(57)【要約】【課題】白キズの発生を抑制可能な固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】  光電変換部３と信号電荷転送部４とが形成された半導体基板と、ゲート電極５との間に、半導体基板とゲート電極５とを絶縁する複数の絶縁膜１６，１７からなる絶縁層が介在する固体撮像装置１であって、ゲート電極５の部分を、信号電荷転送部４の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、光電変換部３を含む面を平面視したとき、複数の絶縁膜１６，１７のうち、ゲート電極５と接している絶縁膜１７の側端位置Ａは、ゲート電極の中心位置Ｏから見て、ゲート電極５の側端位置Ｂより外側に位置している。【選択図】図２
2007242687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と信号電荷転送部とが形成された半導体基板と、ゲート電極との間に、前記半導体基板と前記ゲート電極とを絶縁する複数の絶縁膜からなるゲート絶縁層が介在する固体撮像装置であって、
前記ゲート電極の部分を、前記信号電荷転送部の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、前記光電変換部を含む面を平面視したとき、
前記複数の絶縁膜のうち、前記ゲート電極と接している絶縁膜の側端は、前記ゲート電極の中心位置から見て、前記ゲート電極の側端より外側に位置していること
を特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記ゲート電極を覆う遮光膜を備え、
前記ゲート電極の部分を、前記信号電荷転送部の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、前記光電変換部を含む面を平面視したとき、
前記遮光膜は、側壁と底壁とを有する凹状をしており、前記底壁の内面が酸化膜を介して前記ゲート電極と対向するように配設されており、
前記ゲート電極と接している絶縁膜の側端は、前記遮光膜の前記側壁の内面位置より内側にあること
を特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記絶縁層は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなり、前記シリコン窒化膜が、前記ゲート電極と接していること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、２つのシリコン酸化膜の間にシリコン窒化膜が挟まれた三層構造をしており、
前記ゲート電極と接しているシリコン酸化膜の側端と前記シリコン窒化膜の側端とが略同一の位置にあること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項５】
半導体基板の表面に第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第１のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜上にゲート電極体を形成する工程と、
前記ゲート電極体と前記ゲート電極体の側端近傍のシリコン窒化膜の表面とを被覆するように、第２のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第２のシリコン酸化膜をマスキング材として、前記シリコン窒化膜をエッチングする工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の表面に第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第１のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜上に第２のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第２のシリコン酸化膜上にゲート電極体を形成する工程と、
前記ゲート電極体と前記ゲート電極体の側端近傍の第２のシリコン酸化膜の表面とを被覆するように、第３のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第３のシリコン酸化膜をマスキング材として、前記第２のシリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜をエッチングする工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどに用いられる固体撮像装置が一般に広く普及している。
ここで、従来の固体撮像装置の構成について説明する。図８は、従来の固体撮像装置の構成を示す断面図であって、ゲート電極１０８の部分を、信号電荷転送部１０４の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、光電変換部１０３を含む面を平面視したときの図である。
【０００３】
図８に示すように、従来構成の固体撮像装置１００では、ｎ型シリコン基板１０１にｐ型ウエル領域１０２が形成されている。そして第１のｐ型ウエル１０２中に、第１のｎ型拡散層である光電変換部１０３と、第２のｎ型拡散層である信号電荷転送部１０４と、ｐ型拡散層からなるチャネルストッパ部１０５が形成されている。
そして、ｎ型シリコン基板１０１上全面には、熱酸化によりシリコン酸化膜１０６が形成されている。また、信号電荷転送部１０４に相当する領域のシリコン酸化膜１０６上にシリコン窒化膜１０７が形成され、シリコン酸化膜１０６とシリコン窒化膜１０７とによってゲート絶縁層が構成されている。
【０００４】
また、光電変換部１０３に相当するシリコン酸化膜１０６上にはシリコン窒化膜からなる反射防止膜１１１が形成されている。
シリコン窒化膜１０７上にはポリシリコンからなるゲート電極１０８が形成され、そのゲート電極１０８の周囲にはポリシリコン酸化膜１０９が形成され、さらにＣＶＤ系シリコン酸化膜１１０と、たとえばタングステン等の高融点金属からなる遮光膜１１３が形成されている。その遮光膜１１３上には、平坦化を行うＣＶＤ系シリコン酸化膜１１４と、シリコン窒化膜からなる保護膜１１５が形成されている。
【特許文献１】特許第３２０４２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら図８に係る従来構成の固体撮像装置では、光電変換部１０３や信号電荷転送部１０４に不要な電荷が流れ込むことがあり、生成された画像において、いわゆる白キズが発生しやすいという問題がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、白キズの発生を抑制可能な固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部と信号電荷転送部とが形成された半導体基板と、ゲート電極との間に、前記半導体基板と前記ゲート電極とを絶縁する複数の絶縁膜からなるゲート絶縁層が介在する固体撮像装置であって、前記ゲート電極の部分を、前記信号電荷転送部の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、前記光電変換部を含む面を平面視したとき、前記複数の絶縁膜のうち、前記ゲート電極と接している絶縁膜の側端は、前記ゲート電極の中心位置から見て、前記ゲート電極の側端より外側に位置していることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００７】
鋭意研究の末、本発明者は、図８に示す従来構成の固体撮像装置におけて白キズが発生するのは、シリコン酸化膜１０６とゲート絶縁層を構成するシリコン窒化膜１０７の側端がゲート電極１０８下に入りこんでいることが原因の一つであると見出した。
シリコン窒化膜１０７の形成方法について簡潔に説明すると、はじめにシリコン酸化膜１０６上の全面にシリコン窒化膜を形成し、当該シリコン窒化膜を、ゲート電極１０８およびポリシリコン酸化膜１０９からなるゲート電極体をマスキング材にしてウェットエッチングすることによってシリコン窒化膜１０７を形成している。
【０００８】
ここで、ゲート電極体をマスキング材として、シリコン酸化膜１０６上の全面に形成されたシリコン窒化膜をウェットエッチングすると、ゲート電極体下のシリコン窒化膜が侵食されて、図８に示すように、形成されたシリコン窒化膜１０７の側端が、ゲート電極１０８の側端より入り込んだところに位置してしまうことがある。
これにより、ゲート電極１０８の端部において、シリコン窒化膜１０７の代わりに電気的に絶縁性の劣るＣＶＤ系シリコン酸化膜１１０が存在することになり、ゲート電極１０８に高圧が印加された際に、ゲート電極１０８から光電変換部１０３や信号電荷転送部１０４にリーク電流が流れ込んで白キズが発生することが明らかにされた。
【０００９】
課題を解決する手段に記載した構成では、従来構成の固体撮像装置のように、ゲート電極に最も広く接している絶縁膜の側端がゲート電極の下に入り込んでいないので、ゲート電極から半導体基板へのリーク電流が発生するのを抑制することができ、もって白キズの発生を抑制することができる。
また、本発明において、前記ゲート電極を覆う遮光膜を備え、前記ゲート電極の部分を、前記信号電荷転送部の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、前記光電変換部を含む面を平面視したとき、前記遮光膜は、側壁と底壁とを有する凹状をしており、前記底壁の内面が酸化膜を介して前記ゲート電極と対向するように配設されており、前記ゲート電極と接している絶縁膜の側端は、前記遮光膜の前記側壁の内面位置より内側にあることが望ましい。
【００１０】
ゲート電極と接している絶縁膜の側端が、遮光膜の側壁の内面位置より外側にあると、遮光膜の側壁端面から半導体基板までの距離が大きくなり、半導体基板表面で反射した光が遮光膜の側壁端面と半導体基板との間を伝搬してしまい、いわゆるスミアが発生しやすくなるからである。
ここで、前記絶縁層は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなり、前記シリコン窒化膜が、前記ゲート電極と接していることが望ましい。
【００１１】
絶縁性の高いシリコン窒化膜の側端が、ゲート電極の側端より外側に位置している構造とすることによって、ゲート電極と半導体基板との間の絶縁性を高め、ゲート電極から半導体基板へのリーク電流が発生するのを抑制することができる。
また、前記絶縁層は、２つのシリコン酸化膜の間にシリコン窒化膜が挟まれた三層構造をしており、前記ゲート電極と接しているシリコン酸化膜の側端と前記シリコン窒化膜の側端とが略同一の位置にあるとしてもよい。
【００１２】
ゲート電極と接しているシリコン酸化膜からなる絶縁膜に加えて、絶縁性の高いシリコン窒化膜を当該シリコン酸化膜と略同一の形状とすることによって、ゲート電極と半導体基板との間の絶縁性を高め、ゲート電極から半導体基板へのリーク電流が発生するのを抑制することができる。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の表面に第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第１のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜上にゲート電極体を形成する工程と、前記ゲート電極体と前記ゲート電極体の側端近傍のシリコン窒化膜の表面とを被覆するように、第２のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第２のシリコン酸化膜をマスキング材として、前記シリコン窒化膜をエッチングする工程とを含むことを特徴としている。
【００１３】
上記製造方法に従って製造された固体撮像装置は、ゲート電極の部分を信号電荷転送部の電荷転送方向に対して垂直に切断する面を平面視したとき、絶縁性の高いシリコン窒化膜の側端が、ゲート電極の側端より外側に位置する構造となるので、ゲート電極から半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができ、もって白キズの発生を抑制することができる。
【００１４】
また、本発明に係る他の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の表面に第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第１のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、  前記シリコン窒化膜上に第２のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第２のシリコン酸化膜上にゲート電極体を形成する工程と、前記ゲート電極体と前記ゲート電極体の側端近傍の第２のシリコン酸化膜の表面とを被覆するように、第３のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第３のシリコン酸化膜をマスキング材として、前記第２のシリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜をエッチングする工程とを含むことを特徴としている。
【００１５】
上記製造方法に従って製造された固体撮像装置は、ゲート電極の部分を信号電荷転送部の電荷転送方向に対して垂直に切断する面を平面視したとき、ゲート電極と接しているシリコン酸化膜とともに、絶縁性の高いシリコン窒化膜の側端が、ゲート電極の側端より外側に位置する構造となるので、ゲート電極から半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができ、もって白キズの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
＜第１の実施の形態＞
（構成）
はじめに、第１の実施の形態に係る固体撮像装置の構成について説明する。図１は、本発明に係る固体撮像装置の概略構成を示す平面図である。
【００１７】
固体撮像装置１は、撮像領域２、転送チャネル６、出力部７を備え、撮像領域２は、光電変換部３、信号電荷転送部４、ゲート電極５を備える。
実際にはゲート電極５は撮像領域２の全域に配されているが、説明を容易にするため一部のみを記載している。また、固体撮像装置１は、この他に遮光膜などを備えるが、説明を容易にするために図１における記載を省略している。
【００１８】
光電変換部３は、入射光を電荷に変換する機能を有し、撮像領域２の全域にわたり２次元配列されている。
信号電荷転送部４は、電荷を垂直方向に転送する機能を有し、２次元配列された光電変換部の各列に挿設されている。
ゲート電極５は、二種の電極５ａ，５ｂからなり、絶縁膜を挟んで信号電荷転送部４と立体交差するように配設され、撮像領域２の外部において固体撮像装置１を駆動する駆動装置と電気的に接続されている。図１には、ゲート電極５の一部のみが記載されている。
【００１９】
信号電荷転送部４により垂直方向に転送された電荷は、転送チャネル６により水平方向に転送され、出力部７から外部へ出力される。
図２は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置の断面図であって、ゲート電極５の部分を、信号電荷転送部４の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、光電変換部３を含む面を平面視したときの図である。
【００２０】
固体撮像装置１は、ｎ型シリコン基板１１に形成されたｐ型ウエル１２の中に、第１のｎ型拡散層からなる光電変換部３と、第２のｎ型拡散層からなる信号電荷転送部４が形成されている。そして、ｐ型ウエル１２の中にはこれらの他に、画素間を分離するチャネルストップ部１５が形成されている。なお、本明細書においては、ｎ型シリコン基板１１、ｐ型ウエル１２、およびｐ型ウエル１２中に形成された光電変換部３、信号電荷転送部４、チャネルストップ部１５を含めて半導体基板と称する。
【００２１】
当該半導体基板上の全面には厚さ３０ｎｍの第１のシリコン酸化膜１６が形成されている。信号電荷転送部４に相当する領域のシリコン酸化膜１６上には厚さ５０ｎｍのシリコン窒化膜１７が形成され、シリコン酸化膜１６とシリコン窒化膜１７とによってゲート絶縁層が構成されている。
シリコン窒化膜１７上にはポリシリコンからなるゲート電極５が形成され、そのゲート電極５の周囲にはポリシリコン酸化膜１９が形成されてゲート電極５の表面を覆っている。なお、ゲート電極５の厚みは１５０ｎｍ、ポリシリコン酸化膜１９の厚みは４０ｎｍである。半導体基板とゲート電極５とは、ゲート絶縁層によって電気的に絶縁されている。
【００２２】
図８に示す従来構成の固体撮像装置１００では、シリコン窒化膜１０７の側端は、ゲート電極１０８下に入り込んでおり、ゲート電極１０８の端部において、シリコン窒化膜１０７の代わりに電気的に絶縁性の劣るＣＶＤ系シリコン酸化膜１１０が存在している。これが原因となって、ゲート電極１０８に高圧が印加された際に、ゲート電極１０８から光電変換部１０３や信号電荷転送部１０４へリーク電流が流れ込むことがあり、白キズが発生していた。
【００２３】
これに対し、本実施の形態においては、図２に示すようにシリコン窒化膜１７の側端は、ゲート電極５の側端より外側に位置している。すなわち、シリコン窒化膜１７の側端位置Ａは、ゲート電極５の中心位置Ｏから見たときに、ゲート電極５の側端位置Ｂよりも外側にある。これにより、ゲート電極５に高電圧が印加されても、ゲート電極５から半導体基板中の光電変換部３や信号電荷転送部４へのリーク電流の発生を抑制することができるので、もって白キズの発生を抑制することができる。
【００２４】
また、光電変換部３に相当する領域のシリコン酸化膜１６上、およびポリシリコン酸化膜１９上には、厚さ１０ｎｍのＣＶＤ系シリコン酸化膜２０が形成されている。ＣＶＤ系シリコン酸化膜２０は、後工程で行う水素処理において水素分子の通り道となっている。水素分子の半導体基板中への拡散により、半導体基板とシリコン酸化膜１６間の界面準位の低減を行い、暗電流を低減する作用を果たしている。
【００２５】
また、光電変換部３に相当する領域のＣＶＤ系シリコン酸化膜２０上には、シリコン窒化膜からなる反射防止膜２１が形成されている。なお、反射防止膜２１の厚みは５０ｎｍである。
そして、この反射防止膜２１およびＣＶＤ系シリコン酸化膜２０上には厚さ１００ｎｍのＣＶＤ系シリコン酸化膜２２が形成される。
【００２６】
さらにＣＶＤ系シリコン酸化膜２２上には、ゲート電極５を覆うように、たとえばタングステン等の高融点金属材料からなる厚さ１５０ｎｍの遮光膜２３が形成されており、光電変換部３以外の領域を遮光している。
ここで遮光膜２３は、図２の切断面において、側壁２３ａと底壁２３ｂとを有する凹状をしている。底壁２３ｂの内面がＣＶＤ系シリコン酸化膜２０、２２等を介してゲート電極５と対向するように配設されており、シリコン窒化膜１７の端縁位置（図中位置Ａ）は、遮光膜２３の側壁２３ａの内面位置（図中位置Ｃ）より内側にある。これは、シリコン窒化膜１７の側端が遮光膜２３の側壁２３ａの内面位置Ｃより外側にあると、遮光膜２３の側壁２３ａの端面から半導体基板表面までの距離が大きくなり、半導体基板の表面で反射した光が遮光膜２３の側壁２３ａの端面と半導体基板との間を伝搬してしまい、いわゆるスミアが発生しやすくなるからである。
【００２７】
さらに遮光膜２３の上層全体の平坦化を行うＣＶＤ系シリコン酸化膜２４と保護膜としてシリコン窒化膜２５が形成されている。なお、ＣＶＤ系シリコン酸化膜２４の厚みは５００ｎｍ、シリコン窒化膜２５の厚みは２００ｎｍである。
（固体撮像装置の製造方法）
つぎに、第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。図３から図５は、固体撮像装置１の製造プロセスを示す断面図である。
【００２８】
はじめに、図３（ａ）は、半導体基板のｐ型ウエル１２中に、光電変換部３、信号電荷転送部４、チャネルストップ部１５を形成した後に、半導体基板表面に熱酸化によってシリコン酸化膜１６を形成した状態を示す図である。
つぎに、図３（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜１６の表面に気相成長法によりシリコン窒化膜１７ａを積層させる。さらに、シリコン窒化膜１７ａの表面のうち、信号電荷転送部に対応する位置にポリシリコン体を形成し、当該ポリシリコン体の表面を酸化させることによって、ポリシリコンからなるゲート電極５と、当該ゲート電極５の表面を被覆するポリシリコン酸化膜１９とを形成する。
【００２９】
つぎに、ゲート電極５とポリシリコン酸化膜１９とからなるゲート電極体と、シリコン窒化膜１７ａの表面とに、気相成長法によりシリコン酸化膜を被膜する。フォトリソグラフィ技術を用いて当該シリコン酸化膜の所定領域にレジストを形成し、フッ酸系の薬液をもちいてウェットエッチングする。これにより、図３（ｃ）に示すような、ゲート電極５とポリシリコン酸化膜１９とからなるゲート電極体と、当該ゲート電極体の側端近傍のシリコン窒化膜１７ａとを覆うように、シリコン酸化膜２０ａを形成する。
【００３０】
つづいて、シリコン酸化膜２０ａ上のレジストを除去した後、シリコン酸化膜２０ａをマスキング材として、熱燐酸系の薬液をもちいてシリコン窒化膜１７ａをウェットエッチングする。これにより、図３（ｄ）に示すようなシリコン窒化膜１７が形成される。ここで、ウェットエッチングする際に、マスキング材であるシリコン酸化膜２０ａの側端から入り込んだ位置までシリコン窒化膜１７の側端が侵食されるが、この侵食量を見込んでシリコン酸化膜２０ａを形成することによって、シリコン窒化膜１７の側端が、ゲート電極５の側端より外側に位置するような構成にすることができる。
【００３１】
つづいて、シリコン酸化膜２０ａに加えて、気相成長法によって図４（ａ）のようにシリコン酸化膜２０を表面に形成する。
つぎに、図４（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜２０の表面に気相成長法によりシリコン窒化膜２１ａを形成する。さらに、シリコン窒化膜２１ａの表面に、気相成長法によりシリコン酸化膜を積層し、フォトリソグラフィ技術を用いて当該シリコン酸化膜の凹部にレジストを形成し、フッ酸系の薬液をもちいて当該シリコン酸化膜をウェットエッチングする。
【００３２】
これにより、図４（ｃ）に示すように、シリコン窒化膜２１ａの凹部上にシリコン酸化膜２２ａを形成する。
つづいて、シリコン酸化膜２２ａ上のレジストを除去した後、シリコン酸化膜２２ａをマスキング材として、熱燐酸系の薬液をもちいてシリコン窒化膜２１ａをウェットエッチングする。これにより、図５（ａ）に示すように、光電変換部３の上方にシリコン窒化膜からなる反射防止膜２１を形成する。
【００３３】
そして、シリコン酸化膜２２ａに加えて、気相成長法によって図５（ｂ）に示すようにシリコン酸化膜２２を形成する。
そして、公知の方法にしたがって、図５（ｃ）に示すように、タングステンからなる遮光膜２３、シリコン酸化膜２４、保護膜２５を形成する。
＜第２の実施の形態＞
つぎに、第２の実施の形態に係る固体撮像装置について説明する。第２の実施の形態は、第１の実施の形態に対して、シリコン窒化膜１７とゲート電極５との間にシリコン酸化膜２６が形成されている点が異なり、他は同じであるで、シリコン酸化膜２６を除く部分の説明は省略する。
【００３４】
（構成）
図６は、第２の実施の形態に係る固体撮像装置の断面図であって、ゲート電極５の部分を、信号電荷転送部４の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、光電変換部３を含む面を平面視したときの図である。
第２の実施の形態においては、ゲート絶縁層は、シリコン酸化膜１６とシリコン酸化膜２６との間にシリコン窒化膜１７が挟まれた三層構造をしており、ゲート電極５と接しているシリコン酸化膜２６の側端とシリコン窒化膜１７の側端とが略同一の形状をしている。
【００３５】
ここで、シリコン酸化膜２６およびシリコン窒化膜１７の側端（位置Ａ）は、ゲート電極の中心位置Ｏから見たとき、ゲート電極５の側端（位置Ｂ）より外側に位置している。これにより、ゲート電極５に高電圧が印加されても、ゲート電極５から半導体基板中の光電変換部３や信号電荷転送部４へのリーク電流の発生を抑制できるので、もって白キズの発生を抑制することができる。
【００３６】
（固体撮像装置の製造方法）
つぎに、第２の実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について簡潔に説明する。図７は、第２の実施の形態に係る固体撮像装置の製造プロセスを示す断面図である。
第１の実施の形態において説明したように、シリコン酸化膜１６の表面に、シリコン窒化膜１７ａを形成するところまでは同様である。さらに第２の実施の形態においては、シリコン窒化膜１７ａの表面を熱酸化することによって、シリコン酸化膜２６ａを形成する。そして、図７（ａ）に示すように、シリコン酸化膜２６ａ上にゲート電極５、ポリシリコン酸化膜１９を形成する。そして、第１の実施の形態と同様な方法によって、ゲート電極５とポリシリコン酸化膜１９とからなるゲート電極体と、当該ゲート電極体の側端近傍のシリコン酸化膜２６ａの表面とを被覆するシリコン酸化膜２０ａを形成する。
【００３７】
そして、シリコン酸化膜２０ａをマスキング材として、フッ酸系の薬液を用いて、シリコン酸化膜２６ａをウェットエッチングするとともに、さらに熱燐酸系の薬液をもちいてシリコン窒化膜１７ａをウェットエッチングする。これにより、図７（ｂ）に示すようなシリコン窒化膜１７およびシリコン酸化膜２６が形成される。ここで、エッチングする際に、マスキング材であるシリコン酸化膜２０ａ下に入り込んだ位置まで、シリコン酸化膜２６およびシリコン窒化膜１７の側端が侵食されるが、この侵食量を見込んでシリコン酸化膜２０ａを形成することによって、シリコン酸化膜２６およびシリコン窒化膜１７の側端が、ゲート電極５の側端より外側に位置している構成にすることができる。
【００３８】
そして、第１の実施の形態で説明した方法と同様に、シリコン酸化膜２０、反射防止膜２１、シリコン酸化膜２２、遮光膜２３、シリコン酸化膜２４、および保護膜２５を形成する。
＜変形例＞
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明の内容が、上記の実施の形態に示された具体例に限定されないことは勿論であり、例えば、以下のような変形例を考えることができる。
【００３９】
（１）上記においては、反射防止膜２１をシリコン酸化膜２０上に配設している構成について説明したが、これに限定されないことは勿論であり、たとえば、反射防止膜２１をシリコン酸化膜１６上に配設している構成としてもよい。
（２）また、上記においてはゲート電極５やシリコン酸化膜１６、シリコン窒化膜１７等の膜厚を具体的な数値で示したが、これらに限定されないことは勿論であり、固体撮像装置の特性に合わせて、ゲート電極５やシリコン酸化膜１６、シリコン窒化膜１７等の膜厚を適宜変更することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法に広く適用することができる。また、本発明は、白キズの発生が抑制された固体撮像装置を提供することができるので、その産業的利用価値は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る固体撮像装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る固体撮像装置の断面図であって、ゲート電極の部分を、信号電荷転送部の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、光電変換部を含む面を平面視したときの図である。
【図３】第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造プロセスを示す断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造プロセスを示す断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造プロセスを示す断面図である。
【図６】第２の実施の形態に係る固体撮像装置の断面図であって、ゲート電極の部分を、信号電荷転送部の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、光電変換部を含む面を平面視したときの図である。
【図７】第２の実施の形態に係る固体撮像装置の製造プロセスを示す断面図である。
【図８】従来構成の固体撮像装置の断面図であって、ゲート電極の部分を、信号電荷転送部の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、光電変換部を含む面を平面視したときの図である。
【符号の説明】
【００４２】
１    固体撮像装置
３    光電変換部
４    信号電荷転送部
５    ゲート電極
１１  ｎ型シリコン基板
１２  ｐ型ウエル
１５  チャネルストップ部
１６，２６   シリコン酸化膜
１７  シリコン窒化膜
２１  反射防止膜
２３  遮光膜
２３ａ側壁
２３ｂ底壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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