(57)【要約】【課題】ハーフミラー等を使用することによって感光ドラムを露光するレーザ光の光学効率を低下させることなく、光源とフォトダイオードが略一体化した光学装置を提供する。【解決手段】光学装置に、レーザ基板１に対して垂直にレーザ光を出射する半導体レーザ５と、半導体レーザ５の位置を決めるフォトダイオードユニット６と、半導体レーザ５から出射されたレーザ光の通過を制限する開口部を有する絞り部材４ｂと、フォトダイオードユニット６またはフォトダイオードユニット６の近傍に設けられ、レーザ光量を検知するフォトダイオード６ａと、絞り部材４ｂに取り付けられ、半導体レーザ５からの光をフォトダイオード６ａに向かって反射する凹面反射部４ａと、フォトダイオード６ａの検知結果に基づいて半導体レーザ５の発光光量を調整するＣＰＵと、を備える。【選択図】図３
2007328334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板面に対して垂直にレーザ光を出射する光源と、
前記光源の位置を決める位置決め部材と、
前記光源から出射されたレーザ光の通過を制限する開口部を有する絞り部材と、
前記位置決め部材または前記位置決め部材の近傍に設けられ、レーザ光量を検知する光検出部材と、
開口部を避けて前記絞り部材に取り付けられ、光源からの光を光検出部材に向かって反射する反射部材と、
前記光検出部の検知結果に基づいて光源の発光光量を調整する調整手段と、
を有することを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記位置決め部材と前記絞り部材とがレーザユニットとして一体に構成され、該レーザユニットはコリメータレンズを保持することを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記反射部材は前記開口部を囲む形状であり、前記光検出部材は前記位置決め部材に取り付けられた光源を囲む形状であることを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項４】
前記光源と電気的に接続する電気基板を有し、前記光検出部材は前記電気基板と電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項５】
前記光検出部材は前記電気基板に取り付けられ、反射したレーザ光は前記位置決め部材に設けられた光検知用開口部を通過して、前記光検出部材に向かうことを特徴とする請求項４に記載の光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真複写機、プリンタ等の画像形成装置における光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、複数の感光ドラム（像担持体）を備える電子写真画像形成装置が知られている。この画像形成装置においては、それぞれの感光ドラム上にレーザ光を照射して静電潜像を形成し、静電潜像に対してトナー剤を供給してトナー像を形成し、形成されたトナー像を記録材に重ね合わせることで、記録材上にカラー画像を形成するものである。
【０００３】
また、このような画像形成装置においては、感光ドラム上にレーザ光を照射する光源として半導体レーザが用いられる。近年、一般的な画像形成装置に使用される半導体レーザとしては、図９に示すように、ｎ側電極３５、基板３６、活性層３８、クラッド層３７、ｐ側電極３９が層状に積み重ねられた端面発光型半導体レーザが用いられている。
【０００４】
このような半導体レーザを用いた電子写真画像形成装置では、安定した画像を得るために、感光ドラム上にレーザ光を照射して書き込みを行う際のレーザ光量の安定性が要求される。
【０００５】
端面発光型半導体レーザでは、メインビームと反対方向にもビームが放射されるため、背面方向に放射されるビームを半導体レーザのパッケージに内蔵されたフォトダイオードにより検知する。そして、フォトダイオード電流を電流−電圧変換して光量信号とし、この光量信号に基づいて駆動電流をフィードバック制御している。
【０００６】
次に、端面発光型半導体レーザを備える光源の全体構成を説明する。
【０００７】
図１０に示すように、端面発光型半導体レーザは、ステム４０と、端面発光型半導体レーザ素子４１（以下、素子という）と、フォトダイオード４２と、カバーガラス４３と、金属製のキャップ４５と、を備える。
【０００８】
素子４１は、発光時には前後両方向にレーザ光を出力し、フォトダイオード４２は、素子４１の出力光の一部、詳しくは後方に出力されたレーザ光を受光して素子４１の出力光量をモニタする。
【０００９】
素子４１とフォトダイオード４２はステム４０上に実装され、その上にはカバーガラス４３が素子４１の前方側に設けられている。さらにその上から、レーザ光の出力口として開口部４４が形成されたキャップ４５がかぶせられ、素子４１およびフォトダイオード４２が密封される。
【００１０】
また、最近では高解像度、高生産性を達成するために、非常に多数のビームを配置できる面発光型半導体レーザが用いられ始めている。この面発光型半導体レーザは、図１１に示すように、ｎ側電極４６、基板４７、半導体多層膜４８、絶縁膜４９、ｐ側電極５０で構成されている。
【００１１】
面発光型半導体レーザは、多数の半導体レーザを基板上に自由に２次元配置できるため、生産性を犠牲にすることなく高解像度化を達成することができる。しかしながら、その反面、端面発光型半導体レーザのように背面方向に光を出力しないため、レーザ光量の検知および制御を容易に行うことができない。そこで、面発光型半導体レーザにおける光量
制御に関して以下の手法が提案されている。
【００１２】
特許文献１には、面発光レーザの出射部にビームスプリッタを固定し、面発光レーザから出射するレーザ光の一部をモニタ光として分岐させ、その光を光検出器によって検出する手法が提案されている。
【００１３】
また、特許文献２には、レーザ光の出射口にプリズム、ハーフミラー、集光手段を配置し、ハーフミラーで分岐させた一部のレーザ光をそれぞれ集光させ、複数のセンサに個別にレーザ光を入射させる手法が提案されている。
【００１４】
また、特許文献３には、半導体レーザの後方反射面に高反射コーティングを施して後方反射面からのレーザ発光を防止するとともに、収束レンズに入射しなかったレーザ光を反射鏡で反射して受光素子に入射させる手法が提案されている。
【００１５】
また、特許文献４には、レーザの位置と光検出器の位置とをそれぞれ焦点とする楕円状に成形される反射面を、二対のレーザおよび光検出器にそれぞれ対応するように一対設け、重なり合うビームの個別の出力監視を可能とする手法が提案されている。
【００１６】
また、特許文献５には、出射窓を外れたビームを出射窓の近傍に設けた受光素子により受光する、もしくは、反射面を出射窓の近傍に設け、出射窓を外れて反射面で反射したビームをレーザチップの後方に設けた受光素子で受光する手法が提案されている。
【００１７】
また、特許文献６には、コリメータレンズからの平行光束を出射するための開口部を有する反射鏡によって反射された光を、半導体レーザチップの後方に設けられたフォトダイオードで受光する手法が提案されている。
【００１８】
また、特許文献７には、レーザ光出射窓部の周辺寄りに受光素子を配設して、半導体レーザ装置より発されるレーザ光の前方放射光中の周辺光を受光素子で受光する手法が提案されている。
【００１９】
【特許文献１】特開平８−３３０６６１号公報
【特許文献２】特開平７−１１０４５０号公報
【特許文献３】特開平４−１１６８８１号公報
【特許文献４】特開平６−７６３４９号公報
【特許文献５】特開平１０−３０３５１３号公報
【特許文献６】特開２００４−８７８１６号公報
【特許文献７】特開平６−３０９６８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
上記で説明したように、従来の面発光型半導体レーザには、自身の光量を検出して制御するために、作像を行うために出力したレーザ光の一部をハーフミラー等の光学手段を用いて検知するものが多く見られる。つまり、感光ドラムへ結像させる光の経路の途中に、作像には必要としない光学部品を介在させる構成となっている。
【００２１】
このように、ハーフミラー等、レーザ光を透過させる光学部材を光路上に配置すると、感光ドラムを所定の電位に露光するために、より高いレーザ出力が必要となる。これは、ハーフミラーの透過率の分だけ感光ドラムに向かうレーザ光の出力が減衰するためであって、レーザ光の減衰分のほとんどはハーフミラーによって折り返されてフォトダイオードでの光量制御用に利用されている。
【００２２】
また、ハーフミラーを利用した光量検知手法の場合には、出力光量をモニタするフォトダイオードが発光部と異なる場所に設けられることになる。
【００２３】
このような場合、レーザ光の発光光量を検知して検知結果をもとにフィードバック制御を行うためには、フォトダイオードから発光部に対して基板上の配線とは別に電気的な配線を施す必要があり、放射ノイズの観点からも望ましい構成ではない。
【００２４】
したがって、フォトダイオードは発光部近傍に設置されるとともに発光部と共にレーザ駆動回路基板に実装されていることが構成として望ましい。
【００２５】
そこで本発明は、ハーフミラー等を使用することによって感光ドラムを露光するレーザ光の光学効率を低下させることなく、光源とフォトダイオードが略一体化した光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記目的を達成するために本発明にあっては、半導体基板面に対して垂直にレーザ光を出射する光源と、前記光源の位置を決める位置決め部材と、前記光源から出射されたレーザ光の通過を制限する開口部を有する絞り部材と、前記位置決め部材または前記位置決め部材の近傍に設けられ、レーザ光量を検知する光検出部材と、開口部を避けて前記絞り部材に取り付けられ、光源からの光を光検出部材に向かって反射する反射部材と、前記光検出部の検知結果に基づいて光源の発光光量を調整する調整手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
上記本発明によれば、発光部を焦点とする位置に略ドーナツ状の凹面ミラーを配置することで、コリメータレンズを透過しないファーフィールドの広いエリアのレーザ光の全てが平行光に変換される。そして、発光部の周囲にフォトダイオードを配置することで、それらの光を全て検出することができる。つまり本発明によって下記の効果を得ることができる。
【００２８】
まず、多くの光量をフォトダイオードに入射させることができ、センサの検出精度を良好に保つことができる。
【００２９】
また、フォトダイオードを光源近傍に配置して光源と共にレーザ基板に直接配線することができ、ノイズに強い構成とすることができる。
【００３０】
また、ハーフミラーを使用しないため、コリメータレンズを透過して作像に使用するレーザ光の光学効率を高めることができる。
【００３１】
すなわち、ハーフミラー等を使用することによって感光ドラムを露光するレーザ光の光学効率を低下させることなく、光源とフォトダイオードが略一体化した光学装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下に図面を参照して、この発明を実施するための最良の形態を、実施の形態に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００３３】
図１〜図４を参照して、本発明の実施の形態に係る光学装置（レーザユニット）について説明する。
【００３４】
図１は、本実施の形態におけるレーザユニットの構成を説明する概略斜視図である。図２は、本実施の形態におけるレーザユニットの断面を説明する概略斜視図である。図３，４は、本実施の形態におけるレーザユニットの概略断面図である。図５は本実施の形態における画像形成装置の概略構成図である。図６は本実施の形態における走査式光学装置を説明する図である。
【００３５】
まず図５、図６を参照して本実施の形態における電子写真画像形成装置の構成を説明する。
【００３６】
図５に示されているのはカラー画像をプリントする画像形成装置であり、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各色に対応した独立の像担持体としての感光ドラム２１が備えられる。感光ドラム２１は導電体に感光層を塗布したもので、後述する走査式光学装置から出射されたレーザ光によって、その表面に静電潜像を形成する。
【００３７】
２０は不図示の画像読取装置もしくはパーソナルコンピュータ等から送られてきた画像情報に基づいて感光ドラム２１上にレーザ光を照射する走査式光学装置である。
【００３８】
２２は摩擦帯電されているトナーによって感光ドラム２１上にトナー像を形成する現像器である。２３は感光ドラム２１上のトナー像を記録材に転写するための中間転写ベルトである。
【００３９】
２４はトナー像が形成される記録材を格納する給紙カセットである。２５は記録材上に転写されたトナー像を熱により記録材に定着させる定着器である。
【００４０】
２６はトナー像が定着された記録材を積載する排紙トレイである。２７は感光ドラム２１の表面に残ったトナーを清掃するクリーナである。
【００４１】
記録材上に画像を形成する際は、まず、画像情報に基づいて走査式光学装置２０から発光されたレーザ光を感光ドラム２１上に照射することで、帯電器により帯電された感光ドラム２１の表面上に静電潜像を形成する。
【００４２】
その後、現像器２２内で摩擦帯電されたトナーを静電潜像に付着させることで感光ドラム２１上にトナー像が形成される。そしてトナー像が感光ドラム２１上から中間転写ベルト２３上に転写され、さらに本体下部に設けられた給紙カセット２４から搬送された記録材に再度転写されることで、記録材に画像が形成される。
【００４３】
そして画像が転写された記録材は定着器２５において画像が定着され、排紙トレイ２６上に積載される。
【００４４】
図６は、図５に示した画像形成装置における走査式光学装置２０の概略構成を示した図である。なお、走査式光学装置２０は左右対称形状であるため図中の記号は片側のみ示す。
【００４５】
走査式光学装置２０は１枚の回転多面鏡２８（以下、ポリゴンミラーという）に対して両側にそれぞれ２本のレーザ光が入射し、各々の感光ドラム２１を露光する方式である。
【００４６】
この走査式光学装置２０は、ポリゴンミラー２８と、ｆθレンズ２９、３０と、複数の
折り返しミラー３１と、防塵ガラス３２と、光学箱３３と、上蓋３４と、を備え、レーザ光を感光ドラム２１の表面に照射して静電潜像を形成する構成である。
【００４７】
ポリゴンミラー２８は、画像情報に基づいて発光されたレーザ光を偏向走査するものである。ｆθレンズ２９、３０は、レーザ光を等速走査し、感光ドラム２１上でスポット結像させる。
【００４８】
折り返しミラー３１は、レーザ光を所定の方向へ反射する。防塵ガラス３２は、走査式光学装置２０を埃から保護する。そして光学箱３３に各光学要素が組み付けられた後に、光学箱３３が上蓋３４によって外界から遮蔽される。
【００４９】
近年、走査式光学装置２０は、機械本体のコンパクト化に伴い従来のように感光ドラム２１から離れた位置から照射するのではなく、感光ドラム２１に近い位置に配置されるようになってきている。
【００５０】
上記画像形成装置においては、１台のポリゴンモータユニットで４つの感光ドラム２１を照射する方式が採用されており、ポリゴンミラー２８のそれぞれ対向面に複数のレーザ光を照射する２つの走査グループＳが形成されている。
【００５１】
また、走査式光学装置２０のコンパクト化を図るため複数の折り返しミラー３１を使用しており、異なる２光路のレーザ光をそれぞれ感光ドラム２１上に結像させるため、２枚のレンズを貼り合せるもしくは２光路を一体成型したモールドレンズを使用している。
【００５２】
次に、図１〜図４を参照して本実施の形態に係る光学装置としてのレーザユニットの構成について説明を行う。
【００５３】
本実施の形態に係るレーザユニットは、レーザ基板１（半導体基板面）と、コリメータレンズ２と、コリメータレンズホルダ３と、レーザホルダ４と、面発光型半導体レーザ５（以下、半導体レーザという）と、フォトダイオードユニット６と、を備える。
【００５４】
このレーザユニットは、光源としての半導体レーザ５から発光されるレーザ光を駆動すると共にコリメート光（平行光）Ｃ（図３（ａ）中矢印）に変換する。
【００５５】
このレーザユニットは、例えば、電子写真複写機・同プリンタ等の画像形成装置において、画像データに基づいて感光ドラム上にコリメート光を照射し、感光ドラム上に静電潜像を形成するのに用いられる。すなわち、上記で説明した走査式光学装置等に適用される。
【００５６】
レーザ基板１は、画像データに基づいて半導体レーザ５の発光を制御すると共にフォトダイオードユニット６からの光量信号に基づいて光量のフィードバック制御を行うものである。
【００５７】
コリメータレンズ２は、半導体レーザ５の不図示のレーザ発光素子から出力されたレーザ光をコリメート光Ｃに変換するものである。
【００５８】
コリメータレンズホルダ３は、コリメータレンズ２を保持しており、半導体レーザ５からのレーザ光をコリメート光Ｃに変換可能なように光学的に調整された後、レーザホルダ４に対して接着固定される。
【００５９】
保持部材としてのレーザホルダ４は、コリメータレンズホルダ３とフォトダイオードユ
ニット６を保持するものである。
【００６０】
次に、図２を参照して、半導体レーザ５とフォトダイオードユニット６の構成を説明する。
【００６１】
光検出部としてのフォトダイオードユニット６は、図中の斜線部で示すようにセンサ面としてのドーナツ型のフォトダイオード６ａ（光検出部材）を搭載している。
【００６２】
図２（ａ）は前面斜視図であり、レーザ光は半導体レーザ５のレーザ発光部５ａから楕円状に拡散的に放射される。本実施の形態においては、フォトダイオードユニット６は半導体レーザ５を直接保持して、半導体レーザ５の位置を決めている位置決め部材である。
【００６３】
したがって、図２（ｂ）に示すように半導体レーザ５とフォトダイオードユニット６の出力ピン５ｂ、６ｂは、共に近傍で露出するように構成されており、この出力ピン５ｂ、６ｂは共にレーザ基板１に実装される。
【００６４】
図３に、図１で示したレーザユニットの断面図および部分拡大斜視図を示す。図３（ａ）に示すように、半導体レーザ５はレーザ発光部５ａから複数のレーザ光を出射する。
【００６５】
フォトダイオードユニット６は、半導体レーザ５から出射されたレーザ光の光量を検知するためのフォトダイオード６ａが表面部に搭載されている。半導体レーザ５は、フォトダイオードユニット６に圧入固定されており、レーザホルダ４がフォトダイオードユニット６を保持することで光源が所定の位置に維持される。
【００６６】
レーザ基板１に対して垂直にレーザ光を発光する面発光型の半導体レーザ５は背面方向にレーザ光が放射されないため、レーザ光が出射する方向、つまりコリメータレンズ２の方向へ出射された光を何らかの方法で検知する必要がある。
【００６７】
本実施の形態に係るレーザユニットは、光源の位置を決めるフォトダイオードユニット６と、レーザ光の通過を制限する開口部を有する絞り部材４ｂとは、一体で移動可能なように構成されている。
【００６８】
また、レーザホルダ４はコリメータレンズ２を保持するものである。さらに絞り部材４ｂの内壁に、半導体レーザ５のレーザ発光部５ａが焦点となるように光学的に構成された反射部材としてのドーナツ型の凹面反射部４ａを有している。
【００６９】
凹面反射部４ａは、コリメータレンズ２を透過する部分の開口部には反射面を構成せず、コリメータレンズ２を透過しない領域の光、つまり、コリメータレンズ２に入射せずに従来はレーザホルダ４内で吸収されていた光を反射させるものである。また、凹面反射部４ａは、高反射率となるように鏡面状態にコーティングされている。
【００７０】
すなわち、本実施の形態に係るレーザユニットは、コリメータレンズ２の周囲にレーザ発光部５ａを焦点とするドーナツ型の凹面反射部４ａを設け、さらに、レーザ発光部５ａの周囲にも光量検出用のドーナツ型のフォトダイオード６ａを設けた構成である。
【００７１】
図３（ａ）に示すように、光学的に構成された凹面反射部４ａをレーザホルダ４に設けることで、半導体レーザ５のレーザ発光部５ａから放射されたレーザ光のうちコリメータレンズ２を透過しないエリアの光が平行な反射光に変換される（図中破線矢印）。
【００７２】
つまり、コリメータレンズ２を透過しないファーフィールドの広いエリアのレーザ光の
多くが平行な反射光に変換される。そして、平行な反射光に変換されたレーザ光はフォトダイオード６ａに入射する。
【００７３】
さらに概略的に示した図を図３（ｂ）に示す。図３は、凹面反射部４ａのみを拡大し、不要な部分を削除した図である。図３（ａ）に示すように焦点から放射された光ビームは、幾何学的な法則によって全周かつ全ての角度のレーザ光が平行な反射光に変換される。
【００７４】
そのため、フォトダイオード６ａには非常に高い光量の光が入射することになり、フォトダイオード６ａの検出精度（Ｓ／Ｎ比）を良好に保つことができる。また、コリメータレンズ２を透過するレーザ光の光路にはハーフミラー等の光学部材が存在しないため、光量低下が発生せずに光学効率を高く維持することができる。
【００７５】
さらに、フォトダイオード６ａが、反射光の光路方向に対して半導体レーザ５と同じ側に配置されており、いずれもレーザ基板１に接続することができるため、別途配線を必要とせず、ノイズの影響を低減させる点でも有利である。
【００７６】
なお、レーザホルダ４に形成された凹面反射部４ａについては、フォトダイオード６ａにレーザ光が入射できるだけの反射率を有していれば良い。したがって、その反射率を得るための手段は、例えば、レーザホルダ４を製造した後に該当部分にのみ反射膜をコーティングすることによって高反射率化しても良い。
【００７７】
また、フォトダイオード６ａのセンサ面での反射率が高い場合には、センサ面で反射された光が再度レーザ発光部５ａに入射し、レーザ発光を不安定化させてしまう可能性がある。
【００７８】
そのような場合には、図4（ａ）に示すように、フォトダイオード６ａのセンサ面を凹
面反射部４ａによって反射されたレーザ光の軸に対して所定の角度だけ傾けておけば、センサ面からの反射光が再度レーザ発光部５ａに入射することを防ぐことができる。また、センサ面を反射防止膜等によってコーティングして低反射率となるようにしても良い。
【００７９】
また、フォトダイオード６ａおよび凹面反射部４ａは、必ずしも略ドーナツ状である必要は無く、所定の光量が得られる範囲のみ反射面を形成する構成でも同様の効果を得ることができる。
【００８０】
さらに、半導体レーザ５はフォトダイオードユニット６に圧入されている必要も無く、フォトダイオードユニット６に圧入せず、別の固定手段によって固定される構成であっても良い。
【００８１】
さらには、フォトダイオードユニット６は必ずしも半導体レーザ５と反射光の光路方向に対して同一位置である必要も無い。
【００８２】
したがって、図４（ｂ）に示す構成のように、レーザ基板１上のフォトダイオード７にレーザ光が入射するように、フォトダイオードユニット６の一部にその光路上に光検知用開口部６ｃを設ける構成であってもよい。この構成によれば、凹面反射部４ａで反射されたレーザ光の一部をフォトダイオード７に導光することが可能になる。
【００８３】
また発光源に関しても、必ずしも面発光型半導体レーザである必要は無く、背面部での光量検出が困難な発光源であれば本発明の構成を用いることで同様の効果を得ることは明らかである。
【００８４】
図８を参照して量調整のプロセスについて説明する。図７は面発光半導体レーザのレーザ電流とレーザ光量特性を示す図である。
【００８５】
図７に示す特性からわかるように、レーザ電流を変更することで、レーザ光量を調整することができる。本実施の形態では図８に示すように、調整手段であるＣＰＵに光量検知部材からの信号（光量検出信号）が入力されて、ＣＰＵにて目標の発光光量となるために必要なレーザ電流値を変更して、発光光量を調整するものである。
【００８６】
以上説明したように、半導体レーザ５のレーザ発光部５ａを焦点とする位置に略ドーナツ状の凹面反射部４ａを配置することで、コリメータレンズ２を透過しないファーフィールドの広いエリアのレーザ光の多くが平行な反射光に変換される。
【００８７】
そして、その反射光をレーザ発光部５ａの周囲に略ドーナツ状に構成したフォトダイオード６ａを配置することで全て検出することができる。つまり本発明によって以下の効果を得ることができる。
【００８８】
まず、高い光量の光をフォトダイオード６ａに入射させることができ、フォトダイオード６ａの検出精度を良好に保つことができる。
【００８９】
さらに、フォトダイオード６ａをレーザ発光部５ａ近傍に配置することで、半導体レーザ５とフォトダイオードユニット６とを共にレーザ基板１に直接配線することができる。
【００９０】
すなわち、半導体レーザ５とフォトダイオードユニット６とを同一基板上に実装できるため、別途束線を用いた配線を必要とせず、ノイズに強い構成とすることができる。
【００９１】
そして、半導体レーザ５から出射したレーザ光の多くを有効に利用すると共に、コリメータレンズ２を透過するレーザ光に対してハーフミラー等の光学部材を設けないため光量低下が発生しない。
【００９２】
すなわち、コリメータレンズ２を透過して作像に使用するレーザ光の光学効率を高めることができる。
【００９３】
本発明により、ハーフミラー等を使用することによって感光ドラムを露光するレーザ光の光学効率を低下させることなく、光源とフォトダイオードが略一体化した光学装置を提供することが可能になる。また、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の技術思想内であらゆる変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の実施の形態におけるレーザユニットの概略斜視図
【図２】本発明の実施の形態におけるレーザユニットの断面を示す概略斜視図
【図３】本発明の実施の形態におけるレーザユニットの概略断面図
【図４】本発明の実施の形態におけるレーザユニットの概略断面図
【図５】本発明の実施の形態における画像形成装置の概略構成図
【図６】本発明の実施の形態における走査光学装置の概略構成図
【図７】面発光半導体レーザのレーザ電流−レーザ光量特性を示す図
【図８】光量調整手段を示す図
【図９】端面発光型半導体レーザの発光部の概略構成図
【図１０】端面発光型半導体レーザの概略構成図
【図１１】面発光型半導体レーザの概略構成図
【符号の説明】
【００９５】
１    レーザ基板
２    コリメータレンズ
３    コリメータレンズホルダ
４    レーザホルダ
４ａ  凹面反射部４ａ
４ｂ  絞り部材
５    半導体レーザ
６    フォトダイオードユニット
６ａ  フォトダイオード
【図１】
2007328334.tif 000003
【図２】
2007328334.tif 000004
【図３】
2007328334.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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