(57)【要約】【課題】 浮上基準位置と浮上位置とのずれが継続した場合でも積分要素のオーバーフローが防止される磁気軸受装置を提供する。【解決手段】  複数対の電磁石により回転体5がアキシアル制御軸方向およびラジアル制御軸方向に非接触支持される。磁気軸受装置は、各制御軸方向について、回転体の位置を検出して位置検出信号を出力する位置検出手段、浮上基準位置信号を出力する浮上基準位置信号出力手段、浮上基準位置信号および位置検出信号に基づいて少なくとも積分出力を含む電磁石制御信号を出力する電磁石制御信号出力手段、ならびに上記電磁石制御信号に基づいて上記電磁石を駆動する電磁石駆動手段を備えている。電磁石制御信号出力手段は、浮上基準位置信号と位置検出信号との差が所定値以下の場合に積分入力をゼロとする積分入力制限手段と、積分出力を所定値以下に制限する積分出力制限手段とを有している。【選択図】    図４
2007263144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数対の電磁石の磁気吸引力により回転体を互いに直交するアキシアル制御軸方向および２つのラジアル制御軸方向に非接触支持して磁気浮上させる制御型アキシアル磁気軸受および制御型ラジアル磁気軸受を備えており、上記各制御軸方向について、上記回転体を該制御軸方向の両側から挟むように配置された１対の電磁石、上記回転体の該制御軸方向の位置を検出して位置検出信号を出力する位置検出手段、浮上基準位置信号を出力する浮上基準位置信号出力手段、上記浮上基準位置信号および位置検出信号に基づいて少なくとも積分出力を含む電磁石制御信号を出力する電磁石制御信号出力手段、ならびに上記電磁石制御信号に基づいて上記電磁石を駆動する電磁石駆動手段を備えている磁気軸受装置において、
上記電磁石制御信号出力手段は、上記浮上基準位置信号と上記位置検出信号との差が所定値以下の場合に積分入力をゼロとする積分入力制限手段と、積分出力を所定値以下に制限する積分出力制限手段とを有していることを特徴とする磁気軸受装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気軸受装置、さらに詳しくは、複数組の磁気軸受で回転体をアキシアル制御軸方向およびラジアル制御軸方向に非接触支持して磁気浮上させる磁気軸受装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の磁気軸受装置として、回転体をアキシアル制御軸方向およびラジアル制御軸方向に非接触支持する複数の電磁石を有する複数の制御型磁気軸受、回転体のアキシアル制御軸方向およびラジアル制御軸方向の位置を検出して位置検出信号を出力する位置検出装置、位置検出信号に基づいて磁気軸受の電磁石を制御する電磁石制御装置、ならびに回転体のアキシアル制御軸方向およびラジアル制御軸方向の可動範囲を機械的に規制する機械的規制手段としての保護軸受（タッチダウン軸受）を備えているものが知られている（特許文献１）。
【０００３】
各磁気軸受は、回転体を制御軸方向の両側から挟んで対向する１対の電磁石を１組あるいは２組備えている。位置検出装置は複数の位置センサを備えており、通常、アキシアル制御軸方向の位置センサには、回転体の位置検出端面にアキシアル制御軸方向の一方から対向する１個のアキシアル位置センサが含まれ、ラジアル制御軸方向の位置センサには、回転体を互いに直交する２つの制御軸方向の両側から挟んで対向する複数対のラジアル位置センサが含まれている。電磁石制御装置は、各制御軸方向について、浮上基準位置信号を出力する浮上基準位置信号出力手段、浮上位置基準信号および位置検出信号に基づいて電磁石制御信号を出力する電磁石制御信号出力手段、ならびに電磁石制御信号に基づいて電磁石を駆動する電磁石駆動手段を備えている。
【０００４】
各制御軸の電磁石制御信号出力手段は、該制御軸の１対の電磁石に対する励磁電流信号を出力し、電磁石駆動手段は、該１対の電磁石に対して、励磁電流信号に比例する励磁電流を供給する。各電磁石に対する励磁電流信号は、定常電流信号と制御電流信号を合わせたものであり、各電磁石に供給する励磁電流は、定常電流と制御電流を合わせたものである。定常電流（および定常電流信号）は、回転体の該制御軸方向の位置にかかわらず、一定の値である。制御電流（および制御電流信号）は、回転体の該制御軸方向の位置によって変化する。各制御軸の１対の電磁石について、制御電流（および制御電流信号）の絶対値は互いに等しく、その符号は互いに逆である。
【０００５】
通常の磁気軸受装置では、回転体が対センサ中心位置に保持されるように、すなわち回転体の中心が対センサ中心位置に一致するように、磁気軸受の電磁石が制御される。このため、回転体は、略磁気的中心位置に保持される。あるいは、回転体は、磁気的中心位置に保持される。このように回転体が磁気的中心位置あるいは略磁気的中心位置に保持される場合、１対の電磁石と回転体との空隙（ギャップ）の大きさは互いに等しいかあるいはほぼ等しい。
【０００６】
なお、アキシアル制御軸をＺ軸、２つのラジアル制御軸をそれぞれＸ軸およびＹ軸とすると、縦置き型の磁気軸受装置では、Ｚ軸が鉛直方向になり、横置き型の磁気軸受装置では、通常、Ｘ軸およびＹ軸のいずれか一方が鉛直方向になる。
【０００７】
磁気軸受の制御には、ＰＩＤ制御がよく用いられているが、このＰＩＤ制御の場合、浮上基準位置から微小にずれた状態が継続すると、積分要素がオーバーフローし、制御が不安定になるという問題があった。
【特許文献１】特開２００２−３４９５６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１に記載されているのものでは、積分要素について考慮することで、電磁石に供給する励磁電流を大きくせずに、電磁石による負荷容量を大きくすることができるが、浮上基準位置と浮上位置とのずれが継続した場合にオーバーフローするという問題は解消されていない。
【０００９】
この発明の目的は、上記の問題を解決し、浮上基準位置と浮上位置とのずれが継続した場合でも積分要素のオーバーフローが防止される磁気軸受装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明による磁気軸受装置は、複数対の電磁石の磁気吸引力により回転体を互いに直交するアキシアル制御軸方向および２つのラジアル制御軸方向に非接触支持して磁気浮上させる制御型アキシアル磁気軸受および制御型ラジアル磁気軸受を備えており、上記各制御軸方向について、上記回転体を該制御軸方向の両側から挟むように配置された１対の電磁石、上記回転体の該制御軸方向の位置を検出して位置検出信号を出力する位置検出手段、浮上基準位置信号を出力する浮上基準位置信号出力手段、上記浮上基準位置信号および位置検出信号に基づいて少なくとも積分出力を含む電磁石制御信号を出力する電磁石制御信号出力手段、ならびに上記電磁石制御信号に基づいて上記電磁石を駆動する電磁石駆動手段を備えている磁気軸受装置において、上記電磁石制御信号出力手段は、上記浮上基準位置信号と上記位置検出信号との差が所定値以下の場合に積分入力をゼロとする積分入力制限手段と、積分出力を所定値以下に制限する積分出力制限手段とを有していることを特徴とするものである。
【００１１】
各制御軸について、通常、１対の電磁石には同じ特性のものが使用され、各電磁石に対して、電磁石制御信号出力手段から、一定の定常電流信号と回転体の該制御軸方向の位置によって変わる制御電流信号とを合わせた励磁電流信号が出力され、電磁石駆動手段から、定常電流信号に比例する一定の定常電流と制御電流信号に比例する制御電流とを合わせた励磁電流が供給される。
【００１２】
各制御軸の１対の電磁石において、定常電流の値は互いに等しく、制御電流の絶対値は互いに等しく、符号が逆である。また、制御電流の絶対値は、電磁石制御信号出力手段の積分出力に比例する。
【００１３】
電磁石制御信号出力手段は、例えば、減算手段、浮上基準位置信号出力手段、制御電流演算手段および励磁電流演算手段を備えているものとされ、制御電流演算手段は、積分動作部、比例・微分演算部および加算部より構成されて、減算手段からの変位値に基づいて、ＰＩＤ演算により、電磁石に対する制御電流値を演算するものとされる。そして、積分動作部の入力側に上記積分入力制限手段が、同出力側に上記積分出力制限手段が設けられる。
【００１４】
上記電磁石制御信号出力手段によると、磁気浮上基準位置と実際の浮上位置とのずれが例えば稼働範囲の１％未満の場合にカットされ、この結果、積分演算部から出力されるずれ×時間に対応する積分出力は、ずれが１％未満である間は増加することがなく、１％未満の微小なずれが長時間続いた場合でも、積分要素がオーバーフローすることはない。また、積分出力に制限が設けられて所定値以上出力しないようになされていることから、１％以上のずれが長時間続いた場合でも、積分要素がオーバーフローすることはない。
【発明の効果】
【００１５】
この発明の磁気軸受装置によると、浮上基準位置信号と位置検出信号との差が所定値以下の場合に積分入力がゼロとされるので、微小なずれが継続した場合でも積分要素のオーバーフローが防止されるとともに、積分出力が所定値以下に制限されるので、積分入力がゼロとされないずれが継続した場合でもオーバーフローも防止される。また、演算丸め誤差によるオーバーフローも防止される。そして、このオーバーフロー防止に際し、浮上基準位置信号の変更を伴わないので、電磁石制御信号出力手段の処理プログラムを簡単なものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、この発明を５軸制御型磁気軸受装置に適用した実施形態について説明する。
【００１７】
図１は５軸制御型磁気軸受装置の機械的部分の主要部を示す縦断面図、図２はその電気的構成の１例を示すブロック図である。
【００１８】
磁気軸受装置は、ケーブルにより接続された機械本体(1)およびコントローラ(2)を備えている。この磁気軸受装置は、鉛直円筒状のケーシング(4)の内側で鉛直軸状の回転体(5)が回転する縦置き型のものである。前記のように、回転体(5)のアキシアル方向（鉛直方向）の軸をＺ軸、Ｚ軸と直交するとともに互いに直交する２つのラジアル方向（水平方向）の軸をＸ軸およびＹ軸とする。
【００１９】
機械本体(1)には、回転体(5)をＺ軸方向に非接触支持する１組の制御型アキシアル磁気軸受(6)、回転体(5)をアキシアル方向の２箇所においてそれぞれＸ軸方向およびＹ軸方向に非接触支持する上下２組の制御型ラジアル磁気軸受(7)(8)、回転体(5)のアキシアル方向の位置および上記２箇所におけるＸ軸方向およびＹ軸方向の位置をそれぞれ検出するための位置検出部(9)、回転体(5)を高速回転させるためのビルトイン型電動モータ(10)、ならびに回転体(5)のアキシアル方向およびラジアル方向の可動範囲を規制して回転体(5)を磁気軸受(6)(7)(8)で支持できなくなったときなどに可動範囲の極限位置において回転体(5)を機械的に支持する機械的規制手段としての上下２組の保護軸受(11)(12)が設けられている。Ｚ軸は、アキシアル方向の制御軸となっている。また、上部磁気軸受(7)の部分におけるＸ軸方向の制御軸を上部Ｘ軸、Ｙ軸方向の制御軸を上部Ｙ軸とし、下部磁気軸受(8)の部分におけるＸ軸方向の制御軸を下部Ｘ軸、Ｙ軸方向の制御軸を下部Ｙ軸とする。
【００２０】
コントローラ(2)には、センサ回路(13)、電磁石駆動手段としての電磁石駆動回路(14)、インバータ(15)およびＤＳＰボード(16)が設けられ、ＤＳＰボード(16)には、ソフトウェアプログラムが可能なディジタル処理手段としてのＤＳＰ(18)、ＲＯＭ(31)、記憶手段としてのフラッシュメモリ(19)、ＡＤ変換器(20)およびＤＡ変換器(21)が設けられている。ＤＳＰはディジタル信号処理プロセッサの略で、ディジタル信号処理プロセッサとは、ディジタル信号を入力してディジタル信号を出力し、ソフトウェアプログラムが可能で、高速実時間処理が可能な専用ハードウェアを指す。
【００２１】
位置検出部(9)は、回転体(5)のＺ軸方向の位置を検出するための１個のアキシアル位置センサ(23)、ならびに回転体(5)のＸ軸方向およびＹ軸方向の位置を検出するための上下２組のラジアル位置センサユニット(24)(25)を備えている。
【００２２】
アキシアル磁気軸受(6)は、回転体(5)の下部に一体に形成されたフランジ部(5a)をＺ軸方向の両側から挟むように配置されて回転体(5)を磁気吸引する１対のアキシアル電磁石(26a)(26b)を備えている。アキシアル電磁石は、符号(26)で総称する。１対のアキシアル電磁石(26)には、同じ特性のものが使用される。
【００２３】
アキシアル位置センサ(23)は、回転体(5)の下端面にＺ軸方向の下側から対向するように配置され、回転体(5)の下端面との空隙の大きさに比例する距離信号を出力する。
【００２４】
２組のラジアル磁気軸受(7)(8)は、アキシアル磁気軸受(6)の上側において上下方向に所定の間隔をおいて配置されており、これらの間にモータ(10)が配置されている。上部ラジアル磁気軸受(7)は、回転体(5)をＸ軸方向の両側から挟むように配置されて回転体(5)を磁気吸引する１対の上部ラジアル電磁石(27a)(27b)、および回転体(5)をＹ軸方向の両側から挟むように配置されて回転体(5)を磁気吸引する１対の上部ラジアル電磁石(27c)(27d)を備えている。これらのラジアル電磁石は、符号(27)で総称する。同様に、下部ラジアル電磁石(8)も、２対の下部ラジアル電磁石(28a)(28b)(28c)(28d)を備えている。これらのラジアル電磁石も、符号(28)で総称する。ラジアル軸受(27)(28)についても、少なくとも同一制御軸の１対の電磁石には、同じ特性のものが使用される。好ましくは、全てのラジアル電磁石(27)(28)に同じ特性のものが使用される。
【００２５】
上部ラジアル位置センサユニット(24)は、上部ラジアル磁気軸受(7)の近傍に配置されており、Ｘ軸方向の電磁石(27a)(27b)の近傍においてＸ軸方向の両側から回転体(5)を挟むように配置された１対の上部ラジアル位置センサ(29a)(29b)、およびＹ軸方向の電磁石(27c)(27d)の近傍においてＹ軸方向の両側から回転体(5)を挟むように配置された１対の上部ラジアル位置センサ(29c)(29d)を備えている。これらのラジアル位置センサは、符号(29)で総称する。同様に、下部ラジアル位置センサユニット(25)は、下部ラジアル磁気軸受(8)の近傍に配置されており、２対の下部ラジアル位置センサ(30a)(30b)(30c)(30d)を備えている。これらのラジアル位置センサも、符号(30)で総称する。各ラジアル変位センサ(29)(30)は、回転体(5)の外周面との空隙の大きさに比例する距離信号を出力する。
【００２６】
電磁石(26)(27)(28)および位置センサ(23)(29)(30)は、ケーシング(4)に固定されている。
【００２７】
上部保護軸受(11)は、たとえば深みぞ玉軸受などの転がり軸受よりなり、ラジアル荷重を受けられるようになっている。軸受(11)の外輪(11a)はケーシング(4)に固定され、内輪(11b)は回転体(5)の外周面に適当な空隙をあけて対向するように配置されている。下部保護軸受(12)は、たとえば深みぞ玉軸受などの転がり軸受よりなり、アキシアル荷重とラジアル荷重の両方を受けられるようになっている。この軸受(12)の外輪(12a)はケーシング(4)に固定され、内輪(12b)が回転体(5)の外周面に形成された環状みぞ(17)の部分にアキシアル方向およびラジアル方向に適当な空隙をあけて臨ませられている。そして、下部軸受(12)の内輪(12b)と回転体(4)との間のアキシアル方向の空隙の大きさにより、回転体(5)のアキシアル方向の可動範囲が規制され、各軸受(11)(12)の内輪(11b)(12b)と回転体(5)との間のラジアル方向の空隙の大きさにより、回転体(5)のラジアル方向の可動範囲が規制される。そして、回転体(2)が可動範囲の極限位置において保護軸受(11)(12)により支持されている状態でも、回転体(5)と電磁石(26)(27)(28)および位置センサ(23)(29)(30)との間には空隙があり、回転体(5)は電磁石(26)(27)(28)および位置センサ(23)(29)(30)に接触することはない。
【００２８】
コントローラ(2)のセンサ回路(13)は、位置検出部(9)の各位置センサ(23)(29)(30)を駆動し、各位置センサ(23)(29)(30)の出力である距離信号に基づいて、回転体(5)のＺ軸方向の位置、ならびに上下のラジアル位置センサユニット(24)(25)の部分におけるＸ軸方向およびＹ軸方向の位置を演算し、その演算結果である位置信号をＡＤ変換器(20)を介してＤＳＰ(18)に出力する。位置検出部(9)およびセンサ回路(13)により、回転体(5)の各制御軸方向の位置を検出して位置検出信号を出力する位置検出手段としての位置検出装置が構成されている。
【００２９】
ＲＯＭ(31)には、ＤＳＰ(18)における処理プログラムなどが格納されている。フラッシュメモリ(19)には、磁気軸受の制御パラメータを記憶した制御パラメータテーブル、後述するバイアス電流（定常電流）値を記憶したバイアス電流値テーブルなどが設けられている。ＤＳＰ(18)は、各制御軸について、ＡＤ変換器(20)から入力する回転体(5)の位置を表わすディジタル位置信号に基づいて、各磁気軸受(6)(7)(8)の各電磁石(26)(27)(28)に対する励磁電流信号（電磁石制御信号）をＤＡ変換器(21)を介して電磁石駆動回路(14)に出力する。そして、駆動回路(14)は、ＤＳＰ(18)からの励磁電流信号に基づく励磁電流を対応する磁気軸受(6)(7)(8)の電磁石(26)(27)(28)に供給し、これにより、回転体(5)が後述する浮上基準位置に非接触支持される。ＤＳＰ(18)により、後述する浮上基準位置信号および位置検出信号に基づいて電磁石制御信号を出力する電磁石制御信号出力手段が構成されている。
【００３０】
ＤＳＰ(18)は、また、モータ(10)に対する回転数指令信号をインバータ(15)に出力し、インバータ(15)は、この信号に基づいて、モータ(10)の回転数を制御する。そして、その結果、回転体(5)が、磁気軸受(6)(7)(8)により目標浮上位置に非接触支持された状態で、モータ(10)により高速回転させられる。
【００３１】
図３は、コントローラ(2)の構成のうち、磁気軸受における１対の電磁石の制御（この例ではアキシアル電磁石(26a)(26b)のＺ軸方向の制御）に関するＤＳＰ(18)の動作を機能ブロックで表わしたものである。ＤＳＰ(18)は、機能的には、減算手段(22)、浮上基準位置信号出力手段(32)、制御電流演算手段(37)および励磁電流演算手段(38)を備えている。
【００３２】
減算手段(22)は、ＡＤ変換器(20)から入力する位置信号Ｚsより後述するように浮上基準位置信号出力手段(32)から入力する浮上基準位置信号Ｚoを減算することにより、回転体(5)の浮上基準位置からの変位値ΔＺを求め、これを制御電流演算手段(37)に出力する。
【００３３】
制御電流演算手段(37)は、減算手段(22)からの変位値ΔＺに基づいて、ＰＩＤ演算により、電磁石(26a)(26b)に対する制御電流値Ｉcを演算するものであり、積分演算部（積分動作部）(40)、比例・微分演算部（比例・微分動作部）(41)および加算部(42)より構成されている。
【００３４】
積分演算部(40)は、フラッシュメモリ(19)のテーブルに記憶されている積分演算制御パラメータを用い、変位値ΔＺに基づいて制御電流値Ｉcの積分成分Ｉciを演算する。積分演算部(40)の入力側には、入力値である変位値ΔＺが微小である場合にこれを０に置き換える入力制限手段(43)が設けられ、積分演算部(40)の出力側には、出力値がある値を超えた場合にこれを所定値で置き換える出力制限手段(44)が設けられている。
【００３５】
比例・微分演算部(41)は、フラッシュメモリ(19)のテーブルに記憶されている比例演算制御パラメータおよび微分演算制御パラメータを用い、変位値ΔＺに基づいて制御電流値Ｉcの比例・微分成分Ｉcpdを演算する。加算部(42)は、上記の積分成分Ｉciと比例・微分成分Ｉcpdを加算することによって制御電流値Ｉcを求め、これを励磁電流演算手段(38)に出力する。
【００３６】
なお、比例・微分演算部(41)を比例演算部と微分演算部とに分け、比例演算部の出力である比例成分と、微分演算部の出力である微分成分と、上記の積分演算部(40)の出力である積分成分Ｉciとを加算することにより制御電流値Ｉcを求めるようにしてもよい。励磁電流演算手段(38)は、フラッシュメモリ(19)のテーブルに記憶されているバイアス電流値Ｉoに制御電流演算手段(37)からの制御電流値Ｉcを加算し、その結果得られた値（Ｉo＋Ｉc）を第１の励磁電流信号としてＤＡ変換器(21)に出力するとともに、上記バイアス電流値Ｉoから上記制御電流値Ｉcを減算し、その結果得られた値（Ｉo−Ｉc）を第２の励磁電流信号としてＤＡ変換器(21)に出力する。浮上基準位置信号出力手段(32)は、後述する浮上基準位置信号Ｚoの出力を行う。
【００３７】
図示は省略したが、上下のＸ軸およびＹ軸における１対のラジアル電磁石(27)(28)の制御に関する部分についても、同様である。
【００３８】
図４は、積分演算部(40)の入力側および出力側における処理を示すフローチャートであり、図５はそのときの制御電流値の積分成分等の変化を示すタイムチャートである。なお、図５において、(a)は磁気浮上基準位置と浮上位置とのずれ、(b)は積分演算部(40)に入力する積分入力、(c)は積分演算部(40)から出力する積分出力を表している。
【００３９】
図４および図５を参照して、上記の実施形態におけるＺ軸の制御電流演算手段(37)の動作の１例について説明する。
【００４０】
図４のフローチャートにおいて、磁気軸受の制御が開始すると、まず、磁気浮上基準位置をＺｏ（例えば磁気的中心位置）に設定し、回転体(5)の磁気浮上を開始する(S1)。これとともに、磁気浮上基準位置Ｚｏとセンサ回路(13)からの位置信号から得られる実際の浮上位置ＺｓとのずれΔＺが求められる(S2)。このずれに対しては、回転体(5)の稼働範囲の例えば１％が制御の閾値として設定されており、入力制限手段(43)において、この閾値と実際のずれ量（％）とが比較される(S3)。そして、ずれが１％未満であれば、積分演算部(40)へは入力値０が入力される(S4)。ずれが１％以上の場合には、そのずれ量が積分演算部(40)に入力される。積分演算部(40)では、入力値に応じた積分成分Ｉciを出力し（ずれが１％未満であれば、Ｉci＝０）、これが比例・微分演算部(41)からの出力値Ｉcpdと加算されて、制御電流値Ｉcとされる。また、積分演算部(40)からの積分出力は、出力制限手段(44)において出力値の上限を規定するリミッタの値と比較され(S6)、リミッタの値以上であれば、リミッタの値に等しい値とされる(S7)。そして、積分出力がリミッタの値未満であればその値に基づいて、リミッタの値以上であればリミッタの値に基づいて、(S2)から(S7)までのステップが繰り返される。
【００４１】
したがって、例えば、図５に示すように、磁気浮上基準位置と実際の浮上位置とのずれが同図（ａ）のようであったとすると、積分演算部(40)に入力される積分入力は、図（ｂ）に示すように、１％未満がカットされたものとなる。この結果、積分演算部(40)から出力されるずれ×時間に対応する積分出力は、ずれが１％未満である間は増加することがなく、１％未満の微小なずれが長時間続いた場合でも、積分要素がオーバーフローすることはない。また、積分出力に制限が設けられてリミッタの設定値以上出力しないようになされていることから、１％以上のずれが長時間続いた場合でも、積分要素がオーバーフローすることはない。こうして、積分要素のオーバーフローが防止され、安定な制御が継続して行われる。
【００４２】
上記実施形態では、浮上基準位置信号出力手段(32)がＤＳＰ(18)により構成されているが、浮上基準位置信号出力手段は、たとえばパーソナルコンピュータ、マイクロプロセッサなど、ＤＳＰ以外のもので構成されてもよい。
【００４３】
上記実施形態には、回転体が固定部分であるケーシングの内側で回転するインナロータ型の磁気軸受装置を示したが、この発明は、回転体が固定部分の外側で回転するアウタロータ型の磁気軸受装置にも適用できる。
【００４４】
また、上記実施形態には、回転体が鉛直に配置された縦置き型の磁気軸受装置を示したが、この発明は回転体が水平に配置された横置き型の磁気軸受装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は、この発明の実施形態を示す磁気軸受装置の機械的部分の主要部の縦断面図である。
【図２】図２は、同磁気軸受装置の電気的構成の１例を示すブロック図である。
【図３】図３は、図２のコントローラの１対のアキシアル電磁石に関するＤＳＰの部分の機能を示すブロック図である。
【図４】図４は、制御電流演算手段における処理の１例を示すフローチャートである。
【図５】図５は、この発明の実施形態における処理を行ったときの積分演算部の入力側および出力側の信号の変化を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
【００４６】
(5) 回転体
(6) アキシアル磁気軸受
(13) センサ回路
(18) ディジタル信号処理プロセッサ（ＤＳＰ）
(19) フラッシュメモリ
(23) アキシアル位置センサ
(26a)(26b) アキシアル電磁石
(27a)(27b)(27c)(27d) ラジアル電磁石
(28a)(28b)(28c)(28d) ラジアル電磁石
(29a)(29b)(29c)(29d) ラジアル位置センサ
(30a)(30b)(30c)(30d) ラジアル位置センサ
(37) 制御電流演算手段
(32) 浮上基準位置信号出力手段
(40) 積分演算部
(43) 入力制限手段
(44) 出力制限手段
【図１】
2007263144.tif 000003
【図２】
2007263144.tif 000004
【図３】
2007263144.tif 000005
【図４】
2007263144.tif 000006
【図５】
2007263144.tif 000007