(57)【要約】【課題】画素の表示特性の低下を防止する。【解決手段】基板Ｐ上に画素電極形成材料を含む液滴を吐出して画素電極４５を形成する。基板Ｐ上に隔壁形成材料の薄膜を形成する工程と、薄膜の表面に撥液処理を施す工程と、撥液処理が施された薄膜をパターニングして、画素電極４５の形状に応じた隔壁６１を形成する工程と、隔壁６１の間の凹部に液滴を吐出する工程とを有する。【選択図】図８
2007108204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素電極形成材料を含む液滴を吐出して画素電極を形成する方法であって、
前記基板上に隔壁形成材料の薄膜を形成する工程と、
前記薄膜の表面に撥液処理を施す工程と、
前記撥液処理が施された前記薄膜をパターニングして、前記画素電極の形状に応じた隔
壁を形成する工程と、
前記隔壁の間の凹部に前記液滴を吐出する工程とを有することを特徴とする画素電極形
成方法。
【請求項２】
請求項１記載の画素電極形成方法において、
前記隔壁は、ポリシラザン液、ポリシラン液またはポリシロキサン液のいずれかを用い
て形成されることを特徴とする画素電極形成方法。
【請求項３】
請求項２記載の画素電極形成方法において、
前記ポリシラザン液、ポリシラン液またはポリシロキサン液のいずれかは、光酸発生剤
または光塩基発生剤のいずれかを含有し、ポジ型レジストとして機能する材料からなるこ
とを特徴とする画素電極形成方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の画素電極形成方法において、
前記撥液処理は、プラズマ処理であることを特徴とする画素電極形成方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の画素電極形成方法において、
前記隔壁は、スイッチング素子と前記画素電極とを電気的に接続する接続配線の上部に
形成されていることを特徴とする画素電極形成方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の画素電極形成方法において、
前記薄膜を焼成する工程と、前記液滴を焼成する工程とを同一工程で行うことを特徴と
する画素電極形成方法。
【請求項７】
基板上に画素電極が形成されたデバイスの製造方法であって、
請求項１から６のいずれかに記載の画素電極形成方法を用いて、前記基板上に前記画素
電極を形成することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のデバイス製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とす
る電気光学装置。
【請求項９】
請求項７記載のデバイス製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とす
る電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素電極形成方法、デバイス製造方法及び電気光学装置並びに電子機器に関
するものである。
【背景技術】
【０００２】
導体からなる薄膜（膜パターン）が配置された回路配線と、回路配線を覆う絶縁膜など
の薄膜と、半導体からなる薄膜とが基板上に積層されてなる半導体装置が、従来より知ら
れている。このような半導体装置における薄膜の効率的な形成方法として、薄膜材料など
を分散質として含む機能液の液滴を液滴吐出ヘッドから吐出し、着弾した機能液を乾燥さ
せて分散媒を除去し、薄膜を形成する、液滴吐出法（インクジェット法）が知られている
（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
液滴吐出法で膜パターンとなる薄膜を形成する場合、通常は膜パターンの形成領域を区
画するバンクを形成し、このバンクにより区画され凹部となった膜パターンの形成領域に
向けて機能液を吐出する。そして、凹部内の形成領域上に着弾した機能液を乾燥させ、薄
膜を形成することにより、膜パターンを形成する。
このような方法を用いて、例えばボトムゲート型の薄膜トランジスタにおける半導体層
に接続する、ソース配線、又はドレイン配線（膜パターン）等を形成することができる。
この場合、ゲート絶縁膜上にバンクを形成し、このバンクによって区画された凹部とな
る領域に機能液を吐出し、この機能液を乾燥させることにより、半導体層に接続する、ソ
ース配線、又はドレイン配線となる。
【０００４】
ところで、前記凹部内に着弾するよう吐出された機能液の液滴は、全て凹部内に入るこ
とが望ましいものの、一部はバンクの上面にかかることがある。その場合に、この液滴が
バンクの上面に付着することなく、凹部内に流れ込むようにするためには、バンクの上面
を、機能液に対して撥液性にしておく必要がある。ここで、バンク上面の撥液化処理は、
通常、レジスト材からなるバンク材を最終的なバンク形状にパターニングした後に、これ
をＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理を行っていた。
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
画素は矩形に形成されることが多いため、例えばＩＴＯ等の透明導電膜材料を含む液滴
を吐出して画素電極を形成する場合には、液滴が画素の角部に充填されづらくなる。
特に、上述したバンクの表面は、全体が撥液化されるので、バンクの側面と液滴との濡
れ性が悪くなり、液滴が画素の角部にスムーズに入り込まなくなるという問題がある。ま
た、バンクの側面がインクをはじくので、得られる膜も不均一な膜となってしまう。
このように、画素電極が所定形状に形成できない場合には、画素の表示特性が低下する
虞がある。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、画素の表示特性の低下を防止で
きる画素電極形成方法、デバイス製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供するこ
とを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の画素電極形成方法は、基板上に画素電極形成材料を含む液滴を吐出して画素電
極を形成する方法であって、前記基板上に隔壁形成材料の薄膜を形成する工程と、前記薄
膜の表面に撥液処理を施す工程と、前記撥液処理が施された前記薄膜をパターニングして
、前記画素電極の形状に応じた隔壁を形成する工程と、前記隔壁の間の凹部に前記液滴を
吐出する工程とを有することを特徴とするものである。
【０００８】
従って、本発明の画素電極形成方法では、隔壁をパターニングする前に撥液処理を行な
うため、隔壁の上面のみを撥液化し、隔壁の側面を撥液化しない状態とすることができる
。したがって、微細なパターンを形成する場合でも、隔壁内に液滴がスムーズに入り込め
るようになり、膜の均一性も向上する。
【０００９】
前記隔壁としては、ポリシラザン液、ポリシラン液またはポリシロキサン液のいずれか
を用いて形成されることが好適である。
これにより本発明では、有機材料からなる隔壁に比べて耐熱性が高くなり、特に機能液
を焼成して膜パターンとする場合に好適となる。
【００１０】
前記ポリシラザン液、ポリシラン液またはポリシロキサン液のいずれかは、光酸発生剤
または光塩基発生剤のいずれかを含有し、ポジ型レジストとして機能する材料からなるこ
とが好適である。
これにより、本発明では、ポリシラザン液、ポリシラン液またはポリシロキサン液のい
ずれかをポジ型レジストとして機能するようにすることで、これから得られる隔壁のパタ
ーン精度をより良好にすることができ、したがって、この隔壁から得られる膜パターンに
ついても、そのパターン精度をより高くすることが可能になる。
【００１１】
前記撥液処理としては、プラズマ処理を好適に採用できる。
すなわち、パターン形成領域を形成する前に隔壁となる薄膜にプラズマ処理を行ってい
るので、画素電極にプラズマによるダメージが及ぶことがない。
また、前記隔壁としては、スイッチング素子と前記画素電極とを電気的に接続する接続
配線の上部に形成する構成も好適に採用できる。
この構成では、隔壁の下部に位置する接続配線によって、スイッチング素子と画素電極
とを電気接続することができる。
【００１２】
また、本発明では、前記薄膜を焼成する工程と、前記液滴を焼成する工程とを同一工程
で行う手順を採用することが好ましい。
従って、本発明では、薄膜と液滴を別個に焼成する方法と比較して、生産性よく成膜す
ることが可能になる。なお、液滴は、一旦乾燥した後に焼成してもよいし、乾燥せずに焼
成してもよい。乾燥することなく焼成した場合には、工程を削減できることから、生産性
の向上に寄与できる。
【００１３】
一方、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の画素電極形成方法を用いて、前記基板
上に前記画素電極を形成することを特徴とするものである。
従って、本発明では、デバイスに形成される膜パターンの微細化や細線化が安定して図
られる。そのため、表示特性に優れた高精度なデバイスを安定して製造することができる
。
特に、前記膜パターンが前記基板上に設けられたＴＦＴ（膜トランジスタ）等のスイッ
チング素子の一部を構成する場合には、高集積化されたスイッチング素子を安定的に得る
ことができる。
【００１４】
そして、本発明の電気光学装置は、先に記載のデバイス製造方法を用いて製造されたデ
バイスを備えることを特徴とするものである。
また、本発明の電子機器は、先に記載のデバイス製造方法を用いて製造されたデバイス
を備えることを特徴とするものである。
従って、本発明では、表示特性に優れた高精度な電気光学装置及び電子機器を安定して
得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の画素電極形成方法、デバイス製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
の実施の形態を、図１ないし図１１を参照して説明する。
＜アクティブマトリクス基板＞
図１は、本発明に係るデバイスとしてのアクティブマトリクス基板の一部を拡大した図
である。
アクティブマトリクス基板（デバイス）２０上は、格子状に配線されたゲート配線４０
とソース配線４２とを備える。すなわち、複数のゲート配線４０がＸ方向に延びるように
形成され、ソース配線４２がＹ方向に延びるように形成されている。
また、ゲート配線４０には、ゲート配線４０の一部としてゲート配線４０よりも幅狭の
ゲート電極４１が接続され、ゲート電極４１上に絶縁層を介してＴＦＴ（スイッチング素
子）３０が配置される。一方、ソース配線４２には、ソース電極４３が接続され、ソース
電極４３の一端は、ＴＦＴ３０に接続する。
【００１６】
そして、ゲート配線４０とソース配線４２に囲まれた領域には、画素電極４５が配置さ
れ、ドレイン電極４４を介してＴＦＴ３０に接続する。
また、アクティブマトリクス基板２０上には、ゲート配線４０と略平行するように、容
量線４６が配線される。容量線４６は、画素電極４５及びソース配線４２の下層に絶縁層
を介して配置される。
なお、これらゲート配線４０、ゲート電極４１、ソース配線４２、容量線４６は、同一
の面上に形成される。
【００１７】
図２は、アクティブマトリクス基板２０の等価回路図であって、液晶表示装置に用いた
場合である。
アクティブマトリクス基板２０を液晶表示装置に用いた場合には、画像表示領域には複
数の画素１００ａがマトリクス状に構成される。これらの画素１００ａの各々には、画素
スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給す
るソース配線４２が図１に示したソース電極４３を介してＴＦＴ３０のソースに電気的に
接続されている。ソース配線４２に供給する画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に
線順次で供給してもよく、相隣接する複数のソース配線４２同士に対して、グループ毎に
供給するようにしてもよい。
また、ＴＦＴ３０のゲートには、ゲート配線４０が図１に示したゲート電極４１を介し
て電気的に接続されている。そして、所定のタイミングで、ゲート配線４０にパルス的に
走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００１８】
画素電極４５は、ＴＦＴ３０のドレインにドレイン電極４４を介して電気的に接続され
ている。そして、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすること
により、ソース配線４２から供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定の
タイミングで書き込む。このようにして画素電極４５を介して液晶に書き込まれた所定レ
ベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１０に示す対向基板１２０の対向電極１２１
との間で一定期間保持される。
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、容量線
４６によって、画素電極４５と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積
容量４８が付加されている。例えば、画素電極４５の電圧は、ソース電圧が印加された時
間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量４８により保持される。これにより、電荷の保持特
性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００１９】
＜液滴吐出装置＞
次に、上述したアクティブマトリクス基板２０の製造に用いられる液滴吐出装置につい
て図３及び図４を参照して説明する。
図３に示すように、液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪは、液滴吐出ヘッドから
基板Ｐに対して液滴を吐出（滴下）するものであって、液滴吐出ヘッド３０１と、Ｘ方向
駆動軸３０４と、Ｙ方向ガイド軸３０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ３０７と、ク
リーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。ステージ３０７
は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料、液状体）を設けられる基板Ｐを支持
するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００２０】
液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘ
ッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘ
ッド３０１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１
の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板Ｐに対して、導電性微粒子を
含むインクが吐出される。
【００２１】
Ｘ方向駆動軸３０４には、Ｘ方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ方向駆動モー
タ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ方向の駆動信号が供給
されると、Ｘ方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐
出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステー
ジ３０７は、Ｙ方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３０３はステッピ
ングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ方向の駆動信号が供給されると、ステージ
３０７をＹ方向に移動する。
【００２２】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。ま
た、Ｘ方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の移動を制御する駆動パル
ス信号を、Ｙ方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ方向の移動を制御する駆動パル
ス信号を供給する。
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。ク
リーニング機構３０８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられている。このＹ方
向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿って移動
する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ３１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板
Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電
源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２３】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐを支持するステージ３０７とを相
対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ方向
を走査方向、Ｘ方向と直交するＹ方向を非走査方向とする。
したがって、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ方向に一定間
隔で並んで設けられている。なお、図３では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板Ｐの進行方
向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板Ｐの進行
方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の
角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズ
ル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００２４】
図４は、液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。
液滴吐出ヘッド３０１には、液体材料（配線用インク等）を収容する液体室３２１に隣
接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液体材料を収容する材料
タンクを含む液体材料供給系３２３を介して液体材料が供給される。
ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピ
エゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させることにより、液体室３２
１が変形し、ノズル３２５から液体材料が吐出される。
この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量が制御さ
れる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度が
制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を
与えにくいという利点を有する。
【００２５】
なお、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式
、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で
電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。
また、加圧振動方式は、材料に例えば３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先
端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズル
から吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズ
ルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な
電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材
料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズル
から吐出させるものである。
【００２６】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に
気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるも
のである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメ
ニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、
この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技
術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所
望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出され
る液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００２７】
また、液滴として吐出される溶液に含まれる導電性微粒子としては、例えば、金、銀、
銅、錫、鉛等の金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微
粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機
物などをコーティングして使うこともできる。
【００２８】
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍよ
り大きいと、後述する液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、
１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得ら
れる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２９】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであ
れば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラ
デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロ
ナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、
またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチ
レングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２
−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエー
テル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極
性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出
法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物
、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を
挙げることができる。
【００３０】
導電性微粒子の分散液の表面張力は、例えば０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の
範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．
０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲
りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定
しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上
記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、
ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、
液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生な
どの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エー
テル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３１】
分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小
さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ
・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難と
なる。
【００３２】
＜アクティブマトリクス基板の製造方法＞
次に、アクティブマトリクス基板２０の製造方法について図を参照して説明する。
アクティブマトリクス基板２０は、基板Ｐ上に格子パターンの配線を形成する第１工程
と、積層部３５を形成する第２工程と、画素電極４５等を形成する第３工程により製造さ
れる。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
【００３３】
図５乃至図７は、第１工程である配線形成工程を説明する図であり、図１におけるＡ−
Ａ線に沿う断面図である。
ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線が形成される基板Ｐとしては
、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種の材料を用
いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、
有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００３４】
まず、図５（ａ）に示すように、基板Ｐ上にバンクの形成材料からなる薄膜のバンク膜
Ｂを形成する。バンク膜Ｂを形成する場合には、まず、各種コート法やＣＶＤ法（化学的
気相成長法）等を用いて基板Ｐ上にバンク形成材料からなる層を形成する。薄膜Ｂの形成
材料としては、有機系の材料（アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミ
ン樹脂等の高分子材料）又は無機系の材料のいずれを用いてもよいが、耐熱性の面からは
無機系材料を用いることが好ましい。バンク膜Ｂの形成材料が無機質の材料を含むことに
より、バンク膜Ｂの耐熱性が高くなり、しかもバンク膜Ｂと基板Ｐとの間の熱膨張率の差
が小さくなるため、機能液の乾燥時の熱などによるバンク膜Ｂの劣化が抑制され、膜パタ
ーンが良好な形状で形成される。例えば、バンク膜Ｂ及び機能液の上に低融点ガラスなど
を予め塗布するなどして、機能液を焼成する際、焼成温度が３００度以上の高温になる場
合があるが、こうした場合にも、バンク膜Ｂが無機質の材料から形成されていることによ
り、十分な耐久性が得られる。
【００３５】
より詳細には、バンクの形成材料となるレジスト液としては、固形分としてポリシラザ
ンまたはポリシランまたはポリシロキサンのいずれかを主成分とする無機質の材料からな
るもので、特にポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン液が好適に用いら
れ、本実施形態ではこの感光性ポリシラザン液を用いるものとする。この感光性ポリシラ
ザン液は、ポジ型レジストとして機能するようになるもので、露光処理と現像処理とによ
って直接パターニングすることができるものである。なお、このような感光性ポリシラザ
ンとしては、例えば特開２００２−７２５０４号公報に記載された感光性ポリシラザンを
例示することができる。また、この感光性ポリシラザン中に含有される光酸発生剤につい
ても、特開２００２−７２５０４号公報に記載されたものが用いられる。
本実施形態では、例えばポリシラザン液を塗布してバンク膜Ｂを形成する。
【００３６】
続いて、バンク形成材料となるポリシラザン液を、例えばホットプレート上にて１１０
℃で３分程度プレベークする。
このプレベーク工程により、前記ポリシラザン液の溶媒を蒸発させることで、図５（ａ
）に示したように、基板Ｐ上にバンク膜Ｂが形成される。
【００３７】
続いて、図５（ｂ）に示すように、マスクＭを用いてバンク膜Ｂを露光する。なお、バ
ンク膜Ｂは、前述したようにポジ型レジストとして機能するので、マスクＭ（の開口部）
により選択的に露光した箇所（図５（ｂ）中、二点鎖線で示される領域）が、後の現像処
理によって除去されるようになる。露光光源としては、前記感光性ポリシラザン液の組成
や感光特性に応じ、従来のフォトレジストの露光で用いられている高圧水銀灯、低圧水銀
灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマレーザー、Ｘ線、電子線等から適
宜選択され用いられる。照射光のエネルギー量については、光源や膜厚にもよるものの、
通常は０．０５ｍＪ／ｃｍ２以上、望ましくは０．１ｍＪ／ｃｍ２以上とされる。上限は
特にないものの、あまりに照射量を多く設定すると処理時間の関係から実用的でなく、通
常は１００００ｍＪ／ｃｍ２以下とされる。本実施形態では、エネルギー量を４０ｍＪ／
ｃｍ２としている。露光は、一般に周囲雰囲気（大気中）あるいは窒素雰囲気とすればよ
いが、ポリシラザンの分解を促進するため、酸素含有量を富化した雰囲気を採用してもよ
い。
【００３８】
このような露光処理により、光酸発生剤を含有する感光性ポリシラザンからなるバンク
膜Ｂは、特に露光部分において膜内で選択的に酸が発生し、これによりポリシラザンのＳ
ｉ−Ｎ結合が解裂する。そして、雰囲気中の水分と反応し、バンク膜Ｂは一部加水分解し
、最終的にシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合が生成し、ポリシラザンが分解する。
【００３９】
次いで、このようなシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合の生成、ポリシラザンの分解をより
進めるため、露光後のバンク膜Ｂを、例えば２５℃、相対湿度８５％の環境下にて５分程
度加湿処理する。このようにしてバンク膜Ｂ内に水分を継続的に供給すると、一旦ポリシ
ラザンのＳｉ−Ｎ結合の解裂に寄与した酸が繰り返し解裂触媒として働く。このＳｉ−Ｏ
Ｈ結合は露光中においても起こるが、露光後、露光された膜を加湿処理することにより、
ポリシラザンのＳｉ−ＯＨ化がより一層促進される。
【００４０】
なお、このような加湿処理における処理雰囲気の湿度については、高ければ高いほどＳ
ｉＯＨ化速度を速くすることができる。ただし、あまり高くなると膜表面に結露してしま
うおそれがあり、したがってこの観点から相対湿度９０％以下とするのが実用的である。
また、このような加湿処理については、水分を含有した気体を、バンク膜３１に接触させ
るようにしてやればよく、したがって、加湿処理装置内に露光された基板Ｐを置き、水分
含有気体をこの加湿処理装置に連続的に導入するようにすればよい。または、予め水分含
有気体が導入されて調湿された状態の加湿処理装置内に、露光された基板Ｐを入れ、所望
時間放置するようにしてもよい。
【００４１】
次いで、バンク膜Ｂに対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化
処理としては、四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を撥液化処理ガスとするプラズマ
処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）が好適に採用される。
ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化メ
タンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０
．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０度とされる。なお、処理ガスとして
は、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを
用いることもできる。
【００４２】
このような撥液化処理を行うと、バンク膜Ｂを構成するポリメチルシラザンのメチル基
中にフッ素基が導入される。これにより、機能液に対する高い撥液性がバンク膜Ｂの表面
に付与され、バンク膜Ｂの表面に撥液処理層（図示せず）が形成される。
ここで、撥液処理層の撥液性の程度は、機能液の接触角が９０°以上であることが好ま
しい。接触角が９０°未満の場合には、得られるバンクの上面に機能液が残存し易くなっ
てしまうからである。
【００４３】
次に、現像処理を行ない、バンク膜Ｂをバンクの形状にパターニングして、図６（ａ）
に示すように、格子パターンの配線の形成位置に対応した複数の開口部５２，５３，５４
を有するバンク（隔壁）５１を形成する。
このように撥液処理を行なってからパターニングすることにより、バンク５１の上面５
１ａのみが撥液化され、バンク５１の側面５１ｂは撥液化されない状態となる。このため
、機能液に対して良好な濡れ性を示すようになり、バンク５１の開口部（すなわちバンク
５１，５１の間隔）を狭くしてもその中にスムーズに機能液が入り込めるようになる。
【００４４】
次に、バンク間におけるバンク形成時のレジスト（有機物）残渣を除去するために、基
板Ｐに対して残渣処理を施す。
残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線（ＵＶ）照射処
理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択できるが、ここでは
Ｏ２プラズマ処理を実施する。
具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで
行う。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸
素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度
が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
なお、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料に対して親液性を
有しているが、本実施の形態のように残渣処理のためにＯ２プラズマ処理や紫外線照射処
理を施すことで、基板表面の親液性を高めることができる。
【００４５】
このバンク５１により形成される開口部５２〜５４は、ゲート配線４０（ゲート電極４
１）やソース配線４２等の格子パターンの配線に対応している。すなわち、バンク５１の
開口部５２〜５４に配線用金属材料を配置することにより、ゲート配線４０やソース配線
４２等の格子パターンの配線が形成される。
具体的には、Ｙ方向に延びるように形成される開口部５２は、ソース配線４２の形成位
置に対応し、開口部５３はゲート電極４１の形成位置に対応する。また、開口部５４は、
ドレイン電極４４と画素電極４５とを電気的に接続する後述の接続配線５０（図６（ｂ）
参照）の形成位置に対応している。
なお、Ｙ方向に延びる開口部５２（ソース配線４２）は、図１に示すように、Ｘ方向に
延びるゲート配線４０、容量線４６と交差しないように、交差部５６において分断される
ように形成される。
【００４６】
そして、上述した液滴吐出装置ＩＪによって、導電性微粒子を含む配線用インクを開口
部５２〜５４内等に吐出・配置することにより、基板Ｐ上にゲート配線４０やソース配線
４２等からなる格子パターンの配線を形成する。
配線用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や有機銀化合物や酸化銀ナ
ノ粒子を溶媒（分散媒）に分散した溶液からなるものである。導電性微粒子としては、例
えば、金、銀、銅、錫、鉛等の金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマー
や超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるた
めに表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
【００４７】
まず、上述した開口部５２〜５４に導電性微粒子として銀（Ａｇ）を分散させた機能液
の液滴を液滴吐出ヘッド３０１により開口部５２〜５４の所定位置にそれぞれ配置する。
基板Ｐに配線用インクを吐出した後には、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理
、焼成処理を行う。この際、バンク５１及び機能液は、同時に焼成される。
このような乾燥・焼成処理により、導電性微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜
に変換される。
乾燥処理としては、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる
加熱処理によって行うことができる。例えば１８０℃加熱を６０分間程度行う。
焼成処理及の処理温度としては、分散媒の沸点（蒸気圧）、微粒子の分散性や酸化性等
の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される
。例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するために、約２５０℃で焼成すること
が必要である。
【００４８】
これにより、図６（ｂ）に示すように、開口部５２〜５４にソース配線４２、ゲート電
極４１及び接続配線５０が成膜される。
なお、ゲート配線４０やソース配線４２等の配線上には、金属保護膜４７を成膜させても
よい。金属保護膜４７は、銀や銅等からなる導電性膜の（エレクトロ）マイグレーション
現象等を抑制するための薄膜である。金属保護膜４７を形成する材料としては、ニッケル
が好ましい。
なお、ニッケルからなる金属保護膜４７も液滴吐出法によって基板Ｐ上に配置されて形
成される。
以上の工程により、基板Ｐ上には、図６（ｂ）に示すように、バンク５１及び格子パタ
ーンの配線からなる層が形成される。
【００４９】
（第２工程：積層部形成）
第２工程では、図６（ｃ）に示すように、バンク５１及び格子パターンの配線からなる
層上の所定位置に絶縁膜３１と半導体膜（コンタクト層３３，活性層３２）からなる積層
部３５を形成する。
より詳細には、まず、プラズマＣＶＤ法により、基板Ｐ上の全面に対して、絶縁膜３１
、活性層３２、コンタクト層３３の連続成膜を行う。具体的には、絶縁膜３１として窒化
シリコン膜、活性層３２としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層３３としてｎ＋型
シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより連続して形成する。
【００５０】
次いで、図７（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、所定位置にレジス
ト５８（５８ａ〜５８ｃ）を配置する。所定位置とは、ゲート電極４１上（レジスト５８
ｃ）、ソース配線４２の上部でレジスト５８ｃとの間に開口部６２を形成する位置（レジ
スト５８ａ）、及び接続配線５０の上部でレジスト５８ｃとの間に開口部６３を形成する
位置（レジスト５８ｂ）である。
なお、ゲート電極４１上に配置するレジスト５８ｃには、ハーフ露光を行うことにより
、溝５９を形成する。
【００５１】
次いで、基板Ｐの全面に対してエッチング処理を施して、レジスト５８（５８ａ〜５８
ｃ）をマスクとして、コンタクト層３３及び活性層３２を除去する。更に、エッチング処
理を施して、絶縁膜３１を除去する。
これにより、図７（ｂ）に示すように、レジスト５８（５８ａ〜５８ｃ）を配置した所
定位置以外の領域から、コンタクト層３３、活性層３２、絶縁膜３１が取り除かれる。一
方、レジスト５８が配置された所定位置には、絶縁膜３１と半導体膜（コンタクト層３３
，活性層３２）からなる積層部３５が形成される。
【００５２】
なお、ゲート電極４１上に形成される積層部３５では、レジスト５８ｃにハーフ露光を
行って溝５９を形成しておいたので、エッチング前に再度現像することにより溝が貫通す
る。図７（ｂ）示すように、溝５９に対応するコンタクト層３３が除去され、２つに分断
された状態に形成される。これにより、ゲート電極４１上に活性層３２及びコンタクト層
３３からなるスイッチング素子としてＴＦＴ３０が形成される。
【００５３】
そして、図７（ｃ）に示すように、コンタクト層３３を保護する保護膜６０として窒化
シリコン膜を基板Ｐの全面に成膜する。
このようにして、積層部３５の形成が完了する。
【００５４】
（第３工程）
第３工程では、ソース電極４３、ドレイン電極４４、導電層４９及び画素電極４５を形
成する。なお、以下の説明では、ソース電極４３、ドレイン電極４４及び画素電極４５に
ついてのみ説明し、導電層４９の説明は省略する。
ソース電極４３、ドレイン電極４４、導電層４９及び画素電極４５はいずれも、例えば
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によ
って形成することができる。また、これらの電極等の形成には、第１工程と同様に、液滴
吐出法が用いられる。
【００５５】
まず、バンク５１を形成する際と同様の材料及び方法で保護膜６０の全面を覆うように
、薄膜のバンク膜を形成した後に、ソース電極４３、ドレイン電極４４及び画素電極４５
の形状に応じた開口を有するマスクを用いて薄膜のバンク膜を露光する。
そして、加湿処理を施した後に、バンク膜に対してプラズマ処理法等の撥液化処理及び
現像処理を行う。
【００５６】
これにより、図８（ａ）に示すように、ゲート電極４１上には積層部３５（ＴＦＴ３０
）をＸ方向に２分割し、且つ積層部３５（ＴＦＴ３０）の一部が露出するようにバンク（
隔壁）６１が形成される。また、バンク６１は、ソース電極４３に対応する開口部６２、
ドレイン電極４４に対応する開口部６３及び画素電極４５に対応する開口部６４を取り囲
んで形成するように配置される。
【００５７】
次いで、基板Ｐの全面に成膜した保護膜６０をバンク６１をマスクとしてエッチング処
理により除去する。これにより、図８（ｂ）に示すように、バンク６１が配置されていな
い領域上に成膜した保護層６０は、取り除かれる。なお、格子パターンの配線（図８（ｂ
）ではソース配線４２及び接続配線５０）上に形成した金属保護膜４７も取り除かれる。
【００５８】
そして、上述した液滴吐出装置ＩＪによって、開口部６２、６３、６４に導電性微粒子
として、例えばＩＴＯを分散させた機能液の液滴を液滴吐出ヘッド３０１により開口部６
２、６３、６４の所定位置にそれぞれ配置する。
基板Ｐに配線用インクを吐出した後には、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理
、焼成処理を行う。この際、バンク６１及び機能液は、同時に焼成される。
このような乾燥・焼成処理により、導電性微粒子間の電気的接触が確保されて導電性膜
に変換され、図８（ｃ）に示すように、ソース電極４３、ドレイン電極４４及び画素電極
４５が成膜される。
【００５９】
以上、説明したように、本実施形態では、バンク５１、６１の撥液化処理をパターニン
グを行なう前、すなわちバンク形成用の薄膜の段階で行なっているため、バンク５１、６
１の上面のみが撥液化して、バンク５１、６１の側面を撥液化しない状態とすることがで
きる。このため、微細なパターンを形成する場合でも、バンク５１，６１内に機能液がス
ムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【００６０】
また、本実施形態では、上述した配線の幅のみならず、平面的な角部（例えば図１に示
す角部Ｋ）にもスムーズに機能液が入り込めるようになることから、バンク６１の形状に
応じた所望形状の画素電極４５を得ることができる。従って、本実施形態では、画素電極
４５の面積が小さくなることに起因する表示特性の低下を抑制することが可能になる。さ
らに、
【００６１】
また、本実施形態では、無機質の材料を用いてバンク５１、６１が形成されていること
から、バンク５１、６１の耐熱性が高く、しかもバンク５１、６１と基板Ｐとの間の熱膨
張率の差が小さい。そのため、焼成時の高温処理にあっても、バンク５１、６１の劣化が
抑制され、画素電極４５を良好な形状で形成することができる。
【００６２】
さらに、本実施形態によれば、バンク形成材料の焼結と、画素電極４５等の焼結とを同
時に行なうので、別々に焼成する場合に比べて、工程を減らすことができるので、生産性
よく製造することができる。
【００６３】
＜電気光学装置＞
次に、アクティブマトリクス基板２０を用いた電気光学装置の一例である液晶表示装置
１００について説明する。
図９は、液晶表示装置１００を対向基板側から見た平面図であり、図１０は、図９のＨ
−Ｈ’線に沿う断面図である。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００６４】
図９及び図１０において、液晶表示装置（電気光学装置）１００は、アクティブマトリ
クス基板２０を含むＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とが光硬化性の封止材であ
るシール材１５２によって貼り合わされ、このシール材１５２によって区画された領域内
に液晶１５０が封入、保持されている。シール材１５２は、基板面内の領域において閉ざ
された枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構
成となっている。
【００６５】
シール材１５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り１５３が
形成されている。シール材１５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端
子２０２がＴＦＴアレイ基板１１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する
２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の残る一
辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複
数の配線２０５が設けられている。また、対向基板１２０のコーナー部の少なくとも１箇
所においては、ＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０との間で電気的導通をとるため
の基板間導通材２０６が配設されている。
【００６６】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１１０の
上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bon
ding）基板とＴＦＴアレイ基板１１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介
して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。
また、液晶表示装置１００においては、使用する液晶１５０の種類、すなわち、ＴＮ（
Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式モード等の動作モードや
、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等
が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板１２０に
おいて、ＴＦＴアレイ基板１１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（
Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００６７】
また、アクティブマトリクス基板２０を用いた電気光学装置としては、例えば、有機Ｅ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に応用が可能である。
有機ＥＬ表示装置は、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟
んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより
励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐
光）を利用して発光させる素子である。
そして、ＴＦＴ３０を有するアクティブマトリクス基板２０上に、有機ＥＬ表示素子に
用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層
形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングす
ることで、自発光フルカラー有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００６８】
さらに、アクティブマトリクス基板２０は、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や
、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生
ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【００６９】
＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、６０
０は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部を
示している。
図１１（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図
である。図１１（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力
部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部
を示している。
図１１（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）におい
て、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示
部を示している。
このように、図１１（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置１
００を備えたものであるので、高い表示品質や性能が得られる。
また、テレビやモニター等の大型液晶パネルにおいても本実施形態を用いることができ
る。
【００７０】
なお、本実施形態の電子機器は液晶表示装置１００を備えるものとしたが、有機エレク
トロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機
器とすることもできる。
【００７１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発
明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材
の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計
要求等に基づき種々変更可能である。
【００７２】
例えば、前記実施形態では、バンクの形成材料としてのレジスト液として、光酸発生剤
を含む感光性ポリシラザン液を用いたが、本発明はこれに限定されることなく、例えば光
塩基発生剤を含むポリシラザン液等、これ以外のポリシラザン液を用いることもできる。
また、前記実施形態では、特に加湿処理を行うことでシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合の
生成、およびポリシラザンの分解を促進するようにしたが、本発明はこれに限定されるこ
となく、例えば使用したポリシラザン液の種類によってはこの加湿処理工程を省略するこ
ともできる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】アクティブマトリクス基板の一部拡大図である。
【図２】アクティブマトリクス基板の等価回路図である。
【図３】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図４】液滴吐出ヘッドの断面図である。
【図５】アクティブマトリクス基板を製造する手順を示す図である。
【図６】アクティブマトリクス基板を製造する手順を示す図である。
【図７】アクティブマトリクス基板を製造する手順を示す図である。
【図８】アクティブマトリクス基板を製造する手順を示す図である。
【図９】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図１０】液晶表示装置の断面図である。
【図１１】電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
【００７４】
Ｂ…バンク膜（薄膜）、  ２０…アクティブマトリクス基板（デバイス）、  ３０…Ｔ
ＦＴ（スイッチング素子）、  ４５…画素電極、  ５１、６１…バンク（隔壁）、  １０
０…液晶表示装置（電気光学装置）、  ６００…携帯電話本体（電子機器）、  ７００…
情報処理装置（電子機器）、  ８００…時計本体（電子機器）
【図１】
2007108204.tif 000003
【図２】
2007108204.tif 000004
【図３】
2007108204.tif 000005
【図４】
2007108204.tif 000006
【図５】
2007108204.tif 000007
【図６】
2007108204.tif 000008
【図７】
2007108204.tif 000009
【図８】
2007108204.tif 000010
【図９】
2007108204.tif 000011
【図１０】
2007108204.tif 000012
【図１１】
2007108204.tif 000013