(57)【要約】【課題】  信号の影響を受け易いデバイスや電気回路が他のデバイスや電気回路から発生する信号の影響を防ぐ半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置は、表面上に誘電体分離層を介して活性層３が形成された半導体基板と、活性層３に形成され、第１の誘電体分離領域９に囲まれた複数のデバイスもしくは電気回路が形成された領域４、５、６と、活性層３に形成され、少なくとも１つのデバイスもしくは電気回路が形成された領域４を囲み、且つ第２の誘電体分離領域９に囲まれ、少なくとも１つの接地電極８を有する信号遮断領域７とを有する。領域４が信号の発生源（他のデバイスや電気回路）であり、領域５もしくは６が信号の影響を受け易いデバイスや電気回路である。信号遮断領域７が領域４からの信号の影響を防いでいる。【選択図】  図１
2007188947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上に誘電体分離層を介して活性層が形成された半導体基板と、
前記活性層に形成され、且つ第１の誘電体分離領域に囲まれた少なくとも１つのデバイスもしくは電気回路と、
前記活性層に形成され、前記第１の誘電体分離領域を囲み、且つ第２の誘電体分離領域に囲まれ、少なくとも１つの接地電極が設けられた信号遮断領域とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記信号遮断領域は、前記デバイスもしくは電気回路のうち発生する信号源が他に影響を及ぼすデバイスもしくは電気回路を囲んでいることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記信号遮断領域は、信号源により影響を受け易いデバイスもしくは電気回路を囲んでおり、前記信号遮断領域に囲まれたデバイスもしくは電気回路が他の領域からの信号の影響を受けないようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記活性層の前記信号遮断領域が形成された部分は、前記活性層の他の部分より抵抗が小さいことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記デバイス及び前記電気回路を構成するデバイスは、それぞれ素子分離領域により素子分離され、前記素子分離領域は、前記デバイスもしくは電気回路を囲む誘電体分離領域内に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体分離領域に囲まれた複数のデバイスもしくは電気回路を有する誤動作を防止した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、支持基板表面上に誘電体分離層を介して活性層が形成された半導体基板を有し、活性層に誘電体分離領域に囲まれた複数のデバイスもしくは電気回路に形成された半導体装置が知られている。ここで用いられる誘電体分離領域は、絶縁膜と導電膜とで構成されている。幾つかの例を上げると、まず、誘電体分離の基本形でシリコンにトレンチを設け熱酸化によってトレンチ周辺に絶縁膜を形成する。そして、隙間に導電性のポリシリコンを埋め込んでデバイスもしくは電気回路を分離する方法がある（Ａ）。また、酸化膜のみで構成した場合がある（Ｂ）。また、その他の絶縁材料で構成した場合がある（Ｃ）。いずれにおいてもシリコンを電極とするコンデンサ構造となっている。( Ａ) は、Ｓｉ−酸化膜−ｐｏｌｙＳｉ−酸化膜−Ｓｉ構成で２つのコンデンサの直列型であり、（Ｂ）、（Ｃ）は、Ｓｉ−絶縁膜−Ｓｉのコンデンサとなる。半導体基板上に形成されたデバイスや電気回路などの半導体装置は、複数の誘電体分離領域に囲まれたデバイスもしくは電気回路から構成されているが、半導体基板上の活性層にデバイスもしくは電気回路が個別に分離されている場合、それ以外の領域は未使用領域で特に電極を取らない限り電位不定となる。
【０００３】
したがって、誘電体分離領域を１つのコンデンサとして考えると、半導体基板は、誘電体分離領域を誘電体とするコンデンサと活性層のＳｉ領域に抵抗を持っている。ここで、信号はＣＲ構成となっており、ＣＲ回路の応答特性によって信号が伝わる。支持基板上の誘電体分離層にあるコンデンサの容量は小さく、高周波信号がＣＲ回路の応答特性によって信号が他の領域に伝わり誤動作を誘発する。
また、従来技術として未使用領域の電位をとる例がある（特許文献１）。これは、誘電体分離領域で囲まれたデバイスや電気回路が形成されていない未使用領域に接地電極を形成するものである。しかしながら、このような接地電極を追加する場所によって有効に信号が吸収される効果大の領域（例えば、接地電極に近いデバイスや電気回路は信号の影響が少ない）が存在するが、信号が十分に吸収されない効果小の領域（例えば、接地電極から遠いデバイスや電気回路は信号の影響が大きい）が存在する。
【特許文献１】特開２００１−１５５９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、信号の影響を受け易いデバイスや電気回路が他のデバイスや電気回路から発生する信号の影響を防ぐことを特徴とする半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置の一態様は、表面上に誘電体分離層を介して活性層が形成された半導体基板と、前記活性層に形成され、且つ第１の誘電体分離領域に囲まれた少なくとも１つのデバイスもしくは電気回路と、前記活性層に形成され、前記第１の誘電体分離領域を囲み、且つ第２の誘電体分離領域に囲まれ、少なくとも１つの接地電極が設けられた信号遮断領域とを具備したことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、信号の影響を受け易いデバイスや電気回路が他のデバイスや電気回路から発生する信号の影響を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明は、複数の誘電体分離領域に囲まれたデバイスや電気回路が形成された半導体装置において、所定のデバイスもしくは電気回路を囲んで内部電位を固定した信号遮断領域を設け、複数のデバイス間、電気回路間もしくはデバイス・電気回路間領域を伝達するＡＣ信号を遮断して誤動作を防止する。
以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【０００８】
まず、図１乃至図３を参照して実施例１を説明する。
図１は、この実施例の半導体基板に形成された半導体装置の平面図、図２は、図１のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う部分の断面図、図３は、半導体基板に形成された比較例の半導体装置の平面図である。
この実施例で用いられる半導体装置を構成する半導体基板は、シリコン半導体などからなる支持基板１と、支持基板１の表面上に形成されたシリコン酸化膜などからなり中間酸化膜といわれる誘電体分離層２と、誘電体分離層２上に形成されたシリコン半導体などからなる活性層３とから構成されている。
図１（ａ）及び図２（ａ）によりこの実施例の第１の例を説明する。活性層３には誘電体分離領域９に囲まれた複数のデバイス又は電気回路もしくはデバイス及び電気回路が形成された複数の領域４、５、６が設けられている。これら領域以外はデバイス及び電気回路以外の領域（以下、このようなデバイスもしくは電気回路が形成されていない領域を未使用領域という）である。ここに形成された領域４、５、６のうち領域４に形成されたデバイスもしくは電気回路が信号源になり、ここで発生した高周波信号がＣＲ回路の応答特性により他の領域５、６に伝わって半導体装置の誤動作を誘発するのが従来の例であった。
【０００９】
このような他の領域に信号が伝わるのを防ぐために、比較例として、図３に示すように、活性層３の未使用領域に電位をとる場合を考える。図のように領域４及び領域６の間の未使用領域に接地電極８を形成する。このとき領域４のデバイス及び電気回路が信号源であるとする。そして、この活性層３上の領域配置は図１（ａ）のものと同じであるとする。ここで、電極８に近い領域への電極の影響は大きいが、電極８から離れた未使用領域に形成されたデバイスもしくは電気回路への電極の影響は小さい。即ち、接地電極８を設けた側は、電極の影響が大きく、領域４のデバイス及び電気回路から発生する信号（矢印）は、電極により有効に吸収されるが、その他の側では電極８の影響が小さく、領域４からの信号は、例えば、領域５へ到達してしまう。
【００１０】
そこで、この実施例における第１の例では信号の発生源であるデバイス及び電気回路が設けられた領域を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で囲み、この信号遮断領域に接地電極を設けたことに特徴がある。即ち、図１（ａ）に示すように、信号発生源であるデバイス及び電気回路が設けられた領域４の周囲を誘電体分離領域９で区画された信号遮断領域７で囲み、この信号遮断領域７に接地電極８を設ける。誘電体分離領域には、例えば、シリコン酸化膜が用いられるが、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜などの他の材料を用いても良い。
このような半導体装置において、ＭＯＳトランジスタ、ＩＧＢＴ、ダイオードなどのデバイスは、シリコン酸化膜などからなる素子分離領域に囲まれている。また、電気回路を構成するデバイスも素子分離領域に囲まれている。
以上のように、信号源として影響を及ぼすデバイス及び電気回路が形成された領域の外周を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で取り囲みその内部に電極を追加し電位をＧＮＤへ固定することによって、信号源から他の領域への伝達を防ぐことができる。領域４から領域５もしくは領域６への信号の伝達が有効に阻止される。
【００１１】
次に、図１（ｂ）及び図２（ｂ）を参照して第２の例を説明する。
活性層３には誘電体分離領域９に囲まれた複数のデバイス又は電気回路もしくはデバイス及び電気回路が形成された領域１４、１５が設けられている。これら領域以外はデバイス及び電気回路以外の領域（未使用領域）である。ここに形成された領域１４、１５のうち領域１５に形成されたデバイスもしくは電気回路が信号源になり、ここで発生した高周波信号がＣＲ回路の応答特性により他の領域１４に伝わって半導体装置の誤動作を誘発するのが従来の例であった。
そこで、この実施例の第２の例では信号の発生源でないデバイス及び電気回路が設けられた領域を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で囲み、この信号遮断領域に接地電極を設けたことに特徴がある。即ち、図１（ｂ）に示すように、信号発生源でないデバイス及び電気回路が設けられた領域１４の周囲を誘電体分離領域１９で区画された信号遮断領域１７で囲み、この信号遮断領域１７に接地電極１８を設ける。誘電体分離領域１９には、例えば、シリコン酸化膜が用いられるが、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜などの他の材料を用いても良い。
【００１２】
以上のように、信号源として影響を及ぼすデバイス及び電気回路が形成された領域から発生する信号の影響を受け易いデバイス及び電気回路が形成された領域の外周を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で取り囲みその内部に電極を追加し電位をＧＮＤへ固定することによって、信号源のある領域１５から他の領域１４への伝達を防ぐことができる。領域１５から領域１４への信号の伝達が有効に阻止される。
【実施例２】
【００１３】
次に、図４を参照して実施例２を説明する。
図４は、この実施例の半導体基板に形成された半導体装置の平面図である。この実施例で用いられる半導体装置を構成する半導体基板は、シリコン半導体などからなる支持基板と、支持基板の表面上に形成されたシリコン酸化膜などからなり、中間酸化膜といわれる誘電体分離層と、誘電体分離層上に形成されたシリコン半導体などからなる活性層２３とから構成されている。
活性層２３には誘電体分離領域２９に囲まれた複数のデバイス又は電気回路もしくはデバイス及び電気回路が形成された複数の領域２４、２５が設けられている。これら領域以外はデバイス及び電気回路以外の領域（未使用領域）である。ここに形成された領域２４、２５のうち領域２５に形成されたデバイスもしくは電気回路が信号源になり、ここで発生した高周波信号がＣＲ回路の応答特性により他の領域２４に伝わって半導体装置の誤動作を誘発するのが従来の例であった。
【００１４】
そこで、この実施例では信号の発生源であるデバイス及び電気回路が設けられた領域及び信号の影響を受け易いデバイス及び電気回路が設けられた領域を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で囲み、この信号遮断領域に接地電極を設けたことに特徴がある。即ち、図４に示すように、信号発生源であるデバイス及び電気回路が設けられた領域２５の周囲を誘電体分離領域２９で区画された信号遮断領域２７で囲み、この信号遮断領域２７に接地電極２８を設ける。
同様に、信号の影響を受け易いデバイス及び電気回路が設けられた領域２４の周囲も誘電体分離領域２９で区画された信号遮断領域２６で囲み、この信号遮断領域２６に接地電極２０を設ける。誘電体分離領域には、例えば、シリコン酸化膜が用いられるが、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜などの他の材料を用いても良い。
【００１５】
以上のように、信号源として影響を及ぼすデバイス及び電気回路が形成された領域の外周を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で取り囲みその内部に電極を追加し電位をＧＮＤへ固定し、更に信号の影響を受け易いデバイス及び電気回路が形成された領域の外周を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で取り囲みその内部に電極を追加し電位をＧＮＤへ固定することによって、信号の伝達を一層確実に防ぐことができる。
【実施例３】
【００１６】
次に、図５を参照して実施例３を説明する。
図５は、この実施例の半導体基板に形成された半導体装置の平面図である。この実施例で用いられる半導体装置を構成する半導体基板は、シリコン半導体などからなる支持基板と、支持基板の表面上に形成されたシリコン酸化膜などからなり、中間酸化膜といわれる誘電体分離層と、誘電体分離層上に形成されたシリコン半導体などからなる活性層３３とから構成されている。
活性層３３には誘電体分離領域３９に囲まれた複数のデバイス又は電気回路もしくはデバイス及び電気回路が形成された複数の領域３４、３５、３６が設けられている。これら領域以外はデバイス及び電気回路以外の領域（未使用領域）である。ここに形成された領域３４、３５、３６のうち領域３４に形成されたデバイスもしくは電気回路が信号源になり、ここで発生した高周波信号がＣＲ回路の応答特性により他の領域３５、３６に伝わって半導体装置の誤動作を誘発するのが従来の例であった。
【００１７】
そこで、この実施例では信号の発生源であるデバイス及び電気回路が設けられた領域を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で囲み、この信号遮断領域に接地電極を設け、更に信号遮断領域の抵抗を下げたことに特徴がある。即ち、図５に示すように、信号発生源であるデバイス及び電気回路が設けられた領域３４の周囲を誘電体分離領域３９で区画された信号遮断領域３７で囲み、この信号遮断領域３７に接地電極３８を設ける。誘電体分離領域には、例えば、シリコン酸化膜が用いられるが、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜などの他の材料を用いても良い。更に信号遮断領域３７に不純物をドープするなどをしてこの領域の抵抗を活性層３３の他の領域より小さく下げる。
以上のように、信号源として影響を及ぼすデバイス及び電気回路が形成された領域の外周を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で取り囲みその内部に電極を追加し電位をＧＮＤへ固定し、更に信号遮断領域の抵抗を下げて信号が信号遮断領域の電極へ伝わり易くすることによって、信号源から他の領域への伝達を一層効率的に防ぐことができる。
【実施例４】
【００１８】
次に、図６を参照して実施例４を説明する。
図６は、この実施例の半導体基板に形成された半導体装置の平面図である。この実施例で用いられる半導体装置を構成する半導体基板は、シリコン半導体などからなる支持基板と、支持基板の表面上に形成されたシリコン酸化膜などからなり、中間酸化膜といわれる誘電体分離層と、誘電体分離層上に形成されたシリコン半導体などからなる活性層４３とから構成されている。
活性層４３には誘電体分離領域４９に囲まれた複数のデバイス又は電気回路もしくはデバイス及び電気回路が形成された領域４４、４５、４６が設けられている。これら領域以外はデバイス及び電気回路以外の領域（未使用領域）である。ここに形成された領域４４、４５、４６のうち領域４４に形成されたデバイスもしくは電気回路が信号源になり、ここで発生した高周波信号がＣＲ回路の応答特性により他の領域４５、４６に伝わって半導体装置の誤動作を誘発するのが従来の例であった。
【００１９】
そこで、この実施例では信号の影響を受け易いデバイス及び電気回路が設けられた領域を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で囲み、この信号遮断領域に接地電極を設け、更に信号遮断領域の抵抗を下げたことに特徴がある。即ち、図６に示すように、信号の影響を受け易いデバイス及び電気回路が設けられた領域４６の周囲を誘電体分離領域４９で区画された信号遮断領域４７で囲み、この信号遮断領域４７に接地電極４８を設ける。誘電体分離領域４９には、例えば、シリコン酸化膜が用いられるが、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜などの他の材料を用いても良い。
以上のように、信号源として影響を及ぼすデバイス及び電気回路が形成された領域から発生する信号の影響を受け易いデバイス及び電気回路が形成された領域の外周を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で取り囲みその内部に電極を追加し電位をＧＮＤへ固定し、更に信号遮断領域の抵抗を下げて信号が信号遮断領域の電極へ伝わり易くすることによって、信号源から他の領域への伝達を一層効率的に防ぐことができる。
【実施例５】
【００２０】
次に、図７を参照して実施例５を説明する。
図７は、この実施例の半導体基板に形成された半導体装置の平面図である。この実施例で用いられる半導体装置を構成する半導体基板は、シリコン半導体などからなる支持基板と、支持基板の表面上に形成されたシリコン酸化膜などからなり、中間酸化膜といわれる誘電体分離層と、誘電体分離層上に形成されたシリコン半導体などからなる活性層５３とから構成されている。
活性層５３には誘電体分離領域５９に囲まれた複数のデバイス又は電気回路もしくはデバイス及び電気回路が形成された複数の領域５４、５５、５６が設けられている。これら領域以外はデバイス及び電気回路以外の領域（未使用領域）である。ここに形成された領域５４、５５、５６のうち領域５４に形成されたデバイスもしくは電気回路が信号源になり、ここで発生した高周波信号がＣＲ回路の応答特性により他の領域５５、５６に伝わって半導体装置の誤動作を誘発するのが従来の例であった。
【００２１】
そこで、この実施例信号の発生源であるデバイス及び電気回路が設けられた領域を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で囲み、この信号遮断領域に複数の接地電極を設けたことに特徴がある。即ち、信号発生源であるデバイス及び電気回路が設けられた領域５４の周囲を誘電体分離領域５９で区画された信号遮断領域５７で囲み、この信号遮断領域５７に各辺の中央部分に１つずつ合計４個の接地電極５０、５１、５２、５８を設ける。誘電体分離領域には、例えば、シリコン酸化膜が用いられるが、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜などの他の材料を用いても良い。
以上のように、信号源として影響を及ぼすデバイス及び電気回路が形成された領域の外周を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で取り囲みその内部に複数の電極を追加し電位をＧＮＤへ固定することによって、信号源から他の領域への伝達を確実に有効に防ぐことができる。接地電極の数は、４つに限らず、それ以下でもそれ以上でも良い。複数の接地電極を形成する場合を信号の影響を受け易いデバイスもしくは電気回路が形成された領域に信号遮断領域を適用する例に用いることもできる。
【実施例６】
【００２２】
次に、図８を参照して実施例６を説明する。
図８は、この実施例の半導体基板に形成された半導体装置の平面図である。この実施例で用いられる半導体装置を構成する半導体基板は、シリコン半導体などからなる支持基板と、支持基板の表面上に形成されたシリコン酸化膜などからなり、中間酸化膜といわれる誘電体分離層と、誘電体分離層上に形成されたシリコン半導体などからなる活性層６３とから構成されている。
活性層６３には誘電体分離領域６９に囲まれた複数のデバイス又は電気回路もしくはデバイス及び電気回路が形成された複数の領域６４、６５、６６が設けられている。これら領域以外はデバイス及び電気回路以外の領域（未使用領域）である。ここに形成された領域６４、６５、６６のうち領域６４に形成されたデバイスもしくは電気回路が信号源になり、ここで発生した高周波信号がＣＲ回路の応答特性により他の領域６５、６６に伝わって半導体装置の誤動作を誘発するのが従来の例であった。
【００２３】
そこで、この実施例信号の発生源であるデバイス及び電気回路が設けられた領域を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で囲み、この信号遮断領域にこの領域６４の全周を囲む電極を設けたことに特徴がある。即ち、信号発生源であるデバイス及び電気回路が設けられた領域６４の周囲を誘電体分離領域６９で区画された信号遮断領域６７で囲み、この信号遮断領域６７に領域６４の全周を囲むように接地電極６８を設ける。誘電体分離領域には、例えば、シリコン酸化膜が用いられるが、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜などの他の材料を用いても良い。
以上のように、信号源として影響を及ぼすデバイス及び電気回路が形成された領域の外周を誘電体分離領域で区画された信号遮断領域で取り囲みその内部にデバイス及び電気回路が設けられた領域の周囲を囲む１つの電極を追加し電位をＧＮＤへ固定することによって、信号源から他の領域への伝達を確実に有効に防ぐことができる。このようなデバイス及び電気回路が設けられた領域を囲む１つの接地電極を形成する場合を信号の影響を受け易いデバイスもしくは電気回路が形成された領域に信号遮断領域を適用する例に用いることもできる。
【実施例７】
【００２４】
次に、図９を参照して実施例７を説明する。
図９は、半導体基板に形成された半導体装置のブロック図である。この実施例は、実施例１−６において説明した信号遮断領域を適用したスイッチング回路に適用した場合を説明する。図には、スイッチング素子であるＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor) とその駆動回路が示されている。
高電圧端（ＰＷ電源）と出力７１との間にはＩＧＢＴ７７と回生用ダイオード７９がそれぞれ接続されている。ＩＧＢＴ７７のゲートにはこれを制御する駆動回路（ハイサイドＤＲ）７５が接続されている。この駆動回路７５にはハイサイド電源（内部電源）及び出力７１が接続されている。出力７１と接地電位端との間にはＩＧＢＴ７６及び回生用ダイオード７８が接続され、このＩＧＢＴ７６のゲートには、これを制御する駆動回路（ローサイドＤＲ）７４が接続されている。この駆動回路７４にはＶＣＣ電源（低電圧端）及び接地電位が接続されている。駆動回路７４、７５にはスイッチング回路に付随する入力回路、論理回路などの小信号回路７３が接続され、この回路に過電流検出回路７０及び過熱検出回路７２が更に付加されている。
【００２５】
このような半導体基板に形成された半導体装置において、ＩＧＢＴやダイオードなどのデバイスは、勿論素子分離領域に囲まれているが、その他の電気回路７０、７２〜７５を構成するデバイスにも素子分離領域に囲まれている。このようなデバイスもしくは電気回路の中から信号源を有するものあるいは信号の影響を受け易いものを選択し、そのデバイスもしくは電気回路を誘電体分離領域で囲む。デバイスを誘電体分離領域で囲む場合は、素子分離領域が誘電体分離領域を兼ねるようにしても良い。例えば、駆動回路７５が信号源であり、この信号源の信号により過電流検出回路７０が誤作動するような場合、駆動回路７５を、接地電極を有し、誘電体分離領域で囲まれた信号遮断領域で囲む。あるいは、過電流検出回路７０をこのような信号遮断領域で囲む。これにより、過電流検出回路は信号源から保護されて誤作動を免れる。
以上、誘電体分離構造を有する半導体装置において、誘電体分離されたデバイスもしくは電気回路に誘電体分離領域を追加して取り囲み、その内部に電極を付加し電位を固定することによって、他のデバイスや電気回路の誤動作を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施例である実施例１の半導体基板に形成された半導体装置の平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う部分の断面図。
【図３】半導体基板に形成された比較例の半導体装置の平面図。
【図４】本発明の一実施例である実施例２の半導体基板に形成された半導体装置の平面図。
【図５】本発明の一実施例である実施例３の半導体基板に形成された半導体装置の平面図。
【図６】本発明の一実施例である実施例４の半導体基板に形成された半導体装置の平面図。
【図７】本発明の一実施例である実施例５の半導体基板に形成された半導体装置の平面図の場合
【図８】本発明の一実施例である実施例６の半導体基板に形成された半導体装置の平面図。
【図９】本発明の一実施例である実施例７の半導体基板に形成された半導体装置のブロック図。
【符号の説明】
【００２７】
１・・・支持基板      ２・・・誘電体分離層      ３、・・・活性層
４、５、６、１４、１５、３４、３５、３６、４４、４５、４６、５４、５５、５６、６４、６５、６６・・・デバイスもしくは電気回路が形成された領域
７、１７、２６、２７、３７、４７、５７、６７・・・信号遮断領域
８、１８、２８、３８、４８、５８、６８・・・接地電極
９、１９、２４、２５、２９、３９、４９、５９、６９・・・誘電体分離領域  ７０・・・過電流検出回路      ７１・・・出力
７２・・・過熱検出回路      ７３・・・小信号回路
７４、７５・・・駆動回路      ７６、７７・・・ＩＧＢＴ
７８、７９・・・ダイオード
【図１】
2007188947.tif 000003
【図２】
2007188947.tif 000004
【図３】
2007188947.tif 000005
【図４】
2007188947.tif 000006
【図５】
2007188947.tif 000007
【図６】
2007188947.tif 000008
【図７】
2007188947.tif 000009
【図８】
2007188947.tif 000010
【図９】
2007188947.tif 000011