(57)【要約】【課題】貫通型の渦電流探傷プローブにおいて、断面が四角形で板状の被検査体の厚み面の探傷に適し、渦電流を厚み面にのみ発生して効率的な探傷が可能な渦電流探傷プローブを提供すること。【解決手段】被検査体1が貫通するボビン２の外周に検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２を巻き、両検出コイルは、差動接続してある。検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の中間に励磁コイルＣｅを配置してある。励磁コイルＣｅは、ボビン２の外周にそのコイル軸が被検査体１の厚み面１１（検査面）に直交するように配置してある。励磁コイルＣｅは、厚み面１１に渦電流を発生し、その渦電流によって検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２に起電力を誘起する。【選択図】図１
2007147411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体が貫通する２個の検出コイルとその２個の検出コイルの中間に配置した上置型の励磁コイルからなり、その２個の検出コイルは差動接続してあることを特徴とする渦電流探傷プローブ。
【請求項２】
請求項１に記載の渦電流探プローブにおいて、前記励磁コイルは、コイル軸が被検査体の検査面と直交する方向に配置してあることを特徴とする渦電流探傷プローブ。
【請求項３】
請求項１に記載の渦電流探プローブにおいて、前記励磁コイルは、コイル面が被検査体の検査面と直交する方向に配置してあることを特徴とする渦電流探傷プローブ。
【請求項４】
請求項１、請求項２又は請求項３に記載の渦電流探傷プローブにおいて、前記被検査体は、断面が四角形で幅広面と厚み面を有する板状体又は帯状体であり、前記被検査体の検査面は厚み面であることを特徴とする渦電流探傷プローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、検出コイルに被検査体を貫通させて使用する貫通型の渦電流探傷プローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来貫通型の渦電流探傷プローブとして、被検査体を貫通させる２個の励磁コイルの間に上置型の検出コイルを配置した貫通型の渦電流探傷プローブが提案されている（例えば特許文献１参照）。
図６、図７により従来の貫通型の渦電流探傷プローブを説明する。なお両図に共通の部分は、同じ符号を使用している。
まず図６について説明する。
【０００３】
図６（ａ）は、渦電流探傷プローブの斜視図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＸ１部分の矢印方向の断面図、図６（ｃ）は、被検査体の磁束と渦電流を説明するための図である。
渦電流探傷プローブＰｂは、ボビン２に巻いた２個の励磁コイルＣｅ１，Ｃｅ２、検出コイルＣｄからなり、円柱状の被検査体１がボビン２を貫通している。励磁コイルＣｅ１，Ｃｅ２に励磁信号を印加すると、両励磁コイルによって、被検査体１を通り両励磁コイルのコイル軸方向へ伸びる磁束Ｍｆが発生する。被検査体１には、磁束Ｍｆにより励磁コイルＣｅ１，Ｃｅ２の巻き線に沿って流れる一様の渦電流Ｉが発生する。検出コイルＣｄには、その渦電流Ｉによって、起電力が誘起する。その起電力は、検出コイルＣｄの励磁コイルＣｅ１に近い部分に誘起する起電力と励磁コイルＣｅ２に近い部分に誘起する起電力は、大きさが同じで方向が逆（逆極性）になるから打消し合い、結局検出信号は発生しない。被検査体１の表面にキズがあるときは、そのキズの部分で局部的に渦電流Ｉの一様性が崩れるため、検出コイルＣｄに検出信号（キズ信号）が発生する。
【０００４】
図６の渦電流探傷プローブＰｂは、被検査体１が励磁コイルＣｅ１，Ｃｅ２を貫通しているから、磁束Ｍｆは、被検査体１の全体を通り、渦電流Ｉは、被検査体１の全周面に発生する。一方検出コイルＣｄは、被検査体１の一部分に対向して限られた範囲のキズを探傷するから、磁束Ｍｆや渦電流Ｉの一部が探傷に利用されるのみである。したがって図６の渦電流探傷プローブＰｂは、磁束Ｍｆや渦電流Ｉの大部分が無駄になる。
【０００５】
図７は、図６の渦電流探傷プローブを、幅広で厚みの薄い（小さい）板状又は帯状の被検査体に適用した例である。
図７（ａ）は、渦電流探傷プローブの斜視図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＸ２部分の矢印方向の断面図、図７（ｃ−１），（ｃ−２）は、図７（ｂ）のＸ３部分の矢印方向の断面図である。図７（ｄ）は、図７（ｃ−１）と同じ部分の断面図で、被検査体とボビンの間の隙間について説明する図である。
【０００６】
図７の渦電流探傷プローブＰｂは、幅広で厚みの薄い板状又は帯状の被検査体１（幅Ｗ、厚みｔ、Ｗ≫ｔ）について、その厚み方向の面（厚み面）のキズを探傷する例である。被検査体１は、幅の広い面（幅広面）１２，１４と厚み面１１，１３からなり、厚みｔは、例えば１ｍｍ、幅Ｗは、例えば５０ｍｍ程度である。
図７の渦電流探傷プローブＰｂの場合、励磁コイルＣｅ１，Ｃｅ２の発生する磁束やその磁束によって発生する渦電流は、両励磁コイルの巻き線に沿って被検査体１の面１１，１２，１３，１４に分布するが、探傷には、厚み面１１の渦電流を利用するのみである。したがって図７の渦電流探傷プローブＰｂは、探傷に寄与する磁束や渦電流は、図６の渦電流探傷プローブの場合よりもさらに無駄が大きくなる。
【０００７】
被検査体１が幅広で厚みの小さい板状又は帯状の場合、渦電流探傷プローブＰｂを移動するとき、渦電流探傷プローブＰｂを円滑に移動するため、図７（ｄ）のように、ボビン２と被検査体１の幅広面及び厚み面との間にそれぞれ隙間Ｓ１，Ｓ２を設けなければならない。したがって被検査体１の一方の厚み面がボビン２に接触している場合、検出コイルＣｄと被検査体１の他方の厚み面との距離は、隙間Ｓ１の分大きくなり、検出感度が低下してしまう。また渦電流探傷プローブＰｂを移動するとき、隙間Ｓ１，Ｓ２を一定に保持することは困難であるため、隙間Ｓ１，Ｓ２の変動に伴い検出感度が変化し、検出信号の振幅が変化する。検出信号の振幅が小さい場合には、リフトオフ雑音以外の外部雑音の影響を受けて、検出精度が低下する。
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−１７０４８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本願発明は、従来の被検査体が励磁コイルを貫通する渦電流探傷プローブ、特に幅広で厚みの薄い板状又は帯状の被検査体の探傷に用いる渦電流探傷プローブの前記問題点に鑑み、探傷に寄与しない励磁磁束や渦電流を小さくして探傷効率を高めるとともに、検出感度を低下させない渦電流探傷プローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明は、その目的を達成するため、請求項１に記載の渦電流探傷プローブは、被検査体が貫通する２個の検出コイルとその２個の検出コイルの中間に配置した上置型の励磁コイルからなり、その２個の検出コイルは差動接続してあることを特徴とする。
請求項２に記載の渦電流探傷プローブは、請求項１に記載の渦電流探プローブにおいて、前記励磁コイルは、コイル軸が被検査体の検査面と直交する方向に配置してあることを特徴とする。
請求項３に記載の渦電流探傷プローブは、請求項１に記載の渦電流探プローブにおいて、前記励磁コイルは、コイル面が被検査体の検査面と直交する方向に配置してあることを特徴とする。
請求項４に記載の渦電流探傷プローブは、請求項１、請求項２又は請求項３に記載の渦電流探傷プローブにおいて、前記被検査体は、断面が四角形で幅広面と厚み面を有する板状体又は帯状体であり、前記被検査体の検査面は厚み面であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本願発明の渦電流探傷プローブは、２個の貫通型の検出コイルの中間に上置型の励磁コイルを配置してあるから、貫通型の渦電流探傷プローブにおいて、被検査体の探傷に必要な限られた範囲にのみ渦電流を発生することができ、特に幅広で厚みの薄い板状又は帯状の被検査体の厚み面にのみ渦電流を発生することができる。したがって本願発明の渦電流探傷プローブは、探傷に寄与しない渦電流の発生を低減して効率的に探傷することができ、特に幅広で厚みの薄い板状又は帯状の被検査体の厚み面を効率的に探傷することができる。
【００１２】
本願発明の渦電流探傷プローブは、２個の検出コイルを用いているから、検出コイルに差動特性をもたせるとき、巻き方向が同じコイル又は巻き方向が異なる２個のコイルを用いて、それらのコイルの接続の仕方を変えることにより、励磁コイルが発生する渦電流の分布に対応した差動接続を容易に実現することができる。また本願発明の渦電流探傷プローブは、差動特性を有するから、リフト雑音を発生することがない。
【００１３】
本願発明の渦電流探傷プローブは、励磁コイルを、そのコイル軸が被検査体の探傷面に直交するように配置することも、またタンジェンシャルコイルを用いて、そのコイル面が被検査体の探傷面に直交するように配置することもできる。したがって本願発明の渦電流探傷プローブは、励磁コイルと検出コイルを種々の形態で組合せることができ、渦電流の分布のパターンを種々変えることができる。
本願発明の渦電流探傷プローブは、励磁コイルを、２個の検出コイルの中間（中央）に配置するから、励磁コイルの位置決めが容易になり、したがって渦電流探傷プローブの作製が容易になる。また励磁コイルの大きさに対応して、２個の検出コイルコイルの間隔を変えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１〜図５により本願発明の実施例に係る渦電流探傷プローブを説明する。なお各図に共通の部分は、同じ符号を使用している。
【実施例】
【００１５】
図１は、本願発明の実施例に係る渦電流探傷プローブの構成を示す。
図１（ａ）は、渦電流探傷プローブの斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ２部分の矢印方向の断面図、図１（ｃ−１），（ｃ−２）は、図１（ｂ）のＸ３部分の矢印方向の断面図である。図１（ｄ）は、図１（ｃ−１）と同じ部分の断面図で、被検査体とボビンの間の隙間について説明する図である。
【００１６】
図１において、Ｐｂは貫通型の渦電流探傷プローブ、１は被検査体、２はボビン、Ｃｅは励磁コイル、Ｃｄ１、Ｃｄ２は検出コイルである。
被検査体１は、断面が四角形で、幅が広く厚みの薄い（小さい）板状又は帯状のもので、幅の広い面（幅広面）１２，１４と厚み方向の面（厚み面）１１，１３を有する。被検査体１は、例えば厚みｔは１ｍｍ、幅Ｗは５０ｍｍ程度で、幅に比べて厚みが薄い（Ｗ≫ｔ）。なお厚み面１１，１３は、幅広面１２，１４と直交する方向の端部の面である。
【００１７】
渦電流探傷プローブＰｂは、ボビン２、励磁コイルＣｅ、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２からなり、ボビン２は、被検査体１が貫通する四角形の開口を備えている。検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、ボビン２の外周に巻いてあり、励磁コイルＣｅは、ボビン２の外周に、被検査体１の厚み面１１と対向するように取付けてある。したがって検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、貫通型のコイルであり、励磁コイルＣｅは、上置型のコイルである。励磁コイルＣｅは、円形或いはリング状のコイルで、フェライト等の磁心を備えている。なお励磁コイルＣｅは、四角形でもよく、また磁心はなくてもよい。
２個の検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、所定間隔をおいて配置し、励磁コイルＣeは、検出コイルＣｄ１と検出コイルＣｄ２の中間（中央）に配置してある。そして励磁コイルＣeは、そのコイル軸（コイルの中心を通る軸）が被検査体１の厚み面１１（検査面）に直交するように、或いはコイル面（巻き線で囲まれた面）が検査面と平行になるように配置してある。
【００１８】
検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、巻数が同じコイルを用い、後述するように励磁コイルＣeによって発生する円形の渦電流に対して差動的に接続してある。即ち検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、巻き方向が同じ２個のコイルを用い、一方の検出コイルの巻き終わりと他方の検出コイルの巻き始めを接続してある。なお検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、巻き方向が異なる場合には、両検出コイルの巻き終わり同士又は巻き始め同士を接続する。検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、励磁コイルＣeにより発生する渦電流によって両検出コイルに誘起する起電力の差分を、検出信号として出力する。
渦電流探傷プローブＰｂは、被検査体１を固定してその被検査体１に沿って移動するか、或いは渦電流探傷プローブＰｂを固定して被検査体１を移動して、被検査体１の厚み面１１の探傷を行う。
【００１９】
渦電流探傷プローブＰｂは、励磁コイルＣｅに励磁信号を印加すると、その励磁コイルＣｅは、コイル軸方向（厚み面１１と直交する方向）の磁束を発生する。その磁束は、後述するように、主に被検査体１の厚み面１１に励磁コイルＣｅの巻き線に沿って流れる渦電流を発生するが、厚み面１１以外の他の面には発生しない。即ち渦電流探傷プローブＰｂは、励磁コイルＣｅに励磁信号を印加しても、被検査体１の厚み面１１に渦電流を発生するのみであるから、探傷に寄与しない渦電流は、非常に小さくなり、効率的な探傷が可能になる。したがって渦電流探傷プローブＰｂは、幅広で厚みの薄い板状又は帯状の被検査体について、その厚み面１１の探傷を行うのに適している。
【００２０】
渦電流探傷プローブＰｂは、その移動を円滑にするため、図１（ｄ）のように、ボビン２と被検査体１の幅広面及び厚み面との間にそれぞれ隙間Ｓ１，Ｓ２を設けてあるが、励磁コイルＣｅは、被検査体１の厚み面１１（検査面）と対向する位置に取付けてあるから、励磁コイルＣｅの発生する磁束は、厚み面１１に集中し、主に厚み面１１に渦電流を発生する。したがって渦電流探傷プローブＰｂは、隙間Ｓ１，Ｓ２の影響が小さく安定した検出感度で探傷することができる。
【００２１】
以上のように図１の渦電流探傷プローブＰｂは、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２を貫通型にし、励磁コイルＣｅを上置型（非貫通型）とすることにより、貫通型の渦電流探傷プローブＰｂでありながら、励磁磁束を被検査体１の厚み面１１（検査面）に集中させてその厚み面１１にのみ渦電流を発生させることができるから、効率よく励磁して安定した検出感度で探傷することができる。また励磁コイルＣｅは、２個の検出コイルコイルＣｄ１，Ｃｄ２の中間（中央）に配置するから、励磁コイルＣｅの位置決めが容易になり、渦電流探傷プローブＰｂの作製が容易になる。そして励磁コイルＣｅの大きさに対応して、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の間隔を変えることができる。
【００２２】
次に図２により、図１の渦電流探傷プローブの渦電流について説明する。
図２（ａ）は、被検査体の厚み面における励磁コイル、検出コイルとキズの位置関係を示し、図２（ｂ−１）〜（ｂ−４）、図２（ｃ）は、渦電流探傷プローブを被検査体に沿って移動したときの渦電流を示す。
【００２３】
図２（ａ）において、被検査体１の厚み面１１のキズＦは、渦電流探傷プローブの励磁コイルＣｅ、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２から離れた位置にあり、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２のコイル軸と直交する方向に長いキズでる。この状態において、励磁コイルＣｅに励磁信号を印加すると、図２（ｂ−１）のように、励磁コイルＣｅの巻き線に沿って流れる円形の渦電流Ｉが発生する。検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２には、その渦電流Ｉの検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の巻き線と平行する方向の成分によって起電力が誘起する。渦電流Ｉは、検出コイルＣｄ１側と検出コイルＣｄ２側で方向が逆になるから、両検出コイルの起電力は、大きさが同じで方向が逆（逆極性）になり、かつ両励磁コイルは差動接続してあるから、打消し合い、検出信号（キズ信号）は発生しない。
【００２４】
渦電流探傷プローブを図２（ｂ−１）の位置から矢印Ｙ方向へ移動して、図２（ｂ−２）の位置、即ちキズＦが検出コイルＣｄ２を通過した直後の位置へ移動すると、渦電流Ｉは、キズＦにより局部的に一様性が崩れて、一部はキズＦに沿って流れ、渦電流ｉ１，ｉ２が発生する。検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２には、渦電流Ｉ，ｉ１，ｉ２によって起電力が誘起するが、キズＦは、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の中間から検出コイルＣｄ２側へ偏っているから、両検出コイルに誘起する起電力は、大きさが相違する。したがって検出信号が発生する。
【００２５】
渦電流探傷プローブを図２（ｂ−２）の位置から図２（ｂ−３）の位置、即ちキズＦが検出コイルＣｄ１と検出コイルＣｄ２の中間（中央）、即ち励磁コイルＣｅの真下の位置へ移動すると、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の起電力は、大きさが同じになるから打消し合い、検出信号は発生しない。
渦電流探傷プローブを図２（ｂ−３）の位置から図２（ｂ−４）の位置、即ちキズＦが検出コイルＣｄ１の直前の位置へ移動すると、キズＦは、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の中間から検出コイルＣｄ１側へ偏っているから、両検出コイルに誘起する起電力は、大きさが相違する。したがって検出信号が発生する。
【００２６】
図２（ｃ）は、キズＦが検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２のコイル軸方向に長いキズの例で、キズＦは、検出コイルＣｄ１と検出コイルＣｄ２の中間、即ち励磁コイルＣｅの真下の位置にある。図２（ｃ）の場合には、渦電流Ｉの一部は、キズＦに沿って流れるとともに、キズＦの端を渦電流ｉ３，ｉ４が流れるから、その渦電流ｉ３，ｉ４により検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２に起電力を誘起するが、キズＦは、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の中間にあるから、両検出コイルの起電力は、大きさが同じで方向が逆（逆極性）になるため打消し合い、検出信号は発生しない。渦電流探傷プローブを、図２（ｃ）の位置から移動して、キズＦが検出コイルＣｄ１側或いは検出Ｃｄ２側へ偏ると、渦電流ｉ３，ｉ４は大きさが相違するから、両検出コイルの起電力は、大きさが相違する。したがって検出信号が発生する。
【００２７】
以上のように渦電流探傷プローブを被検査体１に沿って移動すると、被検査体１の厚み面１１にキズＦがあるときは、そのキズＦを検出することができる。また検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、差動接続して厚み面１１（検査面に）にキズＦがないときは検出信号を発生しないように構成してあるから、探傷の際、渦電流探傷プローブと被検査体１の距離（リフトオフ）が変化しても、リフトオフ雑音は発生しない。
【００２８】
図３は、励磁コイルを２つの厚み面に配置した例である。
図３（ａ）は、被検査体が貫通している渦電流探傷プローブの側面図を示し、図３（ｂ）は、被検査体１の展開平面図を示す。
図３（ａ）の渦電流探傷プローブＰｂは、基本的構成は図１と同じであるが、被検査体１の厚み面１１に対向する励磁コイルＣｅａを配置するとともに、厚み面１３に対向する励磁コイルＣｅｂを配置した点が図１の渦電流探傷プローブと相違している。
【００２９】
励磁コイルＣｅａ、励磁コイルＣｅｂに励磁信号を印加すると、図３（ｂ）のように被検査体１の厚み面１１に渦電流Ｉａが発生し、厚み面１３に渦電流Ｉｂが発生する。
被検査体１の厚み面１１、厚み面１３双方の面に、或いはいずれか一方の面にキズがあると、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２に起電力が誘起し、検出信号が発生する。したがって図３（ａ）の渦電流探傷プローブＰｂは、被検査体１の厚み面１１と厚み面１３のキズを同時に探傷することができる。なお検出されたキズが、厚み面１１、厚み面１３のいずれの面のキズかを判別する必要があるときは、被検査体１の検出信号（キズ信号）が発生した位置について、励磁コイルＣｅａ、励磁コイルＣｅｂのいずれか一方にのみ励磁信号を印加して、再度探傷することにより判別することができる。
【００３０】
図４、図５は、図１の渦電流探傷プローブにおいて、励磁コイルとして四角形のコイルを用い、その励磁コイルのコイル面が被検査体の厚み面（検査面）と直交するように（コイル軸が検査面と平行になるように）配置してある。即ち図４、図５は、励磁コイルとして、いわゆるタンジェンシャルコイルを用いた渦電流探傷プローブの例である。なお励磁コイルは、四角形に限らず、円形、三角形であってもよい。
【００３１】
まず図４について説明する。
図４（ａ）は、被検査体の厚み面における励磁コイル、検出コイルとキズの位置関係を示し、図４（ｂ）は、励磁コイルの側面図を示す。また図４（ｃ−１）〜（ｃ−４）は、図４（ａ）において、渦電流探傷プローブを被検査体に沿って移動したときに発生する渦電流を示す。
【００３２】
図４（ａ）において、励磁コイルＣｅは、そのコイル軸が検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２のコイル軸と平行する方向（或いは励磁コイルの巻き線が検出コイルの巻き線と平行になる方向）に配置してあり、キズＦは、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２のコイル軸と直交する方向に長いキズである。検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、励磁コイルＣｅの発生する渦電流に対して差動接続してある。即ち検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、巻き数が同じで巻き方向が異なるものを用い、一方の検出コイルの巻き終わりと他方の検出コイルの巻き始めを接続してある。なお検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、巻き線方向が同じ場合には、両検出コイルの巻き終わり同士又は巻き始め同士を接続する。励磁コイルＣｅは、図４（ｂ）のように四角形のコイルである。
【００３３】
図４（ａ）において、励磁コイルＣｅに励磁信号を印加すると、図４（ｃ−１）のように、励磁コイルＣｅの近傍ではその巻き線に沿って流れる一様の渦電流Ｉが発生し、その渦電流により検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２に起電力が誘起する。検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、巻き方向が異なるから、両検出コイルの起電力は、大きさが同じで方向が逆（逆極性）になり、かつ両検出コイルは差動接続してあるから、打消し合い、検出信号（キズ信号）は発生しない。
【００３４】
図４（ｃ−１）において、渦電流探傷プローブを矢印Ｙ方向へ移動して図４（ｃ−２）の位置へ移動すると、渦電流ＩはキズＦにより局部的に一様性が崩れてその一部はキズＦに沿って流れ、渦電流ｉ５が発生する。そしてキズＦは、検出コイルＣｄ２側へ偏っているから、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の起電力は、大きさが相違する。したがって検出信号が発生する。
渦電流探傷プローブを図４（ｃ−２）の位置から図４（ｃ−３）の位置、即ちキズＦが検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の中間（励磁コイルＣｅの真下）の位置へ移動すると、両検出コイルの起電力は、大きさが同じになるから打消し合い、検出信号は発生しない。
渦電流探傷プローブを図４（ｃ−３）の位置から図４（ｃ−４）の位置へ移動すると、キズＦは、検出コイルＣｄ１側へ偏るから、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の起電力は、大きさが相違する。したがって検出信号が発生する。
【００３５】
図４の場合励磁コイルＣｅは、タンジェンシャルコイルを用い、その巻き線が検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の巻き線と並行する方向に配置してあるから、両検出コイルのコイル軸方向の間隔を小さくすることができる。
【００３６】
次に図５について説明する。
図５（ａ）は、被検査体の厚み面における励磁コイル、検出コイルとキズの位置関係を示し、図５（ｂ−１）〜（ｂ−４）は、図５（ａ）において、渦電流探傷プローブを被検査体に沿って移動したときに発生する渦電流を示す。
図５（ａ）において、２個の励磁コイルＣｅｃ，Ｃｅｄは、それらのコイル軸が検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２のコイル軸と直交する方向（或いは励磁コイルの巻き線が検出コイルの巻き線と直交する方向）に配置してあり、キズＦは、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２のコイル軸と直交する方向に長いキズである。検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、巻き数及び巻き方向が同じものを用い、励磁コイルＣｅｃ，Ｃｅｄの発生する渦電流に対して差動接続してある。即ち一方の検出コイルの巻き終わりと他方の検出コイルの巻き始めを接続してある。なお検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２は、巻き方向が異なる場合には、両検出コイルの巻き終わり同士又は巻き始め同士を接続する。
【００３７】
２個の励磁コイルＣｅｃ，Ｃｅｄは、巻き数が同じで巻き方向が異なるものを用い、一方の検出コイルの巻き終わりと他方の検出コイルの巻き始めを接続してある。励磁信号源は、励磁コイルＣｅｃ，Ｃｅｄに共通のものを１個用いる。なお励磁コイルＣｅｃ，Ｃｅｄは、巻き方向が同じ場合には、両検出コイルの巻き終わり同士又は巻き始め同士を接続する。
図５（ａ）において、励磁コイルＣｅｃ，Ｃｅｄに励磁信号を印加すると、図５（ｂ−１）のように、励磁コイルＣｅｃ，Ｃｅｄの近傍ではその巻き線に沿って逆方向に流れる一様の渦電流Ｉｃ，Ｉｄが発生する。渦電流Ｉｃ，Ｉｄによって検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２に誘起する起電力は方向が逆になるから打消し合い、検出信号（キズ信号）は発生しない。
【００３８】
図５（ｂ−１）において、渦電流探傷プローブを矢印Ｙ方向へ移動して図５（ｂ−２）の位置へ移動すると、渦電流Ｉｃ，Ｉｄは、キズＦにより局部的に一様性が崩れ、その一部はキズＦに沿って流れ、渦電流ｉ６，ｉ７が発生する。そしてキズＦは、検出コイルＣｄ２側へ偏っているから、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の起電力は、大きさが相違する。したがって検出信号が発生する。
【００３９】
渦電流探傷プローブを図５（ｂ−２）の位置から図５（ｂ−３）の位置、即ちキズＦが検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の中間（励磁コイルＣｅｃ，Ｃｅｄの真下）の位置へ移動すると、キズＦは、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の中間に位置するから、両検出コイルには大きさの同じ起電力が発生する。したがって検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の起電力は打消し合い、検出信号は発生しない。
渦電流プローブを図５（ｂ−３）の位置から図５（ｂ−４）の位置へ移動すると、渦電流Ｉｃ，Ｉｄは、キズＦにより局部的に一様性が崩れ、その一部はキズＦに沿って流れ、渦電流ｉ６，ｉ７が発生する。そしてキズＦは、検出コイルＣｄ１側へ偏っているから、検出コイルＣｄ１，Ｃｄ２の起電力は、大きさが相違する。したがって検出信号が発生する。
【００４０】
前記実施例の渦電流探傷プローブは、励磁コイルを、そのコイル軸が被検査体の探傷面に直交するように配置することもできるし、タンジェンシャルコイルを用いてそのコイル面が被検査体の探傷面に直交するように配置することもできる。したがって前記実施例の渦電流探傷プローブは、励磁コイルと検出コイルを種々の形態で組合せることができ、種々の分布パターンの渦電流を発生することができる。また前記実施例の渦電流探傷プローブは、検出コイルとして２個のコイルを用い、巻き方向が同じコイル又は巻き方向が異なるコイルの接続の仕方を変えることにより、渦電流の分布パターンに対応した差動接続を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本願発明の実施例に係る渦電流探傷プローブの構成を示し、励磁コイルをそのコイル軸が検査面に直交するように配置した例を示す。
【図２】図１の渦電流探傷プローブの渦電流を示す。
【図３】図１の渦電流探傷プローブにおいて、励磁コイルを２個設けた例を示す。
【図４】図１の渦電流探傷プローブにおいて、励磁コイルにタンジェンシャルコイルを用い、その巻き線が検出コイルの巻き線と平行するように配置した場合の渦電流を示す。
【図５】図１の渦電流探傷プローブにおいて、励磁コイルにタンジェンシャルコイルを用い、その巻き線が検出コイルの巻き線と直交するように配置した場合の渦電流を示す。
【図６】従来の渦電流探傷プローブの構成を示し、被検査体が円柱状の場合の例を示す。
【図７】従来の渦電流探傷プローブの構成を示し、被検査体が板状の場合の例を示す。
【符号の説明】
【００４２】
１    被検査体
１１〜１４    被検査体の幅広面、厚み面
２    ボビン
Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ    励磁コイル
Ｃｄ１，Ｃｄ２    検出コイル
Ｆ    キズ
Ｉ，Ｉｃ，Ｉｄ，ｉ１〜ｉ７    渦電流
Ｐｂ    渦電流探傷プローブ
Ｓ１、Ｓ２    隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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