(57)【要約】【課題】拡散防止層を備える磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】基板、該基板上に形成された下地層及び該下地層上に形成された磁気抵抗構造体を備える磁気抵抗素子において、下地層及び磁気抵抗構造体間に形成された拡散防止層を備える磁気抵抗素子である。これにより、下地層及び反強磁性層間に拡散防止層を導入することにより、磁気抵抗素子の形成時、高温工程または、使用時高温に加熱される場合、主要成分の拡散を防止してその磁気的な特性を安定的に維持できる。【選択図】図２
2007214573.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板上に形成された下地層及び前記下地層上に形成された磁気抵抗構造体を備える磁気抵抗素子において、
前記下地層及び前記磁気抵抗構造体間に形成された拡散防止層を備えることを特徴とする拡散防止層を備える磁気抵抗素子。
【請求項２】
前記拡散防止層は、Ｒｕを含んで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の拡散防止層を備える磁気抵抗素子。
【請求項３】
前記磁気抵抗構造体は、
反強磁性層と、
前記反強磁性層上に形成され、前記反強磁性層により磁化方向の固定される第１強磁性層と、
前記第１強磁性層上に形成された非磁性のスペーサ層と、
前記スペーサ層上に形成されて磁化方向が変更可能な第２強磁性層とを備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の拡散防止層を備える磁気抵抗素子。
【請求項４】
前記反強磁性層は、Ｍｎを含む合金により形成されたことを特徴とする請求項３に記載の拡散防止層を備える磁気抵抗素子。
【請求項５】
前記磁気抵抗構造体は、
反強磁性層と、
前記反強磁性層の上部に形成され、前記反強磁性層により磁化方向の固定された第１強磁性層と、
前記第１強磁性層上に形成されたトンネリング障壁層と、
前記トンネリング障壁層上に形成され、磁場の印加により磁化方向が変更可能な第２強磁性層とを備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の拡散防止層を備える磁気抵抗素子。
【請求項６】
前記反強磁性層は、Ｍｎを含む合金により形成されたことを特徴とする請求項５に記載の拡散防止層を備える磁気抵抗素子。
【請求項７】
前記下地層は、シード層から形成された単一層であるか、またはシード層及びバッファ層を備える多層膜形態であることを特徴とする拡散防止層を備える請求項１または請求項２に記載の磁気抵抗素子。
【請求項８】
前記シード層は、ＴａまたはＴａ合金から形成されたことを特徴とする請求項７に記載の拡散防止層を備える磁気抵抗素子。
【請求項９】
前記バッファ層は、Ｔａ／Ｒｕ化合物、またはＮｉＦｅＣｒから形成されたことを特徴とする請求項７に記載の拡散防止層を備える磁気抵抗素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗素子に係り、さらに詳細には、磁気抵抗素子の形成時に、高温熱処理過程で磁性層の物質が拡散することにより発生する磁気的特性の劣化現象を防止するために、下地層及び反強磁性層間に拡散制御層を導入した磁気抵抗素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、薄膜蒸着技術及び表面処理技術など、微細構造に関する工程技術が急速に発達している。これにより、電子スピン間の交換相互作用距離である数ｎｍ厚に磁性薄膜を精密に成長させることが可能になり、従って、超小型素子を製作することが可能になった。それにより、数μｍ以上の厚さを有した磁性物質では観察できなかったさまざまな現象が発見され、これを家電製品及び産業部品などに応用する段階に至った。磁気抵抗素子は、例えば、超高密度の情報保存装置に情報を記録する磁気記録用ヘッド、媒体、磁気メモリ（ＭＲＡＭ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などに広く利用されている。
【０００３】
従来から、磁気抵抗素子は、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子とトンネリング磁気抵抗（ＴＭＲ）素子とが広く研究されている。巨大磁気抵抗は、電子が磁性層を通過するとき、二層の磁性層の磁化配列によって抵抗値が変化することを応用したものであり、それは、スピン依存（ｓｐｉｎ ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ）散乱として説明可能である。そして、トンネリング磁気抵抗現象は、二層の磁性層間に絶縁体が存在する構造で、強磁性体の相対的な磁化方向によってトンネリング電流が変わる現象をいう。トンネリング磁気抵抗素子は、強磁性体の相対的な磁化方向によってトンネリング電流が変わる現象である磁気トンネル接合（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）原理を利用したものである。
【０００４】
従来技術による一般的な磁気抵抗素子、例えば、ヘッドの構造を図１に表した。図１は、ＧＭＲヘッドまたはＴＭＲヘッドにいずれも該当するように、一般的な形態で表した。
【０００５】
図１を参照すれば、Ｓｉウェーハのような基板１１上に、下地層１２、反強磁性層１３、第１強磁性層１４、非磁成層１５、第２強磁性層１６及び上地層１７が順次に形成された構造を有する。
【０００６】
ここで、下地層１２は、一般的に単層または多層の構造により形成され、一般的にＴａで形成する。反強磁性層１３は、主に、Ｍｎを含む合金からなる。例えば、ＩｒＭｎ合金、ＦｅＭｎ合金、ＮｉＭｎ合金などで形成される。第１強磁性層１４は、一般的にＣｏＦｅ合金のような強磁性体により形成され、反強磁性層１３によりスピン配列が固定されるので、一般的に固定層と呼ばれる。非磁成層１５は、ＧＭＲ素子では、Ｃｕなどで形成されたスペーサ層であり、ＴＭＲ素子では、Ａｌ２Ｏ３またはＭｇｏなどにより形成されたトンネリング障壁層からなりうる。第２強磁性層１６は、第１強磁性層１４と同じ強磁性物質で形成され、印加される磁場により磁化方向が変化しうるので、自由層という。ここで、反強磁性層１３、第１強磁性層１４、非磁成層１５及び第２強磁性層１６をいずれもセンサ部ということができる。上地層１７は、その下部に形成されたセンサ部などを保護する機能を果たし、主にＴａによりなる。
【０００７】
図１に表した磁気抵抗素子が磁気抵抗ヘッドとして使われる場合の動作原理を説明すれば、次の通りである。磁気抵抗素子に外部磁場が印加されれば、第１強磁性層１４の磁化方向に対する第１強磁性層１６の磁化方向が変わる。その結果、第１強磁性層１４と第２強磁性層１６との間の磁気抵抗が変わる。かかる磁気抵抗の変化を介し、磁気記録媒体、すなわちハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などに保存されている磁気情報が感知されうる。このように、前記第１強磁性層１４と前記第２強磁性層１６との間の磁気抵抗の変化により、磁気記録媒体の情報を読むことができるのである。このとき、磁気抵抗素子の使用時に、磁気抵抗比（ＭＲ比：最小磁気抵抗に対する磁気抵抗変化量）及び交換結合力（Ｈｅｘ：反強磁性層が第２強磁性層の磁化方向を固定させる力）が安定して維持されねばならない。
【０００８】
図１に図示されたような磁気抵抗素子の場合、その製造過程及び使用中に、高温の熱が加えられる場合がある。例えば、スピンドルモータの高速回転による温度上昇、絶縁体蒸着時の高温工程、またはＭＲＡＭ製造工程時における回路のメタル加工のための高温熱処理工程などがある。すなわち、磁気抵抗素子の使用中には、外部電流によりほぼ１５０℃ほどまで加熱され、瞬間的に加熱される場合には、それ以上の温度に達することもある。また、製造過程では、使用中に加えられる温度よりさらに高い３００℃以上の熱が加えられる。
【０００９】
このように、磁気抵抗素子が高温に加熱されれば、各層の原子の運動が活発になり、隣接した層間での原子の相互拡散（ｉｎｔｅｒｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）や相互ミキシング（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ）などが発生してしまう。かような相互拡散や相互ミキシングの現象は、磁気抵抗素子の各層の界面の粗度や結晶粒のサイズなどにより大きく影響を受ける。また、決定的には、相互拡散や相互ミキシングにより、磁気抵抗比や交換結合力のような主要特性が低下するという場合もある。特に、反強磁性層１３を構成するＭｎの場合、界面を越えて拡散がなされ、磁気抵抗素子自体の磁気的特性が低下するという要因になったりもする。
【００１０】
ところで、前述のような従来構成の磁気抵抗素子は、高温に加熱される場合、相互拡散及び相互ミキシングが非常に活発に進むので、前記磁気抵抗比や交換結合力のような主要特性値の減少量が非常に大きくなる。また、使用中の磁気情報を正確に感知できない場合が発生する。特に、高密度の磁気記録媒体の場合には、その磁気記録媒体から印加される磁場が小さくなるので、前述のような問題点がさらに深刻になるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、前記の従来技術の問題点を解決するためのものであり、高温の製造過程または使用環境を経る場合にも、磁気抵抗比のような磁気抵抗素子の磁気的特性を安定的に維持でき、抵抗素子などの全般にわたって広く応用させることができる磁気抵抗素子の構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために本発明では、基板、前記基板上に形成された下地層、及び前記下地層上に形成された磁気抵抗構造体を備える磁気抵抗素子において、前記下地層及び前記磁気抵抗構造体間に形成された拡散防止層を備える磁気抵抗素子を提供する。
【００１３】
本発明において、前記拡散防止層は、Ｒｕを含んで形成されたことを特徴とする。
【００１４】
本発明において、前記磁気抵抗構造体は、反強磁性層と、前記反強磁性層上に形成され、前記反強磁性層により磁化方向の固定される第１強磁性層と、前記第１強磁性層上に形成された非磁性のスペーサ層と、前記スペーサ層上に形成されて磁化方向が変更可能な第２強磁性層とを備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明において、前記反強磁性層は、Ｍｎを含む合金により形成されたことを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記磁気抵抗構造体は、反強磁性層と、前記反強磁性層の上部に形成され、前記反強磁性層により磁化方向が固定された第１強磁性層と、前記第１強磁性層上に形成されたトンネリング障壁層と、前記トンネリング障壁層上に形成され、磁場の印加により磁化方向が変更可能な第２強磁性層とを備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明において、前記反強磁性層は、Ｍｎを含む合金により形成されたことを特徴とする。
【００１８】
本発明において、前記下地層は、シード層から形成された単一層であるか、またはシード層及びバッファ層を備える多層膜形態であることを特徴とする。
【００１９】
本発明において、前記シード層は、ＴａまたはＴａ合金から形成されたことを特徴とする。
【００２０】
本発明において、前記バッファ層は、Ｔａ／Ｒｕ化合物またはＮｉＦｅＣｒから形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明による磁気抵抗素子は、下地層及び反強磁性層間に拡散防止層を導入することにより、磁気抵抗素子の形成時、高温工程または、使用時に高温に加熱される場合、主要成分の拡散を防止し、その磁気的な特性を安定的に維持することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施例による拡散制御層を備える磁気抵抗素子につき、添付された図面を参照しつつ詳細に説明する。参考として図面に表した各層の厚さは、説明のために多少誇張されていることに留意せねばならない。
【００２３】
図６Ａは、拡散防止層を備えていない試片に対し、６００℃で熱処理した後、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）で組成分布を測定した結果を表したグラフである。
【００２４】
図２は、本発明の実施例による拡散制御層を備える磁気抵抗素子の構造を表した図面である。
【００２５】
図２を参照すれば、本発明の実施例による拡散制御層を備える磁気抵抗素子は、基板（図示せず）上に下地層２１、拡散防止層２２及び磁気抵抗構造体２０が含まれる。ここで、磁気抵抗構造体２０は、磁気抵抗素子が具体的に磁気抵抗ヘッドである場合には、センサ部になり、ＭＲＡＭメモリ素子の場合にはメモリ部になりうる。
【００２６】
図２に図示されたような磁気抵抗素子は、具体的にＧＭＲ構造になり、またＴＭＲ構造にもなり、従って、図３Ａには、ＧＭＲ構造に適用したスピンバルブ型磁気抵抗素子の実施例を表し、図３Ｂには、ＴＭＲ構造に適用した実施例を表した。図３Ａ及び図３Ｂは、スピンバルブ型磁気抵抗素子を表したものである。
【００２７】
図３Ａを参照すれば、基板（図示せず）上に、下地層２１、拡散防止層２２、反強磁性層２３、第１強磁性層２４、スペーサ層２５及び第２強磁性層２６が順次に形成された構造を表した。ここで、下地層２１は、選択的にシード層及びバッファ層を備える多層構造に形成可能である。また、第２強磁性層２６上には、上地層をさらに備えることができる。
【００２８】
基板は、一般的な磁気抵抗素子に使われるものであるならば、制限なく使われうる。例えば、Ｓｉ基板を使用し、Ｓｉ基板上部を酸化させてその表面にＳｉＯ２を形成して使用できる。下地層２１は、シード層の単一層、またはシード層及びバッファ層をいずれも備えた多層構造で形成できる。シード層及びバッファ層は、その上部に形成される磁性層の成長のためのものである。具体的に、形成物質について述べれば、例えば、シード層は、ＴａやＴａ合金などで形成でき、バッファ層は、Ｔａ／Ｒｕ化合物またはＮｉＦｅＣｒなどで形成することができる。
【００２９】
本発明の特徴である拡散防止層２２は、バッファ層または反強磁性層２３を構成する遷移金属物質（Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏまたはＮｉなど）の拡散を防止するために導入されたものであり、上部に形成される反強磁性層２３の成長に悪影響を及ぼさない非磁性材料で形成することが望ましい。具体的に、Ｒｕのような物質でもって数ｎｍないし数十ｎｍ厚に形成できる。磁性層を構成する成分が界面を越えて拡散する場合には、磁気履歴曲線の変形を起こし、結果的に垂直磁気記録媒体の記録特性を低下させる。従って、拡散防止層２２を導入することにより、垂直磁気記録媒体の記録特性を、高温熱処理工程を経る場合にも維持できるという長所がある。これについては、後述過程で詳細に説明する。
【００３０】
反強磁性層２３は、その上部に形成される第１強磁性層２４の磁化方向を固定する役割を果たす。かような反強磁性層２３は、ＩｒＭｎのようなＭｎ系化合物で形成することができる。第１強磁性層２４及び第２強磁性層２６は、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなど、強磁性物質で形成することができる。スペーサ層２５は、Ｃｕのような非磁性物質で形成することができる。
【００３１】
図３Ｂを参照すれば、基板（図示せず）上に、下地層２１、拡散防止層２２、反強磁性層２３、第１強磁性層２４、トンネリング障壁層２５’及び第２強磁性層２６が順次に形成された構造を表した。下地層２１は、選択的にシード層及びバッファ層を備える多層で形成することができ、第２強磁性層２６上には、上地層をさらに備えることができる。
【００３２】
基板は、一般的な磁気抵抗素子に使われるものであるならば、制限なく使われ、Ｓｉ基板を使用し、Ｓｉ基板上部を酸化させてその表面にＳｉＯ２を形成して使用できる。下地層２１は、シード層の単一層、またはシード層及びバッファ層をいずれも備えた多層構造で形成でき、例えば、シード層は、ＴａやＴａ合金などで形成することができ、バッファ層は、Ｔａ／Ｒｕ化合物またはＮｉＦｅＣｒなどで形成することができる。拡散防止層２２は、バッファ層または反強磁性層２３を構成する遷移金属物質（Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏまたはＮｉなど）の拡散を防止するために導入されたものであり、上部に形成される反強磁性層２３の成長に悪影響を及ぼさない非磁性材料で形成することが望ましい。具体的に、Ｒｕのような物質でもって数ｎｍないし数十ｎｍ厚に形成できる。反強磁性層２３は、その上部に形成される第１強磁性層２４の磁化方向を固定する役割を果たす。かような反強磁性層２３は、ＩｒＭｎのようなＭｎ系化合物で形成することができる。第１強磁性層２４及び第２強磁性層２６は、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの強磁性物質で形成することができる。トンネリング障壁層２５’は、Ａｌ２Ｏ３またはＭｇＯのような非磁性物質で形成することができる。
【００３３】
本発明の実施例による拡散制御層を備える磁気抵抗素子の製造方法について概略的に説明すれば、次の通りである。ここでは、前記図３ＡのようなＧＭＲ構造の磁気抵抗素子をスパッタリング工程により形成する場合について概略的に説明する。
【００３４】
まず、Ｓｉなどの基板を準備し、選択的に基板表面に所定厚の酸化膜を形成する。そして、基板上に下地層２１を形成するためにシード層としてＴａを形成し、その上部に選択的にバッファ層を形成する。合金形態の物質を蒸着させる場合には、合金ターゲットに蒸着するか、または個別ターゲットを反応チャンバ内部に装着し、同時スパッタリング(co-sputtering)で蒸着できる。そして、下地層２１の上部に、Ｒｕを数ｎｍないし数十ｎｍ厚に蒸着して拡散防止層２２を形成する。そして、拡散防止層２２上に、反強磁性層２３、第１強磁性層２４、スペーサ層２５及び第２強磁性層２６を順次に形成する。かような磁気抵抗素子の製造工程は、従来技術による一般的な製造方法をそのまま適用できる。
【００３５】
図４Ａ及び図４Ｂは、拡散防止層を備えていない磁気抵抗素子に対し、それぞれアズデポ状態及び６００℃の雰囲気下で、３２．５秒間熱処理を行った状態でのＭ−Ｈ特性を表したグラフである。ここで、測定対象として使われた試片は、拡散防止層を備えていない垂直磁気記録媒体であり、ガラス基板上に約５ｎｍ厚のＴａシード層を形成し、シード層の上部に約５ｎｍ厚のＮｉＦｅＣｒバッファ層を形成したものである。そして、バッファ層上に、１０ｎｍのＩｒＭｎ反強磁性層を形成し、その上部にＣｏＺｒＮｂを約４０ｎｍ厚に形成したものである。
【００３６】
図４Ａ及び図４Ｂを参照すれば、拡散防止層を備えていない磁気抵抗素子の場合には、熱処理を施していないアズデポ状態の場合、交換結合力（Ｈｅｘ）が３５ Ｏｅであったが、６００℃の雰囲気下で熱処理を行った場合には、交換結合力（Ｈｅｘ）が０ Ｏｅに大きく減少したということを確認することができた。これは、反強磁性層のＭｎや、その下部のバッファ層のＣｏのような物質が他層に拡散し、磁気抵抗素子自体の特性を悪化させるためである。従って、拡散防止層を形成していない磁気抵抗素子の場合、熱的に非常に不安定であるということが分かる。
【００３７】
図５Ａ及び図５Ｂは、拡散防止層を備える磁気抵抗素子に対し、それぞれアズデポ状態及び６００℃の雰囲気下で、３２．５秒間熱処理を行った状態でのＭ−Ｈ特性を表したグラフである。ここで、測定対象として使われた試片は、拡散防止層を備える垂直磁気記録媒体であり、ガラス基板上に約５ｎｍ厚のＴａシード層を形成し、シード層の上部に約５ｎｍ厚のＮｉＦｅＣｒバッファ層を形成したものである。そして、バッファ層上に、１０ｎｍ厚のＲｕ拡散防止層及び１０ｎｍのＩｒＭｎ反強磁性層を形成し、その上部にＣｏＺｒＮｂを約４０ｎｍ厚に形成したものである。
【００３８】
図５Ａ及び図５Ｂを参照すれば、拡散防止層を備える磁気抵抗素子の場合には、熱処理を施していないアズデポ状態で、交換結合力（Ｈｅｘ）が４５ Ｏｅであったが、６００℃の雰囲気下で熱処理を行った場合には、交換結合力（Ｈｅｘ）が２４ Ｏｅであった。たとえ交換結合力自体は減少したとしても、拡散防止層を形成していない場合に比べ、交換結合力は、ある程度維持しているということを確認することができる。
【００３９】
図６Ａは、従来技術による拡散防止層を備えていない磁気抵抗素子を形成し、６００℃の雰囲気下で熱処理した後、ＳＩＭＳで組成分布を測定した結果を表したグラフである。具体的には、図４Ｂの測定対象試片に対し、その組成分布を測定したものである。
【００４０】
図６Ａを参照すれば、全般的に熱処理により各元素の拡散が活発であり、特に横軸１５００ｓで、最も高いピークを表すＭｎの場合、拡散により他の層でも高い組成分布を維持しているということが分かる。
【００４１】
図６Ｂは、拡散防止層の挿入された磁気抵抗素子を含む垂直磁気記録媒体を形成した後、６００℃の雰囲気下で熱処理した後、ＳＩＭＳで組成分布を測定した結果を表したグラフである。具体的には、図５Ｂの測定対象試片に対し、その組成分布を測定したものである。
図６Ｂを参照すれば、全般的に、図６Ａの結果に比べ、各元素の拡散が大きく減っているということが分かる。特に、Ｍｎの場合には、図６Ａの結果と比較し、明確に差が出るほどにその分布が減り、その他Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの場合にも、全般的に低い拡散分布を有するということを確認することができる。特に、Ｍｎ及びＣｒの場合には、拡散防止層を有することにより、熱処理を行う際に約１／１０ほどの拡散が減るということが分かる。拡散防止層の導入により、磁性層を構成する金属の拡散が防止され、結果的に熱的安定性が確保されうる。
【００４２】
前記の説明で多くの事項を具体的に記載しているが、それらは、発明の範囲を限定するものとするより、望ましい実施例の例示として解釈さるべきものである。従って、本発明の範囲は、説明された実施例によって定められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想によってのみ定められるものである。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の拡散防止層を備える磁気抵抗素子は、例えば、磁気記録関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】従来の磁気抵抗素子の一例を概略的に表した構造図である。
【図２】本発明による磁気抵抗素子の実施例を概略的に表した構造図である。
【図３Ａ】本発明による磁気抵抗素子をＧＭＲ構造に適用した実施例の構造を表した図面である。
【図３Ｂ】本発明による磁気抵抗素子をＴＭＲ構造に適用した実施例の構造を表した図面である。
【図４Ａ】拡散防止層を備えていない磁気抵抗素子のアズデポ状態でのＭ−Ｈ特性を測定して表したグラフである。
【図４Ｂ】拡散防止層を備えていない磁気抵抗素子に対し、６００℃で３２．５秒間熱処理を行った後、Ｍ−Ｈ特性を測定して表したグラフである。
【図５Ａ】本発明の実施例による磁気抵抗素子のアズデポ状態でのＭ−Ｈ特性を測定して表したグラフである。
【図５Ｂ】本発明の実施例による磁気抵抗素子に対し、６００℃で３２．５秒間熱処理を行った後、Ｍ−Ｈ特性を測定して表したグラフである。
【図６Ａ】拡散防止層を備えていない試片に対し、６００℃で熱処理した後、ＳＩＭＳで組成分布を測定した結果を表したグラフである。
【図６Ｂ】拡散防止層の挿入された試片に対し、６００℃で熱処理した後、ＳＩＭＳで組成分布を測定した結果を表したグラフである。
【符号の説明】
【００４５】
１１  基板
１２，２１  下地層
１３，２３  反強磁性層
１４，２４  第１強磁性層
１５，２５，２５’  非磁成層
１６，２６  第２強磁性層
１７  上地層
２０  磁気抵抗構造体
２２  拡散防止層
【図１】
2007214573.tif 000003
【図２】
2007214573.tif 000004
【図３Ａ】
2007214573.tif 000005
【図３Ｂ】
2007214573.tif 000006
【図４Ａ】
2007214573.tif 000007
【図４Ｂ】
2007214573.tif 000008
【図５Ａ】
2007214573.tif 000009
【図５Ｂ】
2007214573.tif 000010
【図６Ａ】
2007214573.tif 000011
【図６Ｂ】
2007214573.tif 000012