(57)【要約】【課題】近接場光リソグラフィーに使用される露光装置において、量子ドットを含有させたフォトマスクからの伝熱により被処理物が加熱されるのを防止すること。【解決手段】光源２０のフラッシュランプからの光が、量子ドットを含むフォトマスク１のマスク基板の上面照射され、フォトマスク１に形成された遮光膜２の開口の近傍に近接場光がしみだし、開口の直下に位置する被処理体表面のレジスト層１１が露光される。フォトマスク１に含まれる量子ドットは光を吸収し光を放出するが、その際、照射される光の波長と量子ドットから放出される光の波長とのエネルギー差に応じた熱が発生する。フラッシュランプを用いることにより露光処理を短時間で行うことができ、上記熱がフォトマスク基板のレジスト層側の面に伝熱されるまでの間に、露光処理を完了させることができ、上記熱によるレジスト層の加熱を防止することができる。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から放出された光を照射して被処理体を近接場光により露光する露光装置であって、
前記光源は、フラッシュランプであり、
前記フォトマスクを構成する光透過性材料からなる基板中には、照射された光を吸収して光を放出する１００ｎｍ以下のサイズの微粒子が分散して含められていることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノスケールの半導体集積パターンを作製する上で必要となる、近接場光を用いた露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の光情報通信の大容量化に伴い、半導体デバイスの更なる高集積化・高密度化が進められ、ナノメートルオーダーという極めて微細な集積回路パターンを形成する必要がある。このような微細な回路パターンを形成するには、光リソグラフィ技術が基本技術と認識されていることから、幅広く研究が進められてきているが、集積回路パターンの解像度の更なる向上を図ることが課題とされている。
光リソグラフィ技術とは、シリコン酸化膜等の基板表面にレジスト層を塗布し、所定のパターンが描かれたマスクを介して露光することにより当該パターンを転写し、これに現像処理を施すことにより得られたレジストパターンに基づき基板にエッチング等の加工を行う方法である。
【０００３】
光リソグラフィの解像度R は以下の（１）式に示すとおりである。
Ｒ =ｋλ/ ＮＡ…（１）
ここで、λは光源の波長であり、NAはレンズの開口数であり、k はプロセス定数である。
上記（１）式から、リソグラフィの解像度を上げるためには、波長λを小さくすることと、開口数ＮＡを大きくすることが重要である。しかし、開口数ＮＡを大きくすると焦点深度がＮＡの２乗に反比例して小さくなるため、微細化の流れとしては、波長λを小さくすることが求められるようになった。
そこで、露光波長は、ｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）へと短波長化され、現在では、エキシマレーザ（２４８ｎｍ、１９３ｎｍ）がその主流となっている。
しかし、光を用いるリソグラフィーでは光の回折限界が解像度の限界となるため、波長が１９３ｎｍのＡｒエキシマレーザを用いても線幅１００ｎｍの微細化がリソグラフィの限界と言われている。今後、線幅４５ｎｍ以下という更なる微細化が要求されることが予見され、従来の光を用いるリソグラフィーでは、このような微細化に対応することは極めて困難であると考えられる。
【０００４】
そこで、照射する光の波長よりも十分小さな径の開口からしみだす近接場光を光源とし、フォトレジストを感光させて現像することにより、微細なパターンを形成する、という近接場光リソグラフィーが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１は、厚みが０ .３ｍｍ程度のＳｉＯ2 からなるガラスマスク基板上に、１００ｎｍの線幅のスリットパターンを有するクロム層を形成して遮光膜とした構造が記載され、パターンの高解像度化を目的としている。
【０００５】
図８は、近接場光リソグラフィーによるパターンの転写方法を示す図である。
同図の（ａ）に示すように、被処理体１０上に感光性材料からなるレジスト層１１を塗布する。また、光透過性材料からなるマスク基板１ａ上に、例えばクロム等の金属からなる微小な開口が形成された遮光膜２を形成したものをマスク１とする。
その後、（ｂ）に示すように、マスク基板１ａ上の遮光膜２を被処理体１０に対向させてマスクをレジスト層１１に密着させる。
その状態で、（ｃ）に示すように、マスク基板１ａの裏面から、例えばｉ線（３６５ｎｍ）などの光を照射すると、遮光膜２が存在しない開口部分から近接場光がしみだすことによってレジスト層１１が露光され、露光された部分のレジスト層１１が感光する。
感光後、（ｄ）に示すように、マスク１を被処理体１０から取り外し、レジスト層１１を現像液で現像することにより、露光された部分のみが現像液に可溶となり、ポジ型パターンを形成する。尚、露光された部分が現像液に不溶となるような感光性材料からなるレジスト層を塗布することにより、ネガ型パターンを形成しても良い。
【特許文献１】特開２００３−１５１８８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記近接場光リソグラフィーによるパターン転写方法は、干渉の影響により、マスク開口に入射する光に強度分布（バラツキ）が生じることにより、正確にパターンを転写することができない、という問題が生じることが判明した。詳細には、図９に示すとおりである。図９は、この現象を説明するための図である。
マスク１を遮光膜２がレジスト層１１に対向するように重ね、密着させた状態でマスク基板１ａの裏面から光を照射させるため、図９に示すように、平行光線のうちの一方の光線と他方の光線がマスク基板１ａに入射すると、一方の光線がマスク基板１ａと遮光膜２との境界面で一部反射して入射側に戻り、さらに、入射側のマスク基板１ａと空気層との境界面で再反射することにより、他方の光線と重なって干渉を生じる。
このような干渉により、光強度の強弱ができてしまい、露光部分が開口径程度と小さいため、わずかな光強度分布が生じても、転写パターンにムラが生じることが判明した。
【０００７】
上記問題を解決するため、発明者は先に後述する図２に示すような量子ドットを含むフォトマスクを提案した。
先に提案したフォトマスクは、被処理体を近接場光により露光するためのフォトマスクにおいて、光透過性材料からなるマスク基板に、照射された光を吸収して光を放出する１００ｎｍ以下のサイズの微粒子（以下、量子ドットという）を含ませたものであり、高圧水銀ランプから放射される励起光を上記フォトマスクに入射し、当該励起光を上記量子ドットに吸収させ、個々の量子ドットから特有の波長域の光が放出されることにより、前記の光干渉を防止するものである。
【０００８】
しかしながら、この技術には、以下に示すような新たな課題が存在する。
（１）高圧水銀ランプからの励起光波長と、量子ドットの発光波長とのエネルギー差に相当する熱が発生する。量子ドットを含むフォトマスクを使用した場合、光源から照射された光は、マスク基板の表面付近で大部分が吸収されるため、フォトマスクの光源側の面において主として熱が発生する。
（２）フォトマスクの光源側で発生した熱は、熱伝導によってフォトマスク内を伝わり、数秒程度でレジスト層側の面まで伝達される。そして、高圧水銀ランプなどの光源を励起用光源として用いた場合、レジスト層の露光処理に要する時間が前記の伝熱時間よりも長いことから、露光処理中にフォトマスクのレジスト層側の面からの熱伝達によりレジスト層が加熱されることになる。
【０００９】
現在一般的に使用されているレジスト層を構成する化学増幅型レジストなどの感光性材料は、光照射部分が現像液に溶解する或いは溶解しないことによって露光パターンが形成されるが、光のみならず熱によっても反応する性質を有することから、レジスト層が加熱されると露光パターンの精度を低下させる、という不具合が生じるおそれがある。
特に、線幅４５ｎｍ以下という微細加工を目的とする近接場リソグラフィにおいては、フォトマスクからの熱伝導によるレジスト層の加熱は露光パターンの精度に著しい悪影響を与えるものと考えられる。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、マスク基板に量子ドットを含有させたフォトマスクを備えた近接場光リソグラフィーに使用される露光装置において、当該フォトマスクからの伝熱により被処理物が加熱されるのを防止し、露光パターン精度への悪影響を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を本発明においては、次のように解決する。
マスク基板に量子ドットを含有させたフォトマスクを備え、光源から照射される光を該フォトマスクに入射させ、フォトマスクから放射される近接場光により被処理体を露光する露光装置において、上記光源としてフラッシュランプを使用する。
露光装置の光源としてフラッシュランプを用いることにより、露光処理を短時間で行うことができる。このため、量子ドットに照射される光の波長と量子ドットから放出される光の波長とのエネルギー差に応じた熱が、フォトマスク基板のフラッシュランプ側の面からレジスト層側の面に伝熱されるまでの間に、露光処理を完了させることができ、上記熱によるレジスト層の加熱を防止することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明においては、露光装置の光源としてフラッシュランプを用いているので、露光処理を短時間で行うことができる。このため、レジスト層が熱に反応することにより露光パターンの精度が低下するといった問題を回避することができ、高精度の露光パターンを作製することが可能となる。
また、フォトマスクに量子ドットを含ませているので、干渉により光強度の強弱ができ、転写パターンにムラが生じるといった問題も生じない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の実施例の露光装置を説明するための概略図である。
同図に示すように、本発明の露光装置は、フラッシュランプ２０ａと例えば樋状の反射ミラー２０ｂから構成される光源２０と、光透過性材料からなるマスク基板を備えたフォトマスク１とを備える。
フォトマスク１には後述するように量子ドットが含まれ、被処理体１０と対向する面には遮光膜２が形成されている。
露光に際して、光源２０から放射される光が、後述する本発明のフォトマスク１のマスク基板の上面から照射され、フォトマスク１に形成された遮光膜２の開口の近傍に近接場光がしみだし、開口の直下に位置する被処理体表面のレジスト層１１が露光される。
なお、図１ではフォトマスク１と被処理体１０を、表現上の理由で離間して示しているが、露光に際し、フォトマスク１と被処理体１０は密着させる。
【００１３】
図２は、本発明の露光装置に使用されるフォトマスクの拡大断面図であり、同図は遮光膜を用いたフォトマスクを示している。フォトマスク１は、例えば石英ガラス等の光透過性材料からなるマスク基板１ａ上に、転写すべき所望のパターンに応じて成膜された遮光膜２が形成されている。      
このようなマスク基板は、厚みが０ .５ｍｍ以上であることが好ましい。近接場リソグラフィーは、露光時にフォトマスクとレジスト層とが密着し、露光終了後には両者が剥離する、という作業を繰り返すことから、マスク基板１ａの厚みが０ .５ｍｍ以下の場合、密着と剥離時に生じる力に対する耐久性に乏しいからである。但し、１０ｍｍ以上の厚みを有するマスク基板を作製することは困難である。
遮光膜２は、マスク基板１ａの表面に、例えば真空蒸着によりクロム（Ｃｒ）からなる、厚みが２０ｎｍ〜１００ｎｍの蒸着膜を形成し、当該蒸着膜の表面に塗布した電子線レジストに対し、電子ビーム等を照射して１００ｎｍ程度の線幅を有する溝を形成することによって、所望のパターンが形成されている。
【００１４】
マスク基板１ａは、ガラス等の光透過性材料にＣｕＣｌ、ＧａＡｓ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等（量子ドットを形成する材料となる）をドープした構成である。すなわち、マスク基板１ａは複数の大小様々な量子ドット３を備えて構成されている。マスク基板１ａとしては、ガラス以外にＮａＣｌ等を用いても良い。
なお、石英ガラス等の光透過性材料に対する量子ドットの濃度（ｗｔ％）は、０ .１ｗｔ％〜５ｗｔ％であることが好ましい。量子ドットが少なすぎる場合、光源からの光を十分に吸収できず、光干渉を防止することができないからであり、一方、量子ドットが多すぎる場合、量子ドットからの発光が他の量子ドットによって再吸収されてしまうことから、発生する近接場光の強度が低下するからである。
【００１５】
このようなマスク基板は、以下のようにして作製される。ガラスを形成する母材からなる粉末材料（例えばＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 等）と量子ドットを形成する粉末材料（例えばＣｕＣｌ）とを坩堝にて充分混合して混合粉末を作成する。ついで、粉末材料を成形用の金型に入れ、この金型を電気炉内に配置して、所定の温度で加熱することにより溶融させる。そして、一定時間保持後に自然冷却することで、量子ドットが石英ガラス中にランダムに分散されたマスク基板が成形される。
また、その他の方法として、ゾル・ゲル反応を用いたゾル・ゲル法によるガラス生成（『山根  正之、安井  至、和田  正道、国分  可紀、寺井  良平、近藤  敬、小川  晋永編、「ガラス工学ハンドブック」；朝倉書店』等参照）時に、化学的にＣｕＣｌや他の化合物半導体（ＧａＡｓ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ等）の量子ドットを分散導入する方法を採用することもできる。
【００１６】
図３は図１に示した露光装置の光源であるフラッシュランプの構成の概略を示す断面図である。
フラッシュランプはサファイア等からなり、両端が封止された直管状の発光管２１を備え、この発光管２１内には、陰極２２ａおよび陽極２２ｂが対向配置されている。当該陰極２２ａまたは陽極２２ｂを先端に有する例えばタングステンよりなる電極芯棒２３は、発光管内をその管軸方向に沿って伸び、後端が発光管の両端における封止部を介して外方に突出するように配置されている。
陰極２２ａおよび陽極２２ｂの電極間距離は、好ましくは１５〜６０ｃｍである。発光物質としては、発光管２１内に例えばキセノンを含む混合ガスを封入したものを使用することができる。
フラッシュランプが発光したときの発光パルス幅は、０．５秒以下であればよい。すなわち、前記のようにマスク基板１ａの厚みが０．５ｍｍ〜１０ｍｍの場合、マスク基板１ａの光源側の面からレジスト層側の面に熱伝達されるのに要する時間は０．５秒以上であることから、この時間をパルス幅が下回ればよい。
【００１７】
次に図１を参照して、本発明の露光装置の動作を説明する。
フラッシュランプ２０ａを点灯駆動することによって、フラッシュランプ２０ａから放射される連続スペクトル光がフォトマスク１に照射される。
上記連続スペクトル光がフォトマスク１に含まれる量子ドットによって吸収されることにより、量子ドットから放射される個々の量子ドット特有の波長を有する伝播光がマスク基板１ａのレジスト層側の面に形成された遮光膜の開口部分に向けて放射される。
図４はフォトマスク内における光の伝播の様子を説明するための概念図である。
フォトマスク１のマスク基板１ａに入射した光は、同図に示すように、例えばＣｕＣｌからなる量子ドット３に吸収され、量子ドットは吸収から数ナノ秒のうちに、個々の量子ドット特有の波長を有する伝播光を放出し元の電子状態へと戻る。なお、図４では、図示の便宜上、量子ドットの下方にのみ光がでているように示しているが、実際は量子ドットを中心に放射状に光が放出されている。
【００１８】
マスク基板１ａ内で、上記のように量子ドット３による光の吸収／放出が行われながら、図４に示すようにマスク基板１ａ内を進み、マスク基板１ａの遮光膜２が設けられた面に到達する。なお、フォトマスク内に入射した光の一部は直接伝播光Ａとしてマスク基板１ａの遮光膜２が設けられた面に到達するが、フォトマスク内に入射した光の多くは量子ドット３に吸収されるので、上記伝播光がマスク基板１ａの遮光膜２が設けられた面に到達することは少なく、前記干渉の発生は抑制される。
一方、個々の量子ドット３からでた量子ドット特有の波長を有する伝播光はマスク基板１ａから出射して遮光膜２に伝播し、マスク基板１ａのレジスト層側の面に形成された遮光膜の開口部分に向けて放射され、図４に示すように遮光膜２の開口部付近から近接場光がしみだす。
そして、この近接場光により遮光膜２の開口部分の直下に位置するレジスト層が露光される。
なお、量子ドット３の周囲１００ｎｍ程度の範囲においても近接場光が発生しているが、図１に示す例では、上記した遮光膜２の開口部付近からしみだす近接場光によってレジスト層が露光される。
露光処理の完了後、レジスト層をフォトマスク１から引き離し、レジスト層を現像液で現像することにより、露光された部分のみが現像液に可溶となり、ポジ型パターンを形成する。なお、露光された部分が現像液に不溶となるような感光材料からなるレジスト層を塗布することにより、ネガ型パターンを形成してもよい。
【００１９】
本実施例においては、光源のランプとして発光時間が短時間のフラッシュランプを用いているので、上述したように、量子ドット３から、吸収される光の波長と発光波長とのエネルギー差に相当する熱が発生しても、この熱がフォトマスク１のレジスト側の面に伝熱されるまでの間に、露光処理を完了させることができ、上記熱によるレジスト層の加熱を防止することができる。
また、上記実施例のフォトマスク１のマスク基板１ａには、例えばＣｕＣｌ等の量子ドット３が含まれ、各量子ドット３から放出される伝播光の波長及び位相が異なることにより、光の干渉の影響により転写パターンにムラが生じるという従来の問題点も良好に解決することができる。
すなわち、量子ドットのＣｕＣｌは、数ｎｍから数１０ｎｍのサイズでガラス中に分散され、実質的に点であるとみなすことができる。また、それぞれの量子ドットは孤立した状態で存在している。このような状況下では、ＣｕＣｌ中の電子が三次元的に閉じ込められることにより、電子は離散的なエネルギー準位をとるようになる。この時、離散的なエネルギー準位の準位間のエネルギー差はＣｕＣｌのサイズに依存している。
【００２０】
ＣｕＣｌに光が照射された場合、ＣｕＣｌは照射された光を吸収し、ＣｕＣｌ内の電子は吸収した光のエネルギーにより励起される。励起された電子が、励起状態にとどまる時間は短く、吸収から数ナノ秒のうちに光を放出し元の電子状態へと戻る。この時放出される光の波長は、先に述べたエネルギー準位間のエネルギー差に従ったエネルギーの波長になる。
フォトマスク内に存在するＣｕＣｌのサイズはさまざまであり、それゆえに各ＣｕＣｌから放出される光の波長もそれぞれ異なっている。
ＣｕＣｌから放出された光は、一部がフォトマスク外部へと放出され、一部は再びＣｕＣｌに吸収される。こうして、光源からフォトマスクへ照射された光はＣｕＣｌに吸収されることによって弱められる。そのため、フォトマスク中にＣｕＣｌを含ませることによって、ＣｕＣｌを含ませない場合に比べ、光源から照射された光が直接フォトマスクの遮光膜の開口に到達して近接場光を発生させることは少なくなる。一方、ＣｕＣｌから放出された光が遮光膜の開口部に到達して近接場光を発生させるようになる。
【００２１】
光の干渉が発生するのは、波長および位相のそろった光が重なり合うためであって、光源からの光を直接使用する場合、この条件を満たしてしまうため、干渉が発生することがある。その一方で、ＣｕＣｌを含んだフォトマスクの場合、光源からの光が直接使用されるのではなく、ＣｕＣｌに光が吸収された後、個々のＣｕＣｌのサイズに従った波長の光が放出され、それらの光は位相もそれぞれ異なっているため、ＣｕＣｌから放出された光によって干渉が発生することはなくなる。
ここでは、量子ドットとしてＣｕＣｌを選択した場合について説明したが、前記したＧａＡｓ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ等を量子ドットとしてフォトマスクを作製した場合についても同様である。
【００２２】
次に本発明の露光装置で使用されるフォトマスクの他の構成例について説明する。
図５は本発明の露光装置に使用されるフォトマスクの拡大断面図であり、同図は凸部を設けたフォトマスクを示している。
光透過性材料からなるマスク基板１ａには、量子ドット３がマスク基板の全体に均一に含まれ、局所的に凸部４が形成されている。マスク基板１ａに設けられた凸部４は、被処理体１０のレジスト層１１における露光すべき箇所に対応して、所望のパターンを形成している。そして、マスク基板１ａに形成された凸部４が半導体ウェハー等の被処理体に当接することにより、フォトマスク１と被処理体１０とが密着する。
図５に示す例は、図４に示す量子ドット３の周囲１００ｎｍ程度に発生する近接場光を使用する点に特徴がある。なお、上記量子ドット３は、少なくとも、上記凸部の表面から近接場光が到達する距離内に配置される。
【００２３】
図６に上記近接場光がしみだす様子を示す。同図に示すように、凸部の表面から近接場光が到達する距離内に量子ドット３が含まれていると、光源から放射されマスク基板１ａ内に入射した光が上記量子ドット３に吸収され、量子ドット３から放出される近接場光がマスク基板１ａの凸部から外部にしみ出す。そして、この近接場光によって凸部４の直下に当接するレジスト層が露光される。
マスク基板１ａは、前述したようにガラス等の光透過性材料にＣｕＣｌ、ＧａＡｓ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等（量子ドットを形成する材料となる）をドープした構成である。なお、マスク基板１ａとしてはガラス以外にもＮａＣｌ等を用いても良い。
このようなマスク基板１ａの作製方法は、前述したように量子ドットをガラス中にランダムに分散させ、このガラスを切削加工することにより、所望の転写パターンに対応して量子ドットが含まれた凸部を形成することができる。
【００２４】
マスク基板１ａ内には、多数の量子ドットが含まれているため、前述したように、マスク基板の凸部４において量子ドットから放出される伝播光により近接場光がしみだし、この近接場光によって凸部４の直下に当接するレジスト層を露光する。
ここで、被処理体１０のレジスト層１１を構成する感光分子としては、量子ドットであるＣｕＣｌから放射される伝播光や、光源から放射される伝播光は吸収しないが、近接場光であればエネルギー移動によって感光のために必要なエネルギーを受け取ることができる材料を用いる。
光源２０からの光は量子ドットによる吸収のため、マスク基板１ａの凸部４が設けられた側の面にはほとんど到達せず、フォトマスク１の凸部４の表面から近接場光が到達する距離である例えば１００ｎｍ以内の距離に量子ドット３が含まれていると、量子ドット３から放出される伝播光により、凸部４の表面から近接場光が外部にしみ出し、この近接場光によって凸部４の直下に当接するレジスト層が露光される。
【００２５】
本実施例においても、光源のランプとして発光時間が短時間のフラッシュランプを用いているので、前記第１の実施例のフォトマスクを用いた場合と同様、量子ドット３から、吸収される光の波長と発光波長とのエネルギー差に相当する熱が発生しても、この熱がフォトマスク１のレジスト側の面に伝熱されるまでの間に、露光処理を完了させることができ、上記熱によるレジスト層の加熱を防止することができる。
また、上記実施例のフォトマスク１のマスク基板１ａには、例えばＣｕＣｌ等の量子ドット３が含まれ、各量子ドット３から放出される伝播光の波長及び位相が異なっているので、マスク基板１ａの光透過率を選定し、光源からの光がマスク基板の被処理体に対向する面に直接到達する量を少なくすれば、光干渉を抑制することができ、光の干渉の影響により転写パターンにムラが生じるという問題も良好に解決することができる。
なお、本実施例のフォトマスクは、第１の実施例のように遮光膜２を有していないので、レジスト層１１は上述したように、近接場光には感光するが伝播光に感光しないような特性を有するレジストを使用することが必要であり、具体的には、例えば電子線露光用（ＥＢ用）レジスト、極端紫外光用（ＥＵＶ用）レジスト、ＡｒＦ、ＫｒＦエキシマレーザ用レジストを使用するのがよい。
マスク基板１ａに設けられた凸部の高さＨは、凹部における量子ドットからの近接場光が被処理体に届かないようにするため、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、例えば１５０ｎｍである。各凸部間の距離Ｌは、所望の集積回路パターンの微細な線幅を実現するという観点から、２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であって例えば１００ｎｍである。
【００２６】
本実施例のフォトマスクは、半導体ウェハー等の被処理体と当接する凸部が形成され、凸部からしみだす近接場光によって被処理体の露光を行なうものであることから、第１の実施例のようにマスク基板と別体の遮光膜を具備しない。
このため、露光するたびに遮光膜と被処理体が密着・剥離を繰り返して遮光膜が損耗することがない。これにより、多数の被処理体を露光する場合であっても、遮光膜が損耗するたびにマスク基板を新たなものに交換する必要がないことから、作業性の改善により露光処理を迅速に行なうことができるとともに、コストを大幅に削減することができる。
【００２７】
なお、マスク基板は前記した図５に示すようにマスク基板の被処理体側の面に凸部が形成された構成に限るものではなく、具体的には、図７に示すように、凸部が形成されていない平板状のマスク基板において局所的に量子ドットを含ませる構造としても良い。
図７において、フォトマスクの被処理体に対向する面は平面状であり、マスク基板１ａには、局所的に量子ドットを含ませた領域が設けられ、この領域の形状が、被処理体のレジスト層において露光すべき箇所に対応する所望のパターンとなるようにされている。
なお、上記量子ドット３は、前記と同様、少なくとも上記凸部の表面から近接場光が到達する距離内に配置される。
上記構造とすれば、被処理体と対向する面が平面状であるので、前記図５に示したフォトマスクより、一層、耐久性を向上させることができる。
なお、図７では、露光させるパターンの形状に合わせて量子ドットを含ませているが、フォトマスクの被処理体に対向する面に近いレジストを露光させない一部の領域を除いて、フォトマスク全体に量子ドットを含ませてもよく、また、前記図５においても、凸部以外の箇所に量子ドットを含ませず、凸部にのみ量子ドットを含ませる構造としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施例の露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１の露光装置に使用されるフォトマスクの断面図である。
【図３】図１に示した露光装置の光源であるフラッシュランプの概略を示す断面図である。
【図４】フォトマスク内における光の伝播の様子を説明するための概念図である。
【図５】本発明で使用されるフォトマスクの他の構成を示す図（１）である。
【図６】図５のフォトマスク内における光の伝播の様子を説明するための概念図である。
【図７】本発明で使用されるフォトマスクの他の構成を示す図（２）である。
【図８】近接場光リソグラフィーによるパターンの転写方法を示す図である。
【図９】干渉の影響を説明する図である。
【符号の説明】
【００２９】
１      フォトマスク
１ａ    マスク基板
２      遮光膜
３      量子ドット
４      凸部
１０    被処理体
１１    レジスト層
２０    光源
２０ａ  フラッシュランプ
２０ｂ  反射ミラー
２１    発光管
２２ａ  陰極
２２ｂ  陽極
２３    電極芯棒
【図１】
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【図２】
2007220933.tif 000004
【図３】
2007220933.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007220933.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
2007220933.tif 000010
【図９】
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