(57)【要約】【課題】インクジェットヘッドヘッド形態の液体吐出ヘッドにより微小量の導電パターン用溶液や絶縁パターン用溶液を吐出して回路パターンを形成する際に、吐出不良等に起因する断線やショートの発生を防止する。【解決手段】回路パターンの形成過程において、回路パターン（Ｃ１）が存在しない部分（Ａ１）に、当該回路パターンの形成を行うための液体吐出ヘッド（６１０Ｅ）の予備吐出を行うようにする。かつ、その予備吐出が、吐出不良が生じ得る吐出中断時間未満の間隔で行われるようにする。【選択図】図５
2007311778.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に対し相対移動可能なヘッドを用い、前記基材上の回路が形成される領域内に溶液を吐出することで、該領域に前記回路を構成するためのパターンを形成する回路基板の製造方法であって、
前記ヘッドにより、前記基材に前記パターンを形成する第１吐出動作を行う工程と、
前記ヘッドにより、その吐出性能を良好な状態に保つ為の前記パターン形成に関わらない第２吐出動作を行う工程と、を有し、
前記第１吐出動作の過程で、吐出不良が生じ得る吐出中断時間が空く場合には、前記領域内の前記第１吐出動作によって形成される前記パターンが存在しない範囲に向けて、前記第２吐出動作を行うことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記回路基板は前記パターンが複数、積層された積層構造を有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記溶液は、導電パターンを形成する導電性溶液及び絶縁パターンを形成する絶縁性溶液の少なくとも一方を含み、
前記パターンは、導電パターン及び絶縁パターンの少なくとも一方を含み、
前記ヘッドは、前記導電性溶液を吐出して前記導電パターンを形成する第１ヘッド及び前記絶縁性溶液を吐出して前記絶縁パターンを形成する第２ヘッドの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２吐出動作を行うヘッドは前記第１ヘッドであり、
前記第２吐出動作が行われる範囲は、前記導電パターンから電気的に分離可能な距離以上離れた範囲であることを特徴とする請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記回路基板は前記パターンが複数、積層された積層構造を有し、前記範囲は、該範囲に対応する上下にある層の絶縁パターンによって絶縁されることを特徴とする請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２吐出動作を行うヘッドは前記第２ヘッドであり、
前記回路基板は前記パターンが複数、積層された積層構造を有し、
前記第２吐出動作が行われる範囲は、該範囲に対応する上下にある層の導電パターンに接続される部分以外であり、前記第２吐出動作は、前記第１ヘッドにより形成される前記導電パターンの電気的特性を阻害しないように行われることを特徴とする請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
基材に対し相対移動可能なヘッドを用い、前記基材上の回路が形成される領域内に溶液を吐出することで、当該領域に前記回路を構成するためのパターンが形成された回路基板であって、
前記基材に対する前記ヘッドの第１吐出動作によって形成された前記パターンと、
前記ヘッドの、その吐出性能を良好な状態に保つ為に、前記回路のパターン形成に関わらない第２吐出動作によって形成され、前記回路を構成しないパターンと、
を具え、前記回路を構成しないパターンは、前記第１吐出動作の過程で、吐出不良が生じ得る吐出中断時間が空く場合に、前記領域内の前記第１吐出動作によって形成される前記回路を構成するためのパターンが存在しない範囲に形成されたものであることを特徴とする回路基板。
【請求項８】
前記範囲は、前記回路を構成するためのパターンによって囲まれた範囲であることを特徴とする請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
前記回路を構成しないパターン上に、チップが配置されていることを特徴とする請求項７または８に記載の回路基板。
【請求項１０】
基材に対して相対移動可能なヘッドを用い、前記基材上の回路が形成される領域内に溶液を吐出することで、該領域に前記回路を構成するためのパターンを形成する回路基板の製造装置であって、
前記ヘッドに、前記基材に前記パターンを形成する第１吐出動作と、吐出性能を良好な状態に保つ為の前記パターン形成に関わらない第２吐出動作と、を行わせる手段と、
前記第１吐出動作の過程で、吐出不良が生じ得る吐出中断時間が空く場合には、前記領域内の前記第１吐出動作によって形成される前記パターンが存在しない範囲に向けて、前記第２吐出動作を行わせる手段と、
を有することを特徴とする回路基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に広く利用されている回路基板、並びに該回路基板を形成するための製造装置および製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ等の半導体や各種電子部品等を実装した回路基板は、様々な電子機器や通信機器、コンピュータ等の中枢をなす要素として現在広く適用されている。これらに適用される回路基板は、その基材としてセラミックやガラス繊維などの補強材とエポキシ樹脂などの合成樹脂との複合材を用いるものが主流である。しかし携帯電話やカメラなどの小型の機器に組み込まれる回路基板には、限られたスペースへの実装性を向上させるため、基材にポリエステル樹脂やアラミド樹脂等を使用し、屈曲性を有するようにしたものもある。
【０００３】
回路基板に形成される回路パターンについては、かつては基板の片面や両面に１層形成されたものが殆どであった。しかし現在では、適用対象である機器の小型化やその構成要素の配置の高密度化の要求に従って、８層や１６層などの多層構成とすることが主流となっている。また、回路パターン自体も、電子回路の高速化や小型化に伴って、微細化および高密度化が急速に進んでいる。
【０００４】
回路基板上の回路パターン形成方法としては様々な方法が実用化されているが、現在までの主流はサブトラクティブ法である。サブトラクティブ法は、銅張積層板を基材とし、不要な導体部分をエッチングにより除去することで回路パターンを形成する方法である。しかし、サブトラクティブ法には、基材に施す穴開け工程、無電解メッキ工程、ドライフィルム等によるパターニング工程、電解メッキ工程、エッチング工程、はんだ剥離工程など多くの工程が含まれ、回路基板の製造原価に占める加工費の割合が高くなる。このため、この加工費の低減が回路基板を製造する上での大きな問題となっていた。また、メッキ工程やエッチング工程では廃液が発生するので、環境に対する影響を低減するための廃液処理も問題となる。
【０００５】
これらの問題を解決するため、特許文献１や特特許文献２には、サブトラクティブ法によらない回路基板形成方法が開示されている。これらの文献では、導電性を発現する成分を溶解した溶液（導電パターン用溶液）と絶縁性を発現する成分を溶解した溶液（絶縁パターン用溶液）とを、インクジェット法による液体吐出ヘッドにより基材表面上に吐出して回路基板を形成する方法が開示されている。ここで特許文献１では、導電パターンと絶縁パターンとを交互に積層して回路基板を形成する方法が記載されている。一方特許文献２では、導電パターン用溶液と絶縁パターン用溶液とを一層に対しともに吐出して導電パターンおよび絶縁パターンから成る回路パターン層を形成し、その上に同様にして回路パターン層を形成（積層）して回路基板を形成する方法が記載されている。
【０００６】
かかる液体吐出ヘッド（以下、単にヘッドとも言う）により導電パターン用溶液や絶縁パターン用溶液などの溶液を吐出する場合、ヘッドのノズルから連続的に溶液を吐出し続けているときには問題はない。しかし溶液の吐出を一時停止してから吐出を再開するような場合、ノズルから吐出される溶液の速度や量が減少したり、吐出方向が変動したりするという吐出不良が生じ、甚だしい場合には不吐出が生じてしまうこともある。これらの吐出不良や不吐出は、吐出停止時にノズル内に滞留している溶液が外気に曝されたままとなることで溶液内の揮発成分（溶剤等）が蒸発し、溶液の粘度が上昇して吐出しにくくなることに起因する。特にオンデマンド方式によるインクジェット法を適用した回路基板製造装置では、形成するパターンに応じて、ノズルからの溶液吐出が停止することが頻繁に存在し得るため、吐出不良等が発生する恐れは充分にある。そして吐出不良等が生じると所望の回路パターンの形成が阻害され、断線やショートが発生する。
【０００７】
そこで、ノズル内に滞留した増粘溶液を除去し、好ましい粘度範囲にある溶液をノズルにリフィルする（リフレッシュする）ことが望ましい。そのため、導電パターンや絶縁パターンを形成するための本来の吐出動作（第１吐出動作）とは別に、パターン形成に関わらない吐出動作（第２吐出動作）を行うことが一般に知られている。これは、インクジェット記録技術において「予備吐出」と称される動作に対応したものであり、以下では便宜上、第２吐出動作を予備吐出と称する。この予備吐出は、従来、実際に溶液を吐出して回路パターンの形成（描画）を開始するまでの間に生じた増粘溶液を除去するために実施されるものであり、その方法については様々な提案がなされている。
【０００８】
例えば、特許文献３においては、パターン形成領域外に予備吐出エリアを設け、パターン描画の直前にこのエリアに対して予備吐出を行い、これにより増粘溶液の排出および好ましい粘度の溶液のリフィルを行うことで吐出不良を回避することが開示されている。また特許文献４では、ヘッドとパターンが形成されるワークとの相対移動中に予備吐出を行う構成において、ワークに予備吐出エリアを一体化し、パターン形成エリアと予備吐出エリアとを極力隣接させて、効果的に吐出不良を防止するようにしている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−３０９３６９号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３４９９号公報
【特許文献３】特開２００３−２８２２４５号公報
【特許文献４】特開２００４−８１９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
電子回路の高集積化が著しい近年では、回路基板の高密度化が急速に進んでおり、回路パターンをさらに細線化することが必須である。そのためには、ヘッドから吐出させる導電パターン用溶液や絶縁パターン用溶液の１ドット当たりの吐出量を小さくしなければならない。吐出量を小さくするためには、ノズル先端径を小さくすることが有効であるが、ノズル先端径を小さくすると、その分ノズル内の溶液の増粘に起因した吐出不良等が発生し易くなる。特に、高密度のパターンをもつ回路基板の形成に用いられる可能性の高い、数ｐｌ〜数１０ｐｌの量の液滴を吐出させるヘッドの場合には、５０〜１００ｍ秒程度吐出を停止するだけで吐出不良を起こしてしまうことが確認されている。
【００１１】
図２０はヘッドにより導電パターン用溶液を吐出して形成した回路基板の模式図である。複数のノズル２を配列してなるヘッド１は、図示の位置よりノズル配列方向とは異なる矢印Ｍで示す方向に移動しながら、導電パターン用溶液を基材３上に吐出することにより導電パターンを形成する。この図に示す構成の場合には、ノズル配列幅よりも基材３の縦方向の寸法の方が大きい。そこで、ヘッド１を再び元の所定位置に戻す一方、ヘッド移動方向（Ｍ方向）に直交する矢印Ｓ方向にノズル配列幅だけ基材３を移動した後、再びヘッド１をＭ方向に移動しながら導電パターンの部分を形成することで、基材３の全面に導電パターンを形成する。
【００１２】
導電パターンの形成領域には、導電パターンが存在しない領域Ａや、ＩＣなどの電気部品を実装するための領域Ｂなどが存在する。領域Ａでは、そこをヘッドが通過する間、すなわち数１０〜数１００ｍ秒の間、導電パターン用溶液の吐出が停止することがある。従って、特に微小液滴を吐出するヘッドが用いられる場合には、次の導電パターン部分Ｃを形成するときに、ノズル内に滞留した増粘溶液により吐出不良が生じることがある。
【００１３】
このように、回路基板の形成においては、回路パターンの形成動作中でも吐出不良が発生する恐れがある。このため、特許文献３や特許文献４に記載されたような、パターン形成前に実施する予備吐出だけでは吐出不良を有効に防止することはできず、信頼性の高い回路基板を形成することができなくなる。
【００１４】
本発明は上述した問題点に鑑みてなされたもので、液体吐出ヘッドにより微小量の溶液を吐出して回路パターンを形成する際に、吐出不良等に起因する断線やショートの発生を防止し、以て信頼性が高く高密度の回路基板の提供に資することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
そのために、本発明は、基材に対し相対移動可能なヘッドを用い、前記基材上の回路が形成される領域内に溶液を吐出することで、該領域に前記回路を構成するためのパターンを形成する回路基板の製造方法であって、
前記ヘッドにより、前記基材に前記パターンを形成する第１吐出動作を行う工程と、
前記ヘッドにより、その吐出性能を良好な状態に保つ為の前記パターン形成に関わらない第２吐出動作を行う工程と、を有し、
前記第１吐出動作の過程で、吐出不良が生じ得る吐出中断時間が空く場合には、前記領域内の前記第１吐出動作によって形成される前記パターンが存在しない範囲に向けて、前記第２吐出動作を行うことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、基材に対し相対移動可能なヘッドを用い、前記基材上の回路が形成される領域内に溶液を吐出することで、当該領域に前記回路を構成するためのパターンが形成された回路基板であって、
前記基材に対する前記ヘッドの第１吐出動作によって形成された前記パターンと、
前記ヘッドの、その吐出性能を良好な状態に保つ為に、前記回路のパターン形成に関わらない第２吐出動作によって形成され、前記回路を構成しないパターンと、
を具え、前記回路を構成しないパターンは、前記第１吐出動作の過程で、吐出不良が生じ得る吐出中断時間が空く場合に、前記領域内の前記第１吐出動作によって形成される前記回路を構成するためのパターンが存在しない範囲に形成されたものであることを特徴とする。
【００１７】
さらに、本発明は、基材に対して相対移動可能なヘッドを用い、前記基材上の回路が形成される領域内に溶液を吐出することで、該領域に前記回路を構成するためのパターンを形成する回路基板の製造装置であって、
前記ヘッドに、前記基材に前記パターンを形成する第１吐出動作と、吐出性能を良好な状態に保つ為の前記パターン形成に関わらない第２吐出動作と、を行わせる手段と、
前記第１吐出動作の過程で、吐出不良が生じ得る吐出中断時間が空く場合には、前記領域内の前記第１吐出動作によって形成される前記パターンが存在しない範囲に向けて、前記第２吐出動作を行わせる手段と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、ヘッドの第１吐出動作による回路パターンの形成過程において、回路パターンが存在しない部分に、当該回路パターンに関わらない第２吐出動作（予備吐出）を行うようにした。かつ、その予備吐出が、吐出不良が生じ得る吐出中断時間未満の間隔で行われるようにした。これにより、吐出不良に起因する回路パターンの断線やショートの発生を効果的に防止できる。また、回路パターン形成過程で予備吐出を同時に行えるので、スループットが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
【００２０】
（回路基板製造装置の構成例）
図１は本発明を適用可能な回路基板製造装置の機械的構成例を示す模式的斜視図、図２はその制御系の構成例を示すブロック図である。
【００２１】
キャリッジ１０９には、導電パターン用溶液および絶縁パターン用溶液をそれぞれ基材３上に吐出するための２つのヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉ（図１には不図示）が搭載される。これらのヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉとしては、いずれも、基材３と対向する面に、キャリッジ１０９の移動方向（Ｍ方向）と異なる方向にノズルを配列してなるものを用いることができる。なお、以下において、これら２つのヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉを、それぞれ、導電パターン用溶液吐出ヘッド（第１ヘッドに対応する）および絶縁パターン用溶液吐出ヘッド（第２ヘッドに対応する）、または単にヘッドとも言う。
【００２２】
またキャリッジ１０９には、ヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉに対し、それぞれ、導電パターン用溶液および絶縁パターン用溶液を供給するための２つのタンクを搭載することができる。これらのタンクは、キャリッジ１０９に搭載されてヘッドに一体化されるものとするほか、装置の固定部位に設けられ、チューブ等を介して各ヘッドに溶液を供給するものであってもよい。
【００２３】
ここで、導電パターン用溶液としては、導電性の点からＡｌ，Ａｇ，ＳｎＯ２などの金属コロイドを含むものを用いるのが一般的であり、金属コロイドの粒子直径は回路パターンの均一性や安定性等の観点から数１０〜数１００ｎｍの範囲のものが好適である。絶縁パターン用溶液としては、シリカ，アルミナ，炭酸カルシウム，炭酸マグネシウムなどの絶縁性微粒子を含むものが好適に用いられるが、最終的に絶縁性を発現するものであれば、特にこれらに限定されるものではない。基材３の材料としては、一般にアルミナ，シリカ，窒化アルミニウム，チタン酸バリウム，ジルコニアなどを焼結した多孔質セラミックス、ポリオレフィンや無機フィラを主材料にした多孔質樹脂フィルムやガラス繊維などがあげられる。しかし本実施形態では、後述するように加熱定着工程や焼成工程を有するため、耐熱性のある多孔質セラミックスを用いることが望ましい。
【００２４】
キャリッジ１０９は、基材３を搭載したステージ１０３の上を、例えばリニアモータ形態の駆動手段（以下、ＣＲリニアモータという）１０１によって、図中のＭ方向に移動できるようになっている。一方、ステージ１０３は、例えばリニアモータ形態の駆動手段（以下、ＬＦリニアモータという）１０２によって、キャリッジ１０９の移動方向と直交する図中のＳ方向に移動可能である。
【００２５】
ＬＦリニアモータ１０２は定盤１０８に高い剛性をもって固定されており、基材３を載置するステージ１０３の表面はステージが移動しても常に定盤面と平行に保たれる。またＣＲリニアモータ１０１は、ベース１０４および１０５を介し、高い剛性をもって定盤１０８上に固定されており、キャリッジ１０９が定盤面、すなわちステージ１０３の表面と平行に移動するように調整されている。
【００２６】
ＣＲリニアモータ１０１およびＬＦリニアモータ１０２には、それぞれリニアエンコーダ１１１および１１２と原点センサ１０６および１０７が設けられており、これらは各リニアモータ駆動時のサーボ制御用入力として利用される。またリニアエンコーダ１１１の出力は、導電パターン用溶液吐出ヘッド６１０Ｅおよび絶縁パターン用溶液吐出ヘッド６１０Ｉの吐出タイミングの制御にも利用される。なお、リニアエンコーダとして分解能０．５μｍ程度の高精度のものを用いれば、数１０μｍ幅の回路パターンを形成するには充分である。
【００２７】
基材３を支持しているステージ１０３は、加熱ヒータ６２０が埋設されたものとすることができる。これにより、形成された回路パターンを加熱することで、溶剤の蒸発すなわち回路パターンの定着を促進することができる。なお、加熱ヒータ６２０に関連して温度調整用の温度センサを設けることもできる。
【００２８】
なお、図２において、６０５はＣＲリニアモータ１０１およびＬＦリニアモータ１０２を駆動するためのモータドライバ、６０６はヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉを駆動するためのヘッド駆動回路装置である。６０７はエンコーダ１１１および１１２や、原点センサ１０６および１０７からの信号入力を受容するとともに、加熱ヒータ６２０に駆動信号を出力するための入出力（Ｉ／Ｏ）ポートである。
【００２９】
６００は装置の各部を制御するＭＰＵであり、作業用ＲＡＭ６０２を適宜使用しながら、プログラムＲＯＭ６０１に格納された図６、図１０または図１９について後述するような制御手順に対応した制御プログラムを実行する。６０４は通信制御ドライバであり、コンピュータ形態のホスト装置１０００が接続されて、形成する回路パターンの描画データをホスト装置１０００から受信するとともに、回路基板製造装置のステータス等をホスト装置１０００に送信する。描画データは基材３上の位置に対応してＶＲＡＭ６０３に展開され、これに基いてヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉの吐出動作と、キャリッジ１０９およびステージ１０３の移動動作とが制御される。
【００３０】
すなわち、回路パターンの描画データに基づいて、
・ステージ１０３をＬＦリニアモータ１０２によって所定位置に移動させる動作、および
・その後、キャリッジ１０９をＣＲリニアモータ１０１によってスキャンさせ、その過程でヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉを駆動し、基材３上の所定位置に導電パターン用溶液と絶縁パターン用溶液とを吐出する動作
を行わせる。そしてこれらの操作を必要回繰り返すことにより、導電パターンと絶縁パターンとからなる回路パターンを基材３上に形成することができる。
【００３１】
なお、本例の回路基板製造装置では、形成された回路パターンを加熱ヒータ６２０により速やかに定着することが可能であるため、定着した回路パターンの上に、連続して回路パターンを積層することで、積層構造を有する多層回路基板を形成することができる。しかし、形成された回路パターンには、各溶液中に含まれる溶剤が残存しており、また導電性を発現させるための金属コロイドがそのままの状態で存在する。そのため、電気的な絶縁性および導電性に関して、回路基板の性能をさらに向上させるためには、形成した回路基板中の溶剤を完全に除去し、かつ金属コロイドを焼結して導電性を発現させるため、別途設けられたベーク装置でベーク処理を行うことが望ましい。
【００３２】
以下、上記した構成の回路基板製造装置に対し、回路パターン形成動作中の吐出不良を防止するという本発明所期の目的を達成するのに好適ないくつかの実施形態を説明する。これら実施形態は回路パターンの形成過程で予備吐出が実施されることに特徴があるが、回路パターン形成に先立って予備吐出を行う場合には、特開平１１−１６３４９９号公報や特開２００４−８１９８８号公報に記載の技術を適用することができる。
【００３３】
（実施形態１）
図３Ａ〜図３Ｃ（以下、同様に訂正します）は、基材上に導電パターン層と絶縁パターン層とを交互に積層した際の連続する３層の模式図である。ここで、図３（ａ）および（ｃ）は、それぞれ、注目する導電パターン層（図３（ｂ））を挟む上層および下層の絶縁パターン層である。このような多層構成を有する回路基板を得る場合には、上記装置構成において、導電パターン用溶液の形成データおよび絶縁パターン用溶液の形成データを順次適用すればよい。
【００３４】
絶縁パターン層を示す図３（ａ）および（ｃ）において、ハッチングを施した部分５は絶縁パターンを表し、白丸部分６’はビアホールを表している。また、導電パターン層を示す図３（ｂ）において、実線および黒丸で示す部分４は導電パターンを表し、破線部分はＩＣの搭載等のために導電パターン用溶液が付与されない部分を表している。
【００３５】
導電パターン層の上層あるいは下層の絶縁パターン層は、その上下に積層されている導電パターン層との導通を行うためのビアホール６’以外の部分は導電パターン４と絶縁する必要がある。このため、図３（ａ）および（ｃ）に示すように、ビアホール６’の部分を除き、絶縁パターン用溶液は「ベタ」状パターンが得られるよう付与される。すなわち、絶縁パターン層を形成する場合には、絶縁パターン用溶液は殆ど吐出され続ける状態となるので、回路パターン形成動作中に絶縁パターン用溶液吐出ヘッド６１０Ｉの吐出不良が発生することはない。
【００３６】
これに対し、導電パターン層（図３（ｂ））では、導電パターン４がない、もしくは疎の領域Ａ１やＢ１が存在する。従って、これらの領域では導電パターン用溶液吐出ヘッド６１０Ｅの吐出が一時中断されるので、次に吐出が再開される導電パターン部分Ｃ１では吐出不良が発生してしまう恐れがある。
【００３７】
そこで、発明者は導電パターン層の上下の絶縁パターン層に注目し、新たな予備吐出の実施方法を採用した。上述のように、絶縁パターン５はビアホール６’以外はすべて「ベタ」状の絶縁性パターンであるので、導電パターン４はビアホール６’の部分を除いてすべて完全に絶縁されている。そのため、図４に示すように、導電パターン４から電気的に分離可能な距離以上離れた範囲（図中の斜線部）内であれば、ここに導電パターン用溶液の予備吐出を行うことが可能である。すなわち、予備吐出によって形成された導電パターンは、本来の導電パターンと電気的に独立しているため、特に問題が生じない。ここで、「電気的に分離可能な距離」とは、回路基板の電気的特性、すなわち絶縁抵抗や耐圧などの規格を満たす距離を意味しており、本来の導電パターンと予備吐出による導電パターンとの距離がこれを満足していれば、回路基板の性能上の問題とはならない。また、予備吐出を行うことが可能な範囲とは、回路を構成するためのパターン（本実施形態では部分Ｃ１などの導電パターン）によって囲まれた範囲を言うが、完全に、すなわち隙間なく囲まれていることを要しない。
【００３８】
ここで、回路基板の電気的特性として重要なものに、配線間の絶縁抵抗がある。この絶縁抵抗の規格値を満たすために必要な２つの配線間の距離は、配線の状態や配線間の電位差、絶縁パターンの物性（絶縁抵抗、表面抵抗）などによって大きく変化する。例えば、表面パターン層のように配線が露出しているか、内層パターンのように絶縁パターンで覆われているかによっても、適切な配線間の距離は変化する。ごく一般的な回路基板では１００μｍ以上の配線間距離があれば充分である。この配線間距離に比べて、吐出不良が発生し得る吐出間隔（吐出中断時間）にキャリッジが移動する距離は大きい。本実施形態で使用するような吐出量１〜１０ｐｌのヘッドでは、吐出不良が発生する吐出中断時間は１０ｍ秒〜３００ｍ秒程度である。ここで、このヘッドを搭載するキャリッジが０．０５〜１ｍ／ｓでスキャンされるものとすれば、吐出不良が発生し得る吐出間隔（吐出中断時間）にキャリッジが移動する距離は最小でも５００μｍとなり、これは電気的特性を満たす距離１００μｍより大きい。そのため本実施形態では、実際に使用しているヘッドで吐出不良が発生しない距離を基準として「電気的に分離可能な距離」を決定し、予備吐出を行うようにしている。本実施形態では、１００μｍのマージンを見込んでその距離を２００μｍとしているが、絶縁パターンの特性なども考慮して、最適な距離を設定すればよい。
【００３９】
図５は、図４で示した範囲内に、本来の導電パターンの形成を行うとともに予備吐出を行った場合に最終的に得られたパターン、すなわち導電パターン用溶液を実際に吐出して形成したパターンを示している。ここでは明瞭化のために図３（ｂ）における領域Ａ１およびその近傍だけを拡大して示している。この例では、ヘッド６１０Ｅに配列された複数のノズル２を、その配列範囲の一端から奇数番目のノズル群と偶数番目のノズル群とに分けて、領域Ａ１においてそれらから交互に予備吐出させることで、図示のような千鳥状パターンを形成している。
【００４０】
ここで、奇数番目のノズル群の予備吐出間隔および偶数番目のノズル群の予備吐出間隔が、ノズル内の溶液が増粘して吐出不良が生じる時間より短い時間に設定されるよう基準が定められる。従って、領域Ａ１において各ノズル内の導電パターン用溶液はリフレッシュされ続け、吐出性能は常に安定して良好な状態保たれる。また、領域Ａ１の最後の予備吐出から次の導電パターンＣ１の吐出までの間隔も、同様に吐出不良が生じる時間より短い時間に設定されるよう基準が定められる。従って、導電パターンＣ１において吐出は正常に行われるので、導電パターンＣ１において断線やショートが発生することはない。
【００４１】
また、回路パターン形成過程で予備吐出を同時に行えるので、スループットが向上する。さらに、基材ないしワークにパターン形成エリアに隣接して予備吐出エリアを設ける必要がなくなる、もしくはこの予備吐出エリアを設ける場合でもこれを最小限にすることができるので、基材のサイズ変更に柔軟に対応できる。
【００４２】
図６は以上の動作を実現するための制御手順を示すフローチャートである。  
まず注目層の導電パターンの描画データを読み込んだ後（ステップＳ１）、これに基いて導電パターンから電気的に分離可能な距離離れた範囲を予備吐出可能範囲として設定する（ステップＳ２）。次に、その予備吐出範囲内から上述の基準を満たす千鳥状の予備吐出パターン用データを生成する（ステップＳ３）。そして、ステップＳ１で読み込んだ導電パターン用データ（本来の導電パターン）とステップＳ３で生成した予備吐出パターン用データとの論理和を求めることにより、実際の吐出動作を規定する実吐出パターン用データを生成する（ステップＳ４）。これらの操作には、ＶＲＡＭ６０３の領域を適宜用いることが可能である。
【００４３】
そして、この実吐出パターンデータに従ってヘッド６１０Ｅを駆動し、導電パターン用溶液を吐出することで（ステップＳ５）、図５に示した導電パターンが得られることになる。
【００４４】
なお、予備吐出のパターン（回路を構成しないパターン）は図５に示したものに限定されるものではなく、次に形成される導電パターンＣ１の吐出までに、ノズル内に溜まった増粘溶液が除去されるものであればよい。
【００４５】
図７はその例を示した図であり、図５と同様、図３（ｂ）における領域Ａ１およびその付近の拡大図である。この例では、次の導電パターンＣ１の直前にすべてのノズルから予備吐出を行って「ベタ」状のパターンを形成することにより滞留している増粘溶液をすべて除去し、その後直ちに導電パターンＣ１の吐出を行うようにしている。この場合にも上記と同様の効果を得ることができる。この場合の予備吐出パターンの形成手順は、図６の手順と同様のものとすることができる。すなわち、ステップＳ３において、千鳥状パターンを予備吐出パターンとする代わりに、予備吐出可能範囲のヘッド走査方向のエッジ部分から所定幅を「ベタ」パターンとした画像を予備吐出パターンとすれば、図７に示したパターンを得ることができる。
【００４６】
また、本実施形態は導電パターン層と絶縁パターン層とを交互に積層して回路基板を形成する場合を例示した。しかし本発明は、回路パターン形成動作中の吐出不良を防止することを目的として、回路パターンの形成過程で予備吐出が実施されることに基本的な特徴がある。つまり、回路基板が１層構成であるか多層構成であるかを問わないものである。従って、例えば図３Ｂに示したような導電パターン層が基材上に１層だけ形成される回路基板に対しても、本実施形態を適用することは有効である。要は、導電パターン層において導電パターンが存在しない部分があり、かつその部分に導電パターンから電気的に分離可能な距離以上離れた範囲があれば、その範囲を予備吐出可能範囲として導電性溶液の予備吐出を行うことができる。
【００４７】
（実施形態２）
次に、一層に対し導電パターン用溶液と絶縁パターン用溶液とをともに吐出することで導電パターンと絶縁パターンとが形成される回路パターン層を積層して回路基板を形成する場合の実施形態について説明する。
【００４８】
図８（ａ）〜（ｃ）は基材３の上に導電パターン４と絶縁パターン５とをともに有する回路パターン層を複数積層した際の、連続する３つの回路パターン層を示す模式図である。本実施形態では、各回路パターン層の領域内すべてが導電パターン４および絶縁パターン５で満たされている。注目層（図８（ｂ））および上下層（図８（ａ），（ｃ））の回路パターン層ともに、絶縁パターンがその大部分の領域を占めており、絶縁パターンの形成においては絶縁パターン用溶液吐出ヘッド６１０Ｉの吐出不良が発生することはない。
【００４９】
これに対し、注目層の導電パターン部分では、第１の実施形態と同様に、導電パターン４がない、もしくは疎の領域Ａ２やＢ２が存在する。従って、これらの領域では導電パターン用溶液吐出ヘッド６１０Ｅの吐出が一時中断されるので、次に吐出が再開される導電パターン部分Ｃ２では吐出不良が発生してしまう恐れがある。
【００５０】
一方、注目層を挟み込む上下２層は、各回路パターン層の導体パターン間を接続する導体部分である接続部６の部分以外はすべて「ベタ」状の絶縁性パターンであるので、注目層は接続部６の部分を除いてすべて完全に絶縁されている。そのため、実施形態１と同様、図４に示したように導電パターンから電気的に分離可能な距離以上離れた範囲内であれば、ここに導電パターン用溶液の予備吐出を行って導電パターン部分が形成されても問題はない。本実施形態においても、「電気的に分離可能な距離」とは、実施形態１について述べたものと同様の意味である。
【００５１】
図９は、本実施形態の予備吐出を実施した場合の図８（ｂ）における領域Ａ２付近の拡大図である。本実施形態では、本来であればヘッド６１０Ｉにより絶縁パターン用溶液が吐出されて「ベタ」状の絶縁パターンが形成されるべき領域Ａ２の中に、部分的に導電パターン用溶液をヘッド６１０Ｅにより予備吐出して形成された千鳥状パターンが存在している。
【００５２】
本実施形態においても、奇数番目のノズル群の予備吐出間隔および偶数番目のノズル群の予備吐出間隔が、ノズル内の溶液が増粘して吐出不良が生じる時間より短い時間に設定されるよう基準が定められる。従って、領域Ａ２において各ノズル内の導電パターン用溶液はリフレッシュされ続け、吐出性能は常に安定に保たれる。また、領域Ａ２の最後の予備吐出から次の導電パターンＣ２の吐出までの間隔も、同様に吐出不良が生じる時間より短い時間に設定されるよう基準が定められる。従って、導電パターンＣ１において吐出は正常に行われるので、導電パターンＣ２において断線やショートが発生することはない。
【００５３】
図１０は以上の動作を実現するための制御手順を示すフローチャートである。  
まず注目層およびその上下に積層されている回路パターンの導電パターンデータを読み込んだ後（ステップＳ１１）、導電パターンから電気的に分離可能な距離離れた注目層内の範囲を予備吐出可能範囲として設定する（ステップＳ１２）。次に、その予備吐出可能範囲内の上述の基準に従った千鳥状の予備吐出パターン用データを生成する（ステップＳ１３）。そして、ステップＳ１１で読み込んだ導電パターン用データ（本来の導電パターン）とステップＳ１３で生成した予備吐出パターン用データとの論理和を求める。これにより、注目層での導電パターン用溶液の実際の吐出動作を規定する実吐出パターン用データ（図１１（ａ）に示すようなパターンを形成するためのデータ）が生成される（ステップＳ１４）。さらに、導電パターン以外の領域を絶縁パターンで埋めるための、図１１（ｂ）で示すような絶縁パターン用溶液の実吐出パターン用データとを生成する（ステップＳ１５）。この絶縁パターン用溶液の実吐出パターン用データの生成は、例えば、導電パターン用溶液の実吐出パターン用データを反転することで簡単に得ることができる。また、以上の操作には、ＶＲＡＭ６０３の領域を適宜用い、層毎、さらには導電パターンあるいは絶縁パターン毎に展開したデータを利用することが可能である。
【００５４】
そして、これらの実吐出パターンデータに従ってヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉを駆動し、それぞれ導電パターン用溶液および絶縁パターン用溶液を吐出することで（ステップＳ１５）、図１１Ａに示した導電パターンが得られることになる。
【００５５】
なお、予備吐出のパターンは図９に示したものに限定されるものではなく、次に形成される導電パターンＣ２の吐出までに、ノズル内に溜まった増粘溶液が除去されるものであればよい。
【００５６】
図１２はその例を示した図であり、図９と同様、図８（ｂ）における領域Ａ２およびその付近の拡大図である。この例では、次の導電パターンＣ２の直前にヘッド６１０Ｅのすべてのノズルから予備吐出を行って「ベタ」状のパターンを形成することにより滞留している増粘溶液をすべて除去し、その後直ちに導電パターンＣ２の吐出を行うようにしている。この場合にも上記と同様の効果を得ることができる。この場合の予備吐出パターンの形成手順は、図１０の手順と同様のものとすることができる。すなわち、ステップＳ１３において、予備吐出可能範囲のヘッド走査方向のエッジ部分から所定幅を「ベタ」パターンとする予備吐出パターンデータを生成すれば、図１２に示したパターンを得ることができる。
【００５７】
（実施形態３）
本実施形態は、実施形態２と同様、一層に対し導電パターン用溶液と絶縁パターン用溶液とをともに吐出することで導電パターンと絶縁パターンとが形成される回路パターン層を積層して回路基板を形成する場合に適用可能なものである。しかし本実施形態では、接続部を形成している回路パターン層に注目している。
【００５８】
図１３（ａ）〜（ｃ）は基材３の上に導電パターン４と絶縁パターン５とをともに有する回路パターン層を複数積層した際の、連続する３つの回路パターン層を示す模式図である。図１３（ｂ）に示す注目層において、接続部６の部分は導電パターン４の一部であり、それ以外は絶縁パターン５である。従って、この回路パターンに示すように散在する接続部を形成しようとしても、ヘッド６１０Ｅに吐出不良が生じて接続部を形成できない場合が生じ得る。
【００５９】
そこで発明者は、注目層およびそれを挟み込む上下２層（図１３（ａ），（ｃ））の関係に着目し、導電パターン用溶液の予備吐出の新たな実施方法を採用した。注目層においては、接続部部分以外の領域は上下２層を絶縁するために設けられた絶縁層であり、実際にはその領域すべてを絶縁パターンとする必要はない。というのは、注目層が無いと仮定した場合において、上下２層間でショートが生じるのは、上層および下層の導電パターン同士が重複する部分のみであるからである。
【００６０】
図１４（ａ）は上層および下層の導電パターンを重ねて描いた図であり、破線で囲んで示す部分のように、上下の導電パターン部分が交差したり、近接している部分が重複部分７である。ここで言う「重複部分」とは、上下層を直接積層したと仮定した場合に、互いの導電パターン間の距離が電気的に分離可能な距離未満であること、すなわち電気的特性（絶縁抵抗、耐圧など）が回路基板の仕様を満足できない距離まで近接していることである。このような場合には、重複部分に相当する注目層内の部分から所定距離内に導電パターンが存在していると、上下の導電パターン間でショートが発生する。換言すれば、重複部分に相当する注目層内の部分を適切に避け、当該部分から所定距離以上離れた部位であれば導電パターン用溶液を予備吐出して導電パターンを形成することが可能である。なお、「所定距離」とは前述のように「電気的に分離可能な距離」を意味する。さらに、注目層内にある接続部から所定距離内にも導電パターン用溶液の予備吐出はできないので、この領域も適切に避けるようにする。
【００６１】
図１４（ｂ）は、以上の考察を経て、図１３（ｂ）の注目層に対し決定された注目層の導電パターン用溶液の予備吐出可能な領域（斜線部）を示している。ここに形成される導電パターン用溶液の予備吐出パターンについては、実施形態２と同様に絶縁性の「ベタ」パターン部に導電パターン用溶液の予備吐出を行うので、図１１Ａに示したような千鳥状パターンでも、図１２に示したような「ベタ」パターンでもよい。要は、次に形成される本来の導電パターン部分に関する吐出までにノズル内に滞留している増粘溶液が除去されていれば、吐出不良による接続部の形成不良を有効に防止することができる。吐出パターンの生成方法についても、予備吐出範囲が異なるだけで、その他は同様である。
【００６２】
図１５は本実施形態の動作を実現するための制御手順を示すフローチャートである。  
まず注目層の上下に積層されている回路パターンの導電パターンデータを読み込んだ後（ステップＳ２１）、上下層の導電パターンが重複する部分を求める（ステップＳ２２）。次に、注目層の導電パターンを読み込んだ後（ステップＳ２３）、先に求めた重複部分のデータと注目層の導電パターンのデータとの論理和から領域Ａを求める（ステップＳ２４）。そして、領域Ａから電気的に分離可能な距離離れた範囲を予備吐出可能範囲として設定する（ステップＳ２５）。次に、予備吐出範囲内を、上述と同様の基準に従い、例えば千鳥パターンで埋めるための予備吐出パターンデータを生成する（ステップＳ２６）。次に、ステップＳ２３で読み込んだ注目層の導電パターンとステップＳ２６で求めた予備吐出パターンとの論理和から、注目層に導電パターン用溶液を実際に吐出するための吐出パターンデータを生成する（ステップＳ２７）。さらに、それ以外の部分に絶縁パターン用溶液を実際に吐出するための実吐出パターンデータを得る（ステップＳ２８）。この絶縁パターン用溶液の実吐出パターン用データの生成は、例えば、導電パターン用溶液の実吐出パターン用データを反転することで簡単に得ることができる。また、これらの操作には、ＶＲＡＭ６０３の領域を適宜用い、層毎、さらには導電パターンあるいは絶縁パターン毎に展開したデータを利用することが可能である。
【００６３】
そして、これらの実吐出パターンデータに従ってヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉを駆動し、それぞれ導電パターン用溶液および絶縁パターン用溶液を吐出することで（ステップＳ２９）、所望のパターンが得られることになる。
【００６４】
（実施形態４）
本実施形態では、電源やグランドに接続を行うための回路パターン層に注目する。ここで、一層に対し導電パターン用溶液と絶縁パターン用溶液とをともに吐出することで導電パターンと絶縁パターンとが形成される回路パターン層を積層して回路基板が形成されるものとする。
【００６５】
図１６（ａ）〜（ｃ）は基材３の上に回路パターン層を複数積層した際の、連続する３つの回路パターン層を示す模式図である。図１６（ｂ）は本例の注目層であって、電源やグランドに接続を行うための回路パターン層をなし、上下２層の回路パターン層（図１６（ａ），（ｃ））によって挟まれている。この注目層は、線状の絶縁パターン５により３つの電源プレーン８（導電性の「ベタ」パターン）に分割されている。よって、この注目層においては、線状の絶縁パターンを形成しようとする際にヘッド６１０Ｉの吐出不良が発生する恐れがある。
【００６６】
そこで発明者は、注目層（図１６（ｂ））およびそれを挟み込む上下２層（図１６（ａ），（ｃ））の関係に着目し、絶縁パターン用溶液の予備吐出の新たな実施方法を採用した。注目層は電源供給およびグランド接続用の層であるため、電源プレーン８に対して、上下２層の回路パターンには接続部６が設けられている。注目層の接続部の部分は上下２層との接続を行うため、これを絶縁パターンに置き換えることは不可能である。しかしそれ以外の部分は、電源プレーンとして電気的特性を満たす範囲内であれば、一部分を絶縁パターンに置き換えても問題ない。よって、注目層において絶縁パターン用溶液を予備吐出できる範囲は図１７に示す斜線部分となる。しかし電源プレーンの電気的特性を満たさなければならない。そのため本実施形態においては、絶縁パターン用溶液の予備吐出パターンを分散パターンとして形成する。具体的には、複数のノズルを配列方向の所定個数（例えば４個）置きに同時駆動し、かつ同時駆動単位をずらしながら走査方向の所定ドット（例えば）４ドット置きに駆動して行くことで、図１８（ａ）に示すような分散パターンとする。このようなパターンであれば、電源プレーンが電気的に切断することも無く、回路基板の仕様上の規格である、電源プレーンの許容電流や電圧降下などの電気的特性を満足することができる。
【００６７】
図１９は本実施形態の動作を実現するための制御手順を示すフローチャートである。  
まず注目層の上下に積層されている回路パターン層の導電パターンデータを読み込んだ後（ステップＳ３１）、それぞれの導電パターンから接続部を検出し、接続部以外の部分を予備吐出可能範囲として設定する（ステップＳ３２）。次に、予備吐出範囲内を上述の基準に従う分散パターンで埋めるための絶縁パターン用溶液の予備吐出パターンデータを生成する（ステップＳ３３）。次に、注目層の絶縁パターンデータを読み込んだ後（ステップＳ３４）、絶縁パターンデータと予備吐出パターンデータとの論理和を求め、図１８（ａ）に示すような絶縁パターンを形成するための実吐出パターンデータを生成する（ステップＳ３５）。次にこれ以外の部分から、図１８（ｂ）に示すような導電パターンを形成するための実吐出パターンデータを生成する（ステップＳ３６）。この導電パターン用溶液の実吐出パターン用データの生成は、例えば、絶縁パターン用溶液の実吐出パターン用データを反転することで簡単に得ることができる。また、これらの操作にも例えばＶＲＡＭ６０３の領域を適宜用い得ることは勿論である。
【００６８】
そして、これらの実吐出パターンデータに従ってヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉを駆動し、それぞれ導電パターン用溶液および絶縁パターン用溶液を吐出することで（ステップＳ３７）、図１８（ｃ）に示すような所望のパターンが得られることになる。
【００６９】
以上の説明のように、本実施形態では、図１７で示す予備吐出範囲内において、図１８（ａ）に示すような分散パターンを採用して絶縁パターン用溶液の予備吐出を行うようにした。これにより、絶縁パターン用溶液吐出ヘッドのノズル毎の吐出間隔を、ノズル内の溶液が増粘して吐出不良が生じる時間より小さくすることができ、絶縁パターン不良に起因する電源プレーン間のショートを効果的に防止することができる。
【００７０】
（その他）
以上の実施形態においては、ヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉを搭載して移動するキャリッジ１０９と、基材を保持して移動するステージ１０３とを具えた回路基板製造装置を用いた。しかしヘッド６１０Ｅおよび６１０Ｉと基材との一方を固定し、他方を２次元に相対移動可能とした回路基板製造装置を用いることも可能である。また、それらのような所謂シリアルスキャン型の装置ではなく、基材の幅に対応した範囲にわたってノズルを設けてなるヘッドを用い、このヘッドに対して基材を相対移動させる手段を具えたライン型の装置を用いることも可能である。
【００７１】
また、図３Ｂに示したようなＩＣチップ等の配置領域Ａ１，Ｂ１への導電性溶液の予備吐出は、当該配置領域およびチップの実装面（配置領域に接する面）が絶縁性であれば問題なく行うことができる。つまり、当該領域に対して導電性溶液の予備吐出を行うことにより、回路を構成しないパターンを形成し、そのパターン上にチップを配置することができる。例えばコンデンサでは、その電極部以外は絶縁性を有しているので、コンデンサが配置される部分への導電液性溶液の予備吐出を行うことも可能である。また、そのような配置領域に絶縁性溶液を予備吐出を行う場合には、配置領域およびチップの電極部分が塞がれないようにすればよい。また、チップ実装面がその配置領域と接触していない場合においては、導電性溶液であっても絶縁性溶液であっても、問題なくチップ配置領域に予備吐出を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明を適用可能な回路基板製造装置の機械的構成例を示す模式的斜視図である。
【図２】図１の回路基板製造装置の制御系の構成例を示すブロック図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係り、基材上に導電パターン層と絶縁パターン層とを交互に積層した際の連続する３層の模式図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に従った注目層上の導電パターン用溶液の予備吐出可能範囲を示す模式図である。
【図５】図４で示した範囲内に、本来の導電パターンの形成を行うとともに予備吐出を行った場合に最終的に得られたパターンを示す模式図であり、図３（ｂ）の一部拡大図に対応している。
【図６】第１の実施形態の動作を実現するための制御手順を示すフローチャートである。
【図７】図４で示した範囲内に、本来の導電パターンの形成を行うとともに、図４とは異なる予備吐出を行った場合に最終的に得られたパターンを示す模式図であり、図３（ｂ）の一部拡大図に対応している。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係り、基材上に導電パターンと絶縁パターンとをともに有する回路パターン層を複数積層した際の、連続する３層の模式図である。
【図９】第２の実施形態の予備吐出を実施した場合の図８（ｂ）における領域Ａ２付近を示す拡大図である。
【図１０】第２の実施形態の動作を実現するための制御手順を示すフローチャートである。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は図１０の手順の実行過程での動作を説明するための模式図である。
【図１２】第２の実施形態の変形例に係る予備吐出を実施した場合の図８（ｂ）における領域Ａ２付近を示す拡大図である。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施形態に係り、基材上に導電パターンと絶縁パターンとをともに有する回路パターン層を複数積層した際の、連続する３層の模式図である。
【図１４】（ａ）および（ｂ）は第３の実施形態における予備吐出可能範囲の決定態様を説明するため模式図である。
【図１５】第３の実施形態の動作を実現するための制御手順を示すフローチャートである。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第４の実施形態に係り、回路パターン層を複数積層した際の連続する３層の模式図である。
【図１７】第４の実施形態における予備吐出可能範囲の決定態様を説明するため模式図である。
【図１８】（ａ）〜（ｃ）は図１０の手順の実行過程での動作を説明するための模式図である。
【図１９】第４の実施形態の動作を実現するための制御手順を示すフローチャートである。
【図２０】本発明が解決しようとする課題を説明するために、インクジェットヘッドにより導電パターン用溶液を吐出して形成した回路基板の模式図である。
【符号の説明】
【００７３】
１、６１０Ｅ、６１０Ｉ  液体吐出ヘッド
２  ノズル
３  基材
４  導電パターン
５  絶縁パターン
６’  ビアホール
６  接続部
７  重複部分
８  電源プレーン
１０１  ＣＲリニアモータ
１０２  ＬＦリニアモータ
１０３  ステージ
１０４，１０５  ベース
１０６，１０７  原点センサ
１０８  定盤
１０９  キャリッジ
１１１，１１２リニアエンコーダ
６００  ＭＰＵ
６０１  ＲＯＭ
６０３    ＶＲＡＭ
１０００  ホスト装置（コンピュータ）
【図１】
2007311778.tif 000003
【図２】
2007311778.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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