(57)【要約】【課題】液晶表示装置の開口率を高めながら、応答速度及び透過率を向上させ、さらに側面視認性を向上させる。【解決手段】本発明は液晶表示装置に関する。本発明による液晶表示装置は、基板と、前記基板上に形成されていて、互いに平行な一対の屈曲辺を有する複数の第１副画素電極と、前記基板上に形成されていて、互いに平行な一対の屈曲辺を有し、前記第１副画素電極と第１方向に隣接し、前記第１副画素電極と共に画素電極をなす複数の第２副画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極とを含み、前記第１方向と垂直である第２方向に前記第１及び第２副画素電極の長さは互いに異なる。【選択図】図３
2007052433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
前記基板上に形成されていて、互いに平行な一対の屈曲辺を有する複数の第１副画素電極と；
前記基板上に形成されていて、互いに平行な一対の屈曲辺を有し、前記第１副画素電極と第１方向に隣接して前記第１副画素電極と共に画素電極を構成する複数の第２副画素電極と；
前記画素電極と対向する共通電極とを含み、
前記第１方向と垂直である第２方向では、前記第１及び第２副画素電極の長さが互いに異なることを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項２】
前記各画素電極で、前記第１副画素電極の屈曲辺のうちの一つと前記第２副画素電極の屈曲辺のうちの一つが整列されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記各画素電極の前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は中央整列されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素電極と連結されている複数の薄膜トランジスタと；
前記薄膜トランジスタと連結されていて、前記第１方向に一定の間隔をおいて配列されている複数の第１信号線と；
前記薄膜トランジスタと連結されていて、前記第１信号線と交差する複数の第２信号線とをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１信号線はデータ電圧を伝達して直線に伸びていることを特徴とする、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１及び第２副画素電極の各々は前記薄膜トランジスタのうちの一つと連結されており、
前記各画素電極の第１副画素電極と第２副画素電極は一つの映像情報から得た別個のデータ電圧の印加を受けることを特徴とする、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記各画素電極の第１副画素電極と第２副画素電極は互いに異なる時間にデータ電圧の印加を受けることを特徴とする、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記各画素電極の第１副画素電極と第２副画素電極は実質的に同一な時間にデータ電圧の印加を受けることを特徴とする、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２信号線は前記第１または第２副画素電極の領域に配置されたり、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との境界に配置されたりすることを特徴とする、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極と前記薄膜トランジスタ及び、前記第１、第２信号線の間に形成されている有機膜をさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１または第２副画素電極の領域に配置されたり、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との境界に配置されたりし、かつ前記第１及び第２副画素電極のうちの少なくとも一つと重なる複数の維持電極線をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１及び第２副画素電極の屈曲辺の屈曲した角度は直角であることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１副画素電極の第１方向長さと、前記第２副画素電極の第１方向長さは実質的に同一であることを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第２副画素電極の第２方向長さは、前記第１副画素電極の第２方向長さの約１．８倍乃至２倍であることを特徴とする、請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記各画素電極の前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は互いに分離されていて、互いに異なる電圧を有することを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記各画素電極において、前記第１副画素電極の面積が前記第２副画素電極の面積より小さく、前記第１副画素電極の電圧が前記第２副画素電極の電圧より高いことを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記各画素電極で前記第２副画素電極の面積は前記第１副画素電極面積の１．８倍乃至２倍であることを特徴とする、請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記各画素電極の前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は一つの映像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受けることを特徴とする、請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記各画素電極の前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は容量性結合されていることを特徴とする、請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記各画素電極の前記第１副画素電極と第２副画素電極は互いに連結されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つであって、画素電極及び共通電極など、電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に入っている液晶層とを含む。液晶表示装置は電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決めて入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置はまた、各画素電極に連結されているスイッチング素子及びスイッチング素子を制御して画素電極に電圧を印加するためのゲート線及びデータ線など複数の信号線を含む。
このような液晶表示装置の中でも、電場が印加されていない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直に配列した垂直配向方式の液晶表示装置は、コントラスト比が大きくて基準視野角が広いため注目されている。ここで、基準視野角とはコントラスト比が１:１０である視野角または階調間輝度反転限界角度を意味する。
【０００４】
垂直配向方式の液晶表示装置で広い基準視野角を実現するための具体的な方法としては、電場生成電極に切開部を形成する方法や電場生成電極の上または下に突起を形成する方法などがある。切開部及び突起は液晶分子が傾く方向を決めるので、これらを適切に配置して液晶分子の傾斜方向を多様な方向に分散させることによって基準視野角を広くすることができる。
【０００５】
液晶表示装置で突起や切開部のある部分は光が透過し難いため、これらが多いほど開口率が低下する。開口率を高めるために画素電極を広めた超高開口率構造が提示された。しかし、この場合、画素電極と画素電極との間の距離が近く、さらに画素電極とデータ線との間の距離も近いため、画素電極の周縁付近に強い横方向電場が形成される。このような横方向電場によって液晶分子の配向が揺れて、そのためにテクスチャー（ｔｅｘｔｕｒｅ）や光漏れが生じて応答時間が長くなる。
【０００６】
なお、垂直配向モードの液晶表示装置は、前面視認性に比べて側面視認性が落ちる。例えば、切開部が備えられたＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ）方式の液晶表示装置の場合には、側面に向かうほど映像が明るくなって、激しい場合には高い階調の間の輝度差がなくなって画面が崩れて見えたりもする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明が解決しようとする技術的課題は、液晶表示装置の開口率を高めながら応答速度及び透過率を向上させることにある。
本発明の他の技術的課題は、側面視認性を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明１の実施例による液晶表示装置は、基板と、前記基板上に形成されていて、互いに平行な一対の屈曲辺を有する複数の第１副画素電極と、前記基板上に形成されていて、互いに平行な一対の屈曲辺を有し、前記第１副画素電極と第１方向に隣接して前記第１副画素電極と共に画素電極をなす複数の第２副画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極を含み、前記第１方向と垂直である第２方向に前記第１及び第２副画素電極の長さは互いに異なる。
【０００９】
第１及び第２副画素電極の長さが異なるため、第１副画素電極及び第２副画素電極の面積が異なるため、各副画素電極の電圧が異なる。つまり、第１副画素電極に接続された第１液晶キャパシタに印加される電圧と、第２副画素電極に接続された第２液晶キャパシタに印加される電圧と、が異なることにより、それぞれの副画素電極に対応する液晶層の液晶分子の傾きが異なる。このとき、第１及び第２副画素電極の第２方向の長さを適切に設定し、第１及び第２副画素電極の面積を適切に設定することで、液晶表示装置の側面から見る映像を、正面から見る映像に最大限近づけることができる。つまり、第１及び第２副画素電極それぞれでのガンマ曲線を合成した合成ガンマ曲線を、正面での基準ガンマ曲線に近くなるように調整する。これにより、側面視認性を高めることができる。
【００１０】
また、第１及び第２副画素電極が屈曲辺を有しているため、電圧を印加すれば液晶分子は屈曲辺に対して垂直に傾くようになり、その液晶分子が傾く方向によって画素電極は複数のドメインに分割される。よって、液晶表示装置の視野角を広げることができる。
さらに、第１方向に隣接する画素電極間の電圧差によって、隣接する画素電極間には電場が生じる。この電場の方向は、画素電極と共通電極とによって形成される主電場の水平成分とほぼ同じ方向である。よって、隣接する画素電極間によって形成される電場は、液晶分子の傾斜方向を決定する主電場の水平成分を強化する方向に作用する。そのため、液晶分子の制御力が増加するため、応答速度の遅延を抑制することができる。また、副画素領域を広めた場合であっても、液晶分子の制御力が増加するため、テクスチャー増加による応答速度の遅延を防止できる。
【００１１】
発明２は、発明１において、前記各画素電極において、前記第１副画素電極の屈曲辺のうちの一つと前記第２副画素電極の屈曲辺のうちの一つが整列されていてもよい。
発明３は、発明１において、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は中央整列されていてもよい。
発明４は、発明１において、前記液晶表示装置は、前記画素電極と連結されている複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと連結されていて、前記第１方向に一定の間隔をおいて形成されている第１信号線と、前記薄膜トランジスタと連結されていて、前記第１信号線と交差する複数の第２信号線をさらに含むことができる。
【００１２】
発明５は、発明４において、前記第１信号線はデータ電圧を伝達し、直線に伸びていてもよい。
発明６は、発明４において、前記第１及び第２副画素電極の各々は前記薄膜トランジスタのうちの一つと連結されており、前記各画素電極の第１副画素電極と第２副画素電極は一つの映像情報から得た別個のデータ電圧の印加を受けることができる。
【００１３】
発明７は、発明６において、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は互いに異なる時間にデータ電圧の印加を受けることができる。
発明８は、発明６において、実質的に同一な時間にデータ電圧の印加を受けることができる。
発明９は、発明４において、前記第２信号線は前記第１または第２副画素電極を通ったり、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の境界を通ったりすることができる。
【００１４】
発明１０は、発明４において、前記液晶表示装置は、前記画素電極と前記薄膜トランジスタ及び前記第１、第２信号線の間に形成されている有機膜をさらに含むことができる。
発明１１は、発明１において、前記液晶表示装置は前記第１または第２副画素電極を通ったり、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の境界を通ったりし、前記第１及び第２副画素電極のうちの少なくとも一つと重なる複数の維持電極線をさらに含むことができる。
【００１５】
発明１２は、発明１において、前記第１及び第２副画素電極の屈曲辺の屈曲した角度は直角であってもよい。
発明１３は、発明１乃至１２のいずれかにおいて、前記第１副画素電極の第１方向長さと前記第２副画素電極の第１方向長さは実質的に同一であり得る。
発明１４は、発明１３において、前記第２副画素電極の第２方向長さは前記第１副画素電極の第２方向長さの約１．８倍乃至２倍であり得る。
【００１６】
発明１５は、発明１乃至１２のいずれかにおいて、前記各画素電極の前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は互いに分離されていて、互いに異なる電圧を有することができる。
発明１６は、発明１５において、前記第１副画素電極の面積が前記第２副画素電極の面積より小さく、前記第１副画素電極の電圧が前記第２副画素電極の電圧より高くてもよい。
【００１７】
発明１７は、発明１６において、前記第２副画素電極の面積は前記第１副画素電極面積の約１．８倍乃至２倍であり得る。
発明１８は、発明１７において、前記各画素電極の前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は一つの映像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受けることができる。
【００１８】
発明１９は、発明１６において、これとは異なって、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は容量性結合されている。
発明２０は、発明１において、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は、互いに直接連結されていたりしてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では視認性を良くしながら、開口率を高めることができる電極を作ることができる。また、液晶制御力が大きくなり応答速度及び透過率が顕著に良くなる。さらに、色の間の均衡を合せるのが容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様で相異なる形態に実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
図面で多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似な部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００２１】
まず、図１及び図２を参照して本発明の一つの実施例による液晶表示装置について詳細に説明する。
図１は本発明の一つの実施例による液晶表示装置のブロック図であり、図２は本発明の一つの実施例による液晶表示装置の二つの副画素に対する等価回路図である。
図１に示したように、本発明の一つの実施例による液晶表示装置は液晶表示板組立体３００と、これと連結されたゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００と、データ駆動部５００に連結された階調電圧生成部８００と、そしてこれらを制御する信号制御部６００とを含む。
【００２２】
液晶表示板組立体３００は等価回路で見る時、複数の信号線（図示せず）と、これに連結されていてほぼ行列形態に配列された複数の画素ＰＸを含む。これに反し、図２に示した構造で見る時、液晶表示板組立体３００は互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００と、その間に入っている液晶層３とを含む。
信号線は下部表示板１００に備えられており、ゲート信号（“走査信号”とも言う）を伝達する複数のゲート線（図示せず）と、データ信号を伝達する複数のデータ線（図示せず）とを含む。ゲート線はほぼ行方向に伸びて互いにほとんど平行であり、データ線はほぼ列方向に伸びて互いにほとんど平行である。
【００２３】
各画素ＰＸは一対の副画素を含み、各副画素は液晶キャパシタＣｌｃｍ、Ｃｌｃｓを含む。二つの副画素のうちの少なくとも一つはゲート線、データ線及び液晶キャパシタＣｌｃｍ、Ｃｌｃｓと連結されたスイッチング素子（図示せず）を含む。
液晶キャパシタＣｌｃｍ、Ｃｌｃｓは、下部表示板１００の副画素電極ＰＥｍ/ＰＥｓと上部表示板２００の共通電極ＣＥとを二つの端子とし、副画素電極ＰＥｍ/ＰＥｓと共通電極ＣＥとの間の液晶層３は誘電体として機能する。一対の副画素電極ＰＥｍ、ＰＥｓは互いに分離されていて一つの画素電極ＰＥをなす。共通電極ＣＥは上部表示板２００の全面に形成されていて共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場のない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対して垂直をなすように配向されていてもよい。
【００２４】
一方、色表示を実現するためには、各画素ＰＸが基本色のうちの一つを固有に表示したり（空間分割）、各画素ＰＸが時間によって交互に基本色を表示したり（時間分割）して、これら基本色の空間的、時間的合計で所望する色相を認識させる。基本色の例としては、赤色、緑色、青色など三原色がある。図２は空間分割の一例で、各画素ＰＸが上部表示板２００の領域に基本色のうちの一つを示す色フィルターＣＦを備えることを示している。図２とは異なって、色フィルターＣＦは下部表示板１００の副画素電極ＰＥｍ、ＰＥｓの上または下に形成してもよい。
【００２５】
表示板１００、２００の外側面には各々偏光子（図示せず）が備えられている。二つの偏光子の偏光軸は直交してもよく、直交偏光子である場合、電場のない液晶層３に入った入射光を遮断する。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光子のうちの一つを省略することができる。
再び図１を参照すれば、階調電圧生成部８００は画素ＰＸの透過率に関係する複数の階調電圧を生成する。しかし、階調電圧生成部８００が全ての階調に対する階調電圧を直接生成せず、階調電圧を生成する基準となる階調基準電圧のみを生成して出力することもできる。
【００２６】
ゲート駆動部４００は液晶表示板組立体３００のゲート線と連結されてゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆの組み合わせからなるゲート信号Ｖｇをゲート線に印加する。
データ駆動部５００は液晶表示板組立体３００のデータ線と連結されており、階調電圧生成部８００からの階調電圧を選択し、これをデータ信号Ｖｄとしてデータ線に印加する。しかし、階調電圧生成部８００が決められた数の基準階調電圧のみを提供する場合に、データ駆動部５００は基準階調電圧を分圧して全体階調に対する階調電圧を生成し、この中でデータ信号Ｖｄを選択する。
【００２７】
信号制御部６００はゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００などを制御する。
このような駆動装置４００、５００、６００、８００の各々は少なくとも一つの集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着されたり、可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶表示板組立体３００に付着されたり、別途の印刷回路基板（図示せず）上に装着されてもよい。これとは異なって、これら駆動装置４００、５００、６００、８００が液晶表示板組立体３００に集積されてもよい。また、駆動装置４００、５００、６００、８００は単一チップで集積されてもよく、この場合、これらのうちの少なくとも一つまたはこれらをなす少なくとも一つの回路素子が単一チップ外側にあり得る。
【００２８】
次に、図３及び図４を参照して上述した液晶表示板組立体の画素電極、共通電極、色フィルター及びデータ線の詳細構造について説明する。
図３は本発明の一つの実施例による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極、色フィルター及びデータ線の配置図であり、図４は図３に示した副画素電極の基本となる単位電極の平面図である。
【００２９】
図３及び図４に示したように、本発明の一つの実施例による液晶表示装置の各画素電極１９１は互いに分離されていて、列方向に隣接した一対の第１及び第２副画素電極１９１ｍ、１９１ｓを含む。第１及び第２副画素電極１９１ｍ、１９１ｓは切開部９１、９２、９３を有し、共通電極２７０（図２の共通電極ＣＦ）は第１及び第２副画素電極１９１ｍ、１９１ｓと対向する切開部７１、７２、７３を有する。また、赤色、緑色及び青色色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂは列方向に隣接した画素電極１９１に沿って伸びている。
【００３０】
一つの画素電極１９１をなす第１副画素電極１９１ｍと第２副画素電極１９１ｓは、各々別個のスイッチング素子（図示せず）と連結されることができる。これとは異なって、第１副画素電極１９１ｍはスイッチング素子（図示せず）と連結され、第２副画素電極１９１ｓは第１副画素電極１９１ｍと容量性結合されていてもよい。各スイッチング素子は一つのゲート線と一つのデータ線に連結されていてもよい。図３で図面符号１７１はデータ線を示す。
【００３１】
第１及び第２副画素電極１９１ｍ、１９１ｓは、図４に示した単位電極１９３と同一なパターンであるか、行方向に隣接した一対の単位電極１９３が、例えば、上端及び下端で繋がっているパターンであり、共通電極２７０の切開部７１-７３は図４に示した切開部７０と実質的に互いに同一なパターンである。副画素電極１９１ｍ、１９１ｓ及び切開部７１-７３、９１-９３の配置は、図４に示した単位電極１９３及び切開部７０の配置が行方向及び列方向に繰り返して作られる。
【００３２】
図４に示したように、単位電極１９３は一対の屈曲辺１９３ｏ１、１９３ｏ２及び一対の横辺１９３ｔを有してほぼ山形パターンである。ここで、屈曲辺は曲線だけでなく直線に屈曲した形態の辺をなす。一対の屈曲辺は横辺１９３ｔと鈍角、例えば、約１３５゜をなす凸辺１９３ｏ１と、横辺１９３ｔと鋭角、例えば、約４５゜をなす凹辺１９３ｏ２と、を含む。屈曲辺１９３ｏ１、１９３ｏ２は、一対の斜辺がほぼ直角をなしているので、その屈曲した角度はほぼ直角である。単位電極１９３には、凹辺１９３ｏ２上の凹頂点ＣＶから凸辺１９３ｏ１上の凸頂点ＶＶに向かって、ほぼ単位電極１９３中心まで伸びている切開部９０が形成されている。
【００３３】
共通電極２７０の切開部７０は、屈曲点ＣＰを有する屈曲部７０ｏ、屈曲部７０ｏの屈曲点ＣＰに連結されている中央横部７０ｔ１、そして屈曲部７０ｏの両端に連結されている一対の縦断横部７０ｔ２を含む。切開部７０の屈曲部７０ｏは、直角をなす一対の斜線部からなり、単位電極１９３の屈曲辺１９３ｏ１、１９３ｏ２とほとんど平行であり、単位電極１９３を左半部と右半部に二等分する。切開部７０の中央横部７０ｔ１は屈曲部７０ｏと鈍角、例えば、約１３５゜をなし、ほぼ単位電極１９３の凸頂点ＶＶに向かって伸びている。縦断横部７０ｔ２は単位電極１９３の横辺１９３ｔに対して整列されていて、屈曲部７０ｏと鈍角、例えば、約１３５゜をなす。
【００３４】
単位電極１９３は切開部９０、７０によって４つの副領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４に分けられ、各副領域Ｓ１-Ｓ４は切開部７０の屈曲部７０ｏ及び単位電極１９３の屈曲辺１９３ｏ１又は１９３ｏ２によって定義される二つの周辺を有する。周辺の間の距離、つまり、副領域Ｓ１-Ｓ４の幅は約２２〜２６μｍ程度であるのが好ましい。
単位電極１９３と切開部７０は単位電極１９３の凸頂点ＶＶと凹頂点ＣＶを連結する仮想の直線（以下、“横中心線”と言う）に対してほぼ反転対称である。
【００３５】
再び図３を参照すれば、第２副画素電極１９１ｓは単位電極１９３二つが凹辺と凸辺が隣接するように上端と下端で連結されたパターンである。図４の構成は、図３の二つの単位電極１９３の間の間隙とこの間隙に連結される切開部９０が、図４において新たな一つの切開部９２を構成する。この切開部９２は第２副画素電極１９１ｓを左半部と右半部に二等分する屈曲９２ａ部と、これに連結された横部９２ｂとを含むと見ることができる。
【００３６】
図４に示したように、横辺１９３ｔの長さＬをその単位電極１９３の長さとし、横辺１９３ｔの間の距離Ｈをその単位電極１９３の高さであると定義して、単位電極を含む副画素電極の長さと高さも同一な方式で定義すれば、図３に示した第１副画素電極１９１ｍと第２副画素電極１９１ｓの高さは実質的に同一であり、第２副画素電極１９１ｓの長さは第１副画素電極１９１ｍの長さＬのほぼ１．８倍乃至２倍である。したがって、第２副画素電極１９１ｓの面積が第１副画素電極１９１ｍの面積のほぼ１．８倍乃至２倍である。
【００３７】
第１副画素電極１９１ｍと第２副画素電極１９１ｓは行方向及び列方向に交互に配置されている。
副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの行方向の配置を見れば、第１副画素電極１９１ｍの横中心線と第２副画素電極１９１ｓの横中心線が同一直線上に置かれ、第１副画素電極１９１ｍの凸辺１９１ｍ１と第２副画素電極１９１ｓの凹辺１９１ｓ２とが隣接していて、第１副画素電極１９１ｍの凹辺１９１ｍ２と第２副画素電極１９１ｓの凸辺１９１ｓ１とが隣接している。
【００３８】
列方向には、二つの副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの長さが異なるので、多様な形態の配置を考慮することができる。その中の第１の例は、副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの二つの屈曲辺のうちのある一方が互いに連結されることであり、図３に示した例では、第１副画素電極１９１ｍ及び第２副画素電極１９１ｓの凸辺（左側辺：１９１ｍ１、１９１ｓ１）と凹辺（右側辺：１９１ｍ２、１９１ｓ２）とが交互に整列されるように配置されている。他の第２の例は、二つの副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの屈曲辺が互いに交差するようにする。例えば、第１副画素電極１９１ｍが第２副画素電極１９１ｓの中央に整列されるように配置する。
【００３９】
第１の例を具体的に説明すれば、図３に示した例では、上部の第１副画素電極１９１ｍの凸辺１９１ｍ１が、下部の第２副画素電極１９１を二等分する切開部９２の屈曲部とほぼ連結されており、上部の第１副画素電極１９１ｍの凹辺１９１ｍ２は、下部の第２副画素電極１９１ｓの凹辺１９１ｓ２とほぼ連結されている。第２の例を具体的に説明すれば、上部の第１副画素電極１９１ｍの凸辺１９１ｍ１は、下部の第２副画素電極１９１ｓの凸辺１９１ｓ１とほぼ連結されており、上部の第１副画素電極１９１ｍの凹辺１９１ｍ２は、下部の第２副画素電極１９１ｓの切開部９２の屈曲部とほぼ連結されている。言い換えると、第１及び第２の例では、隣接した二つの副画素行で副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの屈曲辺または切開部９２の屈曲部がほぼ互いに連結され、共通電極２７０切開部７１-７３の屈曲部もほぼ互いに連結される。なお、上部及び下部の副画素電極のそれぞれの屈曲部は、同じ方向に平行となるように屈曲している。
【００４０】
次に、図１乃至図４に示した液晶表示装置の動作について詳細に説明する。
信号制御部６００は外部のグラフィック制御機（図示せず）から入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及び、その表示を制御する入力制御信号を受信する。入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂは各画素ＰＸの輝度情報を含んでおり、輝度は決められた数、例えば、１０２４（=２10）、２５６（=２8）または６４（=２6）個の階調を有している。入力制御信号の例としては、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃと水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ、データイネーブル信号ＤＥなどがある。
【００４１】
信号制御部６００は、入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及び入力制御信号に基づいて、入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを液晶表示板組立体３００及びデータ駆動部５００の動作条件に合わせて適切に処理し、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１及びデータ制御信号ＣＯＮＴ２などを生成する。その後、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１をゲート駆動部４００に出力して、データ制御信号ＣＯＮＴ２及び処理した映像信号ＤＡＴ）をデータ駆動部５００に出力する。出力映像信号ＤＡＴはデジタル信号として決められた数の値（または階調）を有する。
【００４２】
ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、走査開始を指示する走査開始信号ＳＴＶと、ゲートオン電圧Ｖｏｎの出力周期を制御する少なくとも一つのクロック信号とを含む。ゲート制御信号ＣＯＮＴ１はまた、ゲートオン電圧Ｖｏｎの持続時間を限定する出力イネーブル信号ＯＥをさらに含むことができる。
データ制御信号ＣＯＮＴ２は、一行の副画素に対する映像データの伝送開始を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨと、液晶表示板組立体３００にデータ信号を印加することを命令するロード信号ＬＯＡＤと、データクロック信号（ＨＣＬＫ）とを含む。データ制御信号ＣＯＮＴ２はまた、共通電圧Ｖｃｏｍに対するデータ信号の電圧極性（以下、“共通電圧に対するデータ信号の電圧極性”を減らして“データ信号の極性”と言う）を反転させる反転信号ＲＶＳをさらに含むことができる。
【００４３】
信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２によって、データ駆動部５００は一行の副画素に対するデジタル映像信号ＤＡＴを受信し、各デジタル映像信号ＤＡＴに対応する階調電圧を選択することによってデジタル映像信号ＤＡＴをアナログデータ信号に変換した後、これを当該データ線に印加する。
ゲート駆動部４００は、信号制御部６００からのゲート制御信号ＣＯＮＴ１によってゲートオン電圧Ｖｏｎをゲート線に印加して、このゲート線に連結されたスイッチング素子を導通させる。その結果、データ線に印加されたデータ信号が導通したスイッチング素子を通じて当該副画素に印加される。
【００４４】
図３において、一つの画素電極１９１をなす第１副画素電極１９１ｍと第２副画素電極１９１ｓが別個のスイッチング素子と連結されている場合、つまり、各副画素がそれぞれのスイッチング素子を有している場合には、二つの副画素が互いに異なる時間に同一なデータ線または互いに異なるデータ線を通じて別個のデータ電圧の印加を受けたり、同一な時間に互いに異なるデータ線を通じて別個のデータ電圧Ｖｄの印加を受けることができる。
【００４５】
これとは異なって、第１副画素電極１９１ｍはスイッチング素子（図示せず）と連結されていて、第２副画素電極１９１ｓは第１副画素電極１９１ｍと容量性結合されている場合には、第１副画素電極１９１ｍを含む副画素のみスイッチング素子を通じてデータ電圧Ｖｄを印加を受け、第２副画素電極１９１ｓを含む副画素は第１副画素電極１９１ｍの電圧変化によって変化する電圧を有することができる。この時、面積が相対的に小さい第１副画素電極１９１ｍの電圧が、面積が相対的に大きい第２副画素電極１９１ｓの電圧より高い。
【００４６】
このように液晶キャパシタＣｌｃｓ、Ｃｌｃｍの両端に電位差が生じれば、表示板１００、２００の表面にほとんど垂直である主電場（電界）が液晶層３に生成される（以下、画素電極１９１及び共通電極２７０をともに“電場生成電極”という）。その結果、液晶層３の液晶分子は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層３に入射光の偏光の変化の程度が変わる。このような偏光の変化は偏光子によって透過率変化として現れ、これによって液晶表示装置は映像信号ＤＡＴが示す映像を表示する。
【００４７】
液晶分子が傾く角度は電場の強さによって変わる。ここで、二つの液晶キャパシタＣｌｃｓ、Ｃｌｃｍの電圧が互いに異なるので、液晶分子が傾く角度が異なり、そのために二つの副画素の輝度が異なる。したがって、二つの液晶キャパシタＣｌｃｓ、Ｃｌｃｍの電圧を適切に合せれば、側面から見る映像を正面から見る映像に最大限に近くすることができる。つまり、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線に最大限に近くすることができるので、側面視認性を向上することができる。
【００４８】
また、（共通電圧Ｖｃｏｍを基準に）高い電圧の印加を受ける第１副画素電極１９１ｍの面積を第２副画素電極１９１ｓの面積より小さくすれば、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線にさらに近くすることができる。特に、第１副画素電極１９１ｍと第２副画素電極１９１ｓの面積比がほぼ１：２である場合、側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線により近くなって側面視認性がさらに良くなる。
【００４９】
液晶分子が傾く方向は、一次的に電場生成電極１９１、２７０の切開部９１-９３、７１-７３及び副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの辺が主電場を歪曲して作りだす水平成分によって決められる。このような主電場の水平成分は、切開部９１-９３、７１-７３の辺と副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの辺とにほとんど垂直である。
図３を参照すれば、切開部９１-９３、７１-７３によって分けられた各副領域上の液晶分子は、ほとんど主辺に垂直方向に傾くので、傾く方向を整理すればほぼ四つの方向となる。このように液晶分子が傾く方向を多様にすれば、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【００５０】
副領域の幅、つまり、共通電極２７０の切開部７１-７３の斜線部と、副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの斜辺または切開部９１-９３との間の間隔は、上述したように２２-２６μｍ程度であるのが好ましい。このようにすれば、主電場の水平成分を適切に活用しながら、切開部７１-７３、９１-９３などによる開口率低下を減らすことができる。
一方、隣接する画素電極１９１の間の電圧差によって副次的に生成される副電場の方向は、副領域の主辺と垂直である。したがって、副電場の方向と主電場の水平成分の方向とが一致する。結局、隣接する画素電極１９１の間の副電場は、液晶分子の傾斜方向の決定を強化する側に作用する。したがって、他の構造の画素電極と比較して液晶制御力が強化され、必要に応じて副領域の幅を拡張しても、テクスチャー増加による応答速度遅延を防止することができる。
【００５１】
このような液晶表示装置の動作は１水平周期（“１Ｈ”とも言い、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びデータイネーブル信号ＤＥの一周期と同一である）を単位として繰り返され、全ての画素ＰＸに一回ずつデータ信号が印加されれば、一つのフレームの映像が表示される。
一つのフレームが終われば、次のフレームが始まり、各画素ＰＸに印加されるデータ信号の極性が直前フレームにおける極性と反対になるようにデータ駆動部５００に印加される反転信号ＲＶＳの状態が制御される（“フレーム反転”）。
【００５２】
この時、一つのフレーム内でも反転信号ＲＶＳの特性によって一つのデータ線を通じて流れるデータ信号の極性が変わったり（例えば、行反転、点反転）、一行の画素に印加されるデータ信号の極性も互いに異なることがある（例えば、列反転、点反転）。この中で、点反転などの場合には隣接したデータ線に流れるデータ電圧の極性が反対であり、各データ線の電圧が正極性と負極性を続けて往復する。例えば、図３で左側と右側のデータ線１７１に流れるデータ電圧は正極性（+）であるが、中間にあるデータ線１７１に流れるデータ電圧は負極性（-）である。しかし、これらの極性はその後反対になり、これを引続き繰り返す。
【００５３】
次に、図５及び図６を参照して本発明の実施例による液晶表示装置で寄生容量について詳細に説明する。
図５は本発明の一つの実施例による画素電極にデータ線を配置した配置図であり、図６は本発明の他の実施例による画素電極にデータ線を配置した配置図である。図５では、上段に３つの画素電極１９１、下段に３つの画素電極１９１が示されている。１の画素電極１９１は、面積が広い上部の画素電極Ａと面積が狭い下部の画素電極Ｂとにより構成されている。上部の画素電極Ａは、ａ−ａ線を中心として対称に屈曲しており、下部の画素電極Ｂは、ｂ−ｂ線を中心として対称に屈曲している。そして、このような画素電極Ａ及び画素電極Ｂの上下が逆になった画素電極１９１が左右上下に隣接している。そして、図５では、上段又は下段それぞれにおいて、画素電極Ａ及び画素電極Ｂの中心線ｃ−ｃが一致するように画素電極Ａ及びＢが配置されている。また、図５では、上段の画素電極１９１のうち下部の画素電極Ｂ及び下段の画素電極１９１のうち上部の画素電極Ａの中心線ｃ−ｃが一致している。一方、図６も同様に画素電極Ａ及びＢが隣接しているが、図６では、上段又は下段それぞれにおいて、画素電極Ａの辺ａ１と画素電極Ｂの辺ｂ１とが一致するように画素電極Ａ及びＢが配置されている。また、図６では、上段の画素電極１９１のうち下部の画素電極Ｂの辺ｂ１と、下段の画素電極１９１のうち上部の画素電極Ａの辺ａ１とが一致している。
【００５４】
隣接した画素電極１９１とデータ線１７１ａ、１７１ｂとは寄生キャパシタを構成し、この寄生キャパシタによって画素電極１９１の電圧が変動する。例えばデータ線１７１ａ、１７１ｂの電圧が上がれば画素電極１９１の電圧も上がり、反対にデータ線１７１ａ、１７１ｂの電圧が下がれば、画素電極１９１の電圧も下がる。したがって、データ線１７１ａ、１７１ｂの電圧が負極性から正極性に変われば、画素電極１９１の電圧が上昇し、反対にデータ線１７１ａ、１７１ｂの電圧が正極性から負極性に変われば、画素電極１９１の電圧が下降する。図５及び図６に示した構造では、一つの画素電極１９１が極性の異なる二つのデータ線１７１ａ、１７１ｂと重畳または隣接する。よって、例えば一側データ線１７１ａに＋の電圧が印加され、他側のデータ線１７１ｂに−の電圧が印加されれば、一側データ線１７１ａと画素電極１９１との寄生キャパシタは画素電極１９１の電圧を上げる側に作用し、他側データ線１７１ｂと画素電極１９１との寄生キャパシタは画素電極１９１の電圧を下げる側に作用する。
【００５５】
このような画素電極１９１の電圧変動量は、画素電極１９１とデータ線１７１ａ、１７１ｂとの間の寄生容量に依存し、寄生容量は画素電極１９１とデータ線１７１ａ、１７１ｂとの重畳面積に比例する。
図５及び図６で、全て一つの画素電極１９１が二つのデータ線１７１ａ、１７１ｂと重なる。図５の場合は図６に比べて画素電極１９１が二つのデータ線１７１ａ、１７１ｂと重なる面積がほとんど同一である。しかし、図６は画素電極１９１が二つのデータ線１７１ａ、１７１ｂと重なる面積が各画素電極１９１によって差がある。図６では、データ線１７１ｂと画素電極１９１とが重畳する面積が、データ線１７１ａと画素電極１９１とが重畳する面積よりも小さい。
【００５６】
画素電極１９１と一つのデータ線１７１ａとの間の寄生容量をＣｄｐ１、他の一つのデータ線１７１ｂとの間の寄生容量をＣｄｐ２とする。また、一つの画素電極１９１の電圧がＶｐで充電される時、この画素電極１９１を基準に左右の隣接するデータ線１７１ａ、１７１ｂの電圧状態が各々Ｖ１、Ｖ２とする。このとき、この画素電極１９１に充電される電荷量は次の数式１のように計算される。
【数１】
2007052433.tif 000003
【００５７】
ここで、Ｖｏｆｆは画素電極１９１の初期電圧である。Ｃｌｃは、画素電極及び共通電極間の液晶キャパシタの容量、Ｃｓｔは、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化するために維持電極及び画素電極間に設けられたストレージキャパシタの容量、Ｖｃｏｍは、共通電極に印加される電圧である。
【００５８】
そして、データ線１７１ａ、１７１ｂの電圧が各々Ｖ１及びＶ２からＶ１’及びＶ２’に変化した時、画素電極１９１電圧がＶｐからＶｐ’に変化したら、この時の画素電極１９１に充電される電荷量Ｑｐ’は次の数式２の通りである。
【数２】
2007052433.tif 000004
【００５９】
この時、電荷量保存法則を適用すれば、ＱｐとＱｐ'とが同一であるので、画素電極の電圧変化量ΔＶｐを次の数式３のように計算することができる。
【数３】
2007052433.tif 000005
【００６０】
このように画素電極１９１と隣接データ線１７１ａ、１７１ｂとの間の寄生容量の差が電圧変化（ΔＶｐ）を誘発させて垂直クロストークを発生させ、干渉などの作用によりノイズが発生する。
列反転駆動方式ではない点反転駆動を使用している液晶表示装置では、画素電極１９１の電圧変化（ΔＶｐ）を一つのフレームの間で平均すれば、０に近いために不良が発生しない。これに反し、寄生容量の差はデータ線１７１ａ、１７１ｂの電圧自体を変化させるので、画素電極１９１に隣接する両側データ線１７１ａ、１７１ｂで寄生容量の差が生じないように設計するのが好ましい。
【００６１】
したがって、図５及び図６のように画素電極１９１を設計し、データ線１７１ａ、１７１ｂを一定の間隔で直線で形成すれば、画素電極１９１とデータ線１７１ａ、１７１ｂと重なる面積差による寄生容量の差はある程度あるが、一つのフレームの間での電圧変化量の全体平均値は０に近い。図６の場合、隣接するデータ線１７１ａ及びデータ線１７１ｂと、１つの画素電極１９１とが重畳する面積が異なる。しかし、点反転などの場合には、１つのフレーム間で各データ線の電圧極性が正極性と負極性とを往復するため、データ線の電圧変化による画素電極の電圧変化量を平均でほぼ０となる。図５の場合は、隣接するデータ線１７１ａ及びデータ線１７１ｂと、１つの画素電極１９１とが重畳する面積が同程度であり、電圧変化量はほぼ０である。このために寄生キャパシタによる電圧上昇分と電圧下降分が相殺されて画素電極１９１の電圧変動は小さくなる。
【００６２】
以下、図７Ａ乃至図１０及び上述した図１乃至図３を参照して、本発明の一つの実施例による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
図７Ａ及び図７Ｂは本発明の一つの実施例による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。
図７Ａ及び図７Ｂを参照すれば、本実施例による液晶表示板組立体は複数対のゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ、複数のデータ線ＤＬ、ＤＬＬ、ＤＬＲ及び複数の維持電極線ＳＬを含む信号線と、これに連結された複数の画素ＰＸを含む。
【００６３】
各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸｍ、ＰＸｓを含み、各副画素ＰＸｍ/ＰＸｓは各々当該ゲート線ＧＬａ/ＧＬｂ及びデータ線ＤＬＬ、ＤＬＲに連結されているスイッチング素子Ｑｍ/Ｑｓと、これに連結された液晶キャパシタＣｌｃｍ/Ｃｌｃｓ、そしてスイッチング素子Ｑｍ/Ｑｓ及び維持電極線ＳＬに連結されているストレージキャパシタＣｓｔｍ/Ｃｓｔｓを含む。
【００６４】
各スイッチング素子Ｑｍ/Ｑｓは下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬａ/ＧＬｂと連結されていて、入力端子はデータ線ＤＬＬ、ＤＬＲと連結されていて、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃｍ/Ｃｌｃｓ及びストレージキャパシタＣｓｔｍ/Ｃｓｔｓと連結されている。図７Ａに示した二つのスイッチング素子Ｑｍ、Ｑｓは同一なデータ線ＤＬＬに連結されているが、図７Ｂに示した二つのスイッチング素子Ｑｍ、Ｑｓは互いに異なるデータ線ＤＬＬ、ＤＬＲに連結されている。
【００６５】
液晶キャパシタＣｌｃｍ/Ｃｌｃｓの補助的な役割を果たすストレージキャパシタＣｓｔｍ/Ｃｓｔｓは、下部表示板１００に備えられた維持電極線ＳＬと画素電極ＰＥが絶縁体を間に置いて重なって構成され、維持電極線ＳＬには共通電圧Ｖｃｏｍなどの決められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタＣｓｔｍ、Ｃｓｔｓは副画素電極ＰＥｍ、ＰＥｓが絶縁体を媒介として直上の前段ゲート線と重なって成ることもできる。
【００６６】
液晶キャパシタＣｌｃｍ、Ｃｌｃｓなどに対しては上述したために詳細な説明を省略する。
このような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置では、信号制御部６００が一つの画素ＰＸに対する入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを受信して、二つの副画素ＰＸｍ、ＰＸｓに対する出力映像信号ＤＡＴに変換しデータ駆動部５００に伝送する。これとは異なって、階調電圧生成部８００で二つの副画素ＰＸｍ、ＰＸｓに対する階調電圧集合を別に作って、これを交互にデータ駆動部５００に提供したり、データ駆動部５００でこれを交互に選択することによって、二つの副画素ＰＸｍ、ＰＸｓに互いに異なる電圧を印加することができる。但し、この時、二つの副画素ＰＸｍ、ＰＸｓの合成ガンマ曲線、つまり各副画素ＰＸｍ、ＰＸｓそれぞれでのガンマ曲線を合成した合成ガンマ曲線が正面での基準ガンマ曲線に近いように映像信号を補正したり、階調電圧集合を作ったりするのが好ましい。例えば、正面での合成ガンマ曲線は、この液晶表示板組立体に最も適するように決められた正面での基準ガンマ曲線と一致するようにし、側面での合成ガンマ曲線は正面での基準ガンマ曲線と最も近くする。
【００６７】
以下、図７Ｂに示した液晶表示板組立体の一例について図８乃至図１０を参照して詳細に説明する。
図８は本発明の一つの実施例による液晶表示板組立体の配置図であり、図９及び図１０は図８に示した液晶表示板組立体をＸ-Ｘ線及びＩＸ-ＩＸに沿って切断した断面図である。
図８乃至図１０を参照すれば、本実施例による液晶表示板組立体は互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００及び、これら二つの表示板１００、２００の間に入っている液晶層３を含む。
【００６８】
まず、下部表示板１００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に複数対の上部及び下部ゲート線１２１ａ、１２１ｂと維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。
上部及び下部ゲート線１２１ａ、１２１ｂはゲート信号を伝達し、図８中、主に横方向に伸びていて、各々図８中、上側及び下側に位置する。
【００６９】
上部ゲート線１２１ａは下側に突き出された複数の上部ゲート電極１２４ａと、他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９ａとを含む。下部ゲート線１２１ｂは、上に突き出された複数の下部ゲート電極１２４ｂと他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９ｂを含む。ゲート駆動部４００が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１ａ、１２１ｂが伸びてこれと直接連結されてもよい。
【００７０】
維持電極線１３１は共通電圧Ｖｃｏｍなど、所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１ａ、１２１ｂとほとんど平行に伸びる。各維持電極線１３１は上部ゲート線１２１ａと下部ゲート線１２１ｂとの間に位置し、上部ゲート線１２１ａとの距離が下部ゲート線１２１ｂとの距離より近い。維持電極線１３１は上下に拡張された維持電極１３７を含む。しかし、維持電極１３７をはじめとした維持電極線１３１のパターン及び配置は多様に変更することができる。
【００７１】
ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１はアルミニウムやアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀や銀合金など銀系金属、銅や銅合金など銅系金属、モリブデンやモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム、タンタル及びチタニウムなどで作ることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。このうちの一つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らせるように比抵抗の低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで作られる。これとは異なって、他の導電膜は他の物質、特にＩＴＯ（酸化インジウムスズ）及びＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで作られる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１はその他にも多様な金属または導電体で作られることができる。
【００７２】
ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１の側面は基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であるのが好ましい。このように側面が傾斜しているとその上部の膜を平坦化し易く、また上部の配線の断線を防止することができる。
ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１上には窒化シリコンまたは酸化シリコンなどで作られたゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００７３】
ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ-Ｓｉとも言う）または多結晶シリコンなどで作られた複数の上部及び下部島形半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。上部及び下部半導体１５４ａ、１５４ｂは各々上部及び下部ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。
それぞれの上部半導体１５４ａ上には一対の島形抵抗性接触部材（図示せず）が形成されており、それぞれの下部半導体１５４ｂ上にも一対の島形抵抗性接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成されている。抵抗性接触部材１６３ｂ、１６５ｂはリンなどのｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られても、シリサイドで作られれもよい。
【００７４】
半導体１５４ａ、１５４ｂ及び抵抗性接触部材１６３ｂ、１６５ｂの側面もやはり基板１１０面に対して傾いており、傾斜角は３０゜乃至８０゜程度である。
抵抗性接触部材１６３ｂ、１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数対の上部及び下部ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを含むデータ導電体が形成されている。
【００７５】
データ線１７１はデータ信号を伝達して、主に図８中、縦方向に伸びてゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１と交差する。データ線１７１は、互いに垂直に交差する一対の斜線部を各々含む複数の屈折部１７１ａを含み、隣接するデータ線１７１の間の間隔は一定である。各データ線１７１は上部及び下部ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって各々伸びてＵ字型で屈曲した複数対の上部及び下部ソース電極１７３ａ、１７３ｂと、他の層またはデータ駆動部５００との接続のために面積の広い端部１７９とを含む。データ駆動部５００が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が伸びて、これと直接連結できる。
【００７６】
上部及び下部ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されていて、データ線１７１とも分離されている。上部/下部ドレイン電極１７５ａ/１７５ｂは、上部/下部ゲート電極１２４ａ/１２４ｂを中心に上部/下部ソース電極１７３ａ/１７３ｂと対向する。
上部ドレイン電極１７５ａは、Ｕ字型の上部ソース電極１７３ａで一部囲まれた一端から下側に直線で伸びている。上部ドレイン電極１７５ａは、データ線１７１を中心にして、維持電極１３７上から左右に拡張された拡張部１７７ａを含む。下部ドレイン電極１７５ｂは、下部ソース電極１７３ｂで一部囲まれた一端から上側に伸び、維持電極１３７上から左右に拡張されている拡張部１７７ｂを含む。下部ドレイン電極１７５ｂは、互いに垂直に交差する一対の斜線部からなる屈折部１７５ｂ１を含む。
【００７７】
上部ゲート電極１２４ａ、上部ソース電極１７３ａ及び上部ドレイン電極１７５ａは上部半導体１５４ａと共に薄膜トランジスタＱｓ構成する。薄膜トランジスタＱｓのチャンネルは上部ソース電極１７３ａと上部ドレイン電極１７５ａの間の上部半導体１５４ａに形成される。下部ゲート電極１２４ｂ、下部ソース電極１７３ｂ及び下部ドレイン電極１７５ｂは、上部/下部半導体１５４ｂと共に薄膜トランジスタＱｍを構成する。薄膜トランジスタＱｍのチャンネルは、下部ソース電極１７３ｂと下部ドレイン電極１７５ｂの間の下部半導体１５４ｂに形成される。
【００７８】
データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂはモリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど、耐火性金属またはこれらの合金で作られるのが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂはその他にも多様な金属または導電体で作られてもよい。
【００７９】
データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂもまた、その側面が基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の傾斜角で傾いたことが好ましい。
抵抗性接触部材１６３ｂ、１６５ｂは、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂと、その上のデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂとの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間をはじめとして、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂで覆わずに露出された部分がある。
【００８０】
データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は低い誘電率を有し、厚さを厚く形成することができる有機絶縁物で作られてもよい。保護膜１８０は平坦な表面を有しても、感光性を有してもよい。また、保護膜１８０は無機絶縁物からなっても、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分に害にならないように下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有してもよい。
【００８１】
保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９を露出する複数の接触孔１８２、上部ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａを露出する複数の接触孔１８５ａ、そして下部ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂを露出する複数の接触孔１８５ｂが形成されている。保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂを各々露出する複数の接触孔１８１ａ、１８１ｂが形成されている。
【００８２】
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で作られてもよい。
各画素電極１９１は第１及び第２副画素電極１９１ｍ、１９１ｓを含む。第１副画素電極１９１ｍには切開部９１が形成されており、第２副画素電極１９１ｓにも切開部９２、９３が形成されている。
【００８３】
副画素電極１９１ｍ、１９１ｓは接触孔１８５ａ、１８５ｂを通じてドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと連結されている。
維持電極線１３１、上部及び下部ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂ及び接触孔１８５ａ、１８５ｂは、上下の第１及び第２副画素電極１９１ｍ、１９１ｓが隣接する境界付近に位置している。上部ゲート線１２１ａは、上段の副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの屈曲点を連結する直線上に位置している。一方、下部ゲート線１２１ｂは、下段の画素電極１９１の境界、つまり第１及び第２副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの下端に位置している。副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの屈曲点を連結する直線や第１及び第２副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの境界は上述した副領域の境界であって、この部分ではフリンジフィールドの影響により液晶分子の配列が揺れてテクスチャーが現れることがあるが、このように配置すれば、テクスチャーを覆いながら開口率を向上することができる。
【００８４】
画素電極１９１のその他の模様及び配置は、図３及び図４を参照して上述したために詳細な説明を省略する。
第１/第２副画素電極１９１ｍ/１９１ｓと上部表示板２００の共通電極２７０は、その間の液晶層３部分と共に第１/第２液晶キャパシタＣｌｃｍ/Ｃｌｃｓを構成して、薄膜トランジスタＱｍ/Ｑｓが遮断された後にも印加された電圧を維持する。
【００８５】
各副画素電極１９１ｍ、１９１ｓ及び、これと連結されたドレイン電極１７５ａ、１７５ｂはゲート絶縁膜１４０を間に置いて維持電極１３７をはじめとした維持電極線１３１と重なってストレージキャパシタＣｓｔｍ、Ｃｓｔｓを構成する。このようなストレージキャパシタＣｓｔｍ/Ｃｓｔｓは液晶キャパシタＣｌｃｍ/Ｃｌｃｓの電圧維持能力を強化する。
【００８６】
一方、保護膜１８０の誘電常数が低くて保護膜１８０が厚いので、画素電極１９１とデータ線１７１が重なっても画素電極１９１とデータ線１７１の間の寄生容量が小さい。
接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は各々接触孔１８１ａ、１８１ｂ、１８２を通じてゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と連結される。接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２はゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完して、これらを保護する。
【００８７】
次に、上部表示板２００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、画素電極１９１の屈曲辺に対応する屈曲部（図示せず）と、薄膜トランジスタＱｍ、Ｑｓと、に対応する四角形部分（図示せず）を含むことができ、画素電極１９１の間の光漏れを防止して、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。
【００８８】
基板２１０及び遮光部材２２０の上にはまた、複数の色フィルター２３０が形成されている。色フィルター２３０は遮光部材２３０で囲まれた領域内にほとんど存在し、画素電極１９１列に沿って長く伸びることができる。各色フィルター２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など、基本色のうちの一つを表示することができる。
色フィルター２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜２５０が形成されている。蓋膜２５０は有機絶縁物で作られてもよく、色フィルター２３０が露出されることを防止して平坦面を提供する。蓋膜２５０は省略してもよい。
【００８９】
蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などで作られ、複数の切開部７１、７２、７３を有する。
共通電極２７０の切開部７１、７２、７３のパターン及び配置は図３を参照して上述したために詳細な説明を省略する。
切開部７１、７２、７３の数は設計要素によって変わることがあり、遮光部材２２０が切開部７１、７２、７３と重なって切開部７１、７２、７３付近の光漏れを遮断することができる。
【００９０】
表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が形成されており、これらは垂直配向膜であってもよい。
表示板１００、２００の外側面には偏光子１２、２２が備えられているが、二つの偏光子１２、２２の偏光軸は直交していて、副画素電極１９１ｍ、１９１ｓの屈曲辺とほぼ４５度の角度をなすことが光効率側面で好ましい。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光子１２、２２のうちの一つを省略してもよい。
【００９１】
液晶表示装置は偏光子１２、２２、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を含むことができる。
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場のない状態で、その長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。
切開部７１-７３、９１-９３は突起（図示せず）や陥没部（図示せず）に代替することができる。突起は有機物または無機物で作られてもよく、電場生成電極１９１、２７０の上または下に配置されてもよい。
【００９２】
一方、データ線１７１の屈曲部１７１ａは、画素電極１９１の切開部９２、共通電極２７０の切開部７１、７２または画素電極１９１の間の間隙と重なる。また、下部ドレイン電極１７５ｂの屈曲部１７５ｂ１は、共通電極２７０の切開部７３または画素電極１９１の間の間隙と重なる。
次に、図１１、そして上述した図１乃至図４を参照して、図７Ｂに示した液晶表示板組立体の他の例について詳細に説明する。
【００９３】
図１１は本発明の他の実施例による液晶表示板組立体の配置図である。
図１１に示した液晶表示板組立体は図８乃至図１０に示した液晶表示板組立体のように互いに対向する下部表示板（図示せず）と上部表示板（図示せず）、これら二つの表示板の間に入っている液晶層（図示せず）及び表示板外側面に付着されている一対の偏光子（図示せず）を含む。
【００９４】
本実施例による液晶表示板組立体の層状構造はほとんど図９及び図１０に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。
下部表示板について説明すれば、絶縁基板（図示せず）上に複数対の上部及び下部ゲート線１２１ｃ、１２１ｄと複数の維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。各ゲート線１２１ｃ、１２１ｄは複数対の上部及び下部ゲート電極１２４ｃ、１２４ｄと端部１２９ｃ、１２９ｄを含む。維持電極線１３１は複数の維持電極１３７を含む。ゲート導電体１２１ｃ、１２１ｄ、１３１上にはゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。ゲート絶縁膜上には複数の島形半導体１５４ｃ、１５４ｄが形成されており、その上には複数の島形抵抗性接触部材（図示せず）が形成されている。抵抗性接触部材及びゲート絶縁膜上には複数のデータ線１７１と複数対の上部及び下部ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄを含むデータ導電体が形成されている。データ線１７１は複数の上部及び下部ソース電極１７３ｃ、１７３ｄと端部１７９を含み、上部ドレイン電極１７５ｃは拡張部１７７ｃを含み、下部ドレイン電極１７５ｄは拡張部１７７ｄを含む。下部ドレイン電極１７３ｄは、データ線１７１の屈曲部１７１ａの頂点から延長されて形成される。データ導電体１７１、１７５ｃ、１７５ｄ及び露出された半導体１５４ｃ、１５４ｄ部分の上には保護膜（図示せず）が形成されており、保護膜及びゲート絶縁膜には複数の接触孔１８１ｃ、１８１ｄ、１８２、１８５ｃ、１８５ｄが形成されている。保護膜１８０上には第１及び第２副画素電極１９１ｍ、１９１ｓを含む複数の画素電極１９１と複数の接触補助部材８１、８２ｃ、８２ｄが形成されている。第１及び第２副画素電極１９１ｍ、１９１ｓは切開部９１-９３を有する。画素電極１９１及び保護膜１８０上には配向膜（図示せず）が形成されている。
【００９５】
上部表示板について説明すれば、絶縁基板（図示せず）上に遮光部材（図示せず）、複数の色フィルター（図示せず）、蓋膜（図示せず）、切開部７１、７２、７３を有する共通電極（図示せず）、そして配向膜（図示せず）が形成されている。
しかし、本実施例による液晶表示板組立体では、図８乃至図１０に示した液晶表示板組立体と比較する時、下部ゲート線１２１ｄは第１副画素電極１９１ｍの屈曲点をつなぐ直線上に位置し、維持電極線１３１は画素電極１９１の境界付近に位置する。それぞれの維持電極１３７は互いに異なる画素のドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄと重なる。
【００９６】
その他に図８乃至図１０に示した液晶表示板組立体の多くの特徴が図１１に示した液晶表示板組立体にも適用できる。
次に、図１２乃至図１４を参照して、本発明の他の実施例による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
図１２は本発明の他の実施例による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【００９７】
図１２を参照すれば、本実施例による液晶表示板組立体は互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００と、その間に入っている液晶層３を含む。
下部表示板１００には複数のゲート線ＧＬ、複数のデータ線ＤＬ及び複数の維持電極線ＳＬを含む信号線が備えられており、各画素はスイッチング素子Ｑと、これに連結された液晶キャパシタＣｌｃ、そしてスイッチング素子Ｑ及び維持電極線ＳＬに連結されているストレージキャパシタＣｓｔを含む。
【００９８】
スイッチング素子Ｑもまた、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬと連結されていて、入力端子はデータ線ＤＬと連結されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃ及びストレージキャパシタＣｓｔと連結されている。
液晶キャパシタＣｌｃは下部表示板１００の画素電極ＰＥと上部表示板２００の共通電極ＣＥを二つの端子とし、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間の液晶層３は誘電体として機能する。共通電極ＣＥは上部表示板２００の全面に形成されていて、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場のない状態で、その長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されていてもよい。
【００９９】
ストレージキャパシタＣｓｔ及び、このような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置の動作などについては、前記実施例と実質的に同一であるので、詳細な説明を省略する。但し、図１２に示した液晶表示装置では一つの画素ＰＸが分離されておらず、互いに連結されている。
以下、図１２に示した液晶表示板組立体の多様な例について図１３乃至図１５を参照して詳細に説明する。
【０１００】
図１３乃至図１５は本発明の他の実施例による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。
図１３乃至図１５に示したように、本発明の実施例による液晶表示装置の各画素電極１９１は第１及び第２副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃ、１９１ｓａ-１９１ｓｃを含み、図３に示した画素電極１９１と類似な平面パターンを有する。第１及び第２副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃ、１９１ｓａ-１９１ｓｃは各々一つの単位電極（図４参考）または行方向に隣接した二つの単位電極を含む。第１及び第２副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃ、１９１ｓａ-１９１ｓｃは切開部９１ａ-９３ａ、９１ｂ-９３ｂ、９１ｃ-９３ｃを有し、共通電極ＣＥは第１及び第２副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃ、１９１ｓａ-１９１ｓｃと対向する切開部７１ａ-７３ａ、７１ｂ-７３ｂ、７１ｃ-７３ｃを有する。
【０１０１】
しかし、図３に示した画素電極１９１とは異なって、図１３乃至図１５に示した画素電極１９１の二つの副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃと、１９１ｓａ-１９１ｓｃと、は互いに連結されていて電圧が同一である。つまり、図３に示すように上段及び下段で画素電極が分割されておらず、上段及び下段の副画素電極は連結されている。
二つの副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃ、１９１ｓａ-１９１ｓｃの連結形態を説明する前にまず、副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃ、１９１ｓａ-１９１ｓｃの配列を見れば、図１４及び図１５に示した例では図３に示したことと同様に第１副画素電極１９１ｍｂ、１９１ｍｃと第２副画素電極１９１ｓｂ、１９１ｓｃの凹辺（左側辺）と凸辺（右側辺）が交互に整列して配置されている。例えば、図１４を参照すると、第１副画素電極１９１ｍｂの凹辺１９１ｍ２と、第２副画素電極１９１ｓｂの凹辺１９１ｓ２とが同列になるように配置される。そして、この第１及び第２副画素電極１９１ｍｂ、１９１ｓｂの横に隣接するように配置された画素では、第２副画素電極１９１ｓｂの凸辺１９１ｓ１と、第１副画素電極１９１ｍｂの凸辺１９１ｍ１とが同列になるように配置される。
【０１０２】
しかし、図１３に示した例では第１副画素電極１９１ｍａが第２副画素電極１９１ｓａの中央に整列して配置されている。つまり、第１副画素電極１９１ｍａ及び第２副画素電極１９１ｓａは、第１及び第２副画素電極１９１ｍａ、１９１ｓａの中心線ｄ−ｄが一致するように配置される。また、これらの副画素電極に横に隣接する副画素電極では、第２副画素電極１９１ｓａ及び第１副画素電極１９１ｍａは、第２及び第１副画素電極１９１ｓａ、１９１ｍａの中心線ｅ−ｅが一致するように配置される。したがって、第１副画素電極１９１ｍａを二等分する切開部７１ａの屈曲部が、第２副画素電極１９１ｓａを二等分する切開部９２ａの屈曲部とほぼ連結される。ここで、第２副画素電極１９１ｓａは、２つの単位電極により構成されているが、第１副画素電極１９１ｍａの凸辺１９１ｍ１及び凹辺１９１ｍ２は、各々第２副画素電極１９１ｓａの単位電極を二等分する切開部７２ａ、７３ａの屈曲部とほぼ連結される。言い換えると、上下に隣接した二つの副画素行で副画素電極１９１ｍａ、１９１ｓａの屈曲辺または切開部９２ａの屈曲部は共通電極２７０切開部７１ａ-７３ａの屈曲部と連結される。
【０１０３】
図１３乃至図１５に示したように、上下に配置された第１副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃと第２副画素電極１９１ｓａ-１９１ｓｃとが互いに連結される時、第１副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃの上下に隣接している横辺の全体が第２副画素電極１９１ｓａ-１９１ｓｃに連結されるのでなく、第１副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃの横辺のうちの一部のみが第２副画素電極１９１ｓａ-１９１ｓｃに連結される。このようにすれば、第１副画素電極１９１ｍａ-１９１ｍｃと第２副画素電極１９１ｓａ-１９１ｓｃの境界付近でテクスチャーが発生することを減らすことができる。
【０１０４】
図１３の場合には、上部の第１副画素電極１９１ｍａと下部の第２副画素電極１９１ｓａとは、α部及びβ部を介して接続されている。また、α部とβ部との間には、切開部９２ａの縦断横部９２ａ１が位置しており、この縦断横部９２ａ１が形成されていない部分をα部、β部として、上部及び下部の副画素電極１９１ｍａ、１９１ｓａが接続されている。第２副画素電極１９１ｓａを構成する単位電極の１つは、α部を介して第１副画素電極１９１ｍａと接続され、別の単位電極の１つは、β部を介して第１副画素電極１９１ｍａと接続される。なお、β部は、第１副画素電極１９１ｍａと第２副画素電極ｓａとの間の間隙により一部が切り欠かれるように凹んで形成される。
【０１０５】
図１４の場合には、第１副画素電極１９１ｍｂの横辺の半分程度に相当するγ部を介して、第１副画素電極１９１ｍｂと第２副画素電極１９１ｓｂとが連結されている。なお、γ部は、第１副画素電極１９１ｍｂと第２副画素電極ｓｂとの間の間隙により一部が切り欠かれるように凹んで形成される。
図１５の画素電極１９１では、第１副画素電極１９１ｍｃと第２副画素電極１９１ｓｃの一つの単位電極とがＷ字型で自然に連結されている。さらに、第１副画素電極１９１ｍｃの切開部７１ｃと、第２副画素電極１９１ｓｃの切開部７３ｃとが連結されている。詳細に説明すれば、第１副画素電極１９１ｍｃの凹辺１９１ｍ２の下側斜辺と、第２副画素電極１９１ｓｃの左側単位電極の凹辺１９１ｓ２の上側斜辺と、が垂直をなして交差して凸辺をなす。これと同様に、第１副画素電極１９１ｍｃの凸辺の下側斜辺９７と、第２副画素電極１９１ｓｃの左側単位電極の凸辺の上側斜辺９８と、が互いに垂直に交差するように凹辺をなす。但し、このように新しく生じた凹辺の凹頂点から画素電極１９１の内側に行くほど幅が狭くなる横切開部９４ｃが新しく作られる。この横切開部９４ｃの横辺は、これに連結された斜辺９７、９８と１３５度より大きい角度をなしており、このようにすれば、液晶分子の配列がさらに安定化する。
【０１０６】
図１５ではまた、共通電極２７０の二つの切開部７１ｃ、７３ｃが互いに連結されながら、二つの切開部７１ｃ、７３ｃの隣接した縦断横部９１ｃ’が一つに統合される。第２副画素電極１９１ｓｃの単位電極の間に位置する切開部９２ｃは上側横辺と交差するように配置される。つまり、上部の第１副画素電極１９１ｍ１と上部の第２副画素電極１９１ｓｃとの間の間隙は、切開部９２ｃと同列に対応している。
【０１０７】
以下では図１２に示した液晶表示板組立体の多様な例について図１６及び図１７、そして、上述した図１４及び図１５を参照して詳細に説明する。
図１６は本発明の他の実施例による液晶表示板組立体の配置図であり、図１７は他の実施例による液晶表示板組立体の配置図である。
図１６及び図１７を参照すれば、本実施例による液晶表示板組立体も互いに対向する下部表示板（図示せず）と上部表示板（図示せず）及び、これら二つの表示板の間に入っている液晶層（図示せず）を含む。
【０１０８】
本実施例による液晶表示板組立体の層状構造はほとんど図８乃至図１０に示した液晶表示板組立体の層状構造と類似している。
下部表示板について説明すれば、絶縁基板（図示せず）上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。各ゲート線１２１はゲート電極１２４と端部１２９を含み、各維持電極線１３１は維持電極１３７を含む。ゲート導電体１２１、１３１の上にはゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。ゲート絶縁膜上には複数の半導体１５４が形成されており、その上には複数の抵抗性接触部材（図示せず）が形成されている。抵抗性接触部材及びゲート絶縁膜上には複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５を含むデータ導電体が形成されている。データ線１７１は複数のソース電極１７３と端部１７９を含み、ドレイン電極１７５は広い端部１７７を含む。データ導電体１７１、１７５、ゲート絶縁膜及び露出された半導体１５４部分の上には保護膜（図示せず）が形成されており、保護膜及びゲート絶縁膜には複数の接触孔１８１、１８２、１８５が形成されている。図１６では、保護膜の上には第１及び第２副画素電極１９１ｍｂ、１９１ｓｂを含む複数の画素電極１９１と複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。一方、図１７では、保護膜の上には第１及び第２副画素電極１９１ｍｃ、１９１ｓｃを含む複数の画素電極１９１と複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。画素電極１９１及び保護膜上には配向膜（図示せず）が形成されている。
【０１０９】
上部表示板について説明すれば、絶縁基板（図示せず）上に遮光部材（図示せず）、複数の色フィルター（図示せず）、蓋膜（図示せず）、切開部７１ｂ、７２ｂ、７３ｂ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃを有する共通電極（図示せず）、そして配向膜（図示せず）が形成されている。
しかし、図１６に示した画素電極１９１は図１４に示した画素電極１９１と同一なパターンであり、図１７に示した画素電極１９１は図１５に示した画素電極１９１と同一なパターンである。つまり、各画素電極１９１の第１副画素電極１９１ｍｂ、１９１ｍｃと第２副画素電極１９１ｓｂ、１９１ｓｃは互いに連結されて同一な電圧を有し、画素電極１９１には切開部９１ｂ-９３ｂ、９１ｃ-９４ｃが形成されている。
【０１１０】
したがって、各画素電極１９１は一つの薄膜トランジスタにのみ連結され、そのために図１６及び図１７に示した液晶表示板組立体でゲート線１２１の数は図８に示した液晶表示板組立体でゲート線１２１ａ、１２１ｂ数の半分である。
図１６及び図１７でゲート線１２１は列方向に隣接した画素電極１９１の境界に位置する。これとは異なって、図１６の維持電極線１３１は第１副画素電極１９１ｍｂと第２副画素電極１９１ｓｂの連結部分に沿って伸びており、図１７に示した維持電極線１３１は第１及び第２副画素電極１９１ｍｃ、１９１ｓｃの屈曲点に沿って伸びて画素電極１９１の下辺に近い。
【０１１１】
図８乃至図１０に示した液晶表示板組立体の多くの特徴が図１６及び図１７に示した液晶表示板組立体にも適用できる。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の一つの実施例による液晶表示装置のブロック図である。
【図２】本発明の一つの実施例による液晶表示装置の二つの副画素に対する等価回路図である。
【図３】本発明の一つの実施例による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。
【図４】図３に示した副画素電極の基本となる単位電極の平面図である。
【図５】本発明の一つの実施例による画素電極とデータ線の配置図である。
【図６】本発明の他の実施例による画素電極とデータ線の配置図である。
【図７Ａ】本発明の一つの実施例による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。
【図７Ｂ】本発明の一つの実施例による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。
【図８】本発明の一つの実施例による液晶表示板組立体の配置図である。
【図９】図８に示した液晶表示板組立体をＸ-Ｘ線に沿って切断した断面図である。
【図１０】図８に示した液晶表示板組立体をＩＸ-ＩＸ線に沿って切断した断面図である。
【図１１】本発明の他の実施例による液晶表示板組立体の配置図である。
【図１２】本発明の他の実施例による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【図１３】本発明の多様な実施例による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。
【図１４】本発明の多様な実施例による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。
【図１５】本発明の多様な実施例による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。
【図１６】図１４に示した液晶表示板組立体の配置図である。
【図１７】図１５に示した液晶表示板組立体の配置図である。
【符号の説明】
【０１１３】
３  液晶層
１２、２２  偏光板
１１、２１  配向膜
７０-７３、７１ａ-７３ａ、７１ｂ-７３ｂ、７１ｃ-７３ｃ  共通電極切開部
７０ｏ  共通電極切開部の屈曲部
７０ｔ１、７０ｔ２  共通電極切開部の横部
９１-９３、９１ａ-９３ａ、９１ｂ-９３ｂ、９１ｃ-９３ｃ  画素電極切開部
９７、９８  副画素電極の斜辺
８１、８１ａ-８１ｄ、８２  接触補助部材
１１０、２１０  基板
１２１、１２１ａ-１２１ｄ、１２９、１２９ａ-１２９ｄ  ゲート線
１２４、１２４ａ-１２４ｄ  ゲート電極
１３１  維持電極線
１３７  維持電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５４、１５４ａ-１５４ｄ  半導体
１６３ｂ、１６５ｂ  抵抗性接触部材
１７１、１７１ａ、１７１ｂ、１７９  データ線
１７３、１７３ａ-１７３ｄ  ソース電極
１７５、１７５ａ-１７５ｄ、１７７ａ-１７７ｄ  ドレイン電極
１８０  保護膜
１８１、１８１ａ-１８１ｄ、１８２、１８５、１８５ａ-１８５ｄ  接触孔
１９１、１９１ｍ、１９１ｓ、１９１ｍ１-１９１ｍ３、１９１ｓ１-１９１ｓ３  画素電極
１９３  単位電極
１９３ｏ１、１９３ｏ２  単位電極の屈曲辺
１９３ｔ  単位電極の横辺
２２０  遮光部材
２３０  色フィルター
２５０  蓋膜
２７０  共通電極
３００  液晶表示板組立体
４００  ゲート駆動部
５００  データ駆動部
６００  信号制御部
８００  階調電圧生成部
ＣＥ  共通電極
ＣＦ  色フィルター
Ｃｌｃ、Ｃｌｃｍ、Ｃｌｃｓ  液晶キャパシタ
ＣＰ  屈曲点
Ｃｓｔ、Ｃｓｔｍ、Ｃｓｔｍ  ストレージキャパシタ
ＣＶ  凹頂点
ＤＬ、ＤＬＬ、ＤＬＲ  データ線
ＧＬ、ＧＬａ、ＧＬｂ  ゲート線
ＰＥ  画素電極
ＰＥｍ、ＰＥｓ  副画素電極
ＰＸ  画素
ＰＸｍ、ＰＸｓ  副画素
Ｑ、Ｑａ-Ｑｄ  スイッチング素子
Ｓ１-Ｓ４  副領域
ＳＬ  維持電極線
ＶＶ  凸頂点
ＣＯＮＴ１、ＣＯＮＴ２  制御信号
ＤＥ  データイネーブル信号
Ｈｓｙｎｃ  水平同期信号
Ｖｓｙｎｃ  垂直同期信号
Ｒ、Ｇ、Ｂ  入力映像信号
ＤＡＴ  出力映像信号
Ｖｃｏｍ  共通電圧
Ｖｄ  データ信号
Ｖｇ  ゲート信号Ｖｏｎ  ゲートオン電圧
Ｖｏｆｆ  ゲートオフ電圧
【図１】
2007052433.tif 000006
【図２】
2007052433.tif 000007
【図３】
2007052433.tif 000008
【図４】
2007052433.tif 000009
【図５】
2007052433.tif 000010
【図６】
2007052433.tif 000011
【図７Ａ】
2007052433.tif 000012
【図７Ｂ】
2007052433.tif 000013
【図８】
2007052433.tif 000014
【図９】
2007052433.tif 000015
【図１０】
2007052433.tif 000016
【図１１】
2007052433.tif 000017
【図１２】
2007052433.tif 000018
【図１３】
2007052433.tif 000019
【図１４】
2007052433.tif 000020
【図１５】
2007052433.tif 000021
【図１６】
2007052433.tif 000022
【図１７】
2007052433.tif 000023