(57)【要約】【課題】生産性が良好である発光素子の製造装置および発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】被処理基板上に、発光層を含む有機層を形成して発光素子を製造する発光素子の製造装置であって、前記被処理基板が順次搬送され、それぞれ基板処理が行われる複数の処理室と、前記複数の処理室にそれぞれ接続される複数の基板搬送室と、を有し、前記被処理基板を内部に保持可能に構成された基板保持容器が、前記複数の基板搬送室に順次接続されることで前記複数の処理室に前記被処理基板が順次搬送され、複数の前記基板処理が順次行われるよう構成されていることを特徴とする発光素子の製造装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上に、発光層を含む有機層を形成して発光素子を製造する発光素子の製造装置であって、
前記被処理基板が順次搬送され、それぞれ基板処理が行われる複数の処理室と、
前記複数の処理室にそれぞれ接続される複数の基板搬送室と、を有し、
前記被処理基板を内部に保持可能に構成された基板保持容器が、前記複数の基板搬送室に順次接続されることで前記複数の処理室に前記被処理基板が順次搬送され、複数の前記基板処理が順次行われるよう構成されていることを特徴とする発光素子の製造装置。
【請求項２】
前記基板保持容器は、前記被処理基板を密閉することが可能に構成されていることを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造装置。
【請求項３】
前記基板保持容器が前記基板搬送室に接続された状態で、当該基板保持容器の内部が真空排気されるよう構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子の製造装置。
【請求項４】
前記基板保持容器が前記基板搬送室に接続された状態で、当該基板保持容器の内部が所定の充填ガスで充填されるよう構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の発光素子の製造装置。
【請求項５】
前記基板保持容器の内部には、前記被処理基板を持ち上げる突き上げピンが設置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の発光素子の製造装置。
【請求項６】
前記複数の処理室は、
前記有機層を成膜するための有機層成膜室と、
前記有機層に電圧を印加するための電極を成膜するための電極成膜室と、を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の発光素子の製造装置。
【請求項７】
前記有機層成膜室は、電圧が印加されることで発光する前記発光層を含む多層構造を有する前記有機層が、蒸着法により、連続的に成膜されるように構成されていることを特徴とする請求項６記載の発光素子の製造装置。
【請求項８】
前記電極成膜室では、互いに対向する２つのターゲットを用いたスパッタリング法により前記電極が成膜されるよう構成されていることを特徴とする請求項６または７記載の発光素子の製造装置。
【請求項９】
前記複数の処理室は、前記有機層をエッチングしてパターニングするためのエッチング室を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項記載の発光素子の製造装置。
【請求項１０】
複数の処理室で基板処理工程がそれぞれ実施され、被処理基板上に発光層を含む有機層が形成されて発光素子が製造される発光素子の製造方法であって、
前記被処理基板を内部に保持する基板保持容器が、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数の基板搬送室に順次接続されて前記被処理基板の搬送が行われ、複数の前記基板処理工程が実施されるとこを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記被処理基板は前記基板保持容器の内部で密閉された状態で搬送され、前記複数の基板搬送室に順次接続されることを特徴とする請求項１０記載の発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記基板保持容器が前記基板搬送室に接続された状態で、当該基板保持容器の内部が真空排気されることを特徴とする請求項１０または１１記載の発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記基板保持容器が前記基板搬送室に接続された状態で、当該基板保持容器の内部が所定の充填ガスで充填されることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項記載の発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記複数の基板処理工程は、
前記有機層を成膜するための有機層成膜工程と、
前記有機層に電圧を印加するための電極を成膜するための電極成膜工程と、を含むことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項記載の発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記有機層成膜工程では、電圧が印加されることで発光する発光層を含む多層構造を有する前記有機層が、蒸着法により連続的に成膜されることを特徴とする請求項１４記載の発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記電極成膜工程では、互いに対向する２つのターゲットを用いたスパッタリング法により前記電極が成膜されることを特徴とする請求項１４または１５記載の発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記複数の基板処理工程は、前記有機層をエッチングしてパターニングするためのエッチング工程を含むことを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光層を含む発光素子の製造装置、および有機発光層を含む発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、従来用いられてきたＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）に換わって、薄型にすることが可能な平面型表示装置の実用化が進んでおり、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は自発光、高速応答などの特徴を有するために、次世代の表示装置として着目されている。また、有機ＥＬ素子は、表示装置のほかに、面発光素子としても用いられる場合がある。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、陽電極（正電極）と陰電極（負電極）の間に有機ＥＬ層（発光層）を含む有機層が狭持された構造となっており、当該発光層に正極から正孔を、負極から電子を注入してそれらの再結合をさせることによって、当該発光層を発光させる構造になっている。
【０００４】
また、前記有機層には、必要に応じて陽極と発光層の間、または陰極と発光層の間に、例えば正孔輸送層、または電子輸送層など発光効率を良好とするための層を付加することも可能である。
【０００５】
上記の発光素子を形成する方法の一例としては、以下の方法を取ることが一般的であった。まず、ＩＴＯよりなる陽電極がパターニングされた基板上に、前記有機層を蒸着法により形成する。蒸着法とは、例えば蒸発あるいは昇華された蒸着原料を、被処理基板上に蒸着させることで薄膜を形成する方法である。次に、当該有機層上に、陰電極となるＡｌ（アルミニウム）を、蒸着法などにより形成する。
【０００６】
例えばこのようにして、陽電極と陰電極の間に有機層が形成されてなる、発光素子が形成される（例えば特許文献１参照）。
【０００７】
また、上記の発光素子を製造する場合には、いわゆるクラスター型の製造装置が用いられる場合があった。クラスター型の装置とは、平面視した場合に多角形状を有する搬送室に、複数の処理室（成膜室など）が接続されてなる構造をいう。
【特許文献１】特開２００４−２２５０５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、発光層を含む有機層は、一般的な大気中に含まれる酸素や水分などによって容易に変質してしまい、発光素子の品質が低下してしまう懸念がある。このため、発光素子の有機層は、大気中で比較的安定な性質を示す無機材料（シリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜）よりなる保護膜で覆われた構造を有している場合が大半である。
【０００９】
しかし、発光素子の製造工程では、有機層が剥き出しの状態が存在するため、例えば製造装置の故障やメンテナンスなどによって有機層が大気に曝された場合、発光素子の製造の歩留まりが低下して生産性が低下する場合があった。また、従来のクラスター型装置では、有機層が大気に曝されることを防止するために、製造装置の故障の対応やメンテナンスなどに制限があり、発光素子の生産性を向上させる上で障害になっていた。
【００１０】
そこで、本発明は上記の問題を解決した、新規で有用な発光素子の製造装置および発光素子の製造方法を提供することを目的としている。
【００１１】
本発明の具体的な課題は、生産性が良好である発光素子の製造装置および発光素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記の課題を、請求項１に記載したように、被処理基板上に、発光層を含む有機層を形成して発光素子を製造する発光素子の製造装置であって、
前記被処理基板が順次搬送され、それぞれ基板処理が行われる複数の処理室と、
前記複数の処理室にそれぞれ接続される複数の基板搬送室と、を有し、
前記被処理基板を内部に保持可能に構成された基板保持容器が、前記複数の基板搬送室に順次接続されることで前記複数の処理室に前記被処理基板が順次搬送され、複数の前記基板処理が順次行われるよう構成されていることを特徴とする発光素子の製造装置により、また、
請求項２に記載したように、
前記基板保持容器は、前記被処理基板を密閉することが可能に構成されていることを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項３に記載したように、
前記基板保持容器が前記基板搬送室に接続された状態で、当該基板保持容器の内部が真空排気されるよう構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項４に記載したように、
前記基板保持容器が前記基板搬送室に接続された状態で、当該基板保持容器の内部が所定の充填ガスで充填されるよう構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項５に記載したように、
前記基板保持容器の内部には、前記被処理基板を持ち上げる突き上げピンが設置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項６に記載したように、
前記複数の処理室は、
前記有機層を成膜するための有機層成膜室と、
前記有機層に電圧を印加するための電極を成膜するための電極成膜室と、を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項７に記載したように、
前記有機層成膜室は、電圧が印加されることで発光する前記発光層を含む多層構造を有する前記有機層が、蒸着法により、連続的に成膜されるように構成されていることを特徴とする請求項６記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項８に記載したように、
前記電極成膜室では、互いに対向する２つのターゲットを用いたスパッタリング法により前記電極が成膜されるよう構成されていることを特徴とする請求項６または７記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項９に記載したように、
前記複数の処理室は、前記有機層をエッチングしてパターニングするためのエッチング室を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項１０に記載したように、
複数の処理室で基板処理工程がそれぞれ実施され、被処理基板上に発光層を含む有機層が形成されて発光素子が製造される発光素子の製造方法であって、
前記被処理基板を内部に保持する基板保持容器が、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数の基板搬送室に順次接続されて前記被処理基板の搬送が行われ、複数の前記基板処理工程が実施されるとこを特徴とする発光素子の製造方法により、また、
請求項１１に記載したように、
前記被処理基板は前記基板保持容器の内部で密閉された状態で搬送され、前記複数の基板搬送室に順次接続されることを特徴とする請求項１０記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１２に記載したように、
前記基板保持容器が前記基板搬送室に接続された状態で、当該基板保持容器の内部が真空排気されることを特徴とする請求項１０または１１記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１３に記載したように、
前記基板保持容器が前記基板搬送室に接続された状態で、当該基板保持容器の内部が所定の充填ガスで充填されることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１４に記載したように、
前記複数の基板処理工程は、
前記有機層を成膜するための有機層成膜工程と、
前記有機層に電圧を印加するための電極を成膜するための電極成膜工程と、を含むことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１５に記載したように、
前記有機層成膜工程では、電圧が印加されることで発光する発光層を含む多層構造を有する前記有機層が、蒸着法により連続的に成膜されることを特徴とする請求項１４記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１６に記載したように、
前記電極成膜工程では、互いに対向する２つのターゲットを用いたスパッタリング法により前記電極が成膜されることを特徴とする請求項１４または１５記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１７に記載したいように、
前記複数の基板処理工程は、前記有機層をエッチングしてパターニングするためのエッチング工程を含むことを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項記載の発光素子の製造方法により、解決する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、生産性が良好である発光素子の製造装置および発光素子の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明に係る発光素子の製造装置は、被処理基板上に、発光層を含む有機層を形成して発光素子を製造する発光素子の製造装置であって、前記被処理基板が順次搬送され、それぞれ基板処理が行われる複数の処理室と、前記複数の処理室にそれぞれ接続される複数の基板搬送室と、を有している。
【００１５】
さらに、本発明による発光素子の製造装置では、前記被処理基板を内部に保持可能に構成された基板保持容器が、前記複数の基板搬送室に順次接続されることで前記複数の処理室に前記被処理基板が順次搬送され、複数の前記基板処理が順次行われるよう構成されていることを特徴としている。
【００１６】
例えば、従来のクラスター型の発光素子の製造装置の場合、装置の故障やメンテナンスのために有機層が大気に曝され、発光素子の品質が低下してしまう懸念があった。また、有機層が大気に曝されることを防止するために、製造装置の故障の対応やメンテナンスなどに制限があり、発光素子の生産性を向上させる上で障害になっていた。
【００１７】
一方で本発明による製造装置では、有機層が形成される被処理基板が基板保持容器で保護（密閉）されて搬送され、基板搬送室に順次接続されるため、有機層が大気に曝される懸念が少なく、良好な品質の発光素子を良好な生産性で製造することが可能になっていることが特徴である。
【００１８】
また、有機層が形成される被処理基板が基板保持容器に密閉された状態で搬送されるため、処理室のメンテナンスや故障の対応が容易となり、製造装置の生産性が良好となる効果を奏する。
【００１９】
また、被処理基板が大気へ曝されるリスクが低減されるため、処理室の構成や搬送経路、またメンテナンスの方法についての自由度が飛躍的に向上し、製造装置の生産性が良好となる。
【００２０】
次に、上記の発光素子の製造装置の構成の例と、当該製造装置を用いた発光素子の製造方法の例について、図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明の実施例１による発光素子の製造装置１００を模式的に示す平面図である。図１を参照するに、前記製造装置１００は、被処理基板Ｗの基板処理を行う複数の処理室ＣＬ１，ＥＬ１，ＳＰ１，ＥＴ１，ＳＰ２，ＣＶＤ１を有している。前記処理室ＣＬ１，ＥＬ１，ＳＰ１，ＥＴ１，ＳＰ２，ＣＶＤ１には、基板搬送室Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５，Ｔ６がそれぞれ接続されている。また、当該基板搬送室Ｔ１〜Ｔ６の内部には、それぞれ、搬送アームなどよりなる基板搬送手段（本図では図示せず）が設置されており、被処理基板を基板保持容器（後述）から処理室へ、または処理室から基板保持容器へと搬送可能に構成されている。
【００２２】
上記の製造装置において、被処理基板Ｗは、前記処理室ＣＬ１，ＥＬ１，ＳＰ１，ＥＴ１，ＳＰ２，ＣＶＤ１において順次基板処理が行われる。このような複数の処理室における複数の基板処理工程を経て、前記被処理基板Ｗ上には発光層を含む有機層や、さらには該有機層に電圧を印加するための電極が形成され、発光素子が製造される。
【００２３】
本実施例による製造装置１００では、内部に被処理基板Ｗが保持された基板保持容器Ｂ１が被処理基板Ｗごと搬送されて、複数の基板搬送室Ｔ１〜Ｔ６に順次接続されることが特徴となっている。
【００２４】
この場合、前記基板保持容器Ｂ１が接続された前記基板搬送室Ｔ１〜Ｔ６では、内部に設置された基板搬送手段（図示せず）により、被処理基板Ｗが、前記基板保持容器Ｂ１から前記基板搬送室Ｔ１〜Ｔ６が接続されるそれぞれの処理室に搬送される。
【００２５】
例えば、前記基板搬送室Ｔ１に接続された前記基板保持容器Ｂ１からは、前記被処理基板Ｗが、前記処理室ＣＬ１へと搬送され、当該処理室ＣＬ１で基板処理室が行われることになる。前記処理室ＣＬ１で処理を終了した被処理基板Ｗは再び前記基板保持容器Ｂ１に戻される。この後、内部に被処理基板Ｗを保持した基板保持容器Ｂ１は、前記基板搬送室Ｔ２に接続され、同様の処理（被処理基板Ｗの処理室ＥＬ１への搬送、該処理室ＥＬ１での基板処理、該被処理基板Ｗの該基板保持室Ｂ１への搬送）が行われる。
【００２６】
同様にして、前記基板保持容器Ｂ１は、順次隣接する基板搬送室へ接続される。例えば、前記基板保持容器Ｂ１は、前記基板搬送室Ｔ１に始まって、前記基板搬送室Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６にそれぞれ順次接続される。また、前記基板保持容器Ｂ１が前記基板搬送室Ｔ１〜Ｔ６に接続されると、それぞれの基板搬送室Ｔ１〜Ｔ６に接続される処理室に被処理基板Ｗが搬送され、順次基板処理が実施される。すなわち、被処理基板Ｗは、処理室ＣＬ１，ＥＬ１，ＳＰ１，ＥＴ１，ＳＰ２，ＣＶＤ１で順次基板処理が行われ、発光素子が形成される。
【００２７】
この場合、前記基板保持容器Ｂ１は、保持容器搬送手段ＴＵ１により保持されて搬送される。前記保持容器搬送手段ＴＵ１は、搬送レールＬに沿って平行に移動するように構成されている。また、前記保持容器搬送手段ＴＵ１には、搬送アームＡＭ１が設置されており、該搬送アームＡＭ１は、前記基板保持容器Ｂ１を基板搬送室Ｔ１〜Ｔ６へ押圧して接続したり、または、該基板保持容器Ｂ１を基板搬送室から脱着する。
【００２８】
また、発光素子が形成される前の被処理基板Ｗを内部に保持する、前記基板保持容器Ｂ１は、例えば保持容器ステーションＢＡ１に複数配列される。前記保持容器搬送手段ＴＵ１は、前記保持容器ステーションＢＡ１から前記基板保持容器Ｂ１をピックアップして搬送し、前記基板搬送室Ｔ１に接続する。
【００２９】
一方で、基板処理が完了して発光素子が形成された被処理基板Ｗを内部に保持する基板保持容器Ｂ１は、保持容器ステーションＢＡ２に複数配列される。発光素子が形成された（前記処理室ＣＶＤ１で処理を終了した）被処理基板Ｗを内部に保持する基板保持容器Ｂ１は、前記保持容器搬送手段ＴＵ１により前記基板搬送室Ｔ６から脱着され、搬送されて前記保持容器ステーションＢＡ２に載置される。
【００３０】
また、上記の保持容器搬送手段ＴＵ１や、前記搬送室Ｔ１〜Ｔ６の内部に設置された基板搬送手段（図示せず）、さらに前記処理室ＣＬ１、ＥＬ１、ＳＰ１、ＥＴ１、ＳＰ２、ＣＶＤ１などの基板処理（発光素子の製造）に係る動作は、内部にＣＰＵ（図示せず）を有する制御手段１００Ａにより、制御される。
【００３１】
また、図２は、図１のＡ−Ａ’断面を模式的に示した図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。また、前記基板搬送室Ｔ２には、前記基板保持容器Ｂ１が接続された状態を示している。
【００３２】
図２を参照するに、前記基板保持容器Ｂ１の内部には、前記被処理基板Ｗが載置される保持台Ｂｈと、該被処理基板Ｗを持ち上げる突き上げピンＢｐが設置されている。また、前記基板保持容器Ｂ１には、バルブＶ１が付されたガスラインＧＡＳ１が接続されている。前記バルブＶ１を開放することで、前記ガスラインＧＡＳ１から前記基板保持容器Ｂ１内に所定の充填ガス（例えばＡｒなどの不活性ガス、または、Ｎ２などのガス）を供給することが可能になっている。
【００３３】
また、前記基板保持容器Ｂ１の、前記基板搬送室Ｔ２に接続される側には、ゲートバルブＧＶａが設置されている。前記ゲートバルブＧＶａを開放することで、被処理基板Ｗの基板保持容器Ｂ１からの搬出や、被処理基板Ｗの基板保持容器Ｂ１への搬入が可能になるように構成されている。
【００３４】
一方、前記基板搬送室Ｔ２の内部には、前記被処理基板Ｗを搬送するための搬送手段（搬送アーム）ＡＭ２が設置されている。前記搬送手段ＡＭ２は、前記被処理基板Ｗを前記基板保持容器Ｂ１から前記処理室ＥＬ１に、または、前記被処理基板Ｗを前記処理室ＥＬ１から前記基板保持容器Ｂ１に搬送する。
【００３５】
また、前記基板搬送室Ｔ２の前記基板保持容器Ｂ１側にはゲートバルブＧＶｔが、前記基板搬送室Ｔ２の処理室ＥＬ１側にはゲートバルブ３１１ａがそれぞれ設置されている。前記被処理基板Ｗを前記基板保持容器Ｂ１から前記処理室ＥＬ１に、または、前記被処理基板Ｗを前記処理室ＥＬ１から前記基板保持容器Ｂ１に搬送する場合には、前記ゲートバルブＧＶｔ、３１１ａを開放する。
【００３６】
また、前記基板搬送室Ｔ２には、バルブＶ２が付されたガスラインＧＡＳ２が接続されている。前記バルブＶ２を開放することで、前記ガスラインＧＡＳ２から前記基板搬送室Ｔ２内に所定の充填ガス（例えばＡｒなどの不活性ガス、または、Ｎ２などのガス）を供給することが可能になっている。また、前記基板搬送室Ｔ２には、真空ポンプＰＶ、およびバルブＶ４が設置された排気ラインＥＸ１が接続され、当該バルブＶ４を開放することによって、当該基板搬送室Ｔ２内を所定の減圧状態に保持することが可能になっている。
【００３７】
また、前記基板搬送室Ｔ２は、前記ゲートバルブＧＶｔ側で前記基板保持容器Ｂ１と接続される。この場合、前記ゲートバルブＧＶｔと前記ゲートバルブＧｖａの間には、空間ＳＰが画成される。また、前記基板搬送室Ｔ２と前記基板保持容器Ｂ１とは、シール材料Ｂａを介して接続され、前記基板搬送室Ｔ２と前記基板保持容器Ｂ１内部の気密性が保持される。
【００３８】
また、前記空間ＳＰは、バルブＶ５が付されたガスラインＧＡＳ３から、所定の充填ガス（例えばＡｒなどの不活性ガス、または、Ｎ２などのガス）を供給することが可能になっている。また、前記空間ＳＰは、前記排気ラインＥＸ１に接続されるとともに、バルブＶ３が付された排気ラインＥＸ２によって、所定の減圧状態に保持することが可能になっている。
【００３９】
例えば、処理室ＥＬ１における被処理基板Ｗの基板処理は、以下に示すようにして行われる。前記被処理基板Ｗを前記保持台Ｂｐ上に保持した前記基板保持容器Ｂ１が、前記保持容器搬送手段ＴＵ１によって搬送され、前記基板搬送室Ｔ２に接続される。
【００４０】
前記基板搬送室Ｔ２内は、予め前記排気ラインＥＸ１から真空排気されることで所定の減圧状態とされているが、ここでさらに前記バルブＶ３が開放されることで、前記空間ＳＰが減圧状態とされる。
【００４１】
次に、前記ゲートバルブＧＶａ、ＧＶｔが開放され、前記基板搬送手段ＡＭ２によって、前記被処理基板Ｗが、前記基板保持容器Ｂ１から前記基板搬送室Ｔ２内へと搬送される。次に、前記ゲートバルブＧＶｔ，ＧＶａが閉じられた後、前記ゲートバルブ３１１ａが開放される。ここで、前記基板搬送手段ＡＭ２によって、前記被処理基板Ｗが前記処理室ＥＬ１内に搬送され、前記ゲートバルブ３１１ａが閉じられる。この後、前記処理室ＥＬ１で所定の基板処理（例えば有機層の成膜）が行われ、基板処理が完了した被処理基板Ｗは、再び前記搬送手段ＡＭ２によって、前記基板搬送室Ｔ２を介して前記基板保持容器Ｂ１に戻される。
【００４２】
この場合、前記基板保持容器Ｂ１内は、前記排気ラインＥＸ１、ＥＸ２で所定の時間（前記ゲートバルブＧＶｔ，ＧＶａが開放されている間）真空排気されるので、前記ゲートバルブＧＶａが閉じられて再び被処理基板Ｗが密閉された後も、所定の減圧状態となっている。このため、前記基板保持容器Ｂ１が次の基板搬送室に接続されるまでの間、前記被処理基板上の有機層が大気中の酸素や水分に曝されて品質が劣化する影響が抑制される。
【００４３】
また、被処理基板Ｗが前記基板保持容器Ｂ１内に戻された後で、該基板保持容器Ｂ１内が、前記ガスラインＧＡＳ１から供給される所定の充填ガスで充填されるようにしてもよい。例えば、当該充填ガスとしては、Ａｒなどの希ガスや、または窒素などを用いることができる。すなわち、前記基板保持容器Ｂ１内は、当該充填ガスで置換されることになる。この場合、前記被処理基板に形成された有機層の劣化を効果的に防止することが可能となる。
【００４４】
例えば、前記基板保持容器Ｂ１内を減圧状態とした場合に比べて、前記基板保持容器Ｂ１を当該充填ガスで置換した場合には、該基板保持容器Ｂ１内の圧力と周囲の大気との圧力差が小さくなる効果を奏する。このため、リークによって基板保持容器Ｂ１内に侵入する大気が少なくなり、有機層の品質劣化を効果的に抑制することができる。
【００４５】
また、基板処理を完了した被処理基板Ｗを保持した前記基板保持容器Ｂ１は、前記基板搬送室Ｔ２から脱着され、次に前記基板搬送室Ｔ３に接続される。前記基板保持容器Ｂ１を前記基板搬送室Ｔ２から脱着する場合には、前記ガスラインＧＡＳ３から前記空間ＳＰに所定量のガスを供給することが好ましい。このようにして、前記基板保持容器Ｂ１は順次基板搬送室に接続され、順次基板処理が行われる。
【００４６】
上記の発光素子を製造する場合の、各処理室での基板処理の概要は概ね以下のようになる。図１を参照して説明する。まず、陽電極が形成された被処理基板Ｗを内部に保持する複数の基板保持容器Ｂ１が、前記保持容器ステーションＢＡ１に配列される。前記保持容器搬送手段１は、当該基板保持容器Ｂ１をピックアップして前記基板搬送室Ｔ１に接続する。この後、さきに説明したように処理室ＣＬ１、ＥＬ１、ＳＰ１、ＥＴ１、ＳＰ２、ＣＶＤ１において順次基板処理が行われる。
【００４７】
まず、前記処理室ＣＬ１では、陰電極が形成された被処理基板のクリーニング処理が行われる。次に、前記処理室ＥＬ１では、発光層（有機ＥＬ層）を含む有機層が、例えば蒸着法により形成される。次に、前記処理室ＳＰ１では、当該有機層上に、陰電極がマスクスパッタリングにより、パターニングされて形成される。次に、前記処理室ＥＴ１では、パターニングされた当該陰電極がマスクにされて、例えばプラズマエッチングにより、前記有機層がエッチングされて当該有機層のパターニングが行われる。このエッチングによって、有機層の剥離が必要な領域が除去され、該有機層のパターニングが行われる。
【００４８】
次に、前記処理室ＳＰ２において、前記陰電極の引き出し線が、マスクスパッタリングにより、パターニングされて形成される。次に、前記処理室ＣＶＤ１において、前記有機層を覆うように、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機物よりなる絶縁性の保護膜をＣＶＤ法により、形成する。なお、上記のそれぞれの基板処理工程は、図３Ａ〜図３Ｆで後述する。
【００４９】
このようにして前記被処理基板Ｗ上に、陽電極と陰電極の間に有機層が形成されてなる、発光素子を形成することができる。上記の発光素子は、有機ＥＬ素子と呼ばれる場合がある。
【００５０】
上記の本実施例による製造装置１００では、被処理基板Ｗが、異なる処理室の間を搬送される場合には、前記基板保持容器Ｂ１によって密閉された状態となっている。この場合、被処理基板上の有機層は、酸素や水分を多く含む一般的な大気から隔離される。このため、発光素子の品質の低下を効果的に抑制することが可能になる。
【００５１】
例えば、従来のクラスター型の発光素子の製造装置の場合、被処理基板は剥き出しの状態のまま搬送されることが通常であった。また、減圧状態または不活性ガスで内部が置換された基板搬送室には、複数の処理室が接続された構造となっていた。
【００５２】
このため、装置の故障やメンテナンスのために有機層（被処理基板）が大気に曝され、発光素子の品質が低下してしまう懸念があった。また、有機層が大気に曝されることを防止するために、製造装置の故障の対応やメンテナンスなどに制限があり、発光素子の生産性を向上させる上で障害になっていた。
【００５３】
一方で本発明による製造装置では、有機層が形成される被処理基板Ｗが基板保持容器Ｂ１で保護（密閉）されて搬送され、基板搬送室Ｔ１〜Ｔ６に順次接続される構造になっている。このため、有機層が大気に曝される懸念が少なく、良好な品質の発光素子を良好な生産性で製造することが可能になっていることが特徴である。この場合、先に説明したように、前記基板保持容器Ｂ１内は減圧状態とされるか、または所定の充填ガスが充填（大気から充填ガスに置換）された状態とされることが好ましい。
【００５４】
また、有機層が形成される被処理基板Ｗが基板保持容器Ｂ１に密閉された状態で搬送されるため、それぞれの処理室ＣＬ１、ＥＬ１、ＳＰ１、ＥＴ１、ＳＰ２、ＣＶＤ１のメンテナンスや故障の対応が容易となり、製造装置の生産性が良好となる効果を奏する。また、前記搬送室Ｔ１〜Ｔ６についてもメンテナンスや故障の対応が容易となる効果を奏する。
【００５５】
また、被処理基板Ｗが大気へ曝されるリスクが低減されるため、処理室ＣＬ１、ＥＬ１、ＳＰ１、ＥＴ１、ＳＰ２、ＣＶＤ１の構成や搬送経路、またメンテナンスの方法についての自由度が飛躍的に向上し、製造装置の生産性が良好となる。
【００５６】
次に、上記の製造装置１００を用いて発光素子を製造する製造方法の詳細について、図３Ａ〜図３Ｆに基づき、手順を追って説明する。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
【００５７】
まず、図３Ａに示す工程は、前記処理室ＣＬ１での基板処理に対応する工程である。本工程では、例えばガラスなどよりなる透明な基板１１上に、ＩＴＯなどの透明な材料よりなる陽電極１２と、陰電極の引き出し線１３とが形成されてなる、いわゆる電極つきの基板（前記被処理基板Ｗに相当）のクリーニングを行う。なお、前記陽電極１２（前記引き出し線１３）は、例えばスパッタリング法などにより形成される。
【００５８】
また、前記基板１１には、例えばＴＦＴなどの発光素子の発光を制御する制御素子が組み込まれていても良い。例えば、本実施例により形成される発光素子を表示装置に用いる場合には、画素ごとに、例えばＴＦＴなどの制御用の素子が組み込まれる場合が多い。
【００５９】
この場合、ＴＦＴのソース電極と上記の陽電極１２が接続され、さらにＴＦＴのゲート電極とドレイン電極は、格子状に形成されたゲート線とドレイン線に接続され、画素ごとの表示の制御が行われる。この場合、前記引き出し線１３は、所定の制御回路（図示せず）に接続される。このような表示装置の駆動回路は、アクティブマトリクス駆動回路と呼ばれている。なお、本図では、このようなアクティブマトリクス駆動回路の図示は省略している。
【００６０】
次に、図３Ｂに示す前記処理室ＥＬ１における基板処理工程において、前記陽電極１２、前記引き出し線１３、および前記基板１１の上に、該記陽電極１２、該引き出し線１３、および該基板１１の露出部を覆うように、発光層（有機ＥＬ層）を含む有機層１４を、蒸着法により形成する。この場合、蒸着にあたってマスクは用いず、実質的に基板の全面に前記有機層１４を形成する。
【００６１】
次に、図３Ｃに示す前記処理室ＳＰ１における基板処理工程において、前記有機層１４上に、例えばＡｇよりなる陰電極１５を、例えばパターンマスクを用いたスパッタリングにより、所定の形状にパターニングして形成する。また、前記陰電極１５のパターニングは、前記陰電極１５を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング法により行ってもよい。
【００６２】
次に、図３Ｄに示す前記処理室ＥＴ１における基板処理工程において、図３Ｃに示した工程において形成された、パターニングされた前記陰電極１５をマスクにして、例えばプラズマエッチングにより、前記有機層１４のエッチングを行って、当該有機層１４のパターニングを行う。この工程において、前記有機層１４の剥離が必要な領域（例えば前記引き出し線１３上や、その他発光層が不要な領域）がエッチングにより除去され、該有機層１４のパターニングが行われる。
【００６３】
上記の場合、前記有機層１４のパターニングを、従来のようにマスク蒸着法を用いて行う必要が無くなる。このため、マスク蒸着法に起因する様々な問題を回避することができる。例えば、蒸着時のマスクの温度上昇によるマスク変形に起因する、蒸着膜（有機層１４）のパターニング精度の低下の問題を回避することができる。
【００６４】
次に、図３Ｅに示す前記処理室ＳＰ２における基板処理工程において、前記陰電極１５と前記引き出し線１３を電気的に接続する接続線１５ａを、例えばパターンマスクを用いたスパッタリングにより、パターニングして形成する。
【００６５】
次に、図３Ｆに示す前記処理室ＣＶＤ１における基板処理工程において、前記陽電極１２の一部、前記引き出し線１３の一部、前記有機層１４、前記陰電極１５、および前記接続線１５ａを覆うように、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる絶縁性の保護膜１６を、パターンマスクを用いたＣＶＤ法により、前記基板１１上に形成する。
【００６６】
このようにして、前記基板１１上に、前記陽電極１２と前記陰電極１５の間に前記有機層１４が形成されてなる、発光素子１０を形成することができる。上記の発光素子１０は、有機ＥＬ素子と呼ばれる場合がある。
【００６７】
前記発光素子１０は、前記陽電極１２と前記陰電極１５の間に電圧が印加されることで、前記有機層１４に含まれる発光層に、前記陽電極１２から正孔が、前記陰電極１５から電子が注入されてそれらが再結合され、発光する構造になっている。
【００６８】
当該発光層は、例えば、多環芳香族炭化水素、ヘテロ芳香族化合物、有機金属錯体化合物等の材料を用いて形成することが可能であり、上記の材料は例えば蒸着法により、形成することが可能である。
【００６９】
また、前記発光層での発光効率が良好となるように、前記有機層１４には、当該発光層と前記陽電極１２との間に、例えば、正孔輸送層，正孔注入層などが形成されていてもよい。また、当該正孔輸送層，正孔注入層は、そのいずれかが、またはその双方が省略される構造であってもよい。
【００７０】
同様に、前記発光層での発光効率が良好となるように、前記有機層１４には、当該発光層と前記陰電極１５との間に、例えば、電子輸送層，電子注入層が形成されていてもよい。また、当該電子輸送層，電子注入層は、そのいずれかが、またはその双方が省略される構造であってもよい。
【００７１】
また、前記有機層１４と前記陰電極１５との界面には、当該界面の仕事関数を調整するため（発光効率を良好とするため）の物質、例えば、Ｌｉ、ＬｉＦ、ＣｓＣＯ３などが添加された層が形成されていてもよい。
【００７２】
例えば、前記発光層は、例えば、ホスト材料にアルミノキノリノール錯体（Ａｌｑ３）、ドーピング材にはルブレンを用いて形成することができるが、これに限定されず、様々な材料を用いて形成することが可能である。
【００７３】
例えば、前記陽電極１２の厚さは１００μｍ乃至２００μｍ、前記有機層１３の厚さは５０μｍ乃至２００μｍ、前記陰電極１４の厚さは５０μｍ乃至３００μｍに形成される。
【００７４】
また、例えば、前記発光素子１０は、表示装置（有機ＥＬ表示装置）や、面発光素子（照明・光源など）に適用することができるが、これらに限定されるものではなく、様々な電子機器に用いることが可能である。
【００７５】
次に、上記の製造装置１００に用いられる処理室の構成の例について、図面に基づき以下に説明する。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
【００７６】
図４は、発光素子の製造装置に係る処理室（成膜室）ＥＬ１を模式的に示した図である。前記処理室ＥＬ１は、図３Ｂに示した、有機層の蒸着による成膜の工程を実施するための処理室（成膜室）である。
【００７７】
図４を参照するに、前記成膜室ＥＬ１は、内部に被処理基板Ｗ（図３Ａの基板１１に相当）を保持する保持台３１２を有する処理容器３１１を有している。前記処理容器３１１内は、真空ポンプ（図示せず）が接続された排気ライン３１１Ａにより排気され、減圧状態とされる構造になっている。
【００７８】
前記処理容器３１１の外側には、例えば固体または液体よりなる蒸着の原料３２１を蒸発または昇華させて、成膜原料ガス（気体原料）を生成する成膜原料ガス生成部３２２Ａが設置されている。
【００７９】
前記成膜原料ガス生成部３２２Ａは、原料容器３１９、およびキャリアガス供給ライン３２０を有している。前記原料容器３１９に保持された成膜原料３２１は、図示を省略するヒータなどにより加熱され、その結果成膜原料ガス（気体原料）が生成される。生成された成膜原料ガスは、キャリアガス供給ライン３２０から供給されるキャリアガスととともに、輸送路３１８Ａ内を輸送されて、前記処理容器３１１に設置された成膜原料ガス供給部３１７Ａに供給される構造になっている。前記成膜原料ガス供給部３１７Ａに輸送された成膜原料ガスは、前記処理容器３１１内の前記被処理基板Ｗの近傍へと供給され、被処理基板Ｗ上に成膜（蒸着）が行われる構造になっている。
【００８０】
すなわち、上記の構造では、フェースアップ成膜によって前記有機層２０４が形成可能になっている。例えば、従来の発光素子の製造装置では、例えば蒸着法を用いて成膜を行う場合、処理容器内の蒸着源から蒸発または昇華する原料を被処理基板に成膜させるため、被処理基板の成膜面を下に向けた、いわゆるフェースダウンの成膜方法により行う必要があった。このため、被処理基板が大きくなった場合には被処理基板の扱いが困難となって、発光素子の生産性が低下してしまう問題が生じていた。
【００８１】
一方、上記の処理室では、フェースアップによる成膜が可能に構成されているため、大型の被処理基板への対応が容易となる効果を奏する。このため、発光素子の生産性が良好となり、製造コストが抑制される効果を奏する。
【００８２】
前記成膜原料ガス供給部３１７Ａは、前記輸送路３１８Ａが接続された、例えば円筒状または筐体状の供給部本体３１４を有し、その内部に成膜原料ガスの流れを制御する整流板３１５が設置されている。さらに、前記供給部本体３１４の、被処理基板Ｗに面する側には、例えば多孔質の金属材料（金属フィルタ）よりなるフィルタ板３１６が設置されている。
【００８３】
また、前記処理容器３１１には、前記成膜原料ガス供給部３１７Ａと同様の構造を有する成膜原料ガス供給部３１７Ｂ〜３１７Ｆが、該成膜原料ガス供給部３１７Ａとともに直線上に配列されている。また、前記成膜原料ガス供給部３１７Ｂ〜３１７Ｆは、それぞれ輸送路３１８Ｂ〜３１８Ｆを介して、それぞれ成膜原料ガス生成部３２２Ｂ〜３２２Ｆに接続されている。前記成膜原料ガス生成部３２２Ｂ〜３２２Ｆは、前記成膜原料ガス生成部３２２Ａと同様の構造を有している。
【００８４】
また、前記保持台３１２は、前記成膜原料ガス供給部３１７Ａ〜３１７Ｆからの複数の成膜原料ガスの供給に対応して、移動可能に構成されている。例えば、前記保持台３１２は、前記処理容器３１１の底面に設置された、移動レール３１３上を、成膜原料ガス供給部の配列に沿って平行に移動可能に構成されている。
【００８５】
この場合、前記成膜原料ガス供給部３１７Ａ〜３１７Ｆからの複数の成膜原料ガスの供給に対応して、前記保持台３１２が移動されることによって、前記被処理基板Ｗ上には、多層構造よりなる有機層が、フェースアップ成膜により形成される。
【００８６】
また、前記処理容器３１１には、前記基板搬送室Ｔ２に接続される側に、ゲートバルブ３１１ａが設けられている。当該ゲートバルブ３１１ａを開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３１１内への搬入や、または、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３１１内からの搬出が可能になる。
【００８７】
また、図５は、発光素子の製造装置１００に係る処理室（成膜室）ＳＰ１を模式的に示した図である。前記処理室ＳＰ１は、図３Ｃに示した、スパッタリングによる陰電極の成膜の工程を実施するための処理室（成膜室）である。また、前記処理室ＳＰ２は、当該処理室ＳＰ１と同様の構造を有している。
【００８８】
図５を参照するに、前記成膜室ＳＰ１は、内部に被処理基板Ｗを保持する保持台３３２を有する処理容器３３１を有している。前記処理容器３３１内は、真空ポンプが接続された排気ライン（図示せず）により排気され、減圧状態とされる構造になっている。前記保持台３３２は、前記処理容器３３１の底面に設置された、移動レール３３８上を、平行に移動可能に構成されている。
【００８９】
また、前記処理容器３３１には、前記基板搬送室Ｔ３に接続される側に、ゲートバルブ３３１ａが設けられている。当該ゲートバルブ３３１ａを開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３３１ａ内への搬入や、または、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３３１内からの搬出が可能になる。
【００９０】
また、前記処理容器３３１内には、それぞれに電圧が印加されるターゲット３４０Ａ，３４０Ｂが互いに対向するように設置されている。前記基板保持台３３２上に設置された、２つの前記ターゲット３４０Ａ，３４０Ｂは、それぞれ、前記基板保持台３３２が移動する方向と略直交する方向に延伸した構造を有し、互いに対向するようにして設置されている。
【００９１】
また、前記処理容器３３１内には、前記ターゲット３４０Ａ，３４０Ｂの間の空間３３１Ａに、例えばＡｒなどのスパッタリングのための処理ガスを供給するガス供給手段３４１が設置されている。当該処理ガスは、当該圧印加ターゲット３４０Ａ，３４０Ｂに電源３４２より電圧が印加されることでプラズマ励起される。
【００９２】
前記ターゲット３４０Ａ，３４０Ｂに、それぞれ、電源３４２より電力が印加されることで、当該空間３３１Ａにプラズマが励起され、ターゲットがスパッタリングされることで、前記被処理基板Ｗ上に成膜が行われる。
【００９３】
上記の処理室ＳＰ１においては、被処理基板Ｗが、プラズマが励起される空間（空間３３１Ａ）から離間しており、成膜対象が、プラズマ励起に伴う紫外線や、スパッタ粒子の衝突によるダメージの影響を受けにくい特徴がある。このため、上記の処理室ＳＰ１Ａを用いると、成膜対象となる有機層上に与えるダメージを抑制しながら、陰電極（Ａｇ、Ａｌ）を成膜することが可能となる。
【００９４】
また、陰電極を成膜する装置としては、例えば上記の装置に限定されず、通常のターゲット構造を有するスパッタリング装置を用いても良い。
【００９５】
また、図６は、発光素子の製造装置に係る処理室（エッチング処理室）ＥＴ１を模式的に示した図である。前記処理室ＥＴ１は、図３Ｄに示した、有機層のエッチングによるパターニングの工程を実施するための処理室である。
【００９６】
図６を参照するに、前記処理室ＥＴ１は、組み合わせられることで内部に内部空間５００Ａが画成される処理容器５０１、５０２を有し、当該内部空間５００Ａには、アース板５０６と、基板保持台５０５が対向して設置された構造を有している。前記内部空間５００Ａは、排気ポンプなどの排気手段（図示せず）が接続された排気ライン５０９より排気され、所定の減圧状態に保持される構造になっている。
【００９７】
また、前記処理容器５０１は例えば金属より、前記処理容器５０２は誘電体より構成されている。前記処理容器５０２の外側には、高周波電源５０４より高周波電力が印加されるコイル５０３が設置されている。また、前記基板保持台５０５には、高周波電源５１０より高周波電力が印加される構造になっている。
【００９８】
前記内部空間５００Ａには、ガス供給手段５０８より、例えばＮ２／Ａｒなどのエッチングのための処理ガスが供給される。当該処理ガスは、前記コイル５０３に高周波電力が印加されることでプラズマ励起される。このようなプラズマを高密度プラズマ（例えば、ＩＣＰ）と呼ぶ場合がある。高密度プラズマにより解離された処理ガスにより、図３Ｄに示した工程を実施する（前記有機層１４を、前記陰電極１５をマスクにしてエッチングする）ことができる。
【００９９】
また、前記処理容器５０１には、前記基板搬送室Ｔ４に接続される側に、ゲートバルブ５０７が設けられている。当該ゲートバルブ５０７を開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記処理容器５０１内への搬入や、または、前記被処理基板Ｗの前記処理容器５０１内からの搬出が可能になる。
【０１００】
例えば、前記陰電極１５がＡｇを含む場合には、例えば前記処理ガスとして窒素（Ｎ２）を用いることが好ましい。例えば、窒素は上記の酸素や水素に比べてＡｇなどの金属を腐食させる影響が少なく、また効率的に前記有機層１４をエッチングすることが可能である。
【０１０１】
また、処理ガスを解離する、エッチング装置のプラズマは、窒素を高効率で解離する、いわゆる高密度プラズマを用いることが好ましいが、高密度プラズマはＩＣＰに限定されず、例えばマイクロ波プラズマなどを用いても同様の結果を得ることができる。
【０１０２】
また、例えば、平行平板プラズマを用いたエッチング（例えばＲＩＥなど）により、有機層をパターニングしてもよい。
【０１０３】
また、図７は、発光素子の製造装置に係る処理室（ＣＶＤ成膜室）ＣＶＤ１を模式的に示した図である。前記処理室ＣＶＤ１は、図３Ｆに示した、保護層の成膜を実施するための処理室である。
【０１０４】
図７を参照するに、前記処理室ＣＶＤ１は、内部に被処理基板Ｗを保持する保持台３０５が設置された処理容器３０１を有している。前記処理容器３０１内は、真空ポンプ（図示せず）が接続された排気ライン３０１Ａにより排気され、減圧状態とされる構造になっている。前記処理容器３０１は、例えば略円筒状の下部容器３０１Ａの一端の開口部に、蓋部３０１Ｂが設置された構造を有している。前記蓋部３０２には、例えば略円盤状のアンテナ３０２が設置され、当該アンテナ３０２には、電源３０３からマイクロ波が印加される構造になっている。
【０１０５】
また、前記アンテナ３０２と前記保持台３０５の間には、処理容器内に成膜のための成膜原料ガスを供給するガス供給部３０４が設置されている。前記ガス供給部３０４は、例えば格子状に形成され、当該格子の穴からマイクロ波が通過する構造となっている。
【０１０６】
このため、前記ガス供給部３０４から供給された成膜原料ガスは、前記アンテナ３０２から供給されるマイクロ波によってプラズマ励起され、前記保持台３０５上に保持される被処理基板Ｗ上に保護層（ＳｉＮ層）の成膜が行われる。
【０１０７】
また、前記処理容器３０１には、前記搬送室Ｔ６に接続される側に、ゲートバルブ３００１ａが設けられている。当該ゲートバルブ３０１ａを開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３０１ａ内への搬入や、または、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３０１ａ内からの搬出が可能になる。
【０１０８】
また、上記に示した処理室ＥＬ１，ＳＰ１，ＥＴ１，ＣＶＤ１は、処理室の構成の一例であり、本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
【０１０９】
また、処理室の構成、レイアウトや処理室の個数は、様々に変形・変更することが可能である。例えば基板処理の効率を良好とするために、基板処理の時間が長い処理室を増設したり、またはメンテナンス時に停止する処理室のバックアップ用に、複数の処理室を設けるようにしてもよい。
【０１１０】
図８は、図１に示した発光素子の製造装置１００の変形例である発光素子の製造装置２００を示す図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。また、特に説明しない部分は図１の製造装置１００と同様とする。なお、本図では、図１に示した保持容器ステーションＢＡ１，ＢＡ２は図示を省略している。
【０１１１】
図８を参照するに、本図に示す製造装置２００の場合、処理室ＣＬ１，ＥＬ１，ＳＰ１，ＥＴ１，ＳＰ２，ＣＶＤ１が、それぞれ２つずつ設置され、これらの処理室に対応して、それぞれ基板搬送室Ｔ１〜Ｔ６が増設されている。
【０１１２】
また、前記処理室ＣＬ１，ＥＬ１，ＳＰ１，ＥＴ１，ＳＰ２，ＣＶＤ１は、前記搬送レールＬを挟んでそれぞれ対向するように２つずつ設置されている。この場合、前記保持容器搬送手段ＴＵ１は、前記基板保持容器Ｂ１を、対向する処理容器のうちのいずれかに接続する。
【０１１３】
上記の構成においては、それぞれの処理室を複数有しているために、製造装置の生産の効率が良好であるとともに、メンテナンスや修理の効率が良好である効果を奏する。例えば、上記の製造装置２００の場合、前記処理室ＣＬ１，ＥＬ１，ＳＰ１，ＥＴ１，ＳＰ２，ＣＶＤ１のうちのいずれか１つが故障した場合であっても、それぞれの処理室が２つずつあるため、発光素子の製造を継続して行うことが可能となる。
【０１１４】
また、いずれかの処理室または基板搬送室がメンテナンスまたは故障の修理などで停止され、開放された状態となった場合であっても、個々の処理室または個々の基板搬送室が独立であるため、他の処理室または個々の基板搬送室は実質的に影響を受けることがない。
【０１１５】
このため、発光素子の有機層が大気中の酸素や水分に曝されるリスクが低減されるとともに、良好な生産性で当該発光素子を製造することが可能となる。
【０１１６】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
本発明によれば、生産性が良好である発光素子の製造装置および発光素子の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】実施例１による発光素子の製造装置を示す図である。
【図２】図１の製造装置の断面図である。
【図３Ａ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｂ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その２）である。
【図３Ｃ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その３）である。
【図３Ｄ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その４）である。
【図３Ｅ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その５）である。
【図３Ｆ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その６）である。
【図４】図１の製造装置に用いる処理室（その１）である。
【図５】図１の製造装置に用いる処理室（その２）である。
【図６】図１の製造装置に用いる処理室（その３）である。
【図７】図１の製造装置に用いる処理室（その４）である。
【図８】図１の製造装置の変形例である。
【符号の説明】
【０１１９】
１００，２００  発光素子の製造装置
ＣＬ１，ＥＬ１，ＳＰ１，ＥＴ１，ＳＰ２，ＣＶＤ１  処理室
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５，Ｔ６  基板搬送室
Ｂ１  基板保持容器
Ｗ  被処理基板
ＢＡ１，ＢＡ２  保持容器ステーション
１００Ａ  制御手段
１１  基板
１２  陽極
１３  引き出し線
１４  有機層
１５  陰極
１６  保護層
【図１】
2007328999.tif 000003
【図２】
2007328999.tif 000004
【図３Ａ】
2007328999.tif 000005
【図３Ｂ】
2007328999.tif 000006
【図３Ｃ】
2007328999.tif 000007
【図３Ｄ】
2007328999.tif 000008
【図３Ｅ】
2007328999.tif 000009
【図３Ｆ】
2007328999.tif 000010
【図４】
2007328999.tif 000011
【図５】
2007328999.tif 000012
【図６】
2007328999.tif 000013
【図７】
2007328999.tif 000014
【図８】
2007328999.tif 000015