(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコンチップ上面電極の配線に板状金属を用いた半導体装置において、シリコンチップの上面電極と配線部材の接合部の接続信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板の表面に配線パターンが形成された回路基板８と、前記回路基板８に搭載されたシリコンチップ４と、前記シリコンチップ４の上面電極と前記配線パターンとを電気的に接続する板状配線と、少なくとも前記シリコンチップ４及び板状配線を封止する封止樹脂１０とを有し、前記板状配線が連続した空孔を有する金属であり、前記空孔に融点が１３０℃以上５００℃以下のはんだと、前記封止樹脂１０が充填されている半導体装置を特徴とする。【選択図】図１
2007311582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面に配線パターンが形成された回路基板と、前記回路基板に搭載されたシリコンチップと、前記シリコンチップの上面電極と前記配線パターンとを電気的に接続する板状配線と、少なくとも前記シリコンチップ及び板状配線を封止する封止樹脂とを有し、
前記板状配線が連続した空孔を有する金属であり、前記空孔に融点が１３０℃以上500℃以下のはんだと、前記封止樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、前記板状配線を構成する金属は、前記はんだよりも融点，縦弾性係数、及び熱伝導率が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、前記板状配線を構成する金属の室温における熱伝導率が７０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、前記板状配線は、Ｃｕ，Ｃｕ合金、Ｎｉ，Ｎｉ合金、Ａｌ，Ａｌ合金、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ、または、ステンレス鋼の中の一つから選ばれた、空孔率が５０％以上９８％以下の金属であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、前記板状配線を構成する金属がステンレス鋼であり、前記ステンレス鋼の表面にＮｉめっき層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、前記回路基板と熱的に接続された放熱基板を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、前記回路基板の配線パターンが形成された面とは反対側の面に形成された金属層を有し、前記放熱基板が接着剤を介して前記金属層と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、前記回路基板の配線パターンが形成された面とは反対側の面に接続された第１の放熱基板と、
前記板状配線のシリコンチップと接続された面とは反対側の面に絶縁層を介して接続された第２の放熱基板とを有し、
前記封止樹脂は、前記第１及び第２の放熱基板の少なくとも一部を外部に露出するように前記回路基板，シリコンチップ及び板状配線を封止していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記第１または第２の放熱基板の露出部に熱伝導グリスを介して、請求項８に記載の半導体装置をＡｌ製筐体又は放熱フィンに搭載したことを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
絶縁基板の表面に配線パターンが形成された回路基板と、前記回路基板に搭載されたシリコンチップと、前記シリコンチップの上面電極と前記配線パターンとを電気的に接続する板状配線と、少なくとも前記シリコンチップ及び板状配線を封止する封止樹脂とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記シリコンチップの上面電極と、連続した空孔を有する前記板状配線との間に融点が１３０℃以上５００℃以下のはんだを配置し、リフローにより前記空孔に前記はんだを含浸させ、前記はんだと前記板状配線を一体化させる工程と、
少なくとも前記シリコンチップ及び板状配線を樹脂封止し、前記板状配線の前記はんだが含浸されていない空孔に樹脂を充填させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、前記はんだが板はんだであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、前記はんだがフラックス成分を含むペーストはんだであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、前記板状配線に前記はんだよりも融点，縦弾性係数、及び熱伝導率が高い金属を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
絶縁基板の表面に配線パターンが形成された回路基板と、前記回路基板に搭載されたシリコンチップと、前記シリコンチップの上面電極と前記配線パターンとを電気的に接続する板状配線と、少なくとも前記シリコンチップ及び板状配線を封止する封止樹脂とを有する半導体装置の製造方法であって、
連続した空孔を有する前記板状配線の前記シリコンチップの上面電極と接合される領域の空孔部に融点が１３０℃以上５００℃以下のはんだを含浸させ、前記シリコンチップの上面電極上に前記板状配線を配置し、リフローにより前記空孔に含浸したはんだを介して、前記上面電極と前記板状配線とを接合する工程と、
少なくとも前記シリコンチップ及び板状配線を樹脂封止し、前記板状配線の前記はんだが含浸されていない空孔に樹脂を充填させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、前記板状配線に前記はんだよりも融点，縦弾性係数、及び熱伝導率が高い金属を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのシリコンチップ上面電極の配線に板状金属を用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
モータの制御装置用などの低圧系モジュールやインバータ用などの高圧系モジュールなどに代表される半導体装置においては、近年の小型化，高性能化の要求から、半導体装置中の電流容量は増加する傾向にある。半導体装置の高電流容量化に伴い、発熱量は増加するため、半導体装置の高放熱化、及び接合部の長寿命化がより重要となっている。
【０００３】
接合部を長寿命化する技術の一つに、接合部のはんだ厚さの均一化がある。該はんだ厚さを均一化する手法として、はんだ中にニッケル（Ｎｉ）球を入れる方法が開示されている。
【０００４】
しかし、前記シリコンチップ上面、または下面の少なくとも一方に、前記ニッケル
（Ｎｉ）球が一つだけ入った場合、前記シリコンチップが割れるという課題がある。また、前記ニッケル（Ｎｉ）球近傍にて応力が集中し、該ニッケル（Ｎｉ）球近傍からき裂が進展し、半導体装置が通電不良となる課題がある。
【０００５】
一方、半導体装置の高放熱化技術として、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのシリコンチップ上面電極の配線に板状金属を用いる技術が開示されている（例えば、特許文献１）。前記シリコンチップ上面電極の配線にアルミ（Ａｌ）などのワイヤを用いて配線するのではなく、銅（Ｃｕ）や銅（Ｃｕ）合金などの板状金属を配線材として用いることにより、電気的な配線のほか、熱的にも配線される。その結果、配線材として前記板状金属を用いることで前記アルミ（Ａｌ）などのワイヤを用いた配線にはない、新たな放熱経路が設けられ、前記シリコンチップに通電することで発せられた熱を効率よく放熱することが可能である。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２４３６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、一般的に前記シリコンチップ上面電極は複数の電極パッドに分割されており、各パッド間にははんだが濡れず、空洞となっている。前記空洞部に熱応力が集中することなどの原因から、前記複数の電極パッドに分割された、シリコンチップ上面と前記板状金属の接合部は、前記シリコンチップ下面と回路基板間など他の接合部より寿命が短く、半導体装置の寿命を短くするという課題がある。
【０００８】
本発明は、上記課題を踏まえ、シリコンチップの上面電極の配線に板状金属を用いた半導体装置において、シリコンチップの上面電極と配線部材の接合部の接続信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の上記課題を解決するための第一の手段は、絶縁基板の表面に配線パターンが形成された回路基板と、前記回路基板に搭載されたシリコンチップと、前記シリコンチップの上面電極と前記配線パターンとを電気的に接続する板状配線と、少なくとも前記シリコンチップ及び板状配線を封止する封止樹脂とを有し、前記板状配線が連続した空孔を有する金属であり、前記空孔に融点が１３０℃以上５００℃以下のはんだと、前記封止樹脂が充填されている半導体装置を特徴とする。
【００１０】
また、本発明の第二の手段は、絶縁基板の表面に配線パターンが形成された回路基板と、前記回路基板に搭載されたシリコンチップと、前記シリコンチップの上面電極と前記配線パターンとを電気的に接続する板状配線と、少なくとも前記シリコンチップ及び板状配線を封止する封止樹脂とを有する半導体装置の製造方法であって、前記シリコンチップの上面電極と、連続した空孔を有する前記板状配線との間に融点が１３０℃以上５００℃以下のはんだを配置し、リフローにより前記空孔に前記はんだを含浸させ、前記はんだと前記板状配線を一体化させる工程と、少なくとも前記シリコンチップ及び板状配線を樹脂封止し、前記板状配線の前記はんだが含浸されていない空孔に樹脂を充填させる工程とを有する半導体装置の製造方法を特徴とする。
【００１１】
また、本発明の第三の手段は、連続した空孔を有する前記板状配線の前記シリコンチップの上面電極と接合される領域の空孔に融点が１３０℃以上５００℃以下のはんだを含浸させ、前記シリコンチップの上面電極上に前記板状配線を配置し、リフローにより前記空孔に含浸したはんだを介して、前記上面電極と前記板状配線とを接合する工程と、少なくとも前記シリコンチップ及び板状配線を樹脂封止し、前記板状配線の前記はんだが含浸されていない空孔に樹脂を充填させる工程とを有する半導体装置の製造方法を特徴とする。
【００１２】
このように、板状配線として、連続した空孔を有する金属を用いて、空孔内に融点が
１３０℃以上５００℃以下のはんだと樹脂を充填させた構造とすることによって、従来の板状配線を用いた半導体装置と比較して、接続信頼性を大幅に向上させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、シリコンチップの上面電極の配線に板状金属を用いた半導体装置において、シリコンチップの上面電極と配線部材の接合部の接続信頼性に優れた半導体装置並びにその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の半導体装置について説明する。まず、本発明で用いる板状配線について説明する。融点が１３０℃以上５００℃以下のペーストはんだを、前記ペーストはんだより融点，熱伝導率、及び弾性率が高い金属で、かつ連続する空孔を有する金属に室温で充填し、望ましくは、シリコンチップ上面電極や回路基板などと配線しない、前記はんだを充填した連続する空孔を有する金属の表面にある余分な前記ペーストはんだを除去した、はんだと連続する空孔を有する金属からなる、板状配線材を作製しておく。次に、回路基板等にシリコンチップや板状配線材、その他の部材を搭載し、リフローを行うことで、該ペーストはんだと該連続する空孔を有する金属を一体化すると同時に、該配線材を前記シリコンチップ上面電極、及び前記回路基板等の被配線材に配線する。その後、絶縁樹脂にて封止し、前記配線材のはんだを含まない空孔に、前記絶縁樹脂組成物を含浸させる。
【００１５】
融点が１３０℃以上５００℃以下の板はんだを、前記板はんだより融点，熱伝導率、及び弾性率が高い金属で、かつ連続する空孔を有する金属とシリコンチップなどの被配線材との間に設置する。次に、リフローを行い、該板はんだと、該連続する空孔を有する金属を一体化させると同時に、前記はんだと一体化した連続する空孔を有する金属を前記シリコンチップ上面電極、及び前記回路基板等に配線する。その後、絶縁樹脂にて封止し、前記はんだと一体化した連続する空孔を有する金属のはんだを含まない空孔に、前記絶縁樹脂組成物を含浸させる。
【００１６】
連続する空孔を有する金属としては、Ｃｕ，Ｃｕ合金、Ｎｉ，Ｎｉ合金、Ａｌ，Ａｌ合金、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，ステンレス鋼の中から選ばれた一つの金属で、該金属の空孔率が５０％以上９８％以下である金属を使用する。なお、連続する空孔を有する金属がステンレス鋼である場合は、該ステンレス鋼の表面をニッケル（Ｎｉ）メッキすることが好ましい。
【００１７】
また、連続する空孔を有する金属は、室温における熱伝導率が７０Ｗ／ｍＫ以上の金属で、望ましくは室温における熱伝導率が２００Ｗ／ｍＫ以上である金属を用いることにより、前記はんだ，連続する空孔を有する金属，絶縁封止樹脂組成物からなる、配線材の熱伝達率を３０Ｗ／ｍＫ以上とすることができる。かかる結果、該配線材を有効な放熱経路として、該配線材と前記シリコンチップ上面電極間の接合部の長寿命化と高放熱化を同時に満足させる。
【００１８】
配線材に用いる、連続する空孔を有する金属の空孔率は低くなるほど、該配線材の熱伝達率は高くなる。しかし、空孔率が低くなりすぎると、該配線材に含浸されるはんだと、該連続する空孔を有する金属が、硬くて脆い合金層を形成し、かつ熱伝導率が低くなる。そのため、本発明では、連続する空孔を有する金属の空孔率を５０％以上と規定する。
【００１９】
また、き裂進展に関する観点からは、従来のはんだのみを用いて接合と比較して、前記連続する空孔を有する金属に、はんだが含浸させられているため、き裂進展経路が複雑化し、き裂進展速度が抑制される。さらに、はんだが被配線材の端部に濡れ広がることがないため、半導体装置の耐圧信頼性も向上する。
【００２０】
前記連続する空孔を有する金属に、前記金属より融点，熱伝導率、及び弾性率が低いはんだを含浸させる方法は前記の二種類に限定するのではなく、例えばはんだを溶融させた槽中に前記連続する空孔を有する金属を浸漬させて、はんだを含浸させてもよい。
【００２１】
本発明の配線材の効果は、以下である。まず、融点が１３０℃以上５００℃以下のはんだと、前記はんだより融点，熱伝導率、及び弾性率が高い金属で、かつ連続する空孔を有する金属を一体化することにより、電気的、及び熱的な配線が可能となる配線材が作製される。その後、絶縁樹脂にて封止することで、該配線材のはんだを含まない空孔に、前記絶縁樹脂組成物が含浸させられることで、前記絶縁樹脂組成物と該配線材が一体化させられる。前記絶縁樹脂組成物との一体化により、半導体装置を封止している絶縁樹脂と配線材の密着性が極めて高い配線材を提供できる。
【００２２】
絶縁封止樹脂は半導体装置内に搭載させている、回路基板やシリコンチップ等の部材を拘束することにより、前記部材間の線膨張係数差に起因する熱応力等によるひずみを抑制している。そのため、前記絶縁封止樹脂と、前記配線材とを一体化させることにより、前記シリコンチップ上面電極と前記配線材間も拘束される。かかる結果、前記シリコンチップ上面電極と前記配線材間の接合部を長寿命化できる。
【実施例１】
【００２３】
以下に本発明を具体化した、第一の実施例を図面に従って用いて説明する。図１は、本実施の形態における半導体装置の縦断面図である。
【００２４】
シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４には、その上面にソース電極（図示せず）およびゲート電極（図示せず）が設けられ、下面にはドレイン電極（図示せず）が設けられている。図１において、シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４のソース電極は配線材１、ドレイン電極は回路基板８に、それぞれ電気的，熱的に接続されている。また前記シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４のゲート電極はアルミワイヤ３により電気的に回路基板８に接続されている。さらに、回路基板８の裏面側の銅薄板７は、はんだを介して放熱基板９と熱的に接続されている。
【００２５】
本実施例では、空孔率が８７％の銅（Ｃｕ）の多孔質金属にペースト状のスズ（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）―銅（Ｃｕ）からなるはんだ、及びエポキシ系絶縁封止樹脂組成物を含浸させた配線材を用いた。
【００２６】
本実施例の半導体装置は、以下の方法で作成した。まず、セラミックス絶縁基板６の片面に銅配線５、他方の面に銅薄板７が形成された回路基板８の所定の位置にはんだ接合層２を介してシリコンチップ４を搭載する。次に、上面電極，銅配線５の表面にペースト状のスズ（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）―銅（Ｃｕ）からなるペースト状はんだを形成し、上面電極と銅配線５が電気的に接続されるように配線材１を配置する。また、放熱基板９の上にはんだ接合材を介在させて、回路基板８の銅薄板７が対向するように配置する。この状態で、リフローすることで、放熱基板９と回路基板８，回路基板８とシリコンチップ４，配線材１とシリコンチップ４及び回路基板８とを一括で接合する。この際、配線材１の空孔にはんだが充填される。次に、配線材１，シリコンチップ４，回路基板８，放熱基板９を樹脂封止することで、図１の半導体装置を得た。ここで、樹脂封止の工程において、配線材１のはんだが充填されていない空孔に樹脂が充填された構造となる。
【００２７】
図２に公知の銅（Ｃｕ）製板状金属と、本発明の配線材について、弾性率と熱伝導率の関係を示す。図２に示すように、本発明の配線材は、銅（Ｃｕ）より弾性率の低いはんだを、銅（Ｃｕ）の多孔質金属に含浸させることで、銅（Ｃｕ）製板状金属より弾性率が低く、熱膨張率が高くなる。弾性率が低くなることで、封止樹脂の流動を阻害しにくくなる。一方、熱膨張率が高くなるが、樹脂にて拘束されるため、前記配線材と前記シリコンチップ上面間の接合部に作用する熱応力は増加しない。
【００２８】
図３にシリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４のソース電極と本発明の配線材１の接合部縦断面を拡大表示する。図３に示すように、本実施例では、前記接合部の配線材断面積の
２０％以下に前記絶縁封止樹脂が含浸される。本実施例では、前記配線部位以外においても、はんだが含浸されているが、はんだが含浸されていなくてもよい。
【００２９】
以上のごとく、はんだが、前記はんだより熱伝導率，弾性率、及び融点が高い金属で、かつ連続する空孔を有する金属に含浸させられた配線材を用いて、シリコンチップ上面電極と回路基板を配線した後、絶縁樹脂にて封止することで、従来の板状金属による配線後、絶縁樹脂にて封止した場合に比べ、絶縁封止樹脂との接着性を向上できる。その結果、シリコンチップと配線材との間の接合部に作用する応力が緩和される。また、公知の板状金属をはんだで接合する場合より、接合部のき裂進展経路が複雑になるため、き裂進展速度の抑制できる。かかる結果、接合部の長寿命化が実現する。
【００３０】
本実施例では、配線材中に空孔率が８７％の銅（Ｃｕ）の多孔質金属を用いたが、前記金属の空孔率が低くなるほど、該配線材の熱伝達率は高くなる。
【００３１】
さらに、接合部端部に着目すると、本発明の配線材を用いることで、はんだが該配線材に含浸させられているため、シリコンチップ上面電極などの被接合部位以外まで濡れ広がることがないため、半導体装置の耐圧信頼性も向上させうる。
【００３２】
なお、本実施例では、各部材を一括で搭載するプロセスとしたが、各はんだ材の融点に温度階層を持たせて、例えば、回路基板とシリコンチップ裏面電極（下面側）との接合、配線材とシリコンチップ上面電極，回路基板との接合，回路基板との放熱基板との接合の順で接合しても良い。
【実施例２】
【００３３】
以下に本発明を具体化した、第二の実施例を図面に従って用いて説明する。図４は、本実施の形態における半導体装置の縦断面図である。
【００３４】
シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４には、その上面にソース電極（図示せず）およびゲート電極（図示せず）が設けられ、下面にはドレイン電極（図示せず）が設けられている。図４において、シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４のソース電極は配線材１３、ドレイン電極は銅配線５に、それぞれ電気的，熱的に接続されている。また前記シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４のゲート電極はアルミワイヤ３により電気的に銅配線５に接続されている。さらに銅配線５は樹脂絶縁層１４を介して放熱基板９と熱的に接続されている。
【００３５】
本実施例では、次の方法で配線材を作製した。まず、空孔率が８６％の連続する空孔を有するニッケル（Ｎｉ）とシリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４の間にスズ（Ｓｎ）−銀
（Ａｇ）―銅（Ｃｕ）からなる板はんだを設置する。他の部材を搭載する際のリフローにより、前記連続する空孔を有するニッケル（Ｎｉ）と溶融した前記板はんだを一体化させる。その後、絶縁樹脂にて半導体装置を封止することで前記はんだと一体化した連続する空孔を有するニッケル（Ｎｉ）中の空孔に、絶縁封止樹脂組成物が含浸される。かかる構成の部材を配線材１３とする。
【００３６】
以上のごとく、板はんだが、前記板はんだより熱伝導率，弾性率、及び融点が高い金属で、かつ連続する空孔を有する金属に含浸させられた配線材を用いて、シリコンチップ上面電極と回路基板を配線した後、絶縁樹脂にて封止することで、従来の板状金属により電気的に配線し、絶縁樹脂にて封止した場合と比べ、絶縁封止樹脂との接着性を向上できる。その結果、シリコンチップと配線材との間の接合部に作用する応力が緩和される。また、公知の板状金属をはんだで接合する場合より、き裂進展経路が複雑になるため、き裂進展速度の抑制できる。かかる結果、接合部の長寿命化が実現する。
【実施例３】
【００３７】
以下に本発明を具体化した、第三の実施例を図面に従って用いて説明する。図５は、本実施の形態における半導体装置の縦断面図である。
【００３８】
図５において、シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４のソース電極、及びドレイン電極は、それぞれ配線材１６，銅配線５に、電気的に接続されている。また前記シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４のゲート電極はアルミワイヤ３により電気的に銅配線５に接続されている。また銅配線５は樹脂絶縁層１４を介して放熱基板９と熱的に接続されている。また、シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４の上部に位置する配線材１６の平坦部に第二の放熱板１５が樹脂絶縁層１４を介して熱的に接続されている。
【００３９】
本実施例では、前記シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４上面のソース電極と銅配線５との電気的接続に、空孔率が８７％の銅の多孔質金属にペースト状のスズ（Ｓｎ）−銀
（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）からなるはんだを含浸させ、絶縁封止樹脂組成物を含浸させたものを配線材１６として用いた。
【００４０】
通電によりシリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４から生じた熱量は、該シリコンチップ
（ＭＯＳＦＥＴ）４の下方向に伝導されるほか、該シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）４の上方向にある配線材１６、及び第二の放熱板１５に伝導され、半導体装置の放熱性が向上される。かかる結果、公知の板状金属を配線材に用いた場合の、シリコンチップと前記板状金属の間の接合層寿命より、本発明の配線材を用いた場合、接合層の長寿命化すると同時に高放熱化が同時に実現する。
【００４１】
本実施例の形態は、図７に示すように、放熱基板９，放熱板１５の少なくとも一つが、熱伝導グリスを介して、モータのアルミニウム（Ａｌ）製筐体１８に熱的に接続されていてもいい。また図８に示すように、前記放熱基板９，放熱板１５の少なくとも一つに放熱フィン１９が設けられ、直接冷却液にて冷却してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の配線材は電動パワーステアリング用モータの制御装置用などの低圧系モジュールや、インバータ用などの高圧系モジュールなどに代表される半導体装置のなかで、絶縁樹脂にて封止される半導体装置全般に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】第一実施例に係る半導体装置の要部縦断面図である。
【図２】第一実施例に係る配線材の弾性率と熱膨張率の関係図である。
【図３】第一実施例に係る半導体装置のシリコンチップから配線材上端までの縦断面図である。
【図４】第二実施例に係る半導体装置の要部縦断面図である。
【図５】第三実施例に係る半導体装置の要部断面図である。
【図６】第三実施例に係る半導体装置のシリコンチップから配線材上端までの縦断面図である。
【図７】アルミ筐体に熱的に接続した第三実施例に係る半導体装置の要部縦断面図である。
【図８】放熱フィンに接続した第三実施例に係る半導体装置の要部縦断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…銅（Ｃｕ）の多孔質体とはんだ、絶縁封止用の樹脂からなる配線材、２…はんだ接合層、３…ゲート電極配線用アルミワイヤ、４…シリコンチップ（ＭＯＳＦＥＴ）、５…銅配線、６…セラミクス絶縁層、７…銅薄板、８…回路基板、９…放熱基板、１０…樹脂、１１…配線材１中のはんだの含浸部位、１２…配線材１中の絶縁封止用樹脂の含浸部位、１３…ニッケル（Ｎｉ）の多孔質体とはんだ、絶縁封止用の樹脂からなる配線材、１４…樹脂絶縁層、１５…第二の放熱板、１６…シリコンチップ４の上面が両面配線可能に調整した、銅（Ｃｕ）の多孔質体とはんだ絶縁封止用の樹脂からなる配線材、１７…熱伝導グリス、１８…アルミ筐体、１９…放熱フィン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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