(57)【要約】【課題】従来よりも簡素な構造においても安定して熱型赤外線検出素子およびアレイ素子を作製可能とする製造方法を提供する。【解決手段】エッチングガスにより基板７に凹部８を形成する場合、等方的にシリコンのエッチングが行なわれるため、エッチングストッパを基板７内に形成する必要がある。一方、本発明では、湿式の結晶異方性加工が行なわれるためエッチングストッパが不要になる。また加工に先だって赤外吸収体２を支持する固定部材を付加しておくことで、湿式処理後の乾燥時に起こり得るスティッキングを防止できる。付加された固定部材は最終的に乾式加工により除去される。これにより熱型赤外線検出素子１を安定して作製できる。【選択図】図２
2007147573.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱型赤外線検出素子の製造方法であって、
前記熱型赤外線検出素子は、
凹部を有する半導体基板と、
前記半導体基板に対して支持脚を介して接続されることによって前記凹部の上部の空中に支持された温度検知部と、
前記温度検知部に接続され、少なくとも前記温度検知部を覆うように前記半導体基板の主表面と平行に面状に広がる赤外吸収体とを備え、
前記製造方法は、
前記主表面上に前記温度検知部および前記支持脚を形成する工程と、
前記赤外吸収体を形成する工程と、
前記赤外吸収体を一時的に支えるための少なくとも１つの固定部材を形成する工程と、
湿式加工を用いて、前記半導体基板のうち前記温度検知部の下部および前記支持脚の下部を除去して、前記凹部を形成する工程と、
前記固定部材を除去する工程とを備える、熱型赤外線検出素子の製造方法。
【請求項２】
前記固定部材を形成する工程では、前記赤外吸収体を前記半導体基板に固定するように、前記固定部材を形成する、請求項１に記載の熱型赤外線検出素子の製造方法。
【請求項３】
前記固定部材を形成する工程では、前記赤外吸収体と前記支持脚とを接続するように、前記固定部材をさらに形成する、請求項２に記載の熱型赤外線検出素子の製造方法。
【請求項４】
前記熱型赤外線検出素子は、
前記支持脚の少なくとも一部の上方を覆い、かつ、前記赤外吸収体の下方に配置された赤外反射体をさらに備え、
前記固定部材を形成する工程では、前記赤外吸収体と前記赤外反射体とを接続するように、前記固定部材をさらに形成する、請求項２に記載の熱型赤外線検出素子の製造方法。
【請求項５】
前記熱型赤外線検出素子は、
前記支持脚の少なくとも一部の上方を覆い、かつ、前記赤外吸収体の下方に配置された赤外反射体をさらに備え、
前記固定部材を形成する工程では、前記赤外反射体を介して前記赤外吸収体と前記支持脚とを接続するように、前記固定部材をさらに形成する、請求項２に記載の熱型赤外線検出素子の製造方法。
【請求項６】
前記固定部材は有機材料を用いて形成され、
前記固定部材を除去する工程では、プラズマ乾式加工処理を実行して前記固定部材を除去する、請求項１に記載の熱型赤外線検出素子の製造方法。
【請求項７】
前記有機材料は、ネガ型のフォトレジストである、請求項６に記載の熱型赤外線検出素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の熱型赤外線検出素子の製造方法により、前記熱型赤外線検出素子をアレイ状に複数備える、アレイ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱型赤外線検出素子の製造方法および、この熱型赤外線検出素子をアレイ状に複数備えるアレイ素子の製造方法に関する。特に、本発明は画素を簡便に、かつ安定的に作製することが可能な熱型赤外線検出素子の製造方法およびアレイ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱型赤外線検出素子とは、赤外線が照射されるとその赤外線を吸収して温度が上昇し、かつその温度変化を検出する素子である。熱型赤外線検出素子において、温度検知部は、たとえば半導体基板に形成された凹部の上方に設けられる。これにより温度検知部は周囲の熱の影響を受けにくくなり、良好に温度変化を検知できる。
【０００３】
たとえば特開２００２−２９９５９６号公報（特許文献１）には、このような構成を有する熱型赤外線検出素子の製造方法が開示される。この製造方法では、１箇所のエッチングホールのみからエッチングガスを半導体基板内に導入することにより中空部分を形成する。エッチング形状はエッチングホールが形成される接合柱の直下で最も深く、端部になるに従って浅くなるので深いエッチングストッパを形成する必要がなくなる。
【０００４】
また、特開２００３−１３９７９１号公報（特許文献２）では、基板に固定電極と可動電極とが形成されたマイクロ構造体（容量式センサ）の製造方法が開示される。この製造方法では、基板の一面上に形成したレジスト部材のうち、可動電極を固定する支持部のみ残して除去する。これにより可動電極が周囲部にスティッキング（付着）することを防ぐことができる。
【特許文献１】特開２００２−２９９５９６号公報（第７頁第１５〜第２７行および図６）
【特許文献２】特開２００３−１３９７９１号公報（第５頁第８〜第２４行および図２（ａ））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特開２００２−２９９５９６号公報（特許文献１）に開示された熱型赤外線検出素子の製造方法において、主要な工程は現在汎用される半導体製造技術を用いて実現可能である。また、この製造方法によれば、温度検出素子を最終的に基板からリリースする段階においてもスティッキングが生じないので、熱型赤外線検出素子を安定して製造することができる。
【０００６】
スティッキングは湿式加工法（ウェットエッチングを用いた加工法）に起因して生じる。湿式加工法を用いた場合には、最終の乾燥工程において、残存する液体の表面張力によって画素と基板とが機械的に接触しやすい。これにより構造欠陥等の不良が生じやすくなる。特開２００２−２９９５９６号公報（特許文献１）に開示された製造方法においてはこのような問題を防ぐことが可能であるものの半導体内にエッチングストッパを形成する工程が必要となる。
【０００７】
一方、湿式加工法により半導体内に凹部を形成する場合にはスティッキングの発生を抑えながら乾燥を行なうための有効な方法を確立する必要がある。有用な技術としては、たとえば超臨界乾燥法がある。
【０００８】
超臨界乾燥法においては凹部部分に残存する液体を超臨界状態（高温高圧で生じる状態であり、液相でも気相でもない状態）の二酸化炭素（ＣＯ２）に置換する。超臨界状態の二酸化炭素は表面張力が小さいため温度検知部が基板に接触するのを防ぐことができる。よってスティッキングを回避することができる。しかしながら超臨界乾燥法を用いるには特殊、かつ大型の設備が必要となる。
【０００９】
また、別の有用な技術として、乾燥を行なう前に、空隙部に何らかの材料を埋込んで昇華乾燥や乾式プラズマエッチングなどを行なう方法が提案されている。昇華乾燥を用いる場合には、まず有機材料が昇華材料として空隙部に埋込まれる。その材料が昇華することにより、温度検出素子が基板に貼り付く力が生じないためスティッキングが防止される。また、乾式プラズマエッチングの場合には、溶液状の有機材料を埋込んで固化させた後、プラズマ加工により有機材料が除去される。この場合にも、昇華乾燥法と同様の効果が得られる。しかしながらこれらの技術はスティッキングを防ぐのに有効な技術ではあるが汎用的な半導体製造技術と比較するとかなり特殊な技術である。
【００１０】
また、所定の大きさの凹部を湿式加工により形成する場合には、結晶異方性加工の原理に基づき、基板表面の決められた箇所がエッチング液に浸されるように素子の構造や製造プロセスの設計を行なうことが必要である。半導体基板（特にシリコン基板）に形成される凹部は、たとえば水酸化カリウム溶液などのアルカリ溶液による結晶異方性加工により実施される。特開２００２−２９９５９６号公報（特許文献１）に示される素子構造では所望の湿式加工ができない。
【００１１】
本発明は、上述の課題を解決するものであって、その目的は、従来よりも簡素な構造においても安定して熱型赤外線検出素子およびアレイ素子を作製可能とする製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は要約すれば、熱型赤外線検出素子の製造方法である。熱型赤外線検出素子は、凹部を有する半導体基板と、半導体基板に対して支持脚を介して接続されることによって凹部の上部の空中に支持された温度検知部と、温度検知部に接続され、少なくとも温度検知部を覆うように半導体基板の主表面と平行に面状に広がる赤外吸収体とを備える。製造方法は、主表面上に温度検知部および支持脚を形成する工程と、赤外吸収体を形成する工程と、赤外吸収体を一時的に支えるための少なくとも１つの固定部材を形成する工程と、湿式加工を用いて、半導体基板のうち温度検知部の下部および支持脚の下部を除去して、凹部を形成する工程と、固定部材を除去する工程とを備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、湿式加工による結晶異方性加工に先立って、赤外吸収体を固定部材で保持することにより、基板に凹部を形成しても赤外吸収体および温度検知部を安定して基板からリリースすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下において、本発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
【００１５】
［実施の形態１］
図１は、実施の形態１の製造方法により作製される熱型赤外線検出素子の平面図である。
【００１６】
図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線での断面図である。
図１および図２を参照して、実施の形態１における熱型赤外線検出素子について説明する。熱型赤外線検出素子１は、基板７を備える。基板７は、具体的にはシリコン基板である。基板７は凹部８を有する。
【００１７】
熱型赤外線検出素子１は、さらに、赤外吸収体２、支持脚３、温度検知部４、および金属配線６を備える。温度検知部４はその側面が支持脚３に接続される。温度検知部４は基板７に対して支持脚３を介して接続されることによって、凹部８の上部の空中に支持されている。
【００１８】
赤外吸収体２は熱型赤外線検出素子１に入射した赤外線を吸収する素子であり、温度検知部４に接続される。また赤外吸収体２は少なくとも温度検知部４を覆うように基板７の主表面と平行に面状に広がる。図２では赤外吸収体２は温度検知部４および支持脚３を覆うように形成されている。赤外吸収体２を設けることにより、熱型赤外線検出素子１は赤外線の吸収効率を高くすることができる。また、赤外吸収体２の面積が広いほど赤外線の吸収効率を高めることができる。
【００１９】
赤外吸収体２は赤外線を吸収する機能膜である薄膜金属膜と、これを支える誘電体膜（構造体）とからなる。図中では薄膜金属膜と誘電体膜との区別は詳細には図示していないが、たとえば赤外吸収体２は酸化ケイ素膜／薄膜金属膜／酸化ケイ素膜の３層構造を有する。
【００２０】
支持脚３は配線である金属膜３Ａとこれを支える誘電体膜３Ｂ（構造体）とからなる。たとえば支持脚３は酸化ケイ素膜／金属膜／酸化ケイ素膜の３層構造を有する。
【００２１】
熱型赤外線検出素子１に入射した赤外光は赤外吸収体２により吸収される。これにより赤外吸収体２および温度検知部４の温度が上昇する。温度検知部４にはたとえばダイオード型温度センサが内蔵される。よって熱型赤外線検出素子１に入射した赤外線は、温度センサにより電気信号に変換される。なお、素子の温度特性を利用することにより、ダイオード以外に半導体素子や金属膜素子などが温度センサとしては適用可能であることは自明である。
【００２２】
温度検知部４内の温度センサは、支持脚３の内部の金属膜３Ａにより金属配線６に接続される。金属配線６は温度センサの信号を周辺回路（図示せず）に伝達する。金属配線６はたとえばアルミにより構成される。また金属配線６の周囲には絶縁膜が設けられる。
【００２３】
凹部８はアルカリ溶液を用いた結晶異方性加工により形成される。凹部８を設けることによって入射した赤外光が効率よく温度に変換される。凹部８は、ウェットエッチングを用いた湿式加工により形成される。
【００２４】
なお、オリフラ面方位が＜１１０＞のシリコン基板を用いることで、＜１１１＞結晶面がエッチング面に露出するに従ってエッチング速度が低下し、いわゆる異方性エッチングが生ずる。これにより隣接する素子同士で凹部８がつながることを防止できる。よって図２に示す形状を有するエッチング断面を形成することができる。
【００２５】
次に、実施の形態１の熱型赤外線検出素子の製造工程について説明する。まず、基板７の主表面上には温度検知部４および支持脚３が形成される。
【００２６】
図３は、熱型赤外線検出素子１の製造工程において、温度検知部４および支持脚３が作製された段階での平面図である。
【００２７】
図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線での断面図である。
図３および図４を参照して、金属配線６は格子状に形成され、それらの交差部分は図示されない電気伝導層を介して接続される。なお、この電気伝導層は図３および図４で示す金属配線６とは別の金属配線層に設けられる。これら格子状に設けられた金属配線６に支持脚３の金属膜３Ａが接続される。
【００２８】
次に、温度検知部４の上方に赤外吸収体２を形成する。以下、図５〜図７を参照しながら赤外吸収体２の製造工程を順に説明する。
【００２９】
図５は、赤外吸収体２の製造工程のうちの第１の段階での断面図である。
図５を参照して、支持脚３、温度検知部４、および金属配線６上に犠牲層２０が形成される。犠牲層２０は後続の製造工程に耐え得る性能（たとえばエッチング耐性や温度耐性など）を有するものであり、たとえば耐熱性の高いフォトレジストが適用可能である。より具体的に説明すると、犠牲層２０にはたとえばポリイミド樹脂等が適用可能である。
【００３０】
図５に示すように、犠牲層２０には温度検知部４の表面まで達する開口部２０Ａが形成される。犠牲層２０がフォトレジストである場合、この開口部２０Ａはリソグラフィ工程により形成される。
【００３１】
図６は、赤外吸収体２の製造工程のうちの第２の段階での断面図である。
図６を参照して、開口部２０Ａを塞ぎ、かつ、少なくとも温度検知部を覆うようにして犠牲層２０の上に赤外吸収体２が形成される。これにより赤外吸収体２は温度検知部４に接続される。
【００３２】
図７は、赤外吸収体２の製造工程のうちの第３の段階での断面図である。
図７を参照して、乾式加工法（ドライエッチング）により犠牲層２０が除去されて赤外吸収体２がリリースされる。
【００３３】
次に、結晶異方性加工技術を用いて温度検知部４の下部の基板７に凹部８を形成する。  図８は、凹部８の形成工程のうちの第１の段階での平面図である。
【００３４】
図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線での断面図である。
図８および図９を参照して、赤外吸収体２を基板７に固定するための固定部材２２が形成される。固定部材２２により湿式加工処理の際に赤外吸収体２が基板７や支持脚３などに接触する（スティッキングが生じる）のを防ぐことができる。
【００３５】
固定部材２２は湿式加工を妨げないような位置に形成される。これにより所定の大きさの凹部８を安定して作製することができる。
【００３６】
図１０は、基板７において結晶異方性加工が円滑に進む部分を示す図である。
図１０を参照して、支持脚３および温度検知部４のコーナ部分である領域７Ａにおいて結晶異方性加工が円滑に進む。これにより＜１１１＞面にほぼ等しい４つの面で囲まれた凹部８が形成されるので所定の大きさの凹部８を安定して作製することができる。また、エッチングストッパを形成しなくても凹部８の大きさを制御することができる。
【００３７】
固定部材２２としてはたとえばネガ型のフォトレジストを用いることができる。赤外吸収体２はその機能上、半透明な膜であり、通常のリソグラフィ工程に利用される紫外光に対して透過性を有する。よって、たとえば図８に示す固定部材２２以外の領域を露光時にマスクすることで、図８および図９に示す固定部材のパターンをレジストに転写することができる。よって、容易に固定部材２２を形成することができる。また、ネガ型のフォトレジストであれば容易に入手可能である。
【００３８】
図１１は、凹部８の形成工程のうちの第２の段階での断面図である。
図１１を参照して、赤外吸収体２を固定部材２２により支えられた状態で結晶異方性加工が行なわれる。
【００３９】
なお、固定部材２２は結晶異方性加工に用いられる溶液に浸されるので、この溶液に対する耐性を有する必要がある。たとえば基板７の表面上に設けられた酸化ケイ素膜を犠牲層として基板７に凹部を形成する場合、フッ化水素酸を用いて加工が行なわれる。この溶液に対しては通常のフォトレジスト樹脂は耐性を有している。しかしながらアルカリ溶液に耐性を有するフォトレジストは限られている。よって実施の形態１では化学増幅型のネガレジストを固定部材２２に用いる。この固定部材２２をパターン形成後に熱硬化させることによりアルカリ溶液に対する耐性を確保することができる。
【００４０】
湿式処理（凹部８の形成および水洗）においては固定部材２２により赤外吸収体２がリリースされていないためスティッキングは発生しない。なお結晶異方性加工には水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液や、シリコン含有の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液等、従来からよく知られたアルカリ溶液を適用することができる。
【００４１】
この後、プラズマを用いた乾式加工（ドライエッチング）によって固定部材２２が除去され、図２に示す構造が完成する。なおプラズマ加工に用いられるガスは酸素ガスでもよいし水素ガスでもよい。固定部材２２をフォトレジスト、すなわち有機材料で構成することにより、熱型赤外線検出素子の製造において従来のドライエッチング技術を容易に適用することができる。
【００４２】
エッチングガスにより基板７に凹部８を形成する場合、等方的にシリコンのエッチングが行なわれるため、エッチングストッパを基板７内に形成する必要がある。一方、本実施の形態では、湿式の結晶異方性加工が行なわれるためエッチングストッパが不要になる。また加工に先だって赤外吸収体２を支持する部材を付加しておくことで、湿式処理後の乾燥時に起こり得るスティッキングを防止できる。付加された固定部材は最終的に乾式加工により除去される。これにより熱型赤外線検出素子１を安定して作製できる。したがって従来よりも簡単であり、かつ、安定して熱型赤外線検出素子およびアレイ素子を作製可能とする製造方法を提供することができる。
【００４３】
なお、図８では２つの固定部材２２は赤外吸収体２の板状の部分において対向する２辺のそれぞれに重なるように形成される。ただし赤外吸収体２を基板７に固定し、かつ、基板７の所望の領域に溶液を導入することが可能であれば、固定部材２２は図８以外の形状であってもよい。
【００４４】
図１２は、固定部材２２の別の例を示す図である。
図１２を参照して、４つの固定部材２２は赤外吸収体２の４つの端部２Ａ〜２Ｄをそれぞれ覆うように形成される。
【００４５】
なお、本実施の形態の製造方法により作製された熱型赤外線検出素子は、１０ＭＫ（メガケルビン）／Ｗのオーダの断熱特性を有し、従来技術（乾式加工により温度検知部を基板からリリースする）を用いて製造された赤外線検出素子と同様に、入射する赤外光に対して均一なレスポンスを得ることができる。
【００４６】
湿式加工の場合、基板に凹部を形成した後は水でのリンスを行なう必要がある。従来技術によれば固定部材２２が形成されていない。よって乾燥時にはスティッキングを防止するために特殊設備（たとえば超臨界乾燥を行なうための装置）が必要である。本実施の形態の製造方法によれば、特殊設備を利用することなく、かつ、安定的に赤外線検出素子を作製することができる。すなわち本実施の形態の製造方法によれば産業上の意義が大きくなる。
【００４７】
以上のように実施の形態１によれば、熱赤外線検出素子の製造方法において、画素（温度検知部および赤外吸収体）の下部に凹部を形成する前に、予め赤外吸収体を固定部材により固定する。これにより湿式加工により凹部を形成しても、スティッキングを防ぐことが可能になるので熱赤外線検出素子を安定的に形成することができる。
【００４８】
［実施の形態２］
実施の形態２は、実施の形態１よりもスティッキングの発生を低減することができる。
【００４９】
基板乾燥時におけるスティッキングは素子の構造によってさまざまな箇所で生じる可能性がある。スティッキングは、乾燥時に残存する液体の表面張力により生じる構造体間の吸引力が構造体自身の形状を維持しようとする力よりも強いため発生する。具体的に説明すると、赤外吸収体が倒れることにより赤外吸収体が基板に接触するという問題が発生する。また、性能向上のために支持脚３の断熱性を向上しようとして支持脚の微細化を行なうと支持脚の剛性が低下する。この場合、乾燥時に支持脚と温度検知部とが接触する可能性がある。
【００５０】
以下、実施の形態２の製造方法について詳細に説明する。ただし温度検知部４および支持脚３を形成する工程は実施の形態１と同様であるので、以後の説明は繰り返さない。
【００５１】
図１３は、赤外吸収体が形成された状態を示す平面図である。
図１３を参照して、赤外吸収体２には開口部３１，３２が設けられる。なお、基板７の主表面に垂直な方向から見て、開口部３１，３２は支持脚３上に設けられる。
【００５２】
図１４は、固定部材が形成された状態を示す平面図である。
図１４を参照して、赤外吸収体２の対向する２辺を覆うように固定部材２２が形成されるとともに、開口部３１，３２を覆うように固定部材２２Ａが形成される。
【００５３】
図１５は、図１４に示す固定部材の形成状態をわかりやすく説明するための平面図である。
【００５４】
図１５を参照して、図１４から赤外吸収体２を取り除いた状態を示す。２つの固定部材２２Ａは、支持脚３から温度検知部４に跨るように形成される。これらの固定部材２２Ａは本来存在する（すなわち図１５には示していない）赤外吸収体２にも接続される。これにより支持脚３が赤外吸収体２に接触することを防ぐことが可能になる。
【００５５】
また、図１０に示す領域７Ａのごく一部の領域にしか固定部材２２Ａが設けられていないので本実施の形態においても結晶異方性加工により所望の大きさの凹部８を安定して形成することが可能である。
【００５６】
なお、基板に凹部を形成する工程、および固定部材２２，２２Ａを除去する工程は実施の形態１と同様であるので以後の説明は繰り返さない。
【００５７】
実施の形態２では、結晶異方性加工終了後の乾燥時にスティッキングが生じる可能性のある箇所が固定部材２２，２２Ａにより固定されている。よって実施の形態２は実施の形態１よりもスティッキングの発生を抑制することができる。
【００５８】
本実施の形態の製造方法により作製された熱型赤外線検出素子は、１００ＭＫ（メガケルビン）／Ｗのオーダの断熱特性を有し、従来技術（乾式加工により温度検知部を基板からリリースする）を用いて製造された赤外線検出素子と同様に、入射する赤外光に対して均一なレスポンスを得ることができる。
【００５９】
以上のように、実施の形態２によれば実施の形態１よりもスティッキングが生じる可能性を低くすることができる。
【００６０】
［実施の形態３］
実施の形態３の製造方法は、アレイ素子の製造方法である。なお、以下においては本実施の形態の製造方法のうち固定部材を形成する工程について説明する。他の工程は実施の形態１と同様であるので以後の説明は繰り返さない。
【００６１】
図１６は、実施の形態３の製造方法により作製されるアレイ素子の平面図である。
図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線での断面図である。
【００６２】
図１６および図１７を参照して、アレイ素子１Ａは熱型赤外線検出素子１がアレイ状に複数配置された構成を有する。
【００６３】
本発明の製造方法の効果は、特にこのようなアレイ素子（画像センサ）を製造するときに発揮される。凹部８は基板の物性すなわち結晶性により決定される。上述のようにオリフラ面方位が＜１１０＞のシリコン基板に結晶性異方加工により凹部を形成した場合には＜１１１＞面で囲まれた凹部が形成されるので、アレイ状の凹部を容易に作製できる。
【００６４】
本発明の製造方法では、このような結晶異方性加工の特徴を利用して、結晶異方性加工が円滑に進む箇所（図１０の領域７Ａ）には固定部材２２を設けない。これにより隣接する素子間で凹部がつながるのを防ぐことができるので、素子を高集積化できる。なお熱型赤外線検出素子の数が数十あるいは数百となった場合でも、上述の効果が得られることは容易に理解可能である。
【００６５】
また、図１７に示すように熱型赤外線検出素子１は赤外反射体９をさらに備える。赤外反射体９は支持脚３の少なくとも一部の上方を覆い、かつ、赤外吸収体２の下方に配置される。このように赤外反射体９を設けても本発明による効果が得られることは容易に理解できる。
【００６６】
図１７において固定部材２２は赤外吸収体２と赤外反射体９との間に設けられる。赤外反射体９は絶縁膜を介して基板７に固定されている。よって、湿式加工後の乾燥時に赤外吸収体２が赤外反射体９に付着するのを防ぐことができる。
【００６７】
なお、固定部材は赤外吸収体２と基板７との間に設けられてもよい。また、実施の形態２と同様に、固定部材は支持脚３と赤外吸収体２とを接続するように形成されてもよい。
【００６８】
図１８は、固定部材の他の配置例を示す断面図である。
図１８を参照して、固定部材２２Ａは赤外反射体９を介して赤外吸収体２と支持脚３とを接続するように形成される。これにより、湿式加工後の乾燥時において、支持脚３が温度検知部４に接触したり空洞に接触したりすることを抑制することができる。
【００６９】
以上のように実施の形態３によれば熱型赤外線検出素子をアレイ化したアレイ素子においてもスティッキングを防止することができので、安定的にアレイ素子を製造することが可能になる。
【００７０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】実施の形態１の製造方法により作製される熱型赤外線検出素子の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線での断面図である。
【図３】熱型赤外線検出素子１の製造工程において、温度検知部４および支持脚３が作製された段階での平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線での断面図である。
【図５】赤外吸収体２の製造工程のうちの第１の段階での断面図である。
【図６】赤外吸収体２の製造工程のうちの第２の段階での断面図である。
【図７】赤外吸収体２の製造工程のうちの第３の段階での断面図である。
【図８】凹部８の形成工程のうちの第１の段階での平面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ線での断面図である。
【図１０】基板７において結晶異方性加工が円滑に進む部分を示す図である。
【図１１】凹部８の形成工程のうちの第２の段階での断面図である。
【図１２】固定部材２２の別の例を示す図である。
【図１３】赤外吸収体が形成された状態を示す平面図である。
【図１４】固定部材が形成された状態を示す平面図である。
【図１５】図１４に示す固定部材の形成状態をわかりやすく説明するための平面図である。
【図１６】実施の形態３の製造方法により作製されるアレイ素子の平面図である。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線での断面図である。
【図１８】固定部材の他の配置例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  熱型赤外線検出素子、１Ａ  アレイ素子、２  赤外吸収体、２Ａ〜２Ｄ  端部、３  支持脚、３Ａ  金属膜、３Ｂ  誘電体膜、４  温度検知部、６  金属配線、７  基板、７Ａ  領域、８  凹部、９  赤外反射体、２０  犠牲層、２０Ａ  開口部、２２，２２Ａ  固定部材、３１，３２  開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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