(57)【要約】【目的】レイアウトデータのデータ量を低減させる手法を提供することを目的とする。【構成】回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する本発明の荷電粒子線描画データの作成方法は、複数の偏向領域に跨るパターンが含まれるレイアウトデータを入力する入力工程（Ｓ１０２）と、入力されたレイアウトデータに基づいて、上述した複数の偏向領域の各偏向領域にかかる跨るパターンのうち自己の領域で偏向可能な部分パターンを生成するパターン生成工程（Ｓ１０６、Ｓ１１２）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、レイアウトデータのデータ量を低減させることができる。【選択図】図１
2007242823.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて前記荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
複数の偏向領域に跨るパターンが含まれるレイアウトデータを入力する入力工程と、
入力された前記レイアウトデータに基づいて、前記複数の偏向領域の各偏向領域ごとに前記跨るパターンのうち自己の領域で偏向可能な部分パターンを生成するパターン生成工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線描画データの作成方法。
【請求項２】
前記跨るパターンは、前記複数の偏向領域のうち、いずれかの偏向領域のパターンとして定義され、
前記パターン生成工程は、
前記複数の偏向領域のうち、前記跨るパターンのデータを跨られた偏向領域に複写する複写工程と、
前記跨るパターンが定義された偏向領域と跨られたその他の偏向領域とにおいて、前記跨るパターンのうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除する削除工程と、
を有することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
【請求項３】
回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて前記荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
複数の偏向領域のうちいずれかの偏向領域のパターンとして定義され、前記複数の偏向領域に跨る前記パターンが含まれるレイアウトデータを入力する入力工程と、
前記跨るパターンが定義された偏向領域において、前記跨るパターンのうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を分割する分割工程と、
分割された前記パターン部分を跨られた偏向領域における前記部分パターンとして当てはめる当てはめ工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線描画データの作成方法。
【請求項４】
前記荷電粒子線描画データの作成方法は、さらに、分割された前記パターン部分のデータを跨られた偏向領域用のバッファーに格納する格納工程を備えたことを特徴とする請求項３記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
【請求項５】
前記描画データに基づいて描画される描画領域は、短冊上の複数の領域に分割され、隣接する領域を描画する場合に描画装置のステージを移動させることにより移動させ、
前記跨るパターンは、前記描画装置のステージの移動が必要な領域間に跨ることを特徴とする請求項１〜４記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線描画データの作成方法に係り、例えば、設計データとなる回路のレイアウトデータから荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図３１は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線４４２を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線４４２を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線４４２は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形用開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料４４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
かかる電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータ（設計データ）が生成される。そして、かかるレイアウトデータが変換され、電子線描画装置において用いられる描画データが生成される。そして、描画データに基づいて、さらに、実際に電子線をショットするためのショットサイズに図形が分割され、描画される。
【０００５】
そして、試料の描画領域は、例えばＹ方向に向かって、偏向器の偏向可能幅の短冊状の複数のフレーム領域に仮想的に分割され、試料を載せたステージがＸ方向に移動しながらその分割された各フレーム領域を１段或いは多段の偏向器により電子ビームを偏向させながら描画していく。そして、第１のフレーム領域の描画が終了した後、ステージがＹ方向に移動し、今度は第２のフレーム領域の描画を行なう。ここでもステージがＸ方向に移動しながら第２のフレーム領域の描画を行なう。このように順に各フレーム領域を描画していく。
【０００６】
ここで、ステージが１つのフレーム内をＸ方向に移動する場合に、ステップアンドリピート方式で移動していく電子ビーム描画の方法について、機械的な移動により移動の前後の領域に跨るパターンのずれを無くすためにパターンを分割してドーズ量を分割数に応じて減少させるとする技術が文献に記載されている（例えば、特許文献１参照）。また、フレーム幅角の主偏向領域をさらに小さく分割したサブフィールド間を跨ぐパターンが存在する場合に跨ぐパターンを基準にサブフィールドの境界位置を変更して跨がないように調整するという技術が文献に記載されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平４−１７６１１４号公報
【特許文献２】特開平１１−６７６４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
描画装置には一段または多段の偏向領域があり、偏向領域からはみ出したエリアについては、その偏向領域では、偏向器による荷電粒子線の偏向が及ばず描画することができないことになる。そのため、偏向領域を跨ぐパターン（例えば、セル）を配置したい場合に、半導体集積回路のレイアウトを設計し、レイアウトデータを作成する際に、かかる偏向領域からはみ出さないように予めセルを分割してレイアウトデータを作成する必要があった。かかる場合、１つのセルが複数の偏向領域に定義されることになるため、セルの配置位置やサイズの情報などが複数必要となり、レイアウトデータのデータ量が増加してしまっていた。
また、本来であればアレイ構造化できるセルがあった場合、その一部若しくは全要素が別の偏向領域に跨るとわざわざアレイ展開してそれぞれのセル毎に配置されることになる偏向領域に定義する必要があった。そのためセルに関する情報が複数必要となり、結果としてレイアウトデータのデータ量が増加してしまっていた。
【０００８】
これらのようにデータ変換処理において特に上流側でのレイアウトデータのデータ量が増加してしまうと、レイアウトデータから描画データへ変換する場合に、変換に要する時間が増加するばかりでなく、そのデータを変換装置に送信するにも膨大な時間がかかってしまうといった問題があった。近年のＬＳＩの高集積化に伴いデータ量が増加する中で、かかる上流側でのデータ量の増加は、描画装置のスループットにも影響を与えてしまう。データ量が少なければ、レイアウトデータの正当性を判断する時間（例えばフォーマットチェック）を削減することができる。
【０００９】
本発明は、かかる問題点を克服し、レイアウトデータのデータ量を低減させる手法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様における荷電粒子線描画データの作成方法は、
回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
複数の偏向領域に跨るパターンが含まれるレイアウトデータを入力する入力工程と、
入力されたレイアウトデータに基づいて、上述した複数の偏向領域の各偏向領域ごとにかかる跨るパターンのうち自己の領域で偏向可能な部分パターンを生成するパターン生成工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
かかる構成により、レイアウトデータではなく、描画データを作成する際に、複数の偏向領域に跨るパターンが存在する場合にそれぞれの領域分の部分パターンを生成することができる。
【００１２】
そして、かかる跨るパターンは、上述した複数の偏向領域のうち、１つの偏向領域のパターンとして定義され、
上述したパターン生成工程は、
かかる複数の偏向領域のうち、跨るパターンのデータを跨られた偏向領域に複写する複写工程と、
跨るパターンが定義された偏向領域と跨られたその他の偏向領域とにおいて、跨るパターンのうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除する削除工程と、
を有する構成とすると好適である。
【００１３】
また、本発明の他の態様における荷電粒子線描画データの作成方法は、
回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて前記荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
複数の偏向領域のうちいずれかの偏向領域のパターンとして定義され、前記複数の偏向領域に跨る前記パターンが含まれるレイアウトデータを入力する入力工程と、
前記跨るパターンが定義された偏向領域において、前記跨るパターンのうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を分割する分割工程と、
分割された前記パターン部分を跨られた偏向領域における前記部分パターンとして当てはめる当てはめ工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１４】
かかる構成でも、レイアウトデータではなく、描画データを作成する際に、複数の偏向領域に跨るパターンが存在する場合にそれぞれの領域分の部分パターンを生成することができる。
【００１５】
そして、かかる荷電粒子線描画データの作成方法では、さらに、分割されたパターン部分のデータを跨られた偏向領域用のバッファーに格納する格納工程を有する構成にしても好適である。
【００１６】
偏向領域用のバッファーに格納することにより、複数の偏向領域での処理を並列に行なうことができる。
【００１７】
そして、描画データに基づいて描画される描画領域は、短冊上の複数の領域に分割され、隣接する領域を描画する場合に描画装置のステージを移動させることにより移動させるが、
上述した跨るパターンは、描画装置のステージの移動が必要な領域間に跨る場合に、上述した各手法により部分パターンを生成することは特に有効である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、複数の偏向領域に跨るパターンが存在する場合に、レイアウトデータではなく、描画データを作成する際に、それぞれの領域分の部分パターンを生成することができるので、より上流側のレイアウトデータのデータ量を低減させることができる。よって、描画データを作成するための変換装置への送信時間を短縮することができる。その結果、描画開始までの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、実施の形態では、回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて前記荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法、或いはその装置について主に説明する。そして、荷電粒子線の一例として、電子ビームを用いた場合を説明する。ここで、荷電粒子線は電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子であれば構わない。
【００２０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における電子ビーム描画データの作成方法の要部工程を示すフローチャート図である。
図１において、電子線描画データの検証方法は、入力工程（Ｓ１０２）、セル抽出工程（Ｓ１０４）、パターン生成工程の一部となる複写工程（Ｓ１０６）、クラスタ分割工程（Ｓ１０８）、クラスタ分配工程（Ｓ１１０）、パターン生成工程の一部となる削除工程（Ｓ１１２）、描画データ変換工程（Ｓ１１４）という一例の工程を実施する。
【００２１】
図２は、実施の形態１における装置入力フォーマット変換装置の構成の一例を示す概念図である。
描画システム６００は、装置入力フォーマット変換装置３００と描画装置１００とを備えている。
まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータ１０（設計データ）が生成される。そして、装置入力フォーマット変換装置３００は、かかるレイアウトデータ１０を入力し、レイアウトデータ１０を変換して描画装置１００において用いられる描画データ１２が生成される。本実施の形態では、さらに、描画データ１２に基づいて、実際に電子線をショットするためのショットサイズに図形が分割されるショットデータ等にまで変換し、描画装置１００に入力するための装置入力フォーマットデータ１４を生成する。そして、かかる装置入力フォーマットデータ１４を描画装置１００に出力する。
図２において、装置入力フォーマット変換装置３００は、荷電粒子線描画データの作成装置の一例となる描画データ変換装置３２０と装置入力フォーマット変換回路３５０とを備えている。描画データ変換装置３２０は、セル抽出回路３２２、クラスタ分割回路３２４、クラスタ分配回路３２６、セル振分回路３２８、描画データ変換回路３３０、メモリ３３２を備えている。そして、セル振分回路３２８は、複写回路３４２、削除回路３４４を有している。図２では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。装置入力フォーマット変換装置３００や描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００２２】
図３は、実施の形態１におけるレイアウトデータの階層構造の一例を示す図である。
レイアウトデータ１０は、描画領域が、チップの層、チップ領域を例えばｙ方向に向かって短冊状に分割したフレームの層、ブロックの層、例えば、半導体装置における１つの機能を持つセルの層、かかるセルを構成するパターンとなる図形の層といった一連の複数の内部構成単位ごとに階層化されている。
図４は、実施の形態１における描画データの階層構造の一例を示す図である。
描画データ１２は、描画領域が、チップの層、チップ領域を例えばｙ方向に向かって短冊状に分割したストライプの層、ブロックの層、例えば、半導体装置における１つの機能を持つセルの層、クラスタの層、セルを構成するパターンとなる図形の層といった一連の複数の内部構成単位ごとに階層化されている。
【００２３】
上述したように、偏向領域からはみ出したエリアについては、その偏向領域では、偏向器による荷電粒子線の偏向が及ばず描画することができないことになる。そのため、偏向領域を跨ぐパターン（例えば、セル）を配置したい場合に、従来は、半導体集積回路のレイアウトを設計し、レイアウトデータ１０を作成する際に、かかる偏向領域からはみ出さないように予めセルを分割してレイアウトデータ１０を作成していたが、本実施の形態では、レイアウト上、複数の偏向領域に跨るパターン（例えば、セル）が含まれる場合でも、レイアウトデータでかかるパターンを切断しないで、描画データ１２に変換する際にその過程の１つとして、かかるパターンを各偏向領域に振り分ける。以下、セル単位でパターンを捉えた場合について説明する。
【００２４】
図５は、実施の形態１における偏向領域を跨ったセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
図５において、レイアウトデータ１０上、セル４０の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック２２（偏向領域１）内に位置しているため、ブロック２２にセル４０が定義されている。かかるセル４０は、隣接するブロック２０（偏向領域２）に跨ってレイアウトされている。上述したように、レイアウトデータ１０の段階では、セル４０を分割せず、描画データ変換装置３２０に入力し、入力されたレイアウトデータ１０に基づいて、偏向領域ごとに跨るセル４０のうち自己の領域で偏向可能な部分セルパターン４２，４４を生成する。図５では、セル４０のデータをブロック２０にもコピー（複写）する。そして、ブロック２０にセル４０を定義する。そして、ブロック２２では、セル４０のうち、自己の領域で偏向可能な部分セルパターン４４以外を切断して削除する。同様に、ブロック２０では、セル４０のうち、自己の領域で偏向可能な部分セルパターン４２以外を切断して削除する。このように、跨るパターンのデータを跨られた偏向領域に複写して、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除することで、描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。その結果、レイアウトデータ１０で分割させずに済ますことができる。以下、具体的に説明する。
【００２５】
図１におけるＳ（ステップ）１０２において、入力工程として、描画データ変換装置３２０は、レイアウトデータ１０を入力する。レイアウトデータ１０には、複数の偏向領域に跨るセルが含まれる。
【００２６】
図１におけるＳ１０４において、セル抽出工程として、セル抽出回路３２２は、レイアウトデータ１０からブロックごとに、自己の領域に定義されたセルを抽出する。
図６は、実施の形態１における複数の偏向領域に跨ったセルの一例を示す図である。
レイアウトデータ１０及び描画データ１２に基づいて描画される描画領域は、偏向器で偏向可能な幅Ｗで短冊上の複数の領域であるフレーム１８に分割される。そして、描画装置１００で隣接するフレーム１８の領域を描画する場合には、描画装置１００の偏向器で変更可能な領域を越えているため、描画装置１００のステージを移動させることにより偏向器で変更可能な領域まで移動させることになる。そして、図６に示すように、各フレーム１８はさらに複数のブロックに分割されている。ここでは、ブロック座標（３，４）のブロック２２について自己の領域に定義されたセルを抽出すると、セル４０が描画装置１００のステージの移動が必要なフレーム１８ａとフレーム１８ｂとの領域間に跨るようにレイアウトされている場合を示している。具体的には、セル４０がフレーム１８ｂの境界に接するブロック２２に定義され、隣接するフレーム１８ａの境界に接するブロック２０に跨っている。セル４０は、パターン１７によって構成されている。
【００２７】
図１におけるＳ１０６において、パターン生成工程の一部となる複写工程として、セル振分回路３２８内の複写回路３４２は、セル４０のデータを跨られた偏向領域であるブロック２０にコピー（複写）する。
図７は、実施の形態１における跨られた偏向領域に複写されたセルの一例を示す図である。
図７に示すように、ブロック２２に定義されたセル４０に跨られたブロック２０にもセル４０をコピーして、ブロック２０内のセルとして定義する。コピーすることで、定義されていない領域にも自己の領域内に位置するパターンを認識させることができる。
【００２８】
図１におけるＳ１０８において、クラスタ分割工程として、クラスタ分割回路３２４は、セル４０内をクラスタ分割する。
図８は、実施の形態１におけるセルをクラスタ分割した一例を示す図である。
図８では、ブロック２２に定義されたセル４０について示している。図８に示すように、ブロック２２に定義されたセル４０に領域内は、複数のクラスタ１６の領域にクラスタ分割される。クラスタ分割することで、描画装置１００において多重露光する場合にその露光位置に使用することができる。
図９は、図８のセルをクラスタマージン分割した一例を示す図である。
図９に示すように、クラスタ分割した後、パターン１７が存在しないクラスタ１６を省く処理を行なうことでデータ量を低減させることができる。
【００２９】
図１０は、実施の形態１における複写されたセルをクラスタ分割した一例を示す図である。
図１０では、複写され、ブロック２０に定義されたセル４０について示している。図１０に示すように、ブロック２２と同様、ブロック２０に定義されたセル４０に領域内は、複数のクラスタ１６の領域にクラスタ分割される。クラスタ分割することで、描画装置１００において多重露光する場合にその露光位置に使用することができる。
図１１は、図１０のセルをクラスタマージン分割した一例を示す図である。
図１１に示すように、ブロック２２と同様、クラスタ分割した後、パターン１７が存在しないクラスタ１６を省く処理を行なうことでデータ量を低減させることができる。
【００３０】
図１におけるＳ１１０において、クラスタ分配工程として、クラスタ分配回路３２６は、跨るセル４０が定義された偏向領域と跨られたその他の偏向領域とにおいて、跨るセル４０のうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を切断する。
図１２は、実施の形態１におけるセルを切断した一例を示す図である。
図１２に示すように、ブロック２２に定義されたセル４０について、自己の領域で偏向できるパターン部分である部分セルパターン４４と偏向できないパターン部分である部分セルパターン４２とを生成して、部分セルパターン４２を切断する。
【００３１】
図１３は、実施の形態１における複写されたセルを切断した一例を示す図である。
図１３に示すように、ブロック２０に定義されたセル４０について、自己の領域で偏向できるパターン部分である部分セルパターン４２と偏向できないパターン部分である部分セルパターン４４とを生成して、部分セルパターン４４を切断する。
【００３２】
図１におけるＳ１１２において、削除工程として、セル振分回路３２８内の削除回路３４４は、跨るセル４０が定義された偏向領域と跨られたその他の偏向領域とにおいて、跨るセル４０のうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除する。
すなわち、図１２に示すように、ブロック２２に定義されたセル４０について、自己の領域で偏向できないパターン部分である切断され分離した部分セルパターン４２のデータを削除する。同様に、図１３に示すように、ブロック２０に定義されたセル４０について、自己の領域で偏向できないパターン部分である切断され分離した部分セルパターン４４のデータを削除する。
【００３３】
以上のように構成することで、入力されたレイアウトデータ１０に基づいて、複数の偏向領域の偏向領域ごとに跨るパターンのうち自己の領域で偏向可能な部分パターンを生成することができる。その結果、レイアウトデータ１０で分割させずに描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。よって、レイアウトデータ１０のデータ量を低減させることができる。
【００３４】
図１におけるＳ１１４において、描画データ変換工程として、描画データ変換回路３３０は、ブロック、或いはフレーム１８ごとにレイアウトデータ１０を描画データ１２に変換する。
【００３５】
以上の説明において、各回路の入出力データは、メモリ３３２に格納（記憶）し、メモリ３３２を介して他の回路に伝送される。但し、これに限るものではなく、直接、回路間でデータの通信を行なっても構わない。データの通信は、図示していないバスを介して行なえばよい。
【００３６】
図１４は、実施の形態１における描画システムの要部構成の一例を示す概念図である。
図１４において、描画システム６００は、描画装置１００の一例となる露光装置と装置入力フォーマット変換装置３００とを備えている。描画装置１００は、描画部１５０、制御回路１１０、データ処理回路１２０を備えている。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、ＸＹステージ１０５、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８、ファラデーカップ２０９を有している。図１４では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００３７】
装置入力フォーマット変換装置３００において、装置入力フォーマットデータ１４を生成した後、装置入力フォーマットデータ１４をデータ処理回路１２０に出力する。そして、データ処理回路１２０は、入力された装置入力フォーマットデータ１４に基づいて、各回路を駆動させるためのデータ処理を行ない、各制御信号が制御回路１１０に送られる。そして、制御回路１１０により描画部１５０が制御され、試料に描画データ１２に含まれた図形パターンが描画される。
【００３８】
電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。上述したように、描画領域は、偏向器２０８により偏向可能な幅で短冊上に分割された領域（描画データ１２ではストライプ）内で偏向され、隣接する偏向可能でない領域へはＸＹステージ１０５を移動することで偏向器２０８により偏向可能な位置まで試料１０１を移動させることができる。
【００３９】
図１５は、実施の形態１における切断位置の一例を示す図である。
ブロック２２に定義されたセル４０にブロック２０が跨られている場合、偏向領域境界線上を分離位置５００（切断位置）として切断するように構成することができる。そして、ブロック２２には部分セルパターン４４が、ブロック２０には部分セルパターン４２が、定義される。
【００４０】
切断位置は、これに限るものではなく他の位置でも構わない。
図１６は、実施の形態１における他の切断位置の一例を示す図である。
偏向領域境界線は、実際に偏向可能な境界線からある程度のマージン幅を残して設定される。よって、ブロック２２に定義されたセル４０にブロック２０が跨られている場合、偏向領域マージン内のいずれかの位置を分離位置５００（切断位置）として切断するように構成しても好適である。そして、ブロック２２には部分セルパターン４４が、ブロック２０には部分セルパターン４２が、定義される。或いは、以下のように切断してもよい。
【００４１】
図１７は、実施の形態１における他の切断位置の一例を示す図である。
クラスタ分割により生成されたクラスタ１６も基準点座標が位置するセルに定義される。よって、ブロック２２に定義されたセル４０にブロック２０が跨られている場合、偏向領域マージン内で、クラスタ境界線上を分離位置５００（切断位置）として切断するように構成しても好適である。そして、クラスタ１６が偏向領域境界線上に跨る場合には、跨るクラスタ１６が、自己が定義される部分セルパターン側に入るように、クラスタ１６の基準点座標を考慮してクラスタ境界で切断するように構成するとなお好適である。そして、ブロック２２には部分セルパターン４４が、ブロック２０には部分セルパターン４２が、定義される。或いは、以下のように切断してもよい。
【００４２】
図１８は、実施の形態１における他の切断位置の一例を示す図である。
図１８では、ブロック２２に定義されたセル４０にブロック２０が跨られている場合、偏向領域マージン内で、セル４０を構成するパターン１７の一部がオーバーラップするように、偏向領域マージン内で２つの分離位置５００（分離位置５００ａと分離位置５００ｂ）とで切断するように構成しても好適である。そして、ブロック２２にはパターン１７ｂが含まれる部分セルパターン４４が、ブロック２０にはパターン１７ａが含まれる部分セルパターン４２が、定義される。或いは、以下のように切断してもよい。
【００４３】
図１９は、実施の形態１における他の切断位置の一例を示す図である。
レイアウトデータ１０には、セルパターンデータが含まれるが、さらに、複数の偏向領域に跨るセルについては、属性情報として切断位置を定義しておくのも好適である。例えば、図１９に示すようにプラスマージンとマイナスマージンを持った切断位置情報を属性情報として、かかる切断位置情報による位置を分離位置５００として切断するように構成するとよい。そして、ブロック２２には部分セルパターン４４が、ブロック２０には部分セルパターン４２が定義される。
【００４４】
ここで、レイアウトデータ１０に含まれるセルパターンは、それぞれ単独で自己の基準位置座標が位置するブロックに定義される場合の他、繰り返し配置されるセルパターンについてはアレイセルとして１つのセルパターンと繰り返し情報とが１つのブロックに定義される場合もある。
図２０は、実施の形態１における偏向領域を跨ったアレイ構造のセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
図２０において、レイアウトデータ１０上、セル５２とセル５４とで構成されるアレイセル５０の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック２２（偏向領域１）内に位置しているため、ブロック２２にアレイセル５０が定義されている。かかるアレイセル５０のうち、セル５２は、隣接するブロック２０（偏向領域２）に跨ってレイアウトされている。上述したように、レイアウトデータ１０の段階では、アレイセル５０を分割せず、描画データ変換装置３２０に入力し、入力されたレイアウトデータ１０に基づいて、偏向領域ごとに跨るアレイセル５０を構成するセル５２のうち自己の領域で偏向可能な部分セルパターン５６、５８を生成する。図２０では、アレイセル５０のデータをブロック２０にもコピー（複写）する。そして、ブロック２０にアレイセル５０を定義する。そして、ブロック２２では、アレイセル５０のうち、跨ったセル５２について自己の領域で偏向可能な部分セルパターン５８以外を切断して削除する。同様に、ブロック２０では、アレイセル５０のうち、自己の領域で偏向可能な部分セルパターン５６以外を切断して削除する。このように、アレイ構造を保ったまま跨るパターンのデータを跨られた偏向領域に複写して、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除することで、描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。このため、レイアウトデータ１０で不必要にセルを分割することなく、アレイ構造を保ったままレイアウトデータ１０を作成することができる。その結果、レイアウトデータ１０で部分セルパターンに振り分けるためのデータ量の増大のほかに、さらにアレイ構造を分解することによるデータ量の増大を低減することができる。各工程は、図１に示す工程と同様であるため説明を省略する。
【００４５】
図２１は、実施の形態１における偏向領域を跨ったアレイ構造のセルを振り分ける手法の他の一例を示す概念図である。
図２１において、レイアウトデータ１０上、セル５２とセル５４とで構成されるアレイセル５０の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック２２（偏向領域１）内に位置しているため、ブロック２２にアレイセル５０が定義されている。かかるアレイセル５０のうち、セル５２は、隣接するブロック２０（偏向領域２）に跨ってレイアウトされている。そして、レイアウトデータ１０の段階では、アレイセル５０を分割せず、描画データ変換装置３２０に入力する。ここまでは、上述した図２０と同様である。そして、入力されたレイアウトデータ１０に基づいて、偏向領域ごとに跨るアレイセル５０を構成するセル５２のうち自己の領域で偏向可能な部分セルパターン５６、５８を生成するが、図２１では、アレイセル５０全体のデータをブロック２０にコピー（複写）するのではなく、ブロック２０に跨った要素のセル５２のデータのみをブロック２０にコピー（複写）する。そして、ブロック２０にセル５２を定義する。そして、ブロック２２では、アレイセル５０のうち、跨ったセル５２について自己の領域で偏向可能な部分セルパターン５８以外を切断して削除する。同様に、ブロック２０では、セル５２のうち、自己の領域で偏向可能な部分セルパターン５６以外を切断して削除する。このように、アレイ構造を保ったまま跨るパターンのデータを跨られた偏向領域に複写して、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除することで、描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。このため、レイアウトデータ１０で不必要にセルを分割することなく、アレイ構造を保ったままレイアウトデータ１０を作成することができる。その結果、レイアウトデータ１０で部分セルパターンに振り分けるためのデータ量の増大のほかに、さらにアレイ構造を分解することによるデータ量の増大を低減することができる。各工程は、図１に示す工程と同様であるため説明を省略する。
【００４６】
以上のように、複数の偏向領域のうち、跨るパターン（セル）のデータを跨られた偏向領域に複写した後、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除することで、描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。よって、レイアウトデータ１０の段階で分割させずに済ますことができるので、レイアウトデータ１０のデータ量を低減することができる。その結果、描画データ変換装置３２０への転送時間を短縮することができる。
レイアウトデータ１０の段階で振り分ける場合と、描画データ１２へ変換する際に振り分ける場合とを比較すると、描画データ１２を描画データ変換装置３２０から装置入力フォーマット変換回路３５０へと送信する時間は同じであるが、レイアウトデータ１０を描画データ変換装置３２０へ入力する（転送する）時間に大きな差が生じる。すなわち、レイアウトデータ１０の段階で振り分けてレイアウトデータ１０のデータ量を増加させてしまうと、描画データ変換装置３２０への転送時間が大幅に長くなってしまう。よって、本実施の形態のように描画データ１２へ変換する際に跨るパターンを振り分けることで、レイアウトデータ１０を描画データ変換装置３２０へ入力開始してから装置入力フォーマット変換回路３５０へと送信するまでの時間を短縮することができる。
【００４７】
実施の形態２．
実施の形態２では、実施の形態１とは異なる手法により、レイアウト上、複数の偏向領域に跨るパターン（例えば、セル）を各偏向領域に振り分ける手法について説明する。実施の形態１と同様、以下、セル単位でパターンを捉えた場合について説明する。
【００４８】
図２２は、実施の形態２における電子ビーム描画データの作成方法の要部工程を示すフローチャート図である。
図２２において、電子線描画データの検証方法は、入力工程（Ｓ１０２）、セル抽出工程（Ｓ１０４）、クラスタ分割工程（Ｓ１０８）、クラスタ分配工程（Ｓ１１０）、パターン生成工程の一部となる当てはめ工程（Ｓ１１３）、描画データ変換工程（Ｓ１１４）という一例の工程を実施する。
【００４９】
図２３は、実施の形態２における装置入力フォーマット変換装置の構成の一例を示す概念図である。
レイアウトデータ１０（設計データ）と描画データ１２の階層構造等は実施の形態１と同様である。また、装置入力フォーマット変換装置３００が、かかるレイアウトデータ１０を入力し、レイアウトデータ１０を変換して描画装置１００において用いられる描画データ１２が生成される。そして、描画データ１２に基づいて、実際に電子線をショットするためのショットサイズに図形が分割されるショットデータ等にまで変換し、描画装置１００に入力するための装置入力フォーマットデータ１４を生成する。そして、かかる装置入力フォーマットデータ１４を描画装置１００に出力する点は、実施の形態１と同様である。
図２３において、セル振分回路３２８が、図２の複写回路３４２と削除回路３４４との代わり、当てはめ回路３４６を有している点以外は、図２と同様であるため、その他の構成の説明を省略する。図２３では、本実施の形態２を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。装置入力フォーマット変換装置３００や描画装置１００を備えた描画システム６００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００５０】
図２４は、実施の形態２における偏向領域を跨ったセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
図２４において、レイアウトデータ１０上、セル４０の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック２２（偏向領域１）内に位置しているため、ブロック２２にセル４０が定義されている。かかるセル４０は、隣接するブロック２０（偏向領域２）に跨ってレイアウトされている。上述したように、レイアウトデータ１０の段階では、セル４０を分割せず、描画データ変換装置３２０に入力し、入力されたレイアウトデータ１０に基づいて、セル４０が定義された側の偏向領域となるブロック２２で自己の領域で偏向可能な部分セルパターン４４とそれ以外の部分セルパターン４２を生成する。そして、跨るセル４０が定義された偏向領域となるブロック２２において、跨るセル４０のうち、自己の領域で偏向できないセルパターン部分である部分セルパターン４２を切断して分割する。そして、分割されたセルパターン部分である部分セルパターン４２を跨られた偏向領域であるブロック２０における部分セルパターンとして当てはめる。このように、跨るパターンのデータのうち、偏向できないセルパターン部分を跨られた偏向領域に先送りすることで、描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。その結果、レイアウトデータ１０で分割させずに済ますことができる。以下、具体的に説明する。
【００５１】
図２２におけるＳ１０２において、入力工程として、描画データ変換装置３２０は、レイアウトデータ１０を入力する。レイアウトデータ１０には、複数の偏向領域に跨るセルが含まれる。
【００５２】
図２２におけるＳ１０４において、セル抽出工程として、セル抽出回路３２２は、レイアウトデータ１０からブロックごとに、自己の領域に定義されたセルを抽出する。
実施の形態２において、実施の形態１と同様、図６に示したように、レイアウトデータ１０及び描画データ１２に基づいて描画される描画領域は、偏向器で偏向可能な幅Ｗで短冊上の複数の領域であるフレーム１８に分割される。そして、描画装置１００で隣接するフレーム１８の領域を描画する場合には、描画装置１００の偏向器で変更可能な領域を越えているため、描画装置１００のステージを移動させることにより偏向器で変更可能な領域まで移動させることになる。そして、各フレーム１８はさらに複数のブロックに分割されている。ここでは、ブロック座標（３，４）のブロック２２について自己の領域に定義されたセルを抽出すると、セル４０が描画装置１００のステージの移動が必要なフレーム１８ａとフレーム１８ｂとの領域間に跨るようにレイアウトされている場合を示している。具体的には、セル４０がフレーム１８ｂの境界に接するブロック２２に定義され、隣接するフレーム１８ａの境界に接するブロック２０に跨っている。セル４０は、パターン１７によって構成されている。
【００５３】
図２２におけるＳ１０８において、クラスタ分割工程として、クラスタ分割回路３２４は、セル４０内をクラスタ分割する。
図８で示したように、ブロック２２に定義されたセル４０に領域内は、複数のクラスタ１６の領域にクラスタ分割される。クラスタ分割することで、描画装置１００において多重露光する場合にその露光位置に使用することができる。
そして、図９に示したように、クラスタ分割した後、パターン１７が存在しないクラスタ１６については、分割する必要がないので、パターン１７が存在しないクラスタ１６を省く処理を行なうことでデータ量を低減させることができる。
【００５４】
図２２におけるＳ１１０において、分割工程の一例となるクラスタ分配工程として、クラスタ分配回路３２６は、跨るセル４０が定義された偏向領域と跨られたその他の偏向領域とにおいて、跨るセル４０のうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を切断する。
図２５は、実施の形態２におけるセルを切断した一例を示す図である。
図２５に示すように、ブロック２２に定義されたセル４０について、自己の領域で偏向できるパターン部分である部分セルパターン４４と偏向できないパターン部分である部分セルパターン４２とを生成して、部分セルパターン４２を切断して分割する。
【００５５】
図２２におけるＳ１１３において、当てはめ工程として、セル振分回路３２８内の当てはめ回路３４６は、跨るセル４０が定義された偏向領域で切断され分割されたパターン部分を跨られた偏向領域における部分パターンとして当てはめる。
すなわち、図２５に示すように、ブロック２２に定義されたセル４０について、自己の領域で偏向できないパターン部分である切断され分離した部分セルパターン４２のデータを先送りしてブロック２０のセルパターンとして当てはめ、ブロック２０のセルパターンとして定義する。ここで、図２５に示すように、部分セルパターン４２の基準点は、切断前のセル４０の基準点を用いると計算処理上好適である。但し、これに限るものではなく、部分セルパターン４２領域に改めて基準点を設けてもよい。
【００５６】
以上のように構成することで、入力されたレイアウトデータ１０に基づいて、複数の偏向領域の偏向領域ごとに跨るパターンのうち自己の領域で偏向可能な部分パターンを生成することができる。その結果、レイアウトデータ１０で分割させずに描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。よって、レイアウトデータ１０のデータ量を低減させることができる。
【００５７】
図２２におけるＳ１１４において、描画データ変換工程として、描画データ変換回路３３０は、ブロック、或いはフレーム１８ごとにレイアウトデータ１０を描画データ１２に変換する。
【００５８】
以上の説明において、各回路の入出力データは、メモリ３３２に格納（記憶）し、メモリ３３２を介して他の回路に伝送される。但し、これに限るものではなく、直接、回路間でデータの通信を行なっても構わない。データの通信は、図示していないバスを介して行なえばよい。
【００５９】
また、実施の形態２における描画システムの要部構成及びその動作は、図１４と同様であるため説明を省略する。
また、セルの切断位置および切断手法についても実施の形態１と同様であるため説明を省略する。
【００６０】
ここで、レイアウトデータ１０に含まれるセルパターンは、それぞれ単独で自己の基準位置座標が位置するブロックに定義される場合の他、繰り返し配置されるセルパターンについてはアレイセルとして１つのセルパターンと繰り返し情報とが１つのブロックに定義される場合もある点は実施の形態１と同様である。
図２６は、実施の形態２における偏向領域を跨ったアレイ構造のセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
図２６において、レイアウトデータ１０上、セル６２とセル６４とセル６６とで構成されるアレイセル６０の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック２２（偏向領域１）内に位置しているため、ブロック２２にアレイセル６０が定義されている。かかるアレイセル６０のうち、セル６２は、隣接するブロック２０（偏向領域２）内にレイアウトされ、セル６４は、隣接するブロック２０（偏向領域２）に跨ってレイアウトされている。上述したように、レイアウトデータ１０の段階では、アレイセル６０を各要素に細分化した上で分割せず、アレイセル６０の構造を保ったまま描画データ変換装置３２０に入力し、入力されたレイアウトデータ１０に基づいて、アレイセル６０を構成する跨るセル６４のうち、アレイセル６０が定義された側の偏向領域となるブロック２２で自己の領域で偏向可能な部分セルパターン６５とアレイセル６０を構成するそれ以外の部分セルパターン６３とセル６２とを生成する。そして、ブロック２２において、跨るセル６４のうち、自己の領域で偏向できないセルパターン部分である部分セルパターン６３以降を切断して分割する。そして、分割されたセルパターン部分である部分セルパターン６３とセル６２とを跨られた偏向領域であるブロック２０における部分セルパターンとセルとして当てはめる。このように、跨るパターンのデータのうち、偏向できないセルパターン部分を跨られた偏向領域に先送りすることで、描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。このため、レイアウトデータ１０で不必要にセルを分割することなく、アレイ構造を保ったままレイアウトデータ１０を作成することができる。その結果、レイアウトデータ１０で部分セルパターンに振り分けるためのデータ量の増大のほかに、さらにアレイ構造を分解することによるデータ量の増大を低減することができる。各工程は、図２２に示す工程と同様であるため説明を省略する。
【００６１】
以上のように、複数の偏向領域のうち、跨るパターン（セル）のデータの一部を切断した後、自己の領域で偏向できないパターン部分を先送りすることで、描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。よって、レイアウトデータ１０の段階で分割させずに済ますことができるので、レイアウトデータ１０のデータ量を低減することができる。その結果、描画データ変換装置３２０への転送時間を短縮することができる。
【００６２】
実施の形態３．
実施の形態３では、複数の偏向領域のうち、跨るパターン（セル）のデータの一部を切断した後、自己の領域で偏向できないパターン部分を先送りして、跨られた偏向領域に当てはめることで、描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分ける点で実施の形態２と同様である。ここで、実施の形態３では、自己の領域で偏向できない切断したパターン部分のデータを予め用意された跨られた各偏向領域用のバッファーとなる記憶装置に格納する手法を説明する。
【００６３】
図２７は、実施の形態３における電子ビーム描画データの作成方法の要部工程を示すフローチャート図である。
図２７において、電子線描画データの検証方法は、入力工程（Ｓ１０２）、セル抽出工程（Ｓ１０４）、クラスタ分割工程（Ｓ１０８）、クラスタ分配工程（Ｓ１１０）、格納工程（Ｓ１１１）、パターン生成工程の一部となる当てはめ工程（Ｓ１１３）、描画データ変換工程（Ｓ１１４）という一例の工程を実施する。格納工程（Ｓ１１１）を追加した以外は、図２２と同様である。
【００６４】
図２８は、実施の形態３における装置入力フォーマット変換装置の構成の一例を示す概念図である。
レイアウトデータ１０（設計データ）と描画データ１２の階層構造等は実施の形態１と同様である。また、装置入力フォーマット変換装置３００が、かかるレイアウトデータ１０を入力し、レイアウトデータ１０を変換して描画装置１００において用いられる描画データ１２が生成される。そして、描画データ１２に基づいて、実際に電子線をショットするためのショットサイズに図形が分割されるショットデータ等にまで変換し、描画装置１００に入力するための装置入力フォーマットデータ１４を生成する。そして、かかる装置入力フォーマットデータ１４を描画装置１００に出力する点は、実施の形態１と同様である。
図２８において、描画データ変換装置３２０は、複数の基板３６０と、複数のメモリ３３２と、描画データ変換回路３３０を備えている。そして、各基板３６０は、セル抽出回路３２２、クラスタ分割回路３２４、クラスタ分配回路３２６、当てはめ回路３４６を有している。描画データ変換回路３３０以外は、図２或いは図２３と同様であるため、その他の構成の説明を省略する。図２８では、本実施の形態３を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。装置入力フォーマット変換装置３００や描画装置１００を備えた描画システム６００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００６５】
図２９は、実施の形態３における偏向領域を跨ったセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
図２９において、レイアウトデータ１０上、セル７０の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック２２（偏向領域１）内に位置しているため、ブロック２２にセル７０が定義されている。セル７０は、隣接する偏向領域の一例となるブロック２０（偏向領域２）及びブロック２０に隣接する偏向領域の一例となるブロック２４（偏向領域３）に跨ってレイアウトされている。セル８２及びセル８４で構成されるアレイセル８０の基準点座標はブロック２４内に位置しているため、ブロック２４にアレイセル８０が定義されている。かかるアレイセル８０のうち、セル８２は、ブロック２４に隣接する偏向領域の一例となるブロック２６（偏向領域４）内にレイアウトされる。セル９０の基準点座標はブロック２０内に位置しているため、ブロック２０にセル９０が定義されている。
【００６６】
図２７におけるＳ１０２〜Ｓ１１０までは、実施の形態２と同様である。そして、レイアウトデータ１０の段階では、セル７０とアレイセル８０を分割せず、セル７０とアレイセル８０の構造を保ったまま描画データ変換装置３２０に入力する。ここで、Ｓ１０２〜Ｓ１１０までの工程で実施の形態２と異なる点は、実施の形態３では、複数の基板３６０（ａ，ｂ・・・ｎ）を備えているため、並列に処理することができる点である。図２９では、一例として、２つの基板３６０ａ，３６０ｂで並列処理する場合を示している。
【００６７】
図２７におけるＳ１１１において、格納工程として、分割されたパターン部分のデータを跨られた偏向領域用のバッファーとなる各メモリ３３２に格納する。図２９では、一例として、基板３６０が２つの構成の場合、まず、ブロック２２とブロック２４について処理を行なう。
基板３６０ａでブロック２２に定義されたセル７０について、自己の領域で偏向可能な部分セルパターン７２とブロック２０に跨る部分セルパターン７４とブロック２４に跨る部分セルパターン７６とを生成して分割する。そして、部分セルパターン７２のデータをブロック２２用のバッファー１となるメモリ３３２に格納する。部分セルパターン７４のデータをブロック２０用のバッファー２となるメモリ３３２に格納する。部分セルパターン７６のデータをブロック２４用のバッファー３となるメモリ３３２に格納する。基板３６０ａでの処理に並列して、基板３６０ｂでブロック２４に定義されたアレイセル８０について、自己の領域で偏向可能なアレイセル８０の要素となるセル８４の他にブロック２６に跨るアレイセル８０の要素となるセル８２を生成して、セル８２を分割する。そして、セル８４のデータをブロック２４用のバッファー３となるメモリ３３２に格納する。セル８２のデータをブロック２６用のバッファー４となるメモリ３３２に格納する。
そして、基板３６０が２つの構成の場合、基板３６０ａと基板３６０ｂとの処理が終了した後、ブロック２０とブロック２６について処理を行なう。基板３６０ａでブロック２０に定義されたセル９０については、他の偏向領域に跨っていないので、そのままセル９０のデータをブロック２０用のバッファー２となるメモリ３３２に格納する。基板３６０ｂでは、ブロック２６に定義されたセルが存在しないので、処理しない。
【００６８】
図２７におけるＳ１１３において、当てはめ工程として、各基板３６０の当てはめ回路３４６は、自己が処理する偏向領域用のバッファーとなるメモリ３３２から、セルのデータを読み出し、自己が処理する偏向領域に当てはめる。
【００６９】
各偏向領域用のバッファーとなる複数のメモリ３３２を備えて、その偏向領域用のデータを逐次格納させ蓄積していくことで、自己の領域に跨るセルが他の領域で定義されている場合でも、かかる領域の処理と並列に自己の領域の処理を行なうことができる。
【００７０】
以上のように、跨るパターンのデータのうち、偏向できないセルパターン部分を跨られた偏向領域用のバッファーとなる複数のメモリ３３２に格納して先送りすることで、描画データ変換装置３２０内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。その結果、レイアウトデータ１０で分割させずに済ますことができる。レイアウトデータ１０の段階で分割させずに済ますことができるので、レイアウトデータ１０のデータ量を低減することができる。その結果、描画データ変換装置３２０への転送時間を短縮することができる。また、並列処理により処理時間を短縮することができる。
【００７１】
以上のように、各実施の形態の少なくとも１つによれば、レイアウトデータのセル配置数を抑えることができるので、レイアウトデータ１０のデータ量を削減することができる。また、アレイ表現できるセルが増えるため、レイアウトデータ１０のデータ量を削減することができる。また、レイアウトデータ１０のデータ量を削減することができるため、磁気ディクス装置のような記憶装置のディスクスペースの消費を抑えることができる。また、レイアウトデータ１０のデータ量を削減することができるので、描画装置１００へのデータ転送時間を短縮することができる。また、描画装置入力前に処理すべきプロセスが存在する場合、レイアウトデータ１０のデータ量を削減することができるので、一般的にそのプロセスの処理時間（データアクセス時間等）を低減することができる。
【００７２】
また、以上の説明において、「〜回路」或いは「〜工程」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録される。
【００７３】
図３０は、プログラムにより構成する場合のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
コンピュータとなるＣＰＵ４５０は、バス４７４を介して、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）４５２、ＲＯＭ４５４、磁気ディスク（ＨＤ）装置４６２、キーボード（Ｋ／Ｂ）４５６、マウス４５８、外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）４６０、モニタ４６４、プリンタ４６６、ＦＤ４６８、ＤＶＤ４７０、ＣＤ４７２に接続されている。ここで、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）４５２、ＲＯＭ４５４、磁気ディスク（ＨＤ）装置４６２、ＦＤ４６８、ＤＶＤ４７０、ＣＤ４７２は、記憶装置の一例である。キーボード（Ｋ／Ｂ）４５６、マウス４５８、外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）４６０、ＦＤ４６８、ＤＶＤ４７０、ＣＤ４７２は、入力手段の一例である。外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）４６０、モニタ４６４、プリンタ４６６、ＦＤ４６８、ＤＶＤ４７０、ＣＤ４７２は、出力手段の一例である。
【００７４】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００７５】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００７６】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子線描画データの作成方法及びそれを実行するためのプログラム或いは荷電粒子線描画データの作成装置は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】実施の形態１における電子ビーム描画データの作成方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図２】実施の形態１における装置入力フォーマット変換装置の構成の一例を示す概念図である。
【図３】実施の形態１におけるレイアウトデータの階層構造の一例を示す図である。
【図４】実施の形態１における描画データの階層構造の一例を示す図である。
【図５】実施の形態１における偏向領域を跨ったセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
【図６】実施の形態１における複数の偏向領域に跨ったセルの一例を示す図である。
【図７】実施の形態１における跨られた偏向領域に複写されたセルの一例を示す図である。
【図８】実施の形態１におけるセルをクラスタ分割した一例を示す図である。
【図９】図８のセルをクラスタマージン分割した一例を示す図である。
【図１０】実施の形態１における複写されたセルをクラスタ分割した一例を示す図である。
【図１１】図１０のセルをクラスタマージン分割した一例を示す図である。
【図１２】実施の形態１におけるセルを切断した一例を示す図である。
【図１３】実施の形態１における複写されたセルを切断した一例を示す図である。
【図１４】実施の形態１における描画システムの要部構成の一例を示す概念図である。
【図１５】実施の形態１における切断位置の一例を示す図である。
【図１６】実施の形態１における他の切断位置の一例を示す図である。
【図１７】実施の形態１における他の切断位置の一例を示す図である。
【図１８】実施の形態１における他の切断位置の一例を示す図である。
【図１９】実施の形態１における他の切断位置の一例を示す図である。
【図２０】実施の形態１における偏向領域を跨ったアレイ構造のセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
【図２１】実施の形態１における偏向領域を跨ったアレイ構造のセルを振り分ける手法の他の一例を示す概念図である。
【図２２】実施の形態２における電子ビーム描画データの作成方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図２３】実施の形態２における装置入力フォーマット変換装置の構成の一例を示す概念図である。
【図２４】実施の形態２における偏向領域を跨ったセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
【図２５】実施の形態２におけるセルを切断した一例を示す図である。
【図２６】実施の形態２における偏向領域を跨ったアレイ構造のセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
【図２７】実施の形態３における電子ビーム描画データの作成方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図２８】実施の形態３における装置入力フォーマット変換装置の構成の一例を示す概念図である。
【図２９】実施の形態３における偏向領域を跨ったセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
【図３０】プログラムにより構成する場合のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図３１】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０  レイアウトデータ
１２  描画データ
１４  装置入力フォーマットデータ
１６  クラスタ
１７  パターン
１８  フレーム
２０，２２，２４，２６  ブロック
４０，５２，５４，６２，６４，６６，７０，８２，８４，９０  セル
４２，４４，５６，５８，６３，６５，７２，７４，７６  部分セルパターン
５０，６０，８０  アレイセル
１００  描画装置
１０１，４４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御回路
１２０  データ処理回路
１５０  描画部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８  偏向器
２０７  対物レンズ
２０９  ファラデーカップ
３００  装置入力フォーマット変換装置
３２０  描画データ変換装置
３２２  セル抽出回路
３２４  クラスタ分割回路
３２６  クラスタ分配回路
３２８  セル振分回路
３３０  描画データ変換回路
３３２  メモリ
３４２  複写回路
３４４  削除回路
３４６  当てはめ回路
３５０  装置入力フォーマット変換回路
３６０  基板
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
４４２  電子線
４５０  ＣＰＵ
４５２  ＲＡＭ
４５４  ＲＯＭ
４５６  Ｋ／Ｂ
４５８  マウス
４６０  Ｉ／Ｆ
４６２  ＨＤ装置
４６４  モニタ
４６６  プリンタ
４６８  ＦＤ
４７０  ＤＶＤ
４７２  ＣＤ
４７４  バス
５００  分離位置
６００  描画システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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