(57)【要約】【課題】活性層から発せられた光を効率よく容易に取り出すことができ、高輝度化を容易に図ることができる半導体発光素子を提供すること。【解決手段】非透光性基板２と、前記非透光性基板２の一方の主面３に設けられ、第一のクラッド層８、活性層９及び第二のクラッド層１０が順次積層されてなるエピタキシャル成長層７と、このエピタキシャル成長層７の領域内に形成され、前記エピタキシャル成長層７の一方の主面から前記活性層９にまで到る複数の溝部１９と、この溝部１９に設けられ、前記活性層９から発せられた光を前記エピタキシャル成長層７の一方の主面側１３に導出する光導出手段２０と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
2007300017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非透光性基板と、
前記非透光性基板の上面に設けられ、第一のクラッド層、活性層及び第二のクラッド層が順次積層されてなるエピタキシャル成長層と、
前記エピタキシャル成長層の領域内に形成され、前記エピタキシャル成長層の一方の主面から前記活性層にまで到る複数の溝部と、
前記溝部に設けられ、前記活性層から発せられた光を前記エピタキシャル成長層の一方の主面側に導出する光導出手段と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
シリコン基板と、
このシリコン基板の上面に設けられ、第一のクラッド層、活性層及び第二のクラッド層が順次積層されてなるエピタキシャル成長層と、
このエピタキシャル成長層の領域内に形成され、前記エピタキシャル成長層の一方の主面から前記活性層にまで到る溝部と、
この溝部に設けられ、前記エピタキシャル成長層よりも屈折率の大きい材料からなり、前記活性層から発せられた光を前記エピタキシャル成長層の一方の主面側に導出する光導出手段と、
前記エピタキシャル成長層の一方の主面に設けられた透明電極と、
前記シリコン基板の下面に設けられた裏面電極と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
前記光導出手段は、光散乱体又は蛍光体から構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記溝部及び前記光導出手段が、前記非透光性基板の上面まで到ることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記非透光性基板の一方の主面の延在方向と、前記エピタキシャル成長層の側面の積層方向との角度が８０度以上１３５度以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記エピタキシャル成長層の横断面は、逆メサ形状であり、
前記非透光性基板の上面と前記エピタキシャル成長層との間に、光を反射する反射面が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、種々の分野において光を利用した技術が普及してきており、それら光を発する素子として、例えばＧａＮ系青色ＬＥＤチップなどの半導体発光素子が利用されている。
これら半導体発光素子の中には、サファイアやＳｉＣなどからなる透光性のＧａＮ結晶成長基板と、このＧａＮ結晶成長基板の一方の主面に設けられた活性層を有する発光素子と、ＧａＮ結晶基板の他方の主面に設けられた金属反射層と、を備えているものがある。
【０００３】
このような構成によれば、活性層によって発生した光のうち、その上方側に向かって進む光が取り出されるだけでなく、下方側（ＧａＮ結晶成長基板側）に進む光をＧａＮ結晶成長基板を透過させて金属反射層によって上方に反射させることにより、その反射光をも取り出すことができる。しかし、コスト削減などの観点から、ＧａＮ結晶成長基板としてＳｉなどの非透光性の基板が利用される場合がある。
【０００４】
この場合、活性層の上方側に向かって進む光は取り出されるものの、下方に進む光は、非透光性基板によって吸収されてしまう。そのため、活性層の下方側に進む光を取り出すことができず、上述の透光性基板の場合と比較して、１／４から１／５程度の光出力しか得られない。
そこで、素子の横方向（発光素子の側面方向）に進む光を取り出すために、基板の一方の主面のうち発光素子の外側に溝を設け、この溝に反射膜を設けた半導体発光素子が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。これにより、発光素子から横方向に進む光を反射膜によって上方に反射させることができる。
【特許文献１】特開２００４−５５８１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のような反射膜を設けた構成では、確かに基板の一方の主面に沿って進む光を反射させることは可能であるものの、非透過性の基板の一方の主面に対して所定の角度（臨界角）以下で進む光は、基板に吸収されてしまい、反射膜に到達することができない。また、反射膜で反射させた光を全て上方へ向けさせることはできないので、基板の一方の主面に沿って進む光を有効に外方（半導体発光素子の外部）に取り出すことはできない。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、活性層から発せられた光を効率よく容易に取り出すことができ、高輝度化を容易に図ることができる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明に係る半導体発光素子は、非透光性基板と、前記非透光性基板の上面に設けられ、第一のクラッド層、活性層及び第二のクラッド層が順次積層されてなるエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層の領域内に形成され、前記エピタキシャル成長層の一方の主面から前記活性層にまで到る複数の溝部と、前記溝部に設けられ、前記活性層から発せられた光を前記エピタキシャル成長層の一方の主面側に導出する光導出手段と、
を有することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る半導体発光素子は、シリコン基板と、このシリコン基板の上面に設けられ、第一のクラッド層、活性層及び第二のクラッド層が順次積層されてなるエピタキシャル成長層と、このエピタキシャル成長層の領域内に形成され、前記エピタキシャル成長層の一方の主面から前記活性層にまで到る溝部と、この溝部に設けられ、前記エピタキシャル成長層よりも屈折率の大きい材料からなり、前記活性層から発せられた光を前記エピタキシャル成長層の一方の主面側に導出する光導出手段と、前記エピタキシャル成長層の一方の主面に設けられた透明電極と、前記シリコン基板の下面に設けられた裏面電極と、を有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る半導体発光素子は、前記光導出手段は、光散乱体又は蛍光体から構成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る半導体発光素子は、前記溝部及び前記光導出手段が、前記非透光性基板の上面まで到ることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る半導体発光素子は、前記非透光性基板の一方の主面の延在方向と、前記エピタキシャル成長層の側面の積層方向との角度が８０度以上１３５度以下であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る半導体発光素子は、前記エピタキシャル成長層の横断面は、逆メサ形状であり、前記非透光性基板の上面と前記エピタキシャル成長層との間に、光を反射する反射面が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、活性層から斜め下側に進む光を光導出手段に容易に到達させることができることから、活性層から発せられた光を効率よく容易に外部、特に上方へ取り出すことができ、高輝度化を容易に図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施形態１）
以下、本発明の実施形態１における半導体発光素子について、図面を参照して説明する。
図１及び図２において、符号１は半導体発光素子を示すものである。
半導体発光素子１は、矩形板状の基板（シリコン基板）２を備えている。基板２は、Ｓｉなどからなる非透明性のＧａＮ結晶成長基板である。基板２の両主面のうち、一方の主面３には、エピタキシャル成長層７が設けられている。エピタキシャル成長層７の厚さ寸法は２μｍとなっている。このエピタキシャル成長層７は、一方の主面３よりも一回り小さくして一方の主面３の略全面に設けられている。また、エピタキシャル成長層７は、第１導電型の第１のクラッド層８と活性層９と第２のクラッド層１０とを備えている。
【００１５】
第１のクラッド層８は一方の主面３に設けられており、第１のクラッド層８上に活性層９が設けられ、活性層９上に第２のクラッド層１０が設けられている。すなわち、一方の主面３上に、第１導電型の第１のクラッド層８と活性層９と第２のクラッド層１０とが順に積層されている。第１のクラッド層８はｎ型半導体からなり、第２のクラッド層１０はｐ型半導体からなっている。
第２のクラッド層１０の上、すなわちエピタキシャル成長層７の一方の主面１３には透光性の透明電極（第２のクラッド層１０に低抵抗接触（オーミック接触）する電極）１４が設けられている。この透明電極１４は一方の主面の略全面に設けられている。そして、透明電極１４の上面の中央には、透明電極１４に電圧を印加するための電極パッド１５が設けられている。さらに、基板２の他方の主面４には、透明電極１４と対になる裏面電極１８が設けられている。
【００１６】
さらに、本実施形態においては、半導体発光素子１の高さ方向Ｈ（エピタキシャル成長層７の積層方向）にエピタキシャル成長層７を貫通する溝部１９が形成されている。すなわち、溝部１９は、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３から活性層９にまで到っており、さらに、活性層９を越えて基板２に到っていることが望ましい。これら溝部１９が、図２に示すように、エピタキシャル成長層７の領域に複数形成されている。
溝部１９の径は１０〜１００ｎｍであり、溝部１９と隣りの溝部１９との間は３００ｎｍ〜５０μｍ程度とする。溝部１９は、縦と横に並んだ方向（行列方向）に複数形成してもよいが、ジグザグとなるように交互に溝１９を設けてもよい。
溝部１９内には光を散乱させる光散乱体（光導出手段）２０が設けられている。光散乱体２０は、エピタキシャル成長層７よりも屈折率の高い材料から形成される。
また、溝部１９の側面及びエピタキシャル成長層７の側面２５は、基板２の一方の主面３に対して垂直に立ち上げられている。すなわち、半導体発光素子１を側面視して、基板２の一方の主面３の延伸方向と、溝部１９の側面及びエピタキシャル成長層７の側面２５の角θが９０度となるように設定されている。この角θは、第１のクラッド層が設けられている側になす角度とする。
【００１７】
次に、本実施形態における半導体発光素子１の製造方法について説明する。
まず、図３に示すように、基板２の一方の主面３上にエピタキシャル成長層７を形成する。そして、図４に示すように、エピタキシャル成長層７にドライエッチングによって垂直な溝部１９を形成する。これにより、エピタキシャル成長層７の領域に行列方向の複数の溝部１９が形成される。さらに、図５に示すように、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３上に、スピンコーティングにより、光散乱層２３を形成する。このとき、溝部１９も光散乱層２３で充填される。そして、図６に示すように、ＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング）により、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３上を洗浄し、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３上の光散乱層２３を除去する。このとき、溝部１９内の光散乱層２３が残存し、光散乱体２０となる。
【００１８】
続いて、図７に示すように、光散乱層２３が除去された一方の主面１３上に、透明電極１４と電極パッド層２４を順次蒸着にて積層する。そして、図８に示すように、フォトリソグラフィによって電極パッド層２４の中央を残してそれ以外の電極パッド層２４を除去する。これによって電極パッド１５が形成される。さらに、図９に示すように、基板２の他方の主面４に、裏面電極１８を蒸着する。これにより、図１に示す半導体発光素子１が得られる。
【００１９】
次に、本実施形態における半導体発光素子１の作用について説明する。
図１０は、活性層からの光の進行の様子を説明する模式図である。
電極パッドと裏面電極に順方向なる電圧を印加すると、活性層において放射方向に光が発せられる。
ここで、それらの光のうち、活性層から上方Ｈｕ側に向かって進む光と、活性層から下方Ｈｄ側に向かって進む光と、基板の一方の主面上に沿って横方向に進む光とに分けて説明する。
【００２０】
まず、上方Ｈｕ側に向かって進む光のうち、エピタキシャル成長層の一方の主面に対する入射角が臨界角よりも大きい光Ｌ１はエピタキシャル成長層及び透明電極を透過して外方へ進んでいく。一方、臨界角よりも小さい光Ｌ２はエピタキシャル成長層の一方の主面で反射し、下方Ｈｄ又は横方向（溝部の側面又はエピタキシャル成長層の側面）に向かって進む。なお、エピタキシャル成長層の一方の主面で反射する光は、エピタキシャル成長層の一方の主面で反射する毎に、光のエネルギーの一部は熱として変化されて消費され、光の強度は減衰する。
【００２１】
下方Ｈｄ側に向かって進む光のうち、基板の一方の主面に対する入射角が臨界角よりも小さい光Ｌ３は基板によって吸収される。一方、臨界角よりも大きい光Ｌ３´は基板の一方の主面で反射し、上方Ｈｕ又は横方向（溝部の側面又はエピタキシャル成長層の側面）に向かって進む。なお、基板の一方の主面で反射する光は、基板の一方の主面で反射する毎に、光のエネルギーの一部は熱として変化されて消費され、光の強度は減衰する。
【００２２】
従来では、エピタキシャル成長層の外側の領域に反射膜が形成されていたことから、図１０に示すように、光が反射膜に到達する前に基板に吸収され、又は、光が反射を繰り返す毎に光のエネルギーが減衰してしまい、結果的に光を外部、特に上方へ良好に取り出すことができなかった。
本発明では、以下のようにして、光が外方へ取り出される。図１１に示すように、まず上方Ｈｕ側に向かって進む光のうち、光散乱体２０に到達する光Ｌ２’’は、一部反射してエピタキシャル成長層７に戻って更に反射を繰り返すものの、その大半は反射して進行方向が変わることで外方に取り出され、又はエピタキシャル成長層７と光散乱体２０との界面で屈折されて光散乱体２０内へ入り、光散乱体２０内へ入った光は光散乱することによって有効に外方に取り出される。
また、横方向又は下方Ｈｄ側に向かって進む光のうち、光散乱体２０に到達する光Ｌ３’’は、一部反射して、エピタキシャル成長層７に戻って更に反射を繰り返し又は基板２に吸収されるものの、その大半はエピタキシャル成長層７と光散乱体２０との界面で屈折されて光散乱体２０内へ入り、光散乱することによって有効に外方に取り出される。
【００２３】
さらに、溝部１９の側面又はエピタキシャル成長層７の側面２５の角度は、基板２の一方の主面３に対して垂直となるように形成されている。一般的な半導体発光素子の側面は、ダイシングカットされると、基板２の一方の主面３に対して３０〜６０度の傾斜が形成され、活性層９から横方向に進む光のほとんどは外方に取り出されない。本実施形態のように形成することによって、反射を繰り返すことで光のエネルギーが減衰し又は基板２に吸収される光が減少し、溝部１９の側面又はエピタキシャル成長層７の側面２５で反射した光を外方に取り出す、又は光散乱体２０内に入って光拡散して外方に良好に取り出すことが可能となる。本実施形態によれば、従来の半導体発光素子に比べて、１．５倍程度の光出力を得ることができる。
【００２４】
なお、本実施の形態において、溝部１９に光散乱体２０を設ける構造としたが、これに限ることはなく、蛍光体（光導出手段）を設けてもよい。この場合、活性層から発せられた光と、活性層から発せられた光が蛍光体によって波長変換された光との合成色光が得られ、活性層から発せられた光を蛍光体によって波長変換された光で色度補正する等を行うことが考えられる。
【００２５】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２について説明する。
図１２及び図１３において、図１から図１１に記載の構成要素と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
この実施形態と上記第１の実施形態とは基本的構成は同一であり、ここでは異なる点についてのみ説明する。
本実施形態においては、溝部１９´の横断面が逆メサ形状となっている。すなわち、溝部１９´は、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３から基板２の一方の主面３にわたって、縦断面積が漸次大きくなるように形成されている。言い換えると、溝部１９´の側面は、側面視して、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３から基板２の一方の主面３にわたって、互いに漸次離隔するように所定の角度傾斜して形成されている。溝部１９´は、エピタキシャル成長層７を貫通して形成されている。
【００２６】
さらに、エピタキシャル成長層７の横断面は、全体として逆メサ形状に形成されている。すなわち、エピタキシャル成長層７の側面２５の角θが、９０度以上に設定されている。この角θは、例えば１３５度に設定される。
また、基板２の一方の主面３とエピタキシャル成長層７との間に、光を反射する金属からなる反射面２８が設けられている。
なお、溝部１９´には、光散乱体２０は設けられていない。
【００２７】
次に、本実施形態における半導体発光素子１の製造方法について説明する。
まず、図１４に示すように、基板２´の一方の主面３上にエピタキシャル成長層７を形成する。そして、図１５に示すように、エピタキシャル成長層７にドライエッチングにより溝部１９´を形成する。これにより、エピタキシャル成長層７の領域に行列方向の複数の溝部１９´が形成される。このときの溝部１９´の横断面はメサ形状とする。さらに、図１６に示すように、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３上に、金属板からなる反射面２８を介して基板２を張りあわせる。そして、図１７に示すように、下側の基板２´（図１４に示すあらかじめ設けられていた方の基板）のみを除去する。さらに、残った基板２をエピタキシャル成長層７ごと上下反転させ、図１８に示すように、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３上に、透明電極１４を介して電極パッド層２４を蒸着する。そして、図１９に示すように、フォトリソグラフィによって、中央を残して電極パッド層２４を剥離する。さらに、図２０に示すように、基板２の他方の主面４に、裏面電極１８を蒸着する。
これにより、図１２及び図１３に示す上述の半導体発光素子１が得られる。
【００２８】
次に、本実施形態における半導体発光素子１の作用について説明する。
まず、上方Ｈｕ側に向かって進む光のうち、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３に対する入射角が臨界角よりも大きい光Ｌ１は、エピタキシャル成長層７及び透明電極１４を透過して外方（半導体発光素子１の外方）に進んでいく。一方、上方Ｈｕ側に向かって進む光のうち、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３に対する入射角が臨界角よりも小さい光Ｌ２は、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３で反射し、下方Ｈｄ側、又は溝部１９の側面又はエピタキシャル成長層７の側面２５に向かって進んでいく。
また、下方Ｈｄ側に向かって進む光のうち、反射膜２８に到達した光は、反射膜２８で反射し、上方Ｈｕ又は溝部１９の側面又はエピタキシャル成長層７の側面２５に向かって進んでいく。したがって、実施形態１と異なり、基板２で光が吸収されることはない。
また、上方Ｈｕ側に向かって進む光のうち、光散乱体２０に到達する光は、溝部１９の側面又はエピタキシャル成長層７の側面２５が逆メサ形状となっていることから、エピタキシャル成長層の側面がメサ形状である従来の半導体発光素子や実施形態１の半導体発光素子に比べて少ない。上方Ｈｕ側に向かって進む光をより良好に外方に取り出すことができる。
【００２９】
また、下方Ｈｄ側に向かって進む光のうち、光散乱体２０に到達する光は、一部反射してエピタキシャル成長層７に戻ってしまうものの、溝部１９の側面又はエピタキシャル成長層７の側面２５が逆メサ形状であるため、エピタキシャル成長層７に戻る光が反射膜２８に当たって反射する反射角は小さくなり、横方向の光が多くなる。横方向の光は光散乱体２０に到達して光散乱体２０内へ入り、光散乱することによって外方に取り出される。したがって、本実施形態のように形成することによって、反射を繰り返すことで光のエネルギーが減衰又は基板２に吸収される光が減少し、溝部１９の側面又はエピタキシャル成長層７の側面２５で反射した光を外方に取り出すこと、又は光散乱体２０内に入って光拡散して外方に良好に取り出すことが可能となる。
【００３０】
なお、本実施形態１及び２においては、角θを１３５度に設定したが、これに限ることはなく、９０度以上から１３５度以下の範囲であれば、適宜変更可能である。
また、溝部１９´に光散乱体や蛍光体などの光導出手段を設けず、空洞としてもよい。
なお、上記実施形態１及び２においては、溝部１９，１９´は、エピタキシャル成長層７を貫通するとしたが、これに限ることはなく、エピタキシャル成長層７の一方の主面１３から、活性層９に少しでもかかっていればよい。ただし、少なくとも活性層９を貫通するだけの深さに設定することが好ましいのは言うまでもない。
【００３１】
また、上記実施形態１及び２においては、溝部１９，１９´を行列方向に複数設けるとしたが、これに限ることはなく、形成場所、形成数などは適宜変更可能である。例えば、図２３に示すように、電極パッド１５を取り囲むように、複数の矩形又は円形であって異なる寸法からなるリング状の長溝３２を形成してもよい。
また、上記実施形態１又は２において、基板２の一方の主面３とエピタキシャル成長層７との間に反射面２８を設けてもよい。
なお、本発明の技術範囲は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施形態としての半導体発光素子を示す側断面図である。
【図２】図１の半導体発光素子を示す平面図である。
【図３】図１の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、基板にエピタキシャル成長層を設けた様子を示す側断面図である。
【図４】図１の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、エピタキシャル成長層にドライエッチングを施した様子を示す側断面図である。
【図５】図１の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、エピタキシャル成長層に光散乱層を設けた様子を示す側断面図である。
【図６】図１の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、エピタキシャル成長層の一方の主面に設けられた光散乱層を除去した様子を示す側断面図である。
【図７】図１の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、エピタキシャル成長層にｐ電極を介して電極パッド層を設けた様子を示す側断面図である。
【図８】図１の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、所定箇所の電極パッド層を剥離して電極パッドを形成した様子を示す側断面図である。
【図９】図１の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、基板の他方の主面にｎ電極を設けた様子を示す側断面図である。
【図１０】従来において、活性層から発せられた光の進行の様子を示す説明図である。
【図１１】本実施形態において、活性層から発せられた光の進行の様子を示す説明図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態としての半導体発光素子を示す側断面図である。
【図１３】図１２の半導体発光素子を示す平面図である。
【図１４】図１２の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、基板にエピタキシャル成長層を設けた様子を示す側断面図である。
【図１５】図１２の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、エピタキシャル成長層にドライエッチングを施した様子を示す側断面図である。
【図１６】図１２の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、エピタキシャル成長層に、反射面を介して基板を張り合わせた様子を示す側断面図である。
【図１７】図１２の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、下側の基板を除去して上下反転させた様子を示す側断面図である。
【図１８】図１２の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、エピタキシャル成長層に透明電極を介して電極パッド層を設けた様子を示す側断面図である。
【図１９】図１２の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、所定箇所の電極パッド層を剥離して電極パッドを形成した様子を示す側断面図である。
【図２０】図１２の半導体発光素子の製造方法を示す図であって、基板の他方の主面に裏面電極を設けた様子を示す側断面図である。
【図２１】図２及び図１３の溝部の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１    半導体発光素子
２    基板（非透光性基板、シリコン基板）
３    一方の主面（非透光性基板の一方の上面）
７    エピタキシャル成長層
８    第１のクラッド層
９    活性層
１０  第２のクラッド層
１３  一方の主面（エピタキシャル成長層の一方の主面）
１４  透明電極
１８  裏面電極
１９、１９´  溝部
２０  光散乱体（光導出手段）
２５  側面
２８  反射面
【図１】
2007300017.tif 000003
【図２】
2007300017.tif 000004
【図３】
2007300017.tif 000005
【図４】
2007300017.tif 000006
【図５】
2007300017.tif 000007
【図６】
2007300017.tif 000008
【図７】
2007300017.tif 000009
【図８】
2007300017.tif 000010
【図９】
2007300017.tif 000011
【図１０】
2007300017.tif 000012
【図１１】
2007300017.tif 000013
【図１２】
2007300017.tif 000014
【図１３】
2007300017.tif 000015
【図１４】
2007300017.tif 000016
【図１５】
2007300017.tif 000017
【図１６】
2007300017.tif 000018
【図１７】
2007300017.tif 000019
【図１８】
2007300017.tif 000020
【図１９】
2007300017.tif 000021
【図２０】
2007300017.tif 000022
【図２１】
2007300017.tif 000023