(57)【要約】【課題】小さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場合においても、十分な再生信号を得る。【解決手段】少なくとも信号再生領域が垂直磁化状態となる再生層１と、再生層１に磁気的に結合する垂直磁化膜からなる記録層４と、を有する。再生層１から離れて配され、少なくとも室温において記録層４と再生層１との磁気結合を抑制する面内磁化層３を有している。【選択図】図１
2007188637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも信号再生領域が垂直磁化状態となる再生層と、該再生層に磁気的に結合する垂直磁化膜からなる記録層と、を有する光磁気記録媒体において、
前記再生層から離れて配され、少なくとも室温において前記記録層と前記再生層との磁気結合を抑制する磁気マスク層を有していることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
少なくとも信号再生領域が垂直磁化状態となる再生層と、該再生層に磁気的に結合する垂直磁化膜からなる記録層と、を有し、光ビーム照射により前記記録層の記録磁区よりも大きな磁区を前記再生層に形成する光磁気記録媒体において、
前記再生層から離れて配され、少なくとも室温において前記記録層と前記再生層との磁気結合を抑制する磁気マスク層を有していることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光磁気記録媒体において、
前記磁気マスク層は、高温において磁化が減少する面内磁化層からなることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項３に記載の光磁気記録媒体において、
室温において、前記磁気マスク層の磁化が前記記録層の磁化よりも大きいことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の光磁気記録媒体において、
前記磁気マスク層のキュリー温度が、前記記録層のキュリー温度より低いことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、
前記記録層のキュリー温度が、前記再生層のキュリー温度より低いことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、
基板上に、透明誘電体層、前記再生層、非磁性中間層、前記磁気マスク層、前記記録層、保護層が順次形成されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項７に記載の光磁気記録媒体において、
前記磁気マスク層の膜厚が、２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の光磁気記録媒体において、
前記磁気マスク層がＧｄＦｅ合金、ＧｄＦｅＡｌ合金、ＧｄＦｅＴｉ合金、ＧｄＦｅＴａ合金、ＧｄＦｅＰｔ合金、ＧｄＦｅＡｕ合金、ＧｄＦｅＣｕ合金、ＧｄＦｅＡｌＴｉ合金、ＧｄＦｅＡｌＴａ合金のいずれかの合金からなることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、
前記磁気マスク層が、（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）XＡｌ1-Xなる組成式で表され、Ｘ（ａｔｏｍ比）が０.３０以上１.００以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、
前記磁気マスク層のキュリー温度が６０℃以上２２０℃以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１２】
請求項７に記載の光磁気記録媒体において、
前記再生層の膜厚が、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１３】
請求項７に記載の光磁気記録媒体において、
前記非磁性中間層の膜厚が、１ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１４】
請求項７に記載の光磁気記録媒体において、
前記非磁性中間層の前記記録層側に、反射層が前記非磁性中間層に隣接して形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１５】
請求項１４に記載の光磁気記録媒体において、
前記反射層がＡｌからなり、その膜厚が２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１６】
請求項１４に記載の光磁気記録媒体において、
前記反射層がＡｌと磁性金属との合金からなることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１７】
請求項１６に記載の光磁気記録媒体において、
前記反射層が、Ａｌ1-XＦｅXなる組成式で表され、Ｘ（ａｔｏｍ比）が０.０２以上０.５０以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１８】
請求項１６に記載の光磁気記録媒体において、
前記反射層が、Ａｌ1-XＮｉXなる組成式で表され、Ｘ（ａｔｏｍ比）が０.０２以上０.５０以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１９】
請求項１４に記載の光磁気記録媒体において、
前記反射層がＡｌと非磁性金属との合金からなることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２０】
請求項１９に記載の光磁気記録媒体において、前記非磁性金属がＴｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉのいずれかの元素であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２１】
請求項１９に記載の光磁気記録媒体において、
前記反射層がＡｌ1-XＴｉXなる組成式で表され、Ｘ（ａｔｏｍ比）が０.０２以上０.９８以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２２】
請求項７に記載の光磁気記録媒体において、
前記保護層に対して前記基板の反対側に、放熱層が形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項２２のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、
前記再生層は、室温で面内磁化状態であり、高温で垂直磁化状態となることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２４】
請求項１、請求項２または請求項３に記載の光磁気記録媒体において、
前記再生層は、ＣｏとＰｔを交互に積層した多層膜からなることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２５】
請求項１乃至請求項２４のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体から情報を再生する再生方法であって、
信号再生時に、前記光磁気記録媒体に光ビームをパルス状に照射することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項２６】
請求項３に記載の光磁気記録媒体から情報を再生する再生方法であって、
再生時に前記光磁気記録媒体に光ビームを照射して、前記磁気マスク層をそのキュリー温度近傍以上に加熱することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項２７】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、
前記磁気マスク層は前記記録層に静磁結合してなることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２８】
請求項２７に記載の光磁気記録媒体において、
前記磁気マスク層と前記記録層との間に非磁性中間層が形成されており、該非磁性中間層の膜厚が、２ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光磁気記録再生装置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体、及び、その再生方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、書き換え可能な光記録媒体として、光磁気記録媒体が実用化されている。このような光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対して、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという欠点が生じている。
【０００３】
このような欠点は、目的とする記録ビット上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生することができなくなることが原因である。
【０００４】
上記の欠点を解消するために、特許文献１において、室温において面内磁化状態であり、温度上昇と共に垂直磁化状態となる再生層と記録層との間に非磁性中間層を設け、再生層と記録層とが静磁結合した構造の光磁気記録媒体が提案されている。
【０００５】
これにより、面内磁化状態にある部分の記録磁区情報がマスクされ、集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビットが入る場合においても、個々の記録ビットを分離して再生することが可能となることが示されている（第１従来例）。
【０００６】
また、非特許文献１には、記録層と再生層の間に非磁性の中間層を挟んだ同様の構成において、記録層から発生する磁界により、再生層に、記録層の磁区よりも大きな磁区を形成しながら転写して再生する磁区拡大方式が示されている（第２従来例）。
【特許文献１】特開平６−１５０４１８号公報
【特許文献２】特開平８−２８７５３７号公報
【特許文献３】特開平６−２９５４７９号公報
【特許文献４】特開平８−１０６６６２号公報
【非特許文献１】Appl.Phys.Lett.69(27)p4257〜4259、“Magnetic domain expansion readout for amplification of an ultra high density magneto-optical recording signal”
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の第１従来例では、さらに小さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場合、再生信号強度が低下し、十分な再生信号が得られなくなるという問題のあることが確認された。
【０００８】
また第２従来例も、記録密度が高くなり、再生磁区の下に、数多くのビットが存在する場合は、記録層の複数のビットからの磁界を再生層が受けることになり、真に再生すべきビットからの磁界を正しく再生層が受けることができなくなってしまう問題点があった。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、小さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場合においても、十分な再生信号を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記目的を達成するため、以下の構成を有する。
【００１１】
請求項１の光磁気記録媒体は、少なくとも信号再生領域が垂直磁化状態となる再生層と、該再生層に磁気的に結合する垂直磁化膜からなる記録層と、を有する光磁気記録媒体において、前記再生層から離れて配され、少なくとも室温において前記記録層と前記再生層との磁気結合を抑制する磁気マスク層を有していることを特徴とする。
【００１２】
請求項２の光磁気記録媒体は、少なくとも信号再生領域が垂直磁化状態となる再生層と、該再生層に磁気的に結合する垂直磁化膜からなる記録層と、を有し、光ビーム照射により前記記録層の記録磁区よりも大きな磁区を前記再生層に形成する光磁気記録媒体において、前記再生層から離れて配され、少なくとも室温において前記記録層と前記再生層との磁気結合を抑制する磁気マスク層を有していることを特徴とする。
【００１３】
請求項３の光磁気記録媒体は、請求項１または請求項２に記載の光磁気記録媒体において、前記磁気マスク層は、高温において磁化が減少する面内磁化層からなることを特徴とする。
【００１４】
請求項４の光磁気記録媒体は、請求項３に記載の光磁気記録媒体において、室温において、前記磁気マスク層の磁化が前記記録層の磁化よりも大きいことを特徴とする。
【００１５】
請求項５の光磁気記録媒体は、請求項３または請求項４に記載の光磁気記録媒体において、前記磁気マスク層のキュリー温度が、前記記録層のキュリー温度より低いことを特徴とする。
【００１６】
請求項６の光磁気記録媒体は、請求項３乃至請求項５のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、前記記録層のキュリー温度が、前記再生層のキュリー温度より低いことを特徴とする。
【００１７】
請求項７の光磁気記録媒体は、請求項３乃至請求項６のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、基板上に、透明誘電体層、前記再生層、非磁性中間層、前記磁気マスク層、前記記録層、保護層が順次形成されてなることを特徴とする。
【００１８】
請求項８の光磁気記録媒体は、請求項７に記載の光磁気記録媒体において、前記磁気マスク層の膜厚が、２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１９】
請求項９の光磁気記録媒体は、請求項７または請求項８に記載の光磁気記録媒体において、前記磁気マスク層がＧｄＦｅ合金、ＧｄＦｅＡｌ合金、ＧｄＦｅＴｉ合金、ＧｄＦｅＴａ合金、ＧｄＦｅＰｔ合金、ＧｄＦｅＡｕ合金、ＧｄＦｅＣｕ合金、ＧｄＦｅＡｌＴｉ合金、ＧｄＦｅＡｌＴａ合金のいずれかの合金からなることを特徴とする。
【００２０】
請求項１０の光磁気記録媒体は、請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、前記磁気マスク層が、（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）XＡｌ1-Xなる組成式で表され、Ｘ（ａｔｏｍ比）が０.３０以上１.００以下であることを特徴とする。
【００２１】
請求項１１の光磁気記録媒体は、請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、前記磁気マスク層のキュリー温度が６０℃以上２２０℃以下であることを特徴とする。
【００２２】
請求項１２の光磁気記録媒体は、請求項７に記載の光磁気記録媒体において、前記再生層の膜厚が、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００２３】
請求項１３の光磁気記録媒体は、請求項７に記載の光磁気記録媒体において、前記非磁性中間層の膜厚が、１ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００２４】
請求項１４の光磁気記録媒体は、請求項７に記載の光磁気記録媒体において、前記非磁性中間層の前記記録層側に、反射層が前記非磁性中間層に隣接して形成されていることを特徴とする。
【００２５】
請求項１５の光磁気記録媒体は、請求項１４に記載の光磁気記録媒体において、前記反射層がＡｌからなり、その膜厚が２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００２６】
請求項１６の光磁気記録媒体は、請求項１４に記載の光磁気記録媒体において、前記反射層がＡｌと磁性金属との合金からなることを特徴とする。
【００２７】
請求項１７の光磁気記録媒体は、請求項１６に記載の光磁気記録媒体において、前記反射層が、Ａｌ1-XＦｅXなる組成式で表され、Ｘ（ａｔｏｍ比）が０.０２以上０.５０以下であることを特徴とする。
【００２８】
請求項１８の光磁気記録媒体は、請求項１６に記載の光磁気記録媒体において、前記反射層が、Ａｌ1-XＮｉXなる組成式で表され、Ｘ（ａｔｏｍ比）が０.０２以上０.５０以下であることを特徴とする。
【００２９】
請求項１９の光磁気記録媒体は、請求項１４に記載の光磁気記録媒体において、前記反射層がＡｌと非磁性金属との合金からなることを特徴とする。
【００３０】
請求項２０の光磁気記録媒体は、請求項１９に記載の光磁気記録媒体において、前記非磁性金属がＴｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉのいずれかの元素であることを特徴とする。
【００３１】
請求項２１の光磁気記録媒体は、請求項１９に記載の光磁気記録媒体において、前記反射層がＡｌ1-XＴｉXなる組成式で表され、Ｘ（ａｔｏｍ比）が０.０２以上０.９８以下であることを特徴とする。
【００３２】
請求項２２の光磁気記録媒体は、請求項７に記載の光磁気記録媒体において、前記保護層に対して前記基板の反対側に、放熱層が形成されていることを特徴とする。
【００３３】
請求項２３の光磁気記録媒体は、請求項１乃至請求項２２のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、前記再生層は、室温で面内磁化状態であり、高温で垂直磁化状態となることを特徴とする。
【００３４】
請求項２４の光磁気記録媒体は、請求項１、請求項２または請求項３に記載の光磁気記録媒体において、前記再生層は、ＣｏとＰｔを交互に積層した多層膜からなることを特徴とする。
【００３５】
請求項２５の光磁気記録媒体の再生方法は、請求項１乃至請求項２４のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体から情報を再生する再生方法であって、信号再生時に、前記光磁気記録媒体に光ビームをパルス状に照射することを特徴とする。
【００３６】
請求項２６の光磁気記録媒体の再生方法は、請求項３に記載の光磁気記録媒体から情報を再生する再生方法であって、再生時に前記光磁気記録媒体に光ビームを照射して、前記磁気マスク層をそのキュリー温度近傍以上に加熱することを特徴とする。
【００３７】
請求項２７の光磁気記録媒体は、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体において、前記磁気マスク層は前記記録層に静磁結合してなるものである。
【００３８】
請求項２８の光磁気記録媒体は、請求項２７に記載の光磁気記録媒体において、前記磁気マスク層と前記記録層との間に非磁性中間層が形成されており、該非磁性中間層の膜厚が、２ｎｍ以上８０ｎｍ以下であるものである。
【発明の効果】
【００３９】
（１）本発明の光磁気記録媒体では、少なくとも室温において再生層に記録層からの漏洩磁束が伝わることを抑制できるため、再生時に隣接する記録磁区の磁化の影響を排除して、所望の記録磁区からの情報のみを取り出すことが可能となり、記録密度の増大が実現できる。これにより小さいビット径及び小さい記録ビット間隔での記録再生が可能となる。
【００４０】
（２）また、記録層の記録磁区よりも大きな磁区を再生層に形成することにより、（１）の効果に加えて、再生信号量を増大することができ信号品質を向上できる。
【００４１】
（３）さらに、面内磁化層を磁化マスクに用いると、面内磁化層により、室温では記録層から発生する磁界を吸収して再生層における記録層からの磁界を遮断できる。一方、再生用のレーザービームを照射により加熱された場合には、面内磁化層の磁化が減少するため、上記磁界の遮断効果がなくなり、その加熱領域において記録層からの磁束が再生層に漏れて、再生層を記録情報に応じた垂直磁化にすることができる。ここでは、加熱された微小領域からのみの情報が再生層に伝わることになるため、小さい記録ビット長及び小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場合においても、十分な再生信号を得ることができる。
【００４２】
（４）また、上記面内磁化層の室温における磁化を記録層の室温における磁化よりも大きくしておけば、上記磁界の遮断効果を確実に行うことができる。
【００４３】
（５）さらに、再生時の加熱により、面内磁化層はキュリー温度以上となり磁化が消失し、記録層はその時点において記録された情報を保持するためキュリー温度以下としておくことが望ましい。すなわち、記録層のキュリー温度を面内磁化層のキュリー温度よりも高く設定しておくことが望ましい。
【００４４】
（６）また、再生層は、再生特性が求められるため、記録層よりもキュリー温度が高い方が有利である。
【００４５】
（７）基板上に、透明誘電体層、再生層、非磁性中間層、面内磁化層、記録層、保護層を順次形成すれば、記録層に小さく記録されたビット情報の１部を、面内磁化層による磁化マスクで選択し、再生層の磁区で大きく拡大して再生でき、高密度記録においても、十分大きな信号強度が得られる。また、非磁性中間層により再生層と面内磁化層との交換結合を完全に遮断し、再生層と記録層との間に良好な静磁結合を実現することが可能となる。
【００４６】
（８）上記（７）において面内磁化層の膜厚を２ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすれば、面内磁化層による記録層のマスク効果が良好な状態に設定される。また、安定した磁区拡大再生が可能となる。
【００４７】
（９）上記（７），（８）において、磁気マスク層をＧｄＦｅ合金、ＧｄＦｅＡｌ合金、ＧｄＦｅＴｉ合金、ＧｄＦｅＴａ合金、ＧｄＦｅＰｔ合金、ＧｄＦｅＡｕ合金、ＧｄＦｅＣｕ合金、ＧｄＦｅＡｌＴｉ合金、ＧｄＦｅＡｌＴａ合金のいずれかの合金とすれば、再生層の安定した磁区形成が可能となり、記録層から出てくる磁界に対し、正しく反応することができ、良好な磁区拡大再生を実現することが可能となる。
【００４８】
（１０）上記（７），（８）において、磁気マスク層を（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）XＡｌ1-Xとし、Ｘ（ａｔｏｍ比）を０.３０以上１.００以下とすれば、磁気マスク層（面内磁化層）の磁気特性が最適化されることにより、記録層と面内磁化層との間の良好な交換結合状態を実現することができ、良好な磁区拡大再生を実現できる。
【００４９】
（１１）上記（７）〜（１０）において、磁気マスク層のキュリー温度を６０℃以上２２０℃以下とすれば、磁気マスク層のキュリー温度が最適化されることにより、磁気マスク層のキュリー温度以下の温度では、記録層の磁化を面内磁化で再生層から遮断し（磁気マスクし）、磁気マスク層のキュリー温度以上の温度で、記録層と再生層との間の静磁結合を良好に保ち、安定な磁区拡大再生を実現することが可能となる。
【００５０】
（１２）上記（７）において、再生層の膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であれば、再生層における磁区を安定させることが可能となるとともに、光の干渉効果が大きくなり良好な再生信号を得ることが可能となる。
【００５１】
（１３）上記非磁性中間層の膜厚を１ｎｍ以上８０ｎｍ以下とすれば、非磁性中間層膜厚が最適化されることにより、良好な静磁結合状態が実現され、磁気的超解像再生を実現できるとともに、光学的な干渉効果も大きくなる。
【００５２】
（１４）上記（７）において、非磁性中間層の記録層側に隣接して反射層を形成しておけば、再生層の膜厚が薄くなり、再生層を透過した再生用の光ビームが反射層により反射され、信号再生にとって不要な記録層からの情報再生を、光学的に完全に遮断することが可能となり、信号再生特性が改善される。
【００５３】
（１５）上記（１４）において、反射層をＡｌとして、その膜厚を２ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすれば、Ａｌからなる反射層膜厚が最適化されることにより、再生用の光ビームが反射層により反射され、磁気的超解像再生信号再生特性が改善されるとともに、再生層と記録層との間に働く静磁結合力を良好な状態に維持することが可能となる。
【００５４】
（１６）上記（１４）において、反射層をＡｌと磁性金属との合金とすれば、反射層合金は、Ａｌに比べて熱伝導率が低いため、レーザービームによる加熱時の媒体温度分布が急峻になり、良好な磁気増幅再生を実現することが可能となるとともに、反射層上に形成される記録層の磁気特性が改善され、より小さな消去磁界で消去可能な光磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００５５】
（１７）上記（１６）において、反射層をＡｌ1-XＦｅXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）を０.０２以上０.５０以下とすれば、良好な磁気増幅再生を実現することが可能となるとともに、反射層上に形成される記録層の磁気特性が最適化され、より小さな消去磁界で消去可能な光磁気ディスクを提供することが可能となる。
【００５６】
（１８）上記（１６）において、反射層をＡｌ1-XＮｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）を０.０２以上０.５０以下とすれば、良好な磁気増幅再生を実現することが可能となるとともに、反射層上に形成される記録層の磁気特性が最適化され、より小さな消去磁界で消去可能な光磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００５７】
（１９）上記（１４）において、反射層をＡｌと非磁性金属との合金すれば、良好な磁気増幅再生を実現することが可能となるとともに、反射層上に形成される記録層の磁気特性が改善され、より小さな消去磁界で消去可能な光磁気ディスクを提供することが可能となる。
【００５８】
（２０）上記（１９）において、非磁性金属をＴｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉのいずれかの元素とすれば、良好な磁気増幅再生を実現することが可能となるとともに、反射層上に形成される記録層の磁気特性が改善され、より小さな消去磁界で消去可能な光磁気ディスクを提供することが可能となる。
【００５９】
（２１）上記（１９）において、反射層をＡｌ1-XＴｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）が０.０２以上０.９８以下とすれば、良好な磁気増幅再生を実現することが可能となるとともに、反射層上に形成される記録層の磁気特性が最適化され、より小さな消去磁界で消去可能な光磁気ディスクを提供することが可能となる。
【００６０】
（２２）上記（７）において、前記保護層に対して前記基板の反対側に放熱層を形成しておけば、光磁気記録媒体に照射される光ビーム内の温度分布がより急峻となり、磁気マスク層による再生層における記録層からの磁界のマスク効果を強調することが可能となり、再生特性がさらに向上する。
【００６１】
（２３）上記（１）〜（２２）において、再生層が室温で面内磁化状態であれば、余計な信号を再生しなくてもよく、有利である。再生層に生成された磁区の外側は、すべてノイズ成分となる可能性があるが、このように室温で面内磁化を示す再生層を用いれば、記録層から転写された磁区のみが垂直磁化となり、垂直領域のみの信号再生が可能となる。
【００６２】
（２４）上記（１），（２），（３）において、再生層をＣｏとＰｔの多層膜とすれば、短波長レーザを用いたときにおいても良好なＣ／Ｎ比を得ることが可能となる。
【００６３】
（２５）上記（１）〜（２４）の光磁気記録媒体から情報を再生する際、再生層に作られた磁区を一旦消去していくことがスムーズな再生動作につながるため、再生用のレーザビームをパルス発光させれば、レーザが消光している間に磁区を消滅させるとともに、レーザが発光している間に媒体温度を上昇させて、再生層に記録層の記録磁区を転写させ信号再生を行うことができ、再生信号品質をより高品質とすることができる。
【００６４】
（２６）上記（３）の光磁気記録媒体から情報を再生する際、磁気マスク層をキュリー温度以上に加熱すれば、磁気マスク層の磁化を消失させることができ、再生時における記録層から再生層への磁化の転写を円滑に行うことが可能となる。
【００６５】
（２７）上記（１）〜（７）において、磁気マスク層を記録層と静磁結合するものとすれば、磁気マスク層と記録層との交換結合を遮断できるので、より高いマスク効果を得ることができ、さらに良好な信号強度が得られる。
【００６６】
（２８）上記（２７）において、磁気マスク層と記録層との間に膜厚が２〜８０ｎｍの非磁性中間層を配すれば、上記（２７）の効果を適切に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６７】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１を図面を用いて詳細に説明する。
【００６８】
図１に本発明の光磁気ディスクの再生原理を、図１６に従来の光磁気ディスクの再生原理を説明する光磁気記録媒体の断面図を示す。
【００６９】
まず、従来の超解像再生動作について説明する。従来の再生方式は図１６に示すように、記録層４から発生する磁界を、再生層１で受け、再生層１の磁区に転写するものである。このため、少なくとも温度上昇した時点では垂直磁化状態となる希土類金属と遷移金属との合金からなる再生層１と、室温に補償温度を有する希土類金属と遷移金属との合金からなる記録層４との間に非磁性中間層２が形成され、再生層１と記録層４とが静磁結合した構成である。
【００７０】
ここで、光ビーム５が再生層側から集光照射されると、媒体には光ビーム５の強度分布に対応したガウシアン分布状の温度分布が形成される。この温度分布の形成に伴い、記録層４の磁化が増大して記録層４から発生する磁界が増大して、その磁界により再生層１の磁化方向が決定される、すなわち、再生層１に記録層４の磁化が転写される。この転写された部分の情報が再生されることにより、超解像再生動作が実現する。
【００７１】
この再生方法において、図２（ａ）に示すように、再生層１において存在する磁区の大きさを、例えば再生用レーザーとして波長６８０ｎｍのものを使用する場合にはそのビームスポットサイズの１μｍ程度の大きさに設定して、記録層４の磁区の大きさよりも大きくすれば、再生時において再生層１から発生する信号が増大することになる。
【００７２】
しかしながら、再生層１における磁化の方向は記録層４からの磁界により決定されるものであり、記録層４に高密度に情報が記録された場合には、以下に示すように、記録層４からの磁化転写が良好に行えなくなる。すなわち、図２（ａ）のように全面消去状態で孤立ビット１００が形成された状態では再生層１における垂直磁化の方向がその孤立ビット１００からの磁界の影響のみを受けるため有効に機能するが、高密度に記録した場合、図２（ｂ）に示すように隣接記録ビット１０１の影響が出てくる。隣接ビット１０１の磁化方向は記録ビット１００の逆方向を向いているため、本来再生すべき磁化が弱まり、磁気転写及び磁気拡大が著しく困難になる。このため、目的とする範囲の情報が正しく再生できず、外部の浮遊磁界等の影響を受けやすくなる。
【００７３】
一方、図１に示す本発明の磁区拡大光磁気記録媒体においては、記録層４に隣接して、面内磁化層３（請求項における磁気マスク層）が形成されており、面内磁化層３により記録層４の内の所定温度（以下、臨界温度と記す）以上に加熱されていないの部分１１からの磁化をマスクする。すなわち、面内磁化層３により、記録層４の上記部分１１の磁化が再生層１に影響を与えることを防止する（部分１１から発生する磁束の再生層１への漏洩を抑制する）。要するに、記録層４と再生層１との磁気結合力を抑制する。
【００７４】
このように、磁気マスクを実現することにより、臨界温度以上の部分のみのマスクをはずすことが可能となり、図１に示すように再生層１において存在する磁区の大きさが記録磁区の大きさよりも大きい場合においても、記録層４において臨界温度以上に加熱された所望の記録磁区のみの情報を再生することが可能となる。
【００７５】
ここで、面内磁化層３は、上記臨界温度以上に加熱された部分における記録層４と再生層１の静磁結合を有効に働かせるため、臨界温度以上の温度において、磁化を持たないか、あるいは、磁化の大きさが臨界温度以下の温度における磁化の大きさに比較して小さいことが望ましく、また、面内磁化層３のキュリー温度は記録層４のキュリー温度よりも低いことが望ましい。さらに、室温において記録層４からの磁束が再生層１に影響を与えることを抑制するため、室温において面内磁化層３の磁化の大きさは記録層４の磁化の大きさよりも大きいことが望ましい。
【００７６】
また、再生層１は、レーザービームで再生される際、磁区の大きさが大きい方が信号量が増え、ノイズの原因が少なくなるため、好ましい。また、記録層４からの磁界に応じて、磁壁が動く必要があり、保磁力の小さい特性が有利である。
【００７７】
また、この光磁気記録媒体から情報を再生する際、再生層１に作られた磁区を、一旦消去していくことが、スムーズな再生動作につながるため、再生用のレーザービームをパルス発光させれば、レーザーが消光している間に磁区を消滅させるとともに、レーザーが発光している間に媒体温度を上昇させて、再生層に記録層の記録磁区を転写させ信号再生を行うことができ、再生信号品質をより高品質とすることができる。
【００７８】
本発明の実施の形態１について図３に基づいて、より具体的に説明すれば以下の通りである。なお、以下では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。
【００７９】
本実施の形態に係る光磁気ディスクは、図３に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、面内磁化層３、記録層４、保護層８、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【００８０】
このような光磁気ディスクでは、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半導体レーザから出射される光ビーム５が対物レンズにより再生層１に絞り込まれ、極カー効果として知られている光磁気効果によって情報が記録再生されるようになっている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化により、反射光の偏光面の回転の向きが回転する現象で、磁化の向きで回転方向が変わる現象である。
【００８１】
基板６は、例えばポリカーボネート等の透明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【００８２】
透明誘電体層７は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＯ2等の屈折率の大きな材料で構成されることが望ましく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定される必要があり、再生光の波長をλ、透明誘電体層７の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層７の膜厚は（λ／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層７の膜厚を３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
【００８３】
再生層１は、希土類遷移金属合金からなる磁性膜であり、その磁気特性が、室温において面内磁化状態であり、温度上昇にともない垂直磁化状態となるように組成調整されている。
【００８４】
非磁性中間層２は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の誘電体の１層、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金の１層、または上記誘電体と上記金属の２層からなり、再生層１と記録層４とが静磁結合すべく、そのトータル膜厚が１〜８０ｎｍに設定されている。
【００８５】
面内磁化層３は、希土類遷移金属合金、または、希土類金属、または、遷移金属を主成分とする磁性膜であり、膜面に水平な方向に磁化を有する膜である。図１において説明したように、面内磁化層３は、臨界温度以下の温度で記録層４の垂直磁化から発生する磁界を面内磁化でマスクし、再生層１への磁界の漏洩を防ぐ。臨界温度以上においては、磁化のマスク効果を失い、記録層４から発生する磁束が再生層へ透過しやすくなるように、組成調整されている。
【００８６】
記録層４は、希土類遷移金属合金からなる垂直磁化膜からなり、その膜厚が、２０〜８０ｎｍの範囲に設定されている。
【００８７】
保護層８は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＳｉＣ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金からなり、再生層１や記録層４に用いる希土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成されるものであり、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定されている。
【００８８】
オーバーコート層９は、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するか、または、加熱するかによって形成される。
【００８９】
以下、上記構成の光磁気ディスクの具体例について（１）形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明する。
【００９０】
（１）形成方法
まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットと、ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットと、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板６を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板６にＡｌＮからなる透明誘電体層７を膜厚８０ｎｍで形成した。
【００９１】
次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層７上に、Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.70からなる再生層１を膜厚２０ｎｍで形成した。その再生層１は、室温において面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有し、その補償温度が３００℃、そのキュリー温度が３２０℃であった。
【００９２】
次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、再生層１上にＡｌＮからなる非磁性中間層２を膜厚２０ｎｍで形成した。
【００９３】
次に、ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上に、（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ａｌ0.25からなる面内磁化層３を膜厚３０ｎｍで形成した。その面内磁化層３は、キュリー温度が１２０℃であり、室温からキュリー温度まで、膜面に平行な方向に磁化を有する面内磁化層であった。
【００９４】
次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記面内磁化層３上に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77からなる記録層４を膜厚４０ｎｍで形成した。その記録層４は、２５℃に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であった。
【００９５】
次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護層８を膜厚２０ｎｍとして形成した。
【００９６】
次に、上記保護層８上に、紫外線硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射することによりオーバーコート層９を形成した。
【００９７】
（２）記録再生特性
上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定したＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長依存性を図４に示す。なお、ここでは上記した本実施の形態の光磁気記録媒体を実施例１として示している。
【００９８】
また、比較のため、面内磁化層３の存在しない構成の光磁気ディスクのＣＮＲのマーク長依存性も比較例１として同図に記載する。なお面内磁化層の存在しない光磁気ディスクの媒体は、本実施の形態の媒体構成において、面内磁化層３を取り除いた構成である。また、ここで示すＣＮＲのマーク長依存性は、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さの記録磁区ピッチで連続形成した時の信号対雑音比を表すものである。
【００９９】
マーク長０.３μｍの両者のＣＮＲを比較すると、比較例１の場合に３４.０ｄＢであるのに対して、実施例１の場合４１.５ｄＢと７.５ｄＢのＣＮＲ増加が観測されている。これは、面内磁化層３により、記録層４に対する磁化マスクが効き、再生分解能が上がったことによるものである。
【０１００】
次に、表１は、実施例１における再生層１と面内磁化層３の膜厚を変えて、０.３μｍでのＣＮＲを測定した結果を示すものである。
【０１０１】
【表１】
2007188637.tif 000003
【０１０２】
表１において、面内磁化層膜厚０ｎｍは、面内磁化層３を形成していない比較例１の結果を示している。面内磁化層３の膜厚を２ｎｍと極めて薄くした場合においても、面内磁化マスクの強化が実現することにより、ＣＮＲが１ｄＢ上昇する。面内磁化層３の膜厚としては、３０ｎｍまで面内磁化マスクの強化が実現することにより、ＣＮＲが上昇して行くが、それ以上厚くするとＣＮＲは低下する。これは、記録層と再生層の間が離れてしまうこと。面内磁化マスクが強化され過ぎ、磁気的なアパーチャーが開きにくくなっている影響を受けて、再生層の完全な垂直磁化状態が得られなくなることによるものであると考えられる。以上のことより、比較例１よりも高いＣＮＲの得られる面内磁化層３の膜厚は、２〜４０ｎｍの範囲であることが分かる。
【０１０３】
また、再生層１の膜厚を８ｎｍにすると、再生信号が小さくなり、そのＣＮＲは比較例１よりも低くなってしまう。さらに、再生層１の膜厚を１２０ｎｍにすると、再生層１に発生する磁壁エネルギーが増加し、温度上昇した部分において完全な垂直磁化状態が得られなくなり、そのＣＮＲは比較例１よりも低くなってしまう。表１から、比較例１よりも高いＣＮＲの得られる再生層１の膜厚は、１０〜８０ｎｍの範囲であることが分かる。
【０１０４】
次に、表２は、実施例１における非磁性中間層２の膜厚を変えて、０．３μｍでのＣＮＲ、及び、消去に必要な磁界（消去磁界）を測定した結果を示すものである。
【０１０５】
【表２】
2007188637.tif 000004
【０１０６】
表２から、非磁性中間層２の膜厚が０.５ｎｍの場合、ＣＮＲが著しく低下していることがわかる。これは、非磁性中間層２の膜厚が薄すぎるため、良好な静磁結合状態が得られなかったことによるものと考えられる。非磁性中間層２の膜厚が１ｎｍの時、最大のＣＮＲが得られ、非磁性中間層２の膜厚が大きくなるにつれて、静磁結合力が小さくなるとともにＣＮＲが低下していくことがわかる。上記比較例１よりも高いＣＮＲを得るためには、非磁性中間層２の膜厚を１〜８０ｎｍの範囲に設定する必要のあることが分かる。
【０１０７】
さらに、非磁性中間層２の膜厚を厚くすることにより、再生層１と記録層４との静磁結合力が小さくなることにより、消去磁界が小さくなることがわかる。消去磁界を実用的な３１ｋＡ／ｍ以下の範囲にするためには、非磁性中間層２の膜厚を４ｎｍ以上とすることが更に望ましい。
【０１０８】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記した実施の形態１で示した光磁気ディスクの具体例において、面内磁化層３として異なる組成のものを用いた例について説明する。
【０１０９】
実施の形態１においては、面内磁化層３としてキュリー温度が１２０℃の（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ａｌ0.25を用いた場合の記録再生特性を示したが、本実施の形態においては、面内磁化層３のＡｌ含有率を変えて記録再生特性を調査した結果を記述する。
【０１１０】
表３は、面内磁化層３を膜厚３０ｎｍの（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）XＡｌ1-Xとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、面内磁化層３のキュリー温度ＴC2と、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）とを測定した結果を示すものである。
【０１１１】
【表３】
2007188637.tif 000005
【０１１２】
表３において、面内磁化層３を形成していない比較例１において得られたＣＮＲ（３４.０ｄＢ）よりも高いＣＮＲが得られるのは、０.３０＜Ｘ＜１.００の範囲であることがわかる。本実施の形態において用いた再生層１は、実施の形態１と同じものであり、１２０℃の温度で垂直磁化状態となる。すなわち、面内磁化層３は、１２０℃以下の温度において、記録層の磁界を面内磁化マスクすることができればよく、面内磁化層３のキュリー温度の最適値は、略１２０℃ということになる。しかし、本実施の形態に示すように、面内磁化層３のキュリー温度が、６０℃以上、２２０℃以下において、比較例１よりも高いＣＮＲが得られており、面内磁化層のキュリー温度を６０℃以上２２０℃以下とすることにより、磁化マスクを形成することが可能となる。
【０１１３】
また、本実施の形態においては、面内磁化層３として、ＧｄＦｅＡｌを用いた結果について記述しているが、上記キュリー温度範囲（６０℃〜２２０℃）で面内磁化であることを満足すればよく、他に、ＮｄＦｅ、ＮｄＦｅＡｌ、ＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＡｌからなる面内磁化層３を用いることが可能である。
【０１１４】
（実施の形態３）
本実施の形態は、実施の形態１の具体例において、面内磁化層３として他の材料のものを用いた場合の例について説明する。
【０１１５】
実施の形態１においては、キュリー温度が１２０℃の（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ａｌ0.25を用いた場合の記録再生特性を示したが、本実施の形態においては、面内磁化層３として、Ａｌ以外の金属元素を用いた結果について記述する。
【０１１６】
表４は、面内磁化層３に膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ｚ0.25を用いた時の面内磁化層３のキュリー温度ＴC2と、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）とを測定した結果を示すものである。ここで、Ｚとしては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ0.5Ｔｉ0.5、Ａｌ0.5Ｔａ0.5を用いた。
【０１１７】
【表４】
2007188637.tif 000006
【０１１８】
表４より、Ｚとして、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ0.5Ｔｉ0.5、Ａｌ0.5Ｔａ0.5を用いたすべての場合において、比較例１よりも高いＣＮＲが得られていることがわかる。実施の形態２において記述したように、面内磁化層３のキュリー温度が６０℃〜２２０℃の範囲にあればよく、他に、ＮｄＦｅＴｉ、ＮｄＦｅＴａ、ＤｙＦｅＴｉ、ＤｙＦｅＴａからなる面内磁化層を用いることが可能である。
【０１１９】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４について図５に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。但し、実施の形態１〜３と同一部分については説明を省略する。
【０１２０】
本実施の形態４に係る光磁気ディスクは、図５に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、反射層１０、面内磁化層３、記録層４、保護層８、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【０１２１】
実施の形態１においては、面内磁化層３の膜厚が１０ｎｍより小さくなった場合、再生層１と非磁性中間層２とを透過した光ビーム５が記録層４により反射され、再生信号に記録層４の情報が混入することになる。
【０１２２】
本実施の形態４の光磁気ディスクは、実施の形態１に記載の光磁気ディスクにおいて、非磁性中間層２と面内磁化層３との間に、反射層１０が形成された構成を有している。このようにすることにより、再生層１を透過した光ビーム５は反射層１０により反射され、再生信号に記録層４の不要な情報が混入することを防ぐことが可能となる。
【０１２３】
以下、本実施の形態の光磁気ディスクの具体例について（１）形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明する。
【０１２４】
（１）形成方法
本実施の形態の光磁気ディスクは、実施の形態１の光磁気ディスクの形成方法において、非磁性中間層２と面内磁化層３との間に、Ａｌからなる反射層１０を形成しており、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、面内磁化層３、記録層４、保護層８、オーバーコート層９は、実施の形態１と同様にして、再生層１の膜厚を１７.５ｎｍとし、面内磁化層３の膜厚を７.５ｎｍとして形成した。
【０１２５】
ここで、Ａｌ反射層１０は、非磁性中間層２を形成した後、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上に、Ａｌからなる反射層１０を膜厚２〜８０ｎｍで形成した。
【０１２６】
（２）記録再生特性
表５は、本実施の形態の光磁気ディスクにおける反射層１０の膜厚を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を示すものである。
【０１２７】
【表５】
2007188637.tif 000007
【０１２８】
表５において、反射層膜厚０ｎｍは、反射層１０を形成していない比較例２の結果を示している。反射層１０の膜厚を２ｎｍと極めて薄くした場合においても、記録層４からの情報再生遮断の効果が見られ、ＣＮＲが１．０ｄＢ上昇する。反射層１０の膜厚を厚くすることにより、ＣＮＲは徐々に大きくなり、該膜厚２０ｎｍでＣＮＲが極大となる。これは、反射層膜厚増加に伴い、記録層４からの情報再生遮断の効果がより顕著になるためである。該膜厚３０ｎｍ以上でＣＮＲが低下しているが、記録層４と再生層１との距離が大きくなることにより、両者間に働く静磁結合力が弱くなることによるものである。以上のことより、比較例２よりも高いＣＮＲの得るためには、反射層１０の膜厚を２〜５０ｎｍの範囲で設定する必要があることがわかる。
【０１２９】
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態４の具体例における反射層１０として異なる材料のものを使用した場合について説明する。
【０１３０】
実施の形態４では、Ａｌを用いた再生特性について記述しているが、本実施の形態においては、その記録特性を改善すべく、反射層１０として、ＡｌとＡｌ以外の金属との合金を用いた結果について記述する。
【０１３１】
表６は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ1-XＦｅXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０１３２】
【表６】
2007188637.tif 000008
【０１３３】
表６より、Ｆｅ含有量が多くなるにしたがって、すなわち、Ｘが０.１０よりも大きくなるにつれて、ＣＮＲが徐々に小さくなっているが、いずれのＣＮＲも比較例２よりも大きく、反射層１０を形成した効果が見られる。一方、消去磁界を見ると、純粋なＡｌからなる反射層１０を用いた場合、５０ｋＡ／ｍと大きな消去磁界が必要であるのに対して、Ｘを０.０２以上０.５０以下に設定することにより、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０１３４】
次に、表７は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ1-XＮｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０１３５】
【表７】
2007188637.tif 000009
【０１３６】
表７より、Ｆｅを含有した場合と同様に、Ｘを０.０２以上０.５０以下に設定することにより、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０１３７】
Ｆｅ、Ｎｉ以外に、Ｃｏ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ等の磁性金属を同様にしてＡｌに含有させることにより、消去磁界を小さくすることが可能である。
【０１３８】
（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態４の具体例における反射層１０として更に異なる材料のものを用いた場合について説明する。
【０１３９】
実施の形態５においては、反射層１０として、Ａｌに磁性金属元素を含有させた結果について記述しているが、本実施の形態においては、Ａｌに非磁性金属元素を含有させた場合の記録特性改善について記述する。
【０１４０】
表８は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ1-XＴｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０１４１】
【表８】
2007188637.tif 000010
【０１４２】
表８より、Ｔｉ含有量が多くなるにしたがって、すなわち、Ｘが０.１０よりも大きくなるにつれて、ＣＮＲが徐々に小さくなっているが、いずれのＣＮＲも比較例２よりも大きく、反射層１０を形成した効果が見られる。一方、消去磁界を見ると、純粋なＡｌからなる反射層１０を用いた場合、５０ｋＡ／ｍと大きな消去磁界が必要であるのに対して、Ｘを０.０２以上０.９８以下に設定することにより、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０１４３】
次に、表９は、反射層１０として、Ｔｉ以外の非磁性元素をＡｌに含有した場合の消去磁界低減効果について示すものであり、反射層１０をＡｌ0.5Ｚ0.5として、ＺをＴｉ以外の非磁性金属を用いた場合における、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０１４４】
【表９】
2007188637.tif 000011
【０１４５】
表９より、Ｚとして非磁性金属であるＴａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉを用いた場合において、いずれのＣＮＲも比較例２よりも大きく、反射層１０を形成した効果が見られる。一方、消去磁界を見ると、ＡｌにＴｉを含有させた場合と同様に、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０１４６】
尚、以上の実施の形態１〜６では再生層１として室温で面内磁化状態であり高温状態で垂直磁化状態となる磁性層を用いているが、少なくとも信号再生領域（再生時に所定温度（再生温度）以上に加熱された領域）で垂直磁化状態となるものであれば使用することができる。
【０１４７】
また、実施の形態１〜６では面内磁化層３を使用しているが、この層の代わりに（１）室温で面内磁化状態であり高温で垂直磁化状態となる磁性層（参考形態５〜９参照）や、（２）遷移金属副格子磁化の方向が記録層４と同じ方向を向き、しかも遷移金属副格子磁化と希土類金属副格子磁化の総和が記録層４と逆方向を向く垂直磁化層（参考形態１〜４参照）を使用することができる。さらに、実施の形態１〜６の面内磁化層３や上記（１）の磁性層は記録層４に隣接している必要はなく、（３）記録層４に静磁結合しているものであってもよい（実施の形態７及び参考形態１０参照）。
【０１４８】
（参考形態１）
以下、本参考形態を図面を用いて詳細に説明する。
【０１４９】
図６に本参考形態の磁区拡大再生動作原理を示す。
【０１５０】
本光磁気記録媒体では低温領域において記録層から発生する磁界をそれと反対方向の磁界によって打ち消す。例えば、図６に示す磁区拡大再生光磁気記録媒体においては、記録層４に隣接して、希土類金属と遷移金属との合金からなる遮断層３’（請求項における磁気マスク層）が形成され交換結合している。遮断層３’は室温で希土類金属副格子モーメントが遷移金属副格子モーメントより大きく(希土類金属リッチ)、記録層４は室温からキュリー温度まで遷移金属副格子モーメントが希土類金属副格子モーメントより大きく(遷移金属リッチ)している。
【０１５１】
このような構成の本光磁気記録媒体では、室温において、記録層４と遮断層３’とが交換結合しており、遷移金属副格子モーメントの向きが揃うため室温では遮断層３’のトータルの磁化の向き（希土類金属副格子モーメントの向き）と記録層４のトータルの磁化の向き（遷移金属副格子モーメントの向き）は逆方向になる。本参考形態の光磁気記録媒体において、再生層１に影響を与える磁界の向きは、記録層４と遮断層３’を合わせた全体の磁化の向きで決定される。したがって、上記のような遮断層３’を用いれば、少なくとも室温において、記録層４からの磁界を遮断層３’の磁界により減少させることができる。要するに、記録層４と再生層１との磁気結合を抑制することができる。
【０１５２】
さらに、室温近傍の低温領域において、遮断層３’のトータル磁化と記録層４のトータル磁化の大きさを略同一としてバランスさせれば、再生層１へと漏洩する磁束をほぼ０とすることができ、望ましい。
【０１５３】
一方、室温から温度上昇していくと、遮断層３’は希土類金属副格子モーメントと遷移金属副格子モーメントの大きさの差が小さくなりトータルの磁化が減少するのに対し、記録層４は一旦希土類金属副格子モーメントと遷移金属副格子モーメントの大きさの差が大きくなりトータルの磁化が増大する。したがって、再生時の加熱により、記録層４と遮断層３’との間のトータル磁化のバランスが取れなくなり、記録層４から発生した磁界によって再生層１が影響を受けることとなる。これにより、再生層１に記録層４の磁化が転写される。
【０１５４】
以上のように、本参考形態の光磁気記録媒体では、再生時において、記録層４の低温部分の磁化が遮断層３’によりマスクされ、高温部分（光ビームスポットの中央部分）の記録層４からの磁束のみが漏洩し、記録信号を再生層１に転写する。このため、記録ビットの間隔が狭くなり再生層１の拡大された磁区の領域内に隣接記録ビットが入ってきた場合にも、その隣接記録ビットからは磁界が発生しないため、再生層１の磁化方向は中央の高温に加熱された部分の記録ビットのみにより決定されるため、良好な再生特性を得ることができる。
【０１５５】
また、この光磁気記録媒体から情報を再生する際、再生層１に作られた磁区を、一旦消去しておくことがスムーズな再生動作につながるため、再生用のレーザービームをパルス発光させれば、レーザーが消光している間に磁区を消滅させるとともに、レーザーが発光している間に媒体温度を上昇させて、再生層に記録層の記録磁区を転写させ信号再生を行うことができ、再生信号品質を高品質とすることができる。
【０１５６】
以下に、本参考形態の具体例について図７に基づいて説明する。ここでは、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。
【０１５７】
本参考形態に係る光磁気ディスクは、図７に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、遮断層３’、記録層４、保護層８、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【０１５８】
このような光磁気ディスクでは、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半導体レーザから出射される光ビーム５が対物レンズにより再生層１に絞り込まれ、極カー効果として知られている光磁気効果によって情報が記録再生されるようになっている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化の向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向になる現象である。
【０１５９】
基板６は、例えばポリカーボネート等の透明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【０１６０】
透明誘電体層７は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ましく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定される必要があり、再生光の波長をλ、透明誘電体層７の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層７の膜厚は（λ／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層７の膜厚を３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
【０１６１】
再生層１は、希土類遷移金属合金、または、希土類金属、または、遷移金属を主成分とする磁性膜であり、その磁気特性が、再生温度近傍において保磁力が小さくなるように組成調整されている。
【０１６２】
非磁性中間層２は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金からなり、再生層１と遮断層３’及び記録層４とが静磁結合すべく、その膜厚が１〜８０ｎｍに設定されている。
【０１６３】
遮断層３’は、希土類遷移金属合金からなる磁性膜である。図６において説明したように、遮断層３’は、室温で希土類金属副格子モーメントが遷移金属副格子モーメントより大きく、室温で記録層４から発生する磁界がマスクされるよう組成調整されている。また、室温からキュリー温度まで常に遷移金属副格子モーメントの方向は後述する記録層４の遷移金属副格子モーメントの方向に従う。つまり、記録層４の遷移金属副格子モーメントの方向によって決められるように、組成調整されている。
【０１６４】
記録層４は、希土類遷移金属合金からなる垂直磁化膜からなり、室温からキュリー温度まで遷移金属副格子モーメントが希土類金属副格子モーメントより大きく、その膜厚が２０〜８０ｎｍの範囲に設定されている。また、記録磁区の面積は、再生時において再生層１に存在する磁区の面積よりも小さく設定されている。
【０１６５】
保護層８は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金からなり、再生層１や記録層４に用いる希土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成されるものであり、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定されている。
【０１６６】
オーバーコート層９は、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するか、または、加熱するかによって形成される。
【０１６７】
以下、本参考形態の具体例について（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再生特性の順に説明する。
【０１６８】
（１）光磁気ディスクの形成方法
上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明する。
【０１６９】
まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットと、ＧｄＤｙＦｅ合金ターゲットと、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板６を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板６にＡｌＮからなる透明誘電体層７を膜厚８０ｎｍで形成した。
【０１７０】
次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層７上に、Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.70からなる再生層１を膜厚４０ｎｍで形成した。その再生層１は、室温において面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有し、その補償温度が３００℃、そのキュリー温度が３２０℃であった。
【０１７１】
次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記再生層１上にＡｌＮからなる非磁性中間層２を膜厚２０ｎｍで形成した。
【０１７２】
次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、ＧｄＤｙＦｅ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.28Ｆｅ0.72からなる遮断層３’を膜厚３０ｎｍで形成した。その遮断層３’は、キュリー温度が１４０℃であり、室温からキュリー温度まで希土類金属リッチの垂直磁化膜であった。
【０１７３】
次に、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記遮断層３’上に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77からなる記録層４を膜厚４０ｎｍで形成した。その記録層４は、キュリー温度が２７５℃であった。
【０１７４】
次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護層８を膜厚２０ｎｍとして形成した。
【０１７５】
次に、上記保護層８上に、紫外線硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射することによりオーバーコート層９を形成した。
【０１７６】
（２）記録再生特性
上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定したＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長依存性を図８に示す。
【０１７７】
比較のため、遮断層３’の存在しない構成の磁区拡大再生光磁気ディスクのＣＮＲのマーク長依存性も比較例１として同図に記載する。上記した光磁気ディスクについての結果を実施例２として記載する。なお、遮断層の存在しない光磁気ディスクの媒体は、本参考形態に記載の媒体構成において、遮断層３’を取り除いた構成である。また、ここで示すＣＮＲのマーク長依存性は、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さの記録磁区ピッチで連続形成した時の信号対雑音比を表すものである。
【０１７８】
マーク長０.３μｍの両者のＣＮＲを比較すると、比較例１の場合に３４.０ｄＢであるのに対して、本実施例２の場合４１.５ｄＢと７.５ｄＢのＣＮＲ増加が観測されている。これは、遮断層３’により、隣接ビットがマスクされ、再生分解能が上がったことによるものである。
【０１７９】
以下に、実施例２における各層の条件を変化させた場合における記録再生特性を示す。
【０１８０】
（ａ）再生層１と遮断層３’の膜厚次に、表１０は、実施例２における再生層１と遮断層３’の膜厚を変えて、０.３μｍでのＣＮＲを測定した結果を示すものである。
【０１８１】
【表１０】
2007188637.tif 000012
【０１８２】
表１０において、遮断層膜厚０ｎｍは、遮断層３’を形成していない比較例１の結果を示している。遮断層３’の膜厚としては、１０ｎｍ以上でマスク効果が現れＣＮＲが上昇して行くが、６０ｎｍ以上になるとＣＮＲは低下する。これは、高温部での漏洩磁界が低下し、記録層４からの磁区転写が起こりにくくなるためと考えられる。以上のことより、比較例１よりも高いＣＮＲの得られる遮断層３’の膜厚は、１０〜６０ｎｍの範囲であることが分かる。
【０１８３】
また、再生層１の膜厚を８ｎｍにすると、再生信号が小さくなり、そのＣＮＲは比較例１よりも低くなってしまう。さらに、再生層１の膜厚を１００ｎｍにすると、磁区の拡大転写が困難となり、そのＣＮＲは比較例１よりも低くなってしまう。以上のことより、比較例１よりも高いＣＮＲの得られる再生層１の膜厚は、１０〜８０ｎｍの範囲であることが分かる。
【０１８４】
（ｂ）非磁性中間層２の膜厚次に、表１１は、実施例２における非磁性中間層２の膜厚を変えて、０．３μｍでのＣＮＲを測定した結果を示すものである。
【０１８５】
【表１１】
2007188637.tif 000013
【０１８６】
表１１からわかるように、非磁性中間層２の膜厚が０.５ｎｍの場合、ＣＮＲが著しく低下していることがわかる。これは、非磁性中間層２の膜厚が薄すぎるため、良好な静磁結合状態が得られなかったことによるものと考えられる。非磁性中間層２の膜厚が１ｎｍの時、最大のＣＮＲが得られ、非磁性中間層２の膜厚が大きくなるにつれて、静磁結合力が小さくなるとともにＣＮＲが低下していくことがわかる。比較例１よりも高いＣＮＲの得るためには、非磁性中間層２の膜厚を１〜８０ｎｍの範囲に設定する必要のあることが分かる。
【０１８７】
さらに、非磁性中間層２の膜厚を厚くすることにより、再生層１と記録層４との静磁結合力が小さくなることにより、消去磁界が小さくなることがわかる。消去磁界を実用的な３１ｋＡ／ｍ以下の範囲にするためには、非磁性中間層２の膜厚を４ｎｍ以上とすることが望ましい。
【０１８８】
（ｃ）遮断層３’のキュリー温度上記においては、遮断層３’としてキュリー温度が１４０℃の（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.28Ｆｅ0.72を用いた場合の記録再生特性を示したが、次に、遮断層３’のＧｄ含有率を変えて記録再生特性を調査した結果を記述する。
【０１８９】
表１２は、遮断層３’を膜厚３０ｎｍの（ＧｄXＤｙ1-X）0.28Ｆｅ0.72として、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、遮断層３’のキュリー温度ＴC3と、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）とを測定した結果を示すものである。
【０１９０】
【表１２】
2007188637.tif 000014
【０１９１】
表１２において、遮断層３’を形成していない比較例１において得られたＣＮＲ（３４.０ｄＢ）よりも高いＣＮＲが得られるのは、０.２０≦Ｘ≦１.００の範囲であることがわかる。
【０１９２】
上記表１２において用いた記録層４は、１４０℃の温度（再生時における加熱温度）で磁化の大きさが最大となる。すなわち、遮断層３’は、１４０℃以下の温度において、記録層からの漏洩磁界をマスクできればよく、遮断層３’のキュリー温度の最適値は、約１４０℃（再生時における加熱温度近傍）ということになる。しかしながら、表１２に示した通り、遮断層３’のキュリー温度が、８０℃以上、２２０℃以下において、比較例１よりも高いＣＮＲが得られており、遮断層３’のキュリー温度を８０℃以上２２０℃以下とすることにより、低温でのマスク効果を得ることが可能となる。
【０１９３】
また、ここでは、遮断層３’として、ＧｄＤｙＦｅを用いた結果について記述しているが、上記キュリー温度範囲（８０℃〜２２０℃）を満足すればよく、他に、ＧｄＤｙＦｅ合金、ＴｂＦｅ合金、ＤｙＦｅ合金、ＧｄＦｅ合金、ＧｄＴｂＦｅ合金、ＤｙＦｅＣｏ合金、ＴｂＦｅＣｏ合金のいずれかを含む合金からなる垂直磁化膜を用いることが可能である。
【０１９４】
（ｄ）遮断層３’の補償温度また、以上では遮断層３’としてキュリー温度が８０℃〜２２０℃のものが望ましいことについて説明したが、補償温度が８０℃〜２２０℃であっても同様に本参考形態の効果（室温における記録層４からの磁界の遮断）を得ることができる。以下に、この具体例を説明する。
【０１９５】
遮断層３’として膜厚３０ｎｍの（Ｇｄ0.8Ｄｙ0.2）0.26Ｆｅ0.74を用いて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで０．３ｎｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を測定した。なお、遮断層３’は補償温度が１４０℃、キュリー温度が２００℃であった。
【０１９６】
この場合ＣＮＲは４１．５ｄＢとなり、上記の実施例２の場合と略同一の特性が得られた。すなわち、遮断層３’が補償温度を持つ場合も、記録層４からの漏洩磁界のマスク効果を得ることができる。補償温度は記録層の磁化が最大となる１４０℃（再生時における加熱温度近傍）に設定することが望ましいが、それ以外でも補償温度が８０℃〜２２０℃以下の温度範囲であれば、マスク効果を得ることが可能である。なお、補償温度が８０℃〜２２０℃であれば、ＧｄＤｙＦｅ以外にも、ＧｄＤｙＦｅ合金、ＴｂＦｅ合金、ＤｙＦｅ合金、ＧｄＦｅ合金、ＧｄＴｂＦｅ合金、ＤｙＦｅＣｏ合金，ＴｂＦｅＣｏ合金のいずれかを含む合金からなる垂直磁化膜を用いることができる。
【０１９７】
（参考形態２）
本発明の参考形態２について図９に基づいて説明すれば以下の通りである。本参考形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。
【０１９８】
本参考形態２に係る光磁気ディスクは、図９に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、記録層４、遮断層３’、保護層８、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【０１９９】
本参考形態２の光磁気ディスクは、参考形態１に記載の光磁気ディスクにおいて、遮断層３’と記録層４の形成順序が逆になった構成を有している。
【０２００】
以下に、本参考形態の具体例について（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再生特性の順に説明する。
【０２０１】
（１）光磁気ディスクの形成方法
本参考形態の光磁気ディスクは、参考形態１記載の光磁気ディスクの形成方法において、遮断層３’と記録層４の形成順序を逆にすることにより形成され、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、保護層８、オーバーコート層９は、実施例２と同様にして形成した。
【０２０２】
（２）記録再生特性
表１３は、本参考形態における再生層１と遮断層３’の膜厚を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を示すものである。
【０２０３】
【表１３】
2007188637.tif 000015
【０２０４】
表１３において、遮断層膜厚０ｎｍは、遮断層３’を形成していない比較例１の結果を示している。また、参考形態１で示した実施例２における記録層４と遮断層３’を単純に入れ替えたものを実施例３として記している。
【０２０５】
遮断層３’の膜厚としては、１０ｎｍ以上でマスク効果が現れＣＮＲが上昇して行くが、１００ｎｍ以上になるとＣＮＲは低下する。これは、マスクの効果が低下し隣接記録信号の影響を受けるためと考えられる。以上のことより、比較例１よりも高いＣＮＲの得られる遮断層３’の膜厚は、１０〜８０ｎｍの範囲であることが分かる。
【０２０６】
また、参考形態１の場合に比較して、光ビーム５の入射の反対側に遮断層が存在するため、マスクの効果が弱くなり相対的にＣＮＲが低くなるが、比較例１より高いＣＮＲを実現するために必要な遮断層３’の膜厚範囲は広くなる。
【０２０７】
尚、（ａ）再生層１の膜厚、（ｂ）非磁性中間層２の膜厚、（ｃ）遮断層３’のキュリー温度、（ｄ）遮断層３’の補償温度については、参考形態１に示したものと同様の結果が得られた。
【０２０８】
（参考形態３）
本発明の参考形態３について図１０に基づいて説明すれば以下の通りである。本参考形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。
【０２０９】
本参考形態３に係る光磁気ディスクは、図１０に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、反射層１０、遮断層３’、記録層４、保護層８、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【０２１０】
参考形態１及び参考形態２においては、再生層１の膜厚が４０ｎｍより小さくなった場合、再生層１を透過した光ビーム５が遮断層３’もしくは記録層４により反射され、再生信号に記録層４の隣接記録ビット信号の情報が混入することになり、再生信号特性が低下してしまうという結果になる。
【０２１１】
本参考形態３の光磁気ディスクは、参考形態１に記載の光磁気ディスクにおいて、非磁性中間層２と遮断層３’との間に、反射層１０が形成された構成を有している。このようにすることにより、再生層１の膜厚が４０ｎｍ以下と薄くなった場合においても、再生層１を透過した光ビーム５は反射層１０により反射され、再生信号に記録層４の隣接記録ビット信号の情報が混入することを防ぐことが可能となり、再生層１による磁区拡大再生をより完全なものとすることができる。
【０２１２】
以下に、本参考形態の光磁気ディスクの具体例について、（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明する。
【０２１３】
（１）光磁気ディスクの形成方法
本参考形態の光磁気ディスクは、参考形態１記載の光磁気ディスクの形成方法において、非磁性中間層２と遮断層３’との間に、Ａｌからなる反射層１０を形成しており、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、遮断層３’、記録層４、保護層８、オーバーコート層９は、実施例２と同様にして、再生層１の膜厚を２５ｎｍとして形成した。
【０２１４】
ここで、Ａｌ反射層１０は、非磁性中間層２を形成した後、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上に、Ａｌからなる反射層１０を膜厚２〜８０ｎｍで形成した。
【０２１５】
（２）記録再生特性
表１４は、上記した本参考形態の反射層１０の膜厚を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を示すものである。
【０２１６】
【表１４】
2007188637.tif 000016
【０２１７】
表１４において、反射層膜厚０ｎｍは、反射層１０を形成していない比較例３の結果を示している。反射層１０の膜厚を２ｎｍと極めて薄くした場合においても、記録層４からの情報再生遮断の効果が見られ、ＣＮＲが０.５ｄＢ上昇する。反射層１０の膜厚を厚くすることにより、ＣＮＲは徐々に大きくなり、該膜厚２０ｎｍでＣＮＲが極大となる。これは、反射層膜厚増加に伴い、記録層４からの情報再生遮断の効果がより顕著になるためである。該膜厚２０ｎｍ以上でＣＮＲが低下しているが、記録層４と再生層１との距離が大きくなることにより、両者間に働く静磁結合力が弱くなることによるものである。以上のことより、比較例３よりも高いＣＮＲの得るためには、反射層１０の膜厚を２〜４０ｎｍの範囲で設定する必要があることがわかる。
【０２１８】
尚、以上においては、反射層１０として、Ａｌを用いた再生特性について記述しているが、反射層１０としては、ＡｌとＡｌ以外の金属との合金を用いてもよい。
【０２１９】
表１５は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ1-XＦｅXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０２２０】
【表１５】
2007188637.tif 000017
【０２２１】
表１５より、Ｆｅ含有量が多くなるにしたがって、すなわち、Ｘが０.１０よりも大きくなるにつれて、ＣＮＲが徐々に小さくなっているが、いずれのＣＮＲも前述の比較例３よりも大きく、反射層１０を形成した効果が見られる。一方、消去磁界を見ると、純粋なＡｌからなる反射層１０を用いた場合、５０ｋＡ／ｍと大きな消去磁界が必要であるのに対して、Ｘを０.０２以上０.５０以下に設定することにより、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０２２２】
次に、表１６は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ1-XＮｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０２２３】
【表１６】
2007188637.tif 000018
【０２２４】
表１６より、Ｆｅを含有した場合と同様に、Ｘを０.０２以上０.５０以下に設定することにより、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０２２５】
Ｆｅ、Ｎｉ以外に、Ｃｏ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ等の磁性金属を同様にしてＡｌに含有させることにより、消去磁界を小さくすることが可能である。
【０２２６】
次に、反射層１０として、Ａｌに非磁性金属元素を含有させた場合の記録特性改善について記述する。
【０２２７】
表１７は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ1-XＴｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０２２８】
【表１７】
2007188637.tif 000019
【０２２９】
表１７より、Ｔｉ含有量が多くなるにしたがって、すなわち、Ｘが０.１０よりも大きくなるにつれて、ＣＮＲが徐々に小さくなっているが、いずれのＣＮＲも比較例３よりも大きく、反射層１０を形成した効果が見られる。一方、消去磁界を見ると、純粋なＡｌからなる反射層１０を用いた場合、５０ｋＡ／ｍと大きな消去磁界が必要であるのに対して、Ｘを０.０２以上０.９８以下に設定することにより、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０２３０】
次に、表１８は、反射層１０として、Ｔｉ以外の非磁性元素をＡｌに含有した場合の消去磁界低減効果について示すものであり、反射層１０をＡｌ0.5Ｚ0.5として、ＺをＴｉ以外の非磁性金属を用いた場合における、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０２３１】
【表１８】
2007188637.tif 000020
【０２３２】
表１８より、Ｚとして非磁性金属であるＴａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉを用いた場合において、いずれのＣＮＲも前述の比較例３よりも大きく、反射層１０を形成した効果が見られる。一方、消去磁界を見ると、ＡｌにＴｉを含有させた場合と同様に、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０２３３】
なお、ここでは、参考形態１に記載の光磁気ディスクに反射層を適用した場合について記したが、参考形態２に適用しても同様の結果が得られることは言うまでもない。
【０２３４】
尚、（ａ）再生層，遮断層の膜厚、（ｃ）遮断層３’のキュリー温度、（ｄ）遮断層３’の補償温度については、参考形態１，２に示したものと同様の結果が得られた。
【０２３５】
（参考形態４）
本発明の参考形態４について図１１に基づいて説明すれば以下の通りである。本参考形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。
【０２３６】
本参考形態４に係る光磁気ディスクは、図１１に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、遮断層３’、記録層４、保護層８、放熱層１１０、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【０２３７】
本参考形態４の光磁気ディスクは、参考形態１に記載の光磁気ディスクにおいて、保護層８とオーバーコート層９との間に放熱層１１０を形成した構成を有している。
【０２３８】
以下に、本参考形態の具体例について（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再生特性を説明する。
【０２３９】
（１）光磁気ディスクの形成方法
本参考形態の光磁気ディスクは、実施例２記載の光磁気ディスクの形成方法において、保護層８とオーバーコート層９との間に、Ａｌからなる放熱層１１０を形成しており、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、遮断層３’、記録層４、保護層８、オーバーコート層９は、参考形態１に記載した方法と同様にして、保護層８の膜厚を５ｎｍとして形成した。
【０２４０】
ここで、Ａｌの放熱層１１０は、記録層４を形成した後、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記記録層４上に、Ａｌからなる放熱層１１０を膜厚２０ｎｍで形成した。
【０２４１】
（２）記録再生特性
波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を測定した結果、ＣＮＲは４２．５ｄＢとなり実施例２の場合と比べさらに１ｄＢ良くなった。
【０２４２】
本参考形態のように、熱伝導率の高いＡｌからなる放熱層１１０があれば、横方向への熱の広がりを放熱層側つまり層の厚さ方向へ逃がすことができ、横方向への熱の広がりを低減させることができる。したがって、光ビーム内の温度分布がより急峻となり、遮断層による再生層における記録層からの磁界のマスク効果を強調することが可能となり、再生特性をさらに向上することができる。
【０２４３】
放熱層１１０の材料であるＡｌは、再生層１、記録層４に用いられる希土類遷移金属合金膜よりもその熱伝導率が高く、放熱層に適した材料である。また、非常に安価な材料でもある。
【０２４４】
放熱層１１０の材料としては、上記例のＡｌ以外にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＳＵＳ、Ｔａ、Ｃｒ等の再生層、記録層より熱伝導率が大きい材料であればよい。
【０２４５】
Ａｕを用いれば、耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に優れているので、長期信頼性を向上させることができる。
【０２４６】
Ａｇを用いれば、耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に優れているので、長期信頼性を向上させることができる。
【０２４７】
Ｃｕを用いれば、耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に優れているので、長期信頼性を向上させることができる。
【０２４８】
また、ＳＵＳまたはＴａまたはＣｒを用いれば、これらの材料は極めて耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に優れているので、より長期信頼性に優れた光磁気ディスクを提供することができる。
【０２４９】
尚、本参考形態では、放熱層１１０の膜厚を２０ｎｍとしたが、厚くするほど放熱効果は高くなり、加えて、長期信頼性も向上する。しかしながら、光磁気ディスクの記録感度にも影響を及ぼすため、材料の熱伝導率、比熱に応じた膜厚の設定が必要であり、５〜２００ｎｍの範囲が良い。とりわけ、１０〜１００ｎｍが好適である。熱伝導率が比較的高く、耐食性に優れた材料であれば、膜厚は１０〜１００ｎｍ程度と薄くて済み、膜形成に要する時間も短縮することができる。
【０２５０】
なお、ここでは、参考形態１に記載の光磁気ディスクに放射層を適用した場合について記したが、実施の形態１〜６，参考形態２，３及び後述する参考形態５〜９に適用しても同様の結果が得られることは言うまでもない。
【０２５１】
尚、参考形態４における（ａ）再生層１、遮断層３’の膜厚、（ｂ）非磁性中間層２の膜厚、（ｃ）遮断層３’のキュリー温度、（ｄ）遮断層３’の補償温度、（ｅ）反射層の膜厚、材料については、参考形態１〜３に示したものと同様の結果が得られた。
【０２５２】
また、上記した参考形態１〜３では、再生層として室温で面内磁化状態であり、高温で垂直磁化状態となる磁性層を用いているが、少なくとも信号再生領域（再生時に所定温度以上に加熱された領域）で垂直磁化状態となるものであれば使用することができる。
【０２５３】
（参考形態５）
以下、本発明の参考形態５を図面を用いて詳細に説明する。
【０２５４】
図１２に本参考形態の磁区拡大再生原理を示す。
【０２５５】
本参考形態の光磁気記録媒体においては、再生層１と記録層４の間に再生層１と静磁結合する転写層３”（請求項における磁気マスク層）が設けられている。転写層３”は室温で面内磁化を示し、所定温度以上で垂直磁化を示すようになっている。そして転写層３”により記録層４内の上記所定温度（以下、臨界温度と記す）以上に加熱されていない部分１１からの磁化をマスクする。すなわち、転写層３”により、記録層４の上記部分１１からの磁化が再生層１に伝わることを防止する。
【０２５６】
一方、臨界温度以上の部分では転写層３”は垂直磁化を示すのでマスクをはずすことが可能となり、目的とする記録層４の臨界温度以上の範囲のみの情報を再生することが可能となる。
【０２５７】
従って、再生時における転写層３”の加熱温度を、転写層３”により記録層４内の１つの記録ビットからの磁束のみを漏洩させ、他の記録ビットからの磁束をマスクするように設定すれば、記録ビットの間隔が狭くなっても、隣接ビット１１の影響が抑えられ、１つの記録ビットの情報のみを再生層１に転写することが可能となり、良好な再生特性を得ることができる。
【０２５８】
ここで、転写層３”は、上記臨界温度以上の範囲における記録層４と再生層１の静磁結合を有効に働かせるため、臨界温度以上の温度にキュリー温度がある必要がある。さらに、記録層４のキュリー温度より低く設定することにより記録時に磁気的な影響を与えることがないため安定した記録が行える。
【０２５９】
また再生層１は、レーザービームで再生される際、磁区の大きさが大きい方が信号量が増え、ノイズの原因が少なくなるため、好ましい。また記録層４からの磁界に応じて、磁壁が動く必要があり、保持力の小さい特性が有利である。
【０２６０】
また、この光磁気記録媒体から情報を再生する際、再生層１に作られた磁区を、一旦消去していくことが、スムーズな再生動作につながるため、再生用のレーザービームをパルス発光させることが望ましい。このようにすれば、レーザーが消光している間に磁区を消滅させるとともに、レーザーが発光している間に媒体温度を上昇させて、再生層１に記録層４の記録磁区を転写させ信号再生を行うことができ、再生信号品質をより高品質とすることができる。
【０２６１】
以下に、本参考形態の具体例について図１３に基づいて説明する。ここでは、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。
【０２６２】
本参考形態に係る光磁気ディスクは、図１３に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、転写層３”、記録層４、保護層８、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【０２６３】
このような光磁気ディスクでは、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半導体レーザから出射される光ビーム５が対物レンズにより再生層１に絞り込まれ、極カー効果として知られている光磁気効果によって情報が記録再生されるようになっている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化により、反射光の偏光面の回転の向きが回転する現象で、磁化の向きで回転方向が変わる現象である。
【０２６４】
基板６は、例えばポリカーボネート等の透明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【０２６５】
透明誘電体層７は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＯ2等の屈折率の大きな材料で構成されることが望ましく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定される必要があり、再生光の波長をλ、透明誘電体層７の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層７の膜厚は（λ／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層７の膜厚を３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
【０２６６】
再生層１は、希土類遷移金属合金からなる磁性膜であり、その磁気特性が、室温において面内磁化状態であり、温度上昇にともない補償組成に近づき、トータルの磁化が小さくなり、反磁界の効果が弱くなって、垂直磁化状態となるように組成調整されている。
【０２６７】
非磁性中間層２は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の誘電体の１層、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金の１層、または誘電体と金属の２層からなり、再生層１と記録層４とが静磁結合すべく設定されている。
【０２６８】
転写層３”は、希土類遷移金属合金、または、希土類金属、または、遷移金属を主成分とす磁性膜であり、室温では面内磁化を示し、所定温度（臨界温度）以上で垂直磁化を示す特性を持つ。図１２において説明したように、転写層３”は、臨界温度以下の温度で記録層４の垂直磁化から発生する磁界を面内磁化でマスクし、再生層１への磁界を防ぐ。臨界温度以上においては、垂直磁化を示すためマスク効果を失い、記録層４から発生する磁界が再生層へ透過しやすくなるように、組成調整されている。
【０２６９】
記録層４は、希土類遷移金属合金からなる垂直磁化膜からなり、その膜厚が、２０〜８０ｎｍの範囲に設定されている。
【０２７０】
保護層８は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＳｉＣ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金からなり、再生層１や記録層４に用いる希土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成されるものであり、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定されている。
【０２７１】
オーバーコート層９は、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するか、または、加熱するかによって形成される。
【０２７２】
以下、本参考形態の光磁気ディスクの具体例について（１）形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明する。
【０２７３】
（１）形成方法
上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明する。
【０２７４】
まず、Ａｌターゲットと、再生層１と転写層３”に対応する２種類のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットと、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板６を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板６にＡｌＮからなる透明誘電体層７を膜厚８０ｎｍで形成した。
【０２７５】
次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層７上に、Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.70からなる再生層１を膜厚４０ｎｍで形成した。
【０２７６】
その再生層１は、室温において面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有し、その補償温度が３００℃、そのキュリー温度が３２０℃であった。
【０２７７】
次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、再生層１上にＡｌＮからなる非磁性中間層２を膜厚２０ｎｍで形成した。
【０２７８】
次に、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上に、Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15）0.70からなる転写層３”を膜厚２０ｎｍで形成した。その転写層３”は、室温において面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有し、そのキュリー温度が２５０℃であった。
【０２７９】
次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記転写層３”上に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77からなる記録層４を膜厚４０ｎｍで形成した。その記録層４は、２５℃に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であった。
【０２８０】
次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護層８を膜厚２０ｎｍとして形成した。
【０２８１】
次に、上記保護層８上に、紫外線硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射することによりオーバーコート層９を形成した。
【０２８２】
（２）記録再生特性
上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定したＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長依存性を図１４に示す。この図において、上記した本参考形態の光磁気ディスクを実施例４として記している。
【０２８３】
また、比較のため、転写層３”の存在しない構成の光磁気ディスクのＣＮＲのマーク長依存性も比較例１として同図に記載する。なお、転写層３”の存在しない光磁気ディスクの媒体は、本実施例記載の媒体構成において、転写層３”を取り除いた構成である。また、ここで示すＣＮＲのマーク長依存性は、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さの記録磁区ピッチで連続形成した時の信号対雑音比を表すものである。
【０２８４】
マーク長０.３μｍの両者のＣＮＲを比較すると、比較例１の場合に３４.０ｄＢであるのに対して、本実施例４の場合４１.０ｄＢと７.０ｄＢのＣＮＲ増加が観測されている。これは、転写層３”により、記録層４に対する磁化マスクが効き、再生分解能が上がったことによるものである。
【０２８５】
次に、表１９は、上記実施例４における再生層１と転写層３”の膜厚を変えて、０.３μｍでのＣＮＲを測定した結果を示すものである。
【０２８６】
【表１９】
2007188637.tif 000021
【０２８７】
表１９において、転写層膜厚０ｎｍは、転写層３”を形成していない比較例１の結果を示している。転写層３”の膜厚を２ｎｍと極めて薄くした場合においても、面内磁化マスクの強化が実現することにより、ＣＮＲが１．５ｄＢ上昇する。転写層３”の膜厚としては、３０ｎｍまで面内磁化マスクの強化が実現することにより、ＣＮＲが上昇して行くが、それ以上厚くするとＣＮＲは低下する。これは、記録層と再生層の間が離れてしまうことと、面内磁化マスクが強化され過ぎ、磁気的なアパーチャーが開きにくくなっている影響を受けて、再生層の完全な垂直磁化状態が得られなくなることによるものであると考えられる。ここで、表１９より、比較例１よりも高いＣＮＲの得られる転写層３”の膜厚は、２〜４０ｎｍの範囲であることが分かる。
【０２８８】
また、再生層１の膜厚を８ｎｍにすると、再生信号が小さくなり、そのＣＮＲは比較例１よりも低くなってしまう。さらに、再生層１の膜厚を１２０ｎｍにすると、再生層１に発生する磁壁エネルギーが増加し、温度上昇した部分において完全な垂直磁化状態が得られなくなり、そのＣＮＲは比較例１よりも低くなってしまう。表１９より、比較例１よりも高いＣＮＲの得られる再生層１の膜厚は、１０〜８０ｎｍの範囲であることが分かる。
【０２８９】
次に、表２０は、実施例４における非磁性中間層２の膜厚を変えて、０．３μｍでのＣＮＲ、及び、消去に必要な磁界（消去磁界）を測定した結果を示すものである。
【０２９０】
【表２０】
2007188637.tif 000022
【０２９１】
表２０からわかるように、非磁性中間層２の膜厚が０.５ｎｍの場合、ＣＮＲが著しく低下していることがわかる。これは、非磁性中間層２の膜厚が薄すぎるため、良好な静磁結合状態が得られなかったことによるものと考えられる。非磁性中間層２の膜厚が１ｎｍの時、最大のＣＮＲが得られ、非磁性中間層２の膜厚が大きくなるにつれて、静磁結合力が小さくなるとともにＣＮＲが低下していくことがわかる。比較例１よりも高いＣＮＲの得るためには、非磁性中間層２の膜厚を１〜８０ｎｍの範囲に設定する必要のあることが分かる。
【０２９２】
さらに、非磁性中間層２の膜厚を厚くすることにより、再生層１と記録層４との静磁結合力が小さくなることにより、消去磁界が小さくなることがわかる。消去磁界を実用的な３１ｋＡ／ｍ以下の範囲にするためには、非磁性中間層２の膜厚を４ｎｍ以上とすることが望ましい。
【０２９３】
（参考形態６）
本参考形態では、上記した参考形態５で示した光磁気ディスクの具体例において、転写層３”として異なる組成のものを用いた例について説明する。
【０２９４】
参考形態６においては、転写層３”として面内磁化から垂直磁化へ移行する温度（以下Ｔtransとする。）が１２０℃のＧｄ0.30（Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15）0.70を用いた場合の記録再生特性を示したが、本参考形態においては、転写層３”の組成を変えて記録再生特性を調査した結果を記述する。
【０２９５】
表２１は、転写層３”を膜厚３０ｎｍのＧｄX（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）1-Xとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、転写層３”のＴtransと、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）とを測定した結果を示すものである。
【０２９６】
【表２１】
2007188637.tif 000023
【０２９７】
表２１において、転写層３”を形成していない比較例１において得られたＣＮＲ（３４.０ｄＢ）よりも高いＣＮＲが得られるのは、０.２２≦Ｘ≦０．３５の範囲であることがわかる。本参考形態において用いた再生層１は、実施例４と同じものであり、１２０℃の温度で垂直磁化状態となる。すなわち、転写層３”は、１２０℃以下の温度において、再生層１の面内磁化マスクを強調することができればよい。ただし、あまりＴtransが低すぎるとマスク効果が薄れるため好ましくはＸ≧０．２２である。また、Ｔtransが高すぎるとある程度は再生層１に転写できるが、あまりにも高すぎると十分に再生層１に記録情報を転写できなくなる。従って、転写層３”は再生層１が垂直磁化膜になる温度より高温で垂直磁化になるとマスク状態が維持されたままになる。したがって、再生温度で垂直磁化になっていることが望ましい。
【０２９８】
また、参考形態５及び６において、転写層３”としては、Ｔtransが上記の条件を満たせればよいが、キュリー温度を記録層のキュリー温度以下に設定することにより、記録時に磁気的な影響を与えなくなるので安定した記録が行える。また、参考形態５，６ではＧｄＦｅＣｏを用いた結果について記述しているが、Ｔtransが上記の条件を満たせればよく、他に、ＧｄＮｄＦｅ、ＧｄＮｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＦｅ等からなる転写層３”を用いることが可能である。
【０２９９】
尚、再生層１、転写層の膜厚、非磁性中間層２の膜厚については参考形態５と同様の結果が得られた。
【０３００】
（参考形態７）
本発明の参考形態７について図１５に基づいて説明すれば以下の通りである。本参考形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。但し、参考形態５〜６と同一部分については説明を省略する。
【０３０１】
本参考形態７に係る光磁気ディスクは、図１５に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、反射層１０、転写層３”、記録層４、保護層８、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【０３０２】
参考形態５においては、転写層３”の膜厚が１０ｎｍより小さくなった場合、再生層１と非磁性中間層２とを透過した光ビーム５が記録層４により反射され、再生信号に記録層４の情報が混入することになり、再生層１と転写層３”の面内磁化によるマスクの効果が低下してしまうという結果になる。
【０３０３】
本参考形態７の光磁気ディスクは、参考形態５に記載の光磁気ディスクにおいて、非磁性中間層２と転写層３”との間に、反射層１０が形成された構成を有している。このようにすることにより、再生層１を透過した光ビーム５は反射層１０により反射され、再生信号に記録層４の情報が混入することを防ぐことが可能となる。
【０３０４】
以下、本参考形態の光磁気ディスクの具体例について（１）形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明する。
【０３０５】
（１）形成方法
本参考形態の光磁気ディスクは、参考形態５の光磁気ディスクの形成方法において、非磁性中間層２と転写層３”との間に、Ａｌからなる反射層１０を形成しており、基板６、透明誘電体層７、再生層１、非磁性中間層２、転写層３”、記録層４、保護層８、オーバーコート層９は、実施例４と同様にして、再生層１の膜厚を２５ｎｍとし、転写層３”の膜厚を２０ｎｍとして形成した。
【０３０６】
ここで、Ａｌ反射層１０は、非磁性中間層２を形成した後、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上に、Ａｌからなる反射層１０を膜厚２〜８０ｎｍで形成した。
【０３０７】
（２）記録再生特性
表２２は、実施例３における反射層１０の膜厚を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を示すものである。
【０３０８】
【表２２】
2007188637.tif 000024
【０３０９】
表２２において、反射層膜厚０ｎｍは、反射層１０を形成していない比較例４の結果を示している。反射層１０の膜厚を２ｎｍと極めて薄くした場合においても、記録層４からの情報再生遮断の効果が見られ、ＣＮＲが１.０ｄＢ上昇する。反射層１０の膜厚を厚くすることにより、ＣＮＲは徐々に大きくなり、該膜厚２０ｎｍでＣＮＲが極大となる。これは、反射層膜厚増加に伴い、記録層４からの情報再生遮断の効果がより顕著になるためである。該膜厚３０ｎｍ以上でＣＮＲが低下しているが、記録層４と再生層１との距離が大きくなることにより、両者間に働く静磁結合力が弱くなることによるものである。以上のことより、比較例４よりも高いＣＮＲの得るためには、反射層１０の膜厚を２〜５０ｎｍの範囲で設定する必要があることがわかる。
【０３１０】
（参考形態８）
参考形態７においては、反射層１０として、Ａｌを用いた再生特性について記述しているが、本参考形態においては、その記録特性を改善すべく、反射層１０として、ＡｌとＡｌ以外の金属との合金を用いた結果について記述する。
【０３１１】
表２３は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ1-XＦｅXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０３１２】
【表２３】
2007188637.tif 000025
【０３１３】
表２３より、Ｆｅ含有量が多くなるにしたがって、すなわち、Ｘが０.１０よりも大きくなるにつれて、ＣＮＲが徐々に小さくなっているが、いずれのＣＮＲも比較例４よりも大きく、反射層１０を形成した効果が見られる。一方、消去磁界を見ると、純粋なＡｌからなる反射層１０を用いた場合、５０ｋＡ／ｍと大きな消去磁界が必要であるのに対して、Ｘを０.０２以上０.５０以下に設定することにより、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０３１４】
次に、表２４は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ1-XＮｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０３１５】
【表２４】
2007188637.tif 000026
【０３１６】
表２４より、Ｆｅを含有した場合と同様に、Ｘを０.０２以上０.５０以下に設定することにより、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０３１７】
Ｆｅ、Ｎｉ以外に、Ｃｏ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ等の磁性金属を同様にしてＡｌに含有させることにより、消去磁界を小さくすることが可能である。
【０３１８】
（参考形態９）
本参考形態では、参考形態７の具体例における反射層１０として更に異なる材料のものを用いた場合について説明する。
【０３１９】
参考形態８においては、反射層１０として、Ａｌに磁性金属元素を含有させた結果について記述しているが、本参考形態においては、Ａｌに非磁性金属元素を含有させた場合の記録特性改善について記述する。
【０３２０】
表２５は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ1-XＴｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ比）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０３２１】
【表２５】
2007188637.tif 000027
【０３２２】
表２５より、Ｔｉ含有量が多くなるにしたがって、すなわち、Ｘが０.１０よりも大きくなるにつれて、ＣＮＲが徐々に小さくなっているが、いずれのＣＮＲも比較例４よりも大きく、反射層１０を形成した効果が見られる。一方、消去磁界を見ると、純粋なＡｌからなる反射層１０を用いた場合、５０ｋＡ／ｍと大きな消去磁界が必要であるのに対して、Ｘを０.０２以上０.９８以下に設定することにより、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０３２３】
次に、表２６は、反射層１０として、Ｔｉ以外の非磁性元素をＡｌに含有した場合の消去磁界低減効果について示すものであり、反射層１０をＡｌ0.5Ｚ0.5として、ＺをＴｉ以外の非磁性金属を用いた場合における、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁界の大きさを示している。
【０３２４】
【表２６】
2007188637.tif 000028
【０３２５】
表２６より、Ｚとして非磁性金属であるＴａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉを用いた場合において、いずれのＣＮＲも比較例４よりも大きく、反射層１０を形成した効果が見られる。一方、消去磁界を見ると、ＡｌにＴｉを含有させた場合と同様に、消去磁界を小さくすることが可能であった。
【０３２６】
尚、参考形態７〜９においても、再生層１、転写層の膜厚、非磁性中間層２の膜厚については参考形態５，６と同様の結果が得られた。
【０３２７】
以上の参考形態５〜９では再生層１として室温で面内磁化状態であり高温状態で垂直磁化状態となる磁性層を用いているが、少なくとも信号再生領域（再生時に所定温度（再生温度）以上に加熱された領域）で垂直磁化状態となるものであれば使用することができる。
【０３２８】
また、参考形態５〜９では転写層３”は記録層４に隣接していたが、記録層４に静磁結合しているものであってもよい（参考形態１０参照）。転写層３”と記録層４の間に非磁性中間層を設けることにより、マスク効果を高めることができる。
【０３２９】
また、以上説明した実施の形態１〜６、及び参考形態１〜９において、記録層４と保護層８の間に記録補助層を設けても良い。例えば、記録補助層を垂直磁化を示し記録層よりキュリー温度が高く、記録層より低磁界で磁化反転する材料を用いる。この場合、まず記録時に記録補助層の磁化を反転させ、交換結合力により記録層の磁化を反転させることでより低磁界で記録可能となる。
【０３３０】
また、実施の形態１〜６、及び参考形態１〜９において、再生層１としてＣｏとＰｔの積層膜を使用してもよい。例えば、０．４ｎｍのＣｏ層と０．９ｎｍのＰｔ層を交互に合計３０層積層したものが使用できる（合計膜厚は１９．５ｎｍであり、キュリー温度は３００℃）。このように、ＣｏとＰｔの積層膜を用いれば、短波長光を使用する際にカー回転角を大きくすることができ、さらに再生信号品質を向上することができる。
【０３３１】
（実施の形態７）
本発明の実施の形態について図１７に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。
【０３３２】
図１７に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、第１非磁性中間層２０、面内磁化層３、第２非磁性中間層３０、記録層４、保護層８、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク本体を有している。第２非磁性中間層３０以外の各層の基本的な特性は上述した実施の形態１〜６で述べたものと同一である。
【０３３３】
また、第２非磁性中間層３０は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＳｉＯ2等の誘電体の１層、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金の１層、または上記誘電体と上記金属の２層以上の組み合わせからなり、面内磁化層３と記録層４とが静磁結合するように設定されている。
【０３３４】
以下、上記構成の光磁気ディスクの具体例について（１）形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明する。
【０３３５】
（１）形成方法
形成方法は、これまでに上述した形成方法と略同一であり、異なる箇所のみを記載する。透明誘電体層７、再生層１、第１非磁性中間層２０、面内磁化層３の形成方法はこれまでの実施の形態と同一である。第２非磁性中間層３０の形成方法は次の通りである。
【０３３６】
面内磁化層３を形成後、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで排気し、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、面内磁化層３上にＡｌＮからなる第２非磁性中間層３０を形成した。
【０３３７】
続けて、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、上述した実施の形態と同様に、第２非磁性中間層３０上に記録層４、ＡｌＮからなる保護層８を形成した。
【０３３８】
次に、上記保護層８上に、紫外線硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射することによりオーバーコート層９を形成した。
【０３３９】
（２）記録再生特性
上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した。表２７は、第２非磁性中間層３０の膜厚を変えて、０．３μｍでのＣＮＲを測定した結果を示すものである。
【０３４０】
【表２７】
2007188637.tif 000029
【０３４１】
表２７において、第２非磁性中間層３０の膜厚０ｎｍは、第２非磁性中間層３０を形成していない場合の結果を示している。ここから分かるように、第２非磁性中間層３０を膜厚８０ｎｍまで設けることにより、高いＣＮＲが得られている。
【０３４２】
これについて以下に説明する。第２非磁性中間層３０を設けない場合、面内磁化層３の磁化は、記録層４からの交換結合力により、磁化が垂直方向に向きやすい状態になっている。再生時に温度上昇した場合、面内磁化層３の磁化が小さくなると、記録層４からの交換結合力により、面内磁化層３の磁化は垂直方向に向く。このため、所定温度以下のマスク層として働く領域でも、記録層４からの磁化が再生層１に漏洩されてしまう。
【０３４３】
これに対して、第２非磁性中間層３０を設けた場合、面内磁化層３と記録層４は交換結合することはない。従って、再生時に温度上昇しても、所定温度以下の領域では面内磁化層３の磁化は面内方向を向いたままである。このため、所定温度以下の領域でマスク効果をさらに得ることができる。
【０３４４】
ただし、第２非磁性中間層３０の膜厚をあまり厚くしすぎると再生層１との静磁結合力が弱くなり、記録層４の情報が再生層１に転写されなくなってしまう。従って、第２非磁性中間層３０の膜厚としては、２ｎｍ以上８０ｎｍ以下が望ましい。
【０３４５】
また、第２非磁性中間層３０としては、面内磁化層３と記録層４の交換結合力を遮断するものであれば何でも良いが、透明誘電体層７または第１非磁性中間層２０のいずれか或いは両方と同一にすれば（例えば本実施の形態のようにＡｌＮに統一すれば）、製造工程が簡単にできる。
【０３４６】
（参考形態１０）
本発明の参考形態について図１７に基づいて説明すれば以下の通りである。本参考形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について説明する。
【０３４７】
図１７に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、第１非磁性中間層２０、転写層３”、第２非磁性中間層３０、記録層４、保護層８、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【０３４８】
第２非磁性中間層以外の各層の基本的な特性は上述した参考形態５〜９で述べたものと同一である。
【０３４９】
また、第２非磁性中間層３０は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＳｉＯ2等の誘電体の１層、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金の１層、または上記誘電体と上記金属の２層以上の組み合わせからなり、転写層３”と記録層４とが静磁結合するように設定されている。
【０３５０】
以下、上記構成の光磁気ディスクの具体例について（１）形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明する。
【０３５１】
（１）形成方法
形成方法は、上述した形成方法と略同一であり、異なる所のみを記載する。透明誘電体層７、再生層１、第１非磁性中間層２０、転写層３”の形成方法はこれまでの参考形態と同一である。第２非磁性中間層３０の形成方法は次の通りである。
【０３５２】
転写層３”を形成後、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで排気し、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、転写層３”上にＡｌＮからなる第２非磁性中間層３０を形成した。
【０３５３】
続けて、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、上述した参考形態と同様に、第２非磁性中間層３０上に記録層４、ＡｌＮからなる保護層８を形成した。次に、上記保護層８上に、紫外線硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射することによりオーバーコート層９を形成した。
【０３５４】
（２）記録再生特性
上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した。表２８は、第２非磁性中間層３０の膜厚を変えて、０．３μｍでのＣＮＲを測定した結果を示すものである。
【０３５５】
【表２８】
2007188637.tif 000030
【０３５６】
表２８において、第２非磁性中間層３０の膜厚０ｎｍは、第２非磁性中間層３０を形成していない場合の結果を示している。この表から分かるように、第２非磁性中間層３０を膜厚８０ｎｍまで設けることにより、高いＣＮＲが得られている。
【０３５７】
これについて以下に説明する。第２非磁性中間層３０を設けない場合、転写層３”の磁化は、記録層４からの交換結合力により、磁化が垂直方向に向きやすい状態になっている。再生時に温度上昇した場合、転写層３”の磁化が小さくなると、記録層４からの交換結合力により、転写層３”の磁化は垂直方向に向く。このため、所定温度以下のマスク層として働く領域でも、記録層４からの磁化が再生層１に漏洩されてしまう。
【０３５８】
これに対して、第２非磁性中間層３０を設けた場合、転写層３”と記録層４は交換結合することはない。従って、再生時に温度上昇しても転写層３”の磁化は面内方向を向いたままであり、所定温度以上で垂直磁化へ移行する。このため、所定温度以下の領域でマスク効果をさらに得ることができる。
【０３５９】
ただし、第２非磁性中間層３０の膜厚をあまり厚くしすぎると再生層１との静磁結合力が弱くなり、記録層４の情報が再生層１に転写されなくなってしまう。従って、第２非磁性中間層３０の膜厚としては、２ｎｍ以上８０ｎｍ以下が望ましい。
【０３６０】
また、第２非磁性中間層３０としては、転写層３”と記録層４の交換結合力を遮断するものであれば、何でも良いが、透明誘電体層７または第１非磁性中間層２０のいずれか或いは両方と同一にすれば（例えば本参考形態のようにＡｌＮに統一すれば）、製造工程が簡単にできる。
【図面の簡単な説明】
【０３６１】
【図１】本発明の実施の形態１〜６に係る光磁気ディスクの再生原理を説明する図である。
【図２】従来の光磁気ディスクを説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る光磁気ディスクの膜構成を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る光磁気ディスクの記録再生特性を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態４に係る光磁気ディスクの膜構成を示す図である。
【図６】本発明の参考形態１〜４に係る光磁気ディスクの再生原理を説明する図である。
【図７】本発明の参考形態１に係る光磁気ディスクの膜構成を示す図である。
【図８】本発明の参考形態１に係る光磁気ディスクの記録再生特性を示す図である。
【図９】本発明の参考形態２に係る光磁気ディスクの膜構成を示す図である。
【図１０】本発明の参考形態３に係る光磁気ディスクの膜構成を示す図である。
【図１１】本発明の参考形態４に係る光磁気ディスクの膜構成を示す図である。
【図１２】本発明の参考形態５〜９に係る光磁気ディスクの再生原理を説明する図である。
【図１３】本発明の参考形態５に係る光磁気ディスクの膜構成を示す図である。
【図１４】本発明の参考形態５に係る光磁気ディスクの記録再生特性を示す図である。
【図１５】本発明の参考形態７に係る光磁気ディスクの膜構成を示す図である。
【図１６】従来の超解像記録媒体の再生原理を説明する図である。
【図１７】本発明の実施の形態７，参考形態１０に係る光磁気ディスクの膜構成を示す図である。
【符号の説明】
【０３６２】
１    再生層
２    非磁性中間層
３    面内磁化層
３’  遮断層
３”  転写層
４    記録層
５    光ビーム
６    基板
７    透明誘電体層
８    保護層
９    オーバーコート層
１０    反射層
２０    第１非磁性中間層
３０    第２非磁性中間層
１１０    放熱層
【図１】
2007188637.tif 000031
【図２】
2007188637.tif 000032
【図３】
2007188637.tif 000033
【図４】
2007188637.tif 000034
【図５】
2007188637.tif 000035
【図６】
2007188637.tif 000036
【図７】
2007188637.tif 000037
【図８】
2007188637.tif 000038
【図９】
2007188637.tif 000039
【図１０】
2007188637.tif 000040
【図１１】
2007188637.tif 000041
【図１２】
2007188637.tif 000042
【図１３】
2007188637.tif 000043
【図１４】
2007188637.tif 000044
【図１５】
2007188637.tif 000045
【図１６】
2007188637.tif 000046
【図１７】
2007188637.tif 000047