(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコン基板の１００及び１１１面上に均一な酸化物層を成長させる方法の提供。【解決手段】第１のファセット１６ａ及び第２のファセット１２ａ上に酸化物の第１の層２０を成長させる段階を含み、第１のファセット１６ａがより速い酸化物成長速度を有する例示的方法を含む。酸化物は、第１のファセット１６ａから除去され、第２の酸化物層が、第１のファセット１６ａ及び第２のファセット１６ｂ上に成長する。第１のファセット１６ａから酸化物を除去する段階は、第２のファセット１２ａを遮蔽する段階と、基板を酸化物除去条件に曝す段階とを含む。次いで、第２のファセット１２ａが露出されて、第２の酸化物層を受ける。酸化物層を成長させる段階と、領域を選択的に遮蔽する段階と、露出領域から酸化物を除去する段階とを繰り返し行うことによって、異なる酸化物厚みを有する領域も成長する。【選択図】図１
2007219509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に層を成長させる方法であって、
第１のファセット（１６ａ）及び第２のファセット（１２ａ）を有し、前記第１のファセット（１６ａ）が前記第２のファセット（１２ａ）よりも層成長速度が速い結晶性基板（１０）を準備する段階と、
前記第１のファセット（１６ａ）及び前記第２のファセット（１２ａ）上に第１の層（２０）を成長させる段階（２８）と、
前記第１のファセットから前記第１の層（２０）を除去する段階（３０）と、
前記第１のファセット（１６ａ）及び前記第２のファセット（１２ａ）上に第２の層（３４）を成長させる段階（３２）と、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のファセット（１６ａ）が、前記結晶性基板（１０）の１１１面に平行であり、前記第２のファセット（１２ａ）が、前記結晶性基板（１０）の１００面に平行であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の層（２０）及び第２の層（３４）が、前記結晶性基板（１０）の酸化物を構成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記結晶性基板（１０）がシリコンであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の層（２０）を成長させる段階が、第１の期間の間層成長条件を維持する段階を含み、前記第２の層を成長させる段階が、第２の期間の間層成長条件を維持する段階を含み、前記第１の持続期間が、Ｓ＊（１−Ｘ／Ｙ）にほぼ等しい厚みを有する酸化物を成長させるのに十分であり、式中Ｓは前記第１及び第２の期間の合計にほぼ等しい合計の期間の間に前記第２のファセット上に成長した酸化物の最終厚み、Ｘは前記第２のファセットの第１の成長速度、Ｙは前記第１のファセットの第２の成長速度であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の層（２０）を成長させる段階が、第１の期間の間層成長条件を維持する段階を含み、前記第２の層を成長させる段階が、第２の期間の間層成長条件を維持する段階を含み、前記第１の期間がｔ１に等しく、前記第２の期間がｔ２に等しく、ここでｔ１は（Ｘｉ（１００）＾２）／Ｂ＋Ｘｉ（１００）／（Ｂ／Ａ）に等しく、ｔ２は（Ｘ０（１００）＾２−Ｘｉ（１００）＾２）／Ｂ＋（Ｘ０（１００）−Ｘｉ（１００））／（Ｂ／Ａ）及び（Ｘ０（１１１）＾２）／Ｂ＋Ｘ０（１００）／（Ｂ／Ａ）に等しく、式中Ｘｉ（１００）は前記第２のファセット（１２ａ）上の前記第１の層（２０）の厚み、Ｘ０（１００）は前記第２のファセット（１２ａ）上の前記第１の層（２０）及び前記第２の層（３４）の厚み、Ｘ０（１１１）は前記第１のファセット（１６ａ）上の前記第２の層の厚みであり、Ｘｉ（１００）＋Ｘ０（１００）とＸ０（１１１）とは等しく、Ｂは前記層成長条件に対応する放物線速度定数に等しく、Ｂ／Ａは前記層成長条件に対応するリニア速度定数であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のファセット（１６ａ）から前記第１の層（２０）を除去する段階（３０）が、
前記第２のファセット（１２ａ）を遮蔽する段階（４０）と、
前記結晶性基板（１０）を、非遮蔽の前記第１の層（２０）を除去するように適合された層除去条件に曝す段階（４４）と、
前記第２のファセット（１２ａ）を再露出させる段階（４６）と、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のファセット（１２ａ）を遮蔽する段階が、
前記第１のファセット（１６ａ）及び第２のファセット（１２ａ）にフォトレジスト化合物（５４）を塗布する段階（５６）と、
前記第１のファセット（１６ａ）及び前記第２のファセット（１２ａ）のうちの１つをマスキング（５８）して、マスキングファセットと非マスキングファセットとを生成する段階と、
前記非マスキングファセットを露光する段階（６２）、
前記第１のファセット（１６ａ）から前記フォトレジスト化合物を除去する段階（６４）と、
を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のファセット（１２ａ）を遮蔽する段階が、前記第２のファセット（１２ａ）上に金属層（８０）を堆積させる段階（７４）を含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２のファセット（１２ａ）上に金属層（８０）を堆積させる段階（７４）が、
前記第１のファセット（１６ａ）をマスキングする段階（７６）と、
前記結晶性基板（１０）の上に金属を拡散させる段階と、
を含む請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
シリコンは光学用途において益々使用されている。現在、導波路、ビームスプリッタ、検出器、レーザ及び同様のものなどの光学要素は、全てシリコンで形成することができる。こうした部品のシリコンからの形成により、小型で周波数応答が高く、低エネルギーの部品を可能にし、並びに半導体加工法を用いた大規模製造が可能になる。
【０００２】
最近、所望の光経路を得る目的でシリコン上に反射防止コーティングを形成するため、薄い酸化シリコン層がシリコン部品上に成長している。適切に機能するためには、反射防止コーティングが光学系で使用される光の波長に適合する厚みを有する必要がある。反射防止コーティングの厚みのどのような変動も好ましくない反射、減衰、及び他の不規則性を持ち込む可能性がある。光スペクトルは４００〜７００ナノメートルであるので、特定の反射防止コーティングを得るには、極度に正確な製造プロセスを必要とする。
【０００３】
シリコンは、１００、１１０、及び１１１面並びにそれらの順列を有する面心立方（ＦＣＣ）結晶構造である。酸素雰囲気中で、酸化物層は１００面と１１１面とに平行なファセット上に異なる速度で成長することになる。従って、１００及び１１１面にそれぞれ平行な同一基板上の２つのファセットは、同じ時間期間の間酸素に曝露された後に異なる厚みの酸化層を有することになる。その結果、ファセットは、同じ波長では光の反射を抑制するのに好適な酸化物層を持たないことになる。
【０００４】
例えば、図１は、シリコン基板の１００面１４に平行なファセット１２ａ−１２ｃ、及び１１１面１８に平行なファセット１６ａ、１６ｂのあるファセット上側表面を有する基板１０を示す。本開示の目的において、１００面１４は、１００、０１０、及び００１面を含むＦＣＣ材料の１００面の順列のいずれかを示すことができる。基板１０上に形成される他のファセットは、１１０面並びにその順列１０１及び０１１に平行とすることができる。
【０００５】
基板１０は、酸化環境に曝露され、これにより酸化物層２０がシリコン基板１０上に成長し、この酸化物層は、１１１面１８のより速い成長速度に起因して、ファセット１６ａ、１６ｂ上の厚み２４よりも薄いファセット１２ａ−１２ｃ上の厚み２２を有することになる。同様に、１１０面上に成長する酸化物層は、厚み２２、２４とは異なる厚みを有する可能性がある。
【０００６】
【非特許文献１】「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｆｏｒ  Ｖｅｒｙ  Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｕｌｔｒａ  Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ」（Ｇａｒｙ  Ｅ．ＭｃＧｕｉｒｅ編、Ｎｏｙｅｓ  Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ、ニュージャージ州パークリッジ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の観点から、１００及び１１１面の両方の上に均一な酸化物層を成長させるシステム及び方法を提供することは当該技術分野における進歩であろう。当該システム及び方法は、シリコン光学要素の大規模製造に使用可能である必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、シリコン基板上に均一な酸化物層を均等に成長させる方法及びシステムを含む。１つの方法は、基板の第１及び第２のファセット上に第１の酸化物の層を成長させる段階を含み、第１のファセットはより速い酸化物成長速度を有する。次いで、第１のファセットから酸化物が除去され、第２の酸化物層が第１及び第２のファセット上に成長する。酸化物を第１のファセットから除去する段階は、第２のファセットを遮蔽する段階と、基板をウェットエッチングプロセスなどの酸化物層を除去するのに適切な条件に曝す段階とを含む。次いで、第２のファセットが露出され、第２の酸化物層が第１及び第２のファセット上に成長する。第２のファセットを遮蔽する段階は、基板にフォトレジストを塗布する段階と、第１のファセットからフォトレジストを除去する段階とを含む。遮蔽段階は、第２のファセットを選択的に金属化する段階を含むこともできる。
【０００９】
第１及び第２の酸化物層を成長させる段階は、シリコン基板をそれぞれ第１及び第２の期間にわたって酸化環境に曝す段階を含む。第１の期間は、Ｓ＊（１−Ｘ／Ｙ）にほぼ等しい厚みを有する酸化物が成長するのに十分な持続時間を有し、式中Ｓは第１及び第２の期間の総和にほぼ等しい合計期間で第２のファセット上に成長する酸化物の最終厚みであり、Ｘは第２のファセット上の第１の成長速度、Ｙは第１のファセットの第２の成長速度である。
【００１０】
本発明の好ましい実施形態及び別の実施形態は、添付図面を参照しながら以下に詳細に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図２から図４は、成長速度が異なるにもかかわらず、基板上に均一な層を成長させる方法２６を示す。ブロック２８で、酸化物層２０などの第１の層が基板１０上に成長する。ブロック３０では、図３に示されるように、ファセット１６ａ、１６ｂなどの成長の速いファセットから層が除去される。成長の速いファセット１６ａ、１６ｂから層を除去する段階は、ウェットエッチングプロセス又は他のこのようなプロセスによって第１のシリコン酸化物層２０を除去する段階を含む。
【００１２】
ブロック３２で、図４に示されるように、第２の酸化物層３４が第１の酸化物層１６に加えて成長する。シリコンでの酸化は、基板のバルク中で内側に進行する。従って、ブロック３２で形成された第２の酸化物層３４は、第１の酸化物層２０の下にある。本発明の他の適用においては、層は基板１０の上に堆積され、異なる面上を異なる速度で堆積される。このような実施形態においては、酸化物層３４は層１６の上に存在することになる。
【００１３】
図２から図４に示された方法２６は、成長の遅いファセット１２ａ−１２ｃ及び成長の速いファセット１６ａ、１６ｂ全体に渡って成長を均等にするための手段を提供する。１つの実施形態において、複数の面全体に渡る均一な層厚は、第１の酸化物層１６の厚みを調整することによって得られる。第１の酸化物層は、数式Ｓ＊（１−Ｘ／Ｙ）に等しい厚みＴ１を有し、式中Ｓは第１の酸化物層２０と第２の酸化物層３４を合わせた厚みであり、Ｘは１００面１４上などの遅い成長速度であり、Ｙは１１１面１８上などの速い成長速度である。第２の酸化物層３４は、Ｓ−Ｔ１に等しい厚みＴ２を有する。
【００１４】
第１の酸化物層２０及び第２の酸化物層３４の厚みは、基板１０が酸化環境に曝される時間の長さを調整することによって制御することができる。従って、第１の酸化物層２０は、基板１０を第１の期間ｔ１酸化環境に曝露することによって形成することができ、第２の酸化物層３４は、基板１０を第２の期間ｔ２酸化環境に曝露することによって形成される。均一な厚みを得るためには、第１の期間と第２の期間の合計に対する第２の期間の比率（ｔ２／（ｔ１＋ｔ２））はＸ／Ｙに等しくなる。
【００１５】
５，０００オングストロームを越えるような大きな厚みを有する酸化物層の場合、酸化物層成長の速度は有意に非線形になる。従って、第１及び第２の期間は、この非線形に対応するように調整される。数式１は、酸化物成長速度の非線形に適応する。シリコン酸化物成長速度での非線形の説明は、「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｆｏｒ  Ｖｅｒｙ  Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｕｌｔｒａ  Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ」（Ｇａｒｙ  Ｅ．ＭｃＧｕｉｒｅ編、Ｎｏｙｅｓ  Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ、ニュージャージ州パークリッジ）で見ることができる。
【００１６】
【数１】
2007219509.tif 000003
式中ｔは、厚みｘｉを有する酸化物層を持つシリコン基板の上に厚みｘ０の酸化物層を形成するのに必要な時間である。Ｂは放物線速度定数であり、Ｂ／Ａは酸化物成長を記述するのに使用されるリニア速度定数である。Ｂ及びＢ／Ａは、数式２及び数式３或いは数式４及び数式５に従って算出される。代替として、Ｂ及びＢ／Ａは、図５及び図６に示された計測値を参照して求めても良い。
【００１７】
【数２】
2007219509.tif 000004
【数３】
2007219509.tif 000005
式中Ｄｅｆｆは酸化物内の有効酸化剤拡散定数、ｋ及びｈはＳｉ−ＳｉＯ２境界面及びガス−酸化物界面での速度定数、Ｃｋは酸化物内の酸化物化学種の平衡濃度、Ｎ１は酸化物単位容積中の酸化剤分子の数である。
【００１８】
【数４】
2007219509.tif 000006
【数５】
2007219509.tif 000007
式中Ｔは、ケルビン度で表わされた、酸化が行われる温度であり、ｋは、Ｓｉ−ＳｉＯ２界面及びガス−酸化物界面での速度定数である。ドライ酸化条件下でのシリコンの１１１面については、Ｃ１＝７．７２×１０２μｍ２／ｈｒ、Ｃ２＝６．２３×１０６μｍ２／ｈｒ、Ｅ１＝１．２３ｅＶ、Ｅ２＝２．０ｅＶである。
ウェット酸化条件下でのシリコンの１１１面については、Ｃ１＝３．６８×１０２μｍ２／ｈｒ、Ｃ２＝１．６３×１０６μｍ２／ｈｒ、Ｅ１＝０．７８ｅＶ、Ｅ２＝２．０５ｅＶである。
シリコンの１００面については、Ｃ２（１００）＝Ｃ２（１１１）／１．７である。
【００１９】
方法２６の１つの実施形態において、数式１は、第１の酸化物層２０の形成時の酸化物成長の持続時間用にブロック２８で用いるｔ１を算出するのに使用され、これにより、時間ｔ２に渡ってブロック３４で第２の酸化物層３４が第１の酸化物層の下に成長するときに、ファセット１２ａ−１２ｃ及びファセット１６ａ、１６ｂの全てが実質的に均一な厚みを有することになる。成長の遅いファセット１２ａ−１２ｃ上に成長した第１の酸化物層２０の厚みは、成長の遅いファセット１２ａ−１２ｃに適用されてブロック３２で第２の酸化物層３４を形成させる酸化物成長の時間ｔ２を求める数式１のｘｉとして使用される。数式１は、ブロック３２で第２の酸化物層を成長させる時間ｔ２を算出するのに使用され、これにより成長の速い面１６ａ、１６ｂ上の厚みｘ０と、厚みｘｉの第１の酸化物層２０を保持する成長の遅い面１２ａ−１２ｃ上の厚みｘ０が、所望の厚みで互いに等しくされる。
【００２０】
例えば、９００℃で行われるウェット酸化では、成長の遅いファセット１２ａ−１２ｃと成長の速いファセット１６ａ、１６ｂとの両方の上に約１０，１５０オングストロームの厚みを得るため、ｔ１は約２．８時間に等しく、ｔ２は約１０時間に等しい。
【００２１】
図７及び図８は、均一な層形成のための方法２６の別の実施形態である方法３６を示す。方法３６では、ブロック３８で、酸化環境内に基板を曝露することによって基板１０が酸化され、図１におけるように第１の層が得られる。酸化環境は、高温で酸素が存在することを含む。ブロック４０で、図８に示される遮蔽層４２などによって、成長の遅いファセットが遮蔽される。遮蔽層４２は、フォトレジスト、金属、又は同様のものなどの層とすることができる。ブロック４４で、図３に示すように成長の速いファセット１６ａ、１６ｂから酸化物が除去される。次いで、ブロック４６で遮蔽層４２が除去されて、成長の遅いファセット１２ａ−１２ｃが露出され、ブロック４８で基板１０が再び酸化され、図４の均一な厚みの層が得られる。
【００２２】
局所的に変化する酸化物厚みを得るために、酸化物層がより薄くなる領域で第１の酸化物層２０が除去される。酸化、遮蔽、及び酸化物の局所的除去、露出、並びに再酸化の段階を繰り返すことができ、反復毎に異なる部分が選択的に遮蔽され、単一基板１０上に広い範囲の厚みを有する酸化物層が得られる。
【００２３】
図９及び図１０は、方法３６の別の実施形態である方法５０を示す。方法５０では、ブロック５２で第１の酸化物層２０が基板上に成長する。次いでブロック５６でフォトレジスト層５４が施工される。ブロック５８で、成長の遅いファセット１２ａ−１２ｃが、基板１０と光源との間に置かれたマスク６０などによってマスキングされる。次いでブロック６２で、マスク６０を介して基板１０に放射線が照射される。ポジ型フォトレジストの場合、フォトレジストの露光は該フォトレジストを弱化し、これを容易に除去できるようにする。ブロック５６、５８、６２で記載される段階は、露光によって弱化されるポジ型フォトレジスト化合物を使用することを想定している。他の実施形態では、露光によって硬化されない限り弱化状態を維持するネガ型フォトレジスト化合物を使用することができる。このような実施形態においては、成長の速いファセット１６ａ、１６ｂは、これらをコートするフォトレジストを弱化させるためにマスキングされる。
【００２４】
次いで、両方のタイプのフォトレジストについて、ブロック６４で弱化されたフォトレジストが除去され、成長の速いファセット１６ａ、１６ｂが露出される。次に、ブロック６６で、成長の速いファセット１６ａ、１６ｂ上の酸化物が除去される。硬化されたフォトレジストは、ブロック６８で除去され、ブロック７０で第２の酸化物層３４が成長する。
【００２５】
図１１及び図１２は、方法３６の別の実施形態である方法７２を示す。方法７２では、ブロック７４で第１の酸化物層２０が成長する。次いでブロック７６で、成長の速いファセットがマスキングされる。次に、ブロック７８で、基板１０の露出領域が金属化され、図１２に示されるように低成長ファセットの上に金属層８０が生成される。ブロック７８での金属化は、成長の遅いファセット１２ａ−１２ｃを露出させるマスク８２を介し、Ｅ−ＢＥＡＭ蒸着、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）、又は同様のものよって行うことができる。ブロック８４で、金属層８０が除去されないように選択されたプラズマエッチング、ウェットエッチング、又は同様のものによって、金属化されていない成長の速いファセット１６ａ、１６ｂから酸化物が除去される。次いでブロック８６で、化学エッチングなどによって金属層が除去され、ブロック８８で第２の酸化物層が成長する。
【００２６】
図１３は、均一層ではなく特定の基準に従って局所的に変化する厚みを有する酸化物層を形成する方法９０を示す。ブロック９２で、図１４Ａに示されるように第１の酸化物層９４が形成される。ブロック９６で第１の領域９８が遮蔽され、非遮蔽領域内の酸化物がブロック１００で除去され、図１４Ｂに示される基板１０が残る。ブロック１０２で遮蔽が除去され、ブロック１０４で図１４Ｃに示されるように第２の酸化物層１０６が成長する。ブロック１０８で第１の領域９８と第２の領域１０８とが遮蔽され、ブロック１１２で基板１０の非遮蔽領域から酸化物層が除去される。ブロック１１４で、第１及び第２の領域の遮蔽が除去され、第１の領域９８、第２の領域１０８、及び第３の領域１１６を有する、各々が固有の酸化物層厚みを有する図１４Ｄに示される基板が残る。図１３の方法９０は、酸化物層の除去の間に基板の領域を遮蔽するために方法３２、５０、７２の何れかを用いることができる。
【００２７】
図１５を参照すると、図１３及び図１４Ａ−図１４Ｄに示されたパターンは、酸化物層及び領域のどのような数についても繰り返すことができる。例えば、製造プロセスは、酸化物層を成長させる段階と、特定の領域を遮蔽する段階と、酸化物層の非遮蔽部分を除去する段階とを含む工程の複数の反復を含む。図１５の下側の軸１１８は反復の数を示し、上側の軸１２２は酸化物層の厚みを示す。所望の酸化物層の厚みを有する領域を得るために、最も厚い酸化物層を有する領域の厚みが最初に決定され、図示の事象では、５５００オングストロームである所望の厚みを得るのに十分な反復が行われる。最大の厚みを有する領域は、各反復の間に遮蔽されることになる。より薄い厚みを有する領域は、残りの反復の数が適切な厚みの酸化物層を成長させるのに十分になるまで、各反復の間は非遮蔽のままにされる。次いで、より薄い厚みの領域は、全ての残りの反復の間は遮蔽される。例えば、３０００オングストロームの酸化物層厚みを得るために、ある領域は反復６で酸化物層除去の間に遮蔽を開始することができ、２５００オングストロームの酸化物層厚みを得るために、別の領域は反復７で酸化物層除去の間に遮蔽を開始することができる。酸化物層が形成されない領域は、全ての反復で非遮蔽のままにされる。
【００２８】
図１６を参照すると、各反復の間で成長する酸化物層の厚みは、各反復で同じである必要はない。例えば、シリコン基板１０は、領域Ａ０からＡＮまでを有することができ、Ａ０は最も厚い酸化物層を有し、ＡＮは最も薄い酸化物層を有する。領域Ａ０からＡＮまでの領域Ａｉは、連続的である必要はない。各領域ＡｉとＡｉ＋１との間の厚みの差はｔｉであり、ただし、ｔＮが酸化物の最も薄い層の厚みに単純に等しいことを除く。
【００２９】
複数の厚みの酸化物を形成する方法１２２は、ブロック１２４でカウンターｉをゼロに設定する段階を含む。ブロック１２６で、厚みｔｉを有する第１の酸化物層が成長する。ブロック１２８で、領域ＡｉからＡ０までが遮蔽される。ブロック１３０で、全ての露出された領域から酸化物が除去される。ブロック１３２で、ｉの値が、基板１０上に形成されている厚みの総数を表す変数Ｎと比較される。ｉがＮに等しければ、本方法は終了する。ｉがＮ未満であれば、ブロック１３４でｉが増分される。酸化物が形成されない領域は、方法１２２全体で遮蔽されないままにされる。
【００３０】
本発明の好ましい実施形態を上記のように図示し説明してきたが、本発明の意図及び範囲から逸脱することなく多くの変更を行うことができる。従って、本発明の範囲は、好ましい実施形態の開示によって限定されない。本発明は、添付の請求項を参照することによって完全に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】複数のファセット及びその上に形成された酸化物層を有するシリコン基板の垂直断面図である。
【図２】本発明の実施形態による均一な酸化物形成のための方法のプロセスフロー図である。
【図３】本発明の実施形態による成長の速いファセットから選択的に除去した酸化物層の一部を有するシリコン基板の垂直断面図である。
【図４】本発明の実施形態による、第２の酸化物が上に形成されたシリコン基板の垂直断面図である。
【図５】本発明の実施形態による酸化物成長時間を計算するのに使用される放物線速度定数Ｂの値のチャートである。
【図６】本発明の実施形態による、酸化物成長時間を計算するのに使用されるリニア速度定数Ｂ／Ａについての値のチャートである。
【図７】本発明の実施形態による、均一な酸化物形成のための別の方法のプロセスフロー図である。
【図８】本発明の実施形態による、遮蔽された成長の遅い部分を有するシリコン基板の垂直断面図である。
【図９】本発明の実施形態による、均一な酸化物形成のための別の方法のプロセスフロー図である。
【図１０】本発明の実施形態による、成長の速いファセットを露出するマスクを介して照射されるフォトレジスト層を有するシリコン基板の垂直断面図である。
【図１１】本発明の実施形態による、均一な酸化物形成のための別の方法のプロセスフロー図である。
【図１２】本発明の実施形態による、成長の遅いファセットを露出するマスクを介して金属化されるシリコン基板の垂直断面図である。
【図１３】本発明の実施形態による、複数の厚みの酸化物層を成長させる方法のプロセスフロー図である。
【図１４Ａ】本発明の実施形態による、図１３の方法が行われたシリコン基板の垂直断面図である。
【図１４Ｂ】本発明の実施形態による、図１３の方法が行われたシリコン基板の垂直断面図である。
【図１４Ｃ】本発明の実施形態による、図１３の方法が行われたシリコン基板の垂直断面図である。
【図１４Ｄ】本発明の実施形態による、図１３の方法が行われたシリコン基板の垂直断面図である。
【図１５】本発明の実施形態による、特定の酸化物層厚みを得るために遮蔽の適用時間を調整する手段を示すプロットである。
【図１６】本発明の実施形態による、複数の厚みの酸化物層を成長させる別の方法を示すプロセスフロー図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０  基板
１２ａ  第２のファセット
１６ａ  第１のファセット
２０  第１の層
３４  第２の酸化物層
【図１】
2007219509.tif 000008
【図２】
2007219509.tif 000009
【図３】
2007219509.tif 000010
【図４】
2007219509.tif 000011
【図５】
2007219509.tif 000012
【図６】
2007219509.tif 000013
【図７】
2007219509.tif 000014
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１５】
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【図１６】
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【外国語明細書】
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