(57)【要約】【課題】両側波帯変調方式の搬送波帯域変調器と単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器とを直列連結することで色分散による影響を最小化し、より簡略化された構成を有する集積型光変調器及びその製造方法を提供する。【解決手段】両側波帯変調方式を使用する搬送波帯域変調器と単側波帯変調方式を使用する中間周波数帯域変調器とを含み、前記搬送波帯域変調器と中間周波数帯域変調器とが直列連結される。【選択図】図１
2007052393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両側波帯変調方式を使用する搬送波帯域変調器と単側波帯変調方式を使用する中間周波数帯域変調器とを含み、前記搬送波帯域変調器と中間周波数帯域変調器とが直列連結される集積型光変調器。
【請求項２】
前記両側波帯変調方式を使用する搬送波帯域変調器は、
周期的に分極反転される領域を有する基板と、
前記基板上の第１光導波路部であって、当該第１光導波路部は、第１導波路と第２導波路の分岐と結合構造により形成されている第１光導波路部、及び
前記第１光導波路部の上部に形成される第１電極部と第２電極部とを含む請求項１に記載の集積型光変調器。
【請求項３】
前記第１導波路と第２導波路は分極方向が相互反対である請求項２に記載の集積型光変調器。
【請求項４】
前記第１電極部に搬送波周波数の半分にあたる単一周波数信号を印加して、前記第２電極部にＤＣバイアスを印加して両側波帯変調方式の搬送波帯域変調が可能な請求項２に記載の集積型光変調器。
【請求項５】
前記単側波帯変調方式を使用する中間周波数帯域変調器は、
分極反転された領域を有する基板と、
前記基板上の第２光導波路部であって、当該第２光導波路部は、第３導波路と第４導波路の分岐と結合構造により形成されている第２光導波路部、及び
前記第２光導波路部の上部に位置する第３電極部とを含む請求項１に記載の集積型光変調器。
【請求項６】
前記第４導波路の領域の半分が分極反転される請求項５に記載の集積型光変調器。
【請求項７】
前記第３電極部に中間周波数帯域のデータを印加して単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調が可能な請求項５に記載の集積型光変調器。
【請求項８】
前記第３電極部にＤＣバイアスを印加して第３導波路に進行する光の遅延が可能な請求項５に記載の集積型光変調器。
【請求項９】
少なくとも一つの分極反転された領域を有する基板を準備する段階と、
前記基板上に第１光導波路部と第２光導波路部を形成する段階であって、当該第１光導波路部と当該第２光導波路部は当該基板上に分岐と結合構造を有する様に形成する段階と、
前記第１及び第２光度波路部上にバッファ層を塗布して形成する段階と、
前記第１光導波路部の上部に第１電極部と第２電極部を順次的に形成する段階及び
前記第２光導波路部の上部に第３電極部を形成する段階と、を含む集積型光変調器製造方法。
【請求項１０】
前記第１光導波路部と第２光導波路部は直列連結される請求項９に記載の集積型光変調器製造方法。
【請求項１１】
前記第１光導波路部は分極方向が相互反対である第１導波路と第２導波路を含む請求項９に記載の集積型光変調器製造方法。
【請求項１２】
前記第２光導波路部は第３導波路と領域の半分が分極反転される第４導波路を含む請求項９に記載の集積型光変調器製造方法。
【請求項１３】
前記第１電極部は搬送波帯域変調のために使用される請求項９に記載の集積型光変調器製造方法。
【請求項１４】
前記第２電極部はＤＣバイアス印加用である請求項９に記載の集積型光変調器製造方法。
【請求項１５】
前記第３電極部は中間周波数帯域変調のために使用される請求項９に記載の集積型光変調器製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積型光変調器及びその製造方法（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ  ａｎｄ  ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  ｔｈｅ  ｓａｍｅ）に関しより詳しくは両側波帯（ｄｏｕｂｌｅ  ｓｉｄｅ  ｂａｎｄ）変調方式の搬送波帯域変調器と単側波帯（ｓｉｎｇｌｅ  ｓｉｄｅ  ｂａｎｄ）変調方式の中間周波数帯域変調器とを含む色分散がない集積型光変調器及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
無線通信器機とその情報量の爆発的な需要増加によって数百Ｍｂｐｓ以上のデータを送受信することができる通信環境の必要性が台頭されている。このような広帯域の伝送のためには数十ＧＨｚの搬送波が必要であり、特に酸素分子による吸収現象が大きい６０ＧＨｚ帯域が、周波数のリサイクルと言う側面からで搬送波として大きく注目されている。
【０００３】
無線通信器機に信号を伝送するための方法としては、基地局にデータを伝送した後、そのデータを基地局内から搬送波に載せて送信するＩＯＦ（ＩＦ  ｏｖｅｒ  ｆｉｂｅｒ）または、ＢＯＦ（Ｂａｓｅ  ｂａｎｄ  ｏｖｅｒ  ｆｉｂｅｒ）方法と、搬送波に載せられたデータを基地局に伝送し高效率のフォトダイオードを通して再生されたＲＦをすぐ送出するＲＯＦ（ＲＦ  ｏｖｅｒ  ｆｉｂｅｒ）方法とで大きく分けることができる。このような基地局までの通信は全て広帯域低損失の特性を有するファイバーを通して行われて、特に高周波数の短距離大容量の送受信特性によって多数の基地局の確保が必須な状況から簡単な基地局設計が可能なＲＯＦ伝送方法が選好されている。
【０００４】
ＲＯＦ伝送システムから電気信号を光信号に変換させる光変調器は必須素子であり、伝送特性を高めるための多様な変調方法及びそれに相応する光変調器が研究されて来た。
【０００５】
一番目の変調方式は、データを数十ＧＨｚ帯域のＲＦ搬送波に載せた後、この信号を光変調器から直接光に変換する方式として、これを実現するためには多くのＲＦ信号処理と搬送波帯域の光変調器が必要である。しかし、６０ＧＨｚ帯域の場合、ＲＦ損失がおおきいので高效率の光変調が難しくなり、このような変調の場合、両側波帯域間の色分散による伝送距離が制限されるという短所がある。
【０００６】
二番目の方法は、その周波数の差が搬送波周波数と同一な二つの光源を発生させた後、一方の光は変調過程なしに伝送し、他方の光にデータを載せて伝送して、受信端の広帯域フォトダイオードで検出される搬送波帯域の信号をフィルタリングする方式である。このような方式は中間周波数が数ＧＨｚ程度の帯域の光変調のみ要求されるので、一番目の方式よりその変調が容易であるが、正確な周波数の差を持続的に持つ光源の発生が難しく、相変らず色分散に脆弱な特性を持っている。
【０００７】
三番目の方法は、一番目の方法と類似しているが、変調された信号の一方の側波帯域を除去することで色分散による影響を最小化することができる。このような光変調は単側波帯（ｓｉｎｇｌｅ  ｓｉｄｅ  ｂａｎｄ）変調方式と言われ、搬送波帯域のＲＦ信号をふたつに分けて一方の信号を９０゜位相遅延した後分岐されたマッハツェンダ（ｍａｃｈ  ｚｅｈｎｄｅｒ）光導波路部の二つの光波をそれぞれ変調させ合わせれば一方の側波帯域が相殺、除去される原理を基礎としたことである。しかし、この方法も搬送波帯域の光変調器が必要であり、特に複雑な変調器構造及びＲＦ回路が追加要求されるので、前記の長所があるにもかかわらずＲＯＦシステムへの適用が難しい。
【０００８】
前記のように多様な方式の変調方法及び変調器が研究されているが、その特性上の不備または複雑なシステム構成の難しさによってＲＯＦシステムに適用することは無理がある。よって、より簡単ながらも向上された特性を有する新しい伝送方式とそれに相応する変調器が要求される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような問題点を解決するために案出されたものであって、具体的には、両側波帯変調方式の搬送波帯域変調器と単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器とを直列連結することで色分散による影響を最小化し、より簡略化された構成を有する集積型光変調器及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の目的は両側波帯変調方式の搬送波帯域変調器と単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器とが直列連結された集積型光変調器によって達成される。
【００１１】
本発明の他の目的は、分極反転された領域を有する基板を準備する段階と、前記基板上に分岐と結合構造を有する第１光導波路部と第２光導波路部を形成する段階と、前記光度波路部上にバッファ層を塗布し形成する段階と、前記第１光導波路部の上部に第１電極部と第２電極部を順次に形成する段階と、及び前記第２光導波路部の上部に第３電極部を形成する段階と、を含む集積型光変調器製造方法によって達成される。
【００１２】
これに先たち、本明細書及び請求範囲に使用される用語や単語は通常の意味や辞書的な意味に限定して解釈してはならない。発明者は自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則を根拠にして本発明の技術的思想に符合する意味と概念として解釈すべきである。
【００１３】
したがって、本明細書に記載された実施例と図面に図示された構成は本発明の一番望ましい一実施例に過ぎないことであり、本発明の技術的思想を全て代弁することではないので、本出願時点においてこれらを代替することができる多様な均等物と変形例があり得ることを理解すべきである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の集積型光変調器及びその製造方法は両側波帯変調方式の搬送波帯域変調器と単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器を直列連結することで分極反転技術及びそれによる仮想的なＲＦ位相変化の誘導で搬送波を発生させるという效果がある。
【００１５】
また、本発明の集積型光変調器を通しでデータ変調が可能という效果がある。
【００１６】
また、本発明の集積型光変調器を通して色分散による影響がないスペクトラムを持つ変調光を出力することが可能という效果がある。
【００１７】
また、本発明の集積型光変調器を通して帯域変調器の役割を行いながらもＤＣバイアスによる駆動を行うことが可能という效果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付された図面を参照しながら本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。
図１は、本発明の第１実施例に係る集積型光変調器の構成図である。図１を参照すると、Ｚ−ｃｕｔ  ＬｉＮｂＯ３基板１００と、ＬｉＮｂＯ３基板１００の分極反転された領域１１０と、基板１００に形成される光導波路部１２０、１３０と、光導波路部１２０、１３０上に塗布されるバッファ層と、光導波路部１２０、１３０の上部に並んで形成され光導波路部１２０、１３０を進行する導波光の速度を制御する電極部１４０、１５０、１６０とから成る。
【００１９】
基板１００に形成される光導波路部１２０、１３０は分岐と結合形態を有する二つのマッハツェンダ（ｍａｃｈ  ｚｅｈｎｄｅｒ）干渉器１８０、１９０が直列に構成されている。
【００２０】
第１光導波路部１２０を含む第１マッハツェンダ干渉器１８０の上部には搬送波帯域変調のための第１電極部１４０と、ＤＣバイアスを印加するための第２電極部１５０が順次に搭載されて両側波帯変調方式の搬送波帯域光変調器を構成する。
【００２１】
第１マッハツェンダ干渉器１８０と直列連結されて第２光導波路部１３０を含む第２マッハツェンダ干渉器１９０の上部には中間周波数帯域変調のための第３電極部１６０が搭載されて単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器としての役割を行う。
【００２２】
二つのマッハツェンダ干渉器１８０、１９０上の二つの光導波路部１２０、１３０は、全て電極部１４０、１５０、１６０の中央電極部１４１、１５１、１６１の下部に位置して、局部的な分極反転を通して、二つの光導波路の一部領域でお互いに異なる分極方向を有するようにする。
【００２３】
図２は本発明に係る集積型光変調器の位相変調ブロック図であり、図３は本発明に係る集積型光変調器の出力光スペクトラムである。図１乃至図３を参照すると、まず、第１マッハツェンダ干渉器１８０の第１光導波路部１２０に入射された光源の周波数はｆ０である。
【００２４】
第１電極部１４０に搬送波周波数の半分にあたる単一周波数信号（ｓｉｎ２πｆｃｔ）を印加すると、第１マッハツェンダ干渉器１８０の第１導波路１２１と第２導波路１２２に同一の電界が形成される。
【００２５】
第１導波路１２１と第２導波路１２２の分極方向が異なるので、お互いに異なる方向の屈折率変化を生じるようになり、第１、２導波路１２１、１２２に進行する二つの導波光の位相変化はその大きさは同一で、方向は異なる。すなわち、第１導波路１２１ではｃｏｓ２πｆｃｔの位相変調が、第２導波路１２２では−ｃｏｓ２πｆｃｔの位相変調が生じる。
【００２６】
また、第２電極部１５０に適切な量のＤＣバイアスを印加すると二つの導波光間にπの位相差が生じるようになる。
【００２７】
第１マッハツェンダ干渉器１８０を導波する二つの導波光が前記のように連続的な位相変化を生じた後、第１折れ点１７０で結合されると、ｆ０周波数を持って入射された光は二つの周波数ｆ０−ｆｃとｆ０＋ｆｃを持つ光に変換される。
【００２８】
第１折れ点１７０を通過し変換された光は第２マッハツェンダ干渉器１９０の第２光導波路部１３０に入射され、この時、第３電極部１６０に中間周波数帯域のデータが印加されると、第３導波路１３１ではｓｉｎ２πｆＩＦｔの位相変調が、第４導波路１３２ではｃｏｓ２πｆＩＦｔの位相変調が生じる。
【００２９】
このような二つの変調信号間の９０゜位相差は、光とＲＦ間の位相速度の不定合及び適切な変調の長さ、そしてそれに相応する分極反転領域の設定によって発生される。
【００３０】
以上の変調方法は後述する図４と図５を参照しながら具体化する。
第１折れ点１７０での周波数スペクトラムは、図３に示す第１折れ点の周波数スペクトラム３００と同一であり、第３、４導波路１３１、１３２から生じる位相変調と印加されたＤＣバイアスによって第２、３折れ点１７１、１７２での周波数スペクトラムは、図３に示す第２、３折れ点の周波数スペクトラム３１０、３２０のようにそれぞれ変換されて、第４折れ点１７３から干渉を生じてｆ０−ｆｃ、ｆ０＋ｆｃの周波数を持つ二つの搬送波とｆ０−ｆｃ＋ｆＩＦ、ｆ０＋ｆｃ+ｆＩＦ帯域のデータ信号とを出力するようになる。
【００３１】
前記のような周波数スペクトラムを持つ光は受信端（不図示）に伝送されフォトダイオード（不図示）を通して周波数成分２ｆｃ、２ｆｃ＋ｆＩＦ、２ｆｃ−ｆＩＦを持つＲＦに変換される。
【００３２】
この時、２ｆｃ＋ｆＩＦ帯域、または２ｆｃ−ｆＩＦ帯域をフィルタリングするとアンテナから送り出す搬送波帯域の信号を得ることができる。
【００３３】
図４は本発明の一実施例に係る両側波帯変調方式の搬送波帯域変調器である。図１と図４を参照すると、導波路４００に入射された光の電界をＥ０（ｔ、ｚ）として、ＣＰＷ（ｃｏｐｌａｎａｒ  ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）４１０に印加されたＲＦの電圧をＶ（ｔ、ｚ）として、下記式１、２で表される。
【００３４】
【数１】
2007052393.tif 000003
【００３５】
【数２】
2007052393.tif 000004
【００３６】
ここでｆ０は光源の周波数、ｆｃは搬送波周波数の半分にあたるＲＦの周波数、β０は光源の伝播定数、βcはＲＦの伝播定数、αcはＲＦの減衰定数である。
【００３７】
導波光が周期的に分極反転された領域の一週期（２Λｃ）を進行する間、印加される電圧を積分すると有效電圧の総数Ｖｅｆｆは、下記式３で表される。
【００３８】
【数３】
2007052393.tif 000005
【００３９】
ここで、Λｃは、
【数４】
2007052393.tif 000006
ｋは、
【数５】
2007052393.tif 000007
ｃは真空中での光束、ｎｃはＲＦの有效屈折率、ｎ０は光の有效屈折率である。
【００４０】
ＣＰＷ４１０を進行するＲＦの損失がなく、変調長さの総数Ｌが２Ｎ・Ａであれば、有效電圧の総数Ｖｅｆｆは、下記式４で表される。
【００４１】
【数６】
2007052393.tif 000008
【００４２】
数式４から分極反転の開始位置ｈの変化によって有效電圧の総数Ｖｅｆｆの位相も変わることが分かる。
【００４３】
第１マッハツェンダ干渉器１８０の二つの導波路１２１、１２２から分極反転の開始位置がそれぞれｈ１、ｈ２であり、（ｈ１−ｈ２）＝Λである時、二つの導波路１２１、１２２からの有效電圧の総数の位相差はπである。
【００４４】
したがって、前記のように電圧間の位相差の效果は同一電圧が印加されるにもかかわらず、第１導波路１２１にはｃｏｓ２ｆｃｔの位相変調が、第２導波路１２２には−ｃｏｓ２πｆｃｔの位相変調が生じて、両側波帯変調方式の搬送波帯域変調が可能になる。
【００４５】
図５は本発明の一実施例に係る単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器である。図１と図５を参照すると、第３電極部１６０に印加されるＲＦの電圧Ｖ（ｔ、ｚ）を下記式５で表される。
【００４６】
【数７】
2007052393.tif 000009
【００４７】
ここでｆＩＦは中間周波数、αＩＦはＲＦの減衰定数、βＩＦはＲＦの伝播定数である。
この時、光が第３導波路１３１を進行する間に印加される有效電圧の総数Ｖｅｆｆ１と、領域の半分が分極反転される第４導波路１３２を進行する間に印加される有效電圧の総数Ｖｅｆｆ２は、下記式６、７で表される。
【００４８】
【数８】
2007052393.tif 000010
【００４９】
【数９】
2007052393.tif 000011
【００５０】
ここで、ΛＩＦは、
【数１０】
2007052393.tif 000012
ｋは、
【数１１】
2007052393.tif 000013
ｎＩＦは、印加される中間周波数帯域信号の有效屈折率である。
【００５１】
第３電極部１６０が損失がない電極であれば、Ｖｅｆｆ１とＶｅｆｆ２を、下記式８、９で表される。
【００５２】
【数１２】
2007052393.tif 000014
【００５３】
【数１３】
2007052393.tif 000015
【００５４】
数式４から一方の導波路の領域の半分を分極反転すると、π／２の位相差を持つ二つの有效電圧の総数を得ることができる。
【００５５】
したがって、前記のような駆動は単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調を可能にする。
【００５６】
また、第３電極部１６０にＲＦとは別にＤＣバイアスを印加すると、第４導波路１３２を進行する領域の半分が分極反転された光には何の影響も及ぼすことなく、第３導波路１３１では導波される光を遅延させる作用をする。
【００５７】
前記光遅延のための動作は、周期的な分極反転を持つ帯域変調器では不可能であり、ＤＣバイアス駆動のための追加の電極を挿入する必要がある。
【００５８】
しかし、前記のように追加の電極を挿入することによって発生される追加される空間消耗は集積化を阻害する要素であり、このような集積化阻害要素は本発明の構造によって解消できる。
【００５９】
単側波帯変調方式の動作は基本的に二つの光に存在する上側帯域（ｕｐｐｅｒ  ｓｉｄｅ  ｂａｎｄ）または、下側帯域（ｌｏｗｅｒ  ｓｉｄｅ  ｂａｎｄ）が光の結合過程でお互いに相殺される原理に基盤を置いていることで、変調效率を高めるためには二つの導波路１３１、１３２に印加される有效電圧の総数の大きさを同一にする必要がある。
【００６０】
しかし、本発明に使用された単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器で、ＲＦ減衰定数が大きくなると、二つの有效電圧の大きさの差が発生され、これは変調特性を低下させる原因として作用する。
【００６１】
図６は本発明に係る単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器において、ＲＦ損失変化による動作特性変化を示すグラフである。チャープパラメータ（ｃｈｉｒｐ  ｐａｒａｍｅｔｅｒ）ηを下記式１０で表されると、
【００６２】
【数１４】
2007052393.tif 000016
【００６３】
Ｖｅｆｆ１とＶｅｆｆ２の間の位相差とそれによるチャープパラメータは図６のグラフのようである。
【００６４】
図６を参照すると、ＲＦ減衰定数の増加はチャープパラメータの増加につながることができ、単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器の特性を歪曲する結果をもたらすことが分かる。
【００６５】
図７は本発明の第２実施例に係る集積型光変調器の実施例を示す平面図である。図７を参照すると、ＳｉＯ２バッファ層及び電極部１４０、１５０、１６０の厚さはそれぞれ０．３ｕｍと２ｕｍである。
【００６６】
図７のパラメーターＷとＳはそれぞれ４０ｕｍと６０ｕｍであり、このような構造で計算された特性インピーダンスは４０Ω、有效屈折率は３．９３、減衰定数は０．７ｄＢ／ｃｍである。
【００６７】
そして、上記の場合で搬送波が６０ＧＨｚである時、両側波帯変調方式の搬送波帯域変調器の入力周波数は３０ＧＨｚであり、上記の計算された有效屈折率を利用したΛｃ（分極反転された領域の長さ）は２．８ｍｍ、変調領域の総数は周期的分極の４周期にあたる２２．４ｍｍである。
【００６８】
また、単側波帯変調方式の５．５ＧＨｚ中間周波数帯域変調器の変調領域の長さΛＩＦは１５．２ｍｍである。
【００６９】
図８は、図７に示す本発明に係る集積型光変調器の実施例で計算される両側波帯変調方式の搬送波帯域変調器の周波数回答特性を示すグラフである。図８を参照すると、分極反転の回数が増加するほどその帯域幅が減少されることが分かる。
【００７０】
図９は、図７に示す本発明に係る集積型光変調器の実施例で計算される単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器の周波数による動作特性を示すグラフである。図９を参照すると、５．５ＧＨｚ中間周波数帯域変調器のチャープパラメータ（図９（ａ））と、位相差の変化（図９（ｂ））及びそれによる二つの側波帯信号の割合変化（図９（ｃ））を周波数別に計算してグラフ化したものである。
【００７１】
本発明は、以上説明したように望ましい実施例をあげ図示して説明したが、上記の実施例に限定されるものではなく、本発明の精神を外れることない範囲の内で、当該発明が属する技術分野における通常の知識を有する者によって本発明の技術思想と特許請求範囲の均等範囲内で多様な修正及び変形が可能なことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１実施例に係る集積型光変調器の構成図である。
【図２】本発明に係る集積型光変調器の位相変調ブロック図である。
【図３】本発明に係る集積型光変調器の出力光スペクトラムである。
【図４】本発明の一実施例に係る両側波帯変調方式の搬送波帯域変調器である。
【図５】本発明の一実施例に係る単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器である。
【図６】本発明に係る単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器においてＲＦ損失変化による動作特性グラフである。
【図７】本発明の第２実施例に係る集積型光変調器の平面図である。
【図８】第２実施例で計算される両側波帯変調方式の搬送波帯域変調器の周波数回答特性グラフである。
【図９】第２実施例で計算される単側波帯変調方式の中間周波数帯域変調器の周波数による動作特性グラフである。
【符号の説明】
【００７３】
１００    基板
１１０    分極反転領域
１２０    第１光導波路部
１２１    第１導波路
１２２    第２導波路
１３０    第２光導波路部
１３１    第３導波路
１３２    第４導波路
１４０    第１電極部
１５０    第２電極部
１６０    第３電極部
１４１、１５１、１６１    中央電極部
１４２、１５２、１６２    外郭電極部
１７０、１７１、１７２、１７３    第１、２、３、４折れ点
１８０    第１マッハツェンダ干渉器
１９０    第２マッハツェンダ干渉器
３００、３１０、３２０    第１、２、３折れ点周波数スペクトラム
４００    導波路
４１０    ＣＰＷ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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