(57)【要約】【課題】安価な手法によりアクティブマトリクス基板３の表面の平坦化を実現し、Ｘ線光導電層４の特性を向上できるＸ線検出器１を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板３の画素電極９が設けられた表面に、エッチングによる除去性がアクティブマトリクス基板３の表面の材質より高い材質の平坦化層21を形成する。エッチングにより画素電極９の表面までの平坦化層21を除去し、アクティブマトリクス基板３の表面より窪む凹部20に平坦化層21を残し、アクティブマトリクス基板３の表面を平坦化する。安価な手法によりアクティブマトリクス基板３の表面の平坦化を実現し、Ｘ線光導電層４の特性を向上させる。【選択図】図１
2007214236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の複数の画素電極が設けられた表面に、エッチングによる除去性が回路基板の表面の材質より高い材質の平坦化層を形成し、
前記エッチングにより画素電極の表面までの平坦化層を除去して回路基板の表面より窪む凹部に平坦化層を残して回路基板の表面を平坦化し、
この回路基板の表面にＸ線光導電層を形成し、
このＸ線光導電層の表面に電極層を形成する
ことを特徴とするＸ線検出器の製造方法。
【請求項２】
回路基板の複数の画素電極が設けられた表面に保護膜を形成し、
この回路基板の表面にエッチングによる除去性が保護膜の材質より高い材質の平坦化層を形成し、
前記エッチングにより保護膜の表面までの平坦化層を除去して保護膜の表面より窪む凹部に平坦化層を残して回路基板の表面を平坦化し、
この回路基板の表面にＸ線光導電層を形成し、
このＸ線光導電層の表面に電極層を形成する
ことを特徴とするＸ線検出器の製造方法。
【請求項３】
エッチングには、溶媒による溶解、およびプラズマエッチングによる分解のいずれか一方を用いる
ことを特徴とする請求項１または２記載のＸ線検出器の製造方法。
【請求項４】
表面に複数の画素電極を備えた回路基板と、
エッチングによる除去性が前記回路基板の表面の材質より高い材質で、前記回路基板の表面に形成された後にエッチングにより画素電極の表面まで除去されて回路基板の表面の凹部に設けられ、回路基板の表面を平坦化する平坦化層と、
この平坦化層が形成された回路基板の表面に設けられたＸ線光導電層と、
このＸ線光導電層の表面に設けられた電極層と
を具備していることを特徴とするＸ線検出器。
【請求項５】
表面に複数の画素電極を備えた回路基板と、
この回路基板の表面に設けられた保護膜と、
エッチングによる除去性が前記保護膜の材質より高い材質で、前記回路基板の表面に形成された後にエッチングにより保護膜の表面まで除去されて保護膜の表面より窪む凹部に設けられ、回路基板の表面を平坦化する平坦化層と、
この平坦化層が形成された回路基板の表面に設けられたＸ線光導電層と、
このＸ線光導電層の表面に設けられた電極層と
を具備していることを特徴とするＸ線検出器。
【請求項６】
エッチングには、溶媒による溶解、およびプラズマエッチングによる分解のいずれか一方が用いられる
ことを特徴とする請求項４または５記載のＸ線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線を検出するＸ線検出器の製造方法およびＸ線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
新世代のＸ線診断用画像検出器として、アクティブマトリクス型の平面形のＸ線検出器が注目を集めている。このＸ線検出器では、照射されたＸ線を検出することにより、Ｘ線撮影像またはリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号として出力される。また、このＸ線検出器は固体検出器であることから、画質性能や安定性の面においても極めて期待が大きい。
【０００３】
実用化の最初の用途として、比較的大きな線量で、静止画像を収集する胸部あるいは一般撮影用に開発され、近年商品化されている。より高性能で、透視線量下において毎秒３０フレーム以上のリアルタイム動画を実現させる必要のある循環器、消化器分野への応用に対しても近い将来に商品化が予想される。この動画用途に対しては、Ｓ／Ｎの改善や微小信号のリアルタイム処理技術などが重要な開発項目となっている。
【０００４】
この種のＸ線検出器には、大きく分けて直接方式と間接方式との二通りの方式がある。直接方式は、Ｘ線をａ−Ｓｅなどの光導電膜により直接電荷信号に変換し、変換した信号電荷を電荷蓄積用キャパシタに蓄積する方式である。これに対し、間接方式は、シンチレータ層によりＸ線を受けて一旦可視光に変換し、この可視光をａ−ＳｉフォトダイオードやＣＣＤにより信号電荷に変換して、この信号電荷を電荷蓄積用キャパシタに蓄積する方式である。
【０００５】
直接方式のＸ線検出器としては、基板上にマトリクス状に配列された画素毎に、電荷蓄積用キャパシタ、スイッチング素子および画素電極のそれぞれが設けられたアクティブマトリクス基板が用いられ、このアクティブマトリクス基板の表面にＸ線光導電層が積層された構成が知られている(例えば、特許文献１参照。)。
【０００６】
そして、Ｘ線検出器の主な用途としては人体を透過させその情報を医療用として使用する場合が多く、人体を十分にカバーできるだけの大きさを必要としている。そのため、通常使用される大きさとしては一辺４０ｃｍほどのＸ線検出器が良く用いられている。この場合、直接方式のＸ線検出器を実現しようとすると、それ以上の大きさを持つアクティブマトリクス基板の表面にＸ線光導電層を均一に形成しなければならない。また、入射Ｘ線を十分に検出するためには、重金属で構成された大きな比重を持つ材料を用いて数百μｍの厚みを持つＸ線光導電層を必要としている。つまり４０ｃｍもの大きさを持つ一種の半導体膜をアクティブマトリクス基板の表面に形成することが必要となる。
【０００７】
Ｘ線光導電材料は、半導体の一種なので、その結晶構造や組成によって特性が大きく変化してしまう可能性が非常に高い。また、通常の半導体材料の特性は単結晶において最高の特性が得られるが、Ｘ線検出器の大きさをカバーできるだけの半導体単結晶材料は実現されていない。そこで、直接方式のＸ線検出器を実現するには、アクティブマトリクス基板の表面にＸ線光導電材料を直接形成することが必要となる。
【０００８】
通常のＸ線検出器のアクティブマトリクス基板は、液晶表示装置の製造プロセスを流用して作られている。そのため、Ｘ線光導電層と直接接触する画素電極にはアルミニウムまたはＩＴＯなどが多く用いられ、それら画素電極を取り囲むように酸化ケイ素（ＳｉＯ2）の絶縁層もＸ線光導電層に接触する構造となっている。このアクティブマトリクス基板の表面にＸ線光導電層を形成するのであるが、通常数百μｍにもなるＸ線光導電層を形成するのに、真空蒸着を用いて、Ｘ線を効率良く電荷信号に変換する特性をもつ沃化鉛（ＰｂＩ2)や沃化水銀（ＨｇＩ2）、沃化ビスマス（ＢｉＩ3）、沃化インジウム（ＩｎＩ）、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）などのＸ線光導電物質を膜状に形成している。さらに、このＸ線光導電層に電荷を補給する役割を持つ電極層を形成している。
【特許文献１】特開２００３−２０９２３８号公報（第３−６頁、図１−２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の直接方式のＸ線検出器では、液晶表示装置の製造プロセスを流用して作られたアクティブマトリクス基板の表面にＸ線光導電層を形成している。ここで用いるＸ線光導電層は、半導体の一種であるが、通常のシリコンやガリウム砒素といった半導体とは異なり、Ｘ線を効率よく吸収するために原子番号の大きな元素で構成されていることが必要である。このような条件を満たす半導体物質としては、セレンや沃化鉛や沃化水銀、沃化インジウム、臭化タリウムといった物質が挙げられる。
【００１０】
一般的に半導体材料はその結晶状態により特性が変化することが知られている。結晶構造が不完全であるとＸ線に対する感度や雑音特性、また寿命にも大きな影響を及ぼすことが多い。半導体材料で構成されるＸ線光導電層はアクティブマトリクス基板の表面に接しており、その表面の状態によってその結晶性が大きく左右されることから、アクティブマトリクス基板の表面の状態はＸ線検出器の特性に大きな影響を及ぼすことになる。
【００１１】
アクティブマトリクス基板は、その内部に多数の電極や配線、絶縁膜、半導体薄膜が多数にわたり積層した構造を有するため、アクティブマトリクス基板の表面は内部の多層構造の積み重ねによる凹凸が多く発生する。その凹凸は最大で数千Åにもなるため、アクティブマトリクス基板の表面に真空蒸着法などを用いて形成されるＸ線光導電層の内部の結晶状態に大きな影響を及ぼし、結晶のひずみや結晶欠陥などを引き起こす。これが原因となってＸ線光導電層の特性が悪化し、ひいてはＸ線検出器の性能に悪影響を及ぼすことになる。
【００１２】
また、特性悪化を引き起こす要因のアクティブマトリクス基板の表面の凹凸であるが、その凹凸を解消して平坦な表面を得るのは困難である場合が多い。一般的には、アクティブマトリクス基板の表面の凹部のみに他の材料を充填することにより平坦化を試みる。
【００１３】
その手法として代表的なのは、アクティブマトリクス基板の表面全体に絶縁性樹脂を塗布し、その後に砥石や研磨剤を用いてアクティブマトリクス基板の表面を均等に研磨し、画素電極の表面が露出した時点で研磨を終了することで、平坦化する手法がある。この手法では、凹部領域以外の画素電極の表面の絶縁性樹脂は完全に取り除く必要があり、極めて薄い画素電極を残しながら絶縁性樹脂の部分のみを研磨することは、極めて高精度の研磨技術が必要であることから技術的に非常に困難となってしまう。
【００１４】
他の手法としては、感光性である絶縁性樹脂をアクティブマトリクス基板の表面全体に塗布し、その後にアクティブマトリクス基板の凹凸の領域にしたがって絶縁性樹脂を露光し、その後の現像処理により凸部領域のみの絶縁性樹脂を除去することで、平坦化することが考えられる。この手法では、露光、現像技術を実現するためには高額な製造設備が必要で、Ｘ線検出器の価格の上昇を起こすことになり、また、アクティブマトリクス基板の凹部に残された絶縁性樹脂はアクティブマトリクス基板の表面に凸状になって残るため、この凸状になって残された絶縁性樹脂に対する平坦化技術が別途必要となり、根本的な解決にはならない。
【００１５】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、安価な手法により回路基板の表面の平坦化を実現し、Ｘ線光導電層の特性を向上し、製品としての性能向上および長寿命化を図ることができるＸ線検出器の製造方法およびＸ線検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のＸ線検出器の製造方法は、回路基板の複数の画素電極が設けられた表面に、エッチングによる除去性が回路基板の表面の材質より高い材質の平坦化層を形成し、前記エッチングにより画素電極の表面までの平坦化層を除去して回路基板の表面より窪む凹部に平坦化層を残して回路基板の表面を平坦化し、この回路基板の表面にＸ線光導電層を形成し、このＸ線光導電層の表面に電極層を形成するものである。
【００１７】
また、本発明のＸ線検出器の製造方法は、回路基板の複数の画素電極が設けられた表面に保護膜を形成し、この回路基板の表面にエッチングによる除去性が保護膜の材質より高い材質の平坦化層を形成し、前記エッチングにより保護膜の表面までの平坦化層を除去して保護膜の表面より窪む凹部に平坦化層を残して回路基板の表面を平坦化し、この回路基板の表面にＸ線光導電層を形成し、このＸ線光導電層の表面に電極層を形成するものである。
【００１８】
また、本発明のＸ線検出器は、表面に複数の画素電極を備えた回路基板と、エッチングによる除去性が前記回路基板の表面の材質より高い材質で、前記回路基板の表面に形成された後にエッチングにより画素電極の表面まで除去されて回路基板の表面の凹部に設けられ、回路基板の表面を平坦化する平坦化層と、この平坦化層が形成された回路基板の表面に設けられたＸ線光導電層と、このＸ線光導電層の表面に設けられた電極層とを具備しているものである。
【００１９】
また、本発明のＸ線検出器は、表面に複数の画素電極を備えた回路基板と、この回路基板の表面に設けられた保護膜と、エッチングによる除去性が前記保護膜の材質より高い材質で、前記回路基板の表面に形成された後にエッチングにより保護膜の表面まで除去されて保護膜の表面より窪む凹部に設けられ、回路基板の表面を平坦化する平坦化層と、この平坦化層が形成された回路基板の表面に設けられたＸ線光導電層と、このＸ線光導電層の表面に設けられた電極層とを具備しているものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、回路基板の複数の画素電極が設けられた表面に、エッチングによる除去性が回路基板の表面の材質より高い材質の平坦化層を形成し、そのエッチングにより画素電極の表面までの平坦化層を除去して回路基板の表面より窪む凹部に平坦化層を残して回路基板の表面を平坦化するため、安価な手法により回路基板の表面の平坦化を実現し、Ｘ線光導電層の特性を向上し、Ｘ線検出器としての性能向上および長寿命化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２２】
図１ないし図７に第１の実施の形態を示す。
【００２３】
図１および図６において、１はＸ線検出器で、このＸ線検出器１は、直接方式のＸ線平面画像検出器であり、マトリクス状に配列された複数の画素２を有する回路基板としての光電変換基板であるアクティブマトリクス基板３を備えている。
【００２４】
アクティブマトリクス基板３の表面には、入射する放射線であるＸ線を電気信号に変換するＸ線光導電層４が積層されて形成されている。このＸ線光導電層４は、アクティブマトリクス基板３の表面に接しており、このアクティブマトリクス基板３の表面に直接形成されている。さらに、このＸ線光導電層４の表面には、上部電極である電極層としてのバイアス電極層５が積層されて形成されている。
【００２５】
アクティブマトリクス基板３は、矩形平板状の透光性を有する絶縁基板としてのガラス基板６を備えている。このガラス基板６の表面には、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)７と、電荷蓄積用キャパシタ８と、画素電極９とが各画素２毎に形成されている。そして、図７に示すように、これら薄膜トランジスタ７、電荷蓄積用キャパシタ８および画素電極９は、これらを１組とした格子状の配列を有しており、各組がＸ線画像の画素２に対応するように構成されている。
【００２６】
ガラス基板６の表面には、このガラス基板６の行方向に沿った複数の制御ラインとしての制御電極11が配線されている。各制御電極11は、ガラス基板６の表面の各画素２間に位置し、このガラス基板６の列方向に離間されて設けられている。各制御電極11には、同じ行に位置する各薄膜トランジスタ７のゲ−ト電極12が電気的に接続されている。また、ガラス基板６の表面には、このガラス基板６の列方向に沿った複数の読出電極13が配線されている。各読出電極13は、ガラス基板６の表面の各画素２間に位置し、このガラス基板６の行方向に離間されて設けられている。各読出電極13には、同じ列に位置する各薄膜トランジスタ７のソース電極14が電気的に接続されている。また、各薄膜トランジスタ７のドレイン電極15は、電荷蓄積用キャパシタ８および画素電極９にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２７】
薄膜トランジスタ７、電荷蓄積用キャパシタ８、制御電極11およびゲート電極12の表面に、例えば酸化珪素(ＳｉＯ２)などの絶縁層17が積層形成されている。この絶縁層17の一部には、薄膜トランジスタ７のドレイン電極15に連通したコンタクトホールとしてのスルーホール18が開口形成されている。このスルーホール18を含む絶縁層17上には、画素電極９が積層されて形成されている。この画素電極９は、スルーホール18にて薄膜トランジスタ７のドレイン電極15に電気的に接続されている。
【００２８】
そして、アクティブマトリクス基板３の表面には各構成要素の積み重ねによる段差やスルーホール18などによってアクティブマトリクス基板３の表面より窪む複数の凹部20があり、アクティブマトリクス基板３の表面が凹凸状になっている。各凹部20には平坦化層21が充填された状態に積層されて形成されており、アクティブマトリクス基板３の表面が平坦化されている。平坦化層21は、エッチングによる除去性であって溶媒による溶解性またはプラズマエッチングによる分解性がアクティブマトリクス基板３の表面に位置する画素電極９および絶縁層17などより高く、つまり溶解または分解しやすい例えば樹脂材料で形成されている。この平坦化層21は、画素電極９内の凹部20にも形成されるため、導電性材料であることが好ましい。溶媒としては、例えば、トルエンやアセトンなどの有機溶剤、アルカリ性溶液および酸性溶液などが用いられる。プラズマエッチングには、例えば、酸素イオン、水素イオン、フッ素イオン、塩素イオンおよび窒素イオンなどを主成分とするプラズマが用いられる。
【００２９】
また、Ｘ線光導電層４は、平坦化されたアクティブマトリクス基板３の表面に真空蒸着などの手法を用いて形成されている。
【００３０】
また、バイアス電極層５は、Ｘ線光導電層４上の全面に面一に形成されている。
【００３１】
次に、本実施の形態の作用について説明する。
【００３２】
まず、Ｘ線検出器１のＸ線光導電層４へと入射したＸ線は、このＸ線光導電層４にて励起されて光導電電荷となる。
【００３３】
この光導電電荷は、バイアス電極層５による印加電界によって各画素電極９へと移動する。
【００３４】
この後、これら各画素電極９へと移動して流入した光導電電荷は、これら各画素電極９に接続された薄膜トランジスタ７のゲート電極12が駆動状態となるまで、これら各画素電極９に接続された電荷蓄積用キャパシタ８へと移動して保持されて蓄積される。
【００３５】
このとき、制御電極11の１つを駆動状態にすると、この駆動状態となった制御電極11に接続された１行の薄膜トランジスタ７が駆動状態となる。
【００３６】
そして、この駆動状態となった各薄膜トランジスタ７に接続された電荷蓄積用キャパシタ８に蓄積された光導電電荷が読出電極13へと出力される。
【００３７】
駆動状態とする制御電極11を順次切り換えることにより、全体の画像情報を画像信号として出力する。
【００３８】
このようにして、Ｘ線画像の特定の行の画素２に対応する信号が出力されるため、駆動状態とする制御電極11を順次切り換えることにより、全ての画素２に対応する信号を出力でき、この出力信号をデジタル画像信号として出力する。
【００３９】
次に、Ｘ線検出器１の製造方法について説明する。
【００４０】
図２に示すように、ガラス基板６上の各画素２毎に薄膜トランジスタ７、電荷蓄積用キャパシタ８および画素電極９がそれぞれ形成されたアクティブマトリクス基板３の表面は、各構成要素の積み重ねによる段差やスルーホール18などの影響から複数の凹部20を有する凹凸状に形成されている。
【００４１】
図３に示すように、アクティブマトリクス基板３の表面に、樹脂成分を溶媒中に溶解させた樹脂溶液を例えばスピンコート法にて塗布する。塗布した樹脂溶液は、樹脂溶液自身の表面張力や重力の作用により表面が平坦になる。
【００４２】
樹脂溶液の塗布後に、アクティブマトリクス基板３全体を加熱処理し、塗布した樹脂溶液中の溶媒成分を蒸発させて樹脂を固化させることで、アクティブマトリクス基板３の表面全域に平坦化層21を形成する。このように形成された平坦化層21の表面形状は、アクティブマトリクス基板３の表面形状よりも平坦性が大幅に向上する。
【００４３】
図４に示すように、アクティブマトリクス基板３の表面に平坦化層21を形成した後に、その平坦化層21をエッチング処理する。
【００４４】
エッチングの手法としては、溶媒を用いたエッチングがある。溶媒には、平坦化層21を容易に溶解し、画素電極９および絶縁層17の溶解が困難か溶解しにくい条件を満たすものであって、例えば、有機溶剤、アルカリ性溶液および酸性溶液などが用いられる。そして、溶媒によるエッチングにより、図５に示すように、平坦化層21を画素電極９の表面が露出するまで溶解し、凹部20のみに平坦化層21を残し、好ましくは画素電極９と平坦化層21とが面一になるように、アクティブマトリクス基板３の表面を平坦化する。この平坦化層21を画素電極９の表面が露出するまで溶解し、凹部20のみに平坦化層21を残すことは、溶媒によるエッチングの時間によって容易に制御可能であり、用いる技術も安価な手法で十分に対応可能である。また、画素電極９および絶縁層17は使用した溶媒では溶解が困難か溶解しにくいため、画素電極９の溶解による消失や絶縁層17の溶解による絶縁性能の低下などの問題は発生しない。
【００４５】
他のエッチングの手法としては、プラズマ技術を用いたエッチングも有効である。プラズマには、平坦化層21を容易に分解し、画素電極９および絶縁層17の分解が困難か分解しにくい条件を満たすものであって、例えば、平坦化層21の樹脂が有機材料を主成分としていれば、酸素イオン、水素イオン、フッ素イオン、塩素イオンおよび窒素イオンなどを主成分とするプラズマが用いられる。そして、プラズマの照射によるエッチングにより、図５に示すように、平坦化層21を画素電極９の表面が露出するまで分解してガス成分として除去し、凹部20のみに平坦化層21を残し、好ましくは画素電極９と平坦化層21とが面一になるように、アクティブマトリクス基板３の表面を平坦化する。この平坦化層21を画素電極９の表面が露出するまで分解し、凹部20のみに平坦化層21を残すことは、プラズマによるエッチングの時間によって容易に制御可能であり、特にプラズマによるエッチングは溶媒を用いるよりも高精度なエッチングの制御が可能であり、用いる技術も安価な手法で十分に対応可能である。また、画素電極９および絶縁層17は使用したプラズマでは分解が困難か分解しにくいため、画素電極９の溶解による消失や絶縁層17の溶解による絶縁性能の低下などの問題は発生しない。
【００４６】
アクティブマトリクス基板３の表面を平坦化した後に、図１に示すように、アクティブマトリクス基板３の表面にＸ線光導電層４を形成する。このとき、アクティブマトリクス基板３の表面形状は平坦化前の表面形状に比べて凹凸が格段に少なくなっている。そのため、Ｘ線光導電層４の内部の結晶の乱れが少なくなり、半導体物質であるＸ線光導電層４の特性を向上できる。
【００４７】
このように、アクティブマトリクス基板３の画素電極９が設けられた表面に、溶媒による溶解性またはプラズマエッチングによる分解性がアクティブマトリクス基板３の表面の材質より高い材質の平坦化層21を形成し、その溶媒またはプラズマエッチングにより画素電極９の表面までの平坦化層21を溶解または分解してアクティブマトリクス基板３の表面より窪む凹部20に平坦化層21を残してアクティブマトリクス基板３の表面を平坦化するため、安価な手法によりアクティブマトリクス基板３の表面の平坦化を実現できる。そのため、Ｘ線光導電層４の特性を向上でき、Ｘ線検出器１としての性能向上および長寿命化を図ることができる。
【００４８】
次に、図８に第２の実施の形態を示す。
【００４９】
アクティブマトリクス基板３の画素電極９の表面には、平坦化層21を形成する前に、保護膜23を形成する。この保護膜23は、例えば、アルミニウム、モリブデン、チタン、クロムなどの金属材料や、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ２などの無機材料であって、溶媒による溶解性またはプラズマエッチングによる分解性が平坦化層21よりも低いか、溶媒に対して不溶またはプラズマエッチングに対して分解しない材質が用いられている。溶媒としては、例えば、有機溶剤、アルカリ性溶液および酸性溶液などを対象とする。プラズマとしては、例えば、酸素イオン、水素イオン、フッ素イオン、塩素イオンおよび窒素イオンなどを主成分とするプラズマを対象とする。
【００５０】
すなわち、平坦化層21は、溶媒による溶解性またはプラズマエッチングによる分解性が保護膜23および絶縁層17などより高く、つまり溶解または分解しやすい例えば樹脂材料で形成されている。
【００５１】
そして、Ｘ線検出器１を製造する際、画素電極９の表面に保護膜23を形成したアクティブマトリクス基板３の表面全体に平坦化層21を形成した後、その平坦化層21を溶媒またはプラズマを用いてエッチングする。エッチングでは、平坦化層21を画素電極９の保護膜23の表面が露出するまで溶解し、凹部20のみに平坦化層21を残すように、アクティブマトリクス基板３の表面を平坦化する。このとき、画素電極９の保護膜23は使用した溶媒またはプラズマでは溶解または分解しにくいか溶解または分解が困難であるため、画素電極９の消失による絶縁性能の低下を防止できる。
【００５２】
このように、アクティブマトリクス基板３の表面に設けられた複数の画素電極９の表面に保護膜23を形成し、このアクティブマトリクス基板３の表面に溶媒による溶解性またはプラズマエッチングによる分解性が保護膜23の材質より高い材質の平坦化層21を形成し、その溶媒またはプラズマエッチングにより保護膜23の表面までの平坦化層21を溶解または分解してアクティブマトリクス基板３の表面より窪む凹部20に平坦化層21を残してアクティブマトリクス基板３の表面を平坦化するため、安価な手法によりアクティブマトリクス基板３の表面の平坦化を実現できる。そのため、Ｘ線光導電層４の特性を向上し、Ｘ線検出器１としての性能向上および長寿命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示すＸ線検出器の簡略した断面図である。
【図２】同上Ｘ線検出器の製造プロセスを示す断面図である。
【図３】同上図２に続くＸ線検出器の製造プロセスを示す断面図である。
【図４】同上図３に続くＸ線検出器の製造プロセスを示す断面図である。
【図５】同上図４に続くＸ線検出器の製造プロセスを示す断面図である。
【図６】同上Ｘ線検出器の分解状態の斜視図である。
【図７】同上Ｘ線検出器を模式的に示す正面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態を示すＸ線検出器の簡略した断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１    Ｘ線検出器
３    回路基板としてのアクティブマトリクス基板
４    Ｘ線光導電層
５    電極層としてのバイアス電極層
９    画素電極
20    凹部
21    平坦化層
23    保護膜
【図１】
2007214236.tif 000003
【図２】
2007214236.tif 000004
【図３】
2007214236.tif 000005
【図４】
2007214236.tif 000006
【図５】
2007214236.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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