(57)【要約】【課題】その周縁部にノッチ等の切欠部による基板方向表示部が形成された基板を簡素な構成で、精度良く位置決めすることができる基板位置決め方法、基板位置決め装置および基板処理装置を提供する。【解決手段】基板Ｗは第１支持ピンにより滑動自在に支持されながらも基板Ｗの下面と第１支持ピンとの間に発生する摩擦力で第１支持ピンに保持されながら回転中心Ａ０回りに回転される。基板Ｗの回転の間に最大偏心部位ＰＡおよびノッチＮＴの位置がセンサ４４により検出された後、該最大偏心部位ＰＡが押圧ブロック４１と対向する対向位置に位置するように基板Ｗが回転される。このとき、ノッチＮＴが最大偏心部位ＰＡに位置する場合にノッチＮＴが対向位置から外れるように基板Ｗの端面位置が変更される。その後、押圧ブロック４１により基板Ｗが回転中心Ａ０に向けて既定位置Ｐ１１まで押動される。【選択図】図１６
2007220952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その周縁部に切欠部が形成された基板の水平位置を位置決めする基板位置決め方法において、
回転部材上に上方に向けて突設された支持手段により前記基板を滑動自在に支持しながらも前記基板の下面と前記支持手段との間に発生する摩擦力で前記基板を保持して回転させながら、前記基板の端面のうち前記回転部材の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出する検出工程と、
前記基板の端面に当接することで該基板を水平方向に押圧可能な押圧部材と対向する対向位置に、前記検出工程で検出された前記最大偏心部位が位置するように前記基板を回転させる位置合わせ工程と、
前記位置合わせ工程において位置合わせされた前記基板の端面を前記押圧部材により前記回転部材の回転中心から水平方向に前記基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置まで前記回転部材の回転中心側に向けて押動する押動工程と
を備え、
前記位置合わせ工程では、前記最大偏心部位に前記切欠部が位置する場合に前記切欠部が前記対向位置から外れるように前記基板を回転させて前記基板の端面位置を変更することを特徴とする基板位置決め方法。
【請求項２】
前記位置合わせ工程では、前記最大偏心部位に前記切欠部が位置する場合に少なくとも前記切欠部の幅に相当する長さだけ円周方向に前記基板を回転させて前記基板の端面位置を変更する請求項１記載の基板位置決め方法。
【請求項３】
前記位置合わせ工程では、前記最大偏心部位に前記切欠部が位置する場合に前記検出工程における前記基板の回転方向と同一方向に前記基板を回転させて前記基板の位置を変更する請求項１または２記載の基板位置決め方法。
【請求項４】
その周縁部に切欠部が形成された基板の水平位置を位置決めする基板位置決め装置において、
所定の回転中心回りに回転自在に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転手段と、
前記回転部材から上方に向けて突設され、前記基板の下面に当接して該基板を水平方向に滑動自在に支持しながらも前記基板の下面との間で発生する摩擦力で前記基板を前記回転部材に保持可能な支持手段と、
前記回転手段により回転される前記基板の端面のうち前記回転部材の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出する検出手段と、
前記基板と当接可能な当接部位を有し、該当接部位を前記基板の端面に当接させて前記基板を水平方向に押圧可能な押圧部材と、
前記回転部材の回転中心から水平方向に前記基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置と、前記基板から離間した離間位置との間で前記押圧部材を移動させる駆動手段と、
前記切欠部の位置を特定するとともに、前記回転手段を制御して前記切欠部が前記最大偏心部位に位置しない場合には該最大偏心部位が前記離間位置に移動された前記押圧部材と対向する対向位置に位置するように前記基板を回転させる一方、前記切欠部が前記最大偏心部位に位置する場合には前記切欠部が前記対向位置から外れるように前記基板を回転させて前記基板の端面位置を変更する補正手段と
を備え、
前記駆動手段は前記押圧部材を前記離間位置から前記既定位置に移動させることで、前記補正手段により回転移動された前記基板の端面が前記既定位置に一致するまで前記回転部材の回転中心側に向けて前記押圧部材により前記基板を押動することを特徴とする基板位置決め装置。
【請求項５】
前記当接部位は、前記基板の端面と点接触する請求項４記載の基板位置決め装置。
【請求項６】
基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
請求項４または５記載の基板位置決め装置と同一構成を有する位置決めユニットと、
前記位置決めユニットにより位置決めされた前記基板に対して前記処理を施す処理ユニットと
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、その周縁部にノッチ等の切欠部が形成された半導体ウエハ等の基板の位置決め方法、基板位置決め装置および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板の一連の処理工程においては、基板の表面にフォトレジスト等の薄膜を形成するための成膜工程を複数工程有しているが、この成膜工程では基板裏面あるいは基板表面の周縁部にも成膜されることがある。しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板表面の中央部のデバイス形成領域のみであり、基板表面の周縁部に成膜されてしまうと、成膜工程の後工程において、他の装置との接触により基板表面の周縁部に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルが起こることがある。
【０００３】
そこで、基板表面の周縁部に形成された薄膜を除去するために、基板を水平姿勢で回転させながら基板表面の周縁部に処理液を供給して該薄膜をエッチング除去することが行われている。このとき基板の物理的な中心（以下単に「基板の中心」という）と基板の回転中心が偏心（位置ずれ）していると、基板の端面から内側に向かって薄膜がエッチング除去される幅が均一にならないといった問題が発生する。このため、かかる偏心を極力少なくするよう基板の水平位置を正確に位置決めすることが重要となっている。
【０００４】
そこで、基板の水平位置を位置決めするために次のような装置が提案されている。例えば、特許文献１に記載の装置では、基板を所定位置に移送してセットする際に、基板の偏心を修正しながら基板を所定位置に移送するようにして基板の位置決めを行っている。具体的には、移送装置は所定位置への基板の搬送に先立って、回転テーブル（回転部材）に基板を載置する。そして、回転テーブルが回転される。このとき回転テーブルに対応して設けられたセンサが基板の周縁部を検出するとともに、センサの信号により計測された基板の偏心量（回転テーブルの回転中心に対する基板の中心の偏心量）と回転テーブルの回転角度が偏心量計数手段に記憶される。その後に、移送装置は基板を保持し、偏心量計数手段に記憶されたデータに基づいて基板の偏心を修正しながら基板を所定位置に移送している。
【０００５】
ここで、上記特許文献１に記載の装置では、位置決め対象とする基板の周縁部に切欠きとしてオリエーテンションフラットが形成されており、該オリエーテンションフラットの位置を検出するために基板の径方向に伸びるライン状のセンサを配置している。しかしながら、近年、基板の切欠部としてオリエーテンションフラットに替えてノッチが形成されることが多く、この場合には、次のようにしてノッチ位置を検出することができる。例えば特許文献２に記載の装置では、回転テーブル（回転部材）にノッチを有する基板が保持された後に、回転テーブルが回転される。基板の周縁部付近には、スリット状のビームを投光する投光手段と該ビームを受光する受光手段とが設けられており、受光手段からの受光出力に基づいてノッチ位置を効率良く検出している。また、特許文献３に記載の装置では、回転テーブルに保持された基板の周辺位置を検出する一次元イメージセンサが設けられている。そして、一次元イメージセンサによるノッチ検出の前後において基板の回転ピッチを変えることで迅速にノッチ位置を検出している。
【０００６】
ところで、上記特許文献１に記載の装置では、所定位置への基板の搬送に先立って基板の偏心を修正しているが、基板を所定位置に移送した後に基板の偏心を修正することも考えられる。このように基板の搬送後に基板を位置決めするものとして、例えば特許文献４に記載の装置がある。この特許文献４に記載の装置では、センタリング機構を設けることによって基板の中心と吸着ステージ（回転部材）の回転中心とを一致させている。詳しくは、基板の外径よりも大きな形状を有するセンタリング機構を閉じることによって基板の外径を挟み込み、基板の中心と吸着ステージの回転中心とを一致させている。そして、吸着ステージは吸着動作を行うことでステージ面に基板を固定し、基板の位置ずれを防止している。
【０００７】
【特許文献１】特開平５−２５６７４３号公報（図１）
【特許文献２】特開平１０−１２７０９号公報（図１）
【特許文献３】特開平５−２１８１７９号公報（図１）
【特許文献４】特開平７−７０６９号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献１に記載の装置では、移送装置等の基板搬送手段によって基板を回転テーブルに搬送する際に基板の偏心を修正しているが、搬送中に基板の偏心が修正されたとしても、基板を回転テーブルに載置したときに基板の偏心（位置ずれ）が生じることがあった。しかしながら、このように基板を回転テーブルに載置したときの偏心については十分に考慮されておらず、基板の偏心が処理の均一性を劣化させるなどプロセス性能を劣化させていた。
【０００９】
また、特許文献４に記載の装置のように、基板を回転テーブルに載置した後に、センタリング機構によって基板の中心と回転テーブルの回転中心とを一致させる場合には、次のような問題があった。すなわち、基板の外径を挟み込むという機構上、センタリング機構が複雑となり、しかも構造的に大型化してしまう。このため、センタリング機構を配置するために比較的大きな空間を装置内に確保する必要があることから装置全体が大型化し、省スペース、省コストの要請に反する。特に、基板を処理する処理チャンバー等の処理部内にセンタリング機構を配置する際には、配置スペースに大きな制約を伴う。
【００１０】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その周縁部にノッチ等の切欠部による基板方向表示部が形成された基板を簡素な構成で、精度良く位置決めすることができる基板位置決め方法、基板位置決め装置および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、その周縁部に切欠部が形成された基板の水平位置を位置決めする基板位置決め方法および基板位置決め装置であって、上記目的を達成するため、次のように構成している。この発明にかかる基板位置決め方法は、回転部材上に上方に向けて突設された支持手段により基板を滑動自在に支持しながらも基板の下面と支持手段との間に発生する摩擦力で基板を保持して回転させながら、基板の端面のうち回転部材の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出する検出工程と、基板の端面に当接することで該基板を水平方向に押圧可能な押圧部材と対向する対向位置に、検出工程で検出された最大偏心部位が位置するように基板を回転させる位置合わせ工程と、位置合わせ工程において位置合わせされた基板の端面を押圧部材により回転部材の回転中心から水平方向に基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置まで回転部材の回転中心側に向けて押動する押動工程とを備え、位置合わせ工程では、最大偏心部位に切欠部が位置する場合に切欠部が対向位置から外れるように基板を回転させて基板の位置を変更することを特徴としている。
【００１２】
また、この発明にかかる基板位置決め装置は、所定の回転中心回りに回転自在に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転手段と、回転部材から上方に向けて突設され、基板の下面に当接して該基板を水平方向に滑動自在に支持しながらも基板の下面との間で発生する摩擦力で基板を回転部材に保持可能な支持手段と、回転手段により回転される基板の端面のうち回転部材の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出する検出手段と、  基板と当接可能な当接部位を有し、該当接部位を基板の端面に当接させて基板を水平方向に押圧可能な押圧部材と、回転部材の回転中心から水平方向に基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置と、基板から離間した離間位置との間で押圧部材を移動させる駆動手段と、切欠部の位置を特定するとともに、回転手段を制御して切欠部が最大偏心部位に位置しない場合には該最大偏心部位が離間位置に移動された押圧部材と対向する対向位置に位置するように基板を回転させる一方、切欠部が最大偏心部位に位置する場合には切欠部が対向位置から外れるように基板を回転させて基板の端面位置を変更する補正手段とを備え、駆動手段は押圧部材を離間位置から既定位置に移動させることで、補正手段により回転移動された基板の端面が既定位置に一致するまで回転部材の回転中心側に向けて押圧部材により基板を押動することを特徴としている。
【００１３】
このように構成された発明（基板位置決め方法および装置）では、基板は支持手段により滑動自在に支持されながらも基板の下面と支持手段との間に発生する摩擦力で支持手段に保持されながら回転部材の回転中心回りに回転する。そして、基板が回転する間に基板の端面のうち回転部材の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出した後、該最大偏心部位を押圧部材により回転部材の回転中心から水平方向に基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置まで回転部材の回転中心側に向けて押動している。これにより、回転部材の回転中心から最も離れた基板の端面（最大偏心部位）が、既定位置に合わされることにより、基板中心が回転部材の回転中心から所定の範囲内に位置決めされる。例えば、既定位置として、回転部材の回転中心から水平方向に基板の半径に目標精度の正の許容値を加えた距離だけ離れた位置に押圧部材の当接部位（押圧部材が基板の端面と当接する部位）を移動させることで、基板中心と回転部材の回転中心との間の距離（偏心距離）を目標精度内にすることができる。このように、支持手段により基板を回転保持しながらも滑動自在に支持する本発明によれば、押圧部材が基板の端面に当接しつつ押圧することにより、センタリング機構等の大がかりな機構を必要とせず、簡素な構成で、精度良く位置決めすることができる。
【００１４】
さらに、基板の周縁部に形成された切欠部の位置を考慮することでさらに正確に基板を位置決めすることができる。すなわち、切欠部が最大偏心部位に位置する場合には、切欠部における基板の中心から基板端面までの距離が切欠部以外の基板の中心から基板端面までの距離と異なるため、切欠部と押圧部材の当接部位とを当接させながら該当接部位を既定位置まで移動させたとしても、基板を所望量だけ押動することができない。つまり、切欠部に押圧部材が入り込んだ距離が基板の偏心として残ってしまうこととなる。これに対し、切欠部を避けて押圧部材により基板を押動することで、さらに正確に位置決めすることができる。
【００１５】
そこで、本発明では、切欠部が最大偏心部位に位置する場合には、切欠部が押圧部材と対向する対向位置から外れるように基板を回転させることにより基板の端面位置を変更している。これにより、切欠部の影響による位置ずれを回避して基板の中心と回転部材の回転中心とを精度良く一致させることができる。
【００１６】
ここで、最大偏心部位に切欠部が位置する場合に少なくとも切欠部の幅に相当する長さだけ円周方向に基板を回転させて基板の端面位置を変更すればよい。このように基板の端面位置を変更することにより切欠部を回避して切欠部以外の基板端面に押圧部材を当接させながら基板を押動することができ、基板を精度良く位置決めすることができる。特に基板の偏心を極力少なくするために、切欠部の幅に相当する長さ分だけ基板の端面位置を変更することが好ましい。これにより、押圧部材が切欠部と当接するのを回避しながらも、最大偏心部位のより近傍位置で基板を押動することができ、基板の位置決め精度を向上させることができる。
【００１７】
また、基板の端面位置を変更する際に基板を回転させる方向はどちらでもよいが、最大偏心部位を検出する際に基板を回転させる方向と同一方向に基板を回転させるのが好ましい。これにより、基板の回転方向を統一することが可能となり制御が容易となる。
【００１８】
また、押圧部材の形状は任意であり、基板の円周方向に沿って基板端面と当接部位とが線接触するように押圧部材を構成してもよいし、基板端面と当接部位とが点接触するように押圧部材を構成してもよい。但し、後者のように構成することで、基板との接触面積をより小さくして基板と当接する位置を制御することが容易となる。基板端面と当接部位とが点接触する形態としては、例えば押圧部材の横断面形状を基板との当接点を中心として基板端面から離れるように曲率を有する形状、例えば円弧としてもよい。
【００１９】
また、基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、上記した基板位置決め装置と同一構成を有する位置決めユニットと、該位置決めユニットにより位置決めされた基板に対して処理を施す処理ユニットとを備えるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、センタリング機構等の大がかりな機構を必要とせず、簡素な構成で基板を精度良く位置決めしながらも、装置全体をコンパクトに構成することができる。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、その周縁部にノッチ等の切欠部による基板方向表示部を有する基板が支持手段により滑動自在に支持されながらも基板の下面と支持手段との間に発生する摩擦力で支持手段に保持されながら回転部材の回転中心回りに回転される。このとき基板の端面のうち回転部材の回転中心から最も離れた最大偏心部位が検出される。そして、切欠部が最大偏心部位に位置しない場合には、該最大偏心部位が押圧部材と対向する対向位置に位置決めされる一方、切欠部が最大偏心部位に位置する場合には、切欠部が対向位置から外れるように基板の端面位置が変更される。このように基板の端面と押圧部材とが位置合わせされた後、押圧部材により基板が回転部材の回転中心から水平方向に基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置まで回転部材の回転中心側に向けて押動されることにより、基板中心が回転部材の回転中心から所定の範囲内に位置決めされる。このため、簡素な構成で、精度良く位置決めすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
＜基板処理装置＞
図１は、本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の円形基板Ｗからメタル層やフォトレジスト層などの薄膜をエッチング除去する装置である。具体的には、その表面Ｗｆ（デバイス形成面）に薄膜が形成された基板Ｗの周縁部ＴＲに対して化学薬品または有機溶剤等の薬液や純水またはＤＩＷ等のリンス液（以下「処理液」という）を供給することで該表面周縁部ＴＲから薄膜をエッチング除去するとともに、基板裏面Ｗｂに処理液を供給して裏面Ｗｂ全体を洗浄する装置である。
【００２２】
この基板処理装置は、基板Ｗをその表面Ｗｆを上方に向けた状態で水平に保持して回転させるスピンチャック１と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）の中央部に向けて処理液（薬液やリンス液）を供給する下面処理ノズル１５と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面に対向配置される遮断板５と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面周縁部ＴＲに処理液を供給する周縁処理ノズル３を備えている。さらに、この基板処理装置には、基板Ｗの水平方向の位置を位置決めするための位置決めユニット４０が本発明の「基板位置決め装置」として配設されている。
【００２３】
スピンチャック１は、中空の回転支柱１１がモータを含むチャック回転駆動機構１２の回転軸に連結されており、チャック回転駆動機構１２の駆動により鉛直方向に伸びる回転軸Ｊ回りに所定の回転速度で回転可能となっている。この回転支柱１１の上端部には、スピンベース１３が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット４からの動作指令に応じてチャック回転駆動機構１２を駆動させることによりスピンベース１３が回転軸Ｊ回りに回転する。このように、この実施形態では、チャック回転駆動機構１２が本発明の「回転手段」に、スピンベース１３が本発明の「回転部材」に相当している。
【００２４】
チャック回転駆動機構１２にはロータリーエンコーダ等の回転位置（回転角度）検出計が内蔵されており、スピンベース１３の所定の基準位置からの回転位置を検出して制御ユニット４に送出する。また、制御ユニット４は回転位置検出計から送出された信号に基づいてチャック回転駆動機構１２を駆動させてスピンベース１３を所望の回転位置に位置決めすることが可能となっている。
【００２５】
中空の回転支柱１１には、処理液供給管１４が挿通されており、その上端に下面処理ノズル１５が結合されている。処理液供給管１４は薬液供給ユニット１６およびリンス液供給ユニット１７と接続されており、薬液またはリンス液が選択的に供給される。このように、この実施形態では、基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）を洗浄するために裏面Ｗｂに処理液を供給する、処理液供給管１４および下面処理ノズル１５が本発明の「処理ユニット」として機能する。
【００２６】
また、回転支柱１１の内壁面と処理液供給管１４の外壁面の隙間は、円筒状のガス供給路１９を形成している。このガス供給路１９はガス供給ユニット１８（ガス供給部）と接続されており、基板Ｗの下面とスピンベース１３の対向面との間に形成される空間に窒素ガスを供給することができる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット１８から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。
【００２７】
図３はスピンベース１３を上方から見た平面図である。スピンベース１３には、その中心部に開口が設けられるとともに、その周縁部付近には複数個（この実施形態では１２個）の第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と、複数個（この実施形態では１２個）の第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２が鉛直方向に昇降自在に設けられている。第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２は、回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１３から上方に向けて突出して設けられるとともに、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、円周方向に沿って各第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２の間に位置するように、回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１３から上方に向けて突出して設けられている。つまり、第１および第２支持ピンからなる一対の支持ピンが円周方向に沿って回転中心Ａ０を中心として放射状に１２対、スピンベース１３の周縁部に上方に向けて設けられている。
【００２８】
第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２および第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の各々は、基板裏面Ｗｂと当接することによって、スピンベース１３から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持可能となっている。これらのうち、周方向に沿って１つ置きに配置された１２個の第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２は、第１支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板Ｗの裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。一方で、残る１２個の第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、第２支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板Ｗの裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。なお、基板Ｗを水平に支持するためには、各支持ピン群が有する支持ピンの個数は少なくとも３個以上であればよいが、各支持ピン群が有する支持ピンの個数を１２個とすることにより安定して基板Ｗを支持することができる。
【００２９】
また、第１支持ピン群を構成する第１支持ピンの個数と第２支持ピン群を構成する第２支持ピンの個数とを同数としていることから、第１支持ピン群と第２支持ピン群との間で基板Ｗの支持状態の切り換え（基板の支持／支持の解除）を行う際にも、基板の支持状態の安定性を損なうことなく切り換えを実行することができる。
【００３０】
図４および図５は、スピンチャック１に関連する構成を説明するための断面図（図１０のＡ−Ａ’線断面）である。図４は、支持ピンが上昇した状態を示し、図５は、支持ピンが下降した状態を示す。また、図６は、スピンベース１３内に備えられた動作伝達機構の構成を説明するための平面図である。図４および図５では、第１支持ピンが連動して昇降する様子のみが図示されているが、第２支持ピンも第１支持ピンと同様に連動して昇降可能となっている。
【００３１】
スピンチャック１には、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を連動して昇降動作させるための第１動作伝達機構ＦＴ１と、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を連動して昇降動作させるための第２動作伝達機構ＦＴ２とが設けられている。第１動作伝達機構ＦＴ１は、図６（ａ）に示すように、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２をそれぞれ作動させるための１２個の上下アーム７１と、これらの上下アーム７１を連動して昇降させるための第１上下リング７２とを備えている。上下アーム７１の各々は、回転中心Ａ０を中心として互いに等角度（３０°）間隔で放射状に径方向に伸びるようにして、第１上下リング７２にネジなどの締結部品によって連結されており、各上下アーム７１の先端部には、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２が立設される。同様に、第２動作伝達機構ＦＴ２は、図６（ｂ）に示すように、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２をそれぞれ作動させるための１２個の上下アーム７３と、これらの上下アーム７３を連動して昇降させるための第２上下リング７４とを備えている。上下アーム７３の各々は、回転中心Ａ０を中心として互いに等角度（３０°）間隔で放射状に径方向に伸びるようにして、第２上下リング７４にネジなどの締結部品によって連結されており、各上下アーム７３の先端部には、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２が立設される。
【００３２】
第１上下リング７２および第２上下リング７４は、スピンベース１３の回転中心Ａ０に対して同心に配置されたほぼ円環状の部材であり、第２上下リング７４は、その中央に設けられた開口部７４ａを大きくすることより、開口部７４ａに第１上下リング７２の一部を包囲しながら、第１上下リング７２の上方に配置されている（図４および図５）。これらの第１および第２上下リング７２，７４は、スピンベース１３の回転軸Ｊ（鉛直軸）に沿って昇降可能となっており、第１上下リング７２を昇降させることによって、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を一体的に昇降させることができ、第２上下リング７４を昇降させることによって、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を一体的に昇降させることができる。
【００３３】
スピンベース１３は、上板１３１と下板１３２とをボルトで固定して構成されており、上板１３１の周縁部には、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２および第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を昇降自在に配設するために貫通孔１３１ａが形成されている。また、上板１３１と下板１３２との間に第１および第２動作伝達機構ＦＴ１，ＦＴ２を収容する収容空間が形成されている。上板１３１および下板１３２の中央部には、スピンベース１３を貫通する貫通孔１３３が形成されている。この貫通孔１３３を通り、さらに、スピンチャック１の回転支柱１１を挿通するように、処理液供給管１４が配置されている。この処理液供給管１４の上端には、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面中央に対向する下面処理ノズル１５が固定されている。
【００３４】
図７は、スピンベース１３を背面から見たときの平面図である。第１および第２上下リング７２，７４はそれぞれ、第１および第２上下リング７２，７４を昇降させるための第１および第２連動リング７５、７６と係合している。第１および第２連動リング７５、７６は、回転中心Ａ０に対して同心に配置された円環状の部材であり、第２連動リング７６は、第１連動リング７５よりも外側に配置されている。第１および第２連動リング７５、７６はそれぞれ、スピンベース１３の下板１３２に形成された貫通孔１３４，１３５を介して下板１３２に対して上下方向に伸びるように形成され、それらの上方端が第１および第２上下リング７２、７４と係合している。これらの第１および第２連動リング７５、７６は、スピンベース１３の回転軸Ｊに沿って昇降可能となっており、第１連動リング７５を昇降させることによって、第１上下リング７２を介して第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を昇降させることができ、第２連動リング７６を昇降させることによって、第２上下リング７４を介して第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を昇降させることができる。
【００３５】
次に、図８および図９を用いて第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の構成について説明する。図８は、第１支持ピンの構成を示す図である。なお、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２はいずれも同一構成を有しているため、ここでは１つの第１支持ピンの構成について説明する。第１支持ピンＦ１は、上下アーム７１の上に立設された可動本体部材１０１と、可動本体部材１０１上に設けられ基板Ｗの下面周縁部と当接して基板Ｗを支持可能に構成された支持部材１０２と、可動本体部材１０１を取り囲むようにスピンベース１３の上板１３１に嵌挿されたベローズ１０３と、ベローズ１０３の上方に取り付けられ、その上面に支持部材１０２を載置可能に構成されたリング部材１０５とを備えている。
【００３６】
可動本体部材１０１の頂部には支持部材１０２を装着可能なネジ孔１０１ａが形成されており、ネジ孔１０１ａに支持部材１０２を嵌挿させることで可動本体部材１０１上に支持部材１０２を立設する。支持部材１０２は、ネジ形状の部材であり、上部のネジ頭部（ネジ山）が支持部位１０２ａとして基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを支持可能に構成されるとともに、下部のネジ部が可動本体部材１０１のネジ孔１０１ａと螺合可能に構成されている。ベローズ１０３の上端部１０３ａは、可動本体部材１０１の頂部（ネジ孔１０１ａの周縁部）を覆うようにして可動本体部材１０１と係合することにより、可動本体部材１０１を保護するとともに、貫通孔１３１ａからスピンベース１３内部に液が侵入するのを防止している。ベローズ１０３は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）より形成され、薬液等により基板Ｗを処理する際に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）またはアルミニウム等から形成される可動本体部材１０１を保護する。また、スピンベース１３の上板１３１とベローズ１０３の端部材との間には、シール部材２０１が配設され、スピンベース１３の内部空間を外部雰囲気から遮断している。
【００３７】
リング部材１０５は、支持部材１０２のネジ部の径に合わせて開口した円環状の部材であり、ベローズ１０３の上端部１０３ａの上に載置され、支持部材１０２が可動本体部材１０１のネジ孔１０１ａにねじ込まれることで固定される。支持部材１０２のネジ部とリング部材１０５との間にはシール部材１０４が配置され、支持部材１０２とリング部材１０５との間から可動本体部材１０１のネジ孔１０１ａに液が侵入するのを防止している。支持部材１０２およびリング部材１０５は、耐薬性を考慮して、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）で形成されるのが好ましい。一方、耐薬性を考慮する必要がない場合には、ゴム系材質で形成するようにしてもよい。
【００３８】
第１支持ピンＦ１の下方には、圧縮コイルばね２０２をその伸縮方向を鉛直方向に沿って配置するとともに収容したばねケース２０３がスピンベース１３の下板１３２に設置されている。これにより、第１支持ピンＦ１は、上下アーム７１を介して上方に向かって付勢されており、その結果として、図４に示すように、第１支持ピンＦ１は、支持部位１０２ａが、基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを支持する支持位置ＰＳに位置決めされる。なお、このような第１支持ピンＦ１の高さ位置は、スピンベース１３内部に固定配置されたストッパー２０４が可動本体部材１０１の下端のフランジ部１０１ｂに係合することによって第１支持ピンＦ１の上限位置が規定される。一方、図５に示すように、後述するようにして第１支持ピンＦ１が下降された場合には、ばねケース２０３の上端面２０３ａがストッパーの役割を果たし、上下アーム７１の下方端がばねケース２０３の上端面２０３ａに係合することによって第１支持ピンＦ１の下限位置が規定される。
【００３９】
図９は、第２支持ピンの構成を示す図である。第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２とは、基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを支持可能に構成されている点において共通する。その一方で、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、支持部位１０２ａに支持された基板Ｗが水平方向に移動した際に、当該移動を規制することが可能となっている点で相違する。そのため、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２については、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２との相違点についてのみ説明することとし、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と同一の構成については、同一符号を付して説明を省略する。なお、各第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２はいずれも同一構成を有している。
【００４０】
第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、ベローズ１０３（上端部１０３ａ）と支持部材１０２との間に介装されるリング部材１０６が、基板Ｗの端面に当接可能に仕上げられている。つまり、リング部材１０６は、支持部材１０２に対して基板Ｗの周縁側に配置された規制部位１０６ａを有し、規制部位１０６ａによって基板Ｗが水平方向に移動した際に、基板Ｗの端面に当接して基板Ｗの水平方向の移動を規制することが可能となっている。そして、このような規制部位１０６ａが第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の各々に設けられることで、支持部位１０２ａに支持された基板Ｗが水平方向においてどのように移動したとしても基板Ｗの端面が規制部位１０６ａに当接して、基板Ｗの径方向外側への飛び出しを防止することが可能となっている。
【００４１】
各第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の規制部位１０６ａは、支持部位１０２ａに支持された基板Ｗの端面と対向しながら該基板端面から所定の間隙を隔てるようにして設けられている。具体的には、各第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の規制部位１０６ａをそれぞれ結んで描かれる仮想円ＶＣ（図３参照）の直径が、基板Ｗの直径に対して若干大きくなるように、規制部位１０６ａが設けられている。したがって、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２により基板Ｗを支持させるためには、後述する基板位置決め処理において、基板Ｗの水平位置を上記した仮想円ＶＣの内側に位置決めしておく必要がある。
【００４２】
また、図９（ｂ）に示すように、規制部位１０６ａの高さは、支持部位１０２ａによって支持された基板Ｗの上面の高さ位置ＷＴよりも低くなるように形成されている。このように構成することで、後述する遮断板５が基板Ｗの上面（表面Ｗｆ）に対向しながら近接配置される場合であっても、遮断板５と規制部位１０６ａとが接触するのを防止できる。また、基板Ｗに処理液を供給する際に、基板Ｗの径方向外側に流れ基板上から排出される処理液が基板Ｗに向けて跳ね返るのを抑制することができる。
【００４３】
なお、その他の第２支持ピンの構成は第１支持ピンの構成と同様である。ここで、各第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、上下アーム７３の先端部に立設されているが、上下アーム７３が上昇した際に当接するストッパー２０４の高さ位置は、第１支持ピンＦ１の下方に配置されるストッパー２０４の高さ位置と同一である。そのため、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と同一の支持位置ＰＳで基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを支持可能となっている。
【００４４】
図４および図５に戻って説明を続ける。回転支柱１１はチャック回転駆動機構１２のモータの駆動軸と一体化しており、チャック回転駆動機構１２を貫通して設けられている。チャック回転駆動機構１２を包囲するようにケーシング２１が配置されており、このケーシング２１は、さらに、筒状のカバー部材２２によって包囲されている。カバー部材２２の上端はスピンベース１３の下面近傍にまで及んでおり、その上端付近の内面にはシール機構２３が配置されている。このシール機構２３はスピンベース１３の下面に固定されたシール部材２４に摺接するようになっており、これにより、シール機構２３と回転支柱１１との間には、外部雰囲気から遮断された機構部収容空間ＭＳが形成されている。
【００４５】
また、図１に示すように、カバー部材２２の周囲には、受け部材２５が固定的に取り付けられている。カバー部材２２の外壁面と受け部材２５の内壁面との間の空間は排液槽２６を構成しており、排液槽２６の底部には、回収ドレイン２７に連通接続された排液口２６ａが設けられている。そして、回収ドレイン２７から排液された処理液（薬液およびリンス液）は必要に応じて再利用または廃棄される。
【００４６】
また、排液槽２６の上方には、スピンチャック１及び該スピンチャック１に保持された基板Ｗを包囲するように筒状の飛散防止カップ２８が昇降自在に設けられている。この飛散防止カップ２８は、基板Ｗに供給され該基板から除去された処理液が飛散するのを防止するために設けられており、制御ユニット４からの動作指令に応じてカップ昇降駆動機構２９を駆動させることで回転軸Ｊに沿って昇降する。すなわち、飛散防止カップ２８を上方位置（図１の実線で示す位置）に位置させることでスピンチャック１及び該スピンチャック１に保持された基板Ｗを側方位置から取り囲み、基板Ｗに供給され飛散する処理液を捕集可能となっている。一方で、図示していない搬送手段が未処理の基板Ｗをスピンベース１３上の支持ピンに載置したり、処理済の基板Ｗを支持ピンから受け取る際には、下方位置（図１の破線で示す位置）に駆動される。
【００４７】
図１０は、第１および第２支持ピンを駆動するための駆動機構の構成を説明するための平面図である。機構部収容空間ＭＳ内において、ケーシング２１の上蓋部２１ａ上には、回転支柱１１を取り囲むほぼ円環状のギヤケース６１が取り付けられている。ギヤケース６１上には、図１０の平面図に示すように、第１モータＭ１および第２モータＭ２が、回転支柱１１に対して対称な位置に固定されている。ギヤケース６１の内部には、図４および図５に示されているように、その内壁面の内周側および外周側にそれぞれベアリング６２，６３が圧入されている。ベアリング６２，６３は回転支柱１１に対して同軸に配置されている。内側のベアリング６２の回転側リングには、回転支柱１１を包囲するリング状の第１ギヤ６４が固定されており、外側のベアリング６３の回転側リングには回転支柱１１を包囲するリング状の第２ギヤ６５が固定されている。したがって、ギヤケース６１内において、第１ギヤ６４および第２ギヤ６５は回転支柱１１に対して同軸的に回転可能であり、第２ギヤ６５は第１ギヤ６４よりも外側に位置している。第１ギヤ６４は、外周側にギヤ歯を有し、第２ギヤ６５は、内周側にギヤ歯を有している。
【００４８】
第１モータＭ１の駆動軸に固定されたピニオン６６は、第１ギヤ６４と第２ギヤ６５との間に入り込み、内側に配置された第１ギヤ６４に噛合している。同様に、図１０に示されているとおり、第２モータＭ２の駆動軸に固定されたピニオン６７は、第１ギヤ６４と第２ギヤ６５との間に位置し、外側に配置された第２ギヤ６５に噛合している。ギヤケース６１上にはさらに、モータＭ１，Ｍ２を回避した位置に、一対の第１ボールねじ機構８１が回転支柱１１を挟んで対向する位置（すなわち、回転支柱１１の側方）に配置されている。さらに、ギヤケース６１上には、モータＭ１，Ｍ２および第１ボールねじ機構８１を回避した位置に、他の一対の第２ボールねじ機構８２が、回転支柱１１を挟んで対向するように位置（すなわち、回転支柱１１の側方）に配置されている。
【００４９】
第１ボールねじ機構８１は、図４および図５に示されているように、回転支柱１１と平行に配置されたねじ軸８３と、このねじ軸８３に螺合するボールナット８４とを備えている。ねじ軸８３は、ギヤケース６１の上蓋部に軸受け部８５を介して取り付けられており、その下端は、ギヤケース６１の内部に及んでいる。このねじ軸８３の下端には、ギヤ８６が固定されており、このギヤ８６は第１ギヤ６４と第２ギヤ６５との間に入り込み、内側に配置された第１ギヤ６４に噛合している。
【００５０】
一方、ボールナット８４には第１非回転側可動部材８８が取り付けられている。この第１非回転側可動部材８８は、回転支柱１１を取り囲む環状の部材であって、その内周面には、回転支柱１１を取り囲むように設けられた第１ベアリング７７の非回転側リング７７ｆが固定されている。第１ベアリング７７の回転側リング７７ｒは非回転側リング７７ｆよりも回転支柱１１に対して内方側に配置されている。この回転側リング７７ｒは、回転支柱１１を取り囲む環状の第１回転側可動部材８９の外周面側に固定されている。第１回転側可動部材８９は、回転支柱１１の外周面に突出して設けられた案内レール９０に係合している。この案内レール９０は、回転支柱１１に平行な方向に沿って形成されており、これにより、第１回転側可動部材８９は、回転支柱１１に沿う方向に案内されて移動可能な状態で、回転支柱１１に結合されている。
【００５１】
第１モータＭ１を駆動してピニオン６６を回転させると、この回転は第１ギヤ６４に伝達される。これによって、第１ギヤ６４に噛合しているギヤ８６が回転して、第１ボールねじ機構８１のねじ軸８３が回転する。これによって、ボールナット８４およびこれに結合された第１非回転側可動部材８８が回転支柱１１に沿って昇降することになる。回転支柱１１とともに回転することになる第１回転側可動部材８９は、第１ベアリング７７を介して第１非回転側可動部材８８に結合されているから、この第１非回転側可動部材８８の昇降により、回転支柱１１の回転中であっても、案内レール９０に沿って昇降されることになる。
【００５２】
第１ボールねじ機構８１によって昇降されるリング状の第１非回転側可動部材８８の外方には、別のリング状の第２非回転側可動部材９１が配置されている。第２ボールねじ機構８２は、上記第１ボールねじ機構８１と同様な構成を有しているが、そのねじ軸の下端に設けられたギヤは、ギヤケース６１内の第１ギヤ６４と第２ギヤ６５との間において、第２ギヤ６５に内側から噛合している。したがって、同じく第２ギヤ６５に噛合しているピニオン６７を第２モータＭ２によって駆動すれば、第２ボールねじ機構８２のボールナット（図示せず）が昇降することになる。このボールナットが、第２非回転側可動部材９１に結合されている。
【００５３】
第２非回転側可動部材９１の外周面には、回転支柱１１を取り囲むように設けられた第２ベアリング７８の非回転側リング７８ｆが固定されている。この第２ベアリング７８の回転側リング７８ｒは、回転支柱１１を取り囲むリング状の第２回転側可動部材９２の内周面に固定されている。第２回転側可動部材９２の上面には、回転伝達ピン９３が回転支柱１１に沿う鉛直方向に２本、回転支柱１１を挟んで回転支柱１１を中心として略対称な位置に挿入されている（図７）。回転伝達ピン９３は、スピンベース１３の上板１３１および下板１３２を貫通するようにしてスピンベース１３に固定されており、その下端が第２回転側可動部材９２を昇降自在にしながら第２回転側可動部材９２と係合している。そして、第２ボールねじ機構８２のボールナットとともに第２非回転側可動部材９１が昇降するとき、第２ベアリング７８を介して結合された第２回転側可動部材９２も同時に昇降する。第２回転側可動部材９２は昇降可能な状態で回転伝達ピン９３を介してスピンベース１３に結合されているからスピンベース１３とともに（すなわち回転支柱１１とともに）回転されるが、この回転中であっても、第２ボールねじ機構８２からの駆動力を得て、昇降が可能である。
【００５４】
第１回転側可動部材８９には、その上方側に鉛直方向に伸びて第１連動リング７５と係合する上下駆動ピン８９１が４本設けられている。具体的には、第１連動リング７５には、図７に示すように、上下駆動ピン８９１の各々に対応して上下駆動ピン８９１に係合可能な切欠部７５１が形成されており、各切欠部７５１に上下駆動ピン８９１が挿入されている。そして、図５に示すように、第１回転側可動部材８９が下降されることで、上下駆動ピン８９１の肩部８９１ａが第１連動リング７５に係合して、つまり４本の上下駆動ピン８９１が第１連動リング７５を下方に引き下げるようにして、第１連動リング７５を降下させる。これにより、上下アーム７１の下方に配置された圧縮コイルばね２０２の付勢力に抗して、第１連動リング７５に係合する第１上下リング７２および第１上下リング７２に連結された上下アーム７１を一体的に降下させて上下アーム７１の各々に立設された第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を降下させることができる。
【００５５】
さらに、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の降下動作についても、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２の降下動作とほぼ同様である。すなわち、第２連動リング７６には、第２回転側可動部材９２が有する上下駆動ピン（図示せず）の各々に対応して上下駆動ピンに係合可能な挿入孔７６１が形成されており、各挿入孔７６１に上下駆動ピンが挿入される。そして、第２回転側可動部材９２が下降することで、上下駆動ピンが第２連動リング７６に係合して、第２連動リング７６を降下させる。これにより、上下アーム７３の下方に配置された圧縮コイルばね２０２の付勢力に抗して、第２連動リング７６に係合する第２上下リング７４および第２上下リング７４に連結された上下アーム７３を一体的に降下させて上下アーム７３の各々に立設された第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を降下させることができる。
【００５６】
したがって、制御ユニット４の動作指令に応じて第１および第２モータＭ１、Ｍ２を回転駆動させることで、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群と、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群とを同時に、または独立して昇降させることが可能となっている。これにより、次に示す３種類の態様で基板Ｗを支持することができる。すなわち、第１および第２モータＭ１、Ｍ２を駆動させない状態では、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２の全ての支持ピンが支持位置ＰＳに位置して基板Ｗを第１支持ピン群と第２支持ピン群とで支持することができる。また、第１モータＭ１を駆動させることで第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を降下させて該第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を基板Ｗの下面から離間させ、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２のみにより基板Ｗを支持することができる。その一方で、第２モータＭ２を駆動させることで第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を降下させて該第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を基板Ｗの下面から離間させ、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２のみにより基板Ｗを支持することができる。
【００５７】
図１に戻って説明を続ける。スピンチャック１の上方には、スピンベース１３に対向する円盤状の遮断板５が水平に配設されている。この遮断板５は、スピンチャック１の回転支柱１１と同軸上に配置された回転支柱５１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転支柱５１には、遮断板回転駆動機構５２が連結されており、制御ユニット４からの動作指令に応じて遮断板回転駆動機構５２のモータを駆動させることにより遮断板５を回転軸Ｊ回りに回転させる。制御ユニット４は、遮断板回転駆動機構５２のモータをチャック回転駆動機構１２のモータと同期するように制御することで、スピンチャック１と同じ回転方向および同じ回転速度で遮断板５を回転駆動させることができる。
【００５８】
また、遮断板５は、遮断板昇降駆動機構５３と接続され、遮断板昇降駆動機構５３の昇降駆動用アクチェータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、遮断板５をスピンベース１３に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット４は遮断板昇降駆動機構５３を作動させることで、基板処理装置に対して基板Ｗを搬入出、あるいは後述する位置決めユニット４０により基板Ｗの位置決めを行う際には、スピンチャック１の上方の退避位置に遮断板５を上昇させる。その一方で、基板Ｗをスピンベース１３から所定距離だけ上方に離間した基板処理位置（支持位置ＰＳに位置決めされた支持ピンにより支持された基板Ｗの高さ位置）で該基板に対して洗浄処理を施す際には、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された所定の対向位置（図１に示す位置）まで遮断板５を下降させる。これにより、遮断板５の下面（対向面５０１）と基板表面Ｗｆとが近接した状態で離間して対向配置される。
【００５９】
遮断板５の中心の開口および回転支軸５１の中空部は、ガス供給路５４を形成している。このガス供給路５４はガス供給ユニット１８と接続されており、基板Ｗの上面（表面Ｗｆ）と遮断板５の対向面５０１との間に形成される空間ＳＰに窒素ガスを供給することができる。
【００６０】
図１１は遮断板５の底面図である。遮断板５は、その下面（底面）が基板Ｗの上面（表面Ｗｆ）と略平行に対向する対向面５０１となっており、その平面サイズは基板Ｗの直径と同等以上の大きさに形成されている。このため遮断板５が対向位置に配置されると基板Ｗの表面全体を覆って基板表面Ｗｆ上の雰囲気を外部雰囲気から遮断することが可能となっている。また、遮断板５の周縁部には遮断板５を上下方向（鉛直軸方向）に貫通する、略円筒状の内部空間を有する貫通孔５０２が形成されており、後述する周縁処理ノズル３が挿入可能となっている。この貫通孔５０２はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面周縁部ＴＲに対向する位置に形成されているため、周縁処理ノズル３を貫通孔５０２に挿入させることで周縁処理ノズル３を表面周縁部ＴＲに対向して配置させることができる。
【００６１】
また、対向面５０１には複数のガス噴出口５０６が開口している。複数のガス噴出口５０６はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面中央部の非処理領域ＮＴＲに対向する位置に、回転中心Ａ０を中心とする円周に沿って等角度間隔に形成されている。これらのガス噴出口５０６は、遮断板５の内部のガス流通空間５０５に連通しており、ガス流通空間５０５に窒素ガスが供給されると、ガス噴出口５０６を介して窒素ガスが空間ＳＰに供給される。なお、ガス噴出口は複数の開口に限らず、単一の開口、例えば、回転中心Ａ０を中心として全周にわたってリング状に開口したものであってもよい。但し、複数のガス噴出口とした方が、ガス噴出圧の均一性を得る点で有利である。
【００６２】
そして、この空間ＳＰに窒素ガスが供給されることで空間ＳＰの内部圧力を高めて基板Ｗをその下面に当接する支持ピン（第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２および／または第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２）に押圧させることができる。これによって、支持ピンに押圧された基板Ｗは、チャック回転駆動機構１２がスピンベース１３を回転させることで基板Ｗの下面と支持ピンとの間に発生する摩擦力によって支持ピンに支持されながらスピンベース１３とともに回転する。なお、供給された窒素ガスは空間ＳＰを基板Ｗの中心付近から径方向外側へと流れていく。
【００６３】
したがって、制御ユニット４が、ガス供給ユニット１８を制御して空間ＳＰに窒素ガスを供給しながら、第１および第２モータＭ１、Ｍ２を回転駆動させることにより、次の３種類の保持モードで基板Ｗを保持可能としながら、該３種類の保持モードの間で保持モードを選択的に切り換えることができる。すなわち、制御ユニット４は、
(1)第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を下降させて第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２（第１支持ピン群）で基板Ｗを支持しながら、空間ＳＰに供給される窒素ガスによって基板Ｗを第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に向けて押圧してスピンベース１３に保持させる第１保持モード、
(2)第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を下降させて第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２（第２支持ピン群）で基板Ｗを支持しながら、空間ＳＰに供給される窒素ガスによって基板Ｗを第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２に向けて押圧してスピンベース１３に保持させる第２保持モード、
(3)第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２（第１および第２支持ピン群）で基板Ｗを支持しながら、空間ＳＰに供給される窒素ガスによって基板Ｗを第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２に向けて押圧してスピンベース１３に保持させる第３保持モード
とに保持モードを選択的に切り換え可能となっている。
【００６４】
次に、周縁処理ノズル３について説明する。周縁処理ノズル３は、ノズルアーム３１の一方端に固着されている。ノズルアーム３１の他方端はアーム軸３２により軸支され、アーム軸３２が回動することで周縁処理ノズル３がアーム軸３２を中心として所定の角度範囲で揺動可能となっている。また、アーム軸３２には、ノズルアーム３１と該ノズルアーム３１に固着された周縁処理ノズル３とを一体的に駆動させるノズル移動機構３３が連結されている。このノズル移動機構３３は、周縁処理ノズル３とノズルアーム３１とを揺動させるモータ等の揺動駆動源３３１と、周縁処理ノズル３とノズルアーム３１とを上下方向に昇降させるシリンダ等の昇降駆動源３３２とを備えている。これらの構成により、周縁処理ノズル３を、揺動駆動源３３１により基板表面Ｗｆに平行に水平移動させるとともに、昇降駆動源３３２により上下移動させることが可能となっている。このため、制御ユニット４からの動作指令に応じてノズル移動機構３３が駆動されることで、周縁処理ノズル３を遮断板５の貫通孔５０２に挿入させて表面周縁部ＴＲに処理液を供給可能な処理位置Ｐ１（図１の実線で示す位置）と、周縁処理ノズル３を表面周縁部ＴＲから離間した離間位置Ｐ２（図１の破線で示す位置）とに移動させることができる。
【００６５】
周縁処理ノズル３はノズル後端部においてチューブ等を介して薬液供給ユニット１６およびリンス液供給ユニット１７と接続されており、薬液またはリンス液が供給される。このため、例えば制御ユニット４からの動作指令に応じて薬液供給ユニット１６から薬液が圧送されると、周縁処理ノズル３の吐出口から薬液が吐出され、表面周縁部ＴＲに供給されるとともに、基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、基板外に排出される。したがって、薬液の供給位置よりも基板内周側の非処理領域ＮＴＲには薬液は供給されず、その結果、基板表面Ｗｆの周縁部は基板Ｗの端面から内側に向かって一定の幅（周縁エッチング幅）で薄膜がエッチング除去される。また、制御ユニット４からの動作指令に応じてリンス液供給ユニット１７からリンス液が圧送されると、周縁処理ノズル３の吐出口からリンス液が吐出され、表面周縁部ＴＲに供給されるとともに、基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、基板外に排出される。このように、この実施形態では、基板Ｗの表面周縁部ＴＲから薄膜をエッチング除去するために該表面周縁部ＴＲに処理液を供給する、周縁処理ノズル３および該周縁処理ノズル３を駆動するノズル移動機構３３等が本発明の「処理ユニット」として機能する。
【００６６】
また、遮断板５の貫通孔５０２の内壁には、ガス導入部５０４が開口されており、ガス導入部５０４から貫通孔５０２の内部空間に窒素ガスを供給することが可能となっている。ガス導入部５０４は遮断板５の内部に形成されたガス流通空間５０５を介してガス供給ユニット１８に連通している。したがって、制御ユニット４からの動作指令に応じてガス供給ユニット１８から窒素ガスが圧送されると、貫通孔５０２の内部空間に窒素ガスが供給され、周縁処理ノズル３が離間位置Ｐ２（図１の破線で示す位置）に移動された状態、すなわち、周縁処理ノズル３が貫通孔５０２に挿入されていない状態では、貫通孔５０２の上下双方の開口から窒素ガスが噴出される。
【００６７】
周縁処理ノズル３が処理位置Ｐ１に位置決めされた際に、周縁処理ノズル３の段差面と貫通孔５０２の内壁の当接面とが当接することにより基板Ｗ側へのガス流路が塞がれ、窒素ガスが当接部分を越えて貫通孔５０２から基板表面Ｗｆと対向面５０１とで挟まれた空間ＳＰに噴出するのが防止される。なお、ガス導入部５０４を介して貫通孔５０２に導入された窒素ガスは貫通孔５０２の上方、つまり基板Ｗの反対側の開口から排出される。
【００６８】
＜位置決めユニット＞
次に、図１２および図１３を用いて、本発明の「基板位置決め装置」として基板処理装置内に装備された位置決めユニット４０について説明する。基板Ｗの端面から内側に向かってエッチング除去される幅（周縁エッチング幅）を正確にコントロールするためには、スピンベース１３の回転中心Ａ０と基板Ｗの中心Ｗ０とを一致させることが重要となっている。基板中心Ｗ０とスピンベース１３の回転中心とが位置ずれ（偏心）していると、周縁エッチング幅を均一にして処理することができなくなるからである。ここで、例えば基板Ｗの周縁を挟持するチャックピン等の挟持部材を３個以上設けた場合には、各挟持部材が基板Ｗの端面に当接して基板Ｗを保持することで、スピンベース１３等の回転部材の回転中心と基板中心とを所定の範囲に位置決めすることが可能である。その一方で、本発明のように挟持部材がない状態では、基板Ｗが装置内に搬入され支持ピンに載置された後、スピンベース１３の回転中心Ａ０に対する基板中心Ｗ０の偏心量（スピンベース１３の回転中心Ａ０と基板中心Ｗ０との間の距離）を測定するとともに、基板Ｗが偏心している場合には基板Ｗの水平位置を補正する必要がある。そこで、位置決めユニット４０により、次のようにしてスピンベース１３の回転中心Ａ０と基板中心Ｗ０とを一致させている。
【００６９】
図１２は、位置決めユニットの構成を示す図である。この位置決めユニット４０は、スピンチャック１と、支持ピンに滑動自在に支持された基板Ｗの端面に当接して該基板Ｗを水平方向に押圧する押圧ブロック４１と、押圧ブロック４１を支持するロッド４２と、該ロッド４２に接続され、押圧ブロック４１をスピンベース１３の回転中心Ａ０を通る線上（スピンベース１３の径方向）に沿って水平方向に移動させるブロック移動機構４３と、基板Ｗの周縁に配置されて該基板Ｗの端面位置を検出するセンサ４４とを備えている。
【００７０】
ここで、上記したように、基板Ｗは第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２により支持可能に構成されており、基板Ｗの位置決めを行う際には、制御ユニット４は、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を基板Ｗの下面から離間させて第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２のみにより、又は逆に第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を基板Ｗの下面から離間させて第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２のみにより、あるいは第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２及び第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２により基板Ｗを支持させる。このように、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群が、本発明の「支持手段」として機能する。ここで、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は規制部位１０６ａを有しているが、その位置は基板Ｗの端面より離れているので位置決め作用を有しておらず、「支持手段」として用いてもよいが、以下の実施形態では第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持させる形態について説明する。
【００７１】
押圧ブロック４１は円筒形状をなしており、その上面にロッド４２が固着されている。そのため、ブロック移動機構４３がロッド４２を水平方向に駆動させることで、押圧ブロック４１の側面４１ａを基板Ｗの端面に当接させつつ基板Ｗを水平方向に押動することが可能となっている。具体的には、押圧ブロック４１の側面４１ａ（本発明の「当接部位」に相当）が、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に滑動自在に支持された基板Ｗに当接しつつ押圧することで、基板裏面Ｗｂ（下面）と第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２との間に発生する摩擦力よりも大きな力を作用させて基板Ｗを第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２上で滑動させて押圧方向に基板Ｗを移動させることが可能となっている。このように、この実施形態では、押圧ブロック４１が本発明の「押圧部材」として機能している。
【００７２】
押圧ブロック４１の横断面形状は円形であり、押圧ブロック４１が基板Ｗと当接する際に側面４１ａと基板Ｗの端面とが点接触するように構成されている。このように基板Ｗと当接可能に押圧ブロック４１を構成することで、基板Ｗとの接触面積を小さくして基板Ｗと当接する位置を制御することが容易となる。
【００７３】
また、ロッド４２とセンサ４４とは、図示省略するブラケット等の取付け具を介して連結されている。このため、制御ユニット４からの動作指令に応じてブロック移動機構４３が作動することで、１つの駆動系で押圧ブロック４１とセンサ４４とが一体的に駆動するように構成されている。
【００７４】
図１３は、図１２の位置決めユニットの動作を説明するための図である。ブロック移動機構４３は、ロッド４２（およびセンサ４４）を駆動させることで、押圧ブロック４１の側面４１ａをスピンベース１３の回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗの半径に対応して定められた距離Ｒだけ離れた既定位置Ｐ１１（図１３の破線位置）と、基板Ｗから側方に離間した離間位置Ｐ１２（図１３の実線位置）との間で移動可能に構成されている。このように、この実施形態では、ブロック移動機構４３が本発明の「駆動手段」として機能している。
【００７５】
ここで、既定位置Ｐ１１として、例えばスピンベース１３の回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗの半径に位置決め目標精度の正の許容値を加えた距離Ｒだけ離れた位置に、押圧ブロック４１の側面４１ａがブロック移動機構４３によって位置決めされる。例えば、基板Ｗの直径が３００ｍｍ、位置決め目標精度を＋０．０５／−０．０５ｍｍとした場合には、既定位置Ｐ１１として、スピンベース３の回転中心Ａ０から１５０．０５ｍｍだけ離れた位置に押圧ブロック４１の側面４１ａが移動される。なお、既定位置Ｐ１１として、そのまま回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗの半径だけ離れた位置としてもよい。
【００７６】
センサ４４は、基板Ｗの側方に配置され、スピンベース１３を回転させることでスピンベース１３上に支持された基板Ｗの端面位置を検知することでセンサ４４から基板Ｗの端面までの距離を検出する。ここで、センサ４４とスピンベース１３の回転中心Ａ０との間の相対距離は一定であるので、基板中心Ｗ０がスピンベース１３の回転中心Ａ０から偏心している場合には、センサ４４から基板Ｗの端面までの距離が基板Ｗの回転に伴って変動する。このため、基板Ｗを回転させながらセンサ４４が基板Ｗの端面までの距離を検出することで、回転中心Ａ０から最も離れた端面（以下「最大偏心部位」という）を知ることができる。
【００７７】
また、処理対象としている半導体ウエハ等の基板Ｗの周縁部には、ウエハ面内の結晶学的基準方位を示すために、ノッチＮＴが形成されている。ノッチＮＴは基板Ｗの端面を略半円形に切り欠いた切欠部より形成され基板方向表示部としても機能する。なお、この表示部としては形状が既知量として用いられる切欠部であれば他の形状であってもよい。そのため、センサ４４が基板Ｗの端面までの距離を測長することにより、制御ユニット４が基板Ｗの偏心量とともに周方向（回転方向Ａ）におけるノッチＮＴの位置を特定することが可能となっている。例えばセンサ４４から基板Ｗの端面までの距離の絶対値が所定値以上のときは当該端面位置がノッチＮＴの位置であると予め定義しておくことにより、ノッチＮＴの位置を特定することができる。また、センサ４４の検出性能によっては、検出不能な箇所をノッチＮＴの位置としておくことにより、ノッチＮＴの位置を特定することができる。
【００７８】
なお、センサ４４には例えば投光部と受光部とを備え、反射光の位置から三角測量法により距離を測定する光学式距離センサ、あるいは測定対象物との間の容量を検出することにより距離（または距離の変位量）を測定する静電容量式の近接覚センサなどを用いることができる。このように、この実施形態では、センサ４４が本発明の「検出手段」として機能している。
【００７９】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図１４ないし図２１を参照しつつ詳述する。図１４は、図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。先ず、飛散防止カップ２８を下方位置（図１の破線で示す位置）に位置させて、スピンチャック１を飛散防止カップ２８の上方から突出させるとともに、遮断板５をスピンチャック１の上方の退避位置に位置させて、遮断板５とスピンチャック１との間隔を広げる。この状態で搬送手段（図示せず）が未処理の基板Ｗを装置内に搬入する（ステップＳ１）。
【００８０】
この装置では、基板Ｗの表面Ｗfにメタル層などの薄膜ＴＦが形成された基板Ｗを薄膜形成面を上方に向けた状態で搬入させ、制御ユニット４が図１５のフローチャートに示す一連の基板位置決め処理を実行する（ステップＳ２）。ここで、基板位置決め処理を実行に先立って、制御ユニット４は、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持させる。これにより、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２に設けられた規制部位１０６ａがセンサ４４と基板端面との間を遮ったり、押圧ブロック４１を基板端面に当接させて押し込む際に、規制部位１０６ａと接触するのを回避することができる。また、基板Ｗとの干渉を避けるため押圧ブロック４１を離間位置Ｐ１２に退避させた状態とする。なお、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群による基板Ｗの支持の場合であっても、センサ４４による検出の際に規制部位１０６ａの検出値を特定することでサンプリングから除去したり、サンプリング周期で規制部位１０６ａ位置を飛ばすことで同様の処理を行うことができる。
【００８１】
図１５は基板位置決め処理を示すフローチャートである。また、図１６は、図１５の基板位置決め処理の動作を説明するための図である。先ず、センサ４４による基板Ｗの端面までの距離の検出（サンプリング）を開始する。サンプリング周期としては、例えば０．１ｓｅｃに設定する。そして、センサ４４による検出動作を実行した状態で、制御ユニット４はチャック回転駆動機構１２を作動させて基板Ｗを低速（例えば１２ｒｐｍ）で回転方向Ａ（この実施形態では反時計回り）に回転させる。このとき、基板Ｗは裏面Ｗｂと第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２との間に発生する摩擦力で第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に保持されながら回転中心Ａ０回りに回転する。ここで、スピンベース１３の回転位置はチャック回転駆動機構１２に内蔵された回転位置検出計により検出され、制御ユニット４に送出される。その結果、基板Ｗの周方向位置と基板Ｗの端面までの距離について基板Ｗの全周を計測することで、図１７に示すような計測結果を得ることができる。
【００８２】
図１７はセンサによる検出結果を示すグラフである。具体的には基板Ｗを略一周回転させた際に得られる、基板Ｗの周方向位置に対するセンサ４４から基板Ｗの端面までの距離を示すグラフである。図１７に示すように、回転中心Ａ０と基板中心Ｗ０とがずれている（偏心している）場合には、センサ４４から基板Ｗの端面までの距離が変化して、当該距離が最小となる極小点ＰＡと当該距離が最大となる極大点ＰＢとが検出される。また、得られた波形は基本的にサインカーブに近似することができるが、そのサインカーブから極端に基板端面までの距離が外れた位置が現れ、当該位置がノッチＮＴの位置として検出される。
【００８３】
ここで、図１６（ａ）に示すように、極小点ＰＡは回転中心Ａ０から最も離れた端面（最大偏心部位）、すなわち回転中心Ａ０から基板中心Ｗ０の方向（偏心方向）に伸びる仮想線ＰＬ１を想定した場合に該仮想線ＰＬ１と基板Ｗの外径とが交わる位置に相当する。そして、制御ユニット４は、回転位置検出計から送出される信号とセンサ４４からの検出信号に基づいて円周方向における最大偏心部位ＰＡ（回転方向の位置）とノッチＮＴの位置を検出する（ステップＳ１１；検出工程）。なお、極小点ＰＡと極大点ＰＢとの間の距離は、回転中心Ａ０に対する基板中心Ｗ０の偏心量（基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０との間の距離）の２倍に相当する。
【００８４】
そして、制御ユニット４は、基板Ｗの偏心量に対する位置決め目標精度をＴＡとしたとき、極小点（最大偏心部位）ＰＡと極大点ＰＢとの間の距離が２×ＴＡの範囲内にあるか否かを判断して（ステップＳ１２）、目標精度２×ＴＡの範囲内にある場合（ステップＳ１２でＹＥＳ）には基板Ｗの位置決めをすることなく、そのまま処理を終了する。一方、目標精度２×ＴＡの範囲内にない場合（ステップＳ１２でＮＯ）には基板Ｗの位置決めを実行する。
【００８５】
ここで、基板Ｗの位置決めを実行する場合（ステップＳ１２でＮＯ）、制御ユニット４は最大偏心部位ＰＡが押圧ブロック４１と対向する対向位置（図１６（ｂ）の実線で示す基板Ｗの位置）に位置するように基板Ｗを回転させる（ステップＳ１３）。
【００８６】
また、制御ユニット４は、最大偏心部位ＰＡにノッチＮＴが位置するか否かによって、次のように押圧ブロック４１と対向する対向位置に対して基板Ｗの端面位置を制御する（ステップＳ１４）。すなわち、図１７（ａ）に示すようにノッチＮＴが最大偏心部位ＰＡに位置しない場合（ステップＳ１４でＮＯ）には、そのまま最大偏心部位ＰＡが押圧ブロック４１と対向する対向位置に位置したときに基板Ｗの回転を停止させる。その一方で、図１７（ｂ）に示すようにノッチＮＴが最大偏心部位ＰＡに位置する場合（ステップＳ１４でＹＥＳ）には、ノッチＮＴが押圧ブロック４１と対向する対向位置から外れるように基板Ｗをさらに回転させることにより基板Ｗの端面位置を変更する（位置合わせ工程）。このように、この実施形態では、制御ユニット４が本発明の「補正手段」として機能している。
【００８７】
図１８は、基板の端面位置の変更動作を示す図である。図１８（ａ）は、ノッチＮＴが最大偏心部位ＰＡに位置する場合であって、最大偏心部位ＰＡを押圧ブロック４１と対向する対向位置に移動させたときの様子を示している。ノッチＮＴ部における基板中心Ｗ０から基板端面までの距離は、ノッチＮＴによって基板Ｗの円周が切り取られていることから、ノッチＮＴ部以外の基板中心Ｗ０から基板端面までの距離と異なっている。このため、押圧ブロック４１を離間位置Ｐ１２から既定位置Ｐ１１に移動させたとしても、押圧ブロック４１の一部がノッチＮＴ部に入り込んでしまい、基板Ｗを所望量だけ押動することができない。つまり、図１８（ａ）に示すように、押圧ブロック４１を既定位置Ｐ１１に移動させたとしても、ノッチＮＴ部に押圧ブロック４１が入り込んだ距離Ｄが基板Ｗの偏心として残ってしまうこととなる。そこで、ノッチＮＴが最大偏心部位ＰＡに位置する場合には、次のようにして基板Ｗの位置決めを行っている。
【００８８】
図１８（ｂ）に示すように、制御ユニット４は、ノッチＮＴが最大偏心部位ＰＡに位置する場合には、ノッチＮＴの幅Ｂに相当する長さだけ回転方向Ａに基板Ｗを回転させて基板Ｗの端面位置を変更する（ステップＳ１５）。このように、基板Ｗの端面位置を変更することにより、ノッチＮＴ部への押圧ブロック４１の入り込みを回避してノッチＮＴ部以外の基板端面に押圧ブロック４１を当接させながら基板Ｗを押動することが可能となる。なお、ノッチの外形寸法はＳＥＭＩ規格等で標準化されていることから、ノッチＮＴの幅Ｂは既知量として扱って差しつかえない。
【００８９】
ここで、図１８（ａ）には、押圧ブロック４１の押圧方向に伸びる仮想線ＰＬ２（押圧ブロック４１と回転中心Ａ０とを通る線）上にノッチＮＴの中心が位置する場合を示しているが、押圧ブロック４１の押動方向に伸びる線上からノッチＮＴの中心がずれるようにして押圧ブロック４１とノッチＮＴが対向する場合にも、基板Ｗを所望量だけ押動することができない。つまり、ノッチＮＴによって基板Ｗの円周が切り取られている弧Ｓ上に押圧ブロック４１の側面４１ａとの当接点が存在する限りは、押圧ブロック４１の一部がノッチＮＴ部に入り込んでしまい、押圧ブロック４１を既定位置Ｐ１１に移動させたとしても、基板Ｗを所望量だけ押動することができない。
【００９０】
しかしながら、この実施形態によれば、押圧ブロック４１とノッチＮＴがどのような形で対向しても、ノッチＮＴの幅Ｂに相当する長さだけ基板Ｗを円周方向に回転させているので、ノッチＮＴ部への押圧ブロック４１の入り込みを確実に回避してノッチＮＴ部以外の基板端面に押圧ブロック４１を当接させることができる。しかも、このように押圧ブロック４１がノッチＮＴ部と当接するのを回避しながらも、最大偏心部位ＰＡのより近傍位置で基板Ｗと当接させながら基板Ｗを押動することが可能となり、基板Ｗの位置決め精度を向上させることができる。
【００９１】
また、ステップＳ１２における基板Ｗの回転方向Ａと同一方向に基板Ｗを回転させることで、最大偏心部位ＰＡとノッチＮＴの位置とを検出した後に基板Ｗの回転を継続したまま、図１８（ｂ）に示すノッチＮＴ部を回避した変更後の基板Ｗの端面位置まで直接に基板Ｗを回転移動させることが可能となっている。
【００９２】
このように、制御ユニット４は、最大偏心部位ＰＡにノッチＮＴが位置するか否かによって基板Ｗの端面位置と押圧ブロック４１との位置合わせを実行した後、ブロック移動機構４３の作動により押圧ブロック４１を駆動させて押圧ブロック４１の側面４１ａを回転中心Ａ０の方向に既定位置Ｐ１１（図１６（ｂ）の破線で示す位置）まで移動させる（ステップＳ１６）。このとき基板Ｗは第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に滑動自在に支持されているので、押圧ブロック４１が基板Ｗの下面と第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２との間に発生する摩擦力よりも大きな力で基板Ｗを押圧することで、基板Ｗが押圧ブロック４１に当接しつつ第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２上を水平方向に滑動する。その結果、最大偏心部位ＰＡが既定位置Ｐ１１まで押動され、該既定位置Ｐ１１に位置決めされる（押動工程）。ここでは、既定位置Ｐ１１として回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗの半径に目標精度ＴＡの正の許容値を加えた距離Ｒだけ離れた位置としている。したがって、最大偏心部位ＰＡを既定位置Ｐ１１に一致させることで回転中心Ａ０から基板中心Ｗ０までの距離が目標精度ＴＡ内となるように基板Ｗが位置決めされる。
【００９３】
基板Ｗを位置決めした後、制御ユニット４はブロック移動機構４３を駆動させて押圧ブロック４１（およびセンサ４４）を離間位置Ｐ１２に退避させる（ステップＳ１７）。その後、基板Ｗの偏心量（基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０との間の距離）を測定する（ステップＳ１８）。具体的には、ステップＳ１１と同様な手順により、極小点（最大偏心部位）ＰＡと極大点ＰＢとを検出することにより、基板Ｗの偏心量（極小点ＰＡと極大点ＰＢとの間の距離の半分に相当）を算出する。制御ユニット４は、基板Ｗの偏心量が目標精度ＴＡ内となっているかどうかを判断して（ステップＳ１９）、基板Ｗの偏心量が目標精度ＴＡ内にある場合（ステップＳ１９でＹＥＳ）には、続いて本発明の「所定の処理」としてベベルエッチング処理および裏面洗浄処理を実行する。その一方で、基板Ｗの偏心量が目標精度ＴＡ内にない場合（ステップＳ１９でＮＯ）には、ステップＳ１８の偏心量の測定に基づいてステップＳ１３に戻り再度、基板Ｗの位置決めを実行する。
【００９４】
こうして、基板位置決め処理が完了すると、制御ユニット４は第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２のみによる基板支持を継続させたまま、飛散防止カップ２８を上方位置（図１の実線で示す位置）に位置させることでスピンベース１３および第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２で支持された基板Ｗを側方位置から取り囲み、後述するベベルエッチング処理および裏面洗浄処理において飛散する処理液を捕集可能な状態とする。そして、装置各部を以下のように制御して基板Ｗに対してベベルエッチング処理および裏面洗浄処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）を実行する（ステップＳ３）。より具体的には、制御ユニット４は、図１９のフローチャートに示す一連の処理を実行する。
【００９５】
図１９はベベルエッチング処理および裏面洗浄処理の動作を示すフローチャートである。また、図２０は支持ピンの動作を示すタイミングチャートである。さらに、図２１は周縁処理ノズル３の動作を示す模式図である。なお、図２０において、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２について、「ＯＮ」とあるのは、支持ピンが基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）に当接して基板Ｗを支持している状態を表す一方で、「ＯＦＦ」とあるのは、支持ピンが降下され基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）から離間している状態を表す。
【００９６】
制御ユニット４は遮断板５を対向位置まで降下させて、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に支持された基板Ｗに近接して対向配置させる（ステップＳ２１）。そして、ガス噴出口５０６から窒素ガスを吐出させるとともに、ガス供給路５４から基板表面Ｗｆの中央部に向けて窒素ガスを供給する（ステップＳ２２）。つまり、制御ユニット４は保持モードを第１保持モードに設定する。これによって、遮断板５の対向面５０１と基板表面Ｗｆとの間に形成される空間ＳＰの内部圧力が高められ、基板Ｗはその下面（裏面Ｗｂ）に当接する第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に向けて押圧されスピンベース１３に保持される。また、基板表面Ｗｆは遮断板５の対向面５０１にごく近接した状態で覆われることによって、基板Ｗの周辺の外部雰囲気から確実に遮断される。
【００９７】
次に、制御ユニット４はノズル移動機構３３を作動させることで周縁処理ノズル３を離間位置Ｐ２から処理位置Ｐ１に移動させる（ステップＳ２３）。具体的には、揺動駆動源３３１の作動により周縁処理ノズル３が水平方向に沿って遮断板５の貫通孔５０２の上方位置に移動するとともに、昇降駆動源３３２の作動により周縁処理ノズル３が降下してノズル先端面が遮断板５の対向面５０１と面一となる位置まで貫通孔５０２に挿入される。このとき、周縁処理ノズル３の外形部分に形成された段差面と、貫通孔５０２の内壁に形成された当接面とが当接して、周縁処理ノズル３が遮断板５（段差部５０３）に基板Ｗに向かって、つまり鉛直方向下向きに押し付けられる。これによって、周縁処理ノズル３が遮断板５に当接固定され、処理位置Ｐ１に安定して位置決めされる。
【００９８】
それに続いて、制御ユニット４は遮断板５を停止させた状態で、チャック回転駆動機構１２を駆動してスピンベース１３を回転させることにより、基板Ｗを回転させる（ステップＳ２４）。具体的には、制御ユニット４はスピンベース１３を比較的低速（例えば６００ｒｐｍ）の第１回転速度Ｖ１で回転させる。このとき、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２もＯＮとされ第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２に押圧された基板Ｗは第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２と基板Ｗの下面との間に発生する摩擦力でスピンベース１５に保持されながら、スピンベース１５とともに回転することとなる。このように低速の第１回転速度Ｖ１で回転させているときは、基板Ｗに作用する遠心力は比較的小さいため、基板Ｗを確実に保持することができる。
【００９９】
基板表面Ｗｆと対向面５０１とで挟まれた空間ＳＰに供給された窒素ガスは、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転軸Ｊを中心として径方向外側に均等に流れ、基板外に排出されていく。ここで、ガス導入部５０４を介して貫通孔５０２にも窒素ガスが流れ込むが、基板Ｗ側への流路は周縁処理ノズル３の段差面と貫通孔５０２の内壁に形成された当接面との当接により塞がれており、貫通孔５０２から窒素ガスが空間ＳＰに入り込むことがなく、貫通孔５０２の内壁と周縁処理ノズル３（ノズル後端側の胴部）の隙間から遮断板５の上方から抜けていく。このため、遮断板５の周縁部に形成された１つの貫通孔５０２から空間ＳＰに回転軸Ｊに対して不均一に窒素ガスが入り込み、回転中心Ａ０を中心として径方向外側に均等に流れていく気流を乱すのを防止することができる。
【０１００】
この状態で、薬液供給ユニット１６からエッチング処理に適した薬液が周縁処理ノズル３に圧送されて、表面周縁部ＴＲに処理液として薬液が供給される（図２１（ａ））。基板Ｗの径方向外側に向けて吐出された薬液は基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁に向かって流れ、基板の端面を伝って流下する。これにより、表面周縁部ＴＲの全体に薬液が供給されて該表面周縁部ＴＲがエッチング処理される。このとき、周縁処理ノズル３は遮断板５の段差部５０３に押し当てられた状態で処理位置Ｐ１に位置決めされているので、遮断板５に対して周縁処理ノズル３が固定され、ノズル位置、特に上下方向（高さ方向）の位置が正確に定まる。このため、基板Ｗの回転に伴う気流や振動等の影響により周縁処理ノズル３からの吐出位置が不安定になるのを防止できる。すなわち、樹脂等の剛性が比較的低い材質で形成されたノズルアーム３１およびこれに固着された小径の周縁処理ノズル３は気流や振動等の影響を受け易いが、これらに比べて物理的（体積および質量、配置条件等）に振動等の影響を受けにくい遮断板５に周縁処理ノズル３が押し付けられることで、吐出位置が変動するのが防止される。
【０１０１】
特に、この実施形態では、薬液を鉛直方向ではなく、基板Ｗの径方向外側に向けて斜めに吐出させているので、基板Ｗと周縁処理ノズル３との間の距離が一定とされることで、周縁エッチング幅ＥＨが変動するのを防止することができる。また、ノズル先端面が対向面５０１よりも上方に位置ずれした際に、周縁処理ノズル３から吐出された薬液が貫通孔５０２の内壁に当たって跳ね返りが発生するのを防止することができる。その結果、表面周縁部ＴＲ以外の非処理領域ＮＴＲがエッチングされてしまうのを回避することができる。
【０１０２】
また、保持モードを第３保持モードに設定して、基板Ｗを第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２により支持しているため、基板Ｗの反りが防止される。つまり、第３保持モードで基板Ｗが保持された状態では、基板Ｗの反りが無いことから、表面周縁部ＴＲから不要物（薄膜ＴＦ）が一定の周縁エッチング幅ＥＨで全周にわたって均一にエッチング除去される（ステップＳ２５−１）。
【０１０３】
さらに、周縁処理ノズル３は遮断板５の貫通孔５０２に挿入されるため、薬液が飛散して周縁処理ノズル３に向けて跳ね返ってくるような場合でも薬液は遮断板５の対向面５０１に遮られ、周縁処理ノズル３の周囲（側面）に薬液が付着するようなことがない。
【０１０４】
表面周縁部ＴＲに対するエッチング処理が終了すると、リンス液が周縁処理ノズル３に圧送されて、表面周縁部ＴＲにリンス液が供給される。これにより、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに付着している薬液がリンス液によって洗い流される（ステップＳ２５−２）。
【０１０５】
こうして、表面周縁部ＴＲに対するリンス処理が終了すると、制御ユニット４は周縁処理ノズル３へのリンス液の圧送を停止して、周縁処理ノズル３を貫通孔５０２から抜き出して表面周縁部ＴＲから離間した離間位置Ｐ２に移動させる（ステップＳ２６）。このとき、ガス導入部５０４から貫通孔５０２に導入される窒素ガスが遮断板５の上下の開口から貫通孔５０２の上下方向に噴出する（図２１（ｂ））。このため、周縁処理ノズル３が貫通孔５０２から抜き出された状態であっても、処理液が貫通孔５０２に入り込み基板表面Ｗｆに向けて跳ね返るのが抑制される。
【０１０６】
続いて、制御ユニット４は遮断板回転駆動機構５２を制御してスピンベース１３の回転数とほぼ同一の回転数で同一方向に遮断板５を回転させる（ステップＳ２７）。その後、下面処理ノズル１５からスピンベース１３とともに回転される基板Ｗの裏面Ｗbに処理液が供給され、裏面Ｗbに対して裏面洗浄処理が実行される。具体的には、下面処理ノズル１５から基板裏面Ｗｂの中央部に向けて処理液として薬液とリンス液とが順次供給されることにより、裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分に対してエッチング処理（ステップＳ２８―１）とリンス処理（ステップＳ２８―２）が実行される。このとき、基板Ｗとともに遮断板５を回転させることで、遮断板５に付着する処理液がプロセスに悪影響を及ぼすのを防止するとともに、基板Ｗと遮断板５との間に回転に伴う余分な気流が発生するのを抑制して基板表面Ｗｆへの処理液の巻き込みを防止することができる。
【０１０７】
ここで、制御ユニット４は、裏面Ｗｂに対する洗浄処理が実行される間に、保持モードの切り換えを行う。すなわち、図２０に示すように、裏面Ｗｂに対するエッチング処理にあたって第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を裏面Ｗｂから離間させる（第１保持モードに設定）とともに離間させた第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２をエッチング処理中にタイミングＴ１で上昇させて第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２とで基板Ｗを支持した状態（第３保持モードに設定）に切り換えた後、タイミングＴ２で第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を下降させて第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２のみで基板Ｗを支持した状態（第２保持モードに設定）に切り換える。これにより、第１および第２支持ピンと基板裏面Ｗｂとの当接部分にも薬液を回り込ませて当該部分をエッチング処理することができる。こうして、基板Ｗの裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分のエッチング処理が完了すると、薬液の供給を停止させる。
【０１０８】
その後、タイミングＴ３で第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を上昇させ、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２とで基板Ｗを支持した状態（第３保持モードに設定）に移行させた後、リンス液を下面処理ノズル１５に圧送して裏面Ｗｂに供給する。そして、タイミングＴ４で第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を下降させて第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２のみで基板Ｗを支持した状態（第１保持モードに設定）に切り換える。続いて、タイミングＴ５で第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２とで基板Ｗを支持した状態（第３保持モードに設定）に移行させた後、タイミングＴ６で第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を下降させて第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２のみで基板Ｗを支持した状態（第２保持モードに設定）に切り換える。そして、タイミングＴ７で第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２とで基板Ｗを支持した状態（第３保持モードに設定）に最終的に移行させる。こうして、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２と基板裏面Ｗｂとの当接部分にもリンス液を回り込ませながら、基板Ｗの裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分のリンス処理が完了する。
【０１０９】
裏面Ｗｂに対するリンス処理が終了すると、制御ユニット４は基板Ｗの回転を継続したまま下面処理ノズル１５へのリンス液の圧送を停止して、基板Ｗに残留する液体成分を振り切り、基板外に排出する（ステップＳ２９）。
【０１１０】
続いて、制御ユニット４はチャック回転駆動機構１２および遮断板回転駆動機構５２のモータの回転速度を高めて基板Ｗおよび遮断板５を高速回転させる。具体的には、制御ユニット４はスピンベース１３を第１回転速度Ｖ１から該第１回転速度Ｖ１よりも高速の第２回転速度Ｖ２（例えば１５００ｒｐｍ）で回転させる。これにより、基板Ｗの乾燥（スピンドライ処理）が実行される（ステップＳ３０）。また、上記した基板表面Ｗｆへの窒素ガス供給と併せて、ガス供給路１９からも窒素ガスを供給することで、基板Ｗの表裏面に窒素ガスを供給させる。これにより、基板Ｗの表裏面の乾燥が促進される。
【０１１１】
このとき、回転速度の増大により基板Ｗに作用する遠心力が増大するため、該遠心力により基板Ｗが水平移動する可能性が高まる。しかしながら、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の各々に設けられた規制部位１０６ａが基板Ｗの水平移動を確実に規制することにより、基板Ｗの破損などを未然に防止することができる。また、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２のすべての支持ピンで支持した状態（第３保持モードに設定）となっていることから、基板Ｗの下面を支持する支持ピンの個数が第１および第２保持モードよりも多くなり、基板Ｗの反りを防止するとともに、支持ピンと基板Ｗとの間に発生する摩擦力を高めて、基板Ｗをより確実に保持すること可能となっている。
【０１１２】
こうして、基板Ｗのスピンドライ処理が終了すると、制御ユニット４は遮断板回転駆動機構５２のモータを制御して遮断板５の回転を停止させるとともに（ステップＳ３１）、チャック回転駆動機構１２を制御して基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ３２）。そして、ガス供給路５４およびガス噴出口５０６からの窒素ガスの供給が停止され、基板Ｗの第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２への押圧保持が解除される（ステップＳ３３）。
【０１１３】
その後、制御ユニット４は、遮断板５をスピンチャック１の上方の退避位置に上昇させるとともに、飛散防止カップ２８を下方位置（図１の破線で示す位置）に位置させて、スピンチャック１を飛散防止カップ２８の上方から突出させる。この状態で搬送手段（図示せず）が処理済の基板Ｗを装置から搬出して、１枚の基板Ｗに対するベベルエッチング処理および裏面洗浄処理が終了する（ステップＳ４）。
【０１１４】
以上のように、この実施形態によれば、基板Ｗを第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２により滑動自在に支持しながらも基板Ｗの下面と第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２との間に発生する摩擦力により基板Ｗを保持して回転させている。そして、基板Ｗが回転する間にスピンベース１３の回転中心Ａ０から最も離れた基板Ｗの端面（最大偏心部位）ＰＡを検出した後、最大偏心部位ＰＡを押圧ブロック４１により既定位置Ｐ１まで押動している。これにより、基板中心Ｗ０が回転中心Ａ０から所定の範囲内に位置決めされる。このように、基板Ｗを滑動自在に支持した状態で一方向に（回転中心Ａ０に向けて）押動することで位置決めしているので、基板Ｗの外径を両側から挟み込むようなセンタリング機構等の大がかりな機構を必要とせず、簡素な構成で、精度良く基板を位置決めすることができる。その結果、周縁エッチング幅ＥＨの均一性を向上させることができる。
【０１１５】
さらに、位置決めユニット４０（基板位置決め装置）が簡素に構成されることより、基板Ｗを処理する処理チャンバー等の処理部内の配置スペースに制約がある場合であっても、処理部内に容易に組み込むことができる。さらに、薬液を使用する処理チャンバー内に位置決めユニットを組み込む場合には耐薬液性が要求されるが、本発明によれば、このような要求にも省コストで対応することが可能である。すなわち、従来装置で用いられたセンタリング機構に対して耐薬液性の対策を施す場合には、基板Ｗの外径を挟み込むという機構上、駆動系が多くさらなるコスト増が避けられないという問題があった。これに対して、本発明によれば、構成が簡素で駆動系が少ないため、省コストで耐薬液性を施すことができる。
【０１１６】
また、基板Ｗは第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に滑動自在に支持された状態で押圧ブロック４１を基板Ｗに当接させて基板Ｗの位置決めを行っているので、従来装置のようなセンタリング機構により基板Ｗの外径を挟み込んで基板Ｗの位置決めする方式に比べて次のような利点がある。すなわち、基板Ｗの外径を挟み込んで基板Ｗの位置決めする場合には、基板Ｗの中央部に向けて基板Ｗの両側から外力が加えられるので、必要以上に基板Ｗに力が加わって基板Ｗが破損するおそれがある。これに対し、この実施形態によれば、基板Ｗは第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に滑動自在に支持された状態で位置決めされるので、必要以上に基板Ｗに力が加えられることがなく、基板Ｗへの衝撃を最小限して基板Ｗの破損を防止することができる。
【０１１７】
さらに、この実施形態によれば、基板Ｗの周縁部に形成されたノッチＮＴを考慮して基板Ｗの位置決めを行っているのでさらに精度良く、基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０とを一致させることができる。すなわち、ノッチＮＴが最大偏心部位ＰＡに位置する場合には、ノッチＮＴが押圧ブロック４１と対向する対向位置から外れるように基板Ｗを回転させることにより基板Ｗの端面位置を変更している。これにより、ノッチＮＴの影響による位置ずれを回避して基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０とを精度良く一致させることができる。
【０１１８】
しかも、ノッチＮＴが最大偏心部位ＰＡに位置する場合には、ノッチＮＴの幅Ｂに相当する長さだけ円周方向に基板Ｗを回転させて基板Ｗの端面位置を変更している。このため、押圧ブロック４１がノッチＮＴ部と当接するのを確実に回避しながらも、最大偏心部位ＰＡにより近い位置で基板Ｗと押圧ブロック４１とを当接させながら基板Ｗを押動することができ、基板Ｗの位置決め精度を向上させることができる。
【０１１９】
また、基板Ｗの端面位置を変更する際に、最大偏心部位を検出する際における基板Ｗの回転方向Ａと同一方向に基板Ｗを回転させているので、基板Ｗの回転方向を統一することが可能となり制御が容易となる。さらに、最大偏心部位ＰＡとノッチＮＴの位置とを検出した後に基板Ｗの回転を継続したまま、ノッチＮＴ部を回避した変更後の基板Ｗの端面位置まで直接に基板Ｗを移動させることができる。
【０１２０】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、ノッチＮＴが最大偏心部位ＰＡに位置する場合には、ノッチＮＴの幅Ｂに相当する長さだけ円周方向に基板Ｗを回転させて基板Ｗの端面位置を変更しているが、これに限定されず、ノッチＮＴの幅Ｂに相当する長さよりも大きく基板Ｗを回転させて基板Ｗの端面位置を変更するようにしてもよい。要は、ノッチＮＴ部と押圧ブロック４１とが当接する場合の位置ずれ（基板Ｗの偏心）に対して、最大偏心部位ＰＡが押圧ブロック４１と対向する位置から外れることにより生じる位置ずれが小さい限りにおいては、基板Ｗの端面位置の変更量は任意である。但し、この場合においても、制御の容易性から基板Ｗの端面位置の変更量はノッチＮＴと押圧ブロック４１との間の位置関係にかかわらず、一定量とすることが好ましい。
【０１２１】
また、上記実施形態では、基板Ｗの端面位置を変更する際に、最大偏心部位ＰＡの検出時と同一方向（回転方向Ａ）に基板Ｗを回転させているが、反対方向に基板Ｗを回転させてもよい。このように構成しても、ノッチＮＴ部と押圧ブロック４１とが当接するのを回避して基板Ｗを精度良く位置決めすることができる。
【０１２２】
また、上記実施形態では押圧ブロック４１の横断面形状を円形状として、押圧ブロック４１の側面４１ａと基板Ｗの端面とを点接触させているが、押圧ブロック４１の横断面形状はこれに限定されない。すなわち、押圧ブロック４１の横断面形状を、基板Ｗとの当接点を中心として基板端面から離れるように曲率を有する任意の形状とすることができる。また、図２２に示すように、押圧ブロック４１の横断面形状を角型形状として、押圧ブロック４５の側面４５ａをフラットにしてもよい。さらに、押圧ブロック４１の側面４１ａと基板Ｗの端面との接触形態は点接触に限定されず、線接触させるようにしてもよい。但し、線接触させるように構成した場合には、本来的に基板Ｗの端面と当接させる必要があるポイント以外の位置で基板Ｗと押圧ブロック４１とが当接する可能性が高まるため、点接触させるように構成する方が好ましい。
【０１２３】
また、上記実施形態では、基板Ｗに対する所定の処理として基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成されている不要な薄膜ＴＦをエッチング除去するベベルエッチング処理と裏面Ｗｂを洗浄する裏面洗浄処理を実行しているが、ベベルエッチング処理のみ、あるいは裏面洗浄処理のみ実行する基板処理装置にも適用可能である。また、裏面Ｗｂから処理液を供給して表面周縁部ＴＲに回り込ませて該表面周縁部ＴＲを処理する基板処理装置にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
この発明は、その周縁部に切欠部が形成された半導体ウエハ等の基板の水平位置を位置決めする基板位置決め方法、基板位置決め装置および該基板位置決め装置を備えた基板処理装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。
【図３】スピンベースを上方から見た平面図である。
【図４】スピンチャックに関連する構成を説明するための断面図であって、支持ピンが上昇した状態を示す図である。
【図５】スピンチャックに関連する構成を説明するための断面図であって、支持ピンが下降した状態を示す図である。
【図６】スピンベース内に備えられた動作伝達機構の構成を説明するための平面図である。
【図７】スピンベースを背面から見たときの平面図である。
【図８】第１支持ピンの構成を示す図である。
【図９】第２支持ピンの構成を示す図である。
【図１０】第１および第２支持ピンを駆動するための駆動機構の構成を説明するための平面図である。
【図１１】遮断板の底面図である。
【図１２】位置決めユニットの構成を示す図である。
【図１３】図１２の位置決めユニットの動作を説明するための図である。
【図１４】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１５】基板位置決め処理を示すフローチャートである。
【図１６】図１５の基板位置決め処理の動作を説明するための図である。
【図１７】センサによる検出結果を示すグラフである。
【図１８】基板の端面位置の変更動作を示す図である。
【図１９】ベベルエッチング処理および裏面洗浄処理の動作を示すフローチャートである。
【図２０】支持ピンの動作を示すタイミングチャートである。
【図２１】周縁処理ノズルの動作を示す模式図である。
【図２２】押圧ブロックの変形態様を示す図である。
【符号の説明】
【０１２６】
３…周縁処理ノズル（処理ユニット）
４…制御ユニット（補正手段）
１２…チャック回転駆動機構（回転手段）
１３…スピンベース（回転部材）
１４…処理液供給管（処理ユニット）
１５…下面処理ノズル（処理ユニット）
３３…ノズル移動機構（処理ユニット）
４０…位置決めユニット
４１，４５…押圧ブロック（押圧部材）
４１ａ，４５ａ…押圧ブロックの側面（当接部位）
４３…ブロック移動機構（駆動手段）
４４…センサ（検出手段）
Ａ…基板の回転方向
Ｂ…ノッチの幅
Ｆ１〜Ｆ１２…第１支持ピン群（支持手段）
ＮＴ…ノッチ
Ｐ１１…既定位置
Ｐ１２…離間位置
ＰＡ…最大偏心部位
Ｓ１〜Ｓ１２…第２支持ピン群（支持手段）
Ｗ…基板
【図１】
2007220952.tif 000003
【図２】
2007220952.tif 000004
【図３】
2007220952.tif 000005
【図４】
2007220952.tif 000006
【図５】
2007220952.tif 000007
【図６】
2007220952.tif 000008
【図７】
2007220952.tif 000009
【図８】
2007220952.tif 000010
【図９】
2007220952.tif 000011
【図１０】
2007220952.tif 000012
【図１１】
2007220952.tif 000013
【図１２】
2007220952.tif 000014
【図１３】
2007220952.tif 000015
【図１４】
2007220952.tif 000016
【図１５】
2007220952.tif 000017
【図１６】
2007220952.tif 000018
【図１７】
2007220952.tif 000019
【図１８】
2007220952.tif 000020
【図１９】
2007220952.tif 000021
【図２０】
2007220952.tif 000022
【図２１】
2007220952.tif 000023
【図２２】
2007220952.tif 000024