(57)【要約】      （修正有）【課題】ラインセンサの配置調整レベルに依存せず、位置補正精度の再現性維持を図る。【解決手段】基板を任意の場所に移載可能な移載手段と、移載手段における基板搬送軌道上に少なくとも１つ以上配設され、基板に加工を施す処理面と平行な平面座標に対する基板のエッジ位置を検出可能な検出手段１１、１２と、基板のエッジ位置の座標情報ａ、ｂを基板の移載機会毎に記憶する座標記憶手段と、検出手段１１、１２により検出した座標情報ａ、ｂと予め登録された基板移載時の正規位置の座標情報とを比較し、基板の位置ズレ量を演算する演算手段と、位置ズレ量に基づいて移載手段による基板搬送軌道の補正を行いながら、基板を移載先に載置する補正手段と、を備え、位置ズレ量を演算するためのパラメータを、前記各手段を実行することにより自動的に取得するキャリブレーション機能を有する。【選択図】図１
2007242680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を任意の場所に移載可能な移載手段と
前記移載手段における基板搬送軌道上に少なくとも１つ以上配設され、基板に加工を施す処理面と平行な平面座標に対する基板のエッジ位置を検出可能な検出手段と、
基板のエッジ位置の座標情報を基板の移載機会毎に記憶する座標記憶手段と、
前記検出手段により検出した座標情報と予め登録された基板移載時の正規位置の座標情報とを比較し、基板の位置ズレ量を演算する演算手段と、
前記位置ズレ量に基づいて移載手段による基板搬送軌道の補正を行いながら、基板を移載先に載置する補正手段と、
前記位置ズレ量を演算するためのパラメータを、前記各手段を実行することにより取得するキャリブレーション手段と
を有する半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板移載時の基板の位置ズレを補正するシステムを有する半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板の枚葉処理装置には従来、中央に基板移載機を搭載した搬送室を配し、その周辺に熱処理炉、ＣＶＤ炉、プラズマ処理炉、及びロードロック室を接続した、いわゆるクラスタタイプのものが存在する。このような構成において、各処理炉を連結している基板搬送空間を真空ポンプで減圧下におくことで、異なるプロセス処理を大気暴露することなく連続して行うことが可能となり、その結果、高品質、高信頼性の半導体デバイスの作成が可能になる。
【０００３】
ところで前述した処理炉の多くは処理室内での基板の載置方法としてプレート型の支持台(サセプタ)を採用しており、このサセプタに基板を静電吸着させたり、あるいはサセプタごと基板を回転させたりしながら、所定のプロセスを実行する場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、これらのケースにおいては、例えば前者のケースでは処理後の除電処理が不十分の場合、基板をサセプタから外す過程で吸盤のような状態になり、サセプタに対する基板の中心位置が処理前の状態と異なるいわゆる位置ズレの状態が発生する。
後者のケースにおいても基板の塑性変形(恒久的に継続する反り)の状態によってはサセプタ回転中に基板の中心位置がズレてしまうことが確認されている。
【０００５】
これらの基板中心の位置ズレはズレ量が過度の場合は、基板移載時に処理炉を形成する構造体と干渉することによる移載トラブルの原因となる。また、ズレ量が構造体との干渉を起こさない範囲のものであっても次処理炉での処理品質を著しく低下させる場合があり、これは通常、各処理炉における処理条件は基板中心とサセプタ中心が一致する状態で最適化されることに起因しているからである。
【０００６】
従って異なる一連の処理を連続的に行うクラスターツールにおいては処理室内、及び移載時に発生した基板の位置ズレを検知し、適時これを補正して可能な限り処理を継続して稼働率の向上と処理品質の安定化が実現可能な対応が強く望まれている。
【０００７】
このような勘案に鑑みた対応の１つとして、位置補正システムなる、基板エッジ検出手段と、基板の座標位置情報及び位置ズレ量の演算手段とが提案されている。
【０００８】
具体的には、図１０（ａ）で示すように半径ｒ、中心Ｑの円の内部に座標原点Ｏが存在する平面座標を考える。この円は処理基板をイメージしたものであり、座標原点Ｏより極座標形式でσ、θの角度方向に延びる線分α、βと円周軌道上の交点をそれぞれＡ、Ｂとし、線分ＡＯ、ＢＯの距離をそれぞれａ、ｂで与える。
【０００９】
続いて図１０（ｂ）においてベクトルＯＱの座標成分を（Ｘ，Ｙ）で与え補助線により２つの三角形を作図すると、
（１）青の直角三角形について
（ａ・ＣＯＳσ−Ｘ）２＋（ａ・ＳＩＮσ−Ｙ）２＝ｒ２・・・（１）
（２）緑の直角三角形について
（ｂ・ＣＯＳθ−Ｘ）２＋（ｂ・ＳＩＮθ−Ｙ）２＝ｒ２・・・（２）
【００１０】
上記（１）、（２）式をＸ，Ｙについて解くことにより、任意の座標原点Ｏからの円の中心ＱへのベクトルＯＱが解析可能になる。
次に図１１において任意の位置に移動した円の中心をＱ´、円周軌道と線分α、βとの交点をＡ´、Ｂ´としＯＡ´、ＯＢ´をそれぞれａ´、ｂ´で与えれば図１で解説した時と同様に移動後の円の中心へのベクトルＯＱ´が解析可能になる。
【００１１】
任意の座標原点から移動前後の円の中心へのベクトルが与えられれば、２つのベクトルの合成により円の中心の移動量ＱＱ´は以下で求めることができる。
【００１２】
下記のＱＱ´を位置ズレ量と定義し、−ＱＱ´(Ｑ´Ｑ)を(位置)補正量と定義する。  (円の中心の移動量ＱＱ´)＝(移動後の中心ベクトルＯＱ´)−(移動前の中心ベクトルＯＱ)
【００１３】
ところで、中心ベクトル（Ｘ、Ｙ）は２元２次方程式により求められるので、実運用上で求める解以外に計算上の別解が存在する。図１２は異なる中心ベクトルＯＱ１（Ｘ１，Ｙ１）とＯＱ２（Ｘ２，Ｙ２）の位置関係を示したものである。
【００１４】
位置補正量(円の中心の移動量)の演算を正確に行うには移動前後の実際の基板の中心がＱ１とＱ２のどちらにあるのかを見極めなければならない。しかしながら、センサの遮光量の情報のみでこれらを判断するのは不可能なため、センサ配置の構成で定義する必要がある。
【００１５】
具体的にはＱ１とＱ２は必ずセンサ配置位置Ａ、Ｂを結ぶ線分ＡＢについて対称な位置に存在するので、実運用でウェハの中心Ｑの移動範囲が常に線分ＯＱと線分ＡＢが交差する範囲かもしくは常に交差しない範囲になるように前述の設計基準を決定しなければならない。
【００１６】
前者の場合には２つの中心ベクトルの内、スカラー量の大きい方が実際の基板の中心位置を示すベクトルであり、後者の場合はスカラー量の小さい方に該当する。従って、補正量算出時にどちらの中心位置を判定するかは前記の基準を考慮して補正量演算のアルゴリズムを作成すればよい。
【００１７】
前項で解説したように、基板の中心の移動量を算出するためには任意の座標からの基板エッジまでの距離(図１０のａ、ｂに相当)を正確に把握する必要がある。
【００１８】
図１３はこれらを計測するために検討したハードウェア構成と計測手段の概要である。基板エッジの位置を検出するために、任意方向の距離を光学的手法により計測可能なラインセンサを用いる。例えば、本センサは０．０１ｍｍ単位で約２８ｍｍの距離が計測可能(投受光幅が２８ｍｍ)である。
【００１９】
しかしながら、従来の半導体基板において、前述したａ、ｂ、ａ´、ｂ´に相当する距離を直接計測することは不可能なため、ラインセンサを以下の定義に基づいて配置して、この設計基準とセンサ遮光量の２つのパラメータより算出する方法を用いる。
【００２０】
（ラインセンサ配置における設計値の定義）
（１）ａ´´、ｂ´´：各センサ端部とその延長線上の交点(図1０の原点：Ｏに相当)の距離
（２）θ、δ：基板移載方向に対するセンサＬＳ１，ＬＳ２の配置角度(図１０の記載相当部位)
【００２１】
（補正量算出のための線分ａ、ｂ算出基準）
ａ＝ａ´´＋ａ´´´  ｂ＝ａ´´＋ｂ´´´  ただし、
ａ´´´、ｂ´´´：ラインセンサの遮光量
【００２２】
図１４に搬送室に対してのラインセンサ配置の例を示す。
ラインセンサは搬送室から処理室に搬送直前の退避位置にある基板エッジを検出可能なように配置する。ここで退避位置とは正規位置すなわち待機位置であり、基板を処理室に正しく載置するための移載機に対する基板の保持状態を示すものであり、この状態は予め装置運用前の調整、メンテナンス時に登録しておく。
【００２３】
なお、実機においては1つのセンサに対して隣り合う処理室の基板エッジが検出可能なように設置するとセンサ配置数を削減出来、コスト低減の観点から望ましい形態となる。
【００２４】
装置運用フローを図１５に示す。
処理室２より所定の処理を終えた基板の払出を実行する（図１５（ａ））。この時に移載機上の基板の保持状態が退避位置にない(位置ズレの発生)と仮定する。
【００２５】
処理室３に基板を載置するために移載機による旋回動作を実行する（図１５（ｂ））。この時点では位置ズレの状態を維持している。
基板を処理室３に載置する直前に基板エッジによるセンサの遮光距離を検知して処理室３の退避位置に対する基板のズレ量(補正量)を算出する（図１５（ｃ））。
【００２６】
従来運用における処理室３への移載機の移動量に算出したズレ量(補正量)を考慮して軌道修正しながら処理室３への載置動作を実行する（図１５（ｄ））。
【００２７】
なお、この時行う軌道修正量は基板の進行方向成分に関しては算出した補正量をそのまま移載機の移動量として増減すればよいが、進行方向に対する垂直成分に関しては、移載機の旋回動作で補正を行う必要があるため、退避位置での補正量を処理室に正しく載置するための旋回角度に変換しなければならない。ここで、その変換式を示す。
【００２８】
補正角度＝ＡＴＡＮ（Δｄ／Ｓ）
ただし、Δｄ：退避位置での進行方向に対して垂直成分の補正量
Ｓ：退避位置から処理室までの移載ストローク
ＡＴＡＮ：逆正接関数
【００２９】
なお、右記の算出はΔｄ≪Ｓの前提条件のもと、処理室での前記垂直成分の補
正量を近似的に扱っている。
【００３０】
以上説明した方式によると、基板の座標位置情報及び位置ズレ量の演算は、基板のエッジ検出を行うラインセンサを所定の位置に制度良く配置する必要があり、このセンサ配置に関するパラメータ（机上検討で導き出される固有値）を用いて行われる。実際のセンサの配置は、作業者が図面寸法どおりに手作業で調整を行っており、センサ配置の調整レベルにバラツキが生じる。このため、実際のセンサ配置寸法と設計値との誤差が０．５ｍｍ程度でも、演算に用いるパラメータ値と実際のセンサ配置に関する情報が著しく異なり、位置ズレ量の演算結果が実際の基板の位置ズレ量と大きく異なることになる。このため、位置補正精度の再現性を維持することが困難になるという課題がある。
【００３１】
本発明の目的はラインセンサの配置調整レベルに依存せず、位置補正精度の再現性維持を図った位置補正システムの運用方法に関し、信頼性の高い半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
上述した課題を解決するため、本発明は、基板を任意の場所に移載可能な移載手段と、
前記移載手段における基板搬送軌道上に少なくとも１つ以上配設され、基板に加工を施す処理面と平行な平面座標に対する基板のエッジ位置を検出可能な検出手段と、
基板のエッジ位置の座標情報を基板の移載機会毎に記憶する座標記憶手段と、
前記検出手段により検出した座標情報と予め登録された基板移載時の正規位置の座標情報とを比較し、基板の位置ズレ量を演算する演算手段と、
前記位置ズレ量に基づいて移載手段による基板搬送軌道の補正を行いながら、基板を移載先に載置する補正手段と、
前記位置ズレ量を演算するためのパラメータを、前記各手段を実行することにより自動的に取得するキャリブレーション手段（機能）を有するものである。
【発明の効果】
【００３３】
上述したように、本発明によれば、検出手段であるラインセンサの実際の配置位置に基づき、位置ズレ量の演算に用いるパラメータを自動的に取得することができるため、基板の位置補正精度の再現性を維持することができ、信頼性の高い半導体製造装置を提供し、装置稼働率の低下を抑制し、基板品質の安定化に寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
ここでは、まず、ラインセンサの実際の配置位置に基づく基板の位置ズレ量の演算に用いるパラメータの自動取得に関して、図解による説明を行ったあと実際の装置構成について説明する。
【００３５】
本発明は、センサ配置調整後の設計基準値に対応するパラメータを装置の運転制御を用いて解析することにより位置ズレ量演算に必要なパラメータの詳細値を自動取得するものである。図１に示すように、位置ズレ量演算パラメータは、各基板エッジとその延長線上の交点の距離ａ、ｂ、センサ１１の配置角度δ、及びセンサ１２の配置角度θである。具体的には、既知（寸法制度の良い調整用基板）の形状の物体をセンサ配置位置に移載し、移載機の制御位置とその時のセンサ情報とからズレ量演算に必要なパラメータの解析を行う。（以下、本発明に関わるパラメータを自動的に取得する機能をキャリブレーション機能と呼ぶことにする。）
【００３６】
キャリブレーションを行う場合の装置の運用に関して、図２及び図３を用いて説明する。キャリブレーション実行時の基板処理の流れは、まず、ダミー基板をＬＰに設置し、その後Ｓ１からＳ８までの処理を行い、最後にダミー基板を回収することにより行われる。なお、図２の番号Ｓ１からＳ８は、図３のＳ１からＳ８の基板処理の流れに対応するダミー基板の位置を示す。
【００３７】
まず、キャリブレーション用のダミー基板をキャリアステーション（ロードポート）ＬＰに設置する。ダミー基板はキャリブレーション専用に規格化されたものを用いるのが好ましい。
【００３８】
Ｓ１ＬＰ→ＡＵ→ＬＭ間搬送
ダミー基板を図示してない大気雰囲気用移載機ＬＨを用いてアライナＡＵを経由してロードロック室ＬＭ１に載置する。
【００３９】
Ｓ２ＬＭ１真空排気
搬送室雰囲気圧力と同圧化するためのＬＭ１の排気制御を実行する。搬送室が減圧化の場合、真空排気制御を行うことになる。
【００４０】
Ｓ３第１の処理室でのキャリブレーションデータ取得
ダミー基板を搬送室内の図示してない真空雰囲気用移載機に載置して、第１の処理室ＰＭ１に載置直前の待避位置に移動させる。移動後、ラインセンサによる基板エッジ位置の検出を行う。
【００４１】
Ｓ４第２の処理室でのキャリブレーションデータ取得
ダミー基板を第２の処理室ＰＭ２に載置直前の待避位置に移動させ、ラインセンサによる基板エッジ位置の検出を行う。
【００４２】
Ｓ５第３の処理室でのキャリブレーションデータ取得
ダミー基板を第３の処理室ＰＭ３に載置直前の待避位置に移動させ、ラインセンサによる基板エッジ位置の検出を行う。
【００４３】
Ｓ６第４の処理室でのキャリブレーションデータ取得
ダミー基板を第４の処理室ＰＭ４に載置直前の待避位置に移動させ、ラインセンサによる基板エッジ位置の検出を行う。
【００４４】
Ｓ７ＬＭ１大気圧復帰
ダミー基板をＬＭ１に載置し、大気圧雰囲気に戻すためのＬＭ１の排気制御を実行する。
【００４５】
Ｓ８ＬＭ１→ＬＰ搬送
ダミー基板をＬＨを用いてＬＰに返却する。
最後に、ダミー基板を回収する。
なお、Ｓ１からＳ８の一連の動作は、オペレータ操作或いは上位通信ホストからの指示により、連続的に実行可能になっている。
【００４６】
次に、キャリブレーション取得時の基板エッジ検出条件及び演算理論について説明する。
図４は、図３のＳ３〜Ｓ６の何れかの状態のときの一部を示すものであり、キャリブレーション取得により明らかにする必要がある設計パラメータを示している。また、図４は、センサ１１に関わる部位のみを示しているが、センサ１２は処理室載置方向に関してセンサ１１とほぼ線対称に配置される。なお、背景技術においてすでに説明した基板の位置ズレ量の演算において定義したセンサの配置角度は、あらゆる配置角度の演算に対応するために極座標式（角度の定義が０〜３６０°）を用いたが、装置運用上の実質的観点としてクラスタタイプの搬送室においては、図４に示すように基板上部をハの字形になるようにセンサを配置するとともに、これらセンサを隣接するチャンバと共有するように配置することが望ましい。例えば、Φ３００ｍｍのＳｉ基板を使用した場合、図４のδは３０°程度で与えられるというように、幾つかの前提を踏まえて角度の定義を０〜９０°の絶対値に置き換えて以後の説明を行う。
【００４７】
設計パラメータ解析のためのデータ取得方法及び演算手法について説明する。
まず、図４に示す基板が待避位置にある状態において、基板エッジを検出しているセンサ遮光値：ａ０を取得するとともに、このときの移載機のポジション：Ｐ０を記憶しておく。
【００４８】
次に、図５に示すように、基板を保持している移載機を図４の待避位置から処理室載置方向に移動させて、センサの基板エッジ遮光量が最大になった状態を検出し、このときのセンサ最大遮光値：ａｍａｘ及び移載機の位置Ｐｍａｘを取得する。センサの基板エッジ遮光量が最大になった状態は、基板エッジ検出地点から処理室載置方向に垂直に引かれた線分が基板の半径に等しくなることにより検出される。
【００４９】
なお、移載機を移動する際には、センサ検出値のデータ取得サイクルを考慮して、最大遮光位置を確実に読み取ることができる移動速度にする。また、もう一方のセンサ部位に関しても同様にデータを取得する。図６に取得データの一覧を示す。
【００５０】
次に、取得したデータを用いてセンサ１１の配置角度：δを算出する方法について説明する。
図７は、図４の状態を基に角度：δを算出するためにモデル化した図であり、図４のときの基板エッジ検出点をＴ（Ｘ１，Ｙ１）で与えると、Ｔは半径：Ｒの円周軌道上の点であるため次の式で表される。
Ｘ１２＋Ｙ１２＝Ｒ２      ・・・１）
【００５１】
また、図７中の点Ｓは、これの横軸成分は基板半径：Ｒに等しく、縦軸成分に関しては移載機の移動量：Ｐａに等しい。線分ＳＴは２点間の距離の関係より次の式で表される。
（Ｒ−Ｘ１）２＋（Ｐａ−Ｙ１）２＝Δａ２      ・・・２）
但し、Δａは先の取得データよりΔａ＝ａｍａｘ−ａ０で示される。
【００５２】
また、Ｔ（Ｘ１，Ｙ１）の存在範囲は、先のセンサ配置の前提より次のようになる。
０≦Ｘ１≦Ｒ  かつ  Ｐａ≦Ｙ１≦Ｒ      ・・・３）
上記１）〜３）の条件より（Ｘ１，Ｙ１）を算出し、これが算出されればセンサ配置角度：δは次の式で算出される。
δ＝ＡＴＡＮ（Ｐａ−Ｙ１）／（Ｒ−Ｘ１）
なお、センサ１２の配置角度：θについても同様に算出することができる。
【００５３】
次に、上記式により算出され既知の値となったセンサ配置角度：δを用いてセンサ配置距離：Ａを算出する方法について説明する。
図８は、センサ配置距離を導くために作図したモデル図であり、この図はセンサ１２による基板エッジ検出値が最大値を示す状態のときを表し、このときのセンサ１１の遮光量：ａ１を取得する。実際の装置運用では、図３に示すデータ取得時に各センサの最大遮光時の移載機の位置が既知であるので、この情報を基に図８のモデルを使用するか、センサ１１による基板エッジ検出値が最大値を示すモデルを使用するかを判断すればよい。なお、図８は説明のためのモデルであるため、各センサ１１及びＳ２の角度：δ及びθの差を強調している。
【００５４】
図８に示すように、各センサ１１及びＳ２による基板エッジ検出地点と座標原点：Ｏとの線分をそれぞれα、βと定義すると、基板エッジ検出距離：α、βは、以下の手順で算出される。
Ｘ＝（ａｍａｘ−ａ１）・ＣＯＳ｜δ｜
Ｄ＝Ｒ・ＳＩＮ（ＡＣＯＳ（（Ｒ−Ｘ）／Ｒ）
ψ＝ＡＴＡＮ（Ｄ／（２Ｒ−Ｘ））
γ２＝（２Ｒ−Ｘ）２＋Ｄ２
または  γ＝Ｄ／ＳＩＮψ＝（２Ｒ−Ｘ）／ＣＯＳψ
センサ交差角度：Δ＝１８０°−（｜θ｜＋｜δ｜）
ＡＣＯＳ：逆余弦関数
正弦定理より
γ／ＳＩＮΔ＝α／ＳＩＮ（｜θ｜−ψ）＝β／ＳＩＮ（｜δ｜＋ψ）
上記よりα、βが既知となればセンサ配置距離：Ａ、Ｂは次のように算出できる。
Ａ＝α−ａ１
Ｂ＝β−ｂｍａｘ
このようにして、実際のセンサ配置位置に基づいた位置ズレ量演算に必要なパラメータ：Ａ、Ｂ、δ、θが取得される。
【００５５】
次に、本発明に適用される基板処理装置の具体的な実施例について説明する。図９は本発明に適用される基板処理装置の構成図である。本発明の基板処理装置においては、ウェハなどの基板を搬送するキャリヤとしてはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod、以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図９の図面配置を基準とする。すなわち、図９に示されている紙面に対して、前は紙面の下方、後ろは紙面の上方、左右は紙面の左右とする。
【００５６】
図９に示すように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えており、第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下でウェハ２００を移載する第一のウェハ移載機１１２が設置されている。第一のウェハ移載機１１２は、エレベータ１１５によって第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００５７】
筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室１２２と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４、１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、予備室１２２には搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板置き台１４１が設置されている。
【００５８】
予備室１２２及び予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１にはウェハ２００を移載する第二のウェハ移載機１２４が設置されている。第二のウェハ移載機１２４は、第二の搬送室１２１に設置されたエレベータ（図示しない）によって昇降されるように構成されていると共に、リニアアクチュエータ（図示しない）によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００５９】
また、図９に示すように、第二の搬送室１２１の左側にはノッチまたはオリフラ合わせ装置１０６が設置されている。さらに、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニットが設置されている。
【００６０】
また、図９に示すように、第二の搬送室１２１の筐体１２５の前側には、ウェハ２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８が設置されている。ウェハ搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはＩＯステージ１０５が設置されている。ポッドオープナ１０８は、ポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共にウェハ搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャと、クロージャを駆動する駆動機構とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップを開閉することにより、ポッド１００に対するウェハ２００の出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ＩＯステージ１０５に対して、供給及び排出されるようになっている。
【００６１】
また、図９に示すように、筐体１０１の六枚の側壁のうち後ろ側（背面側）に位置する二枚の側壁には、ウェハに所望の処理を行う第一の処理炉２０２と、第二の処理炉１３７とがゲートバルブ１３０、１３１を介してそれぞれ隣接して連結されている。第一の処理炉２０２及び第二の処理炉１３７はいずれもコールドウォール式の処理炉によって構成されている。また、筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第一のクーリングユニット１３８と、第二のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されており、第一のクーリングユニット１３８及び第二のクーリングユニット１３９はいずれも処理済みのウェハ２００を冷却するように構成されている。
【００６２】
次に、上記のような構成をもつ基板処理装置を使用した処理工程について説明する。未処理のウェハ２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されてくる。図９に示すように、搬送されてきたポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００のウェハ出し入れ口が開放される。
【００６３】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置された第二のウェハ移載機１２４は、ポッド１００からウェハ２００をピックアップして予備室１２２に搬入し、ウェハ２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業中には、予備室１２２の第一の搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第一の搬送室１０３内の負圧は維持されている。ポッド１００に収納された所定枚数、例えば２５枚のウェハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００６４】
予備室１２２内があらかじめ設定された圧力値となると、ゲートバルブ２４４が開かれ、予備室１２２と第一の搬送室１０３とが連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一のウェハ移載機１１２は基板置き台１４０からウェハ２００をピックアップして第一の搬送室１０３に搬入する。ゲートバルブ２４４が閉じられた後、ゲートバルブ１３０が開かれ、第一の搬送室１０３と第一の処理炉２０２とが連通される。続いて第一のウェハ移載機１１２は、ウェハ２００を第一の搬送室１０３から第一の処理炉２０２に搬入して、第一の処理炉２０２内の支持具に移載する。ゲートバルブ１３０が閉じられた後、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、ウェハ２００に所望の処理が施される。
【００６５】
第一の処理炉２０２でウェハ２００に対する処理が完了すると、ゲートバルブ１３０が開かれ、処理済みのウェハ２００は第一のウェハ移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。搬出後、ゲートバルブ１３０は閉じられる。
【００６６】
第一のウェハ移載機１１２は第一の処理炉２０２から搬出したウェハ２００を第一のクーリングユニット１３８へ搬送し、処理済みのウェハは冷却される。第一のクーリングユニット１３８に処理済みウェハ２００を搬送すると、第一のウェハ移載機１１２は予備室１２２の基板置き台１４０にあらかじめ準備されたウェハ２００を前述した作動と同様に、第一の処理炉２０２に搬送し、第一の処理炉２０２内でウェハ２００に所望の処理が施される。
【００６７】
第一のクーリングユニット１３８においてあらかじめ設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウェハ２００は第一のウェハ移載機１１２によって第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出される。
【００６８】
冷却済みのウェハ２００が第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出された後にゲートバルブ１２７が開かれる。第１のウェハ移載機１１２は第一のクーリングユニット１３８から搬出したウェハ２００を予備室１２３へ搬送し、基板置き台１４１に移載した後、予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。
【００６９】
以上の作動が繰り返されることにより、予備室１２２内に搬入された所定枚数、例えば２５枚のウェハ２００が順次処理されて行く。予備室１２２内に搬入された全てのウェハ２００に対する処理が終了し、全ての処理済みウェハ２００が予備室１２３に収納され、予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。
【００７０】
続いて、第二の搬送室１２１の第二のウェハ移載機１２４は基板置き台１４１からウェハ２００をピックアップして第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１のウェハ搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。２５枚の処理済みウェハ２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００７１】
以上の作動は第一の処理炉２０２及び第一のクーリングユニット１３８が使用される場合を例にして説明したが、第二の処理炉１３７及び第二のクーリングユニット１３９が使用される場合についても同様の作動が実施される。また、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。
【００７２】
また、第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７で別の処理を行う場合、例えば第一の処理炉２０２でウェハ２００にある処理を行った後、続けて第二の処理炉１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第一の処理炉２０２でウェハ２００にある処理を行った後、第二の処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第一のクーリングユニット１３８又は第二のクーリングユニット１３９を経由するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の実施の形態において位置補正システムのセンサ配置基準を示す図である。
【図２】キャリブレーション実行時の基板の位置を示す装置図である。
【図３】キャリブレーション実行時の基板処理の流れを示す図である。
【図４】キャリブレーション実行により求める設計パラメータを示す図である。
【図５】キャリブレーション実行時の取得データを示す図である。
【図６】キャリブレーション実行時の取得データの一覧である。
【図７】センサ配置角度を算出するためのモデル図である。
【図８】センサ配置距離を算出するためのモデル図である。
【図９】本発明が適用される基板処理装置の一例を示す平面図である。
【図１０】既知の位置ズレ量を解析するための理論を図解により示すための、円の中心へのベクトル解析解説図である。
【図１１】既知の位置ズレ量を解析するための理論を図解により示すための、円の中心の移動量解析方法を示す解説図である。
【図１２】既知の位置ズレ量を解析するための理論を図解により示すための、異なる中心ベクトルの位置関係を示す図である。
【図１３】センサの配置基準を示す図である。
【図１４】ラインセンサの配置構成例を示す平面図である。
【図１５】位置補正のフローを示す図である。
【符号の説明】
【００７４】
１〜４  処理室（移載先）、１１，１２  ラインセンサ（検出手段）、１１２  第一のウェハ移載機（移載手段）、２００  ウェハ。
【図１】
2007242680.tif 000003
【図２】
2007242680.tif 000004
【図３】
2007242680.tif 000005
【図４】
2007242680.tif 000006
【図５】
2007242680.tif 000007
【図６】
2007242680.tif 000008
【図７】
2007242680.tif 000009
【図８】
2007242680.tif 000010
【図９】
2007242680.tif 000011
【図１０】
2007242680.tif 000012
【図１１】
2007242680.tif 000013
【図１２】
2007242680.tif 000014
【図１３】
2007242680.tif 000015
【図１４】
2007242680.tif 000016
【図１５】
2007242680.tif 000017