(57)【要約】【課題】基板表面へのダメージを低減することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】ウエハＷの表面にＤＩＷを供給した後、ＤＩＷとＨ2Ｏ2との混合液を供給し、その後、ＳＣ−１（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／ＤＩＷの混合液）をウエハＷの表面に供給する。ウエハ表面を腐食させる腐食成分液であるＮＨ4ＯＨを含む液がウエハＷに供給される前に、ＤＩＷおよびＨ2Ｏ2がウエハＷに供給されているので、ＮＨ4ＯＨによってウエハＷの表面が腐食されることを抑制できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面を腐食させる腐食成分液と水とを含む腐食性水溶液によって基板を処理する基板処理方法であって、
基板表面に、水を含み前記腐食成分液を含まない前処理液を、所定の処理液供給路を介して供給する前処理液供給工程と、
この前処理液供給工程の後に、前記前処理液および前記腐食成分液を前記処理液供給路に供給することによって、これらの前処理液および腐食成分液を前記処理液供給路内で混合させて前記腐食性水溶液を作成する腐食性水溶液作成工程と、
前記腐食性水溶液作成工程において作成された腐食性水溶液を前記処理液供給路から基板表面へと供給する腐食性水溶液供給工程とを含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記腐食性水溶液作成工程は、前記処理液供給路内で前記前処理液および前記腐食成分液を撹拌する撹拌工程を含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記前処理液供給工程および前記腐食性水溶液供給工程と並行して基板をその主面に交差する軸線まわりに回転させる基板回転工程をさらに含む、請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記前処理液は、第１前処理液と、この第１前処理液とは種類の異なる第２前処理液とを含み、
前記前処理液供給工程は、前記第１および第２前処理液を前記処理液供給路内で混合させて、これら第１および第２前処理液の混合液を前記処理液供給路を介して基板に供給する前処理液混合供給工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記前処理液供給工程は、前記前処理液混合供給工程の前に、前記第１前処理液を、前記第２前処理液と混合することなく、前記処理液供給路を介して基板に供給する第１前処理液供給工程をさらに含む、請求項４記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記腐食成分液が、アンモニア、ポリマー除去成分、塩酸または硝酸を含む液である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
基板表面を腐食させる腐食成分液と水とを含む腐食性水溶液によって基板を処理するための基板処理装置であって、
基板に処理液を供給するための処理液供給路と、
この処理液供給路に設けられた処理液混合部と、
前記処理液混合部に接続され、この処理液混合部に対して、水を含み前記腐食成分液を含まない前処理液を供給する前処理液供給路と、
前記処理液混合部に接続され、この処理液混合部に対して、前記腐食成分液を供給する腐食成分液供給路と、
前記前処理液供給路に介装され、前記処理液混合部への前記前処理液の供給を制御する前処理液バルブと、
前記腐食成分液供給路に介装され、前記処理液混合部への前記腐食成分液の供給を制御する腐食成分液バルブと、
前記前処理液バルブおよび前記腐食成分液バルブを制御し、前記前処理液バルブを開くとともに、前記腐食成分液バルブを閉じて、前記前処理液を前記処理液供給路を介して基板に供給する前処理液供給工程を実行し、この前処理液供給工程の後に、前記前処理液バルブおよび前記腐食成分液バルブを開いて、前記前処理液および前記腐食成分液を前記処理液混合部で混合させて前記腐食性水溶液を作成し、この腐食性水溶液を前記処理液供給路を介して基板へと供給する腐食性水溶液供給工程を実行する制御手段とを含む、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に処理液を供給して当該基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板に対して処理液を用いた処理が行われる。この種の処理を行う基板処理装置としては、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式の基板処理装置が従来の主流であったが、最近では、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が注目されている。
枚葉式の基板処理装置は、１枚の基板をほぼ水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面（上面）に処理液を供給するためのノズルとを備えている。
【０００３】
また、下記特許文献１記載の枚葉式の基板処理装置は、前記構成に加えて、ノズルに純水と薬液（ＮＨ4ＯＨおよびＨ2Ｏ2）との混合液を供給するための混合液供給路と、混合液供給路に純水を供給するための純水供給路と、混合液供給路にＮＨ4ＯＨを供給するためのＮＨ4ＯＨ供給路と、混合液供給路にＨ2Ｏ2を供給するためのＨ2Ｏ2供給路とを備えている。純水供給路、ＮＨ4ＯＨ供給路およびＨ2Ｏ2供給路にはそれぞれバルブが介装されており、これらのバルブを一斉に開くことによって、純水、ＮＨ4ＯＨおよびＨ2Ｏ2の混合液が混合液供給路からノズルへと導かれる。
【特許文献１】特開２００４−２８１４６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述の枚葉式の基板処理装置による基板の処理では、基板の表面にダメージが生じることがある。具体的には、純水供給路、ＮＨ4ＯＨ供給路およびＨ2Ｏ2供給路にそれぞれ介装されたバルブを一斉に開いた場合に、純水と十分に混合される前の薬液がノズルから最初に吐出されてしまう場合がある。この場合、とくに、ＮＨ4ＯＨがそのまま基板表面に供給されると、その腐食性のために、基板表面にダメージを与えてしまう。
【０００５】
この問題は、ＮＨ4ＯＨ、Ｈ2Ｏ2および純水の混合液によって基板を処理する場合に限らず、基板表面を腐食させる腐食成分液を含む腐食性水溶液によって基板を処理する場合において同様に生じる問題である。
この発明は、かかる背景のもとでなされたもので、基板表面へのダメージを低減することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板表面を腐食させる腐食成分液と水とを含む腐食性水溶液によって基板を処理する基板処理方法であって、基板表面に、水を含み前記腐食成分液を含まない前処理液を、所定の処理液供給路（１０）を介して供給する前処理液供給工程（Ｓ２，Ｓ４，Ｓ１２，Ｓ１４，Ｓ１６，Ｓ２４）と、この前処理液供給工程の後に、前記前処理液および前記腐食成分液を前記処理液供給路に供給することによって、これらの前処理液および腐食成分液を前記処理液供給路内で混合させて前記腐食性水溶液を作成する腐食性水溶液作成工程（Ｓ５，Ｓ６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ２５，Ｓ２７，Ｓ２８）と、前記腐食性水溶液作成工程において作成された腐食性水溶液を前記処理液供給路から基板表面へと供給する腐食性水溶液供給工程（Ｓ７，Ｓ１９，Ｓ２６，Ｓ２９）とを含む、基板処理方法である。「基板表面」は、シリコンやガラス等の基板材料自体の表面であってもよく、基板材料の表面に形成された酸化膜、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜、Low-k膜その他の薄膜の表面であってもよい。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、水を含み腐食成分液を含まない前処理液が所定の処理液供給路を介して基板表面に供給され、その後、前処理液および腐食成分液が前記処理液供給路内で混合されて腐食性水溶液が作成される。そして、前記前処理液が供給された基板表面に腐食性水溶液が処理液供給路から基板表面に供給される。したがって、前処理液が腐食成分液に先んじて基板表面に供給されるので、基板表面が腐食成分液によって過度に腐食されることを抑制できる。これにより、腐食性水溶液による基板処理において、基板表面へのダメージを低減することができる。
【０００８】
腐食性水溶液による基板の処理は、たとえば、基板の表面からパーティクルや各種金属不純物や不要な薄膜などの不要物を除去する洗浄またはエッチング処理であってもよいし、基板の表面の不要物としてのレジスト残渣（ポリマー）を除去するポリマー除去処理であってもよい。
請求項２記載の発明は、前記腐食性水溶液作成工程は、前記処理液供給路内で前記前処理液および前記腐食成分液を撹拌する撹拌工程（Ｓ６，Ｓ１８，Ｓ２５，Ｓ２８）を含む、請求項１記載の基板処理方法である。
【０００９】
この発明によれば、処理液供給路内で前処理液および腐食成分液を攪拌することにより、前処理液および腐食成分液が十分に混合された腐食性水溶液を作成することができる。これより、腐食成分液が、前処理液との混合が不充分なままで基板表面に供給されることを抑制または防止できるから、基板表面のダメージをより一層低減することができる。
請求項３記載の発明は、前記前処理液供給工程および前記腐食性水溶液供給工程と並行して基板をその主面に交差する軸線まわりに回転させる基板回転工程（Ｓ１，Ｓ１１，Ｓ１５，Ｓ２３）をさらに含む、請求項１または２記載の基板処理方法である。
【００１０】
この発明によれば、回転されている基板に対してその主面の回転中心付近に前処理液または腐食性水溶液を供給することにより、供給された前処理液または腐食性水溶液が基板の回転による遠心力を受けて基板の表面全域に行き渡る。これにより、基板の表面全域に腐食性水溶液による処理を行うことができる。
また、前記前処理液が、第１前処理液と、この第１前処理液とは種類の異なる第２前処理液とを含む場合には、請求項４記載の発明のように、前記前処理液供給工程は、前記第１および第２前処理液を前記処理液供給路内で混合させて、これら第１および第２前処理液の混合液を前記処理液供給路を介して基板に供給する前処理液混合供給工程（Ｓ４，Ｓ１３）を含んでいてもよい。さらに、請求項５記載の発明のように、前記前処理液供給工程は、前記前処理液混合供給工程の前に、前記第１前処理液を、前記第２前処理液と混合することなく、前記処理液供給路を介して基板に供給する第１前処理液供給工程（Ｓ２，Ｓ１２）をさらに含んでいてもよい。
【００１１】
請求項６記載の発明は、前記腐食成分液が、アンモニア、ポリマー除去成分、塩酸または硝酸を含む液である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この発明によれば、アンモニア、ポリマー除去成分、塩酸または硝酸を含む液と、水を含みこれらの液を含まない前処理液とを混合させて作成される腐食性水溶液によって基板の表面に各種の処理を行うことができる。
【００１２】
具体的には、腐食成分液としてのアンモニアを含む腐食性水溶液の一例は、たとえば、アンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）と、前処理液としての過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）および純水（ＤＩＷ（脱イオン化された純水））とを混合させて得られるＳＣ−１（アンモニア／過酸化水素水混合液）である。このＳＣ―１を基板表面に供給することにより、基板の表面からパーティクルや各種金属不純物や不要な薄膜などの不要物を除去する洗浄処理を行うことができる。
【００１３】
ＳＣ−１を用いるプロセスでは、たとえば、はじめに純水のみを処理液供給路から基板へと供給する純水供給工程を行い、次いで、純水および過酸化水素水を処理液供給路内で混合させ、それらの混合液を処理液供給路から基板へと供給する前処理液混合供給工程を行い、その後に、純水、過酸化水素水およびアンモニア水を処理液供給路内で混合させてＳＣ−１を作成し、このＳＣ−１を処理液供給路から基板へと供給するＳＣ−１供給工程を行えばよい。この場合、純水供給工程を省いても差し支えない。また、純水供給工程の代わりに、過酸化水素水のみを処理液供給路から基板へと供給する過酸化水素水供給工程を前処理液混合供給工程の前に行ってもよい。
【００１４】
また、腐食成分液としてのポリマー除去成分を含む水溶液は、ポリマー除去成分液と前処理液としての純水（ＤＩＷ）とを混合して得られるポリマー除去水溶液である。このポリマー除去水溶液を基板の表面に供給することにより、基板の表面の不要物としてのレジスト残渣（ポリマー）を除去するポリマー除去処理を行うことができる。
ポリマー除去水溶液を用いるプロセスでは、たとえば、はじめに純水のみを処理液供給路から基板へと供給する純水供給工程を行い、その後、純水およびポリマー除去成分液を処理液供給路内で混合させてポリマー除去水溶液を作成し、このポリマー除去水溶液を処理液供給路から基板へと供給するポリマー除去水溶液供給工程を行えばよい。
【００１５】
ポリマー除去成分液としては、有機アルカリ液を含む液体、有機酸を含む液体、無機酸を含む液体、ふっ化アンモン系物質を含む液体のうちの少なくともいずれか１つが使用できる。そのうち、有機アルカリ液を含む液体としては、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、ヒドロキシルアミン、コリンのうちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙げられる。また、有機酸を含む液体としては、クエン酸、蓚酸、イミノジ酸、および琥珀酸のうちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙げられる。また、無機酸を含む液体としては、ふっ酸および燐酸のうちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙げられる。その他、ポリマー除去成分液としては、１−メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシド、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、カテコール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマティックジオール、パーフレン、フェノールを含む液体などのうちの少なくともいずれか１つを含む液体があり、より具体的には、１−メチル−２ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルスルホキシドとモノエタノールアミンとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液、モノエタノールアミンと水とアロマティックジオールとの混合液、パークレン（テトラクロロエチレン）とフェノールとの混合液などのうちの少なくともいずれか１つが挙げられる。その他、トリエタノールアミン、ペンタメチルジエチレントリアミンなどのアミン類、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのうちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙げられる。
【００１６】
また、腐食成分液としての塩酸を含む腐食性水溶液の一例は、塩酸（ＨＣｌ）と前処理液としての純水（ＤＩＷ）とを混合して得られるＤＨＣｌ（希塩酸）である。このＤＨＣｌを基板の表面に供給することにより、基板表面のパーティクル、金属不純物、不要な薄膜その他の不要物を除去する洗浄またはエッチング処理を行うことができる。
ＤＨＣｌを用いるプロセスでは、たとえば、はじめに純水のみを処理液供給路から基板へと供給する純水供給工程を行い、その後、純水および塩酸を処理液供給路内で混合させてＤＨＣｌを作成し、このＤＨＣｌを処理液供給路から基板へと供給するＤＨＣｌ供給工程を行えばよい。
【００１７】
腐食成分液としての塩酸を含む腐食性水溶液の他の例は、塩酸（ＨＣｌ）と、前処理液としての過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）および純水（ＤＩＷ）とを混合して得られるＳＣ−２（塩酸／過酸化水素水混合液）である。このＳＣ−２を基板の表面に供給することにより、基板の表面からパーティクルや各種金属不純物や不要な薄膜などの不要物を除去する洗浄またはエッチング処理を行うことができる。
【００１８】
ＳＣ−２を用いるプロセスでは、たとえば、はじめに純水のみを処理液供給路から基板へと供給する純水供給工程を行い、次いで、純水および過酸化水素水を処理液供給路内で混合させ、それらの混合液を処理液供給路から基板へと供給する前処理液混合供給工程を行い、その後に、純水、過酸化水素水および塩酸を処理液供給路内で混合させてＳＣ−２を作成し、このＳＣ−２を処理液供給路から基板へと供給するＳＣ−２供給工程を行えばよい。この場合、純水供給工程を省いても差し支えない。また、純水供給工程の代わりに、過酸化水素水のみを処理液供給路から基板へと供給する過酸化水素水供給工程を前処理液混合供給工程の前に行ってもよい。
【００１９】
また、腐食成分液としての硝酸および塩酸を含む腐食性水溶液の一例は、塩酸（ＨＣｌ）および硝酸（ＨＮＯ3）と前処理液としての純水（ＤＩＷ）とを混合して得られる王水である。この王水を基板の表面に供給することにより、基板の表面の各種金属不純物その他の不要物を除去する洗浄またはエッチング処理を行うことができる。むろん、王水は、腐食成分液としての塩酸を含む腐食性水溶液の一例でもある。
【００２０】
王水を用いるプロセスでは、たとえば、はじめに純水のみを処理液供給路から基板へと供給する純水供給工程を行い、次いで、純水および硝酸を処理液供給路内で混合させ、それらの混合液を処理液供給路から基板へと供給する硝酸混合液供給工程を行い、その後に、純水、硝酸および塩酸を処理液供給路内で混合させて王水を作成し、この王水を処理液供給路から基板へと供給する王水供給工程を行えばよい。この場合、硝酸混合液供給工程を省いても差し支えない。また、純水および硝酸の混合液を供給する硝酸混合液供給工程の代わりに、純水および塩酸の混合液を処理液供給路から基板へと供給する塩酸混合液供給工程を王水供給工程の前に行ってもよい。
【００２１】
請求項７記載の発明は、基板表面を腐食させる腐食成分液と水とを含む腐食性水溶液によって基板を処理するための基板処理装置であって、基板に処理液を供給するための処理液供給路と、この処理液供給路に設けられた処理液混合部（１１）と、前記処理液混合部に接続され、この処理液混合部に対して、水を含み前記腐食成分液を含まない前処理液を供給する前処理液供給路（１２，１４）と、前記処理液混合部に接続され、この処理液混合部に対して、前記腐食成分液を供給する腐食成分液供給路（１３，１４）と、前記前処理液供給路に介装され、前記処理液混合部への前記前処理液の供給を制御する前処理液バルブ（１５，１７）と、前記腐食成分液供給路に介装され、前記処理液混合部への前記腐食成分液の供給を制御する腐食成分液バルブ（１６，１７）と、前記前処理液バルブおよび前記腐食成分液バルブを制御し、前記前処理液バルブを開くとともに、前記腐食成分液バルブを閉じて、前記前処理液を前記処理液供給路を介して基板に供給する前処理液供給工程を実行し、この前処理液供給工程の後に、前記前処理液バルブおよび前記腐食成分液バルブを開いて、前記前処理液および前記腐食成分液を前記処理液混合部で混合させて前記腐食性水溶液を作成し、この腐食性水溶液を前記処理液供給路を介して基板へと供給する腐食性水溶液供給工程を実行する制御手段（１９）とを含む、基板処理装置である。
【００２２】
この発明によれば、制御手段が前処理液バルブを開くとともに、腐食成分液バルブを閉じることにより、水を含み腐食成分液を含まない前処理液が前処理液供給路から処理液混合部を通って処理液供給路に供給され、処理液供給路を介して基板の表面に前処理液が供給される。そして、基板の表面に前処理液が供給された後、制御手段が前処理液バルブおよび腐食成分液バルブを開くことにより、前処理液および腐食成分液が処理液混合部で混合されて腐食性水溶液が作成され、この作成された腐食性水溶液が処理液供給路を介して基板の表面に供給される。これにより、腐食性水溶液による基板処理において、基板表面へのダメージを低減することができる。
【００２３】
前記基板処理装置は、基板を１枚ずつ処理する枚葉型の装置であってもよい。より具体的には、前記基板処理装置は、１枚の基板を保持して回転させる基板保持回転機構をさらに含み、前記処理液供給路は、前記基板保持回転機構に保持された基板の表面に処理液を供給するように構成されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。この基板処理装置は、基板の一例であるシリコン半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）に処理液（純水、薬液またはこれらの混合液）を供給して当該ウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置であって、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面（上面）に処理液を供給するためのノズル２とを備えている。
【００２５】
ウエハＷに対する処理は、たとえば、ウエハＷの表面からパーティクル、各種金属不純物、不要な薄膜部分その他の不要物を除去する洗浄処理またはエッチング処理であってもよいし、ウエハＷの表面の不要物としてのレジスト残渣（ポリマー）を除去するポリマー除去処理であってもよい。
また、処理されるウエハＷの表面は、ウエハＷ自体の表面であってもよく、ウエハＷ上に形成された酸化膜、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜、Low-k膜その他の薄膜の表面であってもよい。
【００２６】
スピンチャック１は、たとえば、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸３と、スピン軸３の上端に取り付けられた円板状のスピンベース４と、このスピンベース４の周縁部に配設された複数個の挟持部材５とを有している。複数個の挟持部材５は、ウエハＷの外周形状に対応した円周上に配置されており、ウエハＷの周面に異なる複数の位置で当接することにより、互いに協働してウエハＷを挟持し、このウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができる。また、スピン軸３には、モータなどの駆動源を含む回転駆動機構６が結合されていて、複数個の挟持部材５でウエハＷを保持した状態で、回転駆動機構６からスピン軸３に駆動力を入力することにより、ウエハＷの表面に交差する軸線であるスピン軸３の中心軸線まわりにウエハＷを回転させることができる。
【００２７】
なお、スピンチャック１としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハＷの下面を真空吸着することによりウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
ノズル２は、スピンチャック１の上方に設けられたアーム７の先端に取り付けられている。アーム７は、ほぼ鉛直に延びた支持軸８に支持されており、この支持軸８の上端部からほぼ水平に延びている。支持軸８は、その中心軸線まわりに回転可能に設けられており、支持軸８に結合された支持軸駆動機構９によって支持軸８を回転させることにより、ノズル２をスピンチャック１に保持されたウエハＷの上方に配置したり、スピンチャック１の上方から退避した待機位置に配置したりすることができる。また、支持軸８を所定の角度範囲内で往復回転させることにより、スピンチャック１に保持されたウエハＷの上方でアーム７を揺動させることができる。これにより、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面上で、ノズル２からの処理液の供給位置をスキャン（移動）させることができる。
【００２８】
ノズル２には、処理液供給路１０から処理液が供給されるようになっている。処理液供給路１０には、ミキシングバルブ１１が設けられている。ミキシングバルブ１１には、純水供給路１２および複数の薬液供給路１３，１４が接続されており、純水供給路１２から純水が供給されるとともに、各薬液供給路１３，１４から薬液が供給されるようになっている。ミキシングバルブ１１に供給された純水および薬液は、ミキシングバルブ１１により混合されて処理液供給路１０に供給されるようになっている。
【００２９】
純水供給路１２には、ミキシングバルブ１１への純水の供給を制御するための純水バルブ１５が介装されている。純水バルブ１５を開くことにより、純水供給路１２からミキシングバルブ１１に純水が供給され、純水バルブ１５を閉じることにより、純水供給路１２からミキシングバルブ１１への純水の供給が停止される。
複数の薬液供給路１３，１４には、ミキシングバルブ１１への薬液の供給を制御するための薬液バルブ１６，１７がそれぞれ介装されている。各薬液バルブ１６，１７を開くことにより、対応する薬液供給路１３，１４からミキシングバルブ１１に薬液が供給され、各薬液バルブ１６，１７を閉じることにより、対応する薬液供給路１３，１４からミキシングバルブ１１への薬液の供給が停止される。
【００３０】
ウエハＷの処理に用いられる処理液が、たとえばＳＣ−１（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／ＤＩＷ（脱イオン化された純水）の混合液）である場合には、薬液供給路１３からミキシングバルブ１１に供給されたＮＨ4ＯＨと、薬液供給路１４からミキシングバルブ１１に供給されたＨ2Ｏ2と、純水供給路１２からミキシングバルブ１１に供給されたＤＩＷとがミキシングバルブ１１により混合されて、ＳＣ−１が作成される。また、ウエハＷの処理に用いられる処理液が、たとえばＳＣ−２（ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2／ＤＩＷの混合液）である場合には、薬液供給路１３からミキシングバルブ１１に供給されたＨＣｌと、薬液供給路１４からミキシングバルブ１１に供給されたＨ2Ｏ2と、純水供給路１２からミキシングバルブ１１に供給されたＤＩＷとがミキシングバルブ１１により混合されてＳＣ−２が作成される。また、ウエハＷの処理に用いられる処理液が、たとえばＤＨＣｌ（ＨＣｌ／ＤＩＷの混合液）である場合には、薬液供給路１３からミキシングバルブ１１に供給されたＨＣｌと、純水供給路１２からミキシングバルブ１１に供給されたＤＩＷとがミキシングバルブ１１により混合されてＤＨＣｌが作成される。この場合、薬液供給路１４および薬液バルブ１７は設ける必要がない。また、ウエハＷの処理に用いられる処理液が、たとえばポリマー除去水溶液（ポリマー除去成分液／ＤＩＷの混合液）である場合には、薬液供給路１３からミキシングバルブ１１に供給されたポリマー除去成分液と、純水供給路１２からミキシングバルブ１１に供給されたＤＩＷとがミキシングバルブ１１により混合されてポリマー除去水溶液が作成される。この場合も、薬液供給路１４および薬液バルブ１７は設ける必要がない。また、ウエハＷの処理に用いられる処理液が、たとえば王水（ＨＣｌ／ＨＮＯ3／ＤＩＷの混合液）である場合には、薬液供給路１３からミキシングバルブ１１に供給されたＨＣｌと、薬液供給路１４からミキシングバルブ１１に供給されたＨＮＯ3と、純水供給路１２からミキシングバルブ１１に供給されたＤＩＷとがミキシングバルブ１１により混合されて王水が作成される。
【００３１】
ミキシングバルブ１１により混合された純水および薬液の混合液は、処理液供給路１０の途中部に介装された攪拌フィン付流通管１８によって攪拌されるようになっている。
攪拌フィン付流通管１８は、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせた姿勢で管軸に沿って配列した構成のものであり、たとえば、株式会社ノリタケカンパニーリミテド・アドバンス電気工業株式会社製の商品名「ＭＸシリーズ：インラインミキサー」を用いることができる。
【００３２】
図２は、前記基板処理装置の制御に関する構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、制御装置１９を備えている。この制御装置１９は、回転駆動機構６および支持軸駆動機構９の動作を制御する。また、制御装置１９は、純水バルブ１５の開閉を制御することにより、ミキシングバルブ１１への純水の供給を制御する。さらに、制御装置１９は、複数の薬液バルブ１６，１７の開閉を制御することにより、ミキシングバルブ１１への薬液の供給を制御する。
【００３３】
図３は、本発明の一実施形態に係るウエハＷの処理について説明するためのフローチャートである。以下では、図１から図３を参照しつつ、ウエハＷの処理に用いられる処理液がＳＣ−１であり、ウエハＷの表面を腐食させる腐食成分液としてのＮＨ4ＯＨが薬液供給路１３からミキシングバルブ１１に供給され、水を含む第２前処理液としてのＨ2Ｏ2が薬液供給路１４からミキシングバルブ１１に供給され、第１前処理液としてのＤＩＷが純水供給路１２からミキシングバルブ１１に供給される場合について説明する。
【００３４】
この説明においては、薬液供給路１３を「ＮＨ4ＯＨ供給路１３」といい、ＮＨ4ＯＨ供給路１３に介装された薬液バルブ１６を「ＮＨ4ＯＨバルブ１６」という。また、薬液供給路１４を「Ｈ2Ｏ2供給路１４」といい、Ｈ2Ｏ2供給路１４に介装された薬液バルブ１７を「Ｈ2Ｏ2バルブ１７」という。
処理対象のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、搬送ロボットからスピンチャック１へとウエハＷが受け渡される。その後、回転駆動機構６からスピン軸３に駆動力が入力されて、スピンチャック１に保持されたウエハＷが所定の回転速度（たとえば、２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ）で回転される（ステップＳ１）。
【００３５】
そして、制御装置１９は、ＮＨ4ＯＨバルブ１６、Ｈ2Ｏ2バルブ１７および純水バルブ１５を制御し、純水バルブ１５を開くとともに、ＮＨ4ＯＨバルブ１６およびＨ2Ｏ2バルブ１７を閉じて、前記所定の回転速度で回転されているウエハＷの表面の回転中心付近にＤＩＷを供給させる（ステップＳ２）。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの表面全域に行き渡る。ウエハＷへのＤＩＷの供給は、たとえば、供給流量が５００ｍｌ〜３０００ｍｌ／ｍｉｎ、供給時間が１ｓｅｃ〜１０ｓｅｃで行われる。
【００３６】
ウエハＷにＤＩＷが供給された後、制御装置１９は、純水バルブ１５およびＨ2Ｏ2バルブ１７を開くとともに、ＮＨ4ＯＨバルブ１６を閉じて、純水供給路１２およびＨ2Ｏ2供給路１４からそれぞれＤＩＷおよびＨ2Ｏ2をミキシングバルブ１１に供給させる。ミキシングバルブ１１に供給されたＤＩＷおよびＨ2Ｏ2は、ミキシングバルブ１１により混合された後、処理液供給路１０に供給され、さらに、攪拌フィン付流通管１８により攪拌される（ステップＳ３）。これにより、ＤＩＷおよびＨ2Ｏ2が十分に攪拌された混合前処理液が作成される。作成された混合前処理液は、前記所定の回転速度で回転されているウエハ表面の回転中心付近に供給されてウエハＷの表面全域に行き渡る（ステップＳ４）。ウエハＷへの混合前処理液の供給は、たとえば、ＤＩＷの供給流量が５００ｍｌ〜３０００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ2Ｏ2の供給流量が１０ｍｌ〜１０００ｍｌ／ｍｉｎ、供給時間が１ｓｅｃ〜１０ｓｅｃで行われる。
【００３７】
次に、制御装置１９は、ＮＨ4ＯＨバルブ１６、Ｈ2Ｏ2バルブ１７および純水バルブ１５を開き、ＮＨ4ＯＨ供給路１３、Ｈ2Ｏ2供給路１４および純水供給路１２からそれぞれＮＨ4ＯＨ、Ｈ2Ｏ2およびＤＩＷをミキシングバルブ１１に供給させる。ミキシングバルブ１１に供給されたＮＨ4ＯＨ、Ｈ2Ｏ2およびＤＩＷは、ミキシングバルブ１１により混合されて腐食性水溶液としてのＳＣ−１が作成される（ステップＳ５）。さらに、このＳＣ−１は、処理液供給路１０に供給されて、攪拌フィン付流通管１８により攪拌される（ステップＳ６）。
【００３８】
攪拌されたＳＣ−１は、前記所定の回転速度で回転されているウエハ表面の回転中心付近に供給されてウエハＷの表面全域に行き渡る（ステップＳ７）。ウエハＷへのＳＣ−１の供給は、たとえば、ＤＩＷの供給流量が５００ｍｌ〜３０００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ2Ｏ2およびＮＨ4ＯＨの供給流量がそれぞれ１０ｍｌ〜１０００ｍｌ／ｍｉｎ、供給時間が５ｓｅｃ〜１２０ｓｅｃで行われる。これにより、ウエハＷの表面全域にＳＣ−１が供給されて、ＳＣ−１による処理がウエハＷの表面に行われる。
【００３９】
その後、ウエハＷの回転速度が所定のリンス回転速度（たとえば、３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ）に変更される。また、制御装置１９は、純水バルブ１５を開くとともに、ＮＨ4ＯＨバルブ１６およびＨ2Ｏ2バルブ１７を閉じて、前記リンス回転速度で回転されているウエハ表面の回転中心付近にＤＩＷを供給させる（ステップＳ８）。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転によってウエハＷの表面全域に行き渡り、ウエハＷの表面に付着しているＳＣ−１がＤＩＷによって洗い流される。
【００４０】
ＤＩＷの供給が所定のリンス時間（たとえば、３０ｓｅｃ）行われると、ウエハＷの回転速度が所定のスピンドライ回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）に上げられて、ウエハＷに付着しているＤＩＷを振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる（ステップＳ９）。このスピンドライ処理は、所定のスピンドライ時間（たとえば、３０ｓｅｃ）行われる。スピンドライ処理後は、ウエハＷの回転速度が減速されてウエハＷの回転が停止し（ステップＳ１０）、図示しない搬送ロボットによって、スピンチャック１から処理後のウエハＷが搬送されていく。
【００４１】
以上のように、この実施形態によれば、腐食成分液としてのＮＨ4ＯＨを含むＳＣ−１をウエハＷの表面に供給するのに先立って、前処理液としてのＨ2Ｏ2およびＤＩＷを供給するので、ＮＨ4ＯＨを含むＳＣ−１は、Ｈ2Ｏ2およびＤＩＷによって覆われたウエハＷの表面に供給される。したがって、ＮＨ4ＯＨのみがウエハＷの表面に最初に供給されることがないので、ＮＨ4ＯＨによってウエハ表面が過度に腐食されることを抑制できる。その結果、ウエハ表面のダメージを低減することができる。
【００４２】
なお、前述のウエハＷの処理では、最初に、ＤＩＷのみがウエハＷに供給され（ステップＳ２）、その後、Ｈ2Ｏ2およびＤＩＷの混合液である混合前処理液がウエハＷに供給される（ステップＳ４）例について説明したが、ＤＩＷのみが供給される工程（ステップＳ２）を廃止してもよい。すなわち、図３に示すウエハＷの処理において、ステップＳ２以外の処理（Ｓ１およびＳ３〜Ｓ１０）を行ってもよい。
【００４３】
また、図４のフローチャートに示すように、ＤＩＷに代えて、第１前処理液としてのＨ2Ｏ2を最初に供給してもよい。すなわち、Ｈ2Ｏ2のみをウエハＷに供給し（ステップＳ１２）、その後、Ｈ2Ｏ2と第２前処理液としてのＤＩＷとをミキシングバルブ１１に供給して混合前処理液を作成し（ステップＳ１３）、作成された混合前処理液をウエハＷの表面に供給してもよい（ステップＳ１４）。混合前処理液がウエハＷに供給された後は、図３に示した処理と同様の処理（図３に示すステップＳ５〜Ｓ１０）を行えばよい。
【００４４】
すなわち、腐食成分液としてのＮＨ4ＯＨを含む処理液が最後にウエハＷに供給されるようにすればよい。これにより、ウエハ表面を腐食させる腐食成分液を含む腐食性水溶液によってウエハＷを処理する場合において、ウエハＷのダメージを低減することができる。
同様に、ウエハＷの処理に用いられる処理液がＳＣ−２（ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2／ＤＩＷの混合液）である場合には、腐食成分液としてのＨＣｌを含む処理液が最後にウエハＷに供給されるようにすればよい。すなわち、前述のように、ＨＣｌを含む処理液がウエハＷに供給される前に、Ｈ2Ｏ2、ＤＩＷまたはこれらの混合液が供給されるようにすればよい。これにより、ウエハＷのダメージを低減することができる。
【００４５】
図５は、本発明の他の実施形態に係るウエハＷの処理について説明するためのフローチャートである。以下では、図１、図２および図５を参照しつつ、ウエハＷの処理に用いられる処理液がポリマー除去水溶液であり、腐食成分液としてのポリマー除去成分液が薬液供給路１３からミキシングバルブ１１に供給され、前処理液としてのＤＩＷが純水供給路１２からミキシングバルブ１１に供給される場合について説明する。
【００４６】
この説明においては、薬液供給路１３を「ポリマー除去成分供給路１３」といい、ポリマー除去成分供給路１３に介装された薬液バルブ１６を「ポリマー除去成分バルブ１６」という。
処理対象のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、搬送ロボットからスピンチャック１へとウエハＷが受け渡される。その後、スピンチャック１に保持されたウエハＷが所定の回転速度（たとえば、２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ）で回転される（ステップＳ１５）。
【００４７】
そして、制御装置１９は、ポリマー除去成分バルブ１６および純水バルブ１５を制御し、純水バルブ１５を開くとともに、ポリマー除去成分バルブ１６を閉じて、前記所定の回転速度で回転されているウエハ表面の回転中心付近にＤＩＷを供給し、ウエハＷの表面全域にＤＩＷを行き渡らせる（ステップＳ１６）。ウエハＷへのＤＩＷの供給は、たとえば、供給流量が５００ｍｌ〜３０００ｍｌ／ｍｉｎ、供給時間が１ｓｅｃ〜１０ｓｅｃで行われる。
【００４８】
ウエハＷにＤＩＷが供給された後、制御装置１９は、ポリマー除去成分バルブ１６および純水バルブ１５を開き、ポリマー除去成分供給路１３および純水供給路１２からそれぞれポリマー除去成分液およびＤＩＷをミキシングバルブ１１に供給させる。ミキシングバルブ１１に供給されたポリマー除去成分液およびＤＩＷは、ミキシングバルブ１１により混合されて腐食性水溶液としてのポリマー除去水溶液が作成される（ステップＳ１７）。さらに、このポリマー除去水溶液は、処理液供給路１０に供給されて、攪拌フィン付流通管１８により攪拌される（ステップＳ１８）。
【００４９】
攪拌されたポリマー除去水溶液は、前記所定の回転速度で回転されているウエハ表面の回転中心付近に供給される（ステップＳ１９）。ウエハＷへのポリマー除去水溶液の供給は、たとえば、ＤＩＷの供給流量が５００ｍｌ〜３０００ｍｌ／ｍｉｎ、ポリマー除去成分液の供給流量が１０ｍｌ〜１０００ｍｌ／ｍｉｎ、供給時間が５ｓｅｃ〜１２０ｓｅｃで行われる。これにより、ウエハＷの表面全域にポリマー除去水溶液が供給されて、ポリマー除去水溶液による処理がウエハＷの表面に行われる。
【００５０】
その後、ウエハＷの回転速度が所定のリンス回転速度（たとえば、３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ）に変更される。また、制御装置１９は、純水バルブ１５を開くとともに、ポリマー除去成分バルブ１６を閉じて、前記リンス回転速度で回転されているウエハ表面の回転中心付近にＤＩＷを供給させる（ステップＳ２０）。これにより、ウエハＷの表面に付着しているポリマー除去水溶液がＤＩＷによって洗い流される。
【００５１】
ＤＩＷの供給が所定のリンス時間（たとえば、３０ｓｅｃ）行われると、ウエハＷの回転速度が所定のスピンドライ回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）に上げられて、ウエハＷに付着しているＤＩＷを振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる（ステップＳ２１）。このスピンドライ処理は、所定のスピンドライ時間（たとえば、３０ｓｅｃ）行われる。スピンドライ処理後は、ウエハＷの回転速度が減速されてウエハＷの回転が停止し（ステップＳ２２）、図示しない搬送ロボットによって、スピンチャック１から処理後のウエハＷが搬送されていく。
【００５２】
以上のように、この実施形態によれば、腐食成分液としてのポリマー除去成分液を含むポリマー除去水溶液をウエハＷに供給するのに先立って、前処理液としてのＤＩＷを供給するので、ポリマー除去成分液によってウエハ表面が過度に腐食されることを抑制できる。したがって、ウエハＷのダメージを低減することができる。
図６は、本発明のさらに他の実施形態に係るウエハＷの処理について説明するためのフローチャートである。以下では、図１、図２および図６を参照しつつ、ウエハＷの処理に用いられる処理液が王水であり、腐食成分液としてのＨＣｌが薬液供給路１３からミキシングバルブ１１に供給され、腐食成分液としてのＨＮＯ3が薬液供給路１４からミキシングバルブ１１に供給され、前処理液としてのＤＩＷが純水供給路１２からミキシングバルブ１１に供給される場合について説明する。
【００５３】
この説明においては、薬液供給路１３を「ＨＣｌ供給路１３」といい、ＨＣｌ供給路１３に介装された薬液バルブ１６を「ＨＣｌバルブ１６」という。また、薬液供給路１４を「ＨＮＯ3供給路１４」といい、ＨＮＯ3供給路１４に介装された薬液バルブ１７を「ＨＮＯ3バルブ１７」という。
処理対象のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、搬送ロボットからスピンチャック１へとウエハＷが受け渡される。その後、スピンチャック１に保持されたウエハＷが所定の回転速度（たとえば、２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ）で回転される（ステップＳ２３）。
【００５４】
そして、制御装置１９は、ＨＣｌバルブ１６、ＨＮＯ3バルブ１７および純水バルブ１５を制御し、純水バルブ１５を開くとともに、ＨＣｌバルブ１６およびＨＮＯ3バルブ１７を閉じて、前記所定の回転速度で回転されているウエハ表面の回転中心付近にＤＩＷを供給し、ウエハＷの表面全域にＤＩＷを行き渡らせる（ステップＳ２４）。ウエハＷへのＤＩＷの供給は、たとえば、供給流量が５００ｍｌ〜３０００ｍｌ／ｍｉｎ、供給時間が１ｓｅｃ〜１０ｓｅｃで行われる。
【００５５】
ウエハＷにＤＩＷが供給された後、制御装置１９は、純水バルブ１５およびＨＮＯ3バルブ１７を開くとともに、ＨＣｌバルブ１６を閉じて、純水供給路１２およびＨＮＯ3供給路１４からそれぞれＤＩＷおよびＨＮＯ3をミキシングバルブ１１に供給させる。ミキシングバルブ１１に供給されたＤＩＷおよびＨＮＯ3は、ミキシングバルブ１１により混合された後、処理液供給路１０に供給され、さらに、攪拌フィン付流通管１８により攪拌される（ステップＳ２５）。これにより、ＤＩＷおよびＨＮＯ3が十分に攪拌された腐食性水溶液としての混合液が作成される。作成された混合液は、前記所定の回転速度で回転されているウエハ表面の回転中心付近に供給されてウエハＷの表面全域に行き渡る（ステップＳ２６）。ウエハＷへのＤＩＷおよびＨＮＯ3の混合液の供給は、たとえば、ＤＩＷの供給流量が５００ｍｌ〜３０００ｍｌ／ｍｉｎ、ＨＮＯ3の供給流量が１０ｍｌ〜１０００ｍｌ／ｍｉｎ、供給時間が１ｓｅｃ〜１０ｓｅｃで行われる。
【００５６】
次に、制御装置１９は、ＨＣｌバルブ１６、ＨＮＯ3バルブ１７および純水バルブ１５を開き、ＨＣｌ供給路１３、ＨＮＯ3供給路１４および純水供給路１２からそれぞれＨＣｌ、ＨＮＯ3およびＤＩＷをミキシングバルブ１１に供給させる。ミキシングバルブ１１に供給されたＨＣｌ、ＨＮＯ3およびＤＩＷは、ミキシングバルブ１１により混合されて腐食性水溶液としての王水が作成される（ステップＳ２７）。さらに、この王水は、処理液供給路１０に供給されて、攪拌フィン付流通管１８により攪拌される（ステップＳ２８）。攪拌された王水は、前記所定の回転速度で回転されているウエハ表面の回転中心付近に供給される（ステップＳ２９）。ウエハＷへの王水の供給は、たとえば、ＤＩＷの供給流量が５００ｍｌ〜３０００ｍｌ／ｍｉｎ、ＨＣｌおよびＨＮＯ3の供給流量がそれぞれ１０ｍｌ〜１０００ｍｌ／ｍｉｎ、供給時間が５ｓｅｃ〜１２０ｓｅｃで行われる。これにより、ウエハＷの表面全域に王水が供給されて、王水による処理がウエハＷの表面に行われる。
【００５７】
その後、ウエハＷの回転速度が所定のリンス回転速度（たとえば、３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ）に変更される。また、制御装置１９は、純水バルブ１５を開くとともに、ＨＣｌバルブ１６およびＨＮＯ3バルブ１７を閉じて、前記リンス回転速度で回転されているウエハ表面の回転中心付近にＤＩＷを供給させる（ステップＳ３０）。これにより、ウエハＷの表面に付着している王水がＤＩＷによって洗い流される。
【００５８】
ＤＩＷの供給が所定のリンス時間（たとえば、３０ｓｅｃ）行われると、ウエハＷの回転速度が所定のスピンドライ回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）に上げられて、ウエハＷに付着しているＤＩＷを振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる（ステップＳ３１）。このスピンドライ処理は、所定のスピンドライ時間（たとえば、３０ｓｅｃ）行われる。スピンドライ処理後は、ウエハＷの回転速度が減速されてウエハＷの回転が停止し（ステップＳ３２）、図示しない搬送ロボットによって、スピンチャック１から処理後のウエハＷが搬送されていく。
【００５９】
以上のように、この実施形態によれば、腐食成分液としてのＨＣｌおよびＨＮＯ3の少なくとも一方を含む処理液（前記混合液および王水）をウエハＷの表面に供給するのに先立って、前処理液としてのＤＩＷを供給するので、ＨＣｌまたはＨＮＯ3によってウエハ表面が過度に腐食されることを抑制できる。したがって、ウエハＷのダメージを低減することができる。
【００６０】
また、前述のウエハＷの処理では、ウエハＷにＤＩＷが供給された後、ＤＩＷとＨＮＯ3との混合液をウエハＷに供給する例について説明したが、ウエハＷにＤＩＷが供給された後、ＤＩＷとＨＣｌとの混合液をウエハＷに供給し、その後、王水をウエハＷに供給してもよい。また、ＤＩＷがウエハＷに供給された後、ＤＩＷとＨＮＯ3との混合液またはＤＩＷとＨＣｌとの混合液をウエハＷに供給することなく、王水をウエハＷに供給してもよい。すなわち、ＤＩＷがウエハＷに供給された後にＨＣｌおよびＨＮＯ3の少なくとも一方を含む処理液がウエハＷに供給されるようにすればよい。これにより、ウエハ表面を腐食させる腐食成分液を含む腐食性水溶液によってウエハＷを処理する場合において、ウエハＷのダメージを低減することができる。
【００６１】
この発明は、以上の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の実施形態では、ほぼ水平に保持して回転する基板（ウエハＷ）の表面に処理液を供給して基板を処理するものを取り上げたが、回転していない状態（非回転状態）の基板の表面に処理液を供給して基板を処理するものであってもよい。なお、前記非回転状態の基板とは、回転も移動もしていない状態（静止状態）の基板であってもよいし、回転せずに所定の方向に移動している状態（移動状態）の基板であってもよい。また、たとえば、前述の実施形態では、処理対象となる基板としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。
【図２】前記基板処理装置の制御に関する構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るウエハの処理について説明するためのフローチャートである。
【図４】図３に係るウエハの処理についての他の例を説明するためのフローチャートである。
【図５】本発明の他の実施形態に係るウエハの処理について説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明のさらに他の実施形態に係るウエハＷの処理について説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００６３】
１０      処理液供給路
１１      ミキシングバルブ（処理液混合部）
１２      純水供給路（前処理液供給路）
１３      ＮＨ4ＯＨ供給路、ポリマー除去成分供給路、ＨＣｌ供給路（腐食成分液供給路）
１４      Ｈ2Ｏ2供給路（前処理液供給路）
１４      ＨＮＯ3供給路（腐食成分液供給路）
１５      純水バルブ（前処理液バルブ）
１６      ＮＨ4ＯＨバルブ、ポリマー除去成分バルブ、ＨＣｌバルブ（腐食成分液バルブ）
１７      Ｈ2Ｏ2バルブ（前処理液バルブ）
１７      ＨＮＯ3バルブ（腐食成分液バルブ）
【図１】
2007311559.tif 000003
【図２】
2007311559.tif 000004
【図３】
2007311559.tif 000005
【図４】
2007311559.tif 000006
【図５】
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【図６】
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