(57)【要約】【課題】  気相成膜の際に異常放電が起こり難く均一な組成を有するＲｕ合金ターゲットとその製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明のＲｕ合金ターゲットは、組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表されることを特徴とする。また、このターゲットの製造方法は、混合体における組成比を組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される金属元素を示す）で表した場合、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属粉末とＲｕ粉末とを上記金属粉末の組成比ｘが０．０５〜０．３０で残部がＲｕ粉末となるように混合し、かつこの混合体をホットプレス法により１５００℃以上１８００℃以下の条件で焼結した後、この焼結体を水素プラズマで熔解することを特徴とする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表されることを特徴とするＲｕ合金ターゲット。
【請求項２】
請求項１記載のＲｕ合金ターゲットの製造方法において、
以下の混合体における組成比を組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される金属元素を示す）で表した場合、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属粉末とＲｕ粉末とを上記金属粉末の組成比ｘが０．０５〜０．３０で残部がＲｕ粉末となるように混合し、かつ、この混合体をホットプレス法により１５００℃以上１８００℃以下の条件で焼結した後、この焼結体を水素プラズマで熔解することを特徴とするＲｕ合金ターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング成膜等気相成膜法に用いられるＲｕ合金ターゲットに係り、特に、色素増感型太陽電池や半導体における金属電極の形成に好適に利用されるＲｕ合金ターゲットの改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
色素増感型太陽電池はスイスのグレツェル等が開発したもので、光電変換効率が高く、製造コストが安い等の利点があり、新しいタイプの太陽電池として注目を集めている（非特許文献１参照）。
【０００３】
図１は、色素増感型太陽電池の一例を示すものである。ガラスや有機樹脂等から成る基板（図示せず）の一面には透明導電膜１が形成されている。また、この透明導電膜１上には酸化チタン等の酸化物半導体微粒子から成る多孔質半導体膜２が形成され、その上に有機色素３が担持されて光電極４を構成している。
【０００４】
他方、上記光電極４の対極となる金属電極５は、光電極４に対向して配置された基板（図示せず）上の光電極４側に設けられた金属膜６にて構成されており、上記光電極４と金属電極５との間にはヨウ素／ヨウ素イオン等のレドックス対を含む非水溶液から成る電解液が封入されてヨウ素系電解質７を構成している。
【０００５】
そして、この色素増感型太陽電池においては、太陽光等の光が光電極４の透明導電膜１側から入射されると、透明導電膜１と金属電極５との間に起電力が生じる。
【０００６】
尚、この色素増感型太陽電池において、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等の酸化物半導体微粒子で構成される多孔質半導体膜２は、光増感用の有機色素３の坦持量を高めるために多孔質となっており、上記酸化物半導体微粒子が分散された分散液を塗布し、焼成する等の方法によって作製されている。
【０００７】
そして、有機色素で増感された酸化物半導体が適用された色素増感型太陽電池としては、例えば、金属酸化物半導体の表面に遷移金属錯体等の分光増感色素層を有するもの（特許文献１参照）、金属イオンをドープした酸化チタン半導体層の表面に遷移金属錯体等の分光増感色素層を有するもの（特許文献２参照）等が知られている。
【０００８】
また、上記金属電極５の金属膜６として、特許文献３に、金、銀、プラチナ等の貴金属、ニッケル、アルミニウム、鉄、亜鉛等の一般金属、更に、銀とプラチナの合金、金と銀合金や銀／プラチナ積層膜または金／銀積層膜等が挙げられ、また、金属膜の成膜方法として気相成膜法、特に、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法等が挙げられている。
【０００９】
ところで、色素増感型太陽電池において金属電極５の上記金属膜６は、構造上、ヨウ素系電解質７に接触することから、上記金属膜６を白金（プラチナ）以外の金属で構成した場合、その金属膜６はヨウ素系電解質７のヨウ素イオンで溶解してしまうため、特許文献３に挙げられた金属膜材料として白金以外は現実的に使用できない問題があった。
【００１０】
また、上述した銀／プラチナ積層膜等の白金（プラチナ）を最表面とした積層膜においても、ピンホールを無くすことが現実的には困難なことから白金膜の下側に位置する金属が溶解してしまう問題があった。
【００１１】
一方、白金（プラチナ）等の貴金属はガラスや有機樹脂との密着性が低いため、白金等の貴金属をガラスや有機樹脂から成る基板上に直接成膜した場合、その金属膜が基板から剥離し易いといった問題を有していた。
【００１２】
このため、従来においては、ガラスや有機樹脂から成る基板上に密着性を改善させるフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）やインジウムドープ酸化錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜を形成し、この透明導電膜を介し白金（プラチナ）等の貴金属を成膜する方法が採られている。
【００１３】
しかし、上記ＦＴＯやＩＴＯは高価な材料のため、その分、金属電極が高額となる別の問題があり、また、高い特性を得るためには基板温度を２００℃〜３００℃程度にする必要があり、有機樹脂（プラスチック）から成る基板の適用が困難となる問題があった。
【００１４】
このような技術的背景の下、本発明者は、組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表される合金により金属電極を構成することで、ヨウ素イオンに溶解せず基板との密着性も良好な色素増感型太陽電池用の金属電極を既に提案している（特願２００４−３５０８４０号明細書参照）。
【特許文献１】特開平１−２２０３８０号公報
【特許文献２】特表平５−５０４０２３号公報
【特許文献３】特開２００３−１２３８５７号公報
【非特許文献１】O' Regan, Brian、Graetzel, Michael 著 Nature (London, United Kingdom) VOL. 353（1991年）、Nature Publishing Group 発行、738頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表される上記金属電極をスパッタリング等の気相成膜法により形成する場合、スパッタリング成膜に用いられるＲｕ合金ターゲットを調製することが難しい課題が存在した。
【００１６】
すなわち、Ｒｕ合金ターゲットの調製法としては、一般的に焼結法や熔解法が考えられる。そして、上記焼結法でＲｕ合金ターゲットを調製した場合、このターゲットはＲｕとＴａ、Ｔｉ、Ｈｆの混合相ターゲットとなる。しかし、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆが酸化され易い金属であることから、混合相ターゲットでは酸化物が生成し易く、スパッタリング成膜の際に酸化物がチャージアップして異常放電を引き起こし易い問題があった。
【００１７】
一方、熔解法で調製しようとすると、ＲｕやＴａ、Ｔｉ、Ｈｆの融点が高いため真空熔解等では熔解が困難である。また、プラズマ熔解やＥＢ熔解を用いた場合、ビームの照射部は熔解するが、水冷銅坩堝等に接する面からの冷却が激しいため全面溶解させることが難しく、均一なＲｕ合金ターゲットを得ることが難しい問題があった。
【００１８】
このようにＲｕ合金ターゲットを調製することが困難なため、組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表される金属電極を形成するには、Ｒｕターゲット上にＴａ、ＴｉあるいはＨｆの金属チップを置いたスパッタリング成膜により行わざるを得ないことから、金属電極における組成分布のばらつきが大きい問題が存在した。
【００１９】
本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、気相成膜の際に異常放電が起こり難く、均一な組成を有するＲｕ合金ターゲットとその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
このような課題を解決するため本発明者はＲｕ合金の熱力学的な検討を行った。
【００２１】
まず、組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される金属元素を示す）で表され、かつ、ｘが０．０５以上０．３０以下の場合、Ｒｕと上記金属元素を合金化するとその合金の融点がＲｕの融点よりも低下する点に着目した。
【００２２】
そこで、熔解させる前に固相反応によりＲｕとＴａ、Ｔｉ、Ｈｆの合金相が生成する条件を鋭意検討したところ、ＲｕとＴａ、ＴｉあるいはＨｆの原料粉末を一度混合した後にホットプレス法により真空中で１５００℃以上１８００℃以下の温度で焼結した場合、完全ではないが部分的に上記合金相が生成することを見出した。本発明はこのような技術的発見により完成されている。
【００２３】
すなわち、請求項１に係る発明は、
Ｒｕ合金ターゲットを前提とし、
組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表されることを特徴とする。
【００２４】
また、請求項２に係る発明は、
請求項１記載のＲｕ合金ターゲットの製造方法を前提とし、
以下の混合体における組成比を組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される金属元素を示す）で表した場合、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属粉末とＲｕ粉末とを上記金属粉末の組成比ｘが０．０５〜０．３０で残部がＲｕ粉末となるように混合し、かつ、この混合体をホットプレス法により１５００℃以上１８００℃以下の条件で焼結した後、この焼結体を水素プラズマで熔解することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１に係るターゲットは、組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表されるＲｕ合金ターゲットで構成されるため、このターゲットを用いてスパッタリング等気相成膜法により色素増感型太陽電池や半導体における金属電極を形成する場合、異常放電が起こり難く、かつ、均一な組成を有する金属電極を形成できる効果を有している。
【００２６】
また、請求項２に係るＲｕ合金ターゲットの製造方法によれば、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される金属粉末とＲｕ粉末との混合体をホットプレス法により１５００℃以上１８００℃以下の条件で焼結した後、この焼結体を水素プラズマで熔解するため、気相成膜の際に異常放電が起こり難く、しかも均一な組成を有するＲｕ合金ターゲットを製造できる効果を有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明に係るＲｕ合金ターゲットとその製造方法について詳細に説明する。
【００２８】
上述した色素増感型太陽電池においてヨウ素イオンに溶解せず基板との密着性も良好な金属電極を形成するには、組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表される合金により金属電極を構成することが好ましい。ここで、上記組成式Ｒｕ１−ｘＡｘにおいて、ｘが０．０５未満であるとガラス等の基板との密着性が悪くなり、他方、ｘが０．３０を越えるとヨウ素イオンに対する耐久性が低下するため、組成式Ｒｕ１−ｘＡｘにおいて、ｘは０．０５以上０．３０以下であることを要する。
【００２９】
そして、組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表される合金にて構成される金属電極をスパッタリング等の気相成膜法により形成する場合、金属電極と同一組成のＲｕ合金ターゲットを用いて形成することが望ましい。
【００３０】
ところで、このようなターゲットを調製する方法としては、上述したように焼結法や熔解法が考えられる。そして、焼結法でＲｕ合金ターゲットを調製した場合、このターゲットはＲｕとＴａ、Ｔｉ、Ｈｆの混合相ターゲットになるため、スパッタリング等の気相成膜の際にチャージアップして異常放電を引き起こし易い問題があり、熔解法で調製しようとすると、ＲｕやＴａ、Ｔｉ、Ｈｆの融点が高いため均一なＲｕ合金ターゲットを得ることが難しい問題が存在した。
【００３１】
一方、組成式Ｒｕ１−ｘＡｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される金属元素を示す）で表され、かつ、ｘが０．０５以上０．３０以下の場合、Ｒｕと上記金属元素を合金化するとその合金の融点がＲｕの融点よりも低下する点に本発明者は着目した。
【００３２】
そこで、熔解させる前に固相反応によりＲｕとＴａ、Ｔｉ、Ｈｆの合金相が生成する条件を鋭意検討したところ、ＲｕとＴａ、ＴｉあるいはＨｆの原料粉末を一度混合した後にホットプレス法により真空中で１５００℃以上１８００℃以下の温度で焼結した場合、完全ではないが部分的に上記合金相が生成することを見出した。
【００３３】
このときに、焼結温度が１５００℃未満では合金相が得られず、焼結体の相対密度も７５％以下と低いことが確認されている。一方、１８００℃を越えると、ホットプレスの型材であるカーボンとＲｕが反応するため、不純物の混入や焼結体をホットプレスの型から取り出し難くなり好ましくない。その後、水素プラズマ炉に上記焼結体を入れて熔解し、更に、熔解物を裏返して再度熔解させることにより均一な合金が得られる。
【００３４】
尚、通常のＡｒプラズマではプラズマ温度が低く熔解部分が小さくなるため、水素添加することを要する。
【００３５】
以下、本発明の実施例について具体的に説明する。
【００３６】
尚、「純度３Ｎ」は純度９９．９％を示す。
【実施例１】
【００３７】
Ｒｕ粉末とＴｉ粉末における混合体の組成比を組成式Ｒｕ１−ｘＴｉｘにより表した場合にｘが０．０８、０．１５および０．２５となるように、Ｒｕ粉末（フルヤ金属社製、純度３Ｎ）とＴｉ粉末（高純度化学社製  TIE11PB：純度３Ｎ、粒径１０μｍ）を適量秤量し、かつ、乾式ボールミルで１時間混合した後、混合体を内径６０ｍｍのカーボン型に詰めて真空ホットプレス（大亜真空社製）に入れ、１．５×１０−２Ｐａまで真空引きを行うと共に、昇温速度１０℃／ｍｉｎで１７００℃まで加熱した。尚、面圧として２０ＭＰａ印加し、１７００℃で１時間保持し、混合体の焼結を行った。
【００３８】
得られた焼結体をＸ線回折で測定した結果、金属Ｔｉのピークは確認されなかった。尚、焼結体における相対密度（焼結密度）の測定結果を表１に示す。
【００３９】
次に、得られた焼結体を冷銅ハースに置き、炉内をＡｒガスで置換した後、水素含有プラズマ作動ガスにより炉内圧をそれぞれ調節しながらプラズマアーク熔解を３０分行い、かつ、冷却後裏返して３０分の計６０分間行い、直径７８ｍｍ、厚さ約７ｍｍの３種類（すなわち、上記混合体の組成比ｘが０．０８、０．１５、０．２５に対応する３種類）のＲｕ合金インゴットを調製した。
【００４０】
そして、これ等インゴットの上下面をワイヤーカットで切断し、厚さ３．５ｍｍの実施例１に係る３種類のＲｕ合金ターゲットを調製した。
【００４１】
また、各Ｒｕ合金ターゲットの中心とその左右１ｃｍの計３点をグロー放電質量分析装置で分析したところ、合金組成は均一であった。尚、この結果を表１に示す。
【００４２】
次に、実施例１に係る３種類のＲｕ合金ターゲットをマグネトロンＲＦスパッタリング装置（アネルバ社製  ＳＰＦ２１０Ｈ）にそれぞれ取り付けて基板上に成膜した。すなわち、ロータリーポンプで２Ｐａまで引きかつクライオポンプで４×１０−４Ｐａまで真空に引いた後、Ａｒガスを入れ、スパッタリング圧力０．１２Ｐａ、ＤＣ１００Ｗの条件で放電させた。そして、上記Ｒｕ合金ターゲットを取り付け、約２０分間プリスパッタを行ってターゲットの表面層を除去した後、基板上に成膜した。尚、上記基板には、スライドガラス（MATUNAMI GLASS社製  Ｓ−１１１１）を用いた。また、得られるＲｕ合金膜の膜厚が約２００ｎｍとなるように成膜を行った。尚、成膜中の異常放電はなかった。
【００４３】
そして、基板の中心とその左右１０ｃｍの位置の３点で合金膜の組成をＸ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ：Electron Probe Micro-Analyzer）で測定したところ、膜組成は一定であった。この結果も表１に示す。
【実施例２】
【００４４】
組成式Ｒｕ１−ｘＴｉｘのＴｉをＴａに変えた以外は実施例１と同様に行い、実施例２に係る３種類のＲｕ合金ターゲットを調製すると共にこれ等ターゲットを用い実施例１と同様の条件により基板上に合金膜を成膜した。
【００４５】
実施例２の「秤量組成」「合金組成」「焼結密度」「Ｘ線回折ピーク」「膜組成」および「異常放電」の結果について表２に示す。
【実施例３】
【００４６】
組成式Ｒｕ１−ｘＴｉｘのＴｉをＨｆに変えた以外は実施例１と同様に行い、実施例３に係る３種類のＲｕ合金ターゲットを調製すると共にこれ等ターゲットを用い実施例１と同様の条件により基板上に合金膜を成膜した。
【００４７】
実施例３の「秤量組成」「合金組成」「焼結密度」「Ｘ線回折ピーク」「膜組成」および「異常放電」の結果について表３に示す。
［比較例１］
組成式Ｒｕ１−ｘＴｉｘのｘを０．０２、０．４０とした以外は実施例１と同様に行い、比較例１に係る２種類のＲｕ合金ターゲットを調製すると共にこれ等ターゲットを用い実施例１と同様の条件により基板上に合金膜を成膜した。
【００４８】
比較例１の「秤量組成」「合金組成」「焼結密度」「Ｘ線回折ピーク」「膜組成」および「異常放電」の結果について表１に示す。
［比較例２］
組成式Ｒｕ１−ｘＴａｘのｘを０．０２、０．４０とした以外は実施例２と同様に行い、比較例２に係る２種類のＲｕ合金ターゲットを調製すると共にこれ等ターゲットを用い実施例２と同様の条件により基板上に合金膜を成膜した。
【００４９】
比較例２の「秤量組成」「合金組成」「焼結密度」「Ｘ線回折ピーク」「膜組成」および「異常放電」の結果について表２に示す。
［比較例３］
組成式Ｒｕ１−ｘＨｆｘのｘを０．０２、０．４０とした以外は実施例３と同様に行い、比較例３に係る２種類のＲｕ合金ターゲットを調製すると共にこれ等ターゲットを用い実施例３と同様の条件により基板上に合金膜を成膜した。
【００５０】
比較例３の「秤量組成」「合金組成」「焼結密度」「Ｘ線回折ピーク」「膜組成」および「異常放電」の結果について表３に示す。
［従来例］
Ｒｕ粉末とＡ粉末（但し、ＡはＴａ、ＴｉまたはＨｆの金属粉末）における混合体の組成比を組成式Ｒｕ１−ｘＡｘにより表した場合にｘが０．１５となるようにＲｕ粉末とＴｉ、Ｔａ、Ｈｆの各粉末を適量秤量し、かつ、乾式ボールミルで１時間混合した後、混合体を内径６０ｍｍの金型でプレス成型し圧粉体を調製した。
【００５１】
次に、得られた圧粉体を冷銅ハースに置き、炉内をＡｒガスで置換した後、水素含有プラズマ作動ガスにより炉内圧をそれぞれ調節しながらプラズマアーク熔解を３０分行い、かつ、冷却後裏返して３０分の計６０分間行い、直径７８ｍｍ、厚さ約７ｍｍの３種類（すなわち、Ａ粉末がＴｉ、Ｔａ、Ｈｆ粉末に対応する３種類）のＲｕ合金インゴットを調製した。
【００５２】
そして、これ等インゴットの上下面をワイヤーカットで切断し、厚さ３．５ｍｍの従来例に係る３種類のＲｕ合金ターゲットを調製した。尚、調製された各Ｒｕ合金ターゲットの一部に１ｍｍ程度の鬆ができていた。
【００５３】
また、得られたＲｕ合金ターゲットをグロー放電質量分析装置で分析したところ、表１〜表３に示すように合金組成は部分的に変化していた。
【００５４】
更に、実施例１と同様の方法により基板上に合金膜を成膜し、かつ、実施例１と同様の方法により膜組成を測定したところ、表１〜表３に示すように「膜組成」も合金組成を反映するように変化した。
【００５５】
また、プリスパッタ時、特に最小の放電で異常放電が発生し、かつ、膜の成膜時に１〜５回の異常放電が起こった。
【００５６】
【表１】
2007056325.tif 000002
【００５７】
【表２】
2007056325.tif 000003
【００５８】
【表３】
2007056325.tif 000004
「性能試験」
（１）合金膜の耐腐食性試験
実施例１〜３と比較例１〜３の各合金膜について耐腐食性を試験した。
【００５９】
耐腐食性を調べるための電解質組成は、アセトニトリルの溶媒に、ヨウ化リチウム、１，２−ジメチル−３−プロピルイミダゾリウムアイオダイド、ヨウ素およびｔ−ブチルピリジンを、それぞれの濃度が０．１モル／ｌ、０．３モル／ｌ、０．０５モル／ｌ、０．５モル／ｌとなるように溶解したものを用いた。
【００６０】
そして、実施例１〜３と比較例１〜３の各合金膜上に上記電解質を各１ｃｃ滴下し、室内に１０００時間放置して変化を観察した。この結果を表４に示す。
【００６１】
評価結果で、変色がないもの（Ａ：変化無し）および薄い変色したもの（Ｂ：表面が薄く変色）を合格とし、変色したもの（Ｃ：変色）および穴が開いたもの（Ｄ：穴があいた）は不合格とした。
（２）合金膜の密着性試験
実施例１〜３と比較例１〜３の各合金膜の密着性をＪＩＳ  Ｋ５４００に準じた以下のセロテープ（登録商標）剥離試験を行った。
【００６２】
すなわち、実施例１〜３と比較例１〜３の各合金膜について、カッターナイフを用いて１ｍｍ角、１０×１０個のマス目状にカットし、次いで、セロテープ（登録商標）を用いて１０×１０個のマス目からいくつ剥離されるかを試験した。この結果を表５に示す。
【００６３】
評価結果で、剥離したマス目が１０個未満を合格とし、それ以上剥離したものを不合格とした。
【００６４】
「評価結果」
（１）合金膜の耐腐食性試験
表４において「Ａ」「Ｂ」が付された実施例１〜３の各合金膜（組成比ｘが０．０８、０．１５、０．２５に対応する３種類）と比較例１〜３の合金膜（組成比ｘが０．０２に対応する１種類）はヨウ素系電解質に対する耐腐食性が良好であることが確認される。
【００６５】
すなわち、組成比ｘが０．０２、０．０８、０．１５、０．２５である比較例１〜３と実施例１〜３の各Ｒｕ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜した合金膜はヨウ素系電解質に対する耐腐食性が良好であるのに対し、組成比ｘが０．４０である比較例１〜３の各Ｒｕ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜した合金膜はヨウ素系電解質に対する耐腐食性が不良であることが確認される。
【００６６】
【表４】
2007056325.tif 000005
（２）合金膜の密着性試験
表５において剥離したマス目が１０個未満である実施例１〜３の各合金膜（組成比ｘが０．０８、０．１５、０．２５に対応する３種類）と比較例１〜３の合金膜（組成比ｘが０．４０に対応する１種類）は基板（スライドガラス）に対する密着性が良好であることが確認される。
【００６７】
すなわち、組成比ｘが０．０８、０．１５、０．２５、０．４０である実施例１〜３と比較例１〜３の各Ｒｕ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜した合金膜は基板（スライドガラス）に対する密着性が良好であるのに対し、組成比ｘが０．０２である比較例１〜３の各Ｒｕ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜した合金膜は基板（スライドガラス）に対する密着性が不良であることが確認される。
【００６８】
【表５】
2007056325.tif 000006
（３）結果
合金膜の耐腐食性試験と合金膜の密着性試験の結果から比較例１〜３の各合金膜（組成比ｘが０．０２と０．４０に対応する２種類）は全て不合格となることが確認される。
【００６９】
他方、実施例１〜３の各合金膜（組成比ｘが０．０８、０．１５、０．２５に対応する３種類）は全て合格であることが確認される。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明に係るＲｕ合金ターゲットを用いてスパッタリング成膜した場合、異常放電が起り難くかつ均一な組成を有する合金膜が形成されるため、本発明のＲｕ合金ターゲットは色素増感型太陽電池や半導体における金属電極の形成に好適に利用される産業上の利用可能性を有している。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】色素増感型太陽電池の概略の構成を示す説明図。
【符号の説明】
【００７２】
１  透明導電膜
２  多孔質半導体膜
３  色素
４  光電極
５  金属電極
６  金属膜
７  ヨウ素系電解質
【図１】
2007056325.tif 000007