(57)【要約】【課題】高輝度で高い色再現域を表示できる蛍光体材料を提供する。【解決手段】ＳｒXＢａ1-XＧａ2Ｓ4（０＜Ｘ＜１）で示される母体材料中にＥｕを主元素とする発光中心を備えた蛍光体材料とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式で示される母体材料中に発光中心が付活されていることを特徴とする蛍光体材料。
ＳｒXＢａ1-XＧａ2Ｓ4
０＜Ｘ＜１
【請求項２】
前記発光中心となる主元素がＥｕである請求項１に記載の蛍光体材料。
【請求項３】
前記Ｘは、０．０３≦Ｘ≦０．９５である請求項１又は２に記載の蛍光体材料。
【請求項４】
基体と、前記基体上に配設された、少なくとも、請求項１〜３のいずれかに記載の蛍光材料を用いて形成されている蛍光体とを備えることを特徴とする発光部材。
【請求項５】
基体と、前記基体上に配設された、互いに発光ピーク波長の異なる少なくとも３種類の蛍光体と、請求項１〜３のいずれかに記載の蛍光体材料を用いて形成されている蛍光体とを備えることを特徴とする発光部材。
【請求項６】
前記３種類の蛍光体はそれぞれ、赤色波長域、緑色波長域、青色波長域に、発光ピーク波長を有する蛍光体である請求項５に記載の発光部材。
【請求項７】
前記基体上に、更に光吸収層が配設されている請求項４〜６のいずれかに記載の発光部材。
【請求項８】
前記基体上に、更に所定の電位が印加される電極が配設されている請求項７に記載の発光部材。
【請求項９】
請求項４〜８のいずれかに記載の発光部材と、前記発光部材の蛍光体を励起して発光させる励起源とを備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１０】
前記励起源が、電子線である請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記励起源が、紫外線源である請求項９に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイの発光部材に用いられる蛍光体材料及び該材料を用いた発光部材と画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ用蛍光体として、輝度、色純度等を改善すべく様々な蛍光体材料が研究されている。従来ＣＲＴ用蛍光体としては、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ等の蛍光体材料が用いられてきた。また近年では、プラズマディスプレイ用蛍光体として、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、ＢａＭｇＡｌ16Ｏ17：Ｅｕ等の蛍光体材料が用いられている。
【０００３】
また、最近では、図１０に示すような赤、緑、青の三原色の組み合わせで画像を表示する方法の他に、図２に示すようなシアン色の発光領域を設け、色の再現領域を広げる研究が行われ、それに合わせた蛍光体材料の研究が行われている。尚、図１０中の４２はブラックマトリクス、４３〜４５は蛍光体、図２中の２はブラックマトリクス、３〜６は蛍光体である。
【０００４】
例えば、特許文献１には、より広い色再現領域を実現するために、Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ，Ｄｙで表されるシアン−グリーン蛍光体材料を用いたプラズマディスプレイが提案されている。また、特許文献２には、Ｓｒ4Ｓｉ3Ｏ8Ｃｌ4で記述されるシアン色蛍光体材料が記載されている。さらに、特許文献３には、ＢａＧａ2Ｓ4：Ｅｕ蛍光体材料を用いたＥＬパネルに関する記載がなされている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２４９１７４号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２７３７号公報
【特許文献３】特開平１０−１９９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の上記蛍光体材料は、発光輝度が十分でなく、また、表示色域の観点でも、いまだ不十分であった。また、特許文献２に記載された蛍光体材料においても、発光輝度特性と色域の拡大が十分でなく、高色域なディスプレイ用蛍光体としては不十分であった。さらに、人間の目の感度（標準比視感度）は、５５５ｎｍが最大となることが知られており、発光スペクトルがその近辺にある程、人が感じる輝度が向上する。特許文献３に記載された蛍光体材料は、発光波長がおよそ４９０ｎｍであることが知られており、よって、該蛍光体材料では、十分な輝度の発光が得られなかった。
【０００７】
また、発光色に関しても、ディスプレイに用いる場合、より広い色域を表示するためには十分ではなかった。
【０００８】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、高輝度で高い色再現域を表示できる蛍光体材料を提供し、該蛍光体材料を用いた発光部材及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第一は、下記式で示される母体材料中に発光中心が付活されていることを特徴とする蛍光体材料である。
【００１０】
ＳｒXＢａ1-XＧａ2Ｓ4      ０＜Ｘ＜１
本発明の蛍光体材料においては、発光中心となる主元素がＥｕであることを好ましい態様として含む。
【００１１】
本発明の第二は、基体と、前記基体上に配設された、少なくとも、上記蛍光体材料を用いて形成されている蛍光体とを備えることを特徴とする発光部材である。更に、本発明の発光部材は、上記蛍光体と、互いに発光ピーク波長の異なる少なくとも３種類の蛍光体とを備えることを好ましい態様として含む。
【００１２】
本発明の第三は、上記発光部材と、この発光部材の蛍光体を励起して発光させる励起源とを備えることを特徴とする画像表示装置である。本発明の画像表示装置は、上記励起源が、電子線、または、紫外線源であることを好ましい態様として含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態について詳しく説明する。
【００１４】
本発明の蛍光体材料は、組成式として、ＳｒXＢａ1-XＧａ2Ｓ4で表される母体材料（ｈｏｓｔ）と、発光中心として付活する付活剤（ａｃｔｉｖａｔｏｒ）とを有する。付活剤としては、希土類金属を主成分とすることが好ましい。ここで、母体材料の組成比を示すＸは、０＜Ｘ＜１の範囲の値をとり、ＳｒＧａ2Ｓ4、ＢａＧａ2Ｓ4となることはない。
【００１５】
発光中心の濃度は、母体材料を構成する元素のＳｒとＢａの総和に対して、０．０１から１０原子％になるように調整することが好ましい。また、付活剤が希土類金属を主成分とする場合、主元素がＥｕであることが好ましく、具体的には、ＥｕやＥｕ化合物である。Ｅｕ化合物としてはユーロピウム金属、塩化ユーロピウム、フッ化ユーロピウム等が挙げられる。
【００１６】
本発明の蛍光体材料は、紫外線や電子線を照射することで、高輝度な発光を観測することができる。さらに、母体材料の組成比Ｘを変化させることで、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕの発光ピーク波長である５３２ｎｍから、ＢａＧａ2Ｓ4：Ｅｕの発光ピーク波長である４９０ｎｍまでの発光色を変化させることができる。その時の発光色の変化を、ＣＩＥ表色系による２次元色空間を示すｘｙ色度座標で図１に示す。図中、Ａ点がＢａＧａ2Ｓ4：Ｅｕ、Ｂ点がＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕであり、Ａ点とＢ点とを結ぶ波線が本発明のＳｒXＢａ1-XＧａ2Ｓ4である。図１に示すように、ＳｒとＢａの組成比Ｘを所望の値に調整することで、４９０ｎｍよりも大きく、５３２ｎｍよりも小さな発光ピーク波長を有し、高輝度な発光が観測される蛍光体材料が得られる。
【００１７】
本発明の蛍光体材料を画像表示装置に用いる場合、広色域化と高輝度の観点でＣＩＥ色度座標のｘ座標値は小さく、ｙ座標値は大きいことが好ましい。この場合、母体材料の組成比のＸ値は、０＜Ｘ＜１範囲から選択され、さらに好ましくは、０．０３≦Ｘ≦０．９５であることが好ましい。
【００１８】
尚、母体材料の組成比は、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）やＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、蛍光Ｘ線分析等で確認することができる。
【００１９】
本発明の蛍光体材料の製造方法としては、原料粉末を混合し結晶化する固相結晶化法が挙げられる。その一例を説明する。
【００２０】
先ず、硫化ストロンチウム粉末（ＳｒＳ）、硫化バリウム粉末（ＢａＳ）、硫化ガリウム粉末（Ｇａ2Ｓ3）及び、塩化ユーロピウム粉末（ＥｕＣｌ3）を混合する。この時、例えば、Ｓｒ0.2Ｂａ0.8Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕとなる組成比を得るためには、重量比でおおよそ、ＳｒＳ：ＢａＳ：Ｇａ2Ｓ：ＥｕＣｌ3≒０．１０：０．５８：１．０：０．０４となる比率で混合すればよい。また、硫化ガリウムとしては、組成比がＧａＳのものでも良い。
【００２１】
このようにして混合した原料を、アルミナ等で形成された坩堝に入れ、硫化水素雰囲気中で９００℃の温度で３時間程度処理することで結晶化することができる。硫化水素雰囲気は、アルゴンや窒素、その他の不活性ガスで数％に希釈したガスを用いることができる。さらに、アルゴンや窒素等の不活性ガス雰囲気中でも良い。
【００２２】
また、結晶化処理の温度は、用いる原料粉末の粒径や結晶性により、７００℃〜１４００℃程度の範囲で製造することができる。
【００２３】
次に、本発明の蛍光体材料を用いて、蛍光体を形成する方法について説明する。
【００２４】
蛍光体を形成する方法としては、蒸着法やスパッタ法等があるが、ここでは蒸着法、特に二つの電子ビーム源を持つ電子ビーム蒸着法を例として説明する。
【００２５】
先ず、硫化ストロンチウム粉末、硫化バリウム粉末及び塩化ユーロピウム粉末を混合し、錠剤状に成型することで、蒸発源を形成する。また、同様にして、硫化ガリウム粉末を錠剤状に成型する。
【００２６】
次に、石英やガラス、シリコン等の基体とともに、これらの錠剤を蒸着装置内の所望の位置にセットし、真空排気する。
【００２７】
次いで、二つの電子ビーム源より、先述の各々の蒸着源に電子ビームを照射し、蒸着源を蒸発させる。この時、電子ビームの照射量により、それぞれの蒸着源の蒸発量を制御する。例えば、Ｓｒ0.2Ｂａ0.8Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕの組成比で表されるようにコントロールすればよい。基体は、必要に応じて、５０℃〜６００℃程度の範囲で加熱しても良い。
【００２８】
このようにして基体上に形成された蛍光体材料の薄膜を、硫化水素雰囲気中で８００℃程度に結晶化処理する。この結晶化処理により基体上に、容易にＳｒ0.2Ｂａ0.8Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕ蛍光体を得ることができる。結晶化温度は、基体材料等により、６５０℃〜１２００℃程度の範囲で適宜最適な温度を選択することができる。
【００２９】
また、熱処理雰囲気は、硫化水素ガス雰囲気の他に、硫化水素ガスをアルゴンや窒素で数％に希釈した雰囲気でも良いし、さらには、アルゴンや窒素等の不活性ガス雰囲気中でも良い。
【００３０】
次に、本発明の蛍光体材料を用いた画像表示装置について詳細に説明する。
【００３１】
従来、ＣＲＴディスプレイに代表されるカラーディスプレイは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の蛍光体を組み合わせて、カラー画像を形成している。
【００３２】
近年、より多くの色、より実物に近い色をディスプレイで再現するために、表示できる色再現域を拡大する研究が行われている。
【００３３】
この手法として、上記Ｒ，Ｇ，Ｂに加えて、シアン色（Ｃ）（もしくは、エメラルドグリーン色）の表色領域を設けて、色域を拡大する研究がなされている。このシアン色の蛍光体材料としては、図１に示すＣＩＥ色度座標において、ｘ座標値が小さく、且つ、ｙ座標値が大きいことが発光特性として求められる。それにより、高輝度で広色域のディスプレイが実現できる。
【００３４】
本発明の蛍光体材料を用いて形成される上述の蛍光体を用いることにより、高輝度で広色域のディスプレイが実現できる。具体的には、従来のＣＲＴディスプレイ用、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）用、表面伝導型エミッションディスプレイ用の蛍光体と同様の手法で、フェースプレートにブラックマトリクスを形成し、スクリーン印刷等の方法で蛍光体粒子を形成することができる。
【００３５】
図２に、本発明の蛍光体材料を用いて形成される蛍光体が基体上に配設された発光部材の一例を示す。図２は、蛍光膜の１画素の構成を示すもので、図中、１は基体、２はブラックマトリクス等の光吸収層、３〜６は、互いに発光ピーク波長の異なる蛍光体である。図２に示すように、少なくとも、６２０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する赤色の蛍光体３、５００ｎｍ〜５６０ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する緑色の蛍光体４、及び、４３５ｎｍ〜４８０ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する青色の蛍光体５と、本発明の蛍光体材料を用いて形成された蛍光体６とを基体１上に設けて、４色の蛍光体領域を有する発光部材を形成する。但し、これらの蛍光体領域の順番や配置は、先述の配列に限定されるものではない。また、本発明の発光部材は、蛍光体６のみの１色の蛍光体領域が形成されたものであっても良い。更に、本発明の発光部材は、高輝度で広色域のディスプレイを実現するために必要であれば、５色以上の蛍光体領域が形成されたものであっても良い。
【００３６】
また、上記発光部材においては更に、所定の電位が印加される電極をも備えるものであっても良い。この電極は、例えばアルミニウムやＩＴＯからなり、蒸着法、スパッタ法で形成される。
【００３７】
また、上記の赤色、緑色、青色の各色蛍光体を構成する蛍光体材料として、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ（緑）、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ（青）、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ（赤）、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ（緑）、ＣａＳ：Ｅｕ（赤）、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ（緑）等から、発光部材の表示特性に合わせ、適宜組み合わせて用いることができる。
【００３８】
この時、例えば、赤色にＹ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、緑色にＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ、青色にＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、更に本発明のＳｒ0.2Ｂａ0.8Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕを用いた場合、上記赤、緑、青の３色の組み合わせに比べて、表示色域は約２６％向上する。
【００３９】
最適な、ＳｒXＢａ1-XＧａ2Ｓ4：Ｅｕの構成比は、用いる他の３色の蛍光体材料との組み合わせにより最適な組成比を選択することができ、０．１≦Ｘ≦０．８から選択されることが好ましい。
【００４０】
上記のような本発明の蛍光体材料を用いて形成された蛍光体を含む４色の蛍光体を用いて、図３に示すようなＦＥＤを作製することができる。図３中、８は基板、９はカソード電極、１０は絶縁層、１１はゲート電極、１２は絶縁層１０の開口部、１３は電子放出部、１４は基板、１５は蛍光体、１９はメタルバック、２１はフェースプレートである。図５は斜視図であり、内部構造を示すために一部を切り欠いて示している。図中、１６はリアプレートの基体、１８はブラックマトリクス２と蛍光体１５を備えた蛍光膜であり、２３は電子放出領域、２４は支持枠である。図３のディスプレイは、Ｓｐｉｎｄｔ型の電子放出素子を用いたもので、図４に素子１個の構成を示す。図中の符号は図３と同様である。ＦＥＤとしては、このＳｐｉｎｄｔ型以外にもＭＩＭ型や表面伝導型等のものから最適なものを選択することができる。
【００４１】
図１１に表面伝導型電子放出素子の構成を、図１２にこれを用いた本発明の画像表示装置のパネルの概略構成を示す。図１２は内部構造を示すために一部を切り欠いて示した斜視図である。図中、５１は基板、５２，５３は素子電極、５４は導電性膜、５５は電子放出部、６２は固定部材、６３はスペーサー、６４はＸ方向配線、６５はＹ方向配線、６６は電子放出素子であり、図５と同じ部材には同じ符号を付した。
【００４２】
また、本発明の蛍光体材料を用いて形成された蛍光体を用いることで、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ等への応用も可能である。
【００４３】
ＥＬディスプレイとしては、図８に示すようにガラスやシリコン等の基板３１上に、ＩＴＯ等の第一の電極層３２を形成し、その上に、Ｔａ2Ｏ5等の材料で形成される第一の誘電体層３３を形成する。次いで、ＳｒXＢａ1-XＧａ2Ｓ4：Ｅｕで表される本発明の蛍光体材料を用いて形成された蛍光体の薄膜層３４、さらに、第二の誘電体層３５、第二の電極層３６を積層し、作製される。
【００４４】
上記、積層基板の２つの電極層間に電圧を印加することで、蛍光体の薄膜層３４から発光が得られる。
【実施例】
【００４５】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。
【００４６】
（実施例１）
本発明の蛍光体材料を作製した。原材料として、硫化ストロンチウム粉末（ＳｒＳ）、硫化バリウム粉末（ＢａＳ）、硫化ガリウム粉末（Ｇａ2Ｓ3）及び、塩化ユーロピウム粉末（ＥｕＣｌ3）を用いて、これらの粉末を乳鉢を用いて混合した。この時、母体材料がＳｒ0.2Ｂａ0.8Ｇａ2Ｓ4となるように、それぞれの粉末を重量で、
ＳｒＳ：ＢａＳ：Ｇａ2Ｓ：ＥｕＣｌ3≒０．９３：５．８：１０：０．２５
となるように秤量して用いた。Ｅｕ濃度は、Ｓｒ＋Ｂａのモル濃度に対して２原子％とした。
【００４７】
次に、この粉末をアルミナ製坩堝に入れ、アルゴンで２％に希釈した硫化水素ガス雰囲気中にセットし、３時間、１０００℃の雰囲気で結晶化処理を行った。このようにして作製した蛍光体材料の粉末の組成比を、蛍光Ｘ線により分析した。その結果、モル比率で、
Ｓｒ：Ｂａ：Ｇａ：Ｓ：Ｅｕ＝２．０５：７．９８：２０．３：４０．９：０．４２
の組成比の蛍光体材料が得られていることが確認できた。
【００４８】
次に、作製した蛍光体材料の粉末の発光特性を評価した。０．１ｇの粉末に、３５０ｎｍの紫外線を照射した時の輝度は、７０ｃｄ／ｍ2であった。これは、同条件で作製したＢａＧａ2Ｓ4：Ｅｕ蛍光体のおよそ１．２５倍の輝度であった。また、発光色をＣＩＥ色度座標で表すと、（ｘ，ｙ）＝（０．１３０，０．５２０）となった。
【００４９】
（実施例２）
実施例１と同様の製法で、組成比の異なる蛍光体材料を作製した。原材料は同様に、硫化ストロンチウム粉末（ＳｒＳ）、硫化バリウム粉末（ＢａＳ）、硫化ガリウム粉末（Ｇａ2Ｓ3）及び、塩化ユーロピウム粉末（ＥｕＣｌ3）を用いた。この時、母体材料がＳｒ0.4Ｂａ0.6Ｇａ2Ｓ4となるように、それぞれの粉末を重量で、
ＳｒＳ：ＢａＳ：Ｇａ2Ｓ：ＥｕＣｌ3≒１．９：４．３：１０．０：０．２５
となるように秤量して用いた。
【００５０】
これにより得られた蛍光体材料の発光特性を評価した。０．１ｇの粉末に、３５０ｎｍの紫外線を照射した時に得られた輝度は、７８ｃｄ／ｍ2であった。また、ＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．１３５，０．６２０）であった。
【００５１】
（実施例３）
本発明の蛍光体材料を用いて蛍光体を作製した。作製には、２つの電子ビーム源を持つＥＢ蒸着装置を用いた。
【００５２】
先ず、蛍光体の組成比がＳｒ0.2Ｂａ0.8Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕとなるように、硫化ストロンチウム粉末、硫化バリウム粉末及び塩化ユーロピウム粉末を重量で
ＳｒＳ：ＢａＳ：ＥｕＣｌ3≒０．９３：５．８：０．２５
の比率で混合し、錠剤状に成型して蒸着源を作製した。また、同様にして、硫化ガリウム粉末２ｇを錠剤状に成型し、もう一つの蒸着源を作製した。
【００５３】
次に、厚さ１ｍｍで、２０ｍｍ×２０ｍｍの大きさの石英基板を洗浄し、この石英基板を上記の錠剤とともに、蒸着装置内の所望の位置にセットし、真空排気した。
【００５４】
蒸着装置内の真空度が、２×１０-4Ｐａに到達した時点で、石英基板の加熱を開始し、１００℃に保持した。
【００５５】
石英基板の温度の安定後、２つの電子ビーム源より各々の蒸着源に電子ビームを照射し、膜厚計をモニターしながら、所望の蒸発量になるように電子ビーム量をコントロールした。石英基板上には、トータルで０．５μｍの厚さの膜を形成した。
【００５６】
このようにして形成した薄膜を、アルゴンで２％に希釈した硫化水素雰囲気中で８００℃、３０分保持して結晶化処理を行い、薄膜の蛍光体を作製した。
【００５７】
このようにして作製した薄膜の蛍光体に、３５０ｎｍの紫外線を照射して発光特性を評価した結果、輝度は２０ｃｄ／ｍ2で、ＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．１３３，０．５１６）であった。この薄膜の蛍光体をＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で分析した結果、モル比でＳｒ：Ｂａ：Ｇａ：Ｓ＝２．１：７．８５：２１．１：３９．７であった。
【００５８】
（実施例４）
実施例１で作製した蛍光体材料を用いて画像表示装置を作製した。本実施例の画像表示装置は、図４の構成の素子を備えた図３のＦＥＤである。
【００５９】
先ず、リアプレート（電子源基板）２０の製造方法を説明する。
【００６０】
ガラス基板８上にカソード電極９として、スパッタ法でアルミニウムを２００ｎｍ堆積させた。次に、絶縁層１０として、６００ｎｍの二酸化ケイ素をＣＶＤ法で堆積し、さらに、スパッタ法でゲート電極１１としてチタン膜を１００ｎｍ堆積させた。
【００６１】
次に、フォトリソグラフィー及びエッチング工程により、上記ゲート電極１１及び絶縁層１０に１μｍ径の開口部１２を形成した。
【００６２】
次いで、上記の製造工程を経た基板を、スパッタ装置内にセットし、装置内の真空排気を行った後、電子放出部１３を形成するために、基板８を回転させながら斜方よりモリブデンを堆積させた。この後、余分なモリブデンをリフトオフし電子放出部１３を形成した。上記の工程により、リアプレート２０を形成した。尚、ここでは、１画素に対応する領域で説明したが、実際には、これらの構造が基板上にマトリクス状に配置されている。
【００６３】
次に、フェースプレート（蛍光面）２１の作製方法を説明する。
【００６４】
ガラス基板１４上に、不要な発光面を除去するために、ブラックマトリクス２をスクリーン印刷により形成した。この時、図２に示す蛍光体３、４、５、６が形成される領域に開口部を設けた。
【００６５】
次に、蛍光体材料の粉末をバインダー等に分散させ、ペースト状にしたのち、このペーストをスクリーン印刷により上記開口部に塗布して、蛍光体１５を形成した。この時蛍光体材料は、赤色の蛍光体３を形成するためにＹ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、緑色の蛍光体４を形成するためにＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、青色の蛍光体を形成するためにＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、蛍光体６を形成するためにＳｒ0.2Ｂａ0.8Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕを用いた。尚、Ｓｒ0.2Ｂａ0.8Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕは、実施例１と同様の条件で作製した。
【００６６】
次に、フィルミング工程を経て、メタルバック１９としてアルミニウムを１００ｎｍ蒸着法により堆積し、フェースプレート２１を形成した。尚、ここでは、１画素に対応する領域で説明したが、実際には、これらの構造が基板上にマトリクス状に配置されている。
【００６７】
このようにして作製した、リアプレート２０とフェースプレート２１を組み合わせて、ＦＥＤを作製した。電子放出部２３は、カソード電極９とゲート電極１１が交差した領域に設けられている。更に、複数の電子放出部２３のそれぞれは、図２に示す蛍光体３〜６のそれぞれに対応するように設けられている。リアプレート２０とフェースプレート２１の接合部には、支持枠２４を配置した。
【００６８】
フェースプレート２１には、高圧印加端子Ｈｖを接続した。印加電圧は、１０ｋＶとした。
【００６９】
リアプレート２０には、カソード電極９とゲート電極１１に、それぞれ信号入力端子Ｄｘ１〜Ｄｍｘ、Ｄｙ１〜Ｄｍｙが接続されており、それぞれの端子には、駆動ドライバからの信号を入力した。
【００７０】
比較のために、従来型の赤（Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ）、緑（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、青（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ）色の３色の組み合わせで画像を形成するＦＥＤを作製した。
【００７１】
このようにして作製したディスプレイの表示色域を図６のＣＩＥ色度座標に示す。本発明のＦＥＤでは従来型のＦＥＤと比較して、表示領域でおよそ３８％の色域拡大が実現できた。
【００７２】
（実施例５）
実施例４と同様の方法で、図３に示すＦＥＤを作製した。
【００７３】
但し、本実施例では、赤色蛍光体にＹ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、緑色蛍光体にＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ、青色蛍光体にＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、更にもう１色の蛍光体としてＳｒ0.4Ｂａ0.6Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕを用いた。尚、Ｓｒ0.4Ｂａ0.6Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕの蛍光体材料は、実施例２と同様の条件で作製した。
【００７４】
比較のために、従来型の赤（Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ）、緑（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、青（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ）色の３色の組み合わせで画像を形成するＦＥＤを作製した。
【００７５】
このようにして作製したディスプレイの表示色域を図７のＣＩＥ色度座標に示す。本発明のＦＥＤでは従来型のＦＥＤと比較して、表示領域でおよそ５７％の色域拡大が実現できた。
【００７６】
（実施例６）
本発明の蛍光体材料を用いて、図８に示すようなＥＬパネル用素子を作製した。
【００７７】
ガラス基板３１上に、第一の電極層３２として、ＩＴＯをスパッタ法にて１００ｎｍ堆積し、その上に、同様にスパッタ法を用いて第一の誘電体層３３としてＴａ2Ｏ5を２００ｎｍ堆積した。
【００７８】
次に、上記第一の誘電体層３３上に、蛍光体の薄膜層３４を形成した。蛍光体の薄膜層３４の形成方法は、実施例３と同様の方法を用いた。形成した蛍光体の薄膜層３４は、Ｓｒ0.2Ｂａ0.8Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕとなるように蒸着法により形成した。
【００７９】
次に、上記の蛍光体の薄膜層３４上に、第二の誘電体層３５として、スパッタ法によりＴａ2Ｏ5を２００ｎｍ堆積した。
【００８０】
次に、上記の積層基板を、Ａｒ雰囲気で７００℃、１０分間の加熱処理を行った後、第二の誘電体層３５上に、第二の電極層３６としてＩＴＯをスパッタ法にて２００ｎｍ形成した。
【００８１】
このようにして作製したＥＬパネル用素子の発光特性を評価した。
【００８２】
上記素子の電極層３２と３６の間に、１ｋＨｚ、パルス幅３０μｓｅｃの信号を印加した結果、輝度で４００ｃｄ／ｍ2の発光が得られた。また、この発光色をＣＩＥ色度座標で表示すると、（ｘ，ｙ）＝（０．１２，０．５２）の発光色が得られた。
【００８３】
（実施例７）
本発明の蛍光体材料を用いて、画像表示装置を作製した。本実施例の画像表示装置は、図９に示すＦＥＤである。リアプレート２０の作製方法は、実施例４と同様である。
【００８４】
フェースプレート２１の作製方法を説明すると、ガラス基板１４上に、蛍光体１７とブラックマトリクス２からなる蛍光膜を形成した。蛍光体の形成方法は、実施例３と同様にＥＢ蒸着法を用いた。形成した蛍光体１７は、Ｓｒ0.2Ｂａ0.8Ｇａ2Ｓ4：Ｅｕとなるように組成を制御した。赤、青、緑については実施例４と同様とした。
【００８５】
また、蒸着時には、蛍光体１７がストライプ状に分離されるように、金属マスクを施し、該マスク領域に蛍光体材料が付着しないように成膜した。
【００８６】
次に、上記の基板を、アルゴンで１％に希釈した硫化水素雰囲気中で、８５０℃、３０分保持し、結晶化処理を行った。
【００８７】
次に、上記の蛍光体が分離された領域に、スクリーン印刷法でブラックストライプ２を形成した後、ＥＢ蒸着法にてメタルバック１９としてＡｌを１００ｎｍ堆積し、フェースプレート２１の電極を形成した。
【００８８】
このようにして形成したリアプレート２０とフェースプレート２１を組み合わせて、ＦＥＤを作製した。
【００８９】
フェースプレート２１に、電圧として１０ｋＶ印加した状態を保持し、リアプレート２０を駆動した結果、高精細なＦＥＤが実現できた。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の蛍光体材料の発光色を示す図である。
【図２】本発明の蛍光体材料を用いた蛍光膜の構成を示す図である。
【図３】本発明の画像表示装置の一例のＦＥＤを示す断面図である。
【図４】ＦＥＤに用いられるＳｐｉｎｄｔ型電子放出素子を示す図である。
【図５】本発明の画像表示装置の一例のＦＥＤを示す斜視図である。
【図６】本発明の実施例４のシアン色の発光特性を示す図である。
【図７】本発明の実施例５のシアン色の発光特性を示す図である。
【図８】本発明の実施例６のＥＬディスプレイを示す断面模式図である。
【図９】本発明の実施例７のＦＥＤを示す図である。
【図１０】従来の蛍光膜の構成を示す図である。
【図１１】本発明に適用される表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式図である。
【図１２】表面伝導型電子放出素子を用いた本発明の画像表示装置のパネルの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９１】
１  基体
２  ブラックマトリクス
３、４、５、６  蛍光体
７  電子源
８  基板
９  カソード電極
１０  絶縁層
１１  ゲート電極
１２  開口部
１３  電子放出部
１４  基板
１５  蛍光体
１６  基体
１７  薄膜蛍光体
１８  蛍光膜
１９  メタルバック
２０  リアプレート
２１  フェースプレート
２２  ＦＥＤパネル
２３  電子放出領域
２４  支持枠
３１  基板
３２  第一の電極層
３３  第一の誘電体層
３４  蛍光体薄膜層
３５  第二の誘電体層
３６  第二の電極層
４２  ブラックマトリクス
４３、４４、４５  蛍光体
５１  基板
５２，５３  素子電極
５４  導電性膜
５５  電子放出部
６２  固定部材
６３  スペーサー
６４  Ｘ方向配線
６５  Ｙ方向配線
６６  電子放出素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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