(57)【要約】【課題】半導体装置内での電源電圧の降下（ＩＲドロップ）に起因する性能の低下を抑え易い半導体装置を得ること。【解決手段】半導体基板１０と、この半導体基板に形成された回路素子２０と、この回路素子と共に集積回路を構成する多数の配線が複数層に亘って形成された多層配線部５０とを半導体基板上に形成して半導体装置１００を得るにあたり、多層配線部に熱電発電部６０Ａ〜６０Ｃを形成し、かつ個々の熱電発電部を多層配線部における所定の配線に接続する。【選択図】          図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板に形成された回路素子と、前記回路素子と共に集積回路を構成する多数の配線が複数層に亘って形成された多層配線部と、前記多層配線部に設けられて該多層配線部における所定の配線と互いに接続された熱電発電部とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記熱電発電部と前記多層配線部における電源電圧供給線とが互いに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記熱電発電部は、前記集積回路のうちで発熱量の多い領域の上方に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記熱電発電部の上面が前記多層配線部から露出していることを特徴する請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記熱電発電部の側方に設けられた断熱部を更に有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板と、該半導体基板に形成された回路素子と、該回路素子と共に集積回路を構成する多数の配線が複数層に亘って形成された多層配線部とを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日の電子機器には、集積回路を備えた種々の半導体装置が用いられている。個々の半導体装置は、半導体基板と、該半導体基板に形成された回路素子と、該回路素子と共に集積回路を構成する多数の配線が複数層に亘って形成された多層配線部とを有しており、多層配線部は半導体基板上に形成される。近年では電子機器の高性能化が急速に進められており、これに伴って個々の半導体装置の消費電力は増大している。
【０００３】
その一方で携帯型電子機器も急速に普及しており、高性能の携帯型電子機器の連続使用時間を長時間にするために、二次電池の改良や小型の燃料電池の開発も併せて進められている。また、新たな電源として熱電発電素子の開発も進められており、例えば特許文献１には、半導体素子と、該半導体素子に外付けされた熱電発電素子とを備えたモジュールが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１５８５３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高性能の半導体装置を得るうえからは、該半導体装置を構成する個々の回路素子の高性能化を図ることは勿論、半導体装置内での電源電圧の降下（ＩＲドロップ）に起因して信号遅延が生じることによる性能の低下を抑えることが必要となる。
【０００６】
この発明は上記に鑑みてなされたものであり、ＩＲドロップに起因する性能の低下を抑え易い半導体装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するこの発明の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成された回路素子と、回路素子と共に集積回路を構成する多数の配線が複数層に亘って形成された多層配線部と、多層配線部に設けられて該多層配線部における所定の配線と互いに接続された熱電発電部とを有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明の半導体装置では、多層配線部に熱電発電部が設けられ、かつ該熱電発電部と多層配線部における所定の配線とが互いに接続されているので、ＩＲドロップが生じても、所望の回路素子での電圧降下を熱電発電部からの給電により抑えることができる。その結果として、ＩＲドロップに起因する性能の低下を抑えることが容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、この発明の半導体装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、この発明の半導体装置の一例を概略的に示す平面図である。同図に示す半導体装置１００は、半導体基板、半導体基板に形成された回路素子、回路素子と共に集積回路を構成する多数の配線が複数層に亘って形成された多層配線部、および多層配線部に設けられて該多層配線部における所定の配線と互いに接続された熱電発電部等を有している。図１には３つの熱電発電部６０Ａ〜６０Ｃと、電源電圧供給線ＷVDD と、接地線ＷGND と、配線４４ａ，４４ｂと、多層配線部を覆う保護層７０と、複数のパッドＰとが示されており、３つの熱電発電部６０Ａ〜６０Ｃのうちの熱電発電部６０Ａは、多層配線部の平面上の中央部に配置されて、配線４４ａにより電源電圧供給線ＷVDD に接続されていると共に配線４４ｂにより接地線ＷGND に接続されている。他の熱電発電部６０Ｂ，６０Ｃは、それぞれ、多層配線部における所定の配線に直接またはコンタクトプラグを介して接続されている。
【００１１】
上記の多層配線部は半導体基板よりも小さく、多層配線部の周囲には、平面視上、半導体基板の縁部が広がっている。配線４４ａ，４４ｂは、多層配線部における最も上の層間絶縁膜に形成されて保護層７０により覆われており、電源電圧供給線ＷVDD および接地線ＷGND は、多層配線部における最も上の層間絶縁膜から所定のパッドＰにかけて形成されて保護層７０により覆われている。また、各パッドＰは、多層配線部における最も上の層間絶縁膜の縁部上に形成されて、多層配線部における所定の配線またはコンタクトプラグに接続されている。なお、図１においては、熱電発電部６０Ａ〜６０Ｃ、電源電圧供給線ＷVDD 、接地線ＷGND 、配線４４ａ、および配線４４ｂの各々を、便宜上、実線で描いている。
【００１２】
図２は、図１に示したII−II線断面の概略図である。同図に示すように、半導体装置１００では、半導体基板１０に回路素子２０が形成され、この回路素子２０を覆うようにして半導体基板１０上に多層配線部５０が形成され、この多層配線部５０を覆うようにして保護層７０が形成されている。図１に示した各熱電発電部６０Ａ〜６０Ｃは、上述のように、多層配線部５０に設けられている。ただし、図２には熱電発電部６０Ａのみが現れている。
【００１３】
半導体基板１０は、シリコンのような元素半導体からなる基板であってもよいし、ガリウムヒ素のような化合物半導体からなる基板であってもよい。さらには、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板であってもよい。半導体基板１０の所定箇所には、該半導体基板１０に形成しようとする回路素子の種類に応じた所定の素子領域（ウェル）と、所定形状の素子分離領域とが形成される。図示の半導体基板１０は、Ｐ- 型シリコン基板１の所定箇所にＮ型ウェル３およびＰ型ウェル（図２には現れていない。）を形成し、さらに、各素子領域を平面視上区画するようにして素子分離領域（素子分離膜）７を形成したものである。
【００１４】
回路素子としてどのような素子を形成するかは、半導体装置１００に求められる機能等に応じて適宜選定される。図２に示す回路素子２０は、電界効果トランジスタ（以下、「電界効果トランジスタ２０」という。）である。電界効果トランジスタ２０は、Ｎ型ウェル３に形成されたソース領域１２およびドレイン領域１４と、半導体基板１０上にゲート絶縁膜１６を介して配置されたゲート電極１８と、ゲート電極１８における線幅方向の両側面それぞれに設けられたサイドウォールスペーサＳＷ，ＳＷとを有している。ゲート電極１８に所定の電圧を印加すると、ソース領域１２とドレイン領域１４との間にチャネルが形成される。
【００１５】
多層配線部５０は、最も下に位置する第１層間絶縁膜３０と、真中に位置する第２層間絶縁膜３５と、最も上に位置する第３層間絶縁膜４０とを有しており、層間絶縁膜３０、３５、４０の各々には、コンタクトプラグと、各コンタクトプラグを所定のパターンで電気的に接続して上述の回路素子と共に集積回路を形成する多数の配線とが形成されている。図２においては、各層間絶縁膜３０、３５、４０に形成されているコンタクトプラグおよび配線のうち、ソース領域１２に接続された第１層コンタクトプラグ３２ａと、ドレイン領域１４に接続された第１層コンタクトプラグ３２ｂと、４つの第１層配線３４ａ〜３４ｄと、１つの第２層コンタクトプラグ３７と、２つの第２層配線３９ａ，３９ｂと、１つの第３層コンタクトプラグ４２と、３つの第３層配線（第３層配線４４ｃ、電源電圧供給線ＷVDD 、および接地線ＷGND ）とが現れている。所望の無機材料または有機材料によって多層配線部５０上に保護層７０が形成されて、多層配線部５０に形成されている各配線および各コンタクトプラグを酸化や腐食等から保護している。
【００１６】
熱電発電部６０Ａは上記の第２層間絶縁膜３５に形成されており、該熱電発電部６０Ａは、ゼーベック効果を利用して発電する２つの熱電発電素子６０Ａ1 ，６０Ａ2 を直列に接続した構造を有している。個々の熱電発電素子６０Ａ1 ，６０Ａ2 は互いに同じ構造を有しており、各々が複数の下部電極と、複数のＮ型半導体層と、複数のＰ型半導体層と、複数の上部電極とを有している。図２においては、２つの下部電極５２，５２と、１つのＮ型半導体層５４と、１つのＰ型半導体層５５と、２つの上部電極５７，５７とが現れている。ここで、ゼーベック効果を利用して発電する熱電発電素子について、図３を参照して具体的に説明する。
【００１７】
図３は、ゼーベック効果を利用して発電する熱電発電素子の一例を概略的に示す側面図である。同図に示す熱電発電素子ＴＥは、３つの発電ユニットＵ1 〜Ｕ3 を直列接続した構造を有する素子であり、個々の発電ユニットＵ1 〜Ｕ3 は、１つのＮ型半導体層Ｓｎと、１つのＰ型半導体層Ｓｐと、これらＮ型半導体層ＳｎおよびＰ型半導体層Ｓｐを接続する１つの下部電極Ｂｅと、Ｎ型半導体層Ｓｎに接続された上部電極と、Ｐ型半導体層Ｓｐに接続された上部電極とを有している。
【００１８】
隣り合う発電ユニット同士は、一方の発電ユニットにおけるＰ型半導体層と他方の発電ユニットにおけるＮ型半導体層とが互いに対向する向きで１つの上部電極により接続されている。図示の例では、発電ユニットＵ1 におけるＰ型半導体層Ｓｐと発電ユニットＵ2 におけるＮ型半導体層Ｓｎとが上部電極Ｕｅ2 により接続され、発電ユニットＵ2 におけるＰ型半導体層Ｓｐと発電ユニットＵ3 におけるＮ型半導体層Ｓｎとが上部電極Ｕｅ3 により接続されている。また、発電ユニットＵ1 におけるＮ型半導体層Ｓｎには上部電極Ｕｅ1 が接続され、発電ユニットＵ3 におけるＰ型半導体層Ｓｐには上部電極Ｕｅ4 が接続されている。
【００１９】
このような構造を有する熱電発電素子ＴＥでは、各下部電極Ｂｅと各上部電極Ｕｅ1 〜Ｕｅ4 との間に温度差が生じると、個々の半導体層Ｓｎ，Ｓｐにおいて高温側から低温側に向かってキャリアが移動する。Ｎ型半導体層Ｓｎでは高温側から低温側に向かって自由電子が移動し、Ｐ型半導体層Ｓｐでは高温側から低温側に向かって正孔が移動する。したがって、上部電極Ｕｅ1 と上部電極Ｕｅ4 とを外部負荷に接続して１つの回路を形成すると、上部電極Ｕｅ1 が負極となり、上部電極Ｕｅ4 が正極となって熱電発電素子ＴＥが発電する。
【００２０】
上記のＮ型半導体層ＳｎおよびＰ型半導体層Ｓｐそれぞれの材料としては、下部電極Ｂｅと各上部電極Ｕｅ1 〜Ｕｅ4 との温度差が小さい環境下でも比較的大きな熱起電力が得られる半導体、例えばビスマス・テルル系の半導体を用いることが好ましい。ビスマス・テルル系のＮ型半導体の具体例としてはＢｉ2(Ｓｅ，Ｔｅ)3等が挙げられ、ビスマス・テルル系のＰ型半導体の具体例としては(Ｂｉ，Ｓｂ)2Ｔｅ3等が挙げられる。
【００２１】
図２示した各熱電発電素子６０Ａ1 ，６０Ａ2 は、上述した熱電発電素子ＴＥと同様の構造を有する熱電発電素子であり、図３に示したＮ型半導体層Ｓｎに対応する所定数のＮ型半導体層５４（図２参照）と、図３に示したＰ型半導体層Ｓｐに対応する所定数のＰ型半導体層５５（図２参照）と有している。そして、これらの熱電発電素子６０Ａ1 ，６０Ａ2 を備えた熱電発電部６０Ａは、第３層間絶縁膜４０に形成されたコンタクトプラグ（図２には現れていない。）と配線４４ａ（図１参照）とを介して電源電圧供給線ＷVDD に接続されている一方で、第３層間絶縁膜４０に形成されたコンタクトプラグ（図２には現れていない。）と配線４４ｂ（図１参照）とを介して接地線ＷGND に接続されている。このため、電界効果トランジスタ２０が駆動により発熱して各熱電発電素子６０Ａ1 ，６０Ａ2 の下部電極５２が上部電極５７に比べて高温になると、これらの熱電発電素子６０Ａ1 ，６０Ａ2 が発電して熱電発電部６０Ａから電源電圧供給線ＷVDD に給電される。
【００２２】
なお、図２には現れていないが、図１に示した各熱電発電部６０Ｂ，６０Ｃもゼーベック効果を利用した熱電発電素子を備えており、各々が所定の回路素子または配線に接続されている。そして、上述した熱電発電部６０Ａと同様に各熱電発電部６０Ｂ，６０Ｃも半導体装置１００の駆動時に発電して、所定の回路素子あるいは配線に給電する。
【００２３】
以上説明した半導体装置１００においても、従来の半導体装置と同様にＩＲドロップが生じる。しかしながら、半導体装置１００の駆動時には各熱電発電部６０Ａ〜６０Ｃ（図１参照）が発電して電源電圧供給線ＷVDD 等へ給電するため、半導体基板１０（図２参照）に形成されている各回路素子での電圧降下が抑えられる。特に、ＩＲドロップが最も顕著な箇所、すなわち多層配線部５０の平面視上の中央部において熱電発電部６０Ａが電源電圧供給線ＷVDD に接続されていることから、半導体基板１０（図２参照）に形成されている各回路素子での電圧降下が効率よく抑えられる。その結果として、この半導体装置１００では、ＩＲドロップに起因する性能の低下を抑え易い。また、半導体装置１００では集積回路の設計マージンや製造マージンが大きくなるので、所望の性能を有するものを得易い。
【００２４】
このような技術的効果を奏する半導体装置１００は、多層配線部５０に熱電発電部６０Ａ〜６０Ｃ（図１参照）を形成する以外は従来の半導体装置と同様にして製造することができる。個々の熱電発電部６０Ａ〜６０Ｃを構成している熱電発電素子、例えば熱電発電部６０Ａを構成している各熱電発電素子６０Ａ1 ，６０Ａ2 （図２参照）は、例えば、第１層配線３４ａ〜３４ｃの形成時にこれらの第１配線層３４ａ〜３４ｃと一緒に下部電極５２を形成し、次いで各熱電発電素子６０Ａ1 ，６０Ａ2 におけるＮ型半導体層５４およびＰ型半導体層５５を形成してから第２層間絶縁膜３５を形成し、その後、第２層配線３９ａ，３９ｂの形成時にこれらの第２配線層３９ａ，３９ｂと一緒に上部電極５７を形成することで得られる。他の熱電発電部６０Ｂ，６０〜６０Ｃを構成している熱電発電素子も同様にして形成することができる。
【００２５】
実施の形態２．
この発明の半導体装置では、該半導体装置に形成されている集積回路における発熱量の多い領域の上方、例えば電界効果トランジスタの集積密度が高い領域や、動作周波数の高い配線が配置されている領域の上方に、熱電発電部を配置することが好ましい。
【００２６】
図４は、集積回路のうちで発熱量の多い領域の上方に熱電発電部が配置された半導体装置の一例を概略的に示す平面図である。同図に示す半導体装置１１０は、集積回路での発熱量の多寡に応じて、平面視上、４つの領域Ｒ1 〜Ｒ4 に区分することができる。領域Ｒ2 での発熱量が最も少なく、領域Ｒ4 での発熱量が最も多い。領域Ｒ1 ，Ｒ3 での発熱量は、領域Ｒ2 での発熱量よりも多く、領域Ｒ4 での発熱量よりも少ない。熱電発電部１０５は、これらの領域Ｒ1 〜Ｒ4 のうちで発熱量が最も多い領域Ｒ4 に配置されている。この場合も、熱電発電部１０５は多層配線部５０（図２参照）に設けられて、該多層配線部５０中の所定の配線に接続される。
【００２７】
集積回路のうちで発熱量の多い領域Ｒ4 の上方に熱電発電部１０５を配置すると、発熱量が少ない領域に配置した場合に比べて熱電発電素子の下部電極と上部電極との温度差が大きくなるので、該熱電発電素子での熱起電力が大きくなって熱電発電部１０５での発電量も多くなる。その結果として、ＩＲドロップによる電源電圧の降下を熱電発電部１０５からの給電により補って各回路素子での電圧降下を抑え易くなり、所望の性能を有する半導体装置１００を得易くなる。
【００２８】
また、集積回路のうちで発熱量の多い領域Ｒ4 は電力消費の多い領域でもあり、この領域では電源電圧の降下の割合が高いので、該領域Ｒ4 に形成されている各回路素子での電圧降下を熱電発電部１０５からの給電によって抑えることにより、集積回路の動作マージンを大きくし易くなる。
【００２９】
実施の形態３．
実施の形態１で説明した半導体装置は、熱電発電部が第３層間絶縁膜により覆われた構造を有しているが、この発明の半導体装置においては、熱電発電部の上面を多層配線部から露出させることができる。
【００３０】
図５は、熱電発電部が該熱電発電部の上面を多層配線部から露出させて配置された半導体装置の一例を概略的に示す断面図である。同図に示す半導体装置１５０は、電界効果トランジスタ２０の上方に配置された熱電発電部１２０と、第１層配線３４ｃ，３４ｅの上方に配置された熱電発電部１３０とを備えている。
【００３１】
上記の熱電発電部１２０は、２つの熱電発電素子１２０Ａ1 ，１２０Ａ2 が直列に接続されたものであり、これら２つの熱電発電素子１２０Ａ1 ，１２０Ａ2 は、各々の上面を第３層間絶縁間４０から露出させた状態で第２層間絶縁膜３５から第３層間絶縁膜４０に亘って設けられて、多層配線部５０中の所定の配線に接続されている。個々の熱電発電素子１２０Ａ1 ，１２０Ａ2 はゼーベック効果を利用して発電する素子であり、図３に示した熱電発電素子ＴＥと同様に複数の下部電極、複数のＮ型半導体層、複数のＰ型半導体層、および複数の上部電極を備えている。図５には、下部電極１１２，１１２、Ｎ型半導体層１１４、Ｐ型半導体層１１５、および上部電極１１７，１１７が現れている。
【００３２】
一方、上記の熱電発電部１３０は、第３層間絶縁膜４０に配置されて、その上面を第３層間絶縁間４０から露出させた状態で多層配線部５０中の所定の配線に接続されている。この熱電発電部１３０はゼーベック効果を利用して発電する１つの熱電発電素子１３０Ａからなり、該熱電発電素子１３０Ａは２つの下部電極１２２，１２２と、２つのＮ型半導体層１２４，１２４と、２つのＰ型半導体層１２５，１２５と、３つの上部電極１２７，１２７，１２７とを備えている。
【００３３】
なお、多層配線部５０上に形成されている保護層７０には、各熱電発電部１２０，１３０の上面を露出させる開口部ＯＰ1 ，ＯＰ2 が形成されている。図５に示した構成要素のうちで、図２に示した構成要素と共通するものには図２で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。図５中の参照符号「３９ｃ」は、１つの第２層配線を示している。
【００３４】
図５に示した半導体装置１５０では、熱電発電部１２０の上面が露出しているので、層間絶縁膜によって覆われている場合に比べて該熱電発電部１２０からの放熱が起こり易い。そのため、各熱電発電素子１２０Ａ1 ，１２０Ａ2 での下部電極１１２，１１２と上部電極１１７，１１７との温度差が大きくなり、個々の熱電発電素子１２０Ａ1 ，１２０Ａ2 での熱起電力も大きくなる。その結果として、熱電発電部１２０での発電量も多くなる。同様の理由から、熱電発電１３０においても熱起電力が大きくなって、発電量が多くなる。
【００３５】
実施の形態４．
この発明の半導体装置では、熱電発電部の側方に断熱部を設けることができる。この断熱部を設ける場合には、熱電発電部の熱源となる回路素子または配線の側方から熱電発電部の側方にかけて断熱部を配置して、熱源となる回路素子または配線で生じた熱の多くが熱電発電部に供給されるようにすることが好ましい。
【００３６】
図６は、熱電発電部の側方に断熱部が設けられた半導体装置の一例を概略的に示す断面図である。同図に示す半導体装置１６０は、電界効果トランジスタ２０の側方から熱電発電部６０Ａの側方にかけて断熱部１５５が設けられているという点を除き、図２に示した半導体装置１００と同様の構造を有している。図６に示した構成要素のうちで図２に示した構成要素と共通するものについては、図２で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００３７】
上記の断熱部１５５は、熱電発電部６０Ａの熱源となる電界効果トランジスタ２０で生じた熱の多くが熱電発電部６０Ａに供給されるようにするものであり、第１層間絶縁膜３０および第２層間絶縁膜３５のいずれよりも断熱性の高い所望の無機材料または有機材料によって、第１層間絶縁膜３０から第２層間絶縁膜３５に亘って形成されている。
【００３８】
この断熱部１５５を設けることにより、電界効果トランジスタ２０で生じた熱の多くが熱電発電部６０Ａに供給されるようになるので、当該断熱部１５５がない場合に比べて熱電発電素子６０Ａ1 ，６０Ａ2 それぞれでの下部電極５２，５２と上部電極５７，５７との温度差が大きくなり、個々の熱電発電素子６０Ａ1 ，６０Ａ2 での熱起電力も大きくなる。その結果として、熱電発電部６０Ａでの発電量も多くなる。
【００３９】
以上、４つの形態を挙げてこの発明の半導体装置について説明したが、既に述べたように、この発明は上述の形態に限定されるものではない。例えば、１つの半導体装置に配置する熱電発電部の数、および個々の熱電発電部を構成する熱電発電素子の数はそれぞれ適宜選定可能であり、各熱電発電素子の構成も適宜選定可能である。また、個々の熱電発電素子の高さは、多層配線部を構成する層間絶縁膜の膜厚より小さくすることもできるし、多層配線部を構成する複数の層間絶縁膜に亘る高さとすることもできる。熱電発電部の上面を多層配線部から露出させる場合には、該熱電発電部の上面を保護層により覆うことも可能である。そして、半導体装置における熱電発電部以外の構成は、目的とする半導体装置の用途や該半導体装置に求められる機能等に応じて適宜変更可能である。この発明の半導体装置については、その他にも種々の変形、修飾、組合せ等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の半導体装置の一例を概略的に示す平面図である。
【図２】図１に示したII−II線断面の概略図である。
【図３】ゼーベック効果を利用して発電する熱電発電素子の一例を概略的に示す側面図である。
【図４】集積回路のうちで発熱量の多い領域の上方に熱電発電部が配置された半導体装置の一例を概略的に示す平面図である。
【図５】熱電発電部が該熱電発電部の上面を多層配線部から露出させて配置された半導体装置の一例を概略的に示す断面図である。
【図６】熱電発電部の側方に断熱部が設けられた半導体装置の一例を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  半導体基板
２０  回路素子（電界効果トランジスタ）
５０  多層配線部
５２，１１２，１２２  下部電極
５４，１１４，１２４  Ｎ型半導体層
５５、１１５，１２５  Ｐ型半導体層
５７，１１７，１２７  上部電極
６０Ａ1 ，６０Ａ2 ，１２０Ａ1 〜１２０Ａ4 ，１３０Ａ  熱電発電素子
６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ，１０５，１２０，１３０  熱電発電部
１００，１１０，１５０，１６０  半導体装置
１５５  断熱部
ＷVDD   電源電圧供給線
ＷGND   接地線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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