(57)【要約】【課題】研磨時間によって研磨プロファイルが変動してしまうことを防止できる研磨装置を提供する。【解決手段】本発明では、研磨部材２５をウェハ１０の被研磨面１１に当接させてウェハ１０の研磨を行う研磨装置１において、研磨プロファイルがウェハ１０に対する研磨時間に拘わらず一定となるように、設定された研磨時間に応じて研磨条件を自動的に設定変更する研磨条件設定部４２を備えて構成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨部材を研磨対象物の被研磨面に当接させて前記研磨対象物の研磨を行う研磨装置において、
研磨後における前記被研磨面の形状が前記研磨対象物に対する研磨時間に拘わらず一定となるように、設定された前記研磨時間に応じて研磨条件を自動的に設定変更する研磨条件設定手段を備えて構成されることを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記研磨部材を回転自在に保持する研磨ヘッドを備え、
前記研磨ヘッドを用いて前記研磨部材を前記研磨対象物の前記被研磨面に当接させながら回転させることで前記研磨対象物の研磨を行うように構成されており、
前記研磨条件設定手段が、設定された前記研磨時間に応じて前記研磨条件の一つである前記研磨ヘッドの回転速度を自動的に設定変更することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
前記研磨条件設定手段が、一次方程式である所定の補正式を用いて、設定された前記研磨時間から前記研磨ヘッドの回転速度を算出し前記研磨ヘッドの回転速度を設定変更するように構成されることを特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記研磨対象物は半導体ウェハであり、
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の研磨装置を用いて前記半導体ウェハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体デバイス製造方法により製造されたことを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハなどの研磨対象物の表面を平坦化する研磨装置に関する。さらに、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハなどの研磨対象物の表面を平坦化する研磨装置として、ウェハをその被研磨面が露出する状態で保持するウェハ保持装置（対象物保持装置）と、このウェハ保持装置に保持されたウェハの被研磨面と対向する研磨パッドが貼り付けられた研磨部材とを備え、これら双方を回転させた状態で研磨パッドをウェハの被研磨面に押し付け、且つ研磨部材を両者の接触面内方向に揺動させてウェハを研磨する構成のものが知られている。また、このような機械的研磨に加え、研磨パッドとウェハとの接触面に研磨剤（研磨液）を供給して研磨剤の化学的作用により上記研磨を促進させる化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing；ＣＭＰ）を行うＣＭＰ装置も知られている。
【０００３】
この種の研磨装置として、例えば、ウェハよりも径が小さい研磨パッドを用いる研磨装置や、ウェハよりも径が大きい研磨パッドを用いる（コンベンショナルの）研磨装置が知られている。ウェハよりも径が小さい研磨パッドを用いる研磨装置では、ウェハチャックにウェハがその被研磨面を上方に向けて（フェイスアップ状態で）真空吸着され、ウェハチャックとともに回転駆動される（例えば、特許文献１を参照）。このウェハの上方にこれと対向して研磨ヘッドが配設されており、研磨ヘッドは、ウェハの被研磨面と接触する研磨パッドを貼り付けた研磨部材を回転自在に保持して構成される。
【０００４】
このような構成の研磨装置を用いたウェハの研磨加工は、研磨パッドを回転させながらウェハチャックに回転保持されたウェハの被研磨面に当接させて行われ、このとき、研磨パッドは回転しながらウェハに対して水平方向へ往復運動をすることで、ウェハの全表面が均一に研磨加工される。
【特許文献１】特許第２９６８７８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、研磨装置以外の要因（研磨される膜の成膜特性、研磨パッドやコンディショナー等の消耗品のばらつき）により、ウェハに対する研磨時間が変化すると、研磨ヘッドの回転速度やウェハチャックの回転速度、研磨圧力等の研磨条件が同じでもウェハ（研磨対象物）の研磨プロファイルが変化することがある。従来においては、研磨時間が異なっても同じ研磨条件で研磨していたため、研磨時間によって研磨プロファイルが変動してしまうおそれがあった。
【０００６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、研磨時間によって研磨プロファイルが変動してしまうことを防止できる研磨装置を提供することを目的とする。また、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的達成のため、本発明に係る研磨装置は、研磨部材を研磨対象物の被研磨面に当接させて研磨対象物の研磨を行う研磨装置において、研磨後における被研磨面の形状が研磨対象物に対する研磨時間に拘わらず一定となるように、設定された研磨時間に応じて研磨条件を自動的に設定変更する研磨条件設定手段を備えて構成される。
【０００８】
また、本発明に係る研磨装置において、研磨部材を回転自在に保持する研磨ヘッドを備え、研磨ヘッドを用いて研磨部材を研磨対象物の被研磨面に当接させながら回転させることで研磨対象物の研磨を行うように構成されており、研磨条件設定手段が、設定された研磨時間に応じて研磨条件の一つである研磨ヘッドの回転速度を自動的に設定変更することが好ましい。
【０００９】
さらに、本発明に係る研磨装置において、研磨条件設定手段が、一次方程式である所定の補正式を用いて、設定された研磨時間から研磨ヘッドの回転速度を算出し研磨ヘッドの回転速度を設定変更するように構成されることが好ましい。
【００１０】
また、本発明に係る半導体デバイス製造方法は、研磨対象物は半導体ウェハであり、本発明に係る研磨装置を用いて半導体ウェハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係る半導体デバイス製造方法により製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、研磨時間によって研磨プロファイルが変動してしまうことを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る研磨装置の代表例であるＣＭＰ装置（化学的機械的研磨装置）を図１に示している。このＣＭＰ装置１は、研磨対象物たるウェハ１０をその上面側に着脱自在に吸着保持可能なウェハ保持テーブル１５と、このウェハ保持テーブル１５の上方位置に設けられ、ウェハ保持テーブル１５上に保持されたウェハ１０の被研磨面１１と対向する研磨パッド２６が取り付けられた研磨部材２５を保持してなる研磨ヘッド２０とを備えて構成されている。このＣＭＰ装置１では、研磨パッド２６の寸法（直径）はウェハ１０の寸法（直径）よりも小さく（すなわち研磨パッド２６はウェハ１０よりも小径であり）、研磨パッド２６をウェハ１０に接触させた状態で双方を相対移動させることにより、ウェハ１０の被研磨面（上面）１１全体を研磨できるようになっている。
【００１４】
ウェハ保持テーブル１５は、ウェハ１０とほぼ同じ直径を有する円盤状の回転テーブルであり、上下方向に延びた回転軸１４の上端に取り付けられてほぼ水平姿勢に保持されている。ウェハ保持テーブル１５の上面には図示しない真空チャックが設けられており、これによりウェハ１０をウェハ保持テーブル１５の上面側に着脱自在に吸着保持できるようになっている。回転軸１４は、図示しない電動モータを有して構成されるウェハ回転機構１３を用いて垂直軸まわりに回転駆動されるようになっており、これによりウェハ保持テーブル１５を水平面内で回転させることができる。
【００１５】
研磨ヘッド２０は上下に延びるスピンドル１９の下端部に取り付けられている。このスピンドル１９は、図示しない電動モータを有して構成される研磨ヘッド回転機構１８（図１参照）を用いて垂直軸まわりに回転駆動されるようになっており、これにより研磨ヘッド２０全体を回転させて研磨パッド２６を水平面内で回転させることができる。また、スピンドル１９は、複数の図示しない電動モータを有して構成される研磨ヘッド移動機構１７を用いて三次元的に平行移動可能に構成されており、これにより、研磨ヘッド２０を垂直姿勢のまま三次元的、すなわち、上下、左右および前後方向に平行移動させることができる。
【００１６】
研磨ヘッド２０は、スピンドル１９の下端部に結合されるヘッドハウジング２１と、ヘッドハウジング２１の下端部にボルトにより固定される保持リング２２と、これらヘッドハウジング２１と保持リング２２とにより外周部が狭持される円盤状のドライブプレート２３およびダイヤフラム２４と、ダイヤフラム２４の下面側に位置して取り付けられる上述の研磨部材２５とを有して構成される。ヘッドハウジング２１内には、下面側に開口を有する円筒状の空間が形成され、この空間がダイヤフラム２４により覆われて圧力室Ｈが形成される。
【００１７】
また、研磨部材２５は、弾性を有するドライブプレート２３およびダイヤフラム２４を用いてヘッドハウジング２１に上下移動可能に取り付けられ、スピンドル１９の回転駆動力がドライブプレート２３を介して研磨部材２５に伝達されるようになっている。なお、図１においては、ウェハ保持テーブル１５や研磨ヘッド２０等を簡略化して示すとともに、他の構成要素を模式的に示している。
【００１８】
スピンドル１９の内部にはエア供給路３０が上下に延びて形成されており、エア供給路３０の下端部が圧力室Ｈに繋がっている。また、エア供給路３０の上端部は電空レギュレータ３１を介してエア供給源３２に繋がっており、エア供給源３２から供給されるエア圧により圧力室Ｈ内の圧力を所望の圧力に調整設定できるようになっている。また、スピンドル１９の内部には、研磨剤供給装置３６と繋がる研磨剤供給管３５が上下に延びて配接されており、研磨剤供給装置３６から研磨パッド２６の下面側に研磨剤（シリカ粒を含んだ液状のスラリー）を供給するようになっている。
【００１９】
制御部４０は、ウェハ回転機構１３、研磨ヘッド回転機構１８、研磨ヘッド移動機構１７、電空レギュレータ３１、および研磨剤供給装置３６にそれぞれ制御信号を出力して、各装置の作動を制御するように構成される。また、制御部４０には、各種の指令やデータ等の入力操作が行われる入力部４１や、研磨条件を設定変更するための研磨条件設定部４２が電気的に接続される。
【００２０】
このような構成のＣＭＰ装置１を用いてウェハ１０の研磨を行うには、まず、ウェハ保持テーブル１５の上面に研磨対象となるウェハ１０が吸着取り付けされ（このときウェハ１０の中心はウェハ保持テーブル１５の回転中心に一致させる）、制御部４０からの制御信号によりウェハ回転機構１３が作動してウェハ保持テーブル１５が回転駆動される。次に、制御部４０からの制御信号により研磨ヘッド移動機構１７が作動して研磨ヘッド２０がウェハ１０の上方に位置するとともに、研磨ヘッド回転機構１８が作動してスピンドル１９および研磨ヘッド２０が回転駆動される。続いて、制御部４０からの制御信号により研磨ヘッド移動機構１７が作動して研磨ヘッド２０が下方へ移動し、研磨パッド２６の下面（研磨面２７）がウェハ１０の上面（被研磨面１１）に接する。
【００２１】
次に、制御部４０からの制御信号により電空レギュレータ３１が作動してエア供給源３２から（電空レギュレータ３１を介して）圧力室Ｈ内に所定のエア圧が供給され、圧力室Ｈ内のエア圧を受けて研磨部材２５、すなわち研磨パッド２６が所定の研磨荷重でウェハ１０を押圧する（すなわち、研磨部材２５に所定の研磨荷重が加えられる）。そして、制御部４０からの制御信号により研磨ヘッド移動機構１７が作動して研磨ヘッド２０が略水平面内（ウェハ１０と研磨パッド２６との接触面の面内方向）で揺動する。このとき同時に、制御部４０からの制御信号により研磨剤供給装置３６が作動して研磨剤供給装置３６から研磨剤が圧送され、研磨パッド２６の下面側に研磨剤が供給される。これにより、ウェハ１０の被研磨面１１は、研磨剤の供給を受けつつウェハ１０自身の回転運動と研磨ヘッド２０の（すなわち研磨パッド２６の）回転及び揺動運動とにより研磨される。
【００２２】
なお、ウェハ保持テーブル１５の回転速度や、研磨ヘッド２０の回転速度および移動速度、研磨圧力（圧力室Ｈ内に供給するエアの圧力）、ウェハ１０に対する研磨時間、研磨剤の種類および供給量等といった研磨条件（パラメータ）は、予め入力部４１で入力されて制御部４０の内部メモリにレシピファイルとして設定記憶され、制御部４０はこのレシピファイルのデータに基づいて各装置の作動を制御する。そして、本実施形態では、研磨時間に拘わらず研磨プロファイルが一定となるように、研磨条件設定部４２が（設定された）研磨時間に応じて研磨条件の一つである研磨ヘッド２０の回転速度を自動的に設定変更するようになっている。
【００２３】
そこで、研磨条件設定部４２による研磨ヘッド２０の回転速度の設定方法について、図２に示すフローチャートを参照しながら以下に説明する。まず、ステップＳ１０１において、研磨を行うウェハ１０の研磨時間が制御部４０（レシピファイル）から研磨条件設定部４２に入力される。この研磨時間は、例えば、研磨が行われるウェハ１０の薄膜の膜厚に基づいて設定される。なお、オペレータが入力部４１から（制御部４０等を介して）研磨条件設定部４２に研磨時間を直接入力するようにしてもよい。
【００２４】
次に、ステップＳ１０２において、研磨条件設定部４２がステップＳ１０１で入力された研磨時間を所定の補正式に代入して研磨ヘッド２０の回転速度を算出する。この補正式は、研磨プロファイルが一定となるような研磨ヘッド２０の回転速度と研磨時間との関係を示す一次方程式であり、研磨ヘッド２０の回転速度をｙとし、研磨時間をｘとすると、次の（１）式で表される。
【００２５】
ｙ＝Ａｘ＋Ｂ      …（１）
【００２６】
ここで、ＡおよびＢは他の研磨条件によって異なるパラメータ（定数）であり、予め測定された実際の研磨データ（研磨プロファイル）に基づいて求められる。
【００２７】
次に、ステップＳ１０３において、研磨条件設定部４２がステップＳ１０２で算出した研磨ヘッド２０の回転速度を制御部４０に出力し、制御部４０のレシピファイルにおいて研磨ヘッド２０の回転速度のデータが新しいデータに書き換えられる（設定変更される）。このようにして、研磨時間に拘わらず研磨プロファイルが一定となるように、研磨条件設定部４２が制御部４０から入力された研磨時間に応じて研磨ヘッド２０の回転速度を自動的に設定変更する。
【００２８】
なお続いて、ステップＳ１０４において、制御部４０が図示しない搬送装置に搬送指示信号を出力し、搬送装置によってウェハ保持テーブル１５の上面に研磨対象となるウェハ１０が搬送される。
【００２９】
次に、ステップＳ１０５において、研磨ヘッド２０の回転速度が設定変更されたレシピファイルのデータに基づいて制御部４０が各装置の作動を制御し、ウェハ１０の研磨が行われる。
【００３０】
そして、ステップＳ１０６において、研磨を行うウェハ１０の枚数分だけステップＳ１０１〜ステップＳ１０５までの処理を繰り返したかどうかが判定される。判定がＮｏの場合にはステップＳ１０１へ戻ってステップＳ１０１〜ステップＳ１０５までの処理が再び行われ、判定がＹｅｓの場合には処理が終了する。
【００３１】
ここで、補正式である（１）式（パラメータ）の決定方法について、図３に示すフローチャートを参照しながら以下に説明する。まず、ステップＳ１５１において、ウェハ１０の研磨プロファイルが平坦（図４（ａ）を参照）となる研磨条件を実験的に求める。このとき、ウェハ１０の研磨時間は、ウェハ１０の薄膜の膜厚等に基づいて適当な研磨時間に設定しておく。
【００３２】
次に、ステップＳ１５２において、研磨時間をステップＳ１５１で設定した研磨時間より少なく設定して、他の研磨条件はステップＳ１５１で求めた条件と同じ研磨条件で研磨を行った場合の研磨プロファイルを測定する。このように、他の研磨条件は同じで研磨時間だけを少なくすると、図４（ｂ）に示すように下方に湾曲した研磨プロファイルとなる場合がある。また、図４（ｃ）に示すように上方に湾曲した研磨プロファイルとなる場合も考えられる。なお、ステップＳ１５２では、ステップＳ１５１で設定した研磨時間より少ない複数の研磨時間を設定して、各研磨時間における研磨プロファイルをそれぞれ作成する。
【００３３】
次に、ステップＳ１５３において、研磨ヘッド２０の回転速度を変化させて、研磨時間を含む他の研磨条件はステップＳ１５２で設定した条件と同じ研磨条件で、研磨プロファイルがステップＳ１５１における研磨プロファイルと同じ平坦（図４（ｄ）および図４（ｅ）を参照）となる研磨ヘッド２０の回転速度を実験的に求める。なお、ステップＳ１５３では、ステップＳ１５２で設定した複数の研磨時間について、研磨プロファイルが平坦となる研磨ヘッド２０の回転速度をそれぞれ求める。
【００３４】
そして、ステップＳ１５４において、ステップＳ１５２で設定した複数の研磨時間と、ステップＳ１５３でそれぞれ求めた研磨ヘッド２０の回転速度との関係を、図５に示すようにグラフ上にプロットし、両者の関係をグラフ上で直線近似することで、（１）式のパラメータ（ＡおよびＢ）が求められる。なお、図５で示されるグラフは、研磨プロファイルが一定となるような研磨ヘッド２０の回転速度と研磨時間との関係を示すことになる。
【００３５】
この結果、本実施形態によれば、研磨時間に拘わらず研磨プロファイル（研磨後における被研磨面１１の形状）が一定となるように、研磨条件設定部４２が（設定された）研磨時間に応じて研磨条件を自動的に設定変更するため、研磨時間によって研磨プロファイルが変動してしまうことを防止することができる。さらに、研磨時間の変化による研磨条件の設定変更を自動で行うことが可能になる。
【００３６】
なお、本実施形態においては、研磨条件設定部４２が（設定された）研磨時間に応じて研磨条件の一つである研磨ヘッド２０の回転速度を自動的に設定変更するため、研磨ヘッド２０の回転速度を変化させるだけで簡便に、研磨時間によって研磨プロファイルが変動してしまうことを防止することができる。
【００３７】
また、本実施形態においては、研磨条件設定部４２が、一次方程式である所定の補正式（すなわち（１）式）を用いて、（設定された）研磨時間から研磨ヘッド２０の回転速度を算出しており、このようにすれば、研磨ヘッド２０の回転速度を簡便に設定することができる。
【００３８】
なお、上述の実施形態において、研磨条件設定部４２が（設定された）研磨時間に応じて研磨条件の一つである研磨ヘッド２０の回転速度を自動的に設定変更するように構成されているが、これに限られるものではなく、例えば、ウェハ保持テーブル１５の回転速度や、研磨圧力等を設定変更するようにしてもよい。
【００３９】
また、上述の実施形態において、研磨時間に拘わらず研磨プロファイルが平坦で一定となるように、研磨条件設定部４２が（設定された）研磨時間に応じて研磨条件（研磨ヘッド２０の回転速度）を自動的に設定変更するように構成されているが、これに限られるものではない。例えば、研磨時間に拘わらず図４（ｂ）に示すような下方に湾曲した研磨プロファイルや図４（ｃ）に示すような上方に湾曲した研磨プロファイルとなるように、研磨条件設定部４２が研磨時間に応じて研磨条件（研磨ヘッド２０の回転速度）を自動的に設定変更することも可能である。すなわち、研磨条件設定部４２は、研磨後における被研磨面１１の形状が研磨時間に拘わらず所望の形状で一定となるように、（設定された）研磨時間に応じて研磨条件を自動的に設定変更することが可能である。
【００４０】
さらに、上述の実施形態において、研磨条件設定部４２が、所定の補正式（すなわち（１）式）を用いて、（設定された）研磨時間に応じて研磨条件（研磨ヘッド２０の回転速度）を自動的に設定変更するように構成されているが、これに限られるものではなく、いわゆるマップマッチングを用いて、研磨時間に応じて研磨条件を設定変更するようにしてもよい。
【００４１】
また、上述の実施形態において、研磨条件設定部４２が、一次方程式である所定の補正式（すなわち（１）式）を用いて、（設定された）研磨時間から研磨ヘッド２０の回転速度を算出しているが、これに限られるものではなく、二次方程式を用いて研磨時間から研磨ヘッド２０の回転速度を算出するようにしてもよい。なおこのとき、補正式を求めるには、ステップＳ１５４において、研磨時間と研磨ヘッド２０の回転速度との関係をグラフ上で曲線近似すればよい。
【００４２】
さらに、上述の実施形態において、補正式（すなわち（１）式）を、予め測定された実際の研磨データ（研磨プロファイル）に基づいて求めているが、これに限られるものではなく、シミュレーションによる研磨データ（研磨プロファイル）に基づいて求めるようにしてもよい。
【００４３】
続いて、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施例について説明する。図６は半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。半導体製造プロセスをスタートすると、まずステップＳ２００で次に挙げるステップＳ２０１〜Ｓ２０４の中から適切な処理工程を選択し、いずれかのステップに進む。
【００４４】
ここで、ステップＳ２０１はウェハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップＳ２０２はＣＶＤ等によりウェハ表面に絶縁膜や誘電体膜を形成するＣＶＤ工程である。ステップＳ２０３はウェハに電極を蒸着等により形成する電極形成工程である。ステップＳ２０４はウェハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。
【００４５】
ＣＶＤ工程（Ｓ２０２）もしくは電極形成工程（Ｓ２０３）の後で、ステップＳ２０５に進む。ステップＳ２０５はＣＭＰ工程である。ＣＭＰ工程では本発明による研磨装置により、層間絶縁膜の平坦化や半導体デバイス表面の金属膜の研磨、誘電体膜の研磨等が行われ、ダマシン（damascene）プロセスが適用されることもある。
【００４６】
ＣＭＰ工程（Ｓ２０５）もしくは酸化工程（Ｓ２０１）の後でステップＳ２０６に進む。ステップＳ２０６はフォトリソグラフィ工程である。この工程ではウェハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるウェハへの回路パターンの焼き付け、露光したウェハの現像が行われる。さらに、次のステップＳ２０７は現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離が行われ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。
【００４７】
次に、ステップＳ２０８で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップＳ２００に戻り、先のステップを繰り返してウェハ上に回路パターンが形成される。ステップＳ２０８で全工程が完了したと判断されればエンドとなる。
【００４８】
本発明による半導体デバイス製造方法では、ＣＭＰ工程において本発明にかかる研磨装置を用いているため、より高い均一性および平坦性を有するウェハを得ることができ、ウェハの加工精度および歩留まりが向上する。これにより、従来の半導体デバイス製造方法に比べて低コストで半導体デバイスを製造することができるという効果がある。なお、上記半導体デバイス製造プロセス以外の半導体デバイス製造プロセスのＣＭＰ工程に本発明による研磨装置を用いても良い。また、本発明による半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイスは、歩留まりが高く低コストの半導体デバイスとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係る研磨装置の一例であるＣＭＰ装置を示す正面図である。
【図２】研磨条件設定部による研磨ヘッドの回転速度の設定方法を示すフローチャートである。
【図３】補正式の決定方法を示すフローチャートである。
【図４】研磨プロファイルの例を模式的に示すグラフである。
【図５】研磨プロファイルが一定となるような研磨ヘッドの回転速度と研磨時間との関係を模式的に示すグラフである。
【図６】本発明に係る半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５０】
１  ＣＭＰ装置（研磨装置）
１０  ウェハ（研磨対象物）                    １１  被研磨面
２０  研磨ヘッド                              ２５  研磨部材
４０  制御部                                  ４２  研磨条件設定部
【図１】
2007242658.tif 000003
【図２】
2007242658.tif 000004
【図３】
2007242658.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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