(57)【要約】【課題】温度上昇を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる半導体装置１００は、ｎ型またはｐ型の導電型のＧａＡｓ基板１０１と、エピタキシャル成長によって前記ＧａＡｓ基板上に形成された放熱層１１０と、エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたｎ型またはｐ型の半導体層１４０と、を含み、前記放熱層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層からなり、ｘは、０≦ｘ≦１を満たす。【選択図】図１
2007311617.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型またはｐ型の導電型のＧａＡｓ基板と、
エピタキシャル成長によって前記ＧａＡｓ基板上に形成された放熱層と、
エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたｎ型またはｐ型の半導体層と、
を含み、
前記放熱層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層からなり、
ｘは、０≦ｘ≦１を満たす、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記放熱層は、半絶縁性のＡｌＡｓ層を有する、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記放熱層は、半絶縁性のＧａＡｓ層を有する、半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
当該半導体装置は、面発光型半導体レーザであり、
前記半導体層は、
前記放熱層の上方に形成された第１導電型の第１ミラーと、
前記第１ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第２導電型の第２ミラーと、
を有する、半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記放熱層は、ミラーとして機能するように半導体多層膜からなる、半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記活性層は、ＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層からなり、
前記放熱層は、半絶縁性のＡｌＡｓ層と半絶縁性のＡｌＧａＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなる、半導体装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記活性層は、ＩｎＧａＡｓ層とＧａＡｓ層からなり、
前記放熱層は、半絶縁性のＡｌＡｓ層と半絶縁性のＧａＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなる、半導体装置。
【請求項８】
請求項５において、
前記第１ミラーの上面に形成された第１電極と、
前記第２ミラーの上面に形成された第２電極と、
をさらに含む、半導体装置。
【請求項９】
請求項４において、
前記放熱層は、半絶縁性のＡｌＡｓ層からなり、
前記第１ミラーは、ｘ値の異なる２種類のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなり、
前記第１ミラーの最下層は、ｘ値の低いＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層からなる、半導体装置。
【請求項１０】
請求項４において、
前記放熱層は、半絶縁性のＧａＡｓ層からなり、
前記第１ミラーは、ｘ値の異なる２種類のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなり、
前記第１ミラーの最下層は、ｘ値の高いＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層からなる、半導体装置。
【請求項１１】
ｎ型またはｐ型の導電型のＧａＡｓ基板を準備する工程と、
前記ＧａＡｓ基板の上方に、基板側から放熱層、第１ミラー、活性層、および第２ミラーを構成するための半導体多層膜をエピタキシャル成長によって形成する工程と、
前記半導体多層膜をパターニングすることにより、活性層および第２ミラーを含む柱状部を形成する工程と、
を含み、
前記放熱層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層からなり、
ｘは、０≦ｘ≦１を満たす、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に面発光半導体レーザ等の半導体装置は、駆動時の発熱による温度上昇により出力が制限される等の誤動作を招く場合がある。この温度上昇を抑制するためには、種々の方法があるが、たとえば特許文献１には、放熱性の高い材料を半導体装置の周囲に埋め込む方法が記載されている。
【特許文献１】特開平９−４５９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、温度上昇を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明にかかる半導体装置は、
ｎ型またはｐ型の導電型のＧａＡｓ基板と、
エピタキシャル成長によって前記ＧａＡｓ基板上に形成された放熱層と、
エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたｎ型またはｐ型の半導体層と、
を含み、
前記放熱層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層からなり、
ｘは、０≦ｘ≦１を満たす。
【０００５】
本発明にかかる半導体装置において、
前記放熱層は、半絶縁性のＡｌＡｓ層を有することができる。
【０００６】
本発明にかかる半導体装置において、
前記放熱層は、半絶縁性のＧａＡｓ層を有することができる。
【０００７】
本発明にかかる半導体装置において、
当該半導体装置は、面発光型半導体レーザであり、
前記半導体層は、
前記放熱層の上方に形成された第１導電型の第１ミラーと、
前記第１ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第２導電型の第２ミラーと、
を有することができる。
【０００８】
本発明にかかる半導体装置において、
前記放熱層は、ミラーとして機能するように半導体多層膜からなることができる。
【０００９】
本発明にかかる半導体装置において、
前記活性層は、ＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層からなり、
前記放熱層は、半絶縁性のＡｌＡｓ層と半絶縁性のＡｌＧａＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなることができる。
【００１０】
本発明にかかる半導体装置において、
前記活性層は、ＩｎＧａＡｓ層とＧａＡｓ層からなり、
前記放熱層は、半絶縁性のＡｌＡｓ層と半絶縁性のＧａＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなることができる。
【００１１】
本発明にかかる半導体装置において、
前記第１ミラーの上面に形成された第１電極と、
前記第２ミラーの上面に形成された第２電極と、
をさらに含むことができる。
【００１２】
本発明にかかる半導体装置において、
前記放熱層は、半絶縁性のＡｌＡｓ層からなり、
前記第１ミラーは、ｘ値の異なる２種類のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなり、
前記第１ミラーの最下層は、ｘ値の低いＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層からなることができる。
【００１３】
本発明にかかる半導体装置において、
前記放熱層は、半絶縁性のＧａＡｓ層からなり、
前記第１ミラーは、ｘ値の異なる２種類のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなり、
前記第１ミラーの最下層は、ｘ値の高いＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層からなることができる。
【００１４】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
ｎ型またはｐ型の導電型のＧａＡｓ基板を準備する工程と、
前記ＧａＡｓ基板の上方に、基板側から放熱層、第１ミラー、活性層、および第２ミラーを構成するための半導体多層膜をエピタキシャル成長によって形成する工程と、
前記半導体多層膜をパターニングすることにより、活性層および第２ミラーを含む柱状部を形成する工程と、
を含み、
前記放熱層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層からなり、
ｘは、０≦ｘ≦１を満たす。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
１．半導体装置の構成
本実施の形態では、半導体装置の一例として面発光型半導体レーザ１００を適用した場合について説明する。図１は、本発明を適用した実施の形態に係る面発光型半導体レーザ１００を模式的に示す断面図である。
【００１７】
面発光型半導体レーザ１００は、ｎ型またはｐ型の導電型のＧａＡｓ基板（本実施の形態ではｎ型ＧａＡｓ基板）１０１と、エピタキシャル成長によってｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に形成された放熱層１１０と、エピタキシャル成長によって放熱層１１０の上方に形成された半導体層１４０とを含む。
【００１８】
放熱層１１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１より熱伝導率が高く、かつｎ型ＧａＡｓ基板１０１上にエピタキシャル成長可能な材質、即ちｎ型ＧａＡｓからなる結晶と格子整合する材質からなる。具体的に放熱層１１０は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層からなる。このときｘは、０≦ｘ≦１を満たす。放熱層１１０は、たとえば半絶縁性のＡｌＡｓ層または半絶縁性のＧａＡｓ層であることができる。半絶縁性のＡｌＡｓ層は、アンドープのＡｌＡｓ層であることができる。また半絶縁性のＧａＡｓ層は、アンドープのＧａＡｓ層またはＣｒを添加したＧａＡｓ層であることができる。
【００１９】
面発光型半導体レーザ１００において、半導体層１４０がレーザを発振する機能を有する。この面発光型半導体レーザ１００は垂直共振器を有する。また、この面発光型半導体レーザ１００は、柱状の半導体堆積体（以下「柱状部」とする）１３０を含むことができる。
【００２０】
半導体層１４０は、例えば、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下、「第１ミラー」という）１０２と、ＧａＡｓウエル層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される量子井戸構造を含む活性層１０３と、ｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下、「第２ミラー」という）１０４と、が順次積層されて構成されている。
【００２１】
第１ミラー１０２の最下層１２は、たとえばＡｌ組成の高い半導体層からなることができる。具体的には、放熱層１１０として半絶縁性のＧａＡｓ層を適用した場合には、最下層１２は、上述した第１ミラー１０２のＡｌ組成の大きい方、すなわちｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層となるように形成されている。一方、放熱層１１０として半絶縁性のＡｌＡｓ層を適用した場合には、最下層１２は、上述した第１ミラー１０２のＡｌ組成の小さい方、すなわちｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓとなるように形成されている。
【００２２】
第２ミラー１０４の最上層１４は、たとえばＡｌ組成の低い半導体層、もしくはＧａＡｓ層からなることができる。具体的に最上層１４は、上述した第２ミラー１０４のＡｌ組成の小さい方、すなわちｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層、またはｐ型ＧａＡｓ層となるように形成されている。
【００２３】
第２ミラー１０４は、たとえば炭素（Ｃ）がドーピングされることによりｐ型にされ、第１ミラー１０２は、たとえばケイ素（Ｓｉ）がドーピングされることによりｎ型にされている。したがって、ｐ型の第２ミラー１０４、不純物がドーピングされていない活性層１０３、およびｎ型の第１ミラー１０２により、ｐｉｎダイオードが形成される。
【００２４】
また、面発光型半導体レーザ１００のうち、第２ミラー１０４から第１ミラー１０２の途中にかけての部分が、第２ミラー１０４の上面からみて円形の形状にエッチングされて柱状部１３０が形成されている。なお、本実施の形態では、柱状部１３０の平面形状を円形としたが、この形状は任意の形状をとることができる。
【００２５】
さらに、面発光型半導体レーザ１００は、活性層１０３の上方に酸化狭窄層１０５をさらに含む。具体的に酸化狭窄層１０５は、第２ミラー１０４を構成する層のうち活性層１０３に近い領域の、ＡｌｘＧａ1-ｘＡｓ（ｘ＞０．９５）層を側面から酸化することにより得られる。この酸化狭窄層１０５はたとえばリング状に形成されている。すなわち、この酸化狭窄層１０５は、図１に示すｎ型ＧａＡｓ基板１０１の表面１０１ａと平行な面で切断した場合における断面形状が、柱状部１３０の平面形状の円形と同心の円のリング状であることができる。
【００２６】
また、面発光型半導体レーザ１００は、第１電極１０７および第２電極１０９をさらに含む。この第１電極１０７および第２電極１０９は、面発光型半導体レーザ１００を駆動するために使用される。
【００２７】
第１電極１０７は、図１に示すように、第１ミラー１０２の上面に設けられている。これにより第１電極１０７は、第１ミラー１０２と電気的に接続されている。第２電極１０９は、第２ミラー１０４の上面に設けられている。
【００２８】
第１電極１０７は、例えば金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）の合金と、金（Ａｕ）との積層膜からなる。また、第２電極１０９は、例えば白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）および金（Ａｕ）の積層膜からなる。第１電極１０７と第２電極１０９とによって活性層１０３に電流が注入される。なお、第１電極１０７および第２電極１０９を形成するための材料は、前述したものに限定されるわけではなく、例えば金（Ａｕ）と亜鉛（Ｚｎ）との合金などが利用可能である。
【００２９】
また面発光型半導体レーザ１００は、第１絶縁層３０を含む。第１絶縁層３０は、主として柱状部１３０を取り囲むように、かつ第１ミラー１０２の上面に形成されている。第１絶縁層３０は、絶縁性材料からなり、たとえばポリイミドからなることができる。
【００３０】
本実施の形態の面発光型半導体レーザ１００の動作を以下に示す。まず、第１電極１０７と第２電極１０９とで、ｐｉｎダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層１０３において、電子と正孔との再結合が起こり、該再結合による発光が生じる。そこで生じた光が第２ミラー１０４と第１ミラー１０２との間を往復する際に誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわると、レーザ発振が起こり、第２ミラー１０４の上面（出射面１１５）からレーザ光が出射する。
【００３１】
本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザ１００では、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１と半導体層１４０との間に放熱層１１０が設けられている。これにより、面発光型半導体レーザ１００が駆動する際に半導体層１４０において発熱した場合に、効率よく放熱して温度上昇するのを抑制することができる。これにより、面発光型半導体レーザ１００の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
また本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザ１００では、ｎ型またはｐ型のＧａＡｓ基板１０１を用いている。これにより、半絶縁性のＧａＡｓ基板を用いる場合と比べて、半導体層１４０の結晶性を良好にすることができる。
【００３３】
２．半導体装置の製造方法
本実施の形態では、半導体装置の製造方法一例として面発光型半導体レーザ１００の製造方法を説明する。図２および図３は、図１に示す面発光型半導体レーザ１００の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図１に示す断面図に対応している。
【００３４】
（１）まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の表面１０１ａに、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、図２に示すように、半導体多層膜１５０が形成される。ここで、半導体多層膜１５０は例えば、半絶縁性のＧａＡｓ層からなる放熱層１１０ａ、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ層とを交互に積層した３８．５ペアの第１ミラー１０２ａ、ＧａＡｓウエル層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される量子井戸構造を含む活性層１０３ａ、ｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ層とを交互に積層した２４ペアの第２ミラー１０４ａからなる。これらの層を順にｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に積層させることにより、半導体多層膜１５０が形成される。
【００３５】
なお、第２ミラー１０４ａを成長させる際に、活性層１０３ａ近傍の少なくとも１層を、後に酸化されて酸化狭窄層１０５となるＡｌＡｓ層またはＡｌＧａＡｓ層に形成することができる。この酸化狭窄層１０５となるＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成は、例えば０．９５以上である。本実施の形態において、ＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成とは、３族元素に対するアルミニウム（Ａｌ）の組成である。ＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成は、０から１までである。すなわち、ＡｌＧａＡｓ層は、ＧａＡｓ層（Ａｌ組成が０の場合）およびＡｌＡｓ層（Ａｌ組成が１の場合）を含む。また、第２ミラー１０４ａ最表面の層は、キャリア密度を高くし、第２電極１０９とのオーミック接触をとりやすくしておくのが望ましい。
【００３６】
エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の種類、あるいは形成する半導体多層膜１５０の種類、厚さ、およびキャリア密度によって適宜決定されるが、一般に、４５０℃〜８００℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、ＭＢＥ法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、あるいはＬＰＥ法（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることができる。
【００３７】
なお、放熱層１１０ａとして半絶縁性のＧａＡｓ層を成長させる際には、ＧａＡｓ層にＣｒをドープするか、または通常よりも低い温度で窒素過剰の条件下で成長させることが好ましい。
【００３８】
（２）次に、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、半導体多層膜１５０をパターニングする。これにより、図３に示すように、柱状部１３０が形成される。
【００３９】
（３）次いで、例えば４００℃程度の水蒸気雰囲気中に、上記工程によって柱状部１３０が形成されたｎ型ＧａＡｓ基板１０１を投入することにより、前述の第２ミラー１０４中のＡｌ組成が高い層を側面から酸化して、酸化狭窄層１０５が形成される（図１参照）。
【００４０】
酸化レートは、炉の温度、水蒸気の供給量、酸化すべき層のＡｌ組成および膜厚に依存する。酸化により形成される酸化狭窄層１０５を備えた面発光型半導体レーザ１００では、駆動する際に、酸化狭窄層１０５が形成されていない部分（酸化されていない部分）のみに電流が流れる。従って、酸化によって酸化狭窄層１０５を形成する工程において、形成する酸化狭窄層１０５の範囲を制御することにより、電流密度の制御が可能となる。
【００４１】
（４）次いで、図１に示すように、第１絶縁層３０が形成される。第１絶縁層３０は、たとえば、熱または光等のエネルギーによって硬化可能な液体材料（例えば紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂の前駆体）を硬化させることにより得られるものを用いることができる。紫外線硬化型樹脂としては、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂が挙げられる。また、熱硬化型樹脂としては、熱硬化型のポリイミド系樹脂等が例示できる。また、絶縁層１０６は、たとえば、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの無機系の誘電体膜を用いることができる。また、第１絶縁層３０は、たとえば上記材料を複数用いて積層膜とすることもできる。
【００４２】
（５）次いで、図１に示すように、第２ミラー１０４の上面に第２電極１０９が形成される。まず、第２電極１０９を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、第２ミラー１０４の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。
【００４３】
次いで、例えば真空蒸着法により、例えばチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）の積層膜（図示せず）を形成する。次いで、リフトオフ法により、所定の位置以外の積層膜を除去することにより、第２電極１０９が形成される。本工程では、熱処理を行わずに、第２電極１０９と第２ミラー１０４の最上面はオーミックコンタクトを得ることができる。
【００４４】
（６）次いで、図１に示すように、第１ミラー１０２の上面に第１電極１０７が形成される。まず、第１電極１０７を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、第１ミラー１０２の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。
【００４５】
次いで、例えば真空蒸着法により、例えば金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）の合金、ニッケル（Ｎｉ）、および金（Ａｕ）の積層膜（図示せず）を形成する。次に、公知のリフトオフ技術を用いて、所定の位置以外の積層膜を除去することで、第１ミラー１０２の上面に第１電極１０７が形成される。
【００４６】
次いで、例えば窒素雰囲気中において、アニール処理を行う。アニール処理の温度は、例えば４００℃前後で行う。アニール処理の時間は、例えば３分程度行う。
【００４７】
以上の工程により、図１に示すように、本実施形態の面発光型半導体レーザ１００が得られる。
【００４８】
３．変形例
次に本実施の形態にかかる変形例を説明する。上述した面発光型半導体レーザ１００の放熱層は、単層の半導体層であったが、これにかえて半導体多層膜からなっていてもよい。この場合には、放熱層は、下部ミラーの一部として機能することができる。
【００４９】
図４は、変形例にかかる面発光型半導体レーザ２００を模式的に示す断面図である。図５は、変形例にかかる面発光型半導体レーザ２００を模式的に示す拡大図であり、図４の領域Ｖを示す断面図である。面発光型半導体レーザ２００は、半導体多層膜からなる放熱層２１０を含む。放熱層２１０は、ｘ値の異なる２種類の半絶縁性のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなることができ、活性層１０３からの光を吸収しない材質からなる。
【００５０】
具体的には、活性層１０３がＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層からなる場合には、レーザ波長が７８０ｎｍ〜８６０ｎｍであるため、放熱層２１０は、半絶縁性のＡｌＡｓ層と半絶縁性のＡｌＧａＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなることができる。また、活性層１０３がＩｎＧａＡｓ層とＧａＡｓ層からなる場合には、レーザ波長が９００ｎｍ〜１２００ｎｍであるため、放熱層２１０は、半絶縁性のＡｌＡｓ層と半絶縁性のＧａＡｓ層を交互に積層した半導体多層膜からなることができる。
【００５１】
第１ミラー２０２は、図５に示すように、たとえば２層からなることができ、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層２１２とｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ層２１３とを含むことができる。このとき放熱層２１０は、半絶縁性のＡｌＡｓ層２１０ａと半絶縁性のＡｌＧａＡｓ層２１０ｂとを含むことができる。
【００５２】
このように、放熱層２１０がミラーとして機能することにより、放熱層２１０の上に形成されている第１ミラー２０２のペア数を減らすことができる。即ち、放熱層２１０の膜厚を大きく形成することができ、効率よく面発光型半導体レーザ１００の放熱を行うことができる。
【００５３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば実施の形態において、各半導体層におけるｐ型とｎ型とを入れ替えても本発明の趣旨を逸脱するものではない。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態にかかる面発光型半導体レーザを模式的に示す断面図。
【図２】実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造工程を模式的に示す断面図。
【図３】実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造工程を模式的に示す断面図。
【図４】変形例にかかる面発光型半導体レーザを模式的に示す断面図。
【図５】変形例にかかる面発光型半導体レーザを模式的に示す拡大図。
【符号の説明】
【００５５】
１００、２００  面発光型半導体レーザ、１０１  ＧａＡｓ基板、１０２  第１ミラー、１０３  活性層、１０４  第２ミラー、１０５  酸化狭窄層、１０７  第１電極、１０９  第２電極、１１０  放熱層、１１５  出射面、１５０  半導体多層膜
【図１】
2007311617.tif 000003
【図２】
2007311617.tif 000004
【図３】
2007311617.tif 000005
【図４】
2007311617.tif 000006
【図５】
2007311617.tif 000007