(57)【要約】【課題】従来の技術による諸問題を解決するためのＡＭＯＬＥＤの製作方法を提供する。【解決手段】この発明による方法は、基板を設け、少なくとも一つのデータラインと少なくとも一つのドレイン金属とを基板に形成し、基板にバッファ絶縁層を形成し、バッファ絶縁層に少なくとも一つのアクティブ層を形成し、アクティブ層とバッファ絶縁層とにゲート絶縁層を形成し、アクティブ層の上方にあるゲート絶縁層にゲート金属を形成し、ゲート金属を自己整合用マスクとして使用してアクティブ層に対してイオンをドープし、ゲート金属の対応する側にソースとドレインとを形成し、複数のビアホールをゲート絶縁層に形成し、複数の透明電極を夫々のビアホールとゲート絶縁層とに形成し、画素規定層を形成して透明電極を露出させ、透明電極にＬＥＤを形成するステップを含む。【選択図】図８
2007052390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＭＯＬＥＤ（アクティブマトリックス式有機発光ダイオード）の製作方法であって、
基板を設け、
少なくとも一つのデータラインと少なくとも一つのドレイン金属を前記基板に形成し、
前記基板と、前記データラインと、前記ドレイン金属とにバッファ絶縁層を形成し、
該バッファ絶縁層に少なくとも一つのアクティブ層を形成し、
該アクティブ層と前記バッファ絶縁層にゲート絶縁層を形成し、
前記アクティブ層の上方にある前記ゲート絶縁層にゲート金属を形成し、
該ゲート金属を自己整合用マスクとして使用して前記アクティブ層に対してイオンをドープし、前記ゲート金属の対応する側にソースとドレインとを形成し、
前記データラインと、前記ドレイン金属と、前記ドレインと、前記ソースとに達する複数のビアホールを前記ゲート絶縁層に形成し、
前記データラインと、前記ドレインと、前記ドレイン金属とに電気的に接する複数の透明電極を夫々のビアホール及び前記ゲート絶縁層に形成し、
前記透明電極と、前記ゲート金属と、前記ゲート絶縁層とに画素規定層を形成して透明電極を露出させ、
該透明電極に発光ダイオード（ＬＥＤ）を形成するステップを含むことを特徴とするＡＭＯＬＥＤの製作方法。
【請求項２】
前記基板は、透明ガラス基板と、プレーン基板と、フレキシブル基板と、金属箔とを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記データラインと前記ドレイン金属を形成する方法は更に、
前記基板の表面に第一金属膜を形成し、
該第一金属膜に対して第一フォトリソグラフィーエッチング工程（ＰＥＰ）を行って前記データラインと前記ドレイン金属とを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記アクティブ層を形成する方法は更に、
前記バッファ絶縁層にアモルファスシリコン膜を形成し、
該アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に再結晶させ、
該ポリシリコン膜に対して第二ＰＥＰ工程を行って前記アクティブ層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ゲート金属を形成する方法は更に、
前記ゲート絶縁層に第二金属膜を形成し、
該第二金属膜に対して第三ＰＥＰ工程を行って前記ゲート金属を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ゲート絶縁層にあるビアホールは第四ＰＥＰ工程によってつくられることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記透明電極と前記画素規定層とを形成する方法は更に、
前記ゲート絶縁層と前記ゲート金属とに透明電極膜を形成し、
該透明電極膜に対して第五ＰＥＰ工程を行って透明電極を形成し、
堆積工程と第六ＰＥＰ工程とで画素規定層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記透明電極の被覆範囲が前記ドレイン金属より広く、前記ＡＭＯＬＥＤが底部放射型ＬＥＤパネルまたは上下放射型ＯＬＥＤパネルであることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記透明電極は、酸化インジウムすず（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）であることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記画素規定層はスピン・オン・グラス工程によって製作されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は薄膜トランジスター（ＴＦＴ）パネルの製作方法に関し、特に有機発光ダイオードに使用される低温ポリシリコン薄膜トランジスターを備える有機発光ダイオードパネル（ＬＴＰＳ
ＴＦＴ ＯＬＥＤ）の製作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＬＴＰＳ ＴＦＴアレイを製作する工程はフォトリソグラフィーエッチング工程（ＰＥＰ）を行うため６〜９枚のマスクを必要とし、５枚のマスクのみ必要とするα−Ｓｉ：Ｈ
ＴＦＴ（水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスター）の製作より複雑である。更に、アクティブマトリックス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）パネルの製作工程では、ＬＴＰＳ
ＴＦＴアレイと画素規定層（ＰＤＬ、pixel define layer）を製作しなければならないので、所要のマスクは７〜１０枚となる。
【０００３】
図１を参照する。図１は従来のＯＬＥＤ
ＴＦＴの構造を表す説明図である。従来の技術によれば、まずガラス基板１０２を設け、その上に絶縁層１０４と、アモルファスシリコン膜（非表示）をドープし、更にエキシマーレーザーアニーリング（ＥＬＡ）工程を用いてアモルファスシリコン膜を多結晶シリコンに再結晶させる。続いて、第一マスクを利用して第一ＰＥＰ工程を行い、多結晶シリコンにアクティブ層１０６パターンをエッチングし、アクティブ層１０６及び絶縁層１０４の上にゲート絶縁層１０８を堆積する。
【０００４】
それに続いて、金属エッチング工程、第二マスク及び第二ＰＥＰ工程を行い、ゲート金属１１０をエッチングする。次に、ゲート金属１１０を自己整合（self alignment）用のマスクとし、ホウ素イオンドープ工程でその両側にソース１０３とドレイン１０５を形成する。従来の技術は、前記第一ＰＥＰ工程と第二ＰＥＰ工程を用いてポリシリコン下極板１０７と、ゲート絶縁層１０８と、ゲート金属上極板１１１にコンデンサー（Ｃｓｔ）１１３を形成し、更にガラス基板１０２に層間誘電体（ＩＬＤ）１１２をドープしてゲート金属１１０と、ゲート金属上極板１１と、ゲート絶縁層１０８とを覆わせる。続いて、第三マスク及び第三ＰＥＰ工程を行い、ソース１０３とドレイン１０５の上方にある一部の層間誘電体１１２とゲート絶縁層１０８とを除去してビアホール１１５を定める。次に第四マスクを用いて金属エッチング工程を行い、データラインとドレインとをソース１０３とドレイン１０５とにそれぞれ電気的に接するように金属層１１４のビアホール１１５にエッチングする。それに続いて、第五マスク及び第五ＰＥＰ工程を行い、平坦なパシベーション層１１６を金属層１１４と層間誘電体１１２にドープし、ドレイン１０５に電気的に接する金属層１１４の上方にあるパシベーション層１１６を除去する。更に、パシベーション層１１６に酸化インジウムすず（ＩＴＯ）からなる透明電極膜（非表示）を形成して、第六マスク及び第六ＰＥＰ工程を行って透明電極１１８の適切な形状を定める。次に、第七マスク及び第七ＰＥＰ工程を行い、画素規定層（ＰＤＬ）１２０を処理し、エッチングする。最後に透明電極１１８の表面にＬＥＤ（非表示）を形成し、ＯＬＥＤパネル１１０は完成する。
【０００５】
従来の技術は以上のように７回のＰＥＰ工程を要するので、その製作工程が複雑であるのみならず、多数のマスクを使用することもコスト高と整列のずれにつながりがちであり、同時に生産能率と製品の歩留まりを引き下げる欠点が存在する。したがって、マスクの枚数を減らすことはモニタ製造産業において重要な課題である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は前述の問題を解決するためのＡＭＯＬＥＤの製作方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明はＡＭＯＬＥＤパネルの製作方法を提供する。該方法は、基板を設け、少なくとも一つのデータラインと少なくとも一つのドレイン金属とを基板に形成し、基板と、データラインと、ドレイン金属とにバッファ絶縁層を形成し、バッファ絶縁層に少なくとも一つのアクティブ層を形成し、アクティブ層とバッファ絶縁層とにゲート絶縁層を形成し、アクティブ層の上方にあるゲート絶縁層にゲート金属を形成し、ゲート金属を自己整合用マスクとして使用してアクティブ層に対してイオンをドープし、ゲート金属の対応する側にソースとドレインとを形成し、データラインと、ドレイン金属と、ドレインと、ソースとに達する複数のビアホールをゲート絶縁層に形成し、データラインと、ドレインと、ドレイン金属とに電気的に接する複数の透明電極を夫々のビアホール及びゲート絶縁層に形成し、透明電極と、ゲート金属と、ゲート絶縁層に画素規定層を形成して透明電極を露出させ、透明電極にＬＥＤを形成するステップを含む。
【発明の効果】
【０００８】
この発明はＬＴＰＳ  ＴＦＴアレイのパネルにおける従来の金属線の位置を変更し、すなわちゲート金属を金属層の上方につくり、更に層間誘電体を省略し、バッファ絶縁層とゲート絶縁層とを金属層とゲート金属との間の絶縁層として短絡を防ぐ。なお、この発明はＳＯＧ工程で平坦な画素規定層を製作する。更に、この発明はパシベーション層を省略し、マスクを６枚に減らすことによって、製作工程を簡素化してコストを低める。この発明はＬＴＰＳ  ＴＦＴアレイを備える液晶パネルに適用されうるのみならず、使用するマスクを６枚に減じることができる。更に、ドレインと電気的に接する金属層と透明電極の相対位置を調整することによって、反射型、透過型または半透過型のパネルを製作することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
かかる方法の特徴を詳述するために、具体的な実施例を挙げ、図示を参照にして以下に説明する。
【００１０】
図２から図８を参照する。図２から図８はこの発明によるＡＭＯＬＥＤパネルの製作方法を表す説明図である。図２に示されるように、まずガラス基板２０２を下基板として設け、その上に第一金属膜（非表示）を形成する。続いて第一マスクを利用して第一ＰＥＰ工程を行い、データライン及びドレイン２０４などを第一金属膜に形成する。
【００１１】
次に図３に示されるように、金属層２０４にバッファ絶縁層２０６を形成し、更にバッファ絶縁層２０６にアモルファスシリコン膜（非表示）を形成し、ＥＬＡ工程によりアモルファスシリコン膜を多結晶シリコンに再結晶させる。続いて第二マスクを利用して第二ＰＥＰ工程を行い、多結晶シリコン（非表示）にアクティブ層２０８のパターンを形成する。図４に示されるように、アクティブ層２０８はバッファ絶縁層２０６に形成してあり、バッファ絶縁層２０６はデータラインとドレインとを覆っている。
【００１２】
続いて図５に示されるように、アクティブ層２０８及びバッファ絶縁層２０６の表面にゲート絶縁層２１０を形成する。次に第二金属膜堆積工程を行い、ゲート絶縁層２１０の表面に第二金属膜（非表示）を形成し、更に第三マスク及び第三ＰＥＰ工程を行って、図６に示されるようなゲート金属２１２を形成する。続いてゲート金属２１２を自己整合用マスクとし、ホウ素イオンドープ工程でアクティブ層２０８の両側にソース２１３とドレイン２１５とを形成する。注意すべきなのは、この発明ではゲート金属２１２は金属層２０４の上方につくられ、それに対して従来の技術では、金属層１１４はゲート金属１１０の上方につくられることである。したがって、この発明はＭＯＳにおける金属線の位置を変更したのである。
【００１３】
図７を参照する。第四マスク及び第四ＰＥＰ工程を行い、ゲート絶縁層２１０とバッファ絶縁層２０６とをエッチングして、ソース２１３とドレイン２１５とに達するビアホール２１３をつくる。次にゲート金属２１２、金属層２１４、ソース２１３、ドレイン２１５及びゲート絶縁層２１０にＩＴＯまたは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）からなる透明電極膜（非表示）を形成する。続いて第五マスク及び第五ＰＥＰ工程を行い、形の適切な透明電極２１４をつくる。透明電極２１４はデータラインとされる金属層２０４と、ソース２１３と、ドレインとされる金属層２０４と、ドレイン２１５とに電気的に接する。
【００１４】
図８を参照する。透明電極２１４と、ゲート絶縁層２１０と、ゲート金属２１２とに対して二酸化珪素または感光性物質を用いるスピン・オン・グラス（ＳＯＧ）工程を施し、平坦な画素規定層（ＰＤＬ）２１６を形成する。更に第六マスク及び第六ＰＥＰ工程を行って、画素規定層２１６をエッチングしてドレイン２１５に電気的に接する透明電極２１４を露出させる。最後に露出した透明電極２１４の表面にＯＬＥＤ２１８を形成し、この発明によるＯＬＥＤパネル８００を完成する。注意すべきなのは、この発明による透明電極２１４の被覆範囲はドレイン２１５に電気的に接する金属層２０４より広い場合に、ＯＬＥＤ２１８の光は上下両方向ともに放射されることである。したがってこの発明によるＯＬＥＤパネルは底面放射型または上下放射型である。
【００１５】
以上はこの発明の好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれもこの発明の特許請求の範囲に属するものとする。
【産業上の利用可能性】
【００１６】
この発明はＬＴＰＳ ＴＦＴアレイを備える液晶パネルに適用するものであり、６回のＰＥＰ工程のみ必要とするだけでなく、更に、ドレインと電気的に接続される金属層と透明電極の相対位置を調整することによって、反射型、透過型または半透過型のパネルを製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来のＯＬＥＤパネルの薄膜トランジスターの構造を表す説明図である。
【図２】この発明によるＡＭＯＬＥＤパネルの製作方法を表す第一説明図である。
【図３】この発明によるＡＭＯＬＥＤパネルの製作方法を表す第二説明図である。
【図４】この発明によるＡＭＯＬＥＤパネルの製作方法を表す第三説明図である。
【図５】この発明によるＡＭＯＬＥＤパネルの製作方法を表す第四説明図である。
【図６】この発明によるＡＭＯＬＥＤパネルの製作方法を表す第五説明図である。
【図７】この発明によるＡＭＯＬＥＤパネルの製作方法を表す第六説明図である。
【図８】この発明によるＡＭＯＬＥＤパネルの製作方法を表す第七説明図である。
【符号の説明】
【００１８】
１００、８００     パネル
１０２、２０２     ガラス基板
１０３、２１３     ソース
１０４             絶縁層
１０５、２１５     ドレイン
１０６、２０８     アクティブ層
１０７             ポリシリコン下極板
１０８、２１０     ゲート絶縁層
１１０、２１２     ゲート金属
１１１             ゲート金属上極板
１１２             層間誘電体
１１３             保存コンデンサー
１１４、２０４     金属層
１１５、２１７     ビアホール
１１６             パシベーション層
１１８、２１４     透明電極
１２０、２１６     画素規定層
２０６             バッファ絶縁層
２１８             ＬＥＤ
【図１】
2007052390.tif 000003
【図２】
2007052390.tif 000004
【図３】
2007052390.tif 000005
【図４】
2007052390.tif 000006
【図５】
2007052390.tif 000007
【図６】
2007052390.tif 000008
【図７】
2007052390.tif 000009
【図８】
2007052390.tif 000010