(57)【要約】【課題】複数の露光装置を備えた構成で、露光光源を有効に活用して、全体の設置面積を小さくする。【解決手段】複数の露光装置５Ａ，５Ｂと、それらの露光装置で共有されるエキシマレーザ光源３３とを有する露光システムであって、エキシマレーザ光源３３から出力されるレーザビームをそれらの露光装置から選択された任意の１台の露光装置に導く送光光学系６０と、送光光学系６０及びエキシマレーザ光源３３の発光の制御を行う光源切替制御系２２とを備え、光源切替制御系２２は、予め定められている優先順位等に基づいてそれらの露光装置によるエキシマレーザ光源３３の使用の順序等を決定する。【選択図】図１
2007214404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの露光ビームで物体を露光する複数の露光装置と、前記複数の露光装置に前記露光ビームを供給するために前記複数の露光装置で共有される露光光源とを有する露光システムであって、
前記露光光源で出力される露光ビームを前記複数の露光装置から選択された任意の少なくとも１台の露光装置に導くビーム切り換え光学系と、
前記ビーム切り換え光学系の切り換えを行う制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記複数の露光装置からの前記露光光源の使用要求に応じて、前記複数の露光装置による前記露光光源の使用の態様を決定することを特徴とする露光システム。
【請求項２】
前記露光光源の使用の態様は、前記露光光源の使用の順番と使用時間との少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光システム。
【請求項３】
前記制御装置は、前記使用要求に対して予め定められている前記複数の露光装置からの使用要求の送受信に関する情報、又は使用予測情報に基づいて、前記露光光源の使用の態様を決定することを特徴とする請求項１に記載の露光システム。
【請求項４】
前記複数の露光装置は第１及び第２の露光装置よりなり、
前記第１の露光装置に前記露光光源から前記露光ビームが供給されている期間では、前記第１の露光装置では物体に対する露光を行い、前記第２の露光装置では露光条件のキャリブレーション又は露光対象の物体のステップ移動を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の露光システム。
【請求項５】
前記露光光源は前記露光ビームの開閉を行うシャッタを有し、
前記制御装置は、前記シャッタの開閉状態の情報を前記複数の露光装置に供給することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の露光システム。
【請求項６】
それぞれの露光ビームで物体を露光する複数の露光装置と、前記複数の露光装置に前記露光ビームを供給するために前記複数の露光装置で共有される露光光源とを有する露光システムであって、
前記露光光源で出力される露光ビームを前記複数の露光装置から選択された任意の少なくとも１台の露光装置に導く複数の可動ミラーを含むビーム切り換え光学系と、
前記ビーム切り換え光学系から前記露光装置に供給される前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方を制御するために、前記複数の露光装置の配置に応じて前記複数の可動ミラーの角度を制御するミラー制御装置とを備えたことを特徴とする露光システム。
【請求項７】
前記複数の可動ミラーの角度の変化と、前記複数の露光装置にそれぞれ供給される前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方の変化との関係であるミラー制御情報を、前記複数の露光装置のうちの特定の少なくとも１台の露光装置に関する前記ミラー制御情報から求めておき、
前記複数の露光装置のそれぞれの前記ミラー制御情報を前記ミラー制御装置の記憶部に記憶しておくことを特徴とする請求項６に記載の露光システム。
【請求項８】
前記複数の可動ミラーの角度の変化と、前記複数の露光装置にそれぞれ供給される前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方の変化との関係であるミラー制御情報を、前記複数の露光装置のうちの特定の露光装置に関する前記ミラー制御情報から求めておき、
前記複数の露光装置のそれぞれの前記ミラー制御情報を前記ミラー制御装置の記憶部に記憶しておくことを特徴とする請求項６に記載の露光システム。
【請求項９】
前記複数の露光装置に供給される前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方をモニタするための共有のモニタ装置を備え、
前記ミラー制御装置は、前記モニタ装置のモニタ結果に基づいて前記複数の可動ミラーの角度を補正することを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の露光システム。
【請求項１０】
前記複数の露光装置に供給される前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方をそれぞれモニタするための複数のモニタ装置と、
前記複数のモニタ装置のモニタ結果から前記複数の露光装置に供給される際の前記露光ビームの減衰量の差を求め、該求められた減衰量の差に応じて前記露光光源から出力される露光ビームのパワーを制御する光源制御装置とを備えたことを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の露光システム。
【請求項１１】
前記ミラー制御装置は、前記複数のモニタ装置のモニタ結果に基づいて前記複数の可動ミラーの角度を補正することを特徴とする請求項１０に記載の露光システム。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の露光システムを用いてデバイス用のパターンを感光体上に転写する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、それぞれ所定パターンを基板上に転写する複数の露光装置本体部を含む露光システムに関し、例えば半導体素子又は液晶表示素子等の各種デバイスを製造するためのフォトリソグラフィ工程で使用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等を製造するために使用されるステッパー等の一括露光型又はスキャニングステッパー等の走査露光型等の露光装置においては、解像度を高めるために、露光波長が次第に短波長化して来ている。最近では、露光光源としてＫｒＦエキシマレーザ（発振波長２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザ（発振波長１９３ｎｍ）のような放電励起型でスペクトル狭帯化パルス発振型のエキシマレーザ光源が主に用いられている。エキシマレーザ光源は、従来露光光源として主に使用されていた水銀ランプに比べて大型で、かつ大重量であるため、マスクとしてのレチクルのパターンを基板としてのウエハ（又はガラスプレート等）上に転写露光する露光装置本体部とエキシマレーザ光源とは、例えば異なるフロアに配置されるというように離れて配置され、レーザ光は所定の送光光学系を介して供給されていた。
【０００３】
また、従来の露光装置は、露光装置毎に個別に露光光源を備えており、露光光源としてエキシマレーザ光源を用いる場合には、露光装置本体部において露光開始前に発光時のパルスエネルギー及び発光周波数を設定し、その後は１パルス毎の発光タイミングを知らせるトリガー信号を露光装置本体部からエキシマレーザ光源に送信し、そのトリガー信号に同期してエキシマレーザ光源でパルス発光を行っていた（例えば、特許文献１参照）。さらに、露光装置本体部とエキシマレーザ光源との間のレーザ光の伝達経路を規定する上記の送光光学系も露光装置毎に個別に設けられていた。
【特許文献１】特開２００１−１４８３４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体素子等の一層の微細化に伴い、投影光学系の開口数ＮＡがより大きくなるとともに、投影光学系とウエハとの間に液体を供給する液浸技術の採用等によって、露光装置本体部の大型化がさらに加速されている。露光光源についても、エキシマレーザ光源の使用によって大型化及び大出力化が進み、その結果露光装置全体が大型化してフットプリントが拡大され、製造コストも増大している。そのため、例えば半導体素子の製造ラインにおいて、複数の露光装置が設置されている場合には、個々の露光装置の大型化及び製造コストの上昇によって全体の製造ラインの規模及びコストがかなり大きくなる。
【０００５】
また、半導体素子等のパターンの微細化がいわゆる超クリティカル領域に入って来た結果、露光装置においては各種センサのキャリブレーション動作や、投影光学系等が安定化するまでの待ち時間など、これまでに必要とされなかった露光光源の発光動作を伴わない処理時間の発生も想定される。この結果、エキシマレーザ光源のように大型で高コストの露光光源を備えた露光装置において、露光光源の稼働率が低下して、コストパフォーマンスが低下する恐れがある。
【０００６】
また、複数の露光装置が個別に露光光源を備えている場合には、露光光源毎にスペクトル特性が僅かに異なるため、微細パターンの投影像の線幅であるＣＤ（Critical Dimension）の誤差も露光装置毎に異なったものとなる。そのため、今後パターンの微細化が進展し、複数の露光装置で重ね合わせ露光を行うような場合には、重ね合わせ精度等の露光精度が低下する恐れがある。
【０００７】
本発明はこのような課題に鑑み、複数の露光装置本体部を備えるとともに、露光光源を有効に活用して、全体の設置面積を小さくできる露光システムを提供することを第１の目的とする。
また、本発明は、複数の露光装置本体部を備えるとともに、露光ビームの特性を均一化して、露光精度を向上できる露光システムを提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による第１の露光システムは、それぞれ露光ビームでマスクを介して物体を露光する複数の露光装置（５Ａ，５Ｂ）と、その複数の露光装置にその露光ビームを供給するためにその複数の露光装置で共有される露光光源（３３）とを有する露光システムであって、その露光光源で出力される露光ビームをその複数の露光装置から選択された任意の少なくとも１台の露光装置に導くビーム切り換え光学系（６０）と、そのビーム切り換え光学系の切り換え及びその露光光源の発光の制御を行う制御装置（２２）とを備え、その制御装置は、その複数の露光装置からのその露光光源の使用要求に応じて、その複数の露光装置によるその露光光源の使用の態様を決定するものである。
【０００９】
また、本発明による第２の露光システムは、それぞれの露光ビームで物体を露光する複数の露光装置（５Ａ，５Ｂ）と、その複数の露光装置にその露光ビームを供給するためにその複数の露光装置で共有される露光光源（３３）とを有する露光システムであって、その露光光源で出力される露光ビームをその複数の露光装置から選択された任意の少なくとも１台の露光装置に導く複数の可動ミラー（３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃ）を含むビーム切り換え光学系（６０）と、そのビーム切り換え光学系からその露光装置に供給されるその露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方を制御するために、その複数の露光装置の配置に応じてその複数の可動ミラーの角度を制御するミラー制御装置（２２）とを備えたものである。
【００１０】
これらの本発明によれば、１つの露光光源からの露光ビームを複数の露光装置（露光装置本体部）に選択的に供給できるため、露光光源を有効に活用して、全体の設置面積を小さくできる。また、複数の露光装置で、露光ビームの特性を均一化して、露光精度を向上できる。
本発明において、その複数の露光装置に供給される露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方をモニタするための共有の、又は個別のモニタ装置（２０Ａ，２０Ｂ）を備え、そのミラー制御装置は、そのモニタ装置のモニタ結果に基づいてその複数の可動ミラーの角度を補正してもよい。
【００１１】
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光システムを用いてデバイス用のパターンを感光体上に転写する工程を含むものである。
なお、以上の本発明の所定の要素に付した括弧付き符号は、本発明の一実施形態を示す図面中の部材に対応しているが、各符号は本発明を分かり易くするために本発明の要素を例示したに過ぎず、本発明をその実施形態の構成に限定するものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施の形態の一例につき図１〜図４を参照して説明する。
図１（Ａ）は本例の露光システムの概略構成を示し、図１（Ａ）において、その露光システムは、例えば半導体デバイス製造工場の床１上に設置されそれぞれレチクルのパターンを投影光学系を介してレジストの塗布されたウエハ（物体）上に転写する２台の露光装置５Ａ，５Ｂと、その階下の床上に設置されその２台の露光装置５Ａ，５Ｂで共有される１台のエキシマレーザ光源３３（露光光源）と、エキシマレーザ光源３３からのレーザビームＩＬ（露光ビーム）をその露光装置５Ａ，５Ｂから選択された任意の少なくとも１台の露光装置に供給する送光光学系６０（ビーム切り換え光学系）と、この送光光学系６０による選択動作を制御する光源切替制御系２２（制御装置）とを備えている。本例の露光装置５Ａ，５Ｂはともにスキャニングステッパーよりなる走査露光型の投影露光装置である。なお、露光装置５Ａ，５Ｂとエキシマレーザ光源３３とは同じフロアに設置されていてもよく、露光装置５Ａ及び５Ｂが異なるフロアに設置されていてもよい。以下では、鉛直方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な面内で、露光装置５Ａ，５Ｂの配列方向にＸ軸を取り、Ｘ軸に垂直な方向にＹ軸を取って説明する。本例のエキシマレーザ光源３３は、放電励起型でスペクトル狭帯化パルス発振型のＫｒＦエキシマレーザ光源（波長２４８ｎｍ）であるが、その他にＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）も使用できる。更に、露光光源として、Ｆ2 レーザ（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ2 レーザ（波長１４６ｎｍ）、ＹＡＧレーザの高調波発生装置、又は固体レーザ（半導体レーザ等）の高調波発生装置等も使用できる。
【００１３】
図１（Ａ）において、エキシマレーザ光源３３の射出口にはシャッタ４７が設けられ、光源切替制御系２２内の光源制御部が後述のように露光装置５Ａ，５ＢのいずれかにレーザビームＩＬを供給する際にシャッタ４７を開く。説明の便宜上、図１（Ａ）では、レーザビームＩＬが一方の露光装置５Ａに供給される状態が示されている。この場合、エキシマレーザ光源３３から射出された断面形状がほぼ正方形のレーザビームＩＬは、第１のシリンドリカルレンズ系３４、第２のシリンドリカルレンズ系３５、可変減光フィルタ３６を経て第１の可動ミラー３９Ａに入射して、上方（ほぼ＋Ｚ方向）に反射される。可動ミラー３９Ａは保持部材４３Ａに保持された状態で、不図示の固定部材に対して支点４１ａ、Ｘ軸アクチュエータ４１ｘ、及びＹ軸アクチュエータ４１ｙを含む２軸のアクチュエータ４１Ａによって、反射されるレーザビームＩＬをＸ軸及びＹ軸に平行な軸の周りに傾斜させる。アクチュエータ４１ｘ，４１ｙとしては電動マイクロメータ又はピエゾ素子等が使用できる。
【００１４】
反射されたレーザビームＩＬは、床１上で固定ミラー４４によってほぼ＋Ｘ方向に反射された後、第３のシリンドリカルレンズ系４９を介して断面形状が矩形に成型されて第２の可動ミラー３９Ｂに入射して、上方に反射される。可動ミラー３９Ｂは、可動ミラー３９Ａと同様に保持部材４３Ｂに保持された状態で、固定部材４０Ｂに対して２軸のアクチュエータ４１Ｂによって、反射されるレーザビームＩＬをＸ軸及びＹ軸に平行な軸の周りに傾斜させる。さらに、固定部材４０Ｂには待避用のストロークの長い例えば直動スピンドルモータのような駆動部４８が設けられ、必要に応じて可動ミラー３９ＢをレーザビームＩＬの光路外に待避できるように構成されている。反射されたレーザビームＩＬのうちでビームスプリッタ１９Ａを透過したレーザビームＩＬ１は露光装置５Ａ内の照明光学系に入射する。一方、ビームスプリッタ１９Ａによって反射されたレーザビームＩＬ２は、ほぼ−Ｙ方向に光軸モニタ２０Ａ（モニタ装置）に入射する。
【００１５】
図１（Ｂ）は、光軸モニタ２０Ａの構成を示し、この図１（Ｂ）において、ビームスプリッタ１９Ａで反射されたレーザビームＩＬ２は、ハーフミラー５１で２分割され、ハーフミラー５１を透過したレーザビームは、焦点距離ｆの集光レンズ５２の後側焦点面のＣＣＤ型の２次元の撮像素子５３Ａの受光面に入射する。一方、ハーフミラー５１で反射されたレーザビームは、ミラー５４を介してＣＣＤ型の２次元の撮像素子５３Ｂの受光面に入射する。なお、ハーフミラー５１と撮像素子５３Ｂとの間に変倍系を配置してもよい。撮像素子５３Ａ，５３Ｂの撮像信号は図１（Ａ）の光源切替制御系２２内の画像処理系に供給され、ここで撮像素子５３Ａ，５３Ｂに入射するレーザビームの中心の２次元座標が求められる。この場合、ビームスプリッタ１９Ａを透過したレーザビームＩＬ１のＸ方向、Ｙ方向への位置ずれ量を（ΔＸ，ΔＹ）、Ｙ軸及びＸ軸に平行な軸の周りの傾斜角を（ΔθＸ，ΔθＹ）（ｒａｄ）として、傾斜角ΔθＸ，ΔθＹが微少量であるとすると、撮像素子５３Ｂ及び５３Ａ上に入射するレーザビームの位置は原点に対してそれぞれ（ΔＸ，ΔＹ）及び（ｆ・ΔθＸ，ｆ・ΔθＹ）だけ変位する。この関係を用いて、光源切替制御系２２内の画像処理系では、露光装置５Ａに入射するレーザビームＩＬ１の位置ずれ量（ΔＸ，ΔＹ）と、Ｙ軸及びＸ軸に平行な軸の周りの傾斜角（ΔθＸ，ΔθＹ）とを求めることができる。
【００１６】
なお、光軸モニタ２０Ａによる計測対象は、レーザビームＩＬ１の位置ずれ量及び傾斜角の少なくとも一方でもよい。
図１（Ａ）に戻り、第２の可動ミラー３９Ｂを待避させた状態では、レーザビームＩＬはほぼ＋Ｘ方向に進行して第３の可動ミラー３９Ｃで上方に反射される。可動ミラー３９Ｃは、可動ミラー３９Ａと同様に保持部材４３Ｃに保持された状態で、不図示の固定部材に対して２軸のアクチュエータ４１Ｃによって、反射されるレーザビームＩＬをＸ軸及びＹ軸に平行な軸の周りに傾斜させる。反射されたレーザビームＩＬのうちでビームスプリッタ１９Ｂを透過したレーザビームＩＬ１は露光装置５Ｂ内の照明光学系に入射する。一方、ビームスプリッタ１９Ｂによって反射されたレーザビームＩＬ２は、ほぼＹ方向に光軸モニタ２０Ａと同じ構成の光軸モニタ２０Ｂに入射する。光軸モニタ２０Ｂ内の２つの撮像素子の撮像信号も光源切替制御系２２に供給され、光源切替制御系２２内の画像処理系では、その撮像信号を用いて、露光装置５Ｂに入射するレーザビームＩＬ１の位置ずれ量（ΔＸ，ΔＹ）と、Ｙ軸及びＸ軸に平行な軸の周りの傾斜角（ΔθＸ，ΔθＹ）とを求めることができる。光源切替制御系２２内のミラー制御部は、露光装置５Ａ，５Ｂに入射するレーザビームの２次元の位置ずれ量及び傾斜角の情報を用いて、レーザビームＩＬ１がそれぞれ露光装置５Ａ又は５Ｂに所望の相対的な位置及び傾斜角で入射するように可動ミラー３９Ａ，３９Ｂ又は可動ミラー３９Ａ，３９Ｃの２軸の周りの傾斜角を制御する。なお、露光装置５Ａ，５Ｂ内の照明光学系の構成によっては、露光装置５Ａ及び５Ｂに入射するレーザビームＩＬ１の位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御するのみでもよい。
【００１７】
本例では、シリンドリカルレンズ系３４，３５，４９、可変減光フィルタ３６、可動ミラー３９Ａ〜３９Ｃ、及び固定ミラー４４を含んで送光光学系６０が構成されている。送光光学系６０は、エキシマレーザ光源３３から射出されたレーザビームＩＬをそれぞれ平行ビームとして露光装置５Ａ及び５Ｂに供給しているため、伝達経路におけるレーザビームＩＬの減衰量が極めて少ない。その結果、露光装置５Ａ及び５Ｂの配置の自由度が高くなっている。なお、例えばビーム断面の成形用のシリンドリカルレンズ系３４，３５，４９は、各露光装置５Ａ，５Ｂの照明光学系内に個別に設けてもよい。同様に、可変減光フィルタ３６を各露光装置５Ａ，５Ｂ内に個別に設けてもよい。
【００１８】
また、光源切替制御系２２では光軸モニタ２０Ａ及び２０Ｂの撮像信号から露光装置５Ａ及び５Ｂに入射するレーザビームＩＬ１の強度を求め、２箇所のレーザビームＩＬ１の強度の比較によって露光装置５Ａ及び５Ｂに供給される際のレーザビームＩＬ１の減衰量の差を求めてもよい。なお、光源切替制御系２２内の光源制御部は、エキシマレーザ光源３３内の光量モニタ（不図示）の計測値からエキシマレーザ光源３３を射出する段階でのレーザビームＩＬの強度を求めることができる。そして、光源切替制御系２２内の光源制御部では、可変減光フィルタ３６の減光率を露光装置５Ａ，５Ｂ毎に制御して、露光装置５Ａ，５Ｂに入射するレーザビームＩＬ１の減衰量ができるだけ小さくなり、かつその減衰量の差が所定の許容範囲内に収まるようにしてもよい。これによって、露光装置５Ａ及び５Ｂに供給されるレーザビームＩＬ１の出力（パルスエネルギー）を均一化できる。
【００１９】
次に、図１（Ａ）中のエキシマレーザ光源３３及び一方の露光装置５Ａの具体的な構成につき図２を参照して説明する。
図２は図１（Ａ）の露光システムのうちのエキシマレーザ光源３３及び露光装置５Ａの詳細な構成を示す断面図であり、この図２において、床１上に防振台等の防振部材３Ａ，３Ｂを介して箱状のチャンバ４が設置され、チャンバ４内に露光装置５Ａが設置されている。また、チャンバ４の外部の床１上に露光装置５Ａの動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系６Ａが設置されている。主制御系６Ａには、ステージ制御系１０Ａ及び光源切替制御系２２が接続されている。同様に、他方の露光装置５Ｂにも主制御系６Ｂが設けられ、この主制御系６Ｂにもステージ制御系１０Ｂ及び光源切替制御系２２が接続されている。
【００２０】
そして、床１の階下の床２上のいわゆる機械室（ユーティリティスペース）に防振部材３１Ａ，３１Ｂを介して箱状のカバー３２が設置され、カバー３２内にエキシマレーザ光源３３、レーザビームＩＬの断面形状をＺ方向に拡大するためのレンズ３４ａ及び３４ｂよりなる第１のシリンドリカルレンズ系３４、レーザビームＩＬの断面形状をＸ方向に拡大するためのレンズ３５ａ及び３５ｂよりなる第２のシリンドリカルレンズ系３５、可変減光フィルタ３６、及び直角プリズムミラーよりなる第１の可動ミラー３９Ａが配置されている。可変減光フィルタ３６は、それぞれ円周方向に１０％程度から１００％程度までの互いに透過率の異なる多数のＮＤフィルタ(neutral density filter)を配置した、２枚の回転可能な円板状の減光板３７及び３８を備えている。例えば光源切替制御系２２からの制御情報に基づいて、駆動モータ３７ａ及び３８ａを介して減光板３７及び３８の回転角を制御することによって、可変減光フィルタ３６を通過するレーザビームＩＬに対する透過率を１％程度から１００％程度までの間で多数段階に亘って切り換えることができる。なお、可変減光フィルタ３６における透過率は必要に応じて主制御系６Ａ及び６Ｂによっても制御される。
【００２１】
また、可動ミラー３９Ａの反射面はＹ軸に平行に入射するレーザビームＩＬにほぼ４５°で交差するとともに、その反射面はＺＹ平面にほぼ垂直である。そして、可動ミラー３９Ａは保持部材４３Ａを介して駆動板４２Ａに固定され、駆動板４２Ａが駆動機構４１Ａによってカバー３２の底面に固定された固定部材４０Ａに対して２軸の周りに駆動される。可動ミラー３９Ａでほぼ＋Ｚ方向に反射されたレーザビームＩＬは、カバー３２の開口部３２ａ、窓部材２４、及びダクト２３の内部を通って床１上に配置された固定ミラー４４、シリンドリカルレンズ系４９、可動ミラー３９Ｂ、ビームスプリッタ１９Ａを介して露光装置５Ａの照明光学系に入射する。
【００２２】
露光装置５Ａにおいて、チャンバ４の底面上に定盤７が設置され、定盤７上にウエハステージ８が移動自在に配置され、ウエハステージ８上に不図示のウエハホルダを介して、レジストが塗布されたウエハＷが吸着保持されている。ウエハステージ８は、Ｘ方向にウエハＷを連続移動し、Ｘ方向及びＹ方向にウエハＷをステップ移動するとともに、ウエハＷの表面をオートフォーカス方式で投影光学系ＰＬの像面に合焦させるために、ウエハＷのフォーカス位置（Ｚ方向の位置）及び傾斜角を制御する。ウエハステージ８のＸＹ平面内での位置及び回転角は、レーザ干渉計９によって計測され、計測値がステージ制御系１０Ａ及び主制御系６Ａに供給され、ステージ制御系１０Ａは、その計測値及び主制御系６Ａからの露光開始コマンド等に応じてウエハステージ８の動作を制御する。
【００２３】
また、定盤７上に４本の脚部を有するコラム１１が設置され、コラム１１の１段目の仕切り板に投影光学系ＰＬが固定され、コラム１１の２段目の仕切り板上にレチクルステージ１３が移動自在に配置され、レチクルステージ１３上に、転写用パターンが形成されたレチクルＲが吸着保持されている。レチクルステージ１３は、Ｘ方向にレチクルＲを連続移動し、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ軸の周りの回転方向にレチクルＲの位置を微調整する。レチクルステージ１３のＸＹ平面内での位置及び回転角はレーザ干渉計１４によって計測され、計測値がステージ制御系１０Ａ及び主制御系６Ａに供給され、ステージ制御系１０Ａは、その計測値及び主制御系６Ａからの露光開始コマンド等に応じてレチクルステージ１３の動作を制御する。
【００２４】
また、コラム１１の最上段の平板上に照明光学系１５が設置され、照明光学系１５は、前段のオプティカルインテグレータ・ユニット１６Ａと、後段のコンデンサーレンズ系１６Ｂとから構成されている。また、定盤７上の＋Ｙ方向の端部に光軸モニタ２０Ａが固定され、光軸モニタ２０Ａの入射面側に筒状の支持部材１８Ｂを介してチャンバ４の外部にビームスプリッタ１９Ａが固定されている。
【００２５】
また、コラム１１の最上段の＋Ｙ方向の端部に、チャンバ４に設けた開口を通して筒状の支持部材１８Ａが固定され、支持部材１８Ａの先端部に、下方から来るレーザビームＩＬ１をほぼ−Ｙ方向に折り曲げるための直角プリズムミラーよりなるミラー部材１７が保持されている。ミラー部材１７で反射されたレーザビームＩＬ１は、平行ビームの状態で露光用の照明光としてオプティカルインテグレータ・ユニット１６Ａに入射する。なお、チャンバ４に設けられた複数の開口と支持部材１８Ａ及び１８Ｂの側面との隙間を密閉するように、フィルム状カバー２１Ａ及び２１Ｂが設けられている。
【００２６】
前段のオプティカルインテグレータ・ユニット１６Ａは、例えば１段目のフライアイレンズに対してリレーレンズ系を介して２段目のフライアイレンズを配置して構成され、２段目のフライアイレンズの射出面（照明光学系１５の瞳面）に可変の開口絞りが配置されている。また、その開口絞りの射出面側に、反射率の低いビームスプリッタが配置され、このビームスプリッタで分岐された照明光の光量をモニタするための光電センサ（インテグレータセンサ）も設けられている。この光電センサによって、レーザビームＩＬ１の光量をモニタすることができる。
【００２７】
この構成において、入射時におけるレーザビームＩＬ１の横ずれ（位置ずれ）は、光量損失の要因となり、角度のずれは、照明光学系１５内の照明光のテレセントリシティの変動要因となる。そこで、本例では、レーザビームＩＬ１の強度分布の中心（送光中の露光ビームの光軸）がその１段目のフライアイレンズの中心（照明光学系１５の光軸）に所定の許容範囲内で一致するとともに、そのレーザビームＩＬ１が所定の許容範囲内でその照明光学系１５の光軸に平行に入射するように上記の送光光学系６０内の可動ミラー３９Ａ，３９Ｂが制御される。
【００２８】
一方、後段のコンデンサーレンズ系１６Ｂは、リレーレンズ系、可変視野絞り、コンデンサーレンズ、及び光路を下方に折り曲げるためのミラー等から構成されている。露光時に、オプティカルインテグレータ・ユニット１６Ａから射出された照明光（レーザビームＩＬ１）は、コンデンサーレンズ系１６Ｂを介してレチクルＲのパターン面のＹ方向に細長いスリット状の照明領域を均一な照度分布で照明する。そして、照明光のもとで、レチクルＲの照明領域内のパターンの像が投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは例えば１／４，１／５等）で、ウエハＷ上の１つのショット領域のスリット状の露光領域に投影される。
【００２９】
ウエハＷへの露光時には、先ず不図示のアライメントセンサを用いて、ウエハＷのアライメントが行われる。その後、ウエハＷ上の１つのショット領域を走査露光するために、レチクルＲ上の照明領域へレーザビームＩＬ１よりなる照明光を照射した状態で、レチクルステージ１３（レチクルＲ）とウエハステージ８（ウエハＷ）とをその投影倍率βを速度比として移動する。そのショット領域への走査露光が終了すると、ウエハステージ８のＸ方向、Ｙ方向へのステップ移動によって、次のショット領域が走査開始位置に移動する。以下、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の各ショット領域にレチクルＲのパターン像が転写される。
【００３０】
他方の露光装置５Ｂも同様に構成され、同様に走査露光が行われるが、露光装置５Ｂに入射するレーザビームＩＬ１の位置及び傾斜角を制御するために図１（Ａ）の送光光学系６０内の可動ミラー３９Ａ，３９Ｃが制御される。
上述のように本例では２台の露光装置５Ａ，５Ｂによって１つのエキシマレーザ光源３３が共有されているとともに、送光光学系６０の一部が露光装置５Ａ，５Ｂで共有されているため、露光装置５Ａ，５Ｂが個別に露光光源を備える場合に比べて全体の設置面積（フットプリント）を低減できる。また、高価なエキシマレーザ光源が１台で済むため、露光システムの製造コストを大幅に低減できる。さらに、エキシマレーザ光源３３は、発光停止期間にも或る程度の電力を消費するため、本例のようにエキシマレーザ光源３３を共有することによって、消費電力を全体として低減できる。
【００３１】
また、例えば一方の露光装置５Ａがエキシマレーザ光源３３を使用して露光を行っている際には、他方の露光装置５Ｂでは例えばいわゆるベースラインチェックを含む各種センサのキャリブレーション、又はウエハ交換等のエキシマレーザ光源３３を使用しない動作を実行することによって、エキシマレーザ光源３３を有効に利用しつつ、露光システム全体の生産性も高く維持できる。
【００３２】
さらに、エキシマレーザ光源３３の使用期間を細分化して、一方の露光装置５Ａ（又は５Ｂ）がエキシマレーザ光源３３を使用してウエハ上の一つのショット領域への走査露光を行っている期間には、他方の露光装置５Ｂ（又は５Ａ）ではウエハのショット間のステップ移動を行うというように、ウエハ上の一つのショット領域への露光毎にエキシマレーザ光源３３の使用を露光装置５Ａ及び５Ｂの間で切り換える動作も可能である。
【００３３】
また、図１（Ａ）のエキシマレーザ光源３３から出力されるレーザビームＩＬのスペクトル幅は、半値幅（ＦＷＨＭ）で０．２ｐｍ以下、スペクトルの積分値が全体の９５％となるときの幅であるＥ９５％純度幅で０．５ｐｍ程度以下にまで狭帯化されている。これによって露光装置５Ａ，５Ｂの投影光学系の色収差はかなり低減しているが、それでもエキシマレーザ光源毎のスペクトル幅や波長中心（又はスペクトルの重心波長）の微小なばらつきによって、微細パターンの投影像の線幅であるＣＤ（Critical Dimension）の誤差が生じる恐れがあった。これに関して、本例の露光システムでは、露光装置５Ａ，５Ｂでエキシマレーザ光源３３が共通に使用されているため、ＣＤ誤差等の露光装置５Ａ，５Ｂによるばらつきは極めて小さい。従って、露光装置５Ａ，５Ｂを用いて例えば重ね合わせ露光を行うような場合でも、重ね合わせ精度等の露光精度を向上できるため、微細なパターンを持つデバイスを高精度に製造できる。
【００３４】
次に、エキシマレーザ光源３３からのレーザビームＩＬを露光装置５Ａ又は５Ｂのいずれかに選択的に供給する際の動作の一例につき説明する。
先ず図１（Ａ）に示すようにエキシマレーザ光源３３にはシャッタ４７が設けられており、露光装置５Ａ，５Ｂにおいてともに露光動作が行われていない期間には安全性等を考慮して、光源切替制御系２２中の光源制御部はシャッタ４７を閉じている。本例では、一例としてシャッタ４７の開閉状態の情報を用いて露光装置５Ａ，５Ｂのいずれがエキシマレーザ光源３３を使用するかを決定する。
【００３５】
図４は、露光装置５Ａ，５Ｂの主制御系６Ａ，６Ｂと光源切替制御系２２及びエキシマレーザ光源３３との間の接続関係を示し、この図４において、主制御系６Ａ，６Ｂと光源切替制御系２２内の光源制御部とはそれぞれシリアル又はパラレルの入出力回路を介して接続されている。その入出力回路を介して、主制御系６Ａ，６Ｂから光源切替制御系２２内の光源制御部に対して、エキシマレーザ光源３３の使用要求等の各種コマンドを含む制御信号ＳＲＡ及びＳＲＢが送信され、光源切替制御系２２から主制御系６Ａ及び６Ｂに対してシャッタ４７の開閉状態等を示すステータス信号ＳＳＡ及びＳＳＢが送信される。主制御系６Ａ及び６Ｂは、それぞれステータス信号ＳＳＡ及びＳＳＢによってシャッタ４７が閉じている（エキシマレーザ光源３３が使用可能である）か、又はシャッタ４７が開いている（他方の露光装置でエキシマレーザ光源３３を使用中である）かを認識できる。
【００３６】
そして、主制御系６Ａ（６Ｂ）は、露光装置５Ａ（５Ｂ）において露光を開始する際に、ステータス信号ＳＳＡ（ＳＳＢ）がシャッタ４７が閉じていることを示すときには、制御信号ＳＲＡ（ＳＲＢ）を用いて光源切替制御系２２を介してエキシマレーザ光源３３にレーザビームＩＬの発光要求を行う。これに応じてシャッタ４７が開いて光源切替制御系２２内の光源制御部から主制御系６Ａ，６Ｂに対してシャッタ４７が開いたことを示すステータス信号ＳＳＡ，ＳＳＢを送信する。これによって、他方の主制御系６Ｂ（６Ａ）はその最初に発光要求を行った露光装置５Ａ（５Ｂ）がエキシマレーザ光源３３を使用中であることを認識できるため、ステータス信号ＳＳＡ，ＳＳＢがシャッタ４７が閉じていることを示すようになるまで、エキシマレーザ光源３３の使用を控えることになる。
【００３７】
次に、露光装置５Ａ，５Ｂから同時にエキシマレーザ光源３３の発光要求があったような場合に備えて、例えば予め露光装置毎に、さらには制御信号ＳＲＡ，ＳＲＢの送信時間帯等に応じて優先順位を定めておいてもよい。また、２台の露光装置５Ａ，５Ｂが稼働を開始する前に事前に、主制御系６Ａ，６Ｂから使用予告又は使用予約及び使用継続時間等の使用予測情報を含むコマンド情報を制御信号ＳＲＡ，ＳＲＢとして光源切替制御系２２に送信しておき、光源切替制御系２２ではエキシマレーザ光源３３を使用できる露光装置５Ａ，５Ｂ毎の時間帯を定め、この時間帯（使用開始時間及び使用継続時間）の情報をステータス信号ＳＳＡ，ＳＳＢとして主制御系６Ａ，６Ｂに送信してもよい。
【００３８】
その主制御系６Ａ，６Ｂから光源切替制御系２２に送信される使用予告のコマンドＬＲの一例を以下に示す。
ＬＲ＝＜ＡＡＡＡ＞＜ＢＢＢＢ＞
ここで、ＡＡＡＡは装置ＩＤ、ＢＢＢＢは使用開始までの予測時間である。この際に、さらに使用継続予測時間の情報を送信してもよい。光源切替制御系２２では、露光装置５Ａ，５Ｂ毎に設ける装置ＩＤ、及び送受信時間等による優先順位の情報をも用いて、エキシマレーザ光源３３を使用する順序を決定すればよい。その結果、光源切替制御系２２から主制御系６，６Ｂに送信されるレスポンス情報の一例を以下に示す。
【００３９】
ＬＲ＝＜ＣＣＣＣ＞＜ＤＤＤＤ＞
ここで、ＣＣＣＣは装置ＩＤ、ＤＤＤＤは使用開始許可時刻であり、（ＤＤＤＤ＝受信時刻＋ＢＢＢＢ）である。これによって、当該装置ＩＤを持つ露光装置５Ａ又は５Ｂは時刻ＤＤＤＤからエキシマレーザ光源３３を使用できる。その情報（ＤＤＤＤ）に対して、さらに許可された使用継続時間の情報を送信してもよい。また、使用継続時間を予め定めておくことなく、露光終了時（光源の使用終了時）に、主制御系６Ａ又は６Ｂから光源切替制御系２２に使用終了情報を送信してもよい。
【００４０】
この場合、主制御系６Ａ，６Ｂ及び光源切替制御系２２において時刻を合わせておく必要があるため、例えば露光工程の開始前又は定期的にタイマーキャリブレーションを行うことが望ましい。具体的に、光源切替制御系２２が主制御系６Ａ，６Ｂ内のタイマーの時刻を読み出して、光源切替制御系２２内のタイマーの時刻とのオフセットを求め、このオフセット情報を主制御系６Ａ，６Ｂに送信して、主制御系６Ａ，６Ｂのタイマーを補正すればよい。これらの動作によって、露光装置５Ａ，５Ｂによるエキシマレーザ光源３３の使用のオーバーラップ等を防止できる。
【００４１】
次に、図１（Ａ）に示すように、本例では光源切替制御系２２が光軸モニタ２０Ａ，２０Ｂの計測値に基づいて、３つの可動ミラー３９Ａ〜３９Ｃのそれぞれの直交する２軸の周りの傾斜角（ΔθＸ１，ΔθＹ１），（ΔθＸ２，ΔθＹ２），（ΔθＸ３，ΔθＹ３）を制御することによって、露光装置５Ａ又は５Ｂに入射するレーザビームＩＬ１の２次元的な位置及び２軸の周りの傾斜角を所望の状態に制御している。以下では、可動ミラー３９Ａ〜３９Ｃの傾斜角の決定方法の一例につき説明する。また、露光装置５Ａ，５Ｂに対するレーザビームＩＬ１の入射時のＸ軸及びＹ軸と区別するため、可動ミラー３９Ａ〜３９Ｃの直交する回転軸をＡ軸、Ｂ軸として説明する。
【００４２】
図３は、図１（Ａ）の送光光学系６０を簡略化したブロック図であり、この図３において、エキシマレーザ光源３３からのレーザビームＩＬが可動ミラー３９Ａ，３９Ｂを介して露光装置５Ａに供給され、可動ミラー３９Ｂが待避している期間では、レーザビームＩＬは可動ミラー３９Ａ，３９Ｃを介して露光装置５Ｂに供給される。ここで、可動ミラー３９Ａ，３９Ｂの間隔をｂ、可動ミラー３９Ｂ，３９Ｃの間隔をａとする。
【００４３】
先ず、２枚の可動ミラー３９Ａ，３９Ｂを介してレーザビームＩＬを第１の露光装置５Ａに供給する場合について説明する。
そのために、可動ミラー３９Ａ，３９Ｂの傾斜角の露光装置５Ａにおける駆動レートを求める。この駆動レートは、可動ミラー３９Ａ，３９ＢのＡ軸、Ｂ軸の周りの傾斜角の変化量を露光装置５Ａに設けられた光軸モニタ２０Ａで計測されるレーザビームのＸ方向、Ｙ方向の位置シフト（残留位置シフト）及びＸ軸、Ｙ軸の周りの角度変化量で除算することによって得ることができる。その駆動レートの種類には角度補正及び可動ミラー３９Ａ，３９Ｂ間の駆動量比較のための角度レートと、位置シフト（残留位置）補正のための位置レートとがあり、これらを以下のように表す。これらの駆動レートの情報（ミラー制御情報）は光源切替制御系２２に接続された記憶装置２２ａ（図２参照）に記憶される。
【００４４】
βＲＦ１XA：可動ミラー３９ＡのＡ軸のＸ方向角度レート，βＲＦ１YA：可動ミラー３９ＡのＡ軸のＹ方向角度レート
βＲＦ１XB：可動ミラー３９ＡのＢ軸のＸ方向角度レート，βＲＦ１YB：可動ミラー３９ＡのＢ軸のＹ方向角度レート
βＲＦ２XA：可動ミラー３９ＢのＡ軸のＸ方向角度レート，βＲＦ２YA：可動ミラー３９ＢのＡ軸のＹ方向角度レート
βＲＦ２XB：可動ミラー３９ＢのＢ軸のＸ方向角度レート，βＲＦ２YB：可動ミラー３９ＢのＢ軸のＹ方向角度レート。
【００４５】
βＲＦ１PXA：可動ミラー３９ＡのＡ軸のＸ方向位置レート，βＲＦ１PYA：可動ミラー３９ＡのＡ軸のＹ方向位置レート
βＲＦ１PXB：可動ミラー３９ＡのＢ軸のＸ方向位置レート，βＲＦ１PYB：可動ミラー３９ＡのＢ軸のＹ方向位置レート
βＲＦ２PXA：可動ミラー３９ＢのＡ軸のＸ方向位置レート，βＲＦ２PYA：可動ミラー３９ＢのＡ軸のＹ方向位置レート
βＲＦ２PXB：可動ミラー３９ＢのＢ軸のＸ方向位置レート，βＲＦ２PYB：可動ミラー３９ＢのＢ軸のＹ方向位置レート。
【００４６】
βＲＦ１２PXA：可動ミラー３９Ａと３９Ｂとの異方向同角駆動時のＸ方向位置レート（例えば前者がＡ軸、後者がＢ軸）
βＲＦ１２PYA：可動ミラー３９Ａと３９Ｂとの異方向同角駆動時のＹ方向位置レート
βＲＦ１２PXB：可動ミラー３９Ａと３９Ｂとの異方向同角駆動時のＸ方向位置レート（例えば前者がＢ軸、後者がＡ軸）
βＲＦ１２PYB：可動ミラー３９Ａと３９Ｂとの異方向同角駆動時のＹ方向位置レート。
【００４７】
例えば、簡単な例として、可動ミラー３９Ａ及び３９ＢのＡ軸がともにＸ方向（Ｙ軸に平行）であり、レーザビームのＸ方向（Ｙ軸の周り）の傾斜角の補正量をδＴとすると、可動ミラー３９ＡのＡ軸に関する角度は（対応する角度レート×δＴ）となる。そして、レーザビームの残存するＸ方向の位置ずれ量をδＰ’とすると、可動ミラー３９Ａの角度を（対応する異方向同角駆動時の位置レート×δＰ’）だけ駆動し、かつレーザビームの角度を元に戻すように、可動ミラー３９Ｂを反対方向に駆動すればよい。
【００４８】
実際には、可動ミラー３９Ａ及び３９ＢのＡ軸がともに必ずしもＸ方向ではないため、以下のような計算が必要になる。すなわち、露光装置５Ａに入射するレーザビームのＸ軸、Ｙ軸の周りの傾斜角の補正量を（δＴX，δＴY）、Ｘ軸、Ｙ軸方向の位置ずれ量の補正量を（δＰX，δＰY）、レーザビームの傾斜角補正後の残存する位置ずれ量を（δＰX’，δＰY’）とすると、可動ミラー３９ＡのＡ軸及びＢ軸の周りの角度の駆動量は以下のＣ１A及びＣ１Bとなる。以下の計算は、光源切替制御系２２内のミラー制御部で行われる。
【００４９】
Ｃ１A＝Ｃ１TA＋Ｃ１PA，Ｃ１B＝Ｃ１TB＋Ｃ１PB    …（Ｍ１）
ここで、Ｃ１TA，Ｃ１TBはレーザビームの傾斜角を補正するための駆動量、Ｃ１PA，Ｃ１PBはレーザビームの位置ずれ量を補正するための駆動量であり、前者のＣ１TA，Ｃ１TBは以下の通りである。
2007214404.tif 000003
【００５０】
また、Ｃ１PA，Ｃ１PBは以下の通りである。
2007214404.tif 000004
【００５１】
2007214404.tif 000005
【００５２】
また、可動ミラー３９ＢのＡ軸及びＢ軸の周りの角度の駆動量は以下のＣ２A及びＣ２Bとなる。
Ｃ２A＝Ｃ２PA，Ｃ２B＝Ｃ２PB  …（Ｍ２）
ここで、可動ミラー３９ＢのＡ軸がＸ方向、Ｂ軸がＹ方向駆動の場合、
｜βＲＦ２XA｜＞｜βＲＦ２YA｜となり、以下の式が成立する。
2007214404.tif 000006
【００５３】
一方、可動ミラー３９ＢのＡ軸がＹ方向、Ｂ軸がＸ方向駆動の場合、
｜βＲＦ２XA｜＜｜βＲＦ２YA｜となり、以下の式が成立する。
2007214404.tif 000007
【００５４】
次に、図３の露光装置５Ｂに可動ミラー３９Ａ，３９Ｃを介してレーザビームＩＬを供給する場合、可動ミラー３９Ｂの代わりに可動ミラー３９Ｃを駆動するが基本的に前記制御式と同じ制御式で制御可能である。
但し、可動ミラー３９Ａが露光装置５Ａ，５Ｂで共有であり、露光装置５Ａ，５Ｂのレイアウト（図３の間隔ａ及びｂ）が既知であるなどの条件から、露光装置５Ｂに関する第１の可動ミラー３９Ａの駆動レートαＲＦ１PXA，αＲＦ１PYA，αＲＦ１PXB，αＲＦ１PYB及びαＲＦ１２PXA，αＲＦ１２PYA，αＲＦ１２PXB，αＲＦ１２PYBは、下記の変換式にて上記の露光装置５Ａに関する駆動レートから変換してもよい。
【００５５】
2007214404.tif 000008
これを（２）式に代入すると残存する位置ずれ量（δＰX’，δＰY’）が求められる。
【００５６】
2007214404.tif 000009
【００５７】
これを（３）式に代入することで、第１の可動ミラー３９Ａの駆動量が求められる。
また、（５）式〜（８）式に対応する式は以下の（５Ａ）式〜（８Ａ）式となる。即ち、第３の可動ミラー３９ＣのＡ軸及びＢ軸の周りの角度の駆動量は以下のＣ３A及びＣ３Bとなる。
Ｃ３A＝Ｃ３PA，Ｃ３B＝Ｃ３PB  …（Ｍ３）
そして、可動ミラー３９ＣのＡ軸がＸ方向、Ｂ軸がＹ方向駆動の場合、
｜αＲＦ２XA｜＞｜αＲＦ２YA｜となり、以下の式が成立する。
【００５８】
2007214404.tif 000010
【００５９】
一方、可動ミラー３９ＣのＡ軸がＹ方向、Ｂ軸がＸ方向駆動の場合、
｜αＲＦ２XA｜＜｜αＲＦ２YA｜となり、以下の式が成立する。
2007214404.tif 000011
【００６０】
なお、（５Ａ）式〜（８Ａ）式において、駆動レートαＲＦ３XA、αＲＦ３YB、αＲＦ３YA、αＲＦ３XBは、可動ミラー３９Ｃに関するＡ軸のＸ方向角度レート、Ｂ軸のＹ方向角度レート、Ａ軸のＹ方向角度レート、Ｂ軸のＸ方向角度レートである。
以上のように可動ミラー３９Ａ〜３９Ｃの駆動量を制御することで、露光装置５Ａ及び５Ｂのいずれにも所望の位置及び傾斜角でレーザビームＩＬを供給することができる。
【００６１】
なお、上記の実施形態では、各露光装置５Ａ，５Ｂ毎に光軸モニタ２０Ａ，２０Ｂが設けられているが、図５に示すように、２台の露光装置５Ａ，５Ｂで１つの光軸モニタ２０Ａを共通に使用してもよい。
図５では、エキシマレーザ光源３３から出力されるレーザビームＩＬは、２つの可動ミラー３９Ａ，３９Ｂを経てビームスプリッタ５５に入射し、ビームスプリッタ５５で反射されたレーザビームが光軸モニタ２０Ａに入射する。一方、ビームスプリッタ５５を透過したレーザビームは、待避可能なミラー５６に入射し、ミラー５６がレーザビームの光路に設置されている状態では、ミラー５６で反射されたレーザビームはミラー５７を介して露光装置５Ａに供給され、ミラー５６が待避している状態では、ビームスプリッタ５５を透過したレーザビームは露光装置５Ｂに供給される。この配置では、ミラー５６がレーザビームの光路上に設置されるときの位置及び角度は一定であり、光軸モニタ２０Ａに入射するレーザビームの位置及び傾斜角の計測値から露光装置５Ａ及び５Ｂに入射するレーザビームの位置及び傾斜角を求めることができる。
【００６２】
このように光軸モニタ２０Ａをも共有することによって装置構成を簡素化できるとともに、製造コストを低減できる。
なお、上記の実施形態では、２台の露光装置で１つの露光光源を共有しているが、３台以上の露光装置で１つの露光光源を共有してもよい。
これに関して、上記の図３の実施形態では、２台の露光装置５Ａ，５Ｂのうちの１台の露光装置５Ａに関して求めた可動ミラー３９Ａの駆動レートから、他の露光装置５Ｂに関する可動ミラー３９Ａの駆動レートを求めている。しかしながら、露光光源を共有する所定配置の露光装置が３台以上あるような場合には、送光光学系中で例えば最も露光光源側にある可動ミラーに関する或る露光装置に関する駆動レートを、例えば他の２台以上の特定の露光装置に関する駆動レートとそれらの露光装置の配置に関する情報とから計算して求めてもよい。
【００６３】
また、上記の実施の形態は、本発明を走査露光型の投影露光装置に適用したものであるが、本発明は一括露光型の投影露光装置（ステッパー）やプロキシミティ方式の露光装置にも適用できる。また、本発明は、露光装置が国際公開（ＷＯ）第９９／４９５０４号に開示されるような液浸型露光装置である場合、及び露光ビームとして波長が１００ｎｍ程度以下の極端紫外光（ＥＵＶ光）を用いるＥＵＶ露光装置である場合にも適用できる。後者のＥＵＶ露光装置において、露光光源がＳＯＲ（Synchrotron Orbital Radiation)リングのように大型である場合には、本発明のように１つの露光光源を複数の露光装置で共用することによって、全体のフットプリントを大幅に減らし、製造コストも大幅に低減することが可能となる。
【００６４】
更に、上記の実施の形態の投影露光装置を用いてウエハ上に半導体デバイスを製造する場合、この半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、このステップに基づいたレチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、上記の実施の形態の投影露光装置によりアライメントを行ってレチクルのパターンをウエハに露光するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、及び検査ステップ等を経て製造される。
【００６５】
なお、本発明の露光装置の用途としては半導体デバイス製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程（露光装置）にも適用することができる。このように、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の露光システムによれば、設置面積及び製造コストを抑制しながら高精度に各種デバイスを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】（Ａ）は本発明の実施形態の一例の露光システムを簡略化して示す斜視図、（Ｂ）は図１（Ａ）中の光軸モニタ２０Ａの構成を示す斜視図である。
【図２】図１（Ａ）中のエキシマレーザ光源３３及び露光装置５Ａの詳細な構成を示す断面図である。
【図３】図１（Ａ）の露光システムを簡略化したブロック図である。
【図４】図１（Ａ）の主制御系６Ａ，６Ｂと光源切替制御系２２及びエキシマレーザ光源３３との間の情報の授受を示すブロック図である。
【図５】本発明の実施形態の他の例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６８】
５Ａ，５Ｂ…露光装置、６Ａ，６Ｂ…主制御系、２０Ａ，２０Ｂ…光軸モニタ、２２…光源切替制御系、３３…エキシマレーザ光源、３９Ａ〜３９Ｃ…可動ミラー、４１Ａ〜４１Ｃ…駆動機構、６０…送光光学系
【図１】
2007214404.tif 000012
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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