(57)【要約】【課題】画素回路の各々が６個のトランジスタと２個のキャパシタとで構成されているために構成素子数が多い【解決手段】駆動ＴＦＴ３２、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３４，３５の４個のトランジスタと１個のキャパシタ３６という少ない構成素子数で、有機ＥＬ素子３１の特性変動に対する補償機能と、駆動ＴＦＴ３２のＶｔｈ変動に対する補償機能とを実現する。【選択図】図１
2007108379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が第１の電源電位に接続された電気光学素子と、
前記電気光学素子の他端にソースが接続されたＮチャネル型の薄膜トランジスタからなる駆動トランジスタと、
データ線から供給される輝度情報に応じた入力信号と所定の電位とを選択的に取り込んで前記駆動トランジスタのゲートに与えるサンプリングトランジスタと、
第２の電源電位と当該第２の電源電位よりも低い第３の電源電位とが選択的に供給される電源線と前記駆動トランジスタのドレインとの間に接続された第１サンプリングトランジスタと、
前記駆動トランジスタのソースと前記電源線との間に接続された第２サンプリングトランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に接続されたキャパシタと
を有することを特徴とする画素回路。
【請求項２】
一端が第１の電源電位に接続された電気光学素子と、
前記電気光学素子の他端にソースが接続されたＮチャネル型の薄膜トランジスタからなる駆動トランジスタと、
データ線と前記駆動トランジスタとの間に接続されたサンプリングトランジスタと、
電源線と前記駆動トランジスタのドレインとの間に接続された第１サンプリングトランジスタと、
前記駆動トランジスタのソースと前記電源線との間に接続された第２サンプリングトランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に接続されたキャパシタと
を有する画素回路が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
前記画素回路への入力信号の書き込み時には当該入力信号を、それ以外では所定の電位を前記データ線に供給するデータ線駆動手段と、
前記電気光学素子の非発光期間の一定期間以外で第２の電源電位を、当該一定期間では前記第２の電源電位よりも低い第３の電源電位を前記電源線に供給する電源供給手段と、
前記非発光期間において前記電源線に前記第２の電源電位が供給されている期間に前記サンプリングトランジスタを導通状態にする第１の駆動手段と、
前記データ線に前記所定の電位が供給されている期間でかつ前記サンプリングトランジスタが導通状態にある期間に前記第１サンプリングトランジスタを導通状態にする第２の駆動手段と、
前記電源線に前記第３の電源電位が供給されている期間に前記第２サンプリングトランジスタを導通状態にする第３の駆動手段と
具備することを特徴する表示装置。
【請求項３】
一端が第１の電源電位に接続された電気光学素子と、
前記電気光学素子の他端にソースが接続されたＮチャネル型の薄膜トランジスタからなる駆動トランジスタと、
データ線と前記駆動トランジスタとの間に接続されたサンプリングトランジスタと、
電源線と前記駆動トランジスタのドレインとの間に接続された第１サンプリングトランジスタと、
前記駆動トランジスタのソースと前記電源線との間に接続された第２サンプリングトランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に接続されたキャパシタと
を有する画素回路が行列状に配置されてなり、
前記データ線に対して前記画素回路への入力信号の書き込み時には当該入力信号を、それ以外では所定の電位を選択的に供給する表示装置の駆動方法であって、
前記第１サンプリングトランジスタを非導通状態にして前記電気光学素子の発光期間から非発光期間に移行させる第１ステップと、
前記非発光期間に入った後に前記電源線の電位を第２の電源電位から当該第２の電源電位よりも低い第３の電源電位へ切り替える第２ステップと、
前記電源線の電位が前記第３の電源電位のときに一定の期間だけ前記第２サンプリングトランジスタを導通状態にする第３ステップと、
前記第２サンプリングトランジスタが非導通状態になった後に前記電源線の電位を前記第３の電源電位から前記第２の電源電位へ切り替える第４ステップと、
前記電源線の電位が前記第２の電源電位のときに一定の期間だけ前記サンプリングトランジスタを導通状態にする第５ステップと、
前記サンプリングトランジスタが導通状態にある一定の期間に前記第１サンプリングトランジスタを導通状態にする第６ステップと、
前記第１サンプリングトランジスタが非導通状態になった後に前記データ線への供給を前記所定の電位から前記入力信号に切り替える第７ステップと
を有することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素回路、表示装置および表示装置の駆動方法に関し、特に電気光学素子を含む画素回路、当該画素回路が行列状（マトリクス状）に配置されてなる表示装置およびその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気光学素子として、電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の発光素子、例えば有機ＥＬ(electro luminescence) 素子を含む画素回路が行列状に多数配置されてなる有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が自発光素子であることから、液晶セルを含む画素回路によって光源（バックライト）からの光強度を制御する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い等の特長を持っている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。そのため、近年、発光素子に流れる電流を、当該発光素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;ＴＦＴ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００４】
能動素子として薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記述する）を用いた画素回路において、当該ＴＦＴとしてＮチャネル型のトランジスタを用いることができれば、ＴＦＴの作成に当たって、従来のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）プロセスを用いることが可能になる。そして、ａ−Ｓｉプロセスを用いることで、ＴＦＴ基板の低コスト化を図ることができる。
【０００５】
ところで、一般的に、有機ＥＬ素子の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は、時間が経過すると劣化（経時劣化）する。Ｎチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子を電流駆動するＴＦＴ（以下、「駆動ＴＦＴ」と記述する）のソースが有機ＥＬ素子に接続されることになるために、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時変化すると、駆動ＴＦＴのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが変化し、その結果有機ＥＬ素子の発光輝度も変化する。
【０００６】
このことについてより具体的に説明する。駆動ＴＦＴのソース電圧は、当該駆動ＴＦＴと有機ＥＬ素子との動作点で決まる。有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動ＴＦＴと有機ＥＬ素子との動作点が変動してしまうために、駆動ＴＦＴに同じゲート電圧を印加したとしても、駆動ＴＦＴのソース電圧が変化する。これにより、駆動ＴＦＴのソース・ゲート間電圧Ｖｇｓが変化し、当該駆動ＴＦＴに流れる電流値が変化するために、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化し、その結果有機ＥＬ素子の発光輝度が変化する。
【０００７】
また、Ｎチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈが経時的に変化したり、当該閾値電圧Ｖｔｈが画素ごとに異なったりする。駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈが異なると、駆動ＴＦＴに流れる電流値にバラツキが生じるために、駆動ＴＦＴに同じゲート電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化する。
【０００８】
従来は、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能および駆動ＴＦＴのＶｔｈ変動に対する補償機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っていた（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に係る従来技術について以下に説明する。
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−３６１６４０号公報
【００１０】
図１１は、従来例に係るアクティブマトリクス型表示装置および当該表示装置に用いられる画素回路の構成を示す回路図である。本従来例に係るアクティブマトリクス型表示装置は、電流駆動型の発光素子、例えば有機ＥＬ素子を含む画素回路１０１が行列状に多数配置されてなる画素アレイ部１０２を有している。ここでは、図面の簡略化のために、ある１つの画素回路１０１についてその具体的な回路構成を示している。
【００１１】
この画素アレイ部１０２において、画素回路１０１の各々に対して各行毎に走査線１０３、第１，第２駆動線１０４，１０５およびオートゼロ線１０６がそれぞれ配線され、また各列毎にデータ線１０７が配線されている。この画素アレイ部１０２の周囲には、走査線１０３を駆動する書き込み走査回路１０８と、第１，第２駆動線１０４，１０５を駆動する第１，第２駆動走査回路１０９，１１０と、オートゼロ線１０６を駆動するオートゼロ回路１１１と、輝度情報に応じたデータ信号をデータ線１０７に供給するデータ線駆動回路１１２とが配置されている。
【００１２】
画素回路１０１は、有機ＥＬ素子２０１と、駆動トランジスタ２０２、キャパシタ（保持容量）２０３，２０４、サンプリングトランジスタ２０５およびスイッチングトランジスタ２０６〜２０９を構成素子として有している。駆動トランジスタ２０２、サンプリングトランジスタ２０５およびスイッチングトランジスタ２０４〜２０９としては、例えばＮチャネル型の電界効果ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が用いられている。以下、駆動トランジスタ２０２、サンプリングトランジスタ２０５およびスイッチングトランジスタ２０６〜２０９を、駆動ＴＦＴ２０２、サンプリングＴＦＴ２０５およびスイッチングＴＦＴ２０６〜２０９と記述するものとする。
【００１３】
有機ＥＬ素子２０１は、カソード電極が接地電位ＧＮＤに接続されている。駆動ＴＦＴ２０２は、有機ＥＬ素子２０１を発光駆動するトランジスタであり、ソースが有機ＥＬ素子２０１のアノード電極に接続されてソースフォロア回路を形成している。キャパシタ２０３は保持容量であり、一端がＴＦＴ駆動２０２のゲートに、他端が駆動ＴＦＴ２０２のソースと有機ＥＬ素子２０１のアノード電極との接続ノードＮ１０１にそれぞれ接続されている。
【００１４】
サンプリングＴＦＴ２０５は、一端がデータ線１０７に、他端が駆動ＴＦＴ２０２のゲートに、ゲートが走査線１０３にそれぞれ接続されている。キャパシタ２０４は、一端がノードＮ１０４に、他端が駆動ＴＦＴ２０２のゲートとキャパシタ２０３の一端との接続ノードＮ１０２にそれぞれ接続されている。スイッチングＴＦＴ２０６は、ドレインが接続ノードＮ１０１に、ソースが電源電位Ｖｓｓにそれぞれ接続されている。
【００１５】
スイッチングＴＦＴ２０７は、ドレインが正側電源電位Ｖｃｃに、ソースが駆動ＴＦＴ２０２のドレインに、ゲートが第２駆動線１０５にそれぞれ接続されている。スイッチングＴＦＴ２０８は、一端が駆動ＴＦＴ２０２のドレインとスイッチングＴＦＴ２０７のソースとの接続ノードＮ１０３に、他端が接続ノードＮ１０２に、ゲートがオートゼロ線１０６にそれぞれ接続されている。スイッチングＴＦＴ２０９は、一端が所定電位Ｖｏｆｓに、他端がノードＮ１０４に、ゲートがオートゼロ線１０６にそれぞれ接続されている。
【００１６】
続いて、上記構成の画素回路１０１をマトリクス状に２次元配置してなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の回路動作について、図１２のタイミングチャートを用いて説明する。
【００１７】
図１２には、ある行の画素回路１０１を駆動する際に、書き込み走査回路１０８から走査線１０３を介して画素回路１０１に与えられる書き込み信号ＷＳ、第１，第２駆動走査回路１０９，１１０から第１，第２駆動線１０４，１０５を介して画素回路１０１に与えられる第１，第２駆動信号ＤＳ１，ＤＳ２およびオートゼロ回路１１１からオートゼロ線１０６を介して画素回路１０１に与えられるオートゼロ信号ＡＺのタイミング関係を示している。
【００１８】
通常の発光状態では、書き込み走査回路１０８から出力される書き込み信号ＷＳ、第１駆動走査回路１０９から出力される駆動信号ＤＳ１およびオートゼロ回路１１１から出力されるオートゼロ信号ＡＺが“Ｌ”レベルにあり、第２駆動走査回路１１０から出力される駆動信号ＤＳ２が“Ｈ”レベルにあるために、サンプリングＴＦＴ２０５およびスイッチングＴＦＴ２０６，２０８，２０９はオフした状態にあり、スイッチングＴＦＴ２０７がオンした状態にある。
【００１９】
このとき、駆動ＴＦＴ２０２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。その結果、有機ＥＬ素子２０１には駆動ＴＦＴ２０２から、下記の式（１）で与えられる一定電流Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝１／２・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−｜Ｖｔｈ｜）2   …（１）
ここで、Ｖｔｈは駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧、μはキャリアの移動度、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量、Ｖｇｓはゲート・ソース間電圧である。
【００２０】
次に、スイッチングＴＦＴ２０７がオンした状態で第１駆動走査回路１０９から出力される駆動信号ＤＳ１およびオートゼロ回路１１１から出力されるオートゼロ信号ＡＺが共に“Ｈ”レベルになり、スイッチングＴＦＴ２０６，２０８，２０９がオン状態となる。これにより、有機ＥＬ素子２０１のアノード電極には電源電位Ｖｓｓが印加され、駆動ＴＦＴ２０２のゲートには電源電位Ｖｃｃが印加される。
【００２１】
この際、電源電位Ｖｓｓが有機ＥＬ素子２０１のカソード電圧Ｖｃａｔ（本例では、接地電位ＧＮＤ）と有機ＥＬ素子２０１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとの和（Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ）よりも小さいのであれば、有機ＥＬ素子２０１は非発光状態となり、非発光期間に入る。以下、Ｖｓｓ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌとし、ＶｓｓはＧＮＤレベルであるとする。このとき、スイッチングＴＦＴ２０６，２０８がオンすることで、ゲート・ソース間電圧Ｖｇsに応じた一定電流Ｉｄｓは、Ｖｃｃ→スイッチングＴＦＴ２０７→駆動ＴＦＴ２０２→ノードＮ１０１→スイッチングＴＦＴ２０２→Ｖｓｓの経路を通って流れる。
【００２２】
次に、第２駆動走査回路１１０から出力される駆動信号ＤＳ２が“Ｌ”レベルになることで、スイッチングＴＦＴ２０７がオフ状態となり、駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈをキャンセル（補正）する閾値キャンセル期間に入る。このとき、駆動ＴＦＴ２０２は、ゲートとドレインがスイッチングＴＦＴ２０８を介して接続されているために飽和領域で動作する。また、駆動ＴＦＴ２０２のゲートには、キャパシタ２０３，２０４が並列に接続されているために、駆動ＴＦＴ２０２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓは、時間の経過とともに緩やかに減少してゆく。
【００２３】
そして、一定期間が経過した後、駆動ＴＦＴ２０２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは当該駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈとなる。このとき、キャパシタ２０４には（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）の電圧が、キャパシタ２０３にはＶｔｈの電圧がそれぞれ充電される。その後、サンプリングＴＦＴ２０５およびスイッチングＴＦＴ２０７がオフし、スイッチングＴＦＴ２０６がオンした状態において、オートゼロ回路１１１から出力されるオートゼロ信号ＡＺが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移すると、スイッチングＴＦＴ２０８，２０９がオフ状態となり、閾値キャンセル期間の終了となる。このとき、キャパシタ２０４には（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）の電圧が、キャパシタ２０３にはＶｔｈの電圧がそれぞれ保持される。
【００２４】
次に、サンプリングＴＦＴ２０５およびスイッチングＴＦＴ２０８，２０９がオフし、スイッチングＴＦＴ２０６がオン、スイッチングＴＦＴ２０７がオフした状態で、書き込み走査回路１０８から出力される書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルになると、この書き込み期間では、サンプリングＴＦＴ２０５がオン状態となり、データ線１０７を通して与えられる入力信号電圧Ｖｉｎの書き込み期間となる。サンプリングＴＦＴ２０５がオンすることで、当該ＴＦＴ２０５の一端、キャパシタ２０４の一端およびＴＦＴ２０９のソースの接続ノードＮ１０４に入力信号電圧Ｖｉｎを取り込み、当該接続ノードＮ１０４の電圧変化量ΔＶを、キャパシタ２０４を介して駆動ＴＦＴ２０２のゲートにカップリングさせる。
【００２５】
このとき、駆動ＴＦＴ２０２のゲート電圧Ｖｇは閾値電圧Ｖｔｈという値であり、カップリング量ΔＶはキャパシタ２０３の容量値Ｃ１、キャパシタ２０４の容量値Ｃ２および駆動ＴＦＴ２０２の寄生容量値Ｃ３によって下記の式（２）のように決定される。
ΔＶ＝｛Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３）｝・（Ｖｉｎ−Ｖｏｆｓ）…（２）
【００２６】
したがって、キャパシタ２０３，２０４の容量値Ｃ１，Ｃ２を駆動ＴＦＴ２０２の寄生容量値Ｃ３に比べて十分大きく設定すれば、駆動ＴＦＴ２０２のゲートへのカップリング量ΔＶは、駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈの影響を受けずに、キャパシタ２０３，２０４の容量値Ｃ１，Ｃ２のみによって決定される。
【００２７】
書き込み走査回路１０８から出力される書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、サンプリングＴＦＴ２０５がオフすることで、入力信号電圧Ｖｉｎの書き込み期間が終了する。この書き込み期間の終了後、サンプリングＴＦＴ２０５およびスイッチングＴＦＴ２０８，２０９がオフした状態で第１駆動走査回路１０９から出力される駆動信号ＤＳ１が“Ｌ”レベルになることで、スイッチングＴＦＴ２０６がオフ状態となり、その後、第２駆動走査回路１１０から出力される駆動信号ＤＳ２が“Ｈ”レベルになることで、スイッチングＴＦＴ２０７がオン状態となる。
【００２８】
スイッチングＴＦＴ２０７がオンすることで、駆動ＴＦＴ２０２のドレイン電位が電源電位Ｖｃｃまで上昇する。駆動ＴＦＴ２０２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定であるために、駆動ＴＦＴ２０２は一定電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子２０１に供給する。このとき、接続ノードＮ１０１の電位は、有機ＥＬ素子２０１に一定電流Ｉｄｓが流れる電圧Ｖｘまで上昇し、その結果、有機ＥＬ素子２０１は発光する。
【００２９】
上述した一連の動作を行う画素回路１０１においても、有機ＥＬ素子２０１は発光時間が長くなるとそのＩ−Ｖ特性が変化してしまう。そのため、接続ノードＮ１０１の電位も変化する。
【００３０】
しかしながら、駆動ＴＦＴ２０２のゲート・ソース間電位Ｖｇｓが一定値に保たれているために、有機ＥＬ素子２０１に流れる電流値は変化しない。したがって、有機ＥＬ素子２０１のＩ−Ｖ特性が劣化しても、一定電流Ｉｄｓが常に流れ続けるために、有機ＥＬ素子２０１の発光輝度が変化することはない。また、閾値キャンセル期間におけるスイッチングＴＦＴ２０８の作用により、駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈをキャンセルし、当該閾値電圧Ｖｔｈのバラツキの影響を受けない一定電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子２０１に流すことができるために、高画質の画像を得ることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
上述したように、従来技術では、画素回路１０１の各々に、有機ＥＬ素子２０１のＩ−Ｖ特性の変動に対する補償機能および駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補償機能を持たせたことで、有機ＥＬ素子２０１のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈが経時変化したりしたとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子２０１の発光輝度を一定に保つことができるが、その反面、画素回路１０１の各々が６個のトランジスタ２０２，２０５〜２０９と２個のキャパシタ２０３，２０４とで構成されており、構成素子数が多いという欠点がある。
【００３２】
そこで、本発明は、有機ＥＬ素子等の電気光学素子の特性変動に対する補償機能と、当該電気光学素子を駆動するＴＦＴのＶｔｈ変動（画素ごとのバラツキ）に対する補償機能とを、より少ない構成素子数で実現可能な画素回路、表示装置および表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
上記目的を達成するために、本発明では、一端が第１の電源電位に接続された電気光学素子と、前記電気光学素子の他端にソースが接続されたＮチャネル型の薄膜トランジスタからなる駆動トランジスタと、データ線から供給される輝度情報に応じた入力信号と所定の電位とを選択的に取り込んで前記駆動トランジスタのゲートに与えるサンプリングトランジスタと、第２の電源電位と当該第２の電源電位よりも低い第３の電源電位とが選択的に供給される電源線と前記駆動トランジスタのドレインとの間に接続された第１サンプリングトランジスタと、前記駆動トランジスタのソースと前記電源線との間に接続された第２サンプリングトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に接続されたキャパシタとを有する画素回路、即ち４個のトランジスタと１個のキャパシタとからなる画素回路の構成を採っている。
【００３４】
４個のトランジスタと１個のキャパシタとからなる画素回路構成を採ることで、より少ない構成素子数で、電気光学素子の特性変動に対する補償機能と、電気光学素子を駆動する薄膜トランジスタの閾値変動に対する補償機能とを実現できる。そして、画素回路の構成素子数が少ない分だけ、画素ピッチの微細化、それに伴う高精細化が可能になるとともに、歩留まりの向上および低コスト化が可能になる。また、構成素子数を削減するに当たって、各トランジスタに電源電位を供給する電源線等を兼用することで、電源線等の配線の削減も可能になる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、画素回路のより少ない構成素子数で、電気光学素子の特性変動に対する補償機能と、電気光学素子を駆動する薄膜トランジスタの閾値変動に対する補償機能とを実現できる。また、構成素子数の削減によって高精細化、歩留まりの向上および低コスト化が図れるとともに、電源線等の兼用によって電源線等の配線を削減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３７】
図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置および当該表示装置に用いられる画素回路の構成を示す回路図である。本実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置は、電流値に応じて発光輝度が変化する電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子３１を含む画素回路１１が行列状（マトリクス状）に２次元配置されてなる画素アレイ部１２を有している。ここでは、図面の簡略化のために、ある１つの画素回路１１についてその具体的な回路構成を示している。
【００３８】
この画素アレイ部１２において、画素回路１１の各々に対して各行毎に走査線１３、駆動線１４、オートゼロ線１５および電源線１６がそれぞれ配線され、また各列毎にデータ線１７が配線されている。この画素アレイ部１２の周囲には、走査線１３を駆動する書き込み走査回路１８と、駆動線１４を駆動する駆動走査回路１９と、オートゼロ線１５を駆動するオートゼロ回路２０と、電源線１６に電源電圧を供給する電源供給回路２１と、輝度情報に応じたデータ信号をデータ線１７に供給するデータ線駆動回路２２とが配置されている。
【００３９】
ここで、書き込み走査回路１８が特許請求の範囲における第１の駆動手段に相当し、駆動走査回路１９が特許請求の範囲における第２の駆動手段に相当し、オートゼロ回路２０が特許請求の範囲における第３の駆動手段に相当する。
【００４０】
本例では、書き込み走査回路１８およびオートゼロ回路２０が画素アレイ部１２を挟んで一方側（例えば、図の左側）に配置され、その反対側に駆動走査回路および電源供給回路２１が配置された構成となっている。ただし、これらの配置関係は一例に過ぎず、これに限定されるものではない。また、書き込み走査回路１８、駆動走査回路１９およびオートゼロ回路２０は、スタートパルス信号ｓｐに応答して動作を開始し、クロックパルスｃｋに同期して書き込み信号ＷＳ、駆動信号ＤＳおよびオートゼロ信号ＡＺを出力する。なお、データ線駆動回路２２には、ドライバ２３から映像信号が供給されることになる。
【００４１】
（画素回路）
画素回路１１は、有機ＥＬ素子３１に加えて、駆動トランジスタ３２、サンプリングトランジスタ３３、スイッチングトランジスタ３４，３５およびキャパシタ（保持容量）３６を回路の構成素子として有する構成となっている。すなわち、本実施形態に係る画素回路１１は、４個のトランジスタ３２〜３５と１個のキャパシタ３６とからなり、図１１の従来例に係る画素回路１０１に比べて、トランジスタの個数が２個少なく、キャパシタの個数が１個少ない回路構成となっている。
【００４２】
この画素回路１１において、駆動トランジスタ３２、サンプリングトランジスタ３３およびスイッチングトランジスタ３４，３５として、Ｎチャネル型のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が用いられている。以下、駆動トランジスタ３２、サンプリングトランジスタ３３およびスイッチングトランジスタ３４，３５を、駆動ＴＦＴ３２、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３４，３５と記述するものとする。
【００４３】
ここで、駆動ＴＦＴ３２、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３４，３５は、特許請求の範囲における駆動トランジスタ、サンプリングトランジスタおよび第１，第２スイッチングトランジスタに相当する。
【００４４】
有機ＥＬ素子３１は、カソード電極が第１の電源電位（本例では、接地電位ＧＮＤ）に接続されている。駆動ＴＦＴ３２は、有機ＥＬ素子３１を電流駆動する駆動トランジスタであり、ソースが有機ＥＬ素子３１のアノード電極に接続されてソースフォロア回路を形成している。サンプリングＴＦＴ３３は、データ線１７と駆動ＴＦＴ３２のゲートとの間に接続され、ゲートが走査線１３に接続されている。
【００４５】
スイッチングＴＦＴ３４は、電源線１６と駆動ＴＦＴ３２のドレインとの間に接続され、ゲートが駆動線１４に接続されている。スイッチングＴＦＴ３５は、駆動ＴＦＴ３２のソースと有機ＥＬ素子３１のアノード電極との接続ノードＮ１１と電源線１６との間に接続され、ゲートがオートゼロ線１５に接続されている。キャパシタ３６は、駆動ＴＦＴ３２のゲートとソースとの間、即ち一端が駆動ＴＦＴ３２のゲートとサンプリングＴＦＴ３３のドレインとの接続ノードＮ１２に接続され、他端が駆動トランジスタＴＦＴ３２のソースと有機ＥＬ素子３１のアノード電極との接続ノードＮ１１に接続されている。
【００４６】
ここで、データ線１７にはデータ線駆動回路２２から、入力信号電圧Ｖｓｉｇと所定の電位Ｖｏｆｓとが選択的に供給される。入力信号電圧Ｖｓｉｇと所定の電位Ｖｏｆｓとの切り替えは、例えばドライバ２３による制御の下に、当該ドライバ２３からデータ線駆動回路２２に対して入力信号電圧Ｖｓｉｇと所定の電位Ｖｏｆｓとが選択的に供給されることによって行われている。ただし、データ線駆動回路２２において、その切り替え制御を行うことも可能である。
【００４７】
また、電源線１６には電源供給回路２１から、第２の電源電位Ｖｃｃ（本例では、正の電源電位）と当該第２の電源電位よりも低い第３の電源電位Ｖｓｓ（本例では、Ｖｓｓ＝ＧＮＤ）とが選択的に供給される。なお、第３の電源電位Ｖｓｓとして、負の電源電位を用いることも可能である。
【００４８】
上述した接続関係にて各構成素子が接続されてなる画素回路１１において、各構成素子は次のような作用をなす。すなわち、サンプリングＴＦＴ３３は、オン（導通）状態となることにより、データ線１７を通して供給される入力信号電圧Ｖｓｉｇ／所定の電位Ｖｏｆｓをサンプリングする。このサンプリングされた信号電圧Ｖｓｉｇ／所定の電位Ｖｏｆｓは、駆動ｔｆｔ３２のゲートに与えられる。スイッチングＴＦＴ３４は、オン状態になることにより、電源線１６から駆動ＴＦＴ３２に電流を供給する。
【００４９】
駆動ＴＦＴ３２は、サンプリングＴＦＴ３３によってサンプリングされ、キャパシタ３６に保持された信号電圧Ｖｓｉｇに応じて有機ＥＬ素子３１を電流駆動する。スイッチングＴＦＴ３５は、適宜オン状態になることにより、有機ＥＬ素子３１の電流駆動に先立って駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈを検知し、あらかじめその影響をキャンセルするために当該検知した閾値電圧Ｖｔｈをキャパシタ３６に保持する。
【００５０】
この画素回路１１では、正常な動作を保証するための条件として、第３の電源電位Ｖｓｓは、所定の電位Ｖｏｆｓから駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いた電位よりも低く設定されている。すなわち、Ｖｓｓ＜Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈのレベル関係となっている。また、有機ＥＬ素子３１のカソード電圧Ｖｃａｔ（本例では、接地電位ＧＮＤ）に有機ＥＬ素子３１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌに加えたレベルは、電源電位Ｖｓｓよりも高く設定されている。すなわち、Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ＞Ｖｓｓのレベル関係となっている。
【００５１】
続いて、上記構成の画素回路１１を行列状に２次元配置してなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、本発明に係る駆動方法による駆動のもとに実行される回路動作について、図２のタイミングチャートおよび図３〜図９の動作説明図を用いて説明する。
【００５２】
図２には、ある行の画素回路１１を駆動する際に、書き込み走査回路１８から走査線１３を介して画素回路１１に与えられる書き込み信号ＷＳ、駆動走査回路１９から駆動線１４を介して画素回路１１に与えられる駆動信号ＤＳ、オートゼロ回路２０からオートゼロ線１５を介して画素回路１１に与えられるオートゼロ信号ＡＺ、電源線１６の電位およびデータ線１７の電位のタイミング関係、ならびに駆動ＴＦＴ３２のゲート電圧およびソース電圧の変化をそれぞれ示している。
【００５３】
ここで、書き込み信号ＷＳ、駆動信号ＤＳおよびオートゼロ信号ＡＺは、“Ｈ”レベルの状態がアクティブ状態、“Ｌ”レベルの状態が非アクティブ状態とする。また、図３〜図９の動作説明図では、図面の簡略化のために、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３４，３５についてはスイッチのシンボルを用いて図示するものとする。
【００５４】
（発光期間）
通常の発光状態では、書き込み走査回路１８から出力される書き込み信号ＷＳおよびオートゼロ回路２０から出力されるオートゼロ信号ＡＺが“Ｌ”レベルにあり、駆動走査回路１９から出力される駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルにあるために、図３に示すように、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３５はオフ状態導通状態）にあり、スイッチングＴＦＴ３４がオン状態（導通状態）にある。
【００５５】
このとき、電源線１６には電源供給回路２１から電源電位Ｖｃｃが供給されている。すなわち、電源線１６の電位が電源電位Ｖｃｃになっている。また、駆動ＴＦＴ３２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。その結果、電源線１６からスイッチングＴＦＴ３４および駆動ＴＦＴ３２を通して、有機ＥＬ素子３１に対して先述した式（１）で与えられる一定電流Ｉｄｓが供給される。
【００５６】
（非発光期間）
次に、時刻ｔ１で駆動信号ＤＳが“Ｌ”レベルになることで、図４に示すように、スイッチングＴＦＴ３４がオフする。これにより、駆動ＴＦＴ３２を流れる一定電流Ｉｄｓの電流路が遮断されるために、有機ＥＬ素子３１には電流が流れず、当該有機ＥＬ素子３１は消光する（非発光状態となる）。このとき、ノードＮ１１の電位、即ち駆動ＴＦＴ３２のソース電圧は、有機ＥＬ素子３１のカソード電圧Ｖｃａｔと当該有機ＥＬ素子３１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌの和、即ちＶｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌになる。
【００５７】
次に、時点ｔ２で電源線１６の電位が電源電位Ｖｓｓに切り替わり、しかる後時点ｔ３でオートゼロ信号ＡＺが“Ｈ”レベルになることで、図５に示すように、スイッチングＴＦＴ３５がオンする。これにより、電源線１６からスイッチングＴＦＴ３５を通してノードＮ１１に電源電位Ｖｓｓが与えられる。このとき、先述したように、Ｖｓｓ＜Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌの関係にあるために、有機ＥＬ素子３１は逆バイアス状態となる。したがって、有機ＥＬ素子３１には電流が流れないために、当該有機ＥＬ素子３１は消光状態（非発光状態）を維持する。
【００５８】
次に、時点ｔ４でオートゼロ信号ＡＺが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、続いて時点ｔ５で電源線１６の電位が電源電位Ｖｃｃに切り替わる。次いで、時点ｔ６で書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルになることで、図６に示すように、サンプリングＴＦＴ３３がオンする。このとき、データ線駆動回路２２から所定の電位Ｖｏｆｓが出力され、データ線１７は所定の電位Ｖｏｆｓになっている。したがって、サンプリングＴＦＴ３３がオンすることによって所定の電位Ｖｏｆｓが駆動ＴＦＴ３２のゲートに与えられる。
【００５９】
ここで、サンプリングＴＦＴ３３がオンする前の駆動ＴＦＴ３２のゲート電圧をＶｇ１、キャパシタ３６の容量値をＣ１、駆動ＴＦＴ３２の寄生容量値をＣ２、有機ＥＬ素子３１の寄生容量値をＣｅｌとすると、駆動ＴＦＴ３２のゲートに所定の電位Ｖｏｆｓが与えられることで、ノードＮ１１、即ち駆動ＴＦＴ３２のソースには、キャパシタ３６によるカップリングにより、下記の式（３）で与えられるカップリンク量Ｖｃｏが入ることになる。
【００６０】
Ｖｃｏ＝｛（Ｃ１＋Ｃ２）／（Ｃｅｌ＋Ｃ１＋Ｃ２）｝
・（Ｖｏｆｇ−Ｖｇ１）  …（３）
また、駆動ＴＦＴ３２のソース電圧Ｖｇｓは、下記の式（４）のように決定される。
Ｖｇｓ＝｛（Ｃ１＋Ｃ２）／（Ｃｅｌ＋Ｃ１＋Ｃ２）｝
・（Ｖｏｆｇ−Ｖｇ１）＋Ｖｓｓ  …（４）
【００６１】
（閾値キャンセル期間）
次に、サンプリングＴＦＴ３３がオンした状態において、時点ｔ７で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルになることで、図７に示すように、スイッチングＴＦＴ３４がオンする。このとき、上記カップリング量Ｖｃｏを加味した上で、スイッチングＴＦＴ３４がオンしたときの駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが当該駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大ならば、駆動ＴＦＴ３２がオン状態になるために、電源線１６→スイッチングＴＦＴ３４→駆動ＴＦＴ３２→ノードＮ１１→キャパシタ３６の経路（図７に一点鎖線で示す経路）で電流が流れる。
【００６２】
ここで、有機ＥＬ素子３１は、図７に等価回路で示すように、ダイオード３１Ａとキャパシタ（寄生容量）３１Ｂで表される。そして、有機ＥＬ素子３１に印加される電圧Ｖｅｌが、先述したように、Ｖｅｌ＜Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ（有機ＥＬ素子３１のリーク電流が駆動ＴＦＴ３２を流れる電流よりもかなり小さい）の関係にある限り、駆動ＴＦＴ３２を流れる電流はキャパシタ３７とキャパシタ３１Ｂとを充電する。
【００６３】
このとき、ノードＮ１１の電位、即ち駆動ＴＦＴ３２のソース電圧Ｖｅｌは、図１０に示すように、時間が経過するにつれて徐々に上昇する。一定時間が経過し、ノードＮ１１とノードＮ１２との間の電位差、即ち駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓがちょうど閾値電圧Ｖｔｈになったところで、駆動ＴＦＴ３２はオフ状態になる。
【００６４】
そして、Ｎ１１−Ｎ１２間の電位差Ｖｔｈは、閾値キャンセル（補正）用の電位としてキャパシタ３７に保持される。このとき、Ｖｅｌ＝Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ＜Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌとなっている。その後、時点ｔ８で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移することで、スイッチングＴＦＴ３４がオフ状態となり、閾値キャンセル期間の終了となる。
【００６５】
（書き込み期間）
次に、時点ｔ９でデータ線駆動回路２２からデータ線１７に対して所定の電位Ｖｏｆｓに代えて、階調に応じた所望の電圧値の入力信号電圧Ｖｓｉｇが供給されることで、当該信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み期間に入る。この書き込み期間では、図８に示すように、入力信号電圧ＶｓｉｇがサンプリングＴＦＴ３３によってサンプリングされ、キャパシタ３７に書き込まれる。
【００６６】
このとき、信号電圧Ｖｓｉｇは、キャパシタ３７に保持されている閾値電圧Ｖｔｈに足し込まれる形で保持される。その結果、駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキが常にキャンセルされた形となる。すなわち、キャパシタ３７にあらかじめ閾値電圧Ｖｔｈを保持しておくことで、当該閾値電圧Ｖｔｈのバラツキのキャンセル（補正）、即ち閾値キャンセルが行われることになる。
【００６７】
このとき、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは下記の式（５）のように決定される。
Ｖｇｓ＝｛Ｃｅｌ／（Ｃｅｌ＋Ｃ１＋Ｃ２）｝
・（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）＋Ｖｔｈ  …（５）
【００６８】
一般に、有機ＥＬ素子３１のキャパシタ３１Ｂの容量値（寄生容量値）Ｃｅｌは、キャパシタ３７の容量値Ｃ１および駆動ＴＦＴ３２の寄生容量値Ｃ２に比べて大きい。したがって、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧ＶｇｓはほぼＶｓｉｇ＋Ｖｔｈとなる。そして、時刻ｔ１０で書き込み信号ＷＳが“Ｌ”レベルになることで、サンプリングＴＦＴ３３がオフし、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み期間が終了する。
【００６９】
（発光期間）
この書き込み期間の終了後、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３５がオフした状態において、時刻ｔ１１で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルになることで、図９に示すように、スイッチングＴＦＴ３４がオン状態となり、発光期間に入る。
【００７０】
スイッチングＴＦＴ３４がオンすることで、駆動ＴＦＴ３２のドレイン電圧が電源電位Ｖｃｃまで上昇する。駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定であるので、駆動ＴＦＴ３２は一定電流Ｉｄｓ”を有機ＥＬ素子３１に供給する。このとき、有機ＥＬ素子３１のアノード電圧Ｖｅｌは、有機ＥＬ素子３１に一定電流Ｉｄｓ”が流れる電圧Ｖｘまで上昇する。その結果、有機ＥＬ素子３１は発光動作を開始する。
【００７１】
有機ＥＬ素子３１に電流が流れると、当該有機ＥＬ素子３１において電圧降下が生じるために、ノードＮ１１の電位が上昇する。これに連動してノードＮ１２の電位も上昇するために、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧ＶｇｓはノードＮ１１の電位上昇に関わらず、常にＶｓｉｇ＋Ｖｔｈに維持される。その結果、有機ＥＬ素子３１は、入力信号電位Ｖｓｉｇに応じた輝度で発光を続けることになる。
【００７２】
上述した画素回路１１においても、有機ＥＬ素子３１の発光時間が長くなると、当該有機ＥＬ素子３１のＩ−Ｖ特性が変化してしまう。そのため、有機ＥＬ素子３１のアノード電極と駆動ＴＦＴ３２のソースとの接続ノードＮ１１の電位も変化する。しかしながら、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電位Ｖｇｓが一定値に保たれているために、有機ＥＬ素子３１に流れる電流は変化しない。したがって、有機ＥＬ素子３１のＩ−Ｖ特性が劣化しても、一定電流Ｉｄｓが常に流れ続けるために、有機ＥＬ素子３１の発光輝度が変化することはない（有機ＥＬ素子３１の特性変動に対する補償機能）。
【００７３】
また、入力信号電圧Ｖｓｉｇが書き込まれる前に駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈをあらかじめキャパシタ３６に保持しておくことで、閾値キャンセル期間におけるスイッチングＴＦＴ３４，３５およびキャパシタ３６の作用により、駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈをキャンセルし、当該閾値電圧Ｖｔｈのバラツキの影響を受けない一定電流Ｉｄｓを常に有機ＥＬ素子３１に流すことができるために、高画質の画像を得ることができる（駆動ＴＦＴ３２のＶｔｈ変動に対する補償機能）。
【００７４】
上述したように、本実施形態に係る画素回路１１および当該画素回路１１を行列状に２次元配置してなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置によれば、駆動ＴＦＴ３２、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３４，３５の４個のトランジスタと１個のキャパシタ３６という少ない構成素子数で、有機ＥＬ素子３１の特性変動に対する補償機能と、駆動ＴＦＴ３２のＶｔｈ変動に対する補償機能とを実現できる。
【００７５】
そして、画素回路１１の構成素子数が少ない分だけ、画素回路１１のサイズ（画素サイズ）を小さくできることから、画素ピッチの微細化、それに伴う高精細化を図ることができ、さらには画素アレイ部１２と共にその周辺の駆動回路１８〜２２を同一の基板上に一体形成してなる表示パネルの歩留まりの向上および低コスト化を図ることができる。
【００７６】
また、閾値キャンセル期間（閾値補正期間）を、従来例に係る有機ＥＬ表示装置では、第２駆動信号ＤＳ２とオートゼロ信号ＡＺとによって決定していたのに対して、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、駆動信号ＤＳのみ（即ち、スイッチングＴＦＴ３４のオン／オフ）で決定するようにしている。そのため、閾値キャンセル期間が受ける駆動線１４の配線抵抗や寄生容量等に起因する駆動信号ＤＳの波形なまりの影響を小さく抑えることができるために、表示パネルの大型化、高精細化に有利となる。
【００７７】
また、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、画素回路１１を４個のトランジスタ３２〜３５で構成し、スイッチングＴＦＴ３４に与える電源電位Ｖｃｃの電源線とスイッチングＴＦＴ３５に与える電源電位Ｖｓｓの電源線とを１本の電源線１６で共用するとともに、駆動ＴＦＴ３２のゲートに選択的に与える所定の電位Ｖｏｆｓの電源線としてデータ線１７を共用した構成を採っているために、従来例に係る有機ＥＬ表示装置に比べて電源線（データ線を含む）の配線本数を半減できる。
【００７８】
すなわち、１つの画素回路１１について、従来例に係る有機ＥＬ表示装置では、電源電位Ｖｃｃ、電源電位Ｖｓｓ、所定の電位Ｖｏｆｓの各電源線およびデータ線１７の計４本の配線が必要であったのに対して、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、電源電位Ｖｃｃ／電源電位Ｖｓｓの電源線１６はゲートラインでひくので、入力信号電位Ｖｓｉｇ／所定の電位Ｖｏｆｓのデータ線１７の１本の配線で済む。
【００７９】
ここで、隣接する３個の画素回路をＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）に対応させて、当該３個の画素回路を１表示単位としたカラー表示装置を考えた場合に、１表示単位あたり、従来例に係る有機ＥＬ表示装置では１２本（＝４本×３）の配線、４本のゲートラインが必要であったのに対して、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では３本（＝１本×３）と４本のゲートラインの配線で済み、配線本数の削減効果は極めて大きいと言える。
【００８０】
また、データ線１７を入力信号電位Ｖｓｉｇと所定の電位Ｖｏｆｓとの伝送に兼用するとともに、書き込み期間に入る以前から書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルになることで、書き込み期間に入る直前まで駆動ＴＦＴ３２のゲート電位を所定の電位Ｖｏｆｓに固定できるために、スイッチングＴＦＴ３４のオフ時のリーク電流に起因する不具合を解消できる利点もある。
【００８１】
すなわち、書き込み期間に入る以前において、駆動ＴＦＴ３２のゲート電位が固定されていない場合に、スイッチングＴＦＴ３４のオフ時のリーク電流が大きいと、当該リーク電流が駆動ＴＦＴ３２に流れることで、駆動ＴＦＴ３２のゲート電圧が上昇してしまう。そして、そのリーク電流の大小によって信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む前に、駆動ＴＦＴ３２のゲート電圧にバラツキが生じ、有機ＥＬ素子３１の発光輝度がばらつくために、均一な画質を得ることができない。
【００８２】
これに対して、書き込み期間に入る直前まで駆動ＴＦＴ３２のゲート電位を所定の電位Ｖｏｆｓに固定できることで、スイッチングＴＦＴ３４のオフ時のリーク電流が駆動ＴＦＴ３２に流れたとしても、そのリーク電流の大小によって信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む前に、駆動ＴＦＴ３２のゲート電圧にバラツキが生じないために、スイッチングＴＦＴ３４のオフ時のリーク電流に起因する有機ＥＬ素子３１の発光輝度のバラツキを解消し、均一な画質を得ることができることになる。
【００８３】
なお、上記実施形態では、画素回路１１の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の発光素子を用いた表示装置全般に適用可能である。
【００８４】
また、上記実施形態においては、画素回路１１を構成する駆動トランジスタ３２、サンプリングトランジスタ３３およびスイッチングトランジスタ３４，３５としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた場合を例に挙げて説明したが、サンプリングトランジスタ３３およびスイッチングトランジスタ３４，３５については、必ずしもＮチャネル型のＴＦＴである必要はない。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置および当該表示装置に用いられる画素回路の構成を示す回路図である。
【図２】一実施形態に係る画素回路の回路動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図３】一実施形態に係る画素回路の動作説明図（その１）である。
【図４】一実施形態に係る画素回路の動作説明図（その２）である。
【図５】一実施形態に係る画素回路の動作説明図（その３）である。
【図６】一実施形態に係る画素回路の動作説明図（その４）である。
【図７】一実施形態に係る画素回路の動作説明図（その５）である。
【図８】一実施形態に係る画素回路の動作説明図（その６）である。
【図９】一実施形態に係る画素回路の動作説明図（その７）である。
【図１０】参考例に係る画素回路の動作説明に供する特性図である。
【図１１】従来例に係るアクティブマトリクス型表示装置および当該表示装置に用いられる画素回路の構成を示す回路図である。
【図１２】従来例に係る画素回路の回路動作を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００８６】
１１…画素回路、１２…画素アレイ部、１３…走査線、１４…駆動線、１５…第１オートゼロ線、１６…第２オートゼロ線、１７…データ線、１８…書き込み走査回路、１９…駆動走査回路、２０…オートゼロ回路、２１…電源供給回路、２２…データ線駆動回路、３１…有機ＥＬ素子、３２…駆動ＴＦＴ、３３…サンプリングＴＦＴ、３４，３５…スイッチングＴＦＴ、３６…キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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