(57)【要約】【課題】配線形成工程における下層配線Ｃｕの電気化学的な溶解を抑制できる、信頼性の高い多層配線形成技術を提供する。【解決手段】基板１上に第１の絶縁膜３を形成する。次に、基板中に形成された活性領域２に接続するように、第１の絶縁膜中にコンタクトプラグ４ａを形成するとともに、基板中に形成された活性領域に接続するように、第１の絶縁膜中にダミーコンタクトプラグ４ｂを形成する。次に、コンタクトプラグ上に配線５ａを形成するとともに、ダミーコンタクトプラグ上にダミー配線５ｂを形成する。次に、配線およびダミー配線上を含むように、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜６を形成する。次に、第２の絶縁膜中に、配線表面およびダミー配線表面を露出するようにコンタクトホール１１ａ、１１ｂを開口し、コンタクトホール中に配線金属を埋め込む。【選択図】図２Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜中に形成されたコンタクトプラグを介して、前記基板中に形成された第１の活性領域と電気的に接続された配線と、
前記第１の絶縁膜中に形成されたダミーコンタクトプラグを介して、前記基板中に形成された第２の活性領域と電気的に接続されたダミー配線と、
前記配線および前記ダミー配線を含み前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜中に形成され、前記配線の表面および前記ダミー配線の表面を露出するように開口されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホール中に埋め込まれた配線金属とを備え、
前記第１の活性領域と前記第２の活性領域とは同電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の活性領域と前記第２の活性領域とは同一の活性領域である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダミーコンタクトプラグのコンタクト径は、前記コンタクトプラグのコンタクト径よりも大きい請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダミー配線はどの回路にも電気的に接続されていない孤立パターンである請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配線およびダミー配線はＣｕにより形成された請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記基板中に形成された活性領域に接続されるように前記第１の絶縁膜中にコンタクトプラグを形成するとともに、前記基板中に形成された前記活性領域または前記活性領域と同電位に設定される他の活性領域に接続されるように、前記第１の絶縁膜中にダミーコンタクトプラグを形成する工程と、
前記コンタクトプラグ上に配線を形成するとともに、前記ダミーコンタクトプラグ上にダミー配線を形成する工程と、
前記配線およびダミー配線上を含むように前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜中に、前記配線の表面および前記ダミー配線の表面が露出するようにコンタクトホールを開口する工程と、
前記コンタクトホール中に配線金属を埋め込む工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ダミーコンタクトプラグのコンタクト径を、前記コンタクトプラグのコンタクト径よりも大きく形成する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ダミー配線をどの回路にも電気的に接続されない孤立パターンとして形成する請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記配線およびダミー配線をＣｕにより形成する請求項６ないし８のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、半導体装置の配線構造の加工技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高速動作および製造コストの抑制といった課題に対するひとつの解として、多層配線の微細化が進んでいるが、一方で、配線の電気抵抗および配線間の電気容量の増大に伴う配線遅延（ＲＣ遅延）の問題が表面化し、この問題が半導体装置の動作速度を律速するようになった。そこで、配線の電気抵抗を低減するため配線材料として従来のＡｌでなくＣｕを用いる、また、配線間の電気容量を低減するため絶縁膜に低誘電率材料を用いる、といった対策が広く知られるようになった。
【０００３】
ところで、Ｃｕは反応性イオンエッチングによる加工が困難なため、Ｃｕを配線材料として利用するために、ダマシン（Ｄａｍａｓｃｅｎｅ）法が採用されている。
【０００４】
図４に、ダマシン法を用いたＣｕ配線形成工程の一例を示す。現在、ダマシン法としては、配線層とビアプラグとを段階的に形成していくシングルダマシン法と、配線層およびビアプラグを同時に形成するデュアルダマシン法が知られている（例えば、特許文献１参照）が、ここではデュアルダマシン法について説明する。
【０００５】
まず、図４（ａ）に示すように、基板（図示せず）上のいずれかの層として形成された、Ｃｕを含む下層配線２１および下層絶縁膜２２上に、Ｃｕの拡散防止膜２３（例えばＳｉＮ膜）をプラズマＣＶＤ法によって形成し、次いで層間絶縁膜２４を形成する。層間絶縁膜２４には、従来用いられているＳｉＯ2をプラズマＣＶＤ法によって成膜してもよいが、さらなる配線遅延低減のため、前述のように低誘電率の材料を用いることが好ましい。低誘電率の材料とは、ＳｉＯ2の比誘電率である４．１〜４．２程度より低い比誘電率を有する材料であり、プラズマＣＶＤ法により成膜されるＳｉＯＣ系膜、ＳｉＯＦ系膜や、塗布法により成膜される有機ＳＯＧ膜、無機ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜、有機ポリマー膜などが挙げられる。
【０００６】
次に、エッチング阻止膜２５を形成し、さらに上層絶縁膜２６を形成する。エッチング阻止膜２５としては、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯ2膜など、上層絶縁膜２６に対してエッチング選択比の高い材料を選択する。上層絶縁膜２６としては、ＳｉＯ2膜の他、層間絶縁膜２４と同様に低誘電率の材料を用いてもよい。
【０００７】
次に、図４（ｂ）に示すように、ホール状の開口が形成された第１のレジストパターン２７をマスクとして異方性エッチングを行い、ビアホール２７ａを開口する。
【０００８】
第１のレジストパターン２７を除去した後、図４（ｃ）に示すように、溝状に形成された第２のレジストパターン２８をマスクとして異方性エッチングを行い、上層配線用溝２８ａを開口する。このときエッチング阻止膜２５によって、層間絶縁膜２４へのエッチング進行が阻止される。
【０００９】
さらに図４（ｄ）に示すように、Ｃｕの拡散防止膜２３のエッチング及び洗浄を行い下層配線２１を露出させ、ビアホール２７ａおよび上層配線用溝２８ａの内壁をバリアメタル２９で被覆した後、Ｃｕなどの配線金属３０を埋め込む。バリアメタル２９の形成はＣｕの拡散防止や絶縁膜との密着性向上などを目的とし、一般には高融点金属、例えばＴａやＴｉ、またはその窒化物などをＰＶＤ法などによって成膜する。Ｃｕはめっき法などによって、ビアホール２７ａおよび上層配線用溝２８ａを埋め込みながら上層絶縁膜２６を覆うように形成されるため（図示せず）、化学的機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）を施すことにより、ビアプラグおよび上層配線を形成する。
【特許文献１】特開２０００−０９１４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記の従来技術における配線形成工程では、電気化学的な溶解反応により下層配線が溶解するという課題を有する。
【００１１】
具体的には、特に下層配線がコンタクトを介して基板に接続されている場合、下層配線表面が露出していると、とりわけ洗浄時に下層配線の電気化学的な溶解反応が促進され、これにより上層配線の埋め込み特性及び配線信頼性に大きな影響を及ぼす可能性がある。
【００１２】
本発明は、上記の課題に鑑み、配線形成工程における下層配線Ｃｕの電気化学的な溶解を抑制できる、信頼性の高い多層配線形成技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜中に形成されたコンタクトプラグを介して、前記基板中に形成された第１の活性領域と電気的に接続された配線と、前記第１の絶縁膜中に形成されたダミーコンタクトプラグを介して、前記基板中に形成された第２の活性領域と電気的に接続されたダミー配線と、前記配線および前記ダミー配線を含み前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜中に形成され、前記配線の表面および前記ダミー配線の表面を露出するように開口されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール中に埋め込まれた配線金属とを備え、前記第１の活性領域と前記第２の活性領域とは同電位である。
【００１４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記基板中に形成された活性領域に接続されるように前記第１の絶縁膜中にコンタクトプラグを形成するとともに、前記基板中に形成された前記活性領域または前記活性領域と同電位に設定される他の活性領域に接続されるように、前記第１の絶縁膜中にダミーコンタクトプラグを形成する工程と、前記コンタクトプラグ上に配線を形成するとともに、前記ダミーコンタクトプラグ上にダミー配線を形成する工程と、前記配線およびダミー配線上を含むように前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜中に、前記配線の表面および前記ダミー配線の表面が露出するようにコンタクトホールを開口する工程と、前記コンタクトホール中に配線金属を埋め込む工程とを有する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体装置およびその製造方法によれば、ダミー配線を形成することにより、配線形成工程において下層配線Ｃｕの電気化学的な溶解が抑制され、信頼性の高い多層配線形成技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
上記構成の本発明の半導体装置において、前記第１の活性領域と前記第２の活性領域とは同一の活性領域であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明の半導体装置において、前記ダミーコンタクトプラグのコンタクト径は、前記コンタクトプラグのコンタクト径よりも大きいことが好ましい。
【００１８】
また、本発明の半導体装置において、前記ダミー配線はどの回路にも電気的に接続されていない孤立パターンであることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の半導体装置において、前記配線およびダミー配線はＣｕにより形成されていることが好ましい。
【００２０】
また、本発明の半導体装置の製造方法において、前記ダミーコンタクトプラグのコンタクト径を、前記コンタクトプラグのコンタクト径よりも大きく形成することが好ましい。
【００２１】
また、本発明の半導体装置の製造方法において、前記ダミー配線をどの回路にも電気的に接続されない孤立パターンとして形成することが好ましい。
【００２２】
また、本発明の半導体装置の製造方法において、前記配線およびダミー配線をＣｕにより形成することが好ましい。
【００２３】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、図１〜３を参照しながら説明する。
【００２４】
図１は、本実施形態における半導体装置の構成を示す。基板１に形成された活性領域（例えば、拡散層）２上の第１の絶縁膜３中に、タングステン（Ｗ）からなるコンタクトプラグ４ａ及びダミーコンタクトプラグ４ｂが埋め込まれ、活性領域２と下層配線５ａ及びダミー下層配線５ｂとを接続している。銅（Ｃｕ）により形成されるダミー下層配線５ｂは、配線幅及び配線長がそれぞれ２μｍであり、第１の絶縁膜３中に孤立している。つまり、上層配線等と接続されていない。下層配線５ａ及びダミー下層配線５ｂを含む第１の絶縁膜３上には、第２の絶縁膜６、第３の絶縁膜７、第４の絶縁膜８および第５の絶縁膜９が順次、積層形成されている。
【００２５】
第５の絶縁膜９、第４の絶縁膜８、第３の絶縁膜７および第２の絶縁膜６を貫通して、コンタクトホール１１ａ、ダミーコンタクトホール１１ｂが形成されている。それにより、下層配線５ａ及びダミー下層配線５ｂの表面は、コンタクトホール１１ａ、ダミーコンタクトホール１１ｂに露出している。また、第５の絶縁膜９を開口して、上層配線用溝１３ａおよびダミー配線溝１３ｂが形成されている。コンタクトホール１１ａ、ダミーコンタクトホール１１ｂ、上層配線用溝１３ａおよびダミー配線溝１３ｂの内壁はバリアメタル１４で被覆され、Ｃｕなどの配線金属１５が埋め込まれている。
【００２６】
この配線構造を形成する製造方法について、図２を参照して以下に説明する。
【００２７】
まず、図２Ａ（ａ）に示すように、基板１上に第１の絶縁膜３を形成する。そして、第１の絶縁膜３中に、タングステン（Ｗ）からなるコンタクトプラグ４ａ及びダミーコンタクトプラグ４ｂを埋め込む。コンタクトプラグ４ａ及びダミーコンタクトプラグ４ｂは、基板１中に形成された活性領域（例えば、拡散層）２と接続されるように埋め込まれる。活性領域２は例えばボロン（Ｂ）が注入された領域であり、ホールが豊富な状態となっている。さらに、コンタクトプラグ４ａ上に下層配線５ａを、ダミーコンタクトプラグ４ｂ上にダミー下層配線５ｂを形成する。これにより、下層配線５ａおよびダミー下層配線５ｂは各々、コンタクトプラグ４ａ及びダミーコンタクトプラグ４ｂを介して活性領域２と接続される。下層配線５ａおよびダミー下層配線５ｂは銅（Ｃｕ）により形成される。下層配線５ａは配線パターンを形成する。またダミー下層配線５ｂは、配線幅及び配線長がそれぞれ２μｍであり、第１の絶縁膜３中に孤立する。つまり、上層配線等と接続されない。
【００２８】
図２Ａ（ｂ）は、図２Ａ（ａ）の上面図を示す。同図に示すように、コンタクトプラグ４ａのトップ径は、例えば１００ｎｍに形成され、ダミーコンタクトプラグ４ｂのトップ径は、例えば３００ｎｍに形成される。ここで、コンタクトプラグ４ａとダミーコンタクトプラグ４ｂは、基板１の同じ活性領域２に一対として接続される。活性領域２の面積は、例えば２５６μｍ2である。
【００２９】
次に、図２Ｂに示すように、下層配線５ａおよびダミー下層配線５ｂを含むように、第１の絶縁膜３上に第２の絶縁膜６を、ＳｉＮ膜またはＳｉＣ膜などの材料を用い、プラズマＣＶＤ法を利用して６０ｎｍの膜厚に成膜する。ＳｉＮ膜を成膜する際は、モノシランとアンモニア、またはジクロロシランとアンモニアなどの混合ガスを用い、３００℃〜５００℃にて成膜を行う。一方、ＳｉＣ膜を成膜する際は、トリメチルシランとアンモニアの混合ガスなどを用い、３００℃〜５００℃にて成膜を行う。また第２の絶縁膜６を積層構造、例えばＳｉＯ2／ＳｉＮ、ＳｉＣ／ＳｉＮ、またはＳｉＯ2／ＳｉＣＮなどの構造にしてもよい。
【００３０】
次に、第２の絶縁膜６上に第３の絶縁膜７を、例えば、低い比誘電率を有するＳｉＯＣ膜をプラズマＣＶＤ法により４００ｎｍ成膜する。この際の成膜ガスは、トリメチルシランと酸素の混合ガスなどを用い、成膜温度は３００℃〜５００℃にて行う。ＳｉＯＣ膜以外の低誘電率の材料、例えば有機ＳＯＧ膜を用いてもよい。このときは、例えば、ＭＳＱ系の材料を塗布した後、４００℃程度で熱処理を行う。その他、無機ＳＯＧ膜や有機ポリマー、あるいはポーラス膜でもよい。また、本実施形態の有効性は低誘電率の材料に限らず、例えばＳｉＯ2膜を、プラズマＣＶＤ法などを利用して成膜してもよい。
【００３１】
次に、第３の絶縁膜７上にエッチング阻止膜である第４の絶縁膜８を形成し、さらにその上に第５の絶縁膜９を形成する。ここで、第４の絶縁膜８はＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯ2膜など、第５の絶縁膜９に対してエッチング選択比の高い材料を選択する。第５の絶縁膜９としては、ＳｉＯ2膜の他、第１の絶縁膜３と同様に低誘電率の材料を用いてもよい。
【００３２】
次に、図２Ｃに示すように、ホールパターン１０ａおよびダミーホールパターン１０ｂを有する第１のレジストパターン１０を形成する。ホールパターン１０ａおよびダミーホールパターン１０ｂの開口は、下層配線５ａ及びダミー下層配線５ｂ上に配置する。その後、第１のレジストパターン１０をマスクとして、第５の絶縁膜９、第４の絶縁膜８および第３の絶縁膜７に対し順次ドライエッチングを行い、コンタクトホール１１ａ、ダミーコンタクトホール１１ｂを開口する。その後、通常の酸素プラズマによる灰化処理、及びフッ素化合物を含有する洗浄液を用いた洗浄処理を行うことにより、第１のレジストパターン１０を除去する。
【００３３】
次に、図２Ｄに示すように、第２のレジストパターン１２を形成する。第２のレジストパターン１２には、下層配線５ａ上の配線溝パターン１２ａ、および孤立したダミー下層配線５ｂ上のダミー配線溝パターン１２ｂを設ける。次に第２のレジストパターン１２をマスクとして、第５の絶縁膜９のドライエッチングを行い、上層配線用溝１３ａおよびダミー配線溝１３ｂを開口する。その後、通常の酸素プラズマによる灰化処理及びフッ素化合物を含有する洗浄液を用いた洗浄処理を行い、第２のレジストパターン１２を除去する。
【００３４】
次に、図２Ｅに示すように、コンタクトホール１１ａ、ダミーコンタクトホール１１ｂを介して第２の絶縁膜６のドライエッチングを行い、下層配線５ａ、ダミー下層配線５ｂのＣｕを露出する。この下層配線５ａ、ダミー下層配線５ｂのＣｕが一部露出した状態で、フッ素化合物を含有する洗浄液を用いた洗浄処理を行う。
【００３５】
この際、露出された下層配線５ａ及びダミー下層配線５ｂ上では以下の反応が起こる。
【００３６】
Ｃｕ  →  Ｃｕ2+  ＋  ２ｅ-      （１）
式（１）で発生した銅イオン（Ｃｕ2+）は上記洗浄液中に溶解する。また電子（ｅ-）は、コンタクトプラグ４ａもしくはダミーコンタクトプラグ４ｂを介して、基板１の活性領域２中に潤沢に存在するホールに向かって基板１へ流れ込み、式（１）の反応は急速に進み、下層配線５ａ及びダミー下層配線５ｂはＣｕが溶解し浸食された形となる。
【００３７】
ここで、式（１）の電子の流量は、基板１に接続されたコンタクトプラグ４ａもしくはダミーコンタクトプラグ４ｂの抵抗率に依存する。本実施形態では、コンタクトプラグ４ａと比較して、ダミーコンタクトプラグ４ｂのコンタクト径が３倍と大きいため、導電率（抵抗率の逆数）は３2＝９倍となる。したがって、電子（ｅ-）の流れはダミーコンタクトプラグ４ｂを介して基板１の活性領域２に流れ込む分が支配的となり、式（１）の反応は、ダミー下層配線５ｂで支配的に起こることになる。この結果、コンタクトプラグ４ａを介して基板１に流れる電流は抑制され、そのためコンタクトプラグ４ａ上での下層配線５ａのＣｕ溶解は抑制されることになる。
【００３８】
さらに、図１に示したように、図４（ｄ）に示した従来例と同様、コンタクトホール１１ａ、ダミーコンタクトホール１１ｂ、上層配線用溝１３ａおよびダミー配線溝１３ｂの内壁をバリアメタル１４で被覆した後、Ｃｕなどの配線金属１５を埋め込む。
【００３９】
図３に、上記ダミーコンタクトプラグの直径（設計値）と、Ｃｕとコンタクトプラグによる単一コンタクト抵抗の関係を示す。またダミーコンタクトプラグ形成を行わない場合は従来構造として示す。この結果より、ダミーコンタクトプラグの直径が大きいほど、従来構造よりも、単一コンタクト抵抗の面内バラツキを抑制することができることがわかる。
【００４０】
なお、上述の実施形態においては、コンタクトプラグとダミーコンタクトプラグが同一の活性領域（拡散層）に接続されている場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、コンタクトプラグとダミーコンタクトプラグがそれぞれ異なる活性領域（拡散層）に接続されている場合でも、両活性領域（拡散層）が同電位に設定されておれば、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４１】
また、上述の実施形態においては、ダミーコンタクトプラグのコンタクト径をコンタクトプラグのコンタクト径よりも大きくした場合について説明したが、仮にダミーコンタクトプラグのコンタクト径がコンタクトプラグのコンタクト径よりも小さい場合であっても、ダミーコンタクトプラグおよびそれに接続されたダミー配線を形成することにより、式（１）における電子の流量は、コンタクトプラグおよびそれに接続する配線経由の流れと、ダミーコンタクトプラグおよびそれに接続されたダミー配線経由の流れとに分散されるため、配線での溶解を抑制することは可能である。
【００４２】
また、上述の実施形態においては、配線およびダミー配線としてＣｕを使用した場合について説明したが、Ｃｕと同様に式（１）に示した溶解反応が容易に発生する金属材料を配線として用いた場合にも、本発明は同様に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の半導体装置およびその製造方法は、下層配線Ｃｕの電気化学的な溶解を抑制し、信頼性の高い多層配線形成技術を提供するものであり、特に半導体装置の配線構造の加工技術等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態における半導体装置の断面模式図
【図２Ａ】（ａ）は本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法の工程を示す断面図、（ｂ）は（ａ）に示す工程を示す平面図
【図２Ｂ】同半導体装置の製造方法の工程を示す断面図
【図２Ｃ】同半導体装置の製造方法の工程を示す断面図
【図２Ｄ】同半導体装置の製造方法の工程を示す断面図
【図２Ｅ】同半導体装置の製造方法の工程を示す断面図
【図３】同半導体装置の製造方法の工程でのダミーコンタクトプラグの直径（設計値）と、Ｃｕとコンタクトプラグによる単一コンタクト抵抗の相関を示す図
【図４】従来例の半導体装置の製造方法の工程を示す断面図
【符号の説明】
【００４５】
１  基板
２  活性領域
３  第１の絶縁膜
４ａ  コンタクトプラグ
４ｂ  ダミーコンタクトプラグ
５ａ  下層配線
５ｂ  ダミー下層配線
６  第二の絶縁膜
７  第三の絶縁膜
８  第四の絶縁膜
９  第五の絶縁膜
１０  第１のレジストパターン
１０ａ  ホールパターン
１０ｂ  ダミーホールパターン
１１ａ  コンタクトホール
１１ｂ  ダミーコンタクトホール
１２  第２のレジストパターン
１２ａ  配線溝パターン
１２ｂ  ダミー配線溝パターン
１３ａ  上層配線用溝
１３ｂ  ダミー配線溝
１４  バリアメタル
１５  配線金属
２１  下層配線
２２  下層絶縁膜
２３  拡散防止膜
２４  層間絶縁膜
２５  エッチング阻止膜
２６  上層絶縁膜
２７  第１のレジストパターン
２７ａ  ビアホール
２８  第２のレジストパターン
２８ａ  上層配線用溝
２９  バリアメタル
３０  配線金属
【図１】
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【図２Ａ】
2007273823.tif 000004
【図２Ｂ】
2007273823.tif 000005
【図２Ｃ】
2007273823.tif 000006
【図２Ｄ】
2007273823.tif 000007
【図２Ｅ】
2007273823.tif 000008
【図３】
2007273823.tif 000009
【図４】
2007273823.tif 000010