(57)【要約】【課題】有機機能層の温度を正確に測定することができる発光装置、その製造方法等を提供する。【解決手段】基体１０上に、第一電極と、第一電極上に配置された発光層と、発光層を覆う第二電極と、第二電極を覆う封止部と、を有する発光装置１において、第二電極と封止部との間に発光層の温度を測定する温度測定部５０を備える。発光層が縦横に複数規則的に配置されて発光領域Ｐを形成すると共に、温度測定部５０が少なくとも発光領域Ｐの中央部に配置される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、第一電極と、前記第一電極上に配置された発光層と、前記発光層を覆う第二電極と、前記第二電極を覆う封止部と、を有する発光装置において、
前記第二電極と前記封止部との間に前記発光層の温度を測定する温度測定部を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記温度測定部は、熱電対であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光層が縦横に複数規則的に配置されて発光領域を形成すると共に、前記熱電対の接点が少なくとも前記発光領域の中央部に配置されることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光層が縦横に複数規則的に配置されて発光領域を形成すると共に、前記熱電対の接点が少なくとも前記発光領域の四隅に配置されることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記熱電対の測定情報と予め求められた前記発光領域の温度分布情報とに基づいて、前記発光領域の温度分布を求めることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記熱電対同士の間の領域の温度を前記熱電対までの距離に応じて補完して、前記発光領域の温度分布を求めることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項７】
基体上に第一電極を形成する工程と、前記第一電極上に発光層を含む有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に第二電極を形成する工程と、前記第二電極上に封止部を形成する工程と、を有する発光装置の製造方法において、
前記第二電極形成工程と前記封止部形成工程との間に、前記発光層の温度を測定する温度測定部を配置する工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の発光装置、或いは請求項７の方法により製造した発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する。）装置は、薄膜を積層した構造を有する自発光型の高速応答性表示素子を備えるため、軽くて動画対応に優れた表示パネルを形成でき、近年ではＦＰＤ（Flat PanＥＬ Display）テレビ等の表示パネルとして非常に注目されている。
その代表的な製造方法としては、ガラス等の基板上に、フォトリソグラフィ技術を用いて陽極を所望の形状にパターニングし、更に陽極上に蒸着法を用いて発光層を含む複数の有機機能層を成膜し、更に陰極を順次積層する方法が知られている。
有機機能層には、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層などの正孔輸送能を持つ材料からなる層や、電子輸送層、電子注入層などの電子輸送能を持つ材料からなる層などが含まれたものがある。
そして、透明陽極と陰極との間に電界を印加することにより、陽極からは正孔が、陰極からは電子が、それぞれ有機機能層に注入され、この電子と正孔が再結合して励起子が形成され、それが基底状態に戻るときに発光する。
【０００３】
有機機能層は、発光の際に熱を発しやすく、その一方で熱に対する輝度変化が大きいという特性を有している。このため、有機機能層の駆動時に、有機機能層の温度を測定し、この温度情報に基づいて有機機能層に対する印加電圧を補正することで、有機機能層の発光輝度を一定に保つ方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−２９７１０号公報
【特許文献２】特開２００１−１３９２３号公報
【特許文献３】特開２００５−３１６１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術は、いずれも有機機能層を挟持するガラス基板上に温度センサを配置することで、有機機能層の温度を測定している。このため、有機機能層の温度を正確に測定することは困難である。したがって、有機機能層の輝度制御が必ずしも十分に行われていないという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、有機機能層の温度を正確に測定することができる発光装置、その製造方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る発光装置、発光装置の製造方法、電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第一の発明は、基体上に、第一電極と、前記第一電極上に配置された発光層と、前記発光層を覆う第二電極と、前記第二電極を覆う封止部と、を有する発光装置において、前記第二電極と前記封止部との間に前記発光層の温度を測定する温度測定部を備えるようにした。
この発明によれば、発光層の近傍に温度測定部が設けられるので、発光層の温度を正確に測定することが可能となる。
【０００７】
また、前記温度測定部が、熱電対であるものでは、簡単かつ低コストに温度測定部を配置することができる。
また、前記発光層が縦横に複数規則的に配置されて発光領域を形成すると共に、前記熱電対の接点が少なくとも前記発光領域の中央部に配置されるものでは、高温になりやすい発光領域の中央部の温度を測定することができる。
また、前記発光層が縦横に複数規則的に配置されて発光領域を形成すると共に、前記熱電対の接点が少なくとも前記発光領域の四隅に配置されるものでは、中央部に対して温度差の大きい発光領域の四隅の温度を測定することができる。
【０００８】
また、前記熱電対の測定情報と予め求められた前記発光領域の温度分布情報とに基づいて、前記発光領域の温度分布を求めるものでは、実験等により予め求めた発光領域の温度分布情報を用いるので、発光領域の温度分布を正確に求めることができる。
また、前記熱電対同士の間の領域の温度を前記熱電対までの距離に応じて補完して、前記発光領域の温度分布を求めるものでは、計算のみにより発光領域の温度分布を正確に求めることができる。
【０００９】
第二の発明は、基体上に第一電極を形成する工程と、前記第一電極上に発光層を含む有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に第二電極を形成する工程と、前記第二電極上に封止部を形成する工程と、を有する発光装置の製造方法において、前記第二電極形成工程と前記封止部形成工程との間に、前記発光層の温度を測定する温度測定部を配置する工程を含むようにした。
この発明によれば、発光層の近傍に温度測定部が設けられるので、発光層の温度を正確に測定することが可能となる。
【００１０】
第三の発明に係る電子機器は、第一の発明に係る発光装置、或いは第二の発明に係る方法により製造した発光装置を備えるようにした。
この発明によれば、発光装置における発光層の温度状況を正確に測定し、この温度情報に基づいて発光層の駆動電圧の制御を行うことができる。これにより、長寿命でムラのない発光が可能な発光装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る発光装置、発光装置の製造方法、電子機器の実施形態について図を参照して説明する。
〔発光装置〕
図１は、有機ＥＬ表示装置１の全体構成を概略的に示す斜視図である。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
【００１２】
有機ＥＬ表示装置１は、基板２に配線や絶縁層等が形成された基体１０と、この基体１０上に形成された有機ＥＬ素子部３と、基体１０の端部２ａに取り付けられた駆動部４と、有機ＥＬ素子部３及び基体１０を覆う封止部５とを有しており、駆動部４から供給される電気信号に応じて有機ＥＬ素子部３が発光することで、画像や動画等を表示できるようになっている。
本実施形態では、薄膜トランジスタ（Thin film Transistor：ＴＦＴ）が形成されたアクティブマトリクス型であり、有機ＥＬ素子部３により発生した光が基体１０を透過して取り出されるボトムエミッション型である有機ＥＬ表示装置１を例に挙げて説明する。
【００１３】
図２は、有機ＥＬ表示装置１の平面図である。この図では、封止部５を省略している。
図２に示すように、基体１０は、画素部７（一点鎖線内の領域）と周縁部８（当該一点鎖線の外の領域）とに区画されており、画素部７内では、実表示領域Ｐ（二点鎖線内の領域）とダミー領域Ｑ（一点鎖線と二点鎖線との間の領域）とに更に区画されている。画素部７の実表示領域Ｐには、実表示領域Ｐには、それぞれ画素電極を有する画素領域Ｋそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
なお、各画素領域Ｋの間の領域には、図中Ｘ方向に延在する走査線（ゲート電極１５）と、図中Ｙ方向に延在するデータ線（ソース電極１７）とが形成されている（図３、図４参照）。
【００１４】
複数の画素領域Ｋから形成される実表示領域Ｐ上には、複数の熱電対５０が配置される。熱電対５０は、２本の異なる材料からなる金属線５１，５２の一端同士を接続し、他端の電位差を測定することで、接点部５０ｓの温度を求めるものである。
そして、２本の異なる金属線５１，５２の接点部５０ｓ、すなわち温度を測定する部分は、実表示領域Ｐの中央部及び四隅の五箇所に配置される。これにより、実表示領域Ｐの温度、特に発光した際の温度を測定し、この温度情報に基づいて、各画素領域Ｋへの印加電圧を制御することで、各画素領域Ｋの発光輝度を一定にする等の調整が行われるようになっている。
【００１５】
五つの熱電対５０を実表示領域Ｐの中央及び四隅に配置するのは、実表示領域Ｐの全体の温度分布を計測するためである。実表示領域Ｐは、その構造上、中央部が高温となり、周辺部に向けて温度が下がるという温度分布となる。このため、最も高温となる中央部と、最も低温となる四隅のそれぞれの温度を測定することにより、実表示領域Ｐの全体の温度分布を求めることができる。
熱電対５０が配置されていない領域、例えば、熱電対５０ａと熱電対５０ｂとの間（領域Ｚ）の温度は、熱電対５０ａと熱電対５０ｂにより測定された温度情報と、熱電対５０ａ及び熱電対５０ｂから領域Ｚまでの距離により求めることができる。具体的には、領域Ｚが熱電対５０ａと熱電対５０ｂの中間位置にあれば、領域Ｚの温度は、熱電対５０ａと熱電対５０ｂにより測定された温度の中間値となる。
このように、熱電対５０が配置されていない領域の温度を、熱電対５０からの距離に応じて求めて補完することで、実表示領域Ｐの全体の温度分布を求めることができる。
【００１６】
なお、熱電対５０からの距離に応じて熱電対５０が配置されていない領域の温度を求める場合に限らない。
例えば、予め実験等により実表示領域Ｐの温度分布を求め、この情報を記憶しておく。そして、有機ＥＬ素子部３（画素領域Ｋ）を発光させて各種画像や動画等を表示した際に、各熱電対５０により画素領域Ｋの温度を測定し、この温度情報と記憶された温度分布の情報とを比較して、発光時の画素領域Ｋの温度分布を求めてもよい。このように、予め実験等により実表示領域Ｐの温度分布を求めおく場合には、熱電対５０が一つだけであってもよい。例えば、実表示領域Ｐの中央部にのみに熱電対５０を配置すればよい。
【００１７】
図３は、有機ＥＬ表示装置１のＡ−Ａ断面を概略的に示す図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置１のＢ−Ｂ断面を概略的に示す図である。
図３及び図４に示すように、基体１０の構成要素である基板２は、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等からなる透明基板である。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１はボトムエミッション型のものであり、光を取り出すには基板２を透明にする必要がある。基板２の表面２ｂには、下地として例えばＳｉＯ２等の透明な下地保護層１１が形成されている。
【００１８】
画素部７の実表示領域Ｐでは、下地保護層１１上に、シリコン膜１２、第一絶縁層（ゲート絶縁層）１３、ゲート電極１５、第二絶縁層１６、ソース電極１７、ドレイン電極１８、第三絶縁層１９が形成されている。また、画素部７のダミー領域Ｑでは、下地保護層１１上に、走査駆動回路２０、データ駆動回路２１等が形成されており、駆動部４に接続されるように電源線（図示せず）が形成されている。
【００１９】
シリコン膜１２は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する駆動用トランジスタである。シリコン膜１２のうち、ゲート絶縁層１３を挟んでゲート電極１５と重なる領域がチャネル領域１２ａである。チャネル領域１２ａのソース側には、低濃度ソース領域１２ｂ及び高濃度ソース領域１２ｓが形成され、チャネル領域１２ａのドレイン側には、低濃度ドレイン領域１２ｃ及び高濃度ドレイン領域１２ｄが形成されている。このようにシリコン膜１２は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造になっている。
【００２０】
高濃度ソース領域１２ｓ及び高濃度ドレイン領域１２ｄには、ゲート絶縁層１３と第二絶縁層１６とを連通して開孔されたコンタクトホール２３、２４が形成されている。一方、高濃度ドレイン領域１２ｄ側には、ドレイン電極１８に接続されるように、第三絶縁層１９を貫通してコンタクトホール２５が形成されている。
ゲート絶縁層１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ等で形成された透明な層であり、シリコン膜１２とゲート電極１５とを絶縁している。
【００２１】
ゲート電極１５は、例えばアルミニウムや銅等により形成されており、走査線に接続されている。ソース電極１７は、ゲート電極１５と同様にアルミニウムや銅等により形成されており、データ線に接続されている。ソース電極１７は、コンタクトホール２３を介して高濃度ソース領域１２ｓに接続されている。また、ドレイン電極１８は、高濃度ドレイン領域１２ｄに接続されている。
【００２２】
第二絶縁層１６は、主にＳｉＯ２からなる透明な層であり、ゲート電極１５、ソース電極１７及びドレイン電極１８をそれぞれ絶縁している。
第三絶縁層１９は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とし、ソース電極１７とドレイン電極１８及びコンタクトホール２５とを絶縁している。なお、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などを用いることもできる。
また、ダミー領域Ｑに設けられる走査駆動回路２０は、シフトレジスタ等のメモリや信号レベルを変換するレベルシフタ等の回路を有しており、走査線に接続されている。
【００２３】
データ駆動回路２１は、このシフトレジスタ、レベルシフタの他、ビデオラインやアナログシフタ等の回路を有しており、データ線に接続されている。走査駆動回路２０及びデータ駆動回路２１は、駆動制御信号線２８ａ、２８ｂを介して駆動部４に接続されており、当該駆動部４の制御により走査線及びデータ線に電気信号を出力するようになっている。走査駆動回路２０及びデータ駆動回路２１は、駆動電源線２９ａ、２９ｂを介して電源に接続されている。
周縁部８には、有機ＥＬ素子部３に接続する接続用配線２７が形成されている。この接続用配線２７は駆動部４に接続されており、当該接続用配線２７を介して駆動部４からの電気信号を有機ＥＬ素子部３に供給することができるようになっている。
【００２４】
一方、有機ＥＬ素子部３は、陽極３１と、正孔注入層３２と、発光層３３と、共通電極（陰極）３４と、画素開口膜３５と、有機バンク層３６とを有している。これらは上述した基体１０上に積層されている。
【００２５】
陽極３１は、正孔注入層３２に正孔を注入する透明な電極であり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等から形成されている。当該陽極３１は、コンタクトホール２５を介してドレイン電極１８に接続されており、正孔注入層３２を圧迫するように、凸状に形成されている。正孔注入層３２は、例えば、ポリオレフィン誘導体である３、４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の材料により形成されている。
【００２６】
発光層３３は、正孔注入層３２からの正孔と陰極３４からの電子とが結合して光を発する層であり、例えば分子量が１０００以上の高分子材料が用いることが好ましい。具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９、１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープしたものが用いられる。
【００２７】
発光層３３には、赤色光を発する層（赤色発光層３３Ｒ）、緑色光を発する層（緑色発光層３３Ｇ）、青色光を発する層（青色発光層３３Ｂ）の３種類がある。このような発光層３３からの光が正孔注入層３２、陽極３１及び基体１０を透過することで、基板２の実表示領域Ｐに画像や動画等が表示されるようになっている。
【００２８】
陰極３４は、駆動部４からの電気信号に応じて発光層３３に電子を注入する層であり、例えばカルシウム等の金属により形成されている。陰極３４は、実表示領域Ｐおよびダミー領域Ｑの総面積より広い面積を備え、それぞれの領域を覆うように形成されたもので、有機ＥＬ素子部３の外側を覆った状態で基体１０上に形成されている。この陰極３４は、接続用配線２７に接続されており、当該接続用配線２７を介して駆動部４に接続されている。製造時の陰極３４の腐食防止のため、陰極３４の上層部に例えばアルミニウム等の保護層を形成してもよい。
【００２９】
画素開口膜３５は、例えばＳｉＯ２等からなる絶縁膜である。この画素開口膜３５は、壁面３５ｂで囲まれた開口部３５ａにおいて陽極３１からの正孔の移動を可能にすると共に、開口部３５ａが設けられない部位での正孔の移動が起こらないようにしている。
有機バンク層３６は、正孔注入層３２や発光層３３をインクジェット法等の液滴吐出法で形成する際に各画素を隔てる部材である。また、隣接する正孔注入層３２及び発光層３３の間で電子の移動が起こらないようにする絶縁部材である。有機バンク層３６は、例えばアクリルやポリイミド等の耐熱性・耐溶性のある材料で形成されており、各正孔注入層３２及び発光層３３を遮断している。
【００３０】
また、有機バンク層３６の壁面３６ｃ、陽極３１の上面３１ａ、画素開口膜３５の側面３５ｃ及び上面３５ｄについては、親液性を示す領域（親液性領域）７０になっており、有機バンク層３６の上面３６ｅおよび壁面３６ｃについては、撥液性を示す領域（撥液性領域）８０になっている。
【００３１】
陰極３４の一部には、熱電対５０（接点部５０ｓ）が配置される。陰極３４と熱電対５０との絶縁を確保するために、陰極３４上の一部に絶縁層を形成してもよいし、絶縁性被膜に覆われた熱電対を用いてもよい。
上述したように、熱電対５０は、異なる材料からなる２本の金属線５１，５２から構成される。２本の金属線材料の組み合わせとしては、クロメル（ニッケルおよびクロムを主とした合金）とアルメル（ニッケルを主とした合金）が代表的であるが、その他に、鉄とコンスタンタン（銅およびニッケルを主とした合金）、銅とコンスタンタン、クロメルとコンスタンタン等が知られている。これらのいずれの組み合わせであってもよい。
なお、熱電対５０の接点部５０ｓは、陰極３４に密着させることが好ましい。これは、発光層３３の温度をより正確に測定するためである。ただし、熱電対５０の接点部５０ｓと陰極３４との電気的絶縁を確保するために、接点部５０ｓに絶縁性被膜を設ける、或いは陰極３４上に二酸化珪素（ＳｉＯ２）等の絶縁性の薄膜を形成しておく必要がある。
一方、接点部５０ｓ以外の導線部（金属線５１，５２）は、必ずしも陰極３４に密着させなくてもよい。
【００３２】
陰極３４及び熱電対５０上には、有機バンク層３６よりも広い範囲で、かつ陰極３４を覆った状態で緩衝層４０が設けられる。緩衝層４０は、有機バンク層３６の形状の影響により、凸凹状に形成された陰極３４の凸凹部分を埋めるように配置され、更に、その上面は略平坦に形成される。
緩衝層４０は、基体１０側から発生する反りや体積変化により発生する応力を緩和し、不安定な有機バンク層３６からの陰極３４の剥離を防止する機能を有する。また、緩衝層４０の上面が略平坦化されるので、緩衝層４０上に形成される硬い被膜からなる封止部５も平坦化されるので、応力が集中する部位がなくなり、これにより、封止部５へのクラックの発生を防止する。
緩衝層４０としては、親油性で低吸水性を有する高分子材料、例えば、ポリオレフィン系またはポリエーテル系が好ましい。また、メチルトリメトキシシランやテトラエトキシシランなどのアルコキシシランを加水分解させて縮合させた有機珪素ポリマーでもよい。更に、３−アミノプロピルトリメトキシシランや３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤等の珪素化合物を含んだ高分子を用いることにより、陰極３４及び封止部５との界面の接着性を向上させることができる。
【００３３】
更に、このような緩衝層４０の上には、緩衝層４０の基体１０上で露出する部位を覆った状態で封止部５が設けられる。そして、封止部５は、基体１０の外周部の第三絶縁層１９上まで形成される。
封止部５は、その内側に酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極３４や発光層３３への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極３４や発光層３３の劣化等を抑えるようにしたものである。
また、封止部５は、例えば無機化合物からなるもので、好ましくは珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などによって形成される。ただし、珪素化合物以外でも、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなどからなっていてもよい。このように封止部５が無機化合物で形成されていれば、特に陰極３４がＩＴＯでから形成されることにより、封止部５と陰極３４の一部との密着性がよくなり、したがって封止部５が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。
【００３４】
なお、緩衝層４０を設けることなく、封止部５を形成してもよい。この場合には、封止部５を無機化合物と有機化合物のいずれにより形成してもよい。
また、封止部５として、いわゆる缶封止部材を用いてもよい。この場合には、緩衝層４０を設けることなく、陰極３４と缶封止部材との間に乾燥空気等が封入してもよい。
【００３５】
〔有機ＥＬ装置の製造方法〕
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例を、図５を参照して説明する。図５に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応した図である。
なお、本実施形態においては、ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型である場合であり、また基体１０上に陰極３４を形成するまでの工程については、従来技術と変わらないので説明を省略する。
【００３６】
図５（ａ）に示すように、陰極３４上の所定箇所、具体的には、実表示領域Ｐの中央部及び四隅に、熱電対５０を配置する。熱電対５０は、金属線５１，５２からなり、例えば０．２ミリメートル程度の厚みを有する。
なお、熱電対５０の表面は、ポリイミド等の絶縁性に優れた材料で覆われており、粘着材で陰極３４上に固定することができる。
【００３７】
次いで、図５（ｂ）に示すように、塗布方式、すなわちウエットプロセスにより、陰極３４上に緩衝層４０を形成する。
例えばインクジェット法で形成する場合には、まず、インクジェットヘッド（図示略）に緩衝層材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを陰極３４に対向させ、インクジェットヘッドと基体１０とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を陰極３４上に吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、緩衝層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、緩衝層４０を形成する。
また、スリットコート（或いはカーテンコート）法により、緩衝層材料を塗布してもよい。
【００３８】
次いで、図５（ｃ）に示すように、陰極３４及び緩衝層４０を覆って、封止部５を形成する。
封止部５の形成方法としては、先にスパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理的気相蒸着法やプラズマＣＶＤ法等の化学的気相蒸着法で成膜を行うのが好ましい。
【００３９】
以上のようにして、ＥＬ表示装置１が形成される。
このようなＥＬ表示装置１にあっては、陰極３４上に熱電対５０を配置したので、発光層３３の発光時の温度を正確に測定することができる。そして、計測した温度情報に基づいて、発光層３３への駆動電圧（陽極３１と陰極３４との間の電位差）をより適切に制御することが可能となる。
これにより、発光層３３の発光輝度を一定に保つと共に、長寿命化を図ることが可能となる。
【００４０】
また、ＥＬ表示装置１では、本発明における第一の電極を陽極として機能させ、第二の電極を陰極として機能させたが、これらを逆にして第一の電極を陰極、第二の電極を陽極としてそれぞれ機能させるよう構成してもよい。
【００４１】
また、本実施形態では、発光装置にＥＬ表示装置１を適用した例を示したが、本発明はこれに限定されることなく、基本的に第二電極が基体の外側に設けられるものであれば、どのような形態の発光装置にも適用可能である。
【００４２】
また、熱電対５０は、異なる材料からなる２本の金属線５１，５２から構成されるが、少なくとも接点部５０ｓが異なる材料から形成されていればよく、金属線５１，５２における接点部５０ｓ以外の部分は、例えば、アルミニウム等の導電性材料で形成してもよい。
【００４３】
〔電子機器〕
次に、本発明の電子機器について説明する。
電子機器は、上述したＥＬ表示装置１を表示部として備えたものであり、具体的には図６に示すものが挙げられる。
図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、携帯電話１０００は、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１００１を備える。
図６（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、時計１１００は、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１１０１を備える。
図６（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２０２、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１２０６、情報処理装置本体（筐体）１２０４を備える。
図６（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図６（ｄ）において、薄型大画面テレビ１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１３０６を備える。
【００４４】
このように、図６（ａ）〜（ｄ）に示すそれぞれの電子機器は、上述したＥＬ表示装置１を有した表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６を備えているので、表示部の長寿命化が図られたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】ＥＬ表示装置を示す斜視図である。
【図２】ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図５】ＥＬ表示装置の製造方法を工程順に示す図である。
【図６】電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…表示装置（発光装置）、  ５…封止部、  １０…基体、  ３１…陽極（第一電極）、  ３３…発光層、  ３４…陰極（第二電極）、  ４０…緩衝層、  ５０…熱電対（温度測定部）、  ５０ｓ…接点部、  Ｐ…実表示領域（発光領域）、  １０００…携帯電話（電子機器）、  １１００…時計（電子機器）、  １２００…情報処理装置（電子機器）、  １００１，１１０１，１２０２…表示部（発光装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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