(57)【要約】【課題】例えば半導体ウェハのプロセス処理工程が行なわれるクリーンルームなどの空気清浄度モニタリング方法及びこれに用いる空気清浄度モニタリング装置を提供する。【解決手段】クリーンルームと空気環境を異にする隔離部１１内に設けられ、供給される純水を隔離部１１内の空気と接触可能に貯留する水槽１７ａに、貯留した純水が隔離部１１内の空気と非接触となるように被覆部材１７ｃを被覆して、水槽１７ａに純水を供給しつつ越流させることにより被覆部材１７ｃの被覆前に貯留した純水を被覆部材の被覆後に供給した純水で置換するとともに、クリーンルームの空気を隔離部１１内に導入し隔離部１１内をクリーンルームの空気環境と同一にした段階で、被覆部材１７ｃを取り外し、水槽１７ａに貯留した純水に隔離部１１内の空気を接触させつつ純水の清浄度の変化を捉えることによって、クリーンルームの空気清浄度を評価する。【選択図】図４
2007263821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クリーンルームの空気清浄度をモニタリングする方法であって、
前記クリーンルームと空気環境を異にする隔離部内に設けられ、供給される純水を前記隔離部内の空気と接触可能に貯留する水槽に、貯留した前記純水が前記隔離部内の空気と非接触となるように被覆部材を被覆して、前記水槽に前記純水を供給しつつ越流させることにより前記被覆部材の被覆前に貯留した前記純水を前記被覆部材の被覆後に供給した前記純水で置換するとともに、前記クリーンルームの空気を前記隔離部内に導入し該隔離部内を前記クリーンルームの空気環境と同一にした後に、前記被覆部材を取り外し、前記水槽に貯留した前記純水に前記隔離部内の空気を接触させつつ該純水の清浄度の変化を捉えることによって、前記クリーンルームの空気清浄度を評価することを特徴とするクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法。
【請求項２】
請求項１記載のクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法において、
前記水槽に貯留した前記純水の比抵抗値を計測してその変化を捉えることによって、前記クリーンルームの空気清浄度を評価することを特徴とするクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法において、
前記クリーンルームは、半導体ウェハのプロセス処理工程が行われるクリーンルームとされ、前記水槽は、前記半導体ウェハのプロセス処理工程で前記半導体ウェハの洗浄を行なうための洗浄装置に具備されたファイナルリンス槽であることを特徴とするクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法。
【請求項４】
クリーンルームの空気清浄度をモニタリングするための装置であって、
前記クリーンルームと空気環境を異にする隔離部を有し、該隔離部には、供給される純水を前記隔離部内の空気と接触可能に貯留する水槽と、前記クリーンルームの空気を前記隔離部内に導入し該隔離部内を前記クリーンルームの空気環境と同一にする空気導入手段とが設けられるとともに、前記水槽には、貯留した前記純水を前記隔離部内の空気と一時的に非接触状態に保持する被覆部材と、貯留した前記純水の清浄度を計測する清浄度計測手段とが設けられていることを特徴とするクリーンルームの空気清浄度モニタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェハのプロセス処理工程などに使用されるクリーンルームの空気清浄度をモニタリングする方法及びこれに用いる空気清浄度モニタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば半導体ウェハのプロセス処理工程は、規定した清浄度の空気環境に保持したクリーンルーム内で行なわれている。このクリーンルームには、例えばブロアーで導出した空気が、温度や湿度を調整しつつ例えば活性炭ユニットなどに通され、且つ最終段階でＵＬＰＡフィルタ（Ultla Low Penetration Air Filter）またはＨＥＰＡフィルタ（High Efficiency Particulate Air Filter）に通されることで、空気中の微細粒子などの不純物質が除去され清浄化して供給されている。
【０００３】
このような半導体ウェハのプロセス処理工程が行なわれるクリーンルームは、クリーンルーム外の空気に対して陽圧状態に保持され、例えばパーティクルカウンターなどによって空気中の微粒子量の計測を行なうことで、クリーンルームの空気清浄度が管理されている。
【０００４】
一方で、半導体ウェハのプロセス処理工程においては、例えば前工程までに半導体ウェハに付着したパーティクルや金属、油脂などの有機物、自然酸化膜などを除去するための洗浄工程が不可欠とされる。この半導体ウェハの洗浄には、例えばクリーンルーム内に設置した、いわゆるウェットステーションと称される洗浄装置が用いられている。
【０００５】
この種の洗浄装置には、例えば装置内部に仕切り壁が設けられて５つのブロックに区分けされたものがある。このように区分けされた５つのブロックのうち、例えば半導体ウェハの搬送方向（洗浄工程進行方向）上流側の第１ブロックには、付着した有機物を硫酸と過酸化水素で除去する処理槽及び処理後の半導体ウェハを洗浄する水洗槽が具備されている。また、例えば第２ブロックには、パーティクルをアンモニアで除去し、過酸化水素で酸化する処理槽及び水洗槽、第３ブロックには、半導体ウェハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去する処理槽及び水洗槽、第４ブロックには、付着した金属を塩酸で溶解して除去する処理槽及び水洗槽が設けられている。そして、第５ブロックには、純水を用いて最終的に半導体ウェハの水洗いを行なうファイナルリンス槽と、ファイナルリンス槽で水洗いされた半導体ウェハを高速回転させつつ乾燥させるスピンドライヤとが設けられている。このような各ブロックの処理槽や水洗槽などに、半導体ウェハを順次浸漬するなどしてその洗浄が行なわれている。
【０００６】
また、この種の洗浄装置では、それぞれのブロック毎に、例えばフィルタを通して清浄な空気が供給されるとともに内部の空気が吸引排気されており、且つ洗浄装置が設置されるクリーンルームに対して内部が陰圧状態に保持されている。これにより、例えば気化した薬品などの不純物質を含む装置内部の空気がクリーンルームに漏洩してクリーンルームの空気を汚染することがないよう管理されている。
【０００７】
一方、洗浄装置のファイナルリンス槽には、槽内に常時純水を供給し貯留した純水を随時オーバーフロー（越流）させ、且つ槽内に貯留した純水の比抵抗値を計測しつつ半導体ウェハの水洗いを行なうものがある（例えば、特許文献１参照）。このようなファイナルリンス槽では、貯留した純水の例えば比抵抗値が不純物質を含まない純水の比抵抗値（１８．３ＭΩ・ｃｍ）を示した段階で半導体ウェハが完全に清浄な状態に水洗いされたと判断されている。
【特許文献１】特開平５−２９６９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記の半導体ウェハのプロセス処理工程が行なわれるクリーンルームなどでは、空気清浄度が、空気中の微粒子量を計測する例えばパーティクルカウンターのみで管理されているため、例えば洗浄処理装置や化学薬品処理槽を持つ処理装置の空気が漏洩するなど、クリーンルームの空気が気化した不純物質で汚染された場合に、その空気の清浄度の低下を把握できないという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記事情を鑑み、例えば半導体ウェハのプロセス処理工程が行なわれるクリーンルームなどの空気清浄度モニタリング方法及びこれに用いる空気清浄度モニタリング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。
【００１１】
本発明のクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法は、クリーンルームの空気清浄度をモニタリングする方法であって、前記クリーンルームと空気環境を異にする隔離部内に設けられ、供給される純水を前記隔離部内の空気と接触可能に貯留する水槽に、貯留した前記純水が前記隔離部内の空気と非接触となるように被覆部材を被覆して、前記水槽に前記純水を供給しつつ越流させることにより前記被覆部材の被覆前に貯留した前記純水を前記被覆部材の被覆後に供給した前記純水で置換するとともに、前記クリーンルームの空気を前記隔離部内に導入し該隔離部内を前記クリーンルームの空気環境と同一にした後に、前記被覆部材を取り外し、前記水槽に貯留した前記純水に前記隔離部内の空気を接触させつつ該純水の清浄度の変化を捉えることによって、前記クリーンルームの空気清浄度を評価することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明のクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法においては、前記水槽に貯留した前記純水の比抵抗値を計測してその変化を捉えることによって、前記クリーンルームの空気清浄度を評価することが望ましい。
【００１３】
さらに、本発明のクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法においては、前記クリーンルームが半導体ウェハのプロセス処理工程が行われるクリーンルームであるときには、前記水槽が前記半導体ウェハのプロセス処理工程で前記半導体ウェハの洗浄を行なうための洗浄装置に具備されたファイナルリンス槽であってもよい。
【００１４】
本発明のクリーンルームの空気清浄度モニタリング装置は、クリーンルームの空気清浄度をモニタリングするための装置であって、前記クリーンルームと空気環境を異にする隔離部を有し、該隔離部には、供給される純水を前記隔離部内の空気と接触可能に貯留する水槽と、前記クリーンルームの空気を前記隔離部内に導入し該隔離部内を前記クリーンルームの空気環境と同一にする空気導入手段とが設けられるとともに、前記水槽には、貯留した前記純水を前記隔離部内の空気と一時的に非接触状態に保持する被覆部材と、貯留した前記純水の清浄度を計測する清浄度計測手段とが設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法及び空気清浄度モニタリング装置によれば、被覆部材を隔離部内に設けた水槽に被覆することで、水槽に貯留した純水をクリーンルームの空気と異なる隔離部内の空気と非接触にすることができ、この非接触状態を維持しつつ水槽内の純水を、不純物質を含まない純水と置換することができる。そして、隔離部に設けられた空気導入手段により隔離部内をクリーンルームの空気環境と同一にした後に被覆部材を取り除くことによって、水槽に貯留した純水にクリーンルームの空気を接触させることができる。これにより、クリーンルームの空気に不純物質が含まれている場合に、この空気中に含まれた不純物質のみを水槽内の純水に溶け込ますことができ、不純物質の溶解に伴って低下する純水の清浄度の変化を捉えることでクリーンルームの空気清浄度を把握し評価することが可能となる。よって、従来、気化した不純物質で汚染が生じた場合にその清浄度の低下を把握できなかったクリーンルームの空気に対して、清浄度を的確に把握し評価することが可能となる。
【００１６】
一方、クリーンルームは、一般に、湿度の管理もなされており、水槽に貯留した純水がクリーンルームの空気に対して開放状態とされた場合には、クリーンルーム内の湿度上昇を招くことが懸念される。しかしながら、本発明において、モニタリングを行う時以外では、クリーンルームに対し水槽内の純水が隔離部で隔離されており、クリーンルームの空気清浄度をモニタリングする際にのみ水槽内の純水がクリーンルームの空気と接触される。このモニタリングを行う際にも、クリーンルームに対し隔離部内を陰圧状態に保持してクリーンルームの空気を導入するため、例えば隔離部内の高湿度の空気がクリーンルームに放出されることなくモニタリングを行なうことが可能とされる。
【００１７】
また、本発明のクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法においては、水槽に貯留した純水の比抵抗値を計測することで、クリーンルームの空気に含まれる不純物質の溶解に伴う純水の清浄度の変化を捉えることができ、これにより、確実にクリーンルームの空気清浄度を把握し評価することが可能となる。
【００１８】
さらに、本発明のクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法においては、クリーンルームが半導体ウェハのプロセス処理工程が行われるクリーンルームであるときに、半導体ウェハの洗浄を行なうための洗浄装置に具備されたファイナルリンス槽を用いてクリーンルームの空気清浄度を把握し評価することができる。
【００１９】
つまり、半導体ウェハのプロセス処理工程では、前工程までに半導体ウェハに付着したパーティクルや金属、自然酸化膜などを除去するための洗浄装置が、クリーンルーム内に設置されて使用されている。この洗浄装置には、最終的に半導体ウェハの水洗いを行なうための純水を貯留するファイナルリンス槽が具備されており、このファイナルリンス槽が、洗浄装置の外郭体によりクリーンルームの空気環境と異にした状態で隔離されている。このため、ファイナルリンス槽の純水が洗浄装置内の空気と非接触状態となるように被覆部材を設け、ファイナルリンス槽の純水を、不純物質を含まない純水と置換し、洗浄装置内にクリーンルームの空気を導入することで、純水とクリーンルームの空気とを接触させることができる。これにより、純水の比抵抗値を計測することでクリーンルームの空気清浄度を把握し評価することが可能となる。よって、既存の洗浄装置に具備されたファイナルリンス槽を用いてクリーンルームの空気清浄度を評価することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図１から図５を参照し、本発明の一実施形態に係るクリーンルームの空気清浄度モニタリング方法及びこれに用いる空気清浄度モニタリング装置について説明する。本実施形態は、半導体ウェハのプロセス処理工程が行なわれるクリーンルームの空気清浄度をモニタリングする方法及びこれに用いる空気清浄度モニタリング装置に関するものである。
【００２１】
本実施形態のクリーンルーム１は、図１から図２に示すように、半導体ウェハのプロセス処理工程が行われるクリーンルーム１とされ、クリーンルーム１を挟んで上方に上室２、下方に下室３が設けられている。このクリーンルーム１は、上室２側から清浄化した空気が供給され、クリーンルーム１内の空気を床面に設けた穴から下室３側に排出する、いわゆるダウンフロー方式のクリーンルーム１とされている。また、このクリーンルーム１には、上室２と下室３とを連通させる側室４が設けられている。さらに、下室３の側室４側には、流通する空気の湿度調整や例えば活性炭ユニットなどで清浄化を行なう湿度調整・清浄化ユニット３ａが設けられている。側室４の上室２側には、流通する空気の温度調整を行ないつつ空気を流通させる、例えばブロアーを備えた温調・送風ユニット４ａが設置されている。また、クリーンルーム１の天井には、ＵＬＰＡフィルタ（Ultla Low Penetration Air Filter）またはＨＥＰＡフィルタ（High Efficiency Particulate Air Filter）のフィルタ１ａが設置され、このフィルタ１ａを介してクリーンルーム１と上室２とが連通されている。
【００２２】
このように構成されるクリーンルーム１では、温調・送風ユニット４ａにより、下室３から湿度調整と清浄化が施された空気を上室２側に導き、温度調整した空気を上室２に送って、最終段階でフィルタ１ａに通され微細粒子などの不純物質を除去した空気が供給される。
【００２３】
一方、クリーンルーム１には、図２に示すように、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）やＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）などの搬送容器５に収納された複数の半導体ウェハを一時的に保管する複数のストッカー６と、搬送容器５の受け渡しを行う転送室７ａ及び受け取った搬送容器５から半導体ウェハを取り出し加工を行う製造装置本体７ｂを一対で備える複数の製造ブース７と、クリーンルーム１内で搬送容器５を搬送するための容器搬送レール８とが設けられている。また、このクリーンルーム１には、半導体ウェハに付着したパーティクルや金属、自然酸化膜などを除去するための洗浄装置（クリーンルームの空気清浄度モニタリング装置）Ａが設けられている。
【００２４】
ここで、複数のストッカー６は、所定の離間でクリーンルーム１の壁側に並列配置されており、隣り合う２つのストッカー６が１組とされている。また、ストッカー６が並列配置された１条の領域と、この領域に繋がり１組のストッカー６の間から前記領域の延設方向に直交しつつストッカー６側の壁と対向する壁まで延びる領域とが、搬送容器５が搬送される容器搬送エリア９とされている。一方、この容器搬送エリア９を除く領域が装置保守エリア１０とされている。
【００２５】
複数の製造ブース７は、この装置保守エリア１０に設けられ、装置保守エリア９と容器搬送エリア１０の境界部分にそれぞれ転送室７ａ側を配しつつ所定の離間をもって並設されている。また、容器搬送レール８は、容器搬送エリア９直上の例えば天井に支持されており、各ストッカー６間で搬送容器５を出し入れするための直線状に敷設された容器搬送レール８と、ストッカー６と製造ブース７との間で搬送容器５の出し入れするための環状に敷設された容器搬送レール８とから構成されている。ちなみに、各容器搬送レール８には、レール上を走行する図示せぬ複数のロードポートが支持され、このロードポートで搬送容器５を例えば把持して搬送することが可能とされている。
【００２６】
一方、洗浄装置Ａは、図２に示すように、例えば略矩形箱状に形成された外郭体（隔離部）１１を有し、ストッカー６側の壁に直交する壁に沿って設置されている。この洗浄装置Ａの外郭体１１は、内部を隔離するものとされ、洗浄装置Ａ内部の空気とクリーンルーム１の空気とが異なる空気環境となるように保持している。また、洗浄装置Ａの内部には、平行する４枚の仕切り壁１２が設けられており、この仕切り壁１２によって５つのブロック１３が並設されて画成されている。
【００２７】
さらに、各ブロック１３には、図１または図３に示すように、内部の空気を洗浄装置Ａ外、且つクリーンルーム１外に排出する例えばブロアーなどの空気導出手段（空気導入手段）１４が接続されているとともに、例えばクリーンルーム１の天井に設けられたフィルタ１ａが適宜手段で接続されて清浄化した空気が供給されるように構成されている。このとき、クリーンルーム１に対して洗浄装置Ａ内は、常に陰圧状態に保持されるように空気の給気と排気が行なわれ、洗浄装置Ａの空気がクリーンルーム１に漏洩することがないものとされている。
【００２８】
ここで、５つのブロック１３は、図２に示すように、例えば洗浄する複数の半導体ウェハを収納した搬送容器５が搬送されるストッカー６側から第１ブロック１３ａ、第２ブロック１３ｂ、第３ブロック１３ｃ、第４ブロック１３ｄ、第５ブロック１３ｅとされている。第１ブロック１３ａには、半導体ウェハに付着した有機物を硫酸と過酸化水素で除去する処理槽１５及び処理後の半導体ウェハを洗浄する水洗槽１６が設けられている。また、第２ブロック１３ｂには、パーティクルをアンモニアで除去し、そのパーティクルを過酸化水素で酸化する処理槽１５及びこれを水洗する水洗槽１６、第３ブロック１３ｃには、半導体ウェハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去する処理槽１５及びこれを水洗する水洗槽１６、第４ブロック１３ｄには、半導体ウェハに付着した金属を塩酸で溶解して除去する処理槽１５及びこれを水洗する水洗槽１６がそれぞれ設けられている。そして、第５ブロック１３ｅには、第１ブロック１３ａから第４ブロック１３ｄで薬品洗浄された半導体ウェハを、純水を用いて最終的に水洗いするためのファイナルリンス槽１７及び半導体ウェハを高速回転させて乾燥させるスピンドライヤ１８が設けられている。
【００２９】
また、各ブロック１３を画成する外郭体１１の側面には、クリーンルーム１と洗浄装置Ａの各ブロック１３とをそれぞれ連通させる例えば扉１９が設けられており、少なくとも第５ブロック１３ｅに設けられた扉１９が一つの空気導入手段１４とされている。
【００３０】
また、本実施形態のファイナルリンス槽１７は、図３から図５に示すように、純水を貯留する水槽１７ａと、この水槽１７ａに貯留した純水の例えば比抵抗値（清浄度）を計測する比抵抗計（清浄度計測手段）１７ｂと、板状に形成され水槽１７ａの上端に支持させつつ載置することで水槽１７ａ内を密閉する被覆部材１７ｃとが主な構成要素とされている。水槽１７ａは、その底部に純水供給孔１７ｄが設けられており、この純水供給孔１７ｄには、例えば地下水や水道水や工場用水等をイオン交換樹脂に通過させることで純水を精製しこれを水槽１７ａに供給する図示せぬ純水供給手段が接続されている。また、水槽１７ａの上端側の側面には、側面に直交する方向に開けられ水槽１７ａに貯留した純水を外部にオーバーフロー（越流）させるフロー孔１７ｅが設けられている。さらに、フロー孔１７ｅが設けられた側面と対向する側の側面のフロー孔１７ｅより下方に位置する部分には、比抵抗計１７ｂが挿入され、比抵抗計１７ｂの検出部を水槽１７ａ内に配置しつつ固定する清浄度計測手段設置孔１７ｆが設けられている。
【００３１】
ついで、上記の構成からなる洗浄装置Ａを用いて、クリーンルーム１の空気清浄度をモニタリングする方法について説明する。
【００３２】
はじめに、クリーンルーム１内では、半導体ウェハの加工が行われ、半導体ウェハのプロセス処理工程に応じ、洗浄装置Ａに搬送された半導体ウェハが第１ブロック１３ａから第４ブロック１３ｄの各処理槽１５と各水洗槽１６のそれぞれに浸漬されつつ洗浄されているものとする。この段階では、図３に示すように、洗浄装置Ａの扉１９が閉められ、洗浄装置Ａ内が略密閉状態に保持され洗浄装置Ａの内部の空気とクリーンルーム１の空気とが、空気環境を異にした状態とされている。また、洗浄装置Ａ内は、空気導入手段１４で空気が排気されつつ、清浄化された空気がフィルタ１ａから供給され、洗浄装置Ａ内がクリーンルーム１に対して陰圧状態とされている。
【００３３】
ちなみに、第４ブロック１３ｄの洗浄工程を終えた半導体ウェハは、第５ブロック１３ｅに搬送され、ファイナルリンス槽１７の水槽１７ａに浸漬されて最終洗浄が行なわれる。半導体ウェハが浸漬されたこの水槽１７ａには、純水供給孔１７ｄを通じて純水供給手段から常時純水が供給され、供給された純水の体積分がフロー孔１７ｅからオーバーフローされる。このとき、貯留された純水の比抵抗値が比抵抗計１７ｂで継続的に計測されており、この比抵抗値が純水の比抵抗値を示した段階で、浸漬した半導体ウェハが清浄化されたと判断される。そして、ファイナルリンス槽１７で洗浄を終えた半導体ウェハは、スピンドライヤ１８に搬送され、ここで半導体ウェハを高速回転させつつ乾燥することで全ての洗浄工程が完了する。
【００３４】
このように半導体ウェハの洗浄に供されている段階から、クリーンルーム１の空気清浄度をモニタリングする際には、まずはじめに、図４に示すように、ファイナルリンス槽１７が設けられた第５ブロック１３ｅの清浄化された空気の供給を停止する。これとともに、第５ブロック１３ｅの扉１９（空気導入手段１４）を開きクリーンルーム１と洗浄装置Ａの第５ブロック１３ｅとを連通状態にする。このとき、第５ブロック１３ｅ内の空気を外部に排気する空気導出手段（空気導入手段）１４が継続して作動している。このため、第５ブロック１３ｅ内は、クリーンルーム１に対して陰圧状態に保持され、扉１９（１４）を開いた場合においてもクリーンルーム１の空気と異なる第５ブロック１３ｅ内の空気、つまり、不純物質を含んでいる可能性があり高湿度とされた空気がクリーンルーム１に漏出することがないものとされる。また、空気導入手段１４により扉１９（１４）からクリーンルーム１の空気が洗浄装置Ａ内部に導入され、第５ブロック１３ｅ内がクリーンルーム１の空気で満たされることとなる。
【００３５】
ついで、水槽１７ａに被覆部材１７ｃを設置する。これにより、第５ブロック１３ｅの空気と接触していた水槽１７ａ内の純水が非接触状態に保持される。この状態で、水槽１７ａ内に純水を供給し続けることで、半導体ウェハの洗浄に供され不純物質が含まれている可能性がある純水は、不純物質を含まない純水の供給とともに徐々にフロー孔１７ｅから排出される。そして、比抵抗値を確認し不純物質を含まない純水の比抵抗値を示した段階で、水槽１７ａに貯留された純水は、完全に不純物質を含まない純水に置換されている。完全に置換されたことを確認した段階で、供給する純水の量を減じつつ被覆部材１７ｃを取り外す。
【００３６】
被覆部材１７ｃを取り外すことにより、図５に示すように、不純物質を含まない状態で水槽１７ａに貯留された純水に、第５ブロック１３ｅに導入され完全にクリーンルーム１の空気で満たされた第５ブロック１３ｅの空気が接触する。例えば、クリーンルーム１の空気が気化した不純物質で汚染されている場合には、この不純物質が水槽１７ａ内の純水に溶解し、これにより、純水の比抵抗値が徐々に低下してゆく。そして、空気中の不純物質濃度と、不純物質が溶解した純水の不純物質濃度とが平衡状態に達した段階で、比抵抗値がある一定の値を示すこととなる。例えば、クリーンルーム１の空気清浄度の許容限界に対応した比抵抗値を予め定めこれを管理値とし、この管理値に対して平衡状態に達した比抵抗値が上回っている場合には、クリーンルーム１の空気清浄度が半導体ウェハの製造に適した状態に保持されていると評価される。一方、管理値を下回る比抵抗値が検出された場合には、クリーンルーム１の空気清浄度が許容される範囲外で汚染されていると評価され、早期にクリーンルーム１の空気環境の改善を施すこととなる。
【００３７】
したがって、上記のクリーンルーム１の空気清浄度モニタリング方法及び空気清浄度モニタリング装置Ａにおいては、通常時に半導体ウェハの洗浄に用いられ、内部がクリーンルーム１の空気環境と異にする空気環境で隔離された洗浄装置Ａを用いて、クリーンルーム１の空気清浄度をモニタリングすることが可能となる。また、このとき、ファイナルリンス槽１７に被覆部材１７ｃを設けることで、貯留した純水を洗浄装置Ａ内の空気と非接触状態にすることができる。このため、非接触状態でファイナルリンス槽１７内に貯留された純水を、不純物質を含まない純水と置換することができ、且つ洗浄装置Ａ内にクリーンルーム１の空気を導入することで洗浄装置Ａ内の空気環境をクリーンルーム１の空気環境と同一にすることができる。これにより、被覆部材１７ｃを取り外した段階で、ファイナルリンス槽１７の純水に確実にクリーンルーム１の空気を接触させて、純水に含まれる不純物質をクリーンルーム１の空気から溶解した不純物質のみとすることが可能となる。よって、純水の比抵抗値の変化を捉えることでクリーンルーム１の空気清浄度を把握し評価することが可能となり、従来、気化した不純物質で汚染が生じた場合にその清浄度を把握することができなかったクリーンルーム１の空気に対し、空気清浄度を的確に把握し評価することが可能となる。
【００３８】
また、クリーンルーム１の空気清浄度をモニタリングしない時には、洗浄装置Ａの内部が密閉状態で隔離されてクリーンルーム１と空気環境を異にした状態で保持され、クリーンルーム１の空気清浄度をモニタリングする際には、洗浄装置Ａ内をクリーンルーム１に対し陰圧状態に保持してクリーンルーム１の空気を内部に導入するため、不純物質を含む可能性があり、高湿度の空気がクリーンルーム１に放出されることを防止できる。よって、クリーンルーム１の空気の湿度環境を妨げることなくクリーンルーム１の空気清浄度をモニタリングすることが可能とされる。
【００３９】
なお、本発明は、上記の一実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、クリーンルーム１が、半導体ウェハのプロセス処理工程が行なわれるクリーンルーム１であるものとした説明を行なったが、これに限定する必要はなく、本発明は、例えば研究機関などの分析や薬品処理を行なうクリーンルームなど他の用途で用いられるクリーンルームに適用されてもよいものである。また、半導体ウェハのプロセス処理工程が行なわれるクリーンルーム１の空気清浄度をモニタリングする場合においても、本実施形態では、クリーンルーム１に設けられた洗浄装置Ａを空気清浄度モニタリング装置Ａとして使用するものとしたが、洗浄装置とは別に、隔離部１１と水槽１７ａと清浄度計測手段１７ｂと空気導入手段１４を備える空気清浄度モニタリング装置を設けてもよいものである。これに関連して、洗浄装置Ａや別途設けた空気清浄度モニタリング装置は、クリーンルーム１内に設けられる必要はなく、例えばモニタリング時にクリーンルーム１の空気を外部に導出して、この空気と水槽１７ａ内の純水とを接触させることでクリーンルーム１の空気清浄度を把握し評価してもよいものである。
【００４０】
また、上記の実施例は、平衡状態でのクリーンルーム１の空気清浄度をモニタリングする手法を示したが、この装置Ａでは、平衡状態だけでなく、非平衡状態の場合でも適応することが可能である。この場合は、被覆部材１７ｃを取り外した時点より、ある一定の時間が経過した時点、すなわち比抵抗値がまだ平衡となっていない状態で、測定された比抵抗値が管理値と同じあるいはその値よりも低くなるという結果が見られた場合に、許容される範囲を超える汚染があると評価されるようにしてもよい。
【００４１】
さらに、上記の実施例よりさらに細かい時間間隔にて定時毎の測定を繰り返し、その定時毎に測定される比抵抗の変化の度合い（比抵抗変化の勾配や時間微分等）を求め、その変化の度合いが、定められた管理値（これも変化の度合い）を超える場合に、許容される範囲を超える汚染があると評価されるようにしてもよい。
【００４２】
また、本実施形態では、水槽１７ａに貯留した純水の清浄度を計測する清浄度計測手段１４として比抵抗計を用いるものとしたが、例えば電気伝導度計やｐＨ計を用いたり、貯留される純水を自動的に採取してこれに含まれる不純物質の定性や定量を行なうイオンクロマトグラフ分析計やガスクロマトグラフ分析計などであってもよく、クリーンルーム１の空気に含まれる不純物質が純水に溶解しその不純物質が検知可能であれば清浄度計測手段１４は特に限定を必要とするものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態に係る空気清浄度モニタリング装置で空気清浄度をモニタリングするクリーンルームを示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る空気清浄度モニタリング装置で空気清浄度をモニタリングするクリーンルームを示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る空気清浄度モニタリング装置を示す図である。
【図４】図３の空気清浄度モニタリング装置の水槽に被覆部材を設置した状態を示す図である。
【図５】図４の空気清浄度モニタリング装置でクリーンルームの空気清浄度を計測している状態を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１・・・クリーンルーム、１１・・・外郭体（隔離部）、１４・・・空気導入手段、１７・・・ファイナルリンス槽、１７ａ・・・水槽、１７ｂ・・・比抵抗計（清浄度計測手段）、１７ｃ・・・被覆部材、１９・・・扉（空気導入手段）、Ａ・・・洗浄装置（クリーンルームの空気清浄度モニタリング装置）
【図１】
2007263821.tif 000003
【図２】
2007263821.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007263821.tif 000006
【図５】
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