(57)【要約】【課題】低温で自然酸化膜除去のできる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板２００を収容する処理室２０１と、基板を加熱する加熱手段２０７と、処理室内に所望の処理ガスを供給するガス供給手段２３２と、処理室内の雰囲気を排出する排出手段２４６と、制御部１６２とを備え、制御部は、基板上に所望の薄膜を生成する前に、ガス供給手段から少なくとも三塩化ホウ素ガスを処理室内に供給し、基板上に生成されている自然酸化膜の除去を行うように制御する。【選択図】        図３
2007300019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室内に所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内の雰囲気を排出する排出手段と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板上に所望の薄膜を生成する前に、前記ガス供給手段から少なくとも三塩化ホウ素ガスを前記処理室内に供給し、前記基板上に生成されている自然酸化膜の除去を行うように制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板上に所望の薄膜を生成する前に、前記ガス供給手段から少なくともモノシランガスと三塩化ホウ素ガスを前記処理室内に供給し、前記基板上に生成されている自然酸化膜の除去を行うように制御することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関し、特に、半導体シリコンウエハを処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体シリコンウエハが大気中に露出されると、ウエハ表面のシリコンが大気中の酸素と反応して数Å程度の厚さの自然酸化膜を形成することになる。この自然酸化膜は集積回路の配線工程に不良要素として作用するだけでなく、集積回路の動作速度及び信頼性などに支障をきたすコンタクト抵抗などを高くする原因として作用する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来はこの自然酸化膜を除去するために、高温（約８００℃程度）で水素ガスを流し、ウエハをアニール処理する必要があった。しかしながら、基板処理の温度は低温化のニーズがあるため、従来の技術である高温水素アニール処理に変わる自然酸化膜除去の方法が必要となる。
【０００４】
本発明の主な目的は、高温で行っていた自然酸化膜除去方法の問題を改善するため、低温で自然酸化膜除去のできる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、
基板を収容する処理室と、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室内に所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内の雰囲気を排出する排出手段と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板上に所望の薄膜を生成する前に、前記ガス供給手段から少なくとも三塩化ホウ素ガスを前記処理室内に供給し、前記基板上に生成されている自然酸化膜の除去を行うように制御することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、低温で自然酸化膜除去のできる基板処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
次に、本発明の好ましい実施例を説明する。
本発明の好ましい実施例では、モノシランガス（ＳｉＨ４）と三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）または三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）のみを用いて自然酸化膜の除去を行う。自然酸化膜の除去は、低温（１００〜４００℃程度）で行うことができる。
【０００８】
次に、図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【０００９】
図１は、本発明の好ましい実施例における縦型選択エピタキシャル成長装置を説明するための概略斜視図であり、図２は、本発明の好ましい実施例における縦型選択エピタキシャル成長装置を説明するための概略構造縦断面図であり、図３は、本発明の好ましい実施例における縦型選択エピタキシャル成長装置の処理炉を説明するための概略構造縦断面図である。
【００１０】
図１に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてのカセット１１０が使用されている本発明の処理装置１０１は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの下方にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４が建て付けられている。メンテナンス扉１０４には、カセット搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。カセット搬入搬出口１１２の筐体１１１内側にはカセットステージ（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。カセット１１０はカセットステージ１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、カセットステージ１１４上から搬出されるようになっている。カセットステージ１１４は、工程内搬送装置によって、カセット１１０内のウエハ２００が垂直姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置されるように構成されている。
【００１１】
筐体１１１内の前後方向の略中央下部には、カセット棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、カセット棚１０５は複数段複数列にて複数個のカセット１１０を保管し、カセット１１０内のウエハ２００を出し入れする可能となるように配置されている。カセット棚１０５はスライドステージ（水平移動機構）１０６上に横行可能に設置されている。また、カセット棚１０５の上方にはバッファ棚（基板収容器保管棚）１０７が設置されており、カセット１１０を保管するように構成されている。
【００１２】
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、カセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連続動作により、カセットステージ１１４、カセット棚１０５、バッファ棚１０７との間で、カセット１１０を搬送するように構成されている。
【００１３】
カセット棚１０５の後方には、ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａおよびウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図Ａに模式的に示されているように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、耐圧筐体１１１左側端部に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１４】
図１に示されているように、バッファ棚１０７の後方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４ａが設けられておりクリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。また、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である右側端部には、クリーンエアを供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成された図示しないクリーンユニットが設置されており、クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置１２５ａを流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気されるようになっている。
【００１５】
ウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａの後側には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な機密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という。）１４０が設置されており、この耐圧筐体１４０によりボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室１４１が形成されている。
【００１６】
耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａにはウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１４２が開設されており、ウエハ搬入搬出口１４２はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）１４３によって開閉されるようになっている。耐圧筐体１４０の一対の側壁にはロードロック室１４１へ窒素ガス等の不活性ガスを給気するためのガス供給管１４４と、ロードロック室１４１を負圧に排気するための図示しない排気管とがそれぞれ接続されている。
【００１７】
ロードロック室１４１上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
図Ａに模式的に示されているように、ロードロック室１４１にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５に連結された連結具としての図示しないアームには蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００１８】
次に、本実施例の基板処理装置である縦型選択エピタキシャル成長装置の処理炉周辺の構成を図２を参照して説明する。
【００１９】
気密室としてのロードロック室１０２の外面に下基板１４５が設けられ、下基板１４５に立設したガイドシャフト１４６の上端に上基板１６７が設けられ、下基板１４５と上基板１６７間に掛渡してボール螺子１６４が回転自在に設けられる。ボール螺子１６４は上基板１６７に設けられた昇降モータ１４８により回転される。ガイドシャフト１４６には昇降台１４９が昇降自在に嵌合し、昇降台１４９はボール螺子１６４に螺合している。
【００２０】
昇降台１４９には中空の昇降シャフト１５０が垂設され、昇降台１４９と昇降シャフト１５０の支持部は気密となっている。昇降シャフト１５０はロードロック室１０２の天板１５１を遊貫し、ロードロック室１０２の底面近くに到達する。天板１５１の貫通部は昇降シャフト１５０の昇降動に対して接触することがない様充分な余裕があり、又ロードロック室１０２と昇降台１４９間には昇降シャフト１５０の突出部を覆う伸縮性を有する壁（例えばベローズ１１９）が気密に設けられ、ベローズ１１９は昇降台１４９の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、ベローズ１１９の内径は昇降シャフト１５０の外形に比べ充分に大きくベローズ１１９の伸縮で接触することがない様になっている。
【００２１】
昇降シャフト１５０の下端には昇降基板１５２が水平に固着される。昇降基板１５２の下面には駆動部カバー１５３が取付けられ、駆動部収納ケース１５４が構成されている。昇降基板１５２と駆動部カバー１５３との接合部にはＯリング等のシール部材により密閉される。従って、駆動部収納ケース１５４内部はロードロック室１０２内の雰囲気と隔離される。
【００２２】
また、昇降基板１５２の下面にはボート２１７の回転機構１５６が設けられ、回転機構１５２の周辺は、冷却手段１５７により、冷却される。
【００２３】
電力供給ケーブル１５８が昇降シャフト１５０の上端から昇降シャフト１５０の中空部を通って回転機構１５６に導かれて接続されている。また、冷却手段１５７およびシールキャップ２１９には冷却水経路１５９が形成されており、冷却水経路１５９には冷却水を供給する冷却水配管１６０が接続され、冷却水配管１６０は昇降シャフト１５０の上端から昇降シャフト１５０の中空部を通っている。
【００２４】
昇降基板１５２の上面には、シールキャップ２１９が気密に設けられる。昇降モータ１４８を駆動し、ボール螺子１６４を回転することで昇降台１４９、昇降シャフト１５０を介して駆動部収納ケース１５４を上昇させる。
【００２５】
昇降台１４９の上死点近傍でシールキャップ２１９が処理炉２０２の開口部である炉口１６１を閉塞し、ウエハ処理が可能な状態とする。ウエハ処理が完了すると、昇降モータ１４８が駆動されて、ボート２１７が降下され、ウエハを外部に搬出できる状態となる。
【００２６】
次に、本実施例の基板処理装置である縦型選択エピタキシャル成長装置の処理炉の詳細を図３を参照して説明する。
【００２７】
図４に示すように、処理炉２０２は、アウタチューブ２０５よりなる反応管と、ガス排気管２３１と、ガス供給管２３２と、マニホールド２０９と、マニホールド２０９の下端部（炉口１６１）を蓋し処理室２０１を密閉するシールキャップ２１９と、シールキャップ２１９上に設けられウエハ２００を垂直方向に多段に搭載するウエハ搭載体としてのボート２１７と、ボート２１７を回転する回転機構１５６と、図示しないヒータ素線と断熱部材を有しウエハ２００を加熱するヒータ２０７等を備えている。
アウタチューブ２０５、マニホールド２０９およびシールキャップ２１９等により処理室２０１を構成している。
【００２８】
この処理炉２０２の構成において、処理ガスは、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２および第４のガス供給源１８７から供給され、ガス流量制御手段としてのＭＦＣ（マスフローコントローラー）１８３、ＭＦＣ１８４、ＭＦＣ１８５およびＭＦＣ１８８でその流量がそれぞれ制御された後、バルブ１７７、１７８、１７９、１８６をそれぞれ介して一本のガス供給管２３２より処理室２０１の上部から導入される。なお、ガス供給管２３２は、マニホールド２０９を貫通し、アウタチューブ２０５内を処理室２０１の上部まで延在して設けられている。ガス供給管２３２にはバルブ１７６が設けられている。
【００２９】
マニホールド２０９には、ガス排気管２３１が連通して設けられている。ガス排気管２３１には排気バルブ１７５および排気システムとしての真空ポンプ２４６が下流側に向かってこの順序で設けられている。処理室２０１内の雰囲気はガス排気管２３１に接続された真空ポンプ２４６により、処理室２０１から排気される。
【００３０】
なお、ヒータ２０７、回転機構１５６、ＭＦＣ１８３、１８４、１８５、１８８、バルブ１７５、１７６、１７７、１７８、１７９、１８６、昇降モータ１４８、ロードロックドア１２３、ゲートバルブ２４４、真空ポンプ２４６等は制御装置１６２によって制御され、ウエハ２００を搭載したボート２１７の処理室２０１とローロック室１０２との間の昇降、ゲートバルブ２４４やロードロックドア１２３の開閉、処理炉２０２内の温度制御、処理室２０１内への処理ガスの供給、ロードロック室１０２への不活性ガスとしての窒素ガスの供給、ロードロック室１０２の排気等が制御装置１６２によって制御される。
【００３１】
次に、本実施例の基板処理装置である縦型選択エピタキシャル成長装置における半導体ウエハ２００の処理の一例として、半導体シリコンウエハの自然酸化膜をＢＣｌ３とＳｉＨ４またはＢＣｌ３単独で除去し、その後、ＳｉＨ４、ＨＣｌおよびＨ２を用いてエピタキシャルＳｉ膜を選択成膜する場合を説明する。
【００３２】
図１に示されているように、カセット１１０がカセットステージ１１４に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。その後、カセット１１０はカセット搬入搬出口１１２から搬入され、カセットステージ１１４の上にウエハ２００が垂直姿勢であって、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
【００３３】
次に、カセット１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセットステージ１１４から救い上げられるとともに、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体後方を向けるように、筐体後方に右周り縦方向９０°回転させられる。引き続いて、カセット１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセット棚１０５ないしバッファ棚１０７の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、カセット搬送装置１１８によってカセット棚１０５に移載されるか、もしくは直接カセット棚１０５に搬送される。
【００３４】
スライドステージ１０６はカセット棚１０５を水平移動させ、移載の対象となるカセット１１０をウエハ移載装置１２５ａに対峙する様に位置決めする。
【００３５】
予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウエハ搬入搬出口１４２がゲートバルブ１４３の動作により開放されると、ウエハ２００はカセット１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ウエハ搬入搬出口１４２を通じてロードロック室１４１に搬入され、ボート２１７へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはカセット１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。
【００３６】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、ウエハ搬入搬出口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられ、ロードロック室１４１は排気管から真空引きされることにより、減圧される。ロードロック室１４１が処理炉２０２内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
【００３７】
制御装置１６２によりヒータ２０７を制御し、処理室２０１内の温度、ひいてはウエハ２００の温度を２００〜７００℃の範囲内の所定の温度に維持する。また、回転機構１５６を駆動してボート２１７を所定の回転数で回転する。
【００３８】
第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２、第４のガス供給源１８７には、ＳｉＨ４、ＨＣｌ、ＢＣｌ３およびＨ２がそれぞれ封入されており、それぞれの流量はＭＦＣ１８３、ＭＦＣ１８４、ＭＦＣ１８５、ＭＦＣ１８８によってそれぞれ制御される。ＢＣｌ３のガス流量は５〜５００ｓｃｃｍ、ＳｉＨ４のガス流量は５〜１０００ｓｃｃｍ、ＨＣｌのガス流量は５〜５００ｓｃｃｍ、Ｈ２のガス流量は０〜３００００ｓｃｃｍの範囲内の所定の流量に制御される。ガス供給管を開閉するバルブ１７７，１７８，１７８、１８６の開閉を制御し、バルブ１７６を開いて、所定の処理ガスをガス供給管２３２を通じて、処理室２０１に供給し、一方では、ガス排気管２３６によって排気することによって、処理室２０１内の圧力を３００Ｐａ以下の範囲内の所定の圧力に保つ。
【００３９】
まず、ＳｉＨ４のみ、ＢＣｌ３のみ、ＳｉＨ４とＢＣｌ３とを用いた場合の３つの場合につき、それぞれ表１に示す条件で、自然酸化膜の除去を行った。
【００４０】
【表１】
2007300019.tif 000003
【００４１】
その後、ウエハ２００の温度を４００〜５００℃の範囲内の所定の温度に維持し、ＳｉＨ４、ＨＣｌおよびＨ２を使用して、処理室２０１内の圧力を１〜１００Ｐａの範囲内の所定の圧力に保ってＳｉの選択エピタキシャル成長を行った。
【００４２】
処理後は、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出され更に、ロードロック室１４０内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ１４３が開かれる。その後は、概上述の逆の手順で、ウエハ２００およびカセット１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
【００４３】
ＳＩＭＳ（Secondary Ionization Mass Spectrometer）にて測定したボロン濃度とシリコン基板とシリコンエピタキシャル膜との界面酸素濃度の結果を表１および図４に示す。
【００４４】
ＢＣｌ３のみを用いた場合では、５００℃の低温で自然酸化膜が除去でき、ＳｉＨ４のみを用いた場合よりも界面酸素濃度の低減が図れることがわかる。
【００４５】
ＳｉＨ４とＢＣｌ３とを用いた場合では、２００℃の低温で自然酸化膜が除去でき、界面酸素濃度の低減を図れると共に、ＢＣｌ３のみを用いた場合に比べてボロン濃度を低減することができることがわかる。
【００４６】
図５には、ＳｉＨ４のみを用いた場合の自然酸化膜除去の想定メカニズムを示す。まず、（１）熱分解したＳｉＨ４のＳｉと自然ＳｉＯ２のＯが結合して、Ｓｉ＋Ｏ→ＳｉＯなる反応にて自然ＳｉＯ２が除去され、（２）次に、熱分解したＳｉＨ４のＨと自然ＳｉＯ２のＯが結合して、Ｈ＋Ｏ→ＯＨなる反応にて自然ＳｉＯ２が除去されると考えられる。
【００４７】
図６には、ＳｉＨ４とＢＣｌ３とを用いた場合の自然酸化膜除去の想定メカニズムを示す。ＢＣｌ３が熱分解してＢを生じ、熱分解して生じたＢの触媒作用によってＳｉＨ４の熱分解を促進させると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の好ましい実施例における縦型選択エピタキシャル成長装置を説明するための概略斜視図である。
【図２】本発明の好ましい実施例における縦型選択エピタキシャル成長装置を説明するための概略構造縦断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例における縦型選択エピタキシャル成長装置の処理炉を説明するための概略構造縦断面図である。
【図４】ＳＩＭＳ（Secondary Ionization Mass Spectrometer）にて測定したボロン濃度とシリコン基板とシリコンエピタキシャル膜との界面酸素濃度を示す図である。
【図５】ＳｉＨ４のみを用いた場合の自然酸化膜除去の想定メカニズムを示す図である。
【図６】ＳｉＨ４とＢＣｌ３とを用いた場合の自然酸化膜除去の想定メカニズムを示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０１  …処理装置
１０３  …正面メンテナンス口
１０４  …正面メンテナンス扉
１０５  …カセット棚
１０６  …スライドステージ
１０７  …バッファ棚
１１０  …カセット
１１１  …筐体
１１１ａ…正面壁
１１２  …カセット搬入搬出口
１１３  …フロントシャッタ
１１４  …カセットステージ
１１５  …ボートエレベータ
１１８  …カセット搬送装置
１１８ａ…カセットエレベータ
１１８ｂ…カセット搬送機構
１１９  …ベローズ
１２５  …ウエハ移載機構
１２５ａ…ウエハ移載装置
１２５ｂ…ウエハ移載装置エレベータ
１２５ｃ…ツイーザ
１３４ａ…クリーンユニット
１４０  …耐圧筐体
１４０ａ…正面壁
１４１  …ロードロック室
１４２  …ウエハ搬入搬出口
１４３  …ゲートバルブ
１４４  …ガス供給管
１４５  …下基板
１４６  …ガイドシャフト
１４７  …炉口ゲートバルブ
１４８  …昇降モータ
１４９  …昇降台
１５０  …昇降シャフト
１５１  …天板
１５２  …昇降基板
１５３  …駆動部カバー
１５４  …駆動部収納ケース
１５６  …回転機構
１５７  …冷却手段
１５８  …電力供給ケーブル
１５９  …冷却水経路
１６０  …冷却水配管
１６１  …炉口
１６２  …制御装置
１６４  …ボール螺子
１６７  …上基板
１７５  …排気バルブ
１７６、１７７、１７８、１７９、１８６…バルブ
１８３、１８４、１８５、１８８…ＭＦＣ
１８０  …第１のガス供給源
１８１  …第２のガス供給源
１８２  …第３のガス供給源
１８７  …第４のガス供給源
２００  …ウエハ
２０１  …処理室
２０２  …処理炉
２０５  …アウターチューブ
２０７  …ヒータ
２０９  …マニホールド
２１７  …ボート
２１９  …シールキャップ
２３１  …ガス排気管
２３２  …ガス供給管
２４６  …排気システム（真空ポンプ）
【図１】
2007300019.tif 000004
【図２】
2007300019.tif 000005
【図３】
2007300019.tif 000006
【図４】
2007300019.tif 000007
【図５】
2007300019.tif 000008
【図６】
2007300019.tif 000009