(57)【要約】【課題】光伝送路に障害が発生した場合でも、ストレージ機能を停止させず、データの保全性を確保できるようにした半導体ストレージ装置を提供する。【解決手段】ホスト装置３からのデータは、電気−光変換部１２で光信号に変換され、この光信号が光ファイバ１２１、シート状光導波路１３および光ファイバ１３１Ａ〜１３１Ｄを介して光伝送され、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄで電気信号に戻された後、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄによりメモリ１６Ａ〜１６Ｄに格納される。例えば、光メモリバス１９の光ファイバ１３１Ｂに断線等が生じた場合、光−電気変換部１４Ｂからメインコントローラ１０に障害発生が通知される。メインコントローラ１０は、制御線１０１をバスとして用い、メモリ１０ａから読み出したデータを制御線１０１を介してメモリ１６Ｂに格納し、メモリ１６Ａ〜１６Ｄ内のデータをバックアップ用ストレージ１７に保存する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光伝送路および電気伝送路が接続された記憶手段と、
前記光伝送路による光伝送を阻害する障害を検知する検知手段と、
前記検知手段により前記障害が検知されたとき、前記記憶手段に記憶されているデータを前記電気伝送路を介してバックアップ用記憶媒体に転送する制御手段とを備えたことを特徴とする半導体ストレージ装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記検知手段により前記障害が検知されたとき、前記記憶手段に記憶すべき前記データを前記電気伝送路を介して前記記憶手段に記憶することを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項３】
前記検知手段は、前記光伝送路の後段に設けられた光−電気変換部の出力信号に基づいて前記障害を検知することを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項４】
前記検知手段は、前記光伝送路の前段に設けられた電気−光変換部の出力信号に基づいて前記障害を検知することを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項５】
前記検知手段は、前記光伝送路からのデータに対するエラー訂正頻度に基づいて前記障害を検知することを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項６】
前記検知手段は、半導体ストレージ装置内または半導体デバイスの温度上昇、ファンの停止、筐体または発光部のカバーの外れに基づいて、前記障害を検知することを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記検知手段が前記障害を検知したとき、前記障害の内容、前記障害が発生した場所及び前記障害の発生日時を前記バックアップ用記憶媒体に記録することを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記検知手段が前記障害を検知したとき、外部からのアクセスを制限することを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項９】
前記制御手段は、バッファメモリを備え、前記光伝送路へのデータ送出量と前記光伝送路を経由したデータ受信量とが一致し、かつ、エラー訂正頻度が所定値以下であることが確認されるまで前記記憶手段に記憶するべき前記データを前記バッファメモリに保持することを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記検知手段が前記障害を検知したとき、警報音または表示によりユーザーに報知する警報手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項１１】
前記バックアップ用記憶媒体は、半導体ストレージ装置に内蔵されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項１２】
前記バックアップ用記憶媒体は、半導体ストレージ装置の外部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【請求項１３】
前記光伝送路は、シート状光導波路と、前記シート状光導波路の光入射側の端面に光結合された入力側光ファイバと、前記シート状光導波路の光出射側の端面に光結合された複数の出射側光ファイバとを備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体ストレージ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データを光伝送経路を介して保存する半導体ストレージ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ストレージ装置の内部は、メモリへのデータ書込みや、メモリからのデータ読み込みを行う配線にバス接続（メモリバス）を有している。
【０００３】
近年の半導体ストレージ装置の高速化、大容量化に伴い、メモリバスのデータ通信速度は飛躍的に向上しているが、電気配線でのメモリバスは、信号分岐部でのデータ信号の劣化や減衰が起こり、データ通信の信頼性が悪化する。
【０００４】
これらの解決策として、データ信号を光に変換し、薄型導光路で光信号を分岐する方法が提案されている。
【０００５】
しかし、光によるデータ通信の場合は、光ファイバーや導光路の破損、受発光素子の位置ズレや素子の寿命など電気配線には無い故障モードがあり、これらの故障モードは故障が発生した時点で、半導体ストレージ装置としての機能は失われ、修理やメンテナンス中も装置を停止させなければならないという問題がある。
【０００６】
これを回避する手段として、光によるデータ通信と平行して電気によるデータ通信をバックアップとして持つ技術が提案されている（特許文献１、２参照。）。
【０００７】
特許文献１に記載された構成は、メタリック系の幹線とステーション間を、光メタリック複合ケーブルからなる支線で結んだ光メタリック複合バス型ネットワークである。
【０００８】
特許文献２に記載された構成は、複数のユニット間を。光ファイバ伝送路とワイヤ伝送路を組み合わせた伝送路で接続した多重伝送制御システムである。
【特許文献１】特開昭６２−２５３２４３号公報
【特許文献２】特開平５−１４５５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来の構成を半導体ストレージ装置に適用すると、光データ通信に異常が発生し、電気データ通信に切り替えても、メインコントローラと外部インターフェースとの間でデータ入出力量の均衡が合わず、メインコントローラのバッファメモリが一杯になり、メインコントローラ自体の動作不安定の要因となる。この場合、最悪では半導体ストレージ装置の再起動が必要になる場合があり、メモリに記憶されているデータ消失が発生する可能性がある。
【００１０】
従って、本発明の目的は、光伝送路に障害が発生した場合でも、ストレージ機能を停止させず、データの保全性を確保できるようにした半導体ストレージ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の半導体ストレージ装置を提供する。
【００１２】
［１］光伝送路および電気伝送路が接続された記憶手段と、前記光伝送路による光伝送を阻害する障害を検知する検知手段と、前記検知手段により前記障害が検知されたとき、前記記憶手段に記憶されているデータを前記電気伝送路を介してバックアップ用記憶媒体に転送する制御手段とを備えたことを特徴とする半導体ストレージ装置。
【００１３】
上記構成の半導体ストレージ装置によれば、光伝送路に障害が発生したとき、その時点のデータがバックアップ用記憶媒体に保存されるので、データを確実にバックアップすることができ、ストレージ機能の停止を防止することができる。また、データをバックアップ用記憶媒体に転送することにより、記憶手段が揮発性メモリからなる場合、メンテナンス等のために電源をオフにしても、データの消失を防ぐことができる。
【００１４】
[２]前記制御手段は、前記検知手段により前記障害が検知されたとき、前記記憶手段に記憶すべき前記データを前記電気伝送路を介して前記記憶手段に記憶することを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。この構成によれば、電気伝送路として、例えば、記憶手段を制御する制御バスをデータバスとして用いることにより、構成を簡略化することができる。
【００１５】
[３]前記検知手段は、前記光伝送路の後段に設けられた光−電気変換部の出力信号に基づいて前記障害を検知することを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。
【００１６】
[４]前記検知手段は、前記光伝送路の前段に設けられた電気−光変換部の出力信号に基づいて前記障害を検知することを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。
【００１７】
[５]前記検知手段は、前記光伝送路からのデータに対するエラー訂正頻度に基づいて前記障害を検知することを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。この構成によれば、光伝送路における光信号の途絶や光量低下があると、エラー訂正頻度が高くなる。従って、エラー訂正頻度の頻発に基づいて、光伝送路に障害が生じていることを容易に判定することができる。
【００１８】
[６]前記検知手段は、半導体ストレージ装置内または半導体デバイスの温度上昇、ファンの停止、筐体または発光部のカバーの外れに基づいて、前記障害を検知することを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。この構成によれば、前記光伝送路の障害以外の異常に対してもデータをバックアップすることができる。
【００１９】
[７]前記制御手段は、前記検知手段が前記障害を検知したとき、前記障害の内容、前記障害が発生した場所及び前記障害の発生日時を前記バックアップ用記憶媒体に記録することを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。この構成によれば、障害の内容、障害が発生した場所、障害の発生日時を前記バックアップ用記憶媒体に記録することができるため、メンテナンスを迅速かつ的確に行うことができる。
【００２０】
[８]前記制御手段は、前記検知手段が前記障害を検知したとき、外部からのアクセスを制限することを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。この構成によれば、ユーザーからのアクセスを制限することができ、光メモリバスの障害にともなう伝送速度の低下に対処することができる。
【００２１】
[９]前記制御手段は、バッファメモリを備え、前記光伝送路へのデータ送出量と前記光伝送路を経由したデータ受信量とが一致し、かつ、エラー訂正頻度が所定値以下であることが確認されるまで前記記憶手段に記憶するべき前記データを前記バッファメモリに保持することを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。この構成によれば、光伝送路に障害が発生しても、送信が無事に終了するまでデータが制御手段側にバックアップされているため、データを確保することができる。
【００２２】
[１０]前記制御手段は、前記検知手段が前記障害を検知したとき、警報音または表示によりユーザーに報知する警報手段を備えたことを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。この構成によれば、障害の発生がユーザーに報知されるので、障害発生に伴う対策を迅速に講じることができる。
【００２３】
[１１]前記バックアップ用記憶媒体は、半導体ストレージ装置に内蔵されていることを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。［この構成によれば、用途、小形化、利便性等に応じてバックアップ用記憶媒体を内蔵にすることができる。
【００２４】
［１２］前記バックアップ用記憶媒体は、半導体ストレージ装置の外部に設けられていることを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。［１１］前記バックアップ用記憶媒体は、半導体ストレージ装置に外付けされていることを特徴とする前記［１］に記載の半導体ストレージ装置。この構成によれば、用途、記憶容量等に応じてバックアップ用記憶媒体を外付け、あるいはネットワークを介して設けることができる。
【００２５】
［１３］前記光伝送路は、シート状光導波路と、前記シート状光導波路の光入射側の端面に光結合された入力側光ファイバと、前記シート状光導波路の光出射側の端面に光結合された複数の出射側光ファイバとを備えたことを特徴とする前記[１]に記載の半導体ストレージ装置。この構成によれば、簡素かつ小型な構成で光分岐を行うことができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、光通信系に障害が発生した場合でも、ストレージ機能を停止させず、データの保全性を確保できるようにしたストレージ装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
［第１の実施の形態］
（半導体ストレージ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ストレージ装置を示す。この半導体ストレージ装置１は、シリアルインターフェース２を介してサーバ等からなるホスト装置３に接続されている。
【００２８】
半導体ストレージ装置１は、装置１内の制御を担う制御手段としてのメインコントローラ１０と、メインコントローラ１０の管理の下にホスト装置３との間で信号の授受を行う外部インターフェース部（外部Ｉ／Ｆ部）１１と、メインコントローラ１０に接続されてデータを光信号に変換する電気−光変換部（ＴＸ）１２と、光ファイバ１２１を介して電気−光変換部１２に結合されたシート状光導波路１３と、光ファイバ１３１Ａ〜１３１Ｄを介してシート状光導波路１３に結合された光−電気変換部（ＲＸ）１４Ａ〜１４Ｄと、信号線１４１Ａ〜１４１Ｄを介して光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄに接続されたメモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄと、メモリバス１５１Ａ〜１５１Ｄを介してメモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄに接続されたメモリ１６Ａ〜１６Ｄと、メモリバス１５２Ａ〜１５２Ｄを介してメモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄに接続されたバックアップ用記憶媒体としてのバックアップ用ストレージ１７と、メインコントローラ１０に接続された警報部１８とを備えて構成されている。
【００２９】
図１において、電気−光変換部１２、光ファイバ１２１、シート状光導波路１３、光ファイバ１３１Ａ〜１３１Ｄ及び光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄは、光メモリバス１９を構成している。
【００３０】
メインコントローラ１０は、ＣＰＵ、プログラムを格納するＲＯＭ、および送信データを一時的に保持するメモリ１０ａ等を備えている。また、メインコントローラ１０には、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄとの間に、メモリアクセスのコントロール信号や初期化信号等を伝送する制御バス１０１が接続されている。
【００３１】
また、メインコントローラ１０は、電気−光変換部１２へ送出したデータ送出量と、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄから通知されるデータ受信量とが一致し、更に、エラー訂正頻度が所定回数以下であることが確認されるまで、送信済みのデータをメモリ１０ａに保存する機能を有している。
【００３２】
外部Ｉ／Ｆ部１１は、ホスト装置３との通信を所定の通信方式により実行するための回路を備えている。
【００３３】
電気−光変換部１２は、レーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子と、発光素子を駆動する駆動回路等を備えて構成されている。
【００３４】
シート状光導波路１３は、電気−光変換部１２からの入力光を４つの光ファイバ１３１Ａ〜１３１Ｄに分岐する構成を有する。シート状導光路１３は、厚さが一様のシート状の透明媒質からなり、例えば、ポリメチルメタクリレート，ポリカーボネート，アモルファスポリオレフィン等のプラスチック材料や、無機ガラス等から形成されている。なお、シート状導光路１３は、その側面及び上下面にクラッド層を設けてもよい。また、シート状導光路１３の入射端面側に拡散層を設けてもよい。
【００３５】
光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄは、受光素子であるフォトダイオード（ＰＤ）、このＰＤの出力信号を増幅する増幅器、この増幅器の出力信号を復調する復調器等を備えて構成されている。更に、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄは、電気−光変換部１２からの光信号が途絶したことを検知する機能を備えており、その検知信号をメインコントローラ１０へ通知するための信号線１４２Ａ〜１４２Ｄがメインコントローラ１０との間に接続されている。なお、途絶には瞬間的なものや光量低下も含まれる。
【００３６】
メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄは、メモリ１６Ａ〜１６Ｄに対するデータの書き込み及び読み出しを制御する回路を備えている。また、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄとメインコントローラ１０とを接続する制御バス１０１は、通常は、メインコントローラ１０がメモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄを制御するバスとして用いられ、光メモリバス１９に障害が発生した時にはデータを伝送するためのバスとして用いられる。
【００３７】
メモリ１６Ａ〜１６Ｄは、揮発性半導体メモリからなり、例えば、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄと同じパッケージに実装されており、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄを介してデータの書き込みおよび読み出しが行われる。
【００３８】
バックアップ用ストレージ１７は、フラッシュメモリ等の不揮発性の半導体メモリ、ハードディスク等からなり、光メモリバス１９に障害が発生したときに、メモリ１６Ａ〜１６Ｄのデータを保存するバックアップ用の記憶媒体である。なお、バックアップ用ストレージ１７は、用途、記憶容量等に応じて、半導体ストレージ装置１の本体に内蔵させ、或いはケーブル等を介して外付けにしてもよいく、更にはネットワークを介して接続してもよい。
【００３９】
警報部１８は、スピーカから警報音、メロディ、音声メッセージ等を発する音響回路を用いて可聴表示を行ってもよく、またＬＥＤランプ等の点灯回路やメッセージ等の文字をディスプレイに表示する表示回路を用いて可視表示を行ってもよく、さらに可聴表示と可視表示の両方を行ってもよい。
【００４０】
（第１の実施の形態の動作）
次に、第１の実施の形態に係る半導体ストレージ装置１の動作を、図２を参照して説明する。図２は、第１の実施の形態に係る半導体ストレージ装置の送信処理を示す。
【００４１】
（１）通常の送信処理
まず、通常の送信処理について説明する。ホスト装置３から半導体ストレージ装置１に送信要求が出されると、この送信要求を外部Ｉ／Ｆ部１１を介してメインコントローラ１０が受信する。
【００４２】
メインコントローラ１０は、送信要求を確認すると（Ｓ２０１：Ｙｅｓ）、ホスト装置３からのデータをメモリ１０ａに一時的に保持した後（Ｓ２０２）、電気−光変換部１２へ出力する（Ｓ２０４）。なお、送信要求が無い場合（Ｓ２０１：Ｎｏ）、待機処理等を含む他の処理を実行する（Ｓ２０３）。
【００４３】
電気−光変換部１２は、データを光信号に変換して格納先のアドレス情報と共に光ファイバ１２１へ送出する。光ファイバ１２１を伝搬した光信号は、シート状光導波路１３によって光ファイバ１３１Ａ〜１３１Ｄに光分岐される。
【００４４】
光ファイバ１３１Ａ〜１３１Ｄを伝搬した光信号は、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄにて電気信号に変換され、指定されたアドレスに対応するメモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄに送られる。メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄは、自己宛てのデータを光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄから受け付け、メモリ１６Ａ〜１６Ｄに書き込む。
【００４５】
メインコントローラ１０は、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄからの光信号途絶等の光検知情報を基に、データの書き込みが正常に行われたか否か、すなわち、通信が正常に終了したか否かを判定する（Ｓ２０５）。通信が正常に終了したことが判定されると（Ｓ２０５：Ｙｅｓ）、メインコントローラ１０は、メモリ１０ａ内のデータを消去し（Ｓ２０６）、上記ステップＳ２０１の処理へ移行する。
【００４６】
（２）障害発生時の処理
次に、光メモリバス１９に障害が発生した場合の処理について説明する。ここでは、光ファイバ１３１Ｂに断線が生じたものとする。
【００４７】
上記ステップＳ２０５において、光ファイバ１３１Ｂに断線が生じていた場合、光−電気変換部１４Ｂに光信号が到達しないため、光−電気変換部１４Ｂから、検知信号が信号線１４２Ｂを介してメインコントローラ１０へ送られる。メインコントローラ１０は、検知信号に基づいて通信が正常に終了していないと判定する（Ｓ２０５；Ｎｏ）。
【００４８】
メインコントローラ１０は、制御バス１０１を介して障害が発生したデータの番地（アドレス）をメモリコントローラ１５Ｂに調査させ、その調査結果を報告させる（Ｓ２０７）。この調査結果に基づいて、メインコントローラ１０は、発生した障害の内容、障害が発生した場所、障害発生日時等を把握すると共に、光伝送から電気伝送に切り替える（Ｓ２０８）。即ち、光メモリバス１９を使用したデータ伝送から制御バス１０１を用いた電気系のデータ伝送（電気伝送）に切り替える。
【００４９】
次に、メインコントローラ１０は、障害発生に伴う末送信のデータをメモリ１０ａから制御バス１０１経由でメモリコントローラ１５Ｂへ送信する。メモリコントローラ１５Ｂは、メインコントローラ１０から受信したデータを、メモリバス１５１Ｂを介してメモリ１６Ｂに格納する（Ｓ２０９）。また、メインコントローラ１０は、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄを制御し、メモリ１６Ａ〜１６Ｄ内のデータをメモリバス１５１Ａ〜１５１Ｄ、１５２Ａ〜１５２Ｄを介してバックアップ用ストレージ１７へ転送し、格納させる（Ｓ２１０）。
【００５０】
更に、メインコントローラ１０は、発生した障害の内容、障害が発生した場所、発生日時をバックアップ用ストレージ１７に記録する（Ｓ２１１）。
【００５１】
次に、メインコントローラ１０は、光−電気変換部１４Ｂの系統に障害が発生したことを、警報部１８を動作させることによりユーザーに警報する（Ｓ２１２）。この警報に基づいて、ユーザーは、光−電気変換部１４Ｂの系統の保守点検等を実施する。
【００５２】
更に、メインコントローラ１０は、障害の発生により、伝送速度（書き込み速度）が低下したことから、ホスト装置３から半導体ストレージ装置１へのアクセスを制限するため、伝送帯域を制限する制御を外部Ｉ／Ｆ部１１に対して実行する（Ｓ２１３）。
【００５３】
（３）障害発生後の読み出し動作
ホスト装置３から半導体ストレージ装置１にデータの読み出し要求があると、半導体ストレージ装置１は、制御線１０１を介してメモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄに読み出し要求のコントロール信号を出力する。メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄは、読み出し要求に自己のアドレスを含むとき、対応するデータをメモリ１６Ａ〜１６Ｄまたはバックアップ用ストレージ１７から読み出し、制御線１０１を介してメインコントローラ１０へ送出する。メインコントローラ１０は、制御線１０１からのデータをホスト装置３へ転送する。
【００５４】
（第１の実施の形態の効果）
第１の実施の形態によれば、光メモリバス１９経由によるデータ伝送に障害が発生した場合でも、制御バス１０１を介してメモリ１６Ａ〜１６Ｄにデータを伝送することができる。また、バックアップ用ストレージ１７にデータを退避することができるため、データの保全を確保することができる。
【００５５】
［第２の実施の形態］
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体ストレージ装置を示す。本実施の形態は、第１の実施の形態において、電気−光変換部（ＴＸ）１２内の発光素子（ＬＤ）が発光しない等の異常を検知する検知回路１２ａを電気−光変換部１２に設け、検知回路１２ａによる検知信号Ｓｄを信号線１２ｂを介してメインコントローラ１０へ通知できるようにしたものであり、その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００５６】
（第２の実施の形態の動作）
次に、第２の実施の形態の半導体ストレージ装置１の動作を図２を参照して説明する。なお、読み出し動作は、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５７】
（１）通常の送信処理
まず、通常の送信処理について説明する。光メモリバス１９を介した通信が正常に行われている場合、図２に示した上記ステップＳ２０１〜Ｓ２０６のルートによる処理が実行される。即ち、ホスト装置３から半導体ストレージ装置１に送信要求があると（Ｓ２０１：Ｙｅｓ）、ホスト装置３からのデータをメモリ１０ａに一時的に保持した後（Ｓ２０２）、電気−光変換部１２へ出力する（Ｓ２０４）。電気−光変換部１２は、データを光信号に変換して格納先のアドレス情報と共に光ファイバ１２１へ送出する。光ファイバ１２１を伝搬した光信号は、シート状光導波路１３によって光ファイバ１３１Ａ〜１３１Ｄに光分岐され、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄによって電気信号に変換され、指定されたアドレスに対応するメモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄに送られる。メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄは、自己宛てのデータをメモリ１６Ａ〜１６Ｄに書き込む。
【００５８】
メインコントローラ１０は、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄからの光信号途絶等の光検知情報および電気−光変換部（Ｔｘ）１２の検知回路１２ａからの検知信号Ｓｄを基に、データの書き込みが正常に行われたか否か、すなわち、通信が正常に終了したか否かを判定する（Ｓ２０５）。通信が正常に終了したことが判定されると（Ｓ２０５：Ｙｅｓ）、メインコントローラ１０は、メモリ１０ａ内のデータを消去し（Ｓ２０６）、上記ステップＳ２０１の処理へ移行する。
【００５９】
（２）障害発生時の処理
次に、光メモリバス１９に障害が発生した場合の処理について説明する。ここでは、電気−光変換部１２の発光素子（ＬＤ）が発光しなかったとする。
【００６０】
電気−光変換部１２の発光素子（ＬＤ）が発光しなかった場合、検知回路１２ａは、発光素子（ＬＤ）が発光しなかったことを検知し、その検知信号Ｓｄを信号線１２ｂを介してメインコントローラ１０へ送る。メインコントローラ１０は、検知信号Ｓｄに基づいて通信が正常に終了していないと判定し（Ｓ２０５：Ｎｏ）、電気−光変換部１２への送信処理を停止する。
【００６１】
メインコントローラ１０は、障害が発生したデータの番地（アドレス）を調査し（Ｓ２０７）、その調査結果に基づいて、メインコントローラ１０は、発生した障害の内容、障害が発生した場所、障害発生日時等を把握すると共に、光伝送から電気伝送に切り替える（Ｓ２０８）。すなわち、光メモリバス１９を使用したデータ伝送から制御バス１０１を用いた電気系のデータ伝送（電気伝送）に切り替える。
【００６２】
次に、メインコントローラ１０は、障害発生に伴う末送信のデータをメモリ１０ａから制御バス１０１経由でメモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄへ送信する。メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄは、メインコントローラ１０から受信したデータを、メモリバス１５１Ａ〜１５１Ｄを介してメモリ１６Ａ〜１６Ｄに格納する（Ｓ２０９）。また、メインコントローラ１０は、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄを制御し、メモリ１６Ａ〜１６Ｄ内のデータをメモリバス１５１Ａ〜１５１Ｄ、１５２Ａ〜１５２Ｄを介してバックアップ用ストレージ１７へ転送し、格納させる（Ｓ２１０）。
【００６３】
更に、メインコントローラ１０は、発生した障害の内容、障害が発生した場所、発生日時をバックアップ用ストレージ１７に記録する（Ｓ２１１）。
【００６４】
次に、メインコントローラ１０は、電気−光変換部１２に障害が発生したことを、警報部１８を動作させることによりユーザーに警報する（Ｓ２１２）。この警報に基づいて、ユーザーは、光メモリバス１９の保守点検等を実施する。
【００６５】
更に、メインコントローラ１０は、障害の発生により、伝送速度（書き込み速度）が低下したことから、ホスト装置３から半導体ストレージ装置１へのアクセスを制限するため、伝送帯域を制限する制御を外部Ｉ／Ｆ部１１に対して実行する（Ｓ２１３）。
【００６６】
なお、光メモリバス１９の他の箇所、例えば、光ファイバ１３１Ｂに障害が発生した場合、第１の実施の形態で説明したようにして、光伝送から電気伝送に切り替えてデータのメモリ１６Ｂへの格納（Ｓ２０９）、およびバックアップ処理（Ｓ２１０）が行われる。
【００６７】
（第２の実施の形態の効果）
第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態の効果に加えて、比較的故障の発生し易い電気−光変換部１２の障害を検知して通知することができ、電気−光変換部１２の異常発生を迅速に把握することができる。
【００６８】
［第３の実施の形態］
図４は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体ストレージ装置を示す。本実施の形態は、第１の実施の形態において、メインコントローラ１０のＣＰＵ等の半導体デバイス用の冷却ファンの回転停止、半導体ストレージ装置１の筐体内の空気流通用のファンの回転停止、半導体ストレージ装置１の筐体カバーまたは電気−光変換部１２の発光部のカバーの取り外し、半導体ストレージ装置１の筐体内の温度上昇等を検知するセンサ２０と、センサ２０の検知動作に基づいて検知信号を出力する検知回路２１とを設け、検知信号Ｓｄをメインコントローラ１０に通知できるようにしたものであり、その他の構成は、第１の実施の形態と同様である。
【００６９】
センサ２０は、例えば、検知対象が冷却ファンの停止に対しては抵抗分圧回路を用いて電源電圧の分圧出力により通電の有無を検知し、筐体カバーや発光部のカバーの取り外しに対してはスイッチを用いてそのオン／オフ動作から検知し、筐体内の温度上昇に対してはサーミスタ等を用いて検知する。
【００７０】
（第３の実施の形態の動作）
次に、第３の実施の形態の半導体ストレージ装置１の動作を図５を参照して説明する。図５は、第１の実施の形態の半導体ストレージ装置の送信処理を示す。なお、読み出し動作は、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００７１】
（１）通常の送信処理
まず、通常の送信処理について説明する。光ホスト装置３から半導体ストレージ装置１に送信要求があると（Ｓ２０１：Ｙｅｓ）、メインコントローラ１０は、ホスト装置３からのデータをメモリ１０ａに一時的に保持した後（Ｓ２０２）、電気−光変換部１２へ出力する（Ｓ２０４）。なお、送信要求が無い場合（Ｓ２０１：Ｎｏ）、待機処理等を含む他の処理を実行する（Ｓ２０３）。
【００７２】
電気−光変換部１２は、データを光信号に変換して格納先のアドレス情報と共に光ファイバ１２１へ送出する。光ファイバ１２１を伝搬した光信号は、シート状光導波路１３によって光ファイバ１３１Ａ〜１３１Ｄに光分岐される。
【００７３】
光ファイバ１３１Ａ〜１３１Ｄを伝搬した光信号は、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄにて電気信号に変換され、指定されたアドレスに対応するメモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄに送られる。メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄは、自己宛てのデータを光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄから受け付け、メモリ１６Ａ〜１６Ｄに書き込む。
【００７４】
メインコントローラ１０は、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄからの光信号途絶等の光検知情報を基に、データの書き込みが正常に行われたか否か、すなわち、通信が正常に終了したか否かを判定する（Ｓ２０５）。通信が正常に終了したことが判定されると（Ｓ２０５：Ｙｅｓ）、メインコントローラ１０は、環境異常が発生しているか否か、すなわち、環境異常を検知する検知回路２１から検知信号Ｓｄが出力されているか否かを判定し（Ｓ２１４）、検知回路２１から検知信号Ｓｄが出力されていない場合（Ｓ２１４：Ｎｏ）、メモリ１０ａ内のデータを消去し（Ｓ２０６）、上記ステップＳ２０１の処理へ移行する。
【００７５】
（２）障害発生時の処理
次に、環境に異常が発生した場合の処理について説明する。上記Ｓ２１４において、冷却ファンの回転停止、カバーの取り外し、筐体内の異常温度上昇等が発生した場合、検知回路２１は、センサ２０の出力信号に基づいて検知信号Ｓｄを信号線２２を介してメインコントローラ１０へ送る。メインコントローラ１０は、検知信号Ｓｄに基づいて環境に異常が発生したと判定し（Ｓ２１４：Ｙｅｓ）、電気−光変換部１２への送信処理を停止する。
【００７６】
メインコントローラ１０は、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄを制御し、メモリ１６Ａ〜１６Ｄ内のデータをメモリバス１５１Ａ〜１５１Ｄ、１５２Ａ〜１５２Ｄを介してバックアップ用ストレージ１７へ転送し、格納させる（Ｓ２１０）。
【００７７】
更に、メインコントローラ１０は、環境異常の内容、発生日時をバックアップ用ストレージ１７に記録する（Ｓ２１１）。
【００７８】
次に、メインコントローラ１０は、環境異常が発生したことを、警報部１８を動作させることによりユーザーに警報する（Ｓ２１２）。この警報に基づいて、ユーザーは、ファンの点検等を実施する。
【００７９】
更に、メインコントローラ１０は、障害の発生により、伝送速度（書き込み速度）が低下したことから、ホスト装置３から半導体ストレージ装置１へのアクセスを制限するため、伝送帯域を制限する制御を外部Ｉ／Ｆ部１１に対して実行する（Ｓ２１３）。
【００８０】
なお、光メモリバス１９に障害が発生した場合は、第１の実施の形態で説明したようにして、光伝送から電気伝送に切り替えてデータのメモリ１６Ａ〜１６Ｄへの格納（Ｓ２０９）およびバックアップ処理（Ｓ２１０）が行われる。
【００８１】
（第３の実施の形態の効果）
第３の実施の形態によれば、光メモリバス１９の障害発生のほか、環境異常に対してもデータのバックアップを行うことができる。
【００８２】
［第４の実施の形態］
図６は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体ストレージ装置を示す。本実施の形態は、第１の実施の形態において、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄとメインコントローラ１０との間を接続していた信号線１４２Ａ〜１４２Ｄを除去した構成にし、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄは、異常検知機能を有しない構成にしたものであり、その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００８３】
（第４の実施の形態の動作）
次に、第４の実施の形態の半導体ストレージ装置１の動作を図２を参照して説明する。なお、読み出し動作は、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００８４】
（１）通常の送信処理
まず、通常の送信処理について説明する。光メモリバス１９を介した通信が正常に行われている場合、図２に示した上記ステップＳ２０１〜Ｓ２０６のルートによる処理が実行される。即ち、ホスト装置３から半導体ストレージ装置１に送信要求があると（Ｓ２０１：Ｙｅｓ）、ホスト装置３からのデータをメモリ１０ａに一時的に保持した後（Ｓ２０２）、電気−光変換部１２へ出力する（Ｓ２０４）。電気−光変換部１２は、データを光信号に変換して格納先のアドレス情報と共に光ファイバ１２１へ送出する。光ファイバ１２１を伝搬した光信号は、シート状光導波路１３によって光ファイバ１３１Ａ〜１３１Ｄに光分岐され、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄにて電気信号に変換され、指定されたアドレスに対応するメモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄに送られる。メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄは、自己宛てのデータをメモリ１６Ａ〜１６Ｄに書き込む。
【００８５】
メインコントローラ１０は、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄからのエラー訂正の状況を基に、データの書き込みが正常に行われたか否か、すなわち、通信が正常に終了したか否かを判定する（Ｓ２０５）。通信が正常に終了したことが判定されると（Ｓ１０５：Ｙｅｓ）、メインコントローラ１０は、メモリ１０ａ内のデータを消去し（Ｓ２０６）、上記ステップＳ２０１の処理へ移行する。
【００８６】
（２）障害発生時の処理
次に、光メモリバス１９に障害が発生した場合の処理について説明する。ここでは、光−電気変換部１４Ｂにおける受光量が少なくなり、瞬間的に受光ができなくなり、またはノイズをデータとして認識した等の状況が発生し、メモリコントローラ１５Ｂにおけるエラー訂正の発生頻度が多くなったとする。
【００８７】
メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄは、メインコントローラ１０にエラー訂正の状況を通知する。メモリコントローラ１０は、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄからのエラー訂正の状況に基づいてメモリコントローラ１５Ｂにおけるエラー訂正の発生頻度が高いと判断し、通信が正常に終了していなと判定する（Ｓ２０５：Ｎｏ）。
【００８８】
メインコントローラ１０は、障害が発生したデータの番地（アドレス）を調査し（Ｓ２０７）、その調査結果に基づいて、メインコントローラ１０は、発生した障害の内容、障害が発生した場所、障害発生日時等を把握すると共に、光伝送から電気伝送に切り替える（Ｓ２０８）。すなわち、光メモリバス１９を使用したデータ伝送から制御バス１０１を用いた電気系のデータ伝送（電気伝送）に切り替える。
【００８９】
次に、メインコントローラ１０は、障害発生に伴う末送信のデータをメモリ１０ａから制御バス１０１経由でメモリコントローラ１５Ｂへ送信する。メモリコントローラ１５Ｂは、メインコントローラ１０から受信したデータを、メモリバス１５１Ｂを介してメモリ１６Ｂに格納する（Ｓ２０９）。また、メインコントローラ１０は、メモリコントローラ１５Ａ〜１５Ｄを制御し、メモリ１６Ａ〜１６Ｄ内のデータをメモリバス１５１Ａ〜１５１Ｄ、１５２Ａ〜１５２Ｄを介してバックアップ用ストレージ１７へ転送し、格納させる（Ｓ２１０）。
【００９０】
更に、メインコントローラ１０は、発生した障害の内容、障害が発生した場所、発生日時をバックアップ用ストレージ１７に記録する（Ｓ２１１）。
【００９１】
次に、メインコントローラ１０は、光メモリバス１９またはメモリコントローラ１５Ｂの系統に障害が発生したことを、警報部１８を動作させることによりユーザーに警報する（Ｓ２１２）。この警報に基づいて、ユーザーは、光メモリバス１９の保守点検等を実施する。
【００９２】
更に、メインコントローラ１０は、障害の発生により、伝送速度（書き込み速度）が低下したことから、ホスト装置３から半導体ストレージ装置１へのアクセスを制限するため、伝送帯域を制限する制御を外部Ｉ／Ｆ部１１に対して実行する（Ｓ２１３）。
【００９３】
（第４の実施の形態の効果）
第４の実施の形態によれば、信号線１４２Ａ〜１４２Ｄが不要になり、また、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄは、検知機能を持たない構成にできるため、半導体ストレージ装置１の構成を簡略化することができる。なお、光−電気変換部１４Ａ〜１４Ｄは、異常検知機能を有した構成であっても構わない。
【００９４】
［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、各実施の形態間の構成要素の組合せは任意に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ストレージ装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ストレージ装置の送信処理を示すフローチャートである。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体ストレージ装置の主要部の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ストレージ装置の主要部の構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ストレージ装置の送信処理を示すフローチャートである。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る半導体ストレージ装置を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００９６】
１  半導体ストレージ装置
２  シリアルインターフェース
３  ホスト装置
１０  メインコントローラ
１０ａ  メモリ
１１  外部インターフェース（外部Ｉ／Ｆ）部
１２  電気−光変換部
１２ａ  検知回路
１２ｂ  信号線
１３  シート状光導波路
１４Ａ〜１４Ｄ  光−電気変換部
１５Ａ〜１５Ｄ         メモリコントローラ
１６Ａ〜１６Ｄ  メモリ
１７  バックアップ用ストレージ
１８  警報部
１９  光メモリバス
２０  センサ
２１  検知回路
１０１  制御バス
１２１  光ファイバ
１３１Ａ〜１３１Ｄ  光ファイバ
１４１Ａ〜１４１Ｄ，１４２Ａ〜１４２Ｄ  信号線
１５１Ａ〜１５１Ｄ，１５２Ａ〜１５２Ｄ  メモリバス
【図１】
2007328599.tif 000003
【図２】
2007328599.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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