(57)【要約】【課題】基板にダメージを与えることなく、基板の表面からレジスト硬化層を有するレジストを速やかに剥離（除去）することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】一体型ヘッド３には、剥離液流通管１４と、ＵＶ照射装置２５とが備えられている。基板の表面に対して、剥離液流通管１４からレジスト剥離液が供給されつつ、ＵＶ照射装置２５から紫外線が照射される。これにより、基板の表面のレジストに対して、レジスト剥離液が有する化学的エネルギーと紫外線が有するエネルギーとを同時に付与することができる。そのため、レジストの表面にレジスト硬化層が形成されていても、それらのエネルギーの相乗作用によって、レジスト硬化層を破壊することができ、そのレジスト硬化層の破壊された部分からレジストの内部にレジスト剥離液を浸透させて、レジストを速やかに剥離して除去することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にレジストが形成された基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面にレジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給する剥離液供給手段と、
基板の表面に対するレジスト剥離液の供給と紫外線の照射とが並行して行われるように、前記紫外線照射手段および前記剥離液供給手段を制御する制御手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記基板保持手段に保持された基板の表面に近接する近接位置と、当該基板の上方に退避する退避位置との間で、前記紫外線照射手段を移動させるための移動手段をさらに含み、
前記制御手段は、前記移動手段を制御して、前記紫外線照射手段による紫外線の照射時に、前記紫外線照射手段を前記近接位置に配置させることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記剥離液供給手段は、処理液を吐出する吐出口を備えており、
前記紫外線照射手段および前記吐出口を一体的に保持する保持ヘッドをさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板保持手段に保持された基板を加熱する加熱手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板保持手段に保持された基板の表面にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板保持手段によって、表面にレジストが形成された基板を保持する基板保持工程と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射工程と、
前記紫外線照射工程と並行して、前記基板保持手段に保持された基板の表面にレジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給する剥離液供給工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の表面から不要になったレジストを除去するために適用される基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不所望な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入を所望しない部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを剥離して除去するためのレジスト除去処理が行われる。
【０００３】
レジスト除去処理は、たとえば、アッシング装置でレジスト膜をアッシング（灰化）して除去した後、ウエハを洗浄装置に搬入して、ウエハの表面からアッシング後のレジスト残渣（ポリマ）を除去することによって達成できる。アッシング装置では、たとえば、ウエハを収容した処理室内が酸素ガス雰囲気にされて、その酸素ガス雰囲気中にマイクロ波が放射される。これにより、処理室内に酸素ガスのプラズマ（酸素プラズマ）が発生し、この酸素プラズマがウエハの表面に照射されることによって、ウエハの表面のレジスト膜が分解されて除去される。一方、洗浄装置では、たとえば、ウエハの表面にＡＰＭ（ammonia−hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水）などの薬液が供給されて、ウエハの表面に対して薬液による洗浄処理（レジスト残渣除去処理）が施されることにより、ウエハの表面に付着しているレジスト残渣が除去される。
【０００４】
ところが、プラズマによるアッシングは、ウエハの表面のレジスト膜で覆われていない部分（たとえば、露呈した酸化膜）がダメージを受けてしまうという問題を有している。
そのため、プラズマによるアッシングおよびＡＰＭなどの薬液を用いた洗浄処理に代えて、ウエハの表面に硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）を供給して、このＳＰＭに含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去することが提案されている。また、この他にも、ウエハの表面にオゾンガスを混入（バブリング）させた硫酸を供給して、その酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去する手法なども提案されている。
【特許文献１】特開２００５−３２８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、イオン注入（とくに、高ドーズのイオン注入）が行われたウエハでは、レジストの表面が変質（硬化）しているため、レジストを良好に除去できなかったり、レジストを除去するのに時間がかかったりする。
そこで、この発明の目的は、基板にダメージを与えることなく、基板の表面からレジスト硬化層を有するレジストを速やかに剥離（除去）することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、表面にレジストが形成された基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（２）と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射手段（２５）と、前記基板保持手段に保持された基板の表面にレジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給する剥離液供給手段（１４，１５，１６，１７，１８，２０，２１，２４（４３））と、基板の表面に対するレジスト剥離液の供給と紫外線の照射とが並行して行われるように、前記紫外線照射手段および前記剥離液供給手段を制御する制御手段（３３）とを含むことを特徴とする、基板処理装置（１）である。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板の表面にレジスト剥離液が供給されつつ、その基板の表面に紫外線が照射される。これにより、基板の表面のレジストに対して、レジスト剥離液が有する化学的エネルギーと紫外線が有するエネルギーとを同時に付与することができる。そのため、レジストの表面にレジスト硬化層が形成されていても、それらのエネルギーの相乗作用によって、レジスト硬化層を破壊することができ、そのレジスト硬化層の破壊された部分からレジストの内部にレジスト剥離液を浸透させて、レジストを速やかに剥離して除去することができる。しかも、プラズマアッシングとは異なり、基板にダメージを与えるおそれもない。
【０００８】
基板の表面に対する紫外線の照射とレジスト剥離液の供給とを、別々の装置（チャンバ）で行うことも考えられる。しかしながら、その場合、レジスト剥離液が有する化学的エネルギーと紫外線が有するエネルギーとの相乗作用が発揮されないため、前記の構成と比較して、基板の表面からレジストを除去するのに時間がかかる。また、基板を装置間で搬送する時間も必要となる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、前記基板保持手段に保持された基板の表面に近接する近接位置と、当該基板の上方に退避する退避位置との間で、前記紫外線照射手段を移動させるための移動手段（１２）をさらに含み、前記制御手段は、前記移動手段を制御して、前記紫外線照射手段による紫外線の照射時に、前記紫外線照射手段を前記近接位置に配置させることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置である。
【００１０】
この構成によれば、紫外線照射手段が基板の表面に近接する近接位置に配置されて、その近接位置から基板の表面に紫外線が照射される。そのため、基板の表面のレジストに対して、紫外線のエネルギーを効率よく付与することができる。その結果、基板の表面からレジストをより良好かつ速やかに剥離して除去することができる。
前記近接位置は、前記紫外線照射手段と前記基板保持手段に保持された基板の表面との間隔が３０ｍｍ以内となる位置をいい、その間隔は、１０ｍｍ以内であることが好ましい。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記剥離液供給手段は、処理液を吐出する吐出口（１４ａ）を備えており、前記紫外線照射手段および前記吐出口を一体的に保持する保持ヘッド（３）をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、紫外線照射手段と剥離液供給手段の吐出口とを保持ヘッドにより一体的に保持することができるので、それらを個別に保持する部材を不要とすることができ、部品点数の低減を図ることができる。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、前記基板保持手段に保持された基板を加熱する加熱手段（８）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板を加熱することによって、基板の表面のレジストに熱エネルギーをさらに付与することができる。そのため、基板の表面からレジストを一層良好かつ速やかに剥離して除去することができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記基板保持手段に保持された基板の表面にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段（４１，４２）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の表面にオゾンガスを供給することによって、基板の表面のレジストの酸化を促進させることができる。そのため、基板の表面からレジストを一層良好かつ速やかに剥離して除去することができる。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、基板保持手段（２）によって、表面にレジストが形成された基板（Ｗ）を保持する基板保持工程（Ｓ１）と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射工程（Ｓ３）と、前記紫外線照射工程と並行して、前記基板保持手段に保持された基板の表面にレジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給する剥離液供給工程（Ｓ３）とを含むことを特徴とする、基板処理方法である。
【００１５】
この方法によれば、請求項１に関連して述べた作用効果と同様な作用効果を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１Ａは、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す側面図である。
基板処理装置１は、基板の一例であるウエハＷの表面に不純物を注入するイオン注入処理後に、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを剥離して除去するための処理を行う枚葉式の装置である。この基板処理装置１は、ウエハＷを水平に保持するプレート２と、このプレート２に保持されたウエハＷの表面（上面）に紫外線およびレジスト剥離液を供給するための一体型ヘッド３とを備えている。
【００１７】
図１Ｂは、プレート２を上方から見たときの平面図である。
プレート２は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、平面視でウエハＷよりも大きく形成されており、その表面が、レジスト剥離液に対する耐性を有する材料、たとえば、炭化シリコンからなる保護層４で覆われている。このプレート２の上面には、複数個の支持ピン５が配設されている。また、プレート２の上面の周縁部には、リング状のガイド５０が配設されている。ガイド５０のウエハＷの裏面（下面）と接触する支持面５０ａには、シール部材５１（Ｏリングなど）が設けられている。一方、プレート２の下面には、鉛直方向に延びる回転軸６が結合されている。この回転軸６には、モータなどを含む回転駆動機構７から回転力が入力されるようになっている。また、プレート２の内部には、ウエハＷを加熱するためのヒータ８が備えられている。回転軸６は、内部が中空となっており、ヒータ８と電源との電気接続は、回転軸６の内部に配設され、ヒータ８とロータリジョイントを介して接続された給電線により達成される。
【００１８】
また、プレート２の上面には、ウエハＷの裏面を吸引する吸引孔５５が複数個配設されている。各吸引孔５５は、吸引管５６を介して、回転軸６の内部に接続されている。回転軸６の周囲には、シール機構５９（たとえば、リップシールなど）を介して、固定部材６０が固定して配置されている。固定部材６０には、吸引機構６２（たとえば、真空ポンプなど）が接続されている。固定部材６０には、吸引配管６１が設けられており、回転軸６には、回転軸６の内部と吸引配管６１とを連通する吸引口５８が配設されている。これにより、ウエハＷの裏面は、吸引孔５５、吸引管５６、回転軸６、吸引口５８および吸引配管６１を介して、吸引機構６２によって吸引される。
【００１９】
また、プレート２の回転軸６を中心とする円周上には、複数の昇降ピン５２が昇降可能に設けられている。複数の昇降ピン５２は、プレート２の下方にある支持部材５３に結合されており、一体的に昇降可能となっている。複数の昇降ピン５２は、エアシリンダなどにより構成されるピン昇降駆動機構５４によって昇降駆動される。各昇降ピン５２は、プレート２に設けられ挿通孔５２ａを挿通して昇降する。
【００２０】
この構成により、プレート２は、複数個の支持ピン５によって、ウエハＷの裏面とほぼ点接触の状態で、ウエハＷを水平に支持することができる。また、ウエハＷの裏面の周縁部がシール部材５１によってシールされるとともに、複数の吸引孔５５から吸引されることによって、ウエハＷは、支持ピン５を介してプレート２の上面に吸着された状態で支持することができる。そして、その状態で、回転軸６に回転駆動機構７から回転力を入力することにより、ウエハＷをプレート２とともに回転させることができる。また、ヒータ８に通電することにより、支持ピン５に支持されたウエハＷを加熱することができる。
【００２１】
プレート２の側方には、鉛直方向に延びる揺動軸９が配置されている。この揺動軸９の上端部には、水平方向に延びるアーム１０が結合されており、このアーム１０の先端の下面に、一体型ヘッド３が取り付けられている。また、揺動軸９には、この揺動軸９を中心軸線まわりに回動させるための揺動駆動機構１１と、揺動軸９を中心軸線に沿って上下動させるための昇降駆動機構１２とが結合されている。
【００２２】
揺動駆動機構１１から揺動軸９に駆動力を入力して、揺動軸９を所定の角度範囲内で回動させることにより、プレート２に保持されたウエハＷの上方で、アーム１０を揺動軸９を支点として揺動させることができる。また、昇降駆動機構１２から揺動軸９に駆動力を入力して、揺動軸９を上下動させることにより、プレート２に保持されたウエハＷの表面に近接する近接位置（図１に仮想線で示す位置）と、そのウエハＷの上方に退避する退避位置（図１に実線で示す位置）との間で、一体型ヘッド３を昇降させることができる。この実施形態では、近接位置は、プレート２に保持されたウエハＷの表面と一体型ヘッド３の下面との間隔が１０ｍｍ以内となる位置に設定されている。
【００２３】
図２は、一体型ヘッド３の図解的な断面図である。また、図３は、一体型ヘッド３の下方から見た底面図である。
一体型ヘッド３は、鉛直方向に貫通する貫通孔１３を有する略円筒状に形成されている。
貫通孔１３には、剥離液流通管１４が挿通されている。剥離液流通管１４は、その先端開口がレジスト剥離液を吐出する吐出口１４ａとされ、この吐出口１４ａが一体型ヘッド３の下面と面一をなしている。一方、剥離液流通管１４の基端側は、アーム１０の内部へと延び、アーム１０に形成された接続口（図示せず）に接続されている。この接続口には、アーム１０の外側から剥離液供給管１５が接続されており、この剥離液供給管１５から剥離液流通管１４にレジスト剥離液が供給されるようになっている。
【００２４】
剥離液供給管１５は、プレート２や一体型ヘッド３が配置される処理室の外に設けられたミキシングバルブ１６から延びている。ミキシングバルブ１６には、硫酸供給源からの硫酸（Ｈ２ＳＯ４）が供給される硫酸供給管１７と、過酸化水素水供給源からの過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が供給される過酸化水素水供給管１８とが接続されている。また、ミキシングバルブ１６には、ウエハＷからレジスト剥離液を洗い流すためのＤＩＷ（deionized water）が供給されるＤＩＷ供給管１９が接続されている。硫酸供給管１７の途中部には、硫酸バルブ２０が介装されている。過酸化水素水供給管１８の途中部には、過水バルブ２１が介装されている。ＤＩＷ供給管１９の途中部には、ＤＩＷバルブ２２が介装されている。
【００２５】
硫酸供給管１７に供給される硫酸は、硫酸供給源において、所定温度（たとえば、８０℃以上）に温度調節されている。一方、過酸化水素水供給管１８に供給される過酸化水素水は、室温（約２５℃）程度の液温を有している。
剥離液供給管１５の途中部には、攪拌流通管２３が介装されている。この攪拌流通管２３は、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせて配置した構成のものであり、たとえば、株式会社ノリタケカンパニーリミテド・アドバンス電気工業株式会社製の商品名「ＭＸシリーズ：インラインミキサー」を用いることができる。
【００２６】
また、剥離液供給管１５の途中部には、レジスト剥離液の流通方向における攪拌流通管２３の下流側に、剥離液バルブ２４が介装されている。
剥離液バルブ２４が開かれた状態で、硫酸バルブ２０および過水バルブ２１が開かれると、硫酸および過酸化水素水がミキシングバルブ１６に流入し、それらがミキシングバルブ１６から剥離液供給管１５へと流出する。硫酸および過酸化水素水は、剥離液供給管１５を流通する途中、攪拌流通管２３を通過することにより十分に攪拌される。この攪拌によって、硫酸と過酸化水素水とが十分に反応し、多量のカロ酸（Ｈ２ＳＯ５）を含むレジスト剥離液であるＳＰＭが作成される。このとき、ＳＰＭは、反応熱により、硫酸の液温以上の高温に昇温する。そして、その高温のＳＰＭが剥離液流通管１４に供給され、剥離液流通管１４の吐出口１４ａから吐出される。
【００２７】
一体型ヘッド３の内部は、中空とされ、その中空部分には、ＵＶ照射装置２５が配置されている。このＵＶ照射装置２５は、たとえば、４本の冷陰極ＵＶランプ２６と、冷陰極ＵＶランプ２６の上方に配置され、冷陰極ＵＶランプ２６から放射される紫外線（ＵＶ）を下方に反射させるための円環状の反射板２７と、これらを一体的に保持するランプベース２８とを備えている。
【００２８】
４本の冷陰極ＵＶランプ２６は、図３に示すように、同心４重円状に並べられて、図２に示すように、一体型ヘッド３の下面に設けられた石英ガラス２９に対向配置されている。各冷陰極ＵＶランプ２６には、電圧供給のためのアンプ３０がそれぞれ接続されている。アンプ３０から冷陰極ＵＶランプ２６に電圧が供給されると、冷陰極ＵＶランプ２６が紫外線を放射し、その紫外線が、石英ガラス２９を通過して、一体型ヘッド３の下方に向けて出射される。
【００２９】
ランプベース２８は、たとえば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などのフッ素樹脂材料やアルミニウムで形成されている。このランプベース２８には、その内部にエアを供給するための給気ポート３１と、内部の雰囲気を排気するための排気ポート３２とが形成されている。給気ポート３１からランプベース２８内にエアを供給しつつ、排気ポート３２からランプベース２８内の雰囲気を排気することにより、冷陰極ＵＶランプ２６を冷却することができる。
【００３０】
図４は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、さらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置３３を備えている。この制御装置３３には、回転駆動機構７、揺動駆動機構１１、昇降駆動機構１２、ピン昇降駆動機構５４、吸引機構６２、ヒータ８、アンプ３０、硫酸バルブ２０、過水バルブ２１、ＤＩＷバルブ２２および剥離液バルブ２４などが制御対象として接続されている。
【００３１】
なお、ヒータ８およびアンプ３０は、ヒータ８の温度および冷陰極ＵＶランプ２６の発光を安定に保つため、この基板処理装置１に電源が投入されている間、常に駆動されている。
図５は、ウエハＷの処理について説明するための工程図である。
イオン注入処理後のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、レジストが形成されている表面を上方に向けた状態でプレート２上に載置され、このプレート２に保持される（ステップＳ１）。具体的には、まず、ピン昇降駆動機構５４が制御されて、昇降ピン５２は、その上端部がガイド５０よりも高い位置にある状態とされる。そして、図示しない搬送ロボットにより昇降ピン５２上にウエハＷが載置される。その後、昇降ピン５２が下降されることにより、ウエハＷは、ガイド５０の支持面５０ａ上に載置される。また、吸引機構６２が制御されて、複数の吸引孔５５から吸引されることにより、ウエハＷは、支持ピン５を介してプレート２の上面に吸着された状態で保持される。また、ウエハＷは、その裏面が支持ピン５でほぼ点接触した状態で水平に保持される。プレート２に保持されたウエハＷは、プレート２に内蔵されているヒータ８からの発熱による加熱を受ける。
【００３２】
なお、ウエハＷは、レジストをアッシング（灰化）するための処理を受けておらず、そのレジストの表面には、イオン注入によって変質した硬化層が形成されている。
回転駆動機構７が制御されて、プレート２に保持されたウエハＷが所定の回転速度（たとえば、３００ｒｐｍ）で回転される（ステップＳ２）。一方、揺動駆動機構１１および昇降駆動機構１２が制御されて、一体型ヘッド３を保持したアーム１０がウエハＷの上方で揺動および昇降される。具体的には、一体型ヘッド３が、ウエハＷの回転中心付近の上方の第１の退避位置に移動して、その第１の退避位置から第１の近接位置まで鉛直方向に下降し、その後、ウエハＷの表面と平行にウエハＷの周縁に向けて移動し、ウエハＷの周縁と対向する第２の近接位置に達すると、第２の近接位置から第２の退避位置に上昇し、さらに第２の退避位置から第１の退避位置に戻るといった動作を繰り返すように、アーム１０がウエハＷの上方で揺動および昇降される。
【００３３】
このアーム１０の動作（一体型ヘッド３の動作）と並行して、硫酸バルブ２０、過水バルブ２１および剥離液バルブ２４が開かれて、剥離液流通管１４の吐出口１４ａからＳＰＭが吐出される。これにより、ウエハＷの表面において、ＳＰＭの供給位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。また、ウエハＷの表面において、冷陰極ＵＶランプ２６からの紫外線の照射位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する（ステップＳ３）。
【００３４】
ＳＰＭの供給が所定時間にわたって行われると（または、一体型ヘッド３の動作が所定回数繰り返されると）、硫酸バルブ２０および過水バルブ２１が閉じられる。また、揺動駆動機構１１が制御されて、一体型ヘッド３がウエハＷの回転中心付近の上方に配置される。そして、ＤＩＷバルブ２２が開かれて、剥離液流通管１４の吐出口１４ａからウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷが供給される。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＳＰＭがＤＩＷによって洗い流される（ステップＳ４）。
【００３５】
ＤＩＷの供給が一定時間にわたって続けられると、ＤＩＷバルブ２２および剥離液バルブ２４が閉じられて、ＤＩＷの供給が停止される。また、揺動駆動機構１１および昇降駆動機構１２が制御されて、一体型ヘッド３がウエハＷの上方から退避したホームポジションに戻される。そして、回転駆動機構７および吸引機構６２が制御されて、プレート２の回転が止められ、ウエハＷが静止した後、ウエハＷの吸引が解除される。そして、ピン昇降駆動機構５４が制御されて、ウエハＷは、昇降ピン５２に載置されて、ガイド５０よりも高い位置に位置した状態で、図示しない搬送ロボットによって、ウエハＷが搬出されていく（ステップＳ５）。
【００３６】
以上のように、この基板処理装置１では、ウエハＷの表面にレジスト剥離液であるＳＰＭが供給されつつ、そのウエハＷの表面に紫外線が照射される。これにより、ウエハＷの表面のレジストに対して、ＳＰＭが有する化学的エネルギーと紫外線が有するエネルギーとを同時に付与することができる。そのため、レジストの表面にレジスト硬化層が形成されていても、それらのエネルギーの相乗作用によって、レジスト硬化層を破壊することができ、そのレジスト硬化層の破壊された部分からレジストの内部にＳＰＭを浸透させて、レジストを速やかに剥離して除去することができる。しかも、プラズマアッシングとは異なり、ウエハＷにダメージを与えるおそれもない。
【００３７】
しかも、一体型ヘッド３がウエハＷの表面に近接する近接位置に配置されて、その近接位置からウエハＷの表面に紫外線が照射されるので、ウエハＷの表面のレジストに対して、紫外線のエネルギーを効率よく付与することができる。
また、プレート２に保持されたウエハＷは、そのプレート２に内蔵されたヒータ８により加熱される。これにより、ウエハＷの表面に形成されているレジストに対して、熱エネルギーをさらに付与することができる。そのため、ウエハＷの表面からレジストを一層良好かつ速やかに剥離して除去することができる。
【００３８】
なお、この実施形態では、ＵＶ照射装置２５と剥離液流通管１４とが一体型ヘッド３により一体的に保持されている構成を取り上げたが、ＵＶ照射装置２５と剥離液流通管１４とは別々に設けられてもよい。ＵＶ照射装置２５と剥離液流通管１４とが一体型ヘッド３により一体的に保持された構成では、それらを個別に保持する部材が不要であるので、それらを別々に設けた構成に比べて、部品点数の低減を図ることができ、ひいてはコストの低減を図ることができる。ＵＶ照射装置２５と剥離液流通管１４とが別々に設けられる場合には、それらを個別に移動させるための機構が備えられて、ウエハＷの表面における紫外線の照射位置とレジスト剥離液の供給位置とがそれぞれ移動可能とされることが好ましい。
【００３９】
図６は、一体型ヘッド３の他の構成を示す断面図である。図６以降の各図において、前述した各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、同一の参照符号を付した部分についての詳細な説明は省略する。
この図６に示す一体型ヘッド３では、剥離液流通管１４が、その周囲に隙間を形成して貫通孔１３に挿通されている。そして、剥離液流通管１４の周囲の隙間が、オゾンガス流通路４１とされている。このオゾンガス流通路４１には、オゾンガスバルブ４２を介して、オゾンガス（Ｏ３）が供給されるようになっている。また、剥離液流通管１４には、剥離液バルブ４３を介して、レジスト剥離液としての硫酸が供給されるようになっている。
【００４０】
この一体型ヘッド３が基板処理装置１に備えられる場合、プレート２に保持されたウエハＷがヒータ８により加熱されつつ、そのウエハＷの表面に、ＵＶ照射装置２５から紫外線が照射される。また、それと同時に、剥離液流通管１４から硫酸が供給され、さらにオゾンガス流通路４１からオゾンガスが供給される。これにより、ウエハＷの表面のレジストに対して、紫外線のエネルギーおよび硫酸の化学的エネルギー（酸化力）に加えて、オゾンガスの化学的エネルギー（酸化力）を同時に付与することができ、これらのエネルギーの相乗作用によって、レジスト硬化層を破壊して、ウエハＷの表面からレジストを速やかに剥離して除去することができる。
【００４１】
図７は、一体型ヘッド３のさらに他の構成を示す断面図である。
この図７に示す一体型ヘッド３では、オゾンガス流通路４１を提供するオゾンガス流通管４４が設けられ、このオゾンガス流通管４４と剥離液流通管１４とが並べて設けられている。このような構成であっても、図６に示す一体型ヘッド３と同様に用いることができる。
【００４２】
以上、この発明のいくつかの実施形態を説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、４本の冷陰極ＵＶランプ２６が備えられた構成を取り上げたが、冷陰極ＵＶランプ２６の本数は、４本に限らず、５本以上であってもよいし、３本以下であってもよい。１本の冷陰極ＵＶランプ２６が備えられる場合、その冷陰極ＵＶランプ２６は、図８に示すように、剥離液流通管１４を取り囲む渦巻状に配置されるとよい。
【００４３】
また、ウエハＷの処理時において、一体型ヘッド３は、第１の近接位置から第２の近接位置に達した後、第２の退避位置に上昇されずに、第２の近接位置から第１の近接位置に戻され、その後さらに第１の近接位置から第２の近接位置に移動されるといったように、ウエハＷの表面に近接した状態で往復移動されてもよい。
さらにまた、ウエハＷとほぼ同じ平面サイズを有し、ウエハＷの表面に対して近接および離間可能に設けられる遮断板を備えている場合には、その遮断板に剥離液流通管１４およびＵＶ照射装置２５を保持させてもよい。この場合、一体型ヘッド３、揺動軸９、アーム１０、揺動駆動機構１１および昇降駆動機構１２を省略することができ、装置の構成を簡素化することができる。また、遮断板にヒータを追加して設け、遮断板がウエハＷに近接配置されたとき（ウエハＷの表面に対するレジスト剥離液および紫外線の供給時）に、そのヒータからの発熱によりウエハＷを加熱するようにしてもよい。これにより、ウエハＷの表面のレジストを直接に加熱することができ、レジスト硬化層の破壊をより促進することができる。
【００４４】
また、前述の実施形態においては、ウエハＷはヒータ８によって加熱されているが、必ずしもウエハＷは加熱されなくてもよい。その場合、ウエハＷは、円盤状のスピンベースの上面（基板対向面）の周縁部に間隔をあけて複数箇所（たとえば、等間隔で３箇所）に設けられた挟持ピンによって周縁部が挟持されることによって保持され、スピンベースとともに回転させる構成としてもよい。
【００４５】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１Ａ】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す側面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示すプレートを上方から見た平面図である。
【図２】一体型ヘッドの図解的な断面図である。
【図３】一体型ヘッドの下方から見た底面図である。
【図４】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図５】基板の処理について説明するための工程図である。
【図６】一体型ヘッドの他の構成を示す断面図である。
【図７】一体型ヘッドのさらに他の構成を示す断面図である。
【図８】１本の冷陰極ＵＶランプの配置を示す底面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１      基板処理装置
２      プレート
３      一体型ヘッド
１２    昇降駆動機構
１４    剥離液流通管
１４ａ  吐出口
１５    剥離液供給管
１６    ミキシングバルブ
１７    硫酸供給管
１８    過酸化水素水供給管
２０    硫酸バルブ
２１    過水バルブ
２４    剥離液バルブ
２５    ＵＶ照射装置
３３    制御装置
４１    オゾンガス流通路
４２    オゾンガスバルブ
４３    剥離液バルブ
Ｗ      ウエハ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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