(57)【要約】【課題】  従来の保護回路は電力検出回路や分配器等を用いるため、送受信機小型化の妨げとなっていた。また送受信機性能向上のために、保護回路での高周波信号の電力損失を低減させなくてはならないという課題があった。【解決手段】  誘電体基板上に配置される、高周波信号の３／４波長である３／４波長伝送線路と、３／４波長伝送線路の両端と接続可能な第１及び第２の終端回路と、高周波信号を伝送しＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを介して３／４波長伝送線路の各端と第１及び第２の終端回路に接続可能な閉区間長が高周波信号の１／４波長である１／４波長伝送線路を備え、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは高周波電力が閾値を超えない場合は、１／４波長伝送線路を３／４波長伝送線路の両端と第１及び第２の終端回路に接続せず、閾値を超えた場合は接続させ、高周波電力を減衰させることを特徴とする保護回路である。【選択図】  図５
2007267158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号の電力過入力時にＲＦ−ＭＥＭＳスイッチの接続により高周波回路を保護する保護回路であって、
誘電体基板上に配線され、前記高周波信号の３／４波長の電気長を有する３／４波長伝送線路と、
前記誘電体基板上に配置され、一端は前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを介して前記３／４波長伝送線路の両端のうち一端と接続可能であり、他端はＧＮＤに接地している第１の終端回路と、
前記誘電体基板上に配置され、一端は前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを介して前記３／４波長伝送線路の両端のうち他端と接続可能であり、他端はＧＮＤに接地している第２の終端回路と、
前記誘電体基板上に配線され、前記高周波信号を伝送し、前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを介して前記３／４波長伝送線路の一端と前記第１の終端回路に接続可能であり、また前記３／４波長伝送線路の他端と前記第２の終端回路に接続可能である閉区間の長さが前記高周波信号の１／４波長の電気長を有する１／４波長伝送線路とを備え、
前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは、
前記高周波信号の電力が所定の閾値を超えない場合は、前記１／４波長伝送線路と前記３／４波長伝送線路の両端と前記第１の終端回路と前記第２の終端回路を接続せず、
前記高周波信号の電力が前記所定の閾値を超えた場合は、前記１／４波長伝送線路と前記３／４波長伝送線路の両端と前記第１の終端回路と前記第２の終端回路を接続し、前記１／４波長伝送線路を伝送する前記高周波信号の電力を減衰させる
ことを特徴とする保護回路。
【請求項２】
前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは、
誘電体である梁の両端のうち少なくとも一端が前記誘電体基板上に設置した支持部に固定され、
前記梁は
前記１／４波長伝送線路と前記３／４波長伝送線路の一端と前記第１の終端回路に接触可能な長さを有し前記誘電体基板に面した側に取り付けられ、また前記１／４波長伝送線路と前記３／４波長伝送線路の他端と前記第２の終端回路に接触可能な長さを有し前記誘電体基板に面した側に取り付けられる接触電極と、
前記梁に取り付けられるＧＮＤ電位の上部駆動電極とを備え、
前記高周波信号の電力が所定の閾値を超えない場合は、前記梁の復元力が前記上部駆動電極と前記１／４波長伝送線路との間に発生する静電力より強いため、前記接触電極が前記１／４波長伝送線路と前記３／４波長伝送線路の両端と前記第１の終端回路と前記第２の終端回路に接触せず、
前記高周波信号の電力が前記所定の閾値を超えた場合は、前記静電力が前記復元力より強いため、前記接触電極が前記１／４波長伝送線路と前記３／４波長伝送線路の両端と前記第１の終端回路と前記第２の終端回路に接触し前記高周波信号の電力を減衰させる
ことを特徴とする請求項１記載の保護回路。
【請求項３】
前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは、前記梁の一端を前記支持部にて固定したカンチレバー構造であることを特徴とする請求項２記載の保護回路。
【請求項４】
前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは、前記梁の両端を前記支持部にて固定した平行平板構造であることを特徴とする請求項２記載の保護回路。
【請求項５】
前記上部駆動電極は、前記梁において前記誘電体基板に面した側と反対側に取り付けられることを特徴とする請求項２から４のうちいずれか一項記載の保護回路。
【請求項６】
前記上部駆動電極は、前記梁において前記誘電体基板に面した側に取り付けられ、前記静電力による変位方向に対して前記接触電極の高さが前記上部駆動電極の高さよりも高いことを特徴とする請求項２から４のうちいずれか一項記載の保護回路。
【請求項７】
前記１／４波長伝送線路と前記３／４波長伝送線路は、マイクロストリップ線路であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項記載の保護回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号の電力過入力に対して高周波回路の保護を行う保護回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波回路において、入力する高周波信号の電力が許容範囲を超えた過入力である場合、高周波回路が破損してしまうことがある。よって、例えば従来の受信機には、電力過入力による高周波回路の破損を防ぐために保護回路が用いられることが多い。
【０００３】
例えば保護回路の一例として、分配器と異常電界レベル減衰回路と増幅回路と減衰回路と受信レベル検出回路と電力供給回路を用いた保護回路がある。受信信号は、分配器にて異常電界レベル減衰回路と減衰回路に電力分配される。受信レベル検出回路は、減衰回路で減衰された受信信号から異常電界レベル減衰回路で調整可能な信号レベルかを判定し、異常電界レベル減衰回路に減衰量を調整する信号を出力する。
【０００４】
異常電界レベル減衰回路で調整可能な信号レベルと判定されたときは、異常電界レベル減衰回路は受信レベル検出回路からの信号に応じた減衰量で減衰した信号を増幅回路に出力する。一方、異常電界レベル減衰回路で調整できない信号レベルと判定されたときは、電力供給回路は異常電界レベル減衰回路と増幅回路への電力を遮断する、という従来技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２３４１５７号公報（第４〜５頁、第６図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし従来技術の保護回路は、上記のとおり受信レベルを検出するための検出回路や分配器等を用いるため、送受信機の小型化を図る上で妨げとなっていた。
【０００７】
また従来の減衰回路では、例えば、導通の場合は機械スイッチや半導体スイッチ等をＯＮ状態にして導通させており、後段の高周波回路を保護する場合は、機械スイッチや半導体スイッチ等をＯＦＦにして入力電力を遮断させている。
【０００８】
よって機械スイッチや半導体スイッチ等の使用により入力電力が許容範囲内であっても高周波信号の電力損失が発生する。従って送受信機性能の向上を図るために、保護回路による高周波信号の損失をできるだけ低減させなくてはならないという課題があった。
【０００９】
本発明は係る課題を解決するためになされたものであり、高周波信号の電力過入力に対して高周波回路を保護しつつ回路の小型化と高周波信号の電力損失低減を図る保護回路を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る保護回路は、
高周波信号の電力過入力時にＲＦ−ＭＥＭＳスイッチの接続により高周波回路を保護する保護回路であって、
誘電体基板上に配線され、前記高周波信号の３／４波長の電気長を有する３／４波長伝送線路と、
前記誘電体基板上に配置され、一端は前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを介して前記３／４波長伝送線路の両端のうち一端と接続可能であり、他端はＧＮＤに接地している第１の終端回路と、
前記誘電体基板上に配置され、一端は前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを介して前記３／４波長伝送線路の両端のうち他端と接続可能であり、他端はＧＮＤに接地している第２の終端回路と、
前記誘電体基板上に配線され、前記高周波信号を伝送し、前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを介して前記３／４波長伝送線路の一端と前記第１の終端回路に接続可能であり、また前記３／４波長伝送線路の他端と前記第２の終端回路に接続可能である閉区間の長さが前記高周波信号の１／４波長の電気長を有する１／４波長伝送線路とを備え、
前記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは、
前記高周波信号の電力が所定の閾値を超えない場合は、前記１／４波長伝送線路と前記３／４波長伝送線路の両端と前記第１の終端回路と前記第２の終端回路を接続せず、
前記高周波信号の電力が前記所定の閾値を超えた場合は、前記１／４波長伝送線路と前記３／４波長伝送線路の両端と前記第１の終端回路と前記第２の終端回路を接続し、前記１／４波長伝送線路を伝送する前記高周波信号の電力を減衰させる
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のように、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを用いた保護回路は、従来の保護回路と比較して受信レベル検出回路や分配器を用いる必要がないため、保護回路の小型化を図ることができる。またＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを用いるとスイッチＯＦＦの場合、高周波信号は伝送線路を通る際電力損失はほとんどないため、従来技術と比較して高周波信号の電力損失を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
実施例１．
図１は、実施の形態１におけるＲＦ−ＭＥＭＳ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ−Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）スイッチを用いた保護回路の上面図を示している。なお図１において白抜き矢印は、高周波信号の伝送方向を示している。
【００１３】
図２（ａ）は、図１記載の保護回路のうちＹ２−Ｙ２’断面図を示している。また図２（ｂ）は、図１記載の保護回路のうちＸ−Ｘ’断面図を示している。なお図２（ａ）と図２（ｂ）は、ともにＲＦ−ＭＥＭＳスイッチがＯＦＦである状態を示している。
【００１４】
一般に図１や図２に記載されているＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは、静電型ＭＥＭＳ構造と呼ばれる構造の一例である。静電型ＭＥＭＳ構造の場合、スイッチとして駆動させるためには、入力信号の電圧が閾値電圧を超える場合ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチはＯＮ状態となるが、閾値電圧を超えない場合ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチはＯＦＦ状態となる。なお閾値電圧はＲＦ−ＭＥＭＳスイッチの構造や材料などによって決まる。
【００１５】
本発明では、上記ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチのスイッチング機能を保護回路に適用し、入力信号である高周波信号の電力が過入力となる場合にＲＦ−ＭＥＭＳスイッチをＯＮとすることで高周波信号の電力を減衰させ、高周波回路を保護する。
【００１６】
図２を用いてＲＦ−ＭＥＭＳスイッチによる保護回路の構成を説明する。図２（ａ）において誘電体基板１１上には、１／４波長伝送線路１２と３／４波長伝送線路１３と終端回路１４とＲＦ−ＭＥＭＳスイッチが配置されている。１／４波長伝送線路１２は、高周波信号を伝送する線路であり、例えばマイクロストリップ線路である。１／４波長伝送線路１２は、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチの下部駆動電極を兼ねる。また３／４波長伝送線路１３も同様に、例えばマイクロストリップ線路である。
【００１７】
終端回路１４は、終端抵抗１５と終端抵抗１５の両端のパターンとＶＩＡホール１６より構成される。終端抵抗１５の両端にあるパターンのうち、図２（ａ）に示すように一端は、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチがＯＮの時に１／４波長伝送線路１２と接続するように配置され、他端はＶＩＡホール１６によりＧＮＤ（グランド）１７に接地されている。
【００１８】
ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは、図２（ａ）及び図２（ｂ）に記載されているように誘電体基板１１上に設置されている支持部１８と梁１９と上部駆動電極２０と上部電極２１より構成される。
【００１９】
支持部１８は例えば導体でできている。また支持部１８の誘電体基板１１に接する面は、誘電体基板１１に設けられたＶＩＡホール１６と接続している。ＶＩＡホール１６はＧＮＤ１７に接地されているので、支持部１８はＧＮＤ１７に接地されている。
【００２０】
梁１９は例えば誘電体でできている。図２（ａ）に記載したように梁１９の両端のうち一端は、支持部１８で固定されている。梁１９において支持部１８で固定されていない部分は可動部であり、誘電体基板１１の面に対して上下に可動する部分である。
【００２１】
誘電体基板１１に面した側である梁１９の下側には、図２（ａ）及び図２（ｂ）に記載されているように上部電極２１の導体パターンが配置されている。上部電極２１は、後述するようにＲＦ−ＭＥＭＳスイッチＯＮ時に１／４波長伝送線路１２と３／４波長伝送線路１３の両端と終端回路１４のパターンと接触する接触電極である。
【００２２】
また誘電体基板１１に面した側と反対側である梁１９の上側には、図２（ｂ）に記載されているように上部駆動電極２０の導体パターンが配置されている。なお上部駆動電極２０は、図１を見てわかるように支持部１８と接続されている。支持部１８は、上記説明のとおりＧＮＤ１７に接地されている。従って上部駆動電極２０も、ＧＮＤ１７に接地されている。
【００２３】
ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは上記のような構成であり、例えば図２（ａ）のようなカンチレバー（片持ち梁）構造をしている。
【００２４】
図３は、図２（ｂ）記載のＺ１−Ｚ１’断面図とＺ２−Ｚ２’断面図を表している。図３（ａ）は、Ｚ１−Ｚ１’断面図である。図３（ａ）は、図２（ｂ）に記載したように誘電体基板１１における断面図である。なお図３（ａ）において高周波信号は、１／４波長伝送線路１２上を白抜き矢印の方向に伝送する。
【００２５】
なおＲＦ−ＭＥＭＳスイッチＯＮ時、上部電極２１を介して３／４波長伝送線路１３と終端回路１４と接触する１／４波長伝送線路１２の閉区間は、図３（ａ）記載のように高周波信号の１／４波長の電気長をもつ。また３／４波長伝送線路１３は、高周波信号の３／４波長の電気長をもつ。
【００２６】
図３（ｂ）は、Ｚ２−Ｚ２’断面図であり図２（ｂ）記載の上側と下側からの視図である。図３（ｂ）は、図２（ｂ）に記載したように梁１９における断面図である。図３（ｂ）の上側視図に記載のとおり、誘電体である梁１９の一端は、導体である支持部１８で固定されており、梁１９の上側には上部駆動電極２０が取り付けられている。また図３（ｂ）の下側視図に記載のとおり、梁１９の下側には上部電極２１が取り付けられている。
【００２７】
図４は、本発明における保護回路の等価回路である。なお図４においてＺ０とあるのはインピーダンスを示している。
図４の等価回路を用いて、高周波信号の電力減衰についての原理を説明する。白抜き矢印の方向から入力する高周波信号は、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチがＯＮ状態の場合、図４記載のＡ点で１／４波長伝送線路１２と３／４波長伝送線路１３に分かれて伝送する。分かれて伝送した高周波信号は、図４記載のＢ点において経路差が１／２波長となるので、Ｂ点で打ち消しあって高周波信号は現れない。これをＡ点で見るとオープンに見える。Ａ点ではオープンに見えるので終端抵抗を接続する。Ｂ点から見た場合も同様で、Ｂ点ではオープンに見えているので終端抵抗を接続する。このようにして入力する高周波信号の電力を減衰させる。
【００２８】
図５（ａ）は、図１記載のＹ１−Ｙ１’断面図である。また図５（ｂ）は、図１記載のＹ２−Ｙ２’断面図である。図５を用いて、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを用いた保護回路の動作を説明する。
【００２９】
図１または図３に示したように高周波信号が、１／４波長伝送線路１２を伝送しているとする。高周波信号の電力が、本発明の保護回路の後段にある高周波回路を破壊しない許容範囲内にある場合は、図５（ａ）や図５（ｂ）記載されているようにＲＦ―ＭＥＭＳスイッチがＯＦＦである。
【００３０】
この場合１／４波長伝送線路１２は、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチの上部電極２１を介して３／４波長伝送線路１３及び終端回路１４とは接続していない。従って高周波信号の電力を減衰させてはいないため、高周波信号の電力損失はほとんどない。
【００３１】
しかし高周波信号が１／４波長伝送線路１２を伝送すると、ＧＮＤである上部駆動電極２０と下部駆動電極である１／４波長伝送線路１２との間には電圧が発生する。発生した電圧により、上部駆動電極２０と１／４波長伝送線路１２との間に静電力が発生する。発生した静電力は、図５に記載しているようにＺ軸に対して−Ｚ方向に発生する。
【００３２】
また上部駆動電極２０は、梁１９のばね定数に比例した復元力により＋Ｚ方向に引き戻そうとされる。ここで梁１９のばね定数は、梁１９の高さＴに比例し、長さＬに反比例する。
【００３３】
このように、梁１９にはＺ軸に対して静電力と復元力が働く。高周波信号の電力が大きくなるのに伴い高周波信号の電圧も大きくなる。すると、梁１９の復元力と比較して上部駆動電極２０と１／４波長伝送線路１２との間に働く静電力が強くなり、上部駆動電極２０が１／４波長伝送線路１２側に引き寄せられ、上部駆動電極２０の−Ｚ方向への変位が更に大きくなる。
【００３４】
そして高周波信号の電圧が閾値を超えると梁１９の下側に配置された上部電極２１は、図５（ｂ）に記載されているように、１／４波長伝送線路１２と３／４波長伝送線路１３と終端回路１４に接触（プルイン、ｐｕｌｌ−ｉｎ）する。これにより、１／４波長伝送線路１２と３／４波長伝送線路１３と終端回路１４は接続される。これは、図４で示した保護回路の等価回路において、スイッチがＯＦＦ状態からＯＮ状態になった場合に相当する。なおこのとき梁１９は誘電体なので、梁１９の上側に配置された上部駆動電極２０と１／４波長伝送線路１２はショートしない。
【００３５】
このようにＲＦ−ＭＥＭＳスイッチがＯＮ状態となり、上部電極２１が接触した閉区間が１／４波長である１／４波長伝送線路１２が、３／４波長である３／４波長伝送線路１３及び終端回路１４と接続されるため、高周波信号が入力側回路に全反射することなく、高周波信号の電力が減衰する。従って、本保護回路の後段にある高周波回路に高周波信号の許容範囲を超えた電力が入力することはなくなり、高周波回路は保護される。
【００３６】
１／４波長伝送線路１２に入力する高周波信号は、高周波で振動しているため電圧も振動する。従って電圧に起因する静電力も振動し、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチはＯＮ／ＯＦＦを繰り返す。しかし周波数が高いと、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチの復元力による機械的な動作が追従できなくなる。従って平均電力による静電力と梁１９における復元力よりスイッチが安定状態となり、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチがＯＮ状態のまま保たれることとなる。
【００３７】
なお高周波信号の入力電力の閾値に相当するＲＦ−ＭＥＭＳスイッチのＯＮ／ＯＦＦを決める電圧の閾値は、梁１９のばね定数を変えることで設定する。つまり梁１９のばね定数は保護回路を動作させる電圧閾値に相当し、梁１９自体は保護回路における高周波信号の入力電圧、つまり高周波信号の入力電力を検出する検出回路の役割をしている。従って、本発明では電力検出回路を設ける必要ない。
【００３８】
図６は本発明の保護回路を用いた場合の特性図である。図６（ａ）は入力側反射特性を、図６（ｂ）は通過損失特性を示す図である。図６では、特性例として正規化周波数ｆ０の信号に関する特性図を示している。図６（ａ）ではＲＦ−ＭＥＭＳスイッチがＯＦＦ時およびＯＮ時に保護回路の入力側回路への全反射がないことを示している。
【００３９】
図６（ｂ）の通過損失特性は、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチＯＦＦの場合、正規化周波数ｆ０でほとんど減衰していない。しかしＯＮの場合は、正規化周波数ｆ０で入力電力が大きく減衰している。よって図６（ａ）と図６（ｂ）より、高周波信号の入力電力は保護回路の入力側回路に全反射されることなく、保護回路にて減衰されていることがわかる。
【００４０】
このように本発明の保護回路を用いることで、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチの梁１９が高周波信号の電力検出回路の役割を果たしているため、従来のように保護回路に電力検出回路を設ける必要はない。また本発明の保護回路は、従来のように分配器を用いる必要もない。従って、従来の保護回路と比較して電力検出回路や分配器を用いる必要がないため、保護回路の小型化を図ることができる。
【００４１】
またＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを用いるとスイッチＯＦＦの場合、高周波信号は１／４波長伝送線路１２を通り電力損失はほとんどない。従って、従来のように機械スイッチや半導体スイッチを用いることによる高周波信号の電力損失を低減することができる。
【００４２】
なお実施例１では支持部１８は導体としたが、上部駆動電極２０をＧＮＤに接地できるようになっていれば導体である必要はない。
【００４３】
また１／４波長伝送線路１２と３／４波長伝送線路１３はマイクロストリップ線路に限らず、コプレナー線路でも構わない。
【００４４】
なお３／４波長伝送線路１３は、図３においてコの字型をしている。しかし３／４波長伝送線路１３の形状はコの字型に限定する必要はなく、高周波信号の３／４波長の電気長があればよい。
【００４５】
実施例２．
図７は、実施の形態１におけるＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを用いた保護回路の実施例２の上面図である。また図８は、図７記載の保護回路のうちＸ−Ｘ’断面図を示している。図７と図８に示すように、静電力による梁１９の変位方向に対して上部駆動電極２０の高さと比較して上部電極２１の高さを高くすることで、上部駆動電極２０が１／４波長伝送線路１２と接触することなく、上部電極２１を１／４波長伝送線路１２と３／４波長伝送線路１３と終端回路１４に接触させることが可能となる。
【００４６】
その場合上部駆動電極２０は梁１９の上側になくてもよく、上部電極２１と同じ下側に配置していても構わない。しかし上記場合においても、上部駆動電極２０は下部駆動電極である１／４波長伝送線路１２との間で静電力を働かせる必要があるため、１／４波長伝送線路１２の上方に配置する必要がある。
【００４７】
実施の形態２．
図９は、実施の形態２におけるＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを用いた保護回路の上面図である。また図１０は、図９記載の保護回路のうちＹ２−Ｙ２’断面図を示している。実施例１において、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチはカンチレバー構造として説明した。しかしＲＦ−ＭＥＭＳスイッチはカンチレバー構造に限定する必要はなく、図９と図１０に示すように、梁１９の両端を支持部１８で固定した平行平板構造としてもよい。
【００４８】
梁１９の両端を支持部１８で固定した平行平板構造とすることで、スイッチング動作に対する梁１９の耐振強度が向上する。また、梁１９の機械共振点が上昇するので、スイッチング動作の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施の形態１の実施例１におけるＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを用いた保護回路の上面図である。
【図２】実施の形態１の実施例１における図１記載のＹ２−Ｙ２’断面図とＸ−Ｘ’断面図である。
【図３】実施の形態１の実施例１における図２（ｂ）記載のＺ１−Ｚ１’断面図とＺ２−Ｚ２’断面図である。
【図４】実施の形態１における保護回路の等価回路である。
【図５】実施の形態１の実施例１における図１記載のＹ１−Ｙ１’断面図とＹ２−Ｙ２’断面図である。
【図６】実施の形態１における保護回路を用いた場合の入力側反射特性図と通過損失特性図である。
【図７】実施の形態１の実施例２における保護回路の上面図である。
【図８】実施の形態１の実施例２における図７記載のＸ−Ｘ’断面図である。
【図９】実施の形態２における保護回路の上面図である。
【図１０】実施の形態２における図９記載のＹ２−Ｙ２’断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１１．誘電体基板
１２．１／４波長伝送線路
１３．３／４波長伝送線路
１４．終端回路
１５．終端抵抗
１６．ＶＩＡホール
１７．ＧＮＤ
１８．支持部
１９．梁
２０．上部駆動電極
２１．上部電極
【図１】
2007267158.tif 000003
【図２】
2007267158.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007267158.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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