(57)【要約】【課題】画像形成装置に用いる中間転写ベルトとして好適なシームレス半導電性ポリイミドベルトを提供すること。【解決手段】円筒型金型表面に成膜したポリイミド樹脂、ポリアニリン及びドーパントを含むポリアミック酸組成物の塗布膜を、実質的に酸素を含まない窒素ガス雰囲気下で加熱してイミド化反応させる製造方法により得たシームレス半導電性ポリイミドベルトであって、湿度膨張係数４０ｐｐｍ以下、屈曲破断回数８００回以上を示し、機械的、電気的に長寿命であり、高品質の転写画像が安定して得られる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド樹脂、ポリアニリン及び当該ポリアニリンを導電化するドーパントを含み、
湿度膨張係数が４０ｐｐｍ以下、且つ、屈曲破断回数が８００回以上であることを特徴とするシームレス半導電性ポリイミドベルト。
【請求項２】
シームレス半導電性ポリイミドベルトの製造方法であって、
ポリアミック酸組成物を金型に塗布して塗布膜を形成する塗布工程と、
前記塗布膜を乾燥する乾燥工程と、
実質的に酸素を含まない雰囲気下で、前記塗布膜中の前記ポリアミック酸組成物をイミド化する焼成工程と、
を有することを特徴とするシームレス半導電性ポリイミドベルトの製造方法。
【請求項３】
像担持体の表面を帯電する帯電手段と、
前記像担持体表面に潜像を形成する潜像形成手段と、
前記潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
前記トナー像を記録媒体に定着させる定着手段と、を有する画像形成装置であって、
前記転写手段は、
ポリイミド樹脂、ポリアニリン及びドーパントを含み、湿度膨張係数４０ｐｐｍ以下、且つ、屈曲破断回数８００回以上を示すシームレス半導電性ポリイミドベルトを備える
ことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シームレス半導電性ポリイミドベルト等に関し、より詳しくは、電子写真方式の画像形成装置に用いられるシームレス半導電性ポリイミドベルト等に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式を利用した画像形成装置は、無機又は有機の光導電性材料で構成された感光体からなる像担持体上に一様な電荷を付与し、画像信号を変調したレーザー光等で前記像担持体上に静電潜像を形成した後、トナーを用いて静電潜像を現像してトナー像を形成する。そして、像担持体上の前記トナー像を直接あるいは中間転写体を介して、用紙等の記録媒体に転写することにより所要の再生画像を得る。また、像担持体上に形成されたトナー像を中間転写体に一旦転写し、さらに中間転写体上のトナー像を記録媒体に二次転写する方式を採用した画像形成装置も報告されている（特許文献１参照）。
【０００３】
ここで、中間転写体方式を採用した画像形成装置の転写ベルトの材料としては、例えば、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）（特許文献２、特許文献３参照）、ポリカーボネート（ＰＣ）（特許文献４参照）、ポリアルキレンテレフタレート（ＰＡＴ）（特許文献５参照）、ＰＣとＰＡＴのブレンド材料（特許文献６参照）、エチレンテトラフロロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）とＰＣとのブレンド材料、ＥＴＦＥとＰＡＴとのブレンド材料、ＥＴＦＥとＰＣとＰＡＴのブレンド材料（特許文献７参照）等の熱可塑性樹脂に、カーボンブラック等の導電剤を分散させた導電性無端ベルトが提案されている。
【０００４】
また、機械特性の優れた材料としては、ポリイミド樹脂あるいはポリアミドイミド樹脂等を挙げることができ、例えば、カーボンブラックを分散したポリイミド樹脂からなるシームレスベルトが提案されている（特許文献８参照）。さらに、カーボンブラックを分散したポリアミドイミド樹脂を用いて、画像形成装置用転写ベルトが形成されている（特許文献９参照）。同様に、ポリイミドを用いた事例として、例えば、ポリイミド樹脂に対してポリアニリンを導電材として用い、電気ストレスに対して長寿命な転写ベルトが提案されている（特許文献１０参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開昭６２−２０６５６７号公報
【特許文献２】特開平０５−２００９０４号公報
【特許文献３】特開平０６−２２８３３５号公報
【特許文献４】特開平０６−９５５２１号公報
【特許文献５】特開平０６−１４９０８１号公報
【特許文献６】特開平０６−１４９０８３号公報
【特許文献７】特開平０６−１４９０７９号公報
【特許文献８】特開昭６３−３１１２６３号公報
【特許文献９】特開２００３−２６１７６８号公報
【特許文献１０】特開２００３−１２２４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述した従来技術においては、カーボンブラック等の導電剤を分散した熱可塑性樹脂からなる中間転写ベルトは、機械的特性が劣り、駆動時の応力に対してベルトが大きく変形する場合があり、この場合は高品質の転写画質を安定して得ることができないという問題がある。
また、ＰＶＤＦ，ＰＣ，ＥＴＦＥ等の熱可塑性樹脂にカーボンブラックを分散してなる中間転写体やシームレスベルトは、カーボンブラックの分散が不均一になると電気抵抗も不均一となり、この場合は画質の均一性が低下するという問題がある。
さらに、ポリイミド樹脂に対してポリアニリンを導電材として添加したベルトの場合は、イミド化反応の工程中にポリアニリンが分解劣化し、フィルムの機械特性を著しく低下させてしまうという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記の問題点を解消するためになされたものである。
即ち、本発明の目的は、機械的強度が優れて、均一な抵抗率を有するシームレス半導電性ポリイミドベルトを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、シームレス半導電性ポリイミドベルトの製造方法を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、機械的、電気的に長寿命、高品質の転写画像が安定して得られる画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明者等は鋭意研究・検討を重ねた結果、ポリアニリンを含むポリマーブレンド樹脂を窒素雰囲気下で焼成処理したところ、機械的、電気的寿命が伸びることを見い出し、かかる知見に基づき本発明を完成するに至った。
かくして本発明によれば、ポリイミド樹脂、ポリアニリン及びポリアニリンを導電化するドーパントを含み、湿度膨張係数が４０ｐｐｍ以下、且つ、屈曲破断回数が８００回以上であることを特徴とするシームレス半導電性ポリイミドベルトが提供される。
【０００９】
ここで、シームレス半導電性ポリイミドベルトは、機械的強度に優れることが必要であり、引張り弾性率が３．０ＧＰａ以上であることが好ましい。
また、シームレス半導電性ポリイミドベルトは、電気的特性が良好であることが必要であり、１００Ｖ計測における表面抵抗率（ｌｏｇΩ）のバラツキが０．３以下であることが好ましい。さらに、１００Ｖ計測における表面抵抗率（ｌｏｇΩ１００）と１０００Ｖ計測における表面抵抗率（ｌｏｇΩ１０００）との差（ｌｏｇΩ１００−ｌｏｇΩ１０００）（以下、「表面抵抗率の電圧依存性」と記すことがある。）が０．３以下であることが好ましい。
【００１０】
次に、本発明を製造方法の観点から把握すると、シームレス半導電性ポリイミドベルトの製造方法であって、ポリアミック酸組成物を金型に塗布して塗布膜を形成する塗布工程と、塗布膜を乾燥する乾燥工程と、実質的に酸素を含まない雰囲気下で、塗布膜中のポリアミック酸組成物をイミド化する焼成工程と、を有することを特徴とするシームレス半導電性ポリイミドベルトの製造方法が提供される。
【００１１】
ここで、実質的に酸素を含まない雰囲気下で行う焼成工程は、塗布膜を２２０℃〜３８０℃の範囲で加熱することが好ましい。このような実質的に酸素を含まない雰囲気下としては、窒素ガス雰囲気下であることが好ましい。
また、シームレス半導電性ポリイミドベルトの製造方法で使用するポリアミック酸組成物は、ポリアミック酸と脱ドープ状態のポリアニリン及びポリアニリンを導電化するドーパントを含むものである。
【００１２】
さらに、本発明によれば、像担持体の表面を帯電する帯電手段と、像担持体表面に潜像を形成する潜像形成手段と、潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、トナー像を記録媒体に定着させる定着手段と、を有する画像形成装置であって、転写手段は、ポリイミド樹脂、ポリアニリン及びドーパントを含み、湿度膨張係数４０ｐｐｍ以下、且つ、屈曲破断回数８００回以上を示すシームレス半導電性ポリイミドベルトを備えることを特徴とする画像形成装置が提供される。
【００１３】
上述したように、本発明が適用されるシームレス半導電性ポリイミドベルトは、引張り弾性率３．０ＧＰａ以上、湿度膨張係数４０ｐｐｍ以下の特性を有し、後述するように、画像形成装置の転写体として好適である。これは、本発明者等の検討によれば、ポリイミド樹脂に脱ドープ状態のポリアニリン及びドーパントを分散したポリマーブレンド樹脂を調製し、これを実質的に酸素を含まない不活性な雰囲気の焼成工程において処理することにより得られたものである。このような操作を経て得られたシームレス半導電性ポリイミドベルトは、表面抵抗率（ｌｏｇΩ）のバラツキが０．３以下、表面抵抗率（ｌｏｇΩ）の電圧依存性が０．３以下、且つ、屈曲破断回数８００回以上の特性を示し、機械的、電気的に長寿命で良質の画質が得られる転写ベルトとして好適であることを見いだしたものである。
【００１４】
ここで、表面抵抗率（ｌｏｇΩ）のベルト１本内のバラツキが過度に大きいと、高画質を目的とする画像において、電荷の不均一が発生し画像の濃淡が顕著となる傾向がある。表面抵抗率（ｌｏｇΩ）の電圧依存性が過度に大きいと、幅広い使用環境下での各種放電現象や、トナーの不用意な移動により生ずる画像欠陥が顕著となり、画像制御範囲が狭くなる傾向がある。
【００１５】
また、焼成工程での雰囲気が酸素を含む場合は、ポリアニリンが酸素により分解劣化を生じ、そのために、得られるフィルムの機械特性（特に、屈曲破断特性）が低下し、寿命維持に必要な屈曲破断回数８００回以上を維持することが困難となる傾向がある。
【００１６】
本発明が適用されるシームレス半導電性ポリイミドベルトは、画像形成装置の転写ベルトとして好適であり、特に、中間転写ベルトが望ましい。画像形成装置としては、特に限定されないが、例えば、現像装置内に単色のトナーのみを収容する通常のモノカラー画像形成装置、感光体ドラム等の像担持体上に担持されたトナー像を中間転写ベルトに順次一次転写を繰り返すカラー画像形成装置、各色毎の現像器を備えた複数の像担持体を中間転写ベルト上に直列に配置したタンデム型カラー画像形成装置等に適用することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のシームレス半導電性ポリイミドベルトによれば、画像形成装置において高品質の転写画像が安定して得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための最良の形態（実施の形態）について説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するために使用するものであり、実際の大きさを現すものではない。
初めに、図面を用いて画像形成装置を説明する。
図１は、本実施の形態が適用される画像形成装置の１例を説明する図である。図１には、一次転写を繰り返すカラー画像形成装置の概要が示されている。図１に示すように、カラー画像形成装置は、感光体ドラムからなる像担持体１と、像担持体１の回転方向に沿って周囲に配置した、帯電器２、画像書込装置３、現像装置４、一次転写器５、クリーニング装置６を有している。
現像装置４は、各色の静電潜像に対応するトナーを収容した複数の現像器４１〜４４を有する。即ち、各現像器４１〜４４には、それぞれ黒（Ｂ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）の各色トナーが収容されている。
【００１９】
また、像担持体１表面に当接し、像担持体１と一次転写器５との間を矢印方向（→）に走行する中間転写ベルト７が、テンションロール８ａ，８ｂ，８ｃ及びバックアップロール９に張架されている。バックアップロール９及びテンションロール８ａにそれぞれ対向する位置には、中間転写ベルト７を介して、それぞれバイアスロール１０およびベルトクリーナー１１が配置されている。
【００２０】
一次転写器５が中間転写ベルト７を介して像担持体１に押圧する部位が一次転写部となり、像担持体１と一次転写器５の間には一次転写電圧が印加される。バイアスロール１０がバックアップロール９に押圧する二次転写部において、バックアプロール９には、バイアスロール１０に二次転写電圧を印加する電極部材１２が押接している。
【００２１】
図１に示すカラー画像形成装置において、矢印方向に回転する像担持体１表面が、帯電器２で一様に帯電された後、画像処理されたレーザー光等の画像書込装置３により、第１色目の静電潜像が形成され、トナー像が形成される。このトナー像は、一次転写部を通過する際に、一次転写器５によって中間転写ベルト７上に静電的に一次転写される。以下、同様にして、第１色目のトナー像を担持した中間転写ベルト７上に、第２色目、第３色目及び第４色目のトナー像が順次重ね合わせるように一次転写され、最終的にフルカラー多重トナー像が形成される。
【００２２】
上述したフルカラー多重トナー像は、二次転写部を通過する際に、給紙トレイ１３から所定のタイミングで供給される記録媒体（用紙Ｐ）に静電的に一括転写される。トナー像が転写された用紙Ｐは、定着装置１４に搬送されて定着処理された後、機外に排出される。他方、一次転写後の像担持体１は、クリーニング装置６等により残留トナーや電荷が除去される。二次転写後の中間転写ベルト７は、ベルトクリーナ１１により残留トナーが除去され、次の画像形成プロセスに備える。
【００２３】
フルカラー以外の多色画像を形成する場合は、２個又は３個の現像器に多色画像に対応したトナーを収容することになる。また、単色の静電潜像を形成する場合は、画像処理された画像書込装置３により、像担持体１上に静電潜像を形成し、その色に対応するトナーのみを現像装置４に収容することにより、図１に示すカラー画像形成装置をモノカラー画像形成装置に応用することも可能である。さらに、感光体ドラム１を公知のベルト感光体に置き換えることもできる。
【００２４】
前記の一次転写器５としては、コロトロン等のコロナ転写器、転写ロール、転写ブレード等が用いられる。一次転写器５にはトナーの帯電極性と逆極性の電圧が１ｋＶ〜４ｋＶ程度印加され、像担持体１と一次転写器５との間に発生する電界の作用により、像担持体１に担持されたトナー像が中間転写ベルト７に一次転写される。
【００２５】
電極部材１２としては、電気良導性の部材であれば特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、銅等からなる金属ロール；導電性ゴムロール、導電性ブラシ、金属プレート、導電性樹脂プレート等が用いられる。電極部材１２からは、バックアップロール９を通じて−１ｋＶ〜−５ｋＶの転写電圧がバイアスロール１０に印加される。電極部材１２に印加される電圧の極性は、トナーの帯電極性に応じて逆極性（プラス）に帯電してもよい。上記の二次転写部において、電極部材１２は必ずしも必要な部材ではなく、例えばバックアップロール９の導電性シャフト又はバイアスロール１０に上記転写電圧を印加してもよい。
【００２６】
次に、画像形成装置で使用する中間転写ベルト７について説明する。本実施の形態が適用されるシームレス半導電性ポリイミドベルトの一つである中間転写ベルト７は、ポリイミド樹脂に脱ドープ状態のポリアニリン及びドーパントを分散して導電性を付与したポリマーブレンド樹脂で構成されている。そして、中間転写ベルト７の機械的特性は、引張り弾性率３．０ＧＰａ以上、湿度膨張係数４０ｐｐｍ以下であり、且つ、屈曲破断回数８００回以上である特性を有している。さらに、電気的特性は、表面抵抗率（ｌｏｇΩ：単位Ω／□）の１本内のバラツキが０．３であり、且つ、表面抵抗率（ｌｏｇΩ）の電圧依存性が、０．３以下であることを特徴とするものである。
【００２７】
ここで、湿度膨張係数とは、温度一定時の、湿度変化に対するシームレス半導電性ポリイミドベルトの可逆的な伸縮度合をあらわした係数であり、本事例では、温度３５℃相対湿度２０％ＲＨと、温度３５℃相対湿度８５％ＲＨの２環境でのシームレス半導電性ポリイミドベルトの伸び率差を、相対湿度差６５％ＲＨで除したものと定義される。
【００２８】
また、この湿度膨張係数は以下のようにして測定することができる。
まず、中間転写ベルトを幅２５．４ｍｍ×長さ２１０ｍｍに切断して試料とする。このとき、長さ方向が中間転写ベルトの周方向に沿うように合わせる。試料の下部に質量０．２４０ｋｇのチャックを兼ねた錘を取り付け、さらに試料の上部を、支持台に固定可能なもう一方のチャックに取り付け、チャック間距離が１４９ｍｍとなるように試料を鉛直に保持する。
試料の伸縮量は下部チャックの上下方向の移動量と一致するため、その下方にある指示台に固定されたマイクロゲージでベルト下部の上下方向の移動量を測定して試料の伸縮量とする。伸縮量は、例えば、伸びた場合をプラス（＋）、縮んだ場合をマイナス（−）表記とした数値で表す。マイクロゲージとしては、株式会社ミツトヨ製のＩＤ−Ｓ１０１２（最小表示量：０．０１ｍｍ、精度：０．０２ｍｍ）を用いることができる。この状態で、恒温恒湿槽を用いて（ａ）２２℃，５５％ＲＨの環境で２４時間放置し、その際の試料の伸縮量△Ｌａを用いて試料の長さを補正する。
【００２９】
次に、（ｂ）３５℃，２０％ＲＨと、（ｃ）３５℃，８５％ＲＨの環境下にて２４時間放置した際の試料の伸縮量△Ｌ２０と△Ｌ８５を測定する。湿度膨張係数Ｈは下記式（２）で与えられる。
式（２）
Ｈ（ｐｐｍ／％ＲＨ）＝１０６×（△Ｌ８５−△Ｌ２０）（ｍｍ）／（１４９−△Ｌａ）（ｍｍ）／（８５−２０）（％ＲＨ）
なお、測定は、（ｂ）→（ｃ）の条件変化について３回、（ｃ）→（ｂ）の条件変化について３回の合計６回を交互に行い、その平均値を湿度膨張係数とする。
【００３０】
本実施の形態が適用される中間転写ベルト７の製造方法は、特に限定されないが、通常、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸樹脂と脱ドープ状態のポリアニリン及びドーパント剤を含むポリアミック酸組成物からなる成膜溶液を予め調製し、この成膜溶液を、例えば、アルミ金型、円筒金型等の基材上に塗布して塗布膜を形成し（塗布工程）、次に、この塗布膜を所定の温度で乾燥して溶媒を除去し（乾燥工程）、さらに塗布膜を加熱してイミド化反応を進行させる（焼成工程）ことにより、ポリイミド樹脂を含む被膜を形成し、これをシームレス半導電性ポリイミドベルトとする方法が挙げられる。
【００３１】
本実施の形態が適用される中間転写ベルト７の製造方法は、焼成工程において、実質的に酸素を含まない雰囲気下で塗布膜を加熱し、ポリアミック酸樹脂のイミド化反応を促進させることに特徴を有している。ここで、実質的に酸素を含まない雰囲気とは、ポリアミック酸樹脂のイミド化反応を進行させる焼成工程において、機械的強度が低下する程度にポリアニリンが劣化するような量の酸素が存在しないという意味である。このような雰囲気としては、例えば、窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気下が挙げられる。
焼成工程において、ポリアミック酸組成物を含む塗布膜を加熱する温度は、特に限定されないが、通常、２２０℃〜３８０℃であり、好ましくは、２５０℃〜３２０℃である。加熱温度が過度に低いと、イミド化反応が進行しない傾向にある。また、加熱温度が過度に高いと、得られるシームレス半導電性ポリイミドベルトが脆くなる傾向にある。
尚、ポリアミック酸組成物からなる成膜溶液を塗布する基材としては、円筒形金型が好ましい。
【００３２】
ここで、中間転写ベルト７の製造において使用するポリアミック酸組成物は、脱ドープ状態のポリアニリン１モル当量に対してドーパント０．３モル当量〜１．５モル当量、好ましくは０．５モル当量〜１．０モル当量の範囲で配合するのが適当である。ドーパントの配合量が過度に少ないと、所望の導電性を発現するためのポリアニリンの量を多く配合する必要があり、必要な機械強度が得られない傾向がある。また、ドーパントの配合量が過度に多いと、２８℃、８５％ＲＨの高温、高湿度の下において、遊離しているドーパントの影響で、各種環境下での電気特性の変化が大きく、実用に供し得ない傾向がある。
【００３３】
次に、本実施の形態が適用されるシームレス半導電性ポリイミドベルトの一つである中間転写ベルト７の製造に使用する各成分について説明する。
シームレス半導電性ポリイミドベルトの製造に使用するポリアミック酸は、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物との、実質的に等モル量を、有機極性溶媒中で重合反応させて得られるものである。
以下、テトラカルボン酸二無水物及びジアミン化合物について説明する。
【００３４】
（テトラカルボン酸二無水物）
ポリアミック酸の製造に用いられ得るテトラカルボン酸二無水物としては、特に制限はなく、芳香族テトラカルボン酸二無水物、脂肪族テトラカルボン酸二無水物のいずれの化合物も使用できる。
芳香族テトラカルボン酸としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−フランテトラカルボン酸二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、３，３’，４，４’−パーフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フェニルホスフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジフェニルエーテル二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジフェニルメタン二無水物等を挙げることができる。
【００３５】
脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，３−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、３，５，６−トリカルボキシノルボナン−２−酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，２］−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物等の脂肪族又は脂環式テトラカルボン酸二無水物；１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−メチル−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−８−メチル−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］フラン−１，３−ジオン等の芳香環を有する脂肪族テトラカルボン酸二無水物等を挙げることができる。
【００３６】
上述したテトラカルボン酸二無水物の中でも、芳香族テトラカルボン酸二無水物が好ましく、更に、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物が最適に使用される。
これらのテトラカルボン酸二無水物は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００３７】
（ジアミン化合物）
次に、本実施の形態で使用するジアミン化合物は、分子構造中に２つのアミノ基を有するジアミン化合物であれば特に限定されない。
具体的には、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、１，５−ジアミノナフタレン、３，３−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、５−アミノ−１−（４’−アミノフェニル）−１，３，３−トリメチルインダン、６−アミノ−１−（４’−アミノフェニル）−１，３，３−トリメチルインダン、４，４’−ジアミノベンズアニリド、３，５−ジアミノ−３’−トリフルオロメチルベンズアニリド、３，５−ジアミノ−４’−トリフルオロメチルベンズアニリド、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，７−ジアミノフルオレン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４，４’−メチレン−ビス（２−クロロアニリン）、２，２’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジクロロ−４，４’−ジアミノ−５，５’−ジメトキシビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）−ビフェニル、１，３’−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、４，４’−（ｐ−フェニレンイソプロピリデン）ビスアニリン、４，４’−（ｍ−フェニレンイソプロピリデン）ビスアニリン、２，２’−ビス［４−（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）フェノキシ］−オクタフルオロビフェニル等の芳香族ジアミン；ジアミノテトラフェニルチオフェン等の芳香環に結合された２個のアミノ基と当該アミノ基の窒素原子以外のヘテロ原子を有する芳香族ジアミン；１，１−メタキシリレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、４，４−ジアミノヘプタメチレンジアミン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、イソフォロンジアミン、テトラヒドロジシクロペンタジエニレンジアミン、ヘキサヒドロ−４，７−メタノインダニレンジメチレンジアミン、トリシクロ［６，２，１，０２．７］−ウンデシレンジメチルジアミン、４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）等の脂肪族ジアミン及び脂環式ジアミン等を挙げることができる。
【００３８】
上述したジアミン化合物の中でも、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォンが好ましい。
これらのジアミン化合物は単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００３９】
（テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物との好ましい組み合わせ）
本実施の形態で使用するポリアミック酸としては、好ましくは、成型体の強度の観点から、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族系ジアミンとからなるものが好ましい。
【００４０】
（合成溶媒）
上述したポリアミック酸の重合反応には、通常、所定の有機極性溶媒を使用する。有機極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド等のホルムアミド系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアセトアミド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン等のピロリドン系溶媒；フェノール、ｏ−、ｍ−、又はｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコール等のフェノール系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等のエーテル系溶媒；メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール系溶媒；ブチルセロソルブ等のセロソルブ系またはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトン等を挙げることができる。これらの有機極性溶媒を単独又は混合物として用いるのが望ましいが、更に、キシレン、トルエンのような芳香族炭化水素も使用可能である。
【００４１】
本実施の形態が適用されるシームレス半導電性ポリイミドベルトは、上述のようにして得たポリイミド樹脂と導電材としてポリアニリンとを含むものである。
ここで、導電材とは、イオン電導や電子電導の機構によって、ポリイミド樹脂の電荷を除去または減少させる物質である。この中で、上記高画質を要求する転写ベルトには導電性高分子材料であるポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリアニリン等の導電性ポリマー等が好ましく用いられるが、ポリイミド樹脂との相溶性に優れる点から、ポリアニリンがより好ましく用いられる。
【００４２】
ポリイミド樹脂または導電材を溶解する有機極性溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド等を挙げることができる。これらの有機極性溶媒には、必要に応じて、クレゾール、フェノール、キシレノール等のフェノール類、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素類を混合することができる、これらの溶剤も、単独で又は２種類以上の混合物として用いることができる。
【００４３】
本実施の形態で使用するポリアニリンは、キノンジイミン構造単位及び／又はフェニレンジアミン構造単位を主たる繰り返し単位として有し、脱ドープ状態において溶剤に可溶性を有するポリアニリン（以下、「ポリアニリンキノンジイミン・フェニレンジアミン型ポリアニリン」ということがある。）が望ましい。
【００４４】
本実施の形態において、ポリアニリンをイオン導電性にするためのドーパントとしては、プロトン酸等の酸性化合物を好ましく用いることができる。ドーパントとして好ましいプロトン酸は、ポリイミド成型時の熱処理によって、容易には揮発・分解しない化合物が好ましい。このようなプロトン酸としては、例えば、スルホン酸化合物、有機カルボン酸化合物、リン酸化合物が好適に用いられる。
【００４５】
スルホン酸化合物としては、例えば、アミノナフトールスルホン酸、メタニル酸、スルファニル酸、アリルスルホン酸、ラウリル硫酸、キシレンスルホン酸、クロロベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、１−プロパンスルホン酸、１−ブタンスルホン酸、１−ヘキサンスルホン酸、１−ヘプタンスルホン酸、１−オクタンスルホン酸、１−ノナンスルホン酸、１−デカンスルホン酸、１−ドデカンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸、ブチルベンゼンスルホン酸、ペンチルベンゼンスルホン酸、ヘキシルベンゼンスルホン酸、ヘプチルベンゼンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、ノニルベンゼンスルホン酸、デシルベンゼンスルホン酸、ウンデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ペンタデシルベンゼンスルホン酸、オクタデシルベンゼンスルホン酸、ジエチルベンゼンスルホン酸、ジプロピルベンゼンスルホン酸、ジブチルベンゼンスルホン酸、メチルナフタレンスルホン酸、エチルナフタレンスルホン酸、プロピルナフタレンスルホン酸、ブチルナフタレンスルホン酸、ペンチルナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、ヘプチルナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、ノニルナフタレンスルホン酸、デシルナフタレンスルホン酸、ウンデシルナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、ペンタデシルナフタレンスルホン酸、オクタデシルナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスルホン酸、ジエチルナフタレンスルホン酸、ジプロピルナフタレンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、ジペンチルナフタレンスルホン酸、ジヘキシルナフタレンスルホン酸、ジヘプチルナフタレンスルホン酸、ジオクチルナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、トリメチルナフタレンスルホン酸、トリエチルナフタレンスルホン酸、トリプロピルナフタレンスルホン酸、トリブチルナフタレンスルホン酸、カンファースルホン酸、アクリルアミド−ｔ−ブチルスルホン酸等を挙げることができる。これらの中でも、ドデシルベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸が好適に用いられる。
【００４６】
また、有機カルボン酸化合物の具体例としては、例えば、安息香酸、ｍ−ブロモ安息香酸、ｐ−クロロ安息香酸、ｍ−クロロ安息香酸、ｐ−クロロ安息香酸、ｏ−ニトロ安息香酸、２，４−ジニトロ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、ピクリン酸、ｏ−クロロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、ｍ−ニトロ安息香酸、トリメチル安息香酸、ｐ−シアノ安息香酸、ｍ−シアノ安息香酸、チモールブルー、サリチル酸、５−アミノサリチル酸、ｏ−メトキシ安息香酸、１，６−ジニトロ−４−クロロフェノール、２，６−ジニトロフェノール、２，４−ジニトロフェノール、ｐ−オキシ安息香酸、等を挙げることができる。
【００４７】
また、リン酸化合物の具体例としては、例えば、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、フェノールホスホン酸等を挙げることができる。
【００４８】
更に、本実施の形態において、ドーパントとして用いるプロトン酸はポリマー酸であってもよい。このようなポリマー酸としては、例えば、ポリビニルスルホン酸、ポリビニル硫酸、ポリスチレンスルホン酸、スルホン化スチレン−ブタジエン共重合体、ポリアリルスルホン酸、ポリメタリルスルホン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、等を挙げることができる。
これらのドーパントの中でも、特に、ドデシルベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸、フェニルホスホン酸が好ましい。
【００４９】
本実施の形態が適用されるシームレス半導電性ポリイミドベルトである中間転写ベルト７は、通常、表面抵抗率（ｌｏｇΩ：単位Ω／□）が１０〜１３、好ましくは、１０．５〜１２の範囲である。
ここで、中間転写ベルト７の１００Ｖ計測における表面抵抗率（ｌｏｇΩ）のバラツキが０．３以下である。また、１００Ｖ計測における表面抵抗率（ｌｏｇΩ１００）と１０００Ｖ計測における表面抵抗率（ｌｏｇΩ１０００）との差（ｌｏｇΩ１００−ｌｏｇΩ１０００）（表面抵抗率の電圧依存性）が０．３以下である。
さらに、中間転写ベルト７は、通常、体積抵抗率（ｌｏｇΩ：単位Ωｃｍ）が９〜１３、好ましくは、１０〜１２の範囲であることが適当である。
中間転写ベルト７の表面抵抗率及び体積抵抗率は、脱ドープ状態のポリアニリン量及びドーパント量を調節することによって上記範囲を容易に得ることができる。
【００５０】
本実施の形態が適用される中間転写ベルト７を構成するシームレス半導電性ポリイミドベルトは、ポリイミド樹脂とポリアニリン及びポリアニリンを導電化するドーパントを含むものである。これらの各成分の割合は、特に限定されないが、通常、ポリイミド樹脂１００部に対して、ポリアニリン５部〜４０部、好ましくは、８部〜２０部、より好ましくは、８部〜１３部を配合する。ポリアニリンの配合量が過度に少ないと、表面抵抗率や体積抵抗率が好ましい範囲より高くなる傾向がある。また、ポリアニリンの配合量が過度に多いと、表面抵抗率や体積抵抗率が好ましい範囲より低くなり、かつ、機械特性が劣る傾向がある。
【００５１】
また、ドーパントは、前述した中間転写ベルト７の製造において使用するポリアミック酸組成物を調製する段階で配合される。配合量は、通常、脱ドープ状態のポリアニリン１モル当量に対してドーパント０．３モル当量〜１．５モル当量、好ましくは０．５モル当量〜１．０モル当量の範囲で配合するのが適当である。ドーパントの配合量が過度に少ないと、所望の導電性を発現するためのポリアニリンの量を多く配合する必要があり、必要な機械強度が得られない傾向がある。また、ドーパントの配合量が過度に多いと、２８℃、８５％ＲＨの高温、高湿度の下において、遊離しているドーパントの影響で、各種環境化での電気特性の変化が大きく、実用に供し得ない傾向がある。
【実施例】
【００５２】
以下に、実施例に基づき本実施の形態をさらに詳細に説明する。なお、本発明は実施例に限定されるものではない。
（１）ポリアニリン溶液の調製
ポリアニリンキノンジイミン・フェニレンジアミン型ポリアニリンを、酸解離定数ｐＫａ値４．０以下のプロトン酸である硫酸でドーピングしてアニリンの酸化重合体を生成し、次いで、このドープされたポリアニリンを塩基性物質であるヒドラジンによって脱ドープし脱ドープ状態のポリアニリンを得た。この脱ドープ状態のポリアニリンをＮ−メチル−２ピロリドンに溶解して脱ドープ状態のポリアニリン溶液（濃度１５重量％）を得た。
【００５３】
（２）ベルトの特性値測定
（ａ）表面抵抗率
抵抗計（ハイレスターＩＰのＨＲプローブ：油化電子（株）製）を用い、ＪＩＳ  Ｋ６９１１（１９９５年）に準拠し、それぞれ１００Ｖ、１０００Ｖの電圧を印加してから３０秒後の電流値を読み取ることにより測定した（単位：ｌｏｇΩ／□）。
（ｂ）引張り弾性率
引張り試験機（アイコーエンジニアリング社製ＭＯＤＥＬ−１６０５Ｎ）を用い、ＪＩＳ  Ｋ７１２７（１９９９年）に準拠して測定した（単位：ＧＰａ）。
（ｃ）屈曲破断回数
ＭＩＴ試験機（東洋精機株式会社製：ＭＩＴ耐揉疲労試験機ＭＩＴ−ＤＡ）を用い、ＪＩＳ  Ｐ８１１５（２００１年）に準拠して測定した（単位：回）。
（ｄ）湿度膨張係数
湿度膨張係数は、任意に選択したシームレス半導電性ポリイミドベルト３本に対し、１ベルトに付き、任意の１箇所を用いて試料を作製し、それを前述の方法で測定した（単位：ｐｐｍ）。
【００５４】
（３）画質評価および寿命評価
シームレス半導電性ポリイミドベルトを、図１に示す構造を有する画像形成装置（富士ゼロックス株式会社製ＤｏｃｕＣｏｌｏｒ  １２５６  ＧＡ）の中間転写ベルトとして取り付け、次に基準に基づき評価した。
（ａ）濃度均一性
出力したマゼンタ３０％濃度ハーフトーンの画像の濃淡を目視で判定した。
（ｂ）環境ラチチュード
温度１０℃、湿度１５％の環境、温度２２℃、湿度５５％の環境及び温度２８℃、湿度８５％のそれぞれ環境において、画像制御系を一定条件にした上で、標準チャートの画質欠陥を評価した。
（ｃ）寿命評価
中間転写ベルトを装着する部品に、機械公差の上限の変位を予め与えた上で中間転写ベルトを装着し、擬似運転を実施し、ベルトの亀裂や破断の状況を確認した。
【００５５】
実施例１
（成膜溶液の調製）
前述した脱ドープ状態のポリアニリン溶液１００ｇに、脱ドープ状態のポリアニリンに対して０．７５モル当量のドデシルベンゼンスルフォン酸を加えたものを、ポリアミック酸樹脂のＮ−メチル−２ピロリドン溶液（宇部興産株式会社製ユーワニスＡ  濃度１８重量％）９００ｇに加えて十分攪拌した。これにより、脱ドープ状態のポリアニリンと、ドーパントのドデシルベンゼンスルフォン酸と、ポリアミック酸樹脂からなる成膜溶液を得た。
【００５６】
（塗布膜の形成）
前記の成膜溶液をΦ１７０ｍｍのアルミ製円筒状金型表面に厚さ４００μｍに均一に塗布して塗布膜を形成し、１２０℃で３０分間乾燥した後、さらに１５０℃から３２０℃まで段階的に窒素雰囲気中で昇温して焼成を終了した後、これを剥離して厚さ８０μｍのドープ状態のポリアニリン１０重量％を含有してなるシームレス半導電性ポリイミドベルトを得た。得られたベルトの各特性値及び画質評価と寿命評価の結果を表１に示す。
尚、表１中、ポリイミド組成は以下のとおりである。
ＢＰＤＡ：３、３’、４、４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＯＤＡ：４、４’−ジアミノジフェニルエーテル（別呼称：オキシジアニリン）
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物
【００５７】
実施例２
前述した脱ドープ状態のポリアニリン溶液１００ｇに、脱ドープ状態のポリアニリンに対して０．７５モル当量のドデシルベンゼンスルフォン酸を加えたものを、ポリアミック酸樹脂のＮ−メチル−２ピロリドン溶液（宇部興産株式会社製ユーワニスＡ  濃度１８重量％）９００ｇに加えて十分に攪拌した。これにより、脱ドープ状態のポリアニリンと、ドーパントのドデシルベンゼンスルフォン酸と、ポリアミック酸樹脂からなる塗液を得た。
次に、実施例１と同様の方法で成膜溶液を調製した後、アルミ製円筒状金型表面に塗布膜を形成し、乾燥、焼成を２５０℃まで行い、シームレス半導電性ポリイミドベルトを得た。得られたベルトの各特性値及び画質評価と寿命評価の結果を表１に示す。
【００５８】
比較例１
Ｎ−メチル−２ピロリドンにカーボンブラック（デグサ株式会社製スペシャルブラック４）を加えてミキサーで混合した１８ｗｔ％カーボンブラック溶液１００ｇを、実施例で用いたポリアミドイミド樹脂のＮ−メチル−２ピロリドン溶液９００ｇに加えて十分に攪拌し、カーボンブラックとポリイミドからなると液を得た。次に、実施例１と同様の方法で成膜溶液を調製した後、アルミ製円筒状金型表面に塗布膜を形成し、乾燥、焼成を２５０℃まで行い、シームレス半導電性ポリイミドベルトを得た。得られたベルトの各特性値及び画質評価と寿命評価の結果を表１に示す。
【００５９】
比較例２
実施例１及び実施例２で用いたポリアニリン溶液１００ｇに、脱ドープ状態のポリアニリンに対して０．７５モル当量のドデシルベンゼンスルフォン酸を加えたものを、ポリアミック酸樹脂のＮ−メチル−２ピロリドン溶液（宇部興産株式会社製ユーワニスＡ  １８重量％）９００ｇに加えて十分に攪拌した。これにより、脱ドープ状態のポリアニリンと、ドーパントのドデシルベンゼンスルフォン酸と、ポリアミック酸樹脂からなる成膜溶液を得た。この成膜溶液をΦ１７０ｍｍのアルミ製円筒状金型表面に厚さ４５０μｍに均一に塗布し、１２０℃で３０分乾燥した後、さらに１５０℃から３２０℃まで段階的に空気雰囲気中で昇温して焼成を終了した後、これを剥離して厚さ８０μｍのドープ状態のポリアニリン１０重量％を含有してなるシームレス半導電性ポリイミドベルトを得た。得られたベルトの各特性値及び画質評価と寿命評価の結果を表１に示す。
【００６０】
比較例３
実施例１及び実施例２で用いたポリアニリン溶液１００ｇに、脱ドープ状態のポリアニリンに対して０．７５モル当量のドデシルベンゼンスルフォン酸を加えたものを、ポリアミック酸樹脂のＮ−メチル−２ピロリドン溶液（宇部興産株式会社製ユーワニスＡ８０％と東レ（株）トレニース３０００  ２０％の混合物、１８重量％）９００ｇに加えて十分に攪拌した。これにより、脱ドープ状態のポリアニリンと、ドーパントのドデシルベンゼンスルフォン酸と、ポリアミック酸樹脂からなる成膜溶液を得た。
この成膜溶液をΦ１７０ｍｍのアルミ製円筒状金型表面に厚さ４５０μｍに均一に塗布し、１２０℃で３０分乾燥した後、さらに１５０℃から３８０℃まで段階的に空気雰囲気中で昇温して焼成を終了した後、これを剥離して厚さ８０μｍのドープ状態のポリアニリン１０重量％を含有してなるシームレス半導電性ポリイミドベルトを得た。得られたベルトの各特性値及び画質評価と寿命評価の結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
2007219416.tif 000002
【００６２】
（評価結果）
表１の結果から、ポリイミド樹脂とポリアニリン及びドーパントを含み、湿度膨張係数４０ｐｐｍ以下、且つ、屈曲破断８００回以上であるシームレス半導電性ポリイミドベルトを中間転写ベルトとして用いる場合（実施例１、実施例２）は、画質及び寿命が良好な結果が得られることが分かる。
一方、ポリイミド樹脂にポリアニリンの代わりにカーボンブラックを含むシームレス半導電性ポリイミドベルトを中間転写ベルトとして用いる場合（比較例１）は、表面抵抗率（ｌｏｇΩ）のバラツキが０．３を超え（０．６）、且つ、表面抵抗率の電圧依存性（ｌｏｇΩ１００−ｌｏｇΩ１０００）が０．３を超える（１．３）。さらに、画質評価において濃度均一性が不良であり、また、寿命評価では８０ｋで濃度変化が生じる。これは、導電剤であるカーボンブラックの分散性が実施例１、２に用いたポリアニリンよりも悪く、抵抗の不均一を生じていると共に、経時により抵抗の部分的な変化が顕著になったためと推測される。
また、ポリイミド樹脂とポリアニリン及びドーパントを含むものの、屈曲破断１４０回であるシームレス半導電性ポリイミドベルトを中間転写ベルトとして用いる場合（比較例２）は、寿命評価において１５０ｋで破断することが分かる。これは、焼成工程を空気雰囲気下で行ったことによりポリアニリンに劣化が生じたものと考えられる。
さらに、ポリイミド樹脂とポリアニリン及びドーパントを含むものの、湿度膨張係数４８ｐｐｍであるシームレス半導電性ポリイミドベルトを中間転写ベルトとして用いる場合（比較例３）は、画質評価においては環境ラチチュードが狭くなり、良好な画質が得られないことが分かる。
【００６３】
以上、本実施例で説明したシームレス半導電性ポリイミドベルトは、中間転写ベルトの機能上重要な電気的特性及び機械的特性を有することが分かる。さらに、画像形成装置の実機を用いた画質評価及び寿命評価の結果により、中間転写ベルト上での画質制御機構に対応でき、高画質且つ長寿命な中間転写ベルトを得ることが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本実施の形態が適用される画像形成装置の１例を説明する図である。
【符号の説明】
【００６５】
１…像担持体、２…帯電器、３…画像書込装置、４…現像装置、５…一次転写器、７…中間転写ベルト、８ａ，８ｂ，８ｃ…テンションロール、９…バックアップロール、１０…バイアスロール、１３…給紙トレイ、１４…定着装置
【図１】
2007219416.tif 000003