(57)【要約】      （修正有）【課題】パターニングによって露出したＣｕ層の側面の酸化を防ぐことができるガス放電パネルの電極形成方法を提供する。【解決手段】本発明のガス放電パネルの電極形成方法は，下地層上に順次形成されたＣｕ層５及び保護層７を電極形状にパターニングし，その後，下地層に対してイオンミリングを行うことによって下地層材料を飛散させ，パターニングによって露出したＣｕ層５の側面に，飛散した下地層材料を付着させることによってＣｕ層５の側面に被覆層１０を形成することを特徴とする。【選択図】図１
2007220486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層上に順次形成されたＣｕ層及び保護層を電極形状にパターニングし，その後，下地層に対してイオンミリングを行うことによって下地層材料を飛散させ，
パターニングによって露出したＣｕ層の側面に，飛散した下地層材料を付着させることによってＣｕ層の側面に被覆層を形成する工程を備えることを特徴とするガス放電パネルの電極形成方法。
【請求項２】
下地層は，基板上に形成された密着層であり，イオンミリングによって電極形状にパターニングされる請求項１に記載のガス放電パネルの電極形成方法。
【請求項３】
下地層は，基板であり，
下地層とＣｕ層との間に密着層をさらに備え，
下地層に対するイオンミリングの前に密着層を電極形状にパターニングする工程をさらに備える請求項１に記載のガス放電パネルの電極形成方法。
【請求項４】
下地層は，基板上に形成された再付着層であり，
再付着層とＣｕ層との間に密着層をさらに備え，
下地層に対するイオンミリングの前に密着層を電極形状にパターニングする工程をさらに備える請求項１に記載のガス放電パネルの電極形成方法。
【請求項５】
下地層は，Ｃｒからなる請求項１に記載のガス放電パネルの電極形成方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１つに記載の方法によって電極を形成し，該電極を覆うように基板上に低融点ガラスペーストを塗布し，焼成することにより誘電体層を形成する工程を含んでなるガス放電パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネルなどのガス放電パネルの電極形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガス放電パネルは，対向する一対の基板構体（前面側基板構体及び背面側基板構体）を封着・排気することによって形成することができる。３電極面放電形式のパネルを例にとると前面側基板構体は，一般に，前面ガラス基板上に透明電極，バス電極，誘電体層，保護膜を形成することによって作製する。背面側基板構体は，一般に，背面ガラス基板上にアドレス電極，誘電体層，隔壁，蛍光体層を形成することによって作製する。
【０００３】
ここで，一例として，背面側基板構体において，背面ガラス基板上にアドレス電極及び誘電体層を形成する従来の方法について，図６（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。
【０００４】
まず，ガラス基板５１上にＣｒ層５３，Ｃｕ層５５，Ｃｒ層５７を順次形成する。Ｃｒ層５３は，ガラス基板５１とＣｕ層５５との間の密着層であり，Ｃｒ層５７は，Ｃｕ層５５の酸化等を防ぐための保護層である。次に，Ｃｒ層５７上にレジストパターン５９を形成し，図６（ａ）に示す構造を得る。
【０００５】
次に，レジストパターン５９をマスクとして，Ｃｒ層５７，Ｃｕ層５５及びＣｒ層５３をパターニングし，その後，レジストパターン５９を除去し，図６（ｂ）に示す構造を得る。このパターニングによって，Ｃｒ層５７，Ｃｕ層５５及びＣｒ層５３の三層構造のアドレス電極が形成される。Ｃｒ層５３，５７及びＣｕ層５５のパターニングは，それぞれ，塩酸のようなクロムエッチング液，ＦｅＣｌ2水溶液のようなＣｕエッチング液を用いたエッチングによって行うことができる。レジストパターン５９の除去は，アセトンのようなレジスト溶解液を用いて行うことができる。このパターニングによってＣｕ層５５の側面が露出する。
次に，得られた基板上に低融点ガラスの粉末に樹脂と溶剤を混合した低融点ガラスペーストを塗布して焼成することによって誘電体層６１を形成し，図６（ｃ）に示す構造を得る。
前面側基板構体のバス電極及び誘電体層もほぼ同様の方法で形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
誘電体層６１を形成する際の焼成は，５００〜６００℃程度で行われ，このとき，パターニングによって露出したＣｕ層５５の側面が酸化され，酸化Ｃｕ層６３が形成される。酸化Ｃｕ層６３は，Ｃｕ層５５と密着性が悪いため，Ｃｕ層５５から剥れ，両者の間に空洞６５が形成されることがある。空洞６５は，誘電体層６１に放電空間に通じるリーク路を形成して絶縁破壊等の障害を引き起こす原因となる。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり，パターニングによって露出したＣｕ層の側面の酸化を防ぐことができるガス放電パネルの電極形成方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００８】
本発明のガス放電パネルの電極形成方法は，下地層上に順次形成されたＣｕ層及び保護層を電極形状にパターニングし，その後，下地層に対してイオンミリングを行うことによって下地層材料を飛散させ，パターニングによって露出したＣｕ層の側面に，飛散した下地層材料を付着させることによってＣｕ層の側面に被覆層を形成する工程を備えることを特徴とする。
下地層に対してイオンミリングを行うと，下地層材料が飛散し，パターニングによって露出したＣｕ層の側面に付着して緻密な被覆層が形成される。この被覆層によって，Ｃｕ層の側面と雰囲気中の酸素との接触が遮断され，Ｃｕ層の酸化が防止される。
【０００９】
本発明の方法は，以下に示す構成の１つ以上をさらに備えてもよい。
下地層は，基板上に形成された密着層であり，イオンミリングによって電極形状にパターニングされてもよい。
下地層は，基板であり，下地層とＣｕ層との間に密着層をさらに備え，下地層に対するイオンミリングの前に密着層を電極形状にパターニングする工程をさらに備えてもよい。
下地層は，基板上に形成された再付着層であり，再付着層とＣｕ層との間に密着層をさらに備え，下地層に対するイオンミリングの前に密着層を電極形状にパターニングする工程をさらに備えてもよい。
下地層及び保護層は，Ｃｒからなってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下，本発明の実施形態を図面を用いて説明する。図面は，説明の便宜のために用いられるものであり，本発明の範囲は，図面に示す実施形態に限定されない。
【００１１】
１．第１実施形態
図１（ａ）〜（ｄ）を用いて，本発明の第１実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造方法について説明する。ここでは，アドレス電極及び誘電体層等を含む背面側基板構体の製造方法を例にとって説明する。
【００１２】
１−１．密着層，Ｃｕ層，保護層形成工程
まず，図１（ａ）に示すようにガラス基板１上に密着層３，Ｃｕ層５，保護層７を形成する。密着層３は，Ｃｕ層５とその下層との間の密着性を高めるための層であり，本実施形態では，Ｃｕ層５とガラス基板１との間の密着性を高めるための層である。保護層７は，Ｃｕ層５の酸化等を防ぐための層である。密着層３及び保護層７は，互いに同一又は異なってもよく，それぞれ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｎｉの１種からなる金属又は２種以上からなる合金で形成することができる。密着層３，保護層７は，それぞれ，スパッタ法又は蒸着法などで形成することができる。密着層３，Ｃｕ層５，保護層７は，電極形状にパターニングされて三層構造のアドレス電極となる。
【００１３】
１−２．パターニング工程
次に，保護層７上にレジストパターン９を形成し，図１（ａ）に示す構造を得る。次に，レジストパターン９をマスクとして，保護層７及びＣｕ層５を電極形状にパターニングし，図１（ｂ）に示す構造を得る。パターニングは，適当なエッチング液を用いてウエットエッチングによって行うことができる。このパターニングによってＣｕ層５の側面が露出する。
【００１４】
１−３．イオンミリング工程
次に，レジストパターン９をマスクとして，密着層３に対してイオンミリングを行うことによって密着層３の材料を飛散させ，上記パターニングによって生じたＣｕ層５の側面に，飛散した密着層３の材料を付着させることによってＣｕ層５の側面に被覆層１０を形成する。この後，レジスト溶解液を用いてレジストパターン９を除去し，図１（ｃ）に示す構造を得る。イオンミリングは，Ａｒイオンミリングが一般的であるが，その他のガスを用いて行ってもよい。Ａｒイオンミリングの条件の一例は，０．５Ｐａ，７００Ｖ，１Ａ，入射角３０°である。入射角は，４５°以下が好ましい。４５°を超えると，Ｃｕ層５の側面にもＡｒイオンが照射され，形成された被覆層１０が削られることがあるからである。密着層３は，イオンミリングによって電極形状にパターニングされる。密着層３は，イオンミリングのみによってパターニングしてもよく，最初はウエットエッチングを行い，その後にイオンミリングを行ってもよい。この場合，イオンミリングを行う時間を被覆層１０を形成するのに必要最小限の時間にすることができ，プロセス全体の時間短縮に繋がる。ここまでの工程で本発明の電極形成方法の一実施形態によってアドレス電極が形成される。
【００１５】
１−４．誘電体層形成工程
次に，得られた基板上に，ここまでの工程で形成したアドレス電極を覆うように，低融点ガラス粉末に樹脂と溶剤を混合した低融点ガラスペーストを塗布して焼成することによって誘電体層１１を形成し，図１（ｄ）に示す構造を得る。焼成は，５００〜６００℃程度で行われる。焼成によって樹脂と溶剤が除去され，ガラス粉末が焼結して誘電体層１１が形成される。Ｃｕ層５の側面には被覆層１０が形成されているので，この側面と雰囲気の酸素との接触が遮断され，Ｃｕ層５の酸化が防止される。
この後は，サンドブラスト法やエッチング法，感光性隔壁材料法等で隔壁を形成し，最後にスクリーン印刷法やディスペンサ法，感光性蛍光体材料法等で蛍光体層を形成して，本実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造を完了する。
【００１６】
２．第２実施形態
図２（ａ）〜（ｃ）を用いて，本発明の第２実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造方法について説明する。ここでは，アドレス電極及び誘電体層等を含む背面側基板構体の製造方法を例にとって説明する。
【００１７】
２−１．密着層，Ｃｕ層，保護層形成，パターニング工程
まず，第１実施形態と同様の方法により，ガラス基板１上に密着層３，Ｃｕ層５，保護層７を形成し，保護層７及びＣｕ層５を電極形状にパターニングにする。次に，密着層３を電極形状にパターニングする。このパターニングは，イオンミリングによって行ってもよく，適当なエッチング液を用いたウエットエッチングによって行ってもよい。ここまでの工程で図２（ａ）に示す構造を得る。
【００１８】
２−２．イオンミリング工程
次に，レジストパターン９をマスクとして，ガラス基板１に対して，イオンミリングを行うことによってガラス基板１の材料を飛散させ，上記パターニングによって露出したＣｕ層５の側面に，飛散したガラス基板１の材料を付着させることによってＣｕ層５の側面に被覆層１０を形成する。この後，レジスト溶解液を用いてレジストパターン９を除去し，図２（ｂ）に示す構造を得る。この場合，ガラス基板１に対するイオンミリングを行う時間は，被覆層１０を形成するのに必要最小限の時間にすることができ，イオンミリングを行う時間を比較的短くすることができる。ここまでの工程で本発明の電極形成方法の一実施形態によってアドレス電極が形成される。
【００１９】
２−３．誘電体層形成工程
次に，第１実施形態と同様の方法により，誘電体層１１を形成し，図２（ｃ）に示す構造を得る。
この後は，第１実施形態と同様の方法で隔壁及び蛍光体層を形成して，本実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造を完了する。
【００２０】
３．第３実施形態
図３（ａ）〜（ｃ）を用いて，本発明の第３実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造方法について説明する。ここでは，アドレス電極及び誘電体層等を含む背面側基板構体の製造方法を例にとって説明する。
【００２１】
３−１．再付着層，密着層，Ｃｕ層，保護層形成，パターニング工程
まず，ガラス基板１上に再付着層１３を形成する。再付着層１３は，ガラス基板１と密着層３の間に設けられ，Ｃｕ層５に再付着させて被覆層１０の形成に用いられる層である。再付着層１３は，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3等の基板表面を不活性化するためのパッシベーション膜などからなる。再付着層１３は，イオンミリングによって飛散しやすい材料で形成することが好ましい。
次に，第２実施形態と同様の方法により，得られた基板１上に密着層３，Ｃｕ層５，保護層７を形成し，レジストパターン９をマスクとして，これらを電極形状にパターニングする。ここまでの工程で図３（ａ）に示す構造を得る。
【００２２】
３−２．イオンミリング工程
次に，レジストパターン９をマスクとして，再付着層１３に対して，イオンミリングを行うことによって再付着層１３の材料を飛散させ，上記パターニングによって露出したＣｕ層５の側面に，飛散した再付着層１３の材料を付着させることによってＣｕ層５の側面に被覆層１０を形成する。この後，レジスト溶解液を用いてレジストパターン９を除去し，図３（ｂ）に示す構造を得る。この場合，再付着層１３に対するイオンミリングを行う時間は，被覆層１０を形成するのに必要最小限の時間にすることができ，イオンミリングを行う時間を比較的短くすることができる。ここまでの工程で本発明の電極形成方法の一実施形態によってアドレス電極が形成される。
【００２３】
３−３．誘電体層形成工程
次に，第１実施形態と同様の方法により，誘電体層１１を形成し，図３（ｃ）に示す構造を得る。
この後は，第１実施形態と同様の方法で隔壁及び蛍光体層を形成して，本実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造を完了する。
【００２４】
４．第４実施形態
図４（ａ）〜（ｃ）を用いて，本発明の第４実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造方法について説明する。ここでは，透明電極，バス電極及び誘電体層等を含む前面側基板構体の製造方法を例にとって説明する。
【００２５】
４−１．透明電極，密着層，Ｃｕ層，保護層形成工程
まず，ガラス基板１上に透明電極１５を形成する。透明電極１５は，ＩＴＯ，ＳｎＯ2，ＺｎＯ等などからなる。
次に，第２実施形態と同様の方法により，得られた基板１上に密着層３，Ｃｕ層５，保護層７を形成し，レジストパターン９をマスクとして，これらを電極形状にパターニングする。密着層３，Ｃｕ層５，保護層７は，電極形状にパターニングされて三層構造のバス電極となる。ここまでの工程で図４（ａ）に示す構造が得られる。
【００２６】
４−２．イオンミリング工程
次に，レジストパターン９をマスクとして，透明電極１５に対して，イオンミリングを行うことによって透明電極１５の材料を飛散させ，上記パターニングによって露出したＣｕ層５の側面に，飛散した透明電極１５の材料を付着させることによってＣｕ層５の側面に被覆層１０を形成する。この後，レジスト溶解液を用いてレジストパターン９を除去し，図４（ｂ）に示す構造を得る。この場合，透明電極１５に対するイオンミリングを行う時間は，被覆層１０を形成するのに必要最小限の時間にすることができ，イオンミリングを行う時間を比較的短くすることができる。ここまでの工程で本発明の電極形成方法の一実施形態によってバス電極が形成される。
【００２７】
４−３．誘電体層形成工程
次に，第１実施形態と同様の方法により，誘電体層１１を形成し，図４（ｃ）に示す構造を得て，本実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造を完了する。
この後は，誘電体層１１上にＭｇＯなどからなる保護層を形成して，本実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造を完了する。
【００２８】
以上の実施形態で示した種々の特徴は，互いに組み合わせることができる。１つの実施形態中に複数の特徴が含まれている場合，そのうちの１又は複数個の特徴を適宜抜き出して，単独で又は組み合わせて，本発明に採用することができる。
【実施例】
【００２９】
本発明の方法により実際にＣｕ層の側面に被覆層を形成した例について，図５（ａ），（ｂ）の概念図を用いて説明する。
まず，図５（ａ）に示すように，ガラス基板３１上に下地層として厚さ０．５μｍのＮｉ−Ｆｅ合金層３３及び厚さ３μｍのＣｕ層３５をスパッタ法により形成した。次に，Ｃｕ層３５上にレジストパターン３７を形成した。次に，レジストパターン３７をマスクとしてＦｅＣｌ2水溶液を用いてＣｕ層３５をエッチングしてＣｕ層３５を電極形状にパターニングした。ここまでの工程で図５（ａ）に示す構造が得られる。
【００３０】
次に，Ａｒ  ０．５Ｐａ，  ７００Ｖ，  １Ａ，入射角θ＝３０°の条件でＮｉ−Ｆｅ合金層３３が消失するまでイオンミリングを行った。これによって，Ｃｕ層３５の側面に被覆層３９が形成され，図５（ｂ）に示す構造が得られる。
【００３１】
ＦＩＢ法によって，得られた試料の断面の観察を行ったところ，確かに，Ｃｕ層３５の側面には，Ｎｉ合金からなる厚さ０．２μｍの被覆層３９が形成されており，本発明の方法によって，被覆層の形成が可能であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は，本発明の第１実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は，本発明の第２実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は，本発明の第３実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は，本発明の第４実施形態のガス放電パネル用基板構体の製造工程を示す断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は，本発明の実施例で用いた構造を説明するための断面図（概念図）である。
【図６】従来のガス放電パネル用基板構体の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１：ガラス基板  ３：密着層  ５：Ｃｕ層  ７：保護層  ９：レジストパターン  １０：被覆層  １１：誘電体層  １３：再付着層  １５：透明電極  ３１：ガラス基板  ３３：Ｎｉ−Ｆｅ合金層  ３５：Ｃｕ層  ３７：レジストパターン  ３９：被覆層  ５１：ガラス基板  ５３：Ｃｒ層  ５５：Ｃｕ層  ５７：Ｃｒ層  ５９：レジストパターン  ６１：誘電体層  ６３：酸化Ｃｕ層  ６５：空洞
【図１】
2007220486.tif 000003
【図２】
2007220486.tif 000004
【図３】
2007220486.tif 000005
【図４】
2007220486.tif 000006
【図５】
2007220486.tif 000007
【図６】
2007220486.tif 000008