(57)【要約】      （修正有）【課題】流動性が良好であると共に、線膨張係数が小さく、高いガラス転移温度を有しながら低吸湿性を示し、また鉛フリー半田耐クラック性にも優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止した半導体装置を提供する。【解決手段】−ＣＨＲ−で結合されたビスナフタレン骨核を有し、グリシジル基を２個以上有する多価エポキシ化合物およびアントラセン骨核を有しグリシジル基を２個有するエポキシ樹脂成分を必須とするエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機質充填材を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）１分子中に置換もしくは非置換のナフタレン環を少なくとも１個有するフェノール樹脂硬化剤
（Ｃ）無機質充填剤
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、（Ａ）成分が一般式（１）で示されるエポキシ樹脂及び一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2007262384.tif 000024
（ｍ、ｎは０又は１、Ｒは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基を示し、Ｇはグリシジル基含有有機基である。但し、上記一般式（１）のエポキシ樹脂１００質量部中にｍ＝０、ｎ＝０のものを３５〜８５質量部、ｍ＝１、ｎ＝１のものを１〜３５質量部含有する。）
【化２】
2007262384.tif 000025
（式中のＲ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基である。Ｇはグリシジル基含有有機基を示す。ｐは０〜１００の整数である。）
【請求項２】
フェノール樹脂（Ｂ）が、一般式（３）で示されるフェノール樹脂である請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
【化３】
2007262384.tif 000026
（Ｒ1，Ｒ2はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基を示し、ｑは、０〜１０の整数である。）
【請求項３】
一般式（３）のフェノール樹脂（Ｂ）が全フェノール樹脂１００質量部中に２５〜１００質量部含有することを特徴とする請求項２項記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と一般式（２）で示されるエポキシ樹脂の配合質量比率が２０／８０〜８０／２０であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置。
【請求項６】
樹脂基板又は金属基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された樹脂基板面又は金属基板面側の実質的に片面のみが封止されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、流動性が良好であると共に、線膨張係数が小さく、高いガラス転移温度を有しながら低吸湿性を示し、また鉛フリー半田耐クラック性にも優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキシ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的である。しかし、ここ数年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化へと進む市場に伴い、半導体素子の高集積化がますます進み、また半導体装置の実装技術が促進される中で、半導体封止材として用いられているエポキシ樹脂への要求は鉛フリー化も含めてますます厳しくなってきている。
【０００３】
例えば、高密度実装に優れるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）やＱＦＮ等が近年ＩＣやＬＳＩの主流となりつつあるが、このパッケージは片面のみ封止するために成型後の反りが大きな問題となってきている。従来まで、反り改善のための１つの手法として樹脂の架橋密度を多くしガラス転移温度を高めることが挙げられるが、鉛フリー化による半田温度上昇により、高温での弾性率が高く、また吸湿性も高いため、半田リフロー後にエポキシ樹脂硬化物と基板との界面での剥離、半導体素子と半導体樹脂ペーストとの界面での剥離が問題となっている。一方、架橋密度が低い樹脂を用い無機質充填剤を高充填化することにより、低吸水性、低膨張率、高温での低弾性率化を向上させることで、耐リフロー性に効果が期待されるが、高粘度化になってしまうため、成形時の流動性が損なわれてしまう。
【０００４】
特許第３１３７２０２号公報（特許文献１）では、エポキシ樹脂と硬化剤とからなるエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、１，１−ビス（２，７−ジグリシジルオキシ−１−ナフチル）アルカンを用いることを特徴とするエポキシ樹脂組成物が開示されている。このエポキシ樹脂の硬化物は、極めて耐熱性に優れ、且つ耐湿性にも大変優れ、一般的に高耐熱エポキシ樹脂の硬化物が抱える、堅くて脆いという欠点を克服しているとされる。
【０００５】
更に特開２００５−１５６８９号公報（特許文献２）には、１，１−ビス（２，７−ジグリシジルオキシ−１−ナフチル）アルカン（ａ１）と１−（２，７−ジグリシジルオキシ−１−ナフチル）−１−（２−グリシジルオキシ−１−ナフチル）アルカン（ａ２）と１，１−ビス（２−グリシジルオキシ−１−ナフチル）アルカン（ａ３）とを含むエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）を必須とするエポキシ樹脂組成物であり、前記（ａ１）と前記（ａ２）と前記（ａ３）との合計１００重量部中に（ａ３）を４０〜９５重量部含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物が開示されている。即ち、流動性、硬化性の低下から、上記一般式（１）において、ｍ＝０，ｎ＝０のものを４０重量部〜９５重量部が好ましいと述べている。
しかしながら、これらのエポキシ樹脂組成物も、流動性が良好であると共に、線膨張係数が小さく、高いガラス転移温度を有しながら低吸湿性を示し、また耐半田クラック性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂を与えるという点でなお十分でない。
【０００６】
【特許文献１】特許第３１３７２０２号公報
【特許文献２】特開２００５−１５６８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記した問題より、流動性が良好であると共に、線膨張係数が小さく、高いガラス転移温度を有しながら低吸湿性を示し、また鉛フリー半田耐クラック性にも優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、エポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、下記一般式（１）及び一般式（２）の特定のエポキシ樹脂及び特定のフェノール樹脂、特に一般式（３）のフェノール樹脂を組み合わせて用いることで、流動性が良好であると共に、線膨張係数が小さく、高いガラス転移温度を有しながら低吸湿性を示し、また耐半田クラック性に優れた硬化物を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、下記半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供する。
［Ｉ］  （Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）１分子中に置換もしくは非置換のナフタレン環を少なくとも１個有するフェノール樹脂硬化剤
（Ｃ）無機質充填剤
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、（Ａ）成分が一般式（１）で示されるエポキシ樹脂及び一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2007262384.tif 000002
（ｍ、ｎは０又は１、Ｒは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基を示し、Ｇはグリシジル基含有有機基である。但し、上記一般式（１）のエポキシ樹脂１００質量部中にｍ＝０、ｎ＝０のものを３５〜８５質量部、ｍ＝１、ｎ＝１のものを１〜３５質量部含有する。）
【化２】
2007262384.tif 000003
（式中のＲ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基である。Ｇはグリシジル基含有有機基を示す。ｐは０〜１００の整数である。）
［ＩＩ］  フェノール樹脂（Ｂ）が、一般式（３）で示されるフェノール樹脂である［Ｉ］記載のエポキシ樹脂組成物。
【化３】
2007262384.tif 000004
（Ｒ1，Ｒ2はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基を示し、ｑは、０〜１０の整数である。）
［ＩＩＩ］  一般式（３）のフェノール樹脂（Ｂ）が全フェノール樹脂１００質量部中に２５〜１００質量部含有することを特徴とする［ＩＩ］記載のエポキシ樹脂組成物。
［ＩＶ］  一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と一般式（２）で示されるエポキシ樹脂の配合質量比率が２０／８０〜８０／２０であることを特徴とする［Ｉ］〜［ＩＩＩ］のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成物。
［Ｖ］  ［Ｉ］〜［ＩＶ］のいずれか１項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置。
［ＶＩ］  樹脂基板又は金属基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された樹脂基板面又は金属基板面側の実質的に片面のみが封止されていることを特徴とする［Ｖ］記載の半導体装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、流動性が良好であると共に、線膨張係数が小さく、高いガラス転移温度を有しながら低吸湿性を示し、また鉛フリー半田耐クラック性にも優れる硬化物を与えるものである。そのため、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、産業上特に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明について詳しく説明する。
［（Ａ）エポキシ樹脂］
本発明で用いるエポキシ樹脂（Ａ）は、下記一般式（１）で示されるエポキシ樹脂及び一般式（２）で示されるエポキシ樹脂である。また、（Ａ）成分のエポキシ樹脂１００質量部中、一般式（１）で示されるエポキシ樹脂が２０〜８０質量部、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂が２０〜８０質量部含有することが好ましく、より好ましくは（Ａ）成分のエポキシ樹脂１００質量部中、一般式（１）で示されるエポキシ樹脂が３０〜７０質量部、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂が３０〜７０質量部含有することである。一般式（１）が２０質量部未満だと反応性が低下してしまい、反り特性等に悪影響を及ぼすおそれがあり、８０質量部を超えると流動性に悪影響を与えるおそれがある。このように、一般式（１）と一般式（２）の混合比率が２０／８０〜８０／２０の間から外れた場合、本エポキシ樹脂組成物に十分な性能を付与することができないおそれがある。
【００１２】
【化４】
2007262384.tif 000005
（ｍ、ｎは０又は１、Ｒは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基を示し、Ｇはグリシジル基含有有機基である。但し、上記一般式（１）のエポキシ樹脂１００質量部中にｍ＝０、ｎ＝０のものを３５〜８５質量部、ｍ＝１、ｎ＝１のものを１〜３５質量部含有する。）
【００１３】
【化５】
2007262384.tif 000006
（式中のＲ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基である。Ｇはグリシジル基含有有機基を示す。ｐは０〜１００、好ましくは０〜１０、更に好ましくは０〜２の整数である。）
【００１４】
ここで、Ｇのグリシジル基含有有機基としては、具体的には、下記式で示される基等が挙げられる。
【化６】
2007262384.tif 000007
【００１５】
また、Ｒ及びＲ1は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、あるいはフェニル基が挙げられる。
この場合、一般式（１）１００質量部中にｍ＝０、ｎ＝０のものが３５〜８５質量部、ｍ＝１、ｎ＝１のものが１〜３５質量部含有することが望ましい。一般式（１）の合計１００質量部中にｍ＝０、ｎ＝０のものの含有量が３５質量部未満の場合、樹脂組成物の粘度が高くなってしまい、流動性が低下する場合があり、８５質量部を超えると、樹脂組成物の架橋密度が極端に低下してしまうため、硬化性が低下したり、ガラス転移温度が低下してしまうおそれがある。一方、ｍ＝１、ｎ＝１のものが３５質量部を超えてしまうと、架橋密度が上がり、ガラス転移温度は上昇するが、高温での弾性率も高くなってしまう場合がある。更に、得られるエポキシ樹脂組成物の硬化性、耐熱性、高温弾性率が優れる点から、ｍ＝０、ｎ＝０のものの含有量が４５〜７０質量部、ｍ＝１、ｎ＝１のものの含有量が、５〜３０質量部であることが好ましい。
【００１６】
上記一般式（１）で示されるエポキシ樹脂としては、具体的には下記のものが挙げられる。
【００１７】
【化７】
2007262384.tif 000008
【００１８】
【化８】
2007262384.tif 000009
【００１９】
【化９】
2007262384.tif 000010
（但し、Ｇは上記した通りである。）
【００２０】
また、上記一般式（２）で示されるエポキシ樹脂としては、具体的には下記のものが挙げられる。
【００２１】
【化１０】
2007262384.tif 000011
【００２２】
【化１１】
2007262384.tif 000012
【００２３】
なお、本発明においては、エポキシ樹脂成分として、上記特定のエポキシ樹脂（Ａ）以外に、他のエポキシ樹脂を併用しても良い。他のエポキシ樹脂としては、特に限定するものではなく、従来公知のエポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂等のトリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、上記以外のナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を使用することができる。
【００２４】
この場合、上記特定のエポキシ樹脂（Ａ）の配合量は、エポキシ樹脂（上記特定のエポキシ樹脂（Ａ）＋他のエポキシ樹脂）に対して７０〜１００質量％、特に８０〜１００質量％であることが望ましい。上記特定のエポキシ樹脂（Ａ）の配合量が７０質量％未満では、本エポキシ樹脂組成物に十分な性能を付与することができない。
【００２５】
［（Ｂ）フェノール樹脂］
本発明のエポキシ樹脂組成物の（Ｂ）成分のフェノール樹脂は、（Ａ）成分のエポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、本発明においては１分子中に置換もしくは非置換のナフタレン環を少なくとも１個有するフェノール樹脂を使用する。好ましくは、下記一般式（３）で示されるフェノール樹脂である。
【００２６】
【化１２】
2007262384.tif 000013
（Ｒ1，Ｒ2はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基を示し、ｑは、０〜１０、好ましくは０〜５の整数である。）
Ｒ1，Ｒ2は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、あるいはフェニル基が挙げられる。
【００２７】
かかるナフタレン環を有するフェノール樹脂を硬化剤として用いることにより、線膨張係数が小さく、ガラス転移温度が高く、ガラス転移温度以上の温度領域で低弾性率であり、更に低吸水性の硬化物が得られるため、本発明のエポキシ樹脂組成物を半導体装置の封止材として用いた場合、熱衝撃時の耐クラック性が改善され、また、パッケージの反りも改善される。
なお、本発明のエポキシ樹脂組成物の（Ｂ）成分のフェノール樹脂は、上記特定フェノール樹脂以外に他のフェノール樹脂を併用しても良い。他のフェノール樹脂としては特に限定されるものではなく、従来公知のフェノール樹脂、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂、トリフェノールプロパン型フェノール樹脂等のトリフェノールアルカン型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型フェノール樹脂、ビスフェノールＦ型フェノール樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を使用することができる。
この場合、上記特定のフェノール樹脂（Ｂ）の配合量は、フェノール樹脂（上記特定のフェノール樹脂（Ｂ）＋他のエポキシ樹脂）に対して２５〜１００質量％、特に４０〜８０質量％であることが望ましい。上記ナフタレン型エポキシ樹脂の配合量が２５質量％未満では、十分な耐熱性、吸湿特性、反り特性等が得られない場合がある。
【００２８】
本発明において、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の配合量は特に制限されないが、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対して、硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲であることが好ましい。
【００２９】
［（Ｃ）無機質充填剤］
本発明のエポキシ樹脂組成物中に配合される（Ｃ）成分の無機質充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機質充填剤の平均粒径や形状及び無機質充填剤の充填量は特に限定されないが、鉛フリーで耐半田クラック性及び難燃性を高めるためには、エポキシ樹脂組成物中に、成形性を損なわない範囲で可能な限り多量に充填させることが好ましい。
【００３０】
この場合、無機質充填剤の平均粒径、形状として、平均粒径３〜３０μｍ、特に５〜２５μｍの球状の溶融シリカが特に好ましい。ここで、平均粒径は、例えばレーザー光回折法等による粒度分布測定装置等を用いて重量平均値（又はメディアン径）等として求めることができる。
【００３１】
なお、上記無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤で予め表面処理したものを配合することが好ましい。このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシラン等を用いることが好ましい。
なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
【００３２】
無機質充填剤の充填量は、エポキシ樹脂と硬化剤（フェノール樹脂）の総量１００質量部に対して２００〜１２００質量部、特に５００〜８００質量部が好適であり、充填量が２００質量部未満では膨張係数が大きくなることでパッケージの反りが増大し半導体素子に加わる応力が増して素子特性の劣化を招く場合があり、また、組成物全体に対する樹脂量が多くなるために、吸湿性が著しく低下し、耐クラック性も低下してしまうおそれがある。一方、１２００質量部を超えると成形時の粘度が高くなり、成形性が悪くなる場合がある。なお、この無機質充填剤は組成物全体の７５〜９１質量％、特に７８〜８９質量％の含有量とすることが好ましく、更に８３〜８８質量％の含有量とすることが好ましい。
【００３３】
［他の配合成分］
本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、イミダゾール化合物、３級アミン化合物、リン系化合物等の硬化促進剤、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カルナバワックス等のワックス類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲントラップ剤等の添加剤を添加配合することができる。
【００３４】
本発明において、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用いることが好ましい。この硬化促進剤は、硬化反応を促進させるものであれば特に制限はなく、例えばトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィン−ベンゾキノン付加物等のリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等の第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等を使用することができる。
【００３５】
硬化促進剤の配合量は有効量であるが、上記リン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化合物等のエポキシ樹脂と硬化剤（フェノール樹脂）との硬化反応促進用の硬化促進剤は、エポキシ樹脂と硬化剤との総量１００質量部に対し、０．１〜３質量部、特に０．５〜２質量部とすることが好ましい。
【００３６】
離型剤成分としては、特に制限されず公知のものを全て使用することができる。例えばカルナバワックス、ライスワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン、モンタン酸、モンタン酸と飽和アルコール、２−（２−ヒドロキシエチルアミノ）−エタノール、エチレングリコール、グリセリン等とのエステル化合物であるモンタンワックス；ステアリン酸、ステアリン酸エステル、ステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体等が挙げられ、これらは１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
【００３７】
離型剤の配合比率としては（Ａ）及び（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して、０．１〜５質量部、更に好ましくは０．３〜４質量部であることが望ましい。
【００３８】
本発明のエポキシ樹脂組成物を成型材料として調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤、その他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。
【００３９】
なお、組成物をミキサー等によって十分均一に混合するに際して、保存安定性をよくするために、あるいはウエッターとしてシランカップリング剤等を配合することができる。
【００４０】
ここで、シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。ここで、シランカップリング剤量については、特に制限されるものではない。
【００４１】
このようにして得られる本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止に有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８５℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５０〜１８５℃で２〜２０時間行うことが望ましい。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、以下の例において部はいずれも質量部である。
【００４３】
［実施例１〜９、比較例１〜６］
表１に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。使用した原材料を下記に示す。
【００４４】
（Ａ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂（イ）、（ロ）
上記式（１）におけるエポキシ樹脂において、ｍ、ｎの値により下記構造のエポキシ樹脂Ａ〜Ｃについて、その配合比率により表１のようなエポキシ樹脂（イ）及び（ロ）を調整した。
【００４５】
【表１】
2007262384.tif 000014
【００４６】
エポキシ樹脂Ａ（ｍ＝０、ｎ＝０）
【化１３】
2007262384.tif 000015
【００４７】
エポキシ樹脂Ｂ（ｍ＝１でｎ＝０、ｍ＝０でｎ＝１）
【化１４】
2007262384.tif 000016
【００４８】
エポキシ樹脂Ｃ（ｍ＝１、ｎ＝１）
【化１５】
2007262384.tif 000017
【００４９】
エポキシ樹脂（ハ）
下記一般式で示されるエポキシ樹脂。
【化１６】
2007262384.tif 000018
但し、Ｇは
【化１７】
2007262384.tif 000019
を示す。
【００５０】
エポキシ樹脂（ニ）
ビフェニル型エポキシ樹脂（ＹＸ４０００ＨＫ：ジャパンエポキシレジン（株）製）
エポキシ樹脂（ホ）
ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（ＮＣ３０００：日本化薬（株）製）
エポキシ樹脂（ヘ）
トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂（ＥＰＰＮ−５０１：日本化薬（株）製）
【００５１】
（Ｂ）硬化剤
フェノール樹脂（ト）：下記式で示されるフェノール樹脂
【００５２】
【化１８】
2007262384.tif 000020
フェノール樹脂（チ）：下記式で示されるフェノール樹脂
【００５３】
【化１９】
2007262384.tif 000021
ノボラック型フェノール樹脂（リ）：ＴＤ−２１３１（大日本インキ化学工業（株）製商品名）
【００５４】
（Ｃ）無機質充填剤
球状溶融シリカ：平均粒径１２μｍ、最大粒径７５μｍの球状シリカ（株式会社龍森製）
【００５５】
その他添加剤
硬化促進剤（トリフェニルホスフィン：北興化学（株）製）
離型剤（カルナバワックス：日興ファインプロダクツ（株）製）
シランカップリング剤  γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−４０３：信越化学工業（株）製）
【００５６】
各実施例、比較例のエポキシ樹脂組成物の組成を表２、表３に示す。数値は質量部を示す。これらの組成物につき、以下の諸特性を測定した。結果を表２、表３に示す。
【００５７】
（１）スパイラルフロー値
ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件で測定した。
【００５８】
（２）溶融粘度
高化式フローテスターを用い、１０ｋｇｆの加圧下、直径１ｍｍのノズルを用い、温度１７５℃で粘度を測定した。
【００５９】
（３）ガラス転移温度、線膨張係数
ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件で測定した。
【００６０】
（４）吸水率
１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間２分の条件で直径５０×３ｍｍの円盤を成形し、１８０℃で４時間ポストキュアしたものを８５℃／８５％ＲＨの恒温恒湿器に１６８時間放置し、吸水率を測定した。
【００６１】
（５）パッケージ反り量
０．４０ｍｍ厚のＢＴ樹脂基板を用い、パッケージサイズが３２×３２ｍｍで厚みが１．２ｍｍ、１０×１０×０．３ｍｍのシリコンチップを搭載し、１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ2、キュア時間２分のトランスファー条件で成型し、その後１７５℃で５時間、ポストキュアを行ったものをレーザー三次元測定機を用いてパッケージの対角線方向に高さの変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。
【００６２】
（６）耐リフロー性
パッケージ反り量測定で用いたパッケージを、８５℃／６０％ＲＨの恒温恒湿器に１６８時間放置して吸湿させた後、ＩＲリフロー装置を用い、図１のＩＲリフロー条件を３回通した後に、超音波探査装置を用いて内部クラックの発生状況と剥離発生状況を観察した。
【００６３】
【表２】
2007262384.tif 000022
【００６４】
【表３】
2007262384.tif 000023
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】耐リフロー性測定のためのＩＲリフロー条件を示す。
【図１】
2007262384.tif 000027