(57)【要約】【課題】垂直磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。【解決手段】記録層を備える垂直磁気記録媒体の記録層の上方のトラック方向に移動し、記録層に情報を記録するか、記録層の情報を再生する垂直磁気ヘッドにおいて、垂直磁気ヘッドは、メインポールと、記録層と隣接したＡＢＳ面で端部がメインポールと離隔されたリターンポールと、メインポールの周辺部を取り囲み、スプリット構造を有する複数のシールドと、を備える垂直磁気ヘッドである。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層を備える垂直磁気記録媒体の前記記録層の上方のトラック方向に移動し、前記記録層に情報を記録し、または、前記記録層から情報を再生する垂直磁気ヘッドにおいて、
前記垂直磁気ヘッドは、メインポールと、
前記記録層と隣接したＡＢＳ面で端部が前記メインポールと離隔されたリターンポールと、
前記メインポールの周辺部を取り囲み、スプリット構造を有する複数のシールドと、を備えることを特徴とする垂直磁気ヘッド。
【請求項２】
前記シールドは、トラック方向で前記メインポールの両側部及び前記メインポールの前記リターンポールの反対方向に位置することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気ヘッド。
【請求項３】
前記シールドは、ＮｉＦｅから形成されたことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気ヘッド。
【請求項４】
前記メインポールの両側のシールド間の距離は、５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気ヘッド。
【請求項５】
前記メインポールと前記シールドとの距離は、前記メインポールと前記リターンポールとの距離より大きいことを特徴とする請求項４に記載の垂直磁気ヘッド。
【請求項６】
前記メインポール、前記リターンポール、及び前記シールドの間に絶縁層が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気ヘッド。
【請求項７】
前記絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２から形成されたことを特徴とする請求項６に記載の垂直磁気ヘッド。
【請求項８】
前記シールドの前記メインポールに隣接した面の形状は、楕円形であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気ヘッド。
【請求項９】
記録層を備える垂直磁気記録媒体の前記記録層の上方のトラック方向に移動し、前記記録層に／から情報を記録／再生する垂直磁気ヘッドの製造方法において、
(ａ)第１シールド層、第１絶縁層、及び第２シールド層を形成する段階と、
(ｂ)前記第２シールド層を一部エッチングし、残留した前記第２シールド層及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層及び第３シールド層を順次に形成する段階と、
(ｃ)前記第３シールド層をエッチングしてメインポールを形成し、第３絶縁層及び第４シールド層を順次に形成する段階と、
(ｄ)前記第４シールド層の前記メインポールに該当する領域をエッチングした後、第４絶縁層を形成し、その上部にリターンポールを形成する段階と、を含むことを特徴とする垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第１シールド層、第２シールド層、第３シールド層、及び第４シールド層は、ＮｉＦｅから形成させることを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記(ｂ)段階は、
前記第２シールド層上に５００ｎｍ以下の間隔でフォトレジスト層を形成する段階と、
前記フォトレジスト層の間に露出された第２シールド層をエッチングして、前記第１絶縁層を露出する段階と、を含むことを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記(ｃ)段階は、
前記第３シールド層上にパターニングされたフォトレジスト層を形成する段階と、
前記フォトレジスト層により露出された前記第３シールド層をエッチングして、前記メインポールを形成する段階と、
前記メインポールと前記第３シールド層との間、及び前記メインポールの上部に絶縁物質を塗布して、前記第３絶縁層を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記第２絶縁層、前記第３絶縁層、及び前記第４絶縁層を形成した後、前記第２絶縁層、前記第３絶縁層、及び前記第４絶縁層をＣＭＰ工程により平坦化する工程をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２から形成することを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録ヘッドに係り、より詳細には、垂直磁気記録媒体の記録対象トラック以外のトラックに対して垂直磁気ヘッドが及ぼす磁場の影響を最小化するために、垂直磁気ヘッドのメインポール周辺にスプリット構造のシールドを形成させた垂直磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
産業化及び情報化が速く進行し、個人または団体が取扱う情報の量が急速に増している。データ処理速度が速く、データ保存能力が大きいコンピュータは、既に大衆に広く普及されている。コンピュータのデータ処理速度を増加させるために、ＣＰＵチップとコンピュータ周辺装置が改善され、データ保存能力を向上させるために多様な形態の情報保存媒体、例えばハードディスクの高密度化が研究されている。
【０００３】
最近、多様な形態の記録媒体が紹介されているが、大部分の記録媒体は、磁性層をデータ記録層として利用する磁気記録媒体である。磁気記録媒体は、データ記録方式を基準として水平磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに大別される。
【０００４】
水平磁気記録方式は、磁性層の磁化方向が磁性層の表面に平行に整列されることを利用してデータを記録する方式であり、垂直磁気記録方式は、磁性層の磁化方向が磁性層の表面に垂直方向に整列されることを利用してデータを記録する方式である。データ記録密度の側面では、垂直磁気記録方式が水平磁気記録方式よりはるかに有利である。
【０００５】
図１Ａは、従来の技術による垂直磁気記録装置の一実施形態を示した図面である。図１Ａを参照すれば、従来の一般的な磁気記録装置は、記録媒体１０、記録媒体１０にデータを記録する記録ヘッド１００、及び記録媒体１０のデータを再生する再生ヘッド１１０を備える。
【０００６】
記録ヘッド１００は、メインポールＰ１、リターンポールＰ２、及びコイルＣを備える。メインポールＰ１及びリターンポールＰ２は、例えば、ニッケル鉄(ＮｉＦｅ)のような磁性物質で形成でき、それぞれの成分比を異ならせることによって、飽和磁束密度Ｂｓを異なって形成させることが望ましい。メインポールＰ１及びリターンポールＰ２は、垂直磁気記録媒体１０の記録層１３にデータを記録するのに直接使われる。メインポールＰ１の側面には、サブヨーク１０１をさらに形成させて、データを記録する過程でメインポールＰ１から発生する磁場を垂直磁気記録媒体１０の選択された領域に集める役割を行わせる。コイルＣは、メインポールＰ１を取り囲む形態に形成されており、メインポールＰ１が記録媒体１０にデータを記録できるように磁場を発生させる役割を行う。
【０００７】
再生ヘッド１１０は、第１及び第２磁気遮蔽層Ｓ１、Ｓ２を備え、第１及び第２磁気遮蔽層Ｓ１、Ｓ２の間に形成されたデータ再生用の磁気抵抗素子１１１を備える。第１及び第２磁気遮蔽層Ｓ１、Ｓ２は、選択されたトラックの所定領域のデータを読む間に、前記領域の周囲の磁気的要素から発生する磁場の前記領域への到達を遮断する。データ再生用の磁気抵抗素子１１１は、ＧＭＲまたはＴＭＲ構造体を使用できる。
【０００８】
図１Ａにおいて、Ｘ軸方向は、記録媒体１０が進行する方向であり、通常記録層１３のダウントラック方向と称する。そして、Ｙ軸は、トラック方向に垂直方向であり、通常クロストラック方向と称する。
【０００９】
図１Ｂは、前記図１Ａの領域ＡのメインポールＰ１及びリターンポールＰ２のＡＢＳ面を示した図面である。ＡＢＳ面は、記録ヘッド１００が記録層１３と対向する面を意味する。図１Ｂを参照すれば、メインポールＰ１から印加する磁場は、記録層１３のマグネチックドメインを磁化させてデータを記録する。この時、磁場は、記録層１３の記録対象トラックに隣接した他のトラックのマグネチックドメインの磁化方向に影響を及ぼすおそれがある。
【００１０】
図２は、特許文献１に開示された垂直磁気ヘッドを示した図面である。図２を参照すれば、磁気記録媒体２０上の記録用ポール２１の両側にサイドシールド２２ａ、２２ｂを円形に形成させて、記録時にサイドから発生する磁場による影響を減らす役割を行わせた。このように、サイドシールド２２ａ、２２ｂは、現在磁気ヘッド分野で磁場の経路を制御するために採用されている。
【特許文献１】米国特許第６，７２８，０６５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明では、垂直磁気記録ヘッドから印加される磁場により記録対象トラックに隣接したトラックのマグネチックドメインに及ぼす影響を最小化するためのシールド構造を最適化した垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記技術的課題を達成するために、本発明では、記録層を備える垂直磁気記録媒体の前記記録層の上方のトラック方向に移動し、前記記録層に情報を記録し、前記記録層から情報を再生する垂直磁気ヘッドにおいて、前記垂直磁気ヘッドは、メインポールと、前記記録層と隣接したＡＢＳ面で端部が前記メインポールと離隔されたリターンポールと、前記メインポールの周辺部を取り囲み、スプリット構造を有する複数のシールドと、を備える垂直磁気ヘッドを提供する。
【００１３】
本発明において、前記シールドは、トラック方向で前記メインポールの両側部及び前記メインポールの前記リターンポールの反対方向に位置することを特徴とする。
【００１４】
本発明において、前記シールドは、ＮｉＦｅから形成されたことを特徴とする。
【００１５】
本発明において、前記メインポール両側のシールド間の距離は、５００ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記メインポールと前記シールドとの距離は、前記メインポールと前記リターンポールとの距離より大きいことを特徴とする。
【００１７】
本発明において、前記メインポール、前記リターンポール、及び前記シールドの間に絶縁層が形成されたことを特徴とする。
【００１８】
本発明において、前記絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２から形成されたことを特徴とする。
【００１９】
本発明において、前記シールドの前記メインポールと隣接した面の形状は、楕円形であることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明では、記録層を備える垂直磁気記録媒体の前記記録層の上方のトラック方向に移動し、前記記録層に情報を記録し、または、前記記録層から情報を再生する垂直磁気ヘッドの製造方法において、(ａ)第１シールド層、第１絶縁層、及び第２シールド層を形成する段階と、(ｂ)前記第２シールド層を一部エッチングし、残留した前記第２シールド層及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層及び第３シールド層を順次に形成する段階と、(ｃ)前記第３シールド層をエッチングしてメインポールを形成し、第３絶縁層及び第４シールド層を順次に形成する段階と、(ｄ)前記第４シールド層の前記メインポールに該当する領域をエッチングした後、第４絶縁層形成し、その上部にリターンポールを形成する段階と、を含む垂直磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【００２１】
本発明において、前記第１シールド層、第２シールド層、第３シールド層、及び第４シールド層は、ＮｉＦｅから形成させることを特徴とする。
【００２２】
本発明において、前記(ｂ)段階は、前記第２シールド層上に５００ｎｍ以下の間隔でフォトレジスト層を形成する段階と、前記フォトレジスト層の間に露出された第２シールド層をエッチングして、前記第１絶縁層を露出する段階と、を含むことを特徴とする。
【００２３】
本発明において、前記(ｃ)段階は、前記第３シールド層上にパターニングされたフォトレジスト層を形成する段階と、前記フォトレジスト層により露出された前記第３シールド層をエッチングして、前記メインポールを形成する段階と、前記メインポールと前記第３シールド層との間、及び前記メインポールの上部に絶縁物質を塗布して、前記第３絶縁層を形成する段階と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
本発明において、前記第２絶縁層、前記第３絶縁層、及び前記第４絶縁層を形成した後、前記第２絶縁層、前記第３絶縁層、及び前記第４絶縁層をＣＭＰ工程により平坦化する工程をさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の垂直磁気ヘッドを利用すれば、クロストラック方向の隣接する複数の記録層トラックのマグネチックドメインの記録特性に及ぼす影響を最小化することが可能である。これは、クロストラック方向への漏れフィールド、漏れ磁束を最小化することによって、ＡＴＥ及びＷＡＴＥの問題を最小化することによって具現され、記録媒体に対する全体的な信頼性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドについて詳細に説明する。ここで、図面に示された層や領域などの厚さは、明確な説明のために多少誇張されている。
【００２７】
図３は、本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドの構造をＡＢＳ面を基準に示した図面である。図３を参照すれば、本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドは、メインポールＰ１、メインポールＰ１と離隔されたリターンポールＰ２、及びメインポールＰ１の周辺部を取り囲み、スプリット構造を有する複数のシールド３１ａ、３１ｂ、３１ｃ及び３１ｄを備える。スプリット構造の複数のシールド３１ａ、３１ｂ、３１ｃ及び３１ｄの端部は、円形、楕円形、及び非対称構造でありうる。
【００２８】
シールド３１ａ、３１ｂ、３１ｃ及び３１ｄは、メインポールＰ１及び/またはリターンポールＰ２のような磁性物質から形成され、例えばＮｉＦｅから形成されうる。メインポールＰ１の両側のシールド間の距離ｄ１は、５００ｎｍより小さいことが望ましい。そして、メインポールＰ１とシールド３１ａ、３１ｂ、３１ｃ及び３１ｄとの距離ｄ２は、メインポールＰ１とリターンポールＰ２との距離、すなわちライトギャップ（ｗｒｉｔｅ  ｇａｐ）より大きいことが望ましい。
【００２９】
メインポールＰ１、リターンポールＰ２、及びスプリット構造のシールド３１ａ、３１ｂ、３１ｃ及び３１ｄの間には、絶縁層３２、３３、３４、３５が形成されており、Ａｌ２Ｏ３のような絶縁物質から形成されたものである。
【００３０】
以下、本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドの磁気的な特徴について、図面を参照して詳細に説明する。そのために、図４Ａのような構造の本発明の実施形態による垂直磁気ヘッド、及び図１Ａに示した垂直磁気ヘッドの記録特性を調べた。
【００３１】
図４Ａは、本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドの図３の構造でメインポールＰ１のトラック方向に切断した断面斜視図である。
【００３２】
図４Ａを参照すれば、メインポールＰ１を取り囲んでいるシールドは、その端部が楕円形に形成されている。図４Ｂは、メインポールＰ１とリターンポールＰ２とから形成された構造を有するものである。
【００３３】
図５は、前記図４Ａ及び図１Ａに示した垂直磁気ヘッドのメインポールＰ１から印加された磁場によりダウントラック方向に位置した記録層のマグネチックドメインに印加される記録フィールド、すなわち、磁場の垂直成分の強度を示したグラフである。図５において、Ｓｐｌｉｔは、図４Ａに示した本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドを示し、Ｎｏｎ  Ｓｐｌｉｔは、図１Ａに示した垂直磁気ヘッドを示す。
【００３４】
図５を参照すれば、ダウントラック方向での距離による記録層が受ける垂直成分の磁場の強度は、わずかな差があるが、性能または効果上の差が大きいとは言えない。したがって、ダウントラック方向では、互いに類似した効果を表すと判断される。
【００３５】
図６は、前記図４Ａ及び図１Ａに示された垂直磁気ヘッドの磁気媒体マグネチックドメインのクロストラック方向の記録フィールド、すなわち磁場の垂直成分の強度を計算した結果を示した図面である。図６において、Ｓｐｌｉｔとは、図４Ａの垂直磁気ヘッドのＬ１方向を示し、Ｎｏｎ  Ｓｐｌｉｔとは、図１Ａの垂直磁気ヘッドを示す。そして、Ｓｐｌｉｔ  ｉｎとは、図４Ａの垂直磁気ヘッドのＬ２方向を示す。
【００３６】
図６を参照すれば、クロストラック方向の距離が−０．１ないし０．１μｍである場合には、両記録ヘッドがほとんど類似した大きさの記録フィールドを表すことが分かる。０μｍ周辺領域でほぼ同じ値を表すことによって、記録特性は類似していることを確認することができる。しかし、−０．２μｍ以下と０．２μｍ以上の領域では、Ｎｏｎ  Ｓｐｌｉｔ構造を有する図１Ａの磁気ヘッドの記録フィールドが大きいことが分かる。この領域は、記録ヘッドが位置したトラックから２ないし３トラック以上の距離に位置したトラックに及ぼす影響を表す。
【００３７】
したがって、図４Ａに示した本発明の実施形態による磁気ヘッドは、クロストラック方向への漏れフィールドの分散効果が確実に優れることを確認することができる。具体的に、クロストラック方向への０．３μｍ位置での記録フィールドの大きさを見ると、Ｎｏｎ  Ｓｐｌｉｔの場合に１６０１Ｏｅであり、Ｎｏｎ  Ｓｐｌｉｔ  ｉｎは１０２２Ｏｅであるが、Ｓｐｌｉｔは５９６Ｏｅであり、Ｓｐｌｉｔ  ｉｎは５１１Ｏｅと低い値を示した。
【００３８】
図７Ａ及び図７Ｂは、シールドの形態がスプリット構造ではないメインポールを取り囲む形態である図４Ｂの垂直磁気ヘッド、及び本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドのクロストラック方向への記録フィールドの大きさを示したグラフである。ここでも、メインポールＰ１が位置したトラックからクロストラック方向に２ないし３トラック以上離れた位置での記録フィールド値を測定した。
【００３９】
図７Ａを参照すれば、Ｓｐｌｉｔ構造ではないラウンド型のシールドを含む垂直磁気ヘッドの場合、本発明の実施形態による垂直磁気ヘッド(Ｒｏｕｎｄ_Ｓｐｌｉｔ)に比べて記録密度の絶対値が大きいことが分かる。一方、本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドの場合には、絶対値が非常に小さな値を維持していることが分かる。
【００４０】
図７Ｂは、前記図７Ａに示した記録フィールド値の差を示したグラフであり、クロストラック方向に４８０ｎｍの距離で約２００Ｏｅの差を示すことが分かる。したがって、本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドは、クロストラック方向に漏れフィールドを減少させる効果が非常に大きいことが分かる。
【００４１】
図８Ａ及び図８Ｂは、従来の技術及び本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドのメインポールＰ１から印加される磁場の強度を示したシミュレーション結果である。図８Ａの場合、従来のシングルポールヘッドの垂直成分の磁場の強度を示した図面であり、図８Ｂは、本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドの垂直成分の磁場の強度を示した図面である。
【００４２】
図８Ａ及び図８Ｂを参照すれば、メインポールＰ１と隣接した領域での垂直成分の磁場の強度は、ほぼ同じであるが、側面及び下部方向に行くほど差が著しく現れることが分かる。図８Ｂに示した本発明の実施形態によるスプリット構造の垂直磁気ヘッドの場合、クロストラック方向の漏れフィールドを大きく減少させることを確認することができる。
以下、図９Ａないし図９Ｋを参照して、本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドの製造方法について詳細に説明する。但し、その製造工程技術は、従来の磁気ヘッドの製造工程及び一般的な半導体素子の製造工程を容易に応用できる。
【００４３】
図９Ａを参照すれば、基板(図示せず)上にシールド３１ａ、絶縁層３２、及びシールド３１ｂを順次に形成させる。この時、シールド３１ａ、３１ｂの材料は、通常使用される磁性物質であって、メインポールＰ１またはリターンポールＰ２の材料と同じ物質から形成させる。具体的に、ＮｉＦｅを使用できる。このような物質を形成させる工程は、スパッタリング、ＣＶＤまたはＡＬＤなどを利用できる。絶縁層３２は、絶縁物質から形成させ、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などを利用できる。そして、シールド３１ｂの上部にフォトレジスト(ＰＲ）を形成させる。この時、フォトレジストは、シールド３１ｂが形成させる領域を限定するものであって、フォトレジスト間の距離は約５００ｎｍ以下であり、メインポールＰ１とリターンポールＰ２との間の距離より大きいことが望ましい。
【００４４】
図９Ｂを参照すれば、フォトレジスト(ＰＲ)間のシールド３１ｂをエッチングして溝ｇ１を形成させる。その後、図９Ｃに示したように、絶縁物質をシールド３１ｂ及びエッチング領域ｇ１内に塗布して絶縁層３３を形成させる。絶縁層３３は、図面の符号３２の絶縁層と同じ物質から形成させることが可能であり、溝ｇ１の内部を充填する。絶縁層３３の高さを一定にするためにＣＭＰ工程をさらに実施してもよい。
【００４５】
図９Ｄを参照すれば、絶縁層３３上にシールド３１ｃを形成させ、シールド３１ｃ上にフォトレジスト(ＰＲ)を形成させてパターニングする。この時、中央部のフォトレジストは、メインポールＰ１の形態を限定するものであり、フォトレジスト(ＰＲ)間の距離は約５００ｎｍ以下であり、メインポールＰ１と後工程により形成されるリターンポールＰ２との距離より近くないように注意する。
【００４６】
図９Ｅを参照すれば、フォトレジストの間の開口された領域のシールド３１ｃをエッチングして、エッチング領域ｇ２内部のエッチングされていないシールド３１ｃ領域からメインポールＰ１を形成させる。ここで、メインポールＰ１は、エッチング方法によってその形態が異なりうる。したがって、図９Ｅに示したメインポールＰ１の構造は、限定的なものではない。そして、図９Ｆに示したように、メインポールＰ１の上方に絶縁物質を塗布して絶縁層３４を形成させ、ＣＭＰ工程などで絶縁層３４の表面を平坦化させる。
【００４７】
図９Ｇを参照すれば、絶縁層３４上にシールド３１ｄを形成させ、図９Ｈに示したように、シールド３１ｄ上にフォトレジストを塗布してパターニングする。図９Ｈないし９Ｊに示したように、フォトレジストの開口された領域のシールド３１ｄをエッチングして、エッチング領域ｇ３内に絶縁物質を塗布して絶縁層３５を形成させる。絶縁層３５の表面を平坦化するためのＣＭＰ工程をさらに実施してもよい。
【００４８】
最後に、図９Ｋを参照すれば、絶縁層３５上に磁性物質を塗布してリターンポールＰ２を形成させる。これによって、発明の実施形態によるスプリット構造の垂直磁気ヘッドを提供しうる。
【００４９】
前述した説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものというより、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。例えば、当業者ならば、本発明の垂直磁気ヘッドにおいて、メインポールＰ１及びリターンポールＰ２などの構造を図面に示したものから変形して製造することが可能であり、図示したシールドより多くのスプリット構造のシールドで製造するなど、詳細な説明に示したものを変形することが可能である。したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態により決まるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、垂直磁気記録ヘッド関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１Ａ】従来の技術による垂直磁気ヘッドを示した断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの垂直磁気ヘッドのＡ領域をＡＢＳ面を基準に示した図面である。
【図２】特許文献１に開示された従来の技術による垂直磁気ヘッドを示した図面である。
【図３】本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドの構造をＡＢＳ面を基準に示した図面である。
【図４Ａ】本発明の実施形態による垂直磁気ヘッドの断面斜視図である。
【図４Ｂ】メインポールの周辺に円筒形リターンポールが形成された垂直磁気ヘッドを示した図面である。
【図５】図４Ａ及び図１Ａに示された垂直磁気ヘッドの磁気媒体のダウントラック方向の記録フィールドを測定した結果を示した図面である。
【図６】前記図４Ａ及び図１Ａに示された垂直磁気ヘッドの磁気媒体のクロストラック方向の記録フィールドを計算した結果を示した図面である。
【図７Ａ】前記図４Ａ及び図４Ｂに示された垂直磁気ヘッドの磁気媒体のクロストラック方向に２８０ないし４８０ｎｍ位置の記録フィールドを示したグラフである。
【図７Ｂ】前記図７Ａのグラフに示した両値の差を磁気媒体のクロストラック方向に３６０ないし４８０ｎｍ位置で示したグラフである。
【図８Ａ】従来の技術による垂直磁気ヘッドのフィールド分布を示した図面である。
【図８Ｂ】本発明による垂直磁気ヘッドのフィールド分布を示した図面である。
【図９Ａ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【図９Ｂ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【図９Ｃ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【図９Ｄ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【図９Ｅ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【図９Ｆ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【図９Ｇ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【図９Ｈ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【図９Ｉ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【図９Ｊ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【図９Ｋ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示した図面である。
【符号の説明】
【００５２】
１０、２０  磁気記録媒体
１１  軟磁性下地層
１２  中間層
１３  記録層
１００  記録ヘッド
１１０  再生ヘッド
１１１  磁気抵抗素子
２１  記録ポール
２２ａ、２２ｂ  シールド
３２、３３、３４、３５  絶縁層
３１、３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ  シールド
Ｐ１  メインポール
Ｐ２  リターンポール
Ｃ  コイル
Ｓ１  第１磁気遮蔽層
Ｓ２  第２磁気遮蔽層
【図１Ａ】
2007052904.tif 000003
【図１Ｂ】
2007052904.tif 000004
【図２】
2007052904.tif 000005
【図３】
2007052904.tif 000006
【図４Ａ】
2007052904.tif 000007
【図４Ｂ】
2007052904.tif 000008
【図５】
2007052904.tif 000009
【図６】
2007052904.tif 000010
【図７Ａ】
2007052904.tif 000011
【図７Ｂ】
2007052904.tif 000012
【図８Ａ】
2007052904.tif 000013
【図８Ｂ】
2007052904.tif 000014
【図９Ａ】
2007052904.tif 000015
【図９Ｂ】
2007052904.tif 000016
【図９Ｃ】
2007052904.tif 000017
【図９Ｄ】
2007052904.tif 000018
【図９Ｅ】
2007052904.tif 000019
【図９Ｆ】
2007052904.tif 000020
【図９Ｇ】
2007052904.tif 000021
【図９Ｈ】
2007052904.tif 000022
【図９Ｉ】
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【図９Ｊ】
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【図９Ｋ】
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