(57)【要約】【課題】吸湿や水分の浸入を防止することが可能な液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置の製造方法は、内面に無機配向膜１６，２２を形成した一対の基板１０，２０をシール材５２を介して貼り合わせる工程と、前記一対の基板１０，２０の側端面側に、少なくとも前記シール材５２と前記無機配向膜１６，２２とを覆った状態で、無機材料からなる防湿膜９０を原子層堆積法により形成する工程と、を有する。【選択図】図４
2007219364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に無機配向膜を形成した一対の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、
前記一対の基板の側端面側に、少なくとも前記シール材と前記無機配向膜とを覆った状態で、無機材料からなる防湿膜を原子層堆積法により形成する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記防湿膜を、前記一対の基板の側端面及びこれに連なる前記シール材の側端面を含む前記一対の基板の外表面全域に形成することを特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記防湿膜を形成するに際し、前記シール材の外側に露出した前記無機配向膜を除去することを特徴とする請求項１又は２記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記防湿膜が無機酸化物からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記防湿膜を形成するための原料ガスとしてアルコキシドを用いることを特徴とする請求項４記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記防湿膜を構成する原子層の層数が１〜１００であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法により製造されてなることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項７記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶プロジェクタ等に搭載される光変調手段や、携帯電話等に搭載される直視型表示装置として用いられる液晶装置は、液晶層に電圧を印加するための電極を具備する一対の基板を主体として構成されている。液晶装置を構成する一対の基板の各内面側には、導電膜（画素電極、対向電極等）や、液晶分子の初期配向状態を制御するための配向膜が形成されている。そして、これら配向膜間がシール材によって接合されることにより、基板どうしが貼り合わされ、さらにこのシール材に囲まれた領域内に液晶が封入されるようになっている。
【０００３】
ところで、液晶装置では、吸湿や水分の浸入が品質低下の原因となることから、その耐湿性の向上が課題となっている。このような技術として、特許文献１には、一対の基板を貼り合わせて液晶パネルを組み上げた後に、パネル全体にコーティング剤を塗布して防湿性を付与する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２４６０８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術は、主にガラス基板表面への静電気の滞留防止を目的として、液晶パネルを組み上げた後に、パネル全体に透明導電性のコーティング剤を塗布するものである。この技術によれば、コーティング剤がシール材の側面部を含むパネル全体を覆うため、配向膜とシール材との界面や、シール材の側面からの透湿が防止され、これにより液晶装置の品質低下が防止される。
【０００５】
しかしながら、上述のコーティング剤は、ポリチオフェン等の高分子導電材料からなるため、特に耐湿性向上の観点からは十分な特性が得られなかった。また、液晶プロジェクタのように高出力光源を備えた機器に搭載される液晶装置では、耐光性の向上を目的として、無機配向膜の採用が検討されているが、このような無機配向膜は吸湿性が高く、且つ多孔質な膜であるため、ポリイミド等の有機配向膜に比べて、このようなコーティング剤自体の防湿性の問題が、より深刻になる。すなわち、無機配向膜は一般にアモルファスであり、その表面が多孔質になっていることから、シール材と無機配向膜との界面に大きな空隙が形成されることがある。そのため、この空隙を通って液晶装置の外部から液晶層に水分や不純物などが浸入した場合には、液晶分子の配向制御機能が阻害され、表示品質が劣化される虞がある。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、吸湿や水分の浸入を防止することが可能な液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。また、このような製造方法を用いることにより表示品質及び信頼性の向上を図った液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置の製造方法は、内面に無機配向膜を形成した一対の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、前記一対の基板の側端面側に、少なくとも前記シール材と前記無機配向膜とを覆った状態で、無機材料からなる防湿膜を原子層堆積法により形成する工程と、を有することを特徴とする。
この方法によれば、防湿膜が、一対の基板の側端面側の少なくともシール材と無機配向膜とを覆った位置に形成されるので、この防湿膜によって無機配向膜とシール材との界面やシール材自体の側面からの透湿が防止され、これにより吸湿（透湿）に起因する液晶装置の品質低下が防止される。また、防湿膜が無機材料によって形成されるので、例えば大きなアルキル基を有する有機膜などに比べて緻密で高い密着性を有するものとなり、したがって透水性、透湿性が低く、防水性、防湿性のいずれにも優れたものとなる。
また、防湿膜を原子層堆積法で形成するので、比較的低温で防湿膜を成膜することができ、したがって基板間の液晶などへの影響を最小限に抑えることができる。さらに、蒸着、スパッタ、ＣＶＤでは成膜できないオーバーハング部分にも成膜できるため、さらに防水性、防湿性に優れたものとなる。
【０００８】
本発明においては、前記防湿膜を、前記一対の基板の側端面及びこれに連なる前記シール材の側端面を含む前記一対の基板の外表面全域に形成することが望ましい。
原子層堆積法により形成された膜は、成膜方向から見た場合には緻密性は高いものの、成膜方向に直交する方向から見た場合には緻密性はそれ程高くない。そのため、防湿膜がシール材の側面部分のみに形成されていると、その膜形成領域の周縁部から水分が浸入し、防湿膜と基板との界面を通って液晶層内に侵入する場合がある。一方、本発明のように防湿膜が液晶装置全体を覆っていると、このような水分の侵入経路が完全に遮断されるため、一部分のみに防湿膜を形成する場合に比べて信頼性の高い液晶装置が得られる。
【０００９】
本発明においては、前記防湿膜を形成するに際し、前記シール材の外側に露出した前記無機配向膜を除去することが望ましい。
前述したように、無機配向膜は、表面に多数の微細孔が形成された多孔質な膜である。このため、このような膜の表面に原子層堆積法で防湿膜を形成しても、十分に緻密で密着性の高い膜が得られない。そこで、本発明では、防湿膜を形成する前に、ドライエッチング等により余分な無機配向膜を除去するものとしている。この処理を行なうと、シール材の外側の無機配向膜が除去され、無機配向膜の下地の膜が露出される。この下地膜は、通常、ＣＶＤ法等によって形成された緻密な膜であるため、この表面に原子層堆積法で防止膜を形成すると、緻密で密着性の高い膜が得られる。
【００１０】
本発明においては、前記防湿膜が無機酸化物からなることが望ましい。
このように防湿膜を無機酸化物によって形成した場合、珪素酸化物等からなる無機配向膜や基板と同系の材質となるため、その密着性が高く、防湿性にも優れたものとなる。なお、前記防湿膜を形成するための原料ガスとしてアルコキシドを用いることが望ましく、これにより、安全性が高く、取り扱い性も良好なものとなる。
【００１１】
本発明においては、前記防湿膜を構成する原子層の層数が１〜１００、より好ましくは１０〜１００であることが望ましい。
原子層の層数を１層、より好ましくは１０層以上とすることで、十分な防湿性が得られるようになる。一方、原子層の層数が１００よりも多くなると、プロセス時間が長くなり、生産性が低下する。また、防湿膜を基板の外表面全体に形成した場合には、実装端子の表面に形成された防湿膜を除去せずに端子の接続を行なえれば効率的だが、原子層の層数が１００を超えると、端子表面の防湿膜が抵抗を持つようになり、液晶装置の電気的特性を劣化させる虞がある。したがって、原子層の層数を１〜１００、より好ましくは、１０〜１００の範囲とすれば、端子表面の防湿膜を除去する工程が不要になり、生産性を落とさずに、優れた防湿性を発揮させることができる。
【００１２】
本発明の液晶装置は、前述した本発明の液晶装置の製造方法により製造されてなることを特徴とする。また本発明の電子機器は、本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。
これらの構成によれば、吸湿（透湿）に起因する品質低下が防止され、表示の信頼性が向上した液晶装置及び電子機器が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。
以下の実施形態では、液晶装置の一例として、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素スイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を説明する。この液晶装置は、例えばプロジェクタのライトバルブ（光変調手段）として好適なものである。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１４】
図１は、本実施形態の液晶装置１００を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は、液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００１５】
図１に示すように、液晶装置１００は、シール材５２によって貼り合わされたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを有する。シール材５２は対向基板２０の外周に沿って平面視矩形枠状に設けられており、このシール材５２によって区画された領域に液晶が封入されている。シール材５２の形成領域の内側には、遮光性材料からなる平面視矩形枠状の遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。そして、この遮光膜５３の内側の領域が画像表示領域１０ａとなっている。シール材５２の形成領域の外側には、データ線駆動回路２０１及び外部回路実装端子（接続端子）２０２がＴＦＴアレイ基板１０の１辺（図示下辺）に沿って形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路２０４，２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る１辺（図示上辺）には、画像表示領域１０ａの両側の走査線駆動回路２０４，２０４間を接続する複数の配線２０５が形成されている。また、対向基板２０の各角部には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の電気的導通をとるための導電粒子である基板間導通材２０６が配設されている。
【００１６】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。また、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。符号３ｂは蓄積容量６０を構成する容量線である。
【００１７】
次に、図２の断面構造を見ると、本実施形態の液晶装置１００は、一対の透明基板を有し、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された他方の基板をなす対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０の内面側（液晶層５０側）には画素電極９が形成されており、さらに画素電極９を覆って配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０の内面側（液晶層５０側）には、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線、走査線、画素スイッチング用ＴＦＴの形成領域に対向して、平面視格子状の遮光膜２３が形成されている。また、遮光膜２３を覆って対向基板２０の全面に対向電極（共通電極）２１が形成されており、さらに対向電極２１を覆って配向膜２２が形成されている。
【００１８】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０は、その配向膜１６，２２間でシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に、液晶層５０が封入・保持されている。ここで、配向膜１６，２２は無機材料で構成された無機配向膜であり、具体的には、ＳｉＯ２やＳｉＯ等の珪素酸化物、又はＡｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯやＩＴＯ等の金属酸化物等により、厚さ０．０２μｍ〜０．３μｍ（好ましくは、０．０２μｍ〜０．０８μｍ）程度に形成されたものである。配向膜１６，２２は、斜方蒸着法等により形成された無数の柱状構造体からなり、各柱状構造体のぞれぞれは基板１０の法線方向に対して斜め方向に結晶成長した状態で配列している。
【００１９】
液晶は、柱状構造体の間隙に沿って配向し、電圧を印加しない状態（初期配向状態）では略基板に垂直に配向している。また、柱状構造体はその結晶成長の方向に傾斜しており、その傾きに沿って配向することで、液晶にプレチルトが付与されている。また、液晶層５０は誘電異方性が負の液晶からなり、電極９，２１間に電圧を印加することで、液晶は基板に平行に配向する。これらにより、液晶装置１００は垂直配向モードで動作する垂直配向型の液晶装置となっている。
【００２０】
ところで、配向膜１６，２２は、その表層部に小さな間隙を多く形成した構造となるため、この配向膜の間隙を介して液晶装置の内外部から水分が侵入してしまうという問題がある。また、配向膜１６，２２は酸化珪素等の無機材料からなる一方、シール材５２はエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の有機材料から形成されているため、配向膜１６，２２とシール材５２とは互いに相性が悪く、配向膜１６，２２とシール材５２との密着性が上がらないという問題があった。そして、これらの問題により、配向膜１６，２２の間隙、あるいはシール材５２と配向膜１６，２２との間隙から、液晶層５０内に水分が侵入してしまい、液晶装置の耐湿性が低下してしまうという問題があった。
【００２１】
そこで、本実施形態では、液晶装置１００の側端面に、金属酸化物又は珪素酸化物等の無機酸化物からなる防湿膜９０を形成している。この防湿膜９０は、基板１０，２０の側端面側の全面、すなわち、基板１０，２０、電極９，２１、配向膜１６，２２、及びシール材５２の各側面（端面）を連続的に且つ全周にわたって覆うように配設されている。また、防湿膜９０は、これらの各側端面に加え、基板１０，２０の外表面をも連続的にかつ全域にわたって覆うように配設されている。この防湿膜９０は、原子層堆積法により形成されたものであり、特に透水性や透湿性が極めて低く、したがって、これが覆う箇所での透水や透湿を良好に防止する、透水機能・透湿機能を有したものである。
【００２２】
防湿膜９０は、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯｘ，ＳｉＯＣのように、配向膜１６，２２及び基板１０，２０上への被覆率が高い材料によって形成されている。具体的には、Ａｌ［ＣＨＯ（ＣＨ３）２］３等のアルコキシド、或いはＳｉ（ＣＨ３）４等の珪素化合物を原料ガスとして用いた原子層堆積法（Atomic Layer Deposition；ＡＬＤ）が好適に採用される。原子層堆積法とは、複数種類の原料ガス（前駆ガス）を交互に反応室に流し、薄膜の成長を１原子層（または１分子層）ずつ行なう方法である。Ａｌ２Ｏ３等の無機酸化物膜を形成する場合には、原料分子を自己分解しない低温で基板表面に吸着させ、単分子飽和吸着層を形成し、次に酸化剤で当該原料を分解させることで、１原子層分の薄膜（単分子膜）を形成する。そして、このサイクルを繰り返すことで、所望の厚みの膜（複数原子層分の薄膜）が形成される。
【００２３】
次に、図４を用いて液晶装置１００の製造方法を説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を作製し、これら一対の基板１０，２０をシール材５２によって貼り合わせ、真空注入法等により、シール材５２の枠内に液晶を注入する。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の最表面には、無機酸化物等からなる配向膜１６，２２が形成されている。配向膜１６，２２は、斜方蒸着法等により、基板全面に形成されたものである。このような配向膜１６，２２は、表面に多数の微細孔が形成された多孔質な膜であり、このような膜の表面に原子層堆積法で防湿膜９０を形成しても、十分に緻密な膜は得られない。そこで、本実施形態では、図４（ｂ）のように、基板１０，２０の外表面全体に等方性ドライエッチングを施し、余分な配向膜１６，２２を除去している。この処理を行なうと、シール材５２の外側に露出した配向膜１６，２２が除去され、下地の膜が露出される。この下地膜は、通常、ＣＶＤ法等によって形成された緻密な膜であるため、この表面に原子層堆積法で防湿膜を形成すると、緻密で密着性の高い膜が得られるようになる。
【００２４】
余分な配向膜を除去したら、図４（ｃ）に示すように、基板１０，２０の側端面及びこれに連なるシール材５２の側端面を含む基板１０，２０の外表面全域に、無機材料からなる防湿膜９０を形成する。この工程は、Ａｌ等の原料分子を含む第１の原料ガスと、酸化剤である第２の原料ガスとを交互に供給することにより行なわれる。第１の原料ガスとしては、Ａｌ［ＣＨＯ（ＣＨ３）２］３やＳｉ（ＣＨ３）４等が用いられる。特に、アルコキシドは安全性が高く、取り扱い性も良好なため、好適である。第２の原料ガスとしては、Ｈ２Ｏ、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２等が用いられる。
【００２５】
１原子層を形成するには、まず、基板表面に第１の原料ガスを供給し、原料分子を基板１０，２０の表面に化学吸着させる。吸着は、窒素雰囲気又はドライエア等の水を含まない雰囲気で行なう。吸着時の基板１０，２０の温度は、原料分子が自己分解しない温度とする。本実施形態の場合、液晶の注入まで済ませてから処理を行なうため、この処理温度は液晶を劣化させない２００℃以下の低温とする。適切な処理温度を設定することで、基板表面に吸着した原料分子を再配列させ、均一な膜を形成することが可能になる。
【００２６】
原料分子によって基板１０，２０表面全体が覆い尽くされたら、不活性ガスを導入し、余剰な原料分子を取り除く。こうすると、原料分子同士の反撥により、理想的には１原子層分の吸着層（単分子飽和吸着層）だけが表面に残る。
【００２７】
次に、基板表面に酸化剤である第２の原料ガスを供給し、基板表面の単分子飽和吸着層を酸化（分解）する。このとき、基板１０，２０の温度は、原料分子が酸化剤と反応を生じる範囲でなるべく低い温度とすることが望ましい。液晶等の有機物への影響を防止するためである。具体的には、液晶を劣化させない２００℃以下の低温とする。
原料分子が酸化されたら、不活性ガスを導入し、余剰な酸化剤と副生成物を取り除く。
以上により、１原子層分の成膜が完了する。
【００２８】
続いて、上記のサイクルを繰り返し、所望の膜厚となるまで薄膜堆積を実行する。膜厚は、原子層の層数として１層〜１００層、より好ましくは、１０層〜１００層の範囲であることが望ましい。１０原子層以上とすることで十分な防湿性を確保でき、また１００原子層以下とすることで、実装端子２０２上に形成された防湿膜９０の抵抗を表示に影響が出ない程度の大きさに抑えることができる。
【００２９】
以上により、基板１０，２０には、シール材５２の側端面を含む基板１０，２０の外表面全体を連続的に且つ全域に亘って覆う防湿膜９０が形成される。このようにして得られた防湿膜９０は、珪素酸化物等の無機材料によって形成されているので、例えば大きなアルキル基を有する有機膜等に比べて緻密で高い密着性を有するものとなり、したがって透水性、透湿性が低く、防水性、防湿性のいずれにも優れたものとなる。また、基板１０，２０を貼り合わせた後に防湿膜９０を形成するため、個々の基板に撥水処理をする場合に比べて、配向膜１６，２２への影響が少なく、液晶５０のプレチルトに影響してしまうといった問題も回避される。
【００３０】
また、防湿膜９０を原子層堆積法で形成するので、比較的低温で防湿膜９０を成膜することができ、したがって液晶５０などへの影響を最小限に抑えることができる。また、蒸着、スパッタ、ＣＶＤでは成膜できないオーバーハング部分にも成膜できるので、液晶装置全体を包み込むように防湿膜９０で覆うことが可能になり、さらに防水性、防湿性に優れたものとなる。
【００３１】
また、防湿膜９０を珪素酸化物によって構成した場合、基板１０，２０の表面に形成された珪素酸化物からなる防湿膜９０は、ガラス等からなる基板１０，２０同系の材質となるため、その密着性が高く、基板１０，２０に対して強固に接合したものとなる。同様に、珪素酸化物等からなる配向膜１６．２２とも同系の材質となるため、配向膜１６，２２との密着性にも優れたものとなる。
【００３２】
また、防湿膜９０を１００原子層以下の薄膜とした場合には、実装端子２０２上に形成された防湿膜９０は、それ自体抵抗として寄与することがないので、例えば、エッチング等により防湿膜９０を部分的に除去する工程が不要になり、製造も容易になる。
【００３３】
なお、本実施形態では、液晶装置の外面全てに防湿膜９０を形成したが、防湿膜９０は、少なくともシール材５２と配向膜１６，２２とを覆った状態で形成されていればよく、必ずしも基板１０，２０の外表面全体を覆っている必要はない。例えば、マスク蒸着等により、基板１０，２０、電極９，２１、配向膜１６，２２、及びシール材５２の各側面（端面）のみを連続的且つ全周にわたって覆うように形成することも可能である。ただし、原子層堆積法により形成された膜は、成膜方向から見た場合には緻密性は高いものの、成膜方向に直交する方向から見た場合には緻密性はそれ程高くない。そのため、防湿膜９０がシール材５２の側面部分のみに形成されていると、その膜形成領域の周縁部から水分が浸入し、防湿膜９０と基板１０．２０との界面を通って液晶層５０内に侵入する場合がある。したがって、本実施形態のように防湿膜９０が液晶装置全体を覆っていると、このような水分の侵入経路が完全に遮断されるため、一部分のみに防湿膜９０を形成する場合に比べて信頼性の高い液晶装置が得られる。
【００３４】
［電子機器］
次に、本発明の電子機器の一例であるプロジェクタの一実施形態を図５を用いて説明する。図５は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前述した実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。
【００３５】
図５において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は本発明の液晶装置からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズである。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。
【００３６】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。
【００３７】
各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【００３８】
前述したプロジェクタは、前記の液晶装置を光変調手段として備えている。この液晶装置は、前述したように信頼性が高いものとなっているので、このプロジェクタ（電子機器）自体も信頼性が高いものとなる。
【００３９】
なお、本発明の技術的範囲は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、前述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、前記実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、前記実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、前記実施形態ではＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、実施形態では３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００４０】
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ′線に沿う断面図である。
【図３】同液晶装置の等価回路図である。
【図４】同液晶装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】電子機器の一例であるプロジェクタを示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１６，２２…配向膜（無機配向膜）、２０…対向基板、５２…シール材、９０…防湿膜、１００…液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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