(57)【要約】【課題】外部からの信号、情報の受信、外部への信号、情報の送信をして機能することが可能であるとともに、小型化、薄型化を図ることが可能な半導体装置、及び、その製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１は、基板３または半導体素子４のいずれかで各々形成された複数の構成層２と、隣り合う構成層２との間に介装される樹脂層５と、構成層２の少なくともいずれか一つに実装され、外部からの信号若しくは情報の受信、または、外部への信号若しくは情報の送信の少なくともいずれか一方を行い機能することが可能な機能素子８とを備える。【選択図】図１
2007311395.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板または半導体素子のいずれかで各々形成された複数の構成層と、
隣り合う該構成層との間に介装される樹脂層と、
前記構成層の少なくともいずれか一つに実装され、外部からの信号若しくは情報の受信、または、外部への信号若しくは情報の送信の少なくともいずれか一方を行い機能することが可能な機能素子とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記機能素子は、前記構成層のうち、最も外側に位置する層の表面に実装されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置において、
前記機能素子は、前記樹脂層を介して向かい合う前記構成層のいずれか一方に前記樹脂層に覆われて実装されているとともに、
該構成層には、前記機能素子と外部との間で送信または受信可能な経路が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記構成層の少なくともいずれか一つには、前記構成層として選択可能な前記半導体素子とは異なる他の半導体素子が実装されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記他の半導体素子は、前記樹脂層を介して向かい合う前記構成層に、前記樹脂層で覆われて実装されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記構成層の少なくともいずれか一つには、受動素子が実装されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記受動素子は、前記樹脂層を介して向かい合う前記構成層に、前記樹脂層に覆われて実装されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基板または半導体素子のいずれかで各々形成された複数の構成層を積層した半導体装置の製造方法であって、
前記構成層の少なくともいずれか一つに、外部からの信号若しくは情報の受信、または、外部への信号若しくは情報の送信の少なくともいずれか一方を行い機能することが可能な機能素子を実装する機能素子実装工程と、
一の前記構成層に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
他の前記構成層に前記樹脂層を重ねることで、隣り合う前記構成層を積層する積層工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記機能素子実装工程は、他の前記構成層に予め経路を形成した上で、該経路上に前記機能素子を実装するとともに、
前記積層工程は、他の前記構成層の前記機能素子を実装した面に、前記樹脂層形成工程で一の前記構成層に形成された前記樹脂層を重ねることで行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記構成層に、該構成層として選択可能な前記半導体素子とは異なる他の半導体素子を実装する半導体素子実装工程をさらに備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記積層工程は、他の前記構成層の前記他の半導体素子を実装した面に、前記樹脂層形成工程で一の前記構成層に形成された前記樹脂層を重ねることで行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記構成層に、受動素子を実装する受動素子実装工程をさらに備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記積層工程は、他の前記構成層の前記受動素子を実装した面に、前記樹脂層形成工程で一の前記構成層に形成された前記樹脂層を重ねることで行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器などに搭載される半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の軽量化、薄型化、短小化、並びに、高機能化のさらなる要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできている。このため、これらの電子機器に使用される半導体装置においても、小型化、薄型化、高機能化、多機能化が求められている。
【０００３】
このような要求に対応する半導体装置として、基板及び半導体で形成する各構成層との間に樹脂層を形成して積層した半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような半導体装置においては、基板及び半導体で形成する各構成層を積層することで、高機能化、多機能化が図れるとともに、その間に樹脂層を介することで各層の良好な絶縁状態を保ちつつ小型化、薄型化が図れるとされている。
【特許文献１】特開２００５−２５５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の半導体装置によれば、外部からの信号、情報を受信する、または、外部へ信号、情報を送信する場合などには、他の送信または受信可能な部品と接続することで行われていた。このため、このような機能を付与するためには、半導体装置と別に実装スペースを必要としてしまう問題があった。
【０００５】
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、外部からの信号、情報の受信、外部への信号、情報の送信をして機能することが可能であるとともに、小型化、薄型化を図ることが可能な半導体装置、及び、その製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の半導体装置は、基板または半導体素子のいずれかで各々形成された複数の構成層と、隣り合う該構成層との間に介装される樹脂層と、前記構成層の少なくともいずれか一つに実装され、外部からの信号若しくは情報の受信、または、外部への信号若しくは情報の送信の少なくともいずれか一方を行い機能することが可能な機能素子とを備えることを特徴としている。
【０００７】
本発明は、基板または半導体素子のいずれかで各々形成された複数の構成層を積層した半導体装置の製造方法であって、前記構成層の少なくともいずれか一つに、外部からの信号若しくは情報の受信、または、外部への信号若しくは情報の送信の少なくともいずれか一方を行い機能することが可能な機能素子を実装する機能素子実装工程と、一の前記構成層に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、他の前記構成層に前記樹脂層を重ねることで、隣り合う前記構成層を積層する積層工程とを備えることを特徴としている。
【０００８】
この発明に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、構成層のいずれかに、機能素子が実装されていることで、外部からの信号若しくは情報を受信して機能する、例えば、受信した信号若しくは情報を実装されている構成層である半導体素子に入力することが可能である。あるいは、機能して外部へ送信する、例えば、構成層である半導体素子から信号若しくは情報を出力させて、外部へ送信することが可能である。一方、各構成層が樹脂層を介して積層されていることで、機能素子を実装したとしても、良好な絶縁状態を保ちつつ装置全体の小型化、薄型化を図ることができる。
【０００９】
また、上記の半導体装置において、前記機能素子は、前記構成層のうち、最も外側に位置する層の表面に実装されていることがより好ましいとされている。
この発明の半導体装置によれば、機能素子が最も外側に位置する構成層の表面に実装されていることで、外部との信号若しくは情報の送信または受信を好適に行うことが可能となる。
【００１０】
また、上記の半導体装置において、前記機能素子は、前記樹脂層を介して向かい合う前記構成層のいずれか一方に前記樹脂層に覆われて実装されているとともに、該構成層には、前記機能素子と外部との間で送信または受信可能な経路が形成されていることがより好ましいとされている。
【００１１】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記機能素子実装工程は、他の前記構成層に予め経路を形成した上で、該経路上に前記機能素子を実装するとともに、前記積層工程は、他の前記構成層の前記機能素子を実装した面に、前記樹脂層形成工程で一の前記構成層に形成された前記樹脂層を重ねることで行われることがより好ましいとされている。
【００１２】
この発明に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、機能素子が、構成層の間に介装された樹脂層に位置するので、装置全体の小型化、薄型化をより図ることができる。さらに、機能素子は、樹脂層によって良好な絶縁状態を保つことができる。また、機能素子が実装された構成層に送信また受信可能な経路が形成されていることで、樹脂層に位置する機能素子は、この経路から外部との信号若しくは情報の送受信を好適に行うことができる。
【００１３】
また、上記の半導体装置において、前記構成層の少なくともいずれか一つには、前記構成層として選択可能な前記半導体素子とは異なる他の半導体素子が実装されていることがより好ましいとされている。
【００１４】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記構成層に、該構成層として選択可能な前記半導体素子とは異なる他の半導体素子を実装する半導体素子実装工程をさらに備えることがより好ましいとされている。
【００１５】
この発明に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、前記構成層にさらに他の半導体素子を実装することでより高機能化、多機能化を図るとともに、装置全体の小型化、薄型化を図ることができる。
【００１６】
さらに、上記の半導体装置において、前記他の半導体素子は、前記樹脂層を介して向かい合う前記構成層に、前記樹脂層で覆われて実装されていることがより好ましいとされている。
【００１７】
さらに、上記の半導体装置の製造方法において、前記積層工程は、他の前記構成層の前記他の半導体素子を実装した面に、前記樹脂層形成工程で一の前記構成層に形成された前記樹脂層を重ねることで行われることがより好ましいとされている。
【００１８】
この発明に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、他の半導体素子が、構成層の間に介装された樹脂層に位置するので装置全体の小型化、薄型化をより図ることができる。さらに、他の半導体素子は樹脂層によって良好な絶縁状態を保つことができる。
【００１９】
また、上記の半導体装置において、前記構成層の少なくともいずれか一つには、受動素子が実装されていることがより好ましいとされている。
【００２０】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記構成層に、受動素子を実装する受動素子実装工程をさらに備えることがより好ましいとされている。
【００２１】
この発明に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、構成層にさらに受動素子を実装することでより高機能、多機能化を図るとともに、装置全体の小型化、薄型化を図ることができる。
【００２２】
また、上記の半導体装置において、前記受動素子は、前記樹脂層を介して向かい合う前記構成層に、前記樹脂層に覆われて実装されていることがより好ましいとされている。
【００２３】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記積層工程は、他の前記構成層の前記受動素子を実装した面に、前記樹脂層形成工程で一の前記構成層に形成された前記樹脂層を重ねることで行われることがより好ましいとされている。
【００２４】
この発明に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、受動素子が、構成層の間に介装された樹脂層に位置するので、装置全体の小型化、薄型化をより図ることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体装置によれば、複数の構成層と、樹脂層と、機能素子とを備えることで、外部からの信号若しくは情報の受信、または、外部への信号若しくは情報の送信を行って機能することが可能であるとともに、装置全体の小型化、薄型化を図ることが可能である。
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、機能素子実装工程と、樹脂層形成工程と、積層工程とを備えることで、外部からの信号若しくは情報の受信、または、外部への信号若しくは情報の送信を行って機能することが可能で、小型、薄型の半導体装置を、効率良く製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（第１の実施形態）
図１から図３は、この発明に係る実施形態を示している。図１に示すように、この実施形態の半導体装置１は、複数の構成層２として、基板３と、第１の半導体素子４とを備える。基板３と、第１の半導体素子４との間には、樹脂層５が介装されていて、絶縁された状態が保たれているとともに、基板３と、第１の半導体素子４とを一体化している。また、基板３において、第１の半導体素子４と向かい合う一面３ａには回路が形成されていて、ボンディングワイヤ４ａによって所定位置で第１の半導体素子４と電気的に接続されている。
【００２７】
基板３の一面３ａには、第１の半導体素子４と異なる他の半導体素子である第２の半導体素子６と、受動素子７とが実装されている。第２の半導体素子６は、ボンディングワイヤ６ａで基板３と電気的に接続されている。なお、半田接続によって接続するものとしても良い。また、受動素子７は、例えば、抵抗素子や薄膜コンデンサーなどであり、半田接続によって基板３と電気的に接続されている。なお、ボンディングワイヤによって接続するものとしても良い。そして、第２の半導体素子６、受動素子７、及び、ボンディングワイヤ６ａは、樹脂層５に位置することで、樹脂層５に覆われて他の部分と絶縁された状態に保たれていて、また、ボンディングワイヤ６ａ同士が接触してしまうことも無い。
【００２８】
また、第１の半導体素子４において、外側に位置する表面４ｂには、機能素子８が実装されている。機能素子８は、外部からの信号若しくは情報の受信、または、外部への信号若しくは情報の送信のうち、少なくともいずれか一方を行い機能することが可能な素子である。外部からの信号若しくは情報を受信して機能することが可能な素子としては、光スイッチ、光センサ、加速度センサ、圧力センサなどが挙げられる。また、機能して外部へ信号若しくは情報を送信可能な素子としては、半導体レーザなどが挙げられる。さらに、送受信して機能することが可能な素子としては、上記の素子を組み合わせたものなどが選択される。なお、本実施形態においては、機能素子８として、外部の情報を光学的に受信して機能することが可能な光センサが搭載されていて、機能素子８上には、情報を伝達する光信号を透過可能な透過層９が設けられている。透過層９は、より詳しくは、ガラス基材、あるいは、特定の波長を透過させる特性を有する樹脂などが選択される。また、機能素子８は、基板３とボンディングワイヤ８ａで接続されていて、これにより、基板３と信号若しくは情報の入出力を行うことが可能である。なお、第１の半導体素子４と接続するものとしても良く、この場合、ボンディングワイヤによって接続する方法や、基板を介して互いに半田接続する方法でも良い。また、前述の各ボンディングワイヤ４ａ、６ａ、８ａとしては、金やアルミニウムなどの金属を用いることができる。そして、基板３上には、封止樹脂１０が設けられていて、透過層９の上面９ａを外部に露出した状態で、基板３上に積層された樹脂層５、第１の半導体素子４、機能素子８、透過層９を覆っている。封止樹脂１０としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。なお、透過層９は、上記ガラス基材、樹脂に限らず、封止樹脂１０に貫通孔を設けて、直接機能素子８の一部を露出させる構成としても良い。
【００２９】
次に、この半導体装置１の製造工程について説明する。図２に示すように、まず、受動素子実装工程として、構成層２の基板３の回路が形成された一面３ａに受動素子７を実装する。さらに、半導体素子実装工程として、基板３の一面３ａに第２の半導体素子６を実装し、第２の半導体素子６と基板３に形成された回路とをボンディングワイヤ６ａで接続する。
【００３０】
次に、図３に示す他の構成層２である第１の半導体素子４を準備する。そして、樹脂層形成工程として、第１の半導体素子４の基板３と向かい合う裏面４ｃに、樹脂層５を形成する。より具体的には、ペースト状の樹脂を印刷工法によって樹脂層５として形成する方法、あるいは、フィルム状の樹脂をラミネート工法によって樹脂層５として形成する方法などが選択される。ペースト状の樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂に硬化剤、及び、シリカフィラーを含むものなどが選択される。そして、積層工程として、第１の半導体素子４と一体となった樹脂層５を基板３の一面３ａに重ね合わせて接合することで、基板３、樹脂層５、及び第１の半導体素子４が一体となるとともに、基板３に実装された第２の半導体素子６及びそのボンディングワイヤ６ａ、並びに、受動素子７は、樹脂層５に覆われて、他の部分と絶縁された状態を保つことができ、また、ボンディングワイヤ６ａ同士の絶縁状態も保つことができる。ここで、樹脂層５は、積層工程時には、ボンディングワイヤ６ａの変形を引き起こさずに半導体素子６、ボンディングワイヤ６ａ、及び受動素子７を覆い、また、ボイドの発生を抑制することが可能な溶融粘度を有していることが望ましい。より具体的には、その溶融粘度が１００ｐａ・ｓ以下０．０７ｐａ・ｓ以上が好ましく、さらには、５ｐａ・ｓ以下０．１ｐａ・ｓ以上であることが望ましい。すなわち、積層工程時において、外部へ染み出さなく、また、ボンディングワイヤの変形を引き起こしてボンディングワイヤ同士、若しくは、素子などとの接触を引き起こさせてしまう恐れが無い程度の粘性を有していることが望ましい。また、素子端面より外側へ押し出された樹脂の過剰流動による接続端子部位の汚染が発生しないような適度なチクソ性を有していることが望ましい。そして、樹脂層５が硬化した後、第１の半導体素子４と基板３とを所定位置でボンディングワイヤ４ａによって電気的に接続する。
【００３１】
次に、機能素子実装工程として、図４に示すように、第１の半導体素子４の表面４ｂに機能素子８を実装し、機能素子８と基板３とをボンディングワイヤ８ａによって所定位置で電気的に接続する。さらに、機能素子８上に透過層９であるガラス基材を搭載する。最後に、樹脂封止工程として、基板３上で、樹脂層５、第１の半導体素子４、機能素子８、及び、透過層９を覆うように封止樹脂１０を形成し、研磨して透過層９の上面９ａを露出させることで、図１に示す半導体装置１が製造される。なお、上記のように、透過層９の代わりに貫通孔を形成する場合には、透過層９に代えて容易に除去可能な犠牲層を設けて封止樹脂１０を形成する。そして、研磨して犠牲層を露出させた後に、犠牲層を除去することで貫通孔は形成される。
【００３２】
以上のように、半導体装置１は、機能素子８が基板３に実装されていることで、外部からの信号若しくは情報を受信して機能する、すなわち、その信号若しくは情報を、第１の半導体素子４、若しくは第２の半導体素子６に入力することができる。あるいは、機能して外部へ信号若しくは情報を送信する、すなわち、第１の半導体素子４、若しくは第２の半導体素子６から、信号若しくは情報を出力させて、外部へ送信を行うことが可能である。さらには、半導体装置１は、機能素子８のみならず、第１の半導体素子４と第２の半導体素子６とで複数の半導体素子を有し、また、受動素子７を備えることで、より高機能化、多機能化を図ることができる。一方、構成層２である基板３と第１の半導体素子４とが樹脂層５を介して積層されていることで、機能素子８、第２の半導体素子６、及び、受動素子７を実装したとしても、良好な絶縁状態を保ち、かつ、装置全体の小型化、薄型化を図ることができる。特に、機能素子８が第１の半導体素子４の表面４ｂに実装されていることで、外部と好適に送受信可能であり、また、第２の半導体素子６及び受動素子７については、基板３に実装され、樹脂層５に位置していることで、装置全体の小型化、薄型化をより図ることができる。また、上記に示す半導体装置１の製造方法では、外部からの信号若しくは情報の受信、または、外部への信号若しくは情報の送信をして機能することが可能で、小型、薄型の半導体装置を、効率良く製造することを可能とさせる。そして、このような半導体装置１を使用すれば、搭載される電子機器の小型化、薄型化、高機能化、多機能化を図ることが可能である。
【００３３】
（第２の実施形態）
図５は、この発明に係る第２の実施形態を示している。この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。図５に示すように、この実施形態の半導体装置２０は、複数の構成層２１として、送受信の経路である貫通孔２２ａが形成された基板２２と、第１の半導体素子４とを備え、基板２２と第１の半導体素子４との間には樹脂層５が介装されている。基板２２の回路が形成された一面２２ｂには、機能素子８及び受動素子７が実装されている。機能素子８は、貫通孔２２ａが形成された位置に設けられていて、貫通孔２２ａを介して外部から露出した状態となっている。また、機能素子８と基板２２とは、ボンディングワイヤ８ａによって電気的に接続されている。第１の半導体素子４の外側に位置する表面４ｂには、第２の半導体素子６が実装されていて、ボンディングワイヤ６ａによって基板２２と電気的に接続されている。なお、第２の半導体素子６は、第１の半導体素子４にペースト状の接着剤などによって固定されているが、例えば、基板をその間に介装させて、互いに基板に対して半田接続するものとしても良い。
【００３４】
半導体装置２０においては、予め貫通孔２２ａを形成した基板２２に、機能素子実装工程として機能素子８を実装し、また、受動素子実装工程として受動素子７を実装する。そして、樹脂層形成工程として、第１の半導体素子４に樹脂層５を形成し、積層工程として、基板２２、樹脂層５、及び、第１の半導体素子４を一体化させる。さらに、半導体素子実装工程として、第２の半導体素子６を第１の半導体素子４上に実装し、第２の半導体素子６と基板２２とをボンディングワイヤ６ａで接続した後に、封止樹脂１０を形成することで半導体装置２０を製造することができる。
【００３５】
また、機能素子８として選択される機能素子の種類によっては、必要に応じて予めＬＴＣＣあるいはプラスチック等によりＬＣＣ構造とし、機能素子を側面端子型機能素子として実装した後、外部からの信号若しくは情報を受信可能な能動素子面が貫通孔２２ａに向かい合うように端子接続した後に、基板２２と電気的に接続する構造とすることで、半導体装置２０を製造することができる。
【００３６】
この実施形態においても、第１の実施形態同様の効果が期待できる。また、この実施形態においては、機能素子８を基板２２に実装し、樹脂層５に位置させることで、装置全体の小型化、薄型化をより図ることができる。また、基板２２に貫通孔２２ａが形成されていることで、機能素子８は経路である貫通孔２２ａを介して外部と好適に送受信を行うことが可能である。なお、貫通孔２２ａは、空洞である必要は無く、上記ガラス基材や特定の波長を透過可能な樹脂が充填されているものとしても良い。また、送受信可能な経路であれば良く、例えば、送受信する信号が光信号である場合は、基板３自体がポリミイドなど光を透過可能なフィルム基板などであっても良い。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例として、本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものでは無い。本実施例においては、第１の実施形態の半導体装置１の具体例について説明する。
【００３８】
まず、ＦＲ５基板を用いて所定の回路を形成し、基板３を作成した。次に、受動素子実装工程を行った。すなわち、基板３上の所定の端子に半田ペーストを印刷し、半田ペースト印刷済み端子に対応する部位に、長辺６００μｍ、短辺３００μｍの０６０３抵抗である受動素子７をＳＭＴペーストにより仮固定した。そして、リフロー炉に投入し、受動素子７と基板３とを電気的に接続した。次に、半導体素子実装工程として、ダイアタッチフィルムにより基板３上に第２の半導体素子６を実装した後、ボンディングワイヤ６ａによって基板３と電気的に接続した。
【００３９】
次に、樹脂形成工程として、第１の半導体素子４の機能面裏面となる裏面４ｃに、積層用樹脂をスクリーン印刷により塗布して樹脂層５を形成した。次に、樹脂層５が半硬化状態になるよう加熱処理させた後にダイサーを用いて半導体素子４を個片化した。そして、積層工程として、樹脂層５が形成された第１の半導体素子４を、フリップチップボンダーにより基板３上で第２の半導体素子６と受動素子７を覆うように積層させた後に、積層した第１の半導体素子４と基板３とをボンディングワイヤ４ａによって電気的に接続した。
【００４０】
次に、機能素子実装工程として、第１の半導体素子４の上にペースト樹脂を用いて光センサである機能素子８を搭載し、これと基板３とをボンディングワイヤ８ａにより電気的に接続した。次に、内外の光信号の経路となる所定サイズのガラス基材を透過層９として機能素子８に接着材により固定し、最後に樹脂封止工程を行なった。すなわち、金型を用いて装置全体を覆うように封止樹脂１０を形成した後、樹脂封止した半導体装置１を固定用テープに貼り付け、グラインディングマシンにより、まず６００番の砥石で光信号の経路となる透過層９を露出させ、次いで２０００番の砥石で光の表面反射を低く抑えることができる表面形状になるまで研磨した。
【００４１】
このようにして得られた、機能素子８として光センサを内蔵した半導体装置１は、動作確認試験に供せられ、半導体装置としての動作に何ら問題のないことが確認された。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【００４３】
なお、各実施形態において、構成層は、基板と第１の半導体素子との２層で構成されるものとしたが、これに限ることは無い。基板または半導体素子で形成された構成層を、樹脂層を介してさらに複数層積層するものとしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】この発明の第１の実施形態の半導体装置の断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造工程の説明図である。
【図３】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造工程の説明図である。
【図４】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造工程の説明図である。
【図５】この発明の第２の実施形態の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１、  ２０  半導体装置
２、  ２１  構成層
３、  ２２  基板
２２ａ  貫通孔（経路）
４  第一の半導体素子
５  樹脂層
６  第二の半導体素子（他の半導体素子）
７  受動素子
８  機能素子
【図１】
2007311395.tif 000003
【図２】
2007311395.tif 000004
【図３】
2007311395.tif 000005
【図４】
2007311395.tif 000006
【図５】
2007311395.tif 000007