(57)【要約】【課題】電子装置の検査を確実に効率良く行なうための電気信号計測用治具と、このような電気信号計測用治具を簡便に製造するための製造方法を提供する。【解決手段】電気信号計測用治具を、シリコン基板と、このシリコン基板に穿設された複数のスルーホールと、これらのスルーホール内壁面を含むシリコン基板の所定部位に形成された二酸化珪素膜と、シリコン基板の一方の面の二酸化珪素膜上に配設された複数の電気信号計測用パッドと、上記のスルーホール内の二酸化珪素膜上に形成された導電層と、各電気信号計測用パッドと各スルーホール内の導電層とを接続するための複数の配線と、シリコン基板の他方の面に配設され各導電層と接続された複数の電極パッドを備えたものとし、シリコン基板は厚みを１００〜６００μｍの範囲とし、前記スルーホールは内径を１０〜１００μｍの範囲とした。【選択図】  図２
2007263649.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、該シリコン基板に穿設された複数のスルーホールと、該スルーホール内壁面を含む前記シリコン基板の所定部位に形成された二酸化珪素膜と、前記シリコン基板の一方の面の前記二酸化珪素膜上に配設された複数の電気信号計測用パッドと、前記スルーホール内の前記二酸化珪素膜上に形成された導電層と、各電気信号計測用パッドと各スルーホール内の前記導電層とを接続するための複数の配線と、前記シリコン基板の他方の面に配設され各導電層と接続された複数の電極パッドとを備え、前記シリコン基板の厚みは１００〜６００μｍの範囲であり、前記スルーホールの内径は１０〜１００μｍの範囲であることを特徴とする電気信号測定用治具。
【請求項２】
前記スルーホールの少なくとも一部はピッチ２０〜２００μｍの範囲で穿設されたものであることを特徴とする請求項１に記載の電気信号測定用治具。
【請求項３】
前記二酸化珪素膜の厚みは０．１〜５μｍの範囲であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気信号計測用治具。
【請求項４】
前記電気信号計測用パッド、前記導電層、前記配線および前記電極パッドは、金薄膜またはニッケル薄膜で被覆されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電気信号計測用治具。
【請求項５】
前記電気信号測定用パッド上に、材質が金またはニッケルである突起を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電気信号測定用治具。
【請求項６】
シリコン基板に所定の大きさで微細孔を穿設してスルーホールを形成する工程と、
前記シリコン基板の前記スルーホール内壁面を含む所定の部位に二酸化珪素膜を形成する工程と、
該二酸化珪素膜上に下地導電薄膜を形成する工程と、
前記シリコン基板表面の前記下地導電薄膜上に所望のレジストパターンを形成し、前記下地導電薄膜を給電層として電解めっきを行なうことにより、前記スルーホール内壁面に導電層を、前記シリコン基板の所定部位に電気信号計測用パッド、配線、電極パッドを形成する工程と、
露出している前記下地導電薄膜をエッチングにより除去する工程と、を有することを特徴とする電気信号計測用治具の製造方法。
【請求項７】
前記スルーホールの形成方法は、ＩＣＰ−ＲＩＥ法またはサンドブラスト法であることを特徴とする請求項６に記載の電気信号計測用治具の製造方法。
【請求項８】
前記スルーホールは、内径が１０〜１００μｍの範囲であり、ピッチ２０〜２００μｍの範囲となるように形成されることを特徴とする請求項７に記載の電気信号計測用治具の製造方法。
【請求項９】
前記下地導電薄膜の形成工程では、前記二酸化珪素膜上に、プラズマを利用したＭＯＣＶＤ（Metal Organic − Chemical Vapor Deposition）法により窒化チタン膜を形成し、該窒化チタン膜上に下地導電薄膜を形成することを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の電気信号計測用治具の製造方法。
【請求項１０】
前記窒化チタン膜上に絶縁膜を形成し、その後、前記下地導電薄膜を形成することを特徴とする請求項９に記載の電気信号計測用治具の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法により形成した二酸化珪素膜であることを特徴とする請求項１０に記載の電気信号計測用治具の製造方法。
【請求項１２】
前記電解めっきは、電解銅めっき法、電解銀めっき法、電解金めっき法のいずれかであることを特徴とする請求項６乃至請求項１１のいずれかに記載の電気信号計測用治具の製造方法。
【請求項１３】
露出している前記下地導電薄膜をエッチングにより除去する前記工程の後に、前記電気信号計測用パッド、導電層、配線、および電極パッド上に無電解めっきにより金薄膜またはニッケル薄膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項６乃至請求項１２いずれかに記載の電気信号計測用治具の製造方法。
【請求項１４】
前記導電層を形成した前記スルーホール内に樹脂または導電性ペーストを充填する工程を有することを特徴とする請求項６乃至請求項１３いずれかに記載の電気信号計測用治具の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気信号計測用治具に係り、特に微小端子と電気的に接続可能な電気信号計測用パッドを備えた電気信号計測用治具と、このような電気信号計測用治具を製造するための製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高性能化、小型化に伴い、使用される電子装置も、高密度化、大規模化、複雑化が進んでいる。さらに、電子装置の駆動クロック速度の増大により、上記の高密度化に加え、高速化、高周波化の重要性が増している。
このような背景の中で、電子装置の検査および測定を行うための治具も、端子数の増大に対応した狭ピッチ化、高周波信号に対応した低ロス構造化が要求されている。具体的には、プリント基板のオープン、ショートを検知するための測定治具、各種ガラスディスプレーの電極検査を行う治具、ハンダボールを搭載した半導体パッケージの検査および電気特性を評価するための治具、半導体デバイスの良否を判定する治具、所望のモジュールの高周波での信号応答性を評価するための測定治具等が挙げられる。
【特許文献１】特開２０００−３０４７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、従来の治具には、ある程度の剛性、強度が要求され、また、製造が容易で加工が行い易いことから、基板が樹脂製基板であるテープタイプの治具、あるいは、プリント基板が使用されている。
したがって、従来の治具では、スルーホールの内径は１００μｍ、スルーホールの形成ピッチは２００μｍ程度が限界であり、検査対象である電子装置の狭ピッチ化と多ピン（パッド）化に対応するには、治具の大型化が避けられなかった。また、樹脂製の基板は硬度が低いために高精細なパターニングが難しく、この点からも大型化が避けられなかった。そして、治具の大型化は、高密度に配列した端子を同時に検査する並列検査には大きな支障となり、検査の効率化に限界があった。
【０００４】
また、電子装置に対して加熱状態での検査を行なう場合、治具の耐熱性、特に治具の熱膨張係数と電子装置の熱膨張係数が近いことが重要であり、樹脂製の基板を用いた従来の治具では、狭ピッチで端子を備えている電子装置の検査に支障を来たすという問題があった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、電子装置の検査を確実に効率良く行なうための電気信号計測用治具と、このような電気信号計測用治具を簡便に製造するための製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的を達成するために、本発明は、シリコン基板と、該シリコン基板に穿設された複数のスルーホールと、該スルーホール内壁面を含む前記シリコン基板の所定部位に形成された二酸化珪素膜と、前記シリコン基板の一方の面の前記二酸化珪素膜上に配設された複数の電気信号計測用パッドと、前記スルーホール内の前記二酸化珪素膜上に形成された導電層と、各電気信号計測用パッドと各スルーホール内の前記導電層とを接続するための複数の配線と、前記シリコン基板の他方の面に配設され各導電層と接続された複数の電極パッドとを備え、前記シリコン基板の厚みは１００〜６００μｍの範囲であり、前記スルーホールの内径は１０〜１００μｍの範囲であるような構成とした。
【０００６】
本発明の他の態様として、前記スルーホールの少なくとも一部はピッチ２０〜２００μｍの範囲で穿設されたものであるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記二酸化珪素膜の厚みは０．１〜５μｍの範囲であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記電気信号計測用パッド、前記導電層、前記配線、および前記電極パッドは、金薄膜またはニッケル薄膜で被覆されているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記電気信号測定用パッド上に、材質が金またはニッケルである突起を備えているような構成とした。
【０００７】
また、本発明は、シリコン基板に所定の大きさで微細孔を穿設してスルーホールを形成する工程と、前記シリコン基板の前記スルーホール内壁面を含む所定の部位に二酸化珪素膜を形成する工程と、該二酸化珪素膜上に下地導電薄膜を形成する工程と、前記シリコン基板表面の前記下地導電薄膜上に所望のレジストパターンを形成し、前記下地導電薄膜を給電層として電解めっきを行なうことにより、前記スルーホール内壁面に導電層を、前記シリコン基板の所定部位に電気信号計測用パッド、配線、電極パッドを形成する工程と、露出している前記下地導電薄膜をエッチングにより除去する工程と、を有するような構成とした。
【０００８】
本発明の他の態様として、前記スルーホールの形成方法は、ＩＣＰ−ＲＩＥ法またはサンドブラスト法であるような構成とし、また、前記スルーホールは、内径が１０〜１００μｍの範囲であり、ピッチ２０〜２００μｍの範囲となるように形成されるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記下地導電薄膜の形成工程では、前記二酸化珪素膜上に、プラズマを利用したＭＯＣＶＤ（Metal Organic − Chemical Vapor Deposition）法により窒化チタン膜を形成し、該窒化チタン膜上に下地導電薄膜を形成するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記窒化チタン膜上に絶縁膜を形成し、その後、前記下地導電薄膜を形成するような構成とした。
【０００９】
本発明の他の態様として、前記絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法により形成した二酸化珪素膜であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記電解めっきは、電解銅めっき法、電解銀めっき法、電解金めっき法のいずれかであるような構成とした。
本発明の他の態様として、露出している前記下地導電薄膜をエッチングにより除去する前記工程の後に、前記電気信号計測用パッド、導電層、配線、および電極パッド上に無電解めっきにより金薄膜またはニッケル薄膜を形成する工程を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記導電層を形成した前記スルーホール内に樹脂または導電性ペーストを充填する工程を有するような構成とした。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の電気信号計測用治具では、基板がシリコン基板からなるので、１００〜６００μｍ程度の厚みであっても、充分な剛性、強度が得られ、また、熱膨張係数が被検査体である電子装置の熱膨張係数に近く、狭ピッチで端子を備えている電子装置に対する加熱状態での検査を確実に行なうことができ、さらに、内径１０〜１００μｍの細径のスルーホールを有するので、高密度に配列した端子を同時に検査する並列検査が容易となる。
また、本発明の製造方法では、スルーホール内への導電層の形成と配線、電気信号計測用パッドの形成を同時に行なうことができ、製造効率が高く、また、硬度の高いシリコン基板を使用するので、従来の樹脂製基板を使用する場合に比べて、高精細なパターニングが可能であり、また、内径が１０〜１００μｍの範囲にある微細なスルーホールを２０〜２００μｍ程度の狭ピッチで形成することができ、さらに、これらの微細なスルーホール内にも欠陥を生じることなく導電層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［電気信号計測用治具］
図１は、本発明の電気信号計測用治具の一実施形態を示す平面図であり、図２は図１に示される電気信号計測用治具のＡ−Ａ線での概略断面図である。図１および図２において、本発明の電気信号計測用治具１は、シリコン基板２と、このシリコン基板２に穿設された複数のスルーホール３と、シリコン基板２の表面２ａ側に形成された複数の電気信号計測用パッド５と、各スルーホール３に配設された導電層７と、各電気信号計測用パッド５と各導電層７とを接続する配線６とを備えている。尚、図示例では、図面が煩雑となることを避けるため、便宜的に１０個の電気信号計測用パッド５を備えた場合を示している。
電気信号計測用治具１を構成するシリコン基板２は、各スルーホール３の内壁面を含む全面に二酸化珪素薄膜４を備えており、この二酸化珪素薄膜４上に上記の電気信号計測用パッド５、配線６、導電層７が配設されている。また、各スルーホール３内に配設された導電層７は、シリコン基板２の裏面２ｂ側に突出して電極パッド８をなしている。
【００１２】
上述のような構造の本発明の電気信号計測用治具１では、複数の電気信号計測用パッド５上に、検査対象の電子装置２１（図２に想像線で示す）の端子を電気的に接続し、入出力信号端子や電源端子を電気信号計測用治具１の裏面の電極パッド８に接触させて入出力信号や電源を供給することにより、電子装置２１の検査が行なわれる。
電気信号計測用治具１を構成するシリコン基板２は、厚みが１００〜６００μｍ、好ましくは３００〜５００μｍの範囲である。シリコン基板２の厚みが１００μｍ未満であると、強度が不充分となり、狭ピッチでスルーホール３を備える場合の耐久性が低くなり、また、反りも生じ易くなる。また、厚みが６００μｍを超えると、電気信号計測用治具のスルーホール３の形成が難しくなり好ましくない。
【００１３】
このようなシリコン基板２が備えるスルーホール３は、その内径が１０〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍの範囲、形成ピッチ（隣接するスルーホールの開口中心の距離）が２０〜１０００μｍ、好ましくは３０〜３００μｍの範囲である。また、スルーホール３の少なくとも一部は形成ピッチが２０〜２００μｍの範囲であってもよい。本発明では、スルーホール３の全ての内径、ピッチが上記の範囲内であってもよく、また、複数のスルーホール３うち、所望のスルーホール３が上記の範囲の内径、ピッチを有するものであってもよい。勿論、全てのスルーホール３が、例えば、内径１０μｍ、形成ピッチ２０μｍとなるものであってもよい。
シリコン基板２に形成されている二酸化珪素膜４は、その厚みが０．１〜５μｍ、好ましくは０．８〜４．５μｍ程度である。二酸化珪素膜４の厚みが０．１μｍ未満であると、絶縁不良を生じ易く、５μｍを超えると、成膜時の応力コントロールが困難となり反りや歪みが生じ易くなり好ましくない。
【００１４】
電気信号計測用治具１を構成する電気信号計測用パッド５は、電子装置の端子を電気的に接続するためのものであり、形状は特に限定されず、図示例のように配線６に連続した方形状であってもよく、また、円形状、配線６よりも幅の広い方形状、楕円形状等であってよい。また、電気信号計測用パッド５の寸法、形成ピッチ、配列状態、個数は、検査対象となる電子装置の端子のピッチ、配列、数等を考慮して設定することができる。また、検査対象に合わせて、電気信号測定用パッド５を表面よりも突出させたり、あるいは、電気信号測定用パッド５上に突起を配設してもよい。突起を設ける場合には、例えば、金、ニッケル等の材質とすることができる。
また、配線６は、上記の電気信号計測用パッド５と、対応するスルーホール３内の導電層７とを接続するものであり、図示例では平行に配設された直線形状であるが、これに限定されるものではなく、電気信号計測用パッド５の配列と個数、およびスルーホール３の配列、個数に応じてい適宜設計することができる。
【００１５】
また、導電層７は、各スルーホール３の二酸化珪素膜４上に形成され、一方の端部はシリコン基板２の表面２ａ側にて配線６と接続され、他方の端部はシリコン基板２の裏面２ｂ側に突出して電極パッド８をなしている。
上記のような電気信号計測用パッド５、配線６、導電層７、電極パッド８の材質は、例えば、銅、銀、金等とすることができる。また、電気信号計測用パッド５、配線６、導電層７、電極パッド８の材質が銅である場合には、これらの表面に金薄膜、ニッケル薄膜等を配設して腐食防止性を付与してもよい。
上述のような本発明の電気信号計測用治具１は、基板としてシリコン基板２を用いているので、基板厚みが１００〜６００μｍ程度の厚みであっても、充分な剛性、強度が得られる。また、シリコン基板２の熱膨張係数は、被検査体である電子装置の熱膨張係数に近いので、狭ピッチで端子を備えている電子装置に対する加熱状態での検査を確実に行なうことができる。さらに、スルーホール３の内径とピッチを、最小で内径１０μｍ、ピッチ２０μｍに設定できるので、電気信号計測用治具の小型化が容易である。
【００１６】
尚、上述の電気信号計測用治具の実施形態では一例であり、本発明の電気信号計測用治具はこれに限定されるものではない。例えば、電気信号計測用パッド５、配線６、導電層７、電極パッド８が形成された部位のみに二酸化珪素膜４を備えたものであってもよい。また、電極パッド８は、シリコン基板２の裏面２ｂ側に突出したものではなく、二酸化珪素膜４と同一面をなすような形状（導電層７の端部が電極パッド８を兼ねるもの）であってもよい。さらに、二酸化珪素膜４上に窒化チタン膜等のバリアメタル層を備えるものであってもよい。
【００１７】
［電気信号計測用治具の製造方法］
次に、本発明の電気信号計測用治具の製造方法を図面を参照しながら説明する。
図３〜図４は、本発明の電気信号計測用治具の製造方法の一実施形態を、上述の電気信号計測用治具１を例として説明するための工程図である。
本発明の電気信号計測用治具の製造方法では、シリコン基板２に微細孔を穿設して複数のスルーホール３を形成する（図３（Ａ））。スルーホール３は、例えば、研磨して所定の厚みとしたシリコン基板２の一方の面に所定の開口部を有するマスクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクとしてエッチング加工により形成することができる。エッチング加工は、例えば、ＩＣＰ−ＲＩＥ(Inductively Coupled Plasma − Reactive Ion Etching：誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング)法によるドライエッチング、あるいは、ウエットエッチングにより行なうことができる。
【００１８】
形成するスルーホール３の内径は、１０〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍの範囲、形成ピッチは２０〜１０００μｍ、好ましくは３０〜３００μｍの範囲で適宜設定することができ、少なくとも一部は形成ピッチを２０〜２００μｍの範囲で設定し、これらはマスクパターンの開口部の大きさ、位置により調整することができる。
尚、シリコン基板２の両面にマスクパターンを形成し、両面からサンドブラスト法によりスルーホール３を形成してもよく、また、シリコン基板２の片面にマスクパターンを形成し、この面からサンドブラスト法によりスルーホール３を形成してもよい。さらに、シリコン基板２に上述のいずれかの方法により所定の深さで微細孔を形成し、その後、シリコン基板２の反対面を研磨して微細孔を露出させることによりスルーホール３を形成してもよい。
【００１９】
次に、スルーホール３の内壁面を含むシリコン基板２の表面に二酸化珪素膜４を形成する（図３（Ｂ））。この二酸化珪素膜４は、プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法、珪素酸化物の前駆体溶液等を用いた塗布方法、シリコン基板２を熱酸化する方法等により形成することができる。
次に、二酸化珪素膜４上に下地導電薄膜９を形成する（図３（Ｃ））。二酸化珪素膜４は、無電解めっき用の触媒を付与することが困難であり、また、微細なスルーホール３内部の二酸化珪素膜４上にも下地導電薄膜を確実に形成するために、本発明では、無電解めっき法を用いずに下地導電薄膜９を形成する。例えば、まず、プラズマを利用したＭＯＣＶＤ（Metal Organic − Chemical Vapor Deposition）を用いて窒化チタン膜を二酸化珪素膜４上に設けてバリアメタル層とする。次いで、この窒化チタン膜上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により銅等の薄膜を形成して下地導電薄膜９を形成する。
尚、窒化チタン膜上に絶縁膜を形成し、その後、下地導電薄膜９を形成してもよい。この場合、絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法により二酸化珪素膜を形成することができる。
【００２０】
次に、シリコン基板２の両面（下地導電薄膜９上）に所望のレジストパターン１０を形成する（図３（Ｄ））。レジストパターン１０は、例えば、感光性のドライフィルムレジストをシリコン基板２にラミネートし、所望のフォトマスクを介して露光、現像することにより形成することができる。このように形成したレジストパターン１０のうち、シリコン基板２の表面２ａ（電気信号計測用パッド５、配線６が形成される面）側のレジストパターン１０は、図４（Ａ）に斜線を付して示すように、形成する電気信号計測用パッド５、配線６の形状に対応した開口（下地導電薄膜９とスルーホール３が露出している）を備えたものである。また、レジストパターン１０のうち、シリコン基板２の裏面２ｂ（電極パッド８が形成される面）側のレジストパターン１０は、図４（Ｂ）に斜線を付して示すように、形成する電極パッド８の形状に対応した開口（下地導電薄膜９とスルーホール３が露出している）を備えたものである。
【００２１】
次に、上記の下地導電薄膜９を給電層として電解めっきにより導電材料をスルーホール３の内壁面、および、シリコン基板２の両面の所定部位に析出させて、導電層７と、電気信号計測用パッド５、配線６、電極パッド８を形成する（図４（Ｃ））。この電解めっきは、電解銅めっき、電解銀めっき、電解金めっき等により行なうことができる。
次に、レジストパターン１０、および、露出している下地導電薄膜９を除去して、電気信号計測用パッド５、配線６、電極パッド８の形成部位以外は、二酸化珪素膜４を露出させる。これにより、電気信号計測用治具１が得られる（図４（Ｄ））。露出している下地導電薄膜９の除去は、例えば、電気信号計測用パッド５、配線６、電極パッド８をマスクとしたエッチングにより行なうことができる。
尚、下地導電薄膜９を、上述のように窒化チタン膜を介して形成した場合には、下地導電層９とともに窒化チタン膜も除去する。また、本発明の電気信号計測用治具は、上述のように、二酸化珪素膜４上に窒化チタン膜等のバリアメタル層を備えるものであってもよく、このような形態の電気信号計測用治具を製造する場合には、下地導電薄膜９のみを除去し、上記の窒化チタン膜を残すようにする。
【００２２】
このような本発明では、硬度の高いシリコン基板２を使用するので、従来の樹脂製基板を使用する場合に比べて、レジストパターン１０を高精細なパターンで形成することでき、これにより、高精細な電気信号計測用パッド５、配線６、電極パッド８の形成が可能である。また、内径が１０〜１００μｍの微細なスルーホール３を２０〜２００μｍ程度の狭ピッチで形成することができる。さらに、これらの微細なスルーホール内にも欠陥を生じることなく導電層を形成することができる。また、本発明では、無電解めっきによる膜形成が不可能な二酸化珪素膜４上に電気信号計測用パッド５や配線６を高精細パターンで形成することができる。
【００２３】
本発明の電気信号計測用治具の製造方法は、上述の実施形態に示されるものに限定されるものではない。例えば、電気信号計測用パッド５、配線６、電極パッド８、およびスルーホール３内の導電層７に無電解めっきにより金薄膜、ニッケル薄膜等を形成してもよい。特に、上述のように、電気信号計測用パッド５、配線６、電極パッド８の形成部位以外は、二酸化珪素膜４が露出するように作製した電気信号計測用治具では、二酸化珪素膜４への無電解めっき用の触媒付与が困難である。したがって、マスクパターンを形成することなく、無電解めっき用の触媒を、電気信号計測用パッド５、配線６、電極パッド８、およびスルーホール３内の導電層７上のみに付着させ、これらの部位のみに無電解めっきにより金薄膜、ニッケル薄膜等を形成することができる。
【実施例】
【００２４】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例］
厚み６２５μｍのシリコン基板を準備し、このシリコン基板の一方の面にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜（厚み５μｍ）を成膜した。次いで、この窒化シリコン膜上に、ポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製  ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、スルーホール形成用のフォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成した。次に、ＣＦ4をエッチングガスとして、レジストパターンから露出している窒化シリコン膜をドライエッチングし、その後、レジストパターンを専用剥離液で剥離し、窒化シリコンからなるマスクパターンを形成した。このマスクパターンは、直径が５０μｍである円形開口が２００μｍピッチでライン状に１００個配列され、このライン状の配列が３０ｍｍの距離を介して平行に２本形成されたものであった。
【００２５】
次に、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置により、マスクパターンから露出しているシリコン基板を、エッチングガスにＳＦ6を用いてドライエッチングして、深さ４２０μmのトレンチホールを形成した。次いで、シリコン基板の裏面を研削して上記のトレンチホールを露出させてスルーホールを形成した。このスルーホールは、一方の開口径が６０μｍであり、他方の開口径が５０μｍであるテーパー形状であり、２００μｍピッチでライン状に１００個配列され、このライン状の配列が３０ｍｍの距離を介して平行に２本形成存在するものであった。
次に、アセトンを用いてマスクパターンをシリコン基板から除去した。
次いで、スルーホールが形成されたシリコン基板に熱酸化処理（１０５０℃、２０分間）を施して、スルーホール内壁面を含むシリコン基板面に二酸化珪素膜を形成した。
【００２６】
次に、上記の二酸化珪素膜上に、ＭＯＣＶＤ法により窒化チタン膜（厚み０．０１μｍ）を形成し、この窒化チタン膜上に、Ｃｕ−ＣＶＤ法により銅薄膜（厚み０．２μｍ）を形成して下地導電薄膜とした。
次いで、シリコン基板の両面の下地導電薄膜上にドライフィルムレジスト（旭化成（株）製ＡＰＲ）をラミネートした。次いで、一方の面（スルーホールの開口径が６０μｍである面）のドライフィルムレジストを、電気信号計測用パッドと配線とを形成するためのフォトマスクを介し露光、現像してレジストパターン（厚み１５μｍ）を形成した。また、他方の面のドライフィルムレジストを、電極パッド形成用のフォトマスクを介し露光、現像してレジストパターン（厚み１５μｍ）を形成した。
【００２７】
次に、これらのレジストパターンをマスクとし、上記の下地導電薄膜を給電層として、電解銅めっきを行なった。これにより、スルーホール内壁面（二酸化珪素膜上）に導電層（厚み約５μｍ）を形成し、シリコン基板の一方の面（二酸化珪素膜上）に電気信号計測用パッドと配線（厚み約５μｍ）を、また、他方の面（二酸化珪素膜上）に電極パッド（厚み約５μｍ）を形成した。
次に、レジストパターンと下地導電薄膜、窒化チタン膜を除去して本発明の電気信号計測用治具を得た。この電気信号計測用治具では、直径１００μｍの円形状の電気信号計測用パッドが２００μｍピッチでライン状に１００個配列され、このライン状の配列を３０ｍｍの距離を介して平行に２本備えるものであった。そして、これらの電気信号計測用パッドは、上述の２列に配列して形成したスルーホールの中間に位置するものであった。また、配線は、スルーホール内壁面に形成された導電層と、対応する各電気信号計測用パッドとを接続するように直線形状（幅１５μｍ）で配設されたものであった。さらに、電極パッドは、スルーホール内壁面に形成された導電層と接続され、スルーホールの開口周囲にリング状（外径１００μｍ）に形成されたものであった。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明は、電子装置の検査用途に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の電気信号計測用治具の一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示される電気信号計測用治具のＡ−Ａ線での概略断面図である。
【図３】本発明の電気信号計測用治具の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図４】本発明の電気信号計測用治具の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【００３０】
１…電気信号計測用治具
２…シリコン基板
３…スルーホール
４…二酸化珪素膜
５…電気信号計測用パッド
６…配線
７…導電層
８…電極パッド
９…下地導電層
１０…レジストパターン
【図１】
2007263649.tif 000003
【図２】
2007263649.tif 000004
【図３】
2007263649.tif 000005
【図４】
2007263649.tif 000006