(57)【要約】      （修正有）【課題】磁気ヘッドに組み込まれた再生素子を使用する際にフリー層に対し必要な時に必要な強度の磁界を供給することができる。【解決手段】上部シールド３と下部シールド４と、前記再生素子１のフリー層の磁区を制御する電磁石２とを有し、前記電磁石２はコアとコイルによって構成され、前記コアのコア先端部２−１は前記上部シールド３と前記下部シールド４との間に在って前記再生素子１の周囲に配置され、前記先端部２−１の前記堆積方向の厚さは前記再生素子１の前記堆積方向の厚さ以下であり、前記コイルは前記上部シールド３と前記下部シールド４が対向する空間に配置され、かつ、前記コアの外周に設けられる。【選択図】図１
2007328890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＰＰ構造を有する磁気抵抗効果型再生素子を備えた磁気再生ヘッドであって、
再生素子と、
前記再生素子を構成する膜の堆積方向に前記再生素子を挟持する上部シールドと下部シールドと、
前記再生素子のフリー層の磁区を制御する電磁石とを有し、
前記電磁石はコアとコイルによって構成され、
前記コアのコア先端部は前記上部シールドと前記下部シールドとの間に在って前記再生素子の周囲に配置され、
前記先端部の前記堆積方向の厚さは前記再生素子の前記堆積方向の厚さ以下であり、前記コイルは前記上部シールドと前記下部シールドが対向する空間に配置され、かつ、前記コアの外周に設けられていることを特徴とする磁気再生ヘッド。
【請求項２】
前記上部シールド、前記再生素子および前記下部シールドの各々と前記コア先端部に対向する前記コア先端部との接合部に絶縁膜を設けることを特徴とする請求項１記載の磁気再生ヘッド。
【請求項３】
前記コア先端部に対向する前記上部シールドとの接合部または前記下部シールドとの接合部のどちらか一方に非磁性膜を用いることを特徴とする請求項１記載の磁気再生ヘッド。
【請求項４】
前記コイルは前記コアの外周にトロイダル巻きあるいはスパイラル巻きされたコイルによって前記コア先端部に磁界を発生させることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の磁気再生ヘッド。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４に記載の磁気再生ヘッドを備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子等のＣＰＰ型構造を有する磁気抵抗効果型磁気再生ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
高密度磁気記録に関する磁気記録再生ヘッドとしてＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子等を備えた磁気ヘッドの研究が進められている。ノイズ低減のため、これら素子のフリー層の磁区を安定させるように、通常フリー層両側に強磁性層を配置する構造が一般的に用いられている。
【０００３】
ここで、ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）型構造について、ＣＩＰ (Ｃｕｒｒｅｎｔ ｌｎ Ｐｌａｎｅ) 型構造と対比させて簡単に説明する。
【０００４】
図６は、ＣＩＰ型構造とＣＰＰ構造の概略説明図である。
【０００５】
ａ）に示すＣＩＰ型ＧＭＲヘッドにおいては、ＧＭＲ素子は反強磁性層（磁石）１０１、固定層１０２、非磁性導体層１０３、フリー層１０４がこの順で形成されている。反強磁性層１０１側に電極１０５と電極１０６を備え、ＧＭＲ素子はディスク（磁気記録媒体）から図の矢印に示される漏れ磁束の影響を受けて、フリー層１０４の磁化の向きが変化する。フリー層１０４の磁化の向きの変化が電極１０５と電極１０６との間の電流の値を変化させる。すなわち、固定層１０２は反強磁性層１０１により磁化の方向が固定され、フリー層１０４はディスクからの漏れ磁束の影響を受けやすくなっており、固定層１０２とフリー層１０４の磁化の向きに角度差が生じると、ＧＭＲ素子の電気抵抗値は大きくなって電極１０５と電極１０６間に電流は流れにくくなる。
【０００６】
ｂ）に示すＣＰＰ型ＧＭＲヘッドにおいては、ＧＭＲ素子は反強磁性層２０１、固定層２０２、非磁性導体層２０３、フリー層１０４がこの順で形成され、ＧＭＲ素子はＣＩＰ型ＧＭＲヘッドと同じ構成となっている。ここで、ａ）に示すＣＩＰ型ＧＭＲヘッドと異なるのは、電極２０５が反強磁性層２０１側に、そして電極２０６はフリー層２０４側に備えられている。ＧＭＲ素子はＣＩＰ型ＧＭＲ素子と同じように、ディスクからの漏れ磁束の影響を受けて、フリー層２０４の磁化の向きが変化する。ＣＩＰ型ＧＭＲ素子との違いは、ＣＩＰ型ＧＭＲ素子においては電極１０５と電極１０６間に電流が流れるとき、ＧＭＲ素子を形成する各層の面内方向に流れる。これに対し、ＣPＰ型ＧＭＲ素子においては、電極１０５と電極１０６間に電流が流れるとき、ＧＭＲ素子を形成する各層の面に対して垂直方向に流れる。
【０００７】
さらに、ｃ）に示すＣＰＰ型ＴＭＲヘッドにおいては、ＴＭＲ素子は反強磁性層３０１、固定層３０２、非磁性絶縁層３０３、フリー層３０４がこの順で形成され、電極３０５が反強磁性層３０１側に、そして電極３０６はフリー層３０４側に備えられている。非磁性絶縁層３０３が存在するため、通常は電極３０５と電極３０６との間に電流は流れない。しかし、ディスクからの漏れ磁束の影響を受けたフリー層３０４の磁化の向きによって、トンネル効果による電流が流れる。
【０００８】
一般的に、各層の面内方向にセンス電流を通電するＣＩＰ型構造の再生ヘッドにおいては、記録密度が高くなるとディスクからの漏れ磁界が弱くなるので、抵抗変化量が小さくなりヘッド出力が不足するが、各層の面に垂直にセンス電流を通電するＣＰＰ型構造の再生ヘッドは高記録密度化、かつ、小型化に有利といわれている。非磁性導体層１０３や非磁性導体層２０３は、例えば、金属の銅層が用いられ、非磁性絶縁層３０３としては酸化アルミニウム、酸化マグネシウム層などが用いられる。 
【０００９】
従来技術において、ノイズ低減のため、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子のフリー層の磁区を安定させるように、多層からなるＧＭＲ素子やＴＭＲ素子の各層の面内方向の両側面に強磁性層（磁石）を配置する場合、強磁性層についてはウェハプロセス中に磁場強度が一定になるよう成膜時に材料、成膜膜厚、成膜条件を選定して成膜が行われるが、この方法では、磁界強度不足または磁界強度過剰になった場合、磁気ヘッドに加工した後に磁場強度を変化させる手段が無いため、磁気再生ヘッドとして使用できないおそれがあった。
【００１０】
さらに、ウェハプロセス中において再生素子の反強磁性膜の特性に変化を与えてしまう可能性があるため、再生素子の電磁変換特性測定時には強磁性層をフリー層の固定方向へ向け、熱ストレスがかかるプロセス中では強磁性層を反強磁性層と同じ方向へ向けなおす必要があった。
【００１１】
これらを解決するための関連技術として、例えば、特開昭５６−１６５９２４号公報において、フリー層両側に強磁性層を配置した例とフリー層両側に電磁石を配置した例がそれぞれ開示されている。この中で、フリー層両側に電磁石を配置した例においては、特に書込／再生ヘッド一体型の磁気ヘッドにおいては、電磁石のコイルの磁界発生により書込ヘッドへ影響を与えてしまう恐れがあり、ますます高記録密度化、小型化が進む磁気記録装置において、磁気ヘッドの小型化が難しいと考えられる。
【００１２】
また、他の例として、特開平０３−２６０９０６号公報には再生素子の両端部分にコイルを巻いた構造の磁気抵抗効果型再生ヘッドが開示されているが、磁気ヘッドの小型化、製造のし易さの点から難しいと考えられる。
【特許文献１】特開昭５６−１６５９２４号公報
【特許文献２】特開平０３−２６０９０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、従来の方法においては、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子のフリー層の磁区を安定させるため、多層からなるＧＭＲ素子やＴＭＲ素子の各層の面内方向の両側面に強磁性層（磁石）を配置する場合、製作プロセスにおいて強磁性層が磁界強度不足または磁界強度過剰になった場合、磁気ヘッドに加工した後に磁場強度を変化させる手段が無く、磁気ヘッドとして使用できないという問題を解決することを目的とする。
さらに、本発明の他の目的は、製作プロセスにおいて再生素子の反強磁性膜の特性に変化を与えるのを避けるため、従来より行われているような、再生素子の電磁変換特性測定時には強磁性層の磁化方向をフリー層の固定方向へ向け、熱ストレスがかかる製作プロセスにおいては強磁性層の磁化方向を反強磁性層と同じ方向へ向けなおすといった煩わしさを解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の請求項１に記載の発明は、ＣＰＰ構造を有する磁気抵抗効果型再生素子を備えた磁気再生ヘッドであって、再生素子と、前記再生素子を構成する膜の堆積方向に前記再生素子を挟持する上部シールドと下部シールドと、前記再生素子のフリー層の磁区を制御する電磁石とを有し、前記電磁石はコアとコイルによって構成され、前記コアのコア先端部は前記上部シールドと前記下部シールドとの間に在って前記再生素子の周囲に配置され
、前記先端部の前記堆積方向の厚さは前記再生素子の前記堆積方向の厚さ以下であり、前記コイルは前記上部シールドと前記下部シールドが対向する空間に配置され、かつ、前記コアの外周に設けられていることを特徴とする磁気再生ヘッドである。
【００１５】
請求項１に記載の発明によれば、再生ヘッドは、ＣＰＰ構造を有する磁気抵抗効果型再生素子（以下、再生素子と称す）の各層が形成される方向に、再生素子を上部シールドと下部シールドで挟持し、上部シールドと下部シールドの間にあって再生素子の側面に電磁石のコア先端部を配置し、電磁石のコイルに流す電流制御により必要な時に必要な強度の磁界を再生素子の側面に発生させるようになっている。これにより、ウェハプロセス中における再生素子の反強磁性膜の特性に変化を与えるのを避けるために従来から行なわれていた、再生素子の電磁変換特性測定時には強磁性層をフリー層の固定方向へ向け、熱ストレスがかかるプロセス中では強磁性層を反強磁性層と同じ方向へ向けなおすといった操作を必要としない。
【００１６】
すなわち、従来、強磁性層を磁石によって構成していたが、本発明では、永久磁石に代わり、電磁石を薄膜技術によって上部シールドと下部シールドの間に、好ましくは、電磁石のコア先端部の厚さが上部シールドと下部シールドによって挟持される再生素子と同じ厚さに形成する。そして、磁気ヘッド加工後においても、フリー層磁区制御のために適切な磁界強度を発生させるようになっている。また、電磁石のコイルの磁界発生による書込ヘッド部への影響を与えないようにするため、上部シールド及び下部シールドに囲まれた空間内に電磁石が形成され、かつ、電磁石のコア先端部を再生素子を構成する膜の堆積方向の再生素子の厚さ以下、好ましくは再生素子の厚さと同じとしているので、電磁石のコア先端部の厚さと再生素子の厚さとの違いによる段差部分、特に、電磁石のコア先端部の厚さが再生素子の厚さより大きい場合の電磁石のコア先端部からの漏れ磁束が極めて少なくなるように構成している。
【００１７】
ここで、上部シールドと下部シールドとは、両方が平板でもよいし、曲面をもって対向していても構わない。
【００１８】
本発明の請求項２に記載の発明は、前記上部シールド、前記再生素子および前記下部シールドの各々と前記コア先端部に対向する前記コア先端部との接合部に絶縁膜を設けることを特徴とする請求項１記載の磁気再生ヘッドである。請求項２に記載の発明によれば、上部シールド、再生素子および前記下部シールドの各々と、さらに、コア先端部に対向する接合部とに絶縁膜を設けることにより、各部間における電流の漏れを極力少なくなるようになっている。
【００１９】
本発明の請求項３に記載の発明は、前記コア先端部に対向する前記上部シールドとの接合部または前記下部シールドとの接合部のどちらか一方に非磁性膜を用いることを特徴とする請求項１記載の磁気再生ヘッドである。請求項３に記載の発明によれば、非磁性膜を介在することにより磁気的な干渉が極力少なくなるようになっている。
【００２０】
本発明の請求項４に記載の発明は、前記コイルは前記コアの外周にトロイダル巻きあるいはスパイラル巻きされたコイルによって前記コア先端部に磁界を発生させることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の磁気再生ヘッドである。請求項４に記載の発明によれば、例えば、電磁石を極力小型化するため、電磁石のコイルをコアと共に薄膜形成技術を用いてコアの外周に形成する。
【００２１】
本発明の請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項４に記載の磁気再生ヘッドを備えたことを特徴とする磁気ディスク装置である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、ＣＰＰ構造を有する再生素子を構成する各層の積層方向に再生素子を上部シールドと下部シールドによって挟持し、かつ、再生素子を構成する各層の面内方向の両側面に、従来行われていた再生素子のフリー層の磁区制御を行うための強磁性層（永久磁石の層）を設ける代わりに、電磁石のコア先端部が再生素子を構成する各層の積層方向の厚さと同じかあるいはそれ以下の電磁石の磁極先端部を設け、電磁石は上部シールドと下部シールドとの間に配置し、電磁石のコイルに流す電流を制御して必要な時に必要な強度の磁界を発生させることにより、磁気ヘッド加工後にフリー層の磁区制御のための適切な磁界を発生させることを特徴としている。
【００２３】
また、電磁石のコイルの磁界発生により磁気ヘッドのライト部分へ影響を与えないように、電磁石を構成するコア先端部、コア、コイルを上部シールド及び下部シールドに囲まれた空間内に配置することを特徴とする。
【００２４】
従来の方法においては、再生素子の製作プロセスにおいて強磁性層が磁界強度不足または磁界強度過剰になった場合に、再生素子を磁気ヘッドへ加工した後に磁場強度を変化させる手段が無く、磁気ヘッドとして使用できなかったことがあったのとは異なり、本発明により、磁気ヘッドに組み込まれた再生素子を使用する際にフリー層に対し必要な時に必要な強度の磁界を供給することができる。
【００２５】
さらに、再生素子を組み込んだ磁気ヘッドの製作プロセスにおいて再生素子の反強磁性膜の特性に変化を与えるのを避けるため、従来より行われているような、再生素子の電磁変換特性測定時には強磁性層の磁化方向をフリー層の固定方向へ向け、熱ストレスがかかる製作プロセスにおいては強磁性層の磁化方向を反強磁性層と同じ方向へ向けなおすといった煩わしさをなくすことができる。
【００２６】
また、電磁石のコア先端部を再生素子を構成する膜の堆積方向の再生素子の厚さ以下、好ましくは再生素子の厚さと同じとしているので、電磁石のコア先端部の厚さと再生素子の厚さとの違いによる段差部分、特に、電磁石のコア先端部の厚さが再生素子の厚さより大きい場合の電磁石のコア先端部からの漏れ磁束が極めて少ない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１は、本発明による磁気再生ヘッドの一実施例を示す。図１はディスクの表面に対向して浮上するヘッドの表面から見た再生ヘッドの主要部を表す図である。
【００２８】
再生素子１は、例えば、電極、反強磁性層、固定層、非磁性絶縁層、フリー層、電極（これらの各要素は図示省略）を有するＣＰＰ型ＴＭＲヘッド素子であり、各層は図に水平かつ垂直に交わる平面とほぼ平行な積層面を有し、上部シールド３と下部シールド４とにより図の上下方向に挟持されている。電磁石２（図１においては図示省略）の２つのコア先端部２−１は、図１の上下方向に上部シールド−電磁石間接合部６及び下部シールド−電磁石間接合部７を介して再生素子１と図１の上下方向の高さを同じにして上部シールド３と下部シールド４とにより図１の上下方向に挟持されている。
【００２９】
また、２つのコア先端部２−１は、それぞれ再生素子−電磁石間接合部５を介して再生素子１と接している。
【００３０】
再生素子−電磁石間接合部５、上部シールド−電磁石間接合部６及び下部シールド−電磁石間接合部７はそれぞれ絶縁膜あるいは非磁性膜によって構成されている。絶縁膜は、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどの絶縁材料から成る層であり、非磁性膜はＴａあるいはＣｒといった非磁性材料から成る層である。このように、電磁石２の２つのコア先端部２−１からの磁界により、再生素子１内のフリー層が磁区制御されるようになっている。
【００３１】
ここで、コア先端部２−１は、２つでなくともどちらか一方により再生素子１内のフリー層が磁区制御を満たすのであれば、一方だけでも構わない。
【００３２】
また、再生素子１は図１において矩形で示されているが、台形であっても構わない。
【００３３】
さらに、再生素子−電磁石間接合部５、上部シールド−電磁石間接合部６、下部シールド−電磁石間接合部７を介してコア先端部２−１は配置されているが、これらを介せずに
コア先端部２−１が再生素子１、上部シールド３及び下部シールド４と接して配置されていても構わない。
【００３４】
図１に示されている切断面Ａ−Ａ’から見た、本発明による磁気再生ヘッドの電磁石を示す一実施例を図２に示す。図２においては電磁石２を再生素子１に対してリング状に配置した例である。電磁石２はコア先端部２−１、コア２−２およびコア２−２の外周に薄膜形成技術により作られたコイル２−３を有す。コア先端部２−１は再生素子−電磁石間接合部５を介して再生素子１の側面に対向して設けられている。ここで、本明細書における図面においては、同じ符号が付された各部分は同じ構成要素を示している。
【００３５】
コア２−２は例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄのいずれか一つ以上を含む電磁石のコア材料として適した磁性材料であり、コイル２−３はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｌのいずれか一つ以上を含む電磁石のコイル材料として適した導電性材料である。コイル２−３に示されたリード線の先は後述するコイル電流制御を行うコイル用回路に接続され、必要な時に、必要な強度の磁界を再生素子１に加える。図２においては、さらに、ディスク表面１０に対し再生素子１が浮上ギャップ１１をもって浮上している様子を示している。
【００３６】
また、図３は本発明による磁気再生ヘッドの電磁石を示す他の実施例を示す。図３において、２つの電磁石４０２が再生素子１に対して島状に配置された例である。
【００３７】
図４は本発明による磁気再生ヘッドの他の実施例を示す。図４においては、コア先端部６０２−１の残留磁化低減のため、例えば、コア材料をラミネート材料を介して層状としたコア先端部を有する例を示す。
【００３８】
図５は、本発明による磁気再生ヘッドの電磁石の外観を示す例である。図５においては、上部シールド５０３と下部シールド５０４に挟まれて再生素子５０１が形成されている。再生素子５０１の側面を挟むようにリング状の電磁石のコア先端部５０２−１が配置され、コア５０２−２およびコア５０２−２の外周の一部に設けられたコイル５０２−３が示されている。図５において上部シールド５０３と下部シールド５０４に挟まれた空間に見える部分は図１、図４で説明した各接合部が存在するが、ここでは、省略してある。コア先端部５０２−１およびコア５０２−２は、再生素子５０１の側面の一部に対応する大きさで示されているが、上部シールド５０３と下部シールド５０４の間にあれば、より断面積が大きくても構わない。
【００３９】
さらに、図７は、本発明による電磁石のコイル電流制御の一実施例を示す。図７において、ライト素子用回路７０１はライトヘッドのコイルに流す電流を制御する回路であり、リード線７１２を介してライト素子７１１に接続されている。リード素子用回路７０２は再生素子であるリード素子７２１が組み込まれたリードヘッドにリード線７２２を介して接続されている。コイル用回路７０４は、電磁石のコイル７３１にリード線７３２を介して接続されている。リード素子用回路７０２とコイル用回路７０４は互いの信号をフィードバックするフィードバック制御回路７０３で接続されており、コイル用回路７０４はコイル７３１に対し、コイル７３１に流す電流のＯＮ／ＯＦＦの開始と終了のタイミング、電流の大きさをリード素子用回路７０２の動作に関連してフィードバック制御回路７０３
を介して制御信号を受け取り動作する。  
【００４０】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内において、種々の変形・変更が可能であることは言うまでもない。
【００４１】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）  ＣＰＰ構造を有する磁気抵抗効果型再生素子を備えた磁気再生ヘッドであって、再生素子と、前記再生素子を構成する膜の堆積方向に前記再生素子を挟持する上部シールドと下部シールドと、前記再生素子のフリー層の磁区を制御する電磁石とを有し、前記電磁石はコアとコイルによって構成され、前記コアのコア先端部は前記上部シールドと前記下部シールドとの間に在って前記再生素子の周囲に配置され、前記先端部の前記堆積方向の厚さは前記再生素子の前記堆積方向の厚さ以下であり、前記コイルは前記上部シールドと前記下部シールドが対向する空間に配置され、かつ、前記コアの外周に設けられていることを特徴とする磁気再生ヘッド。
（付記２）  前記上部シールド、前記再生素子および前記下部シールドの各々と前記コア先端部に対向する前記コア先端部との接合部に絶縁膜を設けることを特徴とする付記１に記載の磁気再生ヘッド。
（付記３）  前記コア先端部に対向する前記上部シールドとの接合部または前記下部シールドとの接合部のどちらか一方に非磁性膜を用いることを特徴とする付記１に記載の磁気再生ヘッド。
（付記４）  前記コイルは前記コアの外周にトロイダル巻きあるいはスパイラル巻きされたコイルによって前記コア先端部に磁界を発生させることを特徴とする付記１乃至付記３に記載の磁気再生ヘッド。
（付記５）  付記１乃至付記４に記載の磁気再生ヘッドを備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
（付記６）  前記コアがＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄのいずれか一つ以上を含むことを特徴とする付記１記載の磁気再生ヘッド。
（付記７）  前記コイルの部材がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｌのいずれか一つ以上を含むことを特徴とする付記１記載の磁気再生ヘッド。
（付記８）  前記先端部は積層構造を有することを特徴とする付記１記載の磁気再生ヘッド。
（付記９）  前記コイルに流す電流を制御する電流回路を有する付記１記載の磁気再生ヘッド。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明による磁気再生ヘッドの一実施例
【図２】本発明による磁気再生ヘッドの電磁石を示す一実施例
【図３】本発明による磁気再生ヘッドの電磁石を示す他の実施例
【図４】本発明による磁気再生ヘッドの他の実施例
【図５】本発明による磁気再生ヘッドの電磁石の外観を示す例
【図６】ＣＩＰ型構造とＣＰＰ型構造の概略説明図
【図７】本発明による電磁石のコイル電流制御の一実施例
【符号の説明】
【００４３】
１、５０１      再生素子
２、４０２      電磁石
３、５０３      上部シールド
４、５０４      下部シールド
５      再生素子−電磁石間接合部
６      上部シールド−電磁石間接合部
７      下部シールド−電磁石間接合部
１０    ディスク表面
１１    浮上ギャップ
【図１】
2007328890.tif 000003
【図２】
2007328890.tif 000004
【図３】
2007328890.tif 000005
【図４】
2007328890.tif 000006
【図５】
2007328890.tif 000007
【図６】
2007328890.tif 000008
【図７】
2007328890.tif 000009