(57)【要約】【課題】２次元ＶＣＳＥＬアレイの面発光レーザ素子の個数が３６個よりも多くなってもサイズが大きくなるのを抑制可能な面発光レーザアレイを提供する。【解決手段】面発光レーザアレイ１００は、面発光レーザ素子１〜４０と、配線４１〜８０と、パッド８１〜１２０と、基板１３０とを備える。面発光レーザ素子１〜４０は、４列×１０行の２次元に配置される。配線４１〜８０は、それぞれ、面発光レーザ素子１〜４０をパッド８１〜１２０に接続する。配線４６，４７，５０，５１，５４，５５，５８，５９，６２，６３，６６，６７，７０，７１，７４，７５の各々は、最外周に位置する面発光レーザ素子１〜５，８，９，１２，１３，１６，１７，２０，２１，２４，２５，２８，２９，３２，３３，３６，３７〜４０の１つの素子間を介して引き出される。【選択図】図１
2007242686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元に配置されたｎ（ｎは３６よりも大きい整数）個の面発光レーザ素子と、
各々が前記面発光レーザ素子のｐ側電極またはｎ側電極に接続されたｎ本の配線とを備え、
前記ｎ個の面発光レーザ素子を含むアレイの最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線は、０本または１本である、面発光レーザアレイ。
【請求項２】
前記ｎ個の面発光レーザ素子は、ｉ×ｊ（ｉまたはｊは３以上の整数）に配列された面発光レーザ素子からなり、
２（ｉ−１）＋２（ｊ−１）≧（ｉ−２）×（ｊ−２）が成立する、請求項１に記載の面発光レーザアレイ。
【請求項３】
ｉ＝４である、請求項２に記載の面発光レーザアレイ。
【請求項４】
前記ｉ×ｊは、６×７、６×８、５×８、５×９、５×１０、５×１１、および５×１２のいずれかからなる、請求項２に記載の面発光レーザアレイ。
【請求項５】
前記ｎ本の配線に対応して設けられ、各々が１本の配線に接続されるｎ個のパッドをさらに備え、
前記ｎ本の配線は、
前記アレイの最外周に位置する面発光レーザ素子に接続されたｐ本の配線と、
前記アレイの内周に位置する面発光レーザ素子に接続されたｑ（ｐおよびｑはｐ＋ｑ＝ｎを満たす整数）本の配線とを含み、
前記ｐ本の配線の各々は、前記ｑ本の配線の各々と同じ抵抗を有する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の面発光レーザアレイ。
【請求項６】
前記ｑ本の配線の各々は、前記ｐ本の配線の各々よりも広い配線幅を有する、請求項５に記載の面発光レーザアレイ。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の面発光レーザアレイからなる書き込み光源を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、面発光レーザアレイおよびそれを備えた画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザプリンタ等の画像形成装置において、プリント速度の高速化が要求されてきている。これに伴い、レーザビームを走査する回転多面鏡の高速化が図られてきているが、機構的に限界がある。
【０００３】
そこで、１色の画像を形成するのに、複数本のレーザビームを同時に走査するマルチビーム光源が使われるようになってきている。たとえば、２個または４個の端面型半導体レーザアレイを備えた画像形成装置が実用化されている。
【０００４】
プリント速度の更なる高速化のためには、マルチビーム光源のビーム数を増加させることが望まれるが、端面型半導体レーザアレイにおいては、半導体レーザが１次元に配列されるため、副走査方向にチップ幅が長くなってしまう。そうすると、両端部の発光点では走査光学系の収差によりビームの位置ずれが生じてしまい、高画質の画像が得られなくなってしまう。
【０００５】
そこで、半導体レーザを２次元に配列することが可能な面発光半導体レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）を光源に使用する技術が検討されている。ＶＣＳＥＬを用いると、面発光レーザ素子を２次元に配列できるため、副走査方向のチップ幅を端面型レーザに比べて小さくすることが可能である。
【０００６】
２次元に配列されたＶＣＳＥＬアレイとして、従来、特許文献１に記載されたものが知られている。この特許文献１に記載されたＶＣＳＥＬアレイは、二次元に配列された６×６（＝３６個）の面発光レーザ素子からなる。そして、６×６個の面発光レーザ素子からなるＶＣＳＥＬアレイには、電流を流すための配線が６×６個の面発光レーザ素子に個別に形成される。
【０００７】
配線は、素子の周辺に配置されたボンディングパッドに接続され、外部電源から電流を供給できるようになっている。この場合、配線は、ＶＣＳＥＬ素子の間を１本だけ通ってボンディングパッドに接続することができる。
【０００８】
３６個よりも多い面発光レーザ素子からなる２次元アレイ光源として、特許文献２に開示されたものが知られている。この２次元アレイ光源は、８×８（＝６４）個の面発光レーザ素子からなる。
【特許文献１】特開２００１−２１５４２３号公報
【特許文献２】特開２０００−３６６３７号公報
【特許文献３】特開２００３−２５５２４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、ＶＣＳＥＬアレイが８×８個の面発光レーザ素子からなる場合、特許文献３で指摘されているように、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数は、複数本とならざるを得ない。その結果、その分、面発光レーザ素子の間隔を広くとらなければならなくなり、２次元ＶＣＳＥＬアレイのサイズが大きくなってしまう。そのため、ビーム間隔が狭くできず、高密度の光書き込み用光源として使用できなくなってしまうという問題が生じる。また、サイズが大きくなると１枚のウエハからのチップの取れ数が減少し、コストが高くなるという問題もある。
【００１０】
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、２次元ＶＣＳＥＬアレイの面発光レーザ素子の個数が３６個よりも多くなってもサイズが大きくなるのを抑制可能な面発光レーザアレイを提供することである。
【００１１】
また、この発明の別の目的は、２次元ＶＣＳＥＬアレイの面発光レーザ素子の個数が３６個よりも多くなってもサイズが大きくなるのを抑制可能な面発光レーザアレイを備える画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明によれば、面発光レーザアレイは、ｎ（ｎは３６よりも大きい整数）個の面発光レーザ素子と、ｎ本の配線とを備える。ｎ個の面発光レーザは、二次元に配置される。ｎ本の配線の各々は、面発光レーザ素子のｐ側電極またはｎ側電極に接続される。そして、ｎ個の面発光レーザ素子を含むアレイの最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線は、０本または１本である。
【００１３】
好ましくは、ｎ個の面発光レーザ素子は、ｉ×ｊ（ｉまたはｊは３以上の整数）に配列された面発光レーザ素子からなる。そして、２（ｉ−１）＋２（ｊ−１）≧（ｉ−２）×（ｊ−２）が成立する。
【００１４】
好ましくは、ｉ＝４である。
【００１５】
好ましくは、ｉ×ｊは、６×７、６×８、５×８、５×９、５×１０、５×１１、および５×１２のいずれかからなる。
【００１６】
好ましくは、面発光レーザアレイは、ｎ個のパッドをさらに備える。ｎ個のパッドは、ｎ本の配線に対応して設けられ、各々が１本の配線に接続される。ｎ本の配線は、アレイの最外周に位置する面発光レーザ素子に接続されたｐ本の配線と、アレイの内周に位置する面発光レーザ素子に接続されたｑ（ｐおよびｑはｐ＋ｑ＝ｎを満たす整数）本の配線とを含む。ｐ本の配線の各々は、ｑ本の配線の各々と同じ抵抗を有する。
【００１７】
好ましくは、ｑ本の配線の各々は、ｐ本の配線の各々よりも広い配線幅を有する。
【００１８】
また、この発明によれば、画像形成装置は、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の面発光レーザアレイからなる書き込み光源を備える画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１９】
この発明による面発光レーザアレイにおいては、２二元に配置された３６個よりも多い個数の面発光レーザ素子のうち、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数は、０本または１本に設定される
したがって、この発明によれば、配線が通過する面発光レーザ素子間の間隔を小さくすることにより、ｎ個の面発光レーザ素子を高密度に集積化でき、面発光レーザ素子の個数が３６個を超えた場合にも、面発光レーザアレイのサイズを小さくできる。
【００２０】
また、この発明による画像形成装置は、この発明による面発光レーザアレイを光源として備えるので、高密度に配置されたｎ個の面発光レーザ素子を用いて感光体に書き込みができる。すなわち、ドット密度を高くして感光体に書き込みができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００２２】
［実施の形態１］
図１は、この発明の実施の形態１による面発光レーザアレイの概略平面図である。図１を参照して、この発明による実施の形態１による面発光レーザアレイ１００は、面発光レーザ素子１〜４０と、配線４１〜８０と、パッド８１〜１２０と、基板１３０とを備える。
【００２３】
面発光レーザ素子１〜４０は、４列×１０行の２次元に配置される。そして、１０個の面発光レーザ素子１，５，９，１３，１７，２１，２５，２９，３３，３７／２，６，１０，１４，１８，２２，２６，３０，３４，３８／３，７，１１，１５，１９，２３，２７，３１，３５，３９／４，８，１２，１６，２０，２４，２８，３２，３６，４０は、主走査方向ＤＲ１に配置され、４個の面発光レーザ素子１〜４／５〜８／９〜１２／１３〜１６／１７〜２０／２１〜２４／２５〜２８／２９〜３２／３３〜３６／３７〜４０は、副走査方向ＤＲ２に配置される。
【００２４】
主走査方向ＤＲ１に配置された１０個の面発光レーザ素子１，５，９，１３，１７，２１，２５，２９，３３，３７／２，６，１０，１４，１８，２２，２６，３０，３４，３８／３，７，１１，１５，１９，２３，２７，３１，３５，３９／４，８，１２，１６，２０，２４，２８，３２，３６，４０は、副走査方向ＤＲ２に階段的にずらされて配置される。その結果、４０個の面発光レーザ素子１〜４０から放射された４０個のレーザ光は、相互に重なることがない。
【００２５】
配線４１〜８０は、それぞれ、面発光レーザ素子１〜４０をパッド８１〜１２０に接続する。そして、配線４１〜４５，４８，４９，５２，５３，５６，５７，６０，６１，６４，６５，６８，６９，７２，７３，７６，７７〜８０は、面発光レーザ素子１〜４０からなるアレイの最外周に位置する面発光レーザ素子１〜５，８，９，１２，１３，１６，１７，２０，２１，２４，２５，２８，２９，３２，３３，３６，３７〜４０に接続され、面発光レーザ素子１〜５，８，９，１２，１３，１６，１７，２０，２１，２４，２５，２８，２９，３２，３３，３６，３７〜４０からそれぞれパッド８１〜８５，８６，８９，９０，９３，９４，９７，９８，１０１，１０２，１０５，１０６，１０９，１１０，１１３，１１４，１１７〜１２０まで面発光レーザ素子間を通過することなく直線状に配置される。
【００２６】
配線４６，４７，５０，５１，５４，５５，５８，５９，６２，６３，６６，６７，７０，７１，７４，７５は、面発光レーザ素子１〜４０からなるアレイの内周側に配置された面発光レーザ素子６，７，１０，１１，１４，１５，１８，１９，２２，２３，２６，２７，３０，３１，３４，３５に接続される。
【００２７】
そして、配線４６は、面発光レーザ素子６から面発光レーザ素子１，５間を通過してパッド８６まで配置され、配線４７は、面発光レーザ素子８，１２間を通過してパッド８７まで配置される。配線５０は、面発光レーザ素子５，９間を通過してパッド９０まで配置され、配線５１は、面発光レーザ素子１２，１６間を通過してパッド９１まで配置される。
【００２８】
配線５４は、面発光レーザ素子９，１３間を通過してパッド９４まで配置され、配線５５は、面発光レーザ素子１６，２０間を通過してパッド９５まで配置される。配線５８は、面発光レーザ素子１３，１７間を通過してパッド９８まで配置され、配線５９は、面発光レーザ素子２０，２４間を通過してパッド９９まで配置される。
【００２９】
配線６２は、面発光レーザ素子１７，２１間を通過してパッド１０２まで配置され、配線６３は、面発光レーザ素子２４，２８間を通過してパッド１０３まで配置される。配線６６は、面発光レーザ素子２１，２５間を通過してパッド１０６まで配置され、配線６７は、面発光レーザ素子２８，３２間を通過してパッド１０７まで配置される。
【００３０】
配線７０は、面発光レーザ素子２５，２９間を通過してパッド１１０まで配置され、配線７１は、面発光レーザ素子３２，３６間を通過してパッド１１１まで配置される。配線７４は、面発光レーザ素子２９，３３間を通過してパッド１１４まで配置され、配線７５は、面発光レーザ素子３６，４０間を通過してパッド１１５まで配置される。
【００３１】
そして、配線４６，４７，５０，５１，５４，５５，５８，５９，６２，６３，６６，６７，７０，７１，７４，７５は、配線４１〜４５，４８，４９，５２，５３，５６，５７，６０，６１，６４，６５，６８，６９，７２，７３，７６，７７〜８０の線幅よりも広い。配線４６，４７，５０，５１，５４，５５，５８，５９，６２，６３，６６，６７，７０，７１，７４，７５の長さは、配線４１〜４５，４８，４９，５２，５３，５６，５７，６０，６１，６４，６５，６８，６９，７２，７３，７６，７７〜８０の長さよりも長いため、面発光レーザ素子１〜４０に接続された全ての配線の抵抗を略等しくするために、配線４６，４７，５０，５１，５４，５５，５８，５９，６２，６３，６６，６７，７０，７１，７４，７５の線幅は、配線４１〜４５，４８，４９，５２，５３，５６，５７，６０，６１，６４，６５，６８，６９，７２，７３，７６，７７〜８０の線幅よりも広い。
【００３２】
上述したように、面発光レーザアレイ１００においては、面発光レーザ素子１〜４０からなるアレイの内周側に配置された面発光レーザ素子６，７，１０，１１，１４，１５，１８，１９，２２，２３，２６，２７，３０，３１，３４，３５に接続された配線４６，４７，５０，５１，５４，５５，５８，５９，６２，６３，６６，６７，７０，７１，７４，７５は、最外周に配置された面発光レーザ素子間を通過してパッドまで配置される。すなわち、面発光レーザ素子１〜４０からなるアレイの最外周において、隣接する面発光レーザ素子間を通過する配線の本数は、１本である。
【００３３】
面発光レーザアレイ１００は、４列×１０行の２次元に配置された面発光レーザ素子１〜４０からなるため、最外周に配置された面発光レーザ素子は、２４個であり、最外周に配置された面発光レーザ素子の間は、２４箇所、存在する。また、内周側に配置される面発光レーザ素子の数は、１６個である。したがって、内周側に配置された面発光レーザ素子に接続された配線４６，４７，５０，５１，５４，５５，５８，５９，６２，６３，６６，６７，７０，７１，７４，７５の各々は、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過してパッドまで配置される。すなわち、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数を１本または０本に設定できる。その結果、面発光レーザ素子１〜４０の配置密度を高くして面発光レーザアレイ１００のサイズを小さくできる。
【００３４】
面発光レーザアレイ１００は、ｉ×ｊ（ｉ×ｊは３６よりも大きい整数）個の面発光レーザ素子からなるとすると、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数を０本または１本に設定するためには、次の式が成立すればよい。
【００３５】
２（ｉ−１）＋２（ｊ−１）≧（ｉ−２）×（ｊ−２）・・・（１）
式（１）において、左辺は、面発光レーザアレイ１００において、最外周に位置する面発光レーザ素子の間の個数を示し、右辺は、面発光レーザアレイ１００において内周側に位置する面発光レーザ素子の個数を示す。
【００３６】
したがって、式（１）が成立すれば、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数を０本または１本に設定できる。
【００３７】
面発光レーザアレイ１００は、ｉ＝４の場合である。ｉ＝４を式（１）に代入すると、８≧０となる。すなわち、式（１）は、どのようなｊの値に対しても常に成立することとなる。ただし、面発光レーザアレイ１００を構成する面発光レーザ素子の個数は、３６個よりも多いので、ｊは１０以上の整数でなければならない。
【００３８】
ｉ＝４の場合、最外周の１列目の面発光レーザ素子１，５，９，１３，１７，２１，２５，２９，３３，３７と、４列目の面発光レーザ素子４，８，１２，１６，２０，２４，２８，３２，３６，４０とからは、容易に配線を引き出すことができる。
【００３９】
また、２列目および３列目の面発光レーザ素子２，３，６，７，１０，１１，１４，１５，１８，１９，２２，２３，２６，２７，３０，３１，３４，３５，３８，３９において、１行目および１０（＝ｊ）行目の面発光レーザ素子２，３，３８，３９は、最外周に位置しているため、容易に配線を引き出すことができる。
【００４０】
したがって、配線の引き出しが問題となるのは、２列目のｊ−２個の面発光レーザ素子６，１０，１４，１８，２２，２６，３０，３４と３列目のｊ−２個の面発光レーザ素子７，１１，１５，１９，２３，２７，３１，３５とになる。
【００４１】
一方、１列目の面発光レーザ素子１，５，９，１３，１７，２１，２５，２９，３３，３７においては、面発光レーザ素子の間がｊ−１個あり、４列目の面発光レーザ素子４，８，１２，１６，２０，２４，２８，３２，３６，４０においても、面発光レーザ素子の間がｊ−１個ある。
【００４２】
従って、２列目の最外周でないｊ−２個の面発光レーザ素子６，１０，１４，１８，２２，２６，３０，３４については、１列目のｊ−１個ある間隙から配線を引き出すことができ、３列目の最外周でないｊ−２個の面発光レーザ素子７，１１，１５，１９，２３，２７，３１，３５については、４列目のｊ−１個ある間隙から配線を引き出すことができる。
【００４３】
その結果、ｉ＝４である場合、任意のｊの値に対して面発光レーザ素子の配線を面発光レーザ素子間に１本のみ通して引き出すことができる。
【００４４】
これが、ｉ＝４の場合、任意のｊの値に対して式（１）が成立する意味である。
【００４５】
図２は、図１に示す面発光レーザ素子１の断面図である。図２を参照して、面発光レーザ素子１は、基板１３０と、反射層１３１，１３５と、共振器スペーサー層１３２，１３４と、活性層１３３と、選択酸化層１３６と、コンタクト層１３７と、ＳｉＯ２層１３８と、絶縁性樹脂１３９と、ｐ側電極１４０と、ｎ側電極１４１とを備える。
【００４６】
基板１３０は、面方位が（１１１）Ａ面方向に傾斜角１５度で傾斜した（１００）ｎ型ガリウム砒素（ｎ−ＧａＡｓ）からなる。反射層１３１は、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓの対を一周期とした場合、３５．５周期の［ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ］からなり、基板１３０の一主面に形成される。そして、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓおよびｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓの各々の膜厚は、面発光レーザ素子１の発振波長をλとした場合、λ／４ｎ（ｎは半導体層の屈折率）である。
【００４７】
共振器スペーサー層１３２は、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐからなり、反射層１３１上に形成される。活性層１３３は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層と、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる障壁層とを含む圧縮歪組成の量子井戸構造を有し、共振器スペーサー層１３２上に形成される。
【００４８】
共振器スペーサー層１３４は、（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなり、活性層１３３上に形成される。反射層１３５は、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓの対を一周期とした場合、２４周期の［ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ］からなり、共振器スペーサー層１３４上に形成される。そして、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１ＡｓおよびＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓの各々の膜厚は、λ／４ｎ（ｎは半導体層の屈折率）である。
【００４９】
選択酸化層１３６は、ｐ−ＡｌＡｓからなり、反射層１３５中に設けられる。そして、選択酸化層１３６は、非酸化領域１３６ａと酸化領域１３６ｂとからなり、２０ｎｍの膜厚を有する。
【００５０】
コンタクト層１３７は、ｐ−ＧａＡｓからなり、反射層１３５上に形成される。ＳｉＯ２層１３８は、反射層１３１の一部の一主面と、共振器スペーサー層１３２、活性層１３３、共振器スペーサー層１３４、反射層１３５、選択酸化層１３６およびコンタクト層１３７の端面とを覆うように形成される。
【００５１】
絶縁性樹脂１３９は、ＳｉＯ２層１３８に接して形成される。ｐ側電極１４０は、コンタクト層１３７の一部および絶縁性樹脂１３９上に形成される。ｎ側電極１４１は、基板１３０の裏面に形成される。
【００５２】
反射層１３１，１３５の各々は、活性層１３３で発振した発振光をブラッグの多重反射により反射して活性層１３３に閉じ込める半導体分布ブラッグ反射器を構成する。
【００５３】
また、酸化領域１３６ｂは、非酸化領域１３６ａよりも小さい屈折率を有する。そして、酸化領域１３６ｂは、ｐ側電極１４０から注入された電流が活性層１３３へ流れる経路を非酸化領域１３６ａに制限する電流狭窄部を構成するとともに、活性層１３３で発振した発振光を非酸化領域１３６ａに閉じ込める。これによって、面発光レーザ素子１は、低閾値電流での発振が可能となる。
【００５４】
なお、図１に示す面発光レーザ素子２〜４０の各々は、図２に示す面発光レーザ素子１の構成と同じ構成からなる。
【００５５】
図３、図４および図５は、それぞれ、図１に示す面発光レーザアレイ１００の製造方法を示す第１から第３の工程図である。なお、図３〜図５の説明においては、図１に示す４０個の面発光レーザ素子１〜４０のうち、１つの面発光レーザ素子が作製される工程を参照して面発光レーザアレイ１００の製造方法を説明する。
【００５６】
図３を参照して、一連の動作が開始されると、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて、反射層１３１、共振器スペーサー層１３２、活性層１３３、共振器スペーサー層１３４、反射層１３５、選択酸化層１３６、およびコンタクト層１３７を基板１３０上に順次積層する（図３の工程（ａ）参照）。
【００５７】
この場合、反射層１３１のｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓおよびｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓをトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ３）およびセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を原料として形成し、共振器スペーサー層１３２のＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐをトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）およびホスフィン（ＰＨ３）を原料として形成する。
【００５８】
また、活性層１３３のＧａＩｎＰＡｓをトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ホスフィン（ＰＨ３）およびアルシン（ＡｓＨ３）を原料として形成し、活性層１３３のＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐをトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）およびホスフィン（ＰＨ３）を原料として形成する。
【００５９】
さらに、共振器スペーサー層１３４の（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐをトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、およびホスフィン（ＰＨ３）を原料として形成する。
【００６０】
さらに、反射層１３５のｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／ｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓをトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ３）および四臭化炭素（ＣＢｒ４）を原料として形成する。なお、四臭化炭素（ＣＢｒ４）に代えて、ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用いてもよい。
【００６１】
さらに、選択酸化層１３６のｐ−ＡｌＡｓをトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アルシン（ＡｓＨ３）および四臭化炭素（ＣＢｒ４）を原料として形成し、コンタクト層１３７のｐ−ＧａＡｓをトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ３）および四臭化炭素（ＣＢｒ４）を原料として形成する。この場合も、四臭化炭素（ＣＢｒ４）に代えて、ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用いてもよい。
【００６２】
その後、コンタクト層１３７の上にレジストを塗布し、写真製版技術を用いて、コンタクト層１３７上にレジストパターン１５０を形成する（図３の工程（ｂ）参照）。
【００６３】
レジストパターン１５０を形成すると、その形成したレジストパターン１５０をマスクとして用いて、共振器スペーサー層１３２、活性層１３３、共振器スペーサー層１３４、反射層１３５、選択酸化層１３６およびコンタクト層１３７の周辺部をドライエッチングにより除去し、さらに、レジストパターン１５０を除去する（図３の工程（ｃ）参照）。
【００６４】
次に、図４を参照して、図３に示す工程（ｃ）の後、８５℃に加熱した水を窒素ガスでバブリングした雰囲気中において、試料を４２５℃に加熱して、選択酸化層１３６の周囲を外周部から中央部に向けて酸化し、選択酸化層１３６中に非酸化領域１３６ａと酸化領域１３６ｂとを形成する（図４の工程（ｄ）参照）。
【００６５】
その後、気相化学堆積法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて、試料の全面にＳｉＯ２層１３８を形成し、写真製版技術を用いて光出射部となる領域およびその周辺領域のＳｉＯ２層１３８を除去する（図４の工程（ｅ）参照）。
【００６６】
次に、試料の全体に絶縁性樹脂１３９をスピンコートにより塗布し、光出射部となる領域上の絶縁性樹脂１３９を除去する（図４の工程（ｆ）参照）。
【００６７】
図５を参照して、絶縁性樹脂１３９を形成した後、光出射部となる領域上に所定のサイズを有するレジストパターンを形成し、試料の全面にｐ側電極材料を蒸着により形成し、レジストパターン上のｐ側電極材料をリフトオフにより除去してｐ側電極１４０を形成する（図５の工程（ｇ）参照）。そして、基板１３０の裏面を研磨し、基板１３０の裏面にｎ側電極１４１を形成し、さらに、アニールしてｐ側電極１４０およびｎ側電極１４１のオーミック導通を取る（図５の工程（ｈ）参照）。
【００６８】
その後、配線４１〜８０を図１に示す形状に形成する。この場合、配線４１〜８０の一方端は、面発光レーザ素子１〜４０のｐ側電極１４０に接続され、配線４１〜８０の他方端は、それぞれ、パッド８１〜１２０に接続される。
【００６９】
これによって、面発光レーザアレイ１００が完成する。
【００７０】
なお、上記においては、配線４１〜８０の一方端は、面発光レーザ素子１〜４０のｐ側電極１４０に接続されると説明したが、この発明においては、これに限らず、基板１３０側をｐ型導電型にし、光出射側をｎ型導電型にした場合、配線４１〜８０の一方端は、ｎ側電極１４１に接続される。したがって、この発明においては、配線４１〜８０の一方端は、ｐ側電極１４０またはｎ側電極１４１に接続されていればよい。
【００７１】
また、上記においては、面発光レーザアレイ１００は、４列×１０行に配置された面発光レーザ素子１〜４０からなると説明したが、面発光レーザ素子１〜４０を１０列×４行に配列しても同様である。
【００７２】
［実施の形態２］
図６は、この発明の実施の形態２による面発光レーザアレイの概略平面図である。図６を参照して、実施の形態２による面発光レーザアレイ２００は、面発光レーザ素子２０１〜２４２と、配線２４３〜２８４と、パッド２８５〜３２６と、基板３３０とを備える。
【００７３】
面発光レーザ素子２０１〜２４２は、６列×７行の２次元に配置される。そして、７個の面発光レーザ素子２０１，２０７，２１３，２１９，２２５，２３１，２３７／２０２，２０８，２１４，２２０，２２６，２３２，２３８／２０３，２０９，２１５，２２１，２２７，２３３，２３９／２０４，２１０，２１６，２２２，２２８，２３４，２４０／２０５，２１１，２１７，２２３，２２９，２３５，２４１／２０６，２１２，２１８，２２４，２３０，２３６，２４２は、主走査方向ＤＲ１に配置され、６個の面発光レーザ素子２０１〜２０６／２０７〜２１２／２１３〜２１８／２１９〜２２４／２２５〜２３０／２３１〜２３６／２３７〜２４２は、副走査方向ＤＲ２に配置される。
【００７４】
主走査方向ＤＲ１に配置された７個の面発光レーザ素子２０１，２０７，２１３，２１９，２２５，２３１，２３７／２０２，２０８，２１４，２２０，２２６，２３２，２３８／２０３，２０９，２１５，２２１，２２７，２３３，２３９／２０４，２１０，２１６，２２２，２２８，２３４，２４０／２０５，２１１，２１７，２２３，２２９，２３５，２４１／２０６，２１２，２１８，２２４，２３０，２３６，２４２は、副走査方向ＤＲ２に階段的にずらされて配置される。その結果、４２個の面発光レーザ素子２０１〜２４２から放射された４２個のレーザ光は、相互に重なることがない。
【００７５】
配線２４３〜２８４は、それぞれ、面発光レーザ素子２０１〜２４２をパッド２８５〜３２６に接続する。そして、配線２４３〜２４９，２５４，２５５，２６０，２６１，２６６，２６７，２７２，２７３，２７８〜２８４は、面発光レーザ素子２０１〜２４２からなるアレイの最外周に位置する面発光レーザ素子２０１〜２０７，２１２，２１３，２１８，２１９，２２４，２２５，２３０，２３１，２３６，２３７〜２４２に接続され、面発光レーザ素子２０１〜２４２からなるアレイの最外周に位置する面発光レーザ素子２０１〜２０７，２１２，２１３，２１８，２１９，２２４，２２５，２３０，２３１，２３６，２３７〜２４２からそれぞれパッド２８５〜２９１，２９６，２９７，３０２，３０３，３０８，３０９，３１４，３１５，３２０〜３２６まで面発光レーザ素子間を通過することなく直線状に配置される。
【００７６】
配線２５０〜２５３，２５６〜２５９，２６２〜２６５，２６８〜２７１，２７４〜２７７は、面発光レーザ素子２０１〜２４２からなるアレイの内周側に配置された面発光レーザ素子２０８〜２１１，２１４〜２１７，２２０〜２２３，２２６〜２２９，２３２〜２３５に接続される。
【００７７】
そして、配線２５０は、最外周に配置された面発光レーザ素子２０１，２０７間を通過してパッド２９２まで配置され、配線２５１は、最外周に配置された面発光レーザ素子２０２，２０３間を通過してパッド２９３まで配置される。配線２５２は、最外周に配置された面発光レーザ素子２０４，２０５間を通過してパッド２９４まで配置され、配線２５３は、最外周に配置された面発光レーザ素子２０５，２０６間を通過してパッド２９５まで配置される。
【００７８】
配線２５６は、最外周に配置された面発光レーザ素子２０７，２１３間を通過してパッド２９８まで配置され、配線２５７は、最外周に配置された面発光レーザ素子２０１，２０２間を通過してパッド２９９まで配置され、配線２５８は、最外周に配置された面発光レーザ素子２０３，２０４間を通過してパッド３００まで配置され、配線２５９は、最外周に配置された面発光レーザ素子２１２，２１８間を通過してパッド３０１まで配置される。
【００７９】
配線２６２は、最外周に配置された面発光レーザ素子２１３，２１９間を通過してパッド３０４まで配置され、配線２６３は、最外周に配置された面発光レーザ素子２１９，２２５間を通過してパッド３０５まで配置される。配線２６４は、最外周に配置された面発光レーザ素子２１８，２２４間を通過してパッド３０６まで配置され、配線２６５は、最外周に配置された面発光レーザ素子２２４，２３０間を通過してパッド３０７まで配置される。
【００８０】
配線２６８は、最外周に配置された面発光レーザ素子２２５，２３１間を通過してパッド３１０まで配置され、配線２６９は、最外周に配置された面発光レーザ素子２３９，２４０間を通過してパッド３１１まで配置される。配線２７０は、最外周に配置された面発光レーザ素子２４１，２４２間を通過してパッド３１２まで配置され、配線２７１は、最外周に配置された面発光レーザ素子２３０，２３６間を通過してパッド３１３まで配置される。
【００８１】
配線２７４は、最外周に配置された面発光レーザ素子２３７，２３８間を通過してパッド３１６まで配置され、配線２７５は、最外周に配置された面発光レーザ素子２３８，２３９間を通過してパッド３１７まで配置される。配線２７６は、最外周に配置された面発光レーザ素子２４０，２４１間を通過してパッド３１８まで配置され、配線２７７は、最外周に配置された面発光レーザ素子２３６，２４２間を通過してパッド３１９まで配置される。
【００８２】
そして、配線２５０〜２５３，２５６〜２５９，２６２〜２６５，２６８〜２７１，２７４〜２７７は、配線２４３〜２４９，２５４，２５５，２６０，２６１，２６６，２６７，２７２，２７３，２７８〜２８４の線幅よりも広い。配線２５０〜２５３，２５６〜２５９，２６２〜２６５，２６８〜２７１，２７４〜２７７の長さは、配線２４３〜２４９，２５４，２５５，２６０，２６１，２６６，２６７，２７２，２７３，２７８〜２８４の長さよりも長いため、面発光レーザ素子２０１〜２４２に接続された全ての配線の抵抗を略等しくするために、配線２５０〜２５３，２５６〜２５９，２６２〜２６５，２６８〜２７１，２７４〜２７７の線幅は、配線２４３〜２４９，２５４，２５５，２６０，２６１，２６６，２６７，２７２，２７３，２７８〜２８４の線幅よりも広い。
【００８３】
上述したように、面発光レーザアレイ２００においては、面発光レーザ素子２０１〜２４２からなるアレイの内周側に配置された面発光レーザ素子２０８〜２１１，２１４〜２１７，２２０〜２２３，２２６〜２２９，２３２〜２３５に接続された配線２５０〜２５３，２５６〜２５９，２６２〜２６５，２６８〜２７１，２７４〜２７７は、最外周に配置された面発光レーザ素子間を通過してパッドまで配置される。すなわち、面発光レーザ素子２０１〜２４２からなるアレイの最外周において、隣接する面発光レーザ素子間を通過する配線の本数は、１本である。
【００８４】
面発光レーザアレイ２００は、６列×７行の２次元に配置された面発光レーザ素子２０１〜２４２からなるため、最外周に配置された面発光レーザ素子は、２２個であり、最外周に配置された面発光レーザ素子の間は、２２箇所、存在する。また、内周側に配置される面発光レーザ素子の数は、２０個である。したがって、内周側に配置された面発光レーザ素子に接続された配線２５０〜２５３，２５６〜２５９，２６２〜２６５，２６８〜２７１，２７４〜２７７の各々は、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過してパッドまで配置される。すなわち、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数を１本または０本に設定できる。
【００８５】
面発光レーザアレイ２００は、６列×７行に配置された４２個の面発光レーザ素子２０１〜２４２からなるので、ｉ＝６、ｊ＝７を式（１）に代入すると、式（１）の左辺は、２２となり、右辺は、２０となる。したがって、面発光レーザアレイ２００は、式（１）を満たす。
【００８６】
図６に示す面発光レーザ素子２０１〜２４２の各々は、図２に示す面発光レーザ素子１の構成と同じ構成からなる。そして、面発光レーザアレイ２００は、図３〜図５に示す工程（ａ）〜（ｈ）に従って製造される。
【００８７】
なお、上記においては、面発光レーザアレイ２００は、６列×７行に配置された面発光レーザ素子２０１〜２４２からなると説明したが、面発光レーザ素子２０１〜２４２を７列×６行に配列しても同様である。
【００８８】
また、実施の形態２による面発光レーザアレイは、６×８、５×８、５×９、５×１０、５×１１および５×１２のいずれかに配列された面発光レーザ素子からなるものであればよい。この場合、６×８は、６列×８行および８列×６列の両方を意味する。５×８、５×９、５×１０、５×１１および５×１２の各々についても同様である。
【００８９】
面発光レーザアレイが６×８、５×８、５×９、５×１０、５×１１および５×１２のいずれかに配列された面発光レーザ素子からなる場合も、面発光レーザアレイ２００と同様にして最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数を１本または０本に設定できる。その結果、面発光レーザ素子２０１〜２４２の配置密度を高くして面発光レーザアレイ２００のサイズを小さくできる。
【００９０】
その他は、実施の形態１と同じである。
【００９１】
［実施の形態３］
図７は、実施の形態３による面発光レーザアレイの概略平面図である。実施の形態３による面発光レーザアレイ２００Ａは、図６に示す面発光レーザアレイ２００に面発光レーザ素子３２７，３２８、配線３２９，３３１およびパッド３３２，３３３を追加したものであり、その他は、面発光レーザアレイ２００と同じである。
【００９２】
面発光レーザ素子３２７，３２８は、面発光レーザ素子２３６，２４２の外周側に配置される。配線３２９は、面発光レーザ素子３２７をパッド３３２に接続する。配線３３１は、面発光レーザ素子３２８をパッド３３３に接続する。
【００９３】
面発光レーザアレイ２００Ａにおいては、配線２７８は、最外周に配置された面発光レーザ素子３２７，３２８間を通過してパッド３２０に至り、配線２７７は、最外周に配置された面発光レーザ素子２４２，３２８間を通過してパッド３１９に至る。
【００９４】
面発光レーザ素子３２７，３２８の各々は、図２に示す面発光レーザ素子１の構成と同じ構成からなる。そして、面発光レーザアレイ２００Ａは、図３〜図５に示す工程（ａ）〜（ｈ）に従って製造される。
【００９５】
このように、６列×７行に配置された面発光レーザ素子２０１〜２４２に２個の面発光レーザ素子３２７，３２８が追加されても、最外周に配置された面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数を１本または０本に設定できる。その結果、面発光レーザ素子２０１〜２４２，３２７，３２８の配置密度を高くして面発光レーザアレイ２００Ａのサイズを小さくできる。
【００９６】
その他は、実施の形態１，２と同じである。
【００９７】
［実施の形態４］
図８は、実施の形態４による面発光レーザアレイの概略平面図である。図８を参照して、実施の形態４による面発光レーザアレイ４００は、面発光レーザ素子４０１〜４４０と、配線４４１〜４８０と、パッド４８１〜５２０と、基板５３０とを備える。なお、図８に示す点線は、面発光レーザ素子４０１〜４４０のうち、最外周に配置された面発光レーザ素子を結んだ線を示す。
【００９８】
４個の面発光レーザ素子４０１〜４０４／４０５〜４０８／４０９〜４１２／４１３〜４１６／４１７〜４２０／４２１〜４２４／４２５〜４２８／４２９〜４３２／４３３〜４３６／４３７〜４４０は、直線状に配置される。
【００９９】
また、１０個の面発光レーザ素子４０１，４０５，４０９，４１３，４１７，４２１，４２５，４２９，４３３，４３７／４０２，４０６，４１０，４１４，４１８，４２２，４２６，４３０，４３４，４３８／４０３，４０７，４１１，４１５，４１９，４２３，４２７，４３１，４３５，４３９／４０４，４０８，４１２，４１６，４２０，４２４，４２８，４３２，４３６，４４０は、ジグザグ状に配置される。その結果、４０個の面発光レーザ素子４０１〜４４０から放射された４０個のレーザ光は、相互に重なることがない。
【０１００】
配線４４１〜４８０は、それぞれ、面発光レーザ素子４０１〜４４０をパッド４８１〜５２０に接続する。そして、配線４４１〜４４５，４４８，４４９，４５２，４５３，４５６，４５７，４６０，４６１，４６４，４６５，４６８，４６９，４７２，４７３，４７６〜４８０は、面発光レーザ素子４０１〜４４０からなるアレイの最外周に位置する面発光レーザ素子４０１〜４０５，４０８，４０９，４１２，４１３，４１６，４１７，４２０，４２１，４２４，４２５，４２８，４２９，４３２，４３３，４３６〜４４０に接続され、面発光レーザ素子４０１〜４０５，４０８，４０９，４１２，４１３，４１６，４１７，４２０，４２１，４２４，４２５，４２８，４２９，４３２，４３３，４３６〜４４０からそれぞれパッド４８１〜４８５，４８８，４８９，４９２，４９３，４９６，４９７，５００，５０１，５０４，５０５，５０８，５０９，５１２，５１３，５１６〜５２０まで面発光レーザ素子間を通過することなく直線状に配置される。
【０１０１】
配線４４６，４４７，４５０，４５１，４５４，４５５，４５８，４５９，４６２，４６３，４６６，４６７，４７０，４７１，４７４，４７５は、面発光レーザ素子４０１〜４４０からなるアレイの内周側に配置された面発光レーザ素子４０６，４０７，４１０，４１１，４１４，４１５，４１８，４１９，４２２，４２３，４２６，４２７，４３０，４３１，４３４，４３５に接続される。
【０１０２】
そして、配線４４６は、最外周に配置された面発光レーザ素子４０１，４０２間を通過してパッド４８６まで配置され、配線４４７は、最外周に配置された面発光レーザ素子４０２，４０３間を通過してパッド４８７まで配置される。配線４５０は、最外周に配置された面発光レーザ素子４０１，４０５間を通過してパッド４９０まで配置され、配線４５１は、最外周に配置された面発光レーザ素子４０８，４１２間を通過してパッド４９１まで配置される。
【０１０３】
配線４５４は、最外周に配置された面発光レーザ素子４１３，４１７間を通過してパッド４９４まで配置され、配線４５５は、最外周に配置された面発光レーザ素子４１２，４１６間を通過してパッド４９５まで配置され、配線４５８は、最外周に配置された面発光レーザ素子４１７，４２１間を通過してパッド４９８まで配置され、配線４５９は、最外周に配置された面発光レーザ素子４１６，４２０間を通過してパッド４９９まで配置される。
【０１０４】
配線４６２は、最外周に配置された面発光レーザ素子４２０，４２４間を通過してパッド５０２まで配置され、配線４６３は、最外周に配置された面発光レーザ素子４２４，４２８間を通過してパッド５０３まで配置される。配線４６６は、最外周に配置された面発光レーザ素子４２５，４２９間を通過してパッド５０６まで配置され、配線４６７は、最外周に配置された面発光レーザ素子４２８，４３２間を通過してパッド５０７まで配置される。
【０１０５】
配線４７０は、最外周に配置された面発光レーザ素子４３７，４３８間を通過してパッド５１０まで配置され、配線４７１は、最外周に配置された面発光レーザ素子４３６，４４０間を通過してパッド５１１まで配置される。配線４７４は、最外周に配置された面発光レーザ素子４３８，４３９間を通過してパッド５１４まで配置され、配線４７５は、最外周に配置された面発光レーザ素子４３９，４４０間を通過してパッド５１５まで配置される。
【０１０６】
そして、配線４４１〜４８０は、面発光レーザ素子からパッドまでの抵抗が相互に略等しくなるように線幅が決定される。
【０１０７】
上述したように、面発光レーザアレイ４００においては、面発光レーザ素子４０１〜４４０からなるアレイの内周側に配置された面発光レーザ素子４０６，４０７，４１０，４１１，４１４，４１５，４１８，４１９，４２２，４２３，４２６，４２７，４３０，４３１，４３４，４３５に接続された配線４４６，４４７，４５０，４５１，４５４，４５５，４５８，４５９，４６２，４６３，４６６，４６７，４７０，４７１，４７４，４７５は、最外周に配置された面発光レーザ素子間を通過してパッドまで配置される。すなわち、面発光レーザ素子４０１〜４４０からなるアレイの最外周において、隣接する面発光レーザ素子間を通過する配線の本数は、１本である。
【０１０８】
図８に示す面発光レーザ素子４０１〜４４０の各々は、図２に示す面発光レーザ素子１の構成と同じ構成からなる。そして、面発光レーザアレイ４００は、図３〜図５に示す工程（ａ）〜（ｈ）に従って製造される。
【０１０９】
面発光レーザアレイ４００においては、最外周に位置する面発光レーザ素子の個数は、２４個であり、内周側に位置する面発光レーザ素子の個数は、１８個である。したがって、面発光レーザアレイ４００は、式（１）を満たし、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数を１本または０本に設定できる。その結果、面発光レーザ素子４０１〜４４０の配置密度を高くして面発光レーザアレイ４００のサイズを小さくできる。
【０１１０】
実施の形態４による面発光レーザアレイは、図９に示す面発光レーザアレイ４００Ａであってもよい。図９は、実施の形態４による面発光レーザアレイの他の概略平面図である。
【０１１１】
図９を参照して、面発光レーザアレイ４００Ａは、図１に示す面発光レーザアレイ１００の面発光レーザ素子１８，１９，２６，２７、配線５８，５９，６６，６７およびパッド９８，９９，１０６，１０７を削除したものであり、その他は、面発光レーザアレイ１００と同じである。
【０１１２】
面発光レーザアレイ４００Ａは、面発光レーザアレイ１００の内周側に配置された面発光レーザ１８，１９，２６，２７を削除した構成からなるので、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数を１本に設定するのは容易であり、通過する配線の本数が０本である面発光レーザ素子間の箇所は、面発光レーザアレイ１００の場合に比べ、さらに増加する。
【０１１３】
その他は、面発光レーザアレイ１００と同じである。
【０１１４】
実施の形態４による面発光レーザアレイは、図１０に示す面発光レーザアレイ６００であってもよい。図１０は、実施の形態４による面発光レーザアレイのさらに他の概略平面図である。
【０１１５】
図１０を参照して、面発光レーザアレイ６００は、面発光レーザ素子６０１〜６３７と、配線６３８〜６７４と、パッド６７５〜７１１と、基板７２０とを備える。なお、図１０に示す点線は、面発光レーザ素子６０１〜６３７のうち、最外周に配置された面発光レーザ素子を結んだ線を示す。
【０１１６】
２個の面発光レーザ素子６０１，６０２／６３６，６３７、５個の面発光レーザ素子６０３〜６０７／６２６〜６３０／６３１〜６３５および６個の面発光レーザ素子６０８〜６１３／６１４〜６１９／６２０〜６２５は、直線状に配置される。
【０１１７】
また、４個の面発光レーザ素子６０７，６１３，６１９，６２５、５個の面発光レーザ素子６０８，６１４，６２０，６２６，６３１、および７個の面発光レーザ素子６０１，６０５，６１１，６１７，６２３，６２９，６３４／６０２，６０６，６１２，６１８，６２４，６３０，６３５／６０３，６０９，６１５，６２１，６２７，６３２，６３６／６０４，６１０，６１６，６２２，６２８，６３３，６３７は、階段的にずらされて配置される。その結果、３７個の面発光レーザ素子６０１〜６３７から放射された３７個のレーザ光は、相互に重なることがない。
【０１１８】
配線６３８〜６７４は、それぞれ、面発光レーザ素子６０１〜６３７をパッド６７５〜７１１に接続する。そして、配線６３８〜６４１，６４３〜６４５，６５０，６５１，６５６，６５７，６６２，６６３，６６７，６６８，６７１〜６７４は、面発光レーザ素子６０１〜６３７からなるアレイの最外周に位置する面発光レーザ素子６０１〜６０４，６０７〜６０９，６１３，６１４，６１９，６２０，６２５，６２６，６３０，６３１，６３２，６３４〜６３７に接続され、面発光レーザ素子６０１〜６０４，６０７〜６０９，６１３，６１４，６１９，６２０，６２５，６２６，６３０，６３１，６３２，６３４〜６３７からそれぞれパッド６３８〜６４１，６４３〜６４６，６５０，６５１，６５６，６５７，６６２，６６３，６６７，６６８，６６９，６７１〜６７４まで面発光レーザ素子間を通過することなく配置される。
【０１１９】
配線６４２，６４７〜６４９，６５２〜６５５，６５８〜６６１，６６４〜６６６，６７０は、面発光レーザ素子６０１〜６３７からなるアレイの内周側に配置された面発光レーザ素子６０５，６１０〜６１２，６１５〜６１８，６２１〜６２４，６２７〜６２９，６３３に接続される。
【０１２０】
そして、配線６４２は、最外周に配置された面発光レーザ素子６０１，６０２間を通過してパッド６７９まで配置され、配線６４７は、最外周に配置された面発光レーザ素子６０１，６０４間を通過してパッド６８４まで配置される。配線６４８は、最外周に配置された面発光レーザ素子６０２，６０６間を通過してパッド６８５まで配置され、配線６４９は、最外周に配置された面発光レーザ素子６０７，６１３間を通過してパッド６８６まで配置される。
【０１２１】
配線６５２は、最外周に配置された面発光レーザ素子６０８，６１４間を通過してパッド６８９まで配置され、配線６５３は、最外周に配置された面発光レーザ素子６０３，６０４間を通過してパッド６９０まで配置され、配線６５４は、最外周に配置された面発光レーザ素子６０６，６０７間を通過してパッド６９１まで配置され、配線６５５は、最外周に配置された面発光レーザ素子６１３，６１９間を通過してパッド６９２まで配置される。
【０１２２】
配線６５８は、最外周に配置された面発光レーザ素子６１４，６２０間を通過してパッド６９５まで配置され、配線６５９は、最外周に配置された面発光レーザ素子６３６，６３７間を通過してパッド６９６まで配置される。配線６６０は、最外周に配置された面発光レーザ素子６２５，６３０間を通過してパッド６９７まで配置され、配線６６１は、最外周に配置された面発光レーザ素子６１９，６２５間を通過してパッド６９８まで配置される。
【０１２３】
配線６６４は、最外周に配置された面発光レーザ素子６２０，６２６間を通過してパッド７０１まで配置され、配線６６５は、最外周に配置された面発光レーザ素子６３４，６３５間を通過してパッド７０２まで配置される。配線６６６は、最外周に配置された面発光レーザ素子６３０，６３５間を通過してパッド７０３まで配置され、配線６７０は、最外周に配置された面発光レーザ素子６３４，６３７間を通過してパッド７０７まで配置される。
【０１２４】
そして、配線６３８〜６７１は、面発光レーザ素子からパッドまでの抵抗が相互に略等しくなるように線幅が決定される。
【０１２５】
図１０に示す面発光レーザ素子６０１〜６３７の各々は、図２に示す面発光レーザ素子１の構成と同じ構成からなる。そして、面発光レーザアレイ６００は、図３〜図５に示す工程（ａ）〜（ｈ）に従って製造される。
【０１２６】
面発光レーザアレイ６００においては、最外周に配置された面発光レーザ素子の個数は、２１個であり、最外周に配置された面発光レーザ素子の間は、２１箇所、存在する。また、内周側に配置される面発光レーザ素子の数は、１６個である。したがって、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数を１本または０本に設定して、内周側に配置された面発光レーザ素子に接続された配線６４２，６４７〜６４９，６５２〜６５５，６５８〜６６１，６６４〜６６６，６７０をそれぞれパッド６７９，６８４〜６８６，６８９〜６９２，６９５〜６９８，７０１〜７０３，７０７まで配置できる。その結果、面発光レーザ素子６０１〜６３７の配置密度を高くして面発光レーザアレイ６００のサイズを小さくできる。
【０１２７】
その他は、実施の形態１と同じである。
【０１２８】
上記においては、３６個よりも多い面発光レーザ素子からなる面発光レーザアレイにおいては、最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線の本数を０本または１本に設定して複数の面発光レーザ素子から配線を引き出すことを説明した。
【０１２９】
そして、面発光レーザアレイを構成する３７個以上の面発光レーザ素子は、ｉ列×ｊ行の２次元に配置される場合もあれば、面発光レーザアレイ２００Ａ，４００，６００を構成する複数の面発光レーザ素子のようにｉ列×ｊ行の形態で配置できない場合もある。
【０１３０】
したがって、この発明による面発光レーザアレイは、３６個よりも多い数のｎ個の面発光レーザ素子と、ｎ個の配線とを備え、ｎ個の面発光レーザ素子からなるアレイの最外周に位置する面発光レーザ素子の間を通過する配線は、０本または１本である面発光レーザアレイであればよい。
【０１３１】
そして、面発光レーザアレイを構成するｎ個の面発光レーザ素子がｉ×ｊの形態で２次元に配置される場合、ｉまたはｊは、３以上の整数である。
【０１３２】
［応用例］
図１１は、画像形成装置の概略図である。図１１を参照して、画像形成装置８００は、面発光レーザアレイ８０１と、レンズ８０２，８０４と、ポリゴンミラー８０３とを備える。
【０１３３】
面発光レーザアレイ８０１は、面発光レーザアレイ１００，２００，２００Ａ，４００，４００Ａ，６００のいずれかからなり、複数のビームを放射する。レンズ８０２は、面発光レーザアレイ８０１から放射された複数のビームをポリゴンミラー８０３へ導く。
【０１３４】
ポリゴンミラー８０３は、所定の速度で時計方向に回転し、レンズ８０２から受けた複数のビームを主走査方向および副走査方向に走査させてレンズ８０４へ導く。レンズ８０４は、ポリゴンミラー８０３によって走査された複数のビームを感光体８０５に導く。
【０１３５】
このように、画像形成装置８００は、面発光レーザアレイ８０１からの複数のビームをレンズ８０２，８０４およびポリゴンミラー８０３等からなる同じ光学系を用い、ポリゴンミラー８０３を高速回転させるとともに、ドット位置を点灯のタイミングを調整して副走査方向に分離した複数の光スポットとして被走査面である感光体８０５上に集光する。
【０１３６】
面発光レーザアレイ８０１は、３７個以上の面発光レーザ素子からなるので、画像形成装置８００は、３７個以上のドットを同時に書き込むことができ、高速の印刷ができる。
【０１３７】
また、面発光レーザアレイ１００，２００，２００Ａ，４００，４００Ａ，６００において、配線を１本のみ通過させる面発光レーザ素子の間隔を詰めて形成することで、３７個以上の面発光レーザ素子を高密度に集積化できる。したがって、副走査方向のピッチを詰めて高密度に書き込むことができ、高解像度の画質を得ることができる。
【０１３８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１３９】
この発明は、２次元ＶＣＳＥＬアレイの面発光レーザ素子の個数が３６個よりも多くなってもサイズが大きくなるのを抑制可能な面発光レーザアレイに適用される。また、この発明は、２次元ＶＣＳＥＬアレイの面発光レーザ素子の個数が３６個よりも多くなってもサイズが大きくなるのを抑制可能な面発光レーザアレイを備える画像形成装置に適用される。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】この発明の実施の形態１による面発光レーザアレイの概略平面図である。
【図２】図１に示す面発光レーザ素子１の断面図である。
【図３】図１に示す面発光レーザアレイの製造方法を示す第１の工程図である。
【図４】図１に示す面発光レーザアレイの製造方法を示す第２の工程図である。
【図５】図１に示す面発光レーザアレイの製造方法を示す第３の工程図である。
【図６】この発明の実施の形態２による面発光レーザアレイの概略平面図である。
【図７】実施の形態３による面発光レーザアレイの概略平面図である。
【図８】実施の形態４による面発光レーザアレイの概略平面図である。
【図９】実施の形態４による面発光レーザアレイの他の概略平面図である。
【図１０】実施の形態４による面発光レーザアレイのさらに他の概略平面図である。
【図１１】画像形成装置の概略図である。
【符号の説明】
【０１４１】
１〜４０，２０１〜２４２，３２７，３２８，４０１〜４４０，６０１〜６３７  面発光レーザ素子、４１〜８０，２４３〜２８４，３２９，３３１，４４１〜４８０，６３８〜６７４  配線、８１〜１２０，２８５〜３２６，３３２，３３３，４８１〜５２０，６７５〜７１１  パッド、１００，２００，２００Ａ，４００，４００Ａ，６００，８０１  面発光レーザアレイ、１３０，３３０，５３０，７２０  基板、１３１，１３５  反射層、１３２，１３４  共振器スペーサー層、１３３  活性層、１３６  選択酸化層、１３６ａ  非酸化領域、１３６ｂ  酸化領域、１３７  コンタクト層、１３８  ＳｉＯ２層、１３９  絶縁性樹脂、１４０  ｐ側電極、１４１  ｎ側電極、１５０  レジストパターン、８００  画像形成装置、８０２，８０４  レンズ、８０３  ポリゴンミラー、８０５  感光体。
【図１】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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