(57)【要約】      （修正有）【課題】好都合な省スペースの実装形態で改善された性能特性を与える集積コンデンサ組立体を提供する。【解決手段】コンデンサ組立体は、少なくとも２つの電解コンデンサのマルチアノード積層体及び少なくとも１つのセラミック構成部品を含み、これらは、封入ケースの内部の共通端子に並列に接続される。結果として得られるコンデンサ組立体は、比較的高容量、低ＥＳＲ、低圧電ノイズ、及び省スペースといった性能特性によって特徴付けられる。圧電ノイズの低下は、特に、オーディオ／ビデオデータ処理及び通信におけるクリアなフィルタリングを行うのに有利とすることができる。【選択図】図４
2007273996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサ組立体であって、
互いに隣接して配置された少なくとも２つの電解コンデンサを含み、該コンデンサがカソード終端部及びアノードワイヤによって形成されたアノード終端部を含むマルチアノード積層体と、
第１の極性終端部及び第２の極性終端部を含むセラミック構成部品と、
前記アノード終端部及び前記第１の極性終端部が電気的に接続された第１のリードフレーム部分と、
前記カソード終端部及び前記第２の極性終端部が電気的に接続された第２のリードフレーム部分と、
前記電解コンデンサ及び前記セラミック構成部品を封入し、前記第１及び第２のリードフレーム部分のそれぞれの一部を露出させたままにするケースと、
を備えたコンデンサ組立体。
【請求項２】
前記電解コンデンサが、電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項３】
前記電解コンデンサが、導電性接着剤を用いて電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項４】
前記電解コンデンサが、水平方向構成で積層されることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項５】
前記電解コンデンサが、垂直方向構成で積層されることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項６】
前記第１のリードフレーム部分は、前記第１の極性終端部が電気的に接続された取り付け面を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項７】
前記第１のリードフレーム部分が、前記コンデンサ組立体の底面に実質的に垂直な第１のアノード部分を含み、該第１のアノード部分に前記電解コンデンサのアノードワイヤが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項８】
前記第１のアノード部分が、内部に前記アノードワイヤを受けるＵ字型領域を定めることを特徴とする請求項７に記載のコンデンサ組立体。
【請求項９】
前記第１のリードフレーム部分が、前記セラミック構成部品を受けるためのポケットを定める第２のアノード部分を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項１０】
前記ポケットが、前記コンデンサ組立体の底面に実質的に平行な取り付け面と、前記コンデンサ組立体の底面に実質的に直角な側壁とによって形成されることを特徴とする請求項９に記載のコンデンサ組立体。
【請求項１１】
前記第２のリードフレーム部分は、前記マルチアノード積層体及び前記セラミック構成部品の第２の極性終端部が電気的に接続された取り付け面を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項１２】
前記電解コンデンサが、バルブ金属組成物から形成されたアノード本体を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項１３】
前記バルブ金属組成物がタンタルを含むことを特徴とする請求項１２に記載のコンデンサ組立体。
【請求項１４】
前記バルブ金属組成物が酸化ニオブを含むことを特徴とする請求項１２に記載のコンデンサ組立体。
【請求項１５】
前記電解コンデンサが更に、前記アノード本体の上にある誘電体フィルムと、前記誘電体フィルムの上にある固体電解質とを含むことを特徴とする請求項１２に記載のコンデンサ組立体。
【請求項１６】
前記固体電解質が二酸化マンガンであることを特徴とする請求項１５に記載のコンデンサ組立体。
【請求項１７】
前記固体電解質が導電性ポリマーであることを特徴とする請求項１５に記載のコンデンサ組立体。
【請求項１８】
前記セラミック構成部品が複数のセラミック層が交互配置されて対向するコンデンサプレートのそれぞれのペアを積層配置で形成するそれぞれの第１及び第２の極性の複数の導電層を含み、前記第１の極性の導電層が、前記セラミック構成部品の第１の極性終端部に電気的に接続され、前記第２の極性の導電層が、前記セラミック構成部品の第２の極性終端部に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項１９】
前記セラミック層がＢａＴｉＯ3を含むことを特徴とする請求項１８に記載のコンデンサ組立体。
【請求項２０】
前記セラミック構成部品が多層セラミックコンデンサであることを特徴とする請求項１８に記載のコンデンサ組立体。
【請求項２１】
前記セラミック構成部品がバリスタであることを特徴とする請求項１８に記載のコンデンサ組立体。
【請求項２２】
前記コンデンサ組立体が、定格電圧レベルが印加され１５Ｇで計測した時に、約１ミリボルト未満の絶対値を有する圧電ノイズを示すことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項２３】
前記コンデンサ組立体が、定格電圧レベルが印加され１５Ｇで計測した時に、約０．１ミリボルト未満の絶対値を有する圧電ノイズを示すことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項２４】
前記組立体のＥＳＲが、３００ｋＨｚの動作周波数において約５０ミリオーム未満であることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項２５】
前記組立体のＥＳＲが、３００ｋＨｚの動作周波数において約１０ミリオーム未満であることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ組立体。
【請求項２６】
コンデンサ組立体を形成する方法であって、
アノードワイヤがほぼ平行配置で配置された少なくとも２つの電解コンデンサを共に積層してマルチアノード積層体を形成する段階と、
第１及び第２の終端部によって特徴付けられた多層セラミックコンデンサを準備する段階と、
前記アノードワイヤ及び前記多層セラミックコンデンサの第１の終端部を第１の端子に電気的に接続する段階と、
前記電解コンデンサのカソード終端部及び前記多層セラミックコンデンサの第２の終端部を第２の端子に電気的に接続する段階と、
前記マルチアノード積層体及び前記多層セラミックコンデンサをケース内に封入する段階と、
を含む方法。
【請求項２７】
封入充填材料で前記ケースを充填する段階を更に含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記アノードワイヤを前記第１の端子にレーザ溶接する段階を更に含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記ケースの周辺部に沿って前記第１及び第２の端子の一部を曲げて第１及び第２の取り付け面終端部を形成する段階を更に含む請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
熱伝導性ペーストを前記第１及び第２の端子に塗布し、次いで前記マルチアノード積層体及び前記多層セラミックコンデンサを前記第１及び第２の端子に接着する段階を更に含む請求項２６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、引用により全体が本明細書に組み込まれる２００６年３月１３日に出願された米国特許仮出願番号６０／７８１，６３３に対する優先権を主張する。
【背景技術】
【０００２】
最新の技術的応用が多様化したことにより、これに用いる電子部品及び集積回路に効率性が求められるようになっている。コンデンサは、無線通信、高速処理、ネットワーキング、回線交換、及び多数の他の応用を含むことができるこのような最新用途のフィルタリング、デカップリング、バイパス、及び他の態様に使用される基本的な構成部品である。集積回路の速度及び実装密度が飛躍的に増大したことによって、デカップリング・コンデンサ技術の進歩が必要とされている。高容量デカップリング・コンデンサが多くの現行用途の高周波数に曝される場合、性能特性はますます重要なものとなる。コンデンサはこのような多様な用途の基礎となるため、その精度及び効率が重要である。従ってコンデンサ設計の多くの特定の様態は、コンデンサの性能特性の改善における焦点となっている。
【０００３】
【特許文献１】米国特許仮出願番号６０／７８１，６３３公報
【特許文献２】米国特許第６，３２２，９１２号公報
【特許文献３】米国特許第６，１９７，２５２号公報
【特許文献４】米国特許第４，０８５，４３５号公報
【特許文献５】米国特許第５，１９８，９６８号公報
【特許文献６】米国特許第５，３５７，３９９号公報
【特許文献７】米国特許第５，３９４，２９５号公報
【特許文献８】米国特許第６，３２２，９１２号公報
【特許文献９】米国特許第６，６７４，６３５号公報
【特許文献１０】米国特許第４，９４５，４５２号公報
【非特許文献１】Ｔ．Ｔｒｉｐｐによる「Ｔａｎｔａｌｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ：Ａ  Ｎｅｗ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｆｏｒ  Ｓｏｌｉｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒｓ（窒化タンタル：固体電解コンデンサ用の新規基材）」；ＣＡＲＴＳ  ２０００会報：２０ｔｈ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ  ａｎｄ  Ｒｅｓｉｓｔｏｒ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ（第２０回コンデンサ及びレジスタ技術シンポジウム）（２０００年３月６〜２０日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来型コンデンサの多くは現在市場入手可能であり、各々が特定の用途に好適な性能特性の固有の組み合わせを提供する。例えばタンタルコンデンサのような電解コンデンサは、従来、高容量値及びデバイス全体の小型化が必要とされる用途に利用されている。多層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）は通常、周波数フィルタリング用途に極めて効果的である。これら及び他の特定のタイプのコンデンサが単一の集積回路環境で使用されるのは、極めて一般的である。このような事例では、異なるコンデンサを個別部品としてプリント基板（ＰＣＢ）上で並列に接続することができる。これには、各コンデンサについて比較的大きな回路スペース容量及び別個の取付パッドが必要となる。その結果、部品の小型化、配向効率、及び省スペース及びＰＣＢ環境での基板スペースの最大化のための他の手段に向けた取り組みが継続的になされている。
【０００５】
また、コンデンサの固有抵抗値であるＥＳＲ（等価直列抵抗）のような他のコンデンサ性能特性の改善が望ましい場合がある。理論上のコンデンサは実際には抵抗を含まないので、ＥＳＲが低いコンデンサを生成することが望ましい場合が多い。最小のＥＳＲに対するニーズは、特にデカップリング・コンデンサ用途において顕著である。ＥＳＲが増大すると、所与の静電容量値に対するリップル電圧及び電力損失を増大させる恐れがある。このことは、コンデンサのＲＣ時定数に関係し、低コンデンサＥＳＲに対するニーズに寄与する。
【０００６】
回路用途に影響を与える可能性のある別のコンデンサ特性は、多くのＭＬＣＣ用途に一般的な圧電ノイズである。低レベルの圧電ノイズは、コンデンサ内での機械的振動を引き起こす可能性のある交流電圧をコンデンサのセラミックスが受ける時に発生する可能性がある。セラミックス材料の固有の性質により、機械的振動は一般に低レベルの電気ノイズに変換される。特に高周波用途では、かなりの量の圧電ノイズが信号品質に影響を及ぼす恐れがある。従って、回路用途において圧電ノイズを低減することが望ましい場合が多い。
【０００７】
このように、現在では広範な電気特性を示す集積コンデンサ組立体に対する要望がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの実施形態によれば、コンデンサ組立体が開示される。本組立体は、互いに隣接して配置された少なくとも２つの電解コンデンサを含み、該コンデンサが、カソード終端部及びアノードワイヤによって形成されたアノード終端部を含むマルチアノード積層体を備える。本組立体は更に、第１の極性終端部及び第２の極性終端部を含むセラミック構成部品を備える。アノード終端部及び第１の極性終端部は、第１のリードフレーム部分に電気的に接続される。同様にカソード終端部及び第２の極性終端部は、第２のリードフレーム部分に電気的に接続される。ケースは、マルチアノード積層及びセラミック構成部品を封入して、第１及び第２のリードフレーム部分のそれぞれの一部を露出したままにする。
【０００９】
本発明の別の実施形態によれば、コンデンサ組立体を形成する方法が開示される。本方法は、電解コンデンサのアノードワイヤがほぼ平行配置で配置された少なくとも２つの電解コンデンサを共に隣接した関係で積層してマルチアノード積層体を形成する段階を含む。アノードワイヤ及び多層セラミックコンデンサの第１の終端部は、第１の端子に電気的に接続される。更に電解コンデンサのカソード終端部及び多層セラミックコンデンサの第２の終端部は、第２の端子に電気的に接続される。マルチアノード積層及び多層セラミックコンデンサは、ケース内部に封入される。
【００１０】
本発明の他の特徴及び態様を以下により詳細に記載する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の最良の形態を含む、当業者に対して本発明の全体の実施可能な開示を添付図面を参照した本明細書の残りの部分においてより詳細に説明する。
【００１２】
本明細書及び図面における参照符号の反復的使用は、本発明の同じ又は類似の特徴部又は要素を表すことが意図されている。
【００１３】
本考察は、例示的な実施形態の説明にすぎず、本発明の広範な態様を限定するものではなく、本発明の広範な態様は例示的な構成において具現化される点を当業者は理解すべきである。
【００１４】
概略的に云えば、本発明は、好都合な省スペースの実装形態で改善された性能特性を提供する集積コンデンサ組立体に関する。より具体的には、コンデンサ組立体は、少なくとも２つの電解コンデンサのマルチアノード積層体及び少なくとも１つのセラミック構成部品（例えば多層セラミックコンデンサ）を含み、これらは、封入ケースの内部にそれぞれの共通端子に並列に接続される。結果として得られるコンデンサ組立体は、比較的高容量、低ＥＳＲ、低圧電ノイズ、及び省スペースといった性能特性によって特徴付けられる。圧電ノイズの低減は、オーディオ／ビデオデータの処理及び通信におけるクリアなフィルタリングを行うのに有利とすることができる。次に、電解及びセラミック構成部品、並びにこれらが組立体内に配置され接続される特定の方法の種々の実施形態をより詳細に説明する。
【００１５】
Ｉ．電解コンデンサ
一般的に、種々の公知の電解コンデンサのいずれも本発明のコンデンサ組立体において使用することができる。例えば、図１を参照すると、アノード本体４を含む好適な電解コンデンサ２の１つの実施形態が示されている。アノード本体４は、バルブ金属（すなわち酸化可能な金属）により主として構成された粉末、又はバルブ金属を成分として含む組成物から形成することができる。使用することができる好適なバルブ金属は、限定ではないが、タンタル、ニオブ、アルミニウム、ハフニウム、チタン、これらの金属の合金などを含む。例えばアノード本体４は、一般に半導体又は高導電性材料とみなされるバルブ金属酸化物又は窒化物（例えば酸化ニオブ（例えばＮｂＯ）、酸化タンタル、窒化タンタル、窒化ニオブ等）から形成することができる。このようなバルブ金属酸化物の実施例は、Ｆｉｆｅに付与された米国特許第６，３２２，９１２号に記載されており、該特許は全ての目的において引用により全体が本明細書に組み込まれる。バルブ金属窒化物の実施例はまた、Ｔ．Ｔｒｉｐｐによる「Ｔａｎｔａｌｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ：Ａ  Ｎｅｗ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｆｏｒ  Ｓｏｌｉｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒｓ（窒化タンタル：固体電解コンデンサ用の新規基材）」；ＣＡＲＴＳ  ２０００会報：２０ｔｈ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ  ａｎｄ  Ｒｅｓｉｓｔｏｒ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ（第２０回コンデンサ及びレジスタ技術シンポジウム）（２０００年３月６〜２０日）において記載されている。１つの特定の実施形態では、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋから入手可能であり、単位重量当たりのＣＶ（静電容量／電圧）が８０ｋＣＶ／ｇである酸化ニオブ粉末を使用することができる。
【００１６】
一般的に、種々の従来の製造手順を用いて、アノード本体４を形成することができる。１つの実施形態では、ある種の粒径を有する酸化タンタル又は酸化ニオブ粉末を最初に選定する。粒径は、結果として得られるコンデンサの所要の電圧に応じて変えることができる。例えば比較的大きな粒径（例えば約１０マイクロメートル）を有する粉末は、多くの場合、高電圧コンデンサを生成するのに使用され、比較的小さな粒径（例えば約０．５マイクロメートル）を有する粉末は、低電圧コンデンサを生成するのに使用される場合が多い。次いで、粒子は任意選択的にバインダ及び／又は潤滑剤と混合され、アノード本体４を形成するために加圧される時に粒子が互いに十分に接着するのを確実にする。好適なバインダは、樟脳、ステアリン酸及び他の石鹸脂肪酸、Ｃａｒｂｏｗａｘ（Ｕｎｉｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ）、Ｇｌｙｐｔａｌ（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）、ポリビニルアルコール、ナフタリン、植物ろう、及びマイクロワックス（精製パラフィン）を含むことができる。バインダは溶媒中に溶解させ分散することができる。例示的な溶媒は、アセトン；メチルイソブチルケトン；トリクロロメタン；フッ化炭化水素（フレオン）（ＤｕＰｏｎｔ）；アルコール類；及び塩化炭化水素（四塩化炭素）を含むことができる。使用時には、バインダ及び／又は潤滑剤の百分率は、全質量の約０．１％から約８％重量にわたり変えることができる。しかしながら、バインダ及び潤滑剤は本発明においては必要ではない点を理解されたい。形成されると、粉末は、いずれかの従来の粉末プレス成形を利用して成形される。例えば、プレス成形は、１つのダイ及び１つ又は複数のパンチを用いるシングルステーション圧縮プレスとすることができる。或いは、１つのダイと単一の下側パンチだけを用いるアンビル型圧縮プレス成形を使用してもよい。シングルステーション圧縮プレス成形は、シングルアクション、ダブルアクション、フローティング・ダイ、可動プラテン、対向ラム、スクリュー、インパクト、加熱プレス、コイニング及びサイジングのような種々の能力を備えたカム、トグル／ナックル、及び偏芯／クランクプレスのような幾つかの基本的タイプで利用可能である。図示のように粉末は、アノードワイヤ６（例えばタンタルワイヤ）の周りに圧縮することができる。アノードワイヤ６は、代替的に、アノード本体のプレス及び／又は焼結後にアノード本体４に取り付ける（例えば溶接）ことができる点を更に理解されたい。
【００１７】
圧縮後に、ペレットを真空下である一定温度（例えば約１５０℃から約５００℃）で数分間加熱することによって、いずれのバインダ／潤滑剤も除去することができる。或いは、バインダ／潤滑剤はまた、Ｂｉｓｈｏｐ他に付与された米国特許第６，１９７，２５２号で記載されているようにペレットを水溶液に接触させることによって除去することができ、該特許は全ての目的において引用により全体が本明細書に組み込まれる。その後、ペレットを焼結させ、多孔性の一体塊を形成する。例えば、１つの実施形態では、ペレットは、約１２００℃から約２０００℃までの温度、ある実施形態では１５００℃から約１８００℃までの温度で真空下で焼結させることができる。焼結されると、ペレットは、粒子間の結合が成長することにより収縮する。上述の技術に加えて、Ｇａｌｖａｑｎｉに付与された米国特許第４，０８５，４３５号、Ｓｔｕｒｍｅｒ他に付与された米国特許第４，９４５，４５２号、Ｇａｌｖａｑｎｉに付与された米国特許第５，１９８，９６８号、Ｓａｌｉｓｂｕｒｙに付与された米国特許第５，３５７，３９９号、Ｇａｌｖａｑｎｉ他に付与された米国特許第５，３９４，２９５号、Ｋｕｌｋａｒｎｉに付与された米国特許第５，４９５，３８６号、及びＦｉｆｅに付与された米国特許第６，３２２，９１２号など、アノード形成の他のいずれかの技術を本発明に従って利用することができ、これらの特許は、全ての目的において引用により全体が本明細書に組み込まれる。
【００１８】
アノード本体４は、誘電体フィルム８が多孔性アノードを覆って内部に形成されるようにアノード酸化することができる。アノード酸化は、アノード金属を酸化して比較的高誘電率を有する材料を形成する電気化学プロセスである。例えば、タンタルアノードをアノード酸化して、約２７の誘電率「ｋ」を有する５酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を形成することができる。一定の厚さを有する５酸化タンタル被覆を形成するために、制御された電圧量及び電流量が供給される弱酸性溶液（例えばリン酸）内に高温（例えば約８０℃）でアノード本体４を浸漬することができる。電源は、最初は必要な形成電圧に達するまで定電流で保持される。その後、電源は、所要の誘電体厚さがタンタルペレットの表面を覆って確実に形成されるように定電圧に保持される。通常、アノード酸化電圧は、約１０から約２００ボルト、幾つかの実施形態では約２０から約１００ボルトの範囲にある。アノード本体４の表面上に形成されるのに加えて、通常、誘電体酸化物フィルム８の一部はまた細孔の表面上に形成することになる。誘電体フィルム８は、別の種類の材料から異なる技術を用いて形成することができる点を理解されたい。
【００１９】
誘電体フィルム８が形成されると、比較的絶縁性の樹脂材料（天然又は合成）から作られたような保護コーティング（図示せず）を任意選択的に施工することができる。このような材料は、約０．０５Ω−ｃｍよりも大きく、幾つかの実施形態では約５Ω−ｃｍよりも大きく、幾つかの実施形態では約１０００Ω−ｃｍよりも大きく、幾つかの実施形態では約１×１０5Ω−ｃｍよりも大きく、幾つかの実施形態では約１×１０10Ω−ｃｍよりも大きな抵抗率を有することができる。本発明に使用できる幾つかの樹脂材料は、限定ではないが、ポリウレタン、ポリスチレン、不飽和又は飽和脂肪酸エステル（例えばグリセリド）等を含む。例えば、好適な脂肪酸エステルは、限定ではないが、ラウリン酸エステル、ミリスチン酸エステル、パルミチン酸エステル、ステアリン酸エステル、エレオステアリン酸エステル、オレイン酸エステル、リノール酸エステル、リノレン酸エステル、アリューリット酸エステル、シェロール酸エステル等を含む。これらの脂肪酸エステルは、結果として得られるフィルムが迅速に安定層にポリマー化することができる「乾燥油」を形成するために比較的複雑な組み合わせで使用される場合に特に有用であることが分かっている。このような乾燥油は、エステル化される脂肪酸アシル残留物をそれぞれ１つ、２つ、及び３つ備えたグリセロール骨格を有するモノグリセリド、ジグリセリド、及び／又はトリグリセリドを含むことができる。例えば、使用可能な好適な幾つかの乾燥油は、限定ではないが、オリーブ油、アマニ油、ヒマシ油、キリ油、大豆油、及びシェラックを含む。これら及び他の保護コーティング材料は、Ｆｉｆｅ他に付与された米国特許第６，６７４，６３５号において更に詳細に記載されており、該特許は全ての目的において引用により全体が本明細書に組み込まれる。
【００２０】
その後、アノード酸化された部分は、従来技術によるカソード形成段階を受ける。図１を再度参照すると、例えば、誘電体フィルム８の上にある固体電解質カソード１０が形成される。カソード１０は、硝酸マンガン（Ｍｎ（ＮＯ3）2）を熱分解し二酸化マンガン（ＭｎＯ2）カソードを形成することによって形成することができる。このような技術は、例えば、Ｓｔｕｒｍｅｒ他に付与された米国特許第４，９４５，４５２号に記載されており、該特許は全ての目的において引用により全体が本明細書に組み込まれる。或いは、導電性ポリマーコーティングを用いて、電解コンデンサ２のカソード１０を形成することができる。導電性ポリマーコーティングは、ポリピロール；ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＴ）のようなポリチオフェン；ポリアニリン；ポリアセチレン；ポリ−ｐ−フェニレン；及びこれらの誘導体のような１つ又はそれ以上の導電性ポリマーを含むことができる。更に必要に応じて、導電性ポリマーコーティングはまた、複合導電性ポリマー層から形成されてもよい。例えば１つの実施形態では、導電性ポリマーコーティングは、ＰＥＤＴから形成された１つの層とポリピロールから形成された別の層を含むことができる。種々の方法を用いてアノード部分上に導電性ポリマーコーティングを塗布することができる。例えば、スパッタリング法、スクリーン印刷法、浸漬法、電着塗装法、電子ビーム堆積法、溶射法、及び真空蒸着法のような従来技術を用いて、導電性ポリマーコーティングを形成することができる。１つの実施形態では、例えば、導電性ポリマー（例えばＰＥＤＴ）の形成に使用されるモノマーを最初に重合触媒と共に混合して分散を形成しもよい。例えば、１つの好適な重合触媒は、３価鉄トルエンサルフォネート及びｎ−ブタノールでありＢａｙｅｒ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから販売されているＢＡＹＴＲＯＮ  Ｃである。ＢＡＹＴＲＯＮ  Ｃは、やはりＢａｙｅｒ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより発売されている３，４−エチレンジオキシチオフェンすなわちＰＥＤＴモノマーであるＢＡＹＴＲＯＮ  Ｍに対する市販されている触媒である。ほとんどの実施形態では、塗布されると導電性ポリマーは修復される。修復は、導電性ポリマー層の各塗布の後に行うか、或いは導電性ポリマーコーティング全体の塗布後に行うことができる。種々の方法を上記で説明してきたが、カソード層を塗布するための他のどのような方法も本発明で使用することができる点を理解されたい。
【００２１】
固体電解層が形成されると、次いで該部分に炭素コーティング（例えばグラファイト）及び銀コーティングをそれぞれ施すことができる。銀コーティングは、コンデンサに対するハンダ付け可能な導体として機能することができ、炭素コーティングは銀コーティングが固体電解質に接触するのを制限する。次いで、当該技術分野で公知のようにリード線電極を設けることができる。カソード１０と組み合わせたこのような層１２は、電解コンデンサ２のカソード終端部を形成し、アノードワイヤ６は、アノード終端部を形成する。
【００２２】
必要に応じて、コンデンサ組立体の電気性能を改善するために電解コンデンサのサイズを選択することができる。例えば、比較的薄いアノード厚さ（すなわち「低プロファイル」）を有する電解コンデンサは一般に、大きな表面積対容積比を示し、これはより短い伝送路を形成し、これによってＥＳＲ及びインダクタンスを最小にする。従って、アノードの厚さは、約０．１から約１０ミリメートルまで、幾つかの実施形態では約０．２から約５ミリメートルまで、及び幾つかの実施形態では約０．５から約１．５ミリメートルまでの範囲とすることができる。同様に、電解コンデンサの結果として得られる厚さ（図１の寸法１８）は、約０．２から約２０ミリメートルまで、幾つかの実施形態では約０．４から約１０ミリメートルまで、幾つかの実施形態では約１から約３ミリメートルまでの範囲とすることができる。或いは、アノードは、回旋状の溝のある表面を有するように適切に成形されたパンチ及びダイを使用してプレスすることができ、該表面は、上述の薄い低プロファイルアノードと同様にコンデンサの低ＥＳＲ及び拡張周波数応答を可能にする比較的大きな表面積対容積比を示す。
【００２３】
電解コンデンサの特性を選択的に制御し、結果として得られる本コンデンサ組立体の性能を最適化することができる。例えば、電解コンデンサは、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が低いように示すことができ、該透過直列抵抗は、コンデンサが電子回路において充放電する時に抵抗のように働く程度を示し、通常はコンデンサと直列の抵抗で表わされる。例えば電解コンデンサは、３００ｋＨｚの周波数において２ボルトのバイアス及び１ボルトの信号で計測したときに、約１Ω未満、幾つかの実施形態では約３００ミリΩ未満、幾つかの実施形態では約２００ミリΩ未満、幾つかの実施形態では約１００ミリΩ未満のＥＳＲを有することができる。同様に等価直列インダクタンス（「ＥＳＬ」）値は、約１０ナノヘンリ（「ｎＨ」）未満、及び幾つかの実施形態では約１．５ｎＨ未満とすることができる。電解コンデンサの静電容量はまた、約１から約５０００μＦまで、幾つかの実施形態では約２５０から約２５００μＦまで、幾つかの実施形態では約４００から約１０００μＦまでの範囲とすることができる。
【００２４】
ＩＩ．セラミック構成部品
セラミック構成部品は、コンデンサ（単層又は積層）、バリスタ、その他のような１つ又はそれ以上のセラミック層を使用するいずれかの公知の電気構成部品とすることができる。このようなセラミック構成部品は通常、少なくとも１つのセラミック層によって分離された２つ又はそれ以上の電極層を有するセラミック本体を含む。図２〜図３を参照すると、例として、複数のセラミック層２８で交互に配置された複数の第１の電極層２４と第２の電極層２６とを含む多層セラミックコンデンサ（「ＭＬＣＣ」）の１つの実施形態が示されている。第１の電極層２４及び第２の電極層２６の隣接ペアは、対向する平行なコンデンサプレートを形成する。周辺終端部３２ａ及び３２ｂがＭＬＣＣ上に形成される前に誘電体カバー層３０もまた設けられる。少なくとも１つの第１の周辺終端部３２ａが、各第１の電極層２４に電気的に接続され、少なくとも１つの第２の周辺終端部３２ｂが、各第２の電極層２６に電気的に接続される。終端後の完成したＭＬＣＣの斜視図を図３に示す。
【００２５】
当該技術分野で公知のように、セラミック層２８は、Ｘ５Ｒ、Ｘ７Ｓ、Ｘ７Ｒ、Ｙ５Ｖ等のように、使用されるセラミックスの特性によって特徴付けることができる。セラミック層２８を形成するのに好適な材料の実施例は、限定ではないが、ＰｂＺｒＴｉＯ3（ＰＺＴとも呼ばれる）、ＰＮＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3（ＰＭＮ−ＰＴとも呼ばれる）、ＳｒＢａＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、Ｂｉ2ＳｒＴａ2Ｏ9、多結晶セラミックスペロフスカイト、多結晶リラクサ強誘電体セラミック酸化物、二酸化ケイ素、Ｓｉ3Ｎ4、シリコン・オキシニトリド、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、多結晶タングステンブロンズ、多結晶ビスマスチタン酸塩、ＺｎＯ、及び他の好適な誘電材料を含む。電極層２４及び２６は、銅、ニッケル、アルミニウム、パラジウム、金、銀、プラチナ、鉛、錫、これらの材料の合金、又は他のいずれか導電性材料から形成することができる。終端部３２ａ及び３２ｂはまた、１つ又はそれ以上の層の導電性材料を含むことができる。１つの実施形態では、銅の第１の層、ニッケルの第２のはんだ障壁層、及びＮｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ／Ｓｎ、これらの材料の合金又は他の好適なめっきはんだの１つ又はそれ以上に相当する第３の層を含む積層終端部が使用される。
【００２６】
上記の説明はまた、バリスタのような別の種類のセラミック構成部品にも適用される点を理解されたい。バリスタは通常、電子回路上に印加される電圧が予め設定された閾値電圧を下回って保持される時には高抵抗（及び一定の静電容量）を与え、電圧が閾値を超える場合には低い抵抗シャントを形成する。バリスタは、例えば、表示Ｔｒａｎｓｇｕａｒｄ（登録商標）の下でＡＶＸ  Ｃｏｒｐから入手可能な積層ＺｎＯ電圧抑制器のような金属酸化物（例えば酸化亜鉛）に基づくセラミック本体を含むことができる。
【００２７】
セラミック構成部品の特性は、結果として得られるコンデンサ組立体の性能を最適化するように選択的に制御することができる。例えばセラミックコンデンサは、３００ｋＨｚの周波数において２ボルトのバイアス及び１ボルトの信号を用いて計測したときに約１００ミリΩ未満、幾つかの実施形態では約５０ミリΩ未満、及び幾つかの実施形態では約１０ミリΩ未満のような低い等価直列抵抗（ＥＳＲ）を示すことができる。同様にＥＳＬ値は、幾つかの実施形態では約１ｎＨ未満、幾つかの実施形態では約０．１ｎＨ未満とすることができる。セラミックコンデンサの容量はまた、約０．１から約１０００μＦまで、幾つかの実施形態では約１０から約５００μＦまで、幾つかの実施形態では約５０から約２００μＦまでの範囲とすることができる。
【００２８】
ＩＩＩ．コンデンサ組立体
上述のように、電解及びセラミック構成部品は、本発明に従って共通の終端部に並列に接続される。１から８個までの電解コンデンサ及び１から８個までのセラミック構成部品のように、あらゆる数の電解及び／又はセラミック構成部品を本発明において使用することができる。１つの特定の実施形態では、２つの電解コンデンサが１つのセラミック構成部品と共に使用される。これに関係なく、コンデンサ組立体は、少なくとも１つの電解コンデンサのアノード終端部（例えばワイヤ）が電気的に接続されたアノードリードフレーム部分と、電解コンデンサのカソード終端部が電気的に接続されたカソードリードフレーム部分とを含む。同様に少なくとも１つのセラミック構成部品の極性終端部は、アノードリードフレーム部分に電気的に接続され、別の極性終端部は、カソードリードフレーム部分に電気的に接続される。コンデンサ組立体はまた、個々の構成部品を封入するケースを含むが、それにもかかわらず第１及び第２のリードフレーム部分のそれぞれの一部を露出させたままにし、回路用途の表面取付け終端部を形成するようにする。
【００２９】
図４〜６、及び図１０〜１３を参照すると、本発明のコンデンサ組立体６４の１つの特定の実施形態が図示され、より詳細に説明する。コンデンサ組立体６４は、２つの電解コンデンサ２ａ及び２ｂと導通した１つのセラミックコンデンサ２２を含む。この実施形態では、電解コンデンサ２ａ及び２ｂは、ほぼ矩形の角柱形状を有し、最大面積を有する面が互いに隣接して配置されて組立体６４の容積効率を高めるように積層されている。すなわち、図１に示すように、幅（寸法１６）及び長さ（寸法１４）で定められる電解コンデンサ２ａの面９０は、電解コンデンサ２ｂの対応する面（図１に図示せず）に隣接して配置することができる。コンデンサ２ａ及び２ｂは、−ｘ及び／又は−ｙ方向（図４）に実質的に直角な平面内に面９０が設けられる垂直方向構成で、並びに−ｚ方向に実質的に直角な平面内に面９０が設けられる水平方向構成で積層することができる。例えば、図示の実施形態では、コンデンサ２ａ及び２ｂは、−ｘ方向に垂直な平面内に垂直方向に積層される。各コンデンサ２ａ及び２ｂは必ずしも同一方向に延びる必要がない点を理解されたい。例えば、コンデンサ２ａの面９０は、−ｘ方向に実質的に直角な平面内に設けることができ、コンデンサ２ｂの対応する面は、−ｙ方向に実質的に直角な平面内に設けられる。しかしながら、コンデンサ２ａ及び２ｂの両方が実質的に同じ方向に延びるのか望ましい。
【００３０】
レーザ溶接、はんだ付け、導電接着等の多様な技術のいずれかを使用して電解コンデンサを多層アノード積層構成に接続することができる。例えば、１つの実施形態では、アノードワイヤは最初にステンレス鋼搬送ストリップから切断される。次いで、１つの電解コンデンサが、固定位置（例えば位置櫛部内に）位置付けられて、導電性接着剤が塗布される。１つの好適な接着剤は、銀充填エポキシ（ＳＬＥ）接着剤（例えばＡｍｉｃｏｎ  ＣＥ３５１３）とすることができる。次に、他のコンデンサを接着剤がコーティングされたコンデンサに付加され、アノードワイヤが同じ側部に面して実質的に平行となる。このようにして、それぞれのアノードワイヤは密接に隣接した関係で配置され、ワイヤをリードフレームに溶接する効率を改善することができる。２つよりも多い電解コンデンサのマルチアノード積層体を形成することが望ましい場合には、このプロセスを繰り返すことができる。その後、電解コンデンサの積層ブロックを炉内で焼成してＳＬＥ接着剤を硬化させることができる。
【００３１】
選択された配置に関係なく、電解コンデンサ２ａ及び２ｂ、及びセラミックコンデンサ２２は共通電気終端部に接続され、コンデンサ組立体６４を形成する。例えば、コンデンサ組立体６４は、第１のアノード部分４６、第２のアノード部分４５、及び第３のアノード部分６０から形成されるアノードリードフレーム部分４８を含む。第３のアノード部分６０及び第１のアノード部分４６の両方は、コンデンサ組立体６４の底面８０（図４）にほぼ垂直な平面内に設けられる。第１のアノード部分４６はまた、電解コンデンサ２ａ及び２ｂのアノードワイヤ６を受入れて電気的に接続される２つの別個のＵ字型領域５０を有する。Ｕ字型領域５０は、接続時にワイヤ６の表面接触及び機械的安定性を強化することができる。上述の方法で構成されると、第１のアノード部分４６を効率的かつ効果的な方法で電解コンデンサ２ａ及び２ｂに容易に接続することができる。
【００３２】
第２のアノード部分４５は、セラミックコンデンサ２２の終端部３２ａに電気的に接続される。図示の実施形態では、例えば、第２のアノード部分４５は、共にセラミックコンデンサ２２を受ける、取り付け面４４（図１３）及び側壁３８（図１３）を含む。取り付け面４４は、コンデンサ組立体６４の底面８０に実質的に平行であり、終端部３２ａの底面を受ける。側壁３８は、コンデンサ組立体６４の底面８０に実質的に垂直であり、終端部３２ａの側面に接触する。このようにして第２のアノード部分４５は、ポケット状の構成を提供し、結果として得られるコンデンサ組立体に種々の利点をもたらすことができる。例えば、この構成は、セラミックコンデンサ２２の安定化を促進し、よって圧電ノイズを低減させることができる。コンデンサ組立体は、例えば、１５Ｇの加速力で電源２．５ボルト及び周波数１０ｋＨｚで計測された時に、約１ｍＶ未満の絶対値、幾つかの実施形態では約０．５ｍＶ未満、及び幾つかの実施形態では約０．１ｍＶ未満を有する圧電ノイズを示すことができる。
【００３３】
コンデンサ組立体６４はまた、取り付け面４０及び側壁４２から形成されたカソードリードフレーム部分８２を含む。取り付け面４０はまた、取り付け面４４よりも一般に大きいが、コンデンサ組立体６４の底面８０にほぼ平行な平面内に設けられる。両方の電解コンデンサ２ａ及び２ｂのカソード終端部（例えば底面）、並びにセラミックコンデンサ２２の終端部３２ｂ（例えば底面）は、取り付け面４４に電気的に接続される。側壁４２は、本コンデンサ組立体６４の底面８０にほぼ垂直な平面内に設けられる。必須ではないが、側壁４２は、電解コンデンサ２ａ及び／又は２ｂの少なくとも１つのカソード終端部（例えば側面）に電気的に接続される。
【００３４】
図４〜６及び図１０〜１３に示す本コンデンサ組立体６４を形成するための技術の１つの実施形態を更に詳細に説明する。この点に関して電解及びセラミックコンデンサは、最初に所望の構成（例えば、水平方向、垂直方向等）でリードフレームに取り付けられる。図１０を参照すると、終端フレーム３４を使用して複合コンデンサ組立体を形成することができる。１つの実施形態では、終端フレーム３４は、銅又は銅合金から形成されるが、他の導電性材料を使用してもよい。必要に応じて、最終部品が回路ボード上に確実に装着できるようにするために、当該技術分野で公知のように終端フレーム３４の表面を電気メッキすることもできる。例えば、フレーム３４は、ニッケル、銀、金等を用いて電気メッキすることができる。１つの実施形態では、終端フレーム３４は、ニッケル及び銀フラッシュ及びはんだ層でめっきされる。或いは、フレーム３４は、ニッケル及び金フラッシュめっき及び硬質金層でめっきされる。めっき層を含む１つの例示的な終端フレーム３４は、Ｂａｔｔｅｎ＆Ａｌｌｅｎ（英国）から入手可能である。形成される方法に関係なく、終端フレーム３４の専用部分が、２つの積層電解コンデンサ２ａ及び２ｂ、並びにセラミックコンデンサ２２を受けるように構成される。複合コンデンサ組立体がバルクで製造される場合には、図１０に示すようにコンデンサがフレームに取り付けられた後に終端フレーム３４を個々の組立体に切断することができる。簡略化のため単一のコンデンサ組立体を参照して、このようなコンデンサが終端フレームに取り付けられる例示的な方法を説明する。
【００３５】
図１１〜図１２は、単一のコンデンサ組立体内で使用するための終端フレーム３４の一部を示す平面図である。図示のように、終端フレーム３４は、取り付け面４４及び延長側壁部分６０を備えるアノードリードフレーム部分４８を含む。終端フレーム３４はまた、取り付け面４０及び延長側壁部分４２を備えるカソードリードフレーム部分８２を含む。延長部分４２及び６０は、最終的には封入ケース５８（図４〜図６）の外周部に沿った破線５２に従って約９０度の角度で曲げられ、コンデンサ組立体６４の第１及び第２のＵ字型終端部を形成することになる。
【００３６】
それぞれのリードフレーム部分が電解及びセラミックコンデンサに接続される方法は一般に、当該技術分野で公知の様々なものとすることができる。好適な技術は、例えば、レーザ溶接、はんだ付け、導電接着剤等を含む。１つの実施形態では、例えば、セラミックコンデンサ２２は、はんだペーストを取り付け面４０及び４４に塗布した後にリードフレーム部分に取り付けることができる。例示的なはんだペーストは、Ｃｏｂａｒ  Ｅｕｒｏｐｅ  ＢＶから呼称ＣＯＢＡＲ３２５で入手可能である。例えばセラミックコンデンサ２２は、取り付け面４０及び４４のペーストエリアに貼り付けた後にプレスすることができる。次いで、リードフレームを特定のはんだ接着ペーストに対して推奨される適正なリフロープロフィールにより炉内でリフロー接合することができる。またリードフレームを洗浄容液で洗浄し、その後乾燥させてフラックスを除去することができる。１つの実施形態ではセラミックコンデンサ２２及び終端フレーム３４は、洗浄容液（例えばＶｉｇｏｎ  Ａ２００）内で洗浄してフラックスを除去する。次いで洗浄容液を水で除去した後、６ｍＳ未満の伝導度を有する純水で洗浄する。電解コンデンサ２ａ及び２ｂを接続するために、最初にアノードワイヤ６をそれぞれのＵ字型領域５０内に位置付けることができる。コンデンサ２ａ及び２ｂのカソード終端部は、取り付け面４０に塗布される導電性接着剤（例えばＳＬＥ接着剤）を用いて取り付け面４０に接着される。その後、アノードワイヤ６は、第２の部分４６にレーザ溶接される。レーザ溶接段階の後に、接着剤を硬化するための適正な温度（例えばＡｍｉｃｏｎＣＥ３５１３接着剤における場合で約２０５℃を４５秒間）で加熱室内にリードフレームを配置し、任意選択的に電解コンデンサ２ａ及び２ｂをリードフレームにプレスすることができる。
【００３７】
コンデンサが取り付けられると、リードフレームは、「Ｖ  ｃａｓｅ」（ＡＶＸ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）のような樹脂ケーシング内に封入され、次いでシリカ又は他のいずれかの公知の封入材料で充填することができる。結果として得られる封入ケース５８は、コンデンサ組立体に追加の構造的及び熱的保護を与える。封入後、それぞれのアノード及びカソードリードフレーム部分４８及び８２の延長部分６０及び４２は切り取られ、ケーシングの外側に沿って曲げられる。このようにして部分６０及び４２は、完成したコンデンサ組立体６４のＵ字型終端部を形成する。
【００３８】
従って、本発明の結果として、優れた電気的特性を示すコンデンサ組立体を形成することができる。例えば、コンデンサ組立体の等価直列抵抗は、周波数３００ｋＨｚの２ボルトのバイアス及び１ボルトの信号を用いて計測したときに、約５０ミリΩ未満、幾つかの実施形態では約２０ミリΩ未満、及び幾つかの実施形態では約１０ミリΩ未満にすることができる。また、コンデンサ組立体の散逸率（ＤＦ）を比較的低レベルに保持できると考えられる。散逸率（ＤＦ）は一般に、コンデンサ組立体内で発生する損失を指し、通常は理想性能の百分率として表わされる。例えば、本発明のコンデンサ組立体の散逸率は通常約１５％未満であり、幾つかの実施形態では約１０％未満である。同様に、本組立体の静電容量は、１２０Ｈｚにおいて計測した時に、約１００から約５０００μＦまで、幾つかの実施形態では約２００から約１０００μＦまで、及び幾つかの実施形態では約４００から約８００μＦまでの範囲とすることができる。
【００３９】
以下の実施例を参照することによって本発明を更に理解することができる。
【００４０】
試験手順
圧電ノイズ
圧電ノイズは一般に、ＩＳＯ１７０２５試験規格に従って求められる。例えば、コンデンサ組立体は、ホルダを介して振動テーブルにクランプされるプリント基板にはんだ付けされる。振動テーブルを使用してコンデンサ組立体に高レベルの機械的応力／歪みを印加し、セラミックス内部で発生する機械的力から電気ノイズ信号への変換量を求める。振動テーブルは、重力定数Ｇに関して加力を計測する加速度センサを介して信号源に接続される。例えば、振動テーブルは、コンデンサ組立体に１５Ｇを印加するように構成することができる。コンデンサ組立体は、直流定格電圧（例えば２．５Ｖ）で電源に電気的に接続される。テーブルからの振動は、コンデンサ組立体内で交番ピエゾ電圧信号を生成し、これは、コンデンサ組立体と直列に接続された抵抗上で計測される。信号の周波数は、１０ｋＨｚの最大ピエゾ電圧信号が得られるように以下の実施例において設定された。
【００４１】
等価直列抵抗（ＥＳＲ）及びインピーダンス
等価直列抵抗及びインピーダンスは、Ａｇｉｌｅｎｔ１６０８９Ｂ  Ｋｅｌｖｉｎ  Ｌｅａｄを備えたＡｇｉｌｅｎｔ４２８４Ａ  精密ＬＣＲメーターを使用して２ボルトのバイアス及び１ボルトの信号で計測された。動作周波数は、０．１から１０００ｋＨｚまでの範囲であった。
【００４２】
静電容量及び散逸率
静電容量及び散逸率は、Ａｇｉｌｅｎｔ１６０８９Ｂ  Ｋｅｌｖｉｎ  Ｌｅａｄを備えたＡｇｉｌｅｎｔ４２８４Ａ  精密ＬＣＲメーターを使用して２ボルトのバイアス及び１ボルトの信号で計測された。動作周波数は１２０Ｈｚであった。
【実施例】
【００４３】
コンデンサ組立体は、上述のように及び図４〜６及び図１０〜１３に示すように構成した。各コンデンサ組立体は、部品番号「ＮＯＪＹ２２７Ｍ００２」（ＡＶＸ  Ｃｏｒｐ）を有する酸化ニオブコンデンサを使用した。酸化ニオブコンデンサの各々は、約４．９５ミリメートルの長さ、２．６ミリメートルの幅、及び１．１５ミリメートルの厚さであった。各コンデンサ組立体はまた、Ｘ５Ｒ誘電体を用いて作られた部品番号「ＣＭ３２Ｘ５Ｒ１０７Ｍ０４ＡＢ」（１２１０サイズ）（Ｋｙｏｃｅｒａ）を有する定格１００マイクロファラッド（μＦ）及び４Ｖのセラミックコンデンサを使用した。構成部品は、約７．３ｍｍの長さ、約６．１ｍｍの幅、及び約３．４５ｍｍの高さを有する「Ｖケース」を用いて封入した。
【００４４】
上記に示した電気性能に関して試料を試験し、試料のうちの１つの結果を図７〜図９に示す。例えば図７は、コンデンサ組立体の１つについて圧電ノイズ（誘起電圧レベル）の時間的経過を示している。図示のようにノイズは比較的低く、すなわち絶対値約０．１ｍＶ未満に留まった。静電容量は、約１２０Ｈｚの試験周波数において約５４５μＦと５６０μＦの間で計測した。ＥＳＲは、約３００ｋＨｚの試験周波数において約２．２ｍΩと３．０ｍΩとの間で計測した。更に散逸率（ＤＦ）は、約３．４％と６．０％との間のレベルで計測した。ミリオーム単位のＥＳＲ対周波数のグラフ表示を図８に示し、同一の組立体における全体のデバイスインピーダンス対周波数を図９に示す。
【００４５】
当業者であれば本発明の精神及び範囲を逸脱することなく本発明のこれら並びに他の修正及び変形形態を実施することができる。加えて、種々の実施形態の態様は、全体的又は部分的のいずれでも置き換えることができる点を理解されたい。更に、上述の説明は例証に過ぎず、添付の請求項において更に記載する本発明を限定するものではない点を当業者であれば理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明で使用するための電解コンデンサの１つの実施形態の斜視図を示す。
【図２】本発明の１つの実施形態で使用するための多層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）の平面断面図を示す。
【図３】図２に示すような終端処理されたＭＬＣＣの斜視図を示す。
【図４】本発明のコンデンサ組立体の１つの実施形態の斜視図を示す。
【図５】図４のコンデンサ組立体の別の斜視図を示す。
【図６】図４のコンデンサ組立体の平面図を示す。
【図７】実施例において形成されたコンデンサ組立体の圧電ノイズ試験シミュレーションに対し、具体的に誘起電圧レベル対時間を表示するグラフ結果を示している。
【図８】実施例において形成されたコンデンサ組立体に対するＥＳＲ対周波数を表している。
【図９】実施例において形成されたコンデンサ組立体に対するインピーダンス対周波数を表示している。
【図１０】複合コンデンサ組立体の形成で使用するための終端部フレームの１つの実施形態の平面図を示す。
【図１１】本発明のコンデンサ組立体の例示的な第１及び第２のリードフレーム部分の平面図を示す。
【図１２】マルチアノード積層体及びセラミックコンデンサが接着される図１１の第１及び第２のリードフレーム部分の平面図を示す。
【図１３】封入ケースを除いて図示した図４〜図６のコンデンサ組立体の斜視図を示す。
【符号の説明】
【００４７】
２  電解コンデンサ
４  アノード本体
６  アノードワイヤ
８  誘電体フィルム
１０  カソード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【外国語明細書】
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