(57)【要約】【課題】膜厚の均一なＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを得ることができる製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、絶縁体上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを熱酸化処理して、前記ＳＯＩ層の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を除去することにより前記ＳＯＩ層の膜厚を減ずる工程を有するＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ＳＯＩ層を熱酸化処理する前に、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布を測定し、該測定値に基づいてＳＯＩ層膜厚が厚い領域が薄い領域に比べてＳＯＩ層の面内温度が高くなるようにして前記熱酸化処理を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、絶縁体上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを熱酸化処理して、前記ＳＯＩ層の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を除去することにより前記ＳＯＩ層の膜厚を減ずる工程を有するＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ＳＯＩ層を熱酸化処理する前に、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布を測定し、該測定値に基づいてＳＯＩ層膜厚が厚い領域が薄い領域に比べてＳＯＩ層の面内温度が高くなるようにして前記熱酸化処理を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項２】
少なくとも、絶縁体上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを熱酸化処理して、前記ＳＯＩ層の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を除去することにより前記ＳＯＩ層の膜厚を減ずる工程を有するＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ＳＯＩ層を熱酸化処理する前に、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布を測定し、該測定値に基づいてＳＯＩ層の面内温度分布を変化させて前記熱酸化処理を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記熱酸化処理をランプ加熱装置を用いて行い、前記熱酸化処理時の前記ＳＯＩ層の面内温度の分布の調整を、前記ランプ加熱装置の面内に配列されたランプの出力分布を調整することで行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記ランプ加熱装置の出力分布を、前記ＳＯＩウェーハに対し同心円状に調整することを特徴とする請求項３に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記熱酸化処理の温度を１０００℃以下とすることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩウェーハの製造方法に関し、特に、ＳＯＩ層の膜厚均一性を向上させるＳＯＩ層の薄膜化方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁体上にシリコン層（ＳＯＩ層）が形成されたＳＯＩ構造を有するＳＯＩウェーハが、デバイスの高速性、低消費電力性、高耐圧性、耐環境性等に優れていることから、電子デバイス用の高性能ＬＳＩ用ウェーハとして特に注目されている。
【０００３】
ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層を用いて半導体デバイスを作製する場合、ＳＯＩ層の膜厚のばらつきの少ない方が特性の揃ったデバイスが作製できる。この事によりＳＯＩ層の膜厚の均一性を向上させる必要がある。しかし、多くの工程を経て作製されるＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚の面内均一性は、個々の工程での特性を反映したものになる。その結果、局所的に膜厚が薄くなった領域や局所的に厚い領域が出来てしまう。
【０００４】
ＳＯＩウェーハの代表的な製造方法としては、シリコンウェーハ同士を絶縁膜を介して貼り合わせ、一方のシリコンウェーハを研削等の機械的な加工で薄膜化する貼り合わせ法、シリコンウェーハの内部に高濃度の酸素イオンを注入して酸素イオン注入層を形成し、その後１３００℃程度の高温でアニール処理を行うことにより、シリコンウェーハ中に埋め込みシリコン酸化層を形成し、その表面側の層をＳＯＩ層として使用するＳＩＭＯＸ法、貼り合わせ法の一つであり、シリコンウェーハに水素または希ガスのイオンを注入してイオン注入層を形成した後、このシリコンウェーハのイオン注入面を接合面として酸化膜を介して単結晶ウェーハと貼り合わせるかまたは直接絶縁性ウェーハと貼り合わせ、その後５００℃程度の温度に加熱してイオン注入層で剥離することによって、ウェーハの表面にＳＯＩ層を形成するイオン注入剥離法等が提案されている。
【０００５】
上記いずれの方法でＳＯＩウェーハを作製する場合であっても、その最終段ではＳＯＩ膜厚を調整したり、表面粗さやダメージ除去を目的として、酸化性雰囲気下の熱処理を行ってＳＯＩ層に酸化膜を形成した後、該酸化膜を除去する、いわゆる犠牲酸化を行う工程が行われることが多い（例えば特許文献１、特許文献２参照）。
【０００６】
このような犠牲酸化は、基本的に多数枚のウェーハを一度に熱処理するバッチ式の熱処理炉で行われる。しかし、既存のバッチ式の熱処理炉を用いた犠牲酸化では、ＳＯＩ層の膜厚均一性を改善することはできず、ＳＯＩ層の面内膜厚にばらつきの少ないＳＯＩウェーハを得ることができなかった。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１２４０９２号公報
【特許文献２】特開２００４−５５７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、面内膜厚の均一なＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを得ることができるＳＯＩウェーハの製造方法の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも、絶縁体上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを熱酸化処理して、前記ＳＯＩ層の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を除去することにより前記ＳＯＩ層の膜厚を減ずる工程を有するＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ＳＯＩ層を熱酸化処理する前に、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布を測定し、該測定値に基づいてＳＯＩ層膜厚が厚い領域が薄い領域に比べてＳＯＩ層の面内温度が高くなるようにして前記熱酸化処理を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法を提供する（請求項１）。
【００１０】
このように、ＳＯＩウェーハの犠牲酸化処理において、前記ＳＯＩ層を熱酸化処理する前に、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布を測定し、該測定値に基づいてＳＯＩ層膜厚が厚い領域が薄い領域に比べてＳＯＩ層の面内温度が高くなるようにして前記熱酸化処理を行えば、ＳＯＩ層膜厚が厚い領域で厚い酸化膜が形成される。その後酸化膜を除去すれば、ＳＯＩ層膜厚が厚い領域のみで取り代が大きくなり、膜厚の均一なＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを得ることができる。
【００１１】
また、少なくとも、絶縁体上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを熱酸化処理して、前記ＳＯＩ層の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を除去することにより前記ＳＯＩ層の膜厚を減ずる工程を有するＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ＳＯＩ層を熱酸化処理する前に、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布を測定し、該測定値に基づいてＳＯＩ層の面内温度分布を変化させて前記熱酸化処理を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法が提供される（請求項２）。
【００１２】
このように、ＳＯＩウェーハの犠牲酸化処理において、前記ＳＯＩ層を熱酸化処理する前に、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布を測定し、該測定値に基づいてＳＯＩ層の面内温度分布を変化させて前記熱酸化処理を行えば、ＳＯＩ層の面内で局所的に酸化膜の厚さを変えることができる。すなわち、ＳＯＩ層の膜厚が厚い所には、厚い酸化膜を形成し、ＳＯＩ層の膜厚が薄い所には、薄い酸化膜を形成することができる。このように、ＳＯＩ層の面内で局所的に厚さの異なる酸化膜を形成した後、この酸化膜を除去すれば、酸化膜の厚い部分の取り代のみを大きくすることができる。このようにＳＯＩ層の取り代を局所的に変えることで、結果として膜厚の均一なＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを得ることができる。
【００１３】
また、前記熱酸化処理をランプ加熱装置を用いて行い、前記熱酸化処理時の前記ＳＯＩ層の面内温度の分布の調整を、前記ランプ加熱装置の面内に配列されたランプの出力分布を調整することで行うことが好ましい（請求項３）。
【００１４】
このように前記熱酸化処理をランプ加熱装置を用いて行い、前記熱酸化処理時の前記ＳＯＩ層の面内温度の分布の調整を、前記ランプ加熱装置の面内に配列されたランプの出力分布を調整することで行えば、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布に合わせてＳＯＩ層の面内温度分布をよりきめ細かく変化させて前記熱酸化処理を行うことができ、より膜厚の均一なＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを得ることができる。
【００１５】
また、前記ランプ加熱装置の出力分布を、前記ＳＯＩウェーハに対し同心円状に調整することができる（請求項４）。
【００１６】
貼り合わせ法でＳＯＩウェーハを製造するとそのＳＯＩ層の面内膜厚分布は、ウェーハ周辺部あるいはウェーハ中央部が厚くなるといった様に、同心円状になる場合が多い。従って、その膜厚分布形状に合わせる様に、ランプ加熱装置の出力分布も同心円状にすることにより、容易にＳＯＩ層の面内温度分布を制御することができる。
【００１７】
また、前記熱酸化処理の温度を１０００℃以下とすることが好ましい（請求項５）。
【００１８】
このように前記熱酸化処理の温度を１０００℃以下とすれば、熱処理によるスリップ転位の発生を確実に抑えることができ、より高品質なＳＯＩウェーハを製造することができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、ＳＯＩ層の面内膜厚分布に応じて局所的に酸化膜の厚さを変えることができる。このように、ＳＯＩ層の面内で局所的に厚さの異なる酸化膜を形成した後、該酸化膜を除去すれば、酸化膜の厚い部分の取り代のみを大きくすることができる。このようにＳＯＩ層の取り代を局所的に変えることで、膜厚の均一なＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明についてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２１】
本発明者らは、ＳＯＩ層の膜厚のばらつきの問題点について鋭意検討した結果、ランプ加熱装置を用いてＳＯＩウェーハのＳＯＩ層膜厚が相対的に厚い領域を他の領域と比較して高温で酸化することにより酸化膜を厚くし、その後、該酸化膜を除去するためＨＦ洗浄することにより、酸化膜厚が厚い領域のみの取り代を大きくすることができ、結果としてＳＯＩ層の膜厚均一性を向上させることができることに想到し、本発明を完成させた。
【００２２】
すなわち、本発明は、少なくとも、絶縁体上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを熱酸化処理して、前記ＳＯＩ層の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を除去することにより前記ＳＯＩ層の膜厚を減ずる工程を有するＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ＳＯＩ層を熱酸化処理する前に、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布を測定し、該測定値に基づいてＳＯＩ層膜厚が厚い領域が薄い領域に比べてＳＯＩ層の面内温度が高くなるようにして前記熱酸化処理を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【００２３】
また、本発明は、少なくとも、絶縁体上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを熱酸化処理して、前記ＳＯＩ層の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を除去することにより前記ＳＯＩ層の膜厚を減ずる工程を有するＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ＳＯＩ層を熱酸化処理する前に、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布を測定し、該測定値に基づいてＳＯＩ層の面内温度分布を変化させて前記熱酸化処理を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【００２４】
このように、ＳＯＩウェーハの犠牲酸化処理において、前記ＳＯＩ層を熱酸化処理する前に、前記ＳＯＩ層の面内膜厚分布を測定し、該測定値に基づいてＳＯＩ層の面内温度分布を変化させて前記熱酸化処理を行えば、ＳＯＩ層の面内で局所的に酸化膜の厚さを変えることができる。具体的には、ＳＯＩ層の厚い所では、温度が高くなるようにして厚い酸化膜を形成し、ＳＯＩ層の薄い所では、厚い所より温度が低くなるようにして薄い酸化膜が形成されるようにする。このように、ＳＯＩ層の面内で局所的に厚さの異なる酸化膜を形成した後、酸化膜を除去すれば、酸化膜の厚い部分の取り代のみを大きくすることができる。このようにＳＯＩ層の取り代を局所的に変えることで、酸化膜除去後に膜厚の均一なＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを製造することができる。
【００２５】
上記本発明に係るＳＯＩウェーハの製造方法の一例について、図１を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２６】
まず絶縁体３上にＳＯＩ層２を有するＳＯＩウェーハ１を用意する（図１(Ａ)）。
図１(Ａ)に示すように、ＳＯＩ層２は、その面内に局所的に膜厚が薄くなった領域や局所的に厚い領域を有している（但し、図面は判り易くするため誇張して記載してある）。
なお、ＳＯＩウェーハ１の製造方法は特に限定されず、たとえば貼り合わせ法、ＳＩＭＯＸ法、貼り合わせ法の一種であるイオン注入剥離法等を用いて製造することができる。
【００２７】
次に、上記ＳＯＩ層２の面内膜厚分布を測定する（図１(Ｂ)）。面内膜厚分布の測定方法は特に限定されず、通常行われている方法のいずれをも用いることができる。たとえば、反射分光法や偏光分析法などの光学的方法を用いて行うことができる。
【００２８】
次に、こうして得たＳＯＩ層２の面内膜厚分布の測定値に基づいて、ＳＯＩ層の面内温度分布を変化させて前記熱酸化処理を行う。たとえば、ＳＯＩ層膜厚が厚い領域が薄い領域に比べてＳＯＩ層の面内温度が高くなるようにして熱酸化処理を行えば、ＳＯＩ層膜厚が厚い領域で薄い領域に比べて厚い酸化膜４が形成される（図１(Ｃ)）。
【００２９】
この熱酸化処理の方法は特に限定されないが、たとえば酸化性雰囲気下、ランプ加熱装置を用いて行うことができる。
ランプ加熱装置は、光照射によって基板を急速に加熱することができる。ランプ加熱装置は、一般にハロゲンランプを加熱源として、酸素ガス等の所定の酸化性ガス雰囲気中で当該ランプから光照射を行うことによって数秒で基板を所望の温度（例えば１，２００℃以下）にまで昇温し、１秒〜数１０分程度保持した後、数秒で急速に冷却することができる装置である。従って、一枚一枚膜厚を測定して処理する本発明に適しているし、生産性も向上できる。尚、熱処理時間は、犠牲酸化後に所望のＳＯＩ層の厚さとなるように決定すればよい。
【００３０】
また、前記熱酸化処理時の前記ＳＯＩ層の面内温度の分布の調整を、前記ランプ加熱装置の面内に配列されたランプの出力分布を調整することで行うことができる。
たとえば、ランプ加熱装置の面内に配列されたランプの１本１本を独立して出力調整可能に構成することで、ＳＯＩ層の面内温度の分布をよりきめ細かく調整し、局所的に酸化膜の膜厚を変化させることができる。配列ランプの個数は多ければ多い程、より面内温度分布を精度良く制御できるが、コストも勘案して、数千個以下、より好ましくは数百個とされる。
【００３１】
また、貼り合わせ法でＳＯＩウェーハを製造するとＳＯＩ層の面内膜厚分布は、ウェーハ周辺部あるいはウェーハ中央部が厚くなるといった様に、同心円状になる場合が多い。従って、その膜厚分布形状に合わせる様に、ランプ加熱装置の配列や出力分布もＳＯＩウェーハに対し同心円状に調整することにより、容易にＳＯＩ層の面内温度分布を制御することができる。
【００３２】
たとえば、図２に示すように、ランプ加熱装置の面内に配列されたランプ１２を、ａ、ｂ、ｃ、ｄのほぼ同心円状の４ブロックに分け、各ブロック内の出力は同一になるように設定することができる。そして、たとえば面内膜厚が中心部で厚いＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを熱酸化処理する際には、出力が大きい順にａ、ｂ、ｃ、ｄと設定し、ウェーハ１１の中心部に向かって温度が高くなるように調整することができる。また、面内膜厚が中心部で薄いＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを熱酸化処理する際には、出力が小さい順にａ、ｂ、ｃ、ｄと設定し、ウェーハ１１の外周部に向かって温度が高くなるように調整することができる。
【００３３】
この場合、前記熱酸化処理の温度を１０００℃以下とすれば、熱処理によるスリップ転位の発生を確実に抑えることができるので、より高品質のＳＯＩウェーハを製造することができる。
【００３４】
次に、上記熱酸化処理で形成した酸化膜４を除去することにより前記ＳＯＩ層の膜厚を均一にする（図１(Ｄ)）。
酸化膜４の除去方法は特に限定されず、たとえば、ＨＦ濃度１〜５０％のフッ酸にウェーハを浸漬することで行うことができる。
【００３５】
以上の製造方法によりＳＯＩ層の膜厚分布が改善されたＳＯＩウェーハを得ることができる。
上記製造方法により得られたＳＯＩウェーハは、局所的に膜厚が薄くなった領域や局所的に厚い領域が修正されて、ＳＯＩ層の膜厚均一性が非常に高い高品質なＳＯＩウェーハである。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例）
ＳＯＩウェーハ１として、直径３００ｍｍでＳＯＩ層面内中心部が他の領域より厚い分布となるように研磨されたＳＯＩウェーハＸと、直径３００ｍｍでＳＯＩ層面内周辺部が他の領域より厚い分布となるように研磨されたＳＯＩウェーハＹの２種類を用意した（図１(Ａ)）。
【００３７】
次に、ＳＯＩウェーハ１のＳＯＩ層２の面内膜厚分布を測定した（図１(Ｂ)）。
ＳＯＩウェーハＸ、Ｙともに面内の膜厚レンジ（面内の最大膜厚から最小膜厚を引いた値）は約５ｎｍであった。また、これら２種類のウェーハのＳＯＩ層膜厚分布はほぼ同心円状であった。図３(Ａ)にＳＯＩウェーハＸの断面膜厚分布（ノッチに垂直方向）を、図３(Ｂ)にＳＯＩウェーハＹの断面膜厚分布（ノッチに垂直方向）を示す。
【００３８】
次に、上記面内膜厚分布の測定値に基づいて、下記のようにＳＯＩ層の面内温度分布を変化させて熱酸化処理を行った（図１(Ｃ)）。
ランプ加熱装置に酸素ガスを流してＲＴＯ処理とし、ＳＯＩウェーハＸ、Ｙについて、それぞれ熱酸化温度を９００℃、９５０℃、１０００℃、１０５０℃、１１００℃の５条件に設定した。熱酸化時間は、この熱酸化処理により形成される酸化膜４が、すべての条件で最高膜厚が１０ｎｍになるように調整した。
【００３９】
この際、使用したランプ加熱装置のウェーハ上から見たランプ配置は図２の通りであり、ランプ１２を図２中のａ、ｂ、ｃ、ｄのほぼ同心円状の４ブロックに分け、各ブロック内の出力は同一になるように設定した。
【００４０】
そして、ＳＯＩ層面内中心部が厚いＳＯＩウェーハＸを熱酸化処理する際には、出力が大きい順にａ、ｂ、ｃ、ｄとして、図３（Ｃ）に示すように、ＳＯＩ層の中心部から外周部に向かって温度が低下するように調整し、ＳＯＩ層の外周部の温度が上記設定した熱酸化温度になるようにした。また、ＳＯＩ層面内中心部が薄いＳＯＩウェーハＹを熱酸化処理する際には、出力が小さい順にａ、ｂ、ｃ、ｄとして、ＳＯＩ層の外周部から中心部に向かって温度が低下するように調整し、ＳＯＩ層の中心部の温度が上記設定した熱酸化温度になるようにした。それぞれＳＯＩ層面内の最高温度と最低温度（上記熱酸化温度）との差は約１０℃であった。尚、熱酸化処理は、ＳＯＩウェーハの中心を軸に水平方向に回転させた状態で行なった。
【００４１】
次に、ＳＯＩウェーハＸ、ＹをＨＦ濃度５％のフッ酸に浸漬して、上記熱酸化処理で形成した酸化膜４を除去して、ＳＯＩ層の面内膜厚を均一にした（図１(Ｄ)）。
次に、ＳＯＩ層の面内膜厚分布を再度測定し、熱酸化処理前の膜厚レンジ（面内の最大膜厚から最小膜厚を引いた値）と比較した。得られた結果を下記表１に示す。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
上記表１から明らかなように、本発明の熱酸化処理を行うことで、ＳＯＩ層面内の膜厚レンジは、ＳＯＩウェーハＸとＳＯＩウェーハＹ両方ともに２ｎｍ程度小さくなった。これによって、本発明のＳＯＩウェーハの製造方法により、ＳＯＩ層の局所的な凹凸を修正して、膜厚の均一なＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを製造することができることが確認できた。
【００４４】
また、これらのＳＯＩウェーハについて、集光灯下でスリップ転位の発生状況を観察した結果、熱酸化温度が１０５０℃、１１００℃のウェーハにスリップ転位が許容範囲ではあるが、わずかに発生していたが、熱酸化温度が１０００℃以下のウェーハについては、スリップ転位の発生は全く見られなかった。
【００４５】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４６】
すなわち、上記実施例においては、ＳＯＩ層膜厚分布がほぼ同心円状であるものを例に挙げたので、ＳＯＩウェーハを回転しながら熱酸化処理を行った。しかし、ＳＯＩ層膜厚分布が同心円状ではないものを処理する場合には、ＳＯＩ層膜厚分布に対応するようにランプの出力分布を調整し、ウェーハを回転させずに熱酸化処理を行えばよい。
【００４７】
また、上記実施例においては、ＳＯＩ層の膜厚分布測定と熱酸化処理は別々の装置で行っているが、膜厚分布測定装置と熱酸化処理装置を一体化したマルチチャンバー装置を構成し、膜厚分布測定結果を直ちにランプ加熱装置にフィードバックし、そのランプの出力分布を自動的に調整するようなプログラムを用いれば、ＳＯＩウェーハの連続処理が可能となるため、量産化に適応可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係るＳＯＩウェーハの製造方法の一例を示す説明図である。
【図２】本発明に係るＳＯＩウェーハの製造方法で用いられるランプ加熱装置のランプ配列の一例を示す概略図である。
【図３】本発明の実施例における、(Ａ)はＳＯＩウェーハＸの断面膜厚分布、(Ｂ)はＳＯＩウェーハＹの断面膜厚分布、（Ｃ）はＳＯＩウェーハＸの熱酸化処理の面内温度分布を示す概略図、（Ｄ）はＳＯＩウェーハＹの熱酸化処理の面内温度分布を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…ＳＯＩウェーハ、  ２…ＳＯＩ層、  ３…絶縁体、  ４…酸化膜、
１１…ウェーハ、１２…ランプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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