(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィ工程において、基板のレジスト塗布面とは反対側の面上に有機物が付着し残存してしまうことのない電気光学装置用基板の基板処理装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】疎水化処理後のマザー基板３５を冷却する装置において、マザー基板３５を、レジスト塗布面であるパターン形成面３５ａとは反対側の裏面３５ｂを下方として、紫外線を透過する石英等で形成されたクーリングプレート３１０上に載置する。クーリングプレート３１０の下方に配設された紫外線照射装置３２０からマザー基板３５の裏面３５ｂ上に紫外線を照射することで、裏面３５ｂを親水化し、裏面３５ｂ上にレジストが付着することを防止する。【選択図】図８
2007328140.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学装置用基板のレジスト塗布面上にレジストを塗布する電気光学装置用基板の基
板処理装置であって、
前記レジストの塗布前に、前記電気光学装置用基板の前記レジスト塗布面とは反対側の
面上に紫外線を照射する紫外線照射手段を備えることを特徴とする電気光学装置用基板の
基板処理装置。
【請求項２】
前記電気光学装置用基板と前記紫外線照射手段との間に配設され、かつ前記電気光学装
置用基板の前記レジスト塗布面とは反対側の面のみを前記紫外線照射手段側に露出させる
形状の開口部を有する遮光板を具備することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置
用基板の基板処理装置。
【請求項３】
前記紫外線を透過する材料で構成され、かつ前記電気光学装置用基板の前記レジスト塗
布面とは反対側の面を支持する基板支持手段を具備し、
該基板支持手段は、前記電気光学装置用基板と前記紫外線照射手段との間に配設される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板支持手段は、前記電気光学装置用基板を冷却するクーリングプレートであるこ
とを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板の基板処理装置。
【請求項５】
基板のレジスト塗布面上にレジストを塗布する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板の全面を疎水性にする疎水化処理工程と、
前記基板の前記レジスト塗布面とは反対側の面である裏面上に紫外線を照射して、前記
裏面を親水性にする紫外線照射工程と、
前記基板の前記レジスト塗布面上にレジストを塗布するレジスト塗布工程とを具備する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記紫外線照射工程は、前記基板を冷却する冷却工程と同時に行われることを特徴とす
る請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の基板処理装置及び電気光学装置の製造方法に関し、特
に基板のレジスト塗布面上にレジストを塗布する電気光学装置用基板の基板処理装置及び
電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（液晶装置）等の電気光学装置に用いられる基板の製造方法として、レジ
スト（感光性樹脂）を用いたフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程が一般的に使用
されている。フォトリソグラフィ工程は、主に、レジストを被加工基板に塗布する工程（
レジスト塗布工程）と、レジストを回路設計に応じたパターンに露光する工程（露光工程
）と、露光したレジストを現像して基板上に回路パターンを形成する工程（現像工程）と
を有し、基板上に所定の形状のレジストマスクを形成するものである。
【０００３】
より詳細には、フォトリソグラフィでは、レジスト塗布工程に先立って、基板表面を洗
浄する洗浄工程と、基板表面を疎水化する疎水化処理工程とが行われ、またレジスト塗布
工程後には基板を加熱（プリベーク）する加熱工程が行われる。これらの工程を実施し、
フォトリソグラフィ工程に用いられる基板処理装置は、例えば特開２００１−２５０７６
７号公報に開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２５０７６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基板表面上にレジストを塗布するレジスト塗布工程では、基板表面上にレジ
ストを滴下し、基板を回転させることでレジストを基板表面全体に塗布するスピン方式が
一般的である。このようなスピン方式を用いたレジスト塗布工程では、基板周りに気流が
発生し、かつ基板周囲の雰囲気に余剰分のレジストがミスト状に飛散しているため、基板
のレジストを塗布する表面とは反対側の面（ここでは便宜的に裏面と称する）上にもレジ
ストの液滴が有機物の付着物として付着してしまう。
【０００５】
後の工程において、裏面上に有機物が付着した基板は、シンナー等の有機溶剤を用いて
洗浄されるものであるが、該洗浄時に基板と基板を保持するチャックとが接触する面上に
付着している有機物は洗浄により取り除くことができない。よって、レジスト塗布時に基
板の裏面に付着した有機物は、基板の裏面上にそのまま膜状に残存してしまう。例えば透
過型の液晶表示装置に用いられる基板において、このように有機物が膜状に残存してしま
うと、基板の光の透過率の分布にむらが生じ、表示むら等の表示不良の原因となってしま
うという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、フォトリソグラフィ工程において
、基板のレジスト塗布面とは反対側の面上に有機物が付着し残存してしまうことのない電
気光学装置用基板の基板処理装置及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電気光学装置用基板の基板処理装置は、電気光学装置用基板のレジスト塗
布面上にレジストを塗布する電気光学装置用基板の基板処理装置であって、前記レジスト
の塗布前に、前記電気光学装置用基板の前記レジスト塗布面とは反対側の面上に紫外線を
照射する紫外線照射手段を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板のレジスト塗布面上にレジストを
塗布する電気光学装置の製造方法であって、前記基板の全面を疎水性にする疎水化処理工
程と、前記基板の前記レジスト塗布面とは反対側の面である裏面上に紫外線を照射して、
前記裏面を親水性にする紫外線照射工程と、前記基板の前記レジスト塗布面上にレジスト
を塗布するレジスト塗布工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明のこのような構成によれば、基板のレジスト塗布面とは反対側の面である裏面上
のみが、紫外線照射によって親水化された状態で、レジストの塗布が行われる。したがっ
て、スピン方式によってレジストを塗布する場合において、雰囲気中に飛散しているミス
ト状のレジストが、基板の裏面上に付着しにくくなる。また、レジストの液滴が裏面上に
付着してしまった場合においても、裏面とレジストとの密着性は低いため、洗浄により容
易に除去することができる。よって、フォトリソグラフィ工程において、基板のレジスト
塗布面とは反対側の面上に有機物が付着し残存してしまうことがない。
【００１０】
また、本発明は、前記電気光学装置用基板と前記紫外線照射手段との間に配設され、か
つ前記電気光学装置用基板の前記レジスト塗布面とは反対側の面のみを前記紫外線照射手
段側に露出させる形状の開口部を有する遮光板を具備することが好ましい。
【００１１】
このような構成によれば、基板の裏面のみに選択的に紫外線を照射することができ、レ
ジスト塗布面には紫外線が照射されることがない。よって、レジスト塗布面上は疎水性の
ままに保たれるため、レジストとの密着性が低下することがなく、精密かつ微細なレジス
トパターンを形成することが可能となる。
【００１２】
また、本発明は、前記紫外線を透過する材料で構成され、かつ前記電気光学装置用基板
の前記レジスト塗布面とは反対側の面を支持する基板支持手段を具備し、該基板支持手段
は、前記電気光学装置用基板と前記紫外線照射手段との間に配設されることが好ましい。
【００１３】
このような構成によれば、基板の裏面を支持しつつも、基板の裏面全面に紫外線を照射
することが可能となり、より確実に基板裏面上に有機物が残存してしまうことを防止する
ことができる。
【００１４】
また、本発明は、前記基板支持手段は、前記電気光学装置用基板を冷却するクーリング
プレートであることが好ましい。
【００１５】
また、本発明は、前記紫外線照射工程は、前記基板を冷却する冷却工程と同時に行われ
ることが好ましい。
【００１６】
このような構成によれば、従来のレジスト塗布工程においても行われている基板の冷却
工程と同時に紫外線の照射を行うことができる。このため、紫外線の照射工程が、レジス
ト塗布工程の工程時間に影響を及ぼすことがなく、従来のレジスト塗布工程と同等の処理
時間で、レジスト塗布工程を終えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下の実施形態は、本発
明の電気光学装置として液晶装置を適用したものである。なお、以下の説明に用いた各図
においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異
ならせてある。
【００１８】
本実施形態の電気光学装置１００の全体構成について、図１から図３を参照して説明す
る。ここで、図１はＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板
の側から見た液晶装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。図３は、
電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各
種素子、配線等の等価回路である。本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回
路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶表示装置を例にとる。ここ
で、ＴＦＴとは、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）のこ
とを指す。
【００１９】
電気光学装置１００は、ガラスもしくは石英等からなる一対の透明な基板であるＴＦＴ
アレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を挟持してなり、液晶層５０の配向状
態を変化させることにより、画像表示領域１０ａに対向基板２０側から入射する光を変調
しＴＦＴアレイ基板１０側から出射することで、画像表示領域１０ａにおいて画像を表示
するものである。
【００２０】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置１００では、ＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは
、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互
に接着されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入さ
れている。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を
所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が散らばって配
設されている。
【００２１】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領
域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、この
ような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設
けられてもよい。
【００２２】
また、本実施形態においては、前記の画像表示領域１０ａの周辺に位置する非表示領域
が存在する。非表示領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する
領域には、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に
沿って設けられている。図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に露出して設けられ
た実装端子１０２にフレキシブルプリント基板等を接続することにより、電気光学装置１
００と例えば電子機器の制御装置等の外部との電気的接続が行われる。
【００２３】
また、走査線駆動回路１０４は、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２が設けら
れたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われる
ように設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺、すなわちデータ線駆動
回路１０１及び実装端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に対向する辺に
沿って設けられ、額縁遮光膜５３に覆われるように設けられた複数の配線１０５によって
、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されている。
【００２４】
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１
０と対向基板２０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が
配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する
領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して
、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。
【００２５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、
データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他
方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更
には最上層部分に配向膜２２が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０
のそれぞれ液晶層５０と接する面に形成された配向膜１６及び２２は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ
、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成された無機配向膜である。本実施形態において、配
向膜１６及び２２とは、それぞれＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の基板表面に対
し所定の角度をもってＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料を蒸着する斜方配向蒸着
法によって形成されるものである。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック
液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態
をとる。
【００２６】
また、対向基板２０の入射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射す
る側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴ
Ｎ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード、ＶＡ（垂直配向）モード等の動作モ
ードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィ
ルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００２７】
次に、図３を参照して、上述した電気光学装置の電気的な構成について説明する。図３
は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、配線等の等価回路である。
【００２８】
図３に示すように、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリ
クス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイ
ッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線
６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２９】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミ
ングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを
、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレ
インに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけその
スイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ
ｎが所定のタイミングで選択された走査線１１ａの画素に書き込まれる。
【００３０】
画素に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成さ
れた対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集
合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリー
ホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率
が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて
入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコン
トラストをもつ光が出射する。
【００３１】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との
間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線
１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極が、定電位に固定された容量配線４００に
接続されている。
【００３２】
次に、本実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板１０の構造について図４を参
照して説明する。図４は、ＴＦＴアレイ基板１０のＴＦＴ３０部の断面図である。図４に
示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａの他、各種の構成要素が
積層構造をなして配置されている。
【００３３】
図４に示すように、ガラス基板からなるＴＦＴアレイ基板１０には、例えばシリコン酸
化膜等からなる下地絶縁膜５２０が形成されている。この下地絶縁膜５２０上には、導電
性ポリシリコン膜からなる図示しない複数の走査線１１ａが形成されると共に、走査線１
１ａと同一膜により形成されるゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。
【００３４】
ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、上述したゲ
ート電極３ａと、半導体膜１ａと、ゲート電極３ａと半導体膜１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜２とを有して構成される。半導体膜１ａは、例えばポリシリコンからなり、ゲート電
極３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａ’と、低濃度ソース領域
１ｂと、高濃度ソース領域１ｄと、低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｅ
により構成されている。
【００３５】
そして、走査線１１ａ及びＴＦＴ３０の上には、例えばＢＰＳＧ膜からなる第１層間絶
縁膜５２１が形成されている。第１層間絶縁膜５２１には、第１層間絶縁膜５２１の表面
から、第１層間絶縁膜５２１及びゲート絶縁膜２を貫通して、半導体膜１ａにおける高濃
度ドレイン領域１ｅ及び高濃度ソース領域１ｄの表面にそれぞれ至るコンタクトホール５
０１及び５０２が形成されている。そして、コンタクトホール５０１及び５０２の底部か
ら側壁及び第１層間絶縁膜５２１の表面に連続的に、例えばアルミニウムを含む導電性材
料からなる導電膜が形成されている。この導電膜の一部を用いて、第１層間絶縁膜５２１
上には、ドレイン電極５１０とデータ線６ａが形成されている。ドレイン電極５１０は、
コンタクトホール５０１を介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続さ
れている。また、データ線６ａは、コンタクトホール５０２を介してＴＦＴ３０の高濃度
ソース領域１ｄに接続されている。第１層間絶縁膜５２１は、ＴＦＴ３０が形成されてい
る層とデータ線６ａが形成されている層とを絶縁している。
【００３６】
また、第１層間絶縁膜５２１上には、例えばＢＰＳＧ膜からなる第２層間絶縁膜５２２
が形成されている。そして、第２層間絶縁膜５２２には、第２層間絶縁膜５２２の表面か
ら、第２層間絶縁膜５２２を貫通してドレイン電極５１０の表面に至るコンタクトホール
５０５が形成されている。コンタクトホール５０５の底部から側壁及び第２層間絶縁膜５
２２の表面には、透明な導電膜であるＩＴＯ膜が連続的に形成されることにより、画素電
極９ａが形成されている。
【００３７】
なお、本実施形態では、電気光学装置１００に透過型のＴＦＴアクティブマトリクス駆
動方式の液晶パネルを用いているが、液晶表示装置である電気光学装置１００は、任意の
駆動方式及び採光方式によって構成されてよい。例えば、液晶の駆動方式は単純マトリク
ス駆動方式であってもよく、また採光方式は、半透過半反射型及び反射型であってもよい
。また、液晶パネルにアクティブマトリクス方式の駆動方式を採用した場合、液晶パネル
は能動素子としてＴＦＤを用いたものであってもよい。
【００３８】
また、上述の本実施形態の電気光学装置１００は、例えば、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モ
ード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード、ＶＡ（垂直配向）モード等の動作モードを
採用した液晶パネルや、片側の基板に、一対の電極が形成される液晶パネル、例えばＩＰ
Ｓ（In-Plane Switching）等であっても構わない。
【００３９】
次に、本実施形態に係る電気光学装置用基板である、マザー基板の構成について説明す
る。図５は、本実施形態の電気光学装置用基板であるマザー基板３５の平面図である。図
５に示すように、円板形状を有するマザー基板３５のレジスト塗布面であるパターン形成
面３５ａ上には、本実施形態の電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０を構成するた
めの複数のパターン１０ｂが、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔でマトリクス状に配列
されて形成されている。すなわち、マザー基板３５のパターン形成面３５ａ上に、上述し
たＴＦＴアレイ基板１０を構成する、ＴＦＴ３０、データ線６ａ及び走査線１１ａ等が、
フォトリソグラフィ工程とエッチング工程とによって形成されることで複数のパターン１
０ｂが形成され、該パターン１０ｂがマザー基板３５から切り出されることにより、本実
施形態の電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０が形成される。
【００４０】
例えば、ＴＦＴ３０を構成する半導体膜１ａは、以下のように形成される。シリコン酸
化膜からなる下地絶縁膜５２０が形成されたマザー基板３５上に、ＣＶＤ法によりポリシ
リコン膜を所定の厚さで形成する。このとき、ポリシリコン膜は、マザー基板３５のパタ
ーン形成面３５ａの反対側の面である裏面３５ｂ上にも形成される。その後、該ポリシリ
コン膜にフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等を施すことにより、所定のパターン
形状を有する半導体膜１ａが形成されるのである。
【００４１】
ここで、フォトリソグラフィ工程とは、主に、感光性樹脂であるレジストをマザー基板
３５のパターン形成面３５ａ上に塗布する工程（レジスト塗布工程）と、該レジストを回
路設計に応じたパターンで露光する工程（露光工程）と、露光したレジストを現像してマ
ザー基板３５上に回路パターン形状のマスクを形成する工程（現像工程）とを有するもの
である。
【００４２】
なお、本実施形態ではマザー基板３５に、複数のＴＦＴアレイ基板１０を構成するパタ
ーン１０ｂを形成しているが、マザー基板３５一枚につき、パターン１０ｂを一つだけ形
成する構成であってもよい。また、マザー基板３５の形状は略円形に限らず、矩形状であ
ってもよい。
【００４３】
ここで、本実施形態の電気光学装置用基板の基板処理装置である、レジスト塗布装置２
００とレジスト塗布工程について以下に説明する。図６はレジスト塗布装置２００の構成
を説明するブロック図である。図７は、レジスト塗布工程を説明するフローチャートであ
る。図８は、冷却装置の概略構成を示す断面図である。図９は、図８のIX−IX断面図であ
る。
【００４４】
本実施形態のレジスト塗布装置２００は、フォトリソグラフィ工程のレジスト塗布工程
をマザー基板３５に対して施す装置であり、スピン方式によりマザー基板３５のレジスト
塗布面であるパターン形成面３５ａ上にレジストを塗布するものである。
【００４５】
図６に示すように、レジスト塗布装置２００は、８箇所の区画にそれぞれ配設されたロ
ーダ２０１、洗浄装置２０２、疎水化処理装置２０３、冷却装置２０４、スピンコート装
置２０５、加熱装置２０６、冷却装置２０７及びアンローダ２０８を具備して構成されて
いる。また、図示しないが、レジスト塗布装置２００には制御装置と基板搬送装置とが配
設されている。制御装置は、上述の８箇所の区画に配設された各装置の動作を制御するも
のであり、基板搬送装置は上述の８箇所の区画間におけるマザー基板３５の受け渡しを行
うものである。
【００４６】
ローダ２０１は、複数のマザー基板３５が収容された図示しないキャリアからマザー基
板３５を取り出し、レジスト塗布装置２００内に搬入する装置である。洗浄装置２０２は
、マザー基板３５上に付着した異物や汚れを、薬品や溶剤等を用いてスピン洗浄により洗
浄する装置である。
【００４７】
疎水化処理装置２０３は、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）蒸気中にマザー基板３
５をおよそ９０℃まで加熱して保持することにより、マザー基板３５の表面を疎水化する
装置である。
【００４８】
冷却装置２０４は、詳しくは後述するものであるが、マザー基板３５を所定の温度、本
実施形態では２２℃から２３℃にまで冷却する装置であり、さらに、マザー基板３５のレ
ジスト塗布面であるパターン形成面３５ａとは反対側の面である裏面３５ｂ上に紫外線を
照射する紫外線照射装置を備えるものである。
【００４９】
スピンコート装置２０５は、マザー基板３５表面上にレジストを塗布する装置であり、
略水平に保持されたマザー基板３５のパターン形成面３５ａ上にレジストを滴下し、マザ
ー基板３５を略水平面上で回転させることにより、レジストをパターン形成面３５ａ全体
に均一な膜厚で塗布するものである。
【００５０】
加熱装置２０６は、ホットプレートを具備し、レジスト塗布後のマザー基板３５を加熱
する装置である。冷却装置２０７は、クーリングプレートを具備し、マザー基板３５を所
定の温度にまで冷却する装置である。
【００５１】
アンローダ２０８は、マザー基板３５をレジスト塗布装置２００外に搬出する装置であ
り、レジスト塗布工程が施されたマザー基板３５をキャリア内に収容するものである。ア
ンローダ２０８は、マザー基板３５を、直接、後の工程である露光工程を行う露光装置に
搬入するものであってもよい。
【００５２】
なお、図６に示すレジスト塗布装置２００は、各工程をこなす区画が直列に配置されて
いるものであるが、本発明はこの形態に限るものではない。例えば各区画が、水平方向及
び上下方向に立体的に配置されたものであってもよい。
【００５３】
以下に、図８及び図９を参照して冷却装置２０４の構成について詳細に説明する。図８
において、紙面に正対して上方が冷却装置２０４の上方向となる。本実施形態の冷却装置
２０４は、区画室３０１内に、基板支持手段であるクーリングプレート３１０と、紫外線
照射手段である紫外線照射装置３２０とが配設されて構成されている。
【００５４】
区画室３０１は、略直方体形状の内部空間を有し、側壁には内部空間と外部空間とを連
通し開閉可能な開口部である搬入口３０２及び搬出口３０３が設けられている。該搬入口
３０２及び搬出口３０３を介して、マザー基板３５が、区画室３０１内に搬入され、区画
室３０１内から搬出される。なお、マザー基板３５の搬出入は、同一の開口部から行われ
る構成であってもよい。
【００５５】
区画室３０１内の底面部上には、紫外線照射装置３２０が配設されている。紫外線照射
手段である紫外線照射装置３２０は、少なくとも紫外線領域の波長を含む光を出射する光
源である、キセノンエキシマランプ３２１と、反射板３２２と、電源装置３２３とを具備
している。ここで、本実施形態における紫外線領域の光の波長とは、１００ｎｍ以上４０
０ｎｍ以下の波長の領域を指す。紫外線照射装置３２０に用いられる光源は、より波長が
短くエネルギーの高い紫外線を発することが好ましく、より具体的には、キセノンエキシ
マランプ３２１は、１７２ｎｍの波長を中心とした光を発するものである。なお、紫外線
照射装置３２０に用いられる光源は、キセノンエキシマランプ以外の、低圧水銀ランプ等
の他の波長の紫外線を発する光源であってもよい。
【００５６】
キセノンエキシマランプ３２１は、電源制御装置３２３に接続されており、電源制御装
置３２３により点灯が制御される。電源制御装置３２３は、図示しないレジスト塗布装置
２００の制御装置に電気的に接続されている。また、キセノンエキシマランプ３２１の下
方には反射板３２２が配設されており、キセノンエキシマランプ３２１から下方へ発せら
れた紫外線は、該反射板３２２により反射されて上方へ出射される。これにより、紫外線
照射装置３２０が出射する紫外線の出射方向は上方のみとなり、紫外線の利用効率が向上
する。言い換えれば、紫外線照射装置３２０は、冷却装置２０４の区画室３０１内におい
て、紫外線を上方へ出射するものである。
【００５７】
区画室３０１内であり紫外線照射装置３２０の上方には、基板支持手段であるクーリン
グプレート３１０が、支柱３０５に支持されて配設されている。クーリングプレート３１
０は、上面が略水平となるように配設された円板形状の基部３１１と、基部３１１から上
方に突設された複数の支持ピン部３１２とから構成されている。クーリングプレート３１
０の基部３１１の外径は、マザー基板３５の外径よりも大きく形成されている。一方、複
数の支持ピン部３１２は、基部３１１の上面部に周方向に等間隔に配置され、そのピッチ
円直径は、マザー基板３５の外径よりも小さくなるように設定されている。また、複数の
支持ピン部３１２は、その先端部が基部３１１の上面部から同一の高さとなるように形成
されており、これらの支持ピン部３１２の先端部を含む平面が、マザー基板３５を支持す
る支持面として構成されている。
【００５８】
クーリングプレート３１０は、前述の紫外線照射装置３２０が出射する紫外線を透過す
る材料で構成されており、本実施形態ではクーリングプレート３１０は、石英により構成
されている。なお、クーリングプレート３１０を構成する材料は、石英に限るものではな
く、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、水晶、透光性セラミック等の紫外線を透過
する材料であればよい。
【００５９】
また、区画室３０１内には、図９に示すように、区画室３０１の上方から見て、クーリ
ングプレート３１０の基部３１１の上面部の外縁部から区画室の側壁までを連続的に覆う
遮光板３０４が配設されている。より詳しくは、区画室３０１内を上下に２分する板状の
遮光板３０４に、クーリングプレート３１０の基部３１１の外径よりも小さい円形の開口
部３０４ａが形成されており、該開口部３０４ａから遮光板の上面よりも上方に支持ピン
部３１２の先端部が突出している。
【００６０】
また、冷却装置２０４の区画室３０１内の温度は、所定の温度に変更できるように制御
装置により制御されている。
【００６１】
以上に説明した構成を有するレジスト塗布装置２００において、マザー基板３５に施さ
れる本実施形態の電気光学装置の製造方法であるレジスト塗布工程について、以下に図７
に示したフローチャートを参照して説明する。なお、以下に説明する各工程は、レジスト
塗布装置２００の制御装置により制御され自動的に実施されるものである。
【００６２】
まず、ローダ２０１により、複数のマザー基板３５を収容したキャリアから、１枚のマ
ザー基板３５がレジスト塗布装置２００内に搬入される（ステップＳ０１）。マザー基板
３５は、搬送装置により洗浄装置２０２へ搬送される。
【００６３】
次に、洗浄装置２０２により、マザー基板３５の表面が、薬品や溶剤等を用いて洗浄さ
れる（ステップＳ０２）。これにより、マザー基板３５の表面に付着した異物や汚れが除
去される。マザー基板３５は、乾燥後、搬送装置により疎水化処理装置２０３へ搬送され
る。
【００６４】
次に、疎水化処理装置２０３において、マザー基板３５がおよそ９０℃に加熱された状
態でＨＭＤＳ蒸気中に曝され、マザー基板３５上にＨＭＤＳが付着することにより、マザ
ー基板３５の表面が疎水性となる（ステップＳ０３）。これにより、マザー基板３５の表
面へのレジストの密着性が向上する。この疎水化処理は、密着性向上処理、アドヒージョ
ン処理と称されることもある。マザー基板３５は、搬送装置により冷却装置２０４へ搬送
される。
【００６５】
次に、冷却装置２０４において、マザー基板３５はクーリングプレート２１０の支持ピ
ン部３１２上に載置される。冷却装置２０４の区画室３０１内の温度は、本実施形態では
２２℃となるように略一定に保たれており、マザー基板３５は、クーリングプレート３１
０上に載置された状態で、全体の温度が２２℃になるまで冷却される。
【００６６】
また、このマザー基板３５の冷却時に、紫外線照射装置３２０のキセノンエキシマラン
プ３２１が所定の時間だけ点灯される。紫外線照射装置３２０から出射される紫外線は、
クーリングプレート３１０を透過して、マザー基板３５のレジスト塗布面であるパターン
形成面３５ａとは反対側の面である裏面３５ｂ上に照射される。
【００６７】
ここで、紫外線のエネルギーにより、裏面３５ｂ上に付着したＨＭＤＳの表面のＣ−Ｈ
結合が切断され、ＨＭＤＳの表面にはヒドロキシル基等が形成される。これにより、マザ
ー基板３５の裏面３５ｂ上は親水性に改質される（ステップＳ０４）。なお、ここで親水
性とは、水の接触角の数値により客観的に規定しているものではなく、紫外線を照射する
前の状態と比して相対的に水の接触角が小さくなることを、親水性に改質されると称して
いる。また、キセノンエキシマランプ３２１が点灯される時間は、紫外線照射装置３２０
が出射する紫外線のエネルギーが、マザー基板３５の裏面３５ｂ上を親水性に改質するに
足る時間とされる。
【００６８】
また、マザー基板３５をクーリングプレート３１０上に載置した状態では、マザー基板
３５と紫外線照射装置３２０との間に遮光板３０４が配設されていることにより、マザー
基板３５の裏面３５ｂのみが開口部３０４ａを介して紫外線照射装置３２０側に露出して
いる。このため、紫外線照射装置３２０から出射された紫外線が、マザー基板３５のレジ
スト塗布面であるパターン形成面３５ａ上に照射されることがない。したがって、パター
ン形成面３５ａ上は疎水性のままに保たれ、レジストとの密着性が低下することがない。
マザー基板３５は、搬送装置によりスピンコート装置２０５へ搬送される。
【００６９】
次に、スピンコート装置２０５において、マザー基板３５は、略水平に保持された状態
でパターン形成面３５ａ上にレジストを滴下され、さらに略水平面上で回転される。これ
により、マザー基板３５のパターン形成面３５ａ上にレジストが均一な膜厚で塗布される
（ステップＳ０５）。マザー基板３５は、搬送装置により加熱装置２０６へ搬送される。
【００７０】
加熱装置２０６において、マザー基板３５はホットプレート上に載置され加熱される（
プリベーク処理）。これにより、レジスト中の溶剤が蒸発し、マザー基板３５とレジスト
との密着性が向上する（ステップＳ０６）。マザー基板３５は、搬送装置により冷却装置
２０７へ搬送される。
【００７１】
冷却装置２０７において、マザー基板３５は、クーリングプレート上に載置され、冷却
される（ステップＳ０７）。マザー基板３５は、搬送装置によりアンローダ２０８へ搬送
される。  
アンローダ２０８により、マザー基板３５は、キャリア内に収容されレジスト塗布装置
２００外に搬出される（ステップＳ０８）。
【００７２】
以上の工程により、マザー基板３５のパターン形成面３５ａ上へのレジスト塗布工程が
終了する。
【００７３】
以下に、本実施形態に係る電気光学装置用基板の基板処理装置及び電気光学装置の製造
方法の作用及び効果を説明する。
【００７４】
本実施形態では、冷却装置２０４内において、マザー基板３５のレジスト塗布面である
パターン形成面３５ａとは反対側の面である裏面３５ｂ上のみに紫外線が照射される。こ
れにより、前工程においてＨＭＤＳが付着することで表面全体が疎水化されたマザー基板
３５は、その裏面３５ｂのみが親水化される。よって、マザー基板３５の裏面３５ｂとレ
ジストとの密着性が低下する。
【００７５】
したがって、スピンコート装置２０５において、雰囲気中に飛散しているミスト状のレ
ジストが、マザー基板３５の裏面３５ｂ上に付着しにくくなる。また、レジストの液滴が
裏面３５ｂ上に付着してしまった場合においても、裏面３５ｂとレジストとの密着性は低
いため、洗浄により容易に除去することができる。
【００７６】
よって、レジスト塗布時にマザー基板３５の裏面３５ｂに付着した有機物であるレジス
トが膜状に残存してしまうことがない。これにより、レジストが残存することによる表示
むらが発生することがなく、本実施形態の電気光学装置１００は、高い表示品位を実現す
ることができるのである。
【００７７】
また、本実施形態では、マザー基板３５の裏面３５ｂの親水化処理は、従来のレジスト
塗布工程においても行われているマザー基板３５の冷却工程と同時に行われる。このため
、マザー基板３５の裏面３５ｂの親水化処理が、レジスト塗布工程の工程時間に影響を及
ぼすことがなく、本実施形態では従来のレジスト塗布工程と同等の処理時間で、レジスト
塗布工程を終えることができる。
【００７８】
また、冷却装置２０４内では、マザー基板３５と紫外線照射装置３２０との間に遮光板
３０４が配設されていることにより、マザー基板３５の裏面３５ｂのみに紫外線を照射す
ることができる。よって、パターン形成面３５ａ上は疎水性のままに保たれ、レジストと
の密着性が低下することがなく、精密かつ微細なレジストパターンを形成することが可能
となり、電気光学装置１００の回路を高品位に形成することができる。
【００７９】
また、本実施形態では、キセノンエキシマランプ３２１の点灯時間を制御することで、
紫外線照射装置３２０から出射される紫外線のエネルギー量を所定の値に制御することが
可能である。このため、マザー基板３５を構成する材料が異なる場合でも、裏面３５ｂの
親水化の度合いを変化させて容易に対応することができる。特に、マザー基板３５が、紫
外線をある割合で透過してしまう場合に、マザー基板３５のパターン形成面３５ａを疎水
性に保ったまま、裏面３５ｂをできるだけ親水性に近づけるといった制御が可能となる。
【００８０】
なお、以上に説明した本実施形態では、マザー基板３５の冷却中に裏面３５ｂ上に紫外
線を照射する構成としているが、マザー基板３５の裏面３５ｂ上に紫外線を照射するタイ
ミングはこれに限るものではなく、マザー基板３５の疎水化後かつレジスト塗布前に、裏
面３５ｂにのみ紫外線を照射するものであればよい。例えば、専用の紫外線照射工程を設
けてもよいし、搬送装置に紫外線照射装置を組み込む構成であってもよい。
【００８１】
また、本発明は、本実施形態に係るアクティブマトリクス駆動の液晶表示装置の他に、
電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置、電子放出回路
素子を備えた装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter 
Display）等の電気光学装置の技術分野に属するものである。
【００８２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から
読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更
を伴う電気光学装置用基板の基板処理装置及び電気光学装置の製造方法もまた本発明の技
術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】マトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。
【図５】マザー基板の平面図である。
【図６】レジスト塗布装置の構成を説明するブロック図である。
【図７】レジスト塗布工程を説明するフローチャートである。
【図８】冷却装置の概略構成を示す断面図である。
【図９】図８のIX−IX断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
３５  マザー基板、  ３５ａ  パターン形成面、  ３５ｂ  裏面、  ２０４  冷却装置
、  ３０１  区画室、  ３０２  搬入口、  ３０３  搬出口、  ３０４  遮光板、  ３０
５  支柱、  ３１０  クーリングプレート、  ３１１  基部、  ３１２  支持ピン部、  
３２０  紫外線照射装置、  ３２１  キセノンエキシマランプ、  ３２２  反射板、  ３
２３  電源制御部
【図１】
2007328140.tif 000003
【図２】
2007328140.tif 000004
【図３】
2007328140.tif 000005
【図４】
2007328140.tif 000006
【図５】
2007328140.tif 000007
【図６】
2007328140.tif 000008
【図７】
2007328140.tif 000009
【図８】
2007328140.tif 000010
【図９】
2007328140.tif 000011