(57)【要約】【課題】本発明は、第１表示板と第２表示板間に液晶が介在されることができる空間が確保された液晶表示装置及びその方法を提供する。【解決手段】第１絶縁基板上に形成される第１電界生成電極を有する第１表示板と、第１表示板と対向して、第２絶縁基板上に形成される第２電界生成電極を有する第２表示板と、第１表示板と第２表示板との間に形成された液晶層と、第２電界生成電極上に形成される有機膜とを有し、有機膜は第１表示板と第２表示板との間に位置して第１表示板と第２表示板との間の間隔を一定に保持するセルギャップ維持部と、液晶層をプレチルトさせる傾斜面を有する液晶配向ガイド部とを有し、セルギャップ維持部の最上部と前記液晶配向ガイド部の最上部との間には２μｍ以上の高低差が形成される。【選択図】      図４
2007052412.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板上に形成される第１電界生成電極を有する第１表示板と、
前記第１表示板と対向して、第２絶縁基板上に形成される第２電界生成電極を有する第２表示板と、
前記第１表示板と前記第２表示板との間に形成される液晶層と、
前記第２電界生成電極上に形成される有機膜とを有し、
前記有機膜は、前記第１表示板と前記第２表示板との間に位置して前記第１表示板と第２表示板との間の間隔を一定に保持するように配置されるセルギャップ維持部と、前記液晶層をプレチルトさせる傾斜面を有する液晶配向ガイド部とを有し、
前記セルギャップ維持部の最上部と前記液晶配向ガイド部の最上部との間には２μｍ以上の高低差が形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２表示板は、共通電極表示板であって、前記第２電界生成電極は共通電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２表示板は、薄膜トランジスタ表示板であって、前記第２電界生成電極は画素毎に形成される画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶配向ガイド部は、前記第２電界生成電極に形成された切開部を中心にして両方向に傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶配向ガイド部の厚さは、前記切開部から遠くなるほど薄くなることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記有機膜上には前記液晶層を配向する配向膜をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第１絶縁基板上に第１電界生成電極を有する第１表示板を形成する段階と、
第２絶縁基板上に第２電界生成電極を有する第２表示板を形成する段階と、
前記第２電界生成電極上に、前記第１表示板と第２表示板との間隔を一定に保持するようにするセルギャップ維持部と、液晶分子をプレチルトさせる傾斜面を有する液晶配向ガイド部とを有し、前記セルギャップ維持部の最上部と前記液晶配向ガイド部の最上部との間に２μｍ以上の高低差が形成される有機膜を形成する段階と、
前記第１表示板と前記有機膜が形成された第２表示板との間に液晶層を介在させる段階とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記有機膜を形成する段階は、前記第２電界生成電極上に有機組成物を塗布する段階と、
第１領域と第２領域を有するマスクを用いて前記第２絶縁基板を露光した後、現像する段階と、
前記第２絶縁基板を熱処理する段階とを有することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２絶縁基板を熱処理する段階は、前記第２絶縁基板を１８０℃〜２３０℃の温度で３０分〜１時間熱処理することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記有機膜を形成した後に、前記有機膜上に前記液晶層を配向するための配向膜を形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２表示板は、共通電極表示板であって、前記第２電界生成電極は共通電極であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２表示板は、薄膜トランジスタ表示板であって、前記第２電界生成電極は画素毎に形成された画素電極であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、さらに詳細には垂直配向モード液晶表示装置において、第１表示板と第２表示板間に液晶層に介在させることができる空間を確保することができる液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）は液晶パネル内部に注入された液晶の電気、光学的性質を利用して画像情報を表示するディスプレイ装置で、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ：ＣＲＴ）で構成された電子製品に比べて消費電力が少なく、重量が軽くて、体積が小さいという長所を有する。そのため液晶表示装置は携帯用コンピュータのディスプレイ装置、デスクトップコンピュータのモニター及び高画質画像機器のモニター等のように多様な分野にわたり幅広く適用されている。
【０００３】
このような液晶表示装置は駆動方式によって水平電界型液晶表示装置と、垂直電界型液晶表示装置に分類することができる。水平電界型液晶表示装置は液晶分子の動きを水平に制御して光の透過可否を調節して、垂直電界型液晶表示装置は液晶分子の動きを垂直に制御して光の透過可否を調節する。
【０００４】
これらのうち電界が印加されない状態で液晶分子の長軸が上下表示板に対して垂直を形成するように配列した垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ：ＶＡ）モード液晶表示装置は、コントラスト比が大きくて広い基準視野角の具現が容易であって脚光を浴びている。
【０００５】
垂直配向モード液晶表示装置で広視野角を具現するための手段としては電界生成電極に切開部を形成する方法がある。電界生成電極に形成された切開部は一つの画素を複数のドメインに分割して電界の方向を調節して液晶分子が傾いている方向を決定することができるので、液晶分子が傾いている方向を多くの方向に分散させることによって基準視野角を広げる役割をする。
【０００６】
ここで、切開部による液晶分子の運動方向制御は切開部に隣接した所では効果的であることができるが、切開部から遠く離れた液晶分子は相対的に方向制御効果が弱い。したがって期待する方向に傾くことができなくテクスチャー（ｔｅｘｔｕｒｅ）が発生することがある。これを改善するために画素電極と配向膜間及び／または共通電極と配向膜間にプレチルトしている有機膜を介在して配向膜に液晶分子にプレチルト角を与える方法がある。有機膜はスリットマスクを利用して形成され、有機膜を形成する時には第１表示板と第２表示板間の間隔を維持させるためのセルギャップ維持部を同時に形成して工程に必要となるマスク数を減らすことができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
ところが従来のように、スリットマスクを利用してセルギャップ維持部及び有機膜を同時に形成する場合、セルギャップ維持部の最上部と有機膜の最上部間に所定値以上の高低差を形成しにくい。すなわち、第１表示板と第２表示板間に液晶層が介在されることができる空間を十分に確保することがむずかしいという問題があった。
【０００８】
【特許文献１】大韓民国特許公開２００４―０９５７０３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は上記従来の液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、第１表示板と第２表示板間に液晶を介在させることができる空間が確保された液晶表示装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、このような液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、第１絶縁基板上に形成される第１電界生成電極を有する第１表示板と、前記第１表示板と対向して、第２絶縁基板上に形成される第２電界生成電極を有する第２表示板と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に形成される液晶層と、前記第２電界生成電極上に形成される有機膜とを有し、前記有機膜は前記第１表示板と前記第２表示板との間に位置して前記第１表示板と第２表示板との間の間隔を一定に保持するように配置されるセルギャップ維持部と、前記液晶層をプレチルトさせる傾斜面を有する液晶配向ガイド部とを有し、前記セルギャップ維持部の最上部と前記液晶配向ガイド部の最上部との間には２μｍ以上の高低差が形成されることを特徴とする。
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置の製造方法は、第１絶縁基板上に第１電界生成電極を有する第１表示板を形成する段階と、第２絶縁基板上に第２電界生成電極を有する第２表示板を形成する形成する段階と、前記第２電界生成電極上に、前記第１表示板と第２表示板との間隔を一定に保持するようにするセルギャップ維持部と、液晶分子をプレチルトさせる傾斜面を有する液晶配向ガイド部とを有し、前記セルギャップ維持部の最上部と前記液晶配向ガイド部の最上部との間に２μｍ以上の高低差が形成される有機膜を形成する段階と、前記第１表示板と前記有機膜が形成された第２表示板との間に液晶層を介在させる段階とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法によれば、液晶層をプレチルトさせる液晶配向ガイド部とセルギャップ維持部を同時に形成する時、液晶配向ガイド部の最上部とセルギャップ維持部の最上部間に２μｍ以上の高低差を形成することによって、第１表示板と第２表示板に液晶層が介在させることができる空間を確保することができるという効果がある。
また、液晶分子の傾いている方向を制御して基準視野角を広げることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になることである。しかし本発明は以下で開示する実施形態に限られることでなく相異なる多様な形態で具現されることができ、単に本実施形態は本発明の開示が完全なようにして、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範ちゅうを完全に知らせるために提供することであり、本発明は請求項の範ちゅうにより定義されるだけである。明細書全体にかけて同一参照符号は同一構成要素を指称する。
【００１４】
本発明に使われる液晶表示装置ではＰＭＰ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ  Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  Ｐｌａｙｅｒ）、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、携帯用ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）プレーヤ、携帯電話（ｃｅｌｌｕｌａｒｐｈｏｎｅ）、ノート・パソコン、デジタルＴＶなどを例に挙げることができるがこれに限られない。
【００１５】
次に、本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
まず、図１ないし図４を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置１００に対して説明する。
【００１６】
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置用第１表示板１の配置図であり、図２は本発明の一実施形態による液晶表示装置用第２表示板２の配置図であり、図３は図１の第１表示板１と図２の第２表示板２を含む液晶表示装置１００の配置図である。そして、図４は図３に表示されたＩＩ―ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【００１７】
液晶表示装置１００は第１表示板１と、これと向い合っている第２表示板２及び第１表示板１と第２表示板２間に注入されて基板１、２に垂直に配向されている液晶分子５を含む液晶層３で構成される。
【００１８】
第１表示板１は絶縁基板１０上に横方向にゲート線２２が形成されていて、ゲート線２２には突起の形態で構成されたゲート電極２６が形成されている。そして、ゲート線２２の端には他の層または外部からゲート信号を印加を受けてゲート線２２に伝達するゲートパッド２４が形成されていて、ゲートパッド２４は外部回路との連結のために幅が拡張されている。このようなゲート線２２、ゲート電極２６及びゲートパッド２４をゲート配線（２２、２４、２６）という。
【００１９】
また、絶縁基板１０上には維持電極線２７と維持電極２８が形成されている。維持電極線２７は画素領域を横切って横方向に延びていて、維持電極線２７には維持電極線２７に比べて幅が広い維持電極２８が形成されている。このような維持電極線２７及び維持電極２８を維持電極配線（２７、２８）といっており、維持電極配線（２７、２８）の形状及び配置は多くの形態に変形することができる。
【００２０】
ゲート配線（２２、２４、２６）及び維持電極配線（２７、２８）はアルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金等アルミニウム系列の金属、銀（Ａｇ）と銀合金等銀系列の金属、銅（Ｃｕ）と銅合金など銅系列の金属、モリブデン（Ｍｏ）とモリブデン合金等モリブデン系列の金属、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等で構成することができる。
【００２１】
また、ゲート配線（２２、２４、２６）及び維持電極配線（２７、２８）は物理的性質が異なる２つ以上の異なった導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。このうち１導電膜はゲート配線（２２、２４、２６）及び維持電極配線（２７、２８）の信号遅延や電圧降下を減らすことができるように低い抵抗率（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の金属、例えばアルミニウム系列金属、銀系列金属、銅系列金属等で構成される。一方、他の導電膜は他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との接触特性が優秀な物質、例えばモリブデン系列金属、クロム、チタン、タンタル等で構成される。このような組み合わせの良い例としてはクロム下部膜とアルミニウム上部膜及びアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜を挙げることができる。但し、本発明はこれらに限られないし、ゲート配線（２２、２４、２６）、維持電極配線（２７、２８）は多様ないろいろ金属と導電体で作ることが可能である。
【００２２】
ゲート配線（２２、２４、２６）及び維持電極配線（２７、２８）上にはゲート絶縁膜３０が形成されている。
ゲート絶縁膜３０上には水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）または多結晶シリコン等で構成された半導体層４０が形成されている。このような半導体層４０は島状、線形等のように多様な形状を有することができ、例えば本実施形態でのようにゲート電極２６上に島状に形成することができる。また、半導体層４０が線形に形成される場合、データ線６２の下に位置してゲート電極２６上部まで延長された形状を有することができる。
【００２３】
半導体層４０の上にはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高農度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコン等の物質で作られた島状の抵抗性接触（オーミックコンタクト）層または線形の抵抗性接触層が形成されている。本実施形態の抵抗性接触層５５、５６は島状抵抗性接触層であって、それぞれソース電極６５及びドレイン電極６６ａ、６６ｂ下に位置する。線形の抵抗性接触層の場合、データ線６２の下まで延長されて形成される。
【００２４】
抵抗性接触層５５、５６及びゲート絶縁膜３０上にはデータ線６２及びドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂが形成されている。データ線６２は縦方向に長くのびていてゲート線２２と交差して画素を定義する。データ線６２から枝状で抵抗性接触層５５の上部まで延長されているソース電極６５が形成されている。そして、データ線６２の端には他の層または外部からデータ信号を印加を受けてデータ線６２に伝達するデータパッド６８が形成されていて、データパッド６８は外部回路との連結のために幅が拡張されている。ドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂはソース電極６５と分離されていてゲート電極２６に対してソース電極６５の反対側の抵抗性接触層５６上部に位置する。このようなデータ線６２、データパッド６８、ソース電極６５をデータ配線と言う。
【００２５】
ここで、データ線６２は画素の長さを与えるようにして反復的に屈曲した部分と縦にのびた部分が現われるように形成されている。この時、データ線６２の屈曲した部分は２個の直線部分で構成され、これら２個の直線部分のうち一つはゲート線２２に対して４５度を形成して、他の一つはゲート線２２に対して―４５度を形成する。データ線６２の縦にのびた部分にはソース電極６５が連結されていて、この部分がゲート線２２及び維持電極線２７と交差する。
【００２６】
この時、データ線６２の屈曲した部分と縦にのびた部分の長さの比は１：１〜９：１間（すなわち、データ線６２のうち屈曲した部分が占める比率が５０％から９０％間）であることが望ましい。
【００２７】
したがって、ゲート線２２とデータ線６２が交差して構成する画素は屈曲した帯状に形成される。このように、データ線６２は画素の形状のように直線と屈曲した帯状の組み合わせで構成されることができるが本発明はこれに限られないしデータ線は単純に直線状または屈曲した帯状に形成することもできる。
【００２８】
また、ドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂは維持電極２８と重なるように形成されて、維持電極２８とゲート絶縁膜３０を間に置いて重なることによってストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を形成する。
【００２９】
データ線６２、ソース電極６５及びドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂはクロム、モリブデン系列の金属、タンタル及びチタン等耐火性金属で構成されることが望ましく、耐火性金属等の下部膜（図示せず）とその上に位置した低抵抗物質上部膜（図示せず）で構成された多層膜構造を有することができる。多層膜構造の例では先に説明したクロム下部膜とアルミニウム上部膜またはアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜の二重膜以外にもモリブデン膜―アルミニウム膜―モリブデン膜の三重膜を挙げることができる。
【００３０】
ソース電極６５は半導体層４０と少なくとも一部分が重なって、ドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂはゲート電極２６を中心にしてソース電極６５と対向して半導体層４０と少なくとも一部分が重なる。ここで、抵抗性接触層５５、５６はその下部の半導体層４０と、その上部のソース電極６５及びドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂ間に存在して接触抵抗を低くめる役割をする。
【００３１】
データ線６２、ドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂ及び露出した半導体層４０上には有機絶縁膜で構成された保護膜７０が形成されている。ここで保護膜７０は窒化シリコンまたは酸化シリコンで構成された無機物、平坦化特性が優秀であって感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有する有機物またはプラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ―Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ―Ｓｉ：Ｏ：Ｆ、ＳｉＮｘなどの低誘電率絶縁物質等で構成される。また、保護膜７０は有機膜の優秀な特性を生かしながらも露出した半導体層４０部分を保護するために下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することもできる。  
【００３２】
保護膜７０にはデータパッド６８及びドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂをそれぞれ露出するコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）７８、７６が形成されており、保護膜７０とゲート絶縁膜３０にはゲートパッド２４を露出するコンタクトホール７４が形成されている。コンタクトホール７６を介してドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂと電気的に連結されて画素の形状に沿って屈曲した帯状の画素電極８０が形成されている。
【００３３】
また、保護膜７０上にはコンタクトホール７４、７８を介してそれぞれゲートパッド２４とデータパッド６８と連結されている補助ゲートパッド８４及び補助データパッド８８が形成されている。ここで、画素電極８０と補助ゲートパッド及び補助データパッド８４、８８はＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電体またはアルミニウム等の反射性導電体で構成される。補助ゲートパッド及び補助データパッド８４、８８はゲートパッド２４及びデータパッド６８と外部装置を接合する役割をする。
【００３４】
画素電極８０はコンタクトホール７６を介してドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂと物理的・電気的に連結されてドレイン電極６６、６６ａ、６６ｂからデータ電圧を印加を受ける。
【００３５】
データ電圧が印加された画素電極８０は共通電極表示板２の共通電極２５０と共に電界を生成することによって画素電極８０と共通電極２５０間の液晶層３の液晶分子５の配列を決定する。
【００３６】
画素電極８０の中央にはゲート線２２に平行する方向に切開部８１が形成されている。本実施形態では図示していないが、画素電極８０にはデータ線６２に沿って並んでいるように少なくとも一つ以上の切開部（図示せず）が形成されることができ、画素電極８０は切開部（図示せず）により複数のドメインに区分されることができる。このような切開部をドメイン分割手段といっており、ドメイン分割手段は画素電極８０だけでなく共通電極表示板２の共通電極２５０もドメイン分割手段により複数のドメインに分割させることができる。このようなドメイン分割手段により形成される周辺電界（Ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）を利用して液晶層３の液晶分子５の配列を決定することができる。
【００３７】
このような画素電極８０上には液晶分子５をプレチルトさせる傾斜面を有する有機膜９０が形成される。有機膜９０は画素間隙８３部分で相対的に厚くて、画素間隙８３から画素電極８０の中央に近づくほど相対的に厚さが薄くなる。すなわち、画素間隙８３に対応する領域は相対的に高く位置する有機膜隆線部になる。この時、有機膜隆線部は以後残像が生じることを防止するために臨界値以上の角度で形成することが望ましい。
【００３８】
有機膜９０の材質である感光性有機組成物（Ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）は粘度調整役割をするソルベント（ｓｏｌｖｅｎｔ）、感光を起こすフォトアクティブ（ｐｈｏｔｏ  ａｃｔｉｖｅ）系化合物（ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、化学的結合物質であるレジン（ｒｅｓｉｎ）等で構成される。有機組成物は光源に露光された領域が現像液と反応して溶解されるノボラック系レジン（Ｎｏｖｏｌａｋ  ｂａｓｅｄ  ｒｅｓｉｎ）系列のポジ型（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）感光性有機組成物または非露光領域が現像液に溶解されるアクリル系レジン（Ａｃｒｙｌａｔｅ  ｂａｓｅｄ  ｒｅｓｉｎ）系列のネガティブ型（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）感光性有機組成物で構成されることができる。以下、本発明の実施形態ではポジ型の有機組成物を用いる場合を例にして説明する。
【００３９】
また、図面に図示しなかったが、両方向に傾斜している有機膜９０上には液晶分子５を配向させる配向膜が形成される。配向膜は有機膜９０とコンフォーマルな形状で形成されてプレチルトしている構造を有する。したがって、液晶分子５は画素間隙８３及び切開部８１によるフリンジフィールド（Ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）、配向膜のプレチルトしている構造により誘導された傾いた配向力及び有機膜９０の厚さ差に起因したセルギャップ差による等電位線の変化等によってドメインが分割される方向にプレチルト角を有して横になり、後述される共通電極と画素電極８０に電圧を印加した時、切開部８１に隣接しない液晶分子５も横になる方向が決定されるようになる。したがって全体的に液晶分子５が速く駆動されて応答速度が速くなる。もしも、有機膜９０が液晶に対する配向特性を有する場合、有機膜９０上には配向膜が形成されないこともある。
【００４０】
一方、第２表示板２は絶縁基板２０の下面に光漏れを防止するためのブラックマトリス２２０が画素領域の周りに沿って形成されている。
【００４１】
ブラックマトリックス２２０上には赤色、緑色、青色のカラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂが形成されている。カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂは所定の波長を有する光のみを選択的に透過させる役割をする。カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂは配列方式によって例えば、ストライプ型（ｓｔｒｉｐｅ  ｔｙｐｅ）、モザイク型（ｍｏｓａｉｃ  ｔｙｐｅ）等に形成することができる。例えば、カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂがストライプ型で配置される場合、カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂはブラックマトリックス２２０によって区画される画素列に沿って縦に長く形成されていて画素の形状に沿って周期的に曲がっている。本実施形態ではカラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂが第２表示板２上に形成された例を利用して説明したが、本発明はこれに限られないしカラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂは第１表示板１上に形成することもできる。
【００４２】
カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ上にはカラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂにより形成された段差を平坦化するための平坦化膜２４０が形成されている。平坦化膜２４０は有機物質で構成することができる。
【００４３】
平坦化膜２４０の上には画素電極８０と向い合う共通電極２５０が形成されている。共通電極２５０は結晶質または非晶質のＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明な導電物質からなる。共通電極２５０にはゲート線２２に対して大体４５度または―４５度に傾斜するように形成される斜線方向の切開部２５１ａ、２５１ｃとゲート線２２と平行に形成される横方向の切開部２５１ｂが形成される。切開部（２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ）は先に説明したようにドメイン分割手段として作用する。
【００４４】
共通電極２５０上には液晶分子５をプレチルトさせる傾斜面を有する液晶配向ガイド部２６０ａ及び第１表示板１と第２表示板２との間に位置して第１表示板１と第２表示板２間のセルギャップ（ｃｅｌｌ  ｇａｐ）を一定に保持させるためのセルギャップ維持部２６０ｂを含む有機膜（２６０ａ、２６０ｂ）が形成されている。
【００４５】
ここで、液晶配向ガイド部２６０ａは共通電極２５０の斜線方向の切開部２５１ａ、２５１ｃを中心にして両方向に傾斜しているように形成されている。すなわち、液晶配向ガイド部２６０ａは斜線方向の切開部２５１ａ、２５１ｃで相対的に厚くて、これら切開部２５１ａ、２５１ｃから遠くなるほど相対的に厚さが薄くなる。すなわち、斜線方向の切開部２５１ａ、２５１ｃに対応する領域は相対的に高く位置する有機膜隆線部になる。有機膜（２６０ａ、２６０ｂ）は先に第１表示板１の画素電極８０上に形成される有機膜９０と同じ物質で形成することができる。
【００４６】
このように、所定角度でプレチルトしている液晶配向ガイド部２６０ａの上部には液晶分子５を配向させる配向膜（図示せず）が形成される。配向膜は液晶配向ガイド部２６０ａとコンフォーマルな（一致した）形状で形成されてプレチルトしている構造を有する。このようにプレチルトしている構造が画素電極８０の配向膜で説明したように液晶分子５の応答速度を増加させる。もしも、有機膜２６０ａ、２６０ｂが液晶に対する配向特性を有する場合には配向膜が形成されないこともある。
【００４７】
一方、セルギャップ維持部２６０ｂは開口率を維持するように第１表示板１のゲート配線及び／またはデータ配線と重なる領域、例えば薄膜トランジスタが形成された領域と第２表示板２のブラックマトリックス２２０が形成された領域間に形成される。このようなセルギャップ維持部２６０ｂは液晶配向ガイド部２６０ａと同じ物質であって、液晶配向ガイド部２６０ａと同時に形成することができる。
【００４８】
このようなセルギャップ維持部２６０ｂの最上部と液晶配向ガイド部２６０ａの最上部間には所定高低差ｄ２が形成されることが望ましい。例えば、セルギャップ維持部２６０ｂの最上部と液晶配向ガイド部２６０ａの最上部間には２μｍ以上の高低差ｄ２が形成されることが望ましい。セルギャップ維持部２６０ｂの最上部と液晶配向ガイド部２６０ａの最上部間に所定高低差ｄ２を形成する方法は図１０ないし図１８を参照して後述するようにする。
【００４９】
以上のような構造の第１表示板１と第２表示板２を整列して結合して、その間に液晶層３を注入形成して垂直配向すれば、図３及び図４のように、本発明の一実施形態によって製造された液晶表示装置１００の基本構造が構成される。
【００５０】
すなわち、第１表示板１と第２表示板（共通電極表示板）２は画素電極８０がカラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂと対応して正確に重なるように整列される。その結果、画素は共通電極２４０の切開部（２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ）と画素間隙８３により複数のドメインに分割される。この時、画素は斜線方向の切開部２５１ａ、２５１ｃと画素間隙８３によって左右に分割されるが、画素の屈曲した部分を中心にして上下で液晶の配向方向が相異なって４種類のドメインに分割される。すなわち、画素は液晶層３に電界が印加された時、液晶層３に含まれた液晶分子５の主方向子が配列する方向によって４種類のドメインに分割される。但し、本発明はこれに限られないし、共通電極２４０と画素電極８０に形成されたドメイン分割手段と画素間隙８３により複数のドメインに分割することもできる。
【００５１】
液晶表示装置１００はこのような基本構造に偏光板（図示せず）、バックライト（図示せず）等の要素を配置して構成される。この時偏光板（図示せず）は基本構造的には両側にそれぞれ一つずつ配置されてその透過軸はゲート線２２に対して二つのうち一つは平行であり残りの一つは垂直になるよう形成し配置することができる。
【００５２】
以上のような構造で液晶表示装置１００を形成すれば液晶に電界が印加された時、各ドメイン内の液晶がドメインの長辺に対して垂直を形成する方向に傾くようになる。ところがこの方向はデータ線６２に対して垂直を形成する方向であるのでデータ線６２を間に置いて隣接する二画素電極８０間で形成される側方向電界（ｌａｔｅｒａｌ  ｆｉｅｌｄ）によって液晶が傾く方向と一致することで側方向電界が各ドメインの液晶配向を手助けするようになる。
【００５３】
液晶表示装置１００はデータ線６２両側に位置する画素電極に極性が反対である電圧を印加する点反転駆動、列反転駆動、２点反転駆動等の多様な反転駆動方法を一般的に用いるので側方向電界はほとんど常に発生してその方向はドメインの液晶配向を助ける方向になる。
【００５４】
また、偏光板（図示せず）の透過軸をゲート線２２に対して垂直または平行方向に配置するので偏光板を低廉に製造することができ、全てのドメインで液晶の配向方向が偏光板の透過軸と４５度を形成するようになって最高輝度を得ることができる。
【００５５】
次に、図５ないし図１８を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置１００の製造方法に対して詳細に説明する。
【００５６】
まず、図５ないし図９を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置用第１表示板１の製造方法に対して説明する。図５ないし図９は本発明の一実施形態による液晶表示装置用第１表示板１の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【００５７】
絶縁基板１０上にアルミニウム、銅、銀またはこれらの合金等の導電性物質を蒸着してパターニングして図５のように、ゲート電極２６を含むゲート配線を形成する。必要によってゲート配線は２層以上の多層構造を有することができる。
【００５８】
続いてゲート配線が形成された第１絶縁基板１０全面に窒化シリコン等を蒸着してゲート絶縁膜３０を形成する。続いて、ゲート絶縁膜３０上に水素化非晶質シリコン及びｎ型不純物が高農度でドーピングされたｎ＋水素化非晶質シリコンを順次に蒸着してパターニングして図６のように、薄膜トランジスタのチャネル部を形成する半導体層４０及び半導体層４０上部のｎ＋水素化非晶質シリコン層５０を形成する。
【００５９】
その次に、ｎ＋水素化非晶質シリコン層５０上に及びアルミニウム、銅、銀またはこれらの合金等の導電性物質を蒸着してパターニングしてデータ線（図示せず）、データ線に連結されたソース電極６５及びソース電極６５と所定距離離隔されて位置するドレイン電極６６を含むデータ配線を形成する。続いて、ソース電極６５とドレイン電極６６間のｎ＋水素化非晶質シリコン層５０を除去して図７のように、抵抗性接触層５５、５６を完成する。
【００６０】
続いて抵抗性接触層５５、５６上部に平坦化特性が優秀であって感光性を有する有機物質、低誘電率絶縁物質または窒化シリコン等の無機物質を積層してパターニングして図８のように、複数のコンタクトホールを具備する保護膜７０を形成する。図８にはドレイン電極６６を露出するコンタクトホール７６が図示されている。
【００６１】
その次に、保護膜７０上にＩＴＯまたはＩＺＯ等を積層してパターニングして画素電極８０を形成する。この後、スリットマスク（図示せず）を利用して画素電極８０上に両方向に傾斜している有機膜９０を形成する。この時、有機膜９０の厚さは画素間隙８３部分で相対的に厚く形成されて、画素間隙８３から画素電極８０の中央に近づくほど相対的に厚さが薄く形成される。すなわち、画素間隙８３に対応する領域は相対的に高く位置する有機膜隆線部になる。この時、有機膜隆線部は以後残像が生じることを防止するために所定角度で形成することが望ましい。これによって、本発明の一実施形態による液晶表示装置１００の第１表示板１が完成する。
【００６２】
次に、図１０ないし図１８を参照して本発明の一実施形態による第２表示板２の製造方法に対して説明する。図１０ないし図１８は本発明の一実施形態による第２表示板２の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【００６３】
まず、第２絶縁基板２０上にクロム等の不透明物質からなった層を形成してパターニングして図１０のように、ブラックマトリックス２２０を形成する。ここで、ブラックマトリックス２２０はクロムのような金属物質以外にも有機物質または無機物質で構成することもできる。
【００６４】
続いて第２絶縁基板２０の全面に感光性赤色レジストを塗布して、露光及び現像して図１１のように、赤色カラーフィルタ２３０Ｒを形成する。そして、図面に図示しなかったが、第２絶縁基板２０の全面に感光性緑色レジストを塗布して、露光及び現像して緑色カラーフィルタを形成する。そして、第２絶縁基板２０の全面に感光性青色レジストを塗布して、露光及び現像して図１２のように、青色カラーフィルター２１０Ｂを形成する。これによって赤（Ｒ）色のカラーフィルタ２３０Ｒ、緑（Ｇ）色のカラーフィルタ（図示せず）、青（Ｂ）色のカラーフィルタ２３０Ｂが完成する。
【００６５】
ここでカラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｂを構成する物質で感光性樹脂を用いたことを例示したが、感光性がない樹脂を用いることもでき、この場合、色樹脂を塗布した次にフォトエッチング工程を利用するようになる。またカラーフィルタの形成順序で赤色、緑色、青色の順序を例示したが、他の順序で形成しても構わないことは勿論である。
【００６６】
この後、カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｂが形成された第２絶縁基板２０の全面に有機物質及びＩＴＯまたはＩＺＯ等を順次に積層して図１３のように、平坦化膜２４０及び共通電極２５０を形成する。そして、共通電極２５０をパターニングして、図１４のように、切開部２５１ａを形成する。
【００６７】
次に、共通電極２５０上に上述した図１５のように、有機組成物をコーティングして有機膜層２６１を形成する。この時、有機組成物は有機溶媒に溶解された状態でコーティングされ、コーティングされた有機膜層２６１の厚さは第１表示板１と第２表示板２間のセルギャップ（ｃｅｌｌ  ｇａｐ）と実質的に同一にする。この後、有機膜層２６１をソフトベーキング（ｓｏｆｔ  ｂａｋｉｎｇ）して、有機組成物に残っているソルベント（ｓｏｌｖｅｎｔ）を蒸発させる。
【００６８】
この後、図１６のように、遮光パターン３１０が形成された第１領域ｍ１及びスリットパターン３２０が形成された第２領域ｍ２を有するマスク３００を第２表示板２上に整列させる。マスク３００を整列させる時にはマスク３００の第１領域ｍ１が第２表示板２のブラックマトリックス２１０に対応するように整列させることが望ましい。続いて、マスク３００を利用して露光する。
【００６９】
ここで、マスク３００に対してよく見れば、マスク３００の第１領域ｍ１はセルギャップ維持部２６０ｂを形成するために完全に遮られてあって、マスク３００の第２領域ｍ２には相異なる解像度を有するスリットパターン３２０が形成されている。さらに具体的には、共通電極２５０の切開部２５１ａに近いほど少量の光が透過することができるように幅が狭いスリットパターン３２０が形成されて、切開部２５１ａから遠くなるほど多量の光が透過することができるように幅が広いスリットパターン３２０が形成される。
【００７０】
このようなマスク３００を利用して露光された有機膜層２６１を水溶性アルカリ現像液を用いて現像すると、図１７のように、共通電極２５０の切開部２５１ａを中心にして両方向に傾斜している液晶配向ガイド部２６０ａとセルギャップ維持部２６０ｂを含む有機膜（２６０ａ、２６０ｂ）が形成される。
【００７１】
さらに具体的には、第１領域ｍ１の遮光パターン３１０に対応する領域は露光されないので有機膜層２６１が大部分残留するようになる。これに比べて第２領域ｍ２はスリットパターン３２０により入射する光が回折現象を起こすようになって、これにより絶縁基板２０側に入射する光の強さが減少される。この時、スリットパターンの幅が広い部分はスリットパターンの幅が狭い部分に比べて多く露光されるので、現像時大部分の有機膜層２６１が除去されて、薄い厚さで残留するようになる。例えば、１００Åないし１０００Åの厚さで残留するようになる。その結果、図１７に示したように、セルギャップ維持部２６０ｂと共通電極２５０の切開部２５１ａを中心にして両方向に傾斜している液晶配向ガイド部２６０ａを含む有機膜（２６０ａ、２６０ｂ）が形成される。
【００７２】
本実施形態では有機膜層２６１の一部を残すためにマスク３００の第２領域ｍ２にスリットパターン３２０が形成された場合を一例で説明したが、第２領域ｍ２に半透過膜が形成されたハーフトーンマスク（ｈａｌｆ―ｔｏｎｅ  ｍａｓｋ、図示せず）を用いることもできる。
【００７３】
以上ような工程を経て、セルギャップ維持部２６０ｂ及び液晶配向ガイド部２６０ａを含む有機膜（２６０ａ、２６０ｂ）が形成されると、第２表示板２を有機膜（２６０ａ、２６０ｂ）のガラス転移温度（Ｇｌａｓｓ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｔｇ）以上の温度で所定時間の間熱処理する。例えば、第２表示板２を１８０℃〜２３０℃の温度で、３０分〜１時間程熱処理をする。この時、熱処理工程は温度が高いほど短い時間の間実施する。例えば、２２０℃の温度で約１時間程熱処理工程を行ったり２２０℃以上の温度では１時間以内の時間の間熱処理工程を行う。
【００７４】
このような条件で熱処理工程を実施すれば、液晶配向ガイド部２６０ａがリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）されて、液晶配向ガイド部２６０ａの最上段の高さが減少するようになる。その結果、図１８のように、セルギャップ維持部２６０ｂの最上部と液晶配向ガイド部２６０ａの最上部間に所定高低差ｄ２例えば、２μｍ以上の高低差ｄ２が形成される。
【００７５】
ここで、以下に示す（表１）を参照して、熱処理温度による液晶配向ガイド部２６０ａ最上部の厚さＨ２の変化に対してよく見るようにする。（表１）は熱処理工程前後、セルギャップ維持部２６０ｂの厚さＨ１、及び液晶配向ガイド部２６０ａの最上部の厚さＨ２の測定値と、セルギャップ維持部２６０ｂの最上部と液晶配向ガイド部２６０ａの最上部間の高低差ｄ２を熱処理工程の温度別に示したのである。
【表１】
2007052412.tif 000003
ここで、実験例１、実験例２及び実験例３はそれぞれ２３０℃、２００℃及び１８０℃の温度で熱処理した場合の各測定値を示したものである。
【００７６】
（表１）を参照すると、第２表示板２を１８０℃〜２３０℃の温度で熱処理する場合、液晶配向ガイド部２６０ａの最上部の厚さＨ２が熱処理以前に比べて半分程減少してしまうことを確認することができる。そしてその結果、セルギャップ維持部２６０ｂの最上部と液晶配向ガイド部２６０ａの最上部間には２μｍ以上の高低差ｄ２が形成されることを確認することができる。すなわち、第１表示板１と第２表示板２間に液晶層３が介在することができる空間が確保されることが分かる。
【００７７】
上記ような工程を経て第２表示板２が完成する。上述したような工程ではセルギャップ維持部２６０ｂと液晶配向ガイド部２６０ａが同時に形成されるので製造工程が単純である。
【００７８】
次に、図１９ないし図２２を参照して本発明の第２の実施形態による液晶表示装置１１０に対して説明する。図１９は本発明の第２の実施形態による液晶表示装置用第１表示板１の配置図であり、図２０は本発明の第２の実施形態による液晶表示装置用第２表示板２の配置図であり、図２１は本発明の第２の実施形態による液晶表示装置１１０の配置図である。そして、図２２は図２１のＶＩ―ＶＩ’線に沿って切断した断面図である。説明の便宜上、上述の一実施形態の図面に示した各部材と同一機能を有する部材は同一符号で示したので、その説明は省略する。
【００７９】
本実施形態の液晶表示装置１１０は、図１９ないし図２２に示したように、一実施形態の液晶表示装置１００と次を除いては基本的に同一構造を有する。
【００８０】
まず、第１表示板１で維持電極線２７はゲート線２２と平行に形成されていて、維持電極２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄは画素領域の縁でゲート線２２と平行にのびている維持電極線２７に連結されている。維持電極２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄは維持電極線２７に相互に連結されている縦部（２８ａ、２８ｂ）及び画素電極８０の切開部（８１ａ、８１ｂ、８１ｃ）と重なって位置して縦部（２８ａ、２８ｂ）を連結する斜線部（２８ｃ、２８ｄ）を含む。
【００８１】
また、データ線３６２は屈曲した部分がなくて縦にのびた部分だけで構成される。したがって、データ線３６２とゲート線２２が交差して定義される画素は四角形で形成される。この場合、データ線３６２は一１実施形態のデータ線６２と比較して相対的に配線の長さが減少するようになって配線の抵抗と負荷が減少して信号歪みが減る。また、データ線３６２と画素電極８０間のカップリング（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）による縦縞模様も防止することができる。
【００８２】
そして、保護膜７０上にはコンタクトホール７１、７２を介して上下に隣接する維持電極２８ａと維持電極線２７を連結する連結部材８５が形成されている。
【００８３】
また、保護膜７０上にはコンタクトホール７６を介してドレイン電極６６と電気的に連結されて画素に位置する画素電極８０が形成されている。画素電極８０には電界を歪曲して液晶分子５の運動方向を制御する役割をする切開部（８１ａ、８１ｂ、８１ｃ）が形成されている。切開部（８１ａ、８１ｂ、８１ｃ）は画素電極８０を上下に半分する位置で左側方向に深く入り込んだ形状であって、入口が対称的に拡張されている横切開部８１ｂ及び横切開部８１ｂにより半分割された画素電極８０の上下部分にそれぞれ斜線方向に形成されている斜線切開部８１ａ、８１ｃを含む。斜線切開部８１ａ、８１ｃはフリンジフィールド（Ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）を４方向に均等に分散させるために相互に垂直に形成されている。画素電極８０の切開部（８１ａ、８１ｂ、８１ｃ）は上部の共通電極の切開部と共に液晶分子５を分割配向するドメイン分割手段として作用する。
【００８４】
一方、第２表示板２の共通電極２５０には画素電極８０の切開部（８１ａ、８１ｂ、８１ｃ）と共に電界を歪曲して液晶分子５の運動方向を制御する切開部（２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ）が形成されている。切開部（２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ）は画素電極８０の斜線切開部８１ａ、８１ｃと交互にそして平行に配置されて形成されている斜線切開部２５１ａ、２５１ｂ及び共通電極２５０の上下を二分する位置に形成された中央切開部２５１ｂを含む。中央切開部２５１ｂは斜線切開部２５１ａ、２５１ｂと平行にのびている部分と縦方向に延長された部分、及び共通電極２５０を二分している途中で左側に横方向に延長した部分とからなる。
【００８５】
共通電極２５０上には液晶配向ガイド部２６０ａとセルギャップ維持部２６０ｂを含む有機膜（２６０ａ、２６０ｂ）が形成されている。ここで、液晶配向ガイド部２６０ａは切開部（２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ）を中心にして両方向に傾斜している構造を有する。すなわち、液晶配向ガイド部２６０ａの厚さは切開部（２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ）で相対的に厚くて、切開部（２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ）から遠くなるほど厚さが薄くなる。セルギャップ維持部２６０ｂは液晶配向ガイド部２６０ａと同時に形成される。
【００８６】
また、図面に図示しなかったが、有機膜（２６０ａ、２６０ｂ）上には液晶分子５を配向する配向膜が形成されている。配向膜は有機膜（２６０ａ、２６０ｂ）を覆っており、有機膜（２６０ａ、２６０ｂ）の形状によってコンフォーマル（一致した）するように形成されてプレチルトしている構造を有する。このようにプレチルトしている構造が液晶分子５の応答速度を増加させる。
【００８７】
本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の製造工程は上述した一実施形態による液晶表示装置の製造方法と同じである。但し、一実施形態とは違って、第１表示板製造時、画素電極８０の上に液晶分子５にプレチルトを与えるための有機膜層形成工程が省略される。
【００８８】
以上説明した本実施形態では有機膜（９０、２６０ａ、２６０ｂ）が第１表示板１及び第２表示板２に形成された一実施形態及び第２表示板２にだけ形成され第２実施形態を説明したが、これに制限されるのではなくて、第１表示板１にだけ形成することもできる。また、本実施形態では第２表示板２にセルギャップ維持部２６０ｂと液晶配向ガイド部２６０ａが同時に形成することを一実施形態にして説明したが、セルギャップ維持部２６０ｂと液晶配向ガイド部２６０ａは第１表示板１に同時に形成することもできる。
【００８９】
また、有機膜（９０、２６０ａ、２６０ｂ）がプレチルトしているように形成された場合を挙げたが、異なる構造または形状を有しても構わなくて、画素電極８０配向膜間にまたは共通電極２５０と配向膜間に有機膜（９０、２６０ａ、２６０ｂ）が形成されさえすれば、同じく適用することができる。同じ観点から画素電極８０及び／または共通電極２５０に切開部が形成されない場合にも適用することができる。
【００９０】
また、本発明の実施形態による液晶表示装置は透過型液晶表示装置だけでなく半透過型、反射型液晶表示装置等にも同じく適用可能であり、これに制限されない。また、本実施形態ではブラックマトリックス及び／またはカラーフィルタが第２表示板に形成された場合を例示したが、これに制限されないし、第１表示板に形成された場合にも適用することができる。
【００９１】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明の液晶表示装置及びその製造方法は、液晶層をプレチルトさせる液晶配向ガイド部とセルギャップ維持部間に高低差を形成することによって、液晶層が介在されることができる空間を確保することができ、液晶分子の傾いている方向を制御して基準視野角を広げることができるので、携帯用コンピュータのディスプレイ装置、デスクトップコンピュータのモニター及び高画質画像機器のモニター等のように多様な分野にわたり有用に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置で第１表示板の配置図である。
【図２】本発明の一実施形態による液晶表示装置で第２表示板の配置図である。
【図３】図１の第１表示板と図２の第２表示板を含む液晶表示装置の配置図である。
【図４】図３のＩＩ―ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による液晶表示装置用第１表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による液晶表示装置用第１表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による液晶表示装置用第１表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による液晶表示装置用第１表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による液晶表示装置用第１表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による第２表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による第２表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による第２表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による第２表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による第２表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態による第２表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態による第２表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態による第２表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図１８】本発明の一実施形態による第２表示板の製造方法を説明するために工程順序別に示した図３のＩＩ―ＩＩ’線に対する断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置用第１表示板の配置図である。
【図２０】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置用第２表示板の配置図である。
【図２１】図１９の第１表示板と図２０の第２表示板を含む液晶表示装置の配置図である。
【図２２】図２１のＶＩ―ＶＩ’線に沿って切断した断面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１        第１表示板
２        第２表示板
３        液晶層
５        液晶分子
１０、２０    絶縁基板
２２      ゲート線
２４      ゲートパッド
２６      ゲート電極
２７      維持電極線
２８      維持電極
４０      半導体層
６２      データ線
６５      ソース電極
６６、６６ａ、６６ｂ    ドレイン電極
６８      データパッド
７０      保護膜
７４、７６、７８    コンタクトホール
８０      画素電極
８３      画素間隙
８４      補助ゲートパッド
８８      補助データパッド
９０      有機膜
２２０      ブラックマトリックス
２３０Ｒ、Ｇ、Ｂ      カラーフィルタ
２４０      平坦化膜
２５０      共通電極
２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ    切開部
２６０ａ    液晶配向ガイド部
２６０ｂ    セルギャップ維持部
３６２      データ線
【図１】
2007052412.tif 000004
【図２】
2007052412.tif 000005
【図３】
2007052412.tif 000006
【図４】
2007052412.tif 000007
【図５】
2007052412.tif 000008
【図６】
2007052412.tif 000009
【図７】
2007052412.tif 000010
【図８】
2007052412.tif 000011
【図９】
2007052412.tif 000012
【図１０】
2007052412.tif 000013
【図１１】
2007052412.tif 000014
【図１２】
2007052412.tif 000015
【図１３】
2007052412.tif 000016
【図１４】
2007052412.tif 000017
【図１５】
2007052412.tif 000018
【図１６】
2007052412.tif 000019
【図１７】
2007052412.tif 000020
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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