(57)【要約】【課題】載置台を固定した部材を容易に、リフタアーム間に通してチャンバに取り付けることが出来、前記部材をチャンバに取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来るリフタ及び被処理体の処理装置を提供する。【解決手段】リフタ９の一対のリフタアーム９１，９２は、昇降軸９６，９６に連結部９７，９７を介して連結されている。リフタアーム９１は、連結部９７の支持板９７ａの一端部に突設されており、支持板９７ａの他端部及び該他端部の下側に連結された連結板９７ｂには、固定ねじ９７ｅが貫通され、昇降軸９６の上端部にねじ止めされている。カバー９７ｄは、２枚の支持板９７ａを突き合わせた状態で、支持板９７ａ，９７ａを連結する。カバー９７ｄを外して、固定ねじ９７ｅを緩めることで、支持板９７ａが昇降軸９６に対して回転する。【選択図】図２
2007250796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内で処理される被処理体を載置する載置台に貫設した複数の孔に挿通させる複数のピンと、
該ピンを支持するリフタアームと、
該リフタアームを水平に支持する支持板と、
上下方向に延在し、前記支持板が連結され、前記リフタアームを水平に支持した状態で昇降して、該リフタアームを昇降させる昇降軸と
を備え、
前記ピンを支持した状態で前記リフタアームが昇降することにより、前記孔から前記ピンを出没させるリフタにおいて、
前記リフタアーム、前記支持板及び前記昇降軸を各一対備え、
前記昇降軸を回転させることにより、又は前記支持板を前記昇降軸に対して回転させることにより、各リフタアームを相互に離反させるように構成されていることを特徴とするリフタ。
【請求項２】
前記支持板の一端部に、該支持板の長手方向と直交する方向に前記リフタアームを突設し、他端部は、固定ねじが貫通されて、前記昇降軸の上端部にねじ止めされ、各支持板の一端部同士を突き合わせた状態で、両支持板が連結板により連結されており、
前記連結板による連結を解除して、前記固定ねじを緩め、前記支持板を前記昇降軸に対して回転させることにより、各リフタアームを相互に離反させる請求項１に記載のリフタ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のリフタと、
該リフタを配置するチャンバと、
該チャンバ内に配置され、被処理体を載置する載置台と
を備えることを特徴とする被処理体の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板及び液晶用ガラス基板等の被処理体を昇降させるためのリフタ、
及びこれを備え、被処理体に成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理及び結晶化処理等の処理を行う処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造工程においては、半導体ウエハ等の被処理体に成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等の各種の処理を繰り返し行うことによって被処理体に集積回路を形成する。このような製造工程の各処理段階においては、処理装置のチャンバ内に配置された基板載置台上に半導体ウエハを載置した状態で、基板載置台上の半導体ウエハに対して各種の処理を施すことが多い。このような処理装置において、半導体ウエハを基板載置台へ供給し、基板載置台から半導体ウエハを取り出す場合に、基板載置台に対して半導体ウエハを昇降動作させるリフタが用いられている。
【０００３】
図６は、特許文献１と同様の従来のマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式的断面図であり、図中、１３０は処理装置である。この処理装置１３０は、略円筒状であるチャンバ１３１を備えている。チャンバ１３１の底部の中央部は開口しており、この底部に排気管１３２が連設されている。排気管１３２は、開口した部分の径と同径である上部排気管１３２ａと、下側が小径となっている配管１３２ｂと、配管１３２ｂに開閉弁１３３を介して接続された排気制御弁１３２ｃとを備えている。排気制御弁１３２ｃの下端には、真空ポンプ１３４が接続されており、真空ポンプ１３４の側部には、排気管１３５が接続されている。
【０００４】
チャンバ１３１の中央部には、半導体ウエハＷを水平に保持する基板載置台１３６が設けられている。基板載置台１３６は、支持部１３７により支持されている。支持部１３７は支持部固定部１３８に固定され、支持部固定部１３８は取付部１５５を介して上部排気管１３２ａに取り付けられている。
【０００５】
基板載置台１３６の下側には、リフタ１３９が配されている。
図７は、リフタ１３９を示す平面図である。リフタ１３９のリフタアーム１４０は、一体成形されたＣ字状をなし、開口部を取り付け側と反対側に配した状態で、基部がホルダ１４３に取り付けられている。図６において、ホルダ１４３は省略してある。ホルダ１４３には、昇降軸１４５，１４５が貫通しており、昇降軸１４５、１４５は昇降機構（図示せず）により昇降するように構成されている。
【０００６】
基板載置台１３６には上下方向に貫通する３つのピン挿通孔が設けられており（図６中では２本のみ示す）、２つのピン挿通孔には、台座１４２を介してリフタアーム１４０に立設されたピン１４１，１４１,１４１がそれぞれ遊嵌されている。リフタアーム１４０は、チャンバ１３１の底部を昇降可能に貫通する前記昇降軸１４５により、昇降可能に構成されており、リフタアーム１４０の動きに伴いピン１４１がピン挿通孔から出没することにより、半導体ウエハＷの上げ下ろしが出来るようになっている。昇降軸１４５のチャンバ１３１の貫通部には、金属製のベローズ１４６が設けられており、密閉されたベローズ１４６内を昇降軸１４５が昇降する。
【０００７】
チャンバ１３１の側壁には、処理装置１３０に隣接する搬送室（図示せず）からチャンバ１３１内へ半導体ウエハＷを搬入し、チャンバ１３１から搬送室へ半導体ウエハＷを搬出するための搬送口１３１ａが設けられている。搬送口１３１ａはゲートバルブ１４８により開閉される。
【０００８】
チャンバ１３１の上側には、透過板支持部１４９が設けられている。透過板支持部１４９の内側には、マイクロ波を透過させるマイクロ波透過板１５０が嵌められている。
マイクロ波透過板１５０の上側には、円板状の平面アンテナ１５１が設けられている。平面アンテナ１５１には、所定のパターンを有し、平面アンテナ１５１の上下方向に貫通する、多数のマイクロ波放射孔（スロット）１５１ａ，１５１ａ…が設けられている。
さらに、平面アンテナ１５１の上側には、遅波板１５２が配置されている。
透過板支持部１４９の上側には、遅波板１５２の上面及び側面、並びに平面アンテナ１５１の側面を覆うように、蓋部１５３が設けられている。
蓋部１５３の中央部は開口しており、この開口した部分の周縁部に沿って同軸導波管１５４が連設されている。マイクロ波発生装置（図示せず）により発生した、例えば周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が同軸１導波管１５４を介して平面アンテナ１５１へ伝搬される。
【０００９】
以上のように構成される処理装置１３０において、基板載置台１３６及びリフタ１３９をチャンバ１３１内に取り付ける場合、まず、リフタアーム１４０をチャンバ１３１内に取り付ける。次に、基板載置台１３６を支持部１３７に取り付け、この支持部１３７を支持部固定部１３８に固定して、この支持部固定部１３８をリフタアーム１４０の上方から下ろして、取付部１５５に嵌め込む。
【特許文献１】特開２００３−１３３２９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図６の処理装置１３０のように、一般的にはリフタアーム１４０が分割しておらず、リフタアームがリング状、又はＣ字状である場合、リフタアーム１４０の内径が支持部固定部１３８の外径より大きいときは、リフタアーム１４０をチャンバ１３１に取り付けた状態で、支持部固定部１３８をリフタアーム１４０の内側に通して、支持部固定部１３８を取付部１５５に取り付けることが出来る。
しかし、リフタアーム１４０の内径が支持部固定部１３８の外径より小さいときは、リフタアームをチャンバ１３１に取り付けた状態で、支持部固定部１３８をリフタアーム１４０の内側に通すことが出来ず、支持部固定部１３８を取付部１５５に取り付けることが出来ないという問題があった。
また、支持部固定部１３８をチャンバ１３１に取り付けた状態で、リフタアーム１４０を交換することが出来ないという問題があった。
【００１１】
リフタアームが分割した処理装置も考えられているが、この場合、リフタアームの内径が支持部固定部１３８の外径より大きいときは、分割したリフタアームを突き合わせてチャンバ１３１に取り付けた後に、支持部固定部１３８をリフタアームの内側に通して、支持部固定部１３８を取付部１５５に取り付ける。
リフタアームの内径が支持部固定部１３８の外径より小さいときは、リフタアームを突き合わせずに、分割した状態でチャンバ１３１内に置いておき、支持部固定部１３８を、チャンバ１３１と排気管１３２との間を通して取付部１５５に取り付けた後に、リフタアームを突き合わせてチャンバ１３１に取り付ける。
このように、支持部固定部１３８を取付部１５５に取り付けた状態において、リフタアームをチャンバ１３１へ取り付けるのは非常に困難であり、熟練を要し、長時間を要するという問題があった。
また、支持部固定部１３８をチャンバ１３１に取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来ないという問題があった。
さらに、リフタアームが分割しているので、左右の部品の精度の差により、ピン１４１の高さが揃わないときがあるという問題があり、これは処理装置が昇降軸１４５の傾き調整機構を有する場合においても、調整不可能であった。
【００１２】
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、載置台を固定した部材を容易に、リフタアーム間に通してチャンバに取り付けることが出来、また、前記部材をチャンバに取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来、さらにピンの高さの調整をリフタアーム毎に行うことが出来るリフタを提供することを目的とする。
【００１３】
また、本発明は、載置台を固定した部材を容易に、リフタアーム間に通してチャンバに取り付けることが出来、また、前記部材をチャンバに取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来、さらにピンの高さの調整をリフタアーム毎に行うことが出来るリフタを備える、被処理体の処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
第１発明に係るリフタは、チャンバ内で処理される被処理体を載置する載置台に貫設した複数の孔に挿通させる複数のピンと、該ピンを支持するリフタアームと、該リフタアームを水平に支持する支持板と、上下方向に延在し、前記支持板が連結され、前記リフタアームを水平に支持した状態で昇降して、該リフタアームを昇降させる昇降軸とを備え、前記ピンを支持した状態で前記リフタアームが昇降することにより、前記孔から前記ピンを出没させるリフタにおいて、前記リフタアーム、前記支持板及び前記昇降軸を各一対備え、前記昇降軸を回転させることにより、又は前記支持板を前記昇降軸に対して回転させることにより、各リフタアームを相互に離反させるように構成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明においては、一方の昇降軸を時計回り、他方の昇降軸を反時計回りに回転させることで、各リフタアームが相互に離反させることが出来る。
従って、載置台を固定した部材をチャンバに取り付ける場合に、リフタアームの内径より前記部材の外径が大きいときでも、一対のリフタアームを相互に離反させることで、前記部材を上方から容易に、リフタアーム間に通してチャンバに取り付けることが出来る。  そして、リフタアームが分割しているので、前記部材をチャンバに取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来る。
従って、メンテナンスを短時間で行うことが出来る。
また、ピンの高さの調整をリフタアーム毎に行うことが出来る。
【００１６】
第２発明に係るリフタは、第１発明において、前記支持板の一端部に、該支持板の長手方向と直交する方向に前記リフタアームを突設し、他端部は、固定ねじが貫通されて、前記昇降軸の上端部にねじ止めされ、各支持板の一端部同士を突き合わせた状態で、両支持板が連結板により連結されており、前記連結板による連結を解除して、前記固定ねじを緩め、前記支持板を前記昇降軸に対して回転させることにより、各リフタアームを相互に離反させることを特徴とする。
【００１７】
本発明においては、固定ねじを緩めることで、リフタアームを支持した支持板が容易に昇降軸に対して回転することが出来る。従って、容易に、リフタアームを相互に離反させることが出来る。
【００１８】
第３発明に係る被処理体の処理装置は、第１又は第２発明のリフタと、該リフタを配置するチャンバと、該チャンバ内に配置され、被処理体を載置する載置台とを備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明においては、載置台を取り付けた部材をチャンバに取り付ける場合に、一対のリフタアームを相互に離反させることで、容易に前記部材を上方から下方に通してチャンバに取り付けることが出来る。そして、前記部材をチャンバに取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来る。また、ピンの高さの調整をリフタアーム毎に行うことが出来る。
【発明の効果】
【００２０】
第１及び第３発明によれば、載置台を固定した部材及びリフタをチャンバに取り付ける場合に、リフタを予めチャンバに取り付けておき、一対のリフタアームを相互に離反させることで、前記部材を上方から容易に、リフタアーム間に通してチャンバに取り付けることが出来、また、前記部材をチャンバに取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来、さらに、ピンの高さの調整をリフタアーム毎に行うことが出来る。
【００２１】
第２発明によれば、固定ねじを緩めて回転させることにより、容易に、リフタアームを相互に離反させることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明をマイクロ波プラズマ処理装置に適用した場合の実施形態を示す図面に基づいて、具体的に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式的断面図であり、図中、１がマイクロ波プラズマ処理装置である。
このマイクロ波プラズマ処理装置１は、気密に構成されており、略円筒状であるチャンバ２を備えている。チャンバ２はＡｌ等の金属製で、略円筒状に形成されている。チャンバ２の底部の中央部は開口しており、この底部に排気管３が連設されている。排気管３は、前記開口した部分と略同径である上部排気管３ａと、下側が小径となっている配管３ｂと、配管３ｂに開閉弁４を介して接続された排気制御弁３ｃとを備えている。排気制御弁３ｃの下端には、真空ポンプ５が接続されており、真空ポンプ５の側部には、排気管６が接続されている。真空ポンプ５を作動させることにより、チャンバ２内の雰囲気が排気管３を通流されて外へ排出され、チャンバ２内が所要の真空度まで減圧される。
【００２３】
チャンバ２の中央部には、被処理基板である半導体ウエハＷを水平に保持する基板載置台７が設けられている。基板載置台７は、基板載置台７の裏面中央部から鉛直下方にチャンバ２の開口部へ向かって延びる、石英製の支持部８により支持されている。基板載置台７は、例えばＳｉＣからなる発熱体７４、ＳｉＣからなる電極（図示せず）、及び熱電対３６を内蔵しており、この発熱体７４が給電されて放熱（赤外、遠赤外）により、半導体ウエハＷを直接加熱するように構成されている。
【００２４】
基板載置台７の外周側方には、環状であり、石英製のバッフル板４０が設けられている。この石英としては、不純物を含まない高純度のものが好ましく、不透明石英がさらに好ましい。このバッフル板４０は、複数の排気孔を有し、支持部材により支持されている。これによりチャンバ２内を均一に排気するとともに、チャンバ２で生成されたマイクロ波プラズマにより、下方からコンタミネーションが逆流するのが防止される。
基板載置台７の下側には、リフタ９（図２参照）が配されている。基板載置台７には上下方向に貫通する３つのピン挿通孔が設けられており（図１中では２本のみ示す）、２つのピン挿通孔には、例えば石英製のリフタアーム９１及びリフタアーム９２に支持された例えば石英製のピン９３及びピン９４がそれぞれ上下動自在に遊嵌されている。リフタアーム９１等及びピン９３等の材質はＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ等のセラミックでもよい。リフタアーム９１及びリフタアーム９２は、チャンバ２の底部を上下動可能に貫通する昇降軸９６、９６により、上下動可能に構成されており、リフタアーム９１及びリフタアーム９２の動きに伴いピン９３及びピン９４が連動して上下方向に動くことにより、半導体ウエハＷの上げ下ろしが出来るようになっている。
【００２５】
チャンバ２の内側には、チャンバ２の内周面に沿って、略円筒状であり、不透明石英製のライナ１０が設けられている。チャンバ２の上部は開口しており、この開口したチャンバ２の端面に、環状のガス導入部１１が載置されている。ガス導入部１１の内周面には多数のガス放射孔１１ａが均一に設けられており、配管１１ｃを介してガス供給機構１１ｂに接続されている。ガス供給機構１１ｂは、例えばＡｒガス供給源、Ｏ2ガス供給源、Ｈ2ガス供給源、Ｎ2 ガス供給源、その他のガス供給源を有しており、これらのガスはガス導入部１１へ導入され、ガス導入部１１のガス放射孔からチャンバ２内へ均一に放射される。なお、Ａｒガスに代えて他の希ガス、例えばＫｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ等のガスを用いてもよい。
【００２６】
チャンバ２の側壁には、マイクロ波プラズマ処理装置１に隣接する搬送室（図示せず）からチャンバ２内へ半導体ウエハＷを搬入し、チャンバ２から搬送室へ半導体ウエハＷを搬出するための搬送口２ａが設けられている。搬送口２ａはゲートバルブ１２により開閉される。搬送口２ａの上側には、チャンバ２の周方向に冷却水を通流させるための冷却水流路２ｂが、搬送口２ａの下側には、冷却水流路２ｃ，２ｃが設けられており、冷却水供給源５０より冷却水を供給されるように構成されている。
【００２７】
チャンバ２の上側には、チャンバ２内に突出する透過板支持部１３が設けられている。透過板支持部１３には、その周方向に冷却水を通流させるための複数の冷却水流路１３ａが設けられており、冷却水供給源５０より冷却水を供給される。この透過板支持部１３の内側には例えば２段の段部が形成されており、石英等の誘電体からなる、マイクロ波を透過させるマイクロ波透過板１４が、透過板支持部１３の段部にＯリング等のシール部材１５を介して気密に嵌められている。誘電体としては、Ａｌ2 Ｏ3 等のセラミックが適用される。
【００２８】
マイクロ波透過板１４の上側には、円板状の平面アンテナ１６が設けられ、透過板支持部１３に接地されている。平面アンテナ１６は、例えば８インチサイズの半導体ウエハＷに対応する場合には、直径が３００〜４００ｍｍ、厚みが０．１〜１０ｍｍ（例えば５ｍｍ）であり、銅製であって、表面が金又は銀メッキされた円板状をなす。平面アンテナ１６には、所定のパターンを有し、平面アンテナ１６の上下方向に貫通する、多数のマイクロ波放射孔（スロット）１６ａ，１６ａ…が設けられている。マイクロ波放射孔１６ａは、平面視が長溝状をなし、複数の同心円上に、隣接するマイクロ波放射孔１６ａ，１６ａがハの字状になるように、マイクロ波の波長（λｇ）に対応して、例えばλｇ／４、λｇ／２、λｇの間隔で形成されている。平面アンテナ１６は、四角状でもよい。
【００２９】
平面アンテナ１６の上側には、平面アンテナ１６より少し小径であり、真空より大きい誘電率を有する、例えば石英、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド等の樹脂からなる遅波板１７が配置されている。真空中ではマイクロ波の波長が長くなるので、この遅波板１７により、マイクロ波の波長が短くされてプラズマが調整されて径方向（放射方向）に伝搬される。
【００３０】
透過板支持部１３の上側には、遅波板１７の上面及び側面、並びに平面アンテナ１６の側面を覆うように、導電性の蓋部１８が設けられている。アンテナ支持部１３と蓋部１８との間は、リング状のシール部材１９により気密にシールされている。蓋部１８には、蓋対１８の周方向に冷却水を通流させるための冷却水流路１８ａ，１８ａ…が形成されており、この冷却水流路１８ａ，１８ａ…に冷却水供給源５０より冷却水を通流されて、蓋部１８、遅波板１７、平面アンテナ１６及びマイクロ波透過板１４が冷却され、プラズマを安定に生成するとともに、破損や変形が防止されるようになっている。
【００３１】
蓋部１８の中央部には開口部が形成されており、この開口部に同軸導波管２０が連設されている。同軸導波管２０の端部には、整合器２１を介してマイクロ波発生装置２２が接続されている。マイクロ波発生装置２２により発生した、例えば周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が同軸導波管２０を介して平面アンテナ１６へ伝搬される。なお、マイクロ波の周波数としては、８．３５ＧＨｚ、１．９８ＧＨｚでもよい。
【００３２】
同軸導波管２０は、蓋部１８の開口部から上方へ延びる外導体の円形導波管２０ａと、この円形導波管２０ａの上端部にモード変換器２３を介して接続され、水平方向に延びる矩形同軸導波管２０ｂとを備えている。モード変換器２３により、矩形同軸導波管２０ｂをＴＥモードで伝搬するマイクロ波がＴＥＭモードに変換される。円形導波管２０ａの中心には内導体２０ｃが内蔵されており、円形導波管２０ａとで同軸導波管２０を構成する。この内導体２０ｃの下端部は、遅波板１７の中央部に設けられた孔を貫通して平面アンテナ１６に接続されている。マイクロ波は、同軸導波管２０を介して平面アンテナ１６に均一にラジアル方向に効率良く伝搬される。
【００３３】
基板載置台７を支持する円筒状の支持部８の底部は、例えばＡｌ製で、フランジ部を有する円柱状の支持部固定部２４に、例えばＡｌ製の固定板２５を介してクランプ２６により固定されている。支持部固定部２４は、Ａｌ製の固定部取付部２７の上部に嵌められている。支持部固定部２４の側部には、支持部固定部２４の周方向に冷却水を通流させるための冷却水流路２４ａが設けられており、冷却水供給源５０より冷却水を供給される。固定部取付部２７は、その側部が上部排気管３ａに取り付けられている。
【００３４】
固定部取付部２７には、上部排気管３ａ側の側部に開口部２７ｂが設けられており、この開口部２７ｂを上部排気管３ａに設けられた孔２８ａに合わせた状態で、固定部取付部２７が上部排気管３ａに固定されている。従って、固定部取付部２７内に形成する空間部２７ｃは、開口部２７ｂ及び孔２８ａを介して大気と連通している。空間部２７ｃには、基板載置台７の温度を測定制御するための熱電対３６の配線、発熱体７４への電力を供給する配線等が配設されている。
【００３５】
マイクロ波プラズマ処理装置１の各構成部は、インタフェース５１を介して、ＣＰＵを備えた制御部３０に接続されて制御される構成となっている。インタフェース５１を介し、制御部３０の制御下で、マイクロ波プラズマ処理装置の所望の処理が行われる。
【００３６】
図２は、リフタ９を示す斜視図である。
石英製のリフタアーム９１及び９２は、基板載置台７の下方に配されており、リフタアーム９１，９２は、チャンバ２の底部を上下動可能に貫通する昇降軸９６，９６によりチャンバ２内を昇降出来るように構成されている（図１参照）。
リフタアーム９１，９２は、昇降軸９６，９６に、連結部９７，９７を介して連結されており、チャンバ２の径方向と一致する方向に延びる延出部９１ａ，９２ａと、基板載置台７と同心で、基板載置台７の径より少し小径の円の円弧をなす円弧部９１ｂ，９２ｂとからなる。円弧部９１ｂは円弧部９２ｂより長い。円弧部９１ｂの先端部には、石英製のピン９３が立設されており、ピン９３から周方向に１２０度離隔してピン９５が立設されている。円弧部９２ｂの先端部には、ピン９４が立設されている。ピン９３，９４及び９５は、それぞれ周方向に１２０度離隔して立設されている。
【００３７】
前記連結部９７は、各２枚の支持板９７ａ、連結板９７ｂ及び止め板９７ｃ、並びにカバー９７ｄ、例えば２つの固定ねじ９７ｅ、４つのねじ９７ｆ及び２つのねじ９７ｇを備える。リフタアーム９１，９２は、支持板９７ａ，９７ａにそれぞれ、止め板９７ｃ，９７ｃを介してねじ９７ｆ，９７ｆ，…によりねじ止めされている。支持板９７ａ，９７ａの端部下側には、それぞれ連結板９７ｂ，９７ｂが連結されている。各固定ねじ９７ｅは、支持板９７ａ及び連結板９７ｂを貫通した状態で、昇降軸９６の上端部にねじ止めされている。
カバー９７ｄは、２枚の支持板９７ａを突き合わせたときに、両端部が支持板９７ａ，９７ａの凹部９７ｈ，９７ｈに嵌められ、支持板９７ａ，９７ａの背後を覆った状態で、ねじ９７ｇ，９７ｇにより支持板９７ａ，９７ａにねじ止めされて、支持板９７ａ，９７ａを連結するように構成されている。
【００３８】
図３は、リフタアーム９１，９２が外側に開いた状態を示す斜視図である。
リフタアーム９１，９２を外側に開ける場合、まず、各ねじ９７ｇを緩めて、カバー９７ｄを外す。そして、各固定ねじ９７ｅを緩めることで、リフタアーム９１が連結された支持板９７ａ及び連結板９７ｂ、並びにリフタアーム９２が連結された支持板９７ａ及び連結板９７ｂの昇降軸９６へのねじ止めが解除されて、昇降軸９６に対し相対的に回転出来るようになり、リフタアーム９１，９２を手で支持して相互に離反するように開くことが出来る。
リフタアーム９１，９２は、昇降軸９６，９６を、後述する駆動部１１０により回転させることで、相互に離反するようにしてもよい。
【００３９】
図４は、リフタ９を示す背面斜視図である。
リフタ９の駆動部１１０は、軸ホルダ１１１、支持部１１２、支持部１１３、支柱部１１４、リニアスライドレール１１５、モータ１１６、プーリ１１７、ボールねじ１１８、支持部１１９及び載置台１２２を備える。
軸ホルダ１１１、支持部１１２及び支持部１１３は連結され、支持部１１９は支持部１１３の内側に嵌め込まれた支持部１１３ａに連設されている。
リニアスライドレール１１５は、支柱部１１４の鉛直方向に設けられており、支持部１１３の鉛直方向に設けられた凹溝部がリニアスライドレール１１５に嵌められている。支柱部１１４はモータ１１６上の載置台１２２上に載置されている。支柱部１１４の下部には凹部１１４ａが設けられており、凹部１１４ａ内で、モータ１１６の回転がプーリ１１７に伝達されるように構成されている。
昇降軸９６，９６は、連結板９８，９８を貫通して金属製の蛇腹状のベローズ９９，９９内を挿通され、軸ホルダ１１１により保持されている。
モータ１１６が駆動し、モータ１１６によりプーリ１１７を介してボールねじ１１８が回転すると、これに伴い支持部１１９が上下し、これに連動して、支持部１１３、並びにこれに連なる支持部１１２及び軸ホルダ１１１が、リニアルスライドレール１１５に沿って、上下にスライドするように構成されている。これにより、ベローズ９９，９９により、チャンバ２内の気密性を維持しつつ、昇降軸９６，９６が上下し、リフタアーム９１，９２が上下する。
【００４０】
また、ねじ１２０，１２０を回すことにより、昇降軸９６，９６及びこれに連結されたリフタアーム９１，９２の位置が、ｙ軸方向に微調整されるように構成されている。そして、軸ホルダ１１１及び１１２の下面を貫通するねじ１２１を回すことにより、昇降軸９６及びこれに連結されたリフタアーム９１，９２の位置が、ｘ軸方向に微調整されるように構成されている。
【００４１】
図５は、ピン９３が基板載置台７のピン挿通孔に挿通された状態を示す一部断面図である。
基盤部７１の周縁部寄りには、基盤部７１を上下方向に貫通するピン挿通孔７１ａが設けられている。ピン挿通孔７１ａの上部の孔の外縁には、例えばパイプ状の突出部７１ｂが設けられ、突出部７１ｂの上部に、第１リフレクタ７２が支持されている。同様に、第１リフレクタ７２、絶縁板７３及び発熱体７４には、ピン挿通孔７２ａ、ピン挿通孔７３ａ及びピン挿通孔７４ａがそれぞれ設けられている。カバー７５の下面には、ピン挿通孔７４ａ、ピン挿通孔７３ａ及びピン挿通孔７２ａに対応して貫通し、ピン挿通孔７１ａの内部まで達するピン挿通部７５ａが垂設されている。そして、ピン挿通部７５ａには、ピン９３が上下に移動可能な挿通孔７５ｂが形成されている。
【００４２】
リフタアーム９１の先端部には、リフタアーム９１を貫通する貫通孔９１ｃが設けられている。
リフタアーム９１に設けられた貫通孔９１ｃには、ピン９３を支持する、ピン固定部１０２が挿通され、リフタアーム９１の下面で、下側固定部１０３により固定されている。例えばナットからなるピン固定部１０２は、鍔部１０２ａ、遊動部１０２ｂ、螺合部１０２ｃ及びピン挿入孔１０２ｄを備える。鍔部１０２ａは遊動部１０２ｂより大径であり、ピン９３は、下端部がピン挿入孔１０２ｄにねじ止めされている。遊動部１０２ｂは貫通孔９１ｃに遊嵌され、鍔部１０２ａは貫通孔９１ｃより大径であり、リフタアーム９１の上面に当接している。螺合部１０２ｃの外周面には雄ねじが設けられている。貫通孔９１ｃより大径である、例えばナット等の固定部材である下側固定部１０３は、螺合部１０２ｃに螺合されて、リフタアーム９１の下面に当接した状態で、ピン固定部１０２が前後左右に可動するとともに、ピン９３が可動する。
【００４３】
他のピン９４，９５も同様に、ピン固定部１０２の内部にねじ止めされており、このピン固定部１０２の遊動部１０２ｂがリフタアーム９１，９２に設けられた貫通孔に遊嵌されている。
【００４４】
上述したように、リフタアーム９１，９２が昇降軸９６，９６により昇降されることにより、リフタアーム９１，９２に設けられたピン９３，９４，９５が昇降する。ピン９３，９４，９５が上昇して、上端部が基板載置台７を突き抜けたときに、半導体ウエハＷが持ち上げられ、ピン９３，９４，９５が下降して、上端が基板載置台７内に収納されたときに、半導体ウエハＷは基板載置台７に載置される。
【００４５】
以上のように、ピン固定部１０２が貫通孔９１ｃに遊嵌されているので、ピン９３をねじ込んだピン固定部１０２は遊びの分、貫通孔９１ｃの径方向に動くことが出来る。従って、リフタ９のチャンバ２への組み付け時に、ピン９３は、ピン挿通部７５ａに容易に挿通され、容易にピン挿通孔７５ｂ内へ導入される。
その際、ピン９３がピン挿通孔７５ｂの内壁に接触してもピン固定部１０２がフローティング状態にあるので、直ちに、ピン９３の軸心がピン挿通孔７５ｂの軸心と一致した状態で遊嵌される。処理時に基板載置台７が熱膨張した場合にもピン９３が貫通孔９１ｃ内をまた、自由に動くことが出来るので、破損することなく、ピン挿通孔７５ｂ内をピン９３がスムースに昇降することが出来るため、ピン９３の径を従来のピンの径より大きくすることが出来、安定した半導体ウエハＷの支持及び搬送が可能となる。
他のピン９４，９５も同様に、基板載置台７のピン挿通孔及びピン挿通部へ容易に導入され、ピン９４，９５のピン挿通孔及びピン挿通部へ設定が容易に調整される。そして、ピン９４，９５の破損が抑制されている。
【００４６】
そして、本実施形態においては、リフタ９をチャンバ２に取り付けた後に、基板載置台７を載置した支持部８を固定した支持部固定部２４をチャンバ２及び排気管３内に取り付ける場合、支持部固定部２４の外径がリフタアーム９１，９２により形成される円の内径より大きいときでも、上述したように、リフタアーム９１，９２を相互に離反させ、開くことが出来るので、容易に前記支持部固定部２４を上方から、リフタアーム９１，９２間を通して、固定部取付部２７に嵌め込み、排気管３に固定することが出来る。
また、支持部固定部２４をチャンバ２に取り付けた状態で、リフタアーム９１，９２を左右に開き、ねじ９７ｆ，９７ｆ…を外し、リフタアーム９１，９２を支持板９７ａ，９７ａから外して他のリフタアームと交換することが出来る。
従って、本実施形態においてはメンテナンスを短時間に行うことが出来る。
さらに、リフタアーム９１、９２が分割しているので、リフタアーム９１、９２の高さの調整を調整ねじ等により各別に行うことが出来、リフタアーム９１、９２の寸法精度の差により、ピン９３，９５と９４との高さが揃わない場合等に高さを合わせることが可能である。
【００４７】
以上のように構成されたマイクロ波プラズマ処理装置１においては、ガス導入部１１から例えばＡｒガス及びＯ2ガスを導入し、平面アンテナ１６を所定の周波数のマイクロ波で駆動することにより、チャンバ２内に高密度プラズマが形成される。励起されたＡｒガスプラズマは酸素分子に作用し、チャンバ２内には、酸素ラジカルが効率良く、均一に形成され、基板載置台７上に載置された半導体ウエハＷの表面が酸化される。半導体ウエハＷを窒化処理する場合は、Ａｒガス等の希ガスとＮＨ3ガス又はＮ2ガスとをガス導入部１１からチャンバ２内に導入し、半導体ウエハＷを酸窒化処理する場合は、窒化処理に用いるガスにさらにＯ2ガスを導入する場合がある。
【００４８】
なお、マイクロ波プラズマ処理装置１の構成は、前記実施の形態において説明した場合に限定されない。
そして、前記実施形態においては、本発明をマイクロ波プラズマ処理装置に適用した場合につき説明しているが、これに限定されるものではなく、本発明は、他の成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等を行う処理装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式的断面図である。
【図２】リフタを示す斜視図である。
【図３】リフタアームが外側に開いた状態を示す斜視図である。
【図４】リフタを示す背面斜視図である。
【図５】ピンが基板載置台のピン挿通孔に挿通された状態を示す一部断面図である。
【図６】従来のマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式的断面図である。
【図７】従来のリフタを示す平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  マイクロ波プラズマ処理装置
２  チャンバ
３  排気管
４  開閉弁
５  真空ポンプ
７  基板載置台
７１  基盤部
７２  第１リフレクタ
７３  絶縁板
７４  発熱体
７５  カバー  
７６  第２リフレクタ
８  支持部
９  リフタ
９１、９２  リフタアーム
９３、９４、９５  ピン
９６  昇降軸
９７  連結部
９７ａ  支持板
９７ｂ  連結板
９７ｃ  止め板
９７ｄ  カバー
９７ｅ  固定ねじ
９８  連結板
９９  ベローズ
１３  透過板支持部
１４  マイクロ波透過板
１６  平面アンテナ
２４  支持部固定部
２７  固定部取付部
１０２  ピン固定部
１０２ａ  鍔部
１０２ｂ  遊動部
１０２ｃ  螺合部
１０３  下側固定部
１１０  駆動部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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