(57)【要約】【課題】パターン異常を生じさせずに繰り返しパターンが描画できるパターン描画方法及びフォトマスク製造方法、並びにフォトマスクを得、パターン描画の精度向上を図る。【解決手段】基板上の描画領域に所定のビーム幅を有するエネルギービームを走査させ、前記基板上の描画領域に所定のパターンを描画する際に、エネルギービームを第１の方向（Ｘ方向）に主走査するスキャン動作を第１の方向とは異なる副走査方向に沿って繰り返し行い、描画領域に所定のパターンを描画し、次いで、基板とエネルギービームとを基板平面の法線方向を軸として相対的に所定角度回転させ、さらに、エネルギービームを第１の方向とは異なる第２の方向（Ｙ方向）に主走査するスキャン動作を第２の方向とは異なる副走査方向に沿って繰り返し行い、先のパターンを所定角度回転させて得た変換パターンを描画領域に描画するようにした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の描画領域にエネルギービームを走査させ、前記描画領域に所定のパターンを描画するパターン描画方法であって、
前記エネルギービームを第１の方向に主走査するスキャン動作を前記第１の方向とは異なる副走査方向に沿って繰り返し行い、前記描画領域に所定のパターンを描画する第１描画ステップと、
前記基板と前記エネルギービームとを前記基板平面の法線方向を軸として相対的に所定角度回転させる回転ステップと、
前記エネルギービームを前記第１の方向とは異なる第２の方向に主走査するスキャン動作を前記第２の方向とは異なる副走査方向に沿って繰り返し行い、前記所定のパターンを前記所定角度回転させて得た変換パターンを前記描画領域に描画する第２描画ステップと、を含むことを特徴とするパターン描画方法。
【請求項２】
前記回転ステップの所定角度が９０゜であることを特徴とする請求項１記載のパターン描画方法。
【請求項３】
前記回転ステップの所定角度が４５゜であることを特徴とする請求項１記載のパターン描画方法。
【請求項４】
前記第２描画ステップの後、スキャン動作の主走査方向が描画済みのスキャン動作の主走査方向とは異なる方向となるように、前記回転ステップと前記描画ステップとを少なくとも１回繰り返し行うことを特徴とする請求項１記載のパターン描画方法。
【請求項５】
繰り返し行う前記描画ステップにおける前記エネルギービームの主走査方向が、前記第１の方向、及び前記第１の方向に対して正と負の等角度に傾斜した方向を含むことを特徴とする請求項４記載のパターン描画方法。
【請求項６】
前記各描画ステップのスキャン動作が、前記エネルギービームの今回の主走査に対するビーム幅と前回の主走査に対するビーム幅との少なくとも一部が互いにオーバーラップするスキャン動作であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項記載のパターン描画方法。
【請求項７】
前記各描画ステップにおけるエネルギービームの強度が、前記パターンの描画に必要となる所要量の強度値を、前記各描画ステップの総数で除した強度値にそれぞれ設定し、該設定された強度のエネルギービームで描画することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項記載のパターン描画方法。
【請求項８】
レジスト層の形成された基板上の描画領域に所定のビーム幅を有するエネルギービームを照射し、前記基板と前記エネルギービームとの相対移動により前記レジスト層に所定のパターンを形成するフォトマスク製造方法であって、
請求項１〜請求項７のいずれか１項記載のパターン描画方法に基づいて前記レジスト層をパターニングしてフォトマスクを形成することを特徴とするフォトマスク製造方法。
【請求項９】
請求項８記載のフォトマスク製造方法により製造されたことを特徴とするフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子製造用のフォトマスク等を製造するためにエネルギービームを照射して所望のパターンを基板上の描画領域に描画するパターン描画方法及びフォトマスク製造方法、並びにフォトマスクに関し、特に、走査方向のばらつきに起因する描画パターンの精度低下を回避する改良技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の表示装置は、ディスプレイの高精細化が進んでいることから、表示装置のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイやカラーフィルター等の製造に用いられるフォトマスクのパターンについても微細化が進んでいる。上記のようなフォトマスクとしては、所定サイズの透明基板上に所定の遮光膜（クロム系膜等）パターンが形成されたものが一般的である。このようなフォトマスクは、通常、透明基板上に所定の遮光膜（クロム系膜）が形成されたフォトマスクブランク上にレジスト膜を塗布し、レジスト膜に、電子線又はレーザ等のエネルギービームを用いてパターン描画を行った後、現像処理を行いレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、残存したレジストパターンを剥離して、所定の洗浄工程を経てフォトマスクを製造する。
【０００３】
ところで、フォトマスクは、パターンの描画にラスタスキャン方式を用いるのが主流である。ラスタスキャン方式は、描画エリア全面を、エネルギービーム（電子線或いはレーザ）が走査して、パターン部分に達するとビームがＯＮとなり描画を行う方式である。この方式は、図７に示されるように、スキャン幅（一般的には、描画装置において設定されているビームの振り幅）で現されるＸ方向の長さ１とビーム径（複数のビームを用いる場合はその合計）で現されるＹ方向の長さ３とからなる描画単位５（図上斜線を付した部分）を有し、ビームの走査は描画単位毎に、描画領域内のＹ方向の始点から終点まで矢印７のように順次スキャンされ（このスキャンを１ストライプ９のスキャンと呼ぶ）、それをＸ方向にずらしながら順次繰り返され、描画領域全面がスキャンされる。
【０００４】
また、ラスタスキャン方式の描画において、例えば、特許文献１の従来技術、或いは特許文献２の発明として記載されているような、転写像の解像度を向上させるために、ビーム径を小さくして描画単位の密度を増大させた上で、図８に示すように、１ストライプ９ａ，９ｂのスキャンをオーバーラップさせることで、Ｘ方向に隣接する描画単位５ａ，５ｂに重なりをもたせ、かつ描画単位５ａ，５ｂをＹ方向にお互いずらす、多重露光（多重描画）が知られている。この場合、多重露光される部分の露光量が本来の露光量となるように、各々のビーム出力が調整されることは勿論である。また、Ｘ方向に重なりを持たせることは、描画パターンのムラの発生を低減させることにも有効である。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３１１４６５号公報
【特許文献２】特開２００４−３３３９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ラスタスキャン方式は、一定スキャン幅の１ストライプ９で走査するものであり、隣接する１ストライプ９同士で必ず相互に並行となる繋ぎ部分１１ａ（図７参照）が発生する。多重描画においては、１ストライプ９単位の露光量を少なくすることにより、繋ぎ部分１１ｂ（図８参照）の露光量は減少して目立たなくなるものの、スキャン方向が一方向であり、描画単位の繋ぎ部分１１ｂはＹ方向に連続して存在するため、依然としてパターン異常（筋ムラ）となってしまう問題があった。特に画像系のフォトマスクでは感度が増幅されるため、顕著にパターン異常が筋ムラとして見えてしまう問題があった。また、ハニカム構造の固体撮像素子は、光電変換部を構成するフォトダイオードが八角形であるため、遮光膜のエッジが斜め方向であり、さらに電荷転送部の電荷転送電極もこのフォトダイオードの外縁に沿って形成されるため、斜め４５゜方向の経路を有して形成される。このような斜め形状を多く含むパターン用のフォトマスクは、ラスタスキャン方式によるＸＹ方向のみの走査では、斜め部がギザギザとなり、製造条件を整えないと斜めパターンを高精度に描画することが困難となる場合もあった。
【０００７】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、その目的は、パターン異常を生じさせずに繰り返しパターンが描画でき、また、斜め部がギザギザとならないパターン描画方法及びフォトマスク製造方法、並びにフォトマスクを提供し、もって、パターン描画の精度向上を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る上記目的は、下記構成により達成される。
（１）  基板上の描画領域にエネルギービームを走査させ、前記描画領域に所定のパターンを描画するパターン描画方法であって、前記エネルギービームを第１の方向に主走査するスキャン動作を前記第１の方向とは異なる副走査方向に沿って繰り返し行い、前記描画領域に所定のパターンを描画する第１描画ステップと、前記基板と前記エネルギービームとを前記基板平面の法線方向を軸として相対的に所定角度回転させる回転ステップと、前記エネルギービームを前記第１の方向とは異なる第２の方向に主走査するスキャン動作を前記第２の方向とは異なる副走査方向に沿って繰り返し行い、前記所定のパターンを前記所定角度回転させて得た変換パターンを前記描画領域に描画する第２描画ステップと、を含むことを特徴とするパターン描画方法。
【０００９】
このパターン描画方法によれば、第１描画ステップにより第１の方向にスキャンが繰り返されて描画された後、回転ステップによりエネルギービームと基板とが所定角度回転され、第２描画ステップにより第２の方向にスキャンが繰り返されて所望のパターンが描画される。すなわち、従来では行われなかったスキャン方向の変更が、所定角度毎に行われることとなる。これにより、隣接するスキャン領域同士の繋ぎ部分、或いはスキャン領域内の隣接パス同士の繋ぎ部分が異なる位置に分散され、繋ぎ部分が一方向に揃うことによるパターン異常（例えば筋ムラ）が軽減される。
【００１０】
（２）  前記回転ステップの所定角度が９０゜であることを特徴とする（１）記載のパターン描画方法。
【００１１】
このパターン描画方法によれば、第１の方向にスキャンが繰り返されて描画された後、エネルギービームと基板とが９０゜相対回転され、第２の方向にスキャンが繰り返されて、９０゜回転させた変換パターンが重なって描画される。すなわち、従来では行われなかったスキャン方向の変更が、９０゜の回転変換によって行われることとなる。これにより、繋ぎ部分が異なる位置に分散され、繋ぎ部分が一方向に見えることによるパターン異常（例えば筋ムラ）が軽減される。
【００１２】
（３）  前記回転ステップの所定角度が４５゜であることを特徴とする（１）記載のパターン描画方法。
【００１３】
このパターン描画方法によれば、第１の方向にスキャンが繰り返されて描画された後、エネルギービームと基板とが４５゜相対回転され、第２の方向にスキャンが繰り返されて、４５゜回転させた変換画像データが重なって描画される。すなわち、従来では行われなかったスキャン方向の変更が、４５゜の回転変換によって行われることとなる。これにより、繋ぎ部分が異なる位置に分散され、繋ぎ部分が一方向に見えることによるパターン異常（例えば筋ムラ）が軽減されるとともに、ハニカム構造の固体撮像素子のように、斜め形状を多く含むパターンであっても、斜め部のギザギザを無くして、斜めパターンの高精度な描画が可能となる。
【００１４】
（４）  前記第２描画ステップの後、スキャン動作の主走査方向が描画済みのスキャン動作の主走査方向とは異なる方向となるように、前記回転ステップと前記描画ステップとを少なくとも１回繰り返し行うことを特徴とする（１）記載のパターン描画方法。
【００１５】
このパターン描画方法によれば、スキャン動作の主走査方向を、描画済みのスキャン動作の主走査方向とは異なる方向になるよう回転ステップを実施し、その回転させた主走査方向で描画ステップを実施することを複数回繰り返し行うことにより、繋ぎ部分が異なる多数の位置に分散され、繋ぎ部分が一方向に揃うことによるパターン異常（例えば筋ムラ）がより軽減されるとともに、ハニカム構造の固体撮像素子のように、斜め形状を多く含むパターンであっても、斜め部のギザギザをより無くして、斜めパターンの一層高精度な描画が可能となる。
【００１６】
（５）  繰り返し行う前記描画ステップにおける前記エネルギービームの主走査方向が、前記第１の方向、及び前記第１の方向に対して正と負の等角度に傾斜した方向を含むことを特徴とする請求項４記載のパターン描画方法。
【００１７】
このパターン描画方法によれば、各スキャン動作のエネルギービームの主走査方向が、第１の方向、及び第１の方向に対して正と負の等角度に傾斜した方向を含むことにより、描画される画像データが第１の方向、及びこれとは傾斜する方向を主走査方向として描画され、繋ぎ部分のムラが軽減される。
【００１８】
（６）  前記各描画ステップのスキャン動作が、前記エネルギービームの今回の主走査に対するビーム幅と前回の主走査に対するビーム幅との少なくとも一部が互いにオーバーラップするスキャン動作であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１項記載のパターン描画方法。
【００１９】
このパターン描画方法によれば、エネルギービームのスキャン領域がオーバーラップするように主走査することで、繋ぎ部分のムラが軽減されてパターン異常の発生が低減される。
【００２０】
（７）  前記各描画ステップにおけるエネルギービームの強度が、前記パターンの描画に必要となる所要量の強度値を、前記各描画ステップの総数で除した強度値にそれぞれ設定し、該設定された強度のエネルギービームで描画することを特徴とする（１）〜（６）のいずれか１項記載のパターン描画方法。
【００２１】
このパターン描画方法によれば、一描画単位の露光量を少なくすることにより、繋ぎ部分の露光量を減少させて目立たなくでき、フォトマスクのパターン異常（例えば筋ムラ）が軽減される。
【００２２】
（８）  レジスト層の形成された基板上の描画領域に所定のビーム幅を有するエネルギービームを照射し、前記基板と前記エネルギービームとの相対移動により前記レジスト層に所定のパターンを形成するフォトマスク製造方法であって、（１）〜（７）のいずれか１項記載のパターン描画方法に基づいて前記レジスト層をパターニングしてフォトマスクを形成することを特徴とするフォトマスク製造方法。
【００２３】
このフォトマスク製造方法によれば、パターン異常を生じさせずに繰り返しパターンが描画でき、また、斜め部がギザギザとならないフォトマスクを得ることができる。
【００２４】
（９）（８）項記載のフォトマスク製造方法により製造されたことを特徴とするフォトマスク。
【００２５】
このフォトマスクによれば、従来のフォトマスクに比べ、パターン異常の軽減されたパターンが形成され、高品位な転写像の形成が可能となる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係るパターン描画方法及びフォトマスク製造方法によれば、エネルギービームを第１の方向に主走査するスキャン動作を第１の方向とは異なる副走査方向に沿って繰り返し行うことによって描画領域に所定のパターンを描画し、基板とエネルギービームとを基板平面の法線方向を軸として相対的に所定角度回転させ、その後、エネルギービームを第１の方向とは異なる第２の方向に主走査するスキャン動作を第２の方向とは異なる副走査方向に沿って繰り返し行うので、描画領域に所定のパターンを所定角度回転させた変換パターンが、パターン自体を一致させるように複数回描画される。このように、スキャン方向が変更されることにより、隣接するスキャン領域同士の繋ぎ部分、或いはスキャン領域内の隣接パス同士の繋ぎ部分を異なる位置に分散させることができ、繋ぎ部分が一方向に揃うことによるフォトマスクのパターン異常（例えば筋ムラ）を軽減することができる。この結果、パターン異常を生じさせずに繰り返しパターンが描画でき、パターン描画の精度を向上させることができる。
また、本発明に係るフォトマスクによれば、上記のフォトマスク製造方法で製造されるので、従来のフォトマスクに比べ、パターン異常を軽減させたパターンを形成でき、高品位な転写像を得ることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明に係るパターン描画方法及びフォトマスク製造方法、並びにフォトマスクの好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明に係るフォトマスクの製造時に用いる露光装置の概略構成を表した斜視図である。
本実施の形態によるフォトマスク製造方法は、まず、光学研磨されたマスク基板２１にクロム等の金属薄膜層を形成し、さらに、クロロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レジストを、回転塗布法等により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ０．１〜０．２μｍ程度のレジスト層を形成する。加熱乾燥処理は、レジストの種類や使用する装置によって異なるが、温度は８０〜１８０℃であり、時間はオーブンの場合２０〜６０分、ホットプレートの場合１〜３０分程度行う。次いで、レジスト層に、電子線露光装置１００等によるエネルギービームでパターン描画する。
【００２８】
パターン描画では、マスク基板２１を、横軸（第１の方向：Ｘ軸）、縦軸（第２の方向：Ｙ軸）に移動可能で、かつＸＹ軸の交点を通りこのＸＹ軸に直交するＺ軸回りに回転可能なステージ２３に固定しておく。パターン描画に用いられるエネルギービームが、電子ビームである場合には、ビームを磁場で偏向することによりビームを走査する。一方、エネルギービームがレーザービームである場合には、多数のスポットビームを用いるマルチビームとして利用され、光源２５からの１本のビームＬｂをビームスプリッターにより複数本のレーザービームに分割する。その後、音響光学素子等により各ビームの進行のオン、オフを所定のパターンに応じて制御し、別の音響光学素子、又は回転ミラー２７によりマスク基板２１上を一定の距離で走査し、マスク基板２１上に露光する。この時、マルチビームの場合は、各ビームを同時に走査、露光する。なお、図１中、２９はミラー、３１はレンズを示す。
【００２９】
図２にマルチビームのＸ方向への走査により描画される領域を表した模式図を示した。
ここでは、複数のビームスポットＬＢを有するマルチビームを一定の距離だけ主走査露光させた照射パターンを基本単位（１パス）とする。そして、基本単位を照射した後に、マスク基板２１を移動（副走査）し、再び同様にしてビームを主走査し基本単位を照射した後、マスク基板２１を移動する。このようにビームの主走査とマスク基板２１の移動（副走査）により単位毎の照射を繰り返すことにより周期をもって多面付けし、マスク基板２１全体の描画を終える。
【００３０】
図３は第１実施形態のフォトマスク製造時におけるパターン描画方法を説明する模式図である。
本実施の形態によるフォトマスク製造方法では、描画領域３５において、エネルギービームをＸ方向に主走査して１番目のスキャンを終了した後、エネルギービームとマスク基板２１とをＹ方向に相対移動（副走査）させて、２番目のスキャンを終了し、さらに、Ｙ方向にｎ番目までのスキャンを繰り返して、レジスト層が形成されたマスク基板２１上のＸＹ平面に画像データを描画する。
【００３１】
ところで、電子線露光装置１００は、マスク基板２１上のパターンの非描画領域３７において、適当な凹凸パターンを有する位置合わせマーク３３を形成しておき、この位置合わせマーク３３をＨｅ−Ｎｅレーザ等のレーザ光で走査することで、エネルギービームとマスク基板２１との相対的な位置決めを可能にするアライメント機構を有している。このアライメント機構は、位置合わせマーク３３に由来する反射光を検出したり、或いは回折光や散乱光の最大強度位置を検出することにより、マスク基板２１の向きや中心部の座標をＣＲＴ画面上でモニタし、ステージ２３を駆動してその位置を微調整可能としている。
【００３２】
ここで、本実施の形態によるフォトマスク製造方法では、所要量の略半分の強度のエネルギービームでＸ方向に主走査し、矢印Ａの向きでＹ方向（副走査方向）にｎ番目までのスキャンを繰り返して描画した後、エネルギービームとＸＹ平面とをＺ軸回りに９０°相対回転させる。すなわち、スキャン方向が変更される。次いで、所要量の略半分の強度のエネルギービームをＸ方向から９０゜回転させた方向（図３のＢ方向と直交する方向）に主走査して９０°回転１番目のスキャンを終了した後、矢印Ｂの向き（副走査方向）に沿って９０°回転ｎ番目までのスキャンを繰り返す。これにより、ＸＹ平面であるスキャン領域（描画領域）３５に、９０°回転させた変換画像データを重ねて描画する。
【００３３】
このようにしてパターン形成を行った後、エチルセロソルブやエステル等の有機溶剤を主成分とする現像液で現像後、アルコール等でリンスし、レジストパターンを形成する。次いで、必要に応じて、加熱処理及びデスカム処理を行って、レジストパターンのエッジ部分等に残存した残渣、スカム等の不要なレジストを除去した後、レジストパターンの開口部より露出した金属薄膜層をエッチングガスプラズマによってドライエッチングし、遮光金属薄膜パターンを形成する。なお、この金属薄膜層のエッチング工程はドライエッチングに代えてウエットエッチングによって行ってもよい。この後、レジストパターンを酸素プラズマによって灰化除去し、金属薄膜層により遮光パターンが形成されたフォトマスクを完成させる。
【００３４】
このように、本実施の形態によるフォトマスク製造方法では、第１描画ステップにより第１の方向（Ｘ方向）にスキャンが繰り返されて描画された後、回転ステップによりエネルギービームと基板とが所定角度（９０゜）回転され、第２描画ステップにより第２の方向（Ｙ方向）にスキャンが繰り返されて描画される。
【００３５】
したがって、このフォトマスク製造方法によれば、パターン描画の際にスキャン方向が途中で変更されることとなり、隣接するスキャン領域同士の繋ぎ部分、或いはスキャン領域内の隣接パス同士の繋ぎ部分を異なる位置に分散させることができ、繋ぎ部分が一方向に見えることによるフォトマスクのパターン異常（例えば筋ムラ）を軽減することができる。この結果、パターン異常を生じさせずに繰り返しパターンが描画でき、パターン描画の精度を向上させることができる。
【００３６】
また、上記のフォトマスク製造方法で製造されたフォトマスクによれば、従来のフォトマスクに比べ、パターン異常の軽減されたパターンが形成され、高品位な転写像を得ることができるようになる。
【００３７】
次に、本発明に係る第２の実施の形態を説明する。
図４は第２実施形態のフォトマスク製造時におけるパターン描画方法を説明する模式図である。
このフォトマスク製造方法は、所要量の略半分のエネルギービームをＸ方向に主走査して１番目のスキャンを終了した後、エネルギービームとマスク基板２１とをＹ方向に相対移動（副走査）させて、２番目のスキャンを終了し、さらに、Ｙ方向にｎ番目までのスキャンを繰り返して、レジスト層が形成されたマスク基板２１上のＸＹ平面に画像データを描画する。
【００３８】
このように、矢印Ａの向きでＹ方向にｎ番目までのスキャンを繰り返して描画を行った後、エネルギービームとＸＹ平面とを、Ｚ軸回りに４５°相対回転させる。そして、所要量の略半分のエネルギービームをＸ方向から４５゜回転させた方向（図４のＢ方向と直交する方向）に主走査して４５°回転１番目のスキャンを終了した後、矢印Ｂの向き（副走査方向）に沿って４５°回転ｎ番目までのスキャンを繰り返して、ＸＹ平面に、４５°回転させた変換画像データを重ねて描画する。
【００３９】
したがって、このフォトマスク製造方法によれば、Ｙ方向にｎ番目までのスキャンが繰り返されて描画された後、エネルギービームとＸＹ平面とがＺ軸回りに４５°相対回転され、４５゜回転させた方向を主走査方向としてｎ番目までのスキャンが繰り返されて、４５°回転させた変換画像データが重ねて描画される。すなわち、従来では行われなかったスキャン方向の変更が４５°の回転変換によって行われることとなる。これにより、上記同様の作用により、繋ぎ部分が異なる位置に分散され、繋ぎ部分が一方向に見えることによるフォトマスクのパターン異常（例えば筋ムラ）が軽減される。
【００４０】
また、図５にハニカム構造を有する固体撮像素子の平面図を示すように、ハニカム構造の固体撮像素子では、光電変換部を構成するフォトダイオード３９は八角形であるため、遮光膜のエッジは斜め方向となっている。さらに電荷転送部の電荷転送電極４１ａ、４１ｂはこのフォトダイオード３９の外縁に沿って形成されるため、斜め４５゜方向の配線構造を有して形成される。また、垂直電荷転送路４３もフォトダイオード３９の間隙を縫って斜め４５゜方向の配線構造を有して形成される。したがって、このフォトマスク製造方法によれば、このようなハニカム構造の固体撮像素子のように、斜め形状を多く含むパターンであっても、斜め部のギザギザを無くして、斜めパターンの高精度な描画を可能にすることができる。
【００４１】
次に、本発明の第３の実施の形態を説明する。
図６は第３実施形態のフォトマスク製造時におけるパターン描画方法を説明する模式図である。
このフォトマスク製造方法は、所要量の略１／３の強度のエネルギービームをＸ方向に主走査して１番目のスキャンを終了した後、エネルギービームとマスク基板２１とをＹ方向に相対移動（副走査）させて、２番目のスキャンを終了し、さらに、Ｙ方向にｎ番目までのスキャンを繰り返して、レジスト層が形成されたマスク基板２１上のＸＹ平面に画像データを描画する。
【００４２】
このように、矢印Ａの向きでＹ方向にｎ番目までのスキャンを繰り返して描画を行った後、エネルギービームとＸＹ平面とを、Ｚ軸回りに４５°相対回転させる。そして、所要量の略１／３の強度のエネルギービームをＸ方向から４５゜回転させた方向（図６のＢ方向と直交する方向）に主走査して４５°回転１番目のスキャンを終了した後、矢印Ｂの向き（副走査方向）に沿って４５°回転ｎ番目までのスキャンを繰り返して、ＸＹ平面に、４５°回転させた変換画像データを重ねて描画する。
【００４３】
このように、矢印Ｂの向き（副走査方向）に沿って４５°回転ｎ番目までのスキャンを繰り返して描画した後、エネルギービームとＸＹ平面とを、Ｚ軸回りにさらに９０°相対回転させる。そして、所要量の略１／３の強度のエネルギービームをＸ方向から−４５゜回転させた方向（図矢印Ｃ方向と直交する方向）に主走査して１３５°回転１番目のスキャンを終了した後、矢印Ｃの向き（副走査方向）に沿って１３５°回転ｎ番目までのスキャンを繰り返して、ＸＹ平面に、１３５°回転させた変換画像データを重ねて描画する。
【００４４】
このフォトマスク製造方法においては、第１描画ステップと回転ステップ、そして、第２描画ステップの後、スキャン動作の主走査方向が、描画済みのスキャン動作の主走査方向とは異なるように回転ステップと描画ステップとを繰り返し行っている。繰り返し回数は、本実施形態では１回であるが、これに限らず複数回であってもよい。本実施形態においては、繰り返し行う前記描画ステップにおけるエネルギービームの主走査方向が、第１描画ステップの主走査方向（第１の方向）、及び、この第１の方向に対して正と負の等角度に傾斜した方向、例えば±４５゜傾斜した方向としている。具体的には、第１描画ステップの後、エネルギービームとＸＹ平面とがＺ軸回りに４５°相対回転され、４５°回転させた変換画像データが重ねて描画された後、さらにエネルギービームとＸＹ平面とがＺ軸回りに逆方向へ９０゜相対回転され、１３５°回転させた変換画像データが重ねて描画される。これにより、繋ぎ部分が、異なる多数（３箇所）の位置に分散され、繋ぎ部分が一方向に見えることによるフォトマスクのパターン異常（例えば筋ムラ）がより軽減されるとともに、ハニカム構造の固体撮像素子のように、斜め形状を多く含むパターンであっても、斜め部のギザギザをより無くして、斜めパターンの一層高精度な描画が可能となる。
【００４５】
なお、上記したいずれの実施の形態によるフォトマスク製造方法においても、先述の図８に示すように、各描画ステップのスキャン動作が、今回の主走査によるビーム幅と前回の主走査によるビーム幅との少なくとも一部が互いにオーバーラップするスキャン動作であってもよい。このように、エネルギービームのスキャン領域がオーバーラップするように走査することで、繋ぎ部分のムラが軽減されてパターン異常の発生が低減される。
【００４６】
また、各描画ステップにおけるエネルギービームの強度が、パターンの描画に必要となる所要量の強度値を、各描画ステップの総数で除した強度値にそれぞれ設定し、この設定された強度のエネルギービームで描画することにしてもよい。このような多重露光を行うことにより、一描画単位の露光量が少なくなり、繋ぎ部分の露光量をより減少させて目立たなくでき、フォトマスクのパターン異常（例えば筋ムラ）を一層軽減することができる。
【００４７】
なお、上記実施形態においては、本発明に係るパターン描画方法をフォトマスクの製造方法に適用した一例を示したが、本発明はこれに限らず、他のいかなるパターン描画用途に対しても適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る製造方法の実施に用いる露光装置の概略構成を表した斜視図である。
【図２】マルチビームのＸ方向への走査により描画される領域を表した模式図である。
【図３】第１実施形態のフォトマスク製造時におけるパターン描画方法を説明する模式図である。
【図４】第２実施形態のフォトマスク製造時におけるパターン描画方法を説明する模式図である。
【図５】ハニカム構造を有する固体撮像素子の平面図である。
【図６】第３実施形態のフォトマスク製造時におけるパターン描画方法を説明する模式図である。
【図７】従来のフォトマスク製造時におけるパターン描画方法を説明する模式図である。
【図８】従来のフォトマスク製造時における他のパターン描画方法を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００４９】
２１  マスク基板（基板）
３５  描画領域（スキャン領域）
Ｌｂ  ビーム（エネルギービーム）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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