(57)【要約】【課題】多種多様な半導体素子に対応しながらも、高コスト化を招くことなく、小さなサイズのチップを露光する際のウエハ上の１チップ（１ショット）を露光するのに必要な時間を短縮させることができる露光装置及び方法を提供する。【解決手段】レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記レチクルと前記被処理体とを相対的に走査して前記被処理体を露光する露光装置であって、スリット状の露光領域を規定する露光領域規定手段を有し、前記露光領域は、前記走査方向の長さ及び前記走査方向に直交する方向の長さが可変であることを特徴とする露光装置を提供する。【選択図】図３
2007242774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記レチクルと前記被処理体とを相対的に走査して前記被処理体を露光する露光装置であって、
スリット状の露光領域を規定する露光領域規定手段を有し、
前記露光領域は、前記走査方向の長さ及び前記走査方向に直交する方向の長さが可変であることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記露光領域規定手段は、前記露光領域の前記走査方向に直交する方向の長さの変更に応じて、前記露光領域の前記走査方向の長さを変更することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記露光領域規定手段は、前記露光領域の前記走査方向の長さが最大となるように、前記露光領域の前記走査方向の長さを変更することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記投影光学系は、少なくとも１つの反射部材を有する反射屈折型投影光学系であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記投影光学系と前記被処理体との間に液体を供給すると共に、供給した前記液体を回収する液体供給回収機構を更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
レチクルのパターンを被処理体に露光する露光方法であって、
スリット状の露光領域を規定するステップと、
前記露光領域を規定した後に、前記レチクルと前記被処理体とを相対的に走査するステップとを有し、
前記規定ステップは、
前記走査方向に直交する方向の長さを決定する第１の決定ステップと、
前記第１の決定ステップで決定された前記走査方向に直交する方向の長さに応じて、前記走査方向の長さを決定する第２の決定ステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、露光装置及び方法に係り、特に、半導体ウェハ等の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板などの被処理体を露光する露光装置及び方法に関する。本発明は、投影光学系と被処理体との間を液体で満たし、かかる液体を介して被処理体を露光する、所謂、液浸露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際、投影露光装置が従来から使用されている。投影露光装置は、レチクル（マスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する。近年では、レチクルとウェハとを相対的に走査（スキャン）させて露光するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる）が主流になってきている。
【０００３】
半導体素子（回路パターン）の高集積化（微細化）が進むに従い、投影光学系の仕様や性能に対する要求もますます厳しさを増している。一般に、高い解像力を得るためには、露光光の短波長化及び投影光学系の高ＮＡ（開口数）化が有効である。また、最近では、投影光学系の最終光学素子（即ち、最もウェハ側の光学素子）とウェハとの間を液体で満たす、所謂、液浸露光により、ＮＡが１以上となる光学系も提案されており、更なる高ＮＡ化が進行している。
【０００４】
露光光の短波長化が進み、ＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）やＦ２レーザー（波長約１５７ｎｍ）などの波長領域に達すると、透過率の低下に起因して、使用可能な硝材が石英と蛍石（フッ化カルシウム）に限られてくる。全てレンズ（屈折系）で構成された光学系は、例えば、露光波長が１９３ｎｍの場合、一般に、石英と蛍石を使用する。但し、それらの分散の差は大きくないため、非常に高いＮＡを有する光学系の場合、色収差の補正が非常に難しくなる。そこで、光学系にミラー（反射系）を含めることにより、透過率及び色収差などの問題を回避する提案が種々なされており、例えば、反射系と屈折系とを組み合わせた反射屈折（カタディオ）型投影光学系が開示されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３７８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、露光装置には、高コスト化を招くことなく、スループットを向上させる（即ち、生産性を向上させる）ことも望まれている。しかしながら、高ＮＡ化に伴って硝材は大口径化し、高コスト化の大きな一因となっている。特に、反射屈折型投影光学系は、一般に、レンズの光軸を含まない矩形スリット状の露光領域を有し、屈折系で構成された光学系よりも更に大きな画角を必要とするため、レンズ径がより大口径化し、高コスト化する傾向がある。更に、レンズ径の大口径化は、高コスト化のみならず、収差補正、所謂、レンズ設計そのものを困難（不可能）にさせてしまう。
【０００６】
また、生産性を向上させるためには、１つの露光装置が多種多様な半導体素子に対応できる（即ち、異なるサイズのチップを露光できる）ことが好ましい。そこで、従来のスキャナーは、レンズ設計が許される最大のレンズ径を有する（即ち、大口径の）レンズを投影光学系に組み込むと共に、露光領域の長手方向（走査方向に直交する方向）を可変とし、多種多様な半導体素子に対応していた。しかしながら、上述したように、大口径のレンズは高コスト化に繋がることに加えて、長手方向を可変としても露光領域における積算露光量は変わらないため、被処理体（ウエハ）上の１チップ（１ショット）を露光するのに必要な時間は常に一定となる。換言すれば、従来のスキャナーは、大きなサイズのチップを露光する場合であっても小さなサイズのチップを露光する場合であっても、被処理体上の１チップを露光するのに必要な時間は変わらなかった。
【０００７】
そこで、本発明は、多種多様な半導体素子に対応しながらも、高コスト化を招くことなく、小さなサイズのチップを露光する際の被処理体上の１チップを露光するのに必要な時間を短縮させることができる露光装置及び方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記レチクルと前記被処理体とを相対的に走査して前記被処理体を露光する露光装置であって、スリット状の露光領域を規定する露光領域規定手段を有し、前記露光領域は、前記走査方向の長さ及び前記走査方向に直交する方向の長さが可変であることを特徴とする。
【０００９】
本発明の別の側面としての露光方法は、レチクルのパターンを被処理体に露光する露光方法であって、スリット状の露光領域を規定するステップと、前記露光領域を規定した後に、前記レチクルと前記被処理体とを相対的に走査するステップとを有し、前記規定ステップは、前記走査方向に直交する方向の長さを決定する第１の決定ステップと、前記第１の決定ステップで決定された前記走査方向に直交する方向の長さに応じて、前記走査方向の長さを決定する第２の決定ステップとを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、多種多様な半導体素子に対応しながらも、高コスト化を招くことなく、小さなサイズのチップを露光する際の被処理体上の１ショットを露光するのに必要な時間を短縮させることができる露光装置及び方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略断面図である。
【００１４】
露光装置１は、投影光学系３０（投影光学系３０の光学素子のうち最も被処理体４０側にある最終光学素子）と被処理体４０との間に供給される液体Ｌを介して、レチクル２０に形成された回路パターンを被処理体４０に露光する液浸露光装置である。露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式を用いて被処理体４０を露光する。
【００１５】
露光装置１は、図１に示すように、照明装置１０と、レチクル２０を載置するレチクルステージ２５と、投影光学系３０と、被処理体４０を載置するウェハステージ４５と、液体供給回収機構５０と、図示しない制御部とを有する。
【００１６】
照明装置１０は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル２０を照明し、光源部１２と、照明光学系１４とを有する。
【００１７】
光源部１２は、例えば、光源として、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを使用する。但し、光源の種類は、エキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーや波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を使用してもよい。また、光源部１２に使用可能な光源はレーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００１８】
照明光学系１４は、レチクル２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレーター、絞り等を含む。照明光学系１４は、軸上光、軸外光を問わずに使用することができる。
【００１９】
照明光学系１４は、本実施形態では、レチクル２０と光学的に共役な位置に、マスキングブレードＭＢを有する。マスキングブレードＭＢは、照明装置１０が照明する照明範囲を制限し、露光領域を規定する。露光領域は、本実施形態では、スリット状であり、レチクル２０及び被処理体４０の走査方向の長さ及びかかる走査方向に直交する方向の長さが可変となっている。
【００２０】
図２は、マスキングブレードＭＢの具体的な構成を示す概略斜視図である。マスキングブレードＭＢは、Ｘ方向ブレードＭＢ１及びＭＢ２と、Ｙ方向ブレードＭＢ３及びＭＢ４とを有し、Ｘ方向ブレードＭＢ１及びＭＢ２、及び、Ｙ方向ブレードＭＢ３及びＭＢ４で形成される開口を光束が通過する。かかる開口を通過した光束が、スリット状の露光領域を形成する。
【００２１】
Ｘ方向ブレードＭＢ１及びＭＢ２は、同一面内に配置され、Ｘ方向（例えば、走査方向に直交する方向）に移動可能である。同様に、Ｙ方向ブレードＭＢ３及びＭＢ４は、同一面内に配置され、Ｙ方向（例えば、走査方向）に移動可能である。従って、Ｘ方向ブレードＭＢ１及びＭＢ２、及び、Ｙ方向ブレードＭＢ３及びＭＢ４を移動させることにより、露光領域の走査方向に直交する方向の長さ及び走査方向の長さを変更することができる。
【００２２】
ここで、図３を参照して、マスキングブレードＭＢが規定するスリット状の露光領域と後述する投影光学系３０の設計領域との関係について説明する。
【００２３】
本実施形態の投影光学系３０は、後述するように、反射部材を含む、所謂、カタディオ光学系である。従って、マスキングブレードＭＢは、反射光を分離するために、投影光学系３０のレンズの光軸を含まない露光領域を規定する必要がある。
【００２４】
従来技術では、例えば、露光領域の中心材料（ｘ、ｙ）を（０、７）として、走査方向に垂直な方向に２６ｍｍの長さ、走査方向に８ｍｍの長さを有する露光領域ＰＲＡを規定する。従来技術における露光領域ＰＲＡは、走査方向に垂直な方向の長さのみを可変としているため、異なるサイズのチップを露光する場合には、走査方向の長さ（８ｍｍ）を固定し、走査方向に垂直な方向の長さを変更する。
【００２５】
例えば、露光領域ＰＲＡは、走査方向に垂直な方向に２４ｍｍの長さを有する露光領域ＰＲＡ１、走査方向に垂直な方向に２２ｍｍの長さを有する露光領域ＰＲＡ２、走査方向に垂直な方向に２１ｍｍの長さを有する露光領域ＰＲＡ３に変更される。従って、投影光学系は、設計上において、最大画角半径１７．０３ｍｍを有し、半径３ｍｍ乃至１７．０３ｍｍの範囲にわたって収差が良好に補正されたレンズＰＬＳが必要となる。このような大口径のレンズは、レンズ設計が困難であり、高コスト化を招く。また、チップのサイズが小さくなるにつれて露光領域ＰＲＡの面積は小さくなるため、積算露光量は常に一定である。従って、大きなサイズのチップを露光する場合も小さなサイズのチップを露光する場合も被処理体４０上の１チップ（１ショット）を露光するのに必要な時間は変わらない。
【００２６】
一方、本発明では、例えば、露光領域の中心材料（ｘ、ｙ）を（０、５．５）として、走査方向に垂直な方向に２６ｍｍの長さ、走査方向に５ｍｍの長さを有する露光領域ＩＥＡを規定する。本発明では、露光領域ＩＥＡは、上述したように、走査方向に垂直な方向の長さ及び走査方向の長さを可変としているため、異なるサイズのチップを露光する場合には、走査方向に垂直な方向の長さ及び走査方向の長さを変更する。
【００２７】
例えば、露光領域ＩＥＡは、走査方向に垂直な方向に２４ｍｍの長さ、走査方向に６．４３ｍｍの長さを有する露光領域ＩＥＡ１、走査方向に垂直な方向に２２ｍｍの長さ、走査方向に７．５８ｍｍの長さを有する露光領域ＩＥＡ２に変更される。また、露光領域ＩＥＡは、走査方向に垂直な方向に２１ｍｍの長さ、走査方向に８ｍｍの長さを有する露光領域ＩＥＡ４にも変更される。従って、投影光学系３０は、設計上において、最大画角半径１５．２６ｍｍを有し、半径３ｍｍ乃至１５．２６ｍｍの範囲にわたって収差が良好に補正されたレンズＩＬＳが必要となる。レンズＩＬＳは、従来技術によるレンズＰＬＳの設計上の最大画角半径１７．０３と比較すると、最大画角半径を１０％以上小さくすることができる。これにより、投影光学系３０のレンズ設計が容易となり、収差を良好に補正することができる。その結果、結像性能を大幅に向上させることができる共に、レンズ径の大口径化を防止し、高コスト化を防止することができる。更に、チップのサイズが小さくなるにつれて露光領域ＩＥＡの面積は大きくなるため、積算露光量が増え、小さなサイズのチップを露光する際には、被処理体４０上の１チップを露光するのに必要な時間を短縮させることができる。なお、露光領域ＩＥＡを規定する際には、露光するチップのサイズに応じて走査方向に垂直な方向の長さを設定し、かかる長さに応じて、走査方向の長さが最大となるように設定する。換言すれば、投影光学系３０のレンズの有効径を最大限に利用して露光領域ＩＥＡを規定することで、従来の露光装置よりも生産性を向上させることができる。
【００２８】
図１に戻って、レチクル２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべきパターンが形成され、レチクルステージ２５に支持及び駆動される。レチクル２０から発せられた回折光は、投影光学系３０を通り、被処理体４０上に投影される。レチクル２０と被処理体４０は、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル２０と被処理体４０を走査することにより、レチクル２０のパターンを被処理体４０上に転写する。
【００２９】
レチクルステージ２５は、レチクル２０を支持して図示しない移動機構に接続されている。レチクルステージ２５は、当業界周知のいかなる構成をも適用できる。図示しない移動機構は、リニアモータなどで構成され、ＸＹ方向にレチクルステージ２５を駆動することで、レチクル２０を移動することができる。
【００３０】
投影光学系３０は、レチクル２０のパターンを被処理体４０上に結像する。投影光学系３０は、本実施形態では、少なくとも１つの反射部材を有する反射屈折型投影光学系である。投影光学系３０は、０．８以上、更には、０．８５以上の非常に高いＮＡを有する。
【００３１】
図４は、投影光学系３０の構成の一例を示す概略断面図である。図４において、ＡＸ１乃至ＡＸ３は光学系の光軸である。投影光学系３０は、レチクル２０側から光束の通過する順に、第１の結像光学系Ｇｒ１と、第２の結像光学系Ｇｒ２と、第３の結像光学系Ｇｒ３とを有する。
【００３２】
第１の結像光学系Ｇｒ１は、レチクル２０のパターン像（第１の中間像ＩＭＧ１）を形成する。第２の結像光学系Ｇｒ２は、第１の中間像ＩＭＧ１の像（第２の中間像ＩＭＧ２）を形成し、凹面鏡Ｍ１を有する。第３の結像光学系Ｇｒ３は、第２の中間像ＩＭＧ２の像を、被処理体４０上に形成する。
【００３３】
投影光学系３０は、２つの偏向反射部材（第１の偏向反射部材及び第２の偏向反射部材）ＦＭ１及びＦＭ２を有する。一方の偏向反射部材ＦＭ１は、第２の結像光学系Ｇｒ２と第３の結像光学系Ｇｒ３との間に配置され、他方の偏向反射部材ＦＭ２は、第３の結像光学系Ｇｒ３中に配置される。
【００３４】
なお、図４では、レチクル２０の軸外のある物体高から射出した光束が、被処理体４０上に結像されているが、本実施形態では、光軸ＡＸ１から外れたある範囲の軸外物体高から射出した光束を使用する。その際、レチクル２０上において、光軸ＡＸ１を含まない矩形のスリット領域（露光領域）のパターンが被処理体４０上に投影される。
【００３５】
図５は、投影光学系３０の具体的なレンズ構成を示す光路図である。図５に示す投影光学系３０は、投影倍率が１／４倍であり、基準波長が１９３ｎｍ、硝材として石英を用いている。また、像側の開口数（ＮＡ）は１．２０、物像間距離（レチクル２０から被処理体４０までの距離）Ｌは１６６３．３８ｍｍである。なお、各結像光学系、レンズ群などの構成及び機能は、本出願人が出願した特開２００５−３７８９６号公報に開示されているため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３６】
収差は、像高が画角半径３ｍｍ乃至１５．２６ｍｍの範囲において良好に補正されている。また、投影光学系３０は、上述したように、走査方向に垂直な方向の長さ及び走査方向の長さを可変とする（走査方向に垂直な方向の長さに対応した）矩形の露光領域を確保している。かかる矩形の露光領域は、走査方向に垂直な方向の長さ×走査方向の長さで規定され、例えば、２６ｍｍ×５ｍｍ、２４ｍｍ×６．４３ｍｍ、２２ｍｍ×７．５８ｍｍ、２１ｍｍ×８ｍｍである。
【００３７】
被処理体４０は、本実施形態では、ウェハであるが、ガラス基板、その他の被処理体を広く含む。被処理体４０には、フォトレジストが塗布されている。
【００３８】
ウェハステージ４５は、図示しないウェハチャックを介して被処理体４０を支持し、図示しない移動機構に接続されている。
【００３９】
液体供給回収機構５０は、供給回収ノズル５２を介して、投影光学系３０と被処理体４０との間、詳細には、投影光学系３０の最終光学素子と被処理体４０との間に液体Ｌを供給すると共に、供給した液体Ｌを回収する。従って、投影光学系３０と被処理体４０で形成される間隙は、液体供給回収機構５０から供給される液体Ｌで満たされている。液体Ｌは、本実施形態では、純水であるが、特に純水に限定するものではない。液体Ｌは、露光光の波長に対して高い透過率特性及び高い屈折率特性を有し、投影光学系３０や被処理体４０に塗布されているフォトレジストに対して化学的安定性の高い液体を使用することができる。
【００４０】
図示しない制御部は、ＣＰＵ、メモリを有し、露光装置１の動作を制御する。制御部は、照明装置１０、レチクルステージ２５、ウェハステージ４５、液体供給回収機構５０と制御可能に接続する。制御部は、本実施形態では、照明光学系１４に配置されたマスキングブレードＭＢを介し、チップのサイズに基づいて露光領域を制御する。また、制御部は、露光時のウェハステージ４５の駆動方向等の条件に基づいて、液体Ｌの供給及び回収、或いは、停止の切り替え及び液体Ｌの供給量等を制御する機能も有する。
【００４１】
露光装置１の動作において、まず、レチクル２０及び被処理体４０が、レチクルステージ２５及びウェハステージ４５に載置される。レチクル２０及び被処理体４０が載置されると、マスキングブレードＭＢ及び制御部は、被処理体４０のチップのサイズに応じてスリット状の露光領域を規定する。具体的には、被処理体４０の走査方向に垂直な方向の長さと略等しくなるように、Ｙ方向ブレードＭＢ３及びＭＢ４を移動し、露光領域の走査方向に直交する方向の長さを決定する。次に、決定した走査方向に直交する長さに応じて、Ｘ方向ブレードＭＢ１及びＭＢ２を移動し、露光領域の走査方向の長さを決定する。この際、投影光学系３０のレンズの有効径を最大限に利用できるように、即ち、走査方向の長さが最大となるように、走査方向の長さを決定するのが好ましい。これにより、露光領域の面積が最大となるため積算露光量を増やすことができ、小さなサイズのチップを露光する場合ほど被処理体４０上の１チップを露光するのに必要な時間を短縮させることができる。マスキングブレードＭＢによって露光領域が規定されたら、レチクル２０と被処理体４０とを相対的に走査し、レチクル２０のパターンを被処理体４０に露光する。
【００４２】
このように、露光装置１は、マスキングブレードＭＢの規定する可変な露光領域によって、多種多様な半導体素子に対応することができ、また、投影光学系３０のレンズの大口径化を防ぎ、高コスト化を防止することができる。更に、露光装置１は、小さなサイズのチップを露光する際の積算露光量を増やすことができ、被処理体４０上の１チップを露光するのに必要な時間を短縮することができる。また、投影光学系３０も収差が良好に補正されているため、優れた露光性能を発揮する。従って、露光装置１は、従来よりも経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００４３】
次に、図６及び図７を参照して、露光装置１を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４４】
図７は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１によってレチクルの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重の回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００４５】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、液浸露光装置でなくても適用することができる。また、本発明は、反射屈折型投影光学系だけではなく、高ＮＡの光学系を必要とする光学機器にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す露光装置のマスキングブレードの具体的な構成を示す概略斜視図である。
【図３】図１に示す露光装置のマスキングブレードが規定するスリット状の露光領域と投影光学系の設計領域との関係を説明するための図である。
【図４】図１に示す露光装置の投影光学系の構成の一例を示す概略断面図である。
【図５】図４に示す投影光学系の具体的なレンズ構成を示す光路図である。
【図６】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図７】図６に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００４７】
１                        露光装置
１０                      照明装置
１２                      光源部
１４                      照明光学系
２０                      レチクル
２５                      レチクルステージ
３０                      投影光学系
４０                      被処理体
４５                      ウェハステージ
５０                      液体供給回収機構
ＭＢ                      マスキングブレード
ＭＢ１及びＭＢ２            Ｘ方向ブレード
ＭＢ２及びＭＢ４            Ｙ方向ブレード
ＩＥＡ                    露光領域
ＩＬＳ                    レンズ
【図１】
2007242774.tif 000003
【図２】
2007242774.tif 000004
【図３】
2007242774.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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