(57)【要約】      （修正有）【課題】スペーサと背面基板および前面基板の間を確実に導電接続する。【解決手段】背面パネルＰＮＬ１と、前面パネルＰＮＬ２とを貼り合わせ、両パネルの対向する内部空間を所定の減圧又は真空状態に封止する。背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１にはマトリクス配列した多数の電子源ＥＬＳを有し、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２には蛍光体ＰＨ層と電子源ＥＬＳから放出された電子ｅ-を蛍光体層ＰＨに射突させる電界を形成するための加速電圧を形成する陽極ＡＤを有する。スペーサ植立構造体は、コアガラスＣＲＧと、このコアガラスＣＲＧの表面を覆う高抵抗層のコートガラスＳＲＧで構成されたスペーサＳＰＣを接着層ＦＧＳで直接背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２とに接合して植立される。【選択図】図１
2007227230.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板の対向面の間に接着層で接合して植立し、両者の間隙を所定値に維持するためのスペーサとこのスペーサを接合して植立する接着層とからなるスペーサ植立構造体であって、
前記スペーサが、コアガラスと、このコアガラスの表面を覆うコートガラスで形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に前記スペーサを直接接合する前記接着層が前記コートガラスと同系のガラスからなることを特徴とするスペーサ植立構造体。
【請求項２】
第１の基板と第２の基板の対向面の間に接着層で接合して植立し、両者の間隙を所定値  に維持するためのスペーサとこのスペーサを接合して植立する接着層とからなるスペー  サ植立構造体であって、
前記スペーサが、コアガラスと、このコアガラスの表面を覆うコートガラスで形成され  、
前記コートガラスと前記接着層がバナジウムを主成分とし、添加物としてテルルと燐を含むガラスであることを特徴とするスペーサ植立構造体。
【請求項３】
請求項２において、
前記接着層と前記コートガラスの間に前記テルルと燐が互いに拡散し、前記接着層または前記コートガラスと異なる前記テルルと燐の重量比を示す拡散層を有することを特徴とするスペーサ植立構造体。
【請求項４】
請求項３において、
前記接着層の前記テルルの濃度は、前記コートガラスのテルルの濃度より高く、前記接着層での前記燐の濃度は、前記コートガラスの燐の濃度より低いことを特徴とするスペーサ植立構造体。
【請求項５】
請求項２において、
背面基板側の接着層と前面基板側の接着層のＴｅ、Ｐの濃度が異なっていることを特徴とするスペーサ植立構造体。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記接着層に導電性フィラーが混入されていることを特徴とするスペーサ植立構造体。  
【請求項７】
絶縁基板と、該絶縁基板の主面に設けられて、第１方向に延在し該第１方向と交差する第２方向に並設された複数の走査線と、前記第２方向に延在し前記第１方向に並設された複数の信号線と、前記走査線と前記信号線の交差部近傍に設けられた電子源を有する背面パネルと、
透明絶縁基板と、該透明絶縁基板の主面に設けられて、前記電子源のそれぞれと対を成す蛍光体層と、陽極とを有する前面パネルと、
主面同士を対向させた前記背面パネルと前記前面パネルの端部内周に介挿して、両パネルと共に減圧容器を形成する封止枠と、
前記背面パネルと前記前面パネルの間に接合されて、両パネルの間隔を所定値に維持するスペーサと接着層とからなるスペーサ植立構造体を備え、
前記スペーサが、コアガラスと、このコアガラスの表面を覆うコートガラスで形成されており、
前記背面パネルと前記前面パネルとの間に前記スペーサを直接接合する前記接着層が前記コートガラスと同系のガラスからなることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記コートガラス及び接着層は、それぞれバナジウムと、テルル及びリンを含有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記接着層と前記コートガラスの間に拡散層を有し、前記拡散層は前記テルル及び燐の含有量が前記接着層またはコートガラスと異なることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項８において、
前記接着層のテルル濃度が前記コートガラスのテルル濃度より高く、前記接着層のリン濃度が前記コートガラスのリン濃度より低いことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０の何れかにおいて、
前記接着層に導電性フィラーが混入されていることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、減圧空間を構成する絶縁基板間の間隙を所定値に保持するスペーサ植立構造体と、このスペーサ植立構造体を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板状の二枚の絶縁基板（背面基板および前面基板）を貼り合わせた表示パネルを用いた表示装置、所謂平板型表示装置（平板型ディスプレイ:ＦＰＤ）として、例えば、マトリクス状に配置した薄膜電子源を有する表示装置が注目されており、その一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電子放出型表示装置が知られている。
【０００３】
図６は、電子源に金属膜―絶縁膜―金属膜型電子源を用いた電子放出型表示装置の基本構成を説明する模式断面図である。この表示装置は、第１の基板（絶縁基板、以下単に背面基板とも称する）ＳＵＢ１の主面に設けられて、第１方向に延在し該第１方向と交差する第２方向に並設された複数の走査線ＧＬと、走査線ＧＬの下層に設けられ、第２方向に延在し第１方向に並設された複数の信号線ＣＬと、走査線ＧＬと信号線ＣＬの交差部近傍に設けられた電子源を有する背面パネルＰＮＬ１と、
第２の基板（透明絶縁基板、以下単に前面基板とも称する）ＳＵＢ２と、該前面基板ＳＵＢ２の主面に設けられて、電子源ＥＬＳのそれぞれと対を成す蛍光体層ＰＨと、陽極ＡＤとを有する前面パネルＰＮＬ２と、
主面、すなわち電子源ＥＬＳや蛍光体層ＰＨ等を形成した内面同士を対向させた背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２の端部内周に介挿して、両パネルと共に減圧容器を形成する封止枠（図示せず）と、
背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２の間に接合されて、両パネルの間隔を所定値に維持するスペーサＳＰＣと接着層ＦＧＳとからなるスペーサ植立構造体を備えている。この導電接続を確実にするために、スペーサＳＰＣと接着層ＦＧＳの間に導電膜ＥＥＦを介在させている。
【０００４】
スペーサＳＰＣは、コアガラスＣＲＧと、このコアガラスＣＲＧの表面を覆う高抵抗層の導電膜ＳＲＧで形成されており、背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２との間に植立させ、接着層ＦＲＧで接合している。なお、コアガラスＣＲＧの材料はアルミノシリケートガラスやソーダガラス等で、導電膜ＳＲＧの材料はＣｒ2Ｏ3やＮｂ2Ｏ5等である。
【０００５】
すなわち、電子放出型のＦＰＤは、上記のような電子源ＥＬＳを備えた背面基板ＳＵＢ１で構成した背面パネルＰＮＬ１と、蛍光体層ＰＨとこの蛍光体層ＰＨに電子源ＥＬＳから放出される電子ｅ-を射突させるための加速電圧を形成した陽極ＡＤを備えた前面基板ＳＵＢ２で構成された前面パネルＰＮＬ２とを貼り合わせ、両パネルの対向する内部空間を所定の減圧又は真空状態に封止する。背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１にはマトリクス配列した多数の電子源ＥＬＳを有し、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２には蛍光体層ＰＨと電子源ＥＬＳから放出された電子ｅ-を蛍光体層ＰＨに射突させる電界を形成するための加速電圧を形成する陽極ＡＤを有する。
【０００６】
個々の電子源は、対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。
【０００７】
背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＳＵＢ２の間隔は、表示領域内に両基板を支えるように配置される間隔保持部材であるスペーサＳＰＣに関しては、例えば、特許文献１を参照されたい。
【０００８】
例えば、薄膜電子源に金属膜―絶縁膜―金属膜（ＭＩＭ）電子源を用いた表示装置では、電子源ＥＬＳ（カソード）と陽極ＡＤ（アノード）の間隔が１ｍｍ〜５ｍｍ程度で、両者間に３ｋＶ〜１０ｋＶの電位差となる高電圧が印加される。そのため、両基板間に橋絡して所定の間隔を保持する絶縁体のスペーサに電荷が帯電して放電が起こり、カソードや他の構造部の破壊を招く。これを回避するため、スペーサＳＰＣおよび接合のための接着層ＦＧＳからなるスペーサ植立構造体には、上記の電荷を逃すためにある程度の導電性が必要である。
【０００９】
このようなスペーサ植立構造体の一例として、青板ガラス表面に導電性部材を形成させた導電性スペーサを用い、背面基板と前面基板の間に無機接着剤に導電性のガラスフィラーを添加分散させた接着剤で接着するものが特許文献２に開示されている。また、コアガラスに高抵抗膜をコートしたスペーサと接着材の間に導電膜ＥＥＦ（図６参照）を介在させて背面基板と前面基板との間の確実な導電接続を得ようとするものが特許文献３に開示されている。特許文献３には、コートする高抵抗膜として、遷移金属とセラミックス複合体が好ましい、との開示がある。
【特許文献１】特開２００３−３１７６４８号公報
【特許文献２】特開２０００−５７９３７号公報
【特許文献３】特開２０００−８２４２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来のスペーサ植立構造体において、表面に導電性部材を形成させた導電性スペーサを無機接着剤で接着したものでは、無機接着剤とスペーサの間で剥離し易い。また、背面基板と前面基板との導電接続を確実にする導電膜を介在させるものでは、この導電膜とガラスフリットの接着層との界面で剥離が発生し易い。その結果、表示装置の信頼性が低下する。
【００１１】
本発明の目的は、導電膜を介在させることなく、スペーサと背面基板および前面基板の間を確実に導電接続すると共に、スペーサと接着層との界面での剥離を抑制して、高信頼性のスペーサ植立構造体とこのスペーサ植立構造体を用いた表示装置を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のスペーサ植立構造体について、
第１の基板と第２の基板の対向面の間に接着層で接合して植立し、両者の間隙を所定値に維持するための本発明のスペーサは、コアガラスと、このコアガラスの表面を覆うコートガラスで形成され、前記第１の基板と前記第２の基板との間に前記スペーサを直接接合する前記接着層を前記コートガラスと同系のガラスとした。
【００１３】
また、本発明のスペーサ植立構造体では、
前記コートガラスと前記接着層がバナジウムを主成分とし、添加物としてテルルと燐を互いに異なる重量比で含むバナジウム系ガラスとした。
【００１４】
また、本発明のスペーサ植立構造体では、
前記接着層と前記コートガラスの間に前記テルルと燐が互いに拡散して元の重量比と異なる重量比を示す拡散層を有するものとした。
【００１５】
また、本発明のスペーサ植立構造体では、
前記接着層での前記テルルの濃度を前記コートガラスのそれより高く、前記接着層での前記燐の濃度を前記コートガラスのそれより低くした。
【００１６】
なお、本発明のスペーサ植立構造体では、前記接着層に導電性フィラーを混入することができる。
【００１７】
本発明の表示装置は、絶縁基板と、該絶縁基板の主面に設けられて、第１方向に延在し該第１方向と交差する第２方向に並設された複数の走査線と、前記第２方向に延在し前記第１方向に並設された複数の信号線と、前記走査線と前記信号線の交差部近傍に設けられた電子源を有する背面パネルと、透明絶縁基板と、該透明絶縁基板の主面に設けられて、前記電子源のそれぞれと対を成す蛍光体層と、陽極とを有する前面パネルと、所定の間隔で主面同士を対向させた前記背面パネルと前記前面パネルの端部内周に介挿して、両パネルと共に減圧容器を形成する封止枠と、前記背面パネルと前記前面パネルの前記所定の間隔を保持するスペーサとを備える。
【００１８】
本発明では、前記スペーサを、コアガラスと、このコアガラスの表面を被覆したコートガラスとで構成する。そして、前記背面パネルと前記前面パネルとの間に前記スペーサを直接接着する接着層を前記コートガラスと同系のガラスとしたスペーサ植立構造体としたことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の表示装置では、前記コートガラスと前記接着層がバナジウムを主成分とし、添加物としてテルルと燐を互いに異なる重量比で含むバナジウム系ガラスとし、前記接着層と前記コートガラスの間に前記テルルと燐が互いに拡散して元の重量比と異なる重量比を示す拡散層を有するものとすることができる。
【００２０】
また、本発明の表示装置では、前記接着層と前記コートガラスの間に前記テルルと燐が互いに拡散して元の重量比と異なる重量比を示す拡散層を有するものとすることができる。
【００２１】
また、本発明の表示装置では、前記接着層での前記テルルの濃度が前記コートガラスのそれより高く、前記接着層での前記燐の濃度が前記コートガラスのそれより低いものとして、接合時のコートガラスの溶融を防止することができる。
【００２２】
なお、本発明の表示装置では、前記接着層に導電性フィラーを混入することができる。
【発明の効果】
【００２３】
背面パネルおよび前面パネルとスペーサとの接着力が向上する。特に、コートガラスと接着層の間に拡散層が形成されることで接着力が大幅に向上する。導電性フィラーは拡散しないので、接着層の抵抗値は維持され、電荷排出機能の低下はない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２５】
図１は、本発明のスペーサ植立構造体とこのスペーサ植立構造体を用いた表示装置の基本構造を説明する模式断面図である。この表示装置は、電子源に金属膜―絶縁膜―金属膜型電子源を用いた電子放出型表示装置である。図６と同様に、この表示装置は、第１の基板である背面基板ＳＵＢ１の主面に設けられて、第１方向に延在し該第１方向と交差する第２方向に並設された複数の走査線ＧＬと、走査線ＧＬの下層に設けられ、第２方向に延在し第１方向に並設された複数の信号線ＣＬと、走査線ＧＬと信号線ＣＬの交差部近傍に設けられた電子源を有する背面パネルＰＮＬ１と、
第２の基板である前面基板ＳＵＢ２と、該前面基板ＳＵＢ２の主面に設けられて、電子源ＥＬＳのそれぞれと対を成す蛍光体層ＰＨと、陽極ＡＤとを有する前面パネルＰＮＬ２と、
主面、すなわち電子源ＥＬＳや蛍光体層ＰＨ等を形成した内面同士を対向させた背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２の端部内周に介挿して、両パネルと共に減圧容器を形成する封止枠（図示せず）と、
背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２の間に接合されて、両パネルの間隔を所定値に維持するスペーサＳＰＣと接着層ＦＧＳとからなるスペーサ植立構造体を備えている。
【００２６】
スペーサ植立構造体を構成するスペーサＳＰＣは、コアガラスＣＲＧと、このコアガラスＣＲＧの表面を覆う高抵抗層のコートガラスＳＲＧで形成されており、背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２との間に植立させ、接着層ＦＲＧで接合している。なお、コアガラスＣＲＧの材料はアルミノシリケートガラスやソーダガラス等、高抵抗のコートガラスＳＲＧの材料はバナジウムリン系ガラスである。他の構成は図６に示したものと同様である。
【００２７】
すなわち、電子放出型のＦＰＤは、上記のような電子源ＥＬＳを備えた背面基板ＳＵＢ１で構成した背面パネルＰＮＬ１と、蛍光体層ＰＨとこの蛍光体層ＰＨに電子源ＥＬＳから放出される電子ｅ-を射突させるための加速電圧を形成した陽極ＡＤを備えた前面基板ＳＵＢ２で構成された前面パネルＰＮＬ２とを貼り合わせ、両パネルの対向する内部空間を所定の減圧又は真空状態に封止する。背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１にはマトリクス配列した多数の電子源ＥＬＳを有し、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２には蛍光体ＰＨ層と電子源ＥＬＳから放出された電子ｅ-を蛍光体層ＰＨに射突させる電界を形成するための加速電圧を形成する陽極ＡＤを有する。
【００２８】
実施例１のスペーサ植立構造体は、コアガラスＣＲＧと、このコアガラスＣＲＧの表面を覆う高抵抗層のコートガラスＳＲＧで構成されたスペーサＳＰＣを接着層ＦＧＳで直接背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２とに接合して植立される。
【００２９】
実施例１のスペーサ植立構造体では、コートガラスＳＲＧと接着層ＦＧＳをバナジウム（例えば、Ｖ2Ｏ5）を主成分とし、添加物としてテルル（Ｔｅ）と燐（Ｐ）を互いに異なる重量比で含むバナジウム系ガラスとし、接合時の加熱で接着層ＦＧＳとコートガラスＳＲＧの間にテルルと燐が互いに拡散して元の重量比と異なる重量比を示す拡散層が形成される。
【００３０】
また、実施例１のスペーサ植立構造体では、接着層ＦＧＳでのテルルの濃度がコートガラスＳＲＧのそれより高く、接着層ＦＧＳでの燐の濃度がコートガラスＳＲＧのそれより低いものとすることで、接合時のコートガラスＳＲＧの溶融を防止することができる。
【００３１】
なお、実施例１のスペーサ植立構造体では、接着層ＦＧＳに導電性フィラーを混入して、所定の抵抗値とすることができる。
【００３２】
本実施例のスペーサ植立構造体を用いることにより、背面パネルおよび前面パネルとスペーサとの接着力が向上する。特に、コートガラスと接着層の間に拡散層が形成されることで接着力が大幅に向上する。フィラーは拡散しないので、接着層の抵抗値は維持され、電荷排出機能の低下はなく、高信頼性の表示装置を提供することができる。
以下、上記効果を得るため使用した材料について説明する。
【００３３】
コート用ガラスは、酸化物換算でＶ2Ｏ5；４０〜５０ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5；２５〜３０ｗｔ％を主成分とするものとした。具体例は下記である。なお、Ｔｅ化合物は添加しなかった。また、スペーサに電極のための金属層等は形成しなかった。
【００３４】
上記のコート用ガラスを使用すると、従来品より密着性向上という効果が得られる。
【表１】
2007227230.tif 000003
【００３５】
カソード側接着層は、酸化物換算で、Ｖ2Ｏ5；５０〜６５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5；２５ｗｔ％を主成分とするものとした。カソード側接着層にはＴｅＯ2；５ｗｔ％を添加した。カソード側接着層として使用した例は下記表２である。上記の接着層をカソード側に使用することにより、従来品より密着性向上という効果が得られる。
【表２】
2007227230.tif 000004
【００３６】
アノード側接着層は、酸化物換算で、Ｖ2Ｏ5；６０〜６５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5；２０〜２５ｗｔ％を主成分とするものを使用した。アノード側接着層にはTeを添加しなかった。また、アノード側接着層に導電性フィラーを添加し、転移点・流動点をカソード側よりも高くして使用した。その理由は、スペーサをアノード側基板に接着し、その後カソード側に接着することにより、同時に両側を接着する場合に比して垂直としやすくするためである。導電性フィラーの添加量はガラス９０〜７０ｗｔ％に対しフィラー１０〜３０ｗｔ％とした。
上記の接着層をアノード側に使用することにより、従来品より密着性向上という効果が得られる。
【表３】
2007227230.tif 000005
【００３７】
上記のコート層、接着層を組み合わせ、表示装置を作成した。
【００３８】
コートガラスはスラリー状にして印刷法を用いて付した。接着ガラスはペースト状にしてディップ法により使用した。コート層、接着層間には、金属薄膜等の構成は付していない。その結果、接着層、コート層の間には拡散層が形成された。拡散層を多くするためには、特に、焼成時間を長くするとよい。拡散層を観察すると、Ｐ、Ｔｅ、Ｖに傾斜状の濃度分布が形成された。各組成のガラスの濃度分布を有することにより、熱膨張係数やガラス転移点等の特性の差異を緩和することとなり、従来品より密着性向上という効果が得られる。さらに、拡散層により、特定の一部への応力集中等が生じず、耐久性の優れた接合が達成され得るので耐久性の高い平面表示装置が提供できる。
【００３９】
上記の各組成を確認したところ、もっとも望ましい組み合わせは、コート層が１−Ｌ、アノード側が２−Ａ、カソード側接着層が３−Ｂであった。これらの組み合わせにより、他の表示装置よりも密着性向上という効果が得られる。
【００４０】
図２は、本発明による表示装置の全体構成例を説明する図である。図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’線に沿って切断した概略断面図である。図２において、背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１の内面には信号線（データ線、カソード電極線）ＣＬと走査線（ゲート電極線）ＧＬを有し、信号線ＣＬと走査線ＧＬの交差部分に電子源ＥＬＳが形成されている。走査線ＧＬの端部には図示しない走査線引出線が形成され、信号線ＣＬの端部には図示しない信号線引出線が形成されている。
【００４１】
また、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２の内面には、遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭ、陽極（メタルバック、アノード）ＡＤ及び蛍光体層ＰＨ等が形成されている。背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１と、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２とは、その周縁部に封止枠（枠ガラス）ＭＦＬを介在させて封着部材ＦＧＭにより貼り合わされる。この貼り合わせた間隙を所定値に保持するため、背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＰＮＬ２の間に上記したスペーサ植立構造体が設置されている。
【００４２】
なお、背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２および封止枠ＭＦＬで密封された内部空間は、背面パネルＰＮＬ１の一部に設けた図示しない排気管から排気して所定の真空状態に保持される。
【００４３】
図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面の詳細構造を説明する模式図である。また、図４は、図３の要部拡大断面図である。図３、図４において、背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１と前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２は、周縁に設置した枠ガラスＭＦＬを介して一体化される。図２と同一符号は同一機能部分に対応する。枠ガラスＭＦＬと背面基板ＳＵＢ１および前面基板ＳＵＢ２は封着部材ＦＧＭで、例えば約３ｍｍ程度に間隔を保持して固定される。また、表示領域において、背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＳＵＢ２の間の感覚を保持するスペーサＳＰＣは導電性接合材である接着層ＦＧＳで固定される。
【００４４】
スペーサ植立構造体を構成するスペーサＳＰＣは、前記したような構造基本とし、前記実施例で説明した材料からなる。なお、このスペーサＳＰＣを接合する接着層ＦＧＳには熱膨張係数調整用フィラーを含有させても良い。このフィラーは導電性であることが望ましい。
【００４５】
図５は、本発明の表示装置の等価回路例を説明する図である。図５中に破線で示した領域は表示領域ＡＲであり、この表示領域ＡＲにｎ本の信号線ＣＬとｍ本の走査線ＧＬが互いに交差して配置されてｎ×ｍのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素（単位画素、サブピクセル）を構成し、図中の３つのサブピクセル"Ｒ"，"Ｇ"，"Ｂ"の１グループでカラー１画素（カラーピクセル）を構成する。信号線ＣＬは、信号線引出端子ＣＬＴで画像信号駆動回路ＤＤＲに接続され、走査線ＧＬは走査線引出端子ＧＬＴで走査信号駆動回路ＳＤＲに接続されている。画像信号駆動回路ＤＤＲには外部信号源から画像信号ＮＳが入力され、走査信号駆動回路ＳＤＲには同様に走査信号ＳＳが入力される。
【００４６】
これにより、順次選択される走査線ＧＬに交差する信号線ＣＬに画像信号を供給することで、二次元のフルカラー画像を表示することができる。本構成例の画像表示パネルを用いることにより、比較的低電圧で高効率の自発光平面型の表示装置が実現される。
【００４７】
本発明による表示装置は、背面基板基板と前面基板の間に上記した実施例で説明したスペーサを植立させることで、スペーサにチャージアップしようとする電荷が基板側に排出（吸収）され、高品質の画像表示が可能な表示装置を提供できる。
【００４８】
なお、前記実施例では、電子源にＭＩＭ型を用いた構造を例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、前述した各種の電子源を用いた自発光型の表示装置に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明のスペーサ植立構造体とこのスペーサ植立構造体を用いた表示装置の基本構造を説明する模式断面図である。
【図２】本発明による表示装置の全体構成例を説明する図である。
【図３】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面の詳細構造を説明する模式図である。
【図４】図３の要部拡大断面図である。
【図５】本発明の表示装置の等価回路例を説明する図である。
【図６】電子源に金属膜―絶縁膜―金属膜型電子源を用いた電子放出型表示装置の基本構成を説明する模式断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
ＰＮＬ１・・・背面パネル、ＳＵＢ１・・・背面基板、ＰＮＬ２・・・前面パネル、ＳＵＢ２・・・前面基板、ＳＰＣ・・・スペーサ、ＧＬ・・・走査線、ＣＬ・・・信号線、ＥＬＳ・・・電子源、ＡＤ・・・陽極、ＢＭ・・・ブラックマトリクス、ＰＨ・・・蛍光体層、ＳＤＲ・・・走査信号線駆動回路、ＤＤＲ・・・画像信号線駆動回路。
【図１】
2007227230.tif 000006
【図２】
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【図３】
2007227230.tif 000008
【図４】
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【図５】
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【図６】
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