(57)【要約】【課題】両面に外部接続端子が形成された半導体装置の電気的特性検査を容易かつ確実に行うことができる検査装置、検査方法を提案する。【解決手段】集積回路が形成された基板の第一面に複数の第一外部接続端子３７が形成されると共に第一面の裏面である第二面ｂに複数の第二外部接続端子４０が形成された半導体装置１に対して電気的検査を行う検査装置５０は、半導体装置１を載置した際に第二外部接続端子４０のそれぞれに当接すると共に半導体装置１の外縁よりも外側に露出する複数の導電性パターン５４を有する検査用基板５２と、検査用基板５２上に配置された半導体装置１における第一外部接続端子３７のそれぞれに当接する複数の第一検査用電極８１及び導電性パターン５４のそれぞれに当接する複数の第二検査用電極８２を有する検査部８０と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路が形成された基板の第一面に複数の第一外部接続端子が形成されると共に前記第一面の裏面である第二面に複数の第二外部接続端子が形成された半導体装置に対して電気的検査を行う検査装置であって、
前記半導体装置を載置した際に前記第二外部接続端子のそれぞれに当接すると共に当該半導体装置の外縁よりも外側に露出する複数の導電性パターンを有する検査用基板と、
前記検査用基板上に配置された前記半導体装置における前記第一外部接続端子のそれぞれに当接する複数の第一検査用電極及び前記導電性パターンのそれぞれに当接する複数の第二検査用電極を有する検査部と、
を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記第一検査用電極と前記第二検査用電極とは、前記半導体装置の厚みと略同一の段差を有して配置されることを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記検査用基板は、前記半導体装置の厚みと略同一の深さに形成されると共に前記半導体装置を収容する凹部を有し、
前記導電性パターンは、前記凹部の底面から前記凹部の外縁の外側に架けて形成されることを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項４】
前記検査用基板は、複数の前記半導体装置を同時に載置することを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の検査装置。
【請求項５】
前記検査用基板は、前記半導体装置を搬送するトレイであることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の検査装置。
【請求項６】
前記検査用基板と前記半導体装置との間に、前記検査用基板と前記半導体装置とを密着保持させる密着部材を配置することを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の検査装置。
【請求項７】
集積回路が形成された基板の第一面に複数の第一外部接続端子が形成されると共に前記第一面の裏面である第二面に複数の第二外部接続端子が形成された半導体装置に対して電気的検査を行う検査方法であって、
前記第二外部接続端子のそれぞれに当接可能な複数の導電性パターンを有する検査用基板に対して、前記第二外部接続端子と前記導電性パターンとが当接するように前記半導体装置を載置する載置工程と、
前記半導体装置における前記第一外部接続端子及び前記半導体装置の外縁よりも外側に露出する前記導電性パターンのそれぞれに対して、電気的検査装置の複数の検査用電極を同時に当接する工程と、
を有することを特徴とする検査方法。
【請求項８】
前記載置工程に先立って前記導電性パターン上に導電性材料を配置する工程と、
前記載置工程の後に前記検査用基板と前記半導体装置を加圧及び／又加熱する工程と、
を有することを特徴とする請求項７に記載の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビアを有する半導体装置の電気的特性検査を行う検査装置、検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Personal data assistance）などの携帯型の電子機器では、小型化や軽量化への要求に伴い、内部に設けられている半導体装置などの各種の電子部品の小型化が図られている。
このような背景の下に、半導体装置の三次元実装技術が提案されている。この三次元実装技術は、同様の機能を有した半導体装置同士、又は異なる機能を有する半導体装置を積層する技術である。例えば、ビアを有した半導体装置を複数積層して、最下層となる半導体装置をインターポーザ基板上に実装し、再配置配線を行うことで基板上に実装する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２８２８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上述した半導体装置では、半導体装置を複数積層するに先立って、製造された半導体装置の電気的特性の検査を行っている。
この検査工程では、半導体装置がビアを有するため、半導体装置の両面に検査用電極（プローブ）を当接しなければならない。つまり、半導体装置の第一面に形成された外部接続端子に検査用電極を当接すると同時に、第二面（第一面の裏面）に形成された外部接続端子に検査用電極を当接することが必要となっている。
しかし、半導体装置の両面から検査用電極を当接することはきわめて困難である。
【０００４】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、両面に外部接続端子が形成された半導体装置の電気的特性検査を容易かつ確実に行うことができる検査装置、検査方法を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る検査装置、検査方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第一の発明は、集積回路が形成された基板の第一面に複数の第一外部接続端子が形成されると共に前記第一面の裏面である第二面に複数の第二外部接続端子が形成された半導体装置に対して電気的検査を行う検査装置であって、前記半導体装置を載置した際に前記第二外部接続端子のそれぞれに当接すると共に当該半導体装置の外縁よりも外側に露出する複数の導電性パターンを有する検査用基板と、前記検査用基板上に配置された前記半導体装置における前記第一外部接続端子のそれぞれに当接する複数の第一検査用電極及び前記導電性パターンのそれぞれに当接する複数の第二検査用電極を有する検査部と、を備えるようにした。
この発明によれば、第一面と第二面の両面に外部接続端子が形成された半導体装置の電気的特性の検査を容易かつ確実に行うことが可能となる。
【０００６】
また、前記第一検査用電極と前記第二検査用電極とは、前記半導体装置の厚みと略同一の段差を有して配置されるものでは、半導体装置の第一面と第二面に形成された外部接続端子に検査部の検査用電極を接触させることが可能となる。
【０００７】
また、前記検査用基板は、前記半導体装置の厚みと略同一の深さに形成されると共に前記半導体装置を収容する凹部を有し、前記導電性パターンは、前記凹部の底面から前記凹部の外縁の外側に架けて形成されるものでは、半導体装置の第一面と第二面に形成された外部接続端子に検査部の検査用電極を接触させることが可能となる。
【０００８】
また、前記検査用基板は、複数の前記半導体装置を同時に載置するものでは、効率よく半導体装置の電気的特性の検査を行うことが可能となる。
また、前記検査用基板は、前記半導体装置を搬送するトレイであるものでは、半導体装置を検査用基板から搬送用トレイに載せ換える工程をなくすことができる。
また、前記検査用基板と前記半導体装置との間に、前記検査用基板と前記半導体装置とを密着保持させる密着部材を配置するものでは、半導体装置を検査用基板に密着させるとともに、半導体装置の損傷を防止することができる。
【０００９】
第二の発明は、集積回路が形成された基板の第一面に複数の第一外部接続端子が形成されると共に前記第一面の裏面である第二面に複数の第二外部接続端子が形成された半導体装置に対して電気的検査を行う検査方法であって、前記第二外部接続端子のそれぞれに当接可能な複数の導電性パターンを有する検査用基板に対して、前記第二外部接続端子と前記導電性パターンとが当接するように前記半導体装置を載置する載置工程と、前記半導体装置における前記第一外部接続端子及び前記半導体装置の外縁よりも外側に露出する前記導電性パターンのそれぞれに対して、電気的検査装置の複数の検査用電極を同時に当接する工程と、を有するようにした。
この発明によれば、第一面と第二面の両面に外部接続端子が形成された半導体装置の電気的特性の検査を容易かつ確実に行うことが可能となる。
【００１０】
また、前記載置工程に先立って前記導電性パターン上に導電性材料を配置する工程と、前記載置工程の後に前記検査用基板と前記半導体装置を加圧及び／又加熱する工程と、を有するものでは、半導体装置を検査用基板に密着させて、半導体装置の電気的特性検査を確実に行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の検査装置、検査方法の実施形態について図を参照して説明する。
図１は、半導体装置１の概略構成を示す断面図である。図２は、半導体装置１の上面図、底面図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１２】
半導体装置１は、シリコン基板（基板）１０と、シリコン基板１０の能動面１０ａに形成された接続部２０と、シリコン基板１０の裏面１０ｂに形成された外部接続端子としてのパッド４０とを備えている。なお、半導体装置１における能動面１０ａ側の面を表面１ａと呼ぶ。
【００１３】
シリコン基板１０には、厚さ方向に貫通する貫通孔１１が形成され、この貫通孔１１の内部には導電性材料が充填されたビア１２が形成されている。また、貫通孔１１の側壁には絶縁膜１３が形成され、ビア１２とシリコン基板１０とが電気的に絶縁されている。
【００１４】
半導体装置１の能動面１０ａには、例えばトランジスタ，メモリ素子を有する集積回路等の半導体素子（能動素子）が形成されている。
また、半導体装置の能動面１０ａの接続部２０は、シリコン基板１０の能動面１０ａ上に設けられた下地層２１と、下地層２１上の複数の所定領域のそれぞれに設けられた第一電極２２及び第二電極２３と、これら電極２２，２３が設けられた領域以外の領域に設けられた第一絶縁層２４と、この第一絶縁層２４上に形成された配線部３０とを備えている。
【００１５】
下地層２１，例えば酸化珪素、窒化珪素等の絶縁性材料によって形成されている。
第一絶縁層２４は、例えばポリイミド樹脂等によって形成されている。
また、電極２２，２３の材料としては、チタン、窒化チタン、アルミニウム、銅、あるいはこれらを含む合金等が挙げられる。また、第一電極２２及び第二電極２３は、集積回路等の半導体素子と電気的に接続されている。
【００１６】
配線部３０は、第一絶縁層２４上に設けられた第一電極２２と電気的に接続された第一配線３１と、第二電極２３の表面に設けられた金属膜３２と、この第一配線３１及び金属膜３２上に設けられた第二絶縁層３３と、第二絶縁層３３上に形成されると共に、第一配線３１と電気的に接続された第二配線３４と、第二配線３４上に形成された第三絶縁層３５とを備えている。
第一配線３１の一部が第二絶縁層３３から露出してランド部３６を形成しており、このランド部３６と第二配線３４とが電気的に接続されている。さらに、第二配線３４上にはハンダボール３７が設けられている。すなわち、第一電極２２は、第一配線３１及び第二配線３４を介して外部接続端子としてのハンダボール３７と電気的に接続されている。
また、第三絶縁層３５は、第二絶縁層３３上及び第二配線３４上のハンダボール３７が形成される領域以外の領域を覆うように設けられている。
【００１７】
配線３１，３４の材料としては、金、銅、銀、アルミニウム、チタン、ニッケル等が用いられる。配線３１，３４としては、上述した材料等の単層構造であっても良いし、複数組み合わせて積層構造にしても良い。
また、金属膜３２の材料は、配線３１，３４と同一の材料であることが好ましい。
また、絶縁層３３，３５は、例えばポリイミド樹脂等によって形成されている。
【００１８】
そして、半導体装置１は、表面１ａに形成されたハンダボール３７を介して回路基板１５０（図５参照）等の外部機器に電気的に接続される。なお、ハンダボール３７に限らず、配線３１，３４と同一の同材料よりなるパッドであってもよい。また、このパッドの受けにニッケル、金、ハンダ等の層を形成したものであってもよい。
【００１９】
第二電極２３は、シリコン基板１０の能動面１０ａ上に設けられた下地層２１上に形成されと共に、貫通孔１１において一部（裏面側）が露出されている。これにより、第二電極２３は、第二電極２３の裏面で貫通孔１１の内部のビア１２の一端部と電気的に接続されている。また、ビア１２の他端部は、シリコン基板１０の裏面１０ｂに設けられたパッド４０と電気的に接続されている。すなわち、第二電極２３はシリコン基板１０の裏面１０ｂに設けられたパッド４０と電気的に接続されている。
【００２０】
半導体装置１（シリコン基板１０）の裏面１０ｂには、ビア１２に電気的に接続されたパッド４０が設けられている。パッド４０の材料としては、金、銅、銀、アルミニウム、チタン、ニッケル等が用いられる。なお、パッド４０は、ビア１２の埋め込みの後、継続してめっきすることで形成された層であってもよい。
パッド４０は、半導体装置１の裏面１０ｂに突出して形成されており、パッド４０を介して、異なる端子配置の半導体チップ等の電子部品１３０（図５参照）を積層することができる。このパッド４０を種々に配置させることで、半導体装置１上に実装できる異種の半導体装置、及び電子部品１３０の端子の配置形状や配置する位置等を決定する自由度を向上できる。
なお、パッド４０を形成する際に、インダクタ、抵抗、キャパシタ等を形成するようにしてもよい。弾性表面波素子、水晶振動子、圧電振動子、圧電音叉等の電子素子を接続するようにしてもよい。
【００２１】
なお、半導体装置１の電極２２，２３が、ハンダボール３７とパッド４０のいずれかに接続される場合について説明したが、ハンダボール３７とパッド４０両方に接続される電極があってもよい。
【００２２】
次に、半導体装置１の電気的特性を検査する検査装置５０について説明する。
図３は、検査装置５０の構成を示す図である。
検査用基板５２は、半導体装置１を載置するための平板状の部材であって、図３（ａ）に示すように、上面５２ａには導電性パターン５４が複数形成されている。
複数の導電性パターン５４は、半導体装置１を載置した際に、半導体装置１の裏面１０ｂに形成された複数のパッド４０のそれぞれに接触（当接）するようにパターンニングされている。更に、複数の導電性パターン５４のそれぞれは、半導体装置１を載置した際に、その半導体装置１の外縁の外側にまで引き出されるようにパターンニングされている。つまり、半導体装置１を検査用基板５２に載置すると、半導体装置１の外側には、パッド４０に電気的に接続する導電性パターン５４が露出するようになっている。
【００２３】
このような構成により、図３（ｂ）に示すように、半導体装置１の電気的特性検査を行う検査機器８０のプローブ（検査用電極）８２を、半導体装置１の外側に露出する導電性パターン５４に当接することで、パッド４０を介した半導体装置１の電気的特性検査が可能となる。
また、検査用基板５２に載置した半導体装置１のハンダボール３７に対しては、導電性パターン５４にプローブ８２を当接させた方向と同一の方向から、検査機器８０の他のプローブ（検査用電極）８１を当接させることが可能である。これにより、半導体装置１のハンダボール３７を介した半導体装置１の電気的特性検査が可能となる。
このように、半導体装置１を検査用基板５２に載置することで、検査機器８０のプローブ８１，８２を同一方向から半導体装置１（ハンダボール３７，パッド４０）に対して接触・接続させることが可能となる。
【００２４】
また、検査機器８０のプローブ８１，８２は、図３（ｂ）に示すように、半導体装置１の厚みの高さだけ段差を有するように配置されている。つまり、複数のプローブ８１，８２は一体に形成されており、同一方向から半導体装置１に対して接近すると、プローブ８１のそれぞれがハンダボール３７に、プローブ８２のそれぞれがパッド４０に接続する導電性パターン５４に、同時に接触するようになっている。
これにより、一回の動作で、全てのプローブ８１，８２をハンダボール３７或いは導電性パターン５４に接触させることができるので、同時に、ハンダボール３７及びパッド４０を介した半導体装置１の電気的特性検査が可能となる。
【００２５】
次に、半導体装置１の電気的特性を検査方法について説明する。
まず、検査用基板５２の上面５２ａに形成された複数の導電性パターン５４上、特に
半導体装置１の裏面１０ｂに形成されたパッド４０に接触する部位に、半田或いはＡＣＦ，ＡＦＰ等の導電性材料５８を配置する。
ＡＣＦ，ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Film(Paste)）は、熱硬化性のエポキシ樹脂の中に導電性粒子を分散させた樹脂である。導電性粒子としては、樹脂の周辺に金などをコーティングした粒子やニッケルの粒子を用いたものが多い。
【００２６】
次に、半導体装置１を検査用基板５２に対して押し付ける等して加圧する、又は半導体装置１と検査用基板５２とを加熱する。これにより、半導体装置１のパッド４０と検査用基板５２の導電性パターン５４との間に介在させた半田が溶解して、パッド４０と導電性パターン５４との電気的接続が確実になる。
パッド４０と導電性パターン５４との間にＡＣＦ，ＡＣＰを介在させた場合には、エポキシ樹脂の中に導電性粒子同士が圧縮方向に接触して、パッド４０と導電性パターン５４との電気的接続が確実になる。
そして、半導体装置１と検査用基板５２との加熱・加圧を解除することで、半田或いはＡＣＦ，ＡＣＰが硬化して、検査用基板５２と半導体装置１とが確実に接続される。これにより、後の検査工程において、半導体装置１が検査用基板５２の所定位置からずれて検査が不安定となる事態が確実に回避される。
【００２７】
なお、図３（ｂ）に示すように、半導体装置１と検査用基板５２との間にシリコーン７０のような弾性を有する樹脂等を予め配置してこくことが好ましい。シリコーン７０上に半導体装置１を載置することでシリコーン７０と半導体装置１とが密着して、仮固定されるからである。
また、半導体装置１を検査用基板５２に対して押し付けた際に、半導体装置１に加えた圧力により、半導体装置１が導電性パターン５４に密着し導通を確保することができるので、シリコーン７０を用いることにより半導体装置１を検査用基板５２に固定することなく、検査することができる。
【００２８】
次に、半導体装置１を載置する検査用基板５２に対して、検査機器８０のプローブ８１，８２を同一方向から接近させ、半導体装置１のハンダボール３７及び検査用基板５２の導電性パターン５４にプローブ８１，８２を接触させる。
上述したように、プローブ８１，８２は、半導体装置１の厚みと略同一の段差を有するように配置されているので、プローブ８１がハンダボール３７に、プローブ８２がパッド４０に接続する導電性パターン５４に、同時に接触する。
これによって、検査機器８０により、半導体装置１の集積回路等不良発見を行うことができる。
【００２９】
半導体装置１の電気的特性検査が終了した後は、プローブ８１，８２を取り外し、更に、半導体装置１及び検査用基板５２を加熱等することで、半田等を溶解して半導体装置１を検査用基板５２から取り外す。
【００３０】
以上の工程により、半導体装置１の電気的特性検査が行われるが、検査用基板５２には複数の半導体装置１を同時に載置することができるようにしておくことが好ましい。つまり、検査用基板５２には複数の半導体装置１に対応する導電性パターン５４を形成しておく。これにより、複数の半導体装置１の検査を効率よく行うことが可能となる。
また、検査機器８０のプローブ８１，８２についても、同時に複数の半導体装置１（ハンダボール３７、パッド４０に接続する導電性パターン５４）に接触可能に構成してもよい。より効率的に半導体装置１の検査を行うことが可能となる。
【００３１】
図４は、他の検査装置６０の構成を示す図である。
検査用基板６２は、図４（ｂ）に示すように、上面６２ａには半導体装置１を収容可能な凹部６３が形成されている。凹部６３は、半導体装置１の厚みと略同一深さを有している。
また、検査用基板６２には、導電性の導電性パターン６４が複数形成されている。複数の導電性パターン６４は、凹部６３に半導体装置１を収容（載置）した際に、半導体装置１の裏面１０ｂに形成された複数のパッド４０のそれぞれに接触（当接）するようにパターンニングされている。更に、複数の導電性パターン６４のそれぞれは、凹部６３の外側の領域まで引き出されるようにパターンニングされている。つまり、半導体装置１を検査用基板６２に載置（収容）すると、半導体装置１の外側には、パッド４０に電気的に接続する導電性パターン６４が露出するようになっている。
【００３２】
これにより、図４（ｂ）に示すように、半導体装置１の電気的特性検査を行う検査機器８０のプローブ９２を、半導体装置１の外側に露出する導電性パターン６４に当接することで、パッド４０を介した半導体装置１の電気的特性検査が可能となる。
また、検査用基板６２に載置した半導体装置１のハンダボール３７に対しては、導電性パターン６４にプローブ９２を当接させた方向と同一の方向から、検査機器８０の他のプローブ９１を当接させることが可能である。これにより、半導体装置１のハンダボール３７を介した半導体装置１の電気的特性検査が可能となる。
そして、凹部６３が半導体装置１の厚みと略同一深さを有していることから、ハンダボール３７とパッド４０に接続する導電性パターン６４とは、略同一の位置（高さ）に配置されることになる。
したがって、検査機器８０のプローブ９１，９２に段差を設けることなく、平面的に配置したプローブ９１，９２を、同一方向から半導体装置１（ハンダボール３７，パッド４０）に対して接触・接続させることが可能となる。
なお、検査装置６０を用いた半導体装置１の電気的特性の検査方法については、上述した実施形態と略同一であるため、説明を省略する。
【００３３】
次に、上述した半導体装置１を備えた回路基板について説明する。
図５は、半導体装置１を備えた回路基板１５０の概略構成を示す斜視図である。
回路基板１５０には、半導体装置１上に半導体チップ等の電子部品１３０が積層された積層体２が搭載されている。回路基板１５０は、例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板からなるもので、例えば銅等からなる配線パターン（図示せず）が所望の回路となるように形成され、更にこれら配線パターンに電極パッド（図示せず）が設けられている。
そして、この電気パッドに半導体装置１のハンダボール３７が電気的に接続されることにより、積層体２は回路基板１５０上に実装されている。
【００３４】
次に、上述した回路基板１５０を備えた携帯電話（電子機器）３００について説明する。
図６は、回路基板１５０を備えた携帯電話３００を示す斜視図である。
回路基板１５０は、携帯電話３００の内部に設けられている。この携帯電話３００によれば、小型で信頼性の高い回路基板１５０を備えているので、携帯電話３００も小型で信頼性が高いものとなる。
なお、回路基板１５０を備えた電子機器としては、携帯電話３００に限られる訳ではなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【００３５】
以上、図を参照しながら本発明に係る検査装置、検査方法の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００３６】
上述した実施形態においては、検査用基板５２，６２としては、電気的特性の検査工程においてのみ用いられる検査用基板について説明した。しかし、検査用基板５２，６２が複数の半導体装置１を搬送するための搬送用トレイを兼ねてもよい。これにより、検査工程においてのみ用いられる検査用基板から搬送用トレイに半導体装置１を載せ換える作業が不要となり、半導体装置１の製造工程の効率化を図ることが可能となる。
【００３７】
また、検査用基板５２，６２の導電性パターン５４，６４上に導電性材料５８を配置する場合について説明したが、導電性材料５８としては加熱により硬化するものの他、ＵＶ硬化型であってもよい。また、導電性材料５８としては必ずしも硬化するものでなくてもよい。
更に、検査用基板５２，６２に対して半導体装置１を載置することで、導電性パターン５４，６４とパッド４０との電気的接続が確実に行われるのであれば、必ずしも導電性材料５８を導電性パターン５４，６４上に配置する必要はない。
【００３８】
また、検査用基板５２，６２の導電性パターン５４，６４とパッド４０とが電気的に接続する場合について説明したが、導電性パターン５４，６４とハンダボール３７とが接続する場合であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】半導体装置の概略構成を示す図である。
【図２】半導体装置の平面図、底面図である
【図３】本発明の実施形態に係る検査装置の構成を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る検査装置の変形例を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体装置を備えた回路基板を示す斜視図である。
【図６】回路基板を備えた携帯電話を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４０】
１…半導体装置、  １ａ…表面（第一面）、  １０…シリコン基板、  １０ｂ…裏面（第二面）、  ３７…ハンダボール（第一外部接続端子）、  ４０…パッド（第二外部接続端子）、  ５０，６０…検査装置、  ５２，６２…検査用基板、  ５４，６４…導電性パターン、  ５８…導電性材料、  ６３…凹部、  ７０…シリコーン（密着部材）、  ８０…検査機器（検査部）、  ８１，９１…プローブ（第一検査用電極）、  ８２，９２…プローブ（第二検査用電極）、１５０…回路基板、３００…携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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