(57)【要約】      （修正有）【課題】駆動領域の周辺領域に近い範囲における配向膜の厚みムラに起因する表示品位の低下を抑制する。【解決手段】本発明の液晶装置は、駆動領域では、それぞれ複数の前記サブ画素に亘って所定方向に沿って平行に伸びるように構成された複数の凹部と、前記複数の凹部同士を連結する連結溝１２９とが設けられ、周辺領域における少なくとも駆動領域の前記所定方向側の隣接部分Ｖｃｘでは、複数の凹部とそれぞれ連続する複数のダミー凹部１２８Ｄと、隣接するダミー凹部同士を連結するダミー連結溝１２９Ｄとが設けられ、所定方向側の隣接部分では、駆動領域における凹部と連結溝からなる凹凸構造と対応する構造を備えたダミー凹部とダミー連結溝からなるダミー凹凸構造が所定方向に沿って２周期以上設けられていている。【選択図】図７
2007263998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶を配置してなり、前記液晶の配置範囲内に、複数のサブ画素が配列
された駆動領域と、該駆動領域の周囲に設けられた周辺領域とを有し、前記サブ画素内に
は少なくとも一方の前記基板の前記液晶側の面に凹部が設けられるとともに当該液晶側の
面上に配向膜が配置されてなる液晶装置において、
前記駆動領域では、それぞれ複数の前記サブ画素に亘って所定方向に沿って平行に伸び
るように構成された複数の前記凹部と、前記複数の凹部同士を連結する連結溝とが設けら
れ、
前記周辺領域における少なくとも前記駆動領域の前記所定方向側の隣接部分では、前記
複数の前記凹部とそれぞれ連続する複数のダミー凹部と、隣接する前記ダミー凹部同士を
連結するダミー連結溝とが設けられ、
前記所定方向側の隣接部分では、前記駆動領域における前記凹部と前記連結溝からなる
凹凸構造と対応する構造を備えた前記ダミー凹部と前記ダミー連結溝からなるダミー凹凸
構造が前記所定方向に沿って２周期以上設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記ダミー凹凸構造における前記所定方向に沿った前記ダミー連結溝の形成周期は、前
記凹凸構造における前記所定方向に沿った前記連結溝の形成周期と実質的に同一であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記ダミー連結溝の幅が前記連結溝の幅の０．５〜２．０倍であることを特徴とする請
求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記周辺領域には前記所定方向に沿って複数の前記ダミー連結溝が設けられ、前記駆動
領域から最も離間した部分に設けられた前記ダミー連結溝は、連結される二つの前記ダミ
ー凹部の終端部に接続され、しかも、その幅が他の前記ダミー連結溝の幅よりも小さいこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記周辺領域における少なくとも前記所定方向と直交する方向側の隣接部分では、前記
凹部と平行な少なくとも一つのダミー凹部が設けられていることを特徴とする請求項１に
記載の液晶装置。
【請求項６】
前記所定方向と直交する方向側の隣接部分の最内縁に設けられた前記ダミー凹部と、前
記駆動領域における前記所定方向と直交する方向の最外縁に設けられた前記凹部との間に
前記所定方向に沿って複数の境界連結溝が形成されていることを特徴とする請求項５に記
載の液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置を搭載したことを特徴とする電子機器
。
【請求項８】
一対の基板間に液晶を配置してなり、前記液晶の配置範囲内に、複数のサブ画素が配列
された駆動領域と、該駆動領域の周囲に設けられた周辺領域とを有し、前記サブ画素内に
は少なくとも一方の前記基板の前記液晶側の面に凹部が設けられるとともに当該液晶側の
面上に配向膜が配置されてなる液晶装置の製造方法において、
前記少なくとも一方の基板上に絶縁膜を部分的に形成し、或いは、当該絶縁膜の厚みを
部分的に変えて形成することにより、前記駆動領域では、それぞれ複数の前記サブ画素に
亘って所定方向に沿って平行に伸びるように構成された複数の前記凹部と、前記複数の凹
部同士を連結する連結溝とが設けられると同時に、前記周辺領域における少なくとも前記
駆動領域の前記所定方向側の隣接部分では、前記複数の前記凹部とそれぞれ連続する複数
のダミー凹部と、隣接する前記ダミー凹部同士を連結するダミー連結溝とが設けられ、さ
らに、前記所定方向側の隣接部分では、前記駆動領域における前記凹部と前記連結溝から
なる凹凸構造と対応する構造を備えた前記ダミー凹部と前記ダミー連結溝からなるダミー
凹凸構造が前記所定方向に沿って２周期以上設けられる工程と、
前記少なくとも一方の基板の内面上に未硬化の配向材が配置される工程と、を具備する
ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶装置、電子機器、及び、液晶装置の製造方法に係り、特に、液晶を配向さ
せるための配向膜を有する液晶装置の構造及び製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶装置は、一対の基板間に液晶を封入したセル構造を有し、基板の内面に、
液晶の初期配向状態を規制する配向膜が形成される。配向膜の形成方法としては、たとえ
ば、ポリイミド等の未硬化の樹脂を基板の内面上にスピンコート法や印刷法などにより塗
布し、乾燥あるいは焼成を施すことなどによって形成される。
【０００３】
一方、液晶装置の表示形式としては、バックライト等の照明光を透過させることによっ
て透過光で表示を行う透過型液晶装置と、外光などを反射させて反射光で表示を行う反射
型液晶装置とがあるが、特に、携帯型電子機器には、透過表示と反射表示の双方を可能に
した半透過反射型の液晶装置が搭載されることが多い。この半透過反射型の液晶装置は、
駆動領域内に、バックライトによる透過表示を可能とする透過表示領域と、外光による反
射表示を可能とする反射表示領域を共に備えたサブ画素を配列したものである。
【０００４】
上記の半透過反射型の液晶装置では、透過表示を構成する透過光は液晶層を一回だけ通
過するのに対して、反射表示を構成する反射光は液晶層を往復二回通過するため、透過表
示と反射表示で表示光に対する液晶層の光変調の度合（リタデーション）が大きく異なる
ことになる。このため、透過表示と反射表示における光変調の差を低減するために、通常
、反射表示領域における液晶層の厚みを透過表示領域における液晶層の厚みよりも小さく
している。
【０００５】
具体的には、基板の内面上に透明絶縁膜を部分的に形成することで、液晶層の厚みをコ
ントロールしている。すなわち、サブ画素の反射表示領域には透明絶縁膜を形成し、透過
表示領域には透明絶縁膜を形成しないことにより、一対の基板間に挟まれた液晶層の厚み
を反射表示領域と透過表示領域で異なるものとしている。
【０００６】
ところが、上記の半透過反射型の液晶装置では、基板上に透明絶縁膜が部分的に形成さ
れているため、その基板上に未硬化の配向樹脂を塗布したとき、透明絶縁膜の非形成領域
（透過表示領域）に配向樹脂が溜まり、これが配向膜の厚みムラを招来して、表示品位を
低下させるという問題点があった。そこで、隣接する画素間で凹状の透過表示領域が連続
するように構成することにより、配向樹脂の流動性を高め、配向膜の厚みムラを低減する
ことが提案されている（たとえば、以下の特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−３２５８２２号公報（特に、図３、図１３乃至図１７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述の液晶装置では、凹状の透過表示領域が画素間で連続しているため
に配向樹脂の流動性が向上しているものの、透過表示領域における配向膜の厚みムラが充
分に解消されない場合がある。たとえば、サブ画素が配列されてなる駆動領域内では、画
素の配列に対応した一定の凹凸構造が存在するために、サブ画素の凹凸構造に工夫を加え
ることによって配向樹脂の厚みのばらつきをある程度抑制することが可能であるが、駆動
領域の周囲に形成された周辺領域は駆動領域と異なる構造を有するため、駆動領域の外縁
部において周辺領域の存在に起因する配向樹脂の厚みの変化が発生し、これによって駆動
領域の外縁部に表示ムラが生ずるという問題点がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、複数のサブ画素が配
列されてなる駆動領域のうち、特に周辺領域に近い範囲における配向膜の厚みムラに起因
する表示品位の低下を抑制できる液晶装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
斯かる実情に鑑み、本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶を配置してなり、前記液
晶の配置範囲内に、複数のサブ画素が配列された駆動領域と、該駆動領域の周囲に設けら
れた周辺領域とを有し、前記サブ画素内には少なくとも一方の前記基板の前記液晶側の面
に凹部が設けられるとともに当該液晶側の面上に配向膜が配置されてなる液晶装置におい
て、前記駆動領域では、それぞれ複数の前記サブ画素に亘って所定方向に沿って平行に伸
びるように構成された複数の前記凹部と、前記複数の凹部同士を連結する連結溝とが設け
られ、前記周辺領域における少なくとも前記駆動領域の前記所定方向側の隣接部分では、
前記複数の前記凹部とそれぞれ連続する複数のダミー凹部と、隣接する前記ダミー凹部同
士を連結するダミー連結溝とが設けられ、前記所定方向側の隣接部分では、前記駆動領域
における前記凹部と前記連結溝からなる凹凸構造と対応する構造を備えた前記ダミー凹部
と前記ダミー連結溝からなるダミー凹凸構造が前記所定方向に沿って２周期以上設けられ
ていることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、駆動領域では複数の凹部とこれらを連結する連結溝が設けられると
ともに、周辺領域における少なくとも駆動領域の所定方向側の隣接部分では、駆動領域内
の複数の凹部とそれぞれ連続する複数のダミー凹部が設けられることによって、駆動領域
と周辺領域の隣接部分との間の少なくとも所定方向に沿った配向膜材料の流動性を確保す
ることができるとともに、上記隣接部分においてダミー凹部間を連結するダミー連結溝が
設けられることによって、ダミー凹部間の配向材料の流動性をも或る程度確保することが
できるため、駆動領域と隣接部分の間の配向材料の配置状況の差を低減することができる
と同時に、隣接部分内の配向材料の偏りも抑制できることから、駆動領域のうち特に周辺
領域に近い範囲の配向膜の厚みムラに起因する表示品位の低下を抑制できる。
【００１１】
特に、周辺領域における駆動領域の所定方向側にある隣接部分に設けられたダミー凹部
とダミー連結溝からなるダミー凹凸構造は、駆動領域における凹部と連結溝からなる凹凸
構造と対応する構造、すなわち、ダミー凹部とダミー連結溝の連結態様が凹部と連結溝の
接続態様と対応した構成を備えるとともに、ダミー凹凸構造が所定方向に沿って２周期以
上設けられていることにより、ダミー凹部とダミー連結溝からなるダミー凹凸構造の終端
部による影響が最も周辺領域に近い駆動領域の外縁部に直接に及ぼされることを防止でき
るため、当該外縁部における配向膜の厚みムラをさらに低減できる。
【００１２】
本発明において、前記ダミー凹凸構造における前記所定方向に沿った前記ダミー連結溝
の形成周期は、前記凹凸構造における前記所定方向に沿った前記連結溝の形成周期と実質
的に同一であることが好ましい。これによれば、ダミー凹凸構造におけるダミー連結溝の
形成周期が駆動領域内の連結溝の形成周期と実質的に同一であることにより、凹凸構造と
ダミー凹凸構造の構成の差に起因する配向材料の配置状況の差が実質的になくなるため、
駆動領域における周辺領域に近い範囲の配向膜の厚みムラをより低減することができる。
【００１３】
本発明において、前記ダミー連結溝の幅が前記連結溝の幅の０．５〜２．０倍であるこ
とが好ましい。これによれば、ダミー連結溝の幅が連結溝の幅の２倍より大きくなったり
半分より小さくなったりすると、ダミー凹部間における配向材料の流動性が駆動領域にお
ける凹部間における配向材料の流動性と大きく異なることになる結果、駆動領域における
周辺領域に近い範囲の配向膜の厚みムラの低減効果が少なくなる。
【００１４】
本発明において、前記周辺領域には前記所定方向に沿って複数の前記ダミー連結溝が設
けられ、前記駆動領域から最も離間した部分に設けられた前記ダミー連結溝は、連結され
る前記ダミー凹部の終端部に接続され、しかも、その幅が他の前記ダミー連結溝の幅より
も小さいことが好ましい。これによれば、駆動領域から最も離間した部分に設けられたダ
ミー連結溝が連結されるダミー凹部の終端部に接続されることにより、ダミー凹部の終端
部間の配向材料の流動性を確保することができるが、当該ダミー連結溝はダミー凹部の終
端部に接続されていることから、他のダミー連結溝と同幅に構成すると、終端部における
ダミー凹部間の配向材料の流動性が過剰になる傾向が生ずるため、当該ダミー連結溝の幅
を他のダミー連結溝の幅より小さくすることで、ダミー凹部の終端部近傍の配向材料の流
動性を他の場所とバランスが取れたものとすることができるため、周辺領域内のダミー凹
部及びダミー連結溝による配向材料の厚みムラをさらに低減することが可能になり、その
結果、駆動領域における周辺領域に近い範囲の配向膜の厚みムラをさらに低減できる。
【００１５】
本発明において、前記周辺領域における少なくとも前記所定方向と直交する方向側の隣
接部分では、前記凹部と平行な少なくとも一つのダミー凹部が設けられていることが好ま
しい。これによれば、所定方向と直交する側の隣接部分でも、駆動領域内の凹部と平行な
ダミー凹部が設けられていることによって当該隣接部分に隣接する駆動領域の範囲におけ
る配向膜の厚みムラをも低減することができる。
【００１６】
本発明において、前記所定方向と直交する方向側の隣接部分の最内縁に設けられた前記
ダミー凹部と、前記駆動領域における前記所定方向と直交する方向の最外縁に設けられた
前記凹部との間に前記所定方向に沿って複数の境界連結溝が形成されていることが好まし
い。この境界連結溝を設けることによって、最内縁のダミー凹部と最外縁の凹部との間の
配向材料の流動性が確保されるため、当該範囲における配向膜の厚みムラをさらに低減で
きる。
【００１７】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の液晶装置を搭載したことを特徴と
する。本発明の電子機器は特に限定されるものではないが、携帯電話機、携帯型情報端末
、電子時計などの携帯型電子機器として構成することが効果的である。
【００１８】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶を配置してなり、前記液晶
の配置範囲内に、複数のサブ画素が配列された駆動領域と、該駆動領域の周囲に設けられ
た周辺領域とを有し、前記サブ画素内には少なくとも一方の前記基板の前記液晶側の面に
凹部が設けられるとともに当該液晶側の面上に配向膜が配置されてなる液晶装置の製造方
法において、前記少なくとも一方の基板上に絶縁膜を部分的に形成し、或いは、当該絶縁
膜の厚みを部分的に変えて形成することにより、前記駆動領域では、それぞれ複数の前記
サブ画素に亘って所定方向に沿って平行に伸びるように構成された複数の前記凹部と、前
記複数の凹部同士を連結する連結溝とが設けられると同時に、前記周辺領域における少な
くとも前記駆動領域の前記所定方向側の隣接部分では、前記複数の前記凹部とそれぞれ連
続する複数のダミー凹部と、隣接する前記ダミー凹部同士を連結するダミー連結溝とが設
けられ、さらに、前記所定方向側の隣接部分では、前記駆動領域における前記凹部と前記
連結溝からなる凹凸構造と対応する構造を備えた前記ダミー凹部と前記ダミー連結溝から
なるダミー凹凸構造が前記所定方向に沿って２周期以上設けられる工程と、前記少なくと
も一方の基板の内面上に未硬化の配向材が配置される工程と、を具備することを特徴とす
る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る液晶装置及びその液晶装置の製造方法をその一実施形態を挙げて説
明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものではない。なお、本願に添付した
図面は、理解しやすくなるように、或いは、図示の都合上、実際の寸法比率と異なる寸法
比率で構成要素を図示してある。
【００２０】
図１は本発明の一実施形態である液晶装置１００の全体構成を示す概略斜視図、図２は
液晶装置１００の平面構造を主要構造である素子や配線を中心に図示する概略平面図であ
り、その他の要素は図示を省略している。また、図３は図２に示すＢ−Ｂ線に沿った断面
を示す概略断面図、図４は図２に示すＣ−Ｃ線に沿った概略断面図である。さらに、図５
は、図２の領域Ｆを拡大して示す拡大部分断面図、図６は図２の領域Ｇを拡大して示す拡
大部分断面図、図７は図２の領域Ｈを拡大して示す拡大平面図である。
【００２１】
本実施形態は、３端子型のアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Diode）素子をス
イッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式であって、反射表示と透過表示の
双方が可能に構成された半透過反射型のパネル構造を有するものであり、さらにカラー表
示が可能である液晶装置である。なお、ＴＦＴ素子には、アモルファスシリコンＴＦＴ、
低温ポリシリコンＴＦＴ、高温ポリシリコンＴＦＴ等のように各種の素子があるが、本実
施形態ではアモルファスシリコンＴＦＴを用いるものとする。もちろん、その他の種類の
ＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置に対して本発明を適用することもできる。
【００２２】
図１において、本実施形態の液晶装置１００は、液晶パネル１１０と、その液晶パネル
１１０に実装された半導体要素としての液晶駆動回路１０３（図示例ではＩＣチップ１０
３Ａ、１０３Ｂ，１０３Ｃで構成される。）と、を有する。また、図示を省略するが、そ
の液晶パネル１１０を背後から照明する照明装置（バックライト）を備えている。この液
晶装置１００に関しては、図１に示す矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装
置は、液晶パネル１１０に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能す
る。
【００２３】
液晶パネル１１０は、枠状のシール材１１３によって互いに貼り合わされた一対の基板
１１１及び１１２を有する。これらの基板１１１，１１２はいずれも矢印Ａ方向から見て
長方形又は正方形に形成されている。基板１１１はスイッチング素子が形成される素子基
板である。また、基板１１２はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。
シール材１１３はその一部に液晶注入口１１３ａを有し、この液晶注入口１１３ａを介し
て素子基板１１１とカラーフィルタ基板１１２との間に液晶、例えばＴＮ液晶が注入され
る。こうして、電気光学物質層としての液晶層１１４が形成される。液晶注入口１１３ａ
は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。なお、液晶のモードとしてはＴＮ
液晶の他に、必要に応じて種々の液晶を採用できる。例えば、負の誘電率異方性を持つ液
晶、すなわち垂直配向モードの液晶でも良い。
【００２４】
図２に示すように、液晶パネル１１０には、シール材１１３によって液晶１１４が封入
されてなる液晶封入領域中に駆動領域（有効表示領域）Ｖｉが形成され、この駆動領域Ｖ
ｉにおいては、複数のサブ画素Ｄがマトリクス状（縦横）に配列されている。サブ画素Ｄ
はそれぞれ独立に液晶１１４の光学特性を制御可能な範囲であり、本実施形態のようにカ
ラー表示可能な液晶表示体である場合には、上記サブ画素Ｄが複数（カラーフィルタの色
数、図示例の場合には３つ）集まって一つの色を表現する画素Ｐ（図７参照）が構成され
る。
【００２５】
また、上記の液晶封入領域中における駆動領域Ｖｉの周辺にある範囲は、液晶１１４の
光学特性が制御されない周辺領域Ｖｃとなっている。この周辺領域Ｖｃは、図示例の場合
、平面視矩形状の駆動領域Ｖｉの周囲に矩形枠状に構成されている。
【００２６】
本実施形態の液晶駆動回路１０３は、基板１１１の基板１１２の外形より張り出してな
る基板張出領域１１６上に実装されたＩＣチップ１０３Ａ、１０３Ｂ，１０３Ｃによって
構成される。これらのＩＣチップ１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃは基板張出領域１１６上
に形成された入力配線１４４並びに走査線１４７及びデータ線１４８に対して異方性導電
膜（ＡＣＦ；Anisotropic Conductive Film）１４６を介して導電接続されている。ＩＣ
チップ１０３Ａは入力端子１４４の一部と走査線１４７に導電接続されている。複数の走
査線１４７は基板張出領域１１６から液晶封入領域内に導入され、そのまま駆動領域Ｖｉ
内にて各サブ画素Ｄに設けられたスイッチング素子（ＴＦＴ；薄膜トランジスタ）１０３
Ａのゲートに接続されている。ここで、一つの走査線１４７は駆動領域Ｖｉ内のサブ画素
Ｄの一つの列に対応して設けられ、この列に含まれる複数のサブ画素Ｄのそれぞれのスイ
ッチング素子１３１に接続されている。また、ＩＣチップ１０３Ｂ，１０３Ｃは入力端子
１４４の残部とデータ線１４８に導電接続されている。複数のデータ線１４８は基板張出
領域１１６から液晶封入領域内に導入され、そのまま駆動領域Ｖｉ内にて上記走査線１４
７と直交する方向に伸び、各サブ画素Ｄに設けられたスイッチング素子１３１のソースに
接続されている。ここで、一つのデータ線１４８は駆動領域Ｖｉ内のサブ画素Ｄの一つの
行に対応して設けられ、この行に含まれる複数のサブ画素Ｄのそれぞれのスイッチング素
子１３１に接続されている。なお、各サブ画素Ｄに設けられたスイッチング素子１３１は
サブ画素Ｄを画成する画素電極１２１ａに接続されている。
【００２７】
なお、図示例では、ＩＣチップ１０３Ａに走査線駆動回路が構成され、ＩＣチップ１０
３Ｂ及び１０３Ｃにデータ線駆動回路が構成されているが、これらの走査線駆動回路及び
データ線駆動回路を共通の駆動用ＩＣ（単一のＩＣチップ）で構成しても良い。
【００２８】
基板張出領域１１６の辺端には、図１に示すように、可撓性を備えた配線基板であるＦ
ＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板１１７が、例えば上記と同様の異方性導電膜（Ａ
ＣＦ）を用いて接続されている。ＦＰＣ基板１１７、或いは、このＦＰＣ基板１１７に接
続された図示しない回路基板には、液晶パネル１１０を駆動するために必要となる複数の
電子部品（図示せず）が実装される。この電子部品としては、例えば、抵抗、コイル、コ
ンデンサ、電源ＩＣ等が考えられる。また、ＦＰＣ基板１１７や上記回路基板上には、外
部の入力用機器（例えば、携帯電話機等といった電子機器の制御回路）や外部電源等が接
続される。そして、液晶パネル１１０を駆動するための信号や電力が、ＦＰＣ基板１１７
を通して入力用機器や外部電源から供給される。
【００２９】
図３及び図４に示すように、素子基板１１１は、観察側（図１の矢印Ａ側）から見て長
方形または正方形の第１の透光性の基板１１１ａを有する。この第１透光性基板１１１ａ
は、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。また、この第
１透光性基板１１１ａの外側表面には偏光板１１５ａが、例えば、貼着等によって装着さ
れる。必要に応じて、偏光板１１５ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設ける
こともできる。
【００３０】
第１透光性基板１１１ａの内側表面には、アクティブ素子又はスイッチング素子（ＴＦ
Ｔ素子）１３１が複数個形成される。これらのスイッチング素子１３１を覆うように絶縁
層としての層間絶縁膜１２５が形成されている。この層間絶縁膜１２５は、例えば、透光
性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂をフォトリソグラフィ処理に
よってパターニングすることによって形成される。
【００３１】
層間絶縁膜１２５の表面には複数の画素電極１２１ａが設けられている。これらの画素
電極１２１ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等といった金
属酸化物を材料としてフォトエッチング処理によって形成される。複数の画素電極１２１
ａは、観察側から見て個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行
列方向、すなわち図２に示すＸ−Ｙ方向へマトリクス状に配列されている。
【００３２】
画素電極１２１ａと層間絶縁膜１２５との間には、図５に示すように、光反射層１２６
が、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等によって形成される。本実施形態において
、光反射層１２６は、複数の画素電極１２１ａのそれぞれに設けられている。また、光反
射層１２６は、個々のサブ画素Ｄ内における画素電極１２１ａが形成された範囲のうちの
一部に設けられている。つまり、個々のサブ画素Ｄにおいては、図３に示すように、画素
電極１２１ａと層間絶縁膜１２５との間に光反射層１２６が有る領域Ｒと光反射層１２６
が無い領域Ｔとが形成される。光反射層１２６が有る領域Ｒは、外部光Ｌ０を用いて反射
型表示を行う領域、すなわち反射表示領域Ｒである。一方、光反射層１２６が無い領域Ｔ
は、照明装置からの光Ｌ１を用いて透過型表示を行う領域、すなわち透過表示領域Ｔであ
る。
【００３３】
層間絶縁膜１２５は、図５に示すように、反射表示領域Ｒに対応する部分の表面に光散
乱用の凹凸パターンを有している。そのため、この凹凸パターン上にある光反射膜１２６
及び画素電極１２１ａにも凹凸パターンが形成される。このため、光反射膜１２６で反射
した光は散乱光となる。これにより、光反射層１２６で鏡面反射（正反射）が生じること
を防止でき、幻惑や背景の写りこみ等を回避できる。
【００３４】
また、画素電極１２１ａの下に層間絶縁膜１２５を設けることにより、画素電極１２１
ａの層とスイッチング素子１３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極１
２１ａとスイッチング素子１３１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板１１１の
表面を有効に活用できる。例えば、画素電極１２１ａの面積、すなわち画素面積を大きく
することができるので、液晶装置１００において表示を見易くできる。
【００３５】
層間絶縁膜１２５はスイッチング素子１３１を覆うように形成される。画素電極１２１
ａは、この層間絶縁膜１２５の上に形成されている。この層間絶縁膜１２５には、画素電
極１２１ａとスイッチング素子１３１とを電気的に接続するためのコンタクトホール１２
４が形成される。このコンタクトホール１２４は、層間絶縁膜１２５をフォトグラフィ処
理によって形成する際に同時に形成される。このコンタクトホール１２４は、平面的に見
てスイッチング素子１３１とは重ならない位置であって、画素電極１２１ａと重なる位置
に形成される。
【００３６】
本実施形態で用いるスイッチング素子１３１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、こ
のＴＦＴ素子１３１は、ゲート電極１３３、ゲート絶縁層１３４、ａ−Ｓｉ（アモルファ
スシリコン）等によって形成された半導体層１３５、ソース電極１３６、そしてドレイン
電極１３２を有する。ドレイン電極１３２は、その一端が半導体層１３５に接続され、そ
の他端が画素電極１２１ａにコンタクトホール１２４を介して接続される。ソース電極１
３６は図５の紙面垂直方向に延びるデータ線１４８の一部として形成されている。また、
ゲート電極１３３は、データ線１４８と直交する方向すなわち図５の左右方向に延びる走
査線１４７からサブ画素Ｄごとに延出されてなる。
【００３７】
図４において、複数の画素電極１２１ａの間の領域、すなわち遮光領域又はブラックマ
スク領域であって、この遮光領域における層間絶縁膜１２５上には複数のスペーサ（柱状
スペーサ）１２２ａが適宜の間隔で形成されている。これらのスペーサ１２２ａは、例え
ば、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成さ
れる。スペーサ１２２ａは、例えば、立設状態の円柱又は角柱形状に形成されており、セ
ルギャップが均一に設定されるように基板間隔を規制する。
【００３８】
画素電極１２１ａ及びスペーサ１２２ａの上には配向膜１２３ａが形成される。そして
、この配向膜１２３ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向
膜１２３ａの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。配向膜１２３ａは、例えば、ポリ
イミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。
【００３９】
図３及び図４に示すように、素子基板１１１に対向するカラーフィルタ基板１１２は、
観察側から見て長方形または正方形の第２の透光性の基板１１２ａを有する。この第２透
光性基板１１２ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成され
る。また、この第２透光性基板１１２ａの外側表面には偏光板１１５ｂが、例えば、貼着
によって装着される。必要に応じて、偏光板１１５ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を
付加的に設けることもできる。
【００４０】
第２透光性基板１１２ａの内側表面には複数の着色要素１４２が設けられる。これらの
着色要素１４２はＢ（青），Ｇ（緑），Ｒ（赤）又はＣ（シアン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ
（イエロー）のいずれかに着色され、観察側から見て所定の配列に並べられる。本実施形
態では、図７に示すように、Ｂ，Ｇ，Ｒが縦１列に並べられるストライプ配列を採用する
ものとする。なお、その他の配列、例えば、モザイク配列、デルタ配列等を採用すること
もできる。これらの着色要素１４２の間には遮光部材１４１ａが矢印Ａ方向から見てスト
ライプ状に設けられている。これらの遮光部材１４１ａは、色の異なる着色要素４２、例
えばＢ，Ｇ，Ｒの３色の着色要素１４２を全て重ねることにより、又はそれらのうちの２
色を重ねることによって形成することができる。なお、遮光部材１４１ａは、Ｃｒ等とい
った遮光性の金属材料によって形成することもできる。
【００４１】
図３及び図４に示すように、遮光部材１４１ａ及び着色要素１４２の上には第１のオー
バーコート層１４３ａが設けられる。そしてその上に、第２のオーバーコート層１４３ｂ
が設けられる。第１オーバーコート層１４３ａ及び第２オーバーコート層１４３ｂの上に
は共通電極１２１ｂが設けられ、さらにその上に配向膜１２３ｂが設けられる。共通電極
１２１ｂは、例えば、ＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成される。こ
の共通電極１２１ｂは第２透光性基板１１２ａ上に一様な厚さで形成された面状電極であ
る。上記の配向膜１２３ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、そ
の配向膜１２３ｂの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。この配向膜１２３ｂは、例
えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成した
りする。
【００４２】
第２オーバーコート層１４３ｂは、図３に示すように、対向する素子基板１１１の画素
電極１２１ａの形成範囲のうちの反射表示領域Ｒに対応する位置にのみ形成される。第１
オーバーコート層１４３ａ及び第２オーバーコート層１４３ｂは、例えば、エポキシ系又
はアクリル系の樹脂材料を塗布及び焼成して形成したり、あるいは、必要に応じて、エポ
キシ系又はアクリル系の樹脂材料にフォトリソグラフィ処理を施したりすることによって
形成される。
【００４３】
第２オーバーコート層１４３ｂは、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層１
１４の層厚を調整するための層厚調整膜として機能する。具体的には、図５に示すように
光反射層１２６が設けられる反射表示領域Ｒに所定の層厚を有する第２オーバーコート層
１４３ｂを設ける。これにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１１４の層厚ｔ０を薄
く設定する。一方、光反射層２６が設けられない透過表示領域Ｔには第２オーバーコート
層１４３ｂを設けない。つまり透過表示領域Ｔには第１オーバーコート層１４３ａのみが
設けられる。これにより、透過表示領域Ｔに対応する液晶層１１４の層厚ｔ１をｔ０に比
べて厚く、すなわちｔ１>ｔ０に設定する。
【００４４】
反射型表示が行われる際、反射光Ｌ０は液晶層１１４を往復で２回通過する。これに対
し、透過表示が行われる際、透過光Ｌ１は液晶層１１４を１回だけ通過する。従って、液
晶層１１４がｔ１＝ｔ０に設定されていると、反射型表示と透過型表示との間で表示態様
が大きく変化するおそれがある。これに対し、本実施形態のようにｔ１>ｔ０に設定すれ
ば、反射光Ｌ０と透過光Ｌ１との間で液晶層１１４を通過する光路の長さを等しく又は近
づけることができるため、両光に対する液晶層１１４のリタデーションの差を低減するこ
とができるから、反射型表示と透過型表示とを近似した表示態様とすることができる。
【００４５】
なお、図５に示す実施形態では、透過表示領域Ｔにおいて第２オーバーコート層１４３
ｂを設けない、つまり第２オーバーコート層１４３ｂの層厚をゼロとしたが、液晶層１１
４の層厚をｔ１>ｔ０に設定できれば、透過表示領域Ｔにおける第２オーバーコート層１
４３ｂの層厚は必ずしもゼロに限定されるものではない。また、本実施形態では、第１オ
ーバーコート層１４３ａと第２オーバーコート層１４３ｂの２つのオーバーコート層を設
けるようにしたが、液晶層１１４の層厚をｔ１>ｔ０に設定できれば、オーバーコート層
を１層とすることもできる。すなわち、オーバーコート層の層厚を反射表示領域Ｒに比べ
て透過表示領域Ｔで薄くすることにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１１４の層厚
を透過表示領域Ｔに比べて薄くなるようにすれば良い。
【００４６】
図３において、素子基板１１１上に形成された複数の画素電極１２１ａは駆動領域Ｖｉ
内においてドットマトリクス状に配列され、これらの画素電極１２１ａは共通電極１２１
ｂと平面的に重なっている。このように画素電極１２１ａと共通電極１２１ｂとが重なる
領域は液晶層１１４の光学特性を独立して制御可能な最小単位である上記のサブ画素Ｄを
構成する。また、カラーフィルタ基板１１２上の個々の着色要素１４２はサブ画素領域Ｄ
に対応して設けられている。着色要素１４２を用いない白黒表示の場合は１つのサブ画素
領域Ｄによって１つの画素Ｐ（図７参照）が形成されるが、本実施形態のように３色の着
色要素１４２を用いてカラー表示を行う構造の場合には、Ｂ，Ｇ，Ｒ又はＣ，Ｍ，Ｙの３
色の着色要素１４２の集まりによって１つの画素Ｐが形成される。
【００４７】
図示例においては、図７に示すように、サブ画素Ｄは長手方向に３分割され、長手方向
の両側部分は光反射層１２６によって規定される反射表示領域Ｒであり、長手方向の中央
部分が光反射層１２６が形成されない透過表示領域Ｔとなっている。ただし、サブ画素Ｄ
を長手方向に２分割し、その長手方向の片側が反射表示領域Ｒとなり、その反対側が透過
表示領域Ｔとなるように構成してもよい。
【００４８】
本実施形態の駆動領域Ｖｉにおいては、上述のように、カラーフィルタ基板１１２の内
面（上記オーバーコート層１４３ｂ及び共通電極１２１ｂの表面）は、オーバーコート層
１４３ａ，１４３ｂの厚みを変化させる（オーバーコート層１４３ｂを形成しない）こと
により、上記サブ画素Ｄ内の透過表示領域Ｔに対応する部分が凹んだ構造とされ、その上
に配向膜１２３ｂが形成されている。この凹んだ構造とされた部分が凹部１２８であり、
駆動領域Ｖｉにおいては複数の凹部１２８が所定方向（図２のＸ方向、図示例ではデータ
線１４８の延長方向、以下、単に「Ｘ方向」という。）に沿ってそれぞれ複数のサブ画素
Ｄに亘って伸びるように構成されている。図７に示すように、複数の凹部１２８はＸ方向
に帯状に伸び、駆動領域Ｖｉの全体に亘って伸びて、全体としてストライプ状に構成され
ている。また、図示のサブ画素Ｄの構造では、各サブ画素Ｄは、１本の凹部１２８が通過
する透過表示領域Ｔと、この凹部１２８に対してＸ方向と直交する方向（図２のＹ方向、
図示例では走査線１４７の延長方向、以下、単に「Ｙ方向」という。）の両側にそれぞれ
配置される反射表示領域Ｒとから構成されている。すなわち、一つのサブ画素Ｄには必ず
一つの凹部１２８が通過するように構成されている。
【００４９】
凹部１２８の幅は通常、３０〜１００μｍ程度であり、複数のサブ画素Ｄに亘って一定
の幅を有していることが好ましい。本実施形態では、サブ画素Ｄの境界部分でもサブ画素
Ｄ内と同一の幅を有するため、凹部１２８に沿った配向材料の流動性を充分に確保するこ
とができる。
【００５０】
また、駆動領域Ｖｉにおいては、図６及び図７に示すように、上記凹部１２８間を連結
するように構成される連結溝１２９が形成されている。この連結溝１２９はサブ画素Ｄの
境界領域に沿って形成されており、連結溝１２９は遮光部材１４１ａと平面的に重なるよ
うになっている。これによって、連結溝１２９の存在による液晶の配向不良による光抜け
などを低減でき、表示のコントラストの低下を抑制できる。連結溝１２９はＹ方向に隣接
した凹部１２８間を連結するようにＹ方向に伸びる細幅の溝であり、上記オーバーコート
層１４３ａ、１４３ｂの厚みを変化させたり、オーバーコート層１４３ｂを形成しなかっ
たりすることによって形成される。この連結溝１２９は、図４に示すように凹部１２８と
実質的に同じ深さとなるように構成してもよい。また、例えばオーバーコート層１４３ｂ
の厚み方向の一部を残したり、細幅の溝内に充填される共通電極の厚みが変化したりする
ことなどによって、図６に示すように凹部１２８よりも浅くなるように形成してもよい。
この連結溝１２９は後述するように凹部１２８間における配向材料の流通性乃至は流動性
をある程度確保するためのものであり、必要とされる配向材料の流通性乃至は流動性の程
度に応じてその深さを設定すればよい。
【００５１】
連結溝１２９は、基本的には、各画素Ｐ内において同じ数だけ同じ位置に同じ深さとな
るように形成されることが好ましい。図示例の場合、図７に示すようにＸ方向に３つのサ
ブ画素Ｄが配列されて一つの画素Ｐが構成されており、連結溝１２９は画素ＰごとにＸ方
向に一つずつ形成されている。すなわち、連結溝１２９はＸ方向に沿って一つの画素Ｐ（
３つのサブ画素Ｄ）に相当する間隔で周期的に形成されている。
【００５２】
連結溝１２９の幅は、上記遮光材料１４１ａの幅より小さく構成されることが好ましい
。この連結溝１２９の幅は、例えば、１０〜２０μｍ程度である。
【００５３】
一方、本実施形態では、図５及び図７に示すように、周辺領域Ｖｃのうち、駆動領域Ｖ
ｉのＸ方向側の隣接部分Ｖｃｘにおいても、上記凹部１２８とそれぞれ連続する複数のダ
ミー凹部１２８Ｄが形成されている。また、この隣接部分Ｖｃｘでは、図６及び図７に示
すように、これらの複数のダミー凹部１２８Ｄ間を連結するダミー連結溝１２９Ｄが形成
されている。図示例の場合、周辺領域Ｖｃ内に設けられたダミー凹部１２８Ｄ及びダミー
連結溝１２９Ｄで構成されるダミー凹凸構造は、駆動領域Ｖｉ内に設けられた凹部１２８
及び連結溝１２９で構成される凹凸構造に対して同じ周期及び同じ位相となるように、駆
動領域Ｖｉ内から連続するように形成されている。したがって、ダミー凹部１２８Ｄは凹
部１２８と同幅で、Ｙ方向の同じ位置に形成されており、しかも、そのＹ方向の形成周期
はサブ画素のＹ方向に沿った形成周期と同じである。また、ダミー連結溝１２９Ｄは連結
溝１２９とＹ方向の同じ位置に形成されており、そのＸ方向の形成周期は連結溝１２９と
同じでＸ方向の画素（３つのサブ画素）の形成周期と同じである。
【００５４】
また、ダミー凹部１２８Ｄ及びダミー連結溝１２９Ｄからなるダミー凹凸構造は、駆動
領域Ｖｉから周辺領域Ｖｃの隣接部分ＶｃｘへとＸ方向に向けて、凹部１２８及び連結溝
１２９からなる凹凸構造に対応する周期構造が２周期以上存在していることが好ましい。
この場合、図７に示すように形成周期の寸法は必ずしも凹凸構造と同一でなくてもよいが
、駆動領域Ｖｉ内の凹凸構造の周期の０．８倍〜１．２倍の範囲内であることが好ましい
。このようにすると、隣接部分Ｖｃｘに設けられた駆動領域Ｖｉに最も近接した１の周期
部分よりもさらに離間したもう一つの周期部分が少なくとも存在することとなるため、駆
動領域Ｖｉ内の最外縁の凹凸構造における配向材料の分布が、隣接部分Ｖｃｘの終端部（
駆動領域Ｖｉから最も離間した部分）による配向材料の偏りに直接影響されることがなく
なるため、駆動領域Ｖｉの最外縁の配向材料の偏りを低減できるからである。
【００５５】
本実施形態の場合、ダミー連結溝１２９Ｄの幅は、上記連結溝１２９の幅と同一であっ
てもよいが、図示例の場合、ダミー連結溝１２９Ｄの幅は連結溝１２９のそれと異なるよ
うに設定されている。図示例の場合、ダミー凹凸構造が２周期以上設けられることによっ
てＸ方向に沿って複数のダミー連結溝１２９Ｄが存在することとなるが、終端部のダミー
連結溝１２９Ｄ以外のダミー連結溝１２９Ｄの幅は１５〜２５μｍ程度と、連結溝１２９
の幅よりも大きく形成されている。これは、周辺領域Ｖｃでは遮光材料１４１ａが全体に
亘って形成されているので、連結溝１２９とは異なり、ダミー連結溝１２９Ｄの幅を制限
する必要がないとともに、ダミー連結溝１２９Ｄの幅を大きくすることで、周辺領域Ｖｃ
における配向材料の流動性（特にＹ方向の流動性）を高め、周辺領域Ｖｃ内の配向膜１２
３ｂの厚みムラを低減することができるからである。このように周辺領域Ｖｃ内の配向膜
１２３ｂの厚みムラが低減されると、駆動領域Ｖｉの外縁部の配向膜１２３ｂの厚みムラ
も必然的に低減される。
【００５６】
ただし、本実施形態では、最も終端部側に形成されたダミー連結溝１２９Ｄの幅を連結
溝１２９の幅よりも小さくしている。これは、最も終端部側に形成されたダミー連結溝１
２９Ｄの幅を大きくすると、ダミー凹部１２８の終端部よりも外側の配向材料が当該ダミ
ー連結溝１２９Ｄに全て流れ込むとともに、隣接するダミー凹部１２８Ｄ間の配向材料の
流動性が高くなりすぎるため、このダミー連結溝１２９Ｄからダミー凹部１２８Ｄを介し
て周辺領域Ｖｃの配向材料が駆動領域Ｖｉにまで多く流れ込みやすくなることから、駆動
領域Ｖｉの外縁部に「ざらしみ」が発生するからである。
【００５７】
特に、この傾向は周辺領域Ｖｃにおいて比較的少ない幅で（図７に示すように２〜３周
期程度の）ダミー凹凸構造が設けられている場合には高くなるため、最も終端側の上記ダ
ミー連結溝１２９Ｄの幅を小さくすることが効果的である。また、本実施形態の場合、ダ
ミー凹凸構造の終端部、すなわちダミー凹部１２８Ｄの終端に最も終端側のダミー連結溝
１２９Ｄが接続されている。このような場合には、特に終端よりも外側の配向材料が最も
終端側のダミー連結溝１２９Ｄにさらに流れ込みやすくなるため、やはりその幅を小さく
することが効果的である。なお、最も終端側のダミー連結溝１２９Ｄの幅は、連結溝１２
９の幅よりも小さければよいが、例えば、５〜１０μｍ程度とすることが好ましい。
【００５８】
ダミー連結溝１２９Ｄの幅は、一般的には連結溝１２９の幅の０．５〜２．０倍の範囲
内であることが好ましい。０．５倍未満、或いは２．０倍を越える幅になると、ダミー連
結溝１２９Ｄの幅が連結溝１２９に対して大幅に変化することとなるので、配向材料の流
動性が過小若しくは過大となり、駆動領域Ｖｉにおける流動性と大きく異なる結果、駆動
領域Ｖｉの外縁部の配向膜１２３ｂの厚みムラが却って増大するからである。
【００５９】
次に、駆動領域ＶｉのＹ方向側にある隣接部分Ｖｃｙでは、駆動領域Ｖｉ内の凹部１２
８と平行なダミー凹部１２８Ｅが形成されている。このダミー凹部１２８Ｅは、凹部１２
８と同じ幅、或いは、凹部１２８の幅の０．８倍から１．２倍の範囲内であることが好ま
しい。例えば、ダミー凹部１２８Ｅの幅は３０〜１００μｍ程度である。この幅を上記範
囲より小さくすると、駆動領域Ｖｉの外縁部の配向材料が多くなりやすくなり、上記範囲
より大きくすると駆動領域Ｖｉの外縁部の配向材料が少なくなりやすくなるため、いずれ
にしても配向膜１２３ｂの厚みムラが発生する。
【００６０】
また、上記と同じ理由から、ダミー凹部１２８Ｅと最外縁の凹部１２８との間隔は、凹
部１２８同士の間隔と同じに設定されていることが望ましく、或いは、凹部１２８同士の
間隔の０．８倍〜１．２倍の範囲内であることが望ましい。
【００６１】
さらに、隣接部分Ｖｃｙには複数のダミー凹部１２８ＥがＹ方向に沿ってストライプ状
に配置されていてもよい。このようにして複数のダミー凹部１２８Ｅを設けると、駆動領
域Ｖｉの外縁部の配向膜１２３ｂの厚みムラをさらに低減できる。
【００６２】
本実施形態では、隣接部分Ｖｃｙの最も内側に形成されたダミー連結溝１２８Ｅと、駆
動領域Ｖｉの最も外側に形成された連結溝１２８とを連結する境界連結溝１２９Ｅが形成
されている。この境界連結部１２９Ｅは駆動領域Ｖｉ内の連結溝１２９と同じ幅、同じＸ
方向の周期、同じＸ方向の位相で形成されることが好ましいが、それぞれの連結溝１２９
の値の０．８倍から１．２倍の範囲内であってもよい。このダミー連結溝１２８Ｅを設け
ることで、駆動領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの境界部分が駆動領域Ｖｉ内の近似した凹凸構造
を有するものとなるため、駆動領域Ｖｉの外縁部における配向膜１２３ｂの厚みムラをさ
らに低減できる。
【００６３】
なお、図示例のように隣接部分Ｖｃｙに複数のダミー凹部１２８Ｅが形成されている場
合には、これらのダミー凹部１２８Ｅ間にもダミー連結溝１２９Ｆを形成することが好ま
しい。このようにすれば、駆動領域Ｖｉの外縁部における配向膜１２３ｂの厚みムラをさ
らに低減することができる。
【００６４】
図４及び図６に示すように、周辺領域Ｖｃ内であってダミー凹部１２８Ｄ、１２８Ｅに
重ならない場所の素子基板１１１の層間絶縁膜１２５上にはスペーサ１２２ｂが形成され
ている。このスペーサ１２２ｂは、駆動領域Ｖｉ内に形成されているスペーサ１２２ａと
同じく、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって、
例えば、立設状態の円柱又は角柱形状に形成される。このスペーサ１２２ｂは、駆動領域
Ｖｉ内のスペーサ１２２ａと同時に形成できる。このように周辺領域Ｖｃにスペーサ１２
２ｂを設けることにより、周辺領域Ｖｃにおいても液晶層１１４の層厚を一定に保持する
ことができる。これにより、駆動領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃとの境界近傍において、液晶層
１１４の層厚の変化による表示のムラが発生することを防止できる。
【００６５】
以上のように構成された液晶装置１００によれば、液晶装置１００が明るい室外や明る
い室内に置かれる場合は、太陽光や室内光といった外部光を用いて反射型の表示を実現で
きる。一方、液晶装置１００が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、図示しない照明装
置をバックライトとして用いて透過型の表示を実現できる。
【００６６】
上記の反射型表示を行う場合、観察側からカラーフィルタ基板１１２を通して液晶パネ
ル１１０内へ入射した外部光Ｌ０は、偏光板１１５ｂを通過した後に液晶層１１４を通過
して素子基板１１１へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜１２６で反射して再び
液晶層１１４へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、照明装置から出射され
た光が偏光板１１５ａを通過した後に符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいてカラ
ーフィルタ基板１１２を透過して液晶層１１４へ入射する。
【００６７】
以上のようにして液晶層１１４へ光が供給される間、素子基板１１１側の画素電極１２
１ａとカラーフィルタ基板１１２側の共通電極１２１ｂとの間には、走査信号及びデータ
信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１１４内の液晶分子
の配向がサブ画素Ｄ毎に制御され、この結果、液晶層１１４に供給された光がサブ画素Ｄ
ごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板１１２側の偏光板１１５ｂ
を通過するとき、その偏光板１１５ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに所定の透過率
となるように設定され、これにより、カラーフィルタ基板１１２の表面に文字、数字、図
形等といった像が表示され、これが観察側から視認される。
【００６８】
図５乃至図７に示すダミー凹部１２８Ｄ、１２８Ｅ、ダミー連結溝１２９Ｄ、１２９Ｆ
、境界連結溝１２９Ｅといったダミー凹凸構造を有していない従来の液晶表示装置では、
カラーフィルタ基板上に配向膜を形成する際、周辺領域内に塗布された配向膜の材料が、
駆動領域内であって周辺領域より低い部分、すなわち透過表示領域内に流れ込むことがあ
った。これにより、駆動領域と周辺領域との境界部分で配向膜が厚く形成されるおそれが
あった。こうなると、駆動領域において配向膜の厚さが不均一になり、配向膜が厚く形成
された部分で配向不良が発生し、表示の輝度にムラが生じるおそれがあった。
【００６９】
これに対し、本実施形態の液晶装置１００によれば、図５及び図６に示す配向膜１２３
ｂをカラーフィルタ基板１１２上に塗布した際、周辺領域Ｖｃに塗布された配向膜１２３
ｂの材料が、ダミー凹部１２８Ｄ、１２８Ｅに流動することができる。従って、配向膜１
２３ｂの材料が駆動領域Ｖｉ、特に、周辺領域Ｖｃに隣接する外縁部の透過表示領域Ｔに
必要以上に流れ込むことを防止できるので、駆動領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの隣接部分Ｖｃ
ｘ、Ｖｃｙとの間で配向膜１２３ｂを均一に塗布することができる。その結果、液晶装置
１００の表示に輝度のムラが発生することを防止できる。特に、ダミー凹部１２８Ｄは凹
部１２８と連結するように設けられているため、Ｘ方向に沿った配向材料の流動性を充分
に確保できるため、駆動領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの境界近傍の配向膜１２３ｂの厚みムラ
を低減できる。
【００７０】
本実施形態では、Ｘ方向に連続し、Ｙ方向に配列された複数の凹部１２８やダミー凹部
１２８Ｄ、１２８Ｅ間に連結溝１２９、ダミー連結溝１２９Ｄ、１２９Ｆ、境界連結溝１
２９Ｅなどが形成されているため、凹部やダミー凹部間における配向材料の流通性乃至は
流動性をも確保することができ、さらに、これらは駆動領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの隣接部
分Ｖｃｘ，Ｖｃｙの双方で確保されている。したがって、駆動領域Ｖｉの特に外縁部にお
ける配向膜１２３ｂの厚み変化や厚みムラを低減することができるため、外縁部によく観
察される「ざらしみ」の発生を効果的に防止できる。
【００７１】
なお、上記液晶装置１００の製造方法では、上記のダミー凹部１２８Ｄ、１２８Ｅ、ダ
ミー連結溝１２９Ｄ、１２９Ｆ、境界連結溝１２９Ｅは、駆動領域Ｖｉ内の凹部１２８や
連結溝１２９と同時に形成される。すなわち、オーバーコート層１４３ａ、１４３ｂの形
成によって同時にそれぞれが形成される。したがって、従来構造と何ら変わらない製造工
程でオーバーコート層のパターン形状のみを変えることによって容易に製造できる。
【００７２】
また、配向膜１２３ｂは、未硬化の配向樹脂を印刷法、スピンコーティング法、ロール
コーティング法等によって塗布し、乾燥・焼成することによって形成される。配向樹脂の
塗布方法としては、特に印刷法（例えばオフセット印刷、凸版印刷）によることが製造効
率上好ましい。本実施形態の構造では、印刷法を用いた場合でも、配向膜１２３ｂの厚み
ムラを充分に低減することができるので、表示ムラのない高い表示品位を実現できた。
【００７３】
最後に、上記の液晶装置１００を搭載した電子機器について説明する。図８及び図９は
上記液晶装置１００を搭載した電子機器を示す概略斜視図である。
【００７４】
図８は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるノート型パーソナルコンピュータを
示している。このパーソナルコンピュータ２００は、複数の操作ボタン２０１ａや他の操
作装置２０１ｂを備えた本体部２０１と、この本体部２０１に接続され、表示画面２０２
ａを備えた表示部２０２とを備えている。図示例の場合、本体部２０１と表示部２０２は
開閉可能に構成されている。表示部２０２の内部には上述の液晶装置１００が内蔵されて
おり、表示画面２０２ａに所望の表示画像が表示されるようになっている。この場合、パ
ーソナルコンピュータ２００の内部には、上記液晶装置１００を制御する表示制御回路が
設けられる。この表示制御回路は、液晶装置１００に対して映像信号その他の入力データ
や所定の制御信号を送り、その動作態様を決定するように構成されている。
【００７５】
図９は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに
示す携帯電話機３００は、複数の操作ボタン３０１ａ，３０１ｂ及び送話口などを備えた
操作部３０１と、表示画面３０２ａや受話口などを備えた表示部３０２とを有し、表示部
３０２の内部に上記の液晶装置１００が組み込まれてなる。そして表示部３０２の表示画
面３０２ａにおいて液晶装置１００により形成された表示画像を視認することができるよ
うになっている。この場合、携帯電話機３００の内部には、上記液晶装置１００を制御す
る表示制御回路が設けられる。この表示制御回路は、液晶装置１００に対して映像信号そ
の他の入力データや所定の制御信号を送り、その動作態様を決定するように構成されてい
る。
【００７６】
尚、本発明の液晶装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば
、上記図示例のサブ画素Ｄでは反射表示領域Ｒが透過表示領域Ｔの両側に配置されている
が、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔがそれぞれサブ画素Ｄの一側と他側に配置された平
面構成を有するものであってもよく、また、サブ画素Ｄ内で透過表示領域Ｔが反射表示領
域Ｒの両側にそれぞれ配設された平面構成を有するものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】実施形態の液晶装置の全体構成を示す概略斜視図。
【図２】実施形態の液晶装置の全体構成を示す概略平面図。
【図３】実施形態の液晶装置のＢ−Ｂ線に沿った断面を示す概略断面図。
【図４】実施形態の液晶装置のＣ−Ｃ線に沿った断面を示す概略断面図。
【図５】実施形態の液晶装置の矢印Ｆの部分を示す概略拡大断面図。
【図６】実施形態の液晶装置の矢印Ｇの部分を示す概略拡大断面図。
【図７】実施形態の液晶装置の矢印Ｈの部分を示す概略平面図。
【図８】実施形態の液晶装置を搭載した電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図９】実施形態の液晶装置を搭載した電子機器の他の例を示す概略斜視図。
【符号の説明】
【００７８】
１００…液晶装置、１０３…液晶駆動回路、１１０…液晶パネル、１１１…素子基板、１
２１ａ…画素電極、１２１ｂ…共通電極、１１２…カラーフィルタ基板、１４３ａ…第１
オーバーコート層、１４３ｂ…第２オーバーコート層、Ｄ…サブ画素、Ｐ…画素、Ｖｉ…
駆動領域、Ｖｃ…周辺領域、Ｖｃｘ、Ｖｃｙ…隣接部分、１２８…凹部、１２８Ｄ、１２
８Ｅ…ダミー凹部、１２９…連結溝、１２９Ｄ、１２９Ｆ…ダミー連結溝、１２９Ｅ…境
界連結溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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