(57)【要約】【課題】特に、リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層から流出する漏洩磁界の大きさを夫々、バランスよく小さくでき、記録媒体に記録された記録データが消去等されるのを防ぐことができる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。【解決手段】  リターンヨーク層２８の最大長さ寸法Ｌ５を、上部シールド層１６と下部シールド層１３のうち最大長さ寸法Ｌ３，Ｌ４が長い方に対して、長さ寸法Ｌ６だけ対向面Ｈ１ａ側に短く形成し、前記長さ寸法Ｌ６を０μｍより大きく２μｍ以下に設定する。より好ましくは前記長さ寸法Ｌ６を２μｍとする。これにより、リターンヨーク層２８、上部シールド層１６及び下部シールド層１３の各前端面１３ａ，１６ａ，２８ｃから記録媒体に向けて流出される漏洩磁界の強度をバランスよく小さくできる。【選択図】図４
2007220261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生ヘッド上に垂直磁気記録ヘッドが重ねて形成され、
前記再生ヘッドは、膜厚方向にて対向する上部シールド層および下部シールド層と、この上部シールド層と下部シールド層間に形成される再生素子とを有し、
前記垂直磁気記録ヘッドは、前記対向面でトラック幅Ｔｗで露出する主磁極を備えた第１磁性層と、前記第１磁性層と前記対向面でギャップ層を介して対向するリターンヨーク層と、前記第１磁性層と前記リターンヨーク層の間に設けられた記録磁界を発生させるコイル層とを有し、
前記リターンヨーク層と前記上部シールド層間の膜厚方向への間隔は、前記上部シールド層と前記下部シールド層間の間隔よりも広く、
前記リターンヨーク層の前記対向面からハイト方向への最大長さ寸法は、前記上部シールド層と前記下部シールド層のうち前記対向面からハイト方向への最大長さ寸法が長い方に対して所定長さだけ前記対向面側に短く形成され、前記所定長さは０μｍよりも大きく２μｍ以下の範囲内であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記所定長さは、２μｍである請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記上部シールド層の最大長さ寸法／前記下部シールド層の最大長さ寸法は、０．９〜１．１の範囲内である請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記上部シールド層の最大長さ寸法と前記下部シールド層の最大長さ寸法は同じ寸法である請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記リターンヨーク層の後端面全体が、前記上部シールド層と前記下部シールド層のうちハイト方向に長く延ばされて形成されたほうの後端面よりも、前記所定長さだけ前記対向面側に形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記リターンヨーク層、前記上部シールド層、及び前記下部シールド層の各後端面は、同一形状、あるいは相似形状で形成される請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記各後端面は、トラック幅方向の両側に位置する側端面の後縁部からハイト方向に向かうにしたがって徐々にトラック幅方向の幅寸法が小さくなる傾斜面を有する請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は再生ヘッド上に垂直磁気記録ヘッドが重ねて形成された薄膜磁気ヘッドに関し、特に、磁気データの消去等の不具合を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体のハード膜を垂直方向に磁化させることによって記録信号を書き込む構成となっている。このため、記録媒体を面方向に磁化させるいわゆる面内磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドに比べて磁化転移させるために必要な幅を狭くすることができ、記録密度を高くすることができる。
【０００３】
特許文献１（特開２００２−１００００６号公報）には、記録部と再生部とが膜厚方向に重ねて形成された記録再生複合型の薄膜磁気ヘッドが開示されている。この薄膜磁気ヘッドは、補助磁極（リターンヨーク層）を主磁極及び上シールド、下シールドよりも媒体対向面から後退した位置に形成することによって、補助磁極下での磁界の広がりを抑制し、補助磁極下及び上シールド下に発生する磁界の影響で記録媒体に記録された情報が消去させるのを防ぐものである（特許文献１の［００２２］欄や［００２５］欄を参照）。
【０００４】
また特許文献２（特開２００５−１９０５１５号公報）に記載の磁気記録再生装置は、上部シールド及び下部シールドを、主磁極と補助磁極（リターンヨーク層）を接合するバックコンタクト位置より短く形成することによって、前記上部シールドもしくは下部シールドを流れる磁束を抑制し、前記上部シールドと下部シールドの間に形成された再生素子に印加される磁界を減少させるものである。これによって前記再生素子は劣化や破壊などの不具合が起きにいものとなっている。
【０００５】
また特許文献３（特開２００４−００５８２６号公報）に記載の発明は、オーバーライト特性の向上を図るものである。特許文献３の図１には薄膜磁気ヘッドの断面図が図示されているが、上部シールド、下部シールド及び副磁極（リターンヨーク層）等のハイト方向への長さ寸法については特に記載されていない。
【特許文献１】特開２００２−１００００６号公報
【特許文献２】特開２００５−１９０５１５号公報
【特許文献３】特開２００４−００５８２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで記録時以外のとき、例えば、浮遊磁界（外乱磁界）を上部シールド層、下部シールド層及びリターンヨーク層が吸収すると、前記上部シールド層、前記下部シールド層及び前記リターンヨーク層の各前端面（特にトラック幅方向の両側端部付近）から記録媒体に向けて流出する漏洩磁界の強度が大きくなり、これにより、前記記録媒体に記録された磁気データを消去等とするといった問題が生じていた。
【０００７】
上部シールド層、下部シールド層及びリターンヨーク層の各前端面から流出する漏洩磁界の強度を出来る限り均一に且つ小さくすることが望ましい。例えば、前記上部シールド層や下部シールドから流出する漏洩磁界の強度を、前記磁気データに影響が無い程度に小さくできても前記リターンヨーク層から流出される漏洩磁界の強度が依然大きければ、結局、上記した問題を解決できない。よって上記３つの磁性層の漏洩磁界強度を、出来る限り同じように小さくすることが必要である。
【０００８】
しかし、従来では、上部シールド層、下部シールド層及びリターンヨーク層の各前端面から流出する漏洩磁界の強度を出来る限り均一に且つ小さくする工夫は何らなされていない。後述する実験によれば、上部シールド層、下部シールド層及びリターンヨーク層のハイト方向への長さ寸法を全て同じにし、各層の後端面を膜厚方向と同じ位置に形成すると、上部シールド層、下部シールド層及びリターンヨーク層から流出する漏洩磁界の大きさがアンバランスとなり、特に前記リターンヨーク層から流出する漏洩磁界の大きさが大きくなり、前記リターンヨーク層にて記録データを消去しやすくなっていた。
【０００９】
また、特許文献２の図２や図１５等及び特許文献３の図１等には、上部シールド層、下部シールド層及びリターンヨーク層のハイト長さを同じにしていない図面が掲載されているが、特許文献２，３において、前記リターンヨーク層、前記上部シールド層、及び前記下部シールド層のハイト長さの具体的寸法は記載されておらず、前記リターンヨーク層と、前記シールド層との間にどの程度の長さ寸法差があるのか不明である。
【００１０】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層のハイト方向の長さの差を調整することによって、リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層から流出する漏洩磁界の大きさを夫々、バランスよく小さくでき、記録媒体に記録された記録データが消去等されるのを防ぐことができる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明における薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッド上に垂直磁気記録ヘッドが重ねて形成され、
前記再生ヘッドは、膜厚方向にて対向する上部シールド層および下部シールド層と、この上部シールド層と下部シールド層間に形成される再生素子とを有し、
前記垂直磁気記録ヘッドは、前記対向面でトラック幅Ｔｗで露出する主磁極を備えた第１磁性層と、前記第１磁性層と前記対向面でギャップ層を介して対向するリターンヨーク層と、前記第１磁性層と前記リターンヨーク層の間に設けられた記録磁界を発生させるコイル層とを有し、
前記リターンヨーク層と前記上部シールド層間の膜厚方向への間隔は、前記上部シールド層と前記下部シールド層間の間隔よりも広く、
前記リターンヨーク層の前記対向面からハイト方向への最大長さ寸法は、前記上部シールド層と前記下部シールド層のうち前記対向面からハイト方向への最大長さ寸法が長い方に対して所定長さだけ前記対向面側に短く形成され、前記所定長さは０μｍよりも大きく２μｍ以下の範囲内であることを特徴とするものである。
【００１２】
上記のように、前記リターンヨーク層と前記上部シールド層間の膜厚方向への間隔は、前記上部シールド層と前記下部シールド層間の間隔よりも広くなっているので、前記上部シールド層と下部シールド層間に作用する静磁結合の大きさに比べて、前記リターンヨーク層と前記上部シールド層間に作用する静磁結合は小さい。このため前記上部シールド層と前記下部シールド層のハイト方向への長さ寸法が多少異なり、前記上部シールド層及び前記下部シールド層のうちどちらかが多く浮遊磁界を吸収するような状況であっても、前記上部シールド層と前記下部シールド層の磁化状態はほぼ同じとなり、前記上部シールド層及び前記下部シールド層の前端面から流出する漏洩磁界の強度はほぼ同じ大きさになるものの、後述する実験によれば、前記下部シールド層、前記上部シールド層及び前記リターンヨーク層のハイト長さを全て同じに揃えてしまうと、前記静磁結合の大きさ等に起因するのか前記リターンヨーク層の前端面から流出する漏洩磁界の強度が、前記下部シールド層及び前記上部シールド層の前端面から流出する漏洩磁界の強度に比べて大きくなることがわかっている。また前記リターンヨーク層のハイト長さを短くしすぎると、前記上部シールド層及び下部シールド層に浮遊磁界が吸収されやすくなるため、前記下部シールド層及び前記上部シールド層の前端面から流出する漏洩磁界の大きさが大きくなることがわかっている。
【００１３】
上記したように、前記リターンヨーク層の前記対向面からハイト方向への最大長さ寸法を、前記上部シールド層と前記下部シールド層のうち前記対向面からハイト方向への最大長さ寸法が長い方に対して所定長さだけ前記対向面側に短く形成し、前記所定長さを０μｍより大きく２μｍ以下に設定することで、前記リターンヨーク層、前記上部シールド層及び前記下部シールド層の各前端面から記録媒体に向けて流出する漏洩磁界を夫々、小さく且つ同じ大きさに近付けることができ、前記記録媒体に記録された記録データが前記漏洩磁界によって消去等される不具合を適切に防止できる。
【００１４】
また本発明では、前記所定長さは、２μｍであることが好ましい。後述する実験では、これにより、前記リターンヨーク層、前記上部シールド層及び前記下部シールド層の各前端面から記録媒体に向けて流出する漏洩磁界を、ほぼ同じ大きさに小さくできる。
【００１５】
また本発明では、前記上部シールド層の最大長さ寸法／前記下部シールド層の最大長さ寸法は、０．９〜１．１の範囲内であることが好ましく、前記上部シールド層の最大長さ寸法と前記下部シールド層の最大長さ寸法が同じ寸法であるとより好ましい。前記上部シールド層と前記下部シールド層間には強い静磁結合が作用するものの、最大長さ寸法の比率が上記範囲から外れると、前記下部シールド層の前端面から流出する漏洩磁界の強度と、前記上部シールド層の前端面から流出する漏洩磁界の強度の差が大きくなりやすく望ましくない。そこで上記の比率にて前記上部シールド層及び前記下部シールド層を形成することで、前記上部シールド層の前端面及び前記下部シールド層の前端面から流出する漏洩磁界をほぼ同じ大きさにできる。
【００１６】
また本発明では、前記リターンヨーク層の後端面全体が、前記上部シールド層と前記下部シールド層のうちハイト方向に長く延ばされて形成されたほうの後端面よりも、所定長さだけ前記対向面側に形成されていることが好ましく、前記リターンヨーク層、前記上部シールド層、及び前記下部シールド層の各後端面は、同一形状、あるいは相似形状で形成されることがより好ましい。これにより、より効果的に、前記リターンヨーク層、前記上部シールド層及び前記下部シールド層の各前端面から記録媒体に向けて流出する漏洩磁界を夫々、小さく且つ同じ大きさに近付けることができ、前記記録媒体に記録された記録データが前記漏洩磁界によって消去等される不具合を適切に防止できる。
【００１７】
また本発明では、各後端面は、トラック幅方向の両側に位置する側端面の後縁部からハイト方向に向かうにしたがって徐々にトラック幅方向の幅寸法が小さくなる傾斜面を有すると、前記リターンヨーク層、前記上部シールド層及び前記下部シールド層のトラック幅方向の両側端面付近に形成されるハイト方向と平行な方向に向く磁区の大きさを小さくでき、前記リターンヨーク層、前記上部シールド層及び前記下部シールド層の各前端面から流出する漏洩磁界の強度を適切に小さくすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層の各前端面から記録媒体に向けて流出する漏洩磁界を夫々、小さく且つ同じ大きさに近付けることができ、前記記録媒体に記録された記録データが前記漏洩磁界によって消去等される不具合を適切に防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、本実施形態の垂直磁気記録ヘッドの部分正面図、図２は図１，図２に示す垂直磁気記録ヘッドを備えた薄膜磁気ヘッドＨをＩ−Ｉ線及びＩＩ―ＩＩ線に沿って膜厚方向及びハイト方向（図示Ｙ方向）に切断し矢印方向から見た縦断面図、図３は図１，図２に示す垂直磁気記録ヘッドの主磁極層とコイル層との部分平面図、図４，図５は、本実施形態におけるリターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層の平面図、である。
【００２０】
なお、図中においてＸ方向は、トラック幅方向、Ｙ方向は、ハイト方向、Ｚ方向は、記録媒体Ｍの移動方向及び前記薄膜磁気ヘッドＨの各層の積層方向、であり各方向は残り２つの方向に対し直交した関係にある。
【００２１】
本実施形態における薄膜磁気ヘッドＨは、浮上式ヘッドを構成するスライダ１１のトレーリング側端面１１ａに形成されたものであり、再生ヘッドｈ１と、書込み用の記録ヘッドｈ２とが積層された、記録再生複合型の薄膜磁気ヘッド（以下、単に薄膜磁気ヘッドＨという）となっている。
【００２２】
また、図２に示す薄膜磁気ヘッドＨを構成する記録ヘッドｈ２は、記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させる、いわゆる垂直記録磁気ヘッドと呼ばれるものであり、再生ヘッドｈ１は、磁気抵抗効果を利用して記録媒体Ｍからの洩れ磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。
【００２３】
前記記録媒体Ｍは例えばディスク状であり、その表面に残留磁化の高いハード膜Ｍａを、また内方に磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。
【００２４】
スライダ１１はＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、対向面Ａにおいて記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ１１が記録媒体Ｍに摺動する。
【００２５】
スライダ１１のトレーリング側端面１１ａには、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層１２が形成されて、この非磁性絶縁層１２の上に再生ヘッドｈ１が形成されている。
【００２６】
再生ヘッドｈ１は下部シールド層１３と上部シールド層１６と、下部シールド層１３と上部シールド層１６との間の無機絶縁層（ギャップ絶縁層）１５内に位置する読み取り素子１４とを有している。前記下部シールド層１３の前端面１３ａ及び前記上部シールド層１６の前端面１６ａは、図２や図４に示すように記録媒体との対向面Ｈ１ａ（以下、単に対向面Ｈ１ａと言う。なお前記対向面Ｈ１ａはスライダ１１の対向面Ａと同一面上に形成される）に露出しており、前記前端面１３ａ，１６ａは図４に示すようにトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に形成されている。前記読み取り素子１４は、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子、トンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子などの磁気抵抗効果素子である。
【００２７】
前記上部シールド層１６の上には、コイル絶縁下地層１７を介して、導電性材料で形成された複数本の第１コイル層１８が形成されている。前記第１コイル層１８は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｎｉから選ばれる１種、または２種以上の金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。
【００２８】
前記第１コイル層１８の周囲は、Ａｌ２Ｏ３などの無機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層１９が形成されている。
【００２９】
前記コイル絶縁層１９の上面１９ａは平坦化面に形成され、この上面１９ａの上に主磁極層（第１磁性層）２０が形成されている。前記主磁極層２０は強磁性材料で例えばメッキ形成されたものであり、飽和磁束密度の高い材料で形成されている。
【００３０】
図３に示すように、前記主磁極層２０は前記対向面Ｈ１ａにトラック幅Ｔｗで露出しハイト方向（図示Ｙ方向）に所定長さＬ１の細長い形状で形成される先端部２０ａと、前記先端部２０ａの基端部２０ｂからハイト方向（図示Ｙ方向）へトラック幅方向への幅寸法が前記トラック幅Ｔｗよりも広がって延びる後端部（ヨーク部）２０ｃとを有して形成されている。
【００３１】
前記トラック幅Ｔｗは具体的には０．１μｍ〜１．０μｍ、前記長さＬ１は具体的には０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内で形成される。
【００３２】
また、前記後端部２０ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法Ｔ１が最も広い部分で１μｍ〜１００μｍ程度であり、また前記後端部２０ｃのハイト方向への長さ寸法Ｌ２は１μｍ〜１００μｍ程度である。
【００３３】
また、図１，図２に示すように、前記主磁極層２０の周囲には、絶縁性材料層２２が設けられている。そして、前記主磁極層２０の上面２０ｄと、前記主磁極層２０の周囲に形成された前記絶縁性材料層２２の上面２２ａは同一面をなしている。
【００３４】
前記絶縁性材料層２２は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。また、前記主磁極層２０及び前記絶縁性材料層２２の上には、非磁性層であって例えばアルミナまたはＳｉＯ２などの無機材料で形成されたギャップ層２３が設けられている。
【００３５】
図２に示すように、前記ギャップ層２３上には、コイル絶縁下地層２４を介して第２コイル層２５が形成されている。前記第２コイル層２５は前記第１コイル層１８と同様に、導電性材料によって複数本形成されている。前記第２コイル層２５は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｎｉから選ばれる１種、または２種以上の金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。
【００３６】
図３に示すように、前記第１コイル層１８と前記第２コイル層２５とは、それぞれのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における端部１８ａおよび２５ａ同士と、１８ｂおよび２５ｂ同士が電気的に接続されており、前記第１コイル層１８と前記第２コイル層２５とで、前記主磁極層２０を軸にして巻回形成されたソレノイド状（Ｓｏｌｅｎｏｉｄ）のコイル層２６が形成されている。
【００３７】
図２に示すように、前記第１コイル層１８のハイト方向（図示Ｙ方向）の幅寸法Ｗ１８と、前記第２コイル層２５のハイト方向（図示Ｙ方向）の幅寸法Ｗ２５とは、同じ寸法で形成されている。
【００３８】
前記第２コイル層２５の周囲は、Ａｌ２Ｏ３などの無機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層２７が形成されている。また前記ギャップ層２３上には、前記対向面Ｈ１ａの近傍に、無機または有機材料によって間隔調整層２９が形成されている。前記間隔調整層２９は、前記対向面Ｈ１ａから所定距離離れた位置に形成され、前記対向面Ｈ１ａから間隔調整層２９の前縁までの距離で、記録ヘッドｈ２のスロートハイト長（ギャップデプス）が規定される。
【００３９】
図２に示すように、前記コイル絶縁層２７の上から前記間隔調整層２９上及び前記ギャップ層２３上にかけて、パーマロイなどの強磁性材料で形成されたリターンヨーク層２８が形成されている。
【００４０】
図１に示すように、主磁極層２０の前端面２０ｅの厚みＨ１は、リターンヨーク層２８の前端面２８ａの厚みＨ２よりも小さく、主磁極層２０の前端面２０ｅのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）は、リターンヨーク層２８の前端面２８ａの同方向での幅寸法Ｔ２よりも十分に短くなっている。その結果、前記対向面Ｈ１ａでは、主磁極層２０の前端面２０ｅの面積が、リターンヨーク層２８の前端面２８ａでの面積よりも十分に小さい。従って、主磁極層２０の前端面２０ｅに洩れ記録磁界の磁束φ１が集中し、この集中している磁束φ１により前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記録される。
【００４１】
前記リターンヨーク層２８の前端面２８ａは、前記対向面Ｈ１ａに露出している。また、前記対向面Ｈ１ａよりもハイト方向後方で、リターンヨーク層２８の接続部２８ｂと前記主磁極層２０とが接続されている。なお前記リターンヨーク層２８と前記主磁極層２０とは接続されていなくてもよい。
【００４２】
前記リターンヨーク層２８の前記接続部２８ｂのハイト方向（図示Ｙ方向）側には、前記第２コイル層２５から延出されたリード層３０が、コイル絶縁下地層２４を介して形成されている。そして、リターンヨーク層２８およびリード層３０が、無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層３１に覆われている。
【００４３】
前記記録ヘッドｈ２では、リード層３０を介して前記第１コイル層１８および第２コイル層２５に記録電流が与えられると、前記第１コイル層１８および前記第２コイル層２５を流れる電流の電流磁界によって前記主磁極層２０および前記リターンヨーク層２８に記録磁界が誘導され、前記対向面Ｈ１ａにおいて、主磁極層２０の前端面２０ｅから記録磁界の磁束φ１が放出され、この記録磁界の磁束φ１が記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過し、リターンヨーク層２８の前端面２８ａへ前記磁束φ１が戻される。前記記録媒体Ｍのハード膜Ｍａに記録信号が書き込まれる。
【００４４】
このように垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドでは、記録媒体のハード膜を垂直方向に磁化させることによって記録信号を書き込む構成となっている。このため、記録媒体に対し記録媒体の面方向に磁化させるいわゆる面内磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドに比べて磁化転移させるために必要な幅を狭くすることができ、記録密度を高くすることができる。
【００４５】
本実施形態の薄膜磁気ヘッドの特徴的部分について説明する。本実施形態では、図４に示す平面視にて、下部シールド層１３の前端面１３ａからハイト方向（図示Ｙ方向）への最大長さ寸法Ｌ３と、前記上部シールド層１６の前端面１６ａからハイト方向（図示Ｙ方向）への最大長さ寸法Ｌ４はともに同じ大きさとなっている。また前記リターンヨーク層２８は図４に示す平面視にて、前端面２８ｃからハイト方向への最大長さ寸法がＬ５であり、前記最大長さ寸法Ｌ５は前記最大長さ寸法Ｌ３，Ｌ４よりも前記対向面Ｈ１ａ側に長さ寸法Ｌ６だけ短くなっている。そして前記長さ寸法Ｌ６は、０μｍより大きく２μｍ以下の範囲内となっている。具体的には前記最大長さ寸法Ｌ３，Ｌ４は、３μｍ〜１２０μｍの範囲内で、前記最大長さ寸法Ｌ５は３μｍ〜１２０μｍの範囲内である。
【００４６】
図２に示すように、前記下部シールド層１３の上面と前記上部シールド層１６の下面間の膜厚方向（図示Ｚ方向）への間隔はＨ３で、前記上部シールド層１６の上面と前記リターンヨーク層２８の接続部２８ｂの下面間の膜厚方向（図示Ｚ方向）への間隔はＨ４で、前記間隔Ｈ４は前記間隔Ｈ３よりも十分に広くなっている。具体的には、前記間隔Ｈ３は２０〜２００ｎｍの範囲内で、前記間隔Ｈ４は０．５〜８μｍの範囲内となっている。一例を示すと、前記間隔Ｈ３は０．０５μｍであり、前記間隔Ｈ４は４μｍである。
【００４７】
よって前記下部シールド層１３と前記上部シールド層１６間に作用する静磁結合は、前記上部シールド層１６とリターンヨーク層２８間に作用する静磁結合に比べて強くなっている。このため、前記下部シールド層１３と前記上部シールド層１６とは、例えば前記最大長さ寸法Ｌ３，Ｌ４が多少異なり、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３のうちどちらかが多く浮遊磁界を吸収するような状況であっても、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の磁化状態はほぼ同じとなる。一方、前記リターンヨーク層２８は、上記のように、静磁結合の影響が弱いため、前記長さ寸法Ｌ６の大きさを調整することで、浮遊磁界が前記薄膜磁気ヘッドＨに流入したときの磁化状態を、前記下部シールド層１３及び前記上部シールド層１６の磁化状態に近づけることが可能となる。
【００４８】
後述する実験によれば、前記長さ寸法Ｌ６が０μｍのとき、すなわち前記リターンヨーク層２８の最大長さ寸法Ｌ５、下部シールド層１３の長さ寸法Ｌ３及び前記上部シールド層１６の最大長さ寸法Ｌ４が同じとき、前記リターンヨーク層２８の前端面２８ｃから流出する漏洩磁界の強度は、前記上部シールド層１６及び下部シールド層１３の前端面１３ａ，１６ａから流出する漏洩磁界の強度に比べて大きくなることがわかっている。これは上記したリターンヨーク層２８と上部シールド層１６間に作用する静磁結合が弱いために、前記リターンヨーク層２８が浮遊磁界を、前記上部シールド層１６及び下部シールド層１３に比べて吸収しやすい状態にあるのではないかと考えられる。
【００４９】
本実施形態では前記リターンヨーク層２８の最大長さ寸法Ｌ５を、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の最大長さ寸法Ｌ３，Ｌ６よりも前記対向面Ｈ１ａ側に短く形成するが、その短くする長さ寸法Ｌ６を０μｍよりも大きく２μｍ以下の範囲内で調整することで、前記リターンヨーク層２８、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の各前端面１３ａ，１６ａ，２８ｃから前記記録媒体Ｍ方向に流出する漏洩磁界の強度をバランスよく小さくできる。なお、前記リターンヨーク層２８の最大長さ寸法Ｌ５は、前記上部シールド層１６と前記下部シールド層１３のうち前記最大長さ寸法Ｌ３，Ｌ４が長いほうに対して前記長さ寸法Ｌ６だけ前記対向面Ｈ１ａ側に短く形成される。すなわち図４では、前記上部シールド層１６と前記下部シールド層１３の最大長さ寸法Ｌ３，Ｌ４が同じ大きさとなっているが、異なっている場合には、ハイト方向に長く形成されたほうを基準として前記長さ寸法Ｌ６の調整を行う。前記最大長さ寸法Ｌ３，Ｌ４が異なっていても、前記上部シールド層１６と前記下部シールド層１３間には強い静磁結合が作用し、前記上部シールド層１６と前記下部シールド層１３の磁化状態はほぼ同じようになる。このとき、ハイト方向に長く延ばして形成されたシールド層のほうが、主体的に浮遊磁界を吸収するから、前記シールド層に吸収される浮遊磁界の大きさと、リターンヨーク層に吸収される浮遊磁界の大きさを調整するには、上記のように、ハイト方向に長く延ばして形成されたシールド層のほうを基準として前記リターンヨーク層２８の最大長さ寸法Ｌ５を調整する。
【００５０】
前記長さ寸法Ｌ６は２μｍであることがより好ましい。後述する実験結果によれば、前記リターンヨーク層２８、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の各前端面１３ａ，１６ａ，２８ｃから流出する漏洩磁界の強度をほぼ同じ大きさに小さくできる。
【００５１】
以上により、本実施形態の垂直磁気記録ヘッドｈ２であれば、前記記録媒体Ｍに記録された記録データが前記漏洩磁界によって消去等される不具合を適切に防止できる。
【００５２】
また本実施形態では、前記上部シールド層１６の最大長さ寸法Ｌ４／前記下部シールド層１３の最大長さ寸法Ｌ３は、０．９〜１．１の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１、すなわち前記最大長さ寸法Ｌ３と前記最大長さ寸法Ｌ４が同じ大きさとなっていることである。上記したように、前記下部シールド層１３と前記上部シールド層１６間には強い静磁結合が作用するが、前記長さ寸法Ｌ３，Ｌ４の大きさが大きく異なると前記静磁結合が弱くなり、異なる磁化状態となりやすく、またそもそも形状の違いから同じような磁化状態に成りにくく、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の前端面１３ａ，１６ａから流出する漏洩磁界の強度が異なる大きさとなりやすい。そこで本実施形態では、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の前端面１３ａ，１６ａから流出する漏洩磁界の大きさを、同じ大きさに近付けるべく、最大長さ寸法Ｌ４／最大長さ寸法Ｌ３を、０．９〜１．１の範囲内に設定している。
【００５３】
なお前記主磁極層２０のハイト方向への最大長さ寸法（図３に示すＬ１＋Ｌ２）は、図２のように前記リターンヨーク層２８と同じか、前記リターンヨーク層２８の最大長さ寸法Ｌ５よりも短くすることが好ましい。なお前記主磁極層２０は前記リターンヨーク層２８と接続部２８ｂで接続されるので、当然、前記接続部２８ｂにて接続されるだけの長さは必要である。前記主磁極層２０の先端部２０ａはトラック幅Ｔｗで対向面Ｈ１ａに露出しており、前記先端部２０ａは非常に細い。よって前記先端部２０ａには磁区は形成されにくく、あるいは形成されたとしても非常に小さいため、前記先端部２０ａからの漏洩磁界の強度は、前記リターンヨーク層２８等と比べて小さくできるものの、前記主磁極層２０が前記リターンヨーク層２８よりも長く形成されると前記主磁極層２０が漏洩磁界を吸収しやすくなり、前記主磁極層２０及び前記リターンヨーク層２８から放出される漏洩磁界が大きくなりやすいので、前記主磁極層２０のハイト長さは上記のように規定することが好ましい。
【００５４】
図４に示すように、前記下部シールド層１３、前記上部シールド層１６及びリターンヨーク層２８は、夫々、前記対向面Ｈ１ａに露出する前端面１３ａ，１６ａ，２８ｃと、前記前端面１３ａ，１６ａ，２８ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側縁部に接続され、ハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に延びる側端面１３ｂ，１６ｂ，２８ｄと、前記側端面１３ｂ，１３ｂ間、１６ｂ，１６ｂ間及び２８ｄ，２８ｄ間をハイト方向後方で接続しトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びる後端面１３ｃ，１６ｂ，２８ｅとで構成される。図４に示すように、前記下部シールド層１３、前記上部シールド層１６及び前記リターンヨーク層２８はいずれも矩形状で形成される。よって図４では、各磁性層においてトラック幅方向におけるどの位置においても同じ最大長さ寸法Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５を有している。図４に示すように、前記下部シールド層１３及び前記上部シールド層１６は同じ平面形状で形成されている。前記リターンヨーク層２８は、最大長さ寸法Ｌ５が、前記下部シールド層１３及び前記上部シールド層１６よりも長さ寸法Ｌ６だけ短いだけで前記リターンヨーク層２８の後端面２８ｅは、上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の後端面１３ｃ，１６ｃと同じようにトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延び且つ同じ幅寸法Ｔ２で形成され、よって各後端面１３ｃ，１６ｃ，２８ｅは同一形状となっている。そして図４では、前記リターンヨーク層２８の後端面２８ｅ全体が、前記上部シールド層１６及び下部シールド層１３の後端面１３ｃ，１６ｃよりも長さ寸法Ｌ６だけ前記対向面Ｈ１ａ側に形成されている。これにより、より効果的に、前記リターンヨーク層２８，上部シールド層１６及び下部シールド層１３の各前端面１３ａ，１６ａ，２８ｃから流出する漏洩磁界の強度をバランス良く小さくすることができる。
【００５５】
ところで前記リターンヨーク層２８，上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の形状が略矩形状であるとき、図４に示す多磁区構造の磁化状態となっていると推測される（前記磁区は点線で示される）。なお図４に示す点線での矢印は、各磁区内での自発磁化の方向を示す。各磁性層が浮遊磁界を吸収すると、記録媒体方向に垂直に向く磁区Ｍ１が存在する前記前端面１３ａ，１６ａ，２８ｃのトラック幅方向における角部付近から、漏洩磁界が記録媒体Ｍの方向へ向けて流出しやすくなる。
【００５６】
よって、ハイト方向と平行な方向に向く磁区Ｍ１，Ｍ３が小さくなるような形状で、前記リターンヨーク層２８，上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３を形成することが好ましい。それには、トラック幅方向への最大幅寸法（＝Ｔ２）の方が、最大長さ寸法Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５よりも大きくなるように、アスペクト比を調整する。これにより、前記リターンヨーク層２８，上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３はトラック幅方向に長い形状となり、トラック幅方向に向く磁区Ｍ２，Ｍ４が大きくなりやすい。あるいは図５のように前記リターンヨーク層２８，上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の各後端面１３ｃ，１６ｃ，２８ｅを形成してもよい。すなわち、各後端面１３ｃ，１６ｃ，２８ｅは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向を向き最も前記対向面Ｈ１ａからハイト方向に離れた位置に形成された最後端面１３ｃ１，１６ｃ１，２８ｅ１と、前記最後端面１３ｃ１，１６ｃ１，２８ｅ１と前記側端面１３ｂ，１６ｂ，２８ｄとの間に位置し、前記側端面１３ｂ，１６ｂ，２８ｄの後縁部からハイト方向（図示Ｙ方向）に向かうにしたがって徐々にトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が小さくなる傾斜面１３ｃ２，１６ｃ２，２８ｅ２とで構成される。これにより、図５に示すように、ハイト方向と平行な方向に向く磁区Ｍ１，Ｍ３を図４の場合に比べて小さくでき、各前端面１３ａ，１６ａ，２８ｃから放出される漏洩磁界の大きさを小さくすることができる。
【００５７】
図５における実施形態でも、図４と同様に、前記上部シールド層１６と下部シールド層１３は同じ形状で形成され、前記リターンヨーク層２８の後端面２８ｅは、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の後端面１３ｃ，１６ｃよりも長さ寸法Ｌ６だけ対向面Ｈ１ａ側に形成されている以外は、同じ形状となっている。すなわち前記リターンヨーク層２８の後端面２８ｃは、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の後端面１３ｃ，１６ｃと同じ形状である。あるいは、前記リターンヨーク層２８の後端面２８ｃは、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の後端面１３ｃ，１６ｃと相似形状にしてもよい。なお相似形状にすると、後端面が一本の直線状である場合等、簡単な形状以外、前記リターンヨーク層２８の後端面２８ｃと、前記上部シールド層１６及び前記下部シールド層１３の後端面１３ｃ，１６ｃ間の全領域での長さ寸法Ｌ６を一定値にできないため、例えば全領域での長さ寸法Ｌ６を最も好ましい２μｍとしたい場合は、前記後端面１３ｃ，１６ｃ，２８ｅを同一形状とすることが好ましい。
【００５８】
図１，図２に示す垂直磁気記録ヘッドｈ２では、前記主磁極層２０が前記リターンヨーク層２８とハイト方向（図示Ｙ方向）へほぼ同じ長さ寸法で形成され、前記主磁極層２０と前記リターンヨーク層２８とがハイト方向後方で接続されているが、例えば前記主磁極層２０が短く形成され、前記主磁極層２０と前記リターンヨーク層２８間を繋ぐ補助ヨーク層（図示しない）を別に設けてもよい。かかる場合、前記主磁極層２０と前記補助ヨーク層とで「第１磁性層」が構成される。
【００５９】
また、図１，図２に示す垂直磁気記録ヘッドｈ２では、主磁極層２０が前記リターンヨーク層２８よりも下側に設けられているが、前記リターンヨーク層２８が前記主磁極層２０より下側に設けられる形態であっても上記した本実施形態の特徴的部分を備える。
【実施例】
【００６０】
下部シールド層と上部シールド層間を０．１μｍの間隔で配置し、前記上部シールド層とリターンヨーク層間を４μｍの間隔で配置した状態で、１００Ｏｅ程度の浮遊磁界を印加し、その後、下部シールド層の前端面、前記上部シールド層の前端面、リターンヨーク層の前端面から流出する漏洩磁界の大きさを測定する実験を行った。
【００６１】
実験に使用した下部シールド層、上部シールド層及びリターンヨーク層は図４に示す矩形状であり（リターンヨーク層は図２に示すような立体型形状でなく、下部シールド層及び上部シールド層と同様の平板状である）、前記下部シールド層、上部シールド層及びリターンヨーク層のトラック幅方向における幅寸法を６０μｍ、前記下部シールド層及び上部シールド層の膜厚を１．２μｍ、前記リターンヨーク層の膜厚を１．６μｍに統一した。
【００６２】
まず実験では、前記上部シールド層及びリターンヨーク層のハイト方向への長さ寸法を２２μｍで統一し、前記下部シールド層のハイト方向への長さを変化させたときの、下部シールド長と、前記リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層の各前端面から放出される漏洩磁界の磁界強度との関係について調べた。その実験結果を図６に示す。
【００６３】
図６に示すように、下部シールド長を長くしていくと、リターンヨーク層から発せられる漏洩磁界の大きさは減少していく傾向にあるが、逆に上部シールド層と下部シールド層から発せられる漏洩磁界の大きさは増加していく傾向にあることがわかった。また、前記上部シールド層及び下部シールド層から発せられる漏洩磁界の大きさは、常にほぼ同じ値を示すことがわかった。また、図６に示すように、下部シールド層のハイト長さがほぼ２４μｍのときに、前記リターンヨーク層、上部シールド層と下部シールド層から発せられる漏洩磁界の大きさがほぼ一致することがわかった。このとき、前記下部シールド層のハイト長さは２４μｍで、前記リターンヨーク層のハイト長さは２２μｍであるから、前記リターンヨーク層は２μｍだけ前記下部シールド層よりも短く形成されていることがわかった。
【００６４】
次に実験では、前記下部シールド層及びリターンヨーク層のハイト方向への長さ寸法を２２μｍで統一し、前記上部シールド層のハイト方向への長さを変化させたときの、上部シールド長と、前記リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層の各前端面から放出される漏洩磁界の磁界強度との関係について調べた。その実験結果を図７に示す。
図７に示すように、上部シールド長を長くしていくと、図６に示す結果と同様に、リターンヨーク層から発せられる漏洩磁界の大きさは減少していく傾向にあり、また、上部シールド層と下部シールド層から発せられる漏洩磁界の大きさは増加していく傾向にあることがわかった。また、前記上部シールド層及び下部シールド層から発せられる漏洩磁界の大きさは、常にほぼ同じ値を示すことがわかった。また、図７に示すように、上部シールド層の長さがほぼ２４μｍのときに、前記リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層から漏洩する磁界の大きさがほぼ一致することがわかった。このとき、前記上部シールド層のハイト長さは２４μｍで、前記リターンヨーク層のハイト長さは２２μｍであるから、前記リターンヨーク層は前記上部シールド層よりも２μｍだけ対向面側に短く形成されていることがわかった。
【００６５】
次に実験では、前記下部シールド層及び上部シールド層のハイト方向への長さ寸法を２２μｍで統一し、前記リターンヨーク層のハイト方向への長さを変化させたときの、リターンヨーク長と、前記リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層の各前端面から放出される漏洩磁界の磁界強度との関係について調べた。その実験結果を図８に示す。
【００６６】
図８に示すように、リターンヨーク長を長くしていくと、リターンヨーク層から発せられる漏洩磁界の大きさは増加していく傾向にあるが、これに対して上部シールド層と下部シールド層から発せられる漏洩磁界の大きさは減少していく傾向にあることがわかった。さらに前記上部シールド層及び下部シールド層から発せられる漏洩磁界の大きさは、常にほぼ同じ値を示すことがわかった。また、図８に示すように、リターンヨーク層の長さがほぼ２０μｍのときに、前記リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層から発せられる漏洩磁界の大きさがほぼ一致した。このとき、前記下部シールド層及び上部シールド層のハイト長さは２２μｍで、前記リターンヨーク層のハイト長さは２０μｍであるから、前記リターンヨーク層は２μｍだけ前記下部シールド層及び上部シールド層よりも対向面側に短く形成されていることがわかった。
【００６７】
次の実験では、前記下部シールド層及び上部シールド層のハイト方向への長さ寸法を４０μｍで統一し、前記リターンヨーク層のハイト方向への長さを変化させたときの、リターンヨーク長と、前記リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層の各前端面から放出される漏洩磁界の磁界強度との関係について調べた。その実験結果を図９に示す。
【００６８】
図９に示すように、リターンヨーク長を長くしていくと、リターンヨーク層から発せられる漏洩磁界の大きさは増加していく傾向にあり、また上部シールド層と下部シールド層から発せられる漏洩磁界の大きさは減少していく傾向にあることがわかった。また、前記上部シールド層及び下部シールド層から発せられる漏洩磁界の大きさは、常にほぼ同じ値を示すことがわかった。また、このケースでは、リターンヨーク層の長さがおよそ３８μｍのときに、前記リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層から漏洩する磁界の大きさがほぼ一致することがわかった。このとき、前記下部シールド層及び上部シールド層のハイト長さは４０μｍで、前記リターンヨーク層のハイト長さは３８μｍであるから、長さの差は２μｍであることがわかった。
【００６９】
図６ないし図９に示す実験結果から、前記リターンヨーク層のハイト方向への長さを、上部シールド層と下部シールド層のハイト方向への長さが長いほうに対し０μｍより大きく２μｍ以下の範囲内で短く形成すると、前記リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層のハイト長さを同じ長さに揃えた場合より前記リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層の各前端面から放出される漏洩磁界の大きさをバランスよく小さくできることがわかった。
【００７０】
特に、前記リターンヨーク層のハイト方向への長さを、上部シールド層と下部シールド層のハイト方向への長さが長いほうに対し２μｍだけ短く形成すると、前記リターンヨーク層、前記上部シールド層及び前記下部シールド層の各前端面から放出される漏洩磁界の大きさがほぼ同じ大きさに小さくなり最も好ましいことがわかった。
【００７１】
なお、前記リターンヨーク層を０μｍ〜２μｍ（ただし０μｍを除く）の範囲内で、前記上部シールド層及び下部シールド層のうちハイト方向への長さが長いほうに対して短く形成し、最も好ましくは２μｍだけ短くすると、各前端面から放出される漏洩磁界の大きさをバランスよく小さくできる傾向は、図８，図９に示すように、前記リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層のハイト方向への長さ寸法を変えても見られることから、上記数値範囲の限定は一般性を持つことが証明された。
【００７２】
また図６，図７に示すように、下部シールド層のハイト方向への長さ及び前記上部シールド層のハイト方向への長さ寸法が異なる場合でも、前記下部シールド層及び上部シールド層の各前端面から放出される漏洩磁界の大きさはほぼ同じになることがわかった。ただし前記下部シールド層のハイト方向への長さと前記上部シールド層のハイト方向への長さを同じにしたほうが図８，図９に示すように、前記下部シールド層及び前記上部シールド層の各前端面から放出される漏洩磁界の大きさをほぼ同じに出来ることがわかった。なお図６，図７に示す実験結果に基づき、上部シールド層のハイト方向への長さ寸法／下部シールド層のハイト方向への長さ寸法を０．９〜１．１の範囲内に設定した。
【００７３】
図１０は、記録媒体Ｍとの対向面Ｈ１ａにおいて、リターンヨーク層，上部シールド層及び下部シールド層から発せられる漏洩磁界の強度と、トラック幅方向中心部からの距離との関係を示すグラフである。縦軸は、磁界強度を示しており、横軸は各層のトラック幅方向中心部からの距離を示している。なお、この実験では、上記の実験で使用したリターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層を用い、前記リターンヨーク層のハイト長さを２２μｍ、上部シールド層のハイト長さを２２μｍ、下部シールド層のハイト長さを２２μｍ（これ以外の条件は全て上記の実験条件と同じ）として行った。
【００７４】
図１０に示すように、ちょうど中心から３０μｍ付近で、リターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層の前端面から放出される漏洩磁界の大きさが最大値となった。上記の実験では、前記前端面のトラック幅方向への幅寸法を６０μｍとしているから、、幅寸法の中心から３０μｍ付近はちょうど前端面と側端面との角部に相当し、前記角部付近から強い漏洩磁界が放出されることがわかった。これは、図４，図５で説明したように、ハイト方向と平行な方向に向く磁区が前記角部付近に形成されているためである。実験では、図４に示す矩形状の磁性層を用いたので、前端面のトラック幅方向の両側から放出される漏洩磁界の大きさを小さくするには例えば図５に示すような前記ハイト方向と平行な方向に向く磁区が小さくなる形状にすることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本実施形態の垂直磁気記録ヘッドの部分正面図、
【図２】図１に示す垂直磁気記録ヘッドを備える薄膜磁気ヘッドをＩ−Ｉ線から切断し矢印方向から見た縦断面図、
【図３】図１及び図２に示す垂直磁気記録ヘッドの部分平面図、
【図４】本実施形態におけるリターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層の平面図、
【図５】図４とは異なる形態のリターンヨーク層、上部シールド層及び下部シールド層の平面図、
【図６】下部シールド層のハイト長さと、リターンヨーク層、上部シールド層、下部シールド層（リターンヨーク層及び上部シールド層のハイト長さを２２μｍに統一）から発せられる漏洩磁界の強度との関係を示すグラフ、
【図７】上部シールド層のハイト長さと、リターンヨーク層、上部シールド層、下部シールド層（リターンヨーク層及び下部シールド層のハイト長さを２２μｍに統一）から発せられる漏洩磁界の強度との関係を示すグラフ、
【図８】リターンヨーク層のハイト長さと、リターンヨーク層、上部シールド層、下部シールド層（下部シールド層および上部シールド層のハイト長さを２２μｍに統一）から発せられる漏洩磁界の強度との関係を示すグラフ、
【図９】リターンヨーク層の長さと、リターンヨーク層、上部シールド層、下部シールド層（下部シールド層及び上部シールド層のハイト長さを４０μｍに統一）から発せられる漏洩磁界の強度との関係を示すグラフ、
【図１０】リターンヨーク層，上部シールド層及び下部シールド層から発せられる漏洩磁界の強度と、トラック幅方向中心部からの距離との関係を示すグラフ、
【符号の説明】
【００７６】
１１  スライダ
ｈ１  再生ヘッド
ｈ２  記録ヘッド
１２  非磁性絶縁層
１３  下部シールド層
１４  読み取り素子
１５  無機絶縁層
１６  上部シールド層
１７  コイル絶縁下地層
１８  第１コイル層
１９  コイル絶縁層
２０  主磁極層
２２  絶縁性材料層
２３  ギャップ層
２４  コイル絶縁下地層
２５  第２コイル層
２６  ソレノイド状のコイル層
２７  コイル絶縁層
２８  リターンヨーク層
２９  間隔調整層
３０  リード層
３１  保護層
【図１】
2007220261.tif 000003
【図２】
2007220261.tif 000004
【図３】
2007220261.tif 000005
【図４】
2007220261.tif 000006
【図５】
2007220261.tif 000007
【図６】
2007220261.tif 000008
【図７】
2007220261.tif 000009
【図８】
2007220261.tif 000010
【図９】
2007220261.tif 000011
【図１０】
2007220261.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月11日(2007.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007220261.tif 000013
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2007220261.tif 000014
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2007220261.tif 000015
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2007220261.tif 000016
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2007220261.tif 000017