(57)【要約】【課題】製造後の電気光学装置の素子基板のトランジスタに光が入光してしまうことを防止し、電気光学装置の温度上昇を確実に防止することを、工程数の増大を防止して実現できる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】薄膜形成前の大板の基板の表面及び裏面に、ポリシリコン膜を形成するステップＳ２と、大板の基板の表面のポリシリコン膜を除去するステップＳ３と、大板の基板に構成された薄膜形成前のＴＦＴ基板の表面に、薄膜を層状に形成するステップＳ４と、ステップＳ４において最上層に液晶に駆動電圧を印加する画素電極を形成した後に、少なくとも表示領域における大板の基板の裏面のポリシリコン膜を除去して、表示領域を囲む遮光領域にポリシリコン膜を残すステップＳ６とを具備していることを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置の製造方法であって、
薄膜形成前の前記第１の基板と薄膜形成前の前記第２の基板との少なくとも一方の基板の表側の表面及び裏側の裏面に、導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記基板の前記表面の前記導電膜を除去する表面導電膜除去工程と、
前記基板の前記表面に、前記薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程において、最上層に前記電気光学物質に駆動電圧を印加する電極を形成した後に、少なくとも表示領域における前記基板の前記裏面の前記導電膜を除去して、前記表示領域を囲む遮光領域に前記導電膜を残す裏面導電膜除去工程と、
を具備していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の基板は、前記薄膜を構成するスイッチング素子を有する素子基板であり、
前記電極は、前記素子基板の前記薄膜を構成する画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の基板は、前記素子基板に対向配置される対向基板であり、
前記電極は、前記対向基板の前記薄膜を構成する対向電極であることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電膜は、遮光性を有する膜から構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記遮光性を有する膜は、ポリシリコン膜から構成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記遮光領域は、前記表示領域の外周と前記基板の外周縁との間の領域に形成されており、
前記裏面導電膜除去工程は、前記遮光領域の全域に前記導電膜を残すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、大板の基板に構成されており、
前記導電膜形成工程は、前記大板の基板の表面及び裏面に前記導電膜を形成し、前記表面導電膜除去工程は、前記大板の基板の前記表面の導電膜を除去することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記裏面導電膜除去工程は、前記大板の基板から前記第１の基板または前記第２の基板を分断する際の分断線が形成される領域の前記大板の基板の前記裏面の前記導電膜を少なくとも除去すること特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記裏面導電膜除去工程後に、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせ、電気光学装置を製造する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とのいずれかの基板の前記裏面に形成された前記導電膜が、前記表示領域に開口が形成された実装ケースの前記遮光領域に有底穴として形成された収容部の底部に当接するよう、前記実装ケースに前記電気光学装置を収容する工程と、
をさらに具備し、
前記基板は、前記収容部と平面上、同じ大きさを有していることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置であって、
薄膜形成前の前記第１の基板と薄膜形成前の前記第２の基板との少なくとも一方の基板の裏側の裏面の前記表示領域を囲む遮光領域に導電膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置を具備する電子機器であって、
薄膜形成前の前記第１の基板と薄膜形成前の前記第２の基板との少なくとも一方の基板の裏側の裏面の前記表示領域を囲む遮光領域に導電膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、第１の基板と第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が挟持されて構成されており、一方の基板に、例えば複数の薄膜トランジスタ（以下、単にトランジスタと称す）等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に挟持した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
即ち、トランジスタ等のスイッチング素子によってマトリクス状に配列された複数の画素電極に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
また、トランジスタを配置した素子基板と、この素子基板に対向して配置される対向基板とは、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する薄膜、絶縁性薄膜または導電性薄膜が積層されることによってそれぞれ構成される。層毎に各種薄膜の形成工程と各薄膜のエッチング工程とを繰り返すことによってそれぞれ形成されるのである。
【０００５】
尚、素子基板及び対向基板に対する各種薄膜の成膜工程においては、成膜装置、例えば減圧化学気相成長（ＬＰ−ＣＶＤ）装置、スパッタ装置が用いられ、形成された薄膜に対するエッチング工程においては、エッチング装置、例えばドライエッチング装置が用いられることが周知である。
【０００６】
ここで、上述した成膜工程、エッチング工程を行う際、成膜処理、エッチング処理は、素子基板、対向基板をそれぞれ構成する各石英基板の各表面に対して行われるため、枚葉式の処理の場合は、各石英基板の裏面は、成膜装置、エッチング装置のステージ等に載置して行うことが一般的であるが、この際、各石英基板の裏面に、ステージ等からの接触傷が形成されてしまう場合があった。また、各石英基板を運搬するに際しても、運搬の際、載置される運搬台から各石英基板の裏面に接触傷が形成されてしまう場合があった。
【０００７】
このような事情に鑑み、特許文献１では、石英基板の表面に各種薄膜を形成するに先だって、石英基板の裏面の全面に、導電膜であるポリシリコン膜を形成した後、石英基板の表面に各種薄膜の形成及びエッチングを行うことにより、成膜工程、エッチング工程において、石英基板の裏面に、接触傷が形成されてしまうことを裏面のポリシリコン膜により防止する電気光学装置の製造方法が提案されている。尚、石英基板の表面に各種薄膜が形成された後は、石英基板の裏面のポリシリコン膜は、不要となるため、エッチング等により一括して除去される。
【０００８】
また、成膜装置、エッチング装置のステージに載置した石英基板を、ステージに固定する手法としては、成膜工程、エッチング工程における石英基板内の熱伝導の均一化を図るとともに石英基板の温度をコントロールする目的で、既知の静電チャックを用いて行うことが周知であるが、石英基板自在は絶縁体であることから、ステージと石英基板との間に、電圧印加後、静電力が発生しない。
【０００９】
しかしながら、特許文献１に示すように、石英基板の裏面にポリシリコン膜を形成すれば、ポリシリコン膜は、導電膜であることから、電圧印加後、ポリシリコン膜とステージとの間に発生する静電力により、静電チャックを用いて、容易に石英基板をステージに固定することができる。
【特許文献１】特開２００１−３３９０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、一般に、素子基板の表示領域に構成されるトランジスタは、該トランジスタに光が入光されてしまうと誤動作してしまうため、液晶装置の表示領域における遮光膜に平面上覆われた素子基板上の位置に形成されている。
【００１１】
ここで、それぞれ製造された素子基板と対向基板とが貼り合わされて形成された液晶装置は、その後、目的に応じて実装ケース等に収容された後、プロジェクタ等の電子機器に用いられる。
【００１２】
尚、実装ケースには、液晶装置に光を入光させるため、液晶装置の表示領域に応じた開口部が形成されている。しかしながら、実装ケースの開口部の形状等によっては、素子基板に設けられたトランジスタに、上述した遮光膜では防げない斜め方向からの光が入光してしまう場合があり、その結果、トランジスタが誤動作し、トランジスタ特性が劣化してしまうといった問題があった。
【００１３】
また、光透過型の液晶装置においては、素子基板及び対向基板を光が透過するため、素子基板及び対向基板は、透過する光により、それぞれ熱されてしまい、液晶装置の温度が駆動後上昇してしまうといった問題があった。
【００１４】
これらの問題に鑑み、基板の裏面のポリシリコン膜を除去後、基板の裏面の表示領域を囲む遮光領域に、遮光膜として機能する導電膜を形成し、該導電膜を用いて、トランジスタに斜めから入光する光の遮光を行うともに、導電膜を介して基板の熱を放熱する手法も考えられるが、このような手法だと、現在の液晶装置の製造工程よりも工程数が増大してしまうため好ましくない。
【００１５】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、その目的は、製造後の電気光学装置のトランジスタに光が入光してしまうことを防止し、電気光学装置の温度上昇を確実に防止することを、工程数の増大を防止して実現できる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置の製造方法であって、薄膜形成前の前記第１の基板と薄膜形成前の前記第２の基板との少なくとも一方の基板の表側の表面及び裏側の裏面に、導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記基板の前記表面の前記導電膜を除去する表面導電膜除去工程と、前記基板の前記表面に、前記薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程において、最上層に前記電気光学物質に駆動電圧を印加する電極を形成した後に、少なくとも表示領域における前記基板の前記裏面の前記導電膜を除去して、前記表示領域を囲む遮光領域に前記導電膜を残す裏面導電膜除去工程と、を具備していることを特徴とする。
【００１７】
また、前記第１の基板は、前記薄膜を構成するスイッチング素子を有する素子基板であり、前記電極は、前記素子基板の前記薄膜を構成する画素電極であることを特徴とする。
【００１８】
さらに、前記第２の基板は、前記素子基板に対向配置される対向基板であり、前記電極は、前記対向基板の前記薄膜を構成する対向電極であることを特徴とする。
【００１９】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、製造工程中、基板の裏面に接触傷等が形成されてしまうことを防止し、静電チャックを用いて基板を成膜装置、エッチング装置のステージ等に固定するための導電膜を、基板の裏面の遮光領域に残すことにより、素子基板に形成されているスイッチング素子であるトランジスタに光が入光し、該トランジスタが誤動作してしまいトランジスタ特性が劣化してしまうことを、基板の裏面に導電膜を残す簡単な構成にて工程数を増大することなくより確実に防止することができる。また、基板の裏面の遮光領域に、導電膜を残すことにより、該導電膜により、基板の熱の放熱を促進することができるため、工程数を増大することなく電気光学装置の温度上昇を防止することができるといった効果を有する。
【００２０】
また、前記導電膜は、遮光性を有する膜から構成されていることを特徴とする。
【００２１】
さらに、前記遮光性を有する膜は、ポリシリコン膜から構成されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、導電膜は遮光性を有するポリシリコン膜から構成されていることにより、基板製造後、基板の裏面の遮光領域に残されたポリシリコン膜により、素子基板に形成されているスイッチング素子であるトランジスタに光が入光し、該トランジスタが誤動作してしまいトランジスタ特性が劣化してしまうことを、基板の裏面に遮光性を有するポリシリコン膜を残す簡単な構成にて工程数を増大することなく確実に防止することができるといった効果を有する。
【００２３】
また、前記遮光領域は、前記表示領域の外周と前記基板の外周縁との間の領域に形成されており、前記裏面導電膜除去工程は、前記遮光領域の全域に前記導電膜を残すことを特徴とする。
【００２４】
本発明によれば、基板の裏面における遮光領域の全域に導電膜を残すことにより、素子基板に形成されているスイッチング素子であるトランジスタに光が入光し、該トランジスタが誤動作してしまいトランジスタ特性が劣化してしまうことを、工程数を増大することなくより確実に防止することができる。また、残された導電膜の面積が大きいほど、基板の熱の放熱をより促進することができるため、基板の裏面の遮光領域の全域に導電膜を残すことにより、電気光学装置の温度上昇を、工程数を増大することなくより確実に防止することができるといった効果を有する。
【００２５】
さらに、前記基板は、それぞれ大板の基板に構成されており、前記導電膜形成工程は、前記大板の基板の表面及び裏面に前記導電膜を形成し、前記表面導電膜除去工程は、前記大板の基板の前記表面の導電膜を除去することを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、大板の基板に構成された素子基板と対向基板との少なくとも一方の基板を製造する際であっても、製造工程中、基板の裏面に接触傷等が形成されてしまうことを防止するとともに、静電チャックを用いて基板を各成膜装置、エッチング装置のステージに固定するための導電膜を、大板に構成された基板の裏面の遮光領域に残すことにより、素子基板に形成されているスイッチング素子であるトランジスタに光が入光し、該トランジスタが誤動作してしまいトランジスタ特性が劣化してしまうことを、基板の裏面に導電膜を残す簡単な構成にて、工程数を増大することなく確実に防止することができる。また、基板の裏面の遮光領域に、導電膜を残すことにより、該導電膜により、基板の熱の放熱を促進することができるため、電気光学装置の温度上昇を、工程数を増大することなく防止することができるといった効果を有する。
【００２７】
また、前記裏面導電膜除去工程は、前記大板の基板から前記第１の基板または前記第２の基板を分断する際の分断線が形成される領域の前記大板の基板の前記裏面の前記導電膜を少なくとも除去すること特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、大板から該大板に構成された基板を、分断機を用いて分断するに際し、大板の基板の裏面の分断線の形成領域から導電膜を除去することにより、基板を大板から容易に分断することができるといった効果を有する。
【００２９】
さらに、前記裏面導電膜除去工程後に、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせ、電気光学装置を製造する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とのいずれかの基板の前記裏面に形成された前記導電膜が、前記表示領域に開口が形成された実装ケースの前記遮光領域に有底穴として形成された収容部の底部に当接するよう、前記実装ケースに前記電気光学装置を収容する工程と、をさらに具備し、前記基板は、前記収容部と平面上、同じ大きさを有していることを特徴とする。
【００３０】
本発明によれば、基板の裏面の表示領域の外周と基板の外周縁との間の遮光領域の全域に導電膜が形成された基板を、該基板と平面上同じ大きさを有している実装ケースの有底穴の収容部に、基板の裏面の導電膜が収容部の底部に当接するよう載置して、電気光学装置を実装ケースに収容することにより、基板の側面と有底穴の収容部の側面との間に間隙が生じないことにより、素子基板に形成されているスイッチング素子であるトランジスタに光が入光し、該トランジスタが誤動作してしまいトランジスタ特性が劣化してしまうことを、工程数を増大させずにより確実に防止することができる。また、電気光学装置を実装ケースに収容した後、基板の熱の放熱を、導電膜に接触する実装ケースの収容部の載置面及び内周面を介して促進することができるため、電気光学装置の温度上昇を、工程数を増大させずに防止することができるといった効果を有する。
【００３１】
また、本発明に係る電気光学装置は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置であって、薄膜形成前の前記第１の基板と薄膜形成前の前記第２の基板との少なくとも一方の基板の裏側の裏面の前記表示領域を囲む遮光領域に導電膜が形成されていることを特徴とする。
【００３２】
本発明の電気光学装置によれば、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の基板の裏面の遮光領域には、導電膜が残されていることにより、いずれかの基板に形成されているスイッチング素子であるトランジスタに光が入光し、該トランジスタが誤動作してしまいトランジスタ特性が劣化してしまうことを、確実に防止することができる。また、基板の裏面の導電膜により、基板の熱の放熱を促進することができるため、電気光学装置の温度上昇を防止することができるといった効果を有する。
【００３３】
また、本発明に関わる電子機器は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置を具備する電子機器であって、薄膜形成前の前記第１の基板と薄膜形成前の前記第２の基板との少なくとも一方の基板の裏側の裏面の前記表示領域を囲む遮光領域に導電膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置を具備する。
【００３４】
本発明の電子機器によれば、電気光学装置の第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の基板の裏面の遮光領域には、導電膜が残されていることにより、いずかの基板に形成されているスイッチング素子であるトランジスタに光が入光し、該トランジスタが誤動作してしまいトランジスタ特性が劣化してしまうことを、確実に防止することができとともに、基板の裏面の導電膜により、基板の熱の放熱を促進することができるため、電気光学装置の温度上昇を防止することができる電気光学装置を具備する電子機器を提供することができるといった効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、第１の基板である素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する第２の基板である対向基板を例に挙げて説明する。
【００３６】
先ず、本実施の形態の製造方法によって製造される液晶装置の全体の構成について説明する。図１は、本実施の形態によって製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図、図３は、一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図である。
【００３７】
図１，図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板やガラス基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板等を用いた対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３８】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する表面１０ｆ側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。
【００３９】
また、対向基板２０の基板上の液晶５０と接する表面２０ｆの全面に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００４０】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００４１】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線１１ａ（図３参照）と複数本のデータ線６ａ（図３参照）とが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交差部分に対応してスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）３０（図３参照）が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが接続されている。
【００４２】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００４３】
また、画素電極９ａと並列に、蓄積容量７０（図３参照）が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。また、蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４４】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。即ち、遮光膜５３は、表示領域４０を囲む遮光領域を規定する。
【００４５】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。
【００４６】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００４７】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００４８】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１ａ及びゲート電極３ａに、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００４９】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００５０】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００５１】
また、図３に示すように、各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス基板等のＴＦＴ基板１０を構成する基板の表面上に、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、概略的に説明する。
【００５２】
この積層構造は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層（成膜層）、ゲート電極３ａを具備するＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、シールド層４００等を含む第５層、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、各層間には、後述する層間絶縁膜がそれぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。
【００５３】
第１層に、例えば、タングステンシリサイドからなる走査線１１ａが、平面形状がストライプ状となるようパターニングされて成膜されている。また、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る遮光機能をも有している。走査線１１ａ上に、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２が、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ法等により成膜されている。
【００５４】
第２層に、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。尚、ＴＦＴ３０は、該ＴＦＴ３０に光が入光しないよう、少なくとも走査線１１ａに平面上覆われた領域に設けられている。
【００５５】
ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、例えばポリシリコン膜等の結晶化シリコン膜からなる半導体層１と、ゲート電極３ａと、ゲート電極３ａと半導体層１とを絶縁するゲート絶縁膜２とから主要部が構成されている。
【００５６】
半導体層１は、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａと、低濃度ソース領域１ｂと、低濃度ドレイン領域１ｃと、高濃度ソース領域１ｄと、高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。そして、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。
【００５７】
下地絶縁膜１２に、平面的にみて半導体層１の両脇に、データ線６ａに沿って延びる半導体層１のチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが掘られている。該コンタクトホール１２ｃｖにより、同一行の走査線１１ａとゲート電極３ａとは、同電位となる。
【００５８】
第３層に、容量部である蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された下部電極７１と、容量電極３００とが、容量となる誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００５９】
ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下に、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００６０】
第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８１が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００６１】
また、第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８３が開孔されている。
【００６２】
さらに、この第１層間絶縁膜４１に、下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１に、中継電極７１９と第２中継層６ａ２とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００６３】
第４層に、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、下層より順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン膜層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。
【００６４】
また、この第４層に、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１及び第２中継層６ａ２が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２に、シールド層用中継層６ａ１と容量電極３００とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０１が開孔されている。
【００６５】
第５層に、シールド層４００が形成されている。また、第５層に、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。
【００６６】
第３層間絶縁膜４３に、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０３、及び第３中継電極４０２と第２中継層６ａ２とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００６７】
第６層に、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下に、第４層間絶縁膜４４が形成されている。また、第４層間絶縁膜４４に、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するために介在されたコンタクトホール８９が開孔されている。
【００６８】
尚、上述した液晶装置の構成は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００６９】
次に、このように構成された液晶装置１００の製造方法を、上述した図１〜図３、図４〜図１５を用いて説明する。尚、以下、液晶装置１００の製造方法は、ＴＦＴ基板１０の製造方法を一例に挙げて説明する。また、各種薄膜成膜前のＴＦＴ基板１０を構成する基板は、石英から構成された大板の基板に複数構成される。即ち、大板の基板の一部がＴＦＴ基板１０を構成する基板を構成するものとして説明する。
【００７０】
図４は、ＴＦＴ基板の製造方法の一部を示すフローチャート、図５は、石英から構成された大板の基板を示す平面図、図６は、図５の大板の基板の表面と裏面に導電膜を形成した状態を示す断面図、図７は、図６の大板の基板の表面から導電膜を除去した状態を示す断面図である。
【００７１】
また、図８は、図７の大板の基板の表面のＴＦＴ基板を構成する複数の領域に、それぞれ複数の薄膜を積層して形成した状態を示す平面図、図９は、図８中のＩＸ−ＩＸ線に沿う概略断面図である。
【００７２】
図１０は、図８の大板の基板の裏面のＴＦＴ基板が構成された領域の各遮光領域のみに、導電膜を残した状態を示す平面図、図１１は、図１０中のＸＩ−ＸＩ線に沿う概略断面図、図１２は、図１０の大板の基板の裏面の一部を拡大して示した部分拡大平面図、図１３は、図１０の大板の基板から分割されたＴＦＴ基板の裏面を拡大して示す拡大平面図である。
【００７３】
図１４は、図１の液晶装置と該液晶装置が収容される実装ケースとカバー部材との部分分解斜視図、図１５は、図１４の液晶装置を実装ケースの収容部に収容した際の部分断面図である。
【００７４】
先ず、図４のステップＳ１に示すように、石英から構成された大板の基板（以下、マザー基板と称す）１１０（図５参照）を、例えばＯ３（オゾン）等を用いて洗浄して、乾燥させた後、マザー基板１１０の歪みを防止するため、マザー基板１１０に対して、例えば１００℃の環境下において、３００ｓｅｃ程度、Ｎ２（窒素）ガスを用いてアニール処理を行う。
【００７５】
その後、ステップＳ２において、既知のバッチ式の縦型のＬＰ−ＣＶＤ装置等を用いて、図６に示すように、マザー基板１１０の表面１１０ｆの全面と裏面１１０ｒの全面とに、遮光性を有する導電膜であるポリシリコン膜１８０を、例えば１００〜５００ｎｍの膜厚に形成する導電膜形成工程を行う。
【００７６】
尚、以下、マザー基板１１０の表面１１０ｆに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｆを付し、裏面１１０ｒに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｒを付す。また、ポリシリコン膜１８０の膜厚は、後述するマザー基板１１０の裏面１１０ｒに接触傷等が形成されないよう保護するために必要な膜厚、及びマザー基板１１０を、枚葉式の成膜装置、ドライエッチング装置の各ステージに、静電チャックを用いて固定する際、固定に十分な静電力を発生させるのに必要な膜厚に形成される。
【００７７】
また、縦型のＬＰ−ＣＶＤ装置を用いたマザー基板１１０に対するポリシリコン膜１８０の形成は、同時に、数枚のマザー基板１１０に対して行ってもよい。さらに、マザー基板１１０の表面１１０ｆ、裏面１１０ｒに形成する導電膜は、ポリシリコン膜に限定されず、例えばリンをドープしたポリシリコン、アモルファスシリコンや他の導電膜であっても構わない。
【００７８】
マザー基板１１０の表面１１０ｆにポリシリコン膜１８０ｆを形成し、裏面１１０ｒにポリシリコン膜１８０ｒを形成した後、ステップＳ３において、図７に示すように、マザー基板１１０の表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、例えばウエットエッチングにより表面１１０ｆの全面から全て除去する表面導電膜除去工程を行う。
【００７９】
このことにより、マザー基板１１０は、裏面１１０ｒの全面のみに、図７に示すように、ポリシリコン膜１８０ｒが形成されることになる。尚、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、製造工程中、マザー基板１１０の裏面１１０ｒに接触傷等が形成されてしまうことを、形成されたポリシリコン膜１８０ｒにより防止するためである。
【００８０】
さらに、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、静電チャックを用いてマザー基板１１０の裏面１１０ｒを枚葉式の成膜装置、エッチング装置の各ステージに載置して、該ステージにマザー基板１１０を固定する際、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０とステージとの間に静電力を発生させ、確実にマザー基板１１０をステージに固定するためである。
【００８１】
また、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、マザー基板１１０を加熱する際、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０における熱の伝導を均一化させるためである。
【００８２】
次いで、ステップＳ４において、図８、図９に示すように、マザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆが除去された表面１１０ｆに、マザー基板１１０に複数のＴＦＴ基板１０を構成するため、ＴＦＴ基板１０毎に、成膜装置、及びエッチング装置を用いて、表面１０ｆに、上述した図３に示した、複数の薄膜である第１層〜第６層までを、最上層に画素電極９ａを形成するまでそれぞれ層状に積層して形成する薄膜形成工程を行う。尚、この段階では、第６層の配向膜１６は形成しない。
【００８３】
尚、この第１層〜第６層までの積層工程は周知であるため、その説明は省略する。また、第１層〜第６層を積層して形成する際は、マザー基板１１０を、必要に応じて、枚葉式の成膜装置、ドライエッチング装置の各ステージに、該ステージとマザー基板１１０の裏面１１０ｒとの間に電圧印加後に発生する静電力を用いる静電チャックにより固定して行う。
【００８４】
次いで、マザー基板１１０の表面１１０ｆの各ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆに、それぞれ画素電極９ａが形成された後、ステップＳ５において、マザー基板１１０を反転させて、マザー基板１１０の裏面１１０ｒが上方を指向する状態に位置させる。
【００８５】
この際、特殊な装置を用いて、反転後のマザー基板１１０を、各ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆに形成された各種薄膜がステージ等に載置されないよう保持するか、画素電極９ａ上に、保護用の膜を形成するかにより、各ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆに形成された各種薄膜を保護する。
【００８６】
次いで、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの各ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈを囲う遮光領域１０ｓ上に形成されているポリシリコン膜１８０ｒ上に、図示しないフォトレジストを形成する。
【００８７】
尚、遮光領域１０ｓは、各ＴＦＴ基板１０において、表示領域１０ｈの外周と、各ＴＦＴ基板１０の外周縁との間の領域に形成されている。
【００８８】
その後、ステップＳ６において、例えばフッ硝酸を用いたウエットエッチングにより、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの各ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒの少なくとも表示領域１０ｈ上に形成されているポリシリコン膜１８０ｒを除去することにより、各ＴＦＴ基板１０上において、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの各ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒの遮光領域１０ｓ上に形成されているポリシリコン膜１８０ｒのみを残す裏面導電膜除去工程を行う。
【００８９】
尚、この際、マザー基板１１０の裏面１１０ｒに形成されているポリシリコン膜１８０ｒは、遮光領域１０ｓ上に形成されているポリシリコン膜１８０ｒのみを残して全て除去しても構わないし、例えば、マザー基板１１０の裏面１１０ｒのＴＦＴ基板１０が構成されていない領域に形成されているポリシリコン膜１８０ｒは除去しなくとも構わない。
【００９０】
また、図１２に示すように、マザー基板１１０の裏面１１０ｒにおいて、ＴＦＴ基板１０とＴＦＴ基板１０との間の、マザー基板１１０から各ＴＦＴ基板１０を、例えばダイシングで分断する際の分断線となるダイシングライン１７０の領域上のポリシリコン膜１８０ｒも除去すれば、マザー基板１１０から各ＴＦＴ基板１０を、ダイシングにより分断するに際し、ブレードの歯に目詰まりを起こすことなく、各ＴＦＴ基板１０をマザー基板１１０から容易に分断することができる。
【００９１】
さらに、各ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒの遮光領域１０ｓ上に形成されているポリシリコン膜１８０ｒのみを残す際には、遮光領域１０ｓにおける全域にポリシリコン膜１８０ｒを残すとよい。これは、残されたポリシリコン膜１８０ｒの面積が大きいほど、遮光性が向上されるとともに、ＴＦＴ基板１０の熱の放熱をより促進することができるためである。
【００９２】
裏面導電膜除去工程後、遮光領域１０ｓ上に残されたポリシリコン膜１８０ｒ上のフォトレジストを除去した後、再度、マザー基板１１０を、表面１１０ｆが上方を指向するよう反転し、画素電極９ａ上に上述した配向膜１６を形成し、該配向膜１６に既知のラビング処理を施す。
【００９３】
その後、図１３に示すように、マザー基板１１０から、複数構成された各ＴＦＴ基板１０を、例えばダイシングによりダイシングライン１７０に沿って分断することにより、ＴＦＴ基板１０を複数製造する。尚、ＴＦＴ基板１０は、マザー基板１１０に１個のみ構成して、分断後、１個のみ形成してもよい。
【００９４】
尚、以上の工程は、対向基板２０であっても同様である。簡単に説明すると、先ず、石英から構成されたマザー基板１１０の表面１１０ｆの全面と裏面１１０ｒの全面とに、遮光性を有する導電膜であるポリシリコン膜１８０を、例えば１００〜５００ｎｍの膜厚に形成する導電膜形成工程を行った後、マザー基板１１０の表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、表面１１０ｆの全面から全て除去する表面導電膜除去工程を行う。
【００９５】
次いで、マザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆが除去された表面１１０ｆの全面に、対向電極２１を形成する薄膜形成工程を行う。尚、この段階では、配向膜２６は形成しない。
【００９６】
次いで、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの各対向基板２０の表示領域２０ｈを囲う遮光領域とする領域上に形成されているポリシリコン膜１８０ｒ以外を全て除去し、該遮光領域とする領域上のポリシリコン膜１８０ｒのみを残す裏面導電膜除去工程を行う。
【００９７】
裏面導電膜除去工程後、マザー基板１１０の表面１１０ｆの対向電極２１上に上述した配向膜２６を形成し、該配向膜２６に既知のラビング処理を施す。その後、マザー基板１１０を、裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒの外周に沿って、例えばダイシングにより分断することにより、マザー基板１１０から、複数の対向基板２０を分断して対向基板２０を複数製造する。尚、対向基板２０は、マザー基板１１０に１個のみ構成して、分断後、１個のみ形成してもよい。
【００９８】
次いで、それぞれ上述したように製造されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを、各表面１０ｆと２０ｆとが対向するようシール材５２によって貼り合わされて対向配置した後、既知の液晶注入方式であれば、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とのシール材５２で囲まれた領域に、液晶５０を注入して、液晶装置１００を製造する。
【００９９】
尚、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒと対向基板２０の裏面２０ｒには、通常、防塵用のカバーガラスが貼着されるが、以下、説明上、省略して記載する。
【０１００】
その後、液晶装置１００を、実装ケース２００に収容する。実装ケース２００は、液晶装置１００を収容するための略矩形の枠状の部材であり、実装ケース２００には、液晶装置１００の大きさと略一致する段付き穴部である収容部２１０が形成されており、該段付き収容部２１０には、液晶装置１００を収容した際に液晶装置１００の表示領域４０と平面上同じ大きさを有する開口部２０１が形成されている。
【０１０１】
実装ケース２００の収容部２１０には、液晶装置１００が、例えば対向基板２０側から挿入される。収容部２１０は、対向基板２０の大きさと平面上略一致する、第１の底面部２０２を有する有底の第１の穴部２０３と、ＴＦＴ基板１０の外形と平面上略一致する、第２の底面部２０４を有する有底の第２の穴部２０５とから構成されている。尚、第２の穴部２０５は、第１の穴部２０３よりも、平面上大きく形成されている。
【０１０２】
実装ケース２００がこのような構成を有していることにより、液晶装置１００を実装ケース２００の収容部２１０に収容した際、図１５に示すように、対向基板２０の裏面２０ｒの遮光領域に残されたポリシリコン膜１８０ｒが第１の底面部２０２に当接し、対向基板２０の側面が第１の穴部２０３の側面に当接することにより、対向基板２０は、第１の穴部２０３に収容される。尚、対向基板２０の裏面２０ｒに防塵ガラスが貼着されている場合は、対向基板２０を第１の穴部２０３に収容した際、ポリシリコン膜１８０ｒは、第１の底面部２０２に対向して位置する。
【０１０３】
また、対向基板２０と第１の穴部２０３とは平面上略一致する大きさに形成されていることにより、対向基板２０の側面と、第１の穴部２０３の側面との間に、間隙が生じないようになっている。
【０１０４】
また、ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆが第２の底面部２０４に当接し、ＴＦＴ基板１０の側面が第２の穴部２０５の側面に当接することにより、ＴＦＴ基板１０は、第２の穴部２０５に収容される。
【０１０５】
尚、この際、ＴＦＴ基板１０と第２の穴部２０５とは平面上略一致する大きさに形成されていることにより、ＴＦＴ基板１０の側面と、第２の穴部２０５の側面との間に、間隙が生じないようになっている。
【０１０６】
その後、液晶装置１００の表示領域４０と、平面上略同じ大きさに開口部２２１が形成された、ＴＦＴ基板１０と平面上略同じ大きさのカバー部材２２０を、実装ケース２００に収容された液晶装置１００の上方から、実装ケース２００に対して係止させる。この際、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒの遮光領域１０ｓのみに残されたポリシリコン膜１８０ｒは、カバー部材２２０に当接する。尚、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒに防塵ガラスが貼着されている場合は、ポリシリコン膜１８０ｒは、カバーガラス２２０に対向して位置する。
【０１０７】
また、第１の穴部２０３は、収容後、対向基板２０の裏面２０ｒのポリシリコン膜１８０ｒが、第１の底面部２０２のみに当接できるのであれば、対向基板２０の大きさと平面上略一致していなくてもよい。
【０１０８】
また、第２の穴部２０５も、収容後、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒが、カバー部材２２０のみに当接できるのであれば、ＴＦＴ基板１０の外形と平面上略一致していなくてもよい。
【０１０９】
尚、図１４においては、実装ケース２００の収容部２１０には、液晶装置１００が、例えば対向基板２０側から挿入される例を示したが、第１の穴部２０３が、ＴＦＴ基板１０の外形と平面上略一致する大きさに形成されており、第２の穴部２０５が、対向基板２０の外形と平面上略一致する大きさに形成されておれば、収容部２１０に、ＴＦＴ基板１０側から液晶装置１００を挿入してもよい。
【０１１０】
このように、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０の製造工程において、裏面１０ｒに接触傷が形成されてしまうのを防止するともに、成膜装置、エッチング装置等の各ステージにＴＦＴ基板１０を静電チャックにより固定するためにＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒに形成するポリシリコン膜１８０ｒを全面除去せずに、ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆに各種薄膜を形成し、裏面のポリシリコン膜１８０ｒが不要になった後であっても、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈを覆う遮光領域１０ｓのみ残す、裏面金属パターニング工程を有していると示した。
【０１１１】
このことによれば、ＴＦＴ基板１０に形成されているＴＦＴ３０に走査線１１ａでは防ぎきれない光が入光し、該ＴＦＴ３０が誤動作してしまいＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化してしまうことを、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒの遮光領域１０ｓに遮光性を有するポリシリコン膜１８０ｒを、該ポリシリコン膜１８０ｒを除去する工程において残すのみにて工程数を増大することなくより簡単かつ確実に防止することができる。
【０１１２】
また、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒの遮光領域１０ｓに、遮光性を有するポリシリコン膜１８０ｒを残すことにより、該ポリシリコン膜１８０ｒにより、ＴＦＴ基板１０の熱の放熱を促進することができるため、工程数を増大することなく液晶装置１００の温度上昇を防止することができる。
【０１１３】
また、ポリシリコン膜１８０ｒは、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒの表示領域１０ｈの外周とＴＦＴ基板１０の外周縁との間に形成された遮光領域１０ｓの全域に形成されていると示した。
【０１１４】
このことによれば、ＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化してしまうことを、工程数を増大することなくより確実に防止することができるとともに、裏面１０ｒに残されたポリシリコン膜１８０ｒの面積が大きいほど、ＴＦＴ基板１０の熱の放熱をより促進することができるため、液晶装置１００の温度上昇を、工程数を増大することなくより確実に防止することができる。
【０１１５】
尚、これらのことは、対向基板２０の裏面２０ｒの遮光領域のみに、ポリシリコン膜１８０ｒを残す場合や、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の各裏面の遮光領域のみに、ポリシリコン膜１８０ｒを残す場合であっても同様である。
【０１１６】
さらに、液晶装置１００を実装ケース２００の収容部２１０に収容した際、実装ケース２００の収容部２１０の第１の穴部２０３は、対向基板２０の大きさと平面上略一致しており、第２の穴部２０５は、ＴＦＴ基板１０の大きさと平面上略一致していると示した。
【０１１７】
このことによれば、対向基板２０の側面と第１の穴部２０３の側面との間に間隙が生じさせないこと、及びＴＦＴ基板１０の側面と第２の穴部２０５の側面との間に間隙が生じさせないことにより、ＴＦＴ基板１０に形成されているＴＦＴ３０に光が入光し、該ＴＦＴ３０が誤動作してしまいＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化してしまうことを、工程数を増大させずにより確実に防止することができる。
【０１１８】
また、液晶装置１００を実装ケース２００に収容した後、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の裏面に形成された各ポリシリコン膜１８０は、実装ケース２００、カバー部材２２０により多く接触するため、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の熱の放熱を、ポリシリコン膜１８０ｒに接触する実装ケース２００、カバー部材２２０を介して促進することができるため、液晶装置１００の温度上昇を、工程数を増大させずにより確実に防止することができる。
【０１１９】
尚、本実施の形態においては、薄膜形成前のＴＦＴ基板１０、対向基板２０を構成する基板は、それぞれ石英基板から構成されていると示したが、これに限らず、ガラス基板から構成されていても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１２１】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１２２】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【０１２３】
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図１６は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【０１２４】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１００は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）配設されている。
【０１２５】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに各々導かれる。
【０１２６】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【０１２７】
そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本実施の形態によって製造される液晶装置の平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図。
【図４】ＴＦＴ基板の製造方法の一部を示すフローチャート。
【図５】石英から構成された大板の基板を示す平面図。
【図６】図５の大板の基板の表面と裏面に導電膜を形成した状態を示す断面図。
【図７】図６の大板の基板の表面から導電膜を除去した状態を示す断面図。
【図８】図７の大板の基板の表面のＴＦＴ基板を構成する複数の領域に、それぞれ複数の薄膜を積層して形成した状態を示す平面図。
【図９】図８中のＩＸ−ＩＸ線に沿う概略断面図。
【図１０】図８の大板の基板の裏面のＴＦＴ基板が構成された領域の各遮光領域のみに、導電膜を残した状態を示す平面図。
【図１１】図１０中のＸＩ−ＸＩ線に沿う概略断面図。
【図１２】図１０の大板の基板の裏面の一部を拡大して示した部分拡大平面図。
【図１３】図１０の大板の基板から分割されたＴＦＴ基板の裏面を拡大して示す拡大平面図。
【図１４】図１の液晶装置と該液晶装置が収容される実装ケースとカバー部材との部分分解斜視図。
【図１５】図１４の液晶装置を実装ケースの収容部に収容した際の部分断面図。
【図１６】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【符号の説明】
【０１２９】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ｆ…ＴＦＴ基板の表面、１０ｈ…ＴＦＴ基板の表示領域、１０ｒ…ＴＦＴ基板の裏面、１０ｓ…ＴＦＴ基板の遮光領域、２０…対向基板、２０ｆ…対向基板の表面、２０ｈ…対向基板の表示領域、２０ｒ…対向基板の裏面、２１…対向電極、３０…ＴＦＴ、４０…表示領域、５０…液晶、５２…シール材、１００…液晶装置、１１０…マザー基板、１１０ｆ…マザー基板の表面、１１０ｒ…マザー基板の裏面、１７０…ダイシングライン、１８０…ポリシリコン膜、１８０ｆ…表面のポリシリコン膜、１８０ｒ…裏面のポリシリコン膜、２００…実装ケース、２０１…開口部、２０２…第１の底面部、２０３…第１の穴部、２１０…収容部、１１００…プロジェクタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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