(57)【要約】【課題】隔壁により区画領域を設けて液滴吐出法により液滴を配置する際に、液滴吐出しない細線部にコンタクトホールなどの孔や段差があるとその部分に機能液がぬれ広がらない。【解決手段】液滴吐出のために設けられる幅広部とコンタクトホールなどの孔や段差がある部分を一致させて、コンタクトホールの場合には上下導通の信頼性を向上させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を含む段差を有する基体上に区画領域を規定する隔壁を形成する第１の工程と、
少なくとも前記区画領域の一部に機能液を配置する第２の工程と、を有し、
前記段差を有する前記区画領域は、前記段差を有さない前記区画領域よりも幅が広い幅広部を有することを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記第１の工程では、前記隔壁に撥液性を付与する撥液化処理工程を有することを特徴とする請求項１に記載の膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記第１の工程では、前記区画領域の底部となる前記基体上に親液性を付与する親液化処理工程を有することを特徴とする請求項１または２に記載の膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記機能液には導電性材料が含まれることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の膜パターン形成方法において、前記第２の工程では、液滴吐出法を用いることを特徴とする膜パターン形成方法。
【請求項６】
前記幅広部が前記機能液の飛翔径よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載の膜パターン形成方法
【請求項７】
前記幅広部に前記機能液を吐出配置して前記幅広部から前記幅広部よりも狭い幅を有する前記区画領域に前記機能液を流れ込ませることにより、前記区画領域に前記機能液を配置する工程とを有することを特徴とする請求項５または６に記載の膜パターン形成方法。
【請求項８】
基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、請求項１から請求項７のいずれか一項記載の膜パターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のデバイスの製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造装置、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体集積回路など微細な配線パターン（膜パターン）を有するデバイスの製造方法としてフォトリソグラフィ法が多用されている。一方、当該フォトリソグラフィ法よりも、レジスト及び配線材料の消費が少ないという利点があるディスペンサ法や液滴吐出法を用いたデバイスの製造方法が注目されている。例えば、特許文献１及び特許文献２には、液滴吐出法を用いたデバイスの製造方法等が開示されている。
【０００３】
近年ではデバイスを構成する回路の高密度化がますます進み、配線パターンについても更なる細線化、微細化が要求されているが、液滴吐出法においては、微細な配線パターンを形成しようとした場合、特にその線幅および位置精度を十分に出すのが難しい。そこで、特許文献３〜特許文献７には、基板上に仕切り部剤である隔壁を設けて、表面処理や液滴吐出法を工夫して線幅および位置精度を出す技術が開示されている。
【０００４】
しかしながら、近年、機能液の一部が隔壁の上面に触れると、隔壁の上面に微細な残渣が残ることが確認された。例えば機能液が導電性を有している場合には残渣も導電性を有していることになり、上述のように残渣が残ると、配線自体の特性やこの配線を用いたデバイスの特性が変化することが懸念される。
【０００５】
以上のような点を考慮して考えられたのが特許文献８に記載の技術である。特許文献８は、機能液を基板上に配置して所定のパターンを形成する方法であって、前記基板上に隔壁を形成する工程と、前記隔壁によって区画された領域に前記機能液を配置する工程とを有し、前記隔壁によって区画された領域は、部分的に幅が広く形成されていることを特徴とする。
【０００６】
特許文献８のパターン形成方法では、隔壁によって区画された領域に機能液が配置され、この機能液が例えば乾燥することにより、基板上に所定のパターンが形成される。この場合、隔壁によってパターンの形状が規定されることから、例えば隣接する隔壁間の幅を狭くするなど、隔壁を適切に形成することにより、パターンの微細化や細線化を図ることができる。
【０００７】
また、特許文献８のパターン形成方法では、隔壁によって区画された領域は、部分的に幅が広く形成されていることから、この幅が広く形成された部分に機能液の一部が退避することにより、機能液の配置時における隔壁からの機能液の溢れが防止される。そのため、パターンが所望の形状に正確に形成される。
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】特開２０００−２１６３３０号公報
【特許文献３】特開平９―２０３８０３号公報
【特許文献４】特開平９−２３０１２９号公報
【特許文献５】特開２００５−１２１７３号公報
【特許文献６】特開２００５−１２１７９号公報
【特許文献７】特開２００５−１３９８６号公報
【特許文献８】特開２００５−１２１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、隔壁で区画された細線形成部(液滴が直接吐出されない部分)にコンタクトホール等の孔や段差が存在している場合、機能液が細線形成部をぬれ広がる時に、その孔や段差内部には機能液がぬれ広がらない現象が起こり、その孔がコンタクトホールの場合には上下導通がとれないという問題が生じていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の膜パターンの形成方法は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成する工程と、前記隔壁によって区画された領域に前記膜パターンに応じた隔壁を形成する工程と、前記隔壁によって区画された領域は、部分的に機能液吐出のために幅が広く形成されている領域(幅広部)を有し、前記幅広部とコンタクトホール部を一致させて形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、隔壁の幅広部とコンタクトホール部を一致させることにより、上下導通を確実にとることができ、コンタクト部の信頼性を向上することができる。また、機能液の吐出されない細線形成部にコンタクトホールのような孔や段差が存在することが回避できるため、細線パターンの膜厚等の均一性がより向上する。さらに本発明によれば、隔壁の幅広部とコンタクトホール部を一致させることにより、基板上のスペースの有効利用を図りやすい。
【００１０】
また、前記隔壁に撥液性を付与する撥液化処理工程を有することが好ましい。
【００１１】
さらには、前記区画領域の底部および側面には親液性付与する親液化処理工程を有することが好ましい。
【００１２】
また、前記機能液には導電性材料が含まれることが好ましい。
【００１３】
さらには、前記隔壁剤としては無機系材料を用いることが好ましい。
【００１４】
さらに好ましくは前記隔壁形状が逆テーパ形状になっていることが良い。
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明のデバイスの製造方法は、基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、上記のいずれかの膜パターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、上記デバイスの製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とする。
【００１７】
さらに上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の膜パターンの形成方法を概念的に示す図である。図1（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図をそれぞれ表している。
本発明のパターン形成方法は、第1配線層１０１を有する基板P上に隔壁Bを形成する隔壁形成工程と、機能液Lの液滴を基板P上に着弾させ、隔壁Bによって区画され、コンタクトホール１０４を備えた幅広部（区画領域１０３）に機能液Lを配置する材料配置工程とを有している。
【００１９】
本発明のパターン形成方法では、隔壁Bによって区画された膜パターン１０２に機能液Lが配置され、この機能液Lが例えば乾燥することにより、基板P上に膜パターン１０２が形成される。この場合、隔壁Bによって膜パターン１０２の形状が規定されることにより、膜パターン１０２の微細化や細線化が図られる。なお、膜パターン１０２が形成された後、基板Pから隔壁Bを除去しても良く、そのまま基板P上に残してもよい。
【００２０】
また、本発明のパターン形成方法では、第1配線層１０１を有する基板P上に隔壁Bを形成する際、機能液Lを着弾させる幅広部１０３を第1配線層１０１とのコンタクト部１０４と一致させる。このようにしておくことにより、第1配線１０１と第２配線１０２との上下導通が確実にとれ、基板Pのスペースの有効利用が図れる。
【００２１】
隔壁Ｂの形成方法としては、リソグラフィ法や印刷法等、任意の方法を用いることができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、基板Ｐ上に隔壁の形成材料からなる層を形成した後、エッチングやアッシング等によりパターニングすることにより、所定のパターン形状の隔壁Ｂが得られる。なお、基板Ｐとは別の物体上で隔壁Ｂを形成し、それを基板Ｐ上に配置してもよい。
【００２２】
隔壁Ｂの形成材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料の他、シリカなどの無機物を含む材料が挙げられる。
【００２３】
ここで、隔壁Bによって区画される線状領域Aにおいて、幅広部１０３の幅Ｗ’は、ほかの部分の幅であるWの１１０〜５００％であるのが好ましい。これにより、機能液の配置時におけるバンクからの機能液の溢れが確実に防止される。なお、上記割合が１１０％未満であると、幅の広い部分に機能液が十分に退避しない恐れがあるので好ましくない。また、５００％を超えると、基板上のスペースの有効利用を図る上で好ましくない。
【００２４】
本発明における基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００２５】
また、本発明における機能液Ｌとしては、各種のものが適用されるが、例えば、導電性微粒子を含む配線パターン用インクが用いられる。
また、機能液Ｌを、隔壁Ｂによって区画された領域に配置する方法としては、液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いるのが好ましい。液滴吐出法を用いることにより、スピンコート法などの他の塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行いやすいという利点がある。
【００２６】
配線パターン用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものである。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２７】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２８】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２９】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００３０】
液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2 程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。
【００３１】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３２】
本発明の膜パターン形成方法では、上述した配線パターン用インクを用いることにより、導電性を有する膜パターンを形成することができる。この導電性の膜パターンは、配線として、各種デバイスに適用される。
【００３３】
図２は、本発明の膜パターン形成方法に用いられる装置の一例として、液滴吐出法によって基板上に液体材料を配置する液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
【００３４】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド２０１と、Ｘ軸方向駆動軸２０４と、Ｙ軸方向ガイド軸２０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ２０７と、クリーニング機構２０８と、基台２０９と、ヒータ２１０とを備えている。
ステージ２０７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００３５】
液滴吐出ヘッド２０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド２０１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド２０１の吐出ノズルからは、ステージ２０７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。
【００３６】
Ｘ軸方向駆動軸２０４には、Ｘ軸方向駆動モータ２０２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸２０４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸２０４が回転すると、液滴吐出ヘッド２０１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸２０５は、基台２０９に対して動かないように固定されている。ステージ２０７は、Ｙ軸方向駆動モータ２０３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ２０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ２０７をＹ軸方向に移動する。
【００３７】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド２０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２０２に液滴吐出ヘッド２０１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ２０３にステージ２０７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構２０８は、液滴吐出ヘッド２０１をクリーニングするものである。クリーニング機構２０８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構２０８は、Ｙ軸方向ガイド軸２０５に沿って移動する。クリーニング機構２０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ２１０は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ２１０の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００３８】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド２０１と基板Ｐを支持するステージ２０７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド２０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図２では、液滴吐出ヘッド２０１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド２０１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド２０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００３９】
図３は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図３において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室３０１に隣接してピエゾ素子３０２が設置されている。液体室３０１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３０３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子３０２は駆動回路３０４に接続されており、この駆動回路３０４を介してピエゾ素子３０２に電圧を印加し、ピエゾ素子３０２を変形させることにより、液体室３０１が変形し、ノズル３０５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３０２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３０２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４０】
次に、本発明の膜パターン形成方法の実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について図４を参照して詳しく説明する。
本実施形態に係る膜パターン形成方法は、上述した配線パターン用のインク（配線パターン形成材料）を基板上に配置し、その基板上に配線用の導電膜パターンを形成するものであり、隔壁形成工程、残渣処理工程、撥液化処理工程、材料配置工程及び中間乾燥工程、焼成工程から概略構成される。
以下、工程毎に詳細に説明する。
【００４１】
（隔壁形成工程）
隔壁は、仕切部材として機能する部材であり、隔壁の形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図４（ａ）に示すように、基板Ｐ上に隔壁の高さに合わせて隔壁の形成材料４１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、隔壁形状（配線パターン）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することにより隔壁形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分の隔壁材料を除去する。また、下層が無機物で上層が有機物で構成された２層以上で隔壁（凸部）を形成してもよい。
【００４２】
これにより、図４（ｂ）に示されるように、配線パターンを形成すべき領域の周辺を囲むように、隔壁Ｂを形成する。なお隔壁Bは、液滴を着弾させる幅広部４２と実際の配線として使用するためのパターンである幅狭部４３と下層配線（不図示）とコンタクトをとるためのコンタクトホール４４とを備えている。なおこの幅広部４２は液滴吐出法を用いて吐出される機能液の飛翔径よりも大きく設計されており、幅狭部４３は飛翔径よりも小さく設計されている。
なお、基板Ｐに対しては、有機材料塗布前に表面改質処理として、ＨＭＤＳ処理（（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3を蒸気状にして塗布する方法）が施されているが、図４ではその図示を省略している。
【００４３】
（残渣処理工程（親液化処理工程））
次に、隔壁間における隔壁形成時のレジスト（有機物）残渣を除去するために、基板Ｐに対して残渣処理を施す。
残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ2 プラズマ処理等を選択できるが、ここではＯ2 プラズマ処理を実施する。
【００４４】
具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ2 プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
なお、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料に対して親液性を有しているが、本実施の形態のように残渣処理のためにＯ2 プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、基板表面の親液性を高めることができる。
【００４５】
（撥液化処理工程）
続いて、隔壁Ｂに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。
撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4 プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ4 プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。
なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
【００４６】
このような撥液化処理を行うことにより、隔壁Ｂにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ2 プラズマ処理は、隔壁Ｂの形成前に行ってもよいが、Ｏ2 プラズマによる前処理がなされると、隔壁Ｂがフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、隔壁Ｂを形成した後にＯ2 プラズマ処理することが好ましい。
なお、隔壁Bに対する撥液化処理により、先に親液化処理した基板Ｐ表面に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
また、隔壁Ｂについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしてもよい。
【００４７】
（材料配置工程及び中間乾燥工程）
次に、先の図２http://133.154.63.250/DocuPat/FxJpEnv/ImgDisp?loginId=9562693_20155616&imgFile=/cdrom_data/jpg_2004046/document/a/2004330001/2004330101/2004330161/2004330165.img&ID=000006&HE=093&WI=077&LX=1050&LY=0252&name=%A1%DA%BF%DE4%A1%DB&koho_no=%C6%C3%B3に示した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成材料を、基板Ｐ上の隔壁Ｂによって区画された領域、すなわち隔壁Ｂ、Ｂ間に配置する。なお、本例では、配線パターン用インク（機能液）として、導電性微粒子を溶媒（分散媒）に分散させた分散液を吐出する。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
【００４８】
材料配置工程では、図４（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド２０１から配線パターン形成材料を含む液体材料Ｌを液滴にして吐出し、その液滴を幅広部４２に着弾させる。液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量７ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行う。
【００４９】
このとき、隔壁Ｂ、Ｂによって液体材料の配置領域が仕切られていることから、その液体材料Ｌが基板Ｐ上で拡がることが阻止される。また、幅広部４２は機能液の飛翔径よりも大きく設計されているので、隔壁Bに機能液の残渣がつくことがなく、配線自体の特性やこの配線を用いたデバイスの特性が変化することがない。
【００５０】
また、図４（ｄ）に示すように、幅狭部４３には毛管現象などにより機能液Lが流れ込むことになる。本例では隔壁Bの表面は撥液性が付与されているため、機能液が隔壁Bにはじかれ、隔壁内部は親液性が付与されているため、効率的に機能液Lが幅広部４３から幅狭部４２に流れ込むことになる。
【００５１】
（中間乾燥工程）
基板Ｐに液体材料を配置した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００５２】
（焼成工程）
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。
【００５３】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。この場合、例えば、隔壁Ｂ及び液体材料の乾燥膜の上に低融点ガラスなどを予め塗布してもよい。
また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
【００５４】
以上説明したように、本例の膜パターン形成方法では、区画領域の端部においても機能液の充填を円滑におこなうことができ、コンタクトホール内へは直接機能液を着弾させることができるため、上下導通のとれた膜パターンを確実に形成することができる。
【００５５】
＜薄膜トランジスタ＞
本発明の配線パターンの形成方法は、図５に示すようなスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びそれに接続する配線を形成するときに適用可能である。図５において、ＴＦＴを有するＴＦＴ基板Ｐ上には、ゲート配線５０と、このゲート配線５０に電気的に接続するゲート電極５１と、ソース配線５２と、このソース配線５２に電気的に接続するソース電極５３と、ドレイン電極５４と、ドレイン電極５４に電気的に接続する画素電極５５とを備えている。ゲート配線５０はＸ軸方向に延びるように形成され、ゲート電極５１はＹ軸方向に延びるように形成されている。また、ゲート電極５１の幅Ｈ２はゲート配線５０の幅Ｈ１よりも狭くなっている。これらゲート配線５０及びゲート電極５１を、本発明に係る配線パターンの形成方法で形成することができる。
【００５６】
また、上述した実施形態においては、本発明に係るパターン形成方法を使って、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線を形成しているが、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図６を参照しながら説明する。
【００５７】
図６（ａ）に示すように、まず、洗浄したガラス基板６００の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の区画領域６０１ａを設けるための第１層目の隔壁６０１が、フォトリソグラフィ法に基づいて形成される。この隔壁６０１としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が好適に用いられる。
【００５８】
この形成後の隔壁６０１に撥液性を持たせるために、ＣＦ4プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、隔壁６０１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいても良い。この場合には、ＣＦ4プラズマ処理等を省略することができる。
【００５９】
以上のようにして撥液化された隔壁６０１の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上、またガラス面の接触角としては、１０°以下を確保することが好ましい。すなわち、本発明者らが試験により確認した結果、例えば導電性微粒子（テトラデカン溶媒）に対する処理後の接触角は、隔壁６０１の素材としてアクリル樹脂系を採用した場合には約５４．０°（未処理の場合には１０°以下）を確保することができる。なお、これら接触角は、プラズマパワー５５０Ｗのもと、４フッ化メタンガスを０．１Ｌ／ｍｉｎで供給する処理条件下で得たものである。
【００６０】
上記第１層目の隔壁形成工程に続くゲート走査電極形成工程では、隔壁６０１で区画された描画領域である前記区画領域６０１ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴を液滴吐出法を行うことでゲート走査電極６０２を形成する。そして、ゲート操作電極６０２を形成するときに、本発明に係るパターンの形成方法が適用される。
【００６１】
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたゲート走査電極６０２は、隔壁６０１に十分な撥液性が予め与えられているので、区画領域６０１ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【００６２】
以上の工程により、基板６００上には、隔壁６０１とゲート走査電極６０２からなる平坦な上面を備えた第１の導電層Ａ１が形成される。
【００６３】
また、区画領域６０１ａ内における良好な吐出結果を得るためには、図６（ａ）に示すように、この区画領域６０１ａの形状として逆テーパ（基板側に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。
【００６４】
次に、図６（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜６０３、活性層６０４、コンタクト層６０５の連続成膜を行う。ゲート絶縁膜６０３として窒化シリコン膜、活性層６０４としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層６０５としてｎ+型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料を隔壁に使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。
【００６５】
上記半導体層形成工程に続く第２層目の隔壁形成工程では、図６（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜６０３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ前記区画領域６０１ａと交差する区画領域６０６ａを設けるための２層目の隔壁６０６を、フォトリソグラフィ法に基づいて形成する。この隔壁６０６としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が好適に用いられる。
【００６６】
この形成後の隔壁６０６に撥液性を持たせるためにＣＦ4プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、隔壁６０６の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておくものとしても良い。この場合には、ＣＦ4プラズマ処理等を省略することができる。
【００６７】
以上のようにして撥液化された隔壁６０６の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上を確保することが好ましい。
【００６８】
上記第２層目の隔壁形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、隔壁６０６で区画された描画領域である前記区画領域６０６ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図６（ｄ）に示すように、前記ゲート走査電極６０２に対して交差するソース電極６０７及びドレイン電極６０８が形成される。このとき、本発明に係るパターンの形成方法が適用される。
【００６９】
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極６０７及びドレイン電極６０８は、隔壁６０６に十分な撥液性が予め与えられているので、区画領域６０６ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【００７０】
また、ソース電極６０７及びドレイン電極６０８を配置した区画領域６０６ａを埋めるように絶縁材料６０９が配置される。以上の工程により、基板６００上には、隔壁６０６と絶縁材料６０９からなる平坦な上面６１０が形成される。
【００７１】
そして、絶縁材料６０９にコンタクトホール６１１を形成するとともに、上面６１０上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）６１２を形成し、コンタクトホール６１１を介してドレイン電極６０８と画素電極６１２とを接続することで、ＴＦＴが形成される。
【００７２】
このとき、絶縁材料６０９を隔壁に置き換え、フォトリソグラフィ法によりコンタクトホール６１１を開口して、コンタクトホール６１１の機能液の充填および画素電極６１２のパターニングをインクジェット法により行うこともできる。本発明によれば、液滴着弾部とコンタクトホール６１１が一致しているため、上下導通を確実にとることができる。
【００７３】
なお、上記実施形態では逆スタガ型ＴＦＴを例にとり説明したが、本発明は逆スタガ型ＴＦＴのみならず、スタガ型ＴＦＴ、コプレナ型ＴＦＴの配線およびコンタクトホール形成時にも応用できる。
【００７４】
＜電気光学装置＞
次に、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
図７は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図８は図７のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図９は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００７５】
図７及び図８において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）７００は、対をなすＴＦＴアレイ基板７１０と対向基板７２０とが光硬化性の封止材であるシール材７０２によって貼り合わされ、このシール材７０２によって区画された領域内に液晶７０１が封入、保持されている。シール材７０２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
【００７６】
シール材７０２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り７０３が形成されている。シール材７０２の外側の領域には、データ線駆動回路７１１及び実装端子７１２がＴＦＴアレイ基板７１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路７１３が形成されている。ＴＦＴアレイ基板７１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路７１３の間を接続するための複数の配線７１４が設けられている。また、対向基板７２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板７１０と対向基板７２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材７１５が配設されている。
なお、データ線駆動回路７１１及び走査線駆動回路７１３をＴＦＴアレイ基板７１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板７１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置７００においては、使用する液晶７０１の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置７００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板７２０において、ＴＦＴアレイ基板７１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００７７】
このような構造を有する液晶表示装置７００の画像表示領域においては、図９に示すように、複数の画素７００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素７００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）７１６が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線７１１ａがＴＦＴ７１６のソースに電気的に接続されている。データ線７１１ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線７１１ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ７１６のゲートには走査線７１３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線７１３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００７８】
画素電極７１７は、ＴＦＴ７１６のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ７１６を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線７１１ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極７１７を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図８に示す対向基板７２０の対向電極７２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極７１７と対向電極７２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７１８が付加されている。例えば、画素電極７１７の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７１８により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置７００を実現することができる。
【００７９】
ここで、ＴＦＴ７１６は上述した図６の通りに作製される。本実施の形態の液晶表示装置は、上記パターン形成方法により、微細化や細線化が図られた導電膜が、精度よく安定して形成されることから、高い品質や性能が得られる。
【００８０】
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ７１６を液晶表示装置７００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ７１６を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
【００８１】
図１０は、前記液滴吐出装置ＩＪにより一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図である。図１０を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図１０において、有機ＥＬ装置１００１は、基板１０１１、回路素子部１０２１、画素電極１０３１、隔壁部１０４１、発光素子１０５１、陰極１０６１（対向電極）、および封止基板１０７１から構成された有機ＥＬ素子１００２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部１０２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ１０２２が基板１０１１上に形成され、複数の画素電極１０３１が回路素子部１０２１上に整列して構成されたものである。そして、ＴＦＴ１０２２を構成するゲート配線が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
【００８２】
各画素電極１０３１間には隔壁部１０４１が格子状に形成されており、隔壁部１０４１により生じた凹部開口１０４４に、発光素子１０５１が形成されている。なお、発光素子１０５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置１００１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極１０６１は、隔壁部１０４１および発光素子１０５１の上部全面に形成され、陰極１０６１の上には封止用基板１０７１が積層されている。
【００８３】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置１００１の製造プロセスは、隔壁部１０４１を形成する隔壁部形成工程と、発光素子１０５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子１０５１を形成する発光素子形成工程と、陰極１０６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板１０７１を陰極１０６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
【００８４】
発光素子形成工程は、凹部開口１０４４、すなわち画素電極１０３１上に正孔注入層１０５２および発光層１０５３を形成することにより発光素子１０５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層１０５２を形成するための液状体材料を各画素電極１０３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層１０５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層１０５３を形成するための液状体材料を正孔注入層１０５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層１０５３を形成する第２乾燥工程とを有している。なお、発光層１０５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
【００８５】
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで前記の液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【００８６】
また、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【００８７】
図１１は、液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。
図１１に示す液晶表示装置（電気光学装置）１１０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）１１０２と、液晶パネル１１０２に接続される回路基板１１０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル１１０２に付設されている。
【００８８】
液晶パネル１１０２は、シール材１１０４によって接着された一対の基板１１０５ａ及び基板１１０５ｂを有し、これらの基板１１０５ｂと基板１１０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板１１０５ａ及び基板１１０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板１１０５ａ及び基板１１０５ｂの外側表面には偏光板１１０６ａ及び偏光板１１０６ｂが貼り付けられている。なお、図１１においては、偏光板１１０６ｂの図示を省略している。
【００８９】
また、基板１１０５ａの内側表面には電極１１０７ａが形成され、基板１１０５ｂの内側表面には電極１１０７ｂが形成されている。これらの電極１１０７ａ、１１０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極１１０７ａ、１１０７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。基板１１０５ａは、基板１１０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子１１０８が形成されている。これらの端子１１０８は、基板１１０５ａ上に電極１１０７ａを形成するときに電極１１０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子１１０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子１１０８には、電極１１０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極１１０７ｂに接続されるものが含まれる。
【００９０】
回路基板１１０３には、配線基板１１０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子１１００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子１１００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板１１０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板１１１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン１１１２を形成することによって製造されている。
【００９１】
本実施形態では、液晶パネル１１０２における電極１１０７ａ、１１０７ｂ及び回路基板１１０３における配線パターン１１１２が上記デバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、電気特性の不均一が解消された高品質の液晶表示装置を得ることができる。
【００９２】
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。
【００９３】
また、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【００９４】
＜電子機器＞
図１２及び図１３は、上述した表示装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。図１２（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話２３０はアンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、および本発明の表示装置２００を備えている。このように本発明に係る表示装置は表示部として利用可能である。図１２（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ２４０は受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、および本発明の表示装置２００を備えている。
図１２（Ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ２５０はカメラ部２５１、操作部２５２、および本発明に係る表示装置２００を備えている。図１２（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ２６０はバンド２６１、光学系収納部２６２および本発明に係る表示装置２００を備えている。
図１２（Ｅ）はリア型プロジェクターへの適用例であり、当該プロジェクター２７０は筐体２７１に、光源２７２、合成光学系２７３、ミラー２７４、２７５、スクリーン２７６、および本発明に係る表示装置２００を備えている。図１２（Ｆ）はフロント型プロジェクターへの適用例であり、当該プロジェクター２８０は筐体２８２に光学系２８１および本発明に係る表示装置２００を備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。
図１３（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン３００は本発明に係る表示装置２００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る表示装置を適用し得る。図１３（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン３１０は本発明に係る表示装置２００を備えている。
【００９５】
次に、本発明のパターンの形成方法によって形成されるパターンを、アンテナ回路に適用した例について説明する。
図１４は、本実施形態例に係る非接触型カード媒体を示しており、非接触型カード媒体１３００は、カード基体１３０１とカードカバー１３０２から成る筐体内に、半導体集積回路チップ１３０３とアンテナ回路１３０４を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
【００９６】
本実施形態では、上記アンテナ回路１３０４が、本発明のパターン形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記アンテナ回路１３０４の微細化や細線化が図られ、高い品質や性能を得ることができる。
【００９７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明のパターン形成方法を概念的に示す図である。
【図２】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図３】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図４】配線パターン形成する手順を示す図である。
【図５】薄膜トランジスタを有する基板の一例を示す模式図である。
【図６】薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。
【図７】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図８】図７のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図９】液晶表示装置の等価回路図である。
【図１０】有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。
【図１１】液晶表示装置の別形態を示す図である。
【図１２】表示装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【図１３】表示装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【図１４】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００９９】
Ｂ…隔壁、Ｐ…基板（ガラス基板）、ＩＪ…液滴吐出装置、７００…液晶表示装置（電気光学装置）、１００１…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、１１０１…液晶表示装置（電気光学装置）、１３００…非接触型カード媒体（電子機器）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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