(57)【要約】【課題】  可変形成マスクを用いた走査型露光装置であって、高いスループットで露光を行なうことができる走査型露光装置を提供する。【解決手段】  任意のパターンを形成する可変成形マスクと、感光基板Ｐを載置する基板ステージＰＳＴと、可変成形マスクからの光ビームにより感光基板Ｐ上に像を露光する露光光学系Ｂ１，Ｂ２とを備え、基板ステージＰＳＴを露光光学系に対して相対的に走査させて感光基板Ｐ上に所定のパターンを露光する走査型露光装置において、可変成形マスクは、第１可変成形マスクと第２可変成形マスクとを有し、露光光学系Ｂ１，Ｂ２は、第１可変成形マスクに対応して設けられた第１露光光学系Ｂ１と、該第１露光光学系Ｂ１とは異なり第２可変成形マスクに対応して設けられた第２露光光学系Ｂ２とを有し、第１露光光学系Ｂ１と第２露光光学系Ｂ２は、走査方向に対して所定の間隔を持って走査方向の前後の位置関係に配置される。【選択図】  図１
2007108559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意のパターンを形成する可変成形マスクと、感光基板を載置する基板ステージと、前記可変成形マスクからの光ビームにより前記感光基板上に像を露光する露光光学系とを備え、前記基板ステージを前記露光光学系に対して相対的に走査させて前記感光基板上に所定のパターンを露光する走査型露光装置において、
前記可変成形マスクは、第１可変成形マスクと第２可変成形マスクとを有し、
前記露光光学系は、前記第１可変成形マスクに対応して設けられた第１露光光学系と、該第１露光光学系とは異なり前記第２可変成形マスクに対応して設けられた第２露光光学系とを有し、
前記第１露光光学系と前記第２露光光学系は、走査方向に対して所定の間隔を持って前記走査方向の前後の位置関係に配置されることを特徴とする走査型露光装置。
【請求項２】
前記第１可変成形マスクと前記第２可変成形マスクは、該第１可変成形マスク及び該第２可変成形マスクからの前記光ビームを個別にＯＮ、ＯＦＦ制御可能に構成されることを特徴とする請求項１記載の走査型露光装置。
【請求項３】
前記第１露光光学系と前記第２露光光学系との相対位置を計測する計測手段を有し、
前記感光基板に露光されるパターンに応じて、前記計測手段の計測結果に基づき前記第１可変成形マスクを駆動する第１駆動部または前記第２可変成形マスクを駆動する第２駆動部を制御することを特徴とする請求項１または請求項２記載の走査型露光装置。
【請求項４】
前記第１露光光学系と前記第２露光光学系との少なくとも１つの露光光学系は、前記第１露光光学系及び前記第２露光光学系の相対的な間隔を変更する移動機構を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の走査型露光装置。
【請求項５】
前記移動機構は、前記少なくとも１つの露光光学系を前記感光基板の面内方向に回転させる機構を備え、前記走査方向と交差する方向に走査可能となるように前記少なくとも１つの露光光学系を回転させることを特徴とする請求項４記載の走査型露光装置。
【請求項６】
前記感光基板上に形成されているデバイスパターンの位置を計測するための少なくとも２つのアライメント系を備え、
前記少なくとも２つのアライメント系は、前記走査方向と交差する方向に配置することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の走査型露光装置。
【請求項７】
前記少なくとも２つのアライメント系を配置した第１アライメント群と、
該第１アライメント群とは前記走査方向と交差する方向に離間し、前記少なくとも２つのアライメント系を配置した第２アライメント群とを備え、
前記第１アライメント群は、前記第１露光光学系に対応するように配置され、
前記第２アライメント群は、前記第２露光光学系に対応するように配置されることを特徴とする請求項６記載の走査型露光装置。
【請求項８】
前記第１露光光学系と前記第２露光光学系との間隔は、前記感光基板の走査方向における長さに対して１／３から２／３であることを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の走査型露光装置。
【請求項９】
前記感光基板は、外径が５００ｍｍよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の走査型露光装置。
【請求項１０】
前記第１露光光学系と前記第２露光光学系とは、それぞれ前記感光基板上に複数の像を露光するとともに、前記走査方向と交差する方向に配置された複数の露光光学ユニットを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の走査型露光装置。
【請求項１１】
前記第１可変成形マスクと前記第２可変成形マスクとは、それぞれ前記複数の露光光学ユニットに対応するように配置された複数の可変成形マスクユニットを備えることを特徴とする請求項１０記載の走査型露光装置。
【請求項１２】
前記感光基板は、複数のデバイスを形成可能に構成されており、
前記第１露光光学系と前記第２露光光学系とは、前記複数のデバイスのうちそれぞれ異なるデバイスを露光することを特徴とする請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の走査型露光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載の走査型露光装置を用いて前記所定のパターンを感光基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光基板を現像する現像工程と
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１４】
感光基板に複数のデバイスを製造するデバイスの製造方法において、
前記感光基板に前記複数のデバイスに対応して、可変成形マスクを複数設け、
前記複数の可変成形マスクからの光ビームにより前記感光基板に所定のパターンを露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光基板を現像する現像工程と、
前記感光基板から複数のデバイスに切断する切断工程と
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロデバイスの一つである液晶表示素子等を製造する場合において、マスク（レチクル、フォトマスク等）のパターンを、投影光学系を介してフォトレジスト等が塗布されたプレート（ガラスプレート、半導体ウエハ等）上に投影露光する投影露光装置が使用されている。
【０００３】
従来は、プレート上の各ショット領域にそれぞれマスクのパターンを一括して露光するステップアンドリピート方式の投影露光装置（ステッパ）が多用されていた。近年、１つの大型の投影光学系を使用する代わりに、複数の小型の投影光学ユニットを走査方向に沿って所定間隔で複数列に配置し、マスクステージと基板ステージとを同期走査しつつ、各投影光学ユニットにおいてそれぞれのマスクのパターンを連続的にプレート上に露光するステップアンドスキャン方式の投影露光装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−５７９８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、プレートは液晶表示素子の大型化に伴い大型化しており、現在では１ｍ角以上のプレートも用いられており、同時にマスクも大型化している。露光装置に要求されるデバイスのパターンルールが一定であれば大型のマスクにも小型のマスクと同様の平面度が要求されるため、大型のマスクのたわみやうねりを小型のマスクのたわみやうねりと同程度に抑えるために大型のマスクの厚さを小型のマスクよりも大幅に厚くする必要がある。また、一般にＴＦＴで使用されているマスクは、コスト高の石英ガラスであるため、大型化すれば製造コストが増大する。更に、マスクの平面度を維持するためのコスト、マスクパターンの検査時間の拡大等によるコスト等が増大している。
【０００６】
そこで、マスクの代わりにＤＭＤ等を用いてパターンを基板上に露光するマスクレス露光装置が提案されている。このマスクレス露光装置においては、大型のプレートに対して高スループットで露光を行なうことが望まれている。
【０００７】
この発明の課題は、可変形成マスクを用いた走査型露光装置であって、高いスループットで露光を行なうことができる走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の走査型露光装置は、任意のパターンを形成する可変成形マスク（８）と、感光基板（Ｐ）を載置する基板ステージ（ＰＳＴ）と、前記可変成形マスク（８）からの光ビームにより前記感光基板（Ｐ）上に像を露光する露光光学系（ＬＧ１，ＬＧ２）とを備え、前記基板ステージ（ＰＳＴ）を前記露光光学系（ＬＧ１，ＬＧ２）に対して相対的に走査させて前記感光基板（Ｐ）上に所定のパターンを露光する走査型露光装置において、前記可変成形マスク（８）は、第１可変成形マスク（８）と第２可変成形マスクとを有し、前記露光光学系（ＬＧ１，ＬＧ２）は、前記第１可変成形マスク（８）に対応して設けられた第１露光光学系（ＬＧ１）と、該第１露光光学系（ＬＧ１）とは異なり前記第２可変成形マスクに対応して設けられた第２露光光学系（ＬＧ２）とを有し、前記第１露光光学系（ＬＧ１）と前記第２露光光学系（ＬＧ２）は、走査方向に対して所定の間隔を持って前記走査方向の前後の位置関係に配置されることを特徴とする。
【０００９】
また、この発明のデバイスの製造方法は、この発明の走査型露光装置を用いて前記所定のパターンを感光基板（Ｐ）上に露光する露光工程（Ｓ３０３）と、前記露光工程（Ｓ３０３）により露光された前記感光基板（Ｐ）を現像する現像工程（Ｓ３０４）とを含むことを特徴とする。
【００１０】
また、この発明のデバイスの製造方法は、感光基板（Ｐ）に複数のデバイスを製造するデバイスの製造方法において、前記感光基板（Ｐ）に前記複数のデバイスに対応して、可変成形マスク（８）を複数設け、前記複数の可変成形マスク（８）からの光ビームにより前記感光基板（Ｐ）に所定のパターンを露光する露光工程（Ｓ３０３）と、前記露光工程（Ｓ３０３）により露光された前記感光基板（Ｐ）を現像する現像工程（Ｓ３０４）と、前記感光基板（Ｐ）から複数のデバイスに切断する切断工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明の走査型露光装置によれば、走査方向に対して所定の間隔を持って走査方向の前後の位置関係に配置されている第１露光光学系と第２露光光学系とを備えているため、第１露光光学系及び第２露光光学系により同時に感光基板上に露光することができる。したがって、従来の露光装置と比較して高スループットで露光を行なうことができる。
【００１２】
また、この発明のデバイスの製造方法によれば、この発明の走査型露光装置により露光を行なうため、高スループットで露光を行なうことができ、良好なデバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、この発明の第１の実施の形態にかかる走査型露光装置について説明する。図１は、第１の実施の形態にかかる走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である。なお、以下の説明においては、図１中に示した直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がプレートＰに対して平行となるよう設定され、Ｚ軸がプレートＰに対して直交する方向に設定されている。図中のＸＹＺ座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直方向に設定される。
【００１４】
この走査型露光装置は、外径が５００ｍｍよりも大きいフラットパネルディスプレイ用のプレートＰを載置するプレートステージ（基板ステージ）ＰＳＴと、筐体Ｂ１内に収容されプレートＰ上に任意のパターンを露光する第１露光光学系ＬＧ１（図２参照）と、筐体Ｂ２内に収容されプレートＰ上に任意のパターンを露光する第２露光光学系ＬＧ２（図２参照）と、露光処理に関する動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴ（図８参照）とを備え、プレートステージＰＳＴを第１露光光学系ＬＧ１及び第２露光光学系ＬＧ２に対して相対的にＸ方向に走査させてプレートＰ上に所定のパターンを露光するステップアンドスキャン方式の走査型投影露光装置である。なお、外径が５００ｍｍよりも大きいとは、プレートＰの一辺または対角線が５００ｍｍよりも大きいということである。
【００１５】
図２は、図１に示す筐体Ｂ１内に収容されている第１露光光学系ＬＧ１、アライメント系ＡＬ１〜ＡＬ６及びオートフォーカス系ＡＦ１〜ＡＦ６の構成、並びに図１に示す筐体Ｂ２内に収容されている第２露光光学系ＬＧ２、アライメント系ＡＬ７〜ＡＬ１２及びオートフォーカス系ＡＦ７〜ＡＦ１２の構成を示す図である。
【００１６】
第１露光光学系ＬＧ１は、プレートＰ上に任意のパターンを露光するための複数の露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３を備えている。露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３は、Ｙ方向（非走査方向）に対して千鳥状に配置されている。第１露光光学系ＬＧ１（露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３）は、第１光学系駆動部（移動機構、図８参照）７８を駆動させることによりＸ方向（走査方向）に移動可能に構成されている。露光光学ユニットＬ１，Ｌ３，Ｌ５，Ｌ７，Ｌ９，Ｌ１１，Ｌ１３は、走査方向の後方側（−Ｘ方向側）であって、Ｙ方向（走査方向と直交する方向）に並んで配置されている。露光光学ユニットＬ２，Ｌ４，Ｌ６，Ｌ８，Ｌ１０，Ｌ１２は、走査方向の前方側（＋Ｘ方向側）であって、Ｙ方向に並んで配置されている。
【００１７】
また、第１露光光学系ＬＧ１とは異なる第２露光光学系ＬＧ２は、プレートＰ上に任意のパターンを露光するための複数の露光光学ユニットＬ２１〜Ｌ３３を備えている。露光光学ユニットＬ２１〜Ｌ３３は、Ｙ方向（非走査方向）に対して千鳥状に配置されている。第２露光光学系ＬＧ２は、第１露光光学系に対してＸ方向（走査方向）に対して所定の間隔を持ってＸ方向の前側（＋Ｘ方向側）の位置関係に配置されている。第２露光光学系ＬＧ２（露光光学ユニットＬ２１〜３３）は、第２光学系駆動部（移動機構、図８参照）８０を駆動させることによりＸ方向に移動可能に構成されている。露光光学ユニットＬ２１，Ｌ２３，Ｌ２５，Ｌ２７，Ｌ２９，Ｌ３１，Ｌ３３は、走査方向の後方側（−Ｘ方向側）であって、Ｙ方向（走査方向と直交する方向）に並んで配置されている。露光光学ユニットＬ２２，Ｌ２４，Ｌ２６，Ｌ２８，Ｌ３０，Ｌ３２は、走査方向の前方側であって、Ｙ方向に並んで配置されている。
【００１８】
第１露光光学系ＬＧ１及び第２露光光学系ＬＧ２の少なくとも一方をＸ方向に移動させることにより、第１露光光学系ＬＧ１と第２露光光学系ＬＧ２とのＸ方向における相対的な間隔を変更することができる。第１露光光学系ＬＧ１と第２露光光学系ＬＧ２との相対位置は後述するレーザ干渉システムにより計測され、第１露光光学系ＬＧ１と第２露光光学系ＬＧ２との間隔はプレートＰのＸ方向（走査方向）における長さに対して１／３から２／３の間に設定されている。第１露光光学系ＬＧ１と第２露光光学系ＬＧ２との間隔は、例えば、プレートＰ上に形成されているデバイスパターンの分割数に応じて、第１露光光学系ＬＧ１及び第２露光光学系ＬＧ２の少なくとも一方を移動機構を用いてＸ方向に移動させることにより調整される。
【００１９】
図３は、露光光学ユニットＬ１の概略構成を示す図である。図示しないＬＤ光源部から射出した光ビームは、ファイバ２に入射する。ファイバ２に入射した光ビームは、ファイバ２の射出端から射出し、コリメート光学系４及びミラー６を介して、露光光学ユニットＬ１を構成するＤＭＤ（Digital Micromirror DeviceまたはDeformable Micromirror Device）８を均一に照明する。なお、ＤＭＤ８を露光光学ユニットＬ１とは別に設けるようにしてもよい。
【００２０】
図４は、ＤＭＤ８の構成を示す図である。ＤＭＤ８は、微小領域に区分されたデバイスとしての多数のマイクロミラー８ａを有している。各マイクロミラー８ａはその角度をそれぞれ独立に変更可能に構成されており、ＤＭＤ８は各マイクロミラー８ａの角度を変化させることにより光ビームを所定の画像データに応じて変調する可変成形マスク（第１可変成形マスク、可変成形マスクユニット）として機能する。即ち、プレートＰの走査に同期して、反射光が後述するリレー光学系１０に導かれるように一部のマイクロミラー８ａの角度を変化させ、反射光がリレー光学系１０とは異なる方向に進行するように他部のマイクロミラー８ａの角度を変化させることにより、対応する露光領域に投影される任意のパターンを順次生成する。
【００２１】
ＤＭＤ８（一部のマイクロミラー８ａ）により反射された光ビームは、リレー光学系１０に入射する。リレー光学系１０から射出した光ビームは、拡大されて、マイクロレンズアレイ１６に入射する。図５は、マイクロレンズアレイ１６及び後述する点像視野絞り１８の一部の構成を示す図である。マイクロレンズアレイ１６は、ＤＭＤ８を構成するマイクロミラー８ａのそれぞれに対応する多数の要素レンズ１６ａを有しており、プレートＰと光学的に共役な位置またはその近傍に配置されている。また、マイクロレンズアレイ１６は、ＸＹ平面に対して傾斜可能に構成されている。
【００２２】
マイクロレンズアレイ１６の各要素レンズ１６ａを通過した光ビームは、点像視野絞り１８を通過する。点像視野絞り１８は、マイクロレンズアレイ１６を構成する要素レンズ１６ａのそれぞれに対応して設けられた多数の開口部１８ａを有している。点像視野絞り１８の各開口部１８ａを通過することにより、露光光学ユニットＬ１内で発生するゴースト及びＤＭＤ８のオンオフ時に発生する像流れによる露光への悪影響を防止することができる。
【００２３】
また、他の露光光学ユニットＬ２〜Ｌ１３及び第２露光光学系を構成する露光光学ユニットＬ２１〜Ｌ３３も、ＤＭＤ（第１及び第２可変成形マスク）、リレー光学系、マイクロレンズアレイ及び点像視野絞りを備えており、これらＤＭＤ、リレー光学系、マイクロレンズアレイ及び点像視野絞りは、ＤＭＤ８、リレー光学系１０、マイクロレンズアレイ１６、点像視野絞り１８と同様の構成を有している。
【００２４】
点像視野絞り１８の各開口部１８ａを通過した光ビームは、図３に示すように、投影光学系ＰＬ１に入射する。図６は、露光光学ユニットＬ１を構成する投影光学系ＰＬ１及び露光光学ユニットＬ２を構成する投影光学系ＰＬ２の構成を示す図である。投影光学系ＰＬ１に入射した光ビームは、投影光学系ＰＬ１を構成するフォーカス調整機構２０に入射する。フォーカス調整機構２０は、第１光学部材２０ａと第２光学部材２０ｂを備えている。第１光学部材２０ａ及び第２光学部材２０ｂは、くさび状に形成され光ブームを透過可能なガラス板であり、一対のくさび型光学部材を構成している。また、第１光学部材２０ａ及び第２光学部材２０ｂは、相対的に移動可能に構成されている。第２光学部材２０ｂに対して第１光学部材２０ａをＸ方向にスライドするように移動させることにより、投影光学系ＰＬ１の像面位置がＺ方向に移動する。
【００２５】
フォーカス調整機構２０を通過した光ビームは、シフト調整機構２２に入射する。シフト調整機構２２は、Ｙ軸まわりに回転可能に構成されている平行平面ガラス板２２ａと、Ｘ軸まわりに回転可能に構成されている平行平面ガラス板２２ｂを備えている。平行平面ガラス板２２ａがＹ軸まわりに回転することによりプレートＰ上におけるパターンの像はＸ軸方向にシフトする。平行平面ガラス板２２ｂがＸ軸まわりに回転することによりプレートＰ上におけるパターンの像はＹ軸方向にシフトする。
【００２６】
シフト調整機構２２を通過した光ビームは、回転調整機構としての直角プリズム２４に入射する。直角プリズム２４は、Ｚ軸まわりに回転可能に構成されている。直角プリズム２４がＺ軸まわりに回転することによりプレートＰ上におけるパターンの像はＺ軸まわりに回転する。直角プリズム２４により反射された光ビームは、レンズ群２６を介してミラー２８により反射される。ミラー２８により反射された光ビームは、再びレンズ群２６及び直角プリズム２４を介して、倍率調整機構３０に入射する。
【００２７】
倍率調整機構３０は、３つのレンズ３０ａ，３０ｂ，３０ｃを備えている。３つのレンズ３０ａ〜３０ｃは例えば凹レンズ３０ａ、凸レンズ３０ｂ、凹レンズ３０ｃから構成されており、凸レンズ３０ｂをＺ方向に移動させることによりプレートＰ上に形成されるパターン像の倍率の調整を行なうことができる。倍率調整機構３０を通過した光ビームは、外径が５００ｍｍよりも大きいフラットパネルディスプレイ用のプレートＰ上の所定の露光領域に所定のパターン像を形成する。なお、他の露光光学ユニットＬ２〜Ｌ１３及びＬ２１〜Ｌ３３を構成する投影光学系（以下、投影光学系ＰＬ２〜ＰＬ１３及びＰＬ２１〜ＰＬ３３という）は、投影光学系ＰＬ１と同一の構成を有する。
【００２８】
図１に示すように、プレートＰを載置するプレートステージＰＳＴは、防振台３２ａ，３２ｂ及び図示しない防振台（以下、防振台３２ｃという。）に支持されているベース３４上に設けられている。防振台３２ａ〜３２ｃは、外部からの振動を露光装置に伝えないようにし、通常３つ以上設置される。プレートステージＰＳＴは、リニアモータ３６により走査方向（Ｘ方向）に移動可能に構成されており、ガイド３７に対してエアギャップで浮上させる所謂エアステージの構成を有している。また、プレートステージＰＳＴは、Ｙ方向及びＺ方向にも微量移動可能に構成されている。
【００２９】
また、この走査型露光装置は、プレートステージＰＳＴの位置を計測するレーザ干渉システム（計測手段）を備えている。図７は、レーザ干渉システムの構成を示す図である。レーザ干渉システムは、プレートステージＰＳＴのＸ方向における位置を計測するＸレーザ干渉計３８と、プレートステージＰＳＴのＹ方向における位置を計測するＹレーザ干渉計（図示せず）を備えている。また、プレートステージＰＳＴの−Ｘ側の−Ｙ側の端縁にはＸ移動鏡４０が設けられ、プレートステージＰＳＴの−Ｙ側の端縁にはＸ方向に延びるＹ移動鏡４２が設けられている。
【００３０】
また、第１露光光学系ＬＧ１等を収容する筐体Ｂ１の−Ｙ側の端部には第１Ｘ参照鏡３９ａが設けられ、第２露光光学系ＬＧ２等を収容する筐体Ｂ２の−Ｙ側の端部には第２Ｘ参照鏡３９ｂが設けられている。第１Ｘ参照鏡３９ａ及び第２Ｘ参照鏡３９ｂは後述する２つの参照光Ｅ２，Ｅ３が干渉しないように設置されている。即ち、第１Ｘ参照鏡３９ａは筐体Ｂ１の下側（−Ｚ側）に設けられ、第２Ｘ参照鏡３９ｂは筐体Ｂ２の上側（＋Ｚ側）に設けられている。また、筐体Ｂ１の−Ｙ側の端部には第１Ｙ参照鏡（図示せず）が設けられ、筐体Ｂ２の−Ｙ側の端部には第２Ｙ参照鏡が設けられている。
【００３１】
Ｘレーザ干渉計３８は、Ｘ移動鏡４０に測長ビームＥ１を照射するとともに、第１Ｘ参照鏡３９ａ及び第２Ｘ参照鏡３９ｂにそれぞれ参照ビームＥ２，Ｅ３を照射する。照射した測長ビームＥ１及び参照ビームＥ２，Ｅ３に基づくＸ移動鏡４０、第１Ｘ参照鏡３９ａ及び第２Ｘ移動鏡３９ｂそれぞれからの反射光はＸレーザ干渉計３８の受光部で受光される。Ｘレーザ干渉計３８は、干渉光を検出し、検出結果に基づいて、参照ビームＥ２，Ｅ３の光路長を基準とした測長ビームＥ１の光路長の変化量、ひいては、第１Ｘ参照鏡３９ａ及び第２Ｘ参照鏡３９ｂを基準としたＸ移動鏡４０の位置（座標）を計測する。制御装置ＣＯＮＴは、計測結果に基づいて、第１露光光学系ＬＧ１及び第２露光光学系ＬＧ２に対するプレートステージＰＳＴのＸ方向における位置を求める。また、制御装置ＣＯＮＴは、第１露光光学系ＬＧ１に対するプレートステージＰＳＴのＸ方向の位置、及び第２露光光学系ＬＧ２に対するプレートステージＰＳＴのＸ方向の位置に基づいて、第１露光光学系ＬＧ１と第２露光光学系ＬＧ２とのＸ方向における相対位置を求める。
【００３２】
なお、レーザ干渉システムは、プレートステージＰＳＴの−Ｘ側の＋Ｙ側の端縁に図示しないＸ移動鏡、筐体Ｂ１の＋Ｙ側の端部に図示しないＸ参照鏡、筐体Ｂ２の＋Ｙ側の端部に図示しないＸ参照鏡を備えている。Ｘレーザ干渉計３８は、Ｘ移動鏡に測長ビーム、各Ｘ参照鏡に参照ビームを照射し、干渉光を検出し、検出結果に基づいて、各Ｘ参照鏡を基準とした図示しないＸ移動鏡の位置（座標）を計測する。
【００３３】
また、図示しないＹレーザ干渉計は、Ｙ移動鏡４２に測長ビームを照射するとともに、図示しない第１及び第２Ｙ参照鏡それぞれに参照ビームを照射する。照射した測長ビーム及び参照ビームに基づくＹ移動鏡４２及び第１及び第２Ｙ参照鏡それぞれからの反射光はＹレーザ干渉計の受光で受光される。Ｙレーザ干渉計は、干渉光を検出し、検出結果に基づいて、参照ビームの光路長を基準とした測長ビームの光路長の変化量、ひいては第１及び第２Ｙ参照鏡を基準としたＹ移動鏡４２の位置（座標）を計測する。制御装置ＣＯＮＴは、計測結果に基づいて、第１露光光学系ＬＧ１及び第２露光光学系ＬＧ２に対するプレートステージＰＳＴのＹ方向における位置を求める。
【００３４】
また、この走査型露光装置は、図２に示すように、第１露光光学系ＬＧ１（露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３）の走査方向の後方側（−Ｘ方向側）に、複数のアライメント系ＡＬ１〜ＡＬ６を備えた第１アライメント群及びオートフォーカス系ＡＦ１〜ＡＦ６を備えている。アライメント系ＡＬ１〜ＡＬ６及びオートフォーカス系ＡＦ１〜ＡＦ６は、Ｙ方向（走査方向と直交する方向）に並んで、第１露光光学系ＬＧ１に対応するように配置されている。
【００３５】
また、この走査型露光装置は、第２露光光学系ＬＧ２（露光光学ユニットＬ２１〜Ｌ３３）の走査方向の後方側（−Ｘ方向側）に、複数のアライメント系ＡＬ７〜ＡＬ１２を備えた第２アライメント群及びプレートＰのＺ方向における位置を検出するオートフォーカス系ＡＦ７〜ＡＦ１２を備えている。アライメント系ＡＬ７〜ＡＬ１２及びオートフォーカス系ＡＦ７〜ＡＦ１２は、アライメント系ＡＬ１〜ＡＬ６及びオートフォーカス系ＡＦ１〜ＡＦ６とＹ方向（走査方向と直交する方向）に離間し、Ｙ方向に並んで、第２露光光学系ＬＧ２に対応するように配置されている。
【００３６】
第１アライメント群（第２アライメント群）は、第１露光光学系ＬＧ１（第２露光光学系ＬＧ２）により２回目以降のレイヤ（層）の露光が行なわれる際に、プレートＰ上の第１露光光学系ＬＧ１（第２露光光学系ＬＧ２）により露光が行なわれるデバイスパターン近傍のアライメントマークの位置を計測する。第１アライメント群（第２アライメント群）による計測結果は制御装置ＣＯＮＴに対して出力され、制御装置ＣＯＮＴは計測結果に基づいて第１露光光学系ＬＧ１（第２露光光学系ＬＧ２）により露光が行なわれるデバイスパターンの位置を検出する。デバイスパターンの位置ずれが生じている場合には、制御装置ＣＯＮＴは、露光光学系Ｌ１〜Ｌ１３（Ｌ２１〜Ｌ３３）が備えるＤＭＤにより形成されるパターンデータを補正することによる像位置の調整、または投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１３（ＰＬ２１〜ＰＬ３３）が備えるシフト調整機構や直角プリズム（回転調整機構）を用いて像位置の調整を行なう。
【００３７】
オートフォーカス系ＡＦ１〜ＡＦ６（ＡＦ７〜ＡＦ１２）は、プレートＰ上に形成され第１露光光学系ＬＧ１（第２露光光学系ＬＧ２）により露光を行なうデバイスパターンのＺ方向における位置を計測する。オートフォーカス系ＡＦ１〜ＡＦ６（ＡＦ７〜ＡＦ１２）による計測結果は制御装置ＣＯＮＴに対して出力され、制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス位置のずれが生じている場合には、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１３（ＰＬ２１〜ＰＬ３３）が備えるフォーカス調整機構を用いて像位置の調整を行なう。
【００３８】
また、プレートステージＰＳＴの−Ｘ方向の端部には、Ｙ方向に複数並んだＡＩＳマークを有する基準部材４４が設けられている。また、基準部材４４の下方には空間像計測センサ（ＡＩＳ）が設けられており、空間像計測センサはプレートステージＰＳＴに埋設されている。
【００３９】
空間像計測センサは、各ＤＭＤの位置と、各ＤＭＤにより形成される転写パターンの像がプレートＰ上に投影される位置の関係を求めるために用いられる。即ち、ＤＭＤにより形成される基準マークとＡＩＳマークが一致するようにプレートステージＰＳＴを移動し、基準マークの像とＡＩＳマークとを空間像計測センサで検出し、この検出結果に基づいてＤＭＤの位置とＤＭＤにより形成される転写パターンの像がプレートＰ上に投影される位置との関係を求める。なお、この場合にＤＭＤにより形成される基準マークは、後述するパターン記憶部７４（図８参照）に記憶されているものであり、プレートステージＰＳＴの位置はＸレーザ干渉計３８及びＹレーザ干渉計により検出される。
【００４０】
図８は、この実施の形態にかかる走査型露光装置のシステム構成を示すブロック図である。図８に示すように、この走査型露光装置は、露光処理に関する動作を総括制御する制御装置ＣＯＮＴを備えている。制御装置ＣＯＮＴには、ＤＭＤ８の各マイクロミラー８ａを個別に駆動するＤＭＤ駆動部（第１駆動部）６０が接続されている。同様に、制御装置ＣＯＮＴには露光光学系Ｌ２〜Ｌ１３を構成するＤＭＤの各マイクロミラーを個別に駆動するＤＭＤ駆動部（図示せず）、第２露光光学系ＬＧ２を構成する露光光学系Ｌ２１〜Ｌ３３を構成するＤＭＤの各マイクロミラーを個別に駆動するＤＭＤ駆動部（第２駆動部、図示せず）が接続されている。また、制御装置ＣＯＮＴには、マイクロレンズアレイ１６を駆動するレンズアレイ駆動部６２が接続されている。同様に、制御装置ＣＯＮＴには露光光学系Ｌ２〜Ｌ１３を構成するマイクロレンズアレイを駆動するレンズアレイ駆動部（図示せず）が接続されている。
【００４１】
また、制御装置ＣＯＮＴには、フォーカス調整機構２０を駆動するフォーカス調整機構駆動部６４、シフト調整機構２２を駆動するシフト調整機構駆動部６６、直角プリズム２４を駆動する直角プリズム駆動部６８、倍率調整機構３０を駆動する倍率調整機構駆動部７０が接続されている。同様に、各投影光学系ＰＬ２〜ＰＬ１３，ＰＬ２１〜ＰＬ３３を構成するフォーカス調整機構を駆動するフォーカス調整機構駆動部（図示せず）、シフト調整機構を駆動するシフト調整機構駆動部（図示せず）、直角プリズムを駆動する直角プリズム駆動部、倍率調整機構を駆動する倍率調整機構駆動部が接続されている。
【００４２】
また、制御装置ＣＯＮＴには、第１露光光学系ＬＧ１をＸ方向に移動する第１光学系駆動部７８、第２露光光学系ＬＧ２をＸ方向に移動する第２光学系駆動部８０が接続されている。また、制御装置ＣＯＮＴには、プレートステージＰＳＴを走査方向であるＸ方向に沿って移動させ、かつＹ方向及びＺ方向に微小移動させるプレートステージ駆動部７２が接続されている。
【００４３】
また、制御装置ＣＯＮＴには、アライメント系ＡＬ１〜ＡＬ１２、オートフォーカス系ＡＦ１〜ＡＦ１２、空間像計測センサ、Ｘレーザ干渉計３８及びＹレーザ干渉計が接続されている。また、制御装置ＣＯＮＴには、ＤＭＤ８において形成する転写パターンや、アライメントや空間像計測に用いられる基準マークを記憶するパターン記憶部７４が接続されている。また、制御装置ＣＯＮＴには、露光データが記憶されている露光データ記憶部７６が接続されている。
【００４４】
この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａ、マイクロレンズアレイ１６の各要素レンズ１６ａ及び点像視野絞り１８の各開口部１８ａが、ＸＹ平面内においてＸ方向及びＹ方向に平行な方向に二次元的に配列されている。点像視野絞り１８の各開口部１８ａを通過した光ビームのそれぞれがＸ方向及びＹ方向に平行な位置に到達する状態で走査露光した場合、Ｘ方向に平行な線状のパターンを形成することができるが、Ｙ方向に平行な線状のパターンを形成することができない。したがって、Ｙ方向に平行な線状のパターンも露光することができるように、例えばマイクロレンズアレイ１６及び点像視野絞り１８をＺ軸まわりに所定角度α回転させて設置し、図９に示すように、回転させた点像視野絞り１８の各開口部１８ａを通過した光ビームがプレートＰ上に到達するようにする。この際、マイクロレンズアレイ１６の各要素レンズ１６、点像視野絞り１８の各開口部１８ａに対応するように、ＤＭＤ８の各マイクロミラー８ａの角度を調整する。この状態で走査露光した場合、Ｘ方向及びＹ方向に平行な線状のパターンを形成することができる。
【００４５】
なお、制御装置ＣＯＮＴは、他の露光光学ユニットＬ２〜Ｌ１３のそれぞれが備えるマイクロレンズアレイ及び点像視野絞りをＺ軸に対して回転駆動させ、ＤＭＤの各マイクロミラーの角度を調整する、または、直角プリズムをＺ軸に対して回転駆動させる。こうすることにより、点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームが、点像視野絞り１８の各開口部１８ａを通過した光ビームと同様に、Ｚ軸まわりに所定角度α回転させてプレートＰ上に到達するようにする。
【００４６】
次に、この実施の形態にかかる走査型露光装置の露光動作について説明する。まず、図１０に示すように、４つのデバイスパターンＰ１〜Ｐ４が形成されているＸ方向における長さが２４００ｍｍのプレートＰの露光を行なう場合について説明する。図１０に示す位置からプレートＰを−Ｘ方向に移動することにより、第１露光光学系ＬＧ１がデバイスパターンＰ１，Ｐ３の露光を行なっている間に、第２露光光学系ＬＧ２がデバイスパターンＰ２，Ｐ４の露光を行なう。
【００４７】
ここで、比較のために、１つの露光光学系を備えた走査型露光装置によりプレートＰの露光を行なった際の露光動作の情報（スキャン長、スキャン時間、スキャンスピード、露光量、１５０ｍｍ当たりの時間、必要照度、フィールド面積、必要パワー、位置分解能、ＤＭＤ応答）を図１１の表に示す。また、図１２の表は、この実施の形態にかかる第１露光光学系ＬＧ１または第２露光光学系ＬＧ２の露光動作の情報を示す。この露光動作の情報は、露光データ記憶部７６に記憶されている。スキャン長とスキャン時間は、図１１の表に示すスキャン長とスキャン時間の半分である。即ち、２つの露光光学系ＬＧ１，ＬＧ２によりプレートＰの露光を行なっているため、１つの露光光学系によりプレートＰの露光を行なうのと比較して、半分のスキャン時間で露光を行なうことができ、スループットが向上する。
【００４８】
図１３の表は、この実施の形態にかかる第１露光光学系ＬＧ１または第２露光光学系ＬＧの位置分解能を高めた場合における露光動作の情報を示す。即ち、位置分解能は、図１１に示す位置分解能より高くしている。この場合には、半分の量の照度（必要照度）及びパワー（必要パワー）で露光を行なう。位置分解能を高くした場合においても、１つの露光光学系によりプレートＰの露光を行なうのと比較して、スループットを向上させることができる。
【００４９】
図１４の表は、プレートＰ上に塗布されるレジストの感度により露光量を増大させる必要が生じた場合における露光動作の情報を示す。即ち、露光量は、図１１に示す露光量の倍である。１つの露光光学系によりプレートＰの露光を行なうのと比較して、露光量が２倍となるまではスループットを低下させることなく露光を良好に行なうことができる。
【００５０】
次に、図１５〜図１７に示すように、６つのデバイスパターンＰ５〜Ｐ１０が形成されているＸ方向における長さが２４００ｍｍのプレートＰの露光を行なう場合について説明する。デバイスパターンＰ５〜Ｐ１０に同一のパターンを露光する場合には、制御装置ＣＯＮＴは、第１露光光学系ＬＧ１のＤＭＤ駆動部及び第２露光光学系ＬＧ２のＤＭＤ駆動部に対して、パターン記憶部７４に記憶されている同一の露光パターンデータを出力する。その際、第１露光光学系ＬＧ１と第２露光光学系ＬＧ２とが露光するパターンは同一であるが、パターンを各デバイス上に露光する時間は異なる。
【００５１】
図１５に示す位置からプレートＰを−Ｘ方向に移動することにより、第１露光光学系ＬＧ１はデバイスパターンＰ５，Ｐ６の露光を開始する。この時点では、第２露光光学系ＬＧ２は露光を開始しない。即ち、第１露光光学系を構成する露光光学系Ｌ１〜Ｌ１３のそれぞれが備えるＤＭＤ駆動部は、制御装置ＣＯＮＴからの制御信号に基づいて、各ＤＭＤからの光ビームをＯＮまたはＯＦＦにする。一方、第２露光光学系ＬＧ２を構成する露光光学系Ｌ２１〜Ｌ３３のそれぞれが備えるＤＭＤ駆動部は、制御装置ＣＯＮＴからの制御信号に基づいて、各ＤＭＤからの光ビームをＯＦＦにする。このように、露光光学系Ｌ１〜Ｌ１３，Ｌ２１〜Ｌ３３が備えるＤＭＤそれぞれからの光ビームを個別にＯＮ、ＯＦＦ制御することができる。
【００５２】
第１露光光学系ＬＧ１による露光が図１６に示す位置まで終了したとき、即ち第２露光光学系ＬＧ２がデバイスパターンＰ７，Ｐ１０の露光開始位置まで到達したとき、第２露光光学系ＬＧ２は、デバイスパターンＰ７，Ｐ１０の露光を開始する。第２露光光学系ＬＧ２が露光を開始することにより、第１露光光学系ＬＧ１及び第２露光光学系ＬＧ２による露光を同時に行なうことができる。
【００５３】
第２露光光学系ＬＧ２によるデバイスパターンＰ７，Ｐ１０の露光が終了したとき、即ち第１露光光学系ＬＧ１及び第２露光光学系ＬＧ２が図１７に示す位置に到達したとき、第２露光光学系ＬＧ２は露光を終了し、第１露光光学系ＬＧ１はデバイスパターンＰ６，Ｐ９の露光を続行する。第１露光光学系ＬＧ１がデバイスパターンＰ６，Ｐ９の露光を終了することにより、プレートＰ全体の露光を終了する。
【００５４】
図１８の表は、第１露光光学系ＬＧ１または第２露光光学系ＬＧ２の露光動作の情報を示す。スキャン長とスキャン時間は、図１１の表に示すスキャン長とスキャン時間の２／３である。１つの露光光学系により６つのデバイスパターンＰ５〜Ｐ１０の露光を行なうのと比較して、第１露光光学系ＬＧ１により４つのデバイスパターンＰ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９、第２露光光学系ＬＧ２により２つのデバイスパターンＰ７，Ｐ１０の露光を行なうため、スキャン時間を２／３に短縮することができ、スループットが向上する。
【００５５】
図１９の表は、第１露光光学系ＬＧ１または第２露光光学系ＬＧの位置分解能を高めた場合における露光動作の情報を示す。即ち、位置分解能は、図１１に示す位置分解能より高くしている。この場合には、２／３の量の照度（必要照度）及びパワー（必要パワー）で露光を行なう。位置分解能を高くした場合においても、１つの露光光学系によりプレートＰの露光を行なうのと比較して、スループットを向上させることができる。
【００５６】
図２０の表は、プレートＰ上に塗布されるレジストの感度により露光量を増大させる必要が生じた場合における露光動作の情報を示す。即ち、露光量は、図１１に示す露光量の３／２倍である。１つの露光光学系によりプレートＰの露光を行なうのと比較して、露光量が３／２倍となるまではスループットを低下させることなく露光を良好に行なうことができる。
【００５７】
この実施の形態にかかる走査型露光装置によれば、走査方向に対して所定の間隔を持って走査方向の前後の位置関係に配置されている第１露光光学系と第２露光光学系とを備えているため、第１露光光学系及び第２露光光学系により同時にプレート上に露光することができる。したがって、従来の露光装置と同一の露光量で露光を行なう場合においてはスループットを向上させることができ、従来の露光装置と同一のスループットで露光を行なう場合においては露光量を増大させることができる。
【００５８】
なお、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、プレートステージＰＳＴをＸ方向のみならずＹ方向に移動可能に構成し、かつ第１露光光学系ＬＧ１及び第２露光光学系ＬＧ２の少なくとも１つをプレートＰの面内方向に回転させる回転機構を備えるようにするとよい。例えば、プレートＰ上に形成されているデバイスパターンが図２１に示すようなＰ１〜Ｐ４である場合、プレートＰを−Ｘ方向に移動させることにより、第１露光光学系ＬＧ１がデバイスパターンＰ１の露光を行なっている間に、第２露光光学系ＬＧ２がデバイスパターンＰ２の露光を行なう。更に、プレートＰを＋Ｙ方向にステップ移動し、＋Ｘ方向に移動させることにより、第１露光光学系ＬＧ１はデバイスパターンＰ３の露光を行い、第２露光光学系ＬＧ２はデバイスパターンＰ４の露光を行なう。
【００５９】
ここで、例えば、プレートＰ上に形成されているデバイスパターンが図２２に示すようなＰ５〜Ｐ７である場合、第１露光光学系ＬＧ１及び第２露光光学系ＬＧ２を回転機構を用いてＸＹ平面内を時計回りに９０度回転させ、プレートＰをＹ方向に移動させて露光を行なうほうが効率がよい。即ち、第１露光光学系ＬＧ１及び第２露光光学系ＬＧ２を図中破線位置から実線位置まで回転移動させ、プレートＰを＋Ｙ方向に移動させることにより、第１露光光学系ＬＧ１はデバイスパターンＰ５の露光を行ない、第２露光光学系ＬＧ２はデバイスパターンＰ６の露光を行なう。更に、プレートＰを−Ｘ方向にステップ移動し、第１露光光学系ＬＧ１または第２露光光学系ＬＧ２はデバイスパターンＰ７の露光を行なう。
【００６０】
また、この実施の形態にかかつ走査型露光装置においては、点像視野絞り及び投影光学系を介した光ビームによりパターン像をプレートＰ上に形成しているが、図２３に示すように、マイクロレンズアレイを通過した光ビームによりパターン像をプレートＰ上に形成するようにしてもよい。即ち、点像視野絞り及び投影光学系を備えない構成にしてもよい。この場合には、装置本体をコンパクト化及び低コスト化することができる。
【００６１】
また、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、露光光学ユニットが千鳥状に２列に配列されている第１露光光学系及び第２露光光学系を備えているが、露光光学ユニットがＹ方向に１列に配列されている２つの露光光学系を備えるようにしてもよい。
【００６２】
また、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、第１アライメント群と第２アライメント群をＹ方向に離間して備えているが、１つのアライメントまたは１つのアライメント群を備え、１つのアライメントまたは１つのアライメント群によりプレートの位置を計測するようにしてもよい。
【００６３】
また、この実施の形態においては、プレートステージをＸ方向に移動させることによりプレート上に所定のパターンを走査露光しているが、第１露光光学系及び第２露光光学系をＸ方向に移動させることによりプレート上のパターンを走査露光するようにしてもよく、この場合には第１露光光学系と第２露光光学系とを個別に移動制御可能に構成するのが好ましい。この場合においては、装置のストロークやフットプリントを小さくすることができ、ひいては装置自体を小型化することができる。
【００６４】
また、この実施の形態においては、２つの露光光学系を備えているが、３つ以上の露光光学系を備えるようにしてもよい。
【００６５】
また、この実施の形態においては、１つの露光光学系がプレートＰ上に形成されている１つのデバイスパターンの全領域の露光を行なっているが、２つ以上の露光光学系が１つのデバイスパターンの所定の領域の露光を行なうようにしてもよい。
【００６６】
上述の実施の形態にかかる走査型露光装置では、投影光学系を用いて可変成形マスクにより形成された転写用のパターンを感光性基板（プレート）に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて感光性基板としてのプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図２４のフローチャートを参照して説明する。
【００６７】
先ず、図２４のステップＳ３０１において、１ロットのプレート上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ３０２において、その１ロットのプレート上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ３０３において、上述の実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて、可変成形マスクにより形成されたパターンの像が投影光学系を介して、その１ロットのプレート上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップＳ３０４において、その１ロットのプレート上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップＳ３０５において、その１ロットのプレート上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、可変成形マスクにより形成されたパターンに対応する回路パターンが、各プレート上の各ショット領域に形成される。
【００６８】
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行ない、プレートから複数のデバイスに切断され（切断工程）、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、上述の露光装置を用いて露光を行なっているため、良好な半導体デバイスを得ることができる。なお、ステップＳ３０１〜ステップＳ３０５では、プレート上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、プレート上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
【００６９】
また、上述の実施の形態にかかる走査型露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図２５のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。まず、図２５において、パターン形成工程Ｓ４０１では、上述の実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて可変成形マスクにより形成されたパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２へ移行する。
【００７０】
次に、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２の後に、セル組み立て工程Ｓ４０３が実行される。セル組み立て工程Ｓ４０３では、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程Ｓ４０３では、例えば、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。
【００７１】
その後、モジュール組み立て工程Ｓ４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の露光装置を用いて露光を行なっているため、良好な液晶表示素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】実施の形態にかかる走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】実施の形態にかかる第１及び第２露光光学系の構成を示す図である。
【図３】実施の形態にかかる露光光学ユニットの構成を示す図である。
【図４】実施の形態にかかるＤＭＤの構成を示す図である。
【図５】マイクロレンズアレイ及び点像視野絞りの一部の構成を示す図である。
【図６】実施の形態にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図７】実施の形態にかかるレーザ干渉システムの構成を示す図である。
【図８】実施の形態にかかる走査型露光装置のシステム構成を示すブロック図である。
【図９】実施の形態にかかる点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームがプレート上に到達する位置を説明するための図である。
【図１０】プレート上に形成されるデバイスパターン、第１及び第２露光光学系の位置関係を示す図である。
【図１１】１つの露光光学系によりプレート全面を露光する露光動作の情報を示す表である。
【図１２】第１及び第２露光光学系によりプレートを露光する露光動作の情報を示す表である。
【図１３】第１及び第２露光光学系によりプレートを露光する露光動作の情報を示す表である。
【図１４】第１及び第２露光光学系によりプレートを露光する露光動作の情報を示す表である。
【図１５】プレート上に形成されるデバイスパターン、第１及び第２露光光学系の位置関係を示す図である。
【図１６】プレート上に形成されるデバイスパターン、第１及び第２露光光学系の位置関係を示す図である。
【図１７】プレート上に形成されるデバイスパターン、第１及び第２露光光学系の位置関係を示す図である。
【図１８】第１及び第２露光光学系によりプレートを露光する露光動作の情報を示す表である。
【図１９】第１及び第２露光光学系によりプレートを露光する露光動作の情報を示す表である。
【図２０】第１及び第２露光光学系によりプレートを露光する露光動作の情報を示す表である。
【図２１】プレート上に形成されるデバイスパターン、第１及び第２露光光学系の位置関係を示す図である。
【図２２】第１及び第２露光光学系をＸＹ平面内に９０度回転させた場合におけるデバイスパターン、第１及び第２露光光学系の位置関係を示す図である。
【図２３】実施の形態にかかる他の露光光学ユニットの構成を示す図である。
【図２４】この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図２５】この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７３】
２…ファイバ、４…コリメート光学系、８…ＤＭＤ、１０…リレー光学系、１６…マイクロレンズアレイ、１８…点像視野絞り、２０…フォーカス調整機構、２２…シフト調整機構、２４…直角プリズム、３０…倍率調整機構、ＬＧ１…第１露光光学系、ＬＧ２…第２露光光学系、Ｐ…プレート、ＰＳＴ…プレートステージ、ＣＯＮＴ…制御装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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