(57)【要約】【課題】リソグラフィ装備から得られるパターン間隔よりさらに小さい間隔を有するハードマスクパターンを形成する。【解決手段】基板上の被食刻層上に第１幅と第１厚さを有する第１ハードマスクパターンを形成し、その上に第２ハードマスク膜を形成し、第１ハードマスクパターンが露出するまで第２ハードマスク膜を除去した後、第１ハードマスクパターン上部の一部分を除去し、第２ハードマスクパターン上部表面より第１ハードマスクパターン上部表面を低く形成し、その結果物に１次トリミング食刻工程を行い、傾いた側面を有する第２ハードマスクパターンを形成し、第２ハードマスクパターンに２次トリミング食刻工程を行い、第２ハードマスクパターンを第３ハードマスクパターンに変換させ、第１、第３ハードマスクパターンにより被食刻層の一部分を同時に露出させ、第１、第２ハードマスクパターンを食刻マスクに用い、被食刻層をパターニングする。【選択図】図１ｆ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された被食刻層の上部に第１幅と第１厚さを有する第１ハードマスクパターンを形成する段階と、
第１ハードマスクパターン上に第２ハードマスク膜を形成する段階と、
第１ハードマスクパターンが露出するまで、第２ハードマスク膜を除去する段階と、
露出した第１ハードマスクパターン上部の一部分を除去し、第２ハードマスクパターンの上部表面より第１ハードマスクパターンの上部表面を低く形成する段階と、
前記結果物に対する１次トリミング食刻工程を行い、傾いた側面を有する第２ハードマスクパターンを形成する段階と、
前記第２ハードマスクパターンに対する２次トリミング食刻工程を行い、第２ハードマスクパターンを第２幅を有する第３ハードマスクパターンに変換させ、前記第１及び第３ハードマスクパターンにより被食刻層の一部分を同時に露出させる段階と、
前記第１及び第２ハードマスクパターンを食刻マスクに用い、前記被食刻層をパターニングする段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２】
前記パターニングされた被食刻層は、ワードライン、ビットラインまたは金属配線であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項３】
前記第１ハードマスク膜は、ポリシリコン、酸化膜、窒化膜、金属またはこれらの組合せであることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項４】
前記第１幅は、リソグラフィ装備から得られる最小限のパターン線幅であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項５】
前記第１及び第２幅は同一であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項６】
前記第２ハードマスク膜は、前記第１ハードマスク膜と食刻選択比の差を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項７】
前記第２ハードマスク膜は、有機膜または無機膜であることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項８】
前記有機膜は、スピンコーティング方法で形成可能な感光膜または反射防止膜であることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項９】
前記感光膜はポリビニルフェノール系、ポリヒドロキシスチレン系、ポリノルボルネン系、ポリアダマンチル系、ポリイミド系、ポリアクリレート系、ポリメタアクリレート系、ポリフルオリン系及びこれらの組合せでなる群から選ばれた化合物をベース樹脂として含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１０】
前記反射防止膜は、フェニルアミン系樹脂、メラミン誘導体系樹脂、アルカリ可溶性系樹脂、アクリレート系樹脂、エポキシ系樹脂及びこれらの組合せでなる群から選ばれたことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１１】
前記無機膜は、酸化膜、窒化膜またはポリシリコン層であることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１２】
前記第１ハードマスクパターンの上部除去工程はＣＦ４、ＣＦ１２、ＨＢｒ及びこれらの組合せでなる群から選ばれた食刻ガスで行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１３】
前記１次トリミング食刻工程は、第２ハードマスクパターン:第１ハードマスクパターンの食刻速度が９〜１０：１である条件下において、
四フッ化炭素（ＣＦ４）、窒素（Ｎ２)、酸素（Ｏ２)、アルゴン（Ａｒ)、水素及びこれらの組合せでなる群から選ばれた食刻ガスで行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１４】
前記１次トリミング食刻工程の食刻ガスは酸素、四フッ化炭素及びアルゴンガスを主成分として含み、酸素:四フッ化炭素:アルゴンの混合濃度比は１：７〜１０：２５〜４５であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１５】
前記２次トリミング食刻条件は、第２ハードマスクパターン:第１ハードマスクパターンの食刻速度が９〜１０：１である条件下において、
四フッ化炭素（ＣＦ４）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、アルゴン（Ａｒ）、水素及びこれらの組合せでなる群から選ばれた食刻ガスで行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１６】
前記２次トリミング食刻工程の食刻ガスは酸素、四フッ化炭素及びアルゴンガスを主成分として含み、酸素:四フッ化炭素:アルゴンの混合濃度比は１：４０〜８０：２５〜５０であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１７】
被食刻層の上部に第１及び第２構造を有する第１ハードマスクパターンを形成するものの、前記第１及び第２構造は第１間隔を画成し、被食刻層の一部を露出し、
第１ハードマスクパターンの上部及び第１間隔内に第２ハードマスク膜を形成するものの、被食刻層は第１ハードマスクパターン及び第２ハードマスク膜により覆われており、
第２ハードマスク膜を除去して第１間隔内に画成された第３構造を提供するものの、第１ハードマスクパターンの第１及び第２構造は露出しており、
第３構造を食刻して第１構造と第３構造との間の第２間隔と、第２構造と第３構造との間の第３間隔を画成するものの、第２間隔及び第３間隔は被食刻層の一部をそれぞれ露出し、
第２間隔及び第３間隔により露出した被食刻層の一部を食刻する段階を含むことを特徴とする基板用パターン形成方法。
【請求項１８】
前記方法は、第１及び第２構造が第３構造より低い高さを有するまで露出した第１及び第２構造の上部一部を除去するものの、
このとき第３構造は第１構造と同一の厚さに提供されるまで食刻され、
前記被食刻層は基板上に提供される段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の基板用パターン形成方法。
【請求項１９】
前記被食刻層は、基板の一部分であることを特徴とする請求項１７に記載の基板用パターン形成方法。
【請求項２０】
被食刻層の上部に第１及び第２構造を有する第１ハードマスクパターンを形成するものの、前記第１及び第２構造は第１間隔を画成し、被食刻層の一部を露出し、
第１ハードマスクパターンの上部及び第１間隔内に第２ハードマスク膜を形成するものの、被食刻層は第１ハードマスクパターン及び第２ハードマスク膜により覆われており、
第２ハードマスク膜を除去して第１間隔内に画成された第３構造を提供するものの、第１ハードマスクパターンの第１及び第２構造は露出しており、
第１、第２及び第３構造が被食刻層の一部を露出する所定パターンを画成するまで第３構造を食刻し、
所定のパターンが被食刻層に転写されるよう被食刻層を食刻する段階を含むことを特徴とする基板用パターン形成方法。
【請求項２１】
前記方法は、第１及び第２構造が第３構造より低い高さを有するまで露出した第１及び第２構造の上部一部を除去するものの、
このとき第３構造は第１構造と同一の厚さに提供されるまで食刻され、
前記被食刻層は基板上に提供される段階をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の基板用パターン形成方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関し、より詳しくは、微細パターンを形成するため、食刻マスクのハードマスクパターンを形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
次第に微細化する半導体素子を製造するため、パターンの大きさも次第に小さくなる傾向である。これまで、微細なパターンを得るため、露光装備とそれに対応するレジストを開発する方向で研究が進められてきた。
前記露光工程は、従来２４８ｎｍ波長のＫｒＦまたは１９３ｎｍ波長のＡｒＦ露光源を用いていたが、現在の量産工程においてはＦ２（１５７ｎｍ）またはＥＵＶ（１３ｎｍ）などのように、短波長化光源が適用されている。
【０００３】
しかし、Ｆ２またはＥＵＶなどの新しい光源を採用する場合は、新しい露光装置が必要になるので、製造コストの面で効率的でないだけでなく、焦点深度の幅が低下するという問題点がある。
さらに、このような短波長光源を用いる露光装備から得られるパターンの解像度は０．１μｍ程度に限定されているため、微細なパターンからなる高集積化の半導体素子を製造することは困難である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、新しい装備の開発や、これに伴う工程費用の増加を防止するため、簡単な工程方法を追加することだけで半導体素子の微細パターンを形成することができる方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のパターンの形成方法は、次のような一実施形態を提供する。
半導体基板上に形成された被食刻層の上部に第１幅と第１厚さを有する第１ハードマスクパターンを形成する。前記第１ハードマスクパターン上に第２ハードマスク膜を形成する。前記第１ハードマスク膜が露出するまで第２ハードマスク膜を除去する。第２ハードマスク膜の上部より低くなるよう前記第１ハードマスクパターンの上部を除去する。側面が傾いた第２ハードマスクパターンを形成するため、第２ハードマスク膜に対する１次トリミング食刻工程を行う。第２ハードマスクパターンが第２幅を有する第３ハードマスクパターンに変形されるよう、第２ハードマスクパターンに対する２次トリミング工程を行い、被食刻層の露光領域上に第１及び第３ハードマスクパターンをともに形成する。前記第１及び第３ハードマスクパターンを食刻マスクに用いて前記被食刻層のパターニングを行う。
【０００６】
さらに、本発明の方法は次のような他の一実施形態を提供する。
被食刻層上に第１及び第２構造を有する第１マスクパターンを形成するものの、前記第１及び第２構造は第１間隔を画成し、被食刻層の一部を露光する。第２ハードマスク膜は第１マスクパターンと第１間隔内に形成され、被食刻層は第１マスクパターンと第２ハードマスク膜で覆われる。前記第２ハードマスク膜を除去し、第１間隔内に画成される第３構造を形成し、第１マスクパターンの第１及び第２構造を露出させる。第３構造は、第１及び第３構造の間の第２間隔、並びに第１及び第３構造の間の第３間隔を画成するため食刻される。第２及び第３間隔は、被食刻層の一部分を露出する。第２及び第３間隔により露出した被食刻層の一部は食刻される。
【０００７】
この際、本発明は次のようなさらに他の一実施形態をさらに含む。
第１及び第２構造が第３構造より低い高さになるまで、露出した第１及び第２構造の上部一部を除去する。第３構造が第１構造と同じ厚さになるまで第３構造を食刻する。被食刻層は基板の一部分、または基板上に提供される一つの層である。
【０００８】
さらに、本発明の方法は次のようなさらに他の一実施形態を提供する。
被食刻層上に第１及び第２構造を有する第１マスクパターンを形成する。前記第１及び第２構造は第１間隔を画成し、基板の一部を露光する。第２ハードマスク膜は第１マスクパターンと第１間隔内に形成され、被食刻層は第１マスクパターンと第２ハードマスク膜で覆われる。前記第２ハードマスク膜を除去し、第１間隔内に画成される第３構造を形成し、第１マスクパターンの第１及び第２構造を露出させる。第３構造は第１、第２及び第３構造が被食刻層の一部を露出するパターンに画成されるまで食刻される。被食刻層で前記第１、第２及び第３構造のパターンを転写する。
前記方法は、第１及び第２構造が第３構造より低い高さを有するまで露出した第１及び第２構造の上部一部を除去する。第３構造が第１構造と同じ厚さに提供されるまで第３構造は食刻される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の方法は食刻選択比が異なる2種類のハードマスク膜に対する二重食刻工程を行い、最小限の離隔間隔を有するハードマスクパターンを形成することができ、これを被食刻層に対するパターニング工程時に食刻マスクに用いることにより、リソグラフィ装備の解像度以上の微細パターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、食刻選択比が異なる２種類のハードマスクに対する二重食刻工程(１次及び２次トリミング食刻工程)を行い、半導体素子の微細パターンを形成する方法を提供する。
以下、図１ａ〜図１ｉを参照しながら本発明の一実施形態を説明するが、この際、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
【００１１】
図１ａは、半導体基板１１１上に形成された被食刻層１１３の上部に第１ハードマスク膜１１５を形成する。その上部に感光膜を塗布し、前記感光膜の上側に位置した露光マスクを用いた露光及び現像工程を行い、感光膜パターン１１６を形成する。
前記被食刻層は、ワードライン、ビットラインまたは金属配線である。
前記第１ハードマスク膜は、前記被食刻層と食刻選択比の差を有するポリシリコン、酸化膜、窒化膜、金属またはこれらの組合せで形成する。
【００１２】
図１ｂは、前記感光膜パターン１１６を食刻マスクに用いて前記第１ハードマスク膜をパターニングし、第１（Ｗ１）の幅と第１（Ｔ１）の厚さを有する第１ハードマスクパターン１１５−１を形成する。前記感光膜パターンを除去する段階を含む。
一方、前記フォトレジストパターンを形成するための露光工程において、露光マスクは最小線幅の大きさと最小離隔の間隔（pitch）を有するパターンに形成されており、露光工程は露光マスクの遮光領域に位置する感光膜の側面まで露光されるよう、露光エネルギー及び露光時間を増加させる過渡な露光工程で行われる。その結果、現像工程後に得られた感光膜パターンの線幅の大きさは、現在リソグラフィ装備から得られる最小限の大きさ、好ましくは最小の大きさより最大１／２倍程度小さい線幅を有する。従って、前記第１ハードマスクパターンの幅（Ｗ１）は、リソグラフィ装備から得られる最小限のパターン線幅値を有する。
【００１３】
図１ｃは、前記結果物の全面に第２ ハードマスク膜１１７が形成された構造を示す図である。
前記第２ハードマスク膜は、前記第１ハードマスク膜と食刻選択比の差が大きい有機膜または無機膜で形成する。
より具体的に、前記有機膜はスピンコーティングの方法で形成可能な有機膜であれば特に限定はしていないが、通常感光膜または反射防止膜などを用いることができる。例えば、大韓民国特許公開番号第１９８４−０００３１４５号、大韓民国特許公開番号 第１９８５−０００８５６５号、ＵＳ ５，２１２，０４３（１９９３．５．１８）、ＷＯ９７／３３１９８（１９９７．９．１２）、ＷＯ ９６／３７５２６ （１９９６．１１．２８）、ＵＳ ５，７５０，６８０（１９９８．５．１２）、ＵＳ ６，０５１，６７８（２０００．４．１８）、ＧＢ２，３４５，２８６ Ａ（２０００．７．５）、ＵＳ６，１３２，９２６（２０００．１０．１７）、ＵＳ ６，２２５，０２０ Ｂ１（２００１．５．１）、ＵＳ ６，２３５，４４８ Ｂ１（２００１．５．２２）及びＵＳ ６，２３５，４４７ Ｂ１（２００１．５．２２）などに開示されたポリビニルフェノール系、ポリヒドロキシスチレン系、ポリノルボルネン系、ポリアダマンチル系、ポリイミド系、ポリアクリレート系、ポリメタアクリレート系及びポリフルオリン系の中から選ばれた一つ以上をベース樹脂として含む感光剤等を用いることができ、さらにフェニルアミン系樹脂、メラミン誘導体系樹脂、アルカリ可溶性系樹脂、アクリレート系樹脂及びエポキシ系樹脂でなる群から選ばれた反射防止膜などを用いることができる。
【００１４】
さらに、前記無機膜は前記第１ハードマスク膜と食刻選択比の差を有する酸化膜、窒化膜またはポリシリコン層を用いる。
例えば、第１ハードマスクパターンをポリシリコン層で形成する場合、第２ハードマスク膜は有機膜、特に感光膜を用いて形成するのが好ましい。
図１ｄは、第１ハードマスクパターン１１５−１が露出するまで前記第２ハードマスク膜１１７に対する平坦化食刻工程を行い、プラナー（planar）形態の第２ハードマスク膜１１７が形成された構造を示す図である。
前記平坦化食刻工程は、ＣＭＰ工程または窒素、酸素、アルゴン、水素、塩素及びこれらの組合せでなる群から選ばれた一つ以上の食刻ガスを用いたエッチバック工程で行う。
【００１５】
図１ｅは、前記結果物の全面に対するエッチバック食刻工程を行い、第２ハードマスク膜の表面から前記第１ハードマスクパターンの上部を所定厚さ（Ｔ２）まで除去した工程の断面図である。この際、前記Ｔ２は０＜Ｔ２≦１／３Ｔ１の値を有する。得られた第１ハードマスクパターンはＴ３の厚さを有する（０＜Ｔ３＜Ｔ１）。即ち、第１ハードマスクパターンの高さは、前記エッチバックの工程時にオーバーエッチングし、第２ハードマスク膜より低く形成する。
【００１６】
前記エッチバック食刻工程は、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＢｒ及びこれらの組合せでなる群から選ばれた食刻ガスを用いて行われるが、例えば前記第２ハードマスク膜が有機膜であり、第１ハードマスク膜がポリシリコン膜の場合、ＣＦ４ガスを食刻ガスに用いることができる。
【００１７】
図１ｆは、前記図１ｅの結果物に対する１次トリミング食刻工程により傾いた側面を有する第２ハードマスクパターン１１７−１が形成された工程断面図である。
前記１次トリミング食刻工程は、第２ハードマスクパターン:第１ハードマスクパターンの食刻速度が９〜１０：１になるよう、四フッ化炭素（ＣＦ４）、窒素（Ｎ2）、酸素（Ｏ２）、アルゴン（Ａｒ）、水素及びこれらの組合せでなる群から選ばれた食刻ガスを用いる。好ましくは、前記１次トリミング食刻工程における食刻ガスは、酸素、四フッ化炭素及びアルゴンガスを主成分として含み、酸素:四フッ化炭素:アルゴンの混合濃度比は１：７〜１０：２５〜４５であるのが好ましい。
【００１８】
例えば、第１ハードマスクパターンがポリシリコン層からなっており、第２ハードマスク膜が有機膜、特に感光膜からなっている場合、前記１次トリミング食刻工程はＯ２３〜４ｓｃｃｍ、ＣＦ４ ３０ｓｃｃｍ及びＡｒ １３０ｓｃｃｍ条件下で行われる。
さらに、前記１次トリミング食刻工程は、被食刻層が露出するまで第２ハードマスク膜を食刻する。その結果、第１ハードマスクパターン及び第２ハードマスクパターンの間に被食刻層が露出する。この際、以前の前記エッチバック食刻工程により第２ハードマスク膜の側面が露出した状態なので、露出した第２ハードマスク膜の角部分が食刻ガスの影響をより大きく受け、傾いたパターン形態に形成される。
【００１９】
図１ｇは、前記結果物に対し第１ハードマスクパターンと同一の幅（Ｗ２）を有する第３ハードマスクパターン１１７−２が形成されるまで、第２ハードマスクパターンに対して２次トリミング食刻工程を行った工程断面図である。
前記２次トリミング食刻の条件は、第２ハードマスクパターン:第１ハードマスクパターンの食刻速度が９〜１０：１の条件になるよう、四フッ化炭素、窒素、酸素、アルゴン、水素及びこれらの組合せでなる群から選ばれた一つ以上の食刻ガスを用いて行う。好ましくは、前記２次トリミング食刻工程の食刻ガスは酸素、四フッ化炭素及びアルゴンガスを主成分として含み、酸素:四フッ化炭素:アルゴンの混合濃度比は１：４０〜８０：２５〜５０であるのが好ましい。
【００２０】
例えば、第１ハードマスクパターンがポリシリコン層からなっており、第２ハードマスク膜が有機膜、特に感光膜からなっている場合、前記２次トリミング食刻工程はＯ２  １〜２ｓｃｃｍ、ＣＦ４８０ｓｃｃｍ及びＡｒ ５０ｓｃｃｍの条件下で行われる。
前記２次トリミング食刻工程を行う間に食刻時間を適切に調整し、第１ハードマスクパターン幅（Ｗ１）と同一の幅（Ｗ２）を有しながら、第１ハードマスクパターンと所定距離に離隔されている第３ハードマスクパターン１１７−２を得た。この際、第３ハードマスクパターンはＴ４の厚さを有する（０＜Ｔ４＜Ｔ３）。
【００２１】
図１ｈは、前記形成された第１及び第３ハードマスクパターンを食刻マスクに通常の食刻工程で前記被食刻層をパターニングして得られた構造を示している。
【００２２】
図１ｉは、前記結果物に対する後続の洗浄工程を行い、前記第１ハードマスクパターン１１５−１及び第３ハードマスクパターン１１７−２が除去された被食刻層パターン113-1を示している。
前述したように、本発明は１次トリミング食刻工程及び２次トリミング食刻工程のような簡単な２つの段階の食刻工程を行うことだけで、第１ハードマスクパターンの間に現在リソグラフィ装備から得られるパターンの離隔間隔よりさらに小さいパターンの離隔間隔を有するもう一つの第３ハードマスクパターンを形成することができる。従って、第１ハードマスクパターンと第１ハードマスクパターンの間に形成された第３ハードマスクパターンを食刻マスクに用いて被食刻層を食刻する場合、現在リソグラフィ装備の解像度から得ることのできない最小限のパターン線幅とパターン離隔間隔を有する微細パターンを形成することができる。
さらに、本発明の方法によって食刻工程のための重畳度、整列度及び食刻マージンの確保が容易であり、半導体素子の製造コスト及び工程時間などを縮小することができる。
【００２３】
なお、本発明について、好ましい実施の形態を基に説明したが、これらの実施の形態は、例を示すことを目的として開示したものであり、当業者であれば、本発明に係る技術思想の範囲内で、多様な改良、変更、付加等が可能である。このような改良、変更等も、特許請求の範囲に記載した本発明の技術的範囲に属することは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１ａ】本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した工程断面図である。
【図１ｂ】本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した工程断面図である。
【図１ｃ】本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した工程断面図である。
【図１ｄ】本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した工程断面図である。
【図１ｅ】本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した工程断面図である。
【図１ｆ】本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した工程断面図である。
【図１ｇ】本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した工程断面図である。
【図１ｈ】本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した工程断面図である。
【図１ｉ】本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した工程断面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１１１    半導体基板
１１３    被食刻層
１１３−１    被食刻層パターン
１１５    第１ハードマスク膜
１１５−１    第１ハードマスクパターン
１１６    フォトレジストパターン
１１７    第２ハードマスク膜
１１７−１    第２ハードマスクパターン
１１７−２    第３ハードマスクパターン
Ｗ１    第１ハードマスクパターンの線幅
Ｗ２    第２ハードマスクパターンの線幅
Ｔ１    第１ハードマスクパターンの厚さ
Ｔ２    第１ハードマスクパターンの除去厚さ
Ｔ３    食刻工程後得られた第１ハードマスクパターンの厚さ
Ｔ４    第３ハードマスクパターンの厚さ 
【図１ａ】
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【図１ｂ】
2007227934.tif 000004
【図１ｃ】
2007227934.tif 000005
【図１ｄ】
2007227934.tif 000006
【図１ｅ】
2007227934.tif 000007
【図１ｆ】
2007227934.tif 000008
【図１ｇ】
2007227934.tif 000009
【図１ｈ】
2007227934.tif 000010
【図１ｉ】
2007227934.tif 000011