(57)【要約】【課題】表示領域内におけるセルギャップのばらつきを低減し、高い画像品位を有する反射型液晶表示素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】  画素電極２がマトリクス状に形成された表示領域Ａを表面に有する半導体基板３と、透明電極５が表面に形成され光透過性を有する透明基板６とが、画素電極と透明電極とが互いに向き合うようにして、表示領域を囲う環状のシール部１０によって間隙８を有して貼り合わされると共に間隙８には液晶１１が充填されてなる反射型液晶表示素子１であって、半導体基板及び透明基板の少なくともいずれかの表面と接して表示領域を囲うように形成され所定の高さｈ１を有する環状のダム部１２と、このダム部を囲うと共に半導体基板及び透明基板の各表面と接するように形成されダム部よりも高い高さｈ２を有する環状のシール部１０とを有する構成とする。【選択図】図１
2007148212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光反射性を有する画素電極がマトリクス状に形成された表示領域を表面に有する半導体基板と、光透過性及び導電性を有する透明電極が表面に形成され光透過性を有する透明基板とが、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記表示領域を囲う環状のシール部によって間隙を有して貼り合わされると共に前記間隙には液晶が充填されてなる反射型液晶表示素子であって、
前記半導体基板と、
前記半導体基板の表面と接して、前記表示領域を囲うように形成され、所定の高さを有する環状のダム部と、
前記ダム部を囲うと共に前記半導体基板の表面と接するように形成され、前記ダム部よりも高い高さを有する環状のシール部と、
前記シール部と接すると共に前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記間隙を有して前記半導体基板と対向するよう配置された前記透明基板と、
前記間隙に充填された前記液晶と、
を有することを特徴とする反射型液晶表示素子。
【請求項２】
光反射性を有する画素電極がマトリクス状に形成された表示領域を表面に有する半導体基板と、光透過性及び導電性を有する透明電極が表面に形成され光透過性を有する透明基板とが、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記表示領域を囲う環状のシール部によって間隙を有して貼り合わされると共に前記間隙には液晶が充填されてなる反射型液晶表示素子であって、
前記半導体基板と、
前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記間隙を有して前記半導体基板と対向するよう配置された前記透明基板と、
前記透明基板の表面と接して、前記表示領域よりも外側の範囲に形成され、所定の高さを有する環状のダム部と、
前記ダム部を囲うと共に前記半導体基板及び前記透明基板の各表面と接するように形成され、前記ダム部よりも高い高さを有する環状のシール部と、
前記間隙に充填された前記液晶と、
を有することを特徴とする反射型液晶表示素子。
【請求項３】
光反射性を有する画素電極がマトリクス状に形成された表示領域を表面に有する半導体基板と、光透過性及び導電性を有する透明電極が表面に形成され光透過性を有する透明基板とが、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記表示領域を囲う環状のシール部によって間隙を有して貼り合わされると共に前記間隙には液晶が充填されてなる反射型液晶表示素子であって、
前記半導体基板と、
前記半導体基板の表面と接して、前記表示領域を囲うように形成され、第１の高さを有する環状の第１のダム部と、
前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして前記間隙を有して前記半導体基板と対向するよう配置された前記透明基板と、
前記透明基板の表面における前記第１のダム部に対応する範囲に形成され、第２の高さを有する環状の第２のダム部と、
前記半導体基板及び前記透明基板の各表面と接すると共に前記第１のダム部及び前記第２のダム部を囲うように形成され、前記第１の高さと前記第２の高さとの和よりも高い高さを有する環状のシール部と、
前記間隙に充填された前記液晶と、
を有することを特徴とする反射型液晶表示素子。
【請求項４】
光反射性を有する画素電極をマトリクス状に形成した表示領域を表面に有する半導体基板と、光透過性及び導電性を有する透明電極を表面に形成した光透過性を有する透明基板とを、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記表示領域を囲う環状のシール部によって、間隙を有して貼り合わし、前記間隙に液晶を充填する工程を含む反射型液晶表示素子の製造方法であって、
前記半導体基板の表面上に、前記表示領域を囲うように、所定の高さを有する環状のダム部を形成するダム部形成工程と、
前記ダム部を囲うように、前記半導体基板の表面上に、未硬化状態であるシール材を塗布して環状のシール部を形成するシール部形成工程と、
前記シール部の環状内部に前記液晶を供給する液晶供給工程と、
前記液晶及び前記シール部と接するように、前記透明基板を、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして位置決めし、減圧下にて、前記半導体基板に載置する貼り付け工程と、
前記貼り付け工程後に、前記減圧下を大気圧下にする大気開放工程と、
前記大気開放工程後に、前記シール部を硬化して、硬化された前記シール部の高さを前記ダム部よりも高くする硬化工程と、
を有することを特徴とする反射型液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型液晶表示素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、反射型液晶表示素子は、プロジェクタ、プロジェクションテレビ、ヘッドマウントディスプレイ等のディスプレイ分野に広く採用されている。
【０００３】
ここで、一般的な反射型液晶表示素子の構造を、図１０を用いて説明する。図１０は、一般的な反射型液晶表示素子の構造を説明するための模式的断面図である。
図１０に示すように、従来の反射型液晶表示素子１０１は、表面の所定範囲Ｄに光反射性を有する画素電極１０２がマトリクス状に複数形成された半導体基板１０３と、表面(図１０では、透明基板１０８の下面に相当する)に光透過性を有する透明電極１０７が形成された光透過性を有する透明基板１０８とが、画素電極１０２と透明電極１０７とが対向するように間隙１０９を有して配置され、この間隙１０９にはシール部１１０により液晶１１１が充填されている。このシール部１１０は、半導体基板１０３の表面の所定範囲Ｄを囲むように形成されている。
また、半導体基板１０３には、半導体基板１０３の表面の少なくとも所定範囲Ｄを覆う配向膜１１３が形成され、透明基板１０８には、少なくともこの所定範囲Ｄに対応する範囲における透明電極１０７を覆う配向膜１１５が形成されている。
そして、透明基板１０８の裏面(図１０では、透明基板１０８の上面に相当する)には、反射防止膜１１７が形成されている。
また、この反射型液晶表示素子１０１において、上記の所定範囲Ｄは、画像を表示するための表示領域Ｄとなる。また間隙１０９の幅ｊをセルギャップｊという。
【０００４】
このような反射型液晶表示素子１０１は、液状の未硬化状態である樹脂を半導体基板１０３の表面の所定範囲Ｄを囲むように環状に塗布した後、この環状に塗布された樹脂の内部に液晶１１１を滴下し、この樹脂及び液晶１１１を介して、半導体基板１０３に透明基板１０８を減圧下において所定の圧力で押し付け、大気開放した後に樹脂を硬化させることによって、半導体基板１０３と透明基板１０８とを接着させて作製することができる。この硬化された樹脂は、シール部１１０となる。
【０００５】
しかしながら、従来の反射型液晶表示素子１０１では、上述したように、環状に塗布された未硬化状態の樹脂からなるシール部１１０の内部に液晶１１１を滴下するため、この樹脂が液晶１１１に溶け出して液晶１１１を汚染する場合がある。液晶１１１が汚染された反射型液晶表示素子１０１は、液晶１１１の比抵抗が低下することにより電圧保持率が低下し、シール部１１０近傍の表示領域でコントラスト比が低下して表示むらが発生する。
このように、シール部となる樹脂が液晶に溶け出す問題を、第１の問題点とする。
【０００６】
また、半導体基板１０３に透明基板１０８を所定の圧力で押し付けた際、環状に塗布された未硬化状態の樹脂は、半導体基板１０３及び透明基板１０８の内側及び外側に向かって広がる。このとき、半導体基板１０３及び透明基板１０８の内側に向かって広がった樹脂が表示領域に達した場合、この表示領域における電圧保持率が低下し、シール部１１０近傍の表示領域でコントラスト比が低下して表示むらが発生する。
このように、シール部となる樹脂が広がって表示領域に達してしまう問題を、第２の問題点とする。
【０００７】
また、環状に塗布された樹脂からなるシール部１１０の内部に液晶１１１を滴下する際、この液晶１１１の滴下量にばらつきが生じる。例えば、液晶１１１の実際の滴下量が設定量よりも少ない場合、一般的に、セルギャップｊは、表示領域の中心部の方が外周部よりも狭くなり、液晶１１１の実際の滴下量が設定量よりも多い場合、セルギャップｊは、表示領域の中心部の方が外周部よりも広くなる。
このように、表示領域内におけるセルギャップｊのばらつきが大きい反射型液晶表示素子１０１は、所定の駆動電圧で液晶１１１が駆動しなかったり、画像の明るさやコントラストのばらつきが大きくなったり、色むらが発生するといった問題が発生する場合がある。
このように、表示領域内におけるセルギャップｊのばらつきが大きくなる問題を、第３の問題点とする。
【０００８】
そこで、第１乃至第３の問題点を解決できるとする手段が、特許文献１に記載されている。
特許文献１の記載によれば、シール材と液晶との間に壁体を形成し、液晶が充填された間隙内に間隙材を配設することにより、第１乃至第３の問題点を解決できるとしている。
【特許文献１】特開２００２−２５８２９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の液晶表示素子では、液晶の実際の滴下量が設定量よりも多い場合、表示領域の中心部のセルギャップｊは、設定値よりも広くなるため、間隙材によってセルギャップｊを規定することができない。
また、近年、液晶の応答性を向上させるために、セルギャップｊを狭くする傾向にあり、より表示領域におけるセルギャップのばらつきの低減が望まれている。
従って、特許文献１に記載の液晶表示素子では、上述した第３の問題点を完全に解決することはできない。
【００１０】
また、特許文献１に記載の液晶表示素子は、表示領域内に複数の間隙材が配設されているため、この間隙材が画素電極上に位置した場合、この間隙材が邪魔してこの画素電極上の液晶を駆動することが困難になる。
また、表示領域内に複数の間隙材が配設されている液晶表示素子を用いて画像を表示した際、この間隙材によって、画像に歪みを生じさせ、画像品位を悪化させる問題がある。
近年、画像の高解像度化に伴い、画素電極の小型化及び狭ピッチ化が進んでおり、このように小型化及び狭ピッチ化された画素電極に対して、この間隙材による影響は大きい。
このように、表示領域内に配設された複数の間隙材によって、画像品位を悪化させる問題を、第４の問題点とする。
【００１１】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、上述した第１〜第４の問題点を鑑みてなされたものであり、表示領域内におけるセルギャップのばらつきを低減し、高い画像品位を有する反射型液晶表示素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本願各発明は次の手段を有する。
１）光反射性を有する画素電極（２）がマトリクス状に形成された表示領域（Ａ）を表面に有する半導体基板（３）と、光透過性及び導電性を有する透明電極（５）が表面に形成され光透過性を有する透明基板（６）とが、前記画素電極（２）と前記透明電極（５）とが互いに向き合うようにして、前記表示領域（Ａ）を囲う環状のシール部（１０）によって間隙（８）を有して貼り合わされると共に前記間隙（８）には液晶（１１）が充填されてなる反射型液晶表示素子（１）であって、前記半導体基板と、前記半導体基板の表面と接して、前記表示領域を囲うように形成され、所定の高さ（ｈ１）を有する環状のダム部（１２）と、前記ダム部を囲うと共に前記半導体基板の表面と接するように形成され、前記ダム部よりも高い高さ（ｈ２）を有する環状のシール部（１０）と、前記シール部と接すると共に前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記間隙を有して前記半導体基板と対向するよう配置された前記透明基板と、前記間隙に充填された前記液晶と、を有することを特徴とする反射型液晶表示素子（１）である。
２）光反射性を有する画素電極（２）がマトリクス状に形成された表示領域（Ａ）を表面に有する半導体基板（３）と、光透過性及び導電性を有する透明電極（５）が表面に形成され光透過性を有する透明基板（６）とが、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記表示領域を囲う環状のシール部（１０）によって間隙（８）を有して貼り合わされると共に前記間隙には液晶（１１）が充填されてなる反射型液晶表示素子であって、前記半導体基板と、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記間隙を有して前記半導体基板と対向するよう配置された前記透明基板と、前記透明基板の表面と接して、前記表示領域よりも外側の範囲に形成され、所定の高さ（ｈ１）を有する環状のダム部（１２）と、前記ダム部を囲うと共に前記半導体基板及び前記透明基板の各表面と接するように形成され、前記ダム部よりも高い高さ（ｈ２）を有する環状のシール部（１０）と、前記間隙に充填された前記液晶と、を有することを特徴とする反射型液晶表示素子（１）である。
３）光反射性を有する画素電極（２）がマトリクス状に形成された表示領域（Ａ）を表面に有する半導体基板（３）と、光透過性及び導電性を有する透明電極（５）が表面に形成され光透過性を有する透明基板（６）とが、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記表示領域を囲う環状のシール部（１０）によって間隙（８）を有して貼り合わされると共に前記間隙には液晶（１１）が充填されてなる反射型液晶表示素子（１）であって、前記半導体基板と、前記半導体基板の表面と接して、前記表示領域を囲うように形成され、第１の高さを有する環状の第１のダム部と、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして前記間隙を有して前記半導体基板と対向するよう配置された前記透明基板と、前記透明基板の表面における前記第１のダム部に対応する範囲に形成され、第２の高さを有する環状の第２のダム部と、前記半導体基板及び前記透明基板の各表面と接すると共に前記第１のダム部及び前記第２のダム部を囲うように形成され、前記第１の高さと前記第２の高さとの和（ｈ１）よりも高い高さ（ｈ２）を有する環状のシール部（１０）と、前記間隙（８）に充填された前記液晶と、を有することを特徴とする反射型液晶表示素子（１）である。
４）光反射性を有する画素電極（２）をマトリクス状に形成した表示領域（Ａ）を表面に有する半導体基板（３）と、光透過性及び導電性を有する透明電極（５）を表面に形成した光透過性を有する透明基板（６）とを、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして、前記表示領域を囲う環状のシール部（１０）によって、間隙（８）を有して貼り合わし、前記間隙（８）に液晶（１１）を充填する反射型液晶表示素子（１）の製造方法であって、前記半導体基板の表面上に、前記表示領域を囲うように、所定の高さ（ｈ１）を有する環状のダム部（１２）を形成するダム部形成工程と、前記ダム部（１２）を囲うように、前記半導体基板（３）の表面上に、未硬化状態であるシール材（２５）を塗布して環状のシール部（１０）を形成するシール部形成工程と、前記シール部の環状内部に前記液晶（１１）を供給する液晶供給工程と、前記液晶及び前記シール部と接するように、前記透明基板を、前記画素電極と前記透明電極とが互いに向き合うようにして位置決めし、減圧下にて、前記半導体基板に載置する貼り付け工程と、前記貼り付け工程後に、前記減圧下を大気圧下にする大気開放工程と、前記大気開放工程後に、前記シール部を硬化して、硬化された前記シール部の高さ（ｈ２）を前記ダム部よりも高くする硬化工程と、を有することを特徴とする反射型液晶表示素子（１）の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
上記の１）項乃至４）項に記載の各発明によれば、表示領域内におけるセルギャップのばらつきを低減し、高い画像品位が得られるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図９を用いて説明する。
【００１５】
まず、図１を用いて、本発明の反射型液晶表示素子の実施例について、説明する。図１は、本発明の反射型液晶表示素子の実施例を説明するための模式的断面図である。
【００１６】
図１に示すように、反射型液晶表示素子１は、表面の所定範囲Ａに光反射性を有する画素電極２がマトリクス状に複数形成された半導体基板３と、表面(図１では、透明基板６の下面に相当する)に光透過性を有する透明電極５が形成された光透過性を有する透明基板６とが、画素電極２と透明電極５とが対向するように間隙８を有して配置され、この間隙８には環状のシール部１０に囲まれて液晶１１が充填されている。また、シール部１０の内側には、シール部１０の高さｈ２よりも低い高さｈ１の環状のダム部１２が、所定範囲Ａを囲うように形成されている。
半導体基板３には、各画素電極２と透明電極５との間に電圧を印加して各画素電極２と透明電極５との間の液晶１１を駆動させるための液晶駆動回路(図示せず)、例えば、Ｃ−ＭＯＳ型の半導体スイッチング回路等が形成されている。また、半導体基板３には、半導体基板３の表面の少なくとも所定範囲Ａを覆う配向膜１５が形成されている。そして、半導体基板３の表面の所定範囲には、外部から各画素電極２に電源や画像信号を供給するための端子電極４０が形成されている。
また、透明基板６には、少なくともこの所定範囲Ａに対応する範囲における透明電極５を覆う配向膜１６が形成されている。また、透明基板６の裏面(図１では、透明基板６の上面に相当する)には、反射防止膜１７が形成されている。
この反射型液晶表示素子１において、上記の所定範囲Ａは、画像を表示するための表示領域Ａとなる。また、間隙８の幅ｇをセルギャップｇという。
【００１７】
そして、この反射型液晶表示素子１は、各画素電極２と透明電極５との間に電圧を印加して液晶１１を駆動させ、透明基板６側から入射した光を画素電極２で反射させると共に、液晶１１により光変調することによって、表示情報を透明基板６側から取り出すものであり、光透過型液晶表示素子に比べ、一般的に、高輝度及び高解像度を両立しやすい等の効果を有する。
【００１８】
次に、図２〜図９を用いて、本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例について、説明する。
図２は、本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における工程フローを説明するための図である。
図３は、本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第１工程を説明するための模式的断面図である。
図４は、本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第２工程を説明するための模式的断面図である。
図５は、本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第３工程を説明するための模式的断面図である。
図６は、本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第４工程を説明するための模式的断面図である。
図７は、本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第５工程を説明するための模式的断面図である。
図８は、本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第６工程を説明するための模式的断面図である。
図９は、本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第７工程を説明するための模式的断面図である。
【００１９】
まず、図２を用いて、本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における工程フローを説明する。ここでは、シリコンウエハとガラス板とを貼り合わせた後にシリコンウエハ及びガラス板を分断する方法について説明する。この方法は、図２中の太線の矢印で表されている。
【００２０】
シリコンウエハに画素電極及び液晶駆動回路からなる表示領域を形成した後、このシリコンウエハを電気検査する(第１工程)。そして、シリコンウエハを洗浄した後、このシリコンウエハに配向膜及びダム部を形成する(第２工程)。
また、一面に透明電極、他面に反射防止膜が形成されたガラス板を外観検査し、このガラス板を洗浄した後、このガラス板に配向膜を形成する(第３工程)。
次に、シリコンウエハにシール材を塗布する(第４工程)。
その後、真空状態下でシリコンウエハに液晶を滴下する(第５工程)。
そして、真空状態下でシリコンウエハにガラス板を貼り付けた後、大気圧状態に戻し、シール材を硬化する(第６工程)。
シリコンウエハ及びガラス板を分断した後、シリコンウエハに端子電極を形成して反射型液晶表示素子を得る。そして、この反射型液晶表示素子の最終評価を行う(第７工程)。
【００２１】
以下に、上述した各工程について、詳細に説明する。
【００２２】
＜第１工程＞「図３参照」
例えば直径が約６〜１０インチ（１インチは２５．４ｍｍ）のシリコンウエハ２０の表面及び表面近傍に、液晶駆動回路(図示せず)、例えばＣ−ＭＯＳ型の半導体スイッチング回路等をマトリクス状に複数形成する。この液晶駆動回路は、各画素電極２と透明電極５との間に電圧を印加して各画素電極２と透明電極５との間の液晶１１を駆動させるための回路である。
次に、このシリコンウエハ２０の表面上に、各液晶駆動回路に対応して、光反射性を有する画素電極２をマトリクス状に複数形成する。画素電極２の材料として、アルミニウム、金、銀等がある。
液晶駆動回路とこの液晶駆動回路に対応して画素電極２がマトリクス状に複数形成された領域は、画像を表示するための表示領域Ａとなる。
即ち、シリコンウエハ２０の表面に、表示領域Ａがマトリクス状に複数形成される。なお、図３〜図９では、説明をわかりやすくするために、マトリクス状に複数形成された表示領域Ａのうちの２つの表示領域Ａを示す。
【００２３】
このシリコンウエハ２０を、プローブ検査装置（図示せず）等を用いて、各表示領域Ａ毎に電気検査を行い、所定の検査基準に基づいて各表示領域Ａの良否判定を行う。
不良と判定された表示領域Ａにはマーキングインク（図示せず）を塗布して、良品の表示領域Ａと区別する。
【００２４】
＜第２工程＞「図４参照」
第１工程を経たシリコンウエハ２０を洗浄して表面に付着した異物等を除去した後、このシリコンウエハ２０の表面に、少なくとも各表示領域Ａを覆うように、配向膜１５を形成する。この配向膜１５は、液晶１１の配向を規制する機能を有している。
次に、この配向膜１５が形成されたシリコンウエハ２０の表面に、表示領域Ａを囲むように、環状のダム部１２を形成する。実施例では、ダム部１２の高さｈ１を約１．５μｍとし、ダム部１２の幅ｗ２を約１ｍｍとした。
【００２５】
このダム部１２は、例えばポリイミド樹脂を、シリコンウエハ２０の表面に塗布し、所定の温度でＢステージ状態にし、フォトリソ法により所定の範囲をエッチングし、その後、さらに高い温度で硬化させることにより形成することができる。
また、このダム部１２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸化シリコン（ＳｉＯ２）等を、スパッタ法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等を用いてシリコンウエハ２０の表面に成膜し、フォトリソ法により所定の範囲をエッチングすることにより形成することができる。
【００２６】
＜第３工程＞「図５参照」
一面の少なくとも表示領域Ａに対応する範囲に、光透過性及び導電性を有する透明電極５が形成され、他面に反射防止膜１７が形成されたガラス板３０を準備する。
このガラス板３０を外観検査し、所定の検査基準に基づいて不良位置を特定する。
次に、このガラス板３０を洗浄して表面に付着した異物等を除去した後、透明電極５上に配向膜１６を形成する。この配向膜１６は、液晶１１の配向を規制する機能を有している。
【００２７】
＜第４工程＞「図６参照」
第２工程を経たシリコンウエハ２０の表面に、例えばディスペンサ（図示せず）を用いて、各ダム部１２の外周に沿うように液状のシール材２５を塗布して、環状のシール部１０を複数形成する。
シール材２５は、略球状のスペーサ２６が樹脂２７に含有されたものである。
実施例では、スペーサ２６の直径を約２μｍとし、樹脂２７として紫外線硬化性樹脂を用いた。
【００２８】
＜第５工程＞「図７参照」
第４工程を経たシリコンウエハ２０及び第３工程を経たガラス板３０を真空容器（図示せず）内に入れた後、この真空容器内を例えば約１３３Ｐａに減圧する。真空容器内の圧力（真空度）が低すぎても高すぎても、後述するセルギャップｇに影響を与えて表示された画像品位を悪化させる場合があるため、真空容器内の圧力（真空度）を約１３３Ｐａまたはその付近の範囲にすることが望ましい。
その後、減圧下にて、シール部１０の内部に、例えばディスペンサ４２を用いて、液晶１１を所定量滴下する。
【００２９】
＜第６工程＞「図８参照」
図８に示すように、減圧下にて、画素電極２と透明電極５とが互いに向き合うように位置決めした後、ガラス板３０を、シール部１０を介してシリコンウエハ２０に載置する。
その後、真空容器内を、約５分間かけて徐々に大気圧に戻す。
このとき、シール部１０は、シール部１０の内側と外側との圧力差及びガラス板３０の自重によりシリコンウエハ２０側に圧力が加えられた状態になるため、シール部１０の高さｈ２は、シール材２５のスペーサ２６の直径（実施例では約２μｍ）と略同じになる。
【００３０】
図８の吹き出し部に示すように、シール部１０の内側は外側よりも圧力が低いので、シール部１０中の樹脂２７がダム部１２とガラス板３０との間隙部４２に入り込む。
このとき、液晶１１の滴下量にばらつきが生じた場合、例えば、液晶１１の滴下量が少ない方にばらついた場合、液晶１１と樹脂２７との境界面Ｓはより液晶１１側に位置し、液晶１１の滴下量が多い方にばらついた場合、液晶１１と樹脂２７との境界面Ｓはよりシール部１０側に位置する。
【００３１】
このように、液晶１１の滴下量のばらつきをダム部１２とガラス板３０との間隙部４２で吸収することができるので、表示領域Ａ内におけるセルギャップｇのばらつきを抑制することができる。
また、ダム部１２によって、液晶１１と樹脂２７との接触面積（境界面Ｓの面積）を小さくすることができるので、樹脂２７が液晶１１に溶け出すことを抑制できる。
【００３２】
次に、樹脂２７を硬化してシール部１０を固化させることにより、ガラス板３０をシリコンウエハ２０に固着させる。実施例では、シール部１０に紫外線を照射することによって、樹脂２７を硬化させた。
【００３３】
＜第７工程＞「図９参照」
図９（ａ）に示すように、シリコンウエハ２０及びガラス板３０を所定位置で分断することによって、複数の反射型液晶表示素子１を得る。シリコンウエハ２０及びガラス板３０は、スクライバー、ブレイカー、ダイサー等により分断することができる。
また、分断後のシリコンウエハ２０は複数の半導体基板３となり、分断後のガラス板３０は複数の透明基板６となる。
次に、図９（ｂ）に示すように、各半導体基板３の表面上の所定範囲に、端子電極４０を形成する。
この端子電極４０は、外部から各画素電極２に電源や画像信号を供給するための電極である。
【００３４】
そして、不良の半導体基板３（マーキングインクが塗布されたもの）または不良箇所を含む透明基板６のいずれかを有する反射型液晶表示素子１、所謂、不良の反射型液晶表示素子１を除去した後、残った各反射型液晶表示素子１に対して最終検査を行い、所定の検査基準に基づいて、それぞれ良否判定を行う。
こうして最終検査で良品と判定された反射型液晶表示素子１は、プロジェクタ等のディスプレイに使用される。
【００３５】
本発明によれば、ダム部１２によって、液晶１１と樹脂２７との接触面積（境界面Ｓの面積）を小さくすることができるので、樹脂が液晶に溶け出すことを抑制できる。
従って、上述した第１の問題点を解決することができる。
【００３６】
また、本発明によれば、ダム部１２によって、シール材２５が表示領域Ａに達することを防止できる。
従って、上述した第２の問題点を解決することができる。
【００３７】
また、本発明によれば、ダム部１２とガラス板３０との間隙部４２によって液晶１１の滴下量のばらつきを吸収するので、表示領域Ａ内におけるセルギャップｇのばらつきを抑制することができる。
従って、上述した第３の問題点を解決することができる。
【００３８】
また、本発明によれば、表示領域Ａ内に間隙材が存在しないので、画像品位を悪化させることはない。
従って、上述した第４の問題点を解決することができる。
【００３９】
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
【００４０】
例えば、実施例では、ダム部１２の高さｈ１を約１．５μｍ、ダム部１２の幅ｗ２を約１ｍｍ、シール部１０の高さｈ２（シール材２５のスペーサ２６の直径）を約２μｍとしたが、これに限定されるものではない。
例えば、ダム部１２の高さｈ１を０．５μｍ以上、ダム部１２の高さｈ１とシール部１０の高さｈ２との差（ｈ２−ｈ１）を０．０１μｍ以上、ダム部１２の幅ｗ２を０．１ｍｍ以上とすることにより、ダム部１２とガラス板３０との間隙部４２によって液晶１１の滴下量のばらつきを吸収することができる。
また、ダム部１２の幅ｗ２が大きいほど、シリコンウエハ２０及びガラス板３０における半導体基板３及び透明基板６の取り数が減少するため、ダム部１２の幅ｗ２を２ｍｍ以下とすることが望ましい。取り数の減少は、作製した反射型液晶表示素子１のコストアップにつながる。
【００４１】
また、実施例では、ダム部１２及びシール部１０をシリコンウエハ２０に形成したがこれに限定されるものではない。例えば、ダム部１２及びシール部１０をガラス板３０に形成し、このシール部１０の内部に液晶１１を滴下するようにしてもよい。
あるいは、シリコンウエハ２０に第１のダム部を形成し、ガラス板３０に第２のダム部を形成してもよい。この場合、第１のダム部の高さと第２のダム部の高さとの和を０．５μｍ以上、この高さの和とシール部３６の高さｈ２との差を０．０１μｍ以上、第１及び第２のダム部の各幅を０．１ｍｍ以上とすることにより、第１のダム部と第２のダム部との間隙部によって液晶１１の滴下量のばらつきを吸収することができる。
【００４２】
また、実施例では、図２中の太線の矢印に沿って工程フローを説明したが、これに限定されるものではない。
例えば、図２中の細線の矢印に沿って反射型液晶表示素子を作製してもよい。
即ち、第１工程で電気検査を行った後にシリコンウエハを分断して複数の半導体基板を得てもよく、また、第３工程で外観検査を行った後にガラス板を分断して複数の透明基板を得てもよい。以降の工程は、実施例と同じである。
【００４３】
また、実施例では、シール材２５の樹脂２７として紫外線硬化性樹脂を用いたが、これに限定されるものではない。紫外線硬化性樹脂や紫外線硬化と熱硬化との併用型の樹脂は、一般的に、他の樹脂に比べて硬化時間が短いので、生産性及び液晶汚染の抑制に対して特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の反射型液晶表示素子の実施例を説明するための模式的断面図である。
【図２】本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における工程フローを説明するための図である。
【図３】本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第１工程を説明するための模式的断面図である。
【図４】本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第２工程を説明するための模式的断面図である。
【図５】本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第３工程を説明するための模式的断面図である。
【図６】本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第４工程を説明するための模式的断面図である。
【図７】本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第５工程を説明するための模式的断面図である。
【図８】本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第６工程を説明するための模式的断面図である。
【図９】本発明の反射型液晶表示素子の製造方法の実施例における第７工程を説明するための模式的断面図である。
【図１０】反射型液晶表示素子の従来例の構造を説明するための模式的断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  反射型液晶表示素子、  ２  画素電極、  ３  半導体基板、  ５  透明電極、  ６  透明基板、  ８  間隙、  １０  シール部、  １１  液晶、  １２  ダム部、  １５，１６  配向膜、  １７  反射防止膜、  ２０  シリコンウエハ、  ２５  シール材、  ２６  スペーサ、  ２７  樹脂、  ３０  ガラス板、  ４０  端子電極、  ４１  ディスペンサ、  ４２  間隙部、  Ａ  表示領域、  ｈ１，ｈ２  高さ、  ｇ  セルギャップ、  Ｓ  境界面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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