(57)【要約】【課題】放熱性能に優れ、実装の信頼性を向上できる半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】リードフレーム端子３２の露出部３２ａに、半田１０を介して半導体チップ７，８を乗せ、その上面側にある各電極に半田１０を介して接合部２２ｃ，２３ｃ及び接合部２４ｃが対向し、リードフレーム端子３２の延伸部３２ｃに半田１０を介してリードフレーム端子２５を対向させて固定治具で固定し、リフロー装置にて半田１０を溶融させて接合して一体化した後、樹脂で封止し、リードフレーム端子２２〜２５を支持している図示しない外周枠部及びリードフレーム端子３２を支持している図示しない枠体を切り離して半導体装置を得る。露出部２２ａ〜２４ａ、リードフレーム端子２５、露出部３２ａが露出するので放熱面積が大きく、放熱性能に優れ、外部と接続される露出部２２ａ〜２４ａとリードフレーム端子２５の面が揃うので、実装の信頼性が向上する。【選択図】図５
2007311518.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程を備えた半導体装置の製造方法。
ア．第１及び第２の電極を有する半導体チップの上記第１の電極に接合される第１の接合部と上記第１の接合部に第１の連結部を介して連結された第１の露出部とを有する第１の端子部材、上記第１の端子部材とは別の別端子部材、及び上記第１の端子部材及び上記別端子部材を第１の連結支持部及び別連結支持部を介してそれぞれ支持する第１の支持部材を設けた第１のリードフレームを用意する第１の準備工程。
イ．上記半導体チップの第２の電極に接合される第２の接合部とこの第２の接合部に第２の連結部を介して連結された延伸部とを有する第２の端子部材、及び上記第２の端子部材を第２の連結支持部を介して支持する第２の支持部材を設けた第２のリードフレームを用意する第２の準備工程。
ウ．上記第１のリードフレームの上記第１の接合部に上記半導体チップの上記第１の電極を対向させ接合するとともに上記半導体チップの上記第２の電極に上記第２のリードフレームの上記第２の接合部を対向させ接合しかつ上記第１のリードフレームの上記別端子部材に上記第２の端子部材の上記延伸部と対向させて接合し、上記半導体チップと上記第１及び第２のリードフレームとを一体化して半導体チップリードフレーム接合体を製造する半導体チップリードフレーム接合体製造工程。
エ．上記第１のリードフレームの上記第１の露出部及び上記別端子部材が露出するようにして上記半導体チップリードフレーム接合体の上記半導体チップを樹脂にて封止する封止工程。
オ．半導体チップリードフレーム接合体製造工程又は上記封止工程の後、上記第１の連結支持部及び別連結支持部を切断して上記半導体チップリードフレーム接合体から上記第１及び第２の支持部材を除去する支持部材除去工程。
【請求項２】
上記封止工程は、上記第２の接合部も露出するようにして上記半導体チップリードフレーム接合体の上記半導体チップを上記樹脂にて封止するものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記封止工程は、第１及び第２の収容部形成壁部を有するものであって、上記第１及び第２の収容部形成壁部を組み合わされて内部に上記半導体チップリードフレーム接合体を収容する収容部を形成する第１及び第２の注型用型部材を設けた注型用型の上記収容部に上記半導体チップリードフレーム接合体を収容して上記樹脂を注入し封止するものであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記封止工程は、上記第１の露出部及び上記別端子部材が上記第１の収容部形成壁部に対向するとともに上記第２の接合部が上記第２の収容部形成壁部に対向するようにして、かつ上記第１の露出部及び上記別端子部材と上記第１の収容部形成壁部との間及び上記第２の接合部と上記第２の収容部形成壁部との間に離型部材を設けてから、上記樹脂を注入して上記半導体チップを封止後上記離型部材を除去して上記第１の露出部及び上記第２の接合部を露出するものであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記第１の連結支持部及び上記別連結支持部の少なくとも一方は弾性変形しうるようにされたものであり、上記第１の注型用型部材の上記第１の収容部形成壁部にて上記第１の露出部及び上記別端子部材の少なくとも一方を押圧して上記第１の連結支持部及び上記別連結支持部の少なくとも一方を弾性変形させた状態で、上記樹脂にて封止するものであることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
上記封止工程は、上記半導体チップリードフレーム接合体の上記半導体チップを複数同時に上記樹脂にて封止するものであることを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
上記半導体チップは、平板状であって一方の面側に上記第１の電極としてのゲート電極及びエミッター電極が形成されるとともに他方の面側には上記第２の電極としてのコレクター電極が形成された絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記半導体チップは、平板状であって一方の面側に上記第１の電極としてのアノード電極が形成されるとともに他方の面側には上記第２の電極としてのカソード電極が形成されたダイオードチップであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
第１及び第２の電極を有する半導体チップが樹脂で封止されたものであって、上記半導体チップの上記第１の電極に接合された第１の接合部と上記第１の接合部に第１の連結部を介して連結されるとともに上記樹脂から露出された第１の露出部とを有する第１の端子部材、上記第１の端子部材とは別の別端子部材、及び上記半導体チップの上記第２の電極に接合された第２の接合部とこの第２の接合部に第２の連結部を介して連結されるとともに上記別端子部材に接合された延伸部を有する第２の端子部材を備えた半導体装置。
【請求項１０】
上記第２の接合部も上記樹脂から露出されたものであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記半導体チップは、平板状であって一方の面側に上記第１の電極としてのゲート電極及びエミッター電極が形成されるとともに他方の面側には上記第２の電極としてのコレクター電極が形成された絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記半導体チップは、平板状であって一方の面側に上記第１の電極としてのアノード電極が形成されるとともに他方の面側には上記第２の電極としてのカソード電極が形成されたダイオードチップであることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、特に放熱性能に優れ、実装の信頼性を向上できる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に用いられる半導体装置を製造する際には、樹脂を用いた封止技術が一般に用いられる。一方、電子機器に用いられる半導体チップは小型化とともに大容量化の傾向にあり、半導体チップの放熱の問題が深刻になっており、半導体チップの性能を十分に満足させるためには放熱性能を向上させかつ実装の信頼性の高い樹脂封止タイプの半導体装置の要求が高まっている。
【０００３】
図８に、半導体チップ１を樹脂５で封止し、表面にポスト電極４を露出させた従来の半導体装置を示す。この半導体装置は、アイランド２上に半田、金などのプリフォーム材６を用い半導体チップ１を接合した後、半導体チップ１の上面の電極パッドにポスト電極４をプリフォーム材６で接合し、アイランド２の延在部２ａをアイランド２の付け根付近で上方に折り曲げて、再度水平に折り曲げて水平に延在させて露出部２ｂとしている。延在部２ａの露出部２ｂがポスト電極４と同じ高さになるように延在部２ａを折り曲げるとともに、ポスト電極４と露出部２ｂの表面が露出するように封止樹脂５で封止し、延在部２ａの露出部２ｂを半導体チップ１の裏面側の電極の取り出し端子としている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２４３８８７号公報（段落番号０００９、００１０及び図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようなポスト電極４と露出部２ｂを露出するものにおいては、半導体チップ１の発熱を外部へ放熱する面は、ポスト電極４と露出部２ｂの表面のみであることと、ポスト電極４の面積は半導体チップ１の大きさから自ずと制約され広くできないため、放熱性能において満足する構造に至っていない。また、実装の信頼性の向上を図るためには、露出部２ｂをポスト電極４と同じ高さになるように延在部２ａを精度良く折り曲げなければならない。しかし、露出部２ｂはポスト電極４とは別部品であるため、各ポスト電極４と露出部４ｂの露出面を精度良く揃えることは困難である。また、延在部２ａは折り曲げ角度に制約があり急な角度で立ち上げることができないため、半導体チップ１の厚みが大きい場合、アイランド２も大きくなり封止外形の小型化が困難になるなどの問題点があった。
【０００６】
さらには、多数の電極例えばゲート、エミッター、コレクター各電極を有する３端子型の半導体チップを２個以上用いる構造では、これら半導体チップ１の電極にそれぞれ接合するポスト電極４の数も増大し、個々にプリフォーム材６で接合する方法では、封止樹脂５から露出するポスト電極４の高さを高精度に揃えることはさらに困難となるとともに位置合わせ精度が低下し、プリント基板等への実装の信頼性が劣る欠点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、放熱性能に優れ、また実装の信頼性すなわち外部から半導体装置の第１の端子部材の露出部及び別端子部材に接続するときの信頼性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る半導体装置の製造方法は、次の工程を備えたものである。
ア．第１及び第２の電極を有する半導体チップの第１の電極に接合される第１の接合部と第１の接合部に第１の連結部を介して連結された第１の露出部とを有する第１の端子部材、第１の端子部材とは別の別端子部材、及び第１の端子部材及び別端子部材を第１の連結支持部及び別連結支持部を介してそれぞれ支持する第１の支持部材を設けた第１のリードフレームを用意する第１の準備工程。
イ．半導体チップの第２の電極に接合される第２の接合部とこの第２の接合部に第２の連結部を介して連結された延伸部とを有する第２の端子部材、及び第２の端子部材を第２の連結支持部を介して支持する第２の支持部材を設けた第２のリードフレームを用意する第２の準備工程。
ウ．第１のリードフレームの第１の接合部に半導体チップの第１の電極を対向させ接合するとともに半導体チップの第２の電極に第２のリードフレームの第２の接合部を対向させ接合しかつ第１のリードフレームの別端子部材に第２の端子部材の延伸部と対向させて接合し、半導体チップと第１及び第２のリードフレームとを一体化して半導体チップリードフレーム接合体を製造する半導体チップリードフレーム接合体製造工程。
エ．第１のリードフレームの第１の露出部及び別端子部材が露出するようにして半導体チップリードフレーム接合体の半導体チップを樹脂にて封止する封止工程。
オ．半導体チップリードフレーム接合体製造工程又は封止工程の後、第１の連結支持部及び別連結支持部を切断して半導体チップリードフレーム接合体から第１及び第２の支持部材を除去する支持部材除去工程。
【０００８】
また、この発明に係る半導体装置は、第１及び第２の電極を有する半導体チップが樹脂で封止されたものであって、半導体チップの第１の電極に接合された第１の接合部と第１の接合部に第１の連結部を介して連結されるとともに樹脂から露出された第１の露出部とを有する第１の端子部材、第１の端子部材とは別の別端子部材、及び半導体チップの第２の電極に接合された第２の接合部とこの第２の接合部に第２の連結部を介して連結されるとともに別端子部材に接合された延伸部を有する第２の端子部材を備えたものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明に係る半導体装置の製造方法は、次の工程を備えたものであるので後述するような効果を奏する。
ア．第１及び第２の電極を有する半導体チップの第１の電極に接合される第１の接合部と第１の接合部に第１の連結部を介して連結された第１の露出部とを有する第１の端子部材、第１の端子部材とは別の別端子部材、及び第１の端子部材及び別端子部材を第１の連結支持部及び別連結支持部を介してそれぞれ支持する第１の支持部材を設けた第１のリードフレームを用意する第１の準備工程。
イ．半導体チップの第２の電極に接合される第２の接合部とこの第２の接合部に第２の連結部を介して連結された延伸部とを有する第２の端子部材、及び第２の端子部材を第２の連結支持部を介して支持する第２の支持部材を設けた第２のリードフレームを用意する第２の準備工程。
ウ．第１のリードフレームの第１の接合部に半導体チップの第１の電極を対向させ接合するとともに半導体チップの第２の電極に第２のリードフレームの第２の接合部を対向させ接合しかつ第１のリードフレームの別端子部材に第２の端子部材の延伸部と対向させて接合し、半導体チップと第１及び第２のリードフレームとを一体化して半導体チップリードフレーム接合体を製造する半導体チップリードフレーム接合体製造工程。
エ．第１のリードフレームの第１の露出部及び別端子部材が露出するようにして半導体チップリードフレーム接合体の半導体チップを樹脂にて封止する封止工程。
オ．半導体チップリードフレーム接合体製造工程又は封止工程の後、第１の連結支持部及び別連結支持部を切断して半導体チップリードフレーム接合体から第１及び第２の支持部材を除去する支持部材除去工程。
このように、第１の露出部及び別端子部材を第１の支持部材にて支持した第１のリードフレームを用意するので、両者の面（つら）を所定の精度で揃えることができ、実装の信頼性すなわち外部から半導体装置の第１の端子部材の露出部及び別端子部材に接続するときの信頼性が向上する。
【００１０】
また、この発明に係る半導体装置は、第１及び第２の電極を有する半導体チップが樹脂で封止されたものであって、半導体チップの第１の電極に接合された第１の接合部と第１の接合部に第１の連結部を介して連結されるとともに樹脂から露出された第１の露出部とを有する第１の端子部材、第１の端子部材とは別の別端子部材、及び半導体チップの第２の電極に接合された第２の接合部とこの第２の接合部に第２の連結部を介して連結されるとともに別端子部材に接合された延伸部を有する第２の端子部材を備えたものであるので、第２の端子部材の延伸部と接続する別端子部材を設けたことにより第１の端子部材の第１の露出部の面と別端子部材の面とが所定の精度で揃うため、実装の信頼性すなわち外部から半導体装置の第１の端子部材の露出部及び別端子部材に接続するときの信頼性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１〜７はこの発明を実施するための実施の形態１を示すものである。図１は第１のリードフレームの構成を示すもので、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は断面図、図２は第２のリードフレームの構成を示すもので、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は断面図である。図３は半導体チップリードフレーム接合体４０の構成図、図４は半導体装置の製造方法を説明するための説明図、図５は半導体装置の図６の断面Ｄにおける断面図、図６は半導体装置の斜視図、図７は半導体装置を裏面からみた斜視図である。
【００１２】
これらの図によって、半導体装置の製造方法を説明する。まず、図１及び図２に示すような第１及び第２のリードフレーム２０，３０を用意する。図１において、第１のリードフレーム２０は、一枚の銅、鉄、またはその合金材で板厚０．１〜１．０ｍｍ程度の平板を例えば精密金型を使って打ち抜くと同時に所定部を折り曲げて各リードフレーム端子２２〜２５を形成したものである。第１のリードフレーム２０は、第１の支持部材としての矩形状の外周枠部２１の内側に、第１の端子部材としてのリードフレーム端子２２，２３，２４と別端子部材としての平板状のリードフレーム端子２５とが、図１に示すように左右二列に配設され、これら各リードフレーム端子２２〜２５は後述の露出面２２ａ〜２４ａ及び露出面としてのリードフレーム端子２５の上面が所定の精度で面一になるようにして、各連結支持部２２ｆ〜２５ｆを介して外周枠部２１に支持されている。
【００１３】
リードフレーム端子２２は、露出部２２ａと第１の連結部としての折り曲げ部２２ｂと第１の接合部としての接合部２２ｃを有する。リードフレーム端子２３は、露出部２３ａと第１の連結部としての折り曲げ部２３ｂと第１の接合部としての接合部２３ｃを有する。リードフレーム端子２４は、露出部２４ａと第１の連結部としての折り曲げ部２４ｂと第１の接合部としての接合部２４ｃを有する。なお、各連結支持部２２ｆ〜２５ｆは、露出部２２ａ〜２４ａ及びリードフレーム端子２５が図１（ｂ）、図２（ｂ）における左右方向に移動しうるように弾性変形可能であり、通常このような場合は少ないが露出部２２ａ〜２４ａ及びリードフレーム端子２５の各上面の段差が大きい場合は、露出部２２ａ〜２４ａ及びリードフレーム端子２５が図４における下方に押されたとき、連結支持部２２ｆ〜２５ｆが弾性変形して露出部２２ａ〜２４ａ及びリードフレーム端子２５の各上面間の段差が所定値以下になるようにされている。ただし、各連結支持部２２ｆ〜２５ｆを弾性変形するものとすることは不可欠なことではない。
【００１４】
図２において、第２のリードフレーム３０は、一枚の銅、鉄、またはその合金材で板厚０．１〜１．０ｍｍ程度の平板を例えば精密金型を使って打ち抜くとともに所定部を折り曲げ加工して、第２の支持部材としての枠体３１の内側に第２の連結支持部としての連結支持部３２ｆを介して連結された２個のリードフレーム端子３２を形成したものである。リードフレーム端子３２は、第２の接合部を兼ねる露出部３２ａ、第２の連結部としての折り曲げ部３２ｂ、延伸部３２ｃを有する。図２（ｂ）において、露出部３２ａから上方に延伸され後述の半導体チップ８の端部（図３参照）から０．３〜１．０ｍｍ離して右斜め方向に折り曲げられて折り曲げ部３２ｂが形成され、さらに垂直方向に折り曲げられて平坦な延伸部３２ｃが形成されている。
【００１５】
次に、図３に示すような半導体チップリードフレーム接合体４０を製作する。ここで、実装する半導体チップ７は、図３に示すように一方の面（図３における上面）にゲート電極である電極７ａとエミッター電極である電極７ｂと周囲に図示しないが電界緩和ガードリングが形成されており、他方の面（図３における下面）にはコレクター電極である電極７ｃが形成されている３端子型の半導体チップとしてのＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）チップである。同じく半導体チップ８は、図３に示すように一方の面にアノード電極である電極８ａとその周囲に図示しないが電界緩和ガードリングが形成されており、他方の面にカソード電極である電極８ｂが形成されている２端子型の半導体チップとしてのダイオードチップである。まず、第２のリードフレーム３０を水平方向に置き、リードフレーム端子３２の露出部３２ａの上に、導電性接合材としての半田１０を間に挟んで半導体チップ７の電極７ｃが露出部３２ａに対向し、半導体チップ８の電極８ｂが露出部３２ａに対向するようにして乗せる。
【００１６】
さらに、半導体チップ７の上面側に設けられた電極７ａと電極７ｂに半田１０を間に挟んでリードフレーム端子２２の接合部２２ｃ及びリードフレーム端子２３の接合部２３ｃがそれぞれ対向するようにし、半導体チップ８の上面側に設けられた電極８ａに半田１０を間に挟んでリードフレーム端子２４の接合部２４ｃが対向するようにし、リードフレーム端子３２の延伸部３２ｃに半田１０を間に挟んでリードフレーム端子２５が対向するようにして第１のリードフレーム２０を乗せて、これらを図示しない固定治具で一体に固定する。なお、リードフレーム端子２２〜２４の接合部２２ｃ〜２４ｃ（図１参照）と半導体チップ７の各電極７ａ，７ｂ，８ａとの接合面は半導体チップ７、８の各電極７ａ，７ｂ，８ａの周囲に形成されている図示しない電界緩和ガードリングの内側にあり、電界緩和ガードリングと接合部２２ｃ〜２４ｃとの距離は、例えば０．３〜１．０ｍｍ程度にする。
【００１７】
しかる後、リフロー装置に入れて半田１０を溶融させて、各リードフレーム端子２２〜２４の接合部２２ｃ〜２４ｃを半導体チップ７及び半導体チップ８の各電極７ａ，７ｂ，８ａに接合し、リードフレーム端子３２の露出部３２ａを半導体チップ７及び半導体チップ８の各電極７ｃ，８ｂに接合し、リードフレーム端子２５をリードフレーム端子３２の延伸部３２ｃに接合して、図３に示す第１のリードフレーム２０の各リードフレーム端子２２〜２４及び２５、半導体チップ７，８、第２のリードフレーム３０のリードフレーム端子３２が半田１０で接合され一体になった半導体チップリードフレーム接合体４０を製作する。なお、量産性を考えると導電性接合材として半田１０を用い、リフロー装置で一括して接合する方法が望ましい。また、半導体チップ７，８の位置ずれ防止のために、第１及び第２のリードフレーム２０，３０の要部にあらかじめＶ溝等を形成することにより位置ずれを防ぐことも可能である。また、プロセスの簡略化と低コスト化のため第１及び第２のリードフレーム２０，３０及び半導体チップ７，８をこの実施の形態で示した２個よりも多い個数同時に接合するようにしてもよい。
【００１８】
次に、図４に示すような分割可能な下型１０１ａと上型１０１ｂにて構成された金型１０１を用意する。下型１０１ａ及び上型１０１ｂはそれぞれ収容部形成用壁部を有し組み合わされて、収容部形成用壁部が導体チップリードフレーム接合体４０を収容する収容部と図４の右方に示した注入孔部１０１ｃが形成される。半導体チップリードフレーム接合体４０は、その各リードフレーム端子２２〜２５の上面及びリードフレーム端子３２の下面に離型材としての離型シート１３の接着面側を対向させて接着させる。このようにしたもの、下型１０１ａの中に置き、上型１０１ｂを被せ、図４の状態にする。そして、金型１０１の注入孔部１０１ｃ（図４の右方）から、封入用の樹脂を金型１０１内の収容部に注入固化させ、半導体チップリードフレーム接合体４０の半導体チップ７，８を樹脂１２で封止する。次に、離型シート１３を剥離して、露出部２２ａ〜２４ａ及びリードフレーム端子２５並びにリードフレーム端子３２の露出部３２ａを樹脂１２から露出させる。なお、離型シート１３の剥離は、次に述べる連結支持部２２ｆ〜２５ｆの切断、分離後に行ってもよい。
【００１９】
しかる後、第１のリードフレーム２０の連結支持部２２ｆ〜２５ｆ及び第２のリードフレーム３０の連結支持部３２ｆをタイバーカット装置、ダイシング装置、レーザー装置などで切断、分離して、外周枠部２１及び枠体３１を除去する。これにより、図６に示す半導体装置が２個製造される。なお、上記のように樹脂１２で封止後に連結支持部２２ｆ〜２５ｆ及び３２ｆを切断して外周枠部２１及び枠体３１を除去するため、本来は不要である連結支持部２２ｆ〜２５ｆが残っている。しかし、樹脂１２で封止する前の半導体チップリードフレーム接合体４０は、すでに接合されて一体化しているので、樹脂１２で封止する前にリードフレーム端子２２〜２５の近くで各連結支持部２２ｆ〜２５ｆ，３２ｆを切断して外周枠部２１及び枠体３１を除去するようにすれば、連結支持部２２ｆ〜２５ｆが残らないようにできる。
【００２０】
また、各リードフレーム端子２２〜２４の露出部２２ａ〜２４ａ及びリードフレーム端子２５相互間の高さの差すなわち面の不揃いは、これらを上述のように１枚のリードフレームにて形成したものを連結支持部２２ｆ〜２５ｆで切断して製造しているため、０．００５〜０．０２ｍｍ程度と必要かつ充分な小さい値とできる。なお、要すれば、各連結支持部２２ｆ〜２５ｆは弾性変形可能であるので、露出部２２ａ〜２４ａ及びリードフレーム端子２５を上型１０１ｂを下型１０１ａに乗せるときに上型１０１ｂの収容形成壁部で図４におけ下方に押圧して各露出部２２ａ〜２４ａ及びリードフレーム端子２５相互間の高さの差（段差）を所定値以下に調整することもできる。また、接合部２２ｃ〜２４ｃの面積は折り曲げる角度と面積により任意の大きさとピッチ間隔で配置することが可能である。また、リードフレーム端子３２の露出部３２ａは、半導体装置の他方の面側に露出する（図７参照）ようにされているので、面積を広くとって放熱性能を向上させることができる。なお、第１のリードフレーム２０と第２のリードフレーム３０の厚みは必ずしもを同じ厚みにする必要はない。
【００２１】
このようにして製造された半導体装置は、図５〜図７に示すように構成されている。すなわち、図５に示すようにリードフレーム端子２２〜２５、半導体チップ７，８、リードフレーム端子３２が、樹脂１２により一体にモールドされている。そして、図５に示すように半導体装置の一方の面に各露出部２２ａ〜２４ａ及びリードフレーム端子２５が面一になりかつ二列に並んで露出し、図７に示すように半導体装置の他方の面に２つのリードフレーム端子３２の露出部３２ａが露出している。これら各リードフレーム端子２２〜２４の接合部２２ｃ，２３ｃ，２４ｃは、半田１０で半導体チップ７、８の各電極７ａ，７ｂ，８ａに接合され、リードフレーム端子３２の露出部３２ａは半導体チップ７、８の各電極７ｃ，８ｂに接合されている。
【００２２】
各リードフレーム端子２２〜２４の露出部２２ａ〜２４ａ（図６）のみならずリードフレーム端子３２の露出部３２ａ（図７）が樹脂１２から露出しているので、放熱面積が増え放熱特性が優れたものとなる。また、各リードフレーム端子２２〜２４の露出部２２ａ〜２４ａ及びリードフレーム端子２５の面（つら）を所定の精度で揃えることができ、プリント基板等への実装の信頼性すなわち外部から半導体装置の第１の端子部材の露出部及び別端子部材であるリードフレーム端子２５に接続するときの信頼性が向上する。また、第２の端子部材の延伸部と接続する別端子部材を設けことにより第１の端子部材の露出部の面と別端子部材の面とを所定の精度で容易に揃えることができる。
【００２３】
金型１０１を使用することにより、樹脂の注入及び樹脂による封止が容易である。離型材を設けることにより、離型材を除去して第１のリードフレーム端子の第１の露出部及び第２のリードフレーム端子の露出部を兼ねる第２の接合部を容易に露出することができ、生産性を向上させることができる。第１の露出部２２ａ〜２４ａの面と別端子部材であるリードフレーム端子２５との面（つら）が不揃いであっても第１の連結支持部及び別連結支持部の少なくとも一方が弾性変形することにより、両者の面をさらに精度良く揃えることができる。また、半導体チップとして絶縁ゲートバイポーラトランジスタやダイオードチップに適用して実装の信頼性を向上させることができる。
【００２４】
この発明に係る半導体装置の製造方法は、次の工程を備えたものであるので、後で述べるような効果を奏する。
ア．第１及び第２の電極を有する半導体チップの第１の電極に接合される第１の接合部と第１の接合部に第１の連結部を介して連結された第１の露出部とを有する第１の端子部材、第１の端子部材とは別の別端子部材、及び第１の端子部材及び別端子部材を第１の連結支持部及び別連結支持部を介してそれぞれ支持する第１の支持部材を設けた第１のリードフレームを用意する第１の準備工程。
イ．半導体チップの第２の電極に接合される第２の接合部とこの第２の接合部に第２の連結部を介して連結された延伸部とを有する第２の端子部材、及び第２の端子部材を第２の連結支持部を介して支持する第２の支持部材を設けた第２のリードフレームを用意する第２の準備工程。
ウ．第１のリードフレームの第１の接合部に半導体チップの第１の電極を対向させ接合するとともに半導体チップの第２の電極に第２のリードフレームの第２の接合部を対向させ接合しかつ第１のリードフレームの別端子部材に第２の端子部材の延伸部と対向させて接合し、半導体チップと第１及び第２のリードフレームとを一体化して半導体チップリードフレーム接合体を製造する半導体チップリードフレーム接合体製造工程。
エ．第１のリードフレームの第１の露出部及び別端子部材が露出するようにして半導体チップリードフレーム接合体の半導体チップを樹脂にて封止する封止工程。
オ．半導体チップリードフレーム接合体製造工程又は封止工程の後、第１の連結支持部及び別連結支持部を切断して半導体チップリードフレーム接合体から第１及び第２の支持部材を除去する支持部材除去工程。
このように、第１の露出部及び別端子部材を第１の支持部材にて支持した第１のリードフレームを用意するので、両者の面（つら）を所定の精度で揃えることができ、実装の信頼性すなわち外部から半導体装置の第１の端子部材の露出部及び別端子部材に接続するときの信頼性が向上する。
【００２５】
そして、封止工程は、第２の接合部も露出するようにして半導体チップリードフレーム接合体の半導体チップを樹脂にて封止するものであることを特徴とするので、第１のリードフレームの第１の露出部のみならず第２のリードフレームの第２の接合部も露出するので放熱面積が増え、放熱特性が優れたものとなる。
【００２６】
さらに、封止工程は、第１及び第２の収容部形成壁部を有するものであって、第１及び第２の収容部形成壁部を組み合わされて内部に半導体チップリードフレーム接合体を収容する収容部を形成する第１及び第２の注型用型部材を設けた注型用型の収容部に半導体チップリードフレーム接合体を収容して樹脂を注入し封止するものであることを特徴とするので、樹脂の注入及び封止が容易である。
【００２７】
また、封止工程は、第１の露出部及び別端子部材が第１の収容部形成壁部に対向するとともに第２の接合部が第２の収容部形成壁部に対向するようにして、かつ第１の露出部及び別端子部材と第１の収容部形成壁部との間及び第２の接合部と第２の収容部形成壁部との間に離型材を設けてから、樹脂を注入して半導体チップを封止後離型材を除去して第１の露出部及び第２の接合部を露出するものであることを特徴とするので、離型材を除去して第１の露出部及び第２の接合部を容易に露出することができる。
【００２８】
そして、第１の連結支持部及び別連結支持部の少なくとも一方は弾性変形しうるようにされたものであり、第１の注型用型部材の第１の収容部形成壁部にて第１の露出部及び別端子部材の少なくとも一方を所定方向に押圧して第１の連結支持部及び別連結支持部の少なくとも一方を弾性変形させた状態で、樹脂にて封止するものであることを特徴とするので、第１の露出部の面と別端子部材との面が不揃いであっても第１の連結支持部及び別連結支持部の少なくとも一方が弾性変形することにより、両者の面をさらに精度良く揃えることができる。
【００２９】
さらに、封止工程は、半導体チップリードフレーム接合体の半導体チップを複数同時に樹脂にて封止するものであることを特徴とするので、複数同時に樹脂にて封止することにより生産性を向上することができる。
【００３０】
また、半導体チップは、平板状であって一方の面側に第１の電極としてのゲート電極及びエミッター電極が形成されるとともに他方の面側には第２の電極としてのコレクター電極が形成された絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とするので、絶縁ゲートバイポーラトランジスタに適用して実装の信頼性を向上させることができる。
【００３１】
そして、半導体チップは、平板状であって一方の面側に第１の電極としてのアノード電極が形成されるとともに他方の面側には第２の電極としてのカソード電極が形成されたダイオードチップであることを特徴とするので、ダイオードチップに適用して実装の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
さらに、この発明に係る半導体装置は、第１及び第２の電極を有する半導体チップが樹脂で封止されたものであって、半導体チップの第１の電極に接合された第１の接合部と第１の接合部に第１の連結部を介して連結されるとともに樹脂から露出された第１の露出部とを有する第１の端子部材、第１の端子部材とは別の別端子部材、及び半導体チップの第２の電極に接合された第２の接合部とこの第２の接合部に第２の連結部を介して連結されるとともに別端子部材に接合された延伸部を有する第２の端子部材を備えたので、第２の端子部材の延伸部と接続する別端子部材を設けたことにより第１の端子部材の第１の露出部の面と別端子部材の面とが所定の精度で揃うため、実装の信頼性すなわち外部から半導体装置の第１の端子部材の露出部及び別端子部材に接続するときの信頼性が向上する。
【００３３】
そして、第２の接合部も樹脂から露出されたものであることを特徴とするので、放熱面積が大きく、放熱特性に優れる。
【００３４】
さらに、半導体チップは、平板状であって一方の面側に第１の電極としてのゲート電極及びエミッター電極が形成されるとともに他方の面側には第２の電極としてのコレクター電極が形成された絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とするので、絶縁ゲートバイポーラトランジスタに適用して実装の信頼性を向上させることができる。
【００３５】
また、半導体チップは、平板状であって一方の面側に第１の電極としてのアノード電極が形成されるとともに他方の面側には第２の電極としてのカソード電極が形成されたダイオードチップであることを特徴とするので、ダイオードチップに適用して実装の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明の実施の形態１における第１のリードフレームの構成を示すもので、図（ａ）は平面図、図（ｂ）は断面図である。
【図２】実施の形態１における第２のリードフレームの構成を示すもので、図（ａ）は平面図、図（ｂ）は断面図である。
【図３】実施の形態１における半導体チップリードフレーム接合体４０の構成図である。
【図４】実施の形態１における半導体装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図５】実施の形態１における半導体装置の図６の断面Ｄにおける断面図である。
【図６】図５の半導体装置の斜視図である。
【図７】図５の半導体装置を裏面からみた斜視図である。
【図８】従来例の半導体装置の構成図である。
【符号の説明】
【００３７】
７，８  半導体チップ、１０  半田、１２  樹脂、１３  離型シート、
２０  第１のリードフレーム、２１  外周枠部、２２〜２５  リードフレーム端子、
２２ａ〜２４ａ  露出部、２２ｂ〜２４ｂ  折り曲げ部、２２ｃ〜２４ｃ  接合部、
２２ｆ〜２５ｆ  連結支持部、３０  第２のリードフレーム、
３２  リードフレーム端子、３２ａ  露出部、３２ｂ  折り曲げ部、３２ｃ  延伸部、
４０  半導体チップリードフレーム接合体、１０１  金型。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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