する場合に限らず、基板上に供給した現像液をリンス液によって希釈する場合や基板上に供給したプリウエット液を現像液に置換する場合などにも広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の基板処理装置の一実施形態に係る現像ユニットが搭載された、基板へのレジスト膜の形成および露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図である。
【図２】現像ユニットの側面図である。
【図３】現像ユニットを構成する現像液除去ゾーン部分の側面図および平面図である。
【図４】現像液除去ゾーン部分の斜視図である。
【図５】現像ユニットを構成する現像液吸引機構の要部を示す断面図である。
【図６】現像ユニットの制御系を示す概念図である。
【図７】現像ユニットを構成する搬送路の他の例を示す図である。
【図８】搬送路のさらに他の例を示す図である。
【図９】現像液除去ゾーンの他の例を示す側面図および平面図である。
【図１０】現像液吸引機構の他の例を示す斜視図である。
【図１１】現像液吸引機構の他の例を示す断面図である。
【図１２】現像液吸引機構のさらに他の例を示す断面図である。
【図１３】現像液吸引機構のさらに別の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
３０…現像ユニット（基板処理装置）
６０…現像液供給機構（処理液供給機構：第１の処理液供給機構）
６２…現像ノズル
６５…現像液吸引機構（処理液吸引機構）
６７…第１のリンス液供給機構（第２の処理液供給機構）
７０…吸引ノズル
７１…第１リンスノズル
８２…押さえ付けローラ（押さえ付け部）
８３…羽根車
８６…液面高さ検出部
８７…フロート部
８８…位置センサ
１０４…ユニットコントローラ（制御部）
Ｇ…基板
Ｍ０…中継区間
Ｍ１…第１の搬送区間
Ｍ２…第２の搬送区間
Ｍ３…第３の搬送区間
Ｍ４…第４の搬送区間
Ｐ０…境界部（谷折り部）
Ｐ１…傾斜角変更箇所（谷折り部）
Ｐ２…傾斜角変更箇所（山折り部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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