(57)【要約】【課題】  本発明は、Ｓｎ−Ｃｕ合金の表面肌の悪さに起因する外観検査での不良判定やはんだボールの搭載不良といった問題を解決するとともに、耐落下衝撃性に優れ、高温環境下での接合強度の低下を抑制したＰｂフリーはんだ合金、はんだボール、およびはんだ接合部を提供する。【解決手段】  ｍａｓｓ％で０．６〜０．７５％のＣｕと、０．３〜１．５％のＡｇと、０．０１％を超え、０．１％以下のＧｅと、残部Ｓｎ及び不可避的不純物からなるはんだ合金であり、好ましくはＡｇの含有量がｍａｓｓ％で、０．５〜１％である。また好ましくはＧｅの含有量がｍａｓｓ％で０．０１％を超え、０．０６％以下である。該はんだ合金は球状化されてなるはんだボールであることが好ましい。また、本発明は、はんだ合金がＮｉ電極に接合されてなるはんだ接合部である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍａｓｓ％で０．６〜０．７５％のＣｕと、０．３〜１．５％のＡｇと、０．０１％を超え、０．１％以下のＧｅと、残部Ｓｎ及び不可避的不純物からなることを特徴とするはんだ合金。
【請求項２】
Ａｇがｍａｓｓ％で、０．５〜１％であることを特徴とする請求項１に記載のはんだ合金。
【請求項３】
Ｇｅがｍａｓｓ％で、０．０１％を超え、０．０６％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のはんだ合金。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のはんだ合金が球状化されてなることを特徴とするはんだボール。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかに記載のはんだ合金がＮｉ電極に接合されてなるはんだ接合部。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品等のはんだ付けに使用されるはんだ合金、はんだボールおよびはんだ接合部に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などのモバイル機器における実装面積の減少に伴って、半導体パッケージも小型化の傾向にあり、半導体パッケージをマザーボードに接続する実装形態も、従来のリードを用いた周辺端子型から格子状に電極端子を形成したタイプへと変遷している。代表的なものがＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）であるが、その電極は、球状に成形されたはんだ、つまりはんだボールを用いてマザーボードに接続される。
【０００３】
半導体パッケージには種々の外力が加えられることがある。例えば、モバイル機器特有の外力として、落下衝撃が挙げられる。これはモバイル機器を使用したり持ち運んだりする際に、不注意で落としてしまうことがあるためである。従来の周辺端子型パッケージでは、このような外力をリードが変形することで緩和することができた。一方、ＢＧＡの場合、リードを介さずはんだボールにより直接マザーボートに接合されるため、半導体パッケージやマザーボードを破損させないためにははんだ接合部が外力を吸収する必要がある。結果として、落下衝撃が負荷されたときのはんだ接合信頼性が、モバイル機器の寿命を高める上で極めて重要となっている。
【０００４】
一方、ＥＵのＲｏＨＳ（Ｔｈｅ  ｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｕｓｅ  ｏｆ  ｃｅｒｔａｉｎ  ｈａｚａｒｄｏｕｓ  ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ）指令に代表される近年の環境問題への取り組みの一つとして、はんだのＰｂフリー化が世界的に進められており、従来用いられてきたＳｎ−Ｐｂ共晶はんだの使用が禁止になりつつある。代替はんだの主たるものとして、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５ＣｕやＳｎ−３．５Ａｇ−０．７５Ｃｕといった、Ａｇを３〜４ｍａｓｓ％、Ｃｕを０．５〜０．７５ｍａｓｓ％含むＳｎ基合金が挙げられる。Ｓｎの融点が２３２℃であるのに対し、ＡｇおよびＣｕを添加することで２２０℃付近まで下げることが可能であり、これによってはんだ付け温度を低くして半導体パッケージの熱的損傷を抑えられることができる。
ただし、Ｓｎ中のＡｇやＣｕは、Ｓｎと金属間化合物を形成することではんだを硬化させることから、従来のＳｎ−Ｐｂ共晶はんだと比較して延性に乏しい。結果として、モバイル機器を落とした際に、はんだ接合界面で容易に破断することが深刻な問題となっており、耐落下衝撃性に優れたＰｂフリーはんだに対するニーズが急速に高まっている。
【０００５】
はんだ接合部の耐衝撃性を改善する方法として、次の二つが考えられる。一つは、はんだの延性を改善して変形能を高めることであり、はんだ中のＡｇやＣｕの含有量を低減することで行われている。Ａｇは３．５ｍａｓｓ％、Ｃｕは０．７５ｍａｓｓ％ほどＳｎに添加されることで融点が最も低い共晶組成となるが、ＡｇはＣｕよりも融点を下げるために多量に添加する必要があり、はんだを硬化させる作用が大きい。
そこで特許文献１や特許文献２では、Ａｇを含まないＳｎ−Ｃｕ合金を使用することで、はんだの機械的特性の改善を行っている。もう一つの方法として、はんだ接合界面の強度を改善することが考えられる。例えば、非特許文献１では、Ｃｕが０．７ｍａｓｓ％以上のＳｎ−Ｃｕ合金をＮｉ上にはんだ付けした際に、接合界面に形成されるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物がＮｉから剥離せず、安定した接合が得られることを報告している。さらに、特許文献１では、Ｃｕ電極上にＣｕを多く含むはんだを接合した場合、Ｃｕ電極の食われを抑制することができ、接合強度が改善されることを明らかにしている。
【特許文献１】特開平１１−２２１６９５号公報
【特許文献２】特開２０００−１９００９０号公報
【非特許文献１】Ｗ．Ｔ．Ｃｈｅｎ  ｅｔ  ａｌ．：  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，  １７  （２００２）  ２６３．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように、Ｓｎ−Ｃｕ合金はＳｎよりも融点が低く、はんだ付け時の半導体パッケージの熱的損傷を抑えることができる上、Ｎｉ電極やＣｕ電極に接合された場合に安定した接合強度を示すといった利点がある。しかしながら、本発明者がＳｎ−Ｃｕ合金について検討した結果、はんだの表面に非常に大きな凹凸が存在し、良好な金属光沢がなくなるため、外観検査した際に高い確率で不良と判断される問題が発生した。
【０００７】
また、ＢＧＡの接合に使用されるはんだボールは、ＢＧＡの電極に搭載された後、加熱溶融されるが、表面に凹凸があるとＢＧＡの電極にうまく搭載できず生産性を著しく損ねてしまう。さらに、はんだボールを何とか搭載し接合することができた場合にも、接合後のはんだ表面組織もボールと同様に凹凸が激しいため、外観検査で不良と判断されたり、はんだの高さバラツキを測定する際にレーザー光がうまく反射せず正確な値が測定できないなどの問題が多発した。結果として、半導体パッケージの生産性と歩留まりが大幅に低下した。
【０００８】
加えて、表面の大きな凹凸は外気との接触確率を高めるため、はんだの表面酸化が進行しやすい。このため、機器が高温環境可で使用されたり、半導体パッケージが多量の熱を発する場合、はんだの酸化が進行しやすく、結果として金属光沢がさらに損なわれる問題が発生した。
【０００９】
さらに、Ｃｕ含有量が高いＳｎ−Ｃｕ合金がＮｉ電極に接合された場合、接合界面に形成されるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物がＮｉ電極から剥離せず安定した強度を示す。しかし、半導体パッケージの発熱等により長時間高い温度に曝された場合、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物が厚く成長し、かえって接合強度が損なわれることがわかった。
【００１０】
本発明の目的は、Ｓｎ−Ｃｕ合金の表面肌の悪さに起因する外観検査での不良判定やはんだボールの搭載不良といった問題を解決するとともに、耐落下衝撃性に優れ、高温環境下での接合強度の低下を抑制したＰｂフリーはんだ合金、はんだボール、およびはんだ接合部を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、Ｓｎ−Ｃｕ合金にＡｇを厳密に制御された量だけ添加することにより、延性をほとんど低下させることなく、はんだ表面の凹凸を低減できることを見出した。また、わずかな量のＧｅを添加することでさらに表面肌が改善され、金属光沢が向上すること見出した。加えて、高温環境下におけるＮｉ電極上のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物の成長が、ＡｇおよびＧｅの添加によって遅延させることが可能であり、接合強度を維持できることを見出し、本発明に到達した。
【００１２】
すなわち本発明は、ｍａｓｓ％で０．６〜０．７５％のＣｕと、０．３〜１．５％のＡｇと、０．０１％を超え０．１％以下のＧｅと、残部Ｓｎ及び不可避的不純物からなるはんだ合金である。
【００１３】
好ましくは、Ａｇがｍａｓｓ％で、０．５〜１％であるはんだ合金である。
また、好ましくは、Ｇｅがｍａｓｓ％で、０．０１％を超え０．１％以下であるはんだ合金である。
【００１４】
さらに好ましくは、はんだ合金が球状化されてなることを特徴とするはんだボールである。
【００１５】
また本発明は、はんだ合金がＮｉ電極に接合されてなるはんだ接合部である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によって、Ｓｎ−Ｃｕ合金における延性を損ねることなく、表面肌の悪さに起因した金属光沢の低下やはんだボール搭載性の問題が飛躍的に改善され、また、高温環境下での化合物成長に起因する接合強度の低下を抑制し、はんだ付け後、長期に渡って接合信頼性を確保することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
上述のように本発明の重要な特徴は、Ｓｎ−Ｃｕ合金の延性を阻害せず、表面肌を改善できるようなＡｇ量を見出したことにある。また、わずかな量のＧｅを添加することでさらに表面肌が改善される上、金属光沢の低下も抑制できることを見出したことにある。加えて、ＡｇおよびＧｅの添加は、Ｎｉ電極に接合された後、高温環境下に長時間放置された場合にも、接合界面に形成されるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物の成長を抑え、十分な接合強度を維持できることを見出したことにある。
【００１８】
以下に、本発明の組成について説明する。
本発明は、Ｃｕの含有量を０．６〜０．７５ｍａｓｓ％とする。その理由は、ＣｕをＳｎに添加することで融点が下がるが、０．６ｍａｓｓ％未満の場合はその効果が小さいためである。
一方、Ｃｕの含有量が０．７５ｍａｓｓ％を超えると、融点の上昇を招き、はんだ付け温度を高める必要があるため、半導体パッケージの熱的損傷を与えてしまう。
また、０．７５ｍａｓｓ％を超えるとＣｕが過剰となり、接合界面だけでなくはんだ内にも粗大なＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物が形成され、はんだの延性が損なわれる。
【００１９】
例えば、Ｎｉ電極に接合した際に接合界面に形成されるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物が不安定で、Ｎｉ電極から剥離し接合強度を損ねるためである。これは、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物には（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５と（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４の２種類があり、０．６ｍａｓｓ％未満のＣｕでは両方が共存することで接合状態が一様でなくなるためである。一方、はんだとしてのＣｕの含有量が０．６ｍａｓｓ％以上になると、十分にＣｕの濃度が高いためＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物は（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が安定して存在し、接合界面からの化合物の剥離もなく接合強度を確保できる。
【００２０】
例えば、Ｃｕ電極の場合、はんだ付け時に０．８ｍａｓｓ％程度までＣｕ電極がＳｎ中に溶け込み、はんだとしてのＣｕの含有量が０．６ｍａｓｓ％以上であれば、Ｃｕ電極の食われも小さく、接合強度の低下を抑制するには十分な量である。
【００２１】
本発明において重要なのは、Ｓｎ−Ｃｕ合金にＡｇおよびＧｅを添加することにより、表面肌の問題を解決できることである。Ｓｎ−Ｃｕ合金において表面肌が悪くなる要因は、合金が凝固したときに凹凸のあるデンドライト組織を形成するためである。また、冷却速度が速くなるほどはんだが過冷されて急激なデンドライトの形成を伴うため、表面の凹凸は大きくなる。
さらに、デンドライト組織はその組織間に巣を形成しやすい。このような表面の凹凸や巣は、金属光沢を低下させるだけでなく、外気と接する割合を増加するため、はんだの酸化が進行し、さらなる光沢の低下を招く。
【００２２】
表面肌の問題を解決するには、はんだの組成を厳密にコントロールして凝固速度を遅くすることが有効である。これは、凝固の際に必要な過冷度を小さくすることと、凝固の際に固相と液相が共存している温度範囲、つまり固−液共存域を広くすることで達成される。
【００２３】
Ａｇ単独で添加した場合は、固−液共存域の拡大に非常に有効である。ＡｇにはＳｎ−Ｃｕ合金の融点を下げる効果もある。
一方、Ｇｅを単独で添加した場合は、過冷度の縮小に非常に有効である。さらに、ＡｇとＧｅを併せて添加することによって、Ａｇの添加によって拡大された固−液共存域をさらに拡大でき、表面肌の良好なはんだが得られる。これにより、外観検査における金属光沢の問題やはんだボールの搭載不良の問題を飛躍的に改善できる。
【００２４】
Ａｇの含有量を０．３〜１．５ｍａｓｓ％とするのは以下の理由である。Ａｇの添加により融点が低下するとともに、固−液共存域を広げることが可能である。Ａｇの含有量が０．３ｍａｓｓ％未満の場合、それらの効果はほとんど期待できないが、Ａｇの含有量が０．３ｍａｓｓ％以上になると、それらの効果が得られる。一方、１．５ｍａｓｓ％を超えて添加すると、はんだ中にＳｎと金属間化合物を形成することで硬化し、耐落下衝撃性が損なわれるうえ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元共晶組成に近くなり、固−液共存域が縮小する。
【００２５】
また、好ましいＡｇの量は０．５〜１．０ｍａｓｓ％であり、はんだの延性を損ねることなく固−液共存域を十分に拡大することが可能であり、表面肌の改善に有効である。また、Ｎｉ電極上のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物の成長を阻害するピンニング効果が有効に発揮され、高温環境下での強度低下を抑える。
【００２６】
Ｇｅの含有量を０．０１ｍａｓｓ％を超え０．１ｍａｓｓ％以下とするのは以下の理由である。はんだとしてのＧｅの含有量が０．０１ｍａｓｓ％以下の場合、過冷度を小さくする効果が小さいため表面肌の改善があまり期待できない。また、Ｎｉ電極上でＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物の結晶粒界に濃化し成長を抑制するのに十分な添加量ではないため、強度低下を抑制する効果がほとんど得られない。
一方、０．１ｍａｓｓ％を超えて添加するとはんだが著しく硬化するため、耐落下衝撃性がかえって損なわれる。また、ＧｅはＳｎよりも酸化しやすい合金であり、過剰な添加ははんだの濡れ性を低下させる。
また、好ましいＧｅの含有量は、０．０１ｍａｓｓ％を超え０．０６ｍａｓｓ％以下である。これは、０．０６ｍａｓｓ％までにすることで、表面肌の改善に十分な過冷度が得られるとともに、Ｇｅによるはんだの延性低下を最小限に抑えることができ、耐衝撃性改善効果が得られやすいためである。
【００２７】
以上に述べた本発明のはんだ合金は、球状化してはんだボールとして用いる場合、非常に有効である。ＢＧＡをマザーボードに接合するために、はんだボールをＢＧＡの電極上に搭載し、加熱溶融することで突起状のはんだバンプを形成するが、本発明におけるはんだ合金では、表面肌の良いボールに成形できるため、ボールを搭載するときの搭載不良が大幅に低減できる。
また、搭載時にボール同士が機械的に接触するため表面酸化が進行しやすいが、表面肌の良いボールは比表面積が小さく外気との接触率が低い上、搭載確率そのものも高いため、酸化の進行を抑えられる。また、溶融してはんだバンプにしたときにも良好な表面肌は維持されるため、外観検査において見た目も良好であり、レーザー顕微鏡を用いてはんだバンプの高さばらつきを測定する際にも、レーザー光が安定して反射するため測定エラーが発生しない。
【００２８】
また、本発明のはんだ合金およびはんだボールは、Ｎｉ電極に接合された場合さらに有効である。これは、Ｎｉ電極上に形成されるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物が高温環境に曝された場合も、ＡｇがＳｎと化合物を形成することでピンニング効果を発揮するとともに、Ｇｅが化合物の結晶粒界に濃化することで成長を抑え、高温環境下での接合強度の低下を縮小できるためである。Ｎｉ電極の表面には、Ｎｉの酸化を抑制し、はんだ濡れ性を改善する目的でＡｕやＰｄなどの金属層が形成される場合がある。この場合にも同様の効果が得られる。
【実施例１】
【００２９】
Ｓｎ−Ｃｕ合金と、それにＡｇおよびＧｅを添加した合金を作製した後、直径０．３ｍｍのはんだボールへ成形した。評価したはんだ組成を表１に示す。成形には均一液滴噴霧法を用いた。均一液滴噴霧法とは、るつぼ内ではんだ合金を溶解し、溶融はんだをるつぼから排出することにより微小球を製造する方法であり、排出する際に溶融はんだに振動を付与することで、排出された溶融金属を体積の均一な微小球とする方法である。尚、該成形方法における冷却速度は約１００℃／ｓであった。作製したはんだボールの反射率を測定し、金属光沢の度合を評価した。
【００３０】
【表１】
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【００３１】
測定は色彩計により行い、３０ｍｍ角のトレイにはんだボールが互いに重ならないように一様に並べた後、光を当ててＬ＊ａ＊ｂ＊表色系における明度Ｌ＊を求めた。また、表面酸化の進行による金属光沢の低下と表面肌との関係を明らかにするため、はんだボールを１５０℃で１００ｈ放置したものも作製し、同様に反射率を測定した。これに加え、固−液共存域の温度範囲と過冷度を測定するため、示差熱分析を行った。熱分析における昇温および降温速度はいずれも２℃／ｍｉｎとした。
【００３２】
評価結果を表２に示す。また、本発明２のはんだボール表面の走査型電子顕微鏡で観察した結果を図１に示す。尚、比較例１は成形性が非常に悪く、反射率の測定に十分なはんだボールを得ることができなかった。表１より、Ａｇを添加することで固−液共存域を広げることができるが、比較例５のように、添加量が１ｍａｓｓ％を超えるとその効果が薄れるだけでなく、過冷度が１ｍａｓｓ％の場合よりも大きくなる。
一方、Ｇｅ添加により、固−液共存域を若干広げることができ、過冷度も大幅に小さくなるため、はんだボールの反射率が改善されている。特に、１５０℃で１００ｈ放置した場合の反射率に大きな差が見られ、本発明におけるはんだによって得られたボールは、１００ｈ放置後も４０％以上を維持した。また図１より、本発明におけるはんだは非常に真球に近いはんだボールが得られることがわかる。以上のことから、本発明におけるはんだは表面肌が良好であり、成形後だけでなく高温環境下でも十分な光沢を有していることがわかる。
【００３３】
【表２】
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【実施例２】
【００３４】
次に、Ｃｕ基材上へ電解Ｎｉ／Ａｕめっきした電極（以降、Ｎｉ電極と称す）に直径０．３ｍｍのはんだボールを用いてはんだバンプを形成し、はんだ接合信頼性を評価した。ここで、電極の直径は０．２５ｍｍとした。はんだ付けは２４０℃まで加熱することで行ったが、高温環境下での劣化挙動を評価するため、はんだ付け後に１５０℃で１００ｈ放置した試料も併せて作製した。このようにして作製した試料において、接合界面に形成されるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物の剥離の確認と、化合物厚さ測定を行うため断面組織観察を行った。Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物の厚さは、断面組織写真における界面化合物の面積を画像処理により求め、単位接合界面長当たりの厚さとして求めた。その結果を表３に示す。
また、本発明２のはんだ付け後の断面組織を図２に、比較例３のはんだ付け後の断面組織を図３に示す。
また、本発明３、５、６と比較例６のはんだ付け後の断面組織をそれぞれ図４、６、８、１０に示す。また、本発明３、５、６と比較例６の１５０℃１００ｈ放置後の断面組織をそれぞれ図５、７、９、１１に示す。尚、比較例３および５は、図３に示すような化合物剥離が発生したため、化合物厚さが測定できなかった。
【００３５】
接合信頼性を評価する方法として小型シャルピー衝撃試験機を用い、はんだバンプに重さ２０ｇの振り子を１ｍ／ｓの速度で衝突させ、はんだ接合界面で破壊する確率を求めた。測定は、２５個のはんだバンプに対して行った。はんだ付け時の化合物剥離の有無と、衝撃試験における界面破壊確率の測定結果を表３に示す。
【００３６】
表３および図２より、Ｃｕ量を０．６〜０．７５ｍａｓｓ％とすることで化合物剥離が抑えられる上、Ｇｅ添加により１５０℃放置による化合物成長が抑制されており、シャルピー衝撃試験による破壊も相対的に低い界面破壊確率を示した。ただし、比較例１に示されるように、Ｇｅ添加量が０．０１ｍａｓｓ％以下の場合は添加量が少ないため化合物の成長を抑制できず、界面破壊確率も高い。
本発明１および２と、本発明３から６の比較からわかるように、Ｇｅ添加量が０．０１ｍａｓｓ％を超え０．０６ｍａｓｓ％以下の場合、Ｇｅ添加によるはんだの延性低下を最小限に抑制できるため、はんだ付け後の界面破壊確率に顕著な優位性が見られることがわかる。
また、本発明１と本発明２の比較から明らかなように、Ａｇ量の多いほうがＡｇ３Ｓｎによるピンニング効果が大きくなるため、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ化合物の成長をより抑え、高温放置後も界面破壊確率を低減できている。
【００３７】
【表３】
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【実施例３】
【００３８】
耐落下衝撃性を評価するため、ＪＥＤＥＣ規格ＪＥＳＤ２２−Ｂ１１１に基づいた基板落下試験を実施した。直径０．３ｍｍのはんだボールを用いて３４５個のＮｉ電極を有するＢＧＡにはんだバンプを形成した後、はんだペーストを用いてマザーボードに接合し、落下試験用試験基板を作製した。
はんだペーストには一般的に使用されているＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ（ｍａｓｓ％）を用いた。次に、ドロップテーブルに試験基板を水平に固定した後、水平姿勢を保ったまま、ドロップテーブルに加えられる落下衝撃が１５００Ｇ、０．５ｍｓの半正弦波となるような高さから３０回落下させた。落下試験中、ＢＧＡとマザーボードの間に形成された導通測定用のデージーチェーンにおけるバイアスを測定し、導通の有無を確認した。尚、試験基板一枚当り１５個のＢＧＡが搭載されており、各はんだ組成に対して２つの試験基板、つまり合計３０個のＢＧＡについて評価した。
【００３９】
試験結果から、導通不良となるＢＧＡの累積不良数と落下回数との関係をワイブルプロットし、５％不良確率に相当する落下回数を求めた。基板落下試験における５％不良確率に相当する落下回数の結果を表４に示す。比較例５とそれ以外のものとの比較から明らかなように、Ａｇ含有量を低下することで耐落下衝撃性が大幅に改善され、本発明のはんだはＣｕ、ＡｇおよびＧｅの添加量を厳密に制御することで、比較例３よりも落下寿命が改善されている。特に、本発明３、５、６のように、Ｇｅ添加量を０．０１ｍａｓｓ％を超え０．０６ｍａｓｓ％以下とすることで、４０回以上の落下に耐え得るはんだが得られている。
【００４０】
【表４】
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【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明２のはんだボール表面の光学顕微鏡写真である。
【図２】本発明２のはんだ付け後の接合部断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】比較例３のはんだ付け後の接合部断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図４】比較例６のはんだ付け後の接合部断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図５】比較例６の１５０℃１００ｈ放置後の接合部断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図６】本発明３のはんだ付け後の接合部断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図７】本発明３の１５０℃１００ｈ放置後の接合部断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図８】本発明５のはんだ付け後の接合部断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図９】本発明５の１５０℃１００ｈ放置後の接合部断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図１０】本発明６のはんだ付け後の接合部断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図１１】本発明６の１５０℃１００ｈ放置後の接合部断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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