(57)【要約】【課題】膜厚均一性、結晶性、電気的諸特性に優れたＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を提供すること。【解決手段】ドーズ量８×１０16〜４×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2で水素イオンを注入して単結晶シリコン基板１０中にイオン注入層１１を形成する。シリコン基板１０と石英基板２０を貼り合わせた状態で１５０℃以上３００℃以下の比較的低い温度で加熱する。この加熱処理により、シリコン基板１０と石英基板２０の両基板間の熱膨張係数差に起因する熱応力が生じてイオン注入層１１内のシリコン原子の化学結合が弱化する。この熱処理で弱化された状態のイオン注入層１１に、熱衝撃、振動衝撃、あるいは機械的衝撃を外部から付与してシリコン薄膜を剥離し、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を得る。熱処理温度は３００℃以下に制限されているから、シリコン結晶中での水素原子の拡散が顕著に生じることがなく、ＳＯＩ層の表面荒れが生じることがない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩ基板の製造方法であって、
単結晶シリコン基板である第１の基板の表面側にドーズ量８×１０16〜４×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2の水素を注入して水素イオン注入層を形成する第１のステップと、
石英基板である第２の基板の表面及び前記第１の基板の表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施す第２のステップと、
前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを貼り合わせる第３のステップと、
前記貼り合わせた基板を１５０℃以上３００℃以下の温度で加熱する第４のステップと、
前記加熱処理後の貼り合せ基板の前記第１の基板からシリコン層を剥離して前記第２の基板の表面上にＳＯＩ層を形成する第５のステップと、
を備えていることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２のステップの表面活性化処理は、プラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で実行されることを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
前記第５のステップは、前記水素イオン注入層の端部から機械的衝撃を付与することにより実行されることを特徴とする請求項１または２に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】
前記第５のステップは、前記貼り合わされた基板に振動衝撃を付与することにより実行されることを特徴とする請求項１または２に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項５】
前記第５のステップは、前記貼り合わされた基板に熱衝撃を付与することにより実行されることを特徴とする請求項１または２に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の基板は、表面側に酸化膜を有する単結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明絶縁性基板である石英基板上に単結晶シリコン薄膜を有するＳＯＩ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
石英基板上にシリコン薄膜を有するＳＯＱ基板（Silicon on Quartz）は、光学デバイス、例えばＴＦＴ液晶モニタ製造用デバイスなどへの応用が期待されているＳＯＩ基板であり、ＳＯＱ基板の製造方法としてシリコン基板と石英基板という異種材料の基板同士の貼り合わせによる方法が提案されている。
【０００３】
従来より、基板を貼り合わせてＳＯＩ基板を製造するための方法として、SmartCut法やSiGen法などが知られている。このうち、SmartCut法は、貼り合せ面側に水素イオンを注入して「水素ブリスタ」と呼ばれる「気泡」を高密度で発生させたシリコン基板と、支持基板（ハンドルウエーハ）とを貼り合わせ、４００℃以上（例えば５００℃）の熱処理を施して「水素ブリスタ」を「成長」させ、この「気泡成長」を利用してシリコン薄膜を熱剥離することでＳＯＩ基板を得る方法である（例えば、特許文献１や非特許文献１）。
【０００４】
また、SiGen法は、貼り合せ面側に水素イオンを注入したシリコン基板とシリコン基板あるいは他の材料の基板とを貼り合わせる前に、これらの基板の貼り合せ面をプラズマ処理し、表面が活性化された状態で両基板を貼り合わせ、低温（例えば、１００〜３００℃）で熱処理を施して接合強度を高めた後に、常温で機械的に剥離してＳＯＩ基板を得る方法である（例えば、特許文献２〜４）。
【特許文献１】特許第３０４８２０１号公報
【特許文献２】米国特許第６２６３９４１号明細書
【特許文献３】米国特許第６５１３５６４号明細書
【特許文献４】米国特許第６５８２９９９号明細書
【非特許文献１】A. J. Auberton-Herve et al., "SMART CUT TECHNOLOGY: INDUSTRIAL STATUS of SOI WAFER PRODUCTION and NEW MATERIAL DEVELOPMENTS" (Electrochemical Society Proceedings Volume 99-3 (1999) p.93-106).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これら２つの方法の相違点は、主としてシリコン薄膜の剥離プロセスにあり、SmartCut法はシリコン薄膜の剥離のために高温での処理を必要とするが、SiGen法は常温での剥離が可能である。
【０００６】
ＳＯＱ基板をシリコン基板と石英基板との貼り合わせにより製造する場合、これら異種材料同士は熱膨張率や固有耐熱温度などにおいて相違するから、製造工程中で貼り合わせ基板に施される熱処理の温度が高くなると、両基板間の熱的諸特性の相違に起因して、割れや局所的なクラックなどが生じ易くなる。このような観点からは、シリコン薄膜の剥離に高温を要するSmartCut法は、貼り合わせによるＳＯＱ基板の製造方法として好ましいものとはいえない。
【０００７】
一方、低温剥離が可能なSiGen法は、上述したような熱的諸特性の相違に起因した割れや局所的クラックは生じ難いものの、シリコン薄膜剥離のための外力を機械的に付与してシリコン原子の結合を切断することで薄膜剥離を実行するこの手法では、当該剥離工程中に過剰な外力が付与され易く、基板の接着面が剥がれたり剥離痕が生じたり或いはシリコン薄膜に機械的なダメージが導入され易いという問題がある。
【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、単結晶シリコン基板と石英基板とを貼り合わせてＳＯＱ基板を製造する工程において、基板間の熱的諸特性の相違に起因する割れや局所的クラック等および機械的ダメージのシリコン薄膜層（ＳＯＩ層）への導入を回避し、もって膜厚均一性、結晶性、電気的諸特性（キャリア移動度など）に優れたＳＯＩ層を有するＳＯＱ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、このような課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、ＳＯＩ基板の製造方法であって、単結晶シリコン基板である第１の基板の表面側にドーズ量８×１０16〜４×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2の水素を注入して水素イオン注入層を形成する第１のステップと、石英基板である第２の基板の表面及び前記第１の基板の表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施す第２のステップと、前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを貼り合わせる第３のステップと、前記貼り合わせた基板を１５０℃以上３００℃以下の温度で加熱する第４のステップと、前記加熱処理後の貼り合せ基板の前記第１の基板からシリコン層を剥離して前記第２の基板の表面上にＳＯＩ層を形成する第５のステップとを備えていることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記第２のステップの表面活性化処理は、プラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で実行されることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記第５のステップは、前記水素イオン注入層の端部から機械的衝撃を付与することにより実行されることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１または２に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記第５のステップは、前記貼り合わされた基板に振動衝撃を付与することにより実行されることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項１または２に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記第５のステップは、前記貼り合わされた基板に熱衝撃を付与することにより実行されることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記第１の基板は、表面側に酸化膜を有する単結晶シリコン基板であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、従来に比較して高濃度の水素をシリコン基板にイオン注入した貼り合せ基板に比較的低温の熱処理を施して両基板間の熱膨張係数差に起因する熱応力を生じさせてイオン注入層内のシリコン原子の化学結合を弱化させることとしたので、シリコン薄膜の剥離に必要とされる外部からの衝撃レベルを著しく低減させることが可能となる。これにより、基板間の熱的諸特性の相違に起因する割れや局所的クラック等および機械的ダメージのシリコン基板の表面領域から剥離されるシリコン薄膜への導入が回避され、その結果、膜厚均一性、結晶性、電気的諸特性（キャリア移動度など）に優れたＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【００１７】
図１は、本発明のＳＯＩ基板の製造方法のプロセス例を説明するための図で、図１（Ａ）に図示された第１の基板１０は単結晶Ｓｉ基板、第２の基板２０は石英基板である。ここで、単結晶Ｓｉ基板１０は、例えば、ＣＺ法（チョクラルスキ法）により育成された一般に市販されているＳｉ基板であり、その導電型や比抵抗率などの電気特性値や結晶方位や結晶径は、本発明の方法で製造されるＳＯＩ基板が供されるデバイスの設計値やプロセスあるいは製造されるデバイスの表示面積などに依存して適宜選択される。また、この単結晶Ｓｉ基板１０はその表面（貼り合せ面）に予め酸化膜が形成された状態のものであってもよい。
【００１８】
なお、これらの基板の直径は同一であり、後のデバイス形成プロセスの便宜のため、石英基板２０にも単結晶Ｓｉ基板１０に設けられているオリエンテーション・フラット（ＯＦ）と同様のＯＦを設けておき、これらのＯＦ同士を一致させて貼り合わせるようにすると好都合である。
【００１９】
先ず、第１の基板（単結晶Ｓｉ基）１０の表面に水素イオンを注入し、水素イオン注入層を形成する（図１（Ｂ））。このイオン注入面が後の「接合面（貼り合せ面）」となる。この水素イオン注入により、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成され、単結晶Ｓｉ基板１０の表面領域での平均イオン注入深さＬに対応する領域には、当該領域に局在する「微小気泡層」が形成される（図１（Ｃ））。
【００２０】
本発明においては、水素のイオン注入量を従来法であるSmartCut法で採用されている値に比較して高く設定し、ドーズ量８×１０16〜４×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2とする。従来、SmartCut法でＳＯＩ基板を作製する場合には、水素イオンのドーズ量が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2を越えるとその後に得られるＳＯＩ層の表面荒れが生じるとされ、７×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度のドーズ量に設定するのが一般的であった。しかしながら、本発明者らの検討によれば、従来法において生じる上記イオン注入条件で生じるＳＯＩ層の表面荒れの原因は、水素イオンのドーズ量そのものではなく、シリコン薄膜を剥離してＳＯＩ層を得るために採用されている比較的高温（例えば５００℃）の熱処理工程にあることが明らかとなった。
【００２１】
上述したように、SmartCut法でＳＯＩ基板を作製する際には、シリコン基板の貼り合せ面側に水素イオンを注入して「水素ブリスタ」と呼ばれる「気泡」を高密度で発生させ、比較的高温の熱処理により生じる「水素ブリスタ」の「気泡成長」を利用してシリコン薄膜を熱剥離している。ここで、「気泡成長」は水素原子の拡散現象に他ならないから、高ドーズ条件で形成されることとなる極めて高密度の「気泡」が「成長」する過程においては水素原子の拡散が顕著に生じていることとなる。そして、このような原子拡散現象がＳＯＩ層の表面荒れを生じさせることとなるとの解釈が可能である。
【００２２】
したがって、シリコン薄膜の低温での剥離を可能とすれば、当該剥離処理工程中での水素原子の拡散は著しく抑制されることとなり、高いドーズ量の水素イオン注入を施したとしてもＳＯＩ層の表面荒れを生じさせることはないはずである。
【００２３】
本発明者らはこのような仮設に立ち、種々のドーズ量で水素イオン注入を施してＳＯＩ層の表面荒れへの影響を調査したが、後述する低温剥離工程（３５０℃以下）を採用する限り、少なくとも４×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2までのドーズ量での表面荒れは認められなかった。
【００２４】
イオン注入層１１の単結晶Ｓｉ基板１０表面からの深さ（平均イオン注入深さＬ）はイオン注入時の加速電圧により制御され、どの程度の厚さのＳＯＩ層を剥離させるかに依存して決定されるが、例えば、平均イオン注入深さＬを０．５μｍ以下とし、加速電圧５０〜１００ｋｅＶなどとする。なお、Ｓｉ結晶中へのイオン注入プロセスにおいて注入イオンのチャネリング抑制のために通常行われているように、単結晶Ｓｉ基板１０のイオン注入面に予め酸化膜等の絶縁膜を形成させておき、この絶縁膜を通してイオン注入を施すようにしてもよい。
【００２５】
このようにしてイオン注入層１１を形成した単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０のそれぞれの接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施す（図１（Ｄ））。なお、このような表面処理は、接合面となる表面の有機物除去や表面上のＯＨ基を増大させて表面活性化を図るなどの目的で行われるものであり、単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０の双方の接合面に処理を施す必要は必ずしもなく、何れか一方の接合面にのみ施すこととしてもよい。
【００２６】
この表面処理をプラズマ処理により実行する場合には、予めＲＣＡ洗浄等を施した表面清浄な単結晶Ｓｉ基板および／または石英基板を真空チャンバ内の試料ステージに載置し、当該真空チャンバ内にプラズマ用ガスを所定の真空度となるように導入する。なお、ここで用いられるプラズマ用ガス種としては、単結晶Ｓｉ基板の表面処理用として、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスなどがあり、単結晶Ｓｉ基板の表面状態や目的などにより適宜変更され得る。
【００２７】
また、当該表面処理が単結晶Ｓｉ表面を酸化させることをも目的とするような場合には、少なくとも酸素ガスを含有するものをプラズマ用ガスとして用いる。なお、石英基板はその表面が酸化状態にあるため、このようなプラズマ用ガス種の選定に特別な制限はない。プラズマ用ガスの導入後、１００Ｗ程度の電力の高周波プラズマを発生させ、プラズマ処理される単結晶Ｓｉ基板および／または石英基板の表面に５〜１０秒程度の処理を施して終了する。
【００２８】
表面処理をオゾン処理で実行する場合には、予めＲＣＡ洗浄等を施した表面清浄な単結晶Ｓｉ基板および／または石英基板を酸素含有の雰囲気とされたチャンバ内の試料ステージに載置し、当該チャンバ内に窒素ガスやアルゴンガスなどのプラズマ用ガスを導入した後に所定の電力の高周波プラズマを発生させ、当該プラズマにより雰囲気中の酸素をオゾンに変換させ、処理される単結晶Ｓｉ基板および／または石英基板の表面に所定の時間の処理が施される。
【００２９】
このような表面処理が施された単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０の表面を接合面として密着させて貼り合わせる（図１（Ｅ））。上述したように、単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０の少なくとも一方の表面（接合面）は、プラズマ処理やオゾン処理などにより表面処理が施されて活性化しているために、室温で密着（貼り合せ）した状態でも後工程での機械的剥離や機械研磨に十分耐え得るレベルの接合強度を得ることができる。
【００３０】
これに続いて、貼り合わせた状態の基板を１５０℃以上３００℃以下の比較的低い温度で加熱する（図１（Ｆ））。この加熱処理は、シリコン基板１０と石英基板２０の両基板間の熱膨張係数差に起因する熱応力を生じさせてイオン注入層１１内のシリコン原子の化学結合を弱化させることを目的とするものである。
【００３１】
上述したように、本発明においては、比較的高いドーズ量８×１０16〜４×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2で水素イオンを注入しているから、イオン注入層１１内にはＳｉ−Ｈ結合や不対結合手を有するＳｉ原子が高密度で発生している。この状態で高温での熱処理を施してしまうと拡散現象によって表面荒れが生じることとなるため、熱処理温度を３００℃以下に設定している。
【００３２】
貼り合せ基板にこのような熱処理が施されると、シリコン結晶が石英よりも大きな熱膨張係数をもつことに起因して、貼り合せ基板の全面において両基板間に大きな応力が発生する。イオン注入層１１内の平均イオン注入深さＬに対応する領域に局在する「微小気泡層」には不対結合手をもつＳｉ原子や高密度のＳｉ−Ｈ結合が発生して原子結合状態は局所的に脆弱化された状態にあるから、この状態のイオン注入層１１に上述した基板間熱膨張係数差に起因する応力が付加されると、もともと脆弱な状態の化学結合は容易に切断されることとなってイオン注入層１１内のシリコン原子の化学結合は著しく弱化することとなる。しかも、３００℃以下という温度はシリコン結晶中での水素原子の拡散が顕著には生じない程度の低温であるから、従来法で問題とされていたＳＯＩ層の表面荒れが生じることもない。
【００３３】
本発明において熱処理温度を３００℃以下に設定するもう一つの理由は、単結晶Ｓｉと石英との熱膨張係数差と当該熱膨張係数差に起因する歪量、およびこの歪量と単結晶Ｓｉ基板１０ならびに石英基板２０の厚みを考慮したことによる。単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０の厚みが概ね同程度である場合、単結晶Ｓｉの熱膨張係数（２．３３×１０-6）と石英の熱膨張係数（０．６×１０-6）の間に大きな差異があるために、３２０〜３５０℃を超える温度で熱処理を施した場合には、両基板間の剛性差に起因して、熱歪によるクラックや接合面における剥離などが生じたり、極端な場合には単結晶Ｓｉ基板や石英基板が割れてしまうということが生じ得る。このような観点からも、熱処理温度の上限を３００℃と選択している。なお、熱処理温度が１５０℃未満の場合には、イオン注入層１１内のシリコン原子の化学結合の弱化に有効な程度の熱応力を得ることは困難であるため、熱処理温度の下限値を１５０℃と選択している。
【００３４】
このような熱処理に続いて、貼り合わされた基板に何らかの手法により外部衝撃を付与してシリコン薄膜を剥離し（図１（Ｇ））、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を得る（図１（Ｈ））。
【００３５】
ここで、シリコン薄膜の剥離のための外部からの衝撃付与の手法としては種々のものがあり得るが、１５０〜３００℃の上記熱処理によりイオン注入層１１内のシリコン原子の化学結合は既に弱化しているため、何れの手法を採用するにしてもその衝撃レベルは従来法に比較して著しく低いもので十分である。したがって、シリコン薄膜の機械的剥離によるダメージの導入は回避されることとなる。
【００３６】
図２は、シリコン薄膜剥離のための種々の手法を例示するための概念図で、図２（Ａ）は熱衝撃により剥離を行う例、図２（Ｂ）は機械的衝撃により剥離を行う例、そして図２（Ｃ）は振動衝撃により剥離を行う例を図示している。
【００３７】
図２（Ａ）において、符号３０は加熱部であり、この図では、ホットプレート３１の上に平滑面を有する加熱板３２を載せ、この加熱板３２の平滑面を、石英基板２０と貼り合わされた単結晶Ｓｉ基板１０の裏面に密着させるようにしている。加熱板３２にはダミーのシリコン基板を用いているが、平滑面が得られやすいもの（半導体基板やセラミック基板）であれば特に材料的な制限はない。シリコーンゴムなども加熱板材料として用いることも可能ではあるが、耐熱温度は２５０℃程度と考えられるのでそれ以上の温度での使用には適さない。また、ホットプレート３１の面が十分に平滑であれば特別に加熱板３２を用いることなく、ホットプレート３１そのものを「加熱板」としてもよい。
【００３８】
加熱板３２の温度を例えば３００℃の温度に保持し、この加熱板３２に石英基板２０と貼り合わされた単結晶Ｓｉ基板１０の裏面を密着させると熱伝導により単結晶Ｓｉ基板１０が加熱され、石英基板２０との間に温度差が生じる。上述したように、シリコン基板の熱膨張係数は石英基板の熱膨張係数よりも大きいため、貼り合わされた状態の単結晶Ｓｉ基板１０が裏面から加熱されると、単結晶Ｓｉ基板１０側の急激な膨張によって両基板間で大きな応力が発生し、この応力によってシリコン薄膜の剥離が生じることとなる。
【００３９】
図２（Ｂ）に図示した例では、機械的衝撃付与のために流体の噴出を利用しており、ガスや液体などの流体をノズル４０の先端部４１からジェット状に噴出させて単結晶Ｓｉ基板１０の側面から吹き付けることで衝撃を与えている。この他にも、ブレードの先端部をイオン注入層１１の近傍領域に押し当てるなどして衝撃を付与するなどの手法によることもできる。
【００４０】
さらに、図２（Ｃ）に図示したように、超音波発振器の振動板５０から発振される超音波で振動衝撃を付与してシリコン薄膜の剥離を生じさせるようにしてもよい。
【００４１】
このような一連のプロセスに従って得られたＳＯＩ基板の表面状態を評価したところ、局所的なシリコン薄膜の剥がれや剥離痕あるいは未転写領域といった欠陥もなく、極めて平坦な状態を呈していた。剥離後のＳＯＩ層表面の１０μｍ×１０μｍの領域を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定したところ、ＲＭＳの平均値は５ｎｍ以下と良好であった。また、ＳＯＩ層の基板面内バラつき（ＰＶ：Peak-to-Valley）は４ｎｍ以下であった。
【００４２】
このように、本発明においては、単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０との接合工程およびＳＯＩ層の剥離工程の何れの工程においても、ＳＯＩ層にダメージが導入される虞のある機械的剥離処理を必要とせず、しかも、一貫して低温（３００℃以下）での処理が可能であるため、膜厚均一性、結晶性、電気的諸特性（キャリア移動度など）に優れたＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を提供することが可能となることに加え、ＳＯＩ基板の製造工程の安定化と簡易化の観点から極めて有利である。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明によれば、単結晶シリコン基板と石英基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板（ＳＯＱ基板）を製造する工程において、基板間の熱的諸特性の相違に起因する割れや局所的クラック等および機械的ダメージのＳＯＩ層への導入を回避することが可能となる。その結果、膜厚均一性、結晶性、電気的諸特性（キャリア移動度など）に優れたＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明のＳＯＩ基板の製造プロセス例を説明するための図である。
【図２】シリコン薄膜剥離のための熱処理の様子を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０  単結晶Ｓｉ基板
１１  イオン注入層
１２  ＳＯＩ層
１３  バルク部
２０  石英基板
３０  加熱部
３１  ホットプレート
３２  加熱板
４０  ノズル
４１  ノズル先端部
５０  超音波発振器の振動板
【図１】
2007214478.tif 000003
【図２】
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