(57)【要約】【課題】  基材の温度制御が容易にでき、かつ基材の変形を小さく抑えて基材を保持することで堆積膜の性能や品質の高い堆積膜製品を得ることができる膜堆積装置及び膜堆積方法を提供する。【解決手段】  真空チャンバと、真空チャンバ内に基材を保持する基材ホルダと蒸発源とを備え、基材の表面に膜を堆積する膜堆積装置において、基材ホルダは、基材の裏面と接して基材を所定の温度にする熱源からの熱を伝達する蒸発源と対向する面と、基材に対し基材の厚み方向と直交する方向に張力を付与する張力付与保持手段とを有する。【選択図】        図３
2007009255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバと、前記真空チャンバ内に基材を保持する基材ホルダと蒸発源とを備え、前記基材の表面に膜を堆積する膜堆積装置において、
前記基材ホルダは、前記基材の裏面と接して該基材を所定の温度にする熱源からの熱を伝達する前記蒸発源と対向する面と、
前記基材に対し該基材の厚み方向と直交する方向に張力を付与する張力付与保持手段とを有することを特徴とする膜堆積装置。
【請求項２】
前記蒸発源と対向する面は凸形状であることを特徴とする請求項１に記載の膜堆積装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の膜堆積装置を用いて基材の表面に膜を堆積することを特徴とする膜堆積方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
真空中にて原料を蒸発させ、蒸発した原料を基材に堆積させることで膜堆積品を得る膜堆積装置および膜堆積方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基材に原料膜を堆積させる方法としては（真空）蒸着法、スパッタ法及びＣＶＤ法等の気相堆積法による膜堆積方法が広く知られている。ここで、基材を保持する基材ホルダは様々な形態が存在するが、一般的には基材は原料膜の堆積中に基材ホルダの所定の位置に固定されていれば良い。
【０００３】
しかし、実際は、基材の温度が蒸発源からの輻射熱や蒸発蒸気の顕熱等の熱が加わることで、基材と基材ホルダは、それぞれの熱膨張による変形が生じることで微視的には固定されず互いに動いている関係となる。また、基材と基材ホルダとが固定されることによる拘束力から、内部応力や歪みが生じ、場合によっては、一般的に基材ホルダより脆弱な基材が割れる等の破壊に至ることがある。
【０００４】
また、基材を基材ホルダに固定する場合、基材の面積が大きく、これに対してその厚さが薄い場合、基材ホルダで基材の周辺部を保持すると、基材の自重でもって、例えばその中央部が下に撓むことがある。この状態で基材に原料膜を堆積させ、その後、基材を平板形状で使用しようとすると、原料膜に応力が生じることで、原料膜の特性の変化や割れが生じることがある。
【０００５】
一方で、基材に蒸発源からの輻射熱や蒸発蒸気の顕熱等の熱が加わることで、基材の温度が上昇し、堆積させている原料膜の性能が変化することがある。
【０００６】
この様な原料膜の堆積が行われる例としては、例えば、放射線画像記録再生システムに使用される記録媒体である、蓄積性蛍光体パネルの製造がある。
【０００７】
放射線画像記録再生システムは、Ｘ線等の放射線を照射するとこの放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光を照射すると蓄積された放射線エネルギーに応じて輝尽発光を示す蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用して、人体等の被写体の放射線像を蓄積性蛍光体層に一旦潜像として記録し、この蓄積性蛍光体層にレーザ光等の励起光を照射して輝尽発光光を生じせしめ、この輝尽発光光を光電的に検出して被写体の放射線像を示す画像信号を取得する放射線画像記録装置および放射線画像読取装置等からなるシステムとして知られている。
【０００８】
この蓄積性蛍光体パネルには、放射線像を高い解像力で記録再生したいという要求がある一方で、蓄積性蛍光体を密度高く充填した蓄積性蛍光体層は放射線像を高い解像力で記録再生できることが知られている。
【０００９】
一般に蓄積性蛍光体パネルの作製に使用される基材は基材面の面積が大きく（例えば基材の大きさが３００ｍｍ×３００ｍｍ以上）、これに対して基材の厚みが薄い（例えば基材の厚みが２ｍｍ程度）ので、この蓄積性蛍光体パネルが蒸着装置内に基材の周縁部を介して保持されると、基材の自重によりこの基材の中央部が下方に撓んでしまう。このまま蒸着が施されて基材上に蓄積性蛍光体層が堆積されると、この撓んだ基材を所定の平板形状に戻したときに、蓄積性蛍光体層と基材との間にせん断応力が生じて蓄積性蛍光体層が剥離したり、蓄積性蛍光体層内に生じた内部応力によって蓄積性蛍光体層にひび割れが生じることがある。特に、この蓄積性蛍光体層の厚みは通常の厚み（例えば厚さ数μｍ）より厚く（例えば厚さ５００μｍ）堆積されるので、上記撓んだ形状を平板形状に戻すときに通常の層厚で堆積された蒸着層に比してより大きなせん断応力や内部応力が発生する。
【００１０】
なお、上記課題は、基材への蒸着により蓄積性蛍光体層を堆積する場合に限らず、一般に考慮しておかねばならないものである。
【００１１】
これらの課題に対して次のような対応方法が開示されている。
【００１２】
（１）静電吸着させる方法（例えば、特許文献１）。
基材を基材ホルダに静電力により吸着させ、基材自体の変形を防ぐことができる。
【００１３】
（２）磁気吸引力を使用した方法（例えば、特許文献２）。
基材を基材ホルダに磁気吸引力により吸着させ、基材自体の変形を防ぐことができる。
【００１４】
（３）基材に押圧を加えて土台に沿わせる方法（例えば、特許文献３）。
基材は、基材の両端を保持部材により保持され、この保持部材を互いに近づける様にして基材に押圧を加え、重力と反対側に撓ませる。そして、基材の上に設けられている土台の基材側の面を下に凹形状として、この凹形状に基材を沿わしている。
【００１５】
（４）基材に張力を加えて自重による撓み量を軽減する方法（例えば、特許文献３）。基材は、基材の両端を保持部材により保持され、この保持部材を互いに離れる様に基材に張力を加えることで、基材の自重により下に凸となる形状の撓み量を軽減させている。
【特許文献１】特開２００３−３４４５９２号公報
【特許文献２】特開２００４−１８９３８号公報
【特許文献３】特開２００４−３７２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上記（１）に記載の方法には次のような課題がある。まず、静電力による吸着を行うため、基材は誘電体で分極を生じさせることが必要である。従って、使用する基材に制限がある。また、分極を生じさせるためには、３〜１０ｋＶの高電圧を必要とする。例えば、基材ホルダ内に対抗した電極を設け、この対の電極に先の高電圧を印可する必要がある。
【００１７】
一般に基材ホルダは、原料膜を堆積させる時に、膜を均一にすることを目的として堆積する基材面の面内方向に回転させている。従って、高電圧を印可した状態で基材ホルダを回転させるためにはスリップリング等の電圧伝達手段が必要となる。従って、吸引のための機構が大掛かりなものとなり設備投資等の面で非常なコストアップの原因となる。
【００１８】
また、基材ホルダと基材との材質が異なる場合、それらの熱膨張係数の差からそれぞれの変形の相違が発生し、吸引力が変化したり、吸引により基材ホルダと基材とが密着してることから基材に傷を生じたりすることが十分予測できる。
【００１９】
上記（２）に記載の方法には、上記の静電力の換わりに磁気吸引力を用いている。従って、使用する基材に制限がある。基材が、例えばガラスの場合、基材の基材ホルダの取り付け面側に、例えば磁性体を塗布する必要がある。また、基材ホルダには、磁気吸引力を発生させるための、例えば電磁石等を設ける必要がある。従って、上記の静電力を用いる場合と同様に吸引のための機構が大掛かりなものとなり設備投資等の面で非常なコストアップの原因となる。また、傷の発生も上記の静電力の場合と同様である。
【００２０】
さらに、上記（３）に記載の方法では、次のような課題がある。一つは、基材を両端に設けた保持機構により保持し、それを互いに近づける様に押圧することで基材を重力と反対側に押しあげ、下に凹形状を持つ土台に押しつけている。この凹形状の作製は精度的に難度が高いと考えられるで膜堆積装置のコストアップの要因となることが十分予想される。また、基材の両端を押圧して押し上げるための基材の両端に設けてある基材の保持機構において、基材設定後に自由に動くことができるのは回動機構部のみである。従って、基材と土台との熱膨張量に差があると、基材と土台との凹形状のずれが大きくなりその結果として、基材と密着状態を維持できなくなったり、また部分的に応力が高くなることが十分予想できる。従って、土台を介した基材の温度制御を基材全面に対して均一に行うことが困難になり、また基材の変形やそれに伴う傷が発生することになる。
【００２１】
上記（４）の記載の方法では、基材の撓み量は軽減されるものの、膜の堆積時に基材の温度を所定の温度にする方法に関しての開示がされてない。
【００２２】
本発明は上記の事情に鑑みて成されたものであり、その目的は、基材の温度制御が容易にでき、かつ基材の変形を小さく抑えて基材を保持することで堆積膜の性能や品質の高い堆積膜製品を得ることができる膜堆積装置及び膜堆積方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記の課題は、以下の構成により解決される。
【００２４】
（請求項１）
真空チャンバと、前記真空チャンバ内に基材を保持する基材ホルダと蒸発源とを備え、前記基材の表面に膜を堆積する膜堆積装置において、
前記基材ホルダは、前記基材の裏面と接して該基材を所定の温度にする熱源からの熱を伝達する前記蒸発源と対向する面と、
前記基材に対し該基材の厚み方向と直交する方向に張力を付与する張力付与保持手段とを有することを特徴とする膜堆積装置。
【００２５】
（請求項２）
前記蒸発源と対向する面は凸形状であることを特徴とする請求項１に記載の膜堆積装置。
【００２６】
（請求項３）
請求項１または２に記載の膜堆積装置を用いて基材の膜を堆積することを特徴とする膜堆積方法。
【発明の効果】
【００２７】
請求項１に記載の発明によれば、膜堆積装置における基材ホルダは、基材の裏面と接して基材を所定の温度にする熱源からの熱を伝達する蒸発源と対向する面と、基材に対し基材の厚み方向と直交する方向に張力を付与する張力付与保持手段とを有している。
【００２８】
これらにより、基材の材料に限定されることなく基材の膜堆積面は自重による撓みが軽減され、より平面に近くなる。また、基材の温度変化により生じる伸縮や変形による応力発生は、張力付与保持手段により吸収される。さらに、基材は張力付与保持手段で基材ホルダに保持されているため、基材と基材ホルダとが互いに拘束する力は弱いため、互いが熱膨張のための変形等で擦れ合うことで生じる傷は少なく良好な範囲内に収まる。また、基材ホルダの蒸発源と対向する面と基材の裏面とが接していることで、基材の温度の制御が効果的に可能となる。
【００２９】
従って、基材の傷の発生が少なく均一な膜が堆積されることで堆積膜の性能や品質が高い堆積膜製品を得ることができる膜堆積装置を提供することができる。
【００３０】
請求項２に記載の発明によれば、膜堆積装置における基板ホルダは、蒸発源と対向する面は凸形状としている。従って、上述の効果に加えて、さらに次のような効果がある。
【００３１】
基材ホルダが基材と接する面形状は、基材の両端を固定して保持した時に撓む下に凸形状と同様にしている。こうすることで、基材に加える張力を、基材をなるべく平板にしようとしている張力と比較して弱い力でもって、この基材ホルダが有している凸形状に基材を沿わせることができる。従って、基材の温度の制御がより効果的に可能となる。
【００３２】
また、上述と同様に基材と基材ホルダとは接しているものの、基材と基材ホルダとの互いの拘束力は弱く、更に基材に付与されている張力が上記の通り比較的弱いことから、基材と基材ホルダとが互いに擦れ合うことで生じる傷はほとんど発生しない。
【００３３】
請求項３に記載の発明によれば、上記に述べた膜堆積装置を用いることで堆積膜の性能や品質の高い膜堆積方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
図１は本発明に係わる実施の形態の一例として膜堆積装置の概略構成を示す図である。図１において、１は真空チャンバ、２は基材、３は後で述べる熱媒体を通液できる中空部を有する基材ホルダ、４は蒸発源、５は排気手段である真空ポンプ、６は熱媒体を設定された温度にして基材ホルダ３に送り出し、基材ホルダ３から帰ってくる熱媒体を回収することを繰り返す温度調整機構、７は大気圧と真空とを隔絶して回転力を伝達する回転導入機構である。
【００３５】
基材ホルダ３は、基材ホルダベース部３ａ、基材案内台部３ｂ、基材２を保持し且つ基材２に張力を加える一対の張力付与保持手段である張力付与保持部３ｃで構成されている。ここで、張力付与保持部３ｃで保持される基材２は、基材案内台部３ｂの蒸発源側の面に接する状態となる。
【００３６】
ここで、基材ホルダ３は、図示されてない動力源により回転導入機構７を介して基材２を回転させることが出来るようにしている。膜堆積装置は、一般に堆積膜を均一にする上で、基材２を回転させる機構を有することが好ましい。
【００３７】
基材ホルダ３は温度調整機構６と接続されている。本実施の形態の例の温度調整機構６は所定の温度になるように温度制御する熱媒体を基材ホルダ３内部の中空部に通液し循環させるものである。よって、基材２は所定の温度となるように制御された熱媒体が通る基材ホルダ３内部の中空部を熱源として、この温度が基材ホルダ３（詳しくは基材ホルダ３を構成している基材ホルダベース部３ａ及び基材案内台部３ｂ）を介して基材２に伝わることで、蒸発源４からの輻射熱や蒸発蒸気の顕熱による影響を受けることなく、所定の温度となるように制御される。
【００３８】
尚、温度調整機構６については、本実施の形態の例では熱媒体の循環による方式としたが、特にこれに限定されるものではなくヒーター等を基材ホルダ３に埋め込む方法でもよい。また、基材ホルダ３に熱電対を設け、これにより基材２の温度値を温度制御機構６にフィードバックすることでより精度の高い温度制御をしてもよい。また、所定の温度とは、例えば膜密度の高い堆積膜を基材に作製したい場合は、成膜時にその膜原料や膜状態にに応じて設定する基材の適切な温度のことであり、例えば予め実験等により決めればよく、更に、膜堆積終了後は、基材を取り出しやすい、例えば４０℃程度の温度である。
【００３９】
ここで、本発明に係わる第１の実施の形態の膜堆積装置が有する基材ホルダ３の一例の概略図を図２に示す。この基材ホルダ３は、基材２に対し、基材２の厚み方向と直交する方向（図中矢印Ｙ方向）への張力を与える一対の張力付与保持部３ｃを備え、この張力付与保持部３ｃにより基材２に張力を付与し、基材ホルダ３が有する基材案内台部３ｂの蒸発源４側に有する面３８に基材２が接する状態で保持する。
【００４０】
基材２は、例えば、蓄積性蛍光体が柱状結晶として蒸着される蓄積性蛍光体パネル用の基材であり、基材２の寸法は、概ね３００ｍｍ×３００ｍｍ、厚さは２ｍｍ程度である。
【００４１】
この基材ホルダ３は、さらに、膜堆積装置内に回転導入機構７を介して固定される基材ホルダベース部３ａと、基材ホルダベース部３ａの下面に有している基材案内台部３ｂと、基材案内台部３ｂの両外側に互いに対向して設けてある一対の張力付与保持部３ｃとで構成されている。
【００４２】
張力付与保持部３ｃは、基材２に張力を加えるための伸縮可能な弾性部材、例えばバネ３４と、このバネ３４の一方の端を基材ホルダベース部３ａに固定するために配設される支柱３５と、このバネの他方の端を基材２に固定し基材２の両端の周縁部２ａをクランプする保持部３０とを備えている。
【００４３】
バネ３４を固定する支柱３５及び保持部３０の位置は、基材２を保持している状態で、基材２の周縁部２ａでの膜が堆積される面の接線に平行で基材２の厚みの中心を通る線の延長線上とするのが好ましい。
【００４４】
また、上記の保持部３０それぞれは、支柱３５にバネ３４を介して固定される上クランプ板３２と、上クランプ板３２の雌ネジ部Ｈ１に螺合する押しネジ３３と、押しネジ３３が挿通される孔Ｈ２を有する下クランプ板３１と、上クランプ板３２と下クランプ板３１との間に配設され、上クランプ板３２に対して下クランプ板３１が離れる方向にこの下クランプ板３１を付勢するコイルバネ３６とを備えている。押しネジ３３は下クランプ板３１の孔Ｈ２および円筒状のコイルバネ３６の中央の空洞部を通して上クランプ板３２の雌ネジ部Ｈ１に螺合され、この押しネジ３３の回転により、下クランプ板３１がコイルバネ３６による付勢力を受けながら上クランプ板３２に近づく方向および離れる方向に移動される。
【００４５】
基材２の基材ホルダ３への取り付けは、以下のように行う。基材２を基材案内台部３ｂの設定位置で手等で仮に保持した状態で、保持部３０の押しネジ３３の回転により上クランプ板３２と下クランプ板３１との間隔を広げた後、保持部３０に一方の端を固定されているバネ３４を伸ばしながら基材２に近づけ、上クランプ３２板と下クランプ板３１との間に基材２の周縁部２ａを挿入する。そして、押しネジ３３の回転によって上クランプ板３２と下クランプ板３１との間隔を狭めて、基材２の周縁部２ａを上クランプ板３２と下クランプ板３１板との間にクランプする。これを基材２の両周縁部２ａで行う。尚、基材２を取り外す場合は、上記の逆の順に行えば良い。
【００４６】
上述の通りに基材２を基材ホルダ３に保持させると、基材２は膜堆積装置内に備えられている基材ホルダ３の基材案内台部３ｂの蒸着源側に向いている面３８に接する様に保持され、また、基材２の両周縁部２ａの保持部３０に固定されているバネ３４により基材２には張力が付与されている状態となる。
【００４７】
従って、基材２は、自重による蒸発源４側への撓み量が軽減され、平板に近い形状の状態で保持されることとなる。このことから、また、基材ホルダ３が有する基材案内台部３ｂの蒸着源４側に有する面３８は、基材２と接する面であることから平面が好ましい。ここで、バネ３４の張力は、基材２が上記の状態となるように、基材２の材質、厚み、大きさ等により適宜決めればよく、以降で述べる本発明に係わる第２の実施の形態においても同様である。
【００４８】
この様にすることで、基材２の温度は、温度調整機構６を稼働させることで基材ホルダ３を介して所望の温度に効率よく設定することができる。
【００４９】
上記の様に基材２を基材ホルダ３に保持した後、真空チャンバ１内の空気を真空ポンプ５により排気する。また、これと平行して温度制御機構６を稼働させて基材２の温度を所望の温度にする。その後、真空チャンバ１内の真空度を所望の値に到達させ、また基材２の温度が所望の温度に達した後、蒸発源４より膜原料を蒸発させて基材２上に膜を堆積する。
【００５０】
次に、本発明に係わる第２の実施の形態の膜堆積装置が有する基材ホルダ３の一例の概略図を図３に示す。上記で説明した第１の実施の形態の膜堆積装置と本第２の実施に形態の膜堆積装置とで異なるのは、第１の実施の形態の基材ホルダ３を示す図２における面３８は平面が好ましいとしていることに対して、本第２の実施に形態の基材ホルダ３を示す図３における面３９は、蒸発源４側に向かって凸形状とすることがより好ましいとしていることのみである。これに関して以下に説明する。
【００５１】
基材２を単にその両端周縁部を保持しただけの場合、基材２の自重により下側に撓みが発生し、この撓み量をＷ0とする。この撓み量Ｗ0の概念を説明する図を図４に示す。図４に示す様に、撓み量Ｗ0は、基材２の両周縁部での保持位置４０を結んだ線より、基材２が撓むことでこの線より最も離れた位置までの間隔とする。
【００５２】
第１の実施の形態の膜堆積装置においては、基材２に張力を付与することで撓み量Ｗ0を軽減させて、より平板に近い形状にしている。しかし、付与する張力を強くすればするほど基材２の撓み量が軽減される一方で、基材２の柔軟性は低くなっていく。言い換えると、基材２に基材２より硬度が高いものが触れる場合、基材２に傷の発生が懸念される。例えば、基材２の温度調整のため基材案内台部３ｂの面と基材２とが接していることが傷の発生要因の一つと考えられる。
【００５３】
そこで、この傷の発生を防ぐためには、張力を弱くすれば良いことになるが、張力を弱めると基材２の自重による撓み量が大きくなり、図２で示す基材案内台部３ｂの面３８より基材２の中央部分が離れてくることになる。よって、膜堆積時の基材２の温度分布において、基材２の中央部分と周辺とでは異なってくる。
【００５４】
この対策として、基材案内台部３ｂの面を図３の面３９の様に下に凸形状とすると、上記に述べた基材２の自重による撓み形状に近くなることから、面３９の凸形状と基材２に付与する張力を適切にすれば、比較的弱い張力を基材２に付与することで面３９の凸形状に基材２を沿わせることができる。
【００５５】
従って、基材２の自重で撓むときの撓み量Ｗ0より少ない適切な撓み量に対応する凸形状を面３９に設け、この凸形状に沿うような張力を基材２に付与することにより、膜の堆積をするときの基材２の撓み量は平板形状で使用する上で問題が発生しない状態にすることが出来、また基材２の温度調節も効果的に行うことが出来、さらに基材２の面３９と接する面における傷の発生を防ぐことが出来ることになる。
【００５６】
尚、膜の堆積方法は、本実施の形態では真空蒸着法としているが、これに限定されるものではなくスパッタ法、ＣＤＶ法等としてもよい。
【実施例】
【００５７】
膜堆積装置は、実施の形態の図１で示し説明したものと同等の装置とした。基材２は大きさ３００ｍｍ×３００ｍｍの２ｍｍ厚のアルミニウム板を使用した。膜原料には、臭化セシウムを使用した。蒸発源４にはモリブデン製の直方体状容器を使用し、加熱は抵抗加熱方式とした。蒸発源４には膜原料を８００ｇ充填した。
【００５８】
基材２を保持した基材ホルダ３については、以下の比較例１、２、実施例１，２で説明する。
【００５９】
真空チャンバ１の排気は真空ポンプ５を使用して行い、到達する真空度が０．１Ｐａになるように調整した。その後、蒸発源４へ通電を開始し蒸発源４の容器内部が８００℃になるように通電量を制御しながら基材２への蒸着を実施した。基材２の膜厚が３００μｍとなったところで膜原料の蒸発を終了させた。なお、蒸着中は温度調整機構５により温度２００℃の熱媒体を基材ホルダ３へ循環させた。
【００６０】
以下に示す比較例１、２及び実施例１、２は、基材２を保持する基材ホルダ３以外は同じ条件で膜の堆積を行った。
【００６１】
（比較例１）
基材ホルダ３は、図５に示す様に、基材２に接する面５０を平面とし、基材保持部材５１とこれを基材ホルダに固定するネジ５１ａとで基材２をその両周縁部２ａで保持した。基材保持部材５１は基材２を基材ホルダ３とで挟み込むことにより固定する。基材保持部材５１は、基材２を押さえる部分とネジ５１ｂが挿通して基材保持部材５１を基材ホルダ３に固定する部分とがあり、両部分の厚みの差は基材２の厚み以下としている。
これらを用いて基材２を保持し膜の堆積を行って堆積膜付基材Ａを得た。
【００６２】
（比較例２）
基材ホルダ３は、図６に示す様に、基材２に接する面６０を重力方向である下に凸形状とした。基材２の基材ホルダ３への固定方法は、比較例１と同じ基材保持部材５１とこれを基材ホルダに固定するネジ５１ａとで基材２をその両周縁部２ａで保持した。
これらを用いて基材２を保持し膜の堆積を行って堆積膜付基材Ｂを得た。
【００６３】
（実施例１）
第１の実施の形態で説明した図２に示す基材ホルダ３を使用した。基材ホルダ３の基材２に接する面３８は平面とした。
これらを用いて基材２を保持し成膜を行って堆積膜付基材Ｃを得た。
【００６４】
（実施例２）
第２の実施の形態で説明した図３に示す基材ホルダ３を使用した。基材ホルダ３の基材２に接する面３９は凸形状とした。
これらを用いて基材２を保持し膜の堆積を行って堆積膜付基材Ｄを得た。
【００６５】
（評価）
こうして作製した堆積膜付基材Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤを以下の観点から評価した。
【００６６】
（堆積膜の基材内膜密度）
基材上の堆積膜において中央部と端部の膜密度を計測し、各測定値を下記に示す式（１）当てはめることで得られる値を評価値ＥＳとした。この評価値ＥＳを基準値（０．０５）と比較して、評価値ＥＳが基準値未満の場合は○（良好）、評価値ＥＳが基準値以上の場合は×（不良）と標記した。
ＥＳ＝ＡＢＳ（ＭＣ−ＭＥ）／ＭＣ                            （１）
但し、
ＭＣ：中央部の膜密度値
ＭＥ：端部の膜密度値
（基材裏面観察による傷、変形の有無）
基材２の膜堆積されない面（裏面）の傷の有無及び平面基準台（ＪＩＳ  Ｂ７５１３規格  ２級平面度３０μｍ）上に裏面を下にした基材２を載せて基材の変形状態を目視にて観察した。この観察した基材２の状態を以下に示す４種類に分類し、それぞれに対応させた記号◎、○、△、×で示した。
傷あり、変形なし  ：  ◎
傷あり、変形なし  ：  ○
傷なし、変形あり  ：  △
傷あり、変形あり  ：  ×
上記の評価の結果を表１にまとめて示す。
【００６７】
【表１】
2007009255.tif 000003
【００６８】
表１からわかるとおり、本発明に係わる膜堆積装置を使用することで製作した堆積膜製品は膜の均一性が良く、基材２に傷が発生し難く変形がない堆積膜製品が得られることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に係わる実施例に用いられる膜堆積装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】本発明に係わる第１の実施の形態の膜堆積装置が有する基材ホルダ３の一例の概略を示す図である。
【図３】本発明に係わる第２の実施の形態の膜堆積装置が有する基材ホルダ３の一例の概略を示す図である。
【図４】基材２の自重により下側に発生する撓みの撓み量Ｗ0を説明する図である。
【図５】比較例１で基材２を保持する方法を説明する図である。
【図６】比較例２で基材２を保持する方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  真空チャンバ
２  基材
３  基材ホルダ
３ａ  基材ホルダベース部
３ｂ  基材案内台
３ｃ  張力付与保持部
３０  保持部
４  蒸発源
５  真空ポンプ
６  温度調整機構
７  回転導入機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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