(57)【要約】【課題】光を遮光する遮光領域が存在していても、光の利用効率を向上させて、明るさを向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置１００は、第１基板２１と、第１基板２１と対向する位置に配置された第２基板３１と、第１基板２１と、第２基板３１との間に挟持された液晶２４と、第１基板２１と、第２基板３１との少なくとも一方に形成された遮光領域と、遮光領域の中を複数のドメイン９に区画するように形成されたドメイン境界１１と、を備え、ドメイン９ごとに、集光光学素子としてのＭＬＡ５１を備えている。【選択図】図２
2007163629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向する位置に配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶と、
前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方に形成された遮光領域と、
前記遮光領域の中を複数のドメインに区画するように形成されたドメイン境界と、
を備え、
前記ドメインごとに、集光光学素子を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記集光光学素子が、前記第１基板に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置において、
前記集光光学素子が、凸レンズであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
第１基板と、
前記第１基板と対向する位置に配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶と、
前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方に形成された遮光領域と、
前記遮光領域の中を複数のドメインに区画するように形成されたドメイン境界と、
を備え、
前記ドメインごとに、第１集光光学素子と、前記第１集光光学素子と対向する位置に配置された第２集光光学素子と、
を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶表示装置において、
前記第１集光光学素子が、前記第１基板に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項４に記載の液晶表示装置において、
前記第２集光光学素子が、前記第１集光光学素子の上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項４〜請求項６のいずれか一項に記載の液晶表示装置において、
前記ドメイン境界が形成された方向に対応して第２集光光学素子が形成されている、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項４または請求項５に記載の液晶表示装置において、
前記第１集光光学素子が、凸レンズであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項４または請求項６に記載の液晶表示装置において、
前記第２集光光学素子が、凸レンズであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
液晶表示装置を有する電子機器であって、
請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の液晶表示装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビ用の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）や、プラズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレイが普及している。このうち、液晶表示装置（ＬＣＤ）は、視野角が狭いことが短所であったが、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）方式などが開発され、広視野角化が実現されてきている。
【０００３】
例えば特許文献１に開示されているように、ＶＡ方式による液晶表示装置では、一つの画素の中に配向方向の異なる複数の領域（マルチドメインと呼ぶ）を形成することにより、液晶分子の倒れ方を制御することによって、広視野角化を実現している。一方、特許文献２に開示されているように、液晶パネルや撮像素子に、マイクロレンズアレイ（ＭＬＡと略す）を設けて光の利用効率を上げることも行われてきた。このＭＬＡを用いた方式は、各画素に対応してＭＬＡを配置する方式であり、信号線や画素トランジスタを形成した領域における光を遮光するマトリクス状の遮光領域（ブラックマトリクスと呼ぶ）の光を有効利用することができるので、光の利用効率を大幅に向上することができる。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２４２２２５号公報
【特許文献２】特開昭６２−９４８２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、特許文献１に示すＶＡ方式による液晶表示装置では、白表示を行った時に、信号線や画素トランジスタを形成した領域における光を遮光する遮光領域と、マルチドメインの境界部分と、が黒く表示されてしまうので、液晶表示装置が暗くなってしまう。一方、特許文献２に示すＭＬＡを用いた方式による液晶表示装置では、画素ごとにＭＬＡを配置していて光を入射させる方法なので、マルチドメインの境界部分の光を有効活用することができない。このことから、境界部分が黒く表示されてしまうので、液晶表示装置が暗くなってしまう。つまり、これらＶＡ方式や、ＭＬＡ方式による液晶表示装置では、マルチドメインの境界部分が存在していることで、この境界部分で光を遮断してしまうため、バックライトの光の利用効率を向上させるのには限界があった。そして、バックライトの光の利用効率が低いと、その分バックライトの光の明るさをより明るくする必要があるため、消費電力の面では好ましいとはいえない。
【０００６】
本発明の目的は、光を遮光する遮光領域が存在していても、光の利用効率を向上させて、明るさを向上させることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する位置に配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶と、前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方に形成された遮光領域と、前記遮光領域の中を複数のドメインに区画するように形成されたドメイン境界と、を備え、前記ドメインごとに、集光光学素子を備えていることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、集光光学素子を遮光領域とドメイン境界とに囲まれたドメインごとに配置することにより、遮光領域とドメイン境界とに入射した光もドメインに効率よく導くことができるから、画素の明るさを向上させることが可能な液晶表示装置を提供できる。
【０００９】
本発明の液晶表示装置は、前記集光光学素子が、前記第１基板に形成されていることが望ましい。
【００１０】
この発明によれば、集光光学素子が、第１基板に形成されているから、バックライトから照射された光をドメインに効率よく集光させることができるので、画素を明るくすることができる。
【００１１】
本発明の液晶表示装置は、前記集光光学素子が、凸レンズであることが望ましい。
【００１２】
この発明によれば、集光光学素子が、凸レンズであるから、バックライトから照射された光のうち遮光領域やドメイン境界に向かう光をドメインに効率よく集光させることができるので、画素をより明るくすることができる。
【００１３】
本発明の液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する位置に配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶と、前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方に形成された遮光領域と、前記遮光領域の中を複数のドメインに区画するように形成されたドメイン境界と、を備え、前記ドメインごとに、第１集光光学素子と、前記第１集光光学素子と対向する位置に配置された第２集光光学素子と、を備えていることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、第１集光光学素子と第２集光光学素子との二つの光学素子を備えているから、遮光領域やドメイン境界に向かう光を、より効率よくドメインに導くことができるので、画素の明るさをより向上させることが可能な液晶表示装置を提供できる。
【００１５】
本発明の液晶表示装置は、前記第１集光光学素子が、前記第１基板に形成されていることが望ましい。
【００１６】
この発明によれば、第１集光光学素子が、第１基板に形成されているから、バックライトから照射された光を遮光領域を除く領域に効率よく集光させることができるので、画素を明るくすることができる。
【００１７】
本発明の液晶表示装置は、前記第２集光光学素子が、前記第１集光光学素子の上に形成されていることが望ましい。
【００１８】
この発明によれば、第２集光光学素子が、第１集光光学素子の上に形成されているから、バックライトから照射された光をドメインに効率よく集光させることができるので、画素をより明るくすることができる。
【００１９】
本発明の液晶表示装置は、前記ドメイン境界が形成された方向に対応して第２集光光学素子が形成されていることが望ましい。
【００２０】
この発明によれば、ドメイン境界が形成された方向に対応して第２集光光学素子が形成されているから、バックライトから照射された光をドメインにより効率よく集光させることができるので、画素をより明るくすることができる。
【００２１】
本発明の液晶表示装置は、前記第１集光光学素子が、凸レンズであることが望ましい。
【００２２】
この発明によれば、第１集光光学素子が、凸レンズであるので、バックライトから照射された光のうち遮光領域やドメイン境界に向かう光をドメインに集光させることができるから、画素をより明るくすることができる。
【００２３】
本発明の液晶表示装置は、前記第２集光光学素子が、凸レンズであることが望ましい。
【００２４】
この発明によれば、第２集光光学素子が、凸レンズであるので、第１集光光学素子で集光された光を第２集光光学素子でドメインにさらに集光させることができるから、ドメインに光をより一層集光させることができるので、画素をより一層明るくすることができる。
【００２５】
本発明の電子機器は、液晶表示装置を有する電子機器であって、前述に記載の液晶表示装置を備えていることを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、より明るくて、表示性能を向上させることが可能な電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の液晶表示装置について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
本実施形態では、集光光学素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置について説明する。
【００２９】
図１は、本実施形態の液晶表示装置の概略平面図である。図２は、図１の液晶表示装置を部分的に拡大した平面図である。図３は、液晶表示装置の構造を説明するための断面図であって、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００３０】
図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、画素トランジスタ２と、信号線４と、ゲート線６と、容量線８と、画素１０とで概略構成されている。各画素１０は、信号線４と、この信号線４と略直交する方向に形成されたゲート線６と、で区切られており、矩形状に形成されている。各画素１０は、ＣＦ層３２（図３参照）に形成されたＲ、Ｇ、Ｂ（Ｒ：レッド、Ｇ：グリーン、Ｂ：ブルー）の各色に対応している。
【００３１】
画素トランジスタ２は、各画素１０にそれぞれ一つづつ形成されており、ゲート信号により画素電極３（図２参照）を制御する。
【００３２】
信号線４は、画素電極３（図２参照）と電気的に接続されており、供給された映像信号を画素電極３（図２参照）に印加することができる。ゲート線６は、信号線４と略直交するように形成されている。容量線８は、対向電極３３（図３参照）と同電位になっており、画素電極３（図２参照）とのあいだで容量を保持している。画素トランジスタ２と、信号線４と、ゲート線６と、容量線８とは、金属などの光を透過しにくい材料で形成されている。このため、バックライトから照射された光を透過しにくい。これら画素トランジスタ２と、信号線４と、ゲート線６と、容量線８とで光を遮光する部分を遮光領域という。
【００３３】
図２において、本実施形態での液晶表示装置１００の画素１０について説明する。なお、画素１０は、積層されて形成されているため、画素１０を右側と、左側と、中央とに分けて、順次説明をする。
【００３４】
図２の右側の画素１０は、画素電極３と、スリット５と、リブ７とを示している。右側の画素１０において、画素電極３は、スリット５を有している。また、ＣＦ基板３１（図３参照）は、リブ７を備えている。スリット５及びリブ７は、画素電極３と、対向電極３３（図３参照）との間に電圧が印加された時の液晶分子の倒れ方向を規制する働きをすることができる。
【００３５】
次に、図２の左側の画素１０は、ドメイン９と、ドメイン境界１１とを示している。左側の画素１０において、１画素内に８つのドメイン９（斜線部分）が形成されており（マルチドメイン）、このドメイン９は、ドメイン境界１１によって区画されている。ドメイン９の境界部分であるドメイン境界１１では、画素電極３と対向電極３３との間に電圧が印加されても、液晶分子が垂直配向のままであるため、光を透過しにくい。ここで、ＶＡ方式での液晶表示装置１００は、画素電極３と対向電極３３との間に電圧が印加されていない時は液晶分子が垂直方向に向く垂直配向である。本実施形態での液晶表示装置１００では、画素１０内がドメイン境界１１で区画形成されており、画素１０内における液晶分子が、倒れ方向Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈの４つの方向に倒れる。その結果、視野角依存性が４方向に分散されることによって広視野角化を実現することができる。
【００３６】
最後に、図２の中央の画素１０は、集光光学素子としてのＭＬＡ５１をドメイン９に配置した状態を示している。中央の画素１０において、素子基板２１（図３参照）上に形成された集光素子としてのＭＬＡ５１は、スリット５と、リブ７と、の間に位置しており、ドメイン９ごとに配置されている（この場合、８箇所）。しかも、ドメイン９の大きさに対応するように配置されている。そして、遮光領域や、ドメイン境界１１に向かう光をドメイン９の中央部に集光可能としている。これにより、バックライトから照射された光の利用効率を上げることができる。なお、集光光学素子としてのＭＬＡ５１は、平面視でトラック円形状に形成されている。
【００３７】
図３に示すように、液晶表示装置１００は、第１基板としての素子基板２１と、第２基板としてのＣＦ基板３１と、これら素子基板２１およびＣＦ基板３１とで挟持された液晶２４とで概略構成されている。そして、液晶表示装置１００は、バックライトから照射された光を液晶２４に透過するように構成されている。
【００３８】
図３において、第１基板としての素子基板２１の面には、集光光学素子としてのＭＬＡ５１と、素子形成層２３と、画素電極３と、スリット５とが形成されており、素子基板２１の他方の面には、光学フィルム２２が形成されている。
【００３９】
素子基板２１は、ホウ珪酸ガラス（屈折率：１．５２）などの透過性材料から形成されているので、バックライトから照射された光を透過しやすい。また、集光光学素子としてのＭＬＡ５１は、凸形状の凸レンズであり、素子基板２１上にアクリル樹脂（屈折率：１．５９〜１．７３の範囲で選択可能）などを充填して形成されている。集光光学素子としてのＭＬＡ５１は、アクリル系樹脂で形成されているから、その大きさを自由に設定することができるので、ドメイン９の形状に合わせて形成することができる。なお、集光光学素子としてのＭＬＡ５１の製造方法については、特開平８−１８６２６７号公報にて公開されている。
【００４０】
素子形成層２３は、画素トランジスタ２、信号線４、ゲート線６、容量線８を含んでおり、半導体材料、金属材料及び絶縁材料から形成されている。素子形成層２３は、集光光学素子としてのＭＬＡ５１の上に形成されている。画素電極３は、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯと略する）などの導電性機能を有する透明導電性材料から形成されており、素子形成層２３の上に画素電極３が形成されている。画素電極３は、透明導電性材料であるので、光を透過しやすい。また、ポリイミドなどからなる垂直配向機能を有する配向膜（図示省略）が画素電極３の上に形成されている。
【００４１】
光学フィルム２２は、光を偏光することが可能な偏光機能を有している材料で形成されており、バックライトから照射された光を偏光することができる。
【００４２】
第２基板としてのＣＦ基板３１の面には、ＣＦ層３２と、対向電極３３と、突起状のリブ７とが形成されている。そして、ＣＦ基板３１の他方の面には、光学フィルム３５が形成されている。
【００４３】
ＣＦ基板３１は、ホウ珪酸ガラス（屈折率：１．５２）などの透過性材料から形成されているので、光を透過しやすい。ＣＦ層３２は、各画素１０に対応して、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色を透過するカラーフィルター層であり、有機材料で形成されている。対向電極３３は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの導電性機能を有する透明導電性材料から形成されており、ＣＦ層３２の上に対向電極３３が形成されている。対向電極３３は、透明導電性材料であるので、光を透過しやすい。また、ポリイミドなどからなる垂直配向機能を有する配向膜（図示省略）が、対向電極３３の上に形成されている。
【００４４】
光学フィルム３５は、光を偏光することが可能な偏光機能を有している材料で形成されており、液晶２４を通過した光を偏光することができる。
【００４５】
液晶２４の液晶分子の配向は、素子基板２１に形成された画素電極３と、ＣＦ基板３１に形成された対向電極３３との間に印加された電圧によって、変化させることができる。
【００４６】
本実施形態における液晶表示装置１００の構成は以上のようであって、バックライトから照射された光をドメイン９に集光させる集光方法について説明する。
【００４７】
図４は、光の集光方法を説明するための説明図である。
【００４８】
図４に示すように、バックライトから照射された光は、集光光学素子としてのＭＬＡ５１を透過し、この透過光が液晶２４に到達する。このとき、液晶２４に到達する透過光は、集光光学素子としてのＭＬＡ５１で屈折するから、スリット５やドメイン境界１１（図２参照）などの遮光領域を避けながら通過することになるので、ドメイン９（図２参照）の中央部に光を集光させやすくなる。このことにより、光の利用効率を向上することができる。
【００４９】
以上のような第１実施形態では、以下の効果が得られる。
【００５０】
（１）集光光学素子としてのＭＬＡ５１を遮光領域とドメイン境界１１とに囲まれたドメイン９ごとに配置することにより、遮光領域やドメイン境界１１に入射した光を、ドメイン９に効率よく導くことができるから、画素１０の明るさを向上させることが可能な液晶表示装置１００を提供できる。そして、画素１０を明るくすることができるから、バックライトに加える電圧も少なくて済むので、消費電力を抑制することが可能な液晶表示装置１００を提供できる。
（２）集光光学素子としてのＭＬＡ５１が、第１基板としての素子基板２１に形成されているから、バックライトから照射された光をドメイン９に効率よく集光させることができるので、画素１０を明るくすることができる。
（３）集光光学素子としてのＭＬＡ５１が、凸形状を有する凸レンズであるので、遮光領域に向かう光をドメイン９に集光させることができるから、画素１０にバックライトからの光をより集光させやすくなるので、画素１０をより明るくすることができる。
【００５１】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態のアクティブマトリクス型の液晶表示装置について説明する。前述の第１実施形態では集光光学素子を一つ配置した構成としたが、第２実施形態では、集光光学素子を二つ配置した構成とした点が異なる。なお、前述の第１実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
【００５２】
図５は、第１集光光学素子を配置したときの概略平面図である。図６は、第２集光光学素子を配置したときの概略平面図である。図７は、液晶表示装置の構造を説明するための断面図であって、図５および図６のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。なお、Ｂ−Ｂ線は、図５および図６のほぼ同一位置を切断している。
【００５３】
図５に示すように、各画素１０には第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３が配置されているとともに、図２に示すドメイン境界１１で区画された８つのドメイン９を覆うように配置されている。また、第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３は、一つの画素１０に対して、二つ配置されている。
【００５４】
図６に示すように、画素１０には第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４が配置されている。第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４は、かまぼこ型の断面形状をしており（図示省略）、ドメイン９の長手方向に仮想延長して連続したジグザグ状の平面形状をしている。なお、同図において、第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４が、部分的に図示されていない箇所があるが、各画素１０の全面を覆うように形成されている。
【００５５】
図７に示すように、液晶表示装置１００は、第１基板としての素子基板２１と、第２基板としてのＣＦ基板３１と、これら素子基板２１およびＣＦ基板３１とで挟持された液晶２４とで概略構成されている。
【００５６】
図７において、液晶表示装置１００に配置されている第１基板としての素子基板２１の面には、第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３と、第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４と、素子形成層２３と、画素電極３と、信号線４と、遮光膜５５とが形成されている。素子基板２１の他方の面には、光学フィルム２２が形成されている。
【００５７】
第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３は、凸形状の凸レンズであり、素子基板２１上に形成されている。第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３は、アクリル系樹脂で形成されているから、その大きさを自由に設定することができるので、ドメイン９の形状に合わせて形成することができる。第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４は、凸形状の凸レンズであり、第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３の上に配置されている。第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４は、第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３と同様に、ホウ珪酸ガラスなどを凹形状に加工した後アクリル樹脂などを充填して、第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３に重ね合わせることにより、形成される。
【００５８】
信号線４および遮光膜５５は、金属材料で形成されているから、バックライトから照射された光を透過しくい。
【００５９】
第２基板としてのＣＦ基板３１の面には、ＣＦ層３２と、対向電極３３と、突起状のリブ７と、遮光膜５７とが形成されている。そして、ＣＦ基板３１の他方の面には、光学フィルム３５が形成されている。遮光膜５７は、金属材料で形成されているから、光を透過しにくい。
【００６０】
本実施形態における液晶表示装置１００の構成は以上のようであって、バックライトから照射された光をドメイン９に集光させる集光方法について説明する。
【００６１】
図８は、光の集光方法を説明するための説明図である。
【００６２】
図８に示すように、バックライトから照射された光は、凸状に形成された第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３に入射して、第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３で屈折する。この屈折した光が凸状に形成された第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４に入射して、さらに屈折する。この屈折した光が、信号線４、遮光膜５５、リブ７を避けるように液晶２４を通過する。
【００６３】
以上のような第２実施形態では、以下の効果が得られる。
【００６４】
（４）液晶表示装置は、第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３と、第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４との二つを備えているから、遮光領域としての遮光膜５５や、ドメイン境界１１に入射した光を、ドメイン９により効率よく導くことができるので、画素１０の明るさをより向上させることが可能になる。画素１０をより明るくすることができるから、バックライトに加える電力もより少なくて済むので、消費電力をさらに抑制することが可能な液晶表示装置１００を提供できる。
（５）第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３が、第１基板としての素子基板２１に形成されているから、バックライトから照射された光をドメイン９に効率よく集光させることができるので、画素１０を明るくすることができる。
（６）第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４が、第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３の上に形成されているから、バックライトから照射された光をドメイン９に効率よく集光させることができるので、画素１０をより明るくすることができる。
（７）第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３が、凸形状を有する凸レンズであるので、遮光領域としての遮光膜５５や、ドメイン境界１１に向かう光をドメイン９に集光させることができるから、画素１０をより明るくすることができる。
（８）第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４が、凸形状を有する凸レンズであるので、第１集光光学素子としてのＭＬＡ５３で集光された光を第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４でさらに集光させることができるから、ドメイン９に光をより一層集光させることができるので、画素１０をより一層明るくすることができる。
【００６５】
図９は、本実施形態の電子機器を示す図である。
【００６６】
図９に示すように、本実施形態の電子機器としての大型液晶テレビ２００は、第１実施形態または第２実施形態で説明した液晶表示装置１００を表示手段として搭載している。大型液晶テレビ２００は、表示部２０１を備えている。このように本発明に係る電子機器としての大型液晶テレビ２００は、より明るさを向上させることが可能な液晶表示装置１００を備えることができるので、良好な表示特性を有する電子機器としての大型液晶テレビ２００を提供できる。そして、消費電力が少なくても液晶表示装置１００をより明るくすることができるから、低消費電力化が実現可能な大型液晶テレビ２００を提供できる。
【００６７】
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
【００６８】
（変形例１）第１実施形態および第２実施形態では、素子基板２１側をバックライト光の入射側としたが、ＣＦ基板３１側を入射光側とすることもできる。その場合、ＣＦ基板３１にＭＬＡを形成すると良い。このようにすれば、素子形成層２３は熱的に安定なホウ珪酸ガラスである素子基板２１上に直接形成することができるので、性能の良い画素トランジスタ２を形成できる。
【００６９】
（変形例２）第１実施形態では、集光光学素子としてのＭＬＡ５１の上に直接画素トランジスタ２などを形成したが、他のガラス基材に画素トランジスタなどの素子を形成した後、集光光学素子としてのＭＬＡ５１と貼り合わせても良い。このようにすれば、素子形成層２３は熱的に安定なガラス基材上に形成することができるので、性能の良い画素トランジスタ２を形成できる。
【００７０】
（変形例３）第１実施形態および第２実施形態では、素子基板２１、ＣＦ基板３１、及び第２実施形態の第２集光光学素子としてのＭＬＡ５４のベースは、ホウ珪酸ガラスなどを用いたが、透明なプラスチック基材でも良い。プラスチック基材を用い、さらに画素トランジスタなどを有機材料で形成することにより、フレキシブルで明るい液晶表示装置となる。
【００７１】
（変形例４）前述の第１実施形態および第２実施形態の液晶表示装置１００が搭載される電子機器は、大型液晶テレビ２００に限定されない。例えば、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）と呼ばれる携帯型情報機器、携帯端末機器、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、モニタ直視型のデジタルビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等々の画像表示手段として好適に用いることができる。このようにすれば、液晶表示装置１００の用途は広がり、いろいろな電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１実施形態における液晶表示装置を説明するための平面図。
【図２】液晶表示装置を説明するための拡大平面図。
【図３】液晶表示装置の構造を説明するための図２のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図４】光の集光方法を説明するための説明図。
【図５】第２実施形態における第１集光光学素子を配置したときの概略平面図。
【図６】第２集光光学素子を配置したときの概略平面図。
【図７】液晶表示装置の構造を説明するための図５および図６のＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【図８】光の集光方法を説明するための説明図。
【図９】電子機器を示す概略斜視図。
【符号の説明】
【００７３】
２…遮光領域としての画素トランジスタ、４…遮光領域としての信号線、６…遮光領域としてのゲート線、８…遮光領域としての容量線、９…ドメイン、１０…画素、１１…ドメイン境界、２１…第１基板としての素子基板、２４…液晶、３１…第２基板としてのＣＦ基板、５１…集光光学素子としてのＭＬＡ、５３…第１集光光学素子としてのＭＬＡ、５４…第２集光光学素子としてのＭＬＡ、５５…遮光領域としての遮光膜、５７…遮光領域としての遮光膜、１００…液晶表示装置、２００…電子機器としての大型液晶テレビ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図５】
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