(57)【要約】【課題】一対の電極膜から効率よく電子を放出する。【解決手段】後側基板３の対向空間側面３１には、フロートガラスからなる後側基板３と異なる絶縁材料のＳｉＯ2膜３２が設けられている。また、ＳｉＯ2膜３２には、隙間部３３が形成されている。また、後側基板３のＳｉＯ2膜３２上には、蛍光体２３を励起発光させるために電子を放出する表面伝導型の電子放出部３４が設けられている。各電子放出部３４は、一対の電極膜３５，３６が離間して構成され、一対の電極膜３５，３６に電圧を印加する（電位差を与える）ことにより電子を蛍光体部２２に向けて放出する。【選択図】図１
2007214003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ金属を含量した絶縁基板に、電子を放出する電子放出部が少なくとも１つ設けられ、前記電子放出部は一対の電極膜が離間して構成され、前記絶縁基板上で前記一対の電極膜間に電位差を与えることにより電子を放出する電子デバイス用の基板において、
前記絶縁基板上に当該絶縁基板から拡散する前記アルカリ金属を防止する拡散防止膜が設けられるとともに、前記拡散防止膜上に前記電子放出部が設けられ、
前記拡散防止膜の材料と前記絶縁基板の材料とは異なる材料であることを特徴とする電子デバイスの基板。
【請求項２】
前記絶縁基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの基板。
【請求項３】
真空チャンバ内に、アルカリ金属の拡散を防止するための材料からなるターゲットが設けられ、
前記ターゲットに対向して、請求項１または２に記載された電子デバイスの基板のうち前記絶縁基板を配し、反応性スパッタリングにより前記絶縁基板上に前記拡散防止膜を形成することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項４】
前記ターゲットは複数個設けられ、全てのターゲットが前記絶縁基板に対向するように並設されたことを特徴とする請求項３に記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記ターゲットには、直流電圧を供給する直流電源と、高周波電圧を印加する高周波電源とが接続され、
前記直流電源による直流電圧に、前記高周波電源による高周波電圧が重畳されたことを特徴とする請求項３に記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
前記ターゲットは複数個設けられ、全てのターゲットが前記絶縁基板に対向するように配され、
前記各ターゲットに、直流電圧を供給する直流電源と、高周波電圧を印加する高周波電源とが個別に接続され、
前記直流電源による直流電圧に、前記高周波電源による高周波電圧が重畳されたことを特徴とする請求項３に記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
前記スパッタリング時における温度は、前記絶縁基板の軟化温度よりも低い温度であることを特徴とする請求項３乃至６のうちいずれか１つに記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子を放出する電子デバイスの基板、およびその基板に膜を形成するためのスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、電子デバイスのうち表示装置において、高輝度、高精細の画質としてＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）が開発されている。
【０００３】
このＳＥＤの原理は、真空中において電子を発光面に塗布された蛍光体からなる物質に向けて放出し、蛍光体に衝突させて発光させるものである。
【０００４】
そこで、このようなＳＥＤ用の電子放出素子（電子デバイスの基板）として、一対の対向するガラス材からなる基板の一方に蛍光体を設け、他方に電子を放出する電子放出部を設けたものがある（例えば、特許文献１ご参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１９２８１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した特許文献１に示すようなＳＥＤ用の電子デバイスの基板では、基板にアルカリ金属を含量した絶縁性材料が用いられているため、電子の放出が阻害される傾向にある。
【０００６】
すなわち、基板にアルカリ金属を含量した絶縁性材料が用いられ、この基板に電子を放出する電子放出部が直接設けられているため、電子放出による発光を長時間行うと、電子放出部に基板のアルカリ成分が拡散して電子放出部（具体的に一対の電極膜）を劣化させる原因となる。
【０００７】
そこで、上記課題を解決するために本発明は、一対の電極膜から効率よく電子を放出する電子デバイスの基板、およびその基板に膜を形成するためのスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子デバイス用の基板は、アルカリ金属を含量した絶縁基板に、電子を放出する電子放出部が少なくとも１つ設けられ、前記電子放出部は一対の電極膜が離間して構成され、前記絶縁基板上で前記一対の電極膜間に電位差を与えることにより電子を放出する電子デバイス用の基板において、前記絶縁基板上に当該絶縁基板から拡散する前記アルカリ金属を防止する拡散防止膜が設けられるとともに、前記拡散防止膜上に前記電子放出部が設けられ、前記拡散防止膜の材料と前記絶縁基板の材料とは異なる材料であることを特徴とする。なお、上記した前記拡散防止膜とは、例えば、ＳｉＯX膜，ＳｉＮX膜，ＳｉＯＮX膜，ＡｌＯx膜，ＡｌＮX膜，ＡｌＯＮX膜などのことをいう。
【０００９】
本発明によれば、前記絶縁基板上に前記拡散防止膜が設けられるとともに、前記拡散防止膜上に前記電子放出部が設けられ、前記拡散防止膜の材料と前記絶縁基板の材料とは異なる材料であるので、電子放出による発光を長時間行うことによって前記絶縁材料が発熱し、この発熱によって前記一対の電極膜に前記絶縁基板のアルカリ成分が拡散するのを抑制することが可能となり、その結果、前記一対の電極膜の劣化を抑制させることが可能となり、前記一対の電極膜から効率よく電子を放出することが可能となる。
【００１０】
また、具体的に、前記絶縁基板は、ガラス基板であってもよく、この場合、表面平滑性および表面平坦性が良好である。さらに、ガラス基板として溶融温度が低いフロートガラスを用いることが好ましい。
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明にかかるスパッタリング装置は、真空チャンバ内に、アルカリ金属の拡散を防止するための材料からなるターゲットが設けられ、前記ターゲットに対向して、上記した電子デバイスの基板のうち前記絶縁基板を配し、反応性スパッタリングにより前記絶縁基板上に前記拡散防止膜を形成することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、前記真空チャンバ内に、前記アルカリ金属の拡散を防止するための材料からなるターゲットが設けられ、前記ターゲットに対向して、上記した電子デバイスの基板のうち前記絶縁基板を配し、反応性スパッタリングにより前記絶縁基板上に前記拡散防止膜を形成する（設ける）ので、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による膜形成と比較して膜形成の温度を低く抑えることが可能となる。その結果、前記拡散防止膜の耐エッチング特性を良くすることが可能となる。また、このスパッタリング装置によれば、ＣＶＤ法による膜形成と比較して後工程の熱処理工程を必要としないために、膜形成の温度を低く抑えることが可能となり、製造工程を短くすることが可能となる。なお、ＣＶＤ法では熱処理工程を行なわないと膜質（膜の緻密性など）の向上を図ることが難しい。
【００１３】
前記構成において、前記ターゲットは複数個設けられ、全てのターゲットが前記絶縁基板に対向するように並設されてもよい。
【００１４】
この場合、前記ターゲットは複数個設けられ、前記全てのターゲットが前記絶縁基板に対向するように並設されるので、前記拡散防止膜を形成する絶縁基板の大型化を図ることが可能となる。
【００１５】
前記構成において、前記ターゲットには、直流電圧を供給する直流電源と、高周波電圧を印加する高周波電源とが接続され、前記直流電源による直流電圧に、前記高周波電源による高周波電圧が重畳されてもよい。
【００１６】
この場合、前記ターゲットには前記直流電源と前記高周波電源とが接続され、前記直流電源による直流電圧に、前記高周波電源による高周波電圧が重畳されるので、高出力を得て酸素が前記ターゲットの表面に付着して異常放電を抑制することが可能となる。その結果、高周波電圧を直流電圧に重畳すると比較的早く前記拡散防止膜を形成することが可能となる。
【００１７】
前記構成において、前記ターゲットは複数個設けられ、全てのターゲットが前記絶縁基板に対向するように配され、前記各ターゲットに、直流電圧を供給する直流電源と、高周波電圧を印加する高周波電源とが個別に接続され、前記直流電源による直流電圧に、前記高周波電源による高周波電圧が重畳されてもよい。
【００１８】
この場合、前記ターゲットは複数個設けられ、前記全てのターゲットが前記絶縁基板に対向するように配され、前記各ターゲットに前記直流電源と前記高周波電源とが個別に接続され、前記直流電源による直流電圧に、前記高周波電源による高周波電圧が重畳されるので、前記絶縁基板の前記拡散防止膜を形成したい部分全体に均一量の前記拡散防止膜を形成することが可能となり、前記拡散防止膜の表面を滑らかにするのに好ましい。そのため、前記拡散防止膜を形成する絶縁基板の大型化を図ることが可能となる。また、複数個の前記ターゲットをそれぞれ個別に監視することができ、複数個の前記ターゲット毎にスパッタリング量を調整することが可能となる。
【００１９】
前記構成において、前記スパッタリング時における温度は、前記絶縁基板の軟化温度よりも低い温度であってもよい。なお、特に、前記スパッタリング時における温度が、前記絶縁基板の性質が変化する温度である基板温度よりも低いことが好適である。この基板温度は、軟化温度よりも低い温度である。
【００２０】
上記したように、前記スパッタリング時における温度が前記絶縁基板の軟化温度よりも低い温度であって、スパッタリングが反応性（リアクティブ）スパッタリングである場合に、前記拡散防止膜の耐エッチング特性を良好にすることが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、一対の電極膜から効率よく電子を放出する電子デバイスの基板、およびその基板に膜を形成するためのスパッタリング装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００２３】
本実施例にかかる電子デバイスは、真空中において電子を発光面に塗布された蛍光体からなる物質に向けて放出し、蛍光体に衝突させて発光させる表面電界表示部であり、その発光原理を図１を用いて説明する。なお、図１は、発光原理を説明するための表面電界表示部１の概略構成を示した図面であり、表面電界表示部１の一部を示した概略図である。
【００２４】
表面電界表示部１は、図１に示すように、前側基板２と後側基板３とが、予め設定した間隙をもって対向配置されている。前側基板２と後側基板３とは、それぞれ直方体のアルカリ金属を含量した絶縁基板からなる。そして、前側基板２と後側基板３とは、それぞれ平面視外周で接合され（図示省略）、前側基板２と後側基板３との対向空間１１が真空状態となっている。なお、本実施例では、前側基板２および後側基板３としてガラス基板として、溶融温度が低いフロートガラスを用いる。
【００２５】
前側基板２の対向空間側面２１には、図１に示すように、画像を表示するための画像表示部として機能する蛍光体部２２が設けられている。
【００２６】
蛍光体部２２は、複数個の蛍光体２３と、これら蛍光体２３を分けるための遮光部２４から構成され、複数個の蛍光体２３が並設され、それぞれの間に遮光部２４が設けられている。図１では、３つの蛍光体２３しか示していないが、図１は表面電界表示部１の一部を示した概略図であり、実際は蛍光体２３がマトリックス状に複数個設けられている。また、蛍光体部２２上には、アルミニウム等の導電性薄膜２５が形成されている。
【００２７】
後側基板３（本発明でいう電子デバイスの基板）の対向空間側面３１には、フロートガラスからなる後側基板３と異なる絶縁材料の膜（本発明でいう拡散防止膜）が設けられ、本実施例では、図１に示すように、ＳｉＯ2膜３２が設けられている。このＳｉＯ2膜３２によれば、後側基板３に含まれたアルカリ金属が一対の電極膜３５，３６に拡散（例えば熱拡散）するのを防止する。
【００２８】
また、後側基板３のＳｉＯ2膜３２上には、蛍光体２３を励起発光させるために電子を放出する表面伝導型の電子放出部３４が設けられている。電子放出部３４は、図１に示すように複数個設けられ、これら複数個の電子放出部３４は、それぞれ前側基板２の各蛍光体２３に対応して対向して配されている。すなわち、後側基板３の対向空間側面３１上にマトリックス状に設けられている。また、この後側基板３のＳｉＯ2膜３２上には、各電子放出部３４に駆動電圧を与えるための多数本の配線Ｌが引き回されている（図示省略）。
【００２９】
各電子放出部３４は、図１に示すように、一対の電極膜３５，３６が離間して構成され、一対の電極膜３５，３６に電圧を印加する（電位差を与える）ことにより電子を蛍光体部２２に向けて放出する。なお、本実施例用いる一対の電極膜３５，３６の材料としては、金属などの一般的な導電性の材料を用いている。
【００３０】
上記したように、本実施例にかかる表面電界表示部１の後側基板３によれば、アルカリ金属を含量した当該後側基板３上に拡散防止膜であるＳｉＯ2膜３２が設けられるとともに、ＳｉＯ2膜３２上に電子放出部３４が設けられ、ＳｉＯ2膜３２の材料と当該後側基板３の材料とは異なる材料であるので、電子放出による発光を長時間行うことによって一対の電極膜３５，３６に当該後側基板３のアルカリ成分が拡散するのを抑制することができ、その結果、一対の電極膜３５，３６の劣化を抑制させることができ、一対の電極膜３５，３６から効率よく電子を放出することができる。
【００３１】
また、表面電界表示部１の後側基板３がガラス基板であるので、表面平滑性および表面平坦性が良好である。特に、ガラス基板として溶融温度が低いフロートガラスを用いることが好ましい。
【００３２】
なお、本実施例では、上記したように、前記拡散防止膜としてＳｉＯ2膜３２を用いているが、これに限定されるものではなく、当該後側基板３に含まれたアルカリ金属が一対の電極膜３５，３６に拡散するのを防止する膜であれば他の膜であってもよい。具体的に、ＳｉＯX膜，ＳｉＮX膜，ＳｉＯＮX膜，ＡｌＯx膜，ＡｌＮX膜，ＡｌＯＮX膜などであってもよい。
【００３３】
また、本実施例では、複数個の蛍光体２３と、これら蛍光体２３に対応した電子放出部３４を設けているが、数や配置はこれに限定されるものではなく、１つの電子放出部とこれに対応する１つの蛍光体からなってもよい。すなわち、任意の数や配置により表面電界表示部１を構成してもよい。
【００３４】
また、本実施例では、後側基板３の対向空間側面３１にＳｉＯ2膜３２が設けられているが、これに限定されるものではなく、電子放出部３４を形成する面に形成されていれば任意の面に形成してもよい。
【００３５】
次に、上記した上記した表面電界表示部１の後側基板３のＳｉＯ2膜３２の形成方法について図２を用いて説明する。なお、本実施例では、インライン方式のスパッタリング装置を用いて、表面電界表示部１の後側基板３単体にＳｉＯ2膜３２を形成する（設ける）。なお、基板の搬送方向を図４に示す矢印で示す。
【００３６】
スパッタリング装置４は、図２に示すように、真空チャンバ（図示省略）内に不活性ガスとしてのＡｒガス等と、反応性ガスとしてのＮ2ガス、Ｏ2ガス等とを供給して、マグネトロン放電を利用した反応性スパッタリングによって、真空チャンバ内に配した表面電界表示部１の後側基板３単体（本発明でいう絶縁基板）にＳｉＯ2膜３２を形成するものである。
【００３７】
真空チャンバ内には、図２に示すように、アルカリ金属の拡散を防止するための構成材料であるシリコン（Ｓｉ）を成分とするターゲット面が円形に形成されたターゲット４１が８つ並設されている。また、真空チャンバ内には、後側基板３単体が、各ターゲット４１に対向して配置されている。なお、これら８つのターゲット４１は、それぞれのターゲット面の位置を、図２に示すように、対象基板である後側基板３単体のＳｉＯ2膜３２を形成したい全ての領域（後側基板３単体の対向空間側面３１）にＳｉＯ2膜３２を形成するように、後側基板３単体の対向空間側面３１に対して散布した状態で配されている。
【００３８】
各ターゲット４１のターゲット面裏面には、真空チャンバ内に電界を形成するために通電されるターゲット電極（図示省略）がそれぞれ設けられ、さらに、各ターゲット電極の背面側に各ターゲット電極にて形成される電界とは直交する磁界を形成するように、複数の磁石（図示省略）がそれぞれ設けられている。また、各ターゲット電極には、電源装置４２がそれぞれ接続されている。なお、図２では、１つのターゲット４１と電源装置４２との接続状態を示したブロック図を示し、その他のターゲット４１と電源装置４２との接続状態を示した図は省略している。
【００３９】
各ターゲットの電源装置４２は、図２に示すように、各ターゲット電極に接続されたマッチングボックス４３（図２に示すＭ．ＢＯＸ）と、マッチングボックス４３に接続され高周波電圧を印加する高周波電源４４（図２に示すＲＦ）と、マッチングボックス４３に接続され直流電圧を印加する直流電源４５（図２に示すＤＣ）とから構成されている。高周波電源４４および直流電源４５は、高周波電流および直流電流がそれぞれ断続的に出力されるようになっている。直流電源４５は、矩形波パルス信号のオンおよびオフに同期して直流電流が出力される。また、高周波電源４４は、パルス信号のオンに対して予め設定した時間遅れのタイミングで高周波電流が出力されて、矩形波パルス信号のオフに同期して高周波電流の出力が停止される。
【００４０】
高周波電源４４から断続的に出力される高周波電流は、マッチングボックス４３内に設けられたインピーダンスマッチング回路（図示省略）に与えられており、高周波電流はインピーダンスマッチング回路によってインピーダンスマッチングされて、ターゲット電極に与えられる。
【００４１】
直流電源４５から断続的に出力される直流電流は、マッチングボックス４３において矩形波パルス信号に同期してオンおよびオフするようになっており、マッチングボックス４３に与えられる直流電流が、断続的に出力される。マッチングボックス４３から出力される直流電流は、インピーダンスマッチング回路から出力される高周波電流に重畳されて、高周波電流とともにターゲット電極に与えられる。
【００４２】
各電源装置４２にそれぞれ設けられた各高周波電源４４から出力される高周波電流は、１つの位相器（図示省略）によって位相のずれが解消するように調整されて、全てが同期した状態で出力されるようになっている。
【００４３】
上記した構成からなるスパッタリング装置４では、真空チャンバ内にＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガスが、１×１０-3Ｔｏｒｒの圧力を維持しながら導入された状態で、各ターゲット電極に、直流電源４５から断続的に出力される直流電流と、高周波電源４４から断続的に出力された高周波電流とが重畳されて通電される。そして、真空チャンバ内にて放電が発生し、各ターゲット４１からはＳｉ粒子がスパッタリングされ、スパッタリングされたＳｉ粒子が、反応性ガスと反応して後側基板３単体に付着し、ＳｉＯ2膜３２が後側基板３単体に形成される。なお、スパッタリング時の温度は、後側基板３単体の軟化温度よりも低い温度に設定されている。具体的に、本実施例では、４００〜５００度に設定されている。なお、本実施例では、スパッタリング時における温度が、軟化温度（後側基板３としてフロートガラスを用いた場合４００〜５００度）以下の温度に設定されているが、さらに好適な例では、スパッタリング時における温度が、後側基板３の性質が変化する温度である基板温度（後側基板３としてフロートガラスを用いた場合３００度以下）よりも低い温度に設定されている。
【００４４】
上記したように、本実施例にかかるスパッタリング装置４によれば、真空チャンバ内に、アルカリ金属の拡散を防止するための材料であるＳｉからなるターゲット４１が設けられ、ターゲット４１に対向して、上記した表面電界表示部１の後側基板３単体を配し、反応性スパッタリングにより後側基板３上に拡散防止膜であるＳｉＯ2膜３２を形成する（設ける）ので、ＣＶＤ法による膜形成と比較して膜形成の温度を低く抑えることができる。その結果、ＳｉＯ2膜３２の耐エッチング特性を良くすることができる。また、このスパッタリング装置４によれば、ＣＶＤ法による膜形成と比較して後工程の熱処理工程を必要としないために、膜形成の温度を低く抑えることができ、製造工程を短くすることができる。なお、ＣＶＤ法では熱処理工程を行なわないと膜質（膜の緻密性など）の向上を図ることが難しい。
【００４５】
また、一対のターゲット４１が８つ設けられ、全てのターゲット４１が後側基板３に対向するように並設されるので、ＳｉＯ2膜３２を形成する後側基板３の大型化を図ることができる。
【００４６】
また、ターゲット４１には直流電源４５と高周波電源４４とが接続され、直流電源４５による直流電圧に、高周波電源４４による高周波電圧が重畳されるので、高出力を得て酸素がターゲット４１の表面に付着して異常放電を抑制することができる。その結果、高周波電圧を直流電圧に重畳すると比較的早くＳｉＯ2膜３２を形成することができる。
【００４７】
また、一対のターゲット４１が８つ設けられ、全てのターゲット４１が後側基板３に対向するように配され、各ターゲット４１に直流電源４５と高周波電源４４とが個別に接続され、直流電源４５による直流電圧に、高周波電源４４による高周波電圧が重畳されるので、後側基板３のＳｉＯ2膜３２を形成したい部分全体に均一量のＳｉＯ2膜３２を形成することができ、ＳｉＯ2膜３２の表面を滑らかにするのに好ましい。そのため、ＳｉＯ2膜３２を形成する後側基板３の大型化を図ることができ。また、８つのターゲット４１をそれぞれ個別に監視することができ、８つのターゲット４１毎にスパッタリング量を調整することができる。
【００４８】
また、反応性スパッタリングにおける温度は、後側基板３の軟化温度よりも低い温度であるので、ＳｉＯ2膜３２の耐エッチング特性を良くすることができる。特に、反応性スパッタリングにおける温度が、軟化温度よりも低い基板温度以下に設定されていることが好適である。
【００４９】
上記したように、スパッタリング時における温度が前記絶縁基板の軟化温度よりも低い温度であって、スパッタリングが反応性（リアクティブ）スパッタリングである場合に、前記拡散防止膜の耐エッチング特性を良好にすることが可能となる。
【００５０】
そこで、実際に、上記したような本実施例に示す反応性スパッタリング法によるＳｉＯ2膜３２（ＳｉＯX膜）と、比較例で挙げたＣＶＤ法によるＳｉＯX膜と、参考例として高周波スパッタリング法によるＳｉＯX膜と、のエッチング量および成膜基板温度を測定した。その結果を、以下の表１，２に示す。
【００５１】
なお、本測定におけるエッチング条件を、表１の表外に示す。また、本実施例および比較例ではターゲットとしてＳｉターゲットを用い、参考例ではターゲットとして石英ターゲットを用いている。
【００５２】
【表１】
2007214003.tif 000003
【００５３】
【表２】
2007214003.tif 000004
【００５４】
上記した表１，２から、本実施例に示す反応性スパッタリング法によるＳｉＯ2膜３２（ＳｉＯX膜）の成膜エッチングによれば、他の参考例（高周波数スパッタリング法によるＳｉＯX膜）や比較例（ＣＶＤ法によるＳｉＯX膜）と比較して、エッチング量が少なく、さらに成膜基板温度が低いことがわかる。
【００５５】
上記したことから、他の参考例（高周波数スパッタリング法によるＳｉＯX膜）や比較例（ＣＶＤ法によるＳｉＯX膜）よりも、本実施例に示す反応性スパッタリング法によるＳｉＯ2膜３２（ＳｉＯX膜）のほうが酸に溶け難いことが分かった。その結果、他の参考例（高周波数スパッタリング法によるＳｉＯX膜）や比較例（ＣＶＤ法によるＳｉＯX膜）よりも、本実施例に示す反応性スパッタリング法によるＳｉＯ2膜３２（ＳｉＯX膜）のほうが、耐エッチング特性がすぐれていることが分かった。
【００５６】
また、低温成膜工程において、他の参考例（高周波数スパッタリング法によるＳｉＯX膜）や比較例（ＣＶＤ法によるＳｉＯX膜）よりも、本実施例に示す反応性スパッタリング法によるＳｉＯ2膜３２（ＳｉＯX膜）のほうが、膜の平滑性、平坦性、および緻密性などの膜質の向上を図ることができ、その結果、耐拡散性が向上した。
【００５７】
なお、本実施例では、一対のターゲット４１を８つ設けているが、これに限定されるものではなく、ターゲットの数を任意に設定してもよい。また、ターゲットの数を増やすことで基板の大型化に好適に対応できる。
【００５８】
また、本実施例では、アルカリ金属の拡散を防止するための材料として、Ｓｉを用いているが、これに限定されるものではなく、アルカリ金属の拡散を防止するための材料は拡散防止膜に対応して可変させるものである。例えば、拡散防止膜としてＡｌ2Ｏ3膜を用いた場合、アルカリ金属の拡散を防止するための材料として、Ａｌを用いる。
【００５９】
また、本実施例では、インライン方式のスパッタリング装置４を用いているが、これに限定されるものではなく、例えば、カルーセル方式のスパッタリング装置であってもよい。
【００６０】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明にかかる電子デバイスの基板として、表面電界表示部の基板に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は、本実施例にかかる表面電界表示部の概略構成側面図である。
【図２】図２は、本実施例にかかるスパッタリング装置のターゲットと対象基板との位置関係および、対象基板の搬送方向を示した図である。
【符号の説明】
【００６３】
３  後側基板（電子デバイス用の基板）
３２  ＳｉＯ2膜（ＳｉＯX膜）
３４  電子放出部
３５，３６  一対の電極膜
４  スパッタリング装置
４１  ターゲット
４４  高周波電源
４５  直流電源
【図１】
2007214003.tif 000005
【図２】
2007214003.tif 000006