(57)【要約】【課題】処理装置への組み付け時に、ピンのピン挿通孔への位置合わせが容易であり、径を大きくしてピンの破損を抑制することが出来、処理時に、ピンが被処理体に吸着されることがなく、被処理体の搬送エラーが生じないリフタ、及びこのリフタを備える被処理体の処理装置を提供する。【解決手段】リフタアーム９１の貫通孔９１ｃには、鍔部１０２ａ、遊動部１０２ｂ及び螺合部１０２ｃ及びピン挿入孔１０２ｄを備えるピン固定部１０２が嵌められている。ピン９３は、下端部がピン挿入部１０２ｄにねじ止めされている。遊動部１０２ｂは貫通孔９１ｃに遊嵌され、鍔部１０２ａはリフタアーム９１の上面に当接している。螺合部１０２ｃは貫通孔９１ｃから突出しており、下側固定部１０３は、螺合部１０２ｃに螺合された状態で、リフタアーム９１の下面に当接している。【選択図】図５
2007242954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内で処理される被処理体を載置する載置台に貫設した複数の孔に挿通させる複数のピンと、リフタアームと、前記ピンを前記リフタアームに支持するピン固定部とを備え、前記ピンを前記リフタアームに支持した状態で昇降することにより、前記孔から前記ピンを出没させるリフタにおいて、
前記リフタアームには、前記ピン固定部を遊嵌する貫通孔が設けられており、
前記ピン固定部は、
内部に前記ピンの下端部を固定するピン挿入孔を有し、前記貫通孔に遊嵌される遊動部と、
該遊動部の上側に連設され、該遊動部より大径であり、内側を前記ピンが貫通した状態で前記リフタアームの上面に当接する、鍔状の支持部と、
前記遊動部の下側に連設され、前記貫通孔から突出した螺合部と、
該螺合部に螺合した状態で、前記リフタアームの下面に当接し、前記遊動部を下側に接続する下側固定部と
を備え、
前記貫通孔内に、前記遊動部との間で形成する環状の隙間が設けられており、
該隙間により、ピン固定部が可動し、ピンが可動することを特徴とするリフタ。
【請求項２】
チャンバ内で処理される被処理体を載置する載置台に貫設した複数の孔に挿通させる複数のピンと、リフタアームと、前記ピンを前記リフタアームに支持するピン固定部とを備え、前記ピンを前記リフタアームに支持した状態で昇降することにより、前記孔から前記ピンを出没させるリフタにおいて、
前記リフタアームには、前記ピン固定部を遊嵌するねじ孔が設けられており、
前記ピン固定部は、
内部に前記ピンの下端部を固定するピン挿入孔を有し、前記ねじ孔に遊嵌される遊動部と、
該遊動部の上側に連設され、該遊動部より大径であり、内側を前記ピンが貫通した状態で前記リフタアームの上面に当接する、鍔状の支持部と、
前記遊動部の下側に連設され、外周面に前記ねじ孔と螺合すべき雄ねじが設けられており、該雄ねじが前記ねじ孔と螺合され、該ねじ孔を突き抜けた状態で、前記遊動部を下側で支持する下側固定部と
を備え、
前記ねじ孔内に、前記遊動部との間で形成する環状の隙間が設けられており、
該隙間により、ピン固定部が可動し、ピンが可動することを特徴とするリフタ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のリフタと、
チャンバと、
載置台と
を備えることを特徴とする被処理体の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板及び液晶用ガラス基板等の被処理体を昇降させるためのリフタ及びこれを備え、被処理体に成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理及び結晶化処理等の処理を行う処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造工程においては、半導体ウエハ等の被処理体に成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等の各種の処理を繰り返し行うことによって被処理体に集積回路を形成する。このような製造工程の各処理段階においては、処理装置のチャンバ内に配置された基板載置部上に半導体ウエハを載置した状態で、基板載置部上の半導体ウエハに対して各種処理を施すことが多い。このような処理装置において、半導体ウエハを基板載置部へ供給し、基板載置部から半導体ウエハを取り出す場合に、基板載置部に対して半導体ウエハを昇降動作させるリフタが用いられている。
【０００３】
図７は、従来のリフタのピン及びリフタアームを示す断面図であり、図中、１３０がピンである。基板載置部１３１には、上下方向に貫通するピン挿通孔１３１ａが設けられている。ピン挿通孔１３１ａは上部に段部１３１ｂを有し、上部が下部より大径となっている。
ピン１３０は、上端に他より大径のヘッド部１３０ａを有し、このヘッド部１３０ａが段部１３１ｂに係止されている。ピン１３０の下端部にはリフタアーム１３２に当接される当接部１３０ｂが螺合されている。
リフタアーム１３２は、チャンバ内の基板載置部１３１の下方に配されており、チャンバの底部を上下動可能に貫通する駆動軸（図示せず）により昇降可能に構成されている。そして、リフタアーム１３２が上昇することにより、リフタアーム１３２がピン１３０の当接部１３０ｂに当接して、ピン１３０が上昇し、ピン１３０のヘッド部１３０ａに支持された半導体ウエハＷが持ち上げられ、リフタアーム１３２が下降することにより、当接部１３０ｂがリフタアームから浮いた状態で、ヘッド部１３０ａが段部１３１ｂに係止され、半導体ウエハＷが基板載置部１３１に載置される。
【０００４】
図８は、従来の他のリフタのピン及びリフタアームを示す断面図であり、図中、１４３がピンである。ピン１４３の下端部は、上部が下部より大径である固定部１４４の内部に圧入され、又はねじ止めされている。リフタアーム１４２には挿通孔１４２ａが設けられている。固定部１４４には、ワッシャ１４５及びナット１４６が嵌められており、固定部１４４の下部を挿通孔１４２ａに挿通し、ワッシャ１４５を介してナット１４６をリフタアーム１４２の上面に締め付けることで、固定部１４４は固定される。
【０００５】
特許文献１には、基板載置部のピン挿通孔の下端周縁部に、ピン挿通孔と同軸に下方へ突出する延長スリーブが設けられた昇降機構の発明が開示されている。この特許文献１のピンの下端部は、図７のピン１３０と同様に、リフタアームに設けられたピン固定部に、離間可能な状態で当接支持されており、リフタアームが下降することにより、前記下端部がリフタアームから浮いた状態となる。
【特許文献１】特開２００４−３４３０３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図７のリフタの場合、リフトピン１３０のヘッド部１３０ａが半導体ウエハＷに静電吸着され、リフタアーム１３２側に下りて来ず、半導体ウエハＷの搬送エラーが生じるという問題があった。
図８のリフタの場合、固定部１４４がリフタアーム１４２に完全に固定されているので、ピン１４３が径方向に動くことが出来ない。従って、半導体ウエハＷの処理時に、基板載置部１４１が熱膨張してピン挿通孔１４１ａが狭まった場合にもピン１４３がピン挿通孔１４１ａ内を上下動出来るように、ピン１４３の径をピン挿通孔１４１ａの径より小さくしてある。ピン１４３が細いので、リフタの組み付け時に、ピン１４３とピン挿通孔１４１ａとの位置合わせが困難であり、ピン１４３が基板載置部１４１のピン挿通孔１４１ａに斜めに入って、ピン挿通孔１４１ａが破損するという問題があった。
【０００７】
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、処理装置への組み付け時に、ピンのピン挿通孔への位置合わせが容易であり、ピン径を大きくしてピンの破損を防止するとともに、ピンが被処理体に吸着されることがなく、被処理体の搬送エラーが生じないリフタ、及びこのリフタを備える被処理体の処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１発明のリフタは、チャンバ内で処理される被処理体を載置する載置台に貫設した複数の孔に挿通させる複数のピンと、リフタアームと、前記ピンを前記リフタアームに支持するピン固定部とを備え、前記ピンを前記リフタアームに支持した状態で昇降することにより、前記孔から前記ピンを出没させるリフタにおいて、前記リフタアームには、前記ピン固定部を遊嵌する貫通孔が設けられており、前記ピン固定部は、内部に前記ピンの下端部を固定するピン挿入孔を有し、前記貫通孔に遊嵌される遊動部と、該遊動部の上側に連設され、該遊動部より大径であり、内側を前記ピンが貫通した状態で前記リフタアームの上面に当接する、鍔状の支持部と、前記遊動部の下側に連設され、前記貫通孔から突出した螺合部と、該螺合部に螺合した状態で、前記リフタアームの下面に当接し、前記遊動部を下側に接続する下側固定部とを備え、前記貫通孔内に、前記遊動部との間で形成する環状の隙間が設けられており、該隙間により、ピン固定部が可動し、ピンが可動することを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、ピンを支持部に貫通させ、遊動部にねじ止めした上で、この遊動部をリフタアームの貫通孔に遊嵌させ、リフタアームの下側から螺合部に、下側固定部を螺合させて、リフタアームの下面に締め付ける。従って、ピンは貫通孔の径方向に動くことが出来るが、リフタアームに対し相対的に上下に動くのが規制されている。ピンが貫通孔の径方向に動くことが出来るので、処理時に、熱膨張により載置台のピン挿通孔が変形した場合においても、ピンがピン挿通孔を上下動することが出来、ピン径のピン挿通孔の径に対する比率を大きくすることが出来るため、ピン径を相対的に大きくすることが出来る。
ピンが貫通孔の径方向に動くことが出来るので、このリフタの処理装置への組み付け時に、載置台に設けられたピン挿通孔へのピンの位置合わせが容易であり、ピンがピン挿通孔内をスムースに上下に可動出来る。そして、ピン径を大きくすることが出来ることと相まって、ピンが破損するのが抑制されている。
また、処理装置の使用時において、リフタアームが下降するときに、支持部により、ピンが下方へ引っ張られるので、ピンが被処理体から引き離され、被処理体に吸着されることがなく、被処理体の搬送エラーが生じない。
【００１０】
第２発明のリフタは、チャンバ内で処理される被処理体を載置する載置台に貫設した複数の孔に挿通させる複数のピンと、リフタアームと、前記ピンを前記リフタアームに支持するピン固定部とを備え、前記ピンを前記リフタアームに支持した状態で昇降することにより、前記孔から前記ピンを出没させるリフタにおいて、前記リフタアームには、前記ピン固定部を遊嵌するねじ孔が設けられており、前記ピン固定部は、内部に前記ピンの下端部を固定するピン挿入孔を有し、前記ねじ孔に遊嵌される遊動部と、該遊動部の上側に連設され、該遊動部より大径であり、内側を前記ピンが貫通した状態で前記リフタアームの上面に当接する、鍔状の支持部と、前記遊動部の下側に連設され、外周面に前記ねじ孔と螺合すべき雄ねじが設けられており、該雄ねじが前記ねじ孔と螺合され、該ねじ孔を突き抜けた状態で、前記遊動部を下側で支持する下側固定部とを備え、前記ねじ孔内に、前記遊動部との間で形成する環状の隙間が設けられており、該隙間により、ピン固定部が可動し、ピンが可動することを特徴とする。
【００１１】
本発明においては、ピンを上側固定筒に貫通させ、遊動部にねじ止めした上で、下側固定部をねじ孔に回し込み、下側固定部をねじ孔から突き抜けさせることで、ピンが貫通孔の径方向に動くことが出来るとともに、リフタアームに対し相対的に上下に動くのが規制される。
よって、このリフタの処理装置への組み付け時に、載置台に設けられたピン挿通孔へのピンの位置合わせが容易であり、ピンがピン挿通孔内をスムースに上下に可動出来る。そして、ピンがピン挿通孔へ斜めに入り、ピン挿通孔が擦られてパーティクルが生じるのが抑制され、ピン径を大きくすることが出来ることと相まって、ピンが破損するのが抑制されている。
また、処理装置の使用時において、リフタアームが下降するときに、支持部により、ピンが下方へ引っ張られるので、ピンが被処理基体から引き離され、被処理体に吸着されることがなく、搬送エラーが生じない。そして、下側固定部を遊動部に連設しているので、処理装置の使用時において、リフタアームが昇降するときに、下側固定部がずれることがなく、スムースに上下動することが可能になる。
【００１２】
第３発明の被処理体の処理装置は、第１発明又は第２発明のリフタと、チャンバと、載置台とを備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明は、成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等を行う処理装置において、リフタの組み付け時に、載置台に設けられたピン挿通孔へのピンの位置合わせが容易である。また、ピン径を大きくすることが出来ることと相まって、ピンが破損するのが抑制される。
また、処理装置の使用時において、リフタアームが下降するときに、上側固定筒により、ピンが下方へ引っ張られるので、ピンが被処理体から引き離され、被処理体に吸着されることがなく、搬送エラーが生じない。
【発明の効果】
【００１４】
第１及び第３発明によれば、ピンを内部にねじ止めした遊動部がリフタアームの貫通孔に遊嵌されているので、遊びの分、貫通孔の径方向に動くことが出来、リフタアームの載置台への組み付け時に、載置台に設けられたピン挿通孔へのピンの位置合わせが容易である。さらに、処理時に載置台が熱膨張してピン挿通孔が変形した場合にも、ピンが径方向に動くことが出来、ピンがピン挿通孔内をスムースに上下動出来るので、ピンの径を大きくすることが可能となっていることと相まって、リフタの組み付け時にピンが破損するのが抑制される。
また、処理装置の使用時において、リフタアームが下降するときに、上側固定筒により、ピンが下方へ引っ張られるので、ピンが被処理体から引き離され、被処理体に吸着されることがなく、被処理体の搬送エラーが生じることがない。
【００１５】
第２及び第３発明によれば、下側固定部が遊動部に連設されているので、処理装置の使用時で、リフタアームが昇降するときに、下側固定部がずれることがなく、スムースに上下動が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明をマイクロ波プラズマ処理装置に適用した場合の実施形態を示す図面に基づいて、具体的に説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式的断面図であり、図中、１がマイクロ波プラズマ処理装置である。
このマイクロ波プラズマ処理装置１は、気密に構成されており、Ａｌ製からなり、略円筒状であるチャンバ２を備えている。チャンバ２の底部の中央部は開口しており、この底部に排気路３が連設されている。排気路３は、開口した部分の径と同径である上部排気路３ａと、下側が小径となっている下部排気路３ｂと、開閉弁４と、排気（圧力）制御弁３ｃとを備えている。排気制御弁３ｃの下端には、真空ポンプ５が接続されており、真空ポンプ５の側部には、後流排気管６が接続されている。真空ポンプ５を作動させることにより、チャンバ２内の空気が排気路３を通流されて外へ排出され、チャンバ２内が所要の真空度まで減圧される。
【００１７】
チャンバ２の中央部の下部寄りには、被処理体である半導体ウエハＷを水平に保持する基板載置部７が設けられている。基板載置部７は、上部排気路３ａの上から略３分の１の位置からチャンバ２の開口部へ向かって延びる、石英製の支持部８により支持されている。基板載置部７は、ＳｉＣからなる発熱体を内蔵している。
基板載置部７の側方には、リング状のバッフル板４０が設けられている。バッフル板４０は、石英、金属で構成されており、複数の排気孔が、均一に、チャンバ２内を排気出来るように形成されている。
【００１８】
チャンバ２の内側には、略円筒状をなし、不透明石英からなるライナ１０が設けられている。チャンバ２の上部は開口しており、この開口したチャンバ２の上部には、環状のガス導入部１１が載置されている。ガス導入部１１は、多数のガス放射孔（図示せず）を内面に沿って均一に備えており、ガス供給機構に接続されている（図示せず）。ガス供給機構は、例えばＡｒガス供給源、Ｏ2ガス供給源、Ｈ2ガス供給源を有しており、これらのガスはガス導入部１１へ導入され、ガス導入部１１のガス放射孔からチャンバ２内へ放射される。なお、Ａｒガスに代えて他の希ガス、例えばＫｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ等のガスを用いてもよい。
【００１９】
チャンバ２の側壁には、マイクロ波プラズマ処理装置１に隣接する搬送室（図示せず）からチャンバ２内へ半導体ウエハＷを搬入し、チャンバ２から搬送室へ半導体ウエハＷを搬出するための搬送口２ａが設けられている。搬送口２ａはゲートバルブ１２により開閉される。搬送口２ａの上側には、チャンバ２の周方向に冷却水を通流させるための冷却水流路２ｂが、搬送口２ａの下側には、冷却水流路２ｃ，２ｃが設けられている。
【００２０】
チャンバ２の上側には、ガス導入部１１を挟んで、Ａｌ製の透過板支持部１３が設けられている。透過板支持部１３には、その周方向に冷却水を通流させるための冷却水流路１３ａ，１３ａ，１３ａが設けられている。この透過板支持部１３の内側には２段の段部が形成されており、石英製であり、マイクロ波を透過させるマイクロ波透過板１４が、透過板支持部１３の上面の前記段部にリング状のシール部材１５を介して嵌められている。
【００２１】
マイクロ波透過板１４の上側には、マイクロ波透過板１４より大径であり、径方向に少し透過板支持部１３側に突出した状態で、円板状の平面アンテナ１６が設けられている。平面アンテナ１６は、銅製であって、表面が金メッキされた円板状をなす。平面アンテナ１６には、所定のパターンを有し、平面アンテナ１６の上下方向に貫通する、多数のマイクロ波放射孔（スロット）１６ａ，１６ａ…が設けられている。
【００２２】
平面アンテナ１６の上側には、平面アンテナ１６より少し小径であり、真空より大きい誘電率を有する、例えば石英、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド等の樹脂からなる遅波板１７が設けられている。
【００２３】
透過板支持部１３の上側には、遅波板１７の上面及び側面、並びに平面アンテナ１６の側面を覆うように、金属製で導電性の蓋部１８が設けられている。アンテナ支持部１６と蓋部１８との間は、リング状のシール部材１９によりシールされて、透過板支持部１３に固定されている。蓋部１８には、蓋部１８の周方向に冷却水を通流させるための冷却水流路１８ａ，１８ａ…が形成されており、この冷却水流路１８ａ，１８ａ…に冷却水が通流されて、蓋部１８、遅波板１７、平面アンテナ１６及びマイクロ波透過板１４が冷却され、変形及び破損を防止するとともに、安定してプラズマを生成するように構成されている。
【００２４】
蓋部１８の中央部は開口しており、この開口した部分の周縁部に導波管２０が連設されている。導波管２０の端部には、マッチング回路２１を介してマイクロ波発生装置２２が接続されている。マイクロ波発生装置２２により発生した、例えば周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が導波管２０を介して平面アンテナ１６へ伝搬される。
【００２５】
導波管２０は、蓋部１８の開口部から上方へ延びる円形導波管２０ａと、この円形導波管２０ａの上端部にモード変換器２３を介して接続され、水平方向に延びる矩形導波管２０ｂとを備えている。モード変換器２３により、矩形導波管２０ｂをＴＥモードで伝搬するマイクロ波がＴＥＭモードに変換される。円形導波管２０ａの中心には内導体２０ｃが内蔵されており、この内導体２０ｃの下端部は、遅波板１７の中央部に設けられた孔を貫通して平面アンテナ１６に接続されている。マイクロ波は、円形導波管２０ａの内導体２０ｃを介して平面アンテナ１６に均一に効率良く伝搬される。
【００２６】
基板載置部７を支持する支持部８の底部は、Ａｌ製で、フランジ部を有する円柱状の支持部固定部２４に、Ａｌ製の固定リング２５を介してクランプ２６により固定されている。支持部固定部２４は、Ａｌ製の固定部取付部２７の上部に嵌められている。固定部取付部２７は、その側部が取付けパネル２８に嵌められた状態で、上部排気路３ａに取り付けられている。
【００２７】
固定部取付部２７には、取付けパネル２８側の側部に開口部２７ｂが設けられており、この開口部２７ｂを取付けパネル２８に設けられた孔２８ａに合わせた状態で、固定部取付部２７が取付けパネル２８に嵌められている。
【００２８】
図２は、基板載置部７及び支持部８を示す分解斜視図である。基板載置部７の石英からなり、円板状をなす基盤部７１上には、順次、Ｓｉからなる第１リフレクタ７２、石英からなる絶縁板７３、導電性のＳｉＣ焼結体からなる発熱体７４が積層されている。そして、発熱体７４の上面、並びに発熱体７４、リフレクタ７２及び絶縁板７３の側面を覆う、石英製のカバー７５が設けられており、さらに、カバー７５上には、リング状のＳｉ製の第２リフレクタ７６が載置されている。第１リフレクタ７２、絶縁板７３及び発熱体７４は、それぞれ２枚の半円板からなり、各２枚ずつ円をなすように突き合わした上で積層される。
【００２９】
図３は、リフタ９を示す斜視図、図４は、リフタ９を示す背面図である。
石英製のリフタアーム９１及び９２は、基板載置部７の下方に配されており、リフタアーム９１，９２は、チャンバ２の底部を上下動可能に貫通する昇降軸９６，９６によりチャンバ２内を昇降出来るように構成されている（図１参照）。
リフタアーム９１，９２は、昇降軸９６，９６に、連結部９７，９７を介して連結されており、チャンバ２の径方向と一致する方向に延びる延出部９１ａ，９２ａと、基板載置部７と同心で、基板載置部７の径より少し小径の円の円弧をなす円弧部９１ｂ，９２ｂとからなる。円弧部９１ｂは円弧部９２ｂより長い。円弧部９１の先端部には、石英製のピン９３が立設されており、ピン９３から周方向に１２０度離隔してピン９５が立設されている。円弧部９２ｂの先端部には、ピン９４が立設されている。ピン９３，９４及び９５は、それぞれ周方向に１２０度離隔して立設されている。
【００３０】
前記連結部９７は、各２枚の連結板９７ａ、連結板９７ｂ及び止め板９７ｃ、並びにカバー９７ｄ、複数のネジ９７ｅ、ネジ９７ｆ及びネジ９７ｇを備える。リフタアーム９１，９２は、連結板９７ａ，９７ａにそれぞれ、止め板９７ｃ，９７ｃを介してネジ９７ｆ，９７ｆ，…によりネジ止めされている。連結板９７ａ，９７ａの端部下側には、それぞれ連結板９７ｂ，９７ｂが連結されている。各ネジ９７ｅは、連結板９７ａ及び連結板９７ｂを貫通した状態で、昇降軸９６にネジ止めされている。
カバー９７ｄは、２枚の連結板９７ａを付け合わせたときに、両端部が連結板９７ａ，９７ａの凹部９７ｈ，９７ｈに嵌められた状態で、連結板９７ａ，９７ａの背後を覆い、ネジ９７ｇ，９７ｇにより連結板９７ａ，９７ａにネジ止めされるように構成されている。
リフタ９は、カバー９７ｄを外し、ネジ９７ｅ，９７ｅを緩めることで、リフタアーム９１が連結された連結板９７ａ、又はリフタアーム９２が連結された連結板９７ａが昇降軸９６に対し相対的に回転し、リフタアーム９１，９２が左右に開くように構成されている。
【００３１】
リフタ９の昇降部１１０は、軸ホルダ１１１、支持部１１２、支持部１１３、支柱部１１４、リニアスライドレール１１５、モータ１１６、プーリ１１７、ボールネジ１１８、支持部１１９及び載置台１２２を備える。
軸ホルダ１１１、支持部１１２及び支持部１１３は連結され、支持部１１９は支持部１１３の内側に嵌め込まれた支持部１１３ａに連設されている。
リニアスライドレール１１５は、支柱部１１４の鉛直方向に設けられており、支持部１１３の鉛直方向に設けられた凹溝部がリニアスライドレール１１５に嵌められている。支柱部１１４はモータ１１６上の載置台１２２上に載置されている。支柱部１１４の下部には凹部１１４ａが設けられており、凹部１１４ａ内で、モータ１１６の回転がプーリ１１７に伝達されるように構成されている。
昇降軸９６，９６は、連結板９８，９８を貫通して金属製の蛇腹状のベローズ９９，９９内を挿通され、軸ホルダ１１１により保持されている。
モータ１１６が駆動し、モータ１１６によりプーリ１１７を介してボールネジ１１８が回転すると、これに伴い支持部１１９が上下し、これに連動して、支持部１１３、並びにこれに連なる支持部１１２及び軸ホルダ１１１が、リニアルスライドレール１１５に沿って、上下にスライドするように構成されている。これにより、ベローズ９９，９９により、チャンバ２内の気密性を維持しつつ、昇降軸９６，９６が上下し、リフタアーム９１，９２が上下する。
【００３２】
また、ネジ１２０，１２０を回すことにより、昇降軸９６，９６及びこれに連結されたリフタアーム９１，９２の位置が、ｙ軸方向に微調整されるように構成されている。そして、軸ホルダ１１１及び１１２の下面を貫通するネジ１２１を回すことにより、昇降軸９６及びこれに連結されたリフタアーム９１，９２の位置が、ｘ軸方向に微調整されるように構成されている。
【００３３】
図５は、ピン９３が基板載置部７のピン挿通孔に挿通された状態を示す一部断面図である。
基盤部７１の周縁部寄りには、基盤部７１を上下方向に貫通するピン挿通孔７１ａが設けられている。ピン挿通孔７１ａの上部の孔の外縁には、例えばパイプ状の突出部７１ｂが設けられ、突出部７１ｂの上部に、第１リフレクタ７２が支持されている。同様に、第１リフレクタ７２、絶縁板７３及び発熱体７４には、ピン挿通孔７２ａ、ピン挿通孔７３ａ及びピン挿通孔７４ａがそれぞれ設けられている。カバー７５の下面には、ピン挿通孔７４ａ、ピン挿通孔７３ａ及びピン挿通孔７２ａに対応して貫通し、ピン挿通孔７１ａの内部まで達するピン挿通部７５ａが垂設されている。そして、ピン挿通部７５ａには、ピン９３が上下に移動可能な挿通孔７５ｂが形成されている。
【００３４】
リフタアーム９１の先端部には、リフタアーム９１を貫通する貫通孔９１ｃが設けられている。
リフタアーム９１に設けられた貫通孔９１ｃには、ピン９３を支持する、ピン固定部１０２が挿通され、リフタアーム９１の下面で、下側固定部１０３により固定されている。例えばナットからなるピン固定部１０２は、鍔部（支持部）１０２ａ、遊動部１０２ｂ、螺合部１０２ｃ及びピン挿入孔１０２ｄを備える。鍔部１０２ａは遊動部１０２ｂより大径であり、ピン９３は、下端部がピン挿入孔１０２ｄにねじ止めされている。遊動部１０２ｂは貫通孔９１ｃに遊嵌され、鍔部１０２ａは貫通孔９１ｃより大径であり、リフタアーム９１の上面に当接している。貫通孔９１ｃ内には、遊動部１０２ｂとの間で環状の隙間９１ｅが形成されている。螺合部１０２ｃの外周面には雄ねじが設けられている。貫通孔９１ｃより大径である、例えばナット等の固定部材である下側固定部１０３は、螺合部１０２ｃに螺合されて、リフタアーム９１の下面に当接した状態で、ピン固定部１０２が前後左右に可動するとともに、ピン９３が可動する。
【００３５】
他のピン９４，９５も同様に、ピン固定部１０２の内部にねじ止めされており、このピン固定部１０２の遊動部１０２ｂがリフタアーム９１，９２に設けられた貫通孔に遊嵌されている。
【００３６】
上述したように、リフタアーム９１，９２が昇降軸９６，９６により昇降されることにより、リフタアーム９１，９２に設けられたピン９３，９４，９５が昇降する。ピン９３，９４，９５が上昇して、上端部が基板載置部７を突き抜けたときに、半導体ウエハＷが持ち上げられ、ピン９３，９４，９５が下降して、上端が基板載置部７内に収納されたときに、半導体ウエハＷは基板載置部７に載置される。
【００３７】
以上のように、ピン固定部１０２が貫通孔９１ｃに遊嵌されているので、ピン９３をねじ込んだピン固定部１０２は遊びの分、貫通孔９１ｃの径方向に動くことが出来る。従って、リフタ９のチャンバ２への組み付け時に、ピン９３は、ピン挿通部７５ａに容易に挿通され、容易にピン挿通孔７５ｂ内へ導入される。
その際、ピン９３がピン挿通孔７５ｂの内壁に接触してもピン固定部１０２がフローティング状態にあるので、直ちに、ピン９３の軸心がピン挿通孔７５ｂの軸心と一致した状態で遊嵌される。処理時に基板載置部７が熱膨張した場合にもピン９３が貫通孔９１ｃ内をまた、自由に動くことが出来るので、破損することなく、ピン挿通孔７５ｂ内をピン９３がスムースに昇降することが出来るため、ピン９３の径を従来のピンの径より大きくすることが出来、安定した半導体ウエハＷの支持及び搬送が可能となる。
他のピン９４，９５も同様に、基板載置部７のピン挿通孔及びピン挿通部へ容易に導入され、ピン９４，９５のピン挿通孔及びピン挿通部への設定が容易に調整される。そして、ピン９４，９５の破損が抑制されている。
【００３８】
以上のように構成されたマイクロ波プラズマ処理装置１においては、ガス導入部１１から例えばＡｒガス及びＯ2ガスを導入し、平面アンテナ１６を所定の周波数のマイクロ波で駆動することにより、チャンバ２内に高密度プラズマが形成される。励起されたＡｒガスプラズマは酸素分子に作用し、チャンバ２内には、酸素ラジカルが効率良く、均一に形成され、基板載置部７上に載置された半導体ウエハＷの表面が酸化される。半導体ウエハＷを窒化処理する場合は、Ａｒガス等の希ガスとＮＨ3ガス又はＮ2ガスとをガス導入部１１からチャンバ２内に導入し、半導体ウエハＷを酸窒化処理する場合は、窒化処理に用いるガスにさらにＯ2ガスを導入する場合がある。
【００３９】
そして、このマイクロ波プラズマ処理装置１においては、リフタアーム９１，９２を下降させるときに、ピン固定部１０２の鍔部１０２ａによりピン９３，９４，９５が下方へ引っ張られるので、ピン９３，９４，９５が半導体ウエハＷからスムースに、また容易に離され、半導体ウエハＷに静電吸着されることがなく、半導体ウエハＷの搬送エラーが生じることがない。
【００４０】
実施の形態２．
図６は、実施の形態２に係るピン９３が基板載置部７のピン挿通孔に挿通された状態を示す一部断面図である。図中、図５のピン９１及び基板載置部７と同一部分は同一符号を付してある。
リフタアーム９１の先端部には、リフタアーム９１を貫通するねじ孔９１ｄが設けられている。ねじ孔９１ｄには、鍔部（支持部）１０８ａ，遊動部１０８ｂ、下側固定部１０８ｃ及びピン挿入孔１０８ｄを備える、ピン固定部１０８が遊嵌されている。鍔部１０８ａは遊動部１０８ｂより大径であり、ピン９３は、下端部がピン挿入孔１０８ｄにねじ止めされている。遊動部１０８ｂは貫通孔９１ｄに遊嵌され、鍔部１０８ａは貫通孔９１ｄより大径であり、リフタアーム９１の上面に当接している。下側固定部１０８ｃは、外周面にねじ孔９１ｄと螺合すべき雄ねじが設けられており、雄ねじがねじ孔９１ｄと螺合され、ねじ孔９１ｄを突き抜けた状態で、遊動部１０８ｂを下側から固定する。貫通孔９１ｄ内には、遊動部１０８ｂとの間で環状の隙間９１ｆが形成されている。これによりピン固定部１０８が前後左右に可動するとともに、ピン９３が可動する。
【００４１】
他のピン９４，９５も同様に、ピン固定部１０８の内部にねじ止めされており、このピン固定部１０８の遊動部１０８ｂがリフタアーム９１，９２に設けられた貫通孔に遊嵌されている。
【００４２】
以上のように、ピン固定部１０８は、ピン９３をねじ込んだ状態で、ねじ孔９１ｄに遊嵌されているので、遊びの分、ピン固定部１０８はねじ孔９１ｄの径方向に動くことが出来る。従って、リフタ９のチャンバ２への組み付け時に、ピン９３は、ピン挿通部７５ａに容易に挿通され、容易にピン挿通孔７５ｂ内へ導入される。
その際、ピン９３がピン挿通孔７５ｂの内壁に接触してもピン固定部１０８がフローティング状態にあるので、直ちに、ピン９３の軸心がピン挿通孔７５ｂの軸心と一致した状態で遊嵌される。処理時に基板載置部７が熱膨張した場合にもピン９３がねじ孔９１ｄ内をまた、自由に動くことが出来るので、破損することなく、ピン挿通孔７５ｂ内をピン９３がスムースに昇降することが出来るため、ピン９３の径を従来のピンの径より大きくすることが出来、安定した半導体ウエハＷの支持及び搬送が可能となる。
他のピン９４，９５も同様に、基板載置部７のピン挿通孔及びピン挿通部へ容易に導入され、ピン９４，９５のピン挿通孔及びピン挿通部への設定が容易に調整される。そして、ピン９４，９５の破損が抑制されている。
【００４３】
また、このマイクロ波プラズマ処理装置１においては、リフタアーム９１を下降させるときに、鍔部１０８ａにより、ピン９３が下方へ引っ張られるので、ピン９３が半導体ウエハＷからスムースに、また容易に引き離され、半導体ウエハＷに吸着されることがなく、半導体ウエハＷの搬送エラーが生じることがない。
さらに、ピン固定部１０８は一体形成されているので、リフタアーム９１が昇降することにより、下側固定部１０８ｃがずれることがなく、リフタアーム９１への固定が安定している。
他のピン９３，９４も同様に、半導体ウエハＷからスムースに、また容易に引き離され、半導体ウエハＷの搬送エラーが生じることがない。
【００４４】
なお、リフタ９の昇降機構、基板載置部７の内部構造等を含むマイクロ波プラズマ処理装置１の構造は、前記実施の形態１及び２において説明した場合に限定されない。
そして、前記実施形態１及び２においては、本発明をマイクロ波プラズマ処理装置に適用した場合につき説明しているが、これに限定されるものではなく、本発明は、他の成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等を行う処理装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式的断面図である。
【図２】基板載置部及び支持部を示す分解斜視図である。
【図３】リフタを示す斜視図である。
【図４】リフタを示す背面図である。
【図５】ピンが基板載置部のピン挿通孔に挿通された状態を示す一部断面図である。
【図６】実施の形態２に係るピンが基板載置部のピン挿通孔に挿通された状態を示す一部断面図である。
【図７】従来のリフタのピン及びリフタアームを示す断面図である。
【図８】従来の他のリフタのピン及びリフタアームを示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  マイクロ波プラズマ処理装置
２  チャンバ
３  排気路
４  開閉弁
５  真空ポンプ
７  基板載置部
７１  基盤部
７２  第１リフレクタ
７３  絶縁板
７４  発熱体
７５  カバー  
７６  第２リフレクタ
８  支持部
９  リフタ
９１、９２  リフタアーム
９３、９４、９５  ピン
９６  昇降軸
９７  連結部
９９  ベローズ
１３  透過板支持部
１４  マイクロ波透過板
１６  平面アンテナ
２４  支持部固定部
２７  固定部取付部
１０２  ピン固定部
１０２ａ  鍔部
１０２ｂ  遊動部
１０２ｃ  螺合部
１０２ｄ  ピン挿入孔
１０３  下側固定部
１０８  ピン固定部
１０８ａ  鍔部
１０８ｂ  遊動部
１０８ｃ  下側固定部
１１０  昇降部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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