(57)【要約】【課題】クロストークを防止すると共に、輝度ムラを防止した発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】本発明は、基板１０上に、画素電極１１１と、画素電極１１１に対向する陰極１２と、画素電極１１１と陰極１２との間に基板１０側から積層される正孔注入層１１０ａ及び発光層１１０ｂとを備える発光装置１００であって、隣接する画素電極１１１，１１１間には、画素電極１１１を区画すると共に、画素電極１１１の周縁部と平面視で重なるようにして正孔注入層形成材料に対し撥液性を有する絶縁層１１２ａが設けられ、絶縁層１１２ａで区画された画素電極１１１上には正孔注入層１１０ａが設けられ、正孔注入層１１０ａの上面の高さが、絶縁層１１２ａの周縁部上に設けられた絶縁層１１２ａの上面の高さと略同じである。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置であって、
隣接する前記画素電極間には、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるようにして正孔注入層材料に対し撥液性を有する絶縁層が設けられ、
前記絶縁層に区画された前記画素電極上には前記正孔注入層が設けられ、
前記正孔注入層の上面の高さが、前記絶縁層の周縁部上に設けられた前記絶縁層の上面の高さと略同じであることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置であって、
隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるように設けられた正孔注入層材料に対し撥液性を有する第１隔壁と、
前記第１隔壁上に前記画素電極を区画するように設けられた第２隔壁とを備え、
前記第１隔壁に区画された前記画素電極上には前記正孔注入層が設けられ、
前記正孔注入層の上面の高さが、前記画素電極の周縁部上に設けられた前記第１隔壁の上面の高さと略同じであることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記発光層は、前記絶縁層及び前記正孔注入層上の全面又は前記第１隔壁及び前記正孔注入層上の全面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置であって、
隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるように設けられた第１隔壁と、
前記第１隔壁上に、前記画素電極を区画するように設けられた第２隔壁とを備え、
前記第２隔壁の側面には、撥液性を有する第１領域と、前記第１領域よりも撥液性が相対的に低い第２領域とが設けられたことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
前記第２隔壁が、第１有機物層、隔壁部絶縁層、及び第２有機物層が前記基板側からこの順に積層されて構成され、
前記隔壁部絶縁層の表面が、前記第１有機物層及び前記第２有機物層の表面よりも相対的に撥液性が低いことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置であって、
隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるように設けられた第１隔壁と、
前記第１隔壁上に前記画素電極を区画するように設けられた第２隔壁とを備え、
前記第２隔壁の側面の少なくとも一部には屈曲部が設けられたことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
前記第２隔壁が、上隔壁部と、前記上隔壁部の側面よりも外側に突出した側面を有する下隔壁部とからなり、
前記突出した下隔壁部の上面と、前記上隔壁の側面との境界に前記屈曲部が設けられたことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１隔壁が正孔注入層材料に対して撥液性を有するものであり、
前記正孔注入層の上面の高さが、前記画素電極の周縁部上に設けられた前記第１隔壁の上面の高さと略同じであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
請求項１又は請求項３に記載の発光装置と、回動可能な感光体ドラムとを備え、
前記発光装置から出射される光により前記感光体ドラムを露光することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置の製造方法であって、
隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるようにして正孔注入層材料に対し撥液性を有する又は撥液処理が施された絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層に区画された前記画素電極上に、前記正孔注入層の上面の高さが前記絶縁層の上面の高さと略同じとなるようにして前記正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、
前記絶縁層及び前記画素電極上の全面に発光層を形成する発光層形成工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層形成工程において、
前記絶縁層を、窒化ケイ素と炭素とを含む材料を用いて前記絶縁層を形成した後、
フッ化系化合物ガスの雰囲気中において前記絶縁層にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層形成工程において、
前記絶縁層を酸化ケイ素又は窒化ケイ素又は酸化チタンにより形成した後、
前記絶縁層表面にシラン系カップリング処理を施すことを特徴とする請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記正孔注入層形成工程において、前記正孔注入層を液滴吐出法により形成し、
前記発光層形成工程において、前記発光層を液相法により形成することを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置の製造方法であって、
隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるようにして、正孔注入層材料に対し撥液性を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、
前記第１隔壁上に前記画素電極を区画するようにして第２隔壁を形成する第２隔壁形成工程と、
前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記画素電極上に、前記正孔注入層の上面の高さが、前記画素電極の周縁部上に設けられた前記第１隔壁の上面の高さと略同じとなるようにして前記正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、
前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記正孔注入層上の全面に発光層を形成する発光層形成工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１隔壁形成工程において、窒化ケイ素と炭素とを含む材料を用いて前記第１隔壁を形成し、前記第２隔壁形成工程後、フッ化系化合物ガスの雰囲気中において前記第１隔壁にプラズマ処理し、前記第１隔壁に撥液処理を施すことを特徴とする請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１隔壁形成工程において、前記第１隔壁を酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は酸化チタンにより形成した後、
前記第２隔壁形成工程後、シラン系カップリング処理を施し、前記第１隔壁表面に撥液処理を施すことを特徴とする請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２隔壁形成後、フッ化系化合物ガスの雰囲気中においてプラズマ処理し、前記第２隔壁に撥液処理を施すことを特徴とする請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記正孔注入層形成工程において、前記正孔注入層を液滴吐出法により形成し、前記発光層形成工程において、前記発光層を液滴吐出法により形成することを特徴とする請求項１４乃至請求項１７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１９】
基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置の製造方法であって、
隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるようにして第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、
前記第１隔壁上に前記画素電極を区画するようにして第２隔壁を形成する第２隔壁形成工程と、
前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記画素電極上に前記正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、
前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記正孔注入層上に前記発光層を形成する発光層形成工程とを有し、
前記第２隔壁形成工程において、前記第１隔壁上に第１有機物層、隔壁部絶縁層、及び第２有機物層を前記基板側から順に積層し、所定形状にパターニングして前記第２隔壁を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２隔壁を形成した後、酸素、及びフッ化系化合物ガスのプラズマ処理により、前記隔壁部絶縁層表面に親水性を、前記第１有機物層及び第２有機物層に撥液性を付与することを特徴とする請求項１９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２１】
基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置の製造方法であって、
隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるようにして第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、
前記第１隔壁上に前記画素電極を区画するようにして第２隔壁を形成する第２隔壁形成工程と、
前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記画素電極上に前記正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、
前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記正孔注入層上に発光層を形成する発光層形成工程とを有し、
前記第２隔壁形成工程において、前記第２隔壁の側面の少なくとも一部に屈曲部を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第２隔壁を有機物で形成した後、酸素、及びフッ化系化合物ガスのプラズマ処理により、前記有機物層に撥液性を付与することを特徴とする請求項２０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第１隔壁形成工程において、窒化ケイ素と炭素とを含む材料を用いて前記第１隔壁を形成し、
前記第２隔壁形成工程において、前記第２隔壁を形成した後、フッ化系化合物ガスにより前記第１隔壁にプラズマ処理を施して前記第１隔壁に撥液性を付与し、
前記正孔注入層形成工程において、前記第１隔壁に区画された前記画素電極上に、前記正孔注入層の上面の高さが、前記画素電極の周縁部上に設けられた前記第１隔壁の上面の高さと略同じとなるようにして前記正孔注入層を形成することを特徴とする請求項１９乃至請求項２２のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１隔壁形成工程において、前記第１隔壁を酸化ケイ素又は酸化チタンにより形成し、
前記第２隔壁形成工程において、前記第２隔壁を形成した後、前記第１隔壁にシラン系カップリング処理を施して前記第１隔壁に撥液性を付与し、
前記正孔注入層形成工程において、前記第１隔壁に区画された前記画素電極上に、前記正孔注入層の上面の高さが、前記画素電極の周縁部上に設けられた前記第１隔壁の上面の高さと略同じとなるようにして前記正孔注入層を形成することを特徴とする請求項１９乃至請求項２２のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２５】
前記正孔注入層形成工程において、前記正孔注入層を液滴吐出法により形成し、前記発光層形成工程において、前記発光層を液滴吐出法により形成することを特徴とする請求項１９乃至請求項２４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光を利用した有機ＥＬ装置は、自己発光のため視認性が高く、薄くて軽い、かつ耐衝撃性に優れるなどの優れた特徴を有することから近年広く注目されている。
この有機ＥＬ装置は、スイッチング素子である薄膜トランジスタが形成されたガラス基板等の透明基板上に、ＩＴＯ、酸化スズ（ＳｎＯ２）等の透明導電材料からなる陽極と、ポリチオフェン誘導体のドーピング体からなる正孔注入層と、ポリフルオレン等の発光物質からなる発光層と、Ｃａ等の低仕事関数を有する金属材料や金属化合物からなる陰極とを順次積層されて構成されている。
【０００３】
これらの有機薄膜の材料として低分子系の材料を用いる場合には、蒸着法による成膜が一般的である。しかし、蒸着法では大面積に均一に成膜するのが困難であった。また高額な真空装置が必要となり、材料使用効率が極めて低い為、低コスト化を図ることが困難であった。
そこで、有機薄膜の材料として高分子材料を用い、スピンコート法、ディップ法、インクジェット法等の液相法により有機薄膜を形成する方法が広く利用されている。以下、（１）スピンコート法、（２）インクジェット法により有機薄膜（正孔注入層及び発光層）を形成する方法について説明する。
【０００４】
（１）スピンコート法
スピンコート法により正孔注入層及び発光層を形成する場合、まず、基板上に複数の画素電極を形成した後、画素電極のそれぞれを区画するようにしてＳｉＯ２等の材料からなる無機バンク層を形成する。次に、無機バンク層を含む画素電極上の全面に、スピンコート法により正孔注入層を形成した後、この正孔注入層上に発光層を積層する（特許文献１、２参照）。
【０００５】
（２）インクジェット法
インクジェット法により正孔注入層及び発光層を形成する場合、まず、画素電極を区画するようにして、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機材料からなる無機物バンク層を形成する。
そして、この無機物バンク層上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂からなる有機物バンク層を形成する。その後、無機物バンク層の側壁面及び画素電極の電極面に親液処理を施し、有機物バンク層の内壁面及び上面に撥液処理を施す。
このように形成された無機物バンク層及び有機物バンク層に区画された領域内に、正孔注入層を形成し、この正孔注入層上に発光層を積層する。（特許文献２〜５参照）。
【特許文献１】特開２００３−４５６６５号公報
【特許文献２】特開２００１−１８４４１号公報
【特許文献３】特開２００３−１９８２６号公報
【特許文献４】特許第３３２８２９７号公報
【特許文献５】特開２００３−２８２２４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記（１）スピンコート法、（２）インクジェット法により正孔注入層及び発光層を形成する場合には以下の問題があった。
【０００７】
（１）スピンコート法の場合、正孔注入層の材料にはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｈ．ＣＳｔｒａｃｋ社製バイトロンＰ）のような抵抗の低い材料が用いられている。ここで、上述したように、正孔注入層は基板全面に形成されるため、正孔注入層の正孔は無機バンク層によって区画された発光領域以外の画素隣接間の正孔注入層にも流れてしまい、いわゆるクロストークが発生してしまう。これにより、画素隣接間の無機バンク層上の正孔注入層が電極と同様に機能する場合があり、発光領域以外の領域で発光し、発光形状輪郭ボケといった品質低下を起こす問題があった。
また、スピンコート法により、正孔注入層等を基板上の全面に形成する場合には、実装部や陰極取り出し領域での剥離除去工程が必要であるという問題があった。
【０００８】
（２）インクジェット法の場合、有機物バンク層は、フォトリソグラフィー処理による精度を考慮して、無機物バンク層の周縁からある程度の間隔を空けて無機物バンク層上に形成する。従って、無機物バンク層と有機物バンク層との積層部分は段差となる。この無機物バンク層は親液性となっている。そのため、正孔注入層形成材料を無機物バンク層及び有機物バンク層に区画された領域に吐出すると、この段差となる無機物バンク層上にも正孔注入層形成材料が配置される。そして、この正孔注入層上には発光層が形成される。このとき、この段差となる無機物バンク層上に形成される正孔注入層および発光層の膜厚と、各画素領域に形成される正孔注入層および発光層の膜厚とは異なってしまい、バンクで囲まれた領域での発光輝度が異なってしまうという問題があった。
【０００９】
また、正孔注入層上に発光材料を吐出した後には、乾燥処理を行い、発光材料中の溶剤を蒸発させることにより発光層を形成する。しかし、発光材料の乾燥が開始する点（ピニングポイント）は有機物バンク層の側壁面において毎回同じ位置ではなく、乾燥が開始する位置がばらつく傾向がある。この有機物バンク層の側壁面のピニングポイントのばらつきにより、発光層の中央部と周縁部とで膜厚が異なってしまう場合があり均一な膜厚の発光層を形成することができなかった。これにより、画素領域内の中央部と周縁部とで発光輝度が異なると共に、発光寿命が異なってしまうという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、クロストークを防止すると共に、各画素の機能層の膜厚を均一かつ平坦に形成し、発光輝度及び発光寿命の均一化を図った発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置であって、隣接する前記画素電極間には、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるようにして正孔注入層材料に対し撥液性を有する絶縁層が設けられ、前記絶縁層に区画された前記画素電極上には前記正孔注入層が設けられ、前記正孔注入層の上面の高さが、前記絶縁層の周縁部上に設けられる前記絶縁層の上面の高さと略同じであることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、画素電極の周縁部上に設けられる絶縁層は正孔注入層材料に対して撥液性を有するため、絶縁層上に吐出される正孔注入層形成材料ははじかれ、絶縁層に区画された開口部内に流れ込む。また、正孔注入層の上面の高さと絶縁層の上面の高さとは略同じであり、乾燥後、正孔注入層形成材料が絶縁層上に漏れ出さないように制御されている。これは、正孔注入層形成材料の吐出量等の吐出条件を制御することにより可能である。そのため、正孔注入層は、絶縁層によって区画された開口部内の画素電極上にのみ配置され、開口部外側（隣接する画素間）の絶縁層上に配置されることはない。
従って、各画素電極に設けられた正孔注入層のホールが隣接する画素間に流れる、いわゆるクロストークの発生を抑制することができる。よって、電流が隣接する画素間に滲みることによる発光形状輪郭ボケといった表示品質の低下を防止することができる。
【００１３】
また本発明の発光装置は、前記絶縁層及び前記正孔注入層上の全面に前記発光層が設けられたことも好ましい。
【００１４】
この構成によれば、絶縁層の上面と正孔注入層の上面とは略同じ高さであるため、絶縁層の上面と正孔注入層の上面は連続した平坦面となる。従って、絶縁層及び正孔注入層上に形成される発光層は膜厚の均一かつ平坦な膜となり、輝度ムラのない、均一な発光を得ることができる。
【００１５】
本発明は、基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置の製造方法であって、隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるようにして正孔注入層材料に対し撥液性を有する又は撥液処理が施された絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に区画された前記画素電極上に、前記正孔注入層の上面の高さが前記絶縁層の上面の高さと略同じとなるようにして前記正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、前記絶縁層及び前記画素電極上の全面に発光層を形成する発光層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
また前記絶縁層形成工程において、前記絶縁層を、窒化ケイ素と炭素とを含む材料を用いて前記絶縁層を形成した後、フッ化系化合物ガスの雰囲気中において前記絶縁層にプラズマ処理を施すことも好ましい。
また前記絶縁層形成工程において、前記絶縁層を酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）又は酸化チタン（ＴｉＯ２）により形成した後、前記絶縁層表面にシラン系カップリング処理を施すことも好ましい。
【００１７】
この方法によれば、画素電極の周縁部上に設けられる絶縁層は正孔注入層材料に対して撥液性を有するため、絶縁層上に吐出される正孔注入層形成材料ははじかれ、絶縁層に区画された開口部内に流れ込む。また、正孔注入層の上面と絶縁層の上面の高さとを略同じに形成するため、正孔注入層形成材料が絶縁層上に漏れ出さないようになっている。これは、正孔注入層形成材料の吐出量等の吐出条件を制御することにより可能である。そのため、正孔注入層は、絶縁層によって区画された開口部から溢れることがなく、開口部外側の絶縁層上に配置されることはない。
従って、各画素電極に設けられた正孔注入層のホールが隣接する画素間に流れる、いわゆるクロストークの発生を抑制することができる。よって、電流が隣接する画素間に滲みることによる発光形状輪郭ボケといった表示品質の低下を防止することができる。
【００１８】
また本発明の発光装置の製造方法は、前記正孔注入層形成工程において、前記正孔注入層を液滴吐出法により形成し、前記発光層形成工程において、前記発光層を液相法により形成することも好ましい
【００１９】
本発明では、絶縁層が撥液性を有する又は撥液処理が施されるため、液滴吐出法を採用した場合でも、絶縁層に区画された開口部の外側に正孔注入層形成材料を漏れ出させることなく、選択的に正孔注入層を形成することができる。従って、液滴吐出法によれば、材料の無駄を抑制することができ、低コストかつ高精度に正孔注入層を形成することができる。
また、本発明によれば、絶縁層及び正孔注入層上は連続した平坦面であるため、簡便なスピンコート法により発光層を形成することができる。これにより、膜厚の均一かつ平坦な発光層を容易に形成することができる。
【００２０】
また本発明の露光装置は、上記発光装置と、回動可能な感光体ドラムとを備え、前記発光装置から出射される光により前記感光体ドラムを露光することを特徴とする。
また本発明の電子機器は、上記発光装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、上述した発光装置を備えるため、輝度ムラのない高品質の露光装置及び電子機器を提供することができる。
【００２１】
本発明は、上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置であって、隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるように設けられた前記正孔注入層に対し撥液性を有する第１隔壁と、前記第１隔壁上に前記画素電極を区画するように設けられた第２隔壁とを備え、前記第１隔壁に区画された前記画素電極上には前記正孔注入層が設けられ、前記正孔注入層の上面の高さが、前記画素電極の周縁部上に設けられた前記第１隔壁の上面の高さと略同じであることを特徴とする。
【００２２】
また本発明の発光装置は、前記発光層が前記第１隔壁及び前記正孔注入層上の全面に設けられたことも好ましい。
【００２３】
この構成によれば、画素電極の周縁部上に設けられる第１隔壁は正孔注入層に対して撥液性を有するため、第１隔壁上に吐出される正孔注入層形成材料ははじかれ、第１隔壁に区画された開口部内に流れ込む。また、正孔注入層の上面の高さと第１隔壁の上面の高さとは略同じであり、正孔注入層形成材料が第１隔壁上に漏れ出さないように制御されている。これは、正孔注入層形成材料の吐出量等の吐出条件を制御することにより可能である。そのため、正孔注入層が、第１隔壁によって区画された開口部から外側に配置されることはない。このように、第１隔壁の上面と正孔注入層の上面とは略同じ高さであるため、均一かつ平坦な正孔注入層及び発光層を形成することができる。さらに、正孔注入層及び発光層の周縁部と中央部とで膜厚を均一にすることができるため、発光寿命ムラのなく、発光寿命の均一化を図ることができる。
【００２４】
本発明は、基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置の製造方法であって、隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるようにして正孔注入層材料に対し撥液性を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、前記第１隔壁上に前記画素電極を区画するようにして第２隔壁を形成する第２隔壁形成工程と、前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記画素電極上に、前記正孔注入層の上面の高さが、前記画素電極の周縁部上に設けられた前記第１隔壁の上面の高さと略同じとなるようにして前記正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記正孔注入層上の全面に発光層を形成する発光層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００２５】
また発光装置の製造方法は、前記第１隔壁形成工程において、窒化ケイ素と炭素とを含む材料を用いて前記第１隔壁を形成した後、フッ化系化合物ガスの雰囲気中において前記第１隔壁にプラズマ処理し、前記第１隔壁に撥液処理を施すことも好ましい。
【００２６】
また発光装置の製造方法は、前記第１隔壁形成工程において、前記第１隔壁を酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は酸化チタンにより形成した後、前記第２隔壁形成工程後、シラン系カップリング処理を施し、前記第１隔壁表面に撥液処理を施すことも好ましい。
【００２７】
また発光装置の製造方法は、前記第２隔壁形成後、フッ化系化合物ガスの雰囲気中においてプラズマ処理し、前記第２隔壁に撥液処理を施すことも好ましい。
【００２８】
この方法によれば、画素電極の周縁部上に設けられる第１隔壁は正孔注入層材料に対して撥液性を有するため、第１隔壁上に吐出される正孔注入層形成材料ははじかれ、第１隔壁に区画された開口部内に流れ込む。また、正孔注入層の上面の高さと第１隔壁の上面の高さとは略同じであり、正孔注入層形成材料が第１隔壁上に漏れ出さないように制御されている。これは、正孔注入層形成材料の吐出量等の吐出条件を制御することにより可能である。そのため、正孔注入層が、第１隔壁によって区画された開口部から外側に配置されることはない。このように、第１隔壁の上面と正孔注入層の上面とは略同じ高さであるため、均一かつ平坦な正孔注入層及び発光層を形成することができる。さらに、正孔注入層及び発光層の周縁部と中央部とで膜厚を均一にすることができるため、発光寿命ムラのなく、発光寿命の均一化を図ることができる。
【００２９】
また本発明の発光装置の製造方法は、前記正孔注入層形成工程において、前記正孔注入層を液滴吐出法により形成し、前記発光層形成工程において、前記発光層を液滴吐出法により形成することも好ましい。
【００３０】
本発明によれば、液滴吐出法により正孔注入層及び発光層を選択的に形成することができる。従って、材料の無駄を抑制することができ、低コストかつ高精度に正孔注入層及び発光層を形成することができる。
【００３１】
本発明は、上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置であって、隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるように設けられた第１隔壁と、
前記第１隔壁上に、前記画素電極を区画するように設けられた第２隔壁とを備え、前記第２隔壁の側面には、撥液性を有する第１領域と、前記第１領域よりも撥液性が相対的に低い第２領域とが設けられたことを特徴とする。
【００３２】
この構成によれば、第２隔壁の側面の第２領域は、第１領域よりも撥液性が相対的に低く、吐出される発光層形成材料が第１領域よりも濡れ易くなっている。そのため、この第２領域は、発光層形成材料の乾燥、析出が開始するピニングポイントとなる。従って、第２隔壁の第２領域の位置を調節することにより、乾燥、析出を開始するピニングポイントを制御（固定）することが可能となる。これにより、発光層形成材料の吐出量等を制御することで、乾燥後の膜厚を制御することができ、より均一かつ平坦な発光層を形成することができる。
ここで、ピニング現象について説明する。
一般に基板上に配置された液滴は周縁部（エッジ）において乾燥の進行が速い。従って、液滴が溶媒を含む場合、この液滴の乾燥過程においては、液滴の周縁部において溶質等の濃度がまず飽和濃度に達し、析出し始める。一方、液滴内部には、液滴周縁部で蒸発により失われた液体を補給するため、液滴中央部から周縁部に向かう液体の流れが生じる。この結果、液滴中央部の溶媒は、その流れに従って周縁部に運ばれ、液滴の乾燥に伴って周縁部からの析出を促進する。このように、液滴に含まれていた溶媒が、基板上に配置された液滴の形状の外周に沿って析出する現象を「ピニング」と呼ぶ。
本発明では、第２隔壁に区画される領域内に吐出される液滴（発光層形成材料）のうち、析出が開始する液滴の外縁と第２隔壁の側面との接触する部分を「ピニングポイント」と呼ぶ。
【００３３】
また本発明の発光装置は、前記第２隔壁が、第１有機物層、絶縁層、及び第２有機物層が前記基板側からこの順に積層されて構成され、前記絶縁層の表面が、前記第１有機物層及び前記第２有機物層の表面よりも相対的に撥液性が低いことも好ましい。
【００３４】
この構成によれば、例えばフッ化系化合物を用いたプラズマ処理により、容易に、絶縁層の表面は、第１有機物層及び第２有機物層の表面よりも撥液性が低く、吐出される発光層形成材料が第１有機物層等の表面よりも濡れ易い状態を形成することができる。そのため、この絶縁層の表面がピニングポイントとなる。従って、乾燥を開始する位置を制御（固定）することが可能となり、乾燥後の膜厚を制御することができる。これにより、発光層形成材料の吐出量等を制御することで、目的とする膜厚に制御することができ、平坦な発光層を形成することができる。
【００３５】
また本発明の発光装置は、基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置であって、隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるように設けられた第１隔壁と、前記第１隔壁上に前記画素電極を区画するように設けられた第２隔壁とを備え、前記第２隔壁の側面の少なくとも一部には屈曲部が設けられたことも好ましい。
【００３６】
また前記第２隔壁が、上隔壁部と、前記上隔壁部の側面よりも外側に突出した側面を有する下隔壁部とからなり、前記突出した下隔壁部の上面と、前記上隔壁の側面との境界に前記屈曲部が設けられたことも好ましい。
【００３７】
この構成によれば、第２隔壁の側面に設けられた屈曲部が発光層形成材料の乾燥、析出が開始するピニングポイントとなる。第２隔壁に区画された領域内に吐出される発光層形成材料は、この屈曲部を基点として乾燥を開始する。従って、屈曲部の位置を調節することで、乾燥を開始するピニングポイントを制御することが可能となる。なお、第２隔壁の側面が平面又は湾曲している場合にはピニングポイントとはならない。
【００３８】
また本発明の発光装置は、前記第１隔壁が正孔注入層材料に対して撥液性を有するものであり、前記正孔注入層の上面の高さが、前記画素電極の周縁部上に設けられた前記第１隔壁の上面の高さと略同じであることも好ましい。
【００３９】
この構成によれば、画素電極の周縁部上に設けられる第１隔壁は正孔注入層材料に対して撥液性を有するため、第１隔壁上に吐出される正孔注入層形成材料ははじかれ、第１隔壁に区画された領域内に流れ込む。また、正孔注入層の上面の高さと第１隔壁の上面の高さとは略同じであり、正孔注入層形成材料が第１隔壁上に漏れ出さないように制御されている。これは、正孔注入層形成材料の吐出量等の吐出条件を制御することにより可能である。そのため、正孔注入層は、第１隔壁によって区画された領域内の画素電極上にのみ配置され、第１隔壁上に配置されることはない。これにより、均一かつ平坦な正孔注入層を形成することができる。また、この正孔注入層上に発光層を形成することができるため、均一かつ平坦な発光層を形成することができる。さらに、正孔注入層及び発光層の膜厚を中央部と周縁部とで均一にすることができ、輝度ムラを防止することができる。
【００４０】
本発明は、基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置の製造方法であって、隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるようにして第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、前記第１隔壁上に前記画素電極を区画するようにして第２隔壁を形成する第２隔壁形成工程と、前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記画素電極上に前記正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記正孔注入層上に前記発光層を形成する発光層形成工程とを有し、前記第２隔壁形成工程において、前記第１隔壁上に第１有機物層、絶縁層、及び第２有機物層を前記基板側から順に積層し、所定形状にパターニングして前記第２隔壁を形成することを特徴とする。
また前記第２隔壁を形成した後、酸素、及びフッ化系化合物ガスのプラズマ処理により、前記絶縁層表面に親水性を、前記第１有機物層及び第２有機物層に撥液性を付与することも好ましい。
【００４１】
この方法によれば、第１有機物層と第２有機物層との間に親液性を有する絶縁層が設けられるため、吐出される発光層形成材料が濡れ易くなり、この絶縁層表面がピニングポイントとなる。第２隔壁に区画される領域内に吐出される発光層形成材料は、このピニングポイントを基点として乾燥、析出を開始する。従って、絶縁層の形成する位置を調節することで、乾燥を開始するピニングポイントの位置を制御（固定）することが可能となる。
これにより、発光層形成材料の吐出量等を制御することで、乾燥後の膜厚を制御することができ、より均一かつ平坦な発光層を形成することができる。
【００４２】
また本発明は、基板上に、画素電極と、前記画素電極に対向する陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に前記基板側から積層される正孔注入層及び発光層とを備える発光装置の製造方法であって、隣接する前記画素電極間に、前記画素電極を区画すると共に、前記画素電極の周縁部と平面視で重なるようにして第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、前記第１隔壁上に前記画素電極を区画するようにして第２隔壁を形成する第２隔壁形成工程と、前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記画素電極上に前記正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、前記第１隔壁及び前記第２隔壁に区画された前記正孔注入層上に発光層を形成する発光層形成工程とを有し、前記第２隔壁形成工程において、前記第２隔壁の側面の少なくとも一部に屈曲部を形成することを特徴とする。
また前記第２隔壁を有機物で形成した後、酸素、及びフッ化系化合物ガスのプラズマ処理により、前記有機物層に撥液性を付与することも好ましい。
【００４３】
この方法によれば、第２隔壁の側面に屈曲部を形成するため、この屈曲部がピニングポイントとなる。第２隔壁に区画された領域内に吐出される発光層形成材料は、この屈曲部を基点として乾燥、析出を開始する。従って、第２隔壁の側面の屈曲部の位置を調節することで、乾燥、析出を開始するピニングポイントを制御することが可能となる。これにより、発光層形成材料の吐出量等を制御することで、乾燥後の膜厚を制御することができ、より均一かつ平坦な発光層を形成することができる。
【００４４】
また本発明の発光装置の製造方法は、前記第１隔壁形成工程において、窒化ケイ素と炭素とを含む材料を用いて前記第１隔壁を形成し、前記第２隔壁形成工程において、前記第２隔壁を形成した後、フッ化系化合物ガスにより前記第１隔壁にプラズマ処理を施して前記第１隔壁に撥液性を付与し、前記正孔注入層形成工程において、前記第１隔壁に区画された前記画素電極上に、前記正孔注入層の上面の高さが、前記画素電極の周縁部上に設けられた前記第１隔壁の上面の高さと略同じとなるようにして前記正孔注入層を形成することも好ましい。
【００４５】
また本発明の発光装置の製造方法は、前記第１隔壁形成工程において、前記第１隔壁を酸化ケイ素又は酸化チタンにより形成し、前記第２隔壁形成工程において、前記第２隔壁を形成しプラズマ処理をした後、前記第１隔壁にシラン系カップリング処理を施して前記第１隔壁に撥液性を付与し、前記正孔注入層形成工程において、前記第１隔壁に区画された前記画素電極上に、前記正孔注入層の上面の高さが、前記画素電極の周縁部上に設けられた前記第１隔壁の上面の高さと略同じとなるようにして前記正孔注入層を形成することも好ましい。
【００４６】
また本発明の発光装置の製造方法は、前記正孔注入層形成工程において、前記正孔注入層を液滴吐出法により形成し、前記発光層形成工程において、前記発光層を液滴吐出法により形成することも好ましい。
【００４７】
本発明によれば、液滴吐出法により正孔注入層及び発光層を選択的に形成することができる。従って、材料の無駄を抑制することができ、低コストかつ高精度に正孔注入層及び発光層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
なお、以下の各図面において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表している。
また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、単一の色を発光するモノクロ表示を採用し、発光層１１０ｂで発光した光を基板側から取り出すボトムエミッション方式である。
【００４９】
（有機ＥＬ装置）
図１は、本実施形態の発光装置である有機ＥＬ装置の配線構造の等価回路図を示し、図２（ａ）は有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の有機ＥＬ装置のＡ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００５０】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１（発光装置）は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された回路構成を有すると共に、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００５１】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路１０５が接続されている。更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量（ｃａｐ）と、該保持容量（ｃａｐ）によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用の薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が与えられる画素電極１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。先の電極１１１と陰極１２と機能層１１０により、発光素子例えば有機ＥＬ素子が構成されている。
【００５２】
かかる構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐに状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００５３】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、ガラス等からなる透明な基板１０と、基板１０上にマトリックス状に配置された発光素子が具備された発光素子部１１を具備している。なお、発光素子は陽極、機能層、陰極により構成されたものであり、機能層とは、正孔注入層、発光層、電子注入／輸送層等である。基板１０は、例えばガラス等の透明基板であり、基板１０の中央に位置する表示領域２ａと、基板１０の周縁に位置して表示領域２ａの外側に非表示領域２ｂとに区画されている。表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域とも言う。また、表示領域の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして、非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。また、図２（ｂ）に示すように、発光素子部１１と基板１０の間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。また、陰極１２は、その一端が基板１０上に形成された陰極用配線１２ａに接続しており、この配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００５４】
また、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配置されている。また、図２（ａ）に記載の表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー表示領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。更に図２（ａ）に記載の表示領域２ａの上側（図面において上側、駆動ＩＣ６と反対側）には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の有機ＥＬ装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００５５】
また、図２（ｂ）に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間の平面領域に備えられて各機能層１１０を平面的に区画する無機物バンク層１１２ａとを主体として構成されている。機能層１１０上には陰極１２が配置されている。これら画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって発光素子（例えば有機ＥＬ素子）が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、例えば５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。隣接する画素電極１１１…の間に無機物バンク層１１２ａ（絶縁層）が備えられている。
【００５６】
また図２（ｂ）に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、陰極１２上に塗布された熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなる封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に配置された封止基板３ｂとからなる。なお、封止樹脂３ａとしては、硬化時にガス、溶媒等が発生しないものが好ましい。この封止部３は、少なくとも陰極１２を覆うように形成されており、陰極１２及び発光層１１０ｂに対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２及び発光層１１０ｂの酸化を防止する。なお、封止基板３ｂは、封止樹脂３ａに接合されて封止樹脂３ａを保護するものであり、ガラス板、金属板若しくは樹脂板のいずれかであることが好ましい。また後述するように、カン封止タイプのものも好ましく、凹んだ部分にゲッター材を配置し、ゲッター材により酸素の吸着を行い封止した内部の酸化を防止するようにしてもよい。
【００５７】
図３は、有機ＥＬ装置における発光素子について拡大した図であり、特に表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図３には３つの画素領域Ａが図示されている。
この有機ＥＬ装置１は、基板１０、その上に形成されたＴＦＴなどの回路等を有する回路素子部１４、並びに更にこの回路素子部１４の上に形成された画素電極（陽極）１１１、正孔注入層１１０ａ及び発光層１１０ｂを含む機能層１１０、及び陰極１２、を有する発光素子部１１により構成されている。上記画素電極１１１、正孔注入層１１０ａ、発光層１１０ｂ及び陰極１２が有機ＥＬ素子を構成している。この有機ＥＬ装置１においては、機能層１１０から基板１０側に発した光が、回路素子部１４及び基板１０を透過して基板１０の下側（観測者側）に出射されると共に、機能層１１０から基板１０の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板１０を透過して基板１０の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
【００５８】
無機物バンク層１１２ａは、図３に示すように、発光領域を制御するものであり、画素電極１１１を区画するようにして画素電極１１１，１１１間に形成されている。また、無機物バンク層１１２ａの一部が画素電極１１１の周縁部上に乗り上げて形成され、無機物バンク層１１２ａと画素電極１１１とが平面視で一部重なっている。これにより、画素電極１１１上には、無機物バンク層１１２ａによって区画された画素開口部１１２ｃが設けられ、この画素開口部１１２ｃの面積が開口率となる。
【００５９】
ここで、無機物バンク層１１２ａは、ＳｉＮに炭素（Ｃ）を微量に混合させた材料から形成されている。この無機物バンク層１１２ａ表面には酸素プラズマ処理とフッ化炭素系のガスを用いたプラズマ処理の連続処理、或いは上記混合ガスを用いたプラズマ処理が施され、無機物バンク層１１２ａ表面が撥液性となっている。
また、無機物バンク層１１２ａを、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＴｉＯ２等の無機材料を用いて形成することもできる。このとき、無機物バンク層１１２ａ表面には、トリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤からなる単層膜が形成されており、無機物バンク層１１２ａ表面が撥液性となっている。これにより、無機物バンク層１１２ａは、後述する正孔注入層形成材料に対して撥液性を有する一方、発光層形成材料に対しては正孔注入層形成材料と比較して親液性を有することになる。
【００６０】
この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、狙いとする正孔注入層１１０ａの膜厚と同程度にすることが好ましい。例えば、３０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に５０ｎｍ〜１００ｎｍがよい。膜厚が薄すぎると絶縁性が確保できなくなり、厚すぎてもクラックがなく絶縁層を形成するのが困難になる。また膜厚が２００ｎｍを越えると、正孔注入層１１０ａ上に積層する後述の発光層１１０ｂの平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００６１】
機能層１１０は、図３に示すように、画素電極１１１上に形成された正孔注入層１１０ａと、正孔注入層１１０ａ上に積層された発光層１１０ｂとを有している。
【００６２】
正孔注入層１１０ａは、無機物バンク層１１２ａによって区画された画素開口部１１２ｃ内の画素電極１１１上に形成されている。本実施形態において無機物バンク層１１２ａ表面は撥液性となっている。そのため、正孔注入層１１０ａを液相法により形成する際に、たとえ無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入層形成材料が吐出されたとしてもはじかれて画素開口部１１２ｃ内に流れ込み、画素開口部１１２ｃの外側には漏れ出さないようになっている。また、正孔注入層１１０ａは、吐出量等の吐出条件を調整することにより、正孔注入層１１０ａの上面の高さが、画素電極１１１上に乗り上げて形成される無機物バンク層１１２ａの上面の高さと略同じとなるように形成されている。ここで、正孔注入層１１０ａ及び無機物バンク層１１２ａの上面の高さは、例えば画素電極１１１の表面から５０ｎｍである。これにより、無機物バンク層１１２ａの上面と正孔注入層１１０ａの上面とで連続する平坦面が形成される。
【００６３】
なお、正孔注入層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物が好適に用いられる。
【００６４】
発光層１１０ｂは、図３に示すように、無機物バンク層１１２ａ及び正孔注入層１１０ａ上の全面に形成されている。この発光層１１０ｂの高分子発光層形成材料としては、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などの高分子有機材料が好適に用いられる。発光層１１０ｂの膜厚としては例えば５０〜８０ｎｍが好ましい。
【００６５】
陰極１２は、図３に示すように、発光層１１０ｂ上の全面に画素電極１１１に対向して形成されている。この陰極１２は、カルシウム（Ｃａ）層とアルミニウム（Ａｌ）層とが基板１０側からこの順に積層されて構成されている。Ａｌ層は、発光層１１０ｂから発光された光を基板１０側（観察者側）に反射させるもので、Ａｌ層の他に、Ａｇ層又はＡｌ層とＡｇ層との積層膜等から構成することも好ましい。また、発光層１１０ｂの材料を効率よく発光させるために、発光層１１０ｂと陰極１２のＣａ層との間にフッ化リチウム（ＬｉＦ）層を形成する場合もある。Ｃａ層の膜厚としては、例えば２〜２０ｎｍの範囲が好ましく、特に１０ｎｍ程度がよい。また、Ａｌ層の膜厚としては、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。更にＡｌ層上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００６６】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について、主に図４から図７を参照しつつ説明する。
なお、ＴＦＴ等の製造工程については、公知の方法が用いられるので省略する。
【００６７】
＜バンク層形成工程＞
まず、ケイ素（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）を含む材料に対して炭素（Ｃ）を含む材料を微量に混合させた材料を用いて、ＣＶＤ法により画素電極１１１を含む第２層間絶縁膜１４４ｂ上の全面に無機物バンク層となる絶縁層を成膜する。続けて、絶縁層上の全面に感光性レジストを塗布した後、画素電極１１１上の上記画素開口部１１２ｃに対応する位置が開口されたマスクを用いて、感光性レジストをフォトリソグラフィー処理し、感光性レジストを所定形状にパターニングする。そして、このパターニングした感光性レジストをマスクとして絶縁層をエッチング処理する。この処理により、図４に示すように、回路素子部１４上に、画素電極１１１を区画すると共に、一部が画素電極１１１の周縁部上に乗り上げた無機物バンク層１１２ａを形成する。また、無機物バンク層１１２ａの膜厚は３０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に５０ｎｍが好ましい。そして、酸素ガスプラズマ処理、テトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）により、無機物バンク層１１２ａ表面に撥液処理を施す。なお、フッ素系化合物ガスの雰囲気中に酸素ガスを混合させた処理ガスを用いてプラズマ処理を行っても良い。これにより、無機物バンク層１１２ａ表面の撥液性を調整することができる。
【００６８】
＜正孔注入層形成工程＞
次に、図５に示すように、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ(ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：６又は１：２０)の混合物を含む水分散液にジエチレングリコール等の溶媒を添加した正孔注入層形成材料１０９ａを、無機物バンク層１１２ａに区画された画素開口部１１２ｃ内にインクジェット装置ＩＪにより吐出する。
ここで、無機物バンク層１１２ａ表面には撥液処理が施されており、無機物バンク層１１２ａ表面と正孔注入層形成材料１０９ａとの接触角は約８０°となっている。従って、無機物バンク層１１２ａの画素開口部１１２ｃに吐出される正孔注入層形成材料１０９ａが無機物バンク層１１２ａ上面に吐出されたとしても、正孔注入層形成材料１０９ａははじかれ、画素開口部１１２ｃ内に流れ込む。
【００６９】
また本実施形態では、インクジェット装置ＩＪから吐出される正孔注入層形成材料１０９ａの吐出量、及び吐出する正孔注入層形成材料１０９ａの溶媒中に含有させるＰＥＤＯＴ/ＰＳＳ等の固形分濃度を制御する。これにより、画素電極１１１の周縁部上に形成された無機物バンク層１１２ａの上面の高さと、吐出した正孔注入層形成材料を乾燥した後の正孔注入層１１０ａの上面との高さとを同じに形成することができる。
【００７０】
＜乾燥工程＞
次に、図６に示すように、吐出した正孔注入層形成材料に含まれる溶媒を乾燥処理により蒸発させて、無機物バンク層１１２ａに区画された画素開口部１１２ｃ内の画素電極１１１上に正孔注入層１１０ａを形成する。詳細には、吐出した正孔注入層形成材料を、真空乾燥した後、大気圧中において２００℃の温度で１０分間乾燥させる。この乾燥処理によって、図６に示すように、画素電極１１１の周縁部上に形成される無機物バンク層１１２ａの上面と同じ高さを有する正孔注入層１１０ａを形成することができる。また、無機物バンク層１１２ａ表面には撥液処理が施されているため、無機物バンク層１１２ａ上には正孔注入層１１０ａが形成されず、無機物バンク層１１２ａの上面と正孔注入層１１０ａの上面とで連続した平坦面が形成される。
【００７１】
＜発光層形成工程＞
次に、無機物バンク層１１２ａ及び正孔注入層１１０ａ上の全面に、スピンコート法により発光層形成材料を成膜する。発光層形成材料としては、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリビニルカルバゾール、ＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）３（イリジウム錯体）との混合物などが用いられ、これらの発光層形成材料をキシレンやトルエンに溶解させたものを塗布溶液として好適に用いることができる。
【００７２】
ここで、無機物バンク層１１２ａ表面は撥液性を有するが、発光層を形成する塗布溶液にはキシレン等の芳香族系材料が含有されているため、発光層形成材料の塗布液は正孔注入層形成材料１０９ａに比べて、無機物バンク層１１２ａ表面に対する濡れ性がよくなっている。具体的には、正孔注入層１１０ａ表面と発光層形成材料の塗布液との接触角は約３０°である。また、無機物バンク層１１２ａ表面と発光層形成材料の塗布液との接触角は約４０°である。従って、正孔注入層１１０ａの上面及び無機物バンク層１１２ａの上面と、発光層形成材料の塗布液との接触角は略同じとなっている。
【００７３】
従って、スピンコート法により、図７に示すように、無機物バンク層１１２ａ及び正孔注入層１１０ａ上の全面に発光層１１０ｂが形成される。詳細には、スピンコート成膜後、不活性雰囲気中において１３０℃の温度で６０分間アニール処理を施す。これにより、膜厚が例えば８０ｎｍの均一かつ平坦な発光層１１０ｂを形成することができる。
発光層を形成する塗布法としては、スピンコート法の他に、ディップコート法や、ノズルコート法、ブレードコート法などの方法を用いても良い。
【００７４】
＜陰極形成工程＞
次に、図７に示すように、発光層１１０ｂ上の全面に、真空加熱蒸着法により、Ｃａ層及びＡｌ層を順番に積層し、これらの積層膜から構成される陰極１２を形成する。なお、上述したように、Ｃａ層の下層にＬｉＦ層を形成しても良い。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を形成することも好ましい。
【００７５】
最後に、図２（ｂ）に戻り、熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂３ａを陰極１２上の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封止基板３ｂを積層して封止部３を形成する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
このような方法により第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１を製造することができる。
【００７６】
なお、上記実施形態では、正孔輸送層を省略したが、正孔注入層１１０ａと発光層１１０ｂとの間に正孔輸送層を形成しても良い。正孔輸送層の材料としては、トリフェニルアミン系ポリマーを用いることができる。これにより、より効率よく正孔を発光層１１０ｂに注入することができるので、効率、寿命に優れた特性が得られる。
【００７７】
本実施形態によれば、画素電極１１１の周縁部上に設けられる無機物バンク層１１２ａは正孔注入層１１０ａに対して撥液性を有するため、無機物バンク層１１２ａ上に吐出される正孔注入層１１０ａ形成材料ははじかれ、無機物バンク層１１２ａに区画された画素開口部１１２ｃ内に流れ込む。また、正孔注入層１１０ａの上面の高さと無機物バンク層１１２ａの上面の高さとは略同じであり、正孔注入層１１０ａ形成材料が無機物バンク層１１２ａ上に漏れ出さないように制御されている。そのため、正孔注入層１１０ａは、無機物バンク層１１２ａによって区画された画素開口部１１２ｃ内の画素電極１１１上にのみ形成され、画素開口部１１２ｃの外側（隣接する画素間）の無機物バンク層１１２ａ上に配置されることはない。
従って、各画素電極１１１に設けられた正孔注入層１１０ａの正孔が隣接する画素間に流れることに起因するいわゆるクロストークの発生を抑制することができる。よって、電流が隣接する画素間に滲みることによる発光形状輪郭ボケといった表示品質の低下を防止することができる。
【００７８】
また本実施形態によれば、無機物バンク層１１２ａの上面と正孔注入層１１０ａの上面とは略同じ高さであるため、無機物バンク層１１２ａの上面と正孔注入層１１０ａの上面は連続した平坦面となる。従って、無機物バンク層１１２ａ及び正孔注入層１１０ａ上に形成される発光層１１０ｂは膜厚の均一かつ平坦な膜となり、輝度ムラのない、均一な発光を得ることができる。
【００７９】
また本実施形態によれば、無機物バンク層１１２ａ表面が撥液性を有するため、インクジェット装置を用いた場合でも、無機物バンク層１１２ａに区画された画素開口部１１２ｃの外側に正孔注入層１１０ａ形成材料を漏れ出させることなく、選択的に正孔注入層１１０ａを形成することができる。従って、インクジェット装置を用いることにより、材料の無駄を抑制することができ、低コストかつ高精度に正孔注入層１１０ａを形成することができる。
【００８０】
さらに本実施形態によれば、無機物バンク層１１２ａ及び正孔注入層１１０ａの上面は連続した平坦面であるため、簡便なスピンコート法により発光層１１０ｂを形成することができる。これにより、膜厚の均一かつ平坦な発光層１１０ｂを容易に形成することができる。
【００８１】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について図８から図１０を参照して説明する。
本実施形態と上記第１実施形態とでは、無機物バンク層１１２ａに撥液処理を施す方法が異なる。なお、その他の有機ＥＬ装置の基本構成及び製造方法は、上記第１実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００８２】
図８に示すように、画素電極１１１を含む無機物バンク層１１２ａ上の全面に、トリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤１１４ａを気相法或いはディッピング法により形成する。このとき、シラン系カップリング剤の末端の官能基を選択することにより、無機物バンク層１１２ａの表層の濡れ性を制御することができる。
【００８３】
次に、図９に示すように、上記画素開口部１１２ｃに対応する平面領域が開口されたマスクを、無機物バンク層１１２ａ上に設置する。そして、このマスク６０を介して、画素電極１１１を含む無機物バンク層１１２ａ上に形成されたシラン系カップリング剤１１４ａに紫外線を照射する。
【００８４】
この照射により、マスク６０を通過した紫外線がシラン系カップリング剤１１４ａ上に到達し、図１０に示すように、画素開口部１１２ｃ、詳細には画素電極１１１上面及び無機物バンク層１１２ａの側面に形成されるシラン系カップリング剤が除去される。そして、無機物バンク層１１２ａ上面にはシラン系カップリング剤からなる単層膜１１４が形成される。このようにして、無機物バンク層１１２ａ表面に撥液性を付与する。一方、画素開口部１１２ｃ内の画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａの側面は、シラン系カップリング剤が除去されるため、単層膜１１４が形成されている無機物バンク層１１２ａ上面と比較して親液性の表面となる。
【００８５】
＜露光装置＞
次に、上記実施形態において説明した有機ＥＬ装置１（露光ヘッド）を備える露光装置について説明する。なお、露光ヘッドには、有機ＥＬ素子が千鳥状に配列されたものが用いられている。
【００８６】
図１１は、露光装置１００の概略構成を示す斜視図である。
露光装置は、図１１に示すように、露光ヘッド６２と、この露光ヘッド６２からの光を結像させるレンズアレイ３１と、レンズアレイ３１を透過した露光ヘッド６２からの光によって露光される感光体ドラム９とを備えている。
この露光装置１００によれば、上記有機ＥＬ装置を露光ヘッド６２として備えているため、輝度ムラのない高品質の露光装置１００を提供することができる。
【００８７】
［第３の実施の形態］
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図１２〜図２２において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表している。
また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、発光層で発光した光を基板側から取り出すボトムエミッション方式である。
【００８８】
（有機ＥＬ装置）
図１２（ａ）は本実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図であり、図１２（ｂ）は（ａ）の有機ＥＬ装置のＡ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００８９】
図１に示したように、本実施形態の有機ＥＬ装置２０１（発光装置）は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された回路構成を有する。走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００９０】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路１０５が接続されている。さらに、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量（ｃａｐ）と、該保持容量（ｃａｐ）によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用の薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が与えられる画素電極１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。先の電極１１１と陰極１２と機能層１１０により、発光素子例えば有機ＥＬ素子が構成されている。
【００９１】
かかる構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐに状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００９２】
図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２０１は、ガラス等からなる透明な基板１０と、基板１０上にマトリックス状に配置された発光素子が具備された発光素子部１１を具備している。なお、発光素子は陽極、機能層、陰極により構成されたものであり、機能層とは、正孔注入層、発光層、電子注入／輸送層等である。基板１０は、例えばガラス等の透明基板であり、基板１０の中央に位置する表示領域２ａと、基板１０の周縁に位置して表示領域２ａの外側に非表示領域２ｂとに区画されている。表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域とも言う。また、表示領域の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして、非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。また、図１２（ｂ）に示すように、発光素子部１１と基板１０の間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。また、陰極１２は、その一端が基板１０上に形成された陰極用配線１２ａに接続しており、この配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００９３】
また、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配置されている。また、図１２（ａ）に記載の表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー表示領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。さらに回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。さらに図１２（ａ）に記載の表示領域２ａの上側（図面において上側、駆動ＩＣ６と反対側）には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の有機ＥＬ装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００９４】
また、図１２（ｂ）に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間の平面領域に備えられて各機能層１１０を平面的に区画する無機物バンク層１８（第１隔壁）とを主体として構成されている。機能層１１０上には陰極１２が配置されている。これら画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって発光素子（例えば有機ＥＬ素子）が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、例えば５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。隣接する画素電極１１１…の間に無機物バンク層１８（第１隔壁）が備えられている。
【００９５】
また、図１２（ｂ）に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、陰極１２上に塗布された熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなる封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に配置された封止基板３ｂとからなる。なお、封止樹脂３ａとしては、硬化時にガス、溶媒等が発生しないものが好ましい。この封止部３は、少なくとも陰極１２を覆うように形成されており、陰極１２及び発光層１１０ｂに対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２及び発光層１１０ｂの酸化を防止する。なお、封止基板３ｂは、封止樹脂３ａに接合されて封止樹脂３ａを保護するものであり、ガラス板、金属板若しくは樹脂板のいずれかであることが好ましい。また後述するように、カン封止タイプのものも好ましく、凹んだ部分にゲッター材を配置し、ゲッター材により酸素の吸着を行い封止した内部の酸化を防止するようにしてもよい。
【００９６】
図１３は、有機ＥＬ装置における発光素子について拡大した図であり、特に表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図１３には３つの画素領域Ａが図示されている。
有機ＥＬ装置２０１は、基板１０、その上に形成されたＴＦＴなどの回路等を有する回路素子部１４、並びにさらにこの回路素子部１４の上に形成された画素電極（陽極）１１１、正孔注入層１１０ａ及び発光層１１０ｂを含む機能層１１０、及び陰極１２、を有する発光素子部１１により構成されている。上記画素電極１１１、正孔注入層１１０ａ、発光層１１０ｂ及び陰極１２が有機ＥＬ素子を構成している。有機ＥＬ装置２０１においては、機能層１１０から基板１０側に発した光が、回路素子部１４及び基板１０を透過して基板１０の下側（観測者側）に出射されると共に、機能層１１０から基板１０の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板１０を透過して基板１０の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
【００９７】
無機物バンク層１８は、発光領域を制御するものであり、図１３に示すように、画素電極１１１を区画するようにして画素電極１１１，１１１間に形成されている。また、無機物バンク層１８の一部が画素電極１１１の周縁部上に乗り上げて形成され、無機物バンク層１８と画素電極１１１とが平面視で一部重なっている。画素電極１１１上には、無機物バンク層１８によって区画された画素開口部１８ｃが設けられ、この画素開口部１８ｃの面積が開口率となっている。なお、無機物バンク層１８の膜厚は、例えば３０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に５０〜１００ｎｍが好ましい。
【００９８】
ここで、無機物バンク層１８は、ＳｉＮに炭素（Ｃ）を微量に混合させた材料からなる。この無機物バンク層１８表面にはプラズマ処理が施され、無機物バンク層１８表面が撥液性となっている。
また、無機物バンク層１８を、例えばＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等の無機材料を用いて構成することもできる。このとき、無機物バンク層１８表面には、トリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤からなる単層膜が形成されており、無機物バンク層１８表面が撥液性となっている。
このように、無機物バンク層１８は、後述する正孔注入層形成材料に対して撥液性を有する一方、発光層形成材料に対しては正孔注入層形成材料と比較して親液性を有する。
【００９９】
無機物バンク層１８上には、図１３に示すように、有機物バンク層２２０（第２隔壁）が形成されている。有機物バンク層２２０は、フォトリソグラフィー法の精度を考慮して、無機物バンク層１８の周縁よりも内側に間隔を空けて形成されている。これにより、無機物バンク層の周縁部には有機物バンク層２２０の側面２２０ａから突出した突出部１８ｂが設けられる。有機物バンク層２２０の断面形状は、基板１０面に対して鋭角に傾斜する傾斜面が設けられた台形状となっている。また、有機物バンク層２２０の側面２２０ａは撥液処理されている。
【０１００】
機能層１１０は、図１３に示すように、画素電極１１１上に形成された正孔注入層１１０ａと、正孔注入層１１０ａ上に積層された発光層１１０ｂとを有している。
【０１０１】
正孔注入層１１０ａは、無機物バンク層１８によって区画された画素開口部１８ｃ内の画素電極１１１上に形成されている。本実施形態において無機物バンク層１８表面は撥液処理されている。そのため、正孔注入層１１０ａを液相法により形成する際に、たとえ無機物バンク層１８上に正孔注入層形成材料が吐出されたとしてもはじかれて無機物バンク層１８内に流れ込み、画素開口部１８ｃから漏れ出さないようになっている。また、正孔注入層１１０ａの上面の高さは、吐出量等の吐出条件を調整することにより、画素電極１１１上に乗り上げた無機物バンク層１８（突出部１８ｂ）の上面の高さと略同じとなるように形成されている。これにより、無機物バンク層１８の上面と正孔注入層１１０ａの上面とにより連続する平坦面が設けられる。
【０１０２】
なお、正孔注入層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物が好適に用いられる。
【０１０３】
発光層１１０ｂは、図１３に示すように、有機物バンク層２２０に区画された開口部２２０ｃ内の正孔注入層１１０ａ上の全面に形成されている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、各発光層がストライプ状に配置されている。発光層１１０ｂの高分子発光層形成材料としては、ポリフルオレン（ＰＦ）誘導体、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体、ポリパラフェニレン（ＰＰＰ）誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などの高分子有機材料が好適に用いられる。発光層１１０ｂの膜厚としては例えば５０〜１００ｎｍが好ましい。
本実施形態において有機物バンク層２２０表面は撥液処理されている。そのため、開口部２２０ｃ内に吐出された発光層形成材料は、隣接画素に漏れ出すことなく、所定の正孔注入層１１０ａ上、及び無機物バンク層１８上の全面に成膜される。
【０１０４】
陰極１２は、図１３に示すように、発光層１１０ｂを含む有機物バンク層２２０上の全面に画素電極１１１に対向するようにして形成されている。この陰極１２は、カルシウム（Ｃａ）層とアルミニウム（Ａｌ）層とが基板１０側からこの順に積層されて構成されている。Ａｌ層は、発光層１１０ｂから発光された光を基板１０側（観察者側）に反射させるもので、Ａｌ層の他に、Ａｇ層又はＡｌ層とＡｇ層との積層膜等から構成することも好ましい。また、発光層１１０ｂの材料を効率よく発光させるために、発光層１１０ｂと陰極１２のＣａ層との間にフッ化リチウム（ＬｉＦ）層を形成する場合もある。Ｃａ層の膜厚としては、例えば２〜２０ｎｍの範囲が好ましく、特に１０ｎｍ程度がよい。また、Ａｌ層の膜厚としては、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。さらにＡｌ層上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【０１０５】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
図１４〜図１９は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
なお、ＴＦＴ等の製造工程については、公知の方法が用いられるので省略する。
【０１０６】
＜無機物バンク層形成工程＞
まず、窒化ケイ素（ＳｉＮ）に炭素（Ｃ）あるいは炭化ケイ素（ＳｉＣ）を微量に混合させた材料を用いて、スパッタ法により画素電極１１１を含む第２層間絶縁膜１４４ｂ上の全面に無機物バンク層となる絶縁層を成膜する。続けて、絶縁層上の全面に感光性レジストを塗布した後、画素電極１１１上の画素開口部１８ｃに対応する位置が開口されたマスクを用いて、感光性レジストをフォトリソグラフィー処理し、感光性レジストを所定形状にパターニングする。そして、このパターニングした感光性レジストをマスクとして絶縁層をエッチング処理する。この処理により、図１４に示すように、画素電極１１１を区画すると共に、一部が画素電極１１１の周縁部上に乗り上げた無機物バンク層１８を形成する。また、無機物バンク層１８の膜厚は３０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に５０〜１００ｎｍが好ましい。
【０１０７】
＜有機物バンク層形成工程＞
次に、無機物バンク層１８及び画素電極１１１上の全面に、スピンコート法によりアクリル、ポリイミド等の有機物バンク層形成材料を成膜する。
【０１０８】
次に、有機物バンク層形成材料上の全面に感光性レジストを塗布した後、無機物バンク層１８に区画された画素開口部１８ｃより広い開口になるよう開口部を有するマスクを用いて、感光性レジストをフォトリソグラフィー処理する。このとき、フォトリソグラフィー処理の精度を考慮して、無機物バンク層１８の周縁よりも内側に有機物バンク層２２０の側面が形成されるように制御する。つまり、有機物バンク層２２０に区画される開口部の方が、無機物バンク層１８に区画される画素開口部より開口面積が広くなるように、フォトリソグラフィー処理する。
【０１０９】
次に、パターニングした感光性レジストをマスクとして、有機物バンク層形成材料をエッチング処理する。このとき、有機物バンク層２２０が傾斜面を有する断面台形状となるようにエッチング液、エッチング時間等のエッチング条件を調節してエッチング処理する。このようにして、図１５に示すように、無機物バンク層１８上に有機物バンク層２２０を形成する。
【０１１０】
＜活性化処理工程＞
次に、画素電極１１１の電極面、無機物バンク層１８の表面１８ａ、及び有機物バンク層２２０の表面に活性化処理を施す。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の親液化処理が含まれる。
まず、親液化処理として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。このＯ２プラズマ処理により、画素電極１１１の電極面１１１ａ、及び無機物バンク層１８の突出部１８ｂの表面１８ａ（以下、表面１８ａと省略する）が親液処理される。なお、このＯ２プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事関数の調整も兼ねている。
【０１１１】
次に、撥液化処理として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行う。なお、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。ＣＦ４プラズマ処理により、無機物バンク層１８の表面１８ａ並びに、有機物バンク層２２０の表層が撥液処理される。無機物バンクの方が有機物バンクに比べ、炭素含有量が少ないので、有機物バンクよりは低い撥液性を示す。また、Ｏ２プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすいという特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。なお、画素電極１１１の電極面１１１ａもこのＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与えることは少ない。
【０１１２】
＜正孔注入層形成工程＞
次に、図１６に示すように、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ(ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：６又は１：２０)の混合物を含む水分散液にジエチレングリコール等の溶媒を添加した正孔注入層形成材料１０９ａを、無機物バンク層１８に区画された無機物バンク層１８内にインクジェット装置ＩＪにより吐出する。
ここで、無機物バンク層１８表面には撥液処理が施されており、無機物バンク層１８の表面１８ａと正孔注入層形成材料１０９ａとの接触角は約８０°となっている。従って、無機物バンク層１８の無機物バンク層１８に吐出される正孔注入層形成材料１０９ａが無機物バンク層１８の突出部１８ｂ上に吐出されたとしても、正孔注入層形成材料１０９ａははじかれ、画素開口部１８ｃ内に流れ込む。
【０１１３】
また本実施形態では、インクジェット装置ＩＪから吐出される正孔注入層形成材料１０９ａの吐出量、及び吐出する正孔注入層形成材料１０９ａの溶媒中に含有させるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の固形分濃度を制御する。これにより、画素電極１１１の周縁部上に形成される無機物バンク層１８の上面の高さと、吐出した正孔注入層形成材料１０９ａを乾燥した後の正孔注入層１１０ａの上面との高さとを同じに形成することができる。
【０１１４】
＜乾燥工程＞
次に、図１７に示すように、吐出した正孔注入層形成材料に含有する溶媒を乾燥処理により蒸発させて、無機物バンク層１８に区画された無機物バンク層１８内の画素電極１１１上に正孔注入層１１０ａを形成する。詳細には、吐出した正孔注入層形成材料を、真空乾燥した後、大気圧中において２００℃の温度で１０分間乾燥させる。この乾燥処理によって、図１７に示すように、画素電極１１１の周縁部上に形成される無機物バンク層１８の上面と同じ高さを有する正孔注入層１１０ａを形成することができる。また、無機物バンク層１８の表面１８ａには撥液処理が施されているため、無機物バンク層１８上には正孔注入層１１０ａが残っておらず、無機物バンク層１８の上面と正孔注入層１１０ａの上面とで連続した平坦面となる。
【０１１５】
＜発光層形成工程＞
次に、図１８に示すように、有機物バンク層２２０に区画された開口部２２０ｃ内の無機物バンク層１８の突出部１８ｂ及び正孔注入層１１０ａ上の全面に、インクジェット装置ＩＪにより発光層形成材料１１３ａを吐出する。発光層形成材料１１３ａとしては、ポリフルオレン（ＰＦ）誘導体、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体を芳香族系炭化水素溶媒で溶解した溶液が用いられる。芳香族系炭化水素溶媒としては、トリメチルベンゼン、シクロへキシルベンゼン、ドデシルベンゼン等のアルキル基のついたベンゼン溶媒、エーテル基のついたメトキシエトシキベンゼン等を用いても良い。
【０１１６】
ここで、有機物バンク層２２０の表層は撥液性を有しているため、吐出された発光層形成材料１１３ａは、バンク層表面ではじかれて、隣接画素（開口部）に漏れ出したり、混入することなく開口部２２０ｃ内に収まる。また、無機物バンク層１８の表面１８ａも撥液性を有するが、有機物バンク層の表面の撥液性に比べると低く、発光層形成材料１１３ａには表面張力の低い芳香族系材料が含有されているため、発光層形成材料の、正孔注入層表面と無機物バンク層１８の表面１８ａに対する濡れ性（接触角）には大きな差が無いため、発光層形成材料１１３ａは、正孔注入層１１０ａ表面並びに、無機物バンク層１８の表面１８ａ上にも均一に濡れ広がらせることができる。
具体的には、正孔注入層１１０ａ表面と発光層形成材料１１３ａとの接触角は約４０°である。また、無機物バンク層１１２ａ表面と発光層形成材料１１３ａとの接触角は約５０°である。従って、正孔注入層１１０ａの上面及び無機物バンク層１１２ａの上面と、発光層形成材料との接触角は略同じとなっている。
【０１１７】
次に、図１９に示すように、インクジェット吐出により塗り分けされた発光層形成材料１１３ａに含有する溶媒を乾燥処理により蒸発させて、無機物バンク層１８及び正孔注入層１１０ａ上の全面に発光層１１０ｂを形成する。詳細には、吐出した発光層形成材料１１３ａを、真空による溶媒除去後、さらにＡｒや窒素などの不活性雰囲気中において１３０℃の温度で６０分間アニール処理を施す。従って、発光層の膜厚が例えば８０ｎｍの均一な発光層１１０ｂを形成することができる。
【０１１８】
＜陰極形成工程＞
次に、図２０に示すように、発光層１１０ｂ上の全面に、真空加熱蒸着法により、Ｃａ層及びＡｌ層を順番に積層し、これらの積層膜から構成される陰極１２を形成する。なお、上述したように、Ｃａ層の下層にＬｉＦ層を形成しても良い。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を形成することも好ましい。
【０１１９】
最後に、図１２（ｂ）に戻り、熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂３ａを陰極１２上の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封止基板３ｂを積層して封止部３を形成する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
このような方法により有機ＥＬ装置２０１を製造することができる。
【０１２０】
なお、上記実施形態では、正孔輸送層を省略したが、正孔注入層１１０ａと発光層１１０ｂとの間に正孔輸送層を形成しても良い。正孔輸送層の材料としては、トリフェニルアミン系ポリマーを用いることができる。これにより、より正孔を発光層１１０ｂに注入することができるので、効率、寿命に優れた特性が得られる。
【０１２１】
本実施形態によれば、無機物バンク層１８は正孔注入層１１０ａに対して撥液性を有するため、無機物バンク層１８上に吐出される正孔注入層形成材料１０９ａははじかれ、無機物バンク層１８に区画された画素開口部１８ｃ内に流れ込む。また、正孔注入層１１０ａの上面の高さと無機物バンク層１８の上面の高さとは略同じであり、正孔注入層形成材料が無機物バンク層１８上に漏れ出さないように制御されている。そのため、正孔注入層１１０ａが、無機物バンク層１８によって区画された画素開口部１８ｃから外側に配置されることはない。このように、無機物バンク層１８の上面と正孔注入層１１０ａの上面とは略同じ高さであるため、均一かつ平坦な正孔注入層１１０ａ及び発光層１１０ｂを形成することができる。さらに、正孔注入層１１０ａ及び発光層１１０ｂの周縁部と中央部とで膜厚を均一にすることができるため、発光寿命ムラのなく、発光寿命の均一化を図ることができる。
【０１２２】
［第４の実施形態］
次に、本発明の第４の実施形態について図面を参照して説明する。
本実施形態と上記第３実施形態とでは、無機物バンク層に撥液処理を施す方法が異なる。なお、その他の有機ＥＬ装置の基本構成及び製造方法は、上記第３実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１２３】
図２１及び図２２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
まず、画素電極１１１を含む第２層間絶縁膜１４４ｂ上の全面に、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等により、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物材料を成膜する。続けて、フォトリソグラフィー処理、エッチング処理により、図２１に示すように、無機物バンク層１８を形成する。
【０１２４】
次に、図２１に示すように、無機物バンク層１８上に、ポリイミド又はアルカリからなる有機物バンク層２２０を形成する。
【０１２５】
次に、画素電極１１１、無機物バンク層１８、及び有機物バンク層２２０のそれぞれの表面に、Ｏ２及びＣＦ４の処理ガスを用いて連続プラズマ処理する。このプラズマ処理により、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層１８の表面１８ａが親液処理される。一方、有機物バンク層２２０の側面２２０ａが撥液処理される。
【０１２６】
次に、トリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤溶液に、プラズマ処理を施した上記基板を浸漬する。これにより、図２１に示すように、親液処理された無機物バンク層１８の表面１８ａ及び、画素電極の電極面１１１ａ上にカップリング剤の単層膜２１４ａが形成される。
【０１２７】
続けて、図２１に示すように、画素開口部１８ｃの対応する位置に開口部６０ａを有するマスク６０を用い、このマスクを介して紫外線を照射することにより、電極面１１１ａ上及び無機物バンク層１８の側面のシラン系カップリング剤を除去する。
このようにして、図２２に示すように、無機物バンク層１８の表面１８ａ（突出部１８ｂの上面）にのみシラン系カップリング剤２１４を形成する。シラン系カップリング剤は、酸化物との密着性も良く、末端の官能基を選択することにより、正孔注入層形成材料等のインクとの濡れ性を調整することができる。
【０１２８】
本実施形態によっても、上記第３実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０１２９】
［第５の実施の形態］
以下、本発明の第５の実施形態について図面を参照して説明する。
また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、発光層で発光した光を基板側から取り出すボトムエミッション方式である。
【０１３０】
（有機ＥＬ装置）
図２３（ａ）は有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図であり、図２３（ｂ）は（ａ）の有機ＥＬ装置のＡ−Ｂ線に沿った断面図である。
【０１３１】
図１に示したように、本実施形態の有機ＥＬ装置３０１（発光装置）は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された回路構成を有する。走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【０１３２】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路１０５が接続されている。さらに、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量（ｃａｐ）と、該保持容量（ｃａｐ）によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用の薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が与えられる画素電極１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。先の電極１１１と陰極１２と機能層１１０により、発光素子例えば有機ＥＬ素子が構成されている。
【０１３３】
かかる構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐに状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【０１３４】
図２３（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置３０１は、ガラス等からなる透明な基板１０と、基板１０上にマトリックス状に配置された発光素子が具備された発光素子部１１を具備している。なお、発光素子は陽極、機能層、陰極により構成されたものであり、機能層とは、正孔注入層、発光層、電子注入／輸送層等である。基板１０は、例えばガラス等の透明基板であり、基板１０の中央に位置する表示領域２ａと、基板１０の周縁に位置して表示領域２ａの外側に非表示領域２ｂとに区画されている。表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域とも言う。また、表示領域の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして、非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。また、図２３（ｂ）に示すように、発光素子部１１と基板１０の間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。また、陰極１２は、その一端が基板１０上に形成された陰極用配線１２ａに接続しており、この配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【０１３５】
また、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示すように、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配置されている。また、図２３（ａ）に記載の表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー表示領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。さらに回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。さらに図２３（ａ）に記載の表示領域２ａの上側（図面において上側、駆動ＩＣ６と反対側）には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の有機ＥＬ装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【０１３６】
また、図２３（ｂ）に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間の平面領域に備えられて各機能層１１０を平面的に区画する無機物バンク層１８とを主体として構成されている。機能層１１０上には陰極１２が配置されている。これら画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって発光素子（例えば有機ＥＬ素子）が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、例えば５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。隣接する画素電極１１１…の間に無機物バンク層１８（第１隔壁）が備えられている。
【０１３７】
また、図２３（ｂ）に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、陰極１２上に塗布された熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなる封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に配置された封止基板３ｂとからなる。なお、封止樹脂３ａとしては、硬化時にガス、溶媒等が発生しないものが好ましい。この封止部３は、少なくとも陰極１２を覆うように形成されており、陰極１２及び発光層１１０ｂに対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２及び発光層１１０ｂの酸化を防止する。なお、封止基板３ｂは、封止樹脂３ａに接合されて封止樹脂３ａを保護するものであり、ガラス板、金属板若しくは樹脂板のいずれかであることが好ましい。また後述するように、カン封止タイプのものも好ましく、凹んだ部分にゲッター材を配置し、ゲッター材により酸素の吸着を行い封止した内部の酸化を防止するようにしてもよい。
【０１３８】
図２４は、有機ＥＬ装置における発光素子について拡大した図であり、特に表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図２４には３つの画素領域Ａが図示されている。
この有機ＥＬ装置３０１は、基板１０、その上に形成されたＴＦＴなどの回路等を有する回路素子部１４、並びにさらにこの回路素子部１４の上に形成された画素電極（陽極）１１１、正孔注入層１１０ａ及び発光層１１０ｂを含む機能層１１０、及び陰極１２、を有する発光素子部１１により構成されている。上記画素電極１１１、正孔注入層１１０ａ、発光層１１０ｂ及び陰極１２が有機ＥＬ素子を構成することができる。この有機ＥＬ装置３０１においては、機能層１１０から基板１０側に発した光が、回路素子部１４及び基板１０を透過して基板１０の下側（観測者側）に出射されると共に、機能層１１０から基板１０の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板１０を透過して基板１０の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
【０１３９】
無機物バンク層１８は、発光領域を制御するものであり、図２４に示すように、画素電極１１１を区画するようにして画素電極１１１，１１１間に形成されている。また、無機物バンク層１８の一部が画素電極１１１の周縁部上に乗り上げて形成され、無機物バンク層１８と画素電極１１１とが平面視で一部重なっている。これにより、画素電極１１１上には、無機物バンク層１８によって区画された画素開口部１８ｃが設けられ、この画素開口部１８ｃの面積が開口率となる。また、無機物バンク層１８は、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等の無機材料あるいはＳｉＮに微量の炭素が含まれた材料からなる。この無機物バンク層１８の膜厚は、例えば３０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に５０〜１００ｎｍが好ましい。
【０１４０】
無機物バンク層１８上には有機物バンク層３２０が形成されている。有機物バンク層３２０は、フォトリソグラフィー処理の精度を考慮して、無機物バンク層１８の周縁よりも内側に間隔を空けて形成されている。これにより、無機物バンク層の周縁部には、有機物バンク層３２０の側面から画素電極１１１中央部側へ突出した突出部１８ｂが設けられる。
【０１４１】
本実施形態において有機物バンク層３２０は、基板１０側から第１有機物層３２２、酸化物層（隔壁部絶縁層）３２４、及び第２有機物層３２６が順に積層されて構成される。有機物バンク層３２０の形状は、傾斜面を有する断面台形状に形成されている。第１有機物層３２２及び第２有機物層３２６はアクリル又はポリイミドからなり、酸化物層３２４はＳｉＯ２、ＴｉＯ２からなる。また、第１有機物層３２２の側面３２２ａ及び第２有機物層３２６の側面３２６ａには撥液処理が施されており、酸化物層３２４の側面３２４ａには親液処理が施されている。つまり、酸化物層３２４の側面３２４ａは、第１有機物層３２２の側面３２２ａ等よりも相対的に撥液性が低い領域となっており、この酸化物層３２４の側面３２４ａがピニングポイントとなる。
ここで、第１有機物層３２２の膜厚は、狙いとする発光層の膜厚と同程度であることが好ましい。具体的には、５０〜１００ｎｍが好ましい。第２有機物層３２６の膜厚としては、０．５μｍ〜２μｍが好ましい。酸化物層３２４の膜厚としては２０ｎｍ〜５０ｎｍと薄い方が好ましい。酸化物層３２４の膜厚が厚くなると、酸化物層３２４の表面のピニングポイントの範囲も広くなり、ピニングポイントを一定の位置に制御（固定）することができないからである。なお、有機物バンク層３２０の酸化物層３２４に代えて、ＳｉＮ等の材料を用いた層を形成することも可能である。
【０１４２】
機能層１１０は、図２４に示すように、画素電極１１１上に形成された正孔注入層１１０ａと、正孔注入層１１０ａ上に積層された発光層１１０ｂとを有している。
【０１４３】
正孔注入層１１０ａは、図２４に示すように、無機物バンク層１８によって区画された画素開口部１８ｃ内の画素電極１１１上に形成されている。また、正孔注入層１１０ａの周縁部は、無機物バンク層１８の突出部１８ｂに乗り上げて形成されている。正孔注入層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が好適に用いられる。
【０１４４】
発光層１１０ｂは、図２４に示すように、有機物バンク層３２０に区画された開口部３２０ｃ内の正孔注入層１１０ａ上の全面に形成されている。
ここで、発光層の外縁は、有機物バンク層３２０の酸化物層３２４のピニングポイントとなる側面３２４ａと接触しており、発光層１１０ｂの上面の高さが、有機物バンク層３２０の酸化物層３２４の高さまで形成されている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、各発光層がストライプ状に配置されている。発光層１１０ｂの高分子発光層形成材料としては、ポリフルオレン（ＰＦ）誘導体、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体、ポリパラフェニレン（ＰＰＰ）誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などの高分子有機材料が好適に用いられる。発光層１１０ｂの膜厚としては例えば５０〜１００ｎｍが好ましい。
【０１４５】
陰極１２は、図２４に示すように、発光層１１０ｂを含む有機物バンク層３２０上の全面に画素電極１１１に対向するようにして形成されている。この陰極１２は、カルシウム（Ｃａ）層とアルミニウム（Ａｌ）層とが基板１０側からこの順に積層されて構成されている。Ａｌ層は、発光層１１０ｂから発光された光を基板１０側（観察者側）に反射させるもので、Ａｌ層の他に、Ａｇ層又はＡｌ層とＡｇ層との積層膜等から構成することも好ましい。また、発光層１１０ｂの材料を効率よく発光させるために、発光層１１０ｂと陰極１２のＣａ層との間にフッ化リチウム（ＬｉＦ）層を形成する場合もある。Ｃａ層の膜厚としては、例えば２〜２０ｎｍの範囲が好ましく、特に１０ｎｍ程度がよい。また、Ａｌ層の膜厚としては、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。さらにＡｌ層上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【０１４６】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
図２５〜図３４は、第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
なお、ＴＦＴ等の製造工程については、公知の方法が用いられるので省略する。
【０１４７】
＜無機物バンク層形成工程＞
まず、ＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等により、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２等の無機物バンク層となる絶縁層を、画素電極１１１を含む第２層間絶縁膜１４４ｂ上の全面に成膜する。
続けて、絶縁層上の全面に感光性レジストを塗布した後、画素開口部１８ｃに対応する位置が開口されたマスクを用いて、感光性レジストをフォトリソグラフィー処理し、感光性レジストを所定形状にパターニングする。そして、このパターニングした感光性レジストをマスクとして絶縁層をエッチング処理する。この処理により、図２５に示すように、画素電極１１１を区画すると共に、一部が画素電極１１１の周縁部上に乗り上げた無機物バンク層１８を形成する。
【０１４８】
＜有機物バンク層形成工程＞
次に、図２６に示すように、無機物バンク層１８及び画素電極１１１上の全面に、スピンコート法によりアクリル、ポリイミド等の第１有機物層形成材料３２２ｂを成膜する。
続けて、図２６に示すように、成膜した第１有機物層形成材料３２２ｂ上の全面に、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によりＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の酸化物層形成材料３２４ｂを成膜する。
続けて、図２６に示すように、成膜した無機物材料上の全面に、スピンコート法によりアクリル、ポリイミド等の第２有機物層形成材料３２６ｂを成膜する。
【０１４９】
次に、第２有機物層形成材料３２６ｂ上の全面に感光性レジストを塗布した後、無機物バンク層１８に区画された画素開口部１８ｃに対応する位置が、若干開口されたマスクを用いて、感光性レジストをフォトリソグラフィー処理する。このとき、フォトリソグラフィー処理の精度を考慮して、無機物バンク層１８の周縁よりも内側に有機物バンク層３２０の側面が形成されるように制御する。つまり、有機物バンク層３２０に区画される開口部よりも、無機物バンク層１８に区画される画素開口部の開口面積が広くなるように、フォトリソグラフィー処理する。
【０１５０】
次に、パターニングした感光性レジストをマスクとして、第１有機物層形成材料３２２ｂ、酸化物層形成材料３２４ｂ、及び第２有機物層形成材料３２６ｂを一括エッチング処理する。このとき、有機物バンク層３２０が傾斜面を有する断面台形状となるように、エッチング液、エッチング時間等のエッチング条件を調節してエッチング処理する。このようにして、図２７に示すように、無機物バンク層１８上に第１有機物層３２２、酸化物層３２４、第２有機物層３２６の３層からなる有機物バンク層３２０を形成する。なお、無機物バンク層１８の第１有機物層３２２の膜厚を調整することにより、酸化物層３２４の高さを調整することができる。これにより、ピニングポイントの位置を制御することができる。
【０１５１】
＜活性化処理工程＞
次に、画素電極１１１の電極面、無機物バンク層１８の表面、及び有機物バンク層表面に活性化処理を施す。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面、無機物層及び酸化物層表面の親液化処理が含まれる。
まず、親液化処理として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。このＯ２プラズマ処理により、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バンク層１８の突出部１８ｂの表面１８ａ（以下、表面１８ａと省略する）、及び有機物バンク層３２０の酸化物層３２４の側面３２４ａが親液処理される。なお、このＯ２プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事関数の調整も兼ねている。
【０１５２】
次に、撥液化処理として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行う。なお、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。ＣＦ４プラズマ処理により、有機物バンク層３２０の第１有機物層３２２の側面３２２ａ、第２有機物層３２６の側面３２６ａ及びその上面３２６ｃが撥液処理される。また、Ｏ２プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすいという特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。なお、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バンク層１８の表面１８ａ、及び第２有機物層３２６の酸化物層３２４の側面３２４ａもこのＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与えることは少ない。
【０１５３】
＜正孔注入層形成工程＞
次に、図２８に示すように、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ(ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：６又は１：２０)の混合物を含む水分散液にジエチレングリコール等の溶媒を添加した正孔注入層形成材料１０９ａを、無機物バンク層１８に区画された画素開口部１８ｃ内にインクジェット装置ＩＪにより吐出する。吐出された正孔注入層形成材料１０９ａは、画素電極１１１の電極面１１１ａ上及び無機物バンク層１８の突出部１８ｂ上に配置される。
【０１５４】
＜乾燥工程＞
次に、図２９に示すように、吐出した正孔注入層形成材料に含有する溶媒を乾燥処理により除去させて、無機物バンク層１８に区画された画素開口部１８ｃ内の画素電極１１１上に正孔注入層１１０ａを形成する。詳細には、吐出した正孔注入層形成材料を、真空乾燥した後、大気圧中において２００℃の温度で１０分間乾燥させる。この乾燥処理によって、図２９に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、及び無機物バンク層１８の周縁部に乗り上げるようにして正孔注入層１１０ａを形成する。
【０１５５】
＜発光層形成工程＞
次に、図３０に示すように、有機物バンク層３２０に区画された開口部３２０ｃ内の無機物バンク層１８及び正孔注入層１１０ａ上の全面に、インクジェット装置ＩＪにより発光層形成材料１１３ａを吐出する。発光層形成材料１１３ａとしては、ポリフルオレン（ＰＦ）誘導体、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体を芳香族系炭化水素溶媒で溶解した溶液が用いられる。芳香族系炭化水素溶媒としては、トリメチルベンゼン、シクロへキシルベンゼン、ドデシルベンゼン等のアルキル基のついたベンゼン溶媒、エーテル基のついたメトキシエトシキベンゼン等を用いても良い。
【０１５６】
次に、図３０及び図３１に示すように、成膜した発光層形成材料１１３ａに含有する溶媒を乾燥処理により除去させて、無機物バンク層１８及び正孔注入層１１０ａ上の全面に発光層１１０ｂを形成する。詳細には、吐出した発光層形成材料１１３ａを、溶媒除去後、さらにＡｒや窒素などの不活性雰囲気中において１３０℃の温度で６０分間アニール処理を施す。従って、発光層の膜厚が例えば８０ｎｍの均一な発光層１１０ｂを形成することができる。
本実施形態では、有機物バンク層３２０の中間に酸化物層３２４が形成され、この酸化物層３２４の側面３２４ａに親液処理が施されている。そのため、有機物バンク層３２０に区画された開口部３２０ｃ内に吐出される発光層形成材料１１３ａは、この酸化物層３２４の側面３２４ａを基点としてピニングされる。つまり、有機物バンク層３２０の酸化物層３２４の側面３２４ａと接触する発光層形成材料１１３ａの外縁から乾燥、析出し始め、発光層形成材料１１３ａに含まれる溶媒が蒸発する。このようにして、図３１に示すように、正孔注入層１１０ａ上に例えば８０ｎｍの膜厚の均一かつ平坦な発光層１１０ｂを形成する。
【０１５７】
＜陰極形成工程＞
次に、図３２に示すように、発光層１１０ｂ上の全面に、真空加熱蒸着法により、Ｃａ層及びＡｌ層を順番に積層し、これらの積層膜から構成される陰極１２を形成する。なお、上述したように、Ｃａ層の下層にＬｉＦ層を形成しても良い。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を形成することも好ましい。
【０１５８】
最後に、図２３（ｂ）に戻り、熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂３ａを陰極１２上の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封止基板３ｂを積層して封止部３を形成する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
このような方法により第５実施形態に係る有機ＥＬ装置３０１を製造することができる。
【０１５９】
なお、上記第５の実施形態では、正孔輸送層を省略したが、正孔注入層１１０ａと発光層１１０ｂとの間に正孔輸送層を形成しても良い。正孔輸送層の材料としては、トリフェニルアミン系ポリマーを用いることができる。これにより、より効率よく正孔を発光層１１０ｂに注入することができるので、効率、寿命に優れた特性が得られる。
【０１６０】
本実施形態によれば、有機物バンク層３２０の酸化物層３２４の側面３２４ａは、第１有機物層３２２の側面３２２ａ及び第２有機物層３２６の側面３２６ａよりも撥液性が相対的に低く（親液性）、吐出される発光層形成材料が第１領域よりも濡れ易くなっている。そのため、この酸化物層３２４の側面３２４ａは、発光層形成材料の乾燥、析出が開始するピニングポイントとなる。従って、有機物バンク層３２０の酸化物層３２４の側面３２４ａの位置を調節することで、乾燥、析出を開始するピニングポイントを制御（固定）することが可能となる。これにより、発光層形成材料の吐出量等を制御することで、乾燥後の膜厚を制御することができ、より均一かつ平坦な発光層１１０ｂを形成することができる。さらに、正孔注入層１１０ａ及び発光層１１０ｂの周縁部と中央部との膜厚を均一にすることができるため、発光寿命ムラのなく、発光寿命の均一化を図ることができる。
【０１６１】
［第６の実施形態］
次に、本発明の第６の実施形態について図面を参照して説明する。
本実施形態と上記第５実施形態とでは、有機物バンク層３２０の形状が異なる。なお、その他の有機ＥＬ装置の基本構成及び製造方法は、上記第５実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１６２】
図３３に示すように、本実施形態に係る有機物バンク層３２０は、上バンク層３３４（上隔壁部）と下バンク層３３２（下隔壁部）とが一体化されて構成されている。有機物バンク層３２０の上バンク層３３４の幅Ｗ１は、下バンク層３３２の幅Ｗ２よりも狭く形成され、下バンク層３３２の側面３３２ａは上バンク層３３４の側面３３４ａよりも外側に突出している。そして、突出した下バンク層３３２の上面３３２ｃと上バンク層３３４の側面３３４ａとの境界には屈曲部３４０が設けられている。この屈曲部３４０は、発光層形成材料の乾燥、析出が開始するピニングポイントとなる。また、屈曲部３４０は、有機物バンク層３２０の側面の全周に沿って設けても良いし、一部に設けても良い。
【０１６３】
なお、有機物バンク層３２０の形状は、上記形状に限定されることはない。例えば、断面台形状の有機物バンク層３２０の側面の一部にスリット状の凹部を設けても良いし、断面三角形状の凸部を設けても良い。これらの屈曲部３４０を形成する位置は、発光層１１０ｂの膜厚にあわせて形成する。
【０１６４】
本実施形態に係る有機物バンク層３２０の形成方法としては、まず、アクリル、ポリイミド等の有機物材料を画素電極１１１及び無機物バンク層１８上に成膜する。そして、図３３に示す開口幅Ｗ３の開口部を有するマスクを用いてフォトリソグラフィー処理する。このとき、屈曲部３４０を形成する位置（深さ）までフォトリソグラフィー処理する。次に、図３３に示す開口幅Ｗ４の開口部を有するマスクを用いてフォトリソグラフィー処理する。このように、２段階のフォトリソグラフィー処理により、有機物バンク層３２０の側面に屈曲部３４０を形成する。
【０１６５】
本実施形態によれば、無機物バンク層１８上の有機物バンク層３２０に屈曲部３４０が設けられており、この屈曲部３４０が液体材料の乾燥、析出を開始するピニングポイントとなる。そのため、有機物バンク層３２０に区画された領域に吐出される発光層形成材料は、この屈曲部３４０を基点として乾燥、析出を開始する。従って、屈曲部３４０を形成する位置を調節することで、乾燥を開始するピニングポイントを制御することが可能となる。
【０１６６】
［第７の実施形態］
次に、本発明の第７の実施形態として、上記第５実施形態及び第６実施形態の有機ＥＬ装置の製造に適用できる他の製造方法について図３４及び図３５を参照して説明する。
本実施形態に係る製造方法では、無機物バンク層１８に撥液処理を施し、正孔注入層の膜厚を制御する点において第５実施形態と異なる。なお、その他の有機ＥＬ装置の構成及び製造方法、特に有機物バンク層３２０の構成及び製造方法は、上記第５実施形態及び第６実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１６７】
＜バンク層形成工程＞
まず、窒化ケイ素（ＳｉＮ）に炭素（Ｃ）を微量（２０％以下）に混合させた材料を用いて、画素電極１１１を含む第２層間絶縁膜１４４ｂ上の全面にスパッタ法により無機物バンク層となる絶縁層を成膜する。
【０１６８】
次に、成膜した絶縁層をフォトリソグラフィー処理した後、パターニングしたレジストをマスクとしてエッチング処理する。この処理により、図３４に示すように、画素電極１１１を区画すると共に、一部が画素電極１１１の周縁部上に乗り上げた無機物バンク層１８を形成する。
【０１６９】
次に、図３４に示すように、無機物バンク層１８上に、基板１０側から第１有機物層３２２、酸化物層３２４、及び第２有機物層３２６が順に積層された有機物バンク層３２０を形成する。なお、有機物バンク層３２０は、第６実施形態で説明したように、屈曲部３４０を設けた構造としても良い。
【０１７０】
次に、画素電極１１１、無機物バンク層１８、及び有機物バンク層３２０のそれぞれの表面に、Ｏ２及びＣＨ４の処理ガスを用いて連続プラズマ処理する。このプラズマ処理により、画素電極１１１の電極面１１１ａが親液処理される。一方、有機物バンク層３２０の第１有機物層３２２の側面３２２ａ及び第２有機物層３２６の側面３２６ａ、並びに炭素を微量に含む無機物バンク層が撥液処理される。このプラズマ処理により、無機物バンク層１８の表面１８ａの一部のＣがフッ素化されるが、第１有機物層３２２等のようにテフロン（登録商標）化されることない。
【０１７１】
＜正孔注入層形成工程＞
次に、図３４に示すように、正孔注入層形成材料を、無機物バンク層１８に区画された画素開口部１８ｃ内にインクジェット装置により吐出し、その後、乾燥処理により正孔注入層形成材料に含まれる溶媒を蒸発させて、画素電極１１１上に正孔注入層１１０ａを形成する。
【０１７２】
ここで、無機物バンク層１８の表面１８ａには撥液処理が施されており、無機物バンク層１８の表面１８ａと正孔注入層形成材料との接触角は約８０°となっている。従って、無機物バンク層１８の画素開口部１８ｃに吐出される正孔注入層形成材料が無機物バンク層１８の突出部１８ｂ上面に吐出されたとしても、正孔注入層形成材料ははじかれ、画素開口部１８ｃ内に流れ込む。
【０１７３】
また本実施形態では、インクジェット装置ＩＪから吐出される正孔注入層形成材料の吐出量、及び吐出する正孔注入層形成材料の溶媒中に含有させるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の固形分濃度を制御する。これにより、無機物バンク層１８の突出部１８ｂ上面の高さと、正孔注入層形成材料を乾燥した後の正孔注入層１１０ａの上面との高さとを同じに形成する。
【０１７４】
＜発光層形成工程＞
次に、図３５に示すように、正孔注入層１１０ａ及び無機物バンク層１８の突出部１８ｂ上に発光層１１０ｂを形成する。ここで、無機物バンク層１８の表面１８ａには撥液処理が施されているため、無機物バンク層１８上には正孔注入層１１０ａが形成されておらず、無機物バンク層１８の上面と正孔注入層１１０ａの上面とで連続した平坦面が形成される。そのため、膜厚が例えば８０ｎｍの均一かつ平坦な発光層１１０ｂを形成することができる。
【０１７５】
本実施形態によれば、無機物バンク層１８は撥液処理されるため、無機物バンク層１８上に吐出される正孔注入層形成材料ははじかれ、無機物バンク層１８に区画された開口部内に流れ込む。また、正孔注入層の上面の高さと無機物バンク層１８の上面の高さとは略同じであり、正孔注入層形成材料が無機物バンク層１８上に漏れ出さないように制御されている。そのため、正孔注入層は、無機物バンク層１８によって区画された開口部内の画素電極上にのみ配置され、無機物バンク層１８上に配置されることはない。これにより、均一かつ平坦な正孔注入層を形成することができる。また、この正孔注入層上に発光層を形成することができるため、均一かつ平坦な発光層を形成することができる。さらに、正孔注入層及び発光層の膜厚を中央部と周縁部とで均一にすることができ、発光寿命ムラのなく、発光寿命の均一化を図ることができる。
【０１７６】
また本実施形態によれば、無機物バンク層１８表面が撥液性を有するため、インクジェット装置を用いた場合でも、無機物バンク層１８に区画された画素開口部１８ｃの外側に正孔注入層１１０ａ形成材料を漏れ出させることなく、選択的に正孔注入層１１０ａを形成することができる。従って、インクジェット装置を用いることにより、材料の無駄を抑制することができ、低コストかつ高精度に正孔注入層１１０ａを形成することができる。
【０１７７】
さらに本実施形態によれば、第５実施形態及び第６実施形態において説明した有機物バンク層３２０を有しているため、ピニングポイントを制御（固定）することができ、均一かつ平坦な発光層を形成することができる。
【０１７８】
［第７の実施形態の変形例］
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
本実施形態は、上記第７実施形態とは無機物バンク層１８表面への撥液処理方法が異なる。なお、その他の有機ＥＬ装置の構成、及び製造方法は、上記第５〜第７実施形態と同様である。そのため、図３４を用いて説明することとし、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１７９】
まず、画素電極１１１を含む第２層間絶縁膜１４４ｂ上の全面に、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等により、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物材料を成膜する。続けて、フォトリソグラフィー処理、エッチング処理により、図３４に示すように、無機物バンク層１８を形成する。
【０１８０】
次に、図３４に示すように、無機物バンク層１８上に、基板１０側から第１有機物層３２２、酸化物層３２４、及び第２有機物層３２６が順に積層された有機物バンク層３２０を形成する。
【０１８１】
次に、画素電極１１１、無機物バンク層１８、及び有機物バンク層３２０のそれぞれの表面に、Ｏ２及びＣＨ４の処理ガスを用いて連続プラズマ処理する。このプラズマ処理により、画素電極１１１の電極面及び無機物バンク層１８の表面１８ａが親液処理される。一方、有機物バンク層３２０の第１有機物層３２２の側面３２２ａ及び第２有機物層３２６の側面３２６ａが撥液処理される。
【０１８２】
次に、トリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤溶液に、プラズマ処理を施した上記基板を浸漬する。これにより、親液処理された無機物バンク層１８の表面１８ａにのみカップリング剤の単分子膜が形成される。このように、シラン系カップリング剤は、酸化物との密着性も良く、末端の官能基を選択することにより、正孔注入層形成材料等のインクとの濡れ性を調整することができる。
なお、シラン系カップリング剤溶液に上記基板を浸漬させると、画素電極１１１等も酸化物であるため、画素電極１１１の電極面にシラン系カップリング剤が付着する場合がある。この場合には、画素開口部１８ｃの対応する位置に開口部を有するマスクを用い、このマスクを介して紫外線を照射することにより、無機物バンク層１８の表面１８ａにのみシラン系カップリング剤を残すことも可能である。
【０１８３】
［電子機器］
次に、上記実施形態において説明した有機ＥＬ装置１，２０１，３０１を備える電子機器について説明する。
図３６は、携帯電話の概略構成を示す斜視図である。
図３６に示すように、携帯電話６００は、ヒンジ１２２を中心として折り畳み可能な第１ボディ１０６ａと第２ボディ１０６ｂとを備えている。そして、第１ボディ１０６ａには、有機ＥＬ装置からなる表示部６０１と、複数の操作ボタン１２７と、受話口１２４と、アンテナ１２６とが設けられている。また、第２ボディ１０６ｂには、送話口１２８が設けられている。
この携帯電話６００によれば、上記有機ＥＬ装置１，２０１，３０１を備えているため、輝度ムラのない高品質な電子機器を提供することができる。
【０１８４】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。
例えば、上記実施形態では、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置について説明したが、光を主に素子基板とは反対側から取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置であっても良い。トップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合には、上述した画素電極に反射膜の機能を付加することが好ましい。また、陰極にはＩＴＯ等の透明導電材料を積層した膜を用いることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１８５】
【図１】有機ＥＬ装置の等価回路図である。
【図２】（ａ）は有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の有機ＥＬ装置のＡ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図３】有機ＥＬ装置の主要部の断面図である。
【図４】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図６】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図７】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図８】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図９】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図１０】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図１１】露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１２】（ａ）は第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の有機ＥＬ装置のＡ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図１３】有機ＥＬ装置の主要部の断面図である。
【図１４】第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図１５】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図１６】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図１７】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図１８】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図１９】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図２０】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図２１】第４実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図２２】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図２３】（ａ）は第５実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の有機ＥＬ装置のＡ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図２４】有機ＥＬ装置の主要部の断面図である。
【図２５】第５実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図２６】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図２７】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図２８】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図２９】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図３０】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図３１】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図３２】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図３３】第６実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図３４】第７実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図３５】同、有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図である。
【図３６】携帯電話の概略構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１８６】
１，２０１，３０１…有機ＥＬ装置（発光装置）、１０…基板、１２…陰極、１１０ｂ…発光層、１１０ａ…正孔注入層、１１１…画素電極、１８，１１２ａ…無機物バンク層（第１隔壁）、１１２ｃ…画素開口部、１８ｃ…画素開口部、２２０，３２０…有機物バンク層（第２隔壁）、３２２…第１有機物層、３２４…酸化物層、３２６…第２有機物層、３３２…下バンク層（下隔壁部）、３３４…上バンク層（上隔壁部）、３４０…屈曲部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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