(57)【要約】【課題】視感度に近い分光透過特性を有する半導体光センサ装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板の表面部分に形成された第１の受光素子１および第２の受光素子２と、第１の受光素子の受光領域上に設けられ、第１の分光透過特性を有する第１の樹脂層１０ａと、第２の受光素子の受光領域上に設けられ、第１の分光透過特性を有する第２の樹脂層１０ｂと、第２の受光素子の受光領域上に、第２の樹脂層と積層するように設けられ、第２の分光透過特性を有する第３の樹脂層１１と、第１の受光素子から出力された第１の出力と第２の受光素子から出力された第２の出力との間で所定の演算を行って出力する演算回路３とを備えることを特徴とする。【選択図】図１
2007227551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面部分に形成された第１の受光素子および第２の受光素子と、
前記第１の受光素子の受光領域上に設けられ、第１の分光透過特性を有する第１の樹脂層と、
前記第２の受光素子の受光領域上に設けられ、第２の分光透過特性を有する第２の樹脂層と、
前記第１の受光素子から出力された第１の出力と、前記第２の受光素子から出力された第２の出力との間で所定の演算を行って出力する演算回路と、
を備え、
前記第１の分光透過特性は、短波長領域の波長成分を除去する特性であり、前記第２の分光透過特性は、赤外領域の波長成分を透過する特性であることを特徴とする半導体光センサ装置。
【請求項２】
半導体基板の表面部分に形成された第１の受光素子および第２の受光素子と、
前記第１の受光素子の受光領域上に設けられ、第１の分光透過特性を有する第１の樹脂層と、
前記第２の受光素子の受光領域上に設けられ、前記第１の分光透過特性を有する第２の樹脂層と、
前記第２の受光素子の受光領域上に、前記第２の樹脂層と積層するように設けられ、第２の分光透過特性を有する第３の樹脂層と、
第１の受光素子から出力された第１の出力と、前記第２の受光素子から出力された第２の出力との間で所定の演算を行って出力する演算回路と、
を備え、
前記第１の分光透過特性は、短波長領域の波長成分を除去する特性であり、前記第２の分光透過特性は、赤外領域の波長成分を透過する特性であることを特徴とする半導体光センサ装置。
【請求項３】
前記第２の樹脂層と前記第３の樹脂層は、前記第２の受光素子の受光領域上において、前記第２の樹脂層の表面上に前記第３の樹脂層が積層されていることを特徴とする請求項２記載の半導体光センサ装置。
【請求項４】
照度に関する比較電圧を生成する比較電圧生成回路と、
前記演算回路が出力した前記所定の演算の結果と、前記比較電圧とを比較し、比較した結果を出力する比較器と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体光センサ装置。
【請求項５】
前記第１の分光透過特性は、短波長領域の波長成分を除去する特性であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体光センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周囲の照度に応じてリニアな出力を出力する半導体光センサ装置が幅広く用いられており、特に携帯電話において、周囲の照度に応じた液晶画面のバックライトやキー部におけるＬＥＤのオン／オフ制御に使用されている。
【０００３】
例えば、周囲が明るい場合にはバックライトやキー部のＬＥＤを消灯し、暗い場合には点灯、あるいは輝度調整等を行って不要な消費電力を抑えるための照度センサとして使用されている。
【０００４】
このような要求に応えるためには、照度センサとしての半導体光センサ装置には人間の視感度とほぼ一致した分光透過特性が求められる。
【０００５】
視感度に近づけた分光透過特性を得る従来技術として、後述する特許文献１に記載されたものがある。この照度センサは、赤外透過フィルタを形成したフォトダイオードと赤外透過フィルタが形成されていないフォトダイオードとを配置し、それぞれのフォトダイオードから発生した光電流の間で演算を行うことにより、赤外光を検出波長帯から除外している。これにより、照度センサの分光透過特性において赤外光に対する感度を除くことができる。
【０００６】
このように、従来は長波長側において分光透過特性の改善を行っていたが、短波長側では改善されていなかった。このため、短波長側において視感度との間にズレが生じるという問題があった。
【０００７】
以下に、従来の赤外透過フィルタを用いた半導体光センサ装置を開示した文献名を記載する。
【特許文献１】特開２００４−２１４３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、人間の視感度に近い分光透過特性を有する半導体光センサ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様による半導体光センサ装置は、半導体基板の表面部分に形成された第１の受光素子および第２の受光素子と、前記第１の受光素子の受光領域上に設けられ、第１の分光透過特性を有する第１の樹脂層と、前記第２の受光素子の受光領域上に設けられ、第２の分光透過特性を有する第２の樹脂層と、前記第１の受光素子から出力された第１の出力と、前記第２の受光素子から出力された第２の出力との間で所定の演算を行って出力する演算回路とを備え、前記第１の分光透過特性は、短波長領域の波長成分を除去する特性であり、前記第２の分光透過特性は、赤外領域の波長成分を透過する特性であることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の一態様による半導体光センサ装置は、半導体基板の表面部分に形成された第１の受光素子および第２の受光素子と、前記第１の受光素子の受光領域上に設けられ、第１の分光透過特性を有する第１の樹脂層と、前記第２の受光素子の受光領域上に設けられ、前記第１の分光透過特性を有する第２の樹脂層と、前記第２の受光素子の受光領域上に、前記第２の樹脂層と積層するように設けられ、第２の分光透過特性を有する第３の樹脂層と、第１の受光素子から出力された第１の出力と、前記第２の受光素子から出力された第２の出力との間で所定の演算を行って出力する演算回路とを備え、前記第１の分光透過特性は、短波長領域の波長成分を除去する特性であり、前記第２の分光透過特性は、赤外領域の波長成分を透過する特性であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、人間の視感度に近い分光透過特性を有する半導体光センサ装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
（１）実施の形態１
図１に、本発明の実施の形態１による半導体光センサ装置の回路構成を示す。この半導体光センサ装置は、フォトダイオード部１及び２、増幅回路３、４及び５、出力回路６を備えている。
【００１４】
図２（ａ）に、フォトダイオード部１及び２の縦断面構造を示す。
【００１５】
フォトダイオード部１は、ｐ型半導体基板７上に形成されたｎ型エピタキシャル層８と、ｎ型エピタキシャル層８の表面に形成されたｐ型拡散層９とによって形成され、その上部に絶縁膜２０４、２０５を介して、短波長領域の光を除去する短波長カットフィルタ１０ａが形成されている。
【００１６】
フォトダイオード部２は、フォトダイオード部１と同様のフォトダイオード構造に加えて、その上部に絶縁膜２０４、２０５を介して、赤外透過フィルタ１１と短波長カットフィルタ１０ｂとが積層するように形成されている。この赤外透過フィルタ１１と短波長カットフィルタ１０ｂの積層の順序はいずれであってもよく、本実施の形態１では絶縁膜２０５上に赤外透過フィルタ１１、短波長カットフィルタ１０ｂの順で積層されている。
【００１７】
ここで、フォトダイオード部１、２におけるそれぞれのｎ型エピタキシャル層８、ｐ型拡散層９は、ｐ＋型素子分離領域２０１によって周囲から分離されており、さらにｐ＋型埋め込み層２０２、ｎ＋型埋め込み層２０３が形成されている。
【００１８】
図３（ａ）に、短波長カットフィルタ１０ａ、１０ｂの透過率特性の一例を示す。図示されたように、短波長カットフィルタ１０ａ、１０ｂは、半値波長（透過率が５０％になる波長）が４００〜６００ｎｍの間にある分光透過特性を有する。
【００１９】
図３（ｂ）に、赤外透過フィルタ１１の透過率特性の一例を示す。この赤外透過フィルタ１１は、半値波長が５５０〜７００ｎｍの間にある分光透過特性を有する。
【００２０】
図３（ｃ）に、フォトダイオード部１、２においてフィルタ１０ａ、１０ｂ、１１を全く用いない状態で得られる分光透過特性を示す。シリコンを用いた半導体基板に形成されたフォトダイオードでは、図示されたように５００〜６００ｎｍにおいて透過率がピークになるような特性を有する。
【００２１】
短波長カットフィルタ１０ａのみを用いたフォトダイオード部１において得られる分光透過特性、即ち、図３（ｃ）に示されたような特性を有するフォトダイオードに、図３（ａ）に示された特性を有する短波長カットフィルタ１０ａを用いた場合に得られる分光透過特性を図３（ｄ）に示す。
【００２２】
さらに、短波長カットフィルタ１０ｂ及び赤外透過フィルタ１１を用いたフォトダイオード部２において得られる分光透過特性、即ち、図３（ｃ）に示されたような特性を有するフォトダイオードに、図３（ａ）に示された特性を有する短波長カットフィルタ１０ａ及び図３（ｂ）に示された特性を有する赤外透過フィルタ１１を用いた場合に得られる分光透過特性を図３（ｅ）に示す。
【００２３】
そして、最終的にフォトダイオード部１及び２を用いて本実施の形態１により得られる分光透過特性を図３（ｆ）に示す。図示されたように、本実施の形態１によれば人間の視感度とほぼ一致する分光透過特性を得ることができる。
【００２４】
以上のような分光透過特性を実現する本実施の形態１による半導体光センサ装置の動作について、図１を参照して説明する。
【００２５】
所定照度の光がフォトダイオード部１、２に照射されると、フォトダイオード部１からは、短波長カットフィルタ１０ａを透過した可視光領域から赤外領域までの光電流が出力される。
【００２６】
一方、フォトダイオード部２からは赤外透過フィルタ１１の分光透過特性に応じた赤外領域の光電流が出力され、同一サイズのトランジスタ３ａ、３ｂから成るカレントミラー構成を有する増幅回路３によって等倍に増幅される。
【００２７】
増幅回路４には、フォトダイオード部１の出力と増幅回路３の出力とが接続されており、フォトダイオード部１の出力から増幅回路３の出力を差し引いた電流、即ち赤外成分が減算された電流が入力される。この後、増幅回路４、５、出力回路６においてこの電流を必要な大きさまで増幅した後、外部に出力する。
【００２８】
図４（ａ）に、本実施の形態１におけるチップレイアウトのパターンの一例を示す。フォトダイオード部１とフォトダイオード部２とが２つ隣接するように配置されている。
【００２９】
図４（ｂ）に示されたチップレイアウトパターンでは、フォトダイオード部１、２のパターンが複数に分割されており、フォトダイオード部１とフォトダイオード部２とが千鳥格子状に、相互に交互に隣接するように配置されている。そして、図１における図示されていない配線層により、フォトダイオード部１同士、フォトダイオード部２同士の間で並列に接続されている。
【００３０】
以上のように本実施の形態１によれば、フォトダイオードの光出力から赤外領域のみならず短波長領域が除去されるので、視感度に近い分光透過特性を得ることができる。
【００３１】
ここで、本実施の形態１における変形例の構造を図２（ｂ）に示す。この変形例では、実施の形態１における短波長カットフィルタ１０ａと１０ｂとが連続的に形成された短波長カットフィルタ１０ｃが設けられている。この場合には、短波長カットフィルタ１０ｃを１０ａと１０ｂとに分離するパターニングが不要である。さらに、実施の形態１における短波長カットフィルタ１０ａと１０ｂとの間を通過するように斜めから入射された光も、変形例では短波長カットフィルタ１０ｃを通過することになり、より望ましい特性が得られる。
【００３２】
次に、参考例による半導体光センサ装置について述べる。
【００３３】
図５に、この半導体光センサ装置におけるフォトダイオード並びに光電流の信号処理回路の構成を示す。赤外透過フィルタが用いられたフォトダイオード１０１と、赤外透過フィルタが用いられておらず４倍の面積を有するフォトダイオード１０２とが配置され、フォトダイオード１０１から光電流Ｉ１、フォトダイオード１０２から光電流Ｉ２が出力される。
【００３４】
増幅回路１０３において、フォトダイオード１０１からの光電流Ｉ１の４倍の光電流Ｉ２が流れる。
【００３５】
信号処理回路１０４は、増幅回路１０３の出力と、フォトダイオード１０２のアノードとに接続されており、フォトダイオード１０２からの光電流Ｉ２から増幅回路１０３により増幅されたフォトダイオード１０１の光電流Ｉ１、即ち赤外透過フィルタを通過した赤外成分を引算し、その演算結果を出力する。
【００３６】
この結果、図６において実線で示された分光透過特性のように、赤外光に対する感度をほとんど有していない点線で示された分光透過特性が得られる。
【００３７】
しかし、図６においてハッチングが施された短波長側の成分は除去されておらず、この部分が参考例の分光透過特性と視感度との相違となっている。
【００３８】
以下に、赤外透過フィルタを用いた上記参考例による半導体光センサ装置と、赤外透過フィルタを全く用いないフォトダイオードで構成された半導体光センサ装置における、白熱電球照射時と蛍光灯照射時の出力比（＝白熱電球照射時の出力／蛍光灯照射時の出力）に関する実験に基づくデータについて述べる。
【００３９】
白熱電球照射時と蛍光灯照射時との出力比（＝白熱電球照射時の出力／蛍光灯照射時の出力）は、視感度に一致した分光透過特性を有する場合には、１．０となる。従って、半導体光センサ装置を用いて例えば液晶画面の輝度調整等を行うためには、０．８〜１．２程度の特性を有することが必要と考えられる。
【００４０】
これに対し、赤外透過フィルタを用いないセンサでは、出力比が１．３以上となり、上記参考例における赤外透過フィルタを用いたセンサでは、出力比が０．８〜０．９となる。従って、上記参考例によれば、赤外透過フィルタを用いたことにより、白熱電球照射時と蛍光灯照射時の出力比（＝白熱電球照射時の出力／蛍光灯照射時の出力）を、赤外透過フィルタを全く用いない場合より改善することがわかる。
【００４１】
しかし、蛍光灯照射時の出力の方がより大きくなるという問題がある。さらに、量産工程等のばらつき要因を考慮した場合、０．８〜１．２に抑えることは困難である。
【００４２】
シリコン等の半導体基板上にフォトダイオードを形成した場合、３６０ｎｍ〜５５０ｎｍの波長の光に対してもシリコンは感度を有する。このため、図６においてハッチングが施された領域のように、短波長領域において参考例による半導体光センサ装置における分光透過特性と視感度との間にズレが生じる。
【００４３】
図７に、一般に照明として使用されている光源の発光スペクトルを示す。図６においてハッチングが施された領域、即ち３６０ｎｍ〜５５０ｎｍの波長帯では、白熱電球の発光強度は低く、ハロゲンランプも比較的低い発光強度となっている。
【００４４】
しかし、３波長帯を有する蛍光灯や、省エネ照明として注目されている白色ＬＥＤでは、３６０ｎｍ〜５５０ｎｍの発光強度が大きいことが分かる。このため、上記参考例による半導体光センサ装置では、短波長側において視感度との間にズレが生じ、白熱電球照射時と蛍光灯照射時の出力比（＝白熱電球照射時の出力／蛍光灯照射時の出力）が１．０にはならないという問題がある。
【００４５】
これに対し、上記実施の形態１の半導体光センサ装置によれば、フォトダイオードの光出力から、赤外領域に加えて短波長領域を除去することにより、より視感度に近い分光透過特性を実現することができる。
【００４６】
（２）実施の形態２
本発明の実施の形態２による半導体光センサ装置の構成を図８に示す。この半導体光センサ装置は、フォトダイオード部１及び２、増幅回路１４、１５、１６、出力回路１７を備えている。
【００４７】
フォトダイオード部２からの光電流を増幅回路１４において、同様にフォトダイオード部１からの光電流を増幅回路１５で一旦増幅した後、増幅回路１６において実施の形態１における増幅回路３と同様にフォトダイオード部２からの光電流からフォトダイオード部１からの光電流を差し引いた後、出力回路１７によって増幅して外部に出力する。
【００４８】
ここで、フォトダイオード部１とフォトダイオード部２とは、上記実施の形態１と同様な構造を有しており説明を省略する。
【００４９】
実施の形態２では、増幅回路１４、１５において、フォトダイオード部２、１からの光電流を、例えばチップ側面から入射する光によって基板で発生した光キャリアによる電流や、フォトダイオードからの拡散電流の影響を無視できる程度にまで増幅する点で上記実施の形態１と相違する。
【００５０】
フォトダイオード部２、１からそれぞれ出力された光電流を、チップ側面から入射する光によって基板で発生した光キャリアによる電流や、フォトダイオードからの拡散電流の影響が無視できる程度にまで増幅した後に差し引くことにより、半導体基板内で発生する光キャリアの影響も、引算によって相殺することが可能となる。
【００５１】
フォトダイオード部１、２から出力された光電流は例えば数ｎＡというように微小である。このため、一旦光電流を増幅した後差し引く方が、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
【００５２】
ところで、チップ側面からの光の影響を等しくするため、フォトダイオード部１、フォトダイオード部２におけるそれぞれチップ端からの距離も同等となるように、即ち特性上等価な配置となるように、レイアウトに関してペア性を持たせることが望ましい。
【００５３】
また、増幅回路１４、１５を構成する回路素子へのチップ側面からの光の影響、さらにはフォトダイオード部１、２からの拡散電流の影響を等しくするため、増幅回路１４、１５の配置も、フォトダイオード部１、２からの距離、チップ端からの距離が同等となるようにペア性を持たせることが望ましい。
【００５４】
（３）実施の形態３
本発明の実施の形態３による半導体光センサ装置について、その構成を示した図９を用いて説明する。この半導体光センサ装置は、フォトダイオード部１、２、増幅回路３、増幅回路１８、１９、基準電圧発生回路２０、比較電圧生成回路２１、コンパレータ２２、論理回路２３を備えている。
【００５５】
上記実施の形態１と同様に、フォトダイオード部２からの光電流から、フォトダイオード部２からの光電流を増幅回路３において差し引いて、視感度に一致させる。
【００５６】
その後、増幅回路３からの出力が増幅回路１８、１９によって増幅された後、コンパレータ２２に入力される。
【００５７】
一方、基準電圧発生回路２０がバンドギャップ定電圧等の基準電圧を発生する。この基準電圧発生回路２０が発生した基準電圧に基づいて、比較電圧生成回路２１が比較電圧を発生する。この比較電圧は、例えば液晶画面のバックライトの点灯又は消灯の切り替えを行うために、周囲の照度を２段階のいずれであるかを判断する基準値に相当する。
【００５８】
コンパレータ２２において、比較電圧生成回路２１が出力した比較電圧と、増幅器１９から出力された光電流に対応した値を有する出力とが比較されて、比較結果が出力される。このコンパレータ２３の出力は、論理回路２３に入力され、「１」又は「０」の論理信号が出力される。
【００５９】
本実施の形態３によれば、フォトダイオード部２から得られた光電流からフォトダイオード部２からの光電流を差し引いた後、所定の比較電圧と比較することで、例えば液晶画面のバックライトの点灯／消灯の制御に用いる出力を得ることができる。この出力は、上記実施の形態１、２と同様に、フォトダイオードの光出力から赤外領域並びに短波長領域を除去することで、より視感度に近い分光透過特性を有するものである。
【００６０】
（４）実施の形態４
本発明の実施の形態４による半導体光センサ装置におけるフォトダイオードの断面構造を図１０（ａ）に示す。上記実施の形態１では、フォトダイオード部２において、その上部に絶縁膜２０４、２０５を介して、赤外透過フィルタ１１、短波長カットフィルタ１０ｂの順序で積層されている。
【００６１】
これに対し、本実施の形態４では、逆に絶縁膜２０５上に短波長カットフィルタ１０ｂ、赤外透過フィルタ１１の順序で積層されている。
【００６２】
本実施の形態４におけるフィルタの積層の順序によれば、フォトダイオード部１と同様にフォトダイオード部２において、フォトダイオードが形成されているエピタキシャル層８により近い位置に短波長カットフィルタ１０ｂが形成されている。従って、上記実施の形態１と異なり、フォトダイオード部２の斜め上部から矢印Ａで示されように入射した光が、フォトダイオード部１の斜め上部からの入射光と同一条件で短波長カットフィルタ１０ｂを通過した後、フォトダイオード部１に入射する。
【００６３】
従って、フォトダイオード部１とフォトダイオード部２との間で、短波長カットフィルタ１０ａ、１０ｂが等価な位置に配置されているので、フォトダイオード部２からの光電流からフォトダイオード部１からの光電流を差し引く際により高精度な演算が可能となる。
【００６４】
上記実施の形態２〜３による半導体光センサ装置におけるフォトダイオード部２におけるフィルタの積層の順序は、上記実施の形態１あるいは本実施の形態４のいずれによるものであってもよい。
【００６５】
ここで、本実施の形態４における変形例の構造を図１０（ｂ）に示す。この変形例では、実施の形態４における短波長カットフィルタ１０ａと１０ｂとが連続的に形成された短波長カットフィルタ１０ｄが設けられている。この場合には、短波長カットフィルタ１０ｄを１０ａと１０ｂとに分離するパターニングが不要である。さらに、実施の形態４における短波長カットフィルタ１０ａと１０ｂとの間を通過するように斜めから入射された光も、この変形例では短波長カットフィルタ１０ｄを通過することになり、より望ましい特性が得られる。
【００６６】
（５）実施の形態５
本発明の実施の形態５による半導体光センサ装置におけるフォトダイオードの断面構造を図１１に示す。本実施の形態５では、フォトダイオード部２において短波長カットフィルタ１０が配置されておらず、絶縁膜２０５上に赤外透過フィルタ１１のみが配置されている点で上記実施の形態１、４と相違する。
【００６７】
図３（ａ）に示されたような５５０ｎｍ以上の波長帯における透過率が非常に高い短波長カットフィルタ１０を使用する場合には、短波長カットフィルタ１０をフォトダイオード部１の上部にのみ形成し、フォトダイオード部２の上部には赤外透過フィルタ１１のみを形成してもよい。
【００６８】
上記実施の形態２〜３におけるフォトダイオード部１、２は、本実施の形態５におけるフォトダイオード構造を有するものであってもよい。
【００６９】
以上説明したように、上記実施の形態１〜５によれば、可視光領域から赤外領域までの分光透過特性を有するフォトダイオードを用いた半導体光センサ装置において、短波長カットフィルタ１０ａのみが形成されたフォトダイオード部１と、短波長カットフィルタ１０ｂ及び赤外透過フィルタ１１が形成されたフォトダイオード部２とを用いてそれぞれ出力された光電流に演算を行うことにより、短波長成分及び赤外成分が除去され、視感度に近い分光透過特性を有する半導体光センサ装置を実現することができる。
【００７０】
尚、上述した実施の形態はいずれも一例であって、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的範囲内において様々に変形することが可能である。例えば、受光素子はフォトダイオードに限らず、受光量に対応した電気信号を発生するものであればよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体光センサ装置の構成を示す回路図。
【図２】（ａ）は、同実施の形態１による半導体光センサ装置におけるフォトダイオード部の縦断面の構造を示す断面図、（ｂ）はその変形例を示す断面図。
【図３】（ａ）は、同実施の形態１による半導体光センサ装置における短波長カットフィルタの透過率特性の一例を示すグラフ、（ｂ）は、同実施の形態１による半導体光センサ装置における赤外透過フィルタの透過率特性の一例を示すグラフ、（ｃ）は、同実施の形態１による半導体光センサ装置において用いることが可能なフォトダイオードにおけるフィルタを用いない状態での特性の一例を示すグラフ、（ｄ）は、同実施の形態１による半導体光センサ装置において短波長カットフィルタのみを用いたフォトダイオード部１において得られる特性の一例を示すグラフ、（ｅ）は、同実施の形態１による半導体光センサ装置において短波長カットフィルタ及び赤外透過フィルタ１１を用いたフォトダイオード部２において得られる特性の一例を示すグラフ、（ｆ）は、同実施の形態１による半導体光センサ装置においてフォトダイオード部１及び２を用いて最終的に得られる特性の一例を示すグラフ。
【図４】（ａ）は、同実施の形態１による半導体光センサ装置におけるチップレイアウトパターンの一例を示す平面図、（ｃ）は、同実施の形態１による半導体光センサ装置におけるチップレイアウトパターンの他の例を示す平面図。
【図５】参考例による半導体光センサ装置の構成を示す回路図。
【図６】同参考例による半導体光センサ装置における分光感度特性の一例を示すグラフ。
【図７】各種光源の発光スペクトルを示すグラフ。
【図８】本発明の実施の形態２による半導体光センサ装置の構成を示す回路図。
【図９】本発明の実施の形態３による半導体光センサ装置の構成を示す回路図。
【図１０】（ａ）は、本発明の実施の形態４による半導体光センサ装置におけるフォトダイオード部の縦断面の構造を示す断面図、（ｂ）はその変形例を示す断面図。
【図１１】本発明の実施の形態５による半導体光センサ装置におけるフォトダイオード部の縦断面の構造を示す断面図。
【符号の説明】
【００７２】
１、２  フォトダイオード部
３、４、５、１４、１５、１６、１８、１９、１０３  増幅回路
６、１７、１０４  出力回路
７  ｐ型基板
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ  短波長カットフィルタ
１１  赤外透過フィルタ
２０  基準電圧発生回路
２１  比較電圧生成回路
２２  コンパレータ
２３  論理回路
１０１、１０２  フォトダイオード
【図１】
2007227551.tif 000003
【図２】
2007227551.tif 000004
【図３】
2007227551.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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