(57)【要約】【課題】密着性が良好で、パターン精度の高い金属配線を形成することができる片面ポリイミド配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】この片面ポリイミド配線基板の製造方法では、中間層１４を介して２枚のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを貼り合わせた積層体１０１をアルカリ溶液に浸漬して、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂ表面を加水分解してアルカリ金属塩を形成し、次に積層体１０１を金属イオン含有溶液に浸漬して、アルカリ金属イオンと金属イオン含有溶液に含まれる金属イオンとを置換する。ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂ表面の金属イオンを還元することによって得られた金属膜４Ａ,４Ｂを給電層として電解めっきを行ってめっき膜６Ａ,６Ｂによる配線パターンを形成した後で、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを中間層１４から剥離する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚のポリイミドフィルムを中間層を挟んで貼り合わせることによってフィルム積層体を形成するフィルム貼り合わせ工程と、
上記フィルム積層体の両面をアルカリ溶液で処理する加水分解工程と、
上記フィルム積層体の両面を金属イオン含有溶液で処理するイオン交換工程と、
上記フィルム積層体の両面を還元剤で処理して上記フィルム積層体の両面に金属膜を析出させる還元工程と、
上記フィルム積層体の両面の上記金属膜の所定の領域にめっき膜を形成するめっき工程と、
上記めっき工程で上記めっき膜が形成されなかった領域の上記金属膜を除去すると共に上記めっき膜が形成された所定の領域の金属膜を残すエッチング工程と、
上記２枚のポリイミドフィルムから上記中間層を取り除く工程と、
を備えることを特徴とする片面ポリイミド配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の片面ポリイミド配線基板の製造方法において、
上記中間層は、支持体と、この支持体の両面に塗布された粘着材層とを有することを特徴とする片面ポリイミド配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の片面ポリイミド配線基板の製造方法において、
上記中間層は、支持体と、この支持体を挟む２層の粘着材層とを有し、
上記支持体に対する上記粘着材層の粘着強度は、上記ポリイミドフィルムに対する上記粘着材層の粘着強度に比べて高いことを特徴とする片面ポリイミド配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、片方の表面に金属配線を有する片面ポリイミド配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などの携帯情報機器に代表される電子機器は、小形化および軽量化が要求されている。この要求に伴って、電子機器に搭載されるプリント配線基板として、可撓性を有するフレキシブルプリント配線基板(ＦＰＣ(Flexible  Printed  Circuit))や、ガラスエポキシ基板などの硬質基板とＦＰＣとを組み合わせたリジット−フレキシブル配線基板などの使用量が増加している。なお、ＦＰＣの基板材料としては、耐熱性、電気絶縁性、機械的強度に優れるポリイミド樹脂が広く用いられている。
【０００３】
ポリイミド樹脂を用いたＦＰＣへの配線形成方法としては、従来、基板材料の表面全体に接着剤を介して貼り付けた金属膜を、エッチングにより除去してパターニングするサブトラクティブ法が用いられている。
【０００４】
しかしながら、プリント配線基板の高密度化に伴い、より微細な配線パターンが要求されているため、オーバーエッチングの発生や、接着剤の密着性が弱いという問題があるサブトラクティブ法に替わる配線形成方法が検討されている。
【０００５】
ところで、無電解めっき法を用いて選択的に金属膜を形成して配線を形成するアディティブ法は、接着剤を不要とする配線形成方法である。
【０００６】
しかし、従来のアディティブ法においては、金属膜とポリイミド基材との密着性が悪いという問題があり、この問題を解決するために、次のような方法が提案されている。
【０００７】
たとえば、ＫＯＨやＮａＯＨなどのアルカリ溶液を、ポリイミド基材表面に選択的に塗布し、イミド環を開環してカルボキシル基を形成させ、カルボキシル基に金属イオンを配位させて金属塩を形成し、この金属塩を還元して得られた金属膜をめっき析出核として用いてめっきを行う方法が提案されている(特許文献１(特開２００５−４５２３６号公報)、特許文献２(特開２００５−２９７３５号公報)参照)。この方法で得られた金属膜は、その一部がポリイミド基材表面の微細な凹凸に埋め込まれるようにして析出するため、高い密着性が得られる。
【０００８】
しかし、上記の方法には、以下に示すような問題点が考えられる。
【０００９】
たとえば、上記の方法でポリイミド基材の表面に金属膜を形成した場合、金属膜はポリイミド基材の両面に形成される。したがって、サブトラクティブ法によって片面だけに配線を形成した片面配線基板を形成するためには、配線を形成しない面の全面にめっきレジストを形成して電解めっき工程で金属が析出するのを防ぎ、さらに、その後、めっきレジストを剥離して、形成されていた金属膜全体をエッチングによって除去する必要があった。
【００１０】
また、アルカリ溶液で加水分解反応が生じたポリイミド基材の表層は膨潤するため、ポリイミド基材に反りが生じやすくなり、ハンドリングに困難が生じるという問題もあった。
【特許文献１】特開２００５−４５２３６号公報
【特許文献２】特開２００５−２９７３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、この発明の課題は、密着性が良好であると共にパターン精度の高い金属配線を形成することができる片面ポリイミド配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、この発明の片面ポリイミド配線基板の製造方法は、２枚のポリイミドフィルムを中間層を挟んで貼り合わせることによってフィルム積層体を形成するフィルム貼り合わせ工程と、
上記フィルム積層体の両面をアルカリ溶液で処理する加水分解工程と、
上記フィルム積層体の両面を金属イオン含有溶液で処理するイオン交換工程と、
上記フィルム積層体の両面を還元剤で処理して上記フィルム積層体の両面に金属膜を析出させる還元工程と、
上記フィルム積層体の両面の上記金属膜の所定の領域にめっき膜を形成するめっき工程と、
上記めっき工程で上記めっき膜が形成されなかった領域の上記金属膜を除去すると共に上記めっき膜が形成された所定の領域の金属膜を残すエッチング工程と、
上記２枚のポリイミドフィルムから上記中間層を取り除く工程と、
を備えることを特徴としている。
【００１３】
この発明の片面ポリイミド配線基板の製造方法によれば、フィルム貼り合わせ工程で、２枚のポリイミドフィルムの配線を形成しない面同士を中間層を挟んで予め貼り合わせてフィルム積層体を形成する。そして、加水分解工程,イオン交換工程,還元工程,めっき工程,エッチング工程によって、上記フィルム積層体の両方の表面に金属膜とめっき膜による配線を形成する。そして、上記２枚のポリイミドフィルムから上記中間層を取り除く。
【００１４】
上記配線の金属膜はポリイミドフィルムの表面の微細な凹凸に埋め込まれるようにして析出するので、ポリイミドフィルムへの高い密着性が得られると共に、配線を形成するための１回の工程でもって、２枚の片面ポリイミド配線基板の配線を形成することができ、工程数を減らすことができる。
【００１５】
さらに、上記フィルム貼り合わせ工程によって、２枚のポリイミドフィルムを中間層を挟んで貼り合わせるので、めっきの析出核として金属膜を形成させる領域の面積が半分になる。よって、イオン交換工程や還元工程などで用いる薬液中の反応種の使用量が半減し、薬液の使用量や薬液の交換工程の回数を減らすことができる。
【００１６】
また、２枚のポリイミドフィルムを中間層を介して貼り合わせてあるフィルム積層体は、１枚のポリイミドフィルムに比べて、反りが生じにくく、製造工程でのハンドリングが容易となる。
【００１７】
さらに、中間層を除去した後のポリイミドフィルムは、両方の表面のうちの中間層に貼り合わされていた片方の表面はアルカリ溶液による処理によって膨潤されていない。したがって、ポリイミドフィルムの両表面が膨潤している場合に比べて、ポリイミドフィルムは形状の変形が小さく、後の工程におけるハンドリングが容易であり、製造されるポリイミド配線基板の寸法精度を高めることができる。
【００１８】
また、一実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法では、上記中間層は、支持体と、この支持体の両面に塗布された粘着材層とを有する。
【００１９】
この実施形態では、中間層が支持体を有するので、２枚のポリイミドフィルムを中間層を介して貼り合わせたフィルム積層体の剛性が増す。よって、フィルム積層体のハンドリングが特に容易となる。
【００２０】
また、一実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法では、上記中間層は、支持体と、この支持体を挟む２層の粘着材層とを有し、上記支持体に対する上記粘着材層の密着強度は、上記ポリイミドフィルムに対する上記粘着材層の密着強度に比べて高い。
【００２１】
この実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法では、粘着材層は、上記ポリイミドフィルムに対する粘着強度に比べて、支持体に対する粘着強度が高い。この粘着材層の粘着強度の差により、ポリイミドフィルムを中間層から引き剥がすことが可能となる。
【発明の効果】
【００２２】
この発明の片面ポリイミド配線基板の製造方法によれば、中間層を挟んで２枚のポリイミドフィルムを貼り合わせた構造のフィルム積層体の状態で、配線パターンを形成するための各工程(加水分解工程,イオン交換工程,還元工程,めっき工程,エッチング工程)を行うので、ハンドリングが容易になる。また、片面ポリイミド配線基板の配線パターンの形成を２枚のポリイミドフィルムに対して同時に行うことができるので、工程数を減らすことができ、製造効率を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２４】
(第１の実施の形態)
この発明の第１実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法では、２枚のポリイミドフィルムを貼り合わせたフィルム積層体の状態で、ポリイミドフィルムの表面に配線パターンを形成する工程を行うものである。
【００２５】
図１から図９を参照して、この第１実施形態で、ポリイミドフィルムへ金属パターンを形成する方法を説明する。図１は、この第１実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法の製造フロー図である。また、図２から図９は、この第１実施形態の各製造工程を示す概略断面図である。
【００２６】
まず、図１の工程(１)のポリイミドフィルム貼合せ工程では、図２に示すように、２枚のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを中間層１４を介して貼り合わせ、フィルム積層体１０１を形成する。この中間層１４は、ポリプロピレンなどの耐アルカリ性に優れた材料で作製された支持体３を、ゴム系、シリコーン系などの粘着剤からなる粘着材層２Ａ,２Ｂで挟んだものである。
【００２７】
次に、図１の工程(２)の加水分解工程では、フィルム積層体１０１を強アルカリ溶液に浸漬し、その後、水洗して乾燥させる。この強アルカリ溶液としては、ＫＯＨやＮａＯＨなどが挙げられる。この加水分解工程により、次の(化学式１)で示されるポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂの表面は、加水分解されてイミド環が開き、強アルカリ溶液中のアルカリ金属イオンと結合する。これにより、図３に示すように、フィルム積層体１０１の両面に、改質層１０４Ａ,１０４Ｂが形成される。この改質層１０４Ａ,１０４Ｂは、たとえば、ＫＯＨを用いて加水分解を行った場合は、次の(化学式２)で示される構造である。
【００２８】
(化学式１)
【化１】
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(化学式２)
【化２】
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【００２９】
次に、図１の工程(３)の金属イオン置換工程では、フィルム積層体１０１を、金属イオン含有溶液に浸漬し、水洗、乾燥させる。この金属イオン含有溶液としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ、Ａｇなどの金属塩の水溶液が挙げられる。たとえば、ＣｕＳＯ４の水溶液などである。この金属イオン置換工程により、改質層１０４Ａ,１０４Ｂに配位していたアルカリ金属イオンが、金属イオン含有溶液中の金属イオンと置換する。その後、水洗を行い、乾燥させる。
【００３０】
なお、図１の工程(３)の前に、フィルム積層体１０１をイソプロピルアルコールなどの有機溶剤を用いて洗浄を行うと、フィルム積層体１０１の表面に付着している難水溶性のアミンなどを除去できる。これにより、次の工程でフィルム積層体１０１を浸漬する金属イオン溶液のｐＨを変化させないので、望ましい。
【００３１】
次に、図１の工程(４)の還元工程では、図４に示すように、還元剤を用いて金属イオンを還元して析出させ、改質層１０４Ａ,１０４Ｂの上に金属薄膜４Ａ,４Ｂを形成する。この還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム(ＮａＢＨ４)や、ジメチルアミンボランなどが挙げられる。Ｎｉイオンを含む水溶液で金属イオン置換工程を行った場合は、次亜リン酸ナトリウム(ＮａＨ２ＰＯ２)も使用できる。この後、フィルム積層体１０１を水洗し、乾燥させる。
【００３２】
なお、図１の工程(２)から工程(４)を複数回、繰り返すことによって、金属薄膜４Ａ,４Ｂを厚くしてもよい。
【００３３】
次に、図１の工程(５)のめっきレジスト形成工程では、図５に示すように、フィルム積層体１０１の両面の金属膜４Ａ,４Ｂの所定の領域に、めっきレジスト５Ａ,５Ｂを形成する。上記めっきレジスト５Ａ,５Ｂの形成は、まず、フィルム積層体１０１の両面にレジストフィルムを貼付し、露光、現像の工程を経て行う。上記レジストフィルムの代わりに液状レジストを用いてもよい。
【００３４】
次に、図１の工程(６)の電解めっき工程では、図６に示すように、電解めっきを行い、フィルム積層体１０１の両面の金属膜４Ａ,４Ｂの表面上にめっき膜６Ａ,６Ｂを析出させる。この電解めっき工程での電解めっき液は、Ｃｕをめっきする場合は、硫酸塩浴やスルファミン浴などが挙げられる。必要な厚さのめっき膜６Ａ,６Ｂを析出させた後、フィルム積層体１０１を電解めっき液から取り出し、水洗、乾燥を行う。
【００３５】
次に、図１の工程(７)のレジスト剥離工程では、図７に示すように、めっきレジスト５Ａ,５Ｂの剥離を行う。このレジスト剥離は、めっきレジスト５Ａ,５Ｂに適した剥離剤を用いて行う。たとえば、めっきレジスト５Ａ,５Ｂがレジストフィルムである場合は、ＮａＯＨなどのアルカリ溶液で剥離し、液状レジストである場合は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートやアルキルベンゼンスルホン酸などの有機溶剤を含む剥離剤を用いる。
【００３６】
次に、図１の工程(８)のエッチング工程では、図８に示すように、フィルム積層体１０１をエッチング溶液に浸し、上記めっき工程で上記めっき膜６Ａ,６Ｂが形成されなかった領域の金属薄膜４Ａ,４Ｂをエッチングし、めっき膜６Ａ,６Ｂに覆われた領域の金属薄膜４Ａ,４Ｂと上記めっき膜６Ａ,６Ｂのみをフィルム積層体１０１の表面に残存させる。
【００３７】
次に、図１の工程(９)の基板剥離工程では、図９に示すように、２枚のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを中間層１４の粘着材層２Ａ,２Ｂから剥離する。この剥離の方法としては、有機溶剤を用いて粘着材層２Ａ,２Ｂをなす接着剤を溶解させる方法や、加熱して粘着材層２Ａ,２Ｂをなす接着剤の粘性を下げてから、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを中間層１４から引き剥がす方法が挙げられる。また、予め、粘着材層２Ａ,２Ｂを、紫外線を照射することによって粘性が下がる材料で作製しておき、この粘着材層２Ａ,２Ｂに紫外線を照射して粘性を下げ、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを中間層１４から引き剥がしてもよい。また、２枚のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂの一部のみが中間層によって貼りあわされている場合は、その中間層を含む一部分を切り落としても良い。たとえば、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂの周縁部のみが中間層によって貼りあわされている場合である。
【００３８】
この後、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂに対して、窒素雰囲気中で加熱し、化学式３に示すようなポリアミック酸となっていた改質層１０４Ａ,１０４Ｂを、再度、化学式１に示されるようなイミド環を有する構造に変質させる。ポリアミック酸が再度、ポリイミドとなるにはポリアミック酸のガラス転移点温度よりも高い温度に保持する必要がある。
(化学式３)
【化３】
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図１の工程(１０)のカバーレイの形成工程や、めっき膜６Ａ,６Ｂのランド形成部分にＡｕフラッシュめっきなどの表面処理を行い、配線基板ごとの形状に打ち抜く工程(図１の工程(１１))や、他部材との貼り合わせ工程を行って、片面ポリイミド配線基板１５Ａ,１５Ｂを完成させる。
【００３９】
この第１実施形態によれば、配線の金属薄膜４Ａ,４Ｂはポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂの表面の微細な凹凸に埋め込まれるようにして析出するので、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂへの高い密着性が得られると共に、上記配線を形成するための各工程(１)〜(９)の１回でもって、２枚の片面ポリイミド配線基板１５Ａ,１５Ｂのめっき膜６Ａ,６Ｂと金属薄膜４Ａ,４Ｂによる配線を形成することができ、工程数を減らすことができる。
【００４０】
さらに、上記工程(１)のフィルム貼り合わせ工程によって、２枚のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを中間層１４を挟んで貼り合わせるので、めっきの析出核として金属膜４Ａ,４Ｂを形成させる領域の面積が半分になる。よって、工程(３)のイオン交換工程や工程(４)の還元工程などで用いる薬液中の反応種の使用量が半減し、薬液の使用量や薬液の交換工程の回数を減らすことができる。
【００４１】
また、２枚のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを中間層１４を介して貼り合わせてあるフィルム積層体１０１は、１枚のポリイミドフィルムに比べて、反りが生じにくく、製造工程でのハンドリングが容易となる。
【００４２】
さらに、中間層１４を除去した後のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂは、両方の表面のうちの中間層１４に貼り合わされていた片方の表面はアルカリ溶液による処理によって膨潤されていない。したがって、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂの両表面が膨潤している場合に比べて、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂは形状の変形が小さく、後の工程におけるハンドリングが容易であり、製造されるポリイミド配線基板１５Ａ,１５Ｂの寸法精度を高めることができる。
【００４３】
また、この第１実施形態によれば、中間層１４が支持体３を有するので、２枚のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを中間層１４を介して貼り合わせたフィルム積層体１０１の剛性が増す。よって、フィルム積層体１０１のハンドリングが特に容易となる。
【００４４】
なお、上記第１実施形態では、粘着材層２Ａ,２Ｂは、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂに対する密着強度に比べて、支持体３に対する密着強度が高い。この粘着材層２Ａ,２Ｂの密着強度の差により、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを中間層１４から引き剥がすことが可能となる。
【実施例】
【００４５】
次に、この発明の片面ポリイミド配線基板の製造方法を、上記第１実施形態に対応する実施例でより詳細に説明するが、この発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４６】
この実施例では、以下に説明する工程により、片面ポリイミド配線基板の製造方法を形成した。
【００４７】
被めっき物として、１００ｍｍ×１００ｍｍのフィルム積層体１０１を用いた。フィルム積層体１０１としては、厚さ１００μmのポリプロピレンからなる支持体３の両面に、シリコーン系粘着剤からなる粘着材層２Ａ,２Ｂを介して、厚さ５０μｍの２枚のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを貼り付けた構造のものを用いた。
【００４８】
次に、フィルム積層体１０１を５０℃のＫＯＨ水溶液に５分間浸漬し、２分間水洗した後、５分間の乾燥を行った。この工程により、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂの、粘着材層２Ａ,２Ｂに接していない側の表面について、イミド環の加水分解が行われ、ポリイミド表面の改質層１０４Ａ,１０４Ｂには、カルボキシル基にカリウムイオンが配位したカルボン酸カリウム塩が形成された。
【００４９】
次に、３０℃のＣｕＳＯ４水溶液にフィルム積層体１０１を５分間浸漬し、改質層１０４Ａ,１０４Ｂのカルボン酸カリウム塩のカリウムイオンを銅イオンに置換する反応により、カルボン酸銅塩を形成した。この後、５分間の水洗を行った。
【００５０】
次に、フィルム積層体１０１を３０℃のＮａＢＨ４水溶液に５分間浸漬し、さらに５分間の水洗を行った。この時点で、改質層１０４Ａ,１０４Ｂではカルボン酸銅塩の銅イオンが還元されて銅が析出し、改質層１０４Ａ,１０４Ｂの表面に金属薄膜４Ａ,４Ｂが形成された。
【００５１】
次に、フィルム積層体１０１の両面に、厚さ２５μｍのドライフィルムレジストを貼り付け、露光、現像を行って、めっきレジスト５Ａ,５Ｂを形成した。
【００５２】
次に、フィルム積層体１０１を銅の電解めっき液に浸漬し、金属薄膜４Ａ,４Ｂを給電層として銅の電解めっきを行い、めっき膜６Ａ,６Ｂを約２０μｍの厚さで析出させた。
【００５３】
次に、フィルム積層体１０１の表面にＮａＯＨ水溶液をスプレー塗布して、めっきレジスト５Ａ,５Ｂを剥離し、その後で、５分間の水洗を行った。この工程は２回繰り返し(２つのレジスト５Ａ,５Ｂ分)、フィルム積層体１０１の両面のめっきレジスト５Ａ,５Ｂを剥離した。
【００５４】
次に、フィルム積層体１０１を銅のエッチング液に３分間浸漬し、めっき膜６Ａ,６Ｂが析出していない領域の金属薄膜４Ａ,４Ｂを除去した。この後、５分間の水洗を行った。
【００５５】
次に、フィルム積層体１０１に９０℃の熱をかけて、粘着材層２Ａ,２Ｂの接着力を低下させながら、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを引き剥がした。この工程も２回行い(２枚のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂ分)、めっき膜６Ａ,６Ｂが形成された２枚のポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂを得た。
【００５６】
この後、ポリイミドフィルム１Ａ、１Ｂを窒素雰囲気中で３５０℃の温度に２時間保持した。次に、ポリイミドフィルム１Ａ,１Ｂのめっき膜６Ａ,６Ｂが形成された面にカバーレイを形成し、めっき膜６Ａ,６Ｂのランド部にあたる部分にＡｕフラッシュめっきなどの表面処理を行い、配線基板ごとの形状に打ち抜く工程や、他部材との貼り合わせ工程を行って、片面ポリイミド配線基板１５Ａ,１５Ｂを作製した。
【００５７】
(第２の実施の形態)
次に、図１０Ａ〜図１０Ｄ、図１１Ａ〜図１１Ｄを順に参照して、この発明の第２実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法を説明する。図１０Ａ〜図１０Ｄ、図１１Ａ〜図１１Ｄは、この第２実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法の製造フロー図をなす。
【００５８】
この第２実施形態では、被めっき物として、１００ｍｍ×１００ｍｍのフィルム積層体２０１を用いた。図１０Ａに示すように、フィルム積層体２０１としては、アクリル系接着材からなる中間層としての接着材層２０２を介して、２枚の厚さ５０μｍのポリイミドフィルム２１Ａ,２１Ｂを貼り合わせた構造のものを用いた。
【００５９】
次に、フィルム積層体２０１を５０℃のＫＯＨ水溶液に５分間浸漬し、２分間水洗した後、５分間の乾燥を行った。この加水分解工程により、ポリイミドフィルム２１Ａ,２１Ｂの両面のうちの、接着材層１０２に接していない側の表面に対して、イミド環の加水分解が行われる。これにより、図１０Ｂに示すように、ポリイミドフィルム２１Ａ,２１Ｂの表面に改質層２０４Ａ,２０４Ｂとして、カルボキシル基にカリウムイオンが配位したカルボン酸カリウム塩が形成された。
【００６０】
次に、イオン交換工程では、３０℃のＣｕＳＯ４水溶液にフィルム積層体２０１を５分間浸漬し、改質層２０４Ａ,２０４Ｂのカルボン酸カリウム塩のカリウムイオンを銅イオンに置換する反応により、カルボン酸銅塩を形成した。この後、５分間の水洗を行った。
【００６１】
次に、還元工程では、フィルム積層体２０１をＮａＢＨ４水溶液に５分間浸漬し、さらに５分間の水洗を行った。この時点で、改質層２０４Ａ,２０４Ｂの表面には、カルボン酸銅塩の銅イオンが還元されて銅が析出し、図１０Ｃに示すように、金属薄膜２４Ａ,２４Ｂが形成された。
【００６２】
次に、図１０Ｄに示すように、フィルム積層体２０１の両面の金属薄膜２４Ａ,２４Ｂに、厚さ２５μｍのドライフィルムレジストを貼り付け、露光、現像を行って、金属薄膜２４Ａ,２４Ｂの所定の領域にめっきレジスト２５Ａ,２５Ｂを形成した。次に、めっき工程では、フィルム積層体２０１を銅の電解めっき液に浸漬し、金属薄膜２４Ａ,２４Ｂを給電層として銅の電解めっきを行い、図１１Ａに示すように、金属薄膜２４Ａ,２４Ｂの所定の領域にめっき膜２６Ａ,２６Ｂを約２０μｍの厚さで析出させた。
【００６３】
次に、フィルム積層体２０１の表面のめっきレジスト２５Ａ,２５ＢにＮａＯＨ水溶液をスプレー塗布して、図１１Ｂに示すように、めっきレジスト２５Ａ,２５Ｂを剥離し、その後で、５分間の水洗を行った。この工程は２回繰り返し、フィルム積層体１０１の両面のめっきレジスト２５Ａ,２５Ｂを剥離した。
【００６４】
次に、エッチング工程では、フィルム積層体２０１を銅のエッチング液に３分間浸漬し、図１１Ｃに示すように、めっき膜２６Ａ,２６Ｂが析出していない領域の金属薄膜２４Ａ,２４Ｂを除去した。この後、５分間の水洗を行った。
【００６５】
次に、図１１Ｄに示すように、フィルム積層体２０１を５０℃のメチルエチルケトンに１０分間浸漬し、接着材層２０２を溶かしながら、２枚のポリイミドフィルム２１Ａ,２１Ｂを引き剥がした。その後、イソプロピルアルコールに５分間浸漬して、洗浄した。
【００６６】
この後、ポリイミドフィルム１Ａ、１Ｂを窒素雰囲気中で３５０℃の温度に２時間保持した。次に、ポリイミドフィルム２１Ａ,２１Ｂのめっき膜２６Ａ,２６Ｂが形成された面にカバーレイ(図示せず)を形成し、めっき膜２６Ａ,２６Ｂのランド部にあたる部分にＡｕフラッシュめっきなどの表面処理を行い、配線基板ごとの形状に打ち抜く工程や、他部材との貼り合わせ工程を行って、片面ポリイミド配線基板を作製した。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
この発明は、フレキシブル配線基板などの回路基板の製造に広く利用可能であり、小形化および軽量化が要求されている携帯電話などの携帯情報機器に代表される電子機器に内蔵する回路基板の製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】この発明の片面ポリイミド配線基板の製造方法の第１実施形態による製造工程を示すフロー図である。
【図２】上記第１実施形態の一製造工程を説明する概略断面図である。
【図３】上記第１実施形態の一製造工程を説明する概略断面図である。
【図４】上記第１実施形態の一製造工程を説明する概略断面図である。
【図５】上記第１実施形態の一製造工程を説明する概略断面図である。
【図６】上記第１実施形態の一製造工程を説明する概略断面図である。
【図７】上記第１実施形態の一製造工程を説明する概略断面図である。
【図８】上記第１実施形態の一製造工程を説明する概略断面図である。
【図９】上記第１実施形態の一製造工程を説明する概略断面図である。
【図１０Ａ】この発明による片面ポリイミド配線基板の製造方法の第２実施形態による一製造工程を説明する概略断面図である。
【図１０Ｂ】上記第２実施形態による一製造工程を説明する概略断面図である。
【図１０Ｃ】上記第２実施形態による一製造工程を説明する概略断面図である。
【図１０Ｄ】上記第２実施形態による一製造工程を説明する概略断面図である。
【図１１Ａ】上記第２実施形態による一製造工程を説明する概略断面図である。
【図１１Ｂ】上記第２実施形態による一製造工程を説明する概略断面図である。
【図１１Ｃ】上記第２実施形態による一製造工程を説明する概略断面図である。
【図１１Ｄ】上記第２実施形態による一製造工程を説明する概略断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１Ａ、１Ｂ、２１Ａ、２１Ｂ  ポリイミドフィルム
２Ａ、２Ｂ  粘着材層
３  支持体
４Ａ、４Ｂ、２４Ａ、２４Ｂ  金属薄膜
５Ａ、５Ｂ、２５Ａ、２５Ｂ  めっきレジスト
６Ａ、６Ｂ、２６Ａ、２６Ｂ  めっき膜
１４  中間層
１０１、２０１  フィルム積層体
２０２  接着材層
１０４Ａ、１０４Ｂ、２０４Ａ、２０４Ｂ  改質層
【図１】
2007214338.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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