(57)【要約】【課題】特性の揃った有機ＥＬパネルを効率よく製造することができる有機ＥＬパネルの製造方法及びこの製造方法により製造された有機ＥＬパネルを提供する。【解決手段】フレキシブル基板に少なくとも第１の電極と発光層を含む一層以上の有機層と第２の電極とで構成される有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、基板保持部に保持されたフレキシブル基板の上に、蒸発源にセットされた原料を蒸発させて成膜することで有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するための有機層成膜工程を有し、基板保持部がフレキシブル基板を曲げて保持した状態で成膜する。【選択図】図３
2007242322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板に少なくとも第１の電極と発光層を含む一層以上の有機層と第２の電極とで構成される有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
基板保持部に保持された前記フレキシブル基板の上に、蒸発源にセットされた原料を蒸発させて成膜することで前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するための有機層成膜工程を有し、
前記基板保持部が前記フレキシブル基板を曲げて保持した状態で成膜することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項２】
前記基板保持部に保持されている前記フレキシブル基板は、前記蒸発源に対し凹形状に湾曲していることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項３】
前記基板保持部に保持されている前記フレキシブル基板は、前記フレキシブル基板と前記蒸発源との距離が一定となるように湾曲していることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項４】
前記基板保持部に保持されている前記フレキシブル基板は、前記フレキシブル基板の一部が屈曲していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項５】
前記基板保持部に前記フレキシブル基板を供給する基板供給工程と、
前記フレキシブル基板の上に前記原料を蒸発させて成膜した後、前記基板保持部から前記フレキシブル基板を取り除く基板排出工程と、を含み、
前記基板供給工程で供給される前記フレキシブル基板は、前記フレキシブル基板が巻かれているロールから前記基板保持部に供給されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項６】
前記基板保持部に、前記フレキシブル基板を供給する基板供給工程と、
前記フレキシブル基板の上に前記原料を蒸発させて成膜した後、前記基板保持部から、前記フレキシブル基板を取り除く基板排出工程と、を含み、
前記基板排出工程で排出される前記フレキシブル基板は、巻き取られることで排出されロールとなることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項７】
前記有機層成膜工程で成膜される前記フレキシブル基板は、第１の電極を有しており、
前記フレキシブル基板が巻かれている方向と前記第１の電極が伸びている方向とが異なる方向であることを特徴とする請求項５又は６に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項８】
前記基板保持部に、前記フレキシブル基板を供給する基板供給工程と、
前記フレキシブル基板の上に前記原料を蒸発させて成膜した後、前記基板保持部から前記フレキシブル基板を取り除く基板排出工程と、を含み、
前記基板供給工程と前記基板排出工程とで扱われる前記フレキシブル基板は枚葉で行うことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法で製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とも呼ぶ。）は、自発光素子であるため、高コントラストなディスプレイ用光源、バックライトや照明用の光源として期待されており、より発光輝度が高く、輝度ムラが少なく、さらに破壊し難い等のより高性能、高品質な有機ＥＬ素子が求められている。
【０００３】
図１に典型的な有機ＥＬ素子の構成の一例を示す。有機ＥＬ素子１Ａにおいて、１０１は透明基板、１０２は第１の電極、１０３は有機層、１０４は第２の電極である。一般に有機層１０３には単層、多層構造のいずれも用いられている。例えば、有機層が正孔輸送層と発光層とからなる二層構造の場合には、両電極間に電圧が印加されると、陽極から正孔輸送層に注入された正孔と、陰極から発光層に注入された電子とが再結合し、発光を生じる。
【０００４】
このように有機ＥＬ素子は非常に簡単な構造でありながら、低駆動電圧で高輝度発光が可能であり、また発光色も分子設計により比較的容易に変更可能であることなどから、各種光源や表示装置としての実用化が始まっている。
【０００５】
有機ＥＬ素子を表示装置として使用する場合、一般に、ドットマトリクスパネルを形成する必要がある。このドットマトリクスパネルの駆動方法は、ＴＦＴを画素毎に配置し、画素一つ一つを個別に制御するアクティブマトリクス方式（例えば、特許文献１参照）と、ＴＦＴを使用せず第１の電極の陽極と第２の電極の陰極とを互いに交差する方向に配置されており、１ラインづつ線順次駆動するパッシブマトリクス方式（図２参照）の２つに分けられ、両方式共に開発が進められている。いずれの方式であっても有機物を均一に成膜することが必要であり、成膜法の一つとして、真空蒸着法がある。
【０００６】
一般的な真空蒸着法を用いて成膜する成膜装置を図１０に模式的に示す。成膜装置１０Ａにおいて、１００１は真空チャンバー、１００５は成膜する原料を蒸発させるための蒸発源、１００７は成膜される基板、１０１１は基板１００７を保持する基板保持部、１００３は真空チャンバー１００１の中の空気を排気するための真空ポンプを示す。
【０００７】
成膜装置１０Ａを用いて成膜する方法は、以下の通りである。まず、基板保持部１０１１に成膜される基板１００７をセットし、蒸発源１００５に基板１００７に成膜する原料をセットする。この後、真空ポンプ１００３により真空チャンバーの中の空気を排気して、真空チャンバー１００１の中が所望の真空度となったところで、蒸発源１００５の中の原料を抵抗加熱法、電子ビーム法等により加熱して矢印が示す様な方向に蒸発させることで基板１００７の上に原料膜が形成される。
【０００８】
上述の成膜装置１０Ａを用いて基板１００７に成膜された原料膜の厚みは、蒸発源からの距離によって厚みの均一な範囲が決まっており、特に蒸発源からの距離が遠くなる基板１００７の端部（例えば、１００７Ｅ）は、蒸発源からの距離が近い基板１００７の中央部（例えば、１００７Ｃ）に比べて膜厚が薄くなる。原理的には、膜厚は、蒸着距離（蒸発源から成膜面までの距離）の自乗に反比例することが分かっている。
【０００９】
有機ＥＬパネルを上述の成膜装置１０Ａのような真空蒸着法を用いて成膜することで製造する場合、例えば小さな有機ＥＬパネルを１枚の大きな基板から多数個取る場合、基板の中央部からとった有機ＥＬパネルと基板の端部からとった有機ＥＬパネルとでは形成された膜の厚みが異なることになる。
【００１０】
有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子は、電流注入型のデバイスであり、その発光輝度は注入された電流量にほぼ比例するため、発光輝度は有機ＥＬパネルに印加される電圧はもちろんのこと、素子構成、膜厚等によっても大きく変化する。例えば、同一の有機ＥＬパネル内で素子を構成する層の膜厚に偏りがある場合、膜厚が薄い部分により多くの電流が流れ発光輝度も高くなることがある。従って、上述の成膜装置１０Ａを用いて有機ＥＬパネルを製造した場合、基板の中央部から取りだした有機ＥＬパネルと基板の端部から取りだした有機ＥＬパネルとでは、例えば、輝度のバラツキが生じることになり、良品とならない有機ＥＬパネルが生じることにより製造効率が低下するという課題がある。
【００１１】
こうした課題に対して、以下の方法がある。有機ＥＬパネルの構成層を成膜する蒸着装置内に雰囲気ガスを導入し、雰囲気ガスの平均自由工程を調整して、有機ＥＬ素子の構成層からなる画素群が基板上に配置された有機ＥＬパネルにおいて、画素内における構成層の膜厚分布のバラツキを平均膜厚の±１０％以内とする（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平９−１３９２８６号公報
【特許文献２】特開２００４−３９３６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１において、雰囲気ガスの平均自由工程を調整する方法として、雰囲気ガスを不活性ガスとして、この不活性ガスの圧力、温度等で行うことから、不活性ガスの圧力、温度等の調整が煩雑であり、また安定させることが難しいと予測できる。また、蒸発して飛んで行く原料の粒子を雰囲気ガスの中の分子等の粒子に衝突させることで拡散させるため、成膜速度が低下し、原料の使用効率が悪くなる。更に、例えば、大きな基板より複数の有機ＥＬパネルを製造する場合、複数の有機ＥＬパネル間での各有機ＥＬパネルを構成する有機ＴＥＬ素子が有する有機層の膜厚分布のバラツキに関しては記載されていない。
【００１３】
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、特性の揃った有機ＥＬパネルを効率よく製造することができる有機ＥＬパネルの製造方法及びこの製造方法により製造された有機ＥＬパネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題は、以下の構成により解決される。
【００１５】
１．  フレキシブル基板に少なくとも第１の電極と発光層を含む一層以上の有機層と第２の電極とで構成される有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
基板保持部に保持された前記フレキシブル基板の上に、蒸発源にセットされた原料を蒸発させて成膜することで前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するための有機層成膜工程を有し、
前記基板保持部が前記フレキシブル基板を曲げて保持した状態で成膜することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００１６】
２．  前記基板保持部に保持されている前記フレキシブル基板は、前記蒸発源に対し凹形状に湾曲していることを特徴とする１に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００１７】
３．  前記基板保持部に保持されている前記フレキシブル基板は、前記フレキシブル基板と前記蒸発源との距離が一定となるように湾曲していることを特徴とする１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００１８】
４．  前記基板保持部に保持されている前記フレキシブル基板は、前記フレキシブル基板の一部が屈曲していることを特徴とする１乃至３の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００１９】
５．  前記基板保持部に前記フレキシブル基板を供給する基板供給工程と、
前記フレキシブル基板の上に前記原料を蒸発させて成膜した後、前記基板保持部から前記フレキシブル基板を取り除く基板排出工程と、を含み、
前記基板供給工程で供給される前記フレキシブル基板は、前記フレキシブル基板が巻かれているロールから前記基板保持部に供給されることを特徴とする１乃至４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００２０】
６．  前記基板保持部に、前記フレキシブル基板を供給する基板供給工程と、
前記フレキシブル基板の上に前記原料を蒸発させて成膜した後、前記基板保持部から、前記フレキシブル基板を取り除く基板排出工程と、を含み、
前記基板排出工程で排出される前記フレキシブル基板は、巻き取られることで排出されロールとなることを特徴とする１乃至５の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００２１】
７．  前記有機層成膜工程で成膜される前記フレキシブル基板は、第１の電極を有しており、
前記フレキシブル基板が巻かれている方向と前記第１の電極が伸びている方向とが異なる方向であることを特徴とする５又は６に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００２２】
８．  前記基板保持部に、前記フレキシブル基板を供給する基板供給工程と、
前記フレキシブル基板の上に前記原料を蒸発させて成膜した後、前記基板保持部から前記フレキシブル基板を取り除く基板排出工程と、を含み、
前記基板供給工程と前記基板排出工程とで扱われる前記フレキシブル基板は枚葉で行うことを特徴とする１乃至４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００２３】
９．  １乃至８の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法で製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、有機ＥＬ素子が蒸着法による成膜により形成されるフレキシブル基板を、蒸発源に対して凹形状に湾曲させたり、蒸発源から基板までの距離を一定となるように湾曲させたり、基板の一部を曲げることで、有機ＥＬ素子の有機層を構成する膜を形成する原料を蒸発させる蒸発源からフレキシブル基板までの距離及び蒸発源に対する成膜されるフレキシブル基板面の角度を調節することができることから、フレキシブル基板の上に成膜された膜の膜厚分布を制御することができる。また、成膜されるフレキシブル基板は、１枚づつに分離されている状態でもロール状態でも良いことから、例えば生産量に応じて、効率的な製造方法を選択することができる。従って、特性の揃った有機ＥＬパネルを効率よく製造することができる有機ＥＬパネルの製造方法及びこの製造方法により製造された有機ＥＬパネルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明に係わる有機ＥＬパネルに関して、好適な実施の形態について図を参照して以下に示す。
【００２６】
本発明に係わる実施の形態の一例の有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の構造を図１に模式的に示す。有機ＥＬ素子１Ａは、図１（ａ）に示すように、１０１ａは透明基板、１０１ｂはバリア層、１０２は透明電極（陽極）、１０３は有機層、１０４は電極（陰極）で構成されている。有機層１０３は、図１（ｂ）に示すように、正孔注入層１０３ａ、正孔輸送層１０３ｂ、発光層１０３ｃ、ブロッキング層１０３ｄ、電子輸送層１０３ｅ、電子注入層１０３ｆを積層したものとしている。
【００２７】
図１に示すような有機ＥＬ素子１Ａをマトリクス状に配置することで、図２に示す様な有機ＥＬパネル２Ａを構成することができる。図２に示す符号は、図１と同じとしている。基板１０１の上に透明電極１０２が設けられ、これに直交する有機層１０３及び陰極１０４が設けられている。特定の透明電極１０２と特定の陰極１０４に電圧を印加することで、直交した個所にある有機層１０３を発光させることができる。
【００２８】
ここで、有機ＥＬ素子を形成する成膜装置に関して説明する。特に、有機発光層を形成する方法は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等が挙げられる。この中で真空蒸着法を用いるのがより好ましく、より詳しくは、抵抗加熱法や電子ビーム法を挙げることができる。
【００２９】
図３（ａ）に、本発明に係わる曲げられた基板に成膜する成膜装置である真空蒸着装置３Ａを模式的に示す。真空蒸着装置（以降、成膜装置と称する）３Ａは、抵抗加熱法による真空蒸着を行うことを可能とする装置で、３０１は真空チャンバー、３０５は成膜する原料を蒸発させるための蒸発源、３０７は成膜される基板、３１１は基板３０７を保持する基板保持部、３０３は真空チャンバー３０１の中の空気を排気するための真空ポンプを示す。
【００３０】
成膜装置３Ａを用いて成膜する方法は、以下の通りである。まず、基板保持部３１１に成膜される基板３０７をセットし、蒸発源３０５に基板３０７の上に成膜する原料をセットする。この後、真空ポンプ３０３により真空チャンバー３０１の中の空気を排気して、真空チャンバー３０１の中が所望の真空度にする。この後、蒸発源３０５の中の原料を、真空チャンバーの外部に設けた電源（図示しない）を用いて原料を入れた蒸発源３０５である抵抗体でなる容器に電流を流して容器を加熱して、例として示す矢印の方向に蒸発させることで基板３０７の上に原料膜が形成される。
【００３１】
基板保持部３１１は、基板３０７を保持するに際し、蒸発源３０５から基板３０７の成膜面までの距離（蒸着距離とも称する。）が一定となるように基板３０７をカマボコ状（円筒の一部を円筒軸方向に切断した形状）に曲げて保持している。このように基板３０７が曲げられて保持された状態で成膜を行うと、蒸発源３０５から蒸発される原料が基板３０７の上に均一に堆積することから厚みが均一な原料膜を形成することができる。尚、紙面に垂直な方向となる基板の幅は、形成される膜の厚みが許容可能な範囲となるように決定すれば良い。
【００３２】
基板３０７を曲げて保持する方法として、例えば、図３（ａ）のＸ−Ｘ’位置での断面を示す図３（ｂ−１）、（ｂ−２）の内図３（ｂ−２）が示す様に、蒸発源３０５側に凹形状に湾曲した下側の保持部材３１１ｂと上側の保持部材３１１ａとで基板３０７の両端部を挟むことで保持できる。基板３０７を挟むことで保持する方法は、基板が１枚ずつ供給（枚葉方式）される場合は勿論のこと、基板がロール状で供給される連続した状態でも対応できる。
【００３３】
具体的には、下側の蒸着源に対し開口を有する保持部材３１１ｂと上側の保持部材３１１ａとが離れた開放状態（図３（ｂ−１））で、基板３０７が枚葉方式で供給される場合、１枚の基板３０７を下側の保持部材３１１ｂと上側の保持部材３１１ａと間に差し込むように供給し、基板３０７がロール状で供給される場合、例えば、既に成膜された領域部分を送り出した後、新規に成膜する領域部分を供給する。次に、基板３０７が供給された後、下側の保持部材３１１ｂと上側の保持部材３１１ａとで基板３０７を挟み込む（図３（ｂ−２））ことで、基板３０７を蒸発源３０５に対して凹形状に湾曲した状態で固定することができる。この基板３０７の凹形状は、基板保持部材３１１の形状に基板３０７が倣うことから、所望の基板３０７の曲げ状態に合わせて基板保持部材３１１の形状を設定することで対応することができる。
【００３４】
尚、基板３０７の供給の枚葉方式の例として基板を１枚として説明したが、例えば、基板保持部材３１１の上側及び下側の保持部材３１１ａ、３１１ｂを田の字のような格子を新たに設けて、各格子に１枚の基板を保持することで４枚を保持可能とする様な、基板を複数枚とする、いわゆるバッチ処理とすることができる。
【００３５】
また、基板がロール状で連続して供給される場合、基板３０７を凹形状に湾曲させて保持する別の方法を図４に示す（真空チャンバー等の周辺装置は、省略する。）。図４（ａ）のＹ−Ｙ’位置での断面を示す図４（ｂ）が示す様に基板４０７の両端部（紙面に垂直方向の両端部）に基板保持部４１１として基板４０７を挟む下ローラー４１１ｂ及び上ローラー４１１ａを設けることで、基板４０７を容易に移動させることができると同時に蒸発源４０５に対して凹形状を維持することができる。４１５は、下ローラー４１１ｂの軸、４１３は上ローラー４１１ａの軸、４１７ａは、軸４１３を保持するための弓形状の保持部材、４１７ｂは、軸４１５を保持するための弓形状の保持部材である。尚、基板４０７は、基板４０７が巻かれてロール状の基板供給部４２０から供給され、成膜後、巻き取られてロール状として基板収納部４３０に収納される。
【００３６】
図４に示すように有機ＥＬパネルが製造される基板４０７がロールで供給され、成膜後再び巻き取られてロールとされるいわゆるロールトゥロール（ＲｔｏＲ）方式の基板供給方法を採用することで、製造工程、例えば有機層成膜工程、を連続とすることができるだけでなく、製造工程がタクトタイムの都合上分離する必要がる場合であってもロール状態で保管、移動が容易となることから大量の有機ＥＬパネルを効率良く製造することができる。また、枚葉方式の場合は、製造設備を小規模とすることができ、例えば、基板保持部材を交換することで様々な大きさの基板に容易に対応出来るといったフレキシブルな製造に対応することができる。
【００３７】
図３の基板保持部３１１及び図４の基板保持部４１１を用いて蒸着距離が一定となるように基板３０７、４０７を湾曲させて保持しているとしたが、例えば、成膜面の膜厚のバラツキの許容範囲が広い場合は、基板３０７、４０７をより水平に近い方向に開いた凹形状として対応することができる。
【００３８】
また、例えば、図３（ａ）に示す基板３０７の右側の膜厚を左側より薄くしたい場合、図５に示す基板保持部５１１のような蒸発源５０５の真上の基板５０７の右側部分を下に凹形状で蒸発源５０５から基板５０７の成膜面までの距離が一定となるように湾曲させ、基板５０７の右側部分を水平とするように保持部材５１１を設ける。このようにすると、基板５０７に成膜された膜厚は、図５の位置Ｃから位置Ｂの範囲は、蒸着距離が同じであることから、同じ膜厚となり、位置Ｃから位置Ａの範囲は、位置Ａに近づくに従い蒸着距離が遠くなり、また成膜される基板面における法線５１１と基板面と法線５１１とが交わる位置から蒸発源に向かう方向とが成す角度θが大きくなることから、形成される膜厚を薄い状態とすることができる。尚、紙面に垂直な方向の基板の幅は、形成される膜の厚みが許容可能な範囲となる様に決定すれば良い。
【００３９】
また、図９に示す様に、２つの蒸発源を用いる、例えば、発光層をホスト化合物とドーパントとで成膜する場合、蒸着源９０５、９０６から同時に蒸着を行う共蒸着を行う必要がある。共蒸着で成膜されるホスト化合物とドーパントとの混合割合及びホスト化合物の成膜量により発光特性を変えることができる。そこで、各蒸着源と成膜される基板面との相対距離及び角度を基板を曲げることで２つの蒸着源から基板の成膜面に到達する原料の比率、量を調整することで基板９０７全域において発光特性の良い有機ＥＬパネルを製造することができる。
【００４０】
更に、例えば、蒸着装置内部の構造により蒸発された原料が基板の上に十分に到達せず膜厚が薄い領域が生じるような場合、基板を部分的に屈曲させて、基板と蒸着源との蒸着距離及び角度を調整して、相対的に先の膜厚が薄い領域以外に到達する原料を減少させることで基板面に成膜される膜厚分布がより均一になるように制御するができる。また、上述の場合と逆に、基板を曲げることで膜厚分布を、均一ではなく、不均一にすることもできる。
【００４１】
図２に示す様な有機ＥＬパネル２Ａを製造する際、透明電極１０２が形成された基板１０１がロールで供給され、成膜後、再び巻き取られてロールで収納されるロールトゥロール方式の場合、透明電極１０２のストライプ状に伸びている方向は、ロール状に巻かれる方向と異なる方向とするのが好ましく、さらに直交方向とするのがより好ましい。透明電極が伸びる方向を基板が巻かれる方向と異なるようにすることで、基板１０１と透明電極１０２との応力により透明電極１０２に破断等が生じることによる有機ＥＬ素子の駆動電流が流れ難い、又は流れないといった不具合の発生を抑えることができる。
【００４２】
この透明電極１０２が形成されたロールで供給される基板と基板の上に形成されているストライプ状の透明電極の様子を模式的に図６に示す。基板６０７は、ロール状の基板供給部６２０から供給され、ロール状の基板巻き取り部６３０に巻き取られて収納される。この基板供給部６２０と基板巻き取り部６３０との間で、基板６０７に成膜が行われる。基板６０７に設けられている第１の電極であるストライプ上の透明電極６０１は、巻き取り方向と異なる、直交方向に伸びた状態である。尚、図６は、基板保持部や真空チャンバー等の成膜装置の周辺装置は省略している。
【００４３】
以下、有機ＥＬパネルを構成する図１に示す有機ＥＬ素子を構成する部材に関して説明する。
【００４４】
有機ＥＬ素子に用いることのできる透明基板ベース１０１ａは、フレキシブルであることから、透明樹脂フィルムとするのが好ましい。透明樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン（商品名、ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名、三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
【００４５】
バリア層１０１ｂは、一般に透明樹脂フィルムの表面に水分や酸素など有機ＥＬ素子の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を持つ無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜として形成されるものである。
【００４６】
バリア層１０１ｂのバリア性は水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍ以下を持つことが好ましく、更には、酸素透過度１０-3ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０-5ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下の高バリア性を持つことが好ましい。
【００４７】
このバリア層１０１ｂを形成する材料としては、上述の通り水分や酸素など有機ＥＬ素子の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。
【００４８】
また、バリア層１０１ｂの脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【００４９】
また、バリア層１０１ｂの形成方法については、蒸着法または塗布法であれば良く、例えば、蒸着法では、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などを用いることができる。塗布法では、ディップコート法、スピンコート法、バーコート法、スリットコート法、凸版印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット法、ディスペンサ法などを用いることができる。バリア層１０１ｂの厚みは、性能を達成できる厚みであればよいことから、必ずしも上述した成膜装置３Ａを用いて厚みのバラツキが少ない膜厚とする必要はない。
【００５０】
次に第１の電極となる透明電極１０２に関して説明する。透明電極１０２の材料は、高仕事関数の電極素材を用いるのが好ましく、具体例としてはＣｕＩ、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＳｎＯ2、ＩＺＯ等の透明導電材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（商品名、出光興産株式会社製）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。これらの透明導電材料を用いて薄膜を形成（成膜とも呼ぶ。）するには、一般的に、蒸着法やスパッタリング法等の方法により薄膜を形成する。
【００５１】
透明電極１０２の厚み（膜厚とも呼ぶ。）は材料にもよるが、例えば、ＩＴＯ膜の場合、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲で、望ましくは５０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲が選ばれる。また、透明電極１０２の厚みは、必要とする導電性能を達成できる厚み以上であればよいことから、必ずしも上述した成膜装置３Ａを用いて厚みのバラツキが少ない膜厚とする必要はない。
【００５２】
透明電極１０２の形成後、有機発光層１０３として、図１（ｂ）に示すように正孔注入層１０３ａ、正孔輸送層１０３ｂ、発光層１０３ｃ、正孔阻止層１０３ｄ、電子輸送層１０３ｅ、電子注入層１０３ｆを順次に形成する。
【００５３】
発光層１０３を構成する全ての層の形成は、上述した真空蒸着装置である成膜装置３Ａを用いることで、厚みのバラツキを少なくすることができる。従って、発光輝度のバラツキの少ない有機ＥＬ素子、延いては有機ＥＬパネルを製造することができる。
【００５４】
正孔注入層１０３ａ（注入層をバッファー層とも呼ぶ。）の材料としては、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）に代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【００５５】
電子注入層１０３ｆの材料としては、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウム（ＬｉＦ）に代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
【００５６】
上記の正孔注入層１０３ａ及び電子注入層１０３ｆは、いずれもごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【００５７】
正孔輸送層１０３ｂは、正孔を輸送する機能を有する材料（以下、正孔輸送材料という。）からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。
【００５８】
正孔輸送材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。
【００５９】
具体的には、たとえばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、または導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。
【００６０】
これらのうちでは、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物が好ましく、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【００６１】
上記芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）ビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、たとえば４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）などが挙げられる。
【００６２】
また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣなどの無機半導体も正孔輸送材料として使用することができる。
【００６３】
正孔輸送層１０３ｂの膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この正孔輸送層１０３ｂは、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【００６４】
電子輸送層１０３ｅは、電子を輸送する機能を有する材料（以下、電子輸送材料という。）からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。
【００６５】
従来、発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる。）として、下記の材料が知られている。また、電子輸送層１０３ｅは、陰極１０４より注入された電子を発光層１０３ｃに伝達する機能を有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して電子輸送材料として用いることもできる。
【００６６】
電子輸送材料としては、例えばニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。また、このオキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。
【００６７】
さらに、８−キノリノール誘導体の金属錯体、たとえばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3と略す。）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛など、およびこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。
【００６８】
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも電子輸送材料として好ましく用いることができる。
【００６９】
また、従来、発光層の材料として用いられているジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【００７０】
電子輸送層１０３ｅの膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この電子輸送層１０３ｅは、これらの電子輸送材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【００７１】
発光層１０３ｃは、少なくとも発光機能に関与する１種、または２種以上の有機化合物から成る。発光層１０３ｃは、正孔及び電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する。発光層１０３ｃの材料は、一般に有機ＥＬ素子で用いられている公知のものを使用することができる。例えば、キノリノラト錯体が知られている。具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス
（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メタン］等がある。発光層３０の膜厚としては、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５０００ｎｍ程度である。
【００７２】
正孔阻止層１０３ｄは、電子を輸送し、正孔を輸送する能力が著しく低い機能を有し、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【００７３】
正孔阻止層１０３ｄとしては、例えば特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日  エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載の正孔阻止（ホールブロック）層等を使用することが可能である。
【００７４】
陰極１０４の材料としては、一般に低仕事関数の金属又は合金が望ましく、例えばＭｇ／Ａｇ（マグネシウム／銀混合物）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｌｉ（リチウム）等が用いることが出来る。
【００７５】
陰極１０４の膜厚は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲になるように、蒸着法、例えば、真空蒸着やスパッタリング等の方法により形成することができる。また、陰極１０４の厚みは、導電性能を達成できる厚みであればよいことから、必ずしも上述した成膜装置３Ａを用いて厚みのバラツキが少ない膜厚とする必要はない。
【００７６】
この陰極１０４を設けることで所望の有機ＥＬ素子が得られる。作製した有機ＥＬ素子は、例えば空気中の水分や酸素の影響を受け難いように公知の保護膜（パッシべーション膜）で封止するのが好ましい。
【００７７】
これまでボトムエミッション方式の有機ＥＬパネルを例に説明したが、第１の電極を、例えばアルミニウムとし、第２の電極をＩＴＯ等の透明電極とするトップエミッション方式にも適用することができる。
【実施例】
【００７８】
以下、有機ＥＬパネルの製造に関しての実施例を示す。以下の実施例及び比較例において製造した有機ＥＬパネルの有機層の構成は、次の通りとした。正孔注入層は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）で厚み１０ｎｍ、正孔輸送層は、α−ＮＰＤ（４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル）で厚み３０ｎｍ、発光層は、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾル−ビフェニル）と緑色燐光性発光色素Ｉｒ（ｐｐｙ）3（トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体）とでの質量比１００：７とする共蒸着として厚み３０ｎｍ、ブロッキング層（正孔阻止層）は、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）で厚み１０ｎｍ、電子輸送層は、Ａｌｑ3（トリス（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム））で厚み４０ｎｍ、電子注入層は、ＬｉＦ（フッ化リチウム）で厚み１ｎｍとした。
【００７９】
（実施例１）
基板の材料は、フレキシブルな材料であるポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）とし、予めバリア層及び透明電極としてＩＴＯが積層されている。有機ＥＬパネルを製造する際の基板の供給は、一枚づつ行う枚葉方式とした。使用する成膜装置は、図３（ａ）に示す抵抗加熱方式の真空蒸着装置である成膜装置３Ａとした。
【００８０】
基板の上に製造された有機ＥＬパネルの様子を図７に示す。基板７０１の大きさは、一辺の長さを３０ｃｍとする正方形で、基板７０１の上に一辺の長さを１０ｃｍとする有機ＥＬパネル７０３を同時に９個製造した。各有機ＥＬパネル７０３には、特性を確認するためのテスト発光部７０５を持たせた。
【００８１】
成膜装置３Ａにおいて、蒸発源３０５と基板７０１（図７に示す。）となる基板３０７の成膜される面との距離である蒸着距離は、約５０ｃｍと一定になるように、基板７０１の成膜される面が蒸発源３０５に対して凹形状となるように保持部材３１１により基板７０１を保持した。この時、保持された基板３０７の中央の真下に蒸発源３０５がある。
【００８２】
成膜装置３Ａにセットされた基板３０７の透明電極の上に、上述の正孔注入層から電子注入層までの有機層を全て形成し、その後、陰極としてアルミニウム（Ａｌ）を成膜して有機ＥＬパネルを製造した。尚、各層を蒸着する際に必要なパターンを形成できるように、基板の蒸着面側に基板に形成される形状が所望のパターンとなるようなシャドウマスクを設けた。
【００８３】
製造した各有機ＥＬパネルにおいて、駆動電圧として直流６Ｖの電圧を印加して、各有機ＥＬパネルに設けたテスト発光部の輝度を比較した。この結果、図７に示す、基板７０１の端部Ｅの位置で製造された有機ＥＬパネルのテスト発光部の輝度は、中央部Ｃの位置で製造された有機ＥＬパネルのテスト発光部の輝度に対して１．０５倍であった。
【００８４】
（比較例１）
基板の材料は、平板状のガラスとし、予めバリア層及び透明電極としてＩＴＯが積層されている。有機ＥＬパネルを製造する際の基板の供給は、一枚づつ行う枚葉方式とした。使用する成膜装置は、図１０に示す抵抗加熱方式の真空蒸着装置である成膜装置１０Ａとした。
【００８５】
基板の上に製造された有機ＥＬパネルの様子は、実施例１と同じであり、図７に示す。
【００８６】
成膜装置１０Ａにおいて、蒸発源１００５と基板７０１（図７に示す。）となる基板１００７の成膜される面との距離である蒸着距離は、蒸着源１００５から真上に位置する基板１００７までを約５０ｃｍとなるように、基板保持部材１０１１により基板１００７を平板状に保持した。この時、保持された基板１００７の中央の真下に蒸発源１００５がある。
【００８７】
成膜装置１０Ａにセットされた基板１００７の透明電極の上に、上述の正孔注入層から電子注入層までの有機層を全て形成し、その後、陰極としてアルミニウム（Ａｌ）を成膜して有機ＥＬパネルを製造した。尚、各層を蒸着する際に必要なパターンを形成できるように、基板の蒸着面側に基板に形成される形状が所望のパターンとなるようなシャドウマスクを設けた。
【００８８】
製造した各有機ＥＬパネルにおいて、駆動電圧として直流６Ｖの電圧を印加して、各有機ＥＬパネルに設けたテスト発光部の輝度を比較した。この結果、図７に示す、基板の端部Ｅの位置で製造された有機ＥＬパネルのテスト発光部の輝度は、中央部Ｃの位置で製造された有機ＥＬパネルのテスト発光部の輝度に対して１．２倍であった。
【００８９】
（比較例２）
基板を実施例１と同じフレキシブルな材料であるポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）とした以外は、比較例１と同じとして、有機ＥＬパネルを製造した。
【００９０】
製造した各有機ＥＬパネルにおいて、駆動電圧として直流６Ｖの電圧を印加して、各有機ＥＬパネルに設けたテスト発光部の輝度を比較した。この結果、図７に示す、基板の端部Ｅの位置で製造された有機ＥＬパネルのテスト発光部の輝度は、中央部Ｃの位置で製造された有機ＥＬパネルのテスト発光部の輝度に対して１．２倍であった。
【００９１】
（実施例２）
基板の材料は、フレキシブルな材料であるポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）とし、予めバリア層及び透明電極としてＩＴＯが積層されている。有機ＥＬパネルを製造する際の基板の供給は、ロール状で供給し、成膜された基板は巻き取られてロール状とするＲｔｏＲ方式とした。使用する成膜装置は、図４に示す基板がロールで供給及び排出することができる抵抗加熱方式の真空蒸着装置である成膜装置４Ａとした。
【００９２】
基板の上に製造された有機ＥＬパネルの様子を図８に示す。基板８０１の幅は、３０ｃｍとし、基板８０１の上に一辺の長さを１０ｃｍとする有機ＥＬパネル８０３を同時に１５個製造した。各有機ＥＬパネル８０３には、特性を確認するためのテスト発光部８０５を持たせた。
【００９３】
成膜装置４Ａにおいて、蒸発源４０５と基板８０１（図８に示す。）となる基板４０７の成膜される面との距離である蒸着距離は、約５０ｃｍと一定になるように、基板８０１の成膜される面が蒸発源３０５に対して凹形状となるようにガイドローラーからなる保持部材４１１により基板８０１を保持した。この時、保持された基板４０７の有機ＥＬパネルが形成される領域の中央の真下に蒸発源４０５がある。
【００９４】
成膜装置４Ａにセットされた基板４０７の透明電極の上に、上述の正孔注入層から電子注入層までの有機層を全て形成し、その後、陰極としてアルミニウム（Ａｌ）を成膜して有機ＥＬパネルを製造した。尚、各層を蒸着する際に必要なパターンを形成できるように、基板の蒸着面側に基板に形成される形状が所望のパターンとなるようなシャドウマスクを設けた。
【００９５】
陰極を形成した後、基板８０１を巻き取ることで基板８０１をロール状８３０に収納した。尚、基板８０１に予めＩＴＯで形成されている透明電極（図示しない）は、有機ＥＬパネルのマトリクスを成すの一方の電極でありストライプ状となっている。このストライプ状の透明電極が伸びる方向は、基板８０１をロール状から供給し巻き取る方向に対し直交方向８５０とした。
【００９６】
製造した各有機ＥＬパネルにおいて、駆動電圧として直流６Ｖの電圧を印加して、各有機ＥＬパネルに設けたテスト発光部の輝度を比較した。この結果、図８に示す、基板の端部Ｅの位置で製造された有機ＥＬパネルのテスト発光部の輝度は、中央部Ｃの位置で製造された有機ＥＬパネルのテスト発光部の輝度に対して１．０５倍であった。また、電極不良による発光不良は、認められなかった。
【００９７】
（比較例３）
図４（ａ）に示すガイドローラー４１１による基板４０７の保持を状態を、図４と異なり、湾曲させることなく平面として、蒸着源４０５から蒸着源の真上の基板４０７の成膜面までの蒸着距離をほぼ５０ｃｍとなるようにした以外は、実施例２と同じとした。
【００９８】
製造した各有機ＥＬパネルにおいて、駆動電圧として直流６Ｖの電圧を印加して、各有機ＥＬパネルに設けたテスト発光部の輝度を比較した。この結果、図８に示す、基板の端部Ｅの位置で製造された有機ＥＬパネルのテスト発光部の輝度は、中央部Ｃの位置で製造された有機ＥＬパネルのテスト発光部の輝度に対して１．２倍であった。また、電極不良による発光不良は、認められなかった。
【００９９】
（比較例４）
図８に示す基板８０１の上に予め設けたストライプ状の透明電極が伸びる方向を、基板８０１をロール状とするために巻き取る方向（矢印８５０が示す方向と直交する方向）と同じとした以外は、実施例２と同じとした。電極不良による発光不良が発生し、輝度の比較はできなかった。
【０１００】
（実施例３）
２つの異なる蒸発源より同一の基板に同時に蒸着する共蒸着を行い、発光層のホスト化合物であるＣＢＰとドーパントである緑色燐光性発光色素Ｉｒ（ｐｐｙ）3との混合比率及び成膜量を変えることにより発光輝度の操作を行った。この混合比率及び成膜量を変えるため、図９に示す通り、真空蒸着装置９Ａを用いて各蒸発源からみた成膜される基板９０７の成膜面を湾曲させて有機ＥＬパネルを製造した。以下、図を用いて説明する。
【０１０１】
基板の材料は、フレキシブルな材料であるポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）とし、予めバリア層及び透明電極としてＩＴＯが積層されている。有機ＥＬパネルを製造する際の基板の供給は、一枚づつ行う枚葉方式とした。
【０１０２】
基板の上に製造された有機ＥＬパネルの様子を図７に示す。基板７０１の大きさは、一辺の長さを３０ｃｍとする正方形で、基板７０１の上に一辺の長さを１０ｃｍとする有機ＥＬパネル７０３を同時に９個製造した。各有機ＥＬパネル７０３には、特性を確認するためのテスト発光部７０５を持たせた。
【０１０３】
ドーパントの成膜量は、基板９０７の成膜面においてほぼ同じとなるように、ドーパントの蒸着源９０６から見た成膜される基板９０７の成膜面は、蒸着源９０６からほぼ一定距離となるような下に凹形状とした。
【０１０４】
ホスト化合物の成膜量は、先のドーパントが成膜される基板面の範囲において、膜厚分布差が大きくなるように成膜する必要がある。このため、図９で示す様に、ホスト化合物の蒸発源９０５から見た成膜される基板９０７の成膜面までの距離の差が大きくなるように、蒸着源９０５は、凹形状の中心に位置する蒸着源９０６より離れた位置とした。具体的には、ホスト化合物、ドーパントの蒸発源９０５，９０６は成膜装置９Ａの中心からそれぞれ１０ｃｍ離れて配置し、蒸発源９０５，９０６の間の距離は２０ｃｍとした。また、基板９０７の右端の成膜面における位置Ｂ周辺おけるドーパントの成膜量を減ずるため、少し上側に基板９０７を上に持ち上げた。
【０１０５】
具体的な蒸発源９０５，９０６と基板９０７との配置は、図９の通りとした。蒸発源９０６から真上の基板９０７の位置Ａまでの距離及び基板９０７の位置Ｂまでの蒸着距離は５１ｃｍとし、基板９０７の位置Ｃまでの蒸着距離は５２ｃｍとなるように基板９０７を湾曲させた。蒸着源９０５から真上の基板９０７のＣまでの蒸着距離は４８ｃｍとした。この具体的な配置は、膜厚は、蒸着距離（蒸発源から成膜面までの距離）の自乗に反比例する関係と後述のドープ率に基づいた計算と実験により決定した。
【０１０６】
蒸発源及び基板の配置を上述の状態として、図９で示す基板９０７の成膜面の中心である位置Ｃで示す位置でドープ率が５質量％となるように成膜速度を調整して発光層を形成した。尚、発光層以外の有機層及び陰極の形成は、実施例１と同じとした。
【０１０７】
製造した各有機ＥＬパネルにおいて、駆動電圧として直流６Ｖの電圧を印加して、各有機ＥＬパネルに設けたテスト発光部の輝度を比較した。この結果、図７に示す、基板７０１のドーパント側端部である位置Ａのテスト発光部の輝度は、ホスト化合物側端部である位置Ｂのテスト発光部の輝度の１．１倍であった。
【０１０８】
（比較例５）
図９に示す成膜装置９Ａにおいて、基板９０７の保持を水平とし、蒸発源９０５，９０６それぞれから基板９０７の成膜面までの距離は５０ｃｍとした。また、ホスト化合物、ドーパントの蒸発源９０５，９０６は成膜装置９Ａの中心からそれぞれ１０ｃｍ離れて配置し、蒸発源９０５，９０６の間の距離は２０ｃｍとした。基板９０７の中央は、成膜装置９Ａの中心としており、上述以外は、実施例３と同じとした。
【０１０９】
製造した各有機ＥＬパネルにおいて、駆動電圧として直流６Ｖの電圧を印加して、各有機ＥＬパネルに設けたテスト発光部の輝度を比較した。この結果、図７に示す、基板７０１のドーパント側端部である位置Ａのテスト発光部の輝度は、ホスト化合物側端部である位置Ｂのテスト発光部の輝度の０．８５倍であった。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】有機エレクトロルミネッセンス素子の構成の一例を示す図である。
【図２】有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリクス状に配置することで構成される有機エレクトロルミネッセンスパネルの一例を模式的に示す図である。
【図３】曲げられた基板に成膜する成膜装置である真空蒸着装置の一例を模式的に示す図である。
【図４】曲げられた基板に成膜する成膜装置である真空蒸着装置の一例を模式的に示す図である。
【図５】曲げられた基板に成膜する成膜装置である真空蒸着装置の一例を模式的に示す図である。
【図６】透明電極が形成されたロールで供給される基板と基板の上に形成されているストライプ状の透明電極との関係を説明する図である。
【図７】枚葉とする基板の上に製造された有機ＥＬパネルの様子の一例を示す図である。
【図８】ＲｔｏＲとする基板の上に製造された有機ＥＬパネルの様子の一例を示す図である。
【図９】曲げられた基板に成膜する成膜装置で、蒸発源を２つ有する真空蒸着装置の一例を模式的に示す図である。
【図１０】一般的な真空蒸着法を用いて成膜する成膜装置を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１１１】
３Ａ  真空蒸着装置
３０１  真空チャンバー
３０３  真空ポンプ
３０５  蒸発源
３０７  フレキシブル基板
３１１  基板保持部材
３１１ａ  上側の基板保持部材
３１１ｂ  下側の基板保持部材
【図１】
2007242322.tif 000003
【図２】
2007242322.tif 000004
【図３】
2007242322.tif 000005
【図４】
2007242322.tif 000006
【図５】
2007242322.tif 000007
【図６】
2007242322.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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