(57)【要約】【課題】比較的安価で、スループットを低下させること無く、高精度な描画が可能な装置を提供する。【解決手段】加速度センサ４０によりステージ３の加速度を測定し、ステージの加速度及び位置の情報をパラメータとして補正値を作成し、試料位置情報を補正する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を保持して移動可能なステージと、
前記ステージの位置を計測する計測手段と、
前記計測手段によって計測されたステージの位置により試料位置を管理し、試料の所望の位置に回路パターンを形成する回路パターン製造装置において、
前記ステージの加速度及び位置の情報をパラメータとして補正値を作成し、前記補正値により試料位置を補正する制御部を備えたことを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項２】
請求項１記載の回路パターン製造装置において、前記ステージの加速度を測定する加速度測定手段を有することを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項３】
請求項２記載の回路パターン製造装置において、前記計測手段、ステージ、及び試料の何れかの固有振動数よりも低い周波数成分だけを通過させるローパスフィルタを備え、前記加速度の情報として前記ローパスフィルタを通過させた前記加速度測定手段の信号を用いることを特徴する回路パターン製造装置。
【請求項４】
請求項１記載の回路パターン製造装置において、前記ステージのスキャン方向と直交方向の位置情報をパラメータとすることを特徴する回路パターン製造装置。
【請求項５】
請求項１記載の回路パターン製造装置において、前記パラメータとして使用する前記ステージの位置及び／又は加速度の情報として前記ステージに対する移動指令値及び／又は当該移動指令値から演算して得た値を用いることを特徴する回路パターン製造装置。
【請求項６】
試料を保持して移動可能なステージと、
前記ステージの位置を計測する計測手段と、
前記計測手段によって計測されたステージの位置により試料位置を管理し、試料の所望の位置に回路パターンを形成する回路パターン製造装置において、
前記ステージの加速度及び位置の情報をパラメータとして補正値を作成し、当該補正値が予め定められた許容値以内に収まるように前記ステージの加速度を制御することを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項７】
請求項６記載の回路パターン製造装置において、前記ステージの加速度を測定する加速度測定手段を有することを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項８】
請求項６記載の回路パターン製造装置において、前記パラメータとして使用する前記ステージの位置及び／又は加速度の情報として前記ステージに対する移動指令値及び／又は当該移動指令値から演算して得た値を用いることを特徴する回路パターン製造装置。
【請求項９】
試料を保持して移動可能なステージと、
前記ステージの位置を計測する計測手段と、
前記計測手段によって計測された前記ステージの位置により試料位置を管理し、カラム内で発生した電子線を偏向しながら試料の所望の位置に回路パターンを形成する回路パターン製造装置において、
前記ステージの加速度を測定する加速度測定手段を有し、前記ステージの加速度及び位置の情報をパラメータとして補正値を作成し、前記補正値により前記カラムの電子線偏向制御部に対して伝達する試料位置情報を補正することを特徴とする回路パターン製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路パターン製造装置（電子線描画装置、縮小投影露光装置等）に関し、より詳しくは試料位置を高精度に取得できる回路パターン製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製品の集積度は益々向上し、その回路パターンの更なる高精細化が要求されてきている。高精細化を実現する為には、製造装置のパターン解像性に加えて、回路パターンの位置精度の向上が不可欠となる。回路パターンの製造装置としては、光源を用いてガラス基板（マスク）に形成された回路パターンを半導体ウエハに転写するステッパ、或いはスキャナと呼ばれる投影露光装置や、電子線を用いてマスクに回路パターンを形成する電子線描画装置がある。ここで挙げた何れの装置も、試料を保持して所望の位置に移動させるステージ、ステージの位置情報を測定する計測手段、光或いは電子線を試料に照射する光学系（カラム）、一連の動作を制御する制御部から成り、回路パターンの位置精度を向上させる為には高精度な試料位置の計測手段が最も重要な要因と言え、共通の課題である。
【０００３】
以下、装置例として電子線を用いて試料に回路パターンを描画する電子線描画装置について説明する。電子線描画装置は、超高真空の環境において電子線を発生し、走査することで半導体基板上、或いはステッパ等の露光装置に用いられるレチクルと呼ばれるガラス基板上にＬＳＩパターンを形成する装置である。
【０００４】
図８を参照しつつ、従来の電子線描画装置の構成を説明する。図示していない真空ポンプにより真空排気されるカラム１内で発せられた電子線（以下、ビームとも呼ぶ）は、試料室２内のステージ３に取り付けられている試料保持手段１１に載置される試料１０に照射される。試料位置は、ステージ３上のバーミラー３０の位置をレーザ計測することで管理される。レーザは大気中では、空気の揺らぎ及び気圧の変化に影響を受けやすい為、真空中である試料室内壁に干渉計２０を配置している。試料室２は定盤４上に載置され、定盤４は振動絶縁の機能を有するマウント５により支持される。更に、マウント５を保持する本体ベース６は、床７に設置されている。また、試料室２は図示しない真空ポンプにより真空排気され、内部の雰囲気を高真空（例えば１０−４Ｐａ台）に保っている。
【０００５】
試料の描画方法について、以下に述べる。初めに、既に回路パターンが形成されたウエハへの合せ描画の場合、既に形成されている回路パターンに合せて描画する必要がある為、ウエハに形成された基準マークを検出し、その時のレーザ計測値を基に試料位置を確定する。一方、回路パターンが形成されていないウエハや、マスクの場合は上記位置合せを行わない。
【０００６】
次に描画工程に移り、レーザ計測により計測されたステージ３の位置情報を基に試料位置を管理し、ステージ移動させながら描画を行う。この時、試料１０の目標位置に対する現在のステージ位置の偏差に応じてステージ制御部５１にフィードバックすることと共に、電子線の偏向制御部５２にフィードフォワードして描画誤差を低減する。尚、スキャナと呼ばれる光を用いた投影露光装置では、電子線のように光を偏向することは出来ないのでステージの位置偏差を極力小さくする必要がある。電子線での描画は、図９に示すように、一方向（スキャン方向、図中Ｙ方向）にステージを連続移動させながら、電子線を大凡スキャン方向と直交方向に偏向させながら試料を１ストライプずつ（一定のビーム変更幅に基づく、例えば１ｍｍ幅）描画する。詳しく説明すると、一方向（Ｙ方向）にスキャン（移動）しながら描画を行い、スキャン終了時に描画を停止し、直交方向（Ｘ方向）に移動して（ステップ）、再びスキャンを行いながら描画を行う。このような描画方法をステップ・アンド・スキャンと呼ぶが、スキャナのステージ移動方法も同じくステップ・アンド・スキャンで行っている。
【０００７】
回路パターン製造装置は、回路パターンを如何に精度良く形成できるかという項目に加え、如何に効率良く製品を製造できるかというスループットと呼ばれる項目が必須となっている。スループットを向上させる為には、制御系の処理速度の向上、試料の搬送時間の短縮、ステージ移動速度の向上等が挙げられるが、ステージ加速度の向上も大きく影響する。このステージ加速度は、大きい程スループットに有利であるが、反面その駆動力（反力）によって装置本体が揺れ、カラムの姿勢変化（倒れ）によって描画誤差が生じてしまう。この現象を解決する技術として、ステージ加速度をパラメータにして投影光学系（電子線描画装置ではカラムに相当）のずれを補正する露光装置が特許文献１に記載されている。特許文献１には、ステージ加速度による投影光学系のずれを事前に評価し、加速度をパラメータとした試料位置情報の補正値を記憶しておき、露光時の加速度に対する補正値を用いて露光を行う技術が記載されている。
【特許文献１】特許第３５１４４０１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、図１０を参照しながら、ステージ加速度によるステージの変形について説明する。図１０（ａ）は試料１０を保持するステージの平面図、図１０（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
【０００９】
トップテーブル１２上に、バーミラー３０、ミラー保持部３１、試料保持手段１１、試料１０（マスク）が配置されている。従来、試料位置の情報はバーミラー３０と試料１０の距離が一定に保たれていることを前提に、ステージ移動量がそのまま試料の移動量と等価として運用されている。しかし、要求精度の向上に伴い、従来は無視してきたバーミラー３０と試料１０の距離変動が無視出来なくなり、位置精度劣化の原因の１つとして重要な項目になりつつある。ここで、ステージが加速度Ａ（矢印で示す）で移動する際、加速度に応じた力が上記部品及び試料に加わり、図のように各々変形する。尚、図１０（ｂ）のＡ−Ａ断面ではバーミラー３０の取付け角度が大きく表されているが、実際の角度は非常に小さい為（例えば１μｒａｄ以下）、バーミラー３０の取付け角度変化によるレーザ光路長の変化量（コサインエラー）は十分無視できる。この状態で計測された位置情報は各部品、及び試料が変形した分の誤差を含むこととなり、ステージ位置の計測値を基に描画を行うと、変形による描画誤差が生ずる。また、各部品の変形状態は各々の実装状態により大きく異なっている。トップテーブル１２の場合は固定部を支点に反り、バーミラー３０の場合はミラー保持部３１が支点となり弓なりに変形し、試料１０については試料保持手段１１との接触部を支点に複雑に変形している。これらの変形が累積してバーミラー３０と試料１０の距離変動が生じ、計測誤差（描画誤差）に繋がる。
【００１０】
これを回避するには、加速度Ａの値を小さく抑えれば良いが、そうすると装置性能の重要な項目であるスループットが低下してしまう。また、構成部品をセラミックスのような高剛性材料によって製作する案も考えられるが、コストが増加してしまうことと、マスクのような試料は材料変更不可能な場合がある為、主要誤差要因として残ってしまう。一方、特許文献１に記載の技術を適用した場合、予め測定した加速度と補正値の関係にステージの変形量も含まれるが、前述したようなステージ位置毎の変形量の変化については補正できない。
【００１１】
本発明の目的は、上記した問題点を解決し、比較的安価で、スループットを低下させること無く、高精度な描画が可能な装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明では、試料を保持して移動可能なステージと、ステージの位置を計測する計測手段と、計測手段によって計測されたステージの位置により試料位置を管理し、試料の所望の位置に回路パターンを形成する回路パターン製造装置において、ステージの加速度及び位置の情報をパラメータとして補正値を作成し、その補正値により試料位置を補正する制御部を備えたことを特徴とする。
【００１３】
ステージの加速度は、加速度測定手段によって測定することができる。加速度測定手段の信号は、計測手段、ステージ、及び試料の何れかの固有振動数よりも低い周波数成分だけを通過させるローパスフィルタを通過させて用いてもよい。ステージのスキャン方向と直交方向の位置情報をパラメータとしてもよい。また、パラメータとして使用するステージの位置及び／又は加速度の情報として、ステージに対する移動指令値及び／又は当該移動指令値から演算して得た値を用いてもよい。
【００１４】
また、本発明は、試料を保持して移動可能なステージと、ステージの位置を計測する計測手段と、計測手段によって計測されたステージの位置により試料位置を管理し、試料の所望の位置に回路パターンを形成する回路パターン製造装置において、ステージの加速度及び位置の情報をパラメータとして補正値を作成し、補正値が予め定められた許容値以内に収まるようにステージの加速度を制御することを特徴とする。
【００１５】
カラム内で発生した電子線を偏向しながら試料の所望の位置に回路パターンを形成する場合、ステージの加速度及び位置の情報をパラメータとして作成した補正値によりカラムの電子線偏向制御部に対して伝達する試料位置情報を補正するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、比較的安価で、スループットを低下させること無く、高精度な描画（露光）が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１ないし図５を用いて、第１の実施例について説明する。図１は、本発明の実施例１による電子線描画装置の概略構成図である。トップテーブル１２上にはバーミラー３０、ミラー保持部３１、試料保持手段１１、試料１０（マスク）、及び加速度センサ４０が配置されている。ステージ３がある加速度により移動すると、トップテーブル１２上の加速度センサ４０により加速度が検出され、検出された加速度は制御部５０で補正値のパラメータとして演算に使用される。また、ステージ位置についてはバーミラー３０をレーザ計測することで計測され、計測されたステージ位置はステージ３の移動制御、並びに電子線の偏向制御に使用されると共に、制御部５０で補正値のパラメータとして演算に使用される。各パラメータにより演算された補正値（ΔＸ，ΔＹ）は、レーザ計測されたステージ位置情報（Ｘ，Ｙ）に加算され、補正後の位置情報（Ｘ＋ΔＸ，Ｙ＋ΔＹ）が電子線の偏向制御部５２、及びステージ制御部５１に伝達される。
【００１８】
ここでは偏向制御部５２及びステージ制御部５１の両方に補正された位置情報を伝達したが、偏向制御部５２だけに補正された位置情報を伝達し、ステージ制御部５１には補正してない位置情報（Ｘ，Ｙ）を伝達しても良い。電子線の偏向応答はステージに比べて極めて速く、例えばステージの応答周波数は１００Ｈｚ程度に対して電子線の応答周波数は１００ＭＨｚ以上である。よって、電子線描画装置の場合、電子線に補正された位置情報をフィードフォワードすることで、検出された加速度の変化に対して十分追従して補正ができる。一方、光により露光する投影露光装置（スキャナ）では、光の位置制御が出来ない為、ステージ制御部に補正された位置情報を伝達し、ステージの位置決めによって誤差を除去する必要がある。従って、ステージの応答周波数は高いことが望ましく、高剛性、軽量、高出力のステージに対して補正の効果が高い。
【００１９】
図２に示すように、ステージ移動方法はステップ・アンド・スキャン方式で、時刻ｔ０から一方向（＋Ｙ方向）に連続移動し、１ストライプの描画を行った後（時刻ｔ１）、スキャン方向と直交方向（＋Ｘ方向）にステップ移動し（時刻ｔ２）、次に前のスキャン方向とは逆方向（−Ｙ方向）にスキャンを行う（時刻ｔ３）。１ストライプの描画中に電子線描画装置では、スループットを向上させる為に、回路パターンの密度が高い領域は移動速度を小さくし、回路パターンの密度が低い領域は移動速度を大きくするステージ移動方法（可変速移動）が用いられる場合がある。
【００２０】
この可変速移動を行うステージ移動方法で上記のようなステップ・アンド・スキャン方式の移動を行った時の加速度を図３に示す。図３は、スキャン方向をＹ方向とした場合のＸ方向の加速度ＡＸ、及びＹ方向の加速度ＡＹを示しており、スキャン始点である時刻ｔ０から加速し、ある移動速度に達した後、回路パターンの粗密に応じて加減速して、スキャン終点である時刻ｔ１に停止するよう減速を行う。次に、時刻ｔ１からｔ２にかけてＸ方向にステップ移動し、今度はスキャン方向を逆にして時刻ｔ２から加速している。ここで、加速度の正負は、ＸＹ座標系に従って表記しており、Ｘ方向、Ｙ方向共、＋方向に加速した場合を＋、減速した場合を−としている。また、図４に示すように加速度によるトップテーブル周りの変形は計測する位置により異なっており、例えばＸ方向の位置がＸ１の場合、Ｙ方向のバーミラー３０と描画予定試料位置Ｐ１の距離変動をΔＹｈ１、Ｘ１位置でのバーミラー３０の変位をＹｍ１、Ｘ１位置での試料面内の描画予定位置Ｐ１の変位をＹｓ１とすると
ΔＹｈ１＝Ｙｍ１−Ｙｓ１
と表記できる。同様にＸ方向の位置がＸ２の場合、Ｙ方向のバーミラー３０と描画予定試料位置Ｐ２の距離変動をΔＹｈ２、Ｘ２位置でのバーミラー３０の変位をＹｍ２、Ｘ２位置での試料面内の描画予定位置Ｐ２の変位をＹｓ２とすると
ΔＹｈ２＝Ｙｍ２−Ｙｓ２
と表記され、図４より各変位量は異なることから、Ｘ方向の位置が異なることで、ミラーと描画予定試料位置の距離変動も異なることが分かる。この時、加速度にもよるが、各変形量は１ｎｍから数ｎｍ程度である。また、各変位量は加速度に比例していることから、ミラーと描画予定試料位置の距離変動も加速度と比例している。一方、厳密に言えば加速度の方向がＹ方向に作用した場合でも、試料の変形はＹ方向のみならず、Ｘ方向にも生じ、更にＹ方向の位置によっても異なっている。よって補正値（ΔＸ，ΔＹ）は、Ｘ方向の加速度をＡＸ、Ｙ方向の加速度をＡＹとし、Ｘ方向の補正値を求める相関関数をｆ、Ｙ方向の補正値を求める相関関数をｇとすると、
ΔＸ＝ｆ（ＡＸ，ＡＹ，Ｘ，Ｙ）
ΔＹ＝ｇ（ＡＸ，ＡＹ，Ｘ，Ｙ）
と表すことができる。
【００２１】
ここで、
１）Ｘ方向の加速時におけるＹ方向の変形、及びＹ方向の加速時におけるＸ方向の変形は問題になる変形量に比べて十分小さい。
２）バーミラーの変形と試料の変形は、スキャン方向の位置によらず、スキャン方向と直交方向の位置情報と加速度のみで表すとすれば、スキャン方向（例えばＹ方向）と同じ方向の位置情報（Ｙ）は不要となる。
【００２２】
上記１）及び２）を考慮した場合、補正値（ΔＸ，ΔＹ）は
ΔＸ＝ｆ（ＡＸ，Ｘ）
ΔＹ＝ｇ（ＡＹ，Ｙ）
と一部のパラメータを除外でき、簡略化が可能となる。更にスキャン方向が一方向（例えばＹ方向）に限定していれば、描画時のＸ方向加速度ＡＸは非常に小さい為、Ｙ方向の補正値ΔＹのみを演算すれば良く、Ｘ方向の補正値ΔＸを考慮しなくても十分仕様を満足できる。このようなパラメータの除外については、求められる描画精度、最高加速度、各パラメータの影響度などから判断する必要がある。
【００２３】
次に、補正値を計算するための補正関数について述べる。補正関数を求める方法は、(1) 描画結果から求める方法、(2) シミュレーションから求める方法が考えられる。以下に、それぞれの方法について説明する。
【００２４】
(1) 描画結果から求める方法
図５に示すように、試料面内をある間隔（例えば□１０ｍｍピッチ）で描画を行い、その描画した時の加速度と描画位置の相関関係を算出する。図５では例として、縦軸にＹ方向の描画誤差ＹＥを、水平面内はＸＹ平面の試料位置を表している。図示しないが、Ｘ方向誤差についても同様の表記ができることは言うまでもない。
【００２５】
初めに加速度０の状態（ステージ停止状態、或いは一定移動速度状態）で試料面内の定めた間隔で描画を行い、描画誤差を測定し、初期状態（加速度０）の誤差とする。次に、別の試料の同じ位置に、ある加速度Ａ０でステージ移動をした状態で描画を行い、同様に描画誤差を測定する。上記２つの条件（加速度０、加速度Ａ０）によって描画された試料の描画誤差を比較し、差分を計算することで、ある加速度Ａ０に対する試料位置毎の誤差成分が求められる。
【００２６】
加速度と描画誤差の相関をより精度良く求めるには、更に異なる加速度でステージが移動している時の描画誤差を計測することや、同じ加速度でも複数回描画し、平均することで安定した数値を求めることができる。また、加速度の方向によって単に補正値の符号が反転した結果にならない場合があるので、加速度が逆に加わるステージの移動方向で描画を行うと、更に精度が高い相関関数を得ることが可能である。
【００２７】
この時点では、試料面内における定められたピッチでの誤差と加速度の相関であり、連続した位置情報との相関関数ではない。よって、試料面内のどの位置でも適用可能なように、各ピッチでの加速度と誤差の相関関数を隣同士のピッチ間で補間することで、位置情報に対しても連続的な関数にすることが出来る。或いは、定められたピッチが十分小さければ、各位置での相関関数をテーブル形式に保存して、現在のステージ位置が最も近い位置での相関関数を適用するといったプログラムを介して計算しても良い。
【００２８】
(2) シミュレーションから求める方法
トップテーブル周辺の部品、及び試料をモデリングして、加速度を負荷としたシミュレーションを行い、計算結果から各ステージ位置におけるバーミラーと描画予定試料位置の距離変動を求めることで、加速度との相関関数を設定できる。この場合も前記(1)の描画結果から求める方法と同様に、間隔毎の相関関数を隣同士のピッチ間で補間することで、位置情報に対しても連続的な関数にすることができる。
【００２９】
以上のような手法で求めた関数（テーブル）は何れも、静的な加速度に対して適用が可能な関数である。しかし、実際に計測する加速度には、トップテーブル、バーミラー、試料等の固有振動による加速度が含まれており、この加速度をそのまま使用して補正値を求めると、実際のバーミラーと描画予定試料位置の距離変動と乖離している場合がある。上記の固有振動は、実際のステージの移動加速度に比べて高い振動となる場合が多い為、計測された加速度信号に上記固有振動数以下の周波数成分を通過させるローパスフィルタを介すると良い。例えば、トップテーブル、バーミラー、試料等の固有振動数が５００Ｈｚ前後であった場合、加速度信号を１００Ｈｚのローパスフィルタを介して使用すればよい。
【００３０】
本実施例では、ステージの加速度を計測する手段として加速度センサを取り付けた場合について述べてきたが、位置情報を計測するレーザの情報を２回微分することでも、容易に加速度が計測でき、同様の手法により補正値を求めることが可能である。また、加速度の計測結果の代わりにステージに対する移動指令値の加速度が分かれば、その加速度を関数のパラメータとして使用しても同様の効果を得ることが可能である。この場合、指令値と実際のステージの動きがなるべく等しくなるような応答性の良いステージであることが望ましく、応答性が悪いと、その分指令値に対するステージの加速度に遅れが生じ、補正値を位置情報に加える際も遅れ時間を考慮して演算する必要が生じる。
【００３１】
次に第２の実施例として、許容できる描画誤差内に収まるようステージ加速度を制御して描画する方法について説明する。
【００３２】
第１の実施例では、求めた補正値を位置情報に加算して描画誤差を低減する手法について説明したが、第２の実施例では、予め許容可能な補正値を定義して、その定義した補正値を超えないような加速度でステージの移動を行う手法について説明する。補正値を算出する過程と、補正関数の設定手法については、第１の実施例と同様である。
【００３３】
補正関数において加速度と補正値は線形の関係であり、加速度を制御することで補正値も制御が可能となる。つまり、補正値の許容範囲が定義されていれば、常にその範囲内に補正値が収まるような加速度でステージ制御を行うことで、所望の描画精度を確保できる。加速度センサ４０により計測されたステージ加速度、及びステージ位置情報は制御部５０に送られ、補正関数によって補正値を算出する。この補正値が定義された範囲内を超えないようにステージ制御部５１にフィードバック信号を伝達し、ステージ移動指令値を制御している。
【００３４】
図６は、実施例２を実現する装置構成を説明する関係図である。時々刻々と変化する目標値に対して、メモリに格納された補正関数と許容値を参照し、計測されたステージの加速度及びステージ位置をパラメータとして補正値を演算し、補正値が許容値を超えないような加速度となるような指令値を生成し、ステージドライバに伝達する。本構成では、実際のステージの動作を検出してフィードバックしているので、精度良くステージ動作を制御することが可能である。即ち、許容描画誤差範囲内で最大限の加速度によりステージ移動をすることで、スループットを最大限に高めることが可能になる。本例では、加速度センサ４０による加速度信号を、ローパスフィルタ６０を介して制御部５０の演算部に入力している。
【００３５】
また実施例１と同様に、加速度の計測結果の代わりにステージに対する移動指令値の加速度が分かれば、本加速度を補正関数のパラメータとして使用しても同様の効果を得ることが可能である。図７に示すように、演算部にてステージドライバへの指令値を生成する際に、目標位置、メモリに格納された補正関数、及び許容値を用いて演算を行うことで、初めから管理された指令値によってステージを駆動できることとなる。この方式は、フィードバックループに実機を介すること無しに行っているので、実機の動き自体を正確に収集して指令値にフィードバックさせることは出来ないが、反面、フィードバックループ自体がステージ制御部内だけでクローズしているので装置構成が単純にでき、装置コストを抑えることが出来る。
【００３６】
従来例、及び本発明の実施例において、ステージの加速度によりトップテーブル周りの部品が変形すると述べてきたが、加えてステージの反力により装置全体が加速度を受けて変形し、干渉計とカラム中心の位置変動が生じて計測誤差、即ち描画誤差を発生する可能性がある。たとえステージ加速度が同じでも、ステージ位置が異なる状態では本体の変形状態は異なってくる。従って、本発明を適用すれば、ステージの変形に起因する誤差に加えて、本体の変形に起因する誤差についても、ステージ位置毎の木目細やかな補正が可能となる。
【００３７】
以上説明してきたように、本発明を描画装置のみならず、投影露光装置に適用すれば、比較的安価で、スループットを低下させること無く、高精度な描画（露光）が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施例１による電子線描画装置の概略構成図。
【図２】ステージ移動方法の説明図。
【図３】ステージ移動時のステージ加速度を表す説明図。
【図４】ステージ加速時の変形の位置依存性を示す説明図。
【図５】試料面の描画誤差を示す概念図。
【図６】本発明の他の装置構成例を示すブロック図。
【図７】本発明の他の装置構成例を示すブロック図。
【図８】従来の電子線描画装置の構成図。
【図９】ステップ・アンド・スキャン方式の説明図。
【図１０】ステージ加速時の変形状態を示す説明図。
【符号の説明】
【００３９】
１…カラム、２…試料室、３…ステージ、４…定盤、５…マウント、６…本体ベース、７…床、１０…試料、１１…試料保持手段、１２…トップテーブル、２０…干渉計、３０…バーミラー、３１…ミラー保持部、４０…加速度センサ、５０…制御部、５１…ステージ制御部、５２…偏向制御部、６０…ローパスフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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