(57)【要約】【課題】  異常発振の原因となる帯域外信号の電力を抵抗器で消費させることにより、所望の安定した動作特性を奏する高周波能動装置，高周波モジュール及び通信装置を提供する。【解決手段】  入力部２と出力部３とトランジスタ４とを備え、入力部２（出力部３）は、第１スロットライン５（第２スロットライン６）と１対の第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）とを有している。各第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）（第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２））は、ショートスタブ５２，５３（６２，６３）を有している。ショートスタブ５２（６２）は、帯域内信号用のショートスタブであり、ショートスタブ５３（６３）は、帯域外信号用のショートスタブである。そして、電力消費用の抵抗器７が、ショートスタブ５３（６３）の付け根に取り付けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられ伝送周波数帯域内の信号が入力される第１スロットライン，この第１スロットラインの先端部側で分岐し且つ基板の縁で開口して第１のＤＣ電極を画成する１対の第１ＤＣカットライン，及びこれら１対の第１ＤＣカットラインからそれぞれ分岐し且つ上記帯域内信号がこれら第１ＤＣカットライン内に流入することを阻止する帯域内信号用のショートスタブを有した入力部と、
上記第１スロットラインの先端部の近傍から基板縁に向かう第２スロットライン，この第２スロットラインの先端部側で分岐し且つ上記１対の第１ＤＣカットラインとは逆側の基板の縁で開口して第２のＤＣ電極を画成する１対の第２ＤＣカットライン，及びこれら１対の第２ＤＣカットラインからそれぞれ分岐し且つ上記帯域内信号がこれら第２ＤＣカットライン内に流入することを阻止する帯域内信号用のショートスタブを有した出力部と、
ゲートを上記第１のＤＣ電極に接続すると共にドレインを上記第２のＤＣ電極に接続し、且つソースをこれら第１及び第２のＤＣ電極以外の電極に接続したトランジスタと
を具備する高周波能動装置であって、
所定周波数の帯域外信号の電力を消費させるための抵抗器を、当該帯域外信号が上記第１及び第２ＤＣカットライン内に流入した際に、当該帯域外信号による電位差の振幅の大きさが略最大となる部位に配した、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波能動装置において、
上記第１ＤＣカットラインと第２ＤＣカットラインとの線幅を、少なくとも所定周波数の帯域外信号が当該第１及び第２ＤＣカットライン内に流入可能な大きさに設定した、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項３】
請求項２に記載の高周波能動装置において、
上記第１ＤＣカットラインの線幅を、上記第１スロットラインの線幅の０．５倍〜１．５倍に設定すると共に、上記第２ＤＣカットラインの線幅を、上記第２スロットラインの線幅の０．５倍〜１．５倍に設定した、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波能動装置において、
上記所定周波数の帯域外信号が有する波長の４分の１の長さを有した帯域外信号用のショートスタブを、上記帯域内信号用のショートスタブよりも基板縁側に寄った位置で上記第１及び第２ＤＣカットラインからそれぞれ分岐させ、
上記抵抗器を、上記帯域外信号用のショートスタブの各分岐部に取り付けた、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項５】
請求項４に記載の高周波能動装置において、
上記抵抗器を、上記帯域外信号用のショートスタブの各分岐部において、当該ショートスタブを跨ぐように取り付けた、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項６】
請求項４に記載の高周波能動装置において、
上記抵抗器を、上記帯域外信号用のショートスタブの各分岐部において、上記第１及び第２ＤＣカットラインをそれぞれ跨ぐように取り付けた、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項７】
請求項６に記載の高周波能動装置において、
上記第１ＤＣカットラインに取り付けた抵抗器と第２ＤＣカットラインに取り付けた抵抗器の少なくとも一方の抵抗器にコンデンサを直列に接続した、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波能動装置において、
上記抵抗器を、上記第１及び第２ＤＣカットラインの各開口部に取り付けた、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項９】
請求項８に記載の高周波能動装置において、
上記第１ＤＣカットラインの開口部に取り付けた抵抗器と第２ＤＣカットラインの開口部に取り付けた抵抗器の少なくとも一方の抵抗器にコンデンサを直列に接続した、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項１０】
請求項４ないし請求項７のいずれかに記載の高周波能動装置において、
上記抵抗器とは別体の抵抗器を、上記第１及び第２ＤＣカットラインの各開口部に取り付けた、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の高周波能動装置において、
上記第１ＤＣカットラインの開口部に取り付けた上記別体の抵抗器と第２ＤＣカットラインの開口部に取り付けた上記別体の抵抗器の少なくとも一方の抵抗器にコンデンサを直列に接続した、
ことを特徴とする高周波能動装置。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の高周波能動装置を備えた、
ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の高周波能動装置を備えた、
ことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ミリ波帯又はマイクロ波帯の信号を処理する高周波能動装置，高周波モジュール及び通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、この種の高周波能動装置において、スロットラインを用いると、半導体素子等との接続が容易であり且つバランスのとれた高周波信号を伝搬することができること等から、スロットラインを高周波信号の入出力ラインやモジュールの一部に使用するようになってきた（例えば特許文献１）。
図１９は、特許文献１の高周波能動装置を示す概略平面図である。
図１９に示すように、この高周波能動装置は高周波増幅器であり、高周波の伝送信号を入出力するためのスロットライン１００，１０１上に、ＦＥＴ２００を実装した構成になっている。
具体的には、スロットライン１００，１０１が直列に配され、平行なスロットライン１００′，１０１′が、これらスロットライン１００，１０１の端部に直角に連結されて、伝送信号Ｍの波長の１／４の長さまで延出している。そして、これらスロットライン１００′，１０１′の延長上に、ＤＣ（直流）カット回路１１０が形成されている。ＤＣカット回路１１０は、スロットライン１００′，１０１′からそれぞれ延出した一定幅の細いＤＣカットライン１１１，１１２とこれらＤＣカットライン１１１，１１２に形成された略円形のスタブ１１３，１１４とでなり、これらのラインによって、基板３００が、グランド電極３０１とゲート電極３０２とドレイン電極３０３とに分離されている。ＦＥＴ２００は、ソース端子Ｓをグランド電極３０１に、ゲート端子Ｇをゲート電極３０２に、ドレイン端子Ｄをドレイン電極３０３にそれぞれ接続した状態で、基板３００上に実装され、直流のバイアス電圧がゲート電極３０２，ドレイン電極３０３からゲート端子Ｇ，ドレイン端子Ｄに供給されるようになっている。
かかる構成により、ＦＥＴ２００がスロットライン１００から入力した高周波信号Ｍを増幅して、スロットライン１０１から出力する。そして、ＤＣカット回路１１０のスタブ１１３，１１４が、伝送信号Ｍのスロットライン１００′，１０１′側への流入を阻止する。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２８０８４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した高周波能動装置では、次のような問題がある。
スロットライン１００，１０１を伝搬する伝送信号Ｍは、ＤＣカット回路１１０によって、スロットライン１００′，１０１′側への流入を阻止されるが、伝送信号Ｍ以外の周波数、即ち１／４波長のスタブ１１３，１１４の帯域外の高周波信号はスロットライン１００′，１０１′側に流れ込む。
しかしながら、ＤＣカットライン１１１，１１２は、帯域外信号の電磁波がゲート電極３０２とドレイン電極３０３との間の溝内に伝搬するので、基板端部にＤＣ供給線が接続されていても、ＤＣカットライン１１１，１１２の開口端１１１ａ，１１２ａが急激にオープンに見えてしまう。すなわち、ＤＣカットライン１１１，１１２側から見て、開口端１１１ａ，１１２ａのインピーダンスが急激に増加した状態になり、高周波のうち比較的周波数が低い帯域外信号がＤＣカットライン１１１，１１２を伝搬して開口端１１１ａ，１１２ａにおいて反射する。これにより、この反射端としての開口端１１１ａ，１１２ａ、ＤＣカットライン１１１，１１２、及びスロットライン１００，１０１との組合せによって装置全体が共振器を構成し、ＦＥＴ２００の増幅作用によって異常発振を起こすおそれがあった。
【０００５】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、異常発振の原因となる帯域外信号の電力を抵抗器で消費させることにより、所望の安定した動作特性を奏する高周波能動装置，高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、基板上に設けられ伝送周波数帯域内の信号が入力される第１スロットライン，この第１スロットラインの先端部側で分岐し且つ基板の縁で開口して第１のＤＣ電極を画成する１対の第１ＤＣカットライン，及びこれら１対の第１ＤＣカットラインからそれぞれ分岐し且つ帯域内信号がこれら第１ＤＣカットライン内に流入することを阻止する帯域内信号用のショートスタブを有した入力部と、第１スロットラインの先端部の近傍から基板縁に向かう第２スロットライン，この第２スロットラインの先端部側で分岐し且つ１対の第１ＤＣカットラインとは逆側の基板の縁で開口して第２のＤＣ電極を画成する１対の第２ＤＣカットライン，及びこれら１対の第２ＤＣカットラインからそれぞれ分岐し且つ帯域内信号がこれら第２ＤＣカットライン内に流入することを阻止する帯域内信号用のショートスタブを有した出力部と、ゲートを第１のＤＣ電極に接続すると共にドレインを第２のＤＣ電極に接続し、且つソースをこれら第１及び第２のＤＣ電極以外の電極に接続したトランジスタとを具備する高周波能動装置であって、所定周波数の帯域外信号の電力を消費させるための抵抗器を、当該帯域外信号が第１及び第２ＤＣカットライン内に流入した際に、当該帯域外信号による電位差の振幅の大きさが略最大となる部位に配した構成とする。
かかる構成により、帯域内信号が入力部の第１スロットラインに入力されると、トランジスタによって所定の処理がされて、出力部の第２スロットラインに出力される。このとき、帯域内信号の第１及び第２ＤＣカットライン内への流入が、帯域内信号用のショートスタブによって阻止される。また、所定周波数の帯域外信号が、第１及び第２ＤＣカットライン内に流入すると、当該帯域外信号の電力が抵抗器器によって消費される。しかも、抵抗器が当該帯域外信号による電位差の振幅の大きさが略最大となる部位に配されているので、当該帯域外信号が効率よく減衰される。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の高周波能動装置において、第１ＤＣカットラインと第２ＤＣカットラインとの線幅を、少なくとも所定周波数の帯域外信号が当該第１及び第２ＤＣカットライン内に流入可能な大きさに設定した構成とする。
かかる構成により、所定周波数の帯域外信号を第１及び第２ＤＣカットライン内に確実に流入させることができる。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項２に記載の高周波能動装置において、第１ＤＣカットラインの線幅を、第１スロットラインの線幅の０．５倍〜１．５倍に設定すると共に、第２ＤＣカットラインの線幅を、第２スロットラインの線幅の０．５倍〜１．５倍に設定した構成とする。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波能動装置において、所定周波数の帯域外信号が有する波長の４分の１の長さを有した帯域外信号用のショートスタブを、帯域内信号用のショートスタブよりも基板縁側に寄った位置で第１及び第２ＤＣカットラインからそれぞれ分岐させ、抵抗器を、帯域外信号用のショートスタブの各分岐部に取り付けた構成とする。
かかる構成により、第１及び第２ＤＣカットラインに流入した所定周波数の帯域外信号が帯域外信号用のショートスタブによってトラップされる。このとき、帯域外信号による電位差はオープン状態の分岐部において略最大となっているので、当該帯域外信号は、各分岐部に取り付けられた抵抗器によって減衰される。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項４に記載の高周波能動装置において、抵抗器を、帯域外信号用のショートスタブの各分岐部において、当該ショートスタブを跨ぐように取り付けた構成とする。
【００１１】
請求項６の発明は、請求項４に記載の高周波能動装置において、抵抗器を、帯域外信号用のショートスタブの各分岐部において、第１及び第２ＤＣカットラインをそれぞれ跨ぐように取り付けた構成とする。
【００１２】
請求項７の発明は、請求項６に記載の高周波能動装置において、第１ＤＣカットラインに取り付けた抵抗器と第２ＤＣカットラインに取り付けた抵抗器の少なくとも一方の抵抗器にコンデンサを直列に接続した構成とする。
かかる構成により、コンデンサが、直流電流が第１のＤＣ電極や第２のＤＣ電極から外部に流出することを防止する。
【００１３】
請求項８の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波能動装置において、抵抗器を、第１及び第２ＤＣカットラインの各開口部に取り付けた構成とする。
かかる構成により、第１及び第２ＤＣカットラインの各開口部で反射して異常発振の原因となる全ての帯域外信号が、各開口部に取り付けられた抵抗器によって減衰される。
【００１４】
請求項９の発明は、請求項８に記載の高周波能動装置において、第１ＤＣカットラインの開口部に取り付けた抵抗器と第２ＤＣカットラインの開口部に取り付けた抵抗器の少なくとも一方の抵抗器にコンデンサを直列に接続した構成とする。
かかる構成により、コンデンサが、直流電流が第１のＤＣ電極や第２のＤＣ電極から外部に流出することを防止する。
【００１５】
請求項１０の発明は、請求項４ないし請求項７のいずれかに記載の高周波能動装置において、抵抗器とは別体の抵抗器を、第１及び第２ＤＣカットラインの各開口部に取り付けた構成とする。
かかる構成により、所定周波数の帯域外信号を、ショートスタブの各分岐部に取り付けられた抵抗器によって減衰することができると共に、他の周波数の帯域外信号を、各開口部に取り付けられた抵抗器によって減衰することができる。
【００１６】
請求項１１の発明は、請求項１０に記載の高周波能動装置において、第１ＤＣカットラインの開口部に取り付けた別体の抵抗器と第２ＤＣカットラインの開口部に取り付けた別体の抵抗器の少なくとも一方の抵抗器にコンデンサを直列に接続した構成とする。
【００１７】
請求項１２の発明に係る高周波モジュールは、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の高周波能動装置を備えた構成とする。
【００１８】
請求項１３の発明に係る通信装置は、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の高周波能動装置を備えた構成とする。
【発明の効果】
【００１９】
以上詳しく説明したように、請求項１ないし請求項１１の発明によれば、第１及び第２ＤＣカットライン内に流入した所定周波数の帯域外信号を抵抗器によって減衰させることができるので、当該帯域外信号による異常発振を防止することができ、この結果、所望の安定した動作特性を奏する高周波能動装置を提供することができるという優れた効果がある。
【００２０】
特に、請求項２及び請求項３の発明によれば、所定周波数の帯域外信号を第１及び第２ＤＣカットライン内に効率的に流入させることができるので、抵抗器による当該帯域外信号を確実に減衰させることができるという効果がある。
【００２１】
さらに、請求項４ないし請求項７の発明によれば、第１及び第２ＤＣカットラインに流入した所定周波数の帯域外信号をショートスタブによってトラップして、この帯域外信号を、各分岐部に取り付けられた抵抗器によって減衰させるので、異常発振の原因となる帯域外信号を確実且つ効率的に減衰させることができるという効果がある。
【００２２】
また、請求項８及び請求項９の発明によれば、第１及び第２ＤＣカットラインの各開口部で反射して異常発振の原因となる全ての帯域外信号を減衰することができるので、異常発振を広い帯域で防止することができる。
【００２３】
さらに、請求項１０及び請求項１１の発明によれば、所定周波数の帯域外信号を、ショートスタブの各分岐部に取り付けられた抵抗器によって減衰することができると共に、他の周波数の帯域外信号を、各開口部に取り付けられた抵抗器によって減衰することができるので、異常発振をより広い帯域で防止することができる。
【００２４】
請求項１２の発明によれば、高周波能動装置を用いて高周波モジュールを構成したので、異常発振のない安定した動作特性を奏する高周波モジュールを提供することができる。
また、請求項１３の発明によれば、高周波能動装置を用いて通信装置を構成したので、異常発振のない安定した動作特性を奏する通信装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１は、この発明の第１実施例に係る高周波能動装置を示す斜視図であり、図２は、図１に示す基板の平面図であり、図３は、抵抗器７のショートスタブ５３への取り付け状態と帯域外信号Ｎによる電位差とを示す部分拡大平面図であり、図４は、トランジスタの接続状態を示す部分拡大平面図である。
【００２７】
図１に示すように、この実施例の高周波能動装置は高周波増幅器であり、基板１上に形成された入力部２と出力部３と入力部２及び出力部３間に実装されたチップ状のトランジスタ４とを備えて成る。
【００２８】
基板１は、誘電体板１ａとその表面に設けられた導体１ｂとでなり、上面の導体１ｂの所定部が削除されて、入力部２と出力部３とが形成されている。
【００２９】
入力部２は、第１スロットライン５とこの第１スロットライン５から分岐した１対の第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２とを有している。
【００３０】
図２に示すように、第１スロットライン５は、伝送周波数帯域内（例えばミリ波帯６０ＧＨｚ前後の周波数帯域）の信号Ｍ（以下「帯域内信号Ｍ」と記す）を入力して伝送するための線路であり、基板縁に形成された開口端５ａから基板１の中央部に向かい、その先端５ｂが閉じてショート（短絡）になっている。そして、先端５ｂ側が部分的に湾曲して、トランジスタ４を後述する第１のＤＣ電極１１に接続するためのパッド部１１ａを形成している。また、この実施例では、第１スロットライン５の大半部の線幅が１００μｍに設定され、先端５ｂ側の線幅が５μｍに設定されており、これらのインピーダンスを整合させるために、スロット幅２００μｍのインピーダンス整合部５０が形成されている。
【００３１】
第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２は、第１スロットライン５の先端５ｂ側において分岐し且つ基板の縁１ｃで開口して、第１のＤＣ電極１１を画成している。
具体的には、各第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）は、第１スロットライン５の先端５ｂの手前（及び先端５ｂ）で略垂直に分岐して基板端１ｃに向かい、その途中に、ショートスタブ５２，５３を有している。
【００３２】
各ショートスタブ５２は、帯域内信号用のショートスタブであり、第１スロットライン５に近い位置で、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）から分岐し、帯域内信号Ｍの第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）内への流入を阻止する。すなわち、ショートスタブ５２は、その長さがλｍ／４（λｍは上記帯域内信号Ｍの波長）に設定され、その分岐個所がオープンになっている。
【００３３】
また、各ショートスタブ５３は、帯域外信号用のショートスタブであり、ショートスタブ５２よりも基板縁１ｃ側に寄った位置で第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）から分岐し、異常発振の原因となる所定周波数の帯域外信号Ｎをトラップする。すなわち、ショートスタブ５３は、その長さがλｎ／４（λｎは上記帯域外信号Ｎの波長）に設定され、その分岐部Ｐ１がオープンで、その先端Ｐ２がショートになっている。
このようなショートスタブ５３には、トラップされた帯域外信号Ｎの電力を消費させるための抵抗器７が取り付けられている。
【００３４】
抵抗器７は、図１に示すように、チップ型の抵抗器であり、図２及び図３（ａ）に示すように、ショートスタブ５３の分岐部Ｐ１において、ショートスタブ５３を跨ぐように取り付けられている。すなわち、図３の（ｂ）に示すように、ショートスタブ５３でトラップされた帯域外信号Ｎによる電位差Ｖは、ショートスタブ５３のオープン点である分岐部Ｐ１でほぼ最大Ｖmaxになる。したがって、抵抗器７をショートスタブ５３の付け根に架け、その両極７１，７２をグランド電極１４（１３）に接続することで、最大の電位差Ｖmaxが両極７１，７２間に生じるようにした。
【００３５】
一方、出力部３は、図１及び図２に示すように、第２スロットライン６とこの第２スロットライン６から分岐した１対の第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２とを有している。
【００３６】
第２スロットライン６は、帯域内信号Ｍを出力伝送するための線路であり、第１スロットライン５の先端５ｂの近傍から基板縁に向かう。具体的には、基板１の中央部に位置するショートの先端６ａから、開口端５ａとは反対側の基板縁に設けられた開口端６ｂに向かっている。この第２スロットライン６の先端部側も部分的に湾曲して、トランジスタ４を第２のＤＣ電極１２に接続するためのパッド部１２ａを形成している。また、この実施例では、第２スロットライン６の大半部の線幅が１００μｍに設定され、先端６ａ側の線幅が５μｍに設定されており、これらのインピーダンスを整合させるために、スロット幅３００μｍのインピーダンス整合部５０が形成されている。
【００３７】
第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２は、第２スロットライン６の先端６ａにおいて分岐し且つ基板の縁１ｄで開口して、第２のＤＣ電極１２を画成している。
具体的には、各第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２）は、第２スロットライン６の先端６ａの先（及び先端６ａ）で略垂直に分岐して基板端１ｄに向かい、その途中に、ショートスタブ６２，６３を有している。
【００３８】
各ショートスタブ６２も、ショートスタブ５２と同様に帯域内信号用のショートスタブであり、トランジスタ４から出力された帯域内信号Ｍの第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２）内への流入を阻止する。
【００３９】
また、各ショートスタブ６３も、ショートスタブ５３と同様に帯域外信号用のショートスタブであり、異常発振の原因となる所定周波数の帯域外信号Ｎをトラップする。すなわち、ショートスタブ６３も、その長さがλｎ／４（λｎは上記帯域外信号Ｎの波長）に設定され、その分岐部がオープンで、その先端がショートになっている。
このようなショートスタブ６３の付け根にも、トラップされた帯域外信号Ｎの電力を消費させるための抵抗器７が取り付けられている。すなわち、抵抗器７がショートスタブ６３に架けられ、その両極７１，７２がグランド電極１５（１３）に接続されている。
【００４０】
図１に示すトランジスタ４は、第１スロットライン５から入力された伝送信号Ｍの増幅処理を行って、第２スロットライン６に出力する能動素子であり、この実施例ではＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を適用している。
トランジスタ４は、コプレーナ形状に配設されたゲート端子Ｇ，ドレイン端子Ｄ，ソース端子Ｓを有し、図４に示すように、ゲート端子Ｇのバンプ４０を第１のＤＣ電極１１のパッド部１１ａに、ドレイン端子Ｄのバンプ４０を第２のＤＣ電極１２のパッド部１２ａに、両ソース端子Ｓのバンプ４０をグランド電極１３にそれぞれ位置させた状態でフリップチップ実装されている。
【００４１】
ところで、この実施例では、図２に示すように、第１スロットライン５（第２スロットライン６）を伝搬する帯域内信号Ｍに対しては、ショートスタブ５２（６２）によって、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）に流入ことを阻止するようにしている。これに対し、ショートスタブ５３（６３）でトラップする帯域外信号Ｎについては、積極的に第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）へ流入させる必要がある。しかしながら、第１スロットライン５（第２スロットライン６）の線幅に対する第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）や第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２）の線幅の割合によって、第１スロットライン５（第２スロットライン６）を伝搬する信号が第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）や第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２）内に流入する割合が異なってくる。
そこで、発明者等は、帯域内信号Ｍ以外の帯域外信号Ｎを積極的に第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）へ流入させるための上記割合を見つけるために、次のようなシミュレーションを行った。
【００４２】
図５は、シミュレーションを説明するための部分拡大平面図であり、図６は、シミュレーションの結果を示す線図である。
図５に示すように、このシミュレーションでは、４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの信号を、線幅１００μｍの第１スロットライン５（第２スロットライン６）内で、左から右側に伝搬させ、信号が第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）（又は第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２））の分岐点Ｐを通過する割合（図５及び図６では、透過率「Ｓ２１（ｄＢ）」で示した。）を計算した。
かかるシミュレーションを、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）（又は第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２））の線幅Ｗ１とショートスタブ５２（６２）の線幅Ｗ２の組合せ（Ｗ１，Ｗ２）＝（５μｍ，５０μｍ），（５０μｍ，５０μｍ），（１００μｍ，１００μｍ），（１５μｍ，１００μｍ）の４通りで行ったところ、図６に示すような結果を得た。図６において、実線の曲線Ｓ５は、組合せ（Ｗ１，Ｗ２）＝（５μｍ，５０μｍ）の透過率を示し、実線の曲線Ｓ５０は、組合せ（Ｗ１，Ｗ２）＝（５０μｍ，５０μｍ）の透過率を示し、破線の曲線Ｓ１００は、組合せ（Ｗ１，Ｗ２）＝（１００μｍ，１００μｍ）の透過率を示し、二点鎖線の曲線Ｓ１５０は、組合せ（Ｗ１，Ｗ２）＝（１５０μｍ，１００μｍ）の透過率を示している。
図６に示すように、６０ＧＨｚ近傍の帯域内信号については、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）（又は第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２））の線幅に関係なく、透過率が高い。すなわち、ショートスタブ５２（６２）のチョーク機能が帯域内信号に対して効果的に機能していることを示している。
これに対して、６０ＧＨｚ近傍から外れた帯域外信号については、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）（又は第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２））の線幅に対応して、透過率が異なっている。具体的には、線幅が大きくなるに従って、しかも帯域外信号の周波数が６０ＧＨｚから外れるに従って、当該帯域外信号の透過率は小さくなる。すなわち、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）（又は第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２））の線幅が大きい程、しかも帯域外信号の周波数が６０ＧＨｚから外れるほど、帯域外信号が第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）（又は第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２））側に積極的に流入していく。
発明者等は、かかるシミュレーションから、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２の線幅を第１スロットライン５の線幅の０．５倍〜１．５倍に設定すると、帯域外信号が第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）側に積極的に流入し、第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２の線幅を第２スロットライン６の線幅の０．５倍〜１．５倍に設定すると、帯域外信号が第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２）側に積極的に流入することを知った。そこで、この実施例では、図２に示すように、ショートスタブ５２（６２）の線幅と第１及び第２ＤＣカットライン５１−１，６１−１（５１−２，６１−２）の線幅を共に１００μｍに設定した。但し、第１及び第２ＤＣカットライン５１−２，６１−２の先端部分５１ａ，６１ａは共に５０μｍに設定した。
【００４３】
ところで、第１スロットライン５（第２スロットライン６），第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２），及びショートスタブ５２（６２）の線幅を上記のように設定した条件下において、どのような周波数の帯域外信号Ｎが異常発振を生じさせるかを知ることにより、ショートスタブ５３（６３）の長さや抵抗器７の抵抗値を設定することができる。すなわち、全ての帯域外周波数で異常発振の条件が満足するわけではなく、トランジスタ４と入力部２及び出力部３による回路（トランジスタにとっての負荷)との関係で負性抵抗が生じた場合に、異常発振の原因となる不安定な周波数が生じるのである。したがって、この不安定な周波数即ち異常発振を生じさせる周波数を知ることで、ショートスタブ５３（６３）の長さや抵抗器７の抵抗値を最適な大きさに設定することができる。
図７は、帯域外信号用のショートスタブ５３（６３）を設けていない状態における高周波能動装置のシミュレーション動作特性を示す線図である。
図７の曲線Ｓ１に示すように、ショートスタブ５３（６３）を設けていない状態では、高周波能動装置の安定化の指標であるＭｕ値が、周波数２０ＧＨｚ近傍と４０ＧＨｚ近傍とで「１」を大きく下回っており、これらの周波数の帯域外信号Ｎが異常発振を生じさせることが判る。
そこで、発明者等は、ショートスタブ５３（６３）を設け、その長さを、周波数２０ＧＨｚの帯域外信号Ｎの波長λｎの４分の１に設定し、抵抗器７の抵抗値を８０Ωに設定して、高周波能動装置のシミュレーションを行った。
図８は、帯域外信号用のショートスタブ５３（６３）と抵抗器７とを設けた状態における高周波能動装置のシミュレーション動作特性を示す線図である。
上記のように、ショートスタブ５３（６３）の長さを２０ＧＨｚの信号の波長の４分の１に設定すると共に、抵抗器７を８０Ωに設定すると、図８の曲線Ｓ２に示すように、２０ＧＨｚや４０ＧＨｚでのＭｕ値が「１」よりも大きく上回り、１０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの全範囲でＭｕ値が「１」を超え、高周波能動装置の動作が安定化することが判った。
そこで、この実施例では、ショートスタブ５３（６３）の長さを２０ＧＨｚの信号の波長の４分の１に設定すると共に、抵抗器７の抵抗値を８０Ωに設定した。 
【００４４】
次に、この実施例の高周波能動装置が示す作用及び効果について説明する。
図２において、バイアス用の直流電圧を第１のＤＣ電極１１及び第２のＤＣ電極１２に印加すると共に、６０ＧＨｚ又は６０ＧＨｚ近傍の周波数を有した帯域内信号Ｍを第１スロットライン５に入力すると、帯域内信号Ｍは、第１スロットライン５内をトランジスタ４側に向かい、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）の分岐点に至る。このとき、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）に長さλｍ／４のショートスタブ５２が設けられているので、帯域内信号Ｍの第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）内への流入は阻止される。この結果、帯域内信号Ｍは、第１スロットライン５からトランジスタ４のゲート端子Ｇ及び両ソース端子Ｓ側に損失なく伝搬される。
そして、ゲート端子Ｇ側から入力した帯域内信号Ｍがトランジスタ４で増幅されて、その増幅された帯域内信号Ｍがドレイン端子Ｄ側から第２スロットライン６に出力されることとなる。このときも、長さλｍ／４のショートスタブ６２が第２ＤＣカットライン６−１（６−２）に設けられているので、帯域内信号Ｍの第２ＤＣカットライン６−１（６−２）内への流入は阻止され、帯域内信号Ｍが損失することなく、第２スロットライン６内を開口端６ｂ側に向かう。
【００４５】
ところで、異常発振の原因となる２０ＧＨｚの帯域外信号Ｎが第１スロットライン５（第２スロットライン６）に生じたり又は流入する場合がある。、
この実施例では、ショートスタブ５２（６２）の線幅と第１及び第２ＤＣカットライン５１−１，６１−１（５１−２，６１−２）の線幅を１００μｍに設定すると共に、第１及び第２ＤＣカットライン５１−２，６１−２の先端部分５１ａ，６１ａを５０μｍに設定したので、当該帯域外信号Ｎは、第１スロットライン５（第２スロットライン６）から第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）内に積極的に流入することとなる。
【００４６】
すると、上記したように、ショートスタブ５３（６３）の長さが、２０ＧＨｚの帯域外信号Ｎの波長λｎの４分の１に設定されているので、当該帯域外信号Ｎは、ショートスタブ５３（６３）にトラップされる。これにより、帯域外信号Ｎが第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）内全体に伝搬しないので、その分、当該帯域外信号Ｎによる異常発振の発振確率が減少する。
しかも、ショートスタブ５３（６３）の付け根に抵抗器７が取り付けられているので、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）にトラップされた帯域外信号Ｎの電力が消費される。
図９は、帯域外信号Ｎの電力消費を説明するための部分拡大平面図である。
すなわち、抵抗器７がショートスタブ５３（６３）を跨ぐように取り付けられているので、図９に示すように、帯域外信号Ｎによる高周波電流Ｉは、抵抗器７内を往復する。このとき、抵抗器７が、電位差がほぼ最大となるショートスタブ５３（６３）の付け根に取り付けられているので、ほぼ最大の高周波電流Ｉ（＝Ｉmax）が抵抗器７内を流れることとなり、帯域外信号Ｎの電力が大きく消費されることとなる。
【００４７】
このように、この実施例の高周波能動装置のよれば、異常発振の原因となる帯域外信号Ｎを第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）内に確実に流入させて、ショートスタブ５３（６３）でトラップし、抵抗器７によって、電力を効率よく消費させるので、トランジスタ４の負性抵抗が解消される。この結果、当該帯域外信号Ｎによる異常発振を防止することができる。
【実施例２】
【００４８】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図１０は、この発明の第２実施例に係る高周波能動装置を示す平面図であり、図１１は、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）内で発振する帯域外信号Ｎの状態を示す部分拡大平面図である。
この実施例は、ショートスタブ５３，６３を設けずに、抵抗器７を、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２及び第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２の各開口部に取り付けた点が、上記第１実施例と異なる。
【００４９】
具体的には、図１０に示すように、抵抗器７を第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２の各開口部５１ｂを跨ぐように取り付け、コンデンサ８が直列に接続された抵抗器７を第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２の各開口部６１ｂを跨ぐように取り付けた。
【００５０】
図１１に示すように、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）内に流入した帯域外信号のうち、このカットラインで異常発振する帯域外信号Ｎは、開口部５１ｂ（６１ｂ）で全反射するため、その電位差は開口部５１ｂ（６１ｂ）においてほぼ最大となる。したがって、開口部５１ｂ（６１ｂ）に抵抗器７を配置することで、異常共振を起こす全ての帯域外信号Ｎの電力を効率的に消費させることができる。この実施例においても、抵抗器７の抵抗値は８０Ωに設定した。勿論、この抵抗値に限定されるものでなく、シミュレーションを行って抵抗器７の最適な抵抗値を決めることができる。
なお、図１０に示すように、第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２の各開口部６１ｂに接続する抵抗器７に、コンデンサ８を直列に接続しているが、これは、０ボルトでない直流電圧を第２のＤＣ電極１２を通じてトランジスタ４のドレイン端子Ｄに印加するので、この直流電圧で生じた直流電流がグランド電極１３，１５に流出することを防止するためである。また、この実施例では、第１のＤＣ電極１１に、０ボルトの直流電圧を印加することとしたので、直流電流は生じない。このため、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２の各開口部５１ｂには、抵抗器７だけを取り付けている。したがって、第１のＤＣ電極１１に、０ボルトでない直流電圧を印加する場合には、コンデンサ８を接続した抵抗器７を第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２の各開口部５１ｂに取り付ける必要がある。
【００５１】
次に、この実施例の高周波能動装置が示す作用及び効果について説明する。
図１２は、帯域外信号Ｎの電力消費を説明するための部分拡大平面図である。
図１０において、第１スロットライン５及び第２スロットライン６内の帯域内信号Ｍは、上記第１実施例と同様に、ショートスタブ５２，６２によって、チョークされ、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２及び第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２内にほとんど流入しない。
【００５２】
一方、帯域外信号Ｎは、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２及び第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２内に積極的に流入する。そして、異常発振の原因となる周波数を有す他帯域外信号Ｎは、図１１に示したように、開口部５１ｂ，６１ｂで全反射し、これらの帯域外信号Ｎによる電位差は、当該開口部５１ｂ，６１ｂでほぼ最大Ｖmaxとなる。
しかし、この実施例では、図１２に示すように、抵抗器７が開口部５１ｂ，６１ｂを跨ぐように取り付けられているので、帯域外信号Ｎによる高周波電流Ｉ（＝Ｉmax）が抵抗器７内を往復する。この結果、帯域外信号Ｎの電力が大きく消費されることとなる。
すなわち、上記第１実施例では、２０ＧＨｚ等の特定な周波数の帯域外信号Ｎのみが電力消費されたが、この実施例の高周波能動装置では、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）の開口部５１ｂ（６１ｂ）で反射して異常発振の原因となる全ての帯域外信号Ｎが、抵抗器７で減衰されるので、第１実施例に比べて広い周波数帯の帯域外信号Ｎを減衰させることができる。
【００５３】
かかる効果を確認すべく、発明者等は、スロットライン，カットライン及びショートスタブの線幅と抵抗器７の抵抗値とを上記第１実施例の場合と同一に設定して、シミュレーションを行った。
図１３は、第２実施例に係る高周波能動装置のシミュレーションの結果を示す線図である
図１３の曲線Ｓ３で示すように、１０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの全周波数帯で、Ｍｕ値が「１」を大きく超えており、トランジスタ４を含む高周波能動装置の動作特性が安定していることが確認された。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例３】
【００５４】
次に、この発明の第３実施例について説明する。
図１４は、この発明の第３実施例に係る高周波能動装置の要部を示す部分拡大平面図であり、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）への抵抗器７の取り付け状態を示し、図１５は、この発明の第３実施例に係る高周波能動装置の要部を示す部分拡大平面図であり、第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２））への抵抗器７とコンデンサ８の取り付け状態を示す。
この実施例は、抵抗器７を、ショートスタブ５３，６３の分岐部Ｐ１において、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２及び第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２を跨ぐように取り付けた点が、上記第１実施例と異なる。
【００５５】
具体的には、図１４に示すように、抵抗器７を、ショートスタブ５３の分岐部Ｐ１の近傍上部に配し、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）を跨ぐように架けて、電極７１，７２を第１のＤＣ電極１１，グランド電極１４（１３）にそれぞれ接続した。一方、第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２）においては、図１５に示すように、コンデンサ８を接続した抵抗器７を、ショートスタブ６３の分岐部Ｐ１の近傍上部に配し、第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２）を跨ぐように架けて、コンデンサ８の一方電極と抵抗器７の電極７２とを、第２のＤＣ電極１２とグランド電極１５（１３）とにそれぞれ接続した。
なお、図１４に示すように、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）には、単独の抵抗器７を取り付けたが、第１のＤＣ電極１１に、０ボルトでない直流電圧を印加する場合には、コンデンサ８を接続した抵抗器７を第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）に取り付ける必要があることは勿論である。
【００５６】
ところで、抵抗器７は、ショートスタブ５３（６３）の分岐部Ｐ１近傍において、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）を跨ぐように取り付けてあれば、２０ＧＨｚの帯域外信号を効率よく減衰させることができる。したがって、抵抗器７を種々の態様で第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）に取り付け可能である。
図１６は、抵抗器７の取り付け状態の変形例を示す部分拡大平面図である。
すなわち、図１６に示すように、抵抗器７を、ショートスタブ５３の分岐部Ｐ１の近傍下部に配して、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）を跨ぐように架けても良い。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例４】
【００５７】
次に、この発明の第４実施例について説明する。
図１７は、この発明の第４実施例に係る高周波能動装置を示す平面図である。
この実施例は、抵抗器７とは別体の抵抗器７′を、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２及び第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２の開口部５１ｂ，６１ｂに取り付けた点が、上記第１実施例と異なる。
具体的には、図１７に示すように、抵抗器７′を第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２の各開口部５１ｂを跨ぐように取り付け、コンデンサ８が直列に接続された抵抗器７′を第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２の各開口部６１ｂを跨ぐように取り付けた。
【００５８】
なお、第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）には、単独の抵抗器７′を取り付けたが、第１のＤＣ電極１１に、０ボルトでない直流電圧を印加する場合には、コンデンサ８を接続した抵抗器７′を第１ＤＣカットライン５１−１（５１−２）に取り付ける必要があることは勿論である。
【００５９】
かかる構成により、２０ＧＨｚの帯域外信号を、ショートスタブ５３（６３）に取り付けられた抵抗器７よって減衰することができると共に、他の周波数の帯域外信号を、開口部５１ｂ（６１ｂ）に取り付けられた抵抗器７′によって減衰することができるので、異常発振をより広い帯域で防止することができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例５】
【００６０】
次に、この発明の第５実施例について説明する。
図１８は、この発明の第５実施例に係る通信装置を示すブロック図である。
この実施例では、上記第１ないし第４実施例のいずれかの高周波能動装置を用いて通信装置を構成した例を示す。
【００６１】
この通信装置は、ベースバンド部９−１と、ベースバンド部９−１に接続され高周波の信号を出力又は入力するＲＦ部９−２と、ＲＦ部９−２に接続されたアンテナ共用器８０（デュプレクサ）を介して高周波の信号を送信又は受信するアンテナ８１とによって構成されている。
【００６２】
ＲＦ部９−２には、ベースバンド部９−１とアンテナ共用器８０との間に接続された帯域通過フィルタ８２、ローノイズアンプ９１、ミキサ８３、帯域通過フィルタ８４、パワーアンプ９２によって送信側が構成され、また、アンテナ共用器８０とベースバンド部９−１の入力側に接続された帯域通過フィルタ８５、ローノイズアンプ９１、ミキサ８６、帯域通過フィルタ８７、パワーアンプ９２によって受信側が構成されている。そして、ミキサ８３，８６には電圧制御発振器８８が接続されている。
【００６３】
かかる構成において、送信側のローノイズアンプ９１及びパワーアンプ９２と受信側のローノイズアンプ９１及びパワーアンプ９２に、上記第１ないし第５実施例のいずれかの高周波能動装置を用いた。
これにより、送信時には、ベースバンド部９−１からの中間周波信号（ＩＦ信号）が、帯域通過フィルタ８２で不要な信号が除去された後、ローノイズアンプ９１によって増幅されてミキサ８３に入力される。このとき、ミキサ８３は、この中間周波信号と電圧制御発振器８８からの搬送波とを掛け合わせて、中間周波信号を高周波信号（ＲＦ信号）にアップコンバートする。そして、ミキサ８３から出力された高周波信号が、帯域通過フィルタ８４で不要な信号が除去された後、パワーアンプ９２によって送信電力に増幅された後、アンテナ共用器８０を介してアンテナ８１から送信される。
【００６４】
また、受信時には、アンテナ８１で受信された高周波信号が、アンテナ共用器８０を介して帯域通過フィルタ８５に入力される。これにより、高周波信号が、帯域通過フィルタ８５で不要な信号が除去された後、ローノイズアンプ９１によって増幅されてミキサ８６に入力される。このとき、ミキサ８６は、この高周波信号と電圧制御発振器８８からの搬送波とを掛け合わせて、高周波信号を中間周波信号にダウンコンバートする。そして、ミキサ８６から出力された中間周波信号が、帯域通過フィルタ８７で不要な信号が除去された後、パワーアンプ９２によって増幅された後、ベースバンド部９−１に入力される。
【００６５】
そして、上記送受信時に、ローノイズアンプ９１及びパワーアンプ９２において、帯域外信号による異常発振のない安定した増幅が行われるので、通信装置において、安定した動作特性の送受信が可能となる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１ないし第４実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００６６】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記第１実施例では、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２の線幅を、第１スロットライン５の線幅の０．５倍〜１．５倍に設定すると共に、第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２の線幅を、第２スロットライン６の線幅の０．５倍〜１．５倍に設定したが、第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）の線幅は、少なくとも帯域外信号が流入可能な大きさであれば良い。したがって、線幅が上記第１実施例の線幅の範囲から外れた第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２（第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２）を有する高周波能動装置も、この発明の範囲に含まれる。
【００６７】
また、上記第４実施例では、図２に示した第１実施例の開口部５１ｂ（６１ｂ）に別体の抵抗器７′を取り付けた例を示したが、図１４及び図１５に示した第３実施例の開口部５１ｂ（６１ｂ）に抵抗器７′を取り付けた高周波能動装置や、図１６に示した変形例の開口部５１ｂ（６１ｂ）に抵抗器７′を取り付けた高周波能動装置も、この発明の範囲内に含まれる。
【００６８】
さらに、上記第２実施例ないし第４実施例では、第２ＤＣカットライン６１−１（６１−２）にコンデンサ８を接続した抵抗器７（７′）を取り付けたが、コンデンサ８と接続しない単独の抵抗器７（７′）のみを第１ＤＣカットライン５１−１，５１−２及び第２ＤＣカットライン６１−１，６１−２の双方に接続した高周波能動装置を、この発明範囲から除外する意ではない。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】この発明の第１実施例に係る高周波能動装置を示す斜視図である。
【図２】図１に示す高周波能動装置を示す平面図である。
【図３】抵抗器のショートスタブへの取り付け状態と帯域外信号による電位差とを示す部分拡大平面図である。
【図４】トランジスタの接続状態を示す部分拡大平面図である。
【図５】シミュレーションを説明するための部分拡大平面図である。
【図６】シミュレーションの結果を示す線図である。
【図７】帯域外信号用のショートスタブを設けていない状態における高周波能動装置のシミュレーション動作特性を示す線図である。
【図８】帯域外信号用のショートスタブと抵抗器とを設けた状態における高周波能動装置のシミュレーション動作特性を示す線図である。
【図９】帯域外信号の電力消費を説明するための部分拡大平面図である。
【図１０】この発明の第２実施例に係る高周波能動装置を示す平面図である。
【図１１】第１ＤＣカットライン（第２ＤＣカットライン）内で発振する帯域外信号の状態を示す部分拡大平面図である。
【図１２】帯域外信号の電力消費を説明するための部分拡大平面図である。
【図１３】第２実施例に係る高周波能動装置のシミュレーションの結果を示す線図である。
【図１４】この発明の第３実施例に係る高周波能動装置の要部を示す部分拡大平面図であり、第１ＤＣカットラインへの抵抗器の取付状態を示す。
【図１５】この発明の第３実施例に係る高周波能動装置の要部を示す部分拡大平面図であり、第２ＤＣカットラインへの抵抗器及びコンデンサの取付状態を示す。
【図１６】抵抗器の取り付け状態の変形例を示す部分拡大平面図である。
【図１７】この発明の第４実施例に係る高周波能動装置を示す平面図である。
【図１８】この発明の第５実施例に係る通信装置を示すブロック図である。
【図１９】従来例の高周波能動装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１…基板、  ２…入力部、  ３…出力部、  ４…トランジスタ、  ５…第１スロットライン、  ６…第２スロットライン、  ７，７′…抵抗器、  ８…コンデンサ、  １１…第１のＤＣ電極、  １２…第２のＤＣ電極、  １３，１４，１５…グランド電極、  ４０…バンプ、  ５１−１，５１−２…第１ＤＣカットライン、  ５１ｂ，６１ｂ…開口部、  ５２，５３，６２，６３…ショートスタブ、  ６１−１，６１−２…第２ＤＣカットライン、  ７１，７２…電極、  ９１…ローノイズアンプ、  ９２…パワーアンプ、  Ｄ…ドレイン端子、  Ｇ…ゲート端子、  Ｉ…高周波電流、  Ｍ…帯域内信号、  Ｎ…帯域外信号、  Ｐ１…分岐部、  Ｐ２…先端、  Ｓ…ソース端子、  Ｗ１，Ｗ２…線幅。
【図１】
2007028039.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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