(57)【要約】【課題】  逆電圧印加回路に対する十分な冷却作用を確保することができ、これにより逆電圧印加回路の安定した動作が可能な冷凍サイクル装置の室外機を提供する。【解決手段】  室外機５０に、インバータ装置１が搭載される電気部品箱６０が収容されるとともに、圧縮機２０および室外熱交換器２２などが収容されている。そして、電気部品箱６０内の回路基板６１上の通風経路に、ハイブリッドＩＣ６２が立設されている。ハイブリッドＩＣ６２は、複数の逆電圧印加回路５ｕ，５ｖ，５ｗ，６ｕ，６ｖ，６ｗを有する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機および熱交換器などを有する冷凍サイクルと、還流ダイオードを有する複数のスイッチング素子のオン，オフにより前記圧縮機のモータへの駆動用電力を出力するインバータ装置と、を備えた冷凍サイクル装置において、
前記インバータ装置のスイッチング素子の少なくとも一部にＦＥＴを使用し、これらのスイッチング素子が載置される回路基板を収納した電気部品箱を前記圧縮機および前記熱交換器と共に収容するとともに、前記ＦＥＴの還流ダイオードに所定タイミングで逆電圧を印加するための複数の逆電圧印加回路を有するハイブリッドＩＣを、前記回路基板上の通風経路に立設したことを特徴とする冷凍サイクル装置の室外機。
【請求項２】
前記電気部品箱は、通風用の開口を有している、
前記各スイッチング素子は、前記回路基板上に一列に設けられ、
前記ハイブリッドＩＣは、前記開口および前記各スイッチング素子の近傍に、かつ前記各スイッチング素子の配列方向と平行に立設される、
ことを特徴とする請求項１に記載の冷凍サイクル装置の室外機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、空気調和機などの冷凍サイクル装置の室外機に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のスイッチング素子のオン，オフにより圧縮機モータへの駆動用電力を出力するインバータ装置では、各スイッチング素子が還流ダイオードを有している。また、各スイッチング素子として、最近、ＩＧＢＴやＦＥＴが多く採用されている。
【０００３】
ＦＥＴは、オン，オフ速度が速いため高周波スイッチングが可能というメリットがあり、また低電圧出力時のロスが小さいことからファンモータ等の出力の小さいモータを駆動する場合に多用される。
【０００４】
ただし、ＦＥＴの還流ダイオード、すなわち製造工程上、自然に形成される寄生ダイオードは、逆回復特性が悪いという問題がある。このため、モータ巻線（誘導性負荷）に蓄えられたエネルギによる順方向電流がＦＥＴの還流ダイオードに流れている状態で、そのＦＥＴと対をなす他方のスイッチング素子がオンすると、還流ダイオードに大きな逆方向電流が流れ、大きな電力損失を生じてしまう。このようなことから、ファンモータよりも大きな電流が必要な圧縮機モータを駆動するインバータ装置において、ＦＥＴの採用は非常に難しい状況となっている。
【０００５】
一方、ＭＯＳＦＥＴと対をなす他方のスイッチング素子のオンに先立ってＭＯＳＦＥＴの還流ダイオードに逆電圧を印加する逆電圧印加回路を設け、この逆電圧の印加によって他方のスイッチング素子のオン時に還流ダイオードに流れる逆方向電流を抑制し、電力損失の低減を図るインバータ装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００６】
このような逆電圧印加回路を有するインバータ装置を採用することにより、大きな電流が必要な空気調和機の圧縮機モータであっても、ＦＥＴのメリットを活かした駆動が可能となる。
【特許文献１】特開平１０−３２７５８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のような圧縮機モータ駆動用のインバータ装置は、空気調和機の室外機に収容される。これに伴い、逆電圧印加回路は、インバータ装置の回路基板に搭載される。
【０００８】
ただし、逆電圧印加回路は逆電圧印加用のスイッチ手段として例えばＦＥＴを有しており、そのＦＥＴが逆電圧印加に際して発熱する。この発熱は、逆電圧印加回路の動作を不安定にしてしまう。その結果、還流ダイオードに流れる逆方向電流を適切に抑制することが困難になる心配がある。
【０００９】
この発明は、上記の事情を考慮したもので、逆電圧印加回路に対する十分な冷却作用を確保することができ、これにより逆電圧印加回路の安定した動作が可能な冷凍サイクル装置の室外機を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に係る発明の冷凍サイクル装置の室外機は、圧縮機および熱交換器などを有する冷凍サイクルと、還流ダイオードを有する複数のスイッチング素子のオン，オフにより上記圧縮機のモータへの駆動用電力を出力するインバータ装置と、を備えた冷凍サイクル装置において、上記インバータ装置のスイッチング素子の少なくとも一部にＦＥＴを使用し、これらのスイッチング素子が載置される回路基板を収納した電気部品箱を上記圧縮機および上記熱交換器と共に収容するとともに、上記ＦＥＴの還流ダイオードに所定タイミングで逆電圧を印加するための複数の逆電圧印加回路を有するハイブリッドＩＣを、上記回路基板上の通風経路に立設している。
【発明の効果】
【００１１】
この発明の冷凍サイクル装置の室外機は、逆電圧印加回路に対する十分な冷却作用を確保することができる。これにより、逆電圧印加回路の安定した動作が可能となり、還流ダイオードに流れる逆方向電流を適切に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［１］以下、この発明の第１の実施形態について図面を参照して説明する。  
図１において、Ｍは空気調和機の圧縮機モータとして使用されるブラシレスＤＣモータ（負荷）で、中性点Ｃを中心に星形結線された３つの相巻線Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗを有する固定子、および永久磁石を有する回転子により構成されている。固定子の相巻線Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗに電流が流れることにより生じる磁界と回転子の永久磁石が作る磁界との相互作用により、回転子が回転する。
【００１３】
このブラシレスＤＣモータＭが圧縮機２０の圧縮機構部と回転軸が直結されて収容されている。この圧縮機２０の冷媒吐出口に四方弁２１を介して室外熱交換器２２が配管接続され、その室外熱交換器２２に膨張弁２３を介して室内熱交換器２４が配管接続され、その室内熱交換器２４に上記四方弁２１を介して圧縮機２０の冷媒吸込口が配管接続されている。これにより、冷房と暖房が可能なヒートポンプ式冷凍サイクルが構成されている。冷房時は、圧縮機２０から吐出される冷媒が実線矢印の方向に流れ、室外熱交換器２２が凝縮器、室内熱交換器２４が蒸発器として機能する。暖房時は、四方弁２１の切換作動により、圧縮機２０から吐出される冷媒が破線矢印の方向に流れ、室内熱交換器２４が凝縮器、室外熱交換器２２が蒸発器として機能する。
【００１４】
そして、ブラシレスＤＣモータＭに、インバータ装置１が接続されている。インバータ装置１は、商用交流電源３０の交流電圧を整流する整流回路３１、この整流回路３１の出力電圧（直流電圧Ｖｄ＝２８０Ｖ）が平滑コンデンサ３２を介して印加される入力端子Ｐ，Ｎ、この入力端子Ｐ，Ｎ間の直流電圧Ｖｄを受けて上記相巻線Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗに対する通電およびその通電切換を行うスイッチング回路２を備えている。そして、スイッチング回路２の駆動制御用として制御部１０が設けられている。
【００１５】
スイッチング回路２は、直流電圧Ｖｄの印加方向に沿って上流側および下流側のスイッチング素子として低損失パワーＭＯＳＦＥＴ（スーパージャンクションＭＯＳＦＥＴ等）の直列回路をＵ，Ｖ，Ｗの三相分有するもので、Ｕ相の上流側にＭＯＳＦＥＴ３ｕ、Ｕ相の下流側にＭＯＳＦＥＴ４ｕおよび抵抗７ｕ、Ｖ相の上流側にＭＯＳＦＥＴ３ｖ、Ｖ相の下流側にＭＯＳＦＥＴ４ｖおよび抵抗７ｖ、Ｗ相の上流側にＭＯＳＦＥＴ３ｗ、Ｗ相の下流側にＭＯＳＦＥＴ４ｗおよび抵抗７ｗを備えている。各ＭＯＳＦＥＴは、制御部１０により、所定のタイミングでそれぞれオン，オフ駆動される。そして、ＭＯＳＦＥＴ３ｕ，３ｖ，３ｗに対し、還流ダイオードＤｕ＋，Ｄｖ＋，Ｄｗ＋がそれぞれ逆並列接続されている。ＭＯＳＦＥＴ４ｕ，４ｖ，４ｗに対し、還流ダイオードＤｕ−，Ｄｖ−，Ｄｗ−がそれぞれ逆並列接続されている。これら還流ダイオードは、いわゆる寄生ダイオードとしてそれぞれ対応するＭＯＳＦＥＴに内蔵されている。
【００１６】
ＭＯＳＦＥＴ３ｕとＭＯＳＦＥＴ４ｕの相互接続点、ＭＯＳＦＥＴ３ｖとＭＯＳＦＥＴ４ｖの相互接続点、ＭＯＳＦＥＴ３ｗとＭＯＳＦＥＴ４ｗの相互接続点に、上記相巻線Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗのそれぞれ非結線端が接続されている。
【００１７】
また、スイッチング回路２は、誘導性負荷である相巻線Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗに蓄えられたエネルギによって還流ダイオードＤｕ＋，Ｄｖ＋，Ｄｗ＋に順方向電流（還流電流）が流れている場合に、下流側のＭＯＳＦＥＴ４ｕ，４ｖ，４ｗのオンに伴って還流ダイオードＤｕ＋，Ｄｖ＋，Ｄｗ＋に流れる逆方向電流を抑制するため、ＭＯＳＦＥＴ４ｕ，４ｖ，４ｗのそれぞれオンに先立って還流ダイオードＤｕ＋，Ｄｖ＋，Ｄｗ＋に逆電圧を印加する逆電圧印加回路５ｕ，５ｖ，５ｗを備えている。
【００１８】
さらに、スイッチング回路２は、相巻線Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗに蓄えられたエネルギによって還流ダイオードＤｕ−，Ｄｖ−，Ｄｗ−に順方向電流（還流電流）が流れた場合に、上流側のＭＯＳＦＥＴ３ｕ，３ｖ，３ｗのオンに伴って還流ダイオードＤｕ−，Ｄｖ−，Ｄｗ−に流れる逆方向電流を抑制するため、ＭＯＳＦＥＴ３ｕ，３ｖ，３ｗのそれぞれオンに先立って還流ダイオードＤｕ−，Ｄｖ−，Ｄｗ−に逆電圧を印加する逆電圧印加回路６ｕ，６ｖ，６ｗを備えている。
【００１９】
逆電圧印加回路５ｕは、直流電源４０の電圧（例えば１５Ｖ）を抵抗４１を介して逆電圧印加用コンデンサ４２に印加し、その逆電圧印加用コンデンサ４２の電圧を逆電圧印加用ＭＯＳＦＥＴ４３のドレイン・ソース間、およびダイオード４４を介して、還流ダイオードＤｕ＋に逆電圧として印加する。また、逆電圧印加回路５ｕは、逆電圧印加用ＭＯＳＦＥＴ４３の駆動用として、パルス生成回路４５およびゲート駆動回路４６を有している。パルス生成回路４５は、制御部１０からの指令に応じて所定のタイミングで逆電圧印加用ＭＯＳＦＥＴ４３をオン，オフするためのパルス信号を生成する。ゲート駆動回路４６は、パルス生成回路４５で生成されたパルス信号を、逆電圧印加用ＭＯＳＦＥＴ４３のゲートに供給する。
【００２０】
他の逆電圧印加回路５ｖ，５ｗ，６ｕ，６ｖ，６ｗも、逆電圧印加回路５ｕと同じ構成である。よって、その説明は省略する。
【００２１】
スイッチング回路２における電流経路の一例を図２に示す。Ｕ相のＭＯＳＦＥＴ３ｕおよびＶ相のＭＯＳＦＥＴ４ｖがオンのとき、実線で示すように、入力端子Ｐ、ＭＯＳＦＥＴ３ｕ、相巻線Ｌｕ，Ｌｖ、ＭＯＳＦＥＴ４ｖ、および入力端子Ｎの経路で電流が流れる。Ｕ相のＭＯＳＦＥＴ３ｕがオフしてＶ相のＭＯＳＦＥＴ４ｖがオンのとき、破線で示すように、相巻線Ｌｕ，Ｌｖに蓄えられたエネルギに基づく電流が、相巻線Ｌｕ，ＬｖからＭＯＳＦＥＴ４ｖを経てＭＯＳＦＥＴ４ｕ側の還流ダイオードＤｕ−を順方向に流れる。こうして、ＭＯＳＦＥＴ４ｕ側の還流ダイオードＤｕ−に順方向電流（還流電流）が流れている状態において、ＭＯＳＦＥＴ４ｕと対をなす上流側のＭＯＳＦＥＴ３ｕがオンすると、そのＭＯＳＦＥＴ３ｕを通して還流ダイオードＤｕ−に端子Ｐ，Ｎ間の電圧（＝２８０Ｖ）が加わる。このとき、還流ダイオードＤｕ−に短絡電流のような大きな逆方向電流（スパイク電流ともいう）Ｉｒｒが流れてしまう。この逆方向電流Ｉｒｒは大きな電力損失を招いてしまうものであり、それを抑制するために、逆電圧印加回路６ｕが設けられている。
【００２２】
ここで、インバータ装置１の作用について説明しておく。図３に示すように、三相正弦波電圧Ｅｕと三角波信号Ｅｏとが電圧比較される。三相正弦波電圧Ｅｕは、ブラシレスＤＣモータMの速度（回転数）に比例して周波数が変化する。この電圧比較により、ＭＯＳＦＥＴ３ｕをオン，オフ駆動するための上素子駆動信号およびＭＯＳＦＥＴ４ｕをオン，オフ駆動するための下素子駆動信号が作成される。
【００２３】
このようにして作成される上素子駆動信号および下素子駆動信号により、スイッチング回路２における少なくとも１つの直列回路の上流側ＭＯＳＦＥＴがオン，オフして別の少なくとも１つの直列回路の下流側ＭＯＳＦＥＴがオンする複数相通電が、順次に切換えられる。この複数相通電の切換えにより、３つの相間電圧が生じ、その各相間電圧がブラシレスＤＣモータＭの相巻線Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗに印加される。これにより、Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗに正弦波状の電流が流れ、ブラシレスＤＣモータＭが動作する。
【００２４】
なお、ＭＯＳＦＥＴ４ｕがオフするタイミングとＭＯＳＦＥＴ３ｕがオンするタイミングとの間に、デッドタイムｔｄが確保される。ＭＯＳＦＥＴ３ｕがオフするタイミングとＭＯＳＦＥＴ４ｕがオンするタイミングとの間にも、デッドタイムｔｄが確保される。デッドタイムｔｄは、ＰＷＭ信号から生成される上下素子用の基本信号にＯＮ信号のみを遅延させる遅延回路を用いて生成されている。このデッドタイムｔｄが確保により、Ｕ相のＭＯＳＦＥＴ３ｕおよびＭＯＳＦＥＴ４ｕの直列回路の短絡が防止される。他の相の直列回路においても、同様にデッドタイムが確保される。
【００２５】
ところで、図２で説明したように、ＭＯＳＦＥＴ３ｕがオフしたとき（ＭＯＳＦＥＴ４ｖがオン）、相巻線Ｌｕ，Ｌｖに蓄えられたエネルギに基づく電流が、相巻線Ｌｕ，ＬｖからＭＯＳＦＥＴ４ｖを経てＭＯＳＦＥＴ４ｕ側の還流ダイオードＤｕ−を順方向に流れる。このいわゆる還流電流が流れる状態において、上流側のＭＯＳＦＥＴ３ｕのオンに先立ち、制御部１０から逆電圧印加回路６ｕへの逆電圧印加信号が高レベルに設定される。これにより、逆電圧印加回路６ｕの逆電圧印加用ＭＯＳＦＥＴ４３がオンし、逆電圧印加用コンデンサ４２に蓄えられている電圧が還流ダイオードＤｕ−に逆電圧として印加される。この逆電圧印加回路６ｕから還流ダイオードＤｕ−への逆電圧の印加期間は、ＭＯＳＦＥＴ４ｕのオフ後から始まって、ＭＯＳＦＥＴ３ｕのオンタイミングまでを含む所定期間であり、予め定められている。また、逆電圧印加回路６ｕから還流ダイオードＤｕ−への逆電圧の印加開始のタイミングは、例えば、ＭＯＳＦＥＴ４ｕのオフタイミング（下素子駆動信号の立下りタイミング）を基準にして設定される。
【００２６】
図３の還流ダイオードＤｕ−に流れる電流Ｉａに示されるように、還流電流が流れている状態で、逆電圧印加回路６ｕから還流ダイオードＤｕ−に逆電圧が印加されると、還流ダイオードＤｕ−に逆方向電流Ｉｒｒが流れる。このとき、還流ダイオードＤｕ−に印加される逆電圧は、端子Ｐ，Ｎ間の電圧（＝２８０Ｖ）よりもはるかに低い。なお、図３では比較のために図３中の最初のスイッチングタイミング部分（図中Ａ区間）に逆電圧印加回路を動作させなかった時のＩｒｒを表示し、その後の図中Ｂ区間では逆電圧印加回路を動作させた場合のＩｒｒを表示している。
【００２７】
このように、逆電圧印加回路６ｕから還流ダイオードＤｕ−に逆電圧が印加されることにより、還流ダイオードＤｕ−に逆方向電流Ｉｒｒが流れても、その逆方向電流Ｉｒｒのレベルはきわめて小さい。ただし、逆方向電流Ｉｒｒの期間については、端子Ｐ，Ｎ間の電圧（＝２８０Ｖ）が印加される場合よりも、長くなる。この場合、還流ダイオードＤｕ−における電力積算値は、消費電力と時間の積であり、逆方向電流Ｉｒｒの値が小さくなれば、たとえ逆方向電流Ｉｒｒの期間が長くなっても、電流値が大幅に小さくなるため、積算電力は大幅に低くなる。したがって、還流ダイオードＤｕ−における電力損失を大幅に低減することができ、効率の向上が図れる。
【００２８】
一方、インバータ装置１は、図４に示すように、空気調和機における室外機５０の電気部品箱６０内に搭載される。室外機５０は、筐体の側面から背面にかけて上記室外熱交換器２２を備え、その室外熱交換器２２の内側の室外ファン５１によって外気を吸込み、吸込んだ外気を室外熱交換器２２に通して外に排出する。室外機５０の筐体の内部空間は、仕切板５２により、上記室外ファン５１が収容される空間と、機械室とに分けられている。機械室には、上記圧縮機２０およびその周辺機構である配管や弁等が収容されるとともに、上方に上記電気部品箱６０が設けられている。
【００２９】
電気部品箱６０は、図５に示すように、大きく切り開かれた開口６０ａおよび通風用の開口６０ｂを有するとともに、天井面となる位置に回路基板（プリント基板）６１を有している。この回路基板６１上に、整流回路(ダイオードブロック)３１、平滑コンデンサ３２、スイッチング回路２の各スイッチング素子などが半田付けされ、載置されている。
【００３０】
スイッチング回路２のＭＯＳＦＥＴ３ｕ，４ｕ，３ｖ，４ｖ，３ｗ，４ｗは、回路基板６１の端縁に沿って配列されている。そして、図６に示すように、上記開口６０ｂの近傍に、かつ回路基板６１上のＭＯＳＦＥＴ３ｕ，４ｕ，３ｖ，４ｖ，３ｗ，４ｗの近傍に、しかもこれらＭＯＳＦＥＴの配列方向と平行に、ハイブリッドＩＣ（集積回路）６２が立設されている。ハイブリッドＩＣ６２は、上記逆電圧印加回路５ｕ，６ｕ，５ｖ，６ｖ，５ｗ，６ｗを１つのパッケージ内に一体化したものである。
【００３１】
室外ファン５１が回転すると、図５に破線で示すように、外気が電気部品箱６０の開口６０ａに流入する。流入した外気は、回路基板６１の板面に沿いながら開口６０ｂに向かって流れ、その開口６０ｂを通って室外ファン５１側へ抜ける。上記ハイブリッドＩＣ６２は、この電気部品箱６０内に形成される通風経路に存している。
【００３２】
回路基板６１の板面の下方から見た状態を図６に示している。ＭＯＳＦＥＴ３ｕ，４ｕ，３ｖ，４ｖ，３ｗ，４ｗとハイブリッドＩＣ６２との間に配線用の複数の導電パターン７０が回路基板６１上に形成されている。
【００３３】
このように、逆電圧印加回路５ｕ，６ｕ，５ｖ，６ｖ，５ｗ，６ｗを１つのハイブリッドＩＣ６２により構成し、そのハイブリッドＩＣ６２を電気部品箱６０内の回路基板６１上の通風経路に立設することにより、ハイブリッドＩＣ６２に対する十分な冷却作用を確保することができる。したがって、ハイブリッドＩＣ６２から各還流ダイオードへの逆電圧の印加に際し、ハイブリッドＩＣ６２が発熱しても、円滑に放熱することができ、温度上昇を確実に抑制することができる。これにより、ハイブリッドＩＣ６２の逆電圧印加回路としての安定した動作が可能となり、各還流ダイオードに流れる逆方向電流を適切に抑制することができる。
【００３４】
しかも、ハイブリッドＩＣ６２が、ＭＯＳＦＥＴ３ｕ，４ｕ，３ｖ，４ｖ，３ｗ，４ｗの近傍に、しかもＭＯＳＦＥＴ３ｕ，４ｕ，３ｖ，４ｖ，３ｗ，４ｗの配列方向と平行に設けられているので、各配線パターン７０の長さをできるだけ短くすることができる。各配線パターン７０を短くできることにより、各配線パターン７０からのノイズの輻射を抑制することができる。これにより、外部機器に対するノイズの影響を低減できるとともに、ハイブリッドＩＣ６２の逆電圧印加回路としての効率が向上する。
【００３５】
［２］第２の実施形態について説明する。  
図7に示すように、ＭＯＳＦＥＴ３ｕは、ドレイン端子ピンＰｄ、ソース端子ピンＰｓ、ゲート端子ピンＰｇを有している。そのうちのドレイン端子ピンＰｄに、インダクタンス素子たとえばフェライトビーズ８０が装着されている。このフェライトビーズ８０のインダクタンス成分により、還流ダイオードＤｕ−に流れる逆方向電流Ｉｒｒの起動を遅らせることができる。結果的に、逆方向電流Ｉｒｒを大幅に低減することができる。
【００３６】
残りのＭＯＳＦＥＴ４ｕ，３ｖ，４ｖ，３ｗ，４ｗのドレイン端子ピンＰｄに対しても、同じフェライトビーズ８０が装着されている。
【００３７】
他の構成、作用、および効果は、第１の実施形態と同じである。よって、その説明は省略する。
【００３８】
［３］なお、上記各実施形態では、スイッチング回路２における各直列回路の上流側スイッチング素子および下流側スイッチング素子として共にＭＯＳＦＥＴを用いたが、上流側スイッチング素子としてＩＧＢＴを用い、下流側スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴを用いる構成としてもよい。この場合、下流側のＭＯＳＦＥＴに対してのみ、逆電圧印加回路が設けられる。また、上記各実施形態では空気調和機の室外機に適用した例を説明したが、空気調和機に限らず、ヒーポン給湯器の室外機等の冷凍サイクル装置の室外機に適用可能である。
【００３９】
その他、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の各実施形態に関わるインバータ装置および冷凍サイクルの構成を示す図。
【図２】図１のスイッチング回路における電流経路の一例を示す図。
【図３】図１のスイッチング回路における各部の信号波形を示すタイムチャート。
【図４】各実施形態の室外機の内部構成を示す図。
【図５】各実施形態の室外機における電気部品箱の構成を具体的に示す図。
【図６】図５の電気部品箱における回路基板を下方から見た状態を示す図。
【図７】この発明の第２の実施形態の要部を示す図。
【符号の説明】
【００４１】
１…インバータ装置、２…スイッチング回路、３ｕ，３ｖ，３ｗ…ＭＯＳＦＥＴ、４ｕ，４ｖ，４ｗ…ＭＯＳＦＥＴ、５ｕ，５ｖ，５ｗ…逆電圧印加回路、６ｕ，６ｖ，６ｗ…逆電圧印加回路、Ｄｕ，Ｄｖ，Ｄｗ…還流ダイオード、Ｐ，Ｎ…入力端子、１０…制御部、Ｍ…ブラシレスＤＣモータ、Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗ…相巻線、２０…圧縮機、２２…室外熱交換器、５０…室外機、５１…室外ファン、５２…仕切板、６０…電気部品箱、６０ａ…開口、６０ｂ…通風用の開口、６１…回路基板、６２…ハイブリッドＩＣ、７０…導電パターン、８０…フェライトビーズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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