(57)【要約】【課題】イオン注入装置におけるイオン源の交換の際、装置構成を煩雑にすることなく、従来からある装置構成において、効率よくイオン源の交換を行う。【解決手段】イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源１２のアークチャンバ１２ａ内の排気を、イオン源１２に設けられたターボ分子ポンプ１３ａを用いて行う。この排気の途中から、デガス処理のためにフィラメント１２ｂを通電加熱する。デガス処理の際、イオン源のターボ分子ポンプ１３ａの背圧を真空計１３ｆにより測定することにより、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を取得して通電加熱、デガス状態を監視する。又、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を、イオン源の後工程に配置される、アークチャンバ１２ａと連通するチャンバに設けられるイオンゲージを用いて計測することにより、通電加熱、デガス状態を監視する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入装置に設けられるイオン源の交換方法であって、
イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源のアークチャンバ内の排気を、前記イオン源に設けられたターボ分子ポンプを用いて行うステップと、
前記排気の途中から、前記イオン源のフィラメントを通電加熱するステップと、
前記イオン源のターボ分子ポンプの背圧を真空計により測定することにより、前記通電加熱中の前記アークチャンバ内の圧力の情報を取得してデガス処理を監視するステップと、を有することを特徴とするイオン源の交換方法。
【請求項２】
イオン注入装置に設けられるイオン源の交換方法であって、
イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源のアークチャンバ内の排気を、前記イオン源に設けられたターボ分子ポンプを用いて行うステップと、
前記排気の途中から、前記イオン源のフィラメントを通電加熱するステップと、
前記通電加熱中の前記アークチャンバ内の圧力の情報を、前記イオン源の後工程に配置される、前記アークチャンバと連通するチャンバに設けられる熱陰極電離真空計を用いて計測することにより、デガス処理を監視するステップと、を有することを特徴とするイオン源の交換方法。
【請求項３】
前記デガス処理の監視の結果、前記アークチャンバ内の圧力が時間とともに低下するとき、前記フィラメントの通電加熱を終了する請求項１又は２に記載のイオン源の交換方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン注入装置におけるイオン源の交換の際のイオン源のデガス処理を行うときのイオン源の交換方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や液晶表示装置等の製造過程において、基板等に不純物導入を行うためにイオンビームを基板等に照射するイオン注入装置を用いる。イオン注入装置の構成ユニットであるイオン源には、プラズマ生成のために熱電子を放出するフィラメントが用いられるが、このフィラメントは寿命の短い消耗品である。すなわち、フィラメントによる熱電子の放出を長時間行うと、フィラメントはアークチャンバ内で生成されるプラズマに曝されるため、フィラメントは摩耗し、最終的に切断する。また、アークチャンバの内壁面も、プラズマに曝されるため、摩耗し又、腐蝕して交換が必要となる。
【０００３】
このようなときイオン注入装置のイオン源のアークチャンバとフィラメントとを交換する。
まず、イオン源の交換前のアークチャンバ内を真空とし、このときアークチャンバの構成部材やフィラメントの表面から出る不純物ガスを排気した後、アークチャンバ内に窒素パージガスを流入させて大気圧とする。この後、イオン源から壁面が摩耗し又腐蝕したアークチャンバと摩耗して切断したフィラメントを取り外して新しいアークチャンバとフィラメントに交換して、所定の位置に取り付ける。次に、アークチャンバ内を排気して真空とする。真空度がある程度以上になると、新品のフィラメントを通電加熱する。これによって、新品のフィラメントによる空焼きが行われ、フィラメントやアークチャンバ内の絶縁部材の吸着ガス等をデガス処理し、イオン源を使用可能な状態とする。
【０００４】
上記空焼きの際、フィラメントに急激な通電を行うと、フィラメントの急激な加熱によって発生するガスによりイオン源のアークチャンバ内の高真空状態は破られ急激な圧力上昇となる。このとき、通電加熱、アークチャンバ内のデガスの状態の監視のために真空計であるイオンゲージ等の熱陰極電離真空計が用いられる。しかし、熱陰極電離真空計は、高真空状態においてフィラメントから放出される熱電子を介して流れる電流を計測する構成のため、真空度が低くなり圧力が上昇すると、イオンゲージの測定範囲を超えて真空度の測定が困難になるといった不具合が生じる。このため、フィラメントの通電加熱のために急激な通電を行わず、フィラメント電流を３０分〜１時間かけてなだらかに上昇させてデガス処理を行う。場合によっては、イオン源のアークチャンバの絶縁材から大量のガスが放出され、フィラメントによる空焼きに２時間程度を要する。
これに対して、下記特許文献１，２は、イオン源の交換時、イオン源の使用可能な状態にするまでの作業時間を短縮する方法、又はその装置を開示している。
【０００５】
特許文献１は、アークチャンバ内で交換用フィラメントに予め通電できるシステムを開示している。具体的には、このシステムでは、アークチャンバにスリットを設け、このスリットに蓋ができる構造とする。このアークチャンバにて、事前にフィラメントに通電してフィラメントからガスを放出させるとともにフィラメントを空焼きし、交換用フィラメントとする。このため、使用中のフィラメントが切断したとき、事前に空焼きしたフィラメントと交換するので、イオン源が使用可能状態になるまでの作業時間を短縮することができる。
又、特許文献２は、イオン源のアークチャンバに複数本のフィラメントを取り付けてスペアフィラメントとし、使用するフィラメントに電流を流して加熱するとき、このスペアフィラメントにも電流を流して加熱するので、交換時のデガスの処理時間を短縮することができ、イオン注入装置の稼動効率を向上することができる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−８５８１公報
【特許文献２】特開平８−８３５９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１では、交換用フィラメントに通電でき、真空引きできるアークチャンバが別途必要となり、装置構成が煩雑となるといった問題がある。また、特許文献２では、交換の対象とするアークチャンバのデガス処理を別途行う必要があり、交換処理の効率が低下するといった問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、装置構成を煩雑にすることなく、従来からある装置構成において、効率よくイオン源の交換を行うことができるイオン源の交換方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、イオン注入装置に設けられるイオン源の交換方法であって、イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源のアークチャンバ内の排気を、前記イオン源に設けられたターボ分子ポンプを用いて行うステップと、前記排気の途中から、前記イオン源のフィラメントを通電加熱するステップと、前記イオン源のターボ分子ポンプの背圧を真空計により測定することにより、前記通電加熱中の前記アークチャンバ内の圧力の情報を取得してデガス処理を監視するステップと、を有することを特徴とするイオン源の交換方法を提供する。
【００１０】
また、本発明は、イオン注入装置に設けられるイオン源の交換方法であって、イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源のアークチャンバ内の排気を、前記イオン源に設けられたターボ分子ポンプを用いて行うステップと、前記排気の途中から、前記イオン源のフィラメントを通電加熱するステップと、前記通電加熱中の前記アークチャンバ内の圧力の情報を、前記イオン源の後工程に配置される、前記アークチャンバと連通するチャンバに設けられる熱陰極電離真空計を用いて計測することにより、デガス処理を監視するステップと、を有することを特徴とするイオン源の交換方法を提供する。
【００１１】
このとき、前記デガス処理の監視の結果、前記アークチャンバ内の圧力が時間とともに低下するとき、前記フィラメントの通電加熱を終了することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、イオン源を取り付けた後、フィラメントに通電加熱を行う際、アークチャンバに設けられたイオンゲージにより真空度の測定をせず、アークチャンバ内の排気を行うターボ分子ポンプの背圧ラインの圧力を用いて、アークチャンバ内の真空度の情報を取得する。このため、フィラメントの通電加熱によるデガス時の急激な真空度の低下により、アークチャンバのイオンゲージの測定範囲を越えても、アークチャンバ内の真空度の情報を取得することができ、従来のようにアークチャンバのイオンゲージが破損することもない。このため、フィラメントの通電加熱の際のフィラメント電流を急激に立ち上げることも可能となる。これにより、短時間でフィラメントの通電加熱によるデガスを短時間で行うことができる。
また、フィラメントの通電加熱中のアークチャンバ内の圧力の情報を、イオン源の後工程に配置されるチャンバに設けられるイオンゲージを用いて計測することにより、通電加熱を監視する。このため、フィラメントの通電加熱の際に、フィラメント電流を急激に立ち上げることも可能となる。これにより、短時間でフィラメントの通電加熱によるデガスを短時間で行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明のイオン源の交換方法について、添付の図面に示される好適実施形態を基に詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明のイオン源の交換方法を行うときの対象となるイオン注入装置の概略構成図である。
イオン注入装置１０は、イオン源１２、質量分離ユニット１４、真空チャンバ１６，１８、ビーム制御ユニット２０及びエンドステーション２６を主に有する。
【００１５】
図２は、イオン源１２の断面図である。
イオン源１２は、原料ガスを供給しアーク放電することによりプラズマを生成し、このプラズマからイオンを取り出すことによりイオビームを生成するバーナス型イオン源である。イオン源１２は、図２に示す様に、アークチャンバ１２ａ、フィラメント１２ｂ、反射電極板（リペラープレート）１２ｃ、背面電極板１２ｄ、絶縁部材１２ｅ、フィラメント電源１２ｆ及びアーク電源１２ｇを有する。図２中のアークチャンバ１２ａの図示されない壁板（ベースプレート：図２中の紙面に垂直方向に位置する壁板）には原料ガスをアークチャンバ１２ａ内に供給する原料ガス供給口及びこの壁板と対向する他方の壁板には、イオンビームを取り出すイオンビーム取出口１２ｈを有する。アークチャンバ１２ａは、後述するターボ分子ポンプ１３ａによって減圧され、アークチャンバ１２ａ内で１０−２〜１０−３（Ｐａ）に減圧された高真空状態とされる。
【００１６】
アークチャンバ１２aは、耐高温性を有する導電性材料、例えばタングステン、モリブデン、タンタル、炭素等によって構成され、直方体形状の内部空間を有する放電箱であり、後述するフィラメント１２ｂを用いてアーク放電を行ってプラズマを生成する部分である。
アークチャンバ１２ａの内部空間の内壁面（エンドキャップ側の面）には、一方の端面から内部空間に突出するフィラメント１２ｂが設けられ、他方の端面には反射電極板１２ｃが設けられ、フィラメント１２ｂが反射電極板１２ｃに対向するように配置されている。なお、図２中のフィラメント１２ｂは、Ｕ字形状の発熱素子体であるが、タングステン等の抵抗導体線が１〜数回螺旋状に巻かれて折り返された発熱素子体であってもよい。
【００１７】
フィラメント１２ｂと内壁面の端面との間には背面電極板１２ｄが設けられ、カソードプレートとなっている。フィラメント１２ｂには、フィラメント１２ｂから熱電子を放出するように、フィラメント１２ｂの両端間に所定の電圧Ｖ1、例えば数Ｖ〜１０数Ｖを印加することでフィラメント電流を流すフィラメント電源１２ｆが設けられ、２０００℃程度に加熱されて白熱したフィラメント１２ｂからアークチャンバ１２ａの内部に熱電子を放出する。また、フィラメント１２ｂの負極側の端と導電性を有するアークチャンバ１２ａとの間にアーク電圧Ｖ2を印加するように、アーク電源１２ｇが設けられている。アーク電圧Ｖ2として数１０〜１００Ｖ印加され、プラズマが発生することによりアーク放電電流が流れる。なお、フィラメント１２ｂと導電性を有するアークチャンバ１２ａとの間は、それぞれ絶縁性部材１２ｅによって電気絶縁されている。
【００１８】
反射電極板１２ｃは、フィラメント１２ｂに対向するように内部空間に設けられ、反射電極板１２ｃに向かって移動する熱電子を反射する反射板である。反射電極板１２ｃとアークチャンバ１２ａとの間は、絶縁性部材１２ｅによって電気絶縁されている。反射電極板１２ｃは、フィラメント電源の負極と接続されている。なお、フィラメント１２ｂに対して反射電極板１２ｃの方向と反対方向にある背面電極板１２ｄは、フィラメント１２ｂの陰極と接続されている。
一方、アークチャンバ１２ａの外側には、背面電極板１２ｄ、フィラメント１２ｂおよび反射電極板１２ｃの配置方向（図２中の左右方向）に沿って磁場が形成されるように図示されないＮ極、Ｓ極の磁石が設けられている。
【００１９】
アークチャンバ１２ａのイオンビーム取出口１２ｈの近傍には、アークチャンバ１２ａ内でプラズマを及び原料ガスを用いて生成されたイオンをイオンビームとして取り出すための引出電極１２ｉが設けられ、図示されない引出電源と接続されている。
【００２０】
このようなイオン源１２におけるフィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａは、アークチャンバ１２ａの内部空間で生成されるプラズマ又イオンに曝され、イオン源１２を使用するにしたがって摩耗する。このため、フィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａは、比較的頻繁に交換が行われる。
イオン源１２のアークチャンバ１２ａは、ターボ分子ポンプ１３ａによって排気が行われ、さらに、イオンビームを分離する質量分離ユニット１４に導く真空チャンバ１６の経路は、ターボ分子ポンプ１３ｂによって排気が行われ、それぞれ真空度が所定の範囲になるように構成されている。アークチャンバ１２ａには、真空度を計測する熱陰極電離真空計であるイオンゲージ１３ｃが設けられている。
【００２１】
質量分離ユニット１４は、ターゲット基板２８にイオン注入するためのイオン種のみを選択するために９０度偏向電磁石を用いてイオンビームと垂直方向に扇型の均一磁界を作り、９０度偏向電磁石の電流を制御して均一磁界の強さを変えることで、所望のイオン種を選択できるように構成されている。例えば、図１中のイオンビームａのみをターゲット基板２８に照射させ、イオン質量がイオンビームａと異なるイオンビームｂ、ｃはイオンビームａから分離される。
このような質量分離ユニット１４のイオンビームの経路は、チャンバを形成しており、ターボ分子ポンプやクライオポンプ等の真空ポンプ１３ｄによって排気が行われ、真空度が所定の範囲になるように構成されている。質量分離ユニット１４には、真空度を計測するイオンゲージ１４ｂが設けられている。
【００２２】
真空チャンバ１８には、ビーム制御ユニット２０が設けられている。ビーム制御ユニット２０は、質量分離ユニット１４からのイオンビームを均一なプロファイルに成型するものであり、例えば、マルチポール電磁石を用いてイオンビームが整形される。真空チャンバ１８の排気は、ターボ分子ポンプやクライオポンプ等の真空ポンプ２０ｂによって行われ、この経路における真空度が所定の範囲になるようにイオンゲージ２０ａが設けられている。
【００２３】
エンドステーション２６は、イオンビームを照射してイオン注入するターゲット基板２８を固定する基板ホルダ２６aが設けられて構成される。又、エンドステーション２６はプロセスチャンバ２６ｂを形成しており、ターボ分子ポンプやクライオポンプ等の真空ポンプ２６ｃによって排気が行われ、この経路における真空度が所定の範囲になるようにイオンゲージ２６ｄが設けられている。
【００２４】
このような構成のイオン注入装置１０では、上述したように、イオン源１２のフィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａの交換頻度が高い。
本発明は、このフィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａの交換の際、フィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａのデガス処理を効率よく行うための方法に関する。
【００２５】
以下では、フィラメント１２ｂとアークチャンバ１２ａを同時に交換する場合を説明するが、本発明においては、フィラメント１２ｂのみの交換又はアークチャンバ１２ａのみの交換の場合であってもよい。
【００２６】
まず、アークチャンバ１２ａをイオン注入装置１０から取り外して新たなアークチャンバ１２ａと交換し、さらに、フィラメント１２ｂを新品のフィラメント１２ｂと交換してアークチャンバ１２ａに取り付け、このアークチャンバ１２ａをイオン注入装置１０の所定の位置にセットする。
次に、イオン源１２のアークチャンバ１２ａ内の排気が、イオン源１２に設けられたターボ分子ポンプ１３ａを用いて行われる。ターボ分子ポンプ１３ａには、図３に示すように大気側にドライポンプ１３ｅが設けられ、ターボ分子ポンプ１３ａとドライポンプ１３ｅとの間のライン、すなわち、ターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインに、ターボ分子ポンプ１３ａの背圧を計測する真空計１３ｆが設けられている。この真空計１３ｆを用いてターボ分子ポンプ１３ａの背圧が計測され、これによってアークチャンバ１２ａ内の真空度の情報が取得される。アークチャンバ内の真空度とターボ分子ポンプ１３ａの背圧との関係を予め調べておき、計測される圧力から、アークチャンバ１２ａ内の真空度の情報がわかるようにする。真空計１３ｆは、例えば、ピラニ真空計が用いられる。
【００２７】
アークチャンバ１２ａ内の真空度が所定値以下になると、フィラメント１２ｂの通電加熱が開始される。アークチャンバ１２ａの真空度が所定値以下でない場合、フィラメント１２ｂの周りのガス分子と反応し、また、残存する酸素ガスによりフィラメント１２ｂが焼き切れるおそれもあるためである。
こうして、フィラメント１２ｂの通電加熱により、フィラメント１２ｂに吸着していた不純物がガスとして放出され、さらに、フィラメント１２ｂの過熱によって加温されたアークチャンバ１２ａの内壁面からガスが放出される。これらのガスの放出により、高い真空度に保たれていたアークチャンバ１２ａ内は、一気に真空度が低下（圧力が上昇）する。この圧力上昇は、アークチャンバ１２ａ内の真空度を直接計測するイオンゲージ１３ｃの測定範囲を超えるものであるため、イオンゲージ１３ｃで通電加熱によるデガスの状態を監視することはできない。本発明では、通電加熱によるデガスの状態を監視するために、上述したターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインに設けられる真空計１３ｆを用いる。ターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインに設けられる真空計１３ｆは、デガス処理のときアークチャンバ１２ａ内の真空度が低くなっても、イオンゲージ１３ｃに比べて十分に測定可能に設定されている。このため、アークチャンバ１２ａ内の真空度が低下しても、真空計１３ｃの計測により、アークチャンバ１２ａ内の真空度の情報を取得することができる。すなわち、フィラメント１２ｂの通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を、ターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインの圧力を計測することにより取得する。この取得によって、通電加熱、さらにはデガス処理の状態を監視することができる。
【００２８】
上記真空計１３ｆによる監視の結果、アークチャンバ１２ａ内の圧力が時間とともに低下するとき、デガス処理のために行ったフィラメント１２ｂの通電加熱を終了する。この状態は、少なくとも、フィラメント１２ｂやアークチャンバ１２ａの内壁面からのガスの放出が無くなり、ターボ分子ポンプ１３ａの排気により、圧力が低下する状態である。
【００２９】
図４は、アークチャンバ１２ａにおける真空度の時間経過を示す模式図である。
大気圧状態の圧力から、ターボ分子ポンプ１３ａにて排気が行われ、真空計１３ｆの測定結果からアークチャンバ１２ａ内の真空度を取得する。この真空度が、所定の値以下になると、フィラメント１２ｂの通電加熱が開始される。通電加熱によってフィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａからガスが放出されて、アークチャンバ１２ａの真空度が低下する（圧力が上昇する）。通常、この圧力上昇により、真空度はイオンゲージ１３ｃの測定範囲を超える。しかし、本発明では、ターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインの圧力を真空計１３ｆを用いて計測することにより、アークチャンバ１２ａ内の真空度の情報を取得するので、アークチャンバ１２ａ内の真空度の情報を常時取得することができる。イオンゲージ１３ｃを用いてアークチャンバ１２内の真空度を直接測定した場合、図４に示す実線のように、フィラメント１２ｂの通電加熱によるガスの放出により、イオンゲージ１３ｃでは測定不可能な範囲に真空度は低下する。このため、イオンゲージ１３ｃを用いてフィラメント１２ｂの通電加熱、デガス状態を監視することはできない。イオンゲージ１３ｃを用いる場合、フィラメント１２ｂやアークチャンバ１２ａの内壁面から放出されるガスの発生量と、ターボ分子ポンプ１２ｅの排気量とを概略つりあわせながら、アークチャンバ１２ａ内の真空度がイオンゲージ１３ｃの測定範囲内にとどまるように、フィラメント１２ｂの通電加熱を制御しなければならない。しかし、このような通電加熱を行うためには、フィラメント電流の増加率を極めて緩やかに設定する必要がある。このため、図４に示す一点鎖線のように、デガス処理が終了して、イオン源１２を使用状態とするまでの必要な作業時間は極めて長くなる。これに対して、本発明では、フィラメント電流を急激に上げても、真空計１３ｆでターボ分子ポンプ１３ａの背圧を計測するので、常時真空度の情報を取得でき、フィラメント１２ｂの通電加熱によるデガス処理を短時間に行うことができる。
【００３０】
なお、本発明においては、フィラメント１２ｂの通電加熱によるデガス処理の監視のために、ターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインに設けられた真空ポンプ１３ｄを用いるほか、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の真空度の情報を、イオン源１０の後工程のチャンバに配置されるイオンゲージ１４ｂ，２０ａ，２６ｄを用いて計測することにより、デガス状態を監視することもできる。
上述したイオン注入装置１０におけるイオンビームの経路の空間（真空チャンバ１６，１８、質量分離ユニット１４及びエンドステーション２６のプロセスチャンバ）は互いに連通しているので、アークチャンバ１２ａ及びフィラメント１２ｂの通電加熱によりガスが放出しても、これらの連通した空間では真空度がイオンゲージ１４ｂ，２０ａ，２６ｄの測定範囲を逸脱する程度に低下しない。このため、イオンゲージ１４ｂ，２０ａ，２６ｄで真空度を直接測定することができる。これにより、フィラメント電流を急激に上げても、イオンビームの経路となる空間の真空度をイオンゲージ１４ｂ，２０ａ，２６ｄで測定することができ、デガス状態を短時間に行うことができる。
【００３１】
以上、本発明のイオン源交換方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明のイオン源の交換方法を行うときの対象となるイオン注入装置の概略構成図である。
【図２】図１に示すイオン注入装置に用いるイオン源の断面図である。
【図３】図１に示すイオン注入装置に用いるターボ分子ポンプの概略構成図である。
【図４】本発明のイオン源の交換方法を行うときの真空度の時間経過を模式的に説明する図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０  イオン注入装置
１２  イオン源
１２ａ  アークチャンバ
１２ｂ  フィラメント
１２ｃ  反射電極板
１２ｄ  背面電極板
１２ｅ  絶縁部材
１２ｆ  フィラメント電源
１２ｇ  アーク電源
１２ｈ  イオンビーム取出口
１２ｉ  引出電極
１３ａ，１３ｂ，１３ｄ，２０ｂ，２６ｃ  ターボ分子ポンプ
１３ｃ，１４ｂ，２０ａ，２６ｄ  イオンゲージ
１４  質量分離ユニット
１６，１８  真空チャンバ
２０  ビーム制御ユニット
２６  エンドステーション
２６ａ  基板ホルダ
２６ｂ  プロセスチャンバ
２８  ターゲット基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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