(57)【要約】【課題】安価でかつ高密度な記録が可能な磁気記録媒体を製造することを可能にする。【解決手段】基板に磁性膜を形成する工程と、インプリント法により磁気記録媒体の凹凸パターンが転写されるパターン転写膜の形成を、１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空中でパターン転写膜形成用材料を１００℃以上４００℃以下の温度で加熱して前記磁性膜上に蒸着することにより行う工程と、を備えている。【選択図】図１
2007220203.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に磁性膜を形成する工程と、
インプリント法により磁気記録媒体の凹凸パターンが転写されるパターン転写膜の形成を、１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空中でパターン転写膜形成用材料を１００℃以上４００℃以下の温度で加熱して前記磁性膜上に蒸着することにより行う工程と、
を備えたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記パターン転写膜にインプリント用のスタンパを用いて前記凹凸パターンを転写し、エッチングマスク用パターンを形成する工程と、
前記エッチングマスク用パターンをマスクとして前記磁性膜をエッチングする工程と、
真空中かつ１００℃以上４００℃以下の温度の雰囲気で前記エッチングマスク用パターンを加熱して、蒸発させることによって前記エッチングマスク用パターンを除去する工程と、
を更に備えたことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記磁性膜を形成する工程、前記エッチングマスク用パターンを形成する工程、前記磁性膜をエッチングする工程、および前記エッチングマスク用パターンを除去する工程は、１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空下で行われることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記パターン転写膜は、一般式Ｚ−（Ｘ−Ｙ）ｎで表される有機材料から形成され、ここで、Ｚは芳香族骨格または脂環式骨格を含む化合物、Ｙは芳香族骨格、脂環式骨格、Ｈ、ＣＨ３、Ｓｉ、Ｓｎを含む分子骨格のいずれかを含む化合物、Ｘは二価連結基、ｎは１以上の整数であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの磁気記録装置は、パソコンの普及により一般に広く使用されるようになってきた。近年では、インターネットおよび高精細画像情報を扱うＤＶＤなどの出現により、扱う情報量が急激に増大してきており、大容量化への要望は大きくなってきている。さらに、携帯電話、カーナビゲーション、ＭＰ３プレーヤーなどのモバイル機器への小型ＨＤＤ搭載も進んできており、高密度化への期待は一層強まってきている。このような状況は、ＨＤＤの記録密度の著しい向上によってもたらされたといえる。ＨＤＤでは、より小さい磁気記録マークを形成することによって記録密度を向上させる。より小さいマークを形成するには、より小さい書き込みヘッド、より小さな磁界の検出が可能な再生ヘッド、およびより小さいマークを安定に書き込むことが可能な磁気記録媒体が必要である。
【０００３】
従来、磁気記録媒体により小さいマークを形成するためには、スパッタ成膜される磁気記録層を構成する磁性粒子の微細化をすることが行われてきた。しかし、磁性粒子の微細化は、微小な磁性粒子の熱的な安定性の劣化、いわゆる熱揺らぎ問題によって困難さが大きくなってきている。熱揺らぎ問題を解決するには、保持力の大きな磁気材料を用いて磁気材料自体の熱的な安定性を向上させればよい。しかし、このことは記録書き込み時により大きな磁界を必要とするようになる。一方、書き込みヘッドによって得られる書き込み磁界は限界に近づいているのが現状である。
【０００４】
以上のような背景から、これまでの磁気記録媒体とは構造が大きく異なるパターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献１参照）。パターンドメディアでは予め最小記録単位である記録セルをリソグラフィーにより記録トラック上に配列して形成する。従来のスパッタ成膜された磁気記録層では、最小記録マークであっても数十〜数百個の磁性粒子の集まりに対して記録を書き込んでいたが、パターンドメディアでは磁性粒子の大きさはリソグラフィーで形成される記録セルの大きさにまで拡大できるため、磁性粒子の微細化に起因する熱揺らぎの問題を根本的に解決することができる。
【特許文献１】特開２００４−２９５９８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、パターンドメディアでは、磁性体膜をエッチングにより加工を行うために、エッチングマスクが必要である。エッチングマスクは通常、高分子材料を成分とする溶液を塗布する形成した塗布膜に、光や電子などのエネルギービームにより露光することによりパターン形成したものである。また、インプリント法と呼ばれる方法では、同様に形成される高分子材料の塗布膜に凹凸パターンを圧着することによりパターン形成を行う。
【０００６】
他方、ＨＤＤ用の媒体の製造では、保護膜の形成までを真空環境下で一貫して行うことにより非常にスループットの高い安価な媒体製造を実現している。
【０００７】
これに対して、パターンドメディアにおいて塗布膜を用いることは製造工程の途中で真空環境からディスクを取り出すことになるため、スループットが低下し、安価なディスク製造は実現が困難となる。
【０００８】
また、塗布膜はディスク表面全体で均一な膜厚を得ることが非常に難しい。特に、ディスクエッジでは膜厚は大幅にずれてしまうために、エッジ部分で均質なエッチング加工を行うことは不可能である。
【０００９】
更に、塗布コートではエッジ部では塗布面の裏側にも材料が回りこんでしまうことも避けられない。そのため、ディスク両面にディスク全面に渡ってパターンを形成することが非常に困難であり、高密度の記録書き込みができなくなる。
【００１０】
また、エッチングマスクは記録媒体として完成される前に完全に取り除かれなくてはならない。エッチングマスクが残っているとヘッドが十分に媒体に近づくことができず、パターンドメディア本来の目的である微小な記録マークの書き込みや読み出しが困難になる。通常、電子デバイスの製造に用いられるレジスト材料は、適当な溶剤や剥離剤もしくは酸素プラズマ処理により取り除かれる。溶剤や剥離剤などのウェット処理が製造工程の途中に入ると製造工程の途中で真空環境からディスクを取り出すことになるため、スループットが低下し、安価なディスク製造工程を得ることが不可能となる。また酸素プラズマ処理を行うことは、磁性体膜に対してダメージを与えることになり、ＳＮの劣化などを生じる可能性がある。
【００１１】
以上説明したように、パターンドメディアの作製方法において安価で高密度な記録が可能な媒体作製を困難にしている。
【００１２】
本発明は、安価でかつ高密度な記録が可能な磁気記録媒体を製造することのできる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様による磁気記録媒体の製造方法は、基板に磁性膜を形成する工程と、インプリント法により磁気記録媒体の凹凸パターンが転写されるパターン転写膜の形成を、１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空中でパターン転写膜形成用材料を１００℃以上４００℃以下の温度で加熱して前記磁性膜上に蒸着することにより行う工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
なお、前記パターン転写膜にインプリント用のスタンパを用いて前記凹凸パターンを転写し、エッチングマスク用パターンを形成する工程と、前記エッチングマスク用パターンをマスクとして前記磁性膜をエッチングする工程と、真空中かつ１００℃以上４００℃以下の温度の雰囲気で前記エッチングマスク用パターンを加熱して、蒸発させることによって前記エッチングマスク用パターンを除去する工程と、を更に備えてもよい。
【００１５】
なお、前記磁性膜を形成する工程、前記エッチングマスク用パターンを形成する工程、前記磁性膜をエッチングする工程、および前記エッチングマスク用パターンを除去する工程は、１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空下で行われてもよい。
【００１６】
なお、前記パターン転写膜は、一般式Ｚ−（Ｘ−Ｙ）ｎで表される有機材料から形成され、ここで、Ｚは芳香族骨格または脂環式骨格を含む化合物、Ｙは芳香族骨格、脂環式骨格、Ｈ、ＣＨ３、Ｓｉ、Ｓｎを含む分子骨格のいずれかを含む化合物、Ｘは二価連結基、ｎは１以上の整数であってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、安価でかつ高密度な記録が可能な磁気記録媒体を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態による磁気記録媒体の製造方法を説明する。
【００１９】
本実施形態の磁気記録媒体の製造方法の製造工程を図１（ａ）乃至図２（ｅ）に示し、本実施形態の製造方法を実施するのに使用される製造装置２０を図３に示す。本実施形態の製造方法によって製造される磁気記録媒体はパターンドメディアである。また、上記製造装置２０は、複数の成膜装置が連結された成膜用チャンバ２１と、成膜用チャンバ２３と、インプリント用チャンバ２５と、ドライエッチング用チャンバ２７と、ドライエッチング用チャンバ２９と、イオンビーム照射用チャンバ３１と、ランプアニール用チャンバ３３と、成膜用チャンバ３５と、ドライエッチング用チャンバ３７と、成膜用チャンバ３９とを備えている。各チャンバはゲートバルブ４１によって隔てられており、各チャンバでの処理が終了する毎に次に処理が行われるチャンバとの間のゲートバルブ４１が開閉して専用のキャリアに固定されたディスクが上記次の処理工程を行うチャンバに移動することにより、磁気記録媒体の製造が進行する。また、各チャンバでは真空状態で処理が行われる。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示すように、専用のキャリア（図示せず）に基板（ディスク）２を固定し、成膜チャンバ２１に搬入する。そしてこの成膜チャンバ２１において、基板２上に磁性体記録膜４を形成する。通常、磁気記録媒体においては、磁性体記録膜の結晶配向を整える目的などにより、磁性体記録膜の下地層として複数の金属もしくは誘電体の薄膜を形成することが一般的である。また、垂直磁気記録媒体においては、磁性体記録膜の下に、軟磁性下地膜を形成することが一般的である。なお、本実施形態では、基板２の形状は、ディスク形状であり、０．８５インチ、１インチ、１．８インチ、２．５インチ、３インチのディスク形状の基板であっても良い。なお、基板２の形状はディスク形状に限定されるものではない。基板２の平坦性は高い方が好ましい。基板２上に形成される磁性体記録膜４は、強磁性材料からなる。具体的には、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉの強磁性元素の少なくとも１種類を含んでいる。さらに、Ｃ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｂ、Ｓｍ、Ｇｄなどの金属を少なくとも１種類を含んでいるものであっても良い。強磁性材料はスパッタ法によって基板上に製膜される。また、磁性体記録膜４は上記のような材料の異なる層を多層構造にした構造であっても良い。またそれぞれの層の間にＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ以外の非磁性金属もしくは金属酸化膜が挿入された構造のものであっても良い。
【００２１】
次に、磁性体記録膜４が形成された基板２を成膜用チャンバ２３に搬入し、図１（ｂ）に示すように、磁性体記録膜４の上にパターン転写膜６を形成する。パターン転写膜６は、次のナノインプリントの工程により、エッチングマスクパターンが転写される膜である。パターン転写膜６は真空蒸着法により形成される。パターン転写膜６に用いられる材料は、後の工程で加熱より剥離される。したがって、パターン転写膜材料は１００℃以上４００℃以下の温度で加熱すると蒸発する材料である。パターン転写膜６には、低分子量の芳香族を含む有機材料が好ましい。有機材料が芳香族を含むことによりエッチング耐性を高くすることができる。これらの低分子量の有機材料からなるパターン転写膜６は、真空中における蒸着によって製膜することができる。例えば、図４に示すように、ルツボ５１内に低分子量の芳香族有機材料５２を保持し、ルツボ５１の周囲に配置された加熱フィラメント５３を通電して加熱する。すると、輻射熱により芳香族有機材料５２が容易に蒸発し、蒸発分子流となって基板２に当たり、基板上に堆積することが可能となる。なお、ルツボ５１の開口部にはシャッタを設置してもよい。また、チャンバ２１とチャンバ２５に、蒸発している低分子量の芳香族有機材料の分子が拡散するのを防止するために、ゲートバルブで隔てられたロード室およびアンロード室を設けてもよい。
【００２２】
これらの低分子量の有機材料の分子は、１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空条件下で蒸着することによって高い蒸着レートでの蒸着が可能となり、蒸着中の材料の劣化を防ぐことができる。仮に真空状態でない雰囲気中で蒸発させると、蒸着時の加熱により雰囲気中の酸素と反応して劣化が起こり、磁性体エッチングマスクとしてのエッチング耐性が劣化する、剥離工程での必要な加熱温度が変化するなどの影響がでる。蒸着は１×１０−５Ｔｏｒｒ以下の真空中で蒸着することがより好ましい。また、これらの低分子量の有機材料の分子は、１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空条件下で蒸着することによって、基板２の裏面（パターン転写膜を形成すべき面と反対側の面）に低分子量の有機材料が回り込むのを防止することが可能となる。これにより、基板（ディスク）の両面にパターンドメディアのパターンを形成することができる。なお、パターン転写膜６に用いられる好適な材料は後で詳細に述べる。なお、真空蒸着する際には、パターン転写膜材料は１００℃以上４００℃以下の温度で加熱される。
【００２３】
次に、上述のようにしてパターン転写膜６が形成された基板（ディスク）２を、インプリント用チャンバ２５に搬入する。このインプリント用チャンバ２５において、図１（ｃ）に示すように、パターン転写膜６にエッチングマスク用パターン６ａを形成する。パターンドメディアの凹凸パターンに対して凹凸の反転した凹凸パターンを有するスタンパ８を、パターン転写膜６が形成された基板２上に圧着してエッチングマスク用パターン６ａを転写する。パターンドメディアの凹凸パターンは、記録セルが記録トラックに平行に配列したデータ領域と位置決め情報やアドレスなどの情報が形成されたサーボ情報領域からなる。記録トラック間を物理的に分離するディスクリートトラック型パターンド媒体（ＤＴＲ媒体）のパターンであっても良い。
【００２４】
従来のＨＤＤでは、隣接トラックとの干渉という問題が顕在化している。特に記録ヘッド磁界のフリンジ効果による書きにじみの低減は重要な技術課題である。ディスクリートトラック型パターンド媒体では、記録時におけるサイドイレーズ現象、再生時に隣接トラックの情報が重なって読み出されるサイドリード現象などが低減できるため、トラック密度を向上できる。スタンパ８の材質は、ＳｉＯ２、Ｓｉ、ＳｉＮなど誘電体、Ｎｉなどの金属および金属合金、カーボン材などインプリント時の圧力によって変形が小さいものであれば特に限定されない。スタンパ８の表面は、圧着後のスタンパとパターン転写膜の分離を良くするために、離型処理される。離型処理には、トリクロロシラン、メトキシシラン、エトキシシランなどの反応基がアルキル鎖やフロロカーボン鎖の末端についたシランカップリング剤、例えばオクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン：ＯＤＴ）や、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などが用いられる。ＯＤＴやＨＭＤＳのエタノール溶液中にスタンパを浸して１時間程度放置した後、エタノールなどの溶媒で洗浄することで容易に表面を離型処理することができる。離型処理されたスタンパは、ディスクの中心とスタンパ８上のパターンの中心とを１００μｍ以下の範囲で位置決めした後、ディスクに圧着されパターン転写膜にパターンが転写される。インプリント用チャンバ２５に配置されているインプリント装置６０の内部の概略構成を図５に示す。横置きの一対の油圧プレス６１ａ、６１ｂがディスク１００に対して対向するように設けられている。油圧プレス６１ａ、６１ｂにはプレス台６２ａ、６２ｂがそれぞれ設けられている。片方の油圧プレス６１ａのプレス台６２ａのプレス面にはディスク１００とスタンパ８ａ、８ｂの中心位置を一致させるための突起６３が設けられ、他方の油圧プレス６１ｂのプレス台６２ｂには突起６３が挿入される凹部６４が設けられている。両方のプレス６１ａ、６１ｂは同時に加圧を開始しディスク１００の表面のパターン転写膜にパターンを転写する。両方のプレス面は加熱および冷却できる機構が含まれていても良い。インプリント時にスタンパ８ａ、８ｂの表面を加熱してより低い圧力でパターン転写を可能にし、冷却した後にスタンパ８ａ、８ｂをディスク１００から剥離する。
【００２５】
通常、インプリント法により形成されたエッチングマスク用パターン６ａの凹部の底には、図１（ｃ）に示すように、パターン転写膜６の残渣６ｂがある程度の厚さで残っている。磁性体加工の形状の精度を向上させるためには、この残渣６ｂの部分を除去する必要がある。残渣の除去するために、エッチングマスク用パターン６ａが形成された基板２をドライエッチング用チャンバ２７に搬入し、酸素によるドライエッチングを行う。パターン転写膜６として低分子量有機材料を用いる場合には、酸素によるドライエッチングを行うことにより残渣６ｂを除去することができる（図１（ｄ）参照）。
【００２６】
次に、上述のようにエッチングマスクとなるパターン６ａが形成された基板（ディスク）２をドライエッチング用チャンバ２９に搬入する。このドライエッチング用チャンバ２９において、図２（ａ）に示すように、パターン６ａをマスクとして磁性体記録膜４のエッチング加工を行う。磁性体記録膜４のエッチング加工は、イオンビームエッチング、リアクティブイオンエッチングにより行う。エッチングガスはアルゴン、塩素、塩素とアルゴンとの混合ガス、ＢＣｌ３、ＢＣｌ３とアルゴンやＣｌ２との混合ガス、ＣＯとＮＨ３との混合ガスなどが用いられる。なお、エッチングは、イオンガンをディスクに対して両面に配置してディスク両面からエッチングガスのイオンビームを照射する。ディスクにＲＦ（高周波）電圧を印加してＲＩＥ装置としたものを用いても良い。イオンガンを用いたエッチングを行う場合には、イオンの入射角度をディスク面に対して傾けても良い。この際、ディスクの全面に一様にエッチングを行うためにはディスクを回転させる機構を取り付けるのが好ましい。なお、このエッチングによって、エッチングマスク用パターン６ａの側壁に磁性体からなる付着物が付着する。
【００２７】
次に、磁性体記録膜４のエッチング加工がされた基板（ディスク）２をイオンビーム照射用チャンバ３１に搬入し、エッチングマスク６ａの側壁に付着した上記付着物を除去する。この除去のために低角度のイオンビーム装置が用いられる。ディスクの両面のそれぞれの処理に対してそれぞれ１つのイオンビーム装置を配置し、ディスクを回転させながらイオンビームを照射する。これにより、図２（ａ）に示すように、エッチングマスク６ａの側壁に付着した付着物を除去することができる。なお、付着物の除去は、エッチングマスク６ａの剥離を行った後に、斜め低角からのイオンビーム照射を行って、上記エッチングマスク側壁の付着物を除去する工程をおこなっても良い。また、エッチングマスクの剥離工程とエッチングマスク側壁の付着物の除去工程とを交互に繰り返し行っても良い。
【００２８】
次に、付着物が除去されたエッチングマスク６ａを有する基板（ディスク）２をランプアニール用チャンバ３３に搬入し、エッチングマスク６ａの剥離を行う。エッチングマスク６ａの剥離には、図２（ｂ）に示すように、ディスクを１００℃〜４００℃に加熱して行う。本実施形態においては、ディスクの加熱にランプアニールが用いられる。ランプアニールは真空中で試料を急速に昇温することが可能であり、ディスクの処理スピード向上を実現する上で有効である。なお加熱用のランプはディスクの両側にそれぞれ設けて、ディスクの両面にそれぞれ形成されたエッチングマスク６ａを同時に剥離してもよい。十分な加熱によってエッチングマスク６ａの剥離は、ほぼ完全に行われるが、表面に薄く吸着したエッチングマスクが完全に剥離できない場合がある。この場合には、エッチングマスク６ａの剥離後にドライエッチングを弱く施すことにより、うすく吸着したエッチングマスク６ａを剥離することができる。例えば、アルゴンガスプラズマエッチングを用いることができる。
【００２９】
次に、エッチングマスク６ａが剥離された基板（ディスク）２を成膜用チャンバ３５に搬入し、図２（ｃ）に示すように、エッチング加工された磁性体記録膜４ａを覆うように非磁性膜１０を成膜する。このとき、エッチング加工により形成された磁性体記録膜４ａの凹部が非磁性膜によって埋め込まれる。非磁性膜１０は、金属、誘電体、カーボンなどをスパッタやプラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ）などによって形成することができる。
【００３０】
次に、非磁性膜１０が形成されたディスクをドライエッチング用チャンバ３７に搬入し、図２（ｄ）に示すように、磁性体記録膜４ａの上面が露出するまで、非磁性膜１０をドライエッチングによりエッチバックする。
【００３１】
続いて、ディスクを成膜用チャンバ３９に搬入し、図２（ｅ）に示すように、ダイヤモンドライクカーボンからなる保護層１２をＣＶＤなどにより形成する。
【００３２】
なお、本実施形態においては、非磁性膜１０形成し、この非磁性膜１０をエッチバックした後、保護層１２を形成したが、非磁性膜１０を形成しないで、磁性体記録膜４ａを覆うように保護層１２を形成してもよい。
【００３３】
以上の工程はすべて真空環境、例えば１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空状態で行われる。また、それぞれの工程を行うチャンバの間のディスクの搬送の際も真空環境（例えば１×１０−３Ｔｏｒｒ以下）を保ったまま行うことが可能となり、磁気記録媒体製造のスループットを向上させることができる。また、以上の工程は、ディスクの両面に対して行っても良い。
【００３４】
以上のようにして保護層１２まで形成されたディスクは、潤滑剤が塗布される。潤滑剤としては、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【００３５】
次に、本実施形態のパターン転写膜６として用いられる材料について説明する。
【００３６】
本実施形態のパターン転写膜６として用いられる材料は、一般式Ｚ−（Ｘ−Ｙ）ｎで表される低分子量の有機材料である。ここで、Ｚは芳香族骨格または脂環式骨格、Ｙは芳香族骨格やＳｉなどの金属原子を含む分子骨格、Ｘは二価連結基、ｎは１以上の整数である。
【００３７】
Ｚの具体例を、図６（ａ）〜図６（ｑ）、図７（ａ）〜図７（ｔ）、図８（ａ）〜図８（ｆ）、図９（ａ）〜図９（ｄ）、図１０（ａ）〜図１０（ｋ）に示す。なお、図９（ａ）〜図９（ｄ）における記号Ｒは水素原子またはアルキル基を表している。
【００３８】
また、Ｘの具体例を、図１１（ａ）〜図１１（ｍ）に示す。
【００３９】
また、Ｙの具体例を、図１２（ａ）〜図１２（ｇ）、図１３（ａ）〜図１３（ｅ）、図１４（ａ）〜図１４（ｄ）、図１５（ａ）〜図１５（ｌ）、図１６（ａ）〜図１６（ｉ）、図１７（ａ）〜図１７（ｉ）、図１８（ａ）〜図１８（ｆ）、図１９（ａ）〜図１９（ｃ）、図２０（ａ）〜図２０（ｈ）、図２１（ａ）〜図２１（ｇ）、図２２（ａ）〜図２２（ｄ）、図２３（ａ）〜図２３（ｅ）、図２４（ａ）〜図２４（ｂ）に示す。なお、Ｙとして、図１２（ａ）乃至図２４（ｂ）に示されている芳香族骨格、脂環式骨格、Ｈ、ＣＨ３、Ｓｉ、Ｓｎのいずれかを含むものとする。
【００４０】
また、低分子量の有機材料として、特に成膜した際に平坦性に優れた材料の具体例を図２５（ａ）〜図２５（ｃ）、図２６（ａ）〜図２６（ｄ）、図２７（ａ）〜図２７（ｂ）、図２８（ａ）〜図２８（ｃ）、図２９（ａ）〜図２９（ｆ）に示す。
【００４１】
（実施例）
以下、本発明の実施例を説明する。  
本実施例では、２．５インチガラスディスク上に磁性体記録膜４として、軟磁性下地層と垂直磁気記録層の２層構造からなる垂直磁気記録膜をスパッタにより形成した。軟磁性下地層としてＣｏＺｒＮｂ系合金膜を２００ｎｍ、Ｒｕ中間層を５ｎｍ、記録層としてＣｏＣｒＰｔ系合金膜を１５ｎｍ形成した。パターン転写層６としてはＴＰＤを膜厚４０ｎｍ成膜した。ベース真空度は２×１０−６Ｔｏｒｒ、成膜時のルツボの温度は２００℃で、成膜レート１０ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００４２】
ナノインプリントはプレス圧４０ｔで行った。スタンパ８は電子線描画によりＳｉ基板上のレジスト膜に描画したパターンドメディア用パターンをＳｉ基板にＣＦ４ガスを用いたドライエッチングにより転写したものを原盤として用い、その原盤のパターンをＮｉ電鋳によりＮｉスタンパ化したものを用いた。スタンパ８の離型処理は、フルオロカーボン系のシランカップリング剤を４％の濃度でエタノールに溶かしたものにＮｉスタンパを１時間浸して行った。
【００４３】
パターン６ａの凹部の底だしのためのエッチングは、ＥＣＲをイオン源として酸素イオンビームエッチングによって行った。エッチング深さはデータトラック部分で深さ１６ｎｍとなるようにエッチングを行った。
【００４４】
磁性体記録膜４のエッチング加工はアルゴンイオンビームエッチングにより行った。エッチング深さはデータトラック部分で深さ１６ｎｍとなるようにエッチングを行った。エッチングマスク６ａの残渣６ｂの除去はランプアニール加熱により行った。ランプの出力５００Ｗで３０秒加熱を行った。
【００４５】
非磁性体の埋め込みはＳｉＯ２を膜厚５０ｎｍとなるように製膜した。エッチバックはＡｒイオンビームエッチングによりエッチバックしてＣｏＣｒＰｔ記録膜が露出するまで行った。保護層１２としてダイヤモンドライクカーボンを膜厚３ｎｍ形成した。なお、本実施例は、各製造処理工程を行うチャンバはゲートバルブによって隔てられ連結して配置された製造装置を用いて行った。１枚のディスクの保護層１２の成膜までの製造にかかる時間は２０分かかった。
【００４６】
保護層１２の成膜後、潤滑剤としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤ｚ−ｄｏｌを膜厚２ｎｍとなるよう成膜した。このようにして作製した磁気記録媒体の平滑性を音響効果素子を取り付けた浮上ヘッドによる浮上試験により調べた。４０００ｒｐｍで回転するディスク上で浮上量１２ｎｍの浮上ヘッドを浮上動作させたところ、音響効果素子の出力はパターンドメディアでない現行の磁気記録媒体上での試験と同程度の出力を示した。
【００４７】
以上説明したように、本発明の実施形態によれば、すべての工程を真空環境下で行うことが可能となりかつ確実に磁性体記録膜のエッチング加工後にエッチングマスクの残渣を容易に除去することが可能となるので、安価でかつ高いＳＮ比で高密度記録を書き込むことができるパターンドメディアを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態による磁気記録媒体の製造方法の製造工程を示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態による磁気記録媒体の製造方法の製造工程を示す断面図。
【図３】本発明の一実施形態の製造方法を実施するのに使用される製造装置のブロック図。
【図４】パターン転写膜の成膜チャンバの概略の構成を示す図。
【図５】ナノインプリント用チャンバの概略の構成を示す図。
【図６】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図７】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図８】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図９】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図１０】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図１１】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図１２】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図１３】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図１４】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図１５】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図１６】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図１７】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図１８】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図１９】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図２０】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図２１】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図２２】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図２３】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図２４】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図２５】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図２６】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図２７】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図２８】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【図２９】本発明の一実施形態の製造方法に用いられるパターン転写膜の材料に含まれる化合物の具体例を示す図。
【符号の説明】
【００４９】
２  基板
４  磁性体記録膜
６  パターン転写膜
６ａ  エッチングマスク用パターン
８  スタンパ
１０  非磁性膜
１２  保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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