(57)【要約】      （修正有）【課題】発光効率の向上したプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】前面隔壁３０と、第１基板２０と第２基板１０との間に形成され、一の第１前面隔壁３０ａに対応して配置される第１電極５０と、第１基板２０と第２基板１０との間に形成され、一の第１前面隔壁３０ａと隣接する他の第１前面隔壁３０ａに対応して配置される第２電極６０と、第１電極５０と第２電極６０との下部に形成され、第２前面隔壁３０ｂに対応して配置されるアドレス電極７０と、アドレス電極７０と第１電極５０とに隣接し、アドレス電極７０から延長して形成されるアドレス補助電極７５と、第２基板１０の第１基板２０と対向する面側に第１電極５０に対応して配置され、前記アドレス補助電極７５に相当する幅に形成される第１背面隔壁４０ａ、第２電極６０に対応して配置される第２背面隔壁４０ｂ、及びアドレス電極７０に対応して配置される第３背面隔壁４０ｃを備える。【選択図】図１
2007141839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板及び前記第１基板と対向して配置される第２基板と、
前記第１基板の前記第２基板と対向する面側に一の方向に沿って配置される第１前面隔壁及び前記第１前面隔壁と交差する方向に沿って配置される第２前面隔壁を備え、複数の放電セルを画定する前面隔壁と、
前記第１基板と前記第２基板との間に形成され、一の前記第１前面隔壁に対応して配置される第１電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に形成され、一の前記第１前面隔壁と隣接する他の前記第１前面隔壁に対応して配置される第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との下部に形成され、前記第２前面隔壁に対応して配置されるアドレス電極と、
前記アドレス電極と第１電極とに隣接し、前記アドレス電極から延長して形成されるアドレス補助電極と、
前記第２基板の前記第１基板と対向する面側に前記第１電極に対応して配置され、前記アドレス補助電極に相当する幅に形成される第１背面隔壁、前記第２電極に対応して配置される第２背面隔壁、及び前記アドレス電極に対応して配置される第３背面隔壁を備え、前記前面隔壁と共に前記放電セルを画定する背面隔壁と、
前記背面隔壁の側面と前記第２基板の前記第１基板と対向する面に形成される蛍光体層と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレーパネル。
【請求項２】
前記蛍光体層は、前記第１基板の前記第２基板と対向する面に形成される透過蛍光体層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項３】
前記アドレス補助電極は、金属材料から形成される金属電極であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項４】
前記アドレス補助電極は、外面に補助電極誘電体層とＭｇＯ保護層とが形成されることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項５】
前記第１背面隔壁は、前記アドレス補助電極の側面に形成されるＭｇＯ保護層を含む幅に相当する幅に形成されることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項６】
前記アドレス補助電極は、前記放電セルを中心に対向する他のアドレス電極と所定間隔離隔して配置され、前記アドレス電極から延長して形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項７】
前記アドレス補助電極は、前記第１電極に対して対称的に形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項８】
前記アドレス補助電極は、一体的に形成されることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項９】
前記アドレス補助電極は、第１電極によって両側に区分される一のアドレス電極と他のアドレス電極とが所定距離離隔して形成されることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項１０】
前記アドレス電極は、導電性の金属材料から形成され、外面に誘電体層が形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項１１】
前記アドレス電極の前記第１基板と対向する面に形成される誘電体層が少なくとも前記第１電極の高さに形成されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項１２】
前記アドレス電極の前記第１基板と対向する面に形成される誘電体層が前記第１電極の前記第１基板と対向する面に形成される誘電体層の面と同一平面をなすように形成されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレーパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレーパネルに関し、特に、発光効率を向上させることができるプラズマディスプレーパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、従来の陰極線管ディスプレイ装置を代替するものとして注目されているプラズマディスプレーパネル(Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ)は、複数の電極が形成された対向する二つの基板の間が形成する放電空間に放電ガスを注入した後、放電電圧が印加され、このときに発生する紫外線によって蛍光体が励起されて放出する可視光線を利用して所望の画像を表示するものである。このようなプラズマディスプレーパネルは、その構造や駆動原理によって、直流型、交流型、及び混合型に区分される。また、プラズマディスプレーパネルは、放電構造によって面放電型と対向放電型に区分される。近年、国内外で生産されている大部分のＰＤＰは、３電極面放電型プラズマディスプレーパネルである。
【０００３】
前記面放電型、例えば、３電極面放電型のＰＤＰは、スキャン電極とアドレス電極との間の距離が大きいので、相対的に大きい放電電圧が必要となり、二つの電極との間が最も近い領域（放電セルの中心部分）で放電が開始され、その後、放電は、電極の端部近傍の領域に移動する。放電が中心領域で起こる理由は、この領域での放電開始電圧が低いためである。そして、放電が開始されれば、空間電荷の形成に放電開始電圧より低い電圧下から放電が維持され、二つの電極との間にかかる電圧は時間によって次第に低くなる。
【０００４】
放電が開始された後、放電セルの中心領域にイオンと電子との積層によって電場の強度は弱くなり、この領域で放電は消えるようになる。即ち、二つの電極との間でかかる電圧は、時間によって減少するので、放電セルの中心領域(発光効率が低い構造)においては、弱放電が起こり、放電セルの端部近傍の領域(発光効率が高い構造)においては、強放電が起こる。このようなに、放電セル全域にわたって安定的な放電が行われず、発光効率が低下するようになる。
【０００５】
近年、上記のような３電極放電方式の欠点を改善するため、対向放電型のプラズマディスプレーパネルの開発が進んでいる。対向放電型プラズマディスプレーパネルは、維持電極とスキャン電極とが前面基板と背面基板との間に配置される隔壁に形成され、それぞれ互いに対向する構造に形成される。前記アドレス電極は、維持電極とスキャン電極に交差して形成される。したがって、これらの対向放電型プラズマディスプレーパネルにおいては、スキャン電極とアドレス電極との間の距離が面放電方式に比べて短くなるので、アドレス電圧が相対的に低くなる。また、対向放電型プラズマディスプレーパネルにおいては、放電セル内部で全体的に放電が進むので、放電空間が増加して放電効率を増加させることができる。
【０００６】
また、対向放電型プラズマディスプレーパネルにおいては、スキャン電極とアドレス電極との間の距離を相対的にさらに小さくなるため、アドレス電極にアドレス補助電極を形成して、このアドレス補助電極を放電セルの内部に突出するように形成することができる。また、電極が基板の中間の隔壁に形成されるので、前面基板と背面基板とにそれぞれ透過蛍光体層と反射蛍光体層とを形成することができる。
【０００７】
ところで、プラズマディスプレーパネルは、高い紫外線発生効率(投入されたエネルギーの中で紫外線発生に寄与したエネルギーの割合)と低い可視光損失によって高い発光効率を得ることができる。ここで可視光損失は、発生された紫外線が蛍光体層に到逹する割合と発生された可視光が前面基板に到逹する程度によって定まる。また、紫外線が蛍光体層に到逹する割合は、蛍光体層の塗布形態に影響を受ける。
【０００８】
したがって、アドレス補助電極が放電セル内部に突出されて形成される場合、アドレス補助電極が反射蛍光体層に紫外線を到達することを妨げてしまい、蛍光体層から発生した可視光線が前面基板に到逹することを妨げるようになる。即ち、プラズマディスプレーパネルは、アドレス補助電極によって可視光損失が増加され、発光効率が減少してしまうという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、放電セル内部に突出されてスキャン電極とアドレス放電を起こすアドレス補助電極の下部に形成され、側面に反射蛍光体層を形成する背面隔壁の幅がアドレス補助電極の幅に相当する幅に形成されて放電過程から発生される紫外線が背面隔壁の反射蛍光体層により多く衝突するようにし、発生された可視光が最大限前面基板に到達できるようにして発光効率を向上させることができるプラズマディスプレーパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するための本発明に係るプラズマディスプレーパネルは、第１基板及び前記第１基板と対向して配置される第２基板と、前記第１基板の前記第２基板と対向する面側に一の方向に沿って配置される第１前面隔壁と及び前記第１前面隔壁と交差する方向に配置される第２前面隔壁を備える前面隔壁を備え、複数の放電セルを画定する前面隔壁と、前記第１基板と前記第２基板との間に形成され、一の前記第１前面隔壁に対応して配置される第１電極と、前記第１基板と前記第２基板との間に形成され、前記一の第１前面隔壁と隣接する他の前記第１前面隔壁に対応して配置される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の下部に形成され、前記第２前面隔壁に対応して配置されるアドレス電極と、前記アドレス電極と第１電極に隣接し、前記アドレス電極から延長して形成されるアドレス補助電極と、前記第２基板の前記第１基板と対向する面側に前記第１電極に対応して配置され、前記アドレス補助電極に相当する幅に形成される第１背面隔壁、前記第２電極に対応して配置される第２背面隔壁、及び前記アドレス電極に対応して配置される第３背面隔壁を備え、前記前面隔壁と共に前記放電セルを画定する背面隔壁と、前記背面隔壁の側面と上記第２基板の前記第１基板と対向する面に形成される蛍光体層と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、蛍光体層は、放電セル内部で第１基板の下面を含む領域に形成される透過蛍光体層をさらに備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明において、前記アドレス補助電極は金属材料から形成されることができ、外面に補助電極誘電体層とＭｇＯ保護層が形成されることができる。この時、第１背面隔壁はアドレス補助電極の側面に形成されるＭｇＯ保護層を含む幅に相当する幅に形成されることができる。
【００１３】
また、本発明において、アドレス補助電極は、前記放電セルを中心に対向する他のアドレス電極と所定間隔離隔して配置され、前記アドレス電極から延長して形成されることができる。
【００１４】
また、アドレス補助電極は、第１電極を中心に近隣する放電セルに第１電極を中心に対称に形成されることを特徴とする。この時、アドレス補助電極は第１電極を中心に近隣する放電セルに形成されるアドレス補助電極が一体に形成または第１電極を中心にお互いに所定距離離隔するように形成されることを特徴とする。
また、本発明において、アドレス電極は導電金属に形成され、外面に誘電体層が形成されることを特徴とする。この時、アドレス電極上面の誘電体層が少なくとも第１電極の高さに形成されることを特徴とする。 
また、アドレス電極は、上面に形成される誘電体層が第１電極の上面に形成される誘電体層の上面と略同一平面をなすように形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように構成された本発明に係るプラズマディスプレーパネルによれば、アドレス補助電極の下部に形成される隔壁が少なくともアドレス補助電極の幅に形成され、隔壁の側面に塗布する反射蛍光体層が全て前面基板方向に露出する。この結果、放電時に発生する紫外線が、最大限反射蛍光体層に衝突させることができるため、発光効率を増加させることができる。また、発生した紫外線が反射蛍光体層に衝突し、これによって発生した可視光が最大限、前面基板に到逹可能とすることで発光効率を増加させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルについて図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００１７】
図１は本実施形態に係るプラズマディスプレーパネルの斜視図であり、図２は図１の垂直断面図であり、図３は図１のＡ−Ａ水平断面図であり、図４は図１のＢ−Ｂ水平断面図である。
【００１８】
本実施形態に係るプラズマディスプレーパネルは、図１〜図４に示すように、第１基板(以下、「前面基板」と称する)２０と、前面基板２０と対向して配置される第２基板(以下、「背面基板」と称する)１０と、前面隔壁３０、背面隔壁４０、第１電極５０、第２電極６０、アドレス電極７０、及び蛍光体層８０を含んで形成される。背面基板１０と前面基板２０は、所定間隔にお互いに対向し、背面基板１０と前面基板２０との間の空間に前面隔壁３０と背面隔壁４０によって複数の放電セル９０が区画されて形成する。放電セル９０は、少なくとも背面基板１０の上面と背面隔壁４０の側面に形成する蛍光体層８０を備え、プラズマ放電によって真空紫外線を発生させる放電ガスが充電されている。
【００１９】
背面基板１０は、ガラスのような透明性を有する材料で形成され、前面基板２０と共にプラズマディスプレーパネルを形成する。前面基板２０は、ソーダガラスのような透明性を有する材料で形成され、背面基板１０と対向して配置される。また、前面基板２０と背面基板１０との間には、放電セル９０を画定する前面隔壁３０及び背面隔壁４０、放電を起こすための第１電極５０と第２電極６０、及びアドレス電極７０が配置される。また、前面基板２０と背面基板１０は、放電セル９０内の互いに対向する面に蛍光体層８０が形成される。
【００２０】
以下、図１の正面から見て上方向（＋ｚ軸方向）における構成要素の面を‘上面’、その反対側である−ｚ軸方向における構成要素の平面を‘下面’として称して説明する。
【００２１】
前面隔壁３０は、前面基板２０の下面２０ａに一の方向(図１でｙ軸方向)に並んで形成される第１前面隔壁３０ａと、第１前面隔壁３０ａと交差する方向(図１でｘ軸方向)に形成する第２前面隔壁３０ｂとを含んで形成される。前面隔壁３０は、背面基板１０前面基板２０、及び背面隔壁４０と共に、放電を起こす空間である複数の放電セル９０を画定する。前面隔壁３０は、例えば、Ｐｂ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、またはＯなどのような元素を含むガラス成分で形成されることができるが、これに限定されることはない。
【００２２】
第１電極５０と第２電極６０とは、前面隔壁３０の第１前面隔壁３０ａに対応するように形成され（図１では、前面隔壁３０の第１前面隔壁３０ａが配置されている方向と平行に形成されている）、放電セル９０を介して（第１電極５０と第２電極６０との間に放電セル９０を配置させるように）、それぞれ互い違いに配置され、それぞれが接している放電セル９０を共有する。したがって、第１電極５０と第２電極６０とは、放電セル９０を介して互いに対向して配置されつつ、第１電極５０と第２電極６０とが対をなして放電を進行するようになる。また、第１電極５０と第２電極６０は、延長される方向に垂直に切断した時、水平方向の長さである幅が、垂直方向の長さである高さよりも小さくなるように形成されること望ましい。
【００２３】
第１電極５０と第２電極６０は、より広い面積で対向放電が進行され、より強い紫外線を形成し、この強い紫外線は放電セル９０のよりも広い面積にかけて蛍光体層８０に衝突されるので、可視光の発光量を増加させることができる。また、第１電極５０(以下、第１電極をアドレス電極とアドレス放電を起こすスキャン電極に設定する)は、より広い面積でアドレス電極７０と対向放電型の方式でアドレス放電を起こすようになり、アドレス放電を効率的に発生させることができる。なお、第１電極５０はスキャン電極、第２電極６０は維持電極に設定することができ、その反対に第１電極５０を維持電極、第２電極６０をスキャン電極に設定することもできる。
【００２４】
第１電極５０と第２電極６０とは、前面隔壁３０の下部に位置し、透明性が不要なので一般的な導電性の金属から形成されることができる。第１電極５０、第２電極６０としては、Ａｇ、Ａｌ、またはＣｕなどの導電性が優秀で抵抗値が低い金属材料で形成されることが望ましい。これは、放電に係る速度が早くて、信号が歪曲されず、維持放電に必要な消費電力を減らすことができるなどの様々な利点がある。なお、第１電極５０、第２電極６０を形成する材質は、Ａｇ、Ａｌ、またはＣｕなどに限定されるわけではなく、導電性が優秀で抵抗が低い多様な金属を使用することができる。
【００２５】
第１電極５０と第２電極６０とは、その外面に所定の厚さの誘電体層５２、６２が形成される。誘電体層５２、６２は、放電時、加速される荷電粒子の衝突によって電極が損傷されることを防止する役割を果たす。誘電体層５２、６２は、Ｐｂ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、またはＯなどのような元素を含むガラス材料から形成することができ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ３のようなフィラー(ｆｉｌｌｅｒ)とＣｒ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅなどのような顔料を含んで形成することができる。なお、誘電体層５２、６２は、上記のような材料に限定されるわけではなく、上記のような役割を果たすものであれば、どのような材料から形成することができる。
【００２６】
また、誘電体層５２、６２は、側面にＭｇＯ保護層５４、６４が形成されることが望ましい。ＭｇＯ保護層５４、６４は、プラズマディスプレーパネルで誘電体を保護するのに使用されるＭｇＯを含む材料で形成され、電極の放電時、電極が損傷されることを防止し、２次電子を放出して放電電圧を低める役割を有する。ＭｇＯ保護層５４、６４は、主にスポトリング(ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ)方法、電子ビーム蒸着(Ｅ−ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ)方法によって薄膜に形成される。
【００２７】
アドレス電極７０は、第２前面隔壁３０ｂに対応するように形成される（図１では、と平行な方向に第１電極５０と第２電極６０の下部に配置されて形成されている）。アドレス電極７０は、第２前面隔壁３０ｂと同一の間隔で第２前面隔壁３０ｂの垂直下部方向に配置されることが望ましい。また、アドレス電極７０は、放電セル９０の両側に並んで配置される。アドレス電極７０は、第１電極５０とアドレス放電を起こし、アドレス電極７０から延長して形成されるアドレス補助電極７５を含む（図３参照）。
【００２８】
アドレス補助電極７５は、第１電極５０と第２電極６０との間でアドレス電極７０から延長して放電セル９０の内部方向に形成される。特に、スキャン電極に設定される第１電極５０に隣接して形成される。アドレス補助電極７５は、第１電極５０方向の側面と第１電極５０との間の水平距離が第２電極６０方向の側面と第２電極６０との間の水平距離より短く形成される（図２参照）。よって、アドレス放電は、距離が相対的に短いアドレス補助電極７５と第１電極５０との間で進行する。
【００２９】
一のアドレス電極７５と他のアドレス電極７５とは、所定間隔離隔して形成されるしたがって、一のアドレス補助電極７５は、他のアドレス電極と電気的に絶縁されている。
【００３０】
アドレス補助電極７５は、図２に示すように、第１電極５０両側に位置する前面基板２０側の放電セル９０の領域に対応するように形成され、第１電極５０を基準として対称的な形状で形成されることが望ましい。この時、アドレス補助電極７５は、互いに電気的に接続するように一体に形成されること望ましい。したがって、アドレス補助電極７５は容易に形成することができる。上記のように形成することでアドレス補助電極７５は、各放電セル９０において、それぞれ同一の条件でアドレス放電を進行させることができる。
【００３１】
アドレス補助電極７５は、水平方向の長さである幅(ｘ軸方向の長さ)が垂直方向の長さである高さ(ｚ軸方向の長さ)よりも大きくなるように形成される。したがって、アドレス補助電極７５は、より広い面積で第１電極５０と対向放電型の方式でアドレス放電を起こすことができるようになる。
【００３２】
アドレス補助電極７５は、外面に絶縁層が形成され、誘電体層に形成される補助電極誘電体層７７が所定の厚さで形成されることが望ましい。即ち、補助電極誘電体層７７は、アドレス補助電極７５を全体的に覆うように形成される。また、補助電極誘電体層７７は、第１電極５０と第２電極６０との外面に形成される誘電体層５２、６２と同一な材料で形成され、誘電体層５２、６２と一体的に形成されることが望ましい。
【００３３】
補助電極誘電体層７７は、外面に誘電体層を保護するＭｇＯ保護層７９が形成されることが望ましい。ＭｇＯ保護層９９は、プラズマディスプレーパネルで誘電体を保護するために使用するＭｇＯから形成され、電極の放電時、電極が損傷されることを防止し、２次電子を放出して放電電圧を低める役割を有する。ＭｇＯ保護層７９は、主にスポトリング(ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ)方法、電子ビーム蒸着(Ｅ−ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ)方法によって薄膜に形成される。
【００３４】
背面隔壁４０は、背面基板１０の上面１０ａに前面隔壁３０とほぼ類似の形状に配置され、第１背面隔壁４０ａ、第２背面隔壁４０ｂ、及び第３背面隔壁４０ｃを含んで形成される。
【００３５】
第１背面隔壁４０ａは、背面基板１０の上面１０aに第１電極５０と平行に配置され、アドレス補助電極７５に相当する幅に形成される。なお、第１背面隔壁４０ａの幅は、アドレス補助電極７５、補助電極誘電体層７７、及びＭｇＯ保護層７９を加えた幅に相当する幅に形成されることが望ましい。したがって、第１背面隔壁４０ａの側面は、アドレス補助電極７５のＭｇＯ保護層７９側面とほぼ同一な平面をなすようになる。また、第１背面隔壁４０ａは、側面が放電セル９０の内部に傾くように形成されることができ、この時、第１背面隔壁４０ａの側面下部がアドレス補助電極７５のＭｇＯ保護層７９側面よりも放電セル９０の内部に位置するようになる。
【００３６】
第２背面隔壁４０ｂは、背面基板１０の上面１０ａに第２電極６０と平行に配置され、第２背面隔壁４０ｂの幅は、第２電極６０に相当する幅に形成される。なお、第２背面隔壁４０ｂの幅は、第２電極６０、誘電体層６２、及びＭｇＯ保護層６４を加えた幅に相当する幅に形成されることが望ましい。したがって、第２背面隔壁４０ｂの側面は、第２電極６０のＭｇＯ保護層６４の側面とほぼ同一な平面をなすようになる。また、第２背面隔壁４０ｂは、側面が放電セル９０の内部に傾くように形成されることができ、この時、第２背面隔壁４０ｂの側面下部が第２電極６０のＭｇＯ保護層６４の側面よりも放電セル９０の内部に位置するようになる。
【００３７】
第３背面隔壁４０ｃは、背面基板１０の上面１０ａにアドレス電極７０と平行に配置され、第３背面隔壁４０ｃの幅は、アドレス電極７０に相当する幅に形成する。なお、第３背面隔壁４０ｃの幅は、アドレス電極７０、誘電体層７２、及びＭｇＯ保護層(図示はしていない)を加えた幅に相応する幅に形成されることが望ましい。したがって、第３背面隔壁４０ｃの側面は、アドレス電極７０ＭｇＯ保護層の側面とほぼ同一な平面をなすようになる。また、第３背面隔壁４０ｃは、側面が放電セル９０の内部に傾くように形成されることができ、この時、第３背面隔壁４０ｃの側面下部がアドレス電極７０のＭｇＯ保護層の側面よりも放電セル９０の内部に位置するようになる。
【００３８】
蛍光体層８０は、少なくとも前面基板２０の上面とアドレス補助電極７５の下部に形成する第１背面隔壁４０ａの側面を含む領域に形成されることができ、放電過程から発生された紫外線を吸収して可視光を発生させる。蛍光体層８０は、透過蛍光体層８０ａと反射蛍光体層８０ｂとを含んで形成されることが望ましい。
【００３９】
透過蛍光体層８０ａは、放電セル９０内部で前面基板２０の下面２０ａに形成され、前面隔壁３０の側面を含む領域に所定の厚さで形成されることが望ましい。透過蛍光体層８０ａは、紫外線を吸収して可視光を前面基板２０の上部に透過させるようになる。反射蛍光体層８０ｂは、放電セル９０内部で背面基板１０の上面１０ａに形成される背面隔壁４０の側面を含む領域に所定の厚さで形成されることが望ましい。したがって、反射蛍光体層８０ｂは、背面基板１０の上面１０ａに形成され紫外線を吸収して可視光を発生させ、前面基板２０の方向に反射する。反射蛍光体層８０ｂは、所定の厚さに形成されて透過蛍光体層８０ａよりも厚く形成される。透過蛍光体層８０ａは、それ自体から発生される可視光と反射蛍光体層８０ｂから発生される可視光が損失なしに前面基板２０の上部に透過されるように薄い幕に形成される。即ち、蛍光体層８０は、前面基板２０に透過される可視光の透過率を向上させるために透過蛍光体層８０ａの厚さを反射蛍光体層８０ｂの厚さよりも薄く形成することが望ましい。透過蛍光体層８０ａにおいて、可視光の透過率は蛍光体層の厚さにほぼ比例するので、透過蛍光体層８０ａは、放電セル９０の発光効率などを考慮して好適な厚さに形成される。また、反射蛍光体層８０ｂは、放電セル９０の発光効率を考慮して充分な厚さに形成される。
【００４０】
蛍光体層８０は、紫外線を受けて可視光線を発生する成分を含み、赤色発光放電セルに形成される赤色蛍光体層は、例えばＹ(Ｖ、Ｐ)０４：Ｅｕなどのような蛍光体を備え、緑発光放電セルに形成される緑蛍光体層は、例えばＺｎ2ＳｉＯ４：Ｍｎなどのような蛍光体を備え、青色発光放電セルに形成される青色蛍光体層は、例えばＢＡＭ:Ｅｕなどのような蛍光体を備えて形成されることができる。蛍光体層８０は、赤色発光蛍光体層、緑発光蛍光体層、青色発光蛍光体層に分けられ、隣接するそれぞれの放電セル９０内部に形成される。赤色発光蛍光体層、緑発光蛍光体層、青色発光蛍光体層が形成される互いに隣接する放電セル９０が組み合わされることによって、カラーや画像を具現する単位画素を形成する。
【００４１】
放電セル９０は、背面基板１０、前面隔壁３０、背面隔壁４０、及び前面基板２０によって画定される。放電セル９０は、内部にプラズマ放電を起こすように放電ガス(例えば、ゼノン(Ｘｅ)、ネオン(Ｎｅ)などを含む混合ガス)が充填されている。したがって、放電セル９０は、内部で放電が進行されると共に紫外線を発生させ、発生された紫外線は蛍光体層８０に衝突して可視光を放出させる。
【００４２】
次に、本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルについて説明する。
【００４３】
図５は、本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルの部分の水平断面図である。本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルは、図１〜図４の実施形態と一部の構成要素が同一または類似であるので、同様の機能を有する構成要素についての説明は省略し、以下、図１〜図４の実施形態と構成要素に差がある部分を中心に説明する。また、同一または類似する構成要素には同じ参照符号を付してある。
【００４４】
本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルでアドレス補助電極１７５は、図５に示すように、第１電極５０を中心にお互いに近隣する放電セルに形成されるアドレス補助電極１７５ａ、１７５ｂの互いに対向する側面が所定の距離ｄほど離隔して形成される。アドレス補助電極１７５ａ、１７５ｂは、距離ｄが少なくとも第１電極５０の幅と同じになるように離隔して形成されることが望ましい。また、アドレス補助電極１７５ａ、１７５ｂは、第１電極５０に誘電体層５２とＭｇＯ保護層５４とが形成される場合、ＭｇＯ保護層５４を含む幅に相当する距離分、離隔して形成される。したがって、アドレス補助電極１７５は、その全体が第１電極５０とアドレス放電を起こすのに使用されることができる。
【００４５】
本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルについて説明する。
【００４６】
図６は、本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルの部分の水平断面図である。本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルは、図１〜図４の実施形態と一部の構成要素が同一または類似であるので、同様の機能を有する構成要素についての説明は省略し、以下、図１〜図４の実施形態と構成要素に差がある部分を中心に説明する。また、同一または類似する構成要素には同じ参照符号を付してある。
【００４７】
本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルにおけるアドレス電極７０の上面に形成される誘電体層１７２は、図６に示すように、少なくとも第１電極５０の高さに形成される。このように誘電体層１７２形成することで、アドレス電極７０を中心に互いに近隣する放電セル９０の中間領域を分離し、近隣する放電セル９０の間の干渉を減らすことができる。また、誘電体層１７２は、第１電極５０の上面に形成される誘電体層５２の高さに相当する高さに形成されることが望ましい。すなわち、アドレス電極７０の上面に形成される誘電体層１７２が第１電極５０の上面に形成される誘電体層５２の上面と同一平面をなすように形成されることができる。このような場合、誘電体層１７２は、第２前面隔壁３０ｂの下面と接触されるように形成され、近隣する放電セル９０は互いに完全に分離した構造を有し、互いの干渉を完全に遮断することができる。
【００４８】
次に、本発明に係るプラズマディスプレーパネルの放電過程について説明する。
【００４９】
プラズマディスプレーパネルにおいて、放電は、概略的にはリセット放電、アドレス放電、及び維持放電の順序に進行する。以下、アドレス放電と維持放電を中心に説明する。
【００５０】
アドレス放電は、第２前面隔壁３０ｂに形成されたアドレス電極７０とスキャン電極に設定された第１電極５０との間にアドレス電圧が印加されて進行される。より具体的には、アドレス放電は、アドレス電極７０から第１電極５０と第２電極６０との間で放電セル９０の方向に延長して形成されるアドレス補助電極７５と第１電極５０との間で進行され、維持放電が進行される放電セル９０をアドレッシングする。この時、アドレス放電が進行されるアドレス補助電極７５と第１電極５０との間の距離は極めて短くなるのでアドレス電圧を小さくすることが可能になる。
【００５１】
次に、維持放電は、アドレッシングされた放電セル９０を中心にお互いに対向される第１電極５０と第２電極６０に所定の維持電圧が印加されて進行される。この時、アドレス補助電極７５は、対向する第１電極５０及び第２電極６０より下に配置されるので、維持放電時、干渉を起こさなくなる。維持放電は、放電セル９０を中心にロングギャップ(ｌｏｎｇ  ｇａｐ)をなして対向する第１電極５０と第２電極６０との間で対向放電型の方式で進行するので、放電効率と放電均一性とを向上することができる。維持放電によって発生される紫外線は、一部が前面基板２０の方向に形成された透過蛍光体層８０ａに衝突して可視光を発生させ、また他の一部が背面基板１０の方向に形成された反射蛍光体層８０ｂに衝突して可視光を発生させる。この時、反射蛍光体層８０ｂは、第１電極５０と第２電極６０との間の中心に形成される放電空間に全て露出し、前面基板２０方向にも全て露出して形成される。よって、反射蛍光体層８０ｂは、発生される紫外線に全体的に露出して可視光の発生効率が高くなる。また、反射蛍光体層８０ｂは、発生される可視光が前面基板２０方向により多く反射するので、発光効率を向上させることができる。
【００５２】
以上に説明した実施形態は、本発明を単に例示したものにすぎず、上述した実施形態に限定されるものでなく、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、様々な実施形態の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、プラズマディスプレーに関する技術分野に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルの斜視図である。
【図２】図１の垂直断面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ水平断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ水平断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係るよるプラズマディスプレーパネルの水平断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマディスプレーパネルの斜視図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０    背面基板、
２０    前面基板、
３０    前面隔壁、
３０ａ    第１前面隔壁、
３０ｂ    第２前面隔壁、
４０    背面隔壁、
４０ａ    第１背面隔壁、
４０ｂ    第２背面隔壁、
４０ｃ    第３背面隔壁、
５０    第１電極、
６０    第２電極、
７０    アドレス電極、
７５    アドレス補助電極、
８０    蛍光体層、
８０ａ    透過蛍光体層、
８０ｂ    反射蛍光体層、
９０    放電セル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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