(57)【要約】【課題】物理量を高精度で測定することが可能な検出回路を提供する。【解決手段】定電流源５に接続され測定対象となる物理量の変化に応じてその抵抗値が変化する第１のセンサ素子Ｄ１の定電流の入力側に生じる第１の電圧が一方の入力端子１１に印加され、もう一方の入力端子１２に基準電圧Ｖｒｅｆが印加される第１の演算増幅回路１０と、定電流源６に接続され測定対象となる物理量の変化に応じてその抵抗値が変化し第１のセンサ素子Ｄ１とは前記物理量の変化に対する抵抗値の変化率が異なる第２のセンサ素子Ｄ２の定電流の入力側に生じる第２の電圧が、第１の電圧が入力される入力端子１１と同一極性の入力端子２１に印加され、もう一方の入力端子２２には基準電圧が印加され、第１の演算増幅回路１０と増幅率が等しい第２の演算増幅回路２０とを有する検出回路１を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
定電流源に接続され測定対象となる物理量の変化に応じてその抵抗値が変化する第１のセンサ素子の前記定電流の入力側に生じる第１の電圧が一方の入力端子に印加され、もう一方の入力端子に基準電圧が印加される第１の演算増幅回路と、
定電流源に接続され測定対象となる物理量の変化に応じてその抵抗値が変化し前記第１のセンサ素子とは前記物理量の変化に対する前記抵抗値の変化率が異なる第２のセンサ素子の前記定電流の入力側に生じる第２の電圧が、前記第１の電圧が入力される前記入力端子と同一極性の入力端子に印加され、もう一方の入力端子には前記基準電圧が印加され、前記第１の演算増幅回路と増幅率が等しい第２の演算増幅回路と、
を含んで構成されることを特徴とする検出回路。
【請求項２】
請求項１に記載の検出回路であって、
前記第１の演算増幅回路から出力される第１の出力電圧と前記第２の演算増幅回路の出力される第２の出力電圧との差に応じた電圧を生成するスイッチトキャパシタ回路をさらに含むこと
を特徴とする検出回路。
【請求項３】
請求項２に記載の検出回路であって、
前記スイッチトキャパシタ回路は、
前記第１の演算増幅回路から出力される第１の出力電圧と前記第２の演算増幅回路から出力される第２の出力電圧との差の電圧が印加される第１の容量素子と、
前記第１の容量素子と並列に接続され、一方の端子に前記第１の出力電圧が印加される第２の容量素子と、
前記第１の容量素子及び前記第２の容量素子への前記第１の出力電圧の供給をオンオフする第１のスイッチ回路と、
前記第１の容量素子への前記第２の出力電圧の供給をオンオフする第２のスイッチ回路と、
前記第１の容量素子と前記第２の容量素子との間に設けられ、前記第２の容量素子への前記第１の出力電圧の供給をオンオフする第３のスイッチ回路と、
を含むこと
を特徴とする検出回路。
【請求項４】
請求項３に記載の検出回路であって、
前記第１の容量素子の前記第２の出力電圧が印加される側の前記端子に所定の電圧を印加する電圧源を含むこと
を特徴とする検出回路。
【請求項５】
請求項４に記載の検出回路であって、
前記電圧源は、演算増幅回路と、前記演算増幅回路の帰還経路上に挿入可能に設けられる複数の抵抗素子と、前記各抵抗素子を前記帰還経路上に挿入するかどうかを切り換える複数のスイッチ回路と、外部から入力される制御信号に応じて前記各スイッチ回路をオンオフする制御回路とを含むこと
を特徴とする検出回路。
【請求項６】
請求項４に記載の検出回路であって、
前記電圧源は、演算増幅回路と、前記演算増幅回路の帰還経路上に挿入可能に設けられる複数の抵抗素子と、前記各抵抗素子を前記帰還経路上に接続する切断可能なワイヤーとを含むこと
を特徴とする検出回路。
【請求項７】
請求項１に記載の検出回路であって、
前記基準電圧を前記第２の電圧としたこと
を特徴とする検出回路。
【請求項８】
請求項２に記載の検出回路であって、
カレントミラー回路と、
前記カレントミラー回路の複製元の電流の流路に挿入される第１の抵抗素子と、
前記カレントミラー回路の複製先の電流の流路に挿入される第２の抵抗素子と、
を含み、
前記第１の抵抗素子に前記第１の演算増幅回路の出力電圧と前記第２の演算増幅回路の出力電圧との差の電圧が印加されること
を特徴とする検出回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、温度などの物理量の測定に用いられる検出回路に関し、演算増幅回路の入力オフセット電圧に影響されることなく物理量を高精度で測定することを可能とする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
温度によって抵抗値が変化する温度センサを用いて構成される温度検出回路の一例を図８に示している（例えば特許文献１を参照）。同図において、温度センサ８１は、例えばダイオードを用いて構成されている。温度センサ８１には、定電流源８２から順方向に定電流Ｉ０が供給されている。温度センサ８１の抵抗値の変化に応じて変化する、温度センサ８１の定電流源８２側の電圧（以下、順方向電圧Ｖ１という）は、ボルテージフォロア回路８３に供給される。ボルテージフォロア回路８３の出力は、非反転増幅回路８４の非反転入力端子に入力されて増幅され、増幅された電圧が出力電圧Ｖｏｕｔとして出力される。
【０００３】
上記温度検出回路８０において、温度センサ８１の両端にかかる順方向電圧Ｖ１の変化は微少であり、演算増幅器の入力オフセット電圧は検出精度に影響を与える。そこで、上記温度検出回路８０では、例えば非反転増幅回路８４の反転入力端子に印加する電圧ＶＲの大きさを調節することにより、ボルテージフォロア回路８３及び非反転増幅回路８４の入力オフセット電圧をキャンセルする必要がある。しかしながら、電圧ＶＲの調節により入力オフセット電圧をキャンセルする構成とすると、製造時にテストやトリミングが必要となって工程が煩雑化する。
【０００４】
一方、温度変化を高精度で測定するためには、温度変化に対する電圧の変化分のみを増幅して検出する構成とする必要があるが、図８に示した温度検出回路８０の構成では温度センサ８１の順方向バイアス電圧も一緒に増幅されてしまう。
【特許文献１】特開平８−１８４５０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図９に温度検出回路の他の一例を示している。この回路では温度検出に２つのダイオードＤ１，Ｄ２を用いている。演算増幅回路９３は、ダイオードＤ１の順方向電圧Ｖ１とダイオードＤ２の順方向電圧Ｖ２の差の電圧を増幅する。演算増幅回路９３の増幅率をＡ、入力オフセット電圧をｖｏｆｆとすると、この温度検出回路９０は次式（１）で求まる電圧Ｖｏｕｔを出力する。 
Ｖｏｕｔ＝Ａ・（Ｖ１−Ｖ２＋ｖｏｆｆ）  ・・・  （１）
ここで上式（１）から理解されるように、この温度検出回路９０にあっては順方向バイアス電圧は増幅されない。従って、図９に示す回路は図８に示した温度検出回路８０に比べて測定精度の向上を図ることができる。
【０００６】
但し図９に示す温度検出回路９０では、演算増幅回路９３の入力オフセット電圧ｖｏｆｆをキャンセルすることはできない。また、温度検出回路９０の後段には、Ａ／Ｄコンバータなど回路が接続されることになるが、図９に示す温度検出回路９０の構成では、これら後段の回路に要請される電圧範囲に出力電圧Ｖｏｕｔを設定することはできない。
【０００７】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、高精度で物理量を測定することが可能な検出回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明のうちの主たる発明の一つは、検出回路であって、定電流源に接続され測定対象となる物理量の変化に応じてその抵抗値が変化する第１のセンサ素子の前記定電流の入力側に生じる第１の電圧が一方の入力端子に印加され、もう一方の入力端子に基準電圧が印加される第１の演算増幅回路と、定電流源に接続され測定対象となる物理量の変化に応じてその抵抗値が変化し前記第１のセンサ素子とは前記物理量の変化に対する前記抵抗値の変化率が異なる第２のセンサ素子の前記定電流の入力側に生じる第２の電圧が、前記第１の電圧が入力される前記入力端子と同一極性の入力端子に印加され、もう一方の入力端子には前記基準電圧が印加され、前記第１の演算増幅回路と増幅率が等しい第２の演算増幅回路と、を含んで構成されることとする。
【０００９】
上記第１の出力電圧と上記第２の出力電圧を利用して差の電圧を求めることにより、入力オフセット電圧の影響をキャンセルすることができる。従って、上記差の電圧に基づいて物理量を測定することにより、入力オフセット電圧に影響されることなく、高精度で物理量を測定することが可能となる。
【００１０】
また本発明のうち他の主たる発明の一つは、請求項１に記載の検出回路であって、前記第１の演算増幅回路から出力される第１の出力電圧と前記第２の演算増幅回路の出力される第２の出力電圧との差に応じた電圧を生成するスイッチトキャパシタ回路をさらに含むこととする。
【００１１】
本発明によれば、第１の演算増幅回路から出力される第１の出力電圧と第２の演算増幅回路から出力される第２の出力電圧との差の電圧を容易に得ることができる。また２出力の電圧を１出力の電圧に容易に変換することができる。
【００１２】
また本発明のうち他の主たる発明の一つは、請求項３に記載の検出回路であって、前記第１の容量素子の前記第２の出力電圧が印加される側の前記端子に所定の電圧を印加する電圧源を含むこととする。
【００１３】
本発明によれば、後段に接続される回路に要請される電圧範囲となるように検出回路の出力電圧を容易に調節することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の検出回路によれば、高精度で物理量を測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。図１に本発明の一実施形態として説明する温度検出回路１の回路図を示している。同図に示す温度検出回路１は、温度センサ素子として機能するダイオードＤ１及びダイオードＤ２、等しい増幅率Ａを有する第１の演算増幅回路１０及び第２の演算増幅回路２０、スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ４及び容量素子Ｃ１,Ｃ２を含んで構成されている。
【００１６】
ダイオードＤ１及びダイオードＤ２には、温度変化に対する抵抗値の変化率（以下、サイズという）が異なるものが選択されている。ダイオードＤ１には、定電流源５によって定電流Ｉ１が供給されている。ダイオードＤ２には、定電流源６によって定電流Ｉ２が供給されている。定電流源５及び定電流源６は、例えばカレントミラー回路を用いて構成することもできる。なお、以下の説明では、Ｉ１＝Ｉ２＝Ｉ０であるものとする。
【００１７】
定電流Ｉ０によって生じるダイオードＤ１の順方向電圧、すなわち定電流Ｉ０の入力側（ダイオードＤ１のアノード側）に生じる電圧（以下、第１の電圧Ｖ１という）は、第１の演算増幅回路１０の一方の入力端子１１に印加される。一方、定電流Ｉ０によって生じるダイオードＤ２の順方向電圧、すなわち定電流Ｉ２の入力側（ダイオードＤ２のアノード側）に生じる電圧（以下、第２の電圧Ｖ２という）は、第２の演算増幅回路２０の、上記第１の電圧Ｖ１が入力される第１の演算増幅回路１０の入力端子１１と同一極性の入力端子２１に印加される。第１の演算増幅回路１０の入力端子１２及び第２の演算増幅回路２０の入力端子２２には、それぞれ同一のリファレンス電圧Ｖｒｅｆ（基準電圧）が印加されている。
【００１８】
図１に示す温度検出回路１において、第１の演算増幅回路１０の出力端子１３から出力される電圧（以下、第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１という）は、
Ｖｏｕｔ１＝Ａ・（Ｖ１−Ｖｒｅｆ＋ｖｏｆｆ１）    ・・・（１）
である。ここでｖｏｆｆ１は、第１の演算増幅回路１０の入力オフセット電圧である。
【００１９】
一方、第２の演算増幅回路２０の出力端子２３から出力される電圧（以下、第２の出力電圧Ｖｏｕｔ２という）は、
Ｖｏｕｔ２＝Ａ・（Ｖ２−Ｖｒｅｆ＋ｖｏｆｆ２）    ・・・（２）
である。なお、ｖｏｆｆ２は、第２の演算増幅回路２０の入力オフセット電圧である。
【００２０】
ここで第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１と第２の出力電圧Ｖｏｕｔ２との差は、
Ｖｏｕｔ１−Ｖｏｕｔ２＝Ａ・（Ｖ１−Ｖｒｅｆ＋ｖｏｆｆ１）−Ａ・（Ｖ２−Ｖｒｅｆ＋ｖｏｆｆ２）＝Ａ・（Ｖ１−Ｖ２＋ｖｏｆｆ１−ｖｏｆｆ２）    ・・・（３）
となる。ここで第１の演算増幅回路１０及び第２の演算増幅回路２０として、入力オフセット電圧のばらつきが小さい場合、すなわちｖｏｆｆ１≒ｖｏｆｆ２である場合には、上式（３）は、
Ｖｏｕｔ１−Ｖｏｕｔ２＝Ａ・（Ｖ１−Ｖ２）  ・・・（４）
となり、第１の演算増幅回路１０の入力オフセット電圧ｖｏｆｆ１と第２の演算増幅回路２０の入力オフセット電圧ｖｏｆｆ２とが相殺されて、第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１と第２の出力電圧Ｖｏｕｔ２との差の値には、入力オフセット電圧の影響が現れないこととなる。
【００２１】
ここで上述したように、ダイオードＤ１とダイオードＤ２は温度変化に対する抵抗値の変化（サイズ）が異なるため、測定対象となる温度範囲においてダイオードＤ１とダイオードＤ２の温度変化に対する抵抗値の変化が線形である場合には、上式（４）における（Ｖ１−Ｖ２）は温度に比例して変化するので、電圧Ｖｏｕｔ１−Ｖｏｕｔ２に基づいて温度を測定することが可能である。そして、上述したように、電圧Ｖｏｕｔ１−Ｖｏｕｔ２には、入力オフセット電圧の影響が現れないため、入力オフセット電圧の影響を受けることなく、高精度で温度を測定することができる。
【００２２】
なお、入力オフセット電圧がキャンセルされるためには、第１の演算増幅回路１０及び第２の演算増幅回路２０の入力オフセット電圧の特性が一致していて上記ｖｏｆｆ１≒ｖｏｆｆ２の条件が満足されている必要がある。ここで例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）製造プロセスなどの集積化プロセスを経て同一基板上に複数の演算増幅回路が形成される場合には、通常は各演算増幅回路の特性が一致する確率が高いことが知られている。つまりこのようなケースでは、上記構成からなる演算増幅回路１を容易に実現することができる。
【００２３】
図１において、温度検出回路１を構成している容量素子Ｃ１，Ｃ２及びスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ４はスイッチトキャパシタ回路を構成している。ここで容量素子Ｃ１には、第１の演算増幅回路１０の出力端子１３から出力される第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１及び第２の演算増幅回路２０の出力端子１３から出力される第２の出力電圧Ｖｏｕｔ２が印加される。また容量素子Ｃ２の一方の端子には、第１の演算増幅回路１０の出力端子１３から出力される第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１が印加され、もう一方の端子は接地されている。
【００２４】
第１のスイッチ回路ＳＷ１は、容量素子Ｃ１，Ｃ２への第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１の供給をオンオフする。第２のスイッチＳＷ２は、容量素子Ｃ１への第２の出力電圧Ｖｏｕｔ２の供給をオンオフする。容量素子Ｃ１と容量素子Ｃ２との間に設けられる第３のスイッチ回路ＳＷ３は、容量素子Ｃ２への第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１の供給をオンオフする。容量素子Ｃ１の電圧Ｖｏｕｔ２が印加される側の端子には、第４のスイッチ回路ＳＷ４を介して電圧ＶＲを生成する電圧源３０が接続されている。
【００２５】
スイッチ回路ＳＷ１及びスイッチ回路ＳＷ２は、外部から供給される信号Φ１によってオンオフされる。またスイッチ回路ＳＷ３及びスイッチ回路ＳＷ２は、外部から供給される信号Φ２によってオンオフされる。図２に信号Φ１及び信号Φ２のタイミングチャートを示している。図２に示すように、信号Φ１及び信号Φ２はいずれもハイとロウとが一定の周期で繰り返される形の波形になっている。また信号Φ２の波形は、信号Φ１の波形と逆位相の関係になっている。これにより、信号Φ１がハイ（Ｈｉｇｈ）になっている期間中、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２はオンされており、信号Φ１がロウ（Ｌｏｗ）になっている期間中、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２はオフされている。また信号Φ２がハイ（Ｈｉｇｈ）になっている期間中、スイッチ回路ＳＷ３，ＳＷ４はオンされており、信号Φ２がロウ（Ｌｏｗ）になっている期間中、スイッチ回路ＳＷ３，ＳＷ４はオフされている。なお、これらが同時にハイとなってしまうことの無いように、信号Φ１及び信号Φ２は一方の信号がロウになってからΔｔ経過後に他方の信号がハイになるように設定されている。
【００２６】
図３は信号Φ１がハイ、信号Φ２がロウとなっている場合の温度検出回路１の状態である。同図に示すように、容量素子Ｃ１に第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１と第２の出力電圧Ｖｏｕｔ２との差に相当する電圧が印加されており、この状態では容量素子Ｃ１の静電容量をＣ１とするとＣ１・Ａ・（Ｖ１−Ｖ２）の電荷が容量素子Ｃ１に蓄電されることになる。図４は信号Φ１がロウ、信号Φ２がハイとなっている場合の温度検出回路１の状態である。容量素子Ｃ１に蓄電されていた電荷が容量素子Ｃ２に流れ込み、これにより容量素子Ｃ２には次式（５）に示す出力電圧Ｖｏｕｔ３＝Ｖｏｕｔが生じることとなる。  
Ｖｏｕｔ３＝Ａ・（Ｖ１−Ｖ２）＋ＶＲ        ・・・（５）
【００２７】
スイッチトキャパシタ回路が以上のような動作を繰り返すことにより、第１の演算増幅回路１０及び第２の演算増幅回路２０の夫々から２つの値として出力される第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１及び第２の出力電圧Ｖｏｕｔ２が、１出力の値（出力電圧Ｖｏｕｔ３）に変換されて出力される。またスイッチトキャパシタ回路は、容量素子Ｃ１に印加される第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１と第２の出力電圧Ｖｏｕｔ２との差に相当する電圧に基づく電圧を出力電圧Ｖｏｕｔ３として出力するため、第１の演算増幅回路１０及び第２の演算増幅回路２０の入力オフセット電圧がキャンセルされる。また電圧ＶＲを調節することで、出力電圧Ｖｏｕｔ３をＡ／Ｄコンバータなどの後段の回路が要求する電圧範囲に容易に調節することができる。しかも電圧ＶＲの調節は入力オフセット電圧とは無関係に行うことができる。
【００２８】
ところで、第１の演算増幅回路１０及び第２の演算増幅回路２０に印加するレファレンス電圧Ｖｒｅｆとして、ダイオードＤ２の順方向電圧（第２の電圧）を用いることができる。図５はレファレンス電圧ＶｒｅｆとしてダイオードＤ２の順方向電圧（第２の電圧）を用いた温度検出回路１の一例である。この場合にはリファレンス電圧Ｖｒｅｆを生成するための回路が必要ない。従ってその分、温度検出回路１を小型化することができる。なお、この場合でも、第２の演算増幅回路２０からは入力オフセット電圧に対応する電圧は出力されるので入力オフセット電圧はキャンセルされる。なお、図５に示す温度検出回路１は出力電圧Ｖｏｕｔの調節が不要な場合であり、電圧源３０を設けていない。このように出力電圧Ｖｏｕｔの調節が不要な場合はさらに小型の温度検出回路１を実現することができる。
【００２９】
なお、以上に説明した温度検出回路１を正常に動作させるためには、第１の演算増幅回路１０及び第２の演算増幅回路２０を定格出力電圧の範囲で動作させる必要があるが、そのための調節は例えばダイオードＤ１とダイオードＤ２のサイズ比や第１の演算増幅回路１０及び第２の演算増幅回路２０の増幅率Ａを変化させることにより行うことができる。
【００３０】
以上、本発明の一実施形態につき詳細に説明したが、以上の実施形態の説明は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明はその趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。
【００３１】
例えば、上述したスイッチトキャパシタ回路に代えて、図６に示すようにカレントミラー回路を用いて温度検出回路１を構成することもできる。同図に示す回路では、カレントミラー回路７の複製元の電流の流路に挿入した第１の抵抗素子Ｒの両端に印加される第１の出力電圧Ｖｏｕｔ１及び第２の出力電圧Ｖｏｕｔ２に応じて複製先の電流の流路に挿入した第２の抵抗素子ｒに印加される電圧を出力電圧Ｖｏｕｔとして取り出すようにしている。なお、この回路においても入力オフセット電圧はキャンセルすることができ、また１出力の出力電圧Ｖｏｕｔを得ることができる。
【００３２】
温度検出回路１の集積化に際しては、電圧ＶＲを生成する電圧源３０を、例えば図７に示す回路とすることができる。この回路は演算増幅回路７１と、演算増幅回路７１の帰還経路上に挿入可能に設けられる複数の抵抗素子ｒ１〜ｒｎと、前記各抵抗素子ｒ１〜ｒｎを上記帰還経路上に挿入するかどうかを切り換える複数のスイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎと、マイクロコンピュータなどの外部装置から入力される制御信号に応じて上記各スイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎをオンオフする制御回路７２とを含んで構成されている。図７に示す温度検出回路１によれば、制御回路７２に制御信号を入力することにより電圧ＶＲを調節することができる。なお、各スイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎの部分を金属などの導電体のワイヤーで構成し、所定のワイヤーを切断することにより所望の大きさの電圧ＶＲを得るようにすることもできる。この場合には制御回路７２は必要でなくなり、より小型の温度検出回路１を実現することができる。
【００３３】
以上の実施形態は、温度センサを用いた温度検出回路に関するものであったが、本発明は、例えば圧力センサや光センサなどの測定対象となる物理量の変化に応じて抵抗値が変化する他の種類のセンサを用いた検出回路にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態として説明する温度検出回路１の回路図である。
【図２】本発明の一実施形態として説明するスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ４を動作させるための信号Φ１及び信号Φ２のタイミングチャートである。
【図３】本発明の一実施形態として説明する信号Φ１がハイ、信号Φ２がロウとなっている場合の温度検出回路１の状態を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態として説明する信号Φ１がロウ、信号Φ２がハイとなっている場合の温度検出回路１の状態を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態として説明するレファレンス電圧ＶｒｅｆとしてダイオードＤ２の順方向電圧（第２の電圧）を用いるようにした温度検出回路１の一例を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態として説明する、スイッチトキャパシタ回路に代えてカレントミラー回路を用いて構成した温度検出回路１の一例を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態として説明する、電圧源３０の回路例を示す図である。
【図８】温度検出回路６０の一例を示す図である。
【図９】温度検出回路７０の他の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  温度検出回路
５，６  定電流源
１０  第１の演算増幅回路
２０  第２の演算増幅回路
３０  電圧源
Ｄ１,Ｄ１  ダイオード
Ｃ１，Ｃ２  容量素子
【図１】
2007132861.tif 000003
【図２】
2007132861.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007132861.tif 000006
【図５】
2007132861.tif 000007
【図６】
2007132861.tif 000008
【図７】
2007132861.tif 000009
【図８】
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【図９】
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