(57)【要約】      （修正有）【課題】自律移動体用の小型、低出力ナビゲーション級慣性システム用に小型、低出力、低コストのＭＥＭＳ加速度計またはジャイロを提供する。【解決手段】円筒状リング共振器を用いた振動ジャイロスコープは、円筒状リング共振器を支持する折り曲げられた円筒サスペンションを備えている。折り曲げられた円筒サスペンションは、内筒、外筒及び環帯を備えている。内筒、外筒及び環帯は、同心円的である。内筒の上縁は、環帯の内側の縁に結合されている。外筒の上縁は、環帯の外側の縁に結合されている。これらの構造は、ＳＯＩウェーハ上に駆動、検出電極を含めて半導体製造技術を用いて製造される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状リング共振器を支持する折り曲げられた円筒サスペンションを備え、
前記折り曲げられた円筒サスペンションは、内筒、外筒及び環帯を備え、
前記内筒、外筒及び環帯は同心円的であり、
前記内筒の上縁は前記環帯の内側の縁に結合され、
前記外筒の上縁は前記環帯の外側の縁に結合されていることを特徴とするリング共振器ジャイロスコープ。
【請求項２】
前記内筒と前記外筒は、ほぼ同じ高さを有していることを特徴とする請求項１に記載のリング共振器ジャイロスコープ。
【請求項３】
前記折り曲げられた円筒サスペンションは、前記円筒状リング共振器の平面運動における横の動きに順応することを特徴とする請求項１に記載のリング共振器ジャイロスコープ。
【請求項４】
前記円筒状リング共振器は、前記外筒の底側の縁に結合されていることを特徴とする請求項１に記載のリング共振器ジャイロスコープ。
【請求項５】
中央マウント部をさらに備え、前記内筒の底側の縁が前記中央マウント部に結合されていることを特徴とする請求項４に記載のリング共振器ジャイロスコープ。
【請求項６】
スペーサ、複数の駆動／検出電極及び封止リングをさらに備え、
前記円筒状リング共振器、前記中央マウント部、前記スペーサ、前記複数の駆動／検出電極及び前記封止リングは、ＳＯＩウエハーの素子層に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のリング共振器ジャイロスコープ。
【請求項７】
前記折り曲げられた円筒サスペンションは、前記ＳＯＩウエハーの素子層及び前記ＳＯＩウエハーのハンドル層の空洞に形成されていることを特徴とする請求項６に記載のリング共振器ジャイロスコープ。
【請求項８】
スペーサ、複数の駆動／検出電極及び封止リングをさらに備え、
前記円筒状リング共振器、前記中央マウント部、前記スペーサ、前記複数の駆動／検出電極及び前記封止リングは、ＳＯＩウエハーのハンドル層に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のリング共振器ジャイロスコープ。
【請求項９】
前記折り曲げられた円筒サスペンションは、前記ＳＯＩウエハーのハンドル層の空洞に形成されていることを特徴とする請求項８に記載のリング共振器ジャイロスコープ。
【請求項１０】
前記折り曲げられた円筒サスペンションは、円形空洞に堆積された犠牲層を利用して形成され、
前記円形空洞の幅は、前記犠牲層の壁の厚さ及び前記折り曲げられた円筒サスペンションの厚さに依存することを特徴とする請求項５に記載のリング共振器ジャイロスコープ。
【請求項１１】
第１の円形空洞を、ＳＯＩウエハーの素子層を突き抜けて、ＳＯＩウエハーのハンドル層まで、そのハンドル層の厚さ未満の深さだけパターン化し、エッチングするステップと、
犠牲層を、前記ＳＯＩウエハーの上及び前記第１の円形空洞の中に堆積又は成長させるステップと、
前記犠牲層を、前記素子層の表面から除去するステップと、
エピタキシャルポリシリコン層を、前記エピタキシャルポリシリコン層の一部分が折り曲げられた円筒サスペンションを構成するように、前記ＳＯＩウエハーの上及び前記第１の円形空洞の中に堆積するステップと、
リング共振器を、前記エピタキシャルポリシリコン層及び素子層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層に至るまでパターン化し、エッチングするステップと、
第２の円形空洞を、前記第１の円形空洞と前記第２の円形空洞が同心円状となるように、前記ハンドル層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層までパターン化し、エッチングするステップと、
前記リング共振器、前記折り曲げられた円筒サスペンション及び前記中央のマウント部を開放するように、前記折り曲げられた円筒サスペンション及び前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層を取り囲んでいる前記犠牲層をエッチングするステップを備えたことを特徴とするリング共振器ジャイロスコープの製造方法。
【請求項１２】
前記リング共振器を、前記エピタキシャルポリシリコン層及び素子層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層に至るまでパターン化し、エッチングするステップは、
前記リング共振器及び複数の駆動／検出電極を、前記エピタキシャルポリシリコン層及び素子層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層に至るまでパターン化し、エッチングするステップを備えていることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第２の絶縁体層をトップカバーウエハー及びボトムカバーウエハーの上に堆積又は成長させるステップと、
前記ボトムカバーウエハーを前記ＳＯＩウエハーの素子層にボンデングするステップと、
前記トップカバーウエハーを前記ＳＯＩウエハーのハンドル層にボンデングするステップと、
前記複数の駆動／検出電極を前記中央マウント部に電気的に接続するために、ビアホールを前記ボトムカバーに形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の円形空洞を、前記ＳＯＩウエハーの素子層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーのハンドル層まで、そのハンドル層の厚さ未満の深さだけパターン化し、エッチングするステップは、
前記第１の円形空洞を、前記ＳＯＩウエハーの素子層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーのハンドル層までパターン化し、エッチングするために、深反応イオンエッチングを用いていることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記犠牲層を、前記ＳＯＩウエハーの上及び前記第１の円形空洞の中に堆積又は成長させるステップは、
二酸化ケイ素犠牲層を、前記ＳＯＩウエハーの上及び前記第１の円形空洞の中に堆積又は成長させることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
第１の円形空洞を、ＳＯＩウエハーのハンドル層を突き抜けて、そのＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層までパターン化し、エッチングするステップと、
犠牲層を、前記ＳＯＩウエハーの上及び前記第１の円形空洞の中に堆積又は成長させるステップと、
前記犠牲層を、前記ハンドル層の表面から除去するステップと、
エピタキシャルポリシリコン層を、前記エピタキシャルポリシリコン層の一部分が折り曲げられた円筒サスペンションを構成するように、前記ＳＯＩウエハーの上及び前記第１の円形空洞の中に堆積させるステップと、
リング共振器を、前記エピタキシャルポリシリコン層及びハンドル層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層に至るまでパターン化し、エッチングするステップと、
複数の窓を、前記複数の窓が第１の円形空洞に対して同心円状となるように、かつ、前記複数の窓が、折り曲げられた円筒サスペンション及びＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層の周りの犠牲層を露出させるように、前記素子層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層までパターン化し、エッチングするステップと、
前記リング共振器、前記折り曲げられた円筒サスペンション及び中央のマウント部を開放するように、前記折り曲げられた円筒サスペンション及び前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層の周りの犠牲層をエッチングするステップを備えたことを特徴とするリング共振器ジャイロスコープの製造方法。
【請求項１７】
前記リング共振器を、前記エピタキシャルポリシリコン層及びハンドル層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層に至るまでパターン化し、エッチングするステップは、
前記リング共振器及び複数の駆動／検出電極を、前記エピタキシャルポリシリコン層及びハンドル層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層に至るまでパターン化し、エッチングするステップを備えていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第２の絶縁体層をトップカバーウエハー及びボトムカバーウエハーの上に堆積又は成長させるステップと、
前記ボトムカバーウエハーを前記ＳＯＩウエハーのハンドル層にボンデングするステップと、
前記トップカバーウエハーを前記ＳＯＩウエハーの素子層にボンデングするステップと、
前記複数の駆動／検出電極を前記中央マウント部に電気的に接続するために、ビアホールを前記ボトムカバーに形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の円形空洞を、前記ＳＯＩウエハーのハンドル層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層までパターン化し、エッチングするステップは、
前記第１の円形空洞を、前記ＳＯＩウエハーのハンドル層を突き抜けて、前記ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層までパターン化し、エッチングするために、深反応イオンエッチングを用いていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記犠牲層を、前記ＳＯＩウエハーの上及び前記第１の円形空洞の中に堆積又は成長させるステップは、
二酸化ケイ素犠牲層を、前記ＳＯＩウエハーの上及び前記第１の円形空洞の中に堆積又は成長させることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
一例を挙げれば、電気機械システムはパラメータを測定する。その電気機械システムは、パラメータを測定する微小電気機械システム（”ＭＥＭＳ”）加速度計又はジャイロスコープを備えていてもよい。例えば、加速度計は加速度を測定し、ジャイロスコープは角速度（例えば回転）を測定する。一例を挙げれば、ジャイロスコープは、振動の基本モードを表す高いＱ値を有する振動リングを備えている。例えば、Ｑ値が高い振動リングは、振動を維持するのにあまりエネルギーを必要としない。一例を挙げれば、振動リングは、高性能の閉ループ角速度検出に用いることができる。他の例を挙げれば、振動リングは、性能の低い開ループ角速度検出に用いることができる。対称形の振動リングの数学的モデルは、多くの特徴において、振動リング又は半球状共振器ジャイロスコープ（”ＨＲＧ”）に類似している。半球状共振器ジャイロスコープに対する分析的な類似性は、振動リングジャイロスコープが潜在的に類似した性能を達成しうることを示している。
【０００２】
振動リングに結合された駆動部品は、振動リングの第１の振動を引き起こす。振動リングの角速度及び第１の振動は、振動リング上でのコリオリ力を含む。例えば、角速度は振動リングの縦軸について生じる。コリオリ力は、振動リングの第２の振動を引き起こす。第２の振動は、第１の振動に対してほぼ垂直である。一例を挙げれば、フィードバック部品は、第１の振動を調節するために、第１の振動の振幅を駆動部品にフィードバックする。ピックオフセンサ部品は、第２の振動を検出し、ピックオフ信号を零にするために、制御信号を加える。制御信号は、振動リングの振幅の大きさ及び角速度の極性である。
【０００３】
小型、低コスト、低出力のナビゲーション級慣性システムは、ＧＰＳが失われた環境において、個々の兵士の個別案内や、空中、地上及び水中自律移動体の誘導及び制御など、新たな応用を可能にするために必要である。微小電気機械システムを用いた慣性システムは、現在のところ開発途上であり、誘導された軍需品など、戦略的な応用のための小型、低コスト、低出力の慣性システムを提供することが期待されている。現時点における戦略的ＭＥＭＳ慣性システムは、時間あたり２０−５０度の範囲の不確実さ及びルート時間あたり０．０２度の角度の振れ程度のジャイロバイアスを有している。将来、小型、低コスト、低出力のナビゲーション級慣性システムは、不確実さ及び角度の振れが小さいジャイロバイアスを必要とする。
【０００４】
現在のところ、慣性センサの製造工程において、システムレベルにおける熱的なモデル化により慣性センサのキャリブレーションを行っている。慣性システムの性能は、１又はそれ以上のモデル化できない慣性センサのバイアス及び倍率の不安定さ、熱的モデルの非再現性、又は誤差を引き起こすヒステリシス及び温度勾配によって限定されるであろう。
【発明の開示】
【０００５】
本発明の一実施形態はリング共振器ジャイロスコープを含む。リング共振器ジャイロスコープは、円筒状のリング共振器を支持する折り曲げられた円筒サスペンションを備える。折り曲げられた円筒サスペンションは、内筒と、外筒と、環帯を備える。内筒、外筒及び環帯は、同心円状に配置されている。内筒の上縁は環帯の内縁に結合されている。外筒の上縁は環帯の外縁に結合されている。
【０００６】
本発明の他の実施形態は方法を含む。第１の円形空洞が、ＳＯＩウエハーの素子層を突き抜けて、ＳＯＩウエハーのハンドル層まで、そのハンドル層の厚さ未満の深さだけパターン化され、エッチングされる。犠牲層が、ＳＯＩウエハーの上及び第１の円形空洞の中に堆積され又は成長される。その犠牲層は、素子層の表面から除去される。エピタキシャルポリシリコン層が、ＳＯＩウエハーの上及び第１の円形空洞の中に堆積される。エピタキシャルポリシリコン層の一部分は、折り曲げられた円筒サスペンションを構成する。リング共振器が、エピタキシャルポリシリコン層及び素子層を突き抜けて、ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層に至るまでパターン化され、エッチングされる。第２の円形空洞が、ハンドル層を突き抜けて、ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層までパターン化され、エッチングされる。第１の円形空洞と第２の円形空洞は同心円状である。リング共振器、折り曲げられた円筒サスペンション及び中央のマウント部を開放するように、折り曲げられた円筒サスペンション及びＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層を取り囲んでいる犠牲層がエッチングされる。
【０００７】
本発明のさらに別の実施形態は方法を含む。第１の円形空洞が、ＳＯＩウエハーのハンドル層を突き抜けて、そのＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層までパターン化され、エッチングされる。犠牲層が、ＳＯＩウエハーの上及び第１の円形空洞の中に堆積され又は成長される。その犠牲層は、ハンドル層の表面から除去される。エピタキシャルポリシリコン層が、ＳＯＩウエハーの上及び第１の円形空洞の中に堆積される。エピタキシャルポリシリコン層の一部分は、折り曲げられた円筒サスペンションを構成する。リング共振器が、エピタキシャルポリシリコン層及びハンドル層を突き抜けて、ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層に至るまでパターン化され、エッチングされる。複数の窓が、素子層を突き抜けて、ＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層までパターン化され、エッチングされる。複数の窓は、第１の円形空洞に対して同心円状である。複数の窓は、折り曲げられた円筒サスペンション及びＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層の周りの犠牲層を露出させる。リング共振器、折り曲げられた円筒サスペンション及び中央のマウント部を開放するように、折り曲げられた円筒サスペンション及びＳＯＩウエハーの第１の絶縁体層の周りの犠牲層がエッチングされる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明の実施形態の特徴は、発明の詳細な説明、特許請求の範囲及び添付図面から明らかにされるであろう。
【図１】図１は、折り曲げられた円筒サスペンションを有するリング共振器ジャイロスコープを備えた装置の一実施形態の分解斜視図である。
【図２】図２は、図１に示すリング共振器ジャイロスコープの一実施形態の側部部分断面図である。
【図３】図３は、図１に示すリング共振器ジャイロスコープの他の実施形態の側部部分断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の一実施形態に係るナビゲーション級慣性システムは、「自己キャリブレーション」慣性システムに構成された相対的に低性能のジャイロスコープを備えている。他の例においては、慣性システムは、全ての慣性センサが単一の平面上に設けられているように構成されている。この構成は、幾何学的な３軸座標を形成するためにセンサを所定の方向に向けるためのセンサ搭載ブロックを必要とせず、面外の配線を必要としない。
【００１０】
一実施形態におけるセンサの自己キャリブレーションは、グローバルポジショニングシステム（ＧＰＳ）を用いることなく、ナビゲーション級慣性システムの振幅を１桁分だけ高精度化を必要とする。他の例においては、センサの自己キャリブレーションは、微小、低出力、低コストのナビゲーション級慣性システムのために、振幅を２桁分だけセンサに要求されるジャイロバイアス性能を低下させる。
【００１１】
「自己キャリブレーション」の特徴を維持するために、一例では、Ｘ軸ジャイロスコープは、例えば振動リングジャイロスコープなどのクラスIIコリオリ振動ジャイロスコープである。半球状共振器ジャイロスコープ（ＨＲＧ）は、このクラスのジャイロスコープの一例である。現時点におけるＨＲＧは、ナビゲーション級性能を示しているけれども、低コストの要求は満たしていない。
【００１２】
一例において、半球状共振器ジャイロスコープ（ＨＲＧ）と等価な低コストＭＥＭＳは、自己キャリブレーションモードで機能することができ、平面加速度計と振動リングジャイロスコープを一体化した場合、超低コストで低出力のナビゲーション級慣性システムを形成するであろう。
【００１３】
一例におけるリング共振器ジャイロスコープの円筒サスペンションは、リングの面内偏向のための非線形ばね剛性を有している。サスペンションの面内剛性は、リングの振動パターンの腹において、サスペンションの繊維を弛み無く引っ張っているリングの偏向に伴って増加する。円筒サスペンションの場合、リングへの電気的接続は、ジャイロチップの頂上に接続されるべきリード線として機能するトップカバーを介して行われ、駆動／検出電極に対するその他の電気的な接続はボトムカバーを介して行われる。ボトムカバーを介して全ての電気的接続を行うことにより、ワイヤーボンディングやリード線を追加することなく、ジャイロスコープは、それが搭載される面と直接電気的及び機械的に結合されうる。
【００１４】
図１は、折り曲げられた円筒サスペンション１０２（２０２及び３０２）を有するリング共振器ジャイロスコープ１００の一実施形態の一部切り取り分解図である。図２及び３は、リング共振器１０４（２０４及び３０４）、リンク共振器の中央マウント部１０６（２０６及び３０６）、スペーサ１０８（２０８及び３０８）、駆動／検出電極１１０（２１０及び３１０）、及び封止リング１１２（２１２及び３１２）の２つの構成例を示すジャイロスコープの部分断面図である。図２において、リング共振器２０４、リンク共振器の中央マウント部２０６、スペーサ２０８、駆動／検出電極２１０及び封止リング２１２は、ＳＯＩウエハー２１６の素子層２１４に形成されている。スペーサ２０８は、ＳＯＩウエハー２１６のハンドル層２１８に形成されている。折り曲げられた円筒サスペンション２０２は、エピタキシャルポリシリコンのような材料を、ＳＯＩウエハー２１６の素子層２１４及びハンドル層２１８の両方に形成された空洞中にそれぞれ堆積させることによって形成される。空洞は、リング共振器２０４及び折り曲げられた円筒サスペンション２０２を切り離すために、その後除去される二酸化ケイ素などの犠牲層により裏打ちされている。この構成において、犠牲層及びエピタキシャルポリシリコンの堆積は、ＳＯＩウエハー２１６の素子層２１４及びハンドル層２１８の間の接合面を均一にブリッジしなければならない。図３において、リング共振器３０４、リンク共振器の中央マウント部３０６、駆動／検出電極３１０及び封止リング３１２は、ＳＯＩウエハー３１６のハンドル層３１８に形成されている。スペーサ３０８は、素子層３１４に形成されている。この構成は、リング共振器３０４が、所定の共振周波数及び強化された面外の剛性のために必要な以上の質量をもたらすための、より高いアスペクト比を有することを許容する。
【００１５】
折り曲げられた円筒サスペンション１０２は、現在のＭＥＭＳジャイロスコープにおける折り曲げられた梁サスペンションが非線形ばね剛性効果を事実上低減するのと同様に、１つの円筒サスペンションに連結された非線形ばね剛性効果を事実上低減する。梁又は円筒の両端が共通する１つの線又は面から始まっているので、折り曲げられた梁又は円筒の中心は、その梁又は円筒に張力を取り込むことなく、必ずしも平面運動における横の動きに順応する必要はない。折り曲げられた円筒サスペンションという追加の特徴は、所定のＳＯＩ厚さに対して、サスペンションの順応性を増加させる。
【００１６】
一例を挙げれば、リング共振器ジャイロスコープ１１０を動作させるための電子技術は、共振周波数、ピックオフ及び強制スケーリングにおける違いを適合させるために必要な変化を除いて、半球状共振器ジャイロスコープを動作させるために用いられる技術と同じである。
【００１７】
以下の製造手順は、図２に示す構成の単一のリング共振器センサーチップを組み立てるステップを例示する。一例を挙げれば、１つのシリコンウエハーの上に複数のチップが製造される。チップの数はウエハーの直径に依存する。
【００１８】
１．  ボッシュ処理のような深反応イオンエッチングを用い、ＳＯＩウエハー２１６の素子層２１４を突き抜けてハンドル層２１８まで、そのハンドル層の厚さ未満の深さだけ、円形空洞をパターン化しエッチングする。円形空洞の幅は、犠牲層の壁の厚さ及び折り曲げられた円筒サスペンションのデザインにより決定される。
２．  二酸化ケイ素などの犠牲層を、ＳＯＩウエハーの上及び円形空洞の中に堆積又は成長させる。
３．  その犠牲層を素子層の表面から除去し、エピタキシャルポリシリコン層を、ＳＯＩウエハー２１６の上及び円形空洞の中に堆積させる。
４．  リング共振器２０４及び駆動／検出電極パターンを、エピタキシャルポリシリコン層及び素子層２１４を突き抜けて、ＳＯＩウエハー２１６の絶縁体層に至るまでパターン化し、エッチングする。
５．  円形空洞を、ハンドル層２１８を突き抜けて、ＳＯＩウエハー２１６の絶縁体層までパターン化し、エッチングする。この円形空洞は、素子層側にエッチングされた円形空洞と同心円状であり、エピタキシャルポリシリコンの折り曲げられた円筒サスペンション及びＳＯＩウエハー２１６の絶縁層を取り囲んでいる犠牲層を露出させる。
６．  リング共振器２０４及びサスペンション２０２を開放するように、折り曲げられた円筒サスペンション２０２及びＳＯＩウエハー２１６の絶縁体層を取り囲んでいる犠牲層をエッチングする。
７．  誘電体絶縁層２２０及び２２２をトップカバーウエハー１２０及びボトムカバーウエハー１２２の両方の上に堆積又は成長させる。
８．  ボトムウエハーをＳＯＩウエハーの素子層に接着すると共に、トップカバー１２０をＳＯＩウエハー２１６のハンドル層２１８に接着する。
９．  駆動／検出電極２１０とリング共振器の中央マウント部２０６とを、例えば抵抗接触２２４により電気的に接触させるために、ボトムカバー１２２にビアホール１１６を形成する。
【００１９】
以下の製造手順は、図３に示す構成の単一のリング共振器センサーチップを組み立てるステップを例示する。一例を挙げれば、１つのシリコンウエハーの上に複数のチップが製造される。チップの数はウエハーの直径に依存する。
【００２０】
１．  ボッシュ処理のような深反応イオンエッチングを用い、ＳＯＩウエハー３１６のハンドル層３１８を突き抜けて絶縁層まで、円形空洞をパターン化しエッチングする。円形空洞の幅は、犠牲層の壁の厚さ及び折り曲げられた円筒サスペンションのデザインにより決定される。
２．  二酸化ケイ素などの犠牲層を、ＳＯＩウエハー３１６の上及び円形空洞の中に堆積又は成長させる。
３．  その犠牲層をハンドル層３１８の表面から除去し、エピタキシャルポリシリコン層を、ＳＯＩウエハー３１６の上及び円形空洞の中に堆積させる。
４．  リング共振器３０４及び駆動／検出電極パターン３１０を、エピタキシャルポリシリコン層及びハンドル層３１８を突き抜けて、ＳＯＩウエハー３１６の絶縁体層に至るまでパターン化し、エッチングする。
５．  複数の窓を、素子層３１４を突き抜けて、ＳＯＩウエハー３１６の絶縁体層までパターン化し、エッチングする。この窓は、ハンドル層側からエッチングされた空洞と同心円状であり、エピタキシャルポリシリコンの折り曲げられた円筒サスペンション３０２及びＳＯＩウエハー３１６の絶縁層を取り囲んでいる犠牲層を露出させる。
６．  リング共振器３０４及びサスペンション３０２を開放するように、折り曲げられた円筒サスペンション３０２及びＳＯＩウエハー３１６の絶縁体層を取り囲んでいる犠牲層をエッチングする。
７．  誘電体絶縁層をトップカバーウエハー１２０及びボトムカバーウエハー１２２の両方の上に堆積又は成長させる。
８．  ボトムウエハーをＳＯＩウエハーのハンドル層３１８に接着すると共に、トップカバーをＳＯＩウエハー３１６の素子層３１４に接着する。
９．  駆動／検出電極３１０とリング共振器の中央マウント部３０６とを、例えば抵抗接触３２０により電気的に接触させるために、ボトムカバー１２２にビアホール１１６を形成する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【外国語明細書】
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