(57)【要約】【課題】半導体チップの搭載位置がシフトしても、隣接するワイヤー同士の接触を防止することを目的とする。【解決手段】帯状配線１０２に、ワイヤーボンディング位置１０５の目印となる凹凸形状を付加し、さらに、凹凸形状に隣接して、ワイヤーボンディング位置のシフト量の目盛りとなる凹凸形状を付加することにより、半導体チップがシフトして搭載されたとしても、半導体チップのシフト量に応じてワイヤーボンディング位置１０５のシフト量を求め、目盛りとなる凹凸形状を用いて、新たなワイヤーボンディング位置を決定してワイヤーボンディングを行うことができ、半導体チップの搭載位置がシフトしたとしても、新たなワイヤーボンディング位置にワイヤーボンディングすることにより、隣接するワイヤー同士の接触を回避することができる。【選択図】図１
2007214217.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す配線基板であって、
前記半導体チップを搭載する搭載位置と、
前記半導体チップの搭載面の裏面に形成されたボール電極と、
一端が前記半導体チップとワイヤーボンディングされ、他端が前記ボール電極に接続される配線パターンと、
ワイヤーボンディング位置の目印および前記目印からの距離を測定する目盛りとなる凹凸形状を備えて前記半導体チップにワイヤーを介して電源電圧あるいはＧＮＤ電圧を供給する１または複数の帯状配線と
を有し、前記ワイヤーボンディング位置の補正を前記目印および目盛りを用いて行なうことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記目印となる凹凸形状が前記帯状配線の対向する辺にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記目印となる凹凸形状が凸形状であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の配線基板。
【請求項４】
前記目印と成る凹凸形状が凹形状であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記目盛りとなる凹凸形状が凸形状であることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記目盛りとなる凹凸形状が凹形状であることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
前記凹凸形状の幅がプロセス上の最小線幅であることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項８】
請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６または請求項７のいずれかに記載の配線基板の前記搭載位置に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの端子と前記ワイヤーボンディング位置および前記配線パターンとをボンディングするワイヤーと、
前記配線基板上の前記半導体チップおよび前記ワイヤーを封止する樹脂と
を有することを特徴とする配線基板を用いた半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の配線基板を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記ワイヤーボンディング位置から補正した位置にワイヤーボンディングするに際し、
補正後のワイヤーボンディング位置を前記目印となる凹凸形状からの距離を目盛りとなる凹凸形状を用いて測定して決定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングして半導体装置を形成する配線基板および配線基板を用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の配線基板およびそれを用いる半導体装置について図７，図８を参照しながら説明する。
図７は従来の配線基板を示す図であり、図７（ａ）は配線基板の平面図を示し、図７（ｂ）は図７（ａ）の配線基板のＵ部を拡大したものである。図８は従来の配線基板を用いた半導体装置を示す図であり、図８（ａ）は図７（ａ）および（ｂ）に示す配線基板を用いた半導体装置の平面図を示し、図８（ｂ）は、図８（ａ）の半導体装置におけるＢ−Ｂ´断面図を示している。
【０００３】
図７，図８に示すように、配線基板１０１は半導体チップ８０１を搭載して、半導体チップ８０１の端子を配線基板１０１の外部端子（図８のボール電極８０４等）に引き出している。その構造は、絶縁性樹脂で形成された絶縁材１０８に、絶縁層と配線層を順次積み重ねた多層構造であり、配線基板１０１の上面には、半導体チップ８０１とボンディングワイヤーを介して接続されて外部端子に引き出す配線パターン１０４と半導体チップ８０１に電源電圧やＧＮＤ電圧等の電圧を供給する幅広の帯状配線９０２が形成されている。
【０００４】
帯状配線９０２は、半導体チップ８０１の搭載領域の周囲に複数形成され、電源やＧＮＤ等の異なる電位毎に別々の帯状配線９０２として形成される。そして、それぞれの帯状配線９０２からワイヤー８０２を介して、電源やＧＮＤを半導体チップ８０１に供給している。図７（ｂ）に示すように、帯状配線９０２にはワイヤー８０２を接続するワイヤーボンディング位置部分１０５に配線幅広部９０１が形成されている。
【０００５】
半導体装置は、前記配線基板１０１と、前記配線基板１０１の底面に配置されたボール電極８０４と、前記配線基板１０１の上面に接着して搭載された半導体チップ８０１と、前記配線基板１０１の配線パターン１０４と半導体チップ８０１とを電気的に接続したワイヤー８０２と、半導体チップ８０１を含んだ配線基板１０１の上面を封止した絶縁性の封止樹脂８０３とにより構成されている。
【０００６】
配線基板１０１，半導体チップ８０１とも、全体として直方体形状であり、４辺の側面は上面，底面に対して垂直方向に配置されている。配線基板１０１には、配線パターン１０４と基板内部で電気的に接続した外部パッド電極１０９が底面に形成され、その外部パッド電極１０９上に外部端子としてのボール電極８０４が形成されている。ボール電極８０４は半田ボール等であって、実装基板への二次実装の際に高接続信頼性を確保するために付設されるものであり、配線基板１０１の底面に碁盤の目状に配置されている。
【０００７】
半導体装置の製造方法を簡単に説明する。複数個の半導体チップ８０１を搭載可能な大型の基板を用い、それに区分された個々の配線基板１０１の上面に形成された配線パターンで包囲された中央領域に設定された半導体チップの搭載位置に、半導体チップ８０１を接着剤により接着固定して搭載する。搭載された半導体チップ８０１の電極パッドと配線基板１０１上面における半導体チップの搭載位置の周りに設けられた帯状配線９０２あるいは配線パターン１０４とをワイヤー８０２により電気的に接続する。そして、半導体チップ８０１を含んだ配線基板１０１の上面全面を封止樹脂８０３により封止する。この上面封止はトランスファーモールドにより行なうもので、配線基板１０１の搬送等に用いるマージン領域を除いた実質上、全面を封止する。その後に、回転ブレードで大型基板を一括切断することによって半導体装置の個片に分離し、後工程でボール電極８０４を形成する。ボール電極８０４は一括切断に先立って形成する方法もある。
【０００８】
このような半導体装置を製造する際には、各工程で製造ばらつきが生じる。ワイヤーボンディングするダイボンドの工程では、半導体チップ８０１のピン数の大幅な増大により、パッド間隔がますます狭ピッチとなり、ワイヤー間の距離もより狭まってきているため、チップを搭載する際に生じる製造ばらつきにより、ワイヤー８０２の接触危険性がますます高くなっている。
【特許文献１】特開２００５−７２３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来のワイヤーボンディングタイプの半導体装置を搭載するための配線基板１０１では、近年、半導体チップ８０１のピン数が大幅に増大しており、パッド間隔がますます狭ピッチとなっているため、その隣接するワイヤー同士の接触が危惧されている。
【００１０】
設計段階での理想的なワイヤリング状態は、半導体チップ上のパッドから放射状に張られた状態である。実際には、組立工程において製造ばらつきを持っているため、組立時に半導体チップの搭載位置がシフトした場合を考慮する必要がある。このように半導体チップの搭載位置がシフトすると、隣接するワイヤー同士の接触の可能性が高くなるという問題点があった。特許文献１に記載するもののように、所定の位置に確実に接続するだけを目的としたものだけでは、製造ばらつきによって半導体チップが本来搭載されるべき位置に対して、数μｍ〜数十μｍシフトした場合、隣接するワイヤー同士がねじれるため、そのようなワイヤー同士の接触する可能性が極めて高くなるという問題点があった。
【００１１】
本発明は、上記問題点を解決するために、半導体チップの搭載位置がシフトしても、隣接するワイヤー同士の接触を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の配線基板は、半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す配線基板であって、前記半導体チップを搭載する搭載位置と、前記半導体チップの搭載面の裏面に形成されたボール電極と、一端が前記半導体チップとワイヤーボンディングされ、他端が前記ボール電極に接続される配線パターンと、ワイヤーボンディング位置の目印および前記目印からの距離を測定する目盛りとなる凹凸形状を備えて前記半導体チップにワイヤーを介して電源電圧あるいはＧＮＤ電圧を供給する１または複数の帯状配線とを有し、前記ワイヤーボンディング位置の補正を前記目印および目盛りを用いて行なうことを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載の配線基板は、請求項１記載の配線基板において、前記目印となる凹凸形状が前記帯状配線の対向する２辺にそれぞれ形成されることを特徴とする。
請求項３記載の配線基板は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の配線基板において、前記目印となる凹凸形状が凸形状であることを特徴とする。
【００１４】
請求項４記載の配線基板は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の配線基板において、前記目印となる凹凸形状が凹形状であることを特徴とする。
請求項５記載の配線基板は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の配線基板において、前記目盛りとなる凹凸形状が凸形状であることを特徴とする。
【００１５】
請求項６記載の配線基板は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の配線基板において、前記目盛りとなる凹凸形状が凹形状であることを特徴とする。
【００１６】
請求項７記載の配線基板は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６のいずれかに記載の配線基板において、前記凹凸形状の幅がプロセス上の最小線幅であることを特徴とする。
【００１７】
請求項８記載の配線基板を用いた半導体装置は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６または請求項７のいずれかに記載の配線基板の前記搭載位置に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの端子と前記ワイヤーボンディング位置および前記配線パターンとをボンディングするワイヤーと、前記配線基板上の前記半導体チップおよび前記ワイヤーを封止する樹脂とを有することを特徴とする。
【００１８】
請求項９記載の半導体装置の製造方法は、請求項８記載の配線基板を用いた半導体装置の製造方法であって、前記ワイヤーボンディング位置から補正した位置にワイヤーボンディングするに際し、補正後のワイヤーボンディング位置を前記目印となる凹凸形状からの距離を目盛りとなる凹凸形状を用いて測定して決定することを特徴とする。
【００１９】
以上により、半導体チップの搭載位置がシフトしても、隣接するワイヤー同士の接触を防止することができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように、帯状配線に、ワイヤーボンディング位置の目印となる凹凸形状を付加し、さらに、凹凸形状に隣接して、ワイヤーボンディング位置のシフト量の目盛りとなる凹凸形状を付加することにより、半導体チップがシフトして搭載されたとしても、半導体チップのシフト量に応じてワイヤーボンディング位置のシフト量を求め、目盛りとなる凹凸形状を用いて、新たなワイヤーボンディング位置を決定してワイヤーボンディングを行なうことができ、半導体チップの搭載位置がシフトしたとしても、新たなワイヤーボンディング位置にワイヤーボンディングすることにより、隣接するワイヤー同士の接触を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
実際的な態様の概略について、図１，図２を用いて説明する。
図１は本発明の配線基板の構造を示す図であり、図１（ａ）は配線基板を示す表層側から見た平面図、図１（ｂ）は第１の実施の形態における帯状配線を示すＴ部拡大図である。図２は第２の実施の形態における帯状配線を示す要部拡大図である。
【００２２】
図１，図２において、例えば、配線基板１０１の外形寸法２７ｍｍ角に対して、電源およびＧＮＤ用の帯状配線１０２の幅は３００μｍである。この帯状配線１０２上に凹凸形状の配線パターンを配置する。凹形状１０７および凸形状１０６の配線パターンの幅は最小配線幅としている。例えば最小配線幅が６０μｍの場合、凹あるいは凸形状１０６の中心をワイヤーボンディング位置１０５として認識することが可能である。また、帯状配線１０２上に目盛りとなる凹凸形状を配置する場合、凹あるいは凸形状１０６の最も突出している部分および最も凹んでいる部分の端あるいはその中点を読み取る。ここで、中点を読み取る方法として、作業者が直接目で確認してワイヤーボンディングする場合と自動で認識する場合が考えられる。例えば、前者の場合には、作業者が目分量で中点を認識する。後者の場合には、機械が凹あるいは凸形状の端の２点を読み取り中点を認識する。このようにして、例えば最小配線幅が６０μｍとした場合には、ワイヤーボンディング位置１０５からの距離を凹または凸形状の端あるいは中点となるポイント毎に約３０μｍ単位で認識することが可能である。
【００２３】
半導体チップの搭載位置がシフトした場合、このシフト量に応じてワイヤーボンディング位置を補正してワイヤーボンディング位置１０５からずらすことにより、隣接するワイヤー同士の接触を回避することができる。その時、凹形状１０７および凸形状１０６を目盛りとしてワイヤーボンディング位置１０５からずらす距離を測定して新たなワイヤーボンディング位置を決定する。
【００２４】
組立時には製造ばらつきがあるため、設計値通りに組立てることは難しい。実際のダイボンド時では、製造ばらつきとなる半導体チップの搭載位置のシフト量が５０μｍ程度である。この製造ばらつきを考慮した場合、通常の基板であれば半導体チップのシフト量が５０μｍ以下であれば、ワイヤー８０２の接触の可能性は小さいが、半導体チップのシフト量が５０μｍ以上と大きい場合には、隣接するワイヤー同士が接触する可能性が高くなる。また、ワイヤー１本分の直径は約２５μｍであり、隣接するワイヤー間の距離が２５μｍ以下となる場合には、ワイヤー８０２の接触の可能性が極めて高いと判断できる。しかし、狭ピッチ化に伴い、隣接するワイヤー間隔も最近接していることから、半導体チップのシフト量が５０μｍであっても隣接するワイヤー同士の接触する危険性は高くなる。隣接するワイヤー同士が接触しないようにするためには、ワイヤー８０２のボンディング位置を本来の狙い位置から隣接ワイヤー同士が接触しないような位置に修正変更できることが必要である。例えば、ワイヤーボンディング位置１０５の範囲が３５０μｍの余裕がある場合、最小配線幅６０μｍの配線パターンを目盛りとして配置すると仮定すると、例えば図１（ｂ）においてワイヤーボンディング位置１０５からその両脇にある凸形状の目盛りの最も突出している部分の中点までの距離は１８０μｍとなり、ワイヤーボンディング位置１０５の範囲の片側半分は１８０μｍ以内にあるため、目盛りとなる凸形状の配線パターンがワイヤーボンディング位置１０５より両側に１つずつあればよいということになる。これは、凹形状の目盛りであっても同様になる。
【００２５】
以下、本発明の配線基板における第１の実施の形態について、図１を参照しながら詳細に説明する。
図１（ａ）において、配線基板１０１は、有機樹脂よりなる多層配線構造を有している。配線基板１０１の表層面には、配線パターン１０４を配置するとともに、基板中心部に置いた半導体チップチップ搭載位置１０３の周囲に、主に電源用あるいはＧＮＤ用として用いる帯状配線１０２を配置している。半導体チップから引き出された電源あるいはＧＮＤがワイヤー８０２によって配線基板１０１上の帯状配線１０２に接続されており、ワイヤーボンディング位置１０５を認識する手段として、この帯状配線１０２上に狭い幅の凸形状１０６の配線パターンを設けている。できるだけ細かく位置精度を認識するために、最小寸法幅のパターンを用いればパターンの配置スペースを最小限に収めることができる。さらに、製造ばらつきによるチップの搭載精度から、帯状配線１０２上にワイヤーボンディング位置１０５のシフト量を見積もる。ここで、チップの搭載精度はチップの搭載基準位置からのズレによって測定できる。そして、帯状配線１０２上にワイヤーボンディング位置１０５のシフト量を定量的に検出するための目盛りとなるように凸形状１０６を複数形成する。これにより、隣接するワイヤー間で接触が予測される場合には、この凹凸形状のパターンからワイヤーボンディング位置１０５を修正する距離を容易に読み取ることができ、ワイヤーボンディング位置１０５を容易に補正して隣接するワイヤー同士の接触を回避することができる。
【００２６】
以下、帯状配線１０２およびワイヤーボンディング位置１０５からの距離の測定方法について詳細に説明する。
図１（ｂ）に示すように、帯状配線１０２において、ワイヤーボンディング位置１０５は帯状配線の中心線２０２上に設定される。そして、凸形状１０６は、ワイヤーボンディング位置１０５を通って帯状配線の中心線２０２に直交するライン２０１が凸形状１０６の中心となるように帯状配線１０２に最小線幅で付加される。さらに、ワイヤーボンディング位置１０５のシフト量を定量的に検出するための目盛りとなるように、ワイヤーボンディング位置１０５を示す凸形状１０６に最小線幅で隣接して、１または複数個の最小線幅の凸形状１０６を両サイドに付加する。
【００２７】
ここで、半導体チップがシフトして搭載された場合、まず、そのシフト量をチップ搭載時に搭載基準位置からのズレから検出し、その半導体チップのシフト量に応じてワイヤーボンディング位置１０５のシフト量を決定する。次に、凸形状１０６の中心，端部あるいは凸形状１０６間隔の中心を目印に用いて、そのうち、ワイヤーボンディング位置１０５のシフト量として最も近い目印を選択し、選択した目印を通り帯状配線の中心線２０２に直交するラインと帯状配線の中心線２０２の交点を新たなワイヤーボンディング位置として設定する。ここで、最小線幅が６０μｍの場合には、凸形状１０６の中心，端部あるいは凸形状１０６間隔の中心を目印に用いるため、３０μｍ単位でシフト量の測定およびワイヤーボンディング位置の決定を行なうことができる。最後に、新たに設定したワイヤーボンディング位置に対して、対応するワイヤーボンディングを行なう。
【００２８】
以上のように、帯状配線１０２に、ワイヤーボンディング位置１０５の目印となる凸形状１０６を付加し、さらに、凸形状１０６に隣接して、ワイヤーボンディング位置のシフト量の目盛りとなる凸形状１０６を付加することにより、半導体チップがシフトして搭載されたとしても、半導体チップのシフト量に応じてワイヤーボンディング位置のシフト量を求め、目盛りとなる凸形状１０６を用いて、新たなワイヤーボンディング位置を決定してワイヤーボンディングを行なうことができるため、半導体チップの搭載位置がシフトしたとしても、新たなワイヤーボンディング位置にワイヤーボンディングすることにより、隣接するワイヤー同士の接触を回避することができる。
【００２９】
次に、本発明の配線基板における第２の実施の形態について、図２を参照しながら詳細に説明する。
図２は、第２の実施の形態における配線基板１０１を示すものであり、図２に示すように、帯状配線１０２上には、第１の実施の形態と同様に、ワイヤーボンディング位置１０５を示す凸形状１０６が付加されている。第１の実施の形態と異なる点は、ワイヤーボンディング位置のシフト量の目盛りとなる凸形状１０６に代わり凹形状１０７を目盛りとして付加している点である。第２の実施の形態では、この凹形状１０７を目盛りとして用いて新たなワイヤーボンディング位置を決定する点のみが異なる。
【００３０】
この構成により、第１の実施の形態と同様に、半導体チップの搭載位置がシフトしたとしても、補正した新たなワイヤーボンディング位置にワイヤーボンディングすることにより、隣接するワイヤー同士の接触を回避することができる。さらに、ワイヤーボンディング位置１０５の目印となる凸形状１０６が、ワイヤーボンディング位置のシフト量の目盛りとなる凹形状１０７と異なる形状であるため、シフト前のワイヤーボンディング位置１０５を容易に特定することができる。また、読み取るための目盛りが切り込みによってできているため、帯状配線１０２に凸形状のようなパターンを追加しなくてもよいので、帯状配線１０２の周囲に位置する配線パターンを形成するスペースを第１の実施の形態よりも確保することができる。
【００３１】
次に、第３の実施の形態として、以上の配線基板を用いた半導体装置について、図３を参照しながら詳細に説明する。
図３は本発明における配線基板を用いた半導体装置を示す図であり、図３（ａ）は第３の実施の形態における半導体装置を示す図、図３（ｂ）は第３の実施の形態における半導体装置のＡ−Ａ´断面図を示す図、図３（ｃ）は第３の実施の形態における帯状配線の要部拡大図ある。
【００３２】
図３（ａ）〜（ｃ）において、本発明の半導体装置は、第１〜２の実施の形態における配線基板１０１と、半導体チップ８０１と、配線基板１０１と半導体チップ８０１を接合するための接合部材と、半導体チップ８０１の電極と配線パターン１０４とを電気的に接続するボンディングワイヤー８０２と、一体的に封止する樹脂とから成っている。この半導体装置に用いる配線基板１０１の帯状配線１０２上に凸形状１０６の配線パターンを設ける。配線基板１０１上の帯状配線１０２と直交しかつこの帯状配線１０２上に設けられた凸形状１０６の配線パターンの中心線を通る直線上にワイヤーボンディングの接合部を有している。これにより、帯状配線１０２に垂直に交わる直線上に理想的なワイヤーボンディング位置１０５があることを容易に認識することができる。
【００３３】
さらに、ワイヤーボンディング位置のシフト量の目盛りとなる凸形状１０６または凹形状を設けることにより、半導体チップがシフトして搭載されたとしても、半導体チップのシフト量に応じてワイヤーボンディング位置のシフト量を求め、目盛りとなる凸形状１０６または凹形状を用いて、新たなワイヤーボンディング位置を決定してワイヤーボンディングを行なうことができ、半導体チップの搭載位置がシフトしたとしても、新たなワイヤーボンディング位置にワイヤーボンディングすることにより、隣接するワイヤー同士の接触を回避することができる。
【００３４】
また、図３（ｃ）に示すように、凸形状１０６をワイヤーボンディング位置１０５における帯状配線１０２の両側に形成することにより、より確実に、ワイヤーボンディング位置１０５を特定することができる。
【００３５】
次に、本発明の配線基板における第４の実施の形態について、図４を参照しながら詳細に説明する。
図４は第４の実施の形態における帯状配線を示す要部拡大図であり、第４の実施の形態における配線基板の一部を示すものである。
【００３６】
図４において、帯状配線１０２上に、ワイヤーボンディング位置１０５を認識するために、ワイヤーボンディング位置１０５の両側に、狭い幅の凹形状１０７の切り込みを有している。これにより、帯状配線１０２の周囲に配置する配線パターンのスペースを第１の実施の形態よりも確保することができる。また、帯状配線１０２上にワイヤーボンディング位置１０５のシフト量を定量的に検出するための目盛りとなる凸形状１０６の目盛りを有している。これにより、隣接するワイヤー間で接触が予測される場合には、この凹凸形状のパターンからワイヤーボンディング位置１０５を修正する距離を容易に読み取ることができ、ワイヤーボンディング位置１０５を容易に修正することができる。
【００３７】
以上のように、ワイヤーボンディング位置のシフト量の目盛りとなる凸形状１０６または凹形状を設けることにより、半導体チップがシフトして搭載されたとしても、半導体チップのシフト量に応じてワイヤーボンディング位置のシフト量を求め、目盛りとなる凸形状１０６または凹形状を用いて、新たなワイヤーボンディング位置を決定してワイヤーボンディングを行なうことができ、半導体チップの搭載位置がシフトしたとしても、新たなワイヤーボンディング位置にワイヤーボンディングすることにより、隣接するワイヤー同士の接触を回避することができる。
【００３８】
次に、本発明の配線基板における第５の実施の形態について、図５を参照しながら詳細に説明する。
図５は第５の実施の形態における帯状配線を示す要部拡大図であり、第５の実施の形態における配線基板１０１の位置部を示すものである。
【００３９】
図５において、第１の実施の形態における凸形状１０６に代わり、帯状配線１０２上にワイヤーボンディング位置１０５のシフト量を定量的に検出するための目安となる凹形状１０７の目盛りを有している。これにより、隣接するワイヤー間で接触が予測される場合には、この凹凸形状のパターンからワイヤーボンディング位置１０５を修正する距離を容易に読み取ることができ、ワイヤーボンディング位置１０５を容易に修正することができる。また、読み取るための目盛りが切り込みによってできているため、帯状配線１０２にパターンを追加しなくてもよいので、帯状配線１０２の周囲に位置する配線パターンのスペースを図４よりも確保することができる。
【００４０】
次に、本発明の配線基板における第６の実施の形態について、図６を参照しながら詳細に説明する。
図６は第６の実施の形態における帯状配線を示す要部拡大図であり、第６の実施の形態における配線基板１０１の一部を示すものである。
【００４１】
図６において、配線基板１０１上の帯状配線１０２と直交しかつこの帯状配線１０２上に設けられた凹形状１０７の切り込み同士の中間を通る直線上にワイヤーボンディングの接合部を有している。これにより、帯状配線１０２に垂直に交わる直線上に理想的なワイヤーボンディング位置１０５があることを容易に認識することができる。また、帯状配線１０２上にワイヤーボンディング位置１０５をシフトさせる目安となる目盛りとして凹形状１０７の切り込みを有している。これにより、狙った位置に確実にワイヤーボンディングすることができる。また、認識するワイヤーボンディング位置１０５が複数の切り込みによって成っている凹凸形状であるため、帯状配線１０２にパターンを追加しなくてもよいので、帯状配線１０２の周囲に位置する配線パターンのスペースを第３の実施の形態よりも確保することができる。
【００４２】
また、以上に説明した第４〜６の実施の形態における配線基板を用いて、第３の実施の形態と同様に半導体装置を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、半導体チップの搭載位置がシフトしても、隣接するワイヤー同士の接触を防止することができ、半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングして半導体装置を形成する配線基板および配線基板を用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の配線基板の構造を示す図
【図２】第２の実施の形態における帯状配線を示す要部拡大図
【図３】本発明における配線基板を用いた半導体装置を示す図
【図４】第４の実施の形態における帯状配線を示す要部拡大図
【図５】第５の実施の形態における帯状配線を示す要部拡大図
【図６】第６の実施の形態における帯状配線を示す要部拡大図
【図７】従来の配線基板を示す図
【図８】従来の配線基板を用いた半導体装置を示す図
【符号の説明】
【００４５】
１０１    配線基板
１０２    帯状配線
１０３    半導体チップ搭載位置
１０４    配線パターン
１０５    ワイヤーボンディング位置
１０６    凸形状
１０７    凹形状
１０８    絶縁材
１０９    外部パッド電極
２０１    ライン
２０２    帯状配線の中心線
８０１    半導体チップ
８０２    ワイヤー
８０３    封止樹脂
８０４    ボール電極
９０１    配線幅広部
９０２    帯状配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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