(57)【要約】【課題】封止基板の切断に起因した回路層の動作不良等が抑制され、生産性および信頼性に優れた画像表示装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】素子基板上に回路層を形成する工程と、前記素子基板の中央部に形成された前記回路層を平坦化する平坦化膜と、前記素子基板の周縁部に形成された前記回路層を保護する保護膜と、を前記平坦化膜と前記保護膜との間に空白領域を設けるように形成する工程と、前記空白領域に封止材を配置し、前記素子基板上に封止基板を配置し、前記素子基板と前記封止基板とを接着する工程と、前記封止基板を、前記保護膜の直上領域またはその近傍において切断する工程と、を含む。【選択図】        図１−１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上に回路層を形成する工程と、
前記素子基板の中央部に形成された前記回路層を平坦化する平坦化膜と、前記素子基板の周縁部に形成された前記回路層を保護する保護膜と、を前記平坦化膜と前記保護膜との間に空白領域を設けるように形成する工程と、
前記空白領域に封止材を配置し、前記素子基板上に封止基板を配置し、前記素子基板と前記封止基板とを接着する工程と、
前記封止基板を、前記保護膜の直上領域またはその近傍において切断する工程と、
を含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記平坦化膜と前記保護膜とは略同時に形成されること
を特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記平坦化膜上に、有機ＥＬ素子が形成されていること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
素子基板と、
前記素子基板の中央部に形成される平坦化膜と、
前記素子基板の周辺部に形成される回路層と、
前記回路層の少なくとも一部を被覆し、前記平坦化膜と間隔を空けて配置される保護膜と、
前記素子基板に対向して設けられる封止基板と、
を備え、
前記封止基板の少なくとも一端辺の直下領域またはその近傍領域に前記保護膜が位置していること
を特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
前記素子基板の前記平坦化膜上に有機ＥＬ素子が形成されていること
を特徴とする請求項４に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置およびその製造方法に関するものであり、回路層の動作不良等が抑制され、生産性および信頼性に優れた画像表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ表示装置は発光素子を多数形成した素子基板に封止基板を被せ、封止材を用いて素子基板と封止基板とを封着し、これによって形成されたマザー基板を個々の表示装置に切断することにより作製している。有機ＥＬ表示装置においては、個々の表示装置の素子基板における少なくとも１辺の周縁部に、ドライバＩＣが実装されたり、あるいはＦＰＣ（フレキシブルプリントケーブル）等の外部接続部材等が電気的に接続される回路層が設けられており、素子基板と封止基板とを封着する際、これら回路層の領域が素子基板と封止基板との間に配置される封止材よりも外周側に位置するように封止材が配置される。
【０００３】
また、これらの領域に設けられた回路層は外部と接続するために露出させることが必要であり、これらの領域に重なる封止基板を後工程において切断して除去することにより、露出させている。（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−７８９４６号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術によれば、素子基板と封止基板とを接着した後に、前述した回路層の領域に重なる部分の封止基板を切断して除去する。このため、封止基板の切断部直下近傍に配置された回路層が、切断された封止基板の破片により傷つけられる場合がある。回路層が傷つけられた場合には、有機ＥＬ表示装置が正常に動作しない、または動作しないなどの動作不良が発生する虞があるため、歩留まり低下が懸念される。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、封止基板の切断に起因した回路層の動作不良等が抑制され、生産性および信頼性に優れた画像表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる画像表示装置の製造方法は、素子基板上に回路層を形成する工程と、素子基板の中央部に形成された回路層を平坦化する平坦化膜と、素子基板の周縁部に形成された回路層を保護する保護膜と、を平坦化膜と保護膜との間に空白領域を設けるように形成する工程と、空白領域に封止材を配置し、素子基板上に封止基板を配置し、素子基板と封止基板とを接着する工程と、封止基板を、保護膜の直上領域またはその近傍において切断する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる画像表示装置は、素子基板と、素子基板の中央部に形成される平坦化膜と、素子基板の周辺部に形成される回路層と、回路層の少なくとも一部を被覆し、平坦化膜と間隔を空けて配置される保護膜と、素子基板に対向して設けられる封止基板と、を備え、封止基板の少なくとも一端辺の直下領域またはその近傍領域に保護膜が位置していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、平坦化膜の形成されていない領域に封止材を配置して封止を行うことにより、平坦化膜が介在することに起因した接着力の低下が良好に防止され、素子基板と封止基板とを強固に接着することができる。また、素子基板の周縁部に位置する回路層を保護する保護膜を封止基板の切断箇所の直下領域に形成することにより、切断された封止基板の破片が素子基板に落下等した場合においても、保護膜が破片と素子基板の周縁部に位置する回路層と接触することを良好に防止し、回路層を良好に保護することができる。その結果、生産性及び信頼性に優れた画像表示装置を提供することができる、という効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明にかかる画像表示装置およびその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下の図面においては、各図面間の縮尺および各部材間の縮尺は理解の容易のため実際とは異なる場合がある。
【００１１】
実施の形態
図１−１〜図１−３は、本発明の実施の形態にかかる画像表示装置であり、たとえば携帯情報端末などの表示部に用いられる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。図１−１は実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の周辺部における概略構成を示す断面図である。また、図１−２は実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の画素部における概略構成を示す断面図である。
【００１２】
図１−１〜図１−３に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置は、素子基板１２と、有機ＥＬ素子２３を素子基板１２上にマトリクス状に配列してなる発光領域１０と、ガラス等からなり素子基板１２に対向して設けられた封止基板１４とを備えている。
【００１３】
封止基板１４は透明性の基板からなり、たとえばプラスチックやガラスを用いることができる。素子基板１２も、たとえばプラスチックやガラスを用いることができるが、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置はトップエミッションの有機ＥＬ表示装置であるため、素子基板１２は透光性の基板でなくても良い。
【００１４】
また、素子基板１２と封止基板１４との間には、発光領域１０を取り囲み、素子基板１２と封止基板１４とを接合（接着）するための封止材１６が、後述する平坦化膜２２の形成されていない領域に備えられている。これにより、発光領域１０は、素子基板１２と封止基板１４と封止材１６とにより外気から遮断される形で封止されている。封止材１６としては、たとえば光硬化性または熱硬化性のアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂等をそれぞれ用いることができる。
【００１５】
素子基板１２上には各種回路（図示せず）が形成された回路層１８が形成され、さらに該回路層１８を絶縁するために回路層１８上に下部絶縁膜２０が形成されている。そして、下部絶縁膜２０上に平坦化膜２２および保護膜３４が形成され、該平坦化膜２２の上に有機ＥＬ素子２３が形成されている。
【００１６】
また、素子基板１２の周囲４辺のうちの一辺側には、ドライバＩＣが実装されたり、あるいは、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される回路層３２が備えられ、該回路層３２にはＦＰＣ（フレキシブルプリントケーブル）等が接続される（図示せず）。
【００１７】
ここで、素子基板１２の周囲４辺のうちの回路層３２が備えられた一辺側の端部は、封止基板１４よりも外方に突出した突出領域を有しており、この突出領域に回路層３２が設けられている。そして、保護膜３４は、この突出領域における封止材１６の外方の領域であり、少なくとも封止基板１４の端辺の直下領域に、下部絶縁膜２０を介して回路層３２を覆って形成されている。
【００１８】
有機ＥＬ素子２３の基本構造は、有機層２８が下部電極２４と上部電極３０とに挟まれた構造である。下部電極２４は、発光箇所以外は有機層２８および上部絶縁膜２６により上部電極３０と絶縁されている。一般的には素子基板１２上に形成される下部電極２４が陽極であり、該有機層２８を挟んで下部電極２４と相対して形成される上部電極が陰極である。上部電極３０は透明電極または半透明電極を使用する。有機層２８はホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの複数層で構成する場合が多い。
【００１９】
以上のように構成された本実施の形態にかかる画像表示装置である有機ＥＬ表示装置においては、上述したように保護膜３４が、封止材１６よりも外方の領域であり素子基板１２が封止基板１４よりも突出した突出領域における少なくとも封止基板１４の端辺の直下領域に、下部絶縁膜２０を介して回路層３２を覆って形成されている。
【００２０】
封止基板１４は、素子基板１２と略同等の大きさの基板を封止材１６により素子基板１２に接着した後に、回路層３２を露出させるために切断して形成される。この際、封止基板１４の切断部直下近傍に配置された回路層３２が、切断された封止基板の破片により傷つけられる場合がある。回路層３２が傷つけられた場合には、有機ＥＬ表示装置が正常に動作しない、または動作しないなどの動作不良が発生する虞があり、製品の歩留まり低下を招く。
【００２１】
しかしながら、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、保護膜３４が、封止材１６よりも外方の領域であり素子基板１２が封止基板１４よりも突出した突出領域における少なくとも封止基板１４の端辺の直下領域に、下部絶縁膜２０を介して回路層３２を覆って形成されている。ここで、保護膜３４は外部環境から回路層３２を保護する働きをする。これにより、この有機ＥＬ表示装置においては、封止基板１４の切断時に切断された封止基板１４の破片が回路層３２の上部に落下等した場合においても、保護膜３４が破片と回路層３２との接触を防止し、回路層３２が保護される構成とされている。
【００２２】
また、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、平坦化膜２２の形成されていない領域に封止材１６を配置されている。これにより、平坦化膜２２が介在することに起因した接着力の低下が良好に防止される。
【００２３】
したがって、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置によれば、素子基板１２と封止基板１４とを強固に接着することができる。また、封止基板１４の切断処理に起因して回路層３２が傷つけられることが抑制されており、封止基板１４の切断処理に起因した動作不良等を良好に防止し、生産性および動作信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置が実現可能である、という効果を奏する。
【００２４】
つぎに上記のような本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法について図２〜図１５を参照ながら説明する。
【００２５】
まず、素子基板１２および封止基板１４を準備する。素子基板１２および封止基板１４としては、たとえばガラスなどの光透過性の基板を準備する。そして、図２に示すように各種回路（図示せず）が形成された回路層１８を素子基板１２上に形成する。また、図２に示すように素子基板１２の周囲４辺のうちの一辺側には、ドライバＩＣが実装されたり、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続されたりする回路層３２を形成する。
【００２６】
つぎに、回路層１８および回路層３２を絶縁するために、図２に示すように該回路層１８および回路層３２を覆うように回路層１８上および回路層３２上に下部絶縁膜２０を形成する。その後、回路層１８上、回路層３２上および下部絶縁膜２０上に有機膜からなる絶縁性膜２２ａを形成する。そして、図３に示すように露光マスク１００を用いて有機膜からなる絶縁性膜２２ａを露光し、さらに現像、ベークを行って図４に示すように所定の形状の平坦化膜２２および保護膜３４を形成する。
【００２７】
つぎに、図５に示すように、下部電極２４となる導電性膜２４ａを形成し、図６に示すように該導電性膜２４ａ上にレジスト１０２を塗布する。そして、露光マスク１０４を用いて該レジスト１０２を露光し、さらに現像、ベークを行って図７に示すように所定の形状にパターニングしたレジスト１０２を得る。
【００２８】
そして、このパターニングしたレジスト１０２をエッチングマスクとして用いて導電性膜２４ａのエッチングを行い、図８に示すように所定の形状の下部電極２４を形成する。その後、レジスト１０２を除去する。レジスト１０２を除去後の状態を図９に示す。
【００２９】
ついで、図１０に示すように、下部絶縁膜２０上、平坦化膜２２上、保護膜３４上および下部電極２４上に、上部絶縁膜２６となる絶縁膜２６ａを形成する。そして、図１１に示すように露光マスク１０４を用いて該絶縁膜２６ａを露光し、さらに現像、ベークを行って図１２に示すように所定の形状にパターニングした上部絶縁膜２６を得る。
【００３０】
つづいて、図１３に示すように下部電極２４上および上部絶縁膜２６上に有機層２８を形成し、さらに上部絶縁膜２６上および有機層２８上に上部電極３０を形成し、有機ＥＬ素子２３を形成する。上述した有機ＥＬ素子２３の各層は、たとえば周知の真空蒸着によって形成することができる。
【００３１】
その後、図１４に示すように素子基板１２の有機ＥＬ素子２３と封止基板１４の一面とが対向するように、略同等の大きさの素子基板１２と封止基板１４とを対向させ、素子基板１２と封止基板１４の周縁部に封止材１６を設けて有機ＥＬ素子２３を封止する。このとき、封止材１６は、平坦化膜２２の形成されていない領域に配置する。また、回路層３２が形成された素子基板１２の周囲４辺のうちの一辺側においては、保護膜３４に隣接する位置であり保護膜３４よりも素子基板１２の中心部側に封止材１６を設けて封止する。
【００３２】
封止は、真空中または不活性ガス中で行う。不活性ガスとしては、たとえば窒素ガスやアルゴンガスを用いる。不活性ガス中で封止を行うのは、有機ＥＬ素子が酸素や水分で劣化するため、封止する際に有機ＥＬ表示装置内に酸素や水分が入るのを防ぐためである。
【００３３】
そして、回路層３２を露出させるために、図１５に示すように素子基板１２の周囲４辺のうちの回路層３２が設けられた一辺側において、封止基板１４を切断する。封止基板１４の切断は、図１４において記号Ａで示したように、保護膜３４の直上近傍の位置で行う。すなわち、封止基板１４は、素子基板１２の周囲４辺のうちの回路層３２が設けられた側の辺において、封止材１６の外方の領域であり、少なくとも直下領域に保護膜３４が存在する位置において行う。最後に、回路層３２に図示しないドライバーＩＣや外部接続部材を接続する。以上の工程を経ることによって、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置が製造される。
【００３４】
以上のような本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、上述したように保護膜３４が下部絶縁膜２０を介して回路層３２を覆って形成される。そして、封止材１６により素子基板１２に接着した後に、回路層３２を露出させるために突出領域上の封止基板１４を切断する。
【００３５】
この際、封止基板１４の切断部直下近傍に配置した回路層３２が、切断された封止基板の破片により傷つけられる場合がある。回路層３２が傷つけられた場合には、有機ＥＬ表示装置が正常に動作しない、または動作しないなどの動作不良が発生する虞があり、歩留まり低下の原因となりやすい。
【００３６】
しかしながら、上述した本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、少なくとも直下領域に保護膜３４が存在する位置において封止基板１４の切断を行う。このとき、保護膜３４は外部環境から回路層３２を保護する働きをする。これにより、この有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、封止基板１４の切断時に切断された封止基板１４の破片が回路層３２の上部に落下等した場合においても、保護膜３４が破片と回路層３２との接触を抑制し、回路層３２が良好に保護される。
【００３７】
また、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、平坦化膜２２の非形成領域に封止材１６を配置して素子基板１２と封止基板１４とを接着する。これにより、素子基板１２と封止基板１４とを強固に接着することができる。
【００３８】
したがって、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、生産性および信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置を製造することができる、という効果を奏する。
【００３９】
また、上述した本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、平坦化膜２２の形成時の形状パターンの変更により平坦化膜２２と保護膜３４とを同一工程において同時に形成することができるため、既存の製造工程や部材に与える影響を小さく抑えた形で実現することができる。
【００４０】
なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではない。たとえば、上述の実施形態においては、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例に説明したが、これに代えて、本発明をボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置に適用可能であることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
以上のように、本発明にかかる画像表示装置の製造方法は、素子基板と封止基板とを封着した後に封止基板を切断することにより回路層を露出させて製造する画像表示装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１−１】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における概略構成を示す断面図である。
【図１−２】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の画素部における概略構成を示す断面図である。
【図１−３】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図７】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図９】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  発光領域
１２  素子基板
１４  封止基板
１６  封止材
１８  回路層
２０  下部絶縁膜
２２  平坦化膜
２２ａ  絶縁性膜
２３  有機ＥＬ素子
２４  下部電極
２４ａ  導電性膜
２６  上部絶縁膜
２６ａ  絶縁膜
２８  有機層
３０  上部電極
３２  回路層
３４  保護膜
１００  露光マスク
１０２  レジスト
１０４  露光マスク
【図１−１】
2007148120.tif 000003
【図１−２】
2007148120.tif 000004
【図１−３】
2007148120.tif 000005
【図２】
2007148120.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
2007148120.tif 000009
【図６】
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【図７】
2007148120.tif 000011
【図８】
2007148120.tif 000012
【図９】
2007148120.tif 000013
【図１０】
2007148120.tif 000014
【図１１】
2007148120.tif 000015
【図１２】
2007148120.tif 000016
【図１３】
2007148120.tif 000017
【図１４】
2007148120.tif 000018
【図１５】
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