(57)【要約】【課題】回路装置の大量生産に適した板状体およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の板状体３０は、連結部３３を介して一体に連結された複数の導電箔４０が設けられている。板状体３０の周辺部には幅が２ｃｍ程度の外枠４８が設けられており、外枠４８の内部にマトリックス状に導電箔４０が整列して設けられている。連結部３３は、板状体３０を局所的に薄くして設けられた部位であり、板状体３０を折り曲げることにより、各導電箔４０を分離することができる。【選択図】図１
2007227503.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路装置の導電材料として用いられて周囲に外枠が設けられた板状体であり、
前記外枠の内部には複数個の導電箔が並列して設けられ、
前記導電箔には、分離溝により凸状にされた導電パターンから成る回路装置部がマトリックス状に配置されたブロックが複数個離間して形成され、
前記外枠と前記導電箔とは、部分的に厚みを薄くした連結部により連結されることを特徴とする板状体。
【請求項２】
前記連結部の厚さは、前記分離溝が設けられた部分よりも薄く形成されることを特徴とする請求項１記載の板状体。
【請求項３】
前記連結部が設けられる箇所では、前記板状体の表面から第１の溝を設け、前記板状体の裏面から第２の溝を設けることを特徴とする請求項１記載の板状体。
【請求項４】
前記第１の溝の断面を、前記第２の溝よりも大きくすることを特徴とする請求項３記載の板状体。
【請求項５】
前記連結部を、前記導電箔と前記外枠との間に連続して設けることを特徴とする請求項１記載の板状体。
【請求項６】
前記連結部を、前記導電箔同士の間に連続して設けることを特徴とする請求項１記載の板状体。
【請求項７】
前記連結部を、前記導電箔と前記外枠との間および前記導電箔同士の間に連続して設けることを特徴とする請求項１記載の板状体。
【請求項８】
外枠の内部に複数個の導電箔が並列して設けられ、前記導電箔には分離溝により凸状にされた導電パターンから成る回路装置部がマトリックス状に配置されたブロックが複数個離間して形成され、前記外枠と前記導電箔とは、部分的に厚みを薄くした連結部により連結された板状体を用意する第１工程と、
前記導電パターンに回路素子を電気的に接続する第２工程と、
前記回路素子が封止されて前記分離溝に充填されるように封止樹脂を形成する第３工程と、
前記分離溝に充填された前記封止樹脂が露出するまで前記導電箔を裏面から除去して前記導電パターンを分離する第４工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２工程の前に、前記板状体から前記導電箔を個別に分離することを特徴とする請求項８記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置の導電材料として用いられる板状体およびそれを用いた回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器にセットされる回路装置は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。これらの条件を満たすために、ＣＳＰ（Chip Scale Package）と呼ばれる、内蔵される半導体素子と同等のサイズを有する回路装置が開発されている。
【０００３】
しかしながらＣＳＰでは、一般的に素子が実装される実装基板が採用されるので、小型化に限界がある問題があった。この問題を解決するために、実装基板を具備しない回路装置１００が開発されている（下記特許文献１を参照）。図９（Ａ）は回路装置１００の平面図であり、図９（Ｂ）はその断面図である。
【０００４】
回路装置１００では、ダイパッド１０１の上面に半導体素子１０３が固着されている。また、ダイパッド１０１を取り囲むように、多数個のボンディングパッド１０２が設けられている。半導体素子１０３とボンディングパッド１０２とは、金属細線１０５により接続されている。また、半導体素子１０３、ダイパッド１０１およびボンディングパッド１０２を被覆するように、絶縁性樹脂１０６が形成される。回路装置１００の裏面はレジスト１０８により覆われる。更に、ダイパッド１０１およびボンディングパッド１０２の裏面の所望の箇所には、半田等から成る外部電極１０７が形成される。また、ダイパッド１０１とボンディングパッド１０２とは、分離溝１０６により分離されている。
【０００５】
更に、上記したダイパッド１０１およびボンディングパッド１０２の表面は、銀メッキ等のメッキ膜１０９により部分的に被覆されていた。
【０００６】
次に、上記した構造の回路装置１００の製造方法を、図１０を参照して説明する。
【０００７】
図１０（Ａ）を参照して、先ず、銅などの金属材料から成る導電箔１４０の表面に部分的に銀から成るメッキ膜１０９を形成する。
【０００８】
図１０（Ｂ）を参照して、次に、耐エッチングマスクであるレジスト１３０を、導電箔１４０の表面に塗布する。ここでは、液状のレジスト１３０を導電箔１４０の表面全域に塗布した後に、レジスト１３０を加熱硬化している。
【０００９】
図１０（Ｃ）を参照して、次に、レジスト１３０の露光及び現像を行うことで、レジスト１３０を部分的に除去する。
【００１０】
図１０（Ｄ）を参照して、次に、レジスト１３０から部分的に露出する導電箔１４０の表面をエッチングして、分離溝１７０を形成する。本工程により、ダイパッド等の導電パターンは、導電箔１４０の表面に凸状に形成される。
【００１１】
図１０（Ｅ）を参照して、次に、半導体素子１０３をダイパッド１０１の表面に固着して、半導体素子１０３とボンディングパッド１０２とを、金属細線１０５を用いて電気的に接続する。
【００１２】
図１０（Ｆ）を参照して、次に、半導体素子１０３および金属細線１０５が被覆されて分離溝１７０にも充填されるように、絶縁性樹脂１０６が形成される。更に、導電箔１４０を裏面から除去することで、ダイパッド１０１とボンディングパッド１０２とを分離する。さらに、上記工程が終了した後に、一点鎖線で示す箇所にて絶縁性樹脂１０６を分離して、個別の回路装置を得る。
【特許文献１】特開２００４−０７１８９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上述した回路装置の製造方法では、例えば長手方向×短手方向＝３ｃｍ×１５ｃｍ程度の短冊状の導電箔１４０が用いられていた。このような大きさの導電箔１４０を用いることで、例えば数十個〜数百個程度の回路装置を一括して形成することができる。しかしながら、更に多数個の回路装置を一括して製造できる製造方法が求められていた。
【００１４】
本発明はこのような問題を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、回路装置の大量生産に適した板状体およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の板状体は、回路装置の導電材料として用いられて周囲に外枠が設けられた板状体であり、前記外枠の内部には複数個の導電箔が並列して設けられ、前記導電箔には、分離溝により凸状にされた導電パターンから成る回路装置部がマトリックス状に配置されたブロックが複数個離間して形成され、前記外枠と前記導電箔とは、部分的に厚みを薄くした連結部により連結されることを特徴とする。
【００１６】
本発明の回路装置の製造方法は、枠の内部に複数個の導電箔が並列して設けられ、前記導電箔には分離溝により凸状にされた導電パターンから成る回路装置部がマトリックス状に配置されたブロックが複数個離間して形成され、前記外枠と前記導電箔とは、部分的に厚みを薄くした連結部により連結された板状体を用意する第１工程と、前記導電パターンに回路素子を電気的に接続する第２工程と、前記回路素子が封止されて前記分離溝に充填されるように封止樹脂を形成する第３工程と、前記分離溝に充填された前記封止樹脂が露出するまで前記導電箔を裏面から除去して前記導電パターンを分離する第４工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の板状体に依れば、連結部を介して外枠に連結された多数個の導電箔を設けたので、導電箔の表面に一括してメッキ膜を形成することができる。更に、各導電箔は連結部により一体に連結されているので、一枚のシートとして容易に搬送することができる。
【００１８】
更に、本発明の板状体では、その厚みを局所的に薄くすることにより連結部を設け、この連結部により板状体の外枠に導電箔を連結している。従って、この連結部が設けられた箇所にて板状体を折り曲げることにより、導電箔を容易に分離することができる。
【００１９】
更にまた、上記した連結部は、導電箔同士の間、または導電箔と外枠との間に連続して設けられている。従って、板状体の外枠に導電箔が強固に連結されるので、搬送時に於ける導電箔の板状体からの離脱が防止されている。
【００２０】
また、前記連結部は、板状体の表面から設けられた第１の溝と、裏面から設けた第２の溝により薄く形成される。従って、連結部の部分は曲折しやすい構造となっているので、板状体全体に曲げ応力が作用しても、その曲げ応力は連結部が変形することにより吸収さる。結果的に、板状体に作用した曲げ応力による、導電箔の変形が抑止されている。
【００２１】
更に本発明の回路装置の製造方法によると、上記した板状体を用いることで、多数の高品質な回路装置を一括して製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
＜第１の実施の形態＞
本形態では、図１および図２を参照して板状体３０の構成を説明する。
【００２３】
先ず、図１を参照して、板状体３０の平面的な構成を説明する。図１（Ａ）は板状体３０の全容を示す平面図であり、図１（Ｂ）は１つの導電箔４０（フレーム）を示す平面図であり、図１（Ｃ）は１つのブロック４２を示す平面図である。
【００２４】
図１（Ａ）を参照して、本形態の板状体３０は、回路装置の導電材料として用いられものである。板状体３０の周辺部には幅が２ｃｍ程度の外枠４８が設けられており、外枠４８の内部に複数個の導電箔４０が整列して設けられている。また、外枠４８の４隅付近を穿設して孔部４９が設けられており、板状体３０の搬送時や位置決めの際に用いられる。板状体３０の材料としては、銅、アルミニウム、鉄等を主材料とする金属が採用され、その厚みは、１００μｍ〜３００μｍ程度（例えば１２５μｍ）である。
【００２５】
板状体３０の平面的な大きさは、例えば、Ａ３サイズ（縦×横＝２９７ｍｍ×４２０ｍｍ）またはＡ４サイズ（縦×横＝２１０ｍｍ×２９７ｍｍ）である。回路装置を一括して大量生産するためには、板状体３０の大きさは大型のＡ３サイズの方が好適である。
【００２６】
板状体３０の外枠４８の内部には、マトリックス状に配置された複数個の短冊形状の導電箔４０が設けられている。ここでは、紙面上に縦方向に７個、横方向に２つの合計１４個の導電箔４０が配置されているが、配置される導電箔４０の個数は任意である。そして、外枠４８と導電箔４０とは、板状体３０を局所的に薄くして設けた連結部３３により連結されている。更に、隣接する導電箔４０同士も、薄い連結部３３により連結されている。連結部３３の詳細は、図２を参照して後述する。
【００２７】
図１（Ｂ）を参照して、板状体３０の内部に多数個が設けられる導電箔４０の構成を説明する。短冊状の導電箔４０には、多数の回路装置部４５がマトリックス状に形成されるブロック４２が４個〜５個離間して並べられる。ここで、回路装置部４５とは、１つの回路装置が形成される部位である。
【００２８】
また、各ブロック４２間にはスリット４３が設けられ、モールド工程等での加熱処理で発生する導電箔４０の応力を吸収する。導電箔４０の上下周端にはインデックス孔４４が一定の間隔で設けられ、各工程での位置決めに用いられる。スリット４３およびインデックス孔４４は、導電箔４０を厚み方向に貫通して設けられ、エッチング加工により、分離溝１３等と共に同時に形成することも可能である。
【００２９】
図１（Ｃ）を参照して、１つのブロック４２には２行２列のマトリックス状に４個の回路装置部４５が配列され、回路装置部４５毎に同一の導電パターンが設けられている。ブロック４２の周辺には枠状のパターン４６が設けられ、それと少し離間した内側にダイシング時の位置合わせマーク４７が設けられている。この位置合わせマーク４７も、導電パターンと同様に、分離溝が形成されることにより凸状に形成されている。更に、各回路装置部４５に於いては、導電パターンの表面に、所定の形状のメッキ膜２０Ａが形成されている。ここでは、１つのブロック４２の内部に４つの回路装置部４５を設けているが、実際は、数十個〜数百個の回路装置部４５がブロック４２の内部に形成される。
【００３０】
図２を参照して、板状体３０を更に説明する。図２（Ａ）は板状体３０の全容を示す平面図であり、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）は板状体３０を部分的に示す平面図であり、図２（Ｄ）は図２（Ａ）のＤ−Ｄ’線に於ける断面図である。
【００３１】
図２（Ｂ）は、導電箔４０の短手方向の側辺が外枠４８と連結される部分の拡大図である。この図を参照して、導電箔４０の短手方向の側辺は、上述したスリット４３が設けられており、部分的に設けられた連結部３３を介して、外枠４８と連結されている。本形態では、導電箔４０の短手方向の側辺にスリット４３を設けるので、導電箔４０の短手方向の側面は不連続に連結部３３を介して、外枠４８と連結されている。従って、スリット４３を設けない場合は、導電箔４０の短手方向の側辺に沿って連続した連結部３３を設けても良い。即ち、導電箔４０の全ての周辺が、連結部３３を介して外枠４８または他の導電箔４０と連結される。この場合は、連結部３３により導電箔４０は強固に外枠４８に対して連結され、板状体３０の搬送時に於ける導電箔４０の離脱を防止する効果が大きくなる。
【００３２】
更に、図２（Ｂ）を参照して、導電箔４０の長手方向の側辺は、連続的に設けられた連結部３３を介して、外枠４８または他の導電箔４０に連結されている。図では、導電箔４０の上側の側辺は他の導電箔４０に連結され、導電箔４０の下側の側辺は外枠４８に連結されている。
【００３３】
図２（Ｃ）は、導電箔４０の短手方向の側辺同士が連結される部分の拡大図である。ここでも、導電箔４０の端部にスリット４３が設けられるので、連結部３３は不連続に形成されている。更に、紙面上に左右方向に配列された導電箔４０同士の側辺は、上端、中間部、下端の３箇所に形成された連結部３３により、互いに連結されている。また、この箇所に連続的に延在する連結部３３を設けても良い。
【００３４】
図２（Ｄ）を参照して、導電箔４０同士の間または導電箔４０と外枠４８との間に設けられる連結部３３の形状を説明する。この図では、導電箔４０同士の間に設けられる連結部３３が示されている。
【００３５】
本形態では、板状体３０の表面から第１の溝３１を設け、更に、第１の溝３１に対応する領域（下方の領域）の板状体３０の裏面から第２の溝３２を設けることで、薄い連結部３３を形成している。ここで、一例を挙げると、第１の溝３１の深さＤ２は５０μｍ程度であり、第２の溝３２の深さＤ３は４０μｍ程度である。また、板状体３０の厚みは例えば１２０μｍ程度である。従って、連結部３３の厚みＤ４は例えば３０μｍ程度である。ここで、第１の溝３１及び第２の溝３２の深さを変えることで、連結部３３の厚みを例えば１０μｍ〜３０μｍ程度の範囲にて調節可能である。また、第１の溝３１及び第２の溝３２は、ウェットエッチングにより形成されるので、断面形状は湾曲と成っている。
【００３６】
連結部３３の厚みは、分離溝１３が設けられた箇所の板状体３０の厚みよりも薄い。例えば、連結部３３の厚みが１０μｍ〜３０μｍであるのに対し、深さＤ１が５０μｍ程度の分離溝１３が設けられた箇所の板状体３０の厚みは７０μｍ程度である。即ち、連結部３３の厚みは、分離溝１３が設けられた箇所の板状体３０の厚みの半分以下である。このようにすることで、板状体３０を折り曲げることにより、連結部３３が設けられた箇所にて、各導電箔４０を容易に分離することができる。更に、分離溝１３が設けられた部分の板状体３０の残りの厚み部分は充分に厚いので、この折り曲げを行う際に、分離溝１３が設けられた部分で導電箔４０が不用意に折り曲がることを防止することができる。
【００３７】
更に、上記のように連結部３３を薄くすることにより、板状体３０の搬送時に導電箔４０が折り曲がるのを防止することができる。具体的には、板状体３０を搬送する際は、板状体３０表面の４隅付近を吸着パッドにて吸着して、上方に持ち上げている。従って、この搬送に伴い、板状体３０には下側に凸状に湾曲するような曲げ応力が作用する。本形態では、この曲げ応力が、連結部３３が折り曲がることで吸収され、導電箔４０の平坦性が保たれる。
【００３８】
本形態では、板状体３０の表面から設けた第１の溝３１は、裏面から設けた第２の溝３２よりも断面が大きく形成される。即ち、第１の溝３１の幅及び深さは、第２の溝よりも大きい。このことにより、板状体３０に曲げ応力が作用して、連結部３３の箇所で板状体３０がＶ字状に折れ曲がっても、第１の溝３１の幅は充分に広いので、第１の溝３１の端部同士は接触しない。結果的に、板状体３０の搬送時に於いて、連結部３０が破断されない。
【００３９】
更に、第２の溝３２は充分に小さいので、連結部３３の位置で板状体３０を上側に凸になるように折り曲げることで、第２の溝３２の両側の肩部が当接し、テコの原理により連結部３３の箇所で導電箔４０同士を分離することができる。
【００４０】
ここで、第１の溝３１または第２の溝３２のみを設けることで、薄い連結部３３を設けても良い。更に、第１の溝３１と第２の溝３２との大きさを略同等にしても良い。更にまた、第２の溝３２を第１の溝３１よりも大きく形成しても良い。
【００４１】
また、連結部３３の厚みＤ４は、必ずしも分離溝１３が設けられた箇所の残りの厚さＤ５よりも薄い必要はない。連結部３３の箇所にて導電箔４０同士の分離が容易に行えるのであれば、連結部３３の厚みＤ４はＤ５よりも厚くても良い。
【００４２】
＜第２の実施の形態＞
本形態では、図３から図７を参照して、上記した板状体の製造方法および、板状体を用いた回路装置の製造方法を説明する。
【００４３】
第１工程：図３を参照
本工程では、板状体３０の表面にメッキ膜２０Ａ等を形成する。図３（Ａ）および図３（Ｂ）は本工程の断面図であり、図３（Ｃ）は平面図である。ここで、図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、図３（Ｃ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。
【００４４】
図３（Ａ）を参照して、先ず、銅、アルミニウム、鉄等を主成分とする板状体３０を用意する。板状体３０の平面的なサイズは、例えばＡ３またはＡ４サイズであり、その厚みは１００μｍ〜３００μｍ程度（例えば１２０μｍ）である。
【００４５】
そして、メッキ膜が形成される領域以外の板状体３０の表面が被覆されるように、メッキレジストを形成する。ここでは、板状体３０の表面がレジスト５０で被覆され、裏面は全面的にレジスト５１により被覆されている。更に、導電箔４０の表面を被覆するレジスト５０は、メッキ膜が形成される箇所が部分的に除去されて開口部が形成されている。この開口部は、レジスト５０の露光および現像を行うことにより形成される。ここでは、後に形成される導電パターン１１Ｄおよび導電パターン１１Ｃに対応する領域の板状体３０の表面が、部分的にレジスト５０から露出している。レジスト５１は、板状体３０の裏面にメッキ膜が付着するのを防止する機能を有する。
【００４６】
図３（Ｂ）を参照して、次に、レジスト５０から露出する板状体３０の表面に、メッキ膜を形成する。本工程では、電解メッキ法または無電解メッキ法の両方が採用可能であるが、均一な厚みのメッキ膜を形成するためには電解メッキ法が好適である。電解メッキ法によりメッキ膜を形成する場合は、アノード電極およびカソード電極を設けた電解溶液中に板状体３０を浸漬し、板状体３０をカソード電極として電極間に電圧を印可する。ここで、メッキ膜の材料としては、金、銀、ニッケル等が採用される。
【００４７】
Ａ３程度の大判の板状体３０の表面に均一な膜厚のメッキ膜２０Ａ等を形成するためには、金メッキまたはニッケルメッキの方が銀メッキよりも好ましい。
【００４８】
更にまた、積層された複数のメッキ膜により、メッキ膜２０Ａ等を形成することができる。例えば、板状体３０の表面に厚みが５μｍ〜７μｍ程度の厚みのニッケルから成るメッキ膜を形成し、この上面に厚みが０．１μｍ程度の金から成るメッキ膜を形成しても良い。
【００４９】
図３（Ｃ）を参照して、本工程にて形成されるメッキ膜の詳細を説明する。ここでは、図１（Ｃ）に示した１つの回路装置部４５の内部に形成予定の導電パターン１１Ａ〜１１Ｉの外周部を、点線により示している。枠状のメッキ膜２０Ａは、ダイパッド状の導電パターン１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄの表面に設けられている。更に、ボンディングパッドとして機能する導電パターン１１Ｆ、１１Ｅ、１１Ｉ、１１Ｃの表面は、矩形のメッキ膜２０Ｂにより被覆されている。
【００５０】
本形態では、上記したメッキ膜を形成した後に、各導電パターン間に位置する分離溝を設けている。このことにより、分離溝が形成されていない平滑な状態の板状体３０の表面に、メッキ用のレジスト５０を形成できる。即ち、分離溝１３により凹凸が形成された板状体３０の表面に、メッキ用のレジストを形成する必要がない。従って、メッキ用のレジストの形成が容易になる利点がある。しかしながら、分離溝を板状体３０の表面に形成した後に、メッキ膜を被着する工程を行っても良い。
【００５１】
第２工程：図４を参照
本工程では、エッチング用のレジスト４１を導電箔４０の表面に積層し、このレジスト４１を用いて板状体３０をエッチングする。メッキを被着する第１工程および分離溝を被着させる本工程により、所定の形状の板状体３０が製造されて用意される。
【００５２】
図４（Ａ）は板状体３０の全体を示す平面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、図４（Ｃ）は１つの回路装置部４５に形成される導電パターンを示す平面図である。
【００５３】
本工程では、板状体３０に対してウェットエッチングを行うことにより、導電パターン１１同士の間に設けられる分離溝１３を形成する。更に、連結部３３を薄くするべく形成される第１の溝３１および第２の溝３２が形成される。更に、本工程のエッチングにより、図１（Ｂ）に示したスリット４３、インデックス孔４４も形成される。
【００５４】
先ず、本工程では、板状体３０の上面をレジスト４１により被覆し、裏面をレジスト５２により被覆する。本工程では、厚みが１０μｍ〜２０μｍ程度の薄いフィルム状のレジストを、真空チャンバーの内部で板状体３０の表面および裏面に密着させる。このようにすることで、レジスト４１、５２と板状体３０との間にエアが介在することを防止することができる。その後に、レジスト４１、５２の露光・現像を行い、エッチングされる部分の板状体３０を外部に露出させる。ここで、上記したレジストとしては、ポジレジストとネガレジストの両方が採用可能である。
【００５５】
上記のようにエッチングレジストを形成した後に、塩化第２鉄の水溶液等から成るエッチャントを用いて板状体３０をウェットエッチングする。このエッチングは、板状体３０をエッチャントに浸漬して行っても良いし、板状体３０に対してエッチャントをシャワーリングすることで行っても良い。
【００５６】
図４（Ｂ）に、上記エッチングの工程が終了した後の板状体３０の断面を部分的に示す。先ず、導電箔４０の内側では、レジスト４１に設けた開口部５３からエッチングが略等方性に進行して、分離溝１３が形成される。この分離溝１３が形成されることにより、導電パターン１１が凸状に形成される。ここで、開口部５３の幅Ｗ４は例えば８０μｍ〜９０μｍ程度であり、分離溝１３の幅Ｗ１は例えば１２０μｍ〜１５０μｍであり、分離溝１３の深さＤ１は例えば５０μｍ〜６０μｍ程度である。また、分離溝１３が設けられた箇所の板状体３０の残りの厚さＤ５は６０μｍ〜７０μｍ程度である。
【００５７】
更に、導電箔４０同士の境界および、導電箔４０と外枠４８との境界には連結部３３が設けられ、この連結部３３を薄くするために第１の溝３１および第２の溝３２が形成される。
【００５８】
第１の溝３１は、レジスト４１に設けた開口部５４からエッチングを進行させることで形成される。ここで一例を挙げると、開口部５４の幅Ｗ５は４０μｍ〜６０μｍであり、第１の溝３１の幅Ｗ２は９０μｍ〜１１０μｍであり、第１の溝３１の深さＤ２は４０μｍ〜６０μｍである。
【００５９】
第２の溝３２は、レジスト５２の開口部５５からエッチングを進行させることで形成される。ここで、開口部５５の幅Ｗ６は、第２の溝３２の断面を第１の溝３１よりも小さくするために、開口部５４よりも狭く形成される。一例として、開口部５５の幅Ｗ６は１０μｍ〜２０μｍである。また、第２の溝３２の幅Ｗ３は４０μｍ〜５０μｍであり、その深さＤ３は３０μｍ〜５０μｍである。
【００６０】
更に、第１の溝３１および第２の溝３２を設けることにより薄く形成される連結部３３の厚みＤ４は、例えば１０μｍ〜３０μｍ程度になる。導電箔４０同士の間や導電箔４０と外枠４８との間に薄い連結部３３を設けることにより、導電箔４０の分離が容易になる利点がある。更に、連結部３３は、導電箔４０を取り囲むように連続的に設けられているので、連結部３３により導電箔４０は強固に連結され、板状体３０の搬送時に於ける導電箔４０の離脱が防止されている。
【００６１】
上述したように、板状体３０の上面から形成される第１の溝３１は、下面から設けられる第２の溝３２よりも大きく形成されている。このことにより、板状体３０を折り曲げることによる導電箔４０の分離が容易になる利点がある。
【００６２】
図４（Ｃ）に、導電箔４０に設けられる回路装置部４５を構成する導電パターンの一部を示す。１つの回路装置部４５の内部には、本工程で形成される分離溝１３により凸状に形成された導電パターン１１Ａ〜１１Ｉが形成されている。ここでは、回路装置部４５の４隅にランド形状の導電パターン１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄが配置される。更に、４隅に配置されたランド状の導電パターン１１Ａ等の間に、導電パターン１１Ｅ〜１１Ｉが配置されている。なお、導電パターン１１Ａ〜１１Ｉは、分離溝１３により略等間隔に配置されている。
【００６３】
本工程のエッチングが終了した後に、レジスト４１および５２は板状体３０から剥離されて除去される。
【００６４】
また、本工程が終了した後に、連結部３３が設けられた箇所にて板状体３０を折り曲げることで、導電箔４０を個別に分離する。板状体３０の折り曲げは人為的に行っても良いし、専用の機械を用いて行っても良い。
【００６５】
ここで、上述した板状体３０を製造するまでの工程と、素子の実装等を行う工程以降の工程は、個別の工場にて行っても良い。即ち、所定の導電パターンが凸状に形成された板状体３０を、製品として他の工場に出荷することができる。また、回路素子の実装の工程以降の工程は、マスクを用いた露光・現像の工程が無い。従って、本形態の板状体３０を入荷することにより、リソグラフィーの設備の無い工場に於いても、図８に構造を示す回路装置１０を製造することが可能になる。
【００６６】
第３工程：図５参照
本工程では、導電パターンにトランジスタ等の回路素子を固着し、更に導電パターンと回路素子とを電気的に接続する。図５（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図５（Ｂ）は平面図である。
【００６７】
先ず本工程では、接合材１９を用いて、トランジスタ１２Ｄ等の回路素子を導電パターン１１Ｄの表面に固着する。
【００６８】
トランジスタ１２Ｄ等の実装に用いる接合材１９としては、半田、導電性ペーストまたは絶縁性接着剤を用いることができる。半田としては鉛共晶半田、鉛フリー半田が採用される。
【００６９】
次に、トランジスタ１２Ｄと導電パターン１１Ｃとを、金属細線１５を用いて接続する。ここで、ボンディングパッドに相当する導電パターン１１Ｃの表面は、金、銀、ニッケル等から成るメッキ膜２０Ｂにより被覆される。
【００７０】
図５（Ｂ）を参照して、１つの回路装置部４５の内部では、導電パターン１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄの表面に、ダイオード１２Ｂ、ダイオード１２Ｃ、トランジスタ１２Ｄが接合材を介して固着される。更に、ダイオード１２Ｂの上面に形成された電極が金属細線１５を介して導電パターン１１Ｅと接続される。また、ダイオード１２Ｃは、金属細線１５を介して導電パターン１１Ｉと接続される。更に、トランジスタ１２Ｄのソース電極は金属細線１５を介して導電パターン１１Ｆと接続され、ゲート電極は導電パターン１１Ｃと接続される。
【００７１】
また、チップ素子１２Ａの一端の電極は、接合材１９を介して、導電パターン１１Ｆに固着される。また、チップ素子１２Ａの他端の電極は、接合材１９を介して導電パターン１１Ａに固着される。
【００７２】
第４工程：図６および図７を参照
本工程では、回路素子等が被覆されるように封止樹脂１６を形成し、導電箔４０を裏面から除去して各導電パターンを分離する。更に、ブロック４２をダイシングして個別の回路装置を得る。
【００７３】
図６（Ａ）を参照して、先ず、トランジスタ１２Ｄ等の回路素子を被覆し、分離溝１３に充填されるように封止樹脂１６を形成する。
【００７４】
本工程では、封止樹脂１６により、トランジスタ１２Ｄおよび複数の導電パターンが被覆される。更に、分離溝１３にも封止樹脂１６が充填される。分離溝１３の側面はエッチングにより形成された湾曲形状と成っているので、封止樹脂１６と強固に結合する。本工程は、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはポッティングにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
【００７５】
図６（Ｂ）を参照して、本工程では、モールド金型を用いて、１つのブロック４２毎に共通に封止樹脂１６により封止している。
【００７６】
図６（Ｃ）を参照して、次に、上記した導電箔４０を裏面からエッチングにより取り除いて、各導電パターンを分離する。具体的には、分離溝１３に充填された封止樹脂１６が下方に露出するまで、導電箔４０の裏面を全面的にウェットエッチングする。本工程では、分離溝１３の深さよりも、導電パターン１１の厚みＤ６が薄くなるまで、導電箔４０をエッチングしている。従って、分離溝１３に充填された封止樹脂１６は、導電パターンの裏面から外部に露出する。例えば、分離溝１３の深さが６０μｍ程度の場合は、導電パターン１１Ｃ等の厚みＤ６が４０μｍ程度に薄くなるように、導電箔４０は裏面からエッチングされる。
【００７７】
図６（Ｄ）を参照して、上記工程が終了した後に、導電パターンの裏面処理を行い、最終構造を得る。すなわち、封止樹脂１６およびそこから露出する導電パターンの裏面をレジスト１８により被覆する。更に、導電パターンの裏面を部分的にレジスト１８から露出させて、半田等の導電材料から成る外部電極１７を形成する。
【００７８】
図７を参照して、次に、各ブロック４２の封止樹脂１６をダイシングすることにより、回路装置部４５を個別に分離する。
【００７９】
本工程では、導電箔からブロック４２を機械的に剥がした後に、ブロック４２を不図示のダイシング装置の載置台に真空で吸着させる。更に、ダイシングブレード５６で各回路装置部４５間のダイシングライン（一点鎖線）に沿って封止樹脂１６をダイシングし、個別の回路装置に分離する。
【００８０】
上記工程により、回路装置が完成する。
【００８１】
＜第３の実施の形態＞
本実施の形態では、図８を参照して、第２の実施の形態にて説明した製造方法により製造される回路装置１０の構成を説明する。図８（Ａ）は回路装置１０の平面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。
【００８２】
図８（Ａ）および図８（Ｂ）を参照して、回路装置１０では、導電パターン１１Ａ〜１１Ｉが設けられており、これらの導電パターンにはトランジスタ１２Ｄ等の回路素子が接合材１９を介して固着されている。また、導電パターン１１Ａ〜１１Ｉの裏面が露出された状態で、これらの導電パターンおよび回路素子は封止樹脂１６により被覆される。
【００８３】
導電パターン１１Ａ〜１１Ｉは、銅やアルミニウム等を主材料とする金属から成り、裏面を露出させて封止樹脂１６に埋め込まれている。導電パターン１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃおよび１１Ｄは、回路装置１０の４角に位置してダイパッド形状を呈している。そして、導電パターン１１Ａ〜１１Ｄの間に、導電パターン１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇ、１１Ｈ、１１Ｉが形成されている。
【００８４】
ここで、導電パターン１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ等はダイパッドとして機能し、上部にトランジスタ等の半導体素子が実装されている。更に、導電パターン１１Ｅ、１１Ｉは、ボンディングパッドとして機能し、金属細線１５を介して、半導体素子と電気的に接続されている。
【００８５】
各導電パターン１１Ａ〜１１Ｉは、分離溝１３により略等間隔に分離されている。分離溝１３の幅Ｗ１は、例えば１２５μｍ〜１５０μｍ程度である。また、分離溝１３の深さは、例えば６０μｍ程度である。
【００８６】
上記導電パターンには、接合材１９を介してトランジスタ１２Ｄ等の回路素子が実装される。導電パターンに実装される回路素子としては、能動素子および受動素子の両方が採用可能である。具体的には、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ、システムＬＳＩ、コンデンサ、抵抗等を回路素子として採用可能である。
【００８７】
回路素子の固着に用いる接合材１９としては、鉛共晶半田、鉛フリー半田、導電性ペースト等の導電性材料が採用される。更には、エポキシ樹脂等から成る絶縁性の接着剤を接合材１９として採用することもできる。
【００８８】
導電パターン１１Ｂ、１１Ｃおよび１１Ｄの上面には、それぞれダイオード１２Ｂ、ダイオード１２Ｃおよびトランジスタ１２Ｄが接合材１９を介して実装されている。
【００８９】
また、両端に電極が形成されたチップ素子１２Ａは、半田等の接合材を介して導電パターンに固着される。具体的には、チップ素子１２Ａの一方の電極は、導電パターン１１Ａに固着され、他方の電極は導電パターン１１Ｆに固着される。
【００９０】
封止樹脂１６は、導電パターン１１Ａ〜１１Ｉの裏面を露出させて、全体を封止している。ここでは、封止樹脂１６は、チップ素子１２Ａ等の回路素子、金属細線１５、導電パターン１１Ａ〜１１Ｉを封止している。封止樹脂１６の材料としては、トランスファーモールドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用することができる。
【００９１】
レジスト１８は、封止樹脂１６の下面および導電パターン１１の下面を被覆するように形成されている。また、半田等から成る外部電極１７が形成される領域の導電パターンは、レジスト１８から露出される。
【００９２】
以上が、回路装置１０の構成である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の板状体を示す図であり、（Ａ）は板状体の全容を示す平面図であり、（Ｂ）は導電箔を示す平面図であり、（Ｃ）はブロックの平面図である。
【図２】本発明の板状体を示す図であり、（Ａ）は板状体の全容を示す平面図であり、（Ｂ）は板状体を部分的に拡大した平面図であり、（Ｃ）は板状体を部分的に拡大した平面図であり、（Ｄ）は（Ａ）のＤ−Ｄ’線での断面図である。
【図３】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は平面図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は平面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図であり、（Ｃ）は断面図であり、（Ｄ）は断面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す平面図である。
【図８】本発明の製造方法により製造される回路装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図９】従来の回路装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図１０】従来の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）〜（Ｆ）は断面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１０            回路装置
１１Ａ〜１１Ｆ  導電パターン
１２Ａ          チップ素子
１２Ｂ、１２Ｃ  ダイオード
１２Ｄ          トランジスタ
１３            分離溝
１５            金属細線
１６            封止樹脂
１７            外部電極
１８            レジスト
１９            接合材
２０Ａ、２０Ｂ  メッキ膜
３０            板状体
３１            第１の溝
３２            第２の溝
３３            連結部
４０            導電箔
４１            レジスト
４２            ブロック
４３            スリット
４４            インデックス孔
４５            回路装置部
４６            パターン
４７            位置合わせマーク
４８            外枠
４９            孔部
５０            レジスト
５１            レジスト
５２            レジスト
５３            開口部
５４            開口部
５５            開口部
５６            ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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