(57)【要約】【課題】  第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板を製造する方法において、絶縁膜の界面付近でのリーク特性を向上させる。【解決手段】  本発明の素子基板製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０を形成する工程と、第１導電膜２０上に絶縁膜３０を形成する工程と、絶縁膜３０上に第２導電膜４０を形成する工程とを有する。絶縁膜３０の形成工程では、絶縁膜３０における界面付近３２，３５と内部３６との間で処理条件が異なる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、第１導電膜を形成する工程と、
前記第１導電膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に第２導電膜を形成する工程と、を有し、
前記絶縁膜の形成工程では、前記絶縁膜における界面付近と内部との間で処理条件が異なることを特徴とする素子基板製造方法。
【請求項２】
前記絶縁膜の形成工程における処理条件について、前記絶縁膜における内部に比べて界面付近が比較的低比誘電率条件であることを特徴とする請求項１に記載の素子基板製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜の形成工程は、第１ガスを供給して前記第１導電膜上に第１層を形成する工程と、第２ガスを供給して前記第１層の比誘電率を低くする工程と、前記第１ガスを供給して前記第１層上に第２層を形成する工程と、前記第２ガスを供給して前記第２層の露出面付近の比誘電率を低くする工程と、を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の素子基板製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜の形成に含まれる前記複数の工程を、同一のチャンバ内にて連続的に行うことを特徴とする請求項３に記載の素子基板製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜の形成に含まれる前記複数の工程のそれぞれに、化学的気相成長法を用いることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の素子基板製造方法。
【請求項６】
前記第１ガスがシラン系ガスと補ガスとを含み、
前記第２ガスが単一ガスを含むことを特徴とする請求項３から請求項５のいずれかに記載の素子基板製造方法。
【請求項７】
前記補ガスが、アルゴン、アンモニア、窒素、酸素、二酸化窒素、及び一酸化窒素から選ばれる１種又は２種以上のガスを含み、
前記第２ガスが、アンモニア、二酸化窒素、一酸化窒素、及び酸素から選ばれる１種のガスからなることを特徴とする請求項６に記載の素子基板製造方法。
【請求項８】
前記第１層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記第２層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記第２層における比誘電率を低くする部分の厚さが０．５ｎｍ以上１ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３から請求項７のいずれかに記載の素子基板製造方法。
【請求項９】
前記絶縁膜の形成工程は、第１ガスを供給して前記第１導電膜上に第１層を形成する工程と、第２ガスを供給して前記第１層上に第２層を形成する工程と、第３ガスを供給して前記第２層上に第３層を形成する工程と、を含み、
前記第２層に対する処理条件に比べて前記第１層及び前記第３層に対する処理条件が比較的低比誘電率条件であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の素子基板製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜の形成に含まれる前記複数の工程を、同一のチャンバ内にて連続的に行うことを特徴とする請求項９に記載の素子基板製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁膜の形成に含まれる前記複数の工程のそれぞれに、化学的気相成長法を用いることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の素子基板製造方法。
【請求項１２】
前記第１ガス、前記第２ガス、及び前記第３ガスがそれぞれシラン系ガスを含み、
前記第２ガスに比べて前記第１ガス及び前記第３ガスに含まれる前記シラン系ガスの比率が高いことを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれかに記載の素子基板製造方法。
【請求項１３】
前記第１ガス、前記第２ガス、及び前記第３ガスがそれぞれシラン系ガスとアンモニアとを含み、
前記第１ガス及び前記第３ガスにおけるアンモニアに対するシラン系ガスの比率が０．０５以上０．１５以下であり、
前記第２ガスにおけるアンモニアに対するシラン系ガスの比率が０．０２以上０．０５以下であることを特徴とする請求項１２に記載の素子基板製造方法。
【請求項１４】
前記第２層に対する処理圧力に比べて前記第１層及び前記第３層に対する処理圧力が高いことを特徴とする請求項９から請求項１３のいずれかに記載の素子基板製造方法。
【請求項１５】
前記第１層及び前記第３層の形成に対する処理圧力が２７０Ｐａ以上７００Ｐａ以下であり、
前記第２層の形成に対する処理圧力が６５Ｐａ以上２７０Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１４に記載の素子基板製造方法。
【請求項１６】
前記第１層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記第２層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記第３層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９から請求項１５のいずれかに記載の素子基板製造方法。
【請求項１７】
基体と、
前記基体上に形成された第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第２導電膜と、を備え、
前記絶縁膜における界面付近と内部との間で膜質が異なることを特徴とする素子基板。
【請求項１８】
前記絶縁膜における内部に比べて界面付近の比誘電率が低いことを特徴とする請求項１７に記載の素子基板。
【請求項１９】
前記絶縁膜における界面付近の比誘電率が６．４以上７．３以下であり、前記絶縁膜における内部の比誘電率が７．１以上７．７以下であることを特徴とする請求項１８に記載の素子基板。
【請求項２０】
前記絶縁膜がシリコン化合物からなり、
前記絶縁膜における内部に比べて界面付近のシリコンに対する水素の比率が低いことを特徴とする請求項１７から請求項１９のいずれかに記載の素子基板。
【請求項２１】
前記絶縁膜の厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１７から請求項２０のいずれかに記載の素子基板。
【請求項２２】
前記絶縁膜が前記第１導電膜上に順に積層された第１層と第２層とを有し、
前記第１層の比誘電率と前記第２層における前記第２導電膜側の界面付近の比誘電率とが前記第２層の内部の比誘電率に比べて低いことを特徴とする請求項１７から請求項２１のいずれかに記載の素子基板。
【請求項２３】
前記第１層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記第２層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記第２層における比誘電率の低い部分の厚さが０．５ｎｍ以上１ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２２に記載の素子基板。
【請求項２４】
前記絶縁膜が前記第１導電膜上に順に積層された第１層と第２層と第３層とを有し、
前記第１層及び第３層の比誘電率が前記第２層の比誘電率に比べて低いことを特徴とする請求項１７から請求項２１のいずれかに記載の素子基板。
【請求項２５】
前記第１層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記第２層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記第３層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２４に記載の素子基板。
【請求項２６】
請求項１から請求項１６のいずれかに記載の素子基板製造方法により得られたことを特徴とする素子基板。
【請求項２７】
請求項１７から請求項２６のいずれかに記載の素子基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２８】
請求項２７に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板製造方法、素子基板、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体装置などの電子装置の構成素子として、第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子が用いられる。こうした素子を具備した基板の製造方法においては、上記素子における絶縁膜の形成に、化学的気相成長法（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）を用いる技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−４３７４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
こうした素子基板製造方法では、一般に、高い素子特性が得られるように、絶縁膜の比誘電率の向上が望まれる。しかしながら、第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造では、絶縁膜の膜質の改善に熱的な制限があることなどから、絶縁膜の比誘電率の向上に伴い、絶縁膜の界面付近でのリーク特性が低下する傾向にある。
【０００４】
本発明は、第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板を製造する方法において、絶縁膜の界面付近でのリーク特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の素子基板製造方法は、基体上に、第１導電膜を形成する工程と、前記第１導電膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第２導電膜を形成する工程と、を有し、前記絶縁膜の形成工程では、前記絶縁膜における界面付近と内部との間で処理条件が異なることを特徴とする。
【０００６】
このような素子基板製造方法によれば、絶縁膜の内部での誘電率を高く維持したまま、その絶縁膜の界面付近でのリーク特性を向上させることができる。
【０００７】
本発明の素子基板製造方法において、前記絶縁膜の形成工程における処理条件について、前記絶縁膜における内部に比べて界面付近が比較的低比誘電率条件であるのが好ましい。
これによれば、絶縁膜における界面付近の誘電率をその絶縁膜の内部に比べて低くすることができる。そして、絶縁膜における界面付近における誘電率が低くなることにより、その界面付近でのリーク特性が向上する。
【０００８】
本発明の素子基板製造方法において、前記絶縁膜の形成工程は、第１ガスを供給して前記第１導電膜上に第１層を形成する工程と、第２ガスを供給して前記第１層の比誘電率を低くする工程と、前記第１ガスを供給して前記第１層上に第２層を形成する工程と、前記第２ガスを供給して前記第２層の露出面付近の比誘電率を低くする工程と、を含むことが好ましい。
これによれば、第１ガスにより第１層及び第２層が形成されるとともに、第２ガスの供給により第１層の比誘電率と第２層の一面付近の比誘電率とが低下する。すなわち、界面付近（第１層、及び第２層の一面付近）の誘電率が内部（第２層の内部）に比べて低い絶縁膜を形成することができる。また、第１層及び第２層の形成に、同じ第１ガスを用いることにより、処理の簡素化が図られる。
【０００９】
この場合、前記絶縁膜の形成に含まれる前記複数の工程を、同一のチャンバ内にて連続的に行うことが好ましい。
【００１０】
また、前記絶縁膜の形成に含まれる前記複数の工程のそれぞれに、化学的気相成長法を用いることが好ましい。
【００１１】
また、前記第１ガスがシラン系ガスと補ガスとを含み、前記第２ガスが単一ガスを含むことが好ましい。
【００１２】
また、前記補ガスが、アルゴン（Ａｒ）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、及び一酸化窒素（ＮＯ）から選ばれる１種又は２種以上のガスを含み、前記第２ガスが、アンモニア（ＮＨ３）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、及び酸素（Ｏ２）から選ばれる１種のガスからなることが好ましい。
【００１３】
また、前記第１層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、前記第２層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、前記第２層における比誘電率を低くする部分の厚さが０．５ｎｍ以上１ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
本発明の素子基板製造方法において、前記絶縁膜の形成工程は、第１ガスを供給して前記第１導電膜上に第１層を形成する工程と、第２ガスを供給して前記第１層上に第２層を形成する工程と、第３ガスを供給して前記第２層上に第３層を形成する工程と、を含み、前記第２層に対する処理条件に比べて前記第１層及び前記第３層に対する処理条件が比較的低比誘電率条件であることが好ましい。
これによれば、界面付近（第１層及び第３層）の比誘電率が内部（第２層）に比べて低い絶縁膜を形成することができる。
【００１５】
この場合、前記絶縁膜の形成に含まれる前記複数の工程を、同一のチャンバ内にて連続的に行うことが好ましい。
【００１６】
また、前記絶縁膜の形成に含まれる前記複数の工程のそれぞれに、化学的気相成長法を用いることが好ましい。
【００１７】
また、前記第１ガス、前記第２ガス、及び前記第３ガスがそれぞれシラン系ガスを含み、前記第２ガスに比べて前記第１ガス及び前記第３ガスに含まれる前記シラン系ガスの比率が高いことが好ましい。
これによれば、第１層、第２層、及び第３層のそれぞれの形成に同種のガス（シラン系ガス）を使用することにより、処理の簡素化が図られる。また、使用ガスに含まれるシラン系ガスの比率の差に基づいて、第１層、第２層、及び第３層の間での比誘電率に差を設けることができる。
【００１８】
この場合、前記第１ガス、前記第２ガス、及び前記第３ガスがそれぞれシラン系ガスとアンモニア（ＮＨ３）とを含み、前記第１ガス及び前記第３ガスにおけるアンモニアに対するシラン系ガスの比率（ＳｉＨ４／ＮＨ３比）が０．０５以上０．１５以下であり、前記第２ガスにおけるアンモニアに対するシラン系ガスの比率（ＳｉＨ４／ＮＨ３比）が０．０２以上０．０５以下であることが好ましい。
【００１９】
また、前記第２層に対する処理圧力に比べて前記第１層及び前記第３層に対する処理圧力が高いことが好ましい。
これによれば、第１層、第２層、及び第３層のそれぞれの形成時における処理圧力の差に基づいて、第１層、第２層、及び第３層の間での比誘電率に差を設けることができる。
【００２０】
この場合、前記第１層及び前記第３層の形成に対する処理圧力が２７０Ｐａ以上７００Ｐａ以下であり、前記第２層の形成に対する処理圧力が６５Ｐａ以上２７０Ｐａ以下であることが好ましい。
【００２１】
またこの場合、前記第１層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、前記第２層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、前記第３層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
本発明の素子基板は、基体と、前記基体上に形成された第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第２導電膜と、を備え、前記絶縁膜における界面付近と内部との間で膜質が異なることを特徴とする。
【００２３】
このような素子基板によれば、絶縁膜の内部での誘電率を高く維持したまま、その絶縁膜の界面付近でのリーク特性を向上させることができる。
【００２４】
本発明の素子基板において、前記絶縁膜における内部に比べて界面付近の比誘電率が低いことが好ましい。
これによれば、絶縁膜における界面付近における誘電率が低くなることにより、その界面付近でのリーク特性が向上する。
【００２５】
本発明の素子基板において、前記絶縁膜における界面付近の比誘電率が６．４以上７．３以下であり、前記絶縁膜における内部の比誘電率が７．１以上７．７以下であることが好ましい。
【００２６】
本発明の素子基板において、前記絶縁膜がシリコン化合物からなり、前記絶縁膜における内部に比べて界面付近のシリコンに対する水素の比率（Ｈ／Ｓｉ比）が低いことが好ましい。
【００２７】
本発明の素子基板において、前記絶縁膜の厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２８】
本発明の素子基板において、前記絶縁膜が前記第１導電膜上に順に積層された第１層と第２層とを有し、前記第１層の比誘電率と前記第２層における前記第２導電膜側の界面付近の比誘電率とが前記第２層の内部の比誘電率に比べて低いことが好ましい。
これによれば、絶縁膜の界面付近（第１層、第２層の一面付近）で比誘電率が比較的低く、その絶縁膜の内部（第２層の内部）で比誘電率が比較的高い。
【００２９】
この場合、前記第１層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、前記第２層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、前記第２層における比誘電率の低い部分の厚さが０．５ｎｍ以上１ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
本発明の素子基板において、前記絶縁膜が前記第１導電膜上に順に積層された第１層と第２層と第３層とを有し、前記第１層及び第３層の比誘電率が前記第２層の比誘電率に比べて低いことが好ましい。
これによれば、絶縁膜の界面付近（第１層及び第３層）で比誘電率が比較的低く、その絶縁膜の内部（第２層）で比誘電率が比較的高い。
【００３１】
この場合、前記第１層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、前記第２層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、前記第３層の厚さが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
また、本発明の素子基板は、先に記載の本発明の素子基板製造方法により得られたことを特徴とする。
このような素子基板によれば、絶縁膜の内部での誘電率を高く維持したまま、その絶縁膜の界面付近でのリーク特性を向上させることができる。
【００３３】
本発明の電気光学装置は、先に記載の本発明の素子基板を備えたことを特徴とする。
このような電気光学装置によれば、素子基板におけるリーク特性の向上により、表示の均一性、及び表示の高精細化が図られる。
なお、本願発明において、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。
【００３４】
本発明の電子機器は、先に記載の本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
このような電子機器によれば、表示品質の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３６】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る素子基板を示す模式断面図である。
図１に示すように、この素子基板１は、基体１０（絶縁体）と、基体１０上に形成された第１導電膜２０と、第１導電膜２０上に形成された絶縁膜３０と、絶縁膜３０上に形成された第２導電膜４０とを備える。
【００３７】
この素子基板１は、例えば、後述するように、液晶表示装置に用いられる。そして、第１導電膜２０／絶縁膜３０／第２導電膜４０の積層構造（いわゆるＭＩＭ構造）を有する素子２が、例えば、その液晶表示装置におけるスイッチング素子の少なくとも一部として用いられる。
【００３８】
第１導電膜２０は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの各種の金属材料、あるいはその金属材料を主成分とする合金材料によって形成される。
また、第２導電膜４０も同様に、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの各種の金属材料、あるいはその金属材料を主成分とする合金材料によって形成される。なお、上記の金属は一例であって、第１導電膜２０及び第２導電膜４０の形成材料は、上記以外の導電材料でもよい。また、第１導電膜２０及び第２導電膜４０の一方が、アモルファスシリコン層などの半導体膜であってもよい。
【００３９】
絶縁膜３０は、第１導電膜２０上に積層された第１層３２と、第１層３２上に積層された第２層３４とを有しており、それらは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）などのシリコン化合物からなる。この他、絶縁膜３０の形成材料としては、ハフニア（ＨｆＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、アルミナ（ＡｌＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）など、各種の絶縁材料が適用可能である。
【００４０】
第１層３２、及び第２層３４における第２導電膜４０側の界面付近３５は、第２層３４の内部３６に比べて比誘電率が低い。すなわち、絶縁膜３０における内部（第２層３４の内部３６）に比べて界面付近（第１層３２、第２層３４の界面付近３５）の比誘電率が低い。
【００４１】
具体的には、第１層３２、及び第２層３４の界面付近３５の比誘電率が６．４以上７．３以下であり、第２層３４における内部３６の比誘電率が７．１以上７．７以下である。
【００４２】
絶縁膜３０がシリコン化合物からなる場合には、第１層３２及び第２層３４を含む絶縁膜３０の全体の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。また、絶縁膜３０における第１層３２の厚さが、例えば、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。また、第２層３４の厚さが、例えば、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。また、第２層３４における比誘電率の低い部分（界面付近３５）の厚さが、例えば、０．５ｎｍ以上１ｎｍ以下である。
【００４３】
第１導電膜２０／絶縁膜３０／第２導電膜４０の積層構造を有する素子２において、絶縁膜３０における内部３６に比べて第１導電膜２０及び第２導電膜４０との各界面付近（第１層３２及び第２層３４の界面付近３５）の比誘電率が低いことにより、絶縁膜３０の内部での誘電率を高く維持したまま、その絶縁膜３０の各界面付近３２，３５でのリーク特性を向上させることができる。すなわち、絶縁膜３０の内部３６での誘電率が高いことにより、その素子２の高容量化が図られる。また、絶縁膜３０の内部３６に比べて界面付近３２，３５の誘電率が低いことにより、リーク電流による素子特性の低下が抑制される。
【００４４】
絶縁膜３０の界面付近３２，３５における比誘電率が６．４未満であると、その素子２の容量特性が低下する可能性があり、比誘電率が７．３を超えると、リーク特性が低下する可能性がある。また、絶縁膜３０の内部３６の比誘電率が７．１未満であると、その素子２の容量特性が低下する可能性があり、比誘電率が７．７を超えると、リーク特性が低下する可能性がある。
【００４５】
絶縁膜３０の界面付近３２，３５におけるリーク特性は、例えば、６Ｖ以下で２×１０−９Ａ／ｃｍ２未満である。これにより、リークによる素子特性の低下が抑制される。また、絶縁膜３０の内部３６におけるリーク特性は、例えば、６Ｖ以下で２×１０−９Ａ／ｃｍ２以上１×１０−８Ａ／ｃｍ２以下である。これにより、高容量化による素子特性の向上が図られる。
【００４６】
絶縁膜３０がシリコン化合物からなる場合には、絶縁膜３０における内部３６に比べて界面付近３２，３５のシリコンに対する水素の比率（Ｈ／Ｓｉ比）が低いことにより、絶縁膜３０における内部３６に比べて各界面付近３２，３５の比誘電率が低くなる。これは、絶縁膜３０の界面付近３２，３５における水素濃度の低下（あるいはＳｉ−Ｈ結合の減少）が低比誘電率（低リーク）につながっているためと考えられる。例えば、シリコンに対する水素の比率（Ｈ／Ｓｉ比）について、絶縁膜３０の界面付近３２，３５に比べて内部３６が１．１倍以上であるのが好ましく、１．３倍以上であるのがより好ましく、例えば約１．５倍である。
【００４７】
また、絶縁膜３０がシリコン化合物からなる場合には、第１層３２及び第２層３４を含む絶縁膜３０の全体の厚さが１０ｎｍ未満であると十分な素子容量を得るのが難しく、その厚さが４０ｎｍを超えると経済性または素子特性が低下する可能性がある。また、絶縁膜３０における第１層３２の厚さが０．５ｎｍ未満であるとリーク特性が低下する可能性があり、その厚さが１０ｎｍを超えると素子特性が低下する可能性がある。また、第２層３４の厚さが５ｎｍ未満であると十分な素子容量を得るのが難しく、その厚さが２０ｎｍを超えると経済性または素子特性が低下する可能性がある。また、第２層３４における比誘電率の低い部分（界面付近３５）の厚さが０．５ｎｍ未満であるとリーク特性が低下する可能性があり、その厚さが１ｎｍを超えると経済性または素子特性が低下する可能性がある。
【００４８】
次に、上記の素子基板１の製造方法の一例について説明する。
図２（Ａ）〜図２（Ｆ）は、上記の素子基板１を製造する方法を示す説明図である。
本例では、絶縁膜３０として窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いる。
【００４９】
図２（Ａ）〜図２（Ｆ）に示すように、この製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０を形成する工程（図２（Ａ））と、第１導電膜２０上に絶縁膜３０を形成する工程（図２（Ｂ）〜図２（Ｅ））と、絶縁膜３０上に第２導電膜４０を形成する工程（図２（Ｆ））とを有している。そして、絶縁膜３０の形成工程は、第１ガス３１を供給して第１導電膜２０上に第１層３２を形成する工程（図２（Ｂ））と、第２ガス３３を供給して第１層３２の比誘電率を低くする工程（図２（Ｃ））と、第１ガス３１を供給して第１層３２上に第２層３４を形成する工程（図２（Ｄ））と、第２ガス３３を供給して第２層３４の露出面付近の比誘電率を低くする工程（図２（Ｅ））とを含む。
【００５０】
具体的には、まず、図２（Ａ）に示すように、基体１０上に第１導電膜２０を形成する。第１導電膜２０は、スパッタ法等の公知の成膜法により、所定の金属膜または半導体膜を形成し、その後、必要に応じてフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成することができる。あるいは、第１導電膜２０は、インクジェット法を用いて金属材料または半導体材料を所定のパターン形状に配置した後に熱処理することによって形成してもよい。
【００５１】
次に、図２（Ｂ）〜図２（Ｅ）に示すように、第１導電膜２０上に絶縁膜３０を形成する。絶縁膜３０の形成には、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を用いる。そして、本例では、絶縁膜３０の形成に含まれる複数の工程（図２（Ｂ）〜図２（Ｅ））を、ＣＶＤ装置における同一のチャンバ内にて連続的に行う。
【００５２】
すなわち、絶縁膜３０の形成においては、まず、図２（Ｂ）に示すように、上記ＣＶＤ装置を用いて、第１導電膜２０上に第１ガス３１を供給して窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第１層３２を形成する。第１ガス３１は、原料ガスとしてのシラン系ガス（モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）など）と補ガスとを含む。補ガスは、キャリアガスあるいは窒化ガスであり、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、及び一酸化窒素（ＮＯ）から選ばれる１種又は２種以上のガスを含む。本例では、シリコン系ガスとしてＳｉＨ４を用い、補ガスとしてＮＨ３及びＡｒを用いる。
【００５３】
第１層３２の形成に際し、第１ガス３１におけるＮＨ３に対するＳｉＨ４の比率（ＳｉＨ４／ＮＨ３比）は例えば０．０２以上０．０５以下である。また、第１層３２の形成に対する処理圧力は例えば６５Ｐａ以上２７０Ｐａ以下である。また、第１層３２の厚さは、例えば０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００５４】
次に、図２（Ｃ）に示すように、上記ＣＶＤ装置を用いて、第１層３２の露出面に第２ガス３３を供給する。第２ガス３３は、第１層３２の比誘電率を低くする改質ガスであり、アンモニア（ＮＨ３）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、及び酸素（Ｏ２）から選ばれる１種のガス（単一ガス）からなる。本例では、改質ガスとして、ＮＨ３を用いる。そして、第１層３２（ＳｉＮ）の露出面にＮＨ３が供給され、必要に応じて熱処理がなされることにより、第１層３２の比誘電率が低下する。改質前の第１層３２の比誘電率は７．１以上７．７以下であり、改質後の第１層３２の比誘電率はこれよりも低く、例えば６．４以上７．３以下である。
【００５５】
次に、図２（Ｄ）に示すように、上記ＣＶＤ装置を用いて、改質後の第１層３２上に再び第１ガス３１を供給して窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第２層３４を形成する。第２層３４形成用の第１ガス３１は、原料ガスとしてのシラン系ガス（モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）など）と補ガスとを含み、補ガスは、キャリアガスあるいは窒化ガスであり、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、及び一酸化窒素（ＮＯ）から選ばれる１種又は２種以上のガスを含む。本例では、第２層３４形成用の第１ガス３１も、シリコン系ガスとしてのＳｉＨ４と、補ガスとしてのＮＨ３及びＡｒを含む。すなわち、第１層３２形成時と第２層３４形成時とで同じガスを用い、これにより、処理の簡素化が図られる。
【００５６】
第２層３４の形成に際し、第１ガス３１におけるＮＨ３に対するＳｉＨ４の比率（ＳｉＨ４／ＮＨ３比）は例えば０．０２以上０．０５以下である。また、第２層３４の形成に対する処理圧力は例えば６５Ｐａ以上２７０Ｐａ以下である。また、第２層３４の厚さは、例えば５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。
【００５７】
次に、図２（Ｅ）に示すように、上記ＣＶＤ装置を用いて、第２層３４の露出面に第２ガス３３を供給する。この第２ガス３３は、第２層３４の露出面付近を低くする改質ガスであり、アンモニア（ＮＨ３）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、及び酸素（Ｏ２）から選ばれる１種のガス（単一ガス）からなる。本例では、第２層３４改質用の第２ガス３３も、ＮＨ３である。すなわち、第１層３２改質時と第２層３４改質時とで同じガスを用い、これにより、処理の簡素化が図られる。そして、第２層３４（ＳｉＮ）の露出面にＮＨ３が供給され、必要に応じて熱処理がなされることにより、第２層３４の露出面付近３５の比誘電率が低下する。改質前の第２層３４の比誘電率は７．１以上７．７以下であり、改質後の第２層３４の露出面付近３５の比誘電率は例えば６．４以上７．３以下であり、改質後の第２層３４の内部３６の比誘電率は７．１以上７．７以下である。第２層３４における比誘電率が低下した部分３５の厚さは例えば０．５ｎｍ以上１ｎｍ以下である。
【００５８】
そして、図２（Ｂ）〜図２（Ｅ）の工程により、界面付近３２，３５の誘電率が内部３６に比べて低い絶縁膜３０が形成される。
【００５９】
次に、図２（Ｆ）に示すように、絶縁膜３０上に第２導電膜４０を形成する。第２導電膜４０は、第１導電膜２０と同様に、スパッタ法等の公知の成膜法により、所定の金属膜または半導体膜を形成し、その後、必要に応じてフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成することができる。あるいは、第２導電膜４０は、インクジェット法を用いて金属材料または半導体材料を所定のパターン形状に配置した後に熱処理することによって形成してもよい。
【００６０】
以上の工程により、第１導電膜２０／絶縁膜３０／第２導電膜４０の積層構造を有する素子基板１が完成する。本例の製造方法では、絶縁膜３０の界面付近３２，３５の誘電率を内部３６に比べて低くする。そのため、製造された素子基板１は、絶縁膜３０の界面付近３２，３５のリーク特性が高くなり、リーク電流による素子特性の低下が抑制されたものとなる。
【００６１】
また、本例の製造方法では、界面付近３２，３５と内部３６との間で膜質が異なる絶縁膜３０を形成するものの、複数の工程を、同一の処理装置の同一のチャンバ内にて連続的に行うことから、処理の簡素化が図られ、処理能力の向上や低コスト化に有利である。さらに、使用するガスの共通化がなされていることから、この点からも処理の簡素化が図られ、処理能力の向上や低コスト化に有利である。
【００６２】
（第２実施形態）
図３は、第２実施形態に係る素子基板を示す模式断面図である。
図３に示すように、この素子基板１０１は、基体１１０（絶縁体）と、基体１１０上に形成された第１導電膜１２０と、第１導電膜１２０上に形成された絶縁膜１３０と、絶縁膜１３０上に形成された第２導電膜１４０とを備える。
【００６３】
この素子基板１０１は、例えば、後述するように、液晶表示装置に用いられる。また、第１導電膜１２０／絶縁膜１３０／第２導電膜１４０の積層構造（いわゆるＭＩＭ構造）を有する素子１０２は、例えば、その液晶表示装置におけるスイッチング素子の少なくとも一部として用いられる。
【００６４】
第１導電膜１２０は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの各種の金属材料、あるいはその金属材料を主成分とする合金材料によって形成される。
また、第２導電膜１４０も同様に、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの各種の金属材料、あるいはその金属材料を主成分とする合金材料によって形成される。なお、上記の金属は一例であって、第１導電膜１２０及び第２導電膜１４０の形成材料は、上記以外の導電材料でもよい。また、第１導電膜１２０及び第２導電膜１４０の一方が、アモルファスシリコン層などの半導体膜であってもよい。
【００６５】
絶縁膜１３０は、第１導電膜１２０上に積層された第１層１３２と、第１層１３２上に積層された第２層１３４と、第２層１３４上に形成された第３層１３８とを有しており、それらは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）などのシリコン化合物からなる。この他、絶縁膜１３０の形成材料としては、ハフニア（ＨｆＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、アルミナ（ＡｌＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）など、各種の絶縁材料が適用可能である。
【００６６】
第１層１３２及び第３層１３８は、第２層１３４に比べて比誘電率が低い。すなわち、絶縁膜１３０における内部（第２層１３４）に比べて界面付近（第１層１３２、第３層１３８）の比誘電率が低い。
【００６７】
具体的には、第１層１３２及び第３層１３８の比誘電率が６．４以上７．３以下であり、第２層１３４の比誘電率が７．１以上７．７以下である。
【００６８】
絶縁膜１３０がシリコン化合物からなる場合には、第１層１３２、第２層１３４、及び第３層１３８を含む絶縁膜１３０の全体の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。また、絶縁膜１３０における第１層１３２の厚さが、例えば、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。また、第２層１３４の厚さが、例えば、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。また、第３層１３８の厚さが、例えば、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００６９】
第１導電膜１２０／絶縁膜１３０／第２導電膜１４０の積層構造を有する素子１０２において、絶縁膜１３０の内部である第２層１３４に比べて界面付近である第１層１３２及び第３層１３８の比誘電率が低いことにより、絶縁膜１３０の内部（１３４）での誘電率を高く維持したまま、その絶縁膜１３０の各界面付近（１３２，１３８）でのリーク特性を向上させることができる。すなわち、絶縁膜１３０の内部（１３４）での誘電率が高いことにより、その素子１０２の高容量化が図られる。また、絶縁膜１３０の内部（１３４）に比べて界面付近（１３２，１３８）の誘電率が低いことにより、リーク電流による素子特性の低下が抑制される。
【００７０】
絶縁膜１３０の界面付近（第１層１３２、第３層１３８）における比誘電率が６．４未満であると、その素子１０２の容量特性が低下する可能性があり、比誘電率が７．３を超えると、リーク特性が低下する可能性がある。また、絶縁膜１３０の内部（１３４）の比誘電率が７．１未満であると、その素子１０２の容量特性が低下する可能性があり、比誘電率が７．７を超えると、リーク特性が低下する可能性がある。
【００７１】
絶縁膜１３０の界面付近（第１層１３２、第３層１３８）におけるリーク特性は、例えば、６Ｖ以下で２×１０−９Ａ／ｃｍ２未満である。これにより、リークによる素子特性の低下が抑制される。また、絶縁膜１３０の内部（第２層１３４）におけるリーク特性は、例えば、６Ｖ以下で２×１０−９Ａ／ｃｍ２以上１×１０−８Ａ／ｃｍ２以下である。これにより、高容量化による素子特性の向上が図られる。
【００７２】
絶縁膜１３０がシリコン化合物からなる場合には、絶縁膜１３０における第２層１３４に比べて第１層１３２及び第３層１３８のシリコンに対する水素の比率（Ｈ／Ｓｉ比）が低いことにより、第２層１３４に比べて第１層１３２及び第３層１３８の比誘電率が低くなる。これは、第１層１３２及び第３層１３８における水素濃度の低下（あるいはＳｉ−Ｈ結合の減少）が低比誘電率（低リーク）につながっているためと考えられる。例えば、シリコンに対する水素の比率（Ｈ／Ｓｉ比）について、絶縁膜１３０の第１層１３２及び第３層１３８に比べて第２層１３４が１．１倍以上であるのが好ましく、１．３倍以上であるのがより好ましく、例えば約１．５倍である。
【００７３】
また、絶縁膜１３０がシリコン化合物からなる場合には、第１層１３２、第２層１３４、及び第３層１３８を含む絶縁膜１３０の全体の厚さが１０ｎｍ未満であると十分な素子容量を得るのが難しく、その厚さが４０ｎｍを超えると経済性または素子特性が低下する可能性がある。また、絶縁膜１３０における第１層１３２及び第３層１３８の厚さが０．５ｎｍ未満であるとリーク特性が低下する可能性があり、その厚さが１０ｎｍを超えると素子特性が低下する可能性がある。また、第２層１３４の厚さが５ｎｍ未満であると十分な素子容量を得るのが難しく、その厚さが２０ｎｍを超えると経済性または素子特性が低下する可能性がある。
【００７４】
次に、上記の素子基板１０１の製造方法の一例について説明する。
図４は、上記の素子基板１０１の製造方法の説明図である。
本例では、絶縁膜１３０として窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いる。
【００７５】
図４（Ａ）〜図４（Ｆ）に示すように、この製造方法は、基体１１０上に、第１導電膜１２０を形成する工程（図４（Ａ））と、第１導電膜１２０上に絶縁膜１３０を形成する工程（図４（Ｂ）〜図４（Ｄ））と、絶縁膜１３０上に第２導電膜１４０を形成する工程（図４（Ｅ））とを有している。そして、絶縁膜１３０の形成工程は、第１ガス１３１を供給して第１導電膜１２０上に第１層１３２を形成する工程（図４（Ｂ））と、第２ガス１３３を供給して第１層１３２上に第２層１３４を形成する工程（図４（Ｃ））と、第３ガス１３７を供給して第２層１３４上に第３層１３８を形成する工程（図４（Ｄ））とを含む。
【００７６】
具体的には、まず、図４（Ａ）に示すように、基体１１０上に第１導電膜１２０を形成する。第１導電膜１２０は、スパッタ法等の公知の成膜法により、所定の金属膜または半導体材料を形成し、その後、必要に応じてフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成することができる。あるいは、第１導電膜１２０は、インクジェット法を用いて金属材料または半導体材料を所定のパターン形状に配置した後に熱処理することによって形成してもよい。
【００７７】
次に、図４（Ｂ）〜図４（Ｄ）に示すように、第１導電膜１２０上に絶縁膜１３０を形成する。絶縁膜１３０の形成には、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を用いる。そして、本例では、絶縁膜１３０の形成に含まれる複数の工程（図４（Ｂ）〜図４（Ｅ））を、ＣＶＤ装置における同一のチャンバ内にて連続的に行う。そして、各工程ごとに供給ガスの種類、供給ガスの流量、処理圧力等をパラメータとして処理条件を制御することにより、界面付近と内部との間で膜質が異なる絶縁膜１３０を形成する。
【００７８】
すなわち、絶縁膜１３０の形成においては、まず、図４（Ｂ）に示すように、上記ＣＶＤ装置を用いて、第１導電膜１２０上に第１ガス１３１を供給して窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第１層１３２を形成する。第１ガス１３１は、原料ガスとしてのシラン系ガス（モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）など）と補ガスとを含む。補ガスは、キャリアガスあるいは窒化ガスであり、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、及び一酸化窒素（ＮＯ）から選ばれる１種又は２種以上のガスを含む。本例では、シリコン系ガスとしてＳｉＨ４を用い、補ガスとしてＮＨ３及びＡｒを用いる。
【００７９】
第１層１３２の形成に際し、第１ガス１３１におけるＮＨ３に対するＳｉＨ４の比率（ＳｉＨ４／ＮＨ３比）は例えば０．０５以上０．１５以下である。また、第１層１３２の形成に対する処理圧力は例えば２７０Ｐａ以上７００Ｐａ以下である。また、第１層１３２の厚さは、例えば０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００８０】
次に、図４（Ｃ）に示すように、上記ＣＶＤ装置を用いて、第１層１３２上に第２ガス１３３を供給して窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第２層１３４を形成する。第２ガス１３３は、原料ガスとしてのシラン系ガス（モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）など）と補ガスとを含む。補ガスは、キャリアガスあるいは窒化ガスであり、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、及び一酸化窒素（ＮＯ）から選ばれる１種又は２種以上のガスを含む。本例では、第２ガス１３３は、第１ガス１３１と同様に、シリコン系ガスとしてＳｉＨ４を用い、補ガスとしてＮＨ３及びＡｒを用いる。
【００８１】
第２層１３４の形成に際し、第２ガス１３３におけるＮＨ３に対するＳｉＨ４の比率（ＳｉＨ４／ＮＨ３比）は例えば０．０２以上０．０５以下である。また、第２層１３４の形成に対する処理圧力は例えば６５Ｐａ以上２７０Ｐａ以下である。また、第２層１３４の厚さは、例えば５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。
【００８２】
次に、図４（Ｄ）に示すように、上記ＣＶＤ装置を用いて、第２層１３４上に第３ガス１３７を供給して窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第３層１３８を形成する。第３ガス１３７は、原料ガスとしてのシラン系ガス（モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）など）と補ガスとを含む。補ガスは、キャリアガスあるいは窒化ガスであり、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、及び一酸化窒素（ＮＯ）から選ばれる１種又は２種以上のガスを含む。本例では、第３ガス１３７は、第１ガス１３１及び第２ガス１３３と同様に、シリコン系ガスとしてＳｉＨ４を用い、補ガスとしてＮＨ３及びＡｒを用いる。
【００８３】
第３層１３８の形成に際し、第３ガス１３７におけるＮＨ３に対するＳｉＨ４の比率（ＳｉＨ４／ＮＨ３比）は例えば０．０５以上０．１５以下である。また、第３層１３８の形成に対する処理圧力は例えば２７０Ｐａ以上７００Ｐａ以下である。また、第３層１３８の厚さは、例えば０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００８４】
そして、図４（Ｂ）〜図４（Ｄ）の工程により、内側の第２層１３４に比べて外側の第１層１３２及び第３層１３８の誘電率が低い絶縁膜１３０が形成される。絶縁膜１３０の第２層１３４の比誘電率は７．１以上７．７以下であり、第１層１３２及び第３層１３８の比誘電率はこれよりも低く、例えば６．４以上７．３以下である。
【００８５】
次に、図４（Ｄ）に示すように、絶縁膜１３０上に第２導電膜１４０を形成する。第２導電膜１４０は、第１導電膜１２０と同様に、スパッタ法等の公知の成膜法により、所定の金属膜または半導体膜を形成し、その後、必要に応じてフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成することができる。あるいは、第２導電膜１４０は、インクジェット法を用いて金属材料または半導体材料を所定のパターン形状に配置した後に熱処理することによって形成してもよい。
【００８６】
以上の工程により、第１導電膜１２０／絶縁膜１３０／第２導電膜１４０の積層構造を有する素子基板１０１が完成する。本例の製造方法では、絶縁膜１３０の界面付近（第１層１３２、第３層１３８）の誘電率を内部（第２層１３４）に比べて低くする。そのため、製造された素子基板１０１は、絶縁膜１３０の界面付近（１３２，１３８）のリーク特性が高くなり、リーク電流による素子特性の低下が抑制されたものとなる。
【００８７】
また、本例の製造方法では、界面付近（１３２，１３８）と内部（１３４）との間で膜質が異なる絶縁膜１３０を形成するものの、複数の工程を、同一の処理装置の同一のチャンバ内にて連続的に行うことから、処理の簡素化が図られ、処理能力の向上や低コスト化に有利である。さらに、絶縁膜１３０の工程における複数の工程で使用するガスが同一種類であることから、この点からも処理の簡素化が図られ、処理能力の向上や低コスト化に有利である。
【００８８】
なお、本例では、供給ガスの流量比と処理圧力とをパラメータとして処理条件を制御することにより、界面付近と内部との間で膜質が異なる絶縁膜１３０を形成したが、制御パラメータは上記のものに限定されない。例えば、制御パラメータとして、使用するガスの種類、基体１１０を保持するステージの温度、処理パワー、Ａｒなどのキャリアガスの流量、及び膜均一性向上のために基体１１０に隣接して配設される天板と基体１１０とのギャップなどを使用することもできる。
【００８９】
（電気光学装置）
次に、本発明の素子基板が適用される電気光学装置の一例として、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。
図５は液晶表示装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図６は図５のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００９０】
図５及び図６に示すように、液晶表示装置３００は、アレイ基板３１０（基板）と対向基板３２０とがシール材３５２によって貼り合わされ、このシール材３５２によって区画された領域内に液晶層３５０が封入されている。シール材３５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）３５３が形成されている。シール材３５２の外側の領域には、データ線駆動回路４０１及び外部回路実装端子４０２がアレイ基板３１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路４０４が形成されている。アレイ基板３１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路４０４の間を接続するための複数の配線４０５が設けられている。また、対向基板３２０の角部においては、アレイ基板３１０と対向基板３２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材４０６が配設されている。
【００９１】
なお、データ線駆動回路４０１及び走査線駆動回路４０４をアレイ基板３０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とアレイ基板３１０上の端子群とを異方性導電膜を介して接続するようにしてもよい。液晶表示装置３００においては、使用する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００９２】
図７は、図５の液晶表示装置３００の表示領域の画素を拡大して示した平面図である。
図７に示すように、液晶表示装置３００の表示領域には、Ｘ軸方向に延在する走査線３０７ａ，３０７ｂ，…，３０７ｍと、Ｙ軸方向に延在するデータ線３０６ａ，３０６ｂ，…，３０６ｎが互いに交差して形成されている。走査線３０７ａには、パルス的に走査信号Ｇ１が印加され、同様に走査線３０７ｂ，…，３０７ｍには、走査信号Ｇ２，…，Ｇｍがこの順に線順次で印加される。データ線３０６ａには、画素信号Ｓ１が供給され、同様にデータ線３０６ａ，…，３０６ｎには、画素信号Ｓ２，…，Ｓｎがこの順に線順次で供給される。走査線３０７ａ，３０７ｂ…とデータ線３０６ａ，３０６ｂ…とに区画される領域には、複数のサブ画素５１０ａ，５１０ｂ…がマトリクス状に形成されている。
【００９３】
サブ画素５１０ａについて、下部電極３３４が、走査線３０７ａ及びデータ線３０６ａ上に跨って略Ｌ字状に形成されている。この下部電極３３４の配線幅は、データ線３０６ａと略同じ配線幅であり、画素電極３０９の一部と平面的に重なって形成されている。容量線３０３ａは、走査線３０７ａ上に延在して形成されている。そして、データ線３０６ａと交差する容量線３０３ａ部分においては、データ線３０６ａ上に沿って延出して形成され、延出方向の長さは下部電極３３４の端部と略重なる位置にまで延出している。ここでは、Ｌ字状の下部電極３３４に対向する位置に形成される容量線３０３ａを上部電極３０３と称している。また、下部電極３３４と上部電極３０３と両者の間に配設される不図示の絶縁膜とによってキャパシタ配線３６０が構成されている。スイッチング素子３３０は、走査線３０７ａとデータ線３０６ａとの交差領域に形成されている。また、画素電極３０９は、走査線３０７ａとデータ線３０６ａとに区画される領域に形成されている。そして、画素電極３０９は、コンタクトホール３４０を介してキャパシタ３６０の下部電極３３４に電気的に接続されている。
【００９４】
スイッチング素子３３０は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子、またはＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる。本発明における第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造は、ＴＦＤ素子におけるＭＩＭ構造として適用することができる。あるいは、本発明における第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造は、ＴＦＴ素子におけるゲート電極／ゲート絶縁膜／半導体層の積層構造として適用することができる。そして、この液晶表示装置３００によれば、上記適用により、スイッチング素子３３０におけるリーク特性が向上し、表示の均一性、及び表示の高精細化が図られる。
【００９５】
（電子機器）
次に、電子機器について説明する。
図８は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００９６】
なお、上述した電気光学装置は、携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。
【００９７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】第１実施形態に係る素子基板を示す模式断面図。
【図２】第１実施形態の素子基板の製造方法の説明図。
【図３】第２実施形態に係る素子基板を示す模式断面図。
【図４】第２実施形態の素子基板の製造方法の説明図。
【図５】液晶表示装置の全体構成を示す平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図７】同、液晶表示装置のサブ画素を示す平面図。
【図８】電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００９９】
１…素子基板、２…素子、１０…基体、２０…第１導電膜、３０…絶縁膜、３１…第１ガス、３２…第１層（界面付近）、３３…第２ガス、３４…第２層、３５…界面付近、３６…内部、４０…第２導電膜、１０１…素子基板、１０２…素子、１１０…基体、１２０…第１導電膜、１３０…絶縁膜、１３１…第１ガス、１３２…第１層（界面付近）、１３３…第２ガス、１３４…第２層（内部）、１３７…第３ガス、１３８…第３層（界面付近）、１４０…第２導電膜、３００…液晶表示装置（電気光学装置）、３３０…スイッチング素子、５１０ａ…サブ画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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