(57)【要約】      （修正有）【課題】膜厚ムラの発生を抑制できる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供する。【解決手段】開口部Ｋを有する処理槽５２内に貯留された処理液Ｌに処理対象物ＷＦを浸漬して、薄膜を形成する。処理槽５２を介して処理液Ｌの温度を調整する第１温度調整装置７３と、開口部Ｋに臨む処理液Ｌの温度を調整する第２温度調整装置７２とを有する。第１温度調整装置７３は気体を用いて処理液の温度を調整し、第１温度調整装置７３及び第２温度調整装置７２の双方に温度調整された気体を供給する。また、第２温度調整装置７２は蓋体５４と処理液の液面との間の気体を介して処理液の温度を調整する。【選択図】図１
2007332448.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する処理槽内に貯留された処理液に処理対象物を浸漬して、薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記処理槽を介して前記処理液の温度を調整する第１温度調整装置と、
前記開口部に臨む前記処理液の温度を調整する第２温度調整装置とを有することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜形成装置において、
前記第２温度調整装置は、前記開口部を閉塞する蓋体と前記処理液の液面との間の気体を介して前記処理液の温度を調整することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項３】
請求項２記載の薄膜形成装置において、
前記第２温度調整装置は、前記蓋体と前記処理液の液面との間に温度調整された気体を供給する気体供給装置を有することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項４】
請求項３記載の薄膜形成装置において、
前記第１温度調整装置は、気体を用いて前記処理液の温度を調整し、
前記気体供給装置は、前記第１温度調整装置及び前記第２温度調整装置の双方に前記温度調整された気体を供給することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項５】
請求項２記載の薄膜形成装置において、
前記第２温度調整装置は、前記蓋体と前記処理液の液面との間の気体を加熱する加熱装置を有することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項６】
請求項１記載の薄膜形成装置において、
前記第２温度調整装置は、前記開口部に臨む前記処理液の液面に当接して前記処理液の温度を調整することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項７】
請求項６記載の薄膜形成装置において、
前記第２温度調整装置は、所定温度に温度調整され、前記液面に当接して前記開口部を閉塞する蓋体を含むことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項８】
請求項７記載の薄膜形成装置において、
前記蓋体の温度を調整する蓋体温度調整装置を備えることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項９】
請求項８記載の薄膜形成装置において、
前記蓋体温度調整装置は、前記蓋体を加熱する加熱装置を有することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項１０】
請求項８記載の薄膜形成装置において、
前記蓋体温度調整装置は、前記蓋体に設けられた空隙に温度調整された媒体を供給する媒体供給装置を有することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の薄膜形成装置において、
前記第１温度調整装置は、前記媒体を用いて前記処理液の温度を調整し、
前記媒体供給装置は、前記第１温度調整装置及び前記第２温度調整装置の双方に前記温度調整された媒体を供給することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項１２】
請求項８記載の薄膜形成装置において、
前記蓋体温度調整装置は、前記処理槽とともに前記蓋体の温度を調整する第１温度調整装置であることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれかに記載の薄膜形成装置において、
前記第１温度調整装置は、温度調整用媒体が貯留されるとともに、前記処理槽を収容して温度調整する調整槽を有し、
前記処理槽は、前記調整槽内に突出して前記温度調整用媒体との間の熱交換を促進する熱交換促進部を有することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれかに記載の薄膜形成装置において、
前記処理液は、めっき液であることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項１５】
開口部を有する処理槽内に貯留された処理液に処理対象物を浸漬して、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記処理槽を介して前記処理液の温度を調整する工程と、
前記開口部に臨む前記処理液の温度を調整する工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の薄膜形成方法において、
前記処理液は、めっき液であることを特徴とする薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜形成装置及び薄膜形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）においては、アクチュエータ基板を駆動する駆動回路と接続するために、封止基板表面にスパッタ等により金属配線を設けている（例えば特許文献１〜３参照）。封止基板上への配線形成方法としては、まずＮｉ−Ｃｒ合金を基板全面にスパッタし、続いて、ＡｕをＮｉ−Ｃｒ膜上にスパッタする。その後、レジストパターニングを行い、残ったレジストをマスクとしてＡｕ及びＮｉ−Ｃｒををエッチングする。最後に例えばＯ２プラズマアッシング等の方法によりレジストを剥離除去することにより、基板上に配線パターン（薄膜）が形成される。
【０００３】
上記のスパッタ配線は、スパッタ時の加熱により、積層されたスパッタ膜（Ａｕ／Ｎｉ−Ｃｒ）中の下地膜（Ｎｉ−Ｃｒ）の拡散が起こり、配線（Ａｕ）抵抗上昇や応力発生により基板（ウエハ）が反るという問題が生じる。
そこで、プロセス耐性があるスパッタ下地膜（Ｎｉ−Ｃｒ）を配線に用い、その上に低温成膜プロセスであるめっきによりＡｕ配線を厚膜化することで低抵抗化及び応力低減を図っている。
【特許文献１】特開２０００−１２７３７９号公報
【特許文献２】特開２０００−１３５７９０号公報
【特許文献３】特開２０００−２９６６１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
Ａｕめっきは、めっき析出速度が遅く、めっき槽内で液流が生じると液流の速い部分はめっき析出が抑制されるため、局部的に膜厚ムラが発生してしまう。この場合、膜厚の薄い配線は、膜抵抗（電気抵抗）が上昇し、電圧降下を招くという問題を生じさせる。また、封止基板用ウエハには多数の開口部が形成されているため、ウエハ全面で一様な流れを作り出すことは困難である。
【０００５】
そこで、めっき処理中にめっき液を静止させるために、めっき槽を所定温度の液体に浸漬させて、めっき液を温度調整する方法が多く採られている。ところが、めっき槽の開口部で露出するめっき液の表面で放熱があるため、例えばめっき槽の開口部と底部とでは、めっき液に温度差が生じることから対流が生じ、めっき液を静止させることが困難であった。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、膜厚ムラの発生を抑制できる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の薄膜形成装置は、開口部を有する処理槽内に貯留された処理液に処理対象物を浸漬して、薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記処理槽を介して前記処理液の温度を調整する第１温度調整装置と、前記開口部に臨む前記処理液の温度を調整する第２温度調整装置とを有することを特徴とするものである。
【０００８】
従って、本発明の薄膜形成装置では、処理液のうち処理槽に囲まれた領域の処理液は第１温度調整装置により温度が調整され、処理槽の開口部に臨む処理液は第２温度調整装置により温度が調整されるため、処理液の温度に分布を生じさせずに均一化できる。そのため、本発明では、対流等により液流が生じることを防止して、処理液を静止させることが可能になり、処理対象物に成膜される薄膜に膜厚ムラが発生することを抑制できる。
また、本発明では、膜厚ムラが抑制されることから最低限の膜厚で薄膜を形成することが可能になるため、処理時間を短縮でき、スループットを向上させることができるとともに、処理液の使用量も減らすことができ、地球環境保護にも貢献できる。
【０００９】
この処理液としては、めっき液を適用することができる。
これにより、本発明では、めっき処理により処理対象物に薄膜を形成する場合でも、膜厚むらがない薄膜（めっき膜）を成膜することができる。
【００１０】
前記第２温度調整装置としては、前記開口部を閉塞する蓋体と前記処理液の液面との間の気体を介して前記処理液の温度を調整する構成を採用できる。
この場合、前記第２温度調整装置としては、前記蓋体と前記処理液の液面との間に温度調整された気体を供給する気体供給装置を有する構成を好適に採用できる。
この構成では、前記蓋体と前記処理液の液面との間に供給された気体により、処理槽の開口部に臨む処理液の温度を調整して、処理槽に囲まれた領域の処理液の温度と同一にできるため、対流等により液流が生じることを防止して、処理液を静止させることが可能になり、処理対象物に成膜される薄膜に膜厚ムラが発生することを抑制できる。
【００１１】
また、上記構成で前記第１温度調整装置が気体を用いて前記処理液の温度を調整する場合には、前記気体供給装置は、前記第１温度調整装置及び前記第２温度調整装置の双方に前記温度調整された気体を供給する構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、各温度調整装置毎に気体供給装置を設ける必要がなくなり、装置の簡素化及び低価格化を実現できるとともに、同じ温度に調整された気体により処理液の温度を調整できるため、より厳密に処理液の温度を均一化することが可能になる。
【００１２】
また、前記開口部を閉塞する蓋体と前記処理液の液面との間の気体を介して前記処理液の温度を調整する場合、前記第２温度調整装置は、前記蓋体と前記処理液の液面との間の気体を加熱する加熱装置を有する構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、蓋体から放熱で処理液の温度が低下する場合でも、加熱装置が付与する熱により、前記蓋体と前記処理液の液面との間の気体を介して、開口部に臨む処理液の温度低下を防止して温度を均一化することが可能になる。
【００１３】
また、本発明では、前記第２温度調整装置が、前記開口部に臨む前記処理液の液面に当接して前記処理液の温度を調整する構成も好適に採用できる。
この場合、前記第２温度調整装置としては、所定温度に温度調整され、前記液面に当接して前記開口部を閉塞する蓋体を含む構成を採用できる。
従って、本発明では、蓋体により処理槽の開口部を閉塞することで処理液の放熱を抑制することができるとともに、蓋体との熱交換により開口部に臨む処理液の温度を調整することが可能になり、処理槽に囲まれた領域の処理液の温度と同一にできる。
【００１４】
また、本発明では、前記蓋体の温度を調整する蓋体温度調整装置を備える構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、蓋体の温度を所定値に維持することで、開口部に臨む処理液の温度を処理槽に囲まれた領域の処理液の温度と同一に保持することが可能になる。
【００１５】
この蓋体温度調整装置としては、前記蓋体を加熱する加熱装置を有する構成や、前記蓋体に設けられた空隙に温度調整された媒体を供給する媒体供給装置を有する構成を採用できる。後者の構成では、前記第１温度調整装置は、前記媒体を用いて前記処理液の温度を調整し、前記媒体供給装置は、前記第１温度調整装置及び前記第２温度調整装置の双方に前記温度調整された媒体を供給することが好適である。
これにより、本発明では、各温度調整装置毎に媒体供給装置を設ける必要がなくなり、装置の簡素化及び低価格化を実現できるとともに、同じ温度に調整された媒体により処理液の温度を調整できるため、より厳密に処理液の温度を均一化することが可能になる。
【００１６】
また、前記蓋体温度調整装置としては、前記処理槽とともに前記蓋体の温度を調整する第１温度調整装置である構成も好適に採用できる。
これにより、第１温度調整装置が前記処理槽とともに前記蓋体の温度を調整するため、装置の簡素化及び低価格化を実現できるとともに、同じ調整系により処理液の温度を調整できるため、より厳密に処理液の温度を均一化することが可能になる。
【００１７】
また、本発明では、前記第１温度調整装置が、温度調整用媒体が貯留されるとともに、前記処理槽を収容して温度調整する調整槽を有し、前記処理槽が、前記調整槽内に突出して前記温度調整用媒体との間の熱交換を促進する熱交換促進部を有する構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、処理槽内の処理液に対する温度調整に要する時間を短縮でき、薄膜形成のスループットを向上させることが可能になる。
【００１８】
一方、本発明の薄膜形成方法は、開口部を有する処理槽内に貯留された処理液に処理対象物を浸漬して、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記処理槽を介して前記処理液の温度を調整する工程と、前記開口部に臨む前記処理液の温度を調整する工程とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の薄膜形成装置では、処理液のうち処理槽に囲まれた領域の処理液の温度と、処理槽の開口部に臨む処理液の温度とをそれぞれ同一に調整できるため、処理液の温度に分布を生じさせずに均一化できる。そのため、本発明では、対流等により液流が生じることを防止して、処理液を静止させることが可能になり、処理対象物に成膜される薄膜に膜厚ムラが発生することを抑制できる。
また、本発明では、膜厚ムラが抑制されることから最低限の膜厚で薄膜を形成することが可能になるため、処理時間を短縮でき、スループットを向上させることができるとともに、処理液の使用量も減らすことができ、地球環境保護にも貢献できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の薄膜形成装置及び薄膜形成方法の実施の形態を、図１ないし図７を参照して説明する。ここでは、めっき処理により基板に薄膜を形成する場合の例を用いて説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２０】
（第１実施形態）
図１は、薄膜形成装置であるめっき装置５１の概略的な構成図である。
このめっき装置５１は、めっき槽（処理槽）５２、加温槽５３、めっき槽５２内に温風を供給する温風供給装置（第２温度調整装置）７２、加温槽５３内で温水を循環させる温水供給装置（第１温度調整装置）７３を主体に構成されている。
【００２１】
めっき槽５２は、上部が開口する有底筒状を呈しており、ガラス系やテフロン（登録商標）やポリプロピレン等の耐薬品性の高い材料で形成されている。めっき槽５２の内部には、めっき液（処理液）Ｌが貯留され、このめっき液Ｌに処理対象物であるウエハＷＦを浸漬することにより、当該ウエハＷＦに薄膜である配線が形成される。
また、めっき槽５２には、開口部Ｋを閉塞する蓋体５４が設けられている。蓋体５４には、開口部Ｋと連通し、温風供給装置７２から供給される温風を開口部Ｋに導入するための導入口５４ａが設けられている。
【００２２】
温風供給装置７２は、温度調整された気体を供給する気体供給装置を構成するものであって、エア供給部７４、及び加熱部７５を有している。加熱部７５は、制御装置ＣＯＮＴの制御の下、エア供給部７４から供給されたエアを所定温度に加熱して温度調整する。エア供給部７４から供給され、加熱部７５で加熱されて温度調整されたエアは、供給管７６を介して導入口５４ａからめっき槽５２内に温風として供給される。
【００２３】
加温槽５３は、温度調整された液体（ここでは水）ＨＬを用い、この液体ＨＬに浸漬されためっき槽５２を介してめっき液Ｌの温度を調整するものである。
温水供給装置７３は、液体ＨＬの温度を調整し、加温槽５３に対して循環・供給するものであって、加温槽５３の上部に設けられた吸入管５３ａから液体ＨＬを吸入し、吸入管５３ａよりも下方に設けられた送出管５３ｂから送出するポンプ７７と、ポンプ７７から送出された液体ＨＬを上記制御装置ＣＯＮＴの制御の下、所定温度に加熱して温度調整する加熱部７８とを備えている。
【００２４】
また、加温槽５３には、液体ＨＬの温度を計測する温度センサ７９が配設されている。さらに、めっき槽５２には、開口部Ｋにおける気体温度を計測する温度センサ８１が配設されている。これら温度センサ７９、８１の計測結果は、制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、センサ７９、８１の計測結果に応じて加熱部７５、７８の作動をそれぞれ制御することで、液体ＨＬの温度及び温風の温度を制御する。
【００２５】
上記の構成のめっき装置５１の作用について以下に説明する。
加温槽５３に浸漬されためっき槽５２に対しては、温水供給装置７３から所定温度（ここでは、４５〜６０℃の範囲（例えば５０℃））に温度調整された温水ＨＬが供給され、めっき槽５２を介してめっき液Ｌ、特にめっき槽５２に囲まれた領域のめっき液Ｌの温度が例えば５０℃に調整される。
上記温水供給装置７３から供給される温水ＨＬの温度は、温度センサ７９が計測した液体ＨＬの温度に基づいて、所定温度に調整されている。
【００２６】
一方、温風供給装置７２からは、所定温度（ここでは、４５〜６０℃の範囲（例えば５０℃））に温度調整された温風（気体）が導入口５４ａからめっき槽５２内の開口部Ｋに供給される。なお、この温風の供給量は、めっき液Ｌの液面を揺らさない程度の流量である。これにより、めっき槽５２の開口部Ｋに臨むめっき液Ｌは、導入された温風により、例えば５０℃に温度調整される。
上記温風供給装置７２から供給される温風の温度は、温度センサ８１が計測した開口部Ｋ内の気体温度に基づいて、所定温度に調整されている。
【００２７】
このように、本実施形態では、温水供給装置７３によりめっき槽５２で囲まれた領域のめっき液Ｌの温度を調整しつつ、温風供給装置７２によりめっき槽５２の開口部Ｋに臨むめっき液Ｌの温度を調整するので、めっき液Ｌの温度を一定の所定値に保持することが可能になる。従って、本実施形態では、対流等によりめっき液Ｌに液流を生じさせずに静止させることができ、結果として、ウエハＷＦに形成されるめっき膜の膜厚ムラを抑制することが可能になる。
【００２８】
また、本実施形態では、めっき膜の膜厚ムラが抑制されることから最低限の膜厚で薄膜を形成することが可能になるため、処理時間を短縮でき、タクトタイムを短くしてスループットを向上させることができるとともに、処理液の使用量も減らすことができ、地球環境保護にも貢献できる。
さらに、本実施形態では、温度センサ７９、８１の計測結果に応じて温水及び温風の温度を調整するので、より高い精度でめっき液Ｌの温度を調整することが可能である。加えて、制御装置ＣＯＮＴが加熱部７５、７８の双方の作動を制御するため、温水、温風の温度をより正確に同一にすることが可能になり、めっき液Ｌの静止状態を安定して保持することができる。
【００２９】
なお、上記実施形態では、温度センサ７９、８１の計測結果をフィードバックして温水、温風の温度を調整する、いわゆるクローズド制御としたが、これに限定されるものではなく、温水、温風の温度差に比較的大きな許容値が与えられる場合には、温度センサ７９、８１を設けることなく、温度調整された温水、温風を供給するオープン制御としてもよい。
【００３０】
（第２実施形態）
続いて、薄膜形成装置の第２実施形態について図２を参照して説明する。
この図において、図１に示す第１の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３１】
本実施形態では、上記第１実施形態に対して、温風供給装置の代わりに、蓋体５４とめっき液Ｌの液面との間のエア（気体）を加熱するために、第２温度調整装置としてヒータ（加熱装置）８２が、蓋体５４に開口部Ｋに臨ませて設けられている。ヒータ８２には、電力を供給する駆動部８３が接続されている。駆動部８３の作動（すなわちヒータ８２の作動）は、制御装置ＣＯＮＴによって制御される。制御装置ＣＯＮＴは、センサ８１の計測結果に応じてヒータ８２の作動を制御することで、めっき槽５２における開口部Ｋ内の温度を制御する。
他の構成は、上記際１実施形態と同様である。
【００３２】
上記の構成のめっき装置５１では、ヒータ８２の加熱により、開口部Ｋにおける気体の温度が調整されることで、この開口部Ｋに臨むめっき液Ｌの液面の温度も所定温度（例えば５０℃）に調整される。
従って、本実施形態では、上記第１実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、より簡単な構成でめっき液Ｌを静止状態として、均一な膜厚のめっき膜を得ることが可能になる。
【００３３】
（第３実施形態）
続いて、薄膜形成装置の第３実施形態について図３を参照して説明する。
この図において、図１に示す第１の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３４】
上記第１、第２実施形態では、蓋体５４とめっき槽５２内のめっき液Ｌとの間の気体を介してめっき液Ｌの温度を調整する構成としたが、本実施形態ではめっき液Ｌの液面に当接することによりめっき液Ｌの温度を調整する場合について説明する。
図３に示すように、本実施形態では、めっき槽５２の開口部Ｋにおいて、蓋体５４の外周部がめっき槽５２の内周と嵌合し、蓋体５４が下面でめっき液Ｌの液面に当接した状態で開口部Ｋを閉塞する構成となっている。
【００３５】
蓋体５４には、温度調整用媒体（媒体）としての温水（液体）ＨＬ２が流通する空隙５４ｂが設けられている。そして、本実施形態のめっき装置５１では、蓋体５４の空隙５４ｂに温度調整された温水を供給して蓋体５４の温度を調整する蓋体温度調整装置である第２温水供給装置（媒体供給装置）８４が第２温度調整装置として設けられている。
第２温水供給装置８４は、液体ＨＬ２の温度を調整し、空隙５４ｂに対して循環・供給するものであって、吸入管８５ａから液体ＨＬ２を吸入し、送出管８５ｂから送出するポンプ８６と、ポンプ８６から送出された液体ＨＬ２を上記制御装置ＣＯＮＴの制御の下、所定温度に加熱して温度調整する加熱部８７とを備えている。
【００３６】
上記構成のめっき装置５１では、第２温水供給装置８４における加熱部８７で加熱された温度調整された温水ＨＬ２が送出管８５ｂから蓋体５４の空隙５４ｂに供給・循環することにより、蓋体５４の温度を所定温度に維持することが可能になる。従って、この蓋体５４と当接するめっき液Ｌとの間で熱交換が行われることにより、めっき液Ｌの液面温度を所定温度（例えば５０℃）に調整して保持することが可能になり、上記第１、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
加えて、本実施形態では、気体よりも比熱の小さい固体である蓋体５４との間でめっき液Ｌの熱交換が行われることから、めっきＬが液定温度に達するまでの時間を短くすることができ、迅速な温度制御が可能になり生産性の効率化に寄与できる。
【００３８】
なお、上記実施形態では、温水供給装置７３と第２温水供給装置８４とがそれぞれ個別に温水の温度調整を行い、加温槽５３、蓋体５４の空隙５４ｂに温水を供給する構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば加熱部を共用し、加温槽５３、蓋体５４の空隙５４ｂの双方に温水を供給する温水供給装置を設けることにより、めっき槽５２で囲まれた領域のめっき液Ｌの温度と、開口部Ｋに臨むめっき液Ｌの温度とをより厳密に同一とすることが可能になり、温度分布に起因するめっき液Ｌの液流を抑制し、静止状態を安定して保持することができる。
また、この場合、加温槽５３に貯溜された温水の一部を蓋体５４の空隙５４ｂに導入・循環させる構成としても、同様の作用・効果を実現することが可能である。
【００３９】
さらに、上記実施形態では、蓋体５４の空隙５４ｂに温水を供給して蓋体５４の温度を調整する構成としたが、これ以外にも、図２に示したヒータ８２を空隙５４ｂ内に加熱装置として配置し、蓋体５４の温度を調整することにより、めっき液Ｌの温度を制御する構成としてもよい。
【００４０】
（第４実施形態）
続いて、薄膜形成装置の第４実施形態について図４を参照して説明する。
この図において、図１に示す第１の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第３実施形態では、蓋体５４の温度を調整する蓋体温度調整装置として第２温水供給装置８４を設けたが、本実施形態では、第１温度調整装置である温水供給装置７３が蓋体温度調整装置（第２温度調整装置）を兼ねる構成となっている。
【００４１】
具体的には、図４に示すように、本実施形態におけるめっき装置５１では、蓋体５４がめっき槽５２の側壁や底壁と略同一厚さの板状に形成され、めっき槽５２の開口部Ｋに嵌合して閉塞（密閉）する構成となっている。この蓋体５４には、めっき槽５２とともに加温槽５３内の温水ＨＬに浸漬されたときに温水ＨＬから突出する突部５４ｃが設けられており、突部５４ｃにはめっき槽５２の内部と連通する貫通孔５４ｄが形成されている。
【００４２】
また、本実施形態では、めっき槽５２の外周部に加温槽５３内に突出し鉛直方向に延びるフィン（熱交換促進部）９２が複数設けられている。また、蓋体５４の上面にも加温槽５３内に突出するフィン（熱交換促進部）９４が複数設けられている。
【００４３】
上記構成のめっき装置５１では、めっき槽５２を蓋体５４で密封する際に、めっき液Ｌを補充する場合等に突部５４ｃの貫通孔５４ｄからめっき液Ｌを供給することができる。また、めっき処理時にガスが発生するニッケルめっきを行う際には、この貫通孔５４ｄからガスを排出することが可能となっている。
【００４４】
そして、温水供給装置７３により供給された温水ＨＬにより、めっき槽５２に囲まれた領域のめっき液Ｌの温度が例えば５０℃に調整される。また、蓋体５４がめっき槽５２とともに温水ＨＬに浸漬されることにより、蓋体５４もめっき槽５２と同様に温度が例えば５０℃に調整されることになる。このとき、これらめっき槽５２及び蓋体５４に対する温度調整に際しては、フィン９２、９４により温水ＨＬとの熱交換が促進されるため、めっき槽５２及び蓋体５４を短時間で所定温度に制御することができる。
なお、本実施形態では、貫通孔５４ｄから露出するめっき液Ｌから放熱が生じるため、貫通孔２４ｄの大きさ（径）はなるべく小径にすることが好ましい。
【００４５】
このように、本実施形態では、同じ温水ＨＬによりめっき槽５２及び蓋体５４の温度を調整するため、めっき槽５２で囲まれた領域のめっき液Ｌの温度と、開口部Ｋに臨むめっき液Ｌの温度とをより厳密に同一とすることが可能になり、温度分布に起因するめっき液Ｌの液流を抑制し、静止状態を安定して保持することができる。
また、本実施形態では、蓋体５４の温度を調整するための機構を別途設けずに、温水供給装置７３を共用する構成としているので、装置を簡素化することができ、小型化及び低価格化を実現できる。
さらに、本実施形態では、フィン９２、９４によりめっき槽５２及び蓋体５４と温水ＨＬとの熱交換が促進されるため、迅速な温度調整が可能となり、生産性の向上に寄与できる。
【００４６】
（薄膜形成方法）
続いて、上記のめっき装置５１を用いた薄膜形成方法により配線パターン（導電膜パターン）を形成する方法について説明する。
図５（ａ）〜（ｅ）は、配線パターン（導電膜パターン）の形成方法の工程を示す図である。
【００４７】
図５（ａ）に示すように、まず熱酸化したシリコン基板（基板）１の表面にＮｉ−Ｃｒ合金（Ｃｒ２０％）をスパッタ（または真空蒸着法等）によりＮｉＣｒ膜（下側金属膜）２を形成し、該ＮｉＣｒ膜２上にＡｕ膜（上側金属膜）３を積層する。ここで、前記ＮｉＣｒ膜２の膜厚としては０．０３〜０．２μｍ程度が好ましく、本実施形態では０．１μｍとした。また、前記Ａｕ膜３の膜厚としては０．１〜０．３μｍ程度が好ましく、本実施形態では０．２μｍとした。
【００４８】
なお、前記下側金属膜と前記上側金属膜とは異なる材料から構成されていれば、上記の組み合わせに限定されることはない。具体的には、上記下側金属膜としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｒ含有合金、Ｎｉ含有合金、ＴｉＷ合金のいずれかにより形成することができ、上記上側金属膜としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕのうちの少なくとも一つから形成することができる。このような材料からなる金属膜は、配線パターンとして好適に採用することができる。
【００４９】
次に、図５（ｂ）に示すように、前記Ａｕ膜３上にレジストを塗布し、形成すべき配線パターンに応じた配置でレジストが残るように、フォトリソ等によりパターニングすることでレジストパターン４を形成する。この場合、例えば点状のレジストパターン４を形成することにより、例えばパッドとして用いられる配線パターンを形成することが可能になり、線状のレジストパターン４を形成することにより、配線として用いられる配線パターンを形成できる。
【００５０】
次に、このレジストパターン４をマスクとして、例えばウェットエッチングにより、図５（ｃ）に示すように、前記ＮｉＣｒ膜２及びＡｕ膜３を選択的にエッチングしてパターニングする。具体的には、前記シリコン基板１上に配線パターンの形状に対応したＮｉＣｒ膜２及びＡｕ膜３を残し、その他の領域のＮｉＣｒ膜２及びＡｕ膜３を除去する。
この後、Ｏ２プラズマアッシング等のプラズマ処理により、前記Ａｕ膜３上のレジストパターン４を剥離する。これにより、図５（ｄ）に示すように、シリコン基板１上に形成すべき配線パターンに応じたＮｉＣｒ膜２及びＡｕ膜３が露出する。
【００５１】
この後、前記Ａｕ膜３に対しメッキ処理を行う前処理として、前記Ａｕ膜３の表面に対して活性化処理を行う。
具体的に、このような表面活性化処理としては、例えば酸素プラズマ等の乾式方式を採用することで、前記Ａｕ膜３の表面に付着している有機物の除去を行うことができ、また硫酸過水等の湿式法を採用することで、前記Ａｕ膜３の表面に形成された酸化物を除去することができる。
このような前処理を行うことで、露出するＡｕ膜３の表面に形成された不純物（有機物、酸化物）等を除去しつつ、後のメッキ処理時において、メッキとＡｕ膜３との間の密着性を高めることができる。
【００５２】
この後、上述しためっき装置５１を用いて、図５（ｅ）に示すように、前記Ａｕ膜３に対してＡｕメッキ膜６を析出させる。
具体的には、めっき液Ｌとして、５０℃に加温した無電解Ａｕメッキ液中にシリコン基板１を１〜５時間浸漬し、図５（ｅ）に示すように、前記Ａｕ膜３に対して０．７〜１μｍのＡｕメッキ膜６を析出させる。ここで、予めレジストパターン４が除去されており、またメッキは等方成長するため、Ａｕメッキ膜６はＡｕ膜３の側面及び上面を覆うようにして成膜される。
なお、上記メッキ処理に用いる材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕのうちの少なくとも一つで形成される、すなわちＮｉ，Ｃｕのみ、又はこれら材料（Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ）の２種以上の組み合わせによるものを採用することが好ましい。
【００５３】
本実施形態では、メッキ処理を無電解メッキとしているので、Ａｕメッキ形成時の温度上昇を抑制することが可能となり、シリコン基板１の反り発生を防止することができる。
なお、無電解Ａｕメッキには、亜硫酸浴を用いた。また、上記の化学処理と化学処理との間では、純水による洗浄を３〜５分間行っている。
【００５４】
このようにして、シリコン基板１には、ＮｉＣｒ膜２、Ａｕ膜３が積層され、前記Ａｕ膜３の上面及び側面がＡｕメッキ膜６によって覆われてなる配線パターン７が形成される。この配線パターン７の電気特性は、スパッタで形成した配線に比べて低温成膜プロセスであり、Ｎｉ−Ｃｒの拡散が少なくＡｕの成長粒子が大きいため抵抗値は小さく、また配線パターン７が形成されたシリコン基板（ウエハ）１においては、低温成膜プロセスを用いたためパターン形成後の反りが半減する。
そして、この配線パターン７は、めっき処理時にめっき液Ｌが温度調整されて静止状態が保持されているため、膜厚のばらつきが小さく信頼性の高いものとすることができる。
【００５５】
（液滴吐出ヘッド）
次に、上記薄膜形成方法により、配線パターン（導電膜パターン）が形成された基板を有するデバイスによって構成された液滴吐出ヘッドについて図６を参照して説明する。図６は、液滴吐出ヘッドＨの断面構成図である。
【００５６】
本実施形態の液滴吐出ヘッドＨは、インク（機能液）を液滴状にしてノズルから吐出するものである。図６に示すように、液滴吐出ヘッドＨは、液滴が吐出されるノズル開口１５を備えたノズル基板１６と、ノズル基板１６の上面（＋Ｚ側）に接続されてインク流路を形成する流路形成基板１０と、流路形成基板１０の上面に接続されて圧電素子（駆動素子）３００の駆動によって変位する振動板４００と、振動板４００の上面に接続されてリザーバ１００を形成するリザーバ形成基板（保護基板）２０と、リザーバ形成基板２０上に設けられた前記圧電素子３００を駆動するための駆動回路部（ドライバＩＣ）２００Ａ〜２００Ｂと、駆動回路部２００Ａ〜２００Ｂと接続された複数の配線パターン（膜パターン）３４とを備えて構成されている。
【００５７】
液滴吐出ヘッドＨの動作は、各駆動回路部２００Ａ〜２００Ｂに接続された図示略の外部コントローラによって制御される。流路形成基板１０には、複数の平面視略櫛歯状の開口領域が区画形成されており、これらの開口領域は、ノズル基板１６と振動板４００とにより囲まれて圧力発生室１２を形成する。また、上記平面視略櫛歯状の開口領域のうち、リザーバ形成基板２０と流路形成基板１０とにより囲まれた部分がリザーバ１００を形成している。
【００５８】
流路形成基板１０の図示下面側（−Ｚ側）は開口しており、その開口を覆うようにノズル基板１６が流路形成基板１０の下面に接続されている。流路形成基板１０の下面とノズル基板１６とは、例えば接着剤や熱溶着フィルム等を介して固定されている。ノズル基板１６には、液滴を吐出する複数のノズル開口１５が設けられている。具体的には、ノズル基板１６に設けられた複数（例えば７２０個程度）のノズル開口１５はＹ軸方向（紙面と直交する方向）に配列されている。
【００５９】
圧力発生室１２とノズル開口１５とは、各々対応して設けられている。すなわち、圧力発生室１２は、複数のノズル開口１５に対応するように、Ｙ軸方向に複数並んで設けられている。圧力発生室１２は、Ｘ軸方向に関して互いに対向するように配置されており、それらの間には隔壁１０Ｋが形成されている。
【００６０】
複数の圧力発生室１２の基板中央部側の端部は上述した隔壁１０Ｋによって閉塞されているが、基板外縁部側の端部は互いに接続するように集合され、リザーバ１００と接続されている。リザーバ１００は、機能液導入口２５と圧力発生室１２との間で機能液を一時的に保持するものであって、リザーバ形成基板２０にＹ軸方向に延びる平面視矩形状に形成されたリザーバ部２１と、流路形成基板１０に形成された連通部１３とから構成されている。そして、連通部１３において各圧力発生室１２と接続され、複数の圧力発生室１２の共通の機能液保持室（インク室）を形成している。図６に示す機能液の経路をみると、ヘッド外端上面に開口する機能液導入口２５より導入された機能液が、導入路２６を経てリザーバ１００に流れ込み、供給路１４を経て、複数の圧力発生室１２のそれぞれに供給されるようになっている。
【００６１】
流路形成基板１０とリザーバ形成基板２０との間に配置された振動板４００は、流路形成基板１０側から順に弾性膜５０と下電極膜６０とを積層した構造を備えている。流路形成基板１０側に配される弾性膜５０は、例えば１〜２μｍ程度の厚さの酸化シリコン膜からなるものであり、弾性膜５０上に形成される下電極膜６０は、例えば０．２μｍ程度の厚さの金属膜からなるものである。本実施形態において、下電極膜６０は、流路形成基板１０とリザーバ形成基板２０との間に配される複数の圧電素子３００の共通電極としても機能するようになっている。
【００６２】
振動板４００を変形させるための圧電素子３００は、下電極膜６０側から順に圧電体膜７０と、上電極膜８０とを積層した構造を備えている。圧電体膜７０の厚さは例えば１μｍ程度、上電極膜８０の厚さは例えば０．１μｍ程度である。
なお、圧電素子３００の概念としては、圧電体膜７０及び上電極膜８０に加えて、下電極膜６０を含むものであってもよい。下電極膜６０は圧電素子３００として機能する一方、振動板４００としても機能するからである。本実施形態では、弾性膜５０及び下電極膜６０が振動板４００として機能する構成を採用しているが、弾性膜５０を省略して下電極膜６０が弾性膜５０を兼ねる構成とすることもできる。
【００６３】
圧電素子３００（圧電体膜７０及び上電極膜８０）は、複数のノズル開口１５及び圧力発生室１２のそれぞれに対応するように複数設けられている。
圧電素子３００を含む振動板４００上の領域を覆って、リザーバ形成基板２０が設けられており、リザーバ形成基板２０の上面（流路形成基板１０と反対側面）には、封止膜３１と固定板３２とを積層した構造のコンプライアンス基板３０が接合されている。このコンプライアンス基板３０において、内側に配される封止膜３１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さ６μｍ程度のポリフェニレンスルフィドフィルム）からなり、この封止膜３１によってリザーバ部２１の上部が封止されている。他方、外側に配される固定板３２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さ３０μｍ程度のステンレス鋼）からなる板状部材である。
この固定板３２には、リザーバ１００に対応する平面領域を切り欠いてなる開口部３３が形成されており、この構成によりリザーバ１００の上部は、可撓性を有する封止膜３１のみで封止され、内部圧力の変化によって変形可能な可撓部２２となっている。
【００６４】
通常、機能液導入口２５からリザーバ１００に機能液が供給されると、例えば、圧電素子３００の駆動時の機能液の流れ、あるいは、周囲の熱などによってリザーバ１００内に圧力変化が生じる。しかしながら、上述のように、リザーバ１００の上部が封止膜３１のみよって封止された可撓部２２を有しているので、この可撓部２２が撓み変形してその圧力変化を吸収する。したがって、リザーバ１００内は常に一定の圧力に保持される。なお、その他の部分は固定板３２によって十分な強度に保持されている。そして、リザーバ１００の外側のコンプライアンス基板３０上には、リザーバ１００に機能液を供給するための機能液導入口２５が形成されており、リザーバ形成基板２０には、機能液導入口２５とリザーバ１００の側壁とを連通する導入路２６が設けられている。
【００６５】
リザーバ形成基板２０は、流路形成基板１０とともに液滴吐出ヘッドＨの基体を成す部材であるから剛体とすることが好ましく、リザーバ形成基板２０を形成する材料として流路形成基板１０と略同一の熱膨張率を有する材料を用いることがより好ましい。本実施形態の場合、流路形成基板１０がシリコンからなるものであるから、それと同一材料のシリコン単結晶基板が好適である。シリコン単結晶基板を用いた場合、異方性エッチングにより容易に高精度の加工を施すことが可能であるため、圧電素子保持部２４や溝部７００を容易に形成できるという利点が得られる。その他、流路形成基板１０と同様、ガラス、セラミック材料等を用いてリザーバ形成基板２０を作製することもできる。
【００６６】
リザーバ形成基板２０上には２個の駆動回路部２００Ａ〜２００Ｂが配設されている。
駆動回路部２００Ａ〜２００Ｂは、例えば回路基板あるいは駆動回路を含む半導体集積回路（ＩＣ）を含んで構成されている。各駆動回路部２００Ａ〜２００Ｂは、複数の接続端子（図示せず）を備えており、一部の接続端子がリザーバ形成基板２０上に形成された配線パターン３４に対してワイヤーＷ１により接続されている。駆動回路部２００Ａ〜２００Ｂの他の一部の接続端子は、リザーバ形成基板２０の溝部７００内に配置された上電極膜８０に対してワイヤーＷ２により接続されている。
【００６７】
リザーバ形成基板２０のうち、Ｘ軸方向に関して中央部には、Ｙ軸方向に延びる溝部７００が形成されている。
溝部７００によってＸ軸方向に関し区画されるリザーバ形成基板２０のうち、回路駆動部２００Ａと接続される複数の圧電素子３００を封止している部分を第１封止部２０Ａとし、駆動回路部２００Ｂと接続される複数の圧電素子３００を封止ししている部分を第２封止部２０Ｂとする。これらの第１封止部２０Ａ及び第２封止部２０Ｂには、それぞれ圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を確保するとともに、その空間を密封する圧電素子保持部２４が設けられている。圧電素子３００のうち、少なくとも圧電体膜７０は、この圧電素子保持部２４内に密封されている。
【００６８】
第１封止部２０Ａの圧電素子保持部２４によって封止されている圧電素子３００のうち、上電極膜８０の−Ｘ側の端部は、第１封止部２０Ａの外側まで延びて、溝部７００の底面部に露出している。溝部７００における流路形成基板１０上に下電極膜６０の一部が配置されている場合においては、上電極膜８０と下電極膜６０との短絡を防止するための絶縁膜６００が、上電極膜８０と下電極膜６０との間に介挿されている。同様に、第２封止部２０Ｂの圧電素子保持部２４によって封止されている圧電素子３００のうち、上電極膜８０の＋Ｘ側の端部が、第２封止部２０Ｂの外側まで延びて、溝部７００内に露出しており、この露出側の端部にも、上電極膜８０と下電極膜６０との間に絶縁膜６００が介挿されている。
【００６９】
本実施形態では、上記配線パターン３４、駆動回路部２００Ａ、２００Ｂ等が設けられたリザーバ形成基板２０及び圧電素子３００が設けられた流路形成基板１０がそれぞれ本発明に係る薄膜形成方法を用いて形成されたデバイスの一部を構成し、これらのデバイスを組み立て、固定することにより、液滴吐出ヘッドＨが製造される。
【００７０】
上述した構成を有する液滴吐出ヘッドＨにより機能液の液滴を吐出するには、当該液滴吐出ヘッドＨに接続された外部コントローラ（図示略）によって機能液導入口２５に接続された不図示の外部機能液供給装置を駆動する。外部機能液供給装置から送出された機能液は、機能液導入口２５を介してリザーバ１００に供給された後、ノズル開口１５に至るまでの液滴吐出ヘッドＨの内部流路を満たす。
【００７１】
また外部コントローラは、リザーバ形成基板２０上に実装された駆動回路部２００Ａ、２００Ｂ等に例えば配線パターン３４を介して駆動電力や指令信号を送信する。指令信号等を受信した駆動回路部２００Ａ、２００Ｂは、外部コントローラからの指令に基づく駆動信号を、各圧電素子３００に送信する。
すると、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧が印加される結果、弾性膜５０、下電極膜６０及び圧電体膜７０に変位が生じ、この変位によって各圧力発生室１２の容積が変化して内部圧力が高まり、ノズル開口１５より液滴が吐出される。
【００７２】
本実施形態では、上記リザーバ形成基板２０に形成された配線パターン３４、及び流路形成基板１０に形成された圧電体膜７０、上電極膜８０が、上述した薄膜形成方法により形成されている。
そのため、本実施形態に係る液滴吐出ヘッドＨにおいては、配線の膜厚のばらつきが小さいことから、駆動電圧を小さくすることが可能になり、またノズル間での吐出量のバラツキも小さくすることができる。また、低温プロセスであるめっき積層により、抵抗値の低減、応力の低減が可能となり、基板の反りを緩和できることから、反り等による駆動回路部２００Ａ、２００Ｂの接合不良等が生じず、安定した液滴吐出動作を確保することが可能になる。
【００７３】
（液滴吐出装置）
次に、上述した液滴吐出ヘッドＨを備えた液滴吐出装置の一例について図７を参照しながら説明する。本例では、その一例として、前述の液滴吐出ヘッドを備えたインクジェット式記録装置について説明する。
【００７４】
図７に示す液滴吐出ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載されている。図７に示すように、液滴吐出ヘッドを有する記録ヘッドユニット６１Ａ及び６１Ｂには、インク供給手段を構成するカートリッジ６２Ａ及び６２Ｂが着脱可能に設けられており、この記録ヘッドユニット６１Ａ及び６１Ｂを搭載したキャリッジ６３が、装置本体６４に取り付けられたキャリッジ軸６５に軸方向移動自在に取り付けられている。
【００７５】
記録ヘッドユニット６１Ａ及び６１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モータ６６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト６７を介してキャリッジ６３に伝達されることで、記録ヘッドユニット６１Ａ及び６１Ｂを搭載したキャリッジ６３がキャリッジ軸６５に沿って移動するようになっている。一方、装置本体６４にはキャリッジ軸６５に沿ってプラテン６８が設けられており、図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン６８上に搬送されるようになっている。上記構成を具備したインクジェット式記録装置は、前述の液滴吐出ヘッドＨを備えているので、小型で信頼性が高く、更に低コストなインクジェット式記録装置となっている。
【００７６】
なお、図７では、プリンタ単体としてのインクジェット式記録装置を示したが、本発明はこれに限らず、係る液滴吐出ヘッドを組み込むことによって実現されるプリンタユニットに適用することも可能である。このようなプリンタユニットは、例えば、テレビ等の表示デバイスやホワイトボード等の入力デバイスに装着され、該表示デバイス又は入力デバイスによって表示若しくは入力された画像を印刷するために使用される。
【００７７】
また上記液滴吐出ヘッドは、液相法により各種デバイスを形成するための液滴吐出装置にも適用することができる。この形態においては、液滴吐出ヘッドより吐出される機能液として、液晶表示デバイスを形成するための液晶表示デバイス形成用材料、有機ＥＬ表示デバイスを形成するための有機ＥＬ形成用材料、電子回路の配線パターンを形成するための配線パターン形成用材料などを含むものが用いられる。これらの機能液を液滴吐出装置により基体上に選択配置する製造プロセスによれば、フォトリソグラフィ工程を経ることなく機能材料のパターン配置が可能であるため、液晶表示装置や有機ＥＬ装置、回路基板等を安価に製造することができる。
【００７８】
また、上記実施形態では、本発明に係る薄膜形成方法を液滴吐出ヘッドＨに用いられる基板に適用する構成としたが、これ以外にも、半導体配線形成や、非接触型カード媒体におけるアンテナ回路、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子の薄膜形成等にも適用可能である。
【００７９】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００８０】
例えば、上記実施形態では、処理液としてめっき液を用いるめっき処理に本発明の薄膜形成方法を適用する例を示したが、これに限定されるものではなく、処理液としてエッチング液を用いるエッチング処理に本発明を適用してもよい。
また、上記実施形態では、第４実施形態で示しためっき槽５２及び蓋体５４に熱交換促進用のフィン９２、９４を設けたが、これらのフィンを第１乃至第３実施形態等に示すめっき槽５２及び蓋体５４に設けても、同様の作用・効果を奏することが可能である。
【００８１】
また、上記実施形態では、第１温度調整装置が液体である温水ＨＬを用いてめっき槽５２の温度を調整する構成としたが、温度調整された気体を用いる構成としたもよい。この場合、熱交換特性の高い比熱の小さな気体を用いることが好ましい。また、このように気体を用いてめっき槽５２を温度調整する場合には、例えば図１に示した第１実施形態のように第２温度調整装置が気体を用いてめっき液Ｌの温度調整をする際に、双方の温度調整装置に温度調整された気体を供給する気体供給装置を設けることにより、めっき槽５２に囲まれためっき液Ｌ及び開口部Ｋに臨むめっき液Ｌをより高い精度で同一温度として静止状態とすることができ、膜厚のバラツキをより効果的に抑えることが可能になる。
なお、気体を用いてめっき槽５２を温度調整する場合には、例えば図３に示す蓋体５４の空隙５４ｂに温度調整された気体を供給する構成とし、加温槽５３内及び蓋体５４の空隙５４ｂの双方に温度調整された気体を供給する気体供給装置を設ける構成とすればよい。
【００８２】
また、上記実施形態では、下地金属（下地配線）の第１導電膜としてＮｉ−Ｃｒ合金を一例として示したが、これに限定されるものではなく、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｒ含有合金、Ｎｉ含有合金にも適用可能である。
例えば、下地配線としてＮｉを用いる場合、上記ＮｉＣｒを用いる場合と同様の手順で膜パターンを形成できるが、Ｎｉの場合はエッチング液の塩酸濃度が１０〜１５％と、ＮｉＣｒを用いる場合よりも低くてもよい。
また、メッキ形成する第２導電膜としてニッケル膜を成膜する例を示したが、これに限定されるものではなく、ＣｕやＡｕ、さらには、これらを２種類以上組み合わせることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】第１実施形態のめっき装置を示す概略構成図である。
【図２】第２実施形態のめっき装置を示す概略構成図である。
【図３】第３実施形態のめっき装置を示す概略構成図である。
【図４】第４実施形態のめっき装置を示す概略構成図である。
【図５】薄膜形成方法の工程を示す図である。
【図６】液滴吐出ヘッドの断面構成図である。
【図７】液滴吐出装置の一例を示す斜視構成図である。
【符号の説明】
【００８４】
ＣＯＮＴ…制御装置、  ＨＬ２…温水（媒体、液体）、  Ｋ…開口部、  Ｌ…めっき液（処理液）、  ＷＦ…ウエハ（処理対象物）、  １…シリコン基板（基板）、  ５１…めっき装置（薄膜形成装置）、  ５２…めっき槽（処理槽）、  ５３…加温槽（調整槽）、  ５４…蓋体、  ５４ｂ…空隙、  ７２…温風供給装置（第２温度調整装置、気体供給装置）、  ７３…温水供給装置（第１温度調整装置）、  ８２…ヒータ（加熱装置、第２温度調整装置）、  ８４…第２温水供給装置（媒体供給装置、第２温度調整装置、蓋体温度調整装置）、  ９２、９４…フィン（熱交換促進部）
【図１】
2007332448.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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