(57)【要約】【課題】低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１不純物がドーピングされており、その尖頭部には、第１不純物と極性の異なる第２不純物が低濃度でドーピングされた抵抗領域が形成され、その傾斜面には、第２不純物が高濃度でドーピングされた第１及び第２半導体電極領域が形成された抵抗性チップと、抵抗性チップが末端部に位置するカンチレバーと、を備え、抵抗性チップの高さは、抵抗性チップの半径より小さいことを特徴とする半導体探針である。これにより、半導体探針の空間分解能が向上する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１不純物がドーピングされており、その尖頭部には、前記第１不純物と極性の異なる第２不純物が低濃度でドーピングされた抵抗領域が形成され、その傾斜面には、前記第２不純物が高濃度でドーピングされた第１及び第２半導体電極領域が形成された抵抗性チップと、
前記抵抗性チップが末端部に位置するカンチレバーと、を備え、
前記抵抗性チップの高さは、前記抵抗性チップの半径より小さいことを特徴とする半導体探針。
【請求項２】
前記抵抗性チップの高さは、前記半径の１／４〜３／４であることを特徴とする請求項１に記載の半導体探針。
【請求項３】
前記抵抗性チップの高さは、前記半径の約１／２であることを特徴とする請求項２に記載の半導体探針。
【請求項４】
前記第１不純物はｐ型不純物であり、前記第２不純物はｎ型不純物であることを特徴とする請求項１に記載の半導体探針。
【請求項５】
前記第１不純物はｎ型不純物であり、前記第２不純物はｐ型不純物であることを特徴とする請求項１に記載の半導体探針。
【請求項６】
上面にマスク膜が形成され、第１不純物がドーピングされた基板を設ける第１段階と、
前記マスク膜上にストライプ状の感光剤を形成し、前記感光剤をマスクとして前記マスク膜を湿式エッチングする第２段階と、
前記マスク膜に露出された前記基板の領域に前記第１不純物と異なる極性の第２不純物を高濃度でドーピングして、第１及び第２半導体電極領域を形成する第３段階と、
前記基板を熱処理して前記第１及び第２半導体電極領域間の距離を狭め、前記第１及び第２半導体電極領域の外郭に前記第２不純物が低濃度でドーピングされた抵抗領域を形成する第４段階と、
前記マスク膜をパターニングして四角形状の四角マスク膜を形成する第５段階と、
前記四角マスク膜及び前記四角マスク膜に露出された前記基板をエッチングして、前記基板の上部に抵抗性チップを形成する第６段階と、
前記基板の下面をエッチングして、前記抵抗性チップが末端部に位置するようにカンチレバーを形成する第７段階と、を含むことを特徴とする低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造方法。
【請求項７】
前記第２段階は、前記マスク膜の対向する両側を波形に形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項８】
前記第４段階は、前記第１及び第２半導体電極領域から拡散された抵抗領域が互いに接触して尖頭部形成部を形成する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項９】
前記第５段階は、前記マスク膜と直交する方向にストライプ状の感光剤を形成した後、エッチング工程を行って前記マスク膜を四角形状に形成する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１０】
前記第６段階は、前記四角マスク膜のエッチング率を前記基板のエッチング率より大きくした乾式エッチングであることを特徴とする請求項７に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１１】
前記第６段階は、前記四角マスク膜のエッチング率：前記基板のエッチング率が４：１〜３であることを特徴とする請求項１０に記載の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造方法。
【請求項１２】
前記第６段階は、前記四角マスク膜のエッチング率：前記基板のエッチング率が約２：１であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１３】
前記第６段階は、前記基板を酸素雰囲気で熱処理して、前記抵抗性チップの表面に所定厚さの酸化膜を形成する段階と、前記酸化膜を除去して前記抵抗性領域の端を尖らす段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１４】
前記第６段階は、前記第１及び第２半導体電極領域から拡散された抵抗領域が前記基板の上部領域で互いに接触して尖頭部形成部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１５】
前記第１不純物はｐ型不純物であり、前記第２不純物はｎ型不純物であることを特徴とする請求項７に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１６】
前記第１不純物はｎ型不純物であり、前記第２不純物はｐ型不純物であることを特徴とする請求項７に記載の半導体探針の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針及びその製造方法に係り、より詳細には、抵抗性チップの高さがその半径より低い低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯用通信端末機、電子手帳などの小型製品に対する需要が増加するにつれて、超小型の高集積不揮発性記録媒体の必要性が増加している。既存のハードディスクは、小型化が容易でなく、フラッシュメモリは、高集積度を達成し難いため、この代案として走査探針を用いた情報保存装置が研究されている。
【０００３】
探針は、多様なＳＰＭ(Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ)技術に用いられる。例えば、探針と試料との間に印加される電圧差によって、流れる電流を検出して情報を再生する走査型トンネル顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＴＭ）、探針と試料との原子的な力を利用する原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）、試料の磁場と磁化された探針間の力を利用する磁気力顕微鏡(Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＭＦＭ)、可視光線の波長による解像度限界を改善した走査型近接場光学顕微鏡(Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｎｅａｒ−Ｆｉｅｌｄ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＮＯＭ)、試料と探針との静電力を用いた静電力顕微鏡(Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＥＦＭ)などに用いられる。
【０００４】
このようなＳＰＭ技術を用いて情報を高速高密度で記録及び再生するためには、数十ｎｍ直径の小さな領域に存在する表面電荷を検出せねばならず、記録及び再生速度を向上させるためにカンチレバーをアレイ状に製作せねばならない。
【０００５】
図１は、特許文献１に開示された抵抗性チップ５０が形成されたカンチレバー７０の断面図である。抵抗性チップ５０は、カンチレバー７０上に垂直に位置し、アレイ状の製作が可能であり、かつ数十ｎｍの直径の抵抗領域５６を有するように製造できる。
【０００６】
図１を参照すれば、半導体探針のチップ５０は、第１不純物がドーピングされたチップ５０の本体部５８と、チップ５０の尖頭部に位置し、第２不純物が低濃度でドーピングされて形成された抵抗領域５６と、抵抗領域５６を挟んでチップ５０の傾斜面に位置し、前記第２不純物が高濃度でドーピングされた第１及び第２半導体電極領域５２、５４を備える。
【０００７】
しかし、従来の抵抗性チップを備えた半導体探針は、抵抗性チップ５０を形成する過程において、チップ５０の傾斜面に形成された半導体電極領域５２、５４が湿式エッチングにより過度にエッチングされて、高濃度でドーピングされた傾斜面の領域が減少する。したがって、傾斜面での導電性領域が減少し、これは、抵抗領域５６の空間分解能を低下させる可能性がある。
【特許文献１】国際公開第０３／０９６４０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が達成しようとする技術的課題は、前述した従来技術の問題点を改善するためのものであり、空間分解能に優れた低断面比の抵抗性チップを有する半導体探針を提供することである。
【０００９】
本発明が達成しようとする他の技術的課題は、乾式エッチングで空間分解能に優れた低断面比の抵抗性チップを有する半導体探針を製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記技術的課題を達成するために、本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針は、第１不純物がドーピングされており、その尖頭部には、前記第１不純物と極性の異なる第２不純物が低濃度でドーピングされた抵抗領域が形成され、その傾斜面には、前記第２不純物が高濃度でドーピングされた第１及び第２半導体電極領域が形成された抵抗性チップと、前記抵抗性チップが末端部に位置するカンチレバーと、を備え、前記抵抗性チップの高さは、前記抵抗性チップの半径より小さいことを特徴とする。
【００１１】
前記抵抗性チップの高さは、前記半径の１／４〜３／４であることが望ましく、さらに望ましくは、前記高さは、前記半径の約１／２である。
【００１２】
本発明の一局面によれば、前記第１不純物はｐ型不純物であり、前記第２不純物はｎ型不純物であることが望ましい。
【００１３】
本発明の他の局面によれば、前記第１不純物はｎ型不純物であり、前記第２不純物はｐ型不純物であることが望ましい。
【００１４】
前記他の技術的課題を達成するために、本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造方法は、上面にマスク膜が形成され、第１不純物がドーピングされた基板を設ける第１段階と、前記マスク膜上にストライプ状の感光剤を形成し、前記感光剤をマスクとして前記マスク膜を湿式エッチングする第２段階と、前記マスク膜に露出された前記基板の領域に前記第１不純物と異なる極性の第２不純物を高濃度でドーピングして、第１及び第２半導体電極領域を形成する第３段階と、前記基板を熱処理して前記第１及び第２半導体電極領域間の距離を狭め、前記第１及び第２半導体電極領域の外郭に前記第２不純物が低濃度でドーピングされた抵抗領域を形成する第４段階と、前記マスク膜をパターニングして、四角形状の四角マスク膜を形成する第５段階と、前記四角マスク膜及び前記四角マスク膜に露出された前記基板をエッチングして、前記基板の上部に抵抗性チップを形成する第６段階と、前記基板の下面をエッチングして、前記抵抗性チップが末端部に位置するようにカンチレバーを形成する第７段階と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
前記第２段階は、前記マスク膜の対向する両側を波形に形成することを特徴とする。
【００１６】
本発明の一局面によれば、前記第４段階は、前記第１及び第２半導体電極領域から拡散された抵抗領域が互いに接触して尖頭部形成部を形成する段階を含みうる。
【００１７】
前記第５段階は、前記マスク膜と直交する方向にストライプ状の感光剤を形成した後、エッチング工程を行って前記マスク膜を四角形状に形成する段階を含みうる。
【００１８】
前記第６段階は、前記四角マスク膜のエッチング率を前記基板のエッチング率より大きくした乾式エッチングであることを特徴とする。
【００１９】
望ましくは、前記四角マスク膜のエッチング率：前記基板のエッチング率が４：１〜３であり、さらに望ましくは、前記四角マスク膜のエッチング率：前記基板のエッチング率が約２：１である。
【００２０】
また、前記第６段階は、前記基板を酸素雰囲気で熱処理して、前記抵抗性チップの表面に所定厚さの酸化膜を形成する段階と、前記酸化膜を除去して前記抵抗性領域の端を尖らす段階と、をさらに含むことが望ましい。
【００２１】
本発明の他の局面によれば、前記第６段階は、前記第１及び第２半導体電極領域から拡散された抵抗領域が前記基板の上部領域で互いに接触して尖頭部形成部を形成する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針によれば、抵抗性チップの先端部に形成された抵抗領域の両側が導電性領域として作用して、抵抗領域の分解能が向上する。
【００２３】
本発明の低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造方法によれば、マスクのエッチング率をシリコン基板のエッチング率より大きく乾式エッチングすることによって、抵抗領域の両側の電極領域のエッチングされる程度を低くし、したがって、高ドーピングされた電極領域を確保することによって、高分解能の半導体探針を製造できる。
【００２４】
また、このように製作された半導体探針を、大容量、超小型情報保存装置に利用する場合、小さな領域に存在する電荷を検出し、かつ形成して情報を記録及び再生できる装置を具現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施形態による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針及びその製造方法を詳細に説明する。この過程で、図面に示された層や領域などの厚さは、明細書の明確性のために誇張して示されている。
【００２６】
図２は、本発明の望ましい実施形態による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針のチップ部分のみを簡略に示した図面である。
【００２７】
図２を参照すれば、半導体探針のチップ１５０は、カンチレバー１７０の一端上に垂直に形成されている。チップ１５０は、第１不純物がドーピングされた本体部１５８と、チップ１５０の尖頭部に位置し、第２不純物が低濃度でドーピングされて形成された抵抗領域１５６と、抵抗領域１５６を挟んでチップ１５０の傾斜面に位置し、前記第２不純物が高濃度でドーピングされた第１及び第２半導体電極領域１５２、１５４とを備える。ここで、第１不純物がｐ型不純物であり、第２不純物はｎ型不純物であることが望ましい。
【００２８】
チップ１５０の傾斜面には、第２不純物が高濃度でドーピングされた領域１５２、１５４が厚く形成されている。すなわち、傾斜面の導電性領域１５２、１５４と抵抗領域１５６とが明確に区分されるので、抵抗領域１５６による探針が精密に形成されうる。前記導電性領域１５２、１５４は、記録媒体の表面電荷が抵抗領域１５６以外の領域、すなわち第１及び第２半導体電極領域１５２、１５４に電界が及ぶことを遮断する。したがって、記録媒体の表面電荷(図３の１５７参照)により発生する電界は、抵抗領域５６の抵抗値の差を誘発するが、この抵抗値の変化から表面電荷の極性と大きさが正確に検出されうる。
【００２９】
一方、本発明の低断面比の抵抗性チップ１５０の高さＨは、抵抗性チップ１５０の直径Ｄの１／２である半径より小さい。前記高さＨは、前記半径の１／４〜３／４であることが望ましく、さらに望ましくは、前記高さＨは、前記半径の約１／２である。
【００３０】
図３は、図２の半導体探針のチップ１５０の末端部を拡大した図面である。
【００３１】
図３を参照して本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の作用を説明する。
【００３２】
本発明による抵抗性チップ１５０は、記録媒体１５３の表面電荷１５７を検出時、空乏領域１６８が半導体電極領域１５２、１５４まで拡張されなくても、不導体である空乏領域１６８により抵抗領域１５６の面積が減少することによって、抵抗領域１５６の抵抗値が変化し、したがって、抵抗値の変化から記録媒体１５３の表面電荷１５７の極性と大きさを検出できる。抵抗領域１５６の内部に形成される空乏領域１６８は表面電荷１５７が発生させる電界によって、順次第１及び第２半導体電極領域１５２、１５４方向に拡張されていることを示す。特に、本発明による抵抗性チップ１５０は、抵抗領域１５６と区別されるように、電極領域１５２、１５４が高ドーピング領域に形成されるので、前記抵抗領域１５６の空間分解能が向上する。
【００３３】
図４Ａないし図４Ｊは、本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【００３４】
まず、第１不純物でドーピングされたシリコン基板３３１またはＳＯＩ(Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ)基板の表面にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などのマスク膜３３３を形成し、感光剤３３５をその上面に塗布した後、ストライプ状のマスク３３８をその上方に配置させる(図４Ａ参照)。
【００３５】
次に、露光及び現像工程を通じて所定形状の感光剤３３５ａを形成する(図４Ｂ参照)。
【００３６】
図４Ｃを参照すれば、マスク膜３３３を湿式エッチングすれば、感光剤３３５ａの下部のマスク膜３３３がアンダーカットされる。シリコン基板３３１上には、波形の側面が形成されたマスク膜３３３ａが形成される。次に、マスク膜３３３ａを除外した領域を第２不純物で高濃度ドーピングして、第１及び第２半導体電極領域３３２、３３４を形成する。第１及び第２半導体電極領域３３２、３３４は、比抵抗値が非常に低く形成されて導電体として作用する。この時、マスク膜３３３ａ上の感光剤３３５ａを除去する前にドーピングすることが望ましい。ドーピング過程後、感光剤３３５ａを除去する。
【００３７】
次に、熱処理工程を行って、第１及び第２半導体電極領域３３２、３３４間の幅をマスク膜３３３ａの幅より減らす。図４Ｄに示されたように、第２不純物の高濃度領域３３２、３３４が拡大されれば、高濃度領域と隣接した領域に第２不純物が拡散されて、第２不純物の低濃度領域である抵抗領域３３６を形成する。マスク膜３３３ａの下部の抵抗領域３３６は、互いに接触して後述する抵抗性チップの尖頭部形成部を形成する。この抵抗領域３３６の接合は、後述する熱酸化工程で実施されてもよい。
【００３８】
次に、基板３３１の上面にマスク膜３３３ａを覆うように感光剤３３９を塗布した後、その上方に、図４Ｅに示されたようにマスク膜３３３ａと直交するようにストライプ状のフォトマスク３４０を配置させて、露光、現像及びエッチング工程を実施すれば、フォトマスク３４０と同じ形態の感光剤層３３９ａが形成される。(図４Ｆ参照)。
【００３９】
次に、ストライプ状の感光剤３３９ａにより露出されたマスク膜３３３ａを乾式エッチングして、四角形状のマスク膜３３３ｂを形成する。(図４Ｇ参照)。
【００４０】
次に、図４Ｈに示されたように、感光剤３３９ａを除去した後、マスク膜３３３ｂをマスクとして基板３３１を乾式エッチングしてチップ３３０を形成する。この時、マスク膜３３３ｂ及びシリコン基板３３１のエッチング比が異なるようにエッチングし、これによって、マスク膜３３３ｂの形状がシリコン基板３３１に転写される。望ましくは、マスク膜３３３ｂのＳｉＯ２：Ｓｉのエッチング比が１：１／４〜３／４となるようにする。さらに望ましくは、ＳｉＯ２：Ｓｉのエッチング比が１：１／２となるようにする。図２を参照すれば、前記エッチング比が１：１／２であり、これによって抵抗性チップの高さが抵抗性チップの半径の１／２となる。
【００４１】
前記チップ３３０の傾斜面に第１及び第２半導体電極領域３３２、３３４が位置し、抵抗領域３３６は、チップ３３０の尖頭部に整列される(図４Ｉ参照)。
【００４２】
次に、基板３３１を酸素雰囲気で加熱すれば、基板３３１の上面に所定厚さのシリコン酸化膜(図示せず）が形成され、この酸化膜を除去すれば、抵抗性領域３３６の端が尖る。かかる熱酸化工程を行えば、チップのシャープニングと共に隔離された抵抗性領域３３６をさらに重畳させることもできる。
【００４３】
次に、基板３３１の下面をエッチングして抵抗性チップ３３０が末端部に位置するようにカンチレバー３７０を形成し、第１及び第２半導体電極領域３３２、３３４を基板３３１上で絶縁層３８２により絶縁された電極パッド３８４に連結させて、図４Ｊに示されたような半導体探針を完成する。
【００４４】
図５は、本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針と従来の半導体探針との分解能を比較するために、シミュレーションに使用した探針の断面図であり、図６は、図５の探針で電荷の変化によるドレイン電流値の変化を示したグラフである。
【００４５】
図５及び図６を参照すれば、抵抗性チップ４３０の両側にソース及びドレイン電極４３２、４３４を形成し、チップ４３０の尖頭部に抵抗領域４３６を形成した。フローティング電圧が印加されるメタル４４０は、抵抗領域４３６から離隔して形成した。メタル４４０の開口４４２の直径は１０ｎｍとし、メタル４４０及び抵抗領域４３６間のギャップは１０ｎｍとした。メタル４４０に印加されたフローティング電圧は、それぞれ＋１Ｖ、−１Ｖとし、フローティング電圧を矢印Ａ方向に移動させながら探針４３０のドレイン電流を計算した。測定結果、本発明による抵抗性チップの＋電荷と−電荷間の転移幅が従来の抵抗性チップの転移幅よりはるかに鋭く、かつ、メタル４４０の電荷を検出時にドレイン電流が非常に高いレベルで測定された。これは、本発明の抵抗性チップの抵抗領域４３６の両側に形成された電極領域が高ドーピング領域として存在して、抵抗領域４３６の分解能を向上させたことである。
【００４６】
前記した説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものというより、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。例えば、当業者ならば、本発明の技術的な思想により多様な形態の探針を製造することが可能である。したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態により決まるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、半導体探針関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】特許文献１に開示された抵抗性チップが形成されたカンチレバーの一部断面図である。
【図２】本発明の望ましい実施形態による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針のチップ部分を簡略に示した断面図である。
【図３】図２の半導体探針のチップの末端部を拡大した図面である。
【図４Ａ】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【図４Ｂ】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【図４Ｃ】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【図４Ｄ】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【図４Ｅ】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【図４Ｆ】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【図４Ｇ】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【図４Ｈ】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【図４Ｉ】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【図４Ｊ】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造過程を順次に示す斜視図である。
【図５】本発明による低断面比の抵抗性チップを備えた半導体探針と従来の半導体探針との分解能を比較するために、シミュレーションに使用した探針の断面図である。
【図６】図５の探針で電荷の変化によるドレイン電流値の変化を示したグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
１５０  チップ
１５２、１５４  第１及び第２半導体電極領域
１５３  記録媒体
１５６  抵抗領域
１５７  表面電荷
１５８  本体部
１６８  空乏領域
１７０  カンチレバー
【図１】
2007052899.tif 000003
【図２】
2007052899.tif 000004
【図３】
2007052899.tif 000005
【図４Ａ】
2007052899.tif 000006
【図４Ｂ】
2007052899.tif 000007
【図４Ｃ】
2007052899.tif 000008
【図４Ｄ】
2007052899.tif 000009
【図４Ｅ】
2007052899.tif 000010
【図４Ｆ】
2007052899.tif 000011
【図４Ｇ】
2007052899.tif 000012
【図４Ｈ】
2007052899.tif 000013
【図４Ｉ】
2007052899.tif 000014
【図４Ｊ】
2007052899.tif 000015
【図５】
2007052899.tif 000016
【図６】
2007052899.tif 000017