(57)【要約】【課題】微細化に際しても更なる集光効率の向上をはかり、高感度で、信頼性の高い固体撮像素子を提供する。【解決手段】本発明では層内レンズが、素子部全体にわたって第１層膜９ａと第２層膜９ｂとの２層膜で構成されたことを特徴とする。この層内レンズは、製造に際し、絶縁膜８の凹部内に、ＣＶＤ法により第１層膜９ａとしての窒化シリコン膜を成膜する工程と、この第１層膜表面にレジストＲ１を塗布し、レジストエッチバックにより、第１層膜９ａの高い部分である肩部を露呈せしめたのち、この第１層膜の凹部のアスペクト比が小さくなるように、レジストＲ１に対する第１層膜のエッチング速度が充分に高くなるような条件でエッチングを行ったのち、レジストＲ１を除去し、この第１層膜上に、第２層膜９ｂを形成するようにしたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを形成する工程と、
前記光電変換部の受光領域に相当する領域に、表面が、光電変換部に向かう凹部をもつように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に形成された前記凹部内に、層内レンズを形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法であって、
前記層内レンズを形成する工程が、
前記凹部内に、レンズ材からなる第１層膜を成膜する工程と、
前記第１層膜表面にレジストを塗布し、レジストエッチバックにより、前記第１層膜の高い部分である肩部を低くする工程と、
前記レジストを除去したのち、前記第１層膜上に、レンズ材からなる第２層膜を形成し、２層構造のレンズを形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記肩部を低くする工程は、
前記レジストエッチバックにより、肩部を露呈した後、
前記第１層膜の凹部のアスペクト比が小さくなるように、前記レジストに対する前記第１層膜のエッチング速度が充分に高くなるような条件でエッチングを行う選択エッチング工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第１層膜を成膜する工程は、ＣＶＤ工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第１層膜を成膜する工程は、塗布工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第２層膜を成膜する工程は、ＣＶＤ工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第１層膜を成膜する工程は、窒化シリコン膜を成膜する工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
請求項４に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第１層膜を成膜する工程は、ＳＯＧ膜を成膜する工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
請求項５に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第２層膜を成膜する工程は、窒化シリコン膜を成膜する工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかの固体撮像素子の製造方法で形成された固体撮像素子であって、
前記層内レンズが、全体にわたって、第１層膜と、この上層に形成された第２層膜との積層膜で構成された固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子およびその製造方法に係り、特に固体撮像素子の層内レンズの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エリアセンサ等の撮像デバイスであるＣＣＤを用いた固体撮像素子は、基本構造として、フォトダイオードなどの光電変換部と、この光電変換部からの電荷読み出し部と、読み出し電荷を転送するための電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する。この電荷転送電極は、半導体基板表面に形成された電荷転送チャネル上に複数個隣接して配置され、クロック信号で順次に駆動される。
【０００３】
近年、固体撮像素子においては、撮像画素数の増加により、画素の微細化が進んでいる。それに伴い光電変換部の微細化も進み高感度を維持することが、困難になっている。
【０００４】
そこで、開口部周辺に到達した光を効率よく光電変換部に集光するための種々の方法が提案されている。
【０００５】
例えば、図８に示すように、受光部の直上位置の平坦化膜に凹部を形成し、この凹部に高屈折率材料を埋め込むことにより、層内レンズ（高屈折率材料膜９）を形成し、集光効率を向上して、受光部に取り込む技術が開示されている（特許文献１、２）。
【０００６】
この固体撮像素子は、図９（ａ）乃至（ｄ）にその製造工程図を示すように、光電変換部としてのフォトダイオード３０上の領域に、ＢＰＳＧ（Boro Phosfo Silicate Glass）膜からなる絶縁膜８を形成して、加熱リフローを行い、下方に突出した形状となるようにレンズ形成のための形状加工を行う。この後この絶縁膜を加熱リフローして下凸形状表面を形成した後、プラズマＣＶＤ法により高屈折率材料膜９として窒化シリコン膜を充填し、ＣＭＰなどにより平坦化するという方法がとられることが多い。ところで窒化シリコン膜の成膜にはプラズマＣＶＤ法が用いられる。この場合、中心部にボイドＢが形成され、これが光散乱の原因となることがあった。４０は電荷転送部である。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−８７６８２号公報
【特許文献２】特開２００３−８６７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、上記従来の方法では下凸層内レンズの形成時に発生するボイドが、散乱を招き、これが集光効率低下の原因となっていた。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、微細化に際しても更なる集光効率の向上をはかり、高感度で、光学特性にすぐれた固体撮像素子を提供することを目的とする。
また本発明では、製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを形成する工程と、前記光電変換部の受光領域に相当する領域に、表面が、光電変換部に向かう凹部をもつように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に形成された前記凹部内に、層内レンズを形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法であって、前記層内レンズを形成する工程が、前記凹部内に、レンズ材からなる第１層膜を成膜する工程と、前記第１層膜表面にレジストを塗布し、レジストエッチバックにより、前記第１層膜の高い部分である肩部を低くする工程と、前記レジストを除去したのち、前記第１層膜上に、レンズ材からなる第２層膜を形成し、２層構造のレンズを形成する工程とを含むことを特徴とする。
この構成により、前記層内レンズを、第１層膜を形成してレジストエッチバックにより前記第１層膜の高い部分である肩部を低くし、アスペクト比を小さくした後、再度第２層膜を成膜するようにしているため、第２層膜はアスペクト比の低い領域に形成されることになり、ボイドのない高品質の膜を形成することが可能となる。ここでレンズ材とは後述するように窒化シリコン、酸窒化シリコンあるいは塗布膜であるＳＯＧ膜などをいうものとする。
【００１０】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記肩部を低くする工程は、
前記レジストエッチバックにより、肩部を露呈せしめた後、前記第１層膜の凹部のアスペクト比が小さくなるように、前記レジストに対する前記第１層膜のエッチング速度が充分に高くなるような条件でエッチングを行う選択エッチング工程とを含む。
この構成により、前記層内レンズを、第１層膜を形成してレジストエッチバックにより平坦化するとともに、選択比の高いエッチング条件で第１層膜の高い部分すなわち肩部を除去し、アスペクト比を小さくした後、再度第２層膜を成膜するようにしているため、第２層膜はアスペクト比の低い領域に形成されることになり、ボイドのない高品質の膜を形成することが可能となる。ここでレンズ材とは後述するように窒化シリコン、酸窒化シリコンあるいは塗布膜であるＳＯＧ膜などをいうものとする。
【００１１】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記第１層膜を成膜する工程は、ＣＶＤ工程であるものを含む。
この構成により、高品質の膜形成が可能となる。
【００１２】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記第１層膜を成膜する工程は、塗布工程であるものを含む。
この構成により、平坦性の高い膜形成が可能となる。
【００１３】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記第２層膜を成膜する工程は、ＣＶＤ工程であるものを含む。
この構成により、高品質の膜形成が可能となる。また、組成的には第１層膜と同一組成を持つように第２層膜を形成することも可能となる。
【００１４】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記第１層膜を成膜する工程は、窒化シリコン膜を成膜する工程であるものを含む。
この構成により、緻密でかつ屈折率の高い膜を形成することができ、集光効率の高い層内レンズを形成することが可能となる。
【００１５】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記第１層膜を成膜する工程は、ＳＯＧ膜を成膜する工程であるものを含む。
この構成により、形成が容易でかつ組成の調整も配合比を変更するのみでよく、屈折率を高精度に制御することができる。
【００１６】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記第２層膜を成膜する工程は、窒化シリコン膜を成膜する工程であるものを含む。
この構成により、形成が容易でかつ、減圧ＣＶＤを用いるなどの方法により、多少の被覆性を調整することができ、また組成比の調整により、容易に屈折率を調整でき、集光効率の向上を図ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように本発明では、ボイドのない埋め込みが可能となる。従って、ボイドのない均質で優れた膜質をもつ層内レンズを提供することができ、集光率が向上し、長波長領域の光も効率よく受光領域に集光することができ、低照度時あるいは斜め入射光である場合にも、入射光の大半がフォトダイオード上に集光される。また形状も簡単であり、小型化、薄型化が可能となる。従って、集光効率を高めることができることから、デジタルカメラへの適用に際しては、高速シャッターを用いることが可能となり、手ぶれ、被写体ぶれの少ない画像を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に本発明の実施の形態を図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
この固体撮像素子は、図１および図２に、断面図および平面図（図１は図２のＡ−Ａ断面図である）を示すように、表面にｐウェル（図示せず）、およびｎ型半導体層（図示せず）が形成されたシリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を介して配列形成される複数の電荷転送電極３が、ゲート酸化膜２上に所定の間隔で形成された電極間絶縁膜４によって複数の電荷転送電極に分離形成され、光電変換部としてのフォトダイオード３０の受光領域に開口を有する遮光膜７で被覆するとともに、このフォトダイオード３０の受光領域に層内レンズを形成した固体撮像素子であって、この層内レンズが、素子部全体にわたって第１層膜９ａと第２層膜９ｂとの２層膜で構成されたことを特徴とする。この層内レンズは、製造に際し、絶縁膜８の凹部内に、ＣＶＤ法により第１層膜９ａとしての窒化シリコン膜を成膜する工程と、この第１層膜表面にレジストＲ１を塗布し、レジストエッチバックにより、第１層膜９ａの高い部分である肩部を露呈せしめたのち、この第１層膜の凹部のアスペクト比が小さくなるように、レジストＲ１に対する第１層膜のエッチング速度が充分に高くなるような条件でエッチングを行ったのち、レジストＲ１を除去し、この第１層膜上に、第２層膜９ｂを形成するようにしたことを特徴とする。５は電荷転送電極の周りを覆う酸化シリコン膜からなる絶縁膜である。
【００２０】
またフォトダイオード３０の受光領域は窒化シリコン膜からなる反射防止膜６を介して下凸形状の表面をもつＢＰＳＧ膜からなる絶縁膜８が形成され、この上層にＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜からなる第１層膜９ａとＣＶＤ窒化シリコン膜からなる第２層膜９ｂとで構成された層内レンズが形成されている。この層内レンズ９の上層は窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜１０で被覆され、この上層に形成される酸化シリコン膜１１上にカラーフィルタ層５０が形成される。そしてこの上層は、透光性の有機膜からなる平坦化膜７１を介してレンズ６０が形成されている。
【００２１】
なお、シリコン基板１には、図２に平面図を示すように、複数のフォトダイオード３０が形成され、フォトダイオードで検出した信号電荷を転送するための電荷転送部４０が、フォトダイオード３０の間に蛇行形状を呈するように形成される。電荷転送部４０によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネルは、図示していないが、電荷転送部４０が延在する方向と交差する方向に、やはり蛇行形状を呈するように形成される。
【００２２】
また、ｐウェルの形成されたシリコン基板１内には、ｐｎ接合を備えたフォトダイオード３０、電荷転送チャネル、チャネルストップ領域、電荷読み出し領域が形成され、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４と電荷転送電極３（電荷転送部４０）が形成される。ここでゲート酸化膜２は熱酸化によって形成された酸化シリコン膜と減圧ＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜と、熱酸化法によって形成された酸化シリコン膜との３層膜で構成される。
【００２３】
すなわち、電荷転送部４０は、シリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を介して形成された、第１層ドープトアモルファスシリコン膜からなる第１層電極と、第２層ドープトアモルファスシリコン膜からなる第２層電極とが酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４を介して並置され、単層電極構造を構成している。
【００２４】
そしてこの第１および第２層電極の上層は、酸化シリコン膜５で被覆されており、フォトダイオード３０の表面から、酸化シリコン膜５の一部にのりあげるように膜厚３０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜６が形成されている。そしてフォトダイオード３０上は、絶縁膜８を介して第１層膜９ａと第２層膜９ｂとからなる２層構造のレンズが形成されているが、電荷転送部の上層は、遮光膜７、ＢＰＳＧ膜からなる絶縁膜９、窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜１０が形成される。
【００２５】
次にこの固体撮像素子の製造工程について説明する。
図３乃至図５はこの固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
まず、通常の方法で単層電極構造の電荷転送電極を形成する。すなわち不純物濃度１．０×１０１６ｃｍ−３程度のｎ型のシリコン基板１表面に、膜厚２５ｎｍの酸化シリコン膜と、膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜と、膜厚１０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、３層構造のゲート酸化膜２を形成する。
【００２６】
続いて、このゲート酸化膜２上に、ＰＨ３とＮ２とＳｉＨ４を用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．２５μｍのリンドープの第１層ドープトアモルファスシリコン膜を形成する。このときの基板温度は５００〜６００℃とする。
【００２７】
この後、フォトリソグラフィにより第１層ドープトアモルファスシリコン膜をパターニングし、第１層電極（３）を形成し、この第１層電極表面を熱酸化することにより膜厚８０〜９０ｎｍの酸化シリコン膜４を形成する。このパターニングに際してはＨＢｒとＯ２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、第１層電極および周辺回路の配線を形成する。ここではＥＣＲ (電子サイクロトロン共鳴：Electron Cycrotoron Resonance)方式あるいはＩＣＰ（誘導結合Inductively Coupled Plasma）方式などのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【００２８】
そしてこの上層に同様にしてＰＨ３とＮ２とＳｉＨ４を用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．６μｍのリンドープの第２層ドープトアモルファスシリコン膜を形成し、ＣＭＰ（化学的機械研磨）法を用いて平坦化を行い、ゲート酸化膜２上に第１および第２層電極が並置されるように第２層電極（３）を形成する。そして、更にこの上層に熱酸化後膜厚８０〜９０ｎｍの酸化シリコン膜５を形成する。このとき、第１層ドープトアモルファスシリコン膜上が過度に酸化されないようにあらかじめ窒化シリコン膜で被覆しておくようにするのが望ましい。
【００２９】
そして、フォトダイオード上の窒化シリコン膜を除去した後、この上層にＨＴＯ薄膜１０ｎｍを減圧ＣＶＤ法により成膜し、さらにＣＶＤ法により膜厚３０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜６を形成する。
【００３０】
この後、スパッタリング法により密着性層（図示せず）としてのチタンナイトライド層を形成した後、ＣＶＤ法により遮光膜７としてのタングステン膜を形成する。そして、フォトリソグラフィにより、フォトダイオード部および周辺回路部の遮光膜７をエッチング除去することにより、パターニングする（図３（ａ））。そして膜厚２００ｎｍ程度のＢＰＳＧ膜を形成し、炉アニールにより８００〜８５０℃に加熱して、下凸形状の表面をもつ絶縁膜８を形成する（図３（ｂ））。
【００３１】
そして、この絶縁膜８上にプラズマＣＶＤ法により第１層膜９ａとしての窒化シリコン膜を膜厚４００ｎｍ程度となるように形成する。（図３（ｃ））。このときの成膜条件は、Ｎ２（４５００ｓｃｃｍ）、ＳＨ４（１３０ｓｃｃｍ）、ＮＨ３（２３０ｓｃｃｍ）とし、屈折率１、９１の高屈折率膜が得られる。
【００３２】
この後、図４（ａ）に示すように、レジストＲ１を膜厚５００ｎｍ程度となるように塗布する。この後レジストエッチバックを行い、第１層膜９ａの高い部分（肩部）を露呈せしめる。そして第１層膜９ａの低い部分にのみ残留したレジストＲ１に対して、第１層膜９ａのエッチング速度が速くなるような選択的条件を用いて、第１層膜９ａの肩部を選択的にエッチングし、図４（ｂ）に示すように、なだらかな表面をもつようにする。
【００３３】
そして図４（ｃ）に示すように、レジストＲ１を除去し、なだらかな表面をもつ第１層膜９ａを得る。
【００３４】
この後、第１層膜９ａ上にＣＶＤ法により第２層膜９ｂとしての窒化シリコン膜を膜厚８００ｎｍ程度となるように形成する（図５（ａ））。このとき平坦化によってなだらかにされた第１層膜上であるためアスペクト比も小さく、ボイドやひげのない均質で高品質の窒化シリコン膜を形成することが可能となる。
【００３５】
そして、この第２層膜９ｂ上にレジストエッチバックを行い、図５（ｂ）に示すように、レジストＲ２を塗布し、レジストエッチバックにより窒化シリコン膜９ｂ表面の平坦化を行う（図５（ｃ））。
【００３６】
この後、プラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜としての窒化シリコン膜１０を形成し、フォトリソグラフィによりボンディングパッド上を開口するようにコンタクト部に図示しない開口を形成する。
【００３７】
最後に、平坦化膜１１を形成した後、カラーフィルタ層５０を形成し、さらに平坦化膜７１を塗布形成後、レンズ６０を形成するためのレジストパターンを形成し、これをリフローすることにより、所望の曲率を形成するように成形し、レンズを形成する。
このようにして、図１に示したような固体撮像素子が完成する。
【００３８】
この方法によれば、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜からなる第１層膜９ａを形成して、図６（ａ）乃至（ｄ、）にこの工程を模式的に拡大した説明図を示すようにレジストＲ１を塗布し（図６（ａ））、レジストエッチバックにより、第１層膜の肩部を露呈させ、窒化シリコンのエッチング速度がレジストに対して十分に大きくなるようなエッチング条件で選択エッチングを行い肩部をエッチングし、第１層膜の平坦化を行う（図６（ｂ））。なおここでは、レジストエッチバックにより、肩部を露呈した後、前記第１層膜の凹部のアスペクト比が小さくなるように、前記レジストに対する前記第１層膜のエッチング速度が充分に高くなるような条件で選択エッチングを行うようにした。つまり窒化シリコンのエッチング速度がレジストに対して十分に大きくなるようなエッチング条件を選択したが、レジストと同等のエッチング条件を用いるようにしてもよい。
【００３９】
このように、レジストＲ１を除去し、この一連の工程により、アスペクト比を緩和してから、窒化シリコン膜からなる第２層膜９ｂを形成して（図６（ｃ））、エッチバックすることにより表面を平坦化し（図６（ｄ））、第１層膜９ａと第２層膜９ｂとの２層膜からなる層内レンズを構成しているため、被覆性が高められ、アスペクト比の高い下凸レンズを形成する際にも、ボイドを形成することなく、容易に膜質の良好な高屈折率材料の充填が可能となり、高品質の層内レンズを形成することが可能となる。またプラズマＣＶＤ法によって形成した窒化シリコン膜は、塗布膜に比べて膜質が良好で、緻密であるため、膜質の低下などを生じる恐れもない。
このようにして形成された固体撮像素子は、伝送効率の良好な層内レンズを有し、高感度で信頼性の高いものとなっている。
【００４０】
また、一連の製造工程が効率化され製造コストの低減が容易になる。
また、表面が平坦となるように形成された層内レンズ上にカラーフィルタ層を形成しているため、高精度のパターニングが可能となり、混色不良を生じることもない。
【００４１】
また前記実施の形態では、電極を形成する導電性膜としてドープトアモルファスシリコン層を用いたが、これをアニールすることによって形成したドープトポリシリコン膜を用いてもよく、またノンドープのアモルファスシリコン層を成膜し、成膜後ドーピングを行なうようにしてもよい。
【００４２】
なお、層内レンズとしては、窒化シリコン膜に限定されることなく、高屈折率カラー膜を形成するようにしてもよい。
また、遮光膜８は、電荷転送電極の上層だけでなく電荷転送電極の側部も覆うように形成することにより、確実に電荷転送部への光を遮断することができる。
【００４３】
なお層内レンズを構成する絶縁膜については、適宜調整可能である。また、第１層膜はＣＶＤ法によって形成した窒化シリコン膜を用いたが、塗布法によりＳＯＧなどを形成するようにしてもよい。ＳＯＧの場合には、ＳＯＧ中に含有する絶縁物などの組成比を調整することにより屈折率を制御することが可能となる。
この第１層膜と第２層膜とは屈折率が等しくなるように形成することにより、感度の向上など光学特性が向上するという効果がある。
【００４４】
（実施の形態２）
また、前記実施の形態では、層内レンズを構成する第１層膜９ａと第２層膜９ｂとは屈折率が等しくなるように形成したが、図７に示すように、第１層膜９ｓよりも第２層膜９ｂの屈折率が高くなるようにし、多重屈折により、より集光効率を高めることも可能である。他は前記実施の形態１と同様である。
これにより、感度の向上など光学特性が向上するという効果がある。
【００４５】
このときの成膜条件は、実施の形態１と同様、Ｎ２（４５００ｓｃｃｍ）、ＳｉＨ４（１３０ｓｃｃｍ）、ＮＨ３（２３０ｓｃｃｍ）とし、成膜温度４００℃としたとき屈折率１．９１の高屈折率膜が得られるが、Ｎ２（３８５０ｓｃｃｍ）、ＳｉＨ４（２７０ｓｃｃｍ）、ＮＨ３（９５ｓｃｃｍ）とし、成膜温度４００℃としたとき屈折率２．００の高屈折率膜が得られる。このようにガス流量を調整することにより、屈折率は容易に制御可能である。
【００４６】
なお前記実施の形態では第１層膜９ｓおよび第２層膜９ｂの形成についてはＣＶＤ法により酸窒化シリコン膜を形成し、屈折率を酸素と窒素の組成比で調整することも可能であるが、塗布法によってＳＯＧ膜の組成を調整するようにしてもよい。
【００４７】
また、ここでレンズ材とは窒化シリコン、酸窒化シリコンあるいは塗布膜であるＳＯＧ膜などをいうものとする。
【００４８】
なお、本発明は、前記実施の形態に限定されることなく、本発明の技術思想の範囲内において、適宜可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上、説明したように本発明の固体撮像素子は、微細化に際しても集光効率を高めることができ、小型化が可能でかつ、製造が容易であることから、デジタルカメラ、携帯電話などに用いられる小型の撮像素子として極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の断面概要図
【図２】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の平面図
【図３】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す要部拡大模式図
【図７】本発明の実施の形態２の固体撮像素子の断面概要図
【図８】従来例の固体撮像素子を示す断面図
【図９】従来例の固体撮像素子の製造工程を示す断面図
【符号の説明】
【００５１】
１    シリコン基板
２    ゲート酸化膜
３    電荷転送電極
４    電極間絶縁膜
５    絶縁膜
６    反射防止膜
７    遮光膜
８    絶縁膜
９ａ  ボトム部
９ｂ  トップ部
１０    パッシベーション膜
１１    平坦化膜
５０    カラーフィルタ層
６０    レンズ層
７１    平坦化膜
Ｒ１    レジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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