(57)【要約】【課題】スループットを低下させることなく、優れた露光性能（高解像度）を実現する露光装置を提供する。【解決手段】光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系と、を備える露光装置において、前記照明光学系は、前記レチクルとフーリエ変換の関係となる面に光強度パターンを形成する回折光学素子を有し、前記回折光学素子は、平行光が入射した場合に、前記レチクルとフーリエ変換の関係となる面に輝点を形成することを特徴とする露光装置を提供する。【選択図】図１
2007242775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系と、を備える露光装置において、
前記照明光学系は、前記レチクルとフーリエ変換の関係となる面に光強度パターンを形成する回折光学素子を有し、
前記回折光学素子は、平行光が入射した場合に、前記レチクルとフーリエ変換の関係となる面に輝点を形成することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記回折光学素子からの光を集光する集光光学系を更に有し、
前記集光光学系の焦点距離は可変であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記回折光学素子は、平行光が入射した場合に、前記レチクルとフーリエ変換の関係となる面に前記輝点を複数形成し、
前記輝点の最小間隔をｄ、前記回折光学素子に入射する光の発散角度をγ、前記集光光学系の焦点距離をｆとすると、前記回折光学素子は、ｄ＝２×ｆ×ｔａｎγを満足するように配置されることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記回折光学素子に入射する光の断面形状を変更する変更手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記回折光学素子に入射する光の発散角度を調整する調整手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記回折光学素子に入射する光の断面形状は、四角形状又は六角形状であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項８】
光源からの光で被照明面を照明する照明光学系であって、
前記被照明面とフーリエ変換の関係となる面に光強度パターンを形成する回折光学素子を有し、
前記回折光学素子は、平行光が入射した場合に、前記被照明面とフーリエ変換の関係となる面に輝点を形成することを特徴とする照明光学系。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、露光装置及び方法に係り、特に、半導体デバイス用のウェハ、液晶表示素子用のガラスプレートなどの被処理体を露光する露光装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、投影露光装置が従来から使用されている。投影露光装置は、レチクル（マスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する。
【０００３】
投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、及び、ＮＡを上げれば上げるほど、解像度はよくなる。このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光の短波長化及び投影光学系の高ＮＡ化が進んでいるが、短波長化及び高ＮＡ化だけで微細化の要求を満足するには限界となっている。
【０００４】
そこで、露光光源の波長以下の解像を得るために、種々の超解像技術が提案されている。かかる超解像技術の１つとして、変形照明法（斜入射照明法）と呼ばれる方法がある。変形照明法は、照明光をレチクルに斜めに入射させる照明方法である。変形照明法では、レチクルを照明する照明光が一様な角度分布を有する照明光ではなく、角度分布は、レチクル面（物体面）に対する瞳面（フーリエ変換面）の位置分布に対応する。従って、ハエの目レンズを用いた投影露光装置では、ハエの目レンズの射出面での光強度分布が光軸上で低くなっていればよく、例えば、ハエの目レンズの射出面での光強度分布を輪帯や４重極とする投影露光装置が提案されている。なお、レチクル面に対する瞳位置の光強度分布は、有効光源と呼ばれる。
【０００５】
露光光源から射出される光の瞳面上での光強度分布は軸対称なガウス分布を有する。従って、瞳面上での光強度分布を２重極や４重極にするためには、光強度分布を変換する光学系が必要となる。光強度分布を変換する最も簡単な光学系は、瞳面に相当するオプティカルインテグレーター（ハエの目レンズ）の射出面に２重極や４重極の開口絞りを配置した光学系である。但し、かかる光学系は、光源からの光の一部を切り出す（即ち、開口絞りで光を遮光する）ため、光源からの光を効率的に利用することができず、被照明面であるレチクル面の照度が低下し、スループットの低下を招く。そこで、回折光学素子を用いて、ハエの目レンズの入射面の光強度分布を変換する（所望の光強度分布を形成する）方法が提案されている（例えば、特許文献１乃至３参照）。
【特許文献１】特開２００１−２８４２４０号公報
【特許文献２】特開２００１−２８４２１２号公報
【特許文献３】特開平１１−１７６７２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
回折光学素子は、一般に、角度分布を有さない光（即ち、平行光）を入射した場合に、所望の光強度分布が形成されるように設計されている。従って、所望の光強度分布を形成するためには、回折光学素子に角度分布を有さない光を入射させる必要がある。換言すれば、角度分布を有する光が入射した場合、回折光学素子は、所望の光強度分布を形成することができない。
【０００７】
しかしながら、投影露光装置に用いられる回折光学素子には、様々な角度分布を有する光が入射し、ヘルムホルツ・ラグランジュの法則により、角度分布の広がりを小さくするために位置分布が広がっていなければならない。そのため所望の光強度分布を形成するためには、巨大な回折光学素子が必要となり、コストの増大や、切り替える為のターレット巨大化などの問題があり、角度分布を有さない光を入射することは困難である。従って、回折光学素子を用いた露光装置は、レチクルを所望の光強度分布で照明することができず、優れた露光性能（高解像度）を実現することができなかった。
【０００８】
そこで、本発明では、スループットを低下させることなく、優れた露光性能（高解像度）を実現する露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、光源からの光を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系とを備え、前記照明光学系は、前記レチクルとフーリエ変換の関係となる面に光強度パターンを形成する回折光学素子を有し、前記回折光学素子は、平行光が入射した場合に、前記レチクルとフーリエ変換の関係となる面に（少なくとも１つ以上の）輝点を形成することを特徴とする。
【００１０】
本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、スループットを低下させることなく、優れた露光性能（高解像度）を実現する露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の露光装置１の構成を示す概略断面図である。
【００１４】
露光装置１は、レチクル２０の回路パターンを被処理体４０に露光する投影露光装置である。露光装置１は、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置であるが、ステップ・アンド・リピート方式の露光方式を適用することもできる。
【００１５】
露光装置１は、図１に示すように、照明装置１０と、レチクル２０を載置するレチクルステージ２５と、投影光学系３０と、被処理体４０を載置するウェハステージ４５とを有する。
【００１６】
照明装置１０は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル２０（被照明面）を照明し、光源部１２と、照明光学系１００とを有する。
【００１７】
光源部１２は、本実施形態では、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーや波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーなどのレーザー光源を使用する。但し、光源部１２の種類は、エキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーを使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定されない。
【００１８】
照明光学系１００は、レチクル２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレーター、絞り等を含む。照明光学系１００は、本実施形態では、ビーム整形光学系１０１と、光学素子１０２と、回折光学素子１０３と、集光光学系１０４と、ズーム光学系１０５と、多光束発生手段１０６と、アパーチャー１０７とを有する。更に、照明光学系１００は、コリメータレンズ１０８と、絞り１０９は、結像光学系１１０ａ及び１１０ｂとを有する。
【００１９】
光源部１２から射出された光束は、ミラーやリレーレンズで構成される図示しない引き回し光学系を介して、シリンドリカルレンズやミラー等で構成されるビーム整形光学系１０１に入射する。ビーム整形光学系１０１は、ビーム断面を所望の形状に整形する。ビーム整形光学系１０１から射出された光束は、射出角度を保存する光学素子１０２に入射する。
【００２０】
光学素子１０２から所望の射出角度で射出された光束は、回折光学素子１０３に導光される。回折光学素子１０３の射出面と被照明面ＩＳとは、集光光学系１０４によって、互いにフーリエ変換面の関係となっている。集光光学系１０４は、回折光学素子１０３から射出した光を集光する。本実施形態では、光源部１２からの光束が微小変動した場合でも、回折光学素子１０３に入射する光束の入射位置及び発散角度（又は収斂角度）を常に所望の値に制御することができる。これにより、被照明面ＩＳの位置に形成される光強度分布を常に一定に維持することができる。
【００２１】
回折光学素子１０３は、集光光学系１０４を介して、被照明面ＩＳの位置に所望の照度分布（例えば、二重極や四重極など）を形成するように設計された計算機ホログラム（ＣＧＨ）である。回折光学素子１０３は、本実施形態では、振幅分布型のホログラム、位相分布型のホログラム又はキノフォームなどを使用する。
【００２２】
ここで、図２及び図３を参照して、本実施形態の回折光学素子１０３について詳細に説明する。図２は、従来の回折光学素子を説明するための図である。なお、図２（ａ）は、平行光が入射した場合の回折光学素子及びかかる回折光学素子が被照明面に形成する光強度パターンを示す概略断面図である。一方、図２（ｂ）は、角度分布を有する光が入射した場合の回折光学素子及びかかる回折光学素子が被照明面に形成する光強度パターンを示す概略断面図である。なお、図３は、回折光学素子１０３を説明するための図である。なお、図３（ａ）は、平行光が入射した場合の回折光学素子１０３及び回折光学素子１０３が被照明面ＩＳに形成する光強度パターンを示す概略断面図である。一方、図３（ｂ）は、角度分布を有する光が入射した場合の回折光学素子１０３及び回折光学素子１０３が被照明面ＩＳに形成する光強度パターンを示す概略断面図である。ここで、被照明面とは、有効光源を形成する位置近傍であり、回折光学素子のフーリエ変換面（具体的には、フーリエ変換レンズの後段の焦点面）又はかかるフーリエ変換面の共役面である。
【００２３】
従来の回折光学素子は、一般に、図２（ａ）に示すように、完全平行光を入射させた場合に、理想矩形分布の光強度パターンを被照明面に形成する。このような従来の回折光学素子に対して、角度分布（本実施形態では、均一な四角形状）を有する光を入射させた場合、入射する光の角度に応じて回折光のとぶ方向が異なるため、入射する光の角度毎に矩形形状の光強度パターンが生じる。従って、被照明面には、図２（ｂ）に示すように、各角度に応じて形成される矩形形状の光強度パターンを重ね合わせた光強度パターンが形成され、平行光が入射させた場合とは異なり、有効光源がぼけた像となる。
【００２４】
一方、本実施形態では、回折光学素子１０３は、図３（ａ）に示すように、完全平行光を入射させた場合に、少なくとも１つ以上の無限小の輝点を被照明面ＩＳに所定間隔で形成するように設計されている。回折光学素子１０３に対して、均一な四角形状の角度分布を有する光を入射させた場合、各輝点それぞれの被照明面ＩＳでの光強度パターンは、略理想四角形状となる。回折光学素子１０３の各点に入射する光の発散（収斂）角度をγ、集光光学系１０４の焦点距離をｆとすると、１つの輝点が被照明面ＩＳに形成する四角形状の光強度パターンの大きさは、２×ｆ×ｔａｎγとなる。従って、輝点の最小間隔を２×ｆ×ｔａｎγにすれば、互いの光強度パターンが重なり合うことなくなる。そして、輝点を２×ｆ×ｔａｎγの間隔で配置すれば、図３（ｂ）に示すように、被照明面ＩＳに理想的な光強度パターンを得ることができる。
【００２５】
このように、平行光が入射した場合に被照明面ＩＳに複数の輝点を形成する回折光学素子１０３は、回折光学素子１０３に対して角度分布を有する光が入射した場合でも、光強度パターンをぼかすことなく、略理想的な光強度パターンを形成することができる。
【００２６】
なお、回折光学素子１０３に入射する光の角度分布の形状（即ち、回折光学素子１０３の各点に入射する光の断面形状）は、例えば、均一な円状、四角形状又は六角形状に変更することができる。従って、平行光が入射した場合に、図４（ａ）に示すような輝点を被照明面ＩＳに形成する回折光学素子１０３Ａを設計し、回折光学素子１０３Ａに対して、円状の角度分布を有する光を入射させることもできる。この場合、図４（ｂ）に示すように、被照明面ＩＳに四重極照明を実現することができる。なお、被照明面ＩＳに形成された光強度パターンは、被照明面ＩＳ近傍に配置される図示しない光分割手段によって、更にパターン（分布）を形成することもできる。ここで、図４は、回折光学素子１０３の変形例である回折光学素子１０３Ａを説明するための図である。
【００２７】
また、平行光が入射した場合に、図５（ａ）に示すような輝点を被照明面ＩＳに形成する回折光学素子１０３Ｂを設計し、回折光学素子１０３Ｂに対して、四角形の断面形状を有する光を入射させることもできる。この場合、図５（ｂ）に示すように、複数の輝点を組み合わせて連続的な光強度パターンを隙間なく形成することができる。なお、四角形の断面形状を有する光とは、回折光学素子１０３Ｂの各点に入射する光の照明光学系１００の光軸に垂直な面における断面形状（角度分布）が四角形の光である。ここで、図５は、回折光学素子１０３の変形例である回折光学素子１０３Ｂを説明するための図である。
【００２８】
回折光学素子１０３の各点に入射する光の断面形状を変更する場合、例えば、四角形の断面形状から六角形の断面形状に変更する場合には、図６に示すように、ターレット１３０を用いるとよい。ここで、図６は、回折光学素子１０３の各点に入射する光の断面形状を変更する変更手段の一例としてのターレット１３０を示す概略断面図である。
【００２９】
ターレット１３０には、図７に示すように、四角形の断面形状を有する複数の微小レンズで構成されるハエの目レンズ１０２ａと、六角形の断面形状を有する複数の微小レンズで構成されるハエの目レンズ１０２ｂとが配置されている。従って、ターレット１３０を回転させることによって、ハエの目レンズ１０２ａとハエの目レンズ１０２ｂとを切り換える（即ち、照明光学系１００の光路中に配置する）ことができる。なお、入射する光の断面形状に応じて、回折光学素子１０３を切り換えてもよい。この場合も同様に、回転可能なターレットに、例えば、回折光学素子１０３、１０３Ａ及び１０３Ｂを配置すればよい。図７は、図６に示すターレット１３０に配置されたハエの目レンズ１０２ａ及び１０２ｂの構成を示す概略断面図である。なお、図７は、ハエの目レンズ１０２ａ及び１０２ｂの光軸に垂直な面内での断面を示している。
【００３０】
なお、本実施形態では、２つのレンズアレイで構成されたハエの目レンズ１０２ａ及び１０２ｂを光学素子１０２として使用しているが、ハエの目レンズ１０２ａ及び１０２ｂを構成する微小レンズを回折光学素子で構成してもよい。また、ハエの目レンズ１０２ａ及び１０２ｂとしてマイクロレンズアレイを用いてもよい。
【００３１】
また、図８に示すように、回折光学素子１０３に入射する光の角度分布の大きさを可変にする（即ち、回折光学素子１０３の各点に入射する光の発散角度を調整する）ことによって、被照明面ＩＳに形成される光強度パターンの大きさを変更することができる。これは、図５に示したような複数の輝点を形成する回折光学素子１０３Ｂを用いて、互いの光強度パターンを繋げて連続的な光強度パターンを形成する際の微調整に有効である。ここで、図８は、回折光学素子１０３Ｂが形成する光強度パターンの大きさの変更について説明するための図である。
【００３２】
回折光学素子１０３が形成する光強度パターンの大きさを変更するには、図９に示すように、光学素子１０２として少なくとも２つのレンズアレイ１０２ｃ及び１０２ｄで構成されたハエの目レンズ（又はマイクロレンズアレイ）を配置すればよい。レンズアレイ１０２ｃとレンズアレイ１０２ｄとの間の空気間隔は調整可能であり、かかる空気間隔を変更することで、回折光学素子１０３に入射する光の角度を調整する。これにより、回折光学素子１０３が形成する光強度パターンの大きさを変更することができる。また、焦点距離を可変とするズーム光学系で集光光学系１０４を構成し、かかるズーム光学系によって回折光学素子１０３が形成する光強度パターンの大きさを変更してもよい。ここで、図９は、回折光学素子１０３の各点に入射する光の発散角度を調整する調整手段の構成の一例を示す概略断面図である。
【００３３】
このように、照明光学系１００は、回折光学素子１０３の切り換え、回折光学素子１０２の切り換え、集光光学系１０４の焦点距離などを組み合わせることで、種々の照明モード（例えば、２重極照明や４重極照明等）を実現することができる。
【００３４】
図１に戻って、ズーム光学系１０５は、被照明面ＩＳ上の光強度パターンを多光束発生手段１０６の光入射面１０６ａに種々の倍率で投影（結像）する。多光束発生手段１０６は、均一な照度分布の光強度パターン像に対応した形状の光源像を光射出面１０６ｂに形成する。
【００３５】
多光束発生手段１０６は、本実施形態では、複数の微小レンズで構成されるハエの目レンズやファイバー束等であり、複数の点光源からなる面光源が光射出面１０６ｂに形成される。なお、ハエの目レンズを構成する微小レンズは、回折光学素子で形成してもよく、マイクロレンズアレイでもよい。
【００３６】
アパーチャー１０７は、光束発生手段１０６の光射出面１０６ｂに形成される光源像を遮蔽し、所望の光源像を形成する。コリメータレンズ１０８は、多光束発生手段１０６によって形成された多数の集光点を２次光源として、レチクル２０を均一に照明する。
【００３７】
絞り１０９は、被照明面ＩＳの照明領域を制御する。絞り１０９の位置は、コリメータレンズ１０８によって、多光束発生手段１０６の集光点を２次光源として均一な照度分布で照明されている。
【００３８】
結像光学系１１０ａ及び１１０ｂは、絞り１０９の位置を物体面とし、レチクル２０の位置を像面とする。絞り１０９の位置で実現された均一な照度分布は、レチクル２０上に投影され、レチクル２０を均一な照度で照明する。
【００３９】
レチクル２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターンが形成され、レチクルステージ２５に支持及び駆動される。レチクル２０のパターンは、投影光学系３０を介して、被処理体４０上に投影される。レチクル２０と被処理体４０とは、光学的に共役の関係にある。露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル２０と被処理体４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル２０のパターンを被処理体４０上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置の場合、レチクル２０と被処理体４０とを静止させた状態で露光を行う。
【００４０】
レチクルステージ２５は、レチクル２０を支持して図示しない移動機構に接続されている。レチクルステージ２５は、当業界周知のいかなる構成をも適用できる。図示しない移動機構はリニアモーターなどで構成され、ＸＹ方向にレチクルステージ２５を移動することでレチクル２０を移動することができる。
【００４１】
投影光学系３０は、レチクル２０のパターンを被処理体４０上に結像する。投影光学系３０は、複数のレンズ素子のみからなる屈折光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の反射ミラーとを有する反射屈折光学系などを使用することができる。
【００４２】
被処理体４０は、本実施形態では、ウェハであるが、ガラス基板、その他の被処理体を広く含む。被処理体４０には、フォトレジストが塗布されている。
【００４３】
ウェハステージ４５は、図示しないウェハチャックを介して、被処理体４０を支持する。ウェハステージ４５は、当業界周知のいかなる構成をも適用することができる。
【００４４】
露光において、光源部１２から発せられた光束は、照明光学系１４によりレチクル２０を照明する。レチクル２０を通過してレチクルパターンを反映する光束は、投影光学系３０を介して、被処理体４０に結像される。露光装置１が使用する照明光学系１００は、回折光学素子１０３を用いながら、角度分布を有する光が入射した場合にも所望の光強度分布を形成することができる。これにより、露光装置１は、スループットを低下させることなく、優れた露光性能（高解像度）を実現することができる。従って、露光装置１は、高いスループットで経済性よく、従来よりも高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００４５】
次に、図１０及び図１１を参照して、上述の露光装置１を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１０は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４６】
図１１は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１によってレチクルの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００４７】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】従来の回折光学素子を説明するための図である。
【図３】図１に示す露光装置の回折光学素子を説明するための図である。
【図４】図１に示す露光装置の回折光学素子の変形例である回折光学素子を説明するための図である。
【図５】図１に示す露光装置の回折光学素子の変形例である回折光学素子を説明するための図である。
【図６】図１に示す露光装置の回折光学素子の各点に入射する光の断面形状を変更する変更手段の一例としてのターレットを示す概略断面図である。
【図７】図６に示すターレットに配置されたハエの目レンズの構成を示す概略断面図である。
【図８】図５に示す回折光学素子が形成する光強度パターンの大きさの変更について説明するための図である。
【図９】図１に示す露光装置の回折光学素子に入射する光の発散角度を調整する調整手段の構成の一例を示す概略断面図である。
【図１０】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１０に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００４９】
１                                露光装置
１０                              照明装置
１２                              光源部
１００                            照明光学系
１０１                            ビーム整形光学系
１０２                            回折光学素子
１０２ａ及び１０２ｂ              ハエの目レンズ
１０２ｃ及び１０２ｄ              レンズアレイ
１０３、１０３Ａ及び１０３Ｂ      回折光学素子
１０４                            集光光学系
１０５                            ズーム光学系
１０６                            多光束発生手段
１０７                            アパーチャー
１０８                            コリメータレンズ
１０９                            絞り
１１０ａ及び１１０ｂ              結像光学系
ＩＳ                              被照明面
２０                              レチクル
２５                              レチクルステージ
３０                              投影光学系
４０                              被処理体
４５                              ウェハステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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