(57)【要約】【課題】コアに地磁気等の外部磁界が集束することによるコアの磁気飽和を防ぐとともに、後付け配置を容易に、且つ効率的に行える電流センサ、及び、電流センサのコアを提供する。【解決手段】被測定電流Ｉが流れる導電部材１４を取り囲むように配置され、導電部材１４を被測定電流Ｉが流れることにより発生する磁界を集磁するコア１１と、コア１１に集磁された磁界に応じた電気信号を出力する磁電変換素子１２とを備え、コア１１は、導電部材１４の長手方向に対して略垂直方向から、導電部材１４を取り囲む位置に配置できるように、導電部材１４を通過させることが可能な第１の隙間１５を有するとともに、コア１１の一部において、磁気経路が第１の磁気経路と第２の磁気経路とに分岐され、磁電変換素子１２は、分岐された第１及び第２の磁気経路のどちらか一方に設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定電流が流れる導電部材を取り囲むように配置され、前記導電部材を被測定電流が流れることにより発生する磁界を集磁するコアと、
前記コアに集磁された磁界に応じた電気信号を出力する磁電変換素子とを備え、
前記コアは、前記導電部材の長手方向に対して略垂直方向から、前記導電部材を取り囲む位置に配置できるように、前記導電部材を通過させることが可能な第１の隙間を有するとともに、前記コアの一部において、磁気経路が第１の磁気経路と第２の磁気経路とに分岐され、前記磁電変換素子は、分岐された第１及び第２の磁気経路のどちらか一方に設けられることを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記第１の磁気経路は、前記第２の磁気経路よりも前記導電部材に近い側に位置し、
前記磁電変換素子は、前記第１の磁気経路に設けられることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記第２の磁気経路は、前記第１の磁気経路を覆うように略同一平面状に設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の電流センサ。
【請求項４】
前記第２の磁気経路は、その一部に当該第２の磁気経路よりも透磁率が低い低透磁率部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項５】
前記低透磁率部は、第２の隙間であることを特徴とする請求項４に記載の電流センサ。
【請求項６】
前記第１の隙間の幅は、前記導電部材の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項７】
被測定電流が流れる導電部材を取り囲むように配置され、前記導電部材を被測定電流が流れることにより発生する磁界を集磁する電流センサのコアであって、
前記導電部材の長手方向に対して略垂直方向から、前記導電部材を取り囲む位置に配置できるように、前記導電部材を通過させることが可能な第１の隙間を有するとともに、前記コアの一部において、磁気経路が第１の磁気経路と第２の磁気経路とに分岐されることを特徴とする電流センサのコア。
【請求項８】
前記第１の磁気経路は、前記第２の磁気経路よりも前記導電部材に近い側に位置することを特徴とする請求項７に記載の電流センサのコア。
【請求項９】
前記第２の磁気経路は、前記第１の磁気経路を覆うように略同一平面状に設けられることを特徴とする請求項７又は８に記載の電流センサのコア。
【請求項１０】
前記第２の磁気経路は、その一部に当該第２の磁気経路よりも透磁率が低い低透磁率部を有することを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の電流センサのコア。
【請求項１１】
前記低透磁率部は、第２の隙間であることを特徴とする請求項１０に記載の電流センサのコア。
【請求項１２】
前記第１の隙間の幅は、前記導電部材の幅よりも大きいことを特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載の電流センサのコア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定電流が流れる導電部材の周囲に発生する磁界に基づいて、被測定電流の電流値の測定を行う電流センサ、及び、電流センサのコアに関する。
【背景技術】
【０００２】
特開平１０−７３６１９号公報（特許文献１）に開示された電流センサ５０は、図４に示すように、一部にギャップ５３が形成された環状のコア５１が導電部材５４の周囲を取り囲むように配置され、ギャップ５３内には、磁電変換素子５２が配置されている。
【０００３】
このように構成された電流センサ５０は、導電部材５４を被測定電流Ｉが流れることによって、導電部材５４の周囲に発生する磁界がコア５１に集束し、磁電変換素子５２がギャップ５３を通過する磁界の変化に応じた電気信号を出力する。そして、この電気信号に基づいて被測定電流Ｉの電流値の測定を行うものである。
【特許文献１】特開平１０−７３６１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に開示された電流センサ５０は、導電部材５４の周囲に発生する磁界に加えて、地磁気や電流センサ５０の付近に配置された電子機器や磁性体等から発生する外部磁界がコア５１に集束することがある。
【０００５】
コア５１に集束した磁界が一定値を超えると、コア５１が磁気飽和してしまうため、コア５１は被測定電流Ｉに応じた磁界を集束することができなくなる。すると、電流センサ５０は、被測定電流Ｉの電流値を正確に測定することが困難になるという問題があった。
【０００６】
また、導電部材５４が予め収納ケースや筐体等に配置されている場合、コア５１を導電部材５４の周囲を取り囲むように後付け配置する作業は、作業効率の点で芳しくないという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は以上のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、コアが複数の磁気経路を備えることでコアの磁気飽和を防ぐとともに、後付け配置を容易に、且つ効率的に行える電流センサ、及び、電流センサのコアを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１〜６に記載の発明は、被測定電流が流れる導電部材の周囲に発生する磁界に基づいて、被測定電流の電流値を測定する電流センサに関するものである。
【０００９】
請求項１に係る電流センサは、被測定電流が流れる導電部材を取り囲むように配置され、導電部材を被測定電流が流れることにより発生する磁界を集磁するコアと、コアに集磁された磁界に応じた電気信号を出力する磁電変換素子とを備え、コアは、導電部材の長手方向に対して略垂直方向から、導電部材を取り囲む位置に配置できるように、導電部材を通過させることが可能な第１の隙間を有するとともに、コアの一部において、磁気経路が第１の磁気経路と第２の磁気経路とに分岐され、磁電変換素子は、分岐された第１及び第２の磁気経路のどちらか一方に設けられることを特徴とする。
【００１０】
これにより、コアに集磁した磁界を第１、第２の磁気経路に分岐させることができるので、コアの磁気飽和を防ぐことができる。また、コアには導電部材を取り囲むように配置できるように、導電部材を通過させることができる第１の隙間が形成されているので、コアの後付けの配置を容易に行うことができる。
【００１１】
請求項２に係る電流センサは、第１の磁気経路は、第２の磁気経路よりも導電部材に近い側に位置し、磁電変換素子は、第１の磁気経路に設けられることを特徴とする。これにより、導電部材の周囲に発生する磁界の多くが第１の磁気経路を通過することとなる。したがって、第１の磁気経路に設けられた磁電変換素子は、磁界の変化を高精度に検知することができる。
【００１２】
請求項３に係る電流センサは、第２の磁気経路は、第１の磁気経路を覆うように略同一平面状に設けられることを特徴とする。これにより、外部磁界の多くが第２の磁気経路を通過することとなる。したがって、導電部材の周囲に発生する磁界と外部磁界とを併せた磁界によるコアの磁気飽和を防ぐことができる。
【００１３】
請求項４に係る電流センサは、第２の磁気経路は、その一部が当該第２の磁気経路よりも透磁率が低い低透磁率部であることを特徴とする。これにより、低透磁率部の透磁率を適宜調整することで、コアに集磁した磁界を第１、第２の磁気経路に所望の割合で分岐することができる。したがって、コアの磁気飽和を防ぎつつ、磁電変換素子は磁界の変化をより検知しやすくなる。
【００１４】
請求項５に係る電流センサは、低透磁率部は、第２の隙間であることを特徴とする。これにより、低透磁率の磁性体材料を用意し、この磁性体材料をコアに組み込む作業が不要となる。したがって、低コスト、且つ、容易に低透磁率部を設けることができる。
【００１５】
請求項６に係る電流センサは、第１の隙間の幅は、導電部材の幅よりも大きいことを特徴とする。これにより、コアの後付け配置を容易に、且つ効率的に行うことができる。
【００１６】
請求項７〜１２に記載の発明は、電流センサのコアに関するものである。この電流センサのコアを電流センサに用いることで、上述した請求項１〜６に記載の発明と同様の効果が得られるため、その説明を省略する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、各図において同一、もしくは、均等である部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１８】
（第１の実施形態）
本発明を具体化した電流センサの第１の実施形態を概略断面図である図１を用いて説明する。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態における電流センサ１０は、コア１１、磁電変換素子１２を備えており、導電部材１４の周囲に発生する磁界に基づいて、導電部材１４を流れる被測定電流Ｉの電流値を測定するものである。なお、電流センサ１０は、コア１１、磁電変換素子１２、導電部材１４等が筐体や収納ケース等に収容配置されたものであるが、筐体や収納ケース等の図示は省略する。
【００２０】
コア１１は、例えば、パーマロイ、スーパーマロイ等の透磁率が比較的大きい磁性体材料をせん断加工して得られる板状の断片を１枚、若しくは複数枚を積層して構成されている。したがって、コア１１は、この板状の断片の積層数に応じた磁気飽和量を備えている。また、コア１１は、部分的に太さや厚さを変化させることで、透磁率（磁気抵抗）を部分的に変化させることができる。
【００２１】
以下、コア１１の各部位に１１ａ〜１１ｇの参照番号を付して説明する。図１に示すように、コア１１はその一部において、磁気経路が１１ａ〜１１ｄからなる第１の磁気経路と１１ｅ〜１１ｇからなる第２の磁気経路とに分岐されている。
【００２２】
第１の磁気経路は、第２の磁気経路よりも導電部材１４に近い側に位置している。また、第１の磁気経路と第２の磁気経路とは同一平面状に設けられ、第２の磁気経路は第１の磁気経路を覆うように設けられている。
【００２３】
コア１１の外枠部（１１ｃ〜１１ｇ）は環状であって、ほぼコの字型に形成されており、イ−イ線を対象線としてほぼ左右対称の形状である。コア１１のコの字を構成する三辺のうち対向する二辺（１１ｃ−１１ｅからなる辺、１１ｄ−１１ｆからなる辺）のそれぞれからは、コア１１の内側に向けて突出部１１ａ及び１１ｂが形成されている。突出部１１ａ及び１１ｂの先端部同士は接触せず、その先端部の間にはコア１１に集磁した磁界が通過するギャップ１３が形成されている。ギャップ１３の内側又は近傍には、磁電変換素子１２が配置されている。
【００２４】
磁電変換素子１２は、図示しない基板に実装されたものであり、この図示しない基板を介して図示しない外部装置と電気的に接続されている。磁電変換素子１２は、ギャップ１３を通過する磁界に応じた電気信号を、図示しない外部装置に向けて出力する。磁電変換素子１２として、例えば、ホール素子や磁気抵抗素子を用いることができるが、ギャップ１３を通過する磁界に応じた電気信号を出力できる素子であれば、これらに限定されない。
【００２５】
本実施形態における電流センサ１０において、例えば、導電部材１４の紙面の表面から裏面に向かって被測定電流Ｉが流れると、導電部材１４の周囲には紙面に向かって時計回りの磁界が発生する。
【００２６】
一般的に、磁界は近くの磁気経路、閉じた磁気経路、透磁率が大きい（磁気抵抗が小さい）磁気経路を通過する性質を有している。したがって、導電部材１４の周囲に発生した磁界の一部（磁界Ｂ１ａ）は、導電部材１４に近い側に配置された第１の磁気経路を通過する。
【００２７】
しかしながら、第１の磁気経路にはギャップ１３が形成されているため、第１の磁気経路よりも第２の磁気経路の方が透磁率が大きい（磁気抵抗が小さい）。したがって、他の一部（磁界Ｂ１ｂ）は第２の磁気経路を通過する。
【００２８】
ところで、電流センサ１０の設置場所や使用環境によっては、磁界Ｂ１とは異なる磁界Ｂ２（破線矢印）がコア１１に集磁し、コア１１を通過することがある。この磁界Ｂ２は、例えば、地磁気や電流センサ１０の近傍に配置された電子機器や磁性体等から発せられる外部磁界に基づくものである。
【００２９】
本実施形態における電流センサ１０は、コア１１にこのような外部磁界が集磁したとしても、外部磁界は、上述した磁界の性質に基づいて、第１、第２の磁気経路に分かれて通過する。すなわち、外部磁界は、その一部（磁界Ｂ２ａ）が第２の磁気経路を通過し、他の一部（磁界Ｂ２ｂ）が第１の磁気経路を通過する。
【００３０】
したがって、本実施形態における電流センサ１０は、コア１１の一部において、磁気経路が第１の磁気経路と第２の磁気経路とに分岐されていることで、導電部材１４の周囲に発生した磁界Ｂ１や外部磁界は第１、第２の磁気経路に分かれて通過することとなる。これにより、コア１１の磁気飽和を防ぐことができる。
【００３１】
なお、磁界Ｂ１、Ｂ２が第１、第２の磁気経路と分かれる割合は、それぞれの磁気経路の透磁率の比率（磁気抵抗比）や導電部材１４からの距離の比率によってほぼ定まる。したがって、予めこれらの比率を求めておけば、ギャップ１３を通過する磁界Ｂ１ａに基づいて被測定電流Ｉの電流値を測定できる。
【００３２】
図１に示すように、コア１１には、導電部材１４の長手方向に対して略垂直方向から、導電部材１４を取り囲む位置に配置できるように、導電部材１４を通過させることが可能な第１の隙間１５が形成されている。この第１の隙間１５の幅（１１ｃと１１ｄとの間の幅）Ｗ’は、導電部材１４の幅Ｗよりも広いものとする。
【００３３】
したがって、被測定電流Ｉが流れる導電部材１４が図示しない筐体や収納ケース等に予め配置されている場合でも、導電部材１４を取り囲む位置にコア１１を配置することができる。すなわち、コア１１を後付け配置する場合において、コア１１の後付け配置を容易に、且つ効率的に行うことができる電流センサ１０とすることができる。
【００３４】
（第２の実施形態）
本発明を具体化した電流センサの第２の実施形態を、概略断面図である図２を用いて説明する。図２に示すように、本実施形態における電流センサ２０は、コア２１、磁電変換素子１２を備えており、導電部材１４を流れる被測定電流Ｉの電流値を導電部材１４の周囲に発生する磁界に基づいて測定するものである。なお、電流センサ２０は、コア２１、磁電変換素子１２、導電部材１４等が筐体や収納ケース等に収容配置されたものであるが、筐体や収納ケース等の図示は省略する。
【００３５】
以下、コア２１の各部位に２１ａ〜２１ｇの参照番号を付して説明する。図２に示すように、コア２１はその一部において、磁気経路が２１ａ〜２１ｄからなる第１の磁気経路と２１ｅ〜２１ｇからなる第２の磁気経路とに分岐されている。
【００３６】
第１の磁気経路は、第２の磁気経路よりも導電部材１４に近い側に位置している。また、第１の磁気経路と第２の磁気経路とは同一平面状に設けられ、第２の磁気経路は第１の磁気経路を覆うように設けられている。
【００３７】
コア２１の外枠部（２１ｃ〜２１ｇ）は、環状であって、ほぼコの字型に形成されており、ロ−ロ線を対象線として左右対称である。コア２１のコの字を構成する三辺のうち対向する二辺（２１ｃ−２１ｅからなる辺、２１ｄ−２１ｆからなる辺）のそれぞれからは、コア２１の内側に向けて突出部２１ａ及び２１ｂが形成されている。突出部２１ａ及び２１ｂの先端部同士は接触せず、その先端部の間にはコア１１に集磁した磁界が通過するギャップ１３が形成されている。ギャップ１３の内側、又は近傍には磁電変換素子１２が配置されている。
【００３８】
磁電変換素子１２は、図示しない基板に実装されたものであり、この図示しない基板を介して図示しない外部装置と電気的に接続されている。磁電変換素子１２は、ギャップ１３を通過する磁界に応じた電気信号を、図示しない外部装置に向けて出力する。磁電変換素子１２として、例えば、ホール素子や磁気抵抗素子を用いることができるが、ギャップ１３を通過する磁界に応じた電気信号を出力できる素子であれば、これらに限定されない。
【００３９】
本実施形態における電流センサ２０は、図２に示すように、第２の磁気経路の一部に、第２の磁気経路の他の部分よりも透磁率が低い低透磁率部２６が形成されている。低透磁率部２６は、第２の磁気経路を構成する材料の透磁率よりも低い透磁率を有する磁性体材料や空気層（第２のギャップ）を第２の磁気経路の途中に介在させて形成する。透磁率は低透磁率部２６を構成する磁性体材料を入れ換えたり、その幅を変えたりすること調整が可能である。また、低透磁率部２６を形成する位置は第２の磁気経路上であれば適宜変更が可能である。
【００４０】
本実施形態における電流センサ２０において、例えば、被測定電流Ｉが導電部材１４の紙面の表面から裏面に向かって流れると、導電部材１４の周囲には紙面に向かって時計回りの磁界が発生する。
【００４１】
上述した通り、磁界は近くの磁気経路、閉じた磁気経路、透磁率が大きい（磁気抵抗が小さい）磁気経路を通過する性質を有している。そこで、本実施形態における電流センサ２０はこの性質を利用して、第２の磁気経路に低透磁率部２６を形成して、第２の磁気経路の透磁率を小さくすることで、第２の磁気経路を通過する磁界Ｂ２ｂを減少させ、第１の磁気経路を通過する磁界Ｂ１ａを増加させている。
【００４２】
これにより、磁電変換素子１２は、効率的にギャップ１３を通過する磁界Ｂ１ｂの変化を検知しやすくなり、この変化に応じた電気信号を図示しない外部装置に向けて出力することができる。
【００４３】
ところで、電流センサ２０の設置場所や使用環境によっては、磁界Ｂ１とは異なる磁界Ｂ２（破線矢印）がコア２１に集磁し、コア２１を通過することがある。この磁界Ｂ２は、例えば、地磁気や電流センサ２０の近傍に配置された電子機器や磁性体等から発せられる外部磁界に基づくものである。磁界は上述したような性質を有することから、外部磁界は、その一部（磁界Ｂ２ａ）が第２の磁気経路を通過に集束し、他の一部（磁界Ｂ２ｂ）が第１の磁気経路を通過することとなる。
【００４４】
しかしながら、本実施形態における電流センサ２０は、コア２１にこのような外部磁界が集束したとしても、外部磁界は、上述した磁界の性質に基づいて、第１、第２の磁気経路に分かれて通過する。すなわち、外部磁界は、その一部（磁界Ｂ２ａ）が第２の磁気経路を通過し、他の一部（磁界Ｂ２ｂ）が第１の磁気経路を通過する。
【００４５】
したがって、本実施形態における電流センサ２０は、コア２１の一部において、磁気経路が第１の磁気経路と第２の磁気経路とに分岐されていることで、導電部材１４の周囲に発生した磁界Ｂ１や外部磁界は第１、第２の磁気経路に分かれて通過することとなる。これにより、コア２１の磁気飽和を防ぐことができる。
【００４６】
なお、磁界Ｂ１、Ｂ２が第１、第２の磁気経路と分かれる割合は、それぞれの磁気経路の透磁率の比率（磁気抵抗比）や導電部材１４からの距離の比率によってほぼ定まる。したがって、予めこれらの比率を求めておけば、ギャップ１３を通過する磁界Ｂ１ａに基づいて被測定電流Ｉの電流値を測定できる。
【００４７】
図２に示すように、コア２１には、導電部材１４の長手方向に対して略垂直方向から、導電部材１４を取り囲む位置に配置できるように、導電部材１４を通過させることが可能な第１の隙間１５が形成されている。この第１の隙間１５の幅（２１ｃと２１ｄとの間の幅）Ｗ’は、導電部材１４の幅Ｗよりも広いものとする。
【００４８】
したがって、被測定電流Ｉが流れる導電部材１４が図示しない筐体や収納ケース等に予め配置されている場合でも、導電部材１４を取り囲む位置にコア２１を配置することができる。すなわち、コア２１を後付け配置する場合において、コア２１の後付け配置を容易に、且つ効率的に行うことができる電流センサ２０とすることができる。
【００４９】
（第３の実施形態）
本発明を具体化した電流センサの第３の実施形態を概略断面図である図３を用いて説明する。図３に示すように、本実施形態における電流センサ３０は、コア３１、磁電変換素子１２を備えており、導電部材１４を流れる被測定電流Ｉの電流値を、導電部材１４の周囲に発生する磁界に基づいて測定するものである。なお、電流センサ３０は、コア３１、磁電変換素子１２、導電部材１４等が筐体や収納ケース等に収容配置されたものであるが、筐体や収納ケース等の図示は省略する。
【００５０】
以下、コア１１の各部位に３１ａ〜３１ｇ、３１ｍ、３１ｎの参照番号を付して説明する。図３に示すように、コア３１はその一部において、磁気経路が３１ａ〜３１ｄ、３１ｍ、３１ｎからなる第１の磁気経路と３１ｅ〜３１ｇからなる第２の磁気経路とに分岐されている。
【００５１】
第１の磁気経路は、第２の磁気経路よりも導電部材１４に近い側に位置している。また、第１の磁気経路と第２の磁気経路とは同一平面状に設けられ、第２の磁気経路は第１の磁気経路を覆うように設けられている。
【００５２】
コア３１の外枠部（３１ｃ〜３１ｇ、３１ｍ、３１ｎ）は、環状であって、ほぼコの字型に形成されており、ハ−ハ線を対象線として左右対称である。コア３１のコの字を構成する三辺のうち対向する二辺（３１ｃ−３１ｅからなる辺、３１ｄ−３１ｆからなる辺）のそれぞれからは、コア３１の内側に向けて突出部３１ａ及び３１ｂが形成されている。突出部３１ａ及び３１ｂの先端部同士は接触せず、その先端部の間にはコア１１に集磁した磁界が通過できるギャップ１３が形成されている。ギャップ１３の内側、又は近傍には磁電変換素子１２が配置されている。
【００５３】
磁電変換素子１２は、図示しない基板に実装されたものであり、この図示しない基板を介して図示しない外部装置と電気的に接続されている。磁電変換素子１２は、ギャップ１３を通過する磁界に応じた電気信号を、図示しない外部装置に向けて出力する。磁電変換素子１２として、例えば、ホール素子や磁気抵抗素子を用いることができるが、ギャップ１３を通過する磁界に応じた電気信号を出力できる素子であれば、これらに限定されない。
【００５４】
本実施形態における電流センサ３０は、図３に示すように、コア３１の裾部（３１ｃ−３１ｍ、３１ｄ−３１ｎ）をそれぞれ鉤状に形成したものである。これにより、コア３１のコの字を構成する三辺のうち対向する二辺（３１ｃ−３１ｅからなる辺、３１ｄ−３１ｆからなる辺）の距離が狭まり、第１の磁気経路は閉じた磁気経路に近くなる。
【００５５】
本実施形態における電流センサ３０において、例えば、被測定電流Ｉが導電部材１４の紙面の表面から裏面に向かって流れると、導電部材１４の周囲には紙面に向かって時計回りの磁界が発生する。
【００５６】
上述した通り、磁界は近くの磁気経路、閉じた磁気経路、透磁率が大きい（磁気抵抗が小さい）磁気経路を通過しやすい性質を有している。そこで、本実施形態における電流センサ３０はこの性質を利用して、第１の磁気経路を閉じた磁気経路に近づけることで、第２の磁気経路を通過する磁界Ｂ２ｂを減少させ、第１の磁気経路を通過する磁界Ｂ１ａを増加させている。
【００５７】
これにより、磁電変換素子１２は、効率的にギャップ１３を通過する磁界Ｂ１ｂの変化を検知しやすくなり、この変化に応じた電気信号を図示しない外部装置に向けて出力することができる。
【００５８】
ところで、電流センサ３０の設置場所や使用環境によっては、磁界Ｂ１とは異なる磁界Ｂ２（破線矢印）がコア３１に集束して通過することがある。この磁界Ｂ２は、例えば、地磁気や電流センサ３０の近傍に配置された電子機器や磁性体等から発せられる外部磁界に基づくものである。磁界は上述したような性質を有することから、外部磁界は、その一部（磁界Ｂ２ａ）が第２の磁気経路を通過し、他の一部（磁界Ｂ２ｂ）が第１の磁気経路を通過することとなる。
【００５９】
しかしながら、本実施形態における電流センサ３０は、コア３１にこのような外部磁界が集束したとしても、外部磁界は、上述した磁界の性質に基づいて、第１、第２の磁気経路に分かれて通過する。すなわち、外部磁界は、その一部（磁界Ｂ２ａ）が第２の磁気経路を通過し、他の一部（磁界Ｂ２ｂ）が第１の磁気経路を通過する。
【００６０】
したがって、本実施形態における電流センサ３０は、コア３１の一部において、磁気経路が第１の磁気経路と第２の磁気経路とに分岐されていることで、導電部材１４の周囲に発生した磁界Ｂ１や外部磁界は第１、第２の磁気経路に分かれて通過することとなる。これにより、コア３１の磁気飽和を防ぐことができる。
【００６１】
なお、磁界Ｂ１、Ｂ２が第１、第２の磁気経路と分かれる割合は、それぞれの磁気経路の透磁率の比率（磁気抵抗比）や導電部材１４からの距離の比率によってほぼ定まる。したがって、予めこれらの比率を求めておけば、ギャップ１３を通過する磁界Ｂ１ａに基づいて被測定電流Ｉの電流値を測定できる。
【００６２】
図３に示すように、コア３１には、導電部材１４の長手方向に対して略垂直方向から、導電部材１４を取り囲む位置に配置できるように、導電部材１４を通過させることが可能な第１の隙間１５が形成されている。
【００６３】
この第１の隙間１５の幅（３１ｍと３１ｎとの間の幅）Ｗ’は、導電部材１４の幅Ｗよりも広いものとする。したがって、被測定電流Ｉが流れる導電部材１４が図示しない筐体や収納ケース等に予め配置されている場合でも、導電部材１４を取り囲む位置にコア３１を配置することができる。すなわち、コア１１を後付け配置する場合において、コア３１の後付け配置を容易に、且つ効率的に行うことができる電流センサ３０とすることができる。
【００６４】
以上、本発明を実施するための最良の形態について説明したが、本発明は上述した実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、数々の変形実施が可能である。例えば、コアの外形はコの字型に限らずＣ字型やＵ字型でもよい。また、本発明のうち従属請求項に係る発明においては、従属先の請求項の構成要件の一部を省略する構成とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の第１の実施形態における、電流センサの概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態における、電流センサの概略断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態における、電流センサの概略断面図である。
【図４】従来の電流センサを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０，２０，３０，５０・・・電流センサ、１１，２１，３１，５１・・・コア、１２，５２・・・磁電変換素子、１３，５３・・・ギャップ、１４，５４・・・導電部材、１５・・・第１の隙間、２６・・・低透磁率部（第２のギャップ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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