(57)【要約】【課題】封止部中へのボイドの発生を抑制することができる発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】実装基板２０にＬＥＤチップ１０を実装してＬＥＤチップ１０とボンディングワイヤ１４，１４とを電気的に接続した後、ＬＥＤチップ１０およびボンディングワイヤ１４，１４を封止部５０の一部となる液状の第１の封止樹脂５０ａにより覆ってから（図１（ａ）参照）、光学部材６０の内側に第１の封止樹脂と同一材料からなり封止部５０の他の部分となる液状の第２の封止樹脂５０ｂを注入し（図１（ｂ）参照）、その後、光学部材６０と実装基板２０とを位置合わせして各封止樹脂を硬化させることにより封止部５０を形成するのと同時に光学部材６０を実装基板２０に固着し（図１（ｃ）参照）、続いて、色変換部材７０を実装基板２０に取り付けるようにしている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップが実装された実装基板と、ＬＥＤチップから放射された光の配光を制御する光学部材であって実装基板との間にＬＥＤチップを収納する形で実装基板の一表面側に固着されたドーム状の光学部材と、光学部材と実装基板とで囲まれた空間でＬＥＤチップを封止した封止樹脂からなり透光性および弾性を有する封止部とを備えた発光装置の製造方法であって、実装基板にＬＥＤチップを実装した後、ＬＥＤチップを封止部の一部となる第１の封止樹脂により覆ってから、光学部材の内側に第１の封止樹脂と同一材料からなり封止部の他の部分となる第２の封止樹脂を注入し、その後、光学部材と実装基板とを位置合わせして各封止樹脂を硬化させることにより封止部を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤチップ（発光ダイオードチップ）を利用した発光装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップが実装された実装基板と、ＬＥＤチップから放射された光の配光を制御する光学部材であって実装基板との間にＬＥＤチップを収納する形で実装基板の一表面側に固着されたドーム状の光学部材と、光学部材と実装基板とで囲まれた空間でＬＥＤチップおよび当該ＬＥＤチップに電気的に接続されたボンディングワイヤを封止した封止樹脂からなり透光性および弾性を有する封止部とを備えた発光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ここにおいて、上記特許文献１には、上述の発光装置の製造方法として、ＬＥＤチップとボンディングワイヤとを電気的に接続した後、ドーム状の光学部材の内側に上記封止部となる液状の封止樹脂（例えば、シリコーン樹脂）を注入し、その後、光学部材と実装基板との位置合わせを行ってから未硬化の封止樹脂を硬化させることにより上記封止部を形成する製造方法が記載されている。
【特許文献１】特開平５−１９７０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の発光装置の製造方法では、製造過程において封止部中にボイドが発生しやすく、当該ボイドが発光装置の光出力の低下や信頼性の低下の原因になる懸念があった。
【０００５】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、封止部中へのボイドの発生を抑制することができる発光装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップが実装された実装基板と、ＬＥＤチップから放射された光の配光を制御する光学部材であって実装基板との間にＬＥＤチップを収納する形で実装基板の一表面側に固着されたドーム状の光学部材と、光学部材と実装基板とで囲まれた空間でＬＥＤチップを封止した封止樹脂からなり透光性および弾性を有する封止部とを備えた発光装置の製造方法であって、実装基板にＬＥＤチップを実装した後、ＬＥＤチップを封止部の一部となる第１の封止樹脂により覆ってから、光学部材の内側に第１の封止樹脂と同一材料からなり封止部の他の部分となる第２の封止樹脂を注入し、その後、光学部材と実装基板とを位置合わせして各封止樹脂を硬化させることにより封止部を形成することを特徴とする。
【０００７】
この発明によれば、封止部中へのボイドの発生を抑制することができ、光出力が大きく且つ信頼性の高い発光装置を提供することができる。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１の発明では、封止部中へのボイドの発生を抑制することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
まず、本実施形態における発光装置について図２〜図５を参照しながら説明し、その後で、製造方法について図１を参照しながら説明する。
【００１０】
本実施形態における発光装置１は、ＬＥＤチップ１０と、ＬＥＤチップ１０が実装された矩形板状の実装基板２０と、ＬＥＤチップ１０から放射された光の配光を制御するドーム状の光学部材であって実装基板２０との間にＬＥＤチップ１０を収納する形で実装基板２０の一表面側（図２（ａ）における上面側）に固着された透光性材料からなる光学部材６０と、光学部材６０と実装基板２０とで囲まれた空間でＬＥＤチップ１０および当該ＬＥＤチップ１０に電気的に接続されたボンディングワイヤ１４，１４を封止した封止樹脂からなり透光性および弾性を有する封止部５０と、ＬＥＤチップ１０から放射され封止部５０および光学部材６０を透過した光によって励起されてＬＥＤチップ１０の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透光性樹脂とともに成形した成形品であって実装基板２０の上記一表面側で光学部材６０の光出射面６０ｂとの間に空隙８０が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材７０とを備えている。
【００１１】
なお、本実施形態における発光装置１は、例えば照明器具の光源として用いるものであり、例えばグリーンシート（例えば、シリカやアルミナなどのフィラーを高充填したエポキシ樹脂層のような熱伝導性が高く加熱時の流動性が高い可塑性シート材料）を用いて金属（例えば、Ａｌ，Ｃｕなどの熱伝導率の高い金属）製の器具本体１００に実装する（発光装置１と器具本体１００との間にグリーンシートを介在させた後でグリーンシートを加熱して塑性変形させることでグリーンシートを基礎とする絶縁層９０により発光装置１と器具本体１００とを固着する）ことによって、発光装置１と器具本体１００との間にサーコン（登録商標）のようなゴムシート状の放熱シートなどを挟む場合に比べて、ＬＥＤチップ１０から器具本体１００までの熱抵抗を小さくすることができて放熱性が向上し、ＬＥＤチップ１０のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。ここで、照明器具の場合には、所望の光出力が得られるように、器具本体１００に複数個の発光装置１を実装して複数個の発光装置１を直列接続したり並列接続したりすればよい。また、発光装置１を上述のように照明器具の光源として用いる場合、グリーンシートを用いて発光装置１を固着する相手側部材は器具本体１００に限らず、照明器具における器具本体１００以外の部材（器具本体１００に直接接合される部材）でもよい。
【００１２】
実装基板２０は、熱伝導性材料からなりＬＥＤチップ１０が熱応力緩和用のサブマウント部材３０を介して実装される矩形板状の伝熱板２１と、伝熱板２１の一面側（図２（ａ）における上面側）に積層される矩形板状の配線基板２２とで構成されている。ここにおいて、配線基板２２は、伝熱板２１側とは反対の表面側にＬＥＤチップ１０への給電用の一対のリードパターン２３，２３が設けられるとともにサブマウント部材３０に対応する部位に厚み方向に貫通する矩形状の窓孔２４が形成されており、ＬＥＤチップ１０で発生した熱が配線基板２２を介さずにサブマウント部材３０および伝熱板２１に伝熱できるようになっている。上述の熱伝導性材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ａｌなどを採用してもよい。また、配線基板２２の絶縁性基材としては、ＦＲ４を用いたガラスエポキシ基板を採用しており、各リードパターン２３，２３は、上記ガラスエポキシ基板の一表面側に形成されたＣｕ膜とＮｉ膜とＡｇ膜との積層膜により構成されている。なお、伝熱板２１と配線基板２２とは、上記ガラスエポキシ基板の他表面側に形成された金属材料（ここでは、Ｃｕ）からなる接合用金属層２５を介して固着されている。また、配線基板２２の絶縁性基材の材料は、ＦＲ４のようなガラスエポキシ樹脂に限らず、例えば、ポリイミド系樹脂や、フェノール樹脂などでもよい。
【００１３】
また、配線基板２２は、伝熱板２１側とは反対の表面側に白色系の樹脂からなるレジスト層２６が積層されており、レジスト層２６は、中央部に両リードパターン２３，２３のインナーリード部２３ａ，２３ａを露出させる開口窓２６ａが形成され、周部に各リードパターン２３，２３のアウターリード部２３ｂ，２３ｂそれぞれを露出させる円形状の開口窓２６ｂ，２６ｂが形成されている。
【００１４】
ＬＥＤチップ１０は、青色光を放射するＧａＮ系青色ＬＥＤチップであり、結晶成長用基板としてサファイア基板に比べて格子定数や結晶構造がＧａＮに近く且つ導電性を有するｎ形のＳｉＣ基板からなる導電性基板１１を用いており、導電性基板１１の主表面側にＧａＮ系化合物半導体材料により形成されて例えばダブルへテロ構造を有する積層構造部からなる発光部１２がエピタキシャル成長法（例えば、ＭＯＶＰＥ法など）により成長され、導電性基板１１の裏面に図示しないカソード側の電極であるカソード電極（ｎ電極）が形成され、発光部１２の表面（導電性基板１１の主表面側の最表面）に図示しないアノード側の電極であるアノード電極（ｐ電極）が形成されている。要するに、ＬＥＤチップ１０は、一表面側にアノード電極が形成されるとともに他表面側にカソード電極が形成されている。上記カソード電極および上記アノード電極は、Ｎｉ膜とＡｕ膜との積層膜により構成してあるが、上記カソード電極および上記アノード電極の材料は特に限定するものではなく、良好なオーミック特性が得られる材料であればよく、例えば、Ａｌなどを採用してもよい。
【００１５】
なお、本実施形態では、ＬＥＤチップ１０の発光部１２が導電性基板１１よりも伝熱板２１から離れた側となるように伝熱板２１に実装されているが、ＬＥＤチップ１０の発光部１２が導電性基板１１よりも伝熱板２１に近い側となるように伝熱板２１に実装するようにしてもよい。光取り出し効率を考えた場合には、発光部１２を伝熱板２１から離れた側に配置することが望ましいが、本実施形態では導電性基板１１と発光部１２とが同程度の屈折率を有しているので、発光部１２を伝熱板２１に近い側に配置しても光の取り出し損失が大きくなりすぎることはない。
【００１６】
また、ＬＥＤチップ１０は、ＬＥＤチップ１０のチップサイズよりも大きなサイズの矩形板状に形成されＬＥＤチップ１０と伝熱板２１との線膨張率の差に起因してＬＥＤチップ１０に働く応力を緩和する上述のサブマウント部材３０を介して伝熱板２１に実装されている。
【００１７】
サブマウント部材３０は、上記応力を緩和する機能だけでなく、ＬＥＤチップ１０で発生した熱を伝熱板２１においてＬＥＤチップ１０のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有している。本実施形態では、サブマウント部材３０の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するＡｌＮを採用しており、ＬＥＤチップ１０は、上記カソード電極がサブマウント部材３０におけるＬＥＤチップ１０側の表面に設けられ上記カソード電極と接続される導体パターン３１（図５参照）および金属細線（例えば、金細線、アルミニウム細線など）からなるボンディングワイヤ１４を介して一方のリードパターン２３と電気的に接続され、上記アノード電極がボンディングワイヤ１４を介して他方のリードパターン２３と電気的に接続されている。なお、ＬＥＤチップ１０とサブマウント部材３０とは、例えば、ＳｎＰｂ、ＡｕＳｎ、ＳｎＡｇＣｕなどの半田や、銀ペーストなどを用いて接合すればよいが、ＡｕＳｎ、ＳｎＡｇＣｕなどの鉛フリー半田を用いて接合することが好ましい。
【００１８】
また、サブマウント部材３０は、導体パターン３１の周囲に、ＬＥＤチップ１０から放射された光を反射する反射膜３２が形成されている。サブマウント部材３０の厚み寸法は、反射膜３２の表面が配線基板２２の上記一表面（レジスト層２６の表面）よりも伝熱板２１から離れるように設定してある。したがって、ＬＥＤチップ１０の側面から放射された光がサブマウント部材３０や配線基板２２に吸収されるのを防止することができて外部への光取り出し効率の向上による光出力の向上を図れる。なお、反射膜３２は、Ｎｉ膜とＡｇ膜との積層膜により構成してある。また、反射膜３２には、両ボンディングワイヤ１４，１４が接触したときにＬＥＤチップ１０の両電極間が反射膜３２を介して短絡されるのを防止するために反射膜３２を２つの領域に絶縁分離するスリット３３，３３が形成されている。
【００１９】
ここにおいて、ＬＥＤチップ１０およびサブマウント部材３０は、それぞれ平面形状が矩形状（本実施形態では、正方形状）であり、ＬＥＤチップ１０は、平面視における各辺それぞれがサブマント部材３０の一対の対角線のいずれか一方の対角線に交差する形でサブマウント部材３０の中央部に配置されているので、ＬＥＤチップ１０の各側面それぞれからサブマウント部材３０側へ放射された光を反射膜３２により効率良く反射することができ、外部への光取り出し効率の向上による光出力の向上を図れる。なお、本実施形態では、ＬＥＤチップ１０とサブマント部材３０とを厚み方向に沿った中心軸が略一致し、且つ、ＬＥＤチップ１０の平面視における各辺それぞれがサブマウント部材３０の上記一方の対角線と略４５度の角度をなすように配置してある。
【００２０】
サブマウント部材３０の材料はＡｌＮに限らず、線膨張率が導電性基板１１の材料である６Ｈ−ＳｉＣに比較的近く且つ熱伝導率が比較的高い材料であればよく、例えば、複合ＳｉＣ、Ｓｉなどを採用してもよい。本実施形態では、ＬＥＤチップ１０がサブマウント部材３０を介して伝熱板２１に実装されているので、ＬＥＤチップ１０で発生した熱をサブマウント部材３０および伝熱板２１を介して効率良く放熱させることができるとともに、ＬＥＤチップ１０と伝熱板２１との線膨張率差に起因してＬＥＤチップ１０に働く応力を緩和することができる。
【００２１】
上述の封止部５０の材料である封止樹脂としては、シリコーン樹脂を用いているが、シリコーン樹脂に限らず、例えばアクリル樹脂などを用いてもよい。
【００２２】
光学部材６０は、透光性材料（例えば、シリコーン樹脂など）の成形品であってドーム状に形成されている。ここで、本実施形態では、光学部材６０をシリコーン樹脂の成形品により構成しているので、光学部材６０と封止部５０との屈折率差および線膨張率差を小さくすることができる。なお、封止部５０の材料がアクリル樹脂の場合には、光学部材６０もアクリル樹脂により形成することが好ましい。
【００２３】
ところで、光学部材６０は、光出射面６０ｂが、光入射面６０ａから入射した光を光出射面６０ｂと上述の空隙８０との境界で全反射させない凸曲面状に形成されている。ここで、光学部材６０は、光出射面６０ｂが球面の一部により形成されており、当該球面の中心がＬＥＤチップ１０の厚み方向に沿った発光部１２の中心線上に位置するように配置されている。言い換えれば、光学部材６０は、当該光学部材６０の光軸がＬＥＤチップ１０の厚み方向に沿った発光部１２の中心線上に位置するように配置されている。したがって、ＬＥＤチップ１０から放射され光学部材６０の光入射面６０ａに入射された光が光出射面６０ｂと空隙８０との境界で全反射されることなく色変換部材７０まで到達しやすくなり、全光束を高めることができる。なお、ＬＥＤチップ１０の側面から放射された光は封止部５０および光学部材６０および空隙８０を伝搬して色変換部材７０まで到達し色変換部材７０の蛍光体を励起したり蛍光体には衝突せずに色変換部材７０を透過したりする。また、光学部材６０は、位置によらず法線方向に沿って肉厚が一様となるように形成されており、上述の封止部５０は、半球状の形状に形成されている。
【００２４】
色変換部材７０は、シリコーン樹脂のような透光性樹脂とＬＥＤチップ１０から放射された青色光によって励起されてブロードな黄色系の光を放射する粒子状の黄色蛍光体とを混合した混合物の成形品により構成されている（つまり、色変換部材７０は、蛍光体を含有している）。したがって、発光装置１は、ＬＥＤチップ１０から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部材７０の外面７０ｂを通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。なお、色変換部材７０の材料として用いる透光性樹脂は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂などを採用してもよい。また、色変換部材７０の材料として用いる透光性樹脂に混合する蛍光体も黄色蛍光体に限らず、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを混合しても白色光を得ることができる。
【００２５】
ここで、色変換部材７０は、当該色変換部材７０の内面７０ａの曲率半径を光学部材６０の光出射面６０ｂの曲率半径よりもやや大きく設定してあり、色変換部材７０の頂部と光学部材６０の光出射面６０ｂとが近接し、当該頂部から離れるにつれて光学部材６０の光出射面６０ｂとの間の距離が徐々に大きくなっている。なお、色変換部材７０の頂部と光学部材６０の光出射面６０ｂとが近接とは、色変換部材７０の頂部と光学部材６０の光出射面６０ｂとが接している場合、色変換部材７０の頂部と光学部材６０の光出射面６０ｂとを接しない程度に近づけてある場合の両方を含む概念であり、図示例では、前者の場合を示してある。また、色変換部材７０は、位置によらず法線方向に沿った肉厚が一様となるように成形されている。
【００２６】
ところで、色変換部材７０は、実装基板２０側の端縁から実装基板２０側へ突出し先端部に外方へ突出した係止爪７１ａを有する複数（本実施形態では、４つ）の取付脚７１が上記端縁の周方向に離間して設けられ、実装基板２０は、上記一表面側に各取付脚７１それぞれが挿入される複数の凹所であってそれぞれ係止爪７１ａが係止される係止面を有する複数の凹所２７が形成されている。要するに、発光装置１は、色変換部材７０における実装基板２０側の端縁から実装基板２０側へ突出した複数の取付脚７１の先端部に設けられた係止爪７１ａが実装基板２０の上記一表面に形成された凹所２７の上記係止面に係止されている。ここで、凹所２７は、配線基板２２において窓孔２４の周囲で厚み方向に貫設された矩形状の貫通孔２７ａと、伝熱板２１の上記一面側に形成されて貫通孔２７ａに連通し且つ貫通孔２７ａよりも開口面積が大きな円形状の凹溝２７ｂとで構成され、配線基板２２において凹溝２７ｂに臨む面が上記係止面を構成している。
【００２７】
なお、上述の発光装置１では、サブマウント部材３０の厚み寸法を、上述のように反射膜３２の表面が配線基板２２の上記一表面（レジスト層２６の表面）よりも伝熱板２１から離れるように設定してあるが、当該厚み寸法を、反射膜３２の表面が色変換部材７０における実装基板２０側の端縁よりも伝熱板２１から離れて位置するように設定することにより、色変換部材７０の端縁と実装基板２０の上記一表面との間に隙間が形成されている場合でもＬＥＤチップ１０から側方に放射された光が色変換部材７０と実装基板２０との隙間を通して出射されるのを防止することができる（つまり、ＬＥＤチップ１０から放射された青色光が色変換部材７０を通らずに外部へ出射されるのを防止することができる）。
【００２８】
以上説明した発光装置１では、色変換部材７０が実装基板２０の上記一表面側において光学部材６０の光出射面６０ｂとの間に空隙８０が形成される形で配設されているので、色変換部材７０に外力が作用したときに色変換部材７０に発生した応力がＬＥＤチップ１０やボンディングワイヤ１４，１４に伝達されるのを抑制でき、ＬＥＤチップ１０の発光特性の変動や各ボンディングワイヤ１４，１４の断線が起こりにくくなるから信頼性が高くなり、また、色変換部材７０の頂部と光学部材６０の光出射面６０ｂとが近接しており、色変換部材７０における実装基板２０側の端縁から実装基板２０側へ突出した複数の取付脚７１の先端部に設けられた係止爪７１ａが実装基板２０の上記一表面に形成された凹所２７の係止面に係止されているので、例えば天井取付型の照明器具などのように実装基板２０の上記一表面側が下側となるような状態で使用される場合にＬＥＤチップ１０などの発熱に起因してゲル状の封止部５０が軟化しても光学部材６０および色変換部材７０が落下するのを防止することができ、信頼性が高くなる。また、本実施形態の発光装置１では、色変換部材７０の各係止爪７１ａが各取付脚７１それぞれの先端部から外方へ突設されているので、組立時に各係止爪７１ａが光学部材６０に接触して封止部５０に応力がかかるのを防止することができる。
【００２９】
以下、上述の発光装置１の製造方法について説明する。
【００３０】
発光装置１の製造にあたっては、実装基板２０の伝熱板２１にＬＥＤチップ１０をサブマウント部材３０を介して実装してＬＥＤチップ１０とボンディングワイヤ１４，１４とを電気的に接続した後、サブマウント部材３０およびＬＥＤチップ１０およびボンディングワイヤ１４，１４を封止部５０の一部となる液状の第１の封止樹脂（例えば、シリコーン樹脂）５０ａにより覆ってから（図１（ａ）参照）、光学部材６０の内側に第１の封止樹脂と同一材料からなり封止部５０の他の部分となる液状の第２の封止樹脂（例えば、シリコーン樹脂）５０ｂを注入し（図１（ｂ）参照）、その後、光学部材６０と実装基板２０とを位置合わせして各封止樹脂５０ａ，５０ｂを硬化させることにより封止部５０を形成するのと同時に光学部材６０を実装基板２０に固着し（図１（ｃ）参照）、続いて、色変換部材７０を実装基板２０に取り付けるようにしている。このような製造方法によれば、製造過程で封止部５０中へのボイドの発生を抑制でき、信頼性が高く且つ光出力が大きな発光装置１を提供することができる。なお、本実施形態では、配線基板２２のレジスト層２６の中央部に形成された開口窓２６の内周縁により上記各封止樹脂がレジスト層２６の表面へ流れ出すのを防止することができるとともに第１の封止樹脂の注入量を管理することができる。また、上述の製造方法では、封止樹脂の一部を光学部材６０における実装基板２０側の端縁と実装基板２０とを固着する接着剤として利用しているが、封止樹脂とは別の接着剤を用いて光学部材６０の端縁と実装基板２０とを固着するようにしてもよい。
【００３１】
ところで、上述の発光装置１では、ＬＥＤチップ１０がサブマウント部材３０を介して実装基板２０の伝熱板２１に実装されているが、ＬＥＤチップ１０と伝熱板２１との線膨張率差が比較的小さい場合にはサブマウント部材３０は必ずしも設ける必要はなく、このような場合には、上述の製造方法において説明したサブマウント部材３０は不要となる。また、ＬＥＤチップ１０の構造や実装基板２０へのＬＥＤチップ１０の実装形態によってはボンディングワイヤ１４，１４も必ずしも必要ではない。
【００３２】
ところで、上述の実施形態では、ＬＥＤチップ１０として、発光色が青色の青色ＬＥＤチップを採用しており、導電性基板１１としてＳｉＣ基板を採用しているが、ＳｉＣ基板の代わりにＧａＮ基板を用いてもよく、ＳｉＣ基板やＧａＮ基板を用いた場合には結晶成長用基板として絶縁体であるサファイア基板を用いている場合に比べて、結晶成長用基板の熱伝導率が高く結晶成長用基板の熱抵抗を小さくできる。また、ＬＥＤチップ１０の発光色は青色に限らず、例えば、赤色、緑色などでもよい。すなわち、ＬＥＤチップ１０の発光部１２の材料はＧａＮ系化合物半導体材料に限らず、ＬＥＤチップ１０の発光色に応じて、ＧａＡｓ系化合物半導体材料やＧａＰ系化合物半導体材料などを採用してもよい。また、導電性基板１１もＳｉＣ基板に限らず、発光部１２の材料に応じて、例えば、ＧａＡｓ基板、ＧｓＰ基板などから適宜選択すればよい。
【００３３】
また、本実施形態の発光装置１では、ＬＥＤチップ１０としてチップサイズが１ｍｍ□のものを用いサブマウント部材３０上に１個のＬＥＤチップ１０を配置しているが、ＬＥＤチップ１０のチップサイズや数は特に限定するものではなく、例えば、ＬＥＤチップ１０としてチップサイズが０．３ｍｍ□のものを採用するようにして、図６に示すように、１個のサブマウント部材３０上に複数個（図示例では、８個）のＬＥＤチップ１０を配置し、これら複数個のＬＥＤチップ１０を導体パターン３１および図示しないボンディングワイヤを介して直列接続するようにしてもよい（なお、図６中の２つのボンディングワイヤ１４，１４は、複数個のＬＥＤチップ１０の直列回路と給電用のリードパターン２３，２３とを接続するためのものである）。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施形態における発光装置の製造方法の説明図である。
【図２】同上における発光装置を示し、（ａ）は器具本体に実装した状態の概略断面図、（ｂ）は要部概略平面図である。
【図３】同上の発光装置の一部破断した概略分解斜視図である。
【図４】同上の発光装置における色変換部材を示し、（ａ）は一部破断した正面図、（ｂ）は下面図である。
【図５】同上の発光装置におけるサブマウント部材の概略斜視図である。
【図６】同上の発光装置の他の構成例を示す要部概略平面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  発光装置
１０  ＬＥＤチップ
１４  ボンディングワイヤ
２０  実装基板
３０  サブマウント部材
５０  封止部
５０ａ  第１の封止樹脂
５０ｂ  第２の封止樹脂
６０  光学部材
７０  色変換部材
【図１】
2007227677.tif 000003
【図２】
2007227677.tif 000004
【図３】
2007227677.tif 000005
【図４】
2007227677.tif 000006
【図５】
2007227677.tif 000007
【図６】
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