(57)【要約】【課題】基板に形成されているスリットに位置決めされる複数のプローブを微細な間隔で配列することができるプローブユニットを提供する。【解決手段】リソグラフィを用いて複数のスリットが形成されている基板と、前記スリットの側壁に形成された犠牲膜の内側に形成され、前記側壁との間に前記犠牲膜が除去されることによって形成された空隙を有し、前記スリットの前記側壁に複数の前記スリットの配列方向の移動を制限されている可動部と検体の電極に接触すると前記可動部とともに移動する接触部とを有している複数のプローブと、を備える。【選択図】図１
2007132847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィを用いて複数のスリットが形成されている基板と、
前記スリットの側壁に形成された犠牲膜の内側に形成され前記側壁との間に前記犠牲膜が除去されることによって形成された空隙を有し前記側壁に複数の前記スリットの配列方向の移動を制限されている可動部と、検体の電極に接触すると前記可動部とともに移動する接触部とを有している複数のプローブと、
を備えるプローブユニット。
【請求項２】
前記プローブは前記基板から遊離し、
前記スリット内に前記可動部を保持する保持ユニットと、
前記接触部を前記検体側に付勢する付勢ユニットと、をさらに備える、
請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項３】
前記プローブの一部は前記基板に固定され、
前記接触部は、前記プローブの残部に形成されている、
請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項４】
基板に複数のスリットをリソグラフィを用いて形成し、
前記スリットの側壁を覆う犠牲膜を形成し、
前記犠牲膜の内側にめっきによりプローブを形成し、
前記犠牲膜の少なくとも一部を除去する、
ことを含むプローブユニットの製造方法。
【請求項５】
エッチングにより前記基板の一部を除去することにより、前記プローブの検体の電極に接触する接触部を前記基板から突出させる、
ことをさらに含む請求項４に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項６】
基板に複数のスリットをリソグラフィを用いて形成し、
前記スリット内にめっきによりプローブを形成し、
エッチングにより前記基板の一部を除去することにより、前記プローブの検体の電極と接触する接触部を前記基板から突出させる、
ことを含むプローブユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブユニット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、治具に形成したスリットにプローブを挿入するプローブユニットが開示されている。特許文献１に記載されたプローブユニットでは、プローブのスリット配列方向の移動をスリットの側壁で制限しながら、プローブをスリットで位置決めすることができる。しかしながら、このプローブユニットのスリットは機械加工で形成されているため、機械加工の寸法精度より微細な間隔で複数のスリットを配列できず、プローブを微細な間隔で配列できない。
【特許文献１】特開２００１−３２４５１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、基板に形成されているスリットに位置決めされる複数のプローブを微細な間隔で配列することができるプローブユニットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）上記課題を解決するためのプローブユニットは、リソグラフィを用いて複数のスリットが形成されている基板と、前記スリットの側壁に形成された犠牲膜の内側に形成され、前記側壁との間に前記犠牲膜が除去されることによって形成された空隙を有し、前記スリットの前記側壁に複数の前記スリットの配列方向の移動を制限されている可動部と検体の電極に接触すると前記可動部とともに移動する接触部とを有している複数のプローブと、を備える。
複数のスリットはリソグラフィを用いて形成されているため、これらのスリットは微細な間隔で配列可能である。プローブの可動部はスリットの側壁に形成された犠牲膜の内側に形成されているため、微細な間隔で配列したスリットに対してプローブを高精度に位置決めすることができる。すなわち、複数のプローブは微細な間隔で配列可能である。
【０００５】
（２）前記プローブは前記基板から遊離していてもよい。そして前記プローブユニットは、前記スリット内に前記可動部を保持する保持ユニットと、前記接触部を検体側に付勢する付勢ユニットと、をさらに備えてもよい。
付勢ユニットにより基板から遊離しているプローブの接触部を検体側に付勢することにより、接触部を検体の電極に適正な接触圧で接触させることができる。基板から遊離しているプローブの可動部がスリット外に脱落するとプローブがスリットの配列方向にずれる恐れがあるが、保持ユニットによりプローブの可動部をスリット内に保持することにより、プローブのスリットの配列方向へのずれを防止することができる。
【０００６】
（３）前記プローブの一部は前記基板に固定され、前記接触部は、前記プローブの残部に形成されてもよい。
接触部が検体の電極に接触すると、基板に固定されていないプローブの残部は変形する。この結果、プローブの接触部は可動部とともに移動するため、プローブの接触部を検体の電極に適正な接触圧で接触させることができる。
【０００７】
（４）上記課題を解決するためのプローブユニットの製造方法は、基板に複数のスリットをリソグラフィを用いて形成し、前記スリットの側壁を覆う犠牲膜を形成し、前記犠牲膜の内側にめっきによりプローブを形成し、前記犠牲膜の少なくとも一部を除去する、ことを含む。
リソグラフィを用いて基板にスリットを形成し、スリットの側壁を覆う犠牲膜を形成し、犠牲膜の内側にめっきにより導電膜を形成することにより、微細な間隔で配列した複数のスリットに対してそれぞれ複数のプローブを高精度に位置決めすることができる。すなわち、複数のプローブを微細な間隔で配列することができる。このように形成したプローブとスリットの側壁との間に形成されている犠牲膜を例えば全て除去すれば、スリット内に基板から遊離した態様で微細な間隔で配列された複数のプローブを備えるプローブユニットを形成することができる。また例えば、犠牲膜の一部を残存させれば、残存させた犠牲膜により一部が基板に固定された態様で微細な間隔で配列された複数のプローブを備えるプローブユニットを形成することができる。
【０００８】
（５）前記プローブユニットの製造方法は、エッチングにより前記基板の一部を除去することにより、前記プローブの検体の電極に接触する接触部を前記基板から突出させる、
ことをさらに含んでもよい。
プローブの一部を基板から突出させることにより、微細な間隔で配列した複数のプローブの接触部を形成することができる。
【０００９】
（６）上記課題を解決するためのプローブユニットの製造方法は、基板に複数のスリットをリソグラフィを用いて形成し、前記スリット内にめっきによりプローブを形成し、エッチングにより前記基板の一部を除去することにより、前記プローブの検体の電極と接触する接触部を前記基板から突出させる、ことを含む。
リソグラフィを用いて基板にスリットを形成し、スリット内にめっきによりプローブを形成し、エッチングにより基板の一部を除去することにより、微細な間隔で配列した複数のスリット内にそれぞれ配置され、接触部が基板から突出した複数のプローブを備えるプローブユニットを製造することができる。
【００１０】
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」ことと、「・・・上に中間物を介して形成する」ことの両方を含む意味とする。
また、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限り、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を複数の実施例に基づいて説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
（第一実施例）
１．プローブユニットの構成
図１と図２は本発明の第一実施例によるプローブユニットを示す模式図である。図１の（Ｂ）は図１の（Ａ）のＢ１−Ｂ１線による断面図である。
本発明の第一実施例によるプローブユニット１は、基板１０、プローブ２０、ピン３０等で構成されている。
【００１２】
基板１０はＳｉＮｘ、ＡｌＮｘ、ＡｌＯｘ等のセラミックス基板である。基板１０には複数のスリット１２と、それらのスリット１２の側壁を貫通する通孔１４が形成されている。尚、基板１０はセラミックス基板に限定されない。例えば基板１０は、石英ガラス、結晶化ガラス等で形成してもよい。
【００１３】
プローブ２０はＮｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属で形成されている。図１（Ｂ）に示すように、プローブ２０の基板１０の通孔１４に対向する部位には、通孔１４と同形状の通孔２６が形成されている。ピン３０が基板１０の通孔１４とプローブ２０の通孔２６を貫通することにより、基板１０から遊離しているプローブ２０は基板１０に係止される。通孔１４と通孔２６は、スリット１２の貫通方向に長い長穴である。この結果プローブ２０は、ピン３０に案内されてスリット１２の貫通方向に移動することができる。
【００１４】
ピン３０と基板１０の通孔１４とプローブ２０の通孔２６が請求項に記載の「保持ユニット」に相当する。尚、プローブ２０は、１本のピン３０により基板１０に係止してもよいし、３本以上のピン３０により基板１０に係止してもよい。またピン３０は、セラミックス、樹脂等の絶縁材料で形成してもよいし、金属等の導電材料の表面を絶縁材料で被覆して構成してもよい。また通孔１４と通孔２６は、基板１０にプローブ２０をスリット１２の貫通方向に移動可能に係止できれば、どのような形状でもよい。
【００１５】
プローブ２０は可動部２２と接触部２４等を有している。可動部２２は、スリット１２の配列方向の移動をスリット１２の側壁により制限されている。接触部２４は検体の電極に接触すると可動部２２とともに移動する。すなわち接触部２４は、スリット１２の配列方向の移動を制限されながら、スリット１２の貫通方向に移動することが可能である。
プローブ２０は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等のケーブル４０を介して検査装置本体（以下プローバという。）と接続される。プローブ２０とケーブル４０の接続には、例えば異方性導電フィルム４２を用いればよい。尚、プローブ２０は、ＮｉＦｅ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＰ等の合金で形成してもよい。
【００１６】
２．プローブユニットの製造方法
図３から図６は、プローブユニット１の製造方法を示す模式図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ３−Ｂ３線による断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ３−Ｃ３線による断面図である。
【００１７】
はじめに、図３（Ｂ１）に示すように、プローブユニット１の基板１０を構成する基板８０の第一面８０ａ上にシード層８１を形成する。具体的には例えば、シード層８１はスパッタ等で厚さ０．１μｍのＣｕ層を成膜することにより形成する。尚、シード層８１を形成する前に、シード層８１が基板８０から剥がれることを防止する密着層を基板８０上に形成してもよい。密着層は、例えばスパッタ等で厚さ０．０２μｍのＣｒ層を成膜することにより形成すればよい。また、シード層８１はスパッタ以外、例えば蒸着やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等で形成してもよい。
【００１８】
次に、シード層８１上に犠牲層８２を形成する。具体的には例えば、Ｃｕの犠牲層８２は電解めっきにより形成することができる。尚、犠牲層８２は、Ｓｎ等の低融点金属、樹脂等で形成してもよい。また、犠牲層８２は電解めっき以外の方法、例えば無電解めっき、スパッタ等で形成してもよい。
【００１９】
次に、プローブユニット１のスリット１２を構成するスリット８３を基板８０にリソグラフィを用いて形成する（図３（Ｃ３）参照）。具体的には例えば、スリット８３は以下のように形成する。まず、図３（Ｃ２）に示すように、第一面８０ａの裏面である基板８０の第二面８０ｂ上に、基板８０の第二面８０ｂのスリット８３を形成する部位を露出させるレジスト膜８４をリソグラフィを用いて形成する。より具体的には、基板８０の第二面８０ｂ上にレジストを塗布し、ベークにより溶剤を蒸発させてレジスト膜を形成する。そして、ステッパー又はアライナーを用いて所定パターンのレチクルをレジスト膜上に配置し、レジスト膜に対してレチクル像を露光、現像して、不要なレジスト膜を除去する。これにより、基板８０の第二面８０ｂ上にレジスト膜８４を形成する。尚、レジスト膜８４は、電子ビーム露光装置やレーザー直接描画装置等を用いた所謂マスクレス露光を行うことにより形成してもよい。マスクレス露光を行うことにより、レチクルを用いることなくレジスト膜にマスクパターンを焼き付けることができるため、プローブユニット１を多品種少量生産する場合に有用である。また不要なレジスト膜の除去には、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、アセトン、アミン等のレジスト剥離液を用いてもよいし、アッシングにより除去してもよい。次に、図３（Ｃ３）に示すように、レジスト膜８４をマスクとして用いて、基板８０のレジスト膜８４から露出する部分を異方性エッチングにより除去することにより、基板８０に複数のスリット８３を形成する。以上説明したように、プローブユニット１のスリット１２を構成するスリット８３をリソグラフィを用いて形成することにより、スリット１２を微細な間隔で配列することができる。
【００２０】
次に、図４（Ｃ４）に示すように、スリット８３の側壁に自己整合的に犠牲膜８５を形成する。具体的には例えば、基板８０の第二面８０ｂ上とスリット８３の内壁面上に厚さ０．５μｍのＣｕ層をＣＶＤやスパッタ等で成膜することにより犠牲膜８５を形成する。
次に、自己整合的に形成した犠牲膜８５をマスクとして用いた電解めっきにより、プローブユニット１のプローブ２０を構成する導電層８６を形成する。このように、自己整合的に形成した犠牲膜８５をマスクとして用いためっきで、プローブユニット１のプローブ２０を構成する導電層８６を形成することにより、プローブ２０をスリット１２に対して高精度に位置決めすることができる。尚、導電層８６は、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属で形成してもよいし、ＮｉＦｅ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＰ等の合金で形成してもよい。また犠牲膜８５は、電解めっき以外の方法、例えばＣＶＤ等で形成してもよい。
【００２１】
次に、図４（Ｃ５）に示すように、導電層８６と犠牲膜８５をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等で研磨することにより、基板８０と犠牲膜８５と導電層８６とを平坦化するとともに、基板８０の第二面８０ｂを犠牲膜８５から露出させる。尚、本工程には放電加工、サンドブラスト加工、ルータ加工等を用いてもよい。
【００２２】
次に、図４（Ｃ６）に示すように、基板８０の第二面８０ｂをエッチングすることにより、導電層８６と犠牲層８２の一部を基板８０の第二面８０ｂから突出させる。
次に、図５（Ｃ７）に示すように、犠牲層８２とシード層８１をＣＭＰ等で研磨することにより、犠牲層８２とシード層８１を除去する。尚、本工程には、研削加工、放電加工、サンドブラスト加工、ルータ加工等を用いてもよい。
【００２３】
次に、図５（Ａ８）に示すように、ダイサー等を用いて基板８０の二次元形状を成形することにより、プローブユニット１の基板１０を形成する。
次に、スリット８３の配列方向にスリット８３の側壁と導電層８６を貫通する通孔８７を、ドリル加工、レーザー加工、サンドブラスト加工等を用いて形成する。通孔８７がプローブユニット１の基板１０の通孔１４とプローブ２０の通孔２６に相当する。
【００２４】
次に、図５（Ｂ９）に示すように、導電層８６を成形することにより、プローブユニット１のプローブ２０を形成する。具体的には例えば、放電加工、ダイサー加工、レーザー加工、電子ビーム加工等を用いて導電層８６を成形する。
【００２５】
次に、図６（Ｃ１０）に示すように、通孔８７にピン３０を挿入する。
次に、図６（Ｃ１１）に示すように、犠牲膜８５をエッチングにより除去する。
以上説明したプローブユニットの製造方法によれば、プローブユニット１を製造することができる。
【００２６】
３．電子デバイスの検査方法
図７は、プローブユニット１を用いた電子デバイスの検査方法を説明するための模式図である。検体としての電子デバイス５０の検査システムは、プローブユニット１、プローバ６０、顕微鏡７０等で構成されている。
【００２７】
プローブユニット１は、プローブ２０の接触部２４が電子デバイス５０側を向く姿勢で、プローバ６０の治具６２に付勢ユニットとしての弾性部材６４を介して固定されている。具体的には弾性部材６４は、例えば板状のエストラマや多孔質弾性体であり、例えば両面テープ６６を用いてプローブユニット１の基板１０及びプローブ２０と治具６２とに接着されている。尚、付勢ユニットは、板ばね、コイルばね等から構成されるユニットでもよい。
顕微鏡７０は、プローブユニット１と電子デバイス５０の電極５２の拡大像を映し出し、プローブ２０と電子デバイス５０の電極５２の位置合わせに用いられる。
【００２８】
はじめに、顕微鏡７０を用いてプローブユニット１を電子デバイス５０の電極５２とともに観察しながら、プローブ２０が電子デバイス５０の電極５２と一対一に対応するように、電子デバイス５０にプローブユニット１を相対的に近付ける。すると、プローブ２０の接触部２４が電子デバイス５０の電極５２に接触する（図７（Ａ）参照）。上述したように複数のプローブ２０は微細な間隔で配列することができ、その接触部２４の配列方向の移動はスリット１２の側壁により制限されるため、プローブユニット１を用いた電子デバイス５０の検査では、微細な間隔で配列された複数の電極５２にも、複数のプローブ２０を接触させることができる。
【００２９】
さらにプローブユニット１が電子デバイス５０に相対的に近付くと、図７（Ｂ）に示すようにプローブ２０は弾性部材６４を変形させながらスリット１２の貫通方向に移動する。このように複数のプローブ２０の接触部２４が電子デバイス５０の電極５２との接触圧に応じて弾性部材６４を変形させながら個々に移動することにより、電極５２の高さにばらつきがあっても、複数のプローブ２０を対応する電極５２に確実に接触させることができる。
【００３０】
（第二実施例）
１．プローブユニットの構成
図８は本発明の第二実施例によるプローブユニットを示す模式図である。（Ｂ）は（Ａ）のＢ８−Ｂ８線による断面図である。
本発明の第二実施例によるプローブユニット２の各構成要素は、プローブ２２０を除き、本発明の第一実施例によるプローブユニット１の対応する構成要素と実質的に同一である。
【００３１】
図８（Ｂ）に示すように、プローブ２２０は、可動部２２２、接触部２２４、ばね部２２８等を有している。可動部２２２と接触部２２４は、それぞれ本発明の第一実施例に係る可動部２２と接触部２４と実質的に同一である。またプローブ２２０に形成されている通孔２２６は、本発明の第一実施例に係る通孔２６と実質的に同一である。
ばね部２２８は可動部２２２から片持ち梁状に伸びている。そして接触部２２４は、ばね部２２８の自由端側に配置されている。尚、ばね部２２８は、接触部２２４と電子デバイスの電極に接触圧により変形する板ばねとして機能すればよく、技術上の阻害要因がない限りどのような形状でもよい。
【００３２】
２．プローブユニットの製造方法
図９はプローブユニット２の製造方法を示す模式図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ９−Ｂ９線による断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ９−Ｃ９線による断面図である。
はじめに、本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法と同様の工程（図３（Ｃ１）から図５（Ｃ７）参照）により、基板８０から犠牲層８２と導電層８６が突出した態様の基板８０と犠牲層８２と導電層８６を形成する（図９（Ｃ１）参照）。
【００３３】
次に、放電加工、ダイサー加工、レーザー加工、電子ビーム加工等を用いて、導電層８６を成形する。このとき導電層８６に切り欠き２８０を形成する。導電層８６に切り欠き２８０を形成することによりプローブ２２０のばね部２２８が形成される。以降の工程は、本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法と実質的に同一である。
以上説明したプローブユニットの製造方法によれば、プローブユニット２を製造することができる。
【００３４】
３．電子デバイスの検査方法
図１０は、プローブユニット２を用いた電子デバイスの検査方法を説明するための模式図である。本発明の第二実施例に係る検査システムは、プローブユニット２を除き、本発明の第一実施例に係る検査システムと実質的に同一である。
プローブ２２０の接触部２２４が電子デバイス５０の電極５２に接触した状態（図１０（Ａ）参照）から、さらにプローブユニット１を電子デバイス５０に相対的に近付けると、プローブ２２０は、ばね部２２８と弾性部材６４を変形させながらスリット１２の貫通方向に移動する（図１０（Ｂ）参照）。
【００３５】
このように複数のプローブ２２０の接触部２２４が電子デバイス５０の電極５２との接触圧に応じてばね部２２８と弾性部材６４を変形させながら個々に移動することにより、電極５２の高さにばらつきがあっても、複数のプローブ２２０を対応する電極５２に確実に接触させることができる。
尚、ばね部２２８の変形のみで、電極５２の高さにばらつきを吸収でき、複数のプローブ２２０を対応する電極５２に確実に接触させることが可能であれば、基板１０にプローブ２２０を完全に固定してもよい。このようなプローブユニットは、プローブユニット２の製造工程の一部（図９（Ａ２）、（Ｂ２）参照）により製造可能である。
【００３６】
（第三実施例）
１．プローブユニットの構成
図１１は本発明の第三実施例によるプローブユニットを示す模式図である。（Ｂ）は（Ａ）のＢ１１−Ｂ１１線による断面図である。
本発明の第三実施例によるプローブユニット３の各構成要素は、プローブ３２０を除き、本発明の第一実施例によるプローブユニット１の対応する構成要素と実質的に同一である。
【００３７】
プローブ３２０は、可動部３２２、接触部３２４、ばね部３２８等を有している。可動部２２２と接触部２２４は、それぞれ本発明の第一実施例に係る可動部２２と接触部２４と実質的に同一である。またプローブ３２０に形成されている通孔３２６は、本発明の第一実施例に係る通孔２６と実質的に同一である。
【００３８】
ばね部３２８は可動部２２からＳ字状に伸びている。そして接触部３２４は、可動部３２２のばね部３２８が接続されている面と反対側に配置されている。尚、ばね部３２８は、接触部３２４と電子デバイスの電極に接触圧により変形する板ばねとして機能すればよく、技術上の阻害要因がない限りどのような形状でもよい。
【００３９】
２．プローブユニットの製造方法
図１２はプローブユニット３の製造方法を示す模式図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ１２−Ｂ１２線による断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ１２−Ｃ１２線による断面図である。
はじめに、本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法と同様の工程（図３、図４参照）により、図１２（Ａ１）、（Ｂ１）、（Ｃ１）に示す態様の基板８０と犠牲層８２と導電層８６を形成する。
【００４０】
次に、放電加工、ダイサー加工、レーザー加工、電子ビーム加工等を用いて、導電層８６を成形する。このとき、導電層８６の長手方向の互いに反対側から伸びる切り欠き３８０、３８１を導電層８６に形成する。これによりプローブ３２０のばね部３２８が形成される。以降の工程は、本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法と実質的に同一である。
以上説明したプローブユニットの製造方法によれば、プローブユニット３を製造することができる。
【００４１】
３．電子デバイスの検査方法
図１３は、プローブユニット３を用いた電子デバイスの検査方法を説明するための模式図である。本発明の第三実施例に係る検査システムは、プローブユニット３を除き、本発明の第一実施例に係る検査システムと実質的に同一である。
【００４２】
プローブ３２０の接触部３２４が電子デバイス５０の電極５２に接触した状態（図１３（Ａ）参照）から、さらにプローブユニット１を電子デバイス５０に相対的に近付けると、図１３（Ｂ）に示すようにプローブ３２０は、ばね部３２８と弾性部材６４を変形させながら、スリット１２の貫通方向に移動する。
【００４３】
このように複数のプローブ３２０の接触部３２４が電子デバイス５０の電極５２との接触圧に応じてばね部３２８と弾性部材６４を変形させながら個々に移動することにより、複数のプローブ２２０を対応する電極５２に確実に接触させることができる。
尚、プローブユニット３は、プローバ６０の治具６２に弾性部材６４を介さずに固定してもよい。この場合プローブ３２０のばね部３２８が付勢ユニットとして機能する。
（第四実施例）
１．プローブユニットの構成
図１４は本発明の第四実施例によるプローブユニットを示す模式図である。（Ｂ）は（Ａ）のＢ１４−Ｂ１４線による断面図である。
【００４４】
本発明の第四実施例に係るプローブ４２０の長手方向の近端部４２８は、接続部４２９を介して基板１０に固定されている。この結果、プローブ４２０の接触部４２４が電子デバイスに接触すると、プローブ４２０の近端部４２８以外の部分が弾性変形することにより、接触部４２４は可動部４２２とともにスリット１２の貫通方向に移動することができる。
尚、プローブ４２０の近端部４２８は、接続部４２９を介さず基板１０に直接固定してよい。またプローブ４２０は、接触部４２４がスリット１２の貫通方向に移動可能であれば、近端部４２８以外の部位で固定してもよい。また接触部４２４は、電子デバイスの電極の配置に応じて配置すればよく、スリット１２の配列方向に直線状に配列しなくてもよい。例えば、図１５に示すように接触部４２４は、スリット１２の配列方向に千鳥状に配置してもよい。
【００４５】
２．プローブユニットの製造方法
図１６はプローブユニット４の製造方法を示す模式図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ１６−Ｂ１６線による断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ１６−Ｃ１６線による断面図である。
はじめに、本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法と同様の工程（図３（Ｃ１）から図４（Ｃ５）参照）により、図１６（Ｃ１）に示す態様の犠牲層８２とシード層８１と基板８０と犠牲膜８５と導電層８６を形成する。導電層８６はプローブ４２０の可動部４２２を構成する。
【００４６】
次に、導電層８６上にバンプ４８０を形成する。具体的には例えば、バンプ４８０は以下のように形成する。まず、導電層８６のバンプ４８０を形成する部位を露出させるレジスト膜４８１を基板８０と犠牲膜８５と導電層８６の表面上にリソグラフィを用いて形成する。次に、レジスト膜４８１をマスクとして用いて、ＮｉＦｅ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＰ等の合金をめっきすることにより、バンプ４８０を形成する。バンプ４８０はプローブ４２０の接触部４２４を構成する。そしてレジスト膜４８１を除去する。尚、バンプ４８０は合金以外の導電材料、例えばＮｉ、Ｐｂ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属で形成してもよい。
【００４７】
次に、図１６（Ｂ２）に示すように、研削や研磨等により犠牲層８２とシード層８１を除去する。尚、研削と研磨以外の方法により犠牲層８２とシード層８１を除去してもよい。また、レジスト膜４８１の除去前に犠牲層８２とシード層８１を除去してもよい。
次に、図１６（Ａ３）に示すように、犠牲膜８５の一部を除去する。具体的には例えば、犠牲膜８５は以下のように除去する。まず、導電層８６の長手方向のバンプ４８０と反対側の近端部を覆うレジスト膜４８２をリソグラフィを用いて形成する。次に、レジスト膜４８１から露出している犠牲膜８５をエッチングにより除去する。除去されずに残存した犠牲膜８５がプローブユニット４の接続部４２９を構成する。
以上説明したプローブユニットの製造方法によれば、プローブユニット４を製造することができる。
【００４８】
尚、バンプ４８０を形成する工程において、所定形状のレジスト膜を形成することにより、電子デバイスの電極の配置に応じてバンプ４８０を配置することができる。具体的には例えば、図１７に示すように通孔４８３ａがスリット８３の配列方向に千鳥状に配列されたレジスト膜４８３を用いてバンプ４８０を形成すれば、スリット８３の配列方向に千鳥状に配列されたバンプ４８０を形成することができる（図１５に示すプローブユニット参照）。
【００４９】
３．電子デバイスの検査方法
図１８は、プローブユニット４を用いた電子デバイスの検査方法を説明するための模式図である。本発明の第四実施例に係る検査システムは、プローブユニット４、プローバ４６０、顕微鏡７０等で構成されている。
【００５０】
プローブユニット４は、プローブ４２０の接触部４２４が電子デバイス５０側を向く姿勢で、弾性部材６４介することなくプローバ４６０に固定されている。具体的には、例えば両面テープ４６６を用いてプローブ４２０の近端部４２８及び基板１０を治具４６２に固定することにより、プローブユニット４はプローバ４６０に固定されている。
【００５１】
プローブ４２０の接触部４２４が電子デバイス５０の電極５２に接触した状態（図１８（Ａ）参照）から、さらにプローブユニット４を電子デバイス５０に相対的に近付けると、図１８（Ｂ）に示すようにプローブ４２０の近端部４２８以外の部分は、弾性変形しながらスリット１２の貫通方向に移動する。このように複数のプローブ４２０の接触部４２４が個々にスリット１２の貫通方向に移動することにより、電極５２の高さにばらつきがあっても、複数のプローブ２２０を対応する電極５２に確実に接触させることができる。
【００５２】
（第五実施例）
１．プローブユニットの構成
図１９は本発明の第五実施例によるプローブユニットを示す模式図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ１９−Ｂ１９線による断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ１９−Ｃ１９線による断面図である。
【００５３】
基板５１０は、所定の断面形状（図１９（Ｂ）参照）を有するガラス基板である。基板５１０には、複数のスリット５１２（図１５（Ａ）参照）が形成されている。尚、基板１０はガラス基板に限定されない。例えば基板１０は、ＳｉＮｘ、ＡｌＮｘ、ＡｌＯｘ等のセラミックス、樹脂で形成してもよい。
【００５４】
プローブ５２０はＮｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属で形成されている。図１５（Ｃ）に示すように、プローブ５２０の長手方向の近端部５２８は接続部５２９を介して基板５１０に固定されている。そしてプローブ５２０は、近端部５２８からスリット５１２の側壁の間を基板５１０の断面形状に沿って伸び、基板５１０から突出している。プローブ５２０の接触部５２４は、基板５１０から突出している部分に配置されている。尚、プローブ５２０の近端部５２８は、接続部５２９を介さず基板５１０に直接固定してよい。
【００５５】
２．プローブユニットの製造方法
図２０から図２３は、プローブユニット５の製造方法を示す模式図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ２０−Ｂ２０線による断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ２０−Ｃ２０線による断面図である。
【００５６】
はじめに、プローブユニット５の基板５１０を構成する基板５８０の第一面５８０ａに、滑らかな内壁面を有する凹部５８１を形成する（図２０（Ｂ２）、（Ｃ２）参照）。具体的には例えば、凹部５８１は以下のように形成する。まず、図２０（Ｂ１）、（Ｃ１）に示すように、凹部５８１の形状に対応する凹部５８２ａを有するレジスト膜５８２を基板５８０の第一面５８０ａ上に形成する。一般に任意の凹凸を有するレジスト膜は、グレーマスクを用いることにより形成可能である。次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を用いてレジスト膜５８２の凹部５８２ａの形状を基板５８０に転写する。基板５８０の厚さは２ｍｍ程度が望ましく、凹部５８１の中央の深さは５０〜１００μｍであることが望ましい。尚、凹部５８１は、切削加工やサンドブラスト等の機械加工を用いて形成してもよい。
【００５７】
次に、図２０（Ｂ３）に示すように、基板５８０の凹部５８１の形成面上にシード層５８３を形成する。
次に、シード層５８３上に犠牲層５８４を形成する。具体的には例えば、Ｃｕの犠牲層５８４は電解めっきにより形成することができる。尚、犠牲層５８４は、Ｓｎ等の低融点金属、樹脂等で形成してもよい。また犠牲層５８４は、電解めっき以外の方法、例えば無電解めっき、スパッタ等で形成してもよい。
【００５８】
次に、図２１（Ｂ４）に示すように、研磨加工などにより犠牲層５８４の表面を平坦化する。
次に、図２１（Ａ５）に示すように、基板５８０にスリット５８５を形成する。具体的には例えば、スリット５８５は以下のように形成する。まず、第一面５８０ａの裏面である基板５８０の第二面５８０ｂ上に、基板５８０の第二面５８０ｂのスリット５８５を形成する部位を露出させるレジスト膜５８６を、リソグラフィを用いて形成する。次に、レジスト膜５８６をマスクとして用いて、基板５８０のレジスト膜５８６から露出する部分を異方性エッチングにより除去することにより、基板５８０に複数のスリット５８５を形成する。
【００５９】
次に、図２１（Ｃ６）に示すように、スリット５８５の側壁に自己整合的に犠牲膜５８７を形成する。具体的には例えば、基板５８０の第二面５８０ｂ上とスリット５８５の内壁面上に厚さ０．５μｍのＣｕ層をＣＶＤやスパッタ等で成膜することにより犠牲膜５８７を形成する。
次に、自己整合的に形成した犠牲膜５８７をマスクとして用いた電解めっきにより、プローブユニット５のプローブ５２０を構成する導電層５８８を形成する。尚、導電層５８８は、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属で形成してもよいし、ＮｉＦｅ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＰ等の合金で形成してもよい。また犠牲膜５８７は、電解めっき以外の方法、例えばＣＶＤ等で形成してもよい。
【００６０】
次に、図２２（Ｂ７）に示すように、サンドブラスト加工、ルータ加工等を用いて、基板５８０と導電層５８８の断面形状を成形する。これによりプローブ５２０が形成される。
次に、導電層５８８の長手方向の近端部５８８ａが基板５８０から突出するように、基板５８０の２次元形状を成形することにより、プローブユニット５の基板５１０を形成する（図２２（Ｂ９）参照）。具体的には例えば、基板５８０の２次元形状は以下のように成形する。まず、図２２（Ａ８）に示すように基板５８０の除去する部位を露出させるレジスト膜５８９を形成する。次に、基板５８０のレジスト膜５８９から露出する部分を異方性エッチングにより除去する。そしてレジスト膜５８９を除去する。
【００６１】
次に、図２３（Ｂ１０）に示すように、例えばルータ加工や放電加工等を用いて犠牲層５８４とシード層５８３を除去する。
次に、近端部５８８ａと反対側の導電層５８８の近端部５８８ｂと基板５８０との間に形成されている犠牲膜５８７を残存させて、犠牲膜５８７を除去する（図２３（Ｂ１１）参照）。具体的には例えば、犠牲膜５８７は以下のように除去する。まず、導電層５８８の近端部８８６ｂを覆うレジスト膜５９０をリソグラフィを用いて形成する。そしてレジスト膜５９０から露出する犠牲膜５８７をエッチングにより除去する。残存しているシード層８１がプローブユニット５の接続部５２９に相当する。
【００６２】
３．電子デバイスの検査方法
図２４は、プローブユニット５を用いた電子デバイスの検査方法を説明するための模式図である。
本発明の第五実施例に係る検査システムは、プローブユニット５を除き、本発明の第四実施例に係る検査システムと実質的に同一である。プローブユニット５を用いた電子デバイスの検査では、基板５８０から突出しているプローブ５２０の接触部５２４を電子デバイス５０の電極５２に接触させる。
【００６３】
（第六実施例）
１．プローブユニットの構成
図２５は本発明の第六実施例によるプローブユニットを示す模式図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ２５−Ｂ２５線による断面図である。
【００６４】
基板６１０には、複数のスリット６１２に連通する開口部６１６が形成されている。
プローブ６２０の長手方向の近端部６２０ａは、接続部６２９を介して基板６１０に固定されている。そしてプローブ６２０は、近端部６２０ａからスリット６１２の側壁に案内されて伸び、開口部６１６に突出している。プローブ６２０の接触部６２４は、プローブ６２０の開口部６１６に突出している部分に配置されている。このように複数のプローブ６２０を複数方向から開口部６１６に突出させることにより、複数のプローブ６２０の接触部６２４を様々に配置することができる。この結果、プローブユニット６を用いた電子デバイスの検査では、電子デバイスの複数の電極に一度に導通することができる（図２６参照）。
【００６５】
２．プローブユニットの製造方法
はじめに、図２７（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、二列に配列された凸部６８１を基板６８０に形成する。具体的には例えば、凸部６８１は以下のように形成する。まず、基板６８０の凸部６８１を形成する部位を覆うレジスト膜６８２を形成する。そしてレジスト膜６８２から露出する基板６８０を異方性エッチングすることにより、基板６８０に凸部６８１を形成する。
【００６６】
次に、図２７（Ｂ２）に示すように、基板６８０の凸部６８１が形成されている第一面６８０ａ上にシード層６８３をＣＶＤやスパッタ等により形成する。
次に、図２７（Ｂ３）に示すように、シード層６８３上に犠牲層６８４を形成する。具体的には例えば、犠牲層６８４は以下のように形成する。まず、電解めっきによりシード層６８３上にＣｕ層を形成する。そしてＣｕ層の表面をＣＭＰ等により研磨することにより平坦化する。これによりＣｕの犠牲層６８４がシード層６８３上に形成される。尚、尚、犠牲層８２は、Ｓｎ等の低融点金属、樹脂等で形成してもよい。また、犠牲層８２は電解めっき以外の方法、例えば無電解めっき、スパッタ等で形成してもよい。
【００６７】
次に、図２８（Ａ４）、（Ｂ４）に示すように、基板６８０の凸部６８１をそれぞれに含む複数の矩形領域を除去することにより、二列に配列されたスリット６８５を基板６８０にリソグラフィを用いて形成する。スリット６８５は、プローブユニット６のスリット６１２を構成する。具体的には例えば、スリット６８５は以下のように形成する。まず、第一面６８０ａの裏面である基板６８０の第二面６８０ｂ上に、基板６８０の第二面６８０ｂのスリット６８５を形成する部位を露出させるレジスト膜６８６をリソグラフィを用いて形成する。そして図２８（Ｃ３）に示すように、レジスト膜８４をマスクとして用いて、基板８０のレジスト膜８４から露出する部分を異方性エッチングにより除去することにより、基板８０に複数のスリット６８５を形成する。基板６８０の凸部６８１が除去されるため、スリット６８５から露出する犠牲層６８４には凸部６８１を転写した凹部６８４ａが形成される。
【００６８】
次に、図２８（Ｂ５）に示すように、スリット６８５の側壁に自己整合的に犠牲膜６８７を形成する。具体的には例えば、基板６８０の第二面６８０ｂ上とスリット６８５の内壁面上に厚さ０．５μｍのＣｕ層をＣＶＤやスパッタ等で成膜することにより犠牲膜６８７を形成する。
【００６９】
次に、自己整合的に形成した犠牲膜６８７をマスクとして用いた電解めっきにより、導電層６８９を形成する。導電層６８９はプローブユニット６のプローブ６２０に相当し、導電層６８９の凹部６８４ａ内に形成されている部分はプローブ６２０の接触部６２４に相当する。
次に、図２８（Ｂ６）に示すように、導電層６８９と犠牲膜６８７をＣＭＰ等で研磨することにより、基板６８０と犠牲膜６８７と導電層６８９とを平坦化するとともに、基板６８０の第二面６８０ｂを犠牲膜６８７から露出させる。
【００７０】
次に、図２９（Ａ７）に示すように、二列に配列されている導電層６８９の対向する複数の近端部６８９ａが突出する開口部６９０を基板６８０に形成する。具体的には例えば、開口部６９０は以下のように形成する。まず、基板６８０の開口部６９０を形成する部位を露出させるレジスト膜６９１を基板６８０の第二面６８０ｂ上に形成する。次に、基板６８０のレジスト膜６９１から露出する部分を除去することにより、基板６８０に開口部６９０を形成する。そしてレジスト膜６９１を除去する。
【００７１】
次に、図２９（Ｂ８）に示すように、ルータ加工や放電加工等により、犠牲層６８４とシード層６８３を除去する。
次に、図２９（Ａ９）に示すように、犠牲膜６８７の一部を除去することにより、プローブ６２０の可動部を形成する。具体的には例えば、犠牲膜６８７は以下のように除去する。まず、近端部６８９ａと反対側の導電層６８９の近端部６８９ｂとスリット６８５の側壁との間に形成されている犠牲膜６８７の近傍を覆うレジスト膜６９２を基板６８０上に形成する。次に、レジスト膜６９２から露出する犠牲膜６８７を除去する。これによりプローブ６２０の可動部が形成される。そしてレジスト膜６９２を除去する。
以上説明した製造方法によれば、プローブユニット６を製造することができる。
【００７２】
（第七実施例）
１．プローブユニットの構成
図３０は本発明の第七実施例によるプローブユニットを示す模式図である。（Ｂ）は（Ａ）のＢ３０−Ｂ３０線による断面図である。
本発明の第七実施例によるプローブユニット７の基板７１０には、複数列に配列されたスリット７１２が形成されている。
複数のスリット７１２には、本発明の第四実施例に係るプローブ４２０と実施的に同一のプローブ７２０が接続部７２９を介して固定されている。
このように複数のプローブ７２０を複数列に配列することにより、複数のプローブ６２０の接触部７２４を様々に配置することができる。そのためプローブユニット７を用いた電子デバイスの検査では、複数の電極に一度に導通することができる。尚、プローブユニット７を用いた検査システムは、本発明の第六実施例に係る検査システムと実質的に同一である（図２６参照）。
【００７３】
２．プローブユニットの製造方法
図３１と図３２は、プローブユニット７の製造方法を示す模式図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ３１−Ｂ３１線による断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ３１−Ｃ３１線による断面図である。
はじめに、３層からなる複合基板７８０に、リソグラフィを用いて二列に配列した複数の通孔７８４を形成する。通孔７８４は、複合基板７８０の第三層７８３と第二層７８２を貫通し、第一層７８１を露出させている。具体的には例えば、通孔７８４は以下のように形成する。まず、第三層７８３の通孔７８４を形成する部位を露出させるレジスト膜７８５を第三層７８３上にリソグラフィを用いて形成する。次に、レジスト膜７８５から露出する第三層７８３と第二層７８２を異方性エッチングにより除去することにより、複合基板７８０に通孔７８４を形成する。そして、レジスト膜７８５を除去する。
【００７４】
次に、通孔７８４と同様にリソグラフィを用いて、二列に配列した複数のスリット７８６を第三層７８３に形成する。複数のスリット７８６は、それぞれに第二層７８２を貫通している通孔７８４から第一層７８１が露出するように形成する。スリット７８６は、プローブユニット７のスリット７１２を構成する。
【００７５】
次に、通孔７８４とスリット７８６が形成されている側の第一層７８１と第二層７８２と第三層７８３の表面に、自己整合的に犠牲膜７８７を形成する。具体的には例えば、犠牲膜７８７は以下のように形成する。まず、通孔７８４とスリット７８６が形成されている側の第一層７８１と第二層７８２と第三層７８３の表面に、スパッタ等でシード層を形成する。シード層は例えばＣｕ膜である。
【００７６】
次に、犠牲膜７８７をマスクとして用いためっきにより、通孔７８４とスリット７８６を埋没させる導電層７８８を形成する。導電層７８８がプローブユニット７のプローブ７２０に相当し、導電層７８８の通孔７８４内に形成された部分がプローブ７２０の接触部７２４に相当する。
次に、導電層７８８と犠牲膜７８７をＣＭＰ等で研磨することにより、第三層７８３と犠牲膜７８７と導電層７８８を平坦化するとともに、第三層７８３を犠牲膜７８７から露出させる。
【００７７】
次に、犠牲膜７８７の一部を除去することにより、プローブ７２０の可動部７２２を形成する（図３２（Ａ６）参照）。具体的には例えば、犠牲膜７８７は以下のように除去する。まず、図３２（Ａ５）に示すように、導電層７８８の長手方向外側の近端部７８８ａと第三層７８３との間に形成されている犠牲膜７８７の近傍を覆うレジスト膜７８９を第三層７８３上に形成する。次に、図３２（Ａ６）に示すように、レジスト膜７８９から露出する犠牲膜７８７を除去する。これによりプローブ７２０の可動部７２２が形成される。そしてレジスト膜７８９を除去する。
【００７８】
次に、複合基板７８０の２次元形状を成形し、第一層７８１と第二層７８２を除去する。以上説明したプローブユニットの製造方法によれば、プローブユニット７を製造することができる。
【００７９】
（第八実施例）
１．プローブユニットの構成
図３３は本発明の第八実施例によるプローブユニットを示す模式図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ３３−Ｂ３３線による断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ３３−Ｃ３３線による断面図である。
【００８０】
本発明の第八実施例によるプローブユニット８は、基板８１０とプローブ８２０の形状を除き、本発明の第五実施例によるプローブユニット５と実質的に同一である。
図３３（Ｂ）に示すように、基板８１０の断面形状は波形状である。
プローブ８２０の長手方向の近端部８２８は接続部８２９を介して基板８１０に固定されている。そしてプローブ８２０は、近端部８２８からスリット８１２の側壁の間を基板８１０の波形状に沿って蛇行し、基板８１０から突出している。プローブ８２０の接触部８２４はプローブ８２０の先端である。
【００８１】
２．プローブユニットの製造方法
図３４から図４０は、プローブユニット８の製造方法を示す模式図である。図３４から図３８の（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ３１−Ｂ３１線による断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ３４−Ｃ３４線による断面図である。図３９と図４０の（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ３９−Ｂ３９線による断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ３９−Ｃ３９線による断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＤ３９−Ｄ３９線による断面図である。
【００８２】
はじめに、プローブ８２０の長手方向の断面形状に対応する波形状を基板８８０に形成する（図３４（Ｂ２）参照）。具体的には例えば、以下のように基板８８０に波形状を形成する。まず、図３４（Ｂ１）に示すように、表面に波形状を有するレジスト膜８００をグレーマスクを用いて形成する。次に、ＲＩＥを用いてレジスト膜８００の形状を基板８８０に転写する。より具体的には、基板８８０が厚さ２ｍｍのガラス基板に、最厚部と最薄部の厚さの差が５０μｍ〜１００μｍ、すなわち高低差が５０μｍ〜１００μｍの波形状を形成する。尚、基板８８０の波形状は、切削加工、サンドブラスト加工等の機械加工を用いて形成してもよい。
【００８３】
次に、図３５（Ｂ３）に示すように、基板８８０の波形状を形成した第一面８８０ａ上に犠牲層８８１を形成する。具体的には例えば、犠牲層８８１は以下のように形成する。まず、基板８８０の第一面８８０ａ上にスパッタ等によりシード層８８２を形成する。次に、シード層８８２上に犠牲層８８１を電解めっきで形成する。尚、犠牲層８８１は電解めっき以外の方法で形成してもよい。
【００８４】
次に、図３５（Ｂ４）に示すように、犠牲層８８１をＣＭＰ等で研磨することにより、犠牲層８８１の表面を平坦化する。
次に、図３６（Ａ５）に示すように、プローブユニット８のスリット８１２を構成するスリット８８３を、基板８８０にリソグラフィを用いて形成する。具体的には例えば、スリット８８３は以下のように形成する。まず、第一面８８０ａの裏面である基板８８０の第二面８８０ｂ上に、基板８８０のスリット８８３を形成する部位を露出させるレジスト膜８８４を、リソグラフィを用いて形成する。次に、レジスト膜８８４から露出する基板８８０を異方性エッチングにより除去することにより、基板８８０にスリット８８３を形成する。
【００８５】
次に、スリット８８３の側壁に犠牲膜８８５を自己整合的に形成する（図３７（Ｂ７）参照）。具体的には例えば、犠牲膜８８５は以下のように形成する。まず、図３６（Ｂ６）に示すように、スリット８８３から露出するシード層８８２と基板８８０の表面にプラズマＣＶＤやスパッタ等によりＳｉＯｘ膜を成膜する。ＳｉＯｘ膜は１μｍ程度が望ましい。そして、図３７（Ｂ７）に示すように、異方性エッチングを用いてスリット８８３外のＳｉＯｘ膜とスリット８８３から露出するシード層８８２上のＳｉＯｘ膜を除去することにより、スリット８８３の側壁のみに犠牲膜８８５を残存させる。これによりスリット８８３の側壁にＳｉＯｘの犠牲膜８８５が形成される。
【００８６】
次に、図３７（Ｂ８）に示すように、スリット８８３から露出するシード層８８２上に基板８８０の波形状に沿って蛇行する導電層８８６をする。導電層８８６はプローブユニット８のプローブ８２０を構成する。具体的には例えば、電解めっきによりシード層８８２上に２０μｍのＮｉ膜を成膜することにより、Ｎｉの導電層８８６を形成する。このように基板８８０の表面形状を転写することにより様々な形状のプローブを形成することができる。
【００８７】
次に、図３８（Ｂ９）に示すように、導電層８８６の長手方向の近端部８８６ａを成形することにより、プローブ８２０の接触部８２４を形成する。具体的には例えば、研削加工、研磨加工、ルータ加工、サンドブラスト加工等を用いて、導電層８８６の近端部８８６ａの一部を基板８８０及び犠牲層８８１とともに除去することにより、導電層８８６の近端部８８６ａを成形する。導電層８８６の近端部８８６ａ側の先端がプローブ８２０の接触部８２４である。
【００８８】
次に、図３８（Ｂ１０）に示すように、導電層８８６の近端部８８６ａと反対側の近端部８８６ｂを基板８８０から突出させる。具体的には例えば、まず、導電層８８６の近端部８８６ｂ近傍の基板８８０を露出させるレジスト膜８８７を形成する。そして、導電層８８６の近端部８８６ｂが基板８８０から突出するまで、レジスト膜８８７から露出する基板８８０の表面をエッチングすることにより、導電層８８６の近端部８８６ｂ近傍の基板８８０を薄肉化する。
【００８９】
次に、図３９（Ｂ１１）に示すように、プローブ８２０の接触部２４が基板８８０から突出するように、基板８８０の二次元形状を成形する。具体的には例えば、基板８８０の二次元形状は以下のように成形する。まず、基板８８０の除去する部位を露出させるレジスト膜８８８を形成する。次に、基板８８０のレジスト膜８８８から露出する部分を異方性エッチングにより除去する。そして、レジスト膜８８８を除去する。
【００９０】
次に、図３９（Ａ１２）に示すように、犠牲膜８８５の一部を除去することにより、プローブ８２０の可動部８２２を形成する。具体的には例えば、犠牲膜８８５は以下のように除去する。まず、導電層８８６の近端部８８６ｂとスリット８８３の側壁の間に形成されている犠牲膜８８５近傍を覆うレジスト膜８８９を基板８８０上に形成する。次に、レジスト膜８８９から露出する犠牲膜８８５を除去する。これによりプローブ８２０の可動部８２２が形成される。そしてレジスト膜８８９を除去する。
【００９１】
次に、図４０（Ａ１３）に示すように、ダイサー加工やルータ加工等を用いて基板８８０の二次元形状を成形し、図４０（Ｂ１４）に示すように、犠牲層８８１とシード層８８２を除去する。
以上説明したプローブユニットの製造方法によれば、プローブユニット８を製造することができる。
【００９２】
３．電子デバイスの検査方法
図４１は、プローブユニット８を用いた電子デバイスの検査方法を説明するための模式図である。検体としての電子デバイス５０の検査システムは、プローブユニット８、プローバ８６０、顕微鏡７０等で構成されている。プローブユニット８は、プローブ８２０の延伸方向が鉛直下向きになる姿勢で、プローバ８６０の治具８６２に固定されている。
【００９３】
プローブ８２０の接触部８２４が電子デバイス５０の電極５２に接触した状態（図４１（Ａ）参照）から、プローブユニット８を電子デバイス５０に相対的にさらに近付けると、蛇行しているプローブ８２０は伸縮する（図４１（Ｂ）参照）。このように複数のプローブ８２０の接触部８２４が電子デバイス５０の電極５２との接触圧に応じて個々に伸縮することにより、電極５２の高さにばらつきがあっても、複数のプローブ８２０を対応する電極５２に確実に接触させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】第一実施例によるプローブユニットを示す模式図。
【図２】第一実施例によるプローブユニットを示す模式図。
【図３】第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図４】第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図５】第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図６】第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図７】第一実施例に係る電子デバイスの検査方法を説明するための模式図。
【図８】第二実施例によるプローブユニットを示す模式図。
【図９】第二実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図１０】第二実施例に係る電子デバイスの検査方法を説明するための模式図。
【図１１】第三実施例によるプローブユニットを示す模式図。
【図１２】第三実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図１３】第三実施例に係る電子デバイスの検査方法を説明するための模式図。
【図１４】第四実施例によるプローブユニットを示す模式図。
【図１５】第四実施例によるプローブユニットの変形例を示す模式図。
【図１６】第四実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図１７】第四実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図１８】第四実施例に係る電子デバイスの検査方法を説明するための模式図。
【図１９】第五実施例によるプローブユニットを示す模式図。
【図２０】第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図２１】第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図２２】第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図２３】第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図２４】第五実施例に係る電子デバイスの検査方法を説明するための模式図。
【図２５】第六実施例によるプローブユニットを示す模式図。
【図２６】第六実施例に係る電子デバイスの検査方法を説明するための模式図。
【図２７】第六実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図２８】第六実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図２９】第六実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図３０】第七実施例によるプローブユニットを示す模式図。
【図３１】第七実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図３２】第七実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図３３】第八実施例によるプローブユニットを示す模式図。
【図３４】第八実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図３５】第八実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図３６】第八実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図３７】第八実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図３８】第八実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図３９】第八実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図４０】第八実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図４１】第八実施例に係る電子デバイスの検査方法を説明するための模式図。
【符号の説明】
【００９５】
１〜８：プローブユニット、１０、５１０、６１０、７１０、８１０：基板、１２、５１２，６１２、７１２、８１２：スリット、１４：通孔（保持ユニット）、２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０、７２０、８２０：プローブ、２２、２２２、３２２、４２２、７２２、８２２：可動部、２４、２２４、３２４、４２４、５２４、６２４、７２４、８２４：接触部、２６、２２６、３２６：通孔（保持ユニット）
３０：ピン（保持ユニット）、５０：電子デバイス（検体）、５２：電極、６４：弾性部材（付勢ユニット）、８０、５８０、６８０、８８０：基板、８３、５８５、６８５、７８６：スリット、８５、５８７、６８７、７８７、８８５：犠牲膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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