(57)【要約】【課題】複雑な測定器具を必要とすることなく、小型かつ構造が単純な測定フィクスチャを用いて、薄い材料の複素誘電率をマイクロ波領域において高精度に測定すること。【解決手段】フィクスチャ１１０は、外部導体１１５の内径（φ＝７ｍｍ）にぴったり収まる導電性ピストン１１７を有する上部セクション１１１と、先端が平らな導電性の固定ピン１２３（φ＝３ｍｍ）を有する下部セクション１１３とからなる。ピストン１１７は、先端が平らであり、マイクロメータスピンドル１１９により所定の分解能（０.５μｍ）で出し入れ可能である。ピン１２３の先端は、外部導体１２５の終端面よりもわずかに（１００〜２００μｍ程度）突き出ている。試料１は、ピストン１１７とピン１２３の間に挿入される。【選択図】図４
2007263625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定する試料が内部に配置されるフィクスチャと、
前記フィクスチャに電磁波を入力し、前記電磁波の入力に応答して前記フィクスチャから出力された電磁波を測定する電磁波生成解析手段と、
前記電磁波生成解析手段の測定結果に基づいて、前記試料の複素誘電率を算出する演算処理手段と、を有し、
前記フィクスチャは、
前記試料が載置される第１中心導体と、
前記第１中心導体の側面に対向して配置された第１外部導体と、
前記第１中心導体の終端面に対向しかつ軸方向に移動可能に配置される第２中心導体と、
前記第２中心導体を内部に収容し、前記第１外部導体の終端面と離接可能に接触する第２外部導体と、を有し、
前記試料は、前記第１中心導体と前記第２中心導体の間に接触配置される、
複素誘電率測定装置。
【請求項２】
前記第１中心導体および前記第２中心導体の終端面は、それぞれ、平らである、請求項１記載の複素誘電率測定装置。
【請求項３】
前記第１中心導体および前記第２中心導体は、それぞれ、円筒形状を有し、
前記第１中心導体の直径は、前記第２中心導体の直径よりも小さい、
請求項１記載の複素誘電率測定装置。
【請求項４】
前記第１中心導体の終端面は、前記第１外部導体の終端面よりも所定の距離だけ突き出ている、請求項１記載の複素誘電率測定装置。
【請求項５】
前記所定の距離は、１００〜２００μｍである、請求項１記載の複素誘電率測定装置。
【請求項６】
前記第２中心導体は、マイクロメータスピンドルによって軸方向に移動可能である、請求項１記載の複素誘電率測定装置。
【請求項７】
前記フィクスチャは、一対の同軸アダプタの各中心導体を前記第１中心導体および前記第２中心導体にそれぞれ置き換えて構成されている、請求項３記載の複素誘電率測定装置。
【請求項８】
前記フィクスチャおよび前記電磁波生成解析手段は、電磁波入力／出力用の同軸ケーブルによって相互に接続されている、請求項１記載の複素誘電率測定装置。
【請求項９】
前記試料は、フィルム状材料、液体、または粉末である、請求項１記載の複素誘電率測定装置。
【請求項１０】
前記フィルム状材料は、基板に実装されている、請求項９記載の複素誘電率測定装置。
【請求項１１】
電磁波を利用した試料の複素誘電率の測定に用いられるフィクスチャであって、
前記試料が載置される第１中心導体と、
前記第１中心導体の側面に対向して配置された第１外部導体と、
前記第１中心導体の終端面に対向しかつ軸方向に移動可能に配置される第２中心導体と、
前記第２中心導体を内部に収容し、前記第１外部導体の終端面と離接可能に接触する第２外部導体と、を有し、
前記試料は、前記第１中心導体と前記第２中心導体の間に接触配置される、
フィクスチャ。
【請求項１２】
請求項１記載の複素誘電率測定装置を用いる複素誘電率測定方法であって、
校正時に前記第２中心導体および前記第２外部導体を含むアセンブリを校正用ショートとして用いる、
複素誘電率測定方法。
【請求項１３】
前記アセンブリを校正用ショートとして用いてショート校正を行う際に、前記第２中心導体の位置を前記第１中心導体とちょうど接触し始める位置に調整する、
請求項１２記載の複素誘電率測定方法。
【請求項１４】
請求項１記載の複素誘電率測定装置を用いる複素誘電率測定方法であって、
前記試料を前記フィクスチャの内部に配置する配置工程と、
内部に前記試料が配置された前記フィクスチャに電磁波を入力し、前記電磁波の入力に応答して前記フィクスチャから出力された電磁波を測定する第１入力／測定工程と、
前記第１入力／測定工程における前記電磁波の測定結果に基づいて、所定の計算アルゴリズムを用いて、前記試料の複素誘電率を算出する第１算出工程と、
前記試料に代えて前記試料と同じ厚さの空気層を有する前記フィクスチャに電磁波を入力し、前記電磁波の入力に応答して前記フィクスチャから出力された電磁波を測定する第２入力／測定工程と、
前記第２入力／測定工程における前記電磁波の測定結果に基づいて、所定の計算アルゴリズムを用いて、前記空気層の複素誘電率を算出する第２算出工程と、
前記第１算出工程で得られた前記試料の複素誘電率を、前記第２算出工程で得られた前記空気の複素誘電率を用いて補正する補正工程と、
を有する複素誘電率測定方法。
【請求項１５】
前記第１算出工程および前記第２算出工程において複素誘電率を計算する際には、計算結果として得られる複素誘電率の周波数依存性に共鳴分散による効果がなくなるような電気的遅延の値を選択する、
請求項１４記載の複素誘電率測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複素誘電率測定装置および複素誘電率測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電分光法は、材料の分子動力学を調べる最も有用な方法の一つである。エレクトロニクスの最近の進歩は、極めて広い周波数領域において複素誘電率の測定を可能にしている。したがって、これにより、我々は、液体や水溶液、ポリマー、強誘電体、液晶における速い分子運動のみならず、過冷却液体における非常にゆっくりとした速度の動きをも研究することができる。しかし、そのような広い周波数領域をカバーするためには、低周波時間領域分光法（１μＨｚ〜２０ＧＨｚ）や交流複素振幅解析法（１ｍＨｚ〜１００Ｈｚ）、ＬＣＲ計測器（２０Ｈｚ〜１ＭＨｚ）、ネットワークアナライザ（１ｋＨｚ〜４０ＧＨｚ）、時間領域反射率測定法（１ＭＨｚ〜２０ＧＨｚ）のような、いくつかの異なる実験的方法が必要である。各技術は、通常、評価の方法や試料の形態に応じて異なるタイプの誘電体セルまたはフィクスチャを必要とする。
【０００３】
薄い材料のマイクロ波周波数を含む広帯域測定は、実用化において重要になってきている。エレクトロニクスの分野において、薄い誘電体の複素誘電率を評価することは、引き続きいまだ重要な問題である。そのような適用の一例は、高密度実装（ＨＤＰ：high-density packaging）である。パッケージ内には、機能に応じてさまざまな種類の薄い誘電体が用いられる。最近、高速の小型装置に対する要求として、薄い誘電体のマイクロ波周波数での複素誘電率を評価する試験方法が求められている。他方で、そのような実験的技術は、物理や化学、生物学のような基礎科学においても非常に有用であるに違いない。しかし、マイクロ波周波数において薄い材料の広帯域測定を容易に行うことができないということは、今までずっと認識されていた。
【０００４】
薄い材料の測定に適した実験的技術として、数はそれほど多くはないが、マイクロ波周波数における誘電体測定に用いられている技術はいくつか存在する。例えば、同軸導波管の端部に置かれた試料の複素誘電率を、その試料部分に対するＴＥＭモードの複素反射係数を測定することによって評価することができる（非特許文献１）。この方法は、ＴＥＭモードを利用するため、マイクロ波周波数における薄い試料の広帯域複素誘電率測定の良い候補になりうる。この場合、試料部分は、測定対象の誘電体で満たされた伝送線路として考慮されなければならない。この方法は、２０ＧＨｚ以下の周波数における液体測定に広く用いられている。また、線路長を無視した場合は集中容量方法（lumped capacitance method）と呼ばれ、フィルム状試料で満たされた平行平板キャパシタにも用いられている。しかし、特に誘電率が高い材料の場合、測定可能周波数領域の上限は、数百メガヘルツに限定される。この原因は試料部分における波動伝播を無視したことが原因であると考えられた。
【０００５】
最近、平行平板キャパシタにおける波動伝播を適正に評価すれば、周波数領域を１０ＧＨｚまで拡張した測定が可能であることが指摘された（非特許文献２）。この場合、従来の集中容量モデルは、キャパシタにおける多重反射に関連する伝播モードを考慮した伝送線路に拡張されている。この方法は、すでに、高誘電率（high-k）フィルム（ポリマー／強誘電体の複合材料）に対して良い測定精度を提供している。
【０００６】
また、すでに実用化されている複素誘電率測定法としては、例えば、空洞共振法とストリップライン法がある（特許文献１、特許文献２）。
【０００７】
空洞共振法では、誘電体または誘電体と気体（空気）で満たされた金属製コンテナ（共振器）に電磁波を入射し、共振条件を満たした場合の入射波と反射波の比（複素反射係数）から誘電体の複素誘電率を求める。
【０００８】
また、ストリップライン法では、金属基板上に固定された誘電体フィルムの表面に金属製のパターン（ストリップライン）を形成し、金属基板とストリップラインではさまれた誘電体フィルムをトランスミッションラインとして取り扱い、その複素反射係数から複素誘電率を求める。
【特許文献１】特開２００５−６２１５２号公報
【特許文献２】特開２００５−３０８７１６号公報
【非特許文献１】D. M. Pozar, "Microwave Engineering", Addison-Wesley, Reading, Massachusetts, 1990
【非特許文献２】J. Obrzut, N. Noda, and R. Nozaki, IEEE Trans. Instrum. Meas. 51, 829 (2002)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記した従来の実用化方法（空洞共振法、ストリップライン法）にあっては、次のような問題がある。
【００１０】
まず、空洞共振法は、広帯域測定ではなく、スポット周波数測定であるため、広帯域をカバーするためには、高価なフィクスチャ（この場合は共振器）をいくつも用意しなければならない。また、フィクスチャが大きく、取り扱いが不便である。また、被測定物の厚さを増す必要があり、フィルムの測定には向いていない。さらに、実装状態のものを測定できないという問題もある。
【００１１】
他方、ストリップライン法は、実装状態のものも測定可能であるが、基板上にパターンを形成する必要があり、測定に手間がかかる。また、ストリップラインのパターンの精度には限界があるため、高周波領域ではＳＮ比が劣化し、高周波測定には向いていない。また、電磁波の放射損失のため、小さな誘電損失を評価できず、低損失の測定には向いていない。
【００１２】
また、空洞共振法とストリップライン法に共通の問題点として、フィクスチャが大きいまたは構造が複雑であるため、温度依存性の評価が困難であり、また、周波数ごとに共振器またはストリップラインが必要であるため、広帯域測定を行うことができない。もちろん、これらの方法は、上記した実験的方法と同様、従来からの長年の課題である、マイクロ波領域における薄い材料（フィルム、液体、粉末）の広帯域複素誘電率測定を可能にするものではない。
【００１３】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、複雑な測定器具を必要とすることなく、小型かつ構造が単純な測定フィクスチャを用いて、薄い材料の複素誘電率をマイクロ波領域において高精度に測定することができる複素誘電率測定装置および複素誘電率測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の複素誘電率測定装置は、測定する試料が内部に配置されるフィクスチャと、前記フィクスチャに電磁波を入力し、前記電磁波の入力に応答して前記フィクスチャから出力された電磁波を測定する電磁波生成解析手段と、前記電磁波生成解析手段の測定結果に基づいて、前記試料の複素誘電率を算出する演算処理手段と、を有し、前記フィクスチャは、前記試料が載置される第１中心導体と、前記第１中心導体の側面に対向して配置された第１外部導体と、前記第１中心導体の終端面に対向しかつ軸方向に移動可能に配置される第２中心導体と、前記第２中心導体を内部に収容し、前記第１外部導体の終端面と離接可能に接触する第２外部導体と、を有し、前記試料は、前記第１中心導体と前記第２中心導体の間に接触配置される、構成を採る。
【００１５】
本発明の複素誘電率測定方法は、上記に記載の複素誘電率測定装置を用いる複素誘電率測定方法であって、校正時に前記第２中心導体および前記第２外部導体を含むアセンブリを校正用ショートとして用いる、ようにした。
【００１６】
本発明の複素誘電率測定方法は、上記に記載の複素誘電率測定装置を用いる複素誘電率測定方法であって、前記試料を前記フィクスチャの内部に配置する配置工程と、内部に前記試料が配置された前記フィクスチャに電磁波を入力し、前記電磁波の入力に応答して前記フィクスチャから出力された電磁波を測定する第１入力／測定工程と、前記第１入力／測定工程における前記電磁波の測定結果に基づいて、所定の計算アルゴリズムを用いて、前記試料の複素誘電率を算出する第１算出工程と、前記試料に代えて前記試料と同じ厚さの空気層を有する前記フィクスチャに電磁波を入力し、前記電磁波の入力に応答して前記フィクスチャから出力された電磁波を測定する第２入力／測定工程と、前記第２入力／測定工程における前記電磁波の測定結果に基づいて、所定の計算アルゴリズムを用いて、前記空気層の複素誘電率を算出する第２算出工程と、前記第１算出工程で得られた前記試料の複素誘電率を、前記第２算出工程で得られた前記空気の複素誘電率を用いて補正する補正工程と、を有するようにした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、複雑な測定器具を必要とすることなく、小型かつ構造が単純な測定フィクスチャを用いて、薄い材料の複素誘電率をマイクロ波領域において高精度に測定することができる。
【００１８】
特に、本発明によれば、多くの異なる材料（フィルムのみならず粉末や液体）に対して適用可能な実験的方法を提供することができる。しかも、実装状態のフィルムにも適用可能である。また、本発明によれば、例えば、試料部分における波動伝播を適正に考慮することにより、測定周波数領域を２０ＧＨｚまで拡張し、ｔａｎδの分解能を０.００１まで上げることができる。加えて、そのような測定を全周波数領域にわたって２９３〜３５３Ｋの温度で行うことができる。本発明は、基礎研究と実用化の両方においてさまざま領域に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
本発明は、例えば、厚さが数μｍから数百μｍ（一例として、１〜３００μｍ、特に５０μｍ程度）の薄い誘電体材料の複素比誘電率（以下単に「複素誘電率」という）または誘電正接を１００ＭＨｚ〜２０ＧＨｚのマイクロ波周波数領域を含む広帯域において高精度に測定する技術である。
【００２１】
ここでは、まず、詳細な実施の形態の説明に入る前に、本発明の基本的な原理について説明しておく。
【００２２】
（理論的解析）
基礎理論
図１は、対象とする試料部分の概略図であり、測定キャパシタのモデル化を示している。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す部分の要部拡大図である。
【００２３】
図１に示す構成は、従来の集中容量モデルと同じである。厚さｄ、複素誘電率ε＊＝ε´−ｊε"の誘電体試料１を同軸導波管３の中心導体５の終端面に置く。試料１の直径ａは、中心導体５の直径と一致する。試料１は対向導体７によって囲まれ、円形平行平板キャパシタを形成している。この構造は、誘電体で満たされたキャパシタがε＊(ω)の伝送線路として表現可能なネットワークと電気的に等価である。ここで、唯一の仮定は、波動伝播がＴＥＭモードであることである。
【００２４】
図２は、同軸導波管を終端する薄い平行平板キャパシタ内における多重反射の伝播効果を示す図である。
【００２５】
本発明者らが行った最近の解析によれば、図２に示すように、試料部分のTEM波の伝播は、試料１の直径に沿った多重反射に関連している。同軸導波管３に沿って伝播する電磁波は、平行平板キャパシタに進入し、キャパシタ内を平板（つまり、キャパシタの面）に沿って伝播する。
【００２６】
したがって、多重反射を考慮して、平行平板キャパシタのエッジにおける散乱係数Ｓ１１は、次の式（１）で表すことができる。すなわち、散乱係数Ｓ１１には多重反射の効果が含まれている。
【００２７】
【数１】
2007263625.tif 000003
ここで、ρ＝（１−√ε＊）／（１＋√ε＊）は空気と非磁性媒体の界面における複素反射係数、γは伝播定数、ωは角周波数、ｃは空気中の光の速さである。
【００２８】
他方、試料部分の入力アドミタンスＹｉｎは、特性コンダクタンスＧｓを用いて、次の式（２）によりＳ１１の関数として表すことができる。
【００２９】
【数２】
2007263625.tif 000004
【００３０】
式（１）と式（２）を組み合わせることにより、次の式（３）が与えられる。
【００３１】
【数３】
2007263625.tif 000005
【００３２】
χ＝ωａ√ε＊／２ｃを導入し、ｔａｎｈ（ｊχ）＝ｊ／ｃｏｔ（χ）の関係を用いることにより、式（３）を次の式（４）のように書き直すことができる。
【００３３】
【数４】
2007263625.tif 000006
【００３４】
式（４）は、複素誘電率ε＊の誘電体で満たされた薄い平行平板キャパシタを表すネットワークの入力アドミタンスを記述している。
【００３５】
試料部分の複素キャパシタンスＣ＊を用いることにより、式（４）は、次の式（５）のように表すことができる。すなわち、式（５）に示す入力アドミタンスは、平行平板キャパシタ内の多重反射を考慮した結果である。
【００３６】
【数５】
2007263625.tif 000007
【００３７】
式（４）および式（５）によれば、試料部分は、電気的長さａ／２を持つ伝送線路として表される。１／χｃｏｔχの項は、試料部分における多重反射の効果を表す。電気的長さが波長に比べて小さい場合、１／χｃｏｔχの値は１に近づくため、式（５）は、集中容量モデルの入力アドミタンスの従来式（次の式（６））に簡単化することができる。
【００３８】
【数６】
2007263625.tif 000008
【００３９】
実際の測定では、基準面（校正面）９を同軸導波管３（より厳密には、中心導体５）の終端面に設定する。散乱係数Ｓ１１ｍは、基準面９にて試料部分で終端する伝送線路のネットワークパラメータとして、導入される。Ｓ１１ｍは式（１）で用いられるＳ１１と異なることに留意しなければならない。Ｙｉｎは、測定から得ることができるＳ１１ｍを用いて、次の式（７）で表される。
【００４０】
【数７】
2007263625.tif 000009
ここで、Ｇｌは、同軸導波管３の特性コンダクタンスである。
【００４１】
式（５）と式（７）を組み合わせることにより、測定可能な量で複素誘電率ε＊を表した次の式（８）が得られる。
【００４２】
【数８】
2007263625.tif 000010
【００４３】
パラメータｇ＝Ｇｌ／Ｇｓは、セル定数を表す。これは、複素誘電率が既知である材料を測定することによって決定することができる。実験において、試料の幾何形状（geometry）は測定ごとに異なる。セル定数を用いるよりも複素キャパシタンスを用いるほうがより実用的である。試料部分のキャパシタンスは、誘電体試料で満たされた平行平板キャパシタと試料のエッジの漏れ電場によるキャパシタ（fringing field capacitor）との組み合わせによって与えられる。この場合、試料部分の複素キャパシタンスは、次の式（９）のように得ることができる。
【００４４】
【数９】
2007263625.tif 000011
ここで、Ｃｐは空の平行平板部分の幾何形状キャパシタンス、Ｃｆは漏れ電場キャパシタンス、ε０は空気の複素誘電率である。
【００４５】
注意すべきは、式（９）は、ｄ≪ｂ−ａ、かつ、λ≫２πｄという条件でのみうまく機能する。
【００４６】
最後に、式（５）、式（７）、および式（９）を組み合わせることにより、試料の複素誘電率を求める式として、次の式（１０）が得られる。
【００４７】
【数１０】
2007263625.tif 000012
【００４８】
式（１０）は、両辺に複素誘電率ε＊(ω)を持つ式である。したがって、式（１０）を満たすε＊の値を見つけるためには反復アルゴリズムが必要である。
【００４９】
上記のように、１／χｃｏｔχの項は、試料部分における多重反射を示している。十分に低い周波数において、χｃｏｔχは、χ→０のとき１に近づくため、式（１０）は、次の式（１１）に示すように簡単化することができる。
【００５０】
【数１１】
2007263625.tif 000013
式（１１）は、多重反射を考慮しない従来の集中容量モデルに対応している。
【００５１】
周波数の関数として式（１１）を用いて計算した複素誘電率は、１／χｃｏｔχに対応する望ましくない効果を含む。１／χｃｏｔχの項は、次の式（１２）で与えられる発散点を有する。
【００５２】
【数１２】
2007263625.tif 000014
【００５３】
χ＝ωａ√ε＊／２ｃの関係から、最初の共振周波数（ｎ＝１）は、次の式（１３）で与えられる。
【００５４】
【数１３】
2007263625.tif 000015
【００５５】
したがって、集中容量モデルから得られた複素誘電率は１／χｃｏｔχで表される共鳴分散を持つことがわかる。複素誘電率の実部は共鳴周波数でゼロに近づく振動的な分散になり、虚部はその共鳴周波数でピークを示す。式（１０）のモデル式は共鳴分散を除去できるため、式（１０）によって試料の複素誘電率を正確に評価することが可能になる。
【００５６】
電気的遅延
測定をより正確に行うためには、フィクスチャの構成（configuration）を詳細に考慮しなければならない。実際の測定では、誘電体試料１は同軸導波管３の終端の基準面９に置かれる。したがって、試料部分におけるＴＥＭモードの波動伝播には、試料１の厚さに応じた時間遅延がある。複素誘電率をより正確に評価するためには、電気的遅延ｔｅｄを導入して式（１０）を修正する必要がある。電気的遅延は、次の式（１４）に示す方法で導入することができる。
【００５７】
【数１４】
2007263625.tif 000016
【００５８】
この効果を修正した後、式（１）のＳ１１は、次の式（１５）によって与えることができる。
【００５９】
【数１５】
2007263625.tif 000017
【００６０】
最終的に、式（１０）は、次の式（１６）のように修正される。
【００６１】
【数１６】
2007263625.tif 000018
【００６２】
１／χｃｏｔχの値は共鳴周波数ｆｒの前後で激しく変化するため、式（１６）におけるε＊(ω)の解を求めるためには、高速に収束するアルゴリズムを採用することが重要である。後述する実施例では、ニュートンの数値アルゴリズムを用いた。この場合は、初期値の選択が非常に重要である。ある周波数で取得した解を次に高い周波数での解取得のための初期値として用いることによって、全周波数に対する解を得ることができる。
【００６３】
図３は、本発明の一実施の形態に係る複素誘電率測定装置のシステム構成を示す概略図である。
【００６４】
この複素誘電率測定装置（以下単に「測定装置」という）１００は、大別して、フィクスチャ１１０、ネットワークアナライザ１３０、および演算処理装置１４０を有する。
【００６５】
フィクスチャ１１０は、複素誘電率を測定する試料１を保持する。フィクスチャ１１０は、上部のセクション１１１と、下部のセクション１１３とで構成されている。フィクスチャ１１０の具体的な構成については、後で詳細に説明する。図３に示すように、試料１は、フィクスチャ１１０の下部セクション１１３にインストールされる。
【００６６】
ネットワークアナライザ１３０は、フィクスチャ１１０内に電磁波（入射波）を入力し、この電磁波の入力に応答してフィクスチャ１１０から出力された電磁波（反射波）を受信する。そして、入射波と反射波を解析して、複素誘電率の算出に必要な複素反射係数Ｓ１１ｍを算出し、算出結果を演算処理装置１４０に出力する。なお、フィクスチャ１１０（特に下部セクション１１３）とネットワークアナライザ１３０とは、例えば、同軸ケーブル１５０で接続されている。
【００６７】
演算処理装置１４０は、ネットワークアナライザ１３０から出力された複素反射係数Ｓ１１ｍに基づいて、所定の演算式（１６）を用いて、試料１の複素誘電率を算出する。演算処理装置１４０は、例えば、パソコンで構成されている。
【００６８】
図３に示す測定システムでは、ネットワークアナライザ１３０と演算処理装置１４０は、測定デスク１６１上に載置されている。また、測定デスク１６１には、フィクスチャ１１０その他の器具を上下移動可能に支持する支持ガイド１６３が取り付けられている。支持ガイド１６３には、フィクスチャ１１０の上部セクション１１１を支持する支持部材１６５と、フィクスチャ１１０の下部セクション１１３を支持する別の支持部材１６７とがそれぞれ上下移動可能に取り付けられている。支持部材１６５は、支持ガイド１６３に対して、上下移動可能のみならず、水平（平行または回転）移動可能に構成されている。これにより、試料１を下部セクション１１３にインストールした後、上部セクション１１１と下部セクション１１３を容易に接続することができるようになっている。
【００６９】
また、図３に示す測定システムでは、試料１をフィクスチャ１１０（特に下部セクション１１３）にインストールするための試料インストール器具１７０が、支持部材１６５に取り付けられている。また、測定温度を制御するための温度制御ユニット１８０が、支持ガイド１６３に上下移動可能に取り付けられている。
【００７０】
図４は、図３のフィクスチャ１１０の構造の一例を示す概略図である。
【００７１】
上記のように、フィクスチャ１１０は、大別して、２つの部分、つまり、上部セクション１１１と下部セクション１１３とで構成されている。例えば、上部セクション１１１と下部セクション１１３は、両方とも市販の同軸アダプタ（一例として、例えば、７ｍｍ規格のＡＰＣ７−ＰＣ３.５アダプタ）を利用した部品である。
【００７２】
具体的には、上部セクション１１１は、同軸アダプタの中心導体を取り除き、外部導体１１５の内径（例えば、φ＝７ｍｍ）にぴったり収まる導電性ピストン１１７を組み込んで構成されている。ピストン１１７は、適当な金属（例えば、外部導体１１５と同じ金属）で作られており、先端が平らに成形されている。ピストン１１７は、マイクロメータスピンドル１１９により、所定の分解能（例えば、０.５μｍ）で出し入れ可能になっている。すなわち、ピストン１１７の垂直位置は、マイクロメータスピンドル１１９によって手動で調整可能である。この結果、測定する試料１の厚さが変わっても、容易に対応することができる。マイクロメータスピンドル１１９は、同軸アダプタの反対側に取り付けられている。なお、符号「１２１ａ」は、同軸アダプタのマウントである。
【００７３】
また、下部セクション１１３は、同軸アダプタの中心導体の一部を、先端（終端面）が平らな導電性の固定ピン１２３に置き換えて構成されている。ピン１２３は、適当な金属（例えば、外部導体１２５と同じ金属）で作られている。ピン１２３の先端は、ピストン１１７とフラットにかつ平行に接触するように正確に平らに成形されている。本実施の形態では、ピン１２３の先端（終端面）は、外部導体１２５の終端面よりもわずかに（例えば、１００〜２００μｍ程度）外側に突き出るように設計されている。これは、後述するように、１ポート校正を行う際に用いるオープンまたはロードの校正用ターミネータとピン１２３との接触を確保するためである。また、ピン１２３の直径（例えば、φ＝３ｍｍ）は、ピストン１１７の直径（例えば、φ＝７ｍｍ）よりも小さく設計されている。また、下部セクション１１３内には、ピン１２３および中心導体１２７を支持するサポータ１２９が取り付けられている。サポータ１２９は、例えば、プラスチックなどの誘電体で作られている。なお、符号「１２１ｂ」は、同軸アダプタのマウントである。
【００７４】
測定する試料１は、上部セクション１１１のピストン１１７（の終端面）と下部セクション１１３のピン１２３（の終端面）との間に挿入（インストール）される。このとき、ピストン１１７およびピン１２３は、キャパシタの電極として機能する。また、上記のように、マイクロメータスピンドル１１９によりピストン１１７の位置を変更できるため、さまざまな厚さの試料に対応することができる。また、後述するように、フィクスチャ１１０を試料なしの状態で用いれば、上部セクション１１１を校正におけるショート（ｄ＝０）または空気コンデンサ（ｄ≠０）として利用することができる。
【００７５】
次いで、上記構成を有する測定装置１００を用いて実際に測定を行う場合の手順について説明する。
【００７６】
測定手順は、大別して、測定前の校正段階と実際の測定段階とに分かれる。
【００７７】
まず、校正段階においては、フィクスチャ１１０の上部セクション１１１を取り外し、下部セクション１１３において１ポート校正（オープン、ショート、ロード）を実施する。ただし、ショート校正では、取り外した上部セクション１１１を利用する。このとき、本実施の形態では、完全なショート校正を行うために、スミスチャートを見ながら注意深くマイクロメータスピンドル１１９を操作して、下部セクション１１３のピン１２３の終端面と上部セクション１１１のピストン１１７とがちょうど接触するように調整する。このようなショート校正を行うことにより、不用意に下部セクション１１３のピン１２３を押し込むことを避けることができる。この結果、校正時と測定時の基準面の位置ずれを防止することができ、測定精度の向上を図ることができる。なお、オープン校正とロード校正については、市販の校正キットに含まれる校正用ターミネータを使用する。
【００７８】
次に、実際の測定段階においては、まず、試料インストール器具１７０を用いて、下部セクション１１３のピン１２３の終端面上に試料１を置いた後、上部セクション１１１を移動させて、下部セクション１１３のピン１２３の終端面と上部セクション１１１のピストン１１７との間に試料１を挿入する（ステップ１）。試料１の厚さは、マイクロメータスピンドル１１９のマイクロメータの目盛りで読み取る。
【００７９】
そして、ネットワークアナライザ１３０を動作させて、複素反射係数Ｓ１１ｍを測定し、結果を演算処理装置１４０に転送する（ステップ２）。
【００８０】
そして、演算処理装置１４０において、あらかじめ用意しておいた複素誘電率計算用ソフトウェアを用いて、試料１の複素誘電率を計算する（ステップ３）。
【００８１】
そして、試料１と同じ厚さの空気コンデンサに対して、ステップ２とステップ３の処理を実施する（ステップ４）。
【００８２】
そして、ステップ３で得られた試料１の複素誘電率を、ステップ４で得られた空気コンデンサの複素誘電率で補正する（ステップ５）。実際には、空気は、誘電率が１で誘電損失が０の、しかも周波数依存性がない複素誘電率を持つ誘電体とみなす。空気コンデンサの測定から得られた複素誘電率と、このみなし誘電体の違いを使ってステップ５を行う。
【００８３】
ここで、複素反射係数Ｓ１１ｍから複素誘電率を求めるソフトウェアは、所定の演算式（式１６）をもとに作成されている。この中で、試料１の同軸方向の位置と厚さの補正は非常に重要である。校正時の基準面（校正面）は、下部セクション１１３のピン１２３の終端面である。しかし、実際の試料１はその上に置かれるため、実際に電磁波が反射される面（キャパシタの側面）は校正面と異なる。この差を正確に機械的に見積もることは非常に困難である。この差は試料１の誘電率が大きくなればなるほど無視できなくなるが、多重反射の効果による誘電分散が消えるようにソフトウェア的に差を見積もることはできるため、これによって校正面のずれの問題を解消することができる。すなわち、式（１６）を用いて複素誘電率を計算する際に、計算結果として得られる複素誘電率の周波数依存性に共鳴分散による効果がなくなるような電気的遅延ｔｅｄの値を選択する。
【実施例】
【００８４】
本発明者は、本発明を実証するために実験を行った。
【００８５】
（実験）
フィクスチャ
５０Ωの特性インピーダンスを持つ、２個のＡＰＣ−７からＡＰＣ−３.５へのマイクロ波アダプタで構成した研究室製のフィクスチャを用いて、誘電体の測定を行った。マイクロ波フィクスチャの概略構成は、図４に示す通りである。上記のように、このフィクスチャ（以下、符号「１１０ａ」で表す）は、２つの部分（上部セクション１１１と下部セクション１１３）を用いて構成されている。上部セクション１１１では、内部導体が、外部導体の内径（７.０ｍｍ）にぴったり収まる導電性ピストン１１７に置き換えられている。ピストン１１７の垂直位置は、アダプタの反対側に取り付けられたマイクロメータスピンドル１１９によって手動で調整される。下部セクション１１３の７ｍｍの空気部では、中心導体が、直径３.０ｍｍの固定ピン１２３に置き換えられている。ピン１２３の先端は、上部セクション１１１のピストン１１７とフラットにかつ平行に接触するように正確に平らにされている。マイクロメータスピンドル１１９として差動マイクロメータスピンドルを用いれば、ピン１２３とピストン１１７の距離を、０から５００μｍまで０.５μｍの分解能で調整することができる。このフィクスチャ１１０ａは、下部セクション１１３の上記３.５アダプタを介してマイクロ波計測装置（ネットワークアナライザ１３０）に接続されている。このようなフィクスチャ１１０ａは、電気的ショート、標準空気コンデンサ、または測定する誘電体の試料ホルダとして使用することも可能である。
【００８６】
測定
ネットワークアナライザＨＰ８５１０Ｂを用いて１００ＭＨｚから２０ＧＨｚの周波数領域で複素反射係数Ｓ１１ｍの測定を行った。４０１箇所のデータポイントをサンプリングして６４回の平均をとった。ＨＰ８５０５０ＢのＡＰＣ−７校正キットおよび上部セクション１１１を用いて１ポートのフル校正（オープン、ショート、ロード）を行った。また、上記のように、このフィクスチャ１１０ａを用いて上部セクション１１１のピストン１１７および外部導体１１５を下部セクション１１３のピン１２３および外部導体１２５とそれぞれ完全に接触させることによって、より良いショート校正を実行することができる。本測定では、後者を用いた。ネットワークアナライザ１３０とパソコン（演算処理装置）１４０の間でデータ転送を行うために、ＩＥＥＥ４８８.２入出力ポート（Ｉ／Ｏ）インタフェース（ＧＰＩＢ）をインストールした。フィクスチャ１１０ａとネットワークアナライザ１３０を接続するために、同軸導波管（アジレント８５１３４−６０００４）を用いた。また、データを取得するために、ソフトウェアプラットフォーム（アジレントＶＥＥ７.０）を用いた。
【００８７】
試料
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末をキシダ化学株式会社から購入した。１個の粒子の平均サイズは、直径０.８μｍである。ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムは、理化学研究所によって提供された。ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムおよびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムは、帝人デュポンフィルム株式会社によって提供された。ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）フィルムおよびポリスチレン（ＰＳ）フィルムは、本発明者の研究室にてキャスト法（cast method）によって作製した。各試料の厚さの値は、それぞれ、１００μｍ（ＰＶＣ）、７５μｍ（ＰＥＴ）、７５μｍ（ＰＥＮ）、４０μｍ（ＰＭＭＡ）、５５μｍ（ＰＳ）である。ＰＶＣ粉末は、株式会社神戸製鋼所から提供された。１個の粒子の直径の平均サイズは、９９μｍである。
【００８８】
温度依存性
フィクスチャ１１０ａの温度は、温度制御ユニット１８０、具体的には、例えば、エチレングリコール水溶液を循環させるジャケットを用いて調整した。水溶液の温度は、バスサーキュレータ（ThermoNESLAB RTE-10）を用いて変化させた。温度の安定性は、０.０１Ｋ以内である。
【００８９】
（結果）
エタノール
上記フィクスチャ１１０ａが上記理論に従ってうまく機能することを確かめるため、２９３Ｋで、１００ＭＨｚから２０ＧＨｚの周波数領域において、エタノールの複素誘電率を測定した。エタノールはよく知られた材料であり、複素誘電率は広範囲にわたって測定されている。したがって、エタノールは良い標準試料である。実験結果を図５に示す。図５は、式（１６）の方法で得られたエタノールの複素誘電率の周波数依存性を示している。図中の記号は測定データを示す。実線はモデル関数（デバイ関数）を用いた最良適合である。実験のパラメータ値は文献値と５％以内でよく一致していることがわかる（表１参照）。表１は、２９３Ｋにおけるエタノールの誘電分散パラメータを示している。なお、表１の文献値は、F. Buckley and A. A. Maryott, Natl. Bur. Stand. (U.S.) Circ. No. 589 (U.S. GPO, Washington D.C. 1985)による。
【００９０】
【表１】
2007263625.tif 000019
【００９１】
高周波テール部の偏差は、すでに存在が認められている副分散（subdispersion）に由来する。これから、本方法は複素誘電率の測定に優れた性能を発揮することを確認することができる。
【００９２】
チタン酸バリウム粉末
ここでは、１００ＭＨｚから２０ＧＨｚの周波数領域におけるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末の複素誘電率について議論する。
【００９３】
チタン酸バリウムは、誘電率が大きく損失係数が小さい強誘電体材料である。ここでは、粉末試料は、ピン１２３（下部セクション１１３）の先端に置かれる。粉末試料はピストン１１７（上部セクション１１１）で覆われ、厚さｄの円形平行平板キャパシタを形成する。留意すべきは、粉末試料の複素誘電率は空気との混合物として評価されることである。
【００９４】
図６は、チタン酸バリウム粉末の複素誘電率の周波数依存性を示している。曲線または軌跡（ａ）は、式（１１）で示す従来の方法（集中容量方法）によって得られたものであり、曲線または軌跡（ｂ）は、１.２ｐｓの電気的遅延を考慮した式（１７）によって得られたものである。すなわち、ε´とε"の曲線（ａ）は、式（１１）を用いて与えられる。明らかに、８ＧＨｚにおいて多重反射に起因する共鳴分散がある。他方で、曲線（ｂ）は、１.２ｐｓの電気的遅延を仮定することによって得られる。この場合、本発明者は、共鳴分散の挙動を示すため、次の式（１７）を用いた。式（１７）は、式（１６）と類似しているが、１／χｃｏｔχを含んでいない。
【００９５】
【数１７】
2007263625.tif 000020
【００９６】
図６から、共鳴周波数ｆｒは曲線（ａ）と比べて約２ＧＨｚ高周波のほうにシフトしていることがわかる。実際の共鳴周波数は、電気的遅延を考慮しない場合の共鳴周波数よりも高い。この事実は、ｆｒの見掛け上の値がキャパシタ内部の材料の複素誘電率ε＊のみならず電気的遅延にも依存することを示している。式（１３）で述べたように、ｆｒの値は、共鳴分散が測定で使用されている周波数における複素誘電率に影響を与えるため、誘電率の増加につれて減少する。共鳴分散の影響を除去するためには、ｆｒの値を正確に評価しなければならない。複素誘電率の値は周波数によってｆｒの前後で急激に変化するためである。
【００９７】
図７は、同じくチタン酸バリウム粉末のデータを示しており、１.２ｐｓの電気的遅延を考慮して式（１６）および式（１７）によって得られたものである。すなわち、図７は、チタン酸バリウム粉末の複素誘電率の周波数依存性を示し、曲線または軌跡（ａ´）は、式（１６）で示す従来の方法によって得られたものであり、曲線または軌跡（ｂ´）は、１.２ｐｓの電気的遅延を考慮して式（１６）によって得られたものである。曲線（ｂ´）は、全周波数領域において全く誘電異常を示していない。このことは、本方法によれば共鳴分散の影響を除去できることを示している。周波数の増加に伴って複素誘電率の実部はわずかに減少し、虚部は増加している。この挙動は、これまでの研究と十分一致している。
【００９８】
グリセロールにチタン酸バリウム粉末を分散した混合液体
グリセロールとチタン酸バリウム粉末の混合液体の複素誘電率を図８に示す。図８は、ＢａＴｉＯ３とグリセロールの混合液体の複素誘電率を示し、曲線または軌跡（ａ"）は、式（１１）で示す従来の方法によって得られたものであり、曲線または軌跡（ｂ"）は、１.０ｐｓの電気的遅延を考慮して式（１６）の方法によって得られたものである。曲線（ａ"）では、１０ＧＨｚの辺りに共鳴分散があることがわかる。式（１６）を用いて得られた曲線（ｂ"）は共鳴分散を全く示しておらず、純粋のグリセロールの複素誘電率の挙動から予想される合理的な挙動を示すことがわかる。この結果は、本方法が、大きな誘電損失係数を持つ材料の複素誘電率測定に利用可能であることを示している。
【００９９】
ポリマーフィルム
いくつかのポリマーフィルム（ＰＶＣ、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＭＭＡ、およびＰＳ）の複素誘電率を、室温にて、１００ＭＨｚから１０ＧＨｚのマイクロ波領域の周波数で測定した。ＰＶＣフィルムの複素誘電率の周波数依存性を図９に示す。これらの材料の誘電損失ε"および誘電正接ｔａｎδの値は、この周波数領域ではあまり大きくない。ガラス転移温度Ｔｇが測定温度と比べて十分に高いためである。ε´とε"の値は、あまり周波数に依存していない。この挙動は、従来の結果と一致する。しかし、ε´とε"の値は、文献値よりも小さい。フィルム状試料と平行平板キャパシタを形成するプレートとの間には、プレートまたはフィルムの表面の乱れ（distortion）のため、隙間が存在しなければならないためである。フィルム状試料の場合、複素誘電率の不確実性は最大２０％と推定されたが、誘電正接ｔａｎδは正確に評価することができる。そのような幾何学的因子（geometric factor）は、ｔａｎδが複素誘電率の実部と虚部の比であるため、相殺される。多くの場合、基礎研究または実用化の分野では、高い分解能でｔａｎδを正確に評価することが興味のあることに違いない。
【０１００】
このフィクスチャ１１０ａの上部は、理想的な金属カバーの回路特性とは異なる望ましくない回路特性を有する。測定から得たｔａｎδの値は、この回路特性を含んでいる。これは、ｔａｎδが比較的大きい試料の測定においてはあまり大きな問題ではないが、ｔａｎδが小さい試料に対しては、この影響は無視できない。指摘すべきは、この影響は、試料測定時に用いられる隙間を満たす空気のｔａｎδを測定することによって評価可能であるということである。本発明者は、望ましくない回路特性に起因するｔａｎδの成分を空気のｔａｎδの測定値から除去可能であることを見出した。この方法によれば、ｔａｎδの分解能を０.００１まで低くした測定を達成できるとともに、この方法は、図１１に示すように、非常に良く機能する。図１１は、ＰＳフィルムの誘電正接ｔａｎδの周波数依存性を示している。
【０１０１】
図１０（Ａ）は、ＰＶＣフィルムのｔａｎδの周波数依存性を示している。明らかに、ｔａｎδは周波数の増加につれて減少し、指数法則の周波数依存性に従っている。１０ＧＨｚのｔａｎδの値は、約０.００３である。この挙動は合理的である。なぜなら、構造緩和αおよび緩慢な緩和βが測定周波数領域よりも十分に低い周波数領域で存在するからである。観察の対象はそのような緩和過程の高周波テール部である。本発明者は、図１０（Ｂ）〜図１０（Ｄ）に示すように、ＰＥＴフィルム、ＰＥＮフィルム、およびＰＭＭＡフィルムに対しても類似の挙動を見出した。これらの間のわずかな違いは、複素誘電率や双極子モーメント、ガラス転移温度などの違いに起因する。
【０１０２】
ＰＳフィルムのｔａｎδの周波数依存性を図１１に示す。ｔａｎδはほとんどゼロ（０.００１以下）であり周波数に依存していないことがわかる。これらのデータは非常に合理的である。なぜなら、ＰＳは無極性の材料だからである。
【０１０３】
ＰＶＣ粉末の温度依存性
このフィクスチャ１１０ａを用いると、室温での校正パラメータは、２９３〜３５３Ｋの温度領域において有効である。この温度領域において、試料の複素誘電率の温度依存性を評価することができる。図１２は、いくつかの温度（２９３Ｋ、３２３Ｋ、３５３Ｋ）におけるＰＶＣ粉末のｔａｎδの周波数依存性を示している。ｔａｎδの値が周波数と温度の両方に依存していることは明らかである。温度が上昇すると、全周波数領域においてｔａｎδが増加する。
【０１０４】
上記のように、電気的遅延は、複素誘電率を評価するための重要な要素である。しかし、誘電率が低い材料の共振周波数ｆｒは、測定周波数領域に比べて十分に高い周波数（〜３０ＧＨｚ）にある。この場合、共鳴分散の低周波側のすそが観察される。したがって、電気的遅延を考慮することなく式（１０）を用いて複素誘電率の値を正確に評価することができる。
【０１０５】
（考察）
今まで議論してきたように、電気的遅延ｔｅｄの値を評価することは、上記フィクスチャ１１０ａを用いて、特に誘電率が比較的大きい材料に対して、複素誘電率を正確に測定するために非常に重要である。（上記フィクスチャ１１０ａにおける）電気的遅延は、本質的に、平行平板キャパシタに挿入された試料の厚さに依存する。我々の場合、今までの議論によれば、ｔｅｄの値は厚さに比例する。したがって、チタン酸バリウム粉末（ｄ＝２４０μｍ）測定時の１.２ｐｓのｔｅｄは、混合物（ｄ＝３００μｍ）測定時の１.０ｐｓのｔｅｄと一致しない。この事実は、上記フィクスチャ１１０ａの場合、ｔｅｄの値を決めるための要素としてｄ以外の別の要素があることを示している。
【０１０６】
なお、共鳴分散の出現に基づくｔｅｄの評価は有効であるが、フィクスチャの機械的構造（mechanical configuration）から直接ｔｅｄを決定することも可能である。
【０１０７】
（結論）
各種異なる材料の複素誘電率を、１００ＭＨｚから２０ＧＨｚのマイクロ波周波数領域で、かつ、２９３Ｋから３５３Ｋの温度領域で測定した。本発明では、試料の直径に沿った多重反射に関連する伝播モードを考慮して、従来の集中容量モデルを修正した。この実験的方法によって、従来の方法の限界を克服するとともに、測定周波数を実用的見地から重要な１０ＧＨｚまで拡張することができる。
【０１０８】
本発明では、測定周波数領域を拡張するために電気的遅延を導入した。これは、誘電率が高い材料の場合には、測定周波数領域で共鳴分散が起こるため、大きな要因である。電気的遅延を考慮することによって測定周波数領域を２０ＧＨｚまで拡張することができる。ｔａｎδの分解能は、フィクスチャの望ましくない回路特性を除去して、全周波数領域において０.００１まで上げることができる。これにより、誘電正接ｔａｎδが０.０１以下と低い材料の誘電特性を容易に調べることができる。校正が適正である温度領域において、温度測定を全周波数領域にわたって行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明に係る複素誘電率測定装置および複素誘電率測定方法は、複雑な測定器具を必要とすることなく、小型かつ構造が単純な測定フィクスチャを用いて、薄い材料の複素誘電率をマイクロ波領域において高精度に測定することができる複素誘電率測定装置および複素誘電率測定方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の原理を説明するための、試料部分の概略図
【図２】本発明の原理を説明するための、同軸導波管を終端する薄い平行平板キャパシタ内における多重反射の伝播効果を示す図
【図３】本発明の一実施の形態に係る複素誘電率測定装置のシステム構成を示す概略図
【図４】図３のフィクスチャの構造の一例を示す概略図
【図５】本発明の方法で得られたエタノールの複素誘電率の周波数依存性を示す図
【図６】チタン酸バリウム粉末の複素誘電率の周波数依存性を示す図
【図７】チタン酸バリウム粉末の複素誘電率の他のデータを示す図
【図８】チタン酸バリウムとグリセロールの混合液の複素誘電率を示す図
【図９】ＰＶＣフィルムの複素誘電率の周波数依存性を示す図
【図１０】（Ａ）ＰＶＣフィルムのｔａｎδの周波数依存性を示す図、（Ｂ）ＰＥＴフィルムのｔａｎδの周波数依存性を示す図、（Ｃ）ＰＥＮフィルムのｔａｎδの周波数依存性を示す図、（Ｄ）ＰＭＭＡフィルムのｔａｎδの周波数依存性を示す図
【図１１】ＰＳフィルムのｔａｎδの周波数依存性を示す図
【図１２】いくつかの温度（２９３Ｋ、３２３Ｋ、３５３Ｋ）におけるＰＶＣ粉末のｔａｎδの周波数依存性を示す図
【符号の説明】
【０１１１】
１００  複素誘電率測定装置
１１０  フィクスチャ
１１１  上部セクション
１１３  下部セクション
１１５、１２５  外部導体
１１７  ピストン
１１９  マイクロメータスピンドル
１２１ａ、１２１ｂ  同軸アダプタのマウント
１２３  ピン
１２７  中心導体
１２９  サポータ
１３０  ネットワークアナライザ
１４０  演算処理装置
１５０  同軸ケーブル
【図１】
2007263625.tif 000021
【図２】
2007263625.tif 000022
【図３】
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【図４】
2007263625.tif 000024
【図５】
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【図６】
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【図７】
2007263625.tif 000027
【図８】
2007263625.tif 000028
【図９】
2007263625.tif 000029
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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