(57)【要約】【課題】本発明によれば、２ｍｍ×２ｍｍ以下の大きさの半導体チップであっても確実にピックアップすることができる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】刺激を与えることにより粘着力が低下する粘着剤層を有するダイシングテープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップに貼付された前記ダイシングテープに刺激を与えて前記ダイシングテープの粘着剤層の粘着力を低下させる粘着力低下工程と、前記分割された個々の半導体チップに貼付された前記ダイシングテープを凸型又は凹型に変形させるテープ変形工程とを有する半導体チップの製造方法。【選択図】    図１
2007311421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
刺激を与えることにより粘着力が低下する粘着剤層を有するダイシングテープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、
前記分割された個々の半導体チップに貼付された前記ダイシングテープに刺激を与えて前記ダイシングテープの粘着剤層の粘着力を低下させる粘着力低下工程と、
前記分割された個々の半導体チップに貼付された前記ダイシングテープを凸型又は凹型に変形させるテープ変形工程とを有する
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２ｍｍ×２ｍｍ以下の大きさの半導体チップであっても確実にピックアップすることができる半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップは、通常、純度の高い棒状の半導体単結晶等をスライスしてウエハとした後、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路パターンを形成し、次いでウエハ裏面を研削機により研削して、厚さを数十〜数百μｍ程度まで薄くした後、最後にダイシングしてチップ化することにより製造されている。
【０００３】
従来から、ダイシングの際にはウエハにダイシングテープを貼付して、ウエハを接着固定した状態で縦方向及び横方向にダイシングし、個々の半導体チップに分離した後、形成された半導体チップをダイシングテープ側からニードル等で突き上げたり吸引したりしてピックアップし、ダイパッド上に固定させる方法が採られていた。例えば、特許文献１には、複数の砥石軸を有する研削加工装置を用いて、ウエハの裏面側より、少なくとも一つの砥石軸でウエハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの砥石軸でウエハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行うウエハの研削加工方法が開示されているが、このような方法にあってもウエハの位置ずれ等を防止する目的でダイシングテープが用いられている。
【０００４】
ダイシングの際にウエハの位置ずれ等を確実に防止するためには、ウエハを固定するダイシングテープに高い粘着力が求められる。しかしながら、ダイシングテープの粘着力を高く設定すると、ダイシングテープから得られた半導体チップを剥離するのが困難になり、ピックアップする際に半導体チップが損傷してしまうことがあるという問題があった。
【０００５】
これに対して、刺激を与えることにより粘着力が低下する粘着剤層を有するダイシングテープが種々提案されている。このようなダイシングテープを用いれば、比較的高い粘着力でウエハを固定してダイシングを行った後、粘着剤に刺激を与えてその粘着力を低下させた後、得られた半導体チップをダイシングテープから剥離することができる。
【０００６】
このようなダイシングテープとしては、例えば特許文献２には、粘着剤として紫外線硬化型粘着剤を用いたものが開示されている。特許文献２に記載されたダイシングテープでは、紫外線を照射することにより粘着剤層が硬化して弾性率が上昇し、その結果として粘着力が低下する。また、例えば特許文献３には、アゾ化合物等の気体発生剤を含有する紫外線硬化型粘着剤層を有するダイシングテープが開示されている。特許文献３に記載されたダイシングテープでは、紫外線を照射する等の刺激を与えることにより粘着剤層全体が硬化すると同時に気体発生剤から気体が発生し、発生した気体がウエハとダイシングテープとの接着面の少なくとも一部を剥離することから、粘着力を大幅に低減することができる。
【０００７】
しかしながら、これらのダイシングテープを用いても、実際には粘着力の低下が不充分で、半導体チップをピックアップできなかったりピックアップの際に半導体チップが損傷してしまったりすることがあるという問題があった。このような傾向は、特に半導体チップの大きさが２ｍｍ×２ｍｍ以下の場合に顕著であった。
【特許文献１】特開平７−７８７９３号公報
【特許文献２】特開２０００−４０６７８号公報
【特許文献３】特開２００４−１５８８１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記現状に鑑み、２ｍｍ×２ｍｍ以下の大きさの半導体チップであっても確実にピックアップすることができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、刺激を与えることにより粘着力が低下する粘着剤層を有するダイシングテープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップに貼付された前記ダイシングテープに刺激を与えて前記ダイシングテープの粘着剤層の粘着力を低下させる粘着力低下工程と、前記分割された個々の半導体チップに貼付された前記ダイシングテープを凸型又は凹型に変形させるテープ変形工程とを有する半導体チップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１０】
本発明者らは、従来の方法でダイシングテープを用いた場合にピックアップ不良が発生する原因について鋭意検討した。その結果、粘着剤層に刺激を与えたときに、半導体チップの中央付近では設計通りに粘着力が低減している一方、半導体チップの周辺部においては充分に粘着力が低減しない部分があることを見出した。これは、光硬化型粘着剤として用いられる（メタ）アクリル樹脂がラジカル反応により架橋して硬化するものであるところ、半導体チップの周辺部では酸素によりラジカル反応が阻害されることにより充分に架橋反応が進行しないためであると考えられる。このような未剥離部分の存在は、半導体チップがある程度大きい場合にはほとんど問題とならないが、半導体チップが小さい場合には、チップサイズに比して酸素に影響を受ける周辺部の比率が大きくなるため特に問題になるものと考えられる。
本発明者らは、更に鋭意検討の結果、上記粘着剤層に刺激を与える前後にダイシングテープを凸型又は凹型に変形させることにより、半導体チップが小さい場合であっても確実に半導体チップをピックアップすることができることを見出し発明を完成させた。これは、周辺部に充分に粘着力が低下していない部分が残っていても、ダイシングテープを凸型又は凹型に変形させることにより生じる応力によって該部分も剥離するためと考えられる。なお、本明細書において凸型に変形させるとは、貼着した半導体チップに対してその中央部が盛り上がるようにダイシングテープが反ることを意味し、凹型に変形させるとは、貼着した半導体チップに対してその周辺部が盛り上がるようにダイシングテープが反ることを意味する。
【００１１】
本発明の半導体チップの製造方法は、刺激を与えることにより粘着力が低下する粘着剤層を有するダイシングテープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程を有する。
上記ダイシングの方法としては特に限定されず、例えは、従来公知の砥石等を用いて切断分離する方法等を用いることができる。
【００１２】
本発明の半導体チップの製造方法に供するウエハとしては、従来公知の方法により調製されたものを用いることができ、例えば、半導体単結晶等をスライスして得たウエハの表面にフォトレジストを利用して回路パターンを形成した後、所定の厚さにまで研削したもの等が挙げられる。上記ウエハの厚さとしては特に限定されず、従来の１００〜３００μｍ程度のものから５０μｍ以下のものでも用いることができる。
【００１３】
上記ダイシングテープは、少なくともウエハに貼着する側の面に刺激を与えることにより粘着力が低下する粘着剤層を有する（以下、ウエハ側粘着剤層ともいう）。このようなウエハ側粘着剤層を有することにより、ダイシング工程においてウエハが位置ずれ等を起こさない程度に充分な粘着力を有する場合であっても、剥離時に刺激を与えることによりウエハ側粘着剤層の粘着力が低下してウエハを容易にピックアップすることができる。上記刺激としては特に限定されず、光、熱、衝撃等が挙げられる。なかでも、ダイシングされた個々の半導体チップ毎に刺激を与えることが容易であることから、紫外線等の光が好適である。
【００１４】
上記刺激を与えることにより粘着力が低下するウエハ側粘着剤層としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
【００１５】
上記ウエハ側粘着剤層は、更に、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。気体発生剤を含有する粘着剤層に刺激を与えると、粘着剤層全体が硬化すると同時に気体発生剤から気体が発生し、発生した気体がウエハとダイシングテープとの接着面の少なくとも一部を剥離することから、粘着力を更に大幅に低減することができる。
上記気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アゾ化合物、アジド化合物が好適である。
【００１６】
なお、上記ダイシングテープの基材や、上記ウエハ側粘着剤層とは反対側の面等については、後述するダイシングテープを凸型又は凹型に変形させる手段に従い適宜選択する。
【００１７】
本発明の半導体チップの製造方法は、ダイシングにより分割された個々の半導体チップに貼付された上記ダイシングテープに刺激を与えて、上記ダイシングテープのウエハ側粘着剤層の粘着力を低下させる粘着力低下工程を有する。
上述のように上記ダイシングテープは刺激を与えることにより粘着力が低下するウエハ側粘着剤層を有することから、刺激を与えることにより粘着力が低下する。例えば、上記粘着剤層の粘着力を低下させる刺激が紫外線である場合には、集光ミラーや集光レンズを用いて集光した紫外線を用いたり光ファイバーにより導光したりすることにより、個々の半導体チップに貼付されたダイシングテープに直接紫外線を照射することができる。このように個々の半導体チップ毎に順次紫外線を照射して剥離を行うことにより、いったんダイシングテープから剥離した半導体チップが再密着するのを防止することができる。
【００１８】
本発明の半導体チップの製造方法は、上記分割された個々の半導体チップに貼付されたダイシングテープを凸型又は凹型に変形させるテープ変形工程を有する。このようにダイシングテープを変形させることにより、確実に半導体チップをダイシングテープから剥離してピックアップすることができる。これは、刺激を与えた後の半導体チップの周辺部に充分に粘着力が充分に低下していない部分が残っていても、ダイシングテープを凸型又は凹型に変形させることにより生じる応力によって該部分も剥離するためと考えられる。なお、テープ変形工程は、粘着力低下工程後に行うことが好ましいが、粘着力低下工程前又は粘着力低下工程中に行っても充分な効果が得られる。
【００１９】
上記ダイシングテープを凸型又は凹型に変形させる手段としては、例えば、ダイシングテープの上記ウエハに貼着する側とは反対側の面に刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層（以下、気体発生粘着剤層ともいう）を設け、更に該気体発生粘着剤層上に剛性のある支持板を積層する方法が挙げられる（実施態様１）。この方法では、特に上記ウエハ側粘着剤層の粘着力を低下される刺激と、気体発生剤から気体を発生させる刺激とを同一とした場合（例えば、紫外線照射）には、一つの刺激を与えることで粘着力低下工程とテープ変形工程とを開始させることができる。
【００２０】
実施態様１による本発明の半導体チップの製造方法を説明する模式図を図１に示した。
図１ａは、ダイシングテープが貼付されたウエハを示す。図１ａにおいてダイシングテープ２は、基材２１の両面に紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤層２２と紫外線を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層２３が設けられた構造を有し、粘着剤層２２を介してウエハ１に、粘着剤層２３を介してガラスからなる支持板３に貼着されている。本発明においては、このようにウエハ１をダイシングテープ２に貼付した状態でダイシングを行い、個々の半導体チップ１’に分割する（ダイシング工程、図１ｂ）。次いで、分割された個々の半導体チップ１’に貼付されたダイシングテープ２に、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置等を用いて紫外線を照射して、ダイシングテープ２の粘着剤層２２の粘着力を低下させる粘着力低下工程を行う（未図示）。この時点で、粘着剤層２２の粘着力は低下し、実質的に半導体チップ１’はダイシングテープ２から剥離するが、その周辺部には剥離していない部分も残っている。一方、粘着剤層２３からは気体が発生して、発生した気体は粘着剤層２３と支持板３の界面に押出される。しかし、粘着剤層２３と支持板３とは紫外線を照射した以外の部分では接着されたままであるので、押出された気体は気体溜まり４となって紫外線照射部分に残留し、その結果、ダイシングテープ２全体が凸型に変形し、その応力でもって半導体チップ１’の周辺部も確実に剥離する（図１ｃ、ただし図１ｃは紫外線を照射した半導体チップ１’部分を拡大したものである）。
【００２１】
上記ダイシングテープを凸型又は凹型に変形させる手段としては、例えば、ダイシングテープの基材を線膨張率の異なる２種の樹脂の積層体とする方法も挙げられる（実施態様２）。
実施態様２による本発明の半導体チップの製造方法を説明する模式図を図２に示した。
図２ａは、ダイシングテープが貼付されたウエハを示す。図２ａにおいてダイシングテープ５は、線膨張率の大きな樹脂からなる層５１１と線膨張率の小さな樹脂からなる層５１２との積層体である基材の層５１１側の面に紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤層５２が設けられた構造を有し、粘着剤層５２を介してウエハ１に貼着されている。本発明においては、このようにウエハ１をダイシングテープ５に貼付した状態でダイシングを行い、個々の半導体チップ１’に分割する（ダイシング工程、図２ｂ）。次いで、分割された個々の半導体チップ１’に貼付されたダイシングテープ５に、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置等を用いて紫外線を照射して、ダイシングテープ５の粘着剤層５２の粘着力を低下させる粘着力低下工程を行う（未図示）。この時点で、粘着剤層５２の粘着力は低下し、実質的に半導体チップ１’はダイシングテープ５から剥離するが、その周辺部には剥離していない部分も残っている。次いで、炭酸ガスレーザー等を用いて赤外線を該半導体チップ１’部分にダイシングテープ側より照射することにより加熱すると、層５１１と層５１２との線膨張率の差異により、基材が反ってダイシングテープ５が凸型に変形し、その応力でもって半導体チップ１’の周辺部も確実に剥離する（図２ｃ、ただし図２ｃは紫外線照射及び加熱を行った半導体チップ１’部分を拡大したものである）。
なお、ダイシングテープ５’として、線膨張率の大きな樹脂からなる層５１１と線膨張率の小さな樹脂からなる層５１２との積層体である基材の層５１２側の面に紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤層５２が設けたものを用い、粘着剤層５２を介してウエハ１に貼着した場合には、加熱後には層５１１と層５１２との線膨張率の差異により、基材が反ってダイシングテープ５が凹型に変形し、その応力でもって半導体チップ１’の周辺部も確実に剥離する（図２ｃ’）。
【００２２】
上記ダイシングテープを凸型又は凹型に変形させる手段としては、物理的手段、例えば、
ダイシングテープに空気を吹き付けたり、吸引したりする方法も挙げられる（実施態様３）。
実施態様３による本発明の半導体チップの製造方法を説明する模式図を図３に示した。
図３ａは、ダイシングテープが貼付されたウエハを示す。図３ａにおいてダイシングテープ６は、基材６１の片面に紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤層６２が設けられた構造を有し、粘着剤層６２を介してウエハ１に貼着されている。本発明においては、このようにウエハ１をダイシングテープ６に貼付した状態でダイシングを行い、個々の半導体チップ１’に分割する（ダイシング工程、図３ｂ）。次いで、分割された個々の半導体チップ１’に貼付されたダイシングテープ６に、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置等を用いて紫外線を照射して、ダイシングテープ６の粘着剤層６２の粘着力を低下させる粘着力低下工程を行う（未図示）。この時点で、粘着剤層６２の粘着力は低下し、実質的に半導体チップ１’はダイシングテープ６から剥離するが、その周辺部には剥離していない部分も残っている。次いで、ダイシングテープ６の該半導体チップ１’部分にノズル７から空気を噴射して吹き付けることによりダイシングテープ６が凸型に変形し、その応力でもって半導体チップ１’の周辺部も確実に剥離する（図３ｃ）。
なお、ノズル７から空気を吸引した場合には、ダイシングテープ６が凹型に変形し、その応力でもって半導体チップ１’の周辺部も確実に剥離する（図３ｃ’）。
【００２３】
本発明の半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの大きさが小さい場合であっても確実にダイシングテープから剥離することができる。その後、定法により半導体チップをピックアップすればよい。また、本発明の半導体チップの製造方法によれば、いったんダイシングテープから剥離した半導体チップがダイシングテープに再密着するのを防止する効果も得られる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、２ｍｍ×２ｍｍ以下の大きさの半導体チップであっても確実にピックアップすることができる半導体チップの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００２６】
（実施例１）
（粘着剤の調製）
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、Ｕ３２４Ａ（新中村化学社製）４０重量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート０．５重量部を混合しアクリレート系粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート                ７９重量部
エチルアクリレート                １５重量部
アクリル酸                          １重量部
２−ヒドロキシエチルアクリレート    ５重量部
光重合開始剤                    ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン          ０．０１重量部
【００２７】
得られたアクリレート系粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）３０重量部、及び、２，４−ジエチルチオキサントン３．６重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤（１）を調製した。
また、得られたアクリレート系粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）６重量部、及び、２，４−ジエチルチオキサントン２．４重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤（２）を調製した。
【００２８】
（ダイシングテープの作製）
粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を、基材として片面にコロナ処理を施した厚さ７５μｍの透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（１）層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ダイシングテープを得た。
粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの上に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（２）層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、４０℃、３日間静置養生を行った。
次いで、粘着剤（２）層を設けた離型処理が施されたＰＥＴフィルムの一方の離型処理が施されたＰＥＴフィルムを剥離し、粘着剤（１）層を設けた基材の粘着剤（１）層のない面と貼り合わせた。これにより両面に粘着剤層が設けられ、その表面が離型処理が施されたＰＥＴフィルムで保護されたダイシングテープを得た。その後、４０℃、３日間静置して養生を行った。
【００２９】
（半導体チップの製造）
得られたダイシングテープの粘着剤（１）層と回路が形成された厚さ５０μｍのシリコンウエハとを常温常圧で貼り合わせた。一方、ダイシングテープの粘着剤（２）層と厚さ５ｍｍのガラス板とを常温常圧で貼り合わせた。
次いで、シリコンウエハを１．５ｍｍ×１．５ｍｍにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシングテープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になるように置き、その１つにダイシングテープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が５００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を１．０秒間照射した。なお、紫外線の照射には、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置（スポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。この紫外線照射により、半導体チップはダイシングテープから剥離した。ダイシングテープの紫外線が照射された部分を目視にて確認したところ凸型に変形していた。次いで、剥離した半導体チップを吸引パッドで吸着して取り上げた。
以上の操作を、１０枚のダイシングテープが貼付された半導体チップに対して半導体チップ１個当たり約０．５秒間の速度で連続して行い、全く破損することなくピックアップできた半導体チップの割合を調べた。また、紫外線照射後３０分間放置した後にピックアップを行った場合にも、全く破損することなくピックアップできた半導体チップの割合を調べた。
結果を表１に示した。
【００３０】
（実施例２）
シリコンウエハを０．８ｍｍ×０．８ｍｍにダイシングして半導体チップを得た以外は実施例１と同様の方法により半導体チップの製造を行い、同様の評価を行った。
結果を表１に示した。
【００３１】
（比較例１）
実施例１で調製した粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ７５μｍの透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（１）層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ダイシングテープを得た。
得られたダイシングテープを用いた以外は実施例１と同様の方法により半導体チップの製造を行い、同様の評価を行った。
結果を表１に示した。
【００３２】
（比較例２）
シリコンウエハを０．８ｍｍ×０．８ｍｍにダイシングして半導体チップを得た以外は比較例１と同様の方法により半導体チップの製造を行い、同様の評価を行った。
結果を表１に示した。
【００３３】
（実施例３）
（ダイシングテープの作製）
共押出し法により、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：線膨張率８×１０−５／℃：厚さ４０μｍ）／ポリエチレン（ＰＥ：線膨張率１２×１０−５／℃：厚さ６０μｍ）の線膨張率の異なる２層構造の基材を調製した。
【００３４】
実施例１で調製した粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を、得られた基材上に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（１）層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ダイシングテープを得た。
【００３５】
（半導体チップの製造）
得られたダイシングテープの粘着剤（１）層と回路が形成された厚さ５０μｍのシリコンウエハとを常温常圧で貼り合わせた。
次いで、シリコンウエハを１．５ｍｍ×１．５ｍｍにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシングテープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になるように置き、その１つにダイシングテープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が５００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を１．０秒間照射した。なお、紫外線の照射には、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置（スポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。次いで、炭酸ガスレーザーによる赤外線をチップ部分にダイシングテープ側より照射することにより、加熱した。次いで、剥離した半導体チップを吸引パッドで吸着して取り上げた。
実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示した。
【００３６】
（実施例４）
実施例１で調製した粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ７５μｍの透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（１）層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ダイシングテープを得た。
【００３７】
（半導体チップの製造）
得られたダイシングテープの粘着剤（１）層と回路が形成された厚さ５０μｍのシリコンウエハとを常温常圧で貼り合わせた。
次いで、シリコンウエハを１．５ｍｍ×１．５ｍｍにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシングテープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になるように置き、その１つにダイシングテープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が５００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を１．０秒間照射した。なお、紫外線の照射には、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置（スポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。次いで、点状出光照射口の中心部に開いた孔より圧縮エアを供給し、ダイシングテープ側から空気を吹きつけた。次いで、剥離した半導体チップを吸引パッドで吸着して取り上げた。
実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示した。
【００３８】
【表１】
2007311421.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明によれば、２ｍｍ×２ｍｍ以下の大きさの半導体チップであっても確実にピックアップすることができる半導体チップの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施態様１による本発明の半導体チップの製造方法を説明する模式図である。
【図２】実施態様２による本発明の半導体チップの製造方法を説明する模式図である。
【図３】実施態様３による本発明の半導体チップの製造方法を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  ウエハ
１’  ダイシングされた半導体チップ
２  ダイシングテープ
２１  基材
２２  紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤層
２３  紫外線を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層
３  支持板
４  気体溜まり
５、５’  ダイシングテープ
５１１  線膨張率の大きな樹脂からなる層
５１２  線膨張率の小さな樹脂からなる層
５２  紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤層
６  ダイシングテープ
６１  基材
６２  紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤層
７  ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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