(57)【要約】【課題】主コンデンサへの充電時間を短縮する。【解決手段】昇圧用のトランス１１８と、トランスの昇圧動作を制御するスイッチング素子１１９とを有する主コンデンサ１３２を充電する充電回路において、直流電源１１０から前記スイッチング素子を介して前記トランスに流れる１次電流ループ内にコイル１１５を設けると共に、前記コイルに発生するエネルギーが前記スイッチング素子のオフ期間に充電されるコンデンサ１１７を設け、前記コンデンサの充電電荷を前記スイッチング素子がオンする期間に前記直流電源の電圧に重畳して前記１次電流を流す構成にしている。【選択図】図１
2007052093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇圧用のトランスと、
前記トランスの昇圧動作を制御するスイッチング素子と、
を有する主コンデンサを充電する充電回路において、
直流電源から前記スイッチング素子を介して前記トランスに流れる１次電流ループ内にコイルを設けると共に、前記コイルに発生するエネルギーが前記スイッチング素子のオフ期間に充電されるコンデンサを設け、
前記コンデンサの充電電荷を前記スイッチング素子がオンする期間に前記直流電源の電圧に重畳して前記１次電流を流すことを特徴とする充電回路。
【請求項２】
前記１次電流が所定電流に達することにより、前記スイッチング素子がオフされることを特徴とする請求項１に記載の充電回路。
【請求項３】
前記トランスの２次電流が放出された場合に、前記スイッチング素子がオンされることを特徴とする請求項１または２に記載の充電回路。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の充電回路と、
前記充電回路により充電される主コンデンサと、
を有し、前記主コンデンサの充電電荷により発光動作を行うことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置を具備することを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主コンデンサへの充電を行う充電回路、この充電回路を具備する発光装置、および、発光装置を具備するカメラに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のカメラや電子カメラでは、充電時間を短縮させるためにコンバータの１次電流を増加させて充電するものが知られている。特許文献１には、主電源と充電可能な電池またはコンデンサを副電源として使用して主コンデンサの第１の所定レベルから充電完了の第２の所定レベルまで予め充電された電荷を加算して充電するものが公開されている。
【特許文献１】特開平１０−１７０９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、充電可能な電池や大容量のコンデンサを副電源として用いた場合、充電がなされていなかった場合は充電を開始してから充電完了までに時間がかかり、また、充電が不十分な場合にはその効果が得られない可能性がある。
【０００４】
（発明の目的）
本発明の目的は、主コンデンサへの充電時間を短縮することのできる充電回路、発光装置およびカメラを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明は、昇圧用のトランスと、前記トランスの昇圧動作を制御するスイッチング素子とを有する主コンデンサを充電する充電回路において、直流電源から前記スイッチング素子を介して前記トランスに流れる１次電流ループ内にコイルを設けると共に、前記コイルに発生するエネルギーが前記スイッチング素子のオフ期間に充電されるコンデンサを設け、前記コンデンサの充電電荷を前記スイッチング素子がオンする期間に前記直流電源の電圧に重畳して前記１次電流を流す充電回路とするものである。
【０００６】
また、本発明によれば、請求項１ないし３のいずれかに記載の充電回路と、前記充電回路により充電される主コンデンサとを有し、前記主コンデンサの充電電荷により発光動作を行う発光装置とするものである。
【０００７】
また、本発明によれば、請求項４に記載の発光装置を具備するカメラとするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、主コンデンサへの充電時間を短縮することができる充電回路、発光装置またはカメラを提供できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明を実施するための最良の形態は、以下の実施例に示す通りである。
【実施例１】
【００１０】
図１は本発明の実施例に係わる閃光装置であるフラッシュの回路構成を示すブロック図、図２は図１の閃光装置を具備したカメラの回路構成を示すブロック図である。
【００１１】
まず、図２に示すカメラの回路構成について説明する。同図において、１００はカメラであり、１５０は以下のカメラ１００に接続される電源装置、２００および２１０はカメラ１００に接続される記録媒体である。
【００１２】
まず、上記カメラ１００の構成部品について説明する。１０は撮像レンズ及びフォーカスレンズを含む撮像光学系、１２は絞り機能を備えるシャッタ、１４は光学像を電気信号に変換する撮像素子、１６は撮像素子１４のアナログ信号出力をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器である。１８は、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６および後述するＤ／Ａ変換器２６にクロック信号や制御信号を供給するタイミング発生回路であり、メモリ制御回路２２およびシステム制御回路５０により制御される。
【００１３】
２０は画像処理回路であり、Ａ／Ｄ変換器１６からのデータ或いはメモリ制御回路２２からのデータに対して所定の画素補間処理や色変換処理を行う。また、画像処理回路２０では撮像した画像データを用いて所定の演算処理を行っており、得られた演算結果に基づいて、後述のシステム制御回路５０が露光制御回路４０、測距制御回路４２の制御を行う、所謂ＡＦ（オートフォーカス）処理、ＡＥ（自動露出）処理、ＥＦ（フラッシュプリ発光）処理を行う。また、画像処理回路２０では、撮像した画像データを用いて所定の演算処理を行い、後述のシステム制御回路５０が得られた演算結果に基づいてＴＴＬ方式のＡＷＢ（オートホワイトバランス）処理も行う。
【００１４】
２２はメモリ制御回路であり、Ａ／Ｄ変換器１６、タイミング発生回路１８、画像処理回路２０、画像表示メモリ２４、Ｄ／Ａ変換器２６、メモリ３０および圧縮・伸長回路３２を制御する。Ａ／Ｄ変換器１６のデータが画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して、或いはＡ／Ｄ変換器１６のデータが直接メモリ制御回路２２を介して、画像表示メモリ２４或いはメモリ３０に書き込まれる。
【００１５】
２８はＴＦＴ  ＬＣＤ等から成る画像表示部であり、画像表示メモリ２４に書き込まれた表示用の画像データがＤ／Ａ変換器２６を介してこの画像表示部２８にて表示される。この画像表示部２８を用いて撮像した画像データを逐次表示すれば、電子ファインダ機能を実現することが可能である。また、画像表示部２８は、システム制御回路５０の指示により任意に表示をＯＮ／ＯＦＦすることが可能であり、表示をＯＦＦにした場合にはカメラ１００の電力消費を大幅に低減することが出来る。
【００１６】
３０は撮影した静止画像や動画像を格納するためのメモリであり、所定枚数の静止画像や所定時間の動画像を格納するのに十分な記憶量を備えている。これにより、複数枚の静止画像を連続して撮影する連射撮影やパノラマ撮影の場合にも、高速かつ大量の画像書き込みをメモリ３０に対して行うことが可能となる。また、メモリ３０はシステム制御回路５０の作業領域としても使用することが可能である。３２は適応離散コサイン変換（ＡＤＣＴ）等により画像データを圧縮伸長する圧縮・伸長回路であり、メモリ３０に格納された画像を読み込んで圧縮処理或いは伸長処理を行い、処理を終えたデータをメモリ３０に書き込む。
【００１７】
４０は露光制御回路であり、絞り機能を備えるシャッタ１２を制御して後述の閃光装置であるフラッシュ４８と連携することにより補助光の調光機能も有するものである。４２は撮像光学系１０のフォーカシングを制御する測距制御回路、４４は撮像光学系１０のズーミングを制御するズーム制御回路、４６は後述のバリア１０２の動作を制御するバリア制御回路である。４８は閃光装置であるところのフラッシュであり、ＡＦ補助光の投光機能、補助光の調光機能もそれぞれ有する。
【００１８】
上記の露光制御回路４０、測距制御回路４２はＴＴＬ方式を用いて制御されており、撮像した画像データを画像処理回路２０によって演算した演算結果に基づき、システム制御回路５０が露光制御回路４０、測距制御回路４２に対して制御を行う。システム制御回路５０はカメラ１００全体を制御し、システム制御回路５０の動作用の定数、変数、プログラム等をメモリ５２が記憶する。
【００１９】
５４はシステム制御回路５０でのプログラムの実行に応じて、文字、画像、音声等を用いて動作状態やメッセージ等を表示する液晶表示装置、スピーカー等の表示部であり、カメラ１００の操作部近辺の視認し易い位置に単数或いは複数個所設置され、例えばＬＣＤやＬＥＤ、発音素子等の組み合わせにより構成されている。また、表示部５４は、その一部の機能が後述の光学ファインダ１０４内に設置されている。表示部５４の表示内容のうち、ＬＣＤ等に表示するものとしては、シングルショット／連写撮影表示、セルフタイマ表示、圧縮率表示、記録画素数表示、記録枚数表示、残撮影可能枚数表示、シャッタスピード表示、絞り値表示、露出補正表示、フラッシュ表示、赤目緩和表示、マクロ撮影表示、ブザー設定表示、時計用電池残量表示、電池残量表示、エラー表示、複数桁の数字による情報表示、記録媒体２００及び２１０の着脱状態表示、通信Ｉ／Ｆ動作表示、日付け・時刻表示、防振機能表示、等がある。また、表示部５４の表示内容のうち、光学ファインダ１０４内に表示するものとしては、合焦表示、手振れ警告表示、フラッシュ表示、シャッタスピード表示、絞り値表示、露出補正表示、等がある。
【００２０】
５６は電気的に消去・記録可能な不揮発性メモリであり、例えばＥＥＰＲＯＭ等が用いられる。６０，６２，６４，６６，６８および７０は、システム制御回路５０の各種の動作指示を入力するための操作部材であり、スイッチやダイアル、タッチパネル、視線検知によるポインティング、音声認識装置等の単数或いは複数の組み合わせで構成される。以下にこれら操作部材の具体的な説明を行う。
【００２１】
６０はモードダイアルスイッチであり、電源オフ、自動撮影モード、撮影モード、パノラマ撮影モード、再生モード、マルチ画面再生・消去モード、ＰＣ接続モード等の各機能モードを切り換え設定することが出来る。６２（ＳＷ１）は、不図示のシャッタボタンの操作途中でＯＮとなり、ＡＦ（オートフォーカス）処理、ＡＥ（自動露出）処理、ＡＷＢ（オートホワイトバランス）処理、ＥＦ（フラッシュプリ発光）処理等の動作開始を指示するスイッチである。６４（ＳＷ２）は、不図示のシャッタボタンの操作完了でＯＮとなり、撮像素子１４から読み出した信号をＡ／Ｄ変換器１６、メモリ制御回路２２を介してメモリ３０に画像データを書き込む露光処理、画像処理回路２０やメモリ制御回路２２での演算を用いた現像処理、メモリ３０から画像データを読み出し、圧縮・伸長回路３２で圧縮を行い、後述する記録媒体２００或いは２１０に画像データを書き込む記録処理という、一連の処理の動作開始を指示するスイッチである。
【００２２】
６６は画像表示ＯＮ／ＯＦＦスイッチであり、画像表示部２８のＯＮ／ＯＦＦを設定することが出来る。この機能により、画像表示部２８のＯＦＦを設定することで光学ファインダ１０４を用いて撮影を行う際に、ＴＦＴ  ＬＣＤ等から成る画像表示部２８への電流供給を遮断することにより、省電力を図ることが可能となる。６８はクイックレビューＯＮ／ＯＦＦスイッチであり、撮影直後に撮影した画像データを自動再生するクイックレビュー機能を設定する。７０は各種ボタンやタッチパネル等からなる操作部で、メニューボタン、セットボタン、マクロボタン、マルチ画面再生改ページボタン、フラッシュ設定ボタン、単写／連写／セルフタイマ切り換えボタン、メニュー移動＋（プラス）ボタン、メニュー移動−（マイナス）ボタン、再生画像移動＋（プラス）ボタン、再生画像−（マイナス）ボタン、撮影画質選択ボタン、露出補正ボタン、日付／時間設定ボタン、等がある。
【００２３】
８０は電源制御回路であり、電池検出回路、ＤＣ−ＤＣコンバータ、通電するブロックを切り換えるスイッチ回路等により構成されており、電池の装着の有無、電池の種類、電池残量の検出を行い、検出結果及びシステム制御回路５０の指示に基づいてＤＣ−ＤＣコンバータを制御し、必要な電圧を必要な期間、記録媒体を含む各部へ供給する。８２は電源装置１５０との接続端子であるコネクタである。
【００２４】
ここで、上記の電源装置１５０は、カメラ１００のコネクタ８２と電気的に接続されるコネクタ、および、アルカリ電池やリチウム電池等の１次電池、ＮｉＣｄ電池、ＮｉＭＨ電池、Ｌｉイオン電池等の２次電池、ＡＣアダプター等からなる電源部８６を具備している。
【００２５】
９０及び９４はメモリカードやハードディスク等の記録媒体とのインターフェース、９２及び９６はメモリカードやハードディスク等の記録媒体と電気的な接続を行うコネクタ、９８はコネクタ９２および（或いは）９６に記録媒体２００或いは２１０が装着されているか否かを検知する記録媒体着脱検知部である。
【００２６】
なお、本実施例では、記録媒体２００，２１０を取り付けるインターフェース及びコネクタを２系統持つものとして説明しているが、もちろん、記録媒体２００，２１０を取り付けるインターフェース及びコネクタは、単数でも良いし、或いは２系統以上の任意の数でも良い。また、異なる規格のインターフェース及びコネクタを組み合わせて備える構成としても構わない。インターフェース及びコネクタとしては、ＰＣＭＣＩＡカードやＣＦ（コンパクトフラッシュ）カード、或いはその他種々の記憶媒体の規格に準拠したものを用いて構成して構わない。さらに、インターフェース９０及び９４、そしてコネクタ９２及び９６をＰＣＭＣＩＡカードやＣＦ（コンパクトフラッシュ（商標））カード等の規格に準拠したものを用いて構成した場合、ＬＡＮカードやモデムカード、ＵＳＢカード、ＩＥＥＥ１３９４カード、Ｐ１２８４カード、ＳＣＳＩカード、ＰＨＳ等の通信カード、等の各種通信カードを接続することにより、他のコンピュータやプリンタ等の周辺機器との間で画像データや画像データに付属した管理情報を転送し合うことが出来る。
【００２７】
１０２はカメラ１００の撮像光学系１０を含む撮像部を覆う事により、撮像部の汚れや破損を防止する保護手段であるバリアである。１０４は光学ファインダであり、画像表示部２８による電子ファインダ機能を使用すること無しに、この光学ファインダ１０４のみを用いて撮影を行うことが可能である。また、光学ファインダ１０４内には、表示部５４の一部の機能、例えば、合焦表示、手振れ警告表示、フラッシュ表示、シャッタスピード表示、絞り値表示、露出補正表示などが設置されている。
【００２８】
１１０は通信回路であり、ＲＳ２３２ＣやＵＳＢ、ＩＥＥＥ１３９４、Ｐ１２８４、ＳＣＳＩ、モデム、ＬＡＮ、無線通信、等の各種通信機能を有する。１１２は通信回路１１０によりカメラ１００を他の機器と接続するコネクタ或いは無線通信の場合はアンテナである。
【００２９】
２００はメモリカードやハードディスク等の記録媒体である。この記録媒体２００は、半導体メモリや磁気ディスク等から構成される記録部２０２、カメラ１００とのインターフェース２０４、カメラ１００と接続を行うコネクタ２０６を備えている。２１０はメモリカードやハードディスク等の記録媒体である。この記録媒体２１０は、半導体メモリや磁気ディスク等から構成される記録部２１２、カメラ１００とのインターフェース２１４、カメラ１００と接続を行うコネクタ２１６を備えている。
【００３０】
次に、図１に示すカメラ１００でのメインルーチンについて、図３及び図４のフローチャートを用いて説明する。
【００３１】
電池交換等により電源が投入されると、システム制御回路５０は、まずステップＳ１０１にて、フラグや制御変数等を初期化し、次のステップＳ１０２にて、画像表示部２８の画像表示をＯＦＦ状態に初期設定する。そして、次のステップＳ１０３にて、モードダイアル６０の設定状態を判定し、該モードダイアル６０が電源ＯＦＦに設定されていたならばステップＳ１０５へ進み、各表示部の表示を終了状態に変更し、バリア１０２を閉じて撮像部を保護し、フラグや制御変数等を含む必要なパラメータや設定値、設定モードを不揮発性メモリ５６に記録し、電源制御回路８０により画像表示部２８を含むカメラ１００の各部の不要な電源を遮断する等の所定の終了処理を行う。そして、ステップＳ１０３に戻る。
【００３２】
また、モードダイアル６０がその他のモードに設定されていたならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１０３からステップＳ１０４へ進み、選択されたモードに応じた処理を実行する。そして、処理を終えたならばステップＳ１０３に戻る。
【００３３】
また、モードダイアル６０が撮影モードに設定されていたならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１０３からステップＳ１０６へ進み、電源制御回路８０により電池等により構成される電源８６の残容量や動作状況がカメラ１００の動作に問題があるか否かを判定し、問題があるならばステップＳ１０８へ進み、表示部５４を用いて画像や音声により所定の警告表示を行った後にステップＳ１０３に戻る。
【００３４】
一方、電源８６に問題が無いならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１０６からステップＳ１０７へ進み、記録媒体２００或いは２１０の動作状態がカメラ１００の動作、特に記録媒体に対する画像データの記録再生動作に問題があるか否かを判定し、問題があるならばステップＳ１０８へ進み、表示部５４を用いて画像や音声により所定の警告表示を行った後にステップＳ１０３に戻る。
【００３５】
記録媒体２００或いは２１０の動作状態に問題が無いならばステップＳ１０７からステップＳ１０９へ進み、表示部５４を用いて画像や音声によりカメラ１００の各種設定状態の表示を行う。なお、画像表示部２８の画像表示がＯＮであったならば、画像表示部２８も用いて画像や音声によりカメラ１００の各種設定状態の表示を行う。
【００３６】
次のステップＳ１１０では、システム制御回路５０は、クイックレビューＯＮ／ＯＦＦスイッチ６８の設定状態を調べ、クイックレビューＯＮに設定されていればステップＳ１１１へ進み、クイックレビューフラグを設定し、クイックレビューＯＦＦに設定されていたならばステップＳ１１２へ進み、クイックレビューフラグを解除する。なお、クイックレビューフラグの状態は、システム制御回路５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶する。
【００３７】
続くステップＳ１１３では、システム制御回路５０は、画像表示ＯＮ／ＯＦＦスイッチ６６の設定状態を調べ、画像表示ＯＮに設定されていたならばステップＳ１１４へ進み、画像表示フラグを設定し、次いでステップＳ１１５にて、画像表示部２８の画像表示をＯＮ状態に設定し、さらにステップＳ１１６へ進み、撮像した画像データを逐次表示するスルー表示状態に設定して、図４のステップＳ１１９に進む。スルー表示状態においては、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して、画像表示メモリ２４に逐次書き込まれたデータを、メモリ制御回路２２、Ｄ／Ａ変換器２６を介して画像表示部２８により逐次表示することにより、電子ファインダ機能を実現している。
【００３８】
また、画像表示ＯＮ／ＯＦＦスイッチ６６が画像表示ＯＦＦに設定されていたならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１１３からステップＳ１１７へ進み、画像表示フラグを解除し、次のステップＳ１１８にて、画像表示部２８の画像表示をＯＦＦ状態に設定して、図４のステップＳ１１９に進む。画像表示ＯＦＦの場合は、画像表示部２８による電子ファインダ機能を使用せず、光学ファインダ１０４を用いて撮影を行う。この場合、電力消費量の大きい画像表示部２８やＤ／Ａ変換器２６等の消費電力を削減することが可能となる。なお、画像表示フラグの状態は、システム制御回路５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶する。
【００３９】
次に、図４のステップＳ１１９では、システム制御回路５０はスイッチＳＷ１の状態を調べ、該スイッチＳＷ１が押されていないならば図３のステップＳ１０３に戻る。一方、スイッチＳＷ１が押されたならばステップＳ１２０へ進み、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される画像表示フラグの状態を判定し、画像表示フラグが設定されていたならばステップＳ１２１へ進み、画像表示部２８の表示状態をフリーズ表示状態に設定してステップＳ１２２に進む。フリーズ表示状態においては、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介した画像表示メモリ２４の画像データ書き換えを禁止し、最後に書き込まれた画像データを、メモリ制御回路２２、Ｄ／Ａ変換器２６を介して画像表示部２８により表示することにより、フリーズした映像を電子ファインダに表示している。
【００４０】
また、画像表示フラグが解除されていたならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１２０からステップＳ１２２へ進み、測距（ＡＦ）処理を行って撮影レンズ１０の焦点を被写体に合わせ、また測光処理を行って絞り値及びシャッタ時間を決定する。測光処理に於いて、必要であれば補助光の設定も行う。この測光・測距処理の詳細は図５を用いて後述する。
【００４１】
上記測距・測光処理を終えたならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１２３にて、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される画像表示フラグの状態を判定し、画像表示フラグが設定されていたならばステップＳ１２４へ進み、画像表示部２８の表示状態をスルー表示状態に設定してステップＳ１２５に進む。なお、ステップＳ１２４でのスルー表示状態は、上記ステップＳ１１６でのスルー状態と同じ動作状態である。次のステップＳ１２５では、システム制御回路５０は、スイッチＳＷ２の状態を調べ、該スイッチＳＷ２が押されず、さらにステップＳ１２６にてスイッチＳＷ１も解除されたならば図３のステップＳ１０３に戻る。また、ステップＳ１２６でスイッチＳＷ１が押されたままであればステップＳ１２５に戻る。
【００４２】
また、ステップＳ１２５にてスイッチＳＷ２が押されたならばステップＳ１２７へ進み、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される画像表示フラグの状態を判定し、ここで画像表示フラグが設定されていたならばステップＳ１２８へ進み、画像表示部２８の表示状態を固定色表示状態に設定してステップＳ１２９に進む。固定色表示状態においては、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して画像表示メモリ２４に書き込まれた撮影画像データの代わりに、差し替えた固定色の画像データを、メモリ制御回路２２、Ｄ／Ａ変換器２６を介して画像表示部２８により表示することにより、固定色の映像を電子ファインダに表示している。
【００４３】
また、画像表示フラグが解除されていたならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１２７からステップＳ１２９へ直ちに進む。そして、ステップＳ１２９では、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して、或いはＡ／Ｄ変換器１６から直接メモリ制御回路２２を介して、メモリ３０に撮影した画像データを書き込む露光処理、及び、メモリ制御回路２２そして必要に応じて画像処理回路２０を用いて、メモリ３０に書き込まれた画像データを読み出して各種処理を行う現像処理からなる撮影処理を実行する。この撮影処理の詳細は図６を用いて後述する。
【００４４】
次のステップＳ１３０では、システム制御回路５０は、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される画像表示フラグの状態を判定し、ここで画像表示フラグが設定されていたならばステップＳ１３３へ進み、クイックレビュー表示を行う。この場合は、撮影中も画像表示部２８が電子ファインダとして常に表示された状態であり、撮影直後のクイックレビュー表示も行われる。一方、画像表示フラグが解除されていたならば、ステップＳ１３０からステップＳ１３１へ進み、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶されるクイックレビューフラグの状態を判定し、ここでクイックレビューフラグが設定されていたならばステップＳ１３２へ進み、画像表示部２８の画像表示をＯＮ状態に設定してステップＳ１３３へ進み、クイックレビュー表示を行う。
【００４５】
上記ステップＳ１３０にて画像表示フラグが解除され、上記ステップＳ１３１にてクイックレビューフラグも解除されていたならば、システム制御回路５０は、画像表示部２８がＯＦＦの状態のままステップＳ１３４に進む。この場合は、撮影を行った後でも画像表示部２８は消えたままであり、クイックレビュー表示も行われない。これは、光学ファインダ１０４を用いて撮影を続ける場合のように、撮影直後の撮影画像の確認が不要で、画像表示部２８の電子ファインダ機能を使用せずに省電力を重視する使用方法である。
【００４６】
ステップＳ１３４では、システム制御回路５０は、メモリ３０に書き込まれた撮影画像データを読み出して、メモリ制御回路２２そして必要に応じて画像処理回路２０を用いて各種画像処理を、また、圧縮・伸長回路３２を用いて設定したモードに応じた画像圧縮処理を行った後、記録媒体２００或いは２１０へ画像データの書き込みを行う記録処理を実行する。この記録処理の詳細は図１０を用いて後述する。
【００４７】
上記の記録処理が終了した際に、スイッチＳＷ２が押された状態であったならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１３５からステップＳ１３６へ進み、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される連写フラグの状態を判定し、連写フラグが設定されていたならば連続して撮影を行うためにステップＳ１２９に戻り、次の撮影を行う。連写フラグが設定されていないならばステップＳ１３５へ戻り、スイッチＳＷ２が放されるまでクイックビュー表示を継続する。
【００４８】
上記記録処理が終了した際にスイッチＳＷ２が放された状態であった、或いは、スイッチＳＷ２を押し続けてクイックレビュー表示を継続して撮影画像の確認を行った後に該スイッチＳＷ２を放した状態であったならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１３５からステップＳ１３７へ進み、ここで所定のミニマムレビュー時間が経過するとステップＳ１３８に進む。
【００４９】
次のステップＳ１３８では、システム制御回路５０は、画像表示フラグが設定されているかを判定し、設定されていればステップＳ１３９へ進み、画像表示部２８の表示状態をスルー表示状態に設定してステップＳ１４１に進む。この場合、画像表示部２８でのクイックレビュー表示によって撮影画像を確認した後に、次の撮影のために撮像した画像データを逐次表示するスルー表示状態にすることが出来る。
【００５０】
一方、画像表示フラグが解除されていたならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１３８からステップ１４０へ進み、画像表示部２８の画像表示をＯＦＦ状態に設定してステップＳ１４１に進む。この場合、画像表示部２８でのクイックレビュー表示によって撮影画像を確認した後に、省電力のために画像表示部２８の機能を停止して、電力消費量の大きい画像表示部２８やＤ／Ａ変換器２６等の消費電力を削減することが可能となる。
【００５１】
ステップＳ１４１では、スイッチＳＷ１の状態を調べ、該スイッチＳＷ１が押された状態であったならば、システム制御回路５０は、ステップＳ１２５に戻って次の撮影に備える。スイッチＳＷ１が放された状態であったならば、一連の撮影動作を終えて図３のステップＳ１０３に戻る。
【００５２】
図５は、図４のステップＳ１２２における測距（ＡＦ）・測光処理の詳細なフローチャートを示す。以下、このフローチャートにしたがって動作の説明を行う。
【００５３】
まず、ステップＳ２０１では、システム制御回路５０は、撮像素子１４から電荷信号を読み出し、Ａ／Ｄ変換器１６を介して画像処理回路２０に撮影画像データを逐次読み込む。この逐次読み込まれた画像データを用いて、画像処理回路２０はＴＴＬ（スルー・ザ・レンズ）方式のＡＥ（自動露出）処理、ＥＦ（フラッシュプリ発光）処理、ＡＦ（オートフォーカス）処理に用いる所定の演算を行う。なお、ここでの各処理は、撮影した全画素数のうちの必要に応じた特定の部分を必要個所分切り取って抽出し、演算に用いている。これにより、ＴＴＬ方式のＡＥ，ＥＦ，ＡＷＢ，ＡＦの各処理において、中央重点モード、平均モード、評価モードの各モード等の異なるモード毎に最適な演算を行うことが可能となる。
【００５４】
次のステップ２０２では、システム制御回路５０は、画像処理回路２０での演算結果を用いて露出（ＡＥ）が適正か否かの判定を行い、適正でない場合はステップＳ２０３へ進み、露光制御回路４０を用いてＡＥ制御を行う。そして、次のステップＳ２０４にて、ＡＥ制御で得られた測定データを用いてフラッシュ４８が必要か否かを判定する。ここでフラッシュ４８が必要ならばフラッシュフラグをセットし、次にステップＳ２０５にて、フラッシュ４８を充電する。この充電制御の詳細は図７を用いて後述する。その後はステップＳ２０１に戻り、以下同様の動作を繰り返す。
【００５５】
上記ステップＳ２０２にて露出（ＡＥ）が適正と判定した場合は、システム制御回路５０は、測定データ及び或いは設定パラメータを内部メモリ或いはメモリ５２に記憶する。そして、ステップＳ２０６へ進み、画像処理回路２０での演算結果及びＡＥ制御で得られた測定データを用いてホワイトバランス（ＡＷＢ）が適正と判定できるまでステップＳ２０７へ進み、同じく画像処理回路２０を用いて色処理のパラメータを調節してＡＷＢ制御を行う。その後はステップＳ２０１に戻り、以下同様の動作を繰り返す。
【００５６】
上記ステップＳ２０６にてホワイトバランス（ＡＷＢ）が適正と判定したならば、システム制御回路５０は、測定データ及び或いは設定パラメータを内部メモリ或いはメモリ５２に記憶する。そして、ステップＳ２０８へ進み、ＡＥ制御及びＡＷＢ制御で得られた測定データを用いて測距（ＡＦ）が合焦と判定できるまでステップＳ２０９へ進み、測距制御回路４２を用いてＡＦ制御を行う。
【００５７】
上記ステップＳ２０８にて測距（ＡＦ）が合焦と判定したならば、システム制御回路５０は、測定データ及び或いは設定パラメータを内部メモリ或いはメモリ５２に記憶し、測距・測光処理ルーチンを終了する。
【００５８】
ここで、閃光装置であるフラッシュ４８の回路構成について図１を用いて説明する。図１において、１１０は電池、１１１は電源コンデンサである。１１２，１１３は抵抗、１１４はＰチャンネルＦＥＴよりなるスイッチング素子、１１５はコイル、１１６はダイオード、１１７はコンデンサ、１１８はトランス、１１９はＮチャンネルＦＥＴよりなるスイッチング素子、１２０，１２１は抵抗である。
【００５９】
コイル１１５は、電池１１０とトランス１１８、スイッチング素子１１９、電流検出用の抵抗１２１の閉回路にダーオード１１６を介して接続されることによって、トランス１１８の１次電流ループ中に挿入されている。コイル１１５とダイオード１１６の直列回路には、コンデンサ１１７がＰチャンネルＦＥＴ１１４を介して並列に接続されている。抵抗１１３はＰチャンネルＦＥＴよりなるスイッチング素子１１４のゲートとシステム制御回路５０の間に信号ラインｈを介して挿入されている。抵抗１２０はＮチャンネルＦＥＴよりなるスイッチング素子１１９のゲートに接続されるプルダウン抵抗として挿入されている。抵抗１１２はスイッチング素子１１４のゲートに接続されたプルアップ抵抗である。抵抗１２１は１次電流ループを流れる電流を検出するための検出抵抗であり、スイッチング素子１１９のソース側に接続されると共に信号ラインｂを介してシステム制御回路５０に接続されている。
【００６０】
１２２は高圧整流ダイオードであり、トランス１１８の２次側の高圧端子に接続され、アノードが抵抗１２３を介して電池１１０の負極に接続されている。１２４はトランジスタ、１２５，１２６は分圧用抵抗であり、電源制御回路８０から電源を与えられている。トランジスタ１２４のベース及びエミッタは抵抗１２３に図１の如く並列に接続されており、コレクタは抵抗１２５，１２６を介して前記電源に接続されている。１２７は電圧検出回路、１２８はトリガー回路、１２９は放電管、１３０はＩＧＢＴ、１３１は抵抗、１３２は主コンデンサである。
【００６１】
電圧検出回路１２７は主コンデンサ１３２と並列に接続され、後述の信号ラインｅを介してシステム制御回路５０に主コンデンサ１３２の電圧情報を与えるよう構成されている。トリガー回路１２８は信号ラインｆからの信号により放電管１２９に数ｋＶのパルス電圧を印加するように挿入されている。ＩＧＢＴ１３０はコレクタが放電管１２９に接続され、この直列回路が主コンデンサ１３２に並列に接続されている。抵抗１３１はＩＧＢＴのゲートに接続されたプルダウン抵抗である。信号ラインａからｈはシステム制御回路５０との間で信号の授受を行うものである。
【００６２】
上記の所謂フライバック式のコンバータを具備するフラッシュ４８において、主コンデンサ１３２への充電は、１次電流が所定の電流Ｉｐに達した時点で１次電流を停止させ、２次電流が流れている期間を検出し、２次電流の放出後、再度１次電流を所定電流Ｉｐに到達するまで通電することを繰り返し行うものである。
【００６３】
次に、上記フラッシュ４８の充電制御動作について、図７のフローチャートに従い、各部波形を示した図８を用いて説明する。
【００６４】
まずステップＳ５０１では、充電完了のフラグをリセットし、次のステップＳ５０２にて、フラッシュ４８へシステム制御回路５０から信号ラインａを介してハイレベルの信号を与える。これにより、スイッチング素子１１９が導通（オン）する。このようにスイッチング素子１１９が導通することでトランス１１８の１次巻線に１次電流が流れるが、初期１回目の通電ではコンデンサ１１７は充電されていないため、ステップＳ５０３では、１回目はコンデンサ電圧加算用のＰチャンネルＦＥＴよりなるスイッチング素子１１４の駆動を見送るためにステップＳ５０５へ進む。従って、初期１回目の１次電流はコンデンサ１１７の充電電圧の加算がなされないため、ピーク電流Ｉｐに到達する時間ｔｐは、図８の１次電流で示すように長くなる。初回の１次電流は１次電流ループ内の抵抗が小さい場合には、下記の様になる。
【００６５】
ｔｐ＝（Ｌ１＋Ｌ２）×Ｉｐ／Ｅ
Ｅ  ；電池電圧
Ｌ１；トランス１１８の１次巻線のインダクタンス
Ｌ２；コイル１１５のインダクタンス
上記の１次電流は抵抗１２１で検出され、信号ラインｂによりシステム制御回路５０に図示しないコンパレータ回路を介して入力される。するとシステム制御回路５０はこの出力がピーク電流Ｉｐに達しているかをステップＳ５０５にて判定し、達していないならばステップＳ５０２に戻り、スイッチング素子１１９の通電を継続する。この際も１回目であるのでコンデンサ電圧加算用のＰチャンネルＦＥＴよりなるスイッチング素子１１４の駆動を同様に見送る（ステップＳ５０３→Ｓ５０５）。
【００６６】
上記の１次電流が所定のピーク電流Ｉｐに達したならばステップＳ５０５からステップＳ５０６へ進み、スイッチング素子１１９を停止させる。スイッチング素子１１９が停止すると１次電流ループに挿入されていたコイル１１５から該コイル１１５に蓄えられていたエネルギーがダイオード１１６及びスイッチング素子１１４のドレインとソース間に寄生するダイオードを介してコンデンサ１１７に蓄積される。この時の蓄積されたコンデンサ１１７の電位Ｖｃは静電容量をＣとすれば、ダイオード１１６を無視して
Ｖｃ＝Ｉｐ×√（Ｌ２／Ｃ）
と示される電圧となる。
【００６７】
この時、同様にトランス１１８のエネルギーも２次巻線から２次電流として高圧整流ダイオード１２２を介して放出され、主コンデンサ１３２へ蓄積される。２次電流により抵抗１２３には電圧が発生するため、電流を検出するためのトランジスタ１２４にはベース電流が流れる。従って、トランジスタ１２４は２次電流が流れている間はオン状態となる。抵抗１２６，１２５については抵抗１２６の抵抗値が抵抗１２５の抵抗値より大きく設定されているため、抵抗１２５と抵抗１２６の中点電位はトランジスタ１２４のオンにより２次電流放出中はほぼゼロレベルとなっている。この信号は信号ラインｃを介してシステム制御回路５０に入力されており、該システム制御回路５０はこの信号が２次電流放出を終え、再びハイレベルとなることを検出することになる。ここで、抵抗１２５はトランジスタ１２４のコレクタ電位がマイナスとなるので信号ラインｃがマイナスになるのを防ぐために挿入されている。
【００６８】
コレクタの電位はトランジスタ１２４の導通時にベースとエミッタ電位が約０．７Ｖでコレクタとエミッタ間電位が０．３Ｖ程度であることから、この差分の約０．４Ｖ程度コレクタ電位がマイナスとなる。例えば、抵抗１２６，１２５に供給される電源が５Ｖであれば、抵抗１２５の抵抗値は抵抗１２６の抵抗値の１０分の１程度の約０．５Ｖ程度を補償するようなもので良い。
【００６９】
２次電流の放出が終わり、信号ラインｃの電位がハイレベルとなるのを検出するとステップＳ５０７からステップＳ５０８へ進み、ここではシステム制御回路５０から信号ラインｄを介して電圧検出回路１２７に信号を与える。これにより電圧検出回路１２７は主コンデンサ１３２の電圧に関係する出力信号を信号ラインｅを介してシステム制御回路５０に与える。この信号は簡単には抵抗分圧電位でシステム制御回路５０にてＡ／Ｄコンバータを介して検出する方式や、コンパレータで検出してシステム制御回路５０へ送るものであっても良い。このステップＳ５０８にて、主コンデンサ１３２が充電完了電圧に達していなければステップＳ５０２に戻り、スイッチング素子１１９を信号ラインａにハイレベル信号を与えることで再度導通させる。
【００７０】
ここでは２回目以降であるため、コンデンサ１１７には前記電位Ｖｃが図１中の極性で充電され、システム制御回路５０は、ステップＳ５０４にて、スイッチング素子１１４を信号ラインｈにロウレベル信号を与えることで導通させる。このスイッチング素子１１４の導通によりトランス１１８の１次巻線には、スイッチング素子１１４を介してコンデンサ１１７の電位が電池１１０に加算されて印加される。１次電流ループ内の抵抗が小さい場合、コンデンサ１１７の放電電荷Ｑ及び放電電流Ｉｃ（図８参照）は
Ｑ＝Ｃ×Ｖｃ×ｃｏｓ｛ｔ／√（Ｌ１×Ｃ）｝
Ｉｃ＝−（Ｅ＋Ｖｃ）／√（Ｌ１／Ｃ）×ｓｉｎ｛ｔ／√（Ｌ１×Ｃ）｝
となる。Ｉｃの符号のマイナスは放電電流方向を示している。
【００７１】
ここで、電荷が完全放出されるのは電荷の式でコサインがゼロとなる条件となり、コサインの括弧内がπ／２となった時で放出される、この時サインは１となる、従って、放出電流Ｉｃは以下のようになる。
【００７２】
ｔｃ＝π／２×√（Ｌ１×Ｃ）
Ｉｃ＝−（Ｅ＋Ｖｃ）／√（Ｌ１／Ｃ）
これが完全放出の時間とその時の１次電流を示す。コンデンサ１１７の電荷放出時間ｔｃ以後は１回目の１次電流増加と同様な電流増加で１次電流が流れる。
【００７３】
図９の１次波形で示すように、初期１回目の場合はコンデンサ１１７の充電電荷が無いため、１次電流は破線で示すように直線状に増加し、ピーク電流Ｉｐに達するまでの時間が遅く、２回目からはコンデンサ１１７の充電電圧と電池１１０の加算電圧がトランス１１８の１次巻線に印加されるため、ピーク電流Ｉｐに達するまでの時間が速くなり、急速な充電が行われる。この様に１次電流が流れ、その後システム制御回路５０は、ステップＳ５０５にて１次電流がＩｐに達したことを判定するとステップＳ５０６に進む。
【００７４】
ステップＳ５０６では、システム制御回路５０は、スイッチング素子１１４及び１１９の両方の駆動を停止させる。このことで１次電流が急に遮断される為にコイル１１５のエネルギーはダイオード１１６、コンデンサ１１７、スイッチング素子１１４の寄生ダイオードを介して放出され、コンデンサ１１７に充電される。また同時にトランス１１８のエネルギーは、主コンデンサ１３２、トランジスタ１２４のベースからエミッタ、高圧整流ダイオード１２２を介して放出され、主コンデンサ１３２が蓄積される。主コンデンサ１３２に流れる２次電流はトランジスタ１２４のベース電流となるため、トランジスタ１２４は導通し、抵抗１２６と抵抗１２５の接続点の電位はほぼゼロレベルとなり、信号ラインｃを介してシステム制御回路５０に入力される２次電流の放出が終了するとトランジスタ１２４のベース電流がなくなるため、トランジスタ１２４は非導通となり、抵抗１２６と抵抗１２５の接続点の電位は再びハイレベルとなり、信号ラインｃを介してシステム制御回路５０にハイレベルが入力される。このハイレベルをステップＳ５０７にて検出すると、システム制御回路５０はステップＳ５０８に進む。
【００７５】
上記動作（ステップＳ５０２〜Ｓ５０８）が繰り返し行われることで主コンデンサ１３２の電圧が上昇し、やがてステップＳ５０８にて充電完了を判定すると、システム制御回路５０は、ステップＳ５０９に進み、充電が完了していることを示す充電フラグをセットして、この充電制御ルーチンを終了する。
【００７６】
上記のようにコイル１１５のエネルギーによりコンデンサ１１７に蓄積された電荷と電池１１０との電圧加算が２回目以降毎回続くため、１回目の１次電流がピーク電流Ｉｐに達する時間ｔｐより短い時間でピーク電流Ｉｐに達するため、充電完了までの充電時間を短縮することができる。
【００７７】
図６は、図３のステップＳ１２９における撮影処理の詳細を示すフローチャートであり、以下これにしたがって説明する。
【００７８】
まずステップＳ３０１，Ｓ３０２にて、システム制御回路５０は、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される測光データに従い、露光制御回路４０によって絞り機能を有するシャッタ１２を絞り値に応じて開放して撮像素子１０を露光する。そして、次のステップＳ３０３にて、フラッシュフラグよりフラッシュ４８が必要か否かを判定し、フラッシュ４８が必要な場合はステップＳ３０４へ進み、システム制御回路５０から信号ラインｆにハイレベル信号を送る。これにより、トリガー回路１２８からトリガー信号が放電管１２９が与えられ、放電管１２９が発光する。適正光量の被写体への照射はシステム制御回路５０から信号ラインｇを介してＩＧＢＴ１３０のゲートをハイレベルからロウレベルへと制御することで該ＩＧＢＴ１３０をオンからオフにすることにより行われ、調光により必要な光量が得られる。
【００７９】
次のステップＳ３０５では、システム制御回路５０は、測光データに従って撮像素子１２の露光終了を待ち、次のステップＳ３０６にて、シャッタ１２を閉じる。そして、次のステップＳ３０７にて、撮像素子１４から電荷信号を読み出し、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して、或いはＡ／Ｄ変換器１６から直接メモリ制御回路２２を介して、メモリ３０に撮影画像のデータを書き込む。
【００８０】
次のステップＳ３０８では、システム制御回路５０は、設定された撮影モードに応じてフレーム処理を行う必要があるか否かを判定し、必要がなければ直ちにステップＳ３１１へ進むが、フレーム処理を行う必要があればステップＳ３０９へ進み、メモリ制御回路２２、そして必要に応じて画像処理回路２０を用いて、メモリ３０に書き込まれた画像データを読み出して垂直加算処理を行い、次いでステップＳ３１０にて、色処理を順次行った後、メモリ３０に処理を終えた画像データを書き込む。そして、ステップＳ３１１にて、メモリ３０から画像データを読み出し、メモリ制御回路２２を介して画像表示メモリ２４に表示画像データの転送を行い、撮影処理ルーチンを終了する。
【００８１】
図１０は、図４のステップＳ１３４における記録処理の詳細を示すフローチャートであり、以下これにしたがって説明する。
【００８２】
まずステップＳ４０１にて、システム制御回路５０は、メモリ制御回路２２、そして必要に応じて画像処理回路２０を用いて、メモリ３０に書き込まれた撮影画像データを読み出して撮像素子１４の縦横画素比率を１：１に補間する画素正方化処理を行い、メモリ３０に処理を終えた画像データを書き込む。そして、次のステップＳ４０２にて、メモリ３０に書き込まれた画像データを読み出して、設定したモードに応じた画像圧縮処理を圧縮・伸長回路３２により行う。続くステップＳ４０３では、インターフェース９０或いは９４、コネクタ９２或いは９６を介して、メモリカードやコンパクトフラッシュカード等の記録媒体２００或いは２１０へ圧縮した画像データの書き込みを行う。記録媒体２００或いは２１０への書き込みが終わったならば、記録処理ルーチンを終了する。
【００８３】
上記の実施例１によれば、フラッシュ４８に具備される主コンデンサ１３２を充電する場合、電池１１０からスイッチング素子１１９、トランス１１８を介して流れる１次電流ループ内にコイル１１５を設け、このコイル１１５に発生するエネルギーをスイッチング素子１１９が非導通（オフ）の期間に電圧加算用のコンデンサ１１７に充電し、このコンデンサ１１７の充電電荷を前記スイッチング素子１１９が導通（オン）する期間に電池電圧に重畳して１次電流として流すようにしている。このことにより、スイッチング素子１１９の導通と非導通のタイミングにてコイル１１５のエネルギーを電圧加算用のコンデンサ１１７に毎回充電させることが可能となり、どのような状態でも速い充電動作を行えることが可能となった。
【実施例２】
【００８４】
図１１は本発明の実施例２に係わる閃光装置であるフラッシュ４８の回路構成を示すブロック図であり、図１と同じ部分は同一の符号を付す。その他のカメラの回路構成は図２と同様であるため、その詳細は省略する。
【００８５】
図１１において、２０１はＮチャンネルＦＥＴよりなるスイッチング素子、２０２はスイッチング素子２０１のゲートプルダウン抵抗、２０３は抵抗、２０４，２０５は抵抗、２０６はＰチャンネルＦＥＴよりなるスイッチング素子である。その他の構成は図1と同様であるので，その詳細は省略する。
【００８６】
コイル１１５は、電池１１０、スイッチング素子２０６、トランス１１８、スイッチング素子１１９、電流検出用の抵抗１２１からなるトランス１１８の１次電流ループ中に挿入されている。コイル１１５とスイッチング素子２０６の直列回路にはコンデンサ１１７がＮチャンネルＦＥＴよりなるスイッチング素子２０１を介して並列に接続されている。抵抗２０２はスイッチング素子２０１のゲートプルダウン抵抗であり、この接続点から抵抗２０３が挿入され、コンデンサ１１７に繋がれている。抵抗２０５はＰチャンネルＦＥＴよりなるスイッチング素子２０６のゲートとシステム制御回路５０を接続する信号ラインｉに挿入されている。
【００８７】
上記図１１に示すフラッシュ４８における充電制御の動作について、図１２のフローチャートにしたがって説明する。
【００８８】
まずステップＳ５０１にて、充電完了のフラグをリセットし、次のステップＳ５０２にて、閃光装置であるフラッシュ４８に対し、システム制御回路５０から信号ラインａを介してハイレベルの信号を与えると同時に、信号ラインｉを介してロウレベルの信号が与える。これにより、スイッチング素子２０６及び１１９が導通する。スイッチング素子２０６及び１１９が導通することでトランス１１８の１次巻線に１次電流が流れるが、初期１回目の通電ではコンデンサ１１７が充電されていないため、スイッチング素子２０１は非導通状態にある。従って、初期１回目の１次電流はコンデンサ１１７の充電電圧加算がないため、ピーク電流Ｉｐに到達する時間ｔｐは、図８の１次電流で示すように長くなる。これは前述の実施例１と同様である。
【００８９】
上記１次電流は抵抗１２１で検出され、信号ラインｂによりシステム制御回路５０に入力される。するとシステム制御回路５０はステップＳ５０５にて、この出力がＩｐに達しているかを判定し、達していないならばステップＳ５０２に戻り、スイッチング素子２０６及び１１９の通電を継続する。その後、１次電流が所定のピーク電流Ｉｐに達したならば、ステップＳ５０５からステップＳ５０６へ進み、スイッチング素子２０６及び１１９を信号ラインｉにハイレベル、信号ラインａにロウレベル信号を与えることで停止させる。スイッチング素子１１９が停止すると１次電流ループに挿入されていたコイル１１５から該コイル１１５に蓄えられていたエネルギーがスイッチング素子２０６及び２０１のドレインとソース間に寄生するダイオードを介してコンデンサ１１７に蓄積される。この時、同様にトランス１１８のエネルギーも２次巻線から２次電流として高圧整流ダイオード１２２を介して放出され、主コンデンサ１３２へ蓄積される。
【００９０】
上記２次電流により抵抗１２３には電圧が発生するため、この電流を検出するためのトランジスタ１２４にはベース電流が流れる。従って、トランジスタ１２４は２次電流が流れている間は導通状態となる。抵抗１２６，１２５については抵抗１２６の抵抗値が抵抗１２５の抵抗値より大きく設定されているため、抵抗１２５と抵抗１２６の中点電位はトランジスタ１２４のオンにより２次電流放出中はほぼゼロレベルとなっている。この信号は信号ラインｃを介してシステム制御回路５０に入力されるので、該システム制御回路５０は、この信号が２次電流が放出を終え、再びハイレベルとなることを検出することになる。ここで、抵抗１２５はトランジスタ１２４のコレクタ電位がマイナスとなるので信号ラインｃがマイナスになるのを防ぐために挿入されている。
【００９１】
コレクタの電位はトランジスタ１２４の導通時にベースとエミッタ電位が約０．７Ｖでコレクタとエミッタ間電位が０．３Ｖ程度であることから、この差分の約０．４Ｖ程度コレクタ電位がマイナスとなる。例えば、抵抗１２６，１２５に供給される電源が５Ｖであれば抵抗１２５の抵抗値は抵抗１２６の抵抗値の１０分の１程度の約０．５Ｖ程度を補償するようなもので良い。
【００９２】
２次電流の放出が終わり、信号ラインｃの電位がハイレベルであることを検出すると、システム制御回路５０は、ステップＳ５０７からステップＳ５０８に進む。そして、ステップＳ５０８にて、信号ラインｄから電圧検出回路１２７へ信号を与える。これにより、電圧検出回路１２７から主コンデンサ１３２の電圧に関係する出力信号が信号ラインｅを介してシステム制御回路５０に入力される。この信号は簡単には抵抗分圧電位でシステム制御回路でＡ／Ｄコンバータを介して検出する方式や、コンパレータで検出してシステム制御回路へ送るものであっても良い。
【００９３】
信号ラインｅを介して入力される信号より主コンデンサ１３２が充電完了電圧に達していないことを判定すると、システム制御回路５０は、ステップＳ５０２に戻り、スイッチング素子２０６及び１１９を信号ラインａ及びｉを介して再度導通させる。コンデンサ１１７には前記電位Ｖｃがコイル１１５のエネルギーにより図１１中の極性で充電されており、この状態では抵抗２０３を介してスイッチング素子２０１にゲート電圧が印加され、スイッチング素子２０１は導通状態となる。このスイッチング素子２０１の導通によりトランス１１８の１次巻線には該スイッチング素子２０１を介してコンデンサ１１７の電位が電池１１０に加算されて印加される。
【００９４】
図９の１次波形で示すように、初期１回目の場合はコンデンサ１１７の電荷が無いため、１次電流のＩｐになる時間が遅く、２回目からはコンデンサ１１７の充電電圧と電池１１０の加算電圧がトランス１１８の１次巻線に印加されるためにＩｐになる時間が速くなり、急速な充電が行われる。
【００９５】
上記のように１次電流が流れ、その後１次電流がＩｐに達すると、システム制御回路５０は、ステップＳ５０５からステップＳ５０６に進む。そして、このステップＳ５０６では、スイッチング素子２０６及び１１９の駆動を共に停止させる。このことで１次電流が急に遮断される為にコイル１１５のエネルギーはコンデンサ１１７、スイッチング素子２０６及びスイッチング素子２０１の寄生ダイオードを介して放出され、コンデンサ１１７に充電される。また同時にトランス１１８のエネルギーは、主コンデンサ１３２、トランジスタ１２４のベースからエミッタ、高圧整流ダイオード１２２を介して放出され、主コンデンサ１３２に蓄積される。
【００９６】
主コンデンサ１３２に流れる２次電流はトランジスタ１２４のベース電流となるため、トランジスタ１２４は導通し、抵抗１２６と抵抗１２５の接続点の電位はほぼゼロレベルとなり、信号ラインｃを介してシステム制御回路５０に入力される。２次電流の放出が終了するとトランジスタ１２４のベース電流がなくなるため、トランジスタ１２４は非導通となり、抵抗１２６と抵抗１２５の接続点の電位は再びハイレベルとなり、信号ラインｃを介してシステム制御回路５０に入力されるので、該システム制御回路５０はこのハイレベルを検出すると、ステップＳ５０７からステップＳ５０８に進む。
【００９７】
上記の動作が繰り返し行われることで主コンデンサ１３２の電圧が上昇し、充電完了であることを判定すると、システム制御回路５０は、ステップＳ５０８からステップＳ５０９に進み、このステップＳ５０９にて、充電が完了していることを示す充電フラグをセットする。そして、充電制御ルーチンを終了する。
【００９８】
この実施例２では、上記実施例１でのダイオード１１６の動作電圧をスイッチング素子２０６を導通状態にすることでほぼゼロに近い状態にすることで、より速い充電を可能にしている。また、加算時のスイッチング素子２０１の導通をコンデンサ１１７の電荷で駆動するため、特別制御ラインを設ける必要がなくなる。
【００９９】
上記実施例２によれば、上記実施例１と同様に、コイル１１５のエネルギーによりコンデンサ１１７に蓄積された電荷と電池１１０との電圧加算は２回目以降毎回続くため、１回目の１次電流がピーク電流Ｉｐに達する時間ｔｐより短い時間でピーク電流Ｉｐに達することができ、充電完了までの充電時間を短縮することができる。
【実施例３】
【０１００】
図１３は本発明の実施例３に係わる閃光装置であるフラッシュ４８の回路構成を示すブロック図であり、図１及び図１１と同じ部分は同一の符号を付す。その他のカメラの回路構成は図２と同様であるため、その詳細は省略する。
【０１０１】
図１３において、２１１はスイッチング素子であるトランジスタ、２１２はスイッチング素子２１１のベースプルダウン抵抗、２１３は抵抗である。
【０１０２】
コイル１１５は、電池１１０、トランス１１８、ダイオード１１６、スイッチング素子１１９、電流検出抵抗１２１からなるトランス１１８の１次電流ループ中に挿入されている。コイル１１５とダイオード１１６の直列回路には、コンデンサ１１７とスイッチング素子２１１、ダイオード２１０の回路が並列に接続されている。抵抗２１２はスイッチング素子２１１のベースプルダウン抵抗であり、この接続点から抵抗２１３が挿入され、コンデンサ１１７に繋がれている。抵抗１２０はＮチャンネルＦＥＴであるスイッチング素子１１９のゲートに接続されるプルダウン抵抗として挿入されている。抵抗１２１は１次電流ループを流れる電流を検出するための検出抵抗であり、スイッチング素子１１９のソース側に接続されると共に信号ラインｂを介してシステム制御回路５０に接続されている。
【０１０３】
この動作を図１４のフローチャートにしたがって充電制御動作について説明する。
【０１０４】
まずステップＳ６０１にて、充電完了のフラグをリセットし、次のステップＳ６０２にて、閃光装置であるフラッシュ４８に対し、システム制御回路５０から信号ラインａを介してハイレベルの信号を与える。これにより、スイッチング素子１１９が導通する。スイッチング素子１１９が導通することでトランス１１８の１次巻線に１次電流が流れるが、初期１回目の通電ではコンデンサ１１７が充電されていないため、スイッチング素子２１１はベース電流が流れずに非導通状態にある。従って、初期１回目の１次電流はコンデンサ１１７の充電電圧加算がないため、ピーク電流Ｉｐに到達する時間ｔｐは、図８の１次電流で示すように長くなる。これは前述の実施例１及び２と同様である。
【０１０５】
上記１次電流は抵抗１２１で検出され、信号ラインｂによりシステム制御回路５０に入力される。するとシステム制御回路５０はステップＳ６０５にて、この出力がＩｐに達しているかを判定し、達していないならばステップＳ６０２に戻り、スイッチング素子１１９の通電を継続する。その後、１次電流が所定のピーク電流Ｉｐに達したならば、ステップＳ６０５からステップＳ６０６へ進み、スイッチング素子１１９を信号ラインａにロウレベル信号を与えることで停止させる。スイッチング素子１１９が停止すると１次電流ループに挿入されていたコイル１１５から該コイル１１５に蓄えられていたエネルギーがダイオード１１６，２１０を介してコンデンサ１１７に蓄積される。この時、同様にトランス１１８のエネルギーも２次巻線から２次電流として高圧整流ダイオード１２２を介して放出され、主コンデンサ１３２へ蓄積される。
【０１０６】
上記２次電流により抵抗１２３には電圧が発生するため、この電流を検出するためのトランジスタ１２４にはベース電流が流れる。従って、トランジスタ１２４は２次電流が流れている間はオン状態となる。抵抗１２６，１２５については抵抗１２６の抵抗値が抵抗１２５の抵抗値より大きく設定されているため、抵抗１２５と抵抗１２６の中点電位はトランジスタ１２４のオンにより２次電流放出中はほぼゼロレベルとなっている。この信号は信号ラインｃを介してシステム制御回路５０に入力されるので、該システム制御回路５０は、この信号が２次電流が放出を終え、再びハイレベルとなることを検出することになる。
【０１０７】
ここで、抵抗１２５はトランジスタ１２４のコレクタ電位がマイナスとなるので信号ラインｃがマイナスになるのを防ぐために挿入されている。
【０１０８】
２次電流の放出が終わり、信号ラインｃの電位がハイレベルであることを検出すると、システム制御回路５０は、ステップＳ６０７からステップＳ６０８に進む。そして、ステップＳ６０８にて、信号ラインｄから電圧検出回路１２７へ信号を与える。これにより、電圧検出回路１２７から主コンデンサ１３２の電圧に関係する出力信号が信号ラインｅを介してシステム制御回路５０に入力される。この信号は簡単には抵抗分圧電位でシステム制御回路５０にてＡ／Ｄコンバータを介して検出する方式や、コンパレータで検出してシステム制御回路５０へ送るものであっても良い。
【０１０９】
信号ラインｅを介して入力される信号より主コンデンサ１３２が充電完了電圧に達していないことを判定すると、システム制御回路５０は、ステップＳ６０２に戻り、スイッチング素子１１９を信号ラインａを介して再度導通させる。コンデンサ１１７には前記電位Ｖｃがコイル１１５のエネルギーにより図１１中の極性で充電されており、この状態では抵抗２１３を介してスイッチング素子２１１にゲート電圧が印加され、スイッチング素子２１１は導通状態となる。このスイッチング素子２１１のオンにより、トランス１１８の１次巻線にはスイッチング素子１１９を介してコンデンサ１１７の電位が電池１１０に加算されて印加される。
【０１１０】
図９の１次波形で示すように、初期１回目の場合はコンデンサ１１７の電荷が無いため、１次電流のピーク電流Ｉｐになる時間が遅く、２回目からはコンデンサ１１７の充電電圧と電池１１０の加算電圧がトランス１１８の１次巻線に印加されるためにピーク電流Ｉｐになる時間が速くなり、急速な充電が行われる。
【０１１１】
上記のように１次電流が流れ、その後１次電流がピーク電流Ｉｐに達すると、システム制御回路５０は、ステップＳ６０５からステップＳ６０６に進む。そして、このステップＳ６０６では、スイッチング素子１１９の駆動を停止させる。このことで１次電流が急に遮断される為にコイル１１５のエネルギーはダイオード、コンデンサ１１７、ダイオード２１０を介して放出され、コンデンサ１１７にコイル１１５のエネルギーが充電される。また同時にトランス１１８のエネルギーは、主コンデンサ１３２、トランジスタ１２４のベースからエミッタ、高圧整流ダイオード１２２を介して放出され、主コンデンサ１３２に蓄積される。
【０１１２】
主コンデンサ１３２に流れる２次電流はトランジスタ１２４のベース電流となるため、トランジスタ１２４は導通し、抵抗１２６と抵抗１２５の接続点の電位はほぼゼロレベルとなり、信号ラインｃを介してシステム制御回路５０に入力される。２次電流の放出が終了するとトランジスタ１２４のベース電流がなくなるため、トランジスタ１２４は非導通となり、抵抗１２６と抵抗１２５の接続点の電位は再びハイレベルとなり、信号ラインｃを介してシステム制御回路５０に入力されるので、該システム制御回路５０はこのハイレベルを検出すると、ステップＳ６０７からステップＳ６０８に進む。
【０１１３】
上記の動作が繰り返し行われることで主コンデンサ１３２の電圧が上昇し、充電完了であることを判定すると、システム制御回路５０は、ステップＳ６０８からステップＳ６０９に進み、このステップＳ６０９にて、充電が完了していることを示す充電フラグをセットする。そして、充電制御ルーチンを終了する。
【０１１４】
この実施例３では、上記実施例１とはコイル１１５の挿入位置を変えており、また上記実施例２と同様にコンデンサ１１７の電荷の加算時、スイッチング素子２１１の導通をコンデンサ１１７の電荷で駆動するため、特別制御ラインを設ける必要がなくなる。
【０１１５】
上記実施例３によれば、上記実施例1及び２と同様に、コイル１１５のエネルギーによりコンデンサ１１７に蓄積された電荷と電池１１０との電圧加算は２回目以降毎回続くため、１回目の１次電流がピーク電流Ｉｐに達する時間ｔｐより短い時間でピーク電流Ｉｐに達するので、充電完了までの充電時間を短縮することができる。
【０１１６】
以上の実施例１〜３では、図７、図１２及び図１４のフローチャートを用いて充電制御の説明を行ったが、フローチャートで示したものと同様な動作を得られる、図１、図１１、図１３とは異なるその他の回路を構成しても良い。
【０１１７】
また、フライバック方式のコンバータを具備したフラッシュ４８を例示しているが、これに限定されず、フォワード方式のコンバータを具備するフラッシュでも良いことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】本発明の実施例１に係わる閃光装置の回路構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の各実施例に係わるカメラの回路構成を示すブロック図である。
【図３】図２のカメラのメイン動作の一部を示すフローチャートである。
【図４】図３の動作の続きを示すフローチャートである。
【図５】図２のカメラにおいて測距及び測光動作を示すフローチャートである。
【図６】図２のカメラにおける撮影動作を示すフローチャートである。
【図７】本発明の実施例１に係わる閃光装置であるフラッシュの充電制御動作を示すフローチャートである。
【図８】図１のフラッシュにおける各部波形を示す図である。
【図９】図１のフラッシュにおいて主要部分の電流波形を示す図である。
【図１０】図２のカメラにおける記録動作を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の実施例２に係わる閃光装置の回路構成を示すブロック図である。
【図１２】本発明の実施例２に係わる閃光装置であるフラッシュの充電制御動作を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の実施例３に係わる閃光装置の回路構成を示すブロック図である。
【図１４】本発明の実施例３に係わる閃光装置であるフラッシュの充電制御動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１９】
１０    レンズ
１２    シャッタ
１４    撮像素子
２０    画像処理回路
４８    フラッシュ（閃光装置）
５０    システム制御回路
１００  撮影装置
１１０  電池
１１５  コイル
１１８  トランス
１１４，１１９，１２４、２０４，２１０  スイッチング素子
１１６，１２２  ダイオード
１１７  コンデンサ
１２７  電圧検出回路
１２８  トリガー回路
１２９  放電管
１３０  ＩＧＢＴ
１３２  主コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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