(57)【要約】【課題】セラミック基板上に形成された金属膜の膨れを抑制することが可能な配線基板およびその製造方法並びに電子装置を提供すること。【解決手段】本発明は、セラミック基板（１０）の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨された表面（４０）を有するセラミック基板（１０）と、セラミック基板（１０）の表面（４１）に設けられた第１金属膜（１４）と、を有する配線基板および電子装置並びにその製造方法である。本発明によれば、セラミック基板（１０）の表面（４１）に設けられた第１金属膜（１４）が膨れることを抑制することができる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板であって該セラミック基板の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨された表面を有するセラミック基板と、
前記セラミック基板の前記表面に設けられた第１金属膜と、を具備することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記セラミック基板は、前記表面とは反対側の面であって前記セラミック基板の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨された実装面を有することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記セラミック基板の前記実装面に設けられた第２金属膜を具備することを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
セラミック基板であって、配線パターンが形成された表面と、前記表面とは反対側の面であって該セラミック基板の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨された実装面と、を有するセラミック基板を具備することを特徴とする配線基板。
【請求項５】
前記セラミック基板の前記実装面に設けられた第２金属膜を具備することを特徴とする請求項４記載の配線基板。
【請求項６】
前記セラミック基板は酸化アルミニウムを含む基板であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項記載の配線基板と、
前記配線基板を実装する実装部と、を具備することを特徴とする電子装置。
【請求項８】
セラミック基板の表面を該セラミック基板の硬度以下の硬度の材料で研磨する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
セラミック基板の硬度以下の硬度を有する材料を用いて研磨された表面を有する前記セラミック基板の前記表面に、メッキ法を用い第１金属膜を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミック基板の前記表面を研磨する工程は、前記セラミック基板を、前記セラミック基板の粒径以下の厚さを研磨する工程であることを特徴とする請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記セラミック基板の前記表面を研磨する工程は、前記セラミック基板を、５μｍ／時間以下の研磨速度で研磨する工程であることを特徴とする請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記セラミック基板の前記表面を研磨する工程の前に、前記セラミック基板の硬度より高い硬度の材料を用い前記セラミック基板の前記表面を研磨する工程を有することを特徴とする請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記セラミック基板の前記表面に、メッキ法を用い第１金属膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１金属膜を形成する工程の後、前記セラミック基板を熱処理する工程を有することを特徴とする請求項９または１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
セラミック基板の実装面を前記セラミック基板の硬度以下の硬度の材料で研磨する工程と、
前記セラミック基板を前記実装面で実装部に実装する工程と、を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１６】
前記セラミック基板を前記実装部に実装する工程は、金属を含むろう材を用い、前記セラミック基板を前記実装部に実装する工程であることを特徴とする請求項１５記載の電子装置の製造方法。
【請求項１７】
前記セラミック基板を前記実装部に実装する工程の前に、前記セラミック基板の前記実装面にメッキ法を用い第２金属膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１５記載の電子装置の製造方法。
【請求項１８】
前記セラミック基板の前記表面に第１金属膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１５から１７のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板および電子装置並びにその製造方法に関し、特にセラミック基板に金属膜を設けた配線基板および電子装置並びにその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や電子装置には、セラミック基板等の絶縁基板の少なくとも1つの面に金や銅等の金属膜の配線パターンを設けた配線基板が用いられる。配線基板に設けられた配線パターンは、配線基板上に搭載された抵抗やキャパシタ等の受動素子やトランジスタやＩＣ等の半導体チップを電気的に接続する。また、配線基板に設けられた配線パターンを伝送線路や分布定数回路の線路として用いる。さらに、ワイヤボンディングのパッド電極やバンプのパッド電極として用いられる。
【０００３】
セラミック基板を用いた配線基板は以下のように製造される。まず、例えば酸化アルミニウムを焼結したセラミック基板の表面をダイヤモンド等の硬い研磨剤を用い研磨する。これにより、セラミック基板を所望の膜厚とし、またセラミック基板の表面を平坦化する。セラミック基板の表面に、例えばメッキ法を用い金や銅等からなる金属膜を形成する。金属膜のパターンを所望のパターンとすることにより配線基板が完成する。金属膜は、セラミック基板の表面と表面の裏面の両面に形成される場合もある。
【０００４】
特許文献１には、セラミック基板の表面にグレーズ層を形成することにより、セラミック基板の表面を平坦化した配線基板が開示されている。
【特許文献１】特開平５−１２９４５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
セラミック基板にメッキ法を用い金属膜を形成し、その後熱処理を行った場合、金属膜が膨れるという課題が生じる。そして、金属膜の膨れにより金属膜が破損する。または、金属膜をワイヤボンディングのパッド電極に用いた場合、ワイヤの密着強度が低下する。または、金属膜が膨れるため目視検査において不良となる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、金属膜の膨れを抑制することが可能な配線基板および電子装置並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、セラミック基板であって該セラミック基板の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨された表面を有するセラミック基板と、前記セラミック基板の前記表面に設けられた第１金属膜と、を具備することを特徴とする配線基板である。本発明によれば、セラミック基板の表面上に設けられた第１金属膜が膨れることを抑制することができる。
【０００８】
上記構成において、前記セラミック基板は、前記表面とは反対側の面であって前記セラミック基板の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨された実装面を有する構成とすることができる。この構成によれば、セラミック基板の実装面に形成されるべき金属等が膨れることを抑制することができる。
【０００９】
上記構成において、前記セラミック基板の前記実装面に設けられた第２金属膜を具備する構成とすることができる。この構成によれば、セラミック基板の実装面に設けられた第２金属膜が膨れることを抑制することができる。
【００１０】
本発明は、セラミック基板であって、配線パターンが形成された表面と、前記表面とは反対側の面であって該セラミック基板の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨された実装面と、を有するセラミック基板を具備することを特徴とする配線基板である。本発明によれば、セラミック基板の実装面に形成されるべき金属等が膨れることを抑制することができる。
【００１１】
上記構成において、前記セラミック基板の前記実装面に設けられた第２金属膜を具備する構成とすることができる。この構成によれば、セラミック基板の実装面上に設けられた第２金属膜が膨れることを抑制することができる。
【００１２】
上記構成において、前記セラミック基板は酸化アルミニウムを含む基板である構成とすることができる。
【００１３】
本発明は、上記配線基板と、前記配線基板を実装する実装部と、を具備することを特徴とする電子装置である。本発明によれば、セラミック基板の表面または実装面に形成される金属膜が膨れることを抑制することができる。
【００１４】
本発明は、セラミック基板の表面を該セラミック基板の硬度以下の硬度の材料で研磨する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法である。本発明によれば、セラミック基板の表面に形成されるべき金属膜が膨れることを抑制することができる。
【００１５】
本発明は、セラミック基板の硬度以下の硬度を有する材料を用いて研磨された表面を有する前記セラミック基板の前記表面に、メッキ法を用い第１金属膜を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法である。本発明によれば、セラミック基板の表面に形成される第１金属膜が膨れることを抑制することができる。
【００１６】
上記構成において、前記セラミック基板の前記表面を研磨する工程は、前記セラミック基板を、前記セラミック基板の粒径以下の厚さを研磨する工程である構成とすることができる。この構成によれば、研磨によりセラミック基板の粒子が脱落し新たなボイドが形成されることを抑制できる。
【００１７】
上記構成において、前記セラミック基板の前記表面を研磨する工程は、前記セラミック基板を、５μｍ／時間以下の研磨速度で研磨する工程である構成とすることができる。この構成によれば、研磨によりセラミック基板の粒子が脱落し新たなボイドが形成されることを抑制できる。
【００１８】
上記構成において、前記セラミック基板の前記表面を研磨する工程の前に、前記セラミック基板の硬度より高い硬度の材料を用い前記セラミック基板の前記表面を研磨する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、セラミック基板の硬度より高い硬度の材料を用いセラミック基板の表面を研磨した際に発生し易い金属膜の膨れを抑制することができる。
【００１９】
上記構成において、前記セラミック基板の前記表面に、メッキ法を用い第１金属膜を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、第１金属膜が膨れ易いメッキ法を用い第１金属膜を形成した場合も、第１金属膜が膨れることを抑制することができる。
【００２０】
上記構成において、前記第１金属膜を形成する工程の後、前記セラミック基板を熱処理する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、セラミック基板の表面に形成されるべき金属膜が膨れ易い熱処理を行った場合も、金属膜が膨れることを抑制することができる。
【００２１】
本発明は、セラミック基板の実装面を前記セラミック基板の硬度以下の硬度の材料で研磨する工程と、前記セラミック基板を前記実装面で実装部に実装する工程と、を有する電子装置の製造方法である。本発明によれば、セラミック基板の実装面に形成されるべき金属膜が膨れることを抑制することができる。
【００２２】
上記構成において、前記セラミック基板を前記実装部に実装する工程は、金属を含むろう材を用い、前記セラミック基板を前記実装部に実装する工程である構成とすることができる。この構成によれば、ろう材が膨れることを抑制することができる。
【００２３】
上記構成において、前記セラミック基板を前記実装部に実装する工程の前に、前記セラミック基板の前記実装面にメッキ法を用い第２金属膜を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、実装面に形成された第２金属膜が膨れることを抑制することができる。
【００２４】
上記構成において、前記セラミック基板の前記表面に第１金属膜を形成する工程を有する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、金属膜の膨れを抑制することが可能な配線基板および電子装置並びにその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
まず、本発明の原理について説明する。図１（ａ）はセラミック基板１０の断面を模式的に描いた図である。セラミック基板１０は、例えば酸化アルミニウム等の粒子４４が焼結されている。粒子４４の粒径は例えば数μｍである。セラミック基板１０の表面４０を例えばダイヤモンド等のセラミック基板１０の材料より硬度の高い研磨剤を用い研磨すると、セラミック基板１０の表面４０が平坦化される。しかし、粒子４４が脱落または粒子４４の結合状態によって、ボイド４２が形成される。ボイド４２の中には、セラミック基板１０の表面４０とボイド４２の内面４５とが鋭角となるものがある。
【００２７】
図１（ｂ）から図１（ｅ）は、セラミック基板１０の表面４０に形成されたボイド４２により、金属膜の膨れが生じるメカニズムを説明するための図である。図１（ｂ）を参照に、セラミック基板１０の表面４０に形成されたボイド４２は、表面４０とボイド４２の内面４５との角度θ１が鋭角の部分を有している。図１（ｃ）を参照に、セラミック基板１０の表面４０に、メッキの種メタル１２として例えばＴｉおよびＡｕを例えば蒸着法を用い形成する。セラミック基板１０の表面４０上およびボイド４２の底面に種メタル１２が形成される。図１（ｄ）を参照に、種メタル１２上に、金属膜１４として例えばＡｕ(金)を湿式メッキ法を用い形成する。このとき、ボイド４２の角度θ１が鋭角なため、ボイド４２内部金属膜１４にボイド４６が形成される。図１（ｅ）を参照に、セラミック基板１０を例えば３００℃で熱処理することにより、ボイド４２中のメッキ液が気化する。ボイド４６の体積が膨張しボイド４６ａが形成され、金属膜１４の表面に膨れ４８が発生する。このようにして、セラミック基板１０上の金属膜１４に膨れ４８が発生する。
【００２８】
以上のような金属膜１４の膨れ４８を抑制する方法として、セラミック基板１０の表面４０とボイド４２の内面４５との角度θに注目した。図２（ａ）から図２（ｄ）を用い、金属膜１４の膨れ４８を抑制する方法について説明する。図２(ａ)を参照に、セラミック基板１０の表面４０に形成されたボイド４２の内面４５と表面４０との角度θ２が鈍角である。図２（ｂ）を参照に、セラミック基板１０およびボイド４２の内面４５上に種メタル１２を形成する。図２(ｃ)を参照に、種メタル１２上に金属膜１４をメッキ法を用い形成する。このとき、セラミック基板１０の表面４０とボイド４２の内面４５との角度θ２が鈍角のため、金属膜１４に図１（ｄ）のようなボイド４６が形成されることが抑制される。図２（ｄ）を参照に、よって、熱処理を行っても金属膜１４が膨れることを抑制することができる。このように、セラミック基板１０の表面４０とボイド４２の内面４５の角度θ２を鈍角にすることにより金属膜１４の膨れを抑制することができる。図１（ｂ）のように、セラミック基板１０の表面４０とボイド４２の内面４５の角度θ１が鋭角なボイド４２の角を、図２（ａ）のように鈍角にすることを「なめす」という。すなわち、図２（ａ）のセラミック基板１０の表面４０はボイドがなめされた表面である。
【実施例１】
【００２９】
以下に、実施例１として、セラミック基板１０の表面４０のボイド４２がなめされた配線基板およびその製造方法を説明する。図３（ａ）はセラミック基板１０を研磨する方法の一例を示した図である。セラミック基板１０の研磨する面の反対の面（図３（ａ）では裏面４１）をガラス板３２にワックス等で固定する。ガラス板３２を基板ホルダ３４に固定する。これらの固定は吸着によって行ってもよい。研磨ステージ３０上に基板ホルダ３４に固定されたセラミック基板１０の研磨する面（図３（ａ）では表面４０）を当接する。研磨ステージ３０に研磨剤３６を垂らし、研磨ステージ３０および基板ホルダ３４を回転させる。このようにして、研磨剤３６によって、セラミック基板１０の表面４０が研磨される。
【００３０】
実施例１においては、酸化アルミニウムのセラミック基板１０の表面４０を、２回研磨する。１回目の研磨は、ダイヤモンド等のセラミック基板１０を構成する材料より硬度の高い砥粒を水と混合し研磨剤３６として用いる。１回目の研磨は、例えば１μｍ／分程度の研磨速度で研磨する。これにより、セラミック基板１０の表面４０が研磨され、セラミック基板１０を所望の膜厚とすることができる。また、セラミック基板１０の表面４０を平坦化することができる。２回目の研磨は、セラミック基板１０と硬度が同じ酸化アルミニウムまたは硬度が低い砥粒を水と混合し研磨剤３６として用いる。例えば酸化アルミニウムの＃２０００の砥粒を用いた場合、研磨速度は５μｍ／時間である。このように、研磨剤の硬度がセラミック基板１０と同じか小さいため、セラミック基板１０の表面４０はほとんど研磨されない。しかし、図１（ｂ）のボイド４２の鋭角な角θ１を砥粒がなめし、図２（ａ）のボイド４２の様に鈍角な角θ２とすることができる。
【００３１】
なお、２回目の研磨に用いた研磨剤３６はヌープ硬度が約２０００Ｈｚの酸化アルミニウムであったが、セラミック基板１０の材料である酸化アルミニウムのヌープ強度である２０００Ｈｚ以下の材料を用いることができる。例えば、タングステンカーバイド（ヌープ強度は１７００Ｈｚ）、石英（ヌープ強度は１０００Ｈｚ）、トルマリン（ヌープ強度は１４００Ｈｚ）等を用いることができる。セラミック基板１０として酸化アルミニウムを用いた例を示したが、これに限られず、その他のセラミック基板を用いることもできる。この場合、研磨剤３６としてセラミック基板１０の硬度以下の材料を用いることにより、ボイド４２をなめすことができる。
【００３２】
図３(ｂ)を参照に、セラミック基板１０の表面４０上に種メタル１２として例えば蒸着法を用いＴｉ／Ａｕ膜を形成する。図３（ｃ）を参照に、配線パターンを形成する領域に開口部を有するフォトレジスト１３を形成する。図３（ｄ）を参照に、フォトレジスト１３の開口部の種メタル１２上に金属膜１４として例えばＡｕをメッキ法を用い形成する。金属膜はＣｕ（銅）等の他の金属を用いることもできる。図３（ｅ）を参照に、フォトレジスト１３を除去する。メッキシンタとして例えば３５０℃で熱処理する。
【００３３】
図４（ａ）を参照に、金属膜１４をマスクに種メタル１２を除去する。これにより、セラミック基板１０の表面４０上に金属膜１４からなる配線パターンが形成される。図４（ｂ）を参照に、金属膜１４間に抵抗体であるＴａＮ膜１６を形成する。セラミック基板１０を例えばダイシング法を用い分割する。以上により実施例１に係る配線基板２０が完成する。図４（ｃ）は実施例１に係る配線基板２０の上面図である。セラミック基板１０上にパッド電極として機能する金属膜１４と金属膜１４との間に抵抗として機能するＴａＮ膜１６が設けられている。なお、実施例１に係る配線基板の製造方法は、上記方法に限られず、例えば、図３（ａ）のように、セラミック基板１０をなめした後、抵抗として機能するＴａＮ膜１６を形成し、その後、種メタル１２、金属膜１４を形成することもできる。
【００３４】
実施例１に係る配線基板２０は、セラミック基板１０の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨された表面を有するセラミック基板１０と、セラミック基板１０の表面４０に設けられた金属膜１４（第１金属膜）と、を有する。つまり、ボイドをなめされた表面４０を有するセラミック基板１０と、セラミック基板１０のなめされた表面４０上に設けられた金属膜１４（第１金属膜）と、を有している。なめされた表面４０上に金属膜１４が設けられることにより、例えば図３（ｅ）のような熱処理により、金属膜１４が膨れることを抑制することができる。
【００３５】
また、配線基板２０の製造方法は、図３（ａ）のように、セラミック基板１０の表面４０をセラミック基板１０の硬度以下の硬度の材料で研磨する工程を有する。これにより、その後、例えば図３（ｂ）から図４（ａ）のように、金属膜１４を形成した場合にも、例えば図３（ｅ）のような熱処理により、金属膜１４が膨れることを抑制することができる。
【００３６】
また、２回目の研磨において、セラミック基板１０を研磨する厚さは、セラミック基板１０の粒径以下とすることが好ましい。セラミック基板１０の粒径以下の研磨の場合、図１（ａ）のように、研磨によりセラミック基板１０の粒子が脱落し新たなボイド４２が形成されることを抑制できる。ここで、セラミック基板１０を研磨する厚さは、セラミック基板１０の平均粒径以下であることが好ましく、最小粒径以下であることがより好ましい。
【００３７】
さらに、２回目の研磨において、セラミック基板１０の表面４０を研磨する研磨速度は、５μｍ／時間以下であることが好ましい。遅い速度で研磨することにより、セラミック基板１０の粒子が脱落することを抑制し、新たなボイド４２が形成されることを抑制できる。
【００３８】
また、セラミック基板１０の表面４０に２回目の研磨を行う前に、セラミック基板１０の表面４０を、セラミック基板１０の硬度より高い硬度の材料を用い研磨している。このように、セラミック基板１０の表面４０の平坦化を目的とした研磨では、図１（ｂ）のように、セラミック基板１０の表面に鋭角θ１を有するボイド４２が形成されてしまう。そこで、２回目の研磨を行うことにより、図２（ａ）のように、ボイド４２の角度θ２を鈍角にすることができる。
【００３９】
さらに、図３（ｄ）のように、セラミック基板１０の表面に、メッキ法を用い金属膜１４を形成している。金属膜１４の形成はメッキ法には限られないが、図１（ｄ）を用い説明したように、セラミック基板１０の表面４０にメッキ法を用い金属膜１４を形成する場合、金属膜１４内にボイド４６が形成され易い。実施例１によれば、メッキ法を用いて金属膜１４を形成する場合も、２回目の研磨を行うことにより、金属膜１４の膨れを抑制することができる。
【００４０】
さらに、実施例１では、セラミック基板１０上に金属膜１４を形成した後、セラミック基板１０を熱処理を行っても金属膜１４の膨れが生じることがない。実施例１では、熱処理として、メッキシンタの例であったがこれに限られない。例えば、実施例４で説明するように、配線基板２０を実装するためのダイボンド、ワイヤボンド時の熱処理であっても良い。
【実施例２】
【００４１】
実施例２はセラミック基板１０の表面はなめさず、裏面をなめす場合の例である。セラミック基板１０の裏面４１を図３（ａ）の２回目の研磨と同様に研磨する。つまり、セラミック基板１０の裏面４１をセラミック基板１０の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨する。このようにして、セラミック基板１０の裏面４１をボイドをなめされた面とする。このとき、セラミック基板１０の表面４０は実施例１のような2回目の研磨は行わない。その後、図３（ｂ）から図４（ｃ）と同じ工程を行う。図５を参照に、セラミック基板１０のなめされた裏面４１に、例えばＡｕからなる裏面金属膜１８を例えばメッキ法を用い形成する。
【実施例３】
【００４２】
実施例３は、セラミック基板１０の表面４０および裏面４１の両面のボイドをなめし、ボイドがなめされた表面４０および裏面４１に金属膜を設けた例である。図３（ａ）において、セラミック基板１０の表面４０を研磨した後、セラミック基板１０の裏面４１にも同様の研磨を行う。つまり、セラミック基板１０の裏面４１をセラミック基板１０の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨する。このようにして、セラミック基板１０の裏面４１もボイドをなめされた面とする。その後、図３（ｂ）から図４（ｃ）と同じ工程を行う。図６を参照に、セラミック基板１０の裏面４１のなめされた面上にメッキ法を用い例えばＡｕからなる裏面金属膜１８を形成する。
【００４３】
実施例２および実施例３のように、セラミック基板１０は、セラミック基板１０の硬度以下の硬度を有する材料を用い研磨された裏面（配線パターンが形成された表面と反対の面である実装面）を有していてもよい。これにより、その後、例えば図５または図６のように、例えばメッキ法を用い裏面金属膜１８を形成した場合にも、裏面金属膜１８が膨れることを抑制することができる。また、実施例４で説明するように、実装時に配線基板２０が剥がれることを抑制することができる。なお、裏面金属膜１８はＡｕに限られず、例えばＣｕ等を用いることもできる。
【実施例４】
【００４４】
実施例４は、実施例１から実施例３のいずれかに係る配線基板２０を実装した電子装置の例である。図７を参照に、パッケージ２２(実装部)の搭載面２６に実施例１に係る配線基板２０の裏面金属膜１８が固着されるようにダイボンディングする。ダイボンディングは例えばろう材２９であるＡｕＳｎを用い３００℃以上の温度で行う。配線基板２０の金属膜１４とパッケージのパッド電極２４とを例えばＡｕワイヤでワイヤ接続する。このように、実施例４に係る電子装置は、配線基板２０を実装するパッケージ２２を有している。
【００４５】
実施例２または実施例３に係る配線基板２０を実装した電子装置の場合、セラミック基板１０の裏面４１（配線パターンが形成された表面の反対側の面である実装面）を前記セラミック基板の硬度以下の硬度の材料で研磨し、セラミック基板を裏面４１でパッケージ２２（実装部）に実装している。これにより、例えば、セラミック基板１０をパッケージ２２に実装する前に、図５または図６のようにセラミック基板１０の裏面４１にメッキ法を用い裏面金属膜１８を形成した場合に、裏面金属膜１８が剥がれることを抑制することができる
【００４６】
実施例１または実施例３に係る配線基板２０を実装した電子装置においては、金属膜１４が形成された表面４０のボイドがなめされているため、配線基板２０をＡｕＳｎで実装する際の熱処理（例えば約３００℃）によって金属膜１４が膨れること抑制することができる。また、実施例１に係る配線基板をパッケージ２２に実装する前に、実施例２および実施例３のように、セラミック基板１０の裏面４１に裏面金属膜１８を形成しても良い。
【００４７】
また、金属を含むろう材２９を用いセラミック基板１０をパッケージ実装部に実装する場合、ろう材２９が熱処理により配線基板２０の裏面４１から剥がれることを抑制することができる。
【００４８】
実施例４は、ろう材２９としてＡｕＳｎを用いた例であったが、ろう材２９の代わりに接着剤等を用いることもできる。また、予めセラミック基板１０の実装面４１にろう材２９を設けておくこともできる。これらの場合も、ろう材または接着剤が熱処理により膨れることを抑制することができる。これにより、配線基板２０が搭載面２６から剥がれることを抑制することができる。実装部としてパッケージ２２を例に説明したが、実装部は実装基板等、配線基板２０を実装する機能を有していれば良い。
【００４９】
以上、発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１（ａ）から図１（ｅ）はセラミック基板上に形成された金属膜が膨れるメカニズムを説明するための図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｄ）は金属膜の膨れを抑制する原理を説明するための図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｅ）は実施例１に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は実施例１に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図５】図５は実施例２に係る配線基板を示す図である。
【図６】図６は実施例３に係る配線基板を示す図である。
【図７】図７は実施例４に係る電子装置を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０          セラミック基板
１２          種メタル
１４          金属膜(第１金属膜）
１６          ＴａＮ膜
１８          裏面金属膜(第２金属膜)
２０          配線基板
２２          パッケージ
２９          ろう材
４０          セラミック基板の表面
４１          セラミック基板の裏面(実装面)
４２          ボイド
４４          粒子
４５          ボイドの内面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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