(57)【要約】【課題】ざらつきのない表示品質が得られ且つ輝度低下を防止できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】走査線Ｙでは、画素電極１３１が投影された投影部分ＹＧが異形化されている。具体的には、櫛型部Ｋが一方の側に２つ、他方の側に２つ形成され、同じ側の櫛型部Ｋにおける櫛の歯の向く方向が相違している。同様に、信号線Ｘでは、画素電極１３１が投影された投影部分ＸＧが異形化されている。【選択図】図５
2007101937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数の信号線とが交差し、交差箇所に画素電極を有するアレイ基板と、アレイ基板に液晶層を挟んで対向する対向基板とを備え、
前記走査線と信号線の少なくとも一方において、隣接する画素電極の辺が前記走査線と信号線の少なくとも一方に投影された投影部分は異形化されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記投影部分に櫛型部を有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記櫛型部における櫛の歯の向く方向が走査線または信号線に対して角度４５度を有することを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
複数の走査線と複数の信号線とが交差し、交差箇所に画素電極を有するアレイ基板と、アレイ基板に液晶層を挟んで対向する対向基板とを備え、
前記走査線と信号線の少なくとも一方が画素電極に交差していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
複数の走査線と複数の信号線とが交差し、交差箇所に画素電極を有するアレイ基板と、アレイ基板に液晶層を挟んで対向する対向基板とを備え、
前記走査線と信号線の少なくとも一方において、隣接する画素電極の辺が前記走査線と信号線の少なくとも一方に投影された投影部分の線幅は他の線幅よりも広いことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ざらつきのない表示品質が得られ且つ輝度低下を防止できる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電力という特徴を有しており、オフィス機器、情報端末、時計、及びテレビ等、様々な用途に用いられる。
【０００３】
特に、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:以下、ＴＦＴという）を有する液晶表示装置は、その高い応答性から、コンピュータのモニタや携帯テレビなどのように、多量の情報を表示する用途に用いられる。
【０００４】
そして、近年では、情報量増加に伴い、画像の高精細化や表示速度の高速化が望まれている。画像の高精細化は、例えば、上述したＴＦＴが形成するアレイ構造を微細化することによって実現されている。
【０００５】
一方、表示速度の高速化のために、ネマチック液晶を用いたＯＣＢ(Optically Compensated Bend)モード、ＶＡＮ(Vertical Aligned Nematic)モード、ＨＡＮ(Hybrid Aligned Nematic)モード、π配列モード、スメクチック液晶を用いた界面安定型強誘電性液晶（Surface Stabilized Ferroelectric Liquid Crystal）モード及び反強誘電性液晶モードの採用が検討されている。
【０００６】
特に、ＶＡＮモードでは、ＴＮ（Twisted Nematic）モードよりも速い応答速度を得ることができ、しかも、垂直配向のためラビング処理が不要で、それにより静電気破壊などの不良が発生しない特長を有している。
【０００７】
そして、ＶＡＮモードの中でも、マルチドメイン型ＶＡＮモード（以下、ＭＶＡモードという）は、視野角の拡大が比較的容易なことから特に注目されている。
【０００８】
ＭＶＡモードでは、例えば、画素内部に突起を設けるなどして、液晶層に電圧を印加した際に液晶分子の配列方向が互いに９０°の角度となるよう、画素内を４つの領域（液晶ドメインという）に分割をして、視角特性の対称性改善と反転現象の抑止を実現している（特許文献１および特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１１−２５８６０６号公報
【特許文献２】特開２００４−３０２１９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述した液晶表示装置では、配向制御を主に画素内部の突起に頼っているので、画素周縁では配向制御力が弱く、よって画素周縁では配向が乱れることがある。
【００１０】
このため、画素ごとに配向が異なり、表示のざらつきが見られることがある。特にこのざらつきは、斜め方向から観察した場合に顕著に見られる。
【００１１】
なお、走査線と信号線は、そこからの電界によって少なからず配向制御を行っているが、走査線と信号線の線幅は狭く単純な直線状であるため、配向制御力が弱く不安定であり、これが表示のざらつきの一因になっている。
【００１２】
表示のざらつきを改善するには、画素内部の突起を増やせばよいのだが、これにより、開口面積を小さくなり輝度が低下してしまう。
【００１３】
本発明は、ざらつきのない表示品質が得られ且つ輝度低下を防止できる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項１記載の液晶表示装置は、複数の走査線と複数の信号線とが交差し、交差箇所に画素電極を有するアレイ基板と、アレイ基板に液晶層を挟んで対向する対向基板とを備え、前記走査線と信号線の少なくとも一方において、画素電極が投影された投影部分が異形化されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項１記載の液晶表示装置によれば、投影部分が異形化されていることで、画素電極周縁で配向制御力が高まるので、画素分割法による配向制御が突起だけによらないで行え、これにより、表示にざらつき感の無い表示品位が得られる。また、突起を小さくできるので、開口面積を広くでき、これにより、輝度低下を防止できる。
【００１６】
請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１記載の液晶表示装置において、前記投影部分に櫛型部を有することを特徴とする。
【００１７】
請求項２記載の液晶表示装置によれば、櫛型部を有することで、配向制御力の働く方向を安定化することができ、よって、ざらつきのない表示品質を維持できる。
【００１８】
請求項３記載の液晶表示装置は、請求項２記載の液晶表示装置において、前記櫛型部における櫛の歯の向く方向が走査線または信号線に対して角度４５度を有することを特徴とする。
【００１９】
請求項３記載の液晶表示装置によれば、櫛の歯の向く方向が走査線または信号線に対して角度４５度を有するので、配向制御力の働く方向を、画素分割法にとって理想的な方向にすることができる。
【００２０】
請求項４記載の液晶表示装置は、複数の走査線と複数の信号線とが交差し、交差箇所に画素電極を有するアレイ基板と、アレイ基板に液晶層を挟んで対向する対向基板とを備え、前記走査線と信号線の少なくとも一方が画素電極に交差していることを特徴とする。
【００２１】
請求項４記載の液晶表示装置によれば、走査線や信号線が画素電極に交差していることで、画素分割法による配向制御が突起だけによらないで行え、これにより、表示にざらつき感の無い表示品位が得られる。また、走査線や信号線が画素電極に交差している分、開口面積を広くでき、これにより、輝度低下を防止できる。
【００２２】
請求項５記載の液晶表示装置は、複数の走査線と複数の信号線とが交差し、交差箇所に画素電極を有するアレイ基板と、アレイ基板に液晶層を挟んで対向する対向基板とを備え、前記走査線と信号線の少なくとも一方において、画素電極が投影された投影部分の線幅が広いことを特徴とする。
【００２３】
請求項５記載の液晶表示装置によれば、投影部分の線幅が広いことで、画素電極周縁で配向制御力が高まるので、表示にざらつき感の無い表示品位が得られる。また、配向制御力が高まった分、突起を小さくできるので、開口面積を広くでき、これにより、輝度低下を防止できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、投影部分が異形化されていることで、画素電極周縁で配向制御力が高まるので、画素分割法による配向制御が突起だけによらないで行え、これにより、表示にざらつき感の無い表示品位が得られる。また、突起を小さくできるので、開口面積を広くでき、これにより、輝度低下を防止できる。
【００２５】
また、本発明によれば、走査線や信号線が画素電極に交差していることで、画素分割法による配向制御が突起だけによらないで行え、これにより、表示にざらつき感の無い表示品位が得られる。また、走査線や信号線が画素電極に交差している分、開口面積を広くでき、これにより、輝度低下を防止できる。
【００２６】
また、本発明によれば、投影部分の線幅が広いことで、画素電極周縁で配向制御力が高まるので、表示にざらつき感の無い表示品位が得られる。また、配向制御力が高まった分、突起を小さくできるので、開口面積を広くでき、これにより、輝度低下を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明に係る液晶表示装置の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２８】
図１は、本実施の形態に係る液晶表示装置の斜視図である。
【００２９】
液晶表示装置１は、アレイ基板１０１と、このアレイ基板１０１に対向配置されて外縁シール部材１０３で貼り合わせられた対向基板１０２と、これらの基板間に形成された、液晶層１０４とを有する液晶表示パネル１００を備える。液晶層１０４は、例えば、負の誘電率異方性液晶分子からなるものであるが、これとは異なる特性を有する液晶層を用いてもよい。
【００３０】
液晶表示パネル１００において、画像を表示する表示領域１１０は、外縁シール部材１０３によって囲まれた領域内に形成され、その外周に沿って周辺領域１２０が形成される。
【００３１】
アレイ基板１０１では、図１では示さないが、複数の信号線Ｘ１〜Ｘｎと複数の走査線Ｙ１〜Ｙｍとが交差するように形成され、周辺領域１２０において、アレイ基板１０１は、走査線Ｙ１〜Ｙｍを駆動する走査線駆動回路１２１と、信号線Ｘ１〜Ｘｎを駆動する信号線駆動回路１２２とを備える。
【００３２】
図２は、液晶表示装置１の回路図である。
【００３３】
表示領域１１０において、アレイ基板１０１は、マトリクス状に配置されたｍ×ｎ個の画素電極１３１を備える。一方、対向基板１０２は、液晶層１０４を挟んで全ての画素電極１３１に対向する対向電極１７３を備える。
【００３４】
アレイ基板１０１は、これら画素電極１３１の行方向に沿って形成され、走査線駆動回路１２１によって駆動されるｍ本の走査線Ｙ１〜Ｙｍ、これら画素電極１３１の列方向に沿って形成され、信号線駆動回路１２２によって駆動されるｎ本の信号線Ｘ１〜Ｘｎを備える。
【００３５】
また、アレイ基板１０１は、ｍ×ｎ個の画素電極１３１に対応して走査線Ｙ１〜Ｙｍおよび信号線Ｘ１〜Ｘｎの交差箇所近傍に、スイッチング素子として配置されたｍ×ｎ個の薄膜トランジスタすなわち画素ＴＦＴ１４０を備える。
【００３６】
また、アレイ基板１０１は、各画素電極１３１の箇所に、それと同電位となるように補助容量電極１５１を備える。
【００３７】
アレイ基板１０１は、各補助容量電極１５１に接続された補助容量線１５２と、各補助容量線１５２および対向電極１７３に接続された対向電極駆動回路１２３とを備える。対向電極駆動回路１２３は、各補助容量線１５２および対向電極１７３を所定の電位に制御するものである。
【００３８】
各補助容量電極１５１とそれに接続された補助容量線１５２とで補助容量が構成される。
【００３９】
図３は、周辺領域１２０と表示領域１１０の境界近傍における液晶表示パネル１００の断面図であり、図４は、走査線Ｙと信号線Ｘの交差箇所近傍におけるアレイ基板１０１の断面図である。
【００４０】
アレイ基板１０１は、ガラス基板などの透明な絶縁性基板１１１を有し、その背面には、偏光板ＰＬ１が設けられる。
【００４１】
図４に示すように、表示領域１１０では、絶縁性基板１１１上に、アンダーコート層１１２が形成される。図３では、アンダーコート層１１２は省略されている。
【００４２】
アンダーコート層１１２上には、画素ＴＦＴ１４０が構成される。まず、図４に示すように、アンダーコート層１１２上に半導体層１４１がポリシリコン膜によって形成され、半導体層１４１は、チャネル領域１４１Ｃならびに、その両側にそれぞれ不純物をドープすることによって形成されたドレイン領域１４１Ｄ及びソース領域１４１Ｓから構成される。
【００４３】
また、図４に示すように、アンダーコート層１１２上には、不純物ドープされたポリシリコン膜によって補助容量電極１５１が形成される。図３では、補助容量電極１５１は省略されている。
【００４４】
図４に示すように、アンダーコート層１１２、半導体層１４１および補助容量電極１５１の上には、ゲート絶縁膜１４２が形成される。図３では、ゲート絶縁膜１４２は省略されている。
【００４５】
図４に示すように、ゲート絶縁膜１４２上には、ゲート電極１４３と、それと一体の走査線Ｙと、補助容量線１５２とが形成される。補助容量線１５２の一部は補助容量電極１５１に対向している。補助容量線１５２は、走査線Ｙと同一の材料によって形成され、走査線Ｙに対して略平行に形成される。図３では、これらは省略されている。
【００４６】
図４に示すように、ゲート絶縁膜１４２、ゲート電極１４３、走査線Ｙおよび補助容量線１５２の上には、層間絶縁膜１１３が形成される。図３では、層間絶縁膜１１３は省略されている。
【００４７】
図４に示すように、層間絶縁膜１１３上には、ドレイン電極１４４と、それと一体に信号線Ｘと、ソース電極１４５と、コンタクト電極１５３とが形成される。信号線Ｘは、走査線Ｙおよび補助容量線１５２に対して略直交するように形成される。図３では、これらは省略されている。
【００４８】
信号線Ｘ、走査線Ｙ、及び補助容量線１５２は、遮光性を有する低抵抗材料によって形成される。
【００４９】
例えば、走査線Ｙ及び補助容量線１５２は、モリブデン−タングステンによって形成され、信号線Ｘは、多くの場合、アルミニウムによって形成される。
【００５０】
図４に示すように、ドレイン電極１４４およびソース電極１４５は、ゲート絶縁膜１４２及び層間絶縁膜１１３を貫通するコンタクトホール１１４Ａおよび１１４Ｂをそれぞれ介して、ドレイン領域１４１Ｄおよびソース領域１４１Ｓにそれぞれ接続される。また、コンタクト電極１５３は、ゲート絶縁膜１４２及び層間絶縁膜１１３を貫通するコンタクトホール１５４を介して、補助容量電極１５１に接続される。コンタクト電極１５３は、信号線Ｘと同一材料によって形成され、信号線Ｘに接続されているので、ソース電極１４５、画素電極１３１および補助容量電極１５１は同電位となる。
【００５１】
図３に示すように、表示領域１１０上には透明樹脂層１１５が形成され、周辺領域１２０には、遮光層１１６が形成される。図４に示すように、表示領域１１０では、実際には、層間絶縁膜１１３、ドレイン電極１４４、ソース電極１４５、走査線Ｙ、信号線Ｘおよびコンタクト電極１５３の上に、透明樹脂層１１５が形成される。
【００５２】
図３、図４に示すように、透明樹脂層１１５上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性導電部材によって画素電極１３１が形成され、画素電極１３１は、透明樹脂層１１５を貫通するスルーホール１１７を介して、画素ＴＦＴ１４０のソース電極１４５に接続される。
【００５３】
図３に示すように、透明樹脂層１１５上には、例えば、高さ２．０μｍの柱状スペーサー１１８が形成される。図４では、柱状スペーサー１１８は省略されている。
【００５４】
図４に示すように、透明樹脂層１１５および画素電極１３１の上に、また、図３に示すように、柱状スペーサー１１８までも覆うように、配向膜１１９が形成される。配向膜１１９は、液晶層１０４に含まれる液晶分子をアレイ基板１０１に対して略垂直な方向に配向するものである。
【００５５】
図４に示すように、アレイ基板１０１に外縁シール部材１０３で貼り合わせられた対向基板１０２は、ガラス基板などの透明な絶縁性基板１７１を有し、その前面には、偏光板ＰＬ２が設けられる。
【００５６】
表示領域１１０では、絶縁性基板１７１上に、赤のカラーフィルタ層１７２Ｒ、緑のカラーフィルタ層１７２Ｇ、青のカラーフィルタ層１７２Ｂが形成され、その上には、全ての画素電極１３１に対向するように対向電極１７３が形成される。対向電極１７３は、ＩＴＯ等の光透過性導電部材によって形成される。
【００５７】
対向電極１７３上には、液晶層１０４の液晶分子を対向基板１０２に対して略垂直な方向に配向する配向膜１７４が形成される。
【００５８】
なお、ここでは、画素電極１３１上には配向膜１１９を、対向電極１７３上には配向膜１７４を、それぞれ直接形成したが、これら電極と配向膜との間に絶縁膜を形成してもよい。
【００５９】
この絶縁膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３などの無機系薄膜、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶など有機系薄膜などである。
【００６０】
絶縁膜が無機系薄膜の場合には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法、あるいは溶液塗布法などによって形成すればよい。
【００６１】
絶縁膜が有機系薄膜の場合には、有機物質の溶液またはその前駆体溶液を用いて、スピンナー塗布法、スクリーン印刷塗布法、ロール塗布法などで塗布し、所定の硬化条件（加熱、光照射など）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＬＢ(Langumuir-Blodgett)法などで形成すればよい。
【００６２】
次に、液晶表示装置１を実施例ごとに説明する。
【００６３】
［実施例１］
図５は、実施例１に係る走査線Ｙおよび信号線Ｘの形状と配置を示す図である。
【００６４】
実施例１の走査線Ｙでは、走査線Ｙに平行な画素電極１３１の辺１３２に対応する走査線Ｙの部分ＹＧが異形化されている。この対応する走査線Ｙの部分ＹＧとは、上記画素電極１３１面内から走査線Ｙと平行な画素電極１３１の辺１３２を走査線Ｙ上に投影した部分（投影部分ＹＧ）である。また、具体的に異形化とは、櫛型部Ｋが一方の側に２つ（１３４ａ）、他方の側に２つ（１３４ｂ）形成され、同じ側の櫛型部Ｋにおける櫛の歯の向く方向が相違しているパターンである。
【００６５】
同様に、信号線Ｘでは、信号線Ｘに平行な画素電極１３１の辺１３３に対応する信号線Ｘの部分ＸＧが異形化されている。この対応する信号線Ｘの部分ＸＧとは、上記画素電極１３１面内から信号線Ｘと平行な画素電極１３１の辺１３３を信号線Ｘ上に投影した部分（投影部分ＸＧ）である。また、具体的に異形化とは、櫛型部Ｋが一方の側に２つ（１３５a）、他方の側に２つ（１３５ｂ）形成され、同じ側の櫛型部Ｋにおける櫛の歯の向く方向が相違しているパターンである。
【００６６】
また、点状突起２０１が、アレイ基板１０１または対向基板１０２上に設けられている。点状突起２０１は、画素電極１３１の中央付近に配置される。点状突起２０１は、絶縁性を有するものであり、以下に説明する線状突起と点状突起でも同様である。
【００６７】
かかる構成により、画素電極１３１の領域に構成される液晶ドメインが４分割される。
【００６８】
よって、実施例１では、投影部分ＹＧ、ＸＧが異形化されていることで、画素電極１３１周縁で配向制御力が高まるので、画素４分割法による配向制御が突起だけによらないで行え、これにより、表示にざらつき感の無い表示品位が得られる。また、画素４分割法による配向制御が突起だけによらないで行える分、突起を小さくできるので、開口面積を広くでき、これにより、輝度低下を防止できる。
【００６９】
また、櫛型部Ｋを形成したことで、配向制御力の働く方向を安定化することができ、ざらつきのない表示品質を維持できる。
【００７０】
また、櫛の歯の向く方向は走査線Ｙまたは信号線Ｘに対して角度４５度を有しているので、配向制御力の働く方向を、画素４分割法にとって理想的な方向にすることができ効果が高まる。なお、角度４５度は、実質上の角度であり、正確性を期するものではない。
【００７１】
ここでは、投影部分ＹＧと投影部分ＸＧの両方を異形化したが、一方のみを異形化し、アレイ基板１０１または対向基板１０２には、点状突起２０１に代えて、異形化された投影部分を有する走査線または信号線に平行であり、かつ、画素電極１３１を区分するような線状突起を設けても、同様の作用効果が得られる。
【００７２】
また、ここでは、液晶ドメインを４分割したが、櫛型部Ｋを小型にし、その数を多くすることで、液晶ドメインの分割数を多くしてもよい。
【００７３】
［実施例２］
図６は、実施例２に係る走査線Ｙおよび信号線Ｘの形状と配置を示す図である。
【００７４】
実施例２では、信号線Ｘは、対向基板１０２側から見たときに画素電極１３１に交差しておらず、一方、走査線Ｙは交差している（符号１３８）。
【００７５】
また、線状突起２０２が、アレイ基板１０１または対向基板１０２に設けられる。線状突起２０２は、走査線Ｙに垂直であり、画素電極１３１を区分するように配置される。
【００７６】
かかる構成により、画素電極１３１の領域に構成される液晶ドメインが４分割される。
【００７７】
よって、実施例２では、走査線Ｙが画素電極１３１に交差していることで、画素４分割法による配向制御が突起だけによらないで行え、これにより、表示にざらつき感の無い表示品位が得られる。
【００７８】
また、走査線Ｙが画素電極１３１に交差している分、開口面積を広くでき、これにより、輝度低下を防止できる。
【００７９】
また、アレイ基板１０１では、信号線Ｘや走査線Ｙの部分が少し盛り上がるので、つまり、画素電極１３１の領域内でも、走査線Ｙの部分が盛り上がるので、これにより、配向制御力が高まり、よって効果が高まる。
【００８０】
また、盛り上がりの高さは、同じ配向制御力を得るのに必要な突起の高さよりも低いので、この点においても、輝度低下防止に寄与する。
【００８１】
なお、ここでは、画素電極１３１に走査線Ｙを交差させ、走査線Ｙに垂直な線状突起２０２を設けたが、図７のように、信号線Ｘを交差させ（符号１３９）、信号線Ｘに垂直な線状突起２０２を設けても同様の作用効果が得られる。
【００８２】
なお、線状突起２０２を設けずに、画素電極１３１に走査線Ｙと信号線Ｘを交差させれば、画素４分割法による配向制御が突起によらないで行え、これにより、表示にざらつき感の無い表示品位が得られる。また、走査線Ｙと信号線Ｘが画素電極１３１に交差している分、開口面積を広くでき、これにより、輝度低下を防止できる。
【００８３】
［実施例３］
図８は、実施例３に係る走査線Ｙおよび信号線Ｘの形状と配置を示す図である。
【００８４】
実施例３では、走査線Ｙおよび信号線Ｘは、対向基板１０２側から見たときに画素電極１３１に交差していない。走査線Ｙの線幅は一定である。一方、信号線Ｘに平行な画素電極１３１の辺１３３に対応する信号線Ｘの線幅部分ＸＧは広くなっている。この対応する信号線Ｘの部分ＸＧとは、上記画素電極１３１面内から信号線Ｘと平行な画素電極１３１の辺１３３を信号線Ｘ上に投影した部分（投影部分ＸＧ：符号１３６ａ）である。すなわち、信号線Ｘの線幅部分は、画素電極１３１の辺１３３が投影された部分であり、その投影部分ＸＧは他の信号線Ｘの部分１３６ｂの線幅よりも広くなっている。
【００８５】
また、線状突起２０２が、アレイ基板１０１または対向基板１０２に設けられる。線状突起２０２は、信号線Ｘに平行であり、かつ、画素電極１３１内に配置される。これにより、液晶ドメインが２分割される。
【００８６】
実施例３では、投影部分ＸＧの線幅を広くすることで、画素電極１３１周縁で配向制御力が高まるので、表示にざらつき感の無い表示品位が得られる。しかも、配向制御力が高まった分、突起を小さくできるので、開口面積を広くでき、これにより、輝度低下を防止できる。
【００８７】
なお、ここでは、投影部分ＸＧを広くしたが、信号線Ｘ全体を広くしてもよい。
【００８８】
また、このように、投影部分ＸＧなどを広くし、図９のように線状突起２０２を設ける代わりに、図９に示すように、投影部分ＹＧあるいは走査線Ｙ全体を広くし、走査線Ｙに平行な線状突起２０２を設けても同様の作用効果が得られる。
【００８９】
[比較例]
次に、液晶表示装置１と比較するための比較例に係る液晶表示装置を説明する。
【００９０】
図１０は、比較例１に係る走査線Ｙおよび信号線Ｘの形状と配置を示す図である。
【００９１】
比較例１では、走査線Ｙおよび信号線Ｘは、対向基板１０２側から見たときに画素電極１３１に交差していない。走査線Ｙおよび信号線Ｘの線幅は狭く一定である。
【００９２】
また、線状突起２０１は、アレイ基板１０１または対向基板１０２に設けられ、信号線Ｘに平行であり、かつ、画素電極１３１を区分するように配置される。これにより、液晶ドメインが２分割される。
【００９３】
よって、比較例１では、画素２分割法による配向制御が行われる。
【００９４】
図１１は、比較例２に係る走査線Ｙおよび信号線Ｘの形状と配置を示す図である。
【００９５】
比較例２では、走査線Ｙおよび信号線Ｘは、対向基板１０２側から見たときに画素電極１３１に交差していない。走査線Ｙおよび信号線Ｘの線幅は狭く一定である。
【００９６】
また、線状突起２０２は、アレイ基板１０１または対向基板１０２に設けられ、走査線Ｙに平行であり、かつ、画素電極１３１を区分するように配置される。これにより、液晶ドメイン２分割される。
【００９７】
よって、比較例２では、画素２分割法による配向制御が行われる。
【００９８】
図１２は、比較例３に係る走査線Ｙおよび信号線Ｘの形状と配置を示す図である。
【００９９】
比較例３では、走査線Ｙおよび信号線Ｘは、対向基板１０２側から見たときに画素電極１３１に交差していない。走査線Ｙおよび信号線Ｘの線幅は狭く一定である。
【０１００】
また、点状突起２０１が、アレイ基板１０１または対向基板１０２に設けられる。点状突起２０１は、画素電極１３１の中央付近に配置される。これにより、液晶ドメインが４分割される。
【０１０１】
よって、比較例３では、画素４分割法による配向制御が行われる。
【０１０２】
図１３は、各実施例および各比較例で得られる表示品位を示した表である。
【０１０３】
なお、ここでは、アレイ基板１０１と対向基板１０２との間のセルギャップは３．８μｍであり、配向膜１１９および配向膜１７４の厚さは７０ｎｍである。また、線状突起や点状突起の高さは１μｍであり、線状突起の幅および点状突起の直径は６μｍである。
【０１０４】
図１３に示すように、各実施例では、ざらつきは見られず、一方、各比較例では、ざらつきが見られた。
【０１０５】
なお、本実施の形態では、ＶＡＮ(Vertical Aligned Nematic)モードを採用したが、ＯＣＢモード、ＨＡＮモード、π配列モード、スメクチック液晶を用いた界面安定型強誘電性液晶（Surface Stabilized Ferroelectric Liquid Crystal）モード、反強誘電性液晶モードを採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本実施の形態に係る液晶表示装置の斜視図である。
【図２】液晶表示装置１の回路図である。
【図３】液晶表示パネル１００の断面図である。
【図４】アレイ基板１０１の断面図である。
【図５】実施例１に係る走査線Ｙおよび信号線Ｘの形状と配置を示す図である。
【図６】実施例２に係る形状と配置を示す図である。
【図７】実施例２に係る他の形状と配置を示す図である。
【図８】実施例３に係る形状と配置を示す図である。
【図９】実施例３に係る他の形状と配置を示す図である。
【図１０】比較例１に係る形状と配置を示す図である。
【図１１】比較例２に係る形状と配置を示す図である。
【図１２】比較例３に係る形状と配置を示す図である。
【図１３】各実施例および各比較例で得られる表示品位を示した表である。
【符号の説明】
【０１０７】
１…液晶表示装置
１００…液晶表示パネル
１０１…アレイ基板
１０２…対向基板
１０３…外縁シール部材
１０４…液晶層
１１０…表示領域
１１１…絶縁性基板
１１２…アンダーコート層
１１３…層間絶縁膜
１１４Ａ、１１４Ｂ、１５４…コンタクトホール
１１５…透明樹脂層
１１６…遮光層
１１７…スルーホール
１１８…柱状スペーサー
１１９、１７４…配向膜
１２０…周辺領域
１２１…走査線駆動回路
１２２…信号線駆動回路
１２３…対向電極駆動回路
１３１…画素電極
１３２、１３３  画素電極の辺
１３４ａ、１３４ｂ、１３５ａ、１３５ｂ  櫛型部における櫛の歯の部分
１３８、１３９  走査線と信号線の交差点
１４０…画素ＴＦＴ
１４１…半導体層
１４１Ｃ…チャネル領域
１４１Ｄ…ドレイン領域
１４１Ｓ…ソース領域
１４２…ゲート絶縁膜
１４３…ゲート電極
１４４…ドレイン電極
１４５…ソース電極
１５１…補助容量電極
１５２…補助容量線
１５３…コンタクト電極
１７３…対向電極
１７１…絶縁性基板
１７２Ｒ，１７２Ｇ，１７２Ｂ…カラーフィルタ層
Ｋ…櫛型部
ＰＬ１、ＰＬ２…偏光板
Ｘ…信号線
ＸＧ、ＹＧ…投影部分
Ｙ…走査線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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