(57)【要約】【課題】高品質な発光素子と、当該発光素子を製造する発光素子の製造方法、および当該発光素子を製造することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子を、被処理基板上に形成する、基板処理装置であって、前記被処理基板上に形成された前記第１の電極上に前記有機層を形成する有機層形成装置と、前記有機層上に前記第２の電極を形成する電極形成装置と、前記有機層をエッチングするエッチング装置と、を有することを特徴とする基板処理装置。【選択図】図４
2007220360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子の製造方法であって、
基板上に形成された前記第１の電極上に、前記有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層上に前記第２の電極を形成する電極形成工程と、
前記有機層をエッチングするエッチング工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程では、前記第２の電極をマスクにして前記有機層をエッチングすることを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記電極形成工程では、前記第２の電極を所定の形状に成膜することを特徴とする請求項２記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング工程では、Ｎ２を含む処理ガスをプラズマ励起して前記有機層をエッチングすることを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記処理ガスは、希ガスを含むことを特徴とする請求項４記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２の電極は、Ａｇを主成分とすることを特徴とする請求項４または５記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子を、被処理基板上に形成する、基板処理装置であって、
前記被処理基板上に形成された前記第１の電極上に前記有機層を形成する有機層形成装置と、
前記有機層上に前記第２の電極を形成する電極形成装置と、
前記有機層をエッチングするエッチング装置と、を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記被処理基板を前記有機層形成装置から前記電極形成装置へ搬送する第１の搬送手段と、前記被処理基板を前記電極形成装置から前記エッチング装置へ搬送する第２の搬送手段と、を有することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記有機層形成装置、前記電極形成装置、および前記エッチング装置は、前記第１の搬送手段、または前記第２の搬送手段を有する搬送室に接続されていることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記搬送室を複数有することを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記有機層形成装置、前記電極形成装置、および前記エッチング装置が、それぞれ異なる搬送室に接続された構造を有することを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記有機層の形成と、該有機層上の前記第２の電極の形成と、該有機層のエッチングが連続的に実施可能に構成されていることを特徴とする請求項７乃至１１のうち、いずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記エッチング装置は、前記第２の電極をマスクにして前記有機層をエッチングすることを特徴とする請求項７乃至１２のうち、いずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記エッチング装置は、Ｎ２を含む処理ガスをプラズマ励起して前記有機層をエッチングすることを特徴とする請求項７乃至１３のうち、いずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記エッチング装置は、高密度プラズマにより前記処理ガスを励起することを特徴とする請求項１４記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記処理ガスは、希ガスを含むことを特徴とする請求項１５記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記電極形成装置は、前記有機層上にＡｇを主成分とする前記第２の電極を形成することを特徴とする請求項１４乃至１６のうち、いずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記第２の電極を覆うように保護膜を形成する保護膜形成装置をさらに有することを特徴とする請求項７乃至１７のうち、いずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項１９】
第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子であって、
平面視した場合に前記第第２の電極と前記有機層が実質的に同じ形状にパターニングされていることを特徴とする発光素子。
【請求項２０】
前記第２の電極を構成する金属の表面が窒化されていることを特徴とする請求項１９記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２つの電極の間に有機発光層が形成されてなる発光素子および当該発光素子を形成するための基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、従来用いられてきたＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）に換わって、薄型にすることが可能な平面型表示装置の実用化が進んでおり、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は自発光、高速応答などの特徴を有するために、次世代の表示装置として着目されている。また、有機ＥＬ素子は、表示装置のほかに、面発光素子としても用いられる場合がある。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、陽電極（正電極）と陰電極（負電極）の間に有機ＥＬ層（発光層）を含む有機層が狭持された構造となっており、当該発光層に正極から正孔を、負極から電子を注入してそれらの再結合をさせることによって、当該発光層を発光させる構造になっている。
【０００４】
また、前記有機層には、必要に応じて陽極と発光層の間、または陰極と発光層の間に、例えば正孔輸送層、または電子輸送層など発光効率を良好とするための層を付加することも可能である。
【０００５】
例えば、図１Ａ〜図１Ｄは、上記の発光素子を形成する方法の一例を、手順を追って示した図である。
【０００６】
まず、図１Ａに示す工程では、陽電極１２と、後の工程で形成される陰電極の引き出し線１３が形成された基板１１を用意する。前記基板１１には、例えば前記陽電極１２に接続されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などのアクティブマトリクス駆動回路が形成されていてもよい。
【０００７】
次に、図１Ｂに示す工程において、前記陽電極１２上に、発光層（有機ＥＬ層）を含む有機層１４を蒸着法により形成する。この場合、前記有機層１４は、前記基板１１の全面に成膜されるわけではなく、例えば前記引き出し線１３が露出するように、所定のパターニングがされて形成されることが好ましい。この場合、蒸着膜のパターニングは、例えば基板上にパターニングされたマスク（図示せず）を装着して蒸着する、いわゆるマスク蒸着法により行うことが広く行われている。
【０００８】
次に、図１Ｃに示す工程において、例えばスパッタリング法により、前記有機層１４上に陰電極１５を形成する。次に、図１Ｄに示す工程において、有機層を覆うように保護層（絶縁層）１６を形成し、発光素子を形成している。
【特許文献１】特開２００４−２２５０５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、有機層を蒸着する場合には前記基板１１や、該基板１１上に装着されたマスク（ステンシルマスク）が高温になってしまう問題があった。このため、基板上に装着されたマスクが熱により変形し、マスク蒸着によるパターンニングの精度が悪化して発光素子の品質が低下してしまう場合があった。
【００１０】
また、マスクの熱による変形や、マスクの着脱の際に、パーティクルが発生する場合があり、発光素子の品質の低下や歩留まりが低下してしまう問題が生じる場合があった。
【００１１】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な発光素子の製造方法と、発光素子を製造する基板処理装置を提供することを統括的課題としている。
【００１２】
本発明の具体的な課題は、高品質な発光素子と、当該発光素子を製造する発光素子の製造方法、および当該発光素子を製造することが可能な基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上記の課題を、
請求項１に記載したように、
第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子の製造方法であって、
基板上に形成された前記第１の電極上に、前記有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層上に前記第２の電極を形成する電極形成工程と、
前記有機層をエッチングするエッチング工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法により、また、
請求項２に記載したように、
前記エッチング工程では、前記第２の電極をマスクにして前記有機層をエッチングすることを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項３に記載したように、
前記電極形成工程では、前記第２の電極を所定の形状に成膜することを特徴とする請求項２記載の発光素子の製造方法。により、また、
請求項４に記載したように、
前記エッチング工程では、Ｎ２を含む処理ガスをプラズマ励起して前記有機層をエッチングすることを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項５に記載したように、
前記処理ガスは、希ガスを含むことを特徴とする請求項４記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項６に記載したように、
前記第２の電極は、Ａｇを主成分とすることを特徴とする請求項４または５記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項７に記載したように、
第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子を、被処理基板上に形成する、基板処理装置であって、
前記被処理基板上に形成された前記第１の電極上に前記有機層を形成する有機層形成装置と、
前記有機層上に前記第２の電極を形成する電極形成装置と、
前記有機層をエッチングするエッチング装置と、を有することを特徴とする基板処理装置により、また、
請求項８に記載したように、
前記被処理基板を前記有機層形成装置から前記電極形成装置へ搬送する第１の搬送手段と、前記被処理基板を前記電極形成装置から前記エッチング装置へ搬送する第２の搬送手段と、を有することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置により、また、
請求項９に記載したように、
前記有機層形成装置、前記電極形成装置、および前記エッチング装置は、前記第１の搬送手段、または前記第２の搬送手段を有する搬送室に接続されていることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置により、また、
請求項１０に記載したように、
前記搬送室を複数有することを特徴とする請求項９記載の基板処理装置により、また、
請求項１１に記載したように、
前記有機層形成装置、前記電極形成装置、および前記エッチング装置が、それぞれ異なる搬送室に接続された構造を有することを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置により、また、
請求項１２に記載したように、
前記有機層の形成と、該有機層上の前記第２の電極の形成と、該有機層のエッチングが連続的に実施可能に構成されていることを特徴とする請求項７乃至１１のうち、いずれか１項記載の基板処理装置により、また、
請求項１３に記載したように、
前記エッチング装置は、前記第２の電極をマスクにして前記有機層をエッチングすることを特徴とする請求項７乃至１２のうち、いずれか１項記載の基板処理装置により、また、
請求項１４に記載したように、
前記エッチング装置は、Ｎ２を含む処理ガスをプラズマ励起して前記有機層をエッチングすることを特徴とする請求項７乃至１３のうち、いずれか１項記載の基板処理装置により、また、
請求項１５に記載したように、
前記エッチング装置は、高密度プラズマにより前記処理ガスを励起することを特徴とする請求項１４記載の基板処理装置により、また、
請求項１６に記載したように、
前記処理ガスは、希ガスを含むことを特徴とする請求項１５記載の基板処理装置により、また、
請求項１７に記載したように、
前記電極形成装置は、前記有機層上にＡｇを主成分とする前記第２の電極を形成することを特徴とする請求項１４乃至１６のうち、いずれか１項記載の基板処理装置により、また、
請求項１８に記載したように、
前記第２の電極を覆うように保護膜を形成する保護膜形成装置をさらに有することを特徴とする請求項７乃至１７のうち、いずれか１項記載の基板処理装置により、また、
請求項１９に記載したように、
第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子であって、
平面視した場合に前記第第２の電極と前記有機層が実質的に同じ形状にパターニングされていることを特徴とする発光素子により、また、
請求項２０に記載したように、
前記第２の電極を構成する金属の表面が窒化されていることを特徴とする請求項１９記載の発光素子により、解決する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、高品質な発光素子と、当該発光素子を製造する発光素子の製造方法、および当該発光素子を製造することが可能な基板処理装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明の実施の形態に関して、図面に基づき説明する。
【実施例１】
【００１６】
本実施例による発光素子の製造方法は、第１の電極（陽電極）と第２の電極（陰電極）の間に、発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子の製造方法であって、基板上に形成された前記第１の電極上に前記有機層を形成する有機層形成工程と、前記有機層上に前記第２の電極を形成する電極形成工程と、前記有機層をエッチングするエッチング工程と、を有することを特徴としている。
【００１７】
すなわち、本実施例では、上記の有機層のパターニングを、マスク蒸着によらずにエッチングによるパターニングにより行っていることが特徴である。このような発光素子の製造方法の一例について、図２Ａ〜図２Ｆに基づき、手順を追って説明する。ただし以下の図中では、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する場合がある。
【００１８】
まず、図２Ａに示す工程において、例えばガラスなどよりなる透明な基板１０１上に、ＩＴＯなどの透明な材料よりなる陽電極１０２と、後の工程で形成される陰電極の引き出し線２０３とが形成されてなる、いわゆる電極つきの基板を用意する。この場合、前記陽電極１０２（前記引き出し線１０３）は、例えばスパッタリング法などにより形成される。
【００１９】
また、前記基板１０１には、例えばＴＦＴなどの発光素子の発光を制御する制御素子が組み込まれていても良い。例えば、本実施例により形成される発光素子を表示装置に用いる場合には、画素ごとに、例えばＴＦＴなどの制御用の素子が組み込まれる場合が多い。
【００２０】
この場合、ＴＦＴのソース電極と上記の陽電極１０２個が接続され、さらにＴＦＴのゲート電極とドレイン電極は、格子状に形成されたゲート線とドレイン線に接続され、画素ごとの表示の制御が行われる。この場合、前記引き出し線１０３は、所定の制御回路（図示せず）に接続される。このような表示装置の駆動回路は、アクティブマトリクス駆動回路と呼ばれている。なお、本図では、このようなアクティブマトリクス駆動回路の図示は省略している。
【００２１】
次に、図２Ｂに示す工程において、前記陽電極１０２、前記引き出し線１０３、および前記基板１０１の上に、該記陽電極１０２、該引き出し線１０３、および該基板１０１の露出部を覆うように、発光層（有機ＥＬ層）を含む有機層１０４を、蒸着法により形成する。この場合、蒸着にあたってマスクは用いず、実質的に基板の全面に前記有機層１０４を形成する。
【００２２】
次に、図２Ｃに示す工程において、前記有機層１０４上に、例えばＡｇよりなる陰電極１０５を、例えばパターンマスクを用いたスパッタリングにより、所定の形状にパターニングして形成する。また、前記陰電極１０５のパターニングは、前記陰電極１０５を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング法により行ってもよい。
【００２３】
次に、図２Ｄに示す工程において、図２Ｃに示した工程において形成された、パターニングされた前記陰電極１０５をマスクにして、例えばプラズマエッチングにより、前記有機層１０４のエッチングを行って、当該有機層１０４のパターニングを行う。この工程において、前記有機層１０４の剥離が必要な領域（例えば前記引き出し線１０３上や、その他発光層が不要な領域）がエッチングにより除去され、該有機層１０４のパターニングが行われる。
【００２４】
次に、図２Ｅに示す工程において、前記陰電極１０５と前記引き出し線１０３を電気的に接続する接続線１０５ａを、例えばパターンマスクを用いたスパッタリングにより、パターニングして形成する。
【００２５】
次に、図２Ｆに示す工程において、前記陽電極１０２の一部、前記引き出し線１０３の一部、前記有機層１０４、前記陰電極１０５、および前記接続線１０５ａを覆うように、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる絶縁性の保護膜１０６を、パターンマスクを用いたＣＶＤ法により、前記基板１０１上に形成する。
【００２６】
このようにして、前記基板１０１上に、前記陽電極１０２と前記陰電極１０５の間に前記有機層１０４が形成されてなる、発光素子１００を形成することができる。上記の発光素子１００は、有機ＥＬ素子と呼ばれる場合がある。
【００２７】
前記発光素子１００は、前記陽電極１０２と前記陰電極１０５の間に電圧が印加されることで、前記有機層１０４に含まれる発光層に、前記陽電極１０２から正孔が、前記陰電極１０５から電子が注入されてそれらが再結合され、発光する構造になっている。
【００２８】
当該発光層は、例えば、多環芳香族炭化水素、ヘテロ芳香族化合物、有機金属錯体化合物等の材料を用いて形成することが可能であり、上記の材料は例えば蒸着法により、形成することが可能である。
【００２９】
また、前記発光層での発光効率が良好となるように、前記有機層１０４には、当該発光層と前記陽電極１０２との間に、例えば、正孔輸送層，正孔注入層などが形成されていてもよい。また、当該正孔輸送層，正孔注入層は、そのいずれかが、またはその双方が省略される構造であってもよい。
【００３０】
同様に、前記発光層での発光効率が良好となるように、前記有機層１０４には、当該発光層と前記陰電極１０５との間に、例えば、電子輸送層，電子注入層が形成されていてもよい。また、当該電子輸送層，電子注入層は、そのいずれかが、またはその双方が省略される構造であってもよい。
【００３１】
また、前記有機層１０４と前記陰電極１０５との界面には、当該界面の仕事関数を調整するため（発光効率を良好とするため）の物質、例えば、Ｌｉ、ＬｉＦ、ＣｓＣＯ３などが添加された層が形成されていてもよい。
【００３２】
例えば、前記発光層は、例えば、ホスト材料にアルミノキノリノール錯体（Ａｌｑ３）、ドーピング材にはルブレンを用いて形成することができるが、これに限定されず、様々な材料を用いて形成することが可能である。
【００３３】
例えば、前記陽電極１０２の厚さは１００μｍ乃至２００μｍ、前記有機層１０３の厚さは５０μｍ乃至２００μｍ、前記陰電極１０４の厚さは５０μｍ乃至３００μｍに形成される。
【００３４】
また、例えば、前記発光素子１００は、表示装置（有機ＥＬ表示装置）や、面発光素子（照明・光源など）に適用することができるが、これらに限定されるものではなく、様々な電子機器に用いることが可能である。
【００３５】
上記に説明した、本実施例による発光素子の製造方法を用いれば、前記有機層１０４を形成する場合に、従来のようにマスク蒸着法を用いる必要が無くなる。このため、マスク蒸着法に起因する様々な問題を回避することができる。例えば、蒸着時のマスクの温度上昇によるマスク変形に起因する、蒸着膜（有機層１０４）のパターニング精度の低下の問題を回避することができる。
【００３６】
このような問題は、特に成膜時の温度が高い蒸着工程で顕著であり、成膜温度が比較的低温であるスパッタリング工程に比べて大きな問題となる場合があった。本実施例による発光素子の製造方法では、このようなパターニング精度の低下の問題を回避し、パターニング精度を良好にして、高品質の発光素子を形成することができる。
【００３７】
また、従来のマスク蒸着法では、上記のマスクの変形が生じた場合や、またはマスクの装着、脱着の際にパーティクルの発生が生じる場合があり、発光素子の品質や歩留まりを低下させる場合があった。本実施例による発光素子の製造方法を用いた場合、マスク蒸着に起因するパーティクルの発生を抑制することが可能となり、高品質の発光素子を、歩留まりを良好に製造することが可能となる。
【００３８】
また、本実施例による製造方法では、当該陰電極１０５をマスクにして前記有機層１０４をエッチングしているため、例えば従来のプラズマエッチングのように、フォトレジスト法などのマスクパターンを形成する工程が不要となり、製造工程が単純となるため、好適である。
【００３９】
また、前記保護膜１０６をプラズマＣＶＤ法で形成する場合に、前記有機層１０４が前記陰電極１０５で覆われているため、当該有機層１０４への保護膜形成の際のダメージが抑制されて、発光素子の寿命が長くなるメリットがある。
【００４０】
また、前記陽電極１０５をマスクにして前記有機層１０４をエッチングしているため、例えば隣接する陰電極１０５の間の有機層１０４は除去されることになる。しかし、表示のための発光は当該陰電極１０５と前記陽電極１０２に挟まれた領域で生じるため、表示上問題が生じることは無く、表示品質は通常の表示装置と同様に良好である。すなわち、当該陰電極１０５をマスクにしたエッチングは、表示（発光）のための有機層（発光層）が確実に確保（マスク）され、保護されるとともに製造方法が単純であり、好適な方法である。
【００４１】
また、前記発光素子１００では、平面視した場合に、前記陰電極１０５と前記有機層１０４が実質的に同じ形状にパターニングされるため、以下に説明するように、従来の発光素子と比較した場合に、発光面積を実質的に大きくすることが可能となる。
【００４２】
例えば、図１Ｄに示す従来の発光素子では、前記有機層１４をマスク蒸着法により形成した後で前記陰電極１５をパターニングして形成しているため、陽電極と陰電極の絶縁を確実にするための加工のマージンを確保する必要があった。そのために、前記有機層１４を前記陰電極１５よりも大きくする必要があり、実質的な発光面積が小さくなってしまう問題があった。
【００４３】
一方、本実施例による発光素子１００では、前記有機層１０４のパターニングを、前記陰電極１０５のパターニングの後で、当該陰電極１０５をマスクにして行っているため、平面視した場合に、前記陰電極１０５と前記有機層１０４が実質的に同じ形状（実質的に同じ面積）にパターニングされる。このため、本実施例による発光素子では、陰電極と陽電極に挟まれない絶縁のマージンのための有機層が殆ど存在せず、パターニングされた有機層の発光に寄与する面積の割合が従来に比べて大きい特徴がある。
【００４４】
また、前記有機層１０４をプラズマエッチングするための、プラズマ励起されるガス（以下文中処理ガス）は、例えば、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）、などを用いることができる。しかし、前記陰電極１０５が、例えばＡｇを主成分としている場合、前記処理ガスには、酸素または水素を用いないことが好ましい。
【００４５】
例えば、前記処理ガスに酸素または水素を用いた場合、前記陰電極１０５を構成するＡｇは、プラズマ励起された活性な酸素または水素に曝されることになる。このため、前記陰電極１０５が腐食するか、または前記陰電極１０５と前記有機層１０４の界面の剥離が発生する場合があった。このため、前記陰電極１０５を、例えば腐食に対する耐性が大きいＡｌを主成分として構成してもよい。
【００４６】
また、このような前記陰電極１０５の腐食や、または前記陰電極１０５のエッチングの影響を抑制するため、当該陰電極１０５を構成する金属（例えばＡｇまたはＡｌなど）の表面を窒化して（窒化膜よりなる保護膜を設けて）、陰電極を保護するように構成してもよい。
【００４７】
一方で、上記の発光素子１００のような、いわゆるボトムエミッション型の発光素子の場合、前記陰電極１０５は、前記有機層１０４（発光層）からの発光の反射層として用いられる。このため、前記陰電極１０５の可視光線の反射率が高いことが好ましく、例えば、前記陰電極１０５は、可視光線の反射率が高いＡｇを主成分とするように構成することが好ましい。この場合、Ａｇを主成分とした材料とは、Ａｇの反射率を実質的に低下させない程度にＡｇの純度が高く維持された（実質的な純Ａｇを含む）材料を示している。
【００４８】
そこで、特に前記陰電極１０５がＡｇを主成分とした材料により構成されている場合には、例えば前記処理ガスとして窒素（Ｎ２）を用いることが好ましい。例えば、窒素は上記の酸素や水素に比べてＡｇなどの金属を腐食させる影響が少なく、また効率的に前記有機層１０４をエッチングすることが可能である。例えば、Ｃ、Ｈを含む有機層は、以下の式で示される反応により、プラズマエッチングにより除去することができると考えられる。
【００４９】
ＣｘＨｙ  ＋  Ｎ＊ｚ  →  ＨＣＮ↑  （Ｎ＊はＮのラジカルを示す）
このため、処理ガスとしてＮ２を用いた場合には、Ａｇを主成分とした前記陰電極１０５をマスクとしたプラズマエッチングで、当該陰電極１０５に与えるダメージを抑制しながら、効率よく前記有機層１０４のエッチングを行うことが可能である。
【００５０】
また、処理ガスとしてＮ２を用いた場合には、さらに処理ガスに希ガス（例えば、Ｈｅ，Ａｒ，Ｘｅなど）を加えて用いることが好ましい。この場合、希ガスが窒素のプラズマによる解離に寄与するため、窒素の解離が促進されてエッチングの効率が上昇する効果を奏する。また、処理ガスに希ガスが添加される場合、希ガスの種類によってエッチングの効率（エッチング速度）が異なることが本発明の発明者によって見出されている。例えば、処理ガスとして窒素と希ガス（例えばＨｅ，Ａｒ，Ｘｅのいずれか）の混合ガスを用いた場合、エッチング速度は、混合される希ガスの種類が、Ｈｅ，Ａｒ，Ｘｅの順に高くなることが見出されている。
【００５１】
すなわち、上記の結果は、希ガスのイオンによる物理的なエッチングの影響よりも、希ガスが窒素の解離に寄与する大きさ（電子温度）が、エッチングの効率（速度）に大きく寄与することを示唆していると考えられる。
【００５２】
このため、前記処理ガスを解離する、エッチング装置（プラズマエッチング装置）のプラズマとしては、窒素を高効率で解離する、いわゆる高密度プラズマ（マイクロ波プラズマ、ＩＣＰなど）を用いることが好ましい。上記のエッチング装置の例を含む、発光素子を製造するための基板処理装置の構成例については、実施例３以下で後述する。
【００５３】
また、本発明による発光素子の製造方法は、本実施例に限定されず、以下に説明するように、様々に変形・変更することが可能である。
【実施例２】
【００５４】
図３Ａ〜図３Ｇは、本発明の実施例２による発光素子の製造方法を、手順を追って示した図である。ただし以下の図中では、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する場合がある。
【００５５】
まず、図３Ａ〜図３Ｄに示す工程は、実施例１の場合の図２Ａ〜図２Ｄに示した工程に相当する。本実施例による、基板２０１、陽電極２０２、引き出し線２０３、有機層２０４、および陰電極２０５は、それぞれ、実施例１の場合の、基板１０１、陽電極１０２、引き出し線１０３、有機層１０４、および陰電極１０５に相当し、実施例１に記載した場合と同様の材料、同様の方法で形成することが可能である。
【００５６】
本実施例の場合、前記陰電極２０５の形状が実施例１の場合と異なっており、前記陰電極２０５の面積が小さくなっている。このため、図３Ｄの工程において、前記陽電極２０２と前記引き出し線２０３の間の前記有機層２０４が、エッチングにより除去されている。
【００５７】
次に、図３Ｅに示す工程では、前記陽電極２０２の一部と、前記有機層２０４、および前記陰電極２０５を覆うように、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる絶縁性の保護膜２０６を、パターンマスクを用いたＣＶＤ法により、前記基板２０１上に形成する。また、当該保護膜２０６は、前記陰電極２０５の一部が露出する開口部を有するように形成される。
【００５８】
次に、図３Ｆに示す工程において、前記陰電極２０５と前記引きだし線２０３を、当該開口部を介して電気的に接続する接続線２０５ａを、例えばパターンマスクを用いたスパッタリングにより、パターニングして形成する。
【００５９】
さらに、図３Ｇに示す工程において、当該接続線２０５ａと、前記引き出し線２０３の一部を覆うように、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる絶縁性の保護膜２０６ａを、パターンマスクを用いたＣＶＤ法により、前記基板２０１上に形成する。
【００６０】
このようにして、前記基板２０１上に、前記陽電極２０２と前記陰電極２０５の間に前記有機層２０４が形成されてなる、発光素子２００を形成することができる。先に説明したように、本実施例による、基板２０１、陽電極２０２、引き出し線２０３、有機層２０４、および陰電極２０５は、それぞれ、実施例１の場合の、基板１０１、陽電極１０２、引き出し線１０３、有機層１０４、および陰電極１０５に相当し、本実施例では実施例１の製造方法と同様の効果を奏することは明らかである。
【００６１】
本実施例の場合、前記陽電極２０２と前記引き出し線２０３（前記陰電極２０５）の絶縁に、絶縁性の高い、例えば窒化シリコンよりなる前記保護膜２０６が用いられていることが特徴である。そのため、実施例１の場合（前記陽電極１０２と前記引き出し線１０３絶縁に有機層が用いられている）と比較して、陽極と陰極の絶縁性が高く、発光素子の信頼性が高い特徴を有している。
【実施例３】
【００６２】
次に、実施例１に記載した発光素子１００を製造する基板処理装置の構成の一例について、図４に基づき説明する。
【００６３】
図４は、前記発光素子１００を製造する基板処理装置３００の構成の一例を模式的に示した平面図である。
【００６４】
図４を参照するに、本実施例による基板処理装置３００は、処理室や成膜装置、またはエッチング装置などが、被処理基板が搬送される搬送室ＴＣ１，ＴＣ２，ＴＣ３，ＴＣ４，ＴＣ５のいずれかに接続された構造を有している。前記搬送室ＴＣ１，ＴＣ２，ＴＣ３，ＴＣ４，ＴＣ５は、処理室や成膜装置、またはエッチング装置などを接続するための４つの接続面をそれぞれ有している。また、前記搬送室ＴＣ１，ＴＣ２，ＴＣ３，ＴＣ４，ＴＣ５は、被処理基板を搬送する搬送手段（搬送アーム）ＴＡ１，ＴＡ２，ＴＡ３，ＴＡ４，ＴＡ５が、それぞれ内部に設置された構造を有している。
【００６５】
前記搬送室ＴＣ１，ＴＣ２，ＴＣ３，ＴＣ４，ＴＣ５のいずれかに接続されるのは、例えば、被処理基板の前処理（クリーニングなど）を行う前処理室ＣＬ１、被処理基板または被処理基板に装着するマスクのアライメント（位置決め）を行うアライメント処理室ＡＬ１，ＡＬ２，ＡＬ３，ＡＬ４，ＡＬ５、前記有機層１０４を蒸着法により形成する（図２Ｂに示した工程を実施する）成膜装置（有機層形成装置）ＶＡ１，ＶＡ２、前記陰電極１０５をスパッタリング法で形成する（図２Ｃに示した工程を実施する）とともに、前記接続線１０５ａを形成する（図２Ｅに示した工程を実施する）成膜装置（電極形成装置）ＳＰ１，ＳＰ２、前記有機層１０４をエッチングする（図２Ｄに示した工程を実施する）エッチング装置ＥＴ１、ＥＴ２、前記保護膜１０６を形成する（図２Ｆに示した工程を実施する）成膜装置（保護膜形成装置）ＣＶ１，ＣＶ２、および、ロードロック室ＬＬ１、ＬＬ２である。
【００６６】
前記搬送室ＴＣ１の４つの接続面には、それぞれ前記ロードロック室ＬＬ１、前記前処理室ＣＬ１、前記アライメント処理室ＡＬ１、および前記成膜装置ＶＡ１が接続されている。前記搬送室ＴＣ２の４つの接続面には、それぞれ前記成膜装置ＶＡ１，ＶＡ２と、前記アライメント処理室ＡＬ２，ＡＬ３が接続されている。前記搬送室ＴＣ３の４つの接続面には、それぞれ前記アライメント処理室ＡＬ３，ＡＬ４と、前記成膜装置ＳＰ１，ＳＰ２が接続されている。前記搬送室ＴＣ４の４つの接続面には、それぞれ前記アライメント処理室ＡＬ４，ＡＬ５と、前記エッチング装置ＥＴ１、ＥＴ２が接続されている。前記搬送室ＴＣ５の４つの接続面には、それぞれアライメント処理室ＡＬ５、成膜装置ＣＶ１，ＣＶ２、ロードロック室ＬＬ２が接続されている。
【００６７】
すなわち、前記成膜装置ＶＡ１は、前記搬送室ＴＣ１、ＴＣ２の双方に、前記アライメント処理室ＡＬ３は、前記搬送室ＴＣ２、ＴＣ３の双方に、前記アライメント処理室ＡＬ４は、前記搬送室ＴＣ３，ＴＣ４の双方に、前記アライメント処理室ＡＬ５は、前記搬送室ＴＣ４，ＴＣ５の双方に接続された構造となっている。
【００６８】
また、前記前処理室ＣＬ１、前記アライメント処理室ＡＬ１，ＡＬ２，ＡＬ３，ＡＬ４，ＡＬ５、前記成膜装置ＶＡ１，ＶＡ２、前記成膜装置ＳＰ１，ＳＰ２、前記エッチング装置ＥＴ１、ＥＴ２、前記成膜装置ＣＶ１，ＣＶ２、および、ロードロック室ＬＬ１、ＬＬ２には、それぞれ内部を減圧状態（真空状態）にするための、真空ポンプなどの排気手段（図示せず）が接続されて、必要に応じて内部が減圧状態に維持されている。
【００６９】
次に、前記基板処理装置３００により、実施例１に記載した前記発光素子１００を製造する場合の手順の概略について説明する。
【００７０】
まず、被処理基板（図２Ａに示した、陽電極１０２、引き出し線１０３が形成された基板１０１に相当）は、前記ロードロック室ＬＬ１から前記基板処理装置３００に投入される。前記ロードロック室ＬＬ１に投入された被処理基板は、前記搬送手段ＴＡ１により、前記前処理室ＣＬ１に搬送され、被処理基板の前処理（クリーニングなど）が行われる。
【００７１】
次に、被処理基板は、前記搬送手段ＴＡ１により前記成膜装置ＶＡ１に搬送され、当該成膜装置ＶＡ１において、前記発光素子１００の、前記有機層１０４が、蒸着法により形成される（図２Ｂに示した工程が実施される）。また、必要に応じて、前記被処理基板は、前記成膜装置ＶＡ２により、さらに多層に有機層が形成されるようにしてもよい。
【００７２】
次に、前記有機層１０４が形成された被処理基板は、前記搬送手段ＴＡ２により、前記アライメント処理室ＡＬ２またはＡＬ３に搬送され、マスクの装着がされた後、前記搬送手段ＴＡ３によって前記成膜装置ＳＰ１，ＳＰ２のいずれかに搬送される。
【００７３】
前記成膜装置ＳＰ１，ＳＰ２のいずれかにおいて、前記陰電極１０５が、スパッタリング法により形成される（図２Ｃに示した工程が実施される）。当該陰電極１０５が形成された被処理基板は、前記アライメント処理室ＡＬ２またはＡＬ３においてマスクが脱着された後、前記搬送手段ＴＡ３、ＴＡ４によって、前記エッチング装置ＥＴ１またはＥＴ２のいずれかに搬送される。
【００７４】
前記エッチング装置ＥＴ１，ＥＴ２のいずれかにおいては、前記有機層１０４が、前記陰電極１０５をマスクにしてエッチングされる（図２Ｄに示した工程が実施される）。前記有機層１０４のパターニングがされた後、被処理基板は、前記アライメント処理室ＡＬ３、またはＡＬ４でマスクが装着された後、前記搬送手段ＴＡ３、ＴＡ４によって，再び前記成膜装置ＳＰ１、ＳＰ２のいずれかに搬送され、前記接続線１０５ａが形成される（図２Ｅに示した工程が実施される）。
【００７５】
次に、被処理基板は、前記アライメント処理室ＡＬ３またはＡＬ４でマスクが脱着された後、前記搬送手段ＴＡ３，ＴＡ４，ＴＡ５によって、前記成膜装置ＣＶ１、ＣＶ２のいずれかに搬送される。
【００７６】
前記成膜装置ＣＶ１，ＣＶ２のいずれかにおいて、前記保護膜１０６が、ＣＶＤ法により形成される（図２Ｆに示した工程が実施される）。このようにして実施例１に記載した発光素子１００が形成され、当該発光素子１００は、前記ロードロック室ＬＬ２を介して、基板処理装置３００より搬出される。
【００７７】
上記の基板処理装置３００では、前記発光素子１００を、速やかに連続的な工程で形成することが可能である。また、上記の基板処理装置３００は、搬送室を複数有しており、有機層形成装置、電極形成装置、およびエッチング装置が、それぞれ異なる搬送室に接続された構造となっている。そのため、本実施例による基板処理装置では、それぞれ複数の、有機層形成装置、電極形成装置、およびエッチング装置を有することが可能になっており、基板処理の効率が良好となっている。
【００７８】
また、上記の基板処理装置３００は、次に示す基板処理装置４００のように変更することも可能である。
【００７９】
図５は、前記基板処理装置３００の変形例である、基板処理装置４００を示す図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００８０】
前記基板処理装置４００は、搬送室ＴＣ６〜ＴＣ１０、および当該搬送室ＴＣ６〜ＴＣ１０に設置される搬送手段ＴＡ６〜ＴＡ１０をさらに有している。
【００８１】
また、前記搬送室ＴＣ６〜ＴＣ１０のいずれかに接続される、アライメント処理室ＡＬ６〜ＡＬ８、ロードロック室ＬＬ３，ＬＬ４（ロードロック室ＬＬ１，ＬＬ２に相当）、成膜装置ＶＡ３（成膜装置ＶＡ１に相当）、成膜装置ＳＰ３，ＳＰ４，（成膜装置ＳＰ１，ＳＰ２に相当）、エッチング装置ＥＴ３，ＥＴ４（エッチング装置ＥＴ１，ＥＴ２に相当）、成膜装置ＣＶ３，ＣＶ４（成膜装置ＣＶ１，ＣＶ２に相当）をさらに有している。また、前記搬送室ＴＣ６は前記アライメント処理室ＡＬ１と、前記搬送室ＴＣ７は前記アライメント処理室ＡＬ２とそれぞれ接続されている。
【００８２】
このように、接続される搬送室や、アライメント処理室、成膜装置、エッチング装置などは、必要に応じて様々に組み合わせたり、またはその数を増減することが可能であり、生産効率がよい形態を任意に形成することが可能である。
【実施例４】
【００８３】
次に、実施例２に記載した発光素子２００を製造する基板処理装置の構成の一例について、図６に基づき説明する。
【００８４】
図６は、前記発光素子２００を製造する基板処理装置５００の構成の一例を模式的に示した平面図である。
【００８５】
図６を参照するに、本実施例による基板処理装置５００においては、処理室や成膜装置、またはエッチング装置などが、被処理基板が搬送される搬送室ｔｃ１，ｔｃ２，ｔｃ３，ｔｃ４，ｔｃ５，ｔｃ６，ｔｃ７のいずれかに接続された構造を有している。前記搬送室ｔｃ１，ｔｃ２，ｔｃ３，ｔｃ４，ｔｃ５，ｔｃ６，ｔｃ７は、処理室や成膜装置、またはエッチング装置などを接続するための４つの接続面をそれぞれ有している。また、前記搬送室ｔｃ１，ｔｃ２，ｔｃ３，ｔｃ４，ｔｃ５，ｔｃ６，ｔｃ７は、被処理基板を搬送する搬送手段（搬送アーム）ｔａ１，ｔａ２，ｔａ３，ｔａ４，ｔａ５，ｔａ６，ｔａ７が、それぞれ内部に設置された構造を有している。
【００８６】
前記搬送室ｔｃ１，ｔｃ２，ｔｃ３，ｔｃ４，ｔｃ５，ｔｃ６，ｔｃ７のいずれかに接続されるのは、例えば、被処理基板の前処理（クリーニングなど）を行う前処理室ｃｌ１、被処理基板または被処理基板に装着するマスクのアライメント（位置決め）を行うアライメント処理室ａｌ１，ａｌ２，ａｌ３、ａｌ４，ａｌ５，ａｌ６，ａｌ７、前記有機層２０４を蒸着法により形成する（図３Ｂに示した工程を実施する）成膜装置（有機層形成装置）ｖａ１，ｖａ２、前記陰電極２０５をスパッタリング法で形成する（図３Ｃに示した工程を実施する）成膜装置（電極形成装置）ｓｐ１，ｓｐ２、前記有機層２０４をエッチングする（図３Ｄに示した工程を実施する）エッチング装置ｅｔ１、ｅｔ２、前記保護膜２０６を形成する（図３Ｅに示した工程を実施する）成膜装置（保護膜形成装置）ｃｖ１，ｃｖ２、前記接続線２０５ａを形成する（図３Ｆに示した工程を実施する）成膜装置（接続線形成装置）ｓｐ３、ｓｐ４、前記保護膜２０６ａを形成する（図３Ｇに示した工程を実施する）成膜装置（保護膜形成装置）ｃｖ３，ｃｖ４、および、ロードロック室ｌｌ１、ｌｌ２である。
【００８７】
前記搬送室ｔｃ１の４つの接続面には、それぞれ前記ロードロック室ｌｌ１、前記前処理室ｃｌ１、前記アライメント処理室ａｌ１、および前記成膜装置ｖａ１が接続されている。前記搬送室ｔｃ２の４つの接続面には、それぞれ前記成膜装置ｖａ１，ｖａ２と、前記アライメント処理室ａｌ２，ａｌ３が接続されている。前記搬送室ｔｃ３の４つの接続面には、それぞれ前記アライメント処理室ａｌ３，ａｌ４と、前記成膜装置ｓｐ１，ｓｐ２が接続されている。前記搬送室ｔｃ４の４つの接続面には、それぞれ前記アライメント処理室ａｌ４，ａｌ５と、前記エッチング装置ｅｔ１、ｅｔ２が接続されている。前記搬送室ｔｃ５の４つの接続面には、それぞれアライメント処理室ａｌ５、ａｌ６と、前記成膜装置ｃｖ１，ｃｖ２が接続されている。前記搬送室ｔｃ６の４つの接続面には、前記アライメント処理室ａｌ６，ａｌ７と、前記成膜装置ｓｐ３，ｓｐ４が接続されている。前記搬送室ｔｃ７の４つの接続面には、前記アライメント処理室ａｌ７，前記成膜装置ｃｖ３，ｃｖ４、前記ロードロック室ｌｌ２が接続されている。
【００８８】
すなわち、前記成膜装置ｖａ１は、前記搬送室ｔｃ１、ｔｃ２の双方に、前記アライメント処理室ａｌ３は、前記搬送室ｔｃ２、ｔｃ３の双方に、前記アライメント処理室ａｌ４は、前記搬送室ｔｃ３，ｔｃ４の双方に、前記アライメント処理室ａｌ５は、前記搬送室ｔｃ４，ｔｃ５の双方に、前記アライメント処理室ａｌ６は前記搬送室ｔｃ５，ｔｃ６の双方に、前記アライメント処理室ａｌ７は、前記搬送室ｔｃ６，ｔｃ７の双方に接続された構造となっている。
【００８９】
また、前記前処理室ｃｌ１、前記アライメント処理室ａｌ１，ａｌ２，ａｌ３，ａｌ４，ａｌ５，ａｌ６，ａｌ７、前記成膜装置ｖａ１，ｖａ２、前記成膜装置ｓｐ１，ｓｐ２，ａｐ３，ｓｐ４、前記エッチング装置ｅｔ１、ｅｔ２、前記成膜装置ｃｖ１，ｃｖ２，ｃｖ３，ｃｖ４、および、ロードロック室ｌｌ１、ｌｌ２には、それぞれ内部を減圧状態（真空状態）にするための、真空ポンプなどの排気手段（図示せず）が接続されて、必要に応じて内部が減圧状態に維持されている。
【００９０】
次に、前記基板処理装置５００により、実施例２に記載した前記発光素子２００を製造する場合の手順の概略について説明する。
【００９１】
まず、被処理基板（図３Ａに示した、陽電極２０２、引き出し線２０３が形成された基板２０１に相当）は、前記ロードロック室ｌｌ１から前記基板処理装置５００に投入される。前記ロードロック室ｌｌ１に投入された被処理基板は、前記搬送手段ｔａ１により、前記前処理室ｃｌ１に搬送され、被処理基板の前処理（クリーニングなど）が行われる。
【００９２】
次に、被処理基板は、前記搬送手段ｔａ１により前記成膜装置ｖａ１に搬送され、当該成膜装置ｖａ１において、前記発光素子２００の、前記有機層２０４が、蒸着法により形成される（図３Ｂに示した工程が実施される）。また、必要に応じて、前記被処理基板には、前記成膜装置ｖａ２により、さらに多層に有機層が形成されるようにしてもよい。
【００９３】
次に、前記有機層２０４が形成された被処理基板は、前記搬送手段ｔａ２により、前記アライメント処理室ａｌ２またはａｌ３に搬送され、マスクの装着がされた後、前記搬送手段ｔａ３によって前記成膜装置ｓｐ１，ｓｐ２のいずれかに搬送される。
【００９４】
前記成膜装置ｓｐ１，ｓｐ２のいずれかにおいて、前記陰電極２０５が、スパッタリング法により形成される（図３Ｃに示した工程が実施される）。当該陰電極２０５が形成された被処理基板は、前記アライメント処理室ａｌ２またはａｌ３においてマスクが脱着された後、前記搬送手段ｔａ３、ｔａ４によって、前記エッチング装置ｅｔ１またはｅｔ２のいずれかに搬送される。
【００９５】
前記エッチング装置ｅｔ１，ｅｔ２のいずれかにおいては、前記有機層２０４が、前記陰電極２０５をマスクにしてエッチングされる（図３Ｄに示した工程が実施される）。前記有機層２０４のパターニングがされた後、被処理基板は、前記アライメント処理室ａｌ５でマスクが装着された後、前記搬送手段ｔａ５によって，前記成膜装置ｃｖ１、ｃｖ２のいずれかに搬送され、前記保護膜２０６がＣＶＤ法により、形成される（図３Ｅに示した工程が実施される）。
【００９６】
次に、被処理基板は、前記アライメント処理室ａｌ５でマスクが脱着された後、前記アライメント処理室ａｌ６でマスクが装着されて、前記搬送手段ｔａ６によって、前記成膜装置ｓｐ３，ｓｐ４のいずれかに搬送される。
【００９７】
前記成膜装置ｓｐ３，ｓｐ４のいずれかにおいては、前記接続線２０５ａがスパッタリング法により、形成される（図３Ｆに示した工程が実施される）。
【００９８】
次に、被処理基板は、前記アライメント処理室ａｌ６でマスクが脱着された後、前記アライメント処理室ａｌ７でマスクが装着されて、前記搬送手段ｔａ７によって、前記成膜装置ｃｖ３，ｃｖ４のいずれかに搬送される。
【００９９】
前記成膜装置ｃｖ３，ｃｖ４のいずれかにおいては、前記保護膜２０６ａが、ＣＶＤ法により、形成される（図３Ｇに示した工程が実施される）。
【０１００】
このようにして、実施例２に記載した発光素子２００が形成され、形成された発光素子は、前記ｌｌ２を介して、基板処理装置５００から搬出される。
【０１０１】
上記の基板処理装置５００は、実施例３に記載した基板処理装置１００と同様の効果を有する。このように、基板処理装置は、発光素子の形態に応じて様々に変形することができる。
【０１０２】
また、図７は、前記基板処理装置５００の変形例である、基板処理装置６００を示す図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【０１０３】
前記基板処理装置６００は、搬送室ｔｃ８〜ｔｃ１４、および当該搬送室ｔｃ８〜ＴＣ１４に設置される搬送手段ｔａ８〜ｔａ１４をさらに有している。
【０１０４】
また、前記搬送室ｔｃ８〜ｔｃ１４のいずれかに接続される、アライメント処理室ａｌ８，ａｌ９，ａｌ１０，ａｌ１１，ａｌ１２、ロードロック室ｌｌ３，ｌｌ４（ロードロック室ｌｌ１，ｌｌ２に相当）、成膜装置ｖａ３（成膜装置ｖａ１に相当）、成膜装置ｓｐ５，ｓｐ６，ｓｐ７，ｓｐ８（成膜装置ｓｐ１，ｓｐ２，ｓｐ３，ｓｐ４に相当）、エッチング装置ｅｔ３，ｅｔ４、（エッチング装置ｅｔ１，ｅｔ２に相当）、成膜装置ｃｖ５，ｃｖ６，ｃｖ７，ｃｖ８（成膜装置ｃｖ１，ｃｖ２，ｃｖ３，ｃｖ４に相当）をさらに有している。また、前記搬送室ｔｃ８は前記アライメント処理室ａｌ１と、前記搬送室ｔｃ９は前記アライメント処理室ａｌ２とそれぞれ接続されている。
【０１０５】
このように、前記発光素子２００を形成する場合にも、接続される搬送室や、アライメント処理室、成膜装置、エッチング装置などは、必要に応じて様々に組み合わせたり、またはその数を増減することが可能であり、生産効率がよい形態を任意に形成することが可能である。
【実施例５】
【０１０６】
また、図８は、上記の基板処理装置３００に用いられる成膜装置（有機層形成装置）ＶＡ１の構成の一例を模式的に示した図である。また、前記成膜装置ＶＡ２，ＶＡ３，ｖａ１，ｖａ２、ｖａ３についても上記の成膜装置ＶＡ１と同様の構造を有している。
【０１０７】
図８を参照するに、前記成膜装置ＶＡ１は、内部に内部空間３００Ａが画成される処理容器３０１を有し、当該内部空間３００Ａには、複数の蒸着源３０２と、該複数の蒸着源３０２に対向する１つの基板保持台３０５が設置された構造を有している。前記内部空間３００Ａは、排気ポンプなどの排気手段（図示せず）が接続された排気ライン３０４より排気され、所定の減圧状態に保持される構造になっている。
【０１０８】
前記蒸着源３０２にはヒータ３０３が設置され、該ヒータ３０３によって内部に保持された原料３０２Ａを加熱し、気化または昇華させて気体原料とすることが可能に構成されている。当該気体原料は、前記基板保持台３０５に保持された被処理基板Ｗ（例えば前記陽電極１０２、前記引き出し線１０３が形成された前記基板１０１）に蒸着されて、前記有機層１０４が形成される。
【０１０９】
前記基板保持台３０５は、前記処理容器３０１の上面（前記蒸着源３０２に対向する側）に設置された、移動レール３０６上を、平行に移動可能に構成されている。すなわち、複数の蒸着源から供給される異なる気体原料が順次被処理基板に成膜されることで、前記有機層１０４を多層に形成することが可能になっている。
【０１１０】
また、前記処理容器３０１の、搬送室に接続される側に形成されたゲートバルブ３０７を開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記内部空間３００Ａへの搬入・または前記内部空間３００Ａからの搬出が可能になる。
【０１１１】
上記の成膜装置ＶＡ１を用いて、例えば実施例１に記載した図２Ｂに相当する工程を実施することが可能となる。
【０１１２】
また、図９は、上記の基板処理装置３００に用いられる成膜装置（電極形成装置）ＳＰ１の構成の一例を模式的に示した図である。また、前記成膜装置ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４，ｓｐ１，ｓｐ２，ｓｐ３，ｓｐ４，ｓｐ５，ｓｐ６，ｓｐ７，ｓｐ８についても上記の成膜装置ＳＰ１と同様の構造を有している。
【０１１３】
図９を参照するに、前記成膜装置ＳＰ１は、内部に内部空間４００Ａが画成される処理容器４０１を有し、当該内部空間４００Ａには、ターゲット（陰電極）４０３と、基板保持台（陽電極）４０２が設置された構造を有している。前記内部空間４００Ａは、排気ポンプなどの排気手段（図示せず）が接続された排気ライン４０６より排気され、所定の減圧状態に保持される構造になっている。
【０１１４】
前記内部空間４００Ａには、ガス供給手段４０７より例えばＡｒなどのプラズマ励起のためのガスが供給される。ここで、前記ターゲット４０３に高周波電源４０４より高周波電力が印加されることで当該内部空間４００Ａにプラズマが励起され、Ａｒイオンが生成される。このようにして生成されたＡｒイオンにより、前記ターゲット４０３がスパッタリングされることで、前記基板保持台４０２に保持された被処理基板Ｗ（例えば前記陽電極１０２、前記引き出し線１０３、および前記有機層１０４が形成された前記基板１０１）上に、前記陰電極１０５が形成される。
【０１１５】
また、前記処理容器４０１の、搬送室に接続される側に形成されたゲートバルブ４０８を開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記内部空間４００Ａへの搬入・または前記内部空間４００Ａからの搬出が可能になる。
【０１１６】
上記の成膜装置ＳＰ１を用いて、例えば実施例１に記載した図２Ｃに相当する工程を実施することが可能となる。
【０１１７】
また、図１０は、上記の基板処理装置３００に用いられるエッチング装置ＥＴ１の構成の一例を模式的に示した図である。また、前記エッチング装置ＥＴ２，ＥＴ３，ＥＴ４，ｅｔ１，ｅｔ２，ｅｔ３，ｅｔ４についても上記のエッチング装置ＥＴ１と同様の構造を有している。
【０１１８】
図１０を参照するに、前記エッチング装置ＥＴ１は、組み合わせられることで内部に内部空間５００Ａが画成される処理容器５０１、５０２を有し、当該内部空間５００Ａには、アース板５０６と、基板保持台５０５が対向して設置された構造を有している。前記内部空間５００Ａは、排気ポンプなどの排気手段（図示せず）が接続された排気ライン５０９より排気され、所定の減圧状態に保持される構造になっている。
【０１１９】
また、前記処理容器５０１は例えば金属より、前記処理容器５０２は誘電体より構成されている。前記処理容器５０２の外側には、高周波電源５０４より高周波電力が印加されるコイル５０３が設置されている。また、前記基板保持台５０５には、高周波電源５１０より高周波電力が印加される構造になっている。
【０１２０】
前記内部空間５００Ａには、ガス供給手段５０８より、例えばＮ２／Ａｒなどのエッチングのための処理ガスが供給される。当該処理ガスは、前記コイル５０３に高周波電力が印加されることでプラズマ励起される。このようなプラズマを高密度プラズマ（ＩＣＰ）と呼ぶ場合がある。高密度プラズマにより解離された処理ガスにより、例えば実施例１の図２Ｄに示した工程を実施する（前記有機層１０４を、前記陰電極１０５をマスクにしてエッチングする）ことができる。
【０１２１】
また、前記処理容器５０１の、搬送室に接続される側に形成されたゲートバルブ５０７を開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記内部空間５００Ａへの搬入・または前記内部空間５００Ａからの搬出が可能になる。
【０１２２】
先に説明したように、処理ガスとしてＮ２を用いた場合には、Ａｇを主成分とした前記陰電極１０５をマスクとしたプラズマエッチングで、当該陰電極１０５に与えるダメージを抑制しながら、効率よく前記有機層１０４のエッチングを行うことが可能である。
【０１２３】
また、処理ガスを解離する、エッチング装置のプラズマは、窒素を高効率で解離する、いわゆる高密度プラズマを用いることが好ましいが、高密度プラズマはＩＣＰに限定されず、例えばマイクロ波プラズマなどを用いても同様の結果を得ることができる。
【０１２４】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明によれば、高品質な発光素子と、当該発光素子を製造する発光素子の製造方法、および当該発光素子を製造することが可能な基板処理装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１Ａ】従来の発光素子の製造方法を示す図（その１）である。
【図１Ｂ】従来の発光素子の製造方法を示す図（その２）である。
【図１Ｃ】従来の発光素子の製造方法を示す図（その３）である。
【図１Ｄ】従来の発光素子の製造方法を示す図（その４）である。
【図２Ａ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その１）である。
【図２Ｂ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その２）である。
【図２Ｃ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その３）である。
【図２Ｄ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その４）である。
【図２Ｅ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その５）である。
【図２Ｆ】実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その６）である。
【図３Ａ】実施例２による発光素子の製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｂ】実施例２による発光素子の製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｃ】実施例２による発光素子の製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｄ】実施例２による発光素子の製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｅ】実施例２による発光素子の製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｆ】実施例２による発光素子の製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｇ】実施例２による発光素子の製造方法を示す図（その１）である。
【図４】実施例３による基板処理装置を示す図である。
【図５】図４の基板処理装置の変形例である。
【図６】実施例４による基板処理装置を示す図である。
【図７】図６の基板処理装置の変形例である。
【図８】図４の基板処理装置に用いる有機層形成装置の一例である。
【図９】図４の基板処理装置に用いる電極形成装置の一例である。
【図１０】図４の基板処理装置に用いるエッチング装置の一例である。
【符号の説明】
【０１２７】
１００，２００  発光素子
１０１，２０１  基板
１０２，２０２  陽電極
１０３，２０３  引き出し線
１０４，２０４  有機層
１０５，２０５  陰電極
１０６，２０６，２０６ａ  保護膜
ＴＣ１，ＴＣ２，ＴＣ３，ＴＣ４，ＴＣ５，ＴＣ６，ＴＣ７，ＴＣ８，ＴＣ９，ＴＣ１０，ｔｃ１，ｔｃ２，ｔｃ３，ｔｃ４，ｔｃ５，ｔｃ６，ｔｃ７，ｔｃ８，ｔｃ９，ｔｃ１０，ｔｃ１１，ｔｃ１２，ｔｃ１３，ｔｃ１４  搬送室
ＴＡ１，ＴＡ２，ＴＡ３，ＴＡ４，ＴＡ５，ＴＡ６，ＴＡ７，ＴＡ８，ＴＡ９，ＴＡ１０，ｔａ１，ｔａ２，ｔａ３，ｔａ４，ｔａ５，ｔａ６，ｔａ７，ｔａ８，ｔａ９，ｔａ１０，ｔａ１１，ｔａ１２，ｔａ１３，ｔａ１４  搬送室手段
ＡＬ１，ＡＬ２，ＡＬ３，ＡＬ４，ＡＬ５，ＡＬ６，ＡＬ７，ａｌ１，ａｌ２，ａｌ３，ａｌ４，ａｌ５，ａｌ６，ａｌ７，ａｌ８，ａｌ９，ａｌ１０，ａｌ１１，ａｌ１２  アライメント処理室
ＣＬ１，ｃｌ１  前処理室
ＬＬ１，ＬＬ２，ＬＬ３，ＬＬ４，ｌｌ１，ｌｌ２，ｌｌ３，ｌｌ４  ロードロック室
ＶＡ１，ＶＡ２，ＶＡ３，ｖａ１，ｖａ２，ｖａ３  成膜装置
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４，ｓｐ１，ｓｐ２，ｓｐ３，ｓｐ４，ｓｐ５，ｓｐ６，ｓｐ７，ｓｐ８  成膜装置
ＣＶ１，ＣＶ２，ＣＶ３，ＣＶ４，ｃｖ１，ｃｖ２，ｃｖ３，ｃｖ４，ｃｖ５，ｃｖ６，ｃｖ７，ｃｖ８  成膜装置
ＥＴ１，ＥＴ２，ＥＴ３，ＥＴ４，ｅｔ１，ｅｔ２，ｅｔ３，ｅｔ４  エッチング装置
３００Ａ  内部空間
３０１  処理容器
３０２  蒸着源
３０２Ａ  原料
３０３  ヒータ
３０４  排気ライン
３０５  基板保持台
３０６  移動レール
３０７  ゲートバルブ
４００Ａ  内部空間
４０１  処理容器
４０２  基板保持台
４０３  ターゲット
４０４  高周波電源
４０６  排気ライン
４０７  ガス供給手段
５０１，５０２  処理容器
５０３  コイル
５０４，５１０  高周波電源
５０６  アース板
５０７  ゲートバルブ
５０８  ガス供給手段
５０９  排気ライン
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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