(57)【要約】【課題】  積層体の変形を防止しつつ、脱バイガスによるクラック発生を防止することができる積層電子部品の製造方法及び積層電子部品を提供する。【解決手段】  積層チップコンデンサ１を製造する場合、まずバインダを含むセラミックペーストによりグリーンシート１３を作製する。続いて、グリーンシート１３の上面に内部電極層１０を形成する。内部電極層１０には、グリーンシート１３の長手方向に内部電極層１０の引き出し側端まで延びる脱バイガス抜き用スリット１１と、このスリット１１に接続され、グリーンシート１３の長手方向に垂直な方向に延びる脱バイガス抜き用スリット１２とが形成されている。続いて、グリーンシート１３の上面に段差吸収層１４を形成する。段差吸収層１４には、スリット１２に接続された脱バイガス抜き用スリット１５が形成されている。そして、積層体を形成した後、脱バインダ処理及び焼成を行う。【選択図】  図５
2007273496.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と内部電極層及び段差吸収層とを交互に積層してなる略直方体状の積層体と、前記積層体の長手方向の両側面に設けられ、前記内部電極層と電気的に接続された１対の端子電極とを備えた積層電子部品の製造方法であって、
バインダを含む誘電体ペーストからなり、前記誘電体層を形成するグリーンシートを用意する工程と、
前記グリーンシートの上面に前記内部電極層を前記グリーンシートの長手方向の一端に引き出されるように形成する工程と、
前記グリーンシートの上面に前記段差吸収層を形成する工程と、
前記内部電極層及び前記段差吸収層が形成されたグリーンシートを複数枚積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体の脱バインダ処理及び焼成を順次行う工程とを含み、
前記内部電極層を形成する工程においては、前記グリーンシートの長手方向に前記内部電極層の引き出し側端まで延びる第１脱バイガス抜き用スリットと、前記第１脱バイガス抜き用スリットに接続され、前記グリーンシートの長手方向に垂直な方向に延びる第２脱バイガス抜き用スリットとを前記内部電極層に形成し、
前記段差吸収層を形成する工程においては、前記第２脱バイガス抜き用スリットに接続される第３脱バイガス抜き用スリットを前記段差吸収層に形成することを特徴とする積層電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記内部電極層を形成する工程においては、前記第１脱バイガス抜き用スリットを前記内部電極層に複数形成することを特徴とする請求項１記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記内部電極層を形成する工程においては、前記内部電極層の引き出し側端部に前記複数の第１脱バイガス抜き用スリット同士を接続する接続部を形成すると共に、前記第２脱バイガス抜き用スリットを前記複数の第１脱バイガス抜き用スリットのいずれか１つに接続されるように形成することを特徴とする請求項２記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記内部電極層を形成する工程においては、前記第１脱バイガス抜き用スリットの側方に配置され、前記グリーンシートの長手方向に前記グリーンシートの引き出し側端まで延びる第４脱バイガス抜き用スリットと、前記第４脱バイガス抜き用スリットに接続され、前記グリーンシートの長手方向に垂直な方向に延びる第５脱バイガス抜き用スリットとを更に前記内部電極層に形成し、
前記段差吸収層を形成する工程においては、前記第５脱バイガス抜き用スリットに接続される第６脱バイガス抜き用スリットを更に前記段差吸収層に形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記内部電極層を形成する工程においては、前記第４脱バイガス抜き用スリットを、前記第１脱バイガス抜き用スリットよりも短くなると共に前記第２脱バイガス抜き用スリットと接続されないように形成することを特徴とする請求項４記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記段差吸収層を形成する工程においては、前記第１脱バイガス抜き用スリット、前記第２脱バイガス抜き用スリット、前記第４脱バイガス抜き用スリット及び前記第５脱バイガス抜き用スリットと接続されない第７脱バイガス抜き用スリットを前記段差吸収層に形成することを特徴とする請求項４または５記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記内部電極層を形成する工程においては、前記内部電極層の引き出し側端部に形成される前記第１脱バイガス抜き用スリットの幅が前記内部電極層の他の領域に形成される前記第１脱バイガス抜き用スリットの幅よりも大きくなるように、前記第１脱バイガス抜き用スリットを前記内部電極層に形成することを特徴とする請求項請求項１〜３のいずれか一項記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項８】
誘電体層と内部電極層及び段差吸収層とを交互に積層してなる略直方体状の積層体と、前記積層体の長手方向の両側面に設けられ、前記内部電極層と電気的に接続された１対の端子電極とを備えた積層電子部品であって、
前記内部電極層には、前記積層体の長手方向に前記内部電極層の引き出し側端まで延びる第１スリットと、前記第１スリットに接続され、前記積層体の長手方向に垂直な方向に延びる第２スリットとが形成され、
前記段差吸収層には、前記第２スリットに接続され、前記段差吸収層の他の領域よりも密度の低い第１低密度部が形成されていることを特徴とする積層電子部品。
【請求項９】
前記内部電極層には、前記第１スリットが複数形成されていることを特徴とする請求項８記載の積層電子部品。
【請求項１０】
前記内部電極層の引き出し側端部には、前記複数の第１スリット同士を接続する接続部が形成され、
前記第２スリットは、前記複数の第１スリットのいずれか１つに接続されるように形成されていることを特徴とする請求項９記載の積層電子部品。
【請求項１１】
前記内部電極層には、前記第１スリットの側方に配置され、前記積層体の長手方向に前記積層体の引き出し側端まで延びる第３スリットと、前記第３スリットに接続され、前記積層体の長手方向に垂直な方向に延びる第４スリットとが更に形成され、
前記段差吸収層には、前記第４スリットに接続され、前記第１低密度部と同等の密度を有する第２低密度部が更に形成されていることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項記載の積層電子部品。
【請求項１２】
前記第３スリットは、前記第１スリットよりも短くなると共に前記第２スリットに接続されないように形成されていることを特徴とする請求項１１記載の積層電子部品。
【請求項１３】
前記段差吸収層には、前記第１スリット、前記第２スリット、前記第３スリット及び前記第４スリットと接続されないように構成され、前記第１低密度部と同等の密度を有する第３低密度部が更に形成されていることを特徴とする請求項１１または１２記載の積層電子部品。
【請求項１４】
前記内部電極層の引き出し側端部に形成された前記第１スリットの幅は、前記内部電極層の他の領域に形成された前記第１スリットの幅よりも大きいことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項記載の積層電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば積層セラミックコンデンサ等の積層電子部品の製造方法及び積層電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、積層セラミックコンデンサ等の積層電子部品は、誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる略直方体状の積層体と、前記積層体の両端部に設けられ、内部電極層と電気的に接続された１対の端子電極とを備えている。このような積層電子部品は、以下のような工程によって製造される。
【０００３】
即ち、まずセラミック粉末、有機バインダ、溶剤等を含むセラミックペーストによりグリーンシートを形成する。続いて、スクリーン印刷法等によりグリーンシート上に内部電極を形成する。そして、内部電極を有するグリーンシートを、内部電極の位置が交互にずれて重なり合うように複数枚積層して、積層体を形成する。続いて、その積層体に対して脱バインダ処理を行った後、当該積層体を焼成する。続いて、積層体の両端部に端子電極を形成して、積層電子部品を得る。
【０００４】
このようにして製造される積層電子部品では、内部電極が印刷されていない余白領域と内部電極が印刷された電極領域との間で、内部電極の厚みによる段差が生じる。この段差は、積層体の変形を引き起こし、積層電子部品の特性劣化を招く原因となる。そのような不具合を解消すべく、グリーンシート上に段差吸収用セラミックグリーン層を形成するものもある（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３１３６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術においては、グリーンシート上における内部電極が形成されない余白領域の全面に段差吸収用セラミックグリーン層が形成されるので、積層体の脱バインダ処理においてバインダが気化したガス（脱バイガス）が積層体内部から抜けずに滞留しやすくなる。従って、その後の焼成工程において、脱バイガスに起因したクラックが積層体に発生することがあった。
【０００６】
本発明の目的は、積層体の変形を防止しつつ、脱バイガスによるクラック発生を防止することができる積層電子部品の製造方法及び積層電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、誘電体層と内部電極層及び段差吸収層とを交互に積層してなる略直方体状の積層体と、積層体の長手方向の両側面に設けられ、内部電極層と電気的に接続された１対の端子電極とを備えた積層電子部品の製造方法であって、バインダを含む誘電体ペーストからなり、誘電体層を形成するグリーンシートを用意する工程と、グリーンシートの上面に内部電極層をグリーンシートの長手方向の一端に引き出されるように形成する工程と、グリーンシートの上面に段差吸収層を形成する工程と、内部電極層及び段差吸収層が形成されたグリーンシートを複数枚積層して積層体を形成する工程と、積層体の脱バインダ処理及び焼成を順次行う工程とを含み、内部電極層を形成する工程においては、グリーンシートの長手方向に内部電極層の引き出し側端まで延びる第１脱バイガス抜き用スリットと、第１脱バイガス抜き用スリットに接続され、グリーンシートの長手方向に垂直な方向に延びる第２脱バイガス抜き用スリットとを内部電極層に形成し、段差吸収層を形成する工程においては、第２脱バイガス抜き用スリットに接続される第３脱バイガス抜き用スリットを段差吸収層に形成することを特徴とするものである。
【０００８】
このように本発明の積層電子部品の製造方法においては、各グリーンシートの上面に段差吸収層を形成することにより、内部電極の有無により生じる段差が段差吸収層によって吸収される事になるため、内部電極を有するグリーンシートを複数積層してなる積層体が形成された状態において、積層体の変形を防止することができる。また、内部電極層に第１脱バイガス抜き用スリット及び第２脱バイガス抜き用スリットを形成し、段差吸収層に第３脱バイガス抜き用スリットを形成することにより、積層体の脱バインダ処理時にグリーンシートで発生した脱バイガスが第１〜第３脱バイガス抜き用スリットを通って積層体から抜け出るようになる。このため、積層体の内部に脱バイガスが滞留することが防止される。従って、その後の積層体の焼成工程において、脱バイガスに起因したクラックが積層体に発生することを防止できる。
【０００９】
好ましくは、内部電極層を形成する工程においては、第１脱バイガス抜き用スリットを内部電極層に複数形成する。この場合には、積層体の脱バインダ処理において、積層体の内部で脱バイガスが通るための流路が増えるので、積層体からの脱バイガス抜きを効果的に行うことができる。
【００１０】
このとき、内部電極層を形成する工程においては、内部電極層の引き出し側端部に複数の第１脱バイガス抜き用スリット同士を接続する接続部を形成すると共に、第２脱バイガス抜き用スリットを複数の第１脱バイガス抜き用スリットのいずれか１つに接続されるように形成することが好ましい。
【００１１】
内部電極層の引き出し側端部に接続部を形成することにより、各第１脱バイガス抜き用スリットを流れてきた脱バイガスが積層体から抜けやすくなる。また、第２脱バイガス抜き用スリットを１つの第１脱バイガス抜き用スリットのみに接続することにより、内部電極層において端子電極と電気的に接続されなくなる孤立した領域が無くなり、内部電極層が無駄なく有効利用されることになる。従って、製造される積層電子部品が積層コンデンサである場合には、積層コンデンサの静電容量を十分確保することが可能となる。
【００１２】
また、好ましくは、内部電極層を形成する工程においては、第１脱バイガス抜き用スリットの側方に配置され、グリーンシートの長手方向にグリーンシートの引き出し側端まで延びる第４脱バイガス抜き用スリットと、第４脱バイガス抜き用スリットに接続され、グリーンシートの長手方向に垂直な方向に延びる第５脱バイガス抜き用スリットとを更に内部電極層に形成し、段差吸収層を形成する工程においては、第５脱バイガス抜き用スリットに接続される第６脱バイガス抜き用スリットを更に段差吸収層に形成する。
【００１３】
内部電極層に第４脱バイガス抜き用スリット及び第５脱バイガス抜き用スリットを更に形成し、段差吸収層に第６脱バイガス抜き用スリットを更に形成することにより、積層体の脱バインダ処理時にグリーンシートで発生した脱バイガスが第１〜第６脱バイガス抜き用スリットを通って積層体から抜け出るようになる。従って、積層体からの脱バイガス抜きを効果的に行うことができる。
【００１４】
このとき、内部電極層を形成する工程においては、第４脱バイガス抜き用スリットを、第１脱バイガス抜き用スリットよりも短くなると共に第２脱バイガス抜き用スリットと接続されないように形成することが好ましい。
【００１５】
この場合には、内部電極層に第４脱バイガス抜き用スリット及び第５脱バイガス抜き用スリットを形成した場合であっても、内部電極層において端子電極と電気的に接続されなくなる孤立した領域が無くなり、内部電極層が無駄なく有効利用されることになる。従って、製造される積層電子部品が積層コンデンサである場合には、積層コンデンサの静電容量を十分確保することが可能となる。
【００１６】
また、段差吸収層を形成する工程においては、第１脱バイガス抜き用スリット、第２脱バイガス抜き用スリット、第４脱バイガス抜き用スリット及び第５脱バイガス抜き用スリットと接続されない第７脱バイガス抜き用スリットを段差吸収層に形成することが好ましい。
【００１７】
例えば段差吸収層がバインダを含む誘電体ペーストにより形成される場合、積層体の脱バインダ処理時に段差吸収層で発生した脱バイガスが第７脱バイガス抜き用スリットを通って積層体から抜け出るようになる。これにより、脱バイガスに起因したクラックの発生を一層防止することができる。
【００１８】
さらに、好ましくは、内部電極層を形成する工程においては、内部電極層の引き出し側端部に形成される第１脱バイガス抜き用スリットの幅が内部電極層の他の領域に形成される第１脱バイガス抜き用スリットの幅よりも大きくなるように、第１脱バイガス抜き用スリットを内部電極層に形成する。これにより、第１脱バイガス抜き用スリットを流れてきた脱バイガスが積層体から抜けやすくなる。
【００１９】
また、本発明は、誘電体層と内部電極層及び段差吸収層とを交互に積層してなる略直方体状の積層体と、積層体の長手方向の両側面に設けられ、内部電極層と電気的に接続された１対の端子電極とを備えた積層電子部品であって、内部電極層には、積層体の長手方向に内部電極層の引き出し側端まで延びる第１スリットと、第１スリットに接続され、積層体の長手方向に垂直な方向に延びる第２スリットとが形成され、段差吸収層には、第２スリットに接続され、段差吸収層の他の領域よりも密度の低い第１低密度部が形成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
このような本発明の積層電子部品においては、段差吸収層を設けることにより、内部電極の有無により生じる段差が段差吸収層によって吸収される事になるため、積層体の変形が防止される。また、内部電極層には第１スリット及び第２スリットが形成され、段差吸収層には第１低密度部が形成されているが、これらは、積層体の脱バインダ処理時において脱バイガスが流れる流路（スリット）となっていたものである。なお、第１低密度部は、積層体の焼成によってスリットが変化したものである。積層体の脱バインダ処理時には、誘電体層を形成するグリーンシートで発生した脱バイガスがスリットを通って積層体から抜け出るため、積層体の内部に脱バイガスが滞留することが防止される。従って、その後の積層体の焼成工程において、脱バイガスに起因したクラックが積層体に発生することが防止される。その結果、積層体の変形及びクラック発生が防止された積層電子部品を得ることができる。
【００２１】
好ましくは、内部電極層には、第１スリットが複数形成されている。この場合には、積層体の脱バインダ処理時に、積層体の内部で脱バイガスが通るための流路が増えるので、積層体からの脱バイガス抜きが効果的に行われたことになる。その結果、積層体のクラック発生が一層防止された積層電子部品を得ることができる。
【００２２】
このとき、内部電極層の引き出し側端部には、複数の第１スリット同士を接続する接続部が形成され、第２スリットは、複数の第１スリットのいずれか１つに接続されるように形成されていることが好ましい。
【００２３】
内部電極層の引き出し側端部には接続部が形成されているので、積層体の脱バインダ処理時に、各第１スリットを流れてきた脱バイガスが積層体から抜けやすかったことになる。これにより、積層体のクラック発生がより一層防止された積層電子部品を得ることができる。また、第２スリットを１つの第１スリットのみに接続することにより、内部電極層において端子電極と電気的に接続されなくなる孤立した領域が無くなり、内部電極層が無駄なく有効利用されることになる。従って、製造される積層電子部品が積層コンデンサである場合には、積層コンデンサの静電容量を十分確保することが可能となる。
【００２４】
また、好ましくは、内部電極層には、第１スリットの側方に配置され、積層体の長手方向に積層体の引き出し側端まで延びる第３スリットと、第３スリットに接続され、積層体の長手方向に垂直な方向に延びる第４スリットとが更に形成され、段差吸収層には、第４スリットに接続され、第１低密度部と同等の密度を有する第２低密度部が更に形成されている。
【００２５】
内部電極層には第３スリット及び第４スリットが更に形成され、段差吸収層には第２低密度部が更に形成されているが、これらも、積層体の脱バインダ処理時において脱バイガスが流れる流路（スリット）となっていたものである。なお、第２低密度部は、第１低密度部と同様にして形成される。積層体の脱バインダ処理時には、誘電体層を形成するグリーンシートで発生した脱バイガスがそれらのスリットも通って積層体から抜け出るようになるため、積層体からの脱バイガス抜きが効果的に行われたことになる。その結果、積層体内部のクラック発生が一層防止された積層電子部品を得ることができる。
【００２６】
このとき、第３スリットは、第１スリットよりも短くなると共に第２スリットに接続されないように形成されていることが好ましい。この場合には、内部電極層において端子電極と電気的に接続されなくなる孤立した領域が無くなり、内部電極層が無駄なく有効利用されることになる。従って、製造される積層電子部品が積層コンデンサである場合には、積層コンデンサの静電容量を十分確保することが可能となる。
【００２７】
また、段差吸収層には、第１スリット、第２スリット、第３スリット及び第４スリットと接続されないように構成され、第１低密度部と同等の密度を有する第３低密度部が更に形成されていることが好ましい。
【００２８】
第３低密度部は、第１低密度部と同様に、積層体の脱バインダ処理時において脱バイガスが流れる流路（スリット）となっていたものである。例えば段差吸収層がバインダを含む誘電体ペーストにより形成される場合、積層体の脱バインダ処理時に段差吸収層で発生した脱バイガスがそのスリットを通って積層体から抜け出るようになる。その結果、積層体内部のクラック発生が一層防止された積層電子部品を得ることができる。
【００２９】
さらに、好ましくは、内部電極層の引き出し側端部に形成された第１スリットの幅は、内部電極層の他の領域に形成された第１スリットの幅よりも大きい。この場合には、積層体の脱バインダ処理時に、各第１スリットを流れてきた脱バイガスが積層体から抜けやすかったことになる。その結果、積層体内部のクラック発生が一層防止された積層電子部品を得ることができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、積層体の変形を防止しつつ、脱バイガスによるクラック発生を防止することができる。これにより、品質の良好な積層電子部品を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明に係わる積層電子部品の製造方法及び積層電子部品の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、同一または同等の要素には同じ符号を付し、重複する説明を省略する。
【００３２】
図１は、本発明に係わる積層電子部品の一実施形態を示す断面図である。同図において、本実施形態の積層電子部品１は積層チップコンデンサであり、略直方体形状の積層体２と、この積層体２の長手方向の両側面（積層体２の両端面とする）を含む部位に設けられた端子電極３Ａ，３Ｂとを備えている。
【００３３】
積層体２は、誘電体層４と内部電極層５Ａ，５Ｂ及び段差吸収層６とを交互に積層してなる構造を有している。積層体２の上部及び下部には、誘電体層４のみが複数積層されている。内部電極層５Ａ，５Ｂは、積層体２の長手方向に位置をずらして重なり合うように交互に積層されている。内部電極層５Ａは、積層体２の一端面に引き出されて端子電極３Ａと電気的に接続され、内部電極層５Ｂは、積層体２の他端面に引き出されて端子電極３Ｂと電気的に接続されている。なお、内部電極層５Ａ，５Ｂの層数は、要求される静電容量に応じて設定される。
【００３４】
段差吸収層６は、図２に示すように、誘電体層４の上面において内部電極層５Ａ，５Ｂが形成されていないＵ字状の余白領域のほぼ全面に形成されている。この段差吸収層６を設けることにより、内部電極層５Ａ，５Ｂの有無による段差が吸収されるため、積層体２の変形を防止することができる。
【００３５】
誘電体層４は、例えばＢａＴｉＯ３系セラミック等の誘電体材料で形成されている。内部電極層５Ａ，５Ｂは、例えばＮｉやＮｉ合金等で形成されている。段差吸収層６は、誘電体層４と同様にＢａＴｉＯ３系セラミック等で形成されている。また、端子電極３Ａ，３Ｂは、例えばＣｕやＡｇ等の焼付電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層を順に形成してなるものである。
【００３６】
内部電極層５Ａ，５Ｂには、積層体２の長手方向に延びるスリット７と、このスリット７に接続され、積層体２の長手方向に垂直な方向（以下、便宜上短手方向という）に延びるスリット８とが形成されている。
【００３７】
スリット７の一端は、内部電極層５Ａ，５Ｂの引き出し側端まで延びており、スリット７の他端は、内部電極層５Ａ，５Ｂの内側端（引き出し側とは反対側の端）の手前位置まで延びている。スリット８は、スリット７から積層体２の短手方向の側面（単に積層体２の側面とする）に向けて延びている。なお、内部電極層５Ａに形成されたスリット８と内部電極層５Ｂに形成されたスリット８とは、スリット７に対して互いに反対側に延びている。このとき、スリット７は内部電極層５Ａ，５Ｂの内側端まで延びていないので、内部電極層５Ａ，５Ｂにおいて端子電極３Ａ，３Ｂと電気的に接続されない孤立領域は存在しない。また、スリット７は、内部電極層５Ａ，５Ｂの引き出し側端部に幅広部７ａを有している。幅広部７ａは、スリット７の他の部分よりも広い幅を有している。
【００３８】
段差吸収層６には、スリット８に接続され、積層体２の短手方向に延びる低密度部９が形成されている。この低密度部９は、段差吸収層６の他の領域よりも密度が低くなっており、積層体２の側面に引き出されている。
【００３９】
このような内部電極層５Ａ，５Ｂ及び段差吸収層６を有する積層体２では、各層のスリット７同士は、誘電体層４を介して重なり合っていることが好ましい。このようにスリット７の位置を合わせることで、積層チップコンデンサ１の静電容量のロスを低減することができる。
【００４０】
次に、上記の積層チップコンデンサ１の製造方法について、図３に示すフローチャートにより説明する。
【００４１】
まず、ＰＥＴフィルムの上面に、ＢａＴｉＯ３系セラミック等のセラミック粉体、有機バインダ及び溶剤を含むセラミックペースト（誘電体ペースト）を塗布することにより、上記の誘電体層４となる長方形状のグリーンシートを複数枚作製する（工程１０１）。セラミックペーストの塗布はドクターブレードまたは押出ヘッド等を用いて行い、塗布後に乾燥処理を行う。なお、グリーンシートの厚みは、例えば１〜３μｍ程度である。
【００４２】
続いて、グリーンシートを乾燥させた後、グリーンシートの上面に、上記の内部電極層５Ａ，５Ｂとなる内部電極層１０を形成する（工程１０２）。この内部電極層１０の形成は、例えばスクリーン印刷法を用いて行う。具体的には、図４及び図５に示すように、上記のスリット７，８となる脱バイガス抜き用スリット１１，１２を有する内部電極層１０を形成するためのスクリーン製版を使用して、グリーンシート１３の上面に導電体ペーストを印刷する。
【００４３】
これにより、内部電極層１０には、脱バイガス抜き用スリット１１，１２が形成されることになる。脱バイガス抜き用スリット１１は、グリーンシート１３の長手方向に内部電極層１０の引き出し側端まで延びている。脱バイガス抜き用スリット１２は、脱バイガス抜き用スリット１１に接続され、グリーンシート１３の短手方向に延びている。脱バイガス抜き用スリット１１における内部電極層１０の引き出し側端部には、上記の幅広部７ａとなるガス導出部１１ａが形成されている。ガス導出部１１ａの幅ｄ１は、脱バイガス抜き用スリット１１の他の部分の幅ｄ２よりも大きくなっている。なお、脱バイガス抜き用スリット１１，１２の形成部分には導電体ペーストが印刷されないため、グリーンシート１３の上面が露出した状態となっている。また、内部電極層１０の厚みは、例えば１〜３μｍ程度である。また、脱バイガス抜き用スリット１１，１２の幅は、例えば１０〜３０μｍ程度である。
【００４４】
続いて、内部電極層１０の厚みに起因した段差部を埋めるための余白印刷を行う。つまり、例えばスクリーン印刷法を用いて、グリーンシート１３の上面における内部電極層１０が形成されていない余白領域に、上記の段差吸収層６となる段差吸収層１４を形成する（工程１０３）。具体的には、図４及び図５に示すように、上記の低密度部９となる脱バイガス抜き用スリット１５を有する段差吸収層１４を形成するためのスクリーン製版を使用して、グリーンシート１３の上面の余白領域に段差吸収用セラミックペーストを印刷する。段差吸収用セラミックペーストとしては、基本的にはグリーンシート１３を形成するセラミックペーストと同じもの、つまりセラミック粉体、有機バインダ及び溶剤を含むセラミックペーストを使用する。
【００４５】
これにより、段差吸収層１４には、グリーンシート１３の短手方向に延びる脱バイガス抜き用スリット１５が形成されることになる。この脱バイガス抜き用スリット１５は、脱バイガス抜き用スリット１２に接続されると共に、グリーンシート１３の短手方向の端に引き出されている。なお、脱バイガス抜き用スリット１５の形成部分には段差吸収用セラミックペーストが印刷されないため、グリーンシート１３の上面が露出した状態となっている。また、段差吸収層１４の厚みは、内部電極層１０の厚みよりも僅かに小さいこと（例えば内部電極層１０の厚みの４／５程度）が望ましい。
【００４６】
続いて、内部電極層１０及び段差吸収層１４が形成されたグリーンシート１３を複数枚積層し、更に内部電極層１０及び段差吸収層１４が形成されていないグリーンシート１３を所定枚数だけ上部及び下部に積層することにより、積層体を形成する（工程１０４）。このとき、内部電極層１０の位置がグリーンシート１３の長手方向に交互にずれるように、内部電極層１０及び段差吸収層１４が形成されたグリーンシート１３を積層する。
【００４７】
続いて、積層体をプレス加工する（工程１０５）。このとき、内部電極層１０及び段差吸収層１４の上面が同一面でない場合（図４参照）には、プレス面積が小さくなるため、その分だけプレス時の圧力を増大させることができる。
【００４８】
その後、得られた積層体から有機バインダをバーンアウトさせる脱バインダ処理を実施する（工程１０６）。このとき、有機バインダは、気化したガス（脱バイガス）として積層体から導出される。なお、脱バインダ処理としては、例えば４００℃程度の温度で１０時間程度行う。
【００４９】
そして、脱バインダ処理が施された積層体を焼成する（工程１０７）。これにより、焼結体としての上記積層体２が得られる。なお、積層体の焼成としては、例えば１４００℃程度の温度で行う。
【００５０】
この焼成工程を実施した後には、内部電極層１０に形成された脱バイガス抜き用スリット１１，１２は、殆どそのままの状態で残り、上記のスリット７，８となる。一方、段差吸収層１４に形成された脱バイガス抜き用スリット１５は、焼成によって隙間が多少残るだけの状態となる。つまり、結果的に上記の低密度部９が形成されることになる。
【００５１】
最後に、積層体２の両端部に端子電極３Ａ，３Ｂを形成する（工程１０８）。具体的には、例えばペースト浸漬法により積層体２の両端面を含む部位に導電ペーストを塗布して焼き付けた後、例えば電気めっきによりＮｉめっき層及びＳｎめっき層を順次形成する。以上により、上記の積層チップコンデンサ１が完成する。
【００５２】
ここで、比較例として、グリーンシート１３の上面に段差吸収層１４を形成しない場合には、積層体の脱バインダ処理を行ったときに、図６に示すように、グリーンシート１３で発生した脱バイガスが内部電極層１０から四方に拡散される。しかし、段差吸収層１４が無いので、その後の焼成工程において積層体の変形が生じやすくなり、積層チップコンデンサのコンデンサ特性等の劣化につながる。
【００５３】
また、グリーンシート１３の上面に段差吸収層１４を形成しても、内部電極層１０に脱バイガス抜き用スリット１１，１２が形成されていない場合には、積層体の脱バインダ処理時にグリーンシート１３で発生した脱バイガスは、段差吸収層１４を通過できず、内部電極層１０の引き出し側からしか抜けない。このため、脱バイガスは積層体の内部に籠もりやすくなるので、その後の焼成工程において、脱バイガスによるクラックが積層体に発生することがある。この場合にも、積層チップコンデンサの特性の劣化を招く可能性がある。
【００５４】
これに対し本実施形態では、内部電極層１０に脱バイガス抜き用スリット１１，１２を形成し、段差吸収層１４に脱バイガス抜き用スリット１５を形成したので、積層体の脱バインダ処理時にグリーンシート１３で発生した脱バイガスは、図５に示すように、脱バイガス抜き用スリット１１をそのまま通って積層体の一端面から抜け出ると共に脱バイガス抜き用スリット１２，１５を通って積層体の一側面から抜け出るようになる。このとき、内部電極層１０の引き出し側端部には幅広のガス導出部１１ａが形成されているので、脱バイガス抜き用スリット１１を流れてきた脱バイガスが積層体から抜け出やすくなる。また、段差吸収層１４で発生した脱バイガスは、脱バイガス抜き用スリット１５を通って積層体の一側面から抜け出る。従って、積層体の内部に脱バイガスが籠もることが抑えられるため、その後の焼成工程において、脱バイガスに起因したクラックが積層体に生じにくくなる。
【００５５】
このように本実施形態によれば、積層体２の変形を防止しつつ、積層体２のクラック発生を防止することができる。これにより、積層チップコンデンサ１の特性劣化が抑えられるため、信頼性の高い積層チップコンデンサ１を得ることが可能となる。
【００５６】
また、内部電極層１０に形成する脱バイガス抜き用スリットは必要最小限で済み、しかも内部電極層１０（内部電極層５Ａ，５Ｂ）には端子電極３Ａ，３Ｂと電気的に接続されない無駄な孤立領域が存在しないので、積層チップコンデンサ１の静電容量を十分確保することができる。
【００５７】
図７は、上記実施形態の積層チップコンデンサの第１変形例を示す断面図である。同図において、内部電極層５Ａ，５Ｂには、積層体２の長手方向に延びる２本のスリット２０と、一方のスリット２０に接続され、積層体２の短手方向に延びるスリット２１とが形成されている。段差吸収層６に形成された低密度部９は、スリット２１に接続されている。スリット２０は、内部電極層５Ａ，５Ｂの引き出し側端まで延びている。内部電極層５Ａ，５Ｂの引き出し側端部には、各スリット２０同士を接続する接続部２２が形成されている。
【００５８】
このような構造を有する積層チップコンデンサを製造する場合には、所定のパターンを有するスクリーン製版を使用して、グリーンシート１３の上面に導電体ペーストを印刷することにより、図８に示すように、上記のスリット２０，２１となる脱バイガス抜き用スリット２３，２４を有する内部電極層１０がグリーンシート１３の上面に形成される。内部電極層１０の引き出し側端部には、２本の脱バイガス抜き用スリット２３同士を接続する接続部２５（上記の接続部２２に相当）が形成される。
【００５９】
これにより、その後で段差吸収層１４の形成工程等を実施した後、積層体の脱バインダ処理を行うときに、脱バイガスが脱バイガス抜き用スリット２３，２４，１５を流れて積層体から抜け出るようになる。このとき、内部電極層１０の引き出し側端部に形成された接続部２５によって、各脱バイガス抜き用スリット２３を流れてきた脱バイガスが積層体から抜け出やすくなる。従って、その後の焼成工程において、脱バイガスに起因したクラックの発生を防止することができる。
【００６０】
なお、本変形例では、内部電極層１０に形成される脱バイガス抜き用スリット２３を２本としたが、この脱バイガス抜き用スリット２３の本数は３本以上としても良い。
【００６１】
図９は、上記実施形態の積層チップコンデンサの第２変形例を示す断面図である。同図において、内部電極層５Ａ，５Ｂには、上記のスリット７，８に加えて、スリット７よりも積層体２の短手方向の外側にスリット７を挟むように配置され、積層体２の長手方向に延びる２本のスリット３０と、各スリット３０にそれぞれ接続され、積層体２の短手方向に延びる２本のスリット３１とが形成されている。
【００６２】
各スリット３０は、内部電極層５Ａ，５Ｂの引き出し側端まで延びていると共にスリット７よりも短くなっている。また、各スリット３０は、内部電極層５Ａ，５Ｂの引き出し側端部に幅広部３０ａを有している。各スリット３１は、スリット８よりも内部電極層５Ａ，５Ｂの引き出し側に形成されている。一方のスリット３１は、積層体２の短手方向の一側面に向けて延び、他方のスリット３１は、積層体２の短手方向の他側面に向けて延びている。スリット３０はスリット８に接続されないように形成され、スリット３１はスリット７に接続されないように形成されている。これにより、内部電極層５Ａ，５Ｂにおいて端子電極３Ａ，３Ｂと電気的に接続されない孤立領域は存在しないので、積層チップコンデンサの静電容量を確保することができる。
【００６３】
段差吸収層６には、上記の低密度部９に加えて、各スリット３１にそれぞれ接続され、積層体２の短手方向に延びる２本の低密度部３２が形成されている。これらの低密度部３２は、低密度部９と同等の密度を有している。一方の低密度部３２は、積層体２の短手方向の一側面に引き出され、他方の低密度部３２は、積層体２の短手方向の他側面に引き出されている。
【００６４】
このような内部電極層５Ａ，５Ｂ及び段差吸収層６を有する積層体２では、各層のスリット３０同士及びスリット８，３１同士は、誘電体層４を介して重なり合っていることが好ましい。これにより、積層チップコンデンサの静電容量のロスを更に低減することができる。
【００６５】
以上のような構造を有する積層チップコンデンサを製造する場合には、所定のパターンを有するスクリーン製版を使用して、グリーンシート１３の上面に導電体ペーストを印刷することにより、図１０に示すように、脱バイガス抜き用スリット１１，１２と上記のスリット３０，３１となる脱バイガス抜き用スリット３３，３４とを有する内部電極層１０がグリーンシート１３の上面に形成される。各脱バイガス抜き用スリット３３は、上記の幅広部３０となるガス導出部３３ａを内部電極層５Ａ，５Ｂの引き出し側端部に有している。
【００６６】
その後、所定のパターンを有するスクリーン製版を使用して、グリーンシート１３の上面にセラミックペーストを印刷することにより、図１０に示すように、脱バイガス抜き用スリット１５と上記の低密度部３２となる脱バイガス抜き用スリット３５とを有する段差吸収層１４がグリーンシート１３の上面に形成される。
【００６７】
これにより、その後で積層体の脱バインダ処理を実施するときに、脱バイガスは、脱バイガス抜き用スリット１１，１２，１５を流れて積層体から抜け出るだけでなく、脱バイガス抜き用スリット３３〜３５にも流れて積層体から抜け出るようになる。従って、その後の焼成工程において、脱バイガスに起因したクラックの発生を一層防止することができる。
【００６８】
なお、本変形例では、内部電極層１０において脱バイガス抜き用スリット３３を脱バイガス抜き用スリット１１の両側に１本ずつ形成したが、脱バイガス抜き用スリット３３は、脱バイガス抜き用スリット１１の両側に２本以上ずつ形成しても良い。この場合には、グリーンシート１３の短手方向の端に向かうに従って脱バイガス抜き用スリット３３を短くするように形成する。
【００６９】
図１１は、上記実施形態の積層チップコンデンサの第３変形例を示す断面図である。同図において、内部電極層５Ａ，５Ｂには、上記第２変形例と同様のスリット３０，３１に加えて、スリット７及びスリット８が２本ずつ形成されている。一方のスリット８は、積層体２の短手方向の一側面に向けて延び、他方のスリット８は、積層体２の短手方向の他側面に向けて延びている。これにより、内部電極層５Ａ，５Ｂにおいて端子電極３Ａ，３Ｂと電気的に接続されない無駄な孤立領域は存在しないので、積層チップコンデンサの静電容量を確保することができる。
【００７０】
段差吸収層６には、上記第２変形例と同様の低密度部３２に加えて、各スリット８にそれぞれ接続された低密度部９が２つ形成されている。一方の低密度部９は、積層体２の短手方向の一側面に引き出され、他方の低密度部９は、積層体２の短手方向の他側面に引き出されている。
【００７１】
このような構造を有する積層チップコンデンサを製造する場合には、所定のパターンを有するスクリーン製版を使用して、グリーンシート１３の上面に導電体ペーストを印刷することにより、図１２に示すように、脱バイガス抜き用スリット１１，１２，３３，３４を２本ずつ有する内部電極層１０が、グリーンシート１３の上面に形成される。
【００７２】
その後、所定のパターンを有するスクリーン製版を使用して、グリーンシート１３の上面にセラミックペーストを印刷することにより、図１２に示すように、脱バイガス抜き用スリット１５，３５を２本ずつ有する段差吸収層１４がグリーンシート１３の上面に形成される。
【００７３】
これにより、その後で積層体の脱バインダ処理を実施するときに、脱バイガスが脱バイガス抜き用スリット１１，１２，１５及び脱バイガス通路３３〜３５を流れて積層体から効果的に抜けるようになる。従って、その後の焼成工程において、脱バイガスに起因したクラックの発生を一層防止することができる。
【００７４】
図１３は、上記実施形態の積層チップコンデンサの第４変形例を示す断面図である。同図において、内部電極層５Ａ，５Ｂには、上記第３変形例と同様のスリット７，８，３０，３１に加えて、積層体２の短手方向に延びる２本のスリット４０が形成されている。各スリット４０は、スリット７，８に接続されないように内部電極層５Ａ，５Ｂの内側端部側に形成されている。
【００７５】
段差吸収層６には、上記第３変形例と同様の低密度部９，３２に加えて、複数（ここでは６つ）の低密度部４１が形成されている。これらの低密度部４１のうちの２つは、各スリット４０に接続され積層体２の短手方向に延びており、他の２つは、内部電極層５Ａ，５Ｂに接触しないように積層体２の短手方向に延びており、更に他の２つは、内部電極層５Ａ，５Ｂに接触するように積層体２の長手方向に延びている。各低密度部４１は、低密度部９，３２と同等の密度を有している。各低密度部４１は、積層体２の側面（端面含む）に引き出されている。
【００７６】
このような構造を有する積層チップコンデンサを製造する場合には、所定のパターンを有するスクリーン製版を使用して、グリーンシート１３の上面に導電体ペーストを印刷することにより、図１４に示すように、脱バイガス抜き用スリット１１，１２，３３，３４と上記のスリット４０となる脱バイガス抜き用スリット４２とを有する内部電極層１０が、グリーンシート１３の上面に形成される。
【００７７】
その後、所定のパターンを有するスクリーン製版を使用して、グリーンシート１３の上面にセラミックペーストを印刷することにより、図１４に示すように、脱バイガス抜き用スリット１５，３５と上記の低密度部４１となる複数の脱バイガス抜き用スリット４３とを有する段差吸収層１４がグリーンシート１３の上面に形成される。
【００７８】
これにより、その後で積層体の脱バインダ処理を実施するときに、段差吸収層１４で発生した脱バイガスは、脱バイガス抜き用スリット１５，３５だけでなく、脱バイガス抜き用スリット４３にも流れて積層体の側面から効果的に抜けるようになる。従って、その後の焼成工程において、脱バイガスに起因したクラックの発生をより一層防止することができる。
【００７９】
なお、段差吸収層１４に形成される脱バイガス抜き用スリット４３の数量及び形成位置等は、特に上記のものに限られず、適宜設定可能である。
【００８０】
以上、本発明に係わる積層電子部品の製造方法及び積層電子部品の好適な実施形態について幾つか説明してきたが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態の積層電子部品は積層型チップコンデンサであるが、本発明は、特にコンデンサに限られず、インダクタ、サーミスタ、バリスタ、フィルタ等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明に係わる積層電子部品の一実施形態として積層チップコンデンサを示す断面図である。
【図２】図１に示す誘電体層上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【図３】図１に示す積層チップコンデンサの製造工程を示すフローチャートである。
【図４】図３に示す製造工程において、グリーンシート上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す側面図である。
【図５】図３に示す製造工程において、グリーンシート上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【図６】比較例として、従来の積層チップコンデンサの製造工程において、グリーンシート上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【図７】図２に示す積層チップコンデンサの第１変形例として、誘電体層上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【図８】図７に示す積層チップコンデンサの製造工程において、グリーンシート上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【図９】図２に示す積層チップコンデンサの第２変形例として、誘電体層上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【図１０】図９に示す積層チップコンデンサの製造工程において、グリーンシート上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【図１１】図２に示す積層チップコンデンサの第３変形例として、誘電体層上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す積層チップコンデンサの製造工程において、グリーンシート上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【図１３】図２に示す積層チップコンデンサの第４変形例として、誘電体層上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【図１４】図１３に示す積層チップコンデンサの製造工程において、グリーンシート上に内部電極層及び段差吸収層が積層された状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１…積層チップコンデンサ（積層電子部品）、２…積層体、３Ａ，３Ｂ…端子電極、４…誘電体層、５Ａ，５Ｂ…内部電極層、６…段差吸収層、７…スリット（第１スリット）、７ａ…幅広部、８…スリット（第２スリット）、９…低密度部（第１低密度部）、１０…内部電極層、１１…脱バイガス抜き用スリット（第１脱バイガス抜き用スリット）、１１ａ…ガス導出部、１２…脱バイガス抜き用スリット（第２脱バイガス抜き用スリット）、１３…グリーンシート、１４…段差吸収層、１５…脱バイガス抜き用スリット（第３脱バイガス抜き用スリット）、２０…スリット（第１スリット）、２１…スリット（第２スリット）、２２…接続部、２３…脱バイガス抜き用スリット（第１脱バイガス抜き用スリット）、２４…脱バイガス抜き用スリット（第２脱バイガス抜き用スリット）、２５…接続部、３０…スリット（第３スリット）、３１…スリット（第４スリット）、３２…低密度部（第２低密度部）、３３…脱バイガス抜き用スリット（第４脱バイガス抜き用スリット）、３４…脱バイガス抜き用スリット（第５脱バイガス抜き用スリット）、３５…脱バイガス抜き用スリット（第６脱バイガス抜き用スリット）、４１…低密度部（第３低密度部）、４３…脱バイガス抜き用スリット（第７脱バイガス抜き用スリット）。
【図１】
2007273496.tif 000003
【図２】
2007273496.tif 000004
【図３】
2007273496.tif 000005
【図４】
2007273496.tif 000006
【図５】
2007273496.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007273496.tif 000009
【図８】
2007273496.tif 000010
【図９】
2007273496.tif 000011
【図１０】
2007273496.tif 000012
【図１１】
2007273496.tif 000013
【図１２】
2007273496.tif 000014
【図１３】
2007273496.tif 000015
【図１４】
2007273496.tif 000016