(57)【要約】【課題】製造工程における熱処理等に起因する膨張、収縮により、表示画素の形成領域を画定する隔壁やパネル基板を平坦化する平坦化膜にクラック等が発生する現象を抑制し、表示パネルのデバイス品質の向上を図ることができる表示装置を提供する。【解決手段】絶縁性材料からなるバンクベース部１８ａと、金属材料等の導電性材料からなるメタルバンク部１８ｂとを積層した構成を有するバンク１８を、表示パネル上に格子状に配設することにより、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・・が画定されるとともに、導電性材料からなるメタルバンク部１８ｂにより、表示パネルの全域に共通配線（カソードラインＬｃ）を配設することができる。ここで、メタルバンク部１８ｂの底部は、バンクベース部１８ａに形成された複数の貫通孔ＴＨＬを介して下層の平坦化膜１４に直接密着するように構成されている。【選択図】図２
2007101713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の自発光素子からなる表示画素を複数配列した表示パネルを備えた表示装置において、
基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜と接触する面に複数の貫通孔が設けられた隔壁下層部と、前記前記隔壁下層上に設けられ、前記複数の貫通孔を介して、前記平坦化膜に直接密着する底部を有する隔壁上層部と、を有する隔壁と、
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記隔壁上層部は、導電性材料により構成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記自発光素子は、トランジスタを有する発光駆動回路に接続され、
前記隔壁上層部は、前記発光駆動回路又は前記自発光素子に接続されていることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記各表示画素における前記自発光素子は、少なくとも画素電極及び少なくとも一層からなる電荷輸送層、対向電極を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記隔壁上層部は、絶縁性材料により構成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に、表示画素として有機エレクトロルミネッセンス素子を複数配列した表示パネルを備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータや映像機器、携帯情報機器等のモニタ、ディスプレイとして多用されている液晶表示装置（ＬＣＤ）に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等のような自発光素子を２次元配列した発光素子型の表示パネルを備えたディスプレイ（表示装置）の本格的な実用化、普及に向けた研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した発光素子型ディスプレイにおいては、液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性もなく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライトを必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという極めて優位な特徴を有している。
【０００４】
ここで、発光素子型ディスプレイに適用される自発光素子の一例として、周知の有機ＥＬ素子の基本構造について簡単に説明する。
図１２は、有機ＥＬ素子の基本構造を示す概略断面図である。
図１２に示すように、有機ＥＬ素子は、概略、ガラス基板等の絶縁性基板１１１の一面側（図面上方側）に、アノード（陽極）電極１１２、有機化合物等（有機材料）からなる有機ＥＬ層１１３、及び、カソード（陰極）電極１１４を順次積層した構成を有している。
【０００５】
有機ＥＬ層１１３は、例えば、正孔輸送材料（正孔注入層形成材料）からなる正孔輸送層（正孔注入層）１１３ａと、電子輸送性発光材料からなる電子輸送性発光層（発光層）１１３ｂとを積層して構成されている。なお、有機ＥＬ層１１３（正孔輸送層１１３ａ及び電子輸送性発光層１１３ｂ）に適用される正孔輸送材料や電子輸送性発光材料としては、低分子系や高分子系の種々の有機材料が知られている。
【０００６】
ここで、低分子系の有機材料の場合、一般に、有機ＥＬ層における発光効率は比較的高いものの、製造プロセスにおいて蒸着法を適用する必要がある。そのため、画素形成領域のアノード電極上にのみ当該低分子系の有機膜を選択的に薄膜形成する際に、上記アノード電極以外の領域への低分子材料の蒸着を防止するためのマスクを用いる必要があり、当該マスクの表面にも低分子材料が付着することになるため、製造時の材料ロスが大きいうえ、製造プロセスが非効率的であるという問題を有している。
【０００７】
一方、高分子系の有機材料を適用した場合には、有機ＥＬ層における発光効率は上記低分子材料を適用した場合に比較して低くなるものの、湿式成膜法として液滴吐出法（いわゆる、インクジェット法）等を適用することができるので、画素形成領域のアノード電極上にのみ選択的に液滴を塗布して、良好に有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送性発光層）の薄膜を形成することができる。
【０００８】
以下に、高分子系の有機材料からなる有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子において、液滴吐出法を適用した場合の製造プロセスについて、簡単に説明する。
図１３及び図１４は、従来技術における表示パネル（有機ＥＬ素子）の製造プロセスの一例を示す工程断面図である。ここで、上述した有機ＥＬ素子（図１２）の素子構造と同等の構成については、同一の符号を付して説明する。
【０００９】
液滴吐出法を適用した有機ＥＬ素子の製造プロセスの一例は、まず、図１３（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板（パネル基板）１１１の一面側（図面上方側）の、各表示画素が形成される領域（画素形成領域）Ａpxごとにアノード電極（陽極）１１２を形成した後、図１３（ｂ）に示すように、隣接する表示画素との境界領域に絶縁性の樹脂材料等からなる隔壁（バンク）１２１を形成する。ここで、隔壁１２１に囲まれた画素形成領域Ａpxには、上記アノード電極１１２が露出している。
【００１０】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、酸素ガス雰囲気中で上記絶縁性基板１１１表面に紫外線ＵＶを照射することにより、活性酸素ラジカルが発生して、アノード電極１１２表面の有機物を分解除去して親液化（又は、親水化）するとともに、隔壁１２１表面においてもラジカルを発生して親液化する。
次いで、上述した親液化処理を施した絶縁性基板１１１に対して、フッ化物ガス雰囲気中で紫外線ＵＶを照射することにより、隔壁１２１表面においてはフッ素が結合して撥液化（又は、撥水化）し、一方、アノード電極１１２表面は親液性を保持する。
【００１１】
次いで、図１３（ｄ）に示すように、インクジェット装置を用いて、インクヘッドＩＨＨから高分子系の有機材料からなる正孔輸送材料を溶媒に分散、又は、溶解させた液状材料（第１の溶液）ＨＭＣを液滴状にして吐出させ、上記親液性を有するアノード電極１１２上に塗布した後、加熱乾燥処理を行うことにより、図１３（ｅ）に示すように、アノード電極１１２上に正孔輸送材料を定着させて正孔輸送層１１３ａを形成する。
【００１２】
次いで、同様に、図１３（ｆ）に示すように、インクヘッドＩＨＥから高分子系の有機材料からなる電子輸送性発光材料を溶媒に分散、又は、溶解させた液状材料（第２の溶液）ＥＭＣを液滴状にして吐出させ、上記正孔輸送層１１３ａ上に塗布した後、加熱乾燥処理を行うことにより、図１４（ｇ）に示すように、電子輸送性発光材料を定着させて電子輸送性発光層１１３ｂを形成する。
【００１３】
なお、上記正孔輸送材料を含む液状材料ＨＭＣ、及び、電子輸送性材料を含む液状材料ＥＭＣの塗布処理においては、隔壁１２１表面が撥水性を有しているので、仮に液状材料ＨＭＣ、ＥＭＣの液滴が隔壁１２１上やその表面に着滴してもはじかれて、各画素形成領域Ａpxのアノード電極１１２上の親液性領域（すなわち、有機ＥＬ素子形成領域Ａel）にのみ塗布されることになる。
【００１４】
次いで、図１４（ｈ）に示すように、各画素形成領域Ａpxの有機ＥＬ層１１３（正孔輸送層１１３ａ及び電子輸送性発光層１１３ｂ）を介してアノード電極１１２に対向するように、共通電極からなるカソード電極（陰極）１１４を形成した後、図１４（ｉ）に示すように、当該カソード電極１１４を含む絶縁性基板１１１上に、保護絶縁膜や封止樹脂層１１５を形成し、さらに封止基板１１６を接合することにより、有機ＥＬ素子（有機ＥＬ表示パネル）が完成する。
このような表示パネル（有機ＥＬ素子）の構成やその製造方法については、例えば、特許文献１等に詳しく説明されている。
【００１５】
そして、このような素子構造を有する有機ＥＬ素子においては、図１２に示すように、直流電圧源１１５からアノード電極１１２に正電圧、カソード電極１１４に負電圧を印加することにより、正孔輸送層１１３ａに注入されたホールと電子輸送性発光層１１３ｂに注入された電子が有機ＥＬ層１１３内で再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）ｈνが放射される。
【００１６】
ここで、この光ｈνは、アノード電極１１２及びカソード電極１１４のいずれか一方を光透過性を有する電極材料を用いて形成し、他方を遮光性及び反射特性を有する電極材料を用いて形成することにより、絶縁性基板１１１の一面側（図面上方）もしくは他面側（図面下方）の任意の方向に放射させることができる。このとき、光ｈνの発光強度は、アノード電極１１２とカソード電極１１４間に流れる電流量に応じて制御される。
【００１７】
なお、図１２に示した素子構造においては、アノード電極１１２として例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ；Indium Thin Oxide）等の透明電極材料を用い、カソード電極１１４として金属材料等の遮光性及び反射特性を有する電極材料を用いることにより、有機ＥＬ層１１３において発光した光ｈνを、直接又はカソード電極１１４で反射させて、透明な絶縁性基板１１１の他面側（図面下方）に放射させるボトムエミッション構造（図１５（ａ）参照）を示した。
【００１８】
ところで、上述したような有機ＥＬ素子を発光素子として適用して、アクティブマトリックス駆動方式の表示パネルを構成するためには、各表示画素ごとに当該有機ＥＬ素子を所望の輝度階調で発光させるための発光駆動回路を設ける必要がある。この発光駆動回路は、例えば１又は複数の薄膜トランジスタ等の機能素子（詳しくは後述する）と配線層から構成されるが、薄膜トランジスタの形成工程で施される熱処理に適用される温度条件は、上述した有機ＥＬ素子を構成する有機材料の特性を維持することができる温度範囲（耐熱温度）よりも高いため、各表示画素ごとの発光駆動回路は有機ＥＬ素子よりも先の工程で形成される（すなわち、有機ＥＬ素子よりも絶縁性基板側に形成される）。
【００１９】
そのため、図１２に示したようなボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子においては、図１５（ａ）に示すように、有機ＥＬ層１１３で発光した光ｈνの一部が発光駆動回路を構成する薄膜トランジスタや配線層ＬＮＰ等に遮断（遮光）されることになるため、表示パネル（又は、画素形成領域）に占める発光領域の割合（いわゆる、開口率）が低下することになり、画像情報を表示する際の発光輝度が低下するという問題を有している。
【００２０】
これに対して、アノード電極１１２として遮光性及び反射特性を有する金属材料を用い、カソード電極１１４としてＩＴＯ等の透明電極材料を用いることにより、有機ＥＬ層１１３において発光した光ｈνを、直接又はアノード電極１１２で反射して、絶縁性基板１１１の一面側（図面上方）に放射させるトップエミッション構造（図１５（ｂ）参照）が知られている。
【００２１】
このようなトップエミッション構造の有機ＥＬ素子においては、図１５（ｂ）に示すように、絶縁性基板１１１側に発光駆動回路が形成されている場合であっても、絶縁性基板１１１とは反対側に光ｈνが放射され、薄膜トランジスタや配線層ＬＮＰ等に遮断（遮光）されることがないので、上記開口率を大きく設定することができるとともに、薄膜トランジスタや配線層ＬＮＰ等の設計自由度を比較的高くすることができるという利点を有している。
なお、図１５は、有機ＥＬ素子における発光構造を示す概略断面図である。
【００２２】
【特許文献１】特開２００３−２５７６５６号公報  （第４頁〜第６頁、図２〜図５、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
上述したような表示パネル（有機ＥＬ素子）の製造方法においては、有機ＥＬ層１１３を形成する工程において、有機材料を含む液状材料を液滴状にして各画素形成領域Ａpxに塗布する際に、例えば発光材料を含む液状材料が隣接する画素形成領域に侵入して、当該隣接する表示画素間で発光色の混合（混色）が生じないように、各画素形成領域を画定するための隔壁１２１が境界領域に設けられている。
【００２４】
一方、有機ＥＬ素子の絶縁性基板１１１側に、当該有機ＥＬ素子を発光駆動するための薄膜トランジスタ等の機能素子や配線層を形成した場合、上層に設けられる有機ＥＬ素子の各層（アノード電極、隔壁、有機ＥＬ層、カソード電極等）を段差を生じることなく均一に形成するために、発光駆動回路（上記薄膜トランジスタ等の機能素子や配線層）が形成された後の絶縁性基板１１１表面を平坦化することが好ましい。この場合、各種の樹脂材料や絶縁性材料からなる平坦化膜を絶縁性基板１１１の一面側に積層形成する手法が本出願人によって試みられている。
【００２５】
ここで、上述した隔壁１２１に適用される樹脂材料や絶縁性材料と、隔壁１２１の下層に形成される平坦化膜に適用される樹脂材料や絶縁性材料の種類や膜質、膜構造等によっては、上述したような有機ＥＬ素子の形成工程（例えば、有機材料からなる液状材料を塗布した後に施す加熱乾燥処理）における熱処理や、表示パネルの完成後における加熱冷却の熱サイクル処理、製品実装後の装置駆動に伴う発熱等に起因する膨張、収縮に大きな差が生じ、隔壁や平坦化膜にクラックや剥離（層間剥離）が発生して、デバイス品質の低下を招くという問題を有していた。
【００２６】
例えば、隔壁を構成する樹脂材料としてポリイミドを適用した場合、その線膨張係数は概ね３５〜４０ppm／℃程度であるのに対して、平坦化膜を構成する樹脂材料としてアクリル樹脂を適用した場合、その線膨張係数は概ね７０〜８０ppm／℃程度であるので、２倍以上の膨張、収縮の違いが生じ、また、隔壁を構成する絶縁性材料としてシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を適用した場合には、その線膨張係数は概ね５ppm／℃以下であるので、１０倍以上の膨張、収縮の違いが生じることになり、隔壁や平坦化膜の内部応力に起因してクラックや層間剥離が極めて発生しやすい状態となる。
【００２７】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、表示パネルのデバイス品質の向上を図ることができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
請求項１記載の発明は、複数の自発光素子からなる表示画素を複数配列した表示パネルを備えた表示装置において、
基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜と接触する面に複数の貫通孔が設けられた隔壁下層部と、前記前記隔壁下層上に設けられ、前記複数の貫通孔を介して、前記平坦化膜に直接密着する底部を有する隔壁上層部と、を有する隔壁と、
を備えることを特徴とする。
【００２９】
請求項２の発明は、請求項１記載の表示装置であって、前記隔壁上層部は、導電性材料により構成されていることを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項２記載の表示装置であって、前記自発光素子は、トランジスタを有する発光駆動回路に接続され、
前記隔壁上層部は、前記発光駆動回路又は前記自発光素子に接続されていることを特徴とする。
【００３０】
請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載のの表示装置であって、前記各表示画素における前記自発光素子は、少なくとも画素電極及び少なくとも一層からなる電荷輸送層、対向電極を有していることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項１記載の表示装置であって、前記隔壁上層部は、絶縁性材料により構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３１】
本願発明は、膨張、収縮に伴う内部応力が分散、吸収されて、絶縁膜や隔壁にクラックや層間剥離が生じる現象を抑制することができ、表示パネルのデバイス品質の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明に係る表示装置について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、第１の実施形態においては、各表示画素の形成領域（画素形成領域）を画定する隔壁（バンク）として、金属材料を適用した場合について説明し、第２の実施形態においては、隔壁として、従来技術と同様に樹脂材料を適用した場合について説明する。
【００３３】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す要部概略平面図であり、図２は、本発明に係る表示装置（表示パネル）の第１の実施形態を示す要部概略断面図である。なお、図１に示す平面図においては、図示の都合上、視野側から見た各画素形成領域とアノードラインＬａ及びカソードラインＬｃの配設構造のみを示し、図２に示す他の構成（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ等のトランジスタ）を省略した。ここで、図１においては、隣接する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色からなる色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸを構成する場合を示し、図２においては、赤色画素ＰＸｒの形成領域Ｒpxを中心とした断面構造を示す。また、図３は、本実施形態に係る表示パネルに適用されるバンクの底部構成例を示す概略図である。
【００３４】
本発明の第１の実施形態に係る表示装置（有機ＥＬ素子を備えた表示パネル）は、図１、図２に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１上に、有機ＥＬ素子を発光駆動するための発光駆動回路（発光駆動手段；具体例については、後述する）を構成する１乃至複数のトランジスタ（図２中では、便宜的に２個のトランジスタＴ１、Ｔ２を示す）、及び、アノードラインＬａを含む各種配線層ＬＮが設けられ、当該トランジスタＴ１、Ｔ２及び配線層ＬＮを被覆するように、保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４が順次積層形成された構成を有している。ここで、本実施形態に係る平坦化膜１４としては、半導体製造技術における露光工程等でフォトレジストとして多用されている絶縁性の感光性樹脂材料（例えば、アクリル系感光性樹脂等）を良好に適用することができる。
【００３５】
各トランジスタＴ１，Ｔ２は、例えば、絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極Ｅｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｅｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するためのブロック層ＢＬと、該半導体層ＳＭＣの両端部にそれぞれ形成された不純物層ＯＨＭと、不純物層ＯＨＭにそれぞれ形成されたソース電極Ｅｓ及びドレイン電極Ｅｄと、を有している。なお、トランジスタＴ１、Ｔ２及びトランジスタＴ１、Ｔ２に直接または間接的に接続されたアノードラインＬａ、カソードラインＬｃ、データライン、走査ラインを含む配線層ＬＮが適宜配置され、当該トランジスタＴ１，Ｔ２及び配線層ＬＮの一部を被覆するように、窒化シリコン等からなる保護絶縁膜１３が形成され、保護絶縁膜１３上に平坦化膜１４が形成されている。また、トランジスタＴ１，Ｔ２及び配線層ＬＮ上に積層形成された保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４には、適宜コンタクトホールＨＬが形成され、上記トランジスタと平坦化膜１４上の導電層（例えば、後述する画素電極１５）とが電気的に接続されるように、金属材料（コンタクトメタルＭＴＬ）が埋め込まれている。
【００３６】
そして、上記平坦化膜１４上の、各色画素の形成領域（図２に示す赤色画素ＰＸｒの形成領域Ｒpx参照）には、少なくとも光反射特性を有し、例えばアノード電極となる画素電極１５、正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂからなる有機ＥＬ層（電荷輸送層、発光層）１６、及び、光透過性を有し、例えばカソード電極となる対向電極１７を順次積層した有機ＥＬ素子が設けられている。
【００３７】
また、相互に隣接する各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域間（厳密には、有機ＥＬ素子の形成領域相互の境界領域）には、平坦化膜１４（絶縁性基板１１）から突出するようにバンク（隔壁）１８（図１におけるカソードラインＬｃの列方向部分）が設けられている。さらに、上記有機ＥＬ素子及びバンク１８を含む絶縁性基板１１上には、透明な封止樹脂層１９を介して、絶縁性基板１１に対向するようにガラス基板等からなる封止基板（対向基板）２０が接合されている。
【００３８】
特に、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）においては、図１に示すように、上記バンク１８を表示パネル（絶縁性基板１１）上に格子状に配設することにより、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・・が画定されるとともに、当該バンク１８として金属材料等の導電性材料を適用することにより、表示パネルの全域に共通配線（カソードラインＬｃ）を配設することができる。
【００３９】
すなわち、バンク１８は、例えば、図２に示すように、下層に設けられる絶縁性材料からなるバンクベース部１８ａ（隔壁下層部）と、上層に設けられる金属材料等の導電性材料からなるメタルバンク部１８ｂ（隔壁上層部；カソードラインＬｃ）とを積層した構成を有し、具体的には、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ間の境界領域に露出する平坦化膜１４上から、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・・ごとに予め形成された画素電極１５上に一部が延在するようにシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等からなるバンクベース部１８ａが設けられ、当該バンクベース部１８ａ上に、上記各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・・を画定するメタルバンク部１８ｂが突出するように積層形成されている。
【００４０】
さらに、メタルバンク部１８ｂの底部（下部）は、上記バンクベース部１８ａに所定の配列パターンを有して形成された複数の貫通孔ＴＨＬを介して下層の平坦化膜１４に直接密着するように構成されている。ここで、バンクベース部１８ａに形成される各貫通孔ＴＨＬの穴形状（Ｂ−Ｂ矢視形状；図示の都合上、便宜的にハッチングを施して示す）は、例えば、図３（ａ）に示すような六角形を有し、メタルバンク部１８ｂとの接合領域の略全域にわたり、当該貫通孔ＴＨＬが蜂の巣状に配列された、いわゆるハニカム構造を有している。
【００４１】
そして、このようなバンク１８上に、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの有機ＥＬ素子を構成する対向電極１７が延在するように形成されるとともに、当該対向電極１７がバンク１８を構成するメタルバンク部１８ｂと電気的に接続するように接合されることにより、バンク１８（メタルバンク部１８ｂ）を共通のカソードラインＬｃとして適用して、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの対向電極１７を所定の共通電圧（接地電位等）に接続することができる。ここで、本実施形態に係るメタルバンク部１８ｂを構成する導電性材料としては、低抵抗の金属材料（例えば、銅（Ｃｕ）等）を良好に適用することができる。
【００４２】
なお、バンクベース部１８ａのメタルバンク部１８ｂとの接合領域に形成される貫通孔ＴＨＬの形状は、図３（ａ）に示した六角形に限定されるものではなく、図３（ｂ）に示すように正方形等の四角形を有するものであってもよいし、他の多角形や円形を有するものであってもよい。また、当該貫通孔ＴＨＬの配列パターンについても、図３（ａ）、（ｂ）に示したハニカム構造を構成するための蜂の巣状の配列パターンに限定されるものではなく、例えば、図３（ｃ）に示すようなマトリクス状であってもよいし、他の配列パターンを有するものであってもよい。
【００４３】
このような構成を有する表示装置（表示パネル）の製造方法は、まず、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側に、発光駆動回路を構成するトランジスタＴ１、Ｔ２や配線層ＬＮ等を形成し、さらに保護絶縁膜１３及びアクリル系感光性樹脂等からなる平坦化膜１４を積層して平坦化した後、当該平坦化膜１４上の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・・ごとに、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射特性を有する層を含む画素電極１５を形成する。
【００４４】
次いで、画素電極１５を含む絶縁性基板１１上に、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）を成膜した後、フォトエッチング技術を用いて、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・・間の境界領域から、当該境界領域に隣接する各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・・ごとに形成された画素電極１５上に一部が延在するように、上記シリコン窒化膜（ＳｉＮ）をパターニングしてバンクベース部１８ａを形成するとともに、メタルバンク部１８ｂが積層される領域（メタルバンク部１８ｂとの接合領域）のほぼ全域に六角形等の所定の穴形状を有する複数の貫通孔ＴＨＬを、蜂の巣状に配列する。これにより、貫通孔ＴＨＬを介してバンクベース部１８ａの下層の平坦化膜１４が露出する。
【００４５】
次いで、当該バンクベース部１８ａ上に、銅（Ｃｕ）や銅を主成分とする合金等からなる金属層を成膜した後、フォトエッチング技術を用いて、図１に示したカソードラインＬｃの配線パターンに対応するようにパターニングしてメタルバンク部１８ｂを形成する。ここで、メタルバンク部１８ｂを構成する金属層の形成時に、上記バンクベース部１８ａに形成された貫通孔ＴＨＬを介して、バンクベース部１８ａの下層の平坦化膜１４と当該金属層（メタルバンク部１８ｂ）が直接密着する。なお、メタルバンク部１８ｂは、酸化を防止するためにその表面に金メッキ等の酸化防止膜を形成してもよい。
【００４６】
次いで、上記バンク１８（バンクベース部１８ａ及びメタルバンク部１８ｂ）により画定された各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に、インクジェット法を適用して正孔輸送材料の水溶液を液滴状にして塗布した後、当該水溶液を加熱乾燥させて正孔輸送層１６ａを形成し、続いて、電子輸送性発光材料の水溶液を液滴状にして塗布した後、当該水溶液を加熱乾燥させて電子輸送性発光層１６ｂを形成することにより、有機ＥＬ層１６が得られる。なお、正孔輸送層１６ａの形成に先立って、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に形成された画素電極１５表面を、正孔輸送材料の水溶液になじみやすくするために親液化処理を施すものであってもよいし、さらに、バンク１８表面を、正孔輸送材料の水溶液及び電子輸送性発光材料の水溶液をはじくように撥液化処理を施すものであってもよい。
【００４７】
その後、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・を含む絶縁性基板１１上にＩＴＯ等の光透過性を有する導電層（透明電極層）を形成し、少なくとも、上記有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を介して画素電極１５に対向する対向電極１７を形成する。このとき、対向電極１７は、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・のみならず、当該領域を画定するバンク１８上にまで延在するように形成するとともに、バンク１８を構成するメタルバンク部１８ｂと電気的に接続されるように接合される。これにより、バンク１８（メタルバンク部１８ｂ）が各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・における共通のカソードラインＬｃとして適用される。
【００４８】
次いで、絶縁性基板１１の一面側全域に、透明な封止樹脂層１９を形成した後、当該絶縁性基板１１に対向するように封止基板２０を接合することにより、複数の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの組み合わせ）が２次元配列された表示パネルが完成する。
【００４９】
そして、このような構成を有する表示パネルにおいては、例えば、トランジスタＴ１、Ｔ２や配線層ＬＮ等からなる発光駆動回路において、図示を省略したデータラインを介して供給された階調信号（表示データ）に基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流が生成され、図示を省略したコンタクトホールを介して有機ＥＬ素子の画素電極１５に供給されることにより、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子が表示データに応じた所定の輝度階調で発光動作する。
【００５０】
このとき、有機ＥＬ素子がトップエミッション型である場合、つまり、画素電極１５が光反射性電極（図２に示すように、アルミニウム等の反射金属層１５ａと、有機ＥＬ層１６に接触する、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのうちの少なくとも一つを含む化合物または混合物等の透明電極材料（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）や、亜鉛ドープ酸化インジウム等）等の酸化金属層１５ｂの積層構造でもよい。）であり、カソード電極１７が例えばＩＴＯや亜鉛ドープ酸化インジウム等の透明導電膜である場合、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１６において発光した光は、光透過性を有する対向電極１７を介して直接、あるいは、光反射特性を有する画素電極１５で反射して、封止樹脂層１９を介して封止基板２０方向（視野側；図２の図面上方）に出射される。すなわち、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）は、図１５（ｂ）に示した構成と同様に、トップエミッション型の発光構造を有している。
【００５１】
また、有機ＥＬ素子がボトムエミッション型である場合、つまり、画素電極１５が酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのうちの少なくとも一つを含む化合物または混合物等の透明電極材料（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）や、亜鉛ドープ酸化インジウム等）膜であり、カソード電極１７が例えば、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｌｉ、等の比較的仕事関数の低い電子注入膜と、電子注入膜が酸化されるのを防止するとともにシート抵抗を下げるためのＡｌ等の保護導電膜との積層構造でもよい。各表示画素の有機ＥＬ層１６において発光した光は、基板１１を介して出射される。ボトムエミッション型の場合、平坦化膜１４は必ずしも必要がない。また、画素電極１５が形成される領域には保護絶縁膜１３が形成されていなくてもよい。
【００５２】
画素電極１５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射特性を有する反射金属層１５ａを薄膜形成してパターニングした後、当該反射金属層１５ａを被覆するようにＩＴＯや亜鉛ドープ酸化インジウム等の酸化金属層１５ｂを薄膜形成してパターニングする。上層の酸化金属層１５ｂのパターニングの際に反射金属層１５ａとの間で電池反応を引き起こさないように、反射金属層１５ａをパターニング後に酸化金属層１５ｂとなる膜を被膜して反射金属層１５ａが露出しないようにこの膜をパターニングすることが好ましい。
【００５３】
上述したような構成を有する表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子及びバンク１８の下層に形成される平坦化膜１４に適用されるアクリル系感光性樹脂の一般的な線膨張係数は、概ね７０〜８０ppm／℃であり、一方、当該平坦化膜１４に直接密着するバンクベース部１８ａに適用されるシリコン窒化膜（ＳｉＮ）の線膨張係数は、概ね２〜５ppm／℃であり、また、メタルバンク部１８ｂに適用される銅（Ｃｕ）の線膨張係数は、概ね１６．５ppm／℃であるので、平坦化膜１４を構成するアクリル系感光性樹脂とバンク１８を構成するシリコン窒化膜及び銅とは、その線膨張係数が大きく異なることになる。
【００５４】
しかしながら、本実施形態に係るバンク構造によれば、バンクベース部１８ａに多角形の貫通孔ＴＨＬを蜂の巣状に配列したハニカム構造が適用されていることにより、周知のように機械的な強度が極めて高くなるとともに、内部応力が分散される特徴を有しているので、平坦化膜１４上にバンク１８を形成して各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・を画定した後に、例えば有機ＥＬ層１６の形成工程（有機材料からなる液状材料を塗布した後に施す加熱乾燥処理）における熱処理や、表示パネル完成後の熱サイクル処理、装置駆動時の発熱により、加熱冷却が繰り返し印加された場合であっても、膨張、収縮に伴う内部応力が分散、吸収されて、平坦化膜１４やバンク１８（バンクベース部１８ａやメタルバンク部１８ｂ）にクラックや層間剥離が生じる現象を抑制することができる。
【００５５】
また、バンクベース部１８ａに設けられた貫通孔ＴＨＬを介してメタルバンク部１８ｂの金属材料が下層の平坦化膜１４にまで達して、貫通孔ＴＨＬ及び平坦化膜１４に密着する構造を有しているので、メタルバンク部１８ｂとバンクベース部１８ａ間にアンカー効果が働き、積層構造を有するバンク１８の密着性が向上して層間剥離が抑制される。これにより、表示パネルのデバイス品質の低下を抑制することができる。
【００５６】
なお、上述したように、バンクベース部１８ａに設けられる貫通孔ＴＨＬの穴形状は六角形である場合に限らず、他の多角形や円形等であっても、さらに、当該貫通孔の配列パターンが蜂の巣状である場合に限らず、マトリクス状や他の配列パターンであっても、同様のクラックや層間剥離の発生を抑制する効果が得られる。
【００５７】
なお、上述した実施形態においては、メタルバンク部１８ｂとして、銅（Ｃｕ）やその合金を適用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、アルミニウム（Ａｌ；線膨張係数＝２３．１ppm／℃）や銀（Ａｇ；線膨張係数＝１８．９ppm／℃）、金（Ａｕ；線膨張係数＝１４．２ppm／℃）、ニッケル（Ｎｉ；線膨張係数＝１３．４ppm／℃）、チタン（Ｔｉ；線膨張係数＝８．６ppm／℃）、クロム（Ｃｒ；線膨張係数＝４．９ppm／℃）、タングステン（Ｗ；線膨張係数＝４．５ppm／℃）等の金属、又は、これらを主成分とする合金等の、低抵抗の金属材料を適用し、これらの金属層の単層あるいは複数層の積層からなる構成を良好に適用することができる。
【００５８】
また、バンクベース部１８ａとして、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）を適用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２；線膨張係数＝０．４〜０．５ppm／℃）やポリイミド系樹脂（線膨張係数＝３５〜４０ppm／℃）、アクリル系樹脂（線膨張係数＝７０〜８０ppm／℃）、エポキシ系樹脂（線膨張係数＝３０〜５０ppm／℃）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）系樹脂（線膨張係数＝５５ppm／℃）、シリカ系樹脂（線膨張係数＝５〜３０ppm／℃）等の絶縁性材料や樹脂材料を良好に適用することができる。
【００５９】
さらに、平坦化膜１４として、アクリル系感光性樹脂を適用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、ポリイミド系樹脂（線膨張係数＝３５〜４０ppm／℃）やエポキシ系樹脂（線膨張係数＝３０〜５０ppm／℃）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）系樹脂（線膨張係数＝５５ppm／℃）、シリカ系樹脂（線膨張係数＝５〜３０ppm／℃）等の樹脂材料を適用した場合であっても、基板表面にむらなく均一に塗布することができ、発光駆動回路を構成するトランジスタや配線層等に起因する基板表面の凹凸を良好に平坦化することができる。
【００６０】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置の第２の実施形態について説明する。
図４は、本発明に係る表示装置（表示パネル）の第２の実施形態の一例を示す要部概略断面図であり、図５は、本発明に係る表示装置（表示パネル）の第２の実施形態の他の例を示す要部概略断面図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の構成については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
【００６１】
上述した第１の実施形態においては、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・を画定するバンク１８として、金属材料からなるメタルバンク部１８ｂを備え、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・に形成される有機ＥＬ素子の対向電極１７と電気的に接続することにより、共通のカソードラインＬｃとして適用する場合について説明したが、第２の実施形態においては、従来技術に示した表示パネルと同様に、バンク（隔壁）が樹脂材料や絶縁性材料により形成された構成を有している。
【００６２】
本実施形態に係る表示パネルの一例は、第１の実施形態に示した表示パネルの構成（図２参照）において、バンク１８を構成するバンクベース部１８ａとメタルバンク部１８ｂからなる積層構造に代えて、図４に示すように、バンクベース部１８ａと樹脂バンク部１８ｃからなる積層構造を備えた構成を有している。
【００６３】
具体的には、バンクベース部１８ａは、上述した第１の実施形態と同様に、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）等の絶縁性材料やポリイミド系樹脂等の樹脂材料により構成され、一方、樹脂バンク部１８ｃは、ポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）系樹脂、シリカ系樹脂等の樹脂材料により構成されている。
【００６４】
また、本実施形態に係る樹脂バンク部１８ｃの底部は、上述した第１の実施と同様に、バンクベース部１８ａに形成された複数の貫通孔ＴＨＬを介して下層の平坦化膜１４に直接密着するように構成されている。ここで、バンクベース部１８ａに形成される各貫通孔ＴＨＬの穴形状やその配列パターンは、第１の実施形態（図３（ａ）〜（ｃ）参照）と同等の構成を有している。
【００６５】
これによれば、有機ＥＬ素子及びバンク１８の下層に形成される平坦化膜１４に適用される樹脂材料（例えば、アクリル系樹脂）と、バンク１８を構成する樹脂バンク部１８ｃに適用される樹脂材料との線膨張係数が同一又は近似することになるので、上述した各種の熱処理等により加熱冷却が繰り返し印加された場合であっても、膨張、収縮の差を大幅に抑制することができるとともに、バンクベース部１８ａに適用されたハニカム構造により、内部応力が分散、吸収されて平坦化膜１４やバンク１８（バンクベース部１８ａや樹脂バンク部１８ｃ）にクラックや層間剥離が生じる現象を抑制することができる。
【００６６】
また、この場合においても、バンクベース部１８ａに設けられた貫通孔ＴＨＬを介して樹脂バンク部１８ｃの樹脂材料が下層の平坦化膜１４にまで達して、貫通孔ＴＨＬ及び平坦化膜１４に密着するので、樹脂バンク部１８ｃとバンクベース部１８ａ間にアンカー効果が働き、積層構造を有するバンク１８の密着性が向上して層間剥離を抑制することができる。
【００６７】
本実施形態に係る表示パネルの他の例は、図４に示したバンクベース部１８ａと樹脂バンク部１８ｃからなる積層構造を有するバンク１８に代えて、図５に示すように、樹脂バンク部１８ｄ単層からなり（すなわち、バンクベース部１８ａが樹脂バンク部１８ｃの下層には設けられず）、当該バンク１８周辺にシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等からなる絶縁層１８ｅが設けられた構成を有している。ここで、樹脂バンク部１８ｄの底部は、略全域で直接平坦化膜１４に密着するように形成されている。なお、バンク１８周辺に設けられる絶縁層１８ｅは、発光駆動回路（トランジスタＴ１、Ｔ２及び配線層ＬＮ）と画素電極１５とを電気的に接続するコンタクトホール（図示を省略；詳しくは後述する）と、有機ＥＬ層１６とを分離する役割を有している。
【００６８】
これによれば、平坦化膜１４に適用される樹脂材料（例えば、エポキシ系樹脂）と、バンク１８を構成する樹脂バンク部１８ｄに適用される樹脂材料（例えば、ポリイミド系樹脂）との線膨張係数が同一又は極めて近似することになり、また、平坦化膜１４及び樹脂バンク１８ｄに比較して線膨張係数が顕著に低いシリコン窒化膜等からなる絶縁層（図２、図４に示した構成ではバンクベース層１８ａ）が介在していないので、上述した各種の熱処理等により加熱冷却が繰り返し印加された場合であっても、膨張、収縮の差を大幅に抑制することができ、平坦化膜１４やバンク１８（樹脂バンク部１８ｄ）にクラックや層間剥離が生じる現象を抑制することができる。
【００６９】
上記各実施形態では、画素電極１５をアノードとし、対向電極１７をカソードとしたが、画素電極１５をカソードとし、対向電極１７をアノードとしてもよい。
また、上記実施形態では、バンクメタル部１８ｂをアノードラインＬａの一部として利用したが、代わりにカソードラインＬｃの一部に適用してもよい。
【００７０】
なお、本構成例においては、表示パネルを構成する表示画素に設けられる発光駆動回路として、ｎチャネル型のトランジスタ（すなわち、単一のチャネル極性を有するトランジスタ）Ｔ１、Ｔ２を適用した回路構成を示した。このような回路構成によれば、ｎチャネル型のトランジスタのみを適用することができるので、既に製造技術が確立されたアモルファスシリコン半導体製造技術を用いて、動作特性が安定したトランジスタを簡易に製造することができる。ここで、発光駆動回路のトランジスタは、はアモルファスシリコンＴＦＴ以外にポリシリコンＴＦＴでもよい。つまり、ｎチャネルトランジスタのみでもｐチャネルトランジスタのみでも、ｎチャネルトランジスタ及びｐチャネルトランジスタをともに備えていてもよい。また、２つに限らず３つ以上のトランジスタで構成してもよい。また、発光駆動回路は、有機ＥＬ素子の輝度階調を制御する電圧階調制御を行ってもよく、発光駆動回路に所望の電流値の電流を流して有機ＥＬ素子の輝度階調を制御する電流階調制御であってもよい。
【００７１】
（表示画素の構成例）
次に、本発明に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素について具体的に説明する。
図６は、本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素に適用可能な発光駆動回路の一例を示す等価回路図である。ここでは、上述した第１の実施形態に示した表示パネルの構成（図１）を参照しながら説明する。
【００７２】
図６に示すように、本発明に適用可能な表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、図１に示した表示パネルにおいて、当該表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）が形成される領域に対応して、絶縁性基板１１上に設けられた１乃至複数のトランジスタを含んで構成される発光駆動回路（発光駆動手段）ＤＣと、当該発光駆動回路ＤＣ上に、上述した保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４を介して設けられた有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えて構成されている。
【００７３】
発光駆動回路ＤＣは、例えば、ゲート端子が表示パネルの行方向に配設された選択ラインＳＬに、ドレイン端子が表示パネルの行方向に配設され、所定の供給電圧Ｖscが印加される電源ラインＶＬ（図１に示したアノードラインＬａに相当する）に、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタＴｒ１１と、ゲート端子が選択ラインＳＬに、ソース端子が表示パネルの列方向に配設されたデータラインＤＬに、ドレイン端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタＴｒ１２と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が電源ラインＶＬに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタＴｒ１３と、接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に接続されたコンデンサＣｓと、を備えた構成を有している。
【００７４】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード端子が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子が表示パネルに２次元配列された各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）間に格子状に配設された共通電圧ラインＧＬ（図１に示したカソードラインＬｃに相当する）を介して共通電圧Ｖcom（例えば、接地電位Ｖgnd）に接続されている。また、図６において、ＣｓはトランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に形成される寄生容量（保持容量）、又は、該ゲート−ソース間に付加的に形成される補助容量である。
【００７５】
なお、図６に示した発光駆動回路ＤＣにおいて、選択ラインＳＬは、図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで表示画素ＰＩＸを選択状態に設定するための選択信号Ｓselが印加される。また、電源ラインＶＬ（アノードライン）は、図示を省略した電源ドライバに接続され、上記選択信号Ｓselと同期したタイミングで表示画素ＰＩＸに所定の電圧レベルを有する供給電圧Ｖscが印加される。データラインＤＬは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じた階調電流Ｉdataが供給される。
【００７６】
次いで、上述したような回路構成を有する発光駆動回路を備えた表示画素の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。
図７は、本発明に係る表示装置に適用可能な表示画素の一具体例を示す平面レイアウト図であり、図８は、本発明に係る表示装置に適用可能な表示画素の平面レイアウトの要部詳細図である。ここでは、図１に示した表示画素ＰＩＸを構成する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの、特定の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図７においては、表示画素ＰＩＸの平面構成を簡明にするために、図２に示したような封止基板、封止樹脂層、有機ＥＬ素子、平坦化膜を省略し、発光駆動回路を構成する各トランジスタ及び配線層等を中心に示し、図８においては、図７に示した平面レイアウトのうち、共通電圧ラインＧＬ（カソードラインＬｃ）の下層に形成される各トランジスタ及び配線層等を具体的に示す。なお、図８において、丸数字は、各導電層の上下の順を表し、数字が小さいほど下層（絶縁性基板側）に形成され、大きいほど上層（有機ＥＬ素子側）に形成されていることを示す。また、図９は、図７に示した平面レイアウトを有する表示画素からなる表示パネルであって、第１の実施形態に係るバンク構造及び図６に示した発光駆動回路を適用した場合の要部概略断面図である。ここでは、図７に示した表示画素（色画素）におけるＸ−Ｘ断面を示し、図示の都合上、封止基板、封止樹脂層を省略して示す。
【００７７】
表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、具体的には、図７に示すように、絶縁性基板（図示を省略）の一面側に設定された画素形成領域（各色画素の形成領域）において、縁辺部のＸ方向（図面左右方向）に選択ラインＳＬ及び電源ラインＶＬが配設されるとともに、これらに直行するように、Ｙ方向（図面上下方向）にデータラインＤＬ及び共通電圧ラインＧＬ（カソードラインＬｃ）が配設されている。
【００７８】
また、図７及び図８に示すように、図６に示したトランジスタＴｒ１１は、選択ラインＳＬに沿ってＸ方向に延在するように配置され、トランジスタＴｒ１２は、データラインＤＬに沿ってＹ方向に延在するように配置され、トランジスタＴｒ１３は、上述したバンク１８（メタルバンク部１８ｂ）と一体的に構成された共通電圧ラインＧＬ（カソードラインＬｃ）に沿ってＹ方向に延在するように配置されている。
【００７９】
ここで、例えば、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１３は、図７及び図８に示すように、共通電圧ラインＧＬ（バンク１８を構成するメタルバンク部１８ｂ）の下層に配置されて、平面的に重なるように構成されている。具体的には、図９に示すように、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・が、共通電圧ラインＧＬ（カソードラインＬｃ）を構成するバンク１８（メタルバンク部１８ｂ）により画定され、平坦化膜１４の上層の当該領域（バンク１８で囲まれた領域）に、画素電極１５、有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）、対向電極１７を順次積層して有機ＥＬ素子が形成されている。また、平坦化膜１４の下層には、図６に示した発光駆動回路ＤＣを構成するトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３、コンデンサＣｓ、及び、選択ラインＳＬ、データラインＤＬ、電源ラインＶＬ（アノードラインＬａ）等からなる配線層が形成されている。
【００８０】
ここで、トランジスタＴｒ１１は、図８に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇがコンタクトホールＨＬａを介して選択ラインＳＬに接続され、同ソース電極Ｔｒ１１ｓがコンタクトホールＨＬｂを介してコンデンサＣｓの一端側（接点Ｎ１１側）の電極Ｅcaに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１１ｄが電源ラインＶＬ（アノードラインＬａ）に接続された構成を有している。
【００８１】
トランジスタＴｒ１２は、図７及び図８に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがコンタクトホールＨＬａを介して選択ラインＳＬに接続され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓがコンタクトホールＨＬｃを介してデータラインＤＬに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄがコンデンサＣｓの他端側（接点Ｎ１２側）の電極Ｅcbと一体的に形成された構成を有している。
【００８２】
トランジスタＴｒ１３は、図８に示すように、ゲート電極Ｔｒ１３ｇがコンタクトホールＨＬｂを介してコンデンサＣｓの一端側（接点Ｎ１１側）の電極Ｅcaに接続され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓがコンデンサＣｓの他端側（接点Ｎ１２側）の電極Ｅcbと一体的に形成され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄが電源ラインＶＬと一体的に形成された構成を有している。
【００８３】
また、本構成例においては、各トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇ、Ｔｒ１３ｇとコンデンサＣｓの一端側の電極Ｅcaは、絶縁性基板１１上の同一の層に形成され、共通のゲート絶縁膜１２がコンデンサＣｓの誘電層となるように構成されている。また、図８及び図９に示すように、トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓ及びコンデンサＣｓの他端側の電極Ｅcbは、コンタクトホールＨＬｄに埋め込まれたコンタクトメタルＭＴＬを介して、有機ＥＬ素子の画素電極１５に接続されている。
【００８４】
なお、本構成例においては、発光駆動回路ＤＣを構成するトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１３のみを、表示画素ＰＩＸの画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・）の縁辺部（バンク１８の下層）に形成したデバイス構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、全て又はほとんどのトランジスタ及び配線層をバンク１８の下層に配置されるように設計レイアウトを行うものであってもよく、この場合には、当該画素形成領域の略全域（バンクに囲まれた領域）に形成された有機ＥＬ素子において発光した光を、発光駆動回路ＤＣを構成するトランジスタ等に遮断（遮光）されることなく絶縁性基板側に放射させることができ、十分な開口率を有するボトムエミッション型の発光構造の表示パネルを実現することができる。
【００８５】
そして、上述した回路構成を有する発光駆動回路ＤＣを備えた表示画素ＰＸ（表示パネル）の駆動制御動作は、まず、書込動作期間において、図示を省略した選択ドライバから選択ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択信号Ｓselを印加するとともに、該選択信号に同期して図示を省略した電源ドライバから反転極性を有するローレベルの供給電圧Ｖscを電源ラインＶＬ（アノードラインＬａ）に対して印加する。また、このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバから表示データに応じた階調電流Ｉdataを生成してデータラインＤＬに供給する。
【００８６】
なお、図６に示した発光駆動回路ＤＣを備えた表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）においては、上記階調電流Ｉdataとして、負極性の電流を供給し、表示画素ＰＩＸ（発光駆動回路ＤＣ）側からデータラインＤＬ方向に当該電流を引き抜くように流すものとする。
【００８７】
これにより、発光駆動回路ＤＣを構成するトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオン動作して、ローレベルの供給電圧Ｖscが接点Ｎ１１に印加されるとともに、階調電流Ｉdataの引き込み動作によりトランジスタＴｒ１２を介してローレベルの供給電圧Ｖscよりも低電位の電圧レベルが接点Ｎ１２に印加される。
【００８８】
このように、接点Ｎ１１及びＮ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に電位差が生じることにより、トランジスタＴｒ１３がオン動作して、電源ラインＶＬからトランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２、トランジスタＴｒ１２を介して、データラインＤＬ方向に階調電流Ｉdataに対応した書込電流が流れる。
【００８９】
このとき、コンデンサＣｓには、接点Ｎ１１及びＮ１２間に生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される（充電される）。また、このとき、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）に印加される電位は、カソード端子（共通電圧ラインＧＬ、カソードラインＬｃ）に印加される共通電位Ｖcom（接地電位Ｖgnd）よりも低くなり、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになるため、有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流が流れず、発光動作は行われない。
【００９０】
次いで、発光動作期間においては、選択ドライバから選択ラインＳＬに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択信号Ｓselを印加するとともに、電源ドライバから電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの供給電圧Ｖscを印加する。また、このタイミングに同期して、データドライバによる階調電流Ｉdataの引き抜き動作を停止する。
【００９１】
これにより、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ動作して、接点Ｎ１１への供給電圧Ｖscの印加が遮断されるとともに、接点Ｎ１２への階調電流Ｉdataの引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断されるので、コンデンサＣｓは、上述した書込動作において蓄積された電荷を保持する。
【００９２】
このように、コンデンサＣｓが書込動作時に蓄積された電荷（充電電圧）を保持することにより、接点Ｎ１１及びＮ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）の電位差が保持されることになり、トランジスタＴｒ１３はオン状態を維持する。また、電源ラインＶＬには、共通電圧Ｖcom（接地電位Ｖgnd）よりも高い電圧レベルを有する供給電圧Ｖscが印加されるので、電源ラインＶＬからトランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に発光駆動電流が流れ、発光動作が行われる。
【００９３】
ここで、コンデンサＣｓに保持される充電電圧は、上記書込動作時においてトランジスタＴｒ１３に階調電流Ｉdataに対応する書込電流を流す際の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流は、上記書込電流と同等の電流値を有することになり、発光動作期間においては、書込動作期間に書き込まれた階調電流Ｉdataに対応する電圧成分に基づいて、有機ＥＬ素子ＯＥＬは所望の輝度階調で発光する動作を継続する。
【００９４】
そして、このような一連の駆動制御動作を、表示パネルに２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）について、例えば、各行ごとに順次繰り返し実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。
【００９５】
図１０は、図７に示した平面レイアウトを有する表示画素からなる表示パネルであって、第２の実施形態の一例に係るバンク構造及び図６に示した発光駆動回路を適用した場合の要部概略断面図であり、図１１は、図７に示した平面レイアウトを有する表示画素からなる表示パネルであって、第２の実施形態の他の例に係るバンク構造及び図６に示した発光駆動回路を適用した場合の要部概略断面図である。図１０、図１１では、図９と同様に図７に示した表示画素（色画素）におけるＸ−Ｘ断面を示し、図示の都合上、封止基板、封止樹脂層を省略して示す。
【００９６】
図９においては、上述した第１の実施形態に係るバンク構造を適用し、金属材料からなるメタルバンク部を備えたバンクを表示パネルに格子状に配設することにより、各表示画素（色画素）の形成領域を画定するとともに、共通電圧ラインＧＬ（カソードラインＬｃ）として適用する場合について説明したが、図１０及び図１１に示すように、上述した第２の実施形態に係るバンク構造（バンクベース部１８ａ及び樹脂バンク部１８ｃからなる積層構造、樹脂バンク部１８ｄの単層構造）を適用し、絶縁性材料及び樹脂材料からなるバンクにより、各表示画素の形成領域を画定する役割のみを付与するものであってもよい。この場合、図９及び図１０に示したバンクベース部１８ａにおいては、メタルバンク部１８ｂや樹脂バンク部１８ｃの底部を複数の貫通孔ＴＨＬにより密着固定する役割、及び、コンタクトホールＨＬｄと有機ＥＬ層１６とを分離する役割の双方を有し、図１１に示した絶縁層１８ｅは、コンタクトホールＨＬｄと有機ＥＬ層１６とを分離する役割のみを有している。
【００９７】
なお、本構成例においては、表示パネルを構成する表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる発光駆動回路ＤＣとして、ｎチャネル型のトランジスタ（すなわち、単一のチャネル極性を有するトランジスタ）Ｔｒ１１〜Ｔｒ１３を適用した回路構成を示した。このような回路構成によれば、ｎチャネル型のトランジスタのみを適用することができるので、既に製造技術が確立されたアモルファスシリコン半導体製造技術を用いて、動作特性が安定したトランジスタを簡易に製造することができ、上記表示画素の発光特性のバラツキを抑制した発光駆動回路を実現することができる。
【００９８】
また、本構成例においては、表示パネルを構成する表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）として、トランジスタを３個備え、表示データに応じた階調電流Ｉdataを供給することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬの輝度階調を設定する電流指定型の発光駆動回路を示したが、本発明に係る表示装置はこれに限るものではなく、少なくとも各表示画素において、表示データに基づいて発光駆動電流の電流値が設定され、該電流値に応じた輝度階調で有機ＥＬ素子を駆動制御するものであれば、電流指定（電流階調制御）型の他の回路構成を有するものであってもよいし、電圧指定（電圧階調制御）型の発光駆動回路を適用するものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す要部概略平面図である。
【図２】本発明に係る表示装置（表示パネル）の第１の実施形態を示す要部概略断面図である。
【図３】本実施形態に係る表示パネルに適用されるバンクの底部構成例を示す概略図である。
【図４】本発明に係る表示装置（表示パネル）の第２の実施形態の一例を示す要部概略断面図である。
【図５】本発明に係る表示装置（表示パネル）の第２の実施形態の他の例を示す要部概略断面図である。
【図６】本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素に適用可能な発光駆動回路の一例を示す等価回路図である。
【図７】本発明に係る表示装置に適用可能な表示画素の一具体例を示す平面レイアウト図である。
【図８】本発明に係る表示装置に適用可能な表示画素の平面レイアウトの要部詳細図である。
【図９】図７に示した平面レイアウトを有する表示画素からなる表示パネルに、第１の実施形態に係るバンク構造及び図６に示した発光駆動回路を適用した場合の要部概略断面図である。
【図１０】図７に示した平面レイアウトを有する表示画素からなる表示パネルに、第２の実施形態の一例に係るバンク構造及び図６に示した発光駆動回路を適用した場合の要部概略断面図である。
【図１１】図７に示した平面レイアウトを有する表示画素からなる表示パネルに、第２の実施形態の他の例に係るバンク構造及び図６に示した発光駆動回路を適用した場合の要部概略断面図である。
【図１２】有機ＥＬ素子の基本構造を示す概略断面図である。
【図１３】従来技術における表示パネル（有機ＥＬ素子）の製造プロセスの一例を示す工程断面図（その１）である。
【図１４】従来技術における表示パネル（有機ＥＬ素子）の製造プロセスの一例を示す工程断面図（その２）である。
【図１５】有機ＥＬ素子における発光構造を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１１      絶縁性基板
１４      平坦化膜
１５      画素電極
１６      有機ＥＬ層
１６ａ    正孔輸送層
１６ｂ    電子輸送性発光層
１７      対向電極
１８      バンク
１８ａ    バンクベース部
１８ｂ    メタルバンク部
１８ｃ、１８ｄ    樹脂バンク部
１８ｅ    絶縁層
Ｔ１、Ｔ２、Ｔｒ１１〜Ｔｒ１３    トランジスタ
Ｌａ      アノードライン
Ｌｃ      カソードライン
ＴＨＬ    貫通孔
ＰＩＸ    表示画素
ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ    色画素
Ｒpx、Ｇpx      色画素の形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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