(57)【要約】【課題】マイクロレンズ同士が接触しない固体撮像素子の製造方法を提供し、マイクロレンズの集光効率の向上を図る。【解決手段】基板１上に形成された複数の受光部と、これら受光部のそれぞれに入射光を集光させる複数のマイクロレンズ１３とを備える固体撮像素子の製造方法であって、基板１上の受光部の各位置にガラス系材料からなるピラー１３ａを立設し、ピラー１３ａの基板１側とは反対側の先端部を局所的に加熱溶融処理により凸曲面形状に加工することでマイクロレンズ１３を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数の受光部と、これら受光部のそれぞれに入射光を集光させる複数のマイクロレンズとを備える固体撮像素子の製造方法であって、
前記基板上の前記受光部の各位置にガラス系材料からなるピラーを立設し、
該ピラーの前記基板側とは反対側の先端部を局所的に加熱溶融処理することにより凸曲面形状に加工し、前記マイクロレンズを形成する固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記加熱溶融処理が、レーザ光又は赤外線の高エネルギー光の照射である固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記高エネルギー光の照射は、該高エネルギー光の焦点位置を前記ピラーの先端部付近に合わせ、前記基板表面に対してラスタ走査により行う固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記複数のマイクロレンズを、隣接する相互間に隙間を有して配列させる固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記基板上の各受光部位置に形成するピラーの直下に、前記受光部まで光を導くための透光性を有する導光路を、前記ピラーの形成前に予め形成する固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のマイクロレンズを備える固体撮像素子の製造方法に関し、特に、マイクロレンズ同士を接触させずに、高い集光効率が得られるようにした改良技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像デバイスであるＣＣＤやＣＭＯＳ等の固体撮像素子は、基本構成としてフォトダイオードなどの光電変換部を有し、この光電変換部に入射光を効率よく集光させるためのマイクロレンズを備えることが多い。
【０００３】
凸状のマイクロレンズを形成する方法には、例えば特許文献１に記載されるように、受光部を保護するバッシベーション膜の形成された基板上に、平坦化と混色防止機能を有する有機膜を備えた固体撮像素子において、最上層有機膜上の受光部に対応した位置にレジストパターンを形成し、それを加熱することにより、凸状に変形させて簡単、安価にマイクロレンズとして形成する方法が知られている。
【０００４】
また、マイクロレンズとしては、平坦面上に凸曲面として形成されるものの他に、例えば非特許文献１に開示されるように、受光部に対応した層上の位置に複数の柱状導光部を、空隙を隔てて立設し、この柱状導光部の上部を凸状曲面としたマイクロレンズがある。
【０００５】
【特許文献１】特開昭５９−１４７５８６号公報
【非特許文献１】T.-H. Hsu et al. "High-Efficiency Dielectric Structure for Advanced CMOS Imagers." 2005 IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Image Sensors 予稿集, P.5, 2005
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記した従来の加熱による変形で凸状のマイクロレンズを形成する製造方法は、受光面積を確保するために、パターン同士の間隔を狭くすると、加熱した際にマイクロレンズ用材料が熱で平坦面を伝って横に流れ、隣接するレンズ同士が接触する。このような接触が発生すれば、入射光が隣接レンズへと伝搬し、集光効率が著しく低下した。そのため、高精度な加熱管理が必要となり、生産性が低下するとともに、製造コストも増大した。また、非特許文献１に開示されるような、空隙を隔てて立設した柱状導光部の先端に凸状曲面のマイクロレンズを形成する構造では、加熱部分が柱状導光部の先端となるので、マイクロレンズ用材料が熱で横に流れて接触することがない。しかしながら、柱状導光部の先端に、簡単、かつ安価に凸状レンズを形成する製造方法の技術については、何ら開示がなされていなかった。
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、マイクロレンズ同士が接触しない固体撮像素子の製造方法を提供し、もって、マイクロレンズの集光効率の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る上記目的は、下記構成により達成される。
（１）  基板上に形成された複数の受光部と、これら受光部のそれぞれに入射光を集光させる複数のマイクロレンズとを備える固体撮像素子の製造方法であって、
前記基板上の前記受光部の各位置にガラス系材料からなるピラーを立設し、
該ピラーの前記基板側とは反対側の先端部を局所的に加熱溶融処理することにより凸曲面形状に加工し、前記マイクロレンズを形成する固体撮像素子の製造方法。
【０００８】
この固体撮像素子の製造方法によれば、まず、基板上の受光部位置にピラーを形成して、このピラーの先端を局所的に加熱溶融処理することで、ピラー先端だけが加熱されて流動性をもち、表面張力によって先端部が凸曲面形状（略球面状）を呈するようになる。これにより、簡単にして先端部を凸レンズ形状に加工できる。また、このマイクロレンズは、通常の凸レンズよりも側面側からの入射光も有効に導入されて、光の集光力が向上する。
【０００９】
（２）  （１）項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記加熱溶融処理が、レーザ光又は赤外線の高エネルギー光の照射である固体撮像素子の製造方法。
【００１０】
この固体撮像素子の製造方法によれば、高エネルギー光をガラス材に供給することで、ピラーの先端部にエネルギーを集中させ、総加熱量の少ない局所加熱により、ピラー先端部のみを溶融することができる。これにより、多くの工程を必要とせず、また煩雑な工程を必要とせず、簡単かつ効率良くマイクロレンズを製造でき、製造コストの低減が可能となる。
【００１１】
（３）  （２）項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記高エネルギー光の照射は、該高エネルギー光の焦点位置を前記ピラーの先端部付近に合わせ、前記基板表面に対してラスタ走査により行う固体撮像素子の製造方法。
【００１２】
この固体撮像素子の製造方法によれば、高エネルギー光の焦点位置をピラー先端部に合わせた状態で、単にラスタ走査するだけでピラー先端が選択的に加熱されて、基板側に熱影響を及ぼすことなく、凸レンズを容易に加工できる。従って、１つ１つのピラーに対して狙い打ちする必要がないので、各ピラーと高エネルギー光との位置合わせを厳格にすることもなく、製造工程が簡略化される。
【００１３】
（４）  （１）項〜（３）項のいずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記複数のマイクロレンズを、隣接する相互間に隙間を有して配列させる固体撮像素子の製造方法。
【００１４】
この固体撮像素子の製造方法によれば、隣接するマイクロレンズ同士が接していないことにより、マイクロレンズ内に導入された入射光が、接合部を介してマイクロレンズ（ピラー）外部に逃げることがなくなる。よって、導入された入射光の殆どが受光部側へ到達することになり、受光部の光量を増大させることができる。
【００１５】
（５）  （１）項〜（４）項のいずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記基板上の各受光部位置に形成するピラーの直下に、前記受光部まで光を導くための透光性を有する導光路を、前記ピラーの形成前に予め形成する固体撮像素子の製造方法。
【００１６】
この固体撮像素子の製造方法によれば、マイクロレンズから基板側に出射される集光された光が基板内の受光部まで導光路に沿って伝播され、マイクロレンズと基板との接合部付近で光漏れ等のロスが生じることなく、マイクロレンズから基板側に出射された光が高効率で受光部まで導かれる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る固体撮像素子の製造方法によれば、基板上の受光部の各位置にガラス系材料からなるピラーを立設し、このピラーの基板側とは反対側の先端部を局所的に加熱溶融処理することにより凸曲面形状に加工し、マイクロレンズを形成するので、ピラーの先端を加熱溶融処理することで、ピラー先端に流動性を生じさせ、表面張力によって先端部を凸曲面形状（略球面状）に形成できる。これにより、マイクロレンズ同士を接触させないようにしながら、簡単にして先端部を凸レンズ形状に加工できる。また、このマイクロレンズは、通常の凸レンズよりも側面側からの入射光も有効に導入される。この結果、マイクロレンズの集光効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る固体撮像素子の製造方法の好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明に係る製造方法によって製造される一例としての固体撮像素子の断面図、図２は図１に示した固体撮像素子の平面図、図３は一部分を拡大した斜視図である。
ここで一例として示す固体撮像素子は、図１及び図２に、断面図及び平面図（図１は図２のＡ−Ａ断面図である）を示すように、表面にｐウェル（図示せず）、及びｎ型半導体層（図示せず）が形成されたシリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を介して配列形成される複数の電荷転送電極３が、ゲート酸化膜２上に所定の間隔で形成された電極間絶縁膜４によって複数の電荷転送電極に分離形成され、光電変換部としてのフォトダイオード３０の受光領域に開口を有する遮光膜７で被覆するとともに、このフォトダイオード３０の受光領域に層内レンズ９を形成する。また、図１中、５は電荷転送電極の周りを覆う酸化シリコン膜からなる絶縁膜、６は窒化シリコン膜からなる反射防止膜を示す。
【００１９】
フォトダイオード３０の受光領域は窒化シリコン膜からなる反射防止膜６を介して下凸形状の表面をもつＢＰＳＧ膜からなる絶縁膜８が形成され、この上層に層内レンズ９が形成されている。層内レンズ９の上層は窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜１０と、更にその上層に形成される酸化シリコン膜１１で被覆される。
【００２０】
基板上となる酸化シリコン膜１１上にはフォトダイオード３０の各位置にガラス系材料からなる、特に図３に示すようなマッシュルーム形状のマイクロレンズ（以下、ピラー状マイクロレンズとも称する）１３が立設されている。ピラー状マイクロレンズ１３は、酸化シリコン膜１１上に立設された脚部となるピラー１３ａと、その上端に形成された凸曲面形状のレンズ部１３ｂとからなる。
【００２１】
なお、シリコン基板１には、図２に平面図を示すように、複数のフォトダイオード３０が形成され、フォトダイオードで検出した信号電荷を転送するための電荷転送電極４０が、フォトダイオード３０の間に蛇行形状を呈するように形成される。電荷転送電極４０によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネルは、図示していないが、電荷転送電極４０が延在する方向と交差する方向に、やはり蛇行形状を呈するように形成される。
【００２２】
次に、上記した構成を有する固体撮像素子の製造方法を説明する。
図４は本発明に係る製造方法の基板部形成工程の手順説明図である。
まず、通常の方法で単層電極構造の電荷転送電極を形成する。すなわち不純物濃度ｎ型のシリコン基板１表面に、酸化シリコン膜と、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜を形成し、３層構造のゲート酸化膜２を形成する。
【００２３】
続いて、このゲート酸化膜２上に、減圧ＣＶＤ法により、リンドープの第１層ドープトアモルファスシリコン膜を形成する。
【００２４】
この後、フォトリソグラフィにより第１層ドープトアモルファスシリコン膜をパターニングし、第１層電極３ａを形成し、この第１層電極３の表面を熱酸化することにより酸化シリコン膜４を形成する。このパターニングに際しては反応性イオンエッチングを行い、第１層電極及び周辺回路の配線を形成する。ここではＥＣＲ (電子サイクロトロン共鳴：Electron Cycrotoron Resonance)方式或いはＩＣＰ（誘導結合Inductively Coupled Plasma）方式などのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【００２５】
そしてこの上層に同様にして減圧ＣＶＤ法により、リンドープの第２層ドープトアモルファスシリコン膜を形成し、ＣＭＰ（化学的機械研磨）法を用いて平坦化を行い、ゲート酸化膜２上に第１及び第２層電極が並置されるように第２層電極３ｂを形成する。そして、更にこの上層に熱酸化後、酸化シリコン膜５を形成する。このとき、第１層ドープトアモルファスシリコン膜上が過度に酸化されないように予め窒化シリコン膜で被覆しておくようにするのが望ましい。
【００２６】
そして、フォトダイオード上の窒化シリコン膜を除去した後、この上層にＨＴＯ薄膜を減圧ＣＶＤ法により成膜し、更にＣＶＤ法により窒化シリコン膜からなる反射防止膜６を形成する。
【００２７】
この後、スパッタリング法により密着性層（図示せず）としてのＴｉＮ密着層を形成した後、ＣＶＤ法により遮光膜７としてのタングステン膜を形成する。そして、フォトリソグラフィにより、フォトダイオード部及び周辺回路部の遮光膜７をエッチング除去することにより、パターニングする（図４（ａ））。そして、さらに上面にＢＰＳＧ膜を形成し、炉アニールにより８００〜８５０℃に加熱して、下凸形状の表面をもつ絶縁膜８を形成する（図４（ｂ））。
【００２８】
この絶縁膜８上にプラズマＣＶＤ法により層内レンズ９としての窒化シリコン膜を形成する。（図４（ｃ））。
【００２９】
この後、層内レンズ９上にプラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜としての窒化シリコン膜１０を形成する。その後、平坦化膜１１を形成する（図４（ｃ））。
【００３０】
図５は本発明に係る製造方法のピラー形成工程の手順説明図である。
平坦化膜１１上に、ガラス系材料１５を塗布形成し、ピラー状マイクロレンズ１３を形成するためのレジストパターン１６を形成する（図５（ａ））。この後、レジストパターン１６をマスクとしてガラス系材料１５をエッチング除去することにより、ガラス系材料１５をピラー状に形成する。（図５（ｂ））。
【００３１】
図６は本発明に係る製造方法の凸曲面形状形成工程の手順説明図である。
次いで、レジストパターン１６を除去した後、ピラー状のガラス系材料１５の側とは反対側の先端部１５ａを局所的に加熱溶融処理により凸曲面形状に加工することでレンズ部１３ｂを形成する。ここで、先端部１５ａを加熱溶融処理とは、先端部１５ａのみを加熱溶融処理することで、溶融した先端部１５ａの下方には溶融されないピラー１３ａが残る。これにより、ピラー状マイクロレンズ１３は、溶融されない下部のピラー１３ａを脚部として、溶融された先端部１５ａの凸曲面形状部が膨らみ、マッシュルーム形状のピラー状マイクロレンズ１３を呈する。
【００３２】
このように、まず、平坦化膜１１上の受光部位置にピラー状のガラス系材料１５を形成して、このガラス系材料１５の先端部１５ａを加熱溶融処理することで、ピラー先端が加熱されて流動性をもち、表面張力によって先端部１５ａが凸曲面形状（略球面状）を呈するようになる。これにより、簡単にして先端部１５ａを凸レンズ形状に加工できる。また、このピラー状マイクロレンズ１３は、通常の凸レンズよりも側面側からの入射光も有効に導入されて、光の集光力が向上する。
【００３３】
加熱溶融処理は、レーザ光ＬＢ又は赤外線の高エネルギー光の照射とすることが好ましい。高エネルギー光をガラス系材料１５に供給することで、ガラス系材料１５の先端部１５ａにエネルギーを集中させ、総加熱量の少ない局所加熱により、ピラー先端部１５ａのみを選択的に溶融することができる。これにより、多くの工程を必要とせず、また煩雑な工程を必要とせず、簡単かつ効率良くピラー状マイクロレンズ１３を製造でき、製造コストの低減が可能となる。
【００３４】
図７は高エネルギー光の照射方法を説明する模式図である。
高エネルギー光の照射は、高エネルギー光の焦点位置を、ピラー状のガラス系材料１５の先端部１５ａ付近に合わせ、シリコン基板１上に電極等を形成したワークＷの表面に対してラスタ走査により行うことができる。高エネルギー光照射装置１７は、ワークＷを支持するための支持手段１８を備えている。この支持手段１８は、ベース上にＸＹステージを有している。ＸＹステージは、例えば小型の精密モータとねじ機構等により移動される。精密モータ等は、制御部１９によりその動作が制御される。
【００３５】
ＸＹステージの真上には、レーザー発生装置２０（高エネルギー光発生手段）、シャッター２１，絞り２２，凸レンズ２３（ビーム収束手段）、ポリゴンミラー２４が配置されている。これらレーザー発生装置２０、シャッター２１，絞り２２，ポリゴンミラー２４は、上記制御部１９により制御される。
【００３６】
高エネルギー光照射装置１７は、高エネルギー光の焦点位置を、ピラー状のガラス系材料１５の先端部１５ａ付近に合わせ、ワークＷの表面に対してラスタ走査により行う。従って、高エネルギー光の焦点位置をピラー先端部１５ａに合わせた状態で、単にラスタ走査するだけでピラー先端が選択的に加熱されて、シリコン基板１側に熱影響を及ぼすことなく、レンズ部１３ｂを容易に加工できる。これにより、１つ１つのピラー１３ａに対して狙い打ちする必要がないので、各ピラー１３ａと高エネルギー光との位置合わせを厳格にすることもなく、製造工程が簡略化される。
【００３７】
ここで、一例をより具体的に述べると、ガラス系材料１５としては、耐熱，低膨張ガラスとして、無アルカリガラス（商品名コーニング７０５９）や、ホウケイ酸ガラス（商品名パイレックス）等を用いる。レーザー発生装置２０として、ＣＯ2レーザー（波長１０.６μｍ）の発生装置を用いる。収束レーザービームＬＢの焦点はピラー１３ａの先端部１５ａ上面から上下いずれかにずれており、この収束レーザービームＬＢの上面でのスポット径は、約２５０μｍである。この場合、得られるレンズ部１３ｂの直径はそれより大きくなる。
【００３８】
また、本発明は上記に制約されず、種々の態様が可能である。レーザーとしては、ＣＯ2レーザーの他に，ＣＯレーザー（波長５.５μｍ），ＥｒーＹＡＧレーザー（波長３μｍ），エキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）等、ガラスに特に良く吸収される波長（３５０ｎｍ以下、１０００ｎｍ以上）のレーザーを用いることができる。勿論、エネルギーの効率性を無視するのであれば、より多くのレーザを用いることができる。立方体または直方体のガラス材のそれぞれの面にマイクロレンズを形成して３次元マトリックスのマイクロレンズアレイを得てもよい。
【００３９】
このようにレンズ部１３ｂの形成されたピラー状マイクロレンズ１３は、図３に示すように、隣接する相互間に隙間を有して配列される。隣接するピラー状マイクロレンズ１３同士が接していないことにより、ピラー状マイクロレンズ１３内に導入された入射光が、接合部を介してピラー状マイクロレンズ１３の外部に逃げることがなくなる。よって、導入された入射光の殆どが受光部側へ到達することになり、受光部の光量を増大させることができる。
【００４０】
このようにして、所望の曲率を形成するようにレンズ部１３ｂを成形し、ピラー状マイクロレンズ１３を形成することで、図１に示したような固体撮像素子が完成する。
【００４１】
従って、この固体撮像素子の製造方法によれば、シリコン基板１上の受光部の各位置にガラス系材料１５からなるピラー１３ａを立設し、このピラー１３ａの基板側とは反対側の先端部１５ａを加熱溶融処理により凸曲面形状に加工することでピラー状マイクロレンズ１３を形成するので、ピラー１３ａの先端を加熱溶融処理し、ピラー先端に流動性を生じさせ、表面張力によって先端部１５ａを凸曲面形状（略球面状）に形成できる。これにより、ピラー状マイクロレンズ１３同士を接触させないようにしながら、簡単にして先端部１５ａを凸レンズ形状に加工できる。また、このピラー状マイクロレンズ１３は、通常の凸レンズよりも側面側からの入射光も有効に導入される。その結果、集光効率を向上させることができる。
【００４２】
次に、本発明に係る固体撮像素子の変形例を説明する。
図８は図１に示した固体撮像素子の変形例の断面図である。
なお、上記した固体撮像素子の製造方法では、平坦化膜１１上にピラー状マイクロレンズ１３を立設したままの構造としたが、平坦化膜１１上には、ピラー状マイクロレンズ１３を埋入する支持層２５を形成してもよい。この場合、支持層２５を形成する材質の屈折率ｎｂは、ガラス系材料１５の屈折率ｎａより小さいことが望ましい。これにより、レンズ部１３ｂに取り込んだ入射光を、外方へ漏らさず、確実にフォトダイオード３０へ伝搬させることができる。また、ピラー状マイクロレンズ１３のピラー１３ａを支持層２５によって支持できることから、ピラー状マイクロレンズ１３の強度を向上させることもできる。
【００４３】
次に、本発明に係る製造方法の第２の実施の形態を説明する。
図９は本発明に係る製造方法によって製造される固体撮像素子の第２の実施の形態の断面図、図１０は本発明に係る製造方法の導光路形成工程の手順説明図、図１１は第２の実施の形態における凸曲面形状形成工程の手順説明図である。
この実施の形態による固体撮像素子の製造方法は、シリコン基板１上の各受光部位置に形成するピラー１３ａの直下に、受光部まで光を導くための透光性を有する導光路２６を、ピラー１３ａの形成前に予め形成するものである。
【００４４】
導光路２６の形成は、図１０（ａ）に示した、上記と同様の工程により遮光膜７を形成した後、図１０（ｂ）に示すように、常圧熱ＣＶＤ法により、ＢＰＳＧ膜３１を形成し、炉アニールにより８００〜８５０℃に加熱し、表面を平坦化する。
【００４５】
この後、図１０（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィによりこの平坦化膜としてのＢＰＳＧ膜３１を、エッジが電荷転送電極上に位置するようにパターニングする。そして、図１０（ｄ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜からなる透光性膜３２を成膜後、エッチバック或いはＣＭＰにより平坦化し、フォトダイオード上の開口部に充填する。
【００４６】
図１１（ａ）に示すように、透光性膜３２を、ＢＰＳＧ膜３１の面と同一平面となるようにエッチングにより除去して平坦面とする。次いで、図１１（ｂ）に示すように、これら平坦面となったＢＰＳＧ膜３１と透光性膜３２との上に、上記と同様に、パッシベーション膜としての窒化シリコン膜１０を形成し、この後、平坦化膜１１を形成する。
【００４７】
最後に、平坦化膜１１上に、上記と同様に、ガラス系材料１５を塗布形成し、ガラス系材料１５をエッチング除去することによりピラー状に形成し、ピラー状のガラス系材料１５の先端部１５ａを加熱溶融処理により凸曲面形状に加工することでレンズ部１３ｂを形成する。このようにして、図９に示した固体撮像素子が完成する。
【００４８】
この実施の形態による製造方法によれば、ピラー１３ａを立設した基板のピラー１３ａに対応する基板層内に、受光部に至る導光路２６を簡単に形成することができる。このような導光路２６の形成された固体撮像素子では、ピラー状マイクロレンズ１３から基板側に出射される集光された光が、基板内の受光部まで導光路２６に沿って伝播され、ピラー状マイクロレンズ１３と基板との接合部付近で光漏れ等のロスが生じることなく、ピラー状マイクロレンズ１３から基板側に出射された光が高効率で受光部まで導かれることとなる。
【００４９】
なお、上記の実施の形態では、フォトダイオード３０が、所謂ハニカム構造を呈する固体撮像素子を例に説明したが、本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、直線状の垂直電荷転送路に沿って、フォトダイオード３０が行列状に配置される正方格子構造の固体撮像素子にも適用でき、上記と同様の効果を奏するものである。また、上記の実施の形態では、固体撮像素子がＣＣＤ型固体撮像素子である場合を例に説明したが、本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、これに限らず、ＭＯＳ型の撮像素子に対しても好適に用いて同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る製造方法によって製造される一例としての固体撮像素子の断面図である。
【図２】図１に示した固体撮像素子の平面図である。
【図３】一部分を拡大した斜視図である。
【図４】本発明に係る製造方法の基板部形成工程の手順説明図である。
【図５】本発明に係る製造方法のピラー形成工程の手順説明図である。
【図６】本発明に係る製造方法の凸曲面形状形成工程の手順説明図である。
【図７】高エネルギー光の照射方法を説明する模式図である。
【図８】図１に示した固体撮像素子の変形例の断面図である。
【図９】本発明に係る製造方法によって製造される固体撮像素子の第２の実施の形態の断面図である。
【図１０】本発明に係る製造方法の導光路形成工程の手順説明図である。
【図１１】第２の実施の形態における凸曲面形状形成工程の手順説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  シリコン基板（基板）
１３  ピラー状マイクロレンズ（マイクロレンズ）
１３ａ  ピラー
１５  ガラス系材料
１５ａ  先端部
２６  導光路
３０  フォトダイオード（受光部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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