(57)【要約】【課題】小型で消費電力が少ないヒータ制御回路を提供する。【解決手段】第１、第２の発熱抵抗体を備えたヒータ制御回路であって、第１、第２の発熱抵抗体に、パルス周期毎に電圧を印加するためのパルス幅変調手段と、パルス周期のパルス幅を所定の間隔に設定するパルス幅設定手段と、パルス周期に基づいて、第１、第２の発熱抵抗体に対して、交互に電圧を印加するように切替える切替え手段と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のヒータ電流印加回路と、
ＰＷＭ信号に基づいて前記複数のヒータ電流印加回路の各々をＯＮ／ＯＦＦする第１の制御手段と、
ＰＷＭ信号の計数に基づいて前記複数のヒータ電流印加回路を順次ＯＮ／ＯＦＦする第２の制御手段を備える温度制御装置。
【請求項２】
前記第１制御手段は所定のパルス幅を有する前記ＰＷＭ信号を発生するパルス幅変調手段と、該ＰＷＭ信号に基づいてＯＮ／ＯＦＦする第１の切り替え手段からなり、
前記第２の制御手段は前記ＰＷＭ信号を分周する分周手段と、
該分周手段の出力によって、前記ヒータ電流印加回路を第１の制御手段と第２の制御手段が同時にＯＮのときにＯＮとする第２の切り替え手段を備える請求項１記載の温度制御装置。
【請求項３】
前記第１の切り替え手段はＰＷＭ信号のパルス幅の間ＯＮ可能状態とされ、
前記第２の切り替え手段は前記分周信号に基づいた期間ＯＮ可能状態となる請求項２記載の温度制御装置。
【請求項４】
前記第１の切り替え手段は第１及び第２のトランジスタからなり、前記第２の切り替え手段は第３及び第４のトランジスタからなり前記第１及び第３のトランジスタはカスケードに接続され、前記第２と第４のトランジスタはカスケードに接続すると共に、それぞれ第１の切り替え手段の第２のトランジスタと第２の切り替え手段の第４のトランジスタに接続され、前記分周されたパルス周期に基づいて第２、第４のトランジスタが交互にＯＮとなるように制御する手段を備えることを特徴とする請求項２記載の温度制御装置。
【請求項５】
前記第２の制御手段に接続され、ヒータ電流印加回路の起動時に、予め定められた設定する設定温度に至るまで、同時に複数のヒータ電流印加回路に電流を印加するための起動検出手段を設けたことを特徴とする請求項１記載の温度制御装置。
【請求項６】
前記ＰＷＭのパルス幅は現在の外界温度と、目標を設定温度との差に基づいて決定する請求項１記載の温度制御装置。
【請求項７】
前記分周手段に接続され、前記複数のヒータ電流印加手段を排他的にＯＮするように前記第２の制御手段を制御する論理手段を具えたことを特徴とする請求項２記載の温度制御装置。
【請求項８】
前記第２の制御手段の入力段に接続され、第２の制御手段の切り替え動作を緩やかにするＲＣ回路を具えることを特徴とする請求項１記載の温度制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶発振器の恒温槽等の温度制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
外気温度の変化に対して影響を受け難いように、恒温槽を用いた小型水晶発振器がある。恒温槽内に水晶振動子とその周辺回路を収納する方法としてＯＣＸＯ（Ｏｖｅｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）が知られている。ＯＣＸＯを採用することで、水晶発振器の発振周波数は外気温度変化により変化し易いが、恒温槽を用いて水晶発振器を安定に発振させることができる。この恒温槽の構造について、従来例を基に以下に説明する。
【０００３】
上記の恒温槽を加熱する従来ヒータの制御回路４００について説明する。
図４に示すように温度センサ４０１、増幅器４０２、Ａ／Ｄ変換器４０３、加算器４０４、目標温度設定入力端子４０５、パルス幅変調器（以下、ＰＷＭ４０６と略称する）、ヒータ用電源端子４０７、ヒータ４０８、コンデンサ４０９、トランジスタ４１０を用いた回路により温度補償をしている。つまり、温度センサ４０１により検知した温度に対応する電圧値を増幅器４０２で所望の電圧まで増幅し、Ａ／Ｄ変換器４０３によってアナログ信号をデジタル信号に変換する。デジタル信号は加算器４０４に入力し、目標温度設定入力端子４０５から入力される所定の電圧値との差分を検出する。すなわち、検知温度と目標温度との差分に対応した信号をＰＷＭ４０６に入力する。ＰＷＭ４０６は、この入力値に基づいてパルス幅を増減するパルス幅変調を行ない、ヒータ４０８のパワートランジスタ４１０に入力してヒータ４０８をドライブする。
【０００４】
ここでＰＷＭ４０６は、前記差分に対応したパルス幅だけ、トランジスタ４１０をＯＮさせると共に、電力消費低減のために、トランジスタ４１０をＯＮ／ＯＦＦさせて、ヒータ４０８に電流を印加してヒータを加熱し、センサ４０１の検知温度（外界の温度）を目標値に近づけるように制御する。また、ヒータ４０８と並列に接続されたコンデンサ４０９も、ヒータ４０８に流れる電流の変化を緩やかにする働きがある。
【０００５】
また他の従来例として、外界の温度をより均一にするため、図５に示すようにヒータを複数４０８−１，４０８−２設けたものが存在する。なお、ＰＷＭ４０６の出力とトランジスタ４１０−１，４１０−２のベース間に直列に接続された抵抗は、それぞれのトランジスタ４１０−１，４１０−２における入力電流を調整し、結果としてヒータに印加される電流を調整し、そのバラツキを補正する。
【０００６】
以上のように構成された回路の増幅器４０２とトランジスタ４１０−１，４１０−２により、ヒータ用電源端子４０７に接続されたヒータ４０８−１，４０８−２に流れる電流を制御して恒温槽内の温度調整をする。
【０００７】
特許文献１はＰＷＭを用いたヒータの制御について開示されている。
非特許文献１には、ＰＷＭを用いてトランジスタを高速でＯＮ／ＯＦＦ制御し、消費電力を少なくする技術について開示されている。
【特許文献１】特開２００５−２３６８０１号公報
【非特許文献１】トランジスタ技術（２００４年８月号  ｐ．２７６〜２７９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし図４に示した従来の技術は、ヒータと並列に接続されるコンデンサによって、抵抗値の小さいヒータに流れる電流の変化を緩やかにするため、コンデンサの容量を大きくしなければならなかった。そのため必然的にコンデンサ自体の大きさも大きくなり、ヒータ制御回路の小型化が難しいという欠点があった。
【０００９】
また、ヒータ制御回路の基板温度を均一化するために、図５に示すようにヒータを複数設ける従来例では、複数のヒータが同時に動作するために、消費電力が多くなり、また部品の熱応答特性のバラツキにより回路温度分布が均一にならない問題があった。
【００１０】
そこで本発明は、小型で消費電力が少なく回路温度分布を均一にする温度制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様によれば、複数のヒータ電流印加回路と、ＰＷＭ信号に基づいて前記複数のヒータ電流印加回路の各々をＯＮ／ＯＦＦする第１の制御手段と、ＰＷＭ信号の計数に基づいて前記複数のヒータ電流印加回路を順次ＯＮ／ＯＦＦする第２の制御手段を備える温度制御装置を提供する。
【００１２】
これにより、電力消費が低減できると共に、恒温槽を均一かつ緩やかに加熱し、また、部品の特性のバラツキも吸収できる。
本発明の第２の態様によると、第１の態様において、前記第１制御手段は所定のパルス幅を有する前記ＰＷＭ信号を発生するパルス幅変調手段と、該ＰＷＭ信号に基づいてＯＮ／ＯＦＦする第１の切り替え手段からなり、
前記第２の制御手段は前記ＰＷＭ信号を分周する分周手段と、
該分周手段の出力によって、前記ヒータ電流印加回路を第１の制御手段と第２の制御手段が同時にＯＮのときにＯＮとする第２の切り替え手段からなる。
【００１３】
本発明の第３の態様によれば、第１の態様において、前記第２の制御手段に接続され、ヒータ電流印加回路の起動時に、予め定められた設定する設定温度に至るまで、同時に複数のヒータ電流印加回路に電流を印加するための起動検出手段を設けたことを特徴とする。これにより、起動時に高速にヒータを加熱できる。
【００１４】
本発明の第４の態様によれば、第１の態様において、前記第２の制御手段の入力段に接続され、第２の制御手段の切り替え動作を緩やかにするＲＣ回路を具える。これにより、各ヒータの切り替えを緩やかに行える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、大きなコンデンサを用いずに、ヒータを緩やかに加熱でき、かつ複数のヒータを用いた場合でも同時オンを避けることにより消費電力を一層低減でき、さらに各ヒータ電流印加回路の部品の特性のバラツキを抵抗等の部品の調整によって均一にしないでも温度を均一にでき温度制御装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。図１は、ヒータ制御回路１０１を示すブロック図である。
ヒータ制御回路１０１は、温度センサ１０２、増幅器１０３、Ａ／Ｄ変換器１０４、加算器１０５、目標温度設定入力端子１０６、パルス幅変調器（以下、ＰＷＭ１０７と略称する）、ヒータ用電源端子１０８、低域通過フィルタ（以下、ＬＰＦ１０９と略称する）、ヒータ１１０−１，１１０−２、トランジスタ１１１−１ないし１１１−４、分周器１１２、ＯＲ回路１１３−１，１１３−２、インバータ１１４、起動検出回路１１５を用いた回路によりヒータの温度制御をしている。つまり、温度センサ１０２により検知した温度に対応する電圧値を増幅器１０３で所望の電圧まで増幅し、Ａ／Ｄ変換器１０４によってアナログ信号をデジタル信号に変換する。デジタル信号は加算器１０５に入力し、目標温度設定入力端子１０６から入力される所定の電圧値と加算される。加算した出力結果はＰＷＭ１０７に入力する。ＰＷＭ１０７は、この入力値に基づいてパルス幅を増減するパルス幅変調を行ない、ＬＰＦ１０９によってアナログ信号に変換した後、ヒータ１１０−１，１１０−２のトランジスタ１１１−１，１１１−３に入力する。
【００１７】
また、ＰＷＭ１０７の出力は分周器１１２にも入力され、分周比に基づいてヒータ１１０−１がＯＮのとき、ヒータ１１０−２がＯＦＦとなるように、トランジスタ１１１−１，１１１−３とそれぞれカスケード接続されたトランジスタ１１１−２，１１１−４のベースを、論理制御することでヒータ１１０−１，１１０−２をドライブする。ここでトランジスタＴｒ１１１−１、Ｔｒ１１１−２は第１の電流印加回路を構成し、トランジスタＴｒ１１１−３、Ｔｒ１１１−４は第２の電流印加回路を構成する。さらに、トランジスタＴｒ１１１−１、Ｔｒ１１３−１は第１の制御手段に対応し、トランジスタＴｒ１１１−２、Ｔｒ１１１−４は第２の制御手段に対応する。
【００１８】
論理制御部１１６は、ＯＲ回路１１３−１，１１３−２とインバータ１１４で構成され、分周器１１２の出力は、ＯＲ回路１１３−１の第１の入力端子とインバータ１１４に入力する。ＯＲ回路１１３−１の出力は抵抗Ｒ1を介してトランジスタ１１１−２のベースに入力する。またトランジスタ１１１−２のベースと接地間には、コンデンサＣ1と抵抗Ｒ1´の並列回路が接続される。トランジスタ１１１−２はエミッタ接地とする。また、インバータ１１４の出力は、ＯＲ回路１１３−２の第１の入力端子に入力し、ＯＲ回路１１３−２の出力は抵抗Ｒ2を介してトランジスタ１１１−４のベースに入力する。またトランジスタ１１４−４のベースと接地間には抵抗Ｒ2´とコンデンサＣ2が並列に接続される。トランジスタ１１４−４はエミッタ接地とする。
【００１９】
ここで起動検出回路１１５は、ヒータ制御回路１０１を起動するとき、ヒータ制御回路１０１の基板温度をすばやく均一状態にするために、一定時間の間、予め設定する設定温度に至るまで出力が「ＨＩＧＨ」となる。この間、分周器１１２の出力如何によらずトランジスタ１１１−２，１１１−４がＯＮとなり、ヒータ１１０−１，１１０−２をドライブする。
【００２０】
図２は、ヒータ制御回路１０１の動作原理を示すタイミングチャートである。起動検出回路１１５の出力が「ＨＩＧＨ」から「ＬＯＷ」に切り替わった後におけるヒータ制御回路１０１の主要な動作を、図２を用いて以下に説明する。
【００２１】
まず、ＰＷＭ１０７からは、温度センサ１０２で検知された温度に対応して、図２（ａ）に示すようなパルス幅変調された一定周期のパルス信号が出力される。すると、ＰＷＭ１０７の出力が「ＨＩＧＨ」になっている期間は、２つのトランジスタ１１１−１、１１１−３が、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように共にＯＮとなる。
【００２２】
一方、ＰＷＭ１０７の出力は、分周器１１２にも入力されている。ここで分周器１１２の分周比を例えば「１／２」とすると、この分周器１１２からは、図２（ａ）に示したＰＷＭ１０７の出力の２倍の周期のパルス信号が出力される。分周器１１２の出力と起動検出回路１１５の出力がＯＲ回路１１３−１の各入力端子に入力していることから、起動検出回路１１５の出力が「ＬＯＷ」の状態では、分周器１１２の出力がそのままＯＲ回路１１３−１の出力（図２（ｄ））となって現われる。また、ＯＲ回路１１３−２の一方の入力端子には、分周器１１２の出力がインバータ１１４で反転されてから入力すると共に、もう一方の入力端子には起動検出回路１１５の出力が入力していることから、起動検出回路１１５の出力が「ＬＯＷ」の状態では、分周器１１２の出力の反転された波形がＯＲ回路１１３−２の出力（図２（ｅ））となって現われる。すなわち、２つのＯＲ回路１１３−１、１１３−２の出力には、ＰＷＭ１０７の出力の２倍の周期であって、互いに反転した波形が現われる。
【００２３】
そして、ＯＲ回路１１３−１の出力の「ＨＩＧＨ」、「ＬＯＷ」に従って、トランジスタ１１１−２が図２（ｆ）に示すようにＯＮ、ＯＦＦし、一方、ＯＲ回路１１３−２の出力の「ＨＩＧＨ」、「ＬＯＷ」に従って、トランジスタ１１１−４が図２（ｇ）に示すようにＯＮ、ＯＦＦする。すなわち、２つのトランジスタ１１１−２、１１１−４は、ＰＷＭ１０７の出力の２倍の周期で交互にＯＮすることになる。
【００２４】
このように、カスケード接続された上段側のトランジスタ１１１−１、１１１−３は、図２（ｂ）に示したように、ＰＷＭ１０７の出力（図２（ａ））の「ＨＩＧＨ」、「ＬＯＷ」と同一のタイミングでＯＮ、ＯＦＦを繰り返すが、カスケード接続された下段側のトランジスタ１１１−２、１１１−４は、図２（ｆ）、（ｇ）に示したように、いずれも上段側のトランジスタ１１１−１、１１１−３の出力周期の２倍の周期でＯＮ、ＯＦＦを繰り返し、しかも、ＯＮする期間は交互に現われる。
【００２５】
その結果、ヒータ１１０−１は、図２（ｈ）に示すように、下段のトランジスタ１１１−２がＯＮしている期間（図２中における例えばＴａ〜Ｔｃの期間）中に上段のトランジスタ１１１−１がＯＮした時（図２中における例えばＴａ〜Ｔｂの期間）にのみＯＮし、下段のトランジスタ１１１−２がＯＦＦしている期間（図２中における例えばＴｃ〜Ｔｅの期間）中は上段のトランジスタ１１１−１がＯＮした時（図２中における例えばＴｃ〜Ｔｄの期間）でもＯＦＦのままとなる。同様に、もう一方のヒータ１１０−２は、図２（ｉ）に示すように、下段のトランジスタ１１１−４がＯＮしている期間（図２中における例えばＴｃ〜Ｔｅの期間）中に上段のトランジスタ１１１−３がＯＮした時（図２中における例えばＴｃ〜Ｔｄの期間）にのみＯＮし、下段のトランジスタ１１１−４がＯＦＦしている期間（図２中における例えばＴａ〜Ｔｃの期間）中は上段のトランジスタ１１１−３がＯＮした時（図２中における例えばＴａ〜Ｔｂの期間）でもＯＦＦのままとなる。
【００２６】
以上のような動作により、２つのヒータ１１０−１、１１０−２は交互にＯＮすることとなり、同時にＯＮすることがなくなるため、消費電力を有効に削減することができる。なお、図２の波形は、動作原理を示すものであって、実際に観測される波形は、完全な矩形波ではなく、また、ＯＮ／ＯＦＦのタイミングも各素子ごとに遅延を含むタイミングで変化する。
【００２７】
また本実施形態では、ＰＷＭ１０７の出力を分周器１１２によってカウント値０または１を出力しこれによってヒータ１１０−１，１１０−２をドライブするトランジスタ１１１−１，１１１−３をＰＷＭ制御する。
【００２８】
恒温槽内の温度は熱蓄積によって、ヒータ１１０−１，１１０−２をＯＦＦにしても、短時間の間は温度を一定に保つので、使用ヒータの数（ここでは２個）だけＰＷＭ１０７の立上りあるいは立下りを０，１，０，１とカウントして、カウント値から緩やかに設定温度に到達するように、ヒータ１１０−１，１１０−２をＯＮ／ＯＦＦさせて消費電力を削減することができる。そして、設定温度に到達した立上がり以降においても、周囲温度の変化に対して過敏な反応を防止して、槽内温度を一定に維持する。
【００２９】
また、図２（ｆ）、（ｇ）に示すように、抵抗Ｒ1およびコンデンサＣ1と抵抗Ｒ1´からなるＣＲ回路により、トランジスタＴｒ１１１−２が、そして抵抗Ｒ2および、コンデンサＣ2と抵抗Ｒ2´からなるＣＲ回路によりＴｒ１１１−４をそれぞれ緩やかにＯＮ／ＯＦＦするので、緩やかにヒータ１１０−１，１１０−２をＯＮ／ＯＦＦすることができる。これによりヒータ制御回路１０１からのノイズ成分を低減することができる。さらに、ヒータ制御回路の部品のバラツキとして各ヒータ１１０−１，１１０−２間の熱応答バラツキは、ヒータ１１０−１、１１０−２が順次排他的に加熱されるので吸収され、従来のように部品調整して吸収する手間を省くことができる。
【００３０】
複数たとえば４つのヒータを用いた場合、分周器１１２の代わりに２ビットカウンタ（不図示）すなわち、リセット状態（００）から（０１）、（１０）、（１１）、（００）、（０１）、（１０）・・・とカウントしていくカウンタを、ＰＷＭの立ち上がりをクロックにして、カウントアップしていき、２ビットカウンタの出力に２ビットデコーダ（不図示）を接続し（００）のとき、被デコード信号０番がアクティブになり、（０１）のとき被デコード信号１番、（１０）のとき被デコード信号２番、（１１）のとき被デコード信号３番がアクティブになるようにする。それぞれの被デコード信号を起動検出回答１１５とＯＲ１１３−１をとって、４つのヒータに接続された下側トランジスタＴｒ１１１−２、Ｔｒ１１１−４・・・のべースに接続する。これにより、４つのヒータを順次加熱するのでヒータの加熱は緩やかに行われ、かつヒータ制御回路部品のバラツキが吸収される。
【００３１】
上記本発明の実施形態にかかるヒータ制御回路を適用した恒温槽について説明する。
図３（ａ）は恒温槽を用いたＯＣＸＯの発振器の一部断面図と要部平面図である。同図（ａ）に示した発振器の回路基板３０１は金属ベース３０２と金属カバー３０３で覆うように設けた例である。回路基板３０１には、水晶振動子３０４とその周辺回路が搭載されている。周辺回路は発振回路と温度補償回路とヒータから構成される。発振回路は水晶振動子３０４を発振するための回路である。温度補償回路は温度変化による回路への影響をキャンセルして、水晶振動子３０４が安定な発振をするように制御する回路である。導熱板３０８はアルミ板などの金属板を用いる。例えば、同図（ａ）に示すように一組の両端側に窪みを設け、これと直交する他組の両端側に窪みを設けて、中央領域に開口部３０５を設ける。開口部３０５の外周には、水晶振動子３０４のリード線３０６が挿通する貫通孔３０７が設けられる。そして、導熱板３０８の４隅が図示しないネジによって回路基板３０１上に締結される。この例では、回路基板３０１と導熱板３０８との間には図示しない熱導電性の樹脂が塗布され、両者を熱的に結合する。
【００３２】
図３ではヒータ（チップ抵抗３０９ａ、ｂ）を２個設けジュール熱による発熱抵抗体とし、回路基板３０１上に搭載された導熱板３０８の一組の窪みにそれぞれ配置される。また、加熱用として利用するトランジスタ（パワートランジスタ）３１０は導熱板３０８の他組の窪みにそれぞれ配置される。ここでチップ抵抗３０９ａ、ｂおよびトランジスタ３１０は熱導電性の樹脂に覆われている。この場合、導熱板３０８上からも樹脂が塗布され、チップ抵抗３０９ａ、ｂおよびトランジスタ３１０と導熱板３０８とを熱的に結合する。
【００３３】
トランジスタ３１０および温度検出素子３１１のうちの熱高感度素子（電圧可変容量素子およびサーミスタ）は、導熱板３０８の中央領域に設けた開口部３０５に配置され、同様の樹脂によって導熱板３０８と熱結合する。熱高感度素子を除くトランジスタ３１０は導熱板３０８と対向する回路基板３０１の他主面に配置して、温度検出素子３１１は回路基板３０１の両主面の外周に配置して搭載される。
【００３４】
また同図（ｂ）は、シングルオーブン構造の一部断面図である。基板３１２に発振器を設け金属ベース３１３と金属カバー３１４で全体を覆うようにし、内部温度を熱線３１５などのヒータの温度制御することで一定に保ち、周波数を安定させる。本発明によるヒータ制御回路を用いれば低消費電力でヒータ制御できる。
【００３５】
本発明によればＰＷＭの出力値はＰＷＭのｈｉｇｈ時間の間に各ヒータ制御回路のヒータ電流による熱量が同じになるように動作する。（回路の素子ばらつきを取り込んで動作するものとなる。）また、図５（２つのヒータを可変抵抗でつないだ従来例）が２つのヒータを一度に１つのＰＷＭで制御しているのとは異なり、各ヒータ毎にＰＷＭを切り替えて、各ヒータ制御回路の電流を制御することにより、部品特性に合わせた制御ができるので、部品調節で均一にする必要がなくなる。さらにヒータＯＮ側の熱がヒータＯＦＦ側へと伝導することで、消費電力を低減した上で、全体として熱分布が均一になる。
【００３６】
なお上記例では、ヒータ１１０−１，１１０−２のＯＮ／ＯＦＦ制御を行なうアナログ信号の生成を、ＰＷＭ１０７およびＬＰＦ１０９を用いて行なっていたが、Ｄ／Ａ変換器によって、演算器の出力値をアナログデータに変換するようにしても良い。このように、本実施形態における温度補償部は、制御開始時の温度が目的値から遠く離れている場合を考慮して、積分値の演算が行なわれるので、目標値とする周波数に早く収束し、精度の高い温度制御を実現できる。またＬＰＦ１０９及びヒータ１１０−１，１１０−２のアナログ部分の微調整を行なう必要がない。
【００３７】
以上、本発明を適用した実施の形態を説明してきたが、トランジスタ１１１−１ないし１１１−４はバイポーラトランジスタに限らず、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を使用してもよい。また本発明は、以上に述べた実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の構成を取ることができる。さらに本発明は恒温槽の加熱だけでなく、他の被加熱体の加熱にも適用できることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明のヒータ制御回路を示すブロック図である。
【図２】本発明のヒータ制御回路の動作におけるタイミングチャートである。
【図３】（ａ）はＯＣＸＯの発振器の一部断面図と要部平面図である。（ｂ）はシングルオーブン構造の一部断面図である。
【図４】従来のヒータ制御回路を示すブロック図である。
【図５】従来のヒータ制御回路でヒータを複数使用した例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０１  ヒータ制御回路
１０２  温度センサ
１０３  増幅器
１０４  Ａ／Ｄ変換器
１０５  加算器
１０６  目標温度設定入力端子
１０７  ＰＷＭ
１０８  ヒータ用電源端子
１０９  ＬＰＦ
１１０−１，１１０−２  ヒータ
１１１−１，１１１−２，１１１−３，１１１−４  トランジスタ
１１２  分周器
１１３−１，１１３−２  ＯＲ回路
１１４  インバータ
１１５  起動検出回路
１１６  論理制御部
３０１  回路基板
３０２  金属ベース
３０３  金属カバー
３０４  水晶振動子
３０５  開口部
３０６  リード線
３０７  貫通孔
３０８  導熱版
３０９ａ，３０９ｂ  チップ抵抗
３１０  トランジスタ
３１１  温度検出素子
３１２  基板
３１３  金属ベース
３１４  金属カバー
３１５  熱線
４００  ヒータ制御回路
４０１  温度センサ
４０２  増幅器
４０３  Ａ／Ｄ変換器
４０４  加算器
４０５  目標温度設定入力端子
４０６  ＰＷＭ
４０７  ヒータ用電源端子
４０８（４０８−１，４０８−２）  ヒータ
４０９  コンデンサ
４１０（４１０−１，４１０−２）  トランジスタ
【図１】
2007273420.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007273420.tif 000005
【図４】
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【図５】
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