(57)【要約】【課題】比表面積の大きい導電体粉末を使用した場合であっても、導電体粉末の反応性を抑制し、焼成前内部電極膜の乾燥密度を高めることが可能であり、その結果、積層セラミックコンデンサなどの電子部品の内部電極層を薄層化できる導電体ペーストを提供すること。【解決手段】Ｎｉを主成分とする導電体粉末を有する導電体ペーストであって、ＢＥＴ法により測定される前記導電体粉末の比表面積が、３ｍ２／ｇより大きく、９ｍ２／ｇ以下であり、ＳＥＭ観察により得られる前記導電体粉末の平均粒子径であるＳＥＭ径と、前記導電体粉末が真球であると仮定した場合に、ＢＥＴ法により測定される前記比表面積より算出されるＢＥＴ径とが、１≦ＳＥＭ径／ＢＥＴ径≦１．２５の関係にある。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉを主成分とする導電体粉末を有する導電体ペーストであって、
ＢＥＴ法により測定される前記導電体粉末の比表面積値が、３ｍ２／ｇより大きく、９ｍ２／ｇ以下であり、
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察により得られる前記導電体粉末の平均粒子径であるＳＥＭ径と、
前記導電体粉末が真球であると仮定した場合に、ＢＥＴ法により測定される前記比表面積値より算出されるＢＥＴ径と、が、
１≦（ＳＥＭ径／ＢＥＴ径）≦１．２５
の関係にあることを特徴とする導電体ペースト。
【請求項２】
前記ＳＥＭ径が、０．０８〜０．２５μｍである請求項１に記載の導電体ペースト。
【請求項３】
請求項１または２に記載の導電体ペーストを用いて形成された内部電極層と、誘電体層とを有する電子部品。
【請求項４】
前記内部電極層の厚みが、０．７μｍ以下である請求項３に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、焼成後の内部電極層を薄層化できる導電体ペーストと、前記導電体ペーストを用いて形成された内部電極層を有する積層セラミックコンデンサなどの電子部品とに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とが交互に複数積層された構造の素子本体と、該素子本体の両端部に形成された一対の外部端子電極とで構成される。この積層セラミックコンデンサは、まず、焼成前誘電体層（セラミックグリーンシート）と焼成前内部電極層（所定パターンの電極層用導電体ペースト）とを必要枚数だけ交互に重ねて焼成前素子本体を製造し、次に、これを焼成した後、焼成後素子本体の両端部に一対の外部端子電極を形成して製造される。
【０００３】
積層セラミックコンデンサの製造に際しては、焼成前誘電体層と焼成前内部電極層とを同時に焼成するため、焼成前内部電極層に含まれる導電材料には、焼成前誘電体層に含まれる誘電体原料粉末の焼結温度に近い焼結温度を持つこと、誘電体原料粉末と反応しないこと、焼成後誘電体層に拡散しないこと、などが要求される。
【０００４】
これらの要求を満足させるために、焼成前内部電極層に含まれる導電材料には、従来はＰｔやＰｄなどの貴金属が使用されていた。しかしながら、これらの貴金属は高価であるため、結果として最終的に得られる積層セラミックコンデンサがコスト高になるという欠点があった。そこで、Ｎｉなどの安価な卑金属を導電材料として用いることができるように、誘電体粉末の焼結温度を９００〜１１００°Ｃに低下させ、誘電体材料に耐還元性を付与し、還元雰囲気での焼成を可能としたものなどが開発されている。
【０００５】
ところで、近年、各種電子機器の小型化により、電子機器の内部に装着される積層セラミックコンデンサの小型化および大容量化が進んでいる。この積層セラミックコンデンサの小型化および大容量化を進めるために、誘電体層はもとより、内部電極層を薄層化することが求められている。
【０００６】
しかしながら、導電材料として、卑金属であるＮｉ粉末を用いて内部電極層の薄層化を試みた場合、Ｎｉ粉末の反応性が高いため、導電体ペーストの作製時には、Ｎｉ粉末同士の凝集を生じ、焼成時には、Ｎｉ粉末同士が反応し球状化による内部電極層の膨らみや構造欠陥を生じていた。その結果、内部電極層の薄層化が困難となっていた。
【０００７】
そこで、本出願人は、Ｎｉ粉末のＳＥＭ観察により求められた平均粒子径（ＳＥＭ径）と、ＢＥＴ法により求められた比表面積（ＢＥＴ比表面積）から換算して算出されたＢＥＴ径とが、１≦（ＳＥＭ径／ＢＥＴ径）≦１．５６の関係を満足し、Ｎｉ粉末のＢＥＴ比表面積が、３．０ｍ２／ｇ以下である導電体ペーストを開示している（特許文献１）。ＳＥＭ径、ＢＥＴ径およびＢＥＴ比表面積を上記の範囲内とすることで、Ｎｉ粉末の反応性を抑制し、その結果、構造欠陥が発生せず内部電極層を薄層化できることが示されている。
【０００８】
しかしながら、特許文献１の具体的な実施例では、内部電極層の厚みは、１．３μｍ程度と比較的厚く、内部電極層のさらなる薄層化（たとえば、０．７μｍ程度）に対応することが容易ではなかった。そのため、電子部品の小型化・薄層化が困難であった。
【特許文献１】特開２００２−１５１３４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、比表面積の大きい導電体粉末を使用した場合であっても、導電体粉末の反応性を抑制し、焼成前内部電極膜の乾燥密度を高めることが可能であり、その結果、積層セラミックコンデンサなどの電子部品の内部電極層を薄層化できる導電体ペーストを提供することを目的とする。本発明の別の目的は、前記導電体ペーストにより形成された内部電極層と、誘電体層とを有する電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、内部電極層のさらなる薄層化を実現するには、導電体粉末の比表面積と、ＳＥＭ観察により求められる導電体粉末の平均粒子径であるＳＥＭ径およびＢＥＴ法により求められる比表面積から算出される導電体粉末のＢＥＴ径とを制御し、導電体粉末の反応性を抑制しつつ、導電体粉末の実際の粒子径を小さくすることが必要であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
すなわち、本発明に係る導電体ペーストは、
Ｎｉを主成分とする導電体粉末を有する導電体ペーストであって、
ＢＥＴ法により測定される前記導電体粉末の比表面積値が、３ｍ２／ｇより大きく、９ｍ２／ｇ以下であり、
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察により得られる前記導電体粉末の平均粒子径をＳＥＭ径と、
前記導電体粉末が真球であると仮定した場合に、ＢＥＴ法により測定される前記比表面積値より算出されるＢＥＴ径と、が、
１≦（ＳＥＭ径／ＢＥＴ径）≦１．２５
の関係にあることを特徴とする。
【００１２】
本発明において、ＳＥＭ径は、以下のようにして求められる。導電体粉末をＳＥＭにより観察し、導電体粉末の粒子１個の投影面積を求める。所定数の粒子について求められた投影面積から平均投影面積を算出し、この平均投影面積と同じ投影面積を持つ球の直径（円相当径）をＳＥＭ径とする。したがって、ＳＥＭ径は、導電体粉末の実際の平均粒子径と同義である。
【００１３】
また、ＢＥＴ径は、導電体粉末を真球であると仮定した場合において、ＢＥＴ法により測定される導電体粉末の比表面積（ＢＥＴ比表面積）から算出される理論的な平均粒子径である。ＢＥＴ比表面積は、導電体粉末の単位重量あたりの表面積（単位は、ｍ２／ｇ）であり、その表面積は、ａＲ２（ａは定数、Ｒは真球の直径）、その重量（体積×密度）は、ｂＲ３（ｂは定数、Ｒは真球の直径）であるため、ＢＥＴ比表面積は、ａＲ２／ｂＲ３＝ｃ／Ｒ（ｃは定数）と表される。このときの真球の直径Ｒが、ＢＥＴ径である。したがって、ＢＥＴ径とＢＥＴ比表面積とは反比例の関係にある。
【００１４】
次に、ＳＥＭ径とＢＥＴ径との関係に着目すると、ＳＥＭ径とＢＥＴ径とが一致するのは、導電体粉末の実際の粒子が、真球状で、かつ、表面が滑らかな（凹凸がない）状態となっている場合である。この場合の粒子は、理想的な球状粒子であるといえる。しかしながら、通常、導電体粉末の実際の粒子は、真球状でなく、また、その表面が粗い（凹凸がある）場合が多い。理想的な球状粒子と、上記した真球状でないあるいは表面が粗い粒子とが、同じＳＥＭ径を持つ場合、これらの粒子のＢＥＴ比表面積は、理想的な球状粒子のＢＥＴ比表面積よりも大きくなる。ＢＥＴ比表面積と、ＢＥＴ径とは上述の通り反比例の関係にあるので、これら真球状でなく、かつ、表面が粗い粒子のＢＥＴ径は、理想的な球状粒子のＢＥＴ径よりも小さくなる。つまり、粒子の形状が真球状から外れるほど、あるいは、粒子の表面が粗いほど、ＢＥＴ径はＳＥＭ径よりも小さくなり、ＳＥＭ径とＢＥＴ径との比であるＳＥＭ径／ＢＥＴ径は、１よりも大きくなる。一般に、粒子のＢＥＴ比表面積が大きくなる（ＢＥＴ径が小さくなる）と、粒子の反応性が高くなる傾向にある。これに対して、本発明では、上記のＳＥＭ径／ＢＥＴ径を特定の範囲内とすることで、導電体粉末の反応性を抑制している。
【００１５】
好ましくは、前記ＳＥＭ径が、０．０８〜０．２５μｍである。
【００１６】
本発明に係る電子部品は、上記のいずれかの導電体ペーストを用いて形成された内部電極層と、誘電体層とを有する。前記内部電極層の厚みは、好ましくは、０．７μｍ以下、より好ましくは、０．６５μｍ以下である。電子部品としては、特に限定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品が例示される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、導電体粉末のＢＥＴ比表面積を、３ｍ２／ｇより大きく、９ｍ２／ｇ以下とし、ＳＥＭ径／ＢＥＴ径を１以上、１．２５以下の範囲内となるように制御することで、導電体粉末の反応性を抑制しつつ、導電体粉末の実際の粒子径（ＳＥＭ径）を小さくすることができる。その結果、焼成前の内部電極膜の乾燥密度を高め、内部電極層の薄層化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【００１９】
積層セラミックコンデンサ２
図１に示すように、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、コンデンサ素子４と、第１端子電極６と第２端子電極８とを有する。コンデンサ素子４は、誘電体層１０と、内部電極層１２とを有し、誘電体層１０の間に、これらの内部電極層１２が交互に積層してある。交互に積層される一方の内部電極層１２は、コンデンサ素子４の第１端部４ａの外側に形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続してある。また、交互に積層される他方の内部電極層１２は、コンデンサ素子４の第２端部４ｂの外側に形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続してある。
【００２０】
本実施形態では、内部電極層１２は、後述するが、焼成後に誘電体層１０を形成することとなるグリーンシート上に、焼成後に内部電極層１２を形成することとなる焼成前内部電極膜を所定のパターンで形成することにより、製造される。
【００２１】
誘電体層１０の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよび／またはチタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成される。本実施形態においては、各誘電体層１０の厚みは、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下に薄層化されている。
【００２２】
端子電極６および８の材質も特に限定されないが、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられ、また、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極６および８の厚みも特に限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。
【００２３】
積層セラミックコンデンサ２の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。積層セラミックコンデンサ２が直方体形状の場合は、通常、縦（０．４〜５．６ｍｍ、好ましくは０．４〜３．２ｍｍ）×横（０．２〜５．０ｍｍ、好ましくは０．２〜１．６ｍｍ）×厚み（０．１〜１．９ｍｍ、好ましくは０．１〜１．６ｍｍ）程度である。
【００２４】
次に、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２の製造方法の一例を説明する。
【００２５】
まず、焼成後に図１に示す誘電体層１０を構成することになるセラミックグリーンシートを製造するために、誘電体層用ペーストを準備する。
【００２６】
誘電体層用ペーストは、通常、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。
【００２７】
誘電体原料としては、複合酸化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。誘電体原料は、通常、平均粒子径が１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下の粉末として用いられる。なお、きわめて薄いグリーンシートを形成するためには、グリーンシート厚みよりも細かい粉末を使用することが望ましい。
【００２８】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いられるバインダとしては、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などの通常の各種バインダが例示される。
【００２９】
また、有機ビヒクルに用いられる有機溶剤も特に限定されず、アルコール、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、トルエン、キシレン、酢酸エチル、ステアリン酸ブチル、ターピネオール、ブチルカルビトール、イソボニルアセテートなどの通常の有機溶剤が例示される。
【００３０】
そして、この誘電体層用ペーストを用いて、ドクターブレード法などにより、第１支持シートとしてのキャリアシート上に、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは７．５μｍ以下の厚みで、グリーンシートを形成する。グリーンシートをこのような厚みで形成することにより、焼成後の誘電体層１０の厚みを、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下と薄層化することができる。
【００３１】
焼成前内部電極膜は、導電体ペーストを用いる印刷法などの厚膜形成方法により、グリーンシートの表面に形成することが好ましい。焼成前内部電極膜の厚みは、２．５μｍ以下とすることが好ましい。焼成前内部電極膜をこのような厚みで形成することにより、焼成後の内部電極層の厚みを、所望の厚みとすることができる。厚膜法の１種であるスクリーン印刷法あるいはグラビア印刷法により、グリーンシートの表面に焼成前内部電極膜を形成する場合には、次のようにして行う。
【００３２】
まず、導電体ペーストを準備する。本実施形態では、導電体ペーストは、導電体粉末と、共材と、有機ビヒクルと、を混練して調製する。
【００３３】
導電体粉末は、Ｎｉを主成分とし、好ましくは、ＮｉまたはＮｉ合金、さらにはこれらの混合物で構成される。
【００３４】
ＮｉまたはＮｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＡｌから選択される少なくとも１種の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ、Ｆｅ、Ｍｇなどの各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。
【００３５】
本実施形態では、導電体粉末として、Ｎｉ粉末が特に好ましい。また、導電体粉末の形状は、本実施形態では、球状の導電体粉末を使用することが好ましい。導電体粉末は、導電体ペースト全体に対して、好ましくは３５〜７０重量部で含まれる。
【００３６】
上記のＮｉ粉末は、気相法または液相法により製造される。気相法の場合、ＣＶＤ法により塩化ニッケルを水素で還元することで製造される。液相法の場合には、水酸化ニッケルを還元し、Ｎｉを析出させる方法やニッケル塩溶液中に還元剤を添加しＮｉを析出させる方法などがある。これらの方法により製造されたＮｉ粉末を、さらに水中処理または大気中における熱処理を行うことにより、ＢＥＴ比表面積（ＢＥＴ法により測定された比表面積）を制御できる。具体的には、水中処理を長く行うと、ＢＥＴ比表面積が大きくなる傾向にあり、また、熱処理を長く行った場合にも、ＢＥＴ比表面積が大きくなる傾向にある。
【００３７】
本実施形態では、Ｎｉ粉末のＢＥＴ比表面積は、３ｍ２／ｇより大きく、９ｍ２／ｇ以下であり、好ましくは、３ｍ２／ｇより大きく、７ｍ２／ｇ以下である。ＢＥＴ比表面積が小さすぎると、ＢＥＴ径が大きくなるため、それに伴い実際の粒子径であるＳＥＭ径も大きくなる場合がある。また、ＢＥＴ比表面積が大きすぎると、Ｎｉ粉末の反応性が高くなり、導電体ペースト作製時にはＮｉ粉末の凝集を、焼成時にはＮｉ粉末の球状化を生じやすい傾向にある。
【００３８】
本実施形態では、ＳＥＭ観察により求められた平均粒子径であるＳＥＭ径と、ＢＥＴ法により求められたＢＥＴ比表面積から算出されるＢＥＴ径との比であるＳＥＭ径／ＢＥＴ径が、１以上、１．２５以下、好ましくは、１以上、１．１５以下であるＮｉ粉末を、導電体粉末として使用する。
【００３９】
ＢＥＴ径は、Ｎｉ粉末が真球であると仮定した場合において、ＢＥＴ法により測定されるＮｉ粉末の比表面積（ＢＥＴ比表面積）から算出される理論的な平均粒子径である。ＢＥＴ比表面積は、単位重量あたりの表面積値（単位は、ｍ２／ｇ）であり、上述したように、球の直径、すなわち、ＢＥＴ径に反比例する。したがって、ＢＥＴ比表面積を大きくすると、ＢＥＴ径は小さくなる。
【００４０】
ＳＥＭ径は、以下のようにして求められる。まず、Ｎｉ粉末を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により２０視野（１視野は３×４μｍ）観察し、観察されたＮｉ粉末１個の投影面積を画像処理により求める。これを観察されたＮｉ粉末すべてについて行い、その平均投影面積を算出し、平均投影面積と同じ投影面積を持つ球の直径（円相当径）をＳＥＭ径とする。ＳＥＭ径は、Ｎｉ粉末の実際の粒子径と同義である。ＳＥＭ径は、好ましくは、０．０８〜０．２５μｍである。
【００４１】
ＳＥＭ径とＢＥＴ径とが一致する場合、すなわち、ＳＥＭ径／ＢＥＴ径が１の場合には、上述したように、Ｎｉ粉末の粒子は、真球状で、かつ、表面が滑らかな理想的な球状粒子となる。また、粒子の形状が真球状から外れる、あるいは、粒子の表面が粗い場合には、ＳＥＭ径／ＢＥＴ径が１よりも大きくなるが、本実施形態では、球状のＮｉ粉末を使用するので、粒子の形状がＳＥＭ径／ＢＥＴ径に与える影響は小さく、ＳＥＭ径／ＢＥＴ径を、粒子の表面状態についての指標とすることができる。
【００４２】
ＳＥＭ径／ＢＥＴ径が、大きすぎると、粒子の表面が粗いため、導電体ペースト作製時にはＮｉ粉末を分散させることが難しく、その凝集部分が残り、焼成時にはＮｉ粉末の反応性が高いために、Ｎｉの球状化を生じやすい傾向にある。
【００４３】
導電体ペースト中には、共材が含まれてもよい。共材としては、上述のグリーンシートに含まれる誘電体原料と同じ組成の誘電体原料が好ましい。共材は、焼成過程において導電体粉末の焼結を抑制する作用を奏する。共材として用いる無機酸化物粉末としては、平均粒子径が、好ましくは０．００２〜０．２μｍ、より好ましくは０．００５〜０．１μｍのものを使用する。また、ペースト中における含有量は、導電体粉末１００重量部に対して、好ましくは５〜４０重量部、より好ましくは５〜３０重量部とする。
【００４４】
導電体ペーストに含まれる有機ビヒクルは、上述の誘電体層用ペーストに含まれる有機ビヒクルと同様にすればよい。また、グリーンシートとの接着性を改善する目的で可塑剤または粘着剤をさらに含んでいてもよいし、導電体粒子および共材の分散性の向上と塗料の安定性を改善する目的で分散剤をさらに含んでいてもよい。
【００４５】
導電体ペーストは、上記各成分を、ボールミルや３本ロールミルなどで混合し、スラリー化することにより作製することができる。
【００４６】
そして、この導電体ペーストを用いて、所定パターンの電極ペースト膜を印刷法でグリーンシート上に形成し、次いで、乾燥することにより焼成前内部電極膜を得る。乾燥は、電極ペースト膜中に含まれている溶剤などの揮発成分を、除去するために行われる。乾燥温度は、特に限定されないが、好ましくは７０〜１２０°Ｃであり、乾燥時間は、好ましくは１〜１５分である。
【００４７】
次いで、グリーンシートおよび焼成前内部電極膜からなるシートを複数積層することにより、グリーンシートと、焼成前内部電極膜と、が複数積層された焼成前の積層体を得る。得られた積層体の上面および下面に、厚さ３０μｍ程度の外層用のグリーンシートを積層し、その後、プレスすることにより、プレス後の積層体を得る。このプレス後の積層体を所定サイズに切断して、グリーンチップとし、その後、このグリーンチップについて、脱バインダ処理を施す。
【００４８】
具体的な脱バインダ処理条件としては、昇温速度：５〜３００°Ｃ／時間、保持温度：２００〜７００°Ｃ、保持時間：０．５〜２０時間、雰囲気：大気中または加湿したＮ２  とＨ２  との混合ガスとすることが好ましい。
【００４９】
次いで、脱バインダ処理を行ったグリーンチップについて、焼成および熱処理を施す。
【００５０】
焼成は、昇温速度：５０〜５００°Ｃ／時間、保持温度：１０５０〜１３５０°Ｃ、保持時間：０．５〜８時間、冷却速度：５０〜５００°Ｃ／時間、雰囲気ガス：加湿したＮ２  とＨ２  との混合ガス等の条件とすることが好ましい。
【００５１】
ただし、焼成時の雰囲気中の酸素分圧は、１０−２Ｐａ以下とすることが好ましい。前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にあり、また、酸素分圧があまり低すぎると、内部電極層の電極材料が異常焼結を起こし、途切れてしまう傾向にある。
【００５２】
このような焼成を行った後の熱処理（アニール）は、保持温度または最高温度を、好ましくは９００°Ｃ以上として行うことが好ましい。熱処理時の保持温度または最高温度が、前記範囲未満では誘電体材料の酸化が不十分なために絶縁抵抗寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲をこえると内部電極のＮｉが酸化し、容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。熱処理の際の酸素分圧は、焼成時の還元雰囲気よりも高い酸素分圧であり、好ましくは１０−３Ｐａ〜１Ｐａである。前記範囲未満では、誘電体層１０の再酸化が困難であり、前記範囲をこえると内部電極層１２が酸化する傾向にある。
【００５３】
そして、そのほかの熱処理条件としては、保持時間：０〜６時間、冷却速度：５０〜５００°Ｃ／時間、雰囲気用ガス：加湿したＮ２  ガス等とすることが好ましい。
【００５４】
また、脱バインダ処理、焼成および熱処理は、それぞれを連続して行っても、独立に行ってもよい。
【００５５】
このようにして得られた焼結体（素子本体４）には、例えばバレル研磨、サンドブラスト等にて端面研磨を施し、端子電極用ペーストを焼きつけて端子電極６，８が形成される。端子電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ２  とＨ２  との混合ガス中で６００〜８００°Ｃにて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、端子電極６，８上にめっき等を行うことによりパッド層を形成する。なお、端子電極用ペーストは、上記した電極ペーストと同様にして調製すればよい。
【００５６】
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００５７】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００５８】
たとえば、本発明の導電体ペーストは、積層セラミックコンデンサに限らず、その他の電子部品にも適用することが可能である。
【００５９】
また、上述した実施形態では、焼成前内部電極膜は、印刷法により、グリーンシート上に直接形成したが、たとえば、転写工法により形成しても良い。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００６１】
実施例１
以下に示す誘電体層用ペーストおよび導電体ペーストを調製した。
【００６２】
誘電体層用ペースト
まず、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体原料をペースト化するために、有機ビヒクルを誘電体原料に加え、ボールミルで混合し、誘電体層用ペーストを得た。有機ビヒクルは、誘電体材料１００質量部に対して、バインダとしてポリビニルブチラール：６質量部、可塑剤としてフタル酸ビス（２エチルヘキシル）（ＤＯＰ）：３質量部、エタノール：８５質量部、トルエン：１５質量部の配合比とした。
【００６３】
導電体ペースト
まず、導電体粉末として、表１に示すＳＥＭ径、ＢＥＴ径およびＢＥＴ比表面積を有するＮｉ粉末：４０重量部、共材として、平均粒子径が０．０５μｍの誘電体原料：１０重量部、バインダとしてエチルセルロース樹脂 ：２重量部、溶剤としてターピネオール ：４８重量部を、それぞれ準備した。なお、上記誘電体原料としては、誘電体層用ペースト中に含有させた誘電体原料と同様の組成を有するものを使用した。
【００６４】
次に、上記にて準備した原料を、３本ロールにより混練し、スラリー化させ、回転粘度計の回転速度を１００ｒｐｍとした場合の粘度が、１０Ｐａ・ｓとなる導電体ペーストを作製した。
【００６５】
焼成前内部電極膜の評価
次いで、上記にて作製した導電体ペーストを、Ｇａｐ２５０μｍのアプリケーターでＰＥＴフィルム上に塗布し、その後、送風乾燥器にて、１００°Ｃ、１５分の条件で乾燥することにより、塗布・乾燥後の焼成前内部電極膜を得た。本実施例では、乾燥後の膜厚が３０〜４５μｍとなるように焼成前内部電極膜を形成した。そして、得られた各焼成前内部電極膜の体積（＝電極膜の形成面積×電極膜の厚み）と、重量とから、各焼成前内部電極膜の塗布・乾燥後の密度を計算した。密度は高いほど好ましい。結果を表１に示す。
【００６６】
積層セラミックコンデンササンプル
上記にて得られた誘電体層用ペーストおよび導電体ペーストを使用して、以下のようにして、積層セラミックコンデンササンプルを製造した。
【００６７】
すなわち、まず、上記にて得られた誘電体層用ペーストを使用して、グリーンシートを形成した。次いで、上記にて得られた導電体ペーストを使用し、グリーンシートへの付着量が０．８８ｍｇ／ｃｍ２となる条件で、印刷法により焼成前内部電極膜を形成した。
【００６８】
次いで、焼成前内部電極膜上に、さらに別のグリーンシートを形成し、次いでこのグリーンシート上に、さらに別の焼成前内部電極膜を形成し、これらを次々に形成していくことにより、積層体を得た。なお、本実施例では、グリーンシートの厚みを３μｍとした。
【００６９】
次いで、得られた積層体の上面および下面に、外層用のグリーンシートを積層し、その後、この積層体をプレスし、プレス後の積層体を得た。プレス時の条件としては、プレス温度：１２０°Ｃ、プレス圧力：１ｔ／ｃｍ２、プレス時間：１０分の条件とした。
【００７０】
次いで、得られたプレス後の積層体を所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニール（熱処理）を行って、チップ形状の焼結体を作製した。
【００７１】
脱バインダは、保持温度：６００°Ｃ、保持時間：２時間、雰囲気ガス：加湿したＮ２  とＨ２  の混合ガス、酸素分圧：１０−１９Ｐａ、で行った。焼成は、保持温度：１２５０°Ｃ、保持時間：２時間、雰囲気ガス：加湿したＮ２  とＨ２  の混合ガス、酸素分圧：１０−７Ｐａ、で行った。アニール（再酸化）は、保持温度：１０００°Ｃ、保持時間：２時間、雰囲気ガス：加湿したＮ２  ガス、酸素分圧：１０−１Ｐａ、で行った。なお、脱バインダ、焼成およびアニール時の雰囲気ガスの加湿には、ウェッターを用いた。
【００７２】
次いで、チップ形状の焼結体の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極用ペーストを端面に転写し、加湿したＮ２  ＋Ｈ２  雰囲気中において、８００°Ｃにて１０分間焼成して外部電極を形成し、図１に示す構成の積層セラミックコンデンササンプルを得た。なお、本実施例においては、上記にて作製した導電体ペーストを使用し、各コンデンササンプルを製造した。
【００７３】
このようにして得られた各サンプルのサイズは、２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ×０．６５ｍｍであり、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は２２０であった。
【００７４】
次いで、得られた各コンデンササンプルについて、内部電極層および誘電体層の厚みを評価した。
【００７５】
まず、各コンデンササンプルを積層方向に垂直な面で切断し、その切断面を研磨した。そして、その研磨面をＳＥＭ観察し、そのＳＥＭ写真から内部電極層および誘電体層の厚みを求めた。誘電体層の厚みは、２．０μｍであった。内部電極層の厚みを測定した結果を表１に示す。内部電極層の厚みは、０．７μｍ以下を良好とした。
【００７６】
【表１】
2007220551.tif 000002
【００７７】
表１より、実施例１〜４の試料では、ＳＥＭ径は、すべて０．１３μｍであるが、ＢＥＴ径が異なる。実施例１〜４の試料は、ＳＥＭ径とＢＥＴ径との比であるＳＥＭ径／ＢＥＴ径を、本発明の範囲である１から１．２５の間で変化させた場合の試料であり、焼成前内部電極膜の乾燥密度が高く、内部電極層の厚みは０．７μｍ以下であった。また、ＳＥＭ径／ＢＥＴ径が１に近いほど焼成前内部電極膜の乾燥密度が高く、内部電極層の厚みを薄くできることが確認できた。
【００７８】
一方、比較例１ａおよび１の試料では、ＳＥＭ径は、実施例１〜４の試料と同じ０．１３μｍであるが、ＳＥＭ径／ＢＥＴ径が本発明の範囲より大きくなっている。さらに比較例１の試料は、ＢＥＴ比表面積も本発明の範囲より大きくなっている。その結果、焼成前内部電極膜の乾燥密度が低く、また、Ｎｉ粉末の反応性が高いために、内部電極層の厚みを０．７μｍ以下にできないことが確認できた。
【００７９】
また、比較例２の試料では、ＳＥＭ径／ＢＥＴ径が１．０６であり、実施例２と同じであるが、ＢＥＴ比表面積が本発明の範囲よりも小さくなっているため、Ｎｉ粉末のＢＥＴ径が大きくなり、さらにはＳＥＭ径も大きい。その結果、焼成前内部電極膜の乾燥密度は高いものの、内部電極層の厚みを０．７μｍ以下にできないことが確認できた。なお、この試料は、特許文献１（特開２００２−１５１３４７号公報）の実施例における試料に相当する。
【００８０】
上記の結果より、本発明によれば、Ｎｉ粉末の反応性を抑制しているため、導電体ペースト中に、実際の粒子径が小さいＮｉ粉末を均一に分散させることができ、焼成前内部電極膜の乾燥密度を高めることができる。また、焼成時においても、Ｎｉ粉末の球状化を抑制し、焼成後の内部電極層の厚みを０．７μｍ以下とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
２…  積層セラミックコンデンサ
４…  コンデンサ素子
４ａ…  第１端部
４ｂ…  第２端部
６，８…  端子電極
１０…  誘電体層
１２…  内部電極層
【図１】
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