(57)【要約】【課題】パネル基板上に形成された自発光部を簡単な工程により高精度に封止すること、引出し配線上に接着層が形成されることによる接続不良や表示不良を防止すること、多面取りを行う場合に、パネル基板上に形成された複数の自発光部に対して一度に高精度に封止を行い製造時間を短縮すること、分割工程又は不要部の除去工程における品質不良を低減すること等。【解決手段】パネル基板２上に複数の自発光部１０１を形成する自発光部形成工程と、予めシート状に形成した接着層８２もしくは封止基板８１上に成膜した接着層８２の一部分に硬化処理を施す硬化工程と、硬化工程後にパネル基板２と封止基板８１とで自発光部１０１を封止する封止工程と、封止工程後にパネル基板２を複数に分割し光デバイスを形成する分割工程とを行うので、パネル基板２上に形成された自発光部１０１を簡単な工程により高精度に封止することができる。【選択図】図６
2007273400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、
パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、
予めシート状に形成した接着層もしくは封止基板上に成膜した接着層の一部分に硬化処理を施す硬化工程と、
前記硬化工程後に前記パネル基板と封止基板とで前記自発光部を封止する封止工程と
を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記硬化工程は、シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層に硬化処理を施して、所定形状の硬化部および非硬化部を備える前記接着層を前記封止基板上に形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記封止工程は、前記接着層の硬化部を除いた非硬化部を介して前記封止基板により前記自発光部を封止する工程であることを特徴とする請求項１または２に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項４】
パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、
パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、
接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、光硬化型又は熱硬化型の前記接着層に硬化部および非硬化部を形成する硬化工程と、
当該接着層の他方の面側を封止基板に貼り付けた状態で、前記剥離シートとともに前記硬化部を前記封止基板から剥離して硬化部を除去し、接着層を当該封止基板上に形成する封止部材形成工程と、
前記接着層の硬化部を除いた前記非硬化部を介して前記封止基板により前記自発光部を封止する封止工程と、
を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項５】
パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、
パネル基板上に複数の自発光部を形成する自発光部形成工程と、
接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、他方の面側に封止基板が載置された光硬化型又は熱硬化型の前記接着層に、非硬化部及び前記封止基板側の一部に硬化部を形成する硬化工程と、
前記剥離シートとともに前記硬化部の形成領域以外の前記非硬化部を前記封止基板から剥離して当該非硬化部を除去し、接着層を前記封止基板上に形成する封止部材形成工程と、
前記接着層を介して前記封止基板により前記自発光部を封止する封止工程と、
を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項６】
パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、
パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、
光硬化型又は熱硬化型の接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、当該接着層の他方の面側を封止基板に貼り付けた状態で、前記接着層に硬化部および非硬化部を形成する硬化工程と、
所定形状に前記硬化部および非硬化部を形成した状態で、前記封止基板上に形成した接着層の非硬化部を介して当該封止基板により前記自発光部を封止する封止工程と、
前記封止工程後に前記パネル基板を複数に分割又は不要分の除去とともに、前記接着層の硬化部を除去して光デバイスを形成する分割・除去工程と、
を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項７】
光硬化型又は熱硬化型の接着層の一方の面側に剥離シートが配置されたシート状の接着層に前記硬化処理を施して、前記パネル基板上に形成される被封止対象の前記自発光部に応じた所定形状の前記非硬化部および前記硬化部を備える接着層を形成することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記封止時に、前記封止基板および前記接着層のいずれか一方又は両方に形成されたアライメントマークと、前記パネル基板に形成されたアライメントマークとに基づいて、前記接着層が配置された封止基板と、前記パネル基板との位置合わせを行うことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記パネル基板上に、前記自発光部および引出し配線を形成し、
前記封止時に、前記引出し配線上に前記記接着層の前記非硬化部を貼り付けないことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記接着層は、光照射又は加熱により粘着状態から固化又は硬化状態に相転移する光硬化型又は熱硬化型の接着材料からなることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記接着層の硬化処理後に貼り付けられる前記封止基板に対する、前記接着層の硬化部の接着力が、当該封止基板に対する、前記接着層の非硬化部の接着力より小さいことを特徴とする請求項１から請求項４及び請求項６から請求項１０のいずれか一に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記剥離シートに対する、前記接着層の非硬化部の接着力が、前記封止基板に対する、前記接着層の非硬化部の接着力より小さいことを特徴とする請求項１から請求項４及び請求項６から請求項１１のいずれか一に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項１３】
パネル基板上に形成された自発光部が接着層を介して封止基板により封止された光デバイスであって、
シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層に硬化処理を施して、所定形状の硬化部および非硬化部を備える前記接着層を、前記封止基板上に形成し、前記硬化部を除去し、且つ、前記封止基板を前記接着層の前記非硬化部を介して前記自発光部上に貼り付けて、前記自発光部を封止して形成されていることを特徴とする光デバイス。
【請求項１４】
基板上に自発光素子を一つ又は複数備える自発光部を備え、前記自発光部を封止基板により封止してなる光デバイスであって、
前記基板上に形成された自発光素子の周囲に形成された隔壁を有し、
前記隔壁間に前記接着層が形成されていることを特徴とする光デバイス。
【請求項１５】
前記接着層は、前記自発光部、および封止基板に接していることを特徴とする請求項１４に記載の光デバイス。
【請求項１６】
封止空間内に吸湿材料が形成されていることを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載の光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスの製造方法、および光デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光デバイスは、例えば携帯電話、車載用モニタ、家庭用電化製品のモニタ、パーソナルコンピュータの表示装置やテレビジョン受像装置等のドットマトリックス表示を行う情報表示装置や、時計や宣伝用パネル等の固定表示装置、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライト等の照明装置、光電変換機能を利用した光通信装置等の各種デバイスに採用されている。この光デバイスは、一般的に複数の画素により形成されており、各画素に対して表示駆動や非表示駆動を行うことにより所望の情報を表示する。この光デバイスを形成する画素に、自発光素子を採用したものが知られている。自発光素子は、低電力且つバックライトが不要であるという利点を有し、この自発光素子を複数個ドットマトリックス状に配置した光パネルや、アイコン部（固定表示部）を形成した表示部、平面状や球面状等の照明器具などの光デバイスにも採用されており、その光デバイスの大きさも小型用から大型スクリーンなど様々なものが知られている。
【０００３】
自発光素子の代表的なものとしては、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、ＦＥＤ（Field Emission Display）素子、発光ダイオード、等が知られている。有機ＥＬ素子は、例えば有機ＥＬ（ＯＥＬ：Organic electroluminescence）デバイス、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic light emitting diode）デバイス、自発光素子、電場発光光源とも呼ばれている。一般的に有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極に相当する）と、カソード（陰極、電子注入層に相当する）との間に有機層（発光層）を挟み込んだ構造を有する。一般的に有機層は、複数の機能層が積層した構造を有し、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、および電子注入層等が順に積層された構造を有する。この各層は、単一の有機材料からなる単層、複数の材料を混ぜ合わせた混合層、高分子バインダの中に有機材料や無機材料の機能材料（電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能等）を分散させた層、等を採用することができる。また各層に、上部電極をスパッタ法により形成する際に有機層がダメージを受けないようにバッファ機能を設けたものや、成膜プロセスによる凹凸を防ぐために平坦化機能を設けた有機ＥＬ素子も知られている。
【０００４】
上記構成の有機ＥＬ素子では、両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入および輸送された正孔と、カソードから有機層内に注入および輸送された電子とが有機層内で再結合し、この再結合により有機層内の有機分子の電子状態が基底状態から励起状態に遷移し、励起状態から基底状態に遷移する際に発光する。
【０００５】
ところで、有機ＥＬパネルは、有機層が外気に曝されると特性が劣化することが知られている。これは例えば有機層と電極との界面に水分が浸入することにより電子や正孔等のキャリアの注入が妨げられ、未発光領域（ダークスポット）の発生、電極の腐食といった現象によるものである。このために有機ＥＬ素子の安定性及び耐久性を高めるためには、有機ＥＬ素子を外気から遮断する封止技術が不可欠となっている。この封止技術に関しては、電極および有機層が形成された基板上に気密に封止缶を配置して封止を行う方法や、電極および有機層を覆う封止部材を樹脂材料からなる接着剤を介して封止する、いわゆる固体封止が知られている（例えば特許文献１参照）。この固体封止では、自発光パネルの薄型化が容易である。
【０００６】
また、一般的に有機ＥＬパネルを量産して生産効率を向上させるために、製造工程において多面取り（多数個取り）が行われている。多面取りとは、一枚の大きなパネル基板上に複数の自発光部（複数の画素がマトリクス状に形成された表示面を備える）を成膜した後、パネル基板を切り分けて複数個の自発光パネルを作製することである。
【０００７】
この多面取りの際の封止方法としては、例えば基板上に形成された自発光部と略同じ大きさの封止基板、およびシート状の樹脂フィルムをカッタ等で切断して形成された接着層を用意し、自発光部毎に接着層を配置して、その上に封止基板を個別に貼り合わせる方法等が知られている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−２１６９５０号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、パネル基板上に形成された複数の自発光部上に接着層および封止基板を配置して固体封止を行う場合に、比較的高精度に位置合わせを行うことが必要である。例えば位置合わせ精度が比較的低いと接着層が引出し配線上に付着してしまい、フレキシブル基板（配線基板）や駆動用ＩＣチップを実装する際に、電気的な接続不良が生じる虞がある。またこの電気的な接続不良により表示パネルが表示不良を起こす虞がある。また上記方法では、自発光部上に複数の接着層を配置する工程に比較的長い時間を要する。
【００１０】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、パネル基板上に形成された自発光部を簡単な工程により高精度に封止すること、引出し配線上に接着層が形成されることによる接続不良や表示不良を防止すること、多面取りを行う場合に、パネル基板上に形成された複数の自発光部に対して一度に高精度に封止を行い製造時間を短縮すること、分割工程又は不要部の除去工程における品質不良を低下させること等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１２】
請求項１に記載の発明は、パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、予めシート状に形成した接着層もしくは封止基板上に成膜した接着層の一部分に硬化処理を施す硬化工程と、前記硬化工程後に前記パネル基板と封止基板とで前記自発光部を封止する封止工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、光硬化型又は熱硬化型の前記接着層に硬化部および非硬化部を形成する硬化工程と、当該接着層の他方の面側を封止基板に貼り付けた状態で、前記剥離シートとともに前記硬化部を前記封止基板から剥離して硬化部を除去し、接着層を当該封止基板上に形成する封止部材形成工程と、前記接着層の硬化部を除いた前記非硬化部を介して前記封止基板により前記自発光部を封止する封止工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、他方の面側に封止基板が載置された光硬化型又は熱硬化型の前記接着層に、非硬化部及び前記封止基板側の一部に硬化部を形成する硬化工程と、前記剥離シートとともに前記硬化部の形成領域以外の前記非硬化部を前記封止基板から剥離して当該非硬化部を除去し、接着層を前記封止基板上に形成する封止部材形成工程と、前記接着層を介して前記封止基板により前記自発光部を封止する封止工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、光硬化型又は熱硬化型の接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、当該接着層の他方の面側を封止基板に貼り付けた状態で、前記接着層に硬化部および非硬化部を形成する硬化工程と、所定形状に前記硬化部および非硬化部を形成した状態で、前記封止基板上に形成した接着層の非硬化部を介して当該封止基板により前記自発光部を封止する封止工程と、前記封止工程後に前記パネル基板を複数に分割又は不要分の除去とともに、前記接着層の硬化部を除去して光デバイスを形成する分割・除去工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
請求項１３に記載の発明は、パネル基板上に形成された自発光部が接着層を介して封止基板により封止された光デバイスであって、シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層に硬化処理を施して、所定形状の硬化部および非硬化部を備える前記接着層を、前記封止基板上に形成し、前記硬化部を除去し、且つ、前記封止基板を前記接着層の前記非硬化部を介して前記自発光部上に貼り付けて、前記自発光部を封止して形成されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項１４に記載の発明は、基板上に自発光素子を一つ又は複数備える自発光部を備え、前記自発光部を封止基板により封止してなる光デバイスであって、前記基板上に形成された自発光素子の周囲に形成された隔壁を有し、前記隔壁間に前記接着層が形成されていることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法は、パネル基板上に形成した少なくとも一つ又は複数の自発光部が封止された光デバイスの製造方法であり、パネル基板上に少なくとも一つ又は複数の自発光部を形成する自発光部形成工程と、予めシート状に形成した接着層もしくは封止基板上に成膜した接着層の一部分に硬化処理を施す硬化工程と、硬化工程後にパネル基板と封止基板とで自発光部を封止する封止工程とを有することを特徴とする。好適には封止工程後に前記パネル基板を複数に分割し光デバイスを形成する分割工程を有する。
【００１９】
また好適には、上記硬化工程は、シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層に硬化処理を施して、所定形状の硬化部および非硬化部を備える接着層を封止基板上に形成する。また好適には、上記封止工程は、接着層の硬化部を除いた非硬化部を介して、封止基板により自発光部を封止する。
【００２０】
上記光デバイスの製造方法によれば、予めシート状に形成した接着層もしくは封止基板上に成膜した接着層の一部分に硬化処理を施す硬化工程を行った後に、パネル基板と封止基板とで自発光部を封止する封止工程を行うので、パネル基板上に形成された自発光部に対して簡単な工程により高精度に封止することができる。
【００２１】
この際、パネル基板上に形成された引出し配線上に接着層が付着しない所定形状に、封止基板上に接着層をパターン形成し、その所定形状の接着層が形成された封止基板により封止を行うことで、パネル基板上に形成された引出し配線に接着層を付着することなく、高精度に封止を行うことができる。また、引出し配線上に接着層が形成されることによる接続不良や表示不良を防止することができる。
【００２２】
また、多面取りを行う場合に、パネル基板上に形成された複数の自発光部に対して一度に高精度に封止を行うことができる。このため、例えば複数の自発光部を個別に順番に固体封止する場合と比べて、本発明に係る光デバイスの製造方法では製造時間を短縮することができる。
【００２３】
また詳細には、例えば熱硬化型又は光硬化型接着層を用いて、加熱や光照射等の所定の硬化処理を施すことにより、簡単に所定形状に接着層を形成することができる。
【００２４】
また、本発明の一実施形態に係る光デバイスは、基板上に自発光素子を一つ又は複数備える自発光部を備え、自発光部を封止基板により封止してなる光デバイスであって、基板上に形成された自発光素子の周囲に形成された隔壁を有し、隔壁が前記封止基板に対する支持部材として機能し、隔壁間に前記接着層が形成されている。
【００２５】
上記構成の光デバイスでは、隔壁が封止基板に対する支持部材として機能するので、封止基板を高い強度で支持することができ、例えば薄型で高強度の光デバイスを作製することができる。また隔壁間に接着層を形成することで、より高強度の光デバイスを作製することができる。
【００２６】
以下、図面を参照しながら本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法、および光デバイスを説明する。
【００２７】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態に係る光デバイスの製造方法では、先ず大判のパネル基板上に複数の自発光部を形成する。それに合わせてシート状の熱硬化型又は光硬化型の接着部材を複数個パターニングして、封止基板上に所定形状の硬化部および非硬化部を備える接着層を形成する。この接着層の非硬化部は、パネル基板上に形成された自発光部に対応した形状に形成されている。つまり、封止基板上には、所定形状に形成された複数の接着層が、パネル基板に形成された自発光部の形成位置に応じた位置に、その位置関係を保った状態で形成されている。この大判の封止基板とパネル基板との位置合わせを行い、接着層を介して貼り付けることで、一度に高精度に封止を行う。上記製造方法により、高精度に封止することができる。また簡単に高精度に封止することができる。
【００２８】
また封止基板上には、複数の接着層の相対的な位置関係が保持された状態で、それら接着層が配置されているので、各接着層を個別に位置合わせを行う場合と比べて、簡単に一度に高精度に位置合わせを行うことができる。
【００２９】
図１は、本発明の第１実施形態に係る光デバイスを説明するための図である。図１（ａ）は光デバイスの素子形成面側からの正面図である。図１（ｂ）は図１（ａ）に示した光デバイスの断面図である。図２（ａ）は図１（ａ）に示した光デバイスを詳細に説明するための図である。図２（ｂ）は図１（ｂ）に示した光デバイスを詳細に説明するための断面図である。
【００３０】
本発明の第１実施形態に係る光デバイス１は、自発光素子が発光および非発光することにより各種情報表示を行うことができる。この光デバイス１は、例えば情報表示装置、照明等に応用することができる。また光デバイス１は、一つの画素又は複数の画素を有している。本実施形態では、複数の画素が格子状に形成されている。自発光素子としては、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、無機ＥＬ素子、ＦＥＤ（Field Emission Display）、発光ダイオード等を採用することができ、本発明に係る自発光素子としては有機ＥＬを採用する。以下、光デバイス１の構成要素を詳細に説明する。
【００３１】
本発明に係る光デバイス１は、パネル基板（基板）２、自発光素子１００、およびフレキシブル基板（配線基板）９０を有する。基板２上には、自発光素子１００および引出し配線７が形成されている。自発光部１０１には、例えば一つ又は複数個の自発光素子１００がマトリクス状に形成されている。封止部材８０は、封止基板８１、接着層８２を有する。ここでいう「パネル基板２」とは、複数の光デバイスを一つの基板（マザー基板、マザーガラスともいう）上に形成し、その後、分割して複数の光デバイスを製造する生産方法で用いられるものを定義する。または、パネル基板２上に一つの自発光部１０１を形成し、封止工程後に不要部を除去する除去工程を有する生産方式でも構わない。
【００３２】
基板２は、例えばボトムエミッションタイプの光デバイスでは、自発光素子１００から出射された光が基板を透過するように、光透過性を有する材料により形成されることが好ましい。また基板２は、有機ＥＬ素子の劣化因子の一つである水分や酸素を遮断する機能を有する。基板２の材料として、例えばプラスチック、無機材料、特にガラスを採用することが好ましい。また基板２として、透明ポリマー上にＳｉＯ2 等の各種材料により封止膜をコーティングしたフレキシブル基板を採用してもよい。
【００３３】
自発光素子１００としての有機ＥＬ素子は、正孔注入電極と、電子注入電極との間に成膜層が形成され、正孔注入電極からの正孔と電子注入電極からの電子が成膜層にてホッピング移動し、電子と正孔の再結合により電子状態が励起した後、基底状態にエネルギー遷移する際に発光する。本実施形態に係る自発光素子１００は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、例えば第１電極（下部電極）３、絶縁膜４、成膜層５、および第２電極（上部電極）６を有する。
【００３４】
下部電極３は、基板２上に形成される。下部電極３は、例えば基板２上に成膜および所定形状にパターニングすることにより形成される。パッシブマトリクス型光デバイスを採用する場合には、下部電極３は、図２（ａ）に示すように、複数のライン状の電極をパターニングして形成される。またアクティブマトリクス型光デバイスを採用する場合には、トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）や層間絶縁層が形成された、いわゆるアクティブ基板上に画素毎に下部電極３を形成する。下部電極３は、ボトムエミッションタイプの光デバイスを採用する場合には、基板２側より光を出射するので、透明性を有する材料により形成する。下部電極３の形成材料は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を採用し、その他にもＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）や金属電極、導電酸化物、等の各種導電材料を採用することができる。
【００３５】
絶縁膜４は、例えば光デバイスが情報表示のために、ドットマトリクス状に有機ＥＬ素子を形成する場合には画素１０を区画形成する。例えば絶縁膜４は、先にパターニングした下部電極３の上部の一部を開口し、開口部１１の周辺部から隣り合う開口部１１まで覆う形状に形成されている。絶縁膜４の形成材料としては、例えばポリイミドやエポキシ、光受光性樹脂、等の各種材料が挙げられる。また必要に応じて絶縁膜４上に逆台形状の隔壁４１を下部電極３と直交方向に沿って形成することで、マスクパターンを用いずに、ストライプ状の成膜層５又は上部電極６を形成することができる。
【００３６】
成膜層５は、下部電極３上に形成され、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機ＥＬ発光層、電子輸送層、電子注入層、等の各種機能層が薄膜状に成膜されて形成されている。成膜層５の成膜プロセスは、例えば低分子有機材料を蒸着してもよく、高分子有機材料を印刷、化学蒸着、レーザ転写法、等の各種成膜方法にて薄膜形成してもよい。成膜層５の各層は、単一の有機材料で形成されてもよく、複数の材料を混ぜ合わせたもの（混合層）、高分子バインダーの中に有機材料や無機材料の機能材料（例えば電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能等を備える材料）を分散させたものでもよい。
【００３７】
第２電極６は、成膜層５上に形成されている。例えばパッシブ型有機ＥＬ素子を採用した場合には、第２電極６は、下部電極３と直交する方向に沿って複数のストライプ電極をパターニングして形成される。アクティブ駆動型有機ＥＬ素子を採用した場合には、第２電極６は、例えば複数の画素部上に共通に成膜される。下部電極３を正孔注入電極とした場合には、第２電極６は、電子注入機能を有する材料を採用する。電子機能を有する材料は、例えばアルミニウム、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）合金、等を採用することができる。例えば第２電極６の形成材料として、アルミニウムを採用した場合には、成膜層５と第２電極６との間に、リチウム（Ｌｉ）等のアルカリ金属化合物を含む層又は領域を形成することが好ましい。
【００３８】
引出し配線７は、例えば有機ＥＬ素子の発光および非発光を制御させる制御信号を、例えば駆動回路や制御回路等の外部回路から入力するための配線であり、導電材料からなる。引出し配線７は、例えば下部電極３に電気的に接続する第１電極用引出配線３ａ、および第２電極６に電気的に接続する第２電極用引出配線７６を有する。また引出し配線７は、第１下部電極３や第２電極６に積層させてもよい。引出し配線７は、例えば第１下部電極３や第２電極６と同じ材料で形成してもよく、これらよりも低抵抗な金属材料により形成してもよい。詳細には、引出し配線７の形成材料としては銀、アルミニウム、クロム等の低抵抗金属や、それらのいずれか２つ以上の合金等を挙げることができる。引出し配線７には、図１（ａ），（ｂ）に示すように、例えば異方性導電性膜（ＡＣＦ：Anisotropic conductive film）等の導電材料やＮＣＦなどの非導電性材料を介して、フレキシブル基板（配線基板）９０が圧着接続される。配線基板９０には駆動回路などの外部回路が接続される。また光デバイス１と外部回路との接続は、上記実施形態に限られるものではない。例えば外部回路の実装としては、駆動回路を基板２上に形成するＣＯＧ（Chip on glass）や、フレキシブル基板上に駆動回路を形成したＣＯＦ（Chip on film）等の各種実装技術を採用してもよい。
【００３９】
封止基板８１は、自発光部１０１を接着層８２を介して封止する。また封止基板８１は、自発光部１０１を封止する材料、例えば外気を遮断できる低透湿性材料等からなり、ガラス等のセラミックや、アルミニウム、ステンレス（ＳＵＳ：Stainless Used Steel）等の金属材料や、プラスチック等の各種材料を採用することができる。また封止基板８１は、自発光部１０１と略同じ形状に形成されていること、詳細には略矩形状に形成されているなどが挙げられるが、これらに限定されることはない。また封止基板８１は自発光パネルを作製する際、接着層を介して封止基板を貼り合せて封止した後、必要に応じて連結部やパネル作製用基板を切断等にて分離して自発光パネルを得るが、その分離する作業において封止基板に不要部分があるとそれをパネル作製用基板から分離する作業が必要になる等の理由から略矩形状に形成されていることが好ましい。
【００４０】
接着層８２は、自発光部１０１と封止基板８１間に形成されている。この接着層８２は、例えば加熱や熱線照射により硬化する熱硬化型接着層、紫外線や可視光線等の光（電磁波）が照射されることにより硬化する光硬化型接着層等からなる。熱硬化型接着層の形成材料としては、例えばエポキシ系樹脂等の各種接着材料を採用することができる。また紫外線（ＵＶ）硬化型接着層の形成材料としては、例えばアクリル系樹脂等の各種材料を採用することができる。接着層８２は、上記加熱や光照射等による硬化処理が施されると、粘着状態（非硬化状態）から、硬化状態又は固化状態に不可逆的に相転移する。
【００４１】
本実施形態に係る接着層８２は、シート状に形成されており、光照射又は加熱により硬化状態に相転移した硬化部８２１と、それ以外の接着性を有する非硬化部８２２とにパターン形成可能である。
【００４２】
この接着層８２において、加熱や光照射等により形成される硬化部８２１は、硬化前に接触していたものに対しては接着力が高くなり、硬化後に接触したものに対しては接着力が低下する。
【００４３】
［光デバイスの製造方法］
図３は、本発明の第１実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００４４】
本実施形態では、いわゆる多面取りにより複数個の光デバイスを作製する。詳細には光デバイスの製造方法は、図３に示すように、自発光部形成工程（Ｓ１）、封止部材形成工程（Ｓ２）、封止工程（Ｓ３）、および分割・除去工程（Ｓ４）を有する。以下、各工程を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４５】
［自発光部形成工程（Ｓ１）］
図４（ａ）は、複数の自発光部が形成された大型のパネル基板を説明するための図である。図４（ｂ）は図４（ａ）に示したパネル基板および自発光部の断面図である。図４（ａ），（ｂ）に示すように、パネル基板２上に、複数個の自発光部１０１および引出し配線７をマトリクス状に形成する。自発光部１０１及び引出し配線７の製造方法の一具体例について簡単に説明する。
【００４６】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、先ずガラス等のパネル基板２上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明電極の形成材料を、スパッタ成膜法などの各種成膜方法により成膜してストライプ状に下部電極３（３ａ）を形成する。下部電極３上に絶縁膜４により区画された開口部１１を形成して、その開口部１１が一画素として機能する。また絶縁膜４上に隔壁４１を形成してもよい。この隔壁４１は、例えば逆テーパ形状やオーバーハング部を備えた形状に形成されていることが好ましい。この隔壁４１を形成することにより、成膜層５や上部電極６を成膜用マスクを利用せずにパターニングすることができる。次に下部電極３電極上の開口部１１内に、抵抗加熱蒸着法など各種製造方法により有機材料を成膜することで成膜層５を形成する。成膜方法の一具体例として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層が順次積層された５層構造を形成してもよい。次に、成膜層５の上部に、下部電極３と直交する方向に沿って上部電極６（６ａ）を成膜およびパターニングする。上部電極６の端部７６，下部電極３の端部３ａは、引出し配線７に対応する。上記製造方法により、基板２上に複数の自発光素子１００がマトリクス状に形成された自発光部１０１を作製することができる。
【００４７】
［封止部材形成工程（Ｓ２）］
図５は、本発明の第１実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための斜視図である。次に基板２の一方の面側に形成された複数の自発光部１０１を封止するために、例えば図５に示すように、大判の封止基板８１上に接着層８２を形成する。この際、基板２上に形成された自発光部１０１の位置や形状に応じた位置に、所定形状の接着層８２を封止基板８１上に形成する。また自発光部１０１を封止基板８１により接着層８２を介して封止する場合には、引出し配線７上に接着層８２を付着させないことが好ましい。本実施形態に係る封止形成工程は、接着層パターニング工程（Ｓ２１）、接着層硬化工程（Ｓ２２）、封止基板と接着層とを貼り付ける工程（Ｓ２３）、除去工程（Ｓ２４）を有する。以下、各工程を詳細に説明する。
【００４８】
［接着層パターニング工程（Ｓ２１）］
図６は本発明の第１実施形態に係る光デバイスの製造方法の封止部材形成工程を説明するための図である。図６（ａ）は剥離シートが一方の面側に貼り付けられた接着層を説明するための図であり、図６（ｂ）は接着層に硬化処理を施す工程を説明するための図である。先ず図６（ａ）に示すように、置き台（基台）２０１上にシート状の接着層８２を剥離シート（セパレータ）８３を介して配置（載置）する。例えばシート状の剥離シート８３が両面に形成されたシート状の接着部材を用意した場合には、一方の剥離シート８３を剥がして、図６（ａ）に示すように、基台２０１と接着層８２間に剥離シート８３が位置するように、それぞれを配置する。本実施形態に係る接着層８２は、熱硬化型接着剤から成る。
【００４９】
［接着層硬化工程（Ｓ２２）］
次にシート状の接着層８２の一部に硬化処理を施して、接着層８２に、所定形状の硬化部８２１および非硬化部８２２を形成する。詳細には、パネル基板２上に形成された被封止対象の自発光部１０１に応じた所定形状に硬化部８２１および非硬化部８２２を形成する。具体的には図６（ｂ）に示すように、接着層８２の剥離シート８３が貼り付けられた面と反対面側から、レーザ装置等の光照射装置８４による熱線照射等により、接着層８２の所定領域を加熱して熱硬化型接着剤を硬化又は固化させる。この熱線照射により形成された硬化部８２１は、接着力が非硬化部８２２と比べて低下している。また非硬化部８２２の接着力は熱線が照射されていないので変わらない。
【００５０】
［封止基板と接着層とを貼り付ける工程（Ｓ２３）］
図６（ｃ），（ｄ）は封止基板と接着層を貼り付ける工程を説明するための図である。次に図６（ｃ），（ｄ）に示すように、封止基板８１を接着層８２に貼り付ける。この際、高精度に位置合わせを行うために、アライメントマーク（ＡＬ）を、接着層８２、剥離シート８３、基台２０１のいずれか又は全部、および封止基板８１に予め形成しておき、そのアライメントマーク（ＡＬ）に基づいて、接着層８２と封止基板８１とを位置合わせして、図６（ｄ）に示すように、接着層８２と封止基板８１を貼り付ける。
【００５１】
［除去工程（Ｓ２４）］
図６（ｅ）は接着層８２の硬化部８２１の除去工程を説明するための図である。次に図６（ｅ）に示すように、封止基板８１から剥離シート８３を剥離して、接着層８２の不要部分である硬化部８２１を除去し、封止基板８１上に所定形状の接着層８２の非硬化部８２２を形成する。詳細には図６（ｅ）に示すように、接着層８２のうち接着力が比較的強い非硬化部８２２が封止基板８１上に接着した状態で配置され、硬化部８２１が剥離シート８３と共に除去される。
【００５２】
この際、接着層８２の硬化処理後に貼り付けられる封止基板８１に対する、接着層８２の硬化部８２１の接着力が、封止基板８１に対する、接着層８２の非硬化部８２２の接着力より小さい。また剥離シート８３に対する、接着層８２の非硬化部８２２の接着力が、封止基板８１に対する、接着層８２の非硬化部８２２の接着力より小さい。
【００５３】
つまり、接着層８２の樹脂の硬化後に封止基板８１を接触したので、硬化部８２１（除去する個所）は、封止基板８１との接着力が低下して除去することができる。
【００５４】
［貼り合せ工程（封止工程）（Ｓ３）］
図６（ｆ）は封止工程を説明するための図である。次に図５，図６（ｆ）に示すように、一方の面側に自発光部１０１および引出し配線７が形成されたパネル基板２に、接着層８２を介して封止基板８１を貼り付ける。詳細には、自発光部１０１上に接着層８２の非硬化部８２２を介して封止基板８１を貼り付けて封止を行う。この際、パネル基板２、および封止基板８１に予めアライメントマーク（ＡＬ）を形成し、このアライメントマーク（ＡＬ）に基づいて、基板２および封止基板８１の位置決めを行い、それぞれを貼り合わせることが好ましい。この際、引出し配線７には接着層８２が付着しない。
【００５５】
図６（ｇ）は硬化工程を説明するための図である。図６（ｇ）に示すように、接着層８２（非硬化部８２２）に所定の硬化処理、例えば加熱処理を施すことにより接着層８２を硬化させる。上記工程により自発光部１０１が接着層８２を介して封止基板８１により封止される。
【００５６】
［分割・除去工程（Ｓ４）］
図７（ａ），（ｂ）は、本発明に係る光デバイスの製造方法の分割・除去工程を説明するための図である。次に図７（ａ），（ｂ）に示すように、基板２上に形成された自発光部１０１が、封止基板８１により硬化した接着層８２を介して封止された状態で、封止基板８１および基板２を光デバイス１（自発光パネル）毎に、例えばカッター等の切断装置により切断して分割する。この際、封止基板８１を接着層８２の非硬化部８２２と同形状に切断して、不要部分８１Ａを除去して、図１，２に示すような光デバイス１を作製する。本実施形態に関する光デバイスの製造方法は、基板２上に一つの自発光部１０１を形成したものにも適用される。この場合、封止工程Ｓ３後に分割工程をせずに不要部分８１Ａを除去する除去工程により光デバイス１を作製する。
【００５７】
次に図７（ｃ），図１（ａ），（ｂ）に示すように、封止工程後に、基板２上に形成した引出し配線７に、例えば異方性導電性膜（ＡＣＦ）等の導電材料を介して、フレキシブル基板（配線基板）９０や駆動ＩＣチップ等の外部回路を圧着して電気的に接続する。本発明に係る光デバイスの製造方法では、高精度にパターニングされた接着層８２により高精度に封止を行うので、引出し配線７上に接着層が付着することが低減し、引出し配線７に配線基板９０や駆動ＩＣチップ等の外部回路を確実に実装して、電気的に接続することができる。
【００５８】
上記光デバイスの製造方法を行うことにより、分割工程時の品質不良を低減することができる。
【００５９】
なお、上述した実施形態に係る光デバイス１の製造方法では、自発光部形成工程Ｓ１、封止部材形成工程Ｓ２、封止工程Ｓ３、分割・除去工程Ｓ４を順に行ったが、製造工程の順番は上述した形態に限られるものではない。例えば封止部材形成工程Ｓ２の次に自発光部形成工程Ｓ１を行ってもよいし、同時に行ってもよい。
【００６０】
以上、説明したように本実施形態に係る光デバイスの製造方法は、シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層８２に硬化処理を施して、所定形状の硬化部８２１および非硬化部８２２を備える接着層８２を、封止基板８１上に形成する封止部材形成工程（Ｓ２）と、硬化部８２１を除去し、且つ、封止基板８１を接着層８２の非硬化部８２２を介して自発光部１０１上に貼り付けて、自発光部１０１を封止する封止工程（Ｓ３）とを有するので、パネル基板２上に形成された自発光部１０１を簡単な工程により高精度に封止することができる。また多面取りを行う場合に、封止基板８１上に高精度に接着層８２をパターニングして、パネル基板２上に形成された複数の自発光部１０１に対して一度に高精度に封止を行うことができる。また個々の自発光部１０１を個々に封止する従来の製造方法と比べて、本発明に係る光デバイスの製造方法では、製造時間を短縮することができる。また高精度に封止を行うことができるので、引出し配線７上に接着層が付着することを防止することができ、接続不良や表示不良を防止することができる。
【００６１】
又、一方の面側に剥離シート８３が配置された接着層８２に硬化処理を施して硬化部８２１および非硬化部８２２を形成し、当該接着層８２の他方の面側に封止基板８１を貼り付けた状態で、剥離シート８３と共に硬化部８２１を封止基板８１から剥離して硬化部８２１を除去するので、簡単に高精度に、封止基板８１上に接着層８２がパターニングすることができる。
【００６２】
［第２実施形態］
図８は、本発明の第２実施形態に係る光デバイス１の製造方法を説明するための図である。第１実施形態と同じ構成、機能、動作等については、説明を省略する。本実施形態に係る光デバイス１の製造方法では、接着層８２として紫外線（ＵＶ）硬化型接着部材を採用する。この接着層８２に硬化処理を施す場合には、図８（ａ），（ｂ）に示すように、置き台（基台）２０１上に、シート状の接着層８２をセパレータ（剥離シート８３）を介して配置し、接着層８２上にフォトマスク（マスク）８７を配置する。マスク８７には、例えば所定形状の開口部８７１と遮蔽部８７２とが形成されている。光照射装置８４Ａから紫外線等の電磁波が、マスク８７を介して接着層８２に照射される。詳細にはマスク８７の開口部８７１を透過した光が接着層８２に照射され、その照射部分が硬化し、硬化部８２１の接着力が低下する。非硬化部８２２の接着力は、マスク８７により遮光されていたので変わらない。
【００６３】
また図８（ｇ）に示すように、接着層８２（非硬化部８２２）に所定の硬化処理、例えば紫外線（ＵＶ）照射等の光照射を行うことにより、接着層８２を硬化させる。上記工程により自発光部１０１が成膜層５を介して封止基板８１により封止される。その後、第１実施形態と同様に図７（ａ），（ｂ）に示すように、封止基板８１および基板２を光デバイス（自発光パネル）毎に、例えばカッター等の切断装置により切断して分割して複数の光デバイス１を作製する。本実施形態では、光デバイスの製造方法は、基板２上に一つの自発光部１０１を形成したものにも適用される。この場合、封止工程後に分割工程をせずに不要部分を除去する除去工程により光デバイス１を作製する。
【００６４】
上記本実施形態に係る光デバイスの製造方法では、光硬化型の接着層８２を採用したので、光照射装置８４Ａからマスク８７を介して接着層８２に光照射することにより、接着層８２に硬化処理を施すので、高精度に簡単に接着層８２を所定形状にパターニングすることができる。
【００６５】
［第３実施形態］
図９は、本発明の第３実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。図９（ａ）は剥離シート８３が一方の面側に貼り付けられ他方の面側に封止基板８１が配置された接着層８２を説明するための図である。図９（ｂ）は接着層８２に硬化処理を施す工程を説明するための図である。第１及び第２実施形態と同様な構成、機能、および動作等については説明を省略する。本実施形態に係る光デバイス１の製造方法では、予め封止基板８１上に接着層８２及び剥離シート８３を配置し、その状態で硬化処理を施して接着層８２を所定形状にパターニングする。
【００６６】
詳細には、先ず図９（ａ）に示すように、接着層８２の一方の面側に剥離シート８３が貼り付けられ、他方の面側に封止基板８１を配置する。例えばシート状の剥離シート８３が両面に形成されたシート状の接着部材を用意した場合には、一方の剥離シート８３を剥がして、図９（ａ）に示すように他方の面側を封止基板８１に貼り付ける。
【００６７】
次に、シート状の接着層８２に硬化処理を施して、接着層８２に所定形状の硬化部８２１および非硬化部８２２を形成する。本実施形態に係る硬化処理は、例えば図９（ｂ）に示すように、レーザ装置等の光照射装置８４により、透明性を有する封止基板８１側から接着層８２に、熱線照射等の硬化処理を行う。例えば接着層８２の封止基板側の一部に硬化部８２１ａを形成する。詳細には接着層８２の封止基板８１に対向する面側のみ硬化させる。より詳細には接着層８２の封止基板８１に対向する表面近傍領域を硬化させて硬化部８２１ａを形成する。接着層８２の硬化部８２１以外の部分が非硬化部８２２に相当する。
【００６８】
接着層８２が硬化前から封止基板８１に接触しているために、封止基板８１に対する硬化部８２１ａの接着力は、非硬化部８２２の封止基板８１に対する接着力より大きい。つまり硬化部８２１ａと封止基板８１との接着力が比較的高くなり、硬化部８２１ａの形成領域以外の非硬化部８２２が除去可能となる。
【００６９】
図９（ｃ）は接着層８２の非硬化部の除去工程を説明するための図である。次に図９（ｃ）に示すように、剥離シート８３を接着層８２から剥離する。この際、剥離シート８３と共に、硬化部８２１ａの形成領域以外の非硬化部８２２ａを、封止基板８１から剥離して非硬化部８２２ａを除去する。封止基板８１上には、所定形状の接着層８２の非硬化部８２２が形成される。
【００７０】
次に第１実施形態と同様に、図９（ｄ）〜図９（ｇ）に示すように、パネル基板２上の自発光部１０１を接着層８２を介して封止基板８１により封止を行い、接着層８２全体に硬化処理を施して（封止工程Ｓ３）、光デバイス１毎に分割・除去工程（Ｓ４）などを行い、複数の光デバイス１を作製する。本実施形態に関する光デバイスの製造方法は、基板２上に一つの自発光部１０１を形成したものにも適用される。この場合、封止工程Ｓ３後に分割工程をせずに不要部分８１Ａを除去する除去工程により光デバイス１を作製する。
【００７１】
以上説明したように、本実施形態に係る光デバイス１では、予め封止基板８１上に接着層８２及び剥離シート８３を配置し、その状態で硬化処理を施して、封止基板８１上に被封止対象の自発光部１０１に対応した所定形状の接着層８２を形成するので、第１および第２実施形態と比べて、封止基板と接着層とを貼り付ける工程（Ｓ２３）等を省略することができる。このため光デバイスの製造時間を短縮化することができる。また予め封止基板８１上に接着層８２及び剥離シート８３を配置して硬化処理を施すので、第１及び第２実施形態と比べて、封止基板８１上に高精度に所定形状の接着層８２の非硬化部８２２を形成することができる。このため封止基板８１および接着層８２により、自発光部１０１を高精度に封止することができる。
【００７２】
［第４実施形態］
図１０は、本発明の第４実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。図１０（ａ）は剥離シートが一方の面側に貼り付けられ他方の面側に封止基板が配置された接着層を説明するための図である。図１０（ｂ）は接着層に硬化処理を施す工程を説明するための図である。第３実施形態と同様な構成、機能、および動作等については説明を省略する。本実施形態に係る光デバイスの製造方法では、先ず図１０（ａ），（ｂ）に示すように、封止基板８１上に接着層８２及び剥離シート８３を配置し、レーザ装置等の光照射装置８４により、剥離シート８３を介して接着層８２に、熱線照射等の硬化処理を行い、所定形状の硬化部８２１および非硬化部８２２を封止基板８１上に形成する。
【００７３】
図１０（ｃ）は接着層８２から剥離シート８３を剥離する工程を説明するための図である。次に本実施形態では図１０（ｃ）に示すように、剥離シート８３のみを接着層８２から剥離する。本実施形態では封止基板８１上には、硬化部８２１および非硬化部８２２を備える接着層８２が形成される。
【００７４】
図１０（ｄ）は封止工程を説明するための図である。次に図１０（ｄ）に示すように、自発光部１０１および引出し配線７が形成されたパネル基板２に、接着層８２を介して封止基板８１を貼り付ける。この際パネル基板２、封止基板８１、接着層８２等に予めアライメントマーク（ＡＬ）を形成し、このアライメントマーク（ＡＬ）に基づいて、基板２および封止基板８１の位置決めを行い、それぞれを貼り合わせることが好ましい。この際、引出し配線７に硬化部８２１が接触した場合であっても、封止基板８２や引出し配線７に対する硬化部８２１の接着力は、硬化部８２１が硬化しているために比較的低いので、引出し配線７には接着材料が付着しない。
【００７５】
図１０（ｅ）は硬化工程を説明するための図であり、図１０（ｆ）は分割工程を説明するための図であり、図１０（ｇ）は分割後の光デバイス１の断面図である。次に、図１０（ｅ）に示すように、接着層８２に所定の硬化処理、例えば加熱処理を施すことにより接着層８２を硬化させる。
【００７６】
次に図１０（ｆ）に示すように、基板２上に形成された自発光部１０１が、封止基板８１により硬化した接着層８２を介して封止された状態で、封止基板８１および基板２を光デバイス１（自発光パネル）毎に、例えばカッター等の切断装置により切断して分割する。この際、封止基板８１を接着層８２の非硬化部８２２と同形状に切断して、不要部分８１Ａおよび非硬化部８２２を除去して、図１，図２，図１０（ｇ）に示すような光デバイス１を作製する。本実施形態の光デバイスの製造方法は、基板２上に一つの自発光部１０１を形成したものにも適用される。この場合、封止工程Ｓ３後に分割工程をせずに不要部分８１Ａを除去する除去工程により光デバイス１を作製する。
【００７７】
以上説明したように、本実施形態では、封止基板８１上の接着層８２に所定形状の硬化部８２１および非硬化部８２２を形成し、硬化部８２１および非硬化部８２２が封止基板８１上に配置された状態で、基板２上に形成された自発光部１０１を貼り合わせた後、光デバイス１（自発光パネル）毎に分割するので、第３実施形態と比べて、剥離シート８３を剥離すると共に非硬化部８２２を除去する工程を省略することができ、製造工程が簡略化される。また製造時間を短縮することができる。
【００７８】
［第５実施形態］
図１１は、本発明の第５実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。図１１（ａ）は第１具体例に係る接着層８２の硬化部８２１および非硬化部８２２を説明するための図であり、図１１（ｂ）は第２具体例に係る接着層８２ｂの硬化部８２１ｂおよび非硬化部８２２ｂを説明するための図である。第１〜第４実施形態と同じ構成、機能、効果等については説明を省略する。
【００７９】
例えばシート状の接着層８２に硬化処理を施して、図１１（ａ）に示すように、パネル基板２上に形成された被封止対象の自発光部１０１に対応して、個々に離れた非硬化部８２２を形成してもよい。また図１１（ｂ）に示すように、剥離シート８３を剥離する際に、硬化部８２１ｂを剥離しやすい形状、例えば被封止対象の自発光部に対応した複数の非硬化部間が一部で連結した形状の非硬化部８２２ｂを形成してもよい。
【００８０】
また接着層８２の硬化部８２１および非硬化部８２２の形状は、上記形態に限られるものではない。例えば接着層の強度、伸度、接着力等の接着層の物理特性に応じて、硬化部８２１を良好に剥離可能な形状に、硬化部８２１及び非硬化部８２２を形成してもよい。
【００８１】
またこの時、不要部分の除去が容易になるように、剥離領域を形成することで、剥離した接着層の端面が、例えばギザギザした形状、接着層の剥離残渣の発生を防止することが可能になる。
【００８２】
また、接着層の強度、伸度、接着力に応じて、良好に剥離させるべく、剥離する領域を自在に、容易に形成できるという利点もある。
【００８３】
［第６実施形態］
図１２は、本発明の第６実施形態に係る光デバイス１ｅを説明するための図である。図１２（ａ）は封止前の光デバイス１ｅを説明するための図であり、図１２（ｂ）は、封止後の光デバイス１ｅを説明するための図である。第１〜第５実施形態と同様な構成、機能、効果等については説明を省略する。
【００８４】
本実施形態に係る光デバイス１ｅは、例えばパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルであり、図１２（ａ）に示すように、パネル基板２上に有機ＥＬ素子（自発光素子）１００、一つ又は複数備える自発光部１０１を備え、自発光部１０１の周囲には逆台形状の隔壁４１が形成されている。封止基板８１の一方の面側には、所定形状に接着層８２ｅがパターニングされている。本実施形態に係る接着層８２ｅは、例えば基板２上に形成された隔壁４１間に接着層が配置される形状に形成される。接着層８２ｅは、第１〜第３及び第５実施形態と略同様に、シート状の熱硬化又は光硬化型の接着層に、所定の硬化処理を施し、不要な硬化部を除去することにより作製する。ただし本実施形態では、隔壁４１の形状に応じた形状に接着層８２ｅを形成する。
【００８５】
次に図１２（ｂ）に示すように、接着層８２ｅが隔壁４１間に位置して、接着層８２ｅが自発光素子１００上に配置するように、封止基板８１と基板２とを貼り付けて、封止を行う。この際、例えば図１２（ｂ）に示すように、基板２や封止基板８１、接着層８２等に予めアライメントマーク（ＡＬ）を形成しておき、そのアライメントマークに基づいて封止基板８１と基板２の位置合わせを行い、その封止基板８１と基板２とを貼り付ける。
【００８６】
また光デバイス１ｅは、図１２（ｂ）に示すように、隔壁４１が封止基板８１に対する支持部材として機能し、この隔壁４１間に接着層８２ｅが形成されている。また接着層８２ｅは自発光部１０１および封止基板８１に接している。また隔壁４１の上部が封止基板８１に接している。
【００８７】
つまり上記構成の光デバイス１ｅでは、隔壁４１が封止基板８１に対する支持部材として機能するので、光デバイス１ｅを薄型化した場合であっても、封止基板８１および基板２が比較的大きな強度を有することができる。また上記構成の光デバイス１ｅでは、隔壁４１間に接着層８２ｅが形成されているので、薄型化を実現することができ、更に高精度に封止を行うことができる。
【００８８】
また本実施形態に係る接着層８２の厚みや形状は、隔壁４１の形状や大きさ、自発光素子１００の形状や大きさ等に応じて適宜設定することが好ましい。
【００８９】
また図１２（ｂ）に示すように、接着層８２ｅと、支持部材として機能する隔壁４１との間には、封止空間８００が形成されている。つまり、隔壁４１を覆わなく、かつ自発光素子１００を覆うように接着層８２ｅを配置する。この封止空間８００内に吸湿材料８０１を形成してもよい。吸湿材料は、例えば金属酸化物、金属の無機酸塩・有機酸塩等が挙げられるが、特にアルカリ土類金属酸化物、及び硫酸塩の少なくとも１種を採用することが好ましい。アルカリ土類金属酸化物としては、例えば酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等が挙げられる。硫酸塩としては、例えば硫酸リチウム（Ｌｉ2 ＳＯ4 ）、硫酸ナトリウム（ＮａＳＯ4 ）、硫酸カルシウム（ＣａＳＯ4 ）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ4 ）、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ4 ）、硫酸ガリウム（Ｇａ2 （ＳＯ4 ）3 ）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ4 ）2 ）、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4 ）等を挙げることができる。その他にも吸湿剤として吸湿性を有する有機材料を採用することができる。
【００９０】
上記構成では、隔壁４１を完全に覆わない構成とすることで、隔壁４１から劣化要因の水蒸気等のガスなどが発生した場合に、封止空間８００が、そのガスの排出経路となり、吸湿材料８０１によりガスを吸着させることで、自発光素子の劣化を防止することができる。
【００９１】
［第７実施形態］
図１３は、本発明の第７実施形態に係る光デバイス１ｆを説明するための図である。図１３（ａ）は封止前の光デバイス１ｆを説明するための図であり、図１３（ｂ）は、封止後の光デバイス１ｆを説明するための図である。第１〜第６実施形態と同様な構成、機能、効果等については説明を省略する。
【００９２】
本実施形態に係る光デバイス１ｆの製造方法は、先ず図１３（ａ），（ｂ）に示すように、基板２上に自発光素子１００や隔壁４１を形成し、その上に吸湿材料８０１を成膜し、次に接着層８２ｅが形成された封止基板８１により封止する。また本実施形態に係る接着層８２の厚みや形状は、吸湿材料８０１の膜厚や形状、隔壁４１の形状や大きさ、自発光素子１００の形状や大きさ等に応じて適宜設定することが好ましい。
【００９３】
上記構成の光デバイス１ｆでは、第６実施形態と比べて吸湿材料８０１を大量に形成することができるので封止効果が向上する。
【００９４】
なお、本発明は上述した実施形態に限られるものではない。上述した実施形態や具体例を組み合わせてもよい。
【００９５】
また、上述した実施形態では図１２に示すように逆テーパ形状（逆台形状）の隔壁４１が形成された有機ＥＬパネルを説明したが、この形態に限られるものではない。例えば図１４（ａ）に示すように、テーパ形状に台形状の隔壁４１ａが形成された有機ＥＬパネル１ｇに本発明を適用してもよい。
【００９６】
また上述した実施形態では光デバイスとしてパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルを説明したが、この形態に限られるものではない。例えば図１４（ｂ）に示すように、本発明に係る光デバイスおよびその製造方法を、アクティブマトリクス型有機ＥＬパネル１ｈに適用してもよい。一般的なアクティブマトリクス型有機ＥＬパネル１ｈは、基板２上に自発光素子１００の駆動用トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）２１や電力供給線，データ線，走査線等の配線２２が形成され、その上に平坦化膜２３，絶縁層２４等が形成され、その上にマトリクス状に自発光素子が形成されている。
【００９７】
また本発明に係る光デバイス１を実現することができれば、上記実施形態に限定されるものではない。
【００９８】
また上記実施形態では、ボトムエミッションタイプの光デバイス１説明したが、この形態に限られるものではない。例えば本発明に係る光デバイスを基板２とは反対側から光を取り出すトップエミッションタイプの光デバイスに適用してもよい。さらに、基板側および基板と反対側の両側から光を取り出すタイプの光デバイスに適用してもよい。このトップエミッションタイプのパッシブマトリクス型光デバイスは、例えば、各実施形態に係る各層を逆に積層した構造を有する。
【００９９】
また上述したように、本発明の実施形態に係る光デバイス１の製造方法により形成される光デバイス１について、本発明をなんら限定しない細部を以下に説明する。
【０１００】
まず、有機ＥＬ素子について説明すると、一般的に有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極）とカソード（陰極、電子注入電極）との間に有機ＥＬ機能層を挟み込んだ構造をとっている。両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機ＥＬ機能層内に注入・輸送された正孔とカソードから有機ＥＬ機能層内に注入・輸送された電子がこの層内（発光層）で再結合することで発光を得るものである。基板上に、下部電極，有機ＥＬ機能層からなる成膜層，上部電極を積層した有機ＥＬ素子の具体的構成および材料例を示すと以下の通りである。
【０１０１】
基板については、透明性を有する平板状、フィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス又はプラスチックを用いることができる。
【０１０２】
下部又は上部電極ついては、一方が陰極、他方が陽極に設定されることになる。この場合、陽極は仕事関数が高い材料で構成されるのがよく、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜，或いはＩＴＯ，ＩＺＯ等の酸化金属膜等による透明導電膜が用いられる。そして、陰極は仕事関数の低い金属で構成されるのがよく、特に、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ），アルカリ土類金属（Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ），希土類といった仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金を用いることができる。また、下部電極、上部電極ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成とすることもできる。
【０１０３】
また下部電極又は上部電極から封止領域に外側に引き出される引出電極は、有機ＥＬパネルとそれを駆動するＩＣ（集積回路），ドライバ等の駆動手段とを接続するために設けられる配線電極であって、好ましくはＡｇ，Ｃｒ，Ａｌ等などの低抵抗金属材料やそれらの合金を用いるのがよい。
【０１０４】
一般に、下部電極と引出電極の形成は、ＩＴＯ，ＩＺＯ等によって下部電極及び引出電極のための薄膜を蒸着或いはスパッタリング等の方法で形成し、フォトリソグラフィ法などによってパターン形成がなされる。下部電極と引出電極（特に低抵抗化の必要な引出電極）に関しては、前述のＩＴＯ，ＩＺＯ等の下地層にＡｇ，Ａｌ，Ｃｒ等の低抵抗金属もしくはその合金を積層した２層構造にしたもの、或いはＡｇ等の保護層としてＣｕ，Ｃｒ，Ｔａ等の耐酸化性の高い材料を更に積層した３層構造にしたものを採用することができる。
【０１０５】
下部電極と上部電極との間に成膜される有機ＥＬ機能層としては、下部電極を陽極，上部電極を陰極とした場合には、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の積層構造が一般的であるが（下部電極を陰極、上部電極を陽極とした場合にはその逆の積層順となる）、発光層、正孔輸送層、電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略して発光層のみにしても構わない。また有機ＥＬ機能層としては、正孔注入層，電子注入層，正孔障壁層，電子障壁層等の有機機能層を用途に応じて挿入することができる。
【０１０６】
有機ＥＬ機能層の材料は、有機ＥＬ素子の用途に合わせて適宜選択可能である。以下に例を示すがこれらに限定されるものではない。
【０１０７】
正孔輸送層としては、正孔移動度が高い機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポルフィリン化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族第三アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベンゼン等のスチルベンゼン化合物、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた高分子分散系の材料も使用できる。好ましくは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が封止用樹脂を加熱硬化させる温度より高い材料が好ましく、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェルミアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）が挙げられる。
【０１０８】
発光層は、公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料を使用できる。上述したような発光材料のみから構成したものでもよいし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）または発光ドーパント等が含有されてもよい。また、これらが高分子材料又は無機材料中に分散されていてもよい。
【０１０９】
電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体等の有機材料、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン等が使用できる。
【０１１０】
上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層は、本発明に係る成膜工程および加熱工程を同時又は交互に行う層を除いては、スピンコーティング法、ディッピング法等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法等のウェットプロセス、又は蒸着法、レーザ転写法等のドライプロセスで形成することができる。
【０１１１】
また封止部材としては、気密性を確保できる材料であればよく、特に限定されるものではないが、接着剤を加熱硬化させる都合上、熱膨張や経時的変化の少ない材料を用いることが好ましく、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス等のガラス材、ステンレス、アルミニウム等の金属材、プラスチック等を採用することができる。また封止部材としては、ガラス製の封止基板にプレス成形、エッチング、ブラスト処理等の加工によって封止凹部（一段掘り込み、二段掘り込みを問わない）を形成したもの、または平板ガラスを使用し、ガラス（プラスチックでもよい）製のスペーサにより基板と封止領域を形成したもの、封止部材と基板間の気密空間を樹脂等で充填したものなども採用することができる。
【０１１２】
また封止材料（接着剤）としては、熱硬化型、化学硬化型（二液混合）、光（紫外線）硬化型等を用いることができ、材料としてアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリオレフィン等を用いる。特に、紫外線硬化型や熱硬化型のエポキシ樹脂製の使用が好ましい。
【０１１３】
乾燥部材は、ゼオライト、シリカゲル、カーボン、カーボンナノチューブ等の物理的乾燥剤、アルカリ金属酸化物、金属ハロゲン化合物，過酸化塩素等の化学的乾燥剤、有機金属錯体をトルエン，キシレン，脂肪族有機溶剤等の石油系溶剤に溶解した乾燥剤、乾燥剤粒子を透明性を有するポリエチレン，ポリイソプレン，ポリビニルシンナエート等のバインダに分散させた乾燥剤により形成することができる。
【０１１４】
また上記実施形態では光デバイスとして有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬパネルを説明したが、この形態に限られるものではない。例えば本発明に係る光デバイスを、発光ダイオード等の自発光素子を備える光デバイスに適用してもよい。また本発明に係る光デバイスを、携帯電話や車載用モニタ、家庭用電化製品のモニタ、パーソナルコンピュータの表示装置やテレビジョン受像装置等のドットマトリクス表示を行う情報表示装置や、時計や宣伝用パネル等の固定表示装置、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライト等の照明装置、光電変換機能を利用した光通信装置等の各種光デバイス等に適用してもよい。
【０１１５】
以上説明したように、本発明に係る光デバイス１の製造方法は、パネル基板２上に複数の自発光部１０１を形成する自発光部形成工程（Ｓ１）と、予めシート状に形成した接着層８２もしくは封止基板８１上に成膜した接着層８２の一部分に硬化処理を施す硬化工程（Ｓ２，Ｓ２２）と、硬化工程後にパネル基板２と封止基板８１とで自発光部１０１を封止する封止工程（Ｓ３）とを有するので、パネル基板２上に形成された自発光部１０１を簡単な工程により高精度に封止することができる。
【０１１６】
また、封止工程後にパネル基板２を複数に分割し光デバイスを形成する分割・除去工程（Ｓ４）を行うことで多面取りを行い、複数の光デバイスを作製することができる。
【０１１７】
詳細には、シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層８２に硬化処理を施して、所定形状の硬化部８２１および非硬化部８２２を備える接着層８２を、封止基板８１上に形成する封止部材形成工程（Ｓ２）と、硬化部８２１を除去し、且つ、封止基板８１を接着層８２の非硬化部８２２を介して自発光部１０１上に貼り付けて、自発光部１０１を封止する封止工程（Ｓ３）とを有するので、パネル基板２上に形成された自発光部１０１を簡単な工程により高精度に封止することができる。
【０１１８】
また多面取りを行う場合に、封止基板８１上に高精度に接着層８２をパターニングして、パネル基板２上に形成された複数の自発光部１０１に対して一度に高精度に封止を行うことができる。また個々の自発光部１０１を個々に封止する従来の製造方法と比べて、本発明に係る光デバイスの製造方法では、製造時間を短縮することができる。また高精度に封止を行うことができるので、引出し配線７上に接着層が付着することを防止することができ、接続不良や表示不良を防止することができる。また、分割工程における品質不良を低下させることができる。
【０１１９】
又、一方の面側に剥離シート８３が配置された接着層８２に硬化処理を施して硬化部８２１および非硬化部８２２を形成し、当該接着層８２の他方の面側に封止基板８１を貼り付けた状態で、剥離シート８３と共に硬化部８２１を封止基板８１から剥離して硬化部８２１を除去するので、簡単に高精度に、封止基板８１上に接着層８２がパターニングすることができる。
【０１２０】
また、基板２上に自発光素子１００を一つ又は複数備える自発光部１０１を備え、自発光部１０１を封止基板８１により封止してなる光デバイスであって、基板２上に形成された自発光素子１００の周囲に形成された隔壁４１を有し、隔壁４１が封止基板８１に対する支持部材として機能し、隔壁４１間に接着層８２が形成されているので、光デバイス１を薄型化した場合であっても、比較的高強度の光デバイス１を作製することができる。また自発光素子１００を接着層８２を介して封止し、余計な封止空間を取り除いているので、従来の光デバイス１よりも薄型化することができる。
【０１２１】
つまり、１．高精度に固体封止を達成できる。詳細には上述したように、支持部材上に接着層を形成せずに封止された自発光パネルを得ることができ、支持部材から発生するガス等を排出することができる。
【０１２２】
他の効果として、精度よくパターン形成できるために、引出し配線７上に接着層を形成することがなくなり、引出し電極の酸化等を防止できることで配線抵抗の増加や断線等を防ぐことが可能になる。
【０１２３】
また、大判の基板２を用いて光デバイス１の多面取りをするような量産を考慮した場合、上述した製造方法により、例えば基板の不要な部分をできるだけなくすことができる。また自発光パネル作製する上で使用する領域を狭めることができる。また額縁部や封止領域をできるだけ狭くすることができる。分割工程時の樹脂層のパターニング不良による品質不良を防ぐことができる。
【０１２４】
また、２．接着層のパターン形成が容易である。詳細には、封止基板上に接着層を配置し、光照射や加熱等により封止基板との接着性を低減させた後、剥離用シートを接着層から剥離しつつ接着層の不要部分を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光デバイスを説明するための図である。（ａ）は光デバイスの素子形成面側からの正面図である、（ｂ）は（ａ）に示した光デバイスの断面図である。
【図２】（ａ）は図１（ａ）に示した光デバイスを詳細に説明するための図であり、（ｂ）は図１（ｂ）に示した光デバイスを詳細に説明するための断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図４】（ａ）は複数の自発光部が形成された大型のパネル基板を説明するための図であり、（ｂ）は（ａ）に示したパネル基板および自発光部の断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための斜視図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る光デバイスの製造方法の封止部材形成工程を説明するための図である。（ａ）は剥離シートが一方の面側に貼り付けられた接着層を説明するための図であり、（ｂ）は接着層に硬化処理を施す工程を説明するための図であり、（ｃ）は封止基板と接着層を貼り付ける前の状態を示す図であり、（ｄ）は封止基板と接着層を貼り付けた状態を示す図であり、（ｅ）は接着層の硬化部の除去工程を説明するための図であり、（ｆ）は封止工程を説明するための図であり、（ｇ）は硬化工程を説明するための図である。
【図７】本発明に係る光デバイスの製造方法の分割工程を説明するための図である。（ａ）は光デバイスの分割前の断面図であり、（ｂ）は光デバイスの分割後の断面図であり、（ｃ）は引出し配線７にフレキシブル基板（配線基板）を圧着する工程を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る光デバイス１の製造方法を説明するための図である。（ａ）は剥離シートが一方の面側に貼り付けられた接着層を説明するための図であり、（ｂ）は接着層に硬化処理を施す工程を説明するための図であり、（ｃ）は封止基板と接着層を貼り付ける前の状態を示す図であり、（ｄ）は封止基板と接着層を貼り付けた状態を示す図であり、（ｅ）は接着層の硬化部の除去工程を説明するための図であり、（ｆ）は封止工程を説明するための図であり、（ｇ）は硬化工程を説明するための図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。（ａ）は剥離シートが一方の面側に貼り付けられ他方の面側に封止基板が配置された接着層を説明するための図であり、（ｂ）は接着層に硬化処理を施す工程を説明するための図であり、（ｃ）は接着層の非硬化部の除去工程を説明するための図であり、（ｄ）は封止工程を説明するための図であり、（ｅ）は硬化工程を説明するための図であり、（ｆ）は光デバイスの分割前の断面図であり、（ｇ）は分割後の光デバイスの断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。（ａ）は剥離シートが一方の面側に貼り付けられ他方の面側に封止基板が配置された接着層を説明するための図であり、（ｂ）は接着層に硬化処理を施す工程を説明するための図であり、（ｃ）は接着層から剥離シートを剥離する工程を説明するための図であり、（ｄ）は封止工程の説明するための図であり、（ｅ）は硬化工程を説明するための図であり、（ｆ）は光デバイス毎に分割する分割工程の説明するための図であり、（ｇ）は分割後の光デバイスの断面図である。
【図１１】本発明の第５実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。（ａ）は第１具体例に係る接着層８２の硬化部８２１および非硬化部８２２を説明するための図であり、（ｂ）は第２具体例に係る接着層８２ｂの硬化部８２１ｂおよび非硬化部８２２ｂを説明するための図である。
【図１２】本発明の第６実施形態に係る光デバイス１ｅを説明するための図である。（ａ）は封止前の光デバイス１ｅを説明するための図であり、（ｂ）は封止後の光デバイス１ｅを説明するための図である。
【図１３】本発明の第７実施形態に係る光デバイス１ｆを説明するための図である。（ａ）は封止前の光デバイス１ｆを説明するための図であり、（ｂ）は封止後の光デバイス１ｆを説明するための図である。
【図１４】（ａ）本発明の他の実施形態に係る光デバイス１ｇを説明するための図であり、（ｂ）は本発明の他の実施形態に係る光デバイス１ｈを説明するための図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１  光デバイス（有機ＥＬパネル）
２  基板
３  第１電極（下部電極）
３ａ  第１電極用引出配線
４  絶縁膜（区画層）
５  成膜層（発光層）
６  第２電極（上部電極）
７  引出し配線
１０  画素
１１  開口部
４１  隔壁
８０  封止部材
８１  封止基板
８２  接着層
８３  剥離シート
９０  配線基板（フレキシブル基板）
１００  自発光素子（有機ＥＬ素子）
１０１  自発光部
８２１  硬化部
８２２  非硬化部
【図１】
2007273400.tif 000003
【図２】
2007273400.tif 000004
【図３】
2007273400.tif 000005
【図４】
2007273400.tif 000006
【図５】
2007273400.tif 000007
【図６】
2007273400.tif 000008
【図７】
2007273400.tif 000009
【図８】
2007273400.tif 000010
【図９】
2007273400.tif 000011
【図１０】
2007273400.tif 000012
【図１１】
2007273400.tif 000013
【図１２】
2007273400.tif 000014
【図１３】
2007273400.tif 000015
【図１４】
2007273400.tif 000016