(57)【要約】【課題】  ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、その裏面および周側面を保護するための保護膜の形成工程数を少なくする。【解決手段】  まず、ウエハ状態のシリコン基板１の下側に設けられた封止膜１０等をダイシングフィルム２２の上面に貼り付けた状態において、ウエハ状態のシリコン基板１等を切断して各チップに分離する。この状態では、各チップ間に溝２３が形成されている。そして、ダイシングフィルム２２をその周囲方向に引っ張って拡張して溝２３の間隔つまり各チップ間の間隔を広げた状態において、各シリコン基板１の上面（裏面）および周側面等にポリイミド系樹脂等からなる保護膜を同時に形成すると、別々に形成する場合と比較して、当該保護膜の形成工程数を少なくすることができる。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に外部接続用電極が設けられたウエハ状態の半導体基板の表面側をフィルムの上面に貼り付ける工程と、
前記フィルムの上面に貼り付けられた前記ウエハ状態の半導体基板を切断して、各々、隣接のものと相互に間隔を有して分離された複数のチップサイズの半導体基板を得る工程と、
前記各半導体基板間に間隔を有する状態において前記各半導体基板の裏面および周側面に保護膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記複数のチップサイズの半導体基板を得る工程は、前記ウエハ状態の半導体基板を切断した後、前記フィルムを拡張して前記各半導体基板間の間隔を広げる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記保護膜は前記各半導体基板間全体に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記保護膜を形成した後に、前記各半導体基板間に形成された前記保護膜をその幅方向中央部において切断する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記保護膜は前記各半導体基板の周側面に形成される当該保護膜間に溝が形成されるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記外部接続用電極は柱状電極であり、該柱状電極の周囲に封止膜が設けられ、該封止膜は前記ウエハ状態の半導体基板と共に切断されて分離され、前記保護膜は分離後の前記各封止膜を含む前記各半導体基板の周側面に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記保護膜を形成した後に、前記各半導体基板の柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の製造方法には、塵埃、湿気、機械的破損等の環境に対する保護効果を増大するために、表面に集積回路および該集積回路に接続された接続パッドを有するウエハ状態の半導体基板の裏面に第１の保護膜を形成し、第１の保護膜を第１のフィルムの上面に貼り付けた状態において第１の保護膜を含むウエハ状態の半導体基板を切断して各半導体基板に分離し、分離後の複数の半導体基板の裏面に設けられた第１の保護膜を第２のフィルムの上面に貼り付けて再配置し、この状態で第１の保護膜を含む各半導体基板の表面側および周側面に第２の保護膜を形成するようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３３２６４３号公報（第２９段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、ウエハ状態の半導体基板の裏面に第１の保護膜を形成する工程と、特に、分離後の第１の保護膜を含む半導体基板の周側面に第２の保護膜を形成する工程とが別々であるので、工程数が多いという問題があった。
【０００５】
そこで、この発明は、半導体基板の裏面および周側面を保護するための保護膜の形成工程数を少なくすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、上記目的を達成するため、表面側に外部接続用電極が設けられたウエハ状態の半導体基板の表面側をフィルムの上面に貼り付ける工程と、前記フィルムの上面に貼り付けられた前記ウエハ状態の半導体基板を切断して、各々、隣接のものと相互に間隔を有して分離された複数のチップサイズの半導体基板を得る工程と、前記各半導体基板間に間隔を有する状態において前記各半導体基板の裏面および周側面に保護膜を形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、フィルムの上面に貼り付けられたウエハ状態の半導体基板を切断して、各々、隣接のものと相互に間隔を有して分離された複数のチップサイズの半導体基板を得、各半導体基板間に間隔を有する状態において各半導体基板の裏面および周側面に保護膜を同時に形成しているので、別々に形成する場合と比較して、当該保護膜の形成工程数を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面（表面）には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。
【０００９】
接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。絶縁膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１０】
保護膜５の上面には銅等からなる下地金属層７が設けられている。下地金属層７の上面全体には銅からなる配線８が設けられている。下地金属層７を含む配線８の一端部は、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。配線８の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極（外部接続用電極）９が設けられている。
【００１１】
配線８を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１０がその上面が柱状電極９の上面と面一となるように設けられている。柱状電極９の上面には半田ボール１１が設けられている。シリコン基板１、絶縁膜３、保護膜５および封止膜１０の周側面とシリコン基板１の下面（裏面）にはエポキシ系樹脂等からなる保護膜１２が設けられている。
【００１２】
（製造方法の第１の例）
次に、この半導体装置の製造方法の第１の例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１上に、接続パッド２、絶縁膜３、保護膜５、下地金属層７、配線８、柱状電極９および封止膜１０が形成され、半田ボール１１が形成されていないものを用意する。なお、図２において、符号２１で示す領域はダイシングストリートに対応する領域である。
【００１３】
次に、図２に示すものの上下を反転し、図３に示すように、柱状電極９の下面を含む封止膜１０の下面を第１のダイシングフィルム２２の上面に貼り付ける。次に、図４に示すように、ダイシングストリート２１に沿って、ダイシング法やレーザーカット法等により、シリコン基板１、絶縁膜３、保護膜５および封止膜１０を切断する。これにより、ウエハ状態のシリコン基板１は、各々、隣接のものと相互に間隔を有する複数のチップサイズの半導体基板１に分離される。
【００１４】
この場合、第１のダイシングフィルム２２の厚さ方向中間まで切断する。すると、ウエハ状態のシリコン基板１は個々のチップに分離されるが、各チップが第１のダイシングフィルム２２に貼り付けられているので、第１のダイシングフィルム２２の上面を含む各チップ間つまりダイシングストリート２１に対応する領域には溝２３が形成される。
【００１５】
次に、図５に示すように、第１のダイシングフィルム２２をその周囲方向に引っ張って拡張すると、この拡張分に応じて溝２３の幅つまりチップ間の間隔が広げられる。次に、図６に示すように、スピンコーティング法等により、溝２３内を含むシリコン基板１の上面全体にエポキシ系樹脂からなる保護膜１２をその上面が平坦となるように形成する。
【００１６】
この状態では、シリコン基板１、絶縁膜３、保護膜５および封止膜１０の周側面は、溝２３内に形成された保護膜１２によって覆われている。なお、保護膜１２の材料としては、エポキシ系樹脂の他に、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、無機系水ガラス、有機系水ガラス等であってもよい。
【００１７】
次に、図６に示すものの上下を反転し、次いで、第１のダイシングフィルム２２を剥離すると、図７に示すようになる。この状態では、各チップ間および各シリコン基板１の下面に保護膜１２が形成されているので、各チップは一体化されている。また、符号１２ａで示すように、図６に示す第１のダイシングフィルム２２に形成された溝２３内に形成された保護膜１２が封止膜１０の上面から突出されている。次に、この突出部１２ａを研磨して除去すると、図８に示すように、各チップ間に形成された保護膜１２の上面が封止膜１０の上面と面一となる。
【００１８】
次に、図９に示すように、柱状電極９の上面に半田ボール１１を形成する。次に、保護膜１２の下面を第２のダイシングフィルム２４の上面に貼り付ける。次に、図１０に示すように、ダイシング法やレーザーカット法等により、各チップ間に形成された保護膜１２の幅方向中央部を切断する。次に、保護膜１２等を含むシリコン基板１を第２のダイシングフィルム２４から剥離すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００１９】
以上のように、この半導体装置の製造方法では、図４に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１の下側（表面側）に設けられた封止膜１０等を第１のダイシングフィルム２２の上面に貼り付けた状態においてウエハ状態のシリコン基板１等を切断して各チップに分離し、図６に示すように、第１のダイシングフィルム２２をその周囲方向に引っ張って拡張して溝２３の間隔つまり各チップ間の間隔を広げた状態において各シリコン基板１の上面（裏面）および周側面等に保護膜１２を同時に形成しているので、別々に形成する場合と比較して、当該保護膜１２の形成工程数を少なくすることができる。
【００２０】
ところで、上記特許文献１に記載の半導体装置の製造方法では、第１の保護膜を第１のフィルムの上面に貼り付けた状態において第１の保護膜を含むウエハ状態の半導体基板を切断して各半導体基板に分離し、分離後の複数の半導体基板の裏面に設けられた第１の保護膜を第２のフィルムの上面に貼り付けて再配置しているので、分離後の第１の保護膜を含む半導体基板の再配置が極めて面倒である。
【００２１】
これに対し、上記半導体装置の製造方法では、図４に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１の下面側を第１のダイシングフィルム２２の上面に貼り付けた状態においてウエハ状態のシリコン基板１等を切断して各チップに分離し、図６に示すように、第１のダイシングフィルム２２をその周囲方向に引っ張って拡張して各チップ間の間隔を広げた状態において各シリコン基板１の上面および周側面等に保護膜１２を形成しているので、分離後のシリコン基板１等を再配置する必要はない。
【００２２】
なお、この場合、図４示す各半導体基板１間の溝２３がダイシングにより図５に示すように大きな溝となるように幅広のブレードを用いてダイシングすれば、第１のダイシングフィルム２２をその周囲方向に拡張する工程が不要となるので、さらに、能率的になる。
【００２３】
（製造方法の第２の例）
次に、図１に示す半導体装置の製造方法の第２の例について説明する。この場合、図５に示す工程後に、図１１に示すように、スプレー（噴霧）式コーティング法により、溝２３内におけるシリコン基板１、絶縁膜３、保護膜５、封止膜１０の周側面および第１のダイシングフィルム２２の上面とシリコン基板１の上面にエポキシ系樹脂等からなる保護膜１２を比較的薄く形成し、溝２３内に形成された保護膜１２の幅方向中央部に溝２５を形成する。
【００２４】
次に、図１２に示すように、保護膜１２の上面にサポートフィルム２６を貼り付ける。次に、図１２に示すものの上下を反転し、次いで、第１のダイシングフィルム２２を剥離すると、図１３に示すようになる。この状態では、符号１２ｂで示すように、図１２に示す第１のダイシングフィルム２２に形成された溝２３内に形成された保護膜１２が封止膜１０の上面から突出されている。次に、この突出部１２ｂを研磨して除去すると、図１４に示すように、各チップ間に形成された保護膜１２の上面が封止膜１０の上面と面一となり、且つ、溝２５の上部が開放される。
【００２５】
次に、図１５に示すように、柱状電極９の上面に半田ボール１１を形成する。この状態では、保護膜１２等を含むシリコン基板１は、サポートフィルム２６に貼り付けられているが、溝２５により個々のチップに分離されている。そこで、次に、保護膜１２等を含むシリコン基板１をサポートフィルム２６から剥離すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００２６】
以上のように、この半導体装置の製造方法でも、各シリコン基板１の裏面および周側面等に保護膜１２を同時に形成しているので、別々に形成する場合と比較して、当該保護膜１２の形成工程数を少なくすることができ、また分離後のシリコン基板１等を再配置する必要はない。なお、上記各製造方法において、保護膜１２の形成は常温常圧ＣＶＤ法であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の第１の例において、当初用意したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１に示す半導体装置の製造方法の第２の例において、所定の工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【符号の説明】
【００２８】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  絶縁膜
５  保護膜
７  下地金属層
８  配線
９  柱状電極
１０  封止膜
１１  半田ボール
１２  保護膜
２１  ダイシングストリート
２２  第１のダイシングフィルム
２３  溝
２４  第２のダイシングフィルム
２５  溝
２６  サポートフィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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