(57)【要約】 【課題】  開口率を向上させることのできる表示基板及びその製造方法、並びに表示パネルを提供する。【解決手段】第１方向に延長されるソース配線と、前記第１方向と交差する第２方向に延長されるゲート配線と、前記ソース配線とゲート配線によって定義された複数の画素部と、前記各画素部に形成され、前記第１方向の前記画素部の両端部にそれぞれ形成され、第１及び第２反射領域を定義する第１及び第２反射電極と、前記第１反射電極と第２反射電極との間に形成され、透過領域を定義する透明電極とを含む画素電極とを有する。【選択図】      図１
2007219524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延長されるソース配線と、
前記第１方向と交差する第２方向に延長されるゲート配線と、
前記ソース配線とゲート配線によって定義された複数の画素部と、
前記各画素部に形成され、前記第１方向の前記画素部の両端部にそれぞれ形成され、第１及び第２反射領域を定義する第１及び第２反射電極と、前記第１反射電極と第２反射電極との間に形成され、透過領域を定義する透明電極とを含む画素電極とを有することを特徴とする表示基板。
【請求項２】
複数の画素部は、ｍ（ｍは自然数）番目のソース配線とｎ−１（ｎは自然数）番目のゲート配線に連結される第１スイッチング素子と、該第１スイッチング素子と電気的に接続される第１画素電極とを含む第１画素部と、
前記ｍ番目のソース配線とｎ番目のゲート配線に連結される第２スイッチング素子と、該第２スイッチング素子と電気的に接続される第２画素電極とを含む第２画素部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記第１スイッチング素子は、前記第１反射領域に形成され、前記第２スイッチング素子は、第２反射領域に形成されることを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記第１及び第２画素部は、第１及び第２ストレージ電極をそれぞれ更に含み、
前記第１及び第２ストレージ電極は、前記第１及び第２スイッチング素子とそれぞれ隣接するように形成されることを特徴とする請求項３に記載の表示基板。
【請求項５】
前記第１及び第２反射領域に形成される有機絶縁層を更に含み、
前記透過領域と第１反射領域との境界部分には第１段差領域が形成され、透過領域と第２反射領域との境界部分には第２段差領域が形成されることを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
【請求項６】
前記第１反射電極は、前記第１段差領域をカバーするように拡張されて形成され、前記第２反射電極は、前記第２段差領域をカバーするように拡張されて形成されることを特徴とする請求項５記載の表示基板。
【請求項７】
第１方向に延長されるソース配線と、前記第１方向と交差する第２方向に延長されるゲート配線とを有する表示基板において、
ｍ（ｍは自然数）番目のソース配線とｎ−１（ｎは自然数）番目のゲート配線に連結される第１スイッチング素子と、該第１スイッチング素子と電気的に接続される第１画素電極とを含む第１画素部と、
前記ｍ番目のソース配線とｎ番目のゲート配線に連結される第２スイッチング素子と、該第２スイッチング素子と電気的に接続される第２画素電極とを含む第２画素部とを有し、
前記第１及び第２画素部は、第１光を透過する透過領域と、該透過領域の前記第１方向の両端部に定義され、第２光を反射する第１及び第２反射領域に分割されることを特徴とする表示基板。
【請求項８】
前記透過領域に形成される透明電極と、
前記第１反射領域に形成される第１反射電極と、
前記第２反射領域に形成される第２反射電極と、
前記第１及び第２反射領域の第１及び第２反射電極の下に形成される有機絶縁層とを更に有することを特徴とする請求項７に記載の表示基板。
【請求項９】
前記透過領域と第１反射領域との境界部分には、第１段差領域が形成され、透過領域と第２反射領域との境界部分には第２段差領域が形成され、
前記第１反射電極は、前記第１段差領域をカバーするように拡張されて形成され、前記第２反射電極は、前記第２段差領域をカバーするように拡張されて形成されることを特徴とする請求項８に記載の表示基板。
【請求項１０】
相互交差するゲート配線とソース配線によって定義される画素部内にスイッチング素子を形成する段階と、
前記スイッチング素子が形成された画素部に有機絶縁層を形成する段階と、
前記画素部の両端部に第１有機絶縁パターン及び第２有機絶縁パターンをそれぞれ形成して前記画素部を第１反射領域と、透過領域と、第２反射領域とに分割する段階と、
前記透過領域に前記スイッチング素子と電気的に接続される透明電極を形成する段階と、
前記第１及び第２有機絶縁パターン上に第１反射電極及び第２反射電極を形成する段階とを有することを特徴とする表示基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２有機絶縁パターンの内のいずれか一方は前記スイッチグ素子上に形成されることを特徴とする請求項１０に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１反射電極は、前記第１反射領域と透過領域の境界部分まで拡張されて形成されることを特徴とする請求項１０に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２反射電極は、前記第２反射領域と透過領域の境界部分まで拡張されて形成されることを特徴とする請求項１０に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１４】
ソース配線とゲート配線によって定義される複数の画素部を有し、各画素部には、第１及び第２反射領域を定義する第１及び第２反射電極と、該第１反射電極と第２反射電極との間に形成されて透過領域を定義する透明電極とを含む画素電極を含むアレイ基板と、
前記アレイ基板と結合して液晶層を受容する対向基板とを有することを特徴とする表示パネル。
【請求項１５】
前記画素部は、ゲート配線の延長方向に対して中心領域に前記透過領域が定義され、前記透過領域の両端部に第１及び第２反射領域が定義されることを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１６】
前記第１及び第２反射領域に形成される有機絶縁層を更に有し、
前記透過領域と第１反射領域との境界部分には第１段差領域が形成され、前記透過領域と第２反射領域との境界部分には第２段差領域が形成されることを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
【請求項１７】
前記第１反射電極は、前記第１段差領域をカバーするように拡張されて形成され、前記第２反射電極は前記第２段差領域をカバーするように拡張されて形成されることを特徴とする請求項１６に記載の表示パネル。
【請求項１８】
前記対向基板は、前記画素部に対応するカラーフィルタパターンを更に含み、
前記カラーフィルタパターンは、前記第１及び第２反射領域に対応する開口ホールが形成されることを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１９】
前記液晶層は、前記ゲート配線の延長方向にラビングされることを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示基板及びその製造方法、並びに表示パネルに関し、より詳細には開口率を向上させた表示基板及びその製造方法、並びに表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、低消費電力で高品質の表示の可能な液晶表示装置を実現するために、反射光及び透過光を用いて画像を表示する反射透過型液晶表示装置が用いられている。反射透過型液晶表示装置は、透過モードと反射モードに対応した相互異なるガンマカーブを適用して低消費電力で高品質の画像を表示する。
【０００３】
現在、反射透過型液晶表示装置に適用される表示パネルは、反射電極が形成された反射領域と、透過電極が形成された透過領域に区分される。反射領域と透過領域は、下部有機膜によって定義される。即ち、反射領域には下部有機膜が形成され、透過領域には下部有機膜が形成されない。したがって、反射領域と透過領域との境界部分には下部有機膜の段差領域が形成される。
【０００４】
上記段差領域では、液晶が正常に配列されなく、これによって光漏れ現象が発生するという問題がある。しかしながら、この光漏れ現象を防止するために光漏れ領域を遮断する構造を採用することによって開口率が損失するという問題点がまた発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の反射透過型液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、開口率を向上させた表示基板を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記表示基板の製造方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、上記表示基板を具備した表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示基板は、第１方向に延長されるソース配線と、前記第１方向と交差する第２方向に延長されるゲート配線と、前記ソース配線とゲート配線によって定義された複数の画素部と、前記各画素部に形成され、前記第１方向の前記画素部の両端部にそれぞれ形成され、第１及び第２反射領域を定義する第１及び第２反射電極と、前記第１反射電極と第２反射電極との間に形成され、透過領域を定義する透明電極とを含む画素電極とを有することを特徴とする。
【０００７】
複数の画素部は、ｍ（ｍは自然数）番目のソース配線とｎ−１（ｎは自然数）番目のゲート配線に連結される第１スイッチング素子と、該第１スイッチング素子と電気的に接続される第１画素電極とを含む第１画素部と、前記ｍ番目のソース配線とｎ番目のゲート配線に連結される第２スイッチング素子と、該第２スイッチング素子と電気的に接続される第２画素電極とを含む第２画素部とを含むことが好ましい。
前記第１スイッチング素子は、前記第１反射領域に形成され、前記第２スイッチング素子は、第２反射領域に形成されることが好ましい。
前記第１及び第２画素部は、第１及び第２ストレージ電極をそれぞれ更に含み、前記第１及び第２ストレージ電極は、前記第１及び第２スイッチング素子とそれぞれ隣接するように形成されることが好ましい。
【０００８】
前記第１及び第２反射領域に形成される有機絶縁層を更に含み、前記透過領域と第１反射領域との境界部分には第１段差領域が形成され、透過領域と第２反射領域との境界部分には第２段差領域が形成されることが好ましい。
前記第１反射電極は、前記第１段差領域をカバーするように拡張されて形成され、前記第２反射電極は、前記第２段差領域をカバーするように拡張されて形成されることが好ましい。
【０００９】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示基板は、第１方向に延長されるソース配線と、前記第１方向と交差する第２方向に延長されるゲート配線とを有する表示基板において、ｍ（ｍは自然数）番目のソース配線とｎ−１（ｎは自然数）番目のゲート配線に連結される第１スイッチング素子と、該第１スイッチング素子と電気的に接続される第１画素電極とを含む第１画素部と、前記ｍ番目のソース配線とｎ番目のゲート配線に連結される第２スイッチグ素子と、該第２スイッチング素子と電気的に接続される第２画素電極とを含む第２画素部とを有し、前記第１及び第２画素部は、第１光を透過する透過領域と、該透過領域の前記第１方向の両端部に定義され、第２光を反射する第１及び第２反射領域に分割されることを特徴とする。
【００１０】
前記透過領域に形成される透明電極と、前記第１反射領域に形成される第１反射電極と、前記第２反射領域に形成される第２反射電極と、前記第１及び第２反射領域の第１及び第２反射電極の下に形成される有機絶縁層とを更に有することが好ましい。
前記透過領域と第１反射領域との境界部分には、第１段差領域が形成され、透過領域と第２反射領域との境界部分には第２段差領域が形成され、前記第１反射電極は、前記第１段差領域をカバーするように拡張されて形成され、前記第２反射電極は、前記第２段差領域をカバーするように拡張されて形成されることが好ましい。
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示基板の製造方法は、相互交差するゲート配線とソース配線によって定義される画素部内にスイッチング素子を形成する段階と、前記スイッチング素子が形成された画素部に有機絶縁層を形成する段階と、前記画素部の両端部に第１有機絶縁パターン及び第２有機絶縁パターンをそれぞれ形成して前記画素部を第１反射領域と、透過領域と、第２反射領域とに分割する段階と、前記透過領域に前記スイッチング素子と電気的に接続される透明電極を形成する段階と、前記第１及び第２有機絶縁パターン上に第１反射電極及び第２反射電極を形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１２】
前記第１及び第２有機絶縁パターンの内のいずれか一方は前記スイッチング素子上に形成されることが好ましい。
前記第１反射電極は、前記第１反射領域と透過領域の境界部分まで拡張されて形成されることが好ましい。
前記第２反射電極は、前記第２反射領域と透過領域の境界部分まで拡張されて形成されること。
【００１３】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示パネルは、ソース配線とゲート配線によって定義される複数の画素部を有し、各画素部には、第１及び第２反射領域を定義する第１及び第２反射電極と、該第１反射電極と第２反射電極との間に形成されて透過領域を定義する透明電極とを含む画素電極を含むアレイ基板と、前記アレイ基板と結合して液晶層を受容する対向基板とを有することを特徴とする。
【００１４】
前記画素部は、ゲート配線の延長方向に対して中心領域に前記透過領域が定義され、前記透過領域の両端部に第１及び第２反射領域が定義されることが好ましい。
前記第１及び第２反射領域に形成される有機絶縁層を更に有し、前記透過領域と第１反射領域との境界部分には第１段差領域が形成され、前記透過領域と第２反射領域との境界部分には第２段差領域が形成されることが好ましい。
前記第１反射電極は、前記第１段差領域をカバーするように拡張されて形成され、前記第２反射電極は前記第２段差領域をカバーするように拡張されて形成されることが好ましい。
前記対向基板は、前記画素部に対応するカラーフィルタパターンを更に含み、前記カラーフィルタパターンは、前記第１及び第２反射領域に対応する開口ホールが形成されることが好ましい。
前記液晶層は、前記ゲート配線の延長方向にラビングされることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る表示基板及びその製造方法、並びに表示パネルによれば、反射透過型表示基板において、単位画素部の中心部に透過領域を定義し、透過領域の両端部に第１及び第２反射領域を定義し、単位画素部を第１反射領域、透過領域、及び第２反射領域に分割することで単位画素部の開口率の損失なしに液晶分子のラビング方向に対し発生する透過領域と反射領域の境界部分である段差領域での光漏れを防止することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明に係る表示基板及びその製造方法、並びに表示パネルを実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施形態による反射透過型の表示基板の平面図である。
図１を参照すると、反射透過型の表示基板は、ソース配線の数を減少する画素構造を有する。表示基板は、第１方向（図、縦方向）に延長したＭ／２個のソース配線（ＤＬｍ）と第１方向と交差する第２方向（図、横方向）に延長したＮ個のゲート配線（ＧＬｎ）と、ソース配線とゲート配線によって定義されたＭ×Ｎ個の画素部を含む。
【００１７】
例えば、ｎ−１番目、ｎ番目のゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）とｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）によって第２方向に相互隣接する第１画素部（Ｐ１）及び第２画素部（Ｐ２）が定義される。
【００１８】
第１画素部（Ｐ１）は、第１スイッチング素子１１０、第１ストレージ電極１１６、及び第１画素電極（ＰＥ１）を含む。第１画素電極（ＰＥ１）は、第１透明電極１１８、第１反射電極１１９ａ、及び第２反射電極１１９ｂを含む。
【００１９】
第１スイッチング素子１１０は、ｎ−１番目のゲート配線（ＧＬｎ−１）から延長された第１ゲート電極１１１と、ｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）から延長されたソース電極１１３、及び第１透明電極１１８と第１コンタクトホール１１７を通じて連結されたドレイン電極１１４を含む。第１ストレージ電極１１６は、第１画素部（Ｐ１）内に形成され、第１画素電極（ＰＥ１）とともに第１ストレージキャパシタ（図示せず）を定義する。
【００２０】
第１画素電極（ＰＥ１）のうち、第１透明電極１１８は、第１画素部（Ｐ１）の中心領域に形成され、第１反射電極１１９ａは、第１スイッチング素子１１０が形成された第１画素部（Ｐ１）の一側の端部領域に形成され、第２反射電極１１９ｂは、第１反射電極１１９ａと対向する第１画素部（Ｐ１）の他側の端部領域に形成される。これによって、第１画素部（Ｐ１）は、透過領域（ＴＡ）と、透過領域（ＴＡ）の両端部に定義された第１反射領域（ＲＡ１）及び第２反射領域（ＲＡ２）に区分される。
【００２１】
第２画素部（Ｐ２）は、第２スイッチング素子１２０、第２ストレージ電極１２６、及び第２画素電極（ＰＥ２）を含む。第２画素電極（ＰＥ２）は、第２透明電極１２８、第３反射電極１２９ａ、及び第４反射電極１２９ｂを含む。
【００２２】
第２スイッチング素子１２０は、ｎ番目のゲート配線（ＧＬｎ）から延長された第２ゲート電極１２１と、ｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）から延長されたソース電極１２３及び第２透明電極１２８と第２コンタクトホール１２７を通じて連結されたドレイン電極１２４を含む。第２ストレージ電極１２６は、第２画素部（Ｐ２）内に形成され、第２画素電極（ＰＥ２）とともに第２ストレージキャパシタ（図示せず）を定義する。
【００２３】
第２画素電極（ＰＥ２）のうち、第２透明電極１２８は、第２画素部（Ｐ２）の中心領域に形成され、第３反射電極１２９ａは、第２スイッチング素子１２０が形成された第２画素部（Ｐ２）の一側の端部領域に形成され、第４反射電極１２９ｂは、第２反射電極１２９ａと対向する第２画素部（Ｐ２）の他側の端部領域に形成される。これによって第２画素部（Ｐ２）は透過領域（ＴＡ）と、透過領域（ＴＡ）の両端部に定義された第３及び第４反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に区分される。
【００２４】
図２及び図３は、図１のＩ−Ｉ’線に沿って見た断面図である。
図１及び図２に示すように、表示基板はベース基板１０１を含む。ベース基板１０１上にゲート金属層としてｎ−１番目のゲート配線（ＧＬｎ−１）とｎ−１番目のゲート配線（ＧＬｎ−１）から延長されたゲート電極１１１及びストレージ電極１１６を含むゲート金属パターンを形成する。
【００２５】
ゲート金属パターンが形成されたベース基板１０１上にゲート絶縁層１０２を形成する。その後、ゲート電極１１１に対応するゲート絶縁層１０２上には半導体層１１２を形成する。半導体層１１２は、アモルファスシリコン層である活性層１１２ａと高濃度の不純物がドープされたアモルファスシリコン層であるオーミックコンタクト層１１２ｂを含む。
【００２６】
半導体層１１２が形成されたベース基板１０１上にソース金属層としてｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）と、ｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）から延長されたソース電極１１３及びストレージ電極１１６上に重なるように形成されたドレイン電極１１４を含むソース金属パターンを形成する。ソース金属パターンが形成されたベース基板１０１上に保護絶縁層１０３を形成する。
【００２７】
保護絶縁層１０３が形成されたベース基板１０１上に有機絶縁層を形成する。有機絶縁層は、透過領域（ＴＡ）に対応して除去され、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に対応して残留するようにパターニングされる。即ち、第１反射領域（ＲＡ１）には、第１有機絶縁パターン１０５ａが形成され、第２反射領域（ＲＡ２）には第２有機絶縁パターン１０５ｂが形成される。
【００２８】
第１有機絶縁パターン１０５ａ及び第２有機絶縁パターン１０５ｂは、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に形成されることで透過領域（ＴＡ）と第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）とのセルギャップが相互に異なるように形成される。即ち、透過領域（ＴＡ）は、第１光（バックライト等からの光）を透過させ、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）は、第２光（外部光等）を反射させるので、相互に異なる光経路を有する。このことに従い、第１及び第２有機絶縁パターン（１０５ａ、１０５ｂ）を、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に形成し、透過領域（ＴＡ）と第１、第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）の光経路長を実質的に同一に調節する。
【００２９】
その後、第１反射領域（ＲＡ１）の一部領域の第１有機絶縁パターン１０５ａ及び保護絶縁層１０３を除去してドレイン電極１１４を露出させるコンタクトホール１１７を形成する。
【００３０】
コンタクトホール１１７の形成されたベース基板１０１上に第１及び第２有機絶縁パターン（１０５ａ、１０５ｂ）をカバーするように透明導電性物質を蒸着及びパターニングして第１透明電極１１８を形成する。透明導電性物質としては、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、スズ酸化物（ＴＯ）、またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等で形成される。
【００３１】
第１透明電極１１８上に反射電極層を蒸着及びパターニングして、第１反射領域（ＲＡ１）に対応した第１反射電極１１９ａを形成し、第２反射領域（ＲＡ２）に対応した第２反射電極１１９ｂを形成する。ここでは、第１透明電極１１８上に第１及び第２反射電極（１１９ａ、１１９ｂ）を形成する場合を示したが、電気的に相互接続された透明電極と、第１反射電極と、第２反射電極とを透過領域（ＴＡ）、第１反射領域（ＲＡ１）及び第２反射領域（ＲＡ２）のそれぞれに形成することも当然可能である。
【００３２】
第１反射電極１１９ａは、透過領域（ＴＡ）の一部領域まで拡張して形成される。即ち、第１反射電極１１９ａは、第１有機絶縁パターン１０５ａによって形成された第１段差領域（ＳＡ１）をカバーするように拡張して形成する。第１反射電極１１９ａを第１段差領域（ＳＡ１）まで拡張させることで液晶（Ｌ）の正常でない配列によって発生する第１光の漏洩を遮断する。
【００３３】
第２反射電極１１９ｂは、透過領域（ＴＡ）の一部領域まで拡張して形成される。即ち、第２反射電極１１９ｂは、第２有機絶縁パターン１０５ｂによって形成された第２段差領域（ＳＡ２）をカバーするように拡張して形成する。第２反射電極１１９ｂを第２段差領域（ＳＡ２）まで拡張することで液晶（Ｌ）の正常でない配列によって発生する第１光の漏洩を遮断する。
【００３４】
具体的には、図２に示すように、第１ラビング方向（Ｒ１）に液晶分子（Ｌ）がラビングされる場合、第１段差領域（ＳＡ１）及び第２段差領域（ＳＡ２）で正常でない液晶分子（Ｌ）の配列がなされる。第１段差領域（ＳＡ１）で液晶分子（Ｌ）は、段差面に対して９０°以下の傾斜角（０°＜θ１＜９０°）に配列されることによって電界の形成時、液晶分子（Ｌ）の配列角を容易に調節することができる。したがって、第１段差領域（ＳＡ１）は、光漏れ現象に対して良好である。
【００３５】
反面、第２段差領域（ＳＡ２）で液晶分子（Ｌ）は、段差面に対して９０°以上の傾斜角（９０°＜θ＜１８０°）に配列されることによって電界の形成時、液晶分子（Ｌ）の配列角を調節しにくくなる。したがって、第２段差領域（ＳＡ２）には、光漏れ現象が発生する。これを解決するために第２反射電極１１９ｂを第２段差領域（ＳＡ２）まで拡張させることで光漏れ現象を防止することができる。結果的に、各画素部（Ｐ１）を第１反射領域（ＲＡ１）と透過領域（ＴＡ）及び第２反射領域（ＲＡ２）に分割することで第１ラビング方向（Ｒ１）に対して光漏れ現象を防止することができる。
【００３６】
図３もまた、図２に示したように、図１のＩ−Ｉ’線に沿って見た断面図である。但し、図２は、第１ラビング方向（Ｒ１）を有する一方、図３は、第１ラビング方向（Ｒ１）とは逆方向の第２ラビング方向（Ｒ２）を有する。
【００３７】
図３を参照すると、液晶分子が第２ラビング方向（Ｒ２）にラビングされる場合、図示したように、第１段差領域（ＳＡ１）及び第２段差領域（ＳＡ２）で正常でない液晶分子（Ｌ）の配列がなされる。第１段差領域（ＳＡ１）で液晶分子（Ｌ）は段差面に対して９０°以上の傾斜角（９０°＜θ２＜１８０°）に配列されることによって電界の形成時、液晶分子（Ｌ）の配列角を容易に調節しにくくなる。したがって、第１段差領域（ＳＡ１）には光漏れ現象が発生し、光漏れを防止するために、第１反射領域（ＲＡ１）に形成された第１反射電極１１９ａを第１段差領域（ＳＡ１）まで拡張させる。
【００３８】
反面、第２段差領域（ＳＡ２）で液晶分子（Ｌ）は、段差面に対して９０°以下の傾斜角（０°＜θ１＜９０°）に配列されることによって電界の形成時、液晶分子（Ｌ）の配列角を調節することが容易になる。したがって、第２段差領域（ＳＡ２）では、光漏れに対して第１段差領域（ＳＡ１）より良好である。
【００３９】
結果的に、各画素部（Ｐ１、Ｐ２）を第１反射領域（ＲＡ１）と透過領域（ＴＡ）及び第２反射領域（ＲＡ２）に分割することで第２ラビング方向（Ｒ２）に対して光漏れ現象を防止することができる。
【００４０】
図４は、本発明の実施形態による表示パネルの断面図である。
図１及び図４を参照すると、表示パネルは、アレイ基板（表示基板）１００、対向基板２００、及び液晶層３００を含む。
【００４１】
アレイ基板１００は、図１及び図２で説明したように、第１方向に延長されたＭ／２個のソース配線（ＤＬｍ）と第１方向と交差する第２方向に延長されたＮ個のゲート配線（ＧＬｎ）と、ソース配線とゲート配線によって定義されたＭ×Ｎ個の画素部を含む。
例えば、ｎ−１番目、ｎ番目のゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）とｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）によって第２方向に互いに隣接する第１画素部（Ｐ１）及び第２画素部（Ｐ２）が定義される。各画素部（Ｐ１、Ｐ２）は透過領域（ＴＡ）と、透過領域（ＴＡ）の両端部に第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）とに分割され、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）にはパターニングされた有機絶縁層（１０５ａ、１０５ｂ）が形成される。有機絶縁層（１０５ａ、１０５ｂ）の表面は、反射率を向上させるために凹レンズ及び／または凸レンズパターンが形成される。
【００４２】
第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に形成された第１及び第２反射電極（１１９ａ、１１９ｂ）が透過領域（ＴＡ）の第１及び第２段差領域（ＳＡ１、ＳＡ２）までそれぞれ拡張して形成される。これによって第１及び第２段差領域（ＳＡ１、ＳＡ２）で正常でない配列がなされる液晶分子（Ｌ）による光漏れを防止する。
【００４３】
対向基板２００は、ベース基板２０１を含み、ベース基板２０１上に（図４上では下に、以下同様）遮光層２１０、カラーフィルタ層２２０、及び共通電極層２３０が形成される。
遮光層２１０は、各画素部に対応して内部空間を定義する。カラーフィルタ層２２０は、内部空間に形成され、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に対応して一定領域が除去されたライトホール（２２１ａ、２２１ｂ）が形成される。ライトホール（２２１ａ、２２１ｂ）は、第１及び第２反射電極（１１９ａ、１１９ｂ）で反射された第２光の反射率を向上させるために形成される。
【００４４】
カラーフィルタ層２２０は、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に対応して第１厚さに形成され、透過領域（ＴＡ）に対応して第１厚さより厚い第２厚さに形成して透過領域（ＴＡ）で高純度のカラーを表示する。第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）の第２光の光経路はカラーフィルタ層２２０を二度通過する反面、透過領域（ＴＡ）の第１光の光経路はカラーフィルタ層２２０を一度通過する。このことに従い、相対的に透過領域（ＴＡ）のカラーフィルタ層２２０を厚く形成することで透過領域（ＴＡ）と第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）の色再現性を実質的に同一にする。
【００４５】
共通電極層２３０は、カラーフィルタ層２２０上に形成され、アレイ基板１００の画素電極（ＰＥ１、ＰＥ２）に対向して形成される。
液晶層３００は、アレイ基板１００と対向基板２００との間に介在され、透過領域（ＴＡ）と反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に対応して互いに異なるセルギャップを有する。透過領域（ＴＡ）の第１セルギャップ（ｄ１）と反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）の第２セルギャップ（ｄ２）との関係は、互いに異なる光経路に従い、第１セルギャップ（ｄ１）は、第２セルギャップ（ｄ２）の２倍になるように形成する。
【００４６】
液晶層３００の液晶分子（Ｌ）は、第１ラビング方向（Ｒ１）にラビングされる。ここで、液晶分子（Ｌ）は、透過領域（ＴＡ）と反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）との間の境界部部分である第１及び第２段差領域（ＳＡ１、ＳＡ２）で正常でない配列がなされる。図示したように、第１及び第２段差領域（ＳＡ１、ＳＡ２）に第１及び第２反射電極（１１９ａ、１１９ｂ）が拡張して形成されることによって、正常でなく配列された液晶分子（Ｌ）による光漏れを防止する。
【００４７】
図５は、本発明の他の実施形態による表示基板の平面図である。表示基板は、縦ストライプを改善するためのソース配線半減構造である。
図５を参照すると、表示基板は、第１方向に延長されたＭ／２個のソース配線と第１方向と交差する第２方向に延長されたＮ個のゲート配線と、ソース配線とゲート配線によって定義されたＭ×Ｎ個の画素部を含む。
【００４８】
具体的には、ｎ−１番目、ｎ番目のゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）とｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）によって第２方向に相互隣接する第１画素部（Ｐ１）及び第２画素部（Ｐ２）が定義される。
ｎ＋１番目、ｎ＋２番目のゲート配線（ＧＬｎ＋１、ＧＬｎ＋２）とｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）によって第１及び第２画素部（Ｐ１、Ｐ２）に対して第１方向に隣接する第３画素部（Ｐ３）及び第４画素部（Ｐ４）が定義される。第３画素部（Ｐ３）は、第１画素部Ｐ１と第２画素部Ｐ２との間に対応する位置に配置される。即ち、第１乃至第３画素部（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）は、逆さのデルタ（Δ）形状に配置される。
【００４９】
第１画素部（Ｐ１）は、第２画素部（Ｐ２）に比べて相対的にデータ充電率が高く、第３画素部（Ｐ３）は、第４画素部（Ｐ４）に比べて相対的にデータ充電率が高い。このことにより、デルタ形状の画素構造を具現することによって充電率差による縦ストライプを視認できないように除去することができる。
【００５０】
第１画素部（Ｐ１）は、ｎ−１番目のゲート配線（ＧＬｎ−１）とｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）に連結された第１スイッチング素子（ＴＦＴ１）と、第１スイッチング素子（ＴＦＴ１）に連結された第１画素電極（ＰＥ１）を含む。第１画素電極（ＰＥ１）は、透明電極（ＴＥ）と、透明電極（ＴＥ）の両端部に形成された第１及び第２反射電極（ＲＥ１、ＲＥ２）を含む。したがって、第１画素部（Ｐ１）は、透明電極（ＴＥ）が形成された透過領域と、第１及び第２反射電極（ＲＥ１、ＲＥ２）が形成された第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に分割される。
【００５１】
同様の方式で、第２乃至第４画素部（Ｐ２、…、Ｐ４）のそれぞれは、透過領域と第１及び第２反射領域に分割される。
したがって、第１乃至第４画素部（Ｐ１、…、Ｐ４）のそれぞれは、透過領域と第１及び第２反射領域の境界部分である、第１段差領域及び第２段差領域まで第１及び第２反射電極を拡張して形成することによって、第１及び第２段差領域で正常でない配列がなされる液晶分子による光漏れを防止することができる。図５に示した表示基板の単位画素部に対する断面図は、図２及び図３に示した断面図と実質的に同一であるので、詳細な説明は省略する。
【００５２】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態による反射透過型の表示基板の平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線に沿って見た断面図である。
【図３】図１のＩ−Ｉ’線に沿って見た断面図である。
【図４】本発明の実施形態による図１の表示基板を具備した表示パネルの断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態による反射透過型の表示基板の平面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１００      アレイ基板（表示基板）
１０１、２０１    ベース基板
１０２      ゲート絶縁層
１０３      保護絶縁層
１１２      半導体層
１１３      ソース電極
１１４      ドレイン電極
１０５ａ      第１有機絶縁パターン
１０５ｂ      第２有機絶縁パターン
１１０、１２０    （第１及び第２）スイッチング素子
１１６、１２６    （第１及び第２）ストレージ電極
１１７、１２７    コンタクトホール
１１８、１２８    （第１及び第２）透明電極
１１９ａ      第１反射電極
１１９ｂ      第２反射電極
１２９ａ      第３反射電極
１２９ｂ      第４反射電極
２００      対向基板
２１０      遮光層
２２０      カラーフィルタ層
２２１ａ、２２１ｂ    ライトホール
２３０      共通電極層
３００      液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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