(57)【要約】【課題】所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を、効率よく製造するのに適した方法を提供すること。【解決手段】本発明の磁気記録媒体製造方法は、記録層１２を構成することとなる磁性膜１２’を第１導電膜１４上に形成する工程と、磁性膜１２’上に絶縁膜パターン２２を形成する工程と、絶縁膜パターン２２を覆うようにして磁性膜１２’上に第２導電膜２３を形成する工程〔図４（ａ）〕と、第１導電膜１４および第２導電膜２３の間に電圧を印加する工程〔図４（ｂ）〕とを含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電膜、第２導電膜、当該第１および第２導電膜の間の磁性膜、並びに、当該磁性膜および前記第２導電膜の間に介在する絶縁膜パターン、を含む積層構造において、前記第１および第２導電膜の間に電圧を印加する電圧印加工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
【請求項２】
第１導電膜上に磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜上に絶縁膜パターンを形成する絶縁膜パターン形成工程と、
前記絶縁膜パターンを覆うようにして前記磁性膜上に第２導電膜を形成する工程と、
前記第１および第２導電膜の間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜パターン形成工程においては、凹凸パターンを有し且つ少なくとも凸部の表面に絶縁材料の付着している基材を用いて行うスタンプ法により、前記磁性膜上に前記絶縁膜パターンを形成する、請求項２に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜パターン形成工程の後、前記絶縁膜パターンを加熱して乾燥または硬化させる、請求項２または３に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項５】
導電膜上に磁性膜を形成する工程と、
凹凸パターンの凸部を有するスタンパを用い、前記磁性膜上に前記スタンパの凸部表面を当接させた状態で当該スタンパと前記導電膜との間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
【請求項６】
導電膜上に磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜上に金属拡散膜を形成する工程と、
凹凸パターンの凸部を有するスタンパを用い、前記金属拡散膜上に前記スタンパの凸部表面を当接させた状態で当該スタンパと前記導電膜との間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
【請求項７】
前記電圧印加工程の前においては前記磁性膜は垂直磁化膜であり、前記電圧印加工程では、当該磁性膜において前記第２導電膜もしくは前記スタンパの凸部が直接に接する箇所または前記スタンパの凸部と対応する箇所を、電圧印加により垂直磁化状態から面内磁化状態または非磁性状態に変化させる、請求項１から６のいずれか一つに記載の磁気記録媒体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクなどの記憶装置を構成するための記録媒体として、磁気ディスク（磁気記録媒体）が知られている。磁気ディスクは、ディスク基板と所定の磁性構造を有する記録層とを含む積層構造を有する。コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、磁気ディスクについては高記録密度化の要求が高まっている。
【０００３】
磁気ディスクへの情報記録に際しては、磁気ディスクの記録面に対して記録用の磁気ヘッドが近接配置（浮上配置）され、当該磁気ヘッドにより、記録層に対し、その保磁力より強い記録磁界が印加される。磁気ディスクに対して磁気ヘッドを相対移動させつつ磁気ヘッドからの記録磁界の向きを順次反転させることにより、記録層の情報トラックにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、記録磁界方向を反転させるタイミングが制御されることにより、各々に所定の長さで記録マークが形成される。このようにして、記録層において、磁化方向の変化として所定の信号ないし情報が記録される。
【０００４】
また、磁気ディスクの技術分野においては、高記録密度化を図るのに好ましい媒体として、いわゆるディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やパターンドメディア（ＰＭ）など、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気ディスクが知られている。このような磁気ディスクについては、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７１４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−１６６１１５号公報
【特許文献３】特開２００５−２９３７３０号公報
【０００６】
図１０および図１１は、ＤＴＭである従来の磁気ディスク７０を表す。図１０は、磁気ディスク７０の平面図であり、図１１は、磁気ディスク７０のディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【０００７】
磁気ディスク７０は、ディスク基板７１、記録層７２、および保護膜７３（図１０では図示略）からなる積層構造を有する。記録層７２は、複数の記録磁性部７２Ａと複数の非磁性部７２Ｂとからなる。記録磁性部７２Ａは、図１０にて一部を模式的に太線で示すように磁気ディスク７０の回転軸心Ａ’を共通中心としてディスク基板７１上にて同心円状に配置され、情報トラックを構成する。非磁性部７２Ｂは、記録磁性部７２Ａ間に介在する。保護膜７３の露出面は磁気ディスク７０の記録面７４をなす。
【０００８】
このような磁気ディスク７０への情報記録時には、磁気ディスク７０の記録面７４に対して記録用の磁気ヘッドが浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層７２の一の記録磁性部７２Ａにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。
【０００９】
図１２および図１３は、従来の磁気ディスク７０の製造方法を表す。磁気ディスク７０の製造においては、まず、図１２（ａ）に示すように、ディスク基板７１上に磁性膜７２Ａ’が形成される。次に、図１２（ｂ）に示すように、磁性膜７２Ａ’上にフォトレジスト膜９１が形成される。次に、図１２（ｃ）に示すように、リソグラフィ法により、フォトレジスト膜９１からレジストパターン９２が形成される。レジストパターン９２は、上述の非磁性部７２Ｂのパターン形状に対応する開口部９２ａを有する。当該リソグラフィ法においては、具体的には、所定の電子ビーム描画装置によって所定パターン（潜像）がフォトレジスト膜９１に露光形成された後、当該フォトレジスト膜９１に現像処理が施される。このようにして、磁性膜７２Ａ’上にレジストパターン９２が形成される。この後、図１２（ｄ）に示すように、レジストパターン９２がマスクとして利用されて、磁性膜７２Ａ’に対して所定のエッチングが施され、上述の記録磁性部７２Ａがパターン形成される。
【００１０】
磁気ディスク７０の製造においては、次に、図１３（ａ）に示すようにレジストパターン９２が除去される。次に、図１３（ｂ）に示すように非磁性材料７２Ｂ’が堆積される。具体的には、スパッタリング法により、記録磁性部７２Ａ間の隙間および記録磁性部７２Ａ上に非磁性材料７２Ｂ’が堆積される。次に、図１３（ｃ）に示すように、堆積された非磁性材料７２Ｂ’において記録磁性部７２Ａ間の隙間にない過剰部分を、例えば機械的研磨により除去する。本工程により、非磁性部７２Ｂが形成され、記録層７２が形成されることとなる。この後、図１３（ｄ）に示すように、記録層７２上に保護膜７３が形成される。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部７２Ａを記録層７２内に有する磁気ディスク７０が製造される。
【００１１】
しかしながら、本方法は、製造効率の観点から磁気ディスク７０の量産に適さない。本方法では、記録磁性部７２Ａをパターン形成するにあたり、上述のように、電子ビーム描画装置による露光を経て磁性膜７２Ａ’上のフォトレジスト膜９１をパターニングする必要があり、磁気ディスク７０ごとの製造過程において電子ビーム描画装置を使用しなければならないところ、電子ビーム描画装置を使用して行うフォトレジスト膜９１の露光には数時間を要するからである。
【００１２】
加えて、本方法によると、記録面７４において充分な平坦性を得ることが困難である。本方法では、図１２（ｄ）を参照して上述したように、磁性膜７２Ａ’に対するエッチングにより記録磁性部７２Ａがパターン形成された後、図１３（ｂ）に示すように、記録磁性部７２Ａ間の隙間を充填すべく非磁性材料７２Ｂ’が堆積され、そして、図１３（ｃ）に示すように、非磁性材料７２Ｂ’における過剰部分が機械的加工手法により除去されて記録層７２が形成される。このよう過程を経て形成される非連続膜体である記録層７２の図中上面については、充分な平坦性を得ることが困難であり、従って、記録層７２の表面平坦性が反映される記録面７４において充分な平坦性を得ることは困難なのである。
【００１３】
一般に、磁気ディスクないしその記録層における面内記録密度が大きいほど、情報記録再生時に磁気ディスクに対して浮上配置される磁気ヘッドについては、より小さな浮上量（磁気ヘッドと記録面の間の距離）が要求される傾向にあるところ、小さな浮上量にて磁気ヘッドが適切に動作するためには、磁気ディスクの記録面は充分に平坦でなければならない。要求される浮上量が小さいほど（即ち、磁気ディスクの面内記録密度か大きいほど）、記録面に求められる平坦性は高くなる傾向にある。
【００１４】
しかしながら、本方法によると、上述のように、記録層７２ないし記録面７４において充分な平坦性を得ることは困難である。このような方法により得られる磁気ディスク７０は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましくなく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましくない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、以上のような事情の下で考え出されたものであり、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を効率よく製造するのに適した方法を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第１の側面により提供される磁気記録媒体製造方法は、第１導電膜、第２導電膜、当該第１および第２導電膜の間の磁性膜、並びに、当該磁性膜および第２導電膜の間に介在する絶縁膜パターン、を含む積層構造において、第１および第２導電膜の間に電圧を印加する電圧印加工程を含む。
【００１７】
本方法における電圧印加工程では、電圧印加により、例えば全体が垂直磁化状態にある磁性膜を、部分的に面内磁化状態または非磁性状態に変化させることができる。具体的には、磁性膜や絶縁膜パターンを構成する材料に応じた所定の大きさの電圧を第１および第２導電膜の間に印加することにより、磁性膜において絶縁膜パターンが接する部位（第１部位）の垂直磁化状態（磁化容易軸が垂直方向を向く状態）を維持しつつ、磁性膜において第２導電膜が直接に接する部位（第２部位）を面内磁化状態（磁化容易軸が面内方向を向く状態）または非磁性状態（磁化容易軸を有しない状態）に変化させることが、可能である。第１導電膜にも第２導電膜にも直接に接する第２部位には、第１および第２導電膜間に印加された電圧の略全てが作用し、印加電圧の大きさによっては、当該第２部位の磁化状態を変化または事実上消滅させることが可能である（第２部位の磁化状態の変化または消滅は、電圧印加時に第２部位にて生じるジュール熱や絶縁破壊などに起因するものと考えられる）。これに対し、第１部位は、第１および第２導電膜の間において絶縁膜パターンとは電気的に直列に接続している関係にあり、第１および第２導電膜間の電圧印加時には、第１部位自体にかかる電圧は絶縁膜パターンの存在により緩和されるので、印加電圧の大きさによっては、その磁化状態を維持することが可能なのである。本方法においては、このような電圧印加工程により、磁気記録媒体において情報の記録や保持が可能な記録磁性部（第１部位）を実質的にパターン形成することができ、そして事実上同時に、当該記録磁性部を内部に含む記録層を形成することができる。電圧印加工程の後、第２導電膜および絶縁膜パターンは、例えば酸素プラズマを利用したアッシングにより、除去される。
【００１８】
本方法においては、記録磁性部をパターン形成するにあたり、電子ビーム描画装置を使用する必要はない（即ち、磁気記録媒体ごとの製造過程において電子ビーム描画装置を使用する必要はない）。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気記録媒体を、効率よく製造するのに適する。
【００１９】
また、本方法によると、所定パターンの記録磁性部を構成要素として含む記録層を連続膜体として形成することができる。本方法においては、第１導電膜、第２導電膜、磁性膜、および絶縁膜パターンを含む上述の積層構造に含まれる磁性膜を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク７０における記録層７２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層の表面平坦性が反映される媒体記録面において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００２０】
以上のように、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を、効率よく製造するのに適するのである。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００２１】
本発明の第２の側面により提供される磁気記録媒体製造方法は、第１導電膜上に磁性膜を形成する工程と、磁性膜上に絶縁膜パターンを形成する絶縁膜パターン形成工程と、絶縁膜パターンを覆うようにして磁性膜上に第２導電膜を形成する工程と、第１および第２導電膜の間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む。
【００２２】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を効率よく製造するのに適する。
【００２３】
本発明の第２の側面の絶縁膜パターン形成工程においては、好ましくは、凹凸パターンを有し且つ少なくとも凸部の表面に絶縁材料の付着している基材を用いて行うスタンプ法により、磁性膜上に絶縁膜パターンを形成する。絶縁材料としては、例えば、シラノールやポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を採用することができる。本発明におけるスタンプ法とは、所定の凹凸パターンを有し且つ少なくとも凸部表面に転写目的物（絶縁材料）の付着した基材を用いて、磁性膜表面に絶縁材料を押印することをいう。具体的には、所定の凹凸パターンを有し且つ少なくとも凸部表面に転写目的物（絶縁材料）の付着した基材の凸部を、絶縁材料を介して磁性膜に当接させて、磁性膜表面に絶縁材料を付着させる方法をいう。このような構成は、絶縁膜パターン形成工程を効率よく行ううえで好ましく、ひいては、磁気記録媒体の製造効率の向上に資する。
【００２４】
本発明の第２の側面において、好ましくは、絶縁膜パターン形成工程の後であって例えば第２導電膜形成工程の前に、絶縁膜パターンを加熱して乾燥または硬化させる。このような構成によると、磁性膜に対する接合状態や絶縁性に優れた絶縁膜パターンを形成することができる場合がある。
【００２５】
本発明の第３の側面により提供される磁気記録媒体製造方法は、導電膜上に磁性膜を形成する工程と、凹凸パターンの凸部を有するスタンパを用い、磁性膜上にスタンパの凸部表面を当接させた状態で当該スタンパと導電膜との間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む。
【００２６】
本方法は、本発明の第１または第２の側面に係る磁気記録媒体製造方法と対比すると、第２導電膜や絶縁膜パターンを形成する工程が事実上必要なくなり、スタンパを繰り返し用いて電圧印加工程を実施することができる。したがって、本方法によれば、所定パターンの記録磁性部を有する磁気記録媒体をより効率よく製造することができる。
【００２７】
本発明の第４の側面により提供される磁気記録媒体製造方法は、導電膜上に磁性膜を形成する工程と、磁性膜上に金属拡散膜を形成する工程と、凹凸パターンの凸部を有するスタンパを用い、金属拡散膜上にスタンパの凸部表面を当接させた状態で当該スタンパと導電膜との間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む。
【００２８】
本方法では、スタンパを介して金属拡散膜と導電膜との間に電圧を印加すると、電圧印加によって金属拡散膜が部分的に加熱させられ、この金属拡散膜の加熱部位から磁性膜に対して金属が拡散する。このような磁性膜において金属拡散作用を受けた部位が非記録磁性部となり、金属拡散作用を受けにくい部位、すなわちスタンパの凸部と凸部との間に対応する部位が記録磁性部となる。したがって、本方法によっても、スタンパを繰り返し用いて電圧印加工程を実施することができるので、所定パターンの記録磁性部を有する磁気記録媒体を効率よく製造することができる。
【００２９】
本発明の第１ないし第４の側面において、好ましくは、電圧印加工程の前においては磁性膜は垂直磁化膜であり、電圧印加工程では、当該磁性膜において第２導電膜もしくはスタンパの凸部が直接に接する箇所（第２部位）またはスタンパの凸部と対応する箇所を、電圧印加により垂直磁化状態から面内磁化状態または非磁性状態に変化させる。このような構成によると、いわゆる垂直磁気記録媒体を製造することができる。
【００３０】
本発明の第５の側面により提供される磁気記録媒体製造方法は、導電膜上に非磁性膜を形成する工程と、凹凸パターンの凸部を有するスタンパを用い、非磁性膜上にスタンパの凸部表面を当接させた状態で当該スタンパと導電膜との間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む。
【００３１】
本方法では、スタンパと導電膜との間に電圧を印加すると、電圧印加によって非磁性膜が部分的に加熱させられ、この非磁性膜の加熱部位が記録磁性部となり、加熱されにくい部位、すなわちスタンパの凸部と凸部との間に対応する部位が非記録磁性部となる。したがって、本方法によっても、スタンパを繰り返し用いて電圧印加工程を実施することができるので、所定パターンの記録磁性部を有する磁気記録媒体を効率よく製造することができる。
【００３２】
本発明の第５の側面において、好ましくは、電圧印加工程の前において、非磁性膜は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した非磁性状態にあり、電圧印加工程では、当該非磁性膜においてスタンパの凸部が直接に接する箇所を電圧印加により非磁性状態から垂直磁化状態に変化させる。このような構成により、いわゆる垂直磁気記録媒体を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図１および図２は、本発明に係る磁気ディスク製造方法により製造することのできる磁気ディスクＸを表す。図１は、磁気ディスクＸの平面図であり、図２は、図１の磁気ディスクＸのディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【００３４】
磁気ディスクＸは、ディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、導電下地膜１４、および保護膜１５（図１では図示略）を含む積層構造を有し、ディスクリートトラックメディアとして構成されたものである。
【００３５】
ディスク基板１１は、主に、磁気ディスクＸの剛性を確保するための部位であり、例えば、アルミニウム合金、ガラス、または樹脂よりなる。
【００３６】
記録層１２は、図２に示すように、複数の記録磁性部１２Ａおよび複数の非記録磁性部１２Ｂを有する。記録磁性部１２Ａは、図１にて一部を模式的に太線で示すように磁気ディスクＸの回転軸心Ａを共通中心として同心円状に配置され、垂直磁気異方性を有して情報トラックを構成する。非記録磁性部１２Ｂは、面内磁気異方性を有して或は非磁性状態にあって、記録磁性部１２Ａ間に介在する。記録層１２は、連続膜体であり、従って、記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂは共に同一材料よりなる。記録層１２の構成材料としては、例えばＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2、ＦｅＰｔ、ＳｍＣｏなどを採用することができる。記録層１２の厚さは例えば５〜２０ｎｍであり、記録磁性部１２Ａの幅は例えば２５〜１００ｎｍであり、非記録磁性部１２Ｂの幅は例えば１０〜５０ｎｍである。
【００３７】
軟磁性層１３は、記録時等に稼働する磁気ヘッドからの磁束を再び当該磁気ヘッドに還流させる磁路を磁気ディスクＸ内に効率よく形成するためのものであり、高透磁率を有して大きな飽和磁化を有するとともに小さな保磁力を有する軟磁性材料よりなる。軟磁性層１３を構成するための軟磁性材料としては、例えば、ＦｅＣ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＣ、およびＦｅＣｏ−ＡｌＯが挙げられる。軟磁性層１３の厚さは例えば１０〜２００ｎｍである。
【００３８】
導電下地膜１４は、本発明における第１導電膜であって導電性を有する。また、導電下地膜１４は、例えばＲｕ、Ｔａよりなる。導電下地膜１４の厚さは例えば１０〜１００ｎｍである。
【００３９】
保護膜１５は、記録層１２や軟磁性層１３などを外界から物理的および化学的に保護するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはダイアモンドライクカーボンよりなる。保護膜１５の露出面は磁気ディスクＸの記録面１６をなす。
【００４０】
以上のようなディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、導電下地膜１４、および保護膜１５を含む磁気ディスクＸの積層構造中には、必要に応じて他の層が含まれてもよい。
【００４１】
このような磁気ディスクＸの情報記録時には、磁気ディスクＸの記録面１６に対して記録用の磁気ヘッド（図示略）が浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層１２の一の記録磁性部１２Ａにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、情報記録進行中であって磁界が順次印加される記録磁性部１２Ａと、これの隣りの記録磁性部１２Ａとが、非記録磁性部１２Ｂにより分断されているため、当該隣りの記録磁性部１２Ａの記録マークが消失ないし劣化するというクロスライト現象が抑制される。クロスライト現象が抑制される磁気ディスクは、トラックの狭ピッチ化ないし高記録密度化を図るうえで、好ましい。
【００４２】
（第１実施形態）
図３および図４は、本発明の第１実施形態に係る磁気ディスク製造方法を表す。本実施形態の製造方法は、磁気ディスクＸを製造するための方法である。
【００４３】
本方法においては、まず、図３（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３、導電下地膜１４、および磁性膜１２’を順次形成する。軟磁性層１３の形成においては、例えばスパッタリング法により、ディスク基板１１上に上述の軟磁性材料を成膜する。導電下地膜１４の形成においては、例えばスパッタリング法により、導電下地膜１４に関して上述した構成材料を軟磁性層１３上に成膜する。磁性膜１２’は、全体にわたって垂直磁気異方性を有する垂直磁化連続膜である。磁性膜１２’の形成においては、例えばスパッタリング法により、記録層１２に関して上述した構成材料を導電下地膜１４上に成膜する。
【００４４】
次に、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示すように、スタンパ２１を用いて行うスタンプ法により、磁性膜１２’上に絶縁膜パターン２２を形成する。スタンパ２１は、スタンパ本体２１ａと凸部２１ｂとからなる。凸部２１ｂは、上述の記録磁性部１２Ａに対応したパターン形状を有する。また、凸部２１ｂの高さ（即ち、凸部２１ｂ間の溝の深さ）は例えば１０〜２００ｎｍである。本工程では、スタンパ２１の凸部２１ｂの先端面に絶縁材料２２’を付着させた後、当該絶縁材料２２’を介して凸部２１ｂを磁性膜１２’に当接させ、磁性膜１２’表面に絶縁材料２２’を転写する。そして、必要に応じて、例えば加熱して、転写された絶縁材料２２’を乾燥または硬化させる。このようにして、記録磁性部１２Ａに対応したパターン形状を有する絶縁膜パターン２２を磁性膜１２’上に形成することができる。絶縁材料２２’は、絶縁物質を含む溶液または粘着物として調製されたものであり、例えば、シラノール〔Ｓｉ(ＯＨ)4〕のアルコール溶液、ポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ）などを採用することができる。
【００４５】
図５および図６は、スタンパ２１の作製方法を表す。スタンパ２１の作製においては、まず、図５（ａ）に示すように、例えばスピンコーティング法により、ディスク状のシリコン基板３１上にフォトレジスト膜３２を形成する。
【００４６】
次に、図５（ｂ）に示すように、リソグラフィ法により、フォトレジスト膜３２をパターニングしてレジストパターン３３を形成する。当該リソグラフィ法においては、例えば、所定の電子ビーム描画装置によって所定パターン（潜像）をフォトレジスト膜３２に露光形成した後、当該フォトレジスト膜３２に現像処理を施す。レジストパターン３３は、スタンパ２１の凸部２１ｂに対応したパターン形状を有する。
【００４７】
次に、図５（ｃ）に示すように、レジストパターン３３をマスクとして利用してシリコン基板３１に対して異方性ドライエッチングを施すことにより、シリコン基板３１に凹部３１ａを形成する。この凹部３１ａは、スタンパ２１の凸部２１ｂ間の溝に対応するパターン形状を有する。異方性ドライエッチングとしては、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を採用することができる。このようにして形成された、凹部３１ａを有するシリコン基板３１は、スタンパ２１の原盤に相当する。本工程の後、図５（ｄ）に示すように、レジストパターン３３を除去する。
【００４８】
次に、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、凹部３１ａが形成されたシリコン基板３１とガラス基板３４との間にフォトポリマ３５を挟み込み、ガラス基板３４の側からの紫外線照射により、フォトポリマ３５を硬化させる。このような硬化により、シリコン基板３１表面の凹凸形状がフォトポリマ３５表面に転写され、且つ、フォトポリマ３５はガラス基板３４に接合することとなる。本工程の後、フォトポリマ３５からシリコン基板３１を取り外す。
【００４９】
次に、上述のようにして硬化されたフォトポリマ３５を鋳型として、図６（ｃ）に示すように、電鋳法により、例えばニッケルよりなるスタンパ２１を形成する。スタンパ２１表面には、フォトポリマ３５表面の凹凸形状が転写されている。この後、フォトポリマ３５からスタンパ２１を取り外す。このようにして作製されるスタンパ２１を用いて、上述のスタンプ法を反復実施することができる。
【００５０】
磁気ディスクＸの製造においては、スタンパ２１を用いて行うスタンプ法による上述の絶縁膜パターン形成工程の後、図４（ａ）に示すように、例えばスパッタリング法により、絶縁膜パターン２２を覆うようにして導電膜２３を形成する。導電膜２３は、本発明における第２導電膜であって導電性を有する。また、導電膜２３は、例えばＲｕ、Ｔａよりなる。導電膜２３の厚さは例えば１０〜５０ｎｍである。
【００５１】
次に、図４（ｂ）に示すように、導電下地膜１４および導電膜２３の間に電圧を印加して、磁性膜１２’において、垂直磁気異方性を有する記録磁性部１２Ａ、および、面内磁気異方性を有するか或は非磁性状態にある非記録磁性部１２Ｂを形成する。
【００５２】
本工程では、全体が垂直磁化状態にある磁性膜１２’を、部分的に面内磁化状態または非磁性状態に変化させる。具体的には、磁性膜１２’や絶縁膜パターン２２を構成する材料に応じた所定の大きさの電圧を導電下地膜１４および導電膜２３の間に印加することにより、磁性膜１２’において絶縁膜パターン２２が接する部位（第１部位）の垂直磁化状態（磁化容易軸が垂直方向を向く状態）を維持しつつ、磁性膜１２’において導電膜２３が直接に接する部位（第２部位）を面内磁化状態（磁化容易軸が面内方向を向く状態）または非磁性状態（磁化容易軸を有しない状態）に変化させる。導電下地膜１４にも導電膜２３にも直接に接する第２部位には、導電下地膜１４および導電膜２３の間に印加された電圧の略全てが作用し、印加電圧の大きさによっては、当該第２部位の磁化状態を変化または事実上消滅させることが可能である（第２部位の磁化状態の変化または消滅は、電圧印加時に第２部位にて生じるジュール熱や絶縁破壊などに起因するものと考えられる）。これに対し、第１部位は、導電下地膜１４および導電膜２３の間において絶縁膜パターン２２とは電気的に直列に接続している関係にあり、導電下地膜１４および導電膜２３の間の電圧印加時には、第１部位自体にかかる電圧は絶縁膜パターン２２の存在により緩和されるので、印加電圧の大きさによっては、その垂直磁化状態を維持することが可能なのである。本方法においては、このような電圧印加工程により、磁気ディスクＸにおいて情報の記録や保持が可能な記録磁性部１２Ａ（第１部位）を実質的にパターン形成することができ、そして事実上同時に、当該記録磁性部１２Ａを内部に含む記録層１２を形成することができる。
【００５３】
次に、図４（ｃ）に示すように、例えば酸素プラズマを利用して行うアッシングにより、導電膜２３および絶縁膜パターン２２を記録層１２上から除去する。
【００５４】
次に、図４（ｄ）に示すように保護膜１５を形成する。保護膜１５の形成においては、例えばスパッタリング法により、保護膜１５に関して上述した構成材料を記録層１２上に成膜する。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを製造することができる。
【００５５】
本方法においては、記録磁性部１２Ａをパターン形成するにあたり、電子ビーム描画装置を使用する必要はない（即ち、磁気ディスクＸごとの製造過程において電子ビーム描画装置を使用する必要はない）。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを、効率よく製造することができる。
【００５６】
加えて、本方法によると、所定パターンの記録磁性部１２Ａを構成要素として含む記録層１２を連続膜体として形成することができるので、記録面１６について、充分な平坦性を得ることができる。本方法においては、電圧印加工程を経て記録層１２を構成することとなる磁性膜１２’を、スパッタリング法などの薄膜形成技術により形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク７０における記録層７２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１６において、充分な平坦性を得ることができるのである。
【００５７】
以上のように、本方法によると、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気ディスクＸを、効率よく製造することができる。記録面１６の平坦性の高い磁気ディスクＸは、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００５８】
[第１実施形態の実施例]
〔スタンパの作製〕
本実施形態の製造方法にて用いるスタンパを、図５および図６を参照して上述した方法に則して作製した。本実施例のスタンパの作製においては、まず、シリコン基板（外径：５インチ，厚さ０.６ｍｍ）上に電子ビーム用のレジスト（商品名：ＺＥＰ５２０Ａ，日本ゼオン製）を厚さ５０ｎｍに塗布形成した。次に、このレジストを約１５０℃で３分間加熱して硬化させた。次に、所定の電子ビーム描画装置によって所定パターン（潜像）を当該レジストに露光形成した。次に、所定の現像液を使用して当該レジストに現像処理を施し、所定パターンの開口部を形成した。このようにして、所定のパターン形状を有するレジストパターンをシリコン基板上に形成した。
【００５９】
次に、所定のＲＩＥ装置を使用し且つ上述のレジストパターンをマスクとして利用して行うＲＩＥにより、シリコン基板に所定パターンの凹部（深さ：５０ｎｍ）を形成した。当該エッチングにおいては、装置のチャンバ内のガス圧を１Ｐａとし、エッチングガスとしてＣＦ4を用いた。この後、酸素プラズマを利用したアッシングにより、レジストパターンを除去した。
【００６０】
次に、凹部パターンが形成されたシリコン基板とガラス基板との間にフォトポリマを挟み込んだ後、ガラス基板の側からの紫外線照射により、当該フォトポリマを硬化させた。このような硬化により、シリコン基板表面の凹凸形状がフォトポリマ表面に転写され、且つ、フォトポリマはガラス基板に接合した。本工程の後、フォトポリマからシリコン基板を取り外した。
【００６１】
次に、上述のようにして硬化されたフォトポリマを鋳型として、電鋳法により、ニッケルよりなるスタンパ（厚さ：略１ｍｍ，凸部高さ：５０ｎｍ）を形成した。スタンパ表面には、フォトポリマ表面の凹凸形状が転写された。この後、フォトポリマからスタンパを取り外した。以上のようにして、目的とする記録磁性部に対応したパターン形状の凸部を表面に有するスタンパを作製した。
【００６２】
〔磁気ディスクの製造〕
図３および図４を参照して上述した本発明に係る方法に則して磁気ディスクを製造した。本実施例の磁気ディスクの製造においては、まず、ディスク基板（外径：２.５インチ，厚さ：０.６３５ｍｍ）上に、スパッタリング法によりＣｏＺｒＮｂを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの軟磁性層を形成した。次に、軟磁性層上に、スパッタリング法によりＲｕを成膜することによって、厚さ５０ｎｍの導電下地膜を形成した。次に、導電下地膜上に、スパッタリング法によりＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2を成膜することによって、厚さ１５ｎｍの所定の磁性膜（垂直磁化連続膜）を形成した。この磁性膜について、組成は[Ｃｏ70Ｃｒ20Ｐｔ10]8ＳｉＯ2であり、保磁力は５.３ｋＯｅであり、飽和磁化は４５０ｅｍｕ/ｃｃである。
【００６３】
次に、本実施例の上述のスタンパを用いて行うスタンプ法により、当該磁性膜上に絶縁膜パターンを形成した。具体的には、スタンパの凸部の先端面に、絶縁材料溶液（シラノールのアルコール溶液）を付着させた後、当該凸部を磁性膜に当接させ、磁性膜表面に絶縁材料溶液を転写した。そして、３００℃で２０分間加熱して、磁性膜上にてシラノールを硬化させた。このようにして、スタンパの凸部に対応するパターン形状の絶縁膜パターンを磁性膜上に形成した。
【００６４】
次に、スパッタリング法により、絶縁膜パターンを覆うようにしてＲｕを成膜して磁性膜上に厚さ５０ｎｍの導電膜を形成した。
【００６５】
次に、上述の導電下地膜（厚さ５０ｎｍのＲｕ膜）および導電膜（厚さ５０ｎｍのＲｕ膜）の間に電圧を印加して、全体が垂直磁化状態にある磁性膜（ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2膜）を、部分的に面内磁化状態に変化させ、垂直磁気異方性を有する記録磁性部と面内磁気異方性を有する非記録磁性部とからなる記録層を当該磁性膜から形成した。本電圧印加工程においては、印加電圧を１Ｖとし、電圧印加時間を１００秒とした。本工程では、磁性膜において導電膜が直接に接する部位（第２部位）にてジュール熱が発生し、これに起因して当該第２部位が面内磁化状態に変化したものと考えられる。一方、磁性膜において絶縁膜パターンが接する部位（第１部位）は、導電下地膜および導電膜の間において絶縁膜パターンとは電気的に直列に接続している関係にあり、電圧印加時には、第１部位自体にかかる電圧は絶縁膜パターンの存在により緩和されるので、磁化状態を変化させる程のジュール熱は第１部位では発生しなかったものと考えられる。本工程の後、記録磁性部の保磁力は５.３ｋＯｅであり、飽和磁化は４５０ｅｍｕ/ｃｃであった。また、非記録磁性部の保磁力は１０Ｏｅであり、飽和磁化は５００ｅｍｕ/ｃｃであった。
【００６６】
次に、所定のアッシング装置を使用し且つ酸素プラズマを利用して行うアッシングにより、記録層上の導電膜および絶縁膜パターンを除去した。次に、記録層上に、スパッタリング法によりダイアモンドライクカーボンを成膜することによって、厚さ２ｎｍの保護膜を形成した。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する本実施例の磁気ディスクを製造した。本実施例の磁気ディスクの記録面の表面粗さは０.１３ｎｍであった。
【００６７】
（第２実施形態）
図７は、本発明の第２実施形態に係る磁気ディスク製造方法を表す。本実施形態の製造方法も、磁気ディスクＸを製造するための方法である。なお、先述した第１実施形態と同一または類似の部材については、同一符合を付してその説明を省略する。
【００６８】
本本法においては、まず、図７（ａ）に示すように、ディスク基板１１、軟磁性層１３、導電下地膜１４、および磁性膜１２’からなる積層構造を形成する。この積層構造は、図３（ａ）と同様の処理手順を経て作製されたものである。
【００６９】
次に、図７（ｂ）に示すように、スタンパ２１の凸部２１ｂ表面を磁性膜１２’の表面に当接させた状態とし、その後、このスタンパ２１と導電下地膜１４との間に電圧を印加する。これにより、磁性膜１２’においては、スタンパ２１の凸部２１ｂ間に対応してこの凸部２１ｂと接触しない部分が垂直磁気異方性を有する記録磁性部１２Ａとして残り、凸部２１ｂと当接した部分が面内磁気異方性あるいは非磁性の非記録磁性部１２Ｂとして形成される。すなわち、本実施形態のスタンパ２１は、第１実施形態のものと同様の構成を有するが、これとは全く別の用途に用いられ、電圧印加工程において部分的に電圧を印加するために繰り返し用いられるものである。
【００７０】
次に、図７（ｃ）に示すように保護膜１５を形成する。この保護膜１５は、先述した図４（ｄ）と同様の処理手順を経て成膜される。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを製造することができる。
【００７１】
したがって、本実施形態の方法によっても、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを効率よく製造することができる。特に、本実施形態の方法によれば、磁性膜１２’上に導電膜や絶縁膜パターンを形成する必要なく、あらかじめ凹凸パターンが形成されたスタンパ２１を繰り返し用いて部分的に電圧を印加することができるので、製造コストや工程時間の低減が図られ、より効率よく磁気ディスクＸを製造することができる。
【００７２】
（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態に係る磁気ディスク製造方法を表す。本実施形態の製造方法も、磁気ディスクＸを製造するための方法である。なお、先述した第１実施形態などと同一または類似の部材については、同一符合を付してその説明を省略する。
【００７３】
本方法においては、まず、図８（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３、導電下地膜１４、磁性膜１２’、および金属拡散膜２４を順次形成する。軟磁性層１３や導電下地膜１４、磁性膜１２’の形成手法については、第１実施形態の磁気ディスク製造方法に関して上述したのと同様である。金属拡散膜２４は、たとえば、Ｃｕ、Ｉｎ、Ａｇなどの単体金属、または、これらの金属を含む合金よりなる。金属拡散膜２４の形成においては、たとえばスパッタリング法により、当該金属材料を磁性膜１２’上に成膜する。金属拡散膜２４の厚さは、たとえば１〜２０ｎｍである。
【００７４】
次に、図８（ｂ）に示すように、スタンパ２１の凸部２１ｂ表面を金属拡散膜２４の表面に当接させた状態とする。本実施形態のスタンパ２１も、第１実施形態のものと同様の構成を有するが、これとは全く別の用途に用いられ、電圧印加工程において部分的に電圧を印加するために繰り返し用いられるものである。
【００７５】
次に、図８（ｃ）に示すように、導電下地膜１４およびスタンパ２１の間に電圧を印加する。これにより、金属拡散膜２４においてスタンパ２１の凸部２１ｂと接した部位が通電によって部分的に加熱させられ、このような加熱部位から磁性膜１２’に対して金属（たとえばＣｕ、Ｉｎ、Ａｇ）が拡散する。加熱部位の温度は、たとえば１５０〜４５０℃になる。本工程では、主に熱エネルギが駆動力となって金属拡散膜２４から磁性膜１２’に対する金属拡散が進行するが、電界効果も金属拡散作用に寄与しているものと考えられる。このような金属拡散作用により、磁性膜１２’において当初は所定の磁性を有していた部位の磁性が消滅または充分に減弱し、非記録磁性部１２Ｂがパターン形成される。そして、事実上同時に、磁性膜１２’には、記録磁性部１２Ａがパターン形成される。このようにして、磁性膜１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂを含む連続膜としての記録層１２が形成される。その後、図示しないが、金属拡散膜２４をアッシングなどによって除去し、記録層１２の表面に保護膜を形成することにより、先述した図４（ｄ）と同様の積層構造が形成される。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを製造することができる。
【００７６】
したがって、本実施形態の方法によっても、スタンパ２１を繰り返し用いて部分的に電圧を印加することができるので、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを効率よく製造することができる。
【００７７】
（第４実施形態）
図９は、本発明の第４実施形態に係る磁気ディスク製造方法を表す。本実施形態の製造方法も、磁気ディスクＸを製造するための方法である。なお、先述した第１実施形態などと同一または類似の部材については、同一符合を付してその説明を省略する。
【００７８】
本方法においては、まず、図９（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に、軟磁性層１３、下地導電膜１４、およびプレ記録層１２”を順次形成する。軟磁性層１３や下地導電膜１４の形成手法については、第１実施形態の磁気ディスク製造方法に関して上述したのと同様である。プレ記録層１２”は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜である。強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む。非磁性材料は、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む。ＢおよびＣは、原子半径が比較的小さく、原子半径の比較的大きなＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどとは、これらがなす結晶構造における格子点の隙間に侵入して侵入型の固溶体を構成することができる。プレ記録層１２”は、このような侵入型固溶状態にあり、かつ、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にあるのである。プレ記録層１２”の形成においては、たとえばスパッタリング法により、そのような状態となる組成比で、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料と、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む非磁性材料とを、堆積成長させる。プレ記録層１２”における強磁性材料の組成比は、好ましくは４５〜７０atom.％である。非磁性材料の組成比は、好ましくは３０〜５５atom.％であり、より好ましくは３５〜５０atom.％である。
【００７９】
次に、図９（ｂ）に示すように、スタンパ２１の凸部２１ｂ表面をプレ記録層１２”の表面に当接させた状態とし、その後、このスタンパ２１と導電下地膜１４との間に電圧を印加する。これにより、プレ記録層１２”においては、スタンパ２１の凸部２１ｂと接した部位が通電によって部分的に加熱させられる。加熱温度は、たとえば１００〜３００℃である。
【００８０】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態は、熱力学的に準安定状態にあるので、所定の刺激に誘発されて、より安定な状態（たとえば、真の平衡状態）に至るまで、強磁性材料を主成分とする強磁性相と非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離（スピノーダル分解）し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を生じ得る。本工程においては、このような現象を利用することにより、記録磁性部１２Ａをパターン形成する。
【００８１】
具体的には、プレ記録層１２”（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）において、スタンパ２１の凸部２１ｂに接した状態で加熱される部位では、熱エネルギに誘発されることにより、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し、さらに掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、強磁性相と非磁性相とが相分離し、これら強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２”においてスタンパ２１の凸部２１ｂと対向しない部位は、加熱されにくいために非磁性状態が維持され、その結果、非記録磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程では、このようにして、プレ記録層１２”から、記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。本実施形態のスタンパ２１も、第１実施形態のものと同様の構成を有するが、これとは全く別の用途に用いられ、電圧印加工程において部分的に電圧を印加するために繰り返し用いられるものである。
【００８２】
その後、図示しないが、記録層１２の表面に保護膜を形成することにより、先述した図４（ｄ）と同様の積層構造が形成される。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを製造することができる。
【００８３】
したがって、本実施形態の方法によっても、スタンパ２１を繰り返し用いて部分的に電圧を印加することができるので、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを効率よく製造することができる。
【００８４】
上記の各実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００８５】
（付記１）
第１導電膜、第２導電膜、当該第１および第２導電膜の間の磁性膜、並びに、当該磁性膜および前記第２導電膜の間に介在する絶縁膜パターン、を含む積層構造において、前記第１および第２導電膜の間に電圧を印加する電圧印加工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
【００８６】
（付記２）
第１導電膜上に磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜上に絶縁膜パターンを形成する絶縁膜パターン形成工程と、
前記絶縁膜パターンを覆うようにして前記磁性膜上に第２導電膜を形成する工程と、
前記第１および第２導電膜の間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
【００８７】
（付記３）
前記絶縁膜パターン形成工程においては、凹凸パターンを有し且つ少なくとも凸部の表面に絶縁材料の付着している基材を用いて行うスタンプ法により、前記磁性膜上に前記絶縁膜パターンを形成する、付記２に記載の磁気記録媒体製造方法。
【００８８】
（付記４）
前記絶縁膜パターン形成工程の後、前記絶縁膜パターンを加熱して乾燥または硬化させる、付記２または３に記載の磁気記録媒体製造方法。
【００８９】
（付記５）
導電膜上に磁性膜を形成する工程と、
凹凸パターンの凸部を有するスタンパを用い、前記磁性膜上に前記スタンパの凸部表面を当接させた状態で当該スタンパと前記導電膜との間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
【００９０】
（付記６）
導電膜上に磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜上に金属拡散膜を形成する工程と、
凹凸パターンの凸部を有するスタンパを用い、前記金属拡散膜上に前記スタンパの凸部表面を当接させた状態で当該スタンパと前記導電膜との間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
【００９１】
（付記７）
前記電圧印加工程の前においては前記磁性膜は垂直磁化膜であり、前記電圧印加工程では、当該磁性膜において前記第２導電膜もしくは前記スタンパの凸部が直接に接する箇所または前記スタンパの凸部と対応する箇所を、電圧印加により垂直磁化状態から面内磁化状態または非磁性状態に変化させる、付記１から６のいずれか一つに記載の磁気記録媒体製造方法。
【００９２】
（付記８）
導電膜上に非磁性膜を形成する工程と、
凹凸パターンの凸部を有するスタンパを用い、前記非磁性膜上に前記スタンパの凸部表面を当接させた状態で当該スタンパと前記導電膜との間に電圧を印加する電圧印加工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
【００９３】
（付記９）
前記電圧印加工程の前において、前記非磁性膜は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した非磁性状態にあり、前記電圧印加工程では、当該非磁性膜において前記スタンパの凸部が直接に接する箇所を電圧印加により非磁性状態から垂直磁化状態に変化させる、付記８に記載の磁気記録媒体製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明に係る磁気ディスク製造方法により製造することのできる磁気ディスクの平面図である。
【図２】本発明に係る磁気ディスク製造方法により製造することのできる磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る磁気ディスク製造方法における一部の工程を表す。
【図４】図３の後に続く工程を表す。
【図５】スタンパの作製方法における一部の工程を表す。
【図６】図５の後に続く工程を表す。
【図７】本発明の第２実施形態に係る磁気ディスク製造方法における一部の工程を表す。
【図８】本発明の第３実施形態に係る磁気ディスク製造方法における一部の工程を表す。
【図９】本発明の第４実施形態に係る磁気ディスク製造方法における一部の工程を表す。
【図１０】ディスクリートトラックメディアである従来の磁気ディスクの平面図である。
【図１１】図１０に示す従来の磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図１２】図１０に示す従来の磁気ディスクの製造方法における一部の工程を表す。
【図１３】図１２の後に続く工程を表す。
【符号の説明】
【００９５】
Ｘ，７０        磁気ディスク
１１，７１      ディスク基板
１２，７２      記録層
１２’          磁性膜
１２”          プレ記録層（非磁性膜）
１２Ａ，７２Ａ      記録磁性部
１２Ｂ          非記録磁性部
１３            軟磁性層
１４            導電下地膜
１５，７３      保護膜
１６            記録面
２１            スタンパ
２１ａ          スタンパ本体
２１ｂ          凸部
２２            絶縁膜パターン
２２’          絶縁材料
２３            導電膜
２４            金属拡散膜
【図１】
2007273069.tif 000003
【図２】
2007273069.tif 000004
【図３】
2007273069.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007273069.tif 000007
【図６】
2007273069.tif 000008
【図７】
2007273069.tif 000009
【図８】
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【図９】
2007273069.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2007273069.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2007273069.tif 000015