(57)【要約】【課題】磁気ヘッドスライダ上に記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ディスク装置において、加熱用抵抗体に供給される電力を温度に応じて確実に制御する。【解決手段】プリアンプ１０には、記録素子４２、再生素子４４、温度センサ６０が接続され、電力供給回路３０が内蔵されている。加熱用抵抗体４６は電力供給回路３０に接続され、温度センサ６０が検出した周囲温度に応じた電力が供給され、記録・再生素子と磁気ディスク２との間隔が調整される。電力供給回路３０が電圧制御の場合は、電力供給回路３０に加熱用抵抗体４６と直列の関係になるように、高温時に抵抗が大きくなる素子４８を接続する。ここで高温時に抵抗が大きくなる素子４８には、高温時に抵抗値が１０倍以上に大きくなるもの、例えばＰＴＣサーミスタ(Positive Temperature Coefficient Thermistor)を用いる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録・再生素子と加熱用抵抗体を備える磁気ヘッドスライダと、
該磁気ヘッドスライダが記録・再生する情報を保持する磁気ディスクと、
前記加熱用抵抗体に電力を供給する電力供給回路と、
前記加熱用抵抗体と電力供給回路との間に設けられ、周囲温度が約５０度を超えた場合に前記加熱用抵抗体に供給される電力を制限する素子と、
を有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記素子は前記磁気ヘッドスライダの記録・再生素子の近傍に設けられることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記素子は前記加熱用抵抗体に直列に接続され、周辺温度が約５０度を超えた場合に抵抗値が数十オーム以下から数千オーム以上に変化する素子であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記素子は前記加熱用抵抗体に並列に接続され、周辺温度が約５０度を超えた場合に抵抗値が数千オーム以上から数十オーム以下に変化する素子であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
記録・再生素子と加熱用抵抗体を備える磁気ヘッドスライダと、
該磁気ヘッドスライダが記録・再生する情報を保持する磁気ディスクと、
前記加熱用抵抗体に電力を供給する電力供給回路と、
前記加熱用抵抗体に並列に接続され、周囲温度が高くなるにつれて抵抗値が数千オーム以上から数百オーム以下に緩やかに変化する素子と、
を有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記素子は前記磁気ヘッドスライダの記録・再生素子の近傍に設けられることを特徴とする請求項５記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
記録・再生素子と、加熱用抵抗体と、周囲温度が約５０度を超えた場合に前記加熱用抵抗体に供給される電力を制限する素子と、を有することを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項８】
前記素子は前記加熱用抵抗体に直列に接続され、周辺温度が約５０度を超えた場合に抵抗値が数十オーム以下から数千オーム以上に変化する素子であることを特徴とする請求項７記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項９】
前記素子は前記加熱用抵抗体に並列に接続され、周辺温度が約５０度を超えた場合に抵抗値が数千オーム以上から数十オーム以下に変化する素子であることを特徴とする請求項７記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
記録・再生素子と、加熱用抵抗体と、該加熱用抵抗体に並列に接続され周囲温度が高くなるにつれて抵抗値が数千オーム以上から数百オーム以下に緩やかに変化する素子と、を有することを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置に係わり、特に磁気ヘッドスライダ上に記録・再生素子と磁気ディスクとの距離を調整するための加熱用抵抗体を有する装置に適用して有効な技術に関する．
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置では、回転する磁気ディスク上に、記録・再生素子を備えた磁気ヘッドスライダを相対走行させて、情報の記録再生を行う。磁気ヘッドスライダは、ヘッド支持機構によって支持され、位置決め機構によって磁気ディスク上の所定の半径位置に位置決めされる。磁気ヘッドスライダは、磁気ディスクの回転によって生じる空気流を利用して磁気ディスク上から浮上しており、磁気ディスクと直接接触しないように設計されている。磁気ディスクと、磁気ヘッドスライダに搭載された記録・再生素子との間隔は、磁気ディスクの記録再生特性に大きく影響する。したがって、磁気ディスク装置の大容量化、あるいは小型化を実現するためには、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダに搭載された記録・再生素子との間隔を狭くすることが非常に有効である．
磁気ヘッドスライダの浮上量（記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔）は、加工ばらつき、使用環境における温度や気圧、記録や再生を行う半径位置（磁気ディスクと磁気ヘッドスライダの相対速度が異なる）、記録動作時、再生動作時など様々な条件によって変化する。よって、磁気ディスク装置の信頼性を確保するために、予想されるすべての条件の組み合わせの中で、最も浮上量が小さくなる条件の組み合わせにおいても、磁気ヘッドスライダと磁気ヘッドが接触することがないように、マージンを設けて磁気ヘッドスライダの浮上量は設定されている。
【０００３】
磁気ディスクと、磁気ヘッドスライダに搭載された記録・再生素子との間隔を、磁気ヘッドスライダの個体毎に、または、使用環境、使用条件に応じて調整することができる機構を磁気ヘッドスライダに搭載することができれば、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダの接触を防ぎつつ、各条件において、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダに搭載された記録・再生素子との間隔を縮めることができる。
【０００４】
従来の技術としては、必要に応じて、磁気ヘッドスライダ上の薄膜磁気ヘッド素子と磁気ディスクとの間隔を調整する機能を備えた磁気ディスク装置として、特許文献１（特開平５−２０６３５号公報）に記載されたものがある。この特許文献１では、薄膜磁気ヘッド素子の近傍に薄膜抵抗体を設け、薄膜抵抗体への通電発熱による熱膨張によって、薄膜磁気ヘッド素子を突出させて、磁気ディスクとの間隔を調整する技術が提案されている。また、特許文献１に記載されたような機能を備えた磁気ヘッドスライダにおいて、浮上量変化の応答速度を改善するために、加熱用抵抗体に電力供給を開始するときに、記録再生素子の浮上調整に必要な所定の電力を超過した電力を所定時間印加する技術が特許文献２（特開２００４−３４２１５１号公報）で提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２０６３５号公報
【特許文献２】特開２００４−３４２１５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、磁気ヘッドスライダの浮上量（記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔）は、磁気ディスク装置の保証使用温度環境の範囲内においても、温度に依存して変化する。すなわち、温度が上昇するにつれ、主に熱膨張により記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔は狭くなる。よって、磁気ヘッドスライダの浮上量は、高温時でも磁気ディスクと磁気ヘッドスライダが接触しないように設計されるが、この場合、低温時は記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔が大きくなり、記録再生特性が劣化する。このため、低温時に記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔を狭くすることができれば、特性劣化が抑えられる。ここで、特許文献１に記載されているような加熱用抵抗体により、記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔を調整する機能が有効になる。
【０００７】
このとき、温度センサにより温度を検出し、その温度に応じた電力が電力供給回路（通常はプリアンプに内蔵）から供給されるが、高温時に温度センサの誤検出、電力供給回路の誤動作などの理由により、誤って加熱用抵抗体に大きな電力が供給されてしまうと、記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔が狭くなりすぎて、磁気ディスクや記録・再生素子にダメージを与える、あるいは最悪の場合、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダがクラッシュして磁気ディスク装置が機能しなくなってしまう恐れがある。
【０００８】
これを防ぐためには、温度センサの精度および信頼性の向上、電力供給回路の誤動作防止措置、制御装置および回路のノイズ対策などをすべて行う必要があるが、容易ではない上に、回路，構造の複雑化、およびコスト増加につながってしまうという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、磁気ヘッドスライダ上に記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ディスク装置において、温度センサや電力供給回路などに大きな変更を加えることなく、比較的少ないコストで、加熱用抵抗体に供給される電力を温度に応じて確実に制御することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明の磁気ディスク装置においては、加熱用抵抗体に電力供給回路から電力を供給する回路内に、周囲の温度に依存して抵抗値が変化するように意図された素子を有することを特徴とするものであり、具体的な構成は以下の通りである。
【００１１】
代表的な構成例は、磁気ヘッドスライダ上に、記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ディスク装置において、電力供給回路から電力を供給する回路内に、周囲の温度に依存して抵抗値が変化し、特にある温度の前後（６０°Ｃ前後）で抵抗値がある傾きをもって１０倍以上大きくなる（または１０分の１以下に小さくなる）ように意図された素子を有する構成である。本構成では、環境温度に対応した加熱用抵抗体に供給する電力の制御は、基本的に別に設けた温度センサの情報を基に電力供給回路によって行う。ただし、ある温度（５０°Ｃ）を越えると、本構成で設けられた前記素子の抵抗が急激に変化するため、仮に何らかの異常により、高温時に電力供給回路が大きな電力を供給しようとしても、加熱用抵抗体に大きな電流は流れにくくなり、前記問題を回避することができる。前記、抵抗値が変わる素子は、材料の特性のような物理現象に基づき、温度に応じて確実に抵抗が変化するものが望ましい。また、電力供給装置が電圧制御を基本とする場合は、高温時に抵抗が大きくなる素子を前記加熱用抵抗体と直列な関係に、電力供給装置が電流制御を基本とする場合は、高温時に抵抗が小さくなる素子を前記加熱用抵抗体と並列な関係に配置する。
【００１２】
他の構成例は、磁気ヘッドスライダ上に、記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ディスク装置において、電力供給装置から電力を供給する回路内に、周囲の温度に依存して比較的緩やかに抵抗値が変化するように意図された素子を有する構成である。本構成では、環境温度に対応した加熱用抵抗体に供給する電力の制御を、電力供給回路の代わりに前記素子の抵抗変化によって行うもので、前記温度センサの誤検出や電力供給回路の誤動作などの懸念を排除し、前記問題を回避することができる。前記抵抗値が変わる素子は、材料の特性のような物理現象に基づき、温度に応じて確実に抵抗が変化するものが望ましい。また、前記素子は、磁気ディスクの動作温度範囲内において、加熱用抵抗体に供給する電力を所望の値に制御できる抵抗変化特性を持つものが選ばれる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、磁気ヘッドスライダ上に、記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ディスク装置において、温度センサや電力供給回路などに大きな変更を加えることなく、比較的少ないコストで、加熱用抵抗体に供給される電力を温度に応じて確実に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１に磁気ディスク装置１の概略構成を示す。磁気ディスク装置１は回転する磁気ディスク２上に、記録・再生素子を備えた磁気ヘッドスライダ４を相対走行させて、情報の記録再生を行う。磁気ヘッドスライダ４は、ヘッド支持機構６によって支持され、位置決め機構８によって磁気ディスク２上の所定の半径位置に位置決めされる。磁気ヘッドスライダ４の断面の模式図を図２に示す。磁気ヘッドスライダ４は、情報を記録するための記録素子４２、情報を再生するための再生素子４４、熱膨張によって記録・再生素子４２，４４と磁気ディスク２との間隔を調整するための加熱用抵抗体４６を備えている。これらの形状、配置は模式的に示したものであり、本発明の意図する機能を有する範囲であれば、記録素子４２、再生素子４４、加熱用抵抗体４６の配置は変更してもかまわない。加熱用抵抗体４６に電力を供給する電力供給回路は、記録素子４２、再生素子４４も接続されるプリアンプ１０の機能の一部として提供される。
【００１５】
図３に磁気ディスク装置１のブロック構成を示す。磁気ディスク２はスピンドルモータ２２によって回転され、磁気ヘッドスライダ４はヘッド支持機構６によって支持されて磁気ディスク２の対応する１つの表面にそれぞれ配置される。位置決め機構８は磁気ヘッドスライダ４の位置を変化させるためのボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）８２を有している。プリアンプ１０は磁気ヘッドスライダ４の再生素子４４によってピックアップされた信号を事前増幅して、読み取り／書き込み（Ｒ／Ｗ）チャネル回路１２に提供する。書き込み操作中には、プリアンプ１０は符号化された書き込みデータ信号をＲ／Ｗチャネル回路１２から磁気ヘッドスライダ４の記録素子４２に送る。読み取り操作において、Ｒ／Ｗチャネル回路１２はプリアンプ１０によって提供された読み取り信号からデータ・パルスを検出し、そのデータ・パルスを復号してハードディスク・コントローラ（ＨＤＣ）１４に送る。さらに、Ｒ／Ｗチャネル回路１２はＨＤＣ１４から受信した書き込みデータを符号化して、その符号化したデータをプリアンプ１０に提供する。
【００１６】
ＨＤＣ１４は上位装置（図示せず）から受信したデータを、Ｒ／Ｗチャネル回路１２及びプリアンプ１０を通じて磁気ディスク２上に書き込むと共に、磁気ディスク２からの読み取りデータを上位装置に転送する。ＨＤＣ１４は上位装置とマイクロコンピュータ（マイコン）１６間の仲立ちも行う。マイコン１６は上位装置からの読み取り及び書き込みコマンドに応じて、トラック・シーキング及びトラック・フォローイング機能を制御する。ROM１８はマイコン１６用の制御プログラム及び種々の設定値を記憶する。
【００１７】
サーボ・ドライバ８４はマイコン１６からの制御信号に応じてＶＣＭ８２の駆動電流を生成する。ＶＣＭ８２はサーボ・ドライバ８４から供給される駆動電流の方向と量に従って、磁気ディスク２に対する磁気ヘッドスライダ４の位置決めを行う。スピンドルモータ・ドライバ２４はマイコン１６からの制御値に従ってスピンドルモータ２２を駆動し、磁気ディスク２の回転を制御する。
【００１８】
図４は第１の実施例による磁気ディスク装置の、高温時に加熱用抵抗体４６への電力供給を制限する回路を模式的に示したものである。プリアンプ１０には、記録素子４２、再生素子４４、温度センサ６０が接続され、電力供給回路３０が内蔵されている。加熱用抵抗体４６は電力供給回路３０に接続されている。加熱用抵抗体４６の周囲温度を温度センサ６０により検出し、その温度に応じた電力が電力供給回路３０から加熱用抵抗体４６に供給され、記録・再生素子４２，４４と磁気ディスク２との間隔が調整される。磁気ディスク装置１が複数の磁気ヘッドスライダ４を備える場合は、すべての記録・再生素子、加熱用抵抗体がプリアンプ１０に接続されるが、ここでは省略して示している。プリアンプ１０に内蔵される電力供給回路３０が電圧制御を基本とする場合は、図４に示すように、電力供給回路３０と加熱用抵抗体４６を接続する回路上に、加熱用抵抗体４６と直列の関係になるように高温時に抵抗が大きくなる素子４８を接続する。ここで高温時に抵抗が大きくなる素子４８には、高温時に抵抗値が１０倍以上に大きくなるもの、例えばＰＴＣサーミスタ(Positive Temperature Coefficient Thermistor)を用いる。図５に、典型的なＰＴＣサーミスタの抵抗値の温度依存性を示す。加熱用抵抗体４６の抵抗値は、通常、数百Ω程度のものが用いられる。低温時（−１０°〜４０°）のＰＴＣサーミスタ４８の抵抗値は数十Ω程度であるため、磁気ディスク装置１の保証使用温度環境の範囲内においては加熱用抵抗体４６に十分な電流が流れるが、磁気ディスク装置１の高温動作時（約５０°Ｃ以上）には、ＰＴＣサーミスタ４８の抵抗値は数千Ωから数万Ω程度となり、加熱用抵抗体４６への電流は制限される。このように磁気ディスク装置１の保証使用温度環境の範囲内で適切な抵抗値を有し、高温時に抵抗が大きくなる素子４８を選ぶことで、高温時に温度センサ６０の誤検出、電力供給回路３０の誤動作などの理由により加熱用抵抗体４６が接続されている回路に、誤って適切な設定値を上回る電圧がかかっても、十分な電流が流れず、加熱用抵抗体４６に供給される電力は小さくなる。したがって、高温時に記録・再生素子が熱膨張によりさらに突出することはなく、磁気ディスク２との接触を防止することができる。
【００１９】
図６は第２の実施例による磁気ディスク装置の、高温時に加熱用抵抗体４６への電力供給を制限する回路を模式的に示したものである。図４と同じ構成要素には同じ参照符号を付してある。加熱用抵抗体４６に電力を供給する電力供給回路３２が電流制御を基本とする場合は、図６に示すように、電力供給回路３２と加熱用抵抗体４６を接続する回路上に、加熱用抵抗体４６と並列の関係になるように高温時に抵抗が小さくなる素子４９を接続する。ここで高温時に抵抗が小さくなる素子４９には、高温時に抵抗値が１０分の１以下に小さくなるもの、例えばＣＴＲサーミスタ(Critical Temperature Resister Thermistor)を用いる。図７に、典型的なＣＴＲサーミスタの抵抗値の温度依存性を示す。加熱用抵抗体４６の抵抗値は、上記第１の実施例と同様に数百Ω程度のものが用いられる。低温時（−１０°〜４０°）のＣＴＲサーミスタ４９の抵抗値は数万Ω程度であるため、電力供給回路３２からの電流は加熱用抵抗体４６に流れる。磁気ディスク装置１の高温動作時（５０°Ｃ以上）にはＣＴＲサーミスタ４９の抵抗値は数十Ω程度となり、電力供給回路３２からの電流はＣＴＲサーミスタ４９に流れ加熱用抵抗体４６には流れない。このように磁気ディスク装置１の保証使用温度環境の範囲内で大きな抵抗値を有し、高温時に抵抗が小さくなる素子４９を選ぶことで、加熱用抵抗体４６が接続されている回路に、誤って適切な設定値を上回る電圧がかかっても、高温時に抵抗が小さくなる素子４９の方に電流が分流してしまい、加熱用抵抗体４６に十分な電流が流れず、加熱用抵抗体４６に供給される電力は小さくなる。したがって、記録・再生素子が熱膨張により突出することはなく、磁気ディスク２との接触を防止することができる。
【００２０】
第３の実施例は、図６で示した第２の実施例と同様に電力供給回路３２が電流制御を基本とする場合、ＣＴＲサーミスタ４９の変わりに、温度に依存して抵抗値が比較的緩やかに変化するもの、例えばＮＴＣサーミスタ(Negative Temperature Coefficient Thermistor)５０を用いるものである。この場合は、温度センサ６０は不要となる。図８に、典型的なＮＴＣサーミスタの抵抗値の温度依存性を示す。磁気ディスク装置１の動作温度範囲において、抵抗値が数千Ωから数百Ωへと緩やかに変化する。この構成によれば、高温時に加熱用抵抗体４６に誤って大きな電力が供給されるのを防ぐだけでなく、電力供給回路３２からの出力を温度変化によって調整することなく、高温時に抵抗が緩やかに小さくなるＮＴＣサーミスタ５０抵抗変化により、加熱用抵抗体４６に供給する電力を適切に調整することができる。抵抗値が数百Ω程度の加熱用抵抗体４６の抵抗値にくらべＮＴＣサーミスタ５０の抵抗値が大きすぎる場合は、加熱用抵抗体４６と並列にいくつかのＮＴＣサーミスタを追加するのが望ましい。また、本実施例において電力供給回路が電圧制御を基本とする電力供給回路３０の場合は、図４に示した回路構成においてＰＴＣサーミスタ４８に代えて、磁気ディスク装置１の動作温度範囲において、温度に依存して抵抗値が数百Ωから数千Ωへと緩やかに変化する素子を選んで用いればよい。この場合にも、温度センサ６０は不要である。
【００２１】
以上の説明においては、磁気ヘッドスライダ４上の記録・再生素子付近の温度が、周囲の環境温度により変化した場合について説明したが、磁気ヘッドスライダ４上の記録・再生素子付近の温度は、周囲の環境温度だけでなく、記録動作時の記録素子４２の発熱などによっても変化し、記録・再生素子と磁気ディスク２との間隔が変化する。そこで上記、第１〜第３の実施例による磁気ディスク装置において、図９に示すように、ＰＴＣサーミスタ４８、ＣＴＲサーミスタ４９、ＮＴＣサーミスタ５０を磁気ヘッドスライダ４上の記録・再生素子４２，４４付近に配置することにより、記録素子４２の発熱などを考慮することができる。なお、図９で示した各素子の配置は一例であり、本発明の意図を逸脱しない範囲で変更してよい。温度センサ６０を記録・再生素子付近に配置する場合には、温度センサ６０の配線を別に設けなければならないが、この構成によれば、磁気ヘッドスライダ４からプリアンプ１０への配線も特に増やす必要がなく、都合が良い。
【００２２】
以上の説明のとおり本発明の各実施例によれば、磁気ヘッドスライダ上に、記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ディスク装置において、温度センサや電力供給回路などに大きな変更を加えることなく、比較的少ないコストで、加熱用抵抗体に供給される電力を温度に応じて確実に制御することができる。したがって、高温時に誤って、加熱用抵抗体に大きな電力が供給されてしまい、記録・再生素子と磁気ディスクとの間隔が狭くなりすぎて接触し、磁気ディスクや記録・再生素子にダメージを与えたり、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダがクラッシュして磁気ディスク装置が機能しなくなってしまったりすることを防ぐことができる。
【００２３】
なお、本発明は、上述したいくつかの実施例に開示した形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱しない範囲での変更を許容するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の磁気ディスク装置の概略構成図である。
【図２】本発明の磁気ヘッドスライダの断面模式図である。
【図３】図１に示した磁気ディスク装置のブロック構成図である。
【図４】第１の実施例による磁気ディスク装置の、高温時に加熱用抵抗体への電力供給を制限する回路を模式的に示した図である。
【図５】典型的なＰＴＣサーミスタの抵抗値の温度依存性を示す図である。
【図６】第２の実施例による磁気ディスク装置の、高温時に加熱用抵抗体への電力供給を制限する回路を模式的に示した図である。
【図７】典型的なＣＴＲサーミスタの抵抗値の温度依存性を示す図である。
【図８】典型的なＮＴＣサーミスタの抵抗値の温度依存性を示す図である。
【図９】本発明の磁気ヘッドスライダの他の構成例を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００２５】
１…磁気ディスク装置、
２…磁気ディスク、
４…磁気ヘッドスライダ、
６…ヘッド支持機構、
８…位置決め機構、
１０…プリアンプ、
１２…Ｒ／Ｗチャネル回路、
１４…ハードディスク・コントローラ（ＨＤＣ）、
１６…マイコン、
１８…ＲＯＭ、
２２…スピンドルモータ、
２４…スピンドルモータ・ドライバ、
３０…電力供給回路（電圧制御）、
３２…電力供給回路（電流制御）、
４２…記録素子、
４４…再生素子、
４６…加熱用抵抗体、
４８…ＰＴＣサーミスタ、
４９…ＣＴＲサーミスタ、
５０…ＮＴＣサーミスタ、
６０…温度センサ、
８２…ＶＣＭ、
８４…サーボ・ドライバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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