(57)【要約】【課題】磁性粒子の配向状態を容易に制御できる磁性ナノ粒子を提供する。また、当該磁性ナノ粒子を用い、再生出力が高い磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。【解決手段】ＦｅとＰｔとからなるＣｕＡｕ型またはＣｕ3Ａｕ型規則合金相を有し、キューリー点が５００℃以上７００℃以下で、平均粒径が３〜５０ｎｍであることを特徴とする磁性ナノ粒子である。磁性ナノ粒子と非磁性バインダーとを含有する磁性層を有し、角型比が０．７５以上であって、前記磁性ナノ粒子が既述の本発明の磁性ナノ粒子であることを特徴とする磁気記録媒体である。既述の本発明の磁性ナノ粒子を形成する金属ナノ粒子を含有する塗布液を支持体上に塗布して磁性塗布物を形成した後、磁場中で加熱することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦｅとＰｔとからなるＣｕＡｕ型またはＣｕ3Ａｕ型規則合金相を有し、キューリー点が５００℃以上７００℃以下で、平均粒径が３〜５０ｎｍであることを特徴とする磁性ナノ粒子。
【請求項２】
磁性ナノ粒子と非磁性バインダーとを含有する磁性層を有し、角型比が０．７５以上であって、前記磁性ナノ粒子が請求項１に記載の磁性ナノ粒子であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１に記載の磁性ナノ粒子を形成する金属ナノ粒子を含有する塗布液を支持体上に塗布して磁性塗布物を形成した後、磁場中で加熱することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性ナノ粒子、磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁性層に含有される磁性粒子のサイズを小さくすることは、磁気記録密度を高くする上で必要である。例えば、ビデオテープ、コンピュータテープ、ディスクなどとして広く用いられている磁気記録媒体では、強磁性体の質量が同じ場合、粒子サイズを小さくしていった方がノイズは下がる。
【０００３】
磁気記録密度向上に有望な磁性粒子（磁性ナノ粒子）の素材としては、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ3Ａｕ型強磁性規則合金がある（例えば、特許文献１参照。）。前記強磁性規則化合金は規則化時に発生する歪みのために結晶磁気異方性が大きく、磁性粒子のサイズを小さくしても強磁性を示すことが知られている。
【０００４】
ＣｕＡｕ型の強磁性規則合金には、ＦｅＰｔがあり、ＦｅＰｔは、磁気異方性定数が最も高い素材であり、粒子サイズを小さくする上で有利である。また、粒子サイズを揃えることにより磁性粒子を自己配列させることが可能であることが知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００５】
ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ3Ａｕ型強磁性規則合金は、液相法や気相法などにより作製されるが、特に、液相法で作製された直後の磁性粒子は、不規則相で面心立方晶の構造を有している。そこで、不規則相から規則相へ変態する変態温度以上でアニール処理を施すことにより、規則相とすることができる。このとき、立方晶の等価な三方向の一方向がランダムに磁化容易軸となる。しかし、幾何学的に自己組織化して配列した各粒子は磁化容易軸の方向という観点からは等価ではなく、ランダムに配向している。
【０００６】
磁化容易軸を一方向に揃えることは工業的に必要性が高い。例えば、磁気記録テープにおいては、磁化容易軸を面内でテープの長手方向に揃えることでランダム配向に対し出力向上を図っている。また、ディスクにおいては、面内でランダムに配向させることが望まれており、ハードディスクにおいては、ディスク面の垂直方向に配向させることが望まれている。すなわち、３次元ランダム配向状態を制御して面内ランダム配向あるいは一軸配向状態で実用化することが望まれている。また、磁化容易軸を磁性面に対し垂直にすることで、自己損失を低下し磁化の安定化を図ることが提案されている。
【０００７】
かかる要請に対し、（１）面心正方晶のＦｅＰｔを直接合成しする方法（例えば、特許文献１参照）、（２）面心立方晶のＦｅＰｔを液中でアニールし面心正方晶を得る方法（例えば、特許文献２参照）、（３）面心立方晶のＦｅＰｔを無機物で囲んだ後、アニール処理を行い面心正方晶とした後に無機物を溶解し面心正方晶のＦｅＰｔを抽出する方法（例えば、特許文献３参照）、（４）面心立方晶のＦｅＰｔの塗布物をアニールし面心正方晶とする際に磁場をかけ、磁化易軸を磁場の方向に揃える方法（例えば、特許文献４および５参照）、（５）有機物を付着させた面心立方晶のＦｅＰｔの塗布物をアニールし面心正方晶とした後に、磁場をかけ配向した後に、有機物を硬化処理する方法（例えば、特許文献６参照）、が提案されている。
【０００８】
（１）〜（３）の方法では面心正方晶としたＦｅＰｔを磁場中で塗布し配向処理することとなるが、これらの方法によれば、塗布液中のＦｅＰｔが硬磁性体であるため、ＦｅＰｔ粒子が凝集しやすい欠点及び、塗布乾燥を磁場中で行う際にやはり凝集が生じ、表面が平滑にならないという欠点を有している。
【０００９】
（４）の方法では相変態温度をキューリー点より低くする必要があり、面心正方晶のＦｅＰｔを酸化後還元雰囲気でアニールする（欠陥導入により相変態温度を下げる）あるいは加圧下でアニールすることで相変態温度を下げる等の特殊環境下でアニール処理を行う必要がある。（５）の方法ではＦｅＰｔに付いている有機物を分解しないようにＦｅＰｔを変態温度（一般には５５０℃）に加熱しなければいけないという困難な工程を必要とする。
【特許文献１】特許３６９３６１８
【特許文献２】特開２００５−１８３８９８
【特許文献３】特開２００４−３６２７４６
【特許文献４】特開２００４−８７０８８
【特許文献５】特開２００４−１４０５６
【特許文献６】特開２００４−２２０６７０
【非特許文献１】Ｓｃｉｅｎｃｅ  ｖｏｌ．２８７  １９８９（２０００）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
以上から、本発明は、磁性粒子の配向状態を容易に制御できる磁性ナノ粒子を提供することを目的とする。また、当該磁性ナノ粒子を用い、再生出力が高い磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明者は、下記本発明に想到し当該課題を解決できることを見出した。
【００１２】
すなわち、本発明は、ＦｅとＰｔとからなるＣｕＡｕ型またはＣｕ3Ａｕ型規則合金相を有し、キューリー点が５００℃以上７００℃以下で、平均粒径が３〜５０ｎｍであることを特徴とする磁性ナノ粒子である。
【００１３】
また、本発明は、磁性ナノ粒子と非磁性バインダーとを含有する磁性層を有し、角型比が０．７５以上であって、前記磁性ナノ粒子が既述の本発明の磁性ナノ粒子であることを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１４】
さらに、本発明は、既述の本発明の磁性ナノ粒子を形成する金属ナノ粒子を含有する塗布液を支持体上に塗布して磁性塗布物を形成した後、磁場中で加熱（アニール）することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［磁性ナノ粒子］
本発明の磁性ナノ粒子は、ＦｅとＰｔからなるＣｕＡｕ型またはＣｕ3Ａｕ型規則合金相を有し、そのキューリー点が５００℃以上７００℃以下であり、平均粒径が３〜５０ｎｍである。
【００１６】
キューリー点が７００℃より高いと、熱（光）アシスト記録（ＨＡＭＲ）を用いる際に、温度をかけても保磁力があまり低下せず、書込みにくい欠点を有することとなる。キューリー点が５００℃より低いと熱的安定性に懸念が生じる。キューリー点としては好ましくは５００〜６００℃である。
【００１７】
キューリー点の評価は加熱しながら電子線ホログラフィー（ＦＥ−ＴＥＭ）により磁力線を観察することにより行うことができる。キューリー点は昇温時に磁力線が消失した温度と降温時に磁力線が現れた温度の平均値とすることが好ましい。
【００１８】
平均粒径が３ｎｍ未満では、熱ゆらぎのため超常磁性となり好ましくない。５０ｎｍを超えると、記録密度を十分に大きくすることができなくなる。
【００１９】
当該ＣｕＡｕ型強磁性規則合金としては、ＦｅＰｔが挙げられ、また、Ｃｕ3Ａｕ型強磁性規則合金としては、Ｆｅ3Ｐｔ、ＦｅＰｔ3が挙げられる。
【００２０】
アニール処理などにより本発明の磁性ナノ粒子となる金属ナノ粒子は、気相法や液相法により製造することができるが、平均粒径を３〜５０ｎｍとすることを考慮すると、粒径制御が容易な液相法により製造することが好ましい。液相法としては、従来から知られている種々の方法を適用することができるが、これらに改良を加えた逆ミセル法や還元法を適用することが好ましい。
【００２１】
（逆ミセル法）
上記逆ミセル法は、少なくとも、（１）２種の逆ミセル溶液を混合して還元反応を行う還元工程と、（２）還元反応後に所定温度で熟成する熟成工程と、を有する。以下、各工程について説明する。
【００２２】
（１）還元工程：
まず、界面活性剤を含有する非水溶性有機溶媒と還元剤水溶液とを混合した逆ミセル溶液（Ｉ）を調製する。
【００２３】
前記界面活性剤としては、油溶性界面活性剤が用いられる。具体的には、スルホン酸塩型（例えば、エーロゾルＯＴ（和光純薬製））、４級アンモニウム塩型（例えば、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド）、エーテル型（例えば、ペンタエチレングリコールドデシルエーテル）などが挙げられる。非水溶性有機溶媒中の界面活性剤量は、２０〜２００ｇ／リットルであることが好ましい。
【００２４】
前記界面活性剤を溶解する非水溶性有機溶媒として好ましいものは、アルカン、エーテルおよびアルコール等が挙げられる。アルカンとしては、炭素数７〜１２のアルカン類であることが好ましい。具体的には、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等が好ましい。エーテルとしては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等が好ましい。アルコールとしては、エトキシエタノール、エトキシプロパノール等が好ましい。
【００２５】
還元剤水溶液中の還元剤としては、アルコール類；ポリアルコール類；Ｈ2；ＨＣＨＯ、Ｓ2Ｏ62-、Ｈ2ＰＯ2-、ＢＨ4-、Ｎ2Ｈ5+、Ｈ2ＰＯ3-などを含む化合物；を単独で使用、または２種以上を併用することが好ましい。水溶液中の還元剤量は、金属塩１モルに対して、３〜５０モルであることが好ましい。
【００２６】
ここで、逆ミセル溶液（Ｉ）溶液中の水と界面活性剤との質量比（水／界面活性剤）は、２０以下となるようにすることが好ましい。質量比が２０を超えると、沈殿が起きやすく、粒子も不揃いとなりやすいといった問題が生じることがある。質量比は、１５以下とすることが好ましく、０．５〜１０とすることがより好ましい。
【００２７】
上記とは別に、界面活性剤を含有する非水溶性有機溶媒と金属塩水溶液とを混合した逆ミセル溶液（ＩＩ）を調製する。界面活性剤および非水溶性有機溶媒の条件（使用する物質、濃度等）については、逆ミセル溶液（Ｉ）の場合と同様である。
【００２８】
なお、逆ミセル溶液（Ｉ）と同種のものまたは異種のものを使用することができる。また、逆ミセル溶液（ＩＩ）溶液中の水と界面活性剤との質量比も逆ミセル溶液（Ｉ）の場合と同様であり、逆ミセル溶液（Ｉ）の質量比と同一としてもよく、異なっていてもよい。
【００２９】
金属塩水溶液に含有される金属塩としては、作製しようとする金属ナノ粒子がＣｕＡｕ型あるいはＣｕ3Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得るように、適宜選択することが好ましい。
【００３０】
具体的には、Ｈ2ＰｔＣｌ6、Ｋ2ＰｔＣｌ4、Ｐｔ（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）2、Ｆｅ2（ＳＯ4）3、Ｆｅ（ＮＯ3）3、（ＮＨ4）3Ｆｅ（Ｃ2Ｏ4）3、Ｆｅ（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）3などが挙げられる。
【００３１】
金属塩水溶液中の濃度（金属塩濃度として）は、０．１〜２０００μｍｏｌ／ｍｌであることが好ましく、０．１〜１０００μｍｏｌ／ｍｌであることがより好ましく、１〜５００μｍｏｌ／ｍｌであることがさらに好ましく、１〜１００μｍｏｌ／ｍｌであることが特に好ましい。
【００３２】
前記金属塩を適宜選択することで、卑な金属と貴な金属とが合金を形成したＣｕＡｕ型もしくはＣｕ3Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得る金属ナノ粒子が作製される。
【００３３】
金属ナノ粒子をアニールすることによって合金相を不規則相から規則相へ変態させる必要があるが、当該変態温度を下げるために、前記２元系合金に、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎなどの第三元素を加えることが好ましい。これらの第三元素は、それぞれの第三元素の前駆体を、前記金属塩溶液に予め添加しておくことが好ましい。添加量としては、２元系合金に対し、１〜３０ａｔ％であることが好ましく、５〜２０ａｔ％であることがより好ましい。
【００３４】
以上のようにして調製した逆ミセル溶液（Ｉ）と（ＩＩ）とを混合する。混合方法としては、特に限定されるものではないが、還元の均一性を考慮して、逆ミセル溶液（Ｉ）を撹拌しながら、逆ミセル溶液（ＩＩ）を添加していって混合することが好ましい。混合終了後、還元反応を進行させることになるが、その際の温度は、−５〜３０℃の範囲で、一定の温度とすることが好ましい。
【００３５】
還元温度が−５℃未満では、水相が凝結して還元反応が不均一になるといった問題が生じることがあり、３０℃を超えると、凝集または沈殿が起こりやすく系が不安定となることがある。好ましい還元温度は０〜２５℃であり、より好ましくは５〜２５℃である。
【００３６】
ここで、前記「一定温度」とは、設定温度をＴ（℃）とした場合、当該ＴがＴ±３℃の範囲にあることをいう。なお、このようにした場合であっても、当該Ｔの上限および下限は、上記還元温度（−５〜３０℃）の範囲にあるものとする。
【００３７】
還元反応の時間は、逆ミセル溶液の量等により適宜設定する必要があるが、１〜３０分とすることが好ましく、５〜２０分とすることがより好ましい。
【００３８】
還元反応は、粒径分布の単分散性に大きな影響を与えるため、できるだけ高速攪拌しながら行うことが好ましい。好ましい攪拌装置は高剪断力を有する攪拌装置であり、詳しくは、攪拌羽根が基本的にタービン型あるいはパドル型の構造を有し、さらに、その羽根の端もしくは、羽根と接する位置に鋭い刃を付けた構造であり、羽根をモーターで回転させる攪拌装置である。具体的には、ディゾルバー（特殊機化工業製）、オムニミキサー（ヤマト科学製）、ホモジナイザー（ＳＭＴ製）などの装置が有用である。これらの装置を用いることにより、単分散な金属ナノ粒子を安定な分散液として合成することができる。
【００３９】
前記逆ミセル溶液（Ｉ）および（ＩＩ）の少なくともいずれかに、アミノ基またはカルボキシ基を１〜３個有する少なくとも１種の分散剤を、作製しようとする金属ナノ粒子１モル当たり、０．００１〜１０モル添加することが好ましい。
【００４０】
かかる分散剤を添加することで、より単分散で、凝集の無い金属ナノ粒子を得ることが可能となる。添加量が、０．００１モル未満では、金属ナノ粒子の単分散性をより向上させることできない場合があり、１０モルを超えると凝集が起こる場合がある。
【００４１】
前記分散剤としては、金属ナノ粒子表面に吸着する基を有する有機化合物が好ましい。具体的には、アミノ基、カルボキシ基、スルホン酸基またはスルフィン酸基を１〜３個有するものであり、これらを単独または併用して用いることができる。
【００４２】
構造式としては、Ｒ−ＮＨ2、ＮＨ2−Ｒ−ＮＨ2、ＮＨ2−Ｒ（ＮＨ2）−ＮＨ2、Ｒ−ＣＯＯＨ、ＣＯＯＨ−Ｒ−ＣＯＯＨ、ＣＯＯＨ−Ｒ（ＣＯＯＨ）−ＣＯＯＨ、Ｒ−ＳＯ3Ｈ、ＳＯ3Ｈ−Ｒ−ＳＯ3Ｈ、ＳＯ3Ｈ−Ｒ（ＳＯ3Ｈ）−ＳＯ3Ｈ、Ｒ−ＳＯ2Ｈ、ＳＯ2Ｈ−Ｒ−ＳＯ2Ｈ、ＳＯ2Ｈ−Ｒ（ＳＯ2Ｈ）−ＳＯ2Ｈで表される化合物であり、式中のＲは直鎖、分岐または環状の飽和、不飽和の炭化水素である。
【００４３】
分散剤として特に好ましい化合物はオレイン酸である。オレイン酸はコロイドの安定化において周知の界面活性剤であり、鉄ナノ粒子を保護するのに用いられてきた。オレイン酸の比較的長い（たとえば、オレイン酸は１８炭素鎖を有し長さは〜２０オングストローム（〜２ｎｍ）である。オレイン酸は脂肪族ではなく二重結合が１つある）鎖は粒子間の強い磁気相互作用を打ち消す重要な立体障害を与える。
【００４４】
エルカ酸やリノール酸など類似の長鎖カルボン酸もオレイン酸同様に（たとえば、８〜２２の間の炭素原子を有する長鎖有機酸を単独でまたは組み合わせて用いることができる）用いられる。オレイン酸は（オリーブ油など）容易に入手できる安価な天然資源であるので好ましい。また、オレイン酸から誘導されるオレイルアミンもオレイン酸同様有用な分散剤である。
【００４５】
以上のような還元工程では、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ3Ａｕ型規則合金相中のＦｅ等の酸化還元電位が卑な金属（−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）程度以下の金属）が還元され、極小サイズで単分散な状態で析出するものと考えられる。その後、昇温段階および後述する熟成工程において、析出した卑な金属を核とし、その表面で、Ｐｔ等の酸化還元電位が貴な金属（−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）程度以上の金属）が卑な金属で還元されて置換、析出する。イオン化した卑な金属は還元剤で再度還元されて析出すると考えられる。このような繰返しによって、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ3Ａｕ型規則合金を形成し得る金属ナノ粒子が得られる。
【００４６】
（２）熟成工程：
還元反応終了後、反応後の溶液を熟成温度まで昇温する。前記熟成温度は、３０〜９０℃で一定の温度とすることが好ましく、その温度は、前記還元反応の温度より高くする。また、熟成時間は、５〜１８０分とすることが好ましい。熟成温度および時間が上記範囲より高温長時間側にずれると、凝集または沈殿が起きやすく、逆に低温短時間側にずれると、反応が完結しなくなり組成が変化することがある。好ましい熟成温度および時間は４０〜８０℃および１０〜１５０分であり、より好ましい熟成温度および時間は４０〜７０℃および２０〜１２０分である。
【００４７】
ここで、前記「一定温度」とは、還元反応の温度の場合と同義（但し、この場合、「還元温度」は「熟成温度」となる）であるが、特に、上記熟成温度の範囲（３０〜９０℃）内で、前記還元反応の温度より５℃以上高いことが好ましく、１０℃以上高いことがより好ましい。５℃未満では、処方通りの組成が得られないことがある。
【００４８】
以上のような熟成工程では、還元工程で還元析出した卑な金属上に貴な金属が析出する。すなわち、卑な金属上でのみ貴な金属の還元が起こり、卑な金属と貴な金属とが別々に析出することが無いため、効率良くＣｕＡｕ型あるいはＣｕ3Ａｕ型硬磁性規則合金を形成し得る金属ナノ粒子を、高収率で処方組成比どおりに作製することが可能で、所望の組成に制御することができる。また、熟成の際の温度の撹拌速度を適宜調整することで、得られる金属ナノ粒子の粒径を所望なものとすることができる。
【００４９】
前記熟成を行った後は、水と１級アルコールとの混合溶液で前記熟成後の溶液を洗浄し、その後、１級アルコールで沈殿化処理を施して沈殿物を生成させ、該沈殿物を有機溶媒で分散させる洗浄・分散工程を設けることが好ましい。かかる洗浄工程を設けることで、不純物が除去され、磁気記録媒体の磁性層を塗布により形成する際の塗布性をより向上させることができる。上記洗浄および分散は、少なくともそれぞれ１回、好ましくは、それぞれ２回以上行う。
【００５０】
洗浄で用いる前記１級アルコールとしては、特に限定されるものではないが、メタノール、エタノール等が好ましい。体積混合比（水／１級アルコール）は、１０／１〜２／１の範囲にあることが好ましく、５／１〜３／１の範囲にあることがより好ましい。水の比率が高いと、界面活性剤が除去されにくくなることがあり、逆に１級アルコールの比率が高いと、凝集を起こしてしまうことがある。
【００５１】
以上のようにして、溶液中に分散した金属ナノ粒子（金属ナノ粒子分散液）が得られる。当該金属ナノ粒子は、単分散であるため、支持体に塗布しても、これらが凝集することなく均一に分散した状態を保つことができる。従って、アニール処理を施しても、それぞれの金属ナノ粒子が凝集することがないため、効率良く硬磁性化することが可能で、塗布適性に優れる。
【００５２】
アニール前の金属ナノ粒子の平均粒径は、一般に、３〜５０ｎｍであることが好ましく、３〜１０ｎｍであることがより好ましい（後述する還元法により得られる金属ナノ粒子も同様）。磁気記録媒体として用いるには金属ナノ粒子を最密充填することが記録容量を高くする上で好ましい。そのためには、本発明の金属ナノ粒子の変動係数は１０％未満が好ましく、より好ましくは５％以下である。構成元素によって最小安定粒径が異なるが、必要な粒径を得るために、Ｈ2Ｏ／界面活性剤質量比を変化させて合成することが有効である。
【００５３】
（還元法）
還元法で金属ナノ粒子を調製するには、Ｆｅ等の酸化還元電位が卑な金属（以下、単に「卑な金属」ということがある）と、Ｐｔ等の酸化還元電位が貴な金属（以下、単に「貴な金属」ということがある）と、を液相中で還元剤等を使用して還元し、金属ナノ粒子を析出させる方法を適用することが好ましい。このとき、卑な金属と貴な金属との還元順序は、特に限定されず、同時に還元してもよい。
【００５４】
また、既述の逆ミセル法と同様に、２元系合金に、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ等の第三元素を加えることで硬磁性規則合金への変態温度を下げることができる。添加量としては全体量に対し、１〜２０ａｔ％が好ましく、５〜１５ａｔ％がより好ましい。
【００５５】
例えば、還元剤を用いて卑な金属と貴な金属をこの順に還元して析出させる場合、−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）より卑な還元電位を持つ還元剤を用いて卑な金属あるいは卑な金属と貴な金属の一部を還元したものを貴な金属源に加え酸化還元電位が−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）より貴な還元剤を用いた後、−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）より卑な還元電位を持つ還元剤を用いる事が好ましい。
【００５６】
酸化還元電位は系のｐＨに依存するが、酸化還元電位が−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）より貴な還元剤には、１，２−ヘキサデカンジオール等のアルコール類、グリセリン類、Ｈ2、ＨＣＨＯが好ましく用いられる。
【００５７】
−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）より卑な還元剤にはＳ2Ｏ62-、Ｈ2ＰＯ2-、ＢＨ4-、Ｎ2Ｈ5+、Ｈ2ＰＯ3-が好ましく用いる事ができる。なお、卑な金属の原料として、Ｆｅカルボニル等の０価の金属化合物と用いる場合は、特に卑な金属の還元剤は必要ない。
【００５８】
貴な金属を還元析出させる際に吸着剤を存在させる事で金属ナノ粒子を安定に形成させることができる。吸着剤としてはポリマーや界面活性剤を使用することが好ましい。該ポリマーとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリＮ−ビニル−２ピロリドン（ＰＶＰ）、ゼラチンである。特に好ましくはＰＶＰである。分子量は２千〜６万が好ましく、より好ましくは２千〜３万である。ポリマーの量は生成する金属ナノ粒子の質量の０．１〜１０倍であることが好ましく、０．１〜５倍がより好ましい。
【００５９】
吸着剤として好ましく用いられる界面活性剤は、一般式：Ｒ−Ｘ、で表される長鎖有機化合物である「有機安定剤」を含むことが好ましい。上記一般式中のＲは、直鎖または分岐ハイドロカーボンまたはフルオロカーボン鎖である「テール基」であり、通常８〜２２の炭素原子を含む。また、上記一般式中のＸは、金属ナノ粒子表面に特定の化学結合を提供する部分（Ｘ）である「ヘッド基」であり、スルフィネート（−ＳＯＯＨ）、スルホネート（−ＳＯ2ＯＨ）、ホスフィネート（−ＰＯＯＨ）、ホスホネート（−ＯＰＯ（ＯＨ）2）、カルボキシレート、およびチオールのいずれかであることが好ましい。
【００６０】
以上のようにして、溶液中に分散した金属ナノ粒子（金属ナノ粒子分散液）が得られる。
【００６１】
調製した金属ナノ粒子の粒径評価には透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いることができる。加熱により硬磁性化した金属ナノ粒子の結晶系を決めるにはＴＥＭによる電子線回折でもよいが、精度高く行うにはＸ線回折を用いた方が良い。硬磁性化した金属ナノ粒子の内部の組成分析には電子線を細く絞ることができるＦＥ−ＴＥＭにＥＤＡＸを付け評価することが好ましい。硬磁性化した金属ナノ粒子（磁性ナノ粒子）の磁気的性質の評価はＶＳＭを用いて行うことができる。
【００６２】
得られた金属ナノ粒子は、不規則相である。従って、後述するようなアニール処理を施すことで、規則相を有する本発明の磁性ナノ粒子が得られる。
【００６３】
［磁気記録媒体およびその製造方法］
本発明の磁気記録媒体の磁性層に用いられる磁性体には、高い結晶磁気異方性を有し、熱安定性に優れたＣｕＡｕ型あるいはＣｕ3Ａｕ型規則合金相を有する粒子、すなわち、本発明の磁性ナノ粒子を用いる。
【００６４】
磁性層には非磁性バインダーが含有されている。非磁性バインダーが含有されていることで、アニール処理による磁性ナノ粒子のキューリー点を既述の所望の範囲に制御しやすくできる。また、後述するような効果が得られる。
【００６５】
また、本発明の磁気記録媒体の角型比は０．７５以上となっている。０．７５未満では、出力が低くなる弊害が生じる。好ましくは、０．８〜１である。
【００６６】
非磁性バインダーとしては非磁性の金属酸化物マトリックスが好ましく用いられる。非磁性の金属酸化物マトリックス中に上記金属ナノ粒子を含有する層を磁性層とすることで、加熱時に膜を軟化させ、磁場中で加熱することで配向処理を行うことができる。また、非磁性の金属酸化物マトリックスは当該磁性層の耐傷性を高め、支持体との密着性を高めることができる。すなわち、金属ナノ粒子を規則化するためのアニール処理を施しても、金属酸化物マトリックスがバインダーとしての役割を果たすため、支持体との密着性を高い状態に維持することが可能となる。また、アニール処理を行っても、金属酸化物マトリックスの構成が変化せずに、強固な磁性層が形成されるため、有機分散剤やポリマーの炭化による膜強度の低下が抑制され、耐傷性を向上させることができる。
【００６７】
さらに、金属酸化物マトリックスに含有された上記金属ナノ粒子は、互いに凝集することがなく、高分散な状態を維持することができるので、磁性ナノ粒子の有する硬磁性を効率よく発揮させることができる。
【００６８】
非磁性の金属酸化物マトリックスは、シリカ、チタニアおよびポリシロキサンから選ばれる少なくとも１種のマトリックス剤からなることが好ましく、具体的には、オルガノシリカゾル（例えば、日産化学製シリカゾル、シーアイ化成製ナノテックＳｉＯ2）、オルガノチタニアゾル（例えば、シーアイ化成製ナノテックＴｉＯ2）およびシリコーン樹脂（例えば、東レ製トレフィルＲ９１０）から選ばれる少なくとも１種のマトリックス剤からなることが好ましい。
【００６９】
上記材料は、磁性層の耐傷性および密着性を高めるのに特に有効である。マトリックス剤の添加量は、金属ナノ粒子の全体積対して、１〜８０体積％であり、好ましくは１０〜５０体積％、より好ましくは２０〜４０体積％である。これはマトリックス剤の添加量が少ないと表面の平滑化効果が少なく、多すぎると磁性体の充填度が低くなり、良好な電磁変換特性を得ることができなくなるためである。
【００７０】
本発明の磁気記録媒体の具体例としては、ビデオテープ、コンピュータテープ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク等の磁気記録媒体や、ＭＲＡＭ等の磁気記録媒体が挙げられる。
【００７１】
本発明の磁気記録媒体は、磁性ナノ粒子となる金属ナノ粒子を含有する塗布液を支持体上に塗布して磁性塗布物を形成した後、磁場中で加熱（磁場中アニール）して製造する。具体的には、既述の金属ナノ粒子分散液に既述のマトリックス剤や必要に応じて種々の添加剤を添加して、磁性層を形成するための塗布液（磁性層塗布液）を調製し、該塗布液を支持体上に塗布して磁性塗布物を形成した後、アニール処理を施して磁性層を形成して製造される。ここで、上記塗布液中の金属ナノ粒子の含有量は、５〜５０ｍｇ／ｍｌとすることが好ましい。また、マトリックス剤は、既述のものを１種以上添加し、その含有量が、０．００７〜１．０μｇ／ｍｌなるようにすることが好ましく、０．０１〜０．７μｇ／ｍｌとなるようにすることがより好ましい。
【００７２】
また、必要に応じて磁性層と支持体との間に非磁性層やバック層等を設けてもよい。例えば、本発明の磁気記録媒体が磁気ディスクの場合、支持体の反対側の面にも同様に磁性層、必要に応じ磁性層と非磁性層を設けることが好ましい。本発明の磁気記録媒体が磁気テープの場合、磁性層の反対側の支持体面上にはバック層を設けることが好ましい。非磁性層やバック層はスパッタ膜でも、また、塗布膜のいずれでもよい。
【００７３】
本発明の磁気記録媒体に使用される支持体としては、無機物および有機物のいずれも適用することが可能で、厚さは３〜８００μｍのものを使用することが好ましい。
【００７４】
無機物の支持体としては、Ａｌ；Ａｌ−Ｍｇ合金；Ｍｇ−Ａｌ−ＺｎなどのＭｇ合金；ガラス；石英；カーボン；シリコン；セラミックス；などが挙げられる。これらの支持体は耐衝撃性に優れ、また薄型化や高速回転に適した剛性を有する。また、有機物支持体に対し熱に強い特徴を有している。
【００７５】
有機物の支持体としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類；ポリオレフィン類；セルロ−ストリアセテート；ポリカ−ボネート；ポリアミド（脂肪族ポリアミドやアラミド等の芳香族ポリアミドを含む）；ポリイミド；ポリアミドイミド；ポリスルフォン；ポリベンゾオキサゾール；などが挙げられる。
【００７６】
塗布液を支持体上に塗布して下層塗布層あるいは磁性層を形成する際の磁性層の乾燥後の層厚は、５〜２００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、５〜５０ｎｍの範囲内より好ましい。ここで、複数の磁性層塗布液を逐次あるいは同時に重層塗布してもよく、下層塗布液と磁性層塗布液とを逐次あるいは同時に重層塗布してもよい。
【００７７】
上記磁性塗布液もしくは下層塗布液を塗布する塗布方法としては、エアードクターコート、ブレードコート、ロッドコート、押出しコート、エアナイフコート、スクイズコート、含浸コート、リバースロールコート、トランスファーロールコート、グラビヤコート、キスコート、キャストコート、スプレイコート、スピンコートなどが利用できる。
【００７８】
液相法などで調製した直後の金属ナノ粒子（金属ナノ粒子分散液中の金属ナノ粒子）は不規則相である。規則相を得るためにアニールする必要がある。アニールは、粒子の融着を防止するため、支持体に塗布液を塗布した後に行うことが好ましい。
【００７９】
磁場中でのアニール処理に先立ち、あるいは同時に相変態温度以上の温度でアニールし硬磁性の一軸の磁化容易軸を有する規則相としておくことが好ましい（プレアニール）。これは、一軸異方性を有する状態にしておかなければ一方向に配向することが出来ないからである。相変態させるためのアニール（プレアニール）は磁場中アニールより先に行うことが好ましい。
【００８０】
プレアニールにより、金属ナノ粒子から磁性ナノ粒子への相変態を完全に行うことで、磁性ナノ粒子のキューリー点を所望の範囲（５００〜７００℃）とすることができる。また、磁性層に既述の非磁性バインダーを含有させ、当該プレアニールを行うことで、より確実に磁性ナノ粒子のキューリー点を所望の範囲とすることができる。
【００８１】
規則化が進行し一軸異方性が明瞭になるほど保磁力が高くなることから、磁場中アニールを施す前の保磁力は高いことが好ましい。一方、一軸異方性を有していればよく、目安としての保磁力は磁気記録媒体として用いるほど高くなくてもよい。すなわち規則化された金属ナノ粒子の保磁力は、３９．９〜６３６．８ｋＡ／ｍ（５００〜８０００Ｏｅ）であることが好ましく、９５．５〜３９８ｋＡ／ｍ（１２００〜５０００Ｏｅ）であることがより好ましい。
【００８２】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ3Ａｕ型強磁性規則合金相と非磁性バインダーを含む磁性層を加熱し軟化させた状態で磁場を印加することで磁性体を配向することが好ましく用いられる。このことからも、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ3Ａｕ型規則合金相形成のキューリー点が高いことが好ましい。これは、加熱により非磁性バインダーを軟化させることから、加熱温度は高い方が望ましく、このとき、キューリー点が低いと磁性を喪失してしまうため磁場を印加しても意味が無いからである。
【００８３】
相変態を起こさせるためのアニール（プレアニール）温度は示差熱分析（ＤＴＡ）を用い、金属ナノ粒子を構成する合金の規則不規則変態温度を求め、その温度より上の温度で行うことが必要である。変態温度は元素組成によって、また、第三元素の添加によって変化する。有機物支持体を用いる場合は、支持体の耐熱温度以下の変態温度を有する金属ナノ粒子を用いるか、パルスレーザによる磁性層のみのアニールが有効である。
【００８４】
配向処理を行う磁場中アニールの条件としては、磁場は強い方が、磁性体の配向に有利である一方、磁場をかけることでの表面性の悪化を伴うことから０．５Ｔ〜１０Ｔであることが好ましく、より好ましくは１Ｔ〜５Ｔである。２．５Ｔ以上の磁場を得るには超伝導磁石により得ることが出来る。超伝導磁石は自らの磁場で超伝導を破壊しないようゆっくりと磁場強度を上昇、降下する必要があり、工程設計に制約を課する。そこで電磁石でも発生可能である２．５Ｔ以下が好ましく用いられる。
【００８５】
アニール温度は高い方がバインダーを軟化させる点で有利である一方、キューリー点以下の温度である必要がある。そこで、キューリー点より低いことを必須とし、３００℃〜６００℃が好ましく、より好ましくは３５０〜５００℃である。
【００８６】
アニール時間としては長い方が配向させるには有利である。一方、強い一定の磁場を発生させることができる領域は狭く、かかる磁場中で一回にアニール処理できる枚数は限られたものになる。工業的観点からは、処理時間が短い方が好ましい。従って、アニール時間としては１分〜６０分が好ましくより好ましくは５分〜２０分である。
【００８７】
磁場中アニールの後に再度、相変態が進行する条件下でアニール処理を施すことは好ましい対応である（アフターアニール）。これは、磁場中アニールはキューリー点の関係から相変態が進行する温度以下で処理することが必要になる場合があり、磁気記録に用いるほどの保磁力を有さない場合があるからである。
【００８８】
以上のようにして形成された磁性層は、金属酸化物マトリックスの存在により支持体との密着性だけでなく耐傷性にも優れたものになっているが、上記磁性層上に非常に薄い保護膜を形成することで耐磨耗性を改善し、さらにその上に潤滑剤を塗布して滑り性を高めることによって、十分な信頼性を確保することが可能となる。
【００８９】
保護膜としては、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物；窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物；炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物；グラファイト、無定型カーボンなどの炭素；からなる保護膜があげられるが、好ましくは、炭素からなるカーボン保護膜である。また、カーボン保護膜でも、一般にダイヤモンドライクカーボンと呼ばれる硬質の非晶質カーボンが特に好ましい。
【００９０】
カーボン保護膜の製造方法として、ハードディスクにおいては、スパッタ法が一般的であるが、ビデオテープ等の連続成膜を行う必要のある製品ではより成膜速度の高いプラズマＣＶＤを用いる方法が多数提案されている。中でもプラズマインジェクションＣＶＤ（ＰＩ−ＣＶＤ）法は成膜速度が非常に高く、得られるカーボン保護膜も硬質かつピンホールが少ない良質な保護膜が得られると報告されている（例えば、特開昭６１−１３０４８７、特開昭６３−２７９４２６、特開平３−１１３８２４等）。
【００９１】
カーボン保護膜はビッカース硬度で１０００ｋｇ／ｍｍ2以上、好ましくは２０００ｋｇ／ｍｍ2以上の硬質の炭素膜である。また、その結晶構造はアモルファス構造であり、かつ非導電性である。そして、カーボン保護膜として、ダイヤモンド状炭素膜を使用した場合、その構造をラマン光分光分析によって測定した場合には、１５２０〜１５６０ｃｍ-1にピークが検出されることによって確認することができる。膜の構造がダイヤモンド状構造からずれてくるとラマン光分光分析により検出されるピークが上記範囲からずれるとともに、膜の硬度も低下する。
【００９２】
カーボン保護膜を作製するための原料としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカン；エチレン、プロピレン等のアルケン；アセチレン等のアルキン；をはじめとした炭素含有化合物を用いることができる。また、必要に応じてアルゴンなどのキャリアガスや膜質改善のための水素や窒素などの添加ガスを加えることができる。
【００９３】
カーボン保護膜の膜厚が厚いと電磁変換特性の悪化や磁性層に対する密着性の低下が生じ、膜厚が薄いと耐磨耗性が不足するため、膜厚は２．５〜２０ｎｍが好ましく、５〜１０ｎｍが特に好ましい。
【００９４】
磁性層は電磁変換特性を改善するため重層構成としたり、非磁性下地層や中間層を有していてもよい。
【００９５】
本発明の磁気記録媒体において、走行耐久性および耐食性を改善するため、上記磁性層もしくは保護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。添加する潤滑剤としては公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などが使用できる。
【００９６】
炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類；ステアリン酸ブチル等のエステル類；オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類；リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類；ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類；ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類；ステアリルアミン等のアミン類；などが挙げられる。
【００９７】
フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）ｎ、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）ｎまたはこれらの共重合体等が挙げられる。また、末端や分子内に水酸基、エステル基、カルボキシル基などの極性官能基を有する化合物が摩擦力を低減する効果が高く好適である。この分子量は５００〜５０００であることが好ましく、１０００〜３０００であることがより好ましい。上記範囲未満では揮発性が高くなり、潤滑性が低くなることがある。また、上記範囲を超えると粘度が高くなるため、スライダーとディスクが吸着しやすく、走行停止やヘッドクラッシュなどを発生しやすくなる。このパーフルオロポリエーテルで置換した潤滑剤の具体例としては、アウジモンド社からＦＯＭＢＬＩＮ、デュポン社からＫＲＹＴＯＸなどの商品名で市販されている。
【００９８】
極圧添加剤としては、リン酸トリラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。
【００９９】
上記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用される。これらの潤滑剤を磁性層もしくは保護膜上に付与する方法としては、潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワイヤーバー法、グラビア法、スピンコート法、ディップコート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させればよい。
【０１００】
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導体等が挙げられる。
【０１０１】
本発明で用いる支持体の磁性層が形成されていない面にバックコート層（バッキング層）を設ける場合の当該バックコート層は、支持体の磁性層が形成されていない面に、研磨材、帯電防止剤などの粒状成分と結合剤とを有機溶剤に分散したバックコート層形成塗料を塗布して設けることができる。
【０１０２】
粒状成分としては、各種の無機顔料やカーボンブラックを使用することができ、また結合剤としてはニトロセルロース、フェノキシ樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン等の樹脂を単独またはこれらを混合して使用することができる。なお、支持体のナノ粒子の分散液およびバックコート層形成塗料の塗布面に接着剤層が設けられていてもよい。
【０１０３】
以上のようにして得られた磁気記録媒体は、打ち抜き機で打ち抜くあるいは裁断機などを使用して所望の大きさに裁断して使用することができる。
【実施例】
【０１０４】
以下、実施例をもとに本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０５】
〔実施例１〜７および比較例１〜５〕
（ＦｅＰｔ金属ナノ粒子の合成）
高純度Ｎ2ガス中で下記の操作を行った。
ＮａＢＨ4（和光純薬製）０．７６ｇを水（脱酸素：０．１ｍｇ／リットル以下）２４ｍｌに溶解した還元剤水溶液に、エーロゾルＯＴ（和光純薬製）１０．８ｇとデカン（和光純薬製）８０ｍｌとオレイルアミン（東京化成製）２ｍｌとを混合したアルカン溶液を添加、混合して逆ミセル溶液（Ｉ）を調製した。
【０１０６】
三シュウ酸三アンモニウム鉄（Ｆｅ（ＮＨ4）3（Ｃ2Ｏ4）3）（和光純薬製）０．４６ｇと塩化白金酸カリウム（Ｋ2ＰｔＣｌ4）（和光純薬製）０．３８ｇとを水（脱酸素）１２ｍｌに溶解した金属塩水溶液に、エーロゾルＯＴ５．４ｇとデカン４０ｍｌとを混合したアルカン溶液を添加、混合して逆ミセル溶液（ＩＩ）を調製した。
【０１０７】
逆ミセル溶液（Ｉ）を２２℃でオムニミキサー（ヤマト科学製）で高速攪拌しながら、逆ミセル溶液（ＩＩ）を瞬時に添加した。１０分後、マグネチックスターラーで攪拌しながら、５０℃に昇温して６０分間熟成した。オレイン酸（和光純薬製）２ｍｌを添加して、室温まで冷却した。冷却後大気中に取出した。逆ミセルを破壊するために、水１００ｍｌとメタノール１００ｍｌとの混合溶液を添加して水相と油相とに分離した。油相側に金属ナノ粒子が分散した状態が得られた。油相側を水６００ｍｌとメタノール２００ｍｌとの混合溶液で５回洗浄した。
【０１０８】
その後、メタノールを１１００ｍｌ添加して金属ナノ粒子にフロキュレーションを起こさせて沈降させた。上澄み液を除去して、ヘプタン（和光純薬製）２０ｍｌを添加して再分散した。
【０１０９】
さらに、メタノール１００ｍｌ添加による沈降とヘプタン２０ｍｌ分散との沈降分散を２回繰り返して、最後にヘプタン５ｍｌを添加して、ＦｅＰｔ金属ナノ粒子分散液を調製した。
【０１１０】
得られた金属ナノ粒子について、収率、組成、数平均粒径および分布（変動係数）、保磁力の測定を行ったところ、下記のような結果が得られた。なお、組成および収率は、ＩＣＰ分光分析（誘導結合高周波プラズマ分光分析）で測定した。数平均粒径および分布はＴＥＭ撮影した粒子を計測して統計処理して求めた。
【０１１１】
組成：Ｐｔ４５．２ａｔ％のＦｅＰｔ合金、収率：８０％、
平均粒径：４．８ｎｍ、変動係数：５％、
保磁力（Ａｒガス雰囲気下、電気炉５５０℃、３０分加熱後）：５２１．４ｋＡ／ｍ（６６００Ｏｅ）
【０１１２】
（磁性層形成用の塗布液）
分散物を真空脱気し、調製した金属ナノ粒子分散液を濃縮し、デカンを加え希釈し８重量％とした。その後、マトリックス剤として東レ製トレフィルＲ９１０をデカン溶液に溶解し１重量％とした液を、合金粒子分散液１ｍｌあたり下記表１記載の量を加えた攪拌した後、オレイルアミン、オレイン酸をそれぞれ８０μｌ加え攪拌した。その後、クリーンルーム内でフィルターろ過を行い塗布液とした。
【０１１３】
（磁性塗布物の形成）
厚み１ｍｍのガラス基板をスピンコータで５００ｒｐｍの速度で回転させながら塗布液を０．１２ｍｌ滴下し４０００ｒｐｍで回転することで余分な塗布液を飛ばした。その後、空気中１５０℃で乾燥すると共に、粒子を酸化させて、磁性層となる磁性塗布物を形成した。
【０１１４】
（プレアニール（相変態のためのアニール））
その後、４％Ｈ2＋Ｎ2雰囲気下のイメージ炉を用い昇温速度２００℃／ｍｉｎで下記表１記載の温度とし３０分間保持した後、５０℃／ｍｉｎで降温して、プレアニールを行った。
【０１１５】
（磁場中アニール）
その後、超伝導コイルの中に４％Ｈ2＋Ｎ2雰囲気管状炉を入れ、下記表１記載の磁場を印加しながら、１０℃／ｍｉｎで昇温し下記表１記載の温度で３０分間保持した後、１０℃／ｍｉｎで昇温して、磁場中アニールを行った。
【０１１６】
（アフターアニール）
磁場中アニール後のアフターアニールは、プレアニールと同様の条件で行った。
【０１１７】
（磁気特性評価）
保磁力、角型比ＳＱ（＝残留磁化／飽和磁化）の測定は、東英工業製の高感度磁化ベクトル測定機と同社製ＤＡＴＡ処理装置を使用し、印加磁場７９０ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）の条件で行った。
【０１１８】
【表１】
2007188952.tif 000002
【０１１９】
上記表１から、本実施例（本発明）により高保磁力、高角型比（SQ）の磁気記録媒体を得られることがわかる。なお、磁性ナノ粒子の平均粒径は、金属ナノ粒子と同様であった。