(57)【要約】【課題】電極パッドの作成や配線空間の増加などを回避して、高密度な配線を必要な回路基板に形成できる回路基板構造の製造方法を提供する。【解決手段】複数の開口孔が形成されているコア基板２１を準備し、コア基板２１の開口孔に導電柱２４１を形成し、コア基板２１の両表面に誘電体層２６をそれぞれ形成し、誘電体層２６においてコア基板２１の導電柱２４１に対応する箇所に開口孔２６１を形成し、誘電体層２６の表面に配線層２７を形成し、そして、誘電体層２６の開口孔２６１に導電構造２７１を形成して、導電構造２７１を導電柱２４１に電気的に接続させる。【選択図】図２Ｆ−１
2007214568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板構造であって、
複数の開口孔が形成されるコア基板と、
前記コア基板の開口孔に形成される導電柱と、
前記コア基板の両表面に形成され、且つ前記導電柱に対応する箇所に開口孔が形成される誘電体層と、
前記誘電体層の表面に形成され、前記誘電体層の開口孔に導電構造が形成され、且つ前記導電構造が前記コア基板における導電柱に電気的に接続され、前記コア基板の導電柱を介して電気的に接続される配線層と、
を含むことを特徴とする回路基板構造。
【請求項２】
前記誘電体層及び配線層の表面に少なくとも１つのビルドアップ構造がさらに形成され、且つ前記ビルドアップ構造は前記配線層に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板構造。
【請求項３】
前記ビルドアップ構造の外表面に絶縁保護層がさらに形成され、且つ前記絶縁保護層には、前記ビルドアップ構造における電気的に接続するための電極パッドを露出するように、複数の開口孔が形成されることを特徴とする請求項２に記載の回路基板構造。
【請求項４】
前記ビルドアップ構造は、誘電体層と、前記誘電体層に積層される配線層と、前記誘電体層に形成される導電構造と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の回路基板構造。
【請求項５】
前記導電構造は、めっき金属によるフィルドビア及び導電ビアのいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の回路基板構造。
【請求項６】
回路基板構造であって、
複数の開口孔が形成されるコア基板と、
前記コア基板の開口孔に形成される導電柱と、
前記コア基板の一方の表面に形成され、且つ前記導電柱に対応する箇所に開口孔が形成される誘電体層と、
前記誘電体層の表面に形成され、前記誘電体層の開口孔に導電構造が形成され、且つ前記導電構造が前記コア基板における導電柱に電気的に接続される配線層と、
前記コア基板の他方の表面に形成されるとともに、前記導電柱に対応して、前記コア基板における導電柱を介して前記配線層に電気的に接続される電極パッドと、
を含むことを特徴とする回路基板構造。
【請求項７】
前記誘電体層及び配線層の表面に少なくとも１つのビルドアップ構造がさらに形成され、且つ前記ビルドアップ構造は前記配線層に電気的に接続されることを特徴とする請求項６に記載の回路基板構造。
【請求項８】
前記ビルドアップ構造の外表面に絶縁保護層がさらに形成され、且つ前記絶縁保護層には、前記ビルドアップ構造における電気的に接続するための電極パッドを露出するように、複数の開口孔が形成されることを特徴とする請求項７に記載の回路基板構造。
【請求項９】
前記ビルドアップ構造は、誘電体層と、前記誘電体層に積層される配線層と、前記誘電体層に形成される導電構造と、を含むことを特徴とする請求項７に記載の回路基板構造。
【請求項１０】
前記導電構造は、めっき金属によるフィルドビア及び導電ビアのいずれか一つであることを特徴とする請求項６に記載の回路基板構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板構造及びその製造方法に関し、特に、高密度の回路基板構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子産業の発展が目覚ましく、電子製品の研究開発においては、ますます多機能化、高性能化が追求されるようになっている。電子製品の多機能化、高性能化のニーズに応えるために、回路基板は配線レイアウトの高密度化の方向で発展している。そのため、回路基板（または基板）の限られたスペースにおいて、如何にしてより密集した配線をレイアウトするかということが課題となってきている。
【０００３】
図１Ａ及び図１Ｂは、従来の回路基板構造を模式的に示した断面図である。図のように、例えば樹脂付き銅箔（Ｒｅｓｉｎ  Ｃｏａｔｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ，ＲＣＣ）からなるコア基板１１の両表面に配線層１１２が設けられ、且つコア基板１１には、貫通しためっきスルーホール１１０が形成され、配線層１１２がめっきスルーホール１１０を介して電気的に接続されるとともに、めっきスルーホール１１０の両端に電極パッド１１０ａがそれぞれ延在されている。
【０００４】
次に、コア基板１１の両表面に設けられる配線層１１２において、ビルドアップ層が形成される。ビルドアップ層の形成は次のように行われる。コア基板１１の表面及び配線層１１２に誘電体層１２が形成され、誘電体層１２に、電極パッド１１０ａに対応する開口孔１２０が複数形成され、誘電体層１２の表面にもう１つの配線層１３が形成され、そして、コア基板１１の両表面の配線層１３が電気的に接続されるように、誘電体層１２の開口孔１２０に配線層１３の導電ビア１３１が形成され、導電ビア１３１がめっきスルーホール１１０の電極パッド１１０ａに電気的に接続される。
【０００５】
しかしながら、配線層１３の導電ビア１３１は、めっきスルーホール１１０の電極パッド１１０ａに電気的に接続されるため、導電ビア１３１とめっきスルーホール１１０との間に位置ずれが生じるなどの問題がある。そのため、一般に業界で製作されているめっきスルーホール１１０の電極パッド１１０ａのサイズは、導電ビア１３１の接合部のサイズよりも遥かに大きい、つまり占有面積が大きいため、内部の配線レイアウトにおいては、高密度な配線のニーズに対応することができない。
【０００６】
また、配線層１３はめっきスルーホール１１０を介して電気的に接続されるため、めっきスルーホール１１０の両端に電極パッド１１０ａを作る必要がある。したがって、製造工程において、コア基板１１の両面に設けられる配線層１１２は、電極パッド１１０ａを形成するように、パターニング工程を予め行う必要があるため、その分コストが増大する。
【０００７】
したがって、従来において、二つの配線層がめっきスルーホールを介して電気的に接続される場合、接続のためにスペースを占有することで高密度な配線設計のニーズに対応することができない問題や、パターニング工程を経て電極パッドを形成しなければならないためにコストが増大する問題を解決することは、業界において極めて重要な課題となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、以上のとおりの事情に鑑み、本発明は、配線レイアウトの密度を増加させることが可能である回路基板構造及びその製造方法を提供することを課題とする。
【０００９】
また、本発明は、電極パッドを製作することによって電気的接続を行う必要がなく、それによってコストを削減することが可能である回路基板構造及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１０】
また、本発明は、超薄型で高密度な集積回路基板に適用されることが可能である回路基板構造及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１１】
また、本発明は、ムクの導電柱を介して上下の配線層構造を直接電気的に接続させることにより、電気特性を向上させることが可能である回路基板構造及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明に係る回路基板構造の製造方法は、複数の開口孔が形成されるコア基板を準備する工程と、前記コア基板の開口孔に導電柱を形成する工程と、前記コア基板の両表面に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層において、前記コア基板の導電柱に対応する箇所に開口孔を形成する工程と、前記誘電体層の表面に配線層を形成し、そして、前記誘電体層の開口孔に導電構造を形成して、前記導電構造を前記導電柱に電気的に接続させるとともに、前記コア基板における導電柱により、前記配線層を電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
接続導通される上下の配線層は、導電柱を介して直接位置合わせをして接続することができ、従来の、めっきスルーホール（ＰＴＨ）では更にパターニング工程を経て電極パッドを製造しなければならない問題や、めっきスルーホール（ＰＴＨ）の電極パッドのサイズが大きすぎる問題を回避することができるため、配線の密度を増加させ、且つ製造コストを削減することができる。
【００１４】
コア基板に導電柱を形成する製造方法は、第１と第２の表面を有する誘電体層を備え、第１及び第２の表面に金属薄層が形成され、且つ誘電体層に第１及び第２の表面の金属薄層を貫通する開口孔が形成されてなるコア基板を準備する工程と、前記誘電体層の開口孔内及び金属薄層の表面に導電層を形成し、当該導電層により金属層を形成し、且つ前記開口孔に導電柱を形成し、その後、前記誘電体層の第１及び第２の表面の金属層、導電層及び金属薄層を除去する工程と、を含む。
【００１５】
コア基板に導電柱を形成する製造方法は、或いは、第１及び第２の表面を有する誘電体層を備え、第１及び第２の表面に金属薄層が形成され、誘電体層に、第１の表面の金属薄層を貫通し且つ第２の表面の金属薄層を貫通しない開口孔が形成されてなるコア基板を準備する工程と、前記金属薄層の表面に金属層を形成し、且つ前記開口孔に導電柱を形成し、その後、前記誘電体層の第１及び第２の表面の金属層及び金属薄層を除去する工程と、を含む。
【００１６】
コア基板に導電柱を形成する製造方法は、或いは、第１及び第２の表面を有する誘電体層を備え、第１の表面に金属薄層が形成され、誘電体層に、第２の表面の金属薄層を貫通し且つ第１の表面の金属薄層を貫通しない開口孔が形成されてなるコア基板を準備する工程と、前記金属薄層の表面に金属層を形成し、且つ前記開口孔に導電柱を形成し、その後、前記誘電体層の第１の表面の金属薄層と金属層、及び前記誘電体層の開口孔において第２の表面より露出した一部の導電柱を除去する工程と、を含む。
【００１７】
上記の製造方法は、更に、前記誘電体層及び配線層の表面に少なくとも１つのビルドアップ構造を形成し、且つ当該ビルドアップ構造を前記配線層に電気的に接続し、ビルドアップ構造の外表面には更に絶縁保護層を形成する工程を含む。なお、前記ビルドアップ構造は、誘電体層と、誘電体層に積層される配線層と、誘電体層に形成される導電構造と、を含む。
【００１８】
上記の製造方法によってなる本発明に係る回路基板構造は、複数の開口孔が形成されるコア基板と、コア基板の開口孔に形成される導電柱と、コア基板の両表面に形成され、且つ導電柱に対応する箇所に開口孔が形成される誘電体層と、誘電体層の表面に形成され、誘電体層の開口孔に導電構造が形成され、且つ当該導電構造がコア基板における導電柱に電気的に接続され、コア基板の導電柱を介して電気的に接続される配線層と、を含むことを特徴とする。これにより、導電柱が配線層に直接電気的に接続されることができ、更に、パターニング工程を経て電極パッドを製造しなければならない問題や、めっきスルーホール（ＰＴＨ）の電極パッドのサイズが大きすぎる問題を回避することができるため、高密度な配線が必要な回路基板に応用することができる。
【００１９】
本発明に係る回路基板構造は、更に、誘電体層及び配線層の表面に形成され、配線層に電気的に接続され、外表面には絶縁保護層が形成される少なくとも１つのビルドアップ構造を含む。なお、前記ビルドアップ構造は、誘電体層と、誘電体層に積層される配線層と、誘電体層に形成される導電構造と、を含む。
【００２０】
本発明に係る他の回路基板構造の製造方法は、複数の開口孔が形成されるコア基板を準備する工程と、前記コア基板の開口孔に導電柱を形成する工程と、前記コア基板の一方の表面には誘電体層及び配線層を順次に形成し、前記コア基板の他方の表面には前記導電柱に対応する箇所に電極パッドを形成して、前記電極パッドを、コア基板における導電柱を介して前記配線層に電気的に接続させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
上記本発明に係る他の回路基板構造の製造方法における前記誘電体層においては、前記コア基板の導電柱に対応する箇所に開口孔を形成し、それによって、前記誘電体層の外表面に前記配線層を形成する際に前記誘電体層の開口孔に導電構造を形成し、前記導電構造を導電柱に電気的に接続させる。或いは、前記コア基板の前記誘電体層及び配線層が形成されていない表面には、先に前記電極パッドを形成し、その後、前記誘電体層の外表面に前記誘電体層及び配線層を形成する。なお、前記電極パッドを形成する方法としては、前記コア基板の第１の表面に金属層を形成し、且つ前記金属層にパターニング工程を行い、前記電極パッドを形成する。
【００２２】
また、前記コア基板の第１の表面に先に前記電極パッドを形成する製造方法は、第１及び第２の表面を有する誘電体層を備え、前記第１及び第２の表面に金属薄層が形成され、誘電体層に、第２の表面の金属薄層を貫通し且つ第１の表面の金属薄層を貫通しない開口孔が形成されてなるコア基板を準備する工程と、前記金属薄層の表面に金属層を形成し、且つ前記開口孔に導電柱を形成する工程と、その後、前記誘電体層の第２の表面の金属層及び金属薄層を除去する工程と、を含む。次に、前記誘電体層の第１の表面の除去されていない金属層の表面に、前記導電柱に対応するレジストパターン層を形成する工程と、レジストパターン層に被覆されていない金属層及び金属薄層を除去し、前記誘電体層の第１の表面に前記電極パッドを形成する工程と、前記レジストパターン層を除去する工程と、を更に含む。
【００２３】
前記コア基板の第１の表面に先に前記電極パッドを形成する他の製造方法は、第１及び第２の表面を有する誘電体層を備え、前記第１の表面に金属薄層が形成され、誘電体層に、第２の表面の金属薄層を貫通し且つ第１の表面の金属薄層を貫通しない開口孔が形成されてなるコア基板を準備する工程と、前記金属薄層の表面に金属層を形成し、且つ前記開口孔に導電柱を形成する工程と、前記誘電体層の開口孔において第２の表面より露出した一部の導電柱を除去する工程と、を含む。次に、前記誘電体層の第１の表面の除去されていない金属層の表面に、前記導電柱に対応するレジストパターン層を形成する工程と、レジストパターン層に被覆されていない金属層及び金属薄層を除去し、前記誘電体層の第１の表面に前記電極パッドを形成する工程と、前記レジストパターン層を除去する工程とを更に含む。
【００２４】
上記の製造方法によってなる本発明に係る他の回路基板構造は、複数の開口孔が形成されるコア基板と、前記コア基板の開口孔に形成される導電柱と、前記コア基板の一方の表面に形成され、且つ前記導電柱に対応する箇所に開口孔が形成される誘電体層と、前記誘電体層の表面に形成され、前記誘電体層の開口孔に導電構造が形成され、且つ当該導電構造が前記コア基板における導電柱に電気的に接続される配線層と、前記コア基板の他方の表面に形成されるとともに、前記導電柱に対応することによって、前記コア基板における導電柱を介して前記配線層に電気的に接続される電極パッドと、を含むことを特徴とする。
【００２５】
従来の電極パッドは、スルーホールを含み、且つスルーホールの電極パッドのサイズが誘電体層のブラインドビアよりも遥かに大きいために、回路基板の配線密度の向上が阻害されるとともに、パターニング工程を経て前記電極パッドを製作しなければならないためにコストが増大する。本発明に係る回路基板構造及びその製造方法によれば、従来の電極パッドの問題を解決することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、特定の具体的な実施例により本発明の実施形態を説明する。当業者は、本明細書に開示の内容により、本発明の他の利点と効果を容易に理解することができる。
【００２７】
以下、本発明を更に詳細に説明するが、本発明の特許請求の範囲はこれに限定されるものではない。
【００２８】
（第１の実施例）
図２Ａ〜図２Ｆ−２は、本発明に係る回路基板構造及びその製造方法を模式的に示した断面図である。
【００２９】
図２Ａに示すように、まず、第１の表面２１ａと第２の表面２１ｂを有する誘電体層２１を備え、第１の表面２１ａと第２の表面２１ｂにそれぞれ金属薄層２２が形成されるコア基板２、例えば樹脂付き銅箔（Ｒｅｓｉｎ  Ｃｏａｔｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ，ＲＣＣ）を準備する。
【００３０】
図２Ｂに示すように、コア基板２に、第１の表面２１ａと第２の表面２１ｂを貫通する複数の開口孔２１０を形成する。
【００３１】
図２Ｃに示すように、続いて、コア基板２の表面及び複数の開口孔２１０に導電層２３を形成する。導電層２３は金属材料や導電性高分子材料からなり、主に後述するめっき工程に所要の電流経路として用いられるものである。
【００３２】
図２Ｄに示すように、導電層２３の表面及び複数の開口孔２１０に金属層２４と導電柱２４１を電気めっき法で形成する。金属層２４及び導電層２４１は、鉛、スズ、銀、銅、金、ビスマス、アンチモニー、亜鉛、ニッケル、ジルコニウム、マグネシウム、インジウム、テルリウム、ガリウム、またはこれらの金属からなる合金のうちのいずれか１つである。
【００３３】
図２Ｅに示すように、続いて、コア基板２の表面にある金属層２４、導電層２３及び金属薄層２２を物理的または化学的に除去することで、誘電体層２１の開口孔２１０に導電柱２４１を形成する。
【００３４】
図２Ｆ−１に示すように、その後、誘電体層２１の第１の表面２１ａ及び第２の表面２１ｂにそれぞれ誘電体層２６を形成し、誘電体層２６において複数の導電柱２４１に対応する箇所に開口孔２６１を形成し、そして、誘電体層２６の表面に配線層２７を形成するとともに、開口孔２６１にめっき金属によるフィルドビア２７１等の導電構造を形成して、めっき金属によるフィルドビア２７１を導電柱２４１に電気的に接続させる。配線層２７はパターニング工程により形成される。パターニング工程は周知の技術であり、ここでは詳しい説明を省く。
【００３５】
図２Ｆ−２は、導電構造の他の実施形態を示す図である。同図に示すように、誘電体層２６の表面に配線層２７’を形成し、開口孔２６１内に導電ビア２７１’を形成し、導電ビア２７１’と導電柱２４１とを電気的に接続して導通させる。
【００３６】
これにより、めっき金属によるフィルドビア２７１又は導電ビア２７１’の導電構造を介して、誘電体層２１の両側に位置する配線層２７を直接電気的に接続し、接続導通される上下の配線層を直接位置合わせをして接続できるため、配線の密度を向上させることが可能となり、従来の、めっきスルーホール（ＰＴＨ）では更にパターニング工程を経て電極パッドを製造しなければならない問題や、位置ずれして接続することによってピッチが増大する問題などの欠点を回避することができる。そのため、プラスチック・ボール・グリッド・アレイ（ＰＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、フリップチップＣＳＰ（ＦＣＣＳＰ）及びフリップチップＢＧＡ（ＦＣＢＧＡ）など、超薄型で高密度な集積回路基板製品に応用することが可能である。
【００３７】
図２Ｇに示すように、配線層２７の表面に、更に、配線層２７に電気的に接続される少なくとも１つのビルドアップ構造２８を形成することが可能である。ビルドアップ構造２８は、誘電体層２８０と、誘電体層２８０の上に積層される配線層２８２と、誘電体層２８０に形成され、配線層２８２を誘電体層の下方の配線層２７に電気的に接続させるための導電構造２８２ａと、を含む。導電構造２８２ａは、例えばめっき金属によるフィルドビアまたは導電ビアである。また、ビルドアップ構造２８のもっとも外側の表面には絶縁保護層２９を形成することが可能である。絶縁保護層２９には、ビルドアップ構造２８のもっとも外側の表面の配線における電極パッド２８１を露出するように、複数の開口孔２９１を形成する。更に、他の装置に電気的に接続できるように、絶縁保護層２９の開口に露出する電極パッド２８１に導電素子（図示せず）を載置することが可能である。
【００３８】
更に、図２Ｆ−１及び図２Ｆ−２に示すように、上記の製造方法によってなる本発明に係る回路基板構造は、複数の開口孔２１０が形成されるコア基板２と、コア基板２の開口孔２１０に形成される導電柱２４１と、コア基板２の両表面に形成され、且つ導電柱２４１に対応する箇所に開口孔２６１が形成される誘電体層２６と、誘電体層２６の表面に形成され、誘電体層２６の開口孔２６１に例えばめっき金属によるフィルドビア２７１または導電ビア２７１’である導電構造が形成され、当該導電構造がコア基板２における導電柱２４１に電気的に接続される配線層２７と、を含み、コア基板２の導電柱２４１を介して前記配線層２７、２７’が電気的に接続されることにより、配線レイアウトの密度を増加させることが可能である。
【００３９】
（第２の実施例）
図３は、本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第２の実施例を模式的に示した断面図である。第１の実施例との相違点は、誘電体層２１の第２の表面２１ｂには配線層２７が形成され、第１の表面２１ａには電極パッド２５が形成される点である。電極パッド２５は、誘電体層２１の第１の表面２１ａにまず金属層（図示せず）を形成し、そして金属層にパターニング工程を行うことで形成する。なお、パターニング工程は周知の技術であり、ここでは詳しい説明を省く。その後、誘電体層２１の第２の表面２１ｂにビルドアップ構造２８を形成する。
【００４０】
その後、誘電体層２１の第１の表面２１ａ側及び電極パッド２５の表面には絶縁保護層２９を形成する。絶縁保護層２９には、電極パッド２５を露出するように複数の開口孔２９１を形成する。そして、誘電体層２１の第２の表面２１ｂ側の配線層２７の表面に、配線層２７に電気的に接続される少なくとも１つのビルドアップ構造２８を形成し、ビルドアップ構造２８のもっとも外側の表面に絶縁保護層２９を形成する。絶縁保護層２９には、ビルドアップ構造２８のもっとも外側の表面の配線における電極パッド２８１を露出させるように、複数の開口孔２９１を形成し、更に、絶縁保護層２９の開口に露出する電極パッド２８１に導電素子（図示せず）を載置する。
【００４１】
上記の製造方法によってなる本発明に係る他の回路基板構造は、第１の表面２１ａと第２の表面２１ｂを有し、且つ第１の表面２１ａと第２の表面２１ｂを貫通する複数の開口孔２１０を有するコア基板２と、コア基板２の開口孔２１０に形成される導電柱２４１と、コア基板２の第２の表面２１ｂに形成され、且つ導電柱２４１に対応する箇所に開口孔２６１が形成される誘電体層２６と、誘電体層２６の表面に形成され、誘電体層２６の開口孔２６１に例えばめっき金属によるフィルドビア２７１または導電ビア２７１’である導電構造が形成され、当該導電構造がコア基板２における導電柱２４１に電気的に接続される配線層２７と、コア基板２の第１の表面２１ａに形成され、導電柱２４１に対応して形成される電極パッド２５と、を含む。
【００４２】
誘電体層２１の第１の表面２１ａ側及び電極パッド２５の表面に絶縁保護層２９を形成する。絶縁保護層２９には、電極パッド２５を露出するように複数の開口孔２９１を形成する。そして、誘電体層２１の第２の表面２１ｂ側にビルドアップ構造２８を形成し、ビルドアップ構造２８の外表面に絶縁保護層２９を形成する。絶縁保護層２９には、ビルドアップ構造２８のもっとも外側の表面の配線における電極パッド２８１を露出させるように、複数の開口孔２９１を形成する。
【００４３】
（第３の実施例）
図４Ａ〜図４Ｄは、本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第３の実施例を模式的に示した断面図である。
【００４４】
図４Ａに示すように、まず、第１の表面２１ａと第２の表面２１ｂを有する誘電体層２１を備え、前記第１の表面２１ａに金属薄層２２が形成されるコア基板２、例えば一面の樹脂付き銅箔（Ｒｅｓｉｎ  Ｃｏａｔｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ，ＲＣＣ）を準備する。
【００４５】
図４Ｂに示すように、コア基板２に、誘電体層２１の第２の表面２１ｂを貫通し且つ金属薄層２２を貫通しない複数の開口孔２１０を形成する。
【００４６】
図４Ｃに示すように、金属薄層２２を電流経路として、誘電体層２１の開口孔２１０に導電柱２４１を形成するとともに、金属薄層２２の外表面にもう１つの金属層２４’を電気めっき法で形成する。
【００４７】
図４Ｄに示すように、続いて、第２の表面２１ｂより露出した一部の導電柱２４１及び誘電体層２１の第１の表面２１ａの金属薄層２２と金属層２４’とを除去し、誘電体層２１の開口孔２１０に複数の導電柱２４１を形成する。
【００４８】
その後、誘電体層２１の第１の表面２１ａ及び第２の表面２１ｂにそれぞれ誘電体層、配線層、ビルドアップ構造を形成することができる。
【００４９】
（第４の実施例）
図５Ａ〜図５Ｃは、本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第４の実施例を模式的に示した断面図であり、誘電体層の第１の表面側に先に電極パッドを形成し、その後、誘電体層及び配線層を形成する製造方法を示す図である。
【００５０】
上述した図４Ｃの製造工程に続いて、図５Ａに示すように、もう１つの金属層２４’の表面に、導電柱２４１に対応する箇所にレジストパターン層３０を形成する。
【００５１】
図５Ｂに示すように、続いて、レジストパターン層３０により被覆されていない金属層２４’と金属薄層２２、及び誘電体層２１の開口孔２１０において第２の表面２１ｂより露出した一部の導電柱２４１を例えばエッチングにより除去し、誘電体層２１の第１の表面２１ａに電極パッド２５を形成し、誘電体層２１に導電柱２４１を形成する。電極パッド２５の厚さを低減するために、必要な場合には、電極パッド２５に薄化処理を行ってもよい。
【００５２】
図５Ｃに示すように、その後、誘電体層２１の第２の表面２１ｂに誘電体層２６、配線層２７及びビルドアップ構造２８を形成する。ビルドアップ構造２８は、誘電体層２８０と、誘電体層２８０に積層される配線層２８２と、誘電体層２８０に形成され、配線層２８２を誘電体層の下方の配線層２７に電気的に接続させるための導電構造２８２ａと、を含む。導電構造２８２ａは、例えばめっき金属によるフィルドビアまたは導電ビアである。また、ビルドアップ構造２８のもっとも外側の表面に絶縁保護層２９を形成する。絶縁保護層２９には、ビルドアップ構造２８のもっとも外側の表面の配線における電極パッド２８１を露出するように、複数の開口孔２９１を形成する。更に、他の装置に電気的に接続できるように、絶縁保護層２９の開口に露出する電極パッド２８１に導電素子（図示せず）を載置する。
【００５３】
（第５の実施例）
図６Ａ〜図６Ｄは、本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第５の実施例を模式的に示した断面図であり、誘電体層の第１の表面側に先に電極パッドを形成し、その後、誘電体層及び配線層を形成するもう１つの製造方法を示す図である。
【００５４】
図６Ａに示すように、まず、第１の表面２１ａと第２の表面２１ｂとを有する誘電体層２１を備え、第１の表面２１ａ及び第２の表面２１ｂにそれぞれ金属薄層２２が形成されるコア基板２、例えば樹脂付き銅箔（Ｒｅｓｉｎ  Ｃｏａｔｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ，ＲＣＣ）を準備する。
【００５５】
図６Ｂに示すように、コア基板２に、誘電体層２１の第２の表面２１ｂを貫通し且つ第１の表面２１ａの金属薄層２２を貫通しない複数の開口孔２１０を形成する。
【００５６】
図６Ｃに示すように、その後、金属薄層２２を電流経路として、誘電体層２１の第２の表面２１ｂに金属層２４を形成し、且つ開口孔２１０に導電柱２４１を形成すると同時に、金属薄層２２の外表面にもう１つの金属層２４’を電気めっき法で形成する。
【００５７】
図６Ｄに示すように、続いて、誘電体層２１の第２の表面２１ｂの金属層２４及び誘電体層２１の第１の表面２１ａの金属薄層２２と金属層２４’とを除去して、誘電体層２１の開口孔２１０に複数の導電柱２４１を形成する。
【００５８】
その後の製造工程は上記と同様であり、ここでは詳しい説明を省く。
【００５９】
（第６の実施例）
図７Ａ〜図７Ｂは、本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第６の実施例を模式的に示した断面図であり、上述した第５の実施例に続けて行われるもう１つの製造方法、すなわち、誘電体層の第１の表面側に電極パッドを形成する製造方法を示す図である。
【００６０】
図７Ａに示すように、図６Ｃの製造工程に続いて、もう１つの金属層２４’の表面に、導電柱２４１に対応する箇所にレジストパターン層３０を形成する。
【００６１】
図７Ｂに示すように、続いて、レジストパターン層３０により被覆されていない金属層２４’と金属薄層２２を例えばエッチングにより除去するとともに、誘電体層２１の第２の表面２１ｂの金属薄層２２と金属層２４とを除去し、誘電体層２１の第１の表面２１ａに電極パッド２５を形成し、誘電体層２１に導電柱２４１を形成する。電極パッド２５の厚さを低減するために、必要な場合には、電極パッド２５に薄化処理を行ってもよい。
【００６２】
その後、誘電体層２１の第２の表面２１ｂに誘電体層、配線層、ビルドアップ構造を形成することができる。
【００６３】
以上のように、本発明によれば、回路基板構造の配線密度の増加や、コストの低減を図ることができ、それによって、従来技術の種々の問題を解決することが可能となり、高度な産業上の利用価値を有している。
【００６４】
以上、本発明の実施例について具体的に説明したが、これらの実施例は、本発明の特徴と効果を説明する例示にすぎず、本発明の実施可能な範囲を限定しようとするものではない。本発明の要旨や技術の範囲を逸脱しない限りにおいて、本発明に開示された内容にあらゆる変更や修飾を行うが可能であり、そうした変更や修飾がいずれも本発明の特許請求の範囲に属することは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１Ａ】従来の回路基板構造を模式的に示した断面図である。
【図１Ｂ】従来の回路基板構造を模式的に示した断面図である。
【図２Ａ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第１の実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｂ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第１の実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｃ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第１の実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｄ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第１の実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｅ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第１の実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｆ−１】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第１の実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｆ−２】図２Ｆ−１に示す回路基盤構造及びその製造方法の他の実施形態を模式的に示した断面図である。
【図２Ｇ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第１の実施例を模式的に示した断面図である。
【図３】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第２の実施例を模式的に示した断面図である。
【図４Ａ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第３の実施例を模式的に示した断面図である。
【図４Ｂ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第３の実施例を模式的に示した断面図である。
【図４Ｃ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第３の実施例を模式的に示した断面図である。
【図４Ｄ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第３の実施例を模式的に示した断面図である。
【図５Ａ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第４の実施例を模式的に示した断面図である。
【図５Ｂ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第４の実施例を模式的に示した断面図である。
【図５Ｃ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第４の実施例を模式的に示した断面図である。
【図６Ａ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第５の実施例を模式的に示した断面図である。
【図６Ｂ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第５の実施例を模式的に示した断面図である。
【図６Ｃ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第５の実施例を模式的に示した断面図である。
【図６Ｄ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第５の実施例を模式的に示した断面図である。
【図７Ａ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第６の実施例を模式的に示した断面図である。
【図７Ｂ】本発明に係る回路基板構造及びその製造方法の第６の実施例を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１１、２  コア基板
１１０ａ、２５、２８１  電極パッド
１１０  めっきスルーホール
１１２、１３、２７、２７’、２８２  配線層
１２、２１、２６、２８０  誘電体層
１２０、２１０、２６１、２９１  開口孔
１３１、２７１’  導電ビア
２１ａ  第１の表面
２１ｂ  第２の表面
２２  金属薄層
２３  導電層
２４、２４’  金属層
２４１  導電柱
２７１  めっき金属によるフィルドビア
２８  ビルドアップ構造
２８２ａ  導電構造
２９  絶縁保護層
３０  レジストパターン層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ−１】
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【図２Ｆ−２】
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【図２Ｇ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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