(57)【要約】【課題】マイクロ波帯においても損失の少ないマイクロストリップ伝送線路を提供すること。【解決手段】接地される金属層が裏面に設けられた絶縁体又は誘電体の基板と、この基板の上の抵抗を必要とする部分に設けられた抵抗体層と、この抵抗体層の抵抗体として機能する部分以外の部分及び前記基板の上に設けられた金属導電体層と、を有する。【選択図】図３Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地される金属層が裏面に設けられた絶縁体又は誘電体の基板と、
この基板の上の抵抗を必要とする部分に設けられた抵抗体層と、
この抵抗体層の抵抗体として機能する部分以外の部分及び前記基板の上に設けられた金属導電体層と、
を有することを特徴とするマイクロストリップ伝送線路。
【請求項２】
接地される金属層が裏面に設けられた絶縁体又は誘電体の基板と、
この基板の上の抵抗体として機能する部分以外の部分に設けられた金属導電体層と、
前記抵抗体として機能する部分及びこの部分と前記金属導電体層と接続される部分に設けられた抵抗体層と、
を有することを特徴とするマイクロストリップ伝送線路。
【請求項３】
前記抵抗体層は、窒化タンタルにより形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のマイクロストリップ伝送線路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロストリップ伝送線路に係り、特に抵抗部分を有する電力分配、合成回路のマイクロストリップ伝送線路に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波回路において、例えば電力分配・合成に用いるウィルキンソン回路において、線路間の所定の位置に抵抗を必要とする。また、マイクロ波回路で発振を防止するために伝送線路と接地の間に抵抗を挿入する必要がある場合がある（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
このようにマイクロ波回路において抵抗を必要とする場合、従来は次のような工程により抵抗を形成していた。すなわち、まず、図１Ａ（ａ）（ｂ）に示すように、裏面に接地層１を設けたアルミナ基板などの絶縁体層２の上の全面に抵抗体層３を堆積させ、その上に金属導電体層４を堆積する。
【０００４】
次に、図１Ｂ（ａ）（ｂ）に示すように、抵抗体層２の上に設けられている金属導電体層４の一部をエッチングなどにより除去し、更に図１Ｃ（ａ）（ｂ）に示すように、不要な抵抗体２を除去する。このとき、必要な部分５における抵抗体層３はそのまま残すことにより、抵抗体５が形成されることになる。
【０００５】
ところで、このようにして形成した導体部分７に着目すると図２に示す構造となる。即ちマイクロストリップ線路としては、絶縁体層２の下面に設けられている接地層１と、金属導電体層４の間において電磁波が伝播し、抵抗体層３を電気力線８が通ることになる。使用周波数が低い場合には金属導電体層４の下に設けられている抵抗体層３の存在はあまり問題とならない。しかし、マイクロ波など使用周波数が高くなると、電力分布としては金属導電体層４よりもその下側にある抵抗体層３のほうが大きいので、抵抗体層３によって損失が大きくなってしまう。
【特許文献１】特開平１１−３３０８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記のような従来の問題点にかんがみてなされたもので、マイクロ波帯においても損失の少ないマイクロストリップ伝送線路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１によれば、接地される金属層が裏面に設けられた絶縁体又は誘電体の基板と、この基板の上の抵抗を必要とする部分に設けられた抵抗体層と、この抵抗体層の抵抗体として機能する部分以外の部分及び前記基板の上に設けられた金属導電体層と、を有することを特徴とするマイクロストリップ伝送線路を提供する。
【０００８】
本発明の請求項２によれば、接地される金属層が裏面に設けられた絶縁体又は誘電体の基板と、この基板の上の抵抗体として機能する部分以外の部分に設けられた金属導電体層と、前記抵抗体として機能する部分及びこの部分と前記金属導電体層と接続される部分に設けられた抵抗体層と、を有することを特徴とするマイクロストリップ伝送線路を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、マイクロ波帯においても損失の少ないマイクロストリップ伝送線路が得られる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。本発明は電力分配・合成に用いるウィルキンソン回路に用いることができるが、ここでは抵抗体が形成される部分のみに着目して説明する。
【００１１】
図３Ａ、図３Ｂ，図３Ｃ，図３Ｄに本発明一実施形態の製造工程図を示す。図３Ａ（ｂ）は、図３Ａ（ａ）の点線ａａ部分における断面図である。図３Ａ（ｂ）に示すように例えば金（Ａｕ）を蒸着することにより裏面全体に設けた金属層３１を有する、例えば厚さ１００ミクロンのアルミナ基板である絶縁体基板３２の上に、例えば窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）で形成された抵抗体層３３を蒸着により所定の厚さで設ける。
【００１２】
次に、図３Ｂに示すように、上記抵抗体層３３をエッチングすることにより所定のパターンを作成し、抵抗体として必要な部分及び後述する金属導電体層との接続する部分以外の部分を除去する。次に図３Ｃに示すように、所定パターンの抵抗体層３３が設けられている絶縁体基板３２の上に、所定の厚さで例えば金を堆積させることにより、金属導電体層３４を形成する。
【００１３】
次に図３Ｄ（ａ）（ｂ）に示すように、上記金属導電体層３４を選択的にエッチングし、抵抗体層３３上の部分を除去することにより、抵抗体部３５を形成する。残った金属導電体層は端子３４ａ，３４ｂを形成し、この端子３４ａ，３４ｂ間に抵抗体部３５が接続された構成となる。
【００１４】
このようにして形成したマイクロストリップ伝送線路では、抵抗体層３３は、抵抗体として必要な部分のみ、絶縁体基板３２の上に形成されており、端子３４ａ，３４ｂとして形成された部分の金属導電体層直下には抵抗体層はない。したがって、伝送線路として機能するときには、金属導電体層からの電気力線は抵抗体層を介することなく、絶縁体基板から裏面の金属層３１に達することになり、損失を低減することができる。
【００１５】
上記実施形態では、絶縁体基板３２としてアルミナ基板を用いたがガラスエポキシ基板などの誘電体基板を用いてもよい。
【００１６】
ところで、上記実施形態では、図３Ｄ（ｂ）に示すように、基板の上に抵抗体層を設け、その上に金属導電体層を設けていた。しかし、先に金属導電体層を設けその後抵抗体層を設けるようにすることも可能である。図４Ａ、図４Ｂにこの実施形態の製造工程を示す。
【００１７】
即ち、図４Ａに示すように、金属層４１が裏面に設けられた絶縁体基板４２の上面にまず金属導電体層４３を蒸着により設けてエッチングによって導電体の不必要な部分及び抵抗体を形成する部分４４（抵抗体として機能する部分）を除去する。この後その上に抵抗体層を蒸着し、図４Ｂに示すように、抵抗体を形成する部分４４及び金属導電体層４３と接続される部分、以外の部分をエッチングにより除去することによって、抵抗体部４５を形成する。
【００１８】
本発明のマイクロストリップ伝送線路のこの実施形態の構造によれば、端子４４ａ，４４ｂと抵抗体部４５との間の接着性を向上させることが可能である。
【００１９】
本発明は電力分配・合成に用いるウィルキンソン回路のほかにも複数のトランジスタが配設されるマイクロ波装置に適用可能である。
【００２０】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術思想の範囲内で種々変形して実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】従来のマイクロストリップ伝送線路の第１の製造工程を示す図。
【図１Ｂ】従来のマイクロストリップ伝送線路の第２の製造工程を示す図。
【図１Ｃ】従来のマイクロストリップ伝送線路の第３の製造工程を示す図。
【図２】従来のマイクロストリップ伝送線路の問題点を説明するための図。
【図３Ａ】本発明一実施形態のマイクロストリップ伝送線路の第１の製造工程を示す図。
【図３Ｂ】マイクロストリップ伝送線路の第２の製造工程を示す図。
【図３Ｃ】本発明一実施形態のマイクロストリップ伝送線路の第３の製造工程を示す図。
【図３Ｄ】本発明一実施形態のマイクロストリップ伝送線路の第４の製造工程を示す図。
【図４Ａ】本発明の他の実施形態のマイクロストリップ伝送線路の第１の製造工程を示す図。
【図４Ｂ】本発明の他の実施形態のマイクロストリップ伝送線路の第２の製造工程を示す図。
【符号の説明】
【００２２】
１・・・接地層、
２・・・絶縁体層、
３・・・抵抗体層、
４，３４，４３・・・金属導電体層、
５・・・抵抗体、
７・・・導体部分、
８・・・電気力線、
３１，４１・・・金属層、
３２，４２・・・絶縁体基板、
３３・・・抵抗体層、
３４ａ，３４ｂ・・・端子、
３５，４５・・・抵抗体部。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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