(57)【要約】【課題】半導体製造装置において、メインテナンス時期を正確に把握できるようにする。【解決手段】半導体製造装置の排気管１０の内部に堆積した堆積物の量を検知するために、排気管１０の温度を検知する温度センサ２０，３０を設け、処理ガスの種類に応じて予め求められた圧力，温度，堆積物の厚さの相互関係に関する記憶情報と温度センサ２０，３０により得られた温度情報に基づいて、排気管１０の内部に堆積した堆積物の厚さαを算出し、この算出値が限界堆積厚さ以上のときにメインテナンスを要することを報知手段１００により報知する。これにより、処理ガスの種類に応じて正確に堆積物の厚さを検知できるため、無駄の無い最適なタイミングでメインテナンスの時期を知ることができ、半導体製造の効率向上、歩留まりの向上を達成することができる。【選択図】図１
2007311393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ、前記処理チャンバに対してウエーハを出し入れする搬送通路、又は前記処理チャンバ内の処理ガスを排出する排気通路を形成する壁体の内部に堆積した堆積物の量を検知する堆積物の検知装置であって、
前記壁体の温度を検知する温度センサと、
処理ガスの種類に応じて予め求められた圧力，温度，堆積物の厚さの相互関係に関する記憶情報と前記温度センサにより得られた温度情報に基づいて，前記壁体の内部に堆積した堆積物の厚さを算出する算出手段と、
前記算出手段により得られた算出値が所定値以上のときにメインテナンスを要することを報知する報知手段と、
を含む、ことを特徴とする堆積物の検知装置。
【請求項２】
前記壁体の内部の圧力を検知する圧力センサを含み、
前記算出手段は、前記記録情報と前記圧力センサにより得られた圧力情報に基づいて，前記壁体の内部に堆積した堆積物の厚さを算出する、
ことを特徴とする請求項１記載の堆積物の検知装置。
【請求項３】
前記圧力センサは、前記温度センサの近傍に設けられている、
ことを特徴とする請求項２記載の堆積物の検知装置。
【請求項４】
前記温度センサは、メイン温度センサと、サブ温度センサを含む、
ことを特徴とする請求項１ないし３いずれかに記載の堆積物の検知装置。
【請求項５】
前記温度センサ及び圧力センサは、前記排気通路を屈曲して形成するエルボ管に設けられている、
ことを特徴とする請求項２ないし４いずれかに記載の堆積物の検知装置。
【請求項６】
前記排気通路から排出される総排出ガス量を検知するガス量検知センサを含み、
前記算出手段は、処理ガスの種類に応じて予め求められた総排出ガス量と堆積物の厚さとの関係に関する記憶情報と前記ガス量検知センサにより得られた情報に基づいて，前記壁体の内部に堆積した堆積物の厚さを算出する、
ことを特徴とする請求項１ないし５いずれかに記載の堆積物の検知装置。
【請求項７】
前記壁体の内壁面には、面状に加熱する面状加熱ユニットが隣接して配置されている、
ことを特徴とする請求項１ないし６いずれかに記載の堆積物の検知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置における処理チャンバの内壁面あるいは排気管の内壁面等に堆積した副生成物等の堆積物の量を検知してクリーニングのためのメインテナンス時期を知らせる堆積物の検知装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤ装置あるいはエッチング装置等において、処理チャンバあるいは真空引きされた排気管（フォアライン）の内部では、各種の化学的物理的反応に基づき副生成物が発生し、発生した副生成物は雰囲気の圧力及び温度に応じて、気体の状態を維持するか、もしくは、固体に昇華して内壁面に付着した堆積物として現れることになる。
【０００３】
これらの堆積物は、半導体の製造に際して悪影響を及ぼすため、定期的にメインテナンスを行って除去する必要がある。従来のメインテナンス時期の管理は、成膜やエッチング処理に使用した総使用ガス量の累積値、膜種による総成膜厚みや総エッチング膜厚み等を指標として、装置の稼動時間を管理するものであった。これらの管理手法は、経験則に基づく大雑把なものであり、正確な管理を行えるものではなかった。
【０００４】
一方、堆積物の付着量を検知する技術として、配管に通路を挟んで対向するように一対の透明体を設け、透明体の外側に発光素子と受光素子からなる光センサを配置し、発光素子から透明体を経て受光素子で受光される光量の変化に基づき、透明体の内壁面に付着した堆積物（副生成物）の量を検知するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、この検知手法では、堆積物が付着したか否かの大雑把な把握はできても、堆積物の量（厚さ）を正確に検知することが困難であり、依然として正確な管理を行えるものではない。
【０００５】
また、堆積物の付着量を検知する他の技術として、配管内において一対の電極を配置し、一対の電極間の容量変化に基づいて、堆積物（副生成物）の量を検知するものが知られている（例えば、特許文献２参照）。
しかしながら、この検知手法では、一対の電極が、副生成物が生成される雰囲気に直接曝されているため、電極の経時劣化を招く虞があり、安定して正確に検知することが困難である。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２６０１号公報
【特許文献２】特開平１１−２３５１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、半導体製造の処理の種類、使用される処理ガスの種類、配管内の流量及び圧力等のプロセス条件に依存する副生成物の昇華特性に基づいて、副生成物が固化して堆積した場合の時系列的な堆積量を、簡単な手法で高精度に検知することで、メインテナンスの周期あるいは時期を正確に把握でき、半導体製造の効率向上、歩留まりの向上等が図れる、堆積物の検知装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る堆積物の検知装置は、処理チャンバ、処理チャンバに対してウエーハを出し入れする搬送通路、又は処理チャンバ内の処理ガスを排出する排気通路を形成する壁体の内部に堆積した堆積物の量を検知する堆積物の検知装置であって、上記壁体の温度を検知する温度センサと、処理ガスの種類に応じて予め求められた圧力，温度，堆積物の厚さの相互関係に関する記憶情報と温度センサにより得られた温度情報に基づいて，壁体の内部に堆積した堆積物の厚さを算出する算出手段と、算出手段により得られた算出値が所定値以上のときにメインテナンスを要することを報知する報知手段と、を含む、ことを特徴としている。
この構成によれば、排気通路等を形成する配管等の壁体の内壁面に、副生成物等の堆積物が付着（堆積）してくると、この堆積物が断熱層の役割をなし、壁体の温度はその堆積量（厚さ）の増加に伴って低下していく。したがって、温度センサにより壁体の温度が検知されると、算出手段が、この温度情報を、処理ガスの種類に応じて予め求められた圧力，温度，堆積物の厚さの相互関係に関する記憶情報と比較して、この温度に対応する堆積物の厚さを算出する。そして、報知手段は、その算出値が所定値（限界堆積厚さ）以上のときメインテナンスを要することを報知する。このように、処理ガスの種類に応じて正確に堆積物の厚さを検知できるため、無駄の無い最適なタイミングでメインテナンスの時期を知ることができ、半導体製造の効率向上、歩留まりの向上を達成することができる。
【０００９】
上記構成において、壁体の内部の圧力を検知する圧力センサを含み、算出手段は、記録情報と圧力センサにより得られた圧力情報に基づいて，壁体の内部に堆積した堆積物の厚さを算出する、構成を採用することができる。
この構成によれば、圧力センサにより壁体内部の圧力が検知されると、算出手段が、この圧力情報を、処理ガスの種類に応じて予め求められた圧力，温度，堆積物の厚さの相互関係に関する記憶情報と比較して、この圧力に対応する堆積物の厚さを算出する。これにより、より正確な堆積物の厚さを検知できる。
【００１０】
上記構成において、圧力センサは、温度センサの近傍に設けられている、構成を採用することができる。
この構成によれば、圧力センサにより得られる圧力情報と温度センサにより得られる温度情報との対応関係がより高精度になるため、算出手段により算出された算出値（堆積物の厚さ）もより高精度な情報として得られる。
【００１１】
上記構成において、温度センサは、メイン温度センサと、サブ温度センサを含む、構成を採用することができる。
この構成によれば、メイン温度センサにより検知された温度情報と、サブ温度センサにより検知された温度情報とに基づいて、堆積物の厚さに関する情報を二重に算出することができ、バラツキを考慮したより高精度な算出値を得ることができる。
【００１２】
上記構成において、温度センサ及び圧力センサは、排気通路を屈曲して形成するエルボ管に設けられている、構成を採用することができる。
この構成によれば、特に屈曲したエルボ管（の内壁面）には副生成物等の堆積物が発生し易いため、この領域に温度センサと圧力センサを設けることにより、屈曲形状をなす排気通路において、より正確に堆積物の量を検知することができる。
【００１３】
上記構成において、排気通路から排出される総排出ガス量を検知するガス量検知センサを含み、算出手段は、処理ガスの種類に応じて予め求められた総排出ガス量と堆積物の厚さとの関係に関する記憶情報とガス量検知センサにより得られた情報に基づいて，壁体の内部に堆積した堆積物の厚さを算出する、構成を採用することができる。
この構成によれば、ガス量検知センサにより総排出ガス量が検知されると、算出手段が、この総排出ガス量の情報を、処理ガスの種類に応じて予め求められた総排出ガス量と堆積物の厚さとの関係に関する記憶情報と比較して、この総排出ガス量に対応する堆積物の厚さを算出する。これにより、総合的なダブルチェックが可能になり、より正確に堆積物の量を検知することができる。
【００１４】
上記構成において、壁体の内壁面には、面状に加熱する面状加熱ユニットが隣接して配置されている、構成を採用することができる。
この構成によれば、面状加熱ユニットを配置する領域での壁体の内壁面等に堆積した副生成物等の堆積量を検知できるため、面状加熱ユニットのメインテナンスを所望のタイミングで効率良く行うことができる。
【発明の効果】
【００１５】
上記構成をなす堆積物の検知装置によれば、半導体製造の処理（プロセス）の種類、使用される処理（プロセス）ガスの種類、配管内の流量及び圧力等の処理条件に依存する副生成物の昇華特性に基づいて、副生成物等の堆積量を簡単な手法で高精度に検知でき、メインテナンスの周期あるいは時期を正確に把握できるため、半導体製造の効率向上、歩留まりの向上等が達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の最良の実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
図１ないし図８は、本発明に係る堆積物の検知装置の一実施形態を示すものであり、図１は全体のシステム図、図２は半導体製造装置の排気管を示す断面図、図３及び図４は排気管の一部を拡大した部分断面図、図５は処理ガスの種類に応じた圧力と温度との関係を示す図、図６は処理ガスの種類に応じた温度と副生成物（堆積物）の堆積厚さとの関係を示す図、図７は処理ガスの種類に応じた総排出ガス量と副生成物（堆積物）の堆積厚さとの関係を示す図、図８は全体の制御シーケンスを示すフローチャートである。
【００１７】
このシステムは、図１に示すように、半導体製造装置の排気管１０に設けられたメイン温度センサ２０、サブ温度センサ３０、圧力センサ４０、メイン温度センサ２０及びサブ温度センサ３０の信号を処理して後述の制御回路８０に送る温度検知回路５０、圧力センサ４０の信号を処理して後述の制御回路８０に送る圧力検知回路６０、処理ガスの種類に応じて予め求められた圧力，温度，堆積物の厚さの相互関係に関する情報を記憶した記憶部７０、温度検知回路５０，圧力検知回路６０及び記憶部７０の信号及び記憶情報に基づいて各種の演算処理を行うと共に制御信号を発する算出手段としての制御回路８０、制御回路８０から発せられた指令信号に基づいて報知信号を生成する報知手段としての報知信号発生回路９０及び報知信号発生回路９０の出力信号に基づいて報知音を発生する発音器１００等を備えている。
さらに、このシステムは、図１に示すように、排気管１０から排出される総排出ガス量を検知するガス量検知センサ１１０、ガス量検知センサ１１０の信号を処理して制御回路８０に送る総排出ガス量検知回路１２０等を備えている。
【００１８】
排気管１０は、処理チャンバ内の処理ガスを排出する排気通路を形成するものであり、図２及び図３に示すように、内壁面１０ａ，外側表面１０ｂ、フランジ部１０ｃをそれぞれ画定する直管１１及びエルボ管１２により形成されて、直管１１及びエルボ管１２の内部に隣接して面状加熱ユニット１３が配置されている。そして、直管１１同士又は直管１１とエルボ管１２とは、それぞれのフランジ部１０ｃの間にシールリング１４を挟み込んだ状態でチェーンクランプ１５により連結されている。
面状加熱ユニット１３は、図３に示すように、円筒状のインナーシェル１３ａ及びアウターシェル１３ｂ、両シェル１３ａ，１３ｂの間に挟み込んで覆われた薄板状の抵抗発熱体１３ｃ、取り付け時に挟持されるフランジ部１３ｄ等により形成されている。そして、面状加熱ユニット１３は、排気管１０（直管１１、エルボ管１２）の内壁面１０ａを覆うように隣接して、すなわち、内壁面１０ａとアウターシェル１３ｂとの間に若干の隙間をおいて配置されている。
【００１９】
メイン温度センサ２０及びサブ温度センサ３０は、排気管１０の壁体に外側から取り付けられて、その外表面１０ｂの温度を検知するものであり、排気管１０の全域に亘って温度を検知できるように複数個設けられている。
ここで、メイン温度センサ２０及びサブ温度センサ３０の役割について、伝熱特性の観点から図４を参照しつつ説明すると、面状加熱ユニット１３で発生した熱の一部は、アウターシェル１３ｂと内壁面１０ａとの間に形成された隙間に存在する処理ガス（の分子）を介して、メイン温度センサ２０が設けられた排気管１０（壁体）の外側表面１０ｂに伝熱し、一方、極わずかではあるが輻射熱としての伝熱もあり、又、面状加熱ユニット１３で発生した熱の一部は、フランジ部１３ｄ，１０ｃを介して排気管１０に熱伝導として伝わり、サブ温度センサ３０が設けられた領域からメイン温度センサ２０が設けられた領域に向かって軸線方向に伝わる。
【００２０】
ここで、排気管１０（壁体）の内壁面１０ａに、副生成物等の堆積物が付着（堆積）してくると、この堆積物が断熱層の役割をなし、排気管１０の外側表面１０ｂの温度は、その堆積量（厚さ）の増加に伴って反比例的に低下していく。
したがって、処理ガスを媒体として輻射熱により加熱される領域の温度は、堆積物の厚さに応じて変化し、その温度の変化がメイン温度センサ２０により検知される。一方、固体（面状加熱ユニット１３、排気管１０の壁体）を媒体として直接加熱される領域の温度は、サブ温度センサ３０により検知される。
このように、フランジ部１０ｃ，１３ｄから離れた領域とフランジ部１０ｃ，１３ｄに近い領域との温度を、別々の温度センサ２０，３０で検知することにより、バラツキを考慮した正確な温度検知を行うことができる。
メイン温度センサ２０及びサブ温度センサ３０としては、例えば、熱電対、サーミスタ、白金測温抵抗体等の如く熱電変換を行うものが採用される。尚、サブ温度センサ３０は、必ずしも必要なものではなく、より正確に温度を検知したい場所に適宜設ければよい。
【００２１】
圧力センサ４０は、排気管１０の壁体に外側から取り付けられて、排気管１０内部の圧力を検知するものであり、温度センサ２０，３０と同様に排気管１０の全域に亘って圧力を検知できるように複数個配置されてもよいが、屈曲した排気通路内には堆積物が溜まり易いことから、特にエルボ管１２の領域に設けることが好ましい。
圧力センサ４０としては、例えば、ピラニー真空計、ダイヤフラム式キャパシタンスマノメータ等の真空計により構成されるものが採用される。尚、圧力センサ４０は、必ずしも必要なものではなく、より正確に堆積物の厚さを把握したい場所に適宜設ければよい。
【００２２】
圧力センサ４０と温度センサ２０，３０との配置関係は、例えば、温度センサ２０，３０が、圧力センサ４０を中心とした円周上の近傍又は排気管１０の軸線方向の近傍に位置するように配置される。
このように、温度センサ２０，３０と圧力センサ４０とを近傍に配置することにより、圧力センサ４０により得られる圧力情報と温度センサ２０，３０により得られる温度情報との対応関係がより高精度になるため、制御回路８０により算出された算出値（堆積物の厚さ）もより高精度な情報として得られる。
【００２３】
記憶部７０には、処理（プロセス）の種類、処理ガスの種類（例えば、ａ，ｂ，ｃ・・・）に応じた昇華曲線、より具体的には、図５に示すような堆積物の厚さ（α１，α２，α３・・・）ごとの圧力Ｐと温度Ｔとの関係に関するデータ情報、図６（ａ），（ｂ）に示すような処理ガスの種類（ａ，ｂ，ｃ・・・）に応じたメイン温度Ｔと堆積物の厚さαとの関係及びサブ温度Ｔと堆積物の厚さαとの関係に関するデータ情報、図７に示すような処理ガスの種類（ａ，ｂ，ｃ・・・）に応じた総排出ガス量Ｑと堆積物の厚さαとの関係に関するデータ情報等が、予め処理ガスごとに求められて記憶情報として格納されている。尚、堆積物の厚さαに関するデータは、副生成物の種類に応じて予め求められ記憶されている。
これらの記憶情報は、温度センサ２０，３０又は圧力センサ４０により、実際の排気管１０等で検知された温度情報又圧力情報と比較して、堆積物の厚さαを算出する際に用いられるものである。
【００２４】
ここで、半導体の製造における実際の処理での評価経験により得られた知見としては、処理の目的（どのような膜を形成するのか、どのような膜をエッチングするのか等）により、使用する処理ガスの種類、流量、圧力等の処理条件が決定され、その結果、排気管１０等の内壁面１０ａにおいて副生成物等が固化して堆積する際の昇華特性が特定される。
また、副生成物等が堆積してくると、堆積物が断熱層となって外部への伝熱を抑制するため、排気管１０等の外側表面１０ｂで検知される温度は、その堆積量（堆積物の厚さ）の増加に伴って低下していくという一定の関係が得られる。
これらの知見から、半導体製造の処理（プロセス）の種類、使用される処理ガスの種類に応じた，内部の圧力Ｐ，温度Ｔ，堆積物の厚さα等の相互関係が既知であれば、実際の半導体製造装置において、処理中の温度，圧力等を検知することにより、副生成物等の堆積量あるいは堆積物の厚さを求めることができる。
そこで、上記のように、処理ガスの種類に応じて求めた圧力Ｐ，温度Ｔ，堆積物の厚さαの相互関係に関するデータを記憶情報として予め記憶部７０に格納しておく。
【００２５】
制御回路８０は、温度センサ２０，３０及び圧力センサ４０により検知された温度情報及び圧力情報を、記憶部７０に格納され記憶情報（図５及び図６に示すような処理ガスの種類に応じて予め求められた圧力，温度，堆積物の厚さの相互関係に関するデータ）と比較して、検知された温度及び圧力に対応する堆積物の厚さαを算出し、その算出値が所定値（限界堆積厚さ）以上であるか否かの判断を行う。また、制御回路８０は、ガス量検知センサ１１０により検知された総排出ガス量の情報を、記憶部７０に格納された記憶情報（図７に示すような処理ガスの種類に応じて予め求められた総排出ガス量と堆積物の厚さの関係に関するデータ）と比較して、検知された総排出ガス量に対応する堆積物の厚さαを算出し、その算出値が所定値（限界堆積厚さ）以上であるか否かの判断を行う。
そして、上記の算出値が所定値以上のときは、発音器１００により報知音を発するように報知信号発生回路９０に制御信号を発する。
このように、制御回路８０は、各種の検知データを取り込んで、記憶情報との比較及び判断等の各種の演算処理を行うと共に、全体の制御を司る指令信号を発するものである。尚、制御回路８０は、実際の半導体製造装置では、ホストコンピュータがその役割を担うものである。
また、ガス量検知センサ１１０は、必ずしも必要ではないが、温度センサ２０，３０及び圧力センサ４０の温度情報及び圧力情報の他に、総排出ガス量Ｑの情報を堆積物の厚さαを算出する際の判断材料として追加することができるため、総合的なダブルチェックが可能になり、より正確に堆積物の量（堆積物の厚さα）を検知することができる。
【００２６】
次に、この検知装置の動作について図８に示すフローチャートを参照しつつ説明する。ここでは、メイン温度センサ２０、サブ温度センサ３０、圧力センサ４０、及びガス量検知センサ１１０が全てシステムに採用されているものとする。
先ず、成膜処理、エッチング処理等のどのような処理であるか処理の種類、処理に使用される処理ガスの種類（ａ，ｂ，ｃ・・・）、さらに副生成物の種類に関する情報が、ホストコンピュータに制御情報として入力される（ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３）。
【００２７】
そして、メイン温度センサ２０及びサブ温度センサ３０により検知された温度情報、圧力センサ４０により検知された圧力情報、ガス量検知センサ１１０により検知された総排出ガス量の情報が、それぞれ制御回路８０に取り込まれて、記憶部７０に予め格納された記憶情報（図５、図６、図７に示すデータ情報）と比較判断されて（ステップＳ４）、対応する堆積物の厚さαの値が算出される（ステップＳ５）。
【００２８】
続いて、算出値（堆積物の厚さα）が限界堆積厚さ以上であるか否かの判断が行われる（ステップＳ６）。ここで、算出値が限界堆積厚さ未満であると判断されると、再びステップＳ４に戻って、同様のループを繰り返す。一方、算出値が限界堆積厚さ以上であると判断されると、制御回路８０は報知信号発生回路９０に指令信号を発し、発音器１００がアラーム（報知音）を発する（ステップＳ７）。これにより、作業者は、この半導体製造装置をクリーニングのためにメインテナンスする必要があることを認識でき、その後、装置を停止させることができる。
【００２９】
このように、堆積物の検知装置によれば、ＣＶＤ装置、エッチング装置等の半導体製造装置の処理（プロセス）の種類、使用される処理（プロセス）ガスの種類、排気管１０内の圧力、温度等の処理条件に依存する副生成物の昇華特性に基づいて、副生成物等の堆積量を簡単な手法で高精度に検知できる。それ故に、クリーニング等のメインテナンスの時期あるいは周期を正確に把握でき、半導体の製造効率を向上させることができ、又、歩留まり向上させることができる。
【００３０】
上記実施形態においては、壁体としての排気管１０に対して温度センサ２０，３０及び圧力センサ４０を設けた場合を示したが、これに限定されるものではなく、処理チャンバの壁体あるいは処理チャンバに対してウエーハを出し入れする搬送通路を形成する壁体、あるいは、その他の処理経路に存在する壁体に対して、温度センサ２０，３０及び圧力センサ４０を設けてもよい。
上記実施形態においては、メイン温度センサ２０及びサブ温度センサ３０を兼ね備える構成を示したが、サブ温度センサ３０は必ずしも必要ではなく、又、圧力センサ４０及びガス量検知センサ１１０を備える構成を示したが、これらも必ずしも必要ではない。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
以上述べたように、本発明に係る堆積物の検知装置は、副生成物等の堆積量を高精度に把握することができるため、ＣＶＤ装置、エッチング装置等に有用であるのは勿論のこと、その他の半導体製造装置においても有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明に係る堆積物の検知装置の概略を示したシステム図である。
【図２】本発明の検知装置を採用した排気管の断面図である。
【図３】本発明の検知装置を採用した排気管の部分断面図である。
【図４】本発明の検知装置を採用した排気管の部分断面図である。
【図５】堆積物の厚さと圧力，温度の関係を示した図である。
【図６】（ａ）は処理ガスの種類に応じたメイン温度と堆積物の厚さとの関係を示した図であり、（ｂ）は処理ガスの種類に応じたサブ温度と堆積物の厚さとの関係を示した図である。
【図７】処理ガスの種類に応じた総排出ガス量と堆積物の厚さとの関係を示した図である。
【図８】検知装置における制御シーケンスを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３３】
１０  排気管（壁体）
１０ａ  内壁面
１０ｂ  外側表面
１０ｃ  フランジ部
１１  直管
１２  エルボ管
１３  面状加熱ユニット
１３ａ  インナーシェル
１３ｂ  アウターシェル
１３ｃ  抵抗発熱体
１３ｄ  フランジ部
１４  シールリング
１５  チェーンクランプ
２０  メイン温度センサ
３０  サブ温度センサ
４０  圧力センサ
５０  温度検知回路
６０  圧力検知回路
７０  記憶部
８０  制御回路（算出手段）
９０  報知信号発生回路（報知手段）
１００  発音器（報知手段）
１１０  ガス量検知センサ
１２０  総排出ガス量検知回路
【図１】
2007311393.tif 000003
【図２】
2007311393.tif 000004
【図３】
2007311393.tif 000005
【図４】
2007311393.tif 000006
【図５】
2007311393.tif 000007
【図６】
2007311393.tif 000008
【図７】
2007311393.tif 000009
【図８】
2007311393.tif 000010