(57)【要約】【課題】絶縁性スロープ材が適切な形に形成されてなる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】複数の端子２ａが備えられたベース基板２と、複数のパッド３ａが一面３ｂ上に備えられベース基板２に搭載された半導体チップ３と、半導体チップ３の側方に形成されて半導体チップ３とベース基板２の段差を埋める絶縁性スロープ材４と、少なくとも絶縁性スロープ材４上を通ってベース基板２の端子２ａと半導体チップ３のパッド３ａとを電気的に接続する配線パターン５とを具備してなり、ベース基板２には、絶縁性スロープ材４を係止させるベース側係止部２ｅが設けられていることを特徴とする半導体装置１を採用する。【選択図】図１
2007242773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の端子が備えられたベース基板と、複数のパッドが一面上に備えられ前記ベース基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの側方に形成されて前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドとを電気的に接続する配線パターンとを具備してなり、
前記ベース基板には、前記絶縁性スロープ材を係止させるベース側係止部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ベース側係止部が前記ベース基板上に設けられた溝または突起であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ベース側係止部が、前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドとの間に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の端子が備えられたベース基板と、複数のパッドが一面上に備えられ前記ベース基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの側方に形成されて前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁材と、少なくとも前記絶縁材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドとを電気的に接続する配線パターンとを具備してなり、
前記ベース基板には、前記半導体チップ及び前記絶縁材を収納する凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記凹部の深さが、前記半導体チップの厚み以下とされていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
複数の端子が備えられたベース基板と、複数のパッドが一面上に備えられ前記ベース基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの側方に形成されて前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドとを電気的に接続する配線パターンとを具備してなり、
前記半導体チップの前記絶縁性スロープ材に隣接する側端面が、傾斜面または階段状の面に形成され、前記絶縁性スロープ材が前記傾斜面または前記階段状の面の上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
複数の端子が備えられたベース基板と、複数のパッドが一面上に備えられ前記ベース基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの側方に形成されて前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドを電気的に接続する配線パターンとを具備してなり、
前記半導体チップの前記一面に、前記絶縁性スロープ材を係止させるチップ側係止部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記チップ側係止部が前記一面上に設けられた溝または突起であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記チップ側係止部が前記一面上に設けられたガードリングであることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記チップ側係止部が、前記一面上において前記パッドよりも外周寄りに設けられていることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
複数の端子が備えられたベース基板上に、複数のパッドが一面上に備えられてなる半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの側方に前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材を形成する工程と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドを電気的に接続する配線パターンを形成する工程とを具備してなり、
前記ベース基板に、前記絶縁性スロープ材を係止させるベース側係止部を設け、前記絶縁性スロープ材を形成する際に、前記ベース側係止部によって絶縁性スロープ材を係止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
複数の端子が備えられたベース基板上に、複数のパッドが一面上に備えられてなる半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの側方に前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁材を形成する工程と、少なくとも前記絶縁材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドを電気的に接続する配線パターンを形成する工程とを具備してなり、
前記ベース基板に、前記半導体チップ及び前記絶縁材を収納する凹部を設け、前記半導体チップを前記凹部内に収容するとともに、前記凹部と前記半導体チップの隙間に前記絶縁材を充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
複数の端子が備えられたベース基板上に、複数のパッドが一面上に備えられてなる半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの側方に前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材を形成する工程と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドを電気的に接続する配線パターンを形成する工程とを具備してなり、
前記半導体チップの前記絶縁性スロープ材に隣接する側端面を、傾斜面または階段状の面に形成し、前記絶縁性スロープ材を前記傾斜面または前記階段状の面の上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
複数の端子が備えられたベース基板上に、複数のパッドが一面上に備えられてなる半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの側方に前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材を形成する工程と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドを電気的に接続する配線パターンを形成する工程とを具備してなり、
前記半導体チップの前記一面に、前記絶縁性スロープ材を係止させるチップ側係止部を設け、前記絶縁性スロープ材を形成する際に、前記チップ側係止部によって絶縁性スロープ材を係止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ベース基板上に半導体チップを搭載させてなる半導体装置が知られている。図１６にはこの従来の半導体装置を示す。
図１６（ａ）に示すように、従来の半導体装置１０１は、複数の端子１０２ａが備えられたベース基板１０２と、複数のパッド１０３ａが上面１０３ｂ上に備えられベース基板１０２に搭載された半導体チップ１０３と、半導体チップ１０３の側方に形成されて半導体チップ１０３とベース基板１０２の間の段差を埋める絶縁性スロープ材１０４と、少なくとも絶縁性スロープ材１０４上を通ってベース基板１０２の端子１０２ａと半導体チップ１０３のパッド１０３ａとを電気的に接続する配線パターン１０５とを具備して構成されている。
【０００３】
この半導体装置を製造する際には、まず図１６（ｂ）に示すように、ベース基板１０２上に半導体チップ１０３を搭載し、次に図１６（ｃ）に示すように、半導体チップ１０３の周囲に絶縁性スロープ材１０４を形成する。絶縁性スロープ材１０４を形成する手段としては、例えば、絶縁性スロープ材１０４を構成する絶縁材料を溶媒に溶解して塗布液とし、この塗布液を液滴吐出法によって半導体チップ１０３の周囲に塗布し、その後、溶媒を乾燥する。この塗布と乾燥の工程を数回に渡って繰り返すことで、図１６（ａ）及び図１６（ｃ）に示すような、半導体チップ１０３とベース基板１０２の段差を埋める絶縁性スロープ材１０４が形成される。
その後、液滴吐出法によって配線パターン１０５を形成することによって、図１６（ａ）に示すような半導体装置１０１が製造される。
【特許文献１】特開２００５−３０２７６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の半導体装置の製造方法においては、液滴吐出法を利用するために、塗布液の粘度を比較的小さくする必要があるが、塗布液の粘度を小さくすると、図１６（ｃ）及び図１６（ｄ）に示すようにベース基板１０２上に塗布液が不均一に広がってしまう虞があった。この不均一に広がった塗布液によって形成された絶縁性スロープ材１０４は、傾斜面の傾斜角度が場所によってばらついてしまい、配線パターンが場所によって断線する虞があった。
【０００５】
また、半導体チップ１０３の上面１０３ｂの周縁部には、半導体チップ１０３の構成材料であるシリコンが露出しているため、本来は、絶縁性スロープ材１０４を露出するシリコンを覆うまで形成することが望ましい。
しかし、上述のように、塗布液の粘度が小さくなってベース基板１０２上に塗布液が不均一に広がってしまうと、絶縁性スロープ材１０４によって半導体チップ１０３の上面１０３ｂの周縁部を覆えない箇所が部分的に発生し、この上に配線パターン１０５を形成してしまうと、配線パターン１０５と半導体チップ１０３との間で短絡が生じてしまう虞があった。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、絶縁性スロープ材が適切な形に形成されてなる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の半導体装置は、複数の端子が備えられたベース基板と、複数のパッドが一面上に備えられ前記ベース基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの側方に形成されて前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドとを電気的に接続する配線パターンとを具備してなり、前記ベース基板には、前記絶縁性スロープ材を係止させるベース側係止部が設けられていることを特徴とする。
また本発明の半導体装置においては、前記ベース側係止部が前記ベース基板上に設けられた溝または突起であることが好ましい。
また本発明の半導体装置においては、前記ベース側係止部が、前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドとの間に設けられていることが好ましい。
【０００８】
上記の半導体装置によれば、ベース基板に絶縁性スロープ材を係止させるベース側係止部が設けられているので、絶縁性スロープ材が広がることなく適切な形に形成され、絶縁性スロープ材の傾斜角度が場所によってばらつく虞がなく、配線パターンの断線を防止できる。
また、絶縁性スロープ材が適切な形に形成されることによって、絶縁性スロープ材によって半導体チップの上面の周縁部が完全に覆われるので、配線パターンと半導体チップとの間での短絡の発生を防止できる。
【０００９】
次に本発明の半導体装置は、複数の端子が備えられたベース基板と、複数のパッドが一面上に備えられ前記ベース基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの側方に形成されて前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁材と、少なくとも前記絶縁材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドとを電気的に接続する配線パターンとを具備してなり、前記ベース基板には、前記半導体チップ及び前記絶縁材を収納する凹部が設けられていることを特徴とする
また本発明の半導体装置においては、前記凹部の深さが、前記半導体チップの厚み以下とされていることが好ましい。
【００１０】
上記の半導体装置によれば、ベース基板に半導体チップ及び絶縁材を収納する凹部が設けられており、半導体チップと凹部とが絶縁スロープ材の成形型になって絶縁材が適切な形に形成され、これにより絶縁材の傾斜角度が場所によってばらつく虞がなく、配線パターンの断線を防止できる。
また、絶縁材が適切な形に形成されることによって、絶縁材によって半導体チップの上面の周縁部が完全に覆われるので、配線パターンと半導体チップとの間での短絡の発生を防止できる。
【００１１】
次に本発明の半導体装置は、複数の端子が備えられたベース基板と、複数のパッドが一面上に備えられ前記ベース基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの側方に形成されて前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドとを電気的に接続する配線パターンとを具備してなり、前記半導体チップの前記絶縁性スロープ材に隣接する側端面が、傾斜面または階段状の面に形成され、前記絶縁性スロープ材が前記傾斜面または前記階段状の面の上に形成されていることを特徴とする。
【００１２】
上記の半導体装置によれば、半導体チップの絶縁性スロープ材に隣接する側端面が、傾斜面または階段状の面に形成されているので、絶縁性スロープ材が広がることなく適切な形に形成され、これにより絶縁性スロープ材の傾斜角度が場所によってばらつく虞がなく、配線パターンの断線を防止できる。
また、絶縁性スロープ材が適切な形に形成されることによって、絶縁性スロープ材によって半導体チップの上面の周縁部が完全に覆われるので、配線パターンと半導体チップとの間での短絡の発生を防止できる。
【００１３】
次に本発明の半導体装置は、複数の端子が備えられたベース基板と、複数のパッドが一面上に備えられ前記ベース基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの側方に形成されて前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドを電気的に接続する配線パターンとを具備してなり、前記半導体チップの前記一面に、前記絶縁性スロープ材を係止させるチップ側係止部が設けられていることを特徴とする。
また本発明の半導体装置においては、前記チップ側係止部が前記一面上に設けられた溝または突起であることが好ましい。
また本発明の半導体装置においては、前記チップ側係止部が前記一面上に設けられたガードリングであることが好ましい。
また本発明の半導体装置においては、前記チップ側係止部が、前記一面上において前記パッドよりも外周寄りに設けられていることが好ましい。
【００１４】
上記の半導体装置によれば、半導体チップの一面に、絶縁性スロープ材を係止させるチップ側係止部が設けられているので、絶縁性スロープ材が一面の周縁部を完全に覆った状態になり、これにより絶縁性スロープ材が適切な形に形成されて、絶縁性スロープ材の傾斜角度が場所によってばらつく虞がなく、配線パターンの断線を防止できる。
また、絶縁性スロープ材が適切な形に形成されることによって、絶縁性スロープ材によって半導体チップの上面の周縁部が完全に覆われるので、配線パターンと半導体チップとの間での短絡の発生を防止できる。
【００１５】
次に、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の端子が備えられたベース基板上に、複数のパッドが一面上に備えられてなる半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの側方に前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材を形成する工程と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドを電気的に接続する配線パターンを形成する工程とを具備してなり、前記ベース基板に、前記絶縁性スロープ材を係止させるベース側係止部を設け、前記絶縁性スロープ材を形成する際に、前記ベース側係止部によって絶縁性スロープ材を係止することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の端子が備えられたベース基板上に、複数のパッドが一面上に備えられてなる半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの側方に前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁材を形成する工程と、少なくとも前記絶縁材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドを電気的に接続する配線パターンを形成する工程とを具備してなり、前記ベース基板に、前記半導体チップ及び前記絶縁材を収納する凹部を設け、前記半導体チップを前記凹部内に収容するとともに、前記凹部と前記半導体チップの隙間に前記絶縁材を充填することを特徴とする。
【００１６】
また本発明の半導体装置の製造方法は、複数の端子が備えられたベース基板上に、複数のパッドが一面上に備えられてなる半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの側方に前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材を形成する工程と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドを電気的に接続する配線パターンを形成する工程とを具備してなり、前記半導体チップの前記絶縁性スロープ材に隣接する側端面を、傾斜面または階段状の面に形成し、前記絶縁性スロープ材を前記傾斜面または前記階段状の面の上に形成することを特徴とする。
また本発明の半導体装置の製造方法は、複数の端子が備えられたベース基板上に、複数のパッドが一面上に備えられてなる半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの側方に前記半導体チップと前記ベース基板の段差を埋める絶縁性スロープ材を形成する工程と、少なくとも前記絶縁性スロープ材上を通って前記ベース基板の前記端子と前記半導体チップの前記パッドを電気的に接続する配線パターンを形成する工程とを具備してなり、前記半導体チップの前記一面に、前記絶縁性スロープ材を係止させるチップ側係止部を設け、前記絶縁性スロープ材を形成する際に、前記チップ側係止部によって絶縁性スロープ材を係止することを特徴とする。
【００１７】
上記の半導体装置の製造方法によれば、絶縁性スロープ材が広がることなく適切な形に形成され、絶縁性スロープ材の傾斜角度が場所によってばらつく虞がなく、配線パターンの断線を防止できる。
また、絶縁性スロープ材が適切な形に形成されることによって、絶縁性スロープ材によって半導体チップの上面の周縁部が完全に覆われるので、配線パターンと半導体チップとの間での短絡の発生を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
「第１の実施形態」
（半導体装置の一例）
本発明の第１の実施形態の半導体装置の一例について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の半導体装置の一例を示す図であって、（ａ）は半導体装置の平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に対応する断面模式図であり、（ｃ）は半導体装置の要部を示す拡大断面模式図である。尚、本実施形態において説明する図は、半導体装置の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１９】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に示す半導体装置１は、複数の端子２ａが備えられたベース基板２と、複数のパッド３ａが一面３ｂ上に備えられベース基板２に搭載された半導体チップ３と、半導体チップ３の側方に形成されて半導体チップ３とベース基板２の段差を埋める絶縁性スロープ材４と、少なくとも絶縁性スロープ材４上を通ってベース基板２の端子２ａと半導体チップ３のパッド３ａとを電気的に接続する配線パターン５とを具備して概略構成されている。
【００２０】
ベース基板２は、ベース基板２の材料や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。ベース基板２は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。ベース基板２は、積層型の基板であってもよく、あるいは、単層の基板であってもよい。ベース基板２は、内部に、図示しない配線パターンを有していてもよい。また、ベース基板２の外形も特に限定されるものではない。
【００２１】
ベース基板２上には、複数の端子２ａが備えられている。各端子２ａは、引出配線２ｂを介して外部端子２ｃに電気的に接続されている。端子２ａ、引出配線２ｂ及び外部端子２ｃを総称してベース側の配線パターン２ｄと呼ぶ。このベース側の配線パターン２ｄは銅箔等により構成されている。
また、ベース基板２上であって、端子２ａと半導体チップ３との間には、ベース側係止部２ｅが設けられている。このベース側係止部２ｅは、ベース基板２に設けられた突起２ｆである。図１（ｃ）に示すように、この突起２ｆは、半導体チップ３を囲むように形成された平面視略環状の金属部２ｆ１と、金属部２ｆ１を覆うように形成された絶縁部２ｆ２から構成されている。
金属部２ｆ１は、ベース側の配線パターン２ｄと同様に、銅箔等から形成されている。また、絶縁部２ｆ２は、例えばソルダレジスト等から構成されている。突起２ｆの幅は１０μｍ〜１００μｍ程度に形成され、突起２ｆの高さは５μｍ〜１５μｍ程度に形成されている。突起高さが５μｍ以上であれば、絶縁性スロープ材４を確実に堰き止めて係止させることができる。
【００２２】
次に半導体チップ３は、不純物がドープされた単結晶シリコン等からなる本体部３ｃと、本体部３ｃに形成された図示しない集積回路部と、集積回路に接続された複数のパッド３ａとから構成されている。バッド３ａは、半導体チップ３（本体部３ｃ）の一面３ｂ上に備えられている。また、一面３ｂ上には絶縁膜３ｄが形成されている。この絶縁膜３ｄは、一面３ｂの周縁部３ｅ及びパッド３ａを除いた一面３ｂのほぼ全面に形成されている。周縁部３ｅからは本体部３ｃが露出されている。本体部３ｃは、厚み３０〜５０μｍ程度の単結晶シリコン等からなるものである。また、集積回路部の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。半導体チップ３は、パッド３ａをベース基板２の反対側に向けた状態で、ベース基板２に搭載されている。ベース基板２と半導体チップ３との間には、厚み１０μｍ〜２０μｍ程度のダイアタッチフィルム６が配置されており、このダイアタッチフィルム６によってベース基板２と半導体チップ３とが接合されている。
ベース基板２と半導体チップ３の間の段差は、本体部３ｃとダイアタッチフィルム６との合計厚みに等しく、４０〜７０μｍ程度とされている。
【００２３】
次に、絶縁性スロープ材４は、半導体チップ３の側方に形成され、半導体チップ３とベース基板２の間の段差を埋めている。図１（ｃ）に示すように、この絶縁性スロープ材４は、一端４ａ側が突起２ｆによって係止されている。また、絶縁性スロープ材４の他端４ｂ側が半導体チップ３の周縁部３ｅを覆う格好になっている。そして、絶縁性スロープ材４の一端４ａと他端４ｂとの間に、傾斜面４ｃが設けられている。絶縁性スロープ材４は、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂から構成され、例えば液滴吐出法によって形成される。
【００２４】
次に、配線パターン５は、絶縁性スロープ材４の傾斜面４ｃ上を通って、ベース基板２の端子２ａと半導体チップ３のパッド３ａとを電気的に接続している。配線パターン５の材料は、特に限定されず、既に公知となっているいずれかの配線を利用してもよい。例えば、配線パターン５は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。この配線パターン５は、例えば液滴吐出法により形成される。
【００２５】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。図２は、図１に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、（ａ）〜（ｄ）は半導体装置の製造工程を示す工程図である。
まず図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、第１工程として、ベース基板２上にベース側の配線パターン２ｄと環状の突起２ｆ（ベース側係止部２ｅ）を形成し、更に環状の突起２ｆのほぼ中心に半導体チップ３を搭載する。
【００２６】
次に図２（ｃ）に示すように、第２工程として、半導体チップ３の周囲に、半導体チップ３とベース基板２の間の段差を埋める絶縁性スロープ材４を形成する。
絶縁性スロープ材４を形成する手段としては、例えば液滴吐出法を用いることができる。液滴吐出法により絶縁性スロープ材を形成する手順としては、まず、絶縁性スロープ材４を構成する絶縁材料を溶媒に溶解して塗布液とし、この塗布液を液滴吐出用の吐出ヘッドによって半導体チップ３の周囲に塗布してから溶媒を乾燥する。この塗布と乾燥の工程を数回に渡って繰り返すことで、図２（ｄ）に示すように、絶縁材料４ｄが次第に盛り上がり、半導体チップ３とベース基板２の段差が埋められる。この時、絶縁材料４ｄは、環状の突起２ｆによって堰き止められ、突起２ｆの外周側に広がることがない。また絶縁材料４ｄは、突起２ｆによって堰き止められたことで端子２ａ側への広がりが規制され、これによって半導体チップ３の周縁部３ｅを覆う程度まで広げられる。
このようにして、絶縁性スロープ材４が形成される。
【００２７】
次に第３工程として、液滴吐出法によって配線パターン５を形成する。このようにして、図１に示すような半導体装置１が製造される。
【００２８】
上記の半導体装置１によれば、ベース基板２に絶縁性スロープ材４を係止させる突起２ｆ（ベース側係止部２ｅ）が設けられているので、絶縁性スロープ材４が突起２ｆよりも端子２ａ側に広がることなく適切な形に形成される。即ち、絶縁性スロープ材４の一端４ａ側が、突起２ｆに沿わされるので、絶縁性スロープ材４を平面視したときの外周の輪郭線（一端４ａ）が従来技術のように不均一にならず、ほぼ直線的になる。これにより、絶縁性スロープ材４の断面形状がどの場所でも図１（ｃ）に示すような形状になり、傾斜面４ｃがほぼ平坦になり、傾斜面４ｃの傾斜角度も場所によってばらつくことなくほぼ一定になる。
このように、絶縁性スロープ材４を係止させる突起２ｆを設けることによって、絶縁性スロープ材４の傾斜面４ｃがほぼ平坦になりかつ傾斜角度が一定になるので、傾斜面４ｃ上に形成する配線パターン５の断線を防止できる。
【００２９】
また、絶縁性スロープ材４が突起２ｆよりも端子２ａ側に広がらないことによって、絶縁性スロープ材４の他端４ｂが半導体チップ３の一面３ｂの周縁部３ｅを完全に覆う状態になる。周縁部３ｅには元々、半導体チップ３を構成する単結晶シリコンからなる本体部３ｃが露出していたが、この露出する本体部３ｃが絶縁性スロープ材４の他端４ｂによって被覆されたことになる。これにより、配線パターン５と半導体チップ３との間での短絡の発生を防止できる。
【００３０】
また、絶縁性スロープ材４が突起２ｆよりも端子２ａ側に広がらないことから、突起２ｆの形成位置を半導体チップ３に近づけることで、絶縁性スロープ材４が形成される領域を狭くすることができ、これにより、半導体チップ３とベース基板２上の端子２ａとの距離を狭めることができる。このように本実施形態によれば、半導体装置１の省スペース化を実現して半導体装置１の小型化を図ることができる。
【００３１】
（半導体装置の別の例）
次に、本実施形態の半導体装置の別の例について、図面を参照して説明する。図３は、本実施形態の半導体装置の別の例を示す拡大断面模式図である。
図３に示す半導体装置１１と、図１に示す半導体装置１との相違点は、ベース側係止部１２ｅが溝１２ｇによって形成されてなる点である。ベース側係止部１２ｅ及び絶縁性スロープ材１４以外の構成要素については、図３に示す半導体装置１１と図１に示す半導体装置１との間で相違点がないので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３２】
図３に示すように、半導体装置１１のベース基板２上であって、端子２ａと半導体チップ３との間には、溝１２ｇからなるベース側係止部１２ｅが設けられている。この溝１２ｇは、半導体チップ３を囲むように環状に形成されている。溝１２ｇの幅は１０μｍ〜１００μｍ程度に形成され、溝１２ｇの深さは５μｍ〜１５μｍ程度に形成されている。溝深さが５μｍ以上であれば、絶縁性スロープ材１４を確実に堰き止めて係止させることができる。
【００３３】
また、絶縁性スロープ材１４は、半導体チップ３の側方に形成され、半導体チップ３とベース基板２の間の段差を埋めている。図３に示すように、この絶縁性スロープ材１４は、一端１４ａ側が溝１２ｇによって係止されている。また、絶縁性スロープ材１４の他端１４ｂ側が半導体チップ３の周縁部３ｅを覆う格好になっている。そして、絶縁性スロープ材１４の一端１４ａと他端１４ｂとの間に、傾斜面１４ｃが設けられている。絶縁性スロープ材１４は、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂から構成され、例えば液滴吐出法によって形成される。
【００３４】
上記の半導体装置１１によれば、ベース基板２に絶縁性スロープ材１４を係止させる溝１２ｇ（ベース側係止部１２ｅ）が設けられているので、絶縁性スロープ材１４が溝１２ｇよりも端子２ａ側に広がることなく適切な形に形成される。即ち、絶縁性スロープ材１４の一端１４ａ側が、溝１２ｇに沿わされるので、絶縁性スロープ材１４を平面視したときの外周の輪郭線（一端１４ａ）が従来技術のように不均一にならず、ほぼ直線的になる。これにより、絶縁性スロープ材１４の断面形状がどの場所でも図３に示すような形状になり、傾斜面１４ｃがほぼ平坦になり、傾斜面１４ｃの傾斜角度も場所によってばらつくことなくほぼ一定になる。
このように、絶縁性スロープ材１４を係止させる溝１２ｇを設けることによって、絶縁性スロープ材１４の傾斜面１４ｃがほぼ平坦になりかつ傾斜角度が一定になるので、傾斜面１４ｃ上に形成する配線パターン５の断線を防止できる。
【００３５】
また、絶縁性スロープ材１４が溝１２ｇよりも端子２ａ側に広がらないことによって、絶縁性スロープ材１４の他端１４ｂが半導体チップ３の一面３ｂの周縁部３ｅを完全に覆う状態になる。これにより、配線パターン５と半導体チップ３との間での短絡の発生を防止できる。
【００３６】
また、絶縁性スロープ材１４が溝１２ｇよりも端子２ａ側に広がらないことから、溝１２ｇの形成位置を半導体チップ３に近づけることで、絶縁性スロープ材１４が形成される領域を狭くすることができ、これにより、半導体チップ３とベース基板２上の端子２ａとの距離を狭めることができる。このように本実施形態によれば、半導体装置１１の省スペース化を実現して半導体装置１１の小型化を図ることができる。
【００３７】
（半導体装置の他の例）
次に、本実施形態の半導体装置の他の例について、図面を参照して説明する。図４は、本実施形態の半導体装置の他の例を示す図であって、（ａ）〜（ｂ）は半導体装置の製造工程を示す工程図である。
図４に示す半導体装置２１と、図１に示す半導体装置１との相違点は、ベース基板２２上の端子２２ａが半導体チップ３の図４中左右両側のみに設けられ、ベース側係止部２２ｅが端子２ａと半導体チップ３との間に設けられた結果、ベース側係止部２２ｅが環状ではなく、２つに分断された状態で形成されてなる点である。この他の構成要素については、図４に示す半導体装置２１と図１に示す半導体装置１との間で相違点がないので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３８】
図４（ａ）に示す半導体装置２１においては、上述したように、ベース基板２２上の端子２２ａが半導体チップ３の図４中左右両側のみに設けられ、ベース側係止部２２ｅが端子２ａと半導体チップ３との間に設けられた結果、ベース側係止部２２ｅが環状ではなく、２つに分断された状態で形成されている。このベース側係止部２２ｅは、突起であっても良いし、溝であっても良い。
【００３９】
また、図４（ｂ）に示すように、絶縁性スロープ材２４は、半導体チップ３の図４中左右両側に形成され、半導体チップ３とベース基板２２の間の段差を埋めている。図４（ｂ）に示すように、この絶縁性スロープ材２４は、一端２４ａ側がベース側係止部２２ｅによって係止されている。また、絶縁性スロープ材２４の他端２４ｂ側は半導体チップ３の周縁部を覆う格好になっている。そして、絶縁性スロープ材２４の一端２４ａと他端２４ｂとの間に、傾斜面２４ｃが設けられている。絶縁性スロープ材２４は、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂から構成され、例えば液滴吐出法によって形成される。
【００４０】
上記の半導体装置２１によれば、先に説明した半導体装置１、１１と同様な効果が得られる。
【００４１】
「第２の実施形態」
（半導体装置の一例）
次に、本発明の第２の実施形態の半導体装置の一例について、図面を参照して説明する。図５は、本実施形態の半導体装置の一例を示す図であって、（ａ）は半導体装置の平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に対応する断面模式図である。尚、図５に示す半導体装置の構成要素のうち、図１に示す構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４２】
図５（ａ）〜図５（ｂ）に示す半導体装置３１は、複数の端子２ａが備えられたベース基板３２と、複数のパッド３ａが一面３ｂ上に備えられベース基板３２に搭載された半導体チップ３と、半導体チップ３の側方に形成されて半導体チップ３とベース基板２２の段差を埋める絶縁材３４と、少なくとも絶縁材３４上を通ってベース基板３２の端子２ａと半導体チップ３のパッド３ａとを電気的に接続する配線パターン５とを具備して概略構成されている。
【００４３】
ベース基板３２は、ベース基板３２の材料や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。ベース基板３２は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。ベース基板３２は、積層型の基板であってもよく、あるいは、単層の基板であってもよい。ベース基板３２は、内部に、図示しない配線パターンを有していてもよい。また、ベース基板３２の外形も特に限定されるものではない。
【００４４】
ベース基板３２上には、複数の端子２ａが備えられている。各端子２ａは、引出配線２ｂを介して外部端子２ｃに電気的に接続されており、端子２ａ、引出配線２ｂ及び外部端子２ｃを総称してベース側の配線パターン２ｄと呼ぶ。このベース側の配線パターン２ｄは銅箔等により構成されている。
また、ベース基板３２上には、半導体チップ３と絶縁材３４とを収納する凹部３２ｅが設けられている。凹部３２ｅの平面視形状は、図５（ａ）に示すように略矩形状であって、半導体チップ３の平面視形状よりもやや大きめの形状となっている。このため、凹部３２ｅと半導体チップ３との間には、平面視略環状の段差３２ｆが設けられ、この段差３２ｆに絶縁材３４が充填された状態になっている。
【００４５】
凹部３２ｅの深さは、パッド３ａの厚みを除いた半導体チップ３の厚み以下であることが好ましい。即ち、半導体チップ３を構成する本体部３ｃの厚み以下であれば良い。より具体的には３０μｍ乃至５０μｍ以下であれば良い。尚、半導体チップ３とベース基板３２との接合に、第１の実施形態で説明したダイアタッチフィルムを用いる場合は、凹部３２ｅの深さを、半導体チップ３の本体部３ｃとダイアタッチフィルムとの合計厚み以下にすれば良い。より具体的には４０μｍ乃至７０μｍ以下であれば良い。図５においては、凹部３２ｅの深さが、半導体チップ３の本体部３ｃの厚みと同じ寸法に設定されている。これにより、半導体チップ３の一面３ｂがベース基板３２の上面とほぼ同じ高さになり、半導体チップ３のパッド３ａのみがベース基板３２の上面から突出した状態になっている。
【００４６】
次に、絶縁材３４は、半導体チップ３と凹部３２ｅとの間の段差３２ｆに充填されており、これにより半導体チップ３とベース基板３２の間の段差を埋めている。図５（ｂ）に示すように、この絶縁材３４は、上面３４ａがベース基板３２の上面とほぼ同じ高さになるように充填されている。上面３４ａは、ベース基板３２に対して傾斜することなく、傾斜角度はほぼ０°になっている。これにより、ベース基板３２の上面と半導体チップ３の一面３ｂとの間の段差がほぼ解消されている。絶縁材３４は、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂から構成され、例えば液滴吐出法によって形成される。
【００４７】
次に、配線パターン５は、絶縁材３４の上面３４ａ上を通って、ベース基板３２の端子２ａと半導体チップ３のパッド３ａとを電気的に接続している。配線パターン５の材料は、第１の実施形態と同様に特に限定されない。この配線パターン５は、例えば液滴吐出法により形成される。
【００４８】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。図６は、図５に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、（ａ）〜（ｃ）は半導体装置の製造工程を示す工程図である。
まず第１工程として、図６（ａ）に示すように、ベース基板３２上にベース側の配線パターン２ｄと凹部３２ｅを形成する。次に図６（ｂ）に示すように、凹部３２ｅに半導体チップ３を搭載する。
【００４９】
次に第２工程として、図６（ｃ）に示すように、半導体チップ３と凹部３２ｅの隙間（段差３２ｆ）に、半導体チップ３とベース基板２の間の段差を埋める絶縁材３４を充填する。
絶縁材３４を形成する手段としては、例えば液滴吐出法を用いることができる。液滴吐出法により絶縁材を形成する手順としては、まず、絶縁材３４を構成する絶縁材料を溶媒に溶解して塗布液とし、この塗布液を液滴吐出用の吐出ヘッドによって半導体チップ３の周囲に塗布してから溶媒を乾燥する。この塗布と乾燥の工程を数回に渡って繰り返すことで、絶縁材料が次第に盛り上がり、半導体チップ３とベース基板２の段差３２ｆが埋められる。この時、絶縁材料は、半導体チップ３の側端面と、凹部３２ｅの壁面によって堰き止められ、凹部３２ｅからはみ出ることがない。また絶縁材料は、凹部３２ｅによって堰き止められたことで端子２ａ側への広がりが規制され、これによって半導体チップ３の周縁部３ｅを覆う程度まで広げられる。このようにして、絶縁材３４が形成される。
【００５０】
次に第３工程として、液滴吐出法によって配線パターン５を形成する。このようにして、図５に示すような半導体装置３１が製造される。
【００５１】
上記の半導体装置３１によれば、ベース基板３２に半導体チップ３及び絶縁材３４を収納する凹部３４ｅが設けられており、半導体チップ３と凹部３２ｅとが絶縁材３４の成形型になるので、絶縁材３４の断面形状がどの場所でも図５（ｂ）に示すような形状になり、上面３４ａがほぼ平坦になり、上面３４ａの傾斜角度も場所によってばらつくことなくほぼ一定になる。このように、絶縁材３４が適切な形に形成され、これにより絶縁材３４の傾斜角度が場所によってばらつく虞がないので、配線パターン５の断線を防止できる。
また、絶縁材３４が適切な形に形成されることによって、絶縁材３４によって半導体チップ３の上面の周縁部３ｅが完全に覆われるので、配線パターン５と半導体チップ３との間での短絡の発生を防止できる。
【００５２】
（半導体装置の別の例）
次に、本実施形態の半導体装置の別の例について、図面を参照して説明する。図７は、本実施形態の半導体装置の別の例を示す断面模式図である。
図７に示す半導体装置４１と、図５に示す半導体装置３１との相違点は、凹部の深さが浅くなり、これに伴って絶縁材の断面視形状が変わった点である。この他の構成要素については、図７に示す半導体装置４１と図５に示す半導体装置３１との間で相違点がないので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００５３】
ベース基板３２上には、ベース側の配線パターン２ｄが設けられると共に、半導体チップ３と絶縁材４４とを収納する凹部４２ｅが設けられている。凹部４２ｅの平面視形状は略矩形状であって、半導体チップ３の平面視形状よりもやや大きめの形状となっている。このため、凹部４２ｅと半導体チップ３との間には、平面視略環状の段差４２ｆが設けられ、この段差４２ｆに絶縁材４４が充填された状態になっている。
凹部４２ｅの深さは、パッド３ａの厚みを除いた半導体チップ３の厚み未満とされている。即ち図７においては、凹部４２ｅに深さが、半導体チップ３の本体部３ｃの厚みよりも小さくなっている。これにより、半導体チップ３の一面３ｂがベース基板３２の上面よりも突出した状態になっている。
【００５４】
次に、絶縁材４４は、半導体チップ３と凹部４２ｅとの間の段差４２ｆに充填されており、これにより半導体チップ３とベース基板３２の間の段差を埋めている。図７に示すように、この絶縁材４４は、上面４４ａが傾斜し、この傾斜した上面４４ａによってベース基板３２の上面と半導体チップ３の一面３ｂとが連続した状態になるように充填されている。これにより、ベース基板３２の上面と半導体チップ３の一面３ｂとの間の段差がほぼ解消されている。また、図７に示すように、この絶縁材４４は、一端４４ｂ側が凹部４２ｅによって係止され、絶縁材４４の他端４４ｃ側が半導体チップ３の周縁部３ｅを覆う格好になっている。絶縁材４４は、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂から構成され、例えば液滴吐出法によって形成される。
【００５５】
配線パターン５は、絶縁材４４の上面４４ａ上を通って、ベース基板３２の端子２ａと半導体チップ３のパッド３ａとを電気的に接続している。上面４４ａによってベース基板３２の上面と半導体チップ３の一面３ｂとが連続しているので、配線パターン５が断線する虞がない。
【００５６】
上記の半導体装置４１によれば、ベース基板３２に半導体チップ３及び絶縁材４４を収納する凹部４２ｅが設けられており、半導体チップ３と凹部４２ｅとが絶縁材４４の成形型になるので、絶縁材４４の断面形状がどの場所でも図７に示すような形状になり、上面４４ａが傾斜面となり、上面４４ａの傾斜角度も場所によってばらつくことなくほぼ一定になる。このように、絶縁材４４が適切な形に形成され、これにより絶縁材４４の傾斜角度が場所によってばらつく虞がないので、配線パターン５の断線を防止できる。
また、絶縁材４４が適切な形に形成されることによって、絶縁材４４によって半導体チップ３の上面の周縁部３ｅが完全に覆われるので、配線パターン５と半導体チップ３との間での短絡の発生を防止できる。
【００５７】
「第３の実施形態」
（半導体装置の一例）
次に、本発明の第３の実施形態の半導体装置の一例について、図面を参照して説明する。図８は、本実施形態の半導体装置の一例を示す拡大断面模式図である。尚、図８に示す半導体装置の構成要素のうち、図１に示す構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００５８】
図８に示す半導体装置５１は、複数の端子２ａが備えられたベース基板２と、複数のパッド５３ａが一面５３ｂ上に備えられベース基板２に搭載された半導体チップ５３と、半導体チップ５３の側方に形成されて半導体チップ５３とベース基板２の段差を埋める絶縁性スロープ材５４と、少なくとも絶縁性スロープ材５４上を通ってベース基板２の端子２ａと半導体チップ５３のパッド３ａとを電気的に接続する配線パターン５とを具備して概略構成されている。
【００５９】
ベース基板２は、第１の実施形態と同様に、材質や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。またベース基板２は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。更にベース基板２は、積層型の基板であってもよく、あるいは、単層の基板であってもよい。更にベース基板２は、内部に、図示しない配線パターンを有していてもよい。また、ベース基板２の外形も特に限定されるものではない。
【００６０】
ベース基板２上には、複数の端子２ａが備えられている。各端子２ａは、図示略の引出配線を介して図示略の外部端子に電気的に接続されており、端子２ａ、引出配線及び外部端子を総称してベース側の配線パターンと呼ぶ。このベース側の配線パターンは銅箔等により構成されている。
【００６１】
次に半導体チップ５３は、不純物がドープされた単結晶シリコン等からなる本体部５３ｃと、本体部５３ｃに形成された図示しない集積回路部と、集積回路に接続された複数のパッド５３ａとから構成されている。バッド３ａは、半導体チップ５３（本体部５３ｃ）の一面５３ｂ上に備えられている。また、一面５３ｂ上には絶縁膜５３ｄが形成されている。この絶縁膜５３ｄは、一面５３ｂの周縁部５３ｅを除いた一面５３ｂのほぼ全面に形成されている。周縁部５３ｅからは本体部５３ｃが露出されている。本体部５３ｃは、厚み３０〜５０μｍ程度の単結晶シリコン等からなるものである。また、集積回路部の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【００６２】
また、図８に示すように、半導体チップ５３（本体部５３ｃ）の絶縁性スロープ材５４に隣接する側端面５３ｆが傾斜面となっている。この傾斜面（側端面５３ｆ）の傾斜角度は、例えば３０°〜６０°の範囲に設定されている。この傾斜面（側端面５３ｆ）は、半導体チップ５３をシリコンウェーハから切り出すダイシング工程において、先端が略Ｖ字状のダイシングブレードを用いることによって形成される。例えば、先端角度が９０°のダイシングブレードを用いた場合には、傾斜面（側端面５３ｆ）の傾斜角度が４５°になる。
【００６３】
半導体チップ５３は、パッド５３ａをベース基板２の反対側に向けた状態で、ベース基板２に搭載されている。ベース基板２と半導体チップ５３との間には、厚み１０μｍ〜２０μｍ程度のダイアタッチフィルム６が配置されており、このダイアタッチフィルム６によってベース基板２と半導体チップ５３とが接合されている。
ベース基板２と半導体チップ５３の間の段差は、本体部５３ｃとダイアタッチフィルム６との合計厚みに等しく、４０〜７０μｍ程度とされている。
【００６４】
次に、絶縁性スロープ材５４は、半導体チップ５３の少なくとも側端面５３ｆ（傾斜面）上に形成され、半導体チップ５３とベース基板２の間の段差を埋めている。図８に示すように、この絶縁性スロープ材５４は、一端５４ａ側がベース基板２上に位置しており、他端５４ｂ側が半導体チップ５３の周縁部５３ｅを覆う格好になっている。そして、絶縁性スロープ材５４の一端５４ａと他端５４ｂとの間に、傾斜面５４ｃが設けられている。絶縁性スロープ材５４は、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂から構成され、例えば液滴吐出法によって形成される。
【００６５】
次に、配線パターン５は、絶縁性スロープ材５４の傾斜面５４ｃ上を通って、ベース基板２の端子２ａと半導体チップ５３のパッド５３ａとを電気的に接続している。配線パターン５の材料は、第１の実施形態と同様に特に限定されない。この配線パターン５は、例えば液滴吐出法により形成される。
【００６６】
上記の半導体装置５１は、第１の実施形態の半導体装置１と同様の工程を経て製造される。
即ち第１工程として、ベース基板２上にベース側の配線パターン２ｄを形成してから、半導体チップ５３を搭載する。半導体チップ５３は、側端面５３ｆが傾斜面になっている。この傾斜面（側端面５３ｆ）は、上述したように、半導体チップ５３をシリコンウェーハから切り出す際に、先端が略Ｖ字状のダイシングブレードを用いることによって形成される。
【００６７】
次に第２工程として、半導体チップ５３の側端面５３ｆ（傾斜面）上に、半導体チップ５３とベース基板２の間の段差を埋める絶縁性スロープ材５４を形成する。
絶縁性スロープ材５４を形成する手段としては、例えば液滴吐出法を用いることができる。液滴吐出法により絶縁性スロープ材５４を形成する手順としては、まず、絶縁性スロープ材５４を構成する絶縁材料を溶媒に溶解して塗布液とし、この塗布液を液滴吐出用の吐出ヘッドによって半導体チップ５３の側端面５３ｆ（傾斜面）上に塗布してから溶媒を乾燥する。この塗布と乾燥の工程を数回に渡って繰り返すことで、図８に示すような、絶縁性スロープ材５４が形成される。この時、塗布液が、傾斜面となっている側端面５３ｆの上に長く留まるので、端子２ａ側に広がることがない。また塗布液は、側端面５３ｆ上に長く留まることで端子２ａ側への広がりが規制される一方、半導体チップ５３の周縁部５３ｅを覆う程度まで広げられる。
このようにして、絶縁性スロープ材５４が形成される。
【００６８】
次に第３工程として、液滴吐出法によって配線パターン５を形成する。このようにして、図８に示すような半導体装置５１が製造される。
【００６９】
上記の半導体装置５１によれば、半導体チップ５３の絶縁性スロープ材５４に隣接する側端面５３ｆが、傾斜面に形成されているので、絶縁性スロープ材５４を形成する際に使用する塗布液が側端面５３ｆ上に長く留まり、これにより絶縁性スロープ材５４が広がることなく適切な形に形成される。これにより、絶縁性スロープ材５４の断面形状がどの場所でも図８に示すような形状になり、傾斜面５４ｃがほぼ平坦になり、傾斜面５４ｃの傾斜角度も場所によってばらつくことなくほぼ一定になる。
このように、半導体チップ５３の側端面５３ｆを傾斜面とし、この側端面５３ｆ上に絶縁性スロープ材５４を形成することで、絶縁性スロープ材５４の傾斜角度が場所によってばらつく虞がなく、配線パターン５の断線を防止できる。
【００７０】
また、絶縁性スロープ材５４が端子２ａ側に広がらないことによって、絶縁性スロープ材５４によって半導体チップ５３の一面５３ｂの周縁部５３ｅが完全に覆われる。周縁部５３ｅには元々、半導体チップ５３を構成する単結晶シリコンからなる本体部５３ｃが露出していたが、この露出する本体部５３ｃが絶縁性スロープ材５４の他端５４ｂによって被覆されたことになる。これにより、配線パターン５と半導体チップ５３との間での短絡の発生を防止できる。
【００７１】
また、絶縁性スロープ材５４が端子２ａ側に広がらないことから、端子２ａの位置を従来よりも半導体チップ５３側に近づけることができ、半導体チップ５３とベース基板２上の端子２ａとの距離を狭めることができる。このように本実施形態によれば、半導体装置５１の省スペース化を実現して半導体装置５１の小型化を図ることができる。
【００７２】
（半導体装置の別の例）
次に、本実施形態の半導体装置の別の例について、図面を参照して説明する。図９は、本実施形態の半導体装置の別の例を示す拡大断面模式図である。
図９に示す半導体装置６１と、図８に示す半導体装置５１との相違点は、半導体チップの側端面が階段状に形成された点である。その他の構成要素については、図９に示す半導体装置６１と図８に示す半導体装置５１との間で相違点がないので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００７３】
図９に示すように、半導体チップ６３の側端面６３ｆが階段状に形成されている。図９においては、５段の階段状になっている。各段の幅は例えば５μｍ〜１０μｍの範囲に設定され、各段の高さは例えば、半導体チップ６３を構成する本体部６３ｃの厚みを、段数で除した高さになっている。この階段状の面（側端面６３ｆ）の傾斜角度は概ね、３０°〜６０°の範囲に設定されている。この階段状の面（側端面５３ｆ）は、半導体チップ６３をシリコンウェーハから切り出すダイシング工程において、先端の幅が異なる複数のダイシングブレードを用意し、幅の広いダイシングブレードから順に加工を開始し、最後に最も狭幅のダイシングブレードで切断することによって形成される。
【００７４】
次に、絶縁性スロープ材６４は、半導体チップ６３の少なくとも側端面６３ｆ（階段状の面）上に形成され、半導体チップ６３とベース基板２の間の段差を埋めている。図９に示すように、この絶縁性スロープ材６４は、一端６４ａ側がベース基板２上に位置しており、他端６４ｂ側が半導体チップ６３の周縁部６３ｅを覆う格好になっている。そして、絶縁性スロープ材６４の一端６４ａと他端６４ｂとの間に、傾斜面６４ｃが設けられている。絶縁性スロープ材６４は、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂から構成され、例えば液滴吐出法によって形成される。
【００７５】
次に、配線パターン５は、絶縁性スロープ材６４の傾斜面６４ｃ上を通って、ベース基板２の端子２ａと半導体チップ６３のパッド６３ａとを電気的に接続している。配線パターン５の材料は、第１の実施形態と同様に特に限定されない。この配線パターン５は、例えば液滴吐出法により形成される。
【００７６】
上記の半導体装置６１は、図８に示す半導体装置５１と同様の工程を経て製造される。
【００７７】
上記の半導体装置６１によれば、半導体チップ６３の絶縁性スロープ材６４に隣接する側端面６３ｆが、階段状の面に形成されているので、絶縁性スロープ材６４を形成する際に使用する塗布液が側端面６３ｆ上に長く留まり、これにより絶縁性スロープ材６４が広がることなく適切な形に形成される。これにより、絶縁性スロープ材６４の断面形状がどの場所でも図９に示すような形状になり、傾斜面６４ｃがほぼ平坦になり、傾斜面６４ｃの傾斜角度も場所によってばらつくことなくほぼ一定になる。
このように、半導体チップ６３の側端面６３ｆを傾斜面とし、この側端面６３ｆ上に絶縁性スロープ材６４を形成することで、絶縁性スロープ材６４の傾斜角度が場所によってばらつく虞がなく、配線パターン５の断線を防止できる。
【００７８】
また、絶縁性スロープ材６４が端子２ａ側に広がらないことによって、絶縁性スロープ材６４によって半導体チップ６３の一面６３ｂの周縁部６３ｅが完全に覆われる。周縁部６３ｅには元々、半導体チップ６３を構成する単結晶シリコンからなる本体部６３ｃが露出していたが、この露出する本体部６３ｃが絶縁性スロープ材６４の他端６４ｂによって被覆されたことになる。これにより、配線パターン５と半導体チップ６３との間での短絡の発生を防止できる。
【００７９】
また、絶縁性スロープ材６４が端子２ａ側に広がらないことから、端子２ａの位置を従来よりも半導体チップ６３側に近づけることができ、半導体チップ６３とベース基板２上の端子２ａとの距離を狭めることができる。このように本実施形態によれば、半導体装置６１の省スペース化を実現して半導体装置６１の小型化を図ることができる。
【００８０】
「第４の実施形態」
（半導体装置の一例）
次に、本発明の第４の実施形態の半導体装置の一例について、図面を参照して説明する。図１０は、本実施形態の半導体装置の他の例を示す拡大断面模式図である。尚、図１０に示す半導体装置の構成要素のうち、図１に示す構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００８１】
図１０に示す半導体装置７１は、複数の端子２ａが備えられたベース基板２と、複数のパッド７３ａが一面７３ｂ上に備えられベース基板２に搭載された半導体チップ７３と、半導体チップ７３の側方に形成されて半導体チップ７３とベース基板２の段差を埋める絶縁性スロープ材７４と、少なくとも絶縁性スロープ材７４上を通ってベース基板２の端子２ａと半導体チップ７３のパッド７３ａとを電気的に接続する配線パターン５とを具備して概略構成されている。
【００８２】
ベース基板２は、第１の実施形態と同様に、材質や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。またベース基板２は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。更にベース基板２は、積層型の基板であってもよく、あるいは、単層の基板であってもよい。更にベース基板２は、内部に、図示しない配線パターンを有していてもよい。また、ベース基板２の外形も特に限定されるものではない。
【００８３】
ベース基板２上には、複数の端子２ａが備えられている。各端子２ａは、図示略の引出配線を介して図示略の外部端子に電気的に接続されており、端子２ａ、引出配線及び外部端子を総称してベース側の配線パターンと呼ぶ。このベース側の配線パターンは銅箔等により構成されている。
【００８４】
次に半導体チップ７３は、不純物がドープされた単結晶シリコン等からなる本体部７３ｃと、本体部７３ｃに形成された図示しない集積回路部と、集積回路に接続された複数のパッド７３ａとから構成されている。バッド７３ａは、半導体チップ７３（本体部７３ｃ）の一面７３ｂ上に備えられている。また、一面７３ｂ上には絶縁膜７３ｄが形成されている。この絶縁膜７３ｄは、一面７３ｂの周縁部７３ｅ及びパッド７３ａを除いた一面７３ｂのほぼ全面に形成されている。また、周縁部７３ｅには、チップ側係止部７３ｆが設けられている。図１０に示すチップ側係止部７３ｆは、半導体チップ７３（本体部７３ｃ）の絶縁膜７３ｄの外周側に設けられた溝であり、絶縁膜７３ｄを囲むように環状に形成されている。この溝（チップ側係止部７３ｆ）の深さは５μｍ〜１０μｍ程度とされ、溝（チップ側係止部７３ｆ）の幅は５μｍ〜１０μｍ程度とされている。
【００８５】
また、半導体チップ７３の溝（チップ側係止部７３ｆ）を含む周縁部７３ｅからは本体部７３ｃが露出されている。本体部７３ｃは、厚み３０〜５０μｍ程度の単結晶シリコン等からなるものである。また、集積回路部の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。半導体チップ７３は、パッド７３ａをベース基板２の反対側に向けた状態で、ベース基板２に搭載されている。ベース基板２と半導体チップ７３との間には、厚み１０μｍ〜２０μｍ程度のダイアタッチフィルム６が配置されており、このダイアタッチフィルム６によってベース基板２と半導体チップ７３とが接合されている。
ベース基板２と半導体チップ７３の間の段差は、本体部７３ｃとダイアタッチフィルム６との合計厚みに等しく、４０〜７０μｍ程度とされている。
【００８６】
次に、絶縁性スロープ材７４は、半導体チップ７３の側方に形成され、半導体チップ７３とベース基板２の間の段差を埋めている。図１０に示すように、この絶縁性スロープ材７４は、一端７４ａ側がベース基板２上に位置しており、他端７４ｂ側が半導体チップ７３の周縁部７３ｅを覆い、かつ溝（チップ側係止部７３ｆ）によって係止されている。そして、絶縁性スロープ材７４の一端７４ａと他端７４ｂとの間に、傾斜面７４ｃが設けられている。絶縁性スロープ材７４は、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂から構成され、例えば液滴吐出法によって形成される。
【００８７】
次に、配線パターン５は、絶縁性スロープ材７４の傾斜面７４ｃ上を通って、ベース基板２の端子２ａと半導体チップ７３のパッド７３ａとを電気的に接続している。配線パターン５の材料は、第１の実施形態と同様に、特に限定されない。この配線パターン５は、例えば液滴吐出法により形成される。
【００８８】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。図１１は、図１０に示す半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
まず第１工程として、ベース基板２上にベース側の配線パターン２ｄを形成してから、半導体チップ７３を搭載する。半導体チップ７３の一面７３ｂの周縁部７３ｅには、溝（チップ側係止部７３ｆ）が形成されている。このチップ側係止部７３ｆは、半導体チップ７３の製造過程において例えばフォトリソグラフィ技術により形成される。
【００８９】
次に図１１に示すように、第２工程として、半導体チップ７３の周囲に、半導体チップ７３とベース基板２の間の段差を埋める絶縁性スロープ材７４を形成する。
絶縁性スロープ材７４を形成する手段としては、例えば液滴吐出法を用いることができる。液滴吐出法により絶縁性スロープ材を形成する手順としては、まず、絶縁性スロープ材７４を構成する絶縁材料を溶媒に溶解して塗布液とし、この塗布液を液滴吐出用の吐出ヘッドによって半導体チップ７３の周囲に塗布する。塗布液を塗布する際には、まず始めにチップ側係止部７３ｆの上に塗布液７４ｄを吐出させてから、半導体チップ７３の周囲に塗布液７４ｅを吐出させる。吐出後、塗布液を乾燥させ、再度半導体チップ７３の周囲に塗布液７４ｅを吐出させる。この吐出と乾燥の工程を数回に渡って繰り返すことで、図１１に示すように、絶縁材料が次第に盛り上がり、ついにはチップ側の絶縁材料とベース側の絶縁材料が一体化して半導体チップ７３とベース基板２の段差が埋められる。この時、絶縁材料は、溝（チップ側係止部７３ｆ）によって係止されるので、塗布液７４ｅが端子２ａ側に大きく広がることがない。また塗布液７４ｄを最初に溝（チップ側係止部７３ｆ）の上に吐出するので、これによって半導体チップ７３の周縁部７３ｅが絶縁性スロープ材７４によって覆われる。
このようにして、絶縁性スロープ材７４が形成される。
【００９０】
次に第３工程として、液滴吐出法によって配線パターン５を形成する。このようにして、図１０に示すような半導体装置７１が製造される。
【００９１】
上記の半導体装置７１によれば、半導体チップ７３の一面７３ｂに、絶縁性スロープ材７４を係止させる溝（チップ側係止部７３ｆ）が設けられているので、絶縁性スロープ材７４が一面７３ｂの周縁部７３ｅを完全に覆った状態になり、これにより絶縁性スロープ材７４が適切な形に形成されて、絶縁性スロープ材７４の傾斜角度が場所によってばらつく虞がなく、配線パターン５の断線を防止できる。
また、絶縁性スロープ材７４が適切な形に形成されることによって、絶縁性スロープ材７４によって半導体チップ７３の一面７３ｂの周縁部７３ｅが完全に覆われるので、配線パターン５と半導体チップ７３との間での短絡の発生を防止できる。
【００９２】
（半導体装置の別の例）
次に、本実施形態の半導体装置の別の例について、図面を参照して説明する。図１２は、本実施形態の半導体装置の別の例を示す拡大断面模式図である。
図１２に示す半導体装置８１と、図１０に示す半導体装置７１との相違点は、チップ側係止部が突起によって形成されてなる点である。その他の構成要素については、図１２に示す半導体装置８１と図１０に示す半導体装置７１との間で相違点がないので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００９３】
図１２に示す半導体チップ８３は、不純物がドープされた単結晶シリコン等からなる本体部８３ｃと、本体部８３ｃに形成された図示しない集積回路部と、集積回路に接続された複数のパッド８３ａとから構成されている。バッド８３ａは、半導体チップ８３（本体部８３ｃ）の一面８３ｂ上に備えられている。また、一面８３ｂ上には絶縁膜８３ｄが形成されている。この絶縁膜８３ｄは、一面８３ｂの周縁部８３ｅ及びパッド８３ａを除いた一面８３ｂのほぼ全面に形成されている。また、周縁部８３ｅには、チップ側係止部８３ｆが設けられている。図１２に示すチップ側係止部８３ｆは、半導体チップ８３（本体部８３ｃ）の絶縁膜８３ｄの外周側に設けられた突起であり、絶縁膜８３ｄを囲むように環状に形成されている。この突起（チップ側係止部８３ｆ）の高さは５μｍ〜１０μｍ程度とされ、突起（チップ側係止部８３ｆ）の幅は５μｍ〜１０μｍ程度とされている。この突起（チップ側係止部８３ｆ）は、例えばＣｕ等の導電材料から形成されており、半導体チップ８３の製造過程においてフォトリソグラフィ技術により形成される。
また、半導体チップ８３の突起（チップ側係止部８３ｆ）を含む周縁部８３ｅからは本体部８３ｃが露出されている。本体部８３ｃは、厚み３０〜５０μｍ程度の単結晶シリコン等からなるものである。
【００９４】
次に、絶縁性スロープ材８４は、半導体チップ８３の側方に形成され、半導体チップ８３とベース基板２の間の段差を埋めている。図１２に示すように、この絶縁性スロープ材８４は、一端８４ａ側がベース基板２上に位置しており、他端８４ｂ側が半導体チップ８３の周縁部８３ｅを覆い、かつ突起（チップ側係止部８３ｆ）によって係止されている。そして、絶縁性スロープ材８４の一端８４ａと他端８４ｂとの間に、傾斜面８４ｃが設けられている。絶縁性スロープ材８４は、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂から構成され、例えば液滴吐出法によって形成される。
【００９５】
次に、配線パターン５は、絶縁性スロープ材８４の傾斜面８４ｃ上を通って、ベース基板２の端子２ａと半導体チップ８３のパッド８３ａとを電気的に接続している。配線パターン５の材料は、第１の実施形態と同様に、特に限定されない。この配線パターン５は、例えば液滴吐出法により形成される。
【００９６】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。図１３は、図１２に示す半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
まず第１工程として、ベース基板２上にベース側の配線パターン２ｄを形成してから、半導体チップ８３を搭載する。半導体チップ８３の一面８３ｂの周縁部８３ｅには、突起（チップ側係止部８３ｆ）が形成されている。このチップ側係止部８３ｆは、半導体チップ８３の製造過程において例えばフォトリソグラフィ技術により形成される。
【００９７】
次に図１３に示すように、第２工程として、半導体チップ８３の周囲に、半導体チップ８３とベース基板２の間の段差を埋める絶縁性スロープ材８４を形成する。
絶縁性スロープ材８４を形成する手段としては、例えば液滴吐出法を用いることができる。液滴吐出法により絶縁性スロープ材を形成する手順としては、まず、絶縁性スロープ材８４を構成する絶縁材料を溶媒に溶解して塗布液とし、この塗布液を液滴吐出用の吐出ヘッドによって半導体チップ８３の周囲に塗布する。塗布液を塗布する際には、まず始めにチップ側係止部８３ｆの上に塗布液８４ｇを吐出させてから、半導体チップ８３の周囲に塗布液８４ｈを吐出させる。吐出後、塗布液を乾燥させ、再度半導体チップ８３の周囲に塗布液８４ｈを吐出させる。この吐出と乾燥の工程を数回に渡って繰り返すことで、図１３に示すように、絶縁材料が次第に盛り上がり、ついにはチップ側の絶縁材料とベース側の絶縁材料が一体化して半導体チップ８３とベース基板２の段差が埋められる。この時、絶縁材料は、溝（チップ側係止部８３ｆ）によって係止されるので、塗布液８４ｈが端子２ａ側に大きく広がることがない。また塗布液８４ｇを最初に溝（チップ側係止部８３ｆ）の上に吐出するので、これによって半導体チップ８３の周縁部８３ｅが絶縁性スロープ材８４によって覆われる。
このようにして、絶縁性スロープ材８４が形成される。
【００９８】
次に第３工程として、液滴吐出法によって配線パターン５を形成する。このようにして、図１２に示すような半導体装置８１が製造される。
【００９９】
上記の半導体装置８１によれば、先に説明した半導体装置７１と同様な効果が得られる。
また、上記の半導体装置８１によれば、チップ側係止部８３ｆとして半導体チップに形成されるガードリングを用いることができ、チップ側係止部８３ｆをあらためて形成する必要がなく、製造工程の簡略化が図られる。
【０１００】
図１４には、半導体装置１を有する電子機器として、ノート型パーソナルコンピュータ１０００を、図１５には携帯電話２０００を、それぞれ示す。
【０１０１】
尚、本発明の技術的範囲は上記実施形態の内容に限定されるものではない。例えば、第１の実施形態の技術内容と、第３の実施形態の技術内容とを組み合わせても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態の半導体装置の一例を示す図であって、（ａ）は半導体装置の平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に対応する断面模式図であり、（ｃ）は半導体装置の要部を示す拡大断面模式図である。
【図２】図２は、図１に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、（ａ）〜（ｄ）は半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態の半導体装置の別の例を示す拡大断面模式図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態の半導体装置の他の例を示す図であって、（ａ）〜（ｂ）は半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態の半導体装置の一例を示す図であって、（ａ）は半導体装置の平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に対応する断面模式図である。
【図６】図６は、図５に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、（ａ）〜（ｃ）は半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態の半導体装置の別の例を示す断面模式図である。
【図８】図８は、本発明の第３の実施形態の半導体装置の一例を示す拡大断面模式図である。
【図９】図９は、本発明の第３の実施形態の半導体装置の別の例を示す拡大断面模式図である。
【図１０】図１０は、本発明の第４の実施形態の半導体装置の一例を示す拡大断面模式図である。
【図１１】図１１は、図１０に示す半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１２】図１２は、本発明の第４の実施形態の半導体装置の別の例を示す拡大断面模式図である。
【図１３】図１３は、図１２に示す半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１４】図１４は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１６】図１６は、従来の半導体装置の半導体装置及びその製造方法を説明する図であって、（ａ）は半導体装置の断面模式図であり、（ｂ）〜（ｄ）は半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１、１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１…半導体装置、２、２２、３２…ベース基板、２ａ、２２ａ…端子、２ｅ、１２ｅ、２２ｅ…ベース側係止部、２ｆ…突起、２ｇ…溝、３、５３、６３、７３、８３…半導体チップ、３ａ、５３ａ、６３ａ、７３ａ、８３ａ…パッド、３ｂ、５３ｂ、６３ｂ、７３ｂ、８３ｂ…一面、４、１４、２４、５４、６４、７４、８４…絶縁性スロープ材、５…配線パターン、１２ｇ…溝、３２ｅ、４２ｅ…凹部、３４、４４…絶縁材、５３ｆ…側端面、７３ｆ、８３ｆ…チップ側係止部
【図１】
2007242773.tif 000003
【図２】
2007242773.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007242773.tif 000006
【図５】
2007242773.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007242773.tif 000009
【図８】
2007242773.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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