(57)【要約】【課題】 処理ガス筐体の吸込口から処理ガスが流出するのを防止する。【解決手段】処理室に基板を処理する処理ガスを供給する第１処理ガス供給路と、第１処理ガス供給路に流入する処理ガスの供給流量を制御する処理ガス供給流量制御部と、第１処理ガス供給路と処理ガス供給流量制御部とを接続する第１接続部と、処理ガス供給流量制御部に処理ガスを供給する第２処理ガス供給路と、処理ガス供給流量制御部と第２処理ガス供給路とを接続する第２接続部とを備える。第１接続部、処理ガス供給流量制御部、及び第２接続部は処理ガス筐体に収納される。処理ガス筐体には、処理ガス筐体外の雰囲気を処理ガス筐体内に吸い込む吸込口８４と、吸込口８４から吸い込まれる処理ガス筐体外の雰囲気とともに処理ガス筐体内の雰囲気を排気する排気口８１ａとが設けられる。吸込口８４と第２接続部との間に第２接続部から漏洩する処理ガスが吸込口８４に向かって流れるのを阻止する遮蔽手段が設けられる。【選択図】  図１
2007242791.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室に前記基板を処理する処理ガスを供給する第１の処理ガス供給路と、
前記第１の処理ガス供給路に流入する処理ガスの供給流量を制御する処理ガス供給流量制御部と、
前記第１の処理ガス供給路と前記処理ガス供給流量制御部とを接続する第１の接続部と、
前記処理ガス供給流量制御部に前記処理ガスを供給する第２の処理ガス供給路と、
前記処理ガス供給流量制御部と第２の処理ガス供給路とを接続する第２の接続部と、
前記第１の接続部と前記処理ガス供給流量制御部と前記第２の接続部とを収納する処理ガス筐体と、
前記処理ガス筐体に設けられ前記処理ガス筐体外の雰囲気を前記処理ガス筐体内に吸い込む吸込口と、
前記吸込口から吸い込まれる前記処理ガス筐体外の雰囲気とともに前記処理ガス筐体内の雰囲気を排気する排気口と、
を備え、
前記吸込口と前記第２の接続部との間に、第２の接続部から漏洩する処理ガスが前記吸込口に向かって流れるのを阻止する遮蔽手段を設けたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に係り、特にガスボックスと呼ばれる処理ガス筐体におけるガス漏洩対策用に好適なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、基板処理装置は、基板を処理する装置本体と、その処理に必要な用力（水、ガス、電源など）を装置本体に供給するユーティリティとから構成されている（例えば、特許文献１参照）。このユーティリティには、装置本体に成膜用のガスを供給するためのガスボックスと呼ばれる処理ガス筐体が設けられている。
従来、このガスボックス内部で漏洩したガスが、ガスボックスから流出しないようにするため、吸込口からガスボックス内に常時空気を取り込み、漏洩したガスを空気とともに排気口から排気するようにしている。
【特許文献１】特開２００２−２８０３１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述したように、従来技術では、吸込口から取り込んだ空気とともに、処理ガス筐体内で漏洩したガスを排気口から排気することにより、ガスが排気口以外の箇所から流出しないようにしているが、吸込口から流入する雰囲気の圧力よりも漏洩ガスの噴出圧が高いような場合には、なお、吸込口から処理ガス筐体の外部へ流出する可能性があると考えられる。
本発明の課題は、吸込口から流入する雰囲気の圧力よりも漏洩ガスの噴出圧が高いような場合であっても、処理ガス筐体の吸込口から処理ガスが流出するのを防止することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
第１の発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室に前記基板を処理する処理ガスを供給する第１の処理ガス供給路と、前記第１の処理ガス供給路に流入する処理ガスの供給流量を制御する処理ガス供給流量制御部と、前記第１の処理ガス供給路と前記処理ガス供給流量制御部とを接続する第１の接続部と、前記処理ガス供給流量制御部に前記処理ガスを供給する第２の処理ガス供給路と、前記処理ガス供給流量制御部と第２の処理ガス供給路とを接続する第２の接続部と、前記第１の接続部と前記処理ガス供給流量制御部と前記第２の接続部とを収納する処理ガス筐体と、前記処理ガス筐体に設けられ前記処理ガス筐体外の雰囲気を前記処理ガス筐体内に吸い込む吸込口と、前記吸込口から吸い込まれる前記処理ガス筐体外の雰囲気とともに前記処理ガス筐体内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記吸込口と前記第２の接続部との間に、第２の接続部から漏洩する処理ガスが前記吸込口に向かって流れるのを阻止する遮蔽手段を設けたことを特徴とする基板処理装置である。
【０００５】
第１の発明によれば、第２の接続部から処理ガスが、吸込口から吸い込まれる処理ガス筐体外の雰囲気よりも高圧で漏洩したときに、漏洩ガスは吸込口へ流れようとするが、遮蔽手段が設けられているので、遮蔽手段に遮られて、吸込口から処理ガス筐体外部への流出が困難になる。この漏洩ガスは、吸込口から処理ガス筐体内部へ吸い込まれる処理ガス筐体外の雰囲気と共に、処理ガス筐体内を流通して、排気口から外部へ排気される。したがって、第２の接続部から処理ガスが漏洩しても、その漏洩ガスが処理ガス筐体から外部へ流出するのを確実に防止することができる。
【０００６】
第２の発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室に前記基板を処理する処理ガスを供給する第１の処理ガス供給路と、前記第１の処理ガス供給路に流入する処理ガスの供給流量を制御する処理ガス供給流量制御部と、前記第１の処理ガス供給路と前記処理ガス供給流量制御部とを接続する第１の接続部と、前記処理ガス供給流量制御部に前記処理ガスを供給する第２の処理ガス供給路と、前記処理ガス供給流量制御部と第２の処理ガス供給路とを接続する第２の接続部と、前記第１の接続部と前記処理ガス供給流量制御部と前記第２の接続部とを収納する処理ガス筐体と、前記処理ガス筐体に設けられ前記処理ガス筐体外の雰囲気を前記処理ガス筐体内に吸い込む吸込口と、前記吸込口から吸い込まれる前記処理ガス筐体外の雰囲気とともに前記処理ガス筐体内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記第１の接続部は前記第２の接続部より前記排気口の近くに配置され、前記第２の接続部は前記第１の接続部より前記吸込口の近くに配置されており、前記吸込口と前記第２の接続部との間に、前記第２の接続部から漏洩する処理ガスが前記吸込口に向かって流れるのを阻止する第１の遮蔽手段を設け、前記吸込口と前記排気口との間に、前記第２の接続部から漏洩する処理ガスが前記第１の遮蔽手段を迂回して前記吸込口から流出するのを阻止する第２の遮蔽手段を設けたことを特徴とする基板処理装置である。
【０００７】
第２の発明によれば、第２の接続部から処理ガスが、吸込口から吸い込まれる処理ガス筐体外の雰囲気よりも高圧で漏洩したときに、漏洩ガスは吸込口へ流れようとするが、第１の遮蔽手段が設けられているので、第１の遮蔽手段に遮られて、吸込口から処理ガス筐体外部への流出が困難になる。また、漏洩する処理ガスが第１の遮蔽手段を迂回して吸込口から流出しようとしても、第２の遮蔽手段が設けられているので、第２の遮蔽手段に遮られて、吸込口から処理ガス筐体外部への流出が困難になる。吸込口からの流出が困難になる漏洩ガスは、吸込口から処理ガス筐体内部へ吸い込まれる処理ガス筐体外の雰囲気と共に、処理ガス筐体内を流通して、排気口から外部へ排気される。したがって、第２の接続部から処理ガスが漏洩しても、その漏洩ガスが処理ガス筐体から外部へ流出するのをより確実に防止することができる。
【０００８】
第３の発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室に前記基板を処理する処理ガスを供給する第１の処理ガス供給路と、前記第１の処理ガス供給路に流入する処理ガスの供給流量を制御する処理ガス供給流量制御部と、前記第１の処理ガス供給路と前記処理ガス供給流量制御部とを接続する第１の接続部と、前記処理ガス供給流量制御部に前記処理ガスを供給する第２の処理ガス供給路と、前記処理ガス供給流量制御部と第２の処理ガス供給路とを接続する第２の接続部と、前記第１の接続部と前記処理ガス供給流量制御部と前記第２の接続部とを収納する処理ガス筐体と、前記処理ガス筐体に設けられ前記処理ガス筐体外の雰囲気を前記処理ガス筐体内に吸い込む吸込口と、前記吸込口から吸い込まれる前記処理ガス筐体外の雰囲気とともに前記処理ガス筐体内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記吸込口から吸い込まれる前記筐体外の雰囲気の流れの向きを前記排気口とは反対方向に方向転換させた後、前記排気口に向かうように前記雰囲気を誘導する誘導手段を設けたことを特徴とする基板処理装置である。
【０００９】
第３の発明によれば、第２の接続部から処理ガスが、吸込口から吸い込まれる処理ガス筐体外の雰囲気よりも高圧で漏洩したときに、漏洩ガスは吸込口へ流れようとするが、誘導手段が設けられているので、誘導手段によって方向転換される前記雰囲気の流れに抗して前記吸込口へ流れることができず、前記漏洩ガスは前記誘導される雰囲気とともに、処理ガス筐体内を流通して、排気口から外部へ排気される。したがって、第２の接続部から処理ガスが漏洩しても、その漏洩ガスが処理ガス筐体から外部へ流出するのをより確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、吸込口から流入する雰囲気の圧力よりも漏洩ガスの噴出圧が高いような場合であっても、処理ガス筐体の吸込口から処理ガスが流出するのを確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図４は本発明の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の一部を構成する縦型処理炉２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
【００１２】
図４に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１３】
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２ ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウェハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。
【００１４】
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。
【００１５】
後述するシールキャップ２１９にはガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１６】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１７】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウェハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１８】
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
【００１９】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２０】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。
【００２１】
次に、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウェハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
【００２２】
複数枚のウェハ２００がボート２１７に装填（ウェハチャージ）されると、図４に示されているように、複数枚のウェハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００２３】
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置２４２が、フィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウェハ２００が回転される。
【００２４】
次いで、処理ガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。ガスは処理室２０１内を通過する際にウェハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
【００２５】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
【００２６】
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウェハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウェハ２００はボート２１７より取出される（ウェハディスチャージ）。
【００２７】
図２は、上述した処理炉２０２を搭載した基板処理装置の全体構成図を示す。
基板処理装置、例えば縦型拡散・ＣＶＤ装置は、全体で前後に長い直方体形状をしている。装置構成は、シリコン等のウェハを処理してＩＣ等の半導体デバイスを製造する装置本体５０と、その処理に必要な用力（水・ガス・電源など）を装置本体５０に供給するユーティリティ７０とに分けられている。装置本体５０とユーティリティ７０との間は、それらの上部で二本のダクト６１、６２により連結されている。このように、装置本体５０とユーティリティ７０とが別体に構成されている装置を、別体型縦型拡散・ＣＶＤ装置という。
【００２８】
この装置は、作業者が装置を運用するにあたり、操作部を通じて様々な処理を行っているが、ウェハを処理する場合は、装置本体５０側に設置してある主操作部（図示略）を用いて、また装置本体５０のメンテナンスを行う場合は、ユーティリティ７０側に設定してある副操作部（図示略）を用いて行っている。
【００２９】
なお、図２の説明において、装置の前後方向については、パネル面が見えている前方を手前、パネル面が見えていない後方を後という。装置本体５０については、見えている手前を背面、見えていない後を前面という。また、ユーティリティ７０については、見えている手前を前面、装置本体５０の背面と対向する見えていない面を背面という。
【００３０】
一方の装置本体５０は、上下に二段に設けられた３つの筐体から構成される。下部には移載筐体５１が設けられ、その上にカセット棚筐体５２とヒータ筐体４３とが並設されている。
【００３１】
移載筐体５１及びカセット棚筐体５２の前面１２にカセットを搬入出するカセットステージが設けられる。カセットステージはフロントシャッタで開閉されるようになっている。また、上記の前面１２には、必要な処理を行う機構を操作する前述した主操作部（図示せず）が設けられる。
【００３２】
移載筐体５１の内部には、図示しないが、カセットを載置するカセット棚、カセットを搬送するカセットローダ、カセットからボート２１７に、ボート２１７からカセットにウェハを移載するウェハ移載機が設けられる。さらに、真空に保ったままボートの出し入れができるロードロックチャンバ、ボート２１７を縦型処理炉２０２にロード／アンロードするボートエレベータ１１５が設けられる。ヒータ筐体５３の下方に位置する移載筐体５１の背面にメンテナンス扉５５が設けられる。メンテナンス扉５５に監視用の窓５６が設けられている。
【００３３】
カセット棚筐体５２には、前述したカセット棚のうちの上棚が設けられる。また、ヒータ筐体５３には、ウェハを処理する処理室を有する上述した縦型処理炉２０２が設けられる。ヒータ筐体５３の前面側には、ヒータ熱排気口５７が設けられる。ヒータ筐体５３の背面にはヒータ端子確認用メンテナンス扉５８が設けられる。
【００３４】
他方のユーティリティ７０は、上下に二段に設けられた４つの筐体から構成される。下部には電源を供給するパワーボックス７１と、配管系バルブボックスの一部７２とが並設され、それらの上に処理ガス筐体としてのガスボックス７３と、配管系バルブボックスの一部７４とが設けられている。配管系バルブボックスは、配管系バルブボックスの一部７２と配管系バルブボックスの一部７４とにより構成されている。ユーティリティ７０の背面には、上述した副操作部（図示せず）が設けられている。
【００３５】
上記したガスボックス７３は、直方体状をしており、長い方を上下にして設置してある。ガスボックス７３の前面にはメンテナンス扉８０が設けられ、内部に格納されている後述する処理ガス供給流量制御部をメンテナンスできるようになっている。また、ガスボックス７３の上部には、排気ガスを排気するための排気口８１ａと排気口８１ａに接続される排気ダクト８１が設けられている。さらに、ガスボックス７３には、処理炉２０２内の処理室にウェハ２００を処理する処理ガスを処理ガス供給流量制御部を経由して供給する第１の処理ガス供給路としての第１配管８２と、処理ガス供給流量制御部に処理ガスを供給する第２配管として第２配管８３とが設けられている。
【００３６】
第１配管８２は、装置本体５０とユーティリティ７０とを連結している一方のダクト６１内を通り、ヒータ筐体５３内の処理炉２０２に接続されている。第２配管８３は配管系バルブボックス７２内を通って図示しないガス供給源に接続されている。
【００３７】
図３に示すように、ガスボックス７３は前面から見て左右対称に設けられ、その前面パネル８５の下方には、ガスボックス７３外の雰囲気（例えば空気）をガスボックス７３内に吸い込むための吸込口８４が設けられている。また、ガスボックス７３の上部には、ガスボックス７３内の雰囲気を排気する排気口８１ａと排気口８１ａに接続される排気ダクト８１が設けられている。
排気ダクト８１はステンレス製のフレキシブルダクト等にて連結され、基板処理装置以外のクリーンルームに設置された処理系排ガス路に排気ガスが排気されるようになっている。
【００３８】
図１に、上述したガスボックス７３の内部構成を含む概略縦断面図を示す。
ガスボックス７３の前面パネル８５の下方に、上述した吸込口８４が設けられている。ガスボックス７３の上部に、吸込口８４から吸い込まれるガスボックス７３外の空気ａとガスボックス７３内の雰囲気ｃとを一緒に排気する上述した排気口８１ａと排気口８１ａに接続される排気ダクト８１が設けられている。
【００３９】
ガスボックス７３には、第１配管８２と第２配管８３とが設けられている。第１配管８２は処理室２０１（図４参照）にウェハを処理する処理ガスを供給するために、ガスボックス７３の内部から上部を通して外部に引き出されている。第２配管８３は処理ガス供給流量制御部９０に処理ガスを供給するために、ガスボックス７３の外部から底部を通して内部に引き込まれている。
【００４０】
ガスボックス７３内には、第１配管８２と第２配管８３との間に接続されるガスユニット９８が収納されている。このガスユニット９８は、ガスボックス７３の前面パネル８５と対向する後板８６の内壁に沿って立て掛けられた基盤９１と、この基盤９１上に取り付けられた第１接続部としての第１配管継手部９６、処理ガス供給流量制御部９０、及び第２接続部としての第２配管継手部９７から構成されている。
【００４１】
第１配管継手部９６は、第１配管８２と処理ガス供給流量制御部９０とを接続している。第２配管継手部９７は、処理ガス供給流量制御部９０と第２配管８３とを接続している。第１配管継手部９６は第２配管継手部９７より排気口８１ａの近くのガスボックス７３の上部側に配置され、第２配管継手部９７は第１配管継手部９６より吸込口８４の近くのガスボックス７３の底部側に配置されている。
【００４２】
処理ガス供給流量制御部９０は、第１配管８２に流入する処理ガスｂの供給流量を制御するようになっている。この処理ガス供給流量制御部９０は、下流から上流に向かって流量制御器（ＭＦＣ）９２、エアバルブ９３、及びフィルタ９４が直列接続されて構成されている。
なお、処理ガス供給流量制御部９０は、流量制御器（ＭＦＣ）、エアバルブ、フィルタ９４を設けるのみに限らず、例えば、圧力計を設けてもよいし、レギュレータを設けても良い。
【００４３】
前面パネル８５の下方に設けられた吸込口８４の内側に、ガス漏洩対策用バッファとなる誘導手段１００が、吸込口８４と第２配管継手部９７との間の空間を仕切る形で設けられている。この誘導手段１００は、下方の吸込口８４から吸い込まれる空気ａの流れの向きを、上部の排気口８１ａとは反対の底部側に方向転換させた後、漏洩ガスｂ’を巻き込むような形で、上部の排気口８１ａに向かうように空気ａを誘導するようになっている。
【００４４】
この誘導手段１００は、具体的には、吸込口８４の下部近傍を除いて、吸込口８４をすっぽり覆う三次元的な遮蔽板１０１から構成される。この遮蔽板１０１は断面逆Ｌ字状に形成され、吸込口８４の正面側を覆う正面遮蔽部１０２と、吸込口８４の上部側を覆う上部遮蔽部１０３とから構成される。吸込口８４の下部近傍となる正面遮蔽部１０２と底部８７との間に隙間８８が形成されて、この隙間８８から外部の空気をガスボックス７３内に導入できるようになっている。
【００４５】
上述したような縦型拡散・ＣＶＤ装置では、カセットステージにカセットが搬入され、カセットから取り出されたウェハが移載筐体５１を経て縦型処理炉２０２内に搬入されて薄膜が形成される。この薄膜形成を行うために、パワーボックス７１からは電力が装置本体５０に供給される。また、配管系バルブボックス７２により、必要な処理ガスが、ガスボックス７３から第１配管８２を介して処理炉２０２内に供給される。
【００４６】
ここで、処理ガスを第２配管８３から処理ガス供給流量制御部９０を介して第１配管８２に供給する際、ガスボックス７３内の第１配管継手部９６または第２配管継手部９７で処理ガスが漏洩することがある。特に、ＭＦＣ９２やエアバルブ９３よりガス供給源側のガス供給路である第２配管８３にある第２配管継手部９７では、ＭＦＣ９２やエアバルブ９３が閉じた際にもガス供給源からの処理ガスが、第２配管８３内に存在しており、処理炉２０２側の第１配管８２にある第２配管継手部９７よりも、ガスが漏洩する可能性が高い。
【００４７】
第２配管継手部９７で処理ガスが漏洩した場合、排気口８１ａ側に位置している第１配管継手部９６と異なり、第２配管継手部９７が吸込口８４の近傍に位置しているので、吸込口８４から流入する空気の圧力よりも漏洩ガスの噴出圧が高い場合、漏洩ガスが吸込口８４から流出する可能性がある。吸込口８４から処理ガスが流出すると、吸込口８４は、排気口８１ａと異なり、ダクトに接続されるわけではなく、設置場所も低いので、周辺の作業者に被害が及ぶおそれがある。
【００４８】
この点で、本実施の形態によれば、第２配管継手部９７から処理ガスが漏洩した場合において、処理ガスが吸込口８４から流入する空気の圧力よりも強い高圧で噴出して吸込口８４へ流れようとしても、吸込口８４を覆う遮蔽板１０１を設けるようにしたので、吸込口８４へ流れようとする漏洩ガスは正面遮蔽部１０２に遮られて、吸込口８４からガスボックス７３外部への流出が困難になる。また、漏洩する処理ガスが正面遮蔽部１０２を上方に迂回して吸込口８４から流出しようとしても、正面遮蔽部１０２と一体的に形成された上部遮蔽部１０３に遮られて、吸込口８４からガスボックス７３外部への流出も困難になる。さらに、漏洩する処理ガスが正面遮蔽部１０２を下方に迂回して隙間８８を通って吸込口８４から流出しようとしても、断面逆Ｌ字状の遮蔽板１０１によって誘導される空気の流れに抗して吸込口８４へ流れることも困難になる。したがって、第２配管継手部９７から処理ガスが漏洩しても、その漏洩ガスは、誘導される空気とともに、ガスボックス７３内を流通して、排気口８１ａから外部へ排気される。その結果、遮蔽板１０１を設けるだけの簡単な構成でありながら、漏洩ガスが、ガスボックス７３の吸込口８４から外へ流出するのをより確実に防止することができる。特に、人体に危険な影響を及ぼす処理ガスを使用したり、爆発性や可燃性の高い処理ガスを使用したりする場合に、メリットが大きい。
【００４９】
上述した空気の流入圧は、例えば、１００〜３００Ｐａ、処理ガスの噴出圧は、８×１０3〜１×１０4Ｐａである。
【００５０】
なお、実施の形態では、吸込口８４をすっぽり覆う三次元的な遮蔽板１０１から構成したが、空間を平面的に仕切る二次元的な遮蔽板で構成してもよい。その場合、上記遮蔽板１０１を構成した正面遮蔽部１０２と上部遮蔽部１０３とを別体にした平面的な遮蔽板としても良い。例えば、吸込口８４と第２配管継手部９７との間に第２配管継手部９７から漏洩する処理ガスが吸込口８４に向かって流れるのを阻止する第１遮蔽板を設け、この第１遮蔽板とは別体で、吸込口８４と排気口８１ａとの間に第２配管継手部９７から漏洩する処理ガスが第１遮蔽板を迂回して吸込口８４から流出するのを阻止する第２遮蔽板を設けるようにしてもよい。
【００５１】
または、遮蔽板を簡略化して上記第１遮蔽板のみで構成することも可能である。たとえば、吸込口８４と第２接続部との間に、第２配管継手部９７から漏洩する処理ガスが吸込口８４に向かって流れるのを阻止する第１遮蔽板のみで構成することも可能である。この場合、第１遮蔽板は、少なくとも第２配管継手部９７から吸込口８４が見えないように、吸込口８４を覆う遮蔽機能を有するものであれば良い。
【００５２】
なお、上述した実施の形態では、装置本体５０とユーティリティ７０とが分離されている別体型縦型拡散・ＣＶＤ装置について説明したが、本発明は、装置本体とユーティリティとを一体化したユーティリティ一体型拡散・ＣＶＤ装置のガスボックスにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の基板処理装置の実施の形態に係る処理ガス筐体としてのガスボックスの概略縦断面図である。
【図２】実施の形態に係る基板処理装置の斜視図である。
【図３】実施の形態に係るガスボックスの説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面（前面）図である。
【図４】実施の形態に係る縦型処理炉の概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
８２  第１配管（第１の処理ガス供給路）
９０  処理ガス供給流量制御部
９６  第１配管継手部（第１の接続部）
８３  第２配管（第２の処理ガス供給路）
９７  第２配管継手部（第２の接続部）
７３  ガスボックス（処理ガス筐体）
８１  排気ダクト
８１ａ  排気口
８４  吸込口
１００  誘導手段
１０１  遮蔽板
ｂ  処理ガス
ｂ’  漏洩ガス
【図１】
2007242791.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2007242791.tif 000006