(57)【要約】【課題】加熱することなく修正液の堆積層を欠陥部に積層することが可能なパターン修正方法およびパターン修正装置を提供する。【解決手段】このパターン修正装置１では、基板１４上に形成された電極１３の欠陥部１３ａに紫外線照射部６から紫外線αを照射しながら、塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに紫外線硬化型の霧状の修正液２０を噴射し、欠陥部１３ａに修正材料の微粒子を堆積させて堆積層３３を形成する。したがって、加熱された欠陥部１３ａなどからの輻射熱によって塗布ノズル３０の先端で修正液２０が硬化し、塗布ノズル３０が詰まることがない。【選択図】図２
2007227021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
紫外線硬化型の修正液を前記欠陥部に塗布するとともに前記欠陥部に塗布された前記修正液に紫外線を照射し、前記修正液の堆積層を前記欠陥部に形成するステップを繰返し行ない、複数の前記堆積層を前記欠陥部に積層することを特徴とする、パターン修正方法。
【請求項２】
前記欠陥部に前記紫外線を照射しながら霧状にされた前記修正液を前記欠陥部に噴射することにより、前記修正液の堆積層を前記欠陥部に形成することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正方法。
【請求項３】
前記欠陥部を含む範囲をフィルムで覆い、該フィルムの前記欠陥部に対応する部分に開けられた孔を含む範囲に前記紫外線を照射しながら、霧状にされた前記修正液を前記欠陥部に噴射することにより、前記修正液の堆積層を前記欠陥部に形成し、
複数の前記堆積層を積層した後に前記フィルムを除去することを特徴とする、請求項２に記載のパターン修正方法。
【請求項４】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
前記欠陥部に紫外線を照射する紫外線照射手段と、
紫外線硬化型の修正液を霧状にして前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させて前記欠陥部を修正する堆積手段とを備え、
前記堆積手段は、前記修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた前記修正液を収束して塗布ノズルから噴出するヘッド部とを含むことを特徴とする、パターン修正装置。
【請求項５】
さらに、前記紫外線照射手段と前記塗布ノズルの間に設けられ、前記紫外線を遮る遮光手段を備えることを特徴とする、請求項４に記載のパターン修正装置。
【請求項６】
さらに、前記欠陥部を含む範囲をフィルムで覆うフィルム駆動手段と、
前記フィルムの前記欠陥部に対応する部分にレーザ光を照射して孔を開けるレーザ装置とを備えることを特徴とする、請求項４または請求項５に記載のパターン修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正方法およびパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）欠損などを修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上の電極やリブなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
また、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性ペーストを断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平８−２９２４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、リブを修正する方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。また、リブ幅からはみ出した修正用ペーストを除去するカット用レーザ部とスクラッチ機構、これにより生じる異物を吸引する機構、正常部より盛り上がった修正部をスキージ機構により再整形する機構などが必要となり装置構成が複雑になる。
【０００６】
また、電極を修正する方法では、電極の断線部とペーストタンクとの間を何度も往復させて塗布針に導電性ペーストを補充しながら塗布するので、断線部が長いほど修正にかかる時間が長くなる。また、円形の塗布部を１列に配置した形状にペーストが塗布されるので、電極の幅からはみ出た部分は塗布後にレーザカット処理する必要があった。さらに、塗布針による塗布方式では、２０μｍ以下の微細線を描くことは難しい。
【０００７】
そこで、本願発明者は、欠陥部を含む範囲で基板を加熱しながら、霧状の修正液を塗布ノズルから欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて修正するパターン修正方法を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。この方法では、修正液を補充しながら噴射することができるので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。また、修正液の霧を収束して欠陥部に噴射するので、塗布ノズル径よりも細く描画でき、２０μｍ以下の堆積層を容易に描画することができる。したがって、欠陥部からはみ出した堆積層を除去する機構を不要にすることができ、装置構成の簡単化を図ることができる。
【０００８】
しかし、このパターン修正方法では、基板を加熱しながら塗布ノズルから霧状の修正液を噴射するので、基板からの輻射熱によって塗布ノズルの先端で修正液が乾燥し、塗布ノズルが詰まる場合がある。
【０００９】
また、修正する基板が熱に弱い場合には加熱することができないため、その適応が限定される場合があった。
【００１０】
それゆえに、この発明の主たる目的は、加熱することなく修正液の堆積層を欠陥部に積層することが可能なパターン修正方法およびパターン修正装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、紫外線硬化型の修正液を欠陥部に塗布するとともに欠陥部に塗布された修正液に紫外線を照射し、修正液の堆積層を欠陥部に形成するステップを繰返し行ない、複数の堆積層を欠陥部に積層することを特徴とする。
【００１２】
好ましくは、欠陥部に紫外線を照射しながら霧状にされた修正液を欠陥部に噴射することにより、修正液の堆積層を欠陥部に形成する。
【００１３】
また好ましくは、欠陥部を含む範囲をフィルムで覆い、該フィルムの欠陥部に対応する部分に開けられた孔を含む範囲に紫外線を照射しながら、霧状にされた修正液を欠陥部に噴射することにより、修正液の堆積層を欠陥部に形成し、複数の堆積層を積層した後にフィルムを除去する。
【００１４】
また、この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、欠陥部に紫外線を照射する紫外線照射手段と、紫外線硬化型の修正液を霧状にして欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて欠陥部を修正する堆積手段とを備え、堆積手段は、修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液を収束して塗布ノズルから噴出するヘッド部とを含むことを特徴とする。
【００１５】
好ましくは、さらに、紫外線照射手段と塗布ノズルの間に設けられ、紫外線を遮る遮光手段を備える。
【００１６】
また好ましくは、さらに、欠陥部を含む範囲をフィルムで覆うフィルム駆動手段と、フィルムの欠陥部に対応する部分にレーザ光を照射して孔を開けるレーザとを備える。
【発明の効果】
【００１７】
この発明に係るパターン修正方法およびパターン修正装置では、紫外線硬化型の修正液を欠陥部に塗布するとともに欠陥部に塗布された修正液に紫外線を照射し、修正液の堆積層を欠陥部に形成するので、欠陥部を加熱することなく修正液の堆積層を欠陥部に積層することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
[実施の形態１]
図１は、この発明の実施の形態１によるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた紫外線硬化型の修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部に紫外線をスポット的に照射して霧状の修正液を硬化させる紫外線照射部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。なお、基板の上方から欠陥部を含む範囲で基板を部分的に加熱する基板加熱部６Ａをさらに備える場合もある。
【００１９】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。欠陥部１３ａがある微細パターン、たとえば電極１３が形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。
【００２０】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した紫外線硬化型の修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００２１】
噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。電極１３の欠陥部１３ａを修正する場合には、修正液２０として、金属微粒子（ナノ粒子など）を用いた、銀ペースト、金ペースト、銅ペースト、パラジウムペースト、あるいは透明電極材料を希釈したものが使用される。または、修正液２０として、金属錯体溶液や金属コロイドを用いてもよい。また、プラズマディスプレイの欠陥部（リブ欠け欠陥）を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料である低融点ガラス粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。また、修正液２０には紫外線硬化剤が添加され、紫外線を照射することで修正液２０を硬化させることができる。
【００２２】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、アトマイズガスは噴霧ノズル２１の上部の小径（０．３ｍｍ程度）の貫通孔２１ａおよび噴出口２１ｂを介して容器１９内に噴出される。このとき、噴出口２１ｂにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｃから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ｂから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ｂの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００２３】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波振動子による霧化装置を用いても構わない。
【００２４】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底に撹拌装置（マグネチックスターラ）を設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２５】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２６】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、図３に示すように加熱部１７を省略することも可能である。
【００２７】
図２に戻って、ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。
【００２８】
シャッタ３１は、欠陥修正を行なう前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。なお、シャッタ３１に、塗布ノズル３０から噴出された霧粒子を吸引する機能を持たせてもよい。遮光板３２は、紫外線照射部６と塗布ノズル３０の間に設けられ、塗布ノズル３０の先端に紫外線αが当たらないようにするものであり、遮光できれば形状は問わない。
【００２９】
次に、このパターン修正装置の使用方法について説明する。図４（ａ）は基板１４の表面に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを示す図であり、図４（ｂ）はオープン欠陥部１３ａを修正する途中経過を示す図であり、図４（ｃ）は欠陥部１３ａの修正が完了した状態を示す図である。
【００３０】
まず、ＸＹステージ１０およびＺステージ１２を駆動して欠陥部１３ａの一方側の電極１３の所定位置の上方に塗布ノズル３０の先端を位置決めする。次に、
シャッタ３１を閉じた状態で塗布ノズル３０の先端から霧状の修正液２０を噴射させ、紫外線照射部６によって塗布ノズル３０の直下に微小スポットの紫外線αを照射しながら、ＸＹステージ１０を駆動させて塗布ノズル３０と基板１４を相対的に移動させ、塗布ノズル３０の先端を欠陥部１３ａの方向に移動させる。
【００３１】
塗布ノズル３０の先端が欠陥部１３ａの一方側の所定位置に到達したらシャッタ３１を開ける。これにより、塗布ノズル３０の先端から噴射された修正液２０は電極１３および欠陥部１３ａ上に堆積し、紫外線αを受けて硬化する。修正液２０が硬化すると、修正液２０中の金属粒子同士が密着して導電率が上昇し、導電性の堆積層３３ができる。塗布ノズル３０の先端が欠陥部１３ａの他方側の所定位置に到達したらシャッタ３１を閉じ、霧状の修正液２０の噴射および紫外線αの照射を停止する。
【００３２】
このようにして、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔を一定の距離（５ｍｍ前後）に保ちながら、非接触で電極１３の欠陥部１３ａを修正することができる。しかも、紫外線αは遮光板３２で遮られ、塗布ノズル３０の先端には照射されないので、塗布ノズル３０の先端で修正液２０が硬化して塗布ノズル３０が詰まることはない。また、加熱しないので、基板１４が熱に弱い場合でも修正が可能である。
【００３３】
なお、修正液２０の堆積層３２の線幅を一定に保つためには、噴霧部１５に供給するアトマイズガスの流量、減圧部１６の排気流量、ヘッド部１８のシースガスの流量などを最適値に管理する必要がある。
【００３４】
また、堆積層３２の膜厚が不足する場合は、欠陥部１３ａの上方で塗布ノズル３０の先端を往復動させて複数の堆積層３２を積層すれば良い。また、堆積層３２の線幅が電極１３の線幅よりも太くなったり、電極１３および欠陥部１３ａ以外の部分に微粒子が付着した場合は、レーザ部４を用いて不要部をレーザカットしてもよい。また、基板１４が耐熱性を有する場合は、堆積層３２を基板加熱部６Ａによりさらに本焼成しても良いし、基板１４全体を別工程の炉で再焼成しても構わない。
【００３５】
図５（ａ）〜（ｃ）は、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されているリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａを修正する方法を示す図である。
【００３６】
図５（ａ）において、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されたリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａの位置を検出する。次に、そのリブ欠け欠陥部３５ａの上方の所定位置に塗布ノズル３０の先端を配置し、図５（ｂ）に示すように、紫外線照射部６を用いて欠陥部３５ａに紫外線αをスポット的に照射しながら、シャッタ３１を開けて塗布ノズル３０から欠陥部３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、かつ、ＸＹステージ１０によって基板３４と塗布ノズル３０を相対移動させてリブ欠け欠陥部３５ａに微粒子の堆積層３６＿１を形成する。
【００３７】
引き続き、ＸＹステージ１０を往復移動させて複数の堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層し、最終的には図５（ｃ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａがリブ３５のトップ面、あるいはそれ以上になるまで積層する。
【００３８】
積層終了後、リブ欠け欠陥部３５ａに積層した堆積層３６を基板加熱部６Ａにより部分焼成、あるいは、背面ガラス基板３４全体を炉に入れて焼成する。その後、図６（ａ）（ｂ）に示すように、正常なリブトップ面３５ｂに等しい高さになるまでテープ研磨ユニット４０で堆積層３６のうちの余分なはみ出し部を研磨する。
【００３９】
テープ研磨ユニット４０は、図１で示されるパターン修正装置１に搭載してあってもよい。テープ研磨ユニット４０は副Ｚステージ４６に搭載され、副Ｚステージ４６は、たとえばＺステージ１２の下端部に搭載され、図示しないレーザ変位計はテープ研磨ユニット４０に隣接して、たとえばＺステージ１２に搭載される。副Ｚステージ４６は、テープ研磨ユニット４０をＺ方向（垂直方向）に移動させる。レーザ変位計は、対象物（たとえばリブトップ面３５ｂ）にレーザ光を出射するレーザ装置と、対象物で反射したレーザ光を検出する光センサと、光センサの検出結果に基づいて、対象物までの距離を示す信号を出力する信号発生部とを含んでいる。
【００４０】
テープ研磨ユニット４０は、研磨テープ４１を供給する供給リール４２と、使用済みの研磨テープ４１を巻き取る巻き取りリール４３と、研磨テープ４１を研磨対象物に押圧する研磨ヘッドピン４４と、研磨ヘッドピン４４を保持する研磨ヘッド４５とを含み、副Ｚステージ４６に搭載される。研磨ヘッド４５は、研磨ヘッドピン４４を上下に進退可能なように支持し、弾性部材（図示せず）を介して研磨ヘッドピン４４に予圧を与える。研磨ヘッドピン４４の上下方向の位置は、図示しないセンサによって検出される。
【００４１】
図６（ａ）に示すように、副Ｚステージ４６によってテープ研磨ユニット４０を少しずつ下降させながら、ＸＹステージ１０によって背面ガラス基板３４をリブ３５の延在方向に往復移動させ、研磨テープ４１を一定速度で巻き取りながら堆積層３６を研磨し、図６（ｂ）に示すように、リブトップ面３５ｂまで研磨した時点で研磨加工を終了する。なお、リブ３５の延在方向と直交する方向に背面ガラス基板３４を相対移動して堆積層３６を研磨しても構わない。また、リブトップ面３５ｂまで研磨加工ができたか否かの判断は、研磨途中でレーザ変位計を用いて測定して判断してもよいし、研磨加工を始める前に予め、リブトップ面３５ｂと堆積層３６のトップ面との差をレーザ変位計で求めた後に研磨を行ない、研磨ヘッドピン４４の位置を図示しないセンサで検出し、その検出結果に基づいて研磨終了を判断することも可能である。
【００４２】
以上のように、この実施の形態１では、紫外線照射部６から欠陥部１３ａ，３５ａに紫外線αを照射しながら、塗布ノズル３０から欠陥部１３ａ，３５ａに紫外線硬化型の霧状の修正液２０を噴射し、欠陥部１３ａ，３５ａに修正材料の微粒子を堆積させて堆積層３３，３６を形成する。したがって、塗布ノズル３０から霧状の修正液２０を噴射している間は欠陥部１３ａ，３５ａなどを加熱しないので、欠陥部１３ａ，３５ａなどからの輻射熱によって塗布ノズル３０の先端で修正液２０が硬化し、塗布ノズル３０が詰まることがない。また、基板１４，３４が熱に弱い場合でも、堆積層３３，３６を形成することができる。
【００４３】
なお、このパターン修正装置１では、ＸＹステージ１０により基板１４，３４を移動させて堆積層３３，３６を描画したが、基板１４，３４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層３３，３６を描画してもよい。
【００４４】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種のステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００４５】
[実施の形態２]
実施の形態１では、微粒子堆積装置５を用いて、欠陥部１３ａ，３５ａに霧状の修正液２０を収束噴射して堆積層３３，３６を形成したが、他の塗布方法であっても堆積層３３，３６の形成が可能である。
【００４６】
図７（ａ）〜（ｄ）は、この発明の実施の形態２によるパターン修正方法を示す図である。この実施の形態２では、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されているリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａを塗布針４７を用いて修正する。
【００４７】
すなわち図７（ａ）において、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されたリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａの位置を検出する。次に図７（ｂ）に示すように、塗布針４７の先端部に付着させた紫外線硬化型の修正液２０をリブ欠け欠陥部３５ａに薄く塗布する。次いで図７（ｃ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａに塗布した修正液２０に紫外線照射部６から紫外線αを照射し、修正液２０を硬化させて堆積層３６＿１を形成する。これを繰り返し行なって複数の堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層し、最終的には図７（ｄ）に示すように、欠陥部３５ａを完全に充填するような堆積層３６を形成する。
【００４８】
このように欠陥部３５ａが大きくて深い場合には、修正液２０を欠陥部３５ａに付着させただけでは修正液２０が垂れてしまい積層が困難であるが、紫外線硬化工程を入れているので、堆積層３６＿１の上にさらに堆積層を形成することが可能となる。この場合、塗布針４７が退避した後で紫外線照射を行なえば、塗布針４７の先端に修正液２０が付着して硬化することはない。
【００４９】
[実施の形態３]
図８（ａ）〜（ｃ）は、この発明の実施の形態３によるパターン修正方法を示す図である。この実施の形態３では、フィルム５０をマスクとして使用し、基板１４の表面に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する。フィルム５０としては、たとえば、１０μｍ前後のポリイミドフィルムを用いる。
【００５０】
まず図８（ａ）に示すように、欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の表面にフィルム５０を密着させ、レーザ部４から欠陥部１３ａに向けてレーザ光（たとえば、ＹＡＧレーザの第３高調波）を照射し、フィルム５０の欠陥部１３ａに対応する部分に孔５０ａを開ける。このとき、欠陥部１３ａと同じ形状および寸法の孔５０ａを開けてもよいし、フィルム５０の孔５０ａと同じ形状に欠陥部１３ａを整形してもよいし、フィルム５０のみに孔５０ａが開くようにレーザパワーを調整し、欠陥部１３ａよりも長い孔５０ａを開けてもよい。また、レーザ光の照射によって欠陥部１３ａの周辺部や基板１４にダメージが発生する場合には、予め孔５０ａを開けたフィルム５０を欠陥部１３ａに位置合わせしてもよい。
【００５１】
次に図８（ｂ）に示すように、図４（ａ）〜（ｃ）と同様に、紫外線照射部６から欠陥部１３ａに紫外線αを照射しながら塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに修正液２０の霧粒子を収束して噴射し、かつＸＹステージ１０を駆動させて塗布ノズル３０を欠陥部１３ａの一方端側から他方端側に移動させる。これにより、欠陥部１３ａおよびその両側のフィルム５０の表面に堆積層３３が形成される。
【００５２】
次いで図８（ｃ）に示すように、フィルム５０を基板１４から剥離する。このとき、修正液２０は硬化して堆積層３３になっているので、基板１４の正常な部分に修正液２０が再付着することはない。また、欠陥部１３ａ以外はフィルム５０でマスクされるため、修正液２０の霧粒子が収束噴射される径よりも細い堆積層３３を描画することができる。なお、欠陥部１３ａの上方で塗布ノズル３０を往復動させて、欠陥部１３ａに複数の堆積層１３を積層してもよい。
【００５３】
図９は、図８（ａ）〜（ｃ）で示したパターン修正方法を実施するためのパターン修正装置の構成を示す図である。図９において、このパターン修正装置では、ＸＹステージは、Ｘステージ５１とＹステージ５２とが分離して独立して移動するガントリー構造であり、基板１４はチャック部１１に固定される。また、Ｙステージ５２と平行に移動可能な副Ｙステージ５３がＹステージ５２に固定され、副Ｙステージ５３上には上下方向に進退可能な副Ｚステージ５４が搭載される。副Ｚステージ５４には、フィルム５０が巻回されたフィルム供給リール５５と、フィルム５０を巻き取る巻き取りリール５６とが基板１４を挟んで左右に配置される。フィルム５０は、欠陥部１３ａ近傍を覆う程度の幅があれば良く、たとえば１０ｍｍ前後のものを使用する。
【００５４】
副Ｙステージ５３や副Ｚステージ５４は、欠陥部１３ａにフィルム５０を接触および付着させることが可能なように、欠陥部１３ａの位置に追従させるものであって、粗い分解能で十分であり、精度は要求されない。たとえば、エアシリンダの使用も考えられる。また、基板１４の出し入れ時にフィルム５０が干渉しないように、フィルム５０を退避させる役目を持つ。また、副Ｙステージ５３は、観察光学系２の直下にフィルム５０を移動させたり、観察光学系２からフィルム５０を遠ざける役目を持ち、その移動距離は短いもので十分である。
【００５５】
欠陥部１３ａにフィルム５０を接触および付着させる場合、まず図示しないモータによってリール５５，５６を駆動させ、フィルム５０が基板１４に触れない程度にフィルム５０をＵ字形状に垂らす。その状態で、副Ｚステージ５４を下降させると、フィルム５０が薄くて基板１４にならう性質があるので、フィルム５０は欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の表面に接触して付着する。図９では、フィルム５０は横方向一面で基板１４上に接触して付着している状態が示されている。フィルム５０が基板１４に接触して付着すれば、図８（ａ）〜（ｃ）に示したように欠陥部１３ａの修正を行なうことができる。フィルム５０を欠陥部１３ａから剥がす場合は、副Ｚステージ５４を上昇させればよい。
【００５６】
なお、図１０に示すように、Ｙステージ５２と平行に移動可能な副Ｙステージ５４をベース上に配置してもよい。この場合、副Ｙステージ５４の移動範囲はＹステージ５２と同程度になる。また、フィルム５０の配置方法は、ここに示した方法に限定されるものではなく、フィルム供給リール５５や巻き取りリール５６をＺステージ１２に固定してもよい。
【００５７】
なお、この実施の形態３では、修正液２０を欠陥部１３ａに充填する手段として微粒子堆積装置５を用いたが、充填手段はこれに限定されるものでなく、たとえば、図１１（ａ）に示すように塗布針４７を用いて修正液２０を孔５０ａの上から欠陥部１３ａに塗布してもよいし、図１１（ｂ）に示すように、マイクロディスペンサ５７を用いて修正液２０を孔５０ａの上から欠陥部１３ａに塗布してもよい。また、インクジェットのようにノズルから修正液２０の液滴を飛ばす方法であってもよい。これらの場合は、修正液２０を欠陥部１３ａに塗布した後に欠陥部１３ａを含む範囲に紫外線αを照射し、修正液２０を硬化させた後にフィルム５０を剥離する。
【００５８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】この発明の実施の形態１によるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図３】図２に示した微粒子堆積装置の他の構成を示す断面図である。
【図４】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。
【図５】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す他の図である。
【図６】図５に示した堆積層をテープ研磨する方法を示す図である。
【図７】この発明の実施の形態２によるパターン修正方法を示す図である。
【図８】この発明の実施の形態３によるパターン修正方法を示す図である。
【図９】図８に示したパターン修正方法を実施するためのパターン修正装置の構成を示す図である。
【図１０】図８に示したパターン修正方法を実施するための他のパターン修正装置の構成を示す図である。
【図１１】実施の形態３の変更例を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  パターン修正装置、２  観察光学系、３  モニタ、４  カット用レーザ部、５  微粒子堆積装置、６  紫外線照射部、６Ａ  基板加熱部、７  画像処理部、８  ホストコンピュータ、９  制御用コンピュータ、１０  ＸＹステージ、１１  チャック部、１２  Ｚステージ、１３  電極、１３ａ  オープン欠陥部、１４  基板、１５  噴霧部、１６  減圧部、１７  加熱部、１８  ヘッド部、１９  容器、２０  修正液、２１  噴霧ノズル、２１ａ  貫通孔、２１ｂ  噴出口、２１ｃ  吸入口、２２  ノズル部、２３  集気部、２４  排気管、２５  外管、２６  隙間、２７  パイプ、２８  ヒータ、２９  温度センサ、３０  塗布ノズル、３１  シャッタ、３２  遮光板、３３，３６，３６＿１〜３６＿ｎ  堆積層、３４  背面ガラス基板、３５  リブ、３５ａ  リブ欠け欠陥部、４０  テープ研磨ユニット、４１  研磨テープ、４２  供給リール、４３  巻き取りリール、４４  研磨ヘッドピン、４５  研磨ヘッド、４６  副Ｚステージ、５０  フィルム、５１  Ｘステージ、５２  Ｙステージ、５３  副Ｙステージ、５４  副Ｚステージ、５５  フィルム供給リール、５６  巻き取りリール、５７  マイクロディスペンサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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