(57)【要約】【課題】本発明の目的は、プロービングの際に針ずれが起こるのを防ぐことのできる半導体装置および半導体装置の検査方法を提供することにある。【解決手段】電極１に、検査用プローブを挿入するための溝部２を形成する。溝部２は底面と側面とからなる。底面３の幅寸法は、頂点１０に向かってしだいに小さくなっている。検査を行う際には、溝部２に検査用プローブを挿入する。その後、底面３の幅寸法が小さい側に向けて、検査用プローブを誘導する。その後、検査用プローブの二つの箇所が、溝部の側面に当接する。これにより、検査時にプローブの摺動が抑制される。【選択図】図１
2007220761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面と側面とからなる溝部が電極に設けられていて、
前記底面は、幅寸法が一方向に向かってしだいに小さくなっており、
前記幅寸法には、検査用のプローブの直径より大きい部分と、該プローブの直径より小さい部分とがあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記底面の形状は、三角形、台形および半楕円形のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記溝部が前記電極の端部に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記底面の断面形状が、凹型であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記底面の断面形状が、Ｖ字型であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の検査方法であって、
前記半導体装置をステージの上に載置する工程と、
前記ステージの上の前記半導体装置の上方に検査用のプローブを配置する工程と、
前記半導体装置の前記溝部に前記プローブを挿入する工程と、
前記プローブを前記溝部の前記一方向に誘導する工程とを有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項７】
前記ステージは、
前記溝部の前記一方向と反対方向であるｘ方向と、
前記溝部の底面の法線に平行なｚ方向とに移動可能であって、
前記プローブを挿入する工程は、前記ステージを前記ｚ方向に移動させて前記溝部に前記プローブを挿入する工程であり、
前記一方向に誘導する工程は、前記ｘ方向から前記ｚ方向に向かって角度θ（０°≦θ＜９０°）をなす方向へ前記ステージを移動し、前記プローブを前記溝部の前記一方向に誘導する工程であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、半導体装置に所定の信号を入力して得られる出力信号を検出することによって、その回路動作を検査している。この場合、信号の入出力は、測定装置のプローブを半導体装置の電極に押し当てることによって行われる。
【０００３】
一方、近年では、チップサイズを縮小化して半導体装置の低コスト化を図ることが行われている。チップサイズを縮小するには、電極サイズを縮小するのが有効である。しかし、電極サイズを縮小すると、半導体装置を検査する際、以下に述べる問題が生じていた。
【０００４】
従来の半導体装置の検査方法について、図１０を用いて説明する。図１０は、従来の測定系における、半導体装置１０１、検査用のプローブ１０３、および可動式のステージ１０４の正面図である。半導体装置１０１は、半導体レーザ装置の構造を有する。また、半導体装置１０１には、電極１０２が設けられている。尚、図１０では、検査用プローブ１０３について、その先端部分のみを図示している。図１０（ａ）は、検査を開始する前の状態である。検査時は、ステージ１０４を、図中矢印の方向へ移動する。これにより、図１０（ｂ）のように、電極１０２がプローブ１０３に押し付けられる（以下、この工程をプロービングと称す）。検査終了後は、ステージ１０４を下降させて、図１０（ａ）の状態に戻す。次に、ステージ１０４を、紙面横方向へと移動させる。例えば、半導体装置１０２の載置ピッチに対応させて、ステージ１０４を一定のピッチで送る。そして、次に検査する半導体装置の電極を、プローブ１０３の下方に位置させる。次いで、下方に位置した電極に対して、プロービングを行う。以上の工程を繰り返して検査を行う。
【０００５】
しかしながら、上記の方法では、プロービングの際に、プローブ１０３が電極１０２の表面を滑ることによって、プローブ１０３が押付けられる電極１０２表面の位置（以下、プロービング位置と称す）がずれる（針ずれ）といった問題があった。そして、電極サイズを縮小すると、針ずれが起きた時に、プローブが電極から外れるおそれが大きくなる。プローブが電極から外れて半導体層などに当たると、半導体装置が損傷してしまうことから、電極サイズを縮小する事が難しかった。
【０００６】
上記の問題に対し、電極に凹状の溝部を設ける方法が、提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。図１１は、半導体装置２０１、プローブ１０３、ステージ１０４の正面図であり、プロービング前の状態を示している。半導体装置２０１は、電極２０２に凹状の溝部２０３を備える。図１２は、図１１に示した半導体装置２０１の斜視図である。また、図１３は、図１１を紙面右方向から見た場合の、半導体装置２０１、プローブ１０３、およびステージ１０４の側面図である。検査時には、図１１（ａ）および図１３の矢印方向へ、ステージ１０４を上昇させる。その結果、図１１（ｂ）のように、プローブ１０３が溝部２０３に挿入される。これにより、プローブ１０３が電極２０２から外れることを防止できる。
【０００７】
【特許文献１】特開昭６３−２２０５３９号公報
【特許文献２】特開平９−２１３７５９号公報
【特許文献３】特開平９−２６０４４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１〜３の方法においては、次のような問題があった。
【０００９】
プロービング位置は、ステージ１０４を移動させることにより調整される。しかし、ステージ１０４の移動誤差により、プロービング位置にはばらつきが生じるので、図１１における溝部２０３の幅は、プローブ１０３の先端径よりも広く設計しておく必要がある。一方、プローブ１０３は、プロービング時に、弾性変形する場合がある。このとき、プローブ１０３に復元力が働くことによって、検査中に、溝部２０３内で針ずれが生じると、検査に悪影響を与えるおそれがある。
【００１０】
これに対して、針ずれを防ぐために、溝部２０３の幅を小さくする方法がある。しかし、溝部２０３の幅が小さいと、プロービング位置の調整を、高い精度で行う必要がある。よって、プロービングが困難になる恐れがある。
【００１１】
また、特許文献２では、プローブ１０３を、溝部２０３の端に突き当てる方法が提案されている。これにより、突き当てた方向への、プローブ１０３の摺動は抑えられる。しかしながら、プローブ１０３が溝部２０３の端に沿う方向へずれる可能性がある。すなわち、プローブ１０３が、溝部２０３の輪郭の一つの辺に沿ってずれる可能性がある。従って、針ずれが生じる可能性を、十分に抑えることができない。
【００１２】
本発明は、上記の問題に鑑みて考案されたものである。すなわち、本発明の目的は、プロービングの際に針ずれが起こるのを防ぐことのできる半導体装置および半導体装置の検査方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の半導体装置は、
底面と側面とからなる溝部が電極に設けられていて、
前記底面は、幅寸法が一方向に向かってしだいに小さくなっており、
前記幅寸法には、検査用のプローブの直径より大きい部分と、該プローブの直径より小さい部分とがあることを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体装置の検査方法は、
前記半導体装置をステージの上に載置する工程と、
前記ステージの上の前記半導体装置の上方に検査用のプローブを配置する工程と、
前記半導体装置の前記溝部に前記プローブを挿入する工程と、
前記プローブを前記溝部の前記一方向に誘導する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半導体装置によれば、検査を行う電極に、底面と側面からなる溝部を有する。底面は幅寸法が一方向に向かって小さくなっている。検査時には、検査用プローブをこの溝部に挿入する。検査用プローブの摺動は、溝部内における幅寸法の小さい位置で阻止される。これにより、針ずれが生じる事を、抑制する事ができる。
【００１７】
本発明の半導体装置の検査方法によれば、半導体装置は、可動式のステージ上に載置されている。検査時には、ステージを移動し、検査用プローブを電極の溝部に挿入する。その後、ステージを移動させて、溝部の幅寸法が小さくなる方向へ、検査用プローブを誘導する。この時、溝部の底面の幅が小さい位置で、検査用プローブの摺動が阻止される。これにより、針ずれが生じる事を、抑制する事ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１および図２を用いて、本実施の形態にかかる半導体装置Ａについて説明する。
【００１９】
図１は、半導体装置Ａの斜視図である。半導体装置Ａは、一例として、半導体レーザ装置とする。半導体装置Ａの長手方向の構造は、省略して示されている。半導体装置Ａの外形は、例えば、長辺方向に１，５００μｍ、短辺方向に２００μｍの、矩形とすることができる。短辺中央部には、分離溝７が設けられている。半導体装置Ａは、二つのリッジ部５を備えている。二つのリッジ部５は、半導体装置Ａの短辺方向に、１１０μｍ程度の間隔を置いて、形成されている。半導体装置Ａは、電極１および電極８を、半導体層６の表面に備える。
【００２０】
電極１の外形は、例えば、長辺が１，５００μｍ、短辺が２４μｍの、矩形形状とすることができる。電極８の外形は、例えば、長辺が１，５００μｍ、短辺が２４μｍ以下の、矩形形状とすることができる。電極１の厚み、および電極８の厚みは、例えば、８〜９μｍとすることができる。
【００２１】
電極１において、検査用プローブを押し付ける位置（以下、プロービング位置と称す）には、溝部２が設けられる。図１に示すように、電極１の短辺側の端部に、溝部２が形成されている。溝部２の深さは、例えば、４〜５μｍ程度とすることができる。溝部２の、深さ方向に見た輪郭の幅寸法は、一方から他方に向けてしだいに細くなるような、形状とする。例えば、電極１の端部側から、電極１の中央側に向かって、幅寸法がしだいに細くなるような、三角形とすることができる。溝部２の輪郭形状は、底辺が１４μｍで高さが４０μｍの二等辺三角形としている。以下の説明においては、溝部２の輪郭形状である二等辺三角形の、頂角に対応する頂点を、頂点１０とする。
【００２２】
図２は、図１における矢印の方向から見た半導体装置Ａの正面図である。電極１の周辺が、拡大して示されている。溝部２の表面は、底面３と、側面４とに区分される。
【００２３】
底面３の形状は、溝部２をその深さ方向に見たときの形状に一致する。よって、底面３の輪郭形状も二等辺三角形となる。底面３の幅寸法は、頂点１０に向かうにしたがってしだいに小さくなる。側面４は、この二等辺三角形の長さの等しい二辺に接して設けられている。一方、残りの一辺（すなわち、二等辺三角形の底辺）には側面４は設けられておらず、外部に対して開放された構造となっている。すなわち、半導体装置Ａにおいて、溝部２は、電極１の端部に設けられている。但し、本発明はこれに限られるものではない。例えば、電極の中央部に溝部が設けられていて、二等辺三角形の三辺のいずれもが側面に接する構造であってもよい。
【００２４】
後述するように、プローブは、電極１の溝部２に押し付けられた後、頂点１０の方向に移動する。このとき、底面４の形状が二等辺三角形であることによって、プローブの移動は側面４によって阻まれる。したがって、プローブを、所定の位置、すなわち、頂点１０の近傍で停止させることができる。それ故、半導体装置Ａでは、検査工程でのプローブの位置を常に頂点１０の近傍に定めることができる。二等辺三角形の底辺の長さは、プロービング位置のばらつきを考慮して決定される。例えば、プロービング位置のばらつきが、１２μｍ程度ある場合には、底辺の長さを少なくとも１２μｍ以上とすることが好ましい。
【００２５】
本実施の形態においては、図２に示すように、電極１を第一の電極層１２と、第二の電極層１３とからなるものとすることができる。図２では、紙面に対して垂直な方向に第一の電極層１２が伸びている。第一の電極層１２の周囲には、第二の電極層１３が形成されている。第一の電極層１２は、例えばＮｉなどで形成される。第二の電極層１３は、例えばＡｕなどで形成される。なお、本願においては、図２においてのみ、第一の電極層１２と第二の電極層１３を区別して図示している。その他の図においては、便宜的に、第一の電極層１２と第二の電極層１３の境界を省略している。すなわち、図１および図３〜図９においては、第一の電極層１２と第二の電極層１３が、電極１として一体的に図示されている。また、電極１および電極８の導電型は、特に規定しない。溝部２は、電極の導電型に拘らず、電極上のプロービング位置に形成される。
【００２６】
次に、図３および図４を用いて、本実施の形態における半導体装置Ａの検査方法について説明する。
【００２７】
図３は、半導体装置、プローブおよび可動式のステージの斜視図である。図３（ａ）は、プロービング前の状態を、図３（ｂ）は、プロービング途中の状態を、図３（ｃ）は、プロービング完了後の状態をそれぞれ示している。また、図４（ａ）は、図３（ｂ）を紙面右側から見た図である。図４（ｂ）は、図３（ｃ）を紙面右側から見た図である。尚、これらの図において、プローブ２１は、その先端部分のみが図示されている。
【００２８】
図３（ａ）に示すように、半導体装置Ａは、可動式のステージ２２に載置されている。ステージ２２は、図３（ａ）に示した、ｘｙｚ軸方向へ、移動することができる。ｘ軸は、底面３の幅寸法が細くなる方向に対して平行とすることができる。また、ｘ軸の正方向（以下、ｘ方向と称す）は、底面３の幅寸法が細くなる方向の、反対方向にすることができる。ｙ軸は、例えば、ｘｙ平面が底面３と略平行となるように、決定することができる。ｚ軸は、底面３の法線に平行とすることができる。そして、ｚ軸の正の方向（以下、ｚ方向と称す）を、底面３の法線ベクトルの方向とすることができる。本実施の形態では、ｚ軸は、鉛直方向と一致している。半導体装置Ａの上方には、二本のプローブ２１が位置している。これらのプローブ２１を用いて、半導体装置Ａの回路動作の検査が行われる。ステージ２２は、プローブ２１に対して、図のｚ軸方向、即ち鉛直方向に移動可能である。従って、ステージ２２をｚ方向に移動させることによって、半導体装置Ａとプローブ２１との相対位置を調整することができる。ステージ２２の移動距離は、ばらつきを伴う。一例として、ステージ２２の移動誤差を１２μｍ程度とすることができる。
【００２９】
プローブ２１は、弾性を有する材料によって形成される。例えば、プローブ２１は、ＢｅＣｕ（ベリリウム銅）などの材料で形成される。プローブ２１の材質の硬度は、電極１の材質の硬度に対して同等か、もしくは電極１の材質の硬度よりも小さくなるように選択する。また、本実施の形態においては、先端部分の直径が１３μｍ程度であるものをプローブ２１として用いることができる。
【００３０】
プロービングの直前には、溝部２を、プローブ２１の下方に位置させる。プロービング時には、ステージ２２を、ｚ方向へ上昇させる。これにより、プローブ２１が、溝部２に挿入される。プローブ２１と底面３が接触したら、ステージ２２の上昇を停止する。この時、図３（ｂ）に示す状態となる。なお、以下の説明においては、底面３上での、プローブ２１が押し付けられている位置を、プロービング位置と称す。
【００３１】
ステージ２２の移動の際には、移動誤差が生じる。即ち、ｘ軸とｙ軸とからなるｘｙ平面上で、ステージ２２の移動距離に、ばらつきが生じる。そのため、プロービング位置に、ばらつきが生じる。このばらつきは、ステージ２２においては、最大で１２μｍ程度とすることができる。このばらつきに対応するために、底面３については、その輪郭形状である二等辺三角形の底辺の長さを、例えば１４μｍ程度とすることが好ましい。尚、ステージの種類によっては、ばらつきが更に大きい場合がある。この時には、底辺の長さを、ばらつきの値に応じて大きくする。
【００３２】
図３（ｂ）では、プローブ２１は、底面３において、二等辺三角形の一方の底角の近傍に挿入されている。このように、本実施の形態においては、二等辺三角形の底辺の近傍に、プロービング位置がくることが望ましい。すなわち、底面３の幅が広い位置でプロービングを行うようにすることによって、プローブ２１を溝部２に挿入する際に、プローブ２１が溝部２から外れてしまうのを防ぐことができる。
【００３３】
次いで、ステージ２２をｘ方向に移動させて、プローブ２１を底面３の幅寸法が細くなる方向に移動させる。そして、ステージ２２を、ｘ方向への移動と同時にｚ方向へ上昇させる。従って、ｘｙ平面から斜め鉛直方向へ、移動する。この時、底面３とｘｙ平面とが平行の状態を保ったまま、ステージ２２が移動する。角度θは、例えばθ＝３０°とすることができる。
【００３４】
図４（ａ）は、図３（ｂ）を紙面右方向から見た図である。図４（ｂ）は、図３（ｃ）を紙面右方向から見た図である。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ステージ２２が、ｘ軸からｚ軸へ向かって角度θをなす方向へ、平行移動している。即ち、ｘｙ平面と底面３は、平行の状態を保っている。この時、プローブ２１は底面３の上を滑り、頂点１０の方向へと誘導される。
【００３５】
なお、角度θは、必ずしも３０°である必要はなく、０°≦θ＜９０°の関係を満たせばよい。但し、θが大きくなるほど、プローブ２１を底面３に強く押し付けることになる。よって、プローブ２１と電極１の硬さに応じて、θを決定することが好ましい。
【００３６】
プロービング位置が二つの側面４のいずれか一方に近い場合には、プローブ２１は、移動の途中で近い方の側面４に当たる。例えば、図３（ｂ）の例では、紙面左側の側面４にプローブ２１が当接している。そして、側面４に当たった後のプローブ２１の移動は側面４に沿って進行し、やがて進行方向に対して両側から二つの側面４が迫ることによって、それ以上の移動が阻まれたところでプローブ２１は停止する。これにより、図３（ｃ）に示すように、プローブ２１を頂点１０の近傍に誘導することができる。この場合、側面４は、プローブ２１に対して、ガイドの役割を果たしている。
【００３７】
尚、本実施の形態においては、プロービング位置が二つの側面４から等距離の位置であってもよい。この場合、プローブ２１は、いずれの側面４にも当たらないままに移動するが、進行方向に対して両側から側面４が迫り、それ以上の移動が阻まれたところで停止するのは上記と同様である。
【００３８】
図３（ｃ）において、プローブ２１は二つの側面４に当接している。これは、ステージ２２が斜め上方へ平行移動することで、プローブ２１を頂点１０の方向に押し付ける力が働くからである。半導体装置Ａの検査はこのような状態で行われる。
【００３９】
一方、従来の検査方法では、検査時に、プローブ２１と側面４が当接しない場合があった。また、プローブ２１と側面４を当接させる場合でも、プローブ２１と側面４とが、一箇所で接触するのみであった。このため、従来技術では、電極の所定位置で検査を行うことが困難であった。これに対し、半導体装置Ａでは、プローブ２１が側面４と二箇所で接触した状態で検査が行われる。ここで、この状態をとる位置は、常に頂点１０の近傍となる。したがって、半導体装置Ａによれば、容易に電極の所定位置で検査を行うことが可能となる。
【００４０】
次に、半導体装置Ａの製造方法の一例を説明する。半導体基板上に、半導体層６を形成し、リッジ部５を形成する方法に関しては、多くの従来技術が開示されているため、説明を省略する。
【００４１】
溝部２は、例えば、次のようにして形成することができる。まず、第二の電極層１２の表面に、レジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いて、溝部２の形状に対応した開口部を有するレジストパターンを形成する。これにより、第二の電極層１３表面に、溝部２の輪郭に対応した二等辺三角形の露出領域が設けられる。次いで、露出した第二の電極層１３をエッチングする。その後、不要となったレジストパターンを除去する。以上により、電極１に溝部２を設けることができる。
【００４２】
本実施の形態によれば、次のような効果を得ることができる。
【００４３】
半導体装置Ａの検査の間、プローブ２１に対しては、頂点１０の方向に作用する力が働く。このため、プローブ２１の摺動は、底面３で底辺から頂点１０へ向かう方向と、底辺に平行な方向とから抑制される。すなわち、プローブ２１の摺動は、ｘ軸に平行な方向と、ｙ軸に平行な方向とから抑制される。よって、針ずれが起きる可能性を抑制することができる。
【００４４】
また、底面３で二等辺三角形の底辺の長さは、ステージ２２の移動ばらつきの範囲よりも大きく設計されている。例えば、ステージ２２の移動ばらつきの範囲が最大で１２μｍ程度である場合には、底辺の長さを１４μｍ程度としている。この底辺の近傍でプロービングを行うようにすることによって、プロービング位置がばらついても、プローブ２１を溝部２に挿入することができる。この場合、プロービング位置が底面３上でばらついても問題はない。例えば、プロービング位置は、二つの側面４のいずれか一方に近くてもよいし、二つの側面４から等距離であってもよい。ステージ２２を平行移動させることにより、いずれの場合においても、プローブ２１は頂点１０に向かって誘導される。したがって、プロービング位置のばらつきに左右されずに所定の位置で検査を行うことが可能となる。
【００４５】
尚、半導体装置Ａでは溝部２の輪郭を二等辺三角形としているが、本発明はこれに限られるものではない。本発明においては、溝部２の幅寸法が一方向に向かってしだいに小さくなっており、且つ、幅寸法に、プローブの直径より大きい部分と、プローブの直径より小さい部分とがあればよい。したがって、例えば、溝部の輪郭、すなわち、底面の形状を、三角形、台形、または、半楕円形などの曲線を含む形状などにすることもできる。
【００４６】
図５は、溝部の輪郭が台形である場合の例である。この場合、溝部３０において、台形の上辺近傍にプローブ（図示せず）がある状態で検査を行うために、上辺の長さをプローブの径より短くすることが好ましい。プロービングの際には、台形の下辺の近傍で、プローブを底面に接触させる。次に、溝部３０の底面で、幅寸法が小さくなる方向に向かって、プローブを移動させる。即ち、台形の下辺から上辺へ向かう方向へ、プローブを移動させる。この場合においても、プローブは、進行方向に対して両側から側面が迫り、それ以上の移動が阻まれたところ、すなわち、上辺の近傍で停止するので、所定の位置で検査を行うことが可能となる。
【００４７】
図６は、溝部の輪郭が半楕円形である場合の例である。この場合、溝部３５の底面の幅寸法は、電極の端部から内側に向かってしだいに細くなり、頂点付近ではプローブ（図示せず）の径以下の寸法をとることが好ましい。プロービングの際には、半楕円形の直径付近にプローブを挿入する。次に、ステージ（図示せず）を移動させる事により、底面の幅が小さくなる方向へプローブを移動する。具体的には、半楕円形で長軸と平行な方向へ、プローブを移動する。この場合においても、プローブは、進行方向に対して両側から側面が迫り、それ以上の移動が阻まれたところ、すなわち、頂点の近傍で停止するので、所定の位置で検査を行うことが可能となる。
【００４８】
また、図７に示す溝部４１のように、底面の輪郭における全ての辺に対して、側面を備えることもできる。この場合、長さの等しい二辺の交点である頂点４０の近傍にプローブが位置した状態で検査を行うことが好ましい。プロービングは、溝部４１の幅寸法が最大となるところ、すなわち、二等辺三角形の底辺付近で行うことが好ましい。その後、ステージ（図示せず）を平行移動することによって、プローブを頂点４０の方向に誘導することができる。
【００４９】
また、上記例においては、溝部の底部が平面、すなわち、溝部の断面形状が凹型を呈していたが、本発明はこれに限られるものではない。本発明においては、溝部の底面が傾斜していてもよい。図８は、溝部５１を備える半導体装置Ａの斜視図である。また、図９は、図８の半導体装置Ａの正面図である。これらの図において、底面５２は、両側から溝部５１の中央に向かって傾斜している。即ち、図９で見ると、底面５２の断面形状がＶ字型を呈している。底面をこのような形状とすることによって、プローブを頂点５０の方向に誘導するのが一層容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本実施の形態である半導体装置Ａの斜視図である。
【図２】電極１を拡大して示した、半導体装置Ａの正面図である。
【図３】本実施の形態である半導体装置Ａの検査方法を示す斜視図である。
【図４】本実施の形態である半導体装置Ａの検査方法を示す側面図である。
【図５】本実施の形態である半導体装置Ａの変形例を示す斜視図である。
【図６】本実施の形態である半導体装置Ａの変形例を示す斜視図である。
【図７】本実施の形態である半導体装置Ａの変形例を示す斜視図である。
【図８】本実施の形態である半導体装置Ａの変形例を示す斜視図である。
【図９】本実施の形態である半導体装置Ａの変形例を示す正面図である。
【図１０】従来の半導体装置の検査方法を示す正面図である。
【図１１】従来の半導体装置の検査方法を示す正面図である。
【図１２】従来の半導体装置を示す斜視図である。
【図１３】従来の半導体装置の検査時の様子を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５１】
Ａ          半導体装置
１          電極              ２          溝部
３          底面              ４          側面
５          リッジ部          ６          半導体層
７          分離溝            ８          電極
１０        頂点              １２        第一の電極層
１３        第二の電極層      ２１        プローブ
２２        ステージ          ３０        溝部
３１        溝部
４０        頂点              ４１        溝部
５０        頂点              ５１        溝部
５２        底面
１０１      半導体装置        １０２      電極
１０３      プローブ          １０４      ステージ
１０５      分離溝            ２０１      半導体装置
２０２      電極              ２０３      溝部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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