(57)【要約】【課題】フリッカや液晶の焼付きの発生を抑制できるＦＦＳ方式の液晶装置および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１は、複数の走査線Ｙ、複数のデータ線Ｘ、および複数の画素電極５５を有する素子基板を備える。素子基板には、画素電極５５の下層に第２絶縁膜が形成され、第２絶縁膜の下層に共通電極５６が形成される。この液晶装置１は、選択電圧を複数の走査線Ｙに順次供給する走査線駆動回路１１と、走査線Ｙが選択された際に、正極性の画像信号と、負極性の画像信号と、を交互に複数のデータ線Ｘに供給して、選択された走査線Ｙに係る画素電極５５に画像信号に基づく画像電圧を書き込むデータ線駆動回路２１と、を備え、各画素電極５５には、１フレーム期間のうち複数水平走査期間ずつ、各画素電極５５ごとに正極性または負極性のいずれかの画像信号に基づく画像電圧を書き込む。【選択図】図１
2007328085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素電極を有する第１基板と、当該第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶と、を備えた液晶装置であって、
前記第１基板には、前記画素電極の下層に絶縁膜が形成されるとともに、当該絶縁膜の下層に共通電極が形成され、
選択電圧を前記複数の走査線に順次供給することにより前記走査線を選択する走査線駆動回路と、
前記走査線が選択された際に、前記共通電極の電位よりも高い電位である正極性の画像信号と、前記共通電極の電位よりも低い電位である負極性の画像信号と、を周期的に交互に前記複数のデータ線に供給して、前記選択された走査線に係る画素電極に前記画像信号に基づく画像電圧を書き込むデータ線駆動回路と、を備え、
前記各画素電極には、１フレーム期間のうち複数水平走査期間ずつ、前記各画素電極に正極性または負極性のいずれかの同極性の画像信号に基づく画像電圧を書き込むことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置において、
前記データ線駆動回路は、１水平走査期間ごとに、前記正極性の画像信号と、前記負極性の画像信号と、を交互に前記データ線に供給し、
前記走査線駆動回路は、
前記走査線の各々に対して、当該走査線が選択される期間の他に、２の倍数行前の少なくとも１つの走査線が選択される期間にも、当該走査線に前記選択電圧を供給することを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶装置において、
前記データ線駆動回路は、１フレーム期間ごとに、前記正極性の画像信号と、前記負極性の画像信号と、を交互に前記データ線に供給し、
前記走査線駆動回路は、連続する複数水平走査期間に亘り、各走査線に前記選択電圧を供給することを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、表示方式として、ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式を採用した液晶装置がある（例えば、特許文献１参照）。このＦＦＳ方式の液晶装置は、例えば、以下のような構成である。
【０００３】
ＦＦＳ方式の液晶装置は、素子基板と、この素子基板に対向配置された対向基板と、素子基板と対向基板との間に設けられた液晶と、を備える。
【０００４】
素子基板は、所定間隔おきに設けられた複数の走査線と、これら複数の走査線に交差し所定間隔おきに設けられた複数のデータ線と、を有する。
【０００５】
各走査線と各データ線との交差部分には、画素が設けられている。画素は、画素電極および共通電極からなる画素容量と、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（以降、ＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）と呼ぶ）と、を備える。この画素は、マトリクス状に複数配列されて表示領域を形成する。ここで、表示装置としては、行方向を縦としても横としてもよい。
ＴＦＴのゲートには、走査線が接続され、ＴＦＴのソースには、データ線が接続され、ＴＦＴのドレインには、画素電極が接続されている。
【０００６】
この素子基板には、画素電極の下層に絶縁膜が形成され、この絶縁膜の下層に共通電極が形成される。なお、画素電極の上層に絶縁膜が形成され、この絶縁膜の上層に共通電極が形成される場合もある。
【０００７】
以上のＦＦＳ方式の液晶は、以下のように動作する。
すなわち、走査線に選択電圧を順次供給することで、ある走査線に係るＴＦＴを全てオン状態にして、この走査線に係る画素を全て選択する。そして、これら画素の選択に同期して、データ線に画像信号を供給する。すると、選択した全ての画素に、オン状態のＴＦＴを介して画像信号が供給され、この画像信号に基づく画像電圧が画素電極に書き込まれる。
【０００８】
画素電極に画像電圧が書き込まれると、この画素電極と共通電極との間に電位差が生じ、この電位差により素子基板に略水平な電界が発生する。この電界により液晶の配向が変化し、液晶を透過する光が変化して、階調表示が行われる。
【特許文献１】特開２００２−１４３７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、電界は、電位の高い場所から電位の低い場所に向かって発生する。このため、画素電極および共通電極において、一方の電極の電位と比べて、他方の電極の電位を常に高くしたり、他方の電極の電位を常に低くすると、発生する電界の方向が常に一方向となるので、液晶の配向に偏りが生じ、フリッカや液晶の焼付きが発生する場合がある。よって、液晶装置では、例えば、共通電極の電位よりも高い電位（以降、正極性と呼ぶ）の画像電圧を画素電極に書き込む正極性書込と、共通電極の電位よりも低い電位（以降、負極性と呼ぶ）の画像電圧を画素電極に書き込む負極性書込と、を１フレーム期間ごとに交互に行う１フレーム反転駆動方式を採用している。
【００１０】
図７は、従来例に係るＦＦＳ方式の液晶装置のタイミングチャートである。
ここで、例えば、上述の従来例に係るＦＦＳ方式の液晶装置は、３２０行の走査線と、２４０列のデータ線と、を有するものとする。また、図７において、ＰＩＸ（ｐ、ｑ）は、３２０行の走査線のうちｐ行目（ｐは、１≦ｐ≦３２０を満たす整数）の走査線と、２４０列のデータ線のうちｑ列目（ｑは、１≦ｑ≦２４０を満たす整数）のデータ線と、の交差に対応して設けられた画素が備える画素電極の電圧である。また、ＶＹ（ｐ）は、３２０行の走査線のうちｐ行目の走査線の電圧である。また、ＶＣＯＭは、共通電極の電圧であり、電圧Ｖｇ（＋）と電圧Ｖｇ（−）との中間の電圧である。なお、実際には、共通電極の電圧ＶＣＯＭは、ＴＦＴの寄生容量等の影響により、電圧Ｖｇ（＋）と電圧Ｖｇ（−）との中間の電圧よりややずれた電圧となるが、ここでは、寄生容量等の影響を無視して説明する。
なお、図７では、複数フレームに亘って、同一階調を表示するための画像信号がｑ列目のデータ線に供給されている。また、図７では、画素電極の電圧ＰＩＮ（ｐ、ｑ）と、走査線の電圧ＶＹ（ｐ）と、の縦軸は、縮尺を適宜変更している。
【００１１】
まず、時刻ｔ４１からｔ４２までの１水平走査期間、ｐ行目の走査線とｑ列目のデータ線との交差に対応して設けられた画素に正極性書込を行う。
すなわち、ｐ行目の走査線に選択電圧として電圧ＶＤＤを供給して、ｐ行目の走査線に係るＴＦＴを全てオン状態とし、ｐ行目の走査線に係る画素を全て選択する。また、これら画素の選択に同期して、ｑ列目のデータ線に正極性の画像信号として、電圧Ｖｇ（＋）を供給する。すると、ｐ行目の走査線とｑ列目のデータ線との交差に対応して設けられた画素にオン状態のＴＦＴを介して正極性の画像信号が供給され、この正極性の画像信号に基づく正極性の画像電圧Ｖｇ（＋）が画素電極に書き込まれる。
以上により、ｐ行目の走査線とｑ列目のデータ線との交差に対応して設けられた画素が備える画素電極の電圧ＰＩＸ（ｐ、ｑ）は、Ｖｇ（＋）となる。
【００１２】
次に、時刻ｔ４２において、ｐ行目の走査線に非選択電圧として電圧ＶＳＳを供給して、ｐ行目の走査線に係るＴＦＴを全てオフ状態とし、ｐ行目の走査線に係る画素を全て非選択とする。すると、ｐ行目の走査線とｑ列目のデータ線との交差に対応して設けられた画素が備える画素電極の電圧ＰＩＸ（ｐ、ｑ）は、低下して、時刻ｔ４３においてＶ５となる。
【００１３】
次に、時刻ｔ４４からｔ４５までの１水平走査期間、ｐ行目の走査線とｑ列目のデータ線との交差に対応して設けられた画素に負極性書込を行う。
すなわち、ｐ行目の走査線に選択電圧として電圧ＶＤＤを供給して、ｐ行目の走査線に係るＴＦＴを全てオン状態とし、ｐ行目の走査線に係る画素を全て選択する。また、これら画素の選択に同期して、ｑ列目のデータ線に負極性の画像信号として、電圧Ｖｇ（−）を供給する。すると、ｐ行目の走査線とｑ列目のデータ線との交差に対応して設けられた画素にオン状態のＴＦＴを介して負極性の画像信号が供給され、この負極性の画像信号に基づく負極性の画像電圧Ｖｇ（−）が画素電極に書き込まれる。
以上により、ｐ行目の走査線とｑ列目のデータ線との交差に対応して設けられた画素が備える画素電極の電圧ＰＩＸ（ｐ、ｑ）は、Ｖｇ（−）となる。
【００１４】
次に、時刻ｔ４５において、ｐ行目の走査線に非選択電圧として電圧ＶＳＳを供給して、ｐ行目の走査線に係るＴＦＴを全てオフ状態とし、ｐ行目の走査線に係る画素を全て非選択とする。すると、ｐ行目の走査線とｑ列目のデータ線との交差に対応して設けられた画素が備える画素電極の電圧ＰＩＸ（ｐ、ｑ）は、上昇して、時刻ｔ４６においてＶ６となる。
ここで、電圧Ｖｇ（−）と電圧Ｖ６との電位差と、電圧Ｖｇ（＋）と電圧Ｖ５との電位差とは、無視できないほどに大きい。
【００１５】
以上のように、従来例に係るＦＦＳ方式の液晶装置において、正極性書込を行った後と、負極性書込を行った後とでは、変動する画素電極の電圧が異なる。このため、複数フレームに亘って、同一階調を表示するための画像信号をｑ列目のデータ線に供給しても、正極性書込を行った後と負極性書込を行った後とでは、画素容量を構成する画素電極と共通電極との電位差が異なり、フリッカや液晶の焼付きが発生する場合があった。
【００１６】
本発明は、フリッカや液晶の焼付きの発生を抑制できるＦＦＳ方式の液晶装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者らは、上述の目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、同極性での書き込み時間を長くすることで、電圧Ｖｇ（−）と電圧Ｖ６との電位差と、電圧Ｖｇ（＋）と電圧Ｖ５との電位差とは、それぞれ小さくなって、両者の差が小さくなることを見出した。すなわち、１フレーム期間のうち複数水平走査期間、同じ極性の画像信号に基づく画像電圧を画素電極に書き込むと、画素電極において、画像電圧の書き込みの後に低下する電圧が小さくなることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１８】
本発明の液晶装置は、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素電極を有する第１基板と、当該第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶と、を備えた液晶装置であって、前記第１基板には、前記画素電極の下層に絶縁膜が形成されるとともに、当該絶縁膜の下層に共通電極が形成され、選択電圧を前記複数の走査線に順次供給することにより前記走査線を選択する走査線駆動回路と、前記走査線が選択された際に、前記共通電極の電位よりも高い電位である正極性の画像信号と、前記共通電極の電位よりも低い電位である負極性の画像信号と、を周期的に交互に前記複数のデータ線に供給して、前記選択された走査線に係る画素電極に前記画像信号に基づく画像電圧を書き込むデータ線駆動回路と、を備え、前記各画素電極には、１フレーム期間のうち複数水平走査期間ずつ、前記各画素電極に正極性または負極性のいずれかの同極性の画像信号に基づく画像電圧を書き込むことを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、液晶装置の第１基板に、画素電極と、この画素電極の下層に絶縁膜と、この絶縁膜の下層に共通電極と、を形成したので、この液晶装置は、ＦＦＳ方式の液晶装置である。
このＦＦＳ方式の液晶装置において、各画素電極に、１フレーム期間のうち複数水平走査期間ずつ、各画素電極に正極性または負極性のいずれかの画像信号に基づく画像電圧をそれぞれ書き込んだ。よって、各画素電極では、画像電圧を書き込んだ後に低下する電圧が小さくなるので、正極性書込を行った後と負極性書込を行った後とで、画素容量を構成する画素電極と共通電極との電位差が異なるのを抑制して、フリッカや液晶の焼付きの発生を抑制できる。
【００２０】
本発明の液晶装置では、前記データ線駆動回路は、１水平走査期間ごとに、前記正極性の画像信号と、前記負極性の画像信号と、を交互に前記データ線に供給し、前記走査線駆動回路は、前記走査線の各々に対して、当該走査線が選択される期間の他に、２の倍数行前の少なくとも１つの走査線が選択される期間にも、当該走査線に前記選択電圧を供給することが好ましい。
【００２１】
この発明によれば、１水平走査期間ごとに画像信号の極性を反転させ、走査線の各々に対して、各走査線が選択される期間の他に、２の倍数行前の少なくとも１つの走査線が選択される期間にも、選択電圧を供給した。すなわち、各画素電極に、１フレーム期間のうち複数水平走査期間ずつ、各画素電極に正極性または負極性のいずれかの画像信号に基づく画像電圧をそれぞれ書き込んだ。よって、各画素電極では、画像電圧を書き込んだ後に低下する電圧が小さくなるので、正極性書込を行った後と負極性書込を行った後とで、画素容量を構成する画素電極と共通電極との電位差が異なるのを抑制して、フリッカや液晶の焼付きの発生を抑制できる。
【００２２】
本発明の液晶装置では、前記データ線駆動回路は、１フレーム期間ごとに、前記正極性の画像信号と、前記負極性の画像信号と、を交互に前記データ線に供給し、前記走査線駆動回路は、連続する複数水平走査期間に亘り、各走査線に前記選択電圧を供給することが好ましい。
【００２３】
この発明によれば、１フレーム期間ごとに画像信号の極性を反転させ、連続する複数水平走査期間に亘り、各走査線を選択した。すなわち、各画素電極に、１フレーム期間のうち連続する複数水平走査期間ずつ、正極性または負極性のいずれかの画像信号に基づく画像電圧を書き込んだ。よって、各画素電極では、画像電圧を書き込んだ後に低下する電圧が小さくなるので、正極性書込を行った後と負極性書込を行った後とで、画素容量を構成する画素電極と共通電極との電位差が異なるのを抑制して、フリッカや液晶の焼付きの発生を抑制できる。
【００２４】
本発明の電子機器は、上述の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態および変形例の説明にあたって、同一構成要件については同一符号を付し、その説明を省略もしくは簡略化する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶装置のブロック図である。
ＦＦＳ方式の液晶装置１は、液晶パネルＡＡを備える。この液晶パネルＡＡは、複数の画素５０を有する表示領域Ａと、この表示領域Ａの周辺に設けられて画素５０を駆動する走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路２１と、を備える。
【００２６】
液晶パネルＡＡは、第１基板としての素子基板６０（図３参照）と、この素子基板６０に対向配置された第２基板としての対向基板７０（図３参照）と、素子基板６０と対向基板７０との間に設けられた液晶と、を備える。
【００２７】
素子基板６０は、３２０行の走査線Ｙ１〜Ｙ３２０と、これら走査線Ｙ１〜Ｙ３２０に交差するように設けられた２４０列のデータ線Ｘ１〜Ｘ２４０と、を備え、各走査線Ｙおよび各データ線Ｘの交差部分には、画素５０が設けられている。また、走査線Ｙに略平行に、共通線３０が設けられている。なお、本実施形態では、３２０行の走査線Ｙと、２４０列のデータ線Ｘと、を備えるものとしたが、これに限定する趣旨ではない。
【００２８】
画素５０は、ＴＦＴ５１、画素電極５５、この画素電極５５に対向する共通電極５６、および、一端が画素電極５５に接続され他端が共通線３０に接続された蓄積容量５３で構成される。画素電極５５および共通電極５６は、液晶層を誘電体とした画素容量を構成する。共通電極５６は、共通線３０に接続されている。
【００２９】
ＴＦＴ５１のゲートには、走査線Ｙが接続され、ＴＦＴ５１のソースには、データ線Ｘが接続され、ＴＦＴ５１のドレインには、画素電極５５および蓄積容量５３が接続されている。したがって、このＴＦＴ５１は、走査線Ｙから選択電圧が印加されるとオン状態となり、データ線Ｘと画素電極５５および蓄積容量５３とを導通状態とする。
【００３０】
図２は、ＦＦＳ方式の液晶装置１を構成する画素５０の拡大平面図である。図３は、ＦＦＳ方式の液晶装置１の画素５０のＡ−Ａ断面図である。
【００３１】
図３に示すように、液晶パネルＡＡは、複数の画素電極５５を有する素子基板６０と、この素子基板６０に対向配置された対向基板７０と、素子基板６０と対向基板７０との間に設けられた液晶と、を備える。
【００３２】
図２に示すように、素子基板６０において、各画素５０は、互いに隣り合う２本の透明導電材料からなる共通線３０と、互いに隣り合う２本の導電材料からなるデータ線Ｘと、で囲まれた領域となっている。つまり、各画素５０は、共通線３０とデータ線Ｘとで区画されている。
本実施形態では、ＴＦＴ５１は、逆スタガ型のアモルファスシリコンＴＦＴであり、走査線Ｙとデータ線Ｘとの交差部の近傍には、このＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃ（図２中破線で囲まれた部分）が設けられている。
【００３３】
まず、素子基板６０について説明する。
素子基板６０は、ガラス基板６８を有し、このガラス基板６８の上には、ガラス基板６８の表面荒れや汚れによるＴＦＴ５１の特性の変化を防止するために、全面に亘って下地絶縁膜（図示省略）が形成されている。
【００３４】
下地絶縁膜の上には、導電材料からなる走査線Ｙが形成されている。
走査線Ｙは、隣接する画素５０の境界に沿って設けられ、データ線Ｘとの交差部の近傍において、ＴＦＴ５１のゲート電極５１１を構成する。
【００３５】
走査線Ｙ、ゲート電極５１１、および下地絶縁膜の上には、画素５０の全面に亘って、ゲート絶縁膜６２が形成されている。
【００３６】
ゲート絶縁膜６２の上のＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃには、ゲート電極５１１に対向して、アモルファスシリコンからなる半導体層（図示省略）、Ｎ＋アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層（図示省略）が積層されている。このオーミックコンタクト層には、ソース電極５１２およびドレイン電極５１３が積層されて、これにより、アモルファスシリコンＴＦＴが形成されている。
【００３７】
ソース電極５１２は、データ線Ｘと同一の導電材料で形成されている。すなわち、データ線Ｘからソース電極５１２が延出される構成となっている。データ線Ｘは、走査線Ｙおよび共通線３０に対して交差するように設けられている。
上述のように、走査線Ｙの上には、ゲート絶縁膜６２が形成され、このゲート絶縁膜６２の上には、データ線Ｘが形成されている。このため、データ線Ｘは、走査線Ｙとはゲート絶縁膜６２により絶縁されている。
【００３８】
データ線Ｘ、ソース電極５１２、ドレイン電極５１３、およびゲート絶縁膜６２の上には、画素５０の全面に亘って、第１絶縁膜６３が形成されている。
【００３９】
第１絶縁膜６３の上には、導電材料からなる共通線３０が形成されている。
共通線３０は、走査線Ｙに沿って設けられており、この共通線３０からは、共通電極５６が延出して設けられている。
【００４０】
共通線３０、共通電極５６、および第１絶縁膜６３の上には、画素５０の全面に亘って、第２絶縁膜６４が形成されている。
【００４１】
第２絶縁膜６４の上には、共通電極５６に対向する領域に、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）といった透明導電材料からなる画素電極５５が形成されている。画素電極５５は、上述の第１絶縁膜６３および第２絶縁膜６４に形成されたコンタクトホール（図示省略）を介して、ドレイン電極５１３に接続されている。
この画素電極５５には、自身と共通電極５６との間で、フリンジフィールド（電界Ｅ）を発生させるための複数のスリット５５Ａが所定間隔おきに設けられている。すなわち、液晶装置１の液晶は、ＦＦＳモードで動作する。
【００４２】
画素電極５５および第２絶縁膜６４の上には、ポリイミド膜などの有機膜からなる配向膜（図示省略）が形成されている。なお、以上の構造は、ＦＦＳモードで動作する液晶パネル構造をこれに限定する趣旨ではなく、例えば、共通電極５６の上に第２絶縁膜６４が形成され、第２絶縁膜６４の上に画素電極５５が形成される構成であってもよい。
【００４３】
次に、対向基板７０について説明する。
対向基板７０は、ガラス基板７４を有し、このガラス基板７４の上のうち走査線Ｙおよび共通線３０に対向する位置には、ブラックマトリクスとしての遮光膜７１が形成されている。また、ガラス基板７４の上のうち遮光膜７１が形成されている領域を除く領域には、カラーフィルタ７２が形成されている。
【００４４】
ブラックマトリクス７１およびカラーフィルタ７２の上には、配向膜（図示省略）が形成されている。
【００４５】
図１に戻って、走査線駆動回路１１は、ＴＦＴ５１をオン状態にする選択電圧を所定の順番で各走査線Ｙに供給する。例えば、ある走査線Ｙに選択電圧を供給すると、この走査線Ｙに接続されたＴＦＴ５１が全てオン状態となり、この走査線Ｙに係る画素５０が全て選択される。
【００４６】
データ線駆動回路２１は、画像信号を各データ線Ｘに供給し、オン状態のＴＦＴ５１を介して、この画像信号に基づく画像電圧を画素電極５５を書き込む。
【００４７】
以上のＦＦＳ方式の液晶装置１は、以下のように動作する。
すなわち、走査線駆動回路１１から３２０行の走査線Ｙ１〜Ｙ３２０に選択電圧を順次供給することで、各走査線Ｙに係る全てのＴＦＴ５１を順次オン状態にして、各走査線Ｙに係る全ての画素５０を順次選択する。そして、これら画素５０の選択に同期して、データ線駆動回路２１からデータ線Ｘに画像信号を供給する。すると、走査線駆動回路１１で選択した全ての画素５０に、データ線駆動回路２１からデータ線Ｘおよびオン状態のＴＦＴ５１を介して画像信号が供給されて、この画像信号に基づく画像電圧が画素電極５５に書き込まれる。
【００４８】
画素電極５５に画像電圧が書き込まれると、この画素電極５５と共通電極５６との間に電位差が生じ、この電位差により素子基板６０に略水平な電界Ｅが発生する。この電界Ｅにより液晶の配向が変化し、液晶を透過する光が変化して、階調表示が行われる。
【００４９】
図４は、ＦＦＳ方式の液晶装置１のタイミングチャートである。
【００５０】
ここで、走査線駆動回路１１は、１フレーム期間のうち２度に亘り、各走査線Ｙに選択電圧を供給する。
【００５１】
また、データ線駆動回路２１は、共通電極５６の電圧を基準として、１水平走査期間ごとに、データ線Ｘに供給する画像信号の極性を反転させる。具体的には、例えば、奇数行が選択される際に、データ線Ｘに正極性の画像信号を供給するとともに、偶数行が選択される際に、データ線Ｘに負極性の画像信号を供給し、次のフレームでは、画像信号の極性をそれぞれ逆にしてデータ線Ｘに供給する。
なお、図４では、複数フレームに亘って、同一階調を表示するための画像信号をデータ線Ｘに供給している。
【００５２】
また、図４において、ＰＩＸ（ｉ、ｊ）は、３２０行の走査線Ｙ１〜Ｙ３２０のうちｉ行目（ｉは、１≦ｉ≦３２０を満たす整数）の走査線Ｙｉと、２４０列のデータ線Ｘ１〜Ｘ２４０のうちｊ列目（ｊは、１≦ｊ≦２４０を満たす整数）のデータ線Ｘｊと、の交差に対応して設けられた画素５０が備える画素電極５５の電圧である。また、ＶＹ（ｉ）は、走査線Ｙｉの電圧である。また、ＶＣＯＭは、共通電極５６の電圧であり、電圧Ｖｇ（＋）と電圧Ｖｇ（−）との中間の電圧である。
【００５３】
まず、ｉ行目の走査線Ｙｉとｊ列目のデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０が備える画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｉ、ｊ）について説明する。
【００５４】
まず、ある１フレーム期間において、時刻ｔ１からｔ２までの１水平走査期間と、時刻ｔ３からｔ４までの１水平走査期間と、の２度に亘り、走査線Ｙｉとデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０に正極性書込を行う。
すなわち、時刻ｔ１からｔ２までの１水平走査期間と、時刻ｔ３からｔ４までの１水平走査期間とにおいて、走査線Ｙｉに選択電圧として電圧ＶＤＤを供給して、走査線Ｙｉに係るＴＦＴ５１を全てオン状態とし、走査線Ｙｉに係る画素５０を全て選択する。また、これら走査線Ｙｉに係る画素５０の選択に同期して、データ線Ｘｊに正極性の画像信号として、電圧Ｖｇ（＋）を供給する。すると、走査線Ｙｉとデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０にオン状態のＴＦＴ５１を介して正極性の画像信号が供給され、この正極性の画像信号に基づく正極性の画像電圧Ｖｇ（＋）が画素電極５５に書き込まれる。
以上により、時刻ｔ１からｔ２までの１水平走査期間と、時刻ｔ３からｔ４までの１水平走査期間との計２水平走査期間だけ書き込みが行われる。
なお、時刻ｔ１からｔ２までの１水平走査期間は、ｉ行目の走査線Ｙｉの２の倍数行前の少なくとも１つの走査線である（ｉ−２）行目の走査線Ｙ（ｉ−２）が選択される期間である。
【００５５】
そして、時刻ｔ４以降では、ＴＦＴ５１がオフ状態となるので、画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｉ、ｊ）は、次第に低下して、例えば、Ｖ１に達して落ち着く。
【００５６】
次に、時刻ｔ９からｔ１０までの１水平走査期間と、時刻ｔ１１からｔ１２までの１水平走査期間と、の２度に亘り、走査線Ｙｉとデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０に負極性書込を行う。
すなわち、時刻ｔ９からｔ１０までの１水平走査期間と、時刻ｔ１１からｔ１２までの１水平走査期間とにおいて、走査線Ｙｉに選択電圧として電圧ＶＤＤを供給して、走査線Ｙｉに係るＴＦＴ５１を全てオン状態とし、走査線Ｙｉに係る画素５０を全て選択する。また、これら走査線Ｙｉに係る画素５０の選択に同期して、データ線Ｘｊに負極性の画像信号として、電圧Ｖｇ（−）を供給する。すると、走査線Ｙｉとデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０にオン状態のＴＦＴ５１を介して負極性の画像信号が供給され、この負極性の画像信号に基づく負極性の画像電圧Ｖｇ（−）が画素電極５５に書き込まれる。
以上により、時刻ｔ９からｔ１０までの１水平走査期間と、時刻ｔ１１からｔ１２までの１水平走査期間との計２水平走査期間だけ書き込みが行われる。
なお、時刻ｔ９からｔ１０までの１水平走査期間は、ｉ行目の走査線Ｙｉの２の倍数行前の少なくとも１つの走査線である（ｉ−２）行目の走査線Ｙ（ｉ−２）が選択される期間である。
【００５７】
そして、時刻ｔ１２以降では、ＴＦＴ５１がオフ状態となるので、画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｉ、ｊ）は、次第に上昇して、例えば、Ｖ２に達して落ち着く。
【００５８】
また、（ｉ＋１）行目の走査線Ｙ（ｉ＋１）とｊ列目のデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０では、上述のｉ行目の走査線Ｙｉとｊ列目のデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０と同様に動作する。
すなわち、時刻ｔ２からｔ３までの１水平走査期間と、時刻ｔ４からｔ５までの１水平走査期間と、の計２水平走査期間で負極性書込を行う。また、時刻ｔ１０からｔ１１までの１水平走査期間と、時刻ｔ１２からｔ１３までの１水平走査期間と、の計２水平走査期間で正極性書込を行う。
なお、時刻ｔ２からｔ３までの１水平走査期間と、時刻ｔ１０からｔ１１までの１水平走査期間とは、（ｉ＋１）行目の走査線Ｙ（ｉ＋１）の２の倍数行前の少なくとも１つの走査線である（ｉ−１）行目の走査線Ｙ（ｉ−１）が選択される期間である。
【００５９】
また、（ｉ＋２）行目の走査線Ｙ（ｉ＋２）とｊ列目のデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０では、上述のｉ行目の走査線Ｙｉとｊ列目のデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０と同様に動作する。
すなわち、時刻ｔ３からｔ４までの１水平走査期間と、時刻ｔ５からｔ６までの１水平走査期間と、の計２水平走査期間で正極性書込を行う。また、時刻ｔ１１からｔ１２までの１水平走査期間と、時刻ｔ１３からｔ１４までの１水平走査期間と、の計２水平走査期間で負極性書込を行う。
なお、時刻ｔ３からｔ４までの１水平走査期間と、時刻ｔ１１からｔ１２までの１水平走査期間とは、（ｉ＋２）行目の走査線Ｙ（ｉ＋２）の２の倍数行前の少なくとも１つの走査線であるｉ行目の走査線Ｙｉが選択される期間である。
【００６０】
また、（ｉ＋３）行目の走査線Ｙ（ｉ＋３）とｊ列目のデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０では、上述のｉ行目の走査線Ｙｉとｊ列目のデータ線Ｘｊとの交差に対応して設けられた画素５０と同様に動作する。
すなわち、時刻ｔ４からｔ５までの１水平走査期間と、時刻ｔ６からｔ７までの１水平走査期間と、の計２水平走査期間で負極性書込を行う。また、時刻ｔ１２からｔ１３までの１水平走査期間と、時刻ｔ１４からｔ１５までの１水平走査期間と、の計２水平走査期間で正極性書込を行う。
なお、時刻ｔ４からｔ５までの１水平走査期間と、時刻ｔ１２からｔ１３までの１水平走査期間とは、（ｉ＋３）行目の走査線Ｙ（ｉ＋３）の２の倍数行前の少なくとも１つの走査線である（ｉ＋１）行目の走査線Ｙ（ｉ＋１）が選択される期間である。
【００６１】
以上のように、各行の画素電極５５に関して、正極性書込および負極性書込において、書き込み期間をそれぞれ２水平走査期間とした。このため、上述したように、正極性書込時の電圧変動分（Ｖｇ（＋）−Ｖ１）と、負極性書込時の電圧変動分（Ｖ２−Ｖｇ（−））とは、それぞれ、書き込み期間が１水平走査期間の場合よりも小さくなって、両者の差、すなわち画素電圧の残留直流成分が小さくなる。よって、フリッカや液晶の焼付きの発生を抑制できる。
なお、本実施形態では、正極性書込および負極性書込において、書き込み期間をそれぞれ２水平走査期間としたが、これに限らず、例えば、それぞれ１０水平走査期間としてもよい。書き込み期間を長くすることで、残留直流成分は、より小さくなる。ただし、書き込み期間を長くし過ぎると、液晶の光学応答を眼で感じられるようになるので、液晶の応答速度等を勘案して、書き込み期間を適宜設定する。
【００６２】
＜第２実施形態＞
図５は、本発明の第２実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶装置１のタイミングチャートである。
【００６３】
ここで、走査線駆動回路１１は、１フレーム期間のうち連続する４水平走査期間に亘り、各走査線Ｙに選択電圧を供給する。
【００６４】
また、データ線駆動回路２１は、共通電極５６の電圧を基準として、１フレーム期間ごとに、データ線Ｘに供給する画像信号の極性を反転させる。具体的には、例えば、ある１フレーム期間では、データ線Ｘに正極性の画像信号を供給し、次の１フレーム期間では、データ線Ｘに負極性の画像信号を供給する。
なお、図５では、複数フレームに亘って、同一階調を表示するための画像信号をデータ線Ｘに供給している。
【００６５】
また、図５において、ＰＩＸ（ｍ、ｎ）は、３２０行の走査線Ｙ１〜Ｙ３２０のうちｍ行目（ｍは、１≦ｍ≦３２０を満たす整数）の走査線Ｙｍと、２４０列のデータ線Ｘ１〜Ｘ２４０のうちｎ列目（ｎは、１≦ｎ≦２４０を満たす整数）のデータ線Ｘｎと、の交差に対応して設けられた画素５０が備える画素電極５５の電圧である。また、ＶＹ（ｍ）は、走査線Ｙｍの電圧である。また、ＶＣＯＭは、共通電極５６の電圧であり、電圧Ｖｇ（＋）と電圧Ｖｇ（−）との中間の電圧である。
【００６６】
まず、ｍ行目の走査線Ｙｍとｎ列目のデータ線Ｘｎとの交差に対応して設けられた画素５０が備える画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｍ、ｎ）について説明する。
【００６７】
まず、ある１フレーム期間において、時刻ｔ２１からｔ２３までの４水平走査期間、走査線Ｙｍとデータ線Ｘｎとの交差に対応して設けられた画素５０に正極性書込を行う。
すなわち、時刻ｔ２１からｔ２３までの４水平走査期間において、走査線Ｙｍに選択電圧として電圧ＶＤＤを供給して、走査線Ｙｍに係るＴＦＴ５１を全てオン状態とし、走査線Ｙｍに係る画素５０を全て選択する。また、これら走査線Ｙｍに係る画素５０の選択に同期して、データ線Ｘｎに正極性の画像信号を供給する。すると、走査線Ｙｍとデータ線Ｘｎとの交差に対応して設けられた画素５０にオン状態のＴＦＴ５１を介して正極性の画像信号が供給され、この正極性の画像信号に基づく正極性の画像電圧Ｖｇ（＋）が画素電極５５に書き込まれる。
以上により、時刻ｔ２１からｔ２３までの４水平走査期間に亘って正極性書込が行われる。
【００６８】
そして、時刻ｔ２３以降では、ＴＦＴ５１がオフ状態となるので、画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｍ、ｎ）は、次第に低下して、例えば、Ｖ３に達して落ち着く。
【００６９】
次に、時刻ｔ２６からｔ２８までの４水平走査期間、走査線Ｙｍとデータ線Ｘｎとの交差に対応して設けられた画素５０に負極性書込を行う。
すなわち、時刻ｔ２６からｔ２８までの４水平走査期間において、走査線Ｙｍに選択電圧として電圧ＶＤＤを供給して、走査線Ｙｍに係るＴＦＴ５１を全てオン状態とし、走査線Ｙｍに係る画素５０を全て選択する。また、これら走査線Ｙｍに係る画素５０の選択に同期して、データ線Ｘｎに負極性の画像信号を供給する。すると、走査線Ｙｍとデータ線Ｘｎとの交差に対応して設けられた画素５０にオン状態のＴＦＴ５１を介して負極性の画像信号が供給され、この負極性の画像信号に基づく負極性の画像電圧Ｖｇ（−）が画素電極５５に書き込まれる。
以上により、時刻ｔ２６からｔ２８までの４水平走査期間に亘って負極性書込が行われる。
【００７０】
そして、時刻ｔ２８以降では、ＴＦＴ５１がオフ状態となるので、画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｍ、ｎ）は、次第に上昇して、例えば、Ｖ４に達して落ち着く。
【００７１】
また、（ｍ＋１）行目の走査線Ｙ（ｍ＋１）とｎ列目のデータ線Ｘｎとの交差に対応して設けられた画素５０が備える画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｉ＋１、ｊ）については、上述の画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｍ、ｎ）と比べて１水平走査期間だけ動作を遅らせたものである。よって、説明を省略する。
【００７２】
以上のように、各行の画素電極５５に関して、正極性書込および負極性書込において、書き込み期間をそれぞれ４水平走査期間とした。このため、上述したように、正極性書込時の電圧変動分（Ｖｇ（＋）−Ｖ３）と、負極性書込時の電圧変動分（Ｖ４−Ｖｇ（−））とは、それぞれ、書き込み期間が１水平走査期間の場合よりも小さくなって、両者の差、すなわち画素電圧の残留直流成分が小さくなる。よって、フリッカや液晶の焼付きの発生を抑制できる。
なお、本実施形態では、正極性書込および負極性書込において、書き込み期間をそれぞれ４水平走査期間としたが、これに限らず、例えば、それぞれ１０水平走査期間としてもよい。書き込み期間を長くすることで、残留直流成分は、より小さくなる。ただし、書き込み期間を長くし過ぎると、液晶の光学応答を眼で感じられるようになるので、液晶の応答速度等を勘案して、書き込み期間を適宜設定する。
【００７３】
＜変形例＞
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上述の各実施形態では、ＴＦＴ５１は、アモルファスシリコンＴＦＴで構成されるものとしたが、これに限らず、例えば高温または低温ポリシリコンＴＦＴで構成されていてもよい。また、非線形抵抗素子であってもよい。
【００７４】
＜応用例＞
次に、上述した実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶装置１を適用した電子機器について説明する。
図６は、ＦＦＳ方式の液晶装置１を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびにＦＦＳ方式の液晶装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、ＦＦＳ方式の液晶装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００７５】
なお、ＦＦＳ方式の液晶装置１が適用される電子機器としては、図６に示すもののほか、パーソナルコンピュータ、情報携帯端末、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した液晶装置が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶装置のブロック図である。
【図２】前記液晶装置を構成する画素の拡大平面図である。
【図３】前記液晶装置の画素の断面図である。
【図４】前記液晶装置のタイミングチャートである。
【図５】本発明の第２実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶装置のタイミングチャートである。
【図６】上述したＦＦＳ方式の液晶装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図７】従来例に係るＦＦＳ方式の液晶装置のタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００７７】
１…液晶装置、１１…走査線駆動回路、２１…データ線駆動回路、３０…共通線、５０…画素、５１…ＴＦＴ、５５…画素電極、５６…共通電極、６０…素子基板（第１基板）、６４…第２絶縁膜（絶縁膜）、７０…対向基板（第２基板）、３０００…携帯電話機（電子機器）、Ｘ…データ線、Ｙ…走査線。
【図１】
2007328085.tif 000003
【図２】
2007328085.tif 000004
【図３】
2007328085.tif 000005
【図４】
2007328085.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2007328085.tif 000009