(57)【要約】【課題】  外乱振動の影響を受けることなく感光材料を露光して高画質の画像を得る。【解決手段】マイクロレンズアレイ駆動装置は、変位センサ１９２、１９４、１９６の少なくとも１つが外乱振動による変位を検出すると、その外乱振動による露光位置のずれを打ち消す方向にマイクロレンズアレイ５５を平行移動させる。このとき更に、光透過平板駆動装置は、外乱振動による露光位置のずれを打ち消す方向に光透過平板と露光面とのなす角を変化させながら、光透過平板を回転させる。【選択図】図１６
2007101730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射された光を２次元状に配列された各々の画素部で変調する空間光変調素子と、
前記空間光変調素子に光を照射する光源と、
前記空間光変調素子を経た光を集光して、前記画素部の像をそれぞれ結像する第１の光学系と、
前記第１の光学系を経た前記画素部からの光束を複数２次元状に配列された各々のマイクロレンズで感光材料上に結像させるマイクロレンズアレイと、
外乱振動によって生じる前記感光材料と前記マイクロレンズアレイからの光との相対的な位置ずれを検出する位置ずれ検出手段と、
前記位置ずれ検出手段により検出された位置ずれに基づいて、前記マイクロレンズアレイを移動させるマイクロレンズアレイ移動手段と、
を備えた画像露光装置。
【請求項２】
前記マイクロレンズアレイによって結像された像を前記感光材料上に結像投影する第２の光学系を更に備えた
請求項１に記載の画像露光装置。
【請求項３】
前記第１の光学系からの光を透過して前記マイクロレンズアレイに入射させる光透過平板と、
前記位置ずれ検出手段により検出された位置ずれに基づいて、前記光透過平板と前記マイクロレンズアレイとのなす角が変化するよう、前記光透過平板を傾斜させる光透過平板傾斜手段と、を更に備えた
請求項１または請求項２に記載の画像露光装置。
【請求項４】
前記マイクロレンズアレイの各々のマイクロレンズの外周領域を遮光するマスクが形成されたアパーチャアレイを更に備え、
前記マイクロレンズアレイ移動手段は、前記位置ずれ検出手段により検出された位置ずれに基づいて、前記マイクロレンズアレイと共に前記アパーチャアレイを移動させる
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の画像露光装置。
【請求項５】
前記アパーチャアレイは、前記マイクロレンズアレイの光入射側又は光出射側に、前記マイクロレンズアレイと一体に形成されている
請求項４に記載の画像露光装置。
【請求項６】
前記マイクロレンズアレイは、光入射側、光出射側の少なくとも一方に、各々のマイクロレンズの外周領域を遮光するマスクを形成した
請求項１または請求項２に記載の画像露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像露光装置に係り、特に、空間光変調素子で変調された光による像を感光材料に結像させて感光材料を露光する画像露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、空間光変調素子で変調された光を結像光学系に通し、この光による像を所定の感光材料上に結像して該感光材料を露光する画像露光装置が公知となっている。この種の画像露光装置は、基本的に、照射された光を各々制御信号に応じて変調する画素部が複数並設されてなる空間光変調素子と、この空間光変調素子に光を照射する光源と、前記空間光変調素子により変調された光による像を感光材料上に結像する結像光学系とを備えてなるものである。
【０００３】
この種の画像露光装置において、上記空間光変調素子として、例えばＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）等が好適に用いられ得る。なお上記のＤＭＤは、制御信号に応じて反射面の角度を変化させる多数の矩形のマイクロミラーが、シリコン等の半導体基板上に２次元状に配列されてなるミラーデバイスであり、そこでは、上記マイクロミラーが反射型の画素部として作用する。
【０００４】
上述のような画像露光装置においては、感光材料に投影する画像を拡大したいという要求が伴うことも多く、その場合には、結像光学系として拡大結像光学系が用いられる。そのようにする際、空間光変調素子を経た光をただ拡大結像光学系に通しただけでは、空間光変調素子の各画素部からの光束が拡大して、投影された画像において画素サイズが大きくなり、画像の鮮鋭度が低下してしまう。
【０００５】
そこで、空間光変調素子で変調された光の光路に第１の結像光学系を配し、この結像光学系を経た、空間光変調素子の各画素部の光束にそれぞれ対応するマイクロレンズがアレイ状に配されてなるマイクロレンズアレイを配置し、そしてこのマイクロレンズアレイを通過した光の光路には、変調された光による像を感光材料やスクリーン上に結像する第２の結像光学系を配置して、これら第１および第２の結像光学系によって像を拡大投影することが考えられている。この構成においては、感光材料やスクリーン上に投影される画像のサイズは拡大される一方、空間光変調素子の各画素部からの光はマイクロレンズアレイの各マイクロレンズによって集光されるので、投影画像における画素サイズ（スポットサイズ）は絞られて小さく保たれるので、画像の鮮鋭度も高く保つことができる。
【０００６】
なお特許文献１には、空間光変調素子としてＤＭＤを用い、それとマイクロレンズアレイとを組み合わせてなる画像露光装置の一例が示されている。
【０００７】
また特許文献２には、同種の画像露光装置において、マイクロレンズアレイの後側にマイクロレンズアレイの各マイクロレンズと対応するアパーチャ（開口）を有するアパーチャアレイ（開口板）を配置して、対応するマイクロレンズを経た光のみが開口を通過するようにした構成が示されている。この構成においては、開口板の各開口に、それと対応しない隣接のマイクロレンズからの光が入射することが防止されるので、隣接画素への迷光の入射を抑制できる。また、ＤＭＤの画素（マイクロミラー）をオフ状態にして露光面上に光が照射されないようにする場合であっても、露光面上に僅かな光が入射することがあるが、上記構成とすることで、ＤＭＤ画素がオフ状態にある時の露光面上の光量を低減することができる。
【特許文献１】特開２００１−３０５６６３号公報
【特許文献２】特開２００４−１２２４７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のＤＭＤのように反射型の画素部を有する空間光変調素子とマイクロレンズアレイと結像光学系とを組み合わせてなる従来の画像露光装置においては、結像光学系によって前記マイクロミラー等の画素部の像を結像させ、その結像位置付近にマイクロレンズアレイの各マイクロレンズが位置するように構成されている。
【０００９】
このような構成の画像露光装置は、約３μｍのビームで感光材料を露光する。しかし、外乱振動が加わると、露光ヘッドと感光材料を保持するステージとの相対位置が約１〜２μｍずれてしまい、感光材料上に正しい像が形成されなくなってしまう問題がある。
【００１０】
このような問題に対処するために、露光により得られた画像データをソフトウエアで補正することが考えられる。しかし、ソフトウエアで補正する処理は複雑で、かつ高タクト化に対して処理時間をさくことができない。
【００１１】
本発明は、上述した課題を解決するために提案されたものであり、外乱振動の影響を受けることなく感光材料を露光して高画質の画像を得ることができる画像露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の画像露光装置は、照射された光を２次元状に配列された各々の画素部で変調する空間光変調素子と、前記空間光変調素子に光を照射する光源と、前記空間光変調素子を経た光を集光して、前記画素部の像をそれぞれ結像する第１の光学系と、前記第１の光学系を経た光束を複数２次元状に配列された各々のマイクロレンズで感光材料上に結像させるマイクロレンズアレイと、外乱振動によって生じる前記感光材料と前記マイクロレンズアレイからの光との相対的な位置ずれを検出する位置ずれ検出手段と、前記位置ずれ検出手段により検出された位置ずれに基づいて、前記マイクロレンズアレイを移動させるマイクロレンズアレイ移動手段と、を備えたものである。
【００１３】
外乱振動が生じると、光源や光学系等を有する露光側と感光材料との間で相対的な位置がずれてしまい、感光材料上の光の位置ずれが生じる。そこで、画像露光装置は、外乱振動によって生じる感光材料と前記マイクロレンズアレイからの光との相対的な位置ずれを検出する位置ずれ検出手段と、位置ずれ検出手段により検出された位置ずれに基づいて、マイクロレンズアレイを移動させるマイクロレンズアレイ移動手段と、を備えることにより、外乱振動の影響を受けることなく感光材料を露光して高画質の画像を得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る画像露光装置は、外乱振動の影響を受けることなく感光材料を露光して高画質の画像を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［第１の実施形態］
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。まず、本発明の第１の実施形態による画像露光装置について説明する。
（画像露光装置の構成）
この画像露光装置は、図１に示すように、シート状の感光材料１５０を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ１５２を備えている。４本の脚部１５４に支持された厚い板状の設置台１５６の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた２本のガイド１５８が設置されている。ステージ１５２は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド１５８によって往復移動可能に支持されている。なお、この画像露光装置には、副走査手段としてのステージ１５２をガイド１５８に沿って駆動する後述のステージ駆動装置３０４（図１５参照）が設けられている。
【００１６】
設置台１５６の中央部には、ステージ１５２の移動経路を跨ぐようにコ字状のゲート１
６０が設けられている。コ字状のゲート１６０の端部の各々は、設置台１５６の両側面に固定されている。このゲート１６０を挟んで一方の側にはスキャナ１６２が設けられ、他方の側には感光材料１５０の先端および後端を検知する複数（例えば２個）のセンサ１６４が設けられている。スキャナ１６２およびセンサ１６４はゲート１６０に各々取り付けられて、ステージ１５２の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ１６２およびセンサ１６４は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。
【００１７】
スキャナ１６２は、図２および図３（Ｂ）に示すように、ｍ行ｎ列（例えば３行５列）の略マトリックス状に配列された複数（例えば１４個）の露光ヘッド１６６を備えている。この例では、感光材料１５０の幅との関係で、３行目には４個の露光ヘッド１６６を配置してある。なお、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド１６６mnと表記する。
【００１８】
露光ヘッド１６６による露光エリア１６８は、副走査方向を短辺とする矩形状である。従って、ステージ１５２の移動に伴い、感光材料１５０には露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。なお、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア１６８mnと表記する。
【００１９】
また、図３（Ａ）および（Ｂ）に示すように、帯状の露光済み領域１７０が副走査方向と直交する方向に隙間無く並ぶように、ライン状に配列された各行の露光ヘッドの各々は、配列方向に所定間隔（露光エリアの長辺の自然数倍、本例では２倍）ずらして配置されている。このため、１行目の露光エリア１６８11と露光エリア１６８12との間の露光できない部分は、２行目の露光エリア１６８21と３行目の露光エリア１６８31とにより露光することができる。
【００２０】
露光ヘッド１６６11〜１６６mnの各々は、図４に示すように、入射された光ビームを画像データに応じて各画素毎に変調する空間光変調素子として、米国テキサス・インスツルメンツ社製のデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）５０を備えている。このＤＭＤ５０は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた後述のコントローラ３０２（図１５参照）に接続されている。このコントローラ３０２のデータ処理部は、入力された画像データに基づいて、露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。また、ミラー駆動制御部は、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。
【００２１】
ＤＭＤ５０の光入射側には、光ファイバの出射端部（発光点）が露光エリア１６８の長辺方向と対応する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源６６、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光を補正してＤＭＤ上に集光させるレンズ系６７、このレンズ系６７を透過したレーザ光をＤＭＤ５０に向けて反射するミラー６９がこの順に配置されている。なお図４では、レンズ系６７を概略的に示してある。
【００２２】
上記レンズ系６７は、図５に詳しく示すように、ファイバアレイ光源６６から出射した照明光としてのレーザ光Ｂを集光する集光レンズ７１、この集光レンズ７１を通過した光の光路に挿入されたロッド状オプティカルインテグレータ（以下、ロッドインテグレータという）７２、およびこのロッドインテグレータ７２の前方つまりミラー６９側に配置された結像レンズ７４から構成されている。集光レンズ７１、ロッドインテグレータ７２および結像レンズ７４は、ファイバアレイ光源６６から出射したレーザ光を、平行光に近くかつビーム断面内強度が均一化された光束としてＤＭＤ５０に入射させる。
【００２３】
上記レンズ系６７から出射したレーザ光Ｂはミラー６９で反射し、ＴＩＲ（全反射）プリズム７０を介してＤＭＤ５０に照射される。なお図４では、このＴＩＲプリズム７０は省略してある。
【００２４】
またＤＭＤ５０の光反射側には、ＤＭＤ５０で反射されたレーザ光Ｂによる像を、感光材料１５０上に結像する光学系５１が配置されている。この光学系５１は、図５に示すように、レンズ系５２，５４からなる第１光学系と、マイクロレンズアレイ５５と、レンズ系５４とマイクロレンズアレイ５５との間に設けられた光透過平板８０と、を備えている。
【００２５】
マイクロレンズアレイ５５の各マイクロレンズ５５ａによる集光位置に感光材料１５０が配置され、該マイクロレンズアレイ５５が集光した像が直接この感光材料１５０に露光されるようになっている。
【００２６】
本実施形態においては、マイクロレンズアレイ５５の各マイクロレンズ５５ａが、レンズ系５２，５４によるマイクロミラー６２の結像位置から外れた、該マイクロミラー６２およびレンズ系５２，５４による集光位置に配されているので、ＤＭＤ５０とマイクロレンズアレイ５５とが多少位置ずれを起こしても、光利用効率および消光比が高く保たれる。
【００２７】
光透過平板８０は、例えばＢＫ７で構成され、所定の厚みを有した平板である。光透過平板８０は、露光面やマイクロレンズアレイ５５の面に平行に配置されているが、後述する光透過平板駆動装置によって露光面とのなす角が調整可能になっている。
【００２８】
ＤＭＤ５０は図６に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）６０上に、各々画素（ピクセル）を構成する多数（例えば１０２４個×７６８個）の微小ミラー（マイクロミラー）６２が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。各ピクセルにおいて、最上部には支柱に支えられた矩形のマイクロミラー６２が設けられており、マイクロミラー６２の表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、マイクロミラー６２の反射率は９０％以上であり、そのサイズは縦方向、横方向とも一例として１３μｍ、配列ピッチは縦方向、横方向とも一例として１３．７μｍである。また各マイクロミラー６２は、後述する方法によって、集光機能を有する凹面鏡状に形成されている。また、マイクロミラー６２の直下には、ヒンジおよびヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのＣＭＯＳのＳＲＡＭセル６０が配置されており、全体はモノリシックに構成されている。
【００２９】
ＤＭＤ５０のＳＲＡＭセル６０にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられたマイクロミラー６２が、対角線を中心としてＤＭＤ５０が配置された基板側に対して±α度（例えば±１２度）の範囲で傾けられる。図７（Ａ）は、マイクロミラー６２がオン状態である＋α度に傾いた状態を示し、図７（Ｂ）は、マイクロミラー６２がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。したがって、画像信号に応じて、ＤＭＤ５０の各ピクセルにおけるマイクロミラー６２の傾きを、図６に示すように制御することによって、ＤＭＤ５０に入射したレーザ光Ｂはそれぞれのマイクロミラー６２の傾き方向へ反射される。
【００３０】
なお図６には、ＤＭＤ５０の一部を拡大し、マイクロミラー６２が＋α度又は−α度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー６２のオンオフ制御は、ＤＭＤ５０に接続された前記コントローラ３０２によって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー６２で反射したレーザ光Ｂが進行する方向には、光吸収体（図示せず）が配置されている。
【００３１】
図５に示したマイクロレンズアレイ５５は、ＤＭＤ５０の各画素、つまり各マイクロミラー６２に対応する多数のマイクロレンズ５５ａが２次元状に配列されてなるものである。各マイクロレンズ５５ａは、それぞれ対応するマイクロミラー６２からのレーザ光Ｂが入射する位置において、レンズ系５２，５４によるマイクロミラー６２の結像位置から外れた、該マイクロミラー６２およびレンズ系５２，５４による集光位置に配されている。本例では、後述するようにＤＭＤ５０の１０２４個×７６８列のマイクロミラーのうち１０２４個×２５６列だけが駆動されるので、それに対応させてマイクロレンズ５５ａは１０２４個×２５６列配置されている。またマイクロレンズ５５ａのサイズは縦方向、横方向とも４１μｍである。このマイクロレンズ５５ａは、一例として焦点距離が０．２３ｍｍ、ＮＡ（開口数）が０．０６で、石英ガラスから形成されている。なお同図中において、感光材料１５０は矢印Ｆ方向に副走査送りされる。
【００３２】
ここでＤＭＤ５０は、その短辺が副走査方向と所定角度θ（例えば、０．１°〜５°）を成すように僅かに傾斜させて配置するのが好ましい。図８（Ａ）はＤＭＤ５０を傾斜させない場合の各マイクロミラーによる反射光像（露光ビーム）５３の走査軌跡を示し、図８（Ｂ）はＤＭＤ５０を傾斜させた場合の露光ビーム５３の走査軌跡を示している。
【００３３】
ＤＭＤ５０には、長手方向にマイクロミラーが多数個（例えば１０２４個）配列されたマイクロミラー列が、短手方向に多数組（例えば７５６組）配列されているが、図８（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０を傾斜させることにより、各マイクロミラーによる露光ビーム５３の走査軌跡（走査線）のピッチＰ１が、ＤＭＤ５０を傾斜させない場合の走査線のピッチＰ２より狭くなり、解像度を大幅に向上させることができる。一方、ＤＭＤ５０の傾斜角は微小であるので、ＤＭＤ５０を傾斜させた場合の走査幅Ｗ２と、ＤＭＤ５０を傾斜させない場合の走査幅Ｗ１とは略同一である。
【００３４】
また、異なるマイクロミラー列により同じ走査線上が重ねて露光（多重露光）されることになる。このように、多重露光されることで、露光位置の微少量をコントロールすることができ、高精細な露光を実現することができる。また、主走査方向に配列された複数の露光ヘッドの間のつなぎ目を微少量の露光位置制御により段差無くつなぐことができる。
【００３５】
なお、ＤＭＤ５０を傾斜させる代わりに、各マイクロミラー列を副走査方向と直交する方向に所定間隔ずらして千鳥状に配置しても、同様の効果を得ることができる。
【００３６】
ファイバアレイ光源６６は、図９（Ａ）に示すように、複数（例えば１４個）のレーザモジュール６４を備えており、各レーザモジュール６４には、マルチモード光ファイバ３０の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ３０の他端には、コア径がマルチモード光ファイバ３０と同一で且つクラッド径がマルチモード光ファイバ３０より小さい光ファイバ３１が結合されている。図９（Ｂ）に詳しく示すように、マルチモード光ファイバ３１の光ファイバ３０と反対側の端部は副走査方向と直交する主走査方向に沿って７個並べられ、それが２列に配列されてレーザ出射部６８が構成されている。
【００３７】
マルチモード光ファイバ３１の端部で構成されるレーザ出射部６８は、図９（Ｂ）に示すように、表面が平坦な２枚の支持板６５に挟み込まれて固定されている。また、マルチモード光ファイバ３１の光出射端面には、その保護のために、ガラス等の透明な保護板が配置されるのが望ましい。マルチモード光ファイバ３１の光出射端面は、光密度が高いため集塵し易く劣化し易いが、上述のような保護板を配置することにより、端面への塵埃の付着を防止し、また劣化を遅らせることができる。
【００３８】
本例では図１０に示すように、クラッド径が大きいマルチモード光ファイバ３０のレーザ光出射側の先端部分に、長さ１〜３０ｃｍ程度のクラッド径が小さい光ファイバ３１が
同軸的に結合されている。それらの光ファイバ３０，３１は、それぞれのコア軸が一致する状態で光ファイバ３１の入射端面を光ファイバ３０の出射端面に融着することにより結合されている。上述した通り、光ファイバ３１のコア３１ａの径は、マルチモード光ファイバ３０のコア３０ａの径と同じ大きさである。
【００３９】
マルチモード光ファイバ３０および光ファイバ３１としては、ステップインデックス型光ファイバ、グレーデッドインデックス型光ファイバ、および複合型光ファイバの何れも適用可能である。例えば、三菱電線工業株式会社製のステップインデックス型光ファイバを用いることができる。本例において、マルチモード光ファイバ３０および光ファイバ３１はステップインデックス型光ファイバであり、マルチモード光ファイバ３０は、クラッド径＝１２５μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２、入射端面コートの透過率＝９９．５％以上であり、光ファイバ３１は、クラッド径＝６０μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２である。
【００４０】
ただし、光ファイバ３１のクラッド径は６０μｍには限定されない。従来のファイバ光源に使用されている多くの光ファイバのクラッド径は１２５μｍであるが、クラッド径が小さくなるほど焦点深度がより深くなるので、マルチモード光ファイバのクラッド径は８０μｍ以下が好ましく、６０μｍ以下がより好ましい。一方、シングルモード光ファイバの場合、コア径は少なくとも３〜４μｍ必要であることから、光ファイバ３１のクラッド径は１０μｍ以上が好ましい。また、光ファイバ３０のコア径と光ファイバ３１のコア径を一致させることが、結合効率の点から好ましい。
【００４１】
なお本発明においては、上述のようにクラッド径が互いに異なる２つの光ファイバ３０、３１を融着（いわゆる異径融着）して用いることは必ずしも必要ではなく、クラッド径が一定の光ファイバ（例えば図９ａの例ならば光ファイバ３０）を複数本そのままバンドル状に束ねてファイバアレイ光源を構成してもよい。
【００４２】
レーザモジュール６４は、図１１に示す合波レーザ光源（ファイバ光源）によって構成されている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック１０上に配列固定された複数（例えば７個）のチップ状の横マルチモード又はシングルモードのＧａＮ系半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６，およびＬＤ７と、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各々に対応して設けられたコリメータレンズ１１，１２，１３，１４，１５，１６および１７と、１つの集光レンズ２０と、１本のマルチモード光ファイバ３０とから構成されている。なお、半導体レーザの個数は７個に限定されるものではなく、その他の個数が採用されてもよい。また、上述のような７個のコリメータレンズ１１〜１７に代えて、それらのレンズが一体化されてなるコリメータレンズアレイを用いることもできる。
【００４３】
ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、発振波長がほぼ共通（例えば、４０５ｎｍ）であり、最大出力も総てほぼ共通（例えばマルチモードレーザでは１００ｍＷ、シングルモードレーザでは５０ｍＷ程度）である。なお、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各出力は、最大出力以下で、互いに異なっていても構わない。また、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長範囲において、上記４０５ｎｍ以外の波長で発振するレーザを用いてもよい。
【００４４】
上記の合波レーザ光源は、図１２および図１３に示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状のパッケージ４０内に収納されている。パッケージ４０は、その開口を閉じるように作成されたパッケージ蓋４１を備えており、脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ４０の開口をパッケージ蓋４１で閉じることにより、それらによって形成される閉空間（封止空間）内に上記合波レーザ光源が気密封止されている。
【００４５】
パッケージ４０の底面にはベース板４２が固定されており、このベース板４２の上面には、前記ヒートブロック１０と、集光レンズ２０を保持する集光レンズホルダー４５と、マルチモード光ファイバ３０の入射端部を保持するファイバホルダー４６とが取り付けられている。マルチモード光ファイバ３０の出射端部は、パッケージ４０の壁面に形成された開口からパッケージ外に引き出されている。
【００４６】
また、ヒートブロック１０の側面にはコリメータレンズホルダー４４が取り付けられており、そこにコリメータレンズ１１〜１７が保持されている。パッケージ４０の横壁面には開口が形成され、この開口を通してＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７に駆動電流を供給する配線４７がパッケージ外に引き出されている。
【００４７】
なお、図１３においては、図の煩雑化を避けるために、複数のＧａＮ系半導体レーザのうちＧａＮ系半導体レーザＬＤ７にのみ番号を付し、複数のコリメータレンズのうちコリメータレンズ１７にのみ番号を付している。
【００４８】
図１４は、上記コリメータレンズ１１〜１７の取り付け部分の正面形状を示すものである。コリメータレンズ１１〜１７の各々は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取った形状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズは、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することによって形成することができる。コリメータレンズ１１〜１７は、長さ方向がＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の発光点の配列方向（図１４の左右方向）と直交するように、上記発光点の配列方向に密接配置されている。
【００４９】
一方ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、発光幅が２μｍの活性層を備え、活性層と平行な方向、直角な方向の拡がり角が各々例えば１０°、３０°の状態で各々レーザ光Ｂ１〜Ｂ７を発するレーザが用いられている。これらＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、活性層と平行な方向に発光点が１列に並ぶように配設されている。
【００５０】
したがって、各発光点から発せられたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７は、上述のように細長形状の各コリメータレンズ１１〜１７に対して、拡がり角度が大きい方向が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向（長さ方向と直交する方向）と一致する状態で入射することになる。つまり、各コリメータレンズ１１〜１７の幅が１．１ｍｍ、長さが４．６ｍｍであり、それらに入射するレーザ光Ｂ１〜Ｂ７の水平方向、垂直方向のビーム径は各々０．９ｍｍ、２．６ｍｍである。また、コリメータレンズ１１〜１７の各々は、焦点距離ｆ１＝３ｍｍ、ＮＡ＝０．６、レンズ配置ピッチ＝１．２５ｍｍである。
【００５１】
集光レンズ２０は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取って、コリメータレンズ１１〜１７の配列方向、つまり水平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成されている。この集光レンズ２０は、焦点距離ｆ２＝２３ｍｍ、ＮＡ＝０．２である。この集光レンズ２０も、例えば樹脂又は光学ガラスをモールド成形することにより形成される。
【００５２】
次に図１５を参照して、本例の画像露光装置における電気的な構成について説明する。ここに示されるように全体制御部３００には変調回路３０１が接続され、該変調回路３０１にはＤＭＤ５０を制御するコントローラ３０２が接続されている。また全体制御部３００には、レーザモジュール６４を駆動するＬＤ駆動回路３０３、ステージ１５２を駆動するステージ駆動装置３０４が接続されている。全体制御部３００には、さらに、マイクロレンズアレイ５５を露光面に対して平行な方向に移動させるマイクロレンズアレイ駆動装置３０５、マイクロレンズアレイ５５とのなす角が変化する光透過平板８０を傾斜させる光透過平板駆動装置３０６、外乱振動を検出するための変位センサ１９２、１９４、１９６が接続されている。
【００５３】
図１６に示すように、変位センサ１９２は、感光材料１５０と露光ヘッドとのｘ方向の相対位置を測定する。変位センサ１９４、１９６は、感光材料１５０と露光ヘッドとのｙ方向の相対位置を測定する。変位センサ１９２、１９４、１９６は、本実施形態ではレーザ測長器であり、スキャナ１６２と剛体的に運動可能なように不図示の指示部材により固定されている。
【００５４】
変位センサ１９２は、ステージ１５２のｙ方向に平行な側面に設けられたバー状のミラー１９３に対応する位置に配置され、ミラー１９３による反射を利用して位置測定を行う。変位センサ１９４、１９６は、それぞれステージ１５２のｘ方向に平行な辺の両端近傍に設けられた２つのミラー１９５、１９７による反射を利用して位置測定を行う。
【００５５】
変位センサ１９２、１９４、１９６は、感光材料１５０に対する露光ヘッドの相対位置を測定し、その測定情報を図１５に示す全体制御部３００へ出力する。測定情報には、ｘ方向位置、２つのｙ方向位置が含まれる。
【００５６】
全体制御部３００は、測定情報からステージ１５２のｘ方向及びｙ方向の位置、ステージ１５２の姿勢（ｚ軸周りの回転角）を算出して、感光材料１５０に対する露光ヘッドのｘ方向及びｙ方向の相対的な位置のずれを求め、その相対的な位置ずれを補正するためのｘ方向及びｙ方向のシフト量を算出する。そして、全体制御部３００は、シフト量に基づいて、マイクロレンズアレイ駆動装置３０５及び/又は光透過平板駆動装置３０６を制御する。
（画像露光装置の動作）
次に、上記画像露光装置の動作について説明する。スキャナ１６２の各露光ヘッド１６６において、ファイバアレイ光源６６の合波レーザ光源を構成するＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７（図１１参照）の各々から発散光状態で出射したレーザ光Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，およびＢ７の各々は、対応するコリメータレンズ１１〜１７によって平行光化される。平行光化されたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７は、集光レンズ２０によって集光され、マルチモード光ファイバ３０のコア３０ａの入射端面上で収束する。
【００５７】
本例では、コリメータレンズ１１〜１７および集光レンズ２０によって集光光学系が構成され、その集光光学系とマルチモード光ファイバ３０とによって合波光学系が構成されている。すなわち、集光レンズ２０によって上述のように集光されたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７が、このマルチモード光ファイバ３０のコア３０ａに入射して光ファイバ内を伝搬し、１本のレーザ光Ｂに合波されてマルチモード光ファイバ３０の出射端部に結合された光ファイバ３１から出射する。
【００５８】
各レーザモジュールにおいて、レーザ光Ｂ１〜Ｂ７のマルチモード光ファイバ３０への結合効率が０．９で、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各出力が５０ｍＷの場合には、アレイ状に配列された光ファイバ３１の各々について、出力３１５ｍＷ（＝５０ｍＷ×０．９×７）の合波レーザ光Ｂを得ることができる。したがって、１４本のマルチモード光ファイバ３１全体では、４．４Ｗ（＝０．３１５Ｗ×１４）の出力のレーザ光Ｂが得られる。
【００５９】
画像露光に際しては、図１５に示す変調回路３０１から露光パターンに応じた画像データがＤＭＤ５０のコントローラ３０２に入力され、そのフレームメモリに一旦記憶される。この画像データは、画像を構成する各画素の濃度を２値（ドットの記録の有無）で表したデータである。
【００６０】
感光材料１５０を表面に吸着したステージ１５２は、図１５に示すステージ駆動装置３０４により、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の上流側から下流側に一定速度で移動される。ステージ１５２がゲート１６０下を通過する際に、ゲート１６０に取り付けられたセンサ１６４により感光材料１５０の先端が検出されると、フレームメモリに記憶された画像データが複数ライン分ずつ順次読み出され、データ処理部で読み出された画像データに基づいて各露光ヘッド１６６毎に制御信号が生成される。そして、ミラー駆動制御部により、生成された制御信号に基づいて各露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０のマイクロミラーの各々がオンオフ制御される。
【００６１】
ファイバアレイ光源６６からＤＭＤ５０にレーザ光Ｂが照射されると、ＤＭＤ５０のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、レンズ系５１により感光材料１５０上に結像される。このようにして、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光が画素毎にオンオフされて、感光材料１５０がＤＭＤ５０の使用画素数と略同数の画素単位（露光エリア１６８）で露光される。また、感光材料１５０がステージ１５２と共に一定速度で移動されることにより、感光材料１５０がスキャナ１６２によりステージ移動方向と反対の方向に副走査され、各露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。
【００６２】
このとき、図１７（Ａ）に示すように、光透過平板８０は、露光面に平行に配置されている。よって、図５に示すレンズ系５４からの光は、光透過平板８０をそのまま透過して、マイクロレンズアレイ５５の各マイクロレンズ５５ａによって感光材料１５０上に結像される。しかし、外部から外乱振動が加わると、ステージ５５と光学系にずれが生じてしまい、露光位置がずれてしまう。
【００６３】
そこで、図１５に示すマイクロレンズアレイ駆動装置３０５は、変位センサ１９２、１９４、１９６の少なくとも１つが外乱振動による変位を検出すると、図１７（Ｂ）に示すように、その外乱振動による露光位置のずれを打ち消す方向にマイクロレンズアレイ５５を平行移動させる。これにより、露光位置のずれを補正できるので、外乱振動の影響を受けることなく、高画質の画像を形成することができる。
【００６４】
このとき更に、光透過平板駆動装置３０６は、図１７（Ｂ）に示すように、外乱振動による露光位置のずれを打ち消す方向に光透過平板８０と露光面とのなす角を変化させながら、光透過平板８０を傾斜させる。これにより、光透過平板８０に入射した光は、光透過平板８０内で屈折して、水平方向にシフトした状態で光透過平板８０から出射する。このため、光透過平板駆動装置３０６は、外乱振動による露光位置を打ち消す方向に光透過平板８０を傾斜移動させることにより、露光位置のずれを補正できる。
【００６５】
なお本例では、図１８（Ａ）および（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０には、主走査方向にマイクロミラーが１０２４個配列されたマイクロミラー列が副走査方向に７６８組配列されているが、本例では、コントローラ３０２により一部のマイクロミラー列（例えば、１０２４個×２５６列）だけが駆動するように制御がなされる。
【００６６】
この場合、図１８（Ａ）に示すようにＤＭＤ５０の中央部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよく、図１８（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０の端部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよい。また、一部のマイクロミラーに欠陥が発生した場合は、欠陥が発生していないマイクロミラー列を使用するなど、状況に応じて使用するマイクロミラー列を適宜変更してもよい。
【００６７】
ＤＭＤ５０のデータ処理速度には限界があり、使用する画素数に比例して１ライン当りの変調速度が決定されるので、一部のマイクロミラー列だけを使用することで１ライン当りの変調速度が速くなる。一方、連続的に露光ヘッドを露光面に対して相対移動させる露光方式の場合には、副走査方向の画素を全部使用する必要はない。
【００６８】
スキャナ１６２による感光材料１５０の副走査が終了し、センサ１６４で感光材料１５０の後端が検出されると、ステージ１５２は、ステージ駆動装置３０４により、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の最上流側にある原点に復帰し、再度、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の上流側から下流側に一定速度で移動される。
【００６９】
次に、図５に示したファイバアレイ光源６６、集光レンズ７１、ロッドインテグレータ７２、結像レンズ７４、ミラー６９およびＴＩＲプリズム７０から構成されてＤＭＤ５０に照明光としてのレーザ光Ｂを照射する照明光学系について説明する。ロッドインテグレータ７２は例えば四角柱状に形成された透光性ロッドであり、その内部をレーザ光Ｂが全反射しながら進行するうちに、該レーザ光Ｂのビーム断面内強度分布が均一化される。なお、ロッドインテグレータ７２の入射端面、出射端面には反射防止膜がコートされて、透過率が高められている。以上のようにして、照明光であるレーザ光Ｂのビーム断面内強度分布を高度に均一化できれば、照明光強度の不均一を無くして、高精細な画像を感光材料１５０に露光可能となる。
【００７０】
そして本装置において、図５に示したマイクロレンズアレイ５５の各マイクロレンズ５５ａは、レンズ系５２，５４によるマイクロミラー６２の結像位置から外れた、該マイクロミラー６２およびレンズ系５２，５４による集光位置に配されているので、ＤＭＤ５０とマイクロレンズアレイ５５とが多少位置ずれを起こしても、光利用効率および消光比が高く保たれる。
【００７１】
以上のように、第１の実施形態に係る画像露光装置は、外乱振動によってレーザ光の露光位置とステージ１５２上の位置との間に相対的なずれが生じた場合であっても、外乱振動に基づいてマイクロレンズアレイ５５を露光面に対して平行に移動させる共にアパーチャアレイ５９も平行に移動させることにより、露光位置のずれを補正して感光材料を露光し、高画質の画像を得ることができる。
【００７２】
なお、本実施形態の画像露光装置は、図５に示す光学系５１に変えて、図１９に示すような光学系５１を備えてもよい。この光学系５１は、図１９に詳細を示すように、レンズ系５２，５４からなる第１光学系と、マイクロレンズアレイ５５と、アパーチャアレイ５９とから構成されている。すなわち、光学系５１は、図５に示す構成に加えて、マイクロレンズアレイ５５と感光材料１５０との間に設けられたアパーチャアレイ５９を更に備えている。
【００７３】
アパーチャアレイ５９は、遮光性部材５９ｂに、マイクロレンズアレイ５５の各マイクロレンズ５５ａに対応する多数のアパーチャ（開口）５９ａが形成されてなるものである。すなわち、アパーチャアレイ５９は、２次元状に配列された複数の円形アパーチャ（開口）５９ａを有している。
【００７４】
このようなアパーチャアレイ５９を備えた画像露光装置は、さらにビーム形状を整形して感光材料を露光して高画質の画像を得ることができる。
【００７５】
また、図１９に示す光学系５１に変えて、図２０に示すような光学系５１を備えてもよい。この光学系５１は、図２０に詳細を示すように、レンズ系５２，５４からなる第１光学系と、マイクロレンズアレイ５５と、第２のマイクロレンズアレイとから構成されている。すなわち、この光学系５１は、図１９に示す光学系５１のアパーチャアレイ５９の代わりに、第２のマイクロレンズアレイ８１を備えている。
【００７６】
これにより、マイクロレンズアレイ５５と露光面との距離が小さく、それらの間にアパーチャアレイ５９を設けることができない場合であっても、マイクロレンズアレイ５５と露光面との間に第２のマイクロレンズアレイを設けることにより、感光材料１５０を露光することができる。
【００７７】
［第２の実施形態］
つぎに、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、第１の実施形態と同一の部位には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。第２の実施形態に係る画像露光装置は、図１９に示したマイクロレンズアレイ５５とアパーチャアレイ５９の配置位置を入れ替えたものである。
【００７８】
具体的には図２１に示すように、アパーチャアレイ５９は、遮光性部材５９ｂに２次元状に配列された複数の円形アパーチャ（開口）５９ａを有している。ＤＭＤ５０の各マイクロミラー６２の像が各アパーチャ５９ａに対応するように、各アパーチャ５９ａがアパーチャアレイ５９に形成されている。このアパーチャアレイ５９は、アパーチャ５９ａによってビーム形状を整形できる。
【００７９】
なお、アパーチャアレイ５９は、上述した構成に限らず、次のように構成されたものでもよい。例えば図２２に示すように、アパーチャアレイ５９は、光透過基板５９ｃに、各マイクロレンズ５５ａの外周領域（マイクロレンズ５５ａの中心から所定距離の領域を除いた部分）を遮光するマスク５９ｂを形成したものでもよい。これにより、アパーチャアレイ５９は、２次元状に配列された複数の円形アパーチャ５９ａを有している。
【００８０】
一方マイクロレンズアレイ５５は、アパーチャアレイ５９の各アパーチャ５９ａに対応する（つまりＤＭＤ５０の各マイクロミラー６２に対応する）多数のマイクロレンズ５５ａが２次元状に配列されている。これらのマイクロレンズ５５ａは、それぞれ対応するアパーチャ５９ａの部分の像を、感光材料１５０上に結像させる。
【００８１】
このときで、図２３（Ａ）に示すように、アパーチャアレイ５９の各アパーチャ５９ａを通過した光は、そのままマイクロレンズアレイ５５の各マイクロレンズ５５ａに入射され、各マイクロレンズ５５ａによって感光材料１５０上に結像される。
【００８２】
そして、変位センサ１９２、１９４、１９６の少なくとも１つが外乱振動による変位を検出すると、マイクロレンズアレイ駆動装置３０５は、図２３（Ｂ）に示すように、その外乱振動による露光位置のずれを打ち消す方向にマイクロレンズアレイ５５及びアパーチャアレイ５９を共に平行移動させる。これにより、外乱振動によってずれた分の光はアパーチャアレイ５９によって必ず遮光され、露光位置のずれていない光のみがマイクロレンズアレイ５５の各マイクロレンズ５５ａに入射される。この結果、露光位置のずれ分を遮光するので、外乱振動の影響を受けることなく感光材料１５０を露光して、高画質の画像を得ることができる。
【００８３】
なお、マイクロレンズアレイ５５及びアパーチャアレイ５９は、図２２に示す構成に変えて、次のような構成であってもよい。例えば図２４に示すように、マイクロレンズアレイ５５に、各マイクロレンズ５５ａの外周領域を遮光する第１のマスク５５ｂを形成してもよい。
【００８４】
また、アパーチャアレイ５９は、本実施形態の態様に限定されるものではなく、マイクロレンズアレイ５５の光入射側又は光出射側に、当該マイクロレンズアレイ５５と一体に形成されたものでもよい。
【００８５】
例えば図２５に示すように、マイクロレンズアレイ５５の光出射側に各マイクロレンズ５５ａの外周領域を遮光する第１のマスク５５ｂを形成すると共に、マイクロレンズアレイ５５の光入射側に各マイクロレンズ５５ａの外周領域を遮光する第２のマスク５５ｃを形成してもよい。なお、第１のマスク５５ｂと第２のマスク５５ｃのいずれか一方だけを形成してもよい。このようなマイクロレンズアレイ５５によって、アパーチャ５９ａによってビーム形状を整形できる。
【００８６】
［第３の実施形態］
つぎに、本発明の第３の実施形態について説明する。なお、上述した実施形態と同一の部位には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。第３の実施形態に係る画像露光装置は、図２６に示すように、図５又は図１９に示した構成と異なる構成の結像光学系５１と、結像光学系５１と感光材料１５０との間に配置された光路長変更部材７３と、を備えている。
【００８７】
ＤＭＤ５０の光反射側には、図２６に示すように、ＤＭＤ５０で反射されたレーザ光Ｂを、感光材料１５０上に結像する結像光学系５１が配置されている。この結像光学系５１は、レンズ系５２、５４からなる第１結像光学系と、レンズ系５７、５８からなる第２結像光学系と、これらの結像光学系の間に挿入されたマイクロレンズアレイ５５と、アパーチャアレイ５９と、を有している。なお、マイクロレンズアレイ５５及びアパーチャアレイ５９は、第２の実施形態と同様に、図１５に示すマイクロレンズアレイ駆動装置３０５によって露光面と平行な方向に移動可能になっている。
【００８８】
ファイバアレイ光源６６から射出された光ビームは、ＤＭＤ５０により変調された後、結像光学系５１を経て感光材料１５０に向かって射出される。なお同図中において、感光材料１５０は矢印Ｆ方向に副走査送りされる。
【００８９】
光路長変更部材７３は、互いに反転した向きで隣接配置されたくさび型プリズム７３０Ａおよびくさび型プリズム７３０Ｂからなる。くさび型プリズム７３０Ａおよびくさび型プリズム７３０Ｂは、例えば、ガラスやアクリル等の透明材料からなる平行平板をこの平行平板の平行平面に対して斜めに傾く平面で切断して得られる１対のくさび型プリズムを採用することができる。ここでは、上記くさび型プリズム７３０Ａ、くさび型プリズム７３０Ｂは屈折率１．５１のガラスで形成されたものとする。
【００９０】
くさび型プリズム７３０Ａとくさび型プリズム７３０Ｂを組み合わせることで、これらの間に空気層７４０が形成される。くさび型プリズム７３０Ａおよびくさび型プリズム７３０Ｂは、この空気層７４０を介して平行平板が形成されるように、図示しないホルダにマウントされている。
【００９１】
このように構成された光路長変更部材７３は、一対のくさび型プリズム７３０Ａ、７３０Ｂの組み合わせによって形成される平行平板の実質的な厚さ（上記のように形成された平行平板の厚さから空気層の厚さｔを除いた厚さ）を変更することによって、これにより感光材料１５０と結像光学系５１との間の光路長を補正する。なお、光路長は、平行平板の実質的な厚さに平行平板の屈折率を乗じた値である。
【００９２】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内で設計上の変更をされたものにも適用可能であるのは勿論である。
【００９３】
例えば、第１及び第３の実施形態で示したマイクロレンズアレイ５５に、マイクロレンズ５５ａの外周領域を遮光するマスクを形成してもよい。また、図２６に示したアパーチャアレイ５９は、図１９に示すように、遮光性部材にアパーチャ５９ａを形成したものでもよいし、光透過部材にマスクを形成することによってアパーチャ５９ａを形成したものでもよい。
【００９４】
また、上述した実施形態では、変位センサは、ステージ周囲に配置されたレーザ測長器によりステージの振動を検出し、露光ビームの露光面上での光の位置ずれを算出しているが、これに限定されるものではない。すなわち、露光ヘッドとステージとの相対的位置関係の変動を検出できるものであれば良く、露光ヘッドとステージの両者の振動を検出してもよい。また直接露光ビームの露光面上での位置ずれを検出する構成としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の第１の実施形態による画像露光装置の外観を示す斜視図である。
【図２】画像露光装置のスキャナの構成を示す斜視図である。
【図３】（Ａ）は感光材料に形成される露光済み領域を示す平面図、（Ｂ）は各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す図である。
【図４】画像露光装置の露光ヘッドの概略構成を示す斜視図である。
【図５】露光ヘッドの概略断面図である。
【図６】デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）の構成を示す部分拡大図である。
【図７】（Ａ）および（Ｂ）はＤＭＤの動作を説明するための説明図である。
【図８】（Ａ）および（Ｂ）は、ＤＭＤを傾斜配置しない場合と傾斜配置する場合とで、露光ビームの配置および走査線を比較して示す平面図である。
【図９】（Ａ）はファイバアレイ光源の構成を示す斜視図、（Ｂ）はファイバアレイ光源のレーザ出射部における発光点の配列を示す正面図である。
【図１０】マルチモード光ファイバの構成を示す図である。
【図１１】合波レーザ光源の構成を示す平面図である。
【図１２】レーザモジュールの構成を示す平面図である。
【図１３】レーザモジュールの構成を示す側面図である。
【図１４】レーザモジュールの構成を示す部分正面図である。
【図１５】画像露光装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図１６】画像露光装置の平面図である。
【図１７】（Ａ）および（Ｂ）はマイクロレンズアレイ及び光透過平板の移動動作を説明するための図である。
【図１８】（Ａ）および（Ｂ）は、ＤＭＤの使用領域の例を示す図である。
【図１９】露光ヘッドの概略断面図である。
【図２０】露光ヘッドの概略断面図である。
【図２１】露光ヘッドの概略断面図である。
【図２２】マイクロレンズアレイ及びアパーチャアレイを説明するための図である。
【図２３】（Ａ）および（Ｂ）はマイクロレンズアレイ及びアパーチャアレイの移動動作を説明するための図である。
【図２４】マイクロレンズアレイ及びアパーチャアレイを説明するための図である。
【図２５】マイクロレンズアレイを説明するための図である。
【図２６】露光ヘッドの概略断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
ＬＤ１〜ＬＤ７    ＧａＮ系半導体レーザ
３０、３１    マルチモード光ファイバ
５０、２５０    デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）
５１    光学系
５２，５４    レンズ系
５５    マイクロレンズアレイ
５５ａ    マイクロレンズ
５７，５８    レンズ系
５９    アパーチャアレイ
５９ａ    アパーチャ
６２    マイクロミラー
６６    レーザモジュール
６６    ファイバアレイ光源
６８    レーザ出射部
７２    ロッドインテグレータ
１５０      感光材料
【図１】
2007101730.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2007101730.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2007101730.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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