(57)【要約】【課題】高い解像度でパターンを加工することが容易であって、製品歩留まりの低下を防止する。【解決手段】マスク支持台１２１が支持するマスクＭへ、マスクＭへの照明において不活性なガスｇをガス噴霧部１３１が噴霧することによって、マスク洗浄部３がマスクＭを洗浄する。【選択図】図３
2007242863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンが形成されたマスクを照明することによってマスクパターン像を被転写体に転写する露光装置であって、
前記マスクを洗浄するマスク洗浄部
を有し、
前記マスク洗浄部は、
前記マスクを支持するマスク支持部と、
前記マスクへの照明において不活性なガスを噴射するガス噴射部と
を含み、
前記マスク支持部が支持する前記マスクへ、前記ガス噴霧部が前記ガスを噴霧することによって、前記マスクを洗浄する
露光装置。
【請求項２】
前記マスク洗浄部は、前記マスクパターン像を前記被転写体に転写した後に、前記マスクを洗浄する
請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記マスク洗浄部は、前記マスクパターン像を前記被転写体に転写する前に、前記マスクを洗浄する
請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記マスク支持部は、前記マスクにおいて前記マスクパターンが形成されたマスクパターン形成領域にて前記マスクの第１面と前記第１面に対して反対側の第２面とのそれぞれが露出するように前記マスクを支持し、
前記ガス噴霧部は、
前記マスクの前記第１面に前記ガスを噴霧する第１噴霧ノズル部と、
前記マスクの前記第２面に前記ガスを噴霧する第２噴霧ノズル部と
を含む
請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記ガス噴霧部は、前記ガスとして窒素ガスを噴霧する
請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記マスクを保管するマスク保管部
を有し、
前記マスク保管部は、前記マスクへの照明において不活性なガスの雰囲気下において前記マスクを保管する
請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを洗浄するマスク洗浄装置であって、
前記マスクを支持するマスク支持部と、
前記マスクへの照明において不活性なガスを噴射するガス噴射部と
を含み、
前記マスク支持部が支持する前記マスクへ、前記ガス噴霧部が前記ガスを噴霧することによって前記マスクを洗浄する
マスク洗浄装置。
【請求項８】
照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを洗浄するマスク洗浄方法であって、
前記マスクへの照明において不活性なガスを前記マスクへ噴射することによって前記マスクを洗浄する
マスク洗浄方法。
【請求項９】
照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを保管するマスク保管方法であって、
前記マスクへの照明において不活性なガスの雰囲気下において前記マスクを保管する
マスク保管方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置，マスク洗浄装置，マスク洗浄方法，マスク保管方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際においては、リソグラフィ技術を用いて、ウエハに微細なパターンを加工している。
【０００３】
ここでは、たとえば、パターン加工を施すウエハの表面に、感光性材料からなるレジスト膜を形成した後に、マスクパターンが形成されたマスクを照明し、その照明によって生ずるマスクパターン像をウエハ上に形成されたレジスト膜に露光し転写する。その後、そのマスクパターンが転写されたレジスト膜を現像し、ウエハの表面にレジストマスクを形成する。そして、そのレジストマスクを用いて、エッチング処理を実施することによって、ウエハをパターン加工する。
【０００４】
このようなリソグラフィ技術においては、デバイスの高集積化や、動作速度の高速化の要求に対応するため、より高い解像度でパターンを加工することが求められている。このため、光源を、波長が２４８ｎｍであるＫｒＦエキシマレーザから、波長が１９３ｎｍであるＡｒＦエキシマレーザへ変更し、短波長化することで、解像度の向上を実現させている。
【０００５】
また、ウエハに形成されたレジスト膜へマスクパターン像を高精度に転写させるために、マスク製造工程においては、マスクを洗浄し、そのマスクに存在する異物を除去している。たとえば、マスクパターンをマスクに形成する際に用いたレジスト膜の残渣などの異物を除去するために、硫酸などの洗浄液を用いてマスクを洗浄している（たとえば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２２１９２９号公報（段落００６５など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記のように硫酸などの洗浄液で洗浄されたマスクを照明し、そのマスクのマスクパターン像をウエハのレジスト膜へ転写させる際には、そのマスクへの照明による化学反応でマスクに異物が生成される場合があるために、その異物に起因して、高い解像度でパターンを加工することが困難な場合がある。この異物は、ヘイズ（Ｈａｚｅ）と呼ばれており、主成分が硫酸アンモニウムであって、前述の洗浄において残留した硫酸が雰囲気中のアンモニアなどの不純物と反応し結晶成長することで生成される。また、露光が実施される場合を除き、マスクは、クリーンルームにおいて大気環境下で保管されるため、その環境下において微量に存在するＮＦ４やＳＯ４などの不純物によってヘイズが成長する場合がある。そして、このマスクに生成されたヘイズが、マスクからウエハへ移り、製品歩留まりを低下させる場合がある。
【０００８】
特に、上述したように高解像度化のために光源が短波長化されている場合においては、ヘイズの結晶成長が促進されるために、上記の不具合が顕在化する場合がある。
【０００９】
このように、マスクに異物が存在するために、高い解像度でパターンを微細加工することが困難になると共に、製品歩留まりが低下する場合があった。
【００１０】
したがって、本発明の目的は、高い解像度でパターンを微細加工することが容易であって、製品歩留まりを向上可能な露光装置，マスク洗浄装置，マスク洗浄方法，マスク保管方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の露光装置は、マスクパターンが形成されたマスクを照明することによってマスクパターン像を被転写体に転写する露光装置であって、前記マスクを洗浄するマスク洗浄部を有し、前記マスク洗浄部は、前記マスクを支持するマスク支持部と、前記マスクへの照明において不活性なガスを噴射するガス噴射部とを含み、前記マスク支持部が支持する前記マスクへ、前記ガス噴霧部が前記ガスを噴霧することによって、前記マスクを洗浄する。
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のマスク洗浄装置は、照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを洗浄するマスク洗浄装置であって、前記マスクを支持するマスク支持部と、前記マスクへの照明において不活性なガスを噴射するガス噴射部とを含み、前記マスク支持部が支持する前記マスクへ、前記ガス噴霧部が前記ガスを噴霧することによって前記マスクを洗浄する。
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明のマスク洗浄方法は、照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを洗浄するマスク洗浄方法であって、前記マスクへの照明において不活性なガスを前記マスクへ噴射することによって前記マスクを洗浄する。
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明のマスク保管方法は、照明されることによってマスクパターン像を生成するマスクを保管するマスク保管方法であって、前記マスクへの照明において不活性なガスの雰囲気下において前記マスクを保管する。
【００１５】
本発明においては、マスクへの照明において不活性なガスを噴霧することによってマスクを洗浄する。また、本発明においては、そのガスの雰囲気下においてマスクを保管する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、高い解像度でパターンを微細加工することが容易であって、製品歩留まりを向上可能な露光装置，マスク洗浄装置，マスク洗浄方法，マスク保管方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明にかかる実施形態における露光装置１を示すブロック図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態の露光装置１は、露光部２と、マスク洗浄部３と、マスク検査部４と、マスク保管部５と、制御部６とを有する。また、露光装置１は、たとえば、ロボットアームなどの搬送系（図示なし）を有しており、露光部２とマスク洗浄部３とマスク検査部４とマスク保管部５とのそれぞれにおいて、その搬送系がマスクＭを搬入または搬出するように制御部６が制御する。そして、露光装置１は、マスクパターンが形成されたマスクＭを照明することによって、被転写体であるウエハＷにマスクパターン像を転写する。露光装置１の各部について順次説明する。
【００１９】
露光部２について説明する。
【００２０】
図２は、本発明にかかる実施形態において、露光部２の断面を示す断面図である。
【００２１】
図２に示すように、露光部２は、チャンバ１１と、ウエハステージ２１と、マスクステージ３１と、照明系４１と、投影系５１とを有しており、ウエハＷの表面に形成されたレジスト膜Ｒにマスクパターン像を露光する。ここで、露光部２は、制御部６からの制御信号に基づいて、露光動作を実施する。本実施形態においては、制御部６からの制御信号に基づいて、露光部２は、図１に示すように、マスク検査部４において検査されたマスクＭが搬入され、その搬入されたマスクＭを用いて露光を実施する。そして、その露光を実施した後においては、マスクＭがマスク洗浄部３へ搬出される。露光部２の各部について順次説明する。
【００２２】
チャンバ１１は、図２に示すように、内部に空間を有し、その内部の空間を密閉するように形成されている。そして、チャンバ１１は、ウエハステージ２１と、投影系５１とが、その内部空間に配置されており、搬入口（図示なし）からウエハＷが搬入される。
【００２３】
ウエハステージ２１は、図２に示すように、レジスト膜形成装置（図示なし）によって、感光性材料からなるレジスト膜Ｒが表面に形成されたウエハＷを支持する。ウエハステージ２１は、ウエハ搬送系（図示なし）によって外部からウエハステージ２１に搬送されたウエハＷを、たとえば、真空吸着によって固定する。ウエハステージ２１は、反射鏡（図示なし）が設けられており、その反射鏡に対応するように設置されたレーザ干渉計（図示なし）によって、位置および傾きが検出される。そして、ウエハステージ２１は、駆動モータ（図示なし）を含み、その支持しているウエハＷの表面に沿ったｘ方向と、そのウエハＷの表面においてｘ方向に直交するｙ方向と、そのウエハＷの表面に垂直なｚ方向とのそれぞれの方向へ駆動モータによって移動する。そして、駆動モータによって、ｘ方向，ｙ方向，ｚ方向の各軸の回転方向へ、そのウエハＷを回転移動させて、そのウエハＷの表面の傾きが調整される。ここでは、前述のレーザ干渉計によって検出されたウエハステージ２１の位置および傾きに基づいて制御部６が駆動モータを制御して、ウエハステージ２１の位置および傾きが調整される。
【００２４】
マスクステージ３１は、図２に示すように、マスクパターンＭＰが形成されたマスクＭを支持する。ここでは、マスク搬送系（図示なし）によってマスクステージ３１に搬送されたマスクＭを、たとえば、真空吸着によって固定する。本実施形態においては、図２に示すように、遮光材料によってマスクパターンＭＰが一方の面に形成されたマスク基板ＭＳと、そのマスク基板ＭＳにおいてマスクパターンＭＰが形成された領域を囲うように、そのマスク基板ＭＳの一方の面に配置されたペリクル枠ＰＦと、そのマスク基板ＭＳの一方の面から間隔を隔てるようにペリクル枠ＰＦに設けられたペリクルＰとを含むマスクＭを、マスク基板ＭＳが上方であって、ペリクルＰが下方に向くようにマスクステージ３１が支持する。そして、マスクステージ３１は、反射鏡（図示なし）が設けられており、その反射鏡に対応するように設置されたレーザ干渉計（図示なし）によって、位置および傾きが検出される。そして、マスクステージ３１は、駆動モータ（図示なし）を含み、その支持しているマスクＭの表面に沿ったｘ方向と、そのマスクＭの表面においてｘ方向に直交するｙ方向と、そのマスクＭの表面に垂直なｚ方向とのそれぞれの方向へ駆動モータによって移動する。そして、そのマスクＭを駆動モータによって回転移動させて、そのマスクＭの表面の傾きが調整される。ここでは、前述のレーザ干渉計によって検出されたマスクステージ３１の位置および傾きに基づいて制御部６が駆動モータを制御して、マスクステージ３１の位置および傾きが調整される。
【００２５】
照明系４１は、図２に示すように、マスクステージ３１によって支持されたマスクＭを照明する。照明系４１は、光源（図示なし）と、照明光学系（図示なし）とを有しており、制御部６からの制御信号に基づいて各部が動作する。たとえば、光源は、ＡｒＦエキシマレーザを含む。この他に、ＫｒＦレーザ，Ｆ２レーザなどのレーザ光源を、光源として用いてもよい。また、照明光学系は、その光源からの光束の照度を均一にするオプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ、そのフライアイレンズから出射される光を集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、絞りなどを含む。そして、照明系４１は、光源から照明光学系へレーザを照射し、その照明光学系から、マスクステージ３１によって支持されたマスクＭへ、そのレーザを照射して、マスクパターン像を生成させる。
【００２６】
投影系５１は、図２に示すように、照明系４１によって照明されたマスクＭによって生ずるマスクパターン像を、ウエハステージ２１によって支持されたウエハＷのレジスト膜Ｒに投影する。投影系５１は、複数の光学レンズ（図示なし）を含み、たとえば、１／４倍にマスクパターン像を縮小して、ウエハＷのレジスト膜Ｒに投影する。
【００２７】
マスク洗浄部３について説明する。
【００２８】
図３は、本発明にかかる実施形態において、マスク洗浄部３の断面を示す断面図である。図３において、図３（ａ）は、ｙ方向においてマスク洗浄部３の中央部に対応するｘｚ面についての断面図である。また、図３（ｂ）は、ｘ方向においてマスク洗浄部３の中央部に対応するｙｚ面についての断面図である。
【００２９】
図３に示すように、マスク洗浄部３は、チャンバ１１１と、マスク支持台１２１と、ガス噴霧部１３１とを有し、マスク支持台１２１が支持するマスクＭへ、ガス噴霧部１３１がガスｇを噴霧することによって、マスクＭを洗浄する。マスク洗浄部３は、制御部６からの制御信号に基づいて、マスクＭを洗浄する動作を実施する。本実施形態においては、制御部６からの制御信号に基づいて、マスク洗浄部３は、露光部２においてマスクパターン像がウエハＷに転写される前においては、図１に示すように、マスク保管部５からマスクＭがチャンバ１１１に搬入され、その搬入されたマスクＭを洗浄する。そして、その洗浄後においては、マスクＭがマスク検査部４へ搬出される。一方で、その露光部２においてマスクパターン像がウエハＷに転写された後においては、マスク洗浄部３は、図１に示すように、露光部２からマスクＭがチャンバ１１１に搬入され、その搬入されたマスクＭを洗浄する。そして、その洗浄後においては、マスクＭがマスク検査部４に搬出される。マスク洗浄部３の各部について順次説明する。
【００３０】
チャンバ１１１は、図３に示すように、内部に空間を有する。そして、チャンバ１１１は、マスク支持台１２１と、ガス噴霧部１３１とが、その内部空間に配置されている。そして、チャンバ１１１は、図３（ｂ）に示すように、排気口１１１ｅが形成されており、その排気口１１１ｅから内部の気体が外部へ排気される。本実施形態においては、ガス噴霧部１３１がガスｇを噴射する方向に対応する部分に、この排気口１１１ｅが設置されている。
【００３１】
マスク支持台１２１は、図３に示すように、チャンバ１１１の内部空間において、マスクＭを支持する。マスク支持台１２１は、マスク搬送系（図示なし）によって外部から搬送されたマスクＭを、たとえば、真空吸着によって固定する。ここでは、マスク支持台１２１は、そのマスクＭにおいてマスクパターンＭＰが形成されたマスクパターン形成領域にて、マスクＭのマスク基板ＭＳの面と、その面に対して反対側となるペリクルＰの面とのそれぞれが露出するように、マスクＭを支持する。本実施形態においては、図３に示すように、マスク基板ＭＳにおいてマスクパターンＭＰが形成された面に対して反対の面が上方に向くと共に、ペリクルＰが下方に向くようにマスク支持台１２１が支持する。
【００３２】
ガス噴霧部１３１は、図３に示すように、第１噴霧ノズル部１３１ａと、第２噴霧ノズル部１３１ｂとを有する。
【００３３】
ガス噴霧部１３１において第１噴霧ノズル部１３１ａおよび第２噴霧ノズル部１３１ｂは、図３（ａ）に示すように、マスク支持台１２１によって支持されたマスクＭの面に沿って複数のノズルがｘ方向に配列されるように設置されている。そして、第１噴霧ノズル部１３１ａおよび第２噴霧ノズル部１３１ｂは、ガスｇを噴射する。ここでは、マスクＭに対して化学的に不活性であって、露光部２においてマスクＭへレーザなどの光を照射する際に、その光によって生ずる光化学反応に対して不活性な気体を、ガスｇとして噴射する。つまり、マスクＭへの照明による光化学反応によって、ヘイズなどの異物が生成される際に、その反応の原料にならない気体を、そのガスｇとして噴射し、その光化学反応によって異物が生成される際に原料になる物質をマスクＭの表面から除去する。具体的には、窒素ガスを、このガスｇとして噴霧する。この他に、希ガスを用いてもよい。
【００３４】
ここで、第１噴霧ノズル部１３１ａは、図３（ａ）に示すように、チャンバ１１１の内部空間の上方に設置されている。また、第１噴霧ノズル部１３１ａは、駆動モータ（図示なし）を有しており、図３（ｂ）に示すように、マスク支持台１２１によって支持されたマスクＭのマスク基板ＭＳの面に沿うように、その駆動モータがノズルをｙ方向へ移動する。そして、そのマスク支持台１２１によって支持されたマスクＭのマスク基板ＭＳにおいてマスクパターンＭＰが形成された面に対して反対側の面へ、ｙ方向に移動しながら、ガスｇを噴射する。
【００３５】
一方で、第２噴霧ノズル部１３１ｂは、図３（ａ）に示すように、チャンバ１１１の内部空間の下方に設置されている。また、第２噴霧ノズル部１３１ｂは、第１噴霧ノズル部１３１ａと同様に、駆動モータ（図示なし）を有しており、図３（ｂ）に示すように、マスク支持台１２１によって支持されたマスクＭのマスク基板ＭＳの面に沿うように、その駆動モータがノズルをｙ方向へ移動する。そして、マスク支持台１２１によって支持されたマスクＭにおいてペリクルＰが設けられた面へ、ガスｇを噴射する。
【００３６】
また、本実施形態においては、第１噴霧ノズル部１３１ａおよび第２噴霧ノズル部１３１ｂは、図３（ｂ）に示すように、マスク支持台１２１によって支持されたマスクＭの面の垂線に対して、ガスｇを噴霧する方向が、４５°以上傾斜した角度θになるように各ノズルが配置されている。第１噴霧ノズル部１３１ａおよび第２噴霧ノズル部１３１ｂとの各ノズルを、マスクＭの面の垂線に対して傾斜させて配置することで、マスクＭの表面に存在するヘイズなどの異物を、ガスｇの噴霧によって効果的にマスクＭから除去できる。また、図３（ｂ）に示すように、ガスｇを噴射する方向に対応するように、排気口１１１ｅを設置できるため、マスクＭから除去した異物を、その排気口１１１ｅを介して、内部から外部へ効果的に排出できる。特に、この角度θが、６０°以上，８０°以下になるように配置することで、上記の効果を顕在化することができる。
【００３７】
マスク検査部４について説明する。
【００３８】
マスク検査部４は、マスクＭに付着する異物の有無について検査する。マスク検査部４は、制御部６からの制御信号に基づいて、このマスクＭについての検査動作を実施する。本実施形態においては、露光部２においてマスクパターン像を被転写体であるウエハＷに転写する前には、マスク検査部４は、図１に示すように、マスク洗浄部３からマスクＭが搬入され、その搬入されたマスクＭを検査する。そして、そのマスクＭが検査に適合している場合には、露光部２へマスクＭが搬出される。一方で、露光部２においてマスクパターン像がウエハＷに転写された後においては、マスク検査部４は、図１に示すように、マスク洗浄部３からマスクＭが搬入され、その搬入されたマスクＭを検査する。そして、そのマスクＭが検査に適合している場合には、マスク保管部５へマスクＭが搬出される。
【００３９】
具体的には、まず、マスク検査部４は、マスク洗浄部３により洗浄されたマスクＭをステージ（図示なし）で支持する。そして、その支持したマスクＭに光源（図示なし）からの光を照射し、マスクＭを透過する透過光や、マスクＭから反射する反射光を光センサ（図示なし）で受光する。そして、その受光した透過光，反射光の強度値を演算器（図示なし）が解析し、マスクＭに付着した異物の有無を判断する。
【００４０】
マスク保管部５について説明する。
【００４１】
マスク保管部５は、マスクＭを収容し保管する。マスク保管部５は、制御部６からの制御信号に基づいて、このマスクＭについての保管動作を実施する。本実施形態においては、露光部２においてマスクパターン像をウエハＷに転写する際には、マスク保管部５は、図１に示すように、露光部２へマスクＭが搬出される。そして、露光部２においてマスクパターン像がウエハＷに転写された後においては、マスク保管部５は、図１に示すように、マスク検査部４からマスクＭが搬入され、その搬入されたマスクＭを保管する。
【００４２】
具体的には、マスク保管部５は、マスク検査部４により検査されたマスクＭが、ストッカー（図示なし）の収容容器（図示なし）に搬入され、そのマスクＭを収容容器内で密閉保管する。本実施形態においては、ガスｇとして窒素ガスを収容容器内に充満させて、ヘイズなどの異物の発生源になる不純物を容器内から排出し、そのガスｇの雰囲気下においてマスクＭを保管する。
【００４３】
制御部６について説明する。
【００４４】
制御部６は、コンピュータと、そのコンピュータに所定の機能を実現させるためのプログラムとを有しており、各部の動作を制御する。ここでは、制御部６は、オペレータによって操作命令が入力される操作コンソール（図示なし）に接続されており、その操作コンソールに入力された操作命令に対応するように各装置を制御する制御信号を生成した後に、その生成した制御信号を各部に出力して制御する。
【００４５】
本実施形態において露光を実施する際においては、図１に示すように、まず、マスク保管部５によって保管されているマスクＭをマスク洗浄部３へ搬入するように、制御部６が制御する。そして、その搬入したマスクＭについての洗浄を実施するように、制御部６がマスク洗浄部３を制御する。つぎに、マスク洗浄部３が洗浄したマスクＭをマスク検査部４へ搬入するように、制御部６が制御する。そして、その搬入したマスクＭについての検査を実施するように、制御部６がマスク検査部４を制御する。つぎに、マスク検査部４が検査したマスクＭを露光部２へ搬入するように、制御部６が制御する。そして、その搬入したマスクＭを用いてマスクパターンＭＰの転写を実施するように、制御部６が露光部２を制御する。つぎに、露光部２において使用されたマスクＭをマスク洗浄部３へ搬入するように、制御部６が制御する。そして、その搬入されたマスクＭについての洗浄を実施するように、制御部６がマスク洗浄部３を制御する。つぎに、マスク洗浄部３が洗浄したマスクＭをマスク検査部４へ搬入するように、制御部６が制御する。そして、その搬入したマスクＭについての検査を実施するように、制御部６がマスク検査部４を制御する。つぎに、マスク検査部４が検査したマスクＭをマスク保管部５へ搬入するように、制御部６が制御する。そして、その搬入したマスクを保管するように、制御部６がマスク保管部５を制御する。このようにして、制御部６は、露光プロセスを制御して順次実施する。
【００４６】
以下より、上記の本実施形態の露光装置１の動作について説明する。
【００４７】
図４は、本発明にかかる実施形態において、ウエハＷをパターン加工する際の動作を示すフロー図である。
【００４８】
まず、図４に示すように、レジスト膜Ｒの形成を実施する（Ｓ１１）。
【００４９】
ここでは、レジスト膜形成装置（図示なし）を用いて、スピンコート法によってウエハＷの表面に感光性材料を含む溶液を塗布した後に、ベーク処理することによってレジスト膜Ｒを形成する。
【００５０】
つぎに、図４に示すように、露光を実施する（Ｓ２１）。
【００５１】
ここでは、マスクパターンＭＰが形成されたマスクＭを露光装置１が照明し、そのマスクＭにより生じたマスクパターン像を、ウエハＷに形成されたレジスト膜Ｒに転写することによって、露光を実施する。
【００５２】
図５は、本発明にかかる実施形態において、露光を実施する際の動作を示すフローである。
【００５３】
まず、図５に示すように、マスクＭの洗浄を実施する（Ｓ１１１）。
【００５４】
ここでは、マスク保管部５によって保管されているマスクＭを搬出した後に、マスク洗浄部３へ搬入する。そして、その搬入したマスクＭをマスク洗浄部３が洗浄する。
【００５５】
具体的には、マスク洗浄部３のマスク支持台１２１がチャンバ１１１の内部空間においてマスクＭを支持し、その支持されているマスクＭの両面に、ガス噴霧部１３１の第１噴霧ノズル部１３１ａと第２噴霧ノズル部１３１ｂとが移動しながらガスｇを噴霧して、マスクＭの両面に付着しているヘイズなどの異物を除去する。そして、そのマスクＭから除去した異物を、チャンバ１１１の排気口１１１ｅを介して、内部から外部へ排出する。
【００５６】
つぎに、図５に示すように、マスクＭの検査を実施する（Ｓ１２１）。
【００５７】
ここでは、マスク洗浄部３が洗浄したマスクＭをマスク検査部４へ搬入し、その搬入したマスクＭについての検査をマスク検査部４が実施する。
【００５８】
具体的には、マスク洗浄部３により洗浄されたマスクＭを、マスク検査部４のステージ（図示なし）に支持させた後に、その支持したマスクＭに光源（図示なし）からの光を照射する。そして、そのマスクＭを透過する透過光や、マスクＭから反射する反射光を光センサ（図示なし）で受光すし、その受光した透過光，反射光の強度値を演算器（図示なし）で解析することによって、マスクＭに付着した異物の存在が許容範囲であるか否かを判断する。
【００５９】
つぎに、図５に示すように、マスクパターンＭＰの転写を実施する（Ｓ１３１）。
【００６０】
ここでは、マスク検査部４が検査したマスクＭを露光部２へ搬入し、その搬入したマスクＭを用いて、露光部２がマスクパターンＭＰの転写を実施する。
【００６１】
具体的には、搬入されたマスクＭをマスクステージ３１が支持し、そのマスクＭを照明系４１が照明する。ここでは、照明系４１のＡｒＦエキシマレーザがレーザを照射することによって、照明光学系を介して、マスクステージ３１によって支持されたマスクＭへ、そのレーザを照射する。これによって、マスクＭからマスクパターン像が出射される。
【００６２】
そして、その照明系４１によって照明されたマスクＭによって生ずるマスクパターン像を、ウエハステージ２１によって支持されたウエハＷのレジスト膜Ｒへ、投影系５１が投影する。ここでは、投影系５１が、たとえば、１／４倍にマスクパターン像を縮小して、ウエハＷのレジスト膜Ｒに投影し、マスクパターンＭＰの転写を完了する。
【００６３】
つぎに、図５に示すように、マスクＭの洗浄を実施する（Ｓ１４１）。
【００６４】
ここでは、上記のマスクＭの洗浄と同様に、露光部２において使用されたマスクＭをマスク洗浄部３へ搬入し、その搬入されたマスクＭについての洗浄をマスク洗浄部３が実施する。
【００６５】
つぎに、図５に示すように、マスクＭの検査を実施する（Ｓ１５１）。
【００６６】
ここでは、上記のマスクＭの検査と同様に、マスク洗浄部３が洗浄したマスクＭをマスク検査部４へ搬入し、その搬入したマスクＭについての検査をマスク検査部４が実施する。
【００６７】
つぎに、図５に示すように、マスクＭの保管を実施する（Ｓ１６１）。
【００６８】
ここでは、マスク検査部４が検査したマスクＭをマスク保管部５へ搬入し、その搬入したマスクの保管をマスク保管部５が実施する。具体的には、ガスｇとしての窒素ガスをマスク保管部５の収容容器内を充満させ、そのガスｇの雰囲気下においてマスクＭを保管する。
【００６９】
このようにして、露光の実施を完了する。
【００７０】
つぎに、図４に示すように、現像を実施する（Ｓ３１）。
【００７１】
ここでは、現像処理装置（図示なし）において、マスクパターンＭＰが転写されたレジスト膜Ｒに現像液を供給することによって現像を実施し、レジストマスクをウエハＷに形成する。
【００７２】
そして、そのレジストマスクが形成されたウエハＷを検査する。たとえば、異物の有無について検査を実施した後に、そのレジストマスクが形成されたウエハＷをポストベーク処理する。そして、エッチング処理を実施することによって、ウエハＷをパターン加工する。
【００７３】
以上のように、本実施形態の露光装置１は、図３に示すように、マスク支持台１２１が支持するマスクＭへ、マスクＭへの照明において不活性なガスｇをガス噴霧部１３１が噴霧することによって、マスク洗浄部３がマスクＭを洗浄する。ここでは、マスク支持台１２１は、マスクＭにおいてマスクパターンＭＰが形成されたマスクパターン形成領域にて、マスク基板ＭＳの面と、そのマスク基板ＭＳの面に対して反対側となるペリクルＰの面とのそれぞれが露出するように、マスクＭを支持する。そして、ガス噴霧部１３１は、第１噴霧ノズル部１３１ａがマスク基板ＭＳの面に窒素ガスをガスｇとして噴霧し、第２噴霧ノズル部１３１ｂがペリクルＰの面に窒素ガスをガスｇとして噴霧する。このため、マスクＭに存在するヘイズなどの異物を、そのガスｇの噴霧によって効果的に除去することができる。したがって、本実施形態は、高い解像度でパターンを加工することが容易であって、製品歩留まりを向上することができる。
【００７４】
また、本実施形態の露光装置１は、ガスｇの雰囲気下において、マスク保管部５がマスクＭを保管する。よって、保管中のマスクＭにおいてヘイズが結晶成長することを抑制できる。したがって、本実施形態は、高い解像度でパターンを加工することが容易であって、製品歩留まりの低下を防止することができる。
【００７５】
なお、上記の本実施形態において、露光装置１は、本発明の露光装置に相当する。また、上記の本実施形態において、マスク洗浄部３は、本発明のマスク洗浄部，マスク洗浄装置に相当する。また、上記の実施形態において、マスク保管部５は、本発明のマスク保管部に相当する。また、上記の実施形態において、マスク支持台１２１は、本発明のマスク支持部に相当する。また、上記の実施形態において、ガス噴霧部１３１は、本発明のガス噴射部に相当する。また、上記の実施形態において、第１噴霧ノズル部１３１ａは、本発明の第１噴霧ノズル部に相当する。また、上記の実施形態において、第２噴霧ノズル部１３１ｂは、本発明の第２噴霧ノズル部に相当する。
【００７６】
また、本発明の実施に際しては、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【００７７】
たとえば、上記の実施形態においては、マスクの両面のそれぞれにガスを噴射するように、その両面のそれぞれの側に、ガス噴射部のノズルを設置する場合について示しているが、これに限定されない。たとえば、一方の面の側にのみ、ノズルを設置する場合であってもよい。このような場合においては、露光部にて支持されたマスクにおいて、上方へ向いた面側にヘイズなどの異物が付着する場合が多いため、この面側のみに、ガスを噴霧可能なように設置することが好ましい。つまり、ペリクル面側でなく、透明基板であるマスク基板側の面に対して、ガスを噴霧することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態における露光装置１を示すブロック図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態において、露光部２の断面を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態において、マスク洗浄部３の断面を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態において、ウエハＷをパターン加工する際の動作を示すフロー図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態において、露光を実施する際の動作を示すフローである。
【符号の説明】
【００７９】
１…露光装置（露光装置）、
２…露光部、
３…マスク洗浄部（マスク洗浄部，マスク洗浄装置）、
４…マスク検査部、
５…マスク保管部（マスク保管部）、
６…制御部、
１１…チャンバ、
２１…ウエハステージ、
３１…マスクステージ、
４１…照明系、
５１…投影系
１１１…チャンバ、
１２１…マスク支持台（マスク支持部）、
１３１…ガス噴霧部（ガス噴射部）、
１３１ａ…第１噴霧ノズル部（第１噴霧ノズル部）、
１３１ｂ…第２噴霧ノズル部（第２噴霧ノズル部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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