(57)【要約】【課題】多層プリント配線基板におけるグラウンド層の共振によるノイズ及びＥＭＩ（不要電磁輻射）を効果的に低減できる多層プリント配線基板を提供する。【解決手段】本発明の多層プリント配線基板は，電源層とグラウンド層とを有する多層基板と，ノイズ源となる能動素子と，第１及び第２コンデンサとを備え，能動素子と第１及び第２コンデンサは，それぞれ，電源層及びグラウンド層に接続され，グラウンド層は，長方形であり，能動素子が，グラウンド層の長辺又は短辺に垂直であって電源層上のグラウンド層中心の対応位置を通る直線上で電源層に接続されていて，かつ第１及び第２コンデンサが，それぞれ，前記直線に対応するグラウンド層上の直線に対して線対称となる位置でグラウンド層に接続されているか，能動素子が，電源層上のグラウンド層中心の対応位置で電源層に接続されていて，かつ第１及び第２コンデンサが，それぞれ，グラウンド層の中心に点対称となる位置でグラウンド層に接続されていることを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源層とグラウンド層とを有する多層基板と，ノイズ源となる能動素子と，第１及び第２コンデンサとを備え，能動素子と第１及び第２コンデンサは，それぞれ，電源層及びグラウンド層に接続され，
グラウンド層は，長方形であり，
能動素子が，グラウンド層の長辺又は短辺に垂直であって電源層上のグラウンド層中心の対応位置を通る直線上で電源層に接続されていて，かつ第１及び第２コンデンサが，それぞれ，前記直線に対応するグラウンド層上の直線に対して線対称となる位置でグラウンド層に接続されているか，
能動素子が，電源層上のグラウンド層中心の対応位置で電源層に接続されていて，かつ第１及び第２コンデンサが，それぞれ，グラウンド層の中心に点対称となる位置でグラウンド層に接続されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
【請求項２】
能動素子は，電源層上のグラウンド層中心の対応位置で電源層に接続され，電源層上の前記直線は，グラウンド層の長辺と短辺のうちの一方に垂直であり，第１及び第２コンデンサは，グラウンド層の長辺と短辺のうちの他方に垂直であってかつグラウンド層の中心を通る直線上に配置されている請求項１に記載の基板。
【請求項３】
電源層は，面積がグラウンド層よりも小さく，かつ全体がグラウンド層に対向し，第１及び第２コンデンサは，グラウンド層上の電源層端部の対応位置でグラウンド層に接続されている請求項１に記載の基板。
【請求項４】
絶対グラウンド層をさらに備え，
グラウンド層と絶対グラウンド層とは，接続部において互いに接続され，
前記接続部は，グラウンド層上の前記直線上に配置されている請求項１に記載の基板。
【請求項５】
前記接続部は，第１及び第２接続部からなり，
第１及び第２接続部は，グラウンド層の中心を挟んで等距離の位置に配置されている請求項４に記載の基板。
【請求項６】
電源層とグラウンド層とを有する多層基板と，ノイズ源となる能動素子と，第１，第２，第３及び第４コンデンサとを備え，能動素子と，第１，第２，第３及び第４コンデンサは，それぞれ，電源層及びグラウンド層に接続され，
グラウンド層は，長方形であり，能動素子は，電源層上のグラウンド層中心の対応位置で電源層に接続され，
第１コンデンサは，グラウンド層の中心を通り，かつグラウンド層の長辺又は短辺に垂直な直線上以外の位置で，第１コンデンサに対して，第２コンデンサは，グラウンド層の中心を通り，かつグラウンド層の長辺に垂直な直線に線対称の位置で，第３コンデンサは，グラウンド層の中心を通り，かつグラウンド層の短辺に垂直な直線に線対称の位置で，第４コンデンサは，グラウンド層の中心に点対称の位置でグラウンド層に接続されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，多層プリント配線基板で発生する共振を抑制するために，コンデンサが所定の位置に配置された多層プリント配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
信号源の電源若しくはグラウンドの端子ピン等から高周波ノイズが電源層若しくはグラウンド層へ流れることにより，対向する電源層及びグラウンド層において電気的共振が発生することでＥＭＩ（不要電磁輻射）が発生する。これを抑制する方法として，デカップリングコンデンサを対向する電源層若しくはグラウンド層間に配置するか，又は多層プリント配線基板をシールドケースに収納する等の対策が必要であった。
【０００３】
これに対して，特許文献１には，多層プリント配線基板の端部における共振電流の反射を低減させるため，多層プリント配線基板の周辺部若しくは端部に沿って複数の第１コンデンサを配置すると共に，この第１コンデンサと多層プリント配線基板上に実装されたＩＣ等の能動素子との間に流れるループ電流を抑制するための第２コンデンサを能動素子の電源端子に，又はその近傍の電源層とグラウンド層との間に接続する技術が開示されている。
【０００４】
また，特許文献２では，第１及び第２グラウンド層を，それぞれ表面及び裏面から１層目又は２層目に配置すると共に，これらのグラウンド層で挟まれる信号層又は電源層を包み込むように，前記第１及び第２グラウンド層の端部を導電性のシールド材で接続することにより，共振により外部に放射される不要電磁輻射を低減する技術が開示されている。
【０００５】
また，特許文献３では，電源層とグラウンド層との間に形成した絶縁体の多層プリント配線基板の周辺部に形成した絶縁体の誘電率及び誘電正接が，中央部の絶縁体の誘電率および誘電正接の値より高い絶縁層を形成することにより，電源層若しくはグラウンド層の共振を低減する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−１１２５７４号公報
【特許文献２】特開２００４−３６３３４７号公報
【特許文献３】特開２００５−１２９６１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら，特許文献１に記載された技術では，基板周辺部若しくは端部に沿って複数のコンデンサを配置しているため，共振抑制のために追加される対策部品の点数が多くなるという問題があった。また，特許文献２及び特許文献３に記載された技術では何れも，多層プリント配線基板の構成が複雑となるため，多層プリント配線基板の製造にかかる工数及びコストが増加するという問題があった。
【０００７】
本発明は，このような事情に鑑みてなされたものであり，少ない抑制用実装部品（デカップリングコンデンサ等）で，多層プリント配線基板におけるグラウンド層の共振によるノイズ及びＥＭＩ（不要電磁輻射）を効果的に低減できる多層プリント配線基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００８】
本発明の多層プリント配線基板は，電源層とグラウンド層とを有する多層基板と，ノイズ源となる能動素子と，第１及び第２コンデンサとを備え，能動素子と第１及び第２コンデンサは，それぞれ，電源層及びグラウンド層に接続され，グラウンド層は，長方形であり，能動素子が，グラウンド層の長辺又は短辺に垂直であって電源層上のグラウンド層中心の対応位置を通る直線上で電源層に接続されていて，かつ第１及び第２コンデンサが，それぞれ，前記直線に対応するグラウンド層上の直線に対して線対称となる位置でグラウンド層に接続されているか，能動素子が，電源層上のグラウンド層中心の対応位置で電源層に接続されていて，かつ第１及び第２コンデンサが，それぞれ，グラウンド層の中心に点対称となる位置でグラウンド層に接続されていることを特徴とする。
【０００９】
ここで，本発明の作用効果について説明する。多層基板上にノイズ源となる能動素子が設けられると，電源層及びグラウンド層上に定在波が生じることがある。この定在波は，一般に，多層基板の，共振方向における長さＬを１／２波長とし，式（１）：
【数１】
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（但し，ｆ：共振周波数，εr：比誘電率，ｃ：光速である。）で表される周波数の基本波に対して，２次高調波，３次高調波などの整数次高調波が合成されたものである。
【００１０】
グラウンド層の形状が長方形であるので，長さＬは，式（２）：
【数２】
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（但し，ａ：長方形の長辺の長さ，ｂ：長方形の短辺の長さ，ｍ：長さａに対する共振モードの次数，ｎ：長さｂに対する共振モードの次数である。）のように表現され，ｍ，ｎの値を変化させることによって，整数次高調波の周波数が得られる。
【００１１】
ここで，多層基板の電源層に生じる定在波について，図１（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。図１（ａ），（ｂ）は，それぞれ，多層基板１の平面図，側断面図を示す。多層基板１は，電源層３とグラウンド層５とを備えている。グラウンド層５は，長方形である。電源層３とグラウンド層５には，ノイズ源となる能動素子７が接続されている。能動素子７は，位置９において，電源層３に接続されている。位置９は，電源層３上のグラウンド層５中心の対応位置である。本明細書において，「対応位置」とは，平面的に見たときに重なる位置である。能動素子７がグラウンド層５に接続される位置１０は，あまり本発明の効果に影響を与えず，前記直線上又はその近傍であればよい。グラウンド層５のＸ方向の長さをＡ，Ｙ方向の長さをＢとする。
【００１２】
図１（ｃ）〜（ｅ）は，それぞれ，ｍ＝０，ｎ＝１の共振モード，ｍ＝０，ｎ＝２の共振モード，ｍ＝０，ｎ＝３の共振モードにおける多層基板１の電源層３での共振電流の分布を解析した結果を示す。図１（ｃ）〜（ｅ）において※印は，それぞれ，共振電流の振幅が最大になる位置を示している（以下の電流分布を示す全ての図において同様である。）。図１（ｆ）は，ｍ＝０，ｎ＝１，２，３の各共振モードにおける共振電流の分布をグラフで示したものであり，横軸を多層基板１のＹ方向の位置，縦軸に共振電流の大きさを示している。なお，電流の大きさの正負は，Ｙ軸方向に電流が流れる向きを示している。
【００１３】
図１（ｃ）〜（ｅ）では，いずれも，Ｙ方向に沿って多層基板１の端部を節とした正弦振動をしており，半波長の数が各ｎと同じとなっている。このｎが奇数であるときの共振モードを奇数モード，偶数であるときの共振モードを偶数モードと呼ぶこととする。奇数モードは，多層基板の中心で共振電流が腹となっており，偶数モードでは，多層基板の中心で共振電流が節となっている。
【００１４】
次に，電源層３及びグラウンド層５にコンデンサを接続したときに，共振電流がどのように変化するのかを示す。
図２（ａ）〜（ｃ）は，それぞれ，第１コンデンサ１１のみを接続したときの，平面図，側断面図，ｍ＝０，ｎ＝３の共振モードにおける電源層３での共振電流の分布を示すグラフである。能動素子７は，（Ｘ，Ｙ）＝（０，０）の位置９において，電源層３に接続されており，位置１０において，グラウンド層５に接続されている。また，第１コンデンサ１１は，（Ｘ，Ｙ）＝（０，Ｃ）（但し，Ｃ≦Ｂ／２である。）の位置１３において，グラウンド層５に接続されており，位置１５において，電源層３に接続されている。図２（ｃ）のグラフから明らかなように，第１コンデンサ１１のみを電源層３及びグラウンド層５に接続したときの，ｍ＝０，ｎ＝３の共振モードの定在波は，図１（ｆ）のものと実質的に同じである。
【００１５】
図３（ａ）〜（ｃ）は，それぞれ，第２コンデンサ１７のみを接続したときの，平面図，側断面図，ｍ＝０，ｎ＝３の共振モードにおける多層基板１の電源層３での共振電流の分布を示すグラフである。能動素子７は，図２（ａ），（ｂ）に示す位置と同じ位置で，電源層３及びグラウンド層５に接続されている。また，第２コンデンサ１７は，（Ｘ，Ｙ）＝（０，−Ｃ）（但し，Ｃ≦Ｂ／２である。）の位置１９において，グラウンド層５に接続されており，位置２１において，電源層３に接続されている。図３（ｃ）のグラフから明らかなように，第２コンデンサ１７のみを電源層３及びグラウンド層５に接続したときの，ｍ＝０，ｎ＝３の共振モードの定在波は，図１（ｆ）のものに対して，上下が反転した形状になっている。
【００１６】
第１及び第２コンデンサ１１，１７は，それぞれ，グラウンド層５の長辺に垂直であってグラウンド層５の中心を通る直線に線対称であり，かつグラウンド層５の短辺に垂直であってグラウンド層５の中心を通る直線上の位置で，グラウンド層５に接続されている。
【００１７】
図２（ｃ）と図３（ｃ）とを比較すると，第１コンデンサ１１のみを接続したときと，第２コンデンサ１７のみを接続したときとでは，共振電流の流れる方向が逆であり，その大きさが同じになっていることが分かる。このことは，図４（ａ），（ｂ）に示すように，第１コンデンサ１１と第２コンデンサ１７の両方を接続したときは，それぞれの共振電流が互いに打ち消し合うことを示している。これによって，電源層３とグラウンド層５の間の共振が抑制され，共振により発生する不要電磁輻射を低減することができる。なお，グラウンド層５に対向する絶対グラウンド層が設けられている場合には，グラウンド層５と絶対グラウンド層の間の共振も抑制される。
【００１８】
以上の内容は，第１及び第２コンデンサ１１，１７が，グラウンド層５の短辺に垂直であってグラウンド層５の中心を通る直線に線対称であり，かつグラウンド層５の長辺に垂直であってグラウンド層５の中心を通る直線上に配置されている場合にも同様に当てはまる
また，第１及び第２コンデンサ１１，１７は，それぞれ，グラウンド層５の中心に点対称となる位置でグラウンド層５に接続されていてもよい。この場合は，Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方について共振電流の打ち消しの効果が得られる。但し，第１及び第２コンデンサ１１，１７が，Ｙ軸上又はＸ軸上にある場合（それぞれ，Ｘ軸，Ｙ軸に対して線対称にもなっている場合）は，それぞれ，Ｙ軸方向又はＸ軸方向のみについて共振電流の打ち消しの効果が得られる。
さらに，能動素子７は，グラウンド層５の長辺又は短辺に垂直であって電源層３上のグラウンド層５中心の対応位置を通る直線上で電源層３に接続してもよく，この場合，第１及び第２コンデンサ１１，１７を，それぞれ，前記直線に対応するグラウンド層５上の直線に対して線対称となる位置でグラウンド層５に接続することによって，同様に，共振電流の打ち消しの効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
１．第１実施形態
図５（ａ），（ｂ）は，それぞれ，本発明の第１実施形態の多層プリント配線基板の構成を示す，平面図，側断面図である。本実施形態の多層プリント配線基板は，電源層３とグラウンド層５とを有する多層基板１と，ノイズ源となる能動素子７と，第１及び第２コンデンサ１１，１７とを備える。電源層３，グラウンド層５及び絶対グラウンド層２３は，それぞれ，ＸＹ平面に配置され，Ｚ方向に積層されている。能動素子７は，位置９，１０において，電源層３及びグラウンド層５にそれぞれ接続されている。第１コンデンサ１１は，位置１５，１３において，電源層３及びグラウンド層５にそれぞれ接続されている。第２コンデンサ１７は，位置２１，１９において，電源層３及びグラウンド層５にそれぞれ接続されている。位置９，１３，１９の座標は，それぞれ，（Ｘ，Ｙ）＝（０，０），（０，Ｂ／２），（０，−Ｂ／２）である。
【００２０】
グラウンド層５は，長方形である。能動素子７は，電源層３上のグラウンド層５中心の対応位置で電源層３に接続されている。第１及び第２コンデンサ１１，１７は，グラウンド層５の長辺に垂直であって，かつグラウンド層５の中心を通る直線に対して線対称となるように接続されている。さらに，第１及び第２コンデンサ１１，１７は，グラウンド層５の短辺に垂直であってかつグラウンド層５の中心を通る直線上に配置されている。電源層３は，面積がグラウンド層５よりも小さく（縦横の長さがそれぞれグラウンド層５の１／２倍である。），かつ全体がグラウンド層５に対向し，第１及び第２コンデンサ１１，１７は，グラウンド層５上の電源層３端部の対応位置でグラウンド層５に接続されている。さらに，グラウンド層５に対向し，かつグラウンド層５よりも面積が大きい（縦横の長さがそれぞれグラウンド層５の２倍である。）絶対グラウンド層２３が設けられている。
【００２１】
別の実施形態では，能動素子７は，グラウンド層５の長辺又は短辺方向に垂直であって，かつ電源層３上のグラウンド層５中心の対応位置を通る直線上で電源層３に接続されてもよい。別の実施形態では，能動素子７は，グラウンド層５の中心に点対称となる位置でグラウンド層５に接続され，かつ，第１及び第２コンデンサ１１，１７は，それぞれ，グラウンド層５の中心に点対称となる位置でグラウンド層５に接続されてもよい。
【００２２】
ここで，比較例として，図５（ａ），（ｂ）の構成から第２コンデンサ１７を除いたものについての，絶対グラウンド層２３表面における共振電流の分布の解析結果を図６（ａ）〜（ｃ）に示す。図６（ａ）〜（ｃ）は，それぞれ，ｍ＝０，ｎ＝１の共振モード，ｍ＝０，ｎ＝２の共振モード，ｍ＝０，ｎ＝３の共振モードにおける共振電流の分布を解析した結果を示す。なお，ここでは，絶対グラウンド層２３表面における共振電流の分布を示したが，電源層３やグラウンド層５においても，共振電流は同様の分布になっている。図６（ａ）〜（ｃ）の共振電流の分布における電流の最大値は，それぞれ，約３．５［Ａ／ｍ］，約０．２７［Ａ／ｍ］，約０．４［Ａ／ｍ］であった。
【００２３】
次に，図５（ａ），（ｂ）の構成についての，絶対グラウンド層２３表面における共振電流の分布の解析結果を図７（ａ）〜（ｃ）に示す。図７（ａ）〜（ｃ）は，それぞれ，ｍ＝０，ｎ＝１の共振モード，ｍ＝０，ｎ＝２の共振モード，ｍ＝０，ｎ＝３の共振モードにおける共振電流の分布を解析した結果を示す。図７（ａ）では，共振が発生しておらず，電流の最大値は，約０．０８５［Ａ／ｍ］であった。図７（ｂ）では，共振が発生し，電流の最大値は，約０．３４［Ａ／ｍ］であった。図７（ｃ）では，共振が発生しておらず，電流の最大値は，約０．００６［Ａ／ｍ］であった。
【００２４】
これらの結果から明らかなように，本実施形態のように第１及び第２コンデンサ１１，１７を配置することによって，奇数モードの共振電流を大幅に低減することができることが分かる。
【００２５】
２．第２実施形態
本発明の第２実施形態の多層プリント配線基板は，図８（ａ），（ｂ）に示すように，第１実施形態に類似しているが，グラウンド層５と絶対グラウンド層２３とは，第１及び第２接続部２７，２８において，接続配線２５，２６を介して，互いに接続され，第１及び第２接続部２７，２８は，グラウンド層５の長辺に垂直であって，かつグラウンド層５の中心を通る直線上であって，グラウンド層５の中心を挟んで等距離の位置に配置されている。別の実施形態では，グラウンド層５と絶対グラウンド層２３とは，１又は複数の接続部において互いに接続され，前記接続部は，前記直線上に配置されてもよい。
【００２６】
次に，図８（ａ），（ｂ）の構成についての，絶対グラウンド層２３表面における共振電流の分布の解析結果を図９（ａ）〜（ｃ）に示す。図９（ａ）〜（ｃ）は，それぞれ，ｍ＝０，ｎ＝１の共振モード，ｍ＝０，ｎ＝２の共振モード，ｍ＝０，ｎ＝３の共振モードにおける共振電流の分布を解析した結果を示す。図９（ａ）〜（ｃ）は，それぞれ，図７（ａ）〜（ｃ）に対応している。図９（ａ），（ｃ）では，図７（ａ），（ｃ）と同様に，共振が発生していない。一方，図９（ｂ）では，共振は発生しているが，その共振状態は図７（ｂ）のものとは異なっており，電流の最大値は，約０．０２［Ａ／ｍ］であり，明らかに低減していることが確認できた。このような結果が得られたのは，図７（ｂ）の共振電流が節となる位置でグラウンド層５と絶対グラウンド層２３とを接続することにより，共振周波数が高い周波数に移動するためであると考えられる。基板に流れる電流は，高い周波数になるほどレベル（強度）が低くなり，共振による不要輻射が低減されるからである。
【００２７】
３．第３実施形態
本発明の第３実施形態の多層プリント配線基板は，図１０に示すように，電源層３とグラウンド層５とを有する多層基板１と，ノイズ源となる能動素子７と，第１，第２，第３及び第４コンデンサ１１，１７，２９，３３とを備え，能動素子７と，第１，第２，第３及び第４コンデンサ１１，１７，２９，３３は，それぞれ，電源層３及びグラウンド層５に接続され，グラウンド層５は，長方形であり，能動素子７は，電源層３上のグラウンド層５中心の対応位置で電源層３に接続され，第１コンデンサ１１は，グラウンド層５の中心を通り，かつグラウンド層５の長辺又は短辺に垂直な直線上以外の位置１３で，第１コンデンサ１１に対して，第２コンデンサ１７は，グラウンド層５の中心を通り，かつグラウンド層５の長辺に垂直な直線に線対称の位置１９で，第３コンデンサ２９は，グラウンド層５の中心を通り，かつグラウンド層５の短辺に垂直な直線に線対称の位置３１で，第４コンデンサ３３は，グラウンド層５の中心に点対称の位置３５でグラウンド層５に接続されている。本実施形態では，４つのコンデンサは，４つに分割されたグラウンド層に１つずつ，対称的に配置されている。４つのコンデンサをこのように配置することによって，グラウンド層の長辺方向の共振電流と，短辺方向の共振電流の両方を抑制することができる。
【００２８】
以上の実施形態で示した種々の特徴は，互いに組み合わせることができる。１つの実施形態中に複数の特徴が含まれている場合，そのうちの１又は複数個の特徴を適宜抜き出して，単独で又は組み合わせて，本発明に採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は，本発明の作用の説明に用いられ，（ａ），（ｂ）は，それぞれ，多層基板の平面図，側断面図を示し，（ｃ）〜（ｅ）は，それぞれ，ｍ＝０，ｎ＝１，２，３の各共振モードにおける多層基板の電源層での共振電流の分布を解析した結果を示す分布図であり，（ｆ）は，ｍ＝０，ｎ＝１，２，３の各共振モードにおける共振電流の分布を示すグラフである。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は，本発明の作用の説明に用いられ，それぞれ，第１コンデンサのみを接続したときの，平面図，側断面図，ｍ＝０，ｎ＝３の共振モードにおける電源層での共振電流の分布を示すグラフである。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は，本発明の作用の説明に用いられ，それぞれ，第２コンデンサのみを接続したときの，平面図，側断面図，ｍ＝０，ｎ＝３の共振モードにおける電源層での共振電流の分布を示すグラフである。
【図４】（ａ），（ｂ）は，それぞれ，第１及び２コンデンサの両方を接続した，本発明の多層プリント配線基板の構成を示す平面図，側断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は，それぞれ，本発明の第１実施形態の多層プリント配線基板の構成を示す平面図，側断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は，本発明の比較例として，図５（ａ），（ｂ）の構成から第２コンデンサ１７を除いたものについての，絶対グラウンド層表面における共振電流の分布の解析結果を示す分布図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は，図５（ａ），（ｂ）の構成についての，絶対グラウンド層表面における共振電流の分布の解析結果を示す分布図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は，それぞれ，本発明の第２実施形態の多層プリント配線基板の構成を示す平面図，側断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は，図８（ａ），（ｂ）の構成についての，絶対グラウンド層表面における共振電流の分布の解析結果を示す分布図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）は，それぞれ，本発明の第３実施形態の多層プリント配線基板の構成を示す平面図，側断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１：多層基板  ３：電源層  ５：グラウンド層  ７：能動素子    １１：第１コンデンサ  １７：第２コンデンサ  ２３：絶対グラウンド層  ２５，２６：接続配線  ２７：第１接続位置  ２８：第２接続位置  ２９：第３コンデンサ  ３３：第４コンデンサ
９，１５，２１：電源層への接続位置
１０，１３，１９，３１，３５：グラウンド層への接続位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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