(57)【要約】【課題】  表示装置においてスルーホールで接続される２つの導電層の接続不良を低減する。【解決手段】  基板の表面の上に設けられた第１の導電層と、前記基板の表面からみて前記第１の導電層の上に、１つの絶縁膜または１つの絶縁膜を含む２つ以上の積層された薄膜からなる薄膜層を介して設けられた第２の導電層とが、前記薄膜層に設けられた開口部において電気的に接続されている表示パネルを有する表示装置であって、前記薄膜層の前記開口部の開口端のうち、前記基板の表面からの距離が遠いほうの開口端の外周は、該外周を１周する間に、前記基板の表面からの距離が１回以上変動する表示装置。【選択図】        図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面の上に設けられた第１の導電層と、前記基板の表面からみて前記第１の導電層の上に、１つの絶縁膜または１つの絶縁膜を含む２つ以上の積層された薄膜からなる薄膜層を介して設けられた第２の導電層とが、前記薄膜層に設けられた開口部において電気的に接続されている表示パネルを有する表示装置であって、
前記薄膜層の前記開口部の開口端のうち、前記基板の表面からの距離が遠いほうの開口端の外周は、該外周を１周する間に、前記基板の表面からの距離が１回以上変動することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周は、前記基板の表面と前記第２の導電層の間に介在する薄膜の層の数が異なる２つ以上の領域を通ることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周は、前記基板の表面と前記第１の導電層の間に半導体層または第３の導電層が介在する領域と、前記半導体層または前記第３の導電層が介在しない領域を通ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に半導体層が介在する領域と、前記半導体層が介在しない領域を通ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の間には、２つの絶縁膜が介在しており、
前記半導体層は、前記２つの絶縁層の間に介在していることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周は、前記第１の導電層の外周と立体的に交差していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記表示パネルは、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルであり、前記第１の導電層および前記第２の導電層は、前記一対の基板のうちの一方の基板の表面の上に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に、液晶表示装置の表示領域に形成するスルーホールに適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、映像や画像を表示する表示装置には、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルを用いた液晶表示装置がある。
【０００３】
前記液晶表示パネルにおいて、一対の基板のうちの一方の基板は、一般に、ＴＦＴ基板と呼ばれ、透明な基板の表面の上に、複数本の走査信号線と、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線が形成されている。そして、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域が１つの画素領域に相当し、各画素領域に対してＴＦＴ素子や画素電極などが配置されている。また、ＴＦＴ基板と対をなす他方の基板は、一般に、対向基板と呼ばれる。
【０００４】
前記液晶表示パネルが、たとえば、ＴＮ方式やＶＡ方式のような縦電界方式と呼ばれる駆動方式の場合、ＴＦＴ基板の画素電極と対向する対向電極（共通電極とも呼ばれる）は、対向基板側に設けられる。また、前記液晶表示パネルが、たとえば、ＩＰＳ方式のような横電界方式と呼ばれる駆動方式の場合、前記対向電極は、ＴＦＴ基板側に設けられる。
【０００５】
また、ＴＦＴ基板の画素電極は、前記ＴＦＴ素子のソース電極と電気的に接続される。このとき、ソース電極と画素電極の間には１層または２層以上の絶縁膜が介在しており、画素電極は、この絶縁膜に形成されたスルーホールあるいはコンタクトホールと呼ばれる開口部においてソース電極と接続されている（たとえば、特許文献１を参照。）。
【０００６】
また、ＴＦＴ基板および対向基板は、画素電極と対向電極の電位差がない状態における液晶分子の向き（配向）や、画素電極と対向電極の間に電位差が生じたときの液晶分子の配列や傾きを制御するための配向膜が設けられている。この配向膜は、各基板の液晶材料（液晶層）との界面に設けられており、たとえば、前記画素領域の集合からなる表示領域全体を覆うように形成されたポリイミドなどの樹脂膜の表面にラビング処理を行って形成している。
【特許文献１】特開平１１−３２６９４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＴＦＴ基板の画素電極は、一般に、スルーホール（開口部）を形成した絶縁層の全面にＩＴＯなどの透明な導電膜を形成した後、該導電膜をエッチングして形成する。このとき、導電膜のエッチングで用いるエッチングレジストは、導電膜上に液状のレジスト材料を印刷または塗布した後、該レジスト材料を露光、現像して形成する。
【０００８】
しかしながら、近年の液晶表示装置では、たとえば、画素領域の微細化や画素領域の高開口率化にともない、スルーホール（開口部）の穴径が小さくなっており、たとえば、液状のレジスト材料を印刷したときに、スルーホール部に生じている凹部に入りにくくなっている。そのため、露光、現像して形成されたエッチングレジストのスルーホール部に欠陥ができ、その後のエッチングでスルーホール部の導電膜（ＩＴＯ膜）が除去されてしまう。その結果、たとえば、ＴＦＴ基板のソース電極と画素電極に導通不良が生じるという問題があった。
【０００９】
また、ＴＦＴ基板の場合、前記配向膜を形成するときに、画素電極の上に、液状の樹脂材料を印刷または塗布した後、焼成して該樹脂材料を硬化（固化）させる。このときも、たとえば、画素電極をソース電極に接続するためのスルーホール（開口部）の穴径が小さいと、印刷した液状の樹脂材料が前記スルーホール部に生じる凹部に入りにくい。そのため、ＴＦＴ基板側の配向膜に微小な凹状の欠陥が生じ、スルーホール部が配向異常を起こし、光漏れが発生するという問題があった。
【００１０】
本発明の目的は、表示装置においてスルーホールで接続される２つの導電層の接続不良を低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、たとえば、液晶表示装置においてスルーホールで接続されるＴＦＴ素子のソース電極と画素電極の接続不良を低減するが可能な技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、たとえば、液晶表示装置においてＴＦＴ基板側に設けられた配向膜の欠陥を低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。
【００１５】
（１）基板の表面の上に設けられた第１の導電層と、前記基板の表面からみて前記第１の導電層の上に、１つの絶縁膜または１つの絶縁膜を含む２つ以上の積層された薄膜からなる薄膜層を介して設けられた第２の導電層とが、前記薄膜層に設けられた開口部において電気的に接続されている表示パネルを有する表示装置であって、前記薄膜層の前記開口部の開口端のうち、前記基板の表面からの距離が遠いほうの開口端の外周は、該外周を１周する間に、前記基板の表面からの距離が１回以上変動する表示装置。
【００１６】
（２）前記（１）の表示装置において、前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周は、前記基板の表面と前記第２の導電層の間に介在する薄膜の層の数が異なる２つ以上の領域を通る表示装置。
【００１７】
（３）前記（１）または（２）の表示装置において、前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周は、前記基板の表面と前記第１の導電層の間に半導体層または第３の導電層が介在する領域と、前記半導体層または前記第３の導電層が介在しない領域を通る表示装置。
【００１８】
（４）前記（１）または（２）の表示装置において、前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に半導体層が介在する領域と、前記半導体層が介在しない領域を通る表示装置。
【００１９】
（５）前記（４）の表示装置において、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間には、２つの絶縁膜が介在しており、前記半導体層は、前記２つの絶縁層の間に介在している表示装置。
【００２０】
（６）前記（１）または（２）の表示装置において、前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周は、前記第１の導電層の外周と立体的に交差している表示装置。
【００２１】
（７）前記（１）乃至（６）のいずれかの表示装置において、前記表示パネルは、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルであり、前記第１の導電層および前記第２の導電層は、前記一対の基板のうちの一方の基板の表面の上に設けられている表示装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の表示装置は、基板の表面の上に設けられた第１の導電層と、前記基板の表面からみて前記第１の導電層の上に、１つの絶縁膜または１つの絶縁膜を含む２つ以上の積層された薄膜からなる薄膜層を介して設けられた第２の導電層とが、前記薄膜層に設けられた開口部（スルーホール）において電気的に接続されているときに、その開口部の開口端のうち、基板の表面から遠い方の開口端の外周が、該外周を１周する間に、前記基板の表面からの距離が１回以上変動することを特徴とする。このようにすると、たとえば、第２の導電層をエッチングで形成するときに、導電膜上に印刷または塗布した液状のレジスト材料が開口部に生じる凹部に入りやすくなり、エッチングレジストの形状不良を防ぐことができる。そのため、前記開口部における第１の導電膜と第２の導電膜の導通不良を防ぐことができる。
【００２３】
前記基板の表面から遠い方の開口端の外周の、前記基板の表面からの距離を変動させるには、たとえば、前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周が、前記基板の表面と前記第２の導電層の間に介在する薄膜の層の数が異なる２つ以上の領域を通るように前記開口部を形成すればよい。
【００２４】
このとき、前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周は、たとえば、前記基板の表面と前記第１の導電層の間に半導体層または第３の導電層が介在する領域と、前記半導体層または前記第３の導電層が介在しない領域を通るようにする。
【００２５】
また、たとえば、前記基板の表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周が、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に半導体層が介在する領域と、前記半導体層が介在しない領域を通るようにしてもよい。このとき、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に、たとえば、２つの絶縁膜が介在しているのであれば、前記２つの絶縁層の間に前記半導体層を介在させる。
【００２６】
またさらに、たとえば、前記基板の前記表面からの距離が遠いほうの前記開口端の外周が、前記第１の導電層の外周と立体的に交差していてもよい。
【００２７】
なお、本発明の表示装置において、表示パネルは、基板の表面の上にスルーホールで接続された第１の導電層と第２の導電層が設けられた基板を有するものであれば、どのようなものでもよいが、特に、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルであることが望ましい。このとき、前記第１の導電層および前記第２の導電層が、前記一対の基板のうちの一方の基板の表面の上に設けられていることはもちろんである。
【００２８】
前記液晶表示パネルの基板は、液晶材料（液晶層）との界面に配向膜が設けられており、この配向膜は、開口部（スルーホール）による凹部が生じている面に液状の樹脂材料を印刷または塗布して形成される。そのため、前記基板の表面からの距離が遠いほうの開口端の外周の、前記基板の鏡面からの距離を変動させることで、たとえば、印刷した液状の樹脂材料が開口部に生じる凹部に入りやすくなり、配向膜の形状不良を防ぐことができる。
【００２９】
また、前記液晶表示パネルなどの場合、前記第１の導電層および前記第２の導電層が設けられた基板は、該基板の表面の上に、複数本の走査信号線と、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線と、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域に対して配置されるＴＦＴ素子および画素電極とを有する。このとき、前記第１の導電層は、前記ＴＦＴ素子のソース電極であり、前記第２の導電層は、前記画素電極である。
【００３０】
また、前記液晶表示パネルの場合、前記第１の導電層および前記第２の導電層が設けられた基板は、該基板の表面の上に、複数本の走査信号線と、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線と、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域に対して配置されるＴＦＴ素子および画素電極と、前記第１の基板の前記表面と前記画素電極の間に前記画素電極と平面でみて重なる共通電極と、１本の走査信号線と絶縁層を介して立体的に交差し、該１本の走査信号線を挟んで配置される２つの共通電極を電気的に接続するブリッジ配線とを有することもある。この場合、前記第１の導電層と前記第２の導電層の組み合わせは２つあり、１つは、前記第１の導電層が前記ＴＦＴ素子のソース電極で、前記第２の導電層が前記画素電極という組み合わせである。そして、２つめは、前記第１の導電層が前記共通電極または前記共通電極と接して電気的に接続された導電層で、前記第２の導電層が前記ブリッジ配線という組み合わせである。
【００３１】
また、前記液晶表示パネルなどの表示パネルにおいて、たとえば、ＴＦＴ素子には種々の構成（構造）があり、上記のようなソース電極と画素電極、共通電極とブリッジ配線だけでなく、他の導電層が開口部（スルーホール）で接続されていることもある。その場合も、開口部を上記のような構成にすることで、第２の導電層の上に液状の材料を印刷または塗布したときに、印刷した液状の材料が開口部に生じる凹部に入りやすくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３３】
図１乃至図５は、本発明が適用される表示パネルの一構成例を示す模式図である。
図１は、液晶表示パネルを観察者側からみた模式平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線における模式断面図である。図３は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板における表示領域の１画素の構成例を示す模式平面図である。図４は、図３のＢ−Ｂ’線における模式断面図である。図５は、図３のＣ−Ｃ’線における模式断面図である。
【００３４】
本発明は、基板の表面の上にスルーホールで接続された２つの導電層が設けられた表示パネルを有する表示装置に関するものであり、このような表示パネルの１つとして、液晶表示パネルがある。
【００３５】
液晶表示パネルは、たとえば、図１および図２に示すように、一対の基板１，２の間に液晶材料３を封入した表示パネルである。このとき、一対の基板１，２は、表示領域ＤＡの外側に環状に配置されたシール材４で接着されており、液晶材料３は、一対の基板１，２およびシール材４で囲まれた空間に封入されている。
【００３６】
一対の基板１，２のうち、観察者側からみた外形寸法が大きい方の基板１は、一般に、ＴＦＴ基板と呼ばれる。図１および図２では省略しているが、ＴＦＴ基板１は、ガラス基板などの透明な基板の表面の上に、複数本の走査信号線と、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線が形成されている。そして、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域が１つの画素領域に相当し、各画素領域に対してＴＦＴ素子や画素電極などが配置されている。また、ＴＦＴ基板１と対をなす他方の基板２は、一般に、対向基板と呼ばれる。
【００３７】
前記液晶表示パネルが、たとえば、ＴＮ方式やＶＡ方式のような縦電界方式と呼ばれる駆動方式の場合、ＴＦＴ基板１の画素電極と対向する対向電極（共通電極とも呼ばれる）は、対向基板２側に設けられる。また、前記液晶表示パネルが、たとえば、ＩＰＳ方式のような横電界方式と呼ばれる駆動方式の場合、前記対向電極は、ＴＦＴ基板１側に設けられる。
【００３８】
次に、液晶表示パネルの表示領域ＤＡの１画素の構成例について、図３乃至図５を参照して簡単に説明する。
【００３９】
本発明が適用される液晶表示パネルにおいて、表示領域ＤＡの１画素の構成は、たとえば、ＴＦＴ素子のソース電極と画素電極のように、２つの導電層がスルーホールで接続されている構成を有するものであれば、どのような構成でもよいが、以下の実施例では、図３乃至図５に示すような、ＩＰＳ方式の場合の構成を例に挙げる。
【００４０】
ＩＰＳ方式の液晶表示パネルの場合、画素電極および対向電極（共通電極）は、ＴＦＴ基板１側に設けられる。このとき、ＴＦＴ基板１は、たとえば、図３乃至図５に示すように、ガラス基板ＳＵＢの表面に、ｘ方向に延在する複数本の走査信号線ＧＬが設けられており、走査信号線ＧＬの上には、第１の絶縁層ＰＡＳ１を介してｙ方向に延在し、複数本の走査信号線ＧＬと立体的に交差する複数本の映像信号線ＤＬが設けられている。そして、２本の隣接する走査信号線ＧＬと２本の隣接する映像信号線ＤＬによって囲まれた領域が１つの画素領域に相当する。
【００４１】
また、ガラス基板ＳＵＢの表面には、たとえば、画素領域毎に、平板状の対向電極ＣＴが設けられている。このとき、ｘ方向に並んだ各画素領域の対向電極ＣＴは、走査信号線ＧＬと並行した共通信号線ＣＬによって電気的に接続されている。また、走査信号線ＧＬからみて、共通信号線ＣＬが設けられている方向と反対側には、対向電極ＣＴと電気的に接続されている共通接続パッドＣＰが設けられている。
【００４２】
また、第１の絶縁層ＰＡＳ１の上には、映像信号線ＤＬの他に、半導体層、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電極ＳＤ２が設けられている。このとき、半導体層は、たとえば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いて形成されており、各画素領域に対して配置されるＴＦＴ素子のチャネル層ＳＣとしての機能を持つものの他に、たとえば、走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬが立体的に交差する領域における走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬの短絡を防ぐもの（図示しない）がある。このとき、ＴＦＴ素子のチャネル層ＳＣとしての機能を持つ半導体層は、映像信号線ＤＬに接続しているドレイン電極ＳＤ１とソース電極ＳＤ２の両方が接続されている。
【００４３】
また、映像信号線ＤＬなどが形成された面（層）の上には、第２の絶縁層ＰＡＳ２を介して画素電極ＰＸが設けられている。画素電極ＰＸは、画素領域毎に独立した電極であり、第２の絶縁層ＰＡＳ２に設けられた開口部（スルーホール）ＴＨ１においてソース電極ＳＤ２と電気的に接続されている。また、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸが、図３乃至図５に示したように、第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２を介して積層配置されている場合、画素電極ＰＸは、スリットＳＬが設けられたくし歯形状の電極になっている。
【００４４】
また、第２の絶縁層ＰＡＳ２の上には、画素電極ＰＸの他に、たとえば、走査信号線ＧＬを挟んで上下に配置された２つの対向電極ＣＴを電気的に接続するためのブリッジ配線ＢＲが設けられている。このとき、ブリッジ配線ＢＲは、走査信号線ＧＬを挟んで配置された共通信号線ＣＬおよび共通接続パッドＣＰとスルーホールＴＨ２，ＴＨ３によって接続される。
【００４５】
また、第２の絶縁層ＰＡＳ２の上には、画素電極ＰＸおよびブリッジ配線ＢＲを覆うように配向膜５が設けられている。なお、図示は省略するが、対向基板２は、ＴＦＴ基板１の配向膜５が設けられた面に対向するように配置される。
【００４６】
以下、１画素の構成が、図３乃至図５に示したような場合におけるスルーホールの形状について説明する。
【実施例１】
【００４７】
図６および図７は、本発明による実施例１の液晶表示パネルの主要部の概略構成を示す模式図である。
図６は、実施例１のスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。図７は、図６のＤ−Ｄ’線における模式断面図である。
【００４８】
実施例１では、ＴＦＴ素子のソース電極と画素電極とを接続するスルーホールに着目し、本発明を適用した場合の構成例、および作用効果を説明する。
【００４９】
表示領域ＤＡの１画素の構成が、たとえば、図３乃至図５に示したような構成の場合、ＴＦＴ素子のソース電極ＳＤ２と画素電極ＰＸとの接続部に本発明を適用すると、その構成は、たとえば、図６および図７に示すようになる。このとき、ソース電極ＳＤ２と画素電極ＰＸが平面で重なる領域は、ソース電極ＳＤ２と第１の絶縁層ＰＡＳ１の間に、部分的に段差形成層ＭＲが設けられている。実施例１において、段差形成層ＭＲは、ＴＦＴ素子のチャネル層ＳＣなどの半導体層を形成する工程において、同時に形成されたものである。また、段差形成層ＭＲは、たとえば、平面でみた外形が半円状になるように形成する。
【００５０】
またこのとき、第２の絶縁層ＰＡＳ２の開口部（スルーホール）ＴＨ１は、ガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、段差形成層ＭＲが設けられた領域と、段差形成層ＭＲが設けられていない領域とを通るように設けられている。そのため、開口部ＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、その外周を１周する間に、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１である領域とｄ２である領域が存在する。このとき、開口部ＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、段差形成層ＭＲの外周との交点において、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する。このような形状のスルーホールＴＨ１による作用効果について、図８乃至図１０を参照して説明する。
【００５１】
図８は、従来のＴＦＴ基板におけるスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。図９は、従来のＴＦＴ基板で問題になる点を説明するための模式断面図である。図１０は、実施例１のスルーホールの作用効果を説明するための模式断面図である。なお、図９は、図８のＥ−Ｅ’線における断面に相当する断面図であり、図１０は、図６のＤ−Ｄ’線における断面に相当する断面図である。
【００５２】
従来のＴＦＴ基板において、ＴＦＴ素子のソース電極ＳＤ２と画素電極ＰＸの接続部分は、たとえば、図８および図９に示すようになっており、ソース電極ＳＤ２は、画素電極ＰＸが平面で重なる領域が、ガラス基板ＳＵＢの表面に対してほぼ平行になっている。つまり、従来のＴＦＴ基板の場合、第２の絶縁層ＰＡＳ２の開口部（スルーホール）ＴＨ１の、ガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、外周ＡＲ上のどの点でみても、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がほぼ一定の値ｄ１になっている。
【００５３】
そのため、たとえば、画素電極ＰＸを形成する工程において、画素電極ＰＸの形成に用いるＩＴＯなどの透明な導体膜６の上に、エッチングレジストの形成に用いる液状のレジスト材料７を印刷または塗布したときに、たとえば、図９に示すように、液状のレジスト材料７がスルーホールＴＨ１により生じる凹部に入らないことがあった。このように、スルーホールＴＨ１により生じる凹部にレジスト材料７が入っていない状態で現像、露光してエッチングレジストを形成すると、本来ならエッチングレジストで覆われているはずの凹部が露出した状態になってしまう。そのため、導体膜６をエッチングしたときに、導電膜６の凹部に延在する部分が除去されてしまい、ソース電極ＳＤ２と画素電極ＰＸが導通不良になるという問題があった。
【００５４】
一方、実施例１のＴＦＴ基板１では、画素電極ＰＸの形成に用いるＩＴＯなどの透明な導体膜６の上に、エッチングレジストの形成に用いる液状のレジスト材料７を印刷または塗布したとすると、第２の絶縁層ＰＡＳ２の開口部（スルーホール）ＴＨ１の、ガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲのうち、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する箇所で、液状のレジスト材料７がスルーホールＴＨ１により生じる凹部に入りやすくなる。そのため、図１０に示すように、スルーホールＴＨ１により生じる凹部にレジスト材料７が充満した状態で現像、露光してエッチングレジストを形成することができ、ソース電極ＳＤ２と画素電極ＰＸの導通不良を防ぐことができる。
【００５５】
また、図を用いた説明は省略するが、ＴＦＴ基板１を製造するときには、画素電極ＰＸを形成した後、配向膜５を形成するときにも、液状の樹脂材料を印刷または塗布する。このときも、従来の図８および図９に示したような形状のスルーホールＴＨ１の場合、印刷した液状の樹脂材料がスルーホール部に生じる凹部に入りにくく、配向膜５に欠陥が生じることがあった。一方、実施例１のＴＦＴ基板１のようにすれば、前記液状のレジスト材料と同様に、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲのうち、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する箇所で、液状の樹脂材料がスルーホール部に生じる凹部に入りやすくなる。そのため、配向膜５に欠陥が生じるのを防ぐことができる。
【００５６】
なお、実施例１のＴＦＴ基板１の特徴を説明するにあたって、図６に示した例では、ソース電極ＳＤ２と第１の絶縁層ＰＡＳ１の間に、平面でみた外形が半円状の段差形成層ＭＲを設けているが、段差形成層ＭＲの平面でみた外形は、これに限らず、他の形状であってもよいことはもちろんである。
【００５７】
実施例１のＴＦＴ基板１は、第２の絶縁層ＰＡＳ２の開口部（スルーホール）ＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲを１周する間に、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する箇所を設けることで、印刷または塗布した液状のレジスト材料や樹脂材料がスルーホール部に生じる凹部に入りやすくした。
【００５８】
すなわち、実施例１のＴＦＴ基板１において重要な点は、第２の絶縁層ＰＡＳ２の開口部（スルーホール）ＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、１周する間に、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する箇所を有する点であり、これを満たすのであれば、段差形成層ＭＲの平面でみた外形はどのような形状であってもよい。
【００５９】
図１１は、実施例１のスルーホールの第１の変形例を説明するための模式平面図である。図１２は、図１１のＦ−Ｆ’線における模式断面図である。
【００６０】
第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１の、ガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する箇所を設ける場合、たとえば、図１１に示すような、一方向に長尺な棒状の段差形成層ＭＲを設けてもよい。この場合も、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、段差形成層ＭＲが介在する領域と、段差形成層ＭＲが介在しない領域を通るようにすれば、図１２に示すように、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１の領域とｄ２の領域が存在する。そのため、図６および図７に示した例と同様に、スルーホール部に生じる凹部に液状のレジスト材料や樹脂材料が入りやすくなる。
【００６１】
図１３は、実施例１のスルーホールの第２の変形例を説明するための模式平面図である。
【００６２】
第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する箇所を設ける場合、たとえば、図１３に示すような十字型の段差形成層ＭＲを設けてもよい。この場合も、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、段差形成層ＭＲが介在する領域と、段差形成層ＭＲが介在しない領域を通るようにすれば、図１３に示したＦ−Ｆ’線における断面構造は、図１２に示すようになる。そのため、図６および図７に示した例と同様に、スルーホール部に生じる凹部に液状のレジスト材料や樹脂材料が入りやすくなる。
【００６３】
図１４は、実施例１のスルーホールの第３の変形例を説明するための模式平面図である。図１５は、図１４のＧ−Ｇ’線における模式断面図である。図１６は、実施例１のスルーホールの第４の変形例を説明するための模式平面図である。
【００６４】
第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する箇所を設ける場合、たとえば、図１４に示すような島状の段差形成層ＭＲを設けてもよい。この場合も、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、段差形成層ＭＲが介在する領域と、段差形成層ＭＲが介在しない領域を通るようにすれば、図１５に示すように、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲには、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１の領域とｄ２の領域が存在する。そのため、図６および図７に示した例と同様に、スルーホール部に生じる凹部に液状のレジスト材料や樹脂材料が入りやすくなる。
【００６５】
また、図１４に示した例では、島状の段差形成層ＭＲを２つ設けた例を示しているが、これに限らず、たとえば、図１６に示すように４つの島状の段差形成層ＭＲを設けてもよいことはもちろんである。
【００６６】
図１７は、実施例１のスルーホールの応用例を説明するための模式断面図である。なお、図１７は、図６のＤ−Ｄ’線における断面に相当する断面図である。
【００６７】
実施例１のＴＦＴ基板では、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する箇所を設けるために、たとえば、図７に示したように、ソース電極ＳＤ２と第１の絶縁層ＰＡＳ１の間に段差形成層ＭＲを設けた。しかしながら、段差形成層ＭＲは、これに限らず、たとえば、図１７に示すように、第１の絶縁層ＰＡＳ１とガラス基板ＳＵＢの間に設けてもよい。この場合、段差形成層ＭＲは、たとえば、走査信号線ＧＬを形成する工程において、同時に形成すればよい。また、１画素の構成が、図３乃至図５に示したような構成のＴＦＴ基板の場合、たとえば、対向電極ＣＴを形成する導電膜（ＩＴＯ膜）と、走査信号線ＧＬなどを形成する導電膜（Ａｌ膜）を一括して形成する場合がある。その場合、段差形成層ＭＲは、ＩＴＯ膜とＡｌ膜が積層された構成になっていてもよい。
【００６８】
このときも、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１は、ガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、段差形成層ＭＲが設けられた領域と、段差形成層ＭＲが設けられていない領域とを通るように設ければ、スルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、１周する間に、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ３に変動する箇所が存在する。そのため、図６および図７に示した例と同様に、スルーホール部に生じる凹部に液状のレジスト材料や樹脂材料が入りやすくなる。
【実施例２】
【００６９】
図１８および図１９は、本発明による実施例２の液晶表示パネルの主要部の概略構成を示す模式図である。
図１８は、実施例２のスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。図１９は、図１８のＨ−Ｈ’線における模式断面図である。
【００７０】
実施例１では、ＴＦＴ素子のソース電極と画素電極とを接続するスルーホールに着目し、本発明を適用した場合の構成例として、段差形成層ＭＲを設ける場合を例に挙げている。そして、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホール（開口部）ＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、段差形成層ＭＲが設けられた領域と、段差形成層ＭＲが設けられていない領域とを通るようにすることで、スルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する箇所を設けている。
【００７１】
実施例２では、実施例１とは異なる観点で、スルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離が変動する箇所を設けている方法について説明する。
【００７２】
段差形成層ＭＲを形成せずに、スルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ２に変動する箇所を設ける方法としては、たとえば、図１８に示すように、ソース電極ＳＤ２の、画素電極ＰＸが平面で重なる領域に切り欠き部ＵＣを設ける方法がある。
【００７３】
このとき、ソース電極ＳＤ２の切り欠き部ＵＣは、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、切り欠き部ＵＣにおいてソース電極ＳＤ２の外周と交差するように設ける。このようにすれば、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、ソース電極ＳＤ２が設けられている領域と、ソース電極ＳＤ２が設けられていない領域とを通る。そのため、スルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、１周する間に、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ４に変動する箇所が存在する。
【００７４】
このように、スルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ１からｄ４に変動する箇所を設ければ、実施例１で挙げた段差形成層ＭＲを設けた場合と同様に、スルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲの、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離が変動する箇所において、スルーホール部に生じる凹部に液状のレジスト材料や樹脂材料が入りやすくなる。そのため、ソース電極ＳＤ２と画素電極ＰＸの導通不良や、配向膜の欠陥を防ぐことができる。
【００７５】
なお、ソース電極ＳＤ２の切り欠き部ＵＣは、第２の絶縁層ＰＡＳ２のスルーホールＴＨ１のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、切り欠き部ＵＣにおいてソース電極ＳＤ２の外周と交差すればよい。そのため、ソース電極ＳＤ２の平面でみた形状は、図１８に示したような形状に限らず、種々の形状を適用できることはもちろんである。
【実施例３】
【００７６】
図２０および図２１は、本発明による実施例３の液晶表示パネルの主要部の概略構成を示す模式図である。
図２０は、実施例３のスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。図２１は、図２０のＪ−Ｊ’線における模式断面図である。
【００７７】
実施例１および実施例２では、液晶表示パネルのＴＦＴ基板１に形成されるスルーホールの一例として、ソース電極ＳＤ２と画素電極ＰＸを接続するスルーホールＴＨ１を挙げている。しかしながら、１画素の構成が、図３乃至図５に示したような構成のＴＦＴ基板１の場合、その他にも、たとえば、ブリッジ配線ＢＲと共通信号線ＣＬを接続するスルーホールＴＨ２などがある。
【００７８】
実施例３では、ブリッジ配線ＢＲと共通信号線ＣＬを接続するスルーホールＴＨ２に着目し、本発明を適用した場合の構成例、および作用効果を説明する。
【００７９】
表示領域ＤＡの１画素の構成が、たとえば、図３乃至図５に示したような構成の場合、共通信号線ＣＬとブリッジＢＲとの接続部に本発明を適用すると、その構成は、たとえば、図２０および図２１に示すようになる。このとき、共通信号線ＣＬとブリッジ配線ＢＲが平面で重なる領域は、第１の絶縁層ＰＡＳ１と第２の絶縁層ＰＡＳ２の間に、部分的に段差形成層ＭＲが設けられている。実施例３において、段差形成層ＭＲは、ＴＦＴ素子のチャネル層ＳＣなどの半導体層を形成する工程において、同時に形成されたものである。また、段差形成層ＭＲは、たとえば、スルーホールＴＨ２の開口側面に露出している。
【００８０】
またこのとき、スルーホールＴＨ１は、ガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、段差形成層ＭＲが設けられている領域と、段差形成層ＭＲが設けられていない領域とを通るように設けられている。そのため、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、１周する間に、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ５からｄ６に変動する箇所が存在する。
【００８１】
このように、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ５からｄ６に変動する箇所を設ければ、実施例１で挙げた段差形成層ＭＲを設けた場合と同様に、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲの、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離が変動する箇所において、スルーホール部に生じる凹部に液状のレジスト材料や樹脂材料が入りやすくなる。そのため、共通信号線ＣＬとブリッジ配線ＢＲの導通不良や、配向膜の欠陥を防ぐことができる。
【００８２】
図２２および図２３は、実施例３のスルーホールの製造方法を説明するための模式図である。
図２２は、スルーホールを形成する直前のガラス基板の状態を示す模式平面図である。図２３は、図２２のＫ−Ｋ’線における模式断面図である。
【００８３】
実施例３のような構成のスルーホールＴＨ２を有するＴＦＴ基板を製造する場合、第１の絶縁層ＰＡＳ１を形成する工程までは、従来のものと同じ方法、手順でよい。そして、第１の絶縁層ＰＡＳ１の上にＴＦＴ素子のチャネル層ＳＣなどの半導体層を形成するときに、たとえば、図２２および図２３に示すように、後の工程で形成するスルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲの穴径よりも長い棒状の段差形成層ＭＲを同時に形成する。その後、従来のものと同じ方法で第２の絶縁層ＰＡＳ２を形成すると、第２の絶縁層ＰＡＳ２には、図２３に示したように、段差形成層ＭＲが設けられている領域と設けられていない領域の境目に段差が生じる。
【００８４】
そして、図２３に示したような状態のときに、スルーホールＴＨ２を形成すれば、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲの内側にある段差形成層ＭＲは除去され、開口端の外周ＡＲの外側に残った段差形成層ＭＲが、スルーホールＴＨ２の側面に露出する。その後、従来のものと同じ方法で画素電極ＰＸおよびブリッジ配線ＢＲを形成すれば、図２１に示したように、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ５からｄ６に変動する箇所を設けることができる。
【００８５】
図２４は、段差形成層ＭＲの変形例を説明するための模式平面図である。
【００８６】
実施例３のＴＦＴ基板１を製造するときに、半導体層によって、たとえば、図２２に示したような棒状の段差形成層ＭＲを形成しておくと、スルーホールＴＨ２を形成した後、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲの２つの領域に段差形成層ＭＲが残る。しかしながら、実施例３のような方法で段差形成層ＭＲを形成する場合、半導体層によって形成しておく段差形成層ＭＲの平面でみた外形は、棒状に限らず、たとえば、図２４に示したような十字形であってもよいことはもちろんである。この場合、スルーホールＴＨ２を形成すると、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲの４つの領域に段差形成層ＭＲが残る。
【００８７】
なお、図を用いた説明は省略するが、図３に示したブリッジ配線ＢＲと共通接続パッドＣＰの接続部のスルーホールＴＨ３も、図２０および図２１に示したような形状（構成）にすることで、共通接続パッドＣＰとブリッジ配線ＢＲの導通不良や、配向膜の欠陥を防ぐことができる。
【実施例４】
【００８８】
図２５および図２６は、本発明による実施例４の液晶表示パネルの主要部の概略構成を示す模式図である。
図２５は、実施例４のスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。図２６は、図２５のＬ−Ｌ’線における模式断面図である。
【００８９】
実施例３では、共通信号線ＣＬとブリッジ配線ＢＲとを接続するスルーホールＴＨ２に着目し、本発明を適用した場合の構成例として、段差形成層ＭＲを設ける場合を例に挙げている。そして、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、段差形成層ＭＲが設けられている領域と、段差形成層ＭＲが設けられていない領域とを通るようにすることで、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ５からｄ６に変動する箇所を設けている。
【００９０】
実施例４では、実施例３とは異なる観点で、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離が変動する箇所を設ける方法について説明する。
【００９１】
段差形成層ＭＲを形成せずに、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離が変動する箇所を設ける方法としては、たとえば、図２５に示すように、共通信号線ＣＬの、ブリッジ配線ＢＲが平面で重なる領域に切り欠き部ＵＣを設ける方法がある。
【００９２】
このとき、共通信号線ＣＬの切り欠き部ＵＣは、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、切り欠き部ＵＣにおいて共通信号線ＣＬの外周と交差するように設ける。このようにすれば、第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２を開口したスルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、共通信号線ＣＬが設けられている領域と、共通信号線ＣＬが設けられていない領域とを通る。そのため、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲは、１周する間に、図２６に示すように、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ６からｄ７に変動する箇所が存在する。
【００９３】
このように、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲに、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離がｄ６からｄ７に変動する箇所を設ければ、実施例３で挙げた段差形成層ＭＲを設けた場合と同様に、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲの、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離が変動する箇所において、スルーホール部に生じる凹部に液状のレジスト材料や樹脂材料が入りやすくなる。そのため、共通信号線ＣＬとブリッジ配線ＢＲの導通不良や、配向膜の欠陥を防ぐことができる。
【００９４】
なお、共通信号線ＣＬの切り欠き部ＵＣは、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、切り欠き部ＵＣにおいて共通信号線ＣＬの外周と交差すればよい。そのため、切り欠き部ＵＣの平面でみた形状は、図２５に示したような形状に限らず、種々の形状を適用できることはもちろんである。
【００９５】
図２７は、実施例４のスルーホールの第１の変形例を説明するための模式平面図である。図２８は、図２９のＭ−Ｍ’線における断面図である。図３０は、実施例４のスルーホールの第２の変形例を説明するための模式平面図である。
【００９６】
実施例４のＴＦＴ基板１は、１画素の構成が、たとえば、図３乃至図５に示したような構成になっている。このとき、ガラス基板ＳＵＢの表面に形成される対向電極ＣＴ、走査信号線ＧＬ、共通信号線ＣＬ、および共通接続パッドＣＰは、一括して形成されることがある。この場合、ガラス基板ＳＵＢの表面に、たとえば、対向電極ＣＴを形成するためのＩＴＯ膜と、走査信号線ＧＬなどを形成するためのアルミなどの導電膜を積層してから、導電膜をエッチングして走査信号線ＧＬなどを形成し、続けてＩＴＯ膜をエッチングして対向電極ＣＴを形成する。そのため、走査信号線ＧＬや共通信号線ＣＬは、アルミなどの導電膜の下層、すなわちガラス基板ＳＵＢとの間にＩＴＯ膜が残っていることがある。
【００９７】
実施例４のＴＦＴ基板１を形成する工程において、共通信号線ＣＬに切り欠き部ＵＣを設けるときには、たとえば、アルミなどの導電膜およびＩＴＯ膜を除去してしまうことも可能であるが、図２７および図２８に示すように、切り欠き部ＵＣは、アルミなどの導電膜のみを除去し、ＩＴＯ膜８は残しておくことが好ましい。このようにすると、第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２にスルーホールＴＨ２を形成するときに、残したＩＴＯ膜８が保護膜として機能し、ガラス基板ＳＵＢが削れてしまうのを防ぐことができる。
【００９８】
また、共通信号線ＣＬに切り欠き部ＵＣを設けるときには、たとえば、図２９に示すように、スルーホールＴＨ２を２分割するように設けることが望ましい。
【００９９】
なお、共通信号線ＣＬの切り欠き部ＵＣは、スルーホールＴＨ２のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周ＡＲが、切り欠き部ＵＣにおいて共通信号線ＣＬの外周と交差すればよい。そのため、切り欠き部ＵＣの平面でみた形状は、図２９や図３１に示したような形状に限らず、種々の形状を適用できることはもちろんである。
【０１００】
また、図を用いた説明は省略するが、ブリッジ配線ＢＲと共通接続パッドＣＰを接続するスルーホールＴＨ３も、図２７および図２８に示したような形状（構成）にすることで、共通信号線ＣＬとブリッジ配線ＢＲの導通不良や、配向膜の欠陥を防ぐことができる。
【実施例５】
【０１０１】
図３０および図３１は、本発明による実施例５の液晶表示パネルの主要部の概略構成を示す模式図である。
図３０は、実施例５のスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。図３１は、図３０のＮ−Ｎ’線における模式断面図である。
【０１０２】
実施例１乃至実施例４では、液晶表示パネル（ＴＦＴ基板１）の表示領域ＤＡにある画素領域のスルーホールに着目し、本発明を適用した場合の構成例について説明をした。
【０１０３】
しかしながら、ＴＦＴ基板１は、表示領域ＤＡの外側にもスルーホールが設けられている場合がある。実施例５では、表示領域ＤＡの外側にあるスルーホールに本発明を適用した場合の構成例について説明する。
【０１０４】
ＴＦＴ基板１の構成が、図３乃至図５に示したような構成である場合、表示領域ＤＡの外側には、たとえば、図３０および図３１に示すように、複数本の共通信号線ＣＬを電気的に接続するためのコモンバスライン９が設けられており、コモンバスライン９と各共通信号線ＣＬとはそれぞれ、スルーホールＴＨ４．ＴＨ５において共通化配線１０によって接続されている。
【０１０５】
このとき、コモンバスライン９は、たとえば、映像信号線ＤＬなどを形成する工程において同時に形成されたものである。また、共通化配線１０は、画素電極ＰＸなどを形成する工程において、同時に形成されたものである。
【０１０６】
また、コモンバスライン９と共通化配線１０を接続するスルーホールＴＨ４が形成される領域には、実施例１で説明したような段差形成層ＭＲが形成されており、スルーホールＴＨ４の、ガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周は、１周する間に、段差形成層ＭＲが介在する領域と、段差形成層ＭＲが介在しない領域を通る。このとき、段差形成層ＭＲは、ＴＦＴ素子のチャネル層ＳＣなどの半導体層と同時に形成する。このようにすれば、スルーホールＴＨ４のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周の、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離が変動する箇所において、スルーホール部に生じる凹部に液状のレジスト材料や樹脂材料が入りやすくなる。そのため、コモンバスライン９と共通化配線１０の導通不良や、配向膜の欠陥を防ぐことができる。
【０１０７】
また、共通信号線ＣＬと共通化配線１０を接続するスルーホールＴＨ５が形成される領域には、実施例４で説明したように、共通信号線ＣＬに切り欠き部ＵＣが設けられており、スルーホールＴＨ５の、ガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周は、１周する間に、共通信号線ＣＬが介在する領域と、共通信号線ＣＬが介在しない領域を通る。このようにすれば、スルーホールＴＨ５のガラス基板ＳＵＢから遠い方の開口端の外周の、ガラス基板ＳＵＢの表面からの距離が変動する箇所において、スルーホール部に生じる凹部に液状のレジスト材料や樹脂材料が入りやすくなる。そのため、共通信号線ＣＬと共通化配線１０の導通不良や、配向膜の欠陥を防ぐことができる。
【０１０８】
またこのとき、共通信号線ＣＬと共通化配線１０を接続するスルーホールＴＨ５が形成される領域には、たとえば、図３１に示すように、共通信号線ＣＬとガラス基板ＳＵＢの間にＩＴＯ膜８を介在させておき、共通信号線ＣＬの切り欠き部ＵＣは、走査信号線ＧＬなどの形成に用いる導電膜のみで形成することが望ましい。このようにすると、第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２にスルーホールＴＨ５を形成するときに、残したＩＴＯ膜８が保護膜として機能し、切り欠き部ＵＣにおいてガラス基板ＳＵＢが削れてしまうのを防ぐことができる。
【０１０９】
図３２は、実施例５のスルーホールの変形例を説明するための模式断面図である。なお、図３２は、図３０のＮ−Ｎ’線における断面に相当する断面図である。
【０１１０】
実施例５のＴＦＴ基板１において、共通信号線ＣＬと共通化配線１０を接続するスルーホールＴＨ５を形成する領域は、たとえば、図３１に示すように、共通信号線ＣＬとガラス基板ＳＵＢの間にＩＴＯ膜８を介在させておくことが望ましい。しかしながら、本発明は、これに限らず、たとえば、図３２に示すように、共通信号線ＣＬとガラス基板ＳＵＢの間にＩＴＯ膜８が介在していなくてもよいことはもちろんである。
【０１１１】
また、実施例５では、表示領域ＤＡの１画素の構成が、図３乃至図５に示したような構成である場合のＴＦＴ基板１を例に挙げているが、それ以外の構成の場合でも、たとえば、各走査信号線ＧＬに並行した保持容量線を設け、表示領域ＤＡの外側で各保持容量線を共通化配線１０で接続していることがある。その場合、共通電極ＣＴは、別の層あるいは対向基板に設けられているので、保持容量線とガラス基板ＳＵＢの間には、図３２に示すように、ＩＴＯ膜８が介在していない構成になる。
【０１１２】
なお、実施例５では、コモンバスライン９と共通化配線１０を接続するスルーホールＴＨ４を形成する領域には、ＴＦＴ素子のチャネル層ＳＣなどの半導体層と同時に形成された半導体層からなる段差形成層ＭＲを設けたが、これに限らず、走査信号線ＧＬなどと同時に形成されたものであってもよいことはもちろんである。また、段差形成層ＭＲを設ける代わりに、たとえば、コモンバスライン９に切り欠き部ＵＣを設けてもよいことはもちろんである。
【０１１３】
また、共通信号線ＣＬと共通化配線１０を接続するスルーホールＴＨ５を形成する領域についても、切り欠き部ＵＣを設ける代わりに、たとえば、実施例３で説明したような、ＴＦＴ素子のチャネル層ＳＣなどの半導体層と同時に形成された半導体層からなる段差形成層ＭＲを設けてもよいことはもちろんである。
【０１１４】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【０１１５】
たとえば、前記実施例１乃至実施例５は、１画素の構成が、図３乃至図５に示したような構成の場合について説明したが、本発明は、これに限らず、従来から知られている種々の構成のＴＦＴ基板における２つの導電層を接続するスルーホールに適用することができることはもちろんである。
【０１１６】
また、前記実施例１乃至実施例５は、液晶表示パネルに用いられるＴＦＴ基板を例に挙げているが、本発明は、これに限らず、液晶表示パネルに用いられるＴＦＴ基板と同様の構成の基板を有する表示パネルにおける２つの導電層を接続するスルーホールに適用することができることはもちろんである。すなわち、本発明は、液晶表示パネルに限らず、たとえば、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）や、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を用いた自発光型の表示パネルに適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】液晶表示パネルを観察者側からみた模式平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における模式断面図である。
【図３】液晶表示パネルのＴＦＴ基板における表示領域の１画素の構成例を示す模式平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ’線における模式断面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ’線における模式断面図である。
【図６】実施例１のスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。
【図７】図６のＤ−Ｄ’線における模式断面図である。
【図８】従来のＴＦＴ基板におけるスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。
【図９】従来のＴＦＴ基板で問題になる点を説明するための模式断面図である。
【図１０】実施例１のスルーホールの作用効果を説明するための模式断面図である。
【図１１】実施例１のスルーホールの第１の変形例を説明するための模式平面図である。
【図１２】図１１のＦ−Ｆ’線における模式断面図である。
【図１３】実施例１のスルーホールの第２の変形例を説明するための模式平面図である。
【図１４】実施例１のスルーホールの第３の変形例を説明するための模式平面図である。
【図１５】図１４のＧ−Ｇ’線における模式断面図である。
【図１６】実施例１のスルーホールの第４の変形例を説明するための模式平面図である。
【図１７】実施例１のスルーホールの応用例を説明するための模式断面図である。
【図１８】実施例２のスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。
【図１９】図１８のＨ−Ｈ’線における模式断面図である。
【図２０】実施例３のスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。
【図２１】図２０のＪ−Ｊ’線における模式断面図である。
【図２２】スルーホールを形成する直前のガラス基板の状態を示す模式平面図である。
【図２３】図２２のＫ−Ｋ’線における模式断面図である。
【図２４】段差形成層ＭＲの変形例を説明するための模式平面図である。
【図２５】実施例４のスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。
【図２６】図２５のＬ−Ｌ’線における模式断面図である。
【図２７】実施例４のスルーホールの接続部の第１の変形例を説明するための模式平面図である。
【図２８】図２９のＭ−Ｍ’線における断面図である。
【図２９】実施例４のスルーホールの第２の変形例を説明するための模式平面図である。
【図３０】実施例５のスルーホールの概略構成を示す模式平面図である。
【図３１】図３０のＮ−Ｎ’線における模式断面図である。
【図３２】実施例５のスルーホールの変形例を説明するための模式断面図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１…ＴＦＴ基板
ＳＵＢ…ガラス基板
ＧＬ…走査信号線
ＣＬ…共通信号線
ＣＰ…共通接続パッド
ＣＴ…対向電極
ＰＡＳ１…第１の絶縁層
ＤＬ…映像信号線
ＳＤ１…ドレイン電極
ＳＤ２…ソース電極
ＳＣ…ＴＦＴ素子のチャネル層（半導体層）
ＰＡＳ２…第２の絶縁層
ＰＸ…画素電極
ＳＬ…スリット
ＢＲ…ブリッジ配線
２…対向基板
３…液晶材料
４…シール材
５…配向膜
６…導電膜
７…レジスト材料
８…ＩＴＯ膜
９…コモンバスライン
１０…共通化配線
ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨ４，ＴＨ５…スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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