(57)【要約】【課題】液浸リソグラフィにおいて、マイクロバブルやウォーターマーク等のいずれの欠陥についても、これらを確実に抑制し得るようにする。【解決手段】ウエハ基板２上に形成されたレジスト膜１と当該レジスト膜１に対する露光を行う投影光学系３との間に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う液浸型露光装置において、前記液浸液を帯電させる帯電手段５と、前記液浸液に対する除電を行う除電手段６とを備える。そして、液浸液の帯電と除電とを露光シーケンスに組み込むことにより、その液浸液をレジスト膜１との関係において親水的作用状態または疎水的作用状態に遷移させ得るようにする。【選択図】図１
2007227580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ基板上に形成されたレジスト膜と当該レジスト膜に対する露光を行う投影光学系との間に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う液浸型露光装置であって、
前記液浸液を帯電させる帯電手段と、
前記液浸液に対する除電を行う除電手段と
を備えることを特徴とする液浸型露光装置。
【請求項２】
前記帯電手段は、前記レジスト膜に対する露光前に前記液浸液の帯電を行い、
前記除電手段は、前記レジスト膜に対する露光後、当該レジスト膜と前記投影光学系との間から前記液浸液を除去する前に、当該液浸液に対する除電を行う
ことを特徴とする請求項１記載の液浸型露光装置。
【請求項３】
前記帯電手段は、前記液浸液を前記レジスト膜と前記投影光学系との間に介在させるための供給ノズルが、当該液浸液を帯電させる材質によって形成されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の液浸型露光装置。
【請求項４】
前記帯電手段は、前記液浸液を前記レジスト膜と前記投影光学系との間に介在させるための供給ノズルが、当該液浸液を帯電させる形状に形成されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の液浸型露光装置。
【請求項５】
前記帯電手段は、前記液浸液を前記レジスト膜と前記投影光学系との間に介在する液浸液を帯電させるための電極を有してなる
ことを特徴とする請求項１記載の液浸型露光装置。
【請求項６】
前記除電手段は、前記液浸液との接触により当該液浸液に対する除電を行う
ことを特徴とする請求項１記載の液浸型露光装置。
【請求項７】
前記除電手段は、前記液浸液へのイオン照射により非接触で当該液浸液に対する除電を行う
ことを特徴とする請求項１記載の液浸型露光装置。
【請求項８】
ウエハ基板上に形成されたレジスト膜と当該レジスト膜に対する露光を行う投影光学系との間に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う液浸型露光方法であって、
前記レジスト膜と前記投影光学系との間に前記液浸液を介在させるステップと、
前記液浸液を帯電させるステップと、
帯電後の液浸液を介在させた状態で前記投影光学系が前記レジスト膜に対する露光を行うステップと、
前記レジスト膜に対する露光後に当該レジスト膜と前記投影光学系との間に介在する液浸液に対する除電を行うステップと、
除電後の液浸液を前記レジスト膜と前記投影光学系との間から除去するステップと
を含むことを特徴とする液浸型露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクに描画された回路パターンを投影光学系によってウエハ基板上に転写する露光装置および露光方法に関し、特に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う液浸型の露光装置および露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、メモリや論理回路などの半導体素子、液晶パネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出素子、ＣＣＤなどの撮像素子等といった各種デバイスを製造する際には、フォトリソグラフィ技術を用いてマスクに描画された回路パターンを投影光学系によってウエハ基板上へ転写する縮小投影型の露光装置が利用される。この露光装置で転写できる最小のパターン寸法（解像度）は、露光光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。そのため、高解像度を実現するためには、露光光を短波長化するか、ＮＡの大きな投影光学系を用いればよい。転写パターンの高解像度化は、正にこれに倣った形で展開されてきている。例えば、露光光の短波長化は、ｇ線（波長；436nm）からｉ線（波長；365nm）、ＫｒＦ（波長；248nm）、ＡｒＦ（波長；193nm）へと推移し、今後は次の光源としてＦ２（波長；157nm）あるいはＥＵＶ（波長；13.5nm）の実現へ向けて開発が進められている。また、これと並行して投影光学系の高ＮＡ化も加速的に進み、現在では0.9を超えるＮＡを有した露光装置が開発され販売へと至っている。
【０００３】
このような微細化の流れを停滞させることなく継続していく一つの手法として、ＡｒＦレーザを用いた液浸リソグラフィが注目されている（例えば、特許文献１参照）。液浸リソグラフィとは、投影光学系とウエハ基板との間を液体で充填することにより、更なる高ＮＡ化を実現する手法である。つまり、投影光学系のＮＡは、液体の屈折率をｎ（ｎ＞１）とするとＮＡ＝ｎ・sinθであるため、投影光学系とウエハ基板との間を空気の屈折率よりも高い屈折率ｎの媒質で満たすことにより、「１」を超えるｎの領域まで拡張して露光することが可能となる。したがって、液浸リソグラフィによれば、従前の半導体製造のために大幅な施設変更を要することなく、転写パターンの高解像度化を実現できるので、製造コストの増大を抑制しつつ次世代ＬＳＩへの対応が可能となるといったメリットが得られる。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３０３１１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ウエハ基板上へのパターン転写を行う場合、そのウエハ基板上にはレジスト膜が形成されることになるが、液浸リソグラフィにおいて、そのレジスト膜の形成材料は、投影光学系とウエハ基板との間に充填される液浸液に対しての濡れ性が高い親水性材料が用いられる傾向にある。これは、濡れ性の高い親水性材料であれば、露光後のパターンを現像するための現像液への溶解性が高いものが多く、その現像を適切に行えるからであり、また液浸液のレジスト膜との接触角を小さくすることができるので、露光時におけるマイクロバブルが発生し難くなるからである。「マイクロバブル」とは、液浸液中に発生する小さな気泡のことをいい、露光光屈折や転写像解像不良等の要因となり得るものである。しかしながら、濡れ性の高い親水性材料でレジスト膜を形成すると、上述したメリットが得られる一方で、液浸液へのレジスト膜形成材料の溶出が増加してしまうことが考えられる。また、露光後にウエハ基板を取り出すべく液浸液を除去する際、濡れ性が高い故に、ウォーターマークが発生し易くなるおそれがある。「ウォーターマーク」とは、液浸液中の除去時にレジスト膜上に残る水滴に起因して発生するシミ状の欠陥のことをいう。
【０００６】
この点については、濡れ性の高い親水性材料ではなく、液浸液に対しての濡れ性が低い疎水性材料を用いてレジスト膜の形成することも考えられる。濡れ性の低い疎水性材料であれば、レジスト膜の形成材料が液浸液へ溶出し難くなり、また液浸液のレジスト膜との接触角を大きくすることができるので、液浸液の除去時にウォーターマークが発生してしまうのを抑制し得るからである。しかしながら、濡れ性の低い疎水性材料でレジスト膜を形成する場合には、膜形成材料として親水性材料が一般的に用いられる傾向を鑑みれば材料開発に制約が生じることが考えられ、また現像液への溶解性が低いことから露光後のパターン現像が適切に行えなくなるおそれがある。さらには、液浸液のレジスト膜との接触角が大きくなるので、露光時にマイクロバブルが発生してしまい、露光光屈折や転写像解像不良等を招くおそれもある。
【０００７】
このように、液浸リソグラフィにおけるレジスト膜の形成材料については、親水性材料を用いた場合であっても、あるいは疎水性材料を用いた場合であっても、いずれの場合も図５に示すような一長一短がある。そのため、液浸リソグラフィにおいては、それぞれのメリットを活かしつつ、それぞれのデメリットを包括的に解消することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するために案出された液浸型露光装置である。すなわち、ウエハ基板上に形成されたレジスト膜と当該レジスト膜に対する露光を行う投影光学系との間に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う液浸型露光装置であって、前記液浸液を帯電させる帯電手段と、前記液浸液に対する除電を行う除電手段とを備えることを特徴とするものである。
【０００９】
上記構成の液浸型露光装置では、ウエハ基板上のレジスト膜と投影光学系との間に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う。
このとき、レジスト膜における液浸液に対する濡れ性は、一般に液浸液とレジスト膜との接触角で定量的に表記され、レジスト膜の形成材料が決まれば液浸液の接触角もある固有の角度で決定されてしまう。ただし、この接触角は、ある程度の範囲内であれば、液浸液の帯電により変化可能であることが知られている。つまり、例えば疎水性を有した材料でウエハ基板上のレジスト膜を形成した場合であっても、液浸液の帯電量を変化させれば、その液浸液のレジスト膜との接触角を、親水性を有した材料で形成した場合のように小さくすることができるのである。
【００１０】
このことから、上記構成の液浸型露光装置では、液浸液を帯電させる帯電手段と、液浸液に対する除電を行う除電手段とを備えており、液浸液を帯電させたり除電したりするようになっている。したがって、例えば、露光シーケンス中は帯電手段により液浸液を帯電させてレジスト膜に対して親水的作用状態にし、露光シーケンス終了後、液浸液を除去する際には、帯電させた液浸液に対する除電を行ってレジスト膜に対して疎水的作用状態にする、といったことを行い得る。つまり、液浸液の帯電と除電を行うことで、親水的作用状態と疎水的作用状態とを遷移させ得るようになる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、液浸液の帯電と除電とを露光シーケンスに組み込むことにより、その液浸液をレジスト膜との関係において親水的作用状態または疎水的作用状態のいずれかに遷移させ得るので、例えば露光中は液浸液を帯電させて親水的作用状態にし、露光終了後に液浸液を除去する際には除電して疎水的作用状態にするといったことが実現可能となり、結果として液浸リソグラフィを行う場合であってもマイクロバブルやウォーターマーク等のいずれの欠陥についても抑制することができ、当該液浸リソグラフィを経て得られる製品の歩留まり向上が期待できる。しかも、親水的作用状態と疎水的作用状態とを遷移させ得るので、レジスト膜の形成材料についての設計自由度を高く確保することができ、例えば透明度は高いが撥水性が高くなる傾向になることで知られるフッ素を樹脂に含むレジスト形成材料であっても、あたかも親水性レジストとして使用できる可能性が得られる。
つまり、本発明では、液浸液の帯電と除電によって親水的作用状態と疎水的作用状態とを遷移させることで、レジスト膜の形成材料として親水性材料を用いた場合と疎水性材料を用いた場合とのそれぞれのメリットを活かしつつ、それぞれのデメリットを包括的に解消することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面に基づき本発明に係る液浸型露光装置および液浸型露光方法について説明する。
【００１３】
先ず、液浸型露光装置の基本的な構成について説明する。
図１は、本発明に係る液浸型露光装置の構成例を示す説明図である。ここで説明する液浸型露光装置は、液浸リソグラフィを行うためのもので、レジスト膜１が形成されたウエハ基板２がセットされるテーブル（ただし不図示）と、そのウエハ基板２上に形成されたレジスト膜１に対する露光を行う投影光学系３と、レジスト膜１と投影光学系３との間に液浸液を介在させるための液保持部４と、を備えている。
【００１４】
投影光学系３は、例えば波長193nmのパルス光を放射するＡｒＦエキシマレーザを光源とする縮小光学系を用いることが考えられる。なお、縮小光学系の詳細については、公知技術を利用して実現すればよいため、ここではその説明を省略する。
【００１５】
液保持部４は、レジスト膜１上で液浸液を貯留させるためのものである。ただし、液保持部４は、レジスト膜１およびウエハ基板２の全体が液浸液に浸るように、その液浸液を貯留するものであってもよい。また、液保持部４には、レジスト膜１と投影光学系３との間に液浸液のみが介在するように、その液保持部４内に液浸液を注入充填するための供給ノズル４ａが設けられている。さらには、供給ノズル４ａとは別に、液保持部４内の液浸液を、その液保持部４内から排出除去するための排出ノズル４ｂも設けられている。そして、供給ノズル４ａを通じて液浸液が液保持部４内に注入されるとともに、注入充填された液浸液が排出ノズル４ｂから排出除去されるようになっている。
【００１６】
液保持部４内に注入充填される液浸液は、入手が容易で取り扱いが簡単な超純水を用いることが考えられる。ただし、液浸液の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、レジスト膜１を溶解させず、かつ、投影光学系３のレンズ素子下面に対する影響が無視できる脂肪族系の添加剤（液体）をわずかな割合で添加してもよい。添加剤としては、純水とほぼ等しい屈折率を有するメチルアルコール等が好ましい。このようにすると、純水中のメチルアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液浸液の全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。なお、液浸液中に浸ることになるレジスト膜１は、液浸液中への溶出がし難いように、その液浸液に対して濡れ性の低い疎水性材料を用いて形成されるものとする。疎水性材料は、レジスト膜の形成材料として公知のものを用いればよいため、ここではその説明を省略する。
【００１７】
ところで、本実施形態で説明する液浸型露光装置では、上述した投影光学系３および液保持部４に加え、その特徴的な構成として、帯電手段５および除電手段６を備えている。
【００１８】
帯電手段５は、供給ノズル４ａを通じて液保持部４内に注入充填される液浸液または既に液保持部４内に注入充填されている液浸液のいずれかを帯電させるものである。ただし、帯電手段５は、遅くとも投影光学系３がレジスト膜１に対する露光を行う前に、その投影光学系３とレジスト膜１との間に介在する液浸液に対する帯電を行うようになっている。
【００１９】
帯電は、摩擦帯電現象または誘導帯電現象を利用して行えばよい。摩擦帯電現象とは、絶縁物と絶縁物や絶縁物と金属物体等の摩擦により静電気を帯びることをいう。また、誘導帯電現象とは、電気を帯びた物体が他の物体に近づくと、これに応じて他の物体の静電気量が変化（増える）ことをいう。
【００２０】
具体的には、摩擦帯電現象を利用する場合であれば、液浸液を帯電させる材質によって供給ノズル４ａを形成し、これにより帯電手段５を構成することが考えられる。ここで、「帯電させる材質」とは、液浸液との摩擦により、その液浸液を帯電させ易い材質のことをいう。例えば、正極に帯電させ易い材質としては、ガラス、ナイロン、アルミニウム等が挙げられる。一方、負極に帯電させ易い材質としては、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン等が挙げられる。
【００２１】
また、摩擦帯電現象を利用する場合には、帯電させる材質による形成と併せて、あるいは帯電させる材質による形成とは全く別に、液浸液を帯電させる形状に供給ノズル４ａを形成し、これにより帯電手段５を構成することも考えられる。ここで、「帯電させる形状」とは、液浸液との摩擦により、その液浸液を帯電させ易い形状のことをいう。
図２は、本発明に係る液浸型露光装置における供給ノズルの具体例を示す説明図である。供給ノズル４ａの形状の具体例としては、例えば、図２（ａ）に示すように供給ノズル４ａの射出口（液出口）を櫛状にした形状や、図２（ｂ）に示すように、供給ノズル４ａの内部を液浸液が蛇行しながら流れるように構成した形状が挙げられる。これらの形状は、供給ノズル４ａの構成部材と液浸液との摩擦面積をより多く確保し得るように構成されたものである。摩擦面積が多くなれば、これに応じて液浸液が帯電する度合いも高くなるからである。
【００２２】
なお、供給ノズル４ａの材質または形状の工夫により帯電手段５を実現し、その帯電手段５によって摩擦帯電現象を利用した帯電を行う場合には、供給ノズル４ａを通じて液保持部４内に注入充填される液浸液が帯電の対象となる。
【００２３】
一方、誘導帯電現象を利用する場合であれば、供給ノズル４ａ内の液流路部分または液保持部４内の液貯留部分のいずれか一方または両方に、液浸液を帯電させるための電極を配し、その電極への電圧印加を通じて液浸液に対する帯電を行い得るようにし、これにより帯電手段５を構成することも考えられる。この場合は、電極への印加電圧を制御することで、液浸液の帯電電位や極性等を任意に設定し得るようになる。また、電極の配置位置次第で、帯電対象となる液浸液についても任意に設定し得るようになる。すなわち、供給ノズル４ａ内に電極を配せば、その供給ノズル４ａを通じて液保持部４内に注入充填される液浸液が帯電の対象となり、液保持部４内に電極を配せば、その液保持部４内に既に注入充填されている液浸液が帯電の対象となる。
【００２４】
このような帯電手段５に対して、除電手段６は、その帯電手段５によって帯電された液浸液に対する除電を行うものである。ただし、除電は、投影光学系３がレジスト膜１に対する露光を行った後、そのレジスト膜１と投影光学系３との間に介在する液保持部４内の液浸液を当該液保持部４内から除去する前に、行うようになっているものとする。
【００２５】
図３は、本発明に係る液浸型露光装置における除電手段の例を示す説明図である。除電手段６の具体例としては、例えば図３（ａ）に示すように、液浸液との接触により当該液浸液に対する除電を行うものが挙げられる。すなわち、液保持部４内に配された電極を利用しつつ、その電極への印加電圧制御を通じて除電を行ったり、あるいは排出ノズル４ｂを導電性材料によって形成し、その導電性材料と液浸液との接触を通じて、当該液浸液に対する除電を行ったり、その他の公知技術を利用して除電を行うことが考えられる。また、液浸液に対する除電は、非接触で行うことも考えられる。具体的には、例えば図３（ｂ）に示すように、除電手段６として公知のイオナイザを用い、液浸液に対してＡＣ型、パルスＤＣ型または連続ＤＣ型等のイオンを照射することで、当該液浸液に対する除電を非接触で行うことも可能である。
【００２６】
次に、以上のように構成された液浸型露光装置における処理動作例、すなわち液浸型露光方法について説明する。
図４は、本発明に係る液浸型露光方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【００２７】
一般に、液浸リソグラフィでは、レジスト膜１の形成材料として、液浸液に対しての濡れ性が高い親水性材料が用いられる傾向にある。その一方で、疎水性材料を用いると、ウォーターマーク軽減やレジスト成分の液浸液への染み出し等を抑制する効果があることも見逃すことはできない。
そこで、液浸型露光装置では、レジスト膜１が疎水性材料で形成されているにも拘らず、そのレジスト膜１と液浸液との接触角を小さくし、恰も親水性であるように振る舞う性質を持たせるために、以下に述べるような手順で液浸露光を行う。
【００２８】
液浸露光にあたっては、先ず、処理対象となるウエハ基板２をテーブル上にセットする。そして、そのウエハ基板２上に形成されたレジスト膜１と投影光学系３との間に液浸液を介在させるべく、液保持部４内に液浸液を注入充填する（ステップ１１、以下ステップを「Ｓ」と略す）。これにより、レジスト膜１と投影光学系３との間には、液浸液のみが介在することになる。
【００２９】
この液保持部４内の液浸液については、投影光学系３がレジスト膜１への露光を開始する前までに、帯電手段５がその液浸液に対する帯電を行う（Ｓ１２）。すなわち、帯電手段５は、液浸液の注入時または注入完了後で露光開始前のタイミングにて、液浸液を帯電させる。
【００３０】
例えば、液浸液が超純水（誘電率80.40）であれば、フッ素樹脂の表層を転がすだけで簡単に-10kV程度の静電気が帯電する。したがって、液浸液が超純水である場合には、フッ素樹脂等の「液浸液を帯電させる材質」によって供給ノズル４ａを形成すれば、液保持部４内への液浸液の注入時に、その液浸液を−数kV〜数十kV程度（例えば-10kV程度）に帯電させることが可能である。これは、供給ノズル４ａを「液浸液を帯電させる形状」に形成した場合についても、全く同様のことが言える。
【００３１】
帯電手段５が電極を利用して液浸液を帯電させるものである場合には、その電極の配置位置に応じて、液浸液の注入時または注入完了後のいずれか一方または両方のタイミングにて、その電極への電圧印加を行うとともに、その電極への印加電圧の大きさを制御することで、液保持部４内の液浸液を−数kV〜数十kV程度（例えば-10kV程度）に帯電させることが可能である。また、負の極性への帯電のみならず、正の極性への帯電にも対応することが可能となる。
【００３２】
なお、液浸液の帯電は、供給ノズル４ａを「液浸液を帯電させる材質」で形成することによって行ってもよいし、供給ノズル４ａを「液浸液を帯電させる形状」で形成することによって行ってもよいし、電極への電圧印加を利用して行ってもよいし、あるいはこれらを適宜組み合わせて行ってもよい。
【００３３】
帯電手段５が液浸液を帯電させると、その後、投影光学系３がレジスト膜１への露光を行う（Ｓ１３）。このとき、液浸液が帯電された状態にあると、レジスト膜１に対する液浸液の接触角は、帯電していない場合に比べて小さくなる傾向にある。そのため、液浸液は、レジスト膜１が疎水性材料で形成されていても、帯電によって親水性の方向へ性質が変化し、親水性として作用する「親水的作用状態」に遷移する。したがって、液浸液が帯電している状態で、投影光学系３がレジスト膜１への露光を行えば、液浸液とレジスト膜１との界面で発生する危険性のあるマイクロバブルを抑制することが可能となる。つまり、疎水性材料で形成されたレジスト膜１であっても、液浸液の帯電によって親水的作用状態に遷移して濡れ性が向上するので、結果としてレジスト膜１が疎水性材料であるにも拘らずマイクロバブルの発生を抑制できるのである。
【００３４】
このときの液浸液の帯電電位の大きさについては、液浸液とレジスト膜１との接触角が所望範囲（親水性となる範囲）に属することのなるように、液浸液とレジスト膜１の形成材料との兼ね合いで決定すればよい。具体的には、数十kV程度であれば十分であると考えられる。すなわち、液浸液の帯電電位は、例えば実験やシミュレーションを通じて経験的に導き出せばよく、その導き出した帯電電位が得られるように、供給ノズル４ａの材質、形状、電極への印加電圧の大きさ等を設定することが考えられる。
【００３５】
投影光学系３による露光シーケンスが終了すると、その後は、液保持部４内の帯電された液浸液について、その液浸液を液保持部４内から排出ノズル４ｂを通じて排出除去する前に、除電手段６がその液浸液に対する除電を行う（Ｓ１４）。このとき、液浸液にのみならず、レジスト膜１およびウエハ基板２に対しても、除電を行うことが望ましい。レジスト膜１およびウエハ基板２に対する除電は、除電手段６が液浸液との接触により当該液浸液に対する除電を行う場合であれば、その液浸液に対する除電を通じて行うことが考えられる。また、除電手段６が液浸液に対する除電を非接触で行う場合であれば、レジスト膜１およびウエハ基板２に対してもイオン照射を行うことで、レジスト膜１およびウエハ基板２に対する除電を行うことが考えられる。
【００３６】
この除電によって、液浸液は、親水的作用状態から疎水性として作用する「疎水的作用状態」に遷移する。すなわち、レジスト膜１が疎水性材料で形成されていることから、帯電による親水的作用状態から、除電によって元の疎水的作用状態に戻ることになる。
【００３７】
そして、除電後は、疎水的作用状態にある液浸液を、排出ノズル４ｂを通じて液保持部４内から排出除去する（Ｓ１５）。この疎水的作用状態では、液浸液とレジスト膜１との撥水性が増す。したがって、液浸液を除去する際に、レジスト膜１上にウォーターマークが残存してしまうのを抑制することが可能となる。つまり、レジスト膜１上での残存溶液によるウォーターマーク等の欠陥抑制に寄与すし得るようになる。
【００３８】
また、レジスト膜１およびウエハ基板２に対しても除電を行えば、これらに帯電した静電気が除去されるので、浮遊粉塵等が引き寄せられてしまうのを防ぐことができ、結果としてレジスト膜１およびウエハ基板２への異物付着を抑制することができる。つまり、マイクロバブルの発生を抑制すべく液浸液を帯電させた場合であっても、レジスト膜１およびウエハ基板２も帯電して異物が付着してしまうといった弊害の発生を回避し得るようになる。
【００３９】
液浸液の除去後は、続いて処理対象となるウエハ基板２があれば、そのウエハ基板２上に形成されたレジスト膜１に対して上述した一連の処理を繰り返して行い、処理対象となるウエハ基板２がなければ、一連の処理を終了する（Ｓ１６）。
【００４０】
以上のように、本実施形態で説明した液浸型露光装置およびその液浸型露光装置が実行する液浸型露光方法によれば、液浸液の帯電と除電とを露光シーケンスに組み込むことにより、その液浸液をレジスト膜１との関係において親水的作用状態または疎水的作用状態のどちらかに遷移させ得るようになっている。したがって、露光中は液浸液を帯電させて親水的作用状態にし、露光終了後に液浸液を除去する際には除電して疎水的作用状態にするといったことが実現可能となり、結果として液浸リソグラフィを行う場合であってもマイクロバブルやウォーターマーク等のいずれの欠陥についても抑制することができ、結果として当該液浸リソグラフィを経て得られる製品の歩留まり向上が期待できるようになる。しかも、親水的作用状態と疎水的作用状態とを遷移させ得るので、レジスト膜の形成材料についての設計自由度を高く確保することができ、例えば透明度は高いが撥水性が高くなる傾向になることで知られるフッ素を樹脂に含むレジスト形成材料であっても、あたかも親水性レジストとして使用できる可能性が得られる。つまり、本実施形態で説明した液浸型露光装置および液浸型露光方法によれば、液浸液の帯電と除電によって親水的作用状態と疎水的作用状態とを遷移させることで、レジスト膜１の形成材料として親水性材料を用いた場合と疎水性材料を用いた場合とのそれぞれのメリットを活かしつつ、それぞれのデメリットを包括的に解消することが可能となる。
【００４１】
このようなメリットを活かしつつそれぞれのデメリットを包括的に解消するためには、本実施形態で説明したように、レジスト膜１に対する露光前に液浸液の帯電を行い、そのレジスト膜１に対する露光後、液保持部４内からの液浸液の除去前に当該液浸液に対する除電を行えばよい。すなわち、かかるタイミングで液浸液に対する帯電および除電を行えば、マイクロバブルやウォーターマーク等のいずれの欠陥についても、これらを確実に抑制し得るようになる。
【００４２】
また、本実施形態で説明したように、液浸液に対する帯電を、供給ノズル４ａの形成材質または形状を利用して行うようにすれば、その帯電を簡素な構成で容易に行うことが可能となる。一方、液浸液に対する帯電を、電極への電圧印加を利用して行うようにすれば、帯電電位等を任意に設定し得るようになるため、その帯電の柔軟性や汎用性等を十分に確保することが可能となる。
【００４３】
このことは、液浸液に対する帯電のみならず、除電についても同様のことが言える。すなわち、液浸液との接触により当該液浸液に対する除電を行えば、その除電を簡素な構成で容易に行うことが可能となる一方、液浸液に対する除電を非接触で行えば、イオン照射の内容（イオン種類や照射量等）を適宜設定し得るので、その除電の柔軟性や汎用性等を十分に確保することが可能となる。
【００４４】
なお、本実施形態では、本発明の好適な実施具体例について説明したが、本発明はその内容に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る液浸型露光装置の構成例を示す説明図である。
【図２】本発明に係る液浸型露光装置における供給ノズルの具体例を示す説明図である。
【図３】本発明に係る液浸型露光装置における除電手段の例を示す説明図である。
【図４】本発明に係る液浸型露光方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図５】液浸リソグラフィにおいてレジスト膜の形成材料に親水性材料を用いた場合と疎水性材料を用いた場合との特徴を対比して示した説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…レジスト膜、２…ウエハ基板、３…投影光学系、４…液保持部、４ａ…供給ノズル、４ｂ…排出ノズル、５…帯電手段、６…除電手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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