(57)【要約】【課題】電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】（ａ）基板上にカソード電極を形成する工程と、（ｂ）カソード電極上にエミッタをパターニングして形成する工程と、（ｃ）エミッタが形成された基板構造物の表面に感光性ガラスペーストを塗布して乾燥させ、エミッタを埋め込む感光性ガラスペースト層を形成する工程と、（ｄ）（ｃ）工程の結果物である感光性ガラスペースト層を露光、現像及び焼成工程を経てパターン化してゲート絶縁層を形成する工程と、を含む。【選択図】図３
2007188874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上にカソード電極を形成する工程と、
（ｂ）前記カソード電極上にエミッタをパターニングして形成する工程と、
（ｃ）前記エミッタが形成された基板構造物の表面に感光性ガラスペーストを塗布して乾燥させ、前記エミッタを埋め込む感光性ガラスペースト層を形成する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の結果物を前記感光性ガラスペースト層の露光、現像及び焼成工程を経てパターン化してゲート絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項２】
前記カソード電極は、基板に平行な方向に伸延するライン形状のパターンであることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項３】
前記エミッタは、炭素ナノチューブエミッタであることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項４】
前記ゲート絶縁層の上面にゲート電極を形成する工程をさらに含むことによって、３極構造を形成することを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法によって製造された電子放出素子。
【請求項６】
所定間隔で平行に配置された上部基板及び下部基板と、
前記上部基板に形成されたアノード電極と、
前記アノード電極上に所定厚さに形成された蛍光層と、
前記上部基板と前記下部基板との間に介在された請求項５に記載の電子放出素子と、を備えることを特徴とする電子放出型のバックライト装置。
【請求項７】
所定間隔で平行に配置された上部基板及び下部基板と、
前記上部基板に形成されたアノード電極と、
前記アノード電極上に所定厚さに形成された蛍光層と、
前記上部基板と前記下部基板との間に介在された請求項５に記載の電子放出素子と、を備えることを特徴とする電子放出ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子の製造方法、それを利用して製造した電子放出素子、前記電子放出素子を備えるバックライト装置及び電子放出ディスプレイ装置に係り、さらに詳細には、感光性ガラスペーストを使用して、工程が単純化された電子放出素子の製造方法、それを利用して製造した電子放出素子、前記電子放出素子を備えるバックライト装置及び電子放出ディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、電子放出素子は、電子放出源として熱陰極を利用する方式と冷陰極を利用する方式とがある。冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、ＦＥＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｔｔｅｒ Ａｒｒａｙ）型、ＳＣＥ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｍｉｔｔｅｒ）型、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）型及びＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）兄、ＢＳＥ（Ｂａｌｌｉｓｔｉｃｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ）型が知られている。
【０００３】
前記ＦＥＡ型は、仕事関数が低いか、またはベータ関数が高い物質を電子放出源として使用した場合に、真空中での電界差によって容易に電子が放出されるという原理を利用したものであって、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）などを主材質とする先端がとがっているチップ構造物やグラファイト、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）などの炭素系物質、そして、最近では、ナノチューブやナノワイヤなどのナノ物質を電子放出源として適用した素子が開発されている。
【０００４】
前記ＳＣＥ型は、第１基板上に相互に対向して配置された第１電極と第２電極との間に導電薄膜を設け、前記導電薄膜に微細亀裂を設けることによって、電子放出源を形成した素子である。前記素子は、前記電極に電圧を印加して前記導電薄膜の表面に電流を流して微細亀裂である電子放出源から電子が放出されるという原理を利用したものである。
【０００５】
前記ＭＩＭ型とＭＩＳ型の電子放出素子は、それぞれ金属−誘電層−金属（ＭＩＭ）と金属−誘電層−半導体（ＭＩＳ）構造の電子放出源を形成し、誘電層を介して位置する二つの金属または金属と半導体との間に電圧を印加する時に高い電子電位を有する金属または半導体から、低い電子電位を有する金属方向に電子が移動及び加速しつつ放出されるという原理を利用した素子である。
【０００６】
前記ＢＳＥ型は、半導体のサイズを半導体中の電子の平均自由行程より小さな寸法領域まで縮少すれば、電子が散乱せずに走行するという原理を利用して、オーミック電極上に金属または半導体からなる電子供給層を形成し、電子供給層上に絶縁体層と金属薄膜とを形成して、オーミック電極と金属薄膜とに電源を印加することによって電子を放出させるようにした素子である。
【０００７】
このうち、ＦＥＡ型の電子放出素子は、カソード電極及びゲート電極の配置形態によって、トップゲート型とアンダーゲート型とに大別され、使われる電極の数によって、２極型、３極型または４極型に分けられる。
【０００８】
前述したような電子放出素子のうち、電子を放出させる電子放出源をなす物質として、カーボン系物質、例えば、伝導性に優れ、電界集中効果が優秀であり、仕事関数が低く、かつ電子放出特性に優れたカーボンナノチューブが使われうる。
【０００９】
１９９１年に炭素ナノチューブを発見した以後、最近炭素ナノチューブを電子放出に適用するための多くの研究が進められつつある。一般的に、炭素ナノチューブを含む炭素系列物質をシリコンまたはガラス基板上に形成させる。
【００１０】
従来の炭素ナノチューブＦＥＤの２極構造は、絶縁層やゲートのような３極構造の積層が備えられる必要がないので、容易に製作できた。しかし、単純な２極構造としては、放出電子を制御し難いので、ディスプレイ装置としての機能を円滑に行うことが難しかった。
【００１１】
また、これまで、ガラス基板を利用した３極炭素ナノチューブＦＥＤの構造は、完全に具現されていないのが実情である。従来の３極炭素ナノチューブＦＥＤの構造は、ガラス基板を使用してカソード及びゲート電極をマトリックス状に半導体工程またはプリンティング方法を利用して製作した。このような場合、過電圧及び過電流によって各構造の維持が難しく損傷が生じる場合が多く、さらに根本的には、３極炭素ナノチューブＦＥＤの構造自体を製作し難いという問題点があった。
【００１２】
一方、従来の電子放出素子の一般的な製造方法は、次の通りである。
【００１３】
基板にカソード電極を形成する。カソード電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）物質の蒸着及びフォトリソグラフィ法によってパターニングされる。前記カソード電極上にゲート絶縁層を形成する。ゲート絶縁層は、カソード電極が部分的に露出される貫通孔を有する。このようなゲート絶縁層は、例えば、スクリーンプリント法によって形成されうる。前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する。ゲート電極は、前記貫通孔に対応するゲートホールを有し、薄膜形成工程または厚膜形成工程によって金属物質の蒸着及びパターニングまたは金属ペーストのスクリーンプリンティングによって形成される。しかし、このような従来の技術による電子放出素子の製造は、薄膜工程を採用する場合には、高コストの装備を使用するので、コストが高くなり、厚膜工程を採用する場合には、まだその材料及び工程が確立されていないという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、前記問題点を含む様々な問題点を解決するためになされたものであり、工程を単純化させて生産費を低減させうる電子放出素子の製造方法、それにより製造された電子放出素子、それを適用したバックライト装置及び電子放出ディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、前記目的を達成するための第１態様で、（ａ）基板上にカソード電極を形成する工程と、（ｂ）前記カソード電極上にエミッタをパターニングして形成する工程と、（ｃ）前記エミッタが形成された基板構造物の表面に感光性ガラスペーストを塗布して乾燥させ、前記エミッタを埋め込む感光性ガラスペースト層を形成する工程と、（ｄ）前記（ｃ）工程の結果物を前記感光性ガラスペースト層の露光、現像及び焼成工程を経てパターン化してゲート絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法を提供する。
【００１６】
前記電子放出素子の製造方法は、前記ゲート絶縁層の上面にゲート電極を形成する工程をさらに含むことによって、３極構造を形成しうる。
【００１７】
また、本発明は、前記他の目的を達成するための第２態様で、前記電子放出素子の製造方法によって製造された電子放出素子を提供する。
【００１８】
また、本発明は、前記さらに他の目的を達成するための第３態様で、所定間隔で平行に配置された上部基板及び下部基板と、前記上部基板に形成されたアノード電極と、前記アノード電極上に所定厚さに形成された蛍光層と、前記上部基板と前記下部基板との間に介在された本発明による電子放出素子と、を備えることを特徴とするバックライト装置を提供する。
【００１９】
また、本発明は、前記さらに他の目的を達成するための第４態様で、所定間隔で平行に配置された上部基板及び下部基板と、前記上部基板に形成されたアノード電極と、前記アノード電極上に所定厚さに形成された蛍光層と、前記上部基板と前記下部基板との間に介在された本発明による電子放出素子と、を備えることを特徴とする電子放出ディスプレイ装置を提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による電子放出素子の製造方法は、工程が従来の技術に比べて減少し、自己整列方法によることによって、工程を単純化してコスト低減の効果をもたらす。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付された図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
【００２２】
本発明は、（ａ）基板上にカソード電極を形成する工程と、（ｂ）前記カソード電極上にエミッタをパターニングして形成する工程と、（ｃ）前記エミッタが形成された基板構造物の表面に感光性ガラスペーストを塗布して乾燥させ、前記エミッタを埋め込む感光性ガラスペースト層を形成する工程と、（ｄ）前記（ｃ）工程の結果物を前記感光性ガラスペースト層の露光、現像及び焼成工程を経てパターン化してゲート絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法を提供する。
【００２３】
図１Ａないし図１Ｅは、本発明の望ましい第１実施形態による電子放出素子の製造方法を概略的に示す図面である。以下、本発明による電子放出素子の製造方法を図１Ａないし図１Ｅを参照して説明する。
【００２４】
図１Ａに示したように、基板１０上にカソード電極１１を形成する。前記基板１０は、一般的に、ガラス基板が使われうる。そして、前記カソード電極１１は、透明な導電性物質、例えば、ＩＴＯからなる。
【００２５】
具体的には、基板１０上にカソード電極層を蒸着した後、それを所定形状、例えば、ライン形状にパターニングして基板に平行な方向に伸延するライン形状のカソード電極１１を形成する。望ましくは、前記カソード電極は、ライン形状である。
【００２６】
図１Ｂに示したように、前記カソード電極１１上にエミッタを積層してエミッタ層を形成する。前記エミッタ層として、望ましくは、炭素ナノチューブエミッタを使用する。カソード電極１１上に炭素ナノチューブを積層する工程は、一般的に使用する２つの方法を何れをも使用しうる。すなわち、ペースト状の炭素ナノチューブを前記カソード電極１１上に塗布してもよく、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を使用して炭素ナノチューブをカソード電極１１上で成長させてもよい。炭素ナノチューブペーストをカソード電極１１上に塗布する場合、単一壁炭素ナノチューブ（ＳＷＮＴ：Ｓｉｎｇｌｅ Ｗａｌｌ ＮａｎｏＴｕｂｅ）と多重壁炭素ナノチューブ（ＭＷＮＴ：Ｍｕｌｔｉ Ｗａｌｌ ＮａｎｏＴｕｂｅ）との何れをも使用することが可能である。
【００２７】
前記カソード電極１１上にエミッタ層を形成した後には、前記エミッタ層を所望のエミッタパターンによってパターニングしてエミッタ１２を形成する。このようなパターニングは、公知の任意の技術によって行なわれ、一例として説明すれば、次の通りである。
【００２８】
透明基板１０の下部にマスク（図示せず）を整列して前記透明基板１０に向かってＵＶを照射する。前記マスクには、所望のエミッタパターンに対応するパターンがあらかじめ形成されている。したがって、前記マスクを通じてＵＶを照射すれば、前記エミッタ層は、マスクのパターンによって感光される。最後に、例えば、アセトンを利用して前記エミッタ層を洗浄すれば、図１Ｂに示したような電子放出素子用のエミッタ１２が完成される。
【００２９】
図１Ｃに示したように、前記エミッタ１２が形成された基板構造物の表面に前記エミッタ１２を埋め込むように感光性ガラスペースト１３ａを塗布する。これを乾燥して得られた結果物を裏面露光する。これにより、エミッタの上部に存在する感光性ガラスペーストは、露光されていない領域として残っており、残りの部分の感光性ガラスペーストは、露光された領域となる。このとき、望ましくは、２００ないし５００ｍＪ／ｃｍ２の強度で露光させる。
【００３０】
感光性ガラスペーストは、ガラス粉末、感光性樹脂及び溶剤を含有するペースト相組成物である。
【００３１】
ガラス粉末の具体例としては、（１）酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カルシウム（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣａＯ系）（２）酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素（ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系）（３）酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）（４）酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２）（５）酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化チタン（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系）などを例示しうる。また、これらのガラス粉末には、例えば、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化マンガンなどの無機酸化物化合物粉末を混合して使用してもよい。
【００３２】
前記感光性樹脂は、電子放出源のパターニングに使われる物質であって、このような感光性樹脂の具体的な例としては、これに制限されるものではないが、熱分解性アクリレート系列のモノマー、ベンゾフェノン系モノマー、アセトフェノン系モノマー、またはチオキサントン系モノマーがあり、さらに具体的には、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、２,４−ジエチルオキサントンまたは２,２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンを使用しうる。
【００３３】
前記感光性物質の含量は、ガラス粉末１００重量部を基準として３ないし７重量部でありうる。感光性樹脂の含量がガラス粉末１００重量部を基準として３重量部未満である場合には、露光感度が低下し、７重量部を超える場合には、現像がよく行なわれないため、望ましくない。
【００３４】
前記溶剤としては、ＢＣＡ（Ｂｕｔｙｌ Ｃａｒｂｉｔｏｌｅ Ａｃｅｔａｔｅ）、ＴＰ（Ｔｅｒｐｉｎｅｏｌ）、トルエン、テキサノール及びＢＣ（Ｂｕｔｙｌ Ｃａｒｂｉｔｏｌｅ）からなる群から選択された一つ以上を組合わせて使用しうる。
【００３５】
本発明の組成物での溶剤の含量割合では、ペースト組成物の粘度を望ましい範囲に維持する観点で、ガラス粉末１００重量部に対して１０ないし２０重量部であることが望ましい。前記範囲の溶剤の含量として印刷工程が効率的に行われるように調節しうる。
【００３６】
本発明で使われる感光性ガラスペーストは、光開始剤、粘度改善剤、解像度改善剤、分散剤、及び消泡剤からなる群から選択された一つ以上の添加剤をさらに含んでもよい。光開始剤は、前記感光性樹脂が露光されるとき、感光性樹脂の架橋結合を開始する役割を行う。前記光開始剤の非制限的な例としては、ベンゾフェノンがある。
【００３７】
図１Ｃでの結果物を露光させた後、現像すれば、エミッタ層の上部の露光されていない領域が除去され、これを４５０ないし５００℃の温度で焼成及び硬化させることによって、図１Ｄに示したように、ゲート絶縁層１３ｂを形成する。
【００３８】
本発明による電子放出素子の製造方法は、前記ゲート絶縁層の上面にゲート電極を形成する工程をさらに含むことによって、３極構造を形成しうる。図１Ｅに示したように、前記ゲート絶縁層１３ｂ上にゲート電極１４を形成する。ゲート電極１４は、前記エミッタの上部の貫通孔に対応するゲートホールを有し、いわば、薄膜工程である金属物質の蒸着及びパターニングまたは厚膜工程である金属ペーストのスクリーンプリンティングによって形成されうる。
【００３９】
また、本発明は、前記電子放出素子の製造方法によって製造された電子放出素子を提供する。
【００４０】
前記電子放出素子は、多様な電子装置、例えば、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）などのバックライト装置として使われるか、または電子放出ディスプレイ装置に使われうる。
【００４１】
前記バックライト装置は、所定間隔で平行に配置された上部基板及び下部基板と、前記上部基板に形成されたアノード電極と、前記アノード電極上に所定厚さに形成された蛍光層と、前記上部基板と前記下部基板との間に介在された本発明による電子放出素子と、を備える。
【００４２】
前記バックライト装置の作用を説明すれば、まず、ゲート電極に所定電圧を印加し、アノード電極に所定の電圧を印加すれば、エミッタから電子が放出される。このように放出された電子は、アノード電極に向かって進められ、蛍光層に衝突する。このとき、蛍光層から可視光線が排出され、この可視光線は、上部基板または下部基板の少なくともいずれか一方を通過する。
【００４３】
前記電子放出ディスプレイ装置は、所定間隔で平行に配置された上部基板及び下部基板と、前記上部基板に形成されたアノード電極と、前記アノード電極上に所定厚さに形成された蛍光層と、前記上部基板と前記下部基板との間に介在された本発明による電子放出素子と、を備える。
【００４４】
図２には、本発明による電子放出表示装置のうち、トップゲート型電子放出表示装置の概略的な構成を示す部分斜視図が示されており、図３には、図２のＩＩ−ＩＩ線による断面図が示されている。
【００４５】
図２及び図３に示したように、電子放出ディスプレイ装置１００は、平行に配置されて真空の発光空間１０３を形成する本発明の電子放出素子１０１及び前面パネル１０２と、前記電子放出素子１０１と前面パネル１０２との間の間隔を維持するスペーサ６０とを備える。
【００４６】
前記電子放出素子１０１は、第１基板１１０、前記第１基板１１０上に交互に配置されたゲート電極１４０とカソード電極１２０、及び前記ゲート電極１４０と前記カソード電極１２０との間に配置されて、前記ゲート電極１４０と前記カソード電極１２０とを電気的に絶縁する絶縁体層１３０を備える。
【００４７】
前記ゲート電極１４０と前記カソード電極１２０とが交差する領域には、電子放出源ホール１３１が形成されており、その内部に電子放出源１５０が配置されている。
【００４８】
前記前面パネル１０２は、第２基板９０、前記第２基板９０の底面に配置されたアノード電極８０、前記アノード電極８０の底面に配置された蛍光体層７０を備える。
【００４９】
本発明による電子放出表示装置は、前記図２及び図３を例として説明したが、第２絶縁体層または集束電極をさらに備える電子放出表示装置のような多様な変形例が可能であるということは当然のことである。
【００５０】
以下、下記の実施例を通じて、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の範囲が実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００５１】
ターピネオール４０ｇにＣＮＴ粉末（ＣＮＴ,ＳＷＮＴ）１ｇ、アクリル樹脂であるポリエステルアクリレート２５ｇ、光開始剤であるＨＳＰ１８８（(株)ＳＫ ＵＣＢ製）２ｇ及び感光性高分子であるぺティア６ｇを添加及び攪拌して３０,０００ｃｐｓの粘度を有するペースト状態の電子放出源形成用の組成物を製造した。
【００５２】
ガラス基板上にＩＴＯカソード電極をラインパターニングし、ここに前記電子放出源形成用の組成物を塗布した後、１０００ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギーで平行露光器を利用して照射した。その後、アセトンを利用して現像して、電子放出源形成領域に電子放出源形成用の組成物を形成した。
【００５３】
前記結果物に感光性ガラスペースト組成物を塗布しかつ乾燥して感光性ガラスペースト層を形成した。これを基板の裏面で３００ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギーで平行露光器を利用して照射した。アルカリ現像液としてカーボネートナトリウム塩を利用して現像し、５００℃の温度及びエアガスの存在下で熱処理してゲート絶縁層を形成した。
【００５４】
前記ゲート絶縁層上に（ゲート電極の材料、例えば、Ｃｒ）ゲート電極を形成して電子放出素子を製造した。
【００５５】
図４は、本発明によって製造された電子放出素子の焼成前の３次元形状を上部から傾けて撮った写真を示す図である。
【００５６】
図５は、本発明によって製造された電子放出素子の焼成後の３次元形状を上部から傾けて撮った写真を示す図である。
【００５７】
図６は、Ｔａｐｅ Ｓ／Ｔ後のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）写真を示す図である。
【００５８】
図７は、本発明によって製造された電子放出素子の発光写真を示す図である。
【００５９】
以上、説明したように、本発明の望ましい実施例について詳細に記述されたが、当業者であれば、特許請求の範囲に定義された本発明の精神及び範囲を逸脱せず、本発明を様々な形態に変形して実施できる。したがって、本発明の今後の実施例の変更は、本発明の技術的範囲を逸脱することができないであろう。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、電子放出素子の製造方法関連の技術分野に好適に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するための図面である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するための図面である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するための図面である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するための図面である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するための図面である。
【図２】本発明による電子放出素子の構成を概略的に示す斜視図である。
【図３】図２のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図４】本発明によって製造された電子放出素子の焼成前の３次元形状を上部から傾けて撮った写真を示す図である。
【図５】本発明によって製造された電子放出素子の焼成後の３次元形状を上部から傾けて撮った写真を示す図である。
【図６】Ｔａｐｅ Ｓ／Ｔ後のＳＥＭ写真を示す図である。
【図７】本発明によって製造された電子放出素子の発光写真を示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０    基板、
１１    カソード電極、
１２    エミッタ、
１３ａ    感光性ガラスペースト層、
１３ｂ    ゲート絶縁層、
１４    ゲート電極、
７０    蛍光体層、
８０    アノード電極、
９０    第２基板、
１００    電子放出ディスプレイ装置、
１０１    電子放出素子、
１０２    前面パネル、
１０３    発光空間、
１１０    第１基板、
１２０    カソード電極、
１３０    第１絶縁体層、
１４０    ゲート電極、
１５０    電子放出源。
【図１Ａ】
2007188874.tif 000003
【図１Ｂ】
2007188874.tif 000004
【図１Ｃ】
2007188874.tif 000005
【図１Ｄ】
2007188874.tif 000006
【図１Ｅ】
2007188874.tif 000007
【図２】
2007188874.tif 000008
【図３】
2007188874.tif 000009
【図４】
2007188874.tif 000010
【図５】
2007188874.tif 000011
【図６】
2007188874.tif 000012
【図７】
2007188874.tif 000013