(57)【要約】【課題】レーザ光の入射面の反対側の面を越えた箇所に集光点が合うのを防止することが可能なウェハを提供する。【解決手段】ウェハ１０をレーザダイシング技術を用いて切断分離するには、ウェハ１０の裏面１０ａにダイシングフィルム１１を貼着した後に、裏面１０ａ側を下方に向けてウェハ１０をレーザ加工装置のステージ１２上に載置する。ウェハ１０の裏面１０ａは略均一な凹凸が形成された粗面になっているため、裏面１０ａを越えた箇所に集光点Ｐが誤設定された場合には、矢印γのようにレーザ光Ｌは裏面１０ａで散乱されることから集光点Ｐが合わなくなり、誤設定された集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌのエネルギーが大幅に減衰されることから、レーザ光Ｌによるダイシングフィルム１１やステージ１２の溶融・損傷が起こることはない。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの内部へ集光点を合わせて照射されたレーザ光によって当該ウェハの内部に形成された多光子吸収による改質領域を切断の起点とした割断により切断分離されるウェハであって、
ウェハにおけるレーザ光の入射面の反対側の面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを特徴とするウェハ。
【請求項２】
ウェハの内部へ集光点を合わせて照射されたレーザ光によって当該ウェハの内部に形成された多光子吸収による改質領域を切断の起点とした割断により切断分離されるウェハであって、
ウェハにおけるレーザ光の入射面の反対側の面に、前記レーザ光を散乱させるための光散乱部材が接着されていることを特徴とするウェハ。
【請求項３】
請求項２に記載のウェハにおいて、
前記光散乱部材は、基材と、その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材とを備え、
前記接着材における前記ウェハとの接着面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを特徴とするウェハ。
【請求項４】
請求項２に記載のウェハにおいて、
前記光散乱部材は、基材と、その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材とを備え、
前記基材における前記接着材と接する面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを特徴とするウェハ。
【請求項５】
請求項２に記載のウェハにおいて、
前記光散乱部材は、
基材と、
その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材と、
その接着材における前記ウェハとの接着面上に対して略均一に多数個散蒔かれて接着された粒子とを備え、
前記粒子により、見かけ上、前記接着材における前記ウェハとの接着面は、略均一な凹凸が形成された粗面になっていることを特徴とするウェハ。
【請求項６】
請求項２に記載のウェハにおいて、
前記光散乱部材は、
基材と、
その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材と、
その接着材の中に略均一に多数個埋め込まれた粒子とを備え、
前記粒子の屈折率および反射率は、前記接着材の屈折率および反射率と異なり、
前記粒子により、見かけ上、前記基材における前記接着材と接する面は、略均一な凹凸が形成された粗面になっていることを特徴とするウェハ。
【請求項７】
請求項２〜６のいずれか１項に記載のウェハにおいて、
前記光散乱部材は、伸張されることにより前記改質領域に引張応力を印加させて前記改質領域を切断の起点とした割断を起こさせるダイシングフィルムであることを特徴とするウェハ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のウェハにおいて、
前記粗面における表面粗さの最大高さＲmaxが、前記レーザ光の波長以上になるように設定されていることを特徴とするウェハ。
【請求項９】
ウェハの内部へ集光点を合わせて照射されたレーザ光によって当該ウェハの内部に形成された多光子吸収による改質領域を切断の起点とした割断により、当該ウェハを切断分離するウェハの加工方法であって、
ウェハにおけるレーザ光の入射面の反対側の面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを特徴とするウェハの加工方法。
【請求項１０】
ウェハの内部へ集光点を合わせて照射されたレーザ光によって当該ウェハの内部に形成された多光子吸収による改質領域を切断の起点とした割断により、当該ウェハを切断分離するウェハの加工方法であって、
ウェハにおけるレーザ光の入射面の反対側の面に、前記レーザ光を散乱させるための光散乱部材が接着されていることを特徴とするウェハの加工方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のウェハの加工方法において、
前記光散乱部材は、基材と、その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材とを備え、
前記接着材における前記ウェハとの接着面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを特徴とするウェハの加工方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載のウェハの加工方法において、
前記光散乱部材は、基材と、その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材とを備え、
前記基材における前記接着材と接する面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを特徴とするウェハの加工方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載のウェハの加工方法において、
前記光散乱部材は、
基材と、
その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材と、
その接着材における前記ウェハとの接着面上に対して略均一に多数個散蒔かれて接着された粒子とを備え、
前記粒子により、見かけ上、前記接着材における前記ウェハとの接着面は、略均一な凹凸が形成された粗面になっていることを特徴とするウェハの加工方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載のウェハの加工方法において、
前記光散乱部材は、
基材と、
その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材と、
その接着材の中に略均一に多数個埋め込まれた粒子とを備え、
前記粒子の屈折率および反射率は、前記接着材の屈折率および反射率と異なり、
前記粒子により、見かけ上、前記基材における前記接着材と接する面は、略均一な凹凸が形成された粗面になっていることを特徴とするウェハの加工方法。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
前記光散乱部材は、伸張されることにより前記改質領域に引張応力を印加させて前記改質領域を切断の起点とした割断を起こさせるダイシングフィルムであることを特徴とするウェハの加工方法。
【請求項１６】
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
前記粗面における表面粗さの最大高さＲmaxが、前記レーザ光の波長以上になるように設定されていることを特徴とするウェハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウェハおよびウェハの加工方法に係り、詳しくは、レーザ光の照射により形成された多光子吸収による改質領域を切断の起点とした割断により切断分離されるウェハと、そのウェハの加工方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光を用いてウェハ状の加工対象物を個々のチップに切断分離（分断）するダイシング（レーザダイシング）技術の開発が進められている。
例えば、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域（クラック領域を含む改質領域、溶融処理領域を含む改質領域、屈折率が変化した領域を含む改質領域）を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、その領域を起点とした割断によって加工対象物を切断する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、レーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせて前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成し、かつ、前記加工対象物に照射されるレーザ光の前記加工対象物への入射方向におけるレーザ光の集光点の位置を変えることにより、前記改質領域を前記入射方向に沿って並ぶように複数形成する技術が提案されている（特許文献２参照）。
【０００４】
この特許文献２の技術によれば、改質領域を入射方向に沿って並ぶように複数形成しているため、加工対象物を切断する際に起点となる箇所が増すことから、加工対象物の厚みが大きい場合でも切断が可能になるとしている。
【０００５】
また、基板を含む平板状の加工対象物の一方の面に伸張性のフィルムを装着し、前記加工対象物の他方の面をレーザ光入射面として前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域（溶融処理領域）を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記フィルムを伸張させることにより、前記切断起点領域を起点として前記加工対象物を複数の部分に、互いに間隔があくように切断する技術が開示されている（特許文献３参照）。
【０００６】
この特許文献３の技術によれば、基板の内部に切断起点領域を形成した後にフィルムを伸張させるため、切断起点領域に引張応力を好適に印加することが可能になり、切断起点領域を起点として基板を比較的小さな力で精度良く割って切断できるとしている。
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報（第２〜１６頁  図１〜図３２）
【特許文献２】特開２００２−２０５１８０号公報（第２〜９頁  図１〜図２２）
【特許文献３】特開２００５−１００１号公報（第１〜１５頁  図１〜図２７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、特許文献１〜３に開示されているようなレーザダイシング技術を用い、半導体基板を作成するためのウェハ（半導体ウェハ）の内部に改質領域（改質層）を形成し、その改質領域を切断の起点とした割断により、ウェハを個々のチップ（半導体チップ）に切断分離する試みがなされている。
【０００８】
この技術では、ウェハのバラツキによりウェハの板厚が薄すぎる場合や、レーザ光の集光点の設定が不適切な場合には、集光点をウェハの内部に合わせることができず、ウェハにおけるレーザ光の入射面（表面）の反対側の面（裏面）を越えた箇所に集光点が合ってしまうことがある。
言い換えれば、ウェハの板厚が薄すぎる場合やレーザ光の焦点の設定が不適切な場合には、焦点をウェハの内部に結ばせることができず、ウェハにおけるレーザ光の入射面の反対面を越えた箇所に焦点を結んでしまうことがある。
【０００９】
例えば、特許文献３の技術において、ウェハの裏面側に装着されている伸張性のフィルムにレーザ光の集光点が合うと、レーザ光によりフィルムが溶融・損傷を起こすことがある。すると、フィルムを伸張させてウェハを切断分離する際に、ウェハに対してフィルムの引張応力を均一に印加することができないため、ウェハの正常な切断分離が困難になるという技術的課題がある。
【００１０】
また、ウェハが載置されているレーザ加工装置のステージ（試料台）にレーザ光の集光点が合うと、レーザ光によりステージが溶融・損傷を起こして平面性が失われることがある。すると、次のウェハをステージに載置してレーザ光を照射する際に、ウェハの内部における所望の位置に集光点を合わせられず、必要な位置に改質領域を形成できないため、改質領域を起点としたウェハの正確な切断分離が困難になるという技術的課題がある。
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、レーザ光の入射面の反対側の面を越えた箇所に集光点が合うのを防止することが可能なウェハおよびその加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
［課題を解決するための手段］および［発明の効果］に記載する（  ）内の符号等は、［発明を実施するための最良の形態］に記載する構成部材・構成要素の符号等に対応したものである。
【００１３】
請求項１に記載の発明は、
ウェハ（１０）の内部へ集光点（Ｐ）を合わせて照射されたレーザ光（Ｌ）によって当該ウェハの内部に形成された多光子吸収による改質領域（Ｒ）を切断の起点とした割断により切断分離されるウェハであって、
ウェハにおけるレーザ光の入射面（１０ｂ）の反対側の面（１０ａ）は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを技術的特徴とする。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、
ウェハ（１０）の内部へ集光点（Ｐ）を合わせて照射されたレーザ光（Ｌ）によって当該ウェハの内部に形成された多光子吸収による改質領域（Ｒ）を切断の起点とした割断により切断分離されるウェハであって、
ウェハにおけるレーザ光の入射面（１０ｂ）の反対側の面（１０ａ）に、前記レーザ光（Ｌ）を散乱させるための光散乱部材（１１）が接着されていることを技術的特徴とする。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、
請求項２に記載のウェハにおいて、
前記光散乱部材（１１）は、基材（１１ａ）と、その基材を前記ウェハ（１０）に接着するための接着剤から成る接着材（１１ｂ）とを備え、
前記接着材（１１ｂ）における前記ウェハとの接着面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを技術的特徴とする。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、
請求項２に記載のウェハにおいて、
前記光散乱部材（１１）は、基材（１１ａ）と、その基材を前記ウェハ（１０）に接着するための接着剤から成る接着材（１１ｂ）とを備え、
前記基材（１１ａ）における前記接着材（１１ｂ）と接する面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを技術的特徴とする。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、
請求項２に記載のウェハにおいて、
前記光散乱部材（１１）は、
基材（１１ａ）と、
その基材を前記ウェハ（１０）に接着するための接着剤から成る接着材（１１ｂ）と、
その接着材における前記ウェハとの接着面上に対して略均一に多数個散蒔かれて接着された粒子（１３）とを備え、
前記粒子により、見かけ上、前記接着材における前記ウェハとの接着面は、略均一な凹凸が形成された粗面になっていることを技術的特徴とする。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、
請求項２に記載のウェハにおいて、
前記光散乱部材（１１）は、
基材（１１ａ）と、
その基材を前記ウェハ（１０）に接着するための接着剤から成る接着材（１１ｂ）と、
その接着材の中に略均一に多数個埋め込まれた粒子（１３）とを備え、
前記粒子の屈折率および反射率は、前記接着材の屈折率および反射率と異なり、
前記粒子により、見かけ上、前記基材における前記接着材と接する面は、略均一な凹凸が形成された粗面になっていることを技術的特徴とする。
【００１９】
請求項７に記載の発明は、
請求項２〜６のいずれか１項に記載のウェハにおいて、
前記光散乱部材は、伸張されることにより前記改質領域に引張応力を印加させて前記改質領域を切断の起点とした割断を起こさせるダイシングフィルム（１１）であることを技術的特徴とする。
【００２０】
請求項８に記載の発明は、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のウェハにおいて、
前記粗面における表面粗さの最大高さＲmaxが、前記レーザ光の波長以上になるように設定されていることを技術的特徴とする。
【００２１】
請求項９に記載の発明は、
ウェハの内部へ集光点を合わせて照射されたレーザ光によって当該ウェハの内部に形成された多光子吸収による改質領域を切断の起点とした割断により、当該ウェハを切断分離するウェハの加工方法であって、
ウェハにおけるレーザ光の入射面の反対側の面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを技術的特徴とする。
【００２２】
請求項１０に記載の発明は、
ウェハの内部へ集光点を合わせて照射されたレーザ光によって当該ウェハの内部に形成された多光子吸収による改質領域を切断の起点とした割断により、当該ウェハを切断分離するウェハの加工方法であって、
ウェハにおけるレーザ光の入射面の反対側の面に、前記レーザ光を散乱させるための光散乱部材が接着されていることを技術的特徴とする。
【００２３】
請求項１１に記載の発明は、
請求項１０に記載のウェハの加工方法において、
前記光散乱部材は、基材と、その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材とを備え、
前記接着材における前記ウェハとの接着面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを技術的特徴とする。
【００２４】
請求項１２に記載の発明は、
請求項１０に記載のウェハの加工方法において、
前記光散乱部材は、基材と、その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材とを備え、
前記基材における前記接着材と接する面は、略均一な凹凸が形成された粗面であることを技術的特徴とする。
【００２５】
請求項１３に記載の発明は、
請求項１０に記載のウェハの加工方法において、
前記光散乱部材は、
基材と、
その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材と、
その接着材における前記ウェハとの接着面上に対して略均一に多数個散蒔かれて接着された粒子とを備え、
前記粒子により、見かけ上、前記接着材における前記ウェハとの接着面は、略均一な凹凸が形成された粗面になっていることを技術的特徴とする。
【００２６】
請求項１４に記載の発明は、
請求項１０に記載のウェハの加工方法において、
前記光散乱部材は、
基材と、
その基材を前記ウェハに接着するための接着剤から成る接着材と、
その接着材の中に略均一に多数個埋め込まれた粒子とを備え、
前記粒子の屈折率および反射率は、前記接着材の屈折率および反射率と異なり、
前記粒子により、見かけ上、前記基材における前記接着材と接する面は、略均一な凹凸が形成された粗面になっていることを技術的特徴とする。
【００２７】
請求項１５に記載の発明は、
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
前記光散乱部材は、伸張されることにより前記改質領域に引張応力を印加させて前記改質領域を切断の起点とした割断を起こさせるダイシングフィルムであることを技術的特徴とする。
【００２８】
請求項１６に記載の発明は、
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
前記粗面における表面粗さの最大高さＲmaxが、前記レーザ光の波長以上になるように設定されていることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
＜請求項１：第１実施形態（図２参照）＞
請求項１の発明では、ウェハ（１０）におけるレーザ光の入射面（表面１０ｂ）の反対側の面（裏面１０ａ）が粗面であるため、当該反対側の面を越えた箇所に集光点（Ｐ）を誤設定したとしても、レーザ光（Ｌ）は当該反対側の面で散乱されることから集光点が合わなくなり、誤設定された集光点におけるレーザ光のエネルギーは大幅に減衰されることから、前記反対側の面を越えた箇所に集光点が合うのを防止できる。
【００３０】
従って、請求項１の発明によれば、特許文献３の技術のようにウェハにおける前記反対側の面に伸張性のフィルム（１１）を貼着した場合において、当該フィルムにレーザ光の集光点が合うことがなく、当該フィルムに溶融・損傷が起こるのを防止できる。
また、請求項１の発明によれば、ウェハが載置されているレーザ加工装置のステージ（１２）にレーザ光の集光点が合うことがなく、当該ステージに溶融・損傷が起こるのを防止できる。
【００３１】
＜請求項２：第２〜第５実施形態（図８〜図１１参照）＞
請求項２の発明では、ウェハ（１０）におけるレーザ光の入射面（表面１０ｂ）の反対側の面（裏面１０ａ）に光散乱部材（１１）が接着されているため、当該反対側の面を越えた箇所に集光点（Ｐ）を誤設定したとしても、レーザ光（Ｌ）は光散乱部材（１１）によって散乱されることから集光点が合わなくなり、誤設定された集光点におけるレーザ光のエネルギーは大幅に減衰されることから、前記反対側の面を越えた箇所に集光点が合うのを防止できる。
従って、請求項２の発明によれば、請求項１の発明と同様の効果が得られる。
【００３２】
＜請求項３：第２実施形態（図８参照）＞
請求項３の発明において、光散乱部材（１１）は、基材（１１ａ）と、その基材をウェハ（１０）に接着するための接着剤から成る接着材（１１ｂ）とを備えている。
そして、請求項３の発明では、接着材（１１ｂ）におけるウェハ（１０）との接着面（接着材の表面）が粗面であるため、レーザ光の入射面（表面１０ｂ）の反対側の面（裏面１０ａ）を越えた箇所に集光点（Ｐ）を誤設定したとしても、レーザ光（Ｌ）は接着材の表面で散乱されることから集光点が合わなくなり、誤設定された集光点におけるレーザ光のエネルギーは大幅に減衰されることから、前記反対側の面を越えた箇所に集光点が合うのを防止できる。
従って、請求項３の発明によれば、請求項２の発明の作用・効果を確実に得られる。
【００３３】
＜請求項４：第３実施形態（図９参照）＞
請求項４の発明において、光散乱部材（１１）は、基材（１１ａ）と、その基材をウェハ（１０）に接着するための接着剤から成る接着材（１１ｂ）とを備えている。
そして、請求項４の発明では、基材（１０ａ）における接着材（１０ｂ）と接する面（基材の表面）が粗面であるため、レーザ光の入射面（表面１０ｂ）の反対側の面（裏面１０ａ）を越えた箇所に集光点（Ｐ）を誤設定したとしても、レーザ光（Ｌ）は基材の表面で散乱されることから集光点が合わなくなり、誤設定された集光点におけるレーザ光のエネルギーは大幅に減衰されることから、前記反対側の面を越えた箇所に集光点が合うのを防止できる。
従って、請求項４の発明によれば、請求項２の発明の作用・効果を確実に得られる。
【００３４】
＜請求項５：第４実施形態（図１０参照）＞
請求項５の発明において、光散乱部材（１１）は、基材（１１ａ）と、その基材をウェハ（１０）に接着するための接着剤から成る接着材（１１ｂ）と、その接着材（１１ｂ）におけるウェハとの接着面上に対して略均一に多数個散蒔かれて接着された粒子（１３）とを備えている。
【００３５】
そして、請求項５の発明では、粒子（１３）により、見かけ上、接着材（１１ｂ）におけるウェハ（１０）との接着面（接着材の表面）が粗面になっているため、レーザ光の入射面（表面１０ｂ）の反対側の面（裏面１０ａ）を越えた箇所に集光点（Ｐ）を誤設定したとしても、レーザ光（Ｌ）は粒子（１３）によって散乱されることから集光点が合わなくなり、誤設定された集光点におけるレーザ光のエネルギーは大幅に減衰されることから、前記反対側の面を越えた箇所に集光点が合うのを防止できる。
従って、請求項５の発明によれば、請求項２の発明の作用・効果を確実に得られる。
【００３６】
尚、粒子（１３）の粒径が小さい上に接着材（１１ｂ）が柔軟性に富むため、光散乱部材（１１）をウェハ（１０）の裏面（１０ａ）に押し当てると、接着材の表面における粒子が置かれていない部分によって光散乱部材をウェハに貼着できる。
また、粒子（１３）の形成材料およびその形成材料の屈折率・反射率は、前記作用・効果が確実に得られるように、カット・アンド・トライで実験的に最適なものを選択すればよい。
【００３７】
＜請求項６：第５実施形態（図１１参照）＞
請求項６の発明において、光散乱部材（１１）は、基材（１１ａ）と、その基材をウェハ（１０）に接着するための接着剤から成る接着材（１１ｂ）と、その接着材（１１ｂ）の中に略均一に多数個埋め込まれた粒子（１３）とを備えている。
ここで、粒子（１３）の屈折率および反射率は、接着材の屈折率および反射率と異なるため、基材（１１ａ）における接着材（１１ｂ）と接する面上（基材の表面上）には、粒子が略均一に多数個散蒔かれて固定されていることになる。
【００３８】
そして、請求項６の発明では、粒子（１３）により、見かけ上、基材における接着材と接する面（基材の表面）が粗面になっているため、レーザ光の入射面（表面１０ｂ）の反対側の面（裏面１０ａ）を越えた箇所に集光点（Ｐ）を誤設定したとしても、レーザ光（Ｌ）は粒子（１３）によって散乱されることから集光点が合わなくなり、誤設定された集光点におけるレーザ光のエネルギーは大幅に減衰されることから、前記反対側の面を越えた箇所に集光点が合うのを防止できる。
従って、請求項６の発明によれば、請求項２の発明の作用・効果を確実に得られる。
尚、粒子（１３）の形成材料およびその形成材料の屈折率・反射率は、前記作用・効果が確実に得られるように、カット・アンド・トライで実験的に最適なものを選択すればよい。
【００３９】
＜請求項７＞
請求項７の発明では、従来より設けられているダイシングフィルム（１１）を光散乱部材として流用するため、専用の光散乱部材を設ける必要が無く、請求項２〜６の発明を低コストに実現できる。
【００４０】
＜請求項８＞
請求項１〜７の発明では、請求項８の発明のように、前記粗面における表面粗さの最大高さＲmaxがレーザ光の波長（λ）以上になるように設定しておくことにより（Ｒmax≧λ）、前記作用・効果を確実に得ることができる。
【００４１】
尚、請求項５の発明において、前記粗面は接着材（１１ｂ）におけるウェハ（１０）との接着面（接着材の表面）であり、その粗面における見かけ上の表面粗さの最大高さＲmaxは、粒子（１３）の粒径と略同一である。
また、請求項６の発明において、前記粗面は基材（１１ａ）における接着材（１１ｂ）と接する面（基材の表面）であり、その粗面における見かけ上の表面粗さの最大高さＲmaxは、粒子（１３）の粒径と略同一である。
【００４２】
＜請求項９〜１６＞
請求項９〜１６の発明はそれぞれ、請求項１〜８の発明に係るウェハの加工方法である。そのため、請求項９〜１６の発明によれば、前記した請求項１〜８の発明と同様の作用・効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略してある。
【００４４】
＜第１実施形態＞
図１および図２は、第１実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【００４５】
単結晶シリコンのバルク材から成るウェハ（バルクシリコンウェハ）１０の裏面１０ａは、略均一な凹凸が形成された粗面になっている。
ウェハ１０の裏面１０ａを粗面にするには、どのような処理方法を用いてもよく、例えば、ウェハ１０の形成材料を侵すような酸性またはアルカリ性の溶液に裏面１０ａを浸漬して化学的に処理する方法や、サンドブラストなどの機械的研磨により処理する方法などがある。
【００４６】
ウェハ１０をレーザダイシング技術を用いて切断分離するには、まず、ウェハ１０の裏面１０ａにダイシングフィルム（ダイシングシート、ダイシングテープ、エキスパンドテープ）１１を貼着する。
尚、ダイシングフィルム１１は、加熱により伸張するか又は伸張方向に力を加えることにより伸張する伸張性のプラスチック製フィルム材から成り、ウェハ１０の裏面側全面に対して接着材（図示略）によって接着されている。
【００４７】
次に、ウェハ１０の裏面１０ａ側を下方に向けてウェハ１０をレーザ加工装置のステージ（試料台）１２上に載置する。すると、ダイシングフィルム１１がステージ１２の上面と接触する。
【００４８】
レーザ加工装置は、レーザ光Ｌを出射するレーザ光源（図示略）と、集光レンズＣＶとを備えており、レーザ光Ｌの光軸ＯＡをウェハ１０の表面１０ｂに対して垂直にした状態で、レーザ光Ｌを集光レンズＣＶを介してウェハ１０の表面（レーザ光Ｌの入射面）１０ｂへ照射させ、ウェハ１０の内部における所定位置にレーザ光Ｌを集光させた集光点（焦点）Ｐを合わせる。その結果、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの箇所に改質領域（改質層）Ｒが形成される。
尚、レーザ光Ｌには、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminium Garnet）レーザで１．０６４μｍの赤外光領域の波長のレーザ光を用いればよい。
【００４９】
ここで、改質領域Ｒは、レーザ光Ｌの照射によって発生した主に多光子吸収による溶融処理領域を含むものである。
すなわち、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの箇所は、レーザ光Ｌの多光子吸収によって局所的に加熱され、その加熱により一旦溶融した後に再固化する。このように、ウェハ１０の内部にて溶融後に再固化した領域が改質領域Ｒとなる。
つまり、溶融処理領域とは、相変化した領域や結晶構造が変化した領域である。言い換えれば、溶融処理領域とは、ウェハ１０の内部にて、単結晶シリコンが非晶質シリコンに変化した領域、単結晶シリコンが多結晶シリコンに変化した領域、単結晶シリコンが非晶質シリコンおよび多結晶シリコンを含む構造に変化した領域のいずれかの領域である。尚、ウェハ１０は、バルクシリコンウェハであるため、溶融処理領域は主に多結晶シリコンから成る。
【００５０】
ちなみに、溶融処理領域は、レーザ光Ｌがウェハ１０の内部で吸収されること（つまり、通常のレーザ光による加熱）によって形成されたものではなく、主に多光子吸収によって形成される。
そのため、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの箇所以外にはレーザ光Ｌがほとんど吸収されず、ウェハ１０の表面１０ｂが溶融することはない。
【００５１】
そして、レーザ加工装置は、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの深さ位置を一定にした状態で、レーザ光Ｌをパルス状に照射しながら走査することにより、ウェハ１０における直線状の切断予定ラインＫに沿って集光点Ｐを移動させる。
【００５２】
ところで、レーザ光Ｌを走査するのではなく、レーザ光Ｌの照射位置を一定にした状態で、ステージ１２をレーザ光Ｌの照射方向（ウェハ１０の表面１０ｂに対するレーザ光Ｌの入射方向）と直交する方向に移動させてもよい。
すなわち、レーザ光Ｌの走査またはウェハ１０の移動により、ウェハ１０の切断予定ラインＫに沿いながら、ウェハ１０に対して集光点Ｐを相対的に移動させればよい。
【００５３】
このように、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの深さ位置を一定にした状態で、レーザ光Ｌをパルス状に照射しながら、ウェハ１０に対して集光点Ｐを相対的に移動させることにより、ウェハ１０の表面１０ｂから一定深さ位置にて（つまり、レーザ光Ｌの入射面から一定距離内側の位置にて）、ウェハ１０の表裏面１０ｂ，１０ａに対して水平方向に一定の間隔をあけた複数個の改質領域Ｒから成る改質領域群が形成されてゆく。
尚、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの深さは、ウェハ１０の表面（レーザ光Ｌの入射面）１０ｂから集光点Ｐまでの距離である。
【００５４】
続いて、ウェハ１０の内部に複数個の改質領域Ｒから成る改質領域群を形成した後に、ダイシングフィルム１１を切断予定ラインＫに対して水平方向（矢印β、β’方向）に伸張させることにより、各改質領域Ｒに引張応力を印加する。
すると、ウェハ１０の内部に剪断応力が発生し、各改質領域Ｒを起点としてウェハ１０の深さ方向に亀裂が発生し、その成長した亀裂がウェハ１０の表裏面１０ｂ，１０ａに到達することにより、ウェハ１０が切断分離される。
【００５５】
ここで、各改質領域Ｒは切断予定ラインＫに沿って形成されているため、ダイシングフィルム１１を伸張させて各改質領域Ｒに引張応力を好適に印加させることで、各改質領域Ｒを切断の起点とした割断により、ウェハ１０に不要な割れを生じさせることなく、ウェハ１０を比較的小さな力で精度良く切断分離することができる。
【００５６】
尚、薄板略円板状のウェハ１０の表面１０ｂには、多数個のチップ（図示略）が碁盤目状に整列配置されており、切断予定ラインＫは各チップの間に配置されている。つまり、ウェハ１０の表面１０ｂには複数本の切断予定ラインＫが格子状に配置されている。
そのため、各改質領域Ｒを各切断予定ラインＫ毎に形成した後に、ダイシングフィルム１１を伸張させることにより、ウェハ１０を個々のチップに切断分離することができる。
【００５７】
ところで、ウェハ１０のバラツキによりウェハ１０の板厚が薄すぎる場合や、レーザ光Ｌの集光点Ｐの設定が不適切な場合には、集光点Ｐをウェハ１０の内部に合わせることができず、ウェハ１０の表面（レーザ光Ｌの入射面）１０ｂの反対側の面である裏面１０ａを越えた箇所に集光点Ｐが合ってしまうことがある。
言い換えれば、ウェハ１０の板厚が薄すぎる場合やレーザ光Ｌの焦点Ｐの設定が不適切な場合には、焦点Ｐをウェハ１０の内部に結ばせることができず、ウェハ１０におけるレーザ光Ｌの入射面（表面１０ｂ）の反対面（裏面１０ａ）を越えた箇所に焦点Ｐを結んでしまうことがある。
【００５８】
図３および図４は、ウェハ１０の裏面１０ａが平滑面の場合に、表面１０ｂ側からレーザ光Ｌを照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【００５９】
例えば、図３に示すように、ダイシングフィルム１１にレーザ光Ｌの集光点Ｐが合うと、レーザ光Ｌによりダイシングフィルム１１が溶融・損傷を起こすことがある。すると、ダイシングフィルム１１を伸張させてウェハ１０を切断分離する際に、ウェハ１０に対してダイシングフィルム１１の引張応力を均一に印加することができないため、ウェハ１０の正常な切断分離が困難になる。
【００６０】
また、図４に示すように、ステージ１２にレーザ光Ｌの集光点Ｐが合うと、レーザ光Ｌによりステージ１２が溶融・損傷を起こして平面性が失われることがある。すると、次のウェハ１０をステージ１２に載置してレーザ光Ｌを照射する際に、ウェハ１０の内部における所望の位置に集光点Ｐを合わせられず、必要な位置に改質領域Ｒを形成できないため、改質領域Ｒを起点としたウェハ１０の正確な切断分離が困難になる。
【００６１】
それに対して、図２に示すように、第１実施形態ではウェハ１０の裏面１０ａが粗面であるため、裏面１０ａを越えた箇所に集光点Ｐを誤設定したとしても、矢印γのようにレーザ光Ｌは裏面１０ａで散乱されることから集光点Ｐが合わなくなり、誤設定された集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌのエネルギーは大幅に減衰される。
【００６２】
従って、第１実施形態によれば、ダイシングフィルム１１にレーザ光Ｌの集光点Ｐが合うことがなく、ダイシングフィルム１１に溶融・損傷が起こるのを防止できる。また、図２に示すように、ステージ１２にレーザ光Ｌの集光点Ｐが合うことがなく、ステージ１２に溶融・損傷が起こるのを防止できる。
【００６３】
図５および図６は、ウェハ１０の裏面１０ａが粗面の場合に、その裏面１０ａを入射面として裏面１０ａ側からレーザ光Ｌを照射することにより改質領域Ｒを形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【００６４】
図５に示すように、レーザ光Ｌがウェハ１０の裏面１０ａを透過した場合には、集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌのエネルギーが大きくなり、ウェハ１０の内部に改質領域Ｒが形成される。
それに対して、図６に示すように、レーザ光Ｌがウェハ１０の裏面１０ａで散乱された場合には、集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌのエネルギーが減衰されるため、ウェハ１０の内部には改質領域Ｒが形成されない。
【００６５】
図７は、レーザ光Ｌとして１．０６４μｍの波長のＹＡＧレーザを使用し、レーザ光Ｌの入射面（ウェハ１０の裏面１０ａ）における表面粗さの最大高さＲmaxを変化させた場合に、ウェハ１０の内部に改質領域Ｒが形成されるかどうかを調べた結果を示すグラフである。
尚、表面粗さの最大高さＲmax（Ｒｙ）は、ＪＩＳ規格「ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２」に定められた測定法に基づく値であり、断面曲線から基準長さだけを抜き取った部分の最大高さ値（平均線に平行な２直線で抜き取り部分を挟んだときの当該２直線の間隔）を断面曲線の縦倍率の方向に測定し、その最大高さ値をミクロン（μｍ）単位で表したものである。
【００６６】
図７に示すように、ウェハ１０の裏面１０ａにおける表面粗さの最大高さＲmaxが、レーザ光Ｌの波長λ（＝１．０６４μｍ）以上の場合には、改質領域Ｒが形成されないことが分かる。
ここで、ウェハ１０の表面１０ｂを入射面として表面１０ｂ側からレーザ光Ｌを照射した場合（図１および図２）と、ウェハ１０の裏面１０ａを入射面として裏面１０ａ側からレーザ光Ｌを照射した場合（図５および図６）とで、レーザ光Ｌの散乱状態に違いはない。
【００６７】
尚、図７では、レーザ光Ｌとして波長λが１．０６４μｍのＹＡＧレーザを用いた場合の結果を示したが、１．０６４μｍ以外のどのような波長のレーザ光を用いた場合や、ＹＡＧレーザ以外のどのような種類のレーザを用いた場合でも、ウェハ１０の裏面１０ａにおける表面粗さの最大高さＲmaxがレーザ光Ｌの波長λ以上であれば改質領域Ｒが形成されない。
ちなみに、ＹＡＧレーザ以外のレーザの種類としては、例えば、ルビーヤガラスなどの固体レーザ、ガリウムヒ素やインジウムガリウムヒ素などの半導体レーザ、エキシマや炭酸ガスなどの気体レーザなどがある。
【００６８】
従って、ウェハ１０の裏面１０ａにおける表面粗さの最大高さＲmaxが使用するレーザ光Ｌの波長λ以上になるように設定しておけば（Ｒmax≧λ）、第１実施形態のように、ウェハ１０の表面１０ｂを入射面として表面１０ｂ側からレーザ光Ｌを照射した場合（図１および図２）でも、ウェハ１０の表面（レーザ光Ｌの入射面）１０ｂの反対側の面である裏面１０ａを越えた箇所に集光点Ｐが合うのを確実に防止可能になり、レーザ光Ｌによるダイシングフィルム１１やステージ１２の溶融・損傷が起こることがない。
言い換えれば、第１実施形態において、ウェハ１０の裏面１０ａにおける表面粗さの最大高さＲmaxが使用するレーザ光Ｌの波長λ以上になるように設定しておけば、ウェハ１０におけるレーザ光Ｌの入射面（表面１０ｂ）の反対面（裏面１０ａ）を越えた箇所にレーザ光Ｌが焦点Ｐを結ぶのを確実に防止できる。
【００６９】
＜第２実施形態＞
図８は、第２実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【００７０】
第２実施形態において、図２に示した第１実施形態と異なるのは以下の点だけである。
［２−１］ウェハ１０の裏面１０ａが平滑面になっている。
［２−２］ダイシングフィルム１１は、フィルム基材１１ａおよび接着材１１ｂから形成され、フィルム基材１１ａの表面全面に接着材１１ｂが塗布されている。
【００７１】
［２−３］フィルム基材１１ａは、伸張性のプラスチック製フィルム材から成り、その表面は平滑面になっている。
接着材１１ｂは、ウェハ１０とフィルム基材１１ａを接着する性質を有した接着剤（例えば、アクリル系接着剤など）の薄膜から成り、その表面は略均一な凹凸が形成された粗面になっている。
［２−４］ウェハ１０の裏面１０ａは、接着材１１ｂの表面に形成された凹凸の内の凸部にのみ接している。言い換えれば、ウェハ１０の裏面１０ａと、接着材１１ｂの表面に形成された凹凸の内の凹部との間には、空隙が形成されている。
【００７２】
このように、第２実施形態では、接着材１１ｂの表面（ウェハ１０の裏面１０ａとの接着面）が粗面であるため、ウェハ１０の裏面１０ａを越えた箇所に集光点Ｐを誤設定したとしても、矢印γのようにレーザ光Ｌは接着材１１ｂの表面で散乱されることから集光点Ｐが合わなくなり、誤設定された集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌのエネルギーは大幅に減衰される。
従って、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果（ダイシングフィルム１１およびステージ１２にレーザ光Ｌの集光点Ｐが合うことがなく、ダイシングフィルム１１およびステージ１２に溶融・損傷が起こるのを防止できる）が得られる。
【００７３】
そして、第２実施形態でも、第１実施形態と同様の作用により、接着材１１ｂの表面における表面粗さの最大高さＲmaxが使用するレーザ光Ｌの波長λ以上になるように設定しておけば（Ｒmax≧λ）、ウェハ１０におけるレーザ光Ｌの入射面（表面１０ｂ）の反対面（裏面１０ａ）を越えた箇所にレーザ光Ｌが焦点Ｐを結ぶのを確実に防止できる。
【００７４】
尚、接着材１１ｂの表面を粗面にするには、どのような処理方法を用いてもよく、例えば、接着材１１ｂの形成材料となる接着剤を侵すような酸性またはアルカリ性の溶液にダイシングフィルム１１を浸漬して化学的に処理する方法や、サンドブラストなどの機械的研磨により処理する方法、表面に凹凸が形成された治具を半硬化状態の接着材１１ｂに押し当てる型押しにより処理する方法などがある。
【００７５】
＜第３実施形態＞
図９は、第３実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【００７６】
第３実施形態においても、第２実施形態の前記［２−１］［２−２］と同様に、ウェハ１０の裏面１０ａが平滑面になっており、ダイシングフィルム１１がフィルム基材１１ａおよび接着材１１ｂから形成されている。
【００７７】
そして、第３実施形態において、第２実施形態と異なるのは以下の点だけである。
［３−１］フィルム基材１１ａの表面は略均一な凹凸が形成された粗面になっている。接着材１１ｂの表面は平滑面になっている。
［３−２］ウェハ１０の裏面１０ａの全面が接着材１１ｂの表面に接着されている。
【００７８】
このように、第３実施形態では、フィルム基材１１ａの表面（接着材１１ｂと接する面）が粗面であるため、ウェハ１０の裏面１０ａを越えた箇所に集光点Ｐを誤設定したとしても、矢印γのようにレーザ光Ｌはフィルム基材１１ａの表面で散乱されることから集光点Ｐが合わなくなり、誤設定された集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌのエネルギーは大幅に減衰される。
従って、第３実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００７９】
そして、第３実施形態でも、第１実施形態と同様の作用により、フィルム基材１１ａの表面における表面粗さの最大高さＲmaxが使用するレーザ光Ｌの波長λ以上になるように設定しておけば、前記効果を確実に得られる。
【００８０】
尚、フィルム基材１１ａの表面を粗面にするには、どのような処理方法を用いてもよく、例えば、フィルム基材１１ａを侵すような酸性またはアルカリ性の溶液にフィルム基材１１ａを浸漬して化学的に処理する方法や、サンドブラストなどの機械的研磨により処理する方法、表面に凹凸が形成された治具をフィルム基材１１ａに押し当てる型押しにより処理する方法などがある。
【００８１】
＜第４実施形態＞
図１０は、第４実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【００８２】
第４実施形態においても、第２実施形態の前記［２−１］［２−２］と同様に、ウェハ１０の裏面１０ａが平滑面になっており、ダイシングフィルム１１がフィルム基材１１ａおよび接着材１１ｂから形成されている。
【００８３】
そして、第４実施形態において、第２実施形態と異なるのは以下の点だけである。
［４−１］フィルム基材１１ａおよび接着材１１ｂの表面は平滑面になっている。
［４−２］接着材１１ｂの平坦な表面上には、略球状の粒子１３が略均一に多数個散蒔かれて接着されている。
［４−３］ウェハ１０の裏面１０ａは、接着材１１ｂの表面における粒子１３が無い部分にのみ接している。尚、図１０では、ウェハ１０の裏面１０ａと接着材１１ｂの表面が接している状態を図示していないが、粒子１３の粒径が小さい上に接着材１１ｂが柔軟性に富むため、ダイシングフィルム１１をウェハ１０の裏面１０ａに押し当てると、接着材１１ｂの表面における粒子１３が置かれていない部分によってダイシングフィルム１１をウェハ１０に貼着できる。
【００８４】
このように、第４実施形態では、接着材１１ｂの表面上（ウェハ１０との接着面上）に対して粒子１３が略均一に多数個散蒔かれていることにより、見かけ上、接着材１１ｂの表面が粗面になっているため、ウェハ１０の裏面１０ａを越えた箇所に集光点Ｐを誤設定したとしても、矢印γのようにレーザ光Ｌは粒子１３によって散乱されることから集光点Ｐが合わなくなり、誤設定された集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌのエネルギーは大幅に減衰される。
従って、第４実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００８５】
そして、第４実施形態でも、第１実施形態と同様の作用により、粒子１３が散蒔かれた接着材１１ｂの表面における見かけ上の表面粗さの最大高さＲmaxが使用するレーザ光Ｌの波長λ以上になるように設定しておけば、前記効果を確実に得られる。
ちなみに、粒子１３が散蒔かれた接着材１１ｂの表面における見かけ上の表面粗さの最大高さＲmaxは、粒子１３の粒径と略同一である。
【００８６】
尚、粒子１３の形成材料には、どのような材料（例えば、ガラス、セラミックス、プラスチックなど）を用いてもよく、フィルム基材１１ａや接着材１１ｂの形成材料と同種材料や異種材料を用いてもよい。
そして、粒子１３の形成材料およびその形成材料の屈折率・反射率は、前記作用・効果が確実に得られるように、カット・アンド・トライで実験的に最適なものを選択すればよい。
【００８７】
＜第５実施形態＞
図１１は、第５実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【００８８】
第５実施形態において、第４実施形態と異なるのは以下の点だけである。
［５−１］接着材１１ｂの中には、略球状の粒子１３が略均一に多数個埋め込まれている。そして、粒子１３の屈折率・反射率は、接着材１１ｂの屈折率・反射率と異なる。そのため、フィルム基材１１ａの表面上には、粒子１３が略均一に多数個散蒔かれて固定されていることになる。
［５−２］ウェハ１０の裏面１０ａの全面が接着材１１ｂの表面に接着されている。
【００８９】
このように、第５実施形態では、フィルム基材１１ａの表面上（接着材１１ｂと接する面上）に対して粒子１３が略均一に多数個散蒔かれていることにより、見かけ上、フィルム基材１１ａの表面が粗面になっているため、ウェハ１０の裏面１０ａを越えた箇所に集光点Ｐを誤設定したとしても、矢印γのようにレーザ光Ｌは粒子１３によって散乱されることから集光点Ｐが合わなくなり、誤設定された集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌのエネルギーは大幅に減衰される。
従って、第５実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００９０】
そして、第５実施形態でも、第１実施形態と同様の作用により、粒子１３が散蒔かれたフィルム基材１１ａの表面における見かけ上の表面粗さの最大高さＲmaxが使用するレーザ光Ｌの波長λ以上になるように設定しておけば、前記効果を確実に得られる。
ちなみに、粒子１３が散蒔かれたフィルム基材１１ａの表面における見かけ上の表面粗さの最大高さＲmaxは、粒子１３の粒径と略同一である。
【００９１】
［別の実施形態］
本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、上記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
【００９２】
［１］上記各実施形態はバルクシリコンウェハに適用したものであるが、本発明の適用はこれに限られるものではなく、多層構造の半導体基板を作成するための半導体材料から成るウェハに適用してもよい。
その場合、ウェハとしては、例えば、貼り合わせＳＯＩ（Semiconductor On Insulator）構造のウェハ、ＳＩＭＯＸ（Separation by IMplanted OXygen）構造のウェハ、ガラスなどの絶縁基板上に多結晶シリコンまたは非晶質シリコンを固相成長法や溶融再結晶化法により形成したＳＯＩ構造のウェハ、サファイアなどの基板上にIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させた半導体発光素子に用いられるウェハ、陽極接合を用いてシリコン基板とガラス基板とを貼り合わせて形成したウェハなどがある。
【００９３】
［２］上記各実施形態はバルクシリコンウェハに適用したものであるが、本発明の適用はこれに限られるものではなく、半導体基板（例えば、ガリウム砒素基板など）を作成するための半導体材料（例えば、ガリウム砒素など）から成るウェハであれば、どのようなウェハに適用してもよい。
また、本発明は、半導体基板を作成するための半導体材料から成るウェハに限らず、種々の材料（例えば、ガラスを含む材料など）から成るウェハに適用してもよい。
【００９４】
その場合、多光子吸収による改質領域Ｒは、上記各実施形態のような溶融処理領域を含むものに限らず、ウェハの形成材料に合わせた適宜なものにすればよい。例えば、ウェハの形成材料がガラスを含む場合には、多光子吸収による改質領域Ｒを、クラック領域を含むものか又は屈折率が変化した領域を含むものにすればよい。
尚、クラック領域または屈折率が変化した領域を含む改質領域については、特許文献１に開示されているため、説明を省略する。
【００９５】
［３］上記各実施形態では、ダイシングフィルム１１を伸張させることによりウェハ１０を切断分離している。しかし、曲率を有した物（例えば、半球状の物）の曲面（膨らんだ方の面）をウェハ１０の切断予定ラインに押し当てて押圧力を印加することにより、改質領域Ｒに剪断応力を発生させ、ウェハ１０を切断分離するようにしてもよい。
【００９６】
［４］第２〜第５実施形態では、従来より設けられているダイシングフィルム１１を光を散乱させるための光散乱部材として流用するため、専用の光散乱部材を設ける必要が無く、低コストに実現できる。
しかし、ダイシングフィルム１１とは別個に専用の光散乱部材を用意し、まず、光散乱部材をウェハ１０の裏面１０ａに接着し、次に、レーザ光Ｌを照射して改質領域Ｒを形成した後に光散乱部材をウェハ１０から取り外し、続いて、ダイシングフィルム１１をウェハ１０の裏面１０ａに接着するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明を具体化した第１実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【図２】第１実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【図３】ウェハ１０の裏面１０ａが平滑面の場合に、表面１０ｂ側からレーザ光Ｌを照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【図４】ウェハ１０の裏面１０ａが平滑面の場合に、表面１０ｂ側からレーザ光Ｌを照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【図５】ウェハ１０の裏面１０ａが粗面の場合に、その裏面１０ａを入射面として裏面１０ａ側からレーザ光Ｌを照射することにより改質領域Ｒを形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【図６】ウェハ１０の裏面１０ａが粗面の場合に、その裏面１０ａを入射面として裏面１０ａ側からレーザ光Ｌを照射することにより改質領域Ｒを形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【図７】レーザ光Ｌとして１．０６４μｍの波長のＹＡＧレーザを使用し、ウェハ１０の裏面１０ａにおける表面粗さの最大高さＲmaxを変化させた場合に、ウェハ１０の内部に改質領域Ｒが形成されるかどうかを調べた結果を示すグラフである。
【図８】本発明を具体化した第２実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【図９】本発明を具体化した第３実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【図１０】本発明を具体化した第４実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【図１１】本発明を具体化した第５実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の縦断面を模式的に表したものである。
【符号の説明】
【００９８】
１０…ウェハ
１０ａ…ウェハ１０の裏面
１０ｂ…ウェハ１０の表面
１１…ダイシングフィルム（光散乱部材）
１１ａ…フィルム基材
１１ｂ…接着材
１２…粒子
Ｌ…レーザ光
ＣＶ…集光レンズ
Ｐ…集光点
Ｒ…改質領域
Ｋ…切断予定ライン
【図１】
2007160920.tif 000003
【図２】
2007160920.tif 000004
【図３】
2007160920.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007160920.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007160920.tif 000009
【図８】
2007160920.tif 000010
【図９】
2007160920.tif 000011
【図１０】
2007160920.tif 000012
【図１１】
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