(57)【要約】【課題】薄層多層であっても、焼成に起因する内部電極のショート不良が少なく、性能の優れた積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】セラミック粉体と有機結合材成分とを含有するグリーンシートと、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層とを積層した積層セラミックグリーンチップを常温〜所定の温度まで焼成炉内でガスを流しながら昇温し、脱バインダー並びに焼成を行う際に、焼成炉内に投入する積層セラミックグリーンシートの量、または積層セラミックグリーンチップに含まれる有機結合材成分の総量や積層セラミックグリーンチップに含まれるカーボンの総量に応じて、供給するガスの量を決定して脱バインダーを行う。【選択図】図１
2007035820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともセラミック粉体と有機結合材成分とを含有するグリーンシートを準備する工程と、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層と前記グリーンシートとを交互に積層して積層セラミックグリーンチップを作製する積層工程と、前記積層セラミックグリーンチップを常温から所定の温度までガスが供給される焼成炉内で昇温し脱バインダー並びに焼成を行う焼成工程とを含み、前記焼成工程は、前記焼成炉内に投入する前記積層セラミックグリーンチップの量に応じて供給するガスの量を決定することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
少なくともセラミック粉体と有機結合材成分とを含有するグリーンシートを準備する工程と、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層と前記グリーンシートとを交互に積層して積層セラミックグリーンチップを作製する積層工程と、前記積層セラミックグリーンチップを常温から所定の温度までガスが供給される焼成炉内で昇温し脱バインダー並びに焼成を行う焼成工程とを含み、前記焼成工程は、前記焼成炉内に投入する前記積層セラミックグリーンチップに含まれる有機結合材成分の総量に応じて供給するガスの量を決定することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
少なくともセラミック粉体と、有機結合材成分とを含有するグリーンシートを準備する工程と、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層と前記グリーンシートとを交互に積層して積層セラミックグリーンチップを作製する積層工程と、前記積層セラミックグリーンチップを常温から所定の温度までガスが供給される焼成炉内で昇温し脱バインダー並びに焼成を行う焼成工程とを含み、前記焼成工程は、前記焼成炉内に投入する前記積層セラミックグリーンチップに含まれるカーボンの総量に応じて供給するガスの量を決定することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
少なくともセラミック粉体と有機結合材成分とを含有するグリーンシートを準備する工程と、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層と前記グリーンシートとを交互に積層して積層セラミックグリーンチップを作製する積層工程と、前記積層セラミックグリーンチップを常温から所定の温度までガスが供給される焼成炉内で昇温し脱バインダー並びに焼成を行う焼成工程とを含み、前記焼成工程における５００℃〜１１５０℃の温度範囲では、前記焼成炉内に投入する前記積層セラミックグリーンチップの重量を２６００グラムに対して炭酸ガスを１０リットル／ｍｉｎ以上の比率となるように供給し、かつ水素との混合比率を調整することにより前記焼成炉内の酸素分圧をＮｉの酸化還元平衡酸素分圧より低く保持することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
少なくともセラミック粉体と有機結合材成分とを含有するグリーンシートを準備する工程と、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層と前記グリーンシートとを交互に積層して積層セラミックグリーンチップを作製する積層工程と、前記積層セラミックグリーンチップを常温から所定の温度までガスが供給される焼成炉内で昇温し脱バインダー並びに焼成を行う焼成工程とを含み、前記焼成工程における５００℃〜１１５０℃の温度範囲では、前記焼成炉内に投入する前記積層セラミックグリーンチップに含まれる前記有機結合材成分の重量３４０グラムに対して炭酸ガスを１０リットル／ｍｉｎ以上の比率となるように供給し、かつ水素との混合比率を調整することにより前記焼成炉内の酸素分圧をＮｉの酸化還元平衡酸素分圧より低く保持することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
少なくともセラミック粉体と有機結合材成分とを含有するグリーンシートを準備する工程と、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層と前記グリーンシートとを交互に積層して積層セラミックグリーンチップを作製する積層工程と、前記積層セラミックグリーンチップを常温から所定の温度までガスが供給される焼成炉内で昇温し脱バインダー並びに焼成を行う焼成工程とを含み、前記焼成工程における５００℃〜１１５０℃の温度範囲では、前記焼成炉内に投入する前記積層セラミックグリーンチップに含まれるカーボンの重量を１００グラムに対して炭酸ガスを５リットル／ｍｉｎ以上の比率となるように供給し、かつ水素との混合比率を調整することにより前記焼成炉内の酸素分圧をＮｉの酸化還元平衡酸素分圧より低く保持することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
焼成工程における焼成炉内のガス雰囲気は窒素ガス、水素ガス、炭酸ガス、水蒸気の中から選ばれたガス雰囲気及びこれらのガスの中から選ばれた２つ以上の混合ガス雰囲気であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
有機結合材成分が重量平均分子量４０万以上のポリオレフィンである請求項１〜７のいずれか一つに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
ポリオレフィンがポリエチレン、ポリビニルアルコール及びそれらの共重合体からなる群より選ばれる少なくとも一種のポリオレフィンである請求項８に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の積層セラミック電子部品の製造方法について積層セラミックコンデンサを例に説明する。
【０００３】
図３は、積層セラミックコンデンサ３１の一部切欠斜視図であり、誘電体層３２と内部電極３３とが交互に積層されて積層体を構成し、内部電極３３はその端面が積層体の対向する両端面に交互に露出するよう積層されており、積層体の両端面に形成された一対の外部電極３４に交互に接続されている。
【０００４】
このような積層セラミックコンデンサの焼成においては、量産性や焼成に使用される焼成炉の性能などを考慮して決められた速度で所定の焼成温度まで昇温し、その温度で一定時間保って焼成して所望の機能をもたせている。
【０００５】
所定の焼成温度とは、積層セラミックコンデンサ３１に用いられるセラミック（誘電体材料）により異なるが、おおむね１０００℃〜１３５０℃程度の温度である。
【０００６】
またＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属を内部電極３３となる導電体層として持つ場合においては、焼成は雰囲気を制御した状態において行われているが、Ｎｉの酸化を防止するため低い酸素分圧下で脱バインダーを行うことが必要である。このため脱バインダーが不十分となり易く焼結体内部にバインダー成分が残留カーボンとして残り、これが製品特性を劣化させる可能性があり、高い信頼性を確保することが困難となる。
【０００７】
これを防止するため、例えば特許文献１には積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品の製造、特に焼成工程において、脱脂後の残留カーボンの量に対して所定量の水分を供給しつつ焼成する方法が提案されている。
【特許文献１】特開平８−１８６０５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、市場の要求により小型化、高性能化にますます拍車がかかる中で、より誘電体層の薄層化及び多層化が進展するにつれ、内部電極のショート不良や静電容量のばらつきにより所望の特性が得られないという課題が起こっている。
【０００９】
本発明人らは薄層多層の積層セラミックコンデンサにおけるショートや静電容量のばらつき原因を詳しく調査した結果、おもに以下の２つの原因によることを見出して、本願発明を成すに至ったものである。
【００１０】
即ちショート不良の原因は、（１）内部電極の金属粒子の反応性が高いなどの原因により焼結が進みすぎると（以下過焼結と称する）、金属粒子の表面エネルギーを小さくしようとする力が働くため、薄層の内部電極が平面方向に収縮するとともに厚みが増加し、数μｍに薄層化したセラミック層を通してこのセラミック層の上下に配置されている内部電極どうしが接触してショート不良を起こす、（２）カーボンが還元性雰囲気下の高温で転化して出来たグラッシーカーボンまたはグラファイトが内部電極付近に残り、このグラッシーカーボンまたはグラファイトの還元作用により内部電極が過焼結を起こすことによりセラミック層を通して隣り合った内部電極どうしが接触してショート不良を起こす、の２点が主な原因である。
【００１１】
ここでグラッシーカーボンとは、カーボンが還元性雰囲気下の高温で変性して出来たガラス状のカーボンをいう。
【００１２】
上記のようにショート不良の原因が内部電極の過焼結であるため、同時に内部電極の有効面積が少なくなり、静電容量のばらつきの原因ともなる。
【００１３】
従って本発明は、薄層多層であっても焼成に起因する内部電極のショート不良が少なく、性能の優れた積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この目的を達成するために本発明は、少なくともセラミック粉体および有機結合材成分を有するグリーンシートと、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層とを交互に積層した積層セラミックグリーンチップを常温から所定の温度まで焼成炉内でガスを流しながら昇温し、脱バインダー並びに焼成を行う際に、焼成炉内に投入する積層セラミックグリーンチップの量に応じて、供給するガスの量を決定することを特徴とするものであり、脱バインダーの際に最適なガス量を供給することにより、薄層多層であっても内部電極のショート不良が少なく、性能の優れた積層セラミック電子部品を提供することができる。
【００１５】
さらに、本発明は、少なくともセラミック粉体および有機結合材成分を有するグリーンシートと、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層とを交互に積層した積層セラミックグリーンチップを常温から所定の温度まで焼成炉内でガスを流しながら昇温し、脱バインダー並びに焼成を行う際に、焼成炉内に投入する積層セラミックグリーンチップに含まれる有機結合材成分の総量に応じて、供給するガスの量を決定することを特徴とするものであり、より精密に脱バインダーの際に供給するガス量を最適化することができ、内部電極のショート不良が少なく、性能の優れた積層セラミック電子部品を提供することができる。
【００１６】
また、本発明は、少なくともセラミック粉体および有機結合材成分を有するグリーンシートと、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層とを交互に積層した積層セラミックグリーンチップを常温から所定の温度まで焼成炉内でガスを流しながら昇温し、脱バインダー並びに焼成を行う際に、焼成炉内に投入する積層セラミックグリーンチップに含まれるカーボンの総量に応じて、供給するガスの量を決定することを特徴とするものであり、より精密に脱バインダーの際に供給するガス量を最適化することができ、内部電極のショート不良が少なく、性能の優れた積層セラミック電子部品を提供することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、セラミック粉体および有機結合材成分を有するグリーンシートと、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層とを積層した積層セラミックグリーンチップを常温から所定の温度まで焼成炉内でガスを流しながら昇温し、脱バインダー並びに焼成を行う際に、焼成炉内に投入する積層セラミックグリーンチップの量、または積層セラミックグリーンチップに含まれる有機結合材成分の総量や積層セラミックグリーンチップに含まれるカーボンの総量に応じて、供給するガスの量を決定して脱バインダーを行うので、ショート不良率が改善するとともに、静電容量のばらつきの少ない積層セラミック電子部品を得ることができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法について実施の形態および図面を用いて説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１について、図１〜図２を用いて、積層セラミックコンデンサを例に説明する。
【００２０】
図１は本実施の形態１に係る積層セラミックコンデンサの積層工程を説明するための分解斜視図であり、図２は、この積層セラミックグリーンチップを焼成して得られた積層セラミックコンデンサ２１の一部切欠斜視図である。焼成により図２の誘電体層２２となるグリーンシート１１上に、焼成により図２の内部電極２３となる導電体層１２，１３が所定のパターン状に複数個形成され、導電体層１２，１３が所定の間隔でずらされた状態で積層、加圧されて一体化され、積層体グリーンブロック（図示せず）となる。
【００２１】
この積層体グリーンブロックを所定の寸法に切断し、分割することにより、個片の積層セラミックグリーンチップ（図示せず）が得られる。
【００２２】
さらに、この積層セラミックグリーンチップを焼成することにより、図２に示すような積層セラミックコンデンサ２１が得られる。
【００２３】
図２において誘電体層２２と内部電極２３とが交互に積層されて積層体を構成し、内部電極２３はその端面が積層体の対向する両端面に交互に露出するよう積層されており、積層体の両端面に形成された一対の外部電極２４に交互に接続されている。
【００２４】
次に、本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法について詳細に説明する。
【００２５】
まず、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末と、有機結合材成分として重量平均分子量が４００，０００以上の超高分子ポリエチレン（融点：約１４０℃）と溶剤などからなるコンパウンドを押出成形した後、２軸延伸して誘電体層２２となるグリーンシート１１を作製する。このグリーンシート１１は一般に多孔率が高く５０％以上の多孔率を有するものである。
【００２６】
ポリエチレンの重量平均分子量を４００，０００以上としたのは、セラミック粉末とポリエチレンからなるグリーンシート１１において、有機結合材成分であるポリエチレンの重量平均分子量が４００，０００未満では、特にグリーンシート１１が数μｍと薄い場合などグリーンシートとしての強度が不十分となり、押出成形後の２軸延伸工程やその後の工程でグリーンシートが破れやすく、また積層工程におけるグリーンシートの搬送が困難になるなどの課題があるためである。
【００２７】
一方、ＮｉあるいはＮｉを主成分としてＣｕなどの添加物を含む金属粉末と、溶剤、樹脂、可塑剤等よりなるビヒクルとを混合して電極ペーストを作製し、この電極ペーストをスクリーン印刷法によりグリーンシート１１上に塗布して内部電極２３となる導電体層１２又は１３を形成した。
【００２８】
次いで、この導電体層１２を形成したグリーンシート１１と、導電体層１３を形成したグリーンシート１１とを交互に所定寸法ずらして８０枚積層した後、その上段と下段に電極ペーストを塗布していないグリーンシート１１を１枚または複数枚積層して上下の保護層を形成し、積層体グリーンブロック（図示せず）を作製した。
【００２９】
次いで、前記積層体グリーンブロックをこの積層体グリーンブロック中に含有するポリエチレンの融点よりも３０℃低い温度以上で融点以下の温度に加熱しながら、１５ＭＰａにて加圧して圧着した。
【００３０】
次いで、この積層体グリーンブロックを３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍの寸法に切断して、焼成により積層セラミックコンデンサ２１となる積層セラミックグリーンチップ（図示せず）を作製した。このとき積層セラミックグリーンチップの両端面は導電体層１２，１３の一方の端部が、グリーンシート１１を挟んで一層おき交互に相対向する異なる端面に露出した構造とした。
【００３１】
次いで、前記積層セラミックグリーンチップをバッチ式雰囲気焼成炉に投入し、窒素ガスを１００リットル／ｍｉｎ流しながら、４５０℃で２時間保持し脱バインダーを行った。
【００３２】
その後、脱バインダーに用いたのと同様のバッチ式雰囲気焼成炉を用いて、５００℃までは窒素ガスを５０リットル／ｍｉｎ流しながら昇温し、５００から１３００℃までは窒素ガスを５０リットル／ｍｉｎと水素ガスを０．２〜２リットル／ｍｉｎと炭酸ガスを流しながら昇温し、１３００℃で２時間焼成した。尚、本発明の効果を確認するために（表１）に示すように焼成炉内に投入する前記積層セラミックグリーンチップの重量と５００℃〜１１５０℃の温度範囲における炭酸ガス流量を変えて焼成した。ここで、５００℃〜１１５０℃の温度範囲において炭酸ガス流量を変えているのは、この温度範囲で重量減少、すなわち脱カーボンがなされ、この温度範囲外では重量変化がなく、脱カーボンの効果がないためである。
【００３３】
その後一対の外部電極２４を形成して積層セラミックコンデンサ２１を得た。
【００３４】
上述した製造方法により得た積層セラミックコンデンサについて、焼成炉内に投入する前記積層セラミックグリーンチップの量とガス流量におけるショート率と静電容量を比較するため積層セラミックコンデンサ１００個について、ショート率の発生状況および静電容量を測定し、静電容量の平均値と標準偏差を算出した結果を（表１）に示す。
【００３５】
静電容量の測定は、静電容量計を用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レベル１．０Ｖｒｍｓにて測定した。
【００３６】
【表１】
2007035820.tif 000003
【００３７】
ここでショート率とは、積層セラミックコンデンサ試料１００個を測定し、ショート状態（抵抗値が１０００Ω以下）の個数を百分率で表したものである。
【００３８】
また、評価はショート率が３０％以上または静電容量が９００ｎＦ以下または静電容量標準偏差が５．００以上のものは不良品として×で示している。
【００３９】
なお、（表１）の中で＊を付した試料は本発明の範囲外で、比較例であることを示す。
【００４０】
（表１）の試料番号２〜４の結果から明らかなように、焼成工程における昇温部の５００℃〜１１５０℃の温度範囲における炭酸ガス流量を、積層セラミックグリーンチップの量２６００グラムに対して、炭酸ガスを１０リットル／ｍｉｎ以上の比率となるように供給することにより、ショート不良が少なく静電容量ばらつきの少ない積層セラミックコンデンサを得ることが出来るものである。これは５００℃〜１１５０℃の温度範囲において効率よく脱カーボンを進めることにより、残留したカーボンによる還元作用に起因して内部電極が過焼結を起こすことによりセラミック層を通して隣り合った内部電極どうしが接触してショート不良を起こすことを防止することができるという作用によるものである。
【００４１】
一方、（表１）で積層セラミックグリーンチップの量２６００グラムに対して、供給する炭酸ガス流量が１０リットル／ｍｉｎ未満の試料番号１及び試料番号５の場合には、焼成炉内の炭酸ガスの分布が不均一となり、脱カーボンが不十分となるため、静電容量のばらつきが大きくなり、量産上好ましくないため本発明の範囲外とした。
【００４２】
なお、酸素分圧が１０-14以下では積層セラミックが還元されるため所望の特性が得られない。また酸素分圧が１０-9以上の場合には、内部電極のＮｉの酸化が起こり、やはり所望の特性が得られなくなる。
【００４３】
（実施の形態２）
実施の形態１と同様に作製した試料について、試料中の有機結合材成分の量を熱分析装置（ＤＴＡ−ＴＧ）を用いて測定した結果に基づいて、（表２）に示すように試料中の有機結合材成分量３４０グラムに対する炭酸ガス流量を５リットル／ｍｉｎ〜４０リットル／ｍｉｎの範囲内で変えて流しながら焼成を行った試料について、実施の形態１と同様の評価を行った。
【００４４】
その結果を（表２）に示す。
【００４５】
【表２】
2007035820.tif 000004
【００４６】
（表２）の試料番号１２〜１４の結果から明らかなように、焼成工程における昇温部の５００℃〜１１５０℃の温度範囲における炭酸ガス流量を、焼成炉内に投入する試料中の有機結合材成分量３４０グラムに対して、炭酸ガスを１０リットル／ｍｉｎ以上の比率となるように供給することにより、ショート不良が少なく静電容量ばらつきの少ない積層セラミックコンデンサを得ることが出来るものである。これは５００℃〜１１５０℃の温度範囲において効率よく脱カーボンを進めることにより、残留したカーボンによる還元作用に起因して、内部電極が過焼結を起こすことによりセラミック層を通して隣り合った内部電極どうしが接触してショート不良を起こすことを防止することができるという作用によるものである。
【００４７】
一方、（表２）で焼成炉内に投入する試料中の有機結合材成分量３４０グラムに対して、供給する炭酸ガス流量が１０リットル／ｍｉｎ未満の試料番号１１及び試料番号１５の場合には、焼成炉内の炭酸ガスの分布が不均一となり、脱カーボンが不十分となるため、静電容量のばらつきが大きくなり、量産上好ましくないため本発明の範囲外とした。
【００４８】
なお、酸素分圧が１０-14以下では積層セラミックが還元されるため所望の特性が得られない。また酸素分圧が１０-9以上の場合には、内部電極のＮｉの酸化が起こり、やはり所望の特性が得られなくなる。
【００４９】
（実施の形態３）
実施の形態１と同様に作製した試料について、試料中のカーボン量を堀場製作所製カーボンアナライザーＥＭＩＡ−１１０を用いて測定した結果に基づいて、（表３）に示すように試料中のカーボン量１００グラムに対する炭酸ガス流量を２．５リットル／ｍｉｎ〜２０リットル／ｍｉｎの範囲内で変えて流しながら焼成を行った試料について、実施の形態１と同様の評価を行った。
【００５０】
その結果を（表３）に示す。
【００５１】
【表３】
2007035820.tif 000005
【００５２】
（表３）の試料番号２２〜２４の結果から明らかなように、焼成工程における昇温部の５００℃〜１１５０℃の温度範囲における炭酸ガス流量を、焼成炉内に投入する試料中のカーボン量１００グラムに対して、炭酸ガスを５リットル／ｍｉｎ以上の比率となるように供給することにより、ショート不良が少なく静電容量ばらつきの少ない積層セラミックコンデンサを得ることが出来るものである。これは５００℃〜１１５０℃の温度範囲において効率よく脱カーボンを進めることにより、残留したカーボンによる還元作用に起因して、内部電極が過焼結を起こすことによりセラミック層を通して隣り合った内部電極どうしが接触してショート不良を起こすことを防止することができるという作用によるものである。
【００５３】
一方、（表３）で焼成炉内に投入する試料中のカーボン量１００グラムに対して、供給する炭酸ガス流量が５リットル／ｍｉｎ未満の試料番号２１及び試料番号２５の場合には、焼成炉内の炭酸ガスの分布が不均一となり、脱カーボンが不十分となるため、静電容量のばらつきが大きくなり、量産上好ましくないため本発明の範囲外とした。
【００５４】
なお、酸素分圧が１０-14以下では積層セラミックが還元されるため所望の特性が得られない。また酸素分圧が１０-9以上の場合には、内部電極のＮｉの酸化が起こり、やはり所望の特性が得られなくなる。
【００５５】
上記実施の形態１〜３では、ポリエチレンを含有する積層セラミックコンデンサを用いたが、これに限定されるものではなく、ポリエチレン以外のポリビニルアルコールやポリエチレンとポリビニルアルコールとの共重合体を用いた場合でも同様の効果が得られる。
【００５６】
また、上記実施の形態１〜３では、残留カーボン成分やグラッシーカーボンを除去するためのガスとして炭酸ガスを用いたが、炭酸ガスの代わりに窒素ガスや水素ガス、水蒸気などのガス、またはこれらの混合ガスを用いた場合にも同様の効果が得られる。
【００５７】
（実施の形態４）
実施の形態４においては、有機結合材成分としてポリエチレンの代わりにポリビニルブチラールを用い、さらに溶剤、可塑剤などを添加したセラミックスラリーをドクターブレード法などの方法を用いてグリーンシート１１を作製した以外は実施の形態１と同様にして、積層体グリーンブロックを作製し、脱バインダー、焼成を行った。
【００５８】
焼成においては、実施の形態１と同様に、焼成炉内に投入する積層セラミックグリーンチップの量と、炭酸ガス流量を（表４）のように変えて焼成した。
【００５９】
【表４】
2007035820.tif 000006
【００６０】
（表４）の試料番号３２〜３４の結果から明らかなように、焼成工程における昇温部の５００℃〜１１５０℃の温度範囲における炭酸ガス流量を、焼成炉内に投入する積層セラミックグリーンチップの量２６００グラムに対して、炭酸ガスを１０リットル／ｍｉｎ以上の比率となるように供給することにより、ショート不良が少なく静電容量ばらつきの少ない積層セラミックコンデンサを得ることが出来、実施の形態１〜３と同様の効果が得られるものである。
【００６１】
なお、本実施の形態１〜４では、５００℃までは窒素ガスを、５００から１３００℃までは窒素ガスと水素ガスと炭酸ガスの混合ガスを用いたが、これに限定されるものではなく、５００℃までを窒素ガス、水素ガス、炭酸ガス、水蒸気の何れかの雰囲気中で、５００から１３００℃の範囲を窒素ガス、水素ガス、炭酸ガス、水蒸気の中から選ばれた２つ以上のガスを所定の割合で混合したものを用いた場合においても同様な効果が得られた。また窒素ガス、水素ガス、炭酸ガス、水蒸気の混合ガスを用いるのは精度良く酸素分圧を容易に制御することができるためである。
【００６２】
さらに、本実施の形態１〜４では積層セラミックコンデンサを例に説明したが、これに限定されるものではなく、他の積層セラミック電子部品、例えば積層アクチュエータ、積層バリスタなどに適用しても同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明にかかるセラミック電子部品の製造方法は、セラミック粉体と有機結合材成分とを含有するグリーンシートと、ＮｉあるいはＮｉを主成分とする金属よりなる導電体層とを積層した積層セラミックグリーンチップを常温〜所定の温度まで焼成炉内でガスを流しながら昇温し、脱バインダー並びに焼成を行う際に、焼成炉内に投入する積層セラミックグリーンチップの量、または積層セラミックグリーンチップに含まれる有機結合材成分の総量や積層セラミックグリーンチップに含まれるカーボンの総量に応じて、供給するガスの量を決定して脱バインダーを行うので、ショート不良率が改善するとともに、静電容量のばらつきの少ない積層セラミック電子部品を得ることができ、積層セラミック電子部品の製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施の形態における積層工程を説明するための分解斜視図
【図２】同積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図
【図３】従来の積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図
【符号の説明】
【００６５】
１１  グリーンシート
１２，１３  導電体層
２１  積層セラミックコンデンサ
２２  誘電体層
２３  内部電極
２４  外部電極
【図１】
2007035820.tif 000007
【図２】
2007035820.tif 000008
【図３】
2007035820.tif 000009