(57)【要約】【課題】受光層への光の照射が阻害されて受光量が低下するのを防止し、受光効率を上げることが可能な受光装置、電気光学装置及び電子機器を提供することである。【解決手段】絶縁基板上に形成された、ｐ＋層３１，イントリンシック層３２，ｎ＋層３３を有するＰＩＮダイオード３０と、ＰＩＮダイオード３０のアノード，カソードとされるｐ＋層３１，ｎ＋層３３に接続される金属配線３４，３５とを備えた受光装置において、ｐ＋層３１，ｎ＋層３３の少なくとも一方の上部に、イントリンシック層３２の受光面に対して斜め方向から光が入射可能なように、金属配線３４，３５の存在しない領域を所定面積以上に設けたものである。【選択図】図１
2007214405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された、ｐ＋層，イントリンシック層，ｎ＋層を有するＰＩＮダイオ
ードと、前記ＰＩＮダイオードのアノード，カソードとされる前記ｐ＋層，ｎ＋層に接続
される金属配線とを備えた受光装置において、
前記ｐ＋層，ｎ＋層の少なくとも一方の上部に、前記イントリンシック層の受光面に対
して斜め方向から光が入射可能なように、前記前記金属配線の存在しない領域を所定面積
以上に設けたことを特徴とする受光装置。
【請求項２】
前記金属配線の存在しない領域は、前記金属配線の位置を前記イントリンシック層から
所定距離以上離すことによって設けられることを特徴とする請求項１に記載の受光装置。
【請求項３】
前記金属配線の存在しない領域は、前記アノード，カソードの一部分のみに前記金属配
線を接続することによって設けられることを特徴とする請求項１に記載の受光装置。
【請求項４】
絶縁基板上に形成された、ｐ＋層，イントリンシック層，ｎ＋層を有するＰＩＮダイオ
ードが複数直列接続され、かつその接続部分は、一方のＰＩＮダイオードのｎ＋層と他方
のＰＩＮダイオードのｐ＋層が直接接続された複数のＰＩＮダイオードと、
この複数直列接続されたＰＩＮダイオードの両端のアノード，カソードとされる前記ｐ
＋層，ｎ＋層にそれぞれ接続される金属配線と、
を備えたことを特徴とする受光装置。
【請求項５】
前記ｐ＋層，イントリンシック層，ｎ＋層は、多結晶シリコンであることを特徴とする
請求項１乃至４に記載の受光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載の受光装置を用いたことを特徴とする電気
光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示画面の明るさの制御を行う表示装置に好適な受光装置、電気光学装置及
び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルは、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。
各基板には電極を設け、画像信号を電極に供給する。各基板の電極相互間の液晶は、画像
信号に応じて光学特性が変化する。即ち、各基板の電極相互間の液晶に画像信号に基づく
電圧を印加することで、液晶分子の配列を変化させる。これにより、各画素における光の
透過率が画像信号に応じて変化することになり、画像信号に応じた画像表示が行われる。
【０００３】
このような液晶パネルにおいて高輝度の表示を行うために、一般的には、液晶パネルの
背面にはバックライトが設けられている。このようなバックライトとして、導光板を用い
て、照明の均一性を向上させる装置も開発されている。バックライトによって液晶パネル
の表示領域を照明することで、十分な輝度で表示領域上の表示を観察することができる。
【０００４】
ところで、液晶パネルの表示の見易さは、周囲の明るさに応じて変化する。例えば、周
囲光が明るいほど、表示領域の照明を明るくした方が、表示は見やすい。逆に、周囲光が
十分に暗い場合には、表示領域を必要以上に明るくする必要はない。
【０００５】
周囲の明るさに拘わらず見やすい表示を実現するために、周囲の光を検知してその検知
信号によりバックライトの輝度を制御する技術が知られている。  
周囲光（外光）を検出する光センサとして、従来の一般的なダイオードを用いた受光素
子では、ＰＩＮ構造のダイオード（以下、ＰＩＮダイオード）に逆バイアスを印加してお
き、光を照射して、これによって増加する光電流を測定することで光を検知していた。
【０００６】
特許文献１，２には、ＰＩＮダイオードの例が記載されている。  
特許文献１は、その構造としては、ＰＩＮダイオードのｐ＋層とｎ＋層のアノードおよ
びカソード端子部は、コンタクトホールを介した金属層にて形成されている。
【０００７】
特許文献２は、ゲート電極の平面形状を屈曲した構造としており、ＰＩＮダイオードの
ｐ＋層とｎ＋層のアノードおよびカソード端子部は、コンタクトホールを介した金属層に
て形成されている。
【特許文献１】特開２００５−１９６３６号公報
【特許文献２】特開２００５−１９６３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献１，２においては、ｎ＋層およびｐ＋層のアノードおよびカソード
端子部が金属層で覆われているので、受光層であるイントリンシック層への光の照射が阻
害され、受光量が低下する問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、上記の問題に鑑み、受光層への光の照射が阻害されて受光量が低下
するのを防止し、受光効率を上げることが可能な受光装置、電気光学装置及び電子機器を
提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による受光装置は、絶縁基板上に形成された、ｐ＋層，イントリンシック層，ｎ
＋層を有するＰＩＮダイオードと、前記ＰＩＮダイオードのアノード，カソードとされる
前記ｐ＋層，ｎ＋層に接続される金属配線とを備えた受光装置において、前記ｐ＋層，ｎ
＋層の少なくとも一方の上部に、前記イントリンシック層の受光面に対して斜め方向から
光が入射可能なように、前記金属配線の存在しない領域を所定面積以上に設けたものであ
る。
【００１１】
本発明のこのような構成によれば、金属配線をなくす、もしくは金属配線の面積を低減
することで、受光効率をあげることが可能となる。
本発明において、前記金属配線の存在しない領域は、前記金属配線の位置を前記イント
リンシック層から所定距離以上離すことによって設けられることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明において、前記金属配線の存在しない領域は、前記アノード，カソードの
一部分のみに前記金属配線を接続することによって設けられることを特徴とする。
【００１３】
本発明による受光装置は、絶縁基板上に形成された、ｐ＋層，イントリンシック層，ｎ
＋層を有するＰＩＮダイオードが複数直列接続され、かつその接続部分は、一方のＰＩＮ
ダイオードのｎ＋層と他方のＰＩＮダイオードのｐ＋層が直接接続された複数のＰＩＮダ
イオードと、この複数直列接続されたＰＩＮダイオードの両端のアノード，カソードとさ
れる前記ｐ＋層，ｎ＋層にそれぞれ接続される金属配線と、を備えたものである。
【００１４】
本発明のこのような構成によれば、複数直列接続されたＰＩＮダイオードは、その接続
部分が、一方のＰＩＮダイオードのｎ＋層と他方のＰＩＮダイオードのｐ＋層が互いに金
属配線を介することなく直接接続されるので、金属配線が無い分、受光層への光の照射が
阻害されることが少なくなり、受光効率を上げることが可能となる。
本発明において、上記の受光装置における、前記ｐ＋層，イントリンシック層，ｎ＋層
は、多結晶シリコンであることを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、絶縁基板上に、ＴＦＴなどの半導体素子と共に高い性能の受
光素子を作り込むことが可能となる。
本発明による電気光学装置は、上記の受光装置を用いたことを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、金属配線をなくす、もしくは金属配線の面積を低減した受光
装置を用いた電気光学装置を実現することができる。
本発明による電子機器は、上記の電気光学装置を用いたことを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、金属配線をなくす、もしくは金属配線の面積を低減した電気
光学装置を用いた電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
発明の実施の形態について図面を参照して説明する。  
本発明の実施形態の受光装置が適用される電気光学装置の一例である液晶装置について
、図１２及び図１３を参照して説明する。図１２はバックライト付きの液晶装置の分解し
た斜視図を示し、図１３は図１２の液晶装置の縦断面図を示している。
【００１９】
図１２に示す液晶装置は、液晶パネル１０の背面側に照明手段としてのバックライト２
０が配置される。液晶パネル１０は、ガラス基板に画素毎にスイッチ素子であるＴＦＴ（
薄膜トランジスタ）が形成されかつ受光素子であるＰＩＮダイオードが配設されたＴＦＴ
基板１１と、このＴＦＴ基板１１に対向配置される対向基板１２と、ＴＦＴ基板１１と対
向基板１２間にシール材を用いて封入される電気光学物質としての液晶１３（図示せず）
とを備え、ＴＦＴ基板１１の一辺部は図示手前側に張り出され、その張り出し部に図示し
ない外部回路に接続する外部接続端子１４が形成されている。また、液晶パネル１０のＴ
ＦＴ基板１１又は対向基板１２には、例えばパネル一辺部に上記ＰＩＮダイオードを用い
た受光素子領域１５が設けてある。一方、バックライト２０は、図示しないＬＥＤ等の光
源と、外枠２１と、その枠内に保持され、光源からの光を導くバックライト導光板２２と
を備えている。  
そして、液晶パネル１０の背面側（ＴＦＴ基板１１の側）にバックライト２０が貼り付
けられて、バックライト２０の導光板２２から液晶パネル１０の表示領域に対してバック
ライト光が背面照射されるようになっている。
【００２０】
図１３に示すように、ＴＦＴ基板１１には、スイッチ素子としてのＴＦＴ１１１が形成
されている一方、受光素子としてのＰＩＮダイオード１１２が形成されている。  
ＴＦＴ１１１は、ソース領域（ｎ＋／ｎ−）とイントリンシック領域（ｉ）とドレイン
領域（ｎ＋／ｎ−）からなる半導体層と、この半導体層の上を覆うようにゲート絶縁膜と
して形成される酸化膜１１３と、酸化膜１１３の上に設けたゲート電極とを備え、ソース
領域（ｎ＋／ｎ−）とドレイン領域（ｎ＋／ｎ−）にはそれぞれコンタクトホールを介し
た金属配線によるソース端子及びドレイン端子が層間絶縁膜１１５上に引き出されている
。酸化膜１１３の上部及び下部にはそれぞれ下地絶縁膜１１４及び層間絶縁膜１１５が形
成してある。
【００２１】
ＰＩＮダイオード１１２は、上記ＴＦＴ１１１と同時プロセスで同一絶縁基板の同一層
に形成され、かつバックライト導光板２２から照射される光の透過領域外に形成されてい
る。ＰＩＮダイオード１１２は、アノードであるｐ＋層（ｐ型半導体層），受光層である
イントリンシック層（真性半導体層），カソードであるｎ＋層（ｎ型半導体層）からなる
半導体層と、この３つの半導体層の上を覆うように形成される酸化膜１１３とを有し、ｐ
＋層とｎ＋層にはそれぞれコンタクトホールを介した金属配線のアノード端子及びカソー
ド端子が層間絶縁膜１１５上に引き出されている。
【００２２】
ＰＩＮダイオード１１２のアノード端子及びカソード端子間には、図示しない直流電源
からアノード端子が相対的に−電位、カソード端子が相対的に＋電位となるように逆バイ
アス電圧が印加され、イントリンシック層に光を照射することによって増加する光電流を
測定する。  
なお、ＴＦＴ基板１１の周辺における、符号１１６は画素電極、１１７は配向膜、１１
８は偏光板、１１９は光学フィルムである。  
また、対向基板１２の周辺における、符号１２１は配向膜、１２２は対向電極、１２３
は遮光膜としてのブラックマトリクス、１２４は偏光板である。
【００２３】
上記の構成では、受光素子としてのＰＩＮダイオード１２ＰＩＮダイオード１１２は、
画素が並んでいる表示領域の例えば横に設けられている。画素のスイッチ素子であるＴＦ
Ｔ１１１と駆動回路は低温ポリシリコン技術により非晶質シリコンをレーザにより結晶化
した多結晶シリコン（以下、ポリシリコン）を活性層に使用して作製される。これと同時
プロセスで、ＰＩＮダイオード１１２による受光素子が作製されている。この受光素子は
やはり同一の絶縁基板上に形成された図示しない検出回路に接続され、光の強弱に応じた
信号を検出信号として外部接続端子１４に出力し、バックライト２０の輝度を制御する。
【００２４】
低温ポリシリコンのＴＦＴと同時プロセスで、受光素子としてＰＩＮダイオードを作製
すると、ＴＦＴのゲート電極１６と同じものが、ＰＩＮダイオードのイントリンシック層
（ｉ）の上に、酸化膜１１３を介して形成される。このＰＩＮダイオードに付随するゲー
ト電極１７は、光センサとしてのＰＩＮダイオードには必要ないものであるが、ＰＩＮダ
イオードのイントリンシック層にＴＦＴ作製時のｎ−が不純物として入らないようにカバ
ーをするために必要であり、言わばマスク用導電層と呼ぶべきものである。しかしながら
、その付随するゲート電極１７は受光層であるイントリンシック層（ｉ）を覆うために、
上から外光を取り込もうとするとそれが光の進路を遮る障害物になってしまう。ゲート電
極１７を除去すると、外光をイントリンシック層（ｉ）に多く取り込めるが、その除去工
程が別途必要になり、コスト高となる。そこで、以下の本発明の実施形態では、付随して
作製されるゲート電極１７が存在していても、ＰＩＮダイオード１１２のイントリンシッ
ク層（ｉ）に入射する光量を増やすために、イントリンシック層（ｉ）の周辺にあって光
を遮る要因となっているアノード端子及びカソード端子を形成する金属配線を無くす、若
しくはその金属配線の面積を低減することで、受光効率を上げるようにしている。
【００２５】
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施形態の受光装置を示す図であり、(ａ)は平面図、(ｂ)は(ａ)
のＡ−Ａ線側断面図を示している。図２は従来例の受光装置を示す図である。  
図１において、受光装置を構成するＰＩＮダイオード３０は、文字通り、ｐ＋層３１、
受光層であるイントリンシック層３２、ｎ＋層３３の順に並んでいる。
【００２６】
本実施形態のＰＩＮダイオード３０では、ｐ＋層３１，ｎ＋層３３の両方又はいずれか
一方の上部に、イントリンシック層３２の受光面に対して斜め方向から光が入射可能なよ
うに、金属配線３４，３５の存在しない領域を所定面積以上の広さに設けたことを特徴と
する。つまり、ｐ＋層３１，ｎ＋層３３の長さを両側に（Ｌ方向に）延出した構成とし、
ｐ＋層３１，ｎ＋層３３に接続する金属配線３４，３５の位置をイントリンシック層３２
から互いに所定距離以上（例えば、(端子部の長さＬ１)＋α）離すことによって、イント
リンシック層３２の位置を中心として金属配線３４，３５の存在しない領域を広げた構成
としている。Ｌ1は例えば２０μｍである。
【００２７】
ｐ＋層３１，ｎ＋層３３及びその延出した部分（金属配線３４，３５の下層）は、ポリ
シリコンのみで形成され、ｐ＋層３１，ｎ＋層３３のイントリンシック層３２の位置から
上記所定距離（＝(端子部の長さＬ１)＋α）離れた長さ方向の両端部分には、端子部とし
て電気的接続のためのコンタクトホールを介した長さＬ１の金属配線３４，３５がそれぞ
れ形成されている。図１(ｂ)に示すｐ＋層３１，ｎ＋層３３それぞれの長さの最大は、２
×Ｌ１＋αとなっている。
【００２８】
なお、ＰＩＮダイオードを構成するイントリンシック層３２の上部には、マスク用導電
層３６が形成されている。このマスク用導電層３６は、液晶パネルなどの電気光学パネル
の製造時に、ＴＦＴ作製時と同時のプロセスで作製される。マスク用導電層３６がないと
、ＴＦＴ作製と同時に受光層であるイントリンシック層３２にｎ−等の不純物が入る場合
があり、その遮蔽のために必要であるが、他の手段によりイントリンシック層３２への不
純物混入を除去できる場合は無くても良い。
【００２９】
ＰＩＮダイオードの電流値は、Ｗ＝５０μｍで室温では最大でも０．１ｐＡ程度である
。温度上昇を考慮した場合、一桁以上あがると考えると、ＰＩＮダイオードを流れる電流
の値としては１ｎＡを見積もれば十分である。本実施形態におけるＰＩＮダイオードのよ
うに端子を全てｐ＋ポリシリコンおよびｎ＋ポリシリコンとした場合の抵抗値を求める。
これら膜のシート抵抗値は、最大１０ｋΩ／□程度であるから、幅Ｗ＝５０μｍ、長さＬ
1＝２０μｍの端子部であれば抵抗値は、１０[ｋΩ／□]×２０[μｍ]／５０[μｍ]＝４
ｋΩとなる。この抵抗値であれば、ＰＩＮダイオードの逆バイアス電流は十分に流れるた
め、アノード端子部およびカソード端子部において、ポリシリコンから金属配線への接続
換え（乗り換え）無しでも可能であると考える。  
この本実施形態の構造では、従来の構造で光の照射を阻害している金属配線が形成され
ないため、受光層領域への照射が促進され受光効率が向上する。
【００３０】
本発明の実施形態を従来例と比較するため、図２には、従来の受光装置を構成するＰＩ
Ｎダイオードの構造を示してある。図２において、(ａ)は平面図、(ｂ)は(ａ)の縦断面図
である。この従来の構造では、イントリンシック層３２の周辺位置に端子部としての金属
配線３４，３５が存在しており、金属配線３４，３５がｐ＋層３１及びｎ＋層３３を覆う
状態となっている。金属配線３４，３５の配線パターンの各長さＬ１の範囲（＝Ｌ1×Ｗ
）が端子部である。従って、このような従来構造では、イントリンシック層３２の受光面
に対して斜め方向から外光が入射しにくい。
【００３１】
［第２の実施形態］
図３及び図４は本発明の第２の実施形態の受光装置を示す図であり、端子部の一部分の
みを金属配線で接続する構造の例を示している。  
図３では、ＰＩＮダイオードを構成するｐ＋層３１、イントリンシック層３２、ｎ＋層
３３の領域のうち、ｐ＋層３１及びｎ＋層３３の中央部分に金属配線の無い領域Ｅ，Ｆを
設けたものである。領域Ｅ，Ｆはそれぞれ、１つのコンタクトホールに対応した端子部の
領域（＝Ｌ1×Ｗ）の例えば１／３とされている。
【００３２】
図４では、ｐ＋層３１及びｎ＋層３３の四隅部分に金属配線の無い領域Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｎ
を設けたものである。領域Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｎもそれぞれ、１つのコンタクトホールに対応し
た端子部の領域（＝Ｌ1×Ｗ）の例えば１／３とされている。
【００３３】
本実施形態のＰＩＮダイオードでも、ｐ＋層３１，ｎ＋層３３の両方又はいずれか一方
の上部に、イントリンシック層３２の受光面に対して斜め方向から光が入射可能なように
、金属配線３４，３５の存在しない領域を所定面積以上の広さに設けるものであり、ｐ＋
層３１，ｎ＋層３３の端子部の一部分のみに金属配線を接続することによって、金属配線
の存在しない領域を設け、光が入射する領域を広げることが可能となる。
【００３４】
第１の実施の形態では、従来、端子部とされていた領域をすべてポリシリコンとしたの
に対し、第２の実施の形態では、端子部の一部分のみに金属配線を設けたことによって光
の入射範囲を広げる。  
この第２の実施形態の構造では、従来の構造で光の照射を阻害している金属層が形成さ
れない領域ができるため、受光層領域への照射が促進され受光効率が向上する。
【００３５】
［第３の実施形態］
図５は本発明の第３の実施形態の受光装置を示す図であり、(ａ)は平面図、(ｂ)は(ａ)
のＡ−Ａ線側断面図を示している。図６は従来例の受光装置を示す図である。本実施形態
は、ＰＩＮダイオードを複数（図では２つ）直列接続した時の例を示している。
【００３６】
本実施形態の受光装置は、絶縁基板上に形成された、ｐ＋層３１，イントリンシック層
３２，ｎ＋層３３を有する第１のＰＩＮダイオード３０と、ｐ＋層４１，イントリンシッ
ク層４２，ｎ＋層４３を有する第２のＰＩＮダイオード４０とが直列接続され、かつその
接続部分は、第１のＰＩＮダイオード３０のｎ＋層３３と第２のＰＩＮダイオード４０の
ｐ＋層４１が直接接続された構成の複数のＰＩＮダイオード３０，４０と、この複数直列
接続されたＰＩＮダイオード３０，４０の両端のアノード，カソードである前記ｐ＋層３
１，ｎ＋層４３にそれぞれ接続される金属配線３４，４５と、を備えたものである。
【００３７】
すなわち、本実施形態のＰＩＮダイオードでは、直列接続で隣り合うＰＩＮダイオード
３０，４０のカソード端子部３３およびアノード端子部４１において金属配線を介在した
接続（即ち金属配線への乗り換え）を行わず、ｎ＋層３３とｐ＋層４１とのポリシリコン
のみで直接接続される。  
この本実施形態の構造では、従来の構造で光の照射を阻害している金属配線が形成され
ない領域が大きく形成できるため、ＰＩＮダイオードの受光層の領域への光照射が促進さ
れ受光効率が向上する。
【００３８】
本発明の実施形態を従来例と比較するため、図６には、従来の受光装置を構成する複数
のＰＩＮダイオード３０，４０の直列接続構造を示してある。図６において、(ａ)は平面
図、(ｂ)は(ａ)の縦断面図である。この従来の構造では、図６に示すようにアノード端子
部およびカソード端子部において、電気的接続のためのコンタクトホールを介した金属配
線３４，３５，４４，４５が形成されている。隣り合うアノード端子部およびカソード端
子部の接続部分においても、電気的接続のためのコンタクトホールを介した金属配線３５
，４４が形成されている。金属配線３５，４４は互いに共通接続されている。
【００３９】
［第４の実施形態］
図７及び図８は本発明の第４の実施形態の受光装置を示す図であり、ｐ＋層，イントリ
ンシック層，ｎ＋層を有するＰＩＮダイオードが複数直列接続される場合に、端子部の一
部分のみを金属配線で接続する構造の例を示している。  
図７では、直列接続される２つのＰＩＮダイオード３０，４０において、ＰＩＮダイオ
ード３０を構成するｐ＋層３１、イントリンシック層３２、ｎ＋層３３の領域のうち、ｐ
＋層３１及びｎ＋層３３の中央部分に金属配線の無い領域Ｅ，Ｆを設けると共に、ＰＩＮ
ダイオード４０を構成するｐ＋層４１、イントリンシック層４２、ｎ＋層４４の領域のう
ち、ｐ＋層４１及びｎ＋層４３の中央部分に金属配線の無い領域Ｇ，Ｈを設けたものであ
る。領域Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈはそれぞれ、１つのコンタクトホールに対応した端子部の領域（
＝Ｌ1×Ｗ）の例えば１／３とされている。
【００４０】
図８では、直列接続される２つのＰＩＮダイオードにおいて、ｐ＋層３１及びｎ＋層３
３の四隅部分に金属配線の無い領域Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｎを設ける一方、ｐ＋層４１及びｎ＋層
４３の四隅部分に金属配線の無い領域Ｑ，Ｒ，Ｓ，Ｔを設けたものである。領域Ｉ，Ｊ，
Ｋ，Ｎ，Ｑ，Ｒ，Ｓ，Ｔもそれぞれ、１つのコンタクトホールに対応した端子部の領域（
＝Ｌ1×Ｗ）の例えば１／３とされている。
【００４１】
［第５の実施形態］
図９及び図１０は本発明の第４の実施形態の受光装置を示す図であり、図１１は図９及
び図１０に対応した従来例の受光装置を示す図である。本例は、受光装置の光センサ部の
幅Ｗが大きい場合である。  
図９では、光センサとしてのＰＩＮダイオードの端子部（Ｌ1×Ｗ）をポリシリコンで
形成し、一部分のみを金属配線３４，３５で接続する構造の例を示している。
【００４２】
この構造は、ＰＩＮダイオードを構成する半導体層（ポリシリコン）が面積大（ポリシ
リコンが分割されずにＷ大、例えば幅Ｗが長さＬの３倍以上ある）である形の場合、一部
分のみを金属配線で繋いでいるので、イントリンシック層３２の受光面に対して斜め方向
から入射する光量を増加させることが可能となる。しかも、半導体層（ポリシリコン）の
幅Ｗが大きいので、ＰＩＮダイオードを流れる電流に対して抵抗値を小さくすることがで
きる。
【００４３】
図１０では、光センサとしてのＰＩＮダイオードをポリシリコンで形成し、一部分のみ
を金属配線３４，３５で接続する構造の例を示している。  
この構造は、ＰＩＮダイオードを構成する半導体層（ポリシリコン）が面積大であって
、ポリシリコンの領域（＝Ｌ×Ｗ）を複数個（図では３つ）に分割した場合に、３分割さ
れたポリシリコン領域の各端子部をポリシリコン配線３１ａ，３３ａで接続し、かつポリ
シリコン領域（＝Ｌ×Ｗ）の一部分のみを金属配線３４，３５で接続する構造の例を示し
ている。この構造では、３つのポリシリコン開口部５０が形成されている。
【００４４】
すなわち、図１０ではポリシリコンを分割した場合、それぞれの隣り合う各端子部はポ
リシリコンで接続され、一部分のみを金属配線で繋いでいるので、ポリシリコン開口部５
０からの入射光が直接におよび反射して受光層（イントリンシック層）３２に受光される
形となる。
【００４５】
本発明の実施形態を従来例と比較するため、図１１には、従来の受光装置を構成するＰ
ＩＮダイオードの構造を示してある。この従来の構造では、図１１に示すようにアノード
端子部およびカソード端子部を全てコンタクトホールを介した金属配線３４，３５で形成
している。
【００４６】
このように、本発明の第５の実施形態では、金属配線部を単にイントリンシック領域か
ら離すという構造ではなく、例えばＷ大の場合、端子部の殆どをポリシリコンで形成し、
一部分のみを金属配線で接続する形となっている。
【００４７】
図１４は、図１，３，４，５，７，８，９，１０で示したような上述の受光装置を備え
た電気光学装置による電子機器の例を示す斜視図であり、例として携帯電話機の外観を示
している。図１４に示すように、電子機器として携帯電話機１００の表示部１０１に、上
述した受光装置付きの電気光学装置（例えばＰＩＮダイオード付きのバックライト搭載型
液晶装置）が用いられる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
電子機器としては、携帯電話機の他にも、例えば、光源と該光源から出射された光を変
調するライトバルブと、該ライトバルブにより変調された光を投射するための光学系を備
えた、投射型表示装置である。さらに、電子機器としては、他にも、テレビジョンや、ビ
ューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ペ
ージャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ
端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして
、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る受光装置を備えた電気光学装置が適用
可能である。
【００４９】
また、本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス型の液晶パネル（例えば、ＴＦ
Ｔ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液
晶表示パネル）だけでなく、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルにも同様に適用する
ことが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、無機エレクトロルミネッセンス装
置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプ
レイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction E
lectron-Emitter Display 等）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）（別名ＤＭＤ：Di
gital Micromirror Device）等の各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用する
ことが可能である。
【００５０】
なお、本発明は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liqu
id Crysta1 On Silicon）などの反射型の電気光学装置にも適用可能である。
【００５１】
ＬＣＯＳでは素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイ
ッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には反射
型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施形態の受光装置を示す図。
【図２】図１に対応した従来例の受光装置を示す図。
【図３】本発明の第２の実施形態の受光装置の一例を示す図。
【図４】本発明の第２の実施形態の受光装置の他の例を示す図。
【図５】本発明の第３の実施形態の受光装置を示す図。
【図６】図５に対応した従来例の受光装置を示す図。
【図７】本発明の第４の実施形態の受光装置の一例を示す図。
【図８】本発明の第４の実施形態の受光装置の他の例を示す図。
【図９】本発明の第５の実施形態の受光装置の一例を示す図。
【図１０】本発明の第５の実施形態の受光装置の他の例を示す図。
【図１１】図９及び図１０に対応した従来例の受光装置を示す図。
【図１２】本発明による受光装置が適用されるバックライト付きの液晶装置の分解した斜視図。
【図１３】図１２の液晶装置の縦断面図。
【図１４】本発明による受光装置付きの電気光学装置を用いた電子機器の例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００５３】
３０…ＰＩＮダイオード（受光装置）、３１…ｐ＋層（ｐ型半導体層）、３２，４２…
イントリンシック層（真性半導体層）、３３…ｎ＋層（ｎ型半導体層）、３４，３５，４
５…金属配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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