(57)【要約】      （修正有）【課題】所望のセンサーと電子部品とを有する複合センサーパッケージを提供する。【解決手段】複合センサーパッケージ１を、表面側にアクティブ面３を有するセンサー本体２と、このセンサー本体２のアクティブ面３に空隙部１０を介して対向する保護材１１と、センサー本体２の前記アクティブ面３よりも外側領域に環状に配設され空隙部１０を気密封止するようにセンサー本体２と保護材１１とを接合する接合部材８と、センサー本体２の裏面側に実装された電子部品１７と、この電子部品１７を封止する樹脂部材１８と、を備えたものとする。【選択図】図１
2007214441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側にアクティブ面を有するセンサー本体と、該センサー本体のアクティブ面に空隙部を介して対向する保護材と、前記センサー本体の前記アクティブ面よりも外側領域に環状に配設され前記空隙部を気密封止するように前記センサー本体と前記保護材とを接合する接合部材と、前記センサー本体の裏面側に実装された電子部品と、該電子部品を封止する樹脂部材と、を備えることを特徴とする複合センサーパッケージ。
【請求項２】
前記センサー本体は、裏面側に凹部を有し、前記電子部品は該凹部に実装され、前記樹脂部材は前記センサー本体の裏面と同一面をなすことを特徴とする請求項１に記載の複合センサーパッケージ。
【請求項３】
前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、前記保護材は複数の表裏導通ビアを有し、該表裏導通ビアはバンプを介して前記センサー本体の端子に接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の複合センサーパッケージ。
【請求項４】
前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、かつ、該端子に接続した表裏導通ビアを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の複合センサーパッケージ。
【請求項５】
前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、かつ、該端子に接続した表裏導通ビアを有し、前記保護材は複数の表裏導通ビアを有するとともに、該表裏導通ビアはバンプを介して前記センサー本体の端子に接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の複合センサーパッケージ。
【請求項６】
前記センサー本体は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部に前記アクティブ面を備えることを特徴する請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の複合センサーパッケージ。
【請求項７】
前記保護材は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部が前記アクティブ面と対向することを特徴する請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の複合センサーパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合センサーパッケージに係り、特にセンサーのアクティブ面が気密封止され、かつ、電子部品とを内蔵する複合センサーパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサー、加速度センサー等の各種ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）センサーが種々の用途に用いられている。例えば、イメージセンサーは、半導体チップの一方の面が、光電変換を行う受光素子が配設されたアクティブ面となっている。このようなセンサーは、アクティブ面を保護したり、センサーの稼動を確保するために、センサー本体のアクティブ面に空隙部を設けるように保護材が配設され気密封止されたパッケージ構造となっている（特許文献１、２）。
【特許文献１】特開平８−８８３３９号公報
【特許文献２】特開平１０−１３５４３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、例えば、シリコン基板上に複数のセンサーパッケージと電子部品を実装する場合、面方向の広がりが大きくなり、電子装置の小型化に限界があった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、所望のセンサーと電子部品とを有する複合センサーパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
このような目的を達成するために、本発明の複合センサーパッケージは、表面側にアクティブ面を有するセンサー本体と、該センサー本体のアクティブ面に空隙部を介して対向する保護材と、前記センサー本体の前記アクティブ面よりも外側領域に環状に配設され前記空隙部を気密封止するように前記センサー本体と前記保護材とを接合する接合部材と、前記センサー本体の裏面側に実装された電子部品と、該電子部品を封止する樹脂部材と、を備えるような構成とした。
【０００５】
本発明の他の態様として、前記センサー本体は、裏面側に凹部を有し、前記電子部品は該凹部に実装され、前記樹脂部材は前記センサー本体の裏面と同一面をなすような構成とした。
本発明の他の態様として、前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、前記保護材は複数の表裏導通ビアを有し、該表裏導通ビアはバンプを介して前記センサー本体の端子に接続されているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、かつ、該端子に接続した表裏導通ビアを有するような構成とした。
【０００６】
本発明の他の態様として、前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、かつ、該端子に接続した表裏導通ビアを有し、前記保護材は複数の表裏導通ビアを有するとともに、該表裏導通ビアはバンプを介して前記センサー本体の端子に接続されているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記センサー本体は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部に前記アクティブ面を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記保護材は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部が前記アクティブ面と対向するような構成とした。
【発明の効果】
【０００７】
このような本発明の複合センサーパッケージは、アクティブ面を有するセンサー本体の裏面に電子部品を備えるので、他の基板等への実装における面方向の広がりが抑制され、電子装置の小型化が可能である。また、センサー本体裏面の凹部に電子部品を実装して備え、樹脂部材がセンサー本体の裏面と同一面をなす場合には、更なる薄型化が可能であり、また、センサー本体や保護材が接合部材よりも外側領域に表裏導通ビアを備える場合には、表裏導通ビアの一部にボイド等の欠陥が存在しても、アクティブ面が位置する空隙部は良好な気密状態が維持され、アクティブ面の汚染が確実に防止され信頼性が高いものである。また、保護材とセンサー本体の双方に表裏導通ビアを備える場合には、スタック構造の複合センサーパッケージの製造が容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の複合センサーパッケージの一実施形態を示す概略断面図である。図１において、本発明の複合センサーパッケージ１は、表面に凹部４ａとアクティブ面３を有するセンサー本体２と、このセンサー本体２のアクティブ面３に空隙部１０を介して対向する保護材１１とを備えている。保護材１１は、アクティブ面３よりも外側領域に環状に配設された接合部材８により、空隙部１０を気密封止するようにセンサー本体２に接合されている。また、センサー本体２の裏面には、電子部品１７と、この電子部品１７を封止する樹脂部材１８とを備えている。
【０００９】
複合センサーパッケージ１を構成するセンサー本体２は、凹部４ａにアクティブ面３を有しており、また、接合部材８よりも外側の領域には複数の端子５を備えている。センサー本体２には特に制限はなく、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサーや、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）センサー等であってよい。尚、上記のアクティブ面３は、例えば、光電変換を行う受光素子が複数の画素をなすように配列された領域等、センサーの所望の検知機能を発現する領域を意味する。
アクティブ面３が位置する凹部４ａの深さは、任意に設定することができ、例えば、３〜１００μｍの範囲で設定することができる。また、上記の端子５は、図示しない引き出し配線等によりアクティブ面の所望の部位と接続されている。端子５の材質は、例えば、銅、銀、金、錫等とすることができる。
【００１０】
複合センサーパッケージ１を構成する保護材１１は、接合部材８よりも外側の領域に複数の表裏導通ビア１２を備えており、この表裏導通ビア１２の端部には端子１３，１４が配設されている。そして、表裏導通ビア１２は、バンプ９を介してセンサー本体２の端子５に接続されている。この保護材１１の材質は、複合センサーパッケージ１の用途に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス、シリコン、セラッミク等を挙げることができ、保護材１１の厚みは、材質、光透過性等を考慮して、例えば、０．３〜１ｍｍの範囲で設定することができる。
また、保護材１１の表裏導通ビア１２の材質は、銅、銀、金、錫等の導電材料、あるいは、これらの導電材料を含有する導電ペーストとすることができる。また、バンプ９、端子１３，１４の材質は、銅、銀、金、錫等の導電材料とすることができる。
尚、本発明では、表裏導通ビア１２は接合部材８よりも内側であって、アクティブ面３よりも外側の領域に位置するものであってもよい。
【００１１】
接合部材８は、例えば、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の絶縁樹脂であってよく、また、これらにガラス、セラミックス等のビーズを含有したものであってもよい。さらに、特に気密封止が重要とされる場合には、接合部材８は、ろう材層を金属層で挟持したような多層構造であってもよい。この場合、ろう材層は、融点が４５０℃以下である、いわゆる「軟ろう」であり、例えば、Ｓｎ−Ａｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｉｎ−Ｐｂ合金のいずれかからなる層とすることができる。また、金属層は、例えば、Ａｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｃｒ積層、Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ｃｕ／Ｃｒ積層等とすることができる。
このような接合部材８の高さ、幅は空隙部１０の厚みを考慮して設定することができ、例えば、高さは３〜１００μｍ、幅は２０〜２００μｍの範囲で適宜設定することができる。
【００１２】
センサー本体２のアクティブ面３と保護材１１の間に存在する空隙部１０の厚みは、例えば、３〜１００μｍの範囲で設定することができる。この空隙部１０は、アクティブ面３の保護のために、不活性ガス、窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０-2〜１０-5Ｐａ程度の低圧状態であってもよい。
センサー本体２の裏面に実装される電子部品１７は、特に制限はなく、ＩＣチップ、ＬＳＩチップ、ＬＣＲ回路部品等のいずれか１種または２種以上とすることができる。また、センサー本体２への電子部品１７の実装方式は特に制限はない。上記の電子部品１７は、図示しない配線、貫通ビア等によりアクティブ面の所望の部位、あるいは、端子５等に接続されている。
また、樹脂部材１８は、従来から樹脂封止に用いられる樹脂を使用することができ、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を挙げることができる。
【００１３】
このような本発明の複合センサーパッケージ１は、アクティブ面３を有するセンサー本体２の裏面に電子部品１７を備え、また、保護材１１の表裏導通ビア１２を介して外部と接続できるので、他の基板等への実装における面方向の広がりが抑制され、電子装置の小型化が可能である。さらに、上述の実施形態では、接合部材８よりも外側の領域に表裏導通ビア１２を備えるので、表裏導通ビア１２の一部にボイド等の欠陥が存在しても、アクティブ面３が位置する空隙部１０は良好な気密状態が維持される。
【００１４】
図２は、本発明の複合センサーパッケージの他の実施形態を示す概略断面図である。図２において、本発明の複合センサーパッケージ２１は、表面に凹部２４ａとアクティブ面２３を有し裏面に凹部２４ｂを有するセンサー本体２２と、このセンサー本体２２のアクティブ面２３に空隙部３０を介して対向する保護材３１とを備えている。この保護材３１は、アクティブ面２３よりも外側領域に環状に配設された接合部材２８により、空隙部３０を気密封止するようにセンサー本体２２に接合されている。また、センサー本体２２は、接合部材２８よりも外側の領域に複数の端子２５を備えており、また、これらの端子２５に接続した複数の表裏導通ビア２６を接合部材２８よりも外側の領域に備えている。さらに、センサー本体２２の裏面の凹部２４ｂには、電子部品３７が実装され、この電子部品３７を封止するように凹部２４ｂに充填された樹脂部材３８は、センサー本体２２の裏面と同一面をなしている。
【００１５】
複合センサーパッケージ２１を構成するセンサー本体２２は、端子２５に接続した複数の表裏導通ビア２６を備えている点、裏面の凹部２４ｂに電子部品３７と樹脂部材３８を備えている点を除いて、上述のセンサー本体２と同様である。したがって、アクティブ面２３、凹部２４ａ、端子２５は、センサー本体２のアクティブ面３、凹部４ａ、端子５と同様とすることができる。
センサー本体２２の表裏導通ビア２６の材質は、銅、銀、金、錫等の導電材料、あるいは、これらの導電材料を含有する導電ペーストとすることができる。
【００１６】
また、電子部品３７が実装される凹部２４ｂの深さは、電子部品３７の厚み等を考慮して適宜設定することができ、例えば、１００〜４００μｍの範囲で設定することができる。また、上記の端子２５は、図示しない引き出し配線等によりアクティブ面の所望の部位と接続されている。一方、電子部品３７は、図示しない配線、貫通ビア等によりアクティブ面の所望の部位、あるいは、端子２７等に接続されている。この電子部品３７は、上述の電子部品１７と同様とすることができる。また、樹脂部材３８も上述の複合センサーパッケージ１を構成する樹脂部材１８と同様とすることができる。
複合センサーパッケージ２１を構成する接合部材２８、端子２５，２７の材質は、上述の複合センサーパッケージ１を構成する接合部材８、端子１３，１４と同様とすることができる。
【００１７】
また、複合センサーパッケージ２１を構成する保護材３１は、表裏導通ビアを備えておらず、対向するセンサー本体２２の端子２５との接続がなされていない他は、上述の保護材１１と同様である。
さらに、センサー本体２２のアクティブ面２３と保護材３１の間に存在する空隙部３０の厚みは、上述の複合センサーパッケージ１を構成する空隙部１０と同様に、例えば、３〜１００μｍの範囲で設定することができる。この空隙部３０も、アクティブ面２３の保護のために、不活性ガス、窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０-2〜１０-5Ｐａ程度の低圧状態であってもよい。
【００１８】
このような本発明の複合センサーパッケージ２１は、アクティブ面２３を有するセンサー本体２２の裏面の凹部２４ｂに電子部品３７を備え、かつ、樹脂部材３８がセンサー本体２２の裏面と同一面をなし、また、センサー本体２２の表裏導通ビア２６を介して外部と接続できるので、他の基板等への実装における面方向の広がりが抑制され、電子装置の小型化、薄型化が可能である。さらに、上述の実施形態では、接合部材２８よりも外側の領域に表裏導通ビア２６を備えるので、表裏導通ビア２６の一部にボイド等の欠陥が存在しても、アクティブ面２３が位置する空隙部３０は良好な気密状態が維持される。
【００１９】
図３は、本発明の複合センサーパッケージの他の実施形態を示す概略断面図である。図３において、本発明の複合センサーパッケージ４１は、表面に凹部４４ａとアクティブ面４３を有し裏面に凹部４４ｂを有するセンサー本体４２と、このセンサー本体４２のアクティブ面４３に空隙部５０を介して対向する保護材５１と、アクティブ面４３よりも外側の領域に環状に配設され空隙部５０を気密封止するようにセンサー本体４２と保護材５１とを接合する接合部材４８とを備えている。
上記のセンサー本体４２は接合部材４８よりも外側の領域に複数の端子４５を備えており、また、これらの端子４５に接続した複数の表裏導通ビア４６を接合部材４８よりも外側領域に備えている。さらに、センサー本体４２の裏面の凹部４４ｂには、電子部品５７が実装され、この電子部品５７を封止するように凹部４４ｂに充填された樹脂部材５８は、センサー本体４２の裏面と同一面をなしている。
【００２０】
一方、保護材５１は、接合部材４８よりも外側の領域に複数の表裏導通ビア５２を備えており、この表裏導通ビア５２の端部には端子５３，５４が配設されている。そして、表裏導通ビア５２は、バンプ４９を介してセンサー本体４２の端子４５に接続されている。
このような複合センサーパッケージ４１を構成するセンサー本体４２は、上述の複合センサーパッケージ２１を構成するセンサー本体２２と同様とすることができる。また、保護材５１は、上述の複合センサーパッケージ１を構成する保護材１１と同様とすることができる。
また、複合センサーパッケージ４１を構成する接合部材４８、バンプ４９の材質は、上述の複合センサーパッケージ１を構成する接合部材８、バンプ９と同様とすることができる。
【００２１】
複合センサーパッケージ４１を構成する電子部品５７は、図示しない配線、貫通ビア等によりアクティブ面４３の所望の部位、あるいは、端子４７等に接続されている。このような電子部品５７は、上述の複合センサーパッケージ１を構成する電子部品１７と同様とすることができる。また、樹脂部材５８の材質は、上述の複合センサーパッケージ１を構成する樹脂部材１８の材質と同様とすることができる。
さらに、センサー本体４２のアクティブ面４３と保護材５１の間に存在する空隙部５０の厚みは、上述の複合センサーパッケージ１を構成する空隙部１０と同様に、例えば、３〜１００μｍの範囲で設定することができる。この空隙部５０も、アクティブ面４３の保護のために、不活性ガス、窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０-2〜１０-5Ｐａ程度の低圧状態であってもよい。
【００２２】
このような複合センサーパッケージ４１は、アクティブ面４３を有するセンサー本体４２の裏面の凹部４４ｂに電子部品５７を備え、かつ、樹脂部材５８がセンサー本体４２の裏面と同一面をなし、また、センサー本体４２と保護材５１の双方に表裏導通ビア４６，５２を備えているので、図４に示すように、スタック構造の複合センサーパッケージの製造が容易である。図示例では、２個の複合センサーパッケージ４１を積層しているが、個数に制限はない。また、積層される複合センサーパッケージのセンサー本体の機能が異なるものであってもよい。
上述の複合センサーパッケージは、例示であり、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、図示例では、センサー本体の裏面に実装される電子部品は１個であるが、２個以上の電子部品を実装するものであってもよい。
【００２３】
また、図５に示される複合センサーパッケージ１′のように、保護材１１として、アクティブ面３と対向する面に、アクティブ面３の形状に対応した凹部１５を備えたものを使用してもよい。この場合、凹部１５の深さは、任意に設定することができ、例えば、２００〜４００μｍの範囲で設定することができる。
さらに、図６に示される複合センサーパッケージ１″のように、保護材１１として、アクティブ面３と対向する面に、アクティブ面３の形状に対応した凹部１５を備えたものを使用し、センサー本体２の表面には凹部を有していないものであってもよい。この例では、センサー本体２は裏面に凹部４ｂを有し、この凹部４ｂに電子部品１７が実装され、これを封止するように凹部４ｂに充填された樹脂部材１８は、センサー本体２の裏面と同一面をなしている。
【００２４】
また、接合部材の環状は、センサー本体のアクティブ面の形状、アクティブ面が位置する凹部の形状等を考慮して適宜設定することができる。
また、センサー本体と保護材は同じ対向面形状、同じ寸法であってもよく、異なる対向面形状、異なる寸法であってもよい。
また、図２、図３、図４、図６において、電子部品３７，５７，１７を封止すべく凹部２４ｂ，４４ｂ，４ｂに充填された樹脂部材３８，５８，１８は、センサー本体２２，４２，２の裏面と同一面となっているが、本発明では、樹脂部材３８，５８，１８がセンサー本体２２，４２，２の裏面よりも多少凹形状となってもよい。
さらに、保護材１１の端子１４、センサー本体２２の端子２７、センサー本体４２の端子４７、保護材５１の端子５４に、はんだボールを備えるものであってもよい。
【実施例】
【００２５】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
まず、厚み６２５μｍのシリコンウエハを準備し、一辺５ｍｍである正方形で多面付けに区画した。
次いで、このシリコンウエハの各面付け毎に、表面側に、４０００μｍ×４０００μｍ、深さ３００μｍの凹部を形成した。この凹部は、シリコンウエハの両面にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製  ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、凹部形成用フォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成し、次いで、レジストパターンをマスクとし、ウエットエッチングにより形成した。
【００２６】
次に、シリコンウエハの表面側の凹部内に、従来の手法によりＭＥＭＳセンサー（アクティブ面寸法：３５００μｍ×３５００μｍ）を作製してセンサー本体とした。各センサー本体は、アクティブ面の周囲に２０個（１辺５個）の端子を備えるものであった。
次いで、各センサー本体の裏面側に、電子部品を実装するための端子と配線を形成した。次に、上記の端子に電子部品としてのキャパシター素子（厚み２８０μｍ）をダイボンド方式により実装した。その後、各センサー本体の裏面側の電子部品を被覆するように、エポキシ樹脂をディスペンサーにより供給し、硬化処理を施して樹脂封止を行った。
次に、各面付け毎に、センサー本体の端子にＡｕ線を用いてスタッドバンプ法により接続用のＡｕバンプを形成した。また、センサー本体のアクティブ面を有する凹部と端子が配設されている領域との中間の領域に、樹脂組成物（協立化学産業（株）製  ワールドロック）をスクリーン印刷により塗布し、半硬化させて、接合部材（幅３０μｍ、高さ２０μｍ）を形成した。
【００２７】
次に、上記の多面付けのシリコンウエハをダイシングして、５ｍｍ×５ｍｍのセンサー本体を得た。
一方、厚み５５０μｍのガラス基板を保護材として準備し、多面付けに区画（１辺７ｍｍである正方形）した。次に、このガラス基板の両面にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製  ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、表裏導通ビア形成用フォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成した。次いで、レジストパターンをマスクとし、ウエットエッチングにより微細貫通孔を形成した。この微細貫通孔の開口径は、ガラス基板面で７０μｍ、中央部で５０μｍであった。
次に、レジストパターン上からガラス基板の一方の面にスパッタリング法により銅薄膜を形成して下地導電層とした。この下地導電層は微細貫通孔の内壁面にも形成された。次いで、下地導電層を給電層として電解銅めっきにより微細貫通孔内に銅を充填し、その後、不要なレジストパターン、下地導電層、銅層を除去して、表裏導通ビアを形成した。この表裏導通ビアは、上記の各センサー本体の複数の端子に対応した位置に配設した。
【００２８】
次に、ガラス基板の各面付け毎に、センサー本体を、接合部材がガラス基板面に当接し、バンプが表裏導通ビアに接続されるように位置合せして固着した。
次に、上述の多面付けのガラス基板をダイシングして、電子部品を備えたセンサー本体とガラス基板（保護材）が一体化された図１に示されるような本発明のセンサーパッケージを得た。このセンサーパッケージは、厚みが約１ｍｍであり、ガラス基板の寸法は、５ｍｍ×５ｍｍであった。
【００２９】
［実施例２］
まず、厚み６２５μｍのシリコンウエハを準備し、一辺５ｍｍである正方形で多面付けに区画した。
次いで、このシリコンウエハの各面付け毎に、表面側および裏面側に、４０００μｍ×４０００μｍ、深さ４００μｍの凹部を形成した。この凹部は、シリコンウエハの両面にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製  ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、凹部形成用フォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成し、次いで、レジストパターンをマスクとし、ウエットエッチングにより形成した。
【００３０】
次に、シリコンウエハの両面に再度ポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製  ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、表裏導通ビア形成用フォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成した。次いで、レジストパターンをマスクとし、ウエットエッチングにより微細貫通孔を形成した。この微細貫通孔の開口径は、ガラス基板面で１５０μｍ、中央部で１００μｍであった。次に、レジストパターン上からシリコンウエハの一方の面にスパッタリング法により銅薄膜を形成して下地導電層とした。この下地導電層は微細貫通孔の内壁面にも形成された。次いで、下地導電層を給電層として電解銅めっきにより微細貫通孔内に銅を充填し、その後、不要なレジストパターン、下地導電層、銅層を除去して、表裏導通ビアを形成した。
【００３１】
次に、シリコンウエハの表面側の凹部内に、従来の手法によりＭＥＭＳセンサー（アクティブ面寸法：３５００μｍ×３５００μｍ）を作製してセンサー本体とした。各センサー本体は、アクティブ面の周囲に２０個（１辺５個）の端子を備えるものであった。この端子は、上記の表裏導通ビア上に配設した。
次いで、各センサー本体の裏面側の凹部内に、電子部品を実装するための端子を形成し、また、各端子と所望の表裏導通ビアと接続する配線を形成した。次に、上記の凹部内の端子に電子部品としてのレジスタ（厚み３８０μｍ）をダイボンド方式により実装した。その後、各センサー本体の裏面側の凹部にエポキシ樹脂をディスペンサーにより供給して充填し、レベリングさせ、硬化処理を施した。これにより、センサー本体の裏面に電子部品を樹脂封止し、かつ、センサー本体の裏面は平坦面をなすものとした。
【００３２】
次に、上記の多面付けのシリコンウエハをダイシングして、５ｍｍ×５ｍｍのセンサー本体を得た。
一方、厚み５５０μｍのガラス基板を保護材として準備し、多面付けに区画（１辺７ｍｍである正方形）した。
次に、ガラス基板の各面付け毎に、センサー本体を、接合部材をガラス基板面に固着させて接合した。
次に、上述の多面付けのガラス基板をダイシングして、電子部品を内蔵したセンサー本体とガラス基板（保護材）が一体化された図２に示されるような本発明の複合センサーパッケージを得た。この複合センサーパッケージは、厚みが約０．８ｍｍであり、ガラス基板の寸法は、６ｍｍ×６ｍｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
小型で高信頼性の複合センサーパッケージが要求される種々の分野において適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の複合センサーパッケージの一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の複合センサーパッケージの他の実施形態を示す概略断面図である。
【図３】本発明の複合センサーパッケージの他の実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本発明の複合センサーパッケージの他の実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本発明の複合センサーパッケージの他の実施形態を示す概略断面図である。
【図６】本発明の複合センサーパッケージの他の実施形態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１，１′，１″，２１，４１…複合センサーパッケージ
２，２２，４２…センサー本体
３，２３，４３…アクティブ面
４ａ，２４ａ，４４ａ…凹部
４ｂ，２４ｂ，４４ｂ…凹部
５，２５，４５…端子
８，２８，４８…接合部材
１０，３０，５０…空隙部
１１，３１，５１…保護材
１２，２６，４６，５２…表裏導通ビア
１７，３７，５７…電子部品
１８，３８，５８…樹脂部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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