(57)【要約】【課題】光伝送モジュールとその製造方法、及びこれを採用した熱補助磁気記録ヘッドを提供する。【解決手段】光源から照射された光を伝送する光伝送モジュールにおいて、伝送される光のうち垂直偏光された光のみを反射させる角を有する傾斜面がその一端部に形成されている光導波路と、傾斜面を経由して伝送された光のエネルギー分布を変えて、強化された近接場を発生させるナノアパーチャとを備えることを特徴とする光伝送モジュールである。また、空気軸受面を備えたスライダーの一端部に装着されて記録媒体に記録を行う熱補助磁気記録ヘッドにおいて、記録のための磁場を形成する磁路形成部と、記録媒体に対して記録面の所定領域を加熱するための光を照射する光源と、光源からの光を記録媒体に伝送するものであって、本発明による光伝送モジュールとを備えることを特徴とする熱補助磁気記録ヘッドである。【選択図】図２
2007188062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から照射された光を伝送する光伝送モジュールであり、
入射光を伝送するものであって、入射光軸に対して角度Φで傾斜をマッチングさせた傾斜面を有する光導波路と、
前記傾斜面を経由して伝送された光のエネルギー分布を変えて、強化された近接場を発生させるナノアパーチャと、を備え、
前記傾斜面の角度Φは、下記の数式（１）を満足することを特徴とする光伝送モジュール：
Φ＝９０°−θｉＢ    （１）
ここで、θｉＢは、前記傾斜面に入射した光のうち垂直偏光のみを反射させるブリュースター角を意味する。
【請求項２】
前記光源からの光を前記光導波路にカップリングさせる光ファイバー、プリズムカップラー、またはグレーティングカップラーをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項３】
空気軸受面を備えたスライダーの一端部に装着されて、記録媒体に記録を行う熱補助磁気記録ヘッドであり、
記録のための磁場を形成する磁路形成部と、
前記記録媒体に対して記録面の所定領域を加熱するための光を照射する光源と、
前記光源からの光を記録媒体に伝送するものであって、入射光を伝送し、入射光軸に対して角度Φで傾斜配置された傾斜面を有する光導波路と、前記傾斜面を経由して伝送された光のエネルギー分布を変えて、強化された近接場を発生させるナノアパーチャとを備え、前記傾斜面の角度Φは、下記数式（１）を満足することを特徴とする光伝送モジュールと、を備えることを特徴とする熱補助磁気記録ヘッド：
Φ＝９０°−θｉＢ    （１）
ここで、θｉＢは、前記傾斜面に入射した光のうち垂直偏光のみを反射させるブリュースター角を意味する。
【請求項４】
前記磁路形成部は、
磁場の発生源となるコイルと、
前記記録媒体と対向する第１端部が、前記空気軸受面と同一平面上に配置されたメインポールと、
前記メインポールの一側面に設けられるものであって、前記記録媒体と対向する第２端部を有し、前記第１端部に磁場が集束されるように、前記第２端部が前記第１端部に対して段差を形成するサブヨークと、
前記メインポールと共に前記コイル周囲に形成された磁場の磁路を形成するものであって、前記メインポールと一端部は離隔され、他端部は連結されるように配置されるリターンヨークと、を備えることを特徴とする請求項３に記載の熱補助磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記第２端部と前記第１端部との間に設けられた空間に前記光伝送モジュールの少なくとも一部が配置されることを特徴とする請求項４に記載の熱補助磁気記録ヘッド。
【請求項６】
第１シールドと、
前記第１シールドと離隔されて配置された第２シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に配置された再生素子とをさらに備え、前記第１シールド、前記第２シールド、及び前記再生素子のそれぞれは、前記記録媒体と対向する面が前記空気軸受面と同一平面に配置されることを特徴とする請求項３ないし請求項５のうちいずれか一項に記載の熱補助磁気記録ヘッド。
【請求項７】
第１シールドまたは第２シールドの記録媒体と対向する面が、前記空気軸受面に対して段差を形成し、
前記段差空間に前記光伝送モジュールの少なくとも一部が配置されることを特徴とする請求項６に記載の熱補助磁気記録ヘッド。
【請求項８】
光源からの光を伝送する光導波路と、前記光導波路から伝送された光を強化させる近接場光学手段であって、金属薄膜により取り囲まれたスリットからなるナノアパーチャとを備えた光伝送モジュールの製造方法であり、
第１基板に電子ビームリソグラフィを利用して、前記光導波路及び前記スリット形状が刻まれたモールドを形成する段階と、
第２基板に前記光導波路及び前記スリットをなす少なくとも一層以上の層をコーティングし、プリベーキングする段階と、
前記第２基板上に前記モールドをスタンピングし、ポストベーキングする段階と、
前記第２基板上に前記スリットを取り囲む金属膜を積層する段階と、を含むことを特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記第１基板は、水晶基板であり、
前記第２基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項８に記載の光伝送モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記下部クラッド層及び導波路コア層の材質は、ポリマーであることを特徴とする請求項８に記載の光伝送モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記プリベーキング及びポストベーキング工程は、２００℃以下の温度で行われることを特徴とする請求項１０に記載の光伝送モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度の記録が可能な熱補助磁気記録ヘッドに係り、さらに詳細には、強化された近接場を具現すると共に、集積型に製作可能な光伝送モジュール及びこれを採用した熱補助磁気記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録ヘッド分野において磁気記録の高密度化のための研究が続けられている。水平磁気記録の場合、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２の記録密度が達成され、垂直磁気記録の場合、それ以上の記録密度も可能であるが、磁気記録技術は、基本的に超常磁性効果による記録ビットの熱的不安定性が存在して、高記録密度化に限界がある。
【０００３】
記録媒体において熱的安定性は、磁気異方性エネルギーと熱エネルギーとの比により決定される量であり、磁気異方性エネルギーを増大させるためには、保磁力の大きい材料を磁気記録媒体として使用しなければならない。一方、保磁力の大きい材料を磁気記録媒体として使用する場合、記録のためにそれだけの大きい磁場が必要となる。しかし、記録密度向上のための小さな記録ヘッドのチップ部分で磁場は一定レベルで飽和されるので、発生する磁場の大きさには限界があり、記録が不可能な問題が発生する。
【０００４】
このような問題を解決するために、熱補助磁気記録（Ｈｅａｔ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ 、以下ＨＡＭＲという）方式が研究されている。ＨＡＭＲ方式とは、記録媒体の局部をキュリー温度以上に加熱して、該当位置の保磁力を一時的に低下させて記録を行う方式であって、既存の磁気記録方式に比べて記録のために必要な磁場の大きさを小さくすることができる。
【０００５】
この時、データが記録される領域は、キュリー温度以上に加熱された部分であるので、記録密度は、ギャップ間に磁場を発生させるポールサイズではなく、加熱される部分の幅によって決定される。例えば、加熱手段がレーザーダイオードである場合、レーザーダイオードから照射されるレーザー光のスポットサイズによってデータ記録密度が決定される。これにより、光スポットのサイズを小さくし、高い光強度を提供する光学手段が要求される。
【０００６】
図１は、従来のＨＡＭＲヘッドの一例を示す図である。図面を参照すれば、開示されたＨＡＭＲヘッド２２は、磁気記録部２４、記録媒体１６を加熱するための光源５２、及び光源５２からの光を記録媒体１６に伝送する光伝送モジュール２６を備える。
【０００７】
磁気記録部２４は、磁場の発生源となるコイル３３、磁気記録媒体１６に記録のための磁場を印加するための記録ポール３０、記録ポール３０と磁気的に連結されて磁路Ｈを形成するリターンヨーク３２を備える。記録ポール３０は、第１層４６と第２層４８とで形成されている。
【０００８】
光伝送モジュール２６は、光源３１から照射された光を導波する光導波路５０及び光源５２と光導波路５０とを連結する光ファイバー５４を備える。光導波路５０の一面に形成された熱放出面５６を通じて磁気記録媒体１６に光エネルギー５８が伝えられて、記録媒体の所定部位が加熱されて保磁力が小さくなる。
【０００９】
ここで、前記記録媒体１６は、ＨＡＭＲヘッド２２に対して矢印Ａ方向に相対移動する。したがって、加熱された記録媒体１６の所定部位は、相対運動によって記録ポール３０に位置される。したがって、記録ポール３０は、加熱された前記所定部位に磁気記録を容易に行える。また、前記所定部位は、記録後に冷却されることで本来の大きい保磁力値に復元されるので、熱的に安定した記録ビットを維持する。
【００１０】
一方、このようなＨＡＭＲヘッドにより高密度記録を行うためには、光スポットが小さく、かつ記録媒体を十分に加熱できなければならない。しかし、前記構造は、フィールド強化効果がなく、磁気ヘッド工程と別途に光導波路を製作して正確にアラインさせなければならない。
【００１１】
また、フィールド強化のためのナノアパーチャ製作時に伴われるＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）工程は、分解能が低いため、工程時の誤差を引き起こしてフィールド強化特性を低下させるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、前記問題点を勘案して案出されたものであって、小さなサイズと高強度を有する光スポットを具現して、高密度記録を可能にする光伝送モジュール、これを採用したＨＡＭＲヘッド、及びこのような光伝送モジュールの製造方法を提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するための本発明による光伝送モジュールは、光源から照射された光を伝送する光伝送モジュールにおいて、入射光を伝送するものであって、入射光軸に対して角度Φで傾斜をマッチングさせた傾斜面を有する光導波路と、前記傾斜面を経由して伝送された光のエネルギー分布を変えて強化された近接場を発生させるナノアパーチャとを備え、前記傾斜面の角度Φは、下記の数式（１）を満足することを特徴とする。
Φ＝９０°−θｉＢ    （１）
ここで、θｉＢは、前記傾斜面に入射した光のうち垂直偏光のみを反射させるブリュースター角を意味する。
【００１４】
また、本発明による熱補助磁気記録ヘッドは、空気軸受面を備えたスライダーの一端部に装着されて、記録媒体に記録を行う熱補助磁気記録ヘッドであって、記録のための磁場を形成する磁路形成部と、前記記録媒体に対して記録面の所定領域を加熱するための光を照射する光源と、前記光源からの光を記録媒体に伝送するものであって、本発明による前記構造の光伝送モジュールとを備えることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明による光伝送モジュールの製造方法は、光源からの光を伝送する光導波路と、前記光導波路から伝送された光を強化させる近接場光学手段であって、金属薄膜により取り囲まれたスリットからなるナノアパーチャを備えた光伝送モジュールの製造方法において、第１基板に電子ビームリソグラフィを利用して、前記光導波路及び前記スリット形状が刻まれたモールドを形成する段階と、第２基板に前記光導波路及び前記スリットをなす少なくとも一層以上の層をコーティングし、プリベーキングする段階と、前記第２基板上に前記モールドをスタンピングし、ポストベーキングする段階と、前記第２基板上に前記スリットを取り囲む金属膜を積層する段階とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による光伝送モジュールは、光導波路に偏光特性を制御する傾斜面を採用することによって、ナノアパーチャにフィールド強化が最大となる垂直偏光だけ入射されてフィールド強化効果がさらに著しい構造である。
【００１７】
また、前記した構造の光伝送モジュールを採用した熱補助磁気記録ヘッドは、小さなサイズ及び高強度の光スポットを提供するので高密度記録に有利である。
【００１８】
また、本発明による光伝送モジュールの製造方法は、光導波路の材質としてポリマーを選択することによって低温工程ができるので、既存の磁気ヘッドと連係した集積型製作が可能である。さらに、電子ビームリソグラフィによって精密に製作されたマスターモールドを利用するので、ＦＩＢ工程による方法に比べてさらに精密で小さなサイズのナノアパーチャの具現が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００２０】
図２は、本発明の実施形態による光伝送モジュール１００の概略的な斜視図である。図面を参照すれば、本発明による光伝送モジュール１００は、光源（図示せず）からの光１１０を伝送する光導波路１２０と、伝送された光のエネルギー分布を変えて強化された近接場を発生させるナノアパーチャ１３０とを備える。
【００２１】
光導波路１２０の一端には、伝送された光路を前記ナノアパーチャ１３０に向かって変える傾斜面１２３が形成されている。矢印Ｂは、入射光の光軸方向を示すが、このとき、前記傾斜面１２３は、前記Ｂ方向と所定の角度Φをなしている。角度Φは、後述する原理によって放出される光エネルギーが最大となるように最適化された値であって、数式（１）を満たす。
Φ＝９０°−θｉＢ    （１）
ここで、θｉＢは、入射波のうち垂直偏波だけを反射させる入射角であって、ブリュースター角と定義された角を意味する。ブリュースター角θｉＢは、数式（２）を満たす。
θｉＢ＝ｔａｎ−１（ｎ２／ｎ１）    （２）
ｎ１は、光導波路１２０の屈折率であり、ｎ２は、傾斜面１２３を境界とした光導波路１２０の外部の屈折率である。すなわち、屈折率ｎ１である媒質と屈折率ｎ２である媒質の境界面で任意の偏波１１２の光が入射角θｉＢとして入射する場合、垂直偏波１１４のみ反射される。
【００２２】
ナノアパーチャ１３０は、金属薄膜１３２に形成された所定形状のスリット１３４構造を有する。狭いスリット１３４の中央部で電気双極子の振動によって電場が強化されて、広い領域の光エネルギーを局所に集中させる。スリット１３４の形状は、図２に示すような‘Ｌ’字状だけでなく、リボン状、‘Ｘ’字状、‘Ｃ’字状なども可能である。
【００２３】
図３ないし図６を参照して、本発明の動作原理を説明する。
【００２４】
図３は、ナノアパーチャ１３０のスリット１３４を通過する光の偏光を示す図である。図面を参照すれば、スリット１３４を通過する光は、通過する光のｘ方向に偏光された光（ｘ−ｐｏｌａｒ）とｙ方向に偏光された光（ｙ−ｐｏｌａｒ）とに分けられうる。ｚ方向が光の進行方向であるので、入射面は、ｙ−ｚ平面である。すなわち、ｘ方向の偏光が垂直偏光に該当し、ｙ方向の偏光が水平偏光に該当する。
【００２５】
図４は、ナノアパーチャ１３０のスリット１３４の幅ｗによる光の電力スループット（Ｐｏｗｅｒ  Ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ：以下、ＰＴという）を垂直偏波と水平偏波に対してシミュレーションした結果を示すグラフである。ＰＴは、ナノアパーチャ１３０のスリット１３４に平行に入射される光エネルギーに対する前記スリット１３４を通じて放出される光エネルギーの比率を意味する。点線は、ｙ方向偏光、すなわち、水平偏光に対応し、実線は、ｘ方向偏光、すなわち垂直偏光に対応する。図面を参照すれば、垂直偏波の場合、スリット幅ｗによるＰＴの変化が少ないので一定レベルのＰＴを維持する。水平偏波の場合、スリット幅ｗが広い範囲では、垂直偏波と類似した特性を示すが、スリット幅ｗが狭くなるほどＰＴの値が小さくなる。
【００２６】
したがって、ナノアパーチャ１３０のスリット１３４を通過する光が垂直偏光された成分だけを有する場合、フィールド強化効果が優れている。前述したように傾斜面（図２の１２３）の傾斜角が、数式（１）のように光軸方向となす角がΦになるように形成された場合、垂直偏光のみがスリット（図２の１３４）を通じて放出される効果がある。
【００２７】
図５は、本発明による光伝送モジュールにおける光の偏波及び光路を示す図面である。任意の偏光を有する波は、垂直偏波と水平偏波との和として表し、このような光が傾斜角Φを有する傾斜面によって反射される時、垂直偏波のみ反射される。反射された光は、ナノアパーチャ１３０に所定の角αで入射する。αとΦとの関係を三角形ＣＥＤから見ると、αは、９０゜−２Φである。例えば、光導波路材質の屈折率が１．５であり、光導波路の外部の屈折率を１とするとき、角度Φは、５６．３°（＝９０°−ｔａｎ−１（１／１．５））であり、αは、−２２．６°（＝９０°−２×５６．３°）である。
【００２８】
図６は、ナノアパーチャ１３０に入射する光の入射角による放出光のＰＴに対するシミュレーション結果を示すグラフである。すなわち、図６は、偏光を維持し、入射角のみを変化させたグラフである。図面を参照すれば、入射角が−２２．６°であるＰ地点と垂直入射する場合であるＱ地点とを比較すれば、Ｐ地点でのＰＴが約１．１〜１．５向上したことが分かる。
【００２９】
すなわち、傾斜面（図２の１２３）の傾斜角が、数式（１）のように光軸方向となす角がΦとなるように形成された場合、所定の入射角でナノアパーチャに入射されてＰＴ特性が向上する効果もある。
【００３０】
図７は、本発明の実施形態であって、光伝送モジュールを採用した熱補助磁気記録ヘッドを示す概略的な斜視図である。図面を参照すれば、ＨＡＭＲヘッド２５０は、記録のための磁場を形成する磁路形成部２２０、記録媒体の記録領域を加熱するための光を照射する光源１４０、及び光源１４０から照射された光を伝送し、記録媒体に向かって強化された近接場を発生させて放出する光伝送モジュール１００を備える。
【００３１】
ＨＡＭＲヘッド２５０は、空気軸受面（Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ：以下、ＡＢＳという）２１０ａを備えたスライダー２１０の一方の側に、ＨＡＭＲヘッド２５０の一端がＡＢＳ２１０ａと一致するように装着される。ＡＢＳ２１０ａと対向する記録面を有する記録媒体（図示せず）が高速回転することによって、ＨＡＭＲヘッド２５０は、空気軸受システムによってスライダーと共に浮上して記録媒体と所定間隔を維持する。
【００３２】
磁路形成部２２０は、磁場の発生源となるコイル２２２、コイル２２２の周囲に形成される磁場の磁路となるリターンヨーク２２４、リターンヨーク２２４の一端部とは離隔され、他端部とは連結されてリターンヨーク２２４と共に磁路を形成するメインポール２２６、及びメインポール２２６と一面が連結されて前記磁路を形成するサブヨーク２２８を備える。
【００３３】
リターンヨーク２２４及びメインポール２２６の記録媒体と対向する一面は、ＡＢＳと同一平面に配置される。
【００３４】
リターンヨーク２２４の一端部とメインポール２２６との間には、所定間隔のギャップ２３０が形成されている。メインポール２２６での磁場は、メインポール２２６の外側に漏れ、このような漏れ磁束によって記録媒体が磁化されて記録が行われる。
【００３５】
メインポール２２６の側部には、サブヨーク２２８が形成されている。この時、サブヨーク２２８は、記録媒体と対向する第２端部２２８ａがメインポール２２６の記録媒体と対向する第１端部２２６ａと段差を形成して配置される。
【００３６】
このように、ＡＢＳと離隔されて配置されたサブヨーク２２８は、メインポール２２６の第１端部２２６ａに記録のための磁場を効果的に集束させて、ギャップ２３０付近での漏れ磁束を増大させる。このような集束の効果は、磁路を形成する材質の飽和磁化値によって制限されるので、メインポール２２６の材質は、その飽和磁化値がサブヨーク２２８の飽和磁化値より大きい値を有することが望ましい。
【００３７】
前記のように第１端部２２６ａと第２端部２２８ａとが段差構造を有するように、メインポール２２６とサブヨーク２２８とが配置されることによって、形成された第１端部２２６ａと第２端部２２８ａとの間の空間に光伝送モジュール１００の少なくとも一部が配置されている。
【００３８】
光伝送モジュール１００の構造は、図２で説明したので詳細な説明は省略する。光伝送モジュール１００で説明した動作原理によって、強化された光エネルギーが放出されて記録媒体の所定領域を加熱し、前記加熱されて保磁力が小さくなった領域をメインポール２２６での漏れ磁束が磁化させることによって記録が行われる。
【００３９】
光源１４０での光は、光導波路に接触接合されることもあり、プリズムカップラーやグレーティングカップラーなどのカップラーを通じて光導波路にカップリングされることもある。
【００４０】
図８は、本発明の他の実施形態による熱補助磁気記録ヘッドを示す概略的な斜視図である。図面を参照すれば、熱補助磁気記録ヘッド３５０は、光源１４０、再生ヘッド部３３０、磁路形成部２２０、及び光伝送モジュール１００を備える。
【００４１】
再生ヘッド部３３０は、第１シールド３３２、第２シールド３３４、及び第１シールド３３２と第２シールド３３４との間に配置された再生センサー３３３を備える。第１シールド３３２、第２シールド３３４、及び再生センサー３３３の記録媒体と対向する一面は、ＡＢＳ２１０ａと同一平面に配置される。
【００４２】
光伝送モジュール１００や磁路形成部２２０の具体的な構成は、図７で前述したところと同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００４３】
図面を参照すれば、光伝送モジュール１００は、第２シールド３３４とサブヨーク２２８との間に配置されている。
【００４４】
図９は、本発明のさらに他の実施形態による熱補助磁気記録ヘッドを示す概略的な斜視図である。各構成要素は、図７及び図８の同一参照番号を有する部材で説明した通りである。再生ヘッド部３３０’は、第１シールド３３２、第２シールド３３４’、及び第１シールド３３２と第２シールド３３４’との間に配置された再生センサー３３３を備える。第１シールド３３２、第２シールド３３４’、及び再生センサー３３３の記録媒体と対向する一面は、ＡＢＳ２１０ａと同一平面に配置される。但し、第２シールド３３４’の記録媒体と対向する面が、ＡＢＳに対して段差を形成しており、この段差空間に光伝送モジュール１００が配置された点が図８と異なる。
【００４５】
図７ないし図９の実施形態で示すように、光伝送モジュール１００の位置は、記録媒体の加熱と磁気記録時点とのタイミングを考慮して決定することができる。例えば、記録媒体の冷却時間と回転速度とを考慮して光伝送モジュール１００とメインポール２２６との距離を適切に選択する。
【００４６】
前記実施形態の熱補助磁気記録ヘッドは、フィールド強化効果を最大化するように構成され、小さなサイズを有し、光強度特性に優れた光スポットを放出する光伝送モジュール１００を採用するので、高記録密度に有利である。
【００４７】
以下、図１０Ａないし図１０Ｉを参照して、本発明による光伝送モジュールの製造方法を説明する。
【００４８】
図１０Ａを参照すれば、まず、水晶などの材質からなる第１基板５１１に電子ビームリソグラフィ工程を利用して、光導波路及びナノアパーチャのスリット５１３形状を刻んでモールド５１０を形成する。
【００４９】
図１０Ｂを参照すれば、別途に準備した第２基板６１１に接着促進剤６１３をコーティングし、ベーキング工程を行う。第２基板６１１は、シリコン基板、例えば、熱補助磁気記録ヘッドの再生ヘッド部が積層されているシリコン基板でありうる。
【００５０】
次に、図１０Ｃに示すように、コーティングされた接着促進剤６１３上に下部クラッド層６１５をコーティングした後、赤外線露光工程及びベーキング工程を行う。この時、下部クラッド層６１５の材質としてポリマーが使われる場合、前記ベーキング工程は、２００℃以下の温度で行われうる。
【００５１】
次に、図１０Ｄに示すように、下部クラッド層６１５上にパターニング工程によって第１金属層６１７を形成する。
【００５２】
図１０Ｅを参照すれば、前記第１金属層６１７上に導波路コア層６１９をコーティングし、プリベーキング工程を行う。この時、導波路コア層６１９の材質としてポリマーが使われる場合、前記ベーキング工程は、２００℃以下の温度で行われうる。
【００５３】
図１０Ｆを参照すれば、図１０Ａで形成されたモールド（図１０Ａの５１０）を前記プリベーキングされた導波路コア層６１９上にスタンピングする。前記スタンピング工程の後、赤外線露光工程およびポストベーキング工程を行う。
【００５４】
図１０Ｇは、前記スタンピング工程後の工程を示す斜視図である。光導波路６２０、ナノアパーチャをなすスリット６３４、及び第１金属層６１７が形成されている。
【００５５】
図１０Ｈを参照すれば、ナノアパーチャとして形成される部分を除いた部分にフォトレジスト６２１を形成した後、第２金属層６２３を蒸着する。
【００５６】
図１０Ｉは、リフトオフ工程の後を示す斜視図である。フォトレジスト（図１０Ｈの６２１）を除去することによって、第２金属層（図１０Ｈの６２３）の前記フォトレジスト（図１０Ｈの６２１）上に蒸着された部分が共に除去されて光伝送モジュール７００が完成する。
【００５７】
このような本発明の光伝送モジュールとその製造方法、及びこれを採用した熱補助磁気記録ヘッドは、理解を助けるために図面に示された実施形態を参考として説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点が理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、磁気記録関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】従来の熱補助磁気記録ヘッドを示す図である。
【図２】本発明の実施形態による光伝送モジュールを示す斜視図である。
【図３】ナノアパーチャのスリットを通過する光の偏光を示す図である。
【図４】ナノアパーチャのスリット幅ｗによる光の電力スループットをシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図５】本発明による光伝送モジュールにおいて光の偏波及び光路を示す図である。
【図６】ナノアパーチャに入射する光の入射角による電力スループットをシミュレーション一結果を示すグラフである。
【図７】本発明の実施形態による熱補助磁気記録ヘッドの概略的な斜視図である。
【図８】本発明の実施形態による熱補助磁気記録ヘッドの概略的な斜視図である。
【図９】本発明の実施形態による熱補助磁気記録ヘッドの概略的な斜視図である。
【図１０Ａ】本発明の実施形態による光伝送モジュールの製造方法を示す図である。
【図１０Ｂ】本発明の実施形態による光伝送モジュールの製造方法を示す図である。
【図１０Ｃ】本発明の実施形態による光伝送モジュールの製造方法を示す図である。
【図１０Ｄ】本発明の実施形態による光伝送モジュールの製造方法を示す図である。
【図１０Ｅ】本発明の実施形態による光伝送モジュールの製造方法を示す図である。
【図１０Ｆ】本発明の実施形態による光伝送モジュールの製造方法を示す図である。
【図１０Ｇ】本発明の実施形態による光伝送モジュールの製造方法を示す図である。
【図１０Ｈ】本発明の実施形態による光伝送モジュールの製造方法を示す図である。
【図１０Ｉ】本発明の実施形態による光伝送モジュールの製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００、７００  光伝送モジュール
１１０  光
１１２  偏波
１１４  垂直偏波
１２０、６２０  光導波路
１２３  傾斜面
１３０  ナノアパーチャ
１３２  金属薄膜
１３４、５１３、６３４  スリット
１４０  光源
２１０  スライダー
２１０ａ  ＡＢＳ
２２０  磁路形成部
２２２  コイル
２２４  リターンヨーク
２２６  メインポール
２２６ａ  第１端部
２２８  サブヨーク
２２８ａ  第２端部
２３０  ギャップ
２５０、３５０、４５０  ＨＡＭＲヘッド
３３０、３３０’  再生ヘッド部
３３２  第１シールド
３３３  再生センサー
３３４、３３４’  第２シールド
５１０  モールド
５１１  第１基板
６１１  第２基板
６１３  接着促進剤
６１５  下部クラッド層
６１７  第１金属層
６１９  導波路コア層
６２１  フォトレジスト
６２３  第２金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１０Ｇ】
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【図１０Ｈ】
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【図１０Ｉ】
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