(57)【要約】【課題】  本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、透過率の損失、及び、応答時間の遅延が抑制または防止された液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】  アレイ基板１０１及び対向基板１０２と、アレイ基板１０１及び対向基板１０２間に挟持された液晶層１９０とを備え、アレイ基板１０１及び対向基板１０２は電圧印加時に液晶層１９０の一部に得られる強電場領域３１に隣接してこの強電場領域３１よりも弱い弱電場領域３２を前記液晶層内に形成する電場制御部を有し、強電場領域３１と弱電場領域３２との境界はジグザク状である液晶表示装置。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２電極基板と、
前記第１及び第２電極基板間に挟持された液晶層とを備え、
前記第１および第２電極基板は電圧印加時に前記液晶層の一部に得られる強電場領域に隣接してこの強電場領域よりも弱い電場の弱電場領域を前記液晶層内に形成する電場制御部を有し、
前記強電場領域と前記弱電場領域との境界はジグザク状である液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１電極基板は画素電極を有し、
前記弱電場領域は前記画素電極に前記電場制御部として設けられる欠落部によって得られる請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記画素電極と前記欠落部との境界はジグザグ状である請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
第２電極基板は対向電極を有し、
前記弱電場領域は前記対向電極上に前記電場制御部として設けられる絶縁体によって得られることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記対向電極と前記絶縁体との境界はジグザグ状である請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記弱電場領域が前記第１電極基板側に積層された配線構造によって得られる請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記強電場領域と前記弱電場領域との境界が３μｍ以上２０μｍ以下の間隔で折れ曲がっている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記液晶層は、誘電異方性が負の液晶材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１及び第２電極基板は、前記液晶材料に対して垂直配向性を有する一対の配向膜を含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特にＭＶＡモードを採用した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルを用いた表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を有するために、ＯＡ機器、情報端末、時計、テレビ等さまざまな分野に応用されている。特にＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置は、その応答性から携帯テレビやコンピュータなど多くの情報を含むデータの表示装置に用いられている。
【０００３】
近年、情報量の増加に伴い液晶表示装置の高精細化や高速応答性が要求され始めている。高精細化を実現するためには、ＴＦＴアレイ構造の微細化により対応がなされている。一方、高速応答性ではネマチック液晶を用いたＯＣＢ方式、ＶＡＮ方式、ＨＡＮ方式、π配列方式、スメクチック液晶を用いた界面安定型強誘電性液晶（ＳＳＦＬＣ）方式、反強誘電性液晶（ＡＦＬＣ）方式が検討されている。
【０００４】
特に、ＶＡＮ型配向モードは、従来のツイストネマチック型（ＴＮ）モードより速い応答速度が得られることや、垂直配向処理の採用により従来静電気破壊など不良原因の発生が危惧されていたラビング配向処理工程を削除可能なことから近年注目されている液晶表示モードである。さらに、ＶＡＮ型モードでは視野角の補償設計が比較的容易なことから広い視野角を実現するためのマルチドメイン型ＶＡＮ（ＭＶＡ）モードが注目されている。
【０００５】
ＭＶＡモードを採用した液晶表示装置では、各ドメインでの液晶分子の配列状態が表示品位に大きな影響を与える。すなわち、例えば、一つのドメインで液晶分子の配列に乱れが生じた場合、各ドメイン間で光透過率が異なることになり、その結果、表示ムラとして視認されてしまう。そのため、各ドメインでの液晶分子配列の乱れを極力防止する必要があるが、従来のＭＶＡモードの液晶表示装置では、そのような乱れが発生するのを避けることができなかった。
【０００６】
また、画素電極とその下地との境界部も液晶分子の配向状態に影響を与える。すなわち、アレイ基板上に形成された画素電極の端部近傍に位置する液晶分子は、画素電極の輪郭を構成する辺に対して垂直に配向する。そのため、画素電極上には、液晶分子がアレイ基板側から対向基板側に向けて左回りの螺旋構造となる領域と、液晶分子がアレイ基板側から対向基板側に向けて右回りの螺旋構造となる領域とが形成される。
【０００７】
単一のドメイン内で、右回りと左回りとの螺旋構造のそれぞれは、その周囲の領域に液晶分子が同様の螺旋構造を形成するような影響を与える。そのため、単一のドメイン内に螺旋構造の回転方向が逆向きの領域がある場合、その領域間にディスクリネーションが発生する。
【０００８】
このようなディスクリネーションが発生した場合、液晶分子を所望の状態に配列させることが難しいため、透過率の損失を生じることがあった。また、ディスクリネーションは、必ずしも最も安定な位置で発生する訳ではなく、通常、ある場所で発生した後により安定な位置へと移動する。そのため、液晶表示装置の応答時間が長くなるという問題を生ずることがあった。
【０００９】
一方、画素電極の端部にスリット部と同じ役割を持たせたＭＶＡモードの液晶表示装置が提案されている。この場合は、例えば図１に示すように、強電場領域３１から弱電場領域３２に向かって生じる漏れ電界によって、傾きを持った電気力線３５が発生する。この傾きを持った電気力線３５に沿ってその誘電異方性を揃えるように液晶分子１９０Ａは一定方向への傾き（チルト）を生じる。
【００１０】
液晶分子１９０Ａが電気力線３５の影響をうける範囲は、強電場領域３１と弱電場領域３２との境界Ｅ２から約１０μｍまでであり、境界Ｅ２から遠いところにある液晶分子１９０Ａは弾性エネルギーを最小にするよう境界Ｅ２近傍の配向方向に従い配向方向が決定される。
【００１１】
一方、弱電場領域３２と強電場領域３１との境界Ｅ２において、液晶分子１９０Ａが広がり変形する性質を有するため、液晶分子１９０Ａはエネルギーが低い捩れ変形状態へと配向緩和する。ここで、配向緩和の捩れ方向は右捩れまたは左捩れの２方向に同じ確率で生じる。結果として、境界から離れた領域で所望の配向方向を向かない部分が発生する場合があった。
【００１２】
上記のように、電圧を印加した瞬間は液晶分子が画素電極の輪郭を構成する辺にほぼ垂直に並ぶが、時間が経過すると、画素電極端部において液晶分子の広がり変形が集中をもたらし、捩れ変形に緩和してしまうため所望の配向状態が得られず、結果として透過率の損失を生じるという問題が報告されている（非特許文献１参照）。
【００１３】
また、この捩れ変形は画素電極端部の至る個所で等確率でおこりうるが、時間の経過とともに一画素電極内でのエネルギーの最小状態に遷移するため、残像として視認されるという問題があった。
【非特許文献１】ＳＩＤ  ９９  ＤＩＧＥＳＴ，ｐ．６２８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、透過率の損失、及び、応答時間の遅延が抑制または防止された液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の態様による液晶表示装置は、第１及び第２電極基板と、前記第１及び第２電極基板間に挟持された液晶層とを備え、前記第１および第２電極基板は電圧印加時に前記液晶層の一部に得られる強電場領域に隣接してこの強電場領域よりも弱い弱電場領域を前記液晶内に形成する電場制御部を有し、前記強電場領域と前記弱電場領域との境界はジグザク状である液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、透過率の損失、及び、応答時間の遅延が抑制または防止された液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。
【００１８】
この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置、例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、液晶表示パネル１００を備えている。液晶表示パネル１００は、図２乃至図４に示すように、アレイ基板１０１と、アレイ基板１０１に対向配置された対向基板１０２と、アレイ基板１０１と対向基板１０２との間に挟持された液晶層１９０とを備えている。
【００１９】
上記の液晶表示パネル１００は、図２に示すように、画像を表示する表示領域１０３は、アレイ基板１０１と対向基板１０２とを貼り合わせる外縁シール部材１０６によって囲まれた領域内に形成されている。表示領域１０３の外周に沿って配置された周辺領域１０４は、外縁シール部材１０６の外側の領域に形成され、額縁状に形成された遮光領域１４１を有している。
【００２０】
表示領域１０３において、アレイ基板１０１は、図３に示すように、マトリクス状に配置されたｍ×ｎ個の画素電極１５１、これら画素電極１５１の行方向に沿って形成されたｍ本の走査線Ｙ１からＹｍ、これら画素電極１５１の列方向に沿って形成されたｎ本の信号線Ｘ１〜Ｘｎ、ｍ×ｎ個の画素電極１５１に対応して走査線Ｙ１〜Ｙｍ、及び、信号線Ｘ１〜Ｘｎの交差位置近傍にスイッチング素子として配置されたｍ×ｎ個の薄膜トランジスタ、すなわち画素ＴＦＴ１２１を有している。
【００２１】
また、周辺領域１０４において、アレイ基板１０１は、走査線Ｙ１〜Ｙｍを駆動する走査線駆動回路１１８、信号線Ｘ１〜Ｘｎを駆動する信号線駆動回路１１９等を有している。
【００２２】
図４に示すように、液晶表示パネル１００のアレイ基板１０１は、表示領域１０３において、ガラス基板などの透明な絶縁性基板１１１上に、マトリクス状に配置された複数の画素にそれぞれ対応して形成されたスイッチング素子すなわち画素ＴＦＴ１２１を有している。画素ＴＦＴ１２１を含む表示領域１０３を覆ってカラーフィルタ層１２４（１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂ）が配置されている。
【００２３】
カラーフィルタ層１２４上には、画素毎に配置された画素電極１５１、複数の柱状スペーサ１３１、及び、複数の画素電極１５１全体を覆うように形成された配向膜１１３Ａを備えている。また、アレイ基板１０１は、周辺領域１０４において、表示領域１０３の外周を取り囲み、透明基板の遮光領域１４１に配置された遮光層ＳＰを備えている。
【００２４】
画素電極１５１は、これらに割り当てられるカラーフィルタ層１２４Ｇ、１２４Ｂ、１２４Ｒ上に配置されたＩＴＯ等の透過性導電部材によって形成されるとともに、カラーフィルタ層１２４を貫通するスルーホール１２６を介して画素ＴＦＴ１２１にそれぞれ接続されている。
【００２５】
各画素ＴＦＴ１２１は、画素電極１５１の行に沿って配置される走査線Ｙおよび画素電極１５１の列に沿って配置される信号線Ｘに接続され、走査線Ｙからの駆動電圧により導通し、信号電圧を画素電極１５１に印加する。
【００２６】
さらに、アレイ基板１０１は、補助容量を形成するためにゲート絶縁膜１６２を介して対向配置された画素電極１５１と同電位の補助容量電極１６１と、所定の電位に設定された補助容量線１５２とを備えている。
【００２７】
信号線Ｘは、層間絶縁膜１７６を介して、走査線Ｙおよび補助容量線１５２に対して略直交するように配置されている。補助容量線１５２は、走査線Ｙと同一の層に同一の材料によって形成されているとともに、走査線Ｙに対して略平行に形成されている。補助容量線１５２の一部は、ゲート絶縁膜１６２を介して補助容量電極１６１に対向配置されている。この補助容量電極１６１は、不純物ドープされたポリシリコン膜によって形成されている。
【００２８】
これら信号線Ｘ、走査線Ｙ、及び補助容量線１５２等の配線部は、アルミニウムや、モリブデン−タングステンなどの遮光性を有する低抵抗材料によって形成されている。この実施の形態では、走査線Ｙ及び補助容量線１５２は、モリブデン−タングステンによって形成され、信号線Ｘは、主にアルミニウムによって形成されている。
【００２９】
画素ＴＦＴ１２１は、補助容量電極１６１と同層のポリシリコン膜によって形成された半導体層１１２を有している。この半導体層１１２は、ガラス基板上に配置されたアンダーコーティング層上に配置され、チャネル領域１１２Ｃの両側にそれぞれ不純物をドープすることによって形成されたドレイン領域１１２Ｄ及びソース領域１１２Ｓを有している。この画素ＴＦＴ１２１は、ゲート絶縁膜１６２を介して半導体層１１２に対向して配置された走査線Ｙと一体のゲート電極１６３を備えている。
【００３０】
画素ＴＦＴ１２１のドレイン電極１８８は、信号線Ｘと一体に形成され、ゲート絶縁膜１６２及び層間絶縁膜１７６を貫通するコンタクトホール１７７を介して半導体層１１２のドレイン領域１１２Ｄに電気的に接続されることによって形成されている。画素ＴＦＴ１２１のソース電極１８９は、ゲート絶縁膜１６２及び層間絶縁膜１７６を貫通するコンタクトホールを介して半導体層１１２のソース領域１１２Ｓに電気的に接続されることによって形成されている。
【００３１】
補助容量電極１６１は、ゲート絶縁膜１６２及び層間絶縁膜１７６を貫通するコンタクトホール１７９を介して信号線Ｘと同一材料によって形成されたコンタクト電極１８０に電気的に接続されている。これにより、画素ＴＦＴ１２１のソース電極１８９、画素電極１５１、及び補助容量電極１６１は、同電位となる。
【００３２】
対向基板１０２は、ガラス基板などの透明な絶縁性基板１１１上に形成された対向電極１５３、及び、この対向電極１５３を覆う配向膜１１３Ｂを有している。対向電極１５３は、アレイ基板１０１側の複数の画素電極１５１全体に対向するように配置されるＩＴＯ等の光透過性導電部材によって形成されている。配向膜１１３Ａは、液晶層１９０に含まれる液晶分子１９０Ａをアレイ基板１０１に対して略垂直な方向に配向する。配向膜１１３Ｂは、液晶層１９０に含まれる液晶分子１９０Ａを対向基板１０２に対して略垂直な方向に配向する。
【００３３】
上記のアレイ基板１０１と対向基板１０２との間に柱状スペーサ１３１が配置され、図４に示すように、アレイ基板１０１と対向基板１０２との間に所定のギャップを形成している。
【００３４】
本実施形態では、対向電極１５３上に畝状絶縁体１８が配置されている。畝状絶縁体１８は、例えば、図５に示すように、画素電極１５１の長手方向に延びるとともに、画素電極１５１に対向するように配置されている。
【００３５】
画素電極１５１の輪郭を形成する端辺Ｅはジグザグ状である。すなわち、画素電極１５１と電場制御部としての画素電極１５１の電極欠落部ＳＬとの境界は、ジグザグ状である。このとき、画素電極１５１と対向電極１３５との間に電圧を印加すると、図６Ａに示すように、画素電極１５１及び対向電極１３５間の液晶層１９０の一部に強電場領域３１が得られる。この強電場領域３１に隣接して、電極欠落部ＳＬ上に強電場領域３１よりも弱い電場の弱電場領域３２が形成される。この強電場領域３１と弱電場領域３２との境界は、画素電極１５１の端辺Ｅに対応するようにジグザグ状になる。
【００３６】
液晶層１９０には、強電場領域３１から弱電場領域３２に向かって生じる漏れ電界によって、傾きを持った電気力線３６が発生する。液晶分子１９０Ａはこの電気力線３６に略垂直に傾斜する。
【００３７】
上記の画素電極１５１の端部では、電圧印加時に液晶分子１９０Ａは図６Ａに示すように配向する。すなわち、画素電極１５１の輪郭を形成する端辺Ｅ上の液晶分子１９０Ａは、端辺Ｅに対して略垂直に配向する。
【００３８】
これらの液晶分子１９０Ａには互いに離れる方向に弾性力が働く。例えば、図６Ａの液晶分子１９０Ａ間では、図中の矢印Ａ１で示す方向に弾性力が働く。この弾性力によって、時間が経過すると図６Ｂに示すように、端辺Ｅ上の液晶分子１９０Ａは互いに離れる方向に移動する。
【００３９】
画素電極１５１の端辺Ｅから遠いところにある液晶分子１９０Ａは、強電場領域３１と弱電場領域３２との境界近傍の液晶分子１９０Ａの平均的な傾斜方向Ａ２に配向する。したがって、上記のように、強電場領域３１と弱電場領域３２との境界をジグザグ状にすると、液晶分子１９０Ａの配向方向を図６Ｂに示すように制御することができる。
【００４０】
このとき、強電場領域３１と弱電場領域３２との境界において、捩れ変形をあらかじめ誘起しておくことによって、広がり変形から捩れ変形への緩和を避けることができ、所望の配向状態を得ることができる。上記のような強電場領域３１と弱電場領域３２との境界を、液晶層１９０内において所定の配分で配置することにより、複数のドメインを持つ画素構造を実現できる。
【００４１】
なお、強電場領域３１と弱電場領域３２との構造は、液晶分子１９０Ａの配向方向を安定化させる上で重要なパラメータとなる。特に、これら強電場領域３１と弱電場領域３２との境界が入り組んだ構造であることが、液晶分子１９０Ａの倒れる方向を安定に制御する上で重要となる。
【００４２】
強電場領域３１と弱電場領域３２との境界が同方向である長さ、すなわち、上記の実施形態における画素電極１５１の端辺Ｅの折れ曲がる間隔Ｌは、３μｍ以上２０μｍ以下となることが配向の安定性および液晶表示装置としての透過率の観点から好ましい。
【００４３】
上記の下限値は、画素電極１５１、メタル電極、誘電体のパターニング精度の安定性を考慮した結果である。上記の上限値は、強電場領域３１の面積によって透過率が決定されることから、表示装置として十分な光透過率を確保できる設計範囲である。上記のように、強電場領域３１と弱電場領域３２との境界が折れ曲がる間隔Ｌを設定すると、強電場領域３１と弱電場領域３２の境界の異方性が液晶分子１９０Ａの配向方向を安定に生成することができる。
【００４４】
上述したように、本実施形態の液晶表示装置では、マルチドメイン型液晶モードにおいてドメイン分割を形成する要素が、画素電極１５１内の強電場領域３１と弱電場領域３２とによって構成される。この構成により生じる配向分割構造により、本実施形態では、高い光透過率と広い視野角および安定な応答時間を確保することが可能な液晶表示パネル１００を備えた液晶表示装置を提供することができる。
【００４５】
すなわち、本発明によれば、配向状態の乱れおよびディスクリネーションによる透過率の損失が抑制または防止されたＭＶＡモードの液晶表示装置を提供することができる。また、配向状態の遷移およびディスクリネーションの移動による応答時間の遅延が抑制または防止されたＭＶＡモードの液晶表示装置を提供することができる。
【００４６】
以下に、上記の実施形態の製造例について説明する。以下の各製造例では、画素電極１５１上に４つのドメインが形成されている。各ドメインにおける液晶分子１９０Ａは、互いに異なる配向パターンとなっている。一つの配向パターンにおける液晶分子１９０Ａは、その傾き方向が他の配向パターンにおける傾き方向に対して各々９０度、１８０度、２７０度回転した方向を向くように配置されている。これらドメインは互いに視野角特性を補償する効果があるので、広い視野角特性を有する液晶表示装置を提供することができる。
【００４７】
製造例１に係る液晶表示装置は、図５に示すように、画素電極１５１の端辺Ｅがジグザグ状となっている。すなわち、電場制御部として、上記のような画素電極の輪郭を形成する電極欠落部ＳＬが配置されている。上記の画素電極１５１を備えたアレイ基板１０１を用いて液晶表示パネル１００を構成した。本製造例では、画素電極１５１の端辺Ｅは、１０μｍ毎に直角に折れ曲がった形状である。すなわち、弱電場領域３２と強電場領域３１との境界は、その折れ曲がる間隔が１０μｍとなっている。
【００４８】
アレイ基板１０１とアレイ基板１０１に対向する対向基板１０２上とには、垂直性を示す配向膜１１３Ａ、１１３Ｂを７０ｎｍ厚さで塗布した。上記のアレイ基板１０１と対向基板１０２とを直径４μｍの樹脂ビーズをスペーサに用いて組み合せ、誘電率異方性が負の液晶材料をアレイ基板１０１と対向基板１０２との間に充填して液晶表示パネル１００を形成した。
【００４９】
上記の構成以外は前述の実施形態に係る液晶表示装置と同様である。この液晶表示パネル１００の透過率と応答時間の評価結果を図１０に示す。
【００５０】
製造例２に係る液晶表示装置は、図７に示すように、畝状絶縁体１８のパターン以外は製造例１と同様の液晶表示パネル１００を有している。本製造例における畝状絶縁体１８は、略Ｙ字形状と略逆Ｙ字形状とを接続した形状となっている。この液晶表示パネル１００の透過率と応答時間の評価結果を図１０に示す。
【００５１】
製造例３に係る液晶表示装置は、図８に示すように、画素電極１５１の端辺Ｅが直線状である。畝状絶縁体１８は、製造例２と同様に略Ｙ字形状と略逆Ｙ字形状とを接続した形状であるとともに、画素電極１５１の長手方向と略平行に延びる部分の端辺Ｅ１が、ジグザグ状となっている。すなわち、本製造例では電場制御部として畝状絶縁体１８が配置されている。上記の構成以外は、製造例１と同様の構成である。この液晶表示パネル１００の透過率と応答時間の評価結果を図１０に示す。
【００５２】
製造例４に係る液晶表示装置は、図９に示すように、画素電極１５１の端辺Ｅは、製造例１及び製造例２と同様にジグザグ状である。畝状絶縁体１８は、製造例３と同様に、略Ｙ字形状と略逆Ｙ字形状とを接続した形状であるとともに、画素電極１５１の長手方向と略平行に延びる畝状絶縁体１８の端辺Ｅ１がジグザグ状となっている。
【００５３】
すなわち、本製造例では電場制御部として、畝状絶縁体１８及び画素電極１５１の輪郭を形成する電極欠落部ＳＬが配置されている。上記の構成以外は、製造例１と同様である。この液晶表示パネル１００の透過率と応答時間の評価結果を図１０に示す。
【００５４】
図１０に示すように、上記の製造例１乃至製造例４によれば、安定したドメイン分割による広い視野角特性を有するとともに、液晶配向の乱れなどの光透過率低下要因が少なく、明るいマルチドメイン型垂直配向表示モードの液晶表示装置を提供することが出来る。
【００５５】
特に、強電場領域３１と弱電場領域３２とは、製造工程を増加することなく形成することができる。このことから、生産コストの上昇を抑制し、生産性の向上を図ることができる。
【００５６】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。
【００５７】
液晶分子１９０Ａのチルト制御をする手段として、強電場領域３１と弱電場領域３２とを形成するには、画素電極１５１を形成するＩＴＯや信号電圧を印加するための金属配線（Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ）等を用いることができる。特に、画素電極１５１を用いる場合にはチルト制御手段となる画素電極１５１の電極欠落部ＳＬを画素内で比較的自由に設計できることから透過率や応答速度および視野角の点からも好ましい。
【００５８】
電極または配線の積層構造としては、ＩＴＯ透明電極上に透明絶縁層を介して積層された信号線Ｘや走査線Ｙ、更には補助容量配線などを用いることが出来る。透過型液晶表示装置においてはＩＴＯなどの透明電極の積層構造が透過率、視野角の観点から最も好ましいが、反射型液晶表示装置であれば不透明な金属配線を用いることも可能である。
【００５９】
また、画素電極１５１の上に誘電体材料を用いてパターンを形成することによっても電場の強弱領域を発生させることが可能である。本構造には液晶材料の誘電率より小さい誘電率を示すアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂などを用いることが可能である。特に、液晶層透過率を重視する設計では微細加工の可能な樹脂材料を用いることが好ましい。上記の誘電体材料を用いる場合であっても、強電場領域３１と弱電場領域３２との境界をジグザグ状にすることによって上記の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６０】
また、液晶のモードとしては誘電異方性が正のＮｐ型液晶を用いる事も可能であるが、電場の強弱による配向方向とチルト方向の制御を効果的に行うには、誘電異方性が負のＮｎ型液晶を垂直配向させたＶＡＮ型モードが最も好ましい。特にコントラストを重視する表示装置においてはＶＡＮ型モードのノーマリブラック設定と本発明の配向分割状態との組み合せにより、５００：１以上の高いコントラストと高透過率設計による明るい画面の設計が可能である。
【００６１】
上記の実施形態及び製造例では、画素電極１５１の端辺は間隔Ｌで折れ曲がる略直線によって構成されているが、間隔Ｌで曲がる曲線であっても良い。このとき、画素電極１５１の端辺上における液晶分子１９０Ａの平均方向を所定の方向にすることによって、上記の実施形態及び製造例と同様の効果を得ることができる。
【００６２】
また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】従来の液晶表示装置における液晶分子の配向方向を説明する図。
【図２】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置が備える液晶表示パネルの一例を概略的に示す平面図。
【図３】図２に示す液晶表示パネルの構成の一例を説明する図。
【図４】図２に示す液晶表示パネルの構成の一例を説明する断面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置における液晶分子の配向制御について説明する図。
【図６Ａ】図５に示す画素電極の端部における液晶分子の配向制御について説明する図。
【図６Ｂ】図５に示す画素電極の端部における液晶分子の配向制御について説明する図。
【図７】本発明の一製造例に係る液晶表示装置における液晶分子の配向制御について説明する図。
【図８】本発明の一製造例に係る液晶表示装置における液晶分子の配向制御について説明する図。
【図９】本発明の一製造例に係る液晶表示装置における液晶分子の配向制御について説明する図。
【図１０】本発明の製造例に係る液晶表示装置の一評価結果を示す図。
【符号の説明】
【００６４】
１８…畝状絶縁体、３１…強電場領域、３２…弱電場領域、３５、３６…電気力線、１００…液晶表示パネル、１０１…アレイ基板、１０２…対向基板、１０３…表示領域、１０４…周辺領域、１０６…外縁シール部材、１１３Ａ…配向膜、１１３Ｂ…配向膜、１２１…画素ＴＦＴ、１２４…カラーフィルタ層、１２４Ｇ…カラーフィルタ層（Ｇ）、１２４Ｂ…カラーフィルタ層（Ｂ）、１２４Ｒ…カラーフィルタ層（Ｒ）、１５１…画素電極、１５３…対向電極、１９０…液晶層、１９０Ａ…液晶分子、Ａ２…平均配向方向、Ｅ、Ｅ１、Ｅ２…端辺、ＳＬ…電極欠落部、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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