(57)【要約】【課題】長期に亘って、輝尽性蛍光体層の吸湿を抑制し、さらには、輝尽性蛍光体層の吸湿により生じる基板の腐食を抑制して、得られる放射線画像の特性劣化がない放射線像変換パネルおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、基板上に形成された蛍光体層と、基板と蛍光体層との間に、少なくとも蛍光体層が形成される領域に形成された腐食防止層と、蛍光体層および腐食防止層を覆い、蛍光体層が形成された領域外、かつ腐食防止層が形成されていない領域で外縁が基板に密着して、蛍光体層を封止する防湿保護層とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属または合金により構成された基板と、
前記基板上に形成された蛍光体層と、
前記基板と前記蛍光体層との間に、少なくとも前記蛍光体層が形成される領域に形成された腐食防止層と、
前記蛍光体層および前記腐食防止層を覆い、前記蛍光体層が形成された領域外、かつ前記腐食防止層が形成されていない領域で外縁が前記基板に密着して、前記蛍光体層を封止する防湿保護層とを有することを特徴とする放射線像変換パネル。
【請求項２】
さらに、前記基板は、枠部を有し、
前記枠部に囲まれた領域内に前記腐食防止層および前記蛍光体層が形成されている請求項１に記載の放射線像変換パネル。
【請求項３】
前記防湿保護層の外縁が密着する部分は、前記枠部の上面である請求項２に記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】
前記腐食防止層は、酸化物またはダイヤモンドライクカーボンからなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項５】
前記酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２である請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項６】
前記防湿保護層の外縁が密着する部分は、算術平均粗さＲａが０．１μｍ以下であり、最大高さＲｚが１．０μｍ以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項７】
前記基板は、アルミニウムからなるものである請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項８】
前記蛍光体層は、気相堆積法により形成されたものである請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項９】
金属または合金により構成された基板上に、少なくとも蛍光体層が形成される領域に腐食防止層を形成する工程と、
前記腐食防止層上に蛍光体層を形成する工程と、
防湿保護フィルムを用いて、前記蛍光体層および前記腐食防止層を覆い、前記蛍光体層が形成された領域外、かつ前記腐食防止層が形成されていない領域で外縁を前記基板に密着させて前記蛍光体層を封止する工程とを有することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輝尽性蛍光体層によって放射線画像を記録、および再生する放射線像変換パネルおよびその製造方法に関し、特に、輝尽性蛍光体層の吸湿を抑制し、さらには、輝尽性蛍光体層の吸湿による基板の腐食を抑制し、特性劣化（画質低下）がない放射線像変換パネルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、および紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
例えば、この輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体層）を有する放射線像変換パネルを利用する放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography）等として実用化されている。
この放射線画像情報記録再生システムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、放射線像変換パネル（輝尽性蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、放射線像変換パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置、または写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
【０００４】
放射線像変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末を、バインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスまたは樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作製される。
これに対し、真空蒸着またはスパッタリング等の真空成膜法（気相成膜法）によって、支持体に輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層ともいう）を形成してなる蛍光体パネルも知られている。真空成膜法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという優れた特性を有している。さらに、蛍光体層が蛍光体の柱状構造で形成されるため、鮮鋭度の高い良好な画質が得られる。
【０００５】
しかしながら、放射線像変換パネルは、輝尽性蛍光体層の吸湿性が高いという問題点がある。
輝尽性蛍光体層、特に、良好な特性を有するアルカリハライド系の輝尽性蛍光体層は、吸湿性が高く、通常（常温／常湿）の環境下であっても、容易に吸湿する。その結果、輝尽発光特性すなわち感度の低下、または輝尽性蛍光体の結晶性の低下（例えば、柱状構造をもつアルカリハライド系の輝尽性蛍光体であれば、結晶の柱状性の崩壊）による再生画像の鮮鋭性の低下等を生じてしまう。このため、放射線像変換パネルでは、輝尽性蛍光体層を防湿性の部材で封止することが行われている。
【０００６】
また、放射線像変換パネルにおいて、支持体として金属または合金からなる基板を用いることができる。この場合、輝尽性蛍光体層を防湿性の部材で封止しても、輝尽性蛍光体層の吸湿を完全に防止することができず、輝尽性蛍光体と金属基板との、水分を介した反応により、基板が腐食されてしまう。このため、輝尽性蛍光体層と基板を直接接触させないために、基板と輝尽性蛍光体層との間に層を形成することが行なわれている（特許文献１および特許文献２参照）。
【０００７】
特許文献１には、基板の表面および裏面に水分不透過層が形成され、基板の表面側の水分不透過層上に輝尽性蛍光体層が形成された放射線像変換パネルが開示されている。
この特許文献１の放射線像変換パネルにおいては、水分不透過層として、金属酸化物層、陽極酸化層、およびポリイミドからなる層が例示されている。
【０００８】
また、特許文献２には、輝尽性蛍光体を用いたＸ線画像変換シートが開示されている。この特許文献２におけるＸ線画像変換シートは、輝尽性蛍光体層とアルミニウムからなる支持体の間に、分解能などの画像特性を得るために白色の酸化物の膜を形成したものである。この酸化物としては、アルミナが例示されている。
【０００９】
【特許文献１】国際公開第０２／０８６５４０号パンフレット
【特許文献２】特開平４−１１８５９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に開示された放射線像変換パネルにおいては、水分不透過層として、金属酸化物層、陽極酸化層、およびポリイミドからなる層が例示されているものの、陽極酸化層以外については、具体的な製造方法の例示がない。特許文献１に開示されているように、水分不透過層として、単に金属酸化物層、陽極酸化層、およびポリイミドからなる層を形成しただけでは、水分不透過層として十分な厚さの均一な膜を得ることは難しい。このため、水分不透過性能にムラが生じたり、水分不透過層上に形成された輝尽性蛍光体層の表面にうねりなどが生じ、蛍光体層の膜厚均一性に影響を与え、分解能などの画像特性を得ることができないという問題点がある。
【００１１】
さらに、特許文献１および特許文献２において、陽極酸化膜を設けた場合、この陽極酸化膜は多孔質であるため、表面の微小な粗さが増える。このため、陽極酸化膜上に形成される輝尽性蛍光体層の柱状性の劣化、およびヒロック（点欠陥）が生じ、最終的に得られる画像特性が劣化するという問題点がある。
また、特許文献１および特許文献２において、陽極酸化膜を設けた場合、陽極酸化膜は多孔質であることから、陽極酸化膜から水蒸気が進入し、蛍光体層が吸湿し、崩壊（潮解）する虞があるという問題点もある。
【００１２】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、長期に亘って、輝尽性蛍光体層の吸湿を抑制し、さらには、輝尽性蛍光体層の吸湿により生じる基板の腐食を抑制して、得られる放射線画像の特性劣化がない放射線像変換パネルおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、金属または合金により構成された基板と、前記基板上に形成された蛍光体層と、前記基板と前記蛍光体層との間に、少なくとも前記蛍光体層が形成される領域に形成された腐食防止層と、前記蛍光体層および前記腐食防止層を覆い、前記蛍光体層が形成された領域外、かつ前記腐食防止層が形成されていない領域で外縁が前記基板に密着して、前記蛍光体層を封止する防湿保護層とを有することを特徴とする放射線像変換パネルを提供するものである。
【００１４】
本発明においては、さらに、前記基板は、枠部を有し、前記枠部に囲まれた領域内に前記腐食防止層および前記蛍光体層が形成されていることが好ましい。
この場合、前記防湿保護層の外縁が密着する部分は、前記枠部の上面であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明においては、前記腐食防止層は、酸化物またはダイヤモンドライクカーボンからなることが好ましい。
さらに、本発明においては、前記酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２であることが好ましい。
さらにまた、本発明においては、前記防湿保護層の外縁が密着する部分は、算術平均粗さＲａが０．１μｍ以下であり、最大高さＲｚが１．０μｍ以下であることが好ましい。
また、本発明においては、前記基板は、アルミニウムからなるものであることが好ましい。
【００１６】
また、本発明においては、前記蛍光体層は、気相堆積法により形成されたものであることが好ましい。
また、本発明においては、前記腐食防止層は、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法により形成されたものであることが好ましい。
【００１７】
また、本発明の第２の態様は、金属または合金により構成された基板上に、少なくとも蛍光体層が形成される領域に腐食防止層を形成する工程と、前記腐食防止層上に蛍光体層を形成する工程と、防湿保護フィルムを用いて、前記蛍光体層および前記腐食防止層を覆い、前記蛍光体層が形成された領域外、かつ前記腐食防止層が形成されていない領域で外縁を前記基板に密着させて前記蛍光体層を封止する工程とを有することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の第１の態様の放射線像変換パネルによれば、基板と蛍光体層との間に、少なくとも蛍光体層が形成される領域に腐食防止層を形成し、さらに蛍光体層および腐食防止層を覆い、蛍光体層が形成された領域外、かつ腐食防止層が形成されていない領域で外縁を基板に密着させて蛍光体層を封止する防湿保護層を設けることにより、運搬時などに、外力を受け、腐食防止層にマイクロクラックなどが生じた場合であっても、防湿保護層は、腐食防止層が形成されていない領域に外縁があるため、腐食防止層に生じたマイクロクラックから水蒸気などが進入することがなく、蛍光体層への吸湿が抑制される。
さらには、蛍光体層が吸湿し、潮解した場合であっても、腐食防止層により基板と蛍光体層とが直接接触していないため、基板の腐食が抑制される。
このようなことから、本発明の放射線像変換パネルにおいては、高温、かつ高湿のような厳しい条件下に曝されても、長期に亘って、蛍光体層の潮解（崩壊）、および基板の腐食を抑制することができ、長期に亘って、放射線像の特性劣化（画質低下）を抑制することができる。
【００１９】
また、本発明における腐食防止層は、例えば、気相堆積法により形成することにより、膜厚均一性が高く平滑で、さらには緻密なものとすることができるため、腐食防止層上に形成される蛍光体層の異常成長（ヒロック）が抑制され、最終的に得られる放射線像に、画素抜けなどの点欠陥が生じることがない。
【００２０】
本発明の第２の態様の放射線像変換パネルの製造方法によれば、基板と蛍光体層との間に腐食防止層を形成し、さらに防湿保護フィルムを用いて、蛍光体層および腐食防止層を覆い、蛍光体層が形成された領域外、かつ腐食防止層が形成されていない領域で外縁を基板に密着させて蛍光体層を封止する工程を有することにより、得られる放射線像変換パネルにおいては、運搬時などに、外力を受け、腐食防止層にマイクロクラックなどが生じた場合であっても、防湿保護層は、腐食防止層が形成されていない領域に外縁があるため、腐食防止層に生じたマイクロクラックから水蒸気などが進入することがなく、蛍光体層への吸湿が抑制される。
さらには、蛍光体層が吸湿し、潮解した場合であっても、腐食防止層により基板と蛍光体層とが直接接触していないため、基板の腐食が抑制される。
このようなことから、本発明の製造方法により得られる放射線像変換パネルは、高温、かつ高湿のような厳しい条件下に曝されても、長期に亘って、蛍光体層の潮解（崩壊）、および基板の腐食を抑制することができ、長期に亘って、放射線像の特性劣化（画質低下）を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の放射線像変換パネルおよびその製造方法を詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【００２２】
図１に示すように、放射線像変換パネル（以下、蛍光体パネルともいう）１０は、基板１２と、この基板１２の表面１２ａに形成された腐食防止層１４と、この腐食防止層１４上に形成された輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層という）１６と、この蛍光体層１６上に形成され、蛍光体層１６を封止する防湿保護層１８とを有するものである。
蛍光体パネル１０においては、腐食防止層１４の形成領域の大きさと蛍光体層１６の形成領域との大きさが同じである。
【００２３】
蛍光体パネル１０においては、基板１２は、金属または合金からなるものであり、例えば、薄い板状部材またはシート部材である。本発明においては、基板１２は、金属または合金であれば、特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、ステンレス鋼、銅、クロムまたはニッケルなどが挙げられる。本実施形態においては、基板１２は、アルミニウムまたはアルミニウム合金により構成されることが好ましい。
【００２４】
また、基板１２は、少なくとも防湿保護層１８の外縁が密着される領域αにおける表面１２ａの算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）が０．１μｍ以下であること、および表面１２ａの最大高さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１）が１．０μｍ以下であることを満たすことが好ましい。
基板１２は、防湿保護層１８が密着される領域αにおける表面１２ａの表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ以下であること、および最大高さ（Ｒｚ）が１．０μｍ以下であることを満たすことにより、防湿保護層１８と基板１２の表面１２ａとの隙間が極めて小さくなり、防湿保護層１８と基板１２の表面１２ａとの密着性を更に高くできる。このため、基板１２と防湿保護層１８の外縁との密着部からの水蒸気の進入を更に抑制することができる。すなわち、透湿度を、例えば、０．１（ｇ／（ｍ２・２４ｈ））以下と小さくすることができる。
【００２５】
また、基板１２において、腐食防止層１４が形成される表面１２ａ領域の表面粗さを小さくすることにより、基板１２の表面１２ａに形成される腐食防止層１４の膜厚均一性を更に優れたものとし、ピンホールなどの欠陥をなくし、腐食防止層１４上に形成される蛍光体層１６の異常成長（ヒロック）を更に抑制することができる。さらには、蛍光体層１６を柱状性が優れたものとすることもできる。これにより、蛍光体パネル１０で得られる放射線像の画質を更に高画質なものとすることができる。このため、基板１２の表面１２ａの表面粗さは、防湿保護層１８が密着される領域αだけではなく、表面１２ａ全体において、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ以下であること、および最大高さ（Ｒｚ）が１．０μｍ以下であることを満たすことが更に好ましい。
【００２６】
腐食防止層１４は、蛍光体層１６が吸湿した水分に起因する基板１２の腐食を抑制するものである。この腐食防止層１４は、蛍光体層１６の下、すなわち、基板１２と蛍光体層１６との間に設けられるものであり、少なくとも蛍光体層１６が形成される領域に形成されていればよい。腐食防止層１４の形成領域と蛍光体層１６の形成領域とは少なくとも同じであればよく、腐食防止層１４の形成領域は、蛍光体層１６の形成領域よりも大きくてもよい。
【００２７】
また、腐食防止層１４は、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３もしくはＴｉＯ２などの酸化物、またはダイヤモンドライクカーボンからなるものである。また、腐食防止層１４は、例えば、気相堆積法により形成されるものである。
【００２８】
腐食防止層１４を形成するための気相堆積法は、膜厚均一性が高く、ピンホールなどがなく平滑かつ緻密で、水分が不透過な膜を形成することができれば、その方法は、特に限定されるものではなく、各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）、または化学的気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）を用いることができる。本実施形態においては、気相堆積法のうち、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法により形成することが好ましい。これは、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびイオンビームアシスト蒸着法は、成膜される粒子（分子）のエネルギが高いため、気相堆積法の中でも特に、膜厚均一性が高く、平滑かつ緻密で、水分が不透過な膜が得られるためである。
【００２９】
本実施形態のイオンビームアシスト蒸着法においては、例えば、プラズマ室が付設された成膜（蒸着）チャンバの内部に蒸発源およびイオンガンが設置され、蒸発源に対向して基板が設置された構成の装置が用いられる。このイオンビームアシスト蒸着法（以下、単にイオンビームアシストともいう）とは、プラズマ室により生成されたプラズマを、イオンガンによりガスイオンとして基板表面に照射しながら、同時に蒸発源から飛翔してきた粒子を基板の表面に蒸着させて膜形成を行う一種の特殊な真空蒸着方法である。
【００３０】
また、腐食防止層１４は、厚さが、０．５μｍ以上であることが好ましい。腐食防止層１４の厚さが０．５μｍ以上であると、蛍光体層１６と基板１２との水分を介した反応により、基板１２が腐食されることを抑制する効果が長期に亘って発現するからである。
なお、腐食防止層１４の厚さの上限値は、１０μｍである。腐食防止層１４の厚さが１０μｍを超えると、腐食防止層１４による光の散乱が大きくなる虞があるためである。この腐食防止層１４の厚さの上限値は、腐食防止層１４の材質、および要求される画質によって変わるものであり、本実施形態の１０μｍに限定されるものではない。
【００３１】
蛍光体層１６は、上述の如く、放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示すものである。この蛍光体層１６は、腐食防止層１４上に形成されている。
【００３２】
本発明においては、蛍光体層１６を形成する輝尽性蛍光体として、各種のものが利用可能であるが、例えば、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
例えば、米国特許第３、８５９、５２７号明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ」、「ＴｈＯ2：Ｅｒ」、および、「Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｓｍ」。
【００３３】
特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ2Ｏ3：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「ＭIIＯ・ｘＳｉＯ2：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔｌ、ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）
【００３４】
特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ、Ｙ、ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００３５】
特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ1-x、Ｍ2+x）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ2+は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）
【００３６】
特開昭５９−３８２７８号公報に開示される、一般式「ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ」または「Ｍ3（ＰＯ4）2・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｂ、Ｔｌ、ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）
【００３７】
一般式「ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ’2：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ’2：ｘＥｕ、ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｒｅは、Ｌａ、Ｇｄ、ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ、Ｃｌ、およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０-4＜ｘ＜３×１０-1であり、１×１０-4＜ｙ＜１×１０-1であり、さらに、１×１０-3＜ｎ／ｍ＜７×１０-1である。）
【００３８】
特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ''3：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭI は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭIIは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIIIは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ、ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。）
【００３９】
特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ1-X、ＭIIX）Ｆ2・ａＢａＸ2：ｙＥｕ、ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０-6≦ｙ≦２×１０-1であり、０＜ｚ≦１×１０-2である。）
【００４０】
特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「ＭIIIＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIIは、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００４１】
特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ1-xＭaＬaＦＸ：ｙＥｕ2+」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０-2≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。）
【００４２】
特開昭５９−７５２００号公報に開示される、一般式「ＭIIＦＸ・ａＭIＸ’・ｂＭ’IIＸ''2・ｃＭIIIＸ3・ｘＡ：ｙＥｕ2+」で示される輝尽性蛍光体。（上記式においてＭIIは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭIは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’IIは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、ＭIIIは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、およびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０-2であり、０≦ｃ≦１×１０-2であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０-6であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）
【００４３】
特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭５９−３８２７８号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、ＭIが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００４４】
蛍光体層１６は、このような輝尽性蛍光体からなり真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の各種の気相堆積法により形成されるものである。また、本発明において、蛍光体層１６は、腐食防止層１４とは、例えば、異なる成膜装置により製造される。
中でも、生産性等の点で真空蒸着により形成された蛍光体層１６が好ましく、特に、蛍光体成分の材料と、付活剤（賦活剤：activator)成分の材料とを別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着により形成された蛍光体層１６が好ましい。例えば、前記「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」の蛍光体層１６であれば、蛍光体成分の材料として臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤成分の材料として臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒx（ｘは、通常、２〜３））を、それぞれ用いて、別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着により形成されることが好ましい。
真空蒸着における加熱方法も、特に限定されるものではなく、例えば、電子銃等を用いる電子線加熱、または、抵抗加熱で形成されたものでもよい。さらに、多元の真空蒸着による形成される場合には、全ての材料を同様の同じ加熱手段（例えば、電子線加熱）で加熱蒸発してもよく、あるいは、蛍光体成分の材料は電子線加熱で、微量である付活剤成分の材料は抵抗加熱で、それぞれ加熱蒸発して形成されてもよい。
【００４５】
蛍光体層１６は、特に限定された成膜条件はなく、成膜方法または形成する蛍光体層１６の組成等に応じて、適宜、決定された成膜条件によって形成され、得られる蛍光体層１６であればよい。例えば、真空蒸着であれば、１×１０-5Ｐａ〜１×１０-2Ｐａの真空度で、０．０５μｍ／分〜３００μｍ／分の成膜速度で成膜し、得られる蛍光体層１６が好ましい。なお、多元の真空蒸着により形成される場合には、母体成分と付活剤成分の量比が目的範囲となるように、両材料の蒸発速度が制御される。
【００４６】
また、本件出願人の検討によれば、前述した各種の蓄積性蛍光体、特にアルカリハライド系蓄積性蛍光体、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕを真空蒸着で成膜する場合には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスまたは窒素ガス等を系内に導入して、０．０１Ｐａ〜３Ｐａ程度の中真空度とし、この中真空下で抵抗加熱による真空蒸着を行なうことにより、得られる蛍光体層１６が好ましい。前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ等のアルカリハライド系の蛍光体層は、柱状結晶構造を有するが、このような中真空下で成膜して得られる蛍光体層１６は、特に良好な柱状の結晶構造を有し、輝尽発光特性画像の鮮鋭性等の点で好ましい。
【００４７】
また、基板１２の加熱等によって、成膜中に、形成された蛍光体層１６を３００℃以下、好ましくは２００℃以下で加熱してもよい。
【００４８】
このようにして形成された蛍光体層１６は、輝尽発光特性を良好に発現させ、かつ、輝尽発光特性を向上させるために、加熱処理（アニール）が施される。
蛍光体層１６のアニール条件は、特に限定はないが、例えば、窒素ガス雰囲気等の不活性雰囲気下で、５０℃〜６００℃、特に、１００℃〜３００℃で、１０分〜１０時間、特に、３０分〜３時間行なうのが好ましい。
蛍光体層１６の加熱処理は、焼成炉を用いる方法等の公知の方法で実施すればよく、また、基板１２の加熱手段を有する真空蒸着装置であれば、これを利用して加熱処理を実施してもよい。
【００４９】
防湿保護層１８は、例えば、真空蒸着によって形成された蛍光体層１６を封止して、吸湿を防止するために、蛍光体層１６を覆って封止するために設けられるものである。
本実施形態において、防湿保護層１８は、防湿保護フィルムにより、腐食防止層１４および蛍光体層１６を覆い、蛍光体層１６および腐食防止層１４の外縁に沿うように密着させ、基板１２の表面１２ａにおいて蛍光体層１６が形成された領域外で、かつ腐食防止層１４が形成されていない領域αで、その外縁を密着させて、蛍光体層１６を封止している。
また、本実施形態において、防湿保護層１８の外縁の密着は、例えば、熱ラミネーション法によりなされる。
【００５０】
また、本発明においては、防湿保護層１８は、十分な防湿性を有するものであれば、各種のものが利用可能であり、特に限定されるものではない。
防湿保護層１８を構成する防湿保護フィルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ２膜とＳｉＯ２とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とのハイブリット層とＳｉＯ２膜との３層を形成してなる防湿保護層１８が例示される。これ以外にも、ガラス板（フィルム）、ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣなどの無機物質が堆積したフィルム等も好ましく例示される。なお、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ２膜／ＳｉＯ２とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ２膜の３層を形成した防湿保護層１８において、例えば、ＳｉＯ２膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ２とＰＶＡのハイブリット膜は、ＰＶＡとＳｉＯ２の比率が１：１となるようにゾル・ゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。また、防湿保護層１８は、４０℃の温度で相対湿度が９０％の環境下において、透湿度が０．２〜０．６（ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））であることが好ましい。
また、ＳｉＯ２膜／ＳｉＯ２とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ２膜の３層構造の防湿保護層１８においては、ＳｉＯ２膜を蛍光体層１６側に形成することが好ましい。
【００５１】
また、防湿保護層１８により、蛍光体層１６を封止する方法は、特に限定されるものではない。例えば、接着剤を塗布し、防湿保護層１８の外縁を基板１２の表面１２ａの領域αに接着する方法がある。なお、本発明においては、防湿保護層１８の外縁と基板１２の表面１２ａの領域αとだけを接着しても良いが、より耐久性に優れた蛍光体パネル１０を得るために、基板１２の表面１２ａの領域αのみならず蛍光体層１６表面とも接着することが好ましい。
接着剤は、防湿性に優れたものであれば、特に限定されるものではない。例えば、ポリエステル系接着剤が好適に用いることができる。さらに、蛍光体層１６表面も防湿保護層１８と接着する際には、接着剤についても、放射線の入射及び輝尽発光光の出射を妨げない光学特性を有することが好ましい。
また、接着剤を用いた場合、防湿保護層１８と基板１２の表面１２ａとの接着強度を向上させ、良好な接着強度を得るために、防湿保護層１８による蛍光体層１６の封止に先立ち、例えば、基板１２を加熱して、封止部（防湿保護層１８と基板１２との接着箇所（領域α））および蛍光体層１６を加熱することが好ましい。
【００５２】
ここで、例えば、図２（ａ）に示すように、腐食防止層１０２が基板１２の全面に形成され、この腐食防止層１０２上に蛍光体層１６が形成されており、さらには、この防湿保護層１８の外縁が腐食防止層１０２上で密着されている蛍光体パネル１００においては、腐食防止層１０２にマイクロクラックまたはピンホールなどの欠陥１０４がある場合、防湿保護層１８の密着が十分であっても、腐食防止層１０２の欠陥１０４から水蒸気Ｖが進入し、蛍光体層１６が吸湿して、蛍光体層１６が潮解（崩壊）を起こす虞がある。
【００５３】
このようなことから、本実施形態においては、基板１２と蛍光体層１６との間に、蛍光体層１６の形成領域と同じ大きさの形成領域を有する腐食防止層１４を形成し、さらに、蛍光体層１６を封止する防湿保護層１８を設け、この防湿保護層１８の外縁を、腐食防止層１４および蛍光体層１６が形成された以外の領域αで密着させることにより、運搬時などに、外力を受け、腐食防止層１４にマイクロクラックなどが生じた場合であっても、防湿保護層１８は、腐食防止層１４が形成されていない領域αに外縁があり、そこで封止している。このため、腐食防止層１４が外部から隔離されており、腐食防止層１４に生じたマイクロクラックから水蒸気などが進入することがなく、蛍光体層１６への吸湿が抑制される。さらには、蛍光体層１６が吸湿し、潮解した場合であっても、腐食防止層１４により基板１２と蛍光体層１６とが直接接触しないため、基板１２の腐食が抑制される。
このため、本実施形態の蛍光体パネル１０においては、非常に優れた耐湿性を有する封止構造が得られ、高温、かつ高湿のような厳しい条件下でも、長期に亘って蛍光体層１６の吸湿を抑止し、さらには、蛍光体層１６の潮解（崩壊）を抑制して、良好な画像記録特性を維持することができる。
これにより、蛍光体層１６を形成する輝尽性蛍光体、特に、アルカリハライド系の輝尽性蛍光体は、吸湿性を有し、通常の環境下でも、容易に吸湿して、その結果、感度または再生画像の鮮鋭性の低下等を生じてしまう。このような不都合も防止することができる。
【００５４】
また、本実施形態においては、上述のように、蛍光体層１６と基板１２との間に腐食防止層１４が設けられている。この腐食防止層１４により、蛍光体層１６で吸湿された水分が腐食防止層１４から基板１２への浸透を抑制することができる。このため、蛍光体層１６と基板１２との水分を介した化学反応による基板１２の腐食を長期に亘り抑制することができ、蛍光体パネル１０の放射線像の特性劣化（画質低下）を長期に亘り抑制できる。
【００５５】
さらに、腐食防止層１４を、気相堆積法により形成することにより、膜厚均一性が高く平滑、かつ緻密な構造であり、ピンホールなどの点欠陥がないものとすることができるため、その上に形成される蛍光体層１６は、柱状性が高い組織とすることができ、点欠陥などがなく膜質が優れたものとなる。
このように、本実施形態の蛍光体パネル１０においては、欠陥が少ない膜質が優れた蛍光体層１６を形成することができる。このため、画像の記録および再生に際して、得られる画像は、画素抜けなどの点欠陥がなく、長期に亘り良好な放射線像を得ることができる。
【００５６】
次に、本実施形態の蛍光体パネル１０の製造方法について説明する。
先ず、金属または合金からなる基板１２（図１参照）を用意する。この基板１２は、例えば、アルミニウムからなるものである。
次に、基板１２の表面１２ａ（図１参照）に第１マスク（図示せず）を設ける。この第１マスクは、腐食防止層１４の形成領域に相当する開口を有するものである。
次に、基板１２の表面１２ａ（図１参照）に、例えば、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法などの気相成長法により腐食防止層１４（図１参照）を形成する。この腐食防止層１４は、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、もしくはＴｉＯ２などの酸化物、またはダイヤモンドライクカーボンからなる。
次に、第１マスクを取り除く。
【００５７】
次に、腐食防止層１４（図１参照）上に、形成する蛍光体層１６の形成領域に相当する開口を有する第２マスクを設ける。
次に、真空蒸着法により、上述の組成を有する蛍光体層１６（図１参照）を形成する。
次に、蛍光体層１６に輝尽発光特性を良好に発現させ、かつ、輝尽発光特性を向上させるために、加熱処理（アニール）を施す。
【００５８】
次に、蛍光体層１６の上に、例えば、ディスペンサー等を用いて接着剤を塗布する。
次いで、例えば、ロール状に巻回された防湿保護フィルム（図示せず）を引き出し、熱ラミネーション法により、蛍光体層１６の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を腐食防止層１４および蛍光体層１６が形成された以外の領域α（図１参照）で密着させて防湿保護層１８（図１参照）を形成する。このようにして、蛍光体パネル１０を製造することができる。
なお、防湿保護層１８は、予め接着剤が塗布された保護フィルムを用いて形成することもできる。
【００５９】
また、蛍光体パネル１０の製造方法においては、上述のように腐食防止層１４を形成する前に、基板１２の表面１２ａ（図１参照）に反射膜またはバリア膜等を形成してもよい。これらの膜が表面に形成されたものを基板としてもよい。
【００６０】
また、封止接着層（図示せず）で防湿保護層１８と基板１２とを接着するときの接着強度を向上させ、かつ、熱ラミネーションを１回だけで、良好な接着強度が得られるように、防湿保護層１８による蛍光体層１６の封止に先立ち、蛍光体層１６を接着剤の軟化温度より３０℃低い温度から１５０℃までの範囲の温度に加熱しておくことが好ましい。この範囲の温度には、例えば、基板１２の加熱により行なうことができる。
【００６１】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図３は、本発明の第２の実施形態に係る放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態においては、図１に示す本発明の第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００６２】
本実施形態の蛍光体パネル２０は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０（図１参照）に比して、防湿保護層１８が基板１２の表面１２ａおよび側面１２ｂを覆い、防湿保護層１８の外縁が密着される領域αが、基板１２の裏面１２ｃである点が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同様の構成であり、その詳細な説明は省略する。
【００６３】
また、本実施形態の蛍光体パネル２０においても、第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同様に、高温、かつ高湿のような厳しい条件下に曝されても、長期に亘って、蛍光体層１６の潮解（崩壊）および基板１２の腐食を抑制することができ、長期に亘って、放射線像の特性劣化（画質低下）を抑制することができるという効果を得ることができる。
なお、本実施形態においては、防湿保護層１８により基板１２の表面１２ａおよび側面１２ｂが覆われる構成であるため、腐食防止層１４の形成領域と、蛍光体層１６の形成領域とが同じ大きさではなく、腐食防止層１４の形成領域が大きくてもよい。また、腐食防止層１４が基板１２の表面１２ａの全面に形成される構成でもよい。この構成においても、第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
次に、本実施形態の蛍光体パネル２０の製造方法について説明する。
本実施形態の蛍光体パネル２０は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０（図１参照）の製造方法に比して、防湿保護膜１８の形成方法が異なり、それ以外の製造方法は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０の製造方法と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
このため、本実施形態の製造方法においては、蛍光体層１６を形成する工程までは、第１の実施形態の製造方法と同様であり、防湿保護膜１８を形成する工程から説明する。
本実施形態の製造方法においては、腐食防止層１４および蛍光体層１６が形成された基板１２に、防湿保護フィルムを、腐食防止層１４および蛍光体層１６ならびに基板１２の表面１２ａおよび側面１２ｂを覆い、防湿保護フィルムの外縁を基板１２の裏面１２ｃに密着させて、腐食防止層１４および蛍光体層１６を封止する。このようにして、本実施形態の蛍光体パネル２０を作製することができる。
【００６５】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図４は、本発明の第３の実施形態に係る放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態においては、図１に示す本発明の第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００６６】
本実施形態の蛍光体パネル２２は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０（図１参照）に比して、腐食防止層１４ａの形成領域が、蛍光体層１６よりも大きい点が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同様の構成であり、その詳細な説明は省略する。
本実施形態の蛍光体パネル２２においても、防湿保護層１８は、腐食防止層１４および蛍光体層１６が形成されていない領域αに密着されるものであり、防湿保護層１８の外縁が基板１２の表面１２ａで密着されている。
また、本実施形態の蛍光体パネル２２においては、腐食防止層１４ａの形成領域が蛍光体層１６よりも大きいため、蛍光体層１６の外縁に沿って防湿保護層１８が密着されていない。
【００６７】
なお、本実施形態の蛍光体パネル２２においても、第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同様に、第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同様に、高温、かつ高湿のような厳しい条件下に曝されても、長期に亘って、蛍光体層１６の潮解（崩壊）および基板１２の腐食を抑制することができ、長期に亘って、放射線像の特性劣化（画質低下）を抑制することができるという効果を得ることができる。
【００６８】
次に、本実施形態の蛍光体パネル２２の製造方法について説明する。
本実施形態の蛍光体パネル２２は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０（図１参照）の製造方法に比して、腐食防止層１４ａの形成領域の大きさ、および防湿保護膜１８の形成方法が異なり、それ以外の製造方法は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０の製造方法と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【００６９】
先ず、第１の実施形態と同様に、アルミニウムからなる基板１２（図４参照）を用意する。
次に、第１の実施形態と同様に、基板１２の表面１２ａ（図４参照）に、形成する腐食防止層１４の形成領域に相当する開口を有する第１マスクを設ける。この第１マスクの開口は、次工程で形成する蛍光体層１６の形成領域よりも広い。
次に、基板１２の表面１２ａ（図４参照）に、例えば、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法などの気相成長法により腐食防止層１４ａ（図４参照）を、次工程で形成する蛍光体層１６の形成領域よりも広い領域に形成する。
腐食防止層１４ａは、第１の実施形態と同様であり、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、もしくはＴｉＯ２などの酸化物、またはダイヤモンドライクカーボンからなる。
【００７０】
次に、腐食防止層１４ａ（図４参照）上に、成する蛍光体層１６の形成領域に相当する開口を有する第２マスクを設ける。
次に、第１の実施形態と同様に、真空蒸着法により、上述の組成を有する蛍光体層１６（図４参照）を、腐食防止層１４ａ上に形成する。
次に、第１の実施形態と同様に、蛍光体層１６に加熱処理（アニール）を施す。
【００７１】
次に、第１の実施形態と同様に、蛍光体層１６の上に接着剤を塗布する。
次いで、熱ラミネーション法により、蛍光体層１６の上に防湿保護フィルム（図示せず）を貼り付けて、外縁を腐食防止層１４および蛍光体層１６が形成された以外の領域α（図４参照）で密着させて防湿保護層１８（図４参照）を形成する。このようにして、蛍光体パネル２２を製造することができる。
【００７２】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。
図５は、本発明の第４の実施形態に係る放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態においては、図１に示す本発明の第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００７３】
本実施形態の蛍光体パネル３０は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０（図１参照）に比して、基板３２が矩形状の枠部３６を有するものであり、この枠部３６に囲まれた領域３８内に腐食防止層１４および蛍光体層１６が形成されている点が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同様の構成であり、その詳細な説明は省略する。
【００７４】
本実施形態の蛍光体パネル３０においては、基体３４に枠部３６が嵌め込まれる溝３５が、枠部３６の外形状と略同じ形状に形成されている。この枠部３６は、その一部が溝３５に嵌め込まれている。基体３４に枠部３６とにより、基板３２が構成されている。
【００７５】
この枠部３６に囲まれた領域３８内において、基体３４の表面３４ａに腐食防止層１４が形成されている。この腐食防止層１４上に蛍光体層１６が形成されており、この蛍光体層１６の高さは、枠部３６の上面３６ａと略同じ高さに形成されている。
防湿保護層１８が、枠部３６の上面３６ａを外縁として、枠部３６の上面および蛍光体層１６を覆うようにして形成されている。
【００７６】
本実施形態においても、防湿保護層１８は、腐食防止層１４および蛍光体層１６が形成されている領域外の領域α、すなわち、枠部３６の上面３６ａで密着されている。このため、本実施形態の蛍光体パネル３０においても、第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同様に、高温、かつ高湿のような厳しい条件下に曝されても、長期に亘って、蛍光体層１６の潮解（崩壊）および基板１２の腐食を抑制することができ、長期に亘って、放射線像の特性劣化（画質低下）を抑制することができるという効果を得ることができる。
【００７７】
なお、本実施形態においては、防湿保護層１８を枠部３６の上面３６ａで密着させる構成としたが、本発明は、これに限定されるものではなく、枠部３６の側面３６ｂ、または枠部３６の側面３６ｂ側の基体３４の表面３４ａであってもよい。さらには、基体３４の側面３４ｂに防湿保護層１８を密着させてもよい。このような構成であっても、第１の実施形態の蛍光体パネル１０と同様の効果を得ることができる。
【００７８】
なお、本実施形態の基板３２において、基体３４は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０の基板１２（図１参照）と同様の材質のものを用いることができる。
また、枠部３６の材質については、特に限定されるものではなく、基体３４との熱膨張差が１×１０−６／℃以下の材料であればよい。この枠部３６は、基体３４と同一材質であることが好ましい。これにより、蛍光体パネル３０の温度が変化した場合の熱膨張率差による変形を低減でき、画像ムラを防ぐことができる。
【００７９】
次に、本実施形態の蛍光体パネル３０の製造方法について説明する。
本実施形態の蛍光体パネル３０は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０（図１参照）の製造方法に比して、基板３２の形成方法、腐食防止層１４および蛍光体層１６の形成領域および防湿保護膜１８の形成方法が異なり、それ以外の製造方法は、第１の実施形態の蛍光体パネル１０の製造方法と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【００８０】
本実施形態の蛍光体パネル３０の製造方法においては、第１の実施形態と同様に、アルミニウムからなる基体３４（図５参照）を用意し、この基体３４に溝３５（図５参照）を平面視四角形状に形成する。
次に、枠部３６（図５参照）を溝３５に嵌め込んで基板３２（図５参照）を形成する。
次に、剥離可能で、かつ枠部３６の熱膨張に追従する柔軟性を有し、腐食防止層１４（図５参照）の形成領域に相当する開口が形成された第１マスク材（図示せず）を枠部３６の上面３６ａに貼り付ける。この第１マスク材によって腐食防止層１４の形成領域を規定する。
【００８１】
次に、基体３４の表面３４ａ（図５参照）に、例えば、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法などの気相成長法により腐食防止層１４（図５参照）を枠部３６の内側の基体３４の表面３４ａのみに形成する。
腐食防止層１４は、第１の実施形態と同様であり、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、もしくはＴｉＯ２などの酸化物、またはダイヤモンドライクカーボンからなる。
次に、第１マスク材を剥がす。
【００８２】
次に、剥離可能で、かつ枠部３６の熱膨張に追従する柔軟性を有し、蛍光体層１６（図５参照）の形成領域に相当する開口が形成された第２マスク材（図示せず）を枠部３６の上面３６ａに貼り付ける。この第２マスク材によって蛍光体層１６の蒸着領域を規定する。
本実施形態において、第１マスク材と第２マスク材との開口の大きさは同じである。
次に、第１の実施形態と同様に、真空蒸着法により、上述の組成を有する蛍光体層１６（図５参照）を、腐食防止層１４上における枠部３６の内側の所定領域のみに形成する。
次に、第１の実施形態と同様に、蛍光体層１６に加熱処理（アニール）を施す。
【００８３】
次に、枠部３６の上面３６ａに接着剤を塗布する。
次いで、熱ラミネーション法により、蛍光体層１６および枠部３６の上面３６ａに防湿保護フィルム（図示せず）を貼り付けて、外縁を腐食防止層１４および蛍光体層１６が形成された以外の領域α（図５参照）である枠部３６の上面３６ａに密着させて防湿保護層１８（図５参照）を形成する。このようにして、蛍光体パネル３０を製造することができる。
【００８４】
本実施形態においては、枠部３６を基体３４に固定する固定方法は、溝３５を設けることに限定されるものではなく、接着剤を用いる方法等、公知の方法が、各種利用可能である。枠部３６を基体３４に固定する固定方法については、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱接着剤を用いるか、または溶融金属を用いて固定するのが好ましい。これにより、蛍光体層１６の蒸着時、または蒸着後の熱処理時に、枠部３６が基体３４から剥離するのを防ぐことができる。さらに、溶融金属による固定に関しては、上述の利点に加え、基体３４と枠部３６との接合部の透湿度を低くすることができる。
なお、耐熱接着剤は、特に限定されるものではなく、例えば、エポキシ接着剤を用いることができる。また、溶融金属も、同様に、特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム用半田を用いることができる。
【００８５】
また、枠部３６は、図５に示すように、基体３４に溝３５を形成し、この溝３５に、枠部３６を嵌め込んで、基体３４に枠部３６を固定するのが特に好ましい。これ以外にも、例えば、適切な冶具を用いて位置合わせをして、基体３４の表面３４ａに固定しても良い。
さらに、溝３５に枠部３６を嵌め込む構成とすることにより、枠部３６の厚さを、溝３５に差し込む部分の量だけ、基体３４の表面３４ａ上に固定する場合よりも厚くすることができ、機械的強度を高くすることができるとともに、製造上扱いやすくなり、また、枠部３６の寸法精度も確保しやすくなる。
【００８６】
また、本実施形態においては、上述の第１マスク材および第２マスク材を用いることにより、枠部３６および基板３２が熱膨張しても、これに第１マスク材および第２マスク材が追従するので、基板３２および枠部３６に対する、腐食防止層１４および蛍光体層１６の蒸着位置精度を確保することができ、基板３２上における所定領域に、高精度に腐食防止層１４および蛍光体層１６を形成することができる。その結果、蛍光体パネル３０上における撮像領域の精度が極めて高い、高品位な蛍光体パネルを安定して製造することができ、また、蛍光体パネルにおける画像保障サイズの低下および蛍光体パネルの大型化を防止することができる。
【００８７】
なお、第１マスク材および第２マスク材は、上述の条件を満たしていれば、特に限定されるものではなく、例えば、耐熱性粘着剤付きカプトンテープ(カプトンは、デュポン社の登録商標)を好適に用いることができる。
【００８８】
また、第１マスク材および第２マスク材を枠部３６に固定する方法は、特に限定されるものではなく、例えば、第１マスク材または第２マスク材を枠部３６に貼り付けた後、枠部３６の内側における第１マスク材または第２マスク材の余剰部分を、適切な冶具を用いて切り落とす方法が例示される。
【００８９】
なお、蛍光体層１６の成膜前の工程に、例えば、基板３２の表面に輝尽発光光を反射するための反射膜、あるいはさらに、反射膜上に反射膜を保護するためのバリア膜等を腐食防止層１４上に形成しても良いし、これらの膜を形成した基板３２上に、蛍光体層１６を形成してもよい。
【００９０】
以上、本発明の放射線像変換パネルおよびその製造方法について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良または変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【実施例】
【００９１】
以下、本発明の具体的な実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。
本実施例においては、実施例１、および実施例２の放射線像変換パネル（以下、蛍光体パネルという）、ならびに比較例１および比較例２の蛍光体パネルを作製し、これらの各蛍光体パネルについて以下に示す条件で、構造封止の評価および画像評価（「鮮鋭度」および「発光量」）を行った。
【００９２】
本実施例においては、実施例１および実施例２の蛍光体パネルの構成は、図５に示す蛍光体パネル３０の構成とした。また、比較例１、２の蛍光体パネルの構成は、図６に示す蛍光体パネル１１０の構成とした。この図６に示す蛍光体パネル１１０は、図５に示す蛍光体パネル３０に比して、腐食防止層１１２が基体３４の表面３４ａの全面に形成されている点が異なり、それ以外の構成は、図５に示す蛍光体パネル３０と同様の構成である。
【００９３】
次に、実施例１、２および比較例１、２の蛍光体パネルの製造方法について説明する。
実施例１、２および比較例１、２の放射線像変換パネルにおいては、基体３４（図５参照）には、Ａ７０７５材からなるアルミニウム系合金を用いた。なお、基体３４の大きさは、４５０ｍｍ×４５０ｍｍであり、厚さが１０ｍｍである。
【００９４】
また、枠部３６（図５参照）には、Ａ７０７５材からなるアルミニウム系合金を用いた。
【００９５】
先ず、上述の基体３４の表面３４ａ（図５参照）に、幅が５ｍｍ、深さが１．３ｍｍの溝３５を、平面視四角形状（４３０ｍｍ×４３０ｍｍ）に形成した。
次に、厚さが２ｍｍ、幅が４．８ｍｍ、外形寸法が４２９．９ｍｍ×４２９．９ｍｍの枠部３６を、溝３５に耐熱エポキシ接着剤（アレムコプロダクツ社製：アレムコボンド５２６Ｎ（商品名））を用いて接着した。これにより、基板３２（図５参照）を作製した。
次に、剥離可能で、かつ枠部３６の熱膨張に追従する柔軟性を有し、腐食防止層１４（図５参照）の形成領域に相当する開口が形成された第１マスク材（図示せず）を枠部３６の上面３６ａ（図５参照）に設けた。
【００９６】
次に、枠部３６に囲まれた基体３４の表面３４ａに、スパッタリングにより、材質がＳｉＯ２、またはＡｌ２Ｏ３からなる腐食防止層１４を形成した。
【００９７】
本実施例において、スパッタリングには、高周波（ＲＦ）スパッタ法を用いた。また、スパッタターゲットには、下記表１に示すＳｉＯ２、およびＡｌ２Ｏ３と略同じ組成を有する酸化物を用いた。このスパッタターゲットは、スパッタによる酸素欠損に対応するため、酸素の組成比を高くしたものであり、一方向に長く伸びたものである。また、導入ガスには、Ａｒガスを用い、チャンバ内の圧力（真空度）を０．５Ｐａとした。
なお、本実施例においては、スパッタリングによる成膜レートを２ｎｍ／秒とし、腐食防止層の成膜時には、スパッタターゲットの長さ方向と交差するように、基板を移動させて、厚さが均一な腐食防止層を形成した。
【００９８】
次に、蛍光体層の形成方法について説明する。
先ず、第１マスクを取り除き、新たに、剥離可能で、かつ枠部３６の熱膨張に追従する柔軟性を有し、蛍光体層１６（図５参照）の形成領域に相当する開口が形成された第２マスク材（図示せず）を枠部３６の上面３６ａに設けた。
【００９９】
ここで、蛍光体層１６の形成装置である真空蒸着装置について説明する。なお、本実施例において、蛍光体層の形成装置は、腐食防止層の形成装置とは異なるものを用いた。本実施例においては、図７に示すように、基板３２を搬送方向に直線搬送しつつ真空蒸着を行なう真空蒸着装置を用いた。
真空蒸着装置においては、真空チャンバ（図示せず）内の下方に加熱蒸発部２００が配置されている。また、本実施例の真空蒸発装置は、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）および臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）を成膜材料として用い、これらを個々に加熱蒸発させる二元の真空蒸着を行なうものである。このため、加熱蒸発部２００は、ユーロピウム蒸発部（以下、Ｅｕ蒸発部という）２０２ｂと、セシウム蒸発部（以下、Ｃｓ蒸発部という）２０２ａとを有している。
【０１００】
加熱蒸発部２００（Ｃｓ蒸発部２０２ａおよびＥｕ蒸発部２０２ｂ）は、基板３２の搬送方向と直交する方向に、Ｃｓ蒸発部２０２ａおよびＥｕ蒸発部２０２ｂがそれぞれ６つ配列されている。また、加熱蒸発部２００の上方には、それぞれ、Ｃｓ蒸発部２０２ａおよびＥｕ蒸発部２０２ｂに対応するシャッタ（図示せず）が配置されている。
【０１０１】
Ｅｕ蒸発部２０２ｂは、抵抗加熱装置（図示せず）によって、蒸発位置（ルツボ容器）に収容した臭化ユーロピウム（付活剤材料）を、抵抗加熱して蒸発させる機能を有する。
また、Ｃｓ蒸発部２０２ａは、抵抗加熱装置（図示せず）によって、蒸発位置（ルツボ容器）に収容した臭化セシウム（母体結晶材料）を、抵抗加熱して蒸発させる機能を有する。
また、真空チャンバ内には、基板３２を保持する基板ホルダー（図示せず）が設けられている。この基板ホルダーは、基板３２を搬送方向（ルツボの配列方向と直交する方向）に直線搬送可能な搬送機構に取り付けられている。これにより、基板３２は、直線状に複数回往復搬送することができる。さらに、この真空チャンバには真空排気装置が接続されている。蛍光体層の形成には、このような構成の真空蒸着装置を用いた。
【０１０２】
本実施例においては、蒸発源として、純度が４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度が３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）の溶融品を用意した。ＥｕＢｒ２溶融品は、酸化を防ぐため十分なハロゲン雰囲気としたチューブ炉中にて、白金製るつぼに粉体を入れ、温度８００℃に加熱して溶融、冷却後、炉から取り出して作製した。各原料中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ）はそれぞれ１０質量ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などの他の元素は、２質量ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ２中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０質量ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０質量ｐｐｍ以下であった。これらの原料は、吸湿性が高いので、露点が−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
【０１０３】
蛍光体層の形成に際しては、先ず、表面に酸化物層が形成された基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに設置した。なお、基板３２と加熱蒸発部２００との距離は１５ｃｍとした。
ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒ２蒸発源を装置内の抵抗加熱用ルツボ容器に充填した後、メイン排気バルブを開いて装置内を排気して、１×１０−３Ｐａの真空度とした。
このとき、真空排気装置としては、ロータリーポンプ、メカニカルブースター、およびディヒュージョンポンプの組み合わせたものを用いた。さらに、水分除去のため、水分排気用のクライオポンプを使用した。その後、排気をメイン排気バルブからバイパスに切り換え、装置内にＡｒガスを導入して、０．５Ｐａの真空度とし、プラズマ発生装置（イオンガン）によりＡｒプラズマを発生させ、腐食防止層の表面の洗浄を行なった。
【０１０４】
その後、排気をメイン排気バルブに切り換えて１×１０−３Ｐａの真空度まで排気後、再度排気をバイパスに切り換え、Ａｒガスを導入して１Ｐａの真空度とした。
【０１０５】
基板３２と加熱蒸発部２００（Ｃｓ蒸発部２０２ａおよびＥｕ蒸発部２０２ｂ）との間に設けられたシャッタを閉じた状態で、各蒸発源（ＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ2）をそれぞれ抵抗加熱装置で加熱溶融した後、まず、Ｃｓ蒸発部２０２ａ側のシャッタだけを開けて、基板３２の表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。
次いで、シャッタを開けた３分後にＥｕ蒸発部２０２ｂ側のシャッタも開いて、ＣｓＢｒ蛍光体母体の上にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。
このとき、形成される蛍光体層の厚さを均一にするため、基板３２を周期的に、２００ｍｍ／秒の搬送速度で直線搬送した。
【０１０６】
なお、堆積速度は８μｍ／分とした。また、加熱蒸発部２００の各々の抵抗加熱装置の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が、０．００１／１となるように制御した。
蒸着終了後、装置内を大気圧にし、装置から基板を取り出した。次に、熱処理炉に基板を入れて、熱処理炉の内部を窒素ガス雰囲気にし、温度２００℃で２時間、熱処理を行なった。
【０１０７】
これにより、枠部に囲まれた領域の腐食防止層上に、蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に延びた密に林立した構造の蛍光体層１６（図５参照）が形成された。なお、蛍光体層の厚さは、７００μｍであった。
【０１０８】
次に、枠部３６の上面３６ａに、接着剤（ポリエステル系樹脂（東洋紡製：バイロン（登録商標）３００））を塗布する。
次いで、熱ラミネーション法により、蛍光体層１６および枠部３６の上面３６ａに防湿保護フィルム（図示せず）を貼り付けて、外縁を腐食防止層１４および蛍光体層１６が形成された以外の領域α（図５参照）である枠部３６の上面３６ａに密着させて防湿保護層１８（図５参照）を形成する。このようにして、実施例１、２の蛍光体パネルを製造した。なお、防湿保護フィルムには、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ２膜と、ＳｉＯ２とＰＶＡとのハイブリット層と、ＳｉＯ２膜との３層構造のものを用いた。
【０１０９】
なお、比較例１、２の蛍光体パネルは、枠部を基体に接着する前に、溝を形成した段階で、基体の全面に溝を含めて腐食防止層を形成し、それ以外は、実施例１、２の蛍光体パネルと同様に製造したものである。
【０１１０】
次に、本実施例において評価を行った下記表１に示す「構造封止」の評価について説明する。
「構造封止」については、蛍光体層を形成する前の状態の実施例１、２、および比較例１、２の蛍光体パネルに相当する基板を用いた。すなわち、実施例１、２、および比較例１、２の蛍光体パネルに相当する腐食防止層を形成した基板を用いた。
【０１１１】
また、「構造封止」においては、実施例１の蛍光体パネルに相当する基板に対して、ＣａＣｌ２（塩化カルシウム）を枠部内に配置し、枠部の上面にアルミニウム蒸着フィルム（透湿度：０．０１（ｇ／（ｍ２・２４ｈ））以下）を接着して、枠部に囲まれる領域を封止した。なお、アルミニウム蒸着フィルムには、共同包材（株）製のＰＯＲＩＲ  ＴＤＭを用いた。また、接着には、両面テープ（日東電工社製：ＣＳ９６２１（商品名））を用いた。
【０１１２】
まず、実施例１の蛍光体パネルに相当する基板を、温度が４０℃、相対湿度が９０％の恒温恒湿槽の中に２０日放置した。その後、実施例１の蛍光体パネルに相当する基板を恒温恒湿槽から取り出した。次に、実施例１の蛍光体パネルに相当する基板におけるＣａＣｌ２（塩化カルシウム）の増加質量を測定し、透湿度を算出した。この透湿度を評価に用いた。後述する評価基準に基づいて「構造封止」を評価した。この結果を下記表１に示す。
構造封止の評価基準においては、透湿度が０．１（ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下）のものを「○」と判定し、透湿度が０．１（ｇ／（ｍ２・２４ｈ））を超えるものを「×」と判定する。
【０１１３】
なお、実施例２、および比較例１、２の蛍光体パネルに相当する各基板に対しても、実施例１の蛍光体パネルに相当する基板と同様に、それぞれ、ＣａＣｌ２（塩化カルシウム）を枠部内に配置し、枠部の上面にアルミニウム蒸着フィルム（共同包材（株）製のＰＯＲＩＲ  ＴＤＭ（透湿度：０．０１（ｇ／（ｍ２・２４ｈ））以下））を両面テープ（日東電工社製ＣＳ９６２１（商品名））を用いて接着し、枠部に囲まれる領域を封止した。
【０１１４】
次に、実施例２、および比較例１、２の蛍光体パネルに相当する各基板を、それぞれ、温度が４０℃、相対湿度が９０％の恒温恒湿槽の中に２０日放置した。その後、実施例２、および比較例１、２の蛍光体パネルに相当する各基板を恒温恒湿槽から取り出した。
次に、実施例２、および比較例１、２の蛍光体パネルに相当する各基板におけるＣａＣｌ２（塩化カルシウム）の増加質量を測定し、実施例２、および比較例１、２の蛍光体パネルに相当する各基板について、それぞれ透湿度を算出した。そして、各透湿度を評価に用い、上述の透湿度の評価基準で、実施例２の蛍光体パネル、ならびに比較例１および比較例２の蛍光体パネルに相当する各基板ついて「構造封止」を評価した。これらの結果を下記表１に示す。
【０１１５】
次に、本実施例において評価を行った下記表１に示す「鮮鋭度」および「発光量」について説明する。
「鮮鋭度」については、先ず、恒温恒湿環境に曝す前に、実施例１の蛍光体パネルに対して、管電圧８０ｋＶｐ（８０ｍＲ相当）のＸ線を照射した後、６６０ｎｍの励起光を照射して蛍光体層から照射される輝尽発光を放射線画像情報読取装置（富士写真フイルム社製  ＶＥＬＯＣＩＴＹ（商品名））で読み取り、実施例１の蛍光体パネルのＭＴＦ（１サイクル／ｍｍ）を算出した。
【０１１６】
次に、実施例１の蛍光体パネルを、温度が３０℃、相対湿度が８０％の恒温恒湿槽の中に３０日放置した。その後、恒温恒湿槽から取り出し、上述の測定方法を用いて、実施例１の蛍光体パネルのＭＴＦ（１サイクル／ｍｍ）を算出した。
次に、実施例１の蛍光体パネルの恒温恒湿環境に曝す前後のＭＴＦの相対値を算出した。この相対値を「鮮鋭度」の評価に用いた。後述する評価基準に基づいて「鮮鋭度」を評価した。この結果を下記表１に示す。
【０１１７】
「鮮鋭度」の評価においては、蛍光体パネルの恒温恒湿環境に曝す前のＭＴＦの鮮鋭度を基準とした。蛍光体パネルの恒温恒湿環境に曝す前のＭＴＦの数値を１００とし、恒温恒湿環境に曝した後のＭＴＦを、この基準の数値（１００）に対する相対値で「鮮鋭度」を評価した。
「鮮鋭度」の評価基準においては、恒温恒湿環境に曝した後のＭＴＦの相対値が９０以上であれば「○」と判定し、恒温恒湿環境に曝した後のＭＴＦの相対値が９０未満では「×」と判定する。
【０１１８】
なお、実施例１の蛍光体パネルと同様に、実施例２の蛍光体パネル、ならびに比較例１および比較例２の蛍光体パネルについて、恒温恒湿環境に曝す前後におけるＭＴＦを測定し、蛍光体パネルの恒温恒湿環境に曝した後のＭＴＦの相対値を算出した。そして、上述の鮮鋭度の評価基準で、実施例２の蛍光体パネル、ならびに比較例１および比較例２の蛍光体パネルについて「鮮鋭度」を評価した。これらの結果を下記表１に示す。
【０１１９】
また、「発光量」については、先ず、恒温恒湿環境に曝す前に、実施例１の蛍光体パネルに対して、管電圧８０ｋＶｐ（８０ｍＲ相当）のＸ線を照射した後、６６０ｎｍの励起光を照射して蛍光体層から照射される輝尽発光を放射線画像情報読取装置（富士写真フイルム社製  ＶＥＬＯＣＩＴＹ（商品名））で読み取り、実施例１の蛍光体パネルの発光量を測定した。
次に、実施例１の蛍光体パネルを、温度が３０℃、相対湿度が８０％の恒温恒湿槽の中に３０日放置した。その後、恒温恒湿槽から取り出し、上述の測定方法を用いて、実施例１の蛍光体パネルの発光量を測定した。
次に、実施例１の蛍光体パネルの恒温恒湿環境に曝した後の発光量の低下率を算出した。
本実施例において、「発光量」の評価には、発光量の低下率を用いた。後述する評価基準に基づいて「発光量」を評価した。この結果を下記表１に示す。
【０１２０】
「発光量」の評価基準においては、発光量の低下率が医療診断上で特に問題とならない１０％以下であれば「○」と判定し、医療診断上問題となる発光量の低下率が１０％を超えるものを「×」と判定する。
【０１２１】
なお、実施例１の蛍光体パネルと同様に、実施例２の蛍光体パネル、ならびに比較例１および比較例２の蛍光体パネルについて、恒温恒湿環境に曝す前後における発光量を測定し、蛍光体パネルの恒温恒湿環境に曝した後の発光量の低下率を算出した。そして、上述の発光量の評価基準で、実施例２の蛍光体パネル、ならびに比較例１および比較例２の蛍光体パネルについて「発光量」を評価した。これらの結果を下記表１に示す。
【０１２２】
また、総合判定として、「鮮鋭度」および「発光量」の評価項目のうち、全ての評価が「○」であるものを「○」と判定する。また、「鮮鋭度」および「発光量」の評価項目のうち、１つでも「×」があるものを「×」と判定する。これらの評価結果を下記表１に示す。
【０１２３】
【表１】
2007263712.tif 000003
【０１２４】
上記表１に示すように、蛍光体層形成領域だけに腐食防止層を形成した実施例１および実施例２の蛍光体パネルは「構造封止」、「鮮鋭度」および「発光量」について、いずれも評価は「○」であり、いずれも医療画像として十分な画質が得られるものである。
【０１２５】
一方、基板全面に腐食防止層が形成されている比較例１および比較例２は、「鮮鋭度」および「発光量」について、いずれも評価は「×」であり、医療画像として十分な画質が得られないものである。
さらに、比較例１および比較例２は、「構造封止」についても、いずれも評価は「×」であり、水分が枠体内に進入した。このため、比較例１および比較例２は、蛍光体層が吸湿して結晶構造が崩壊（潮解）し、「鮮鋭度」および「発光量」がともに低下することが予測される。これは、比較例１および比較例２の「鮮鋭度」および「発光量」の評価と一致している。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る放射線像変換パネルと腐食防止層の形成領域が異なる放射線像変換パネルを示す模式的断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す放射線像変換パネルの欠点を説明する模式図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図６】本発明の比較例１および比較例２の放射線像変換パネルの構成を示す模式的断面図である。
【図７】本発明の実施例において、蛍光体層の作製に用いた真空蒸着装置の概略構成を示す模式的平面図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１０、２０、２２、３０、１００、１１０  放射線像変換パネル（蛍光体パネル）
１２、３２  基板
１２ａ、３４ａ  表面
１２ｂ、３４ｂ、３６ｂ  側面
１２ｃ  裏面
１４、１４ａ、１０２、１１２  腐食防止層
１６  輝尽性蛍光体層（蛍光体層）
１８  防湿保護層
３４  基体
３５  溝
３６  枠部
３６ａ  上面
３８  領域
２００  加熱蒸発部
２０２ａ  セシウム蒸発部（Ｃｓ蒸発部）
２０２ｂ  ユーロピウム蒸発部（Ｅｕ蒸発部）
【図１】
2007263712.tif 000004
【図２】
2007263712.tif 000005
【図３】
2007263712.tif 000006
【図４】
2007263712.tif 000007
【図５】
2007263712.tif 000008
【図６】
2007263712.tif 000009
【図７】
2007263712.tif 000010