(57)【要約】【課題】入力されたレーザ光の状態に応じて異なるレーザ光を出力できる新規な半導体レーザ装置、およびそれを用いた光集積回路を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、活性層２６を含む半導体レーザ１０を備える。活性層２６は、互いに対向する端面２６Ａおよび端面２６Ｂと、互いに対向する２つの端面とを有する。それら４つの端面は、それぞれ、仮想の菱形の第１〜第４の頂点３２Ａ〜３２Ｄの位置に存在する。半導体レーザ１０は、対角線３２ＡＢに沿って端面２６Ａから出射されるレーザ光（Ｌａ）と、仮想の菱形の経路３２に沿って伝搬するレーザ光が端面２６Ａから出射されたレーザ光（Ｌｒ）とを、それぞれの強度を変化させて出射することが可能である。レーザ光（Ｌａ）の強度とレーザ光（Ｌｒ）の強度とは、半導体レーザ１０に入射されるレーザ光３５および３６と上記電流とによって制御される。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ（ＬＤ１）を備える半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザ（ＬＤ１）は、活性層（Ａ）と、前記活性層（Ａ）の両側に配置された２つのクラッド層（Ｃ）と、前記活性層（Ａ）に電流を注入するための電極（Ｅ１）および電極（Ｅ２）とを備え、
前記活性層（Ａ）は、互いに対向する端面（Ｓ１）および端面（Ｓ２）と、互いに対向する端面（Ｓ３）および端面（Ｓ４）とを有し、
前記端面（Ｓ１）〜（Ｓ４）は、それぞれ、仮想の菱形の第１〜第４の頂点の位置に存在し、
前記半導体レーザ（ＬＤ１）は、前記第１の頂点と前記第２の頂点とを結ぶ方向に沿って前記端面（Ｓ１）から出射されるレーザ光（Ｌａ）と、前記仮想の菱形の経路に沿って伝搬するレーザ光が前記端面（Ｓ１）から出射されたレーザ光（Ｌｒ）とを、それぞれの強度を変化させて出射することが可能であり、
前記レーザ光（Ｌａ）の強度と前記レーザ光（Ｌｒ）の強度とが、前記半導体レーザ（ＬＤ１）に入射されるレーザ光（Ｌ）と前記電流とによって制御される半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記レーザ光（Ｌ）を出射する半導体レーザ（ＬＤ２）をさらに備える請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記半導体レーザ（ＬＤ２）は、活性層（ａ）と、前記活性層（ａ）の両側に配置された２つのクラッド層（ｃ）と、前記活性層（ａ）に電流を注入するための電極（ｅ１）および電極（ｅ２）とを備え、
前記活性層（ａ）は、互いに対向する端面（ｓ１）および端面（ｓ２）と、互いに対向する端面（ｓ３）および端面（ｓ４）とを有し、
前記端面（ｓ１）〜（ｓ４）は、それぞれ、仮想の菱形の第１〜第４の頂点の位置に存在し、
前記レーザ光（Ｌ）は、前記仮想の菱形の経路に沿って伝搬するレーザ光の一部が前記端面（ｓ１）から出射されたレーザ光である請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記電極（Ｅ１）および電極（Ｅ２）は、前記電流の注入によって前記レーザ光（Ｌｒ）が励起されるように形成された電極であり、
前記レーザ光（Ｌ）は、前記レーザ光（Ｌａ）を励起するように前記半導体レーザ（ＬＤ１）に入射される請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
光スイッチを含む光集積回路であって、
前記光スイッチが請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置であり、
前記半導体レーザ装置に含まれる前記半導体レーザ（ＬＤ１）に入射されるレーザ光（Ｌ）と前記活性層（Ａ）に注入する前記電流とを変化させることによって、前記レーザ光（Ｌａ）の強度と前記レーザ光（Ｌｒ）の強度とが変化する光集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置、およびそれを用いた光集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光集積回路に利用可能な光スイッチが提案されている（たとえば特許文献１）。特許文献１の光スイッチでは、入力される光に応じて偏光状態が異なるレーザ光を出射する半導体レーザを光スイッチとして用いている。偏光状態が異なる２種類のレーザ光は、偏光ビームスプリッタによって分離され、異なる方向に分岐される。このようにして、特許文献１の光スイッチでは、入力光に応じて異なる方向にレーザ光が出射される。特許文献１の光スイッチでは、異なる方向にレーザを出射するために、偏光ビームスプリッタが必要である。
【特許文献１】特開２００１−１０２６９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような状況において、本発明は、入力されたレーザ光の状態に応じて異なるレーザ光を出力できる新規な半導体レーザ装置、およびそれを用いた光集積回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するため、本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ（ＬＤ１）を備える半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザ（ＬＤ１）は、活性層（Ａ）と、前記活性層（Ａ）の両側に配置された２つのクラッド層（Ｃ）と、前記活性層（Ａ）に電流を注入するための電極（Ｅ１）および電極（Ｅ２）とを備え、前記活性層（Ａ）は、互いに対向する端面（Ｓ１）および端面（Ｓ２）と、互いに対向する端面（Ｓ３）および端面（Ｓ４）とを有し、前記端面（Ｓ１）〜（Ｓ４）は、それぞれ、仮想の菱形の第１〜第４の頂点の位置に存在し、前記半導体レーザ（ＬＤ１）は、前記第１の頂点と前記第２の頂点とを結ぶ方向に沿って前記端面（Ｓ１）から出射されるレーザ光（Ｌａ）と、前記仮想の菱形の経路に沿って伝搬するレーザ光が前記端面（Ｓ１）から出射されたレーザ光（Ｌｒ）とを、それぞれの強度を変化させて出射することが可能であり、前記レーザ光（Ｌａ）の強度と前記レーザ光（Ｌｒ）の強度とが、前記半導体レーザ（ＬＤ１）に入射されるレーザ光（Ｌ）と前記電流とによって制御される。
【０００５】
また、本発明の光集積回路は、光スイッチを含む光集積回路であって、前記光スイッチが上記本発明の半導体レーザ装置であり、前記半導体レーザ装置に含まれる前記半導体レーザ（ＬＤ１）に入射されるレーザ光（Ｌ）と前記活性層（Ａ）に注入する前記電流とを変化させることによって、前記レーザ光（Ｌａ）の強度と前記レーザ光（Ｌｒ）の強度とが変化する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明について例を挙げて説明する。ただし、本発明は以下で挙げる例には限定されない。
【０００７】
［半導体レーザ装置］
本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ（半導体レーザダイオードＬＤ１）を備える半導体レーザ装置である。
【０００８】
半導体レーザ（ＬＤ１）は、活性層（Ａ）と、活性層（Ａ）の両側に配置された２つのクラッド層（Ｃ）と、活性層（Ａ）に電流を注入するための電極（Ｅ１）および電極（Ｅ２）とを備える。クラッド層（Ｃ）を含む光閉じ込め層と、活性層（Ａ）とは、共振器として機能する。活性層（Ａ）に電流を注入することによって、２次元方向に広がる活性層（Ａ）を共振器として生じる、特定のモードのレーザ光を励起できる。
【０００９】
活性層（Ａ）は、互いに対向する端面（Ｓ１）および端面（Ｓ２）と、互いに対向する端面（Ｓ３）および端面（Ｓ４）とを有する。端面（Ｓ１）〜（Ｓ４）は、それぞれ、仮想の菱形の第１〜第４の頂点の位置に存在する。
【００１０】
端面（Ｓ１）からレーザ光（Ｌａ）が出射される。通常、外部からのレーザ光（Ｌ）は、端面（Ｓ２）から活性層（Ａ）の内部に入射される。本発明の効果が得られる限り端面（Ｓ１）および端面（Ｓ２）の形状に限定はないが、これらの端面は、外側に凸の曲面であってもよい。端面（Ｓ１）および端面（Ｓ２）の典型的な一例は、円柱の外周面の一部の曲面と同じ曲面である。
【００１１】
端面（Ｓ３）および端面（Ｓ４）は、通常、平面である。端面（Ｓ３）および端面（Ｓ４）には、ミラーコートがされていてもよい。
【００１２】
半導体レーザ（ＬＤ１）は、レーザ光（Ｌａ）とレーザ光（Ｌｒ）とをそれぞれの強度を変化させて出射することが可能である。レーザ光（Ｌａ）は、仮想の菱形の第１の頂点と第２の頂点とを結ぶ方向に沿って端面（Ｓ１）から出射されるレーザ光（以下、「軸方向のレーザ光」という場合がある）である。通常、レーザ光（Ｌａ）は、第１の頂点と第２の頂点とを結ぶ方向から１０°未満（たとえば５°未満）の方向に出射されるレーザ光である。すなわち、この明細書において、「第１の頂点と第２の頂点とを結ぶ方向に沿って出射される」とは、第１の頂点と第２の頂点とを結ぶ方向から±１０°未満の方向に出射される場合を含む意味である。
【００１３】
レーザ光（Ｌｒ）は、仮想の菱形の経路に沿って伝搬するレーザ光が端面（Ｓ１）から出射されたレーザ光である。なお、活性層の外部（大気）の屈折率と活性層の屈折率とは異なるため、端面（Ｓ１）から出射された光は、通常、菱形の経路の一辺の延長線上からずれた方向に出射される。レーザ光（Ｌｒ）が出射される角度は、仮想の菱形の形状、活性層の屈折率、および端面（Ｓ１）の形状といった条件によって変化する。通常、第１の頂点と第２の頂点とを結ぶ方向とレーザ光（Ｌｒ）の出射方向とがなす角度は、１０°以上（たとえば１５°以上）であり、３０°以下（たとえば２５°以下）である。
【００１４】
レーザ光（Ｌａ）の強度とレーザ光（Ｌｒ）の強度とは、半導体レーザ（ＬＤ１）に入射されるレーザ光（Ｌ）と、活性層（Ａ）に注入される電流とによって制御される。したがって、本発明の半導体レーザ装置では、半導体レーザ（ＬＤ１）に入射されるレーザ光（Ｌ）に応じて、異なるレーザ光を出射することが可能である。そのため、本発明の半導体レーザ装置は、光スイッチとして利用することが可能である。
【００１５】
活性層（Ａ）の平面形状が環状（たとえば、三角環状や四角環状といった多角環状）である場合、レーザ光（Ｌａ）を出射することが難しくなる。そのため、活性層（Ａ）の平面形状は、通常、環状ではない。さらに、活性層（Ａ）に加えて、２つのクラッド層（Ｃ）の平面形状も環状でないことが好ましい。具体的には、活性層（Ａ）およびクラッド層（Ｃ）は、仮想の菱形内の領域に貫通孔が形成されていないことが好ましい。通常、活性層（Ａ）と２つのクラッド層（Ｃ）とは、同じ平面形状を有する。なお、この明細書において「平面形状」とは、各層の主面に平行な断面における形状であり、別の観点では、各層の積層方向に垂直な断面における形状である。
【００１６】
クラッド層（Ｃ）は、活性層（Ａ）内に光を閉じ込めるための層である。クラッド層（Ｃ）の屈折率は、活性層（Ａ）の屈折率よりも小さい。２つのクラッド層（Ｃ）は、活性層（Ａ）を挟むように配置される。なお、クラッド層（Ｃ）と活性層（Ａ）との間に、他の層が配置されていてもよい。
【００１７】
活性層（Ａ）は、仮想の菱形を含む第１の領域と、前記第１の領域に隣接する第２の領域とを含んでもよい。そして、その第１の領域の平面形状は長方形の短辺を外側に凸の曲線とした形状であってもよい。この場合、第１の領域と第２の領域とによって構成される活性層（Ａ）の平面形状は、略Ｈ字状であってもよい。
【００１８】
本発明の半導体レーザ装置は、レーザ光（Ｌ）を出射する半導体レーザ（半導体レーザダイオードＬＤ２）をさらに備えてもよい。
【００１９】
半導体レーザ（ＬＤ１）の一例では、電流の注入によってレーザ光（Ｌａ）が励起され、レーザ光（Ｌ）によってレーザ光（Ｌｒ）が励起される。そのような半導体レーザ（ＬＤ１）の電極（Ｅ１）および電極（Ｅ２）は、活性層（Ａ）への電流の注入によってレーザ光（Ｌａ）を生じさせることができるように形成された電極である。レーザ光（Ｌ）は、たとえば、仮想の菱形の一辺に沿うように端面（Ｓ２）から入射される。電流の注入によってレーザ光（Ｌａ）を出射している半導体レーザ（ＬＤ１）に、レーザ光（Ｌ）を入射させることによって、レーザ光（Ｌａ）の強度を弱くし、レーザ光（Ｌｒ）の強度を強くすることが可能である。
【００２０】
半導体レーザ（ＬＤ２）は、単一の方向にレーザ光を出射する一般的な半導体レーザであってもよい。
【００２１】
また、半導体レーザ（ＬＤ２）は、二次元的に広がる活性層内を伝搬するレーザ光の一部を出射する半導体レーザであってもよい。そのような半導体レーザ（ＬＤ２）は、活性層（ａ）と、活性層（ａ）の両側に配置された２つのクラッド層（ｃ）と、活性層（ａ）に電流を注入するための電極（ｅ１）および電極（ｅ２）とを備える。活性層（ａ）は、互いに対向する端面（ｓ１）および端面（ｓ２）と、互いに対向する端面（ｓ３）および端面（ｓ４）とを有する。これらの端面（ｓ１）〜（ｓ４）は、それぞれ、仮想の菱形の第１〜第４の頂点の位置に存在する。この場合、レーザ光（Ｌ）は、仮想の菱形の経路に沿って伝搬するレーザ光の一部が端面（ｓ１）から出射されたレーザ光である。このような半導体レーザ（ＬＤ２）では、活性層（ａ）に所定の電流を注入することによって、仮想の菱形の経路を、時計回りに周回するレーザ光と、反時計回りに周回するレーザ光とを励起することが可能である。したがって、半導体レーザ（ＬＤ２）は、時計回りに伝搬するレーザ光の一部が出射されたレーザ光（Ｌ１）と、反時計回りに伝搬するレーザ光の一部が出射されたレーザ光（Ｌ２）とを出射できる。
【００２２】
仮想の菱形の経路に沿って伝搬するレーザ光を励起するために、電極（ｅ１）および電極（ｅ２）から選ばれる少なくとも１つの電極が、菱形の経路に実質的に対応するように半導体層と接触することが好ましい。この場合、上記少なくとも１つの電極と半導体層とが環状に接触していてもよい。なお、この明細書において、「菱形の経路に実質的に対応するように」とは、菱形の経路に完全に対応する場合に加えて、菱形の経路の５０％以上（好ましくは、７０％以上でより好ましくは９０％以上）に対応する場合を含む。また、「環状に接触」とは、接触している領域が実質的に環を形成していればよく、完全に連続した環でなくともよいことを意味している。また、菱形の経路に対応する上記領域の面積は、活性層（ａ）の平面形状の面積に対して通常５０％以下であり、たとえば３０％以下や１０％以下である。
【００２３】
これらのレーザ光（Ｌ１）および（Ｌ２）の少なくとも１つを半導体レーザ（ＬＤ１）の活性層（Ａ）に入射させることによって、レーザ光（Ｌｒ）を励起することができる。この場合、レーザ光（Ｌ１）およびレーザ光（Ｌ２）のいずれかを半導体レーザ（ＬＤ１）に入射させるかによって、レーザ光（Ｌｒ）の方向を変化させることが可能であると考えられる。また、レーザ光（Ｌ１）および（Ｌ２）の両方を半導体レーザ（ＬＤ１）に入射させることによって、レーザ光（Ｌｒ）を同時に２方向に出射させることが可能である。
【００２４】
半導体レーザ（ＬＤ２）の活性層（ａ）は、活性層（Ａ）と同じ平面形状を有してもよい。この構成では、活性層（Ａ）と同じ形状を有する活性層（ａ）内において菱形の経路に沿って伝搬するレーザ光が励起されるため、半導体レーザ（ＬＤ２）から出射されたレーザ光によってレーザ光（Ｌｒ）を励起することが容易になる。ただし、レーザ光（Ｌｒ）を励起できる限り、活性層（Ａ）の平面形状と活性層（ａ）の平面形状とは異なってもよい。
【００２５】
また、本発明の半導体レーザ装置の別の一例では、電極（Ｅ１）および電極（Ｅ２）は、電流の注入によってレーザ光（Ｌｒ）が励起されるように形成された電極であり、レーザ光（Ｌ）は、レーザ光（Ｌａ）を励起するように半導体レーザ（ＬＤ１）に入射される。仮想の菱形の経路に沿って伝搬するレーザ光を励起するための電極は、半導体レーザ（ＬＤ２）の一例の電極として上述したものと同じである。半導体レーザ（ＬＤ１）に入射されるレーザ光（Ｌ）は、軸方向のレーザ光（Ｌａ）を励起するために、半導体レーザ（ＬＤ１）の仮想の菱形の第１の頂点と第２の頂点とを結ぶ方向に沿って入射される。この例では、電流の注入によってレーザ光（Ｌｒ）が励起され、レーザ光（Ｌ）の入射によってレーザ光（Ｌａ）が励起される。この場合、半導体レーザ（ＬＤ２）は、レーザ光（Ｌａ）を励起できる半導体レーザである限り、どのような半導体レーザであってもよい。
【００２６】
本発明の半導体レーザ装置の半導体レーザを構成する半導体および積層構造に特に限定はなく、利用するレーザ光の波長などに応じて選択される。半導体層の材料の一例としては、たとえば、III−Ｖ族化合物半導体が挙げられる。半導体レーザ（ＬＤ１）と半導体レーザ（ＬＤ２）とは、通常、積層構造が同じであり、各層を構成する材料も同じである。ただし、本発明の効果が得られる限り、両者は、積層構造が異なってもよく、各層を構成する材料が異なってもよい。
【００２７】
［レーザ光制御装置］
本発明の半導体レーザ装置は、レーザ光制御装置の一部として利用することが可能である。このレーザ光制御装置は、上記本発明の半導体レーザ装置を含み、さらに、半導体レーザ装置に含まれる半導体レーザ（ＬＤ１）の活性層（Ａ）に注入する電流を制御するための電流制御手段を含む。このレーザ光制御装置は、半導体レーザ（ＬＤ１）に入射されるレーザ光（Ｌ）と活性層（Ａ）に注入する電流とを変化させることによって、レーザ光（Ｌａ）の強度とレーザ光（Ｌｒ）の強度とを変化させる。
【００２８】
レーザ光（Ｌ）の強度は、たとえば半導体レーザ（ＬＤ２）の出力を変化させることによって制御できる。電流制御手段には、半導体レーザを駆動するための一般的な電源を適用できる。
【００２９】
［光集積回路］
本発明の半導体レーザ装置は、光集積回路の一部として利用することが可能である。
【００３０】
本発明の光集積回路は、光スイッチを含む光集積回路である。その光スイッチは、上述した本発明の半導体レーザ装置である。この光集積回路では、半導体レーザ装置に含まれる半導体レーザ（ＬＤ１）に入射されるレーザ光（Ｌ）と活性層（Ａ）に注入される電流とを変化させることによって、レーザ光（Ｌａ）の強度とレーザ光（Ｌｒ）の強度とが変化する。
【００３１】
［半導体レーザ装置の一例］
以下、実施可能な半導体レーザ装置の一例について説明する。半導体レーザ装置の一例の斜視図を図１に示し、図１の線II−IIにおける断面図を図２に示す。なお、本発明の説明に用いる図面は模式的なものであり、理解が容易なように各部の縮尺を変更している。
【００３２】
図１の半導体レーザ装置１００は、基板１１を含む。また、装置１００は、半導体レーザ１０（半導体レーザ（ＬＤ１））と、半導体レーザ５０（半導体レーザ（ＬＤ２））とを含む。半導体レーザ１０と半導体レーザ５０とは、モノリシックに形成されている。
【００３３】
以下、半導体レーザ１０について説明する。半導体レーザ１０は、基板１１と、基板１１上に形成された半導体層２０と、半導体層２０上に形成された絶縁層１２および第１の電極１３（電極（Ｅ１））と、基板１１の裏面側の全面に形成された第２の電極１４（電極（Ｅ２））とを含む。
【００３４】
図２を参照して、半導体層２０は、基板１１側から順に積層された、バッファ層２１、バッファ層２２、グレーデッド層２３、クラッド層２４、グレーデッド層２５、活性層２６、グレーデッド層２７、クラッド層２８およびキャップ層２９を含む。キャップ層２９の上には、パターニングされた絶縁層１２が形成されている。絶縁層１２上には、第１の電極１３が形成されている。絶縁層１２には貫通孔が形成されているため、第１の電極１３とキャップ層２９とは、貫通孔が形成されている領域３１で接触する。この領域３１を介して半導体層２０に電流が注入される。
【００３５】
半導体レーザ１０の活性層２６を上方から見たときの平面形状を図３および図４に示す。図４には、第１の電極１３と半導体層２０（キャップ層２９）とが接触している領域３１の部分を斜線で示す。なお、半導体層２０を構成する各層（たとえばクラッド層）は、活性層２６と同じ平面形状を有する。
【００３６】
図３を参照して、活性層２６は、仮想の菱形の経路３２を含む面状に形成された薄膜である。経路３２の第１から第４の頂点３２Ａ〜３２Ｄのうち、第１および第２の頂点３２Ａおよび３２Ｂは、第３および第４の頂点３２Ｃおよび３２Ｄよりも角度が小さい。活性層２６は、頂点３２Ａ〜３２Ｄを含むように配置された第１から第４の端面（ミラー面）２６Ａ〜２６Ｄを有する。第１および第２の端面２６Ａおよび２６Ｂは、外側に向かって凸の曲面である。第３および第４の端面２６Ｃおよび２６Ｄは、フラットな平面である。
【００３７】
活性層２６は、第１の領域２６Ｆと、第１の領域に隣接する４つの第２の領域２６Ｓとを備える。第１の領域２６Ｆの平面形状は、長方形の短辺を外側に凸の曲線とした形状である。経路３２は、第１の領域２６Ｆ内に形成される。第１の領域２６Ｆと第２の領域２６Ｓとによって構成される活性層２６は、略Ｈ字状の形状（より詳しくはＨの字を横に引き延ばした形状）をしている。活性層２６の第１の頂点３２Ａと第２の頂点３２Ｂとの間の距離Ｌｆ（図３参照）は６００μｍであり、第３の頂点３２Ｃと第４の頂点３２Ｄとの間の距離Ｗは６０μｍである。
【００３８】
本発明で用いられる半導体レーザ（ＬＤ１）の活性層では、Ｗ／Ｌｆの値が、たとえば０．０５以上０．３２以下である。これに対して、直線状のキャビティーを有する従来の一般的な半導体レーザのキャビティーでは、幅／長さの値が、通常０．０２以下である。
【００３９】
第１の電極１３とキャップ層２９とが接触している領域３１は、第１の領域２６Ｆのほぼ全域に対応するように、第１の領域２６Ｆの中央部に形成されている。ただし、領域３１は、第１の領域２６Ｆよりは面積が小さい。領域３１は、長さが５９０μｍで幅が５０μｍの長方形とほぼ同じ形状であるが、短辺が外側に膨らんでいる。通常、領域３１は、第１の頂点３２Ａと第２の頂点３２Ｂとを結ぶ対角線３２ＡＢの５０％以上（たとえば９８％以上）をカバーする。また、通常、領域３１は、菱形の経路３２の５０％以上（たとえば８１％以上）をカバーする。なお、領域３１は、軸方向のレーザ光（Ｌａ）を励起するための部分と、レーザ光（Ｌｒ）を励起するための部分とに分割されていてもよい。
【００４０】
第１の電極１３と第２の電極１４との間に電圧を印加して活性層２６にキャリアを注入すると、活性層２６で光が励起される。この光は、光閉じ込め層（グレーデッド層２５および２７ならびにクラッド層２４および２８）によって閉じこめられて、活性層２６およびその近傍を移動する。
【００４１】
半導体レーザ１０では、第１の電極１３が、端面２６Ａと端面２６Ｂとを結ぶ方向（以下、「軸方向Ａ」という場合がある）に沿って形成されているため、電流の注入によって、軸方向Ａに沿ったレーザ光が励起される。そのため、電流の注入によって、図４に示すように、軸方向Ａに沿ったレーザ光（Ｌａ）が端面２６Ａから出射される。
【００４２】
４つの第２の領域２６Ｓは、第１の領域２６Ｆで発生したレーザ光が端面２６Ｃおよび２６Ｄで多重反射されることによって発生するモードを抑制するために形成される。装置１０では、第１の頂点３２Ａと第２の頂点３２Ｂとを結ぶ対角線３２ＡＢに平行な方向における第２の領域２６Ｓの長さＬｓ（図３参照）が１６０μｍである。また、Ｌｆ／４は１５０μｍである。このように、Ｌｆ／４＜Ｌｓが満たされる場合、上記モードが特に抑制される。また、第３の頂点３２Ｃと第４の頂点３２Ｄとを結ぶ対角線３２ＣＤの方向における第２の領域２６Ｓの長さＷｓは７０μｍである。
【００４３】
端面２６Ａおよび２６Ｂの形状は、それぞれ、円柱の曲面の一部の形状である。具体的には、対角線３２ＡＢ上であって活性層２６の表面と垂直に中心軸が配置された円柱の曲面の一部と同じ形状である。その円柱の半径、すなわち端面２６Ａの曲率半径Ｒ１（図３参照）は６００μｍであり、端面２６Ｂの曲率半径Ｒ２（図示せず）も同じく６００μｍである。活性層２６の平面形状は、対角線３２ＡＢに対して線対称の形状であり、また、対角線３２ＣＤに対して線対称の形状である。ただし、活性層を含む半導体層の平面形状は必ずしも線対称の形状ではなくともよく、たとえば、端面２６Ｂは、端面２６Ａとは曲率が違う曲面であってもよい。また、端面２６Ａおよび／または端面２６Ｂは、平面であってもよい。
【００４４】
基板１１、半導体層２０、絶縁層１２、第１の電極１３および第２の電極１４の材料および膜厚について、表１に示す。表１において、一部の半導体層については、バンドギャップＥｇと、多数キャリアおよびその濃度についても示す。
【００４５】
【表１】
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【００４６】
なお、第１の電極１３および第２の電極１４を構成する各層は、熱処理によって合金化されていてもよい。また、表１に示す構成は一例であり、半導体レーザに求められる特性に応じて適宜変更される。
【００４７】
バッファ層２１および２２、ならびにグレーデッド層２３は、品質が高いIII−Ｖ族化合物半導体結晶を得るために形成される。
【００４８】
グレーデッド層２３のアルミニウムの組成比Ｘは、バッファ層２２側からクラッド層２４側に向かって徐々に増加する。具体的には、組成比Ｘは、バッファ層２２との界面では０．２であり、クラッド層２４との界面では０．５である。
【００４９】
グレーデッド層２５において、ドーパントであるＳｉの濃度はクラッド層２４側から活性層２６側に向かって徐々に減少する。具体的には、クラッド層２４との界面では約１×１０18ｃｍ-3であり、活性層２６との界面では約１×１０17ｃｍ-3である。また、グレーデッド層２５のアルミニウムの組成比Ｘも、クラッド層２４側から活性層２６側に向かって放物線状に減少する。具体的には、組成比Ｘは、クラッド層２４との界面では０．５であり、活性層２６との界面では０．２である。
【００５０】
グレーデッド層２７において、ドーパントであるＣ（炭素）の濃度は活性層２６側からクラッド層２８側に向かって徐々に増加する。具体的には、活性層２６との界面では約１×１０17ｃｍ-3であり、クラッド層２８との界面では約１×１０18ｃｍ-3である。また、グレーデッド層２７のＡｌの組成比Ｘも、活性層２６側からクラッド層２８側に向かって放物線状に増加する。具体的には、組成比Ｘは、活性層２６との界面では０．２であり、クラッド層２８との界面では０．５である。
【００５１】
半導体層２０のバンドギャッププロファイルを図５に模式的に示す。グレーデッド層２５のバンドギャップは、クラッド層２４から活性層２６側に向かって２．０ｅＶから１．７ｅＶまで放物線状に減少する。グレーデッド層２７のバンドギャップは、活性層２６からクラッド層２８側に向かって１．７ｅＶから２．０ｅＶまで放物線状に増加する。
【００５２】
半導体レーザ１０は、いわゆる単一量子井戸形のレーザであり、２つの電極から活性層２６にキャリアが注入されることによってレーザ発振が開始される。なお、活性層２６は、多重量子井戸形などの他の形態であってもよい。
【００５３】
クラッド層２４〜クラッド層２８までの屈折率の変化を図６に模式的に示す。クラッド層２４、グレーデッド層２５、グレーデッド層２７およびクラッド層２８は、活性層２６内に光を閉じこめるために活性層２６よりも屈折率が低い材料からなる。活性層２６の屈折率が最も高いため、活性層２６で発生した光は、活性層２６および光閉じ込め層（グレーデッド層２５および２７ならびにクラッド層２４および２８）に閉じこめられる。
【００５４】
なお、第１の電極１３および第２の電極１４の形状は、電流の注入によってレーザ光（Ｌａ）を励起でき且つレーザ光（Ｌ）の入射によってレーザ光（Ｌｒ）を励起できる限り、他の形状であってもよい。
【００５５】
次に、半導体レーザ５０について説明する。半導体レーザ５０は、第１の電極１３と半導体層２０（キャップ層２９）とが接触している領域の形状のみが半導体レーザ１０と異なるため、重複する説明は省略する。
【００５６】
半導体レーザ５０の活性層２６’（活性層（ａ））の平面形状を図７に示す。また、第１の電極１３（電極（ｅ１））とキャップ層２９とが接触している領域５１の位置および形状を図７に示す。図７において、図３の「２６Ａ」を「２６ａ」と示すように、大文字を小文字とすることによって対応する部分を示す場合がある。
【００５７】
領域５１は、仮想の菱形の経路３２’に対応するように形成される。領域５１が経路３２’に完全に対応していないのは、絶縁層１２に貫通孔を形成する際に、製造工程上の制限があるためである。経路３２’に完全に対応するように領域５１を公知の方法で形成する場合、製造工程が複雑になる。
【００５８】
第１の電極１３（電極（ｅ１））と第２の電極１４（電極（ｅ２））との間に電圧を印加して活性層２６’にキャリアを注入すると、活性層２６’で光が発せられる。この光は、グレーデッド層２５および２７ならびにクラッド層２４および２８によって閉じこめられて主に活性層２６’内を移動する。そのような光の中で、仮想の菱形の経路３２’上を進行する光は、端面２６ａ〜２６ｄによって反射されながら誘導放出を生じる。このため、経路３２’を光路として伝搬するレーザ光（Ｌ１）が発生する。同様に、経路３２’を光路としてレーザ光（Ｌ１）とは反対の方向に伝搬するレーザ光（Ｌ２）が発生する。これら２つのレーザ光のうちの一部が、第１の端面２６ａの第１の頂点３２ａから出射され、第１および第２のレーザ光３５および３６（レーザ光（Ｌ１）および（Ｌ２））となる（図７参照）。レーザ光３５および３６は、半導体レーザ１０のレーザ光（Ｌｒ）を励起するレーザ光（Ｌ）である。半導体レーザ５０から出射されるレーザ光３５および３６と、半導体レーザ１０の活性層２６との関係について、図８に模式的に示す。
【００５９】
図８に示すように、活性層２６内の仮想の菱形の対角線３２ＡＢと、活性層２６’内の仮想の菱形の対角線３２ａｂとが、同じ直線上またはその近傍に配置されるように、半導体レーザ１０および半導体レーザ５０が配置される。また、レーザ光（Ｌｒ）の励起が容易になるように、活性層２６の端面２６Ｂと活性層２６’の端面２６ａとは近接して配置されている。この一例では、両者の間隔Ｇは４μｍである。
【００６０】
半導体レーザ５０の活性層２６’の端面２６ａからは、仮想の菱形の経路３２’の一辺３２ａｄの延長方向に近い方向にレーザ光３５が出射される。また、端面２６ａからは、経路３２’の一辺３２ａｃの延長方向に近い方向にレーザ光３６が出射される。レーザ光３５は、半導体レーザ１０の仮想の菱形の経路３２の一辺３２ＢＣに沿って活性層２６に入射し、レーザ光（Ｌｒ）を励起する。レーザ光３６は、経路３２の一辺３２ＢＤに沿って活性層２６に入射し、レーザ光（Ｌｒ）を励起する。レーザ光３５によって励起されたレーザ光（Ｌｒ）は、端面２６Ａから、経路３２の一辺３２ＡＣの延長方向に近い方向に出射される。また、レーザ光３６によって励起されたレーザ光（Ｌｒ）は、端面２６Ａから、経路３２の一辺３２ＡＤの延長方向に近い方向に出射される。
【００６１】
なお、半導体レーザ５０の第１の電極１３は、利得が発生する電流を注入する第１の部分と、第１の部分よりも少ない電流を注入する第２の部分とを含んでもよい。そのような電極と半導体層２０（キャップ層２９）とが接触する領域の形状と、活性層２６の平面形状と、経路３２との関係を図９に示す。図９では、第１の部分がキャップ層２９と接触する領域５１ａと、第２の部分がキャップ層２９と接触する領域５１ｂとを、ハッチングを付して示している。領域５１ａは経路３２’の１つの辺に対応する位置に形成され、領域３１ｂは他の３つの辺に対応する位置に形成される。このような電極は、絶縁層１２の形状を変更することによって容易に形成できる。
【００６２】
半導体レーザ５０では、活性層に注入される電流がしきい値電流を超えると、図７に示すように、第１および第２のレーザ光３５および３６が出射される。
【００６３】
以下に、半導体レーザ装置１００の動作について説明する。半導体レーザ１０単体に１８５ｍＡの電流を注入して連続発振させたときの、レーザ光の光強度の角度依存性を図１０に示す。図１０に示すように、ほぼ０°の方向（対角線３２ＡＢの方向）に、強度がほぼ等しい２つのレーザ光が出射された。２つのレーザ光の波長は約８６４ｎｍであった。このように、半導体レーザ５０は、軸方向Ａにレーザ光（Ｌａ）を出射した。なお、図１０において、出射されるレーザ光が２つのピークに分かれているのは、高次のモードが励起されているためである。また、注入する電流を１５２ｍＡまたは１６９ｍＡとした場合、レーザ光の光強度は小さくなったが、ピークの位置は変わらなかった。
【００６４】
半導体レーザ５０単体に１６８ｍＡの電流を注入して連続発振させたときの、レーザ光の光強度の角度依存性を図１１に示す。図１１に示すように、０°の方向（対角線３２ａｂの方向）からの角度がほぼ等しい方向に、２つのレーザ光が出射された。２つのレーザ光の波長は約８６４ｎｍであった。また、２つのレーザ光が対角線３２ａｂの方向となす角度は、それぞれ約１９°であった。このように、半導体レーザ５０は、対角３２ａｂに対して対称な方向に、強度がほぼ等しく、よくコリメートされた２つのレーザ光を出射した。また、注入する電流を１３９ｍＡまたは１５３ｍＡとした場合、レーザ光の光強度は小さくなったが、ピークの位置は変わらなかった。
【００６５】
次に、半導体レーザ１０に１５２ｍＡの電流を注入して連続発振させた状態で、半導体レーザ５０に注入する電流を変えた。半導体レーザ５０に注入する電流を変えたときに、半導体レーザ１０の端面２６Ａから出射されるレーザ光の光強度の角度依存性を図１２（ａ）〜（ｃ）に示す。図１２（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ、半導体レーザ５０に注入した電流が、（ａ）０ｍＡ、（ｂ）１５３ｍＡ、（ｃ）１６８ｍＡの場合に対応している。
【００６６】
図１２（ａ）に示すように、半導体レーザ５０からレーザ光が出射されていない状態では、図１０と同様に、半導体レーザ１０の端面２６Ａから、軸方向のレーザ光（Ｌａ）が出射された。半導体レーザ５０から出射されるレーザ光が強くなると、図１２（ｂ）に示すように、軸方向のレーザ光（Ｌａ）が弱くなり、菱形の経路から出射されるレーザ光（Ｌｒ）のピークが現れた。そして、半導体レーザ５０から出射されるレーザ光がさらに強くなると、図１２（ｃ）に示すように、軸方向のレーザ光（Ｌａ）のピークがほとんど消え、実質的にレーザ光（Ｌｒ）のピークのみとなった。
【００６７】
このように、レーザ光（Ｌａ）を励起するために注入している電流が一定であるにもかかわらず、レーザ光（Ｌｒ）を励起するレーザ光（Ｌ）の強度が変化すると、レーザ光（Ｌａ）の強度が変化した。
【００６８】
なお、半導体レーザ１０から出射されるレーザ光を、半導体レーザ５０のレーザ光（Ｌａ）を励起するためのレーザ光（Ｌ）として用いてもよい。そのような場合の実験例を以下に説明する。この例では、半導体レーザ５０に１３９ｍＡの電流を注入して連続発振させた状態で、半導体レーザ１０に注入する電流を変化させた。半導体レーザ５０の端面２６ｂから出射されるレーザ光の光強度の角度依存性を、図１３（ａ）〜（ｃ）に示す。図１３（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ、半導体レーザ１０に注入した電流が、（ａ）０ｍＡ、（ｂ）１８５ｍＡ、（ｃ）１９９ｍＡである場合に対応している。
【００６９】
半導体レーザ１０に電流を注入しない場合、半導体レーザ５０の端面２６ｂからは、半導体レーザ５０の仮想の菱形の経路３２’からのレーザ光のみが出射された（図１３（ａ））。半導体レーザ１０に注入する電流を大きくすると、半導体レーザ１０の軸方向のレーザ光が半導体レーザ５０に入射するため、半導体レーザ５０の端面２６ｂからは、軸方向のレーザ光と、菱形の経路から出射されたレーザ光の両方が観察された（図１３（ｂ））。そして、半導体レーザ１０に注入する電流をさらに大きくすると、菱形の経路から出射されたレーザ光のピークがほとんど消え、実質的に、軸方向のレーザ光のピークのみが観察された（図１３（ｃ））。
【００７０】
このように、仮想の菱形の経路から出射されるレーザ光を励起するために注入する電流が一定であるにもかかわらず、軸方向のレーザ光を励起するレーザ光の強度が変化すると、仮想の菱形の経路から出射されるレーザ光の強度が変化した。
【００７１】
以上のように、半導体レーザ装置１００では、レーザ光（Ｌａ）の強度とレーザ光（Ｌｒ）の強度とが、半導体レーザ１０に入射されるレーザ光（Ｌ）と、半導体レーザ１０の活性層に注入される電流とによって制御される。
【００７２】
［半導体レーザ装置の他の一例］
上述した一例では、半導体レーザ５０を用いてレーザ光（Ｌｒ）を励起する場合について説明したが、一方向にレーザ光を出射する一般的な半導体レーザを用いてレーザ光（Ｌｒ）を励起してもよい。そのような半導体レーザ装置の一例の平面図を、図１４に模式的に示す。
【００７３】
図１４の装置１４０は、半導体レーザ１０と、半導体レーザ６０とを備える。半導体レーザ６０は、直線状のキャビティーを有する一般的なレーザであり、キャビティーの長手方向６１の方向にレーザ光６２（レーザ光（Ｌ））を出射する。
【００７４】
半導体レーザ６０のキャビティーは、半導体レーザ１０の活性層２６に仮想的に存在する菱形の経路３２の一辺３２ＢＣの延長線上、またはそれに近い方向に配置されている。そのため、半導体レーザ６０から出射されたレーザ光は、経路３２の一辺３２ＢＣに沿って入射し、レーザ光（Ｌｒ）を励起する。
【００７５】
装置１４０においても、半導体レーザ装置１００と同様に、半導体レーザ１０から出射されるレーザ光は、その活性層に注入される電流と、半導体レーザ６０から入射されるレーザ光とによって変化する。すなわち、レーザ光（Ｌａ）が出射されうる所定の電流を半導体レーザ１０に注入している状態において、半導体レーザ６０から半導体レーザ１０に入射するレーザ光の強度によって、レーザ光（Ｌａ）の強度とレーザ光（Ｌｒ）の強度との大小関係を変化させることが可能である。
【００７６】
なお、半導体レーザ６０は、経路３２を逆方向に伝搬するレーザ光を励起できるように経路３２の一辺３２ＢＤの延長線上、またはそれに近い方向に配置されてもよい。また、半導体レーザ６０が、一辺３２ＢＣの延長線上付近と、一辺３２ＢＤの延長線上付近とに１つずつ配置されてもよい。
【００７７】
以上の例では、半導体レーザ装置が、半導体レーザ１０を励起するための半導体レーザを備える場合について説明した。しかし、本発明の半導体レーザ装置は、励起用の半導体レーザを備えなくてもよい。たとえば、本発明の半導体レーザ装置が光集積回路の一部（たとえば光スイッチ）であるような場合には、入力信号として励起用のレーザ光が半導体レーザ１０に入射される。半導体レーザ１０は、入力された信号（レーザ光）の状態（強度および方向）に応じて、異なる信号（レーザ光）を出力する。このように、半導体レーザ１０は、単独で光スイッチとして機能する。
【００７８】
［半導体レーザ装置の製造方法］
本発明の半導体レーザ装置の製造方法に限定はなく、公知の半導体製造技術によって製造できる。以下に、半導体レーザ１０を製造する方法の一例を説明する。なお、半導体レーザ５０は、レジスト膜の形状を変えることを除き、半導体レーザ１０と同じ方法で形成できる。そのため、半導体レーザ１０および半導体レーザ５０は同時に形成できるが、説明を容易にするため、以下では、半導体レーザ１０のみについて図示および説明を行う。
【００７９】
図１５（ａ）〜（ｈ）に、製造工程を模式的に示す。なお、図１５（ａ）〜（ｈ）では、絶縁層１２の形成状態の理解を容易にするため、絶縁層１２の表面にハッチングを付す。
【００８０】
まず、図１５（ａ）に示すように、基板１１上に、複数の半導体層からなる半導体層２０ａと、厚さ０．４μｍの絶縁層１２ａとを形成する。半導体層２０ａは、エッチングによって半導体層２０（図２および表１参照）となる層である。半導体層２０ａを構成する各層は、一般的な方法、たとえば、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成できる。絶縁層１２ａは、たとえばＳｉ3Ｎ4やＳｉＯ2からなる。絶縁層１２ａは、スパッタリング法やＣＶＤ法といった方法で形成できる。
【００８１】
次に、図１５（ｂ）に示すように、絶縁層１２ａ上に、パターニングされたレジスト膜１５１を形成する。レジスト膜１５１は、図３に示した活性層２６の形状にパターニングする。
【００８２】
次に、レジスト膜１５１をマスクとして、絶縁層１２ａをエッチングしたのち、レジスト膜１５１を除去する。次に、図１５（ｃ）に示すように、絶縁層１２ａをマスクとして、半導体層２０ａと基板１１の一部とをエッチングする。エッチングは、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によって行い、少なくともクラッド層２４の深さまでエッチングする。エッチングによって、所定の形状の絶縁層１２および半導体層２０が形成される。エッチングは、半導体層２０の側面の垂直性および平滑性が高くなるような条件で行われる。そのような条件は、半導体製造プロセスで一般的に採用されている。エッチングによって、半導体層２０を構成するすべての半導体層の平面形状は、図３に示した活性層２６の平面形状と同じになる。また、半導体層２０の側面はミラー面として機能する。
【００８３】
次に、図１５（ｄ）に示すように、領域３１（図２および図４参照）に対応するように、絶縁層１２に略菱形の貫通孔１２ｈを形成する。貫通孔１２ｈは、一般的なフォトリソ・エッチング工程で形成できる。
【００８４】
次に、図１５（ｅ）に示すように、基板１１の表面全体を覆うようにレジスト膜１５２を形成する。このとき、基板１１の表面と絶縁層１２の表面との間の段差を埋めるために、レジスト膜１５２は、レジスト層１５２ａおよびレジスト層１５２ｂの２層からなることが好ましい。レジスト膜１５２は、レジスト層１５２ａを基板１１の表面全体に塗布して段差を埋めたのち、レジスト層１５２ｂを塗布することによって形成できる。この方法によれば、表面の平坦性が高いレジスト膜１５２を形成できる。
【００８５】
次に、図１５（ｆ）に示すように、レジスト膜１５２をパターニングし、レジスト膜１５２に貫通孔１５２ｈを形成する。貫通孔１５２ｈは、第１の電極１３を形成する領域に対応する形状に形成される。貫通孔１５２ｈを形成したのち、半導体層２０（キャップ層２９）と第１の電極１３との間で良好なコンタクトが得られるように、貫通孔１５２ｈ内の半導体層２０（キャップ層２９）の表面を０．０１μｍ〜０．０２μｍ程度エッチングする。
【００８６】
次に、図１５（ｇ）に示すように、第１の電極１３を形成する。第１の電極１３は、リフトオフ法で形成できる。具体的には、まず、レジスト膜１５２をマスクとして、第１の電極１３を構成する複数の金属層を電子ビーム法で順次成膜する。その後、レジスト膜１５２をアセトンで除去する。このようにして、所定の形状の第１の電極１３を形成できる。第１の電極１３は、絶縁層１２に形成された貫通孔１２ｈを介して半導体層２０（キャップ層２９）に接触する。
【００８７】
１枚の基板１１（ウェハ）を用いて多数の半導体レーザを形成する場合、基板１１のへき開を容易にするため、基板１１の厚さが１００〜１５０μｍになるように基板１１の裏面を研磨することが好ましい。
【００８８】
次に、図１５（ｈ）に示すように、基板１１の裏面側に複数の金属層を蒸着法で順次形成して第２の電極１４を形成する。その後、第１の電極１３および第２の電極１４を構成する金属層を合金化するために、４００〜４５０℃で熱処理する。最後に、必要に応じて、半導体レーザごとに基板１１をへき開する。
【００８９】
このようにして、半導体レーザ１０が形成される。半導体レーザ１０および５０は、同じ積層構造を有するため、同時に同一基板上に形成できる。また、半導体レーザ１０の代わりに他の半導体レーザ、たとえば、直線状のキャビティーを有する半導体レーザを形成することも可能である。また、半導体レーザ１０が光集積回路の一部である場合には、回路を構成する他の素子と半導体レーザ１０とを同時に形成してもよい。
【００９０】
なお、以上の説明では、菱形の経路に沿って出射されるレーザ光（Ｌｒ）をレーザ光（Ｌ）によって励起し、軸方向のレーザ光（Ｌａ）を電流注入によって励起する例について説明した。しかし、本発明はこれに限らず、菱形の経路に沿って出射されるレーザ光（Ｌｒ）を電流注入によって励起し、軸方向のレーザ光（Ｌａ）をレーザ光（Ｌ）によって励起してもよい。この場合、レーザ光（Ｌｒ）は、菱形の経路に沿って形成された電極によって励起される。また、レーザ光（Ｌａ）は、対角線３２ＡＢ（図３参照）に沿って入射されるレーザ光（Ｌ）によって励起される。
【００９１】
また、別の観点では、本発明で用いられる半導体レーザ（ＬＤ１）の活性層は、仮想の多角形の経路（三角形や四角形や菱形）を含む活性層であってもよい。この半導体レーザは、電流の注入によって所定の方向にレーザ光（Ｌａ’）を出射できる。また、この半導体レーザは、レーザ光（Ｌ）の入射によって励起されるレーザ光（Ｌｒ’）を、レーザ光（Ｌａ’）とは異なる方向に出射できる。この半導体レーザでは、電流の注入とレーザ光（Ｌ）とによって、レーザ光（Ｌａ’）の強度およびレーザ光（Ｌｒ’）の強度が変化する。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は、光源や、光集積回路の光スイッチなど、様々な分野に利用できる。たとえば、本発明は、光ディスクに記録されたデータを読み取るための光ピックアップの光源として利用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の半導体レーザ装置の一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１に示した半導体レーザ装置の半導体レーザ（ＬＤ１）の断面図である。
【図３】図１に示した半導体レーザ装置の半導体レーザ（ＬＤ１）の活性層（Ａ）の平面形状を示す図である。
【図４】図３に示した活性層（Ａ）の平面形状と電流注入領域との位置関係を模式的に示す図である。
【図５】図１に示した半導体レーザ（ＬＤ１）の半導体層のバンドギャッププロファイルを模式的に示す図である。
【図６】図１に示した半導体レーザ（ＬＤ１）の活性層（Ａ）付近の屈折率を模式的に示す図である。
【図７】図１に示した半導体レーザ（ＬＤ２）の活性層（ａ）の平面形状と電流注入領域との位置関係を示す図である。
【図８】図１に示した半導体レーザ（ＬＤ１）と半導体レーザ（ＬＤ２）との関係を模式的に示す図である。
【図９】図１に示した半導体レーザ（ＬＤ２）の電流注入領域の他の一例を模式的に示す図である。
【図１０】図１に示した半導体レーザ（ＬＤ１）から出力されるレーザ光の一例を示す図である。
【図１１】図１に示した半導体レーザ（ＬＤ２）から出力されるレーザ光の一例を示す図である。
【図１２】図１に示した半導体レーザ装置から出力されるレーザ光のその他の例を示す図である。
【図１３】図１に示した半導体レーザ装置から出力されるレーザ光のその他の例を示す図である。
【図１４】本発明の半導体レーザ装置の他の一例の構成を模式的に示す平面図である。
【図１５】本発明の半導体レーザ装置の製造方法の一例を模式的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９４】
１０  半導体レーザ（ＬＤ１）
１１  基板
１２  絶縁層
１３  第１の電極（Ｅ１・ｅ１）
１４  第２の電極（Ｅ２・ｅ２）
２０  半導体層
２４、２８  クラッド層
２６、２６’  活性層
３２、３２’  菱形の経路
２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃ、２６Ｄ、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ  端面
２６Ｆ  第１の領域
２６Ｓ  第２の領域
３１、５１  領域
３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｄ、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ  頂点
３５、３６、Ｌａ、Ｌｒ、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ  レーザ光
５０  半導体レーザ（ＬＤ２）
６０  半導体レーザ
１００、１４０  半導体レーザ装置
【図１】
2007220994.tif 000004
【図２】
2007220994.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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