(57)【要約】【課題】  絶縁体の壁面に沿った沿面放電を抑え、電圧印加電極と接地電極の絶縁破壊を防止する。【解決手段】  対向して配置される一対の高電圧印加電極１３および接地電極１４と、高電圧印加電極１３と接地電極１４を対向間隔をあけて保持する絶縁体１５を備える。かつ、高電圧印加電極１３と接地電極１４との間の放電空間に配置され、被処理ガスが通過する粒状をなす無機誘電体１７ａからなる無機誘電体層１７を備える。また、絶縁体１５には、無機誘電体層１７に当接する内壁面１５ａに、凹部２０ａを有する沿面距離延長部２０が形成されている。そして、高電圧印加電極１３から沿面距離延長部２０を経て接地電極１４までの最短距離が、高電圧印加電極１３から無機誘電体層１７を経て接地電極１４までの最短距離よりも長くされている。【選択図】  図２
2007029896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置される一対の電圧印加電極および接地電極と、
前記電圧印加電極と前記接地電極を対向間隔をあけて保持する絶縁体と、
前記電圧印加電極と前記接地電極との間の放電空間に配置され、被処理ガスが通過する無機誘電体層とを備え、
前記絶縁体には、前記無機誘電体層に当接される壁面に、凹部および凸部の少なくとも一方を有する沿面距離延長部が形成され、
前記電圧印加電極から前記沿面距離延長部を経て前記接地電極までの最短距離が、前記電圧印加電極から前記無機誘電体層を経て前記接地電極までの最短距離よりも長くされているプラズマリアクタ。
【請求項２】
前記無機誘電体層は、粒状をなす無機誘電体からなる無機誘電体層、または空隙を有する無機誘電体層である請求項１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項３】
前記電圧印加電極と前記接地電極との対向間隔をＨ、前記電圧印加電極から前記絶縁体の前記沿面距離延長部を経て前記接地電極までの最短距離をＬとすれば、
πＨ／２  ＜  Ｌ
を満たしている請求項１または２に記載のプラズマリアクタ。
【請求項４】
被処理ガスを処理するガス処理装置が備える装着部に対して着脱可能に設けられている請求項１ないし３のいずれか１項に記載のプラズマリアクタ。
【請求項５】
前記電圧印加電極および前記接地電極は、直線状に形成され、長さ方向が互いに直交して配置されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載のプラズマリアクタ。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載のプラズマリアクタを備え、前記プラズマリアクタに被処理ガスを流通させるガス処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電によって被処理ガスを処理するためのプラズマリアクタおよびガス処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のプラズマリアクタには、対向して配置された高電圧印加電極と接地電極の間で非平衡放電を生じさせて、導入された被処理ガスに含有される物質を分解処理するものがある。例えば揮発性有機化合物や臭気物質あるいはウイルスや細菌のような生物系物質、花粉等を分解処理するものである。
【０００３】
この非平衡放電には、対向して配置された高電圧印加電極と接地電極を保持する保持部材である絶縁体が必要となる。
【０００４】
前記の絶縁体においては、高電圧印加電極に高電圧を印加した際に、高電圧印加電極と接触する前記の絶縁体の壁面を通り対向に配置された前記の絶縁体と接触する接地電極に向かって、沿面放電が発生することがある。また、印加電圧が高くなるのに従って、この沿面放電の発生率は高くなる。その結果、高電圧印加電極と接地電極との絶縁状態が良好に保たれなくなり、放電が発生し難くなる。
【０００５】
このような沿面放電によって高電圧印加電極と接地電極の絶縁破壊が生じることを防止するために、種々の構成が提案されている。
【０００６】
従来の絶縁体の構成としては、真空中で一対の電極を支持する絶縁スペーサにおける沿面放電を防止する構成が開示されている（特許文献１参照。）。
【０００７】
特許文献１に開示されている構成では、陰極と陽極とによって挟まれた真空用絶縁スペーサの壁面に少なくとも１つの突起が形成され、これら突起のうち最も陰極寄りに位置する突起の厚みの中心が、陰極と陽極との間の中央よりも陰極側に位置されている。
【０００８】
また、最も陰極寄り突起における陰極側の面から陰極までの距離と、突起の突出長さとの関係を特徴づけることで、絶縁破壊を防止する構成が開示されている。
【特許文献１】特開平８−３２１２６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した特許文献１に開示された構成では、汚染物質含有ガスの処理を行う無機誘電体充填方式のプラズマ技術への適用が困難である。
【００１０】
上述の無機誘電体充填方式のプラズマ技術は、対向する電極間に高圧交流電圧またはパルス電圧を印加して各電極間に電位差を生じさせる。そして、各電極間に充填された無機誘電体の内部で分極を起こすことで、パルス状のマイクロディスチャージを発生させる。そのマイクロディスチャージによって汚染物質含有ガスの処理を行う技術である。
【００１１】
なぜ特許文献１の構成では、含有ガスの処理を行う無機誘電体充填方式のプラズマ技術への適用が困難であるかは、各電極間に充填された無機誘電体層を伝わる放電の経路に対する関係が考慮されていないからである。
【００１２】
図１２および図１３に示すように、従来のプラズマリアクタ１０１，１０２は、対向して配置された一対の高電圧印加電極１１３および接地電極１１４と、これら高電圧印加電極１１３と接地電極１１４を保持する絶縁体１１５とを備えている。
【００１３】
これら高電圧印加電極１１３と接地電極１１４との間には、複数の粒状の無機誘電体１１７ａからなる無機誘電体層１１７、または空隙を有する無機誘電体層１１８が挟み込まれて設けられている。
【００１４】
この無機誘電体層１１７，１１８を保持するために、従来のプラズマリアクタ１０１，１０２の絶縁体１１５には、無機誘電体層１１７，１１８が突き当てられる壁面１１５ａが必要となる。
【００１５】
しかし、図１２〜図１５に示すように、無機誘電体層１１７を保持する絶縁体１１５のストレート形状をなす壁面１１５ａに沿って図１２中矢印Ａで示すように放電が伝わる距離がある。
【００１６】
前記の図１２中矢印Ａで示すように放電が伝わる距離に比較して、無機誘電体層１１７をなす複数の無機誘電体１１７ａの周面に沿って、図１４中矢印Ｂで示すような無機誘電体層１１７を放電が伝わる距離の方が長くなる。
【００１７】
または、無機誘電体層１１８を保持する絶縁体１１５のストレート形状をなす壁面１１５ａに沿って図１３中矢印Ａで示すように放電が伝わる距離がある。
【００１８】
前記の図１３中矢印Ａで示すように放電が伝わる距離に比較して、空隙を有する無機誘電体層１１８をなす無機誘電体１１８ａの周面に沿って、図１５中矢印Ｂで示すように、空隙を有する無機誘電体層１１８を放電が伝わる距離の方が長くなる。
【００１９】
また、矢印Ａと矢印Ｂの放電が伝わる距離を比較すると、矢印Ａで示した放電が伝わる距離が短いことが確認できる。
【００２０】
このため、高電圧印加電極１１３に高電圧を印加したときに、放電が伝わる距離が短い矢印Ａで示した絶縁体１１５のストレート形状の壁面１１５ａに電界が集中し、ガス処理部である無機誘電体層１１７，１１８の全体に放電を均一にかけることが困難であった。
【００２１】
また、特許文献１は、真空中での使用に限定された構成を開示するものであって、大気中での放電によって汚染物質を含有する被処理ガスを処理する構成については何ら開示されていない。
【００２２】
そこで、本発明は、絶縁体の壁面に沿った沿面放電を抑え、電圧印加電極と接地電極の絶縁破壊を防止することができるプラズマリアクタおよびガス処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明に係るプラズマリアクタは、対向して配置される一対の電圧印加電極および接地電極と、電圧印加電極と接地電極を対向間隔をあけて保持する絶縁体と、電圧印加電極と接地電極との間の放電空間に配置され被処理ガスが通過する無機誘電体層とを備える。また、絶縁体には、無機誘電体層に当接される壁面に、凹部および凸部の少なくとも一方を有する沿面距離延長部が形成される。そして、電圧印加電極から沿面距離延長部を経て接地電極までの最短距離が、電圧印加電極から無機誘電体層を経て接地電極までの最短距離よりも長くされる。
【発明の効果】
【００２４】
上述したように、本発明によれば、絶縁体の壁面に沿った沿面放電を抑え、電圧印加電極と接地電極の絶縁破壊を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２６】
本実施形態のプラズマリアクタは、ガス処理装置内の装着部に対して着脱可能に装着されて、処理対象物質を含有する被処理ガスを通過させてガス処理を行うために用いられる。
【００２７】
図１に示すように、本実施形態のプラズマリアクタ１は、互いに対向して配置される一対の線状の高電圧印加電極１３および接地電極１４と、これら高電圧印加電極１３と接地電極１４を対向間隔をあけて保持する絶縁体１５とを備えている。
【００２８】
高電圧印加電極１３と接地電極１４との間の放電空間には、図２に示すように、複数の粒状をなす無機誘電体１７ａからなり被処理ガスが通過する無機誘電体層１７が充填されて設けられている。
【００２９】
あるいは、図３に示すように、高電圧印加電極１３と接地電極１４との間の放電空間には、空隙を有する無機誘電体１８ａからなる無機誘電体層１８が充填されて設けられて、実施形態のプラズマリアクタ２が構成されてもよい。
【００３０】
絶縁体１５は、四角形をなす枠状に形成されている。絶縁体１５には、一端側に、処理対象物質を含有する被処理ガスが導入されるガス導入口１１が開口して設けられており、他端側に、処理済みガスが排出されるガス排出口１２が開口して設けられている。
【００３１】
そして、絶縁体１５には、無機誘電体１７ａに当接されて無機誘電体層１７を保持する内壁面１５ａに、１つの凹部２０ａを有する沿面距離延長部２０が形成されている。
【００３２】
なお、必要に応じて、例えば図４および図５に示すように、絶縁体１５の内壁面１５ａに形成された凹部２０ａの開口縁に、角部が切り欠かれてなる面取り形状が形成されてもよく、沿面距離延長部２０を良好に延長して形成することが可能になる。
【００３３】
高電圧印加電極１３から沿面距離延長部２０を経て接地電極１４までの最短距離が、高電圧印加電極１３から無機誘電体層１７，１８を経て接地電極１４までの最短距離よりも長くされている。
【００３４】
そして、高電圧印加電極１３と接地電極１４との対向間隔をＨ、高電圧印加電極１３から絶縁体１５の沿面距離延長部２０を経て接地電極１４までの最短距離をＬとすれば、
πＨ／２  ＜  Ｌ  ・・・式１
を満たしている。
【００３５】
なお、高電圧印加電極１３から無機誘電体層１７，１８内を通って接地電極１４まで伝わる実際の放電の経路をなす形状は、いわゆる三次元網目形状をなしている。但し、本提案では模式的に、高電圧印加電極１３と接地電極１４とに内接する単一の半円の円周に沿った形状として考えることで、式１が立てられている。つまり、式１では、高電圧印加電極１３と接地電極１４とに内接する単一の半円が直径Ｈであることから、半円の円弧の長さがπＨ／２となることに基づいている。三次元網目形状をなす経路は、近似的に、例えば最短距離として円周上の３点を結んだ沿面として捉えることができる。しかし、このような３点を結ぶ三角形状の沿面距離は、この３点を通る周面上の円弧沿面よりも短いので、無機誘電体層１７，１８を通る最短距離として、πＨ／２によって求めた値を近似的に使用しても問題はない。
【００３６】
式１を満たすように構成されたプラズマリアクタ１，２では、図６および図７中矢印Ｄ方向で示すように、絶縁体１５の内壁面１５ａに形成された沿面距離延長部２０に沿って放電が伝わる最短距離がある。この沿面距離延長部２０に沿って放電が伝わる最短距離が図４および図５中矢印Ｃで示すように、無機誘電体層１７，１８を放電が伝わる最短距離よりも長くされている。
【００３７】
また、絶縁体１５の内壁面に形成される沿面距離延長部２０は、凹凸形状である溝や突起を少なくとも１つ有していればよく、内壁面に複数の凹凸形状が形成される構成にされても良い。
【００３８】
例えば図８に示すように、他の実施形態のプラズマリアクタ３が備える絶縁体１９の内壁面１９ａには、２つの凹部２０ａ，２０ｂが、対向間隔に沿ってそれぞれ設けられている。
【００３９】
また、上述した実施形態の沿面距離延長部２０では、絶縁体１５の内壁面１５ａに凹部２０ａが形成される構成が採られたが、内壁面に沿った沿面距離を延長させる凹凸形状であればよく、凸部が設けられる構成にされてよいことは勿論である。
【００４０】
また、無機誘電体層に当接される絶縁体の内壁面に形成される沿面距離延長部が有する凹凸形状をなす溝の深さや突起の突出量は、大きければ大きいほどに、沿面放電を防止する効果が大きい。
【００４１】
上述したように、本実施形態のプラズマリアクタ１，２によれば、絶縁体１５の内壁面１５ａに沿面距離延長部２０が形成されたことによって、高電圧印加電極１３から無機誘電体層１７，１８を経て接地電極１４に放電を良好に伝わらせることができる。
【００４２】
したがって、このプラズマリアクタ１，２は、対向する一組の高電圧印加電極１３と接地電極１４との間に、高圧交流電圧またはパルス電圧を加え、各電極１３，１４間に電位差を生じさせることができる。その電位差によって、これら電極１３，１４間に充填された無機誘電体１７，１８が、その内部で分極を起こすことことで、パルス状のマイクロディスチャージが発生する。発生したパルス状のマイクロディスチャージによって被処理ガスの処理に有効な高圧交流電圧またはパルス電圧を高いレンジで安定的にかけることができる。
【００４３】
すなわち、このプラズマリアクタ１，２によれば、絶縁体１５の内壁面１５ａに形成された沿面距離延長部２０に沿って放電が伝わる、いわゆる沿面放電の発生が防止できる。この絶縁体１５の内壁面１５ａに形成された沿面距離延長部２０の沿面放電が防止できれば、被処理ガスの処理に寄与しない放電の削減につながり、消費電力を大幅に削減することができる。また、無機誘電体充填方式のプラズマ技術において、沿面放電による高電圧印加電極１３と接地電極１４の絶縁破壊を防止することができる。
【００４４】
さらに、上述した式１を満たすように沿面距離延長部２０が形成されることで、沿面放電を防止するために必要な最小限の凹凸形状が求められるので、最小の沿面距離延長部２０を形成することが可能になり、プラズマリアクタの小型化を実現できる。
【００４５】
また、本発明に係るプラズマリアクタ１，２は、使用環境として真空中か大気中かに拘わらずに使用することができる。
【００４６】
次に、上述した実施形態のプラズマリアクタ１，２を備えるガス処理装置について簡単に説明する。
【００４７】
図９に示すように、実施形態のガス処理装置５は、処理対象物質を含む被処理ガス２２を吸気する吸気口２３と、この吸気口２３近傍に設けられ塵埃等を濾過するプレフィルタ２４とを備えている。
【００４８】
また、このガス処理装置５は、上述したプラズマリアクタ１，２が着脱可能に装着される装着部２５と、プラズマリアクタ１，２で処理されなかった処理対象物質およびプラズマによる副生成物を除去するための後段処理部２７とを備えている。この後段処理部２７は、例えば二酸化マンガン、酸化チタン等の触媒やアブセンツ、活性炭あるいはアルカリ添着活性炭、カーボン等からなるハニカム構造や不織布の形態をなしている。
【００４９】
また、このガス処理装置５は、ガス流を発生させる吸排気式ファンモータ２８と、処理対象物質が除去された処理済みガス３３を排気する排気口２９とを備えている。
【００５０】
また、このガス処理装置５は、ガス処理対象成分の検知用センサ３０と、操作パネルおよび操作用回路基板を有する操作部３１と、プラズマリアクタ１，２の高電圧印加電極１３に電圧する印加するための放電用高電圧電源部３２とを備えている。
【００５１】
本実施形態のガス処理装置５では、装着部２５に対して着脱可能にされたカートリッジ方式のプラズマリアクタ１，２が採用されたが、必要に応じて、装置内に固定方式のプラズマリアクタ１，２が固定される構成が採られてもよい。
【００５２】
そして、カートリッジ方式のプラズマリアクタ１，２を備えるガス処理装置５によれば、大気圧中での放電で発生させたプラズマによって、被処理ガスを良好に処理することができる。例えば、揮発性有機化合物や臭気物質あるいはウイルスや細菌の如き生物系物質、花粉等の処理対象物質を含有する被処理ガスを処理することを目的とし、被処理ガスがプラズマリアクタ１，２を通過することで、処理対象物質が分解されて良好に処理することができる。
【００５３】
具体的には、ガス処理装置は、例えば学校等の公共施設内や家庭の居住空間等で、建材等から生じる揮発性有機化合物質を処理することができる。
【００５４】
また、このガス処理装置は、例えば塗装や印刷で使用する塗料やインクから生じる揮発性有機化合物質や臭気を処理することができる。
【００５５】
また、このガス処理装置は、例えば人が集まる集会所、会議室、ホテルやオフィスの居住空間内で生じるタバコ臭や体臭等の臭気、飲食店や集合住宅のゴミ置き場から発生する臭気を処理することができる。
【００５６】
また、このガス処理装置は、医療施設内や家庭居住空間等で、空気中に漂うウイルスや細菌、花粉等を処理することができる。
【実施例】
【００５７】
上述した実施形態のガス処理装置に、実施例と比較例の各プラズマリアクタを装着して、消費電力、処理効率、絶縁破壊が生じる電圧についてそれぞれ比較した。
【００５８】
本実施例では、アンモニアガスが濃度５ＰＰＭで空気中に混合された汚染物質を含有する被処理ガスを作製し、この被処理ガスをガス導入口からプラズマリアクタに通し、後段に配置した吸気ファンで強制的に被処理ガスを毎分１ｍ3程度の流速で吸気を行った。
【００５９】
このとき、被処理ガスの濃度およびガス処理空間の移動条件を同等にし、かつ被処理ガスを１回流通させて処理した場合に、プラズマリアクタに印加した消費電力と処理効率とについて比較を行った。具体的には、図１０に示す実施例のプラズマリアクタ６の構成と、図１１に示す比較例のプラズマリアクタ７とで比較を行った。
【００６０】
まず、実施例と比較例の各プラズマリアクタ６，７の構成が異なる箇所について説明する。なお、実施例と比較例において、同一部材には同一符号を付している。
【００６１】
図１１に示すように、比較例のプラズマリアクタ７は、内部に対向して配置された高電圧印加電極３３と接地電極３４との間に、空隙を有する無機誘電体層３８が挟まれて設けられている。また、この空隙を有する無機誘電体層３８を保持する機能を有してガス流通路をなす四角枠状の絶縁体４５が設けられている。
【００６２】
絶縁体４５は、無機誘電体層３８に当接する内壁面４５ａがストレート形状に形成されている。
【００６３】
一方、図１０に示すように、実施例のプラズマリアクタ６は、無機誘電体層３８を保持する機能を持ったガス流通路をなす四角枠状の絶縁体３５は、無機誘電体層３８に当接する内壁面３５ａに凹部４０ａを有する沿面距離延長部４０が形成されている。そして、この沿面距離延長部４０の凹部４０ａの表面に沿った最短距離は、高電圧印加電極３３から無機誘電体層３８を経て接地電極３４までの最短距離よりも長くされている。
【００６４】
また、実施例のプラズマリアクタ６では、対向して配置された高電圧印加電極３３と接地電極３４との最小の対向間隔Ｈ［ｍｍ］に、円周率π（３．１４）を乗した結果を２で除した演算結果に約１ｍｍを加えた値を算出した。
【００６５】
この値に、無機誘電体層３８に当接する絶縁体３５の内壁面３５ａに、１つの凹部４０ａを有する沿面距離延長部４０が形成され、かつ高電圧印加電極３３から凹部４０ａ内に沿って通った接地電極３４までの最短距離がほぼ等しく構成されている。
【００６６】
言い換えれば、高電圧印加電極３３と接地電極３４との対向間隔をＨ［ｍｍ］、高電圧印加電極３３から絶縁体３５の内壁面３５ａに沿って沿面距離延長部４０が有する凹部４０ａを通り接地電極３４までの最短距離がＬ［ｍｍ］となる。したがって、この最短距離Ｌが（πＨ／２）よりも長く設定されたことになる。本実施例では、Ｌ＝（πＨ／２）＋１ｍｍに設定した。
【００６７】
実施例のプラズマリアクタ６および比較例のプラズマリアクタ７に示す他の構成は同一に構成されている。この構成では、互いに平行に離間された平面上に配置されている複数の線状のステンレス材料からなる高電圧印加電極３３を備えている。また、これら高電圧印加電極３３に対向され離間された平面上に、各高電圧印加電極３３に長さ方向を互いに直交させて配置された複数の線状のタングステン材料からなる接地電極３４を備えている。
【００６８】
高電圧印加電極３３は、外周部がチューブ３９の内周部に嵌合されており、チューブ３９によって高電圧印加電極３３の周面が全て覆われている。本実施例では、チューブ３９として、アルミナからなるものを使用した。
【００６９】
無機誘電体層３８は、チタン酸バリウムとアルミナとの混合体からなり、空隙を有している。
【００７０】
【表１】
2007029896.tif 000003
【００７１】
【表２】
2007029896.tif 000004
【００７２】
【表３】
2007029896.tif 000005
【００７３】
実施例と比較例の各プラズマリアクタ６，７の構成で、アンモニアガスを濃度５ＰＰＭで空気中に混合させた汚染物質含有ガスである被処理ガスを１回流通させてガス処理をそれぞれ行った。
【００７４】
結果は、表１に示すように、消費電力を５０Ｗとしたときの被処理ガスの処理効率は、比較例のプラズマリアクタ７で１０％、実施例のプラズマリアクタ６で４０％となった。したがって、本実施例では３０％の処理効率の向上が図られた。
【００７５】
また、表２に示したように、実施例と比較例の各プラズマリアクタ６，７の構成において、被処理ガスの処理効率を４０％としたときの消費電力は、比較例のプラズマリアクタ７で１００Ｗ、実施例のプラズマリアクタ６で５０Ｗであった。
【００７６】
したがって、実施例は、消費電力を大幅に削減することができた。この結果から、実施例のプラズマリアクタ６の構成によれば、ガス処理効率の向上を図り、消費電力の削減に著しい効果が得られる。
【００７７】
また、表３に示したように、実施例と比較例の各プラズマリアクタ６，７の構成にて、高電圧印加電極３３に高電圧を印加し続けたときに絶縁破壊が生じた電圧は、比較例のプラズマリアクタ７で１３〜１４ＫＶ／Ｐ−Ｐ程度である。
【００７８】
比較例のプラズマリアクタ７の絶縁破壊に生じた電圧１３〜１４ＫＶ／Ｐ−Ｐ程度に比し、実施例のプラズマリアクタ６の絶縁破壊に生じた電圧は１８〜２０ＫＶ／Ｐ−Ｐ程度であった。
【００７９】
したがって、実施例は、絶縁破壊に至る電圧の向上が図られた。
【００８０】
このことは、絶縁体３５の内壁面３５ａに沿って放電が伝わる沿面放電の発生が防止され、被処理ガスの処理に寄与しない放電の削減につながったことが確認できた。
【００８１】
また、比較例のプラズマリアクタ７と実施例のプラズマリアクタ６にそれぞれ同じ電圧を印加すると、実施例のプラズマリアクタ６は無機誘電体充填方式のプラズマ技術の沿面放電による高電圧印加電極３３と接地電極３４の絶縁破壊を防止する効果がある。
【００８２】
さらに、実施例と比較例のプラズマリアクタ６，７の構成で、プラズマ放電に消費される電力をそれぞれ５０Ｗとして、プラズマ放電による発光状態を比較した。
【００８３】
結果としては、比較例の構成では、絶縁体４５の無機誘電体層３８に当接する内壁面４５ａの発光が強く、被処理ガスの処理層である無機誘電体層３８の発光が弱かった。
【００８４】
一方、実施例の構成では、絶縁体３５の無機誘電体層３８に当接する内壁面３５ａの発光と、被処理ガスの処理層である無機誘電体層３８の発光とがほぼ同一であった。
【００８５】
この結果から、本実施例は、被処理ガスを処理する接地電極３４と高電圧印加電極３３とに挟まれた無機誘電体層３８のプラズマ放電が効率良く安定的に発生していることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本実施形態のプラズマリアクタを示す模式図である。
【図２】プラズマリアクタの沿面距離延長部を示す模式図である。
【図３】プラズマリアクタの沿面距離延長部を示す模式図である。
【図４】無機誘電体層を放電が伝わる状態を示す模式図である。
【図５】無機誘電体層を放電が伝わる状態を示す模式図である。
【図６】絶縁体の内壁面に沿って放電が伝わる状態を示す模式図である。
【図７】絶縁体の内壁面に沿って放電が伝わる状態を示す模式図である。
【図８】沿面距離延長部の他の例を示す模式図である。
【図９】本実施形態のガス処理装置を示す模式図である。
【図１０】実施例のプラズマリアクタを示す模式図である。
【図１１】比較例のプラズマリアクタを示す模式図である。
【図１２】従来のプラズマリアクタを示す模式図である。
【図１３】従来のプラズマリアクタを示す模式図である。
【図１４】従来のプラズマリアクタを示す模式図である。
【図１５】従来のプラズマリアクタを示す模式図である。
【符号の説明】
【００８７】
１  プラズマリアクタ
５  ガス処理装置
１１  ガス導入口
１２  ガス排出口
１３  高電圧印加電極
１４  接地電極
１５  絶縁体
１５ａ  内壁面
１７  無機誘電体層
１７ａ  無機誘電体
１８  無機誘電体層
１８ａ  無機誘電体
２０  沿面距離延長部
２０ａ  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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