(57)【要約】【課題】高精度のパターン位置精度が維持できるステンシルマスクの自立薄膜の応力管理方法及びステンシルマスクの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】Ｓｉ単結晶支持基板１１と中間酸化膜層２１とＳｉ単結晶薄膜層３１とからなるＳＯＩ基板３０を準備し、ＳＯＩ基板３０のＳｉ単結晶薄膜層３１に薄膜応力調整用不純物（Ｐ（リン）、Ｂ（ボロン）等）を導入し、応力調整用不純物が導入されたＳｉ単結晶薄膜層３１ａを有するＳＯＩ基板３０ａを作製する。次に、応力測定装置２００の抵抗測定器２１０及び４端針測定ヘッド２１１を用いて、応力調整用不純物が導入されたＳｉ単結晶薄膜層３１ａの抵抗値を測定する。測定された抵抗値は演算処理装置２２０に取り込まれ、応力に変換されてＳｉ単結晶薄膜層３１ａの応力が表示される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ単結晶支持基板と中間酸化膜層とＳｉ単結晶薄膜層とを有するＳＯＩ基板の前記Ｓｉ単結晶薄膜層に応力調整用不純物を導入した後、Ｓｉ単結晶薄膜層の抵抗値を測定することにより、自立薄膜の応力を管理することを特徴とする自立薄膜の応力管理方法。
【請求項２】
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
（ａ）Ｓｉ単結晶支持基板と、中間酸化膜層と、Ｓｉ単結晶薄膜層とを有するＳＯＩ基板を準備する工程。
（ｂ）Ｓｉ単結晶薄膜層に応力調整用不純物を導入する工程。
（ｃ）応力調整用不純物が注入されたＳｉ単結晶薄膜層の抵抗を測定し、応力調整されたＳｉ単結晶薄膜層を有するＳＯＩ基板を作製する工程。
（ｄ）応力調整されたＳＯＩ基板のＳｉ単結晶薄膜層をパターニングする工程。
（ｅ）ＳＯＩ基板のＳｉ単結晶支持基板をパターニング処理して支持枠及び梁を形成する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線投影露光法に用いられるステンシルマスクの自立薄膜の応力管理方法及びステンシルマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、その製造技術として電子線リソグラフィー等の研究開発が盛んにおこなわれている。ステンシルマスクは自立薄膜に転写ステンシルパターンを形成した構造をしており、これらリソグラフィー技術のマスクとして使われる。
【０００３】
詳しくは、かかるリソグラフィー技術の中でも半導体の微細化に対応する方法として、電子線を用いたセルプロジェクション露光法やブロック露光法と呼ばれる方法、さらにＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）やＥＰＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）法と呼ばれる電子線投影露光法が開発されている。またこの他にも、ステンシルパターンの微細化の要求からセルプロジェクション方式、イービーム方式等においても、同程度の自立薄膜を有するマスクブランクスが使われている。
【０００４】
ＥＰＬ法やＬＥＥＰＬ法では、図６に示すように、ステンシルマスク３２０を用いて回路パターンをレジスト層３３１が形成された感応基板３３０に転写する。
ステンシルマスク３２０では、電子線を散乱もしくは吸収する厚さを有する自立メンブレン３２１内に、回路パターンを形成するためのステンシル（開口部）３２２が設けてあり、電子線がステンシル（開口部）３２２を透過し、回路パターンを感応基板３３０に転写するための電子線投影露光を行う。
【０００５】
ＥＰＬ法やＬＥＥＰＬ法で用いられるステンシルマスク３１０では、図５に示すように、自立薄膜３１２の剛性を強めるために、自立薄膜３１２を梁（ストラット）３１１もしくはバルク部により一辺が１〜５ｍｍ程度の矩形薄膜を用いることが多い。
自立薄膜３１２の材料は均一かつ欠陥の少ない材料をとして単結晶シリコンが使用される。自立薄膜３１２の厚みは５〜２０μmの場合もあるが、ステンシルパターン３１３の微細化に伴う高アスペクトパターンの加工性の劣化を考慮して約３μｍ以下である場合が多い。
【０００６】
このような自立薄膜を有するステンシルマスクの作製ではＳＯＩ基板（silicon on insulator）が用いられる。ＳＯＩ基板は薄膜層に単結晶シリコンを用いているため欠陥の少ない薄膜を形成することができ、支持基板もしくは単結晶シリコン薄膜層のエッチングの際には中間酸化膜層をエッチングストッパー層として使用することができる。
さらに、Smart-Cut法やELTRAN法を用いた場合、薄膜層の膜厚バラツキを５%以下に抑えたＳＯＩ基板を得ることができるため、ステンシルパターンの高精度の寸法制御が可能となる。
【０００７】
ＳＯＩ基板の中間酸化膜層は熱酸化法により形成されるため３００ＭＰａ程度の圧縮応力を有している。このため自立薄膜を形成すると、中間酸化膜層と単結晶シリコン薄膜層の厚みに依存するが自立薄膜の応力は圧縮応力となってしまい撓んでしまう。
したがって、自立薄膜が引っ張り応力を有するように、さらには自立薄膜が張るように歪を与えるような応力制御を行う必要がある。この単結晶シリコン薄膜層の応力制御には、シリコンより原子径の小さいリンやボロンなどの不純物を導入する方法が用いられ、単結晶シリコン薄膜層内のリン濃度を制御することにより、ステンシルパターンの反りやパタ
ーン変形を容易に抑制することができる転写マスクブランクス及び転写マスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
しかしながら、過剰な不純物濃度は強い引っ張り応力を引き起こしステンシルパターンの位置精度の劣化を生じるため、１ｍｍ×１ｍｍ程度の自立薄膜内のステンシルパターンを１０ｎｍ以下の位置精度に抑えるためには０〜１０ＭＰａ程度の引っ張り応力が必要とされる。ここで位置精度とは、任意領域、例えば自立薄膜内における設計座標と実際の測定座標との差分のバラツキ３σである。
メンブレン内のパターン密度に偏りがあり、ライン系のパターンの場合、内部応力が１０ＭＰａ以下で応力起因の位置ズレをおよそ１０ｎｍに抑えることができる。
また、ホール系パターンでは応力起因の位置ズレを４ｎｍ程度に抑えることができる。
【０００９】
単結晶シリコン薄膜層に導入する不純物濃度と内部応力の関係は、不純物の種類、単結晶シリコン薄膜層と中間酸化膜層の厚さ、単結晶シリコン薄膜層やＳＯＩ基板の作製条件等の基板条件に依存するため、基板条件毎に不純物濃度と内部応力との関係を調べ、必要な自立薄膜の内部応力に対応した最適な不純物濃度を決定する必要がある。
【００１０】
また、単結晶シリコン薄膜層の内部応力測定は、単結晶シリコン薄膜層形成後に単結晶シリコン薄膜層への加圧とその変形量の関係より内部応力を測定するバルジ法や、単結晶シリコン薄膜層に振動を与えその共振周波数より内部応力を測定する共振周波数測定法や、単結晶シリコン薄膜層内におけるステンシルパターン位置座標の応力による変位量を５ｎｍ程度の測定精度を有する位置座標測定機により測定し、その変位量と有限要素法による解析結果と照らし合わせることにより内部応力を決定する位置座標測定法などがある。
【００１１】
上記のような方法により、各々の基板条件に対して任意の内部応力を有する単結晶シリコン薄膜層を形成し、ステンシルマスクを作製することができる。
【００１２】
ステンシルマスクの転写精度を維持するためには、自立薄膜の応力管理をおこなうことが必要であり薄膜応力の測定が必要である。
しかしながら、バルジ法による応力測定では、薄膜の応力調整をおこなった後にＳＯＩ基板を加工して自立薄膜を形成し、ＳＯＩ基板を機械的に保持して、圧力を与える必要があるため自立薄膜のパティークル汚染やさらには亀裂等の損傷が発生するという課題を有している。
また、共振周波数測定法においても自立薄膜形成後のＳＯＩ基板を機械的に保持して、自立薄膜へ振動を与える必要があるためＳＯＩ基板や自立薄膜が損傷するという問題を有している。
【００１３】
また、応力調整の工程に不具合があり、不純物濃度が低く引っ張り応力が低い場合、自立薄膜に不純物を追加導入することが困難であるという問題もある。
【００１４】
また、位置座標測定方法もあるが、自立薄膜形成後に、応力確認用のステンシルパターンを形成する必要があり、工程が増えるだけでなく、不純物濃度が低く、引っ張り応力が低い場合、自立薄膜に不純物を追加導入ができないという問題がある。
【特許文献１】特開２００２−２６１００３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、高精度のパターン位置精度が維持できるステンシルマスクの自立薄膜の応力管理方法及びステンシルマスクの製造方法を提供する
ことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項１においては、Ｓｉ単結晶支持基板と中間酸化膜層とＳｉ単結晶薄膜層とを有するＳＯＩ基板の前記Ｓｉ単結晶薄膜層に応力調整用不純物を導入した後、Ｓｉ単結晶薄膜層の抵抗値を測定することにより、自立薄膜の応力を管理することを特徴とする自立薄膜の応力管理方法としたものである。
【００１７】
また、請求項２においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするステンシルマスクの製造方法としたものである。
（ａ）Ｓｉ単結晶支持基板と、中間酸化膜層と、Ｓｉ単結晶薄膜層とを有するＳＯＩ基板を準備する工程。
（ｂ）Ｓｉ単結晶薄膜層に応力調整用不純物を導入する工程。
（ｃ）応力調整用不純物が注入されたＳｉ単結晶薄膜層の抵抗を測定し、応力調整されたＳｉ単結晶薄膜層を有するＳＯＩ基板を作製する工程。
（ｄ）応力調整されたＳＯＩ基板のＳｉ単結晶薄膜層をパターニングする工程。
（ｅ）ＳＯＩ基板のＳｉ単結晶支持基板をパターニング処理して支持枠及び梁を形成する工程。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の自立薄膜の応力管理方法によれば、Ｓｉ単結晶薄膜層の抵抗を測定することにより、自立薄膜の内部応力が測定できるため、自立薄膜の汚染や亀裂等の損傷を与えることなく歩留まりの良いステンシルマスクを提供できる。
また、機械的な保持も必要としないのでＳＯＩ基板への損傷もない。
また、ダミー測定用の自立薄膜を作る必要もなく、加工直前に自立薄膜の内部応力の評価ができるので、投入する基板の枚数を必要最小限に設定でき、材料費の節減に寄与できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態につき説明する。
請求項１に係る発明は、Ｓｉ単結晶支持基板と中間酸化膜層とＳｉ単結晶薄膜層とを有するＳＯＩ基板の前記Ｓｉ単結晶薄膜層に応力調整用不純物を導入した後、Ｓｉ単結晶薄膜層の抵抗値を測定することにより、自立薄膜の応力を管理するようにした自立薄膜の応力管理方法である。
図１は、応力調整用不純物が導入されたＳｉ単結晶薄膜層３１ａの抵抗値を測定し、演算装置２２０にて応力に変換処理して、Ｓｉ単結晶薄膜層３１ａの応力測定を行う測定装置の一例を示す模式構成図である。
【００２０】
図１に示す応力測定装置２００を用いて自立薄膜の応力を管理する方法について説明する。
まず、Ｓｉ単結晶支持基板１１と中間酸化膜層２１とＳｉ単結晶薄膜層３１とからなるＳＯＩ基板３０を準備する（図２（ａ）参照）。
【００２１】
次に、ＳＯＩ基板３０のＳｉ単結晶薄膜層３１に薄膜応力調整用不純物を導入し、応力調整用不純物が導入されたＳｉ単結晶薄膜層３１ａを有するＳＯＩ基板３０ａを作製する（図２（ｂ）参照）。
不純物としては、Ｐ（リン）、Ｂ（ボロン）等が使用でき、熱拡散法やイオン注入法を用いて導入できるが、膜厚方向への不純物濃度分布を抑えるために十分なアニール処理をすることが望ましい。
【００２２】
次に、図１に示す応力測定装置２００の抵抗測定器２１０及び４端針測定ヘッド２１１を用いて、応力調整用不純物が導入されたＳｉ単結晶薄膜層３１ａの抵抗値を測定する。測定箇所は４端針測定ヘッド２１１の接触による傷等の損傷の可能性を考慮して、後に自立薄膜とならない箇所を抽出し、ＳＯＩ基板内の複数箇所について測定することが望ましい。
抵抗測定器２１０で測定された抵抗値は演算処理装置２２０に取り込まれ、応力に変換されてＳｉ単結晶薄膜層３１ａの応力が表示される。
【００２３】
ここで、Ｓｉ単結晶薄膜層３１ａのシート抵抗と内部応力の関係は、事前に不純物濃度の異なるＳｉ単結晶薄膜層についてバルジ法や共振周波数測定法等を用いて実験的に調べておき、演算処理装置２２０に登録しておく。
そのため、４端針抵抗測定機によりＳｉ単結晶薄膜層３１ａのシート抵抗を測定することにより、演算処理装置２２０にて容易に内部応力を得ることができる。
【００２４】
例えば、７２５μｍ厚のＳｉ単結晶支持基板１１と、１．０μm厚の中間酸化膜層２１と、２．０μm厚のＳｉ単結晶薄膜層３１とからなるＳＯＩ基板３０に不純物としてＰ(リン)を導入したＳｉ単結晶薄膜層３１ａのシート抵抗と内部応力の関係の一例を図３に示す。
図３より１５ＭＰａ以下の自立薄膜を得るためには、シート抵抗値は約４〜７Ω／□の範囲にあることが必要である。
【００２５】
ここで、不純物濃度を導入したＳｉ単結晶薄膜層３１ａのシート抵抗と内部応力については、必ずしも１回の作業で所望の値が得られるとは限らない。
シート抵抗が７Ω／□以上の場合は不純物濃度が不十分であり、不純物濃度を追加する必要があると判定し、再度、不純物導入工程をおこなう。
シート抵抗が４Ω／□以下の場合は、不純物濃度が高すぎるために内部応力が１５ＭＰａより高くなると判定し、高応力の自立薄膜として別用途のマスクに使用する。
【００２６】
また、７２５μｍ厚のＳｉ単結晶支持基板１１と、１．０μm厚の中間酸化膜層２１と、２．０μm厚のＳｉ単結晶薄膜層３１とからなるＳＯＩ基板３０に不純物としてＢ(ボロン)を導入したＳｉ単結晶薄膜層３１ａのシート抵抗と内部応力の関係の一例を図４に示す。
図４より０〜１５ＭＰａの自立薄膜を得るためには、シート抵抗値は約３０〜６０Ω／□の範囲にあることが必要である。
ここで作製するマスクパターンはホール系であり、応力起因の位置ズレは１０ｎｍ以下に押さえることが必要である。メンブレンの内部応力は１５ＭＰａにおいて６ｎｍ程度と予想されるので、１５ＭＰａ以下の自立薄膜にしておくことにより、応力起因の位置ズレを１０ｎｍ以下にすることができる。
【００２７】
上記の０〜１５ＭＰａの適性内部応力範囲の設定事例はあくまでも一例であって、要求される自立薄膜の内部応力は作製するマスクの仕様に依存し、詳しくはパターン密度の自立薄膜内における粗密分布や位置精度の仕様に依存する。
【００２８】
以下、応力調整済みｉ単結晶薄膜層３１ａを有するＳＯＩ基板３０ａを用いたステンシルマスクの製造方法について説明する。
まず、応力調整済みＳｉ単結晶薄膜層３１ａ上にレジスト層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１を形成する（図２（ｃ）参照）。
【００２９】
次に、ＳＦ6ガス等を用いたドライエッチングにより、レジストパターン４１をマスク
にしてＳｉ単結晶薄膜層３１ａをエッチングし、さらに、酸素プラズマ等による灰化処理を行って、Ｓｉ単結晶薄膜層３１ａの所定位置にステンシル３２を形成する（図２（ｄ）参照）。
【００３０】
次に、Ｓｉ単結晶支持基板１１上に数十μｍ厚のレジスト層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、ウインドウ用レジストパターン４２を形成する（図２（ｅ）参照）。
【００３１】
次に、ウインドウ用レジストパターン４２をマスクにして、ドライエッチングによりＳｉ単結晶支持基板１１をエッチングする。
ここで、Ｓｉ単結晶支持基板１１のエッチング加工は、フッ素系ガスによるエッチングとフロロカーボン系ガスによる保護膜堆積ステップを組み合わせたプロセスを使用すると高アスペクト比（エッチング深さ／開口寸法）エッチングをおこなうことができる。
【００３２】
次に、ウインドウ用レジストパターン４２を酸素プラズマ等による灰化処理により除去した後、さらに、中間酸化膜層２１の一部をＨＦ溶液でエッチングし、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄をおこない、梁１１ａを作製し、応力調整された自立薄膜３１ａを有するステンシルマスク１００を得ることができる。（図２（ｅ）参照）。
【００３３】
なお、ＥＰＬマスクのような隣接する自立薄膜同士の距離が短い場合はドライエッチによるＳｉ単結晶支持基板１１のエッチングが必要であるが、セルプロジェクション用マスクのように自立薄膜間の距離が十分に許される場合は、ＫＯＨ等のウエットエッチを用いてもよい。
ウエットエッチングの場合、窒化膜等で薄膜ウインドウ用パターンマスクを形成した後、３０ｗｔ％のＫＯＨを８０℃に加熱し、ウエットエッチングによりＳｉ単結晶支持基板１１の一部を中間酸化膜層まで除去したのち、さらに中間酸化膜層の一部を５ｗｔ％のバファードＨＦ溶液でエッチングし、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄をおこない、ステンシルマスクを得ることができる。
【実施例１】
【００３４】
まず、７２５μｍ厚のＳｉ単結晶支持基板１１と１μｍ厚の中間酸化膜層２１と２．０μｍ厚のＳｉ単結晶薄膜層３１とからなる直径２００ｍｍのＳＯＩ基板３０を準備した（図２（ａ）参照）。
【００３５】
次に、ＳＯＩ基板３０のＳｉ単結晶薄膜層３１にＰ（リン）からなる薄膜応力調整用不純物をイオン注入法にて導入し、応力調整用不純物が導入されたＳｉ単結晶薄膜層３１ａを有するＳＯＩ基板３０ａを作製した（図２（ｂ）参照）。
【００３６】
次に、図１に示す応力測定装置２００の抵抗測定器２１０及び４端針測定ヘッド２１１を用いて、応力調整用不純物が導入されたＳｉ単結晶薄膜層３１ａの抵抗値を測定した。抵抗値は４．２Ω／□であり、測定された抵抗値は演算処理装置２２０に取り込まれ、応力に変換されて、予想されるメンブレン形成後のＳｉ単結晶薄膜層３１ａの応力は１１ＭＰａであった。
【００３７】
次に、応力調整済みＳｉ単結晶薄膜層３１ａ上に電子線感応性レジスト（ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレ−ト系）ポジレジスト）を塗布して５００ｎｍ厚のレジスト層を形成し、１２０μＣ／ｃｍ2の電子線照射量で電子線露光し、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００３８】
次に、フロロカーボン系ガスを用いたドライエッチングにより、レジストパターン４１
をマスクにしてＳｉ単結晶薄膜層３１ａをエッチングし、さらに、酸素プラズマによる灰化処理を行って、Ｓｉ単結晶薄膜層３１ａの所定位置にステンシル３２を形成した（図２（ｄ）参照）。
【００３９】
次に、Ｓｉ単結晶支持基板１１上に５０μｍ厚のレジスト層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、ウインドウ用レジストパターン４２を形成した（図２（ｅ）参照）。
【００４０】
次に、ウインドウ用レジストパターン４２をマスクにして、フロロカーボン系ガスを用いたドライエッチングによりＳｉ単結晶支持基板１１をエッチングした。
さらに、３０ｗｔ％のＫＯＨを８０℃に加熱したエッチング液によりＳｉ単結晶支持基板１１の一部を中間酸化膜層２１まで除去した。
【００４１】
さらに、中間酸化膜層２１の一部を５ｗｔ％のバファードＨＦ溶液でエッチングし、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、１１ＭＰａに応力調整された自立薄膜３１ａを有するＥＰＬ法に用いられる梁付きステンシルマスク１００ａを得た。（図２（ｅ）参照）。
【実施例２】
【００４２】
まず、７２５μｍ厚のＳｉ単結晶支持基板１１と０．２μｍ厚の中間酸化膜層２１と２．０μｍ厚のＳｉ単結晶薄膜層３１とからなる直径２００ｍｍのＳＯＩ基板３０を準備した（図２（ａ）参照）。
【００４３】
次に、ＳＯＩ基板３０のＳｉ単結晶薄膜層３１にＢ（ボロン）からなる薄膜応力調整用不純物をイオン注入法にて導入し、応力調整用不純物が導入されたＳｉ単結晶薄膜層３１ａを有するＳＯＩ基板３０ａを作製した（図２（ｂ）参照）。
【００４４】
次に、図１に示す応力測定装置２００の抵抗測定器２１０及び４端針測定ヘッド２１１を用いて、応力調整用不純物が導入されたＳｉ単結晶薄膜層３１ａの抵抗値を測定した。抵抗値は６４Ω／□であり、測定された抵抗値は演算処理装置２２０に取り込まれ、応力に変換されて、Ｓｉ単結晶薄膜層３１ａの予想される応力は約８ＭＰａであった。
【００４５】
次に、応力調整済みＳｉ単結晶薄膜層３１ａ上に電子線感応性レジスト（ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレ−ト系）ポジレジスト）を塗布して５００ｎｍ厚のレジスト層を形成し、１２０μＣ／ｃｍ2の電子線照射量で電子線露光し、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００４６】
次に、フロロカーボン系ガスを用いたドライエッチングにより、レジストパターン４１をマスクにしてＳｉ単結晶薄膜層３１ａをエッチングし、さらに、酸素プラズマによる灰化処理を行って、Ｓｉ単結晶薄膜層３１ａの所定位置にステンシル３２を形成した（図２（ｄ）参照）。
【００４７】
次に、Ｓｉ単結晶支持基板１１上に５０μｍ厚のレジスト層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、ウインドウ用レジストパターン４２を形成した（図２（ｅ）参照）。
【００４８】
次に、ウインドウ用レジストパターン４２をマスクにして、フロロカーボン系ガスを用いたドライエッチングによりＳｉ単結晶支持基板１１をエッチングした。
さらに、３０ｗｔ％のＫＯＨを８０℃に加熱したエッチング液によりＳｉ単結晶支持基板１１の一部を中間酸化膜層２１まで除去した。
【００４９】
さらに、中間酸化膜層２１の一部を５ｗｔ％のバファードＨＦ溶液でエッチングし、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、９．１ＭＰａに応力調整された自立薄膜３１ａを有するＥＰＬ法に用いられる梁付きステンシルマスク１００ｂを得た。（図２（ｅ）参照）。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】自立薄膜の応力測定装置の一例を示す模式構成図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のステンシルマスクの製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成断面図である。
【図３】応力調整用不純物としてＰ（リン）を導入したＳｉ単結晶薄膜層のシート抵抗と応力の関係を示す説明図である。
【図４】応力調整用不純物としてＢ（ボロン）を導入したＳｉ単結晶薄膜層のシート抵抗と応力の関係を示す説明図である。
【図５】（ａ）は、ＥＰＬ法やＬＥＥＰＬ法で用いられるステンシル転写マスクの一例を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ｂ）のＢ部を拡大した模式構成断面図である。
【図６】転写マスクを使って感応基板へパターン転写している状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１１……Ｓｉ単結晶支持基板
１１ａ……梁
２１……中間酸化膜層
３０、３０ａ……ＳＯＩ基板
３１……Ｓｉ単結晶薄膜層
３１ａ……応力調整用不純物が導入されたＳｉ単結晶薄膜層（自立薄膜）
３２……ステンシル
４１……レジストパターン
４２……ウインドウ用レジストパターン
１００、１００ａ、１００ｂ……ステンシルマスク
２００……応力測定装置
２１０……抵抗測定器
２１１……４探針測定ヘッド
２２０……演算処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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