(57)【要約】【課題】再生専用のＲＯＭディスクであって反射膜上にレーザ光照射によりマークが形成されてデータが追記される光ディスク記録媒体について、その海賊版ディスクの製造を防止する。【解決手段】ピット転写基板上の第１の記録層以外に、ピット面が形成されたピット転写中間層を備えて多層ディスク構造とした上で、上記第１の記録層以外の他の記録層における反射膜に対してのみレーザ光の照射に伴うマークを形成する。従来の構成のように基板に対してマーク形成痕が与えられないので、基板表面を表出させてその物理形状を転写することによる海賊版ディスクの製造を防止することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピット面が形成されたピット転写基板と、上記ピット転写基板の上記ピット面上に成膜された反射膜とが備えられて第１の記録層が形成されると共に、
上記第１の記録層における上記反射膜の上層においてピット面を形成するために設けられるものであってピットパターンを転写できる程度に軟質とされ且つ転写されたピットパターンの形状を保持できる程度に硬質となるように変質可能な変質性材料で構成されてピット面が形成されたピット転写中間層と、このピット転写中間層の上記ピット面に対して成膜される透過性を有する反射膜と、による組が少なくとも１組以上備えられることで、ピットにより情報が記録される記録層を２層以上備えるようにされた光ディスク記録媒体であって、
上記第１の記録層以外の他の記録層における反射膜に対してのみレーザ光の照射に伴うマークが形成されている、
ことを特徴とする光ディスク記録媒体。
【請求項２】
上記ピット転写中間層は、紫外線硬化樹脂で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク記録媒体。
【請求項３】
上記ピット転写中間層とそのピット面に対して成膜された反射膜とによる組が１組のみ備えられて、上記ピットにより情報が記録される記録層を２層のみ備えるようにされる、
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク記録媒体。
【請求項４】
上記ピット転写中間層とそのピット面に対して成膜された反射膜とによる組が２組以上備えられて、上記ピットにより情報が記録される記録層を３層以上備えるようにされる、
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク記録媒体。
【請求項５】
上記マークが、上記ピット転写中間層のピット面とそこに成膜された反射膜とにより形成される記録層のうち、上記第１の記録層から最も離れた記録層における反射膜上に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光ディスク記録媒体。
【請求項６】
ピット面が形成されたピット転写基板と、上記ピット転写基板の上記ピット面上に成膜された反射膜とが備えられて第１の記録層が形成されると共に、上記第１の記録層における上記反射膜の上層においてピット面を形成するために設けられるものであってピットパターンを転写できる程度に軟質とされ且つ転写されたピットパターンの形状を保持できる程度に硬質となるように変質可能な変質性材料で構成されてピット面が形成されたピット転写中間層と、このピット転写中間層の上記ピット面に対して成膜される透過性を有する反射膜と、による組が少なくとも１組以上備えられることで、ピットにより情報が記録される記録層を２層以上備えるようにされた光ディスク記録媒体を生成するディスク生成工程と、
上記ディスク生成工程により生成した上記光ディスク記録媒体における上記第１の記録層以外の他の記録層に対してレーザ光の照射を行うことで、上記第１の記録層以外の他の記録層における反射膜に対してのみ上記レーザ光の照射に伴うマークを形成する情報追記工程と、
を少なくとも備えることを特徴とする光ディスク製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク記録媒体として特にピットにより情報が記録される記録層を複数備える光ディスク記録媒体と、そのような光ディスク記録媒体を製造するための光ディスク製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク記録媒体として、特に再生専用のＲＯＭディスクは、１つのスタンパからプラスチックの射出成形によって短時間で大量のレプリカ基板を安価に製造可能であることからパッケージメディアとして世界中で利用されている。例えばＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等は、音楽や映像等の情報を記録するＲＯＭディスクとして広く一般に普及している。
【０００３】
従来より、このようにパッケージメディアとして販売されるＲＯＭディスクを基にその記録データを違法コピーしたいわゆる海賊版ディスクが作成されており、著作権の侵害が問題となっている。
一般的に海賊版ディスクは、正規版ディスクから再生した信号を基にマスタリング工程によりスタンパを作成して複製ディスクを製造するようにして作成される。或いは正規版ディスクから再生した信号を記録可能なディスクにコピーすることで作成される。
【０００４】
海賊版ディスク製造防止のためには種々の技術が提案されているが、その１つとして、例えばディスクごとに異なる識別情報を付加する技術が知られている。このようにディスク個々に異なる識別情報を付加することで、再生装置側が上記識別情報を読み取ってこれをネットワーク経由で外部のサーバ装置に送信するといったシステムを構築することができる。このようなシステムを用いれば、例えば海賊版ディスクが作成・販売された場合には上記サーバ装置にて同一の識別情報が大量に検出されるので、海賊版ディスクの存在を検知することができる。さらに、検出された識別情報を送信してきた再生装置を特定することで、海賊版業者を特定できる可能性もある。
【０００５】
但し、このようにディスク個々に固有となる識別情報であっても、市販のドライブ装置で簡易にコピーできないようにして記録されていることが、著作権保護として有用である。
そこで、例えば下記の特許文献１では、上記識別情報を、ディスクの反射膜にマークを形成して微少な反射率変化を与えることで記録するもとしている。すなわち、この特許文献１に記載のディスクでは、ピット及びランドの組み合わせにより主のデータ（コンテンツデータや管理情報等）が記録されると共に、所定のピット又はランド上の反射膜に対して微少な反射率変化を与えるマークを形成することで、上記主のデータ以外の副のデータを記録するようにされている。
【０００６】
反射膜に対するマークの記録は、再生時のレーザパワーよりも高い記録パワーによるレーザ照射により行われる。このとき、マークによる反射率変化は微少なものとなるようにされて、ピット・ランドの組み合わせにより記録される主データの再生に影響を与えることがないようにされている。すなわち、これによって主データについての通常の再生動作では副データが再生されないようになっている。
副データ自体の再生は、別途の再生系を設けて、主データの再生信号中のこのような微少な反射率変化が与えられた部分を多数サンプリングしてこれらの例えば積分値を求める等して行うことができる。
この場合、副データの記録装置側と再生装置側との間で予め定められた所定のアルゴリズムによって、副データの各値を挿入すべき位置が決定される。これにより、正規の再生装置では記録時に用いたものと同様のアルゴリズムを用いて各値が記録される位置を特定できるため、適正に副データとしての識別情報を再生することができる。
【０００７】
【特許文献１】特許第３４５４４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記説明では、海賊版ディスクとしては正規版のＲＯＭディスクの再生信号から作成されることを前提としたが、他の手法として、ＲＯＭディスクの基板の物理的形状をそのまま転写してスタンパを作成する手法も考えられる。
具体的には、ディスクのカバー層、反射膜を基板から剥離することで、基板に形成されたピット及びランドの形状を表出させる。そして、このように表出させた凹凸形状を物理的に転写することで、ディスクに記録された内容を複製するといったものである。
【０００９】
上記特許文献１に記載のディスクでは、反射膜に対して形成したマークによりディスク個々の識別情報を記録するものである。これによれば、上記のようにして基板からカバー層と反射膜を剥離させる必要のある物理的転写の手法では、反射膜に形成されたマーク（識別情報）までを転写することができないことになるので、海賊版ディスクの製造を防止できると考えられる。
【００１０】
例えば、一般的に反射膜としては、スパッタリング法などによって基板との密着性が非常に強くなるように成膜されており、またその膜厚も数十ｎｍ程度と非常に薄いものとされていることから、基板の凹凸形状を傷つけずにこれを削ぎ取ることは極めて困難となる。そこで反射膜の剥離には溶剤を用いるようにされるのであるが、このように溶剤を用いた場合は反射膜自体が溶けてしまうので、そこに形成された副データとしてのマークまでは転写することはできず、結果として海賊版ディスクの製造が防止されると考えられるものである。
【００１１】
しかしながら、上述のようにして反射膜に対するマークの記録は、比較的高出力なレーザの照射により行われる。このような高出力なレーザ照射によっては、例えばマークを記録する部分での媒体温度が上昇することで例えば熱膨張等が生じ、基板に変形を与えてしまう可能性がある。
つまりは、反射膜にのみ形成されるべきマークが、基板に対して物理的に転写されてしまう可能性があり、さらにこの基板が物理的に転写されることで主データと共に副データまでが複製されてしまう可能性がある。
【００１２】
このことについて、次の図１３を参照して説明する。
先ず、図１３（ａ）では、上述のようにして反射膜に対してマークが形成された光ディスク記録媒体の断面構造を示している。
図示するようにして、この場合の光ディスク記録媒体は、スタンパの転写によってピット面が形成されたピット転写基板１０１と、このピット転写基板１０１の上記ピット面に対して成膜された反射膜１０２と、さらにその上層に積層されたカバー層１０３を少なくとも備えるようにされている。ピット転写基板１０１と反射膜１０２との間に形成される凹凸の断面形状が、ピットとランドの組み合わせにより主データが記録される部分である。
そして、上述もしているように、所定のピット又はランド上の反射膜に対して、副データとしてのマークが記録される（図中Ｘ）。図の例では、所定のランド上の反射膜に対してマークが記録される例を示している。
【００１３】
上記のようにして、副データとしてのマークの記録時には、比較的高出力なレーザが反射膜１０２に対して照射されることで、マークの形成箇所Ｘではその温度上昇に伴う熱膨張等による変形が生じる可能性がある。
この変形に伴い、ピット転写基板１０１の反射膜１０２と接する面には凹形状の窪みが転写されてしまう。つまり、この場合においてカバー層１０３、反射膜１０２を剥離して基板１０１を表出させると、図１３（ｂ）に示されるようにして、基板１０１の表面には反射膜１０２にのみ形成されるべきマークに応じた凹形状が転写されたものとなる。
【００１４】
転写された凹形状部分は、他のランド部分に対して反射率が微少に低下する部分となる。つまりは、このような基板１０１の凹形状がそのまま転写されて作成されたレプリカ基板としては、副データとしてのマークをそのまま再現したものとなってしまう。
そして、このようなレプリカ基板について通常の製造工程と同様に反射膜及びカバー層の積層を行えば、正規版のディスクに記録された主データと副データとをそっくりコピーした海賊版ディスクを製造することができてしまうものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
そこで、本発明では以上のような問題点に鑑み、光ディスク記録媒体として以下のように構成することとした。
すなわち、本発明の光ディスク記録媒体は、ピット面が形成されたピット転写基板と、上記ピット転写基板の上記ピット面上に成膜された反射膜とが備えられて第１の記録層が形成されると共に、上記第１の記録層における上記反射膜の上層においてピット面を形成するために設けられるものであってピットパターンを転写できる程度に軟質とされ且つ転写されたピットパターンの形状を保持できる程度に硬質となるように変質可能な変質性材料で構成されてピット面が形成されたピット転写中間層と、このピット転写中間層の上記ピット面に対して成膜される透過性を有する反射膜と、による組が少なくとも１組以上備えられることで、ピットにより情報が記録される記録層を２層以上備えるようにされた光ディスク記録媒体であって、
上記第１の記録層以外の他の記録層における反射膜に対してのみレーザ光の照射に伴うマークが形成されているものである。
【００１６】
また、本発明では光ディスク製造方法として以下のようにすることとした。
つまり、ピット面が形成されたピット転写基板と、上記ピット転写基板の上記ピット面上に成膜された反射膜とが備えられて第１の記録層が形成されると共に、上記第１の記録層における上記反射膜の上層においてピット面を形成するために設けられるものであってピットパターンを転写できる程度に軟質とされ且つ転写されたピットパターンの形状を保持できる程度に硬質となるように変質可能な変質性材料で構成されてピット面が形成されたピット転写中間層と、このピット転写中間層の上記ピット面に対して成膜される透過性を有する反射膜と、による組が少なくとも１組以上備えられることで、ピットにより情報が記録される記録層を２層以上備えるようにされた光ディスク記録媒体を生成するディスク生成工程を備える。
そして、上記ディスク生成工程により生成した上記光ディスク記録媒体における上記第１の記録層以外の他の記録層に対してレーザ光の照射を行うことで、上記第１の記録層以外の他の記録層における反射膜に対してのみ上記レーザ光の照射に伴うマークを形成する情報追記工程を備えるようにしたものである。
【００１７】
このようにして本発明では、ピット面が形成されたピット転写中間層を設けて、そのピット面上に反射膜を成膜して記録層を形成することで、上記ピット転写基板による第１の記録層とは別にピットにより情報が記録される記録層を形成して多層ディスクを実現している。
その上で本発明は、副データとしてのマークについては、上記第１の記録層以外の他の記録層のみに形成するものとしている。すなわち、これによれば、第１の記録層の反射膜上に対してはマークが形成されないので、従来のようにマーク形成に伴う基板の変形は生じないようにすることができる。つまりこの点で、基板の凹凸形状を表出させて物理的転写を行うことによる海賊版ディスクの製造を防止することができる。
但し、このような構成とした場合、マークが形成されることで上記ピット転写中間層に対してマーク形成に応じた断面形状の変形が与えられる可能性がある。しかしながら、このピット転写中間層としては、上記のようにしてピットパターンの転写ができる程度に軟質とされ且つ転写されたピットパターンの形状を保持できる程度に硬質となるように変質可能な変質性材料が選定される。このような変質性材料とされれば、その厚みを薄く形成してもピット転写形状を保持することができる。すなわち、このような変質性材料が選定されていることで、ピット転写中間層としては、その厚みを例えばピット転写基板との比較では相当に薄く形成することができる。
このように厚みを薄くできることで、ピット転写中間層の上に成膜された反射膜をその下層のピット面形状を損なわずに剥離することは、ピット転写基板上の反射膜について同様に剥離する場合よりも極めて困難なものとすることができる。すなわち、このことにより、ピット転写中間層についてそのピット面形状を表出させてマーク形成痕も含めて物理的転写を行って海賊版ディスクを製造することを、極めて困難なものとすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
このようにして本発明によれば、ピットにより情報が記録される記録層を有し、且つ記録層の反射膜上にレーザ光照射に伴うマークが形成されて例えば著作権保護などのための情報が追記される光ディスク記録媒体について、その海賊版ディスクの製造を効果的に防止することができる。
【００１９】
また、上記本発明の光ディスク製造方法によれば、このようにして海賊版ディスクの製造を効果的に防止することのできる光ディスク記録媒体を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下実施の形態とする）について説明していく。
図１は、実施の形態の光ディスク記録媒体としての光ディスク１０の断面構造図である。
実施の形態の光ディスク１０は、再生専用のＲＯＭディスクであり、具体的にはブルーレイディスク(Blu-Ray Disc：登録商標)と称されるディスクに準拠したディスク構造及びフォーマットが採用されたものとなる。また、実施の形態の光ディスク１０としては、ピット（及びランド）により情報が記録される記録層を複数備えた多層ディスクとされる。
【００２１】
図１において、光ディスク１０には、図示するようにしてその片面にピット面が形成されたピット転写基板１と、このピット転写基板１における上記ピット面側に対して成膜された第１反射膜２と、第１反射膜２上に形成され且つ第１反射膜２との接面とは逆側の面にピット面が形成されたピット転写中間層３と、ピット転写中間層３の上記ピット面に対して成膜された第２反射膜４と、第２反射膜４上に形成された例えば紫外線硬化樹脂などによるカバー層５とが備えられる。
【００２２】
先ず、上記ピット転写基板１は、例えばポリカーボネートやアクリル等による透明樹脂基板であり、そのピット面にとしては図示するように凹凸の断面形状が与えられたものとなる。凹状の断面部はピットであり、ピットの形成されない他の部分（凸状の断面部）はランドである。
ピット面においては、これらピットとランドの組み合わせ、具体的にはピットとランドのそれぞれの長さにより情報が記録される。
【００２３】
そして、第１反射膜２としても、このようなピット転写基板１のピット面における凹凸断面形状に応じた凹凸断面形状が与えらることになる。再生時においては、図示する対物レンズの方向からレーザ光が第１反射膜２上に合焦するように照射されることで、当該第１反射膜２の凹凸形状に応じた反射光が対物レンズ側に信号光として戻るようにされる。後述する副データ記録装置２０及び再生装置５０側では、照射したレーザ光のこの第１反射膜２からの反射光に基づき、上記ピット転写基板１のピット（及びランド）により記録される情報を検出することができる。
【００２４】
なお、ここでは、このようにピット面にて記録された情報がその上に成膜される反射膜に照射されるレーザ光の反射光に基づき検出されるという観点から、ピット面とその上に成膜される反射膜とで記録層が形成されているものとして捉える。
具体的に、上記ピット転写基板１のピット面とその上に成膜される第１反射膜２とにより形成される記録層については、図示するようにして第１記録層Ｌ0と呼ぶ。
【００２５】
また、この場合はピット転写中間層３にピット面が形成されることで、その上に成膜される上記第２反射膜４としても、このようなピット転写中間層３のピット面の断面形状に応じた凹凸形状が与えられている。すなわち、これらピット転写中間層３のピット面とその上に成膜された第２反射膜４とによっても記録層が形成される。このようにピット転写中間層３のピット面とその上に成膜された第２反射膜４とにより形成される記録層については、図示するように第２記録層Ｌ1と呼ぶ。
【００２６】
この場合、図示する対物レンズ側から再生のためのレーザ光が照射されるので、第１記録層Ｌ0に対しては、上記第２記録層を介してレーザ光が照射されるべきものとなる。このため、上記第２反射膜４としては、或る程度の透過率を有するようにされる必要がある。また、逆に第１記録層Ｌ0については、第１反射膜２からの上記第２反射膜４を介して得られる反射光を信号光として得なければならないので、第１反射膜２の反射率は高めとなるようにされるべきものとなる。
これらを考慮すると、光ディスク１０のような多層ＲＯＭディスクに用いる反射膜としては、十分な反射率と透過率とが確保される必要がある。本例では、ブルーレイディスクを想定しており、レーザ光としては青色レーザ光（例えば波長λ＝４０５nm）を用いるものとされる。このような波長域によるレーザ光照射に対し十分な反射率と透過率が得られる材料として、本例では第１反射膜２と第２反射膜４とについて、例えば銀合金を用いるようにされている。
【００２７】
また、第１記録層Ｌ0と第２記録層Ｌ1に記録された信号をそれぞれ同様に読み出すにあたっては、それらからの反射光は同等の光量を有するようにされる必要がある。
この場合、上記のようにして各反射膜（２，４）は共通の材料を用いるようにされているので、各反射膜からの反射光量の調整はその膜厚を調整することで行うようにされる。
つまり、第１反射膜２としては、第２反射膜４との比較で高反射率（低透過率）が得られるようにその膜厚設定が為される。また第２記録層４としては、第１記録層２との比較で低反射率（高透過率）となるようにその膜厚設定が為されている。これによって第１反射膜２にレーザ光のフォーカスが合わされたときにこの反射膜２で反射され第２反射膜４を透過して得られる反射光の光量と、第２反射膜４にレーザ光のフォーカスが合わされたときに当該反射膜４にて反射されて得られる反射光の光量とが同等となるように調整されている。
【００２８】
ここで、上記ピット転写中間層３としてはピット面を形成するようにされるので、ディスク製造工程において後述するようにスタンパにより転写されたピットパターン形状を保持できるようにその材料が選定される。
すなわち、成膜時においてはピットパターンの転写ができる程度に軟質とされ、且つピットパターンが転写されたときにその形状を保持できる程度に硬質となるように変質可能な変質性材料を用いるようにされている。
本実施の形態の場合、このような変質性材料としてはＵＶ硬化材料（紫外線硬化材料）を用いるようにされる。より具体的には、例えばレジンなどの紫外線硬化樹脂を用いるようにされている。
【００２９】
この場合、ピット転写中間層３としては、後述もするが変質性材料としてのＵＶ硬化樹脂を例えばスピンコート法などによって第１反射膜２上に対して塗布し、この塗布されたＵＶ硬化材料に対しスタンパによりピットパターンを転写した後に、上記ピット転写基板１側から紫外線照射を行って硬化させることで形成される。
このように変質性材料を用いれば硬質に変質可能となるので、転写されたピットパターンの形状は有効に保持することができる。このため、ピット転写中間層３としては、その厚みはポリカーボネート等により形成される上記ピット転写基板１と比較すれば非常に薄く形成することができる。
【００３０】
なお、このようにして多層ディスクにおいて形成されるピット転写中間層３としては、ディスク規格の都合からも、上記のようにその厚みを薄くするようにされる必要がある。
例えば本例の場合において想定するブルーレイディスクの場合、規格上、ディスクの厚みはおよそ１．２ｍｍ程度と定められている。すなわち、記録層が単層とされる場合も多層とされる場合もディスク厚みはこの１．２ｍｍ程度の規格範囲に収まるようにされることが要請される。
本例の場合の光ディスク１０において、ピット転写基板３の厚みは１．１ｍｍ程度に設定されている。このことから、多層ディスクの場合は、残りの約０．１ｍｍの厚みで第１記録層以外の記録層とカバー層５を形成する必要がある。そこで多層ディスクにおいて形成されるべきピット転写中間層３としては、例えばピット転写基板１よりは相当に薄く形成することが必要であることになる。この場合、ピット転写中間層３の厚みは少なくとも３０μｍ以下とされればよく、本例では例えば２５μｍ程度に設定している。
【００３１】
そして、本実施の形態では、このようにして記録層を多層有する光ディスク１０について、上記第２記録層Ｌ1における第２反射膜４上に対し、レーザ光の照射によりマークＭを形成するものとしている。すなわち、従来の如くピット転写基板１上の第１記録層Ｌ0の第１反射膜２に対してマークＭを形成するのではなく、第１記録層Ｌ0以外の他の記録層における反射膜上に対してレーザ光照射によるマークＭを形成するものとしている。
【００３２】
このようにして本実施の形態の光ディスク１０では、例えば著作権保護情報などとしての副データを、ピット転写基板１に形成されたピット面と第１反射膜２とによる第１記録層Ｌ0ではなく、それ以外の他の記録層（この場合は第２記録層Ｌ1）のみに形成したマークＭにより記録することができる。つまり、当該光ディスク１０では、第１記録層Ｌ0における第１反射膜２上に対してはマークＭが形成されないので、従来のようにマーク形成に伴うピット転写基板１の変形は生じないようにすることができる。つまりこの点で、ピット転写基板１の凹凸断面形状を表出させて物理的転写を行うことによる海賊版ディスクの製造を防止することができる。
【００３３】
但し、このような構成とした場合、マークＭが形成されることで上記ピット転写中間層３に対してマーク形成に伴う断面形状の変形が与えられる可能性があることになる。
しかしながら、このピット転写中間層３としては、上述もしたように変質性材料により構成したことでその厚みは非常に薄くすることができる。このように厚みを薄くできることで、当該ピット転写中間層３に形成されたピット面を損なわずにその上の反射膜４を剥離することは、ピット転写基板１上の反射膜２について同様に剥離する場合よりも極めて困難なものとすることができる。すなわち、このことにより、この場合においてピット転写中間層３のピット面の形状を表出させて、マーク形成痕も含めた物理的転写を行って海賊版ディスクを製造することは、極めて困難なものとすることができる。
この結果、本実施の形態の光ディスク１０によれば、その海賊版ディスクの製造を効果的に防止することができる。
【００３４】
また、先にも述べたようにピット面に対する反射膜の成膜は例えばスパッタリング法などにより強固に固着されるように行われるため、反射膜を剥がすには溶剤を使用することが考えられる。
このような溶剤が使用された場合、その下地がポリカーボネイト等で強度のある基板であれば、ピット面を損なわずに反射膜を剥離することは比較的容易となるが、本例の場合のピット転写中間層３のように非常に薄く形成された下地である場合、溶剤を用いたとしても剥離作業中にその形状が損なわれ易くすることができる。すなわち、これによって溶剤を用いた手法による海賊版ディスクの製造についてもそれを効果的に防止することができる。
【００３５】
また、特に実施の形態の如く例えばレジンなどのＵＶ硬化樹脂を用いれば、より確実に溶剤剥離による海賊版ディスク製造の防止を図ることができる。
つまり、実施の形態において選定される銀合金による反射膜を溶融可能な溶剤を用いて反射膜を剥離する実験を行ったところ、レジンも共に溶融してしまうことを確認した。すなわち、このように銀合金を反射膜とする場合においてピット転写中間層３にレジンを用いる本例では、溶剤を用いた剥離を行う場合、ピット面の断面形状を維持しつつ剥離を行うことをさらに困難とすることができる。すなわち、上記のようにしてピット転写中間層３の厚みが非常に薄くされたことによる剥離の困難性と合わせて、より強固に物理的転写による海賊版ディスクの製造防止を図ることができる。
【００３６】
また、図１に示した本実施の形態の光ディスク１０のように、多層ディスクにおいて基板１上の第１記録層Ｌ0以外の他の記録層の反射膜（ここでは第２記録層Ｌ1における第２反射膜４）に対してマークＭの形成による副データの追記を行うことによっては、マークＭの形成に必要なレーザパワーは低く設定することができる。
すなわち、図１に示す光ディスク１０において、基板１上の第１記録層Ｌ0を対象としてマークＭによる副データの記録を行うとした場合には、レーザ光は第２記録層Ｌ1における反射膜４を透過させて照射せねばならず、このことで記録に必要なレーザパワーは第２記録層Ｌ1を対象とする場合よりも多く要するものとなる。このことから、本例のように基板１上の第１記録層Ｌ0以外の他の記録層の反射膜に対してマークＭの形成による副データの追記を行うことによっては、その分記録に必要なレーザパワーを低くすることができる。
【００３７】
レーザパワーを多く要する場合、当然のことながら高出力のレーザ発光素子を用いることになるが、高出力なレーザ発光素子ほどそのサイズは大型化し、また価格も高くなる。上記のようにしてレーザパワーが抑えられれば、レーザ発光素子としても比較的低出力な素子を用いることができ、これによってレーザ発光素子の大型化を抑制できまた製造に要するコストについても削減できる。
【００３８】
続いて、図２は、図１に示した光ディスク１０の製造工程（製造方法）について説明するための図である。
光ディスク１０を製造するにあたっては、先ず図中のフォーマット化工程Ｓ１１を実行するようにされる。このフォーマット化工程Ｓ１１は、例えばコンピュータ等を用いて行うことになる。
このフォーマット化工程Ｓ１１では、光ディスク１０に対して記録されるべきコンテンツデータ（ユーザデータ）について、所定の規格に応じたフォーマットデータ列が得られるように変換動作を行う。すなわち、実施の形態の場合は、後の図３にて説明するようなブルーレイディスクの規格に応じたデータ列が得られるように変換動作を行う。また、実際には、ユーザデータに対する誤り検出符号及び誤り訂正符号の付加、インターリーブ処理、アドレス情報の付加処理等も行うようにされる。
【００３９】
可変長変調工程Ｓ１２では、フォーマット化工程Ｓ１１により生成されたデータ列に対して可変長変調処理を施す。実施の形態の場合では、ＲＬＬ（１，７）ＰＰ（Parity preserve/prohibit、ＲＬＬ：Run Length Limited）変調処理及びＮＲＺＩ（Non Return to Zero Inverse）変調処理を施すことになる。この可変長変調工程Ｓ１２により得られたデータ列の”０””１”パターンが、実際に光ディスク１０に対して形成されるピットとランドのパターンとなる。
このようにユーザデータについてフォーマット化、可変長変調処理が施されて得られたデータを、ここでは主データと呼ぶ。
【００４０】
続いて、原盤生成工程Ｓ１３を行う。原盤生成工程Ｓ１３は、マスタリング装置を用いて行う。
特に、この場合の原盤生成工程Ｓ１３としては、記録層が２層とされる光ディスク１０を生成することに対応させて、それぞれ第１記録層Ｌ0に形成されるべきピットパターンを転写するための原盤（第１記録層用金属原盤Ｄ１-1）と第２記録層Ｌ1に形成されるべきピットパターンを転写するための原盤（第２記録層用金属原盤Ｄ１-2）との２枚を生成するようにされる。
具体的に、第１記録層用金属原盤Ｄ１-1の生成にあたっては、先ずガラス原盤に対してフォトレジストを塗布する。そして、このようにフォトレジストが塗布されたガラス原盤を回転駆動した状態で上記可変長変調工程Ｓ１２にて生成した主データのうち、第１記録層Ｌ0に対して記録されるべきデータに応じてレーザ光を照射する。これによって上記レジスト上に、記録トラックに沿って第１記録層Ｌ0に記録されるべきデータに応じた凹凸のパターン（つまりピットとランド）を形成する。
次いで、このようにピットとランドが形成されたレジストを現像処理することでガラス原盤上に定着させ、さらに原盤表面に対して電解メッキを施すことで、第１記録層用金属原盤Ｄ１-1を生成する。
【００４１】
また、第２記録層用金属原盤Ｄ１-2については、レジストに対するレーザ光照射として、上記可変長変調工程Ｓ１２にて生成した主データのうち第２記録層Ｌ1に対して記録されるべきデータに応じたレーザ光照射を行う以外は、上記第１記録層用金属原盤Ｄ１-1の生成手順と同様の手順を行って生成する。
【００４２】
そして、このように生成された第１記録層用金属原盤Ｄ１-1と第２記録層用金属原盤Ｄ１-2とを用いて、ディスク生成工程Ｓ１４を行う。
ディスク生成工程Ｓ１４では、先ず上記第１記録層用金属原盤Ｄ１-1をもとに第１記録層用のスタンパを作成する。また、同様に第２記録層用金属原盤Ｄ１-2をもとに第２記録層用のスタンパを生成する。
そして、先ずは上記第１記録層用のスタンパを成形金型内に配置して、射出成型機を用いてポリカーボネートやアクリル等の透明樹脂によりピット転写基板１を生成する。そして、このピット転写基板１に対して、この場合は銀合金による第１反射膜２を例えばスパッタリングや蒸着等により成膜する。  
【００４３】
さらに、上記ピット転写基板１上に成膜された第１反射膜２に対して、変質性材料としてのＵＶ硬化樹脂（この場合はレジン）を例えばスピンコート法などで一定厚となるように塗布する。そこに上記第２記録層用のスタンパを押し当て、上記ピット転写基板１側から紫外線照射を行って上記変質性材料としてのレジンを硬化させる。これによって第１反射膜２上には、図１に示したようなピット面が形成されたピット転写中間層３が設けられるもとなる。
そして、このピット転写中間層３から上記第２記録層用のスタンパを外した上で、当該ピット転写中間層３のピット面上に対し、例えば銀合金とされる第２反射膜４をスパッタリングや蒸着等で成膜し、その上にカバー層５として、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法などで塗布して紫外線照射を行ってこれを硬化させる。
これによって図１に示したようなピット転写基板１→第１反射膜２→ピット転写中間層３→第２反射膜４→カバー層５の順で積層された構造による光ディスク記録媒体が生成される。すなわち、第１記録層Ｌ0と第２記録層Ｌ1として、ピットの形成により先の可変長変調工程Ｓ１２を介して生成された主データのみが記録された光ディスク記録媒体（以下、主データ記録ディスクＤ２、又は単にディスクＤ２とも呼ぶ）が生成される。
【００４４】
続いて、副データ追記工程Ｓ１５を実行する。
この副データ追記工程Ｓ１５は、上記ディスク生成工程Ｓ１４により生成された主データ記録ディスクＤ２に対し、例えば著作権保護情報としての副データを追記するための工程である。
【００４５】
本実施の形態の場合、上記副データとしては、そのデータ内容部分となる実データとして、主データ記録ディスクＤ２個々にユニークとなるシリアル番号情報を記録するものとしている。すなわち、これによって当該副データ追記工程Ｓ１５により生成される各光ディスク１０としては、その光ディスク１０に固有の識別情報（識別番号）が付加されることになる。
また、副データとしては、上記実データとしての識別情報に加え、この場合はエラー訂正符号も付加するようにされる。このエラー訂正符号が付されることで、再生時に上記識別情報についてのエラー訂正処理を行うことが可能となる。
【００４６】
そして、上記副データとしては、後述するようにしてそれを追記すべきアドレス区間が予め定められている。なお、この場合、副データとしてのマークＭは第２記録層Ｌ1を対象として記録するので、このようなアドレス区間としては少なくとも第２記録層Ｌ1上のアドレス区間が設定される。さらに、このような副データを追記すべき区間においては、副データを構成する各値を特定の位置に対して挿入するようにされている。
副データ追記工程Ｓ１５では、これらの条件が満たされるようにして、主データ記録ディスクＤ２に対する記録パワーによるレーザ光照射を行ってマークＭの形成による副データの追記を行うようにされる。
この副データ記録工程Ｓ１５としては、後の図４にて説明する副データ記録装置２０によって行われることになる。
【００４７】
なお、上記副データとして、この場合は識別情報とエラー訂正符号のみを含むものとするが、他のデータを付加することもできる。
【００４８】
図３は、上記製造工程により製造される光ディスク１０（主データ記録ディスクＤ２）に記録される主データのデータ構造について示している。
先ず、図示するようにしてＲＵＢと称される１つの記録単位が定義される。１つのＲＵＢは、１６個のアドレスユニット（図中「sector」）と２つのリンキングフレームから成るようにされる。リンキングフレームは、各ＲＵＢ間の緩衝領域として設けられている。
１アドレスユニットは、この場合１つのアドレス単位を形成する。
そして、それぞれのアドレスユニットは、図示するようにして３１個のフレームから成る。さらに１つのフレームは１９３２チャンネルビットのデータから成る。
実施の形態で例示しているブルーレイディスクにおいて、主データはＲＬＬ（１，７）ＰＰ変調ルールに従ったものとなるで、符号”０”と”１”との連続数（つまりピット長とランド長）は何れも２Ｔ（チャンネルビット）から８Ｔの長さに制約されている。
各フレームの先頭に位置するｓｙｎｃでは、この変調ルールに従わない９Ｔによる連続符号が挿入されて再生時のフレーム同期信号の検出に用いられる。
【００４９】
図４は、主データ記録ディスクＤ２に対して上述した副データを追記するための副データ記録装置２０の内部構成を示すブロック図である。
先にも説明したように副データとしては、その実データ内容として各光ディスク１０に固有となる識別情報を記録するものとしている。従ってこの副データ記録装置２０の動作としては、装填される光ディスク１０ごとに異なるパターンによる副データを記録するようにされる。
また、副データは、上述もしたように主データ記録ディスクＤ２上において予めこれを記録する区間が定められ、さらにこの区間内においてそれぞれのマークＭを挿入する位置も予め定められている。副データ記録装置２０としては、このような予め定められた特定の位置にマークＭが記録できるように構成されている。
【００５０】
図４において、先ず主データ記録ディスクＤ２は、図示されないターンテーブルに載置された状態でスピンドルモータ２１によって所定の回転駆動方式に従って回転駆動される。このように回転駆動されるディスクＤ２に対し、図示する光ピックアップＯＰが記録信号（主データ）の読み出しを行う。
この光ピックアップＯＰには、図示するようにしてレーザ光源となるレーザダイオードＬＤ、レーザ光をディスクＤ２の記録層（この場合は特に第２記録層Ｌ1）に集光・照射するための対物レンズ２２、ディスクＤ２からの上記レーザ光照射に基づく反射光を検出するフォトディテクタＰＤ等が備えられている。
【００５１】
上記光ピックアップＯＰ内のフォトディテクタＰＤによって検出された反射光情報は、ＩＶ変換回路２３にて電気信号に変換された後、マトリクス回路２４に供給される。マトリクス回路２４は、ＩＶ変換回路２３からの反射光情報に基づいて再生信号ＲＦ、トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥを生成する。
【００５２】
サーボ回路２５は、マトリクス回路２４からのトラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥに基づき、２軸駆動回路２６が出力するトラッキングドライブ信号ＴＤ及びフォーカスドライブ信号ＦＤを制御する。これらトラッキングドライブ信号ＴＤ・フォーカスドライブ信号ＦＤは、光ピックアップＯＰ内にて対物レンズ２２を保持する２軸機構（図示せず）に対して供給され、これらの信号に基づき対物レンズ２２がトラッキング方向、フォーカス方向に駆動されるようになっている。
これらサーボ回路２５、２軸駆動回路２６、２軸機構によるトラッキングサーボ・フォーカスサーボ系において、上記サーボ回路２５が上記トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥに基づく制御を行うことで、ディスクＤ２に照射されるレーザ光のビームスポットがディスクＤ２に形成されるピット列（記録トラック）をトレースし且つ適正なフォーカス状態で維持されるように制御が行われるようになっている。
【００５３】
また、上記マトリクス回路２４にて生成された再生信号ＲＦは２値化回路２７に供給され、ここで”０””１”の２値化データに変換される。この２値化データは同期検出回路２８、及びＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路２９に対して供給される。
【００５４】
ＰＬＬ回路２９は、供給される２値化データに同期したクロックＣＬＫを生成し、これを必要な各部の動作クロックとして供給する。特に、このクロックＣＬＫは上記２値化回路２７、及び次に説明する同期検出回路２８、アドレス検出回路３０、及び副データ発生回路３１の動作クロックとしても供給される。
【００５５】
同期検出回路２８は、供給される２値化データから先の図３に示したフレームごとに挿入されるｓｙｎｃパターンを検出する。具体的には、この場合のｓｙｎｃパターンとされる９Ｔ区間を検出してフレーム同期検出を行う。
フレーム同期信号はアドレス検出回路３０を始めとした必要な各部に対して供給される。
【００５６】
アドレス検出回路３０は、上記フレーム同期信号と供給される２値化データとに基づき、アドレス情報の検出を行う。検出されたアドレス情報は当該副データ記録装置２０の全体制御を行う図示されないコントローラに供給されてシーク動作等に用いられる。また、このアドレス情報は、副データ発生回路３１における記録パルス生成回路３３に対しても供給される。
【００５７】
副データ発生回路３１は、図示するようにして記録パルス生成回路３３、ＲＡＭ（Randam Access Memory）３２を備えている。この副データ発生回路３１は、入力される副データ、及び上記アドレス検出回路３０から供給されるアドレス情報とＰＬＬ回路２９から供給されるクロックＣＬＫとに基づき、ディスクＤ２に対して記録されるべき副データを後の図５にて説明する形態により記録するための記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。
なお、この副データ発生回路３１による動作については後述する。
【００５８】
レーザパワー制御部３４は、上記副データ発生回路３１から出力される記録パルス信号Ｗｒｐに基づき、光ピックアップＯＰ内のレーザダイオードＬＤのレーザパワーを制御する。具体的にこの場合のレーザパワー制御部３４は、記録パルス信号ＷｒｐがＬレベルのときは再生パワーによるレーザ出力が得られるように制御する。また、記録パルス信号ＷｒｐがＨレベルのときは記録パワーとなるように制御を行う。
このレーザパワー制御部３４の制御によって記録パワーによるレーザ照射が行われることで、このレーザ光が第２反射膜４上集光されるように照射された場合には、第２反射膜４上におけるこのレーザ光が照射された部分にマークＭが形成されることになる。このように反射膜４に形成されるマークＭによってディスクＤ２上に副データが記録されることになる。
【００５９】
図５は、上記した副データ発生回路３１の動作によって実現しようとする副データの記録形態について説明するための図である。
この図５では、副データを構成する１ビットの符号として”０”を記録する場合と”１”を記録する場合のそれぞれの例を示している。
先ず、符号の表現方法としては、主データ中に存在する所定長のランドについて、隣接する奇数番目（ｏｄｄ）と偶数番目（ｅｖｅｎ）とを１組として考える。そして、これら所定長のランドの隣接する奇数番目と偶数番目の１組ごとについて、奇数番目に対してマークＭを記録した場合は符号”０”、偶数番目にマークＭを記録した場合は”１”と定義付ける。
この図５の例では、所定長ランドとして、５Ｔのランドに対してマークＭを記録する例を示している。
【００６０】
なお、ここではマークＭの記録対象をランドとしているがピット部分に対してマークＭを形成することもできる。
【００６１】
そして、この場合は、副データを構成する１ビットの符号の記録に割り当てる区間として、１アドレス単位となる１アドレスユニットを割り当てている。
つまり、この図に示されるようにして、１アドレスユニット内の隣接する奇数番目と偶数番目の所定長ランドの組ごとに、同一の符号を表現する形態でマークを記録していく。
具体的に、符号”０”を記録するとした場合は、図示するようにして１アドレスユニット内の所定長ランドの奇数番目のみにマークＭを記録するようにされる。
また、符号”１”を記録するとしたときは１アドレスユニット内の所定長ランドの偶数番目に対してのみマークＭを記録するようにする。
【００６２】
詳しくは後述するが、再生時においては、１アドレスユニット内の所定長ランドの隣接する奇数番目と偶数番目の組ごとに再生信号ＲＦについてサンプリングを行い、奇数番目でサンプリングした再生信号ＲＦの値から偶数番目でサンプリングした再生信号ＲＦの値を減算する（「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」）。
ここで、記録したマークＭの再生信号レベルがマーク未記録部分での再生信号レベルに比べ低くなるとすると、奇数番目にのみマークＭが記録された符号”０”の場合、このような「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の演算を行うと、理想的には隣接する所定長ランドごとに負の値が得られる。すなわち、このように各隣接する所定長ランドごとに演算された「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値を積分すると、確実に負の値が得られこれを検出することができる。
逆に、偶数番目にのみマークＭが記録される符号”１”の場合、隣接する所定長ランドごとに演算される「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値は理想的には正の値となる。従ってこれを積分することで確実に正の値が得られてこれを検出することが可能となる。
【００６３】
ここで、上記のように特定の区間にわたって同一の記録パターンを繰り返して記録し、再生時にはこれら複数の同一記録パターンに基づいて１つの値を判定するようにされていることで、マークＭの記録により与える反射率変化は微少なもので足ものとすることができる。このようにマークＭの記録に伴う反射率変化を微小なものとできることで、記録されたマークＭが主データの２値化処理に影響を与えないようにすることができる。
【００６４】
副データを構成する他の符号についても、上記と同様の手法によりマークＭを記録していく。
つまりこの場合、副データとしては、これを構成する符号と同数のアドレスユニットにわたって記録されることになる。
このように副データを記録する区間（以下、副データ記録対象区間とも呼ぶ）は、予め副データ記録装置２０と再生装置との間で定められている。従って副データ記録装置２０では、このように予め定められた副データ記録対象区間としての複数のアドレスユニットにわたって上述したマークＭの記録を実行するように構成されている。
【００６５】
ここで、上記の記録手法において、注意すべきは、所定長ランドに対して記録するマークＭがエッジ部分に対して記録されてしまった場合には、主データの２値化が適正に行われなくなってしまう可能正があるということである。すなわち、このようにして所定長ランドのエッジ部分にマークＭが記録された場合、マーク記録部分では反射率がその分低下する傾向となるので、２値化処理において誤ったランド長（又はピット長）が検出されてしまう可能性がある。
そこでマークＭとしては、記録対象となるランドの中央部に記録するものとしている。これによればエッジ部分は通常どおり得ることができるので、この点でも２値化処理に影響を与えないように図られている。
【００６６】
以上のような形態による記録動作が得られるように、図４に示した副データ発生回路３１内の記録パルス生成回路３３は、図５中に示されるようなタイミングによる記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。つまりは、符号”０”に対応しては、奇数番目の所定長ランドにおける中央部のみでＨレベルとなる記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。また符号”１”に対応しては偶数番目の所定長ランドにおける中央部のみでＨレベルとなる記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。
【００６７】
上記説明による記録手法を実現するための構成及び動作について、次の図６及び図７を用いて説明する。
先ず、上記もしているように、副データの記録は、予め定められたディスクＤ２上の副データ記録対象区間において行われるものである。特に本実施の形態の場合は、マーク形成による副データの追記を、第１記録層Ｌ0を対象としてではなくそれ以外の記録層を対象として行うので、副データ記録対象区間としては第２記録層Ｌ1上の所定のアドレス区間が設定されている。
【００６８】
ここで、このように定められた副データ記録対象区間において、先に説明したように各アドレスユニット内の所定長ランドの奇数番目或いは偶数番目にのみマークＭを記録するにあたっては、このような副データ記録対象区間内における各アドレスユニット内の主データの内容を把握する必要がある。
そこで、図４に示した副データ発生回路３１では、このような記録対象区間内の各アドレスユニットごとの主データの内容を、予めＲＡＭ３２内に格納しておくものとされる。
【００６９】
図６は、ＲＡＭ３２内のデータ構造を示している。
先ず、図示するアドレスは、副データ記録対象区間内の各アドレスユニットのアドレス情報を示している。そして、このアドレスごとに、それぞれのアドレスユニットで記録される主データの内容が格納されている。
なお、確認のために述べておくと、副データ記録装置２０としては、ディスクＤ２（光ディスク１０）の製造業者側で用いられる装置である。このため、上記のようにしてＲＡＭ３２に対し実際にディスクＤ２に記録される主データの内容を格納することができる。
【００７０】
また、このＲＡＭ３２に対しては、さらにアドレス対応にそのアドレスに記録すべき副データの値が格納される。ＲＡＭ３２への副データの各値の格納は、記録パルス生成回路３３によって行われる。記録パルス生成回路３３は、外部から供給される副データの各値を、副データ記録対象区間において先頭となるアドレスから順にＲＡＭ３２に格納していく。
【００７１】
このようにしてＲＡＭ３２に格納されるデータ内容により、記録パルス生成回路３３では、主データ中の所定長のランド部分を特定し、さらにその奇数番目と偶数番目を特定することができる。
また、これと共に、上記のようにしてアドレス対応に格納された副データの値を参照することで、特定された所定長ランドの奇数番目と偶数番目のうちマークＭを挿入すべき方を特定できる。
具体的に、そのアドレスに対応付けられて格納された値が”０”であった場合は、先の図５にて示したようにして、そのアドレスのアドレスユニット内では奇数番目の所定長ランドに対してマークＭを挿入すべきものとなり、また”１”であった場合は偶数番目に挿入すべきものとして認識することができる。
さらに、この場合マークＭは、上述もしたように記録対象ランドの中央部分に挿入すべきものとされている。従って、上記のように記録対象ランドを特定した上で、マークＭがそのランドの中央部に記録されるタイミングでＨレベルとなる記録パルス信号Ｗｒｐを生成するようにされる。
【００７２】
このような記録パルス信号Ｗｒｐの生成の具体例としては、先ず１アドレスユニット分のチャンネルビット数によるＡＬＬ０データを用意する。そして、このＡＬＬ０データについて、上記のように特定されるタイミングで符号”１”を挿入したデータ列を生成すればよい。つまりは、１アドレスユニット分のデータ列として、マークＭを挿入すべきビット位置のみが”１”とされ、それ以外がすべて”０”となるデータ列を生成する。
このようなデータ列に基づくことで、記録パルス生成回路３３は、先の図５において示したような然るべきマーク記録位置のタイミングでのみＨレベルとなる記録パルス信号Ｗｒｐをレーザパワー制御部３４に供給することができる。
【００７３】
続いて、図７のフローチャートを用いて、副データ記録装置２０にて行われる副データの記録動作についてより詳細に説明する。
先ず、ステップＳ１０１では、ディスクＤ２が装填される。また、ステップＳ１０２では副データが入力される。副データ記録装置２０に対して入力された副データは、図４においても示したように副データ発生回路３１に供給される。
先にも述べたように、ここで入力される副データとしては、ディスクＤ２（光ディスク１０）ごとに固有となる識別情報とエラー訂正符号とを含むデータとなる。
なお、ここでは副データの入力がディスクＤ２の装填後に行われるものとしているがこれらが前後しても構わない。
【００７４】
ステップＳ１０３においては、副データの各値をアドレスごとに格納する。
つまり、このステップＳ１０３の動作は、副データ発生回路３１内の記録パルス生成回路３３が入力された副データの各値を、先の図６に示したようにＲＡＭ３２に対してアドレスごとに格納する動作に相当する。
【００７５】
ステップＳ１０４では、アドレス値Ｎを初期値Ｎ0に設定する。
このステップＳ１０４は、記録パルス生成回路３３が、以下で説明するようにして各アドレスごとにデータ列を生成する動作を行うにあたり、内部のカウンタの値を初期値Ｎ0に設定する動作である。
【００７６】
ステップＳ１０５では、Ｎアドレスに記録すべき副データの値を判別する動作を行う。つまりこのステップＳ１０５の動作として、記録パルス生成回路３３は、ＲＡＭ３２内にアドレス対応に格納される副データの値のうち、上記したカウンタの値に基づく該当アドレスに対応付けられた値の”０””１”を判別する。
【００７７】
副データの値が”１”であったと判別した場合、記録パルス生成回路３３は、Ｎアドレス内の主データ中の所定長ランドについて、その偶数番目の中央部となる位置に”１”を挿入したデータ列を生成する（ステップＳ１０６）。
つまり、これによって１アドレスユニット分のチャンネルビット数によるデータ列として、上記のように偶数番目となる所定長ランドの中央部となるタイミングでのみ”１”となり、それ以外の符号がすべて”０”となるデータ列が生成される。
一方、副データの値が”０”であったと判別した場合、記録パルス生成回路３３は、Ｎアドレス内の主データ中の所定長ランドについて、その奇数番目の中央部となる位置に”１”を挿入したデータ列を生成する（ステップＳ１０７）。つまり、これによって１アドレスユニット分のチャンネルビット数によるデータ列として、上記のように奇数番目の所定長ランドの中央部となるタイミングでのみ”１”となり、それ以外の符号がすべて”０”となるデータ列が生成される。
先の説明からも理解されるように、このようなデータ列の生成は、記録パルス生成回路３３が、ＲＡＭ３２に各アドレス対応に格納される主データの内容に基づき、偶数番目或いは奇数番目の所定長ランドの特定、及びそのランドの中央部となるビット位置を特定することで行うことができる。
【００７８】
そして、このように１アドレスユニット分のデータ列を生成すると、記録パルス生成回路３３は、アドレスが終了したか否かについて判別する（Ｓ１０８）。つまり、副データ記録対象区間内の全てのアドレスユニットについて上記データ列の生成が完了したか否かを判別するものである。このステップＳ１０８動作は、記録パルス生成回路３３が先のステップＳ１０４にて初期値Ｎ0としたカウンタの値が予め設定された所定値に達したか否かについて判別することで行う。
カウンタの値が上記所定値に達していないとして否定結果が得られた場合は、アドレス値Ｎを１インクリメント（ステップＳ１０９）した後、先のステップＳ１０５に戻るようにされる。これによって副データ記録対象区間の全てのアドレスユニットについて上記データ列を生成する動作を行うようにされる。
【００７９】
ステップＳ１０８において、カウンタの値が上記所定値に達してアドレスが終了したとされた場合は、ステップＳ１１０において副データの記録が開始となる。
この副データの記録開始に応じては、先ず、第２記録層における副データ記録対象区間の先頭アドレスにシークする動作を行う（ステップＳ１１１）。このステップＳ１１１のシーク動作は、例えば副データ記録装置２０の全体制御を行うコントローラが、予め定めれた第２記録層Ｌ1上の副データ記録対象区間のアドレス情報に基づいて必要な各部を制御することで行うことができる。
【００８０】
そして、このように副データ記録対象区間の先頭アドレスへのシーク動作が行われたことに応じて、副データ発生回路３３は、先のステップＳ１０６、Ｓ１０７の動作によってアドレスユニットごとに生成したデータ列に基づく記録パルス信号Ｗｒｐを生成し、これをレーザパワー制御部３４に対して出力する（ステップＳ１１２）。このデータ列に基づく記録パルス信号Ｗｒｐの生成は、再生される主データとの同期がとられるようにクロックＣＬＫのタイミングに基づいて行う。
また、この記録パルス信号Ｗｒｐの出力は、アドレス検出回路３０から供給されるアドレス情報として、上記記録対象区間の先頭アドレスの情報が供給されたことをトリガとして開始する。
【００８１】
上記のように記録パルス生成回路３３にて上記データ列に基づいて生成される記録パルス信号Ｗｒｐとしては、図５に示したような然るべきタイミングでＨレベルとなる信号が得られる。従ってこの記録パルス信号Ｗｒｐに基づいてレーザパワー制御部３４がレーザダイオードＬＤのレーザ出力を再生パワーから記録パワーに制御することで、ディスクＤ２に対しては、入力された副データの値に応じた適正な位置にマークＭを記録することができる。
また、この際、このようなマーク記録が行われる副データ記録対象区間としては、第２記録層Ｌ1上のアドレス区間が設定される。これによって副データとしてのマークＭは、先の図１に示したようにして第２記録層Ｌ1の第２反射膜４上に対して形成されることになる。
【００８２】
なお、副データは外部から入力されるものとしたが、ディスクＤ２の装填ごとに新たなシリアル番号を生成する回路を設け、この回路から入力される識別情報に基づく副データをＲＡＭ３２に格納する構成とすることもできる。
【００８３】
また、図示による説明は省略するが、記録される主データの内容が同一となる、同一タイトルによるディスクＤ２については、ＲＡＭ３２内に格納する主データは同一内容のままで副データの記録を行うことができるが、異なるタイトルのディスクＤ２について副データを記録するときは、ＲＡＭ３２内に格納される主データの内容をそのディスクＤ２に記録される主データの内容に応じて更新するものとすればよい。
【００８４】
続いては、これまでの説明のようにしてマークＭの形成によって副データが追記される本実施の形態の光ディスク１０について再生を行う再生装置５０の構成について、次の図８のブロック図を参照して説明する。
なお、図８では、主に副データの再生に係る部分のみを抽出して示しており、主データの再生系の構成として特に２値化処理後段の復調系の構成については省略している。
【００８５】
この再生装置５０において、光ディスク１０は、図示されないターンテーブルに載置された状態でスピンドルモータ２によって所定の回転駆動方式に従って回転駆動される。この回転駆動される光ディスク１０に対し、この場合も図示する光ピックアップＯＰが記録信号（主データ）の読み出しを行う。
なお、図示は省略したが、この場合の光ピックアップＯＰにおいても、レーザ光源となるレーザダイオード、レーザ光を光ディスク１０の記録層に集光・照射するための対物レンズ、対物レンズをトラッキング方向及びフォーカス方向に変位可能に保持する２軸機構、光ディスク１０からの上記レーザ光照射に基づく反射光を検出するフォトディテクタ等が備えられている。
また、確認のために述べておくと、再生装置５０において光ディスク１０に照射するレーザ光は記録パワーよりも相当に低い再生パワーによるものである。
【００８６】
上記光ピックアップＯＰ内のフォトディテクタによって検出された反射光情報は、ＩＶ変換回路５３にて電気信号に変換された後、マトリクス回路５４に供給される。マトリクス回路５４は、ＩＶ変換回路５３からの反射光情報に基づいて再生信号ＲＦを生成する。
また、図示はしていないが、このマトリクス回路５４にて生成される信号としてはトラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥもある。これらは図示されないサーボ回路に供給されてそれぞれトラッキングサーボ、フォーカスサーボ制御動作に用いられる。
【００８７】
マトリクス回路５４にて生成された再生信号ＲＦは、２値化回路５５に供給されると共に、後述するＡ／Ｄコンバータ６１に対しても分岐して供給される。
２値化回路５５は、供給される再生信号ＲＦを”０””１”の２値化データに変換する。そして、この２値化データをＰＬＬ回路５８、同期検出回路５９、アドレス検出回路６０に対して供給する。
また、２値化データは後述する検出パルス生成部６２内の検出パルス生成回路６２ａに対しても供給される。
【００８８】
ＰＬＬ回路５８は、供給される２値化データに同期したクロックＣＬＫを生成し、これを必要な各部の動作クロックとして供給する。特に、この場合のクロックＣＬＫは上記検出パルス生成回路６２ａに対しても供給される（図示せず）。
同期検出回路５９は、供給される２値化データから先の図３に示したフレームごとに挿入されるｓｙｎｃ部分を検出する。具体的には、この場合のｓｙｎｃパターンとされる９Ｔ区間を検出してフレーム同期検出を行う。
フレーム同期信号はアドレス検出回路６０を始めとした必要な各部に供給される。
【００８９】
アドレス検出回路６０は、上記フレーム同期信号に基づき、供給される２値化データからアドレス情報の検出を行う。検出されたアドレス情報は当該再生装置５０の全体制御を行う図示されないコントローラに供給されてシーク動作等に用いられる。また、このアドレス情報は、検出パルス生成部６２内の検出パルス生成回路６２ａに対しても供給される。
【００９０】
なお、確認のために述べておくと、これまでに説明した光ピックアップＯＰ、ＩＶ変換回路５３、マトリクス回路５４、２値化回路５５、ＰＬＬ回路５８、同期検出回路５９、アドレス検出回路６０は、光ディスク１０に対して記録された主データについての再生時にも用いられる部分である。つまりはこれらの各部は、副データの再生にあたり主データの再生系の構成を共用している部分である。
【００９１】
検出パルス生成部６２は、副データとしての識別情報の再生にあたり、先の副データ記録装置２０との間で共通となるようにして定められた、マークＭの記録方法に応じた検出ポイントを示す検出パルス信号Ｄｐを生成する。
この検出パルス生成部６２内には、検出パルス生成回路６２ａとＲＡＭ６２ｂとが備えられる。検出パルス生成回路６２ａは、ＲＡＭ６２ｂに格納した情報に基づいて上記検出パルスＤｐを生成する。そして、生成した検出パルス信号ＤｐをＡ／Ｄコンバータ６１に対して供給する。
【００９２】
Ａ／Ｄコンバータ６１にはマトリクス回路５４からの再生信号ＲＦが供給されている。このＡ／Ｄコンバータ６１は、供給される再生信号ＲＦを上記検出パルス信号Ｄｐによって指示されるタイミングでサンプリングし、その値を副データ検出回路６３に供給する。
副データ検出回路６３は、Ａ／Ｄコンバータ６１から供給される値について所定演算を行って副データの各値を検出する。つまり、例えばこの場合は先に述べた「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」に対応する演算を行った結果に基づいて副データの各値を検出することになる。
なお、これら検出パルス生成部６２、Ａ／Ｄコンバータ６１、副データ検出回路６３により行われる副データの値の検出動作については後述する。
【００９３】
副データ検出回路６３にて検出された副データの値は、ＥＣＣ（Error Correcting Code）回路６４に供給される。
この場合の副データとしては、識別情報とエラー訂正符号を含むものである。このＥＣＣ回路６４では、副データ中の上記エラー訂正符号に基づきエラー訂正処理を行うことによって上記識別情報を再生する。
【００９４】
再生された識別情報は、図示するホストコンピュータ５６に供給される。
ホストコンピュータ５６は、当該再生装置５０の全体制御を行う図示されないコントローラに対してコマンドの送出を行って各種の動作を指示する。例えば、光ディスク１０に記録される主データの再生を指示するコマンドの送出を行う。これに応じて光ディスク１０から再生された主データは、２値化回路５５にて２値化された後に図示されない復調系にて復調（ＲＬＬ１−７ＰＰ復調）やエラー訂正処理等が為されてこのホストコンピュータ５６に供給されることになる。
また、このホストコンピュータ５６に対しては、所要のネットワークを介したデータ通信を行うためのネットワークインタフェース５７が備えられている。これによりホストコンピュータ５６は例えばインターネット等の所定のネットワークを介した外部機器、特に図示する管理サーバ７０との間でデータ通信が可能とされている。
【００９５】
上記構成による再生装置５０において行われる副データの値の検出動作について、次の図９を参照して説明する。
図９では、光ディスク１０上の１アドレスユニットに対し、副データの１ビットの値としてそれぞれ”０”が割り当てられた場合と”１”が割り当てられた場合とでのマークＭの記録状態を示している。なお、この図では説明のため、主データとしてのピットとランドが同じパターンで形成された場合を示している。
【００９６】
先ず、先にも説明したように副データとしては、この場合は光ディスク１０の第２記録層Ｌ1における所定の副データ記録対象区間において、各アドレスユニットごとにそれぞれ１ビットの情報を割り当てるようにして記録される。
また、符号の表現方法としては、この場合、所定長のランドのうち奇数番目にマークＭを記録した場合は”０”、偶数番目にマークＭを記録した場合は”１”を定義している。つまり、図示するようにして符号”０”のときは、そのアドレスユニット内では所定長のランドのうちの奇数番目にのみマークＭが記録される。また、符号”１”のとき、そのアドレスユニット内では所定長のランドのうちの偶数番目にのみマークＭが記録されたものとなる。
【００９７】
ここで、マークＭが記録された部分では反射率が微少に低下する部分となるとすると、再生信号ＲＦの波形としては、図示するようにしてマークＭの記録された部分でそのレベルが微少に低下することになる。
副データの再生では、このようなマーク記録部分での微少な反射率の変化に基づき各値を判定する動作を行うことになる。
【００９８】
なお、先にも説明したように、副データの記録時において各マークＭは所定長ランドの中央部に対して記録するようにされている。このようにランドの中央部にマークＭが記録されることで、この図に示される再生信号ＲＦの波形を参照してわかるように、マークＭが記録されるランドではその中央部のみでレベルが低下するようにされてエッジ部分の波形は通常どおり得られる。このことで、先に述べたようにして主データの２値化に影響を与えないようにすることができる。
【００９９】
ここで、上記説明によれば、符号”０”のときは奇数番目の所定長ランドでのみ再生信号ＲＦの値が微少に低下することになる。また、符号”１”のときは偶数番目の所定長ランドでのみ再生信号ＲＦの値が微少に低下する。
従ってこの場合、各アドレスユニットに割り与えられた副データの各値を判定するにあたっては、そのアドレスユニット内の所定長ランドについて奇数番目と偶数番目のどちらの方で再生信号ＲＦの値が低下しているかを検出すればよいことになる。
【０１００】
マーク記録部分での再生信号ＲＦの値の低下は、例えばマーク未記録部分での再生信号ＲＦの値からの差を求めることで検出できる。
この際、上述のようにして符号”０”のときは奇数番目のみ、符号”１”のときは偶数番目のみにマークＭが記録されるということは、換言すれば、符号”０”のときは必ず偶数番目が未記録部分、”１”のときは奇数番目が必ず未記録部分となることがわかる。
このことから、隣合う奇数番目（ｏｄｄ）と偶数番目（ｅｖｅｎ）について、「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」による演算を行うことで、ｏｄｄとｅｖｅｎのどちらで再生信号ＲＦの値が低下している（マークＭが記録されている）かを調べることができる。
具体的に、この「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」が負の値であれば、奇数番目での再生信号ＲＦの値が低下しているものであり、よって奇数番目にマークＭが記録されていることがわかる。逆に「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」が正の値であれば偶数番目の値の低下となり、偶数番目にマークＭが記録されていることがわかる。
【０１０１】
但し、実際において、再生信号ＲＦにはノイズ成分が重畳される。上記もしているようにマーク記録部分での再生信号ＲＦの値の低下は微少なものであり、このようなノイズ成分に埋もれる可能性もある。従って所定長ランドの隣り合う偶数番目の１組についてのみ上記「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」による検出を行ったのでは確実に値を判定することが困難となる。
このため、副データの再生動作としては、上記のように隣り合う奇数番目と偶数番目の組ごとに算出した「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値を積分し、この積分値に基づいてそのアドレスユニットに割り当てられた１ビットの値を判定するものとしている。このようにすることで、副データの値をより確実に検出することができる。
【０１０２】
ところで、上記のような「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の算出のためには、ｏｄｄとｅｖｅｎ、すなわち奇数番目と偶数番目の双方の所定長ランドの中央部分で得られる再生信号ＲＦの値をサンプリングする必要がある。この「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」算出のためのサンプリングタイミングを指示するための信号として、図８に示した検出パルス生成部１２は、図中検出パルス信号Ｄｐを生成する。
【０１０３】
ここで、上記のような「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」算出のための検出パルス信号Ｄｐとしては、図９を参照してわかるように、主データ中に得られる所定長ランドの中央部でのみＨレベルとなる信号を生成すればよい。
そして、このような検出パルス信号Ｄｐの生成にあたっては、先の副データ記録装置２０の場合での記録パルス信号Ｗｒｐの生成と同様に、光ディスク１０上の副データ記録対象区間において記録される主データの内容から該当するタイミングを生成すればよい。
【０１０４】
但し、再生装置５０としては、副データ記録装置２０の場合のようにディスク製造側で使用されるものではないことから、光ディスク１０に記録されている内容を予め装置内部に格納するということはできない。そこで再生装置５０の場合は、装填された光ディスク１０から副データ記録対象区間の主データを読み出し、これを装置内部に格納して上記検出パルス信号Ｄｐの生成に用いるようにしている。
【０１０５】
このように読み出された副データ記録対象区間の主データを格納するためのメモリとして、再生装置５０では、図８に示した検出パルス生成部６２内のＲＡＭ６２ｂを設けている。そのデータ構造は、次の図１０に示されるように、各アドレス対応に読み出された主データが格納されるものとなる。
検出パルス生成部６２内の検出パルス生成回路６２ａでは、このようにＲＡＭ６２ｂに格納される記録対象区間内の主データの内容に基づいて、先の記録パルス信号Ｗｒｐ生成の場合と同様に、該当するタイミングでのみ”１”となりそれ以外が全て”０”となるデータ列を生成する。そして、このように生成したデータ列に基づく検出パルス信号Ｄｐを生成してこれをＡ／Ｄコンバータ６１に供給する。この検出パルス信号Ｄｐにより指示されるタイミングでＡ／Ｄコンバータ６１が再生信号ＲＦの値をサンプリングすることで、先の図９に示したような適切なタイミングで再生信号ＲＦの値をサンプリングすることができる。
【０１０６】
続いて、次の図１１のフローチャートにより、再生装置５０において行われる副データ再生時のより詳細な動作について説明する。
先ずステップＳ２０１において光ディスク１０が装填されると、ステップＳ２０２におて、光ディスク１０上の副データ記録対象区間について、アドレスごとに主データを格納する動作を行う。
ここで、光ディスク１０の装填に応じては、例えば図８に示したホストコンピュータ５６の指示に応じて、予め副データ記録装置２０との間で定められた副データ記録対象区間の先頭アドレスにシークして当該記録対象区間に記録される主データを読み出す動作が実行される。このように読み出される主データについて、図８に示した検出パルス生成回路６２ａは、２値化回路５５から供給される２値化データを、アドレス検出回路６０から供給されるアドレス情報に基づき各アドレスごとにＲＡＭ６２ｂ内に格納する。
【０１０７】
ステップＳ２０３では、アドレス値Ｎを初期値Ｎ0に設定する。
このステップＳ２０３は、検出パルス生成回路６２ａが再生信号ＲＦのサンプリングタイミングを示すデータ列を、次に説明するようにして各アドレスユニットごとに生成する動作を行うにあたり、内部のカウンタの値を初期値Ｎ0に設定する動作である。
【０１０８】
ステップＳ２０４では、Ｎアドレス内の主データ中の所定長ランドについて、その中央部となる位置に”１”を挿入したデータ列を生成する。
このステップＳ２０４の動作は、検出パルス生成回路６２ａがＲＡＭ６２ｂ内に格納した主データの内容を参照して行う。つまり、検出パルス生成回路６２ａは、ＲＡＭ６２ｂ内においてＮアドレスに対応づけられて格納された主データについて、その中の所定長ランドの中央部となる位置のみが”１”となりそれ以外が全て”０”によるデータ列を生成する。例えばこの場合では、５Ｔのランドに対してマークＭを記録するようにされているので、この５Ｔ区間の３番目となるビット位置のみが”１”となり、それ以外が全て”０”となるデータ列を生成すればよい。
このような動作により、Ｎアドレスのアドレスユニット内でのサンプリングポイントを示すデータ列が生成される。
【０１０９】
そして、このように１アドレスユニット分のサンプリングポイントを示すデータ列を生成すると、検出パルス生成回路６２ａは、アドレスが終了したか否かについて判別を行う（Ｓ２０５）。つまり、副データ記録対象区間内の全てのアドレスユニットについて上記データ列の生成が完了したか否かを判別するものである。このステップＳ２０５動作は、検出パルス生成回路６２ａが先のステップＳ２０３にて初期値Ｎ0としたカウンタの値が予め設定された所定値に達したか否かについて判別することで行う。
カウンタの値が上記所定値に達していないとして否定結果が得られた場合は、アドレス値Ｎを１インクリメント（ステップＳ２０６）した後、ステップＳ２０４に戻るようにされる。これによって副データ記録対象区間の全てのアドレスユニットについて上記データ列を生成する動作を行うようにされる。
【０１１０】
ステップＳ２０７において、カウンタの値が上記所定値に達してアドレスが終了したとされた場合は、ステップＳ２０８において副データの再生が開始となる。
この副データの再生開始に応じては第２記録層における副データ記録対象区間の先頭アドレスにシークする動作が行われる（ステップＳ２０９）。このステップＳ２０９のシーク動作は、例えば図８に示したホストコンピュータ５６が予め定めれた第２記録層Ｌ1における副データ記録対象区間のアドレス情報に基づき、先に述べたコントローラ（図示せず）に対する指示を行うことで実現される。
【０１１１】
そして、このように副データ記録対象区間の先頭アドレスへのシーク動作が行われたことに応じて、検出パルス生成回路６２ａは、先のステップＳ２０４の動作によってアドレスユニットごとに生成したデータ列に基づく検出パルス信号Ｄｐを生成し、これをＡ／Ｄコンバータ６１に対して出力する（ステップＳ２０９）。この生成データ列に基づく検出パルス信号Ｄｐの生成は、再生される主データとの同期がとられるようにクロックＣＬＫのタイミングに基づいて行う。
また、この検出パルス信号Ｄｐの出力は、アドレス検出回路６０から供給されるアドレス情報として、上記記録対象区間の先頭アドレスの情報が供給されたことをトリガとして開始する。
【０１１２】
続くステップＳ２１０では、上記検出パルス信号Ｄｐに基づいてサンプリングされた値について「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」に基づく演算により副データの値を検出する動作を行う。
このステップＳ２１０の動作は、Ａ／Ｄコンバータ６１と副データ検出回路６３によって行われる。
つまり、Ａ／Ｄコンバータ６１は、上記検出パルス生成回路６２ａから供給される検出パルス信号Ｄｐにより指示されるタイミングでマトリクス回路５４から供給される再生信号ＲＦの値をサンプリングする。そしてその値を副データ検出回路６３に出力する。
副データ検出回路６３では、Ａ／Ｄコンバータ６１から供給される値について奇数番目に供給された値から偶数番目に供給された値を減算することで図９にて説明した「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の演算を行う。そしてこのように演算された「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値を１アドレスユニットごとに積分し、この積分値に基づいて副データの値を検出する。
【０１１３】
このように検出された副データの各値は、ＥＣＣ回路６４に供給され、この副データ中のエラー訂正符号に基づくエラー訂正処理が行われて識別情報が再生される。そして、再生された識別情報はホストコンピュータ５６に供給され、著作権保護のための情報として使用されることになる。
【０１１４】
なお、上記説明では、簡単のために副データとしてのマークＭはそれぞれ隣接する所定長のランドの奇数番目と偶数番目とを１組として、何れにマークＭを挿入するかによって符号”０””１”を表現するものとしたが、実際には、第３者によるこのような記録パターンの特定が困難となるように、例えばＭ系列乱数を用いる等他のアルゴリズムに基づいてマークＭの挿入位置を決定することもできる。
この場合としても、副データ記録装置２０と再生装置５０側とで共通となるように、上記のような符号の表現方法、及び副データの１ビットに割り当てる区間についての規則が定められていれば、再生装置５０において副データを適正に再生することができる。
【０１１５】
また、上記説明では「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」のようにマークＭの記録部分（形成部分）とマークＭの未記録部分（未形成部分）との減算結果に基づいて極性判別を行うものとしたが、マークＭが形成されていない部分の再生信号レベルを或る値に固定とし、マーク記録部分での再生信号レベルとこの固定値との減算結果に基づいて極性を判別するように構成することもできる。なお、この場合の上記固定値は、マークＭの記録対象とされたランド部分の長に応じて設定されるべきものとなる。
【０１１６】
ここで、これまでの説明からも理解されるように、本実施の形態の光ディスク１０において第２反射膜４に形成されるマークＭは、ピットとランドの組み合わせにより記録される主データの再生に影響を与えないように記録することができる。このことから、主データについて再生するのみでは副データが再生されてしまわないようにすることができ、従ってこのような反射膜４上のマークＭにより記録される副データが、光ディスク１０から再生された主データをコピーすることによってそのままコピーされて海賊版ディスクが製造されしまうことを効果的に防止することができる。
【０１１７】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明としてはこれまでに説明した実施の形態に限定されるべきものではない。
例えば実施の形態では、本発明の光ディスク記録媒体が、ピット転写基板１上の第１記録層を含めて記録層が２層のみ備えられる場合を例示したが、記録層を３層以上備えるように構成することもできる。
【０１１８】
図１２は、このように記録層を３層以上備える変形例としての光ディスク記録媒体の断面構造の一例を示した図である。
この図１２の変形例では、記録層が３層備えられる場合を示している。すなわち、この場合は図１に示した光ディスク１０の構成について、第２記録層Ｌ1を構成する第２反射膜４上に対し、さらに第３記録層Ｌ2を構成すべきピット面が形成されたピット転写中間層６を設け、このピット転写中間層６のピット面上に第３反射膜７を成膜するものとしている。そして、この第３反射膜７上にカバー層５を成膜するものとしている。
【０１１９】
その上で、副データとしてのマークＭは、ピット転写基板１上の第１記録層Ｌ0から最も遠くに位置する第３記録層Ｌ2上の第３反射膜７に対して形成するものとしている。
ここで、この図１２の例のように記録層を３層以上として、基板１上に形成された第１記録層Ｌ0以外に記録層を複数設ける場合には、マークＭを形成すべき記録層を選択することができる。上記のようにして第１記録層Ｌ0から最も遠い記録層（つまりレーザ光の入射側に最も近い記録層）における反射膜に対しマークＭを形成すれば、マークＭの形成に要するレーザパワーを最も低くすることができる。
【０１２０】
なお、例えばこのようなレーザパワーの問題について考慮しないとした場合等には、第１記録層Ｌ0を除く他の記録層（この場合は第２記録層Ｌ1）に対してマークＭを形成することもできる。
【０１２１】
或いは、このようにして第１記録層Ｌ0以外の他の何れか１つの記録層の反射膜上に対してのみマークＭを記録する以外にも、特に図１２に示すように３層以上のディスクとする場合には、ピット転写基板上の第１記録層Ｌ0以外の他の複数の記録層を対象としてそれぞれマークＭを形成するようにもできる。すなわち、この図１２の例で言えば、第２記録層Ｌ1における第２反射膜４と第３記録層Ｌ2における第３反射膜７の双方に対してマークＭを形成するといったものである。
【０１２２】
なお、上記図１２に示されるようにして記録層を３層以上とする光ディスクを製造するにあっては、先の図２に示した製造工程において、先ず原盤生成工程Ｓ１３では追加する記録層の数の分だけ金属原盤を追加生成する。つまり図１２の例に対応する場合には、さらに第３記録層Ｌ2に記録されるべき主データに応じてレーザ光照射によるピット形成を行った第３記録層用金属原盤を生成するといったものである。
さらに、ディスク生成工程Ｓ１４では、各金属原盤をもとにスタンパを生成してピット転写基板１の生成→第１反射膜２の成膜→ピット転写中間層３の生成→第２反射膜４の成膜までは共通となるが、その後は、「ピット転写中間層としての変質性材料の塗布→その記録層用のスタンパを用いたピット面の形成（ＵＶ硬化材料の場合は紫外線照射による硬質化作業も含む）→ピット面上への反射膜の成膜」を、追加する記録層の数に応じた回数分行うようにされる。そして、その後にカバー層５の成膜を行うようにすればよい。
その上で、副データ追記工程Ｓ１５においては、少なくともピット転写基板１上の第１記録層Ｌ0以外の他の記録層の反射膜上に対し、マークＭを形成して副データを追記する。
特に、先の説明したように第１記録層Ｌ0から最も遠い記録層の反射膜上に対してマークＭを形成するものとすれば、マークＭの形成のためのレーザパワーは最も低く設定することができ、これによってレーザ発光素子の小型化（つまり副データ記録装置２０の小型化）及びコスト削減が図られる。
【０１２３】
また、実施の形態では、ピット転写中間層の材料として選定する変質性材料をレジンのようなＵＶ硬化樹脂とする場合を例示したが、このようなピット転写中間層として用いるＵＶ硬化樹脂としては、レジン以外の他のＵＶ硬化可能な粘着材を選定することもできる。
また、本発明で言う変質性材料としては、このような樹脂によるものに限らず、他の材質に属するものを選定することもできる。また、変質性材料としては紫外線照射に応じて硬質化する材料（ＵＶ硬化材料）とする場合を例示したが、ピットパターンの転写ができる程度に軟質とされ且つ転写されたピットパターンの形状を保持できる程度に硬質となるように変質可能な材料とされれば、ＵＶ硬化材料以外の他の材料を使用することによっても、同様の効果を得ることができる。
【０１２４】
また、実施の形態では、光ディスク１０が例えばブルーレイディスクに準拠した多層ＲＯＭディスクとされる場合を例示したが、本発明の光ディスク記録媒体としては、少なくともピット面が形成されたピット転写基板とこのピット転写基板のピット面上に成膜された反射膜とが備えられて第１の記録層が形成されると共に、その上層に対してピット面が形成された中間層とそのピット面上に反射膜が成膜されて他の記録層が形成された光ディスク記録媒体であれば、好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の実施の形態としての光ディスク記録媒体の断面構図である。
【図２】実施の形態の光ディスク記録媒体の製造工程（製造方法）について説明するための図である。
【図３】実施の形態の光ディスク記録媒体に対して記録される主データのデータ構造について説明するためのデータ構造図である。
【図４】実施の形態の光ディスク記録媒体に対して副データを追記するための副データ記録装置の構成を示すブロック図である。
【図５】副データの記録形態について説明するための図である。
【図６】副データ記録装置内に格納されるべきデータ内容を示すデータ構造図である。
【図７】副データ記録装置が行う副データの記録動作について説明するためのフローチャートである。
【図８】実施の形態の光ディスク記録媒体に追記された副データの再生を行う再生装置の構成を示すブロック図である。
【図９】副データの再生動作について説明するための図である。
【図１０】再生装置内に格納されるべきデータ内容を示すデータ構造図である。
【図１１】再生装置が行う副データの再生動作について説明するためのフローチャートである。
【図１２】変形例としての光ディスク記録媒体の断面構造図である。
【図１３】マーク記録に伴い基板が変形する可能性があることについて説明するための図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１  光ディスク、２  第１反射膜、３、６  ピット転写中間層、４  第２反射膜、５  カバー層、６  第３反射膜、Ｌ0  第１記録層、Ｌ1  第２記録層、Ｌ2  第３記録層、Ｍ  マーク、Ｄ２  主データ記録ディスク、２０  主データ記録装置、２１  スピンドルモータ、２２  対物レンズ、２３  ＩＶ変換回路、２４  マトリクス回路、２５  サーボ回路、２６  ２軸駆動回路、２７  ２値化回路、２８  同期検出回路、２９  ＰＬＬ回路、３０  アドレス検出回路、３１  副データ発生回路、３２  ＲＡＭ、３３  記録パルス生成回路、３４  レーザパワー制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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