(57)【要約】【課題】多層配線基板の各配線層の層間での電気的接続において、ビア形成部を確保するために配線ピッチを広げたり、配線長さや配線幅を増加させることがなく、かつこれにより、製品サイズも増加させることのない、多層配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】多層配線基板を構成する配線基板の絶縁層１４に設けた開口部１６を介して上層と下層との間の電気的な接続を行う場合に、絶縁層の開口部１６のすべての壁面を導電材料３０で覆うことなく、一部の開口部１６の壁面を露出させながら導電材料３０を介して上下層間の電気的接続を行うことを特徴とする。【選択図】図５
2007220803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線基板を構成する個々の配線基板の絶縁層に設けた開口部を介して上層と下層との間の電気的な接続を行う場合に、前記絶縁層の開口部のすべての壁面を導電材料で覆うことなく、一部の開口部の壁面を露出させながら前記導電材料を介して前記上下層間の電気的接続を行うことを特徴とする多層配線基板の接続方法。
【請求項２】
上層の配線層と下層の配線層のいずれか一方の配線層は、接続部位における配線幅が、その接続部位の前後における配線幅より広くなくて略同一であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の接続方法。
【請求項３】
１つの開口部に、上層と下層との間の配線接続部が複数形成されることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の接続方法。
【請求項４】
下層の配線層の接続部が、導電材料で充填されたビアであることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の接続方法。
【請求項５】
上層の配線層の接続部が、前記絶縁層の開口部の壁面の一部に導電材料を形成したビアであることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の接続方法。
【請求項６】
下層の配線層の接続部に対して、上層の配線層を電気的に接続し、更にその上層の配線層を同じ接続部に対して電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の接続方法。
【請求項７】
絶縁層に設けた開口部は接続部の平面に対して傾斜しており、傾斜角は９０度未満であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の接続方法。
【請求項８】
多層配線基板を構成する個々の配線基板の絶縁層に設けた開口部を介して上層配線層と下層配線層とが電気的に接続された構造を有し、前記絶縁層の開口部のすべての壁面を導電材料で覆うことなく、一部の開口部の壁面を露出させながら前記導電材料を介して前記上下層間の電気的接続を行うことを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板及びその製造方法、特に多層配線基板を構成する配線基板の各絶縁層間における上層の配線層と下層の配線層との間の電気的な接続方法を改良した多層配線基板及びその接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、多層配線基板における各配線基板どうしの層間の電気的な接続方法としては、接続箇所における配線基板にビアあるいはスルーホールを開口し、その開口部にめっきを析出させる、あるいは導電性ペースト等を充填し、層間の電気的な接続を確保することによって行われている。
【０００３】
また、近年、高密度配線のために行われているビルドアップ基板においては、通常、多層間に跨がる貫通孔を形成するのではなく、１層分の電気的接続を確保するための孔を形成することが、レーザ加工や、感光性樹脂を使ったフォトプロセスによる手法により行われている。
【０００４】
従来技術における多層配線基板の層間の電気的な接続方法において、接続のための開口部の形成段階では、ドリル加工と比較してはるかに微細加工が可能なレーザ加工やフォトプロセスであっても、量産性を確保できる孔径としては、５０μｍ程度となっている。さらには、通常は開口孔と配線との接続信頼性の確保のために、孔径よりも大きい受けパッドが形成されている。一方、配線形成技術において現状では、配線幅が２０μｍ、配線間隔が２０μｍレベルの微細配線の形成が可能となっている。
【０００５】
その結果、層内の配線の引き回しは、配線幅を２０μｍ、配線間隔を２０μｍとしても上層或いは下層との接続部分では、ビア形成部を確保するために配線ピッチを広げて確保する必要があり、その結果、配線長さの増加、配線幅の増加となり、最終的には製品サイズの増加になる。さらに、配線長さの増加や、配線幅の増加、変化は電気的信号の伝送特性にも影響を及ぼすため製品特性の低下となる。
【０００６】
次に図面を参照して従来の多層配線基板の製造方法について説明する。図１（ａ）及び（ｂ）はビアによる層間接続構造を示す断面図及び平面図であり、図２は孔開け工程にレーザを用いたセミアディティブ法によるビア層間接続の工程を示す。
【０００７】
まず、図２（ａ）において、下層の樹脂基板１０上に下層配線１２を形成する。この場合の下層配線の１２に形成は、良く知られているフォトリゾグラフィ工程等で配線をパターニングにより行うことができる。ついで、図２（ｂ）においては、配線１２を形成した樹脂基板１０上に上層としての絶縁樹脂層１４が形成される。そして、図２（ｃ）に示すように、レーザによりこの絶縁樹脂層１４にビア孔１６を形成し、配線１２の一部を露出させるようにする。なお、ビア孔１６は図示のように下部ほど徐々に径が小さくなったテーパ状に形成している。
【０００８】
次に、図２（ｄ）において、配線１２の一部が露出しているビア孔１６の底面及びビア孔１６の側面を含む絶縁樹脂層１４の上面全体に、銅の無電解めっき等によりめっきシード層１８を形成する。ついで、図２（ｅ）において、めっきシード層１８上にレジストを塗布し、ビア接続部や配線を形成する箇所が開口するように所要のパターニングを施してめっきレジスト２０を形成する。
【０００９】
次に、図２（ｆ）において、めっきレジスト２０を利用して、銅の電解めっきを施す。これにより、ビア孔１６が電解めっきにより銅が充填されて層間接続用のビア２２が形成されると共に、上層である絶縁樹脂層１４上に所要の配線パターン２４が形成される。ついで、図２（ｇ）において、めっきレジスト２０を剥離し、更に、図２（ｈ）において、剥離しためっきレジスト２０の下部に存在していためっきシード層１８をエッチング等により除去する。このようにし、図１に示すようなビア接続構造が形成される。なお、図１において、１２は下層配線、１３は下層配線の一部である下層パッド、２２は接続ビア、２４は上層配線、２５は上層配線の一部としての上層パッドである。このように下層配線１２（下層パッド１３）が層間接続用のビア２２を介して上層配線２４（上層パッド２５）に電気的に接続される構造が完成される。
【００１０】
先行技術として特開２００３−２１８５１６号公報（特許文献１）があるが、この技術によると、配線パターンを形成した配線基板を絶縁層で被覆し、この絶縁層にビア孔を形成し、このビア孔にめっきを析出させる配線基板の製造方法において、絶縁層と配線パターンの密着性を良好にし、高密度に配線パターンを形成可能とするために、絶縁層の形成過程において、配線パターンが形成された面を電気的絶縁性を有する樹脂により被覆した後、赤外線を用いた加熱処理によりこの電気的絶縁層を硬化させることが提案されている。
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−２１８５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述した従来の多層配線基板の製造方法によると、層間の接続における上層或いは下層との接続部分では、ビア形成部を確保するために配線ピッチを広げる必要があり、その結果、配線長さの増加、配線幅の増加、製品サイズの増加等が問題となり、また、配線長さの増加、配線幅の増加や変化により多層配線基板の電気的信号の伝送特性にも影響を及ぼす。
【００１３】
多層配線基板の層間の接続におけるビア形成部を確保するための配線ピッチについて、図３及び図４により説明する。配線２４及びビアパッド部２５に対して、接続条件として、配線２４の幅を２０μｍ、配線間隔を２０μｍ、ビアパッド部２５の直径を１００μｍとし、従来方法のように、図３に示すような多数のビアパッド部２５を並列に且つ平行に配置する方法では、ビアパッド部２５のピッチを１２０μｍとしなければ、ビアによる接続を行えないのが現状である。
【００１４】
また、接続条件として、同様に、配線２４の幅を２０μｍ、配線間隔を２０μｍ、ビアパッド部２５の直径を１００μｍとし、図４に示すような多数のビアパッド部２５をスタッガ配置とした場合においても、ビアパッド部２５のピッチを８０μｍとしなければ、ビアによる接続を行えないのが現状である。
【００１５】
そこで、本発明では、多層配線基板の各配線基板の層間での電気的接続において、ビア形成部を確保するために配線ピッチを広げたり、配線長さや配線幅を増加させることがなく、かつこれにより、製品サイズも増加させることのない、多層配線基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を達成するために、本発明によれば、多層配線基板を構成する個々の配線基板の絶縁層に設けた開口部を介して上層と下層との間の電気的な接続を行う場合に、前記絶縁層の開口部のすべての壁面を導電材料で覆うことなく、一部の開口部の壁面を露出させながら前記導電材料を介して前記上下層間の電気的接続を行うことを特徴とする多層配線基板の接続方法が提供される。
【００１７】
上層の配線層と下層の配線層のいずれか一方の配線層は、接続部位における配線幅が、その接続部位の前後における配線幅より広くなくて略同一であることを特徴とする。
【００１８】
１つの開口部に、上層と下層との間の配線接続部が複数形成されることを特徴とする。下層の配線層の接続部が、導電材料で充填されたビアであることを特徴とする。あるいは、上層の配線層の接続部が、前記絶縁層の開口部の壁面の一部に導電材料を形成したビアであることを特徴とする。
【００１９】
下層の配線層の接続部に対して、上層の配線層を電気的に接続し、更にその上層の配線層を同じ接続部に対して電気的に接続することを特徴とする。
【００２０】
絶縁層に設けた開口部は接続部の平面に対して傾斜しており、傾斜角は９０度未満であることを特徴とする。
【００２１】
また、本願発明によると、多層配線基板を構成する個々の配線基板の絶縁層に設けた開口部を介して上層配線層と下層配線層とが電気的に接続された構造を有し、前記絶縁層の開口部のすべての壁面を導電材料で覆うことなく、一部の開口部の壁面を露出させながら前記導電材料を介して前記上下層間の電気的接続を行うことを特徴とする多層配線基板が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２３】
図５は、本発明による、多層配線基板の製造方法を工程順に示したものである。
【００２４】
まず、図５（ａ）において、下層の樹脂基板１０上に下層配線１２を形成する。この場合の下層配線の１２の形成は、良く知られているフォトリゾグラフィ工程等で配線をパターニングにより形成される。ついで、図５（ｂ）においては、配線１２を形成した樹脂基板上に上層としての絶縁樹脂層１４が形成される。そして、図５（ｃ）に示すように、この絶縁樹脂層１４にビア孔１６を形成し、配線１２の一部を露出させるようにする。
【００２５】
なお、ビア孔１６は図示のように下部ほど徐々に径が小さくなったテーパ状に形成して、ビア孔１６の壁面は傾斜させている。このような傾斜部をもったビア孔１６の開口部を形成するには、絶縁樹脂層１４を感光性樹脂とし、フォトプロセスによる露光・現像により開口することもできる。ポジ型の感光性樹脂の場合は、アンダー露光とすることで、またネガ型の感光性樹脂の場合は、オーバ露光とすることで、任意の角度をもった傾斜壁を具備したビア孔１６を得ることができる。
【００２６】
また、このようなフォトプロセスによってビア開口部１６を形成する方法の他に、レーザ加工工程により任意の角度のテーバ状壁面をもったビア孔１６の開口部を形成することもできる。また、プレス金型や型埋め込みによりビア孔１６を形成することも可能であるが、これらについては後述する。
【００２７】
次に、図５（ｄ）において、配線１２の一部が露出しているビア孔１６の底面及びビア孔１６の側面を含む絶縁樹脂層１４の上面全体に、銅の無電解めっき等によりめっきシード層１８を形成する。
【００２８】
次に、図５（ｅ）において、めっきシード層１８上にレジストを塗布し、ビア接続部や配線を形成する箇所が開口するように所要のパターニングを有するめっきレジスト２０を形成する。本発明では、レジスト２０のパターニングを行う際、ビア孔１６の開口部内の全域を露出させるのではなく、開口部の一部をレジスト２０によって覆われた状態としておく。即ち、開口部１６内の配線１２が露出している領域のうち、ビア接続に必要な一部の箇所のみを露出するようにし、開口部１６の他の部分はレジスト２０によって覆われたままとしておく。
【００２９】
次に、図５（ｆ）において、めっきレジスト２０を利用して、銅の電解めっきを施す。これにより、ビア孔１６の開口部の所要箇所が、電解めっきにより銅が充填されて層間接続用のビア配線３０が形成されると共に、上層である絶縁樹脂層１４上に所要の配線パターンが形成される。ついで、図５（ｇ）において、めっきレジスト２０を剥離し、更に、剥離しためっきレジスト２０の下部に存在していためっきシード層１８をエッチング等により剥離する。
【００３０】
図６及び図７は、プレス金型や型埋め込みによりビア孔１６の開口部を形成する方法を示したものである。プレス金型を用いる場合を図６に示す。図６（ａ）において、下層の樹脂基板１０上に下層配線１２をパターニング形成した後、その上に絶縁樹脂層１４を形成した状態である。ここで、絶縁樹脂基板１４として熱可塑性樹脂を用いる場合は、下層の樹脂基板１０上に絶縁樹脂層１４を形成した後、加熱して樹脂粘度を低下させてから、図６（ｂ）において所定のテーパー状の凸部を有するプレス金型３２を押し当て、その後冷却することで、ビア孔１６の開口部を形成することができる。開口部を形成した後は、図６（ｃ）のように離型する。
【００３１】
また、絶縁樹脂層１４として熱硬化樹脂を用いる場合は、下層の樹脂基板１０上に完全に硬化していない絶縁樹脂層１４を形成した後、加熱を行い、樹脂粘度が低下し硬化する前に図６（ｂ）において所定のテーパー状の凸部を有するプレス金型３２を押し当てて、ビア孔１６の開口部を形成することができる。そのまま加熱し絶縁樹脂１４の硬化が完了し開口部を形成した後は、図６（ｃ）のように離型する。
【００３２】
型埋め込み法による場合は、図７（ａ）に示すように、絶縁樹脂層１４上の開口部形成箇所に金型３４を埋め込み、ビア孔１６の開口部を形成後、図７（ｂ）に示すように、埋め込み金型３４を離型する。
【００３３】
上述したレーザ光加工、フォトプロセス、或いは金型等のいずれのビア孔方法においても、絶縁樹脂層１４に傾斜した壁面を有するテーパ状の開口部が形成され、その開口部内に下層の配線部１６の一部が露出するように配置されている。
【００３４】
以上のように、本発明によれば、多層配線基板を構成する配線基板の絶縁樹脂層に設けたビア孔１６の開口部を介して上層と下層との間の電気的な接続を行う場合に、開口部１６のすべての壁面を電解銅めっき層から成るビア配線３０で覆うことのないように、一部の開口部の壁面をレジスト２０で覆った状態で電解めっきを行うことにより、開口部の壁面の一部をそのまま露出させた状態で、ビア配線３０を介して上下層間の電気的接続を行うようにしている。したがって、多層配線基板の各配線基板の層間での電気的接続において、ビア形成部を確保するために配線ピッチを広げたり、配線長さや配線幅を増加させる必要がなく、かつこれにより、製品サイズも増加させることはない。
【００３５】
次に、本発明による、多層配線基板におけるビア孔１６の開口部を介して層間の電気的な接続を行う各種の実施態様について説明する。
【００３６】
図８は既存の技術による層間接続部を示したものであり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は上面図で上層配線を示し、（ｃ）は下層配線を示す。これらの図において、１０は下層の絶縁樹脂層、１２は下層の配線部、１４は上層の絶縁樹脂層、１６はビア孔開口部、２２は導電材料によるビア接続部、２４は上層の配線部を示す。図示のように、既存技術においては、接続信頼性を確保するために、上下層ともビア孔１６の開口部の壁面全体に接続配線部が広がっている。
【００３７】
図９は図８に対応する層間接続部を示したものであり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は上面図で上層配線を示す。この実施態様では、ビア孔開口部１６の壁面の全域にわたって導電材料によるビア接続部２２を形成するのではなく、ビア孔開口部１６の壁面及び底面の上層配線２４の延長上にのみ導電材料を形成し、一部の領域、即ち上層配線２４の延長上から両側へ外れた領域２２ａ、２２ａでは導電材料を形成せずに下層配線１２との層間接続を行っている。したがって、上層の配線層は接続部位２２における配線幅が、その接続部位の後方２における配線幅より広くなくて略同一である。
【００３８】
図１０は同様に図８に対応する層間接続部を示したものであり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は上面図で上層配線を示す。この実施態様では、図９の場合と同様に、ビア孔開口部１６の壁面の全域にわたって導電材料によるビア接続部２２を形成するのではなく、ビア孔開口部１６の壁面の上層配線２４の延長上にのみ導電材料を形成し、一部の領域、即ち上層配線２４の延長上から両側へ外れた領域２４ａ、２４では、導電材料を形成していない。さらに、導電材料によるビア接続部２２をビア開口孔１６の底面の途中までとし、ビア開口孔１６の底面の前方領域２２ｂは導電材料を形成していない。したがって、ビア開口孔１６の底面の後方領域及び中央領域においてビア接続部２２による下層配線１２との電気的な接続を行っている。
【００３９】
図１１では更に別の実施態様による層間接続部を示したものであり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は上面図で上層配線を示す。この実施態様では、ビア孔開口部１６の開口断面を楕円形とし、下層及び上層の配線１２、２４の延びる方向と直交する方向に比較的大きな開口領域としている。導電材料によるビア接続部２２は、配線の延びる方向にはビア孔開口部１６を覆っており、且つ幅を大きくした部分２２ｃ、２２ｃを有しているが、ビア孔開口部１６の底面又は壁面の全域にわたって形成するのではなく、ビア孔開口部１６の楕円形内部の長径方向の両側の部位１０ａ、１０ｂでは、導電材料を形成しておらず、下層の絶縁樹脂層が露出している。
【００４０】
図１２は多層配線基板の複数層にわたって層間接続部を行う更に別の実施態様を示す縦断面図である。この実施態様では、図５で説明した工程により、下層の配線１２に対し第１層目の配線２２、２４を接続させた後、更にその上にセミアディティブ法により第２層目の絶縁樹脂層３６を形成し、もとのビア孔開口部１６と同じ位置に再度ビア孔開口部を形成し、第２層目の配線３８を第１層目の配線ビア接続部に接合して、下層の配線１２、第１層目の配線２２、及び第２層目の配線３８を順次重ねることにより３層間の電気的な接続を行う。このように、３層以上の複数の配線層にわたってビア接続部において電気的な接合を行う場合においても、ビア孔開口部の壁面全体にわたって導電材料を形成するのではなく、ビア孔開口部の一部の領域は接合部として利用せずに、開口部を露出させたままの状態としておくのである。
【００４１】
図１３は図５で説明した工程により下層の配線１２に対し第１層目の配線２２、２４を接続させることにより多層配線基板の製造する場合において、上層の配線２２、２４が通過する部分におけるビア開口部１６のテーパ状壁面の傾斜角を示したものである。ここで傾斜角αは９０度未満とし、配線２２、２４がビア開口部１６において鈍角に曲折して層間の接続を行うようにする。これにより、開口部の壁面への配線形成が容易になるだけでなく、配線２２、２４は円滑に延びることができ、無理な集中応力を受けたり、電気的な局部変化を受けたりすることが防止される。
【００４２】
図１４では更に別の実施態様による層間接続部を示したものであり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は上面図で上層配線を示す。この実施態様では、下層の絶縁樹脂層１０のビア孔に導電材料が充填されて充填ビア１２を構成している。したがって、更にその下層の配線層（図示せず）がある場合には、その配線との電気的な接続が可能であり、或いは充填ビア１２を外部接続端子として用いることもできる。その他の構造は、図９に示した実施態様と同様であり、上層の絶縁樹脂層１４のビア孔開口部１６には、その壁面の全域にわたって導電材料によるビア接続部２２を形成するのではなく、ビア孔開口部１６の壁面の上層配線２４の延長上にのみ導電材料を形成している。
【００４３】
図１５及び図１６は、図１２に示した複数層にわたる層間接続部の更に別の実施態様を示す縦断面図である。図１５の実施態様では、第２層目の配線３８を、第１層目の配線２２と下層の配線１２との接合部に接合するために、ビア孔開口部を導電材料でもって完全に埋め込んだ充填ビア４０を介して層間接続を行ったものである。一方、図１６の実施態様では、第２層目の配線３８を、第１層目の配線２２と下層の配線１２との接合部に接合するために、ビア孔開口部を導電材料でもって部分的に埋め込んだ未充填ビア４２を介して層間接続を行ったものである。
【００４４】
図１７は図１２の実施形態において、下層の絶縁樹脂層１０のビア孔に完全に導電材料が充填された充填ビア１２ａで構成したものである。また、図１８の実施形態では、同様に、下層の絶縁樹脂層１０のビア孔に完全に導電材料が充填された充填ビア１２ａで構成すると共に、図１５の実施形態と同様、第２層目の配線３８を、第１層目の配線２２と下層の配線１２との接合部に接合するために、電解めっき等によりビア孔開口部を導電材料でもって完全に埋め込んだ充填ビア４０を介して層間接続を行ったものである。
【００４５】
図１９は更に別の実施態様を示すもので、（ａ）は上面図で上層配線を示し、（ｂ）は縦断面図である。この実施形態では、下層の絶縁樹脂層１０のビア孔に完全に導電材料が充填された充填ビア１２ａで構成され、上層の配線２４はビア孔開口部１６において充填ビア１２ａに接合されると共に、そのままの幅寸法で上層の絶縁樹脂層１４の上を前方方向へ直線状に延びている。この実施形態において、上層の配線２４は充填ビア１２との接合部の前後において、ビア開口部１６のテーパ状の傾斜部上に延在している。
【００４６】
図２０も更に別の実施態様を示すもので、（ａ）は上面図で上層配線を示し、（ｂ）は縦断面図である。この実施形態では、下層の絶縁樹脂層１０上の配線１２と上層の絶縁樹脂層１４上の配線２４とがそのままの幅を維持しながら、直交するように延びしおり、ビア孔開口部１６において両配線１２、２４が直角に交差して接合されている。この実施形態においても、上層の配線２４は充填ビア１２との接合部の前後において、ビア開口部１６のテーパ状の傾斜部上に延在している。
【００４７】
図２１〜図２５は１つのビア開口部１６に対して複数の配線を層間接続により接続するように構成したものである。図２１の実施形態では、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は上面図であり、１つのビア開口部１６の内で複数の下層の配線１２に対して単一の上層の配線２４を接続している。この実施形態においても、上層の配線２４はその幅が広がってビア接続部２２を形成しているが、このビア接続部２２はビア開口部１６の全域を覆っているのではなく、その両側において導電材料が設けられておらず、間隔をあけて並列に配置された複数本の下層配線１２との接続部分を確保するものの、その前方部分にまでは延びておらず、ビア開口部１６の内部領域において下層の絶縁樹脂層１０が露出している領域が存在する。
【００４８】
図２２の実施形態では、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は上面図であり、前記実施形態とのは逆に、１つのビア開口部１６の内で単一の下層配線１２に対して間隔をあけて並列に配置された複数の上層配線２４を接続している。この実施形態においては、下層配線１２は開口部１６においてその幅が広がっているが、ビア開口部１６の全域を覆っているのではなく、その両側において導電材料が設けられていない領域があり、また上層配線１２との接続部分を確保するものの、その前方部分にまでは延びておらず、ビア開口部１６の内部領域において下層の絶縁樹脂層１０が露出している領域が存在する。そして、ビア開口部１６の内部の下層配線１２の幅が広がっている部分において、平行に配置された複数の上層配線１２が接合されている。
【００４９】
図２３の実施形態では、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は上面図であり、図２２の実施形態と同様、１つのビア開口部１６の内で単一の下層配線１２に対して複数の上層配線２４を接続している。しかし、この実施形態においては、下層配線１２はそのままの幅で開口部１６の内部にまで延びており、同一の幅を有する複数の上層配線１２が下層配線の１点に集中するように接合されている。そして、上層配線１２はその接合点から上層の絶縁樹脂層１４の上面にまで放射状に延びている。この実施形態においても、ビア開口部１６の低部には、下層の絶縁樹脂層１０が露出している領域が存在することは勿論である。
【００５０】
図２４の実施形態では、（ａ）は上面図、（ｂ）は縦断面図であり、この実施形態では、１つのビア開口部１６の内部で同一幅を有し且つ間隔をあけて平行に配置された複数の下層配線１２と、同様に同一幅を有し且つ間隔をあけて平行に配置された複数の上層配線２４とをそれぞれ接続している。そして、下部配線１２と上部配線２４とはそれぞれ同じ幅のまま直角な方向に延びている。また、ビア開口部１６は下部配線１２と上部配線２４に対して４５度の角度の方向に延在していて、複数の下部配線１２と複数の上部配線２４のそれぞれの接合点がビア開口部１６の内部に沿って各配線とは４５度の方向に順次配列されている。この実施形態においては、層間接続を行う上部配線２４はビア開口部１６内の傾斜壁に沿って延在している。ビア開口部１６内において、下層の絶縁樹脂層１０が露出している部分が存在しているのは勿論である。
【００５１】
図２５の実施形態では、（ａ）は上面図、（ｂ）は縦断面図であり、１つのビア開口部１６の内部で下層の絶縁樹脂層１０を貫通する間隔をあけて配置された複数の充填ビア１２ａに対して同一幅を有する複数の上層配線２４をそれぞれ接続している。そして、上部配線２４はそれぞれ同じ幅のまま互いに間隔をおいて平行な方向に延びている。ビア開口部１６は上部配線２４に対して直角な方向に延在していて、下部配線である複数の充填ビア１２と複数の上部配線２４とのそれぞれの接合点がビア開口部１６に沿って上層配線２４の延びる方向とは直角な方向に順次配列されている。この実施形態においても、層間接続を行う上部配線２４はビア開口部１６内の傾斜壁に沿って延在している。ビア開口部１６内において、下層の絶縁樹脂層１わが露出している部分が存在しているのは勿論である。
【００５２】
以上添付図面を参照して本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上説明したように、本発明によれば、多層配線基板を構成する配線基板の絶縁樹脂層に設けたビア孔１６の開口部を介して上層と下層との間の電気的な接続を行う場合において、開口部のすべての壁面を導電材料で覆うことのないように、開口部の壁面の一部をそのまま露出させた状態で、導電材料を介して上下層間の電気的接続を行っている。したがって、多層配線基板の各配線基板の層間での電気的接続において、ビア形成部を確保するために配線ピッチを広げたり、配線長さや配線幅を増加させる必要がなく、したがって、多層配線基板の層間の電気的な接続のためのスペースを極力小さくすることができ、もって製品サイズの増加を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】従来例のビアによる層間接続構造を示す断面図及び平面図である。
【図２】セミアディティブ法による従来のビア層間接続の工程を示す。
【図３】多数のビアパッドの配列例を示す。
【図４】多数のビアパッドの他の配列例を示す。
【図５】本発明によるビア層間接続の工程を示す。
【図６】本発明によるビア層間接続の工程の変形例を示す。
【図７】本発明によるビア層間接続の工程の他の変形例を示す。
【図８】既存技術による多層配線基板の層間接続構造を示す。
【図９】本発明による多層配線基板の層間接続構造の１実施形態を示す。
【図１０】本発明による多層配線基板の層間接続構造の他の実施形態を示す。
【図１１】本発明による多層配線基板の層間接続構造の更に他の実施形態を示す。
【図１２】本発明による複数層の層間接続構造の実施形態を示す。
【図１３】開口部の傾斜状態を示す。
【図１４】充填ビアを用いた本発明による層間接続構造の１実施形態を示す。
【図１５】充填ビアを用いた本発明による層間接続構造の他の実施形態を示す。
【図１６】未充填ビアを用いた本発明による層間接続構造の１実施形態を示す。
【図１７】充填ビアを用いた複数層の層間接続構造の実施形態を示す。
【図１８】二重の充填ビアを用いた複数層の層間接続構造の実施形態を示す。
【図１９】上層配線を直線状に接続する層間接続構造の１実施形態を示す。
【図２０】上層配線を直線状に接続する層間接続構造の他の実施形態を示す。
【図２１】複数の配線を接続する層間接続構造の１実施形態を示す。
【図２２】複数の配線を接続する層間接続構造の他の実施形態を示す。
【図２３】複数の配線を接続する層間接続構造の更に他の実施形態を示す。
【図２４】複数の配線同士を接続する層間接続構造の１実施形態を示す。
【図２５】複数の配線同士を接続する層間接続構造の他の実施形態を示す。
【符号の説明】
【００５５】
１０    下層の絶縁樹脂層
１２    下層配線
１４    上層の絶縁樹脂層
１６    ビア開口部
１８    めっきシード層
２０    レジスト層
２２    上層配線
２４    ビア接続部
３０    ビア配線
３２    プレス金型
３４    埋め込み離型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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