(57)【要約】【課題】外観の信頼性が高い半導体装置を、効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、ベース基板１２と、開口２２を有するレジスト層２０と、配線パターン１４とを含む配線基板１０と、配線基板１０に搭載された半導体チップ４０とを有する半導体モジュール１００を用意する工程と、配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂ペースト５０を設ける工程と、樹脂ペースト５０を硬化させて樹脂部５５を形成する工程と、を含む。露出部３０は、半導体チップ４０とオーバーラップする第１の領域３２と、第１の領域３２の側方に配置されてなり、半導体チップ４０から露出する第２の領域３４とを含む。樹脂ペースト５０を設ける工程は、ベース基板１２に対して垂直に設定されたディスペンサノズル６０によって、第２の領域３４に樹脂ペースト５０を供給し、第１の領域３２に向かって流動させることを含む。【選択図】図２
2007188939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された、前記ベース基板を露出させる開口を有するレジスト層と、前記ベース基板における前記開口からの露出部に形成された電気的接続部を有する配線パターンとを含む配線基板と、電極を含み、前記電極が前記電気的接続部と対向するように前記配線基板に搭載された半導体チップとを有する半導体モジュールを用意する工程と、
前記配線基板と前記半導体チップとの間に樹脂ペーストを設ける工程と、
前記樹脂ペーストを硬化させて樹脂部を形成する工程と、
を含み、
前記ベース基板の前記露出部は、前記半導体チップとオーバーラップする第１の領域と、前記第１の領域の側方に配置されてなり、前記半導体チップから露出する第２の領域とを含み、
前記樹脂ペーストを設ける工程は、前記ベース基板に対して垂直に設定されたディスペンサノズルによって、前記ベース基板の前記第２の領域に前記樹脂ペーストを供給し、前記樹脂ペーストを、前記第１の領域に向かって流動させることを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の領域は、前記半導体チップの角部の側方に配置されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の領域は、前記半導体チップの辺の側方に配置されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の領域は、前記半導体チップの前記辺に沿って延びる形状をなす半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記開口からの露出部は、前記半導体チップの辺と平行な直線で区画される矩形領域と、前記矩形領域の側方に配置された突出領域とを有し、
前記樹脂ペーストを、前記突出領域に供給する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂部を、前記配線パターンにおける前記開口からの露出部をすべて覆うように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂部を、前記ベース基板の前記露出部をすべて覆うように形成する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に半導体チップが搭載された半導体装置が知られている。そして、配線基板と半導体チップとの間に樹脂部を形成することが知られている。当該樹脂部を形成する方法として、配線基板に半導体チップを搭載した後に、両者の間に樹脂材料を設け、これを硬化させる方法が知られている。ところで、樹脂材料が半導体チップの上面に付着すると、半導体装置の外観を損ない、また、半導体装置が厚くなるおそれがある。
【特許文献１】特開２００５−１５０１７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、外観の信頼性が高い半導体装置を効率よく製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された、前記ベース基板を露出させる開口を有するレジスト層と、前記ベース基板における前記開口からの露出部に形成された電気的接続部を有する配線パターンとを含む配線基板と、電極を含み、前記電極が前記電気的接続部と対向するように前記配線基板に搭載された半導体チップとを有する半導体モジュールを用意する工程と、
前記配線基板と前記半導体チップとの間に樹脂ペーストを設ける工程と、
前記樹脂ペーストを硬化させて樹脂部を形成する工程と、
を含み、
前記ベース基板の前記露出部は、前記半導体チップとオーバーラップする第１の領域と、前記第１の領域の側方に配置されてなり、前記半導体チップから露出する第２の領域とを含み、
前記樹脂ペーストを設ける工程は、前記ベース基板に対して垂直に設定されたディスペンサノズルによって、前記ベース基板の前記第２の領域に前記樹脂ペーストを供給し、前記樹脂ペーストを、前記第１の領域に向かって流動させることを含む。
【０００５】
本発明によると、樹脂ペーストが半導体チップの上面に付着しないように、半導体装置を製造することができる。そのため、本発明によると、外観信頼性の高い半導体装置を、効率よく製造することができる。
【０００６】
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の領域は、前記半導体チップの角部の側方に配置されていてもよい。
【０００７】
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の領域は、前記半導体チップの辺の側方に配置されていてもよい。
【０００８】
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の領域は、前記半導体チップの前記辺に沿って延びる形状をなしていてもよい。
【０００９】
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記開口からの露出部は、前記半導体チップの辺と平行な直線で区画される矩形領域と、前記矩形領域の側方に配置された突出領域とを有し、
前記樹脂ペーストを、前記突出領域に供給してもよい。
【００１０】
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂部を、前記配線パターンにおける前記開口からの露出部をすべて覆うように形成してもよい。
【００１１】
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂部を、前記ベース基板の前記露出部をすべて覆うように形成してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００１３】
（第１の実施の形態）
以下、図１（Ａ）〜図３を参照して、本発明を適用した第１の実施の形態について説明する。
【００１４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示す半導体モジュール１００を用意することを含む。なお、図１（Ａ）は、半導体モジュール１００の上視図である。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のIB−IB線断面の一部拡大図である。そして、図１（Ｃ）は、露出部３０（レジスト層２０の開口２２）の形状を説明するための図である。以下、半導体モジュール１００の構成について説明する。
【００１５】
半導体モジュール１００は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、配線基板１０を有する。以下、配線基板１０の構成について説明する。
【００１６】
配線基板１０は、ベース基板１２を有する。ベース基板１２の材料や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。ベース基板１２は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。ベース基板１２は、積層型の基板であってもよく、あるいは、単層の基板であってもよい。ベース基板１２は、有機系又は無機系のいずれの材料で構成されていてもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。ベース基板１２として、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムを使用してもよい。あるいは、ベース基板１２としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてFPC(Flexible Printed Circuit)や、TAB(Tape Automated Bonding)技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成されたベース基板１２として、例えばセラミックス基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。ベース基板１２の外形も特に限定されるものではない。
【００１７】
配線基板１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、配線パターン１４を有する。配線パターン１４は、ベース基板１２に設けられてなる。配線パターン１４の構造及び材料は特に限定されない。配線パターン１４は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）のうちのいずれかが積層した構成をなしていてもよい。配線パターン１４は、ベース基板１２の表面のみに設けられていてもよいが、ベース基板１２の内部を通るように設けられていてもよい（図示せず）。
【００１８】
配線パターン１４は、電気的接続部１５を有する。電気的接続部１５は、電子部品の電極（例えば、後述する半導体チップ４０の電極４２）との電気的な接続に利用される部分である。電気的接続部１５は、ベース基板１２の表面に形成される。電気的接続部１５は、後述する、ベース基板１２におけるレジスト層２０の開口２２からの露出部３０に形成されてなる。すなわち、電気的接続部１５は、レジスト層２０から露出している。
【００１９】
配線基板１０は、レジスト層２０を含む。レジスト層２０は、ベース基板１２上に形成されてなる。レジスト層２０は開口２２を有する。開口２２は、ベース基板１２を露出させるように形成されている。ベース基板１２における開口２２からの露出部を、露出部３０と称する。開口２２は、配線パターン１４の電気的接続部１５を露出させるように形成されている。そして、レジスト層２０は、配線パターン１４を部分的に覆うように形成されていてもよい。
【００２０】
ベース基板１２における開口２２からの露出部３０は、図１（Ｂ）に示すように、後述する半導体チップ４０とオーバーラップする第１の領域３２と、半導体チップ４０から露出する第２の領域３４とを含む。第２の領域３４は、第１の領域３２（半導体チップ４０）の側方に配置されてなる。配線基板１０では、第２の領域３４は、第１の領域３２（半導体チップ４０）の角部の側方に配置されている（図１（Ａ）及び図１（Ｃ）参照）。なお、第１の領域３２と第２の領域３４とは連通している。第２の領域３４は、後述する樹脂ペースト５０を供給するための領域であってもよい。
【００２１】
半導体モジュール１００では、図１（Ｃ）に示すように、露出部３０（開口２２）は、半導体チップ４０の辺に平行な直線で区画される矩形領域３５と、矩形領域３５の側方に配置された突出領域３６とを有する。このとき、矩形領域３５と突出領域３６とは、連通している。矩形領域３５は、半導体チップ４０と（ほぼ）相似形をなしていてもよい。矩形領域３５は、半導体チップ４０よりも大きくてもよい。突出領域３６は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すように、矩形領域３５の角部の側方に配置されている。そして、図１（Ａ）に示すように、突出領域３６の少なくとも一部は、半導体チップ４０から露出してなる。すなわち、突出領域３６の少なくとも一部は、第２の領域３４であるといえる。
【００２２】
半導体モジュール１００は、半導体チップ４０を有する。半導体チップ４０は、配線基板１０に搭載されている。半導体チップ４０は、露出部３０の内側に（オーバーラップするように）配置されてなる。半導体チップ４０は、矩形領域３５の内側に配置されていてもよい。半導体チップ４０は電極４２を有する。そして、半導体チップ４０は、図１（Ｂ）に示すように、電極４２が電気的接続部１５と対向するように搭載されている。電極４２と電気的接続部１５とは、電気的に接続されている。電極４２と電気的接続部１５とは、接触して電気的に接続されていてもよい。
【００２３】
半導体チップ４０は、集積回路４６を有していてもよい。集積回路４６の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。このとき、電極４２は、集積回路４６に電気的に接続されていてもよい。あるいは、電極４２は、集積回路４６に電気的に接続されていない電極を含んでいてもよい。
【００２４】
電極４２の構成は特に限定されない。例えば、パッドと該パッドに設けられたバンプとを合わせて、電極４２と称してもよい。電極４２の配置は特に限定されるものではない。例えば、電極４２は、半導体チップ４０の端部領域のみに配置されていてもよく、あるいは、半導体チップ４０の中央領域に配置されていてもよい。また、電極４２は、集積回路４６とオーバーラップしないように配置されていてもよく、あるいは、集積回路４６とオーバーラップするように配置されていてもよい。
【００２５】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂ペースト５０を設けることを含む。図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本工程について説明するための図である。
【００２６】
本工程では、図２（Ａ）に示すように、ベース基板１２に対して垂直に設定されたディスペンサノズル６０によって、ベース基板１２の第２の領域３４に樹脂ペースト５０を供給する。すなわち、本工程では、ベース基板１２の露出部３０のうち半導体チップ４０からの露出領域のみに樹脂ペースト５０を供給するといえる。本実施の形態では、図２（Ａ）に示すように、露出部３０における半導体チップ４０からの露出領域の一部である、突出領域３６のみに樹脂ペースト５０を供給してもよい。また、本実施の形態では、レジスト層２０を避けて、開口２２の内側の領域のみに向かって、樹脂ペースト５０を供給する。また、本工程では、ディスペンサノズル６０をベース基板１２の第２の領域３４に向けた状態で、樹脂ペースト５０を吐出する。
【００２７】
そして、図２（Ｂ）に示すように、樹脂ペースト５０を、第１の領域３２に向かって流動させる。言い換えると、樹脂ペースト５０を、露出部３０における半導体チップ４０とオーバーラップする領域に向かって流動させる。樹脂ペースト５０は、いわゆる毛管現象を利用して流動させてもよい。すなわち、突出領域３６に供給された樹脂ペースト５０は、自重で拡がってゆき、半導体チップ４０に接触する。樹脂ペースト５０が半導体チップ４０に接触すると、樹脂ペースト５０には、ベース基板１２と半導体チップ４０との間に引き込む方向に（第１の領域に向かって）力がはたらく（毛管現象）。これにより、樹脂ペースト５０を流動させる。
【００２８】
樹脂ペースト５０を流動させて、図２（Ｃ）に示すように、配線パターン１４における開口２２からの露出部をすべて覆ってもよい。樹脂ペースト５０を流動させて、ベース基板１２における開口２２からの露出部３０をすべて覆ってもよい。なお、樹脂ペースト５０は、図２（Ｃ）に示すように、開口２２の内側のみに設けてもよい。言い換えると、樹脂ペースト５０は、レジスト層２０に乗り上がらないように形成してもよい。ただし、樹脂ペースト５０は、レジスト層２０に乗り上がるように形成してもよい（図示せず）。また、樹脂ペースト５０は、ベース基板１２と半導体チップ４０との間に充填させてもよい。
【００２９】
なお、樹脂ペースト５０は、自重で拡がってゆく速度よりも速い速度で、ベース基板１２と半導体チップ４０との間を流動させてもよい。樹脂ペースト５０の流動速度は、樹脂ペースト５０と半導体チップ４０（電極４２）及びベース基板１２との親和性や、樹脂ペースト５０の粘性、電極４２の形成密度等を調整することによって制御することができる。
【００３０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂ペースト５０を硬化させることを含む。樹脂ペースト５０を硬化させて、図３に示す、樹脂部５５を形成する。樹脂部５５は、配線パターン１４における開口２２からの露出部をすべて覆うように形成してもよい。また、樹脂部５５は、ベース基板１２における開口２２からの露出部３０をすべて覆うように形成してもよい。
【００３１】
以上の工程によって、図３に示す、半導体装置１を製造することができる。
【００３２】
本方法によると、樹脂ペースト５０を設ける工程で、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０上に乗り上がりにくくなるため、外観不良の発生を防止することができる。すなわち、本方法によると、外観信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。以下、この効果について説明する。
【００３３】
先に説明したように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、樹脂ペースト５０を、ベース基板１２（露出部３０の第２の領域３４）に供給する。言い換えると、樹脂ペースト５０を、レジスト層２０を避けて供給する。これによると、樹脂ペースト５０をレジスト層２０上に供給する場合と比較して、供給領域と半導体チップ４０の上面との間隔が広くなる。そのため、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０の上面に乗り上がりにくくなる。
【００３４】
また、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、樹脂ペースト５０を、露出部３０における半導体チップ４０からの露出領域（第２の領域３４）に供給する。言い換えると、樹脂ペースト５０を、半導体チップ４０の側方に供給する。そのため、ディスペンサノズル６０の位置合わせが容易で、効率よく樹脂ペースト５０を供給することができる。
【００３５】
そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、樹脂ペースト５０を、半導体チップ４０とオーバーラップする領域（第１の領域３２）に向かって流動させる。これにより、樹脂ペースト５０を、配線基板１０と半導体チップ４０との間に充填させることができるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。また、樹脂ペースト５０を半導体チップ４０とオーバーラップする領域に向かって流動させるため、樹脂ペースト５０の供給領域（第２の領域３４）付近で、樹脂ペースト５０の過剰な盛り上がりを防止することができる。そのため、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０の上面に付着することを防止することができる。
【００３６】
なお、樹脂ペースト５０を、自重で拡がる速度よりも速い速度でベース基板１２と半導体チップ４０との間を流動させることによって、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０上に乗り上がることを防止することができる。樹脂ペースト５０の流動速度は、樹脂ペースト５０の粘性、樹脂ペースト５０とベース基板１２との親和性、樹脂ペースト５０と半導体チップ４０（電極４２）との親和性、配線基板１０（ベース基板１２）と半導体チップ４０との間隔や、電極４２の形成密度などを調整することによって、制御することができる。
【００３７】
また、本発明によると、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０の上面に乗り上がらないように半導体装置を製造することができるため、樹脂部によって半導体装置の厚みが増すことを防止することができる。そのため、薄型の半導体装置を製造することが可能になる。
【００３８】
（変形例）
以下、図４を参照して、本実施の形態の変形例について説明する。
【００３９】
本実施の形態では、ベース基板１２におけるレジスト層２０の開口からの露出部７１は、半導体チップ４０の辺と平行な直線で区画された矩形領域７２と、矩形領域７２から突出した突出領域７３とを有する。そして、突出領域７３は、図４に示すように、矩形領域７２の辺の側方に配置されてなる。言い換えると、突出領域７３は、半導体チップ４０の辺の側方に配置されてなる。なお、突出領域７３は、配線パターン（図示せず）を露出させるように配置されていてもよく、配線パターンを避けて配置されていてもよい。
【００４０】
そして、本実施の形態では、突出領域７３に樹脂ペースト５０を供給する。すなわち、突出領域７３は、少なくとも一部が半導体チップ４０から露出しており、突出領域７３における半導体チップ４０からの露出部に、樹脂ペースト５０を供給する（図２（Ａ）参照）。
【００４１】
これによっても、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０上に乗り上がることを防止することができる。
【００４２】
（第２の実施の形態）
以下、図５（Ａ）〜図６を参照して、本発明を適用した第２の実施の形態について説明する。
【００４３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示す、半導体モジュール１０１を用意することを含む。なお、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）では、配線パターン１４は省略する。また、図５（Ａ）では、半導体チップ４０を破線で示す。
【００４４】
半導体モジュール１０１は、配線基板８０を含む。配線基板８０は、ベース基板１２と、ベース基板１２上に形成されたレジスト層８２とを有する。レジスト層８２には開口８４が形成されてなる。開口８４は、ベース基板１２を露出するように形成されてなる。ベース基板１２における開口８４からの露出部を指して、露出部８５と称する。
【００４５】
露出部８５は、半導体チップ４０とオーバーラップする第１の領域８６と、第１の領域８６の側方に配置された第２の領域８８とを含む。第２の領域８８は、半導体チップ４０（第１の領域８６）の１つの辺の側方に配置されてなる。第２の領域８８は、半導体チップの辺に沿って延びる形状をなす。
【００４６】
半導体モジュール１０１では、露出部８５（第１及び第２の領域８６，８８）は、矩形をなしていてもよい。そして、半導体チップ４０は、その中心が、露出部８５の中心からずれて配置されていてもよい。
【００４７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図６に示すように、ベース基板１２に対して垂直に設定されたディスペンサノズル６０によって、第２の領域８８に樹脂ペースト５０を供給することを含む。本工程では、図６に示すように、ディスペンサノズル６０を、半導体チップ４０の辺に沿って（第２の領域８８に沿って）移動させながら、樹脂ペースト５０を供給する。そして、樹脂ペースト５０を、第２の領域８８から第１の領域８６に向かって流動させる。
【００４８】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によると、半導体チップ４０の辺に沿って樹脂ペースト５０を供給する。そのため、樹脂ペースト５０を効率よく設けることができ、半導体装置の製造効率を高めることができる。また、樹脂ペースト５０の供給領域を広くすることができるため、樹脂ペースト５０が盛り上がりにくくなり、半導体チップ４０の上面に付着しにくくすることができる。
【００４９】
（変形例）
以下、図７を参照して、本実施の形態の変形例について説明する。
【００５０】
第２の領域８８は、図７に示すように、半導体チップ４０の隣り合う２つの辺の側方に配置されていてもよい。これによると、樹脂ペースト５０の供給領域がさらに広くなる。そのため、さらに効率よく樹脂ペースト５０を設けることができる。
【００５１】
なお、他の変形例として、第２の領域８８は、半導体チップ４０の３つの辺の側方に配置されていてもよい（図示せず）。
【００５２】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…半導体装置、  １０…配線基板、  １２…ベース基板、  １４…配線パターン、  １５…電気的接続部、  ２０…レジスト層、  ２２…開口、  ３０…露出部、  ３２…第１の領域、  ３４…第２の領域、  ３５…矩形領域、  ３６…突出領域、  ４０…半導体チップ、  ４２…電極、  ４６…集積回路、  ５０…樹脂ペースト、  ５５…樹脂部、  ６０…ディスペンサノズル、  ７１…露出部、  ７２…矩形領域、  ７３…突出領域、  ８０…配線基板、  ８２…レジスト層、  ８４…開口、  ８５…露出部、  ８６…第１の領域、  ８８…第２の領域、  １００…半導体モジュール、  １０１…半導体モジュール
【図１】
2007188939.tif 000003
【図２】
2007188939.tif 000004
【図３】
2007188939.tif 000005
【図４】
2007188939.tif 000006
【図５】
2007188939.tif 000007
【図６】
2007188939.tif 000008
【図７】
2007188939.tif 000009