(57)【要約】【課題】写真製版などではない簡単なプロセスでホットワイヤー法のような方向性のないエッチングに対しても有効なエッチングマスクを形成し、ホットワイヤー法により発生させた原子状水素を用いて基板をエッチングして、反射率低減効果のある深い凹凸を形成する生産性の良いプロセスを提供することである。【解決手段】光起電力装置の製造方法は、光起電力装置を構成する半導体基板の光が入射する表面の反射率を低減するテクスチャーを、加熱した高融点金属のフィラメントに水素ガスを接触させて発生する原子状水素によりエッチングすることにより形成する光起電力装置の製造方法において、上記エッチングに先立って上記表面に一次粒子径が８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範囲の酸化シリコン粒子を網目状に凝集付着してエッチングマスクを形成する工程を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電力装置を構成する半導体基板の光が入射する表面の反射率を低減するテクスチャーを、加熱した高融点金属のフィラメントに水素ガスを接触させて発生する原子状水素によりエッチングすることにより形成する光起電力装置の製造方法において、
上記エッチングに先立って上記表面に一次粒子径が８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範囲の酸化シリコン粒子を網目状に凝集付着してエッチングマスクを形成する工程を有することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項２】
上記酸化シリコン粒子は、コロイダルシリカであることを特徴とする請求項１に記載する光起電力装置の製造方法。
【請求項３】
上記網目状のピッチは、５００ｎｍ以上、５μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載する光起電力装置の製造方法。
【請求項４】
上記エッチングマスクを形成する工程では、上記コロイダルシリカと一次粒子径が１０ｎｍ以上、８０ｎｍ以下の範囲の小径コロイダルシリカとを有機溶媒または水に分散し、分散した液を半導体基板の光が入射する表面に塗布し、塗布した膜から有機溶媒または水を除去して上記表面に付着することを特徴とする請求項２に記載する光起電力装置の製造方法。
【請求項５】
上記エッチングマスクを形成する工程では、上記コロイダルシリカと一次粒子径が１０ｎｍ以上、８０ｎｍ以下の範囲の小径コロイダルシリカとを有機シラン材料が添加された有機溶媒または水に分散し、分散した液を半導体基板の光が入射する表面に塗布し、塗布した膜から有機溶媒または水を除去して上記表面に付着することを特徴とする請求項２に記載する光起電力装置の製造方法。
【請求項６】
上記分散した液を塗布する方法は、上記分散した液を滴下する方法、上記分散した液をスプレー塗布する方法または分散した液から水蒸気を気相キャリヤに用いてミスト化して塗布する方法のいずれかであることを特徴とする請求項４または５に記載する光起電力装置の製造方法。
【請求項７】
上記酸化シリコン粒子は、粉末であり、粉末スプレー塗布法により上記表面に付着することを特徴とする請求項１に記載する光起電力装置の製造方法。
【請求項８】
上記エッチングマスクの形成に先立って、上記表面にアルカリ性溶液による異方性エッチングで１μｍ以上の大きな周期の凹凸を形成することを特徴とする請求項１に記載する光起電力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、太陽電池などの光起電力装置の製造方法に関し、特に結晶系シリコン基板を用いた太陽電池において光利用効率を高めるための凹凸を形成する形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
結晶系光起電力装置において、基板表面に凹凸を形成してテクスチャー構造を設けて、光閉じ込め効果により入射光を有効に利用し、光エネルギーを電気エネルギーに変換する変換効率を向上させている。そして、結晶系シリコン基板の表面に凹凸を形成する方法として、従来から多く用いられているのはアルカリ溶液を用いたウエットエッチング法であり、（１００）面に配向した単結晶シリコン基板にはピラミッド型の良好なテクスチャー構造を設けることができる。しかし、多結晶シリコン基板では、その結晶方位によって形成される凹凸形状が異なり、特に、基板面に対して水平に（１１１）面に配向した基板表面には、反射率低減効果のあるテクスチャー構造をほとんど設けることができない。
【０００３】
そこで、結晶方位によらず多結晶シリコン基板に凹凸を形成する方法として、機械加工やレーザー加工によりＶ字溝を形成する方法があるが、機械的な溝形成は基板に加工時のダメージが残るために一般的には用いられていない。さらに、結晶系シリコン系太陽電池では、基板原料の有効利用とコスト低減のため、基板を薄くする傾向にあり、薄くなった基板の機械加工やレーザー加工は一層困難になる。
【０００４】
そこで、厚さが２００μｍ以下の薄いシリコン基板に凹凸を形成する方法として、ドライエッチングプロセスがある。ドライエッチングプロセスとして、微細な凹凸を形成する反応性イオンエッチング法（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）が提案されている。この方法によれば、フッ素系のエッチングガスにより基板をエッチングしたときに形成された生成物が縞状に基板表面に付着し、それがエッチングマスクとなって等方的なテクスチャー構造が設けられる（例えば、特許文献１参照）。
しかし、反応性イオンエッチング法ではプラズマを用いているため、基板にエッチングダメージを生じやすいこと、エッチングマスクとなる生成物が太陽電池の特性に悪い影響を与えること、フッ素系ガスなど環境に悪い影響を及ぼすガスを多く用いることなどの問題がある。
プラズマを用いないドライエッチングプロセスとして、ホットワイヤー法（Ｈｏｔ  Ｗｉｒｅ）がある。ホットワイヤー法は、高融点金属のフィラメントに水素ガスを接触させて原子状水素を発生させ、その原子状水素により半導体基板をエッチングし、凹凸を形成する（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
このホットワイヤー法では、エッチングマスクを用いず、基板の結晶方位に対するエッチングレートの違いを利用して基板表面をエッチング処理しても反射率低減効果のあるテクスチャー形成が可能となる。しかし、エッチングマスクを用いないエッチングでは十分に反射率が低減せずに、光起電力装置の特性向上にはさらなる反射率の低減が必要となる。
そして、より反射率を低減するためには、基板表面にエッチングマスクを形成し、エッチングを行うことにより深い凹凸を形成することが有効である。
【０００６】
エッチングマスクを形成する方法としては、半導体形成プロセスにおいてレジストをパターニングする写真製版が一般的であるが、プロセスが複雑となるためにより低コスト化が望まれる太陽電池においては好ましくはない。
そこで、レジストのような材料に分散させたコロイド状酸化シリコン粒子を基板に塗布し、エッチバックして酸化シリコン粒子を残し、それをエッチングマスクとして用いて、基板と垂直方向にエッチング速度の異方性があるエッチングをすることにより簡便なプロセスで剣山状の深い凹凸を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１０２６２５号公報
【特許文献２】特開２００３−３３２６０５号公報
【特許文献３】特開平１０−５０９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、基板表面に付着する酸化シリコン粒子をエッチングマスクとして、ホットワイヤー法により発生された原子状水素で基板表面に凹凸を形成しようとすると、ホットワイヤー法により発生された原子状水素が基板面と垂直方向にエッチングの方向性を有していないので、等方的なエッチングが行われ、各酸化シリコン粒子を均一に分散させた状態では基板を垂直方向にエッチングするとともに水平方向にエッチングし、エッチングにより形成した凹部同士がつながってしまうために深い凹凸を形成できないという問題がある。
【０００９】
この発明の目的は、写真製版などではない簡単なプロセスでホットワイヤー法のような方向性のないエッチングに対しても有効なエッチングマスクを形成し、ホットワイヤー法により発生させた原子状水素を用いて基板をエッチングして、反射率低減効果のある深い凹凸を形成する生産性の良いプロセスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係わる光起電力装置の製造方法は、光起電力装置を構成する半導体基板の光が入射する表面の反射率を低減するテクスチャーを、加熱した高融点金属のフィラメントに水素ガスを接触させて発生する原子状水素によりエッチングすることにより形成する光起電力装置の製造方法において、上記エッチングに先立って上記表面に一次粒子径が８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範囲の酸化シリコン粒子を網目状に凝集付着してエッチングマスクを形成する工程を有する。
【発明の効果】
【００１１】
この発明に係わる光起電力装置の製造方法の効果は、酸化シリコン粒子が凝集して付着する部分において、この酸化シリコン粒子が基板面と垂直方向の原子状水素の進路を妨げることにより網目状の稜線が形成され、この稜線と酸化シリコン粒子が付着していない部分のエッチングされた部分とに大きな高低差が得られるので、深い凹凸により反射率が低減され、太陽電池の変換効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１は、この発明に係わるホットワイヤーエッチングに用いるホットワイヤーエッチング装置の断面図である。図２は、ホットワイヤーエッチング装置で冷却ブロックを基板ホルダーに当接した状態を示す図である。
この発明に係わる光起電力装置として、シリコンの単結晶基板や多結晶基板を用いた太陽電池セルを例に挙げて製造方法を説明する。
また、この発明に係わるホットワイヤーエッチングは、ホットワイヤーＣＶＤ法、別名触媒化学気相成長法（Ｃａｔａｌｙｔｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、を活用して半導体膜の堆積の替わりに半導体基板を原子状水素でエッチングすることである。
【００１３】
ホットワイヤーエッチング装置１は、チャンバ２内に納められており、チャンバ２の天頂部に水素ガスをチャンバ２内に導入する水素導入口３が配設され、チャンバ２の側面にチャンバ２内のガス成分を外部に排気する排気口４が配設され、図示しない真空ポンプによりひかれている。
そして、ホットワイヤーエッチング装置１は、チャンバ２内に、半導体基板５を保持する基板ホルダー６、基板ホルダー６の上方に配置され、図示しない電流源装置から流される電流により加熱されるフィラメント７、フィラメント７の上方に配置され、基板ホルダー６に保持された半導体基板５を加熱するランプ加熱装置としての加熱ランプ８、基板ホルダー６の下方に配置され、図示しない上下駆動装置により上下され、冷媒が流される冷媒管９が内蔵されている冷却装置としての冷却ブロック１０が配設されている。
【００１４】
半導体基板５は、基板ホルダー６上に図示しないチャックにより固定される。
冷却ブロック１０は、ベローズ１１によりチャンバ２に対して真空に保ちながら弾性的に支持されており、図示しない上下駆動機構により冷却時には図２に示すように、冷却ブロック１０を基板ホルダー６に接触させ、また、図１に示すように、加熱時には基板ホルダー６から離すことができるように作られている。
冷却ブロック１０は、その内部に冷媒管９が内蔵されており、冷媒管９に図示しない冷却チラーからの冷媒が流されると冷却ブロック１０の温度が低下する。そして、冷却ブロック１０を冷却位置に移動して基板ホルダー６に当接したとき、基板ホルダー６から伝達されてくる熱は、冷媒により冷却チラーに運び去られる。
半導体基板の温度は、加熱ランプ８の照射条件を調整することにより変えることができる。
【００１５】
フィラメント７は、電流源装置から流される電流によりフィラメント温度が調整される。そして、加熱されたフィラメント７に衝突した水素分子は、解離されて原子状水素（水素ラジカル）になり、半導体基板５の表面に衝突する。フィラメントに用いる高融点金属として、タングステンを用いているが、それ以外にタンタル、モリブデン、レニウム、ニッケル、クロム、白金のうちいずれか１つ、または複数の合金を用いてもよい。
【００１６】
次に、半導体基板５の表面にエッチングマスクを形成するとき使用する材料について説明する。
この発明に係わるエッチングマスクは、半導体基板５の表面に付着された酸化シリコン粒子により構成されている。そして、このエッチングマスクは、イソピルアルコールに一般的にゾルゲル法により合成されたコロイダルシリカが分散された分散液を半導体基板上に塗布し、溶媒であるイソピルアルコールを除去することによりコロイダルシリカを半導体基板の表面に付着して形成される。このコロイダルシリカが酸化シリコン粒子である。
【００１７】
この発明で使用する分散液は、一次粒子径１５ｎｍのコロイダルシリカ（例えば、扶桑化学工業株式会社製のグレードＰＬ−１、以下の説明では「小径コロイダルシリカ」と称す。）と一次粒子径３００ｎｍのコロイダルシリカ（例えば、扶桑化学工業株式会社製のグレードＰＬ−３０、以下の説明では「大径コロイダルシリカ」と称す。）をそれぞれ重量比２０％で分散したＩＰＡゾルを出発材料としている。そして、大径コロイダルシリカが分散されたＩＰＡゾル（以下、「大径ＩＰＡゾル」と称す。）、小径コロイダルシリカが分散されたＩＰＡゾル（以下、「小径ＩＰＡゾル」と称す。）およびエタノールを体積比８：１：５６で混合して分散液を作製する。
【００１８】
なお、一次粒子径が１５ｎｍのコロイダルシリカを小径コロイダルシリカとして使用しているが、小径コロイダルシリカの一次粒子径は、１０ｎｍ以上で８０ｎｍ以下が好ましい。１０ｎｍ未満であると、安定してコロイダルシリカを作製することが難しい。また、８０ｎｍを超えると、大径コロイダルシリカを網目状に連ねることができなくなる。
【００１９】
また、一次粒子径が３００ｎｍのコロイダルシリカを大径コロイダルシリカとして使用しているが、大径コロイダルシリカの一次粒子径は、８０ｎｍ以上で４００ｎｍ以下が好ましい。８０ｎｍ未満であると、小径コロイダルシリカと同様に均等に分散してしまう。また、４００ｎｍを超えると、均等に分散してしまう。また、４００ｎｍ以上のコロイダルシリカの作製は困難である。
【００２０】
また、コロイダルシリカをイソプロピルアルコールに分散したＩＰＡゾルを使用する例を説明するが、他のアルコール類、ケトン類、エーテル類などの有機溶媒に分散したゾルを使用してもよい。
また、水にコロイダルシリカを分散したゾルを使用してもよいが、半導体基板の表面の自然酸化膜を除去した直後や、自然酸化膜が非常に薄い場合には表面が疎水性となるため、水に分散させたコロイダルシリカが凝集してしまい、基板上に拡げて付着させることが困難になる。その場合は酸素または水分を含む雰囲気中で加熱するなどの方法で、表面に薄いシリコン酸化膜を形成することにより付着させることができる。
【００２１】
このように有機溶媒または水に分散させたコロイダルシリカを用いることにより、特別なチャンバーを用意しなくてもコロイダルシリカが大気に暴露されることがなく、また、コロイダルシリカを凝集させることなく安定して保存できる。
【００２２】
次に、分散液を塗布してエッチングマスクを半導体基板の表面に形成する方法を説明する。
半導体基板に分散液を滴下して基板を均一に濡らす。分散液を滴下し、温風をブローしながら溶媒を揮発させてコロイダルシリカを基板の表面に付着させる。
【００２３】
なお、コロイダルシリカを基板に付着させる手段として、分散液を滴下し、基板を濡らす手段を説明したが、分散液をスプレーして塗布膜を形成してもよいし、水蒸気をキャリヤとして分散液を２相噴霧してミストを基板表面に吹き付けてもよい。
また、分散液の塗布膜を温風によるブローにより溶媒を蒸発させてコロイダルシリカを基板表面に付着する手段を説明したが、加熱された半導体基板に分散液の塗布膜を形成してもよい。
また、粉末状の酸化シリコン粒子を用い、粉末スプレー法により基板に付着させても同様に酸化シリコン粒子を基板表面に付着させることができる。
【００２４】
このようにスプレー法や噴霧法によれば、溶液に分散したコロイダルシリカを基板に効率よく付着させることができる。
また、粉末スプレー法を用いることにより溶液等を用いたプロセスを必要とせずに簡単なプロセスで粉末状の酸化シリコン粒子を基板表面に付着させることができる。
【００２５】
次に、上述のホットワイヤーエッチング装置１を用いて半導体基板５の表面に凹凸を形成する手順について図３を参照して説明する。図３は、半導体基板の表面に凹凸を形成する手順を示すフローチャートである。
ステップＳ１において、半導体基板５を、エッチングマスクを形成する直前にバッファードフッ酸にて自然酸化膜を除去する。
ステップＳ２において、自然酸化膜を除去後、半導体基板に分散液を滴下して基板を均一に濡らす。
ステップＳ３において、温風をブローしながら溶媒を揮発させてコロイダルシリカを基板の表面に付着させてエッチングマスクを形成する。
【００２６】
ステップＳ４において、半導体基板５を基板ホルダー６にセットし、フィラメント７と半導体基板５との間隙を４ｃｍとしてチャンバ２内に挿入する。次に、水素導入口３から水素ガスを５０ｓｃｃｍ（１，０１３ｈＰａ、０℃）流してチャンバ２内の真空度を１０Ｐａにし、フィラメント温度を２１５０℃にして、１５分間半導体基板５のエッチングを行う。その後、基板に付着するコロイダルシリカをフッ酸で取り除いてテクスチャーの形成を終了する。
【００２７】
次に、半導体基板の表面に形成されたエッチングマスクの様子を説明する。図４（ａ）は、３００ｎｍＩＰＡゾル、１５ｎｍＩＰＡゾルおよびエタノールを体積比８：１：５６で混合した分散液を用いたときのコロイダルシリカの分布状態を示す図である。図４（ａ）において基板を垂直より４０度傾けた方向から電子顕微鏡で観察したコロイダルシリカの分布状態を示している。図４（ｂ）は、比較のために、３００ｎｍＩＰＡゾル、１５ｎｍＩＰＡゾルおよびエタノールを体積比１：１：１４で混合した分散液を用いたときのコロイダルシリカの分布状態を示す図である。なお、図４（ａ）、図４（ｂ）において、円は一次粒子径３００ｎｍのコロイダルシリカを示している。一次粒子径１５ｎｍのコロイダルシリカは均一に分布しているが、このスケールでは図示できないので省略してある。
【００２８】
一次粒子径３００ｎｍのコロイダルシリカが一次粒子径１５ｎｍのコロイダルシリカに対して体積比８対１のように多く含む分散液を塗布することにより、一次粒子径３００ｎｍのコロイダルシリカが線形に凝集し、それが網目状に分布している。また、一次粒子径１５ｎｍのコロイダルシリカは均等に分布している。
一方、体積比が１対１のように一次粒子径１５ｎｍのコロイダルシリカの粒子数が多いときには、一次粒子径３００ｎｍのコロイダルシリカの凝集が少なくなっている。
【００２９】
このように一次粒子径の大きなコロイダルシリカを一次粒子径の小さなコロイダルシリカに対して体積比として多く含む分散液を塗布することにより、一次粒子径が大きなコロイダルシリカが網目状に凝集し、一次粒子径の大きなコロイダルシリカが密に分布する領域と疎に分布する領域が所定の周期で有するエッチングマスクを形成することができる。
このように、一次粒子径が大小のコロイダルシリカの比率やエタノールの希釈率を変化させることで、コロイダルシリカの分布を制御することができる。
【００３０】
そして、大径コロイダルシリカが凝集して付着する領域と大径コロイダルシリカが付着していない領域とが所定の周期で配置されているので、エッチングされやすい領域とされにくい領域とが基板の表面に形成することができる。
なお、網目状のピッチは、５００ｎｍ以上、５μｍ以下の範囲が好ましく、５００ｎｍ未満であると深い凹凸を形成する前にマスク下の横方向の大凸がつながってしまい、深い凹凸を形成できなくなり、５μｍを超えると反射率の低減が少なくなる。
【００３１】
図５は、この発明の実施の形態１に係わるテクスチャー形成方法により凹凸が形成された（１００）基板の表面の反射率を示すグラフである。図６は、この発明の実施の形態１に係わるテクスチャー形成方法により凹凸が形成された（１１１）基板の表面の反射率を示すグラフである。なお、図５、図６には、エッチングマスクなしでエッチングが施された半導体基板の表面の反射率を示す。
この発明の実施の形態１のように、一次粒子径の大きなコロイダルシリカが網目状に分布しているエッチングマスクが形成された半導体基板をエッチングすると、図５に示すように、（１００）基板ではエッチングマスクなしの場合、波長１０００ｎｍの光の反射率が２３％であるのに対して、エッチングマスクを使用してエッチングしたとき波長１０００ｎｍの光の反射率が１９％に低下している。
また、図６に示すように、（１１１）基板ではエッチングマスクなしの場合、波長１０００ｎｍの光の反射率が２７％であるのに対して、エッチングマスクを使用してエッチングしたとき波長１０００ｎｍの光の反射率が１９％に低下している。
【００３２】
このように波長の大きな領域で反射率が改善されるのは、一次粒子径が大きなコロイダルシリカが凝集する部位において、基板面と垂直方向の原子状水素の進路が妨げられ、基板面と水平方向のエッチングのみがなされることにより網目状の中心線が残り、稜線が形成され、一次粒子径の大きなコロイダルシリカが付着していない部分のエッチングされた部分に対して大きな高低差をもつ深い凹凸が形成されるためと考えられる。
【００３３】
このような光起電力装置の製造方法は、一次粒子径の大きなコロイダルシリカが凝集して付着する部分の表面は原子状水素の飛翔をこのコロイダルシリカが遮り、この部分の表面の下方に位置する基板が稜線状に残され、この稜線と一次粒子径の大きなコロイダルシリカが付着していない部分のエッチングされた部分とに大きな高低差が得られるので、深い凹凸により反射率が低減され、太陽電池の変換効率を向上させることができる。
【００３４】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２に係わるテクスチャー形成方法は、実施の形態１に係わるテクスチャー形成方法とエッチングマスクを形成する半導体基板の表面にピラミッド状の凹凸が形成されていることと、分散液の組成が異なっていること以外同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記して説明は省略する。
この発明の実施の形態２に係わる分散液は、３００ｎｍＩＰＡゾル、１５ｎｍＩＰＡゾルおよびエタノールが体積比８：１：５６で混合された液に適量のヘキサメチルジシラザンを添加して作製されている。なお、ヘキサメチルジシラザンの替わりに他の有機シラン原料を用いてもよい。
【００３５】
次に、実施の形態２に係わるテクスチャー形成方法について説明する。図７は、この発明の実施の形態２に係わるテクスチャー形成方法の手順を示すフローチャートである。
Ｓ１１で、アルカリエッチングにより多結晶シリコン半導体基板のダメージ層除去およびピラミッド状の凹凸の形成を行う。このピラミッド状の高さは１μｍ〜５０μｍである。
ステップＳ１２において、ピラミッド状の凹凸の形成後、半導体基板に実施の形態２に係わる分散液を滴下して基板を均一に濡らす。
ステップＳ１３において、温風をブローしながら溶媒を揮発させてコロイダルシリカを基板の表面に付着させてエッチングマスクを形成する。
【００３６】
ステップＳ１４において、半導体基板５を基板ホルダー６にセットし、フィラメント７と半導体基板５との間隙を４ｃｍとしてチャンバ２内に挿入する。水素導入口３から水素ガスを５０ｓｃｃｍ（１，０１３ｈＰａ、０℃）流してチャンバ２内の真空度を１０Ｐａにし、フィラメント温度を２１５０℃にして、１５分間半導体基板５のエッチングを行う。その後、基板に付着するコロイダルシリカをフッ酸で取り除いてテクスチャーの形成を終了する。
【００３７】
図８は、この発明の実施の形態２に係わるテクスチャー形成方法により凹凸が形成された半導体基板の表面の反射率を示すグラフである。なお、図８には、エッチングマスクなしでエッチングが施された（１１１）基板の表面の反射率を示す。
ピラミッド状の凹凸とその凹凸の面にサブミクロンの凹凸が形成されているので、図８に示すように、（１１１）基板では波長１０００ｎｍの光の反射率がエッチングマスクなしでエッチングしたとき２６％であったものが、エッチングマスクを使用してエッチングしたとき１９％まで低下する。
【００３８】
このように、アルカリエッチングによりピラミッド状の凹凸を形成した基板の場合でもコロイダルシリカからなるエッチングマスクを形成してホットワイヤーエッチングを行うことができ、幅広い波長領域で反射率を低減することができる。
【００３９】
また、ヘキサメチルジシラザン等の有機シラン原料を添加することにより、コロイダルシリカの表面を改質して分散性を高めるとともに、疎水性のシリコン基板の表面を改質することができ、大きな凹凸を有する基板に対しても分散性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の光起電力装置の製造に用いたホットワイヤーエッチング装置の断面図である。
【図２】冷却ブロックを基板ホルダーに当接した状態のホットワイヤーエッチング装置の断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係わるテクスチャー形成方法の手順を示すフローチャートである。
【図４】基板表面に分布する一次粒子径が３００ｎｍのコロイダルシリカの分布図である。
【図５】実施の形態１に係わるテクスチャー形成方法で凹凸が形成された（１００）面の反射率である。
【図６】実施の形態１に係わるテクスチャー形成方法で凹凸が形成された（１１１）面の反射率である。
【図７】この発明の実施の形態２に係わるテクスチャー形成方法の手順を示すフローチャートである。
【図８】実施の形態２に係わるテクスチャー形成方法で凹凸が形成された（１００）面の反射率である。
【符号の説明】
【００４１】
１  ホットワイヤーエッチング装置、２  チャンバ、３  水素導入口、４  排気口、５  半導体基板、６  基板ホルダー、７  フィラメント、８  加熱ランプ、９  冷媒管、１０  冷却ブロック、１１  ベローズ。
【図１】
2007250583.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007250583.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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