(57)【要約】【目的】  書き換え可能な相変化型記録媒体において、反射層が薄いか又はなくても非晶質マークの形成と消去とを容易に行なえ、また、使用可能な結晶化速度の範囲を狭めずに行なえるような、相変化型記録媒体の記録方法を提供することを目的とする。【解決手段】  記録パワーＰｗを最初に照射する区間である先頭パルスの直前に設けられ、バイアスパワーＰｂを第１設定時間ｙＴ照射する前段低パワーパルス照射ステップと、この先頭パルスの直後に設けられ、バイアスパワーＰｂを第２設定時間ｘＴ照射する後段低パワーパルス照射ステップとをそなえ、ｘとｙとの間の関係が、０．９５≦ｘ＋０．７＊ｙ≦２．５を満たし、かつ、それに続く高パワーエネルギービームを照射する区間である後続パルスの照射周期は、０．５Ｔ以上１．５Ｔ以下であるように構成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化型記録層を有する相変化型記録媒体に、少なくとも、相対的に高いパワー値を有する高パワーエネルギービームと、オーバーライトの際に非晶質マークを十分に結晶化できる消去パワーの５０％以下の相対的に低いパワー値を有する低パワーエネルギービームとの２種類を交互に該記録媒体に照射し、該相変化型記録層に長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは４以上の自然数）の該非晶質マークを形成する、相変化型記録媒体の記録方法であって、
該高パワーエネルギービームを最初に照射する区間である先頭パルスの直前に設けられ、該低パワーエネルギービームを第１設定時間ｙＴ（ｙは０以上の数）照射する前段低パワーパルス照射ステップと、
該先頭パルスの直後に設けられ、該低パワーエネルギービームを第２設定時間ｘＴ（ｘは０よりも大きい数）照射する後段低パワーパルス照射ステップとをそなえ、
該ｘと該ｙとの間に下記の式（１）の関係があり（＊は乗算を表す）、
０．９５≦ｘ＋０．７＊ｙ≦２．５                      （１）
該先頭パルスを照射する時間が、該第２設定時間ｘＴよりも短い
ことを特徴とする、相変化型記録媒体の記録方法。
【請求項２】
ｙは０よりも大きい数である、請求項１記載の相変化型記録媒体の記録方法。
【請求項３】
１．３≦ｘ＋０．７＊ｙ≦２．０である、請求項１又は２記載の相変化型記録媒体の記録方法。
【請求項４】
該相変化型記録層が、ＳｂＴｅ共晶点組成よりもＳｂが過剰に含まれる組成からなる、請求項１又は２記載の相変化型記録媒体の記録方法。
【請求項５】
該相変化型記録層が、下記一般式（２）で表される成分を主成分とする、請求項４記載の相変化型記録媒体の記録方法。
（Ｓｂ1-aＴｅ1-a）bＭ1-b                      （２）
（ただし、ａは０．６＜ａ＜０．９の範囲の実数であり、ｂは０．７＜ｂ＜１の範囲の実数であり、ＭはＧｅ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａより選択される少なくとも１種類の元素を表す）
【請求項６】
該相変化型記録媒体が、該相変化型記録層に隣接した反射層または保護層を介した反射層を有しない媒体である、請求項１乃至５のいずれか一項記載の相変化型記録媒体の記録方法。
【請求項７】
該相変化型記録媒体が、該相変化型記録層に隣接した反射層または保護層を介した膜厚が３０ｎｍ以下の反射層を有する媒体である、請求項１乃至５のいずれか一項記載の相変化型記録媒体の記録方法。
【請求項８】
該相変化型記録媒体が、間に他の層を介して２層以上の相変化型記録層を有する媒体であり、該エネルギービームに対して近い方の相変化型記録層に記録する方法である、請求項１乃至７のいずれか一項記載の相変化型記録媒体の記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば書き換え可能な相変化型媒体を利用した高密度記録可能な光ディスクのような、記録媒体の多層化が可能で透過率が大きい相変化型媒体に用いて好適な、相変化型記録媒体の記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報量の増大に伴い、高密度で且つ高速に大容量のデータの記録・再生が可能な記録媒体が求められており、光ディスクは、まさに、こうした要請に応えるものとして期待されている。この光ディスクの種類は、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何度もできる書き換え可能型とがある。そして、書き換え可能型光ディスクの種類としては、光磁気効果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化に伴う反射率変化を利用した相変化型媒体（相変化媒体とも称する）が挙げられる。
【０００３】
この相変化型媒体は外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワー（出力）を変調するだけで記録・消去ができ、また、記録・再生装置を小型化できるという利点を有する。さらに、相変化型媒体を用いた場合は、現在主流の８００ｎｍ程度の波長での記録・消去が可能な媒体から、特に記録層等の材料を変更することなく、短波長の光源による高密度化が可能であるといった利点を有する。
【０００４】
この相変化型媒体を用いた記録層の材料としては、カルコゲン系合金薄膜が用いられることが多い。例えば、ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｎＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金が挙げられる。現在のところ、実用化されている書き換え可能な相変化型記録媒体における記録手法は、未記録・消去状態では記録層を結晶状態とし、非晶質ビットを形成することによって行なわれる。ここで、非晶質ビットは、記録層を融点より高い温度まで加熱させて、急冷することにより形成される。
【０００５】
このような記録層の加熱処理により発生する蒸発や変形を防止するために、通常、記録層の上下は、耐熱性で且つ化学的にも安定な誘電体保護層でサンドイッチ状に挟まれるようにして生成される。また、一般に、上記サンドイッチ構造の上部には金属反射層が設けられ、４層構造とされることにより熱拡散が促進され、非晶質マークが安定に形成されるようになっている。
【０００６】
この金属反射層は、記録層が記録用のレーザー光の光ビーム（以下、光ビームと称することがある）を照射された際に発生した熱を逃がす機能を有する。すなわち、相変化型媒体において非晶質を用いた場合は、光ビームによって、記録層が局所的に溶融させられ、そして、この記録層が急冷させられて非晶質マークが形成されるのである。従って、放熱が不十分であると、この非晶質マークが上手く形成されないので、金属反射層が必要となる。
【０００７】
また、非晶質マークを安定に形成するために、マーク形成用のレーザーパルスを分割するパルス分割方式が一般的に行なわれており、基準クロック周期をＴとしたとき、周期Ｔのパルス列をマーク長に応じて照射する方法が用いられることが多い。このとき、マーク内の温度分布を均一にするために、先頭パルス（１番最初のパルス）の幅を２番目以降のパルスの幅よりも長くすることも行なわれている。
【０００８】
なお、このパルス分割方式とは、相対的に高いパワー値の記録パワーＰｗと相対的に低いパワー値のバイアスパワーＰｂとを交互に相変化型記録媒体に照射することにより長さｎＴの非晶質マークを形成する方式をいう。ここで、ｎは４以上の自然数である。
すなわち、光ビームの出力パターン（パルスパターン）は、高パワーで出力されるパルス（記録パルス）と、低パワーで出力されるパルス（オフパルス）とが複数に分割されて、これら高低のパワーが交互に繰り返される。従来のパルス分割方法におけるパルス幅については、いずれのパルスにおいても、高パワーで出力されるパルス幅と、低パワーで出力されるパルス幅とは、それぞれ、０．５Ｔ程度となっている。
【０００９】
上記の非晶質マークを形成する際のパルスパターンに関しては、次の公知文献１〜３に開示されている。公知文献１（“Ｔｈｅ  Ｆｅａｓｉｂｉｌｉｔｙ  ｏｆ  Ｈｉｇｈ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅ  ４．７ＧＢ  Ｍｅｄｉａ  ｗｉｔｈ  Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｈａｎｇｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ”，「１９９８年第１０回相変化記録研究会シンポジウム講演論文集」）には、パルスパターンに関する技術が記載されている。
【００１０】
また、公知文献２（“Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ  Ｄｕａｌ−Ｌａｙｅｒ  Ｐｈａｓｅ−Ｃｈａｎｇｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｉｓｋ”，  Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐｐ．１６７９−１６８６）には、多層構造を有する書き換え可能な相変化型媒体を用いた光ディスクに関する技術が記載されており、この公知文献２には、書き込みパルスパターンが開示されている。
さらに、公知文献３（特開平３−１８５６２８号公報［米国特許第５、１０９、３７３号公報］）には、レーザー光線等を用いて高速且つ高密度に光学的な情報を記録再生する光ディスクを中心とした光学情報記録部材への信号の記録方法及び記録装置に関する技術が記載されており、中間部のパルス列中の繰り返し周期τの満足すべき値が記載されている。
【００１１】
これに対して、消去（結晶化）に関しては、記録層の結晶化温度よりは高く、且つ融点よりは低い温度まで記録層を加熱して行なわれる。この場合、上記の誘電体保護層は、蓄熱層として働き、記録層を固相結晶化に十分な高温に保つようになっている。
また、いわゆる１ビームオーバーライト可能な相変化型媒体においては、上記の消去及び再記録過程が、１つの集束光ビームの強度変調のみによって行なえることが、公知文献４（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．  ２６（１９８７），ｓｕｐｐｌ．２６−４，ｐｐ．６１−６６）に記載されている。さらに、１ビームオーバーライト可能な相変化型媒体を用いることにより、記録媒体の層構造及び記録ドライブ装置の回路構成が簡素になる。このため、１ビームオーバーライト可能な相変化型媒体を用いたシステムは、安価、高密度及び大容量記録が行なえるものとして注目されている。
【００１２】
近年は、さらなる高密度化を目指し、記録媒体の多層化が検討されている。すなわち、使用光学系の焦点深度よりも大きな距離を隔てた２層以上の記録媒体部を重ねて作製することにより、記録密度を拡大させる試みである。この場合は、レーザー光の入射方向から見て、最も遠い記録媒体部以外の記録媒体部は、レーザー光を透過させるため、３０％以上といった高い透過率が必要になる。
【００１３】
このため、レーザー光を透過させるためには、基本的に前記の金属反射層は用いないか、又は、金属反射層を用いる場合でも、十分な光透過が得られる程度に薄くすることが必要となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、金属反射層が設けられていない場合や、金属反射層が薄い場合においては、前記の放熱効果が不十分となるため、非晶質マークを形成する際に再結晶化が起こりやすく、きれいな非晶質マークが形成しにくいという課題がある。
【００１５】
記録層の組成を変更させることにより結晶化速度等を遅くし再結晶化を防止するという方策はある。しかし今度は、結晶化速度が遅いために、非晶質マークが形成された後、消去パワーにて照射される部分（以下、消去パワー照射部と称する）の非晶質マークの結晶化が不十分になり、非晶質マークを消去することができないという課題がある。
【００１６】
すなわち、金属反射層がない又は薄い相変化型媒体に記録を行なう場合は、消去パワー照射部の十分な消去率を保ったまま記録時マークの再結晶化を防止することが困難となって、書き換え可能な記録媒体として使用可能な結晶化速度の範囲が狭くなってしまうという課題がある。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、書き換え可能な相変化型記録媒体において、反射層が薄いか又はなくても非晶質マークの形成と消去とを容易に行なえ、また、使用可能な結晶化速度の範囲を狭めずに行なえるような、相変化型記録媒体の記録方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
このため、本発明の要旨は、相変化型記録層を有する相変化型記録媒体に、少なくとも相対的に高いパワー値を有する高パワーエネルギービームと相対的に低いパワー値を有する低パワーエネルギービームとの２種類を交互に該記録媒体に照射し該相変化型記録層に長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは４以上の自然数）の非晶質マークを形成する、相変化型記録媒体の記録方法であって、該高パワーエネルギービームを最初に照射する区間である先頭パルスの直前に設けられ、該低パワーエネルギービームを第１設定時間ｙＴ（ｙは０以上の数）照射する前段低パワーパルス照射ステップと、該先頭パルスの直後に設けられ、該低パワーエネルギービームを第２設定時間ｘＴ（ｘは０よりも大きい数）照射する後段低パワーパルス照射ステップとをそなえ、該ｘと該ｙとの間に、０．９５≦ｘ＋０．７＊ｙ≦２．５の関係があり、かつ、それに続く高パワーエネルギービームを照射する区間である後続パルスの各々の照射周期は、０．５Ｔ以上１．５Ｔ以下であることに存する。
【発明の効果】
【００１８】
従って、以上詳述したように、本発明の記録方法によれば、相変化型媒体において金属反射層がなくても、薄い相変化型媒体特有の記録時マークの再結晶化を防止できる利点があり、また、分割パルス前端部以外は従来どおりのパルスが使えるため、技術的にも変更点が少なく、回路設計を容易にできる利点がある。
【００１９】
金属反射層がない又は薄い相変化型記録媒体にマーク長の記録を行なう場合でも消去パワー照射部の十分な消去率を保持したまま、記録時マークの再結晶化を防止でき、使用可能な結晶化速度の範囲が狭くなるのを解消できる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
本発明者は、放熱効果が小さいような構成の相変化型記録媒体においては、記録時のマーク再結晶化はマークの前端部からマークの後端部に向かって、再結晶化が進みやすいことを見い出した。そして、マークの前端部、つまりマークが形成され始める部分を急冷させる工夫をすることにより、マーク再結晶化が防止できることを見い出し、本発明に至った。
【００２１】
本発明によれば、パルス分割法を用いて記録を行なう際に、非晶質マークを形成するための一連のパルスパターンにおいて、マークの前端部を形成する記録パルスに隣接して長いオフパルスを入れるので、マーク前端部を特に急冷させることができ、再結晶化を防止できる。
即ち一連のパルスパターンにおいて、マークの前端部を形成する記録パルス、オフパルスのみを従来方法から変更することによって、再結晶化を防止することを可能にしたのである。本発明によればそれ以外のパルスパターンは従来技術を用いたパルス分割を使えるため、技術的にも変更点が少なく、回路設計も容易となる。
【００２２】
本発明は、たとえば相変化型記録層を有する光ディスクに適用できる。光ディスクには通常、螺旋状または同心円状に溝が形成され、その溝の内部、または溝と溝の間のランド部を記録トラックとして記録再生が行なわれる。たとえば相変化型光ディスクの一種であるＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷなどでは、溝の内部を記録トラックとして、結晶状態の記録層に非晶質マークが形成される。
【００２３】
また、これら光ディスクは通常、基板上に、保護層／相変化型記録層／保護層／反射層を有してなる。或いは大容量化などのために２層以上の記録層を有する媒体においては、基板上に、保護層／相変化型記録層／保護層／樹脂層／保護層／相変化型記録層／保護層／反射層を有してなる場合がある。又はこのような光ディスクを２枚貼合せる場合もある。いずれも、基板側からエネルギービームを入射して記録再生が行なわれる。また、基板上の層構成を全く逆にして、エネルギービームを基板とは逆側から入射して記録再生が行なわれる場合もある。
【００２４】
本発明は、記録層に隣接した反射層または保護層を介した反射層を有しない媒体である場合、又は記録層に隣接した反射層または保護層を介した膜厚が３０ｎｍ以下のごく薄い反射層を有する媒体において、その効果が顕著である。
換言すれば、従来の通常の厚さの反射層を有する媒体が再結晶化しやすい場合は、マーク前端部を急冷することによる再結晶化の防止効果は相対的に小さい。
【００２５】
再結晶化の過程はいくつかあるが、代表的なものは以下のように考えられる。非晶質マークを形成する際に、形成された非晶質領域が、その非晶質領域と周囲の結晶領域との縁部から、再結晶化していく過程である。
そして、本発明者の検討によれば、放熱効果が小さい媒体の場合は、再結晶化は、マーク前端部の、特にマークの幅方向（トラック方向に直交する方向）の中心付近から起こりやすく、そこからマークの後端部に向かって進むと推測される。一方、放熱効果が大きい媒体の場合は、マークの幅方向の端部から中心に向かって再結晶化が進みやすいと推測される。
【００２６】
本発明はマーク前端部を急冷し再結晶化を抑えるので、放熱効果が小さい媒体に適用すると、マーク前端部から後端部への再結晶化の進行も抑えることができ、特にその効果が高い。従って、記録層に隣接した反射層または保護層を介した反射層を有しない媒体である場合、又は記録層に隣接した反射層または保護層を介した膜厚が３０ｎｍ以下のごく薄い反射層を有する媒体において、効果が顕著である。
【００２７】
たとえば、相変化型記録媒体が、間に他の層を介して２層以上の相変化型記録層を有する媒体である場合、上述のように、記録再生用エネルギービームに対して遠い方の相変化型記録層にもエネルギービームを届かせる必要があるので、それまでの光路中に厚い反射層を設けることができない。従って、ビームに対して近い方の相変化型記録層は、記録層に隣接した反射層または保護層を介した反射層を有しないか、有しても膜厚が３０ｎｍ以下のごく薄い反射層に限られてしまう。本発明はこのような媒体の、記録再生用エネルギービームに対して近い方の相変化型記録層の記録に用いると効果が高い。
本発明においては、マーク前端部の再結晶化を防止するために、この部分を急冷させることが必要である。まず、図１及び図２を用いて、パルスパターンについて説明する。
【００２８】
図１は本発明の記録方法に用いるパルスパターンの一例を示すレーザーパルス波形図である。横軸は時間を表し、縦軸はレーザーパワーを表す。Ｐｗは記録パワー、Ｐｅは消去パワー、Ｐｂはバイアスパワー、Ｐｒは再生パワーである。基本的には、マーク形成には記録パワーＰｗとバイアスパワーＰｂを用い、消去には消去パワーＰｅを用いる。記録した情報の再生には再生パワーＰｒを用いる。
以下の説明において、高パワー（記録パワーＰｗ）で出力されるパルスを記録パルスと称し、記録パルスが照射される区間を記録パルス区間又は記録パワー照射区間と呼ぶことがある。これは高パワーレーザー照射部に相当する。
【００２９】
また、低パワー（バイアスパワーＰｂ）で出力されるパルスをオフパルスと称しオフパルスが照射される区間をオフパルス区間又はバイアスパワー照射区間と称することがある。これは低パワーレーザー照射部に相当する。
図１は、長さ１０Ｔ（Ｔは基準クロック周期を表す）のマークを形成する例を示している。図１に示すパルスパターンは、符号１から符号９と付した例えば９本の記録パルスに分割されている。一般に、長さｎＴのマークを形成する場合には、記録パルス数ｍはｎ、ｎ−１、ｎ−２のいずれかである。図１の場合はｍ＝ｎ−１である。
【００３０】
また、これら９本の記録パルス１〜９のパワー値は、それぞれ記録パワーＰｗに等しく、そして、各記録パルス前後の各オフパルスのパワー値は、それぞれバイアスパワーＰｂに等しい。さらに、記録パルス、オフパルスが照射される以外の区間での照射パワー値は、消去パワーＰｅに等しい。
通常、記録パワーＰｗは２０ｍＷ以下が好ましく、１４ｍＷ以下がより好ましい。一般に相変化型光記録媒体は、低いレーザーパワーで記録できる媒体ほど好ましい。使用するレーザーの出力が小さくて済むからである。ただし、記録パワーＰｗは８ｍＷ以上が好ましい。あまり低パワーで記録可能であるということは即ち、再生する際に劣化しやすいことにつながる。
【００３１】
消去パワーＰｅは、オーバーライト（重ね書き）の際、消去されるべき古い非晶質マークが十分に結晶化するような値を選択すればよい。通常、記録パワーＰｗの３０％〜７０％程度である。
再生パワーＰｒは、記録情報を再生する際に照射されるビームのパワーであり、記録情報を消去することのないよう、低い値を選択する。通常、０．５〜１．０ｍＷである。
【００３２】
バイアスパワーＰｂは、記録パワーＰｗにより加熱された記録層が急激に冷却され、非晶質マークが形成されるような値を選択する。記録層の冷却速度を上げるためには、バイアスパワーＰｂは小さい方が好ましい。バイアスパワーＰｂと消去パワーＰｅとの比で言えば、通常、Ｐｂ／Ｐｅ≦０．５であり、好ましくは、Ｐｂ／Ｐｅ≦０．３である。トラッキング性能等を考慮すると、バイアスパワーＰｂは、再生パワーＰｒの値に近いか同じ値が好ましい。
【００３３】
本発明の記録方法は、相変化型記録層を有する相変化型記録媒体に、少なくとも相対的に高いパワー値を有する高パワーエネルギービームと相対的に低いパワー値を有する低パワーエネルギービームとの２種類を交互に該記録媒体に照射し該相変化型記録層に長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは４以上の自然数）の非晶質マークを形成する、相変化型記録媒体の記録方法であって、該高パワーエネルギービームを最初に照射する区間である先頭パルスの直前に設けられ、該低パワーエネルギービームを第１設定時間ｙＴ（ｙは０以上の数）照射する前段低パワーパルス照射ステップと、該先頭パルスの直後に設けられ、該低パワーエネルギービームを第２設定時間ｘＴ（ｘは０よりも大きい数）照射する後段低パワーパルス照射ステップとをそなえ、該ｘと該ｙとの間に、０．９５≦ｘ＋０．７＊ｙ≦２．５の関係がある。
【００３４】
すなわち本記録方法は、従来のパルス分割方式を用いた場合と比較して、図１に示す先頭パルス（記録パルス１）の前後にあるオフパルス区間の幅が長くなるようにされている。
図１のパルスパターンでは、マーク前端部の急冷のために、マーク形成用分割パルスの先頭パルス（記録パルス１）と２番目のパルス（記録パルス２）との間に、幅ｘＴの低パワーのオフパルスが設けられている。ここで、ｘは０よりも大きい数を表す。
【００３５】
本発明者らの検討によれば、少なくともレーザーパワー等の条件が通常の範囲であれば、前記の低パワーレーザー照射部（オフパルス）ｘＴの時間幅を従来より著しく長くした場合に、マーク前端部が急冷されやすく、優れた記録特性が得られることが明らかとなった。以降、記録パルス１のあとの幅ｘＴのオフパルスを、ｘＴパルスと称することがある。
【００３６】
また、先頭パルスの直前に、幅ｙＴのオフパルスを設けることも有効である。ここで、ｙは０以上の数を表す。以降、記録パルス１の前の幅ｙＴのオフパルスをｙＴパルスと称することがある。
ｘと０．７＊ｙの合計が小さすぎると、マーク前端部の急冷の効果が得られない。従って０．９５以上とする。好ましくは１．３以上とする。また、ｘと０．７＊ｙの合計が大きすぎると、古い非晶質マークが消去されなかったり、先頭パルスによる非晶質部と、記録パルス以降の非晶質部とが光学的に分離されてしまう可能性がある。従って２．５以下とする。好ましくは２．０以下とする。
【００３７】
また、このｙの値は小さくてもよく０でもよい。ｙが０の場合は、記録パワーＰｗを最初に照射する区間である先頭パルスが所定時間照射され（先頭パルス照射ステップ）、そして、その先頭パルス照射ステップの直後に設けられ、バイアスパワーＰｂが第２設定時間ｘＴ照射され（後段低パワーパルス照射ステップ）、このｘが、０．９５≦ｘ≦２．５の関係になるようにすることもできる。即ち、ｙＴパルスを設けず、ｘＴパルスを長くするだけでも効果がある。
【００３８】
しかしながらｙＴを設けないで同等の冷却効果を得るために、ｘＴパルスを長くする必要があるため、記録パルス１がより前に出てしまい、全体として形成されるマークの長さが長めになる可能性がある。従ってｘＴパルスとｙＴパルスの両方を組み合わせるのが好ましく、また、有効である。
ｘの値は、小さ過ぎると、マーク前端部の再結晶化が抑制されにくくなるため、通常は、０．１以上にされており、好ましくは、０．３以上である。ただし、ｘの値は、大き過ぎると、古い非晶質マークが消去されなかったり、先頭パルスによる非晶質部と、記録パルス以降の非晶質部とが光学的に分離されてしまう可能性があるので、通常は２．０以下にされている。
【００３９】
ｙの値は、大き過ぎると、やはり、オーバーライト時に、古いマークの結晶化が不十分になる可能性があるので、通常は２．０以下とする。
本発明は、マークを記録パルスが２以上あるパルスパターンで形成する場合に用いるのが好ましい。３Ｔマーク（ｎＴマークにおいてｎ＝３）などの短マークは、記録パルスが１本しかないパルスパターンで形成される場合がある。記録パルスが１本しかない場合は、記録パルス１の後にはバイアスパワーＰｂ、又は消去パワーＰｅしか照射されないため、比較的急冷されやすい。一方、記録パルスが２以上ある場合は、記録パルス１の後にオフパルスがあっても、その次に高パワーの記録パルス２が照射されるため、急冷されにくい。従って本発明のごとくｘＴパルスとｙＴパルスを長くする効果が大きい。従って本願は４Ｔマーク（ｎＴマークにおいてｎ＝４）以上の長さのマークの形成に適用するのが好ましい。
次に、この図１に示す記録パルス１〜９のパルス幅について、図２を用いて説明する。
【００４０】
図２は本発明の記録方法に用いるパルスパターンの一例におけるパルス幅の説明図である。この図２に示す記録パルスの数は合計ｍ個（ｍは自然数を表す）であって、例としてｍ＝６の場合を示している。さらに、各記録パルス１〜６は、それぞれパルス幅α1Ｔ〜α6Ｔを有し、また、各記録パルスに続いて、それぞれβ1Ｔ〜β6Ｔのパルス幅を有するオフパルスがある。そして、これらｍ個の記録パルスとｍ個のオフパルスとを合わせた全体の時間幅は概ねマークの長さｎＴに相当する。従って、次の式（３）が成立する。
【００４１】
Σmi=1（αi＋βi）≒ｎ                                （３）
ｉは自然数であり、また、αiはｉ番目の記録パルス幅を決定する係数であり、βiはｉ番目のオフパルス幅を決定する係数である。Σmi=1（αi＋βi）は、ｉが１からｍまでの（αi＋βi）の総和を表す。ここで、Σmi=1（αi＋βi）は厳密にｎに等しい必要はなく、通常、ｎ−２からｎ＋２程度である。
【００４２】
ここで、図２に示す先頭パルス（記録パルス１）のパルス幅α1Ｔは、長すぎると、加熱されすぎて前後のオフパルスを長くしても再結晶化を抑制できずマークが再結晶化しやすくなる。従って、１．５Ｔ以下が好ましく、１．０Ｔ以下がより好ましく、さらに好ましくは０．８Ｔ以下である。しかし短か過ぎると、記録層の温度の上昇が不十分となるので、好ましくは０．２Ｔ以上、より好ましくは０．３Ｔ以上とする。
【００４３】
またパルス幅α1Ｔを前記第２設定時間ｘＴより短くすると、マーク前端部の急冷効果がより大きくなり好ましい。
さらに、２番目以降の記録パルスのパルス幅αiＴ（ｉは、ｉ≧２なる自然数）も、長すぎると再結晶化の抑制が困難になるので、０．８Ｔ以下が好ましく、０．６Ｔ以下がより好ましい。しかし短か過ぎると、記録層の温度の上昇が不十分となるので、好ましくは０．２Ｔ以上、より好ましくは０．３Ｔ以上とする。
【００４４】
また、最後端のβm（例えばβ6）は通常０Ｔ〜１．５Ｔであり、この幅を変更することによって、非晶質マークの長さを制御できる。これは、長過ぎると、オーバーライト時に古いマークの結晶化が、不十分になる可能性があるからである。
本発明においてはまた、先頭パルス（記録パルス１）に続く高パワーエネルギービームを照射する区間である後続パルス（記録パルス２以降）の各々の照射周期を１Ｔに近い値とする。具体的には、０．５Ｔ以上１．５Ｔ以下とする。ここで、周期は記録パルスの立上がりから、次の記録パルスの立上がりまでの時間幅である。
【００４５】
すなわち、αi＋βi（ｉは、ｉ＝２〜ｍ−１なる自然数）の値を１に近い値とする。具体的には、０．５以上１．５以下とする。αi＋βi（ｉは、ｉ＝２〜ｍ−１なる自然数）の値が１から大きく異なる場合には、次のような問題点が生じる。
非晶質マークを形成するには、βiをある程度大きくし冷却速度を大きくする必要がある。しかしαi＋βiが１よりずっと小さいと、βiを十分大きくできないため、冷却速度が小さくなりマークが再結晶化しやすい。逆にβiを大きくするとαiが小さくなり、記録層の温度が十分に上がりにくい。
【００４６】
一方、αi＋βi（ｉは、ｉ＝２〜ｍ−１なる自然数）の値を１よりずっと大きくした例は、特開平９−１３４５２５号公報（米国特許第５，７３２，０６２号公報）に記載されている。しかしながら例えば、αi＋βiの値を２以上のある値に固定すると、記録パルス（とそれに付随するオフパルス）を１つ増やすとマーク長が２Ｔぶん増えてしまうため、この記録方法ではｎＴマークと（ｎ＋１）Ｔマークのように、差が１Ｔである２種のマークを記録し分けることができない。
【００４７】
そこで例えば、αi＋βiの値が１になるような記録パルス（とそれに付随するオフパルス）をｎＴマーク用パルスパターンのどこかに付加して（ｎ＋１）Ｔマーク用パルスパターンとすることで、ｎＴマーク長と（ｎ＋１）Ｔマーク長の差を１Ｔにする。
つまり、αi＋βi（ｉは、ｉ＝２〜ｍ−１なる自然数）の値は均一ではなく、１及び２など異なるものが混在する。
【００４８】
しかし、αiやβiの値は、記録層における温度分布や温度変化過程に大きく影響するので、αiやβiの値の異なる部分では、温度分布や温度変化過程が大きく異なってしまい、マーク長を始めとするマーク形状の制御がしにくくなる。到達温度だけでなく、冷却速度等に関係する、溶融後の再結晶化領域の大きさが、記録層の温度分布にかなり影響するため、マーク形状は記録層の温度分布等によって複雑に変化する。
【００４９】
ある特定の記録条件において、ｎＴマーク長と（ｎ＋１）Ｔマーク長の差が１Ｔになるようにαiとβiの値を定めることはできるかもしれない。しかしこれは非常に狭い記録条件にのみ適用できる値であって、記録パワーなどの記録条件が少し変わっただけでマーク長の差が１Ｔから大きくずれる可能性が高い。例えば、記録パワーを変えたり、記録装置が変わってレーザービームスポット内の光強度分布が変わったりすることにより、このような問題が生じる。
【００５０】
それは、αi＋βiの値が異なると、記録条件の変化に対する記録層の温度分布等の変化の仕方が異なるためである。例えばαi＋βiの値が１と２とでは、記録条件の変化に対してマーク形状の変化の仕方が異なるので、これらが混在するとマーク形状の制御がしにくくなる。
これに対して、本発明のごとく、αi＋βi（ｉ＝２〜ｍ−１なる自然数）の値が１に近い場合には、マーク形成用パルスの中央部のパルス列にパルスを１つ加えることにより、温度分布を大きく変えずにマークを１Ｔだけ長くすることができるため、このような問題は起こりにくい。αi＋βi（ｉ＝２〜ｍ−１なる自然数）の値が一定しているため、記録パワーを変えること等による温度分布の変化は、どのマーク長においても同様であるからである。
【００５１】
本発明によれば、マーク前端部のみの急冷により記録時の再結晶化が抑制されるので、２番目以降の記録パルスの各々の照射周期はことさら変化させる必要がない。従って、先頭パルス（記録パルス１）に続く高パワーエネルギービームを照射する区間である後続パルス（記録パルス２以降）の各々の照射周期を１Ｔに近い値とする。
【００５２】
ただし、特にマークが短いときなどには、パルスを付け足すことによりマーク前端部及び後端部の温度分布も多少変化するため、αi＋βi（ｉ＝２〜ｍ−１なる自然数）の値は１から多少ずらした方が良い場合もある。従って、高パワーエネルギービームのパルス各々の照射周期は、０．５Ｔ以上とし、好ましくは０．８Ｔ以上とする。また、１．５Ｔ以下とし、好ましくは１．２Ｔ以下とする。
【００５３】
なお、最後端のαm＋βmは、１．５を超えて大きくしてもよい。例えば最後端のオフパルスのパルス幅βmＴを変更することによって、非晶質マークの長さを制御できるという目的があるためである。
このようにして、相変化型記録層に隣接した反射層または保護層を介した反射層を有しないか又は薄い媒体に記録を行なう場合においても、消去パワー照射時には十分な消去率を保持したまま、記録時マークの再結晶化を防止でき、また、使用可能な結晶化速度の範囲を狭めることなく、記録ができる。また、再結晶化による影響は、マーク長変調記録においてより顕著であるため、本発明の効果は、マーク長変調記録においてより顕著である。
次に、本発明を適用するに適した相変化型記録媒体の構成について説明する。まず、記録層に用いられる材料について説明する。
【００５４】
本発明は、再結晶化しやすい材料を記録層に用いた媒体に適用すると、特に効果が顕著である。このような再結晶化しやすい材料としては、ＳｂＴｅ共晶点組成よりもＳｂが過剰に含まれる組成の材料を挙げることができる。
このような記録層の具体例としては、（Ｓｂ1-aＴｅ1-a）bＭ1-b（０．６＜ａ＜０．９、０．７＜ｂ＜１、ＭはＧｅ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａより選択される少なくとも１種類の元素）を挙げることができる。
【００５５】
ＳｂＴｅ共晶点組成よりもＳｂが過剰に含まれる組成の記録層は、相変化型記録媒体の記録層として通常使用されている、いわゆるＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成の記録層より再結晶化しやすい傾向を有する。非晶質マークが再結晶化しやすいという現象が、この組成の記録層で顕著な理由は必ずしも明らかではないが、本記録層においては非晶質マーク中に結晶核の生成が見られず、周囲の結晶領域との縁部から再結晶化が進むのに対し、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成の記録層においては結晶核の生成が見られることから、再結晶化のメカニズムが異なることが１つの理由として考えられる。
【００５６】
そして、このような組成の記録層で、放熱効果が小さい媒体においては、再結晶化は、マーク前端部の、特にマークの幅方向（トラック方向に直交する方向）の中心付近から起こりやすく、そこからマークの後端部に向かって進むと推測される。
本発明はマーク前端部を急冷し再結晶化を抑えるので、放熱効果が小さい媒体に適用すると、マーク前端部から後端部への再結晶化の進行も抑えることができ、特にその効果が高い。従って、記録層に隣接した反射層または保護層を介した反射層を有しないか膜厚が３０ｎｍ以下のごく薄い反射層を有する媒体である場合に、効果が顕著である。
【００５７】
たとえば、相変化型記録媒体が、間に他の層を介して２層以上の相変化型記録層を有する媒体である場合、上述のように、記録再生用エネルギービームに対して遠い方の相変化型記録層にもエネルギービームを届かせる必要があるので、それまでの光路中に厚い反射層を設けることができない。従って、ビームに対して近い方の相変化型記録層は、記録層に隣接した反射層または保護層を介した反射層を有しないか、有しても膜厚が３０ｎｍ以下のごく薄い反射層に限られてしまう。本発明はこのような媒体の、記録再生用エネルギービームに対して近い方の相変化型記録層の記録に用いると効果が高い。
【００５８】
続いて、本発明の相変化型記録媒体の層構造について、図３を用いて説明する。図３は相変化型記録媒体の層構造の一例の模式図である。この図３に示す相変化型記録媒体１０は、反射層１０ａと、記録媒体部１と、樹脂層１０ｅと、記録媒体部２と、基板１０ｉとをそなえて構成されている。また、光ビームの入射方向は、この図３の下方から上方に向かう方向である。
【００５９】
ここで、反射層１０ａは、光ビームを反射し、保護層１０ｂを介して流入する、記録層１０ｃからの熱を拡散する働きをもつ。そして、記録媒体部１は、保護層１０ｂ，１０ｄと、記録層１０ｃとをそなえて構成されている。また、保護層１０ｂ，１０ｄは、それぞれ、記録層１０ｃにおける光ビームの吸収量を制御して反射率を調整するとともに、記録層１０ｃからの放熱を制御し記録層１０ｃの熱変形を抑止するものである。
【００６０】
さらに、記録層１０ｃは、相変化材料からなり、可逆的に結晶状態が変化してその光学特性が変化する。また、樹脂層１０ｅは、記録層１０ｃの位置を光ビームの焦点距離に合わせるためのスペーサ機能を発揮している。
同様に、記録媒体部２は、保護層１０ｆ，１０ｈと、記録層１０ｇとをそなえて構成されており、これらの保護層１０ｆ，１０ｈ及び記録層１０ｇは、それぞれ、上記の保護層１０ｂ，１０ｄ及び記録層１０ｃと同様の機能を有するものであるので、更なる説明を省略する。
【００６１】
また、基板１０ｉは、その表面に凹部を形成するものである。この基板材料としては、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリオレフィンなどの樹脂、あるいはガラスを用いることができる。本態様においては基板を通して光ビームを入射させているので、基板１０ｉは透明である必要がある。樹脂層１０ｅについても基板１０ｉと同様の材料を用いることができる。
【００６２】
上記の反射層１０ａについて、その材料等を説明する。反射層材料は反射率、熱伝導度が大きいものが好ましい。反射率、熱伝導度が大きい反射層材料としてはＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等を主成分とする金属が挙げられる。この中で反射率、熱伝導度が最も大きいものはＡｇである。
短波長ではＡｕ、Ｃｕ、ＡｌはＡｇと比較して光を吸収しやすくなるため、６５０ｎｍ以下の短波長レーザーを使用する場合にはＡｇを用いることが特に好ましい。さらにＡｇはスパッタリングターゲットとしての値段が比較的安く、放電が安定で成膜速度が速く、空気中で安定であるため好ましい。
【００６３】
Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ等は不純物が混ざると熱伝導度、反射率が低下するためこの点では好ましくはないが、安定性や膜表面平坦性が改善されることもあり、５原子％以下程度のＣｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｖ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｎ等の不純物元素を含んでも良い。反射層の膜厚は通常５０〜２００ｎｍが良い。薄すぎると十分な反射率と放熱効果が得られない。厚すぎると膜応力や作製時間やコストの面で好ましくない。
【００６４】
なお、本態様においては、保護層１０ｆと樹脂層１０ｅの間に反射層を有していない。記録層１０ｃに光ビームを届かせる必要があるので、それまでの光路中に厚い反射層を設けることはできない。しかし、膜厚が３０ｎｍ以下のごく薄い反射層であれば、設けてもよい場合がある。より好ましくは２０ｎｍ以下とする。
【００６５】
上記の層構造において、本発明の記録方法は、特に、記録媒体部２への記録に対して特に有効である。これは、記録媒体部２は、高い透過率を必要とするため、反射層を有さないかごく薄い反射層しか有しておらず、従って、放熱効果が小さいためである。
次に、上記の保護層１０ｂ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｈについて、その材料等を説明する。これらの保護層１０ｂ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｈの材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には、透明性が高く、また、高融点である金属や、半導体の酸化物、硫化物、窒化物や、Ｃａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。なお、これらの酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を変更したり、混合して用いることも有効である。
【００６６】
また、繰り返し記録特性を考慮すると、保護層１０ｂ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｈの材料は、誘電体混合物が良い。より具体的には、ＺｎＳや希土類硫化物と、酸化物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物との混合物が挙げられる。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物は、相変化型光ディスクの保護層に用いられることが多い。これらの保護層１０ｂ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｈの膜密度は、バルク状態の８０％以上であることが、機械的強度の面から望ましい。
【００６７】
さらに、厚みに関しては、誘電体層（保護層）の厚みが１０ｎｍ未満であると、基板１０ｉや記録層（記録層１０ｃ，１０ｇ）の変形防止効果が不十分であり、保護層１０ｂ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｈとしての役目をなさない傾向がある。また、この厚みが５００ｎｍを超えると、誘電体層を基板１０ｉに載せたときに、その反り方は、その膜の厚さに比例するので、クラックが発生しやすくなる。
特に、下部保護層１０ｄ，１０ｈは、それぞれ、熱による基板変形を抑制する必要があり、７０ｎｍ以上の厚さを有することが好ましい。これは、厚さが７０ｎｍ未満では、繰り返しオーバーライト中に、微視的な基板変形が蓄積され、再生光が散乱されてノイズ上昇が著しくなるからである。
【００６８】
さらに、保護層１０ｂ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｈの厚みの上限は、成膜時間の関係によって、２００ｎｍ程度が実質的に上限となるが、厚みが２００ｎｍよりも大きいと、記録層面で見た溝形状が変わってしまうので好ましくない。すなわち、溝の深さが基板１０ｉの表面で意図した形状よりも浅くなったり、また、溝幅がやはり、基板１０ｉの表面で意図した形状より狭くなってしまうので好ましくない。より好ましくは１５０ｎｍ以下である。
【００６９】
また、記録層１０ｃ，１０ｇの厚みについては、３ｎｍから２０ｎｍの範囲が好ましい。より好ましくは５〜１０ｎｍである。これは、記録層１０ｃ，１０ｇの厚みが薄いと、結晶状態の反射率と非結晶状態の反射率との間で十分なコントラストが得られ難く、また、初期結晶化が困難になるからである。一方、厚過ぎると透過光量が小さくなる傾向がある。
なお、記録層１０ｃ，１０ｇ及び保護層１０ｂ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｈの厚みは、それぞれ、上記機械的強度、信頼性の面からの制限の他に、干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率が良く、また、記録信号の振幅すなわち記録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるようなものが選択される。
【００７０】
保護層１０ｂ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｈ、記録層１０ｃ，１０ｇ及び反射層１０ａは、スパッタリング法を用いて形成されるのが通常である。さらに、記録層用ターゲット、保護層用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲットは、同一真空チャンバー内に設置したスパッタリング装置（インライン装置）上で膜形成を行なうことが各層間の酸化や汚染を防止する点で望ましい。また、生産性の面からも優れている。
【００７１】
本発明は上述した実施態様及びその変形例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
なお、記録に用いるエネルギービームは、レーザー光に限定されず、他のデバイスを用いることも可能である。
【実施例】
【００７２】
案内溝を有する０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板上にＺｎＳ−ＳｉＯ2下部保護層（厚さ１００ｎｍ）、Ｇｅ8Ｓｂ65Ｔｅ27記録層（厚さ７ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2上部保護層（厚さ１６０ｎｍ）をスパッタリング法により成膜し、さらに、この上部に紫外線硬化樹脂からなる保護コートを行なった。ここで、基板の案内溝の深さは３３ｎｍであり、案内溝幅は３４８ｎｍであり、また、溝ピッチは０．７４μｍである。
【００７３】
この光ディスクをレーザー波長６３５ｎｍ、開口数ＮＡが０．６の光学系を有する光ディスク評価装置を用いて、線速度１．８ｍ／ｓで出力パワーが３ｍＷのＤＣ（ｄｉｒｅｃｔ  ｃｕｒｒｅｎｔ：直流）光を照射することにより、初期結晶化した。
その後に、以下の測定を行なった。また、信号はすべて案内溝内に記録されるようにした。
【００７４】
まず、非晶質から結晶に戻る割合を示す消去率の測定を行なった。このときの条件を以下に示す。マーク長が約１０Ｔで、かつ、このマーク間の長さ約１０Ｔの単一パターン信号が、線速度が３．８ｍ／ｓ、基準クロック周期Ｔが３８．２ｎｓ（１／２６．１６ＭＨｚ）、記録パワーＰｗ＝１１ｍＷ、消去パワーＰｅ＝１ｍＷ、バイアスパワーＰｂ＝再生パワーＰｒ＝１ｍＷの各出力にて案内溝内に記録された。ここで、図１に示したパルスパターンを用い、αi（ｉ≧１）＝０．３、βi（ｉ≧２）＝０．７、ｘ＝０．７、ｙ＝０とした。
【００７５】
発明者は、このように記録した信号に線速度３．８ｍ／ｓで所定の消去パワーＰｅを有するＤＣ光を照射し、消去率の測定を行なった。そして、その結果は図４に示すようになった。
図４は消去パワーＰｅに対する消去率の推移を示す図である。この図４に示すように、消去パワーＰｅ＝３．５ｍＷにて２５ｄＢ程度の消去率が得られた。また、消去前の信号のＣ／Ｎ比は５２ｄＢであった。
【００７６】
次に、このディスクに記録を行ない、再生してジッタを測定した。上記記録時と基本的に同じ記録条件で、消去パワーＰｅは、前記で最もよい消去率が得られた３．５ｍＷとし、記録パワーＰｗ＝１１ｍＷとし、図１に示したパルスパターンを用い、αi（ｉ≧１）＝０．３、βi（ｉ≧２）＝０．７、ｙ＝０とし、ｘの値を変化させて同様の単一パターンを記録した。このように記録した信号を、線速度３．８ｍ／ｓで再生パワーＰｒ＝０．８ｍＷで再生し、ジッタを測定した。その結果は、図５のようになった。
【００７７】
図５は後段低パワーパルス照射部のｘとジッタとの関係を示す図である。このｘの値が小さいとジッタは大きい一方、ｘが大きくなるとジッタが小さくなることがわかる。ここで、ｘが小さいときの再生波形からは、マークの前端部が結晶化している様子が観察された。
続いて、ｘ＝０．７としてｙの値を変化させて、同様の測定を行なった。その結果を図６に示す。
【００７８】
図６は前段低パワーパルス照射部のｙとジッタとの関係を示す図である。ｙの値が大きくなるとやはりジッタは小さくなる。すなわち、ｘとｙとの両方がジッタを低減させるために、有効であることがわかる。
図７はｘ＋０．７＊ｙとジッタとの関係を示す図である。この図７に示すように、実験からは、（ｘ＋０．７＊ｙ）の値とジッタとが良く対応し、（ｘ＋０．７＊ｙ）≧０．９５のとき、ジッタは１０ｎｓ以下となり、また、（ｘ＋０．７＊ｙ）≧１．３のとき、ジッタは６．５ｎｓ以下となった。
また、透過率は記録層が非晶質状態のとき約５５％、結晶状態のとき約４７％であった。
【００７９】
なお、透過率は以下のようにして求めた。波長６３５ｎｍのレーザーを、０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板を通して膜厚２００ｎｍのＡｌ99.5Ｔａ0.5膜を再生した場合の反射光量Ｉ1を測定し、また、本実施例の光ディスクを通して膜厚２００ｎｍのＡｌ99.5Ｔａ0.5膜を再生した場合の反射光量Ｉ2を測定した。透過率は（Ｉ2／Ｉ1）1/2＊１００（％）の式により求めた。
【００８０】
なお、基板が薄く反りやすいこと、透過光があり保護コートが均一ではないこと等が原因と思われるディスク内特性分布が多少あった。
以上、ｘとｙとを特定範囲とすることによって、反射層がなくても非晶質マークの形成と消去とを容易に行なえることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の記録方法に用いるパルスパターンの一例を示すレーザーパルス波形図である。
【図２】本発明の記録方法に用いるパルスパターンの一例におけるパルス幅の説明図である。
【図３】相変化型記録媒体の層構造の模式図である。
【図４】実施例における消去パワーに対する消去率の推移を示す図である。
【図５】実施例における後段低パワーパルス照射部のｘとジッタとの関係を示す図である。
【図６】実施例における前段低パワーパルス照射部のｙとジッタとの関係を示す図である。
【図７】実施例におけるｘ＋０．７＊ｙとジッタとの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００８２】
１，２  記録媒体部
１０  相変化型記録媒体
１０ａ  反射層
１０ｂ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｈ  保護層
１０ｃ，１０ｇ  記録層
１０ｅ  樹脂層
１０ｉ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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