(57)【要約】【課題】  高温高湿環境下における動作特性を安定化させ、素子寿命の長い樹脂封止型の半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】  半導体レーザ装置１００は、第１および第２のリード１０４、１０８、第１のリードのマウント部１０４ａに固定されたＶＣＳＥＬ素子１０２、ＶＣＳＥＬ素子１０２を樹脂封止する封止体１１０とを備えている。封止体１１０は、ＶＣＳＥＬ素子１０２を覆う疎水性高分子樹脂からなるアンダーコート相１５０とアンダーコート層を覆う透光性エポキシ樹脂１５２とを含む。アンダーコート層１５０には、好ましくはフッ素樹脂が用いられる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子と当該半導体レーザ素子を樹脂封止する封止体とを備えた半導体レーザ装置であって、
前記封止体は、半導体レーザ素子表面を多層からなるコーティング層で覆い、前記コーティング層は、半導体レーザ素子表面を保護する第１のコーティング層と第１のコーティング層を覆う第２のコーティング層とを含み、前記コーティング層は、少なくとも透光性樹脂および疎水性高分子樹脂を含む、半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記コーティング層は、付加重合タイプのアミン硬化エポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記コーティング層は、透光性を有しかつ表面張力が１５dyn/cm以下である撥水性のフッ素樹脂を含む、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
第１のコーティング層はフッ素樹脂であり、第２のコーティング層は透光性のエポキシ樹脂である、請求項１ないし３いずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
フッ素樹脂は、透光性のエポキシ樹脂によって挟まれている、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
フッ素樹脂は、４フッ化エチレン、３フッ化塩化エチレン、２フッ化ビニリデン、４フッ化エチレン・パ−フルオロアルコキシアルカンのいずれかから選択される、請求項４または５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
透光性のエポキシ樹脂の熱膨張係数は、〜７．５×１０−５／℃であり、フッ素樹脂の熱膨張係数は、４．５〜１２×１０−５／℃の範囲である、請求項４ないし６いずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
フッ素樹脂の熱膨張係数は、透光性のエポキシ樹脂の熱膨張係数とほぼ等しい、請求項７に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
半導体レーザ素子は、基板と当該基板と垂直方向にレーザ光を出射する出射領域を含み、前記出射領域が第１のコーティング層によって覆われている、請求項１ないし８いずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記コーティング層の上面にレーザ光が透過するレンズが形成されている、請求項１ないし９いずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
半導体レーザ素子と当該半導体レーザ素子を透光性のエポキシ樹脂で封止する封止体とを備えた半導体レーザ装置であって、
エポキシ樹脂表面に界面活性剤を塗布することによってエポキシ樹脂表面にコーティング層を形成したことを特徴とする、半導体レーザ装置。
【請求項１２】
前記界面活性剤は、ベタイン型、カルボキシメチルアミン型またはイミダゾリニウム型のいずれかの両性活性剤である帯電防止剤を含む、請求項１１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１３】
前記界面活性剤は、フッ素系、カチオン系、またはシリコーン系活性剤のいずれかの撥水剤を含む、請求項１１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３いずれか1つに記載の半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して送信する送信手段とを備えた、光送信装置。
【請求項１５】
請求項１ないし１３いずれか１つに記載の半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置から発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送装置。
【請求項１６】
請求項１ないし１３いずれか１つに記載の半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を送信する送信手段とを備えた、光送信システム。
【請求項１７】
請求項１ないし１３いずれか１つに記載の半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置から発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光型半導体レーザ素子等を含む半導体レーザ装置に関し、特に、半導体レーザ素子を樹脂封止する半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光型半導体レーザ（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser diode  以下ＶＣＳＥＬという）は、半導体基板の表面から光が出射されるレーザダイオードであり、端面発光型のレーザダイオードと比べて、駆動電流が低い、ウエハレベルでの特性検査が可能、および２次元アレイ化が容易である、といった特徴を備えている。このため、光情報処理や光通信用の光源、または光を使用してなされるデータ記憶装置の光源として利用されている。
【０００３】
ＶＣＳＥＬは、図１２（ａ）に示すようなキャンパッケージに封止されて利用される。パッケージ１０は、ＶＣＳＥＬチップ１２をマウンタ１４上に固定する円盤状の金属ステム１６を含み、金属ステム１６には、導電性のリード１８、２０が貫通孔（図示省略）を介して取り付けられている。一方のリード１８は、ＶＣＳＥＬチップ１２のｎ側電極に電気的に接続され、他方のリード２０は、ＶＣＳＥＬチップ１２のｐ側電極に電気的に接続される。金属ステム１６に溶着されるキャップ２２の出射窓２４内にボールレンズ２６が固定され、ＶＣＳＥＬチップ１２から出射されるレーザ光を集光できるようになっている。また、キャップ２２内に、発光状態をモニターするための受光素子を含ませるようにしてもよい。図１２（ｂ）は、出射窓２４内にボールレンズを用いる代わりに平板ガラス２８を用いたものである。
【０００４】
キャンパッケージは、比較的高価であり、小型化が困難であるため、それに代わる封止方法として樹脂封止パッケージの実用化が検討されている。特許文献１は、透明樹脂を用いてレーザチップを封止する構造において、封止樹脂に低複屈折で経時変化の少ない透明エポキシ樹脂を用いている。例えば、高純度ビスフェノール型エポキシ樹脂に酸無水物系硬化剤と硬化促進剤を含有させている。
【０００５】
特許文献２は、発光ダイオードを封止する構造において、発光素子を固定するリードフレームの頂部には封止樹脂の接着力が低い第１のメッキ（ＡｕおよびＡｇのいずれか）を施し、それ以外の部分には封止樹脂の接着力が高い第２のメッキ（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎおよび半田のいずれか）を施すものである。これにより、
発光素子を固定する頂部と封止樹脂との接着力を低下させ、発光素子へのストレスを少なくし、その一方、封止樹脂と頂部以外の部分との接着力を高くし、水分の浸入から発光素子を保護することができる。
【０００６】
特許文献３は、複数の固定端部を有しレーザダイオードチップおよびモニタフォトダイオードを固定する金属製の主ポスト、金属製の補助ポスト、他の装置に固定するための金属ベースを備え、主ポストおよび補助ポストを透光性の樹脂で封止する半導体レーザ装置を開示している。
【０００７】
特許文献４は、高分子樹脂からなる基材本体に配線が形成されており、一部の配線の接続端子が露出していて、その露出部分の下地にアンダーコート層が形成された配線基材を開示している。
【０００８】
【特許文献１】特開平５−１３８８７号
【特許文献２】特開平６−３０２８６２号
【特許文献３】特開平９−６４４８５号
【特許文献４】特開２００４−１８６４７３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
樹脂封止パッケージをしたＶＣＳＥＬ素子を高湿度環境に長時間さらした場合、樹脂そのものが保水性を有するために、樹脂の一部から侵入した水分がＶＣＳＥＬ素子表面に付着することで、素子表面が水分により酸化し黒化現象が生じる。ＶＣＳＥＬの表面は、レーザ光の出射領域であるため、黒化現象の発生は望ましくない。さらにＶＣＳＥＬ素子の表面周辺に浸入した水は、ＶＣＳＥＬの通電により電気分解され、負極側で発生した水酸基によってアルカリ性となり易い。これによって脱水縮合によって合成された高分子樹脂では加水分解が起こり、素子表面とモールドされている樹脂が乖離され、水の浸入を増長する。この結果、電極と絶縁膜の間などから素子内部への水の浸入を誘発し、レーザ素子特性や信頼性、素子寿命などに多大なる悪影響を及ぼすという課題がある。特許文献１ないし４は、このようなＶＣＳＥＬ素子を封止する樹脂の課題を解決するものではなく、また課題の解決を示唆するものではない。
【００１０】
本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、高温高湿環境下において動作特性が安定化され、素子寿命の長い樹脂封止型の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と当該半導体レーザ素子を樹脂封止する封止体とを備えており、封止体は、半導体レーザ素子表面を多層からなるコーティング層で覆う。コーティング層は、半導体レーザ素子表面を保護する第１のコーティング層と第１のコーティング層を覆う第２のコーティング層とを含み、コーティング層は、少なくとも透光性樹脂および疎水性高分子樹脂を含んでいる。
【００１２】
好ましくはコーティング層は、付加重合タイプのアミン硬化エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂である。また、コーティング層は、透光性を有しかつ表面張力が１５dyn/cm以下である撥水性のフッ素樹脂を含み、第１のコーティング層はフッ素樹脂からなり、第２のコーティング層は透光性のエポキシ樹脂からなる。また、フッ素樹脂をエポキシ樹脂で挟み込むような構成にしてもよい。例えば、フッ素樹脂は、４フッ化エチレン(PTFE)、３フッ化塩化エチレン(PCTFE)、２フッ化ビニリデン(PVDF)、４フッ化エチレン・パ−フルオロアルコキシアルカン(PFA)のいずれかから選択される。
【００１３】
好ましくは、透光性のエポキシ樹脂の熱膨張係数は、〜７．５×１０−５／℃であり、フッ素樹脂の熱膨張係数は、４．５〜１２×１０−５／℃の範囲である、フッ素樹脂の熱膨張係数が透光性のエポキシ樹脂の熱膨張係数とほぼ等しいことがより望ましい。熱膨張係数をほぼ一致させることで、半導体レーザ素子への熱応力を低減することができる。
【００１４】
さらに本発明に係る半導体レーザ素子と当該半導体レーザ素子を透光性のエポキシ樹脂で封止する封止体とを備えた半導体レーザ装置は、エポキシ樹脂表面に界面活性剤を塗布することによってエポキシ樹脂表面にコーティング層を形成したものである。
【００１５】
好ましくは界面活性剤は、ベタイン型、カルボキシメチルアミン型またはイミダゾリニウム型のいずれかの両性活性剤である帯電防止剤を含む。また、界面活性剤は、フッ素系、カチオン系、またはシリコーン系活性剤のいずれかの撥水剤を含む。
【００１６】
半導体レーザ素子は、好ましくはＶＣＳＥＬであり、ＶＣＳＥＬの表面の出射領域が水分の付着から保護される。また、ＶＣＳＥＬは、シングルスポットまたはマルチスポットのいずれであってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体レーザ素子を多層のコーティング層で覆い、当該コーティング層に疎水性高分子樹脂を含ませることにより、樹脂界面からの水分が侵入したとしても疎水性高分子樹脂により水分が内部に侵入するのが阻止され、レーザ素子が水分によって侵食または腐食するのが防止される。また、透光性のエポキシ樹脂の表面に界面活性剤をコーティングすることで樹脂表面に撥水性を与え、樹脂表面から水分が内部へ侵入するのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【実施例】
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施例に係る半導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。半導体レーザ装置１００は、ＶＣＳＥＬ素子１０２、ＶＣＳＥＬ素子１０２を支持する導電性金属からなる第１のリード１０４、ＶＣＳＥＬ素子１０２とＡｕ等のワイヤ１０６により接続された導電性金属からなる第２のリード１０８、ＶＣＳＥＬ素子１０２およびリード１０４、１０８の一部を樹脂封止する封止体１１０を含んで構成される。
【００２０】
ＶＣＳＥＬ素子１０２は、図２に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１２０の裏面にｎ側電極１２２を含み、さらに基板１２０上に、ｎ型のＧａＡｓバッファ層１２４、ｎ型のＡｌＧａＡｓの半導体多層膜からなる下部ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector:分布ブラッグ型反射鏡）１２６、活性領域１２８、ｐ型のＡｌＡｓの外縁を酸化させたからなる電流狭窄層１３０、ｐ型のＡｌＧａＡｓの半導体多層膜からなる上部ＤＢＲ１３２、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層１３４を含む半導体層が積層されている。
【００２１】
基板１２０には、半導体層をエッチングして形成されたリング状の溝１３６が形成され、溝１３６は、コンタクト層１３４から下部ＤＢＲ１２６の一部に到達する深さを有する。溝１３６により、レーザ光の発光部である円筒状のポストＰが規定され、ポストＰから溝１３６を介してパッド形成領域１３８が形成されている。ポストＰの頂部には、層間絶縁膜１４０のコンタクトホールを介してｐ側の上部電極１４２が形成され、上部電極１４２は、コンタクト層１３４にオーミック接続されている。上部電極１４２の中央には、レーザ光の出射領域を規定する円形状の出射口１４４が形成されている。また、パッド形成領域１３８には、層間絶縁膜１４０を介して円形状の電極パッド１４６が形成され、電極パッド１４６は、溝１３６を延在する電極配線を介してｐ側の上部電極１４２に接続されている。
【００２２】
ＶＣＳＥＬ素子１０２のｎ側電極１２２は、リード１０４の平坦なマウント部１０４ａ上に導電性接着剤等を介して固定されている。パッド形成領域１３８上に形成された電極パッド１４６は、ワイヤ１０６により第２のリードの先端に接続されている。ここでは、一例として基板上に単一のポスト、すなわち単一の発光部が形成されたシングルスポットタイプのＶＣＳＥＬ素子を示しているが、勿論、基板上に複数のアレイ状のポストが形成されたマルチスポットタイプのＶＣＳＥＬ素子であってもよい。
【００２３】
封止体１１０は、疎水性高分子樹脂からなるアンダーコート層１５０と透光性のエポキシ樹脂１５２の多層構造を有している。アンダーコート層１５０は、ＶＣＳＥＬ素子１０２を含むマウント部１０４ａを覆っている。透光性のエポキシ樹脂１５２は、アンダーコート層１５０および第１および第２のリードの一部を覆い、封止体１１０の底部からリード１０４、１０８を露出させている。
【００２４】
疎水性高分子樹脂のアンダーコート層１５０は、透光性を有し、かつ表面張力が１５dyn/cm以下である撥水性を有することが望ましく、アンダーコート層１５０は、溶融されたフッ素樹脂をマウント部１０４ａ上にポッテイングすることにより形成される。アンダーコート層１５０は、例えば、撥水性に富んだフッ素樹脂（ＰＴＦＥ：４フッ化エチレン）から構成される。下記表に、４フッ化エチレンの特性を示す。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
透光性のエポキシ樹脂１５２は、例えば、付加重合タイプのアミン硬化エポキシ樹脂から構成される。このエポキシ樹脂１５２は、アンダーコート層１５０を覆うようにモールド成型される。エポキシ樹脂１５２は、モールド成型の他にもポッテイングにより形成されてもよい。
【００２７】
ＶＣＳＥＬ素子の場合、ポストＰの表面にレーザ出射口１４４やパッド形成領域１３８が形成され、層間絶縁膜（保護膜）１４０により表面保護をしているが、表面が水分に晒されると、上部電極１４２や電極パッド１４６が通電により腐食し、層間絶縁膜１４０から剥離したり、封止体の樹脂との接着性が低下し、水分の侵入が促進される。しかし、本実施例のように、ＶＣＳＥＬ素子１０２の表面を疎水性高分子樹脂のアンダーコート層１５０で覆うことで、封止体の界面から内部に進入した水分は、アンダーコート層１５０において侵入が阻止されるため、ＶＣＳＥＬ素子１０２の表面が水分に晒されることが防止される。これにより、高温高湿環境下において水分に起因する発光素子の劣化を回避することができ、素子特性の劣化防止および素子寿命の向上を図ることができる。
【００２８】
図３は、本発明の第２の実施例に係る樹脂封止パッケージされた半導体レーザ装置（モジュール）の概略構成を示す図である。第２の実施例の半導体レーザ装置は、封止体１１０のエポキシ樹脂１５０の上面にレンズ１６０が形成されている。レンズ１６０は、例えばエポキシ樹脂１５０に接着剤により固定されてもよいし、あるいは、インサートモールドにより取り付けられていも良い。好ましくは、レンズ１６０の光軸は、ＶＣＳＥＬ素子のポストＰの軸と一致され、レンズ１６０は、ポストＰの出射口１４４から放射されたレーザ光を集光する。
【００２９】
図４は、本発明の第３の実施例に係る樹脂封止パッケージされた半導体レーザ装置の概略構成を示す図である。第３の実施例の半導体装置は、ＶＣＳＥＬ素子１０２を透光性のエポキシ樹脂１７０で覆い、そのエポキシ樹脂１７０をアンダーコート層１５０で覆い、アンダーコート層１５２を透光性のエポキシ樹脂１５０で覆うものである。アンダーコート層１５２をエポキシ樹脂１５０と１７０でサンドイッチすることにより、樹脂成型時または高温高湿環境下で生じる封止体１１０の熱収縮または膨張による局所的なストレスが緩和され、ＶＣＳＥＬ素子１０２のポストＰへのストレスが低減される。これにより、ＶＣＳＥＬ素子１０２の動作を安定化させ、素子寿命を長くすることができる。
【００３０】
第３の実施例では、単一のアンダーコート層をエポキシ樹脂で挟み込むように封止体１１０を構成したが、複数のアンダーコート層をエポキシ樹脂と交互に積層するように封止体１１０を構成してもよい。
【００３１】
第１ないし第３の実施例において、アンダーコート層は、好ましくは透光性のエポキシ樹脂と熱膨張係数の差が小さいことが望ましい。好ましくは、下記の表に示すように、エポキシ樹脂の熱膨張係数が〜７．５×１０-5／℃であるとき、アンダーコート層に用いられるフッ素樹脂の熱膨張係数は、４．５〜１２×１０-5／℃が望ましい。
【００３２】
【表２】
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【００３３】
フッ素樹脂としては、上記した４フッ化エチレンのほか、３フッ化塩化エチレン、２フッ化ビニリデン、または４フッ化エチレン・パ−フルオロアルコキシアルカンなどを用いることができる。下記の表は、それらの樹脂の熱膨張係数を示している。
【００３４】
【表３】
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【００３５】
次に、本発明の第４の実施例の半導体レーザ装置について図５を参照して説明する。第４の実施例に係る半導体レーザ装置１００ａは、封止体１１０の上面および側面に界面活性剤１７０を塗布している。界面活性剤１７０は、例えば、ベタイン型、カルボキシメチルアミン型およびイミダゾリニウム型等の両性活性剤である帯電防止剤を用いることができる。または、フッ素系、カチオン系、またはシリコーン系活性剤の撥水剤を用いることができる。界面活性剤１７０を用いて透過性エポキシ樹脂１５０の表面を処理することにより水分がエポキシ樹脂内に浸透または侵入することが抑制される。さらに、界面活性剤１７０に帯電防止機能を与えることにより、ＶＣＳＥＬ素子を静電破壊から効果的に保護することができる。
【００３６】
上記例では、封止体１１０の上面および側面に界面活性剤１７０を塗布したが、封止体１１０の底面を含む全面に塗布するようにしてもよい。さらに、封止体１１０の内部に、第１の実施例と同様に疎水性高分子樹脂のアンダーコート層によりＶＣＳＥＬ素子表面を覆うようにし、より一層の水分の侵入を防止するようにしてもよい。
【００３７】
図６は、図３に示す樹脂封止パッケージまたはモジュールを光送信装置に適用したときの構成を示す概略断面図である。光送信装置２００は、円筒状の筐体２１０と、筐体２１０の端面に一体に形成されたスリーブ２２０と、スリーブ２２０の開口２２２内に保持されるフェルール２３０と、フェルール２０によって保持される光ファイバ２４０とを含んでいる。筐体２１０の開放された端部に、半導体レーザ装置の封止体１１０が挿入され、そこに固定される。ＶＣＳＥＬチップ１０２の表面から出射されたレーザ光は、レンズ１６０によって集光され、集光された光は、光ファイバ２４０の芯線に入射され、送信される。上記例では平凸レンズを用いているが、これ以外にも両凸レンズやボールレンズ等を用いることができる。
【００３８】
図７は、図１に示す樹脂パッケージを空間伝送システムに用いたときの構成を示す図である。空間伝送システム３００は、樹脂封止パッケージの半導体レーザ装置１００と、集光レンズ３１０と、拡散板３２０と、反射ミラー３３０とを含んでいる。集光レンズ３１０によって集光された光は、反射ミラー３３０の開口３３２を介して拡散板３２０で反射され、その反射光が反射ミラー３３０へ向けて反射される。反射ミラー３３０は、その反射光を所定の方向へ向けて反射させ、光伝送を行う。空間伝送の光源の場合には、マルチスポット型のＶＣＳＥＬ素子を用い、高出力を得るようにしてもよい。
【００３９】
図８は、半導体レーザ装置を光源に利用した光伝送システムの一構成例を示す図である。光伝送システム４００は、半導体レーザ装置１００を含む光源４１０と、光源４１０から放出されたレーザ光の集光などを行う光学系４２０と、光学系４２０から出力されたレーザ光を受光する受光部４３０と、光源４１０の駆動を制御する制御部４４０とを有する。制御部４４０は、ＶＣＳＥＬを駆動するための駆動パルス信号を光源４１０に供給する。光源４１０から放出された光は、光学系４２０を介し、光ファイバや空間伝送用の反射ミラーなどにより受光部４３０へ伝送される。受光部４３０は、受光した光をフォトディテクターなどによって検出する。受光部４３０は、制御信号４５０により制御部４４０の動作（例えば光伝送の開始タイミング）を制御することができる。
【００４０】
次に、光伝送システムに利用される光伝送装置の構成について説明する。図９は、光伝送装置の外観構成を示し、図１０はその内部構成を模式的に示している。光伝送装置５００は、ケース５１０、光信号送信／受信コネクタ接合部５２０、発光／受光素子５３０、電気信号ケーブル接合部５４０、電源入力部５５０、動作中を示すＬＥＤ５６０、異常発生を示すＬＥＤ５７０、ＤＶＩコネクタ５８０、送信回路基板／受信回路基板５９０を有している。
【００４１】
光伝送装置５００を用いた映像伝送システムを図１１に示す。映像伝送システム６００は、映像信号発生装置６１０、画像表示装置６２０、ＤＶＩ用電気ケーブル６３０、送信モジュール６４０、受信モジュール６５０、映像信号伝送光信号用コネクタ６６０、光ファイバ６７０、制御信号用ケーブルコネクタ６８０、電源アダプタ６９０、ＤＶＩ用電気ケーブル７００を含んでいる。映像信号発生装置６１０で発生された映像信号を液晶ディスプレイなどの画像表示装置６２０に伝送するため、図１０に示す光伝送装置を利用している。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明に係る半導体レーザアレイは、画像記録装置や光通信装置の光源や、プリンタ、複写装置等の画像形成装置の光源等に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体レーザ装置の概略構成を示す図である。
【図２】半導体レーザ装置において樹脂封止されるＶＣＳＥＬの構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係る半導体レーザ装置の概略構成を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施例に係る半導体レーザ装置の概略構成を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施例に係る半導体レーザ装置の概略構成を示す図である。
【図６】図３に示す樹脂封止パッケージされた半導体レーザ装置を用いた光送信装置の構成を示す概略断面図である。
【図７】図１に示す樹脂封止パッケージされた半導体レーザ装置を空間伝送システムに用いたときの構成を示す図である。
【図８】光伝送システムの構成を示すブロック図である。
【図９】光伝送装置の外観構成を示す図である。
【図１０】光伝送装置の内部構成を示し、同図（ａ）は上面を切り取ったときの内部構造を示し、同図（ｂ）は側面を切り取ったときの内部構造を示している。
【図１１】図１０の光伝送装置を利用した映像伝送システムを示す図である。
【図１２】従来のキャンパッケージタイプの半導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１００：半導体レーザ装置            １０２：ＶＣＳＥＬ素子
１０４：第１のリード                １０４ａ：マウント部
１０６：ワイヤ                      １０８：第２のリード
１１０：封止体                      １２０：基板
１２２：ｎ側電極                    １２４：バッファ層
１２６：下部ＤＢＲ                  １２８：活性領域１２８
１３０：電流狭窄層                  １３２：上部ＤＢＲ１３２
１３４：ＧａＡｓコンタクト層        １３６：溝
１３８：パッド形成領域              １４０：層間絶縁膜
１４２：上部電極                    １４４：出射口
１４６：電極パッド                  １５０：透光性エポキシ樹脂
１５２：アンダーコート層            １６０：レンズ
１７０：透光性エポキシ樹脂
【図１】
2007214252.tif 000006
【図２】
2007214252.tif 000007
【図３】
2007214252.tif 000008
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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