(57)【要約】【課題】  ヒータによって出力された熱を光導波路に効率よく供給することができる光半導体装置を提供する。【解決手段】  波長選択手段（２）を備える光導波路層（３）がクラッド層（５）に覆われた光導波路領域（２１）と、光導波路領域上に設けられたヒータ（９）と、電極と、パターニングによって形成され電極とヒータとを接続する配線（１０ｂ，１１ｂ）と、配線の下部に設けられ半導体層の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する第１の低熱伝導領域（２０）とを備えることを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長選択手段を備える光導波路層が半導体層に覆われた光導波路領域と、
前記光導波路層上に設けられたヒータと、
電極と、
パターニングによって形成され、前記電極と前記ヒータとを接続する配線と、
前記配線下部に設けられ、前記半導体層の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する第１の低熱伝導領域と、を備えることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第１の低熱伝導領域は、空気または絶縁樹脂からなることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記第１の低熱伝導率領域の下部における前記光導波路領域に隣接した領域に設けられた溝部と、
前記溝部内に設けられ、前記半導体層の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する第２の低熱伝導率領域とをさらに備えることを特徴とする請求項１または２記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記第２の低熱伝導領域は、空気または絶縁樹脂からなることを特徴とする請求項３記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記溝部は、前記光導波路領域の下端よりも低い位置まで形成されていることを特徴とする請求項３または４記載の光半導体装置。
【請求項６】
前記光導波路層と光結合し、利得を有する利得部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項７】
前記電極および前記配線は、前記ヒータに対して複数設けられ、
前記複数の配線のそれぞれの下部には、前記第１の低熱伝導率領域が設けられていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項８】
前記電極および前記配線は、それぞれ３つ以上設けられていることを特徴とする請求項７記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路層を備える光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまでに提案されてきた波長可変半導体レーザは、レーザ発振に対する利得機能と波長選択機能とを備えている。波長を選択する方法としては、共振器内に設けた回折格子、エタロン等の屈折率、角度等を変化させることによって損失もしくは利得の共鳴波長を変化させる方法、ならびに、共振器内部の光路長（共振器内部の屈折率もしくは物理的な長さ）を変化させることによって共振器の共振波長を変化させる方法等があげられる。
【０００３】
ここで、屈折率を変化させる方法は、角度または長さを変化させる方法に比較して機械的な稼動部を必要としないことから、信頼性、製造コスト等の点で有利である。屈折率を変化させる方法には、例えば、光導波路の温度を変化させる方法、電流注入等によって光導波路内のキャリア密度を変化させる方法等がある。光導波路の温度を変化させる方法を採用した波長可変レーザの具体的な例として、例えば、波長選択機能を備えるサンプルドグレーティング分布反射領域（Ｓａｍｐｌｅｄ  Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＳＧ−ＤＲ）を備える半導体レーザ等が提案されている。
【０００４】
この半導体レーザにおいては、複数のＳＧ−ＤＲ領域（反射領域）の反射スペクトルを制御することによって、バーニア効果を用いた波長選択が行われてレーザ光が出力される。すなわち、この半導体レーザは、２つのＳＧ−ＤＲ領域の反射ピークが重なった波長でレーザ光を発振する。したがって、個々のＳＧ−ＤＲ領域の反射ピークを制御することによって、発振波長を制御することができる。
【０００５】
上記ＳＧ−ＤＲ領域の素子表面には、ヒータが設置されていることが多い。このヒータに発熱させることによって、ＳＧ−ＤＲ領域の光導波路の温度を変化させることができる。それにより、光導波路の屈折率が変化する。したがって、ヒータの発熱量を制御することによって、ＳＧ−ＤＲ領域の反射ピーク波長を制御することができる。このヒータを発熱させるには電力が必要である。そこで、ヒータに電力を供給することによって反射領域の屈折率を制御する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−９２９３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ヒータにおいて発生した熱は、ヒータとヒータ電極部とを接続する配線を介してチップ側へ拡散してしまう。したがって、光導波路に十分な熱を供給することができない。
【０００８】
本発明は、ヒータによって出力された熱を光導波路に効率よく供給することができる光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る光半導体装置は、波長選択手段を備える光導波路層が半導体層に覆われた光導波路領域と、光導波路層上に設けられたヒータと、電極と、パターニングによって形成され電極とヒータとを接続する配線と、配線下部に設けられ半導体層の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する第１の低熱伝導領域と、を備えることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明に係る光半導体装置においては、配線からの放熱を抑制することができる。この場合、配線が放熱先を失うことから、配線の熱抵抗が大きくなる。それにより、ヒータから配線への熱移動が抑制される。また、リソグラフィ技術によるパターニングを用いれば、ヒータの幅に合わせ、配線の径を十分に小さくすることができる。その結果、配線の熱抵抗が十分に大きくなる。以上のことから、ヒータによって出力された熱を光導波路層に効率よく供給することができる。
【００１１】
第１の低熱伝導領域は、空気または絶縁樹脂からなるものであってもよい。第１の低熱伝導領域が空気である場合には、配線はエアブリッジ構造になる。空気の熱伝導率は比較的小さいことから、配線からの放熱を効果的に抑制することができる。また、第１の低熱伝導領域が絶縁樹脂である場合には、配線からの放熱を抑制することができるとともに、絶縁樹脂によって配線が支持される。したがって、配線の機械的強度が向上する。
【００１２】
第１の低熱伝導率領域の下部における光導波路層に隣接した領域に設けられた溝部と、溝部内に設けられ半導体層の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する第２の低熱伝導率領域とをさらに備えていてもよい。この場合、光導波路領域に供給された熱の拡散を抑制することができる。それにより、効率よく熱を光導波路層に供給することができる。また、第２の低熱伝導領域によって挟まれた光導波路領域の幅が小さくなる。この場合、ヒータに通常のワイヤ等を接続することは困難である。通常のワイヤの直径は２０μｍ程度であるからである。しかしながら、パターニングによって形成された配線は、ヒータに容易に接続することができる。なお、第２の低熱伝導領域は、空気または絶縁樹脂からなるものであってもよい。
【００１３】
溝部は、光導波路領域の下端よりも低い位置まで形成されていてもよい。この場合、光導波路層の位置までの光導波路領域の熱抵抗が大きくなる。したがって、ヒータから出力された熱により光導波路層を効率よく加熱することができる。
【００１４】
光導波路層と光結合し利得を有する利得部をさらに備えていてもよい。また、電極および配線はヒータに対して複数設けられ、複数の配線のそれぞれの下部には第１の低熱伝導率領域が設けられていてもよい。さらに、電極および配線は、それぞれ３つ以上設けられていてもよい。この場合、ヒータに対して異なる電力を供給することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ヒータによって出力された熱を光導波路層に効率よく供給することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【実施例１】
【００１７】
第１実施例においては、本発明に係る光半導体装置の一例として発振波長が可変であるレーザチップについて説明する。図１は、本発明の第１実施例に係るレーザチップ１００の全体構成を示す斜視図であり、図２（ａ）はレーザチップ１００の平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。以下、図１、図２（ａ）および図２（ｂ）を参照しつつレーザチップ１００の説明を行う。
【００１８】
図１、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、レーザチップ１００は、ＳＧ−ＤＲ（Ｓａｍｐｌｅｄ  Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）領域α、ＳＧ−ＤＦＢ（Ｓａｍｐｌｅｄ  Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ  Ｌａｓｅｒ）領域βおよびＰＣ（Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）領域γを順に連結させた構造を有する。
【００１９】
ＳＧ−ＤＲ領域αは、基板１上に光導波路層３、クラッド層５および絶縁層６が順に積層され、絶縁層６上にヒータ９、電源電極１０およびグランド電極１１が積層された構造を有する。ＳＧ−ＤＦＢ領域βは、基板１上に光導波路層４、クラッド層５、コンタクト層７および電極８が順に積層された構造を有する。ＰＣ領域γは、基板１上に光導波路層１２、クラッド層５、コンタクト層１３および電極１４が順に積層された構造を有する。ＳＧ−ＤＲ領域α、ＳＧ−ＤＦＢ領域βおよびＰＣ領域γにおける基板１およびクラッド層５は、それぞれ一体的に形成された単一層である。光導波路層３，４，１２は、同一面上に形成され、光結合している。
【００２０】
ＳＧ−ＤＲ領域α側の基板１、光導波路層３およびクラッド層５の端面には、低反射膜１５が形成されている。一方、ＰＣ領域γ側の基板１、光導波路層１２およびクラッド層５の端面には、低反射膜１６が形成されている。抽出回折格子２は、光導波路層３，４に所定の間隔をあけて複数形成され、それによってサンプルドグレーティングが形成される。絶縁層６は、電極８と電極１４との境界にも形成されている。
【００２１】
基板１は、例えば、ＩｎＰからなる半導体基板である。光導波路層３は、例えば、吸収端がレーザ発振波長よりも短波長側にあるＩｎＧａＡｓＰ系結晶からなり、１．３μｍ程度のＰＬ波長を有する。光導波路層４は、例えば、目的とする波長でのレーザ発振に対して利得を有するＩｎＧａＡｓＰ系結晶からなる活性層を含み、１．５７μｍ程度のＰＬ波長を有する。光導波路層１２は、光を吸収または増幅することによって出射光出力を変化させるためのＩｎＧａＡｓＰ系結晶からなり、例えば１．５７μｍ程度のＰＬ波長を有する。
【００２２】
光導波路層３には、ＳＧ−ＤＲセグメントが複数形成されている。本実施例においては、光導波路層３にＳＧ−ＤＲセグメントが３つ形成されている。ここで、ＳＧ−ＤＲセグメントとは、光導波路層３において抽出回折格子２が設けられている領域と抽出回折格子２が設けられていないスペース部とがそれぞれ１つ連続する領域である。
【００２３】
クラッド層５は、ＩｎＰからなり、光導波路層３，４，１２を伝搬するレーザ光を閉じ込める機能を果たす。コンタクト層７，１３は、ＩｎＧａＡｓＰ系結晶からなる。絶縁層６は、ＳｉＮ等の絶縁体からなる保護膜である。低反射膜１５，１６は、例えばＭｇＦ２およびＴｉＯＮからなる誘電体膜からなり、少なくとも０．３％以下程度の反射率を有する。
【００２４】
ヒータ９は、ＮｉＣｒ等からなり、ＳＧ−ＤＲセグメント上方の絶縁層６上に形成されている。ヒータ９は、光導波路層３を省電力で効率よく加熱するため、光導波路層３上に設けられている。ヒータ９には、電源電極１０およびグランド電極１１が接続されている。電源電極１０、グランド電極１１および電極８，１４は、Ａｕ等の導電性材料からなる。なお、図１に示すように、ヒータ９の両側から光導波路層３の両側にかけて一組の溝２０が光導波路層３と略平行に形成されている。この一組の溝２０によって挟まれた領域を以下、メサ領域２１と称する。メサ領域２１の幅は、例えば、５μｍ〜１０μｍ程度である。
【００２５】
続いて、レーザチップ１００の動作について説明する。電極８に所定の電流が供給されると、光導波路４において光が発生する。発生した光は、光導波路３，４を伝播しつつ繰り返し反射および増幅されて、レーザ発振する。発振したレーザ光の一部は、光導波路１２において増幅または吸収された後、低反射膜１６を通して外部に出射される。光導波路１２における増幅率もしくは吸収率は、電極１４に供給する電流によって制御できる。また、電極１４に所定の電流が供給されると、出射光出力が一定に維持される。
【００２６】
また、ヒータ９に電流等の電気信号が供給されると、その大きさに応じて各ＳＧ−ＤＲセグメントの温度が調整される。それにより、各ＳＧ−ＤＲセグメントの屈折率が変化する。その結果、光導波路層３の反射ピーク波長が変化する。以上のことから、ヒータ９に供給する電流の大きさを制御することによって、レーザチップ１００の発振波長を制御することができる。
【００２７】
次に、電源電極１０およびグランド電極１１の詳細について説明する。図３は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面の一部拡大図である。図３に示すように、電源電極１０は電極本体部１０ａおよび配線１０ｂからなり、グランド電極１１は電極本体部１１ａおよび配線１１ｂからなる。電極本体部１０ａ，１１ａは、クラッド層５の上方にヒータ９を挟んで形成されている。
【００２８】
配線１０ｂは、絶縁層６に接触することなく電極本体部１０ａからヒータ９まで伸びている。また、配線１１ｂは、絶縁層６に接触することなく電極本体部１１ａからヒータ９まで伸びている。すなわち、配線１０ｂ，１１ｂは、エアブリッジ構造を有する。配線１０ｂ，１１ｂとクラッド層５との距離は、ヒータ９とヒータ９直下のクラッド層５との距離に比較して大きくなる。後述するように、配線１０ｂ，１１ｂは、リソグラフィ技術を用いたパターニングによって形成された配線である。配線１０ｂ，１１ｂの幅は、例えば、１０μｍ程度である。配線１０ｂ，１１ｂの厚さは、例えば、３μｍ程度である。また、配線１０ｂ，１１ｂの配線長は、例えば、３０μｍ程度である。
【００２９】
空気の熱伝導率はクラッド層５および絶縁層６の熱伝導率よりも小さいことから、配線１０ｂ，１１ｂが絶縁層６に接触している場合に比較して配線１０ｂ，１１ｂからの放熱を抑制することができる。この場合、配線１０ｂ，１１ｂが放熱先を失うことから、配線１０ｂ，１１ｂの熱抵抗は十分に大きくなる。それにより、ヒータ９から配線１０ｂ，１１ｂへの熱移動が抑制される。
【００３０】
また、溝２０には空気が存在することから、溝２０を構成するメサ領域２１の側面からの放熱を抑制することができる。この場合、光導波路層３を効率よく加熱することができる。
【００３１】
溝２０は、光導波路層３よりも低い位置まで形成されていることが好ましい。すなわち、光導波路層３は、メサ領域２１内に含まれていることが好ましい。メサ領域２１内においては熱抵抗が大きいことから、光導波路層３がメサ領域２１内に含まれることによって、光導波路層３を効率よく加熱することができるからである。
【００３２】
配線１０ｂ，１１ｂは、いわゆるボンディングワイヤで代用することはできない。なぜなら、ワイヤボンディングによる衝撃によりヒータおよびその下部の光導波路層が損傷を受けることを避けなければならないからである。また、ワイヤはその取り扱い性の観点から、２０μｍ程度よりも細くするのは困難である。しかしながら、配線パターンは、数μｍ程度でも十分に実現することができる。したがって、本発明のようなエアブリッジ（空気だけではなく樹脂が設けられている場合も含む）構造による熱抵抗の増大効果は顕著になる。配線１０ｂ，１１ｂは、下記の製造方法に従って製造することができる。
【００３３】
図４は、配線１０ｂ，１１ｂの製造方法を説明するための製造フロー図である。まず、図４（ａ）に示すように、基板１上に光導波路層３およびクラッド層５を形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、光導波路層３の両側に光導波路層３の長さ方向に伸びる溝２０をエッチング等によって形成する。それにより、メサ領域２１が形成される。
【００３４】
次いで、図４（ｃ）に示すように、露出された基板１およびクラッド層５全体を覆うように絶縁層６を形成する。次に、図４（ｄ）に示すように、光導波路層３の上方の絶縁層６上にヒータ９を形成する。また、溝２０を挟んでメサ領域２１の両側のそれぞれのクラッド層５の上方に、電極本体部１０ａおよび電極本体部１１ａを形成する。次いで、図４（ｅ）に示すように、電極本体部１０ａとヒータ９との間および電極本体部１１ａとヒータ９との間にフォトレジスト等を形成する。この場合、フォトレジストは、溝２０内にも充填される。
【００３５】
次に、図４（ｆ）に示すように、電極本体部１０ａから絶縁樹脂２２上を通ってヒータ９にかけて配線１０ｂを形成し、電極本体部１１ａから絶縁樹脂２２上を通ってヒータ９にかけて配線１１ｂを形成する。この場合、リソグラフィ技術を用いたパターニングによって配線１０ｂ，１１ｂを形成する。配線１０ｂ，１１ｂは、レジストマスクパターンを介して、蒸着法、メッキ法、スパッタリング法等によって形成することができる。また、配線１０ｂ，１１ｂは、Ａｕ等の金属層を蒸着法、メッキ法、スパッタリング法等によって形成した後にレジストマスクパターンを介したエッチング処理によって金属層の不要な領域を除去することによって形成することができる。
【００３６】
次いで、図４（ｇ）に示すように、溶剤等によってフォトレジストを除去する。以上の行程により、配線１０ｂ，１１ｂが完成する。このように、パターニングによって配線１０ｂ，１１ｂを形成することから、配線１０ｂ，１１ｂの径を小さくすることができる。それにより、電極本体部１０ａ，１１ａとヒータ９とを接続することができる。なお、本実施例においては、配線１０ｂ，１１ｂ全体が絶縁層６から離れる必要はなく、放熱が抑制される範囲であれば一部が接していてもかまわない。
【００３７】
本実施例においては、抽出回折格子２が波長選択手段に相当し、溝２０が第１の低熱伝導領域および第２の低熱伝導領域に相当し、ＳＧ−ＤＦＢ領域βが利得部に相当する。
【実施例２】
【００３８】
続いて、図５に示す本発明の第２実施例に係るレーザチップ１００ａについて説明する。レーザチップ１００ａが図１のレーザチップ１００と異なる点は、溝２０にポリイミド等の絶縁樹脂２２ａが充填されている点である。図５は、レーザチップ１００ａの一部拡大断面図である。図５に示すように、溝２０に絶縁樹脂２２が充填されているとともに、配線１０ｂ，１１ｂは絶縁樹脂２２ａ上に形成されている。
【００３９】
ポリイミド等の絶縁樹脂の熱伝導率はＩｎＰ等の半導体の熱伝導率よりも小さいことから、配線１０ｂ，１１ｂからの放熱を抑制することができる。また、絶縁樹脂２２ａによって配線１０ｂ，１１ｂが支持されていることから、配線１０ｂ，１１ｂの信頼性が向上する。レーザチップ１００ａは、図４（ｆ）における絶縁樹脂２２の除去工程を省略することによって製造することができる。
【実施例３】
【００４０】
続いて、図６に示す本発明の第３実施例に係るレーザチップ１００ｂについて説明する。レーザチップ１００ｂが図１のレーザチップ１００と異なる点は、ヒータ９の代わりに複数のヒータ１０９が設けられている点、電源電極１０の代わりに複数の電源電極１１０が設けられている点およびグランド電極１１の代わりに複数のグランド電極１１１が設けられている点である。
【００４１】
以下、ヒータ１０９、電源電極１１０およびグランド電極１１１について説明し、他の構成については説明を省略する。図６は、第３実施例に係るＳＧ−ＤＲ領域αの上面の拡大図である。図６に示すように、ヒータ１０９は、光導波路層３の上方に所定の間隔を空けて１列に配置されている。電源電極１１０は、電極本体部１１０ａから複数の配線１１０ｂがくし歯状に延びる構造を有する。グランド電極１１１は、電極本体部１１１ａから複数の配線１１１ｂがくし歯状に延びる構造を有する。グランド電極１１１の各配線１１１ｂは、ヒータ１０９の両端および中央部に接続されている。電源電極１１０の各配線１１０ｂは、ヒータ１０９における配線１１１ｂと配線１１１ｂとの間に接続されている。
【００４２】
配線１１０ｂ，１１１ｂは、実施例１に係る配線１０ｂ，１１ｂと同様にパターニングによって形成されている。また、配線１１０ｂは、絶縁層６に接触することなく電極本体部１１０ａからヒータ１０９まで伸びている。また、配線１１１ｂは、絶縁層６に接触することなく電極本体部１１１ａからヒータ１０９まで伸びている。したがって、配線１１０ｂ，１１１ｂからの放熱を抑制することができる。
【００４３】
また、ヒータ１０９の長さ方向に配線１１０ｂと配線１１１ｂとが交互に接続されていることから、グランド電極とグランド電極との間に電源電極が接続されていることになる。すなわち、ヒータ１０９が実質的に分割されている。本実施例においては、各ヒータ１０９が４分割されている。したがって、電源電極１１０からグランド電極１１１までの電気抵抗が小さくなっている。
【００４４】
この場合、ヒータ１０９は、小さい印加電圧によって十分に発熱することが可能である。それにより、ヒータ１０９の一端に電圧を印加して他端を接地する場合に比較して、ヒータ１０９への印加電圧を小さくすることができる。したがって、昇圧回路を新たに設ける必要がなくなる。また、ヒータ１０９への印加電圧不足を防止することができる。さらに、ヒータ１０９の発熱量を効率よく制御することができる。それにより、光導波路層３の温度を効率よく制御することができる。
【００４５】
また、本実施例においてはヒータ１０９が実質的に４分割されているが、ヒータ１０９に接続される配線の数が低減されている。ここで、一般的に、１つのヒータに対して１本のグランド電極および１本の電源電極が必要である。したがって、４つのヒータに対して合計８本の電極が必要である。しかしながら、本実施例においてはヒータ１０９に対して接続される配線は５本である。各配線を、隣り合うヒータに対して共通に用いているからである。したがって、配線からの放熱を抑制することができる。その結果、ヒータ１０９から光導波路層３に効率よく熱が供給される。以上のことから、レーザチップ１００ｂの発振波長の制御精度が向上する。
【００４６】
このように、本実施例によれば、ヒータ１０９への印加電圧を低減させつつ、光導波路層３の温度を効率よく制御することができる。
【実施例４】
【００４７】
上記実施例１〜実施例３はヒータが搭載されたＳＧ−ＤＲ領域の両側に溝が形成された構造に関する実施例であるが、本発明は溝のない構造に適用しても効果を発揮する。すなわち、溝が設けられていなくても、その領域上の配線をエアブリッジ構造（絶縁樹脂が空気の代わりに充填されている場合を含む）とすることによって、上記各実施例と同様に、高い熱抵抗による本発明の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１実施例に係るレーザチップの全体構成を示す斜視図である。
【図２】（ａ）はレーザチップの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面の一部拡大図である。
【図４】配線の製造方法を説明するための製造フロー図である。
【図５】本発明の第２実施例に係るレーザチップの一部拡大断面図である。
【図６】第３実施例に係るＳＧ−ＤＲ領域の上面の拡大図である。
【符号の説明】
【００４９】
３，４，１２  光導波路層
５  クラッド層
９，１０９  ヒータ
１０，１１０  電源電極
１０ａ，１１ａ，１１０ａ，１１１ａ  電極本体部
１０ｂ，１１ｂ，１１０ｂ，１１１ｂ  配線
１１，１１０  グランド電極
２０  溝
２１  メサ領域
２２  絶縁樹脂
１００，１００ａ，１００ｂ  レーザチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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