(57)【要約】【課題】  特に、抵抗体の比抵抗を従来よりも高めて前記抵抗体を厚い膜厚で形成することが可能な磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  下部シールド層３と基板１間、及び上部シールド層１６と基板１間は、夫々、Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｂ及びＯを有して成る抵抗体２４，２５を介して電気的に接続されている。Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｂ及びＯを有して成る抵抗体２４，２５は、従来から使用されているＴａや、ＴａＮで形成された抵抗体に比べて比抵抗が高い。したがって本実施形態では、前記抵抗体２４，２５の膜厚を従来より厚くしても高い抵抗値を確保でき、よって本実施形態の磁気ヘッドは、従来に比べて断線の生じにくい抵抗体２４，２５を備えた信頼性の高いものとなる。【選択図】  図１
2007188585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された再生用ヘッドと、を有して構成される磁気ヘッドにおいて、
前記再生用ヘッドは、トンネル型磁気検出素子と、その上下に形成された電極層と、を有し、
各電極層と前記基板間は、Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｂ及びＯを有して成る抵抗体により接続されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
Ｔａの組成比ｘは３０ａｔ％以上で６５ａｔ％以下の範囲内である請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記抵抗体の組成式はＴａｘＳｉｙＮｂｚＯｗで示され、ｙは、１５ａｔ％以上で２２ａｔ％以下、ｚは１ａｔ％以上で３ａｔ％以下、ｗは、２５ａｔ％以上で４３ａｔ％以下であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００ａｔ％の関係を満たす請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記抵抗体の少なくとも一部は非晶質で形成される請求項１又は２に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
基板と、前記基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された再生用ヘッドと、を有して構成され、前記再生用ヘッドは、トンネル型磁気検出素子と、その上下に形成された電極層と、を有して構成される磁気ヘッドの製造方法において、
前記電極層と前記基板間を接続する抵抗体を、Ｔａターゲット、ＳｉＯ２ターゲット及びＮｂ２Ｏ５ターゲットを用いてスパッタ形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記Ｔａターゲットの組成比をａ、前記ＳｉＯ２ターゲットの組成比をｂ、前記Ｎｂ２Ｏ５ターゲットの組成比をｃとしたとき、ａを４０ｍｏｌ％以上で６０ｍｏｌ％以下、ｂを３８ｍｏｌ％以上で５８ｍｏｌ％以下、ｃを０ｍｏｌ％より大きく５ｍｏｌ％以下（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ｍｏｌ％）の範囲内で調整する請求項５記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク装置に搭載されるトンネル型磁気検出素子を備えた磁気ヘッドに係り、特に、従来に比べて、前記トンネル型磁気検出素子に蓄積された電荷を基板へ逃がすための抵抗体を厚膜で形成することが可能な磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、磁気抵抗ヘッド組立体と基板間にブリード抵抗を設けた発明が開示されている。
【０００３】
トンネル型磁気検出素子では、反強磁性層、固定磁性層、絶縁障壁層、及びフリー磁性層を有して構成され、前記トンネル型磁気検出素子の上下に電極層を兼ねる磁気シールド層が設けられる。前記トンネル型磁気検出素子では、前記絶縁障壁層の上側の積層体、及び下側の積層体の夫々に、電荷が蓄積されやすく、その結果、静電気放電（ＥＳＤ）により前記絶縁障壁層が絶縁破壊を起こす不具合があった。
【０００４】
このため特許文献１では、前記ブリード抵抗を設けて前記電荷を前記基板へ逃がしやすくして、ＥＳＤによる絶縁破壊を適切に抑制することがなされている。
【特許文献１】特開２００２−３５８６１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、トンネル型磁気検出素子の素子抵抗は約３００Ωであり、これに比較して前記ブリード抵抗を十分に高くする必要があった。具体的には、前記ブリード抵抗を３０ｋΩ程度にすることが必要であった。
【０００６】
従来では、前記ブリード抵抗をＴａ、あるいはＴａＮ（特許文献１の［００２６］欄を参照）で形成していた。Ｔａの比抵抗は約２００μΩ・ｃｍ、ＴａＮの比抵抗は約２６５μΩ・ｃｍである。
【０００７】
上記のように、前記ブリード抵抗の抵抗値を高めるべく、従来では、前記ブリード抵抗を特許文献１の図４に示すようにミアンダー形状（蛇行形状）で形成して長さを長くし抵抗値を高めていたが、磁気ヘッドの小型化により、益々、前記ブリード抵抗を形成する領域は限られたものとなり、したがって、確実に上記した抵抗値を得るには、前記ブリード抵抗の断面積を小さくすべく膜厚をできる限り薄くする必要があった。
【０００８】
しかし、前記ブリード抵抗の膜厚を薄くすることで、前記ブリード抵抗が断線する不具合が生じた。また前記ブリード抵抗の形成面は平坦化面でなく、凹凸面で形成されやすい。よってこのような凹凸面に膜厚の薄い前記ブリード抵抗を形成すると特に前記形成面の段差の部分でブリード抵抗が適切に形成されず断線するに至った。
【０００９】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するものであり、特に、抵抗体の比抵抗を従来よりも高めて前記抵抗体を厚い膜厚で形成することが可能な磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板と、前記基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された再生用ヘッドと、を有して構成される磁気ヘッドにおいて、
前記再生用ヘッドは、トンネル型磁気検出素子と、その上下に形成された電極層と、を有し、
各電極層と前記基板間は、Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｂ及びＯを有して成る抵抗体により接続されていることを特徴とするものである。
【００１１】
Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｂ及びＯを有して成る抵抗体は、従来から使用されているＴａや、ＴａＮで形成された抵抗体に比べて比抵抗が高い。したがって本発明では、前記抵抗体の膜厚を従来より厚くしても高い抵抗値を確保でき、よって本発明の磁気ヘッドは、従来に比べて断線の生じにくい抵抗体を備えた信頼性の高いものとなる。
【００１２】
本発明では、Ｔａの組成比ｘは３０ａｔ％以上で６５ａｔ％以下の範囲内であることが好ましい。これにより、前記抵抗体の比抵抗を１ｍΩ・ｃｍ以上に設定することが可能になる。
【００１３】
また本発明では、前記抵抗体の組成式はＴａｘＳｉｙＮｂｚＯｗで示され、ｙは、１５ａｔ％以上で２２ａｔ％以下、ｚは１ａｔ％以上で３ａｔ％以下、ｗは、２５ａｔ％以上で４３ａｔ％以下であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００ａｔ％の関係を満たすことが好ましい。これにより、確実に前記抵抗体の比抵抗を１ｍΩ・ｃｍ以上に出来る。
【００１４】
また本発明では、前記抵抗体の少なくとも一部は非晶質で形成されることが前記抵抗体の比抵抗をより適切に高める上で好ましい。
【００１５】
また本発明は、基板と、前記基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された再生用ヘッドと、を有して構成され、前記再生用ヘッドは、トンネル型磁気検出素子と、その上下に形成された電極層と、を有して構成される磁気ヘッドの製造方法において、
前記電極層と前記基板間を接続する抵抗体を、Ｔａターゲット、ＳｉＯ２ターゲット及びＮｂ２Ｏ５ターゲットを用いてスパッタ形成することを特徴とするものである。
【００１６】
これにより前記抵抗体を、Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｂ及びＯを有する高抵抗材料により適切且つ簡単にスパッタ形成できる。特にＴａターゲットの全体に占める組成比を調整することで、前記抵抗体の比抵抗を所定範囲内に、適切且つ簡単に制御することが可能である。
【００１７】
本発明では、前記Ｔａターゲットの組成比をａ、前記ＳｉＯ２ターゲットの組成比をｂ、前記Ｎｂ２Ｏ５ターゲットの組成比をｃとしたとき、ａを４０ｍｏｌ％以上で６０ｍｏｌ％以下、ｂを３８ｍｏｌ％以上で５８ｍｏｌ％以下、ｃを０ｍｏｌ％より大きく５ｍｏｌ％以下（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ｍｏｌ％）の範囲内で調整することが好ましい。これにより、１ｍΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有する抵抗体を簡単且つ適切に形成することが出来る。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、トンネル型磁気検出素子の上下に形成された各電極層と基板間を接続する抵抗体は、Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｂ及びＯを有して形成される。
【００１９】
Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｂ及びＯを有して成る抵抗体は、従来から使用されているＴａや、ＴａＮで形成された抵抗体に比べて比抵抗が高い。したがって本発明では、前記抵抗体の膜厚を従来より厚くしても高い抵抗値を確保でき、よって本発明の磁気ヘッドは、従来に比べて断線の生じにくい抵抗体を備えた信頼性の高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本実施形態における磁気ヘッドの部分斜視図、図２は、図１に示す磁気ヘッドを記録媒体との対向面から見た部分正面図、図３は前記磁気ヘッドの回路図である。
【００２１】
図中においてＸ方向は、トラック幅方向、Ｙ方向は、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向（ハイト方向）、Ｚ方向は、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向及び前記トンネル型磁気抵抗効果素子の各層の積層方向、である。
【００２２】
符号１は、基板（スライダ）である。前記基板１は、例えばアルミナチタンカーバイト（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）で形成される。
【００２３】
前記基板１上にはＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の絶縁材料で形成された絶縁層２が前記基板１上の全面に形成される。
【００２４】
前記絶縁層２上には下部シールド層（下部電極層）３が形成される。前記下部シールド層３は、図１に示すように、略矩形状で形成される。ただし前記下部シールド層３の形態は特に限定されない。図１には図示されていないが前記下部シールド層３の周囲には絶縁層が形成され、前記下部シールド層３の上面と前記絶縁層の上面はほぼ平坦化面とされている。
【００２５】
図１に示すように前記下部シールド層３上にはトンネル型磁気検出素子４が形成されている。前記トンネル型磁気検出素子４の前面は、記録媒体との対向面と同平面に形成される。前記トンネル型磁気検出素子４の膜構成について図２を参照しながら説明する。
【００２６】
図２に示すように、前記トンネル型磁気検出素子４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）のほぼ中央には積層体５が形成されている。前記積層体５は、下からシード層６、反強磁性層７、固定磁性層８、絶縁障壁層９、フリー磁性層１０及び保護層１１の順に積層されている。
【００２７】
前記シード層６は、ＮｉＦｅＣｒまたはＣｒによって形成される。前記シード層６をＮｉＦｅＣｒによって形成すると、前記シード層６は、面心立方（ｆｃｃ）構造を有し、膜面と平行な方向に{１１１}面として表される等価な結晶面が優先配向しているものになる。また、前記シード層６をＣｒによって形成すると、前記シード層６は、体心立方（ｂｃｃ）構造を有し、膜面と平行な方向に{１１０}面として表される等価な結晶面が優先配向しているものになる。なお前記シード層６と前記下部シールド層３との間に非磁性導電材料からなる下地層が形成されてもよい。
【００２８】
前記反強磁性層７は、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料、又は、元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成される。例えば前記反強磁性層７は、ＩｒＭｎやＰｔＭｎで形成される。
【００２９】
前記固定磁性層８は、下から第１固定磁性層８ａ、非磁性中間層８ｂ、第２固定磁性層８ｃの順で積層された積層フェリ構造である。前記反強磁性層７との界面での交換結合磁界及び非磁性中間層８ｂを介した反強磁性的交換結合磁界（ＲＫＫＹ的相互作用）により前記第１固定磁性層８ａと第２固定磁性層８ｃの磁化方向は互いに反平行状態にされる。これは、いわゆる積層フェリ構造と呼ばれ、この構成により前記固定磁性層８の磁化を安定した状態にでき、また前記固定磁性層８と反強磁性層７との界面で発生する交換結合磁界を見かけ上大きくすることができる。
【００３０】
前記第１固定磁性層８ａ及び第２固定磁性層８ｃは、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅＮｉなどの強磁性材料で形成される。特に前記第２固定磁性層８ｃの表面層（絶縁障壁層９と接する側）にはＣｏ２ＭｎＧｅ等のホイスラー合金が設けられていると抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができ好ましい。また非磁性中間層８ｂは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕなどの非磁性導電材料で形成される。
【００３１】
前記絶縁障壁層９は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ等の酸化物絶縁材料で形成される。
前記フリー磁性層１０は、例えばＮｉＦｅ合金等の磁性材料で形成される軟磁性層と、前記軟磁性層と前記絶縁障壁層９との間に例えばＣｏＦｅ合金からなるエンハンス層と、で構成される。前記軟磁性層は、軟磁気特性に優れた磁性材料で形成されることが好ましく、前記エンハンス層は、前記軟磁性層よりもスピン分極率の大きい磁性材料で形成されることが好ましい。ＣｏＦｅ合金等のスピン分極率の大きい磁性材料で前記エンハンス層を形成することで、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができる。前記エンハンス層に前記ホイスラー合金を用いてもよい。
【００３２】
前記保護層１１は、Ｔａ等の非磁性導電材料で形成される。
図２に示すように、前記積層体５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面５ａ，５ａは、下側から上側に向けて徐々に前記トラック幅方向の幅寸法が小さくなるように傾斜面で形成されている。
【００３３】
図２に示すように、前記積層体５の両側に広がる下部シールド層３上から前記積層体５の両側端面５ａ上にかけて下側絶縁層１２が形成され、前記下側絶縁層１２上にハードバイアス層１３が形成され、さらに前記ハードバイアス層１３上に上側絶縁層１４が形成されている。前記絶縁層１２，１４はＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の絶縁材料で形成される。前記ハードバイアス層１３は例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金などで形成される。
【００３４】
前記積層体５上及び上側絶縁層１４上にはＮｉＦｅ合金等で形成された上部シールド層（上部電極層）１６が形成されている。図１では、前記上部シールド層１６も前記下部シールド層３と同様に略矩形状で形成される。ただし前記上部シールド層１６の形態は図１のものに限定されない。
【００３５】
図１に示すように、前記下部シールド層３には第１リード部２０が電気的に接続されている。また図１に示すように、前記上部シールド層１６には第２リード部２１が電気的に接続されている。前記第１リード部２０及び第２リード部２１はＡｕやＣｕ等の低抵抗材料やシールド層３，１６と同様の磁性材料によって形成される。前記第１リード部２０及び前記第２リード部２１はスパッタ形成やメッキ形成される。
【００３６】
図１に示すように、前記第１リード部２０及び第２リード部２１には、上方（図示Ｚ方向）に向けて突出する第１バンプ部２２，及び第２バンプ部２３が夫々、電気的に接続されている。前記第１バンプ部２２，および第２バンプ部２３は、ＡｕやＣｕ等の低抵抗材料で形成される。前記第１バンプ部２２及び前記第２バンプ部２３は例えばメッキ形成される。
【００３７】
図１に示すように、例えば前記第１リード部２０と同一形成面上には、第１抵抗体（第１ブリード抵抗）２４及び第２抵抗体（第２ブリード抵抗）２５が形成されている。前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５は、抵抗値を高くするために限られた面積内で長さを長くすべくミアンダー形状（蛇行形状）で形成される。前記第１抵抗体２４の両側には幅広部２４ａ，２４ｂが形成され、一方の幅広部２４ａと前記第１リード部２０間が第１接続部２６を介して電気的に接続され、他方の幅広部２４ｂには、前記絶縁層２内に埋設された前記基板１にまで通じる第２接続部２７が電気的に接続されている。前記第１接続部２６や前記第２接続部２７は、ＡｕやＣｕ等の低抵抗材料やシールド層３，１６と同様の磁性材料によってスパッタあるいはメッキ形成される。
【００３８】
また図１に示すように、前記第２抵抗体２５の両側には幅広部２５ａ，２５ｂが形成され、一方の幅広部２５ａと前記第２リード部２１間が図示しない絶縁層に埋設された第３接続部２８を介して電気的に接続され、他方の幅広部２５ｂには、前記絶縁層２内に埋設された前記基板１にまで通じる第４接続部２９が電気的に接続されている。前記第３接続部２８や前記第４接続部２９は、ＡｕやＣｕ等の低抵抗材料やシールド層３，１６と同様の磁性材料によってスパッタあるいはメッキ形成される。
【００３９】
図１，図３に示すように、前記下部シールド層３と前記基板１間は、前記第１リード部２０，第１接続部２６、第１抵抗体２４及び第２接続部２７を介して電気的に接続され、前記上部シールド層１６と前記基板１間は、前記第２リード部２１，第３接続部２８、第２抵抗体２５及び第４接続部２９を介して電気的に接続されている。
【００４０】
上記したように、前記下部シールド層３及び上部シールド層１６は前記トンネル型磁気検出素子４を構成する積層体５に対する電極層として機能し、図１，図３に示すように電流は、第１バンプ部２２−第１リード部２０−下部シールド層（下部電極層）３―トンネル型磁気検出素子４−上部シールド層（上部電極層）１６−第２リード部２１―第２バンプ部２３の順に流れ（あるいはその逆に流れ）、よって前記電流は、前記積層体５の各層の膜面に対し垂直方向（図示Ｚ方向と平行な方向）に流される。
【００４１】
図２に示す前記フリー磁性層１０は、前記ハードバイアス層１３からのバイアス磁界を受けてトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に磁化されている。一方、固定磁性層８を構成する第１固定磁性層８ａ及び第２固定磁性層８ｃはハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に磁化されている。前記固定磁性層８は積層フェリ構造であるため、第１固定磁性層８ａと第２固定磁性層８ｃはそれぞれ反平行に磁化されている。前記固定磁性層８は磁化が固定されている（外部磁界によって磁化変動しない）が、前記フリー磁性層１０の磁化は外部磁界により変動する。
【００４２】
前記フリー磁性層１０が、外部磁界により磁化変動すると、第２固定磁性層８ｃとフリー磁性層１０との磁化が反平行のとき、前記第２固定磁性層８ｃとフリー磁性層１０との間に設けられた絶縁障壁層９を介してトンネル電流が流れにくくなって、抵抗値は最大になり、一方、前記第２固定磁性層８ｃとフリー磁性層１０との磁化が平行のとき、最も前記トンネル電流は流れ易くなり抵抗値は最小になる。
【００４３】
この原理を利用し、外部磁界の影響を受けてフリー磁性層１０の磁化が変動することにより、変化する電気抵抗を電圧変化としてとらえ、記録媒体からの洩れ磁界が検出されるようになっている。
【００４４】
トンネル型磁気検出素子４では、積層体５内に絶縁障壁層９が設けられるため、前記絶縁障壁層９の上下の積層部分に電荷（＋Ｑ，―Ｑ）が蓄積されやすい。
【００４５】
よって前記電荷を前記基板（アース）１へ逃がすために、高抵抗材料で形成された抵抗体２４，２５が、各シールド層３，１６と前記基板１間に設けられている。前記抵抗体２４，２５は、図３に示す回路構成におけるどの部位（絶縁障壁層９を除く）よりも高い抵抗値を有している。したがって電流は、前記抵抗体２４，２５へはほとんど流れず、分流ロスはほとんど生じない構造となっている。
【００４６】
本実施形態では、前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５は、組成式がＴａｘＳｉｙＮｂｚＯｗで示され、Ｘが３０〜６５ａｔ％、ｙが、１５〜２２ａｔ％、ｚが１〜３ａｔ％、ｗが、２５〜４３ａｔ％であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００ａｔ％の関係を満たす高抵抗材料で形成されている。ＴａｘＳｉｙＮｂｚＯｗの比抵抗は１ｍΩ・ｃｍ以上であり、従来、ブリード抵抗として用いられてきた高抵抗材料（Ｔａ，ＴａＮ）に比べて数十倍〜数百倍の高い比抵抗を有する。ちなみに、従来、ブリード抵抗として用いられてきたＴａは約２００μΩ・ｃｍ、ＴａＮは約２６５μΩ・ｃｍ、ＬａＮは約３６０μΩ・ｃｍ、ＣｒＮは約６４０μΩ・ｃｍである。なお組成比分析は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析装置）で行うことが出来る。
【００４７】
Ｔａの組成比ｘは上記したように、３０〜６５ａｔ％の範囲内であることが好ましい。Ｔａ組成比ｘは前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５の比抵抗に大きく寄与するものと考えられる。Ｔａは、膜中で酸素と化合物（ＴａＯ）を形成することなく導電性を担う箇所として存在するものと考えられる。よってＴａ組成比ｘの変動は比抵抗値を大きく左右するものと考えられる。後述する実験によれば、Ｔａ組成比ｘを調整することで、比抵抗を簡単且つ適切に１ｍΩ・ｃｍ以上に出来ることがわかっている。特にＴａの組成比ｘを４０ａｔ％以下にすると、比抵抗値を１０ｍΩ・ｃｍ以上にできより好ましい。
【００４８】
前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５の膜状態について説明する。本実施形態では、前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５は非晶質状態（アモルファス）である。これにより、より適切に前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５の比抵抗を高めることが可能になる。
上記した膜状態は、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で測定できる。
【００４９】
上記したように本実施形態では、前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５は、組成式がＴａｘＳｉｙＮｂｚＯｗで示される高抵抗材料で形成されており、具体的には１ｍΩ・ｃｍ以上の高い比抵抗を有する。これは従来に比べて数十倍〜数百倍の高い比抵抗値である。よって前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５の長さが従来と同じである場合、従来と同程度の抵抗値を得るには、前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５の膜厚を数十倍〜数百倍に厚くすることが可能になる。前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５の形成面の面積が小さくなり、従来より前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５の長さを短く形成する必要があっても、数倍程度の変動であれば膜厚を従来より厚膜で形成できる。前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５に求められる抵抗値は３０ｋΩ程度であり、前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５の長さ寸法にもよるが、従来では、概ね、前記前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５の膜厚を１５０Å以下で形成していたのに対し、本実施形態では、前記前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５の膜厚を少なくとも１５０Å以上に形成することが可能である。
【００５０】
以上、本実施形態によれば、前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５の膜厚を厚く形成することが可能になり、従来に比べて前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５が断線する不具合を抑制することが可能になる。そして、本実施形態の磁気ヘッドは、従来に比べて断線の生じにくい抵抗体２４，２５を備えた信頼性の高いものとなる。
【００５１】
前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５の製造方法について説明する。
本実施形態では、前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５を組成式がＴａｘＳｉｙＮｂｚＯｗで示される高抵抗材料でスパッタ成膜する。スパッタ成膜には、Ｔａターゲット、ＳｉＯ２ターゲット及びＮｂ２Ｏ５ターゲットを用いる。
【００５２】
このとき、前記Ｔａターゲットの組成比をａ、前記ＳｉＯ２ターゲットの組成比をｂ、前記Ｎｂ２Ｏ５ターゲットの組成比をｃとしたとき、ａを４０ｍｏｌ％以上で６０ｍｏｌ％以下、ｂを３８ｍｏｌ％以上で５８ｍｏｌ％以下、ｃを０ｍｏｌ％より大きく５ｍｏｌ％以下（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ｍｏｌ％）の範囲内で調整することが好ましい。これにより、組成式がＴａｘＳｉｙＮｂｚＯｗで示され、組成比ｘが３０〜６５ａｔ％、ｙが、１５〜２２ａｔ％、ｚが１〜３ａｔ％、ｗが、２５〜４３ａｔ％（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００ａｔ％の関係を満たす）である前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５を適切且つ簡単にスパッタ成膜することが出来る。前記組成比ｃを１ｍｏｌ％以上、より好ましくは２ｍｏｌ％以上とする。
【００５３】
前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５を図１に示す形状にフォトリソグラフィ技術を用いて形成した後、前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５に対して熱処理を施すか否かは任意である。
【００５４】
前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５の形成をどの工程時に、どの場所に行うかは任意である。例えば前記絶縁層２の形成後、前記下部シールド層３と同じ形成工程時に、前記絶縁層２上に、前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５を形成してもよいし、あるいは、前記下部シールド層３の形成後、前記第１リード部２０と同じ形成工程時に、前記第１リード部２０の形成面と同面に、前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５を形成してもよいし、又は、前記上部シールド層１６の形成と同じ形成工程時に、前記上部シールド層１６の形成面と同面に、前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５を形成してもよいし、さらには、前記上部シールド層１６の形成後、前記第２リード部２１と同じ形成工程時に、前記第２リード部２１の形成面と同面に、前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５を形成してもよい。前記第１抵抗体２４及び第２抵抗体２５の形成は、上記以外の工程時であってもよい。本実施形態では、前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５を厚膜で形成できるので、形成面が凹凸面であっても従来に比べて断線が生じることなく適切に前記第１抵抗体２４及び前記第２抵抗体２５をスパッタ形成できる。
【００５５】
なおシールド層３，１６とは別に電極層を設けてもよい。前記電極層は、前記トンネル型磁気検出素子４と下部シールド層３との間、及び前記トンネル型磁気検出素子４と上部シールド層１６との間に設けられ、各電極層に、基板１にまで通じる図１に示す回路が形成される。
【実施例】
【００５６】
組成式がＴａｘＳｉｙＮｂｚＯｗで示される高抵抗膜を、基板（熱酸化Ｓｉ）上に、Ｔａターゲット、ＳｉＯ２ターゲット及びＮｂ２Ｏ５ターゲットを用いてスパッタ成膜した。
【００５７】
成膜条件は、到達圧力を５×１０−５Ｐａ以下、基板加熱を２００℃、ＲＦ電力を１５００Ｗ，Ａｒガス圧を０．４Ｐａ，ターゲットと基板間の距離を１２０ｍｍとした。なお前記基板加熱以外に加熱は行っていない。
【００５８】
実験では、各種ターゲットの組成比を変化させて、前記高抵抗膜の比抵抗を求めた。図４は膜中に占めるＴａ組成比と比抵抗との関係を示すグラフである。なお組成比分析は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析装置）で行った。
【００５９】
図４に示すように、Ｔａ組成比ｘが大きくなるほど、徐々に前記比抵抗が小さくなることがわかった。前記比抵抗を１ｍΩ・ｃｍ以上確保するには、Ｔａ組成比ｘを３０ａｔ％〜６５ａｔ％の範囲内に設定すればよいことがわかった。また、Ｔａ組成比ｘを４０ａｔ％以下にすることで前記比抵抗を１０ｍΩ・ｃｍ以上に調整できることがわかった。
【００６０】
以下の表１，表２には、上記実験で使用したターゲット組成比（ｍｏｌ％）と、膜中に占めるＴａ，Ｓｉ，Ｏ及びＮｂの各元素の組成比（ａｔ％）が示されている。
【００６１】
【表１】
2007188585.tif 000003
【００６２】
【表２】
2007188585.tif 000004
【００６３】
表１，表２に示す高抵抗膜ではいずれも比抵抗は１ｍΩ・ｃｍ以上であり、図４，表１，表２の実験結果から、膜中に占めるＴａ組成比ｘを３０〜６５ａｔ％、Ｓｉ組成比ｙを１５〜２２〜１５ａｔ％、Ｎｂ組成比ｚを１〜３ａｔ％、Ｏ組成比ｗを、２５〜４３ａｔ％（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００ａｔ％の関係を満たす）にすることが好ましいと設定した。また、Ｔａ組成比ｘを３２．１〜５６．２ａｔ％、Ｓｉ組成比ｙを１５．２〜２２．４ａｔ％、Ｎｂ組成比ｚを２〜２．５ａｔ％、Ｏ組成比ｗを、２６．６〜４３ａｔ％（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００ａｔ％の関係を満たす）にすることがより好ましいと設定した。Ｔａ組成比ｘを４０ａｔ％以下に設定することがさらに好ましいと設定した。
【００６４】
また表１，表２の実験結果から、Ｔａターゲットの組成比ａを４０ｍｏｌ％以上で６０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ２ターゲットの組成比ｂを３８ｍｏｌ％以上で５８ｍｏｌ％以下、Ｎｂ２Ｏ５ターゲットの組成比ｃを０ｍｏｌ％より大きく５ｍｏｌ％以下（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ｍｏｌ％）の範囲内で調整することが好ましいことがわかった。実験では、Ｎｂ２Ｏ５ターゲットの組成比ｃは２ｍｏｌ％であったが、前記組成比ｃを０ｍｏｌ％より大きく５ｍｏｌ％以下に変動させて膜中に占めるＮｂ組成比ｚを変動させてもＮｂはＮｂＯの高抵抗状態で膜中に存在すると考えられ、高抵抗材料の比抵抗にさほど影響を与えないものと考えられる。なお組成比ｃを１ｍｏｌ％以上にすることが好ましく、２ｍｏｌ％以上にすることがより好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本実施形態における磁気ヘッドの部分斜視図、
【図２】図１に示す磁気ヘッドを記録媒体との対向面から見た部分正面図、
【図３】図１に示す磁気ヘッドの回路図である。
【図４】組成式ＴａｘＳｉｙＮｂｚＯｗで示される高抵抗膜のＴａ組成比ｘと比抵抗との関係を示すグラフ、
【符号の説明】
【００６６】
１  基板
２  絶縁層
３  下部シールド層（下部電極層）
４  トンネル型磁気検出素子
２０  第１リード部
２１  第２リード部
２２  第１バンプ部
２３  第２バンプ部
２４  第１抵抗体
２５  第２抵抗体
２６  第１接続部
２７  第２接続部
２８  第３接続部
２９  第４接続部
【図１】
2007188585.tif 000005
【図２】
2007188585.tif 000006
【図３】
2007188585.tif 000007
【図４】
2007188585.tif 000008