(57)【要約】【課題】製造設備を大型化することなく、薄い保護膜を介して封止基板を貼り合わせる構成であってもダークスポットの発生を充分に防止でき、これによりトップエミッション型に適する有機ＥＬディスプレイを低コストで歩留まり良好に得ることが可能な製造方法を提供する。【解決手段】素子基板１上に有機電界発光素子３を形成する。有機電界発光素子３を覆う状態で素子基板１上に、充分な封止能力を有する保護膜５を成膜する。次に、充分な光透過性を有する程度に保護膜５をエッチングして薄膜化する。このエッチングと連続して管理された不活性な雰囲気内において保護膜５側に接着性樹脂７を介して封止基板９を貼り合わせ、表示装置１１を得る。【選択図】図１
2007242313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上に有機電界発光素子を形成する第１工程と、
前記有機電界発光素子を覆う状態で前記素子基板上に保護膜を成膜する第２工程と、
前記保護膜をエッチングして薄膜化する第３工程と、
前記第３工程と連続して管理された雰囲気内において前記保護膜側に接着性樹脂を介して封止基板を貼り合わせる第４工程とを行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記第２工程は、前記第1工程と連続して管理された雰囲気内において行われる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記第３工程と第４工程との間に、これらの工程と連続して管理された雰囲気内において当該第３工程のエッチングにおける残留エッチングガスを除去するためのプラズマ処理を前記保護膜のエッチング表面に対して施す
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記第２工程では、前記有機電界発光素子が形成された表示領域を開口すると共に当該表示領域の周縁領域を覆う形状のマスクを前記素子基板上に対向配置し、当該マスク上からの蒸着によって前記表示領域を覆う状態で前記保護膜を形成し、
前記第３工程では、少なくとも前記周辺領域に回り込んで成膜された前記保護膜部分が除去されるまで、当該保護膜をエッチングする
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記保護膜が平坦化されるようにエッチングを行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子を備えた表示装置の製造方法に関し、特には素子が形成された基板と反対側から発光光を取り出す、いわゆるトップエミッション型に好適な表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の分野では次世代のディスプレイが盛んに開発されており、省スペース、高輝度、低消費電力等が要望されている。このような表示装置として有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）を用いた、いわゆる有機ＥＬディスプレイが注目されている。この有機ＥＬディスプレイは、自発光型であるため視野角が広く、バックライトを必要としないため省電力が期待でき、応答性が高く、装置自体の厚さを薄くできるなどの特徴を有している。
【０００３】
一方、上述した有機ＥＬディスプレイにおいては、有機ＥＬ素子が極めて水分に弱く、大気中の水分により劣化し、発光しないエリア（ダークスポット）が発生したり輝度が低下するなどの具合が生じ易い。このため、有機ＥＬ素子が設けられた表示領域への水分の侵入を抑えるための封止技術が不可欠となっている。
【０００４】
そこで、例えば、基板上に形成された有機ＥＬ素子を保護膜で覆い、さらに接着剤となる樹脂材料を介して封止基板を貼り合わせることにより、樹脂材料中に有機電界発光素子を封止した完全固体封止構造が提案されている。このような構造では、有機電界発光素子が狭持された基板間に水分などの侵入の原因となる隙間が残らないため、上述した不具合の発生を防止する効果が高い。
【０００５】
また、特にこのような封止構造において、上記保護膜を有機保護膜と無機保護膜の積層構造とし、これらの保護膜の成膜を真空を破らずに連続成膜する構成が提案されている（下記特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−６８０５０号公報（特に第００１８，００１９段落参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記有機ＥＬディスプレイにおいては、有機ＥＬ素子に駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を接続したアクティブマトリックス型とすることで、装置の高機能化を図ることが可能である。このアクティブマトリックス型の表示装置の製造においては、予め薄膜トランジスタが形成された基板（いわゆるＴＦＴ基板）上に、当該薄膜トランジスタに接続させる状態で有機ＥＬ素子が形成されるため、基板と反対側の上部電極側から発光光を取り出す、いわゆるトップエミッション型とすることが、画素の開口率を確保する上で有効になる。さらにトップエミッション型であれば、有機ＥＬ素子における発光光の取出側にカラーフィルタを設ける際のパターニングも容易である。
【０００８】
以上のようなトップエミッション型の有機ＥＬディスプレイにおいては、有機ＥＬ素子への水分の浸入を防止するための保護膜が、有機ＥＬ素子における発光光の取り出し側に配置されることになる。したがって、この保護膜に対しても光透過性が求められ、光透過性を確保するためには保護膜の膜厚をある程度まで薄膜化する必要がある。しなしながら、保護膜をそのまま薄膜化しただけでは、有機ＥＬ素子を充分に保護することが困難であり、ダークスポットの発生を防止する効果が低くなる。
【０００９】
これを防止するためには、基板上に有機ＥＬ素子を形成した後、これを保護膜で覆い、さらに樹脂材料を介して封止基板を貼り合わせる工程までを、一度も大気開放せずに真空雰囲気を含む不活性な雰囲気中で連続して行う方法が考えられる。しかしながら、このような方法では、上述した工程間において一貫した雰囲気管理下で基板を搬送しなければならず、製造設備が大型化してイニシャルコストが増加し、また雰囲気制御によるランニングコストの上昇も引き起こされる。
【００１０】
そこで本発明は、製造設備を大型化することなく、薄い保護膜を介して封止基板を貼り合わせた構成であってもダークスポットの発生を充分に防止でき、これによりトップエミッション型に適する有機ＥＬディスプレイを低コストで歩留まり良好に得ることが可能な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的を達成するための本発明の表示装置の製造方法は、先ず、素子基板上に有機電界発光素子を形成する第１工程を行う。次に、有機電界発光素子を覆う状態で素子基板上に保護膜を成膜する第２工程を行う。その後、保護膜をエッチングして薄膜化する第３工程を行う。次に、この第３工程と連続して管理された雰囲気内において、保護膜側に接着性樹脂を介して封止基板を貼り合わせる第４工程を行う。
【００１２】
このような製造方法では、第２工程において保護膜を充分な膜厚で成膜しておくことにより、次の第３工程で保護膜をエッチングするまでは、周辺雰囲気によらずに保護膜によって有機電界発光素子が確実に封止される。そして、次の第３工程のエッチングにおいては、有機電界発光素子での発光光を保護膜側から充分に取り出すことが可能な程度に、保護膜を薄膜化した場合であても、このエッチングと連続して管理された雰囲気内で次の第４工程においての封止基板の貼り合わせを行うことにより、有機電界発光素子の封止状態を確保しつつ封止基板の貼合せが行われる。
【００１３】
以上により、有機電界発光素子の形成を含む第２工程以前の工程と、封止基板の貼合せを含む第３工程以降の工程とを連続した管理雰囲気とすることなく、かつ薄い保護膜を介して封止基板が貼り合わせられた構成であっても、有機電界発光素子を確実に封止した状態での表示装置の製造が行われる。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように本発明によれば、有機電界発光素子の形成から封止基板の貼合せまでを連続した管理雰囲気とすることなく、したがって製造設備を大型化することなく、かつ薄い保護膜を介して封止基板が貼り合わせられた構成であっても、有機電界発光素子を確実に封止した状態で表示装置の製造を行うことが可能である。この結果、保護膜を介して有機電界発光素子での発光光を取り出すトップエミッション型に適する表示装置を、低コストで歩留まり良好に得ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の表示装置の製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。尚、以下の実施形態においては、複数の有機電界発光素子を基板上に配列形成してなる表示装置（すなわち有機ＥＬディスプレイ）を例に取り、その製造方法を説明する。
【００１６】
≪第１実施形態≫
図１は、本第１実施形態における表示装置の製造方法の特徴部を示す工程図であり、各図に示す工程を次のように行う。
【００１７】
＜図１（１）＞
先ず、素子基板１を用意する。そして、この素子基板１の中央に設定された表示領域１ａ上に、ここでの図示を省略した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えた駆動回路にそれぞれが接続された有機電界発光素子３をマトリックス状に配列形成する。
【００１８】
ここで形成する有機電界発光素子３は、それぞれの有機電界発光素子３での発光光が、素子基板１と反対側から取り出されるものであり、例えば次のような構成となっている。すなわち、素子基板１上には、反射機能を有する第1電極、発光層を含む有機層、および半透過性材料または透明導電膜からなる第２電極がこの順に積層されている。このうち第1電極は陽極（または陰極）として設けられ、第２電極は第1電極と反対の極性の電極として設けられていることとする。
【００１９】
そして、これらの有機電界発光素子３は、例えば赤色を発光する素子、緑色の発光する素子、青色を発光する素子を１組として所定の状態で配列されているか、または白色発光の素子であるか、または青色発光の素子であることとする。各有機電界発光素子３の発光色は、発光層の構成材料によって設定されている。
【００２０】
尚、１枚の素子基板１から複数の表示装置を作製する場合には、素子基板1に複数の装置領域が設定され、それぞれの装置領域の中央に位置する各表示領域に、上述した有機電界発光素子３を配列形成することとする。
【００２１】
以上のような有機電界発光素子３の形成は、各層の成膜とそのパターニング、さらにはマスクを用いてのパターン成膜によって行われる。また特に、有機層の形成から上部電極の形成までは、連続して管理された真空雰囲気下において行われることとする。
【００２２】
＜図１（２）＞
次に、有機電界発光素子３を覆う状態で、素子基板１上に保護膜５を成膜する。この保護膜５は、外部環境からの酸素や水分の透過を防止し、有機電界発光素子３の機能低下を防止するためのものである。このような保護膜５としては、有機電界発光素子３においで発生させた光の取り出し効率を確保するために、透明または光の透過率が高い材料を用いる必要がある。このような材料として例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）などの無機材料や、ポリパラキシレンやポリイミドのような有機材料を使用することができる。
【００２３】
このような材料を用いた保護膜５は、単層構造に限定されることなく、積層構造であっても良い。この場合、無機材料膜の積層構造や、無機材料膜上に有機材料膜を積層した構成、さらには有機材料膜上に無機材料膜を積層した構成が例示される。
【００２４】
特にここでは、有機電界発光素子３への水分や酸素の浸入が充分に防止される程度に、また製造工程中において有機電界発光素子３の表面に付着した異物や欠陥が完全に覆いつくされる程度に、充分な膜厚で保護膜５を成膜することが重要である。
【００２５】
そしてこの時点においては、保護膜５を厚膜で成膜したことにより、当該保護膜５に必要とされる光の透過率を下回っても良い。例えば、ここで作製する表示装置において、保護膜５に要求される最終的な光の透過率が、波長４００〜８００ｎｍの光に対して９０％以上である場合であっても、この時点での保護膜５の光の透過率が９０％を下回っていても良い。
【００２６】
ここで、図２には、有機電界発光素子３を覆う同一材料からなる保護膜５の膜厚毎の、有機電界発光素子３の発光面積の経時変化（常温，常圧放置）を示す。尚、発光面積とは、複数の有機電界発光素子３をマトリックス状に設けた状態において、有機電界発光素子の全体数に対する発光している有機電界発光素子の数に対応している。このため、発光面積の経時的な低下は、劣化によって非発光となった有機電界発光素子が増加したことを意味する。
【００２７】
この図２に示すように、同一材料からなる保護膜であれば、その膜厚が厚いほど、発光面積の径時的な低下が低く抑えられ、有機電界発光素子を封止保護する能力が高いことが判る。また、ある程度の膜厚の保護膜であれば、保護膜を設けずに窒素雰囲気下に有機電界発光素子を保持した場合よりも、高い封止保護能力が得られることがわかる。
【００２８】
したがって、保護膜５の成膜においては、保護膜５として用いる材料について、図２に示したような膜厚毎の、有機電界発光素子３の発光面積の経時変化（常温，常圧放置）を実験的に求め、この結果から有機電界発光素子の封止に必要とする能力が得られる膜厚を設定する。そして、設定された膜厚となるように保護膜５を成膜する。
【００２９】
さらに、以上のような膜厚で保護膜５を成膜する工程は、有機電界発光素子３の形成工程と連続して管理された雰囲気内において行われる。ここでは、有機電界発光素子３を構成する有機層に対して水分や酸素の供給を防止した状態で保護膜５の形成までを行うことが重要である。このため、例えば、有機電界発光素子３の有機層の形成から、上部電極の形成、さらに保護膜５の形成までを、連続する不活性な雰囲気内で行うこととする。尚、ここで不活性な雰囲気とは、例えばアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気や窒素（Ｎ2）ガス雰囲気などの不活性なガス雰囲気、および真空雰囲気であり、露点−８０度以下、酸素（Ｏ2）濃度０．５ｐｐｍ以下であることとする。
【００３０】
そして、上述した保護膜５の成膜工程が終了した後には、保護膜５が形成された素子基板１を、次の工程で用いるエッチング装置に搬送する。この搬送においては、素子基板１を、ある程度の活性な雰囲気下、例えば露点−８０度以上、酸素（Ｏ2）濃度０．５ｐｐｍ以上に管理されたクリーンルーム内の雰囲気中や、大気雰囲気（酸素濃度１５〜２５％、湿度約２０〜９０％程度）中に開放しても良い。また、湿度、酸素をある程度制御した搬送治具内に収納して搬送しても良い。
【００３１】
＜図１（３）＞
次に、素子基板１を覆う状態で設けられた保護膜５をエッチングによって薄膜化する。ここでは、有機電界発光素子３を構成する有機層に対して水分や酸素の供給を防止した状態で保護膜５をエッチングして薄膜化する。しがたって、このエッチングとしては、管理された不活性な雰囲気下にエッチングガスを供給して行われる、いわゆるドライエッチングが行われる。
【００３２】
この際、ここで作製する表示装置において、保護膜５に要求される最終的な光の透過率となるように、例えば波長４００〜８００ｎｍの光に対して９０％以上の光透過率となるまで、保護膜５を全面エッチバックして薄膜化することが重要である。
【００３３】
このような保護膜５のエッチングに際しては、保護膜５の表面の平坦性が上昇する条件で行うことにより、次の工程で保護膜５上に接着性樹脂を塗布する際に、気泡、空隙、厚さムラの発生を防止できる。
【００３４】
ここで、例えば保護膜５が酸化シリコン（ＳｉＯｘ）からなり、この保護膜５のエッチングにフッ素ガスを用いた場合には、保護膜５のエッチング表面には残留エッチングガスａとしてフッ素が吸着した状態となっている。このフッ素は、次の工程で保護膜５上に形成される接着性樹脂の、保護膜５に対する濡れ性および密着性を低下させ、また硬化障害を引き起こす要因ともなる。
【００３５】
そこで、次の図1（４）に示す工程では、保護膜５のエッチング表面に吸着している残留エッチングガスａを除去するためのプラズマ処理を行う。
【００３６】
＜図１（４）＞
このプラズマ処理は、エッチング終了後の処理雰囲気内に、窒素ガス（Ｎ2）、酸素ガス（Ｏ2）、またはこれらの両方を導入して行われる。これにより、保護膜５のエッチング表面層を、最大で１００ｎｍ程度まで酸化してフッ素を除去し、親水化する。
【００３７】
そして、以上のようなプラズマ処理は、図１（３）を用いて説明した保護膜５のエッチング処理と同一の処理チャンバ内において連続して行うか、または連続して管理された雰囲気内において行うことが重要である。これにより、エッチングによって薄膜化した保護膜５が、大気雰囲気などの水分や酸素を含む活性な雰囲気に晒されることを防止する。ただし、プラズマ処理の際に酸素ガス用いる場合には、処理室内を十分な減圧状態に保ちつつ、酸素ガスを導入することにより、処理雰囲気の不活性な雰囲気を確保する。
【００３８】
尚、上述したプラズマ処理は、必要に応じて行えば良い。例えば、保護膜５のエッチング表面に残留エッチングガスの吸着がない場合、または残留エッチングガスが吸着していても、次の工程で形成される接着性樹脂の濡れ性および密着性、さらには硬化特性を確保できる場合には、プラズマ処理を行う必要はない。
【００３９】
＜図１（５）＞
次に、保護膜５側に接着性樹脂７を介して封止基板９を貼り合わせる。この封止基板９は、光透過性を有するガラス基板、防湿フィルムなどからなることとする。また、素子基板１上に同一発光色の有機電界発光素子３のみが配列形成されている場合には、封止基板９上には、各有機電界発光素子３に対応してカラーフィルタや色変換層がパターン形成されていることとする。
【００４０】
そして、この貼合せ工程は、保護膜５のエッチング工程と連続して管理された雰囲気下で行われ、特には上述した不活性な雰囲気下で行われることが重要である。
【００４１】
以下に、素子基板１と封止基板９との貼合せの第１の例〜第３の例を説明する。
【００４２】
第１の例では、先ず、ディスペンサーもしくはインクジェット法もしくは印刷法などにより、素子基板１の表示領域１ａの周囲を完全に取り囲むように、シール材を塗布形成する。シール材には、紫外線硬化性、遅延性を有する紫外線硬化性、熱硬化性、紫外性熱併用硬化性のエポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂もしくはシリコーン系樹脂の各種樹脂が、１種類または複数種類合わせて用いられる。また、シール材の塗布線幅は３０μｍ〜５００μｍ程度、高さは１０μｍ〜１００μｍ程度が望ましい。
【００４３】
その後、シール材で取り囲まれた表示領域１ａ上に充填材を供給する。この際、次に封止基板９を貼り合わせる工程で、素子基板１との間に気泡が残ることのないように、点状に1点または数点に分けて充填材を塗布供給するか、線状、波線状など組合せて塗布供給する。この充填材には、紫外線硬化性、遅延性を有する紫外線硬化性、熱硬化性、紫外性熱併用硬化性のエポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂もしくはシリコーン系樹脂の各種樹脂の中から、接着機能を有した粘度１Ｐａ・s以下で、かつ硬化後の光透過率が８０％以上となり、十分に硬化する樹脂が選択して用いられる。
【００４４】
次に、以上のシール材および充填材を接着性樹脂７とし、この接着性樹脂７を介して素子基板１の保護膜５側に封止基板９を貼り合わせる。この際、大気圧下でのプレス方式、もしくは真空中で貼りあわせを行い大気圧との差圧でプレスする方式のいずれかを行うことにより、素子基板１と封止基板９との間に気泡が残らないようにすることが重要である。ただし、大気圧雰囲気は、不活性雰囲気に保たれていることとする。
【００４５】
また、素子基板１と封止基板９とを貼り合わせた状態もしくは貼り合せる直前で、かつ接着性樹脂７が硬化する前に、必要に応じて有機発光素子３に色変換層またはカラーフィルタを対応させるように素子基板１と封止基板９とのアライメントを行う。そして、接着性樹脂７の外周側の一部に塗布した紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射し、アライメントした状態において基板１，９同士を仮固定する。
【００４６】
その後、接着性樹脂７を硬化させる。この硬化は、接着性樹脂７として用いた材料によって設定された条件で行われ、例えば紫外線硬化樹脂を用いている場合であれば、封止基板９側から紫外線を照射させた後に１００℃以下の一定温度に加熱された熱板の上で所定時間加熱することで硬化させる。尚、接着性樹脂７の硬化は、真空中または真空中から開放した雰囲気中のどちらで行っても良い。
【００４７】
そして、第２の例では、先ずディスペンス方式、インクジェット方式、印刷方式、またはスピンコート方式のいずれかの方式により、素子基板１の表示領域１ａ上を少なくとも１種類の接着性樹脂７で覆う。樹脂には紫外線硬化性、遅延性を有する紫外線硬化性、熱硬化性、紫外性熱併用硬化性のエポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂もしくはシリコーン系樹脂またはそれらの複合系の各種樹脂が用いられる。
【００４８】
その後は、第１の例と同様の手順で、接着性樹脂７を介して素子基板１の保護膜５側に封止基板９を貼り合わせ、必要に応じて素子基板１と封止基板９とのアライメントと仮固定とを行い、さらに接着性樹脂７を硬化させる。
【００４９】
このような第２の例で説明した手順によれば、保護膜５上への接着性樹脂７を１種類の樹脂とすることができ、第２の例よりも簡便な貼合せを行うことができる。
【００５０】
また第３の例は、接着性樹脂７としてシート状樹脂を用いる例である。接着性樹脂７を構成するシート状樹脂は、エポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂もしくはそれらの複合で、熱、紫外線照射、もしくはそれらの複合で硬化するものであることとする。
【００５１】
ここでは先ず、ロールラミネータを用いて素子基板１の保護膜５上にシート状の接着性樹脂７を貼り合わせる。次いで、シート状の接着性樹脂７からセパレーター（台紙）を剥がす。その後、接着性樹脂７が硬化する前に、接着性樹脂７を介して素子基板１の保護膜５側にシート状樹脂からなる封止基板９を貼り合わせる。この際、真空雰囲気中において貼合せを行うことにより、素子基板１と封止基板９との間に気泡が残らないようにすることが重要であることは、第１の例および第２の例と同様である。
【００５２】
その後は、第１の例と同様の手順で、必要に応じて素子基板１と封止基板９とのアライメントと仮固定とを行い、さらに接着性樹脂７を硬化させる。
【００５３】
このような第３の例で説明した手順によれば、素子基板１と封止基板９との間の厚みは、あらかじめ素子基板１側に供給したシーと上の接着性樹脂７の厚みで殆ど決まるため、素子基板１と封止基板９との貼り合わせ時に圧力を必要としない。
【００５４】
そして、以上の説明した第１の例〜第３の例のいずれかの手順によって素子基板１と封止基板９とを貼合せ、接着性樹脂７を硬化させることで、有機電界発光素子３を素子基板１上に配列してなる表示装置１１を完成させる。
【００５５】
以上説明した第１実施形態の製造方法によれば、図１（２）を用いて説明した工程において、保護膜５を充分な膜厚で成膜しておくことにより、次に保護膜５をエッチングして薄膜化するまでは、周辺雰囲気によらずに保護膜５によって有機電界発光素子３を確実に封止することができる。そして、次の図１（３）を用いて説明したエッチング工程において、有機電界発光素子３での発光光を保護膜５側から充分に取り出すことが可能な程度に保護膜５を薄膜化した場合であても、このエッチング工程と次の図１（４）〜図１（５）とを連続して管理された雰囲気内で行うことで、有機電界発光素子５の封止状態を確保しつつ封止基板９の貼合せを行うことが可能である。したがって、製造工程中においての有機電界発光素子３への水分や酸素の浸入に起因するダークスポットの発生を防止することができる。
【００５６】
そして以上より、有機電界発光素子の形成を含む図１（２）以前の工程と、封止基板の貼合せを含む図１（３）以降の工程とを連続した管理雰囲気とすることなく、したがって製造設備を大型化することなく、かつ十分に薄膜化した保護膜５を介して封止基板９を貼り合わせた構成であっても、有機電界発光素子３を確実に封止した状態での表示装置１１の製造が行われる。この結果、薄い保護膜５を介して有機電界発光素子３での発光光を取り出すトップエミッション型に適する表示装置１１を、低コストで歩留まり良好に得ることが可能である。
【００５７】
≪第２実施形態≫
図３は、本第２実施形態における表示装置の製造方法の特徴部を示す工程図である。以下、図３の工程図に基づいて第２実施形態の製造方法を説明する。尚、図１を用いて説明した第１実施形態と重複する手順の説明は省略する。
【００５８】
＜図３（１）＞
先ず、第１実施形態と同様に、素子基板１を用意してこの上部に有機電界発光素子３をマトリックス状に配列形成する。
【００５９】
＜図３（２）＞
次に、有機電界発光素子３を覆う状態で、素子基板１上に保護膜５を成膜する。この際、素子基板１における表示領域１ａを開口すると共に、周縁領域１ｂを覆う形状のマスク２１を素子基板１上に対向配置する。そして、このマスク２１上からの蒸着によって、表示領域１ａを覆う状態で保護膜５を形成する。ここで形成する保護膜５の材質は、第１実施形態と同様であることとする。
【００６０】
そして、保護膜５の膜厚は、表示領域１ａにおける膜厚が、第１実施形態と同様であって、有機電界発光素子３への水分や酸素の浸入が充分に防止される程度に、また製造工程中において有機電界発光素子３の表面に付着した異物や欠陥が完全に覆いつくされる程度に、充分な膜厚で保護膜５を成膜することが重要である。
【００６１】
また、以上のような膜厚で保護膜５を成膜する工程は、有機電界発光素子３の形成工程と連続して管理された雰囲気内において行われ、有機電界発光素子３を構成する有機層に対して水分や酸素の供給を防止した状態で保護膜５の形成までを行うことは、第１実施形態と同様である。
【００６２】
そして、上述した保護膜５の成膜工程が終了した後には、保護膜５が形成された素子基板１を、次の工程で用いるエッチング装置に搬送する。この搬送においては、素子基板１を、露点−８０度以上、酸素（Ｏ2）濃度０．５ｐｐｍ以上の雰囲気下、例えばクリーンルーム内の雰囲気中や、大気雰囲気（酸素濃度１５〜２５％、湿度約２０〜９０％程度）中に開放しても良い。また、湿度、酸素をある程度制御した搬送治具内に収納して搬送しても良いことは、第１実施形態と同様である。
【００６３】
尚、上述したようなマスク２１上からの蒸着による成膜（マスク蒸着）においては、蒸着物質がマスク２１を回り込み、マスク２１の影になる周縁領域１ｂにも成膜される。この周縁領域１ｂにおける保護膜５の膜厚は、表示領域１ａよりも薄く、表示領域１ａから離れた周縁部ほど薄くなる。
【００６４】
＜図３（３）＞
次に、素子基板１を覆う状態で設けられた保護膜５をエッチングによって薄膜化する。ここでは、第１実施形態と同様に、ドライエッチングによって保護膜５を薄膜化し、保護膜５に要求される最終的な光の透過率となるように、保護膜５を全面エッチバックして薄膜化することが重要である。またここでは、このエッチングにより、周縁領域１ｂの保護膜５も薄膜化され、周縁領域１ｂの最外周部で素子基板１を連続的に露出させる。
【００６５】
尚、このような保護膜５のエッチングに際しては、保護膜５の表面の平坦性が上昇する条件で行うことにより、次の工程で保護膜５上に接着性樹脂を塗布する際に、気泡、空隙、厚さムラの発生を防止できることは、第１実施形態と同様である。
【００６６】
＜図３（４）＞
次いで、必要に応じて、上述したエッチングにおいて保護膜５のエッチング表面に吸着した残留エッチングガスを除去するためのプラズマ処理を行うことは、第１実施形態と同様である。プラズマ処理を行う場合には、第１実施形態と同様に行って良い。
【００６７】
＜図３（５）＞
次に、素子基板１の保護膜５側に、接着性樹脂７を介して封止基板９を貼り合わせる。この工程は、第１実施形態において説明した第１の例〜第３の例のいずれかの手順と同様に行って良い。これにより、有機電界発光素子３を素子基板１上に配列してなる表示装置１１を完成させる。
【００６８】
以上説明した第２実施形態の製造方法であっても、図３（２）を用いて説明した工程において保護膜５を充分な膜厚で成膜し、次の図１（３）を用いて説明したエッチング工程において保護膜５を薄膜化し、このエッチング工程と次の図３（４）〜図３（５）とを連続して管理された雰囲気内で行っている。このため、第１実施形態と同様に、製造工程中においての有機電界発光素子３への水分や酸素の浸入に起因するダークスポットの発生を防止することができる。そして、製造設備を大型化することなく、かつ十分に薄膜化した保護膜５を介して封止基板９を貼り合わせた構成であっても、有機電界発光素子３を確実に封止した状態での表示装置１１の製造が行われ、薄い保護膜５を介して有機電界発光素子３での発光光を取り出すトップエミッション型に適する表示装置１１を、低コストで歩留まり良好に得ることが可能である。
【００６９】
さらに加えて、第２実施形態の製造方法では、保護膜５をエッチングによって薄膜化する工程で、素子基板１の最外周部の保護膜５が除去されるため、表示装置１１の外周に保護膜５が露出されることがない。つまり、表示装置１１の外周には、素子基板１と接着性樹脂７との界面、および接着性樹脂７と封止基板９との界面のみが露出した状態となる。したがって、一般に水分や酸素の浸入経路とされる、保護膜５の界面が外周部に存在しないことになり、有機電界発光素子３への水分や酸素の供給を絶つことができる。
【００７０】
この結果、製造後の酸素や水分の浸入によるダークスポットの発生を防止することが可能な表示装置１１を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】第１実施形態の製造方法を説明する断面工程図である。
【図２】保護膜の膜厚毎の、有機電界発光素子の発光面積の径時変化を示すグラフである。
【図３】第２実施形態の製造方法を説明する断面工程図である。
【符号の説明】
【００７２】
１…素子基板、１ａ…表示領域、１ｂ…周縁領域、３…有機電界発光素子、５…保護膜、７…接着性樹脂、９…封止基板、１１…表示装置、２１…マスク、
【図１】
2007242313.tif 000003
【図２】
2007242313.tif 000004
【図３】
2007242313.tif 000005