(57)【要約】【課題】パーティクルの発生を抑制することができる基板搬送装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを収容する処理チャンバ１２と、該処理チャンバ１２にウエハＷを搬送する搬送アーム１７と、当該処理チャンバ１２に配置され、搬送されたウエハＷを載置するサセプタ４５とを備える。サセプタ４５の上部には、複数の突起部５５ａを有する静電チャック５５が配置され、搬送アーム１７の先端部にはウエハＷを保持する複数の突起部２５ａを有する搬送フォーク２５が配置される。突起部２５ａは、搬送フォーク２５の突起部２５ａによるウエハＷの保持箇所８１が静電チャック５５の突起部５５ａによるウエハＷの保持箇所８０と異なるように搬送フォーク２５上に配置されている。【選択図】図３
2007273620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器の内部に設置されると共に、被処理基板を保持するための第１の保持部を有する載置台に、前記被処理基板を搬送する基板搬送装置であって、
前記第１の保持部による前記被処理基板の保持部位と異なる部位において前記被処理基板を保持する第２の保持部を有することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記第２の保持部は、前記被処理基板をその外縁部以外において保持することを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記第１の保持部及び前記第２の保持部の各々は複数の突起部で構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記第１の保持部及び前記第２の保持部の各々は複数の環状の突起部で構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の基板搬送装置。
【請求項５】
被処理基板を載置する載置台を内部に有する処理容器と、前記被処理基板を搬送する基板搬送装置とを備える基板処理装置であって、
前記基板搬送装置は前記載置台による前記被処理基板の載置部位と異なる部位において前記被処理基板を載置することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板搬送装置及び基板処理装置に関し、特に、被処理基板を搬送する基板搬送装置及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理基板としてのウエハにプラズマ処理、例えば、エッチング処理を施す基板処理装置は、ウエハを収容する収容室と、該収容室にウエハを搬送する搬送アームと、当該収容室内に配置され、搬送されたウエハを載置する載置台とを備える。この基板処理装置は収容室内にプラズマを発生させ、該プラズマによってウエハにエッチング処理を施す。
【０００３】
載置台は電極板を内部に有する絶縁性部材から成る静電チャックを上部に備え、ウエハは静電チャック上に載置される。ウエハにエッチング処理が施される間、電極板には直流電圧が印加され、該直流電圧によって発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力により、静電チャックはウエハを吸着する。
【０００４】
静電チャックは、その表面に、例えば、アルミナ等のセラミックが溶射されることにより溶射被膜が形成される。ウエハは、溶射被膜が形成された静電チャックの表面に載置される。
【０００５】
このように表面に溶射被膜が形成された静電チャックは、その表面が脆く、ウエハが載置されることにより当該ウエハとの接触箇所が摩耗し、該接触箇所にパーティクルが発生する。このパーティクルは、ウエハの裏面に付着し、ウエハが搬送される際の搬送アームとの物理的接触によりウエハの裏面から剥離し、結果的に、ウエハに付着するパーティクル及び基板処理装置内のパーティクルを増加させ、基板処理装置の歩留まりを低下させる。
【０００６】
上述したウエハの裏面に付着するパーティクルを減少させるために、近年、ウエハを複数の突起部で保持する静電チャックが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
また、プラズマ処理が施されたウエハの外縁部に当該処理時に生じた反応生成物等の異物が堆積する場合がある。
【０００８】
従来から、ウエハを搬送する際に、上述したウエハの外縁部に堆積した反応生成物等の異物に対する物理的接触によるパーティクルの発生を回避すべく、ウエハの裏面を保持することにより当該ウエハを搬送する搬送アームが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
このように、上述したこれらの従来の技術を適用することで、基板処理装置内に発生するパーティクルを減少させることができる。
【特許文献１】特開２００５−１９１５６１号公報
【特許文献２】特開２０００−３９５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述した従来の技術を併用した場合においては、ウエハに対する静電チャックの複数の突起部の接触箇所と搬送アームの保持部の接触箇所とが重なることによって、静電チャックの複数の突起部からウエハに付着したパーティクルに対する搬送アームの物理的接触により、パーティクルを誘発することが容易に想定される。実際、このパーティクルは突発的に発生するので、当該パーティクルは発生抑制管理が難しく、ウエハの量産処理時にパーティクルが多く発生するので、最終的に製造される製品の歩留まりの低下を招くことになる。
【００１１】
本発明の目的は、パーティクルの発生を抑制することができる基板搬送装置及び基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板搬送装置は、処理容器の内部に設置されると共に、被処理基板を保持するための第１の保持部を有する載置台に、前記被処理基板を搬送する基板搬送装置であって、前記第１の保持部による前記被処理基板の保持部位と異なる部位において前記被処理基板を保持する第２の保持部を有することを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載の基板搬送装置は、請求項１記載の基板搬送装置において、前記第２の保持部は、前記被処理基板をその外縁部以外において保持することを特徴とする。
【００１４】
請求項３記載の基板搬送装置は、請求項１又は２記載の基板搬送装置において、前記第１の保持部及び前記第２の保持部の各々は複数の突起部で構成されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載の基板搬送装置は、請求項１又は２記載の基板搬送装置において、前記第１の保持部及び前記第２の保持部の各々は複数の環状の突起部で構成されていることを特徴とする。
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項５記載の基板処理装置は、被処理基板を載置する載置台を内部に有する処理容器と、前記被処理基板を搬送する基板搬送装置とを備える基板処理装置であって、前記基板搬送装置は前記載置台による前記被処理基板の載置部位と異なる部位において前記被処理基板を載置することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１記載の基板搬送装置によれば、基板搬送装置の第２の保持部が載置台の第１の保持部による被処理基板の保持部位と異なる部位において被処理基板を保持するので、基板搬送装置の第２の保持部による被処理基板の保持部位と載置台の第１の保持部による被処理基板の保持部位とが重なるのを防止することができる。その結果、被処理基板が載置台に載置される際に被処理基板の保持部位に付着するパーティクルに対して基板搬送装置が物理的に接触するのを防止することができ、当該パーティクルが被処理基板から剥離することを防止して、もって、基板処理装置内におけるパーティクルの発生を抑制することができる。
【００１８】
請求項２記載の基板搬送装置によれば、基板搬送装置の第２の保持部が被処理基板の外縁部以外において保持するので、被処理基板の処理後に当該被処理基板の外縁部に付着する反応生成物に対して基板搬送装置が物理的に接触するのを防止し、もって、当該反応生成物に対して基板搬送装置の物理的接触によるパーティクルの発生を防止することができる。
【００１９】
請求項３記載の基板搬送装置によれば、載置台の第１の保持部と基板搬送装置の第２の保持部とが複数の突起部で構成されているので、被処理基板が第１の保持部及び第２の保持部において保持される際に当該被処理基板に付着するパーティクルを減少させることができる。
【００２０】
請求項４記載の基板搬送装置によれば、載置台の第１の保持部と基板搬送装置の第２の保持部とが複数の環状の突起部で構成されているので、被処理基板が第１の保持部及び第２の保持部において保持される際に当該被処理基板に付着するパーティクルを減少させることができる。さらに、載置台の第１の保持部が複数の環状の突起部で構成されているので、載置台と被処理基板間の空間を第１の保持部によって分割することができ、もって、各空間内に供給される伝熱ガスの圧力を個別に制御することもできる。
【００２１】
請求項５記載の基板処理装置によれば、基板搬送装置は載置台による被処理基板の載置部位と異なる部位において被処理基板を載置するので、基板搬送装置における被処理基板の載置部位と載置台における被処理基板の載置部位とが重なるのを防止することができる。その結果、被処理基板が載置台に載置される際に被処理基板に付着するパーティクルに対して基板搬送装置が物理的に接触するのを防止することができ、当該パーティクルが被処理基板から剥離することを防止して、もって、基板処理装置内におけるパーティクルの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２３】
図１は、本実施の形態に係る基板搬送装置を有する基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【００２４】
図１において、基板処理装置１は、半導体デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに反応性イオンエッチング（以下、「ＲＩＥ」という。）処理を施す複数のプロセスシップ１１（図２）と、複数のプロセスシップ１１がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としてのローダーユニット９とを備える。
【００２５】
ローダーユニット９には、上述したプロセスシップ１１の他、２５枚のウエハＷを収容する容器としてのフープ（Front Opening Unified Pod）１４がそれぞれ載置される３つのフープ載置台１５と、フープ１４から搬出されたウエハＷの位置をプリアライメントするオリエンタ１６とが接続されている。
【００２６】
複数のプロセスシップ１１は、ローダーユニット９の長手方向における側壁に接続されると共にローダーユニット９を挟んで３つのフープ載置台１５と対向するように配置され、オリエンタ１６はローダーユニット９の長手方向に関する一端に配置される。
【００２７】
ローダーユニット９は、内部に配置され、ウエハＷを搬送する基板搬送装置としての搬送アーム機構１９と、各フープ載置台１５に対応するように側壁に配置されたウエハＷの投入口としての３つのロードポート２０とを有する。搬送アーム機構１９は、フープ載置台１５に載置されたフープ１４からウエハＷをロードポート２０経由で取り出し、該取り出したウエハＷをプロセスシップ１１やオリエンタ１６へ搬出入する。
【００２８】
プロセスシップ１１は、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す真空容器としての処理チャンバ１２と、該処理チャンバ１２にウエハＷを受け渡す基板搬送装置としての搬送アーム１７を内蔵するロード・ロックユニット１８とを有する。
【００２９】
プロセスシップ１１では、ローダーユニット９の内部の圧力は大気圧に維持される一方、処理チャンバ１２の内部圧力は真空に維持される。そのため、ロード・ロックユニット１８は、処理チャンバ１２との連結部に真空ゲートバルブ２１を備えると共に、ローダーユニット９との連結部に大気ゲートバルブ２２を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
【００３０】
ロード・ロックユニット１８の内部には、略中央部に搬送アーム１７が設置され、該搬送アーム１７より処理チャンバ１２側に第１のバッファ２３が設置され、搬送アーム１７よりローダーユニット９側には第２のバッファ２４が設置される。第１のバッファ２３及び第２のバッファ２４は、搬送アーム１７の先端部に配置されたウエハＷを保持する後述する搬送フォーク２５が移動する軌道上に配置され、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷを一時的に搬送フォーク２５の軌道の上方に待避させることにより、ＲＩＥ未処理のウエハＷとＲＩＥ処理済みのウエハＷとの処理チャンバ１２における円滑な入れ換えを可能とする。
【００３１】
また、基板処理装置１は、プロセスシップ１１、ローダーユニット９、及びオリエンタ１６（以下、まとめて「各構成要素」という。）の動作を制御する後述するシステムコントローラ（図示しない）と、ローダーユニット９の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションＧＵＩ（Graphical User Interface）２６とを備える。
【００３２】
上記システムコントローラは、ＲＩＥ処理に対応するプログラムに応じて各構成要素の動作を制御し、オペレーションＧＵＩ２６は、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）からなるタッチパネルディスプレイ（図示しない）と、該タッチパネルディスプレイを支持するディスプレイスタンド（図示しない）とを有する。上記タッチパネルディスプレイは各構成要素の動作状況を表示し、操作者の操作入力を受け付ける。
【００３３】
図２は、ウエハＷにＲＩＥ処理を施すプロセスシップ１１の概略構成を示す断面図である。
【００３４】
図２において、プロセスシップ１１は、ウエハＷを収容する処理チャンバ１２を有し、該処理チャンバ１２内にはウエハＷを載置する載置台としての円柱状のサセプタ４５が配置されている。
【００３５】
プロセスシップ１１では、処理チャンバ１２の内側壁とサセプタ４５の側面とによって、サセプタ４５上方のガスを処理チャンバ１２の外へ排出する流路として機能する側方排気路４６が形成される。この側方排気路４６の途中にはバッフル板４７が配置される。
【００３６】
バッフル板４７は多数の孔を有する板状部材であり、処理チャンバ１２を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。バッフル板４７によって仕切られた処理チャンバ１２の上部４８には、ウエハＷを載置するサセプタ４５等が配置され、プラズマが発生する。以下、処理チャンバ１２の上部を「反応室」と称する。また、処理チャンバ１２の下部（以下、「排気室（マニホールド）」という。）５１には処理チャンバ１２内のガスを排出する粗引き排気管４９及び本排気管５０が開口する。粗引き排気管４９にはＤＰ（Dry Pump）（図示しない）が接続され、本排気管５０にはＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）（図示しない）が接続される。また、バッフル板４７は反応室４８の後述する処理空間Ｓにおいて発生するイオンやラジカルを捕捉又は反射してこれらのマニホールド５１への漏洩を防止する。
【００３７】
粗引き排気管４９、本排気管５０、ＤＰ及びＴＭＰ等は排気装置を構成し、粗引き排気管４９及び本排気管５０は反応室４８のガスをマニホールド５１を介して処理チャンバ１２の外部へ排出する。具体的には、粗引き排気管４９は処理チャンバ１２内を大気圧から低真空状態まで減圧し、本排気管５０は粗引き排気管４９と協働して処理チャンバ１２内を大気圧から低真空状態より低い圧力である高真空状態（例えば、１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧する。
【００３８】
サセプタ４５には下部高周波電源５２が整合器５３を介して接続されており、該下部高周波電源５２は、所定の高周波電力をサセプタ４５に供給する。これにより、サセプタ４５は下部電極として機能する。また、整合器５３は、サセプタ４５からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ４５への供給効率を最大にする。
【００３９】
サセプタ４５の上部には、電極板５４を内部に有する絶縁性部材、例えば、イットリア、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２）からなる円板状の後述する図３の静電チャック５５が配置されている。サセプタ４５がウエハＷを載置するとき、該ウエハＷは静電チャック５５上に配される。電極板５４には直流電源５６が電気的に接続されている。電極板５４に負の直流電圧が印加されると、ウエハＷの裏面には正電位が発生し、さらに、ウエハの表面には負電位が発生する。そして、電極板５４及びウエハＷの裏面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力によってウエハＷは静電チャック５５の上面に吸着保持される。
【００４０】
また、サセプタ４５の上方には、静電チャック５５に吸着保持されたウエハＷの周りを囲うように円環状のフォーカスリング５７が配設される。このフォーカスリング５７は、処理空間Ｓに露出し、該処理空間ＳにおいてプラズマをウエハＷの表面に向けて収束し、ＲＩＥ処理の効率を向上させる。
【００４１】
また、サセプタ４５の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室７２が設けられる。この冷媒室７２には、チラーユニット（図示しない）から冷媒用配管５８を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデンが循環供給され、当該冷媒の温度によって静電チャック５５に吸着保持されたウエハＷの処理温度が制御される。
【００４２】
静電チャック５５のウエハＷが吸着保持される部分（以下、「吸着面」という。）には、ウエハＷを保持する複数の突起部５５ａ（図３（Ｂ））が設けられる。この複数の突起部５５ａによってウエハＷを保持することにより、静電チャック５５のウエハＷの保持部からウエハＷの裏面に付着するパーティクルを減少させることができる。
【００４３】
また、静電チャック５５の吸着面には、複数の伝熱ガス供給孔５９が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔５９は、伝熱ガス供給ライン６０を介して伝熱ガス供給部（図示しない）に接続され、該伝熱ガス供給部は伝熱ガスとしてのヘリウムガスを、伝熱ガス供給孔５９を介して吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給する。吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給されたヘリウムガスはウエハＷの熱を静電チャック５５を介してサセプタ４５に伝熱する。
【００４４】
また、サセプタ４５の吸着面には、静電チャック５５から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン６１が配置されている。上述した搬送アーム１７の先端部に配置された搬送フォーク２５は、プッシャーピン６１上の所定の受け渡し位置にてウエハＷを受け渡すと共にウエハＷを受け取る。これらのプッシャーピン６１は、モータ（図示しない）とボールねじ（図示しない）を介して接続され、ボールねじによって直線運動に変換されたモータの回転運動に起因して吸着面から自在に突出する。ウエハＷにＲＩＥ処理を施すためにウエハＷを吸着面に吸着保持するときには、プッシャーピン６１はサセプタ４５に収容され、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷを処理チャンバ１２から搬出するときには、プッシャーピン６１は静電チャック５５から突出してウエハＷをサセプタ４５から離間させて上方へ持ち上げる。
【００４５】
処理チャンバ１２（反応室４８）の天井部には、サセプタ４５と対向するようにガス導入シャワーヘッド６２が配置されている。ガス導入シャワーヘッド６２には整合器６３を介して上部高周波電源６４が接続されており、上部高周波電源６４は所定の高周波電力をガス導入シャワーヘッド６２に供給するので、ガス導入シャワーヘッド６２は上部電極として機能する。なお、整合器６３の機能は上述した整合器５３の機能と同じである。
【００４６】
ガス導入シャワーヘッド６２は、多数のガス穴６５を有する天井電極板６６と、該天井電極板６６を着脱可能に支持する電極支持体６７とを有する。また、該電極支持体６７の内部にはバッファ室６８が設けられ、このバッファ室６８には処理ガス導入管６９が接続されている。ガス導入シャワーヘッド６２は、処理ガス導入管６９からバッファ室６８へ供給された処理ガスをガス穴６５を経由して処理チャンバ１２（反応室４８）内へ供給する。
【００４７】
また、処理チャンバ１２の側壁には、プッシャーピン６１によってサセプタ４５から上方へ持ち上げられたウエハＷの高さに対応する位置にウエハＷの搬出入口７０が設けられ、搬出入口７０には、該搬出入口７０を開閉する真空ゲートバルブ２１が取り付けられている。
【００４８】
このプロセスシップ１１の処理チャンバ１２内では、上述したように、サセプタ４５及びガス導入シャワーヘッド６２に高周波電力を供給して、サセプタ４５及びガス導入シャワーヘッド６２の間の処理空間Ｓに高周波電力を印加することにより、該処理空間Ｓにおいてガス導入シャワーヘッド６２から供給された処理ガスを高密度のプラズマにしてイオンやラジカルを発生させ、該イオン等によってウエハＷにＲＩＥ処理を施す。
【００４９】
以下、本実施の形態に係る基板搬送装置としての搬送アーム１７における搬送フォーク２５の形状、及び本実施の形態における静電チャック５５の形状について説明する。
【００５０】
図３（Ａ）は、本実施の形態における静電チャック５５及び搬送フォーク２５の平面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。図４は、ウエハＷを保持した静電チャック５５及び搬送フォーク２５の側面図である。
【００５１】
図３及び図４に示すように、静電チャック５５は、その吸着面に、ウエハＷを保持する複数の突起部５５ａ（図３（Ｂ））を有しており、図４に示すように、ウエハＷは当該複数の突起部５５ａによって保持される。また、静電チャック５５の吸着面には上述したプッシャーピン６１が静電チャック５５の中心と同心円上に３つ配置されている。本実施の形態において、直径が３００ｍｍのウエハＷを処理する場合は、静電チャック５５の直径は３００ｍｍ、突起部５５ａの幅は１ｍｍ程度であり、また、プッシャーピン６１の直径は２ｍｍ〜３ｍｍ、３つのプッシャーピン６１のＰＣＤ（プッシャーピン６１の中心と静電チャック５５の中心を半径とする円の直径）は１７０ｍｍ程度である。
【００５２】
一方、搬送フォーク２５は、ウエハＷを保持する複数の突起部２５ａ（図３（Ｂ））を有しており、図４に示すように、ウエハＷはこの複数の突起部２５ａによって保持される。突起部２５ａは、搬送すべきウエハＷを保持するのに十分な数だけ設けられる。本実施の形態において、直径が３００ｍｍのウエハＷを処理する場合は、突起部２５ａの幅は７ｍｍ程度であり、また、搬送フォーク２５の幅方向の外側の幅は２７０ｍｍ程度、幅方向の内側の間隔は２００ｍｍ程度である。
【００５３】
また、突起部２５ａは、搬送フォーク２５の突起部２５ａによるウエハＷの保持箇所８１が静電チャック５５の突起部５５ａによるウエハＷの保持箇所８０と異なるように搬送フォーク２５上に配置されている。すなわち、突起部２５ａは、搬送フォーク２５が所定の受け渡し位置においてウエハＷを静電チャック５５に受け渡す際に、上から見て突起部２５ａが静電チャック５５の突起部５５ａの位置と異なるように搬送フォーク２５上に配置されている。これにより、搬送フォーク２５の突起部２５ａによるウエハＷの保持箇所と静電チャック５５の突起部５５ａによるウエハＷの保持箇所は異なる。
【００５４】
本実施の形態によれば、搬送フォーク２５の複数の突起部２５ａが静電チャック５５の複数の突起部５５ａによるウエハＷの保持箇所８０と異なる保持箇所８１においてウエハＷを保持するので、搬送フォーク２５の複数の突起部２５ａによるウエハＷの保持箇所８１と静電チャック５５の複数の突起部５５ａによるウエハＷの保持箇所８０とが重なるのを防止することができる。その結果、ウエハＷが静電チャック５５に載置される際にウエハＷの保持箇所８０に付着するパーティクルに対して搬送フォーク２５が物理的に接触するのを防止することができ、当該パーティクルがウエハＷから剥離することを防止して、もって、基板処理装置内におけるパーティクルの発生を抑制することができる。
【００５５】
本実施の形態によれば、搬送フォーク２５において、静電チャック５５の突起部５５ａによるウエハＷの保持箇所８０と異なる保持箇所８１においてウエハＷを保持するように複数の突起部２５ａを有するが、静電チャック５５の突起部５５ａによるウエハＷの保持箇所に限られず、ウエハＷを保持する部材、例えば、ウエハＷをプリアライメントするオリエンタ１６においてウエハＷを保持するゴムピン等によるウエハＷの保持箇所と異なる保持箇所において突起部２５ａを有するのがよい。
【００５６】
図５（Ａ）は、図３の静電チャック５５及び搬送フォーク２５の変形例を示す平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）におけるＢ部の拡大図である。
【００５７】
図５に示すように、静電チャック３５５は、その吸着面の外周縁部に、ウエハＷを保持する第１の環状突起部３５５ａを有し、第１の環状突起部３５５ａの内側に第１の環状突起部３５５ａと同心円状に第２の環状突起部３５５ｂを有する。静電チャック３５５においてウエハＷはこの第１の環状突起部３５５ａ及び第２の環状突起部３５５ｂによって保持される。
【００５８】
一方、搬送フォーク３２５は、ウエハＷを保持する環状突起部３２５ａ（図５（Ｂ））を有しており、ウエハＷはこの環状突起部３２５ａによって保持される。環状突起部３２５ａは、搬送すべきウエハＷを保持するのに同心円状に十分な数だけ設けられる。
【００５９】
また、環状突起部３２５ａは、搬送フォーク３２５の環状突起部３２５ａによるウエハＷの保持箇所が静電チャック３５５の第１の環状突起部３５５ａ及び第２の環状突起部３５５ｂによるウエハＷの保持箇所と異なるように搬送フォーク３２５上に配置されている。すなわち、環状突起部３２５ａは、搬送フォーク３２５が所定の受け渡し位置においてウエハＷを静電チャック３５５に受け渡す際に、上から見て環状突起部３２５ａが静電チャック３５５の第１の環状突起部３５５ａ及び第２の環状突起部３５５ｂの位置と異なるように搬送フォーク３２５上に配置されている。これにより、搬送フォーク３２５の環状突起部３２５ａによるウエハＷの保持箇所と静電チャック３５５の第１の環状突起部３５５ａ及び第２の環状突起部３５５ｂによるウエハＷの保持箇所は異なる。
【００６０】
本実施の形態によれば、搬送フォーク３２５の環状突起部３２５ａが静電チャック３５５の第１の環状突起部３５５ａ及び第２の環状突起部３５５ｂによるウエハＷの保持箇所と異なる保持箇所においてウエハＷを保持するので、搬送フォーク３２５の環状突起部３２５ａによるウエハＷの保持箇所と静電チャック３５５の第１の環状突起部３５５ａ及び第２の環状突起部３５５ｂによるウエハＷの保持箇所とが重なるのを防止することができる。その結果、上述した実施の形態における効果と同様の効果を奏することができる。
【００６１】
さらに、本変形例における静電チャック３５５は、第１の環状突起部３５５ａ及び第２の環状突起部３５５ｂを有するので、静電チャック３５５とウエハＷ間の空間を第１の環状突起部３５５ａ及び第２の環状突起部３５５ｂによって二分割することができ、各空間内に伝熱ガス供給孔３５９から供給される伝熱ガスの圧力を個別に制御することもできる。
【００６２】
本変形例によれば、搬送フォーク３２５において、静電チャック３５５の第１の環状突起部３５５ａ及び第２の環状突起部３５５ｂによるウエハＷの保持箇所と異なる保持箇所においてウエハＷを保持するように環状突起部３２５ａを有するが、静電チャック３５５の第１の環状突起部３５５ａ及び第２の環状突起部３５５ｂによるウエハＷの保持箇所に限られず、ウエハＷを保持する部材、例えば、ウエハＷをプリアライメントするオリエンタ１６においてウエハＷを保持するゴムピン等によるウエハＷの保持箇所と異なる保持箇所において環状突起部３２５ａを有するのがよい。
【００６３】
上述した実施の形態に係る基板搬送装置を有する基板処理装置は、図１に示すような互いに平行に配されたプロセスシップを２つ備えるパラレルタイプの基板処理装置に限られず、図６に示すように、ウエハＷに所定の処理を施す真空処理室としての複数のプロセスユニットが放射状に配置された基板処理装置も該当する。
【００６４】
図６は、上述した実施の形態に係る基板搬送装置を有する基板処理装置の変形例の概略構成を示す平面図である。なお、図６においては、図１の基板処理装置１における構成要素と同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００６５】
図６において、基板処理システム１３７は、平面視六角形のトランスファユニット１３８と、該トランスファユニット１３８の周囲において放射状に配置された、ウエハＷに所定の処理を施す４つのプロセスユニット１３９〜１４２と、矩形状の共通搬送室としてのローダーユニット９と、トランスファユニット１３８及びローダーユニット９の間に配置され、トランスファユニット１３８及びローダーユニット９を連結する２つのロード・ロックユニット１４３，１４４とを備える。
【００６６】
トランスファユニット１３８及び各プロセスユニット１３９〜１４２は内部の圧力が真空に維持され、トランスファユニット１３８と各プロセスユニット１３９〜１４２とは、それぞれ真空ゲートバルブ１４５〜１４８を介して接続される。
【００６７】
基板処理システム１３７では、ローダーユニット９の内部圧力が大気圧に維持される一方、トランスファユニット１３８の内部圧力は真空に維持される。そのため、各ロード・ロックユニット１４３，１４４は、それぞれトランスファユニット１３８との連結部に真空ゲートバルブ１４９，１５０を備えると共に、ローダーユニット９との連結部に大気ドアバルブ１５１，１５２を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。また、各ロード・ロックユニット１４３，１４４はローダーユニット９及びトランスファユニット１３８の間において受渡されるウエハＷを一時的に載置するためのウエハ載置台１５３，１５４を有する。
【００６８】
トランスファユニット１３８はその内部に配置された屈伸及び旋回自在になされたフロッグレッグタイプの本実施の形態に係る搬送アーム１５５を有し、該搬送アーム１５５は、各プロセスユニット１３９〜１４２や各ロード・ロックユニット１４３，１４４の間においてウエハＷを搬送する。
【００６９】
各プロセスユニット１３９〜１４２は、それぞれ処理が施されるウエハＷを載置する載置台（図示しない）を有する。ここで、プロセスユニット１３９〜１４２は基板処理装置１におけるプロセスシップ１１と同様の構成を有する。
【００７０】
なお、基板処理システム１３７における各構成要素の動作は、基板処理装置１におけるシステムコントローラと同様の構成を有するシステムコントローラによって制御される。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本実施の形態に係る基板搬送装置を有する基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】ウエハＷにＲＩＥ処理を施すプロセスシップの概略構成を示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、本実施の形態における静電チャック及び搬送フォークの平面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。
【図４】ウエハＷを保持した静電チャック及び搬送フォークの側面図である。
【図５】図５（Ａ）は、図３の静電チャック及び搬送フォークの変形例を示す平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）におけるＢ部の拡大図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る基板搬送装置を有する基板処理装置の変形例の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７２】
Ｗ  ウエハ
１  基板処理装置
１１  プロセスシップ
１２  処理チャンバ
１７  搬送アーム
１９  搬送アーム機構
２５，３２５  搬送フォーク
２５ａ，５５ａ  突起部
５５，３５５  静電チャック
３２５ａ  環状突起部
３５５ａ  第１の環状突起部
３５５ｂ  第２の環状突起部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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