(57)【要約】【課題】オープン不良及びショート不良の発生率が低くなるため、電気検査歩留まりを向上できるプリント配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のプリント配線基板の製造方法は、感光性樹脂層形成工程、露光用マスク作成工程、レジスト形成工程、めっき工程、レジスト除去工程、ラインパターン形成工程、ランド形成工程を含む。露光用マスク作成工程では、複数のグランド用ラインパターン５３及び複数の電源用ラインパターン５４のうちの少なくともいずれかの形成予定位置に配置されるマスクパターン１５３，１５４の幅を設計値以下の大きさに設定する補正を、必要に応じて実施する。複数の信号用ラインパターン１５２の形成予定位置に配置されるマスクパターン１５２の幅を設計値以下の大きさに設定する補正を実施しない。【選択図】  図４
2007227588.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層上にマスク形成用の感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程と、
所定位置にマスクパターンが描画された露光用マスクを作成する露光用マスク作成工程と、
前記露光用マスクを前記感光性樹脂層上に配置した状態で露光及び現像を行うことにより、開口部を有するめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記レジスト形成工程後にめっきを行うことにより、前記導体層上にめっき層を形成するめっき工程と、
前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程と、
前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、複数のラインパターンを形成するラインパターン形成工程と、
前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、複数のランドを密集した状態で形成するランド形成工程と
を含むプリント配線基板の製造方法であって、
前記複数のラインパターンは、複数の信号用ラインパターンと、前記複数のランドに接続された複数のグランド用ラインパターンと、前記複数のランドに接続されかつ前記複数のグランド用ラインパターンと交互に配列された複数の電源用ラインパターンとを含んで構成され、
前記複数の信号用ラインパターンの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以下の大きさに設定する補正を実施しない一方、
前記複数のグランド用ラインパターン及び前記複数の電源用ラインパターンのうちの少なくともいずれかの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以下の大きさに設定する補正を実施する
ことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記複数のランドの形成予定位置に配置されるマスクパターンの直径を設計値以上の大きさに設定する補正を実施することを特徴とした請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記複数のグランド用ラインパターン及び前記複数の電源用ラインパターンについての補正は、ラインパターンの幅が８５μｍ以下、かつ、ライン間スペースが４０μｍ以下である場合に実施されることを特徴とした請求項１または２に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記露光用マスク作成工程は、
ＣＡＤの記憶手段に格納されているマスクパターン設計データを呼び出すデータ呼出工程と、
前記マスクパターン設計データについて前記補正の要否を判定する判定工程と、
前記判定工程にて前記補正が必要と判定された場合に、前記マスクパターン設計データを補正してマスクパターン補正データを新たに作成する補正データ作成工程と、
前記マスクパターン補正データを前記記憶手段に記憶する補正データ記憶工程と、
前記マスクパターン補正データに基づいて透明基材上にマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と
を含むことを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項５】
密集して配置された複数のランド、複数の信号用ラインパターン、前記複数のランドに接続された複数のグランド用ラインパターン、及び前記複数のランドに接続されかつ前記複数のグランド用ラインパターンと交互に配列された複数の電源用ラインパターンを有するプリント配線基板の製造において、前記複数のランド及び前記各ラインパターンの形成予定位置に対応してマスクパターンが描画された露光用マスクを、ＣＡＤを利用して作成する方法であって、
前記ＣＡＤの記憶手段に格納されているマスクパターン設計データを呼び出すデータ呼出工程と、
前記マスクパターン設計データについて補正の要否を判定する判定工程と、
前記判定工程にて前記補正が必要と判定された場合に、前記マスクパターン設計データを補正してマスクパターン補正データを新たに作成する補正データ作成工程と、
前記マスクパターン補正データを前記記憶手段に記憶する補正データ記憶工程と、
前記マスクパターン補正データに基づいて透明基材上にマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と
を含み、
前記判定工程では、
前記複数の信号用ラインパターンの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を、前記マスクパターン設計データにて規定された値以下の大きさに設定する補正の要否を判定しない一方、
前記複数のグランド用ラインパターン及び前記複数の電源用ラインパターンのうちの少なくともいずれかの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を、前記マスクパターン設計データにて規定された値以下の大きさに設定する補正の要否を判定する
ことを特徴としたプリント配線基板製造用の露光用マスク作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板プリント配線基板の製造方法、及びそのための露光用マスク作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴って電子部品の高密度実装化が要求されており、このような高密度実装化を達成するにあたり配線基板の多層化技術が重要視されている。多層化技術を用いた具体例としては、スルーホール部を設けたコア基板の片面または両面に、層間絶縁層及び導体を交互に積層形成したビルドアップ層を設けたプリント配線基板（いわゆるビルドアップ配線基板）がよく知られている。この種のプリント配線基板におけるビルドアップ層は、例えば以下のような手順で作製することができる。
【０００３】
まず層間絶縁層上における全体に銅めっき等により導体層を形成した後、その導体層上にマスク形成用の感光性樹脂層を形成する。次に、マスクパターンが描画された露光用マスクを前記感光性樹脂層上に配置し、この状態で露光及び現像を行うことにより、開口部を有するめっきレジストを形成する。この後、銅めっきを行うことにより、前記導体層上にめっき層を形成する。めっき工程後にめっきレジストを除去した後、前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、所望形状の導体パターンを形成する。この後、パターニングされた導体上にさらに層間絶縁層を形成し、ビア穴明けを行った後、銅めっきを行ってビア導体及び導体層を形成する。そして、このようなプロセスを必要に応じて複数回繰り返すことにより、ビルドアップ層を多層化していく。なお、このようなビルドアッププロセスについては、従来いくつかの例がある（例えば、特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開平９−２１４１３８号公報
【特許文献２】特開平１０−２８４８３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、通常、ビルドアップ層におけるチップ搭載領域内には、フリップチップの各端子に接続されるべき多数のランドが密集して配置されている。また、ビルドアップ層における同一面内には、複数種類のラインパターン（即ち信号用ラインパターン、グランド用ラインパターン、電源用ラインパターン）が数多く設けられている。
【０００５】
しかし、プリント配線基板の高密度化に伴ってこれらラインパターン同士の間隔がいっそう狭くなると、隣接するラインパターン間でショート不良が起こりやすくなる可能性がある。従って、これを未然に回避する１つの方法としては、露光用マスクを作製する際に、ラインパターンの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以下に設定する補正を実施すればよいと考えられる。ところが、このような補正を各種ラインパターンについて一律に行うと、とりわけ信号用ラインパターンにオープン不良が発生しやすくなり、電気検査歩留まりが低下するという問題があった。また、露光用マスクを作製する際に、ラインパターンの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値よりも大きく設定する補正を各種ラインパターンについて一律に行うと、隣接するラインパターン間にショート不良が発生しやすくなり、やはり電気検査歩留まりが低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、オープン不良及びショート不良の発生率が低くなるため、電気検査歩留まりを向上させることができるプリント配線基板の製造方法、及びそのための露光用マスク作成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、導体層上にマスク形成用の感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程と、所定位置にマスクパターンが描画された露光用マスクを作成する露光用マスク作成工程と、前記露光用マスクを前記感光性樹脂層上に配置した状態で露光及び現像を行うことにより、開口部を有するめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程後にめっきを行うことにより、前記導体層上にめっき層を形成するめっき工程と、前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程と、前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、複数のラインパターンを形成するラインパターン形成工程と、前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、複数のランドを密集した状態で形成するランド形成工程とを含むプリント配線基板の製造方法であって、前記複数のラインパターンは、複数の信号用ラインパターンと、前記複数のランドに接続された複数のグランド用ラインパターンと、前記複数のランドに接続されかつ前記複数のグランド用ラインパターンと交互に配列された複数の電源用ラインパターンとを含んで構成され、前記複数の信号用ラインパターンの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以下の大きさに設定する補正を実施しない一方、前記複数のグランド用ラインパターン及び前記複数の電源用ラインパターンのうちの少なくともいずれかの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以下の大きさに設定する補正を実施することを特徴とするプリント配線基板の製造方法がある。
【０００８】
手段１の製造方法では、ラインパターンの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以下の大きさに設定する補正を、３種類のラインパターンの全てについて実施するのではなく、一部のものについてのみ実施することとしている。言い換えると、複数のランドに接続されたラインパターン（グランド用ラインパターンや電源用ラインパターン）についてのみ実施し、複数のランドに接続されているとは限らない信号用ラインパターンについては実施しない。それゆえ、オープン不良及びショート不良の発生率を低くすることができ、電気検査歩留まりを向上させることができる。ここで「マスクパターンの幅の設計値」とは、後述するマスクパターン設計データにより規定されているマスクパターンの幅の値のことを指す。
【０００９】
この場合、複数のランドの形成予定位置に配置されるマスクパターンの直径を設計値以上の大きさに設定する補正を実施してもよい。例えば、補正されるべき複数のランドがグランド用ラインパターンに接続されている場合、それに隣接して配列された電源用ラインパターンについて、ラインパターンの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以下の大きさに設定する補正を実施することがよい。逆に、補正されるべき複数のランドが電源用ラインパターンに接続されている場合、それに隣接して配列されたグランド用ラインパターンについて、ラインパターンの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以下の大きさに設定する補正を実施することがよい。ここで「マスクパターンの直径の設計値」とは、後述するマスクパターン設計データにより規定されているマスクパターンの直径の値のことを指す。
【００１０】
前記複数のグランド用ラインパターン及び前記複数の電源用ラインパターンについての補正は、ラインパターンの幅が８５μｍ以下、かつ、ライン間スペースが４０μｍ以下である場合に実施されることがよい。言い換えると、ラインパターンがある程度ファインである場合について実施されることがよい。
【００１１】
以下、手段１のプリント配線基板の製造方法を詳細に説明する。なお、上記プリント配線基板は、基本的に、感光性樹脂層形成工程、露光用マスク作成工程、レジスト形成工程、めっき工程、レジスト除去工程、ラインパターン形成工程及びランド形成工程を含むビルドアップ法により形成される。
【００１２】
感光性樹脂層形成工程では、導体層上にマスク形成用の感光性樹脂層を形成する。前記導体層としては特に限定されないが、例えば銅めっき層が好適である。かかる感光性樹脂層の形成は、液状の感光性樹脂材料の塗布またはフィルム状の感光性樹脂材料の貼付などにより行われる。
【００１３】
露光用マスク作成工程では、所定位置にマスクパターンが描画された露光用マスクを従来公知の手法により作成する。ここで、露光用マスクの作成は、作業効率や作業の正確性などの観点から、ＣＡＤを利用して行われることが好ましい。より具体的にいうと、前記露光用マスク作成工程は、ＣＡＤの記憶手段に格納されているマスクパターン設計データを呼び出すデータ呼出工程と、前記マスクパターン設計データについて前記補正の要否を判定する判定工程と、前記判定工程にて前記補正が必要と判定された場合に、前記マスクパターン設計データを補正してマスクパターン補正データを新たに作成する補正データ作成工程と、前記マスクパターン補正データを前記記憶手段に記憶する補正データ記憶工程と、前記マスクパターン補正データに基づいて透明基材上にマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程とを含むことが好適である。従って、このような手順によると、ＣＡＤに格納されているマスクパターン設計データに基づいて装置が補正の要否を自動的に判定するため、マスクパターン補正作業を正確にかつ効率よく行うことができる。
【００１４】
レジスト形成工程では、露光用マスクを感光性樹脂層上に配置した状態で露光及び現像を行うことにより、所定位置に開口部を有するめっきレジストを形成する。ここで所定位置とは、例えば、ランド、信号用ラインパターン、グランド用ラインパターン、電源用ラインパターン等の形成予定位置のことを指す。
【００１５】
めっき工程では、前記レジスト形成工程後にめっきを行うことにより、前記導体層上にめっき層を形成する。この工程におけるめっきとしては特に限定されないが、例えば銅めっきが好適である。
【００１６】
レジスト除去工程では、例えばレジストを溶解しうる溶液を処理して前記めっきレジストを除去することにより、導電層を露出させる。
【００１７】
ラインパターン形成工程では、エッチング液を用いて処理することにより、前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去しうる条件でエッチングを行うことにより、複数のラインパターンを形成する。
【００１８】
ランド形成工程では、エッチング液を用いて処理することにより、前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去しうる条件でエッチングを行うことにより、複数のランドを密集した状態で形成する。なお、ランド形成工程及びラインパターン形成工程は共通のエッチングにより行われてもよい。
【００１９】
そして、上記の各工程を必要に応じて繰り返すことにより所望構造のビルドアップ層が形成される。
【００２０】
上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、密集して配置された複数のランド、複数の信号用ラインパターン、前記複数のランドに接続された複数のグランド用ラインパターン、及び前記複数のランドに接続されかつ前記複数のグランド用ラインパターンと交互に配列された複数の電源用ラインパターンを有するプリント配線基板の製造において、前記複数のランド及び前記各ラインパターンの形成予定位置に対応してマスクパターンが描画された露光用マスクを、ＣＡＤを利用して作成する方法であって、前記ＣＡＤの記憶手段に格納されているマスクパターン設計データを呼び出すデータ呼出工程と、前記マスクパターン設計データについて補正の要否を判定する判定工程と、前記判定工程にて前記補正が必要と判定された場合に、前記マスクパターン設計データを補正してマスクパターン補正データを新たに作成する補正データ作成工程と、前記マスクパターン補正データを前記記憶手段に記憶する補正データ記憶工程と、前記マスクパターン補正データに基づいて透明基材上にマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程とを含み、前記判定工程では、前記複数の信号用ラインパターンの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を、前記マスクパターン設計データにて規定された値以下の大きさに設定する補正の要否を判定しない一方、前記複数のグランド用ラインパターン及び前記複数の電源用ラインパターンのうちの少なくともいずれかの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を、前記マスクパターン設計データにて規定された値以下の大きさに設定する補正の要否を判定することを特徴としたプリント配線基板製造用の露光用マスク作成方法がある。
【００２１】
従って、手段２の露光用マスク作成方法によると、ＣＡＤに格納されているマスクパターン設計データに基づいて装置が補正の要否を自動的に判定するため、マスクパターン補正作業を正確にかつ効率よく行うことができる。それゆえ、好適な露光用マスクを確実に作成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
［第１の実施形態］
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態のプリント配線基板の製造方法を図１〜図１５に基づき説明する。図１は本実施形態のプリント配線基板１１の概略断面図である。図２はプリント配線基板１１における補正後の外層導体の概略平面図である。図３は本実施形態で用いる露光用マスク１０１の説明図である。図４はマスクパターン設計データを補正して得たマスクパターン補正データの説明図である。図５はプリント配線基板１１における補正前の外層導体の概略平面図である。図６はマスクパターン設計データの説明図である。図７は露光用マスク１０１を作成するための装置であるＣＡＤシステム２０１の概略図である。図８はプリント配線基板１１における補正後の外層導体の部分拡大概略平面図である。
【００２４】
図１に示されるように、このプリント配線基板１１は、片面にビルドアップ層３０を備える片面ビルドアッププリント配線基板である。プリント配線基板１１を構成するコア基板１２は、平面視で略矩形状の板状部材であり、第１主面である上面１３及び第２主面である下面（図示略）を有している。コア基板１２における複数箇所には、上面１３及び下面を貫通するスルーホール部１５が形成されている。これらのスルーホール部１５は、上面１３及び下面にて開口する貫通孔１６の内壁面に無電解銅めっきからなるスルーホールめっき１７を設けた構造を有している。スルーホール部１５内には充填材の硬化体１８が充填されている。ここでは充填材として、エポキシ樹脂をベースとしてそれに硬化剤及びフィラーを添加したペーストを用いている。スルーホール部１５における開口部には銅めっき層からなる蓋状導体２２が形成され、その結果スルーホール部１５が塞がれている。なお、コア基板１２においてスルーホール部１５のない箇所には、銅めっき層からなる第１内層導体２５が形成されている。
【００２５】
図１に示されるように、コア基板１２の上面１３上にはビルドアップ層３０を構成する層間絶縁層３１が形成されている。層間絶縁層３１はその厚さが約３０μｍであって、例えば連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる。第１層めの層間絶縁層３１の表面上には第２内層導体６２が形成され、さらのその上には第２層めの層間絶縁層６１が形成されている。層間絶縁層６１はその厚さが約３０μｍであって、例えば連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる。第２層めの層間絶縁層６１の表面上には、外層導体である多数のランド５１が形成されている。複数のランド５１は密集して配置されており、隣接するランド５１同士の中心間距離（ランドピッチ）は約１３０μｍに設定されている。第２層めの層間絶縁層６１における所定箇所、例えばランド５１の直下部には、直径７０μｍ〜８０μｍ程度のビア凹部７１が設けられている。ビア凹部７１内には電解銅めっきが充填され、これによって第２内層導体と外層導体とを導通するビア導体７２が形成されている。
【００２６】
図２，図８に示されるように、第２層めの層間絶縁層６１の表面上には外層導体としての複数の信号用ラインパターン５２、複数のグランド用ラインパターン５３、複数の電源用ラインパターン５４が形成されている。複数のグランド用ラインパターン５３は、複数のランド５１に対してそれぞれ接続されている。複数の電源用ラインパターン５４は、同様に複数のランド５１にそれぞれ接続されるとともに、複数のグランド用ラインパターン５３と交互に配列されている。また、第２層めの層間絶縁層６１及び外層導体の表面上には、さらにソルダーレジスト８１が形成されるとともに、ソルダーレジスト８１に設けられた開口部を介してランド５１の部分のみが外部に露出されている。
【００２７】
図３に示されるように、本実施形態で用いる露光用マスク１０１は、透明なガラス板１０５と、そのガラス板１０５の一方の面上に描画された光不透過のインク層１０３とからなる。そして、これらのインク層１０３によりマスクパターン１０２が形成されている。図示の便宜上、複数のランド５１、複数の信号用ラインパターン５２、複数のグランド用ラインパターン５３、複数の電源用ラインパターン５４となるべき部分がそれぞれ区別できるように、あえてインク層１０３に異なるハッチングを付してある。
【００２８】
図７に示されるように、露光用マスク作成装置として用いる本実施形態のＣＡＤシステム２０１は、基本的にコンピュータ部２０２、入力装置２０７、表示装置２０８及び描画装置２０９によって構成されている。コンピュータ部２０２は、ＣＰＵ２０３、ＲＯＭ２０４、ＲＡＭ２０５及びＩ／Ｏポート２０６を備えている。キーボード等からなる入力装置２０７は、コンピュータ部２０２に対して各種の指示を入力するための手段であって、コンピュータ部２０２のＩ／Ｏポート２０６に電気的に接続されている。ＣＲＴやＬＣＤ等からなる表示装置２０８は、マスクパターン設計データやマスクパターン補正データを視覚化するための手段であって、同じくコンピュータ部２０２のＩ／Ｏポート２０６に電気的に接続されている。描画装置２０９は、マスクパターン設計データやマスクパターン補正データに基づいてガラス板１０５上にインクによってマスクパターンを描画するための従来周知の手段であって、同じくコンピュータ部２０２のＩ／Ｏポート２０６に電気的に接続されている。
【００２９】
ＲＯＭ２０４には、露光用マスク作成のための各種プログラム等が格納されている。なお、この種のプログラムは、コンピュータ部２０２の内部記憶手段であるＲＯＭ２０４ではなく、フレキシブルディスク等に代表される外部記憶手段に格納されていてもよい。
【００３０】
ＲＡＭ２０５には、ＣＰＵ２０３が各種のプログラムを実行する際にマスクパターン設計データやマスクパターン補正データが一時的に記憶されるようになっている。
【００３１】
ＣＰＵ２０３は、マスクパターン設計データを呼び出してきて、そのマスクパターン設計データをＲＡＭ２０５における別の領域に書き込むようになっている。また、ＣＰＵ２０３は、マスクパターン設計データについて補正が必要であるか否かの判定を行うようになっている。具体的には以下の２種類の補正の要否を判定する。まず第１には、複数の電源用ラインパターン５４の形成予定位置に配置されるマスクパターン１５４の幅を、マスクパターン設計データにて規定された値以下の大きさに設定する補正の要否を判定する。この場合において、当該補正は、電源用ラインパターン５４の幅が８５μｍ以下、かつ、ライン間スペースが４０μｍ以下である場合に、補正要と判定される。第２には、複数のランド５１の形成予定位置に配置されるマスクパターン１５１の直径を設計値以上の大きさに設定する補正の要否を判定する。ただし、複数の信号用ラインパターン５２の形成予定位置に配置されるマスクパターン１５２の幅を、マスクパターン設計データにて規定された値以下の大きさに設定する補正の要否については、特に判定を行わないようになっている。また、ＣＰＵ２０３は、補正が必要と判定された場合に、マスクパターン設計データ（図６参照）を補正してマスクパターン補正データ（図４参照）を新たに作成するようになっている。また、ＣＰＵ２０３は、マスクパターン補正データをＲＡＭ２０５におけるさらに別の領域に書き込むようになっている。また、ＣＰＵ２０３は、マスクパターン補正データに基づいて描画装置２０９を駆動制御し、描画装置２０９によりガラス板１０５上にマスクパターン１０２の形成を行わせるようになっている。
【００３２】
図６に示すマスクパターン設計データにおいては、ランド５１に対応するマスクパターン１５１の直径が１３０μｍになっている。また、信号用ラインパターン５２に対応するマスクパターン１５２の最小幅が４０μｍ、グランド用ラインパターン５３に対応するマスクパターン１５３の最小幅が８５μｍ、電源用ラインパターン５４に対応するマスクパターン１５４の最小幅が８５μｍになっている。一方、図４に示すパターン補正データにおいては、補正を実施した結果、ランド５１に対応するマスクパターン１５１の直径が１３４μｍになっている。同様に補正を実施した結果、信号用ラインパターン５２に対応するマスクパターン１５２の最小幅が５０μｍ、グランド用ラインパターン５３に対応するマスクパターン１５３の最小幅が７５μｍになっている。なお、電源用ラインパターン５４に対応するマスクパターン１５４については補正を実施しないため、その最小幅は８５μｍのままである。また、マスクパターン１５３，１５４間のライン間スペースは、補正前において約２０μｍであり、補正後において約２４μｍとなっている。
【００３３】
次に、本実施形態のプリント配線基板１１の製造方法を図９〜図１５に基づいて説明する。
【００３４】
所定のコア基板１２を用意し、これに対して孔あけ、スルーホールめっき１７の形成、充填材の充填、蓋めっき等を行う。そして、第１内層導体２５のパターニングを行った後、第１層めの層間絶縁層３１の形成、ビア穴あけ、銅めっき等を行う。次いで、第２内層導体６２のパターニングを行った後、第２層めの層間絶縁層６１の形成、ビア穴あけ、銅めっき等を行い、第２層めの層間絶縁層６１内にビア導体７２を形成するとともに、第２層めの層間絶縁層６１上に導体層としての第１銅めっき層１１１を全体的に形成する（図９参照）。
【００３５】
感光性樹脂層形成工程では、第１銅めっき層１１１上にマスク形成用の感光性樹脂層１１２を形成する（図１０参照）。本実施形態では感光性を付与したエポキシ樹脂を用いている。
【００３６】
露光用マスク作成工程では、図７に示すＣＡＤシステム２０１を利用してデータ呼出工程、判定工程、補正データ作成工程、補正データ記憶工程及びマスクパターン形成工程を順次行うことりより、図３に示す所望の露光用マスク１０１を作成する。この場合、ＣＡＤシステム２０１内のＲＡＭ２０５に格納されているマスクパターン設計データに基づいて装置が補正の要否を自動的に判定するため、マスクパターン補正作業を正確にかつ効率よく行うことができる。
【００３７】
次に、得られた露光用マスク１０１を感光性樹脂層１１２上に積層配置する。このとき、露光用マスク１０１においてマスクパターン１０２が形成されている面の側を、感光性樹脂層１１２上に密着させるようにする（図１１参照）。
【００３８】
次に、露光用マスク１０１を介して紫外線を所定時間だけ照射（露光）し、未硬化の感光性樹脂層１１２を部分的に光硬化させる。その後、現像を行うことにより、所定箇所に開口部１１４を有するめっきレジスト１１３を形成する（図１２参照）。この開口部１１４は、複数のランド５１、複数の信号用ラインパターン５２、複数のグランド用ラインパターン５３、複数の電源用ラインパターン５４の形成予定位置に存在している。
【００３９】
上記のようなレジスト形成工程後に実施されるめっき工程では、電解銅めっきを行って、第１銅めっき層１１１上における露出部分に第２銅めっき層１１５を形成する（図１３参照）。続くレジスト除去工程では、めっきレジスト１１３を溶解しうる溶液を処理してめっきレジスト１１３を溶解除去することにより、第１銅めっき層１１１層を露出させる（図１４参照）。
【００４０】
続くエッチング工程では、銅を溶解するエッチング液を用いてソフトエッチ処理を行うことにより、第２銅めっき層１１５を残しつつ第１銅めっき層１１１を部分的に除去する。このような条件設定でエッチング処理を行うと、つながっていた第１銅めっき層１１１が所定箇所で切り離されて、複数のランド５１、複数の信号用ラインパターン５２、複数のグランド用ラインパターン５３、複数の電源用ラインパターン５４がそれぞれ形成される（図１５参照）。
【００４１】
そして、このように外層導体を形成した後、ソルダーレジスト８１の形成を行い、ビルドアップ層３０を完成させる。
【００４２】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４３】
（１）本実施形態の製造方法では、ラインパターン１０２の形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以下の大きさに設定する補正を、３種類のラインパターン５２，５３，５４の全てについて実施するのではなく、一部のものについてのみ実施することとしている。言い換えると、複数のランド５１に接続されたラインパターン（グランド用ラインパターン５３や電源用ラインパターン５４）についてのみ実施し、複数のランド５１に接続されているとは限らない信号用ラインパターン５２については実施しない。それゆえ、従来に比べてオープン不良及びショート不良の発生率を低くすることができ、電気検査歩留まりを向上させることができる。
【００４４】
（２）本実施形態では、ＣＡＤシステム２０１を用いて露光用マスク１０１の作成を行っている。このため、ＣＡＤシステム２０１のＲＡＭ２０５に格納されているマスクパターン設計データに基づいて装置が補正の要否を自動的に判定することができ、マスクパターン補正作業を正確にかつ効率よく行うことができる。
【００４５】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００４６】
上記実施形態では、複数の電源用ラインパターン５４の形成予定位置に配置されるマスクパターン１５４の幅を、マスクパターン設計データにて規定された値以下の大きさに設定する補正を行っているが、このような補正を複数のグランド用ラインパターン５３の形成予定位置に配置されるマスクパターン１５３について実施してもよい。また、両方のマスクパターン１５３，１５４について実施してもよい。
【００４７】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００４８】
（１）導体層上にマスク形成用の感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程と、所定位置にマスクパターンが描画された露光用マスクを作成する露光用マスク作成工程と、前記露光用マスクを前記感光性樹脂層上に配置した状態で露光及び現像を行うことにより、開口部を有するめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程後にめっきを行うことにより、前記導体層上にめっき層を形成するめっき工程と、前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程と、前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、複数のラインパターンを形成するラインパターン形成工程と、前記めっき層を残しつつ前記導体層を部分的に除去するエッチングを行うことにより、複数のランドを密集した状態で形成するランド形成工程とを含むプリント配線基板の製造方法であって、前記複数のラインパターンは、複数の信号用ラインパターンと、前記複数のランドに接続された複数のグランド用ラインパターンと、前記複数のランドに接続されかつ前記複数のグランド用ラインパターンと交互に配列された複数の電源用ラインパターンとを含んで構成され、前記複数の信号用ラインパターンの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以上の大きさに設定する補正を実施する一方、前記複数のグランド用ラインパターン及び前記複数の電源用ラインパターンのうちのいずれかの形成予定位置に配置されるマスクパターンの幅を設計値以下の大きさに設定する補正を実施するとともに、前記複数のグランド用ラインパターン及び前記複数の電源用ラインパターンのうち前記補正を実施しなかったものに接続されている複数のランドについて、前記複数のランドの形成予定位置に配置されるマスクパターンの直径を設計値以上の大きさに設定する補正を実施することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明を具体化した実施形態のプリント配線基板の概略断面図。
【図２】プリント配線基板における補正後の外層導体の概略平面図。
【図３】本実施形態で用いる露光用マスクの説明図。
【図４】マスクパターン設計データを補正して得たマスクパターン補正データの説明図。
【図５】プリント配線基板における補正前の外層導体の概略平面図。
【図６】マスクパターン設計データの説明図。
【図７】露光用マスクを作成するための装置であるＣＡＤシステムの概略図。
【図８】プリント配線基板における補正後の外層導体の部分拡大概略平面図。
【図９】プリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。
【図１０】プリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。
【図１１】プリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。
【図１２】プリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。
【図１３】プリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。
【図１４】プリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。
【図１５】プリント配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図。
【符号の説明】
【００５０】
１１…プリント配線基板
５１…ランド
５２…信号用ラインパターン
５３…グランド用ラインパターン
５４…電源用ラインパターン
１０１…露光用マスク
１０２，１５２，１５３，１５４…マスクパターン
１０５…透明基材としてのガラス板
１１１…導体層としての第１銅めっき層
１１２…感光性樹脂層
１１４…開口部
１１３…めっきレジスト
１１５…めっき層としての第２銅めっき層
２０１…ＣＡＤとしてのＣＡＤシステム
２０５…記憶手段としてのＲＡＭ
【図１】
2007227588.tif 000003
【図２】
2007227588.tif 000004
【図３】
2007227588.tif 000005
【図４】
2007227588.tif 000006
【図５】
2007227588.tif 000007
【図６】
2007227588.tif 000008
【図７】
2007227588.tif 000009
【図８】
2007227588.tif 000010
【図９】
2007227588.tif 000011
【図１０】
2007227588.tif 000012
【図１１】
2007227588.tif 000013
【図１２】
2007227588.tif 000014
【図１３】
2007227588.tif 000015
【図１４】
2007227588.tif 000016
【図１５】
2007227588.tif 000017