(57)【要約】【課題】素子チップの主表面の可動部を覆うように素子チップにキャップを取り付け、素子チップとボンディングワイヤとを電気的に接続してなるセンサ装置において、キャップとなるウェハに抜き領域を形成したり、キャップに貫通電極を形成することなく、ワイヤと素子チップとを電気的に接続できるようにする。【解決手段】素子チップ１０の主表面１０ａの可動部１１を覆うように、キャップ２０を取り付け、素子チップ１０の主表面１０ａの側部に位置する側面１０ｂに、素子チップ１０に電気的に接続された側面電極１３を設け、この側面電極１３にボンディングワイヤ３０を接続する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面（１０ａ）に電気的な機能を有する素子部（１１）を有する素子チップ（１０）と、
前記素子部（１１）を覆うように前記素子チップ（１０）の主表面（１０ａ）に取り付けられたキャップ（２０）と、
前記素子チップ（１０）と電気的に接続された配線部材（３０）とを備える電子装置において、
前記配線部材（３０）は、前記素子チップ（１０）の主表面（１０ａ）の側部に位置する側面（１０ｂ）に接続されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記素子チップ（１０）の前記側面（１０ｂ）には、前記素子チップ（１０）に電気的に接続された側面電極（１３）が設けられており、この側面電極（１３）に前記配線部材（３０）が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記素子チップ（１０）は、絶縁膜（１ｃ）を第１の半導体層（１ａ）と第２の半導体層（１ｂ）とで挟んでなる半導体基板（１）により構成されたものであり、
前記第１の半導体層（１ａ）の表面が、前記素子チップ（１０）の前記主表面（１０ａ）側となっており、前記素子部（１１）は前記第１の半導体層（１ａ）に形成されており、
前記配線部材（３０）は、前記素子チップ（１０）の前記側面（１０ｂ）において前記第１の半導体層（１ａ）に接続されているが、前記第２の半導体層（１ｂ）には接続されていないことを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記キャップ（２０）は導電性を有するものであり、
前記キャップ（２０）のうち前記配線部材（３０）が接触する部位は、電気絶縁性を有する絶縁膜（２１）にて被覆されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項５】
前記素子チップ（１０）の前記側面（１０ｂ）には当該側面（１０ｂ）より凹んだ凹部（１４）が形成されており、この凹部（１４）内に前記側面電極（１３）が設けられており、
前記キャップ（２０）のうち前記素子チップ（１０）の前記凹部（１４）に隣り合う部位には、前記素子チップ（１０）の前記凹部（１４）から連続して形成された凹み（２２）が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的な機能を有する素子部を有する素子チップと、素子部を覆うように素子チップに取り付けられたキャップと、素子チップと電気的に接続された配線部材とを備える電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電気的な機能を有する素子部を有する素子チップとしては、素子部として加速度や角速度の検出を行う可動部を備えたものや、圧力検出を行うダイアフラムを備えた半導体チップ（特にＭＥＭＳ）などが知られている。
【０００３】
このような素子部は、素子チップの主表面に対して半導体プロセス技術を用いて形成されるものであり、たとえば上記した可動部やダイアフラムの変位に伴う電気信号を発生する機能、すなわち電気的な機能を有する。
【０００４】
そして、このような素子チップに対して、ガラスやシリコンなどよりなるキャップを、素子部を覆うように素子チップの主表面に取り付けることで、素子部の保護を図るようにしている。
【０００５】
ここで、素子チップからの電気信号を外部に取り出すために、素子チップに対してボンディングワイヤなどの配線部材を電気的に接続している。一般的には、半導体チップからの配線部材の取り出しは、チップの主表面の周辺部に形成された引き出し電極に当該配線部材を接続することにより行われる。
【０００６】
そのため、素子チップの主表面のうち上記引き出し電極が配置された部位は、キャップで覆われないようにする必要がある。これに対応する従来技術として、キャップとなるウェハと、素子チップとなるウェハとをウェハレベルで貼り合せるにあたって、キャップウェハ側に対し、予め、上記引き出し電極に対応する箇所に抜き領域を形成するようにしたものが提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
また、特許文献２、特許文献３に記載されているように、キャップに相当するガラス基板に、当該ガラス基板を貫通する貫通電極を設け、この貫通電極を介して素子チップと配線部材との接続を可能としたものも提案されている。
【特許文献１】特開２００３−１１８２９６号公報
【特許文献２】特開２０００−２７５２７２号公報
【特許文献３】特開２００４−３８９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来技術にあるように、素子チップの主表面に被せられるキャップとなるウェハ側に抜き領域を設けたり、キャップに貫通電極を設けたりすることは、これら抜き領域や貫通電極を形成するための工程が必要であり、プロセスコストの増加は否めない。
【０００９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、素子チップの主表面の素子部を覆うように素子チップにキャップを取り付け、素子チップと配線部材とを電気的に接続してなる電子装置において、キャップに対して抜き領域や貫通電極を形成することなく、配線部材と素子チップとを電気的に接続できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明では、配線部材（３０）を、素子チップ（１０）の主表面（１０ａ）の側部に位置する側面（１０ｂ）に接続したことを特徴とする。
【００１１】
それによれば、配線部材（３０）を、素子チップ（１０）の主表面（１０ａ）の側部に位置する側面（１０ｂ）に接続しているため、素子チップ（１０）の主表面（１０ａ）に取り付けられたキャップ（２０）に対して、抜き領域や貫通電極を形成することなく、配線部材（３０）と素子チップ（１０）とを電気的に接続することができる。
【００１２】
ここで、素子チップ（１０）の側面（１０ｂ）に、素子チップ（１０）に電気的に接続された側面電極（１３）を設け、この側面電極（１３）に配線部材（３０）を接続したものにできる。
【００１３】
また、このような構成において、素子チップ（１０）が、絶縁膜（１ｃ）を第１の半導体層（１ａ）と第２の半導体層（１ｂ）とで挟んでなる半導体基板（１）により構成されたものであり、第１の半導体層（１ａ）の表面が、素子チップ（１０）の主表面（１０ａ）側となっており、素子部（１１）が第１の半導体層（１ａ）に形成されている場合、配線部材（３０）を、素子チップ（１０）の側面（１０ｂ）において第１の半導体層（１ａ）に接続されているが、第２の半導体層（１ｂ）には接続されていないものとすることが好ましい。
【００１４】
それによれば、第１の半導体層（１ａ）と第２の半導体層（１ｂ）との配線部材（３０）を介した導通を防止し、第１の半導体層（１ａ）と第２の半導体層（１ｂ）との絶縁膜（１ｃ）を介した電気的分離を確保できる。
【００１５】
また、キャップ（２０）が導電性を有するものである場合、キャップ（２０）のうち配線部材（３０）が接触する部位を、電気絶縁性を有する絶縁膜（２１）にて被覆すれば、キャップ（２０）と素子チップ（１０）との電気的な分離およびキャップ（２０）と配線部材（３０）との電気的な分離が可能となる。
【００１６】
さらに、上記した側面電極（１３）を有する構成においては、素子チップ（１０）の側面（１０ｂ）に当該側面（１０ｂ）より凹んだ凹部（１４）を形成し、この凹部（１４）内に側面電極（１３）を設けてもよい。
【００１７】
そして、この場合、キャップ（２０）のうち素子チップ（１０）の凹部（１４）に隣り合う部位に、素子チップ（１０）の凹部（１４）から連続して形成された凹み（２２）を設けることが好ましい。
【００１８】
それによれば、配線部材（３０）は、素子チップ（１０）の凹部（１４）に挿入されて側面電極（１３）と接続されるが、このようなキャップ（２０）に凹み（２２）を設けることで素子チップ（２０）の凹部（１４）の開口部はキャップ（２０）側の凹み（２２）の開口部と一体化した分、広くなるため、配線部材（３０）を素子チップ（１０）の凹部（１４）に挿入しやすくなる。
【００１９】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２１】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置１００の全体構成を示す俯瞰図であり、図２は、この電子装置１００における素子チップ１０とキャップ２０との積層構成部分の概略断面図である。本実施形態では、電子装置１００を加速度や角速度の検出を行う力学量センサ装置に適用したものとして説明する。
【００２２】
図１、図２に示されるように、本実施形態のセンサ装置１００は、大きくは、主表面１０ａに電気的な機能を有する素子部１１を有する素子チップ１０と、素子部１１を覆うように素子チップ１０の主表面１０ａに取り付けられたキャップ２０と、素子チップ１０と電気的に接続された配線部材３０と、この配線部材３０を介して素子チップ１０と電気的に接続された回路チップ４０とを備えて構成されている。
【００２３】
図２に示されるように、素子チップ１０は、シリコンなどの半導体よりなる半導体基板１により構成されている。ここでは、半導体基板１は、絶縁膜１ｃを、キャップ２０側に位置する第１の半導体層１ａと回路チップ４０側に位置する第２の半導体層１ｂとで挟んでなるものである。
【００２４】
具体的には、半導体基板１は、絶縁膜１ｃとしてのシリコン酸化膜１ｃを、第１の半導体層１ａとしての第１のシリコン層１ａと第２の半導体層１ｂとしての第２のシリコン層１ｂとで挟んでなるＳＯＩ基板１である。
【００２５】
そして、半導体基板１における両シリコン層１ａ、１ｂのうちキャップ２０側に位置する第１のシリコン層１ａの表面が、素子チップ１０の主表面１０ａ側となっており、素子部１１はこの第１のシリコン層１ａに形成されている。
【００２６】
ここでは、素子部１１は、加速度や角速度の印加に応じて電気信号を発生する電気的な機能を有するものであり、具体的には、よく知られている櫛歯構造体としての可動電極と固定電極とを有し、これら両電極間の容量変化などにより加速度や角速度を検出するものにできる。
【００２７】
図２では、素子部１１は、第１のシリコン層１ａに形成された上記櫛歯構造体を有する可動部１１として示されている。この可動部１１の下ではシリコン酸化膜１ｃが除去されることにより、可動部１１は、図示しない梁部などに支持された状態にて、加速度や角速度の印加に応じて変位可能となっている。
【００２８】
そして、この素子部としての可動部１１が、加速度や角速度の印加に応じて変位することで、印加加速度や印加角速度に応じたレベルの電気信号が発生するが、この信号は、配線部材３０から取り出されるようになっている。
【００２９】
具体的には、後述の製造方法（後述の図３〜図８参照）のところで述べるが、素子チップ１０において第１のシリコン層１ａには、トレンチを形成することにより、当該トレンチで区画したパターンとして、可動部１１としての櫛歯構造体、および当該可動部１１に導通する配線部１２（図２参照）を形成する。
【００３０】
そして、このトレンチで画定された配線部１２が、図２に示されるように、素子チップ１０の主表面１０ａの側部に位置する側面１０ｂに臨んでいる。そして、この素子チップ１０の側面１０ｂに臨む配線部１２に、引き出し電極としての側面電極１３を形成し、この側面電極１３に配線部材３０が接続されている。
【００３１】
この側面電極１３は、スパッタや蒸着などの成膜法で形成された導電性の膜や、導体ペーストの印刷あるいは金属のメッキ、さらには導電性接着剤、はんだなどにより形成できるものである。一方、この側面電極１３に接続された配線部材３０としては、ボンディングワイヤや、被覆付きの配線あるいはリードフレームなどが挙げられる。
【００３２】
本例では、側面電極１３は、蒸着法などにより形成されたＡｌ膜であり、また、配線部材３０は、金やＡｌなどの線材を用いたワイヤボンディングにより形成されたボンディングワイヤ３０としている。
【００３３】
また、ここでは、図２に示されるように、素子チップ１０の側面１０ｂに臨む配線部１２は、素子チップ１０の側面１０ｂにおける他の部位よりも引っ込んでおり、凹部１４を形成している。
【００３４】
つまり、素子チップ１０の側面１０ｂには当該側面１０ｂより凹んだ凹部１４が形成されており、この凹部１４内に側面電極１３が設けられている。そして、ボンディングワイヤ３０は、この素子チップ１０の凹部１４に挿入された状態で側面電極１３と接続されている。
【００３５】
また、図２に示されるように、半導体基板１としてのＳＯＩ基板よりなる素子チップ１０の側面１０ｂにおいては、ボンディングワイヤ３０は、第１のシリコン層１ａには接続されているが、シリコン酸化膜１ｃを跨いで第２のシリコン層１ｂまで到達しておらず、第２のシリコン層１ｂには接続されていない。
【００３６】
また、キャップ２０は、素子部１１を覆うように素子チップ１０の主表面１０ａに取り付けられているが、このキャップ２０は、ガラスなどの絶縁体やシリコンなどの半導体よりなるものである。キャップ２０と素子チップ１０とは、たとえばシリコン系の接着剤などによる接着や、陽極接合、シリコン接合などにより接合固定されている。
【００３７】
本例では、キャップ２０はガラスなどの絶縁体よりなるものである。そのため、本例では、図２に示されるように、配線部材としてのボンディングワイヤ３０は、キャップ２０に接触している。ただし、キャップ２０がシリコンなどの導電性を持つものにより形成されている場合は、ボンディングワイヤ３０をキャップ２０に接しないように接続することが必要である。
【００３８】
このキャップ２０は、素子チップ１０の主表面１０ａに位置する可動部１１を外力や環境異物から保護するためのものである。本実施形態では、可動部１１の可動特性を阻害しないように、外力がかかってもキャップ２０の内面と可動部１１とが接触しないようにキャップ２０を構成している。
【００３９】
本例では、図２に示されるように、可動部１１に対向するキャップ２０の内面を、エッチングなどによって凹形状とすることにより、キャップ２０の内面と可動部１１とを離している。
【００４０】
なお、キャップ２０の内側が平坦である場合は、可動部１１の上面が、その周りの素子チップ１０の主表面１０ａよりも低くなるように形成したり、キャップ２０と素子チップとを接合する接合層に厚みを持たせることにより、可動部１１との接触を回避するようにしてもよい。
【００４１】
また、図１に示されるように、これら素子チップ１０とキャップ２０との接合体は、回路チップ４０の上に、接着剤などを介して搭載されている。そして、図１に示されるように、ボンディングワイヤ３０は、回路チップ４０と接続されている。それにより、素子チップ１０にて発生した上記電気信号は、上記配線部１２から側面電極１３、ボンディングワイヤ３０を介して回路チップ４０に出力されるようになっている。
【００４２】
この回路チップ４０は、素子チップ１０を駆動させたり素子チップ１０からの電気信号を処理して外部へ出力したりする機能を有するものである。なお、この回路チップ４０は回路基板であってもよい。
【００４３】
次に、上記図２に示される素子チップ１０とキャップ２０との接合体の製造方法を中心に、本実施形態の力学量センサ装置１００の製造方法の一例について述べる。当該接合体は、素子チップ１０とキャップとをウェハ状態で作製し接合した後、チップ単位にダイシングしてカットすることにより作られる。
【００４４】
図３は、当該接合体の製造方法を工程順に示す工程図であり、図４は図３に続く接合体の工程図であり、これら図３および図４ともに各工程におけるワークの断面構成を示している。
【００４５】
また、図５は、ダイシングする前すなわちウェハ状態の素子チップ１０の端部近傍の俯瞰図、図６は、図５に示される素子チップ１０の端部をダイシングカットした状態にて示す俯瞰図、図７は、ダイシングカットされた接合体における素子チップ１０の端部の俯瞰図、図８は、図７のものにボンディングワイヤ３０を接続した状態を示す俯瞰図である。なお、これら図５〜図８の俯瞰図においては、識別のため便宜上、側面電極１３の一部表面には斜線ハッチングを施してある。
【００４６】
まず、図３（ａ）に示されるように、素子チップ１０となるウェハとして上記ＳＯＩ基板１を用意し、エッチングなどにより第１のシリコン層１ａのうち上記側面電極１３を形成すべき部位を、除去する。
【００４７】
次に、図３（ｂ）に示されるように、第１のシリコン層１ａの表面すなわち第１のシリコン層１ａの上面および上記除去部における側面に、蒸着などにより、Ａｌ膜１３ａを成膜する。
【００４８】
そして、図３（ｃ）に示されるように、異方性エッチングなどにより、第１のシリコン層１ａの上面に位置するＡｌ膜１３ａを除去し、第１のシリコン層１ａにおける側面に位置するＡｌ膜１３ａを残す。それにより、この側面に残ったＡｌ膜１３ａが上記側面電極１３となる。
【００４９】
次に、図３（ｄ）に示されるように、第１のシリコン層１ａに対してトレンチエッチングを行うとともに、犠牲層エッチングなどにより可動部１１の下のシリコン酸化膜１ｃを除去することにより、可動部１１および上記配線部１２を形成する。
【００５０】
なお、上記図５は、ここまでの状態における側面電極１３近傍の配線部１２の構成を示している。図５に示されるように、トレンチエッチングにより第１のシリコン層１ａに形成された分離トレンチ１２ａによって、配線部１２が画定されている。
【００５１】
ここで、図５中には、素子チップ１０の端部となるダイシングラインＤＬが示されており、ダイシングラインＤＬに臨む配線部１２の部分には、側面電極１３が形成されている。このダイシングラインＤＬにより切断された素子チップのウェハの切断面が、素子チップ１０の側面１０ｂ（上記図２参照）を構成する面となる。
【００５２】
このようにして、素子チップ１０となるウェハに対して、チップ単位毎に、可動部１１、配線部１２および側面電極１３を形成した後、本例の製造方法においては、図４（ａ）に示されるように、ガラスよりなるキャップ２０となるウェハ２０’を貼り合わせる。この貼り合わせは、上述したように接着や陽極接合などにより行える。
【００５３】
続いて、図４（ｂ）に示されるように、貼り合わされた両ウェハ１、２０’の接合体を、図中の破線に示されるダイシングラインＤＬに沿って、ダイシングカットし、チップ単位に分割する。
【００５４】
そして、上記図６には、このダイシングカット後における接合体において、キャップ２０を省略した状態にて、側面電極１３の近傍の配線部１２が示されている。ダイシングによる切断面が素子チップ１０の側面１０ｂとして形成され、分離トレンチ１２ａによって画定された配線部１２の個々において、当該側面１０ｂに臨む配線部１２の部分に側面電極１３が形成されている。
【００５５】
また、上記図７では、このダイシングカット後における接合体において、キャップ２０を省略しない状態、すなわち上記図６においてキャップ２０を付けた状態にて、側面電極１３の近傍の配線部１２が示されている。図７には、素子チップ１０の側面１０ｂに上記凹部１４が形成され、この凹部１４内に側面電極１３が設けられている様子が、明確に示されている。
【００５６】
次に、図４に戻って本例の製造方法では、チップに分割された素子チップ１０とキャップ２０との接合体を上記回路チップ４０上に搭載し、続いて、図４（ｃ）に示されるように、ワイヤボンディングを行うことにより、ボンディングワイヤ３０によって側面電極１３と回路チップ４０とを接続する。こうして、上記図１、図２に示される本実施形態のセンサ装置１００ができあがる。
【００５７】
なお、上記図８では、このワイヤボンディング後の素子チップ１０側のボンディングワイヤ３０の接続部近傍の様子が示されている。上述したように、素子チップ１０の側面１０ｂにおいては、ボンディングワイヤ３０は、絶縁体であるキャップ２０は接しているが、第２のシリコン層１ｂには到達していない。
【００５８】
それによれば、第１のシリコン層１ａと第２のシリコン層１ｂとのボンディングワイヤ３０を介した導通を防止し、両シリコン層１ａ、１ｂ間におけるシリコン酸化膜１ｃを介した電気的分離を確保できる。また、図８に示されるように、ボンディングワイヤ３０は、分離トレンチ１２ａを跨いでおらず、個々の配線部１２の間の電気的分離を確保している。
【００５９】
このように、本実施形態のセンサ装置１００は、主表面１０ａに電気的な機能を有する素子部としての可動部１１を有する素子チップ１０と、可動部１１を覆うように素子チップ１０の主表面１０ａに取り付けられたキャップ２０と、素子チップ１０と電気的に接続された配線部材としてのボンディングワイヤ３０とを備えている。
【００６０】
そして、このような基本構成を有するセンサ装置１００において、本実施形態では、ボンディングワイヤ３０を、素子チップ１０の主表面１０ａの側部に位置する側面１０ｂにて、素子チップ１０に接続している。
【００６１】
それによれば、ボンディングワイヤ３０を、素子チップ１０の側面１０ｂに接続しているため、素子チップ１０の主表面１０ａに取り付けられ当該主表面１０ａを覆うキャップ２０に対して、従来のような抜き領域や貫通電極を形成することなく、ボンディングワイヤ３０と素子チップ１０とを電気的に接続することができる。
【００６２】
そして、本実施形態によれば、素子チップ１０の側面１０ｂに引き出し電極としての側面電極１３を設けることにより、（ａ）引き出し電極のチップ表面における占有面積を低減してチップの小型化が可能となる、（ｂ）キャップウェハに抜き領域を設ける必要がないため、簡略な工程でキャップウェハを形成できる、（ｃ）キャップウェハ製造時および搬送での破損が抑制できる、といった各種の効果を奏する。
【００６３】
次に、上記第１実施形態以外の本発明の種々の実施形態を示すが、以下の各実施形態は、上記第１実施形態と同様の作用効果を奏するものであるため、以下の各実施形態においては、主として上記第１実施形態とは異なる構成、作用効果を示すこととする。
【００６４】
（第２実施形態）
図９は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。上記実施形態では、キャップ２０を絶縁体により形成した例を述べたが、本実施形態では、キャップ２０を、シリコンなどの導電性材料により形成している。
【００６５】
本実施形態では、図９に示されるように、キャップ２０のうち素子チップ１０と対向する部位、すなわちキャップ２０の内面を、電気絶縁性を有する絶縁膜２１にて被覆したものとしている。なお、図９には、キャップ２０と素子チップ１０とを接合する接合層５０が示されているが、この接合層５０は上記した接着剤などである。
【００６６】
この絶縁膜２１は、一般的な成膜法により形成される絶縁膜であればよい。例えば、絶縁膜２１としては、シリコンなどよりなるキャップ２０の内面に対して、ＣＶＤや蒸着、スパッタなどにより形成されたシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜、あるいは熱酸化法などにより形成されたシリコン酸化膜が挙げられる。
【００６７】
このように絶縁膜２１を形成することにより、絶縁膜２１は、キャップ２０のうち配線部材としてのボンディングワイヤ３０が接触する部位も被覆している。そのため、本実施形態によれば、ボンディングワイヤ３０がキャップ２０に接触しても、キャップ２０と素子チップ１０との電気的な分離およびキャップ２０とボンディングワイヤ３０との電気的な分離が確保される。
【００６８】
なお、図９に示される例では、キャップ２０の内面の全面に絶縁膜２１を形成しているが、この絶縁膜２１は、キャップ２０のうちボンディングワイヤ３０が接触する部位のみを被覆するように形成すれば、本実施形態の効果は得られる。
【００６９】
（第３実施形態）
図１０は、本発明の第３実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。本実施形態においても、素子チップ１０の側面１０ｂには凹部１４が形成されており、この凹部１４内に側面電極１３が設けられている。
【００７０】
ここでは、キャップ２０はガラスなどの絶縁体より構成されているが、さらに、本実施形態においては、図１０に示されるように、キャップ２０のうち素子チップ１０の凹部１４に隣り合う部位には、この素子チップ１０の凹部１４の開口部を広げるための凹み２２が設けられている。
【００７１】
具体的には、キャップ２０の凹み２２は、素子チップ１０の凹部１４から連続して形成されており、凹んでいる部分の空間を凹み２２と凹部１４とで共有した形となっている。そのため、素子チップ２０の凹部１４の開口部は、キャップ２０側の凹み２２の開口部と一体化した分、実効的に広くなる。
【００７２】
配線部材としてのボンディングワイヤ３０は、素子チップ１０の凹部１４に挿入されて側面電極１３と接続されるが、このように、キャップ２０に凹み２２を設けて素子チップ２０の凹部１４の開口部を広げているため、ボンディングワイヤ３０を素子チップ１０の凹部１４に挿入しやすくなる。
【００７３】
半導体基板１としてのＳＯＩ基板１においては、第１のシリコン層１ａの厚さはかなり小さいものであり、素子チップ１０に凹部１４を形成し、この凹部１４内に側面電極１３を設けた場合、ボンディングワイヤなどの配線部材３０を当該凹部１４に挿入することが、困難になる可能性がある。しかし、本実施形態のようにすれば、そのような問題を解消できる。
【００７４】
なお、上記第２実施形態のような導電性を有するキャップ２０においても、上記絶縁膜２１によるボンディングワイヤ３０との絶縁が確保されているならば、このようなキャップ２０の凹み２２を設けることが可能である。
【００７５】
また、図１０に示されるように、側面電極１３は、配線部１２だけでなく、配線部１２から連続してシリコン酸化膜１ｃまで延長して形成されていてもよい。このことについても、上記した各実施形態において適用可能である。
【００７６】
（第４実施形態）
図１１は、本発明の第４実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。上記各実施形態では、素子チップ１０の側面１０ｂにて、配線部１２を引っ込ませることで凹部１４を形成し、この凹部１４内に側面電極１３を設けていた。
【００７７】
それに対して、本実施形態では、図１１に示されるように、素子チップ１０の側面１０ｂに臨む配線部１２を、素子チップ１０の側面１０ｂにおける他の部位と同一平面としており、そこに側面電極１３を設けている。
【００７８】
この場合の側面電極１３は、ダイシング後に形成すればよい。そして、本実施形態によっても、素子チップ１０の側面１０ｂに、素子チップ１０に電気的に接続された側面電極１３を設け、この側面電極１３に配線部材３０が接続された構成を実現でき、上記第１実施形態と同様の効果を発揮できる。
【００７９】
（第５実施形態）
図１２は、本発明の第５実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。上記各実施形態では、素子チップ１０の側面１０ｂに、引き出し電極としての側面電極１３を設け、この側面電極１３にボンディングワイヤ３０を接続することにより、ボンディングワイヤ３０を素子チップ１０の側面１０ｂに接続した状態で、素子チップ１０と電気的に接続した。
【００８０】
それに対して、図１２に示される本実施形態のように、引き出し電極１３ｂを素子チップ１０の主表面１０ａに形成した場合でもよい。ただし、この場合、素子チップ１０の主表面１０ａの周辺部において、そこに位置する配線部１２に引き出し電極１３ｂを設ける。この引き出し電極１３ｂは、上記側面電極と同様の材質とすることができる。
【００８１】
さらに、この引き出し電極１３ｂとボンディングワイヤ３０とが接続できるように、キャップ２０の端部に対して、上記図１０の場合と同様の凹み２２を形成する。それにより、ボンディングワイヤ３０を素子チップ１０の側面１０ｂに接続したとき、ボンディングワイヤ３０が、キャップ２０の凹み２２から引き出し電極１３ｂまで入り込んで接続された状態となる。
【００８２】
言い換えるなら、本実施形態では、ボンディングワイヤ３０をキャップ２０の凹み２２に挿入しつつ素子キャップ１０の側面１０ｂに接続するが、このときに、素子チップ１０の主表面１０ａの周辺部において、当該凹み２２に挿入されたボンディングワイヤ３０が接続可能な位置に引き出し電極１３ｂを形成するものである。
【００８３】
それによって、この引き出し電極１３ｂは、擬似的に上記各実施形態における側面電極と同様の機能を有するものとなる。つまり、本実施形態によれば、素子チップ１０の側面１０ｂに、側面電極１３を設けなくても、ボンディングワイヤ３０を素子チップ１０の側面１０ｂに接続して素子チップ１０と電気的に接続する状態を実現できるため、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００８４】
（第６実施形態）
図１３は、本発明の第６実施形態に係る電子装置の全体構成を示す俯瞰図である。上記第１実施形態では、上記図１に示されるように、ボンディングワイヤ３０は、矩形板状の素子チップ１０の２つの側面１０ｂに接続されていた。
【００８５】
それに対して、図１３に示される本実施形態のように、この矩形板状をなす素子チップ１０の４つの側面１０ｂのすべてにボンディングワイヤ３０を接続してもよい。さらには、図示しないが、ボンディングワイヤ３０は、任意の３つ側面１０ｂに接続されていてもよく、任意の１つの側面１０ｂのみに接続されていてもよい。
【００８６】
つまり、素子チップ１０の側面１０ｂからのボンディングワイヤ３０の取り出しは、種々の形態が可能である。なお、本実施形態は、上記した各実施形態と組み合わせて適用することが可能である。
【００８７】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、主として、側面電極１３や第５実施形態における引き出し電極１３ｂをＡｌ膜とし、配線部材３０をボンディングワイヤ３０とした例について述べたが、もちろん、側面電極１３、引き出し電極１３ｂおよび配線部材３０は、この例に限定されるものではない。
【００８８】
それ以外にも、上述したように、側面電極１３や引き出し電極１３ｂは、スパッタや蒸着などの成膜法により形成された種々の導電性の膜や、導体ペースト、金属のメッキ、導電性接着剤、はんだなどにより形成できるものであり、一方、配線部材３０としては、被覆付きの配線あるいはリードフレームなどが挙げられる。そして、これらのなかから、電極１３、１３ｂと配線部材３０との組合せとして、これら両者１３、１３ｂと３０とが接続可能な組み合わせであれば適宜採用することができる。
【００８９】
なお、素子チップ１０を構成する半導体基板１とボンディングワイヤ３０とを直接接合し、充分な電気的接続が得られるのであれば、半導体基板１には側面電極１３を形成しなくてもかまわない。
【００９０】
また、素子チップ１０としては、一般的な矩形板状の例を挙げたが、もちろんこれに限定されるものではなく、たとえば円形板、多角形板などの形状を有するものであって、その側面に配線部材を接続できるものならば、かまわない。また、上記図１などに示される例では、電子装置は回路チップ４０を備えているが、この回路チップは無いものであってもよい。
【００９１】
また、上記各実施形態では、素子チップを、素子部として加速度や角速度の検出を行う可動部を備えたものとしたが、素子チップは、その主表面に電気的な機能を有する素子部を有するものであれば限定されるものではなく、例えば圧力検出を行うダイアフラムを備えた半導体チップなどであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子装置の全体構成を示す俯瞰図である。
【図２】上記図１中の電子装置における素子チップとキャップとの積層構成部分の概略断面図である。
【図３】上記図２に示される素子チップとキャップとの接合体の製造方法を示す工程図である。
【図４】図３に続く製造方法を示す工程図である。
【図５】ダイシングする前の素子チップの端部近傍の俯瞰図である。
【図６】上記図５に示される素子チップの端部をダイシングカットした状態にて示す俯瞰図である。
【図７】ダイシングカットされた接合体における素子チップの端部の俯瞰図である。
【図８】上記図７の接合体にボンディングワイヤを接続した状態を示す俯瞰図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。
【図１２】本発明の第５実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。
【図１３】本発明の第６実施形態に係る電子装置の全体構成を示す俯瞰図である。
【符号の説明】
【００９３】
１…半導体基板としてのＳＯＩ基板、
１ａ…第１の半導体層としての第１のシリコン層、
１ｂ…第２の半導体層としての第２のシリコン層、
１ｃ…絶縁膜としてのシリコン酸化膜、
１０…素子チップ、１０ａ…素子チップの主表面、１０ｂ…素子チップの側面、
１１…素子部、１３…側面電極、１４…凹部、
２０…キャップ、２１…絶縁膜、３０…配線部材としてのボンディングワイヤ。
【図１】
2007311392.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007311392.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007311392.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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