(57)【要約】【課題】本発明はレジスト膜の除去力が優れており、薬液疲労度が少ないレジスト除去用組成物を提供する。【解決手段】本発明はレジスト除去用組成物に関し、より詳しくは酸素二重結合を有する環状化合物、グリコール系化合物、及びカーボネート系化合物で構成される群より選択される化合物を利用するレジスト除去用組成物に関する。本発明のレジスト除去用組成物はラクトン系化合物、アミン又は有機酸、酸化剤、又はこれらの混合物をさらに含むことができる。本発明のレジスト除去用組成物は電子回路又は表示素子の金属配線をパターンするレジスト除去に使用されて、パターン化された金属膜の上部に残留するレジストを除去する除去力が優れており、高温で揮発に応じた組成変化及び薬液疲労度が微細で、パターン化された金属膜の腐食を最少化できる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の化学式１の化合物、化学式２、化学式３又は化学式４の環状化合物、及び化学式５のグリコール系化合物で構成される群から選択される化合物を少なくとも１種以上含むことを特徴とするレジスト除去用組成物。
[化学式１]
2007188077.tif 000023
[化学式２]
2007188077.tif 000024
[化学式３]
2007188077.tif 000025
[化学式４]
2007188077.tif 000026
[化学式５]
2007188077.tif 000027
（上記の式で、Ｒ、Ｒ'、Ｒ"、Ｒ’”はそれぞれ水素、ヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル基、炭素数１乃至１０のアルカノール基、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基であり、Ｒ３はヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基であり、ｎは１乃至１２の整数である。）
【請求項２】
前記環状化合物がシクロペンタノン、メチルシクロペンタノン、テトラヒドロフルフリルアセテート、テトラヒドロ-４Ｈ-ピラン-４-オン、テトラヒドロピラン２-メタノールで構成される群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項３】
前記グリコール化合物がエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、トリエチレングリコールエチルエーテル、トリエチレングリコールブチルエーテル、及びジエチレングリコールジメチルエーテルで構成される群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項４】
前記組成物がアミン、有機酸、酸化剤、下記の化学式６又は化学式７に表示されるラクトン系溶媒、又はこれらの混合物をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去用組成物。
[化学式６]
2007188077.tif 000028
[化学式７]
2007188077.tif 000029
（上記の式で、Ｒはそれぞれ水素、ヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル基、炭素数１乃至１０のアルカノール基、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基である。）
【請求項５】
前記組成物は全体組成物に対して環状化合物、及びグリコール化合物で構成される群から選択される化合物を７０乃至９９．９重量部、及びアミン又は有機酸を０．１乃至３０重量部含むことを特徴とする請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項６】
前記組成物は全体組成物に対して環状化合物、及びグリコール化合物で構成される群から選択される化合物を９０乃至９９．９９重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項７】
前記組成物は全体組成物に対して環状化合物、及びグリコール化合物で構成される群から選択される化合物を９０乃至９９．４９９重量部、オゾンを０．００１乃至１重量部、及びオゾンを除いた酸化剤を０．５乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項６に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項８】
前記組成物は全体組成物に対して環状化合物、及びグリコール化合物で構成される群から選択される化合物を７０乃至９８．９９重量部、アミン又は有機酸を１乃至３０重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項９】
前記組成物は全体組成物に対して環状化合物、及びグリコール化合物で構成される群から選択される化合物を７０乃至８９．９重量、ラクトン系化合物を１０乃至５０重量部及びアミン又は有機酸を０．１乃至３０重量部含むことを特徴とする請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１０】
前記組成物は全体組成物に対して環状化合物、及びグリコール化合物で構成される群から選択される化合物を７０乃至８９．９９重量部、ラクトン系化合物を１０乃至５０重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１１】
前記組成物は全体組成物に対して環状化合物、及びグリコール化合物で構成される群から選択される化合物を７０乃至８８．９９重量部、ラクトン系化合物を１０乃至５０重量部、アミン又は有機酸を１乃至３０重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１２】
前記組成物は全体組成物に対して環状化合物、及びグリコール化合物で構成される群から選択される化合物を７０乃至８９．８９９重量部、ラクトン系化合物を１０乃至５０重量部、オゾンを０．０１乃至１重量部、及びオゾンを除いた酸化剤を０．５乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項１１に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１３】
前記アミンはモノエタノールアミン、モノイソプロピルアミン、アミノエトキシエタノール、メチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、ジエチルメタノールアミン、メチルジエタノールアミン、１-（２-ヒドロキシエチル）-４-メチルピペラジン、Ｎ-メチル-Ｎ-（Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチル）-アミノエタノール、Ｎ-メチル-Ｎ-（Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチル）-アミノブタノール、１-（Ｎ，Ｎ-ジメチル）２-（２-ヒドロキシエトキシ）エチルアミン、ヒドロキシエチルピペラジン、アミノエチルピペラジン、及びアミノプロピルモルヒネで構成される群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１４】
前記有機酸は安息香酸、メチル安息香酸、ヒドロキシル安息香酸、アミノ安息香酸、クエン酸、コハク酸、リンゴ酸、マレイン酸、サリチル酸、蓚酸、フタル酸、イタコン酸、コハク酸無水物、フタル酸無水物、及びイタコン酸無水物で構成される群から選択される１種以上であることを特徴とする請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１５】
前記酸化剤はオゾン、過酸化水素、ｔｅｒｔ-ブチルヒドロゼンペルオキシド、ベンゾイルヒドロゼンペルオキシド、尿素-過酸化水素付加体、硝酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、酢酸アンモニウム、二フッ化水素アンモニウム、チオシアン酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硫化アンモニウム、蓚酸アンモニウム、チオ硫酸アンモニウムで構成される群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１６】
前記ラクトン系化合物はガンマブチロラクトン、ガンマメチレンガンマブチロラクトン、アルファメチルガンマブチロラクトン、アルファメチレンガンマブチロラクトン、２-アセチルブチロラクトン、ガンマヘキサノラクトン、ガンマノナンオールラクトン、デルタオクタノラクトン、ガンマバレロラクトン、デルタバレロラクトン、及びデルタヘキサノンラクトンで構成される群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１７】
下記の化学式８に表示されるカーボネート化合物、及び
アミン、有機酸、酸化剤、下記の化学式６又は化学式７に表示されるラクトン系溶媒、又はこれらの混合物
を含むことを特徴とするレジスト除去用組成物。
[化学式８]
2007188077.tif 000030
（上記の式で、Ｒ１は炭素数１乃至１０のアルキル、ベンジル、フェニル、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテートであり、
Ｒ２は炭素数１乃至１０のアルキル、ベンジル、フェニル、炭素数１乃至１０のアルキルアセテート又は炭素数１乃至１０のアルキルカーボネートである。）
[化学式６]
2007188077.tif 000031
[化学式７]
2007188077.tif 000032
（上記の式で、Ｒはそれぞれ水素、ヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル基、炭素数１乃至１０のアルカノール基、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基である。）
【請求項１８】
前記組成物は全体組成物に対してカーボネート化合物を７０乃至９９．９重量部、及びアミン又は有機酸を０．１乃至３０重量部含むことを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１９】
前記組成物は全体組成物に対してカーボネート化合物を９０乃至９９．９９重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項２０】
前記組成物は全体組成物に対してカーボネート化合物を９０乃至９９．４９９重量部、オゾンを０．００１乃至１重量部、及びオゾンを除いた酸化剤を０．５乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項１９に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項２１】
前記組成物は全体組成物に対してカーボネート化合物を７０乃至９８．９９重量部、アミン又は有機酸を１乃至３０重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項２２】
前記組成物は全体組成物に対してカーボネート化合物を７０乃至８９．９重量、ラクトン系化合物を１０乃至５０重量部、及びアミン又は有機酸を０．１乃至３０重量部含むことを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項２３】
前記組成物は全体組成物に対して環状化合物、及びグリコール化合物で構成される群から選択される化合物を７０乃至８９．９９重量部、ラクトン系化合物を１０乃至５０重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項２４】
前記組成物は全体組成物に対してカーボネートを化合物７０乃至８８．９９重量部、ラクトン系化合物を１０乃至５０重量部、アミン又は有機酸を１乃至３０重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項２５】
前記組成物は全体組成物に対してカーボネート化合物を７０乃至８９．８９９重量部、ラクトン系化合物を１０乃至５０重量部、オゾンを０．０１乃至１重量部、及びオゾンを除いた酸化剤を０．５乃至１０重量部含むことを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項２６】
前記カーボネート化合物がジベンジルカーボネート、ジエチルカーボネート、及びジエチルジカーボネートで構成される群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項２７】
前記アミンはモノエタノールアミン、モノイソプロピルアミン、アミノエトキシエタノール、メチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、ジエチルメタノールアミン、メチルジエタノールアミン、１-（２-ヒドロキシエチル）-４-メチルピペラジン、Ｎ-メチル-Ｎ（ｎ，ｎ-ジメチルアミノエチル）-アミノエタノール、ヒドロキシエチルピペラジン、アミノエチルピペラジン、及びアミノプロピルモルヒネで構成される群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項２８】
前記有機酸は安息香酸、メチル安息香酸、ヒドロキシル安息香酸、アミノ安息香酸、クエン酸、コハク酸、リンゴ酸、マレイン酸、サリチル酸、蓚酸、フタル酸、イタコン酸、コハク酸無水物、フタル酸無水物、及びイタコン酸無水物で構成される群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項２９】
前記酸化剤はオゾン、過酸化水素、ｔｅｒｔ-ブチルヒドロゼンペルオキシド、ベンゾイルヒドロゼンペルオキシド、尿素-過酸化水素付加体、硝酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、酢酸アンモニウム、二フッ化水素アンモニウム、チオシアン酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硫化アンモニウム、蓚酸アンモニウム、チオ硫酸アンモニウムで構成される群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項３０】
前記ラクトン系化合物はガンマブチロラクトン、ガンマメチレンガンマブチロラクトン、アルファメチルガンマブチロラクトン、アルファメチレンガンマブチロラクトン、２-アセチルブチロラクトン、デルタヘキサノラクトン（ｄｅｌｔａ-ｈｅｘａｎｏｌａｃｔｏｎｅ）、ガンマノナンオールラクトン、デルタオクタノラクトン（ｄｅｌｔａ-ｏｃｔａｎｏｌａｃｔｏｎｅ）、ガンマバレロラクトン、デルタバレロラクトン、及びデルタヘキサノンラクトンで構成される群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１７に記載のレジスト除去用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏ-ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程に使用されるレジストを除去するための組成物に関し、より詳しくは金属膜をパターンするレジストを除去する場合、金属膜の腐食を最少化でき、レジストの除去力が優れたレジスト除去用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
レジスト（フォトレジスト）はフォトリソグラフィ工程に必須に使用される物質であり、このようなフォトリソグラフィ工程は集積回路（ＩＣ）、高集積回路（ＬＳＩ）、超高集積回路（ＶＬＳＩ）等のような半導体装置と液晶表示装置（ＬＣＤ）及び平板表示装置（ＰＤＰ）等のような画像実現装置などを製作するために一般に使用される工程のうちの一つである。
【０００３】
以下、フォトリソグラフィ工程について簡略に説明する。
【０００４】
まず、所定の基板、例えば半導体基板又はガラス基板上にレジスト膜を形成する。前記基板はレジスト膜を形成する前に何の工程も経ない場合もあるが、通常はレジスト膜を形成する前にすでに色々な段階の前工程が進行されて、金属配線などの下部構造物が形成されているのが一般的である。従って、前記レジスト膜は基板内部又は基板上には所定の下部構造物がすでに備えられている上部に形成されるのが一般的である。前記レジスト膜は基板上部の前面又は選択的な領域に形成されるが、基板前面に塗布するのがより一般的である。後続のパターン形成工程を進行することによって、所定領域のレジスト膜を除去して、基板上部を露出させ、他の領域のレジスト膜を継続して残存させることによって基板上部を残存するレジスト膜で保護するようになる。基板上部の前面にレジスト膜を塗布する方法は多様にあるが、最も一般的なのはスピンコーティング方法である。
【０００５】
次に、目的する所定のパターンが形成された露光マスクを前記基板前面に形成されたレジスト上部に密着させて、配置したり、レジスト上部から所定間隔がなるように配置する。以降、前記マスク前面に対して、例えば紫外線、電子線又はＸ線のような高エネルギー活性線を照射する露光工程を進行する。前記マスクのパターンは前記照射された高エネルギー活性線を透過させる領域と遮光させる領域に区分されるようにパターンが形成されている。従って、前記マスクパターンの透過領域を通過した前記高エネルギー活性線はその下部のレジスト膜に到達する。前記レジスト膜に到達した高エネルギー活性線はレジスト膜の物性を変形させる。前記高エネルギー活性線の照射が終了されると、前記レジスト膜は前記高エネルギー照射以前と同一物性で維持される領域と、前記照射によって、その内部物性が変形された領域に区分されるように形成される。前記のようにレジスト膜の物性変形の要否に区分形成されたパターンは前記マスクパターンによって、暫定的に決定されるため、通常マスクパターンの“潜在相（ｌａｔｅｎｔ）”という。
【０００６】
前記レジスト膜に形成された潜在相に対して現象工程を進行して、マスクパターンが転写されたレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをエッチングマスクとして利用して、下部基板をエッチングすることによって最終的に基板内部に所定のパターンを形成することになる。以降、所定のパターンが形成された基板上部に残留するレジストパターンを除去することによって一連のフォトリソグラフィ工程が完了する。
【０００７】
この時、既に使用されるレジスト除去用組成物として韓国公開特許２００３-００３３９８８号はエチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、又はこれらの混合物を含む処理液を利用した基板表面上の有機皮膜の製造方法を開示している。また、米国特許第６，４０３，５４４号はエチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどの再生方法が開示されている。
【０００８】
前記方法ではカーボネート化合物を使っているが、エチレンカーボネートの場合、融点が常温以上に高く、剥離溶剤として扱うのが難しく、プロピレンカーボネートの場合、他の剥離溶剤に比べて剥離性能が落ちる。また、前記方法はラクトンを分別蒸溜して、不純物と分離して再生する方法であって、本発明のようにリアルタイムで分解するのと異なり、使用後一定量のレジストが含まれている溶剤を回収して別途の分別蒸留工程を設けるため、追加費用がかかる短所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、レジスト膜の除去力が優れており、薬液疲労度が少ないレジスト除去用組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するため、本発明は下記の化学式１の化合物、化学式２、化学式３又は化学式４の環状化合物、及び化学式５のグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物を少なくとも１種以上含むレジスト除去用組成物を提供する。
【００１１】
[化学式１]
2007188077.tif 000002
【００１２】
[化学式２]
2007188077.tif 000003
【００１３】
[化学式３]
2007188077.tif 000004
【００１４】
[化学式４]
2007188077.tif 000005
【００１５】
[化学式５]
2007188077.tif 000006
【００１６】
（上記の式で、Ｒ、Ｒ'、Ｒ"、Ｒ’”はそれぞれ水素、ヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル基、炭素数１乃至１０のアルカノール基、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基であり、Ｒ３はヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基であり、ｎは１乃至１２の整数である。）
前記組成物はアミン、有機酸、酸化剤、下記の化学式６又は化学式７に表示されるラクトン系溶媒、又はこれらの混合物をさらに含むことができる。
【００１７】
[化学式６]
2007188077.tif 000007
【００１８】
[化学式７]
2007188077.tif 000008
【００１９】
（上記の式で、Ｒはそれぞれ水素、ヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル基、炭素数１乃至１０のアルカノール基、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基である。）
また、本発明は下記の化学式８に表示されるカーボネート化合物、及びアミン又は有機酸、酸化剤、前記化学式６又は化学式７に表示されるラクトン系溶媒、又はこれらの混合物を含むレジスト除去用組成物を提供する。
【００２０】
[化学式８]
2007188077.tif 000009
【００２１】
（上記の式で、Ｒ１は炭素数１乃至１０のアルキル、ベンジル、フェニル、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテートであり、Ｒ２は炭素数１乃至１０のアルキル、ベンジル、フェニル、炭素数１乃至１０のアルキルアセテート又は炭素数１乃至１０のアルキルカーボネートである。）
【発明の効果】
【００２２】
本発明によるレジスト除去用組成物は工程中レジストの除去能力及びレジスト分解能力及び基板の洗浄能力が優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００２４】
本発明はフォトリソグラフィ工程でレジストパターンを形成した後に基板上部に残留するレジストを除去するための組成物を提供する。
【００２５】
本発明では薬液疲労度を減らすために色々な成分で構成されたレジスト除去用組成物を沸点の高い単一溶剤として使用する。本発明で沸点の高い単一溶剤としては極性及び非極性溶媒が最も望ましい。そのうち、極性溶媒はその特有の特性によりレジストを分解する工程中、添加できるオゾンや過酸化水素水などの酸化剤をあまりにも速く分解させたり安定化させることができないため、分解効率を落とすがレジスト除去性能が優れている。また、非極性溶媒の場合、レジスト除去能力は極性溶媒に比べて落ちる短所があるが、オゾンや過酸化水素水などの酸化剤を安定化させられる。このような溶媒の短所を補うために、本発明は触媒剤や添加剤を添加して、オゾンや過酸化水素水などの酸化剤を安定化させながら、分解に必要なラジカル発生を促したり、アミン、有機酸又はその他添加剤などを添加して、除去能力を補助するようにする。
【００２６】
詳しくは、本発明によるレジスト除去用組成物の単一溶剤に使用される成分は下記の化学式１の化合物、化学式２、化学式３又は化学式４の環状化合物、及び化学式５のグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物であり、これらはオゾン又は過酸化水素水のような酸化剤で分解されなくて、沸点も１２０度以上の高温で薬液の減少が少なければならない。このような本発明の化合物はレジスト除去用組成物で１００重量部に含まれながら、これらは組成物内で溶媒としての役割を果たす。
【００２７】
[化学式１]
2007188077.tif 000010
【００２８】
[化学式２]
2007188077.tif 000011
【００２９】
[化学式３]
2007188077.tif 000012
【００３０】
[化学式４]
2007188077.tif 000013
【００３１】
[化学式５]
2007188077.tif 000014
【００３２】
（上記の式で、Ｒ、Ｒ'、Ｒ"、Ｒ’”はそれぞれ水素、ヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル基、炭素数１乃至１０のアルカノール基、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基であり、Ｒ３はヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル、又は炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基であり、ｎは１乃至１２の整数である。）
この時、本発明によれば、前記化学式８のカーボネート化合物で構成される群より選択される化合物も前記性質を満足して、単独溶媒としても用いることができる。
【００３３】
また、本発明はレジストが薬液中に含まれることによって除去性能が低下するのを防止するために、レジスト除去工程中にレジスト成分のレジンと感光剤成分を分解できる触媒剤、及び添加剤などを適用しながら、単一溶剤によって低下される除去性能を補うために特定添加剤などを添加する。
【００３４】
望ましくは、本発明のレジスト除去用組成物は前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート系化合物にアミン又は有機酸、酸化剤、前記化学式６又は７に表示されるラクトン系化合物、又はこれらの混合物をさらに含むことができる。
【００３５】
本発明の主な目的は、溶媒の役割を果たす前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート系化合物に酸化剤を添加することによって、溶媒に含まれているレジストを分解することである。また、本発明の他の目的は、アミン又は有機酸をさらに添加することによって、溶媒自体に足りないレジスト剥離能力を向上させながら、酸化剤の効率を上げることである。この時、アミン、有機酸、又は酸化剤が使用されても工程中において、より効率を上げるためには溶媒中のアミン、有機酸により、又は熱によって酸化剤を通して、発生されるラジカルをさらに活性化させる必要がある。もちろん、アミン又は有機酸がラジカル発生の効率を上げる一種の触媒剤の役割を果たすが、ラジカルを条件に合うように発生させる溶媒の環境及びレジスト剥離性能向上にその機能を合わせており、実際にオゾンと過酸化水素水及び酸化剤と共に使って、ラジカル発生の効率を上げる触媒剤、添加剤とそれに適合した装置が必要である。
【００３６】
また、本発明によると、前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート系化合物、及び酸化剤の組成にアミン又は有機酸又はラクトン系化合物を添加するとき、レジスト剥離性能及びレジスト分解性能をさらに改善することができる。
【００３７】
このような本発明のレジスト除去用組成物は前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物を７０乃至９９．９重量部、及びアミン又は有機酸を０．１乃至３０重量部含む２成分系組成であってよい。また、本発明のレジスト組成物は、前記化学式３のカーボネート化合物を７０乃至９９．９重量部、及びアミン又は有機酸を０．１乃至３０重量部含む２成分系組成であってよい。
【００３８】
また、本発明のレジスト除去用組成物は前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート化合物を９０乃至９９．９９重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含む２成分系組成であってよい。この時、本発明のレジスト除去用組成物は前記環状化合物、及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物、又はカーボネート化合物を７０乃至９９．４９９重量部、オゾンを０．００１乃至１重量部、及びオゾンを除いた酸化剤を０．５乃至１０重量部含むのが好ましい。
【００３９】
また、本発明のレジスト除去用組成物は前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート化合物を７０乃至８９．９重量部、ラクトン系化合物を１０乃至５０重量部、及びアミン又は有機酸を０．１乃至３０重量部含む３成分系組成であってよい。
【００４０】
また、本発明のレジスト除去用組成物は前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート化合物を９０乃至８９．９９重量部、ラクトン系化合物を１０乃至５０重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含む３成分系組成であってよい。この時、本発明のレジスト除去用組成物は前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート化合物を７０乃至８９．８９９重量部、ラクトン系化合物を１０〜５０重量部、オゾンを０．００１乃至１重量部、及び酸化剤を０．１乃至１０重量部含むのが好ましい。
【００４１】
また、本発明のレジスト除去用組成物は前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート化合物を７０乃至９８．９９重量部、アミン又は有機酸を１乃至３０重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含む３成分系組成であってよい。
【００４２】
また、本発明のレジスト除去用組成物は前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート化合物を７０乃至８８．９９重量部、ラクトン系化合物を１０〜５０重量部、アミン又は有機酸を１乃至３０重量部、及び酸化剤を０．０１乃至１０重量部含む４成分系組成であってよい。
【００４３】
本発明で単一成分系組成物に用いることができる前記環状化合物は、シクロペンタノン、メチルシクロペンタンノン、テトラヒドロフルフリルアセテート、テトラヒドロ-４Ｈ-ピラン-４-オン、及びテトラヒドロピラン-２-メタノールで構成される群より選択される１種以上を使用するのが好ましい。また、前記グリコール化合物は、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、トリエチレングリコールエチルエーテル、トリエチレングリコールブチルエーテル、及びジエチレングリコールジメチルエーテルで構成される群より１種以上選択することができる。
【００４４】
前記カーボネート化合物は、ジベンジルカーボネート、ジエチルカーボネート、及びジエチルジカーボネートで構成される群より選択される１種以上を使用するのが好ましい。
【００４５】
本発明で２乃至４成分系の場合、前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート化合物の含有量は共に添加される化合物により変更されることができる。好ましくは、アミン又は有機酸を含む２成分系組成の場合前記環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物、又はカーボネート化合物は全体組成物に対して７０乃至９９．９重量部で使用することができる。また、酸化剤を含む２成分系組成の場合環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物、又はカーボネート化合物は全体組成物に対して９０乃至９９．９９重量部で使用する。また、オゾン及びオゾンを除いた酸化剤を含む場合には環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物、又はカーボネート化合物を全体組成物に対して７０乃至９９．４９９重量部で使用する。また、ラクトン系化合物及びアミン又は有機酸を含む３成分系組成の場合環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物、又はカーボネート化合物は全体組成物に対して７０乃至８９．９重量部で使用する。また、ラクトン系及び酸化剤を含む３成分系組成の場合、環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物、又はカーボネート化合物は全体組成物に対して９０乃至８９．９９重量部で使用する。また、オゾン及びオゾンを除いた酸化剤及びラクトン系化合物を含む場合環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物、又はカーボネート化合物は全体組成物に対して７０乃至８９．８９９重量部で使用する。この時、前記環状アミン化合物及びグリコール化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート系化合物の含有量が各場合において下限値未満であれば相対的に酸化剤及びアミン又は有機酸の重量部が増えながら、金属配線の腐蝕及びレジスト除去能力が落ちる問題があって、それぞれの場合で上限値を超えるようになると相対的に酸化剤及びアミン又は有機酸の重量部が離れてラジカル発生が不足して、溶媒内のレジスト分解が難しい問題がある。
【００４６】
本発明で使用するアミン又は有機酸はそれ自体でレジスト剥離を助けることもでき、レジスト組成内の感光性化合物（ＰＡＣ、ｐｈｏｔｏ  ａｃｔｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と反応して、感光性化合物を酸化させる役割を果たす。前記感光性化合物は高分子の間に存在するため、酸化された感光性化合物が本発明の環状化合物及びグリコール系化合物で構成される群より選択される化合物又はカーボネート系化合物に溶けながら高分子鎖が緩くなって溶解しやすい状態となる。アミン又は有機酸は単一溶媒でたりないレジストの除去性能を補助する役割を果たすだけでなく、溶媒のｐＨも調節することによってアルカリ度を調節して酸化剤が溶媒内で簡単にラジカルを発生させられる条件を作って、酸化剤の活性を調節する役割を果たす。例えば、ｐＨが７．５以上の場合には、ヒドロキシラジカルが発生しやすい条件となり、ｐＨが７．５以下の場合には酸化剤が安定的に溶媒に存在できる条件となる。
【００４７】
この時、アミンの場合、溶媒のｐＨを増加させることによって高いｐＨでオゾンや過酸化水素水のような酸化剤が継続的に供給される状態では酸化剤の分解効率を上げながら、反応性の高いヒドロキシルラジカルを簡単に発生させられる条件を作る。このようなヒドロキシルラジカルは溶媒内に含まれているレジストの構成成分と反応して、分解させながら、同時に基板に塗布されたレジストの剥離も助けることができる。前記アミンは１級、２級、３級鎖状アミン又は環状アミンが好ましく、具体的には、モノエタノールアミン、モノイソプロピルアミン、アミノエトキシエタノール、メチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、ジエチルメタノールアミン、メチルジエタノールアミン、１-（２-ヒドロキシエチル）-４-メチルピペラジン、Ｎ-メチル-Ｎ-（Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチル）-アミノエタノール、Ｎ-メチル-Ｎ-（Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチル）-アミノブタノール、１-（Ｎ，Ｎ-ジメチル）２-（２-ヒドロキシエトキシ）エチルアミン、ヒドロキシエチルピペラジン、アミノエチルピペラジン、及びアミノプロピルモルヒネの中より１種以上選択することができる。
【００４８】
前記有機酸は溶媒のｐＨを減少させることによってオゾンや過酸化水素水のような酸化剤が一定量に制限された状態で安定的に溶媒に含まれるようにしながら、ヒドロキシルラジカル又は酸素ラジカルに一定に分解されるようにする。前記有機酸の種類としてはカルボン酸、ジカルボン酸、及びこれらの無水物で構成される群より選択して、使用するのが好ましい。具体的には、安息香酸、メチル安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、アミノベンズ酸、クエン酸、コハク酸、リンゴ酸、マレイン酸、サリチル酸、蓚酸、フタル酸、イタコン酸、コハク酸無水物、フタル酸無水物、及びイタコン酸無水物の中より１種以上選択することができる。
【００４９】
本発明で２成分系組成物及び３成分系組成物の場合、アミン又は有機酸は全体組成物に対して０．１乃至３０重量部で使用するのが好ましい。アミン又は有機酸の含有量が０．１重量部未満であれば乾式エッチングなどによって、変成されたレジスト除去性能が低下し、溶媒のｐＨを調節して、ラジカル発生環境を作り難い問題があって、３０重量部を超えるようになるとゲル化された高分子を溶解する能力が落ち、全体的にレジスト除去性能が低下される問題がある。
【００５０】
本発明の組成物に使用される酸化剤は、オゾン、過酸化水素水、ｔｅｒｔ-ブチルヒドロゼンペルオキシド、ベンゾイルヒドロゼンペルオキシド、尿素-過酸化水素付加体、硝酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、酢酸アンモニウム、二フッ化水素アンモニウム、チオシアン酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硫化アンモニウム、蓚酸アンモニウム、及びチオ硫酸アンモニウムで構成される群より選択される１種以上であることが好ましく、特にオゾンが望ましい。
【００５１】
オゾンを含む場合、オゾンを除いた１種以上の酸化剤と共に含んだ方が良い。このような場合、酸化剤は過酸化水素水及びアンモニウム塩の中より選択されるのが最も好ましく、過酸化水素水とアンモニウム塩などのような酸化剤が溶媒に添加される場合には必ず水に溶けている状態で添加してこそその効果を期待できる。オゾンと過酸化水素と共に用いる場合、レジスト分解能力を倍増させられ、オゾンとアンモニウム塩を共に用いる場合、レジスト分解能力が増加して、アッシング工程後に現れる変成されたレジストを簡単に除去できる機能も遂行できる。オゾンを含まないで過酸化水素水又はアンモニウム塩を前記環状化合物、グリコール系化合物、カーボネート化合物の中で選択した化合物と共に用いられる場合にもレジスト分解能力を確認できるが、オゾンよりレジスト構成成分の中でレジン（ｒｅｓｉｎ）を分解する能力は落ちて、感光剤（ＰＡＣ）を分解する能力は同一であることを観察することができる。従って、本発明において、酸化剤は一つ以上を混合して使って、オゾンを単独で使うのがより好ましく、要求される工程により酸化剤の種類が異なってもよい。
【００５２】
酸化剤として使用する過酸化水素水、オゾン、アンモニウム塩などは特定の条件でヒドロキシラジカル、酸素ラジカル、アンモニウムラジカルを発生させて、レジスト成分中感光性化合物（ＰＡＣ：Ｐｈｏｔｏ  ａｃｔｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を分解して、溶媒に含まれているレジストの含有量を直接減らせる役割を果たすだけでなく溶媒自体に足りないレジスト除去性能を高める役割も共に果たす。
【００５３】
この時、酸化剤として用いることができるオゾンは、オゾン発生装置を使って、リアルタイムで供給されるべきで、溶媒に含まれているレジスト及び基板に塗布されたレジストを分解又は剥離するために５０乃至１００ｐｐｍ程度のオゾンが溶媒に溶解していなければならなく、少なくとも３０ｐｐｍ以上のレジスト除去用組成物に存在してこそレジスト除去能力を助けることができる。オゾンが溶媒に効率的に溶解するためには発生器と溶媒が入っているタンクの間の接触器が必要である。このようなオゾンは溶媒中で分解効率が高いほどレジスト剥離の効率が高くなり、温度が高いほど、またヒドロキシオキシドが多く存在するほどその分解速度が速くなる。
【００５４】
本発明の２乃至４成分系組成物で、酸化剤の含有量はそれぞれの全体組成物に対して０．０１乃至１０重量部で使用することができる。酸化剤の含有量が０．０１重量部未満であればラジカル発生量が不足して、レジスト分解が難しい問題があって、１０重量部を超えると金属配線に腐食を招く問題がある。本発明の組成物でオゾンを含む場合、オゾンの含有量は０．００１乃至１重量部で使って、オゾンを除いた酸化剤の場合０．１乃至１０重量部で使用することができる。
【００５５】
前記化学式６又は化学式７に表示されるラクトン系化合物としてはガンマブチロラクトン、ガンマメチレンガンマブチロラクトン、アルファメチルガンマブチロラクトン、アルファメチレンガンマブチロラクトン、２-アセチルブチロラクトン、ガンマヘキサノラクトン、ガンマノナンオールラクトン、テルタオクタロラクトン、ガンマバレロラクトン、デルタバレロラクトン、及びデルタヘキサノンラクトンで構成される群より１種以上選択して使用することができる。
【００５６】
本発明で３成分系又は４成分系組成物の場合、ラクトン系化合物は全体組成物に対して１０乃至５０重量部で使用するのが好ましく、その含有量が１０重量部未満であれば相対的に酸化剤及びアミン又は有機酸の重量部が増えて、金属配線の腐蝕及びレジスト除去能力が落ちる問題があって、５０重量部を超えるようになると相対的に酸化剤及びアミン又は有機酸の重量部が離れてラジカル発生が不足して、溶媒内のレジスト分解が難しい問題がある。
【００５７】
以上のような本発明のレジスト除去用組成物の製造方法は特に限定されなく、通常の方法と併せて、電子回路又は表示素子の金属配線をパターンするレジスト除去に用いることができる。
【００５８】
以下、実施例と比較例を通して、本発明をさらに詳細に説明する。但し、実施例は本発明を例示するものであって、これらを限定するものではない。一方、下記の実施例において別途の言及がなければ百分率及び混合比は重量を基準にしたものである。
【実施例】
【００５９】
実施例１乃至７は、それぞれの組成物のレジスト除去性能及びレジスト分解性能を調べるための実験である。
【００６０】
レジスト除去性能を調べるための試片はガラスの上にＤＴＦＲ-３６５０Ｂ（東進セミケム、ポジティブレジスト）を塗布した後、１４０℃で１０分間（試片１）、及び１５０℃で１０分間（試片２）、ベーキングしたレジスト除去時間を測定し、試片の寸法は２ｃｍ×４ｃｍにした。
【００６１】
レジスト分解性能を調べるために、各組成物にＤＴＦＲ-３６５０Ｂ（東進セミケム、ポジティブレジスト）３重量部を強制投入し、オゾンを用いる場合オゾン発生装置を使用して溶媒内にオゾンが６０ｐｐｍ以上が維持されるように調節し、それぞれ６時間以上オゾンとの反応を通して、レジスト分解の有無を観察した。オゾン発生装置は大きく放電法、光化学反応法、電解法などが知られており、本実験では２ケ以上の電極間に誘電体を挿入して放電空間で酸素をオゾンで変換させる放電法を使って、オゾンを微細気泡形式で溶媒内に表面積が大きくて密閉された容器内で接触させて溶解した。
【００６２】
レジスト分解の要否はＵＶ吸光度測定を通して観察し、それぞれ２８０ｎｍ、３５０ｎｍ、５５０ｎｍでの吸光度を観察して、基準対比分解の有無を（％）に示した。
【００６３】
工程適用時、配線金属に対する腐蝕の有無を調べるための試片として、ガラス基板上にモリブデンとアルミニウムが２００Å、２０００Åと順次に薄膜蒸着されたのをＤＴＦＲ-３６５０Ｂに配線を形状化した後、湿式エッチング法でエッチングした（試片３）。
【００６４】
試片の大きさは２ｃｍ×４ｃｍにして、各組成物を７０℃で誘起した後、３０分間浸漬させたものを純水で洗浄した後、ＳＥＭを通して、下部膜質の腐蝕の要否を観察した。
【００６５】
<実施例１>
グリコール化合物又はカーボネート化合物自体のレジスト除去性能を評価した。
【００６６】
下記表１のそれぞれの溶媒を使って、前記第１試片の膜質に対する除去力を評価した。
【００６７】
特に揮発に応じたレジスト除去性能の変化を見るために各除去溶液を強制排気状態で７０℃を維持し続けて、各試片の除去性能を評価して、完全にレジストを除去する時間を結果として表１に示した。
【００６８】
【表１】
2007188077.tif 000015
【００６９】
前記表１で、ＤＥＣ：ジエチルカーボネート、ＴＨＦＡ：テトラヒドロポピュリラセテイトゥ、ＴＥＧ：トリエチレングリコール、ＢＤＧ：ジエチレングリコールブチルエーテル、ＤＭＤＧ：ジエチレングリコールジメチルエーテルである。
【００７０】
前記表１の結果から、本発明によるグリコール化合物又はカーボネート化合物（実験１乃至５）の場合、レジスト除去力において全て類似する能力を示した。この時、熱硬化が１５０℃以上である場合、又は乾式エッチングによって、レジストが変成された場合には上の溶媒を単純に適用できないが、１４０℃以下の熱硬化ではレジスト剥離能力が良いため、工程中に有効に用いることができる。
【００７１】
<実施例２>
本発明の環状化合物、グリコール系、又はカーボネート化合物とアミン又は有機酸を混合した２成分系でのレジストの除去性能及び腐蝕の有無を評価した。
【００７２】
下記表２の実験１乃至７の組成物を使って、前記第１試片、２試片、３試片の膜質に対する除去力及びプシギョブウル評価した。特に揮発に応じたレジスト除去性能の変化を見るために各除去溶液を強制排気状態で７０℃を維持し続けて、各試片の除去性能を評価して、完全にレジストを除去する時間と共に、その結果を表２に示した。
【００７３】
【表２】
2007188077.tif 000016
【００７４】
前記表２で、ＤＥＣ：ジエチルカーボネート、ＴＨＦＡ：テトラヒドロポピュリラセテイトゥ、ＴＥＧ：トリエチレングリコール、ＢＤＧ：ジエチレングリコールブチルエーテル、ＤＭＤＧ：ジエチレングリコールジメチルエーテル、ＰｈＡＡ：フタル酸無水物、ＳＡＡ：コハク酸無水物、ＭＥＡ：モノエタノールアミン、ＭＤＡＥＡＥ：Ｎ-メチル-Ｎ-（Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチル）アミノエタノールである。
【００７５】
各溶媒にアミン又は有機酸が添加される場合、単一溶媒よりレジスト除去性能は増加し、溶媒の種類によって若干の差が生じることが分かる。またアミン又は有機酸が添加されても下部膜質の腐蝕には影響を与えないことが分かる。
【００７６】
<実施例３>
環状化合物、又はグリコール系、ラクトン系化合物、及びアミン又は有機酸を混合した３成分系でのレジストの除去性能は及び腐蝕の有無を比較した。
【００７７】
下記表３の実験１〜６の組成物を使って、前記第１試片、２試片、３試片の膜質に対する除去力及び腐食可否を評価した。特に揮発に応じたレジスト除去性能の変化を調べるため、各除去溶液を強制排気状態で７０℃を維持し続けて、各試片の除去性能を評価して、完全にレジストを除去する時間と共に、その結果を表３に示した。
【００７８】
【表３】
2007188077.tif 000017
【００７９】
前記表３で、ＤＥＣ：ジエチルカーボネート、ＴＨＦＡ：テトラヒドロポピュリラセテイトゥ、ＢＤＧ：ジエチレングリコールブチルエーテル、ＤＭＤＧ：ジエチレングリコールジメチルエーテル、ＰｈＡＡ：フタル酸無水物、ＳＡＡ：コハク酸無水物、ＧＢＬ：ガンマブチロラクトン、ＡＢＬ：２-アセチルブチロラクトン、ＭＤＡＥＡＥ：Ｎ-メチル-Ｎ-（Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチル）アミノエタノールである。
【００８０】
各溶媒にラクトン系溶媒及びアミン又は有機酸が添加される場合、単一溶媒よりレジスト除去性能は増加し、溶媒の種類によって若干の差が生じることが分かる。またアミン又は有機酸が添加されても下部膜質の腐蝕には影響を与えないことが分かる。本発明でラクトン系化合物によって、レジスト除去性能が増加する理由はラクトン系化合物の場合、酸素二重結合がある所に極性が集まっている、極性が大きい溶媒であるためである。
【００８１】
このような極性溶媒はレジスト除去性能を助けるだけでなく、除去溶剤の粘性を下げる役割も共に果たす。
【００８２】
<実施例４>
グリコール系又はカーボネート化合物と酸化剤として過酸化水素水、オゾン、アンモニウム塩などの酸化剤を混合した３成分系でのレジストの除去性能、腐蝕の有無、レジスト分解性能を比較した。
【００８３】
下記表４の実験１乃至１１の組成物を使って、前記第１試片、２試片、３試片の膜質に対する除去力を評価した。レジスト除去性能の変化を調べるために各除去溶液を強制排気状態で７０℃を維持し続けて、各試片の除去性能を評価して、完全にレジストを除去する時間を示した。また、レジスト分解性能を調べるために各除去溶液を強制排気状態で７０℃を維持し続けて、初期及び６時間が通過後、各除去溶液を採取してＵＶ吸光度を測定して、分解比率と共に、その結果を表４に示した。
【００８４】
【表４】
2007188077.tif 000018
【００８５】
前記表４で、ＤＥＣ：ジエチルカーボネート、ＴＨＦＡ：テトラヒドロポピュリラセテイトゥ、ＴＥＧ：トリエチレングリコール、ＢＤＧ：ジエチレングリコールブチルエーテル、ＤＭＤＧ：ジエチレングリコールジメチルエーテル、過酸化水素水：３５％Ｈ２Ｏ２水溶液、炭酸アンモニウム：１０％炭酸アンモニウム水溶液である。
【００８６】
本実験でオゾンは継続してオゾン発生装置によって供給されて、溶媒に６０ｐｐｍの濃度に維持される状態で実験を進め、過酸化水素水及びアンモニウム塩の場合継続的に供給せず熱によって消耗したり分解される状態で進められた。
【００８７】
結果的に、オゾンは継続的に供給される状態であるため、他の酸化剤に比べて分解効率が良く、特定溶媒内では優秀な効果が示される。このようなオゾン及び過酸化水素水、アンモニウム塩は溶媒内でラジカルを発生させると共に、感光剤（ＰＡＣ）を主に分解させて、レジスト成分中のレジンは感光剤より分解効率が落ちた。従って、時間が経つにつれて組成物の色は感光剤によって、不透明な赤い色が薄くなりながら、透明な黄色に変わるのを観察することができた。
【００８８】
アミン又は有機酸と同様にオゾンも、レジスト剥離能力が向上する効果をもたらすが、アミン又は有機酸ほどの効果は見られない。継続的に供給されたオゾンが基板と当たりながら、熱変性されたレジストの成分中、感光剤との反応を通して、レジスト剥離能力が向上するように助けたものと判断される。
【００８９】
<実施例５>
酸素二重結合が含まれている環状化合物、グリコール系、又はカーボネート系とラクトン系化合物、酸化剤を混合した３成分系でのレジストの除去性能は及び腐蝕の有無を比較した。
【００９０】
下記表５の実験１乃至１３の組成物を使って、前記第１試片、２試片、３試片の膜質に対する除去力及びプシギョブウル評価した。特に揮発に応じたレジスト除去性能の変化を見るために各除去溶液を強制排気状態で７０℃を維持し続けて、各試片の除去性能を評価して、完全にレジストを除去する時間と共に、その結果を表５に示した。
【００９１】
【表５】
2007188077.tif 000019
【００９２】
前記表５で、ＴＨＦＡ：テトラヒドロポピュリラセテイトゥ、ＢＤＧ：ジエチレングリコールブチルエーテル、ＤＭＤＧ：ジエチレングリコールジメチルエーテル、ＧＢＬ：ガンマブチロラクトン、ＡＢＬ：２-アセチルブチロラクトン、過酸化水素水：３５％Ｈ２Ｏ２水溶液、炭酸アンモニウム：１０％炭酸アンモニウム水溶液を示す。
【００９３】
前記結果から、ラクトン系化合物は溶媒に混ざると共に、レジスト剥離性能及び分解性能の効率を上げていることが明らかになった。
【００９４】
<実施例６>
酸素二重結合が含まれている環状化合物、グリコール系、又はカーボネート系と、アミン又は有機酸、及び酸化剤として過酸化水素、オゾン、アンモニウム塩などの酸化剤を混合した３成分系でのレジストの除去性能、腐蝕の有無、レジスト分解性能を比較した。
【００９５】
下記表６の実験１乃至１２の組成物を使って、前記第１試片、２試片、３試片の膜質に対する除去力を評価した。レジスト除去性能の変化を見るために各除去溶液を強制排気状態で７０℃を維持し続けて、各試片の除去性能を評価して、完全にレジストを除去する時間を示した。レジスト分解性能を調べるために各除去溶液を強制排気状態で７０℃を維持し続けて、初期及び６時間通過後、各除去溶液を採取してＵＶ吸光度を測定して、分解比率を示した。その結果を表６に示した。
【００９６】
【表６】
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【００９７】
前記表６で、ＤＥＣ：ジエチルカーボネート、ＴＨＦＡ：テトラヒドロポピュリラセテイトゥ、ＴＥＧ：トリエチレングリコール、ＢＤＧ：ジエチレングリコールブチルエーテル、ＤＭＤＧ：ジエチレングリコールジメチルエーテル、過酸化水素水：３５％Ｈ２Ｏ２水溶液、炭酸アンモニウム：１０％炭酸アンモニウム水溶液、ＭＤＡＥＡＥ：Ｎ-メチル-Ｎ-（Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチル）アミノエタノールを示す。
【００９８】
それぞれのアミン又は有機酸は溶媒のｐＨなどラジカルが発生させる条件を向上させて、１５〜２０％程度レジストの分解効率を高め、特にレジスト剥離性能も非常に向上したのが分かる。
【００９９】
アミン又は有機酸を除いて、オゾンと過酸化水素と共に用いる場合、アミン又は有機酸より高い分解効率を示した。また、過酸化水素とオゾンの相互作用による上昇效果が大きいことが分かる。
【０１００】
<実施例７>
酸素二重結合が含まれている環状化合物、グリコール系、又はカーボネート系化合物と、ラクトン系化合物、アミン又は有機酸及び酸化剤として過酸化水素、オゾン、アンモニウム塩などの酸化剤を混合した４成分系でのレジストの除去性能、腐蝕の有無、レジスト分解性能を比較した。
【０１０１】
下記表７の実験１乃至１２の組成物を使って、前記第１試片、２試片、３試片の膜質に対する除去力を評価したし、レジスト除去性能の変化を見るために各除去溶液を強制排気状態で７０℃を維持し続けて、各試片の除去性能を評価して、完全にレジストを除去する時間を示した。レジスト分解性能を調べるために各除去溶液を強制排気状態で７０℃を維持し続けて、初期及び６時間経過後、各除去溶液を採取してＵＶ吸光度を測定して、分解比率と共にその結果を表８に示した。
【０１０２】
【表７】
2007188077.tif 000021
【０１０３】
前記表７で、ＴＨＦＡ：テトラヒドロポピュリラセテイトゥ、ＢＤＧ：ジエチレングリコールブチルエーテル、ＤＭＤＧ：ジエチレングリコールジメチルエーテル、ＧＢＬ：ガンマブチロラクトン、ＡＢＬ：２-アセチルブチロラクトン、過酸化水素水：３５％Ｈ２Ｏ２水溶液、炭酸アンモニウム：１０％炭酸アンモニウム水溶液を示す。
【０１０４】
【表８】
2007188077.tif 000022
【０１０５】
本発明によるレジスト除去用組成物は、工程中におけるレジストの除去能力、レジスト分解能力及び基板の洗浄能力が優れている。