(57)【要約】【課題】光センサにより周囲の明るさを検知してバックライト等を自動的にオン／オフさせる表示装置の問題点を解決すべくなされたものであって、使用者による不本意な動作や周囲環境の影響を受け難く、バックライトの明るさを自動的に安定的にオン／オフ制御できるようにした表示装置を提供すること。【解決手段】本発明の表示装置１０は、アクティブマトリクス基板を備えた表示パネルと、前記表示パネルの照光手段と、光センサと、前記光センサの出力に基づいて前記照光手段の発光強度を制御する制御部を備えた表示装置において、前記光センサの複数個３３１〜３３６を前記表示パネルの表示領域の周辺に沿って少なくとも一列に配置し、前記制御部により前記複数個の光センサ３３１〜３３６の出力の平均値に基づいて前記照光手段の発光強度を制御することを特徴とする。【選択図】図７
2007163628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス基板を備えた表示パネルと、前記表示パネルの照光手段と、光セン
サと、前記光センサの出力に基づいて前記照光手段の発光強度を制御する制御部を備えた
表示装置において、
前記光センサは、複数個が前記表示パネルの表示領域の周辺に沿って少なくとも一列に
配置されており、前記制御部は前記複数個の光センサの出力の平均値に基づいて前記照光
手段の発光強度を制御することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記制御部は、複数個の光センサの出力のからかけ離れた出力を除外して残りの出力の平
均値に基づいて前記照光手段の発光強度を制御することを特徴とする請求項１に記載の表
示装置。
【請求項３】
前記光センサは複数個の薄膜電界効果トランジスタからなり、
前記複数個の薄膜電界効果トランジスタは、それぞれのソース電極、ゲート電極及びド
レイン電極が互いに並列接続されているとともに、前記ソース電極とドレイン電極との間
にはコンデンサが、前記ソース電極と所定の定電圧源との間にはスイッチ素子が、それぞ
れ接続され、
前記制御部は、前記薄膜電界効果トランジスタのゲート電極に逆バイアス電圧を印加し
つつ前記スイッチをオフにしてから所定時間後のコンデンサの出力電圧を前記光センサの
出力の平均値とし利用して前記照光手段の発光強度を制御することを特徴とする請求項１
に記載の表示装置。
【請求項４】
前記光センサは複数個の薄膜電界効果トランジスタからなり、
前記複数個の薄膜電界効果トランジスタは、それぞれのゲート電極及びドレイン電極が
互いに並列接続され、それぞれのソース電極と前記ドレイン電極との間にはコンデンサが
、それぞれの前記ソース電極と所定の定電圧源との間にはスイッチ素子が、それぞれ接続
され、
前記制御部は、前記薄膜電界効果トランジスタのゲート電極に逆バイアス電圧を印加し
つつ前記スイッチをオフにしてから所定時間後のそれぞれのコンデンサの出力電圧からか
け離れた出力電圧を除外した残りの出力電圧の平均値に基づいて前記照光手段の発光強度
を制御することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記光センサは複数個の遮光された光センサ及び複数個の遮光されていない光センサを含
み、
前記制御部は前記遮光された光センサの出力の平均値と遮光されていない光センサの出
力の平均値に基づいて前記照光手段の発光強度を制御することを特徴とする請求項１に記
載の表示装置。
【請求項６】
前記複数個の遮光された光センサ及び複数個の遮光されていない光センサは、交互に並べ
て少なくとも一列に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数個の遮光された光センサ及び複数個の遮光されていない光センサは、それぞれ少
なくとも一列ずつ平行に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数個の遮光された光センサは前記複数個の遮光されていない光センサの内周側に配
置されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記複数個の遮光された光センサ及び複数個の遮光されていない光センサは互いに隣接し
ていることを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１０】
前記複数個の遮光された光センサ及び複数個の遮光されていない光センサは、それぞれ遮
光された薄膜電界効果トランジスタ及び遮光されていない薄膜電界効果トランジスタから
なり、
前記制御部は前記複数個の遮光された薄膜電界効果トランジスタの出力の平均値と前記
複数個の遮光されていない薄膜電界効果トランジスタの出力の平均値に基づいて前記照光
手段の発光強度を制御することを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数個の遮光された薄膜電界効果トランジスタのそれぞれのソース電極、ゲート電極
及びドレイン電極は互いに並列接続されているとともに、前記ソース電極とドレイン電極
との間にはコンデンサが、前記ソース電極と所定の定電圧源との間にはスイッチ素子が、
それぞれ接続され、
前記複数個の遮光されていない薄膜電界効果トランジスタのそれぞれのソース電極、ゲ
ート電極及びドレイン電極は互いに並列接続されているとともに、前記ソース電極とドレ
イン電極との間にはコンデンサが、前記ソース電極と所定の定電圧源との間にはスイッチ
素子が、それぞれ接続され、
前記制御部は、前記複数個の遮光された薄膜電界効果トランジスタ及び複数個の遮光さ
れていない薄膜電界効果トランジスタ毎に、前記ゲート電極に逆バイアス電圧を印加しつ
つ前記スイッチをオフにしてから所定時間後のコンデンサの出力電圧をそれぞれの平均出
力として得、前記遮光された薄膜電界効果トランジスタ側の平均出力と前記遮光されてい
ない薄膜電界効果トランジスタ側の平均出力に基づいて前記照光手段の発光強度を制御す
ることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記複数個の遮光された薄膜電界効果トランジスタのそれぞれのゲート電極及びドレイン
電極は互いに並列接続され、それぞれのソース電極と前記ドレイン電極との間にはコンデ
ンサが、それぞれの前記ソース電極と所定の定電圧源との間にはスイッチ素子が、それぞ
れ接続され、
前記複数個の遮光されていない薄膜電界効果トランジスタのそれぞれのゲート電極及び
ドレイン電極は互いに並列接続され、それぞれのソース電極とドレイン電極との間にはコ
ンデンサが、それぞれの前記ソース電極と所定の定電圧源との間にはスイッチ素子が、そ
れぞれ接続され、
前記制御部は、前記複数個の遮光された薄膜電界効果トランジスタ及び複数個の遮光さ
れていない薄膜電界効果トランジスタ毎に、それぞれの前記ゲート電極に逆バイアス電圧
を印加しつつ前記スイッチをオフにしてから所定時間後のそれぞれのコンデンサの出力電
圧からかけ離れた出力電圧を除外した残りの出力電圧の平均値をそれぞれの平均置として
得、前記遮光された薄膜電界効果トランジスタ側の平均値と前記遮光されていない薄膜電
界効果トランジスタ側の平均値に基づいて前記照光手段の発光強度を制御することを特徴
とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記照光手段はバックライト又はサイドライトであり、前記表示装置は透過型又は半透過
型液晶表示装置であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記照光手段はフロントライトであり、前記表示装置は反射型液晶表示装置であることを
特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特にバックライトやフロントライト等の光源を有する表示
装置において、外光の明るさに応じて誤動作なく自動的に光源の明るさを変えることので
きる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に
普及している。特に、携帯型のものについては、消費電力を減少させるために、透過型液
晶表示装置のようなバックライトないしはサイドライト（以下、両者をまとめて「バック
ライト等」という）を必要としない反射型の液晶表示装置が多く用いられているが、この
反射型液晶表示装置は、外光を光源として用いるので暗い室内などでは見えにくくなって
しまうために、フロントライトを使用したもの（下記特許文献１参照）や、透過型と反射
型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている（下記特許文献
２参照）。
【０００３】
例えば、フロントライトを使用した反射型液晶表示装置は、暗い場所においてはフロン
トライトを点灯させて画像を表示し、明るい場所ではフロントライトを点灯することなく
外光を利用して画像を表示することができるので、常時フロントライトを点灯する必要が
なくなるので、消費電力を大幅に削減することができる。また、半透過型液晶表示装置は
、一つの画素内に透明電極を備えた透過部と反射電極を備えた反射部を有しており、暗い
場所においてはバックライト等を点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明
るい場所においてはバックライト等を点灯することなく反射部において外光を利用して画
像を表示しているため、この場合も常時バックライト等を点灯する必要がなくなるので、
消費電力を大幅に低減させることができるという利点を有している。
【０００４】
上述のような反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置においては、外光の強さによ
り液晶表示画面の見えやすさが異なる。このため、エンドユーザは、液晶表示画面を見や
すくするために、外光の強さに応じてバックライト等ないしはフロントライトを点灯すべ
きレベルであるか否かを自ら判断してバックライト等ないしはフロントライトを点灯、減
灯ないしは消灯するという煩雑な操作を行う必要があった。さらに、外光の明るさが十分
である時にも、不必要にバックライト等ないしはフロントライトを点灯してしまう場合も
あり、このような場合には、無駄な消費電力が増大するため、携帯電話機等の携帯型の機
器においては電池の消耗が早くなるという問題点が顕在する。
【０００５】
このような問題点に対処するための従来技術として、光センサを液晶表示装置に設け、
この光センサによって外光の明暗を検知し、光センサの検知結果に基づいてバックライト
等のオン／オフを制御する発明が知られている（下記特許文献３〜５参照）。
【０００６】
例えば、下記特許文献３には、光センサとして液晶表示パネルの基板上に光検出用の薄
膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）（段落［００１２］参照）を作成し、このＴＦＴの光
リーク電流を検出することにより、周囲の明るさに応じてバックライトを自動的にオン／
オフさせるようになした液晶表示装置が開示されている。
【０００７】
また、下記特許文献４には、光センサとしてフォトダイオードを使用し、周囲の明るさ
に応じてバックライトとしての発光ダイオードに温度保証した電流を供給するようにした
液晶表示装置が開示されている。
【０００８】
さらに、下記特許文献５には、バックライトないし機器の動作表示手段として使用され
ている発光ダイオードを光センサとして兼用し、周囲の明るさに応じた発光ダイオードの
起電力に基づいてバックライトの点灯を制御するようにした携帯端末の発明が開示されて
いる。
【特許文献１】特開２００２−１３１７４２号公報（特許請求の範囲、図１〜図３）
【特許文献２】特開２００１−３５０１５８号公報（特許請求の範囲、図４）
【特許文献３】特開２００２−１３１７１９号公報（特許請求の範囲、段落［００１０］〜［００１３］、図１）
【特許文献４】特開２００３−２１５５３４号公報（特許請求の範囲、段落［０００７］〜［００１９］、図１〜図３）
【特許文献５】特開２００４−００７２３７号公報（特許請求の範囲、段落［００２３］〜［００２８］、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のような従来の光センサにより周囲の明るさを検知してバックライト等を自動的に
オン／オフさせる液晶表示装置は、液晶表示装置を組み込んだ携帯電話機等の携帯型の機
器が小型であるため、通常は１個の光センサを液晶表示装置を組み込んだ機器の空きエリ
アに配置することにより周囲の明るさを検知し、この光センサの出力に基づいて予め定め
た所定の明るさでバックライト等を自動的にオン／オフさせるようになしている。
【００１０】
しかしながら、１個の光センサを液晶表示装置を組み込んだ機器の空きエリアに配置し
て周囲の明るさを検知する構成の場合、例えば使用者の指による不本意な動作により光セ
ンサが遮光されたような場合や周囲環境の影響により瞬間的に光センサに光が射したり遮
られたりした場合、バックライトの明るさが頻繁に変動する等必ずしもバックライト等を
所望の明るさに維持できない場合があった。
【００１１】
加えて、光センサを液晶表示装置を組み込んだ機器の空きエリアに配置するためには、
この機器に特別な開口を設けて光センサに外光が入射できる構成とする必要があるが、こ
の機器の高さや形状に制約が生じるという問題点があった。
【００１２】
本願発明は、上述のような従来の光センサにより周囲の明るさを検知してバックライト
等を自動的にオン／オフさせる表示装置の問題点を解決すべくなされたものであって、使
用者による不本意な動作や周囲環境の影響を受け難く、バックライトの明るさを自動的に
安定的にオン／オフ制御できるようにした表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を採用することを特徴としている。すな
わち、請求項１の表示装置の発明は、アクティブマトリクス基板を備えた表示パネルと、
前記表示パネルの照光手段と、光センサと、前記光センサの出力に基づいて前記照光手段
の発光強度を制御する制御部を備えた表示装置において、前記光センサは、複数個が前記
表示パネルの表示領域の周辺に沿って少なくとも一列に配置されており、前記制御部は前
記複数個の光センサの出力の平均値に基づいて前記照光手段の発光強度を制御することを
特徴とする。
【００１４】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の表示装置において、前記制御部は、複
数個の光センサの出力のからかけ離れた出力を除外して残りの出力の平均値に基づいて前
記照光手段の発光強度を制御することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３に係る発明は、請求項１に記載の表示装置において、前記光センサは複
数個の薄膜電界効果トランジスタからなり、前記複数個の薄膜電界効果トランジスタは、
それぞれのソース電極、ゲート電極及びドレイン電極が互いに並列接続されているととも
に、前記ソース電極とドレイン電極との間にはコンデンサが、前記ソース電極と所定の定
電圧源との間にはスイッチ素子が、それぞれ接続され、前記制御部は、前記薄膜電界効果
トランジスタのゲート電極に逆バイアス電圧を印加しつつ前記スイッチをオフにしてから
所定時間後のコンデンサの出力電圧を前記光センサの出力の平均値とし利用して前記照光
手段の発光強度を制御することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４に係る発明は、請求項１に記載の表示装置において、前記光センサは複
数個の薄膜電界効果トランジスタからなり、前記複数個の薄膜電界効果トランジスタは、
それぞれのゲート電極及びドレイン電極が互いに並列接続され、それぞれのソース電極と
前記ドレイン電極との間にはコンデンサが、それぞれの前記ソース電極と所定の定電圧源
との間にはスイッチ素子が、それぞれ接続され、前記制御部は、前記薄膜電界効果トラン
ジスタのゲート電極に逆バイアス電圧を印加しつつ前記スイッチをオフにしてから所定時
間後のそれぞれのコンデンサの出力電圧からかけ離れた出力電圧を除外した残りの出力電
圧の平均値に基づいて前記照光手段の発光強度を制御することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項５に係る発明は、請求項１に記載の表示装置において、前記光センサは複
数個の遮光された光センサ及び複数個の遮光されていない光センサを含み、
前記制御部は前記遮光された光センサの出力の平均値と遮光されていない光センサの出
力の平均値に基づいて前記照光手段の発光強度を制御することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項６に係る発明は、請求項５に記載の表示装置において、前記複数個の遮光
された光センサ及び複数個の遮光されていない光センサは、交互に並べて少なくとも一列
に配置されていることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項７に係る発明は、請求項５に記載の表示装置において、前記複数個の遮光
された光センサ及び複数個の遮光されていない光センサは、それぞれ少なくとも一列ずつ
平行に配置されていることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項８に係る発明は、請求項７に記載の表示装置において、前記複数個の遮光
された光センサは前記複数個の遮光されていない光センサの内周側に配置されていること
を特徴とする。
【００２１】
また、請求項９に係る発明は、請求項５〜８のいずれかに記載の表示装置において、前
記複数個の遮光された光センサ及び複数個の遮光されていない光センサは互いに隣接して
いることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項１０に係る発明は、請求項５〜９のいずれかに記載の表示装置において、
前記複数個の遮光された光センサ及び複数個の遮光されていない光センサは、それぞれ遮
光された薄膜電界効果トランジスタ及び遮光されていない薄膜電界効果トランジスタから
なり、前記制御部は前記複数個の遮光された薄膜電界効果トランジスタの出力の平均値と
前記複数個の遮光されていない薄膜電界効果トランジスタの出力の平均値に基づいて前記
照光手段の発光強度を制御することを特徴とする。
【００２３】
また、請求項１１に係る発明は、請求項１０に記載の表示装置において、前記複数個の
遮光された薄膜電界効果トランジスタのそれぞれのソース電極、ゲート電極及びドレイン
電極は互いに並列接続されているとともに、前記ソース電極とドレイン電極との間にはコ
ンデンサが、前記ソース電極と所定の定電圧源との間にはスイッチ素子が、それぞれ接続
され、前記複数個の遮光されていない薄膜電界効果トランジスタのそれぞれのソース電極
、ゲート電極及びドレイン電極は互いに並列接続されているとともに、前記ソース電極と
ドレイン電極との間にはコンデンサが、前記ソース電極と所定の定電圧源との間にはスイ
ッチ素子が、それぞれ接続され、前記制御部は、前記複数個の遮光された薄膜電界効果ト
ランジスタ及び複数個の遮光されていない薄膜電界効果トランジスタ毎に、前記ゲート電
極に逆バイアス電圧を印加しつつ前記スイッチをオフにしてから所定時間後のコンデンサ
の出力電圧をそれぞれの平均出力として得、前記遮光された薄膜電界効果トランジスタ側
の平均出力と前記遮光されていない薄膜電界効果トランジスタ側の平均出力に基づいて前
記照光手段の発光強度を制御することを特徴とする。
【００２４】
また、請求項１２に係る発明は、請求項１０に記載の表示装置において、前記複数個の
遮光された薄膜電界効果トランジスタのそれぞれのゲート電極及びドレイン電極は互いに
並列接続され、それぞれのソース電極と前記ドレイン電極との間にはコンデンサが、それ
ぞれの前記ソース電極と所定の定電圧源との間にはスイッチ素子が、それぞれ接続され、
前記複数個の遮光されていない薄膜電界効果トランジスタのそれぞれのゲート電極及びド
レイン電極は互いに並列接続され、それぞれのソース電極とドレイン電極との間にはコン
デンサが、それぞれの前記ソース電極と所定の定電圧源との間にはスイッチ素子が、それ
ぞれ接続され、前記制御部は、前記複数個の遮光された薄膜電界効果トランジスタ及び複
数個の遮光されていない薄膜電界効果トランジスタ毎に、それぞれの前記ゲート電極に逆
バイアス電圧を印加しつつ前記スイッチをオフにしてから所定時間後のそれぞれのコンデ
ンサの出力電圧からかけ離れた出力電圧を除外した残りの出力電圧の平均値をそれぞれの
平均置として得、前記遮光された薄膜電界効果トランジスタ側の平均値と前記遮光されて
いない薄膜電界効果トランジスタ側の平均値に基づいて前記照光手段の発光強度を制御す
ることを特徴とする。
【００２５】
また、請求項１３に係る発明は、請求項１〜１２のいずれかに記載の表示装置において
、前記照光手段はバックライト又はサイドライトであり、前記表示装置は透過型又は半透
過型液晶表示装置であることを特徴とする。
【００２６】
更に、請求項１４に係る発明は、請求項１〜１２のいずれかに記載の表示装置において
前記照光手段はフロントライトであり、前記表示装置は反射型液晶表示装置であることを
特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は上記のような構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する
。すなわち、請求項１の発明によれば、複数個の光センサが少なくとも一列に配置されて
いるため、使用者の指の不本意な動きにより光センサが遮光されたような場合や周囲環境
の影響により瞬間的に光センサに光が射したり遮られたりした場合においても、一列に配
置されている複数個の光センサの全てが同時に影響を受けることは少ないので、光センサ
の平均出力はあまり変動せず、バックライトの明るさが頻繁に変動することはなくなる。
加えて、複数個の光センサを表示パネルの表示領域の周辺に沿って配置したため、特に光
センサに外光が当たるようにするための特別な構成を設ける必要がなくなるため、表示装
置の構成が簡略化されると同時に表示装置の設計の自由度が増加する。なお、光センサと
しては、周知のフォトダイオード、フォトトランジスタ、薄膜電界効果トランジスタ型光
検出器（ＴＦＴ光センサ）、フォトＳＣＲ、光導電体、光電池等、任意の光−電気変換素
子を適宜選択して使用し得る。
【００２８】
また、使用者の指等により一部の光センサが遮光されると、その光センサの出力は変動
するが、他の光センサの出力は変動しない。したがって、請求項２に係る発明によれば、
使用者の指等により遮光された光センサの出力を除外したため、外光の明るさを正確に測
定でき、予め定めた所定の明るさで正確に照光手段を自動的にオン／オフ制御できるよう
になる。
【００２９】
また、請求項３に係る発明によれば、光センサとしての薄膜電界効果トランジスタ、コ
ンデンサ及びスイッチ素子は、アクティブマトリクス基板のスイッチング素子としての薄
膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）製造時に同時に製造することができるため、特に光セ
ンサとしてのＴＦＴ、コンデンサ及びスイッチ素子を設けるために製造工数を増加させる
必要がなくなり、しかも、これらの光センサとしてのＴＦＴ、コンデンサ及びスイッチ素
子は、小型であり、しかも、それぞれ複数個を表示パネルの表示領域の周辺に沿って容易
に一列に形成し得るため、特に表示パネルを大型化する必要はなくなる。
【００３０】
加えて、請求項３に係る発明では、光センサとしてのＴＦＴのゲート電極に逆バイアス
電圧を印加した際の漏れ電流は光の強度に比例するが、個々の光センサとしてのＴＦＴは
並列に接続されているために配線数が少なくなるとともに、スイッチ素子をオフにしてか
ら所定時間後のコンデンサの電圧を測定することにより簡単かつ高感度に光の平均強度を
検知することができる。なお、請求項３に係る発明においては、コンデンサは１個だけ用
いてもよいが、必要な容量が大きくなって大型になるため、個々の光センサとしてのＴＦ
Ｔ毎に１個ずつ設ける方がよい。
【００３１】
また、請求項４に係る発明によれば、請求項３に係る発明と同様に、光センサとしての
ＴＦＴ、コンデンサ及びスイッチ素子は、アクティブマトリクス基板のスイッチング素子
としてのＴＦＴ製造時に同時に製造することができるため、特に光センサとしてのＴＦＴ
、コンデンサ及びスイッチ素子を設けるために製造工数を増加させる必要がなくなり、し
かも、これらの光センサとしてのＴＦＴ、コンデンサ及びスイッチ素子は、小型であり、
しかも、それぞれ複数個を表示パネルの表示領域の周辺に沿って容易に一列に形成し得る
ため、特に表示パネルを大型化する必要はなくなる。加えて、請求項４に係る発明によれ
ば、請求項２に係る発明と同様に、使用者の指等により遮光された光センサの出力を除外
したため、外光の明るさを正確に測定でき、予め定めた所定の明るさで正確に照光手段を
自動的にオン／オフ制御できるようになる。
【００３２】
また、請求項５〜７に係る発明によれば、遮光された光センサの出力により暗基準出力
が安定するとともに遮光されていない光センサと同様の温度特性を備えているから、周囲
温度変化があっても遮光されていない光センサの特性は遮光されている光センサの特性に
より補償されるために、外光の明るさを正確に測定できるとともに、予め定めた所定の明
るさで正確に照光手段を自動的にオン／オフ制御できるようになる。加えて、遮光された
光センサ及び遮光されていない光センサともに通常は同一ロット品が使用されるため、特
性のバラツキが少なくなるので、正確に予め定めた所定の明るさで照光手段を自動的にオ
ン／オフ制御できるようになる。この場合、数個の遮光された光センサ及び複数個の遮光
されていない光センサは、交互に並べて少なくとも一列に配置（請求項６）する構成とな
すことも、それぞれ少なくとも一列ずつ平行に配置（請求項７）することもできるため、
必要に応じて選択すればよい。
【００３３】
また、請求項８に係る発明によれば、表示装置の表示部はカラーフィルタ基板の周囲に
設けられているブラックマトリクスが設けられているため、遮光された光センサを遮光さ
れていない光センサの内周側に設ければ、ブラックマトリクスを僅かに広げるだけで光セ
ンサを覆うことができるため、別途遮光のための部材を設ける必用がなくなり、構造的及
び外観的に見栄えがよくなる。
【００３４】
また、請求項９に係る発明によれば、２つのセンサの特性は場所が隣接している方が特
性が近くなるため、遮光された光センサと遮光されていない光センサを隣接させれば特性
のバラツキが少なくなり、予め定めた所定の明るさで正確に照光手段を自動的にオン／オ
フ制御できるようになる。
【００３５】
また、請求項１０に係る発明によれば、請求項３に係る発明と同様に、光センサとして
のＴＦＴ、コンデンサ及びスイッチ素子を設けるために製造工数を増加させる必要がなく
なり、しかも、特に表示パネルを大型化する必要はなくなる。加えて、光センサとしての
ＴＦＴのゲート電極に逆バイアス電圧を印加した際の漏れ電流は光の強度に比例するから
、スイッチ素子をオフにしてから所定時間後のそれぞれのコンデンサの出力電圧を基に、
複数個の遮光されたＴＦＴの出力の平均値と複数個の遮光されていないＴＦＴの出力の平
均値とから正確に温度補償された光の平均強度を検知することができるようになるので、
予め定めた所定の明るさで正確に照光手段を自動的にオン／オフ制御できるようになる。
【００３６】
また、請求項１１に係る発明によれば、請求項１０に係る発明の効果に加えて、個々の
光センサとしてのＴＦＴは、複数個の遮光されたＴＦＴ毎及び複数個の遮光されていない
ＴＦＴ毎に並列に接続されているため、配線数が少なくなり、しかも、スイッチ素子をオ
フにしてから所定時間後の遮光されたＴＦＴ側の出力及び遮光されていない側のＴＦＴ側
の出力はそれぞれの平均値となるから、簡単かつ高感度に光の平均強度を検知することが
できる。なお、請求項１１に係る発明においては、複数個の遮光されたＴＦＴ毎及び複数
個の遮光されていないＴＦＴ毎にそれぞれコンデンサは１個ずつ用いてもよいが、必要な
容量が大きくなって大型になるため、個々の光センサとしてのＴＦＴ毎に１個ずつ設ける
方がよい。
【００３７】
また、請求項１２に係る発明によれば、請求項８に係る発明の効果に加えて、個々の光
センサとしてのＴＦＴは、遮光されたＴＦＴ毎及び遮光されていないＴＦＴ毎にドレイン
電極とゲート電極とが並列に接続されているため、配線数が少なくなり、しかも、請求項
２に係る発明と同様に、平均値を求める際に使用者の指等により遮光された光センサの出
力を除外したため、外光の明るさを正確に測定でき、予め定めた所定の明るさで正確に照
光手段を自動的にオン／オフ制御できるようになる。
【００３８】
また、請求項１１及び請求項１２の発明によれば、それぞれ透過型液晶表示装置ないし
は半透過型液晶表示装置（請求項１１）の場合、あるいは反射型液晶表示装置（請求項１
２）の場合でも、同様に請求項１ないし請求項１０に係る発明の効果を奏する表示装置が
得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を用いて詳細に説明するが、以下に述べ
る実施例は、本発明の技術思想を具体化するためのアクティブマトリクス型の表示装置の
一例としての半透過型液晶表示装置を例示するものであって、本発明をこの実施例に特定
することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱する
ことなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【００４０】
まず最初に、光センサとしてのＴＦＴ（以下、「ＴＦＴ光センサ」という）の動作原理
及び駆動回路について図１〜図３を用いて説明する。なお、図１はＴＦＴ光センサの電圧
−電流曲線の一例を示す図であり、図２はＴＦＴ光センサを使用した光検出部の回路図で
あり、また、図３は明るさが異なる場合の図２に示した回路図におけるコンデンサの両端
の電圧−時間曲線を示す図である。
【００４１】
ＴＦＴ光センサは、実質的にアクティブマトリクス型液晶表示パネルのスイッチング素
子として用いられているＴＦＴと同一の構成を備えている。このＴＦＴ光センサは、図１
に示したように、遮光されている場合にはゲートオフ領域で非常に僅かな暗電流が流れて
いるが、チャネル部に光が当たるとその光の強さ（明るさ）に応じて漏れ電流が大きくな
るという特性を有している。従って、図２の光検出部３３の回路図に示したように、ＴＦ
Ｔ光センサのゲート電極ＧＬにゲートオフ領域となる一定の逆バイアス電圧（例えば−１
０Ｖ)を印加し、ドレイン電極ＤＬとソース電極ＳＬとの間にコンデンサＣを並列に接続
し、一定の電圧Ｖｓ（例えば＋２Ｖ)をスイッチ素子ＳＷをオンにしてコンデンサＣの両
端に印加した後、スイッチ素子ＳＷをオフにすると、コンデンサＣの両端の電圧はＴＦＴ
光センサの周囲の明るさに応じて図３に示したように時間とともに低下する。従って、ス
イッチ素子ＳＷをオフにしてから所定時間ｔ０後にコンデンサＣの両端の電圧を測定すれ
ば、その電圧とＴＦＴ光センサの周囲の明るさとの間に反比例関係が成立するから、ＴＦ
Ｔ光センサの周囲の明るさを求めることができることになる。
【００４２】
次に、アクティブマトリクス型の表示装置の一例として半透過型液晶表示装置を例にと
り、その製造方法とともに上述のＴＦＴ光センサを含む光検出部の製造方法及び得られた
半透過型液晶表示装置の構成を図４〜図８を用いて説明する。なお、図４は半透過型液晶
表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図５はカラー
フィルタ基板を除外した図４のＡ−Ａ断面図であり、図６は半透過型液晶表示装置の平面
図であり、図７は光検出部の断面図であり、図８は複数個の光検出部の電気的接続例を示
す回路図であり、図９は図８の変形例の回路図であり、更に図１０は図６の半透過型液晶
表示装置の変形例である。
【００４３】
この半透過型液晶表示装置１０は、図４及び５に示すように、透明な絶縁性を有するガ
ラス基板１１の表示領域上に、アルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の走査線
１２が等間隔で平行に形成されており、また、隣り合う走査線１２間の略中央には走査線
１２と同時に補助容量線２１が平行して形成され、走査線１２からはＴＦＴのゲート電極
Ｇが延設されている。
【００４４】
さらに、ガラス基板１１上には、走査線１２、補助容量線２１、ゲート電極Ｇを覆うよ
うにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１４が積層されている。
そして、ゲート電極Ｇの上にはゲート絶縁膜１４を介して非晶質シリコンや多結晶シリコ
ンなどからなる半導体層２２が形成され、またゲート絶縁膜１４上にはアルミニウムやモ
リブデン等の金属からなる複数の信号線１３が走査線１２と直交するようにして形成され
ており、この信号線１３からはＴＦＴのソース電極Ｓが延設され、このソース電極Ｓは半
導体層２２と接触している。さらに、信号線１３及びソース電極Ｓと同一の材料でかつ同
時形成されたドレイン電極Ｄがゲート絶縁膜１４上に設けられており、このドレイン電極
Ｄも半導体層２２と接触している。
【００４５】
ここで、走査線１２と信号線１３とに囲まれた領域が１画素に相当する。そしてゲート
電極Ｇ、ゲート絶縁膜１４、半導体層２２、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイ
ッチング素子となるＴＦＴが構成され、それぞれの画素にこのＴＦＴが形成される。この
場合、ドレイン電極Ｄと補助容量線２１によって各画素の補助容量を形成することになる
。
【００４６】
これらの信号線１３、ＴＦＴ、ゲート絶縁膜１４を覆うようにして例えば無機絶縁材料
からなる保護絶縁膜２３が積層され、この保護絶縁膜２３上に、有機絶縁膜からなる層間
膜１７が積層されている。この層間膜１７の表面は、反射部１５においては微細な凹凸部
が形成され、透過部１６においては平坦となされている。なお、図４及び図５においては
反射部１５における層間膜１７の凹凸部は省略してある。そして保護絶縁膜２３と層間膜
１７には、ＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が形成されて
いる。そして、それぞれの画素において、コンタクトホール２０上及び層間膜１７の表面
の一部分には、反射部１５に例えばアルミニウム金属からなる反射電極１８が設けられ、
この反射電極１８の表面及び透過部１６における層間膜１７の表面には例えばＩＴＯから
なる画素電極１９が形成されている。
【００４７】
そして、ガラス基板１１の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を
有するバックライトないしはサイドライトを配置し、また、画素電極１９の表面には総て
の画素を覆うように配向膜（図示せず）を積層し、そして、それぞれの画素に対応して形
成されるＲ、Ｇ、Ｂ３色のカラーフィルタ、対向電極等が設けられているカラーフィルタ
基板（図示せず）をこのガラス基板１１と対向させ、両基板の周囲にシール材を設けるこ
とにより両基板を貼り合せ、両基板間に液晶を注入することにより半透過型液晶表示装置
１０を得ることができる。
【００４８】
この場合、反射電極１８を省略すると透過型液晶表示装置が得られ、逆に反射電極１８
を画素電極１９の下部全体にわたって設けると反射型液晶表示装置が得られる。ただし、
反射型液晶表示装置の場合は、バックライトないしはサイドライトに換えてフロントライ
トが使用される。
【００４９】
なお、この実施例に係る半透過型液晶表示装置１０は、上述のような走査線１２、信号
線１３、画素電極１９等が多数マトリクス状に配置されて、図６に示すように、表示領域
３０を形成し、この表示領域３０の周縁に、半透過型液晶表示装置１０を駆動するための
ドライバＩＣ３１が設けられ、この表示領域３０のドライバＩＣ３１が設けられた側とは
反対側の周縁に沿って例えば２列に複数個（例えば一列３個×２列＝計６個）のＴＦＴ光
センサ部、コンデンサＣ及び一個のＴＦＴからなるスイッチ素子ＳＷを一体に備えた２列
の光検出部３３１及び３３２が形成されている。
【００５０】
この２列の光検出部３３１及び３３２のうち、表示領域３０の外側の列の光検出部３３
１はＴＦＴ光センサ３２１〜３２３が遮光されておらず、内側の列の光検出部３３２はＴ
ＦＴ光センサ３２４〜３２６部か遮光されている外は両者とも実質的に同一であるので、
以下では遮光されていない外側の光検出部３３１を例にとり具体的な構成を説明する。
【００５１】
光検出部３３１は、図７に示したように、ガラス基板１１の表面にＴＦＴ光センサのゲ
ート電極ＧＬ１〜ＧＬ３、コンデンサＣ１〜Ｃ６の一方の電極Ｃｅ１〜Ｃｅ３及び第１の
スイッチ素子ＳＷ１を構成するＴＦＴのゲート電極ＧＳ１が形成されており、これらの表
面を覆うようにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１４が積層さ
れている。
【００５２】
そして、ＴＦＴ光センサ３２１〜３２３のゲート電極ＧＬ１〜ＧＬ３の上部及び第１の
スイッチ素子ＳＷ１を構成するＴＦＴのゲート電極ＧＳ１の上部にはそれぞれゲート絶縁
膜１４を介して非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層２２Ｌ１〜２２Ｌ
３及び２２Ｓ１が形成され、更にゲート絶縁膜１４上にはアルミニウムやモリブデン等の
金属からなるＴＦＴ光センサ３２１〜３２３のソース電極ＳＬ１〜ＳＬ３及びドレイン電
極ＤＬ１〜ＤＬ３、第１のスイッチ素子ＳＷ１を構成するＴＦＴのソース電極ＳＳ１及び
ドレイン電極ＤＳ１がそれぞれの半導体層２２Ｌ１〜２２Ｌ３及び２２Ｓ１と接触するよ
うに設けられている。
【００５３】
このうち、ＴＦＴ光センサ３２１〜３２３のソース電極ＳＬ１〜ＳＬ３は延長されてコ
ンデンサＣ１〜Ｃ３の他方の電極Ｃｅ１’〜Ｃｅ３’を形成しているとともに、ＴＦＴ光
センサ３２３のソース電極ＳＬ３は第１のスイッチ素子ＳＷ１を構成するＴＦＴのドレイ
ン電極ＤＳ１と接続されている。
【００５４】
さらに、ＴＦＴ光センサ３２１〜３２３、コンデンサＣ１〜Ｃ３及びＴＦＴからなる第
１のスイッチ素子ＳＷ１の表面を覆うようにして例えば無機絶縁材料からなる保護絶縁膜
２３が積層されており、また、第１のスイッチ素子ＳＷ１の表面には、外部光の影響を受
けないようにするために、ブラックマトリクス２４で被覆されている。
【００５５】
このＴＦＴ光センサ３２１〜３２３、コンデンサＣ１〜Ｃ３及びＴＦＴからなる第１の
スイッチ素子ＳＷ１を一体に備えた光検出部３３１は、図５及び図７において同一層の絶
縁層には同一の参照符号を付与するとともに、それぞれのＴＦＴの対応する構成部分には
同一の参照符号に添え字を設けて区別して表してあるため、表示領域３０のスイッチング
用ＴＦＴ形成時に同時に形成することができることは容易に理解できるであろう
そして、本実施例では、図６に示したように、複数個の光検出部３３１及び３３２を２
列に配置したが、このうち表示領域３０から見て内側に位置する一列の光検出部３３２に
おいては、少なくともＴＦＴ光センサ３２４〜３２６のゲート電極ＧＬ４〜ＧＬ６部分の
表面をブラックマトリクスで被覆して遮光した。このような構成とすると、光検出部３３
２の出力は、外光の影響を受けなくなるため、暗基準出力となる。
【００５６】
なお、別途図示しないカラーフィルタ基板の周囲のブラックマトリクスを利用して遮光
することもできる。この場合は、表示装置の表示部はカラーフィルタ基板の周囲に設けら
れているブラックマトリクスが設けられているため、ブラックマトリクスを僅かに広げる
だけでＴＦＴ光センサ３２４〜３２６を覆うことができるため、別途遮光のための部材を
設ける必要がなくなり、構造的及び外観的に見栄えがよくなる。
【００５７】
この実施例における複数個の光検出部３３１及び３３２の電気的接続例を図８を用いて
説明する。この実施例においては、光検出部３３１のＴＦＴ光センサ３２１〜３２３の各
ソース電極ＳＬ１〜ＳＬ３は互いに並列に接続されて第１のスイッチ素子ＳＷ１を介して
一定の電圧Ｖｓ（例えば＋２Ｖ）に接続されるとともに、信号配線ＳＳによって外部に出
力信号が取り出されており、更に、各ゲート電極ＧＬ１〜ＧＬ３は互いに並列に接続され
て一定の逆バイアス電圧（例えば−１０Ｖ)が印加され、また、各ドレイン電極ＤＬ１〜
ＤＬ６も互いに並列に接続されて所定の電圧源ＶＣＯＭに接続されている。
【００５８】
同様に、光検出部３３２のそれぞれのＴＦＴ光センサ３２４〜３２６の各ソース電極Ｓ
Ｌ４〜ＳＬ６は互いに並列に接続されて第２のスイッチ素子ＳＷ２を介して一定の電圧Ｖ
ｓに接続されるとともに、信号配線ＳＲによって外部に出力信号が取り出されており、更
に、各ゲート電極ＧＬ４〜ＧＬ６は互いに並列に接続されて光検出部３３１側と同じ一定
の逆バイアス電圧が印加され、また、各ドレイン電極ＤＬ１〜ＤＬ６も互いに並列に接続
されて光検出部３３１側と同じ所定の電圧源ＶＣＯＭに接続されている。
【００５９】
この実施例では、信号線ＳＳには遮光されていないＴＦＴ光センサ３２１〜３２３の平
均出力が得られ、また信号線ＳＲには遮光されたＴＦＴ光センサ３２４〜３２６の平均出
力が得られるから、信号線ＳＲ及びＳＳに現れた信号を処理すると、遮光されたＴＦＴ光
センサ３２４〜３２６の出力の平均値を基準とした遮光されていないＴＦＴ光センサ３２
１〜３２３の出力の平均値が得られる。
【００６０】
この出力を用いて別途周知の制御手段により、照光手段のオン／オフが制御される。な
お、信号線ＳＲ及びＳＳに表れた信号の処理は、差動出力を求めてもよいし、予め定めた
所定の関係となるように演算処理してもよい。この制御手段は別途光検出部３３１及び３
３２の近傍に設けてもよいし、あるいはドライバＩＣ３１内に設けてもよい。
【００６１】
そして、遮光されていないＴＦＴ光センサ３２１〜３２３は、図６に示したように、表
示領域３０の周辺に沿って一列に間隔を置いて配置されているため、使用者が不注意に指
等でＴＦＴ光センサ３２１〜３２３を遮るようなことがあっても、全てのＴＦＴ光センサ
３２１〜３２３が同時に遮られることは少ないから、遮光されていないＴＦＴ光センサ３
２１〜３２３の出力の平均値は大きく変動することがなく、バックライト等の明るさが頻
繁に変動することはなくなる。
【００６２】
なお、上述のように遮光されたＴＦＴ光センサ３２４〜３２６を設けた理由は、ＴＦＴ
光センサは温度により光検出特性が大きく変化するが、遮光されていないＴＦＴ光センサ
３２１〜３２３の温度特性を遮光されたＴＦＴ光センサ３２４〜３２６により補償するた
めであり、このような構成とすると、温度が変化しても所望の明るさで正確にバックライ
ト等のオン／オフを制御することができるようになる。しかしながら、温度補償が必要な
ければ遮光された光検出部３３２、ＴＦＴ光センサ３２４〜３２６等を省略することも可
能である。
【００６３】
この場合、コンデンサＣ１〜Ｃ３及びＣ４〜Ｃ６もそれぞれ並列接続された形になるの
で、それぞれコンデンサを１個ずつ使用することもできるが、必要な容量が大きくなるた
め、図７及び図８に示したように個別に設ける方がよい。
【００６４】
また、上記実施例の変形例として、図９に示したように、光検出部３３１のＴＦＴ光セ
ンサ３２１〜３２３の各ソース電極ＳＬ１〜ＳＬ３は、それぞれ独立して第１〜第３のス
イッチ素子ＳＷ１〜ＳＷ３を介して共通の一定の電圧ＶＳ（例えば＋２Ｖ）に接続される
とともに、それぞれ独立して出力配線ＳＳ１〜ＳＳ３に接続されており、更に、各ゲート
電極ＧＬ１〜ＧＬ３は互いに並列に接続されて一定の逆バイアス電圧（例えば−１０Ｖ)
が印加され、また、各ドレイン電極ＤＬ１〜ＤＬ６も互いに並列に接続されて所定の電圧
源ＶＣＯＭに接続されている。
【００６５】
同様に、光検出部３３２のそれぞれのＴＦＴ光センサ３２４〜３２６の各ソース電極Ｓ
Ｌ４〜ＳＬ６は、それぞれ独立して第４〜第６のスイッチ素子ＳＷ４〜ＳＷ６を介して光
検出部３３１側と同じ共通の一定の電圧ＶＳに接続されるとともに、それぞれ独立して出
力配線ＳＲ１〜ＳＲ３に接続されており、更に、各ゲート電極ＧＬ４〜ＧＬ６は互いに並
列に接続されて光検出部３３１側と同じ一定の逆バイアス電圧が印加され、また、各ドレ
イン電極ＤＬ４〜ＤＬ６も互いに並列に接続されて光検出部３３１側と同じ所定の電圧源
ＶＣＯＭに接続されている。
【００６６】
この変形例では、遮光されていない光検出部３３１の出力配線ＳＳ１〜ＳＳ３からＴＦ
Ｔ光センサ３２１〜３２３それぞれの出力が得られる。したがって、使用者が指等でＴＦ
Ｔ光センサ３２１〜３２３のいずれかを遮った場合、出力配線ＳＳ１〜ＳＳ３のうちのい
ずれかの出力が他の出力とかけ離れた値となるため、容易に使用者が遮ったＴＦＴ光セン
サを判別でき、別途図示しない制御装置により他の出力とかけ離れた出力を除外して平均
値を求めると、この平均値は使用者がＴＦＴ光センサを遮る前の平均値と実質的に同じに
なるため、周囲の明るさは変化していないものと判断され、バックライト等の明るさが頻
繁に変動することはなくなる。
【００６７】
なお、上記変形例では、遮光された光検出部３３２側においても遮光されていない側の
光検出部３３１と同様の構成を備えているものを使用したが、このような構成であると、
別途遮光された光検出部３３１とは異なる構成の遮光された光検出部３３２を用意する必
要はなくなり、遮光された検出部３３２は単に遮光されていない検出部３３１の表面をブ
ラックマトリクスで覆うだけで得られるために経済的となる。しかも、遮光された光セン
サ及び遮光されていない光センサともに通常は同一ロット品が使用されるため、両者の特
性のバラツキが少なくなる。
【００６８】
しかしながら、遮光された光検出部３３２側の各ＴＦＴ光センサ３２４〜３２６の出力
は、使用者が指等によって遮光されたＴＦＴ光センサ３２４〜３２６を遮っても、実質的
に変動しないため、遮光された光方検出部３３２としては、図８に示したように、ＴＦＴ
光センサ３２４〜３２６のソース電極ＳＬ４〜ＳＬ６も並列に接続することによりスイッ
チ素子を１個及び出力配線を１個とすることもできる。
【００６９】
また、上記実施例及び変形例では、遮光された光検出部３３１及び遮光されていない光
検出部３３２をそれぞれ１列ずつ近接して平行に配置した例を示したが、このように２つ
の検出部３３１及び３３２を近接配置したのは、両者の温度に差異が生じないようにして
測定値のバラツキが少なくなるようにして、予め定めた所定の明るさで正確に照光手段を
自動的にオン／オフ制御できるようにするためであるが、更に進めて遮光された光検出部
３３１及び遮光されていない光検出部３３２を一体化したものを用いてもよい。
【００７０】
更に、上記実施例ないし変形例では複数個の光検出部３３１及び３３２を液晶表示装置
の表示領域３０のドライバＩＣ３１が設けられた側とは反対側の周縁に沿って設けた例を
示したが、図１０に示したように、ドライバＩＣと表示領域３０との間に配置してもよく
、更には表示領域３０の側面に配置してもよい。この図１０に示した変形例ないし表示領
域の側面に配置した場合は、表示領域３０とドライバＩＣ３１との間を接続するための信
号線ないし走査線が配置されているため、複数個の光検出部３３１〜３３６及び必要な配
線を信号線ないし走査線の間に配置するかあるいは積層配線とする必要がある。
【００７１】
また、上記実施例では光センサとしてＴＦＴからなるものを使用した例を示したが、こ
れに限らずフォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトＳＣＲ、ＣｄＳ等の光導電体
、光電池等を使用することもできる。
【００７２】
次に、このようにして得られた液晶表示装置１０の複数個の光検出部３３１及び３３２
の出力を用いてバックライト等のオン／オフ制御を行うためのバックライト制御部４０の
一例を図１１に示したブロック図を用いて説明する。このバックライト制御部４０は、セ
ンサ制御部４１によりスイッチ素子ＳＷを構成するＴＦＴのソース電極ＳＳに一定の基準
電圧Ｖｓ（たとえば＋２Ｖ)を印加し、同じくゲート電極ＧｓにＴＦＴをオン／オフする
ための電圧（例えば±１０Ｖ)を切換印加し、更にＴＦＴ光センサのゲート電極ＧＬには
ＴＦＴ光センサをゲートオフ領域で作動させるための一定の電圧（例えば−１０Ｖ）を印
加するとともに、ＴＦＴ光センサのドレイン電極ＤＬには共通電位ＶＣＯＭを印加するよ
うにしている。そして、光検出部３３１及び３３２の出力をセンサ制御部４１で所定の演
算処理を行い、外光の明るさに対応した測定値を得て、比較部４２の一方の端子に入力す
るとともに、モード制御部４３にも入力する。
【００７３】
モード制御部４３は、外部からの入力信号により通常動作モード初期設定モードとを切
換る回路であり、初期設定モード時にはセンサ制御部４１の出力を閾値記憶部４６に入力
して記憶させ、通常動作モード時にはセンサ制御部４１の出力を遮断するようになされて
おり、また、閾値記憶部４４は記憶している閾値を比較部４２の他方の端子へ出力するよ
うにされている。
【００７４】
そして、通常動作モード時には、比較部４２は、センサ制御部４１からの入力信号と閾
値記憶部４４からの入力信号とを比較し、センサ制御部４１からの入力信号が閾値記憶部
４４に記憶されている閾値よりも大きい（明るい）場合にはスイッチング部４５を介して
バックライト等４６を消灯し、逆にセンサ制御部４１からの入力信号が閾値記憶部４４に
記憶されている閾値よりも小さい（暗い）場合にはスイッチング部４５を介してバックラ
イト等４６を点灯するようにしている。
【００７５】
モード制御部４３において、初期設定モードが選択された場合は、センサ制御部４１か
らの出力を閾値記憶部４４に記憶するようになっているため、光検出部３３１〜３３６に
予め定めた明るさの光を照射することによりその光の明るさに対応する閾値を記憶させる
ことができる。従って、光センサの光−電気特性にバラツキがあっても、バックライト等
４６を予め定めた明るさを境として正確にオン／オフ制御することができるようになる。
【００７６】
この場合、予め定めた明るさの光は製造工程で一律に定めてもよく、あるいはエンドユ
ーザが好みに応じて適宜の明るさで自動的にバックライト等をオン／オフ制御できるよう
にしてもよい。なお、比較部４２として、頻繁にバックライト等がオン／オフ制御されな
いようにするため、オンになるときの明るさとオフになるときの明るさを変える、すなわ
ちヒステリシス特性を持たせてもよい。このヒステリシス特性は比較部４２としてヒステ
リシスコンパレータを用いることにより簡単に達成することができる。
【００７７】
なお、本実施例では、光検出部３３１及び３３２を、液晶表示パネルのスイッチング素
子として用いられているＴＦＴと同時に製造することができるようにするために、ガラス
基板１１の表示領域の周囲の額縁上に設けた例を示したが、表示領域内の周辺部に設けて
もよい。また、光検出部３３１及び３３２自体は、液晶表示パネルのスイッチング素子と
して用いられているＴＦＴと同時に製造する必要がなければ、液晶表示パネルの外部に設
けて液晶表示パネルとは別途配線手段により電気的に接続するようにしてもよい。
【００７８】
更に、本実施例では、光検出部３３１及び３３２のスイッチ素子も、コンデンサ等と積
層一体化したものを用いた例を示したが、個別の素子で形成することも可能である。この
スイッチ素子を個別の素子とした場合は、スイッチ素子の設置箇所を任意に設定できるよ
うになり、ガラス基板１１の表示領域の周囲の額縁上に設けることもできるし、パネルの
外部に設けることもできるし、更にはドライバＩＣ内に組み込むこともできるようになる
。
【００７９】
また、センサ制御部４１、比較部４２、モード制御部４３、閾値記憶部４４、スイッチ
ング部４５は、液晶表示装置のドライバＩＣに組み込むこともできる。閾値記憶部は液晶
表示装置１０内部に設けなくてもよいが、この場合は液晶表示装置１０の電源立ち上げ時
に外部の閾値記憶部備えているホストＰＣから液晶表示装置１０を初期化するように構成
されていればよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】ＴＦＴ光センサの電圧−電流曲線の一例を示す図である。
【図２】ＴＦＴ光センサを使用した光検出部の回路図である。
【図３】明るさが異なる場合の図２に示した回路図におけるコンデンサの両端の電圧−時間曲線を示す図である。
【図４】半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図である。
【図５】カラーフィルタ基板を除外した図４のＡ−Ａ断面図である。
【図６】実施例の半透過型液晶表示装置の平面図である。
【図７】光検出部の断面図である。
【図８】複数個の光検出部の電気的接続例を示す回路図である。
【図９】図８の回路図の変形例である。
【図１０】図６の半透過型液晶表示装置の変形例である。
【図１１】バックライト制御部のブロック図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０    半透過型液晶表示装置
３０    表示領域
３１    ドライバＩＣ
３２、３２１〜３２６    ＴＦＴ光センサ
３３、３３１、３３２    光検出部
４０    バックライト制御部
４１    センサ制御部
４２    比較部
４３    モード制御部
４４    閾値制御部
４５    スイッチング部
４６    バックライト等
【図１】
2007163628.tif 000003
【図２】
2007163628.tif 000004
【図３】
2007163628.tif 000005
【図４】
2007163628.tif 000006
【図５】
2007163628.tif 000007
【図６】
2007163628.tif 000008
【図７】
2007163628.tif 000009
【図８】
2007163628.tif 000010
【図９】
2007163628.tif 000011
【図１０】
2007163628.tif 000012
【図１１】
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