(57)【要約】 【課題】駆動電圧を低下させるとともに高い発光効率を備えたＰＤＰを提供する。【解決手段】前面ガラス基板１１の背面に形成されて行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆する誘電体層１２の放電ギャップｇ１に対向する部分に凹部１２Ａが形成され、この凹部１２Ａの内側面１２Ａａが前面ガラス基板１１と平行な方向に対して凹部１２Ａの開口部を拡開する方向に傾斜していて、この凹部１２Ａの内側面１２Ａａの前面ガラス基板１１と平行な方向に対する傾斜角度θが３２°以下に設定されている。【選択図】図３
2007311130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれに放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層の放電ギャップに対向する部分に凹部が形成され、この凹部の内側部が基板と平行な方向に対して凹部の開口部を拡開する方向に傾斜しており、この凹部の内側部の基板と平行な方向に対する傾斜角度が３２°以下になっていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記凹部の内側部の傾斜角度が１４°以下になっている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記凹部が、各単位発光領域毎に島状に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記凹部が、行方向に延びて行方向に隣接する単位発光領域間に跨った帯状に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記行電極の誘電体層に接する側の面が、一方の基板に対して平行になるように成形されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、一般的に、放電ガスが封入されている放電空間を挟んで互いに対向する二枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板側に、行方向に延びるとともに列方向に並設された複数の行電極対が配置されて誘電体層によって被覆され、他方のガラス基板側に、列方向に延びるとともに行方向に並設された複数の列電極が配置されており、放電空間の行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分に、赤，緑，青の蛍光体層を備えた放電セルが形成されて、この放電セルがパネル面にマトリクス状に配置された構成を備えている。
【０００３】
そして、一対のガラス基板の間の放電空間内に、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【０００４】
このＰＤＰは、行電極対を構成する対になっている行電極のうちの一方の行電極と列電極との間で選択的にアドレス放電が発生されて、発光セル（対向する部分の誘電体層に壁電荷が形成されている放電セル）と非発光セル（対向する部分の誘電体層の壁電荷が消去されている放電セル）の選択が行われて、この発光セルと非発光セルとが映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【０００５】
この後、各行電極対の互いに対になっている行電極に交互にサステイン・パルスが印加されて、発光セル内においてサステイン放電が発生され、このサステイン放電によって放電空間内の放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生されて、この真空紫外線によって各発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層が励起されて可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【０００６】
このような構成のＰＤＰにおいては、発光効率を高めるために、放電ガス中のキセノンの分圧を高めたり、または、サステイン放電を行う行電極対を被覆する誘電体層の厚さを厚くして放電電流を抑制するようにした方が良いことが知られている。
【０００７】
しかしながら、この放電ガス中のキセノンの分圧を高める場合や誘電体層の厚さを厚くしたりする場合には、何れの場合も、放電電圧が上昇するために駆動回路コストが上昇したり、電極間の静電容量による無効電力の増加によって消費電力が増大したりするという問題が発生する。
【０００８】
このため、従来のＰＤＰには、図１に示されるように、前面ガラス基板１の背面の行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２の放電ギャップｇに対向する部分に凹部２Ａを形成して、この誘電体層２の放電ギャップｇに対向する部分の厚さを誘電体層２の他の部分の厚さよりも薄くし、放電ギャップｇ付近の電界強度を高めることによって、駆動電圧を低下させるようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）
しかしながら、この図１の従来のＰＤＰにおいては、凹部２Ａが形成されることにより、誘電体層２の放電ギャップｇに対向して放電が発生される面にほぼ直角な角部分が存在することになって、駆動電圧は低下するものの、行電極Ｘ，Ｙ間での放電発生時にエネルギ損失が発生してしまい、充分な発光効率を得られなくなったり、最小放電維持電圧が上昇してしまうといった新たな問題が発生する。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−９６９１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰが有している問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれに放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層の放電ギャップに対向する部分に凹部が形成され、この凹部の内側部が基板と平行な方向に対して凹部の開口部を拡開する方向に傾斜しており、この凹部の内側部の基板と平行な方向に対する傾斜角度が３２°以下になっていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
この発明は、基板の背面に形成されて行電極対を被覆する誘電体層の放電ギャップに対向する部分に凹部が形成され、この凹部の内側部が基板と平行な方向に対して凹部の開口部を拡開する方向に傾斜していて、この凹部の内側部の基板と平行な方向に対する傾斜角度が３２°以下になっているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【００１３】
この実施形態におけるＰＤＰは、行電極対を被覆する誘電体層の背面において、行電極間の放電ギャップに対向してこの行電極間でサステイン放電が発生される部分に凹部が形成されて、この凹部が形成されている部分の誘電体層の膜厚が誘電体層の他の部分の膜厚よりも小さくなっていることにより、サステイン放電発生時の駆動電圧が、誘電体層の背面がフラットになっている場合に比べて低減され、さらに、凹部の内側部が基板と平行な方向に対してこの凹部の開口部を拡開させる方向に傾斜するように形成されているとともに、この内側部の傾斜角度が３２°以下になるように設定されていることによって、誘電体層のサステイン放電の発生部分に凹部が形成されることによって生じるエネルギ損失を従来のＰＤＰの場合よりも小さくすることが出来、これによって、凹部の形成による発光効率の低下を防止することが出来る。
【００１４】
さらに、上記実施形態のＰＤＰは、誘電体層に内側部の傾斜角度が３２°以下の小さい値に設定された凹部が形成されて、サステイン放電時のエネルギ損失が低減されるのに伴って、最小サステイン放電電圧が上昇するのを防止することが出来、その結果、誘電体層のメモリ・マージンを改善することが出来る。
【００１５】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、凹部の内側部の傾斜角度が上記よりもさらに小さい１４°以下となるように設定するのが好ましい。
【００１６】
この場合には、凹部が設けられていない場合と比較して発光効率を上昇させることが出来る。
【００１７】
なお、上記実施形態のＰＤＰにおいて、誘電体層に形成される凹部は、放電が行われる各単位発光領域毎に島状に形成されていても良く、または、行方向に延びて行方向に隣接する単位発光領域間に跨った帯状に形成されていても良い。
【００１８】
凹部が各単位発光領域毎に島状に形成されている場合には、行方向に隣接する単位発光領域間が閉じられることによって、アドレス放電時の単位発光領域の誤選択や、サステイン放電時の誤放電の発生が防止され、また、凹部が隣接する単位発光領域間に跨って行方向に延びる帯状に形成されている場合には、隣接する単位発光領域間がこの帯状の凹部によって連通されることによって、ＰＤＰ製造時の放電空間からの排気経路や放電空間への放電ガスの導入経路が確保され、また、ＰＤＰの駆動時に、行方向に隣接する単位発光領域へのプライミング粒子の導入経路が確保される。
【実施例１】
【００１９】
図２および３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の一実施例を示しており、図２はこの実施例におけるＰＤＰの一部を模式的に示す正面図、図３は図２のＶ−Ｖ線における断面図である。
【００２０】
この図２および３において、ＰＤＰ１０は、ＰＤＰの表示面を構成する前面ガラス基板１１の背面に、行方向（図２において左右方向）に延びるとともに列方向（図２において上下方向）に並設された行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が形成されている。
【００２１】
この行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する行電極Ｘ１とＹ１は、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａと、このバス電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａに沿って等間隔に配列されてそれぞれバス電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａから対になっている他方の行電極側に延びて互いに放電ギャップｇ１を介して対向される透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂとから構成されている。
【００２２】
そして、この前面ガラス基板１１の背面側には、さらに、誘電体層１２が形成されて、この誘電体層１２によって行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が被覆されている。  透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂは、図３に示されるように、何れも、誘電体層１２に接している側の面が前面ガラス基板１１に対して一様に平行になるように成形されている。
【００２３】
この誘電体層１２の背面の透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂ間の放電ギャップｇ１に対向する部分に、後で詳述するような形状の凹部１２Ａが形成されている。
【００２４】
この凹部１２Ａを含む誘電体層１２の背面は、ＭｇＯ等によって形成された図示しない保護層によって被覆されている。
【００２５】
一方、前面ガラス基板１１と放電空間を介して対向する背面ガラス基板１３の前面ガラス基板１１に対向する表示側の面上には、アドレス電極Ｄ１が、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の互いに対になっている透明電極Ｘ１ｂおよびＹ１ｂに対向する位置において行電極対（Ｘ１，Ｙ１）と直交する列方向に延びるとともに、行方向に互いに所定の間隔を開けて平行に並設されている。
【００２６】
なお、図示の例では、この列電極Ｄ１の透明電極Ｙ１ｂに対向する部分が列電極Ｄ１の他の部分よりも拡幅されていて、列電極Ｄ１と透明電極Ｙ１ｂが対向する面積が、列電極Ｄ１と透明電極Ｘ１ｂが対向する面積よりも大きくなっている。
【００２７】
この背面ガラス基板１３の表示側の面上には、さらに、アドレス電極Ｄ１を被覆する列電極保護層１４が形成され、この列電極保護層１４上に、それぞれ、隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の間の部分に対向する位置において行方向に延びるとともに列方向に並設された横壁１５Ａと、列方向に並設された各アドレス電極Ｄ１の中間位置に対向する位置において列方向に延びるとともに行方向に並設された縦壁１５Ｂとによってそれぞれ略格子形状に成形された隔壁１５が形成されており、この隔壁１５によって、前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１３の間の放電空間が、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の放電ギャップｇ１を介して対向される透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂに対向する部分毎にマトリクス状に区画されて、それぞれ放電セルＣ１が形成されている。
【００２８】
各放電セルＣ１内には、列電極保護層１４の表面の隔壁１５に囲まれた部分および隔壁１５の横壁１５Ａと縦壁１５Ｂの側面の五つの面に、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層１６が、赤，緑，青の順に行方向に並ぶように形成されている。
【００２９】
この前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１３の間の放電空間内には放電ガスが封入されており、この実施例では、放電ガスは、ネオンとキセノンの混合ガスであり、全圧が５００Ｔｏｒｒに、キセノン分圧が１００Ｔｏｒｒにそれぞれ設定されている。
【００３０】
また、このＰＤＰ１０の各構成部分の寸法は、この実施例においては、下記のように設定されている。
・放電セルＣ１のサイズ：７００μｍ×３１０μｍ
・放電セルＣ１の開口部サイズ：６４０μｍ×２５０μｍ
・放電ギャップｇ１の列方向幅：７５μｍ
・誘電体層１２の膜厚：３３μｍ。
・誘電体層１２の比誘電率：７．０
・透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂの列方向の突出長さ：１５０μｍ
・バス電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａの列方向幅：８０μｍ
誘電体層１２の背面に形成された凹部１２Ａは、以下のような形状に成形されている。
【００３１】
すなわち、凹部１２Ａは、放電セルＣ１に対向する部分毎に、誘電体層１２の背面の放電ギャップｇ１とこの放電ギャップｇ１を挟む透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂの先端部分を含む後述するようなサステイン放電の発生する部分に対向する部分において、平面形状が略方形の島状になるように成形されている。
【００３２】
この凹部１２Ａは、その四方を囲む内側面１２Ａａが、それぞれ、誘電体層１２の背面側の開口面の面積が前面ガラス基板１１側の頂面１２Ａｂの面積よりも拡大されるように傾斜した、略角錐台形に成形されている。
【００３３】
この凹部１２Ａの頂面１２Ａｂの列方向幅は、この実施例においては１５０μｍに設定されている。
【００３４】
そして、この凹部１２Ａの各内側面１２Ａａの前面ガラス基板１１と平行な方向に対する傾斜角度θは、後述するような理由により、３２°以下、好ましくは１４°以下の値に設定されている。
【００３５】
このような四方の内側面１２Ａａが傾斜した凹部１２Ａの誘電体層１２への形成は、以下のような方法によって行われる。
【００３６】
すなわち、前面ガラス基板１１の背面に、行電極Ｘ１，Ｙ１のバス電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａおよび透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂが、フォトリソ法等によってパターンニングされて形成された後、さらに、前面ガラス基板１１の背面に誘電体ペーストがフラットに印刷されて、焼成される。
【００３７】
このとき、この焼成後の誘電体ペーストによって形成される誘電体層の膜厚は、前面ガラス基板１１と凹部１２Ａの頂面１２Ａｂとの間の部分の誘電体層１２の膜厚と等しくなるように設定されている。
【００３８】
次に、この焼成された誘電体層上に誘電体ペーストが重ねて印刷され、乾燥された後、この誘電体ペースト層上にドライ・フィルム・レジストが貼り付けられて、パターンニングが行われることにより、ドライ・フィルム・レジストの凹部１２Ａの形成位置に対向する部分に、開口部が形成される。
【００３９】
この後、サンド・ブラストが行われて、ドライ・フィルム・レジストの開口部に対向する部分の乾燥された誘電体ペースト層が除去されて、凹部が形成される。
【００４０】
そして、ドライ・フィルム・レジストの剥離および誘電体ペースト層の洗浄が行われた後、この誘電体ペースト層の焼成が行われる。
【００４１】
このとき、誘電体ペースト層の焼成温度や時間などの焼成条件が所要の条件に設定されることによって、この誘電体ペースト層に形成される凹部の内側面の傾斜角度が所望の角度に設定される。
【００４２】
すなわち、焼成時に、凹部の周縁部の誘電体ペーストが一時的に軟化して流れ出すことによって、凹部の内側面の前面ガラス基板１１と平行な方向に対する傾斜角度が小さくなってゆく。
【００４３】
この傾斜角度は、焼成温度が高くなるほど、または、最高焼成温度の継続時間が長くなるほど小さくなる。
【００４４】
したがって、この凹部の内側面の前面ガラス基板１１と平行な方向に対する傾斜角度が、３２°以下の値になるように、焼成温度または最高焼成温度の継続時間が設定される。
【００４５】
以上のようにして、四方の内側面１２Ａａの前面ガラス基板１１と平行な方向に対する傾斜角度が３２°以下に設定された凹部１２Ａが、誘電体層１２のそれぞれ放電セルＣ１に対向する所定の位置に形成される。
【００４６】
このＰＤＰ１０は、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｙ１に順次スキャン・パルスが印加され、これと同時に、列電極Ｄ１に選択的にデータ・パルスが印加されて、このスキャン・パルスが印加された行電極Ｙ１とデータ・パルスが印加された列電極Ｄ１が交差している部分に形成されている放電セルＣ１内において、行電極Ｙ１と列電極Ｄ１との間でアドレス放電が発生され、このアドレス放電によって形成される発光セル（対向している部分の誘電体層１２に壁電荷が形成されている放電セルＣ１）と非発光セル（対向している部分の誘電体層１２の壁電荷が消去されている放電セルＣ１）とが、映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【００４７】
この後、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）のそれぞれ対になっている行電極Ｘ１とＹ１に交互にサステイン・パルスが印加されて、発光セル内において、透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの間で放電ギャップｇ１を介してサステイン放電が発生される。
【００４８】
そして、発光セル内において、このサステイン放電によって、放電空間内に封入されている放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生され、この真空紫外線によって発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層１６が励起されて可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【００４９】
図４は、誘電体層のサステイン放電が発生される部分に形成される凹部の内側面の前面ガラス基板と平行な方向に対する傾斜角度と、上記のようなサステイン放電発生時における発光効率の変化率との関係を調べた実験結果を示すグラフである。
【００５０】
ここで、発光効率の変化率とは、誘電体層に凹部が設けられていない場合の発光効率に対して、誘電体層に凹部が設けられた場合に、この凹部の内側面の傾斜角度に対応して発光効率が変化する割合を示している。
【００５１】
なお、前述したような凹部の形成方法において、凹部の内側面の傾斜角度を任意の角度に設定するために焼成温度を変えたり、または、最高焼成温度の継続時間を変えたりする場合でも、誘電体層の膜厚は変化していない。
【００５２】
この図４から分かるように、凹部の内側面の傾斜角度θが３２°よりも大きくなると、発光効率が減少する割合が著しく大きくなり、さらに、傾斜角度θが１４°のときに、発光効率が凹部を設けない場合の発光効率とほぼ同じ値になり、傾斜角度θが１４°未満になると、発光効率が凹部を設けない場合の発光効率よりも上昇している。
【００５３】
以上のような理由から、上記ＰＤＰ１０は、この図４の実験結果に基づいて、誘電体層１２に設けられた凹部１２Ａの内側面１２Ａａの傾斜角度θが３２°以下、好ましくは１４°以下になるように設定されている。
【００５４】
なお、誘電体層に凹部を設けたことによる駆動電圧の低減率と凹部の内側面の傾斜角度θとの関係を調べる実験を行ったが、その結果、駆動電圧の低減率は凹部の内側面の傾斜角度の大きさとはほとんど関係が無く、駆動電圧の低減率は凹部の深さによって変わり、凹部の深さが大きくなるほど駆動電圧の低減率が大きくなることが分かった。
【００５５】
以上のように、上記ＰＤＰ１０は、サステイン放電発生時に、行電極Ｘ１，Ｙ１の透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂの先端部とその間の放電ギャップｇ１に対向する部分の誘電体層１２に凹部１２Ａが形成されて、誘電体層１２の凹部１２Ａが形成されている部分の膜厚が誘電体層１２の他の部分の膜厚よりも小さくなっていることにより、サステイン放電時の駆動電圧が、誘電体層の背面がフラットになっている場合に比べて低減される。
【００５６】
そして、このＰＤＰ１０は、この誘電体層１２に凹部１２Ａが形成されることによって駆動電圧が低減される同時に、この凹部１２Ａの四方を囲む内側面１２Ａａが前面ガラス基板１１と平行な方向に対して傾斜角度θが３２°以下になるように傾斜して形成されることによって、誘電体層に凹部が形成されることによって発生するエネルギ損失が従来のＰＤＰの場合よりも小さくなり、これによって、発光効率が低下するのを防止することが出来る。
【００５７】
さらに、ＰＤＰ１０は、凹部１２Ａの内側壁面１２Ａａの傾斜角度θが１４°以下に設定されている場合には、凹部が設けられていない場合と比較して発光効率を上昇させることが出来る。
【００５８】
また、このＰＤＰ１０は、凹部１２Ａの内側面１２Ａａの傾斜角度θが３２°以下の小さい値に設定されてサステイン放電時のエネルギ損失が低減されるのに伴って、最小サステイン放電電圧が上昇するのを防止することが出来、その結果、誘電体層１２のメモリ・マージンを改善することが出来る。
【００５９】
上記実施例においては、誘電体層１２に形成された凹部１２Ａが、放電セルＣ１に対向する部分毎に略方形の島状に成形されている例が示されているが、図５に示されるように、誘電体層の背面の透明電極Ｘ１ｂおよびＹ１ｂの先端部分とこの透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂの間の放電ギャップｇ１に対向する部分に、隣接する放電セルＣ１間に跨って行方向に延びる帯状の凹部２２Ａを形成するようにしても良い。
【００６０】
この場合には、凹部２２Ａの列方向における両側の内側面２２Ａａが、それぞれ、前面ガラス基板と平行な方向に対して傾斜角度が３２°以下、好ましくは１４°以下になるように設定される。
【００６１】
このように、隣接する放電セルＣ１間に跨って行方向に延びる帯状の凹部２２Ａが形成される場合には、隣接する放電セルＣ１間がこの帯状の凹部２２Ａによって連通されることによって、ＰＤＰ製造時の放電空間からの排気経路や放電空間への放電ガスの導入経路が確保され、また、ＰＤＰの駆動時に、行方向に隣接する放電セルＣ１へのプライミング粒子の導入経路が確保される。
【００６２】
なお、図２のように、放電セルＣ１毎に凹部１２Ａが島状に形成される場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間が閉じられることによって、アドレス放電時の放電セルＣ１の誤選択や、サステイン放電時の誤放電の発生を防止することが出来る。
【００６３】
また、上記実施例においては、凹部１２Ａの頂面１２Ａｂと前面ガラス基板１１との間に誘電体層が形成されている構成が示されているが、前面ガラス基板の背面が凹部内に露出されている構成、すなわち、凹部の深さと誘電体層の膜厚とが等しい構成であっても良い。
【００６４】
この場合にも、駆動電圧の低減と発光効率の低下防止を同時に図ることができるとともに、電極間の静電容量をさらに低減させることができる。
【００６５】
また、上記実施例においては、放電空間に封入される放電ガス中のキセノン分圧が１００Ｔｏｒｒに設定されているが、このキセノン分圧は１００Ｔｏｒｒ以上であっても１００Ｔｏｒｒ以下であっても良い。
【００６６】
しかしながら、キセノン分圧の値が１００Ｔｏｒｒ以上に設定されることによって、発光効率がさらに向上されるとともに、輝度も向上されるようになる。
【００６７】
また、上記実施例においては、誘電体層１２の比誘電率が７．０に設定されているが、この誘電体層１２の比誘電率は７．０以上でも７．０以下であっても良い。
【００６８】
しかしながら、誘電体層１２の比誘電率の値が７．０以下に設定されることによって、発光効率がさらに向上されるとともに、静電容量がさらに低減されるようになる。
【００６９】
上記実施例のＰＤＰは、基板の背面に形成されて行電極対を被覆する誘電体層の放電ギャップに対向する部分に凹部が形成され、この凹部の内側部が基板と平行な方向に対して凹部の開口部を拡開する方向に傾斜していて、この凹部の内側部の基板と平行な方向に対する傾斜角度が３２°以下、好ましくは１４°以下に設定されているＰＤＰを、その上位概念の実施形態としている。
【００７０】
この上位概念を構成する実施形態のＰＤＰは、行電極対を被覆する誘電体層の背面において、行電極間の放電ギャップに対向してこの行電極間でサステイン放電が発生される部分に凹部が形成されて、この凹部が形成されている部分の誘電体層の膜厚が誘電体層の他の部分の膜厚よりも小さくなっていることにより、サステイン放電発生時の駆動電圧が、誘電体層の背面がフラットになっている場合に比べて低減され、さらに、この駆動電圧を低減させるのと同時に、凹部の内側部が基板と平行な方向に対してこの凹部の開口部を拡開させる方向に傾斜するように形成されて、この内側部の傾斜角度が３２°以下、好ましくは１４°以下になるように設定されていることによって、誘電体層のサステイン放電の発生部分に凹部が形成されることによって発生するエネルギ損失を従来のＰＤＰの場合よりも小さくすることが出来、これによって、凹部の形成によって発光効率が低下するのを防止することが出来る。
【００７１】
さらに、この凹部の形成によってサステイン放電時のエネルギ損失が低減されるのに伴って、最小サステイン放電電圧が上昇するのを防止することが出来、その結果、誘電体層のメモリ・マージンを改善することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来のＰＤＰの構成を示す正面図である。
【図２】この発明の実施形態の実施例を示す正面図である。
【図３】図２のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図４】ＰＤＰの凹部内側面の傾斜角度と発光効率の変化率との関係を示すグラブである。
【図５】この発明の変形例を示す正面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１１                …前面ガラス基板（一方の基板）
１２                …誘電体層  
１２Ａ，２２Ａ      …凹部
１２Ａａ，２２Ａａ  …内側面（内側部）
１２Ａｂ            …頂面
１３                …背面ガラス基板
１５                …隔壁
１６                …蛍光体層
Ｃ１                …放電セル（単位発光領域）
Ｄ１                …列電極
Ｘ１，Ｙ１          …行電極
Ｘ１ａ，Ｙ１ａ      …バス電極
Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂ      …透明電極
ｇ１                …放電ギャップ
θ                  …傾斜角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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