(57)【要約】      （修正有）【課題】酸素や水分に起因する素子の劣化を抑制し、十分な耐久性を有する有機ＥＬ素子を実現すること。【解決手段】有機ＥＬ素子１は、基板１０と、基板１０上に設けられた画素電極４１、画素電極４１の上に設けられた有機層４４、及び有機層４４の上に設けられた上部共通電極４５を含む積層体４０と、積層体４０を被覆し、且つ周縁部分が積層体４０周囲の基板１０の直上に位置づけられるように設けられた保護膜５０とを有する。保護膜５０の周縁部分が直上に形成されている基板１０の表面部位Ａには凹凸面が形成されている。【選択図】図１
2007052932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板上に設けられた第１電極、該第１電極の上に設けられ、発光層を含む有機層、及び該有機層の上に設けられた第２電極を含む積層体と、
上記積層体を被覆し、且つ周縁部分が上記積層体周囲の上記基板の直上に位置づけられるように設けられた保護膜と、
を有し、
上記保護膜の周縁部分が位置づけられている上記基板の表面部位には凹凸面が形成されている有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記凹凸面は上記積層体を包囲するように帯状でもって周回している有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記凹凸面の内外方向の幅が１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記保護膜の膜厚が上記凹凸面のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４で定義される算術平均荒さの２倍以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記凹凸面の凹凸傾斜角が２度以上４５度以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記発光層は高分子発光材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記基板がアクティブマトリクス基板であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略称する。）は、低電圧駆動が可能で、高い発光輝度が得やすいため、近年盛んに研究開発がおこなされている。しかしながら、有機ＥＬ素子は酸素や水分に対する耐久性が低いという問題を有する。特に、低仕事関数金属（例えば、マグネシウム、カルシウム、バリウム等）を含む陰極は極めて酸化されやすく、また、水分とも容易に反応・変質してしまうという問題がある。
【０００３】
このような問題に鑑み、例えば特許文献１には、保護膜を形成した有機ＥＬ素子が開示されている。保護膜を設けることにより有機ＥＬ素子の酸素や水分に起因する素子の劣化を抑制することができる。
【特許文献１】特開平８−１１１２８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されたように、単に保護膜を設けたのみでは、酸素や水分に起因する素子の劣化を十分に抑制することができず、十分な耐久性を有する有機ＥＬ素子を実現することができないという問題がある。
【０００５】
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、十分な耐久性を有する有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、誠意研究の結果、単に保護膜を設けたのでは、保護膜と基板との密着性が十分に高くないため、保護膜と基板との間から経時的に酸素や水分等が進入し、有機ＥＬ素子が劣化してしまうことを発見し、本発明を成すに至った。
【０００７】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、基板と、積層体と、保護膜とを有する。積層体は、基板上に設けられた第１電極と、第１電極の上に設けられ、発光層を含む有機層と、及び有機層の上に設けられた第２電極とを含む。保護膜は、積層体を被覆し、且つ周縁部分が積層体周囲の基板の直上に位置づけられるように設けられている。本発明に係る有機ＥＬ素子では、保護膜の周縁部分が位置づけられている基板の表面部位には凹凸面が形成されている。
【０００８】
このため、基板と保護膜との高い密着性を実現することができる。また、凹凸面を形成しない場合と比較して、保護膜の端部から積層体までの実効的な距離を長くすることができる。従って、素子内への酸素や水分の進入を効果的に抑制することができる。その結果、高い耐久性を実現することができる。
【０００９】
尚、本明細書において凹凸面とは、表面のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４で定義される算術平均荒さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以上である面のことをいう。
【００１０】
本発明に係る有機ＥＬ素子では、積層体が形成されている基板の表面部位には凹凸が形成されていないこと（凹凸面に形成されていないこと）が好ましい。積層体が形成されている基板の表面部位に凹凸が形成されている場合、リーク等の欠陥不良が発生するおそれがある。しかし、この構成によれば、積層体が形成されている基板の表面部位には凹凸が形成されていないため、リーク等の欠陥不良の発生を効果的に抑制することができる。
【００１１】
本発明に係る有機ＥＬ素子では、凹凸面が積層体を包囲するように帯状でもって周回していることが好ましい。
【００１２】
そうすることによって、素子内への酸素や水分の進入をより効果的に抑制することができるので、より高い耐久性を実現することができる。
【００１３】
本発明に係る有機ＥＬ素子では、凹凸面の内外方向の幅（積層体が形成されている板央から基板周辺方向の幅）が１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
凹凸面の内外方向の幅を１ｍｍ以上とすることで、さらに高い耐久性を実現することができる。より好ましくは１．５ｍｍ以上であり、更に好ましくは２ｍｍ以上である。有機ＥＬ素子の大型化を抑制する観点から、凹凸面の内外方向の幅が２０ｍｍ以下であることが好ましい。特に、小型の有機ＥＬ素子（例えば、携帯電話等の小型モバイル機器等に用いられる有機ＥＬ素子等）においては凹凸面の内外方向の幅が２０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
本発明に係る有機ＥＬ素子では、保護膜の膜厚が凹凸面のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４で定義される算術平均荒さ（以下、単に「算術平均荒さ（Ｒａ）」と略称する。）の２倍以上であることが好ましい。
【００１６】
保護膜の膜厚を凹凸面の算術平均荒さ（Ｒａ）の２倍以上とすることで、さらに高い耐久性を実現することができる。また、この構成にすることにより、比較的膜厚の薄い保護膜でも十分に積層体を被覆することが可能となる。このため、保護膜形成工程を容易化することが可能となる。尚、保護膜の膜厚は、生産性の観点から、凹凸面の算術平均荒さ（Ｒａ）の１０倍以下であることが好ましい。
【００１７】
本発明に係る有機ＥＬ素子では、凹凸面の凹凸傾斜角が２度以上４５度以下であることが好ましい。
【００１８】
凹凸面の凹凸傾斜角を２度以上４５度以下とすることで、さらに高い耐久性を実現することができる。
【００１９】
本発明に係る有機ＥＬ素子では、発光層が高分子発光材料を含むことが好ましい。
【００２０】
発光層が高分子発光材料を含む場合、安価且つ容易なウエット法（例えば、スピンコート法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等）を用いて発光層を形成することができる。このため、安価且つ容易に製造可能な有機ＥＬ素子を実現することができる。また、ウエット法によればフルカラーの有機ＥＬ素子を高精度に形成可能であり、且つ、ウエット法は大型の有機ＥＬ素子にも適しているため、高精細且つ大型な有機ＥＬ素子を容易に実現することができる。
【００２１】
本発明に係る有機ＥＬ素子では、基板がアクティブマトリクス基板であってもよい。換言すれば、本発明に係る有機ＥＬ素子はアクティブマトリクス型の有機ＥＬ素子であってもよい。
【００２２】
アクティブマトリクス型の有機ＥＬ素子である場合、原理的に走査電極数に制約がなく、ほぼデューティー比１００％のスタティック駆動に近い表示が可能となる。このため、高画質でパネル輝度が高く、高速レスポンスが可能な有機ＥＬ素子を実現することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明によれば、保護膜と基板との密着性を向上することができるので、耐久性の高い有機ＥＬ素子を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２５】
（実施形態１）
図１は本実施形態１に係る有機ＥＬ素子１の構成を表す断面図である。
【００２６】
図２は有機ＥＬ素子１の構成を表す平面図である。
【００２７】
有機ＥＬ素子１は、アクティブマトリクス基板（以下、「ＡＭ基板」と略称する。）１０と、ＡＭ基板１０の上（詳細にはＡＭ基板１０の板央上）に設けられた積層体４０と、積層体４０を被覆し、周縁部分が積層体４０の周囲のＡＭ基板１０の直上に位置づけられた保護膜５０と、保護膜５０の上方に設けられ、且つ周縁部分が接着剤７０によってＡＭ基板１０の周縁部分に接着された封止基板６０とを有する。
【００２８】
ＡＭ基板１０は相互に並行に延びる複数のソースライン（図示せず）、ソースラインの延びる方向と交差する方向（典型的には直交する方向）に相互に並行に延びる複数のゲートライン（図示せず）、及びソースラインとゲートラインとの交点近傍の各々に設けられ、ソースラインとゲートラインとに電気的に接続された薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）１１を有する。尚、ＡＭ基板１０の積層体４０側表面には酸化シリコンやチッ化シリコン等からなる下地層が形成されていてもよい。
【００２９】
本実施形態１に係る有機ＥＬ素子１はＡＭ基板１０を有するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ素子である。このため、有機ＥＬ素子１には原理的に走査電極数に制約がなく、ほぼデューティー比１００％のスタティック駆動に近い表示をすることができる。従って、高画質、高パネル輝度、高速レスポンスが可能な有機ＥＬ素子を実現することができる。
【００３０】
ＡＭ基板１０の上には、陽極としての複数の画素電極（第１電極）４１、複数の有機層４４、及び陰極としての上部共通電極（第２電極）４５を含む積層体４０が形成されている。
【００３１】
陽極としての画素電極４１は発光層４３に正孔（ホール）を注入する機能を有する。複数の画素電極４１はＡＭ基板１０上に所定配列で（例えばマトリクス状に）配列されている。複数の画素電極４１のそれぞれはＡＭ基板１０内に設けられたＴＦＴ素子１１に電気的に接続されている。
【００３２】
画素電極４１は単層であってもよく、また、異なる材料からなる複数の層の積層であってもよい。画素電極４１を形成するための材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等の透明導電性酸化物、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材料等が挙げられる。これらの中でも仕事関数の大きな透明導電性酸化物や金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）等の金属材料等が特に好ましい。
【００３３】
また、有機ＥＬ素子１が発光層４３の発光を画素電極４１側から取り出す型（ボトムエミッション型）の素子である場合、発光層４３の発光の高い取り出し効率を実現する観点から、画素電極４１は透明導電性酸化物により構成されることが好ましい。一方、有機ＥＬ素子１が発光層４３の発光を上部共通電極４５側から取り出す型（トップエミッション型）の素子である場合、発光層４３の発光の高い取り出し効率を実現する観点から、画素電極４１は光反射率の高い金属材料により形成されることが好ましい。
【００３４】
また、画素電極４１の有機層４４側表面に、導電性を大きく妨げない程度の厚み（例えば１ｎｍ程度）の酸化物（例えばＳｉＯ2等）を成膜してもよい。そうすることによって、有機層４４の被覆性を向上することができる。
【００３５】
有機層４４は各々画素電極４１の上に設けられている。有機層４４は各々正孔輸送層４２及び発光層４３を含む。発光層４３は画素電極４１及び上部共通電極４５からそれぞれ注入される電子及び正孔（ホール）を受け取り、再結合させることにより発光する機能を有する。発光層４３は単層であっても、相互に異なる発光材料を含む複数の槽が積層したものであってもよい。母体材料にドーパントをドープした層であってもよい。
【００３６】
発光層４３は低分子発光材料を含むものであってもよい。また、高分子発光材料や高分子発光材料の前駆体を含むものであってもよい。発光層４３が高分子発光材料を含むものである場合は、比較的容易且つ安価に行えるウエット法（例えば、スピンコート法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等）により発光層４３を形成することができる。このため、安価且つ製造容易な有機ＥＬ素子１を実現することができる。
【００３７】
低分子発光材料としては、例えば、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体《Ａｌｑ3》等が挙げられる。高分子発光材料としては、ポリ（２−デシルオキシ−１、４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２、５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１、４−フェニル−アルト−１、４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ3+）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１、４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等が挙げられる。高分子発光材料の前駆体としては、ポリ（Ｐ−フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポリ（Ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）等が挙げられる。
【００３８】
発光層４３は上記発光材料の他に、レベリング剤、発光アシスト剤、添加剤（ドナー、アクセプター等）電荷輸送剤、発光性のドーパント等をさらに含有するものであってもよい。
【００３９】
正孔輸送層４２は画素電極４１から発光層４３への正孔（ホール）輸送効率を向上する機能を有する。正孔輸送層４２は低分子正孔輸送材料を含むものであってもよい。また、高分子正孔輸送材料や高分子正孔輸送材料の前駆体を含むものであってもよい。正孔輸送層４２が高分子正孔輸送材料を含むものである場合は、正孔輸送層４２を比較的容易且つ安価に行えるウエット法（例えば、スピンコート法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等）により形成することができる。このため、安価且つ製造容易な有機ＥＬ素子１を実現することができる。
【００４０】
高分子正孔輸送材料としては、例えば、ポリアニリン、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネート（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン誘導体）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。高分子正孔輸送材料の前駆体としては、例えば、ポリ（Ｐ−フェニレンビニレン）前駆体、ポリ（Ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体等が挙げられる。
【００４１】
低分子正孔輸送材料としては、例えば、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチルアミン化合物等が挙げられる。芳香族第３級アミン化合物の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等が挙げられる。
【００４２】
尚、正孔輸送層４２は単層であっても相互に異なる正孔輸送材料を含む複数の層が積層されたものであってもよい。
【００４３】
複数の有機層４４は、相隣る画素電極４１の間に、格子状に設けられた絶縁層２０、及び絶縁層２０の上に設けられた格子状のバンク（隔壁）３０によって相互に離間されている。絶縁層２０は相隣る画素電極４１の間における短絡を抑止すると共に、画素電極４１の周縁部分と上部共通電極４５とが接触し、短絡することを抑制する機能を有する。絶縁層２０は例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）やチッ化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）等により形成することができる。
【００４４】
バンク３０は隣接する有機層４４同士が混じり合うことを抑制する機能、及びブラックマトリクスとしての機能を併せ持つ。バンク３０は、例えば（感光性）ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ノボラック樹脂等により形成することができる。
【００４５】
陰極としての上部共通電極４５は、バンク３０及び有機層４４の全表面を覆うように設けられている。上部共通電極４５は発光層４３に電子を注入する機能を有する。発光層４３への高い電子注入効率を実現する観点から、上部共通電極４５は低仕事関数金属（例えば、仕事関数が４．０ｅＶ以下の金属）を含むことが好ましい。低仕事関数金属としては、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、セシウム（Ｃｓ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）等が挙げられる。発光層４３が高分子発光材料を含有する場合は、これら低仕事関数金属の中でも、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）が特に好ましい。
【００４６】
上記低仕事関数金属は酸素や水分と反応しやすい材料であるため、酸素や水分に対して比較的安定な（化学的に比較的安定な）材料との合金とすることが好ましい。酸素や水分に対して比較的安定な材料としては、ニッケル（Ｎｉ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）等の金属材料や、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等の導電性酸化物等が挙げられる。また、低仕事関数金属を含む層を有機層４４の上に形成し、さらにその上に酸素や水分に対して比較的安定な材料を含む層を積層してもよい。
【００４７】
例えば、有機ＥＬ素子１がボトムエミッション型の素子である場合は、光反射率が比較的高い金属材料と低仕事関数金属とを組み合わせること（すなわち、低仕事関数金属と光反射性金属との合金、又は低仕事関数金属層と光反射性金属層との積層とすること）が好ましい。一方、トップエミッション型の素子である場合は、光透過率が比較的高い透明導電性酸化物と低仕事関数金属とを組み合わせること（すなわち、低仕事関数金属と透明導電性酸化物との混合剤、又は低仕事関数金属層と透明導電性酸化物層との積層とすること）が好ましい。
【００４８】
保護膜５０は積層体４０（画素電極４１、有機層４４、上部共通電極４５）を被覆するように形成されている。すなわち、保護膜５０は積層体４０の表面と共に、積層体４０周囲のＡＭ基板１０表面をも被覆するように形成されている。保護膜５０はＡＭ基板１０と共に内部の積層体４０を外気から遮断し、外気中の酸素や水分による積層体４０各層、画素電極４１、上部共通電極４５の劣化を抑制する機能を有する。このため、保護膜５０を設けることにより、高い耐久性を有する有機ＥＬ素子１を実現することができる。
【００４９】
保護膜５０の材料としては、例えば、チッ化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、有機性樹脂（例えばアクリル樹脂等）が挙げられる。保護膜５０は、単層又は複層でもよい。例えば、チッ化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）等の無機酸化物膜と、アクリル樹脂等の有機樹脂膜とを積層することにより保護膜５０を形成してもよい。
【００５０】
封止基板６０は保護膜５０で被覆された積層体４０を覆うように保護膜５０の上方に配置されており、接着剤７０によって周縁部分がＡＭ基板１０に接着されている。封止基板６０は、保護膜５０と同様に積層体４０へ酸素や水分が進入することを抑止する機能を有すると共に、有機ＥＬ素子１を電子機器等に組み込む際のハンドリング等による破壊を抑制する機能を有する。このため、封止基板６０を設けることにより、高い耐久性を有する有機ＥＬ素子１を実現することができる。
【００５１】
封止基板６０はガラス製の基板や金属製の基板により構成することができる。より高い耐久性を実現する観点から、封止基板６０により形成された封止空間内には不活性ガス（窒素ガス、アルゴンガス等）が充填されていることが好ましい。さらに封止空間内に酸化バリウム（ＢａＯ）等の乾燥剤を設けてもよい。しかし、本実施形態１に係る有機ＥＬ素子１は保護膜５０を有するため、乾燥剤を設けずとも比較的高い耐久性を実現することができる。このため、低コストで生産性が高い有機ＥＬ素子１を実現することができる。保護膜５０はトップエミッション型の素子及びボトムエミッション型の素子の双方において効果を奏するが、乾燥剤の使用が困難であるトップエミッション型の有機ＥＬ素子に特に有用である。
【００５２】
本実施形態１に係る有機ＥＬ素子１では、保護膜５０の周縁部分が直上に形成されているＡＭ基板１０の表面部位に、積層体４０を包囲するように形成された帯状の凹凸面Ａが形成されている。このため、保護膜５０とＡＭ基板１０（詳細には凹凸面Ａ）との密着性を向上することができる。また、保護膜５０の端部から積層体４０までの実効的な距離を長くすることができる。このため、凹凸面Ａを形成することにより、積層体４０への水分や酸素の進入を効果的に抑制することができる。従って、高い耐久性を実現することができる。
【００５３】
凹凸面Ａの内外方向の幅（積層体が形成されている板央から基板周辺方向の幅、図１において横方向の幅）は１ｍｍ以上であることが好ましい。凹凸面Ａの内外方向の幅が１ｍｍ未満である場合は素子の耐久性が低下する傾向にある。凹凸面Ａの内外方向の幅を１ｍｍ以上とすることで、より高い耐久性を実現することができる。より好ましくは１．５ｍｍ以上であり、更に好ましくは２ｍｍ以上である。
【００５４】
凹凸面Ａの内外方向の幅が２０ｍｍよりも大きい場合は、高い耐久性を実現することができるものの、有機ＥＬ素子の外形寸法が大きくなってしまう。このため、特にコンパクト化が求められる携帯電話等の小型モバイル機器等への適用が困難となる。さらに具体的にいえば、携帯電話等小型モバイル機器の横幅寸法はせいぜい６０ｍｍ程度である。このような小型モバイル機器へ適用する場合に表示エリア周辺領域として確保できる最大幅は、表示エリア１．１インチ程度と小さいものの場合でも、たかだか２０ｍｍ程度である。従って、凹凸面Ａの内外方向の幅は２０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００５５】
凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）は保護膜５０の層厚の１／２以下であることが好ましい。言い換えれば、保護膜５０の層厚は凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）の２倍以上であることが好ましい。凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）に対して保護膜５０の膜厚が比較的薄いと、イレギュラー的に大きな凹凸が存在する箇所や異物等が存在する箇所が保護膜５０により十分に被覆されずに、局所的に保護膜５０から基板１０が露出してしまうため、耐久性が低くなる傾向にある。保護膜５０の膜厚を凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）に対して厚くすることによって（好ましくはＲａの２倍以上にすることによって）保護膜５０から基板１０が露出することを効果的に抑制することができる。従って、より高い耐久性を実現することができる。
【００５６】
凹凸面Ａの凹凸傾斜角は２度以上４５度以下であることが好ましい。表面凹凸の傾きが２度未満では、保護膜５０と基板１０との密着性が低下する傾向にある。一方、４５度よりも大きい場合は、保護膜５０の被覆性が低下するために、イレギュラー的に大きな凹凸が存在する箇所や異物等が存在する箇所が保護膜５０により十分に被覆されずに、局所的に保護膜５０から基板１０が露出してしまうため、耐久性が低くなる傾向にある。尚、凹凸傾斜角とは図３に表されるθのことである。
【００５７】
図３は凹凸傾斜角を説明するための、凹凸面Ａの凹凸形状を模式的に表す模式図である。
【００５８】
図３中、線１０１は凹凸面Ａの実際の凹凸形状を示す線である。一方、線１０２は凹凸面Ａの凹凸形状を近似的に表す線である。線１０２は線１０１をフーリエ変換することにより近似的に求められる。ここで、線１０２の１周期分の長さが最頻出波長（λ）となる。また、中心線１０３から線１０２の頂部までの高さが算術平均荒さ（Ｒａ）となる。凹凸傾斜角（θ）は、図３に示すように、中心線１０３と線１０２のなす角となる。すなわち、凹凸傾斜角（θ）と算術平均荒さ（Ｒａ）及び最頻出波長（λ）とは関係式ｔａｎθ＝（２×Ｒａ）／（λ／２）で表される関係を有する。
【００５９】
凹凸面Ａの凹凸傾斜角（θ）は例えば以下の手順で求められる。まず、凹凸面Ａを原子間力顕微鏡（以下、「ＡＦＭ］と略称する。）を用いて表面観察する。ＡＦＭによる観察により得られた像のフーリエ変換スペクトルより算術平均荒さ（Ｒａ）及び最頻出波長（λ）を算出する。そして、得られた算術平均荒さ（Ｒａ）及び最頻出波長（λ）から、関係式ｔａｎθ＝（２×Ｒａ）／（λ／２）を用いて凹凸傾斜角（θ）を算出することができる。
【００６０】
次に、本実施形態１に係る有機ＥＬ素子１の製造方法について図面を用いて詳細に説明する。
【００６１】
まず、ＡＭ基板１０を用意し、表面に凹凸面Ａを形成する。凹凸面Ａの形成方法は、何ら限定されるものではないが、例えば、サンドブラスト法、酸素プラズマ処理法、ウエットエッチング法、ドライエッチング法等が挙げられる。サンドブラスト法を用いる場合は、凹凸面Ａを形成するところを除いた部分にゴム等からなるマスキングを施した上で行う。凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）はサンドブラスト法に用いる研磨材の粒度等を調節することにより調整することができる。また、サンドブラスト法により凹凸を形成した後にチッ化シリコン（ＳｉＮ3）等の薄膜を形成することにより凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）を調整することも可能である。
【００６２】
ＡＭ基板１０の表面が樹脂（アクリル樹脂等）である場合は、酸素プラズマ処理法等により凹凸面Ａを形成することが好ましい。
【００６３】
エッチング法（ドライエッチング法及びウエットエッッチング法）は、サンドブラスト法等と比較して微細なクラックが生じにくく、比較的算術平均荒さ（Ｒａ）の小さい凹凸面Ａを形成しやすいというメリットを有する。以下、一例としてエッチング法により凹凸面Ａの形成工程を図４を参照しながら詳細に説明する。
【００６４】
図４はエッチング法により凹凸面Ａを形成する工程を表す断面図である。
【００６５】
まず、ＡＭ基板１０の上に、凹凸面Ａを形成する部分以外を被覆するようにレジスト１３を形成する。詳細には、ＡＭ基板１０の表面全体にスピンコーターを用いてポジ型レジスト（例えば、層厚約２μｍ）を塗布する。塗布されたポジ型レジストのうち、凹凸面Ａが形成される部分の上に形成された部分のみを露出させるようにフォトマスク１４を配置する。その上から光を照射することによりポジ型レジストを露光する（図４（Ａ）参照）。次に露光後のＡＭ基板１０を現像液に浸け、露光された領域に例えば数１００ｎｍのレジスト１３が残るように現像処理を行う（図４（Ｂ）参照）。プラズマアッシング装置を用いて酸素プラズマ処理を施すことにより露光された部分のレジスト１３をほぼ除去する（図４（Ｃ）参照）。尚、プラズマアッシング装置を用いた場合、レジスト１３は厳密には完全に除去されない。
【００６６】
次に、エッチング装置（例えばドライエッチング装置）を用いてエッチングすることにより、プラズマアッシング装置によってレジスト１３がほぼ除去された部分に凹凸面Ａを形成する（図４（Ｄ）参照）。最後に、レジスト剥離及び洗浄を行い、凹凸面Ａが形成されたＡＭ基板１０を完成させる（図４（Ｅ）参照）。
【００６７】
凹凸面Ａが形成されたＡＭ基板１０に画素電極４１を形成する。画素電極４１は例えばＤＣスパッタ法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等の成膜方法及びフォトリソグラフィー法等のパターニング方法を用いて形成することができる。続いて、絶縁層２０及びバンク３０を形成する。絶縁層２０も画素電極４１と同様に、例えばＤＣスパッタ法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等の成膜方法及びフォトリソグラフィー法等のパターニング方法を用いて形成することができる。バンク３０は、例えば、ポリイミド樹脂等をスピンコート法により成膜する。その後、得られた薄膜をフォトパターニングすることにより形成することができる。
【００６８】
バンク３０によりそれぞれに区画された画素電極４１の上に有機層４４各層（発光層４３及び正孔輸送層４２）を形成する。有機層４４各層が低分子材料を含有するものである場合は真空蒸着法等の乾式法により形成することが好ましい。一方、高分子材料、高分子材料の前駆体等を含有するものである場合はインクジェット法等の湿式法（ウエット法）を用いて成膜することが好ましい。以下、一例としてウエット法を用いて有機層４４各層を形成する工程を詳細に説明する。
【００６９】
まず、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネート（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）等の１種又は複数種類の正孔輸送材料を含む正孔輸送層形成用インクを調製する。正孔輸送層形成用インクには、正孔輸送材料の他にレベリング剤、添加剤（ドナー、アクセプター等）等をさらに含有させてもよい。正孔輸送層形成用インクの調整に用いる溶媒は、正孔輸送材料を溶解又は分散できるものであれば特に限定されるものではない。具体的には、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、クロロホルム、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等が挙げられる。
【００７０】
以上のように調整した正孔輸送層形成用インクを各画素電極４１の上に吐出（塗布）し、乾燥・焼成させることにより正孔輸送層４２を形成することができる。
【００７１】
次に、正孔輸送層４２の上に発光層４３を形成する。まず、発光材料を含有する発光層形成用インクを調製する。発光層形成用インクは、発光材料の他に、レベリング剤、発光アシスト剤、添加剤（ドナー、アクセプター等）、電荷輸送剤、発光性のドーパント等をさらに含有するものであってもよい。発光層形成用インクの調整に用いる溶媒は発光材料を溶解又は分散できるものであれば特に限定されない。具体的には、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、クロロホルム、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等が挙げられる。
【００７２】
上記のように形成した有機層４４の上に上部共通電極４５を形成することにより積層体４０を完成させる。上部共通電極４５は例えばＤＣスパッタ法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等の成膜方法を用いて形成することができる。
【００７３】
そして、積層体４０を被覆するように保護膜５０を形成する。保護膜５０は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により形成することができる。保護膜５０が有機樹脂である場合は、ウエット法により形成してもよい。
【００７４】
最後に、接着剤７０を用いて封止基板６０をＡＭ基板１０に接着することにより有機ＥＬ素子１を完成させることができる。
【００７５】
（変形例）
上記実施形態１では、アクティブマトリクス基板１０を有するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ素子１を例に挙げて説明した。しかし、本発明は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ素子にのみ適用されるものではなく、例えばパッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の有機ＥＬ素子やセグメント型の有機ＥＬ素子にも好適に適用される。
【００７６】
上記実施形態１では、凹凸面Ａは積層体４０の周囲に、積層体４０を包囲するように帯状でもって周回するように形成されている。しかし、本発明は、この構成に限定されるものではなく、凹凸面は、例えば、保護膜５０が直上に形成されている基板１０の表面部位の一部にのみ形成されていてもよい。
【００７７】
上記実施形態１では、有機ＥＬ素子１には封止基板６０が設けられているが、本発明において、封止基板６０は必須ではない。また、封止基板６０の代わりに、凹部が形成されたキャップ状の封止キャップを設けてもよい。
【００７８】
尚、有機ＥＬ素子１の形状寸法は特に限定されるものではなく、例えば携帯電話等の小型モバイル機器用の比較的小さなものであってもよく、また、大画面表示装置（例えば一辺の長さが１ｍ以上の装置）用の比較的大きなものであってもよい。
【００７９】
上記実施形態１では、有機層４４は正孔輸送層４２と発光層４３により構成されている。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、発光層４３のみにより形成してもよい。また、有機層４４を、発光層４３と、１種又は２種以上のバッファ層（電荷輸送層）とにより形成してもよい。バッファ層（電荷輸送層）としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。尚、正孔輸送層及び正孔注入層は発光層４３への正孔輸送注入効率を向上する機能を有する。電子輸送層及び電子注入層は発光層４３への電子輸送注入口率を向上する機能を有する。
【００８０】
上記実施形態１では、画素電極４１が陽極であり、上部共通電極４５が陰極であるが、本発明はこの構成に限定されない。例えば、画素電極４１が陰極であり、上部共通電極４５が陽極であってもよい。
【実施例】
【００８１】
（実施例１）
図５は実施例１に係る有機ＥＬ素子２の構成を表す平面図である。
【００８２】
図６は実施例１に係る有機ＥＬ素子２の構成を表す断面図である。
【００８３】
実施例１では図５及び図６に表される有機ＥＬ素子２を作成し、その耐久性を評価した。
【００８４】
１０ｃｍ四方のガラス基板８１上に高周波スパッタ法を用いて酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜８２を形成することにより基板８０を形成した。具体的には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）のターゲットを、スパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを用い、温度１００℃、パワー１．５ｋＷ、圧力０．５Ｐａという条件で、層厚５００ｎｍの酸化シリコン膜８２を形成した。
【００８５】
次に基板８０に凹凸面Ａを形成した。まず、基板８０の上に、凹凸面Ａを形成する部分（幅約５ｍｍ）以外を被覆するようにポジ型レジスト（膜厚約２μｍ）を形成した。詳細には、基板８０の表面全体にスピンコーターを用いてポジ型レジストを塗布した。塗布されたポジ型レジストのうち、凹凸面Ａが形成される部分の上に形成された部分のみを露出させるようにフォトマスクを配置した。その上から光を照射することによりポジ型レジストを露光した。次に露光後の基板８０を現像液に浸け、露光された領域に例えば数１００ｎｍのレジストが残るように現像処理を行った。プラズマアッシング装置を用いて酸素プラズマ処理を施すことにより露光された部分のレジストをほぼ除去した。酸素プラズマ処理は、パワー１００Ｗ、圧力４Ｐａの条件下、酸素（Ｏ2）ガス（２５０ｓｃｃｍ）を用いて行った。
【００８６】
次に、ドライエッチング装置を用いてエッチングすることにより、レジストが形成されていない部分に凹凸面Ａを形成した。エッチングは、パワー２００Ｗ、圧力６Ｐａの条件下、エッチングガスとして四フッ化炭素ガス（ＣＦ4）ガス（４０ｓｃｃｍ）及び酸素（Ｏ2）ガス（４ｓｃｃｍ）を用いて行った。
【００８７】
最後に、レジスト剥離及び洗浄を行い、凹凸面Ａが形成された基板８０を作成した。
【００８８】
次に、凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（（株）東陽テクニカ製の原子間力顕微鏡ＮａｎｏｓｃｏｐｅIII）を用いて行った。その結果、凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）は３５ｎｍであった。
【００８９】
凹凸面Ａが形成された基板８０上にＤＣスパッタ装置を用い、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を成膜することにより線条の陽極８３及び陰極引き出し電極８８を形成した。形成された陽極８３及び陰極引き出し電極８８は、それぞれ層厚１５０ｎｍ、幅２ｍｍ、長さ１０ｃｍであった。
【００９０】
陰極引き出し電極８８を露出させるようにマスキングを施した上で、凹凸面Ａにより囲われた基板８０の表面上に正孔注入層８４を形成した。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネート（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）水溶液をスピンコート法により塗布し、１５０℃で２０分間乾燥させることにより正孔注入層８４を形成した。正孔注入層８４の膜厚は、水溶液の濃度及びスピンコート時の回転数を制御することにより約６０ｎｍとした。
【００９１】
続いて、正孔注入層８４の上に発光層８５を形成することにより有機層８６を完成させた。発光材料としてはポリフルオレン誘導体を用い、溶媒としてはキシレンを用いた。形成された発光層８５の層厚は約６０ｎｍであった。
【００９２】
有機層８６の上に、陽極８３とほぼ直交し、且つ一端が陰極引き出し電極８８に電気的に接続されるように２ｍｍ幅の陰極８７を形成した。陰極８７は膜厚１０ｎｍのカルシウム（Ｃａ）膜と膜厚１００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜との積層とした。陰極８７は、抵抗加熱蒸着法により順次カルシウム（Ｃａ）膜とアルミニウム（Ａｌ）膜とを成膜することにより形成した。
【００９３】
最後に、プラズマＣＶＤ法を用いて、有機層８６を被覆するようにチッ化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜を厚さ１μｍで成膜し保護膜８９とした。保護膜８９は、温度８０℃、パワー８０Ｗ、圧力１００Ｐａの成膜条件で、シラン（ＳｉＨ4）ガス（１００ｓｃｃｍ）、アンモニア（ＮＨ3）ガス、及び窒素（Ｎ2）ガスを用いて成膜した。
【００９４】
このように作成された本実施例１に係る有機ＥＬ素子２に、陽極８３が正に、陰極８７が負になるように直流電流を印加したところ、発光層８５から緑色の発光が蛍光灯下で観察された。
【００９５】
この有機ＥＬ素子２を温度６０℃、湿度９０％の高温・高湿槽で２００時間保持し、保持前の発光領域と保持後の発光領域とを比較することにより、有機ＥＬ素子２の耐久性を検査した。
【００９６】
図７は高温・高湿槽で２００時間保持された後の実施例１に係る有機ＥＬ素子２の発光領域付近の拡大平面写真である。
【００９７】
図７のように、高温・高湿槽で２００時間保持された後においても、発光領域幅はほぼ陰極幅と等しかった。詳細には発光領域幅は陰極幅の約９５％であった。
【００９８】
（比較例１）
基板に凹凸面が形成されていないこと以外は実施例１に係る有機ＥＬ素子２と同様の形態の有機ＥＬ素子を実施例１と同様の方法で作成した。
【００９９】
作製後、実施例１と同様に、比較例１に係る有機ＥＬ素子を温度６０℃、湿度９０％の高温・高湿槽で２００時間保持し、保持前の発光領域と保持後の発光領域とを比較することにより、比較例１に係る有機ＥＬ素子の耐久性を検査した。
【０１００】
図８は高温・高湿槽で２００時間保持された後の比較例１に係る有機ＥＬ素子の発光領域付近の拡大平面写真である。
【０１０１】
図８に示すように、高温・高湿槽で２００時間保持されたことによって、基板に凹凸面が設けられていない比較例１に係る有機ＥＬ素子では発光領域幅は陰極幅よりも大幅に短くなった。詳細には発光領域幅は陰極幅の約６８％であった。
【０１０２】
（比較例２）
保護膜及び凹凸面が形成されていないこと以外は実施例１に係る有機ＥＬ素子２と同様の形態の有機ＥＬ素子を実施例１と同様の方法で作成した。
【０１０３】
作製後、実施例１と同様に、比較例２に係る有機ＥＬ素子を温度６０℃、湿度９０％の高温・高湿槽で２００時間保持し、保持前の発光領域と保持後の発光領域とを比較することにより、比較例２に係る有機ＥＬ素子の耐久性を検査した。
【０１０４】
高温・高湿槽で保持された後の、保護膜が設けられていない比較例２に係る有機ＥＬ素子からは発光は観察されなかった。
【０１０５】
上記実施例１及び比較例１、２の結果から、保護膜８９を設けることによって素子の耐久性を向上できることがわかった。また、基板８０に凹凸面Ａを形成することによって素子の耐久性をさらに向上できることがわかった。
【０１０６】
保護膜が形成されていない比較例２に係る有機ＥＬ素子では、特に陰極が直接雰囲気に接するため、雰囲気中に含まれる酸素や水分によって陰極が急激に劣化し、その結果、発光が得られなくなったものと考えられる。
【０１０７】
保護膜が形成されているものの、凹凸面が形成されていない比較例１に係る有機ＥＬ素子では保護膜によって有機ＥＬ素子が覆われているため、陰極と雰囲気との接触は抑制されるが、保護膜と基板との密着性が十分ではないため、保護膜と基板との界面から進入した酸素や水分によって陰極が劣化したものと考えられる。
【０１０８】
一方、基板８０に凹凸面Ａが形成された実施例１では、保護膜８９と基板８０との密着性が高く、また、保護膜８９の端面から有機層８６や陰極８７までの距離が実効的に長くなるため、保護膜８９と基板８０との界面からの酸素や水分の進入を効果的に抑制することができるため、陰極８７の劣化、換言すれば発光領域の減少を効果的に抑制できたものと考えられる。
【０１０９】
尚、実施例１、比較例１、２に係る有機ＥＬ素子では、陰極がカルシウム（Ｃａ）膜を含むため、酸素や水分が素子内に進入することにより、まず陰極が劣化した。しかし、酸素や水分が素子内に進入することによって、陰極のみならず有機層や陽極等素子全体が劣化してゆくものと考えられる。
【０１１０】
（実施例２）
実施例２として、凹凸面Ａの内外方向の幅を種々変化させて実施例１に係る有機ＥＬ素子２と同様の形態を有する有機ＥＬ素子を作成し、それぞれ実施例１と同様の耐久性検査を行うことによって、凹凸面Ａの内外方向の幅と素子の耐久性との相関について調べた。
【０１１１】
図９は凹凸面Ａの内外方向の幅と発光領域幅変化率（耐久性検査前の発光領域幅に対する、耐久性検査後の発光領域幅の割合）との相関を表すグラフである。
【０１１２】
図９に示すように、凹凸面Ａの内外方向の幅を大きくすることにより発光領域幅変化率が高くなる傾向にあった。すなわち、耐久性が向上する傾向にあった。凹凸面Ａの内外方向の幅が１ｍｍ以上である場合に特に高い耐光性が実現でき、発光領域幅変化率は８７％以上であった。
【０１１３】
凹凸面Ａの内外方向の幅が２０ｍｍ以上ではほとんど発光領域幅変化率（耐久性）は変化しなかった。このため、素子の形状寸法の大型化を抑止する観点から、凹凸面Ａの内外方向の幅は２０ｍｍ以下であることが好ましいことがわかった。
【０１１４】
（実施例３）
実施例３として、保護膜８９の膜厚を種々変化させて実施例１に係る有機ＥＬ素子２と同様の形態を有する有機ＥＬ素子を作成し、それぞれ実施例１と同様の耐久性検査を行うことによって、保護膜８９の膜厚と素子の耐久性との相関について調べた。尚、実施例３に係る各有機ＥＬ素子において、凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）は３５ｎｍであった。
【０１１５】
図１０は保護膜８９の膜厚と発光領域幅変化率（耐久性検査前の発光領域幅に対する、耐久性検査後の発光領域幅の割合）との相関を表すグラフである。
【０１１６】
図１０に示すように、保護膜８９の膜厚を大きくすることにより発光領域幅変化率が高くなる傾向にあった。すなわち、耐久性が向上する傾向にあった。保護膜８９の膜厚が凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）の２倍以上（すなわち、実施例３では７０ｎｍ以上）である場合に特に高い耐光性が実現でき、発光領域幅変化率は８８％以上であった。
【０１１７】
凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）に対して保護膜８９の膜厚が比較的薄いと、イレギュラー的に大きな凹凸が存在する箇所や異物等が存在する箇所が保護膜８９により十分に被覆されずに、局所的に保護膜８９から基板８０が露出してしまうため、耐久性が低くなる傾向にあると考えられる。保護膜８９の膜厚を凹凸面Ａの算術平均荒さ（Ｒａ）に対して厚くすることによって（好ましくはＲａの２倍以上にすることによって）保護膜８９から基板８０が露出することを効果的に抑制することができる。従って、より高い耐久性を実現することができる。
【０１１８】
（実施例４）
実施例４として、凹凸傾斜角（θ）を種々変化させて実施例１に係る有機ＥＬ素子２と同様の形態を有する有機ＥＬ素子を作成し、それぞれ実施例１と同様の耐久性検査を行うことによって、凹凸傾斜角（θ）と素子の耐久性との相関について調べた。
【０１１９】
図１１は凹凸傾斜角（θ）と発光領域幅変化率（耐久性検査前の発光領域幅に対する、耐久性検査後の発光領域幅の割合）との相関を表すグラフである。
【０１２０】
図１０に示すように、凹凸傾斜角（θ）が比較的小さい場合は、凹凸傾斜角（θ）の増大と共に発光領域幅変化率が高くなる傾向にあった。一方、凹凸傾斜角（θ）が比較的大きい場合は、凹凸傾斜角（θ）の増大と共に発光領域幅変化率が低くなる傾向にあった。図１１より、凹凸傾斜角（θ）の好適範囲は２度以上４５度以上であることがわかった。
【０１２１】
表面凹凸の傾きが２度未満では、保護膜８９と基板８０との密着性が低下する傾向にあると考えられる。一方、４５度よりも大きい場合は、保護膜８９の被覆性が低下するために、イレギュラー的に大きな凹凸が存在する箇所や異物等が存在する箇所が保護膜８９により十分に被覆されずに、局所的に保護膜８９から基板８０が露出してしまうため、耐久性が低くなる傾向にあると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
以上説明したように、本発明に係る有機ＥＬ素子は、高い耐久性を有し、携帯電話、ＰＤＡ、テレビ、電子ブック、モニター、電子ポスター、時計、電子棚札等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】本実施形態１に係る有機ＥＬ素子１の構成を表す断面図である。
【図２】有機ＥＬ素子１の構成を表す平面図である。
【図３】凹凸傾斜角を説明するための、凹凸面Ａの凹凸形状を模式的に表す模式図である。
【図４】エッチング法により凹凸面Ａを形成する工程を表す断面図である。
【図５】実施例１に係る有機ＥＬ素子２の構成を表す平面図である。
【図６】実施例１に係る有機ＥＬ素子２の構成を表す断面図である。
【図７】高温・高湿槽で２００時間保持された後の実施例１に係る有機ＥＬ素子２の発光領域付近の拡大平面写真である。
【図８】高温・高湿槽で２００時間保持された後の比較例１に係る有機ＥＬ素子の発光領域付近の拡大平面写真である。
【図９】凹凸面Ａの内外方向の幅と発光領域幅変化率（耐久性検査前の発光領域幅に対する、耐久性検査後の発光領域幅の割合）との相関を表すグラフである。
【図１０】保護膜８９の膜厚と発光領域幅変化率（耐久性検査前の発光領域幅に対する、耐久性検査後の発光領域幅の割合）との相関を表すグラフである。
【図１１】凹凸傾斜角（θ）と発光領域幅変化率（耐久性検査前の発光領域幅に対する、耐久性検査後の発光領域幅の割合）との相関を表すグラフである。
【符号の説明】
【０１２４】
１、２      有機ＥＬ素子
１０      アクティブマトリクス基板
１１      ＴＦＴ素子
１３      レジスト
１４      フォトマスク
２０      絶縁層
３０      バンク
４０      積層体
４１      画素電極
４２、８４      正孔輸送層
４３、８５      発光層
４４、８６      有機層
４５      上部共通電極
５０      保護膜
６０      封止基板
７０      接着剤
８０      基板
８１      ガラス基板
８２      酸化シリコン膜
８３      陽極
８７      陰極
８８      陰極引き出し電極
８９      保護膜
【図１】
2007052932.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図９】
2007052932.tif 000009
【図１０】
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【図１１】
2007052932.tif 000011
【図７】
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【図８】
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