(57)【要約】【課題】強誘電体メモリを備えたデータキャリアシステムについて、特に高温環境下でのデータ保持特性の劣化、データ消失、及びインプリント劣化の問題を解決する。【解決手段】データキャリアシステムは、強誘電体メモリである第１のメモリ（１０１）と、第２のメモリ（２０２）と、与えられた命令に従って第１のメモリの分極消去を行う分極消去回路（１０２）と、第１及び第２のメモリに対するデータアクセス及び分極消去回路の動作制御を行う制御回路（１０３）とを備えている。ここで、制御回路（１０３）は、第１の命令を受けたとき、第１のメモリに格納されたデータを第２のメモリに退避させてから分極消去回路に分極消去命令を出す一方、第２の命令を受けたとき、第２のメモリに退避させたデータを第１のメモリに書き戻す。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
強誘電体メモリを備えたデータキャリアであって、
与えられた命令に従って前記強誘電体メモリの分極消去を行う分極消去回路と、
前記強誘電体メモリとの間のデータアクセス及び前記分極消去回路の動作制御を行う制御回路とを備え、
前記制御回路は、第１の命令を受けたとき、前記強誘電体メモリに格納されたデータを別のメモリに退避させてから前記分極消去回路に分極消去命令を出す一方、第２の命令を受けたとき、前記別のメモリに退避させたデータを前記強誘電体メモリに書き戻す
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項２】
請求項１に記載のデータキャリアにおいて、
前記制御回路は、前記分極消去命令を出すとき、前記強誘電体メモリへのデータ書き込みを許可する
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項３】
請求項１に記載のデータキャリアにおいて、
前記分極消去回路は、前記強誘電体メモリにおける特定領域以外について分極消去を行う
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項４】
請求項１に記載のデータキャリアにおいて、
前記別のメモリとして強誘電体メモリ以外のメモリを備えた
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項５】
請求項４に記載のデータキャリアにおいて、
外部からのデータアクセスに係るメモリとして、前記強誘電体メモリ及び前記別のメモリを切り替えるメモリ切替回路を備えた
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項６】
請求項１に記載のデータキャリアにおいて、
ヒューズＲＯＭを備え、
前記制御回路は、前記第２の命令を受けたとき、前記ヒューズＲＯＭに格納されたデータを前記強誘電体メモリに書き込む
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項７】
請求項６に記載のデータキャリアにおいて、
前記ヒューズＲＯＭは、暗号化データを格納したものであり、
当該データキャリアは、
前記暗号化データを復号する復号回路を備え、
前記制御回路は、前記第２の命令を受けたとき、前記復号回路によって復号されたデータを前記強誘電体メモリに書き込む
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項８】
請求項１に記載のデータキャリアにおいて、
当該データキャリアの電源電圧で充電される容量を備え、
前記分極消去回路は、前記容量の放電電圧によって動作する
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項９】
請求項１に記載のデータキャリアにおいて、
前記強誘電体メモリの温度を計測する温度センサであって、前記温度が所定値を上回ったとき、前記第１の信号を出力する一方、前記温度が所定値を下回ったとき、前記第２の信号を出力する温度センサを備えた
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項１０】
請求項９に記載のデータキャリアにおいて、
当該データキャリアの動作電力を供給する給電回路を備えた
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項１１】
強誘電体メモリと、
前記強誘電体メモリに対するアクセス制御及び前記強誘電体メモリの分極消去制御を行う制御回路とを備え、
前記制御回路は、第１の命令を受けたとき、前記強誘電体メモリに格納されたデータを別のメモリに退避させてから、外部から与えられた電圧で前記強誘電体メモリの分極消去を行う一方、第２の命令を受けたとき、前記別のメモリに退避させたデータを前記強誘電体メモリに書き戻す
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項１２】
強誘電体メモリを備えたデータキャリアであって、
与えられた命令に従って前記強誘電体メモリの分極消去を行う分極消去回路と、
与えられた命令に従って所定のデータをデータ発生回路と、
前記強誘電体メモリとの間のデータアクセス及び前記分極消去回路及び前記データ発生回路の動作制御を行う制御回路とを備え、
前記制御回路は、第１の命令を受けたとき、前記分極消去回路に分極消去命令を出す一方、第２の命令を受けたとき、前記データ発生回路にデータ発生命令を出し、前記データ発生回路によって発生した前記所定のデータを前記強誘電体メモリに書き込む
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項１３】
強誘電体メモリと、
与えられた命令に従って所定のデータをデータ発生回路と、
前記強誘電体メモリに対するアクセス制御、前記データ発生回路の動作制御、及び前記強誘電体メモリの分極消去制御を行う制御回路とを備え、
前記制御回路は、第１の命令を受けたとき、外部から与えられた電圧で前記強誘電体メモリの分極消去を行う一方、第２の命令を受けたとき、前記データ発生回路にデータ発生命令を出し、前記データ発生回路によって発生した前記所定のデータを前記強誘電体メモリに書き込む
ことを特徴とするデータキャリア。
【請求項１４】
強誘電体メモリを備えたデータキャリアのリーダ／ライタであって、
前記データキャリアは、
前記強誘電体メモリの温度を計測する温度センサであって、前記温度が所定値を上回ったとき、第１の信号を出力する一方、前記温度が所定値を下回ったとき、第２の信号を出力する温度センサを備えたものであり、
当該リーダ／ライタは、
メモリと、
前記メモリに対するアクセス制御を行う制御回路と、
前記メモリから読み出されたデータを反転して反転データを生成する反転回路とを備え、
前記制御回路は、前記第１の信号を受けたとき、前記強誘電体メモリに格納されたデータを前記メモリに退避させてから、前記強誘電体メモリに、前記メモリに格納されたデータ及び前記反転データを交互に書き込む一方、前記第２の信号を受けたとき、前記強誘電体メモリに、前記メモリに格納されたデータを書き込む
ことを特徴とするリーダ／ライタ。
【請求項１５】
強誘電体メモリを備えたデータキャリアのリーダ／ライタであって、
前記データキャリアは、
前記強誘電体メモリの温度を計測する温度センサであって、前記温度が所定値を上回ったとき、第１の信号を出力する一方、前記温度が所定値を下回ったとき、第２の信号を出力する温度センサを備えたものであり、
当該リーダ／ライタは、
メモリと、
前記メモリに対するアクセス制御を行う制御回路と、
前記メモリから読み出されたデータを反転して反転データを生成する反転回路と、
前記第１の信号を受けてから前記第２の信号を受けるまで、前記温度センサによって計測された前記強誘電体メモリの温度を時間積分して前記強誘電体メモリに加わる熱ストレス総量を見積もるとともに、前記第１の信号を受けてから前記時間積分値が前記熱ストレス総量の半分になるまでの時間を算出する熱ストレス演算回路とを備え、
前記制御回路は、前記第１の信号を受けたとき、前記強誘電体メモリに格納されたデータを前記メモリに退避させ、それから前記熱ストレス演算回路によって算出された時間が経過したとき、前記強誘電体メモリへの前記反転データを書き込みを開始し、前記第２の信号を受けたとき、前記強誘電体メモリへの前記反転データの書き込みを停止する
ことを特徴とするリーダ／ライタ。
【請求項１６】
強誘電体メモリである第１のメモリと、
第２のメモリと、
与えられた命令に従って前記第１のメモリの分極消去を行う分極消去回路と、
前記第１及び第２のメモリに対するデータアクセス及び前記分極消去回路の動作制御を行う制御回路とを備え、
前記制御回路は、第１の命令を受けたとき、前記第１のメモリに格納されたデータを前記第２のメモリに退避させてから前記分極消去回路に分極消去命令を出す一方、第２の命令を受けたとき、前記第２のメモリに退避させたデータを前記第１のメモリに書き戻す
ことを特徴とするデータキャリアシステム。
【請求項１７】
請求項１６に記載のデータキャリアシステムにおいて、
前記第１のメモリの温度を計測する温度センサであって、前記温度が所定値を上回ったとき、前記第１の信号を出力する一方、前記温度が所定値を下回ったとき、前記第２の信号を出力する温度センサと、
前記第２のメモリから読み出されたデータを反転して反転データを生成する反転回路とを備え、
前記制御回路は、前記第１の信号を受けたとき、前記第１のメモリに格納されたデータを前記第２のメモリに退避させてから、前記第１のメモリに、前記第２のメモリに格納されたデータ及び前記反転データを交互に書き込む一方、前記第２の信号を受けたとき、前記第１のメモリに、前記第２のメモリに格納されたデータを書き込む
ことを特徴とするデータキャリアシステム。
【請求項１８】
請求項１６に記載のデータキャリアシステムにおいて、
前記第１のメモリの温度を計測する温度センサであって、前記温度が所定値を上回ったとき、前記第１の信号を出力する一方、前記温度が所定値を下回ったとき、前記第２の信号を出力する温度センサと、
前記第２のメモリから読み出されたデータを反転して反転データを生成する反転回路と、
前記第１の信号を受けてから前記第２の信号を受けるまで、前記温度センサによって計測された前記第１のメモリの温度を時間積分して前記第１のメモリに加わる熱ストレス総量を見積もるとともに、前記第１の信号を受けてから前記時間積分値が前記熱ストレス総量の半分になるまでの時間を算出する熱ストレス演算回路とを備え、
前記制御回路は、前記第１の信号が出力されたとき、前記第１のメモリに格納されたデータを前記第２のメモリに退避させ、それから前記熱ストレス演算回路によって算出された時間を経過したとき、前記第１のメモリへの前記反転データを書き込みを開始し、前記第２の信号が出力されたとき、前記第１のメモリへの前記反転データの書き込みを停止する
ことを特徴とするデータキャリアシステム。
【請求項１９】
強誘電体メモリに格納されたデータの退避復元方法であって、
強誘電体メモリの温度が所定値を上回ったとき、前記強誘電体メモリに格納されたデータを別のメモリに退避する第１のステップと、
前記第１のステップの後、前記強誘電体メモリを分極消去する第２のステップと、
前記第２のステップの後に前記強誘電体メモリの温度が所定値を下回ったとき、前記別のメモリに退避したデータを前記強誘電体メモリに書き戻す第３のステップとを備えた
ことを特徴とする退避復元方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電体メモリを備えたデータキャリアシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
強誘電体メモリは、高速かつ低消費電力で、繰り返し寿命の長い優れた不揮発性メモリであり、マルチメディア社会において、その可能性は高く評価されている。近年では、強誘電体メモリが内蔵されたマルチメディア製品が続々と登場し、年々その数は増加している。データキャリア製品もその一つである。
【０００３】
しかし、現在の強誘電体メモリは、高温環境に放置するとデータ保持特性が劣化し、データが消失するおそれがある。したがって、カード化工程、半導体チップへの実装工程、及びリフロー工程等の高温処理工程では、強誘電体メモリのデータ保持特性の劣化が懸念される。
【０００４】
従来、劣化したデータ保持特性を回復させるために、リーダ／ライタにより、適当なタイミングで強誘電体メモリからデータを読み出し、それを書き戻すことによって、強誘電体メモリのリフレッシュを図っている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３―７６９５３号公報（第５頁、第２図及び第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、キュリー温度に達するほどの高温環境下ではリフレシュ対象のデータがすでに強誘電体メモリから消失してしまっているため、上記の従来技術によるリフレッシュ動作は事実上不可能である。したがって、従来のデータキャリアシステムの動作温度条件は、リフレッシュ可能な分極量が保たれる温度以下に制限されることとなる。
【０００６】
また、強誘電体メモリは、高温環境に放置されるとデータの書き換えが困難となるインプリント劣化を引き起こし、信頼性が低下してしまう。上記の従来技術では、インプリント劣化問題に十分に対処することができない。
【０００７】
上記問題に鑑み、本発明は、強誘電体メモリを備えたデータキャリアシステムについて、特に高温環境下でのデータ保持特性の劣化、データ消失、及びインプリント劣化の問題を解決することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明が講じた手段は、強誘電体メモリを備えたデータキャリアとして、与えられた命令に従って前記強誘電体メモリの分極消去を行う分極消去回路と、前記強誘電体メモリとの間のデータアクセス及び前記分極消去回路の動作制御を行う制御回路とを備えたものとする。ここで、前記制御回路は、第１の命令を受けたとき、前記強誘電体メモリに格納されたデータを別のメモリに退避させてから前記分極消去回路に分極消去命令を出す一方、第２の命令を受けたとき、前記別のメモリに退避させたデータを前記強誘電体メモリに書き戻すものとする。
【０００９】
これによると、制御回路に第１の命令が与えられたとき、制御回路によって、強誘電体メモリに格納されたデータが別のメモリに退避され、それから分極消去回路によって強誘電体メモリの分極消去が行われ、制御回路に第２の命令が出力されたとき、制御回路によって、別のメモリに退避したデータが強誘電体メモリに書き戻される。したがって、強誘電体メモリに格納されたデータが消失する危険がある場合、例えば、データキャリアが高温処理工程等で処理される場合、強誘電体メモリに格納されたデータを別のメモリに退避させてから強誘電体メモリの分極消去が行われ、当該危険がなくなってから、別のメモリに退避したデータが強誘電体メモリに書き戻されることで、強誘電体メモリのデータ保持特性の劣化、データ消失、及びインプリント劣化のいずれもが起きなくすることができる。
【００１０】
好ましくは、前記制御回路は、前記分極消去命令を出すとき、前記強誘電体メモリへのデータ書き込みを許可するものとする。
【００１１】
また、好ましくは、前記分極消去回路は、前記強誘電体メモリにおける特定領域以外について分極消去を行うものとする。
【００１２】
具体的には、上記のデータキャリアは、前記別のメモリとして強誘電体メモリ以外のメモリを備えているものとする。
【００１３】
好ましくは、上記のデータキャリアは、さらに、外部からのデータアクセスに係るメモリとして、前記強誘電体メモリ及び前記別のメモリを切り替えるメモリ切替回路を備えているものとする。
【００１４】
また、好ましくは、上記のデータキャリアは、ヒューズＲＯＭを備えているものとする。ここで、前記制御回路は、前記第２の命令を受けたとき、前記ヒューズＲＯＭに格納されたデータを前記強誘電体メモリに書き込むものとする。
【００１５】
より好ましくは、前記ヒューズＲＯＭは、暗号化データを格納したものとする。そして、上記のデータキャリアは、前記暗号化データを復号する復号回路を備えているものとする。ここで、前記制御回路は、前記第２の命令を受けたとき、前記復号回路によって復号されたデータを前記強誘電体メモリに書き込むものとする。
【００１６】
また、好ましくは、上記のデータキャリアは、当該データキャリアの電源電圧で充電される容量を備えているものとする。ここで、前記分極消去回路は、前記容量の放電電圧によって動作するものとする。
【００１７】
また、好ましくは、上記のデータキャリアは、前記強誘電体メモリの温度を計測する温度センサであって、前記温度が所定値を上回ったとき、前記第１の信号を出力する一方、前記温度が所定値を下回ったとき、前記第２の信号を出力する温度センサを備えているものとする。
【００１８】
より好ましくは、上記のデータキャリアは、さらに、当該データキャリアの動作電力を供給する給電回路を備えているものとする。
【００１９】
一方、本発明が講じた手段は、データキャリアとして、強誘電体メモリと、前記強誘電体メモリに対するアクセス制御及び前記強誘電体メモリの分極消去制御を行う制御回路とを備えたものとする。ここで、前記制御回路は、第１の命令を受けたとき、前記強誘電体メモリに格納されたデータを別のメモリに退避させてから、外部から与えられた電圧で前記強誘電体メモリの分極消去を行う一方、第２の命令を受けたとき、前記別のメモリに退避させたデータを前記強誘電体メモリに書き戻すものとする。
【００２０】
これによると、制御回路に第１の命令が与えられたとき、制御回路によって、強誘電体メモリに格納されたデータが別のメモリに退避され、それから外部から与えられた電圧で強誘電体メモリの分極消去が行われ、制御回路に第２の命令が出力されたとき、制御回路によって、別のメモリに退避したデータが強誘電体メモリに書き戻される。したがって、強誘電体メモリに格納されたデータが消失する危険がある場合、例えば、データキャリアが高温処理工程等で処理される場合、強誘電体メモリに格納されたデータを別のメモリに退避させてから強誘電体メモリの分極消去が行われ、当該危険がなくなってから、別のメモリに退避したデータが強誘電体メモリに書き戻されることで、強誘電体メモリのデータ保持特性の劣化、データ消失、及びインプリント劣化のいずれもが起きなくすることができる。
【００２１】
また、本発明が講じた手段は、強誘電体メモリを備えたデータキャリアとして、与えられた命令に従って前記強誘電体メモリの分極消去を行う分極消去回路と、与えられた命令に従って所定のデータをデータ発生回路と、前記強誘電体メモリとの間のデータアクセス及び前記分極消去回路及び前記データ発生回路の動作制御を行う制御回路とを備えたものとする。ここで、前記制御回路は、第１の命令を受けたとき、前記分極消去回路に分極消去命令を出す一方、第２の命令を受けたとき、前記データ発生回路にデータ発生命令を出し、前記データ発生回路によって発生した前記所定のデータを前記強誘電体メモリに書き込むものとする。
【００２２】
また、本発明が講じた手段は、データキャリアとして、強誘電体メモリと、与えられた命令に従って所定のデータをデータ発生回路と、前記強誘電体メモリに対するアクセス制御、前記データ発生回路の動作制御、及び前記強誘電体メモリの分極消去制御を行う制御回路とを備えたものとする。ここで、前記制御回路は、第１の命令を受けたとき、外部から与えられた電圧で前記強誘電体メモリの分極消去を行う一方、第２の命令を受けたとき、前記データ発生回路にデータ発生命令を出し、前記データ発生回路によって発生した前記所定のデータを前記強誘電体メモリに書き込むものとする。
【００２３】
また、本発明が講じた手段は、強誘電体メモリを備えたデータキャリアのリーダ／ライタとして、前記データキャリアは、前記強誘電体メモリの温度を計測する温度センサであって、前記温度が所定値を上回ったとき、第１の信号を出力する一方、前記温度が所定値を下回ったとき、第２の信号を出力する温度センサを備えたものとし、当該リーダ／ライタは、メモリと、前記メモリに対するアクセス制御を行う制御回路と、前記メモリから読み出されたデータを反転して反転データを生成する反転回路とを備えたものとする。ここで、前記制御回路は、前記第１の信号を受けたとき、前記強誘電体メモリに格納されたデータを前記メモリに退避させてから、前記強誘電体メモリに、前記メモリに格納されたデータ及び前記反転データを交互に書き込む一方、前記第２の信号を受けたとき、前記強誘電体メモリに、前記メモリに格納されたデータを書き込むものとする。
【００２４】
これによると、強誘電体メモリの温度が所定値を上回ったとき、制御回路によって、強誘電体メモリに格納されたデータがリーダ／ライタにおけるメモリに退避され、それから強誘電体メモリの温度が所定値を下回るまで、強誘電体メモリには、退避したデータ及びその反転データが交互に書き込まれる。したがって、強誘電体メモリの温度が所定値を上回っている間、強誘電体メモリのインプリント劣化の進行を抑制することができ、また、強誘電体メモリの温度が所定値を下回ったとき、退避していたデータを強誘電体メモリに復元することができるため、強誘電体メモリのデータ保持特性の劣化、データ消失、及びインプリント劣化のいずれもが起きなくすることができる。
【００２５】
また、本発明が講じた手段は、強誘電体メモリを備えたデータキャリアのリーダ／ライタとして、前記データキャリアは、前記強誘電体メモリの温度を計測する温度センサであって、前記温度が所定値を上回ったとき、第１の信号を出力する一方、前記温度が所定値を下回ったとき、第２の信号を出力する温度センサを備えたものとし、当該リーダ／ライタは、メモリと、前記メモリに対するアクセス制御を行う制御回路と、前記メモリから読み出されたデータを反転して反転データを生成する反転回路と、前記第１の信号を受けてから前記第２の信号を受けるまで、前記温度センサによって計測された前記強誘電体メモリの温度を時間積分して前記強誘電体メモリに加わる熱ストレス総量を見積もるとともに、前記第１の信号を受けてから前記時間積分値が前記熱ストレス総量の半分になるまでの時間を算出する熱ストレス演算回路とを備えているものとする。ここで、前記制御回路は、前記第１の信号を受けたとき、前記強誘電体メモリに格納されたデータを前記メモリに退避させ、それから前記熱ストレス演算回路によって算出された時間が経過したとき、前記強誘電体メモリへの前記反転データを書き込みを開始し、前記第２の信号を受けたとき、前記強誘電体メモリへの前記反転データの書き込みを停止するものとする。
【００２６】
これによると、強誘電体メモリの温度が所定値を上回ったとき、制御回路によって、強誘電体メモリに格納されたデータがリーダ／ライタにおけるメモリに退避され、熱ストレス演算回路によって見積もられた熱ストレス総量の半分に相当する時間が経過するまで強誘電体メモリのインプリント劣化が進行する。そして、残りの半分の時間で、反転回路によって生成された反転データが強誘電体メモリに書き込まれることで、進行していたインプリント劣化が元の程度にまで回復する。したがって、強誘電体メモリのデータ保持特性の劣化、データ消失、及びインプリント劣化のいずれもが起きなくすることができる。
【００２７】
一方、本発明が講じた手段は、データキャリアシステムとして、強誘電体メモリである第１のメモリと、第２のメモリと、与えられた命令に従って前記第１のメモリの分極消去を行う分極消去回路と、前記第１及び第２のメモリに対するデータアクセス及び前記分極消去回路の動作制御を行う制御回路とを備えたものとする。ここで、前記制御回路は、第１の命令を受けたとき、前記第１のメモリに格納されたデータを前記第２のメモリに退避させてから前記分極消去回路に分極消去命令を出す一方、第２の命令を受けたとき、前記第２のメモリに退避させたデータを前記第１のメモリに書き戻すものとする。
【００２８】
これによると、制御回路に第１の命令が与えられたとき、制御回路によって、第１のメモリ（強誘電体メモリ）に格納されたデータが第２のメモリに退避され、それから分極消去回路によって強誘電体メモリの分極消去が行われ、制御回路に第２の命令が出力されたとき、制御回路によって、第２のメモリに退避したデータが強誘電体メモリに書き戻される。したがって、強誘電体メモリに格納されたデータが消失する危険がある場合、例えば、データキャリアが高温処理工程等で処理される場合、強誘電体メモリに格納されたデータを第２のメモリに退避させてから強誘電体メモリの分極消去が行われ、当該危険がなくなってから、第２のメモリに退避したデータが強誘電体メモリに書き戻されることで、強誘電体メモリのデータ保持特性の劣化、データ消失、及びインプリント劣化のいずれもが起きなくすることができる。
【００２９】
好ましくは、上記のデータキャリアシステムは、前記第１のメモリの温度を計測する温度センサであって、前記温度が所定値を上回ったとき、前記第１の信号を出力する一方、前記温度が所定値を下回ったとき、前記第２の信号を出力する温度センサと、前記第２のメモリから読み出されたデータを反転して反転データを生成する反転回路とを備えているものとする。ここで、前記制御回路は、前記第１の信号を受けたとき、前記第１のメモリに格納されたデータを前記第２のメモリに退避させてから、前記第１のメモリに、前記第２のメモリに格納されたデータ及び前記反転データを交互に書き込む一方、前記第２の信号を受けたとき、前記第１のメモリに、前記第２のメモリに格納されたデータを書き込むものとする。
【００３０】
また、好ましくは、上記のデータキャリアシステムは、前記第１のメモリの温度を計測する温度センサであって、前記温度が所定値を上回ったとき、前記第１の信号を出力する一方、前記温度が所定値を下回ったとき、前記第２の信号を出力する温度センサと、前記第２のメモリから読み出されたデータを反転して反転データを生成する反転回路と、前記第１の信号を受けてから前記第２の信号を受けるまで、前記温度センサによって計測された前記第１のメモリの温度を時間積分して前記第１のメモリに加わる熱ストレス総量を見積もるとともに、前記第１の信号を受けてから前記時間積分値が前記熱ストレス総量の半分になるまでの時間を算出する熱ストレス演算回路とを備えているものとする。ここで、前記制御回路は、前記第１の信号が出力されたとき、前記第１のメモリに格納されたデータを前記第２のメモリに退避させ、それから前記熱ストレス演算回路によって算出された時間を経過したとき、前記第１のメモリへの前記反転データを書き込みを開始し、前記第２の信号が出力されたとき、前記第１のメモリへの前記反転データの書き込みを停止するものとする。
【００３１】
一方、本発明が講じた手段は、強誘電体メモリに格納されたデータの退避復元方法として、強誘電体メモリの温度が所定値を上回ったとき、前記強誘電体メモリに格納されたデータを別のメモリに退避する第１のステップと、前記第１のステップの後、前記強誘電体メモリを分極消去する第２のステップと、前記第２のステップの後に前記強誘電体メモリの温度が所定値を下回ったとき、前記別のメモリに退避したデータを前記強誘電体メモリに書き戻す第３のステップとを備えたものとする。
【００３２】
これによると、強誘電体メモリの温度が所定値を上回ったとき、強誘電体メモリに格納されたデータが別のメモリに退避され、それから強誘電体メモリの分極消去が行われ、そして、強誘電体メモリの温度が所定値を下回ったとき、別のメモリに退避したデータが強誘電体メモリに書き戻される。したがって、強誘電体メモリに格納されたデータが消失する危険がある場合、例えば、データキャリアが高温処理工程等で処理される場合、強誘電体メモリに格納されたデータを別のメモリに退避させてから強誘電体メモリの分極消去が行われ、当該危険がなくなってから、別のメモリに退避したデータが強誘電体メモリに書き戻されることで、強誘電体メモリのデータ保持特性の劣化、データ消失、及びインプリント劣化のいずれもが起きなくすることができる。
【発明の効果】
【００３３】
以上、本発明によると、強誘電体メモリを備えたデータキャリアシステムについて、高温環境下におけるデータ保持特性及びインプリント劣化特性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、同様の構成要素については各図面において同じ参照符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００３５】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ａ及びリーダ／ライタ２０Ａからなる。データキャリア１０Ａは、強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）１０１、強誘電体メモリ１０１の分極消去を行う分極消去回路１０２、強誘電体メモリ１０１に対するデータアクセス及び分極消去回路１０２の動作制御を行う制御回路１０３、及びリーダ／ライタ２０Ａとの間の通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）１０４を備えている。一方、リーダ／ライタ２０Ａは、データキャリア１０Ａとの間の通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）２０１、メモリ２０２、及びメモリ２０２に対するデータアクセスを行う制御回路２０３を備えている。
【００３６】
本データキャリアシステムの動作は次の通りである。データキャリア１０Ａが高温処理工程で処理される前に、リーダ／ライタ２０Ａは、データキャリア１０Ａに分極消去命令を出す。具体的には、当該命令は制御回路２０３から出力され、インタフェース２０１及び１０４を通じて制御回路１０３に伝達される。制御回路１０３は、当該命令を受けると、強誘電体メモリ１０１からデータを読み出してインタフェース１０４を通じてリーダ／ライタ２０Ａに送信する。リーダ／ライタ２０Ａでは、制御回路２０３が、インタフェース２０１を通じて受信したデータをメモリ２０２に書き込む。
【００３７】
上記のデータ退避が完了すると、制御回路１０３は分極消去回路１０２に分極消去命令を出す。この際、制御回路１０３は、強誘電体メモリ１０１の書き込みを強制的に許可する。これは、一般のデータキャリアと同様に、データキャリア１０Ａには、強誘電体メモリ１０１のデータの安全性を確保するために書き込み電圧が所定値以下の場合にはデータ書き込みができないようにする機能が搭載されているからである。分極消去は“１”及び“０”を交互に書き込みつつ徐々に書き込み電圧を下げていき、分極状態が“１”及び“０”のいずれでもないようにするのが一般的である。したがって、このような方法で分極消去を行う場合には、分極消去可能なように強誘電体メモリ１０１へのデータ書き込みを強制的に許可する必要がある。
【００３８】
なお、データ書き込み時間を調整して分極量を減少させる場合や、降圧回路によって分極消去用の電圧を供給しているような場合には、制御回路１０３から強誘電体メモリ１０１への書き込みを強制的に許可する必要はない。
【００３９】
分極消去回路１０２による分極消去が完了すると、ようやくデータキャリア１０Ａは高温処理工程において処理可能となる。そして、高温処理工程が終了し、データキャリア１０Ａが十分に冷めると、リーダ／ライタ２０Ａは、データキャリア１０Ａに分極消去終了命令を出す。具体的には、当該命令は制御回路２０３から出力され、インタフェース２０１及び１０４を通じて制御回路１０３に伝達される。制御回路１０３は、当該命令を受けると、分極消去回路１０２に分極消去終了命令を出す。これにより、強誘電体メモリ１０１の分極消去は終了する。
【００４０】
その後、制御回路２０３は、メモリ２０２に退避したデータを読み出してインタフェース２０１を通じてデータキャリア１０Ａに送信する。データキャリア１０Ａでは、制御回路１０３が、インタフェース１０４を通じて受信したデータを強誘電体メモリ１０１に書き戻す。なお、データの復元が不要な場合には、データを書き戻さずに強誘電体メモリ１０１へのデータ書き込みを許可するのみでもよい。
【００４１】
以上、本実施形態によると、高温処理工程において強誘電体メモリ１０１の温度がキュリー温度近くまで上昇した場合であっても、強誘電体メモリ１０１は事前に分極消去されるため、インプリント劣化は進行しない。また、キュリー温度近くになると強誘電体メモリ１０１の保持特性が劣化し、さらにキュリー温度を超えると保存していたデータが消失してしまうが、事前にリーダ／ライタ２０Ａ側にデータを退避しているため、復元が可能である。
【００４２】
なお、図２に示したように強誘電体メモリ１０１に特定領域を設けて、読み出し専用で書き換え不要なデータを当該特定領域に格納しておき、当該特定領域については分極消去を行わないようにしてもよい。これにより、高温処理工程において特定領域でのみインプリント劣化が進行する。すなわち、強誘電体メモリ１０１の一部がＲＯＭ化されることとなる。なお、高温処理工程においてキュリー温度を超えた場合、特定領域はＲＯＭ化されることなく分極消去され、そこに格納されたデータは消失してしまう。しかし、上述したようにデータの復元が可能であるから、データ消失防止という点では特に問題はない。
【００４３】
（第２の実施形態）
図３は、第２の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ｂ及びリーダ／ライタ２０Ｂからなる。データキャリア１０Ｂは、図１に示したデータキャリア１０Ａに強誘電体以外のメモリ１０５を追加したものである。一方、リーダ／ライタ２０Ｂは、図１に示したリーダ／ライタ２０Ａから制御回路２０２びメモリ２０３を省略したものである。
【００４４】
本データキャリアシステムは、強誘電体メモリ１０１に格納されたデータをデータキャリア１０Ｂ内部のメモリ１０５に退避するものである。メモリ１０５として、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＣＭＯＳ不揮発性メモリ等を用いることができる。また、高温処理工程においてデータキャリア１０Ｂに電力が供給されるのであれば、メモリ１０５として、ＳＲＡＭやレジスタ等を用いることもできる。これら各種メモリは、高温環境下においてデータ保持特性が劣化するもののキュリー温度程度では数時間のデータ保持が可能であるため、強誘電体メモリ１０１に格納されたデータの退避先として十分にその役割を果たす。なお、コストを考慮するとＣＭＯＳ不揮発性メモリを用いるのが有利である。また、不揮発性メモリを用いると高温処理工程において電力供給しなくてもよくなるため、消費電力が削減される。
【００４５】
本データキャリアシステムの動作は次の通りである。データキャリア１０Ｂが高温処理工程で処理される前に、リーダ／ライタ２０Ｂは、データキャリア１０Ｂに分極消去命令を出す。当該命令は、インタフェース１０４を通じて制御回路１０３に伝達される。制御回路１０３は、当該命令を受けると、強誘電体メモリ１０１からデータを読み出してメモリ１０５に書き込む。
【００４６】
上記のデータ退避が完了すると、制御回路１０３は分極消去回路１０２に分極消去命令を出す。分極消去回路１０２による分極消去が完了すると、ようやくデータキャリア１０Ｂは高温処理工程において処理可能となる。
【００４７】
高温処理工程が終了し、データキャリア１０Ｂが十分に冷めると、リーダ／ライタ２０Ｂは、データキャリア１０Ｂに分極消去終了命令を送信する。当該命令は、インタフェース１０４を通じて制御回路１０３に伝達される。制御回路１０３は、当該命令を受けると、メモリ１０５からデータを読み出して強誘電体メモリ１０１に書き戻す。データを強誘電体メモリ１０１に書き戻す理由は、強誘電体メモリ１０１はメモリ１０５よりも耐タンパー特性に優れており、データ保管の安全性の観点から強誘電体メモリ１０１にデータを格納しておいた方が好ましいからである。なお、データの復元が不要な場合には、データを書き戻さずに強誘電体メモリ１０１へのデータ書き込みを許可するのみでもよい。
【００４８】
以上、本実施形態のように、強誘電体メモリ１０１に格納されたデータをデータキャリア１０Ｂ内部のメモリ１０５に退避するようにしても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
（第３の実施形態）
図４は、第３の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ｃ及びリーダ／ライタ２０Ｂからなる。データキャリア１０Ｃは、図３に示したデータキャリア１０Ｂにメモリ切替回路１０６を追加したものである。一方、リーダ／ライタ２０Ｂは、図３に示したものと同様である。
【００５０】
メモリ切替回路１０６は、データキャリア１０Ｃのメインメモリとして、強誘電体メモリ１０１とメモリ１０５とを切り替える。すなわち、強誘電体メモリ１０１及びメモリ１０５のうち、メモリ切替回路１０６によって選択されているものに対して、データアクセスが行われる。
【００５１】
具体的には、メモリ切替回路１０６は、強誘電体メモリ１０１の分極消去まではメインメモリとして強誘電体メモリ１０１を選択しておき、分極消去後にメモリ１０５に切り替える。したがって、高温処理工程においてリーダ／ライタ２０Ｂとの間でデータ通信が行われる場合、メモリ１０５に対してデータ読み出し及び書き込みが行われる。そして、リーダ／ライタ２０Ｂから分極消去終了命令が出力されたとき、メモリ切替回路１０６は、メインメモリを強誘電体メモリ１０１に切り替える。
【００５２】
以上、本実施形態によると、高温処理工程においてもデータキャリア１０Ｃに対してデータアクセスが可能となる。したがって、例えば、データキャリア１０ＣがＦＡ工程管理用のＩＣタグ等として用いられる場合を想定すると、高温処理工程においてもＩＣタグからデータ収集等ができるようになる。
【００５３】
（第４の実施形態）
図５は、第４の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ｄ及びリーダ／ライタ２０Ｂからなる。データキャリア１０Ｄは、図３に示したメモリ１０５に代えてヒューズＲＯＭ１０７を備え、さらに、復号回路１０８を備えている。一方、リーダ／ライタ２０Ｂは、図３に示したものと同様である。
【００５４】
強誘電体メモリ１０１は耐タンパー特性に優れている反面、熱に弱いという欠点がある。したがって、製造バラツキによる特性の補正データ、メモリの冗長データ、各種ＩＤ情報、検査履歴等の消失したり書き換わったりしては困るデータは、強誘電体メモリ１０１に格納しておくとともに、データキャリア１０Ｄの製造時などにあらかじめヒューズＲＯＭ１０７にも格納しておく。また、当該データは比較的秘匿性が高い場合が多いため、ヒューズＲＯＭ１０７には暗号化して格納する。
【００５５】
制御回路１０３は、リーダ／ライタ２０Ｂからの分極消去終了命令を受けると、ヒューズＲＯＭ１０７に格納されたデータを読み出して、強誘電体メモリ１０１に書き込む。この際、復号回路１０８は、ヒューズＲＯＭ１０７に格納された暗号化データを復号する。
【００５６】
以上、本実施形態によると、高温処理工程において強誘電体メモリ１０１に格納されたデータが消失してしまっても、ヒューズＲＯＭ１０７に格納された重要度が高いデータについては復元が可能である。
【００５７】
なお、復号鍵はリーダ／ライタ２０Ｂから与えられるようにすることで、耐タンパー性が向上する。また、暗号化が不要である場合には復号回路１０８を省略してもよい。
【００５８】
（第５の実施形態）
図６は、第５の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ｅ及びリーダ／ライタ２０Ａからなる。データキャリア１０Ｅは、図１に示したデータキャリア１０Ａに容量１０９を追加したものである。一方、リーダ／ライタ２０Ａは、図１に示したものと同様である。
【００５９】
容量１０９は、データキャリア１０Ｅの電源ノードとグランドノードとの間に設けられており、データキャリア１０Ｅの電源電圧で充電される。分極消去回路１０２は、容量１０９の放電電圧によって動作する。すなわち、分極消去回路１０２は、容量１０９の放電による電圧降下を利用して、強誘電体メモリ１０１の分極消去を行う。これにより、リーダ／ライタ２０Ａからの給電なしで強誘電体メモリ１０１の分極消去が行われる。
【００６０】
以上、本実施形態によると、分極消去時の消費電力が削減され、より消費電力の少ないデータキャリアシステムが実現される。
【００６１】
（第６の実施形態）
図７は、第６の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ａ及びリーダ／ライタ２０Ｃからなる。リーダ／ライタ２０Ｃは、図１に示したリーダ／ライタ２０Ａにタイマー２０４を追加したものである。一方、データキャリア１０Ａは、図１に示したものと同様である。
【００６２】
タイマー２０４は、高温処理工程が終了してから、データキャリア１０Ａが十分に冷めてデータ書き込みが可能になるまでに要する時間を刻む。タイマー２０４への当該時間の設定には、例えば、サンプル用のデータキャリアを用いて当該データキャリアが高温処理工程が終了してから十分に冷めるまでの時間を計測した結果を使用すればよい。
【００６３】
タイマー２０４に時間が設定されたならば、データキャリア１０Ａの高温処理工程終了時からタイマー２０４は時間を刻み始め、設定された時間が経過したとき制御回路２０３に信号を出力する。制御回路２０３は、データキャリア１０Ａの高温処理工程が終了した後にタイマー２０４から信号を受けてから、データキャリア１０Ａへのデータの復元制御を開始する。
【００６４】
以上、本実施形態によると、データキャリア１０Ａの高温処理工程が終了してから適当な時期にデータの復元が行われる。したがって、強誘電体メモリ１０１の温度が高い状態でデータが書き込まれることによるインプリント劣化が起こりにくくなる。
【００６５】
（第７の実施形態）
図８は、第７の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ｆ及びリーダ／ライタ２０Ａからなる。データキャリア１０Ｆは、図１に示したデータキャリア１０Ａに温度センサ１１０を追加したものである。一方、リーダ／ライタ２０Ａは、図１に示したものと同様である。
【００６６】
温度センサ１１０は、強誘電体メモリ１０１の温度を検知して、その結果を制御回路１０３に伝える。具体的には、強誘電体メモリ１０１の温度が所定値を上回ると、温度センサ１１０は、制御回路１０３に分極消去命令を出力する。一方、強誘電体メモリ１０１の温度が所定値を下回ると、温度センサ１１０は、制御回路１０３に分極消去終了命令を出力する。なお、分極消去命令を出すときの温度の所定値と、分極消去終了命令を出すときの温度の所定値とは同じであってもよいし、また、異なっていてもよい。
【００６７】
以上、本実施形態によると、リーダ／ライタ２０Ａからの命令を受けなくとも、強誘電体メモリ１０１の温度の検知結果に基づいて、強誘電体メモリ１０１のデータ退避、分極消去、及びデータ復元が自動的に行われる。
【００６８】
（第８の実施形態）
図９は、第８の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ｇ及びリーダ／ライタ２０Ｄからなる。データキャリア１０Ｇは、強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）１０１、強誘電体メモリ１０１に対するデータアクセスを行う制御回路１０３、及びリーダ／ライタ２０Ｄとの間の通信インタフェース１０４（Ｉ／Ｆ）を備えている。一方、リーダ／ライタ２０Ｄは、データキャリア１０Ｇとの間の通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）２０１、メモリ２０２、メモリ２０２に対するデータアクセスを行う制御回路２０３、及びメモリ２０２から読み出されたデータを反転する反転回路２０５を備えている。
【００６９】
本実施形態に係るデータキャリアシステムの動作は次の通りである。強誘電体メモリ１０１の温度が所定値を上回ると、温度センサ１１０は、制御回路１０３にインプリント回復開始命令を出力する。制御回路１０３は、当該命令を受けると、強誘電体メモリ１０１に格納されているデータをリーダ／ライタ２０Ｄに退避する。具体的には、リーダ／ライタ２０Ｄにおいて、制御回路２０３はインタフェース２０１を通じて受信したデータをメモリ２０２に書き込む。
【００７０】
上記のデータ退避が終わると、制御回路２０３は、メモリ２０２から読み出したデータと反転回路２０５によって反転された反転データとを交互にデータキャリア１０Ｇに送信する。データキャリア１０Ｇにおいて、制御回路１０３は、インタフェース１０４を通じて受信したデータを強誘電体メモリ１０１に書き込む。この書き込み処理は、一定間隔ごとに繰り返し行うようにしてもよい。
【００７１】
そして、強誘電体メモリ１０１の温度が所定値を下回ると、温度センサ１１０は、制御回路１０３にインプリント回復終了命令を出力する。制御回路１０３は、当該命令を受けると、リーダ／ライタ２０Ｄに退避していたデータを強誘電体メモリ１０１に書き込んでから上記処理を終了する。
【００７２】
以上、本実施形態によると、強誘電体メモリ１０１に熱ストレスが加わる間、退避したデータの反転及び非反転が交互に強誘電体メモリ１０１に書き込まれるため、インプリント劣化が進行することがない。
【００７３】
（第９の実施形態）
図１０は、第９の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ｇ及びリーダ／ライタ２０Ｅからなる。リーダ／ライタ２０Ｅは、リーダ／ライタ２０Ｅは、図９に示したリーダ／ライタ２０Ｄにタイマー２０４及び熱ストレス演算回路２０６を追加したものである。一方、データキャリア１０Ｇは、図９に示したものと同様である。
【００７４】
熱ストレス演算回路２０６は、強誘電体メモリ１０１に加わる熱ストレス総量を見積もるとともに、熱ストレス量が、強誘電体メモリ１０１に所定の温度を上回る熱ストレスが加わり始めてから、見積もった熱ストレス総量の半分になるまでの時間を算出する。
【００７５】
具体的には、高温処理工程などにおいて強誘電体メモリ１０１の温度が所定値を上回ると温度センサ１１０はそれを検知して信号（インプリント回復開始命令）を出力する。当該信号は、インタフェース１０４及び２０１を通じて熱ストレス演算回路２０６に伝達される。熱ストレス演算回路２０６は、当該信号を受けると、強誘電体メモリ１０１の温度の時間積分を開始する。強誘電体メモリ１０１の温度が所定値を下回ると温度センサ１１０はそれを検知して信号（インプリント回復終了命令）を出力する。当該信号は、インタフェース１０４及び２０１を通じて熱ストレス演算回路２０６に伝達される。熱ストレス演算回路２０６は、当該信号を受けると、時間積分を終了する。このときの時間積分の値が、強誘電体メモリ１０１に加わった熱ストレス総量である。そして、熱ストレス演算回路２０６は、インプリント回復開始命令が出力されてから、強誘電体メモリ１０１に加わる熱ストレスの量が見積もった熱ストレス総量の半分になるまでの時間を算出する。
【００７６】
タイマー２０４は、インプリント回復開始命令が出力されてから熱ストレス演算回路２０６によって算出された時間が経過するまでの時間と、インプリント回復開始命令が出力されてからインプリント回復終了命令が出力されるまでの時間とを刻む。
【００７７】
なお、熱ストレス演算回路２０６による熱ストレス総量の見積もり及び時間の算出、及びタイマー２０４への上記時間の設定には、例えば、サンプル用のデータキャリアを用いて当該データキャリアが高温処理工程が終了してから十分に冷めるまでの時間を計測した結果を使用するとよい。
【００７８】
本実施形態に係るデータキャリアシステムの動作は次の通りである。データキャリア１０Ｇでは、強誘電体メモリ１０１の温度が所定値を上回ると、温度センサ１１０はそれを検知してインプリント回復開始命令を出力する。制御回路１０３は、当該命令を受けると、強誘電体メモリ１０１に格納されたデータをリーダ／ライタ２０Ｅに退避する。リーダ／ライタ２０Ｅでは、データキャリア１０Ｇから送信されたデータをメモリ２０２に書き込むとともに、タイマー２０４が設定された時間を刻み始める。
【００７９】
そして、インプリント回復開始命令が出力されてから、熱ストレス総量が半分となるまでの時間が経過したとき、タイマー２０４から制御回路２０３に信号が出力される。制御回路２０３は、データキャリア１０Ｇに対して、当該信号を受けるまではデータの書き込みを行わず、当該信号を受けたとき、反転回路２０５から出力された反転データの書き込みを開始する。その後、インプリント回復終了命令が出力されるのとほぼ同じ時期にタイマー２０４から信号が出力される。制御回路２０３は、当該信号を受けたとき、反転データの書き込みを停止する。
【００８０】
以上、本実施形態によると、高温処理工程等で強誘電体メモリ１０１に加わる熱ストレス総量の半分に相当する時間で強誘電体メモリ１０１のインプリント劣化を進行させておき、残りの半分の時間で強誘電体メモリ１０１に反転データを書き込む、すなわち、逆方向の電界が与えられる。これにより、高温処理工程の初期に進行したインプリント劣化が当該工程の終了時には元の程度にまで回復される。
【００８１】
また、本実施形態は、インプリント劣化回復のために必要なデータ書き込み回数が１回で済むため、消費電力及び強誘電体メモリの寿命の観点から、第８の実施形態よりも有利である。
【００８２】
（第１０の実施形態）
図１１は、第１０の実施形態に係るデータキャリアの構成を示す。本データキャリア１０Ｈは、図８に示したデータキャリア１０Ｆに給電回路１１１を追加したものである。
【００８３】
給電回路１１１は、データキャリア１０Ｈの動作電力を供給する。給電回路１１１として、バッテリーや、外部からの非接触電力供給のためのインダクタなどを用いるとよい。
【００８４】
以上、本実施形態によると、データキャリア単体で、強誘電体メモリ１０１のデータ退避、分極消去、及びデータ復元が可能となる。このため、本実施形態に係るデータキャリアは、高温倉庫での保管用途などに適している。
【００８５】
なお、第１から第７の実施形態に係る各データキャリアについて、データ退避用のメモリ、分極消去回路、温度センサ、及び給電回路等を設けることにより、データキャリア単体で、データ退避、分極消去及びデータ復元を自動的に行うことが可能となる。また、第８及び第９の実施形態に係るデータキャリア１０Ｇについて、それぞれ、リーダ／ライタ２０Ｄ及び２０Ｅにおけるメモリ２０２、タイマー２０４、反転回路２０５、及び熱ストレス演算回路２０６を設けることにより、データキャリア単体で、インプリント劣化の進行を自動的に抑制することが可能となる。
【００８６】
（第１１の実施形態）
図１２は、第１１の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ｉ及びリーダ／ライタ２０Ｂからなる。データキャリア１０Ｉは、図３に示したメモリ１０５に代えてデータ発生回路１１２を備えている。一方、リーダ／ライタ２０Ｂは、図３に示したものと同様である。
【００８７】
出荷初期状態の所定値、例えば、各種ＩＤ情報及び検査履歴等のデータ量は数ワード程度である。したがって、このようなデータを復元するのみであれば、図３に示したような退避用のメモリ１０５を設けなくとも、新たにデータを発生する回路を設ける方が有利である。データ発生回路１１２は、上記のような、出荷初期状態の所定値、例えば、各種ＩＤ情報及び検査履歴等の所定のデータを発生させる。
【００８８】
具体的には、制御回路１０３は、リーダ／ライタ２０Ｂからの分極消去終了命令を受けると、データ発生回路１１２にデータ発生命令を出す。データ発生回路１１２は、当該命令を受けると所定のデータを発生させる。そして、制御回路１０３は、データ発生回路１１２によって発生した所定のデータを強誘電体メモリ１０１に書き込む。
【００８９】
以上、本実施形態によると、高温処理工程において強誘電体メモリ１０１に格納されたデータが消失してしまっても、退避用のメモリを特に備えることなく、出荷初期状態の所定値については容易に復元することができる。
【００９０】
（第１２の実施形態）
図１３は、第１２の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成を示す。本データキャリアシステムは、データキャリア１０Ｊ及びリーダ／ライター２０Ｂからなる。データキャリア１０Ｊは、図１２に示したデータキャリア１０Ｉから分極消去回路１０２を省略したものである。一方、リーダ／ライタ２０Ｂは、図３に示したものと同様である。
【００９１】
データキャリア１０Ｊには、外部の分極消去電圧発生器３００から強誘電体メモリ１０１の分極消去のための電圧が与えられる。制御回路１０３は、分極消去電圧発生器３００から与えられた電圧で、強誘電体メモリ１０１に対してデータ“１”の書き込み制御をする機能を有している。
【００９２】
具体的には、制御回路１０３は、リーダ／ライタ２０Ｂからの分極消去命令を受けると、分極消去電圧発生器３００から与えられた電圧で、強誘電体メモリ１０１に対してデータ“１”の書き込みを行う。
【００９３】
以上、本実施形態によると、データキャリアの回路構成が極めて簡易になる。
【００９４】
なお、分極消去電圧発生器３００は、リーダ／ライタ２０Ｂに設けられたものであってもよい。また、データキャリアの検査器やテスターを分極消去電圧発生器３００として代用してもよい。テスター等で代用する場合には、制御回路１０３を経由しなくとも強誘電体メモリ１０１にデータを直接書き込むようにしてもよい。分極消去電圧発生器３００を、製造メーカーが保有している既存の検査器やテスター等で代用することで、より安価かつ容易に図１２のデータキャリアシステムと同等の機能を有するシステムが実現できる。
【００９５】
また、第１から第７の実施形態に係る各データキャリアについても、分極消去回路１０２を省略し、外部から分極消去するための電圧を受けるようにしてもよい。
【００９６】
また、上記の各実施形態に係るデータキャリアについて、強誘電体メモリの分極消去又はインプリント劣化抑制動作について、定期的にこれら動作を実行させる機能を設けることにより、経年変化によるインプリント劣化を回避することができる。また、高温処理工程でキュリー温度を超えることがあらかじめ判明している場合には、分極消去又はインプリント劣化回復動作は省略可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明に係るデータキャリアシステムは、高温環境下でのデータ保持特性に優れているため、高温作業工程が含まれる用途に特に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】第１の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成図である。
【図２】図１に示した強誘電体メモリに特定領域を設けた場合のデータキャリアシステムの構成図である。
【図３】第２の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成図である。
【図４】第３の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成図である。
【図５】第４の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成図である。
【図６】第５の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成図である。
【図７】第６の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成図である。
【図８】第７の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成図である。
【図９】第８の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成図である。
【図１０】第９の実施形態に係るデータキャリアシステムの構成図である。
【図１１】第１０の実施形態に係るデータキャリアの構成図である。
【図１２】第１１の実施形態に係るデータキャリアの構成図である。
【図１３】第１２の実施形態に係るデータキャリアの構成図である。
【符号の説明】
【００９９】
１０Ａ〜１０Ｊ  データキャリア
２０Ａ〜２０Ｅ  リーダ／ライタ
１０１  強誘電体メモリ（第１のメモリ）
１０２  分極消去回路
１０３  制御回路
１０５  メモリ（第２のメモリ）
１０６  メモリ切替回路
１０７  ヒューズＲＯＭ
１０８  復号回路
１０９  容量
１１０  温度センサ
１１１  給電回路
１１２  データ発生回路
２０２  メモリ（第２のメモリ）
２０３  制御回路
２０５  反転回路
２０６  熱ストレス演算回路
３００  分極消去電圧発生器
【図１】
2007141170.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2007141170.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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