(57)【要約】【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上させる。【解決手段】  複数の半導体装置領域３２ａを有する多数個取りの配線基板３１の各半導体装置領域３２ａ上に半導体チップ２を搭載し、ワイヤボンディングを行ってから、複数の半導体装置領域３２ａ上に一括して封止樹脂５ａを形成する。それから、配線基板３１の上面３１ａに予め形成してあったターゲットマークを基に、封止樹脂５ａの上面５ｂにダイシング用のターゲットマークを形成し、このダイシング用のターゲットマークを基に、封止樹脂５ａの上面側からハーフダイシングを行って、底部が配線基板３１に到達する溝３８を形成する。その後、配線基板３１の下面３１ｂに半田ボール６を接続してから、配線基板３１の下面３１ａ側からダイシングを行って、個々の半導体装置に個片化する。【選択図】図２４
2007311378.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）そこからそれぞれ半導体装置が製造される複数の単位基板領域を有する配線基板であって、第１主面と、前記第１主面の反対側の第２主面とを有し、前記各単位基板領域の前記第１主面に複数の第１電極を、前記各単位基板領域の前記第２主面に複数のランド部を有する前記配線基板を準備する工程、
（ｂ）前記配線基板の前記第１主面の前記各単位基板領域上に半導体チップを搭載し、前記半導体チップの複数の第２電極を前記配線基板の前記複数の第１電極に電気的に接続する工程、
（ｃ）前記配線基板の前記第１主面の前記複数の単位基板領域上に前記半導体チップを覆うように封止樹脂を形成して、前記配線基板および前記封止樹脂からなる封止体を形成する工程、
（ｄ）前記各単位基板領域の間のダイシング領域に沿って、前記封止樹脂の上面側から、前記封止体に溝を形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記配線基板の前記第２主面の前記各単位基板領域の前記複数のランド部に、それぞれ外部接続用端子を形成する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記各単位基板領域の間の前記ダイシング領域に沿って、前記配線基板の前記第２主面側から、前記封止体を切断する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程で前記封止体に形成される前記溝は、前記配線基板に到達していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記各単位基板領域の間の前記ダイシング領域に沿って、前記封止樹脂の全部と前記配線基板の一部が切断されて前記溝が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記溝の底部の下方に前記配線基板の少なくとも一部が残存して、前記配線基板が前記各単位基板領域に分割されないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記各単位基板領域の間の前記ダイシング領域において、前記（ｄ）工程で切断されずに残存した部分が、前記（ｆ）工程で切断されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程および前記（ｆ）工程により、前記封止体が前記各単位基板領域に分割され、各単位基板領域から半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記配線基板の前記第１主面に形成された第１ターゲットマークを基に、前記封止樹脂の前記上面側から、前記封止体に溝を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程後で、前記（ｄ）工程前に、
（ｃ１）前記配線基板の前記第１主面に形成された第１ターゲットマークを基に、前記封止樹脂の前記上面に第２ターゲットマークを形成する工程、
を有し、
前記（ｄ）工程では、前記第２ターゲットマークを基に、前記封止樹脂の前記上面側から、前記封止体に溝を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ１）工程では、前記ダイシング領域毎に、前記第２ターゲットマークを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ターゲットマークは、前記配線基板の周辺領域に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ターゲットマークは、前記配線基板の前記第１主面のうち、前記封止樹脂部で覆われない領域に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程で用いるブレードの幅が、前記（ｆ）工程で用いるブレードの幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記配線基板の前記第１主面の前記各単位基板領域上に前記半導体チップを搭載する工程、
（ｂ２）前記（ｂ１）工程後、前記配線基板の前記第１主面の前記各単位基板領域上の前記複数の第１電極と、対応する前記各単位基板領域に搭載された前記半導体チップの前記複数の第２電極とを、複数のボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ２）工程では、前記ボンディングワイヤの一端を前記配線基板の前記第１電極に接続してから、前記ボンディングワイヤの他端を前記半導体チップの前記第２電極に接続し、
前記（ｄ）工程で前記封止体に形成される前記溝の底部の高さが、前記ボンディングワイヤのワイヤループの高さよりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程で形成される前記外部接続用端子は、半田からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程で形成される前記外部接続用端子は、半田ボールであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程は、
（ｅ１）前記配線基板の前記第２主面の前記各単位基板領域の前記複数のランド部上に、それぞれ半田ボールを搭載する工程、
（ｅ２）前記（ｅ１）工程後、半田リフロー処理を行って、前記複数のランド部上にそれぞれ前記半田ボールを接合し、前記半田ボールからなる前記外部接続用端子を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程は、前記配線基板の前記第２主面を固定用テープに貼り付けて前記封止体を固定した状態で行われ、
前記（ｆ）工程は、前記封止樹脂の前記上面を固定用テープに貼り付けて前記封止体を固定した状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
第１主面と、前記第１主面の反対側の第２主面と、前記第１主面に形成された複数の第１電極と、前記第２主面に形成された複数のランド部とを有する配線基板と、
前記配線基板の前記第１主面に搭載された半導体チップであって、複数の第２電極を有し、前記複数の第２電極が前記配線基板の前記複数の第１電極と電気的に接続された前記半導体チップと、
前記配線基板の前記第１主面上に前記半導体チップを覆うように形成された封止樹脂と、
前記配線基板の前記第２主面の前記複数のランド部上にそれぞれ形成された複数の外部接続用端子と、
を有する半導体装置であって、
前記封止樹脂の側面および前記配線基板の側面により形成される前記半導体装置の側面が段差を有し、前記半導体装置の側面の下部が上部よりも窪んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体装置の側面の前記段差は、前記配線基板の側面に形成されており、
前記配線基板の側面の下部が上部よりも窪んでおり、
前記封止樹脂の側面には、段差は形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関し、特に、配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージ形態の半導体装置の製造方法および半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板上に半導体チップを搭載し、半導体チップの電極と配線基板の接続端子をボンディングワイヤで電気的に接続し、半導体チップおよびボンディングワイヤを樹脂封止し、配線基板の裏面に半田ボールを接続することで、半導体パッケージ形態の半導体装置が製造される。このような半導体装置には、例えば、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるチップサイズもしくは半導体チップより僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージがある。
【０００３】
特開２００４−５５８６０号公報（特許文献１）には、主面に複数のデバイス領域が形成された多数個取り基板を準備し、前記複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを固定し、前記半導体チップ固定後、前記複数の半導体チップを一括で樹脂封止して一括封止部を形成し、一括封止部および多数個取り基板をダイシングにより前記デバイス領域ごとに分割する技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００４−５５８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者の検討によれば、次のことが分かった。
【０００５】
主面に複数のデバイス領域が形成された多数個取り配線基板を準備し、前記複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを固定し、前記半導体チップ固定後、前記複数の半導体チップを一括で樹脂封止して一括封止部を形成し、一括封止部および多数個取り配線基板をダイシングにより前記デバイス領域ごとに分割することで、半導体装置を製造することができる。
【０００６】
半導体装置に半田ボールなどの外部端子を形成する場合、ダイシングにより個片化された半導体装置に半田ボールを接続するのは容易ではなく、半導体装置のスループットが低下するため、ダイシングによる個片化を行う前に、多数個取り配線基板に半田ボールを接続して外部端子を形成する必要がある。
【０００７】
このため、一括封止部を形成した後、多数個取り配線基板の下面に半田ボールを接続してから、ダイシングによる個片化を行うことが考えられる。この場合、多数個取り配線基板の下面に半田ボールを接続した状態でダイシングを行うため、配線基板の下面側を固定しようとすると半田ボールが邪魔になって上手く固定することができないので、一括封止部の上面側を固定して、多数個取り配線基板の下面側から配線基板および一括封止部を切断することになる。
【０００８】
配線基板の下面側からダイシングを行う際には、配線基板の下面に形成されたターゲットマークを基にダイシングを行うことができる。しかしながら、配線基板の下面に形成されたターゲットマークは、配線基板の下面側の導体層やソルダレジスト層のパターンにより形成されるので、配線基板の下面側のパターンとの相対的な位置は精度よく形成することが可能であるのに対して、配線基板の上面側のパターンとは、ずれが生じやすい。このため、配線基板の下面に形成されたターゲットマークと配線基板の上面側のパターン（例えばボンディングワイヤの接続端子など）との相対的な位置の精度は、低くなりやすい。これは、例えば、配線基板の上面側と下面側とに、それぞれ異なるフォトマスクを用いて異なる露光工程により導体パターンを形成するので、配線基板の上面側の導体パターンと下面側の導体パターンの相対的な位置精度が低下しやすいためである。
【０００９】
このため、配線基板の下面に形成されたターゲットマークを基に、配線基板の下面側からダイシングによる個片化を行うと、配線基板の上面側のパターン、例えばボンディングワイヤを接続する接続端子などに対するダイシング位置の相対的な位置精度が低くなる。ダイシング位置がずれると、一括封止部の切断面、すなわち製造された半導体装置の封止樹脂の側面で接続端子やボンディングワイヤが露出する可能性がある。これは、特にＣＳＰ型の半導体装置の場合、半導体チップの平面サイズと切断により形成される半導体装置の平面サイズがほぼ同じ大きさであるため、配線基板の上面側に設けられたワイヤを接続する接続端子から一括封止部の切断面までの距離が近いことに原因がある。この結果、半導体装置の製造歩留まりを低下させる。また、ダイシング位置がずれても、一括封止部の切断面、すなわち製造された半導体装置の封止樹脂の側面から接続端子やボンディングワイヤが露出しないようにするには、ダイシング領域のマージンを多くする必要があるが、これは、半導体装置の大型化を招いてしまう。
【００１０】
本発明の目的は、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる技術を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の目的は、半導体装置を小型化できる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
本発明は、（ａ）そこからそれぞれ半導体装置が製造される複数の単位基板領域を有する配線基板であって、第１主面と、前記第１主面の反対側の第２主面とを有し、前記各単位基板領域の前記第１主面に複数の第１電極を、前記各単位基板領域の前記第２主面に複数のランド部を有する前記配線基板を準備する工程、（ｂ）前記配線基板の前記第１主面の前記各単位基板領域上に半導体チップを搭載し、前記半導体チップの複数の第２電極を前記配線基板の前記複数の第１電極に電気的に接続する工程、（ｃ）前記配線基板の前記第１主面の前記複数の単位基板領域上に前記半導体チップを覆うように封止樹脂を形成して、前記配線基板および前記封止樹脂からなる封止体を形成する工程、（ｄ）前記各単位基板領域の間のダイシング領域に沿って、前記封止樹脂の上面側から、前記封止体に溝を形成する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記配線基板の前記第２主面の前記各単位基板領域の前記複数のランド部に、それぞれ外部接続用端子を形成する工程、（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記各単位基板領域の間の前記ダイシング領域に沿って、前記配線基板の前記第２主面側から、前記封止体を切断する工程を有するものである。
【００１５】
また、本発明は、第１主面と前記第１主面の反対側の第２主面と前記第１主面に形成された複数の第１電極と前記第２主面に形成された複数のランド部とを有する配線基板と、前記配線基板の前記第１主面に搭載された半導体チップであって複数の第２電極を有し前記複数の第２電極が前記配線基板の前記複数の第１電極と電気的に接続された前記半導体チップと、前記配線基板の前記第１主面上に前記半導体チップを覆うように形成された封止樹脂と、前記配線基板の前記第２主面の前記複数のランド部上にそれぞれ形成された複数の外部接続用端子とを有する半導体装置であって、前記封止樹脂の側面および前記配線基板の側面により形成される前記半導体装置の側面が段差を有し、前記半導体装置の側面の下部が上部よりも窪んでいるものである。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１７】
半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
また、半導体装置を小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２１】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００２２】
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置の製造方法および半導体装置を図面を参照して説明する。
【００２３】
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置１の上面図、図２はその下面図、図３はその断面図（全体断面図）、図４および図５はその要部断面図（部分拡大断面図）、図６はその側面図である。図７は、封止樹脂５を透視したときの半導体装置１の平面透視図（上面図）である。図１および図７のＡ−Ａ線の断面が図３にほぼ対応し、図３の端部近傍領域の拡大図が図４および図５にほぼ対応する。また、図５は、図４とほぼ同じ位置領域の要部断面図であるが、図５では、配線基板３における電解めっき用の給電線（ここではめっき配線３４）の残存物を通る断面が示され、図４では、その給電線（めっき配線３４）の残存物を通らない断面が示されている。
【００２４】
図１〜図７に示される本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２が配線基板３に搭載（接合、接続、実装）された半導体装置（半導体パッケージ）であり、例えば、チップサイズもしくは半導体チップ２より僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージであるＣＳＰ（Chip Size Package）形態の半導体装置である。
【００２５】
本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を支持または搭載する配線基板３と、半導体チップ２の表面の複数の電極２ａとこれに対応する配線基板３の複数の接続端子１５とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ４と、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を含む配線基板３の上面３ａを覆う封止樹脂５と、配線基板３の下面３ｂに外部端子としてエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール６とを有している。
【００２６】
半導体チップ２は、その厚さと交差する平面形状が正方形であり、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）の主面に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ２に分離したものである。半導体チップ２は、互いに対向する表面（半導体素子形成側の主面、上面）２ｂおよび裏面（半導体素子形成側の主面とは逆側の主面、下面）２ｃを有し、その表面２ｂが上方を向くように配線基板３上面（チップ支持面）３ａ上に搭載（配置）され、半導体チップ２の裏面２ｃが配線基板３の上面３ａに接着材（ダイボンド材、接合材、接着剤）８を介して接着され固定されている。接着材８は、例えば絶縁性または導電性のペースト材やフィルム状の接着材（ダイボンディングフィルム、ダイアタッチフィルム）などを用いることができる。接着材８の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。半導体チップ２は、その表面２ｂに、複数の電極２ａ（第２電極、ボンディングパッド、パッド電極）を有しており、電極２ａは、半導体チップ２内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。
【００２７】
配線基板３は、一方の主面である上面（第１主面）３ａと、上面３ａの反対側の主面である下面（第２主面）と、上面３ａに形成された複数の接続端子１５（第１電極）と、下面３ｂに形成された複数のランド１６（ランド部）とを有している。
【００２８】
配線基板３は、絶縁性の基材層（絶縁基板、コア材）１１と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に形成された導体層（導体パターン、導体膜パターン、配線層）１２と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成された絶縁層（絶縁体層、絶縁膜）としてのソルダレジスト層（絶縁膜、半田レジスト層）１４とを有している。他の形態として、配線基板３を、複数の絶縁層と複数の配線層とを積層した多層配線基板により形成することもできる。
【００２９】
導体層１２はパターン化されており、配線基板３の配線または配線層となる導体パターンである。導体層１２は、導電性材料からなり、例えばめっき法で形成された銅薄膜などにより形成することができる。基材層１１の上面１１ａの導体層１２により、ボンディングワイヤ４を接続するための接続端子（電極、第１電極、ボンディングパッド、パッド電極）１５が複数形成され、基材層１１の下面１１ｂの導体層１２により、半田ボール６を接続するための導電性のランド（電極、パッド、端子）１６が複数形成されている。また、基材層１１には複数の開口部（スルーホール、ビア、貫通孔）１７が形成されており、各開口部１７の側壁上にも導体層１２が形成されている。基材層１１の上面１１ａの接続端子１５は、基材層１１の上面１１ａの導体層１２（導体層１２からなる引き出し配線）、開口部１７の側壁上の導体層１２、および基材層１１の下面１１ｂの導体層１２を介して、基材層１１の下面１１ｂのランド１６に電気的に接続されている。従って、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のボンディングワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、更に配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ４は、例えば金線などの金属細線からなる。
【００３０】
ソルダレジスト層１４は、導体層１２を保護する絶縁層（絶縁膜）としての機能を有しており、例えば有機系樹脂材料などの絶縁体材料からなる。また、ソルダレジスト層１４は、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成されており、ソルダレジスト層１４が基材層１１の開口部１７の内部を埋めている。ソルダレジスト層１４が基材層１１の開口部１７を埋めているので、半導体チップ２を配線基板３に接合するための接着材８が開口部１７から配線基板３の下面３ｂ側に漏れてしまうのを防止することができ、また、開口部１７から半導体チップ２の裏面２ｃが露出してしまうのを防止することができる。また、配線基板３の導体層１２のうち、接続端子１５とランド１６とは、ソルダレジスト層１４（の開口部）から露出されている。また、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上のソルダレジスト層１４の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。半導体チップ２は、配線基板３の上面３ａ側のソルダレジスト層１４上に、接着材８を介して搭載され接着されている。また、配線基板３の上面３ａ側のソルダレジスト層１４には、パッケージインデックスとしての開口部１８も形成されている。ソルダレジスト層１４に形成されたパッケージインデックスとしての開口部１８は、半導体装置１の製造工程（後述の封止樹脂５ａを形成するまでの工程）中の位置決めや向きの認識などに用いることができる。
【００３１】
複数のランド１６は、配線基板３の下面（上面３ａとは反対側の主面、第２主面）３ｂにアレイ状に配置されている。各ランド１６の隣に開口部１７が形成されている。また、各ランド１６には半田ボール（ボール電極、突起電極、電極、外部端子、外部接続用端子）６が接続（形成）されている。このため、配線基板３の下面３ｂに複数の半田ボール６がアレイ状に配置されている。半田ボール６は、半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）として機能することができる。このため、本実施の形態の半導体装置１は、配線基板３の下面３ｂの複数のランド１６上にそれぞれ形成された複数の外部接続用端子（ここでは半田ボール６）を有している。従って、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のボンディングワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、更に配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６および複数のランド１６に接続された複数の半田ボール６に電気的に接続されている。なお、図２の半田ボール６の数と図６の接続端子１５の数とは一致していないが、図１〜図６は半導体装置１の構造を模式的に示したものであり、半導体装置１における半田ボール６の数や接続端子１５の数は必要に応じて種々変更可能であり、半導体装置１における半田ボール６の数と接続端子１５の数とを同じにすることもでき、また異ならせることもできる。また、半導体チップ２の電極２ａと電気的に接続していない半田ボール６は、放熱用に用いることもできる。
【００３２】
配線基板３の上下両面にソルダレジスト層１４が形成されているが、配線基板３の上面３ａに形成されたソルダレジスト層１４は、接続端子１５を露出するための開口部１９を有している。ソルダレジスト層１４の開口部１９から露出する接続端子１５に、ボンディングワイヤ４が接続されている。接続端子１５へのボンディングワイヤ４の接続を容易または確実にするために、ソルダレジスト層１４の開口部１９から露出する接続端子１５の上面（ボンディングワイヤ４の接続面）には金めっき層（またはニッケルめっき層（下層側）と金めっき層（上層側）の積層膜）などが形成されている。
【００３３】
封止樹脂（封止樹脂部、封止部、封止体）５は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂５を形成することもできる。封止樹脂５は、配線基板３の上面３ａ上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように形成されている。すなわち、封止樹脂５は、配線基板３の上面３ａ上に形成され、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を封止する。封止樹脂５により、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４が封止され、保護される。
【００３４】
また、半導体装置１は、封止樹脂５の側面５ｃおよび配線基板３の側面３ｃにより形成される半導体装置１の側面１ｃに段差２０を有していることが好ましく、半導体装置１の側面５ｃの下部が上部よりも窪んだ状態となっている。この半導体装置１の側面１ｃの段差２０は、封止樹脂５の側面５ｃではなく、配線基板３の側面３ｃに形成されていることがより好ましく、配線基板３の側面３ｃの下部３ｄが配線基板３の側面３ｃの上部３ｅよりも窪んだ状態となり、封止樹脂５の側面５ｃには段差２０は形成されていないことがより好ましい。
【００３５】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法（製造工程）について説明する。
【００３６】
図８は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。図９〜図１１は、本実施の形態の半導体装置１の製造に用いられる配線基板３１の製造工程の一例を模式的に示す平面図（上面図）である。図１２〜図２８は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。図１２〜図２８のうち、図１２，図１４，図１６，図１８，図２０，図２１，図２３，図２５，図２７には、同じ領域（２つの半導体装置領域３２ａに跨る領域）の各工程段階の断面が示され、図面を見易くするために、断面図であるがハッチングを省略している。また、図１３，図１５，図１７，図１９，図２２，図２４，図２６，図２８には、半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域３２ｂの近傍領域の断面（部分拡大断面図）が示されている。また、図１２と図１３とは同じ工程段階に対応し、図１４と図１５とは同じ工程段階に対応し、図１６と図１７とは同じ工程段階に対応し、図１８と図１９とは同じ工程段階に対応し、図２１と図２２とは同じ工程段階に対応し、図２３と図２４とは同じ工程段階に対応し、図２５と図２６とは同じ工程段階に対応し、図２７と図２８とは同じ工程段階に対応する。
【００３７】
なお、本実施の形態では、複数の配線基板３（半導体装置領域３２ａ）がアレイ状に繋がって形成された多数個取りの配線基板（配線基板母体）３１を用いて個々の半導体装置１を製造する。この配線基板３１は、上記配線基板３の母体であり、配線基板３１を後述する切断工程で切断し、各半導体装置領域（基板領域、単位基板領域）３２ａに分離したものが半導体装置１の配線基板３に対応する。配線基板３１は、そこから１つの半導体装置１が形成される領域である半導体装置領域（基板領域、単位基板領域）３２ａがマトリクス状に複数配列した構成を有している。
【００３８】
まず、配線基板３１を準備する（ステップＳ１）。配線基板３１は例えば次のようにして製造することができる。
【００３９】
コア材としての絶縁性の基材層１１の上面１１ａおよび下面上に無電解めっき（無電界めっき）法により無電解銅めっき層を形成し、この無電解銅めっき層をエッチングなどによりパターニングする。それから、無電解銅めっき層上に電解めっき（電界めっき）法により電解銅めっき層を形成し、銅層の厚みを厚くする。この無電解銅めっき層および電解銅めっき層の積層膜（銅層）によって、上記導体層１２を形成することができる。図９には、スルーホール用の導体パターン３３と接続端子１５（用の導体パターン）とが、基材層１１の上面に、無電解銅めっき層および電解銅めっき層の積層膜（導体層１２）によって形成された状態が示されている。接続端子１５と導体パターン３３とは、基材層１１の上面１１ａに形成された無電解銅めっき層および電解銅めっき層の積層膜（導体層１２）からなる引き出し配線（図示省略）によって電気的に接続されている。また、図示はしないけれども、基材層１１の下面には、ランド１６も、無電解銅めっき層および電解銅めっき層の積層膜によって形成されている。また、電解めっき法を用いるので、基材層１１の上面１１ａには、めっき配線（給電線）３４も形成されており、このめっき配線３４を介して所定の電位（電力）を供給して、無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成することができる。
【００４０】
次に、図１０に示されるように、基材層１１に開口部（スルーホール、ビア、貫通孔）１７を形成する。開口部１７は、スルーホール用の導体パターン３３の内側に形成される。
【００４１】
次に、無電解めっき法により開口部１７の側壁上に無電解銅めっき層を形成する。この基材層１１の開口部１７の側壁上に形成された無電解銅めっき層が、開口部１７の側壁上に形成された上記導体層１２となる。それから、図１１に示されるように、印刷法などを用いてソルダレジスト層１４を基材層１１の上面１１ａおよび下面上に開口部１７内を埋めるように形成する。基材層１１の上面１１ａでは、接続端子１５がソルダレジスト層１４の開口部から露出し、基材層１１の下面では、ランド１６がソルダレジスト層１４の開口部から露出する。次に、基材層１１の上面１１ａおよび下面上の銅めっき層の露出部（すなわち接続端子１５およびランド１６）上に、ニッケルめっき層および金めっき層を電解めっき法により順に形成する。その後、必要に応じて基材層１１を外形加工（切断）して配線基板３１を形成することができる。このようにして準備された配線基板３１は、後述する配線基板３１の切断工程で分割されて配線基板３となる半導体装置領域３２ａを複数有している。
【００４２】
従って、ステップＳ１では、そこからそれぞれ半導体装置１が製造される単位基板領域である半導体装置領域３２ａを複数の有する配線基板３１であって、上面３１ａ（第１主面）と、上面３１ａの反対側の下面３１ｂ（第２主面）とを有し、各半導体装置領域３２ａの上面３１ａに複数の接続端子１５（第１電極）を、各半導体装置領域３２ａの下面３１ｂに複数のランド１６（ランド部）を有する配線基板３１が準備される。
【００４３】
なお、上記図７では、図面を見易くするために、配線基板３の端子１５の数を、図９〜図１１の配線基板３１の各半導体装置領域３２ａの端子１５の数よりも少なく描いているが、実際には、配線基板３１の各半導体装置領域３２ａの端子１５の数が、上記図７の配線基板３の端子１５の数に対応することになる。
【００４４】
上記のようにして準備（製造）された配線基板３１の要部断面図が、図１２および図１３に示されている。図１２には、配線基板３１のうち、２つの半導体装置領域３２ａに跨る領域の断面が示され、図１３には、半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域３２ｂの近傍領域の断面、すなわち、図１１のＢ−Ｂ線の断面が示されている。図２４と図２５とは同じ工程段階に対応し、図２６と図２７とは同じ工程段階に対応する。
【００４５】
ステップＳ１で配線基板３１を準備した後、ダイボンディング工程を行って、図１４および図１５に示されるように、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａ上に、半導体チップ２を接着材８を介して搭載して接合（ダイボンディング、チップマウント）する（ステップＳ２）。接着材８としては、ペースト状の接着材やフィルム状の接着材などを用いることができる。
【００４６】
次に、図１６および図１７に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ２の各電極２ａと、これに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５とをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する（ステップＳ３）。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａ上の複数の接続端子１５とその半導体装置領域３２ａ上に接合された半導体チップ２の複数の電極２ａとを複数のボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する。
【００４７】
このように、ステップＳ２およびステップＳ３で、配線基板３１の上面３１ａ（第１主面）の各半導体装置領域３２ａ（単位基板領域）上に半導体チップ２を搭載し、半導体チップ２の複数の電極２ａ（第２電極）を配線基板３１の複数の接続端子１５（第１電極）に電気的に接続する。上記のように、ステップＳ２で配線基板３１上に半導体チップ２を搭載した後、ステップＳ３では、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａの複数の接続端子１５と、対応する各半導体装置領域３２ａに搭載された半導体チップ２の複数の電極２ａとを、複数のボンディングワイヤ４を介して電気的に接続することができる。
【００４８】
次に、図１８および図１９に示されるように、モールド工程（樹脂成形工程、例えばトランスファモールド工程）による樹脂封止を行って封止樹脂（封止部、一括封止部）５ａを形成し、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を封止樹脂５ａによって封止する（ステップＳ４）。
【００４９】
ステップＳ４のモールド工程では、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２ａを封止樹脂５ａで一括して封止する一括封止（一括成形）を行う。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２ａ全体上に、それらの半導体装置領域３２ａの半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように、封止樹脂５ａを形成する。このため、封止樹脂５ａは、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２ａ（全体）を覆うように形成される。封止樹脂５ａは、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂５ａを形成することができる。配線基板３１および配線基板５ａ上の封止樹脂５ａ（封止樹脂５ａ内に封止された半導体チップ２およびボンディングワイヤ４も含む）により、封止体（一括封止体、組立体）３５が形成される。すなわち、多数個取りの配線基板３１上に一括封止部である封止樹脂５ａが形成された構造体を封止体３５と呼ぶ。
【００５０】
このように、ステップＳ４では、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２ａ上に半導体チップ２を覆うように封止樹脂５ａを形成して、配線基板３１および封止樹脂５ａからなる封止体３５が形成される。
【００５１】
次に、図２０に示されるように、マーキングを行って、封止樹脂５ａの上面（表面）５ｂにマークを付す（ステップＳ５）。
【００５２】
ステップＳ５のマーキング工程では、封止樹脂５ａの上面５ｂに、ダイシング用のターゲットマーク（後述するターゲットマーク４７）と、更に必要に応じて製品番号などのマークを形成する。例えば、レーザ３６によりマーキングを行うレーザマークや、インクによりマーキングを行うインクマークなどにより、ステップＳ５のマーキング工程を行うことができる。
【００５３】
次に、図２１および図２２に示されるように、ダイシングブレード（ダイシングソー、ブレード）３７などを用い、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂに沿って、配線基板３の上面３ａ側、すなわち封止樹脂５ａの上面５ｂ側から、ダイシング（ここではハーフダイシング）を行い、封止体３５（封止樹脂５ａおよび配線基板３１）に溝（切り溝）３８を形成する（ステップＳ６）。このステップＳ６の溝３８形成工程では、封止樹脂５ａおよび配線基板３の両者（すなわち封止体３５）を完全に切断するフルダイシングは行わず、溝３８の底部３８ａの下方に少なくとも配線基板３１の一部を残存させるハーフダイシングを行う。形成された溝３８は、好ましくは、封止樹脂５ａを貫通して、溝３８の底部３８ａが配線基板３１に到達している。また、ステップＳ６では、配線基板３１の下面３１ｂをパッケージ固定テープ（固定用テープ）３９に貼り付けて封止体３５を固定した状態で、ダイシングブレード３７によるハーフダイシング（溝３８形成）工程を行うことができる。
【００５４】
このように、ステップＳ６では、各半導体装置領域３２ａの間のダイシング領域３２ｂに沿って、封止樹脂５ａの上面５ｂ側から封止体３５に溝３８を形成するが、ダイシング領域３２ａに沿って封止樹脂５ａの全部と配線基板３１の一部が切断されて溝３８が形成される。そして、ステップＳ６で封止体３５に形成される溝３８は、配線基板３１に到達していることが好ましいが、溝３８の底部３８ａの下方に配線基板３１の少なくとも一部が残存して、配線基板３１が各半導体装置領域３２ａに分割されないようにする。
【００５５】
また、詳細は後述するが、ステップＳ５のマーキング工程では、配線基板３１の上面３１ａに形成された第１ターゲットマーク（後述するターゲットマーク４３）を基に、封止樹脂５ａの上面５ｂに、（ダイシング領域３２ｂ毎に）第２ターゲットマーク（後述するターゲットマーク４７）を形成する。そして、ステップＳ６のハーフダイシング工程では、封止樹脂５ａの上面５ｂに形成された第２ターゲットマーク（後述するターゲットマーク４７）を基に、封止樹脂５ａの上面５ｂ側から封止体３５に溝３８を形成する。
【００５６】
次に、図２３および図２４に示されるように、配線基板３１の下面３１ｂのランド１６に半田ボール６を接続（接合、形成）する（ステップＳ７）。ステップＳ７の半田ボール６接続工程では、例えば、配線基板３１の下面３１ｂを上方に向け、配線基板３１の下面３１ｂの複数のランド１６上に複数の半田ボール６を配置してフラックスなどで仮固定し、リフロー処理（半田リフロー処理、熱処理）を行って半田を溶融し、半田ボール６と配線基板３１の下面３１ｂのランド１６とを接合することができる。その後、必要に応じて洗浄工程を行い、半田ボール６の表面に付着したフラックスなどを取り除くこともできる。このようにして、半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）としての半田ボール６が接合される。すなわち、配線基板３１の下面３１ｂの各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６上にそれぞれ半田ボール６を搭載してから、半田リフロー処理を行って、複数のランド１６上にそれぞれ半田ボール６を接合し、半田ボール６からなる外部接続用端子を形成することができる。
【００５７】
なお、本実施の形態では、半導体装置１の外部端子として半田ボール６を接合する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば半田ボール６の代わりに印刷法などによりランド１６上に半田を供給して半導体装置１の半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することもできる。この場合、配線基板３１の下面の各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６上にそれぞれ半田を供給してから、半田リフロー処理を行って、複数のランド１６上にそれぞれ半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することができる。
【００５８】
また、半導体装置１の外部端子（ここでは半田ボール６）の材質は、鉛含有半田や鉛を含有しない鉛フリー半田を用いることができる。
【００５９】
このように、ステップＳ７では、配線基板３１の下面３１ｂの各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６に、それぞれ外部接続用端子（ここでは半田ボール６）を形成する。
【００６０】
次に、図２５および図２６に示されるように、ダイシングブレード（ダイシングソー、ブレード）４１などを用い、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂに沿って、配線基板３１の下面３１ｂ側から、ダイシングを行い、封止体３５（配線基板３１および封止樹脂５ａ）を切断する（ステップＳ８）。例えば、ステップＳ８では、封止樹脂５ａの上面５ｂをパッケージ固定テープ（固定用テープ）４２に貼り付けて封止体３５を固定した状態で、ダイシングブレード４１によるダイシング工程を行うことができる。このステップＳ８のダイシング工程では、封止体３５の溝３８の底部（３８ａの下方）に残存する部分、ここでは溝３８の底部（３８ａの下方）に残存する配線基板３１、をダイシングブレード４１によって切削して除去する。すなわち、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域３２ｂにおいて、上記ステップＳ６のハーフダイシング工程で切断されずに残存した部分（封止体３５（配線基板３１）の残存部分、ダイシング残り）を、ステップＳ８のダイシング工程で完全に切断（除去）する。これにより、図２７および図２８に示されるように、封止体３５（配線基板３１および封止樹脂５ａ）がダイシング領域３２ｂに沿って完全に切断されて、それぞれの半導体装置領域３２ａ（ＣＳＰ領域）が個々の（個片化された）半導体装置１（ＣＳＰ）に切断分離される。すなわち、封止体３５（配線基板３１および封止樹脂５ａ）が各半導体装置領域３２ａに完全に切断されて分割される。
【００６１】
このように、ステップＳ８では、各半導体装置領域３２ａの間のダイシング領域３２ｂに沿って、配線基板３１の下面３１ｂ側から封止体３５を切断し、それによって、ダイシング領域３２ｂにおいて、ステップＳ６のハーフダイシング工程で切断されずに残存した部分が、ステップＳ８のダイシング工程で切断される。すなわち、ステップＳ６のハーフダイシング工程およびステップＳ８のダイシング工程により、封止体３５が各半導体装置領域３２ａに分割され、各半導体装置領域３２ａから半導体装置１が形成される。
【００６２】
このように、本実施の形態では、ステップＳ６とステップＳ８の２段階のダイシングにより切断・個片化を行って、上記図１〜図７に示されるような半導体装置１を製造することができる。各半導体装置領域３２ａに切断され分離（分割）された配線基板３１が配線基板３に対応し、各半導体装置領域３２ａに切断され分離（分割）された封止樹脂５ａが封止樹脂５に対応する。
【００６３】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程および半導体装置の特徴および効果についてより詳細に説明する。
【００６４】
本実施の形態と異なり、第１の比較例として、ステップＳ６の溝３８形成工程を省略し、半田ボール６接続後に、配線基板３１の下面３１ｂ側から一度のフルダイシング工程で、封止体３５を個々の半導体装置に個片化することが考えられる。
【００６５】
第１の比較例では、配線基板３１の下面３１ｂ側からフルダイシングを行う際に、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマークを基にダイシングを行うことができる。配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマークは、配線基板３１の下面３１ｂ側の導体層１２やソルダレジスト層１４のパターンにより形成されるので、配線基板３１の下面３１ｂ側のパターンとの相対的な位置は精度よく形成することが可能である。しかしながら、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマークは、配線基板３１の上面３１ａ側のパターンとは、ずれが生じやすく、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマークと配線基板３１の上面３１ａ側のパターン（例えば接続端子１５）との相対的な位置の精度は、低くなりやすい。これは、例えば、配線基板３１の上面側３１ａと下面３１ｂ側とに、それぞれ異なるフォトマスクを用いて異なる露光工程により導体層１２などのパターンを形成するので、配線基板３１の上面側３１ａの導体層１２などのパターンと下面３１ｂ側の導体層１２などのパターンの相対的な位置精度が低下しやすいためである。
【００６６】
このため、第１の比較例では、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマークを基に、配線基板３１の下面３１ｂ側から封止体３５をフルダイシングしても、配線基板３１の上面３１ａ側のパターン、例えば接続端子１５、に対するダイシング位置の相対的な位置精度が低くなる。ダイシング位置がずれると、封止樹脂５ａの切断面、すなわち製造された半導体装置の封止樹脂５の側面で接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出する可能性があり、これは、半導体装置の製造歩留まりを低下させる。また、ダイシング位置がずれても、封止樹脂５ａの切断面、すなわち製造された半導体装置の封止樹脂５の側面から接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出しないようにするには、ダイシング領域３２ｂのマージンを多くする必要があるが、これは、半導体装置を大型化を招いてしまう。
【００６７】
そこで、本実施の形態と異なり、第２の比較例として、ステップＳ６の溝３８形成工程を省略し、半田ボール６接続後に、配線基板３１の上面３１ａ側から一度のフルダイシング工程で、封止体３５を個々の半導体装置に個片化することが考えられる。
【００６８】
この第２の比較例の場合、配線基板３１の上面３１ａ側からフルダイシングを行う際に、配線基板３１の上面３１ａに形成されたターゲットマークを基にダイシングを行うことができる。配線基板３１の上面３１ａに形成されたターゲットマークは、配線基板３１の上面３１ａ側の導体層１２やソルダレジスト層１４のパターンにより形成されるので、配線基板３１の上面３１ａ側のパターンとの相対的な位置は精度よく形成することが可能である。このため、第２の比較例では、配線基板３１の上面３１ａ側のパターン、例えば接続端子１５、に対するダイシング位置の相対的な位置精度が高くなり、封止樹脂５ａの切断面、すなわち製造された半導体装置の封止樹脂５の側面で接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出するのを防止することができる。しかしながら、第２の比較例の場合、封止樹脂部５ａの上面５ｂ側からフルダイシングを行おうとすると、配線基板３１の下面３１ｂ側から封止体３５を固定する必要があるが、半田ボール６が邪魔になって、封止体３５を上手く固定することができない。このため、第２の比較例の場合、半田ボール６形成後に、封止樹脂部５ａの上面５ｂ側から上手くフルダイシングすることができない。
【００６９】
そこで、本実施の形態と異なり、第３の比較例として、ステップＳ６の溝３８形成工程を省略し、ステップＳ７の半田ボール６接続工程を行う前に、配線基板３１の上面３１ａ側から一度のフルダイシング工程で、封止体３５を個々の半導体装置に個片化し、その後、個片化された半導体装置に半田ボール６を接続することが考えられる。第３の比較例では、配線基板３１の下面３１ｂに半田ボール６を接続していない状態で、配線基板３１の上面３１ａ側から封止体３５をフルダイシングするので、配線基板３１の下面３１ｂ側から封止体３５を容易に固定できるとともに、ダイシング位置の相対的な位置精度を高くすることができる。しかしながら、第３の比較例では、フルダイシングにより個片化された半導体装置に半田ボール６を接続する必要があるため、半導体装置に半田ボール６を形成することが容易ではなく、半導体装置の製造工程や製造装置を複雑化し、半導体装置のスループットを低下させ、半導体装置の製造コストを増大させる可能性がある。
【００７０】
それに対して、本実施の形態では、封止体３５のダイシングを一回のフルダイシングで行わずに、封止樹脂５ａの上面５ｂ側（すなわち配線基板３１の上面３１ａ側）から行うステップＳ６のハーフダイシング（溝３８形成）工程と、配線基板３１の下面３１ｂ側から行うステップＳ８のダイシング工程に分けて行い、両工程の間にステップＳ７の半田ボール６接続工程を行っている。
【００７１】
本実施の形態では、ステップＳ６のハーフダイシング（溝３８形成）工程で、封止樹脂５ａの上面５ｂ側（すなわち配線基板３１の上面３１ａ側）から、ハーフダイシングを行い、封止体３５に溝３８を形成する。ステップＳ６で封止樹脂５ａの上面５ｂ側（すなわち配線基板３１ａの上面３１ａ側）からハーフダイシングを行う際に、封止体３５の上面３５ａ側（配線基板３１の上面３１ａまたは封止樹脂５ａの上面５ｂ）側に形成されたターゲットマークを基にダイシングを行うことができる。
【００７２】
図２９は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の平面図であり、上記図１８および図１９の工程段階（ステップＳ４で封止樹脂５ａを形成した段階）に対応する封止体３５の平面図（上面図）が示されている。図２９の平面図は、配線基板３１の上面３１ａ側（封止樹脂５ａの上面５ｂ側）が示されている。また、図３０は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の平面図であり、上記図２０の工程段階（ステップＳ５でマーキングを行ってターゲットマーク４７を形成した段階）に対応する封止体３５の平面図（上面図）が示されている。図３０には、図２９に対応する領域の平面図が示され、配線基板３１の上面３１ａ側（封止樹脂５ａの上面５ｂ側）に平面図（上面図）が示されている。また、図２９のＣ−Ｃ線の断面が上記図１８に対応し、図３０のＣ−Ｃ線の断面が上記図２０に対応する。また、図２９および図３０には、ダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂを点線で模式的に示してある。また、図３１も本実施の形態の半導体装置の製造工程中の平面図であり、図３０と同じ工程段階の封止体３５の平面図（上面図）が示されているが、形成したターゲットパターン４７の形状が、図３０の場合とは異なる変形例に対応する。
【００７３】
図２９に示されるように、本実施の形態では、配線基板３１の上面３１ａのうちの封止樹脂５ａで覆われない領域に、封止樹脂５ａ形成後に使用するターゲットマーク（アライメントマーク）４３を、予め形成しておく。すなわち、ステップＳ１で配線基板３１を準備した段階で、配線基板３１の上面３１ａにターゲットマーク４３を予め形成しておく。
【００７４】
上記第１および第２の比較例に関連して説明したように、配線基板３１の上面３１ａに形成されたターゲットマーク４３は、配線基板３１の上面３１ａ側の導体層１２やソルダレジスト層１４のパターンにより形成することができるので、配線基板３１の上面３１ａ側のパターン（例えば接続端子１５）との相対的な位置は精度よく形成することが可能である。例えば、ターゲットマーク４３は、ソルダレジスト層１４の開口部から露出する導体パターン１２によって形成することができ、図２９の例では、ソルダレジスト層１４の略円形の開口部から露出する「＋」の文字状にパターニングされた導体パターン１２によってターゲットマーク４３が形成されている。
【００７５】
しかしながら、配線基板３１の上面３１ａには、ステップＳ４で封止樹脂５ａを形成するので、配線基板３１の上面３１ａに形成していたターゲットマークが封止樹脂５ａで覆われてしまうと、そのターゲットマークは、封止樹脂５ａ形成後は使用できなくなる。このため、本実施の形態では、配線基板３１の上面３１ａに封止樹脂５ａ形成後に使用するターゲットマーク４３を、配線基板３１の上面３１ａのうち、封止樹脂５ａで覆われない領域に形成しておく。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの周辺部（周辺領域、外周部、外周領域、周縁部）に、封止樹脂５ａ形成後に使用するターゲットマーク４３を形成しておき、そのターゲットマーク４３が封止樹脂５ａで覆われないようにする。
【００７６】
このように、配線基板３１の上面３１ａのターゲットマーク４３（第１ターゲットマーク）は、配線基板３１の上面３１ａのうち、封止樹脂５ａで覆われない領域、すなわち配線基板３１の上面３１ａの周辺領域に形成されている。
【００７７】
この配線基板３１の上面３１ａに形成されたターゲットマーク４３（第１ターゲットマーク）を基に（基準に）、ステップＳ６のハーフダイシング工程を行って、封止樹脂５ａの上面５ｂ側から封止体３５に溝３８を形成することもできる。この場合、上記のようにターゲットマーク４３は、配線基板３１の上面３１ａ側のパターンとの相対的な位置は精度よく形成されており、ステップＳ６でこのターゲットマーク４３を基にハーフダイシングを行うことで、配線基板３１の上面３１ａ側のパターン（例えば接続端子１５）に対するハーフダイシング位置（溝３８の位置）の相対的な位置精度が高くなる。
【００７８】
しかしながら、配線基板３１の上面３１ａのうち、封止樹脂５ａで覆われない領域にしか、封止樹脂５ａ形成後に使用するターゲットマークを配置できないので、ダイシング工程のダイシングライン毎にターゲットマークを配線基板３１の上面３１ａに設けることは困難である。また、配線基板３１の上面３１ａの周辺部のうち、モールド工程（封止樹脂５ａ形成工程）で金型のキャビティ内への樹脂注入口（ゲート）が位置していた領域上に、封止樹脂５ａと同じ樹脂（ゲート樹脂）４４が形成される。この樹脂４４も、封止樹脂５ａの一部とみなすこともできる。配線基板３１の上面３１ａの周辺部に、封止樹脂５ａ形成後に使用するターゲットマークが配置可能であるが、配線基板３１の上面３１ａの周辺部のうち、この樹脂４４が形成される領域には、封止樹脂５ａ形成後に使用するターゲットマーク４３を配置できない。また、配線基板３１の上面３１ａの周辺部のうち、モールド工程（封止樹脂５ａ形成工程）で金型のキャビティ内に樹脂材料を注入する際にキャビティ内の空気を金型外に逃がすためのエアベントとなる領域４５にも、封止樹脂５ａ形成後に使用するターゲットマーク４３を配置できない。このため、配線基板３１の上面３１ａのうち、封止樹脂５ａ形成後に使用するターゲットマーク４３の配置可能位置は、それほど多くなく、配線基板３１の上面３１ａの周辺部のうちの一部である。このことも、ダイシング工程のダイシングライン毎にターゲットマークを配線基板３１の上面３１ａに設けることを困難としている。
【００７９】
そこで、本実施の形態では、図２９に示されるように、配線基板３１の上面３１ａのうち、封止樹脂５ａ（上記樹脂４４を含む）で覆われない領域、ここでは配線基板３１の上面３１ａの周辺部の一部にターゲットマーク４３（第１ターゲットマーク）を予め設けておく。そして、配線基板３１の上面３１ａのターゲットマーク４３を基に（基準に）、上記ステップＳ５のマーキング工程において、図３０に示されるように、封止樹脂５ａの上面５ｂに、ダイシング用のターゲットマーク（アライメントマーク）４７（第２ターゲットマーク）を形成することが好ましい。すなわち、上記ステップＳ５のマーキング工程において、配線基板３１の上面３１ａのターゲットマーク４３を基準にマーキング位置（ターゲットマーク４７形成位置）を位置決めして、封止樹脂５ａの上面５ｂにターゲットマーク４７を形成する。
【００８０】
ターゲットマーク４７は、上記図２０のように、レーザ３６などにより封止樹脂５ａの上面５ｂに形成することができ、図３０の例では、「＋」の文字状のマークとしてターゲットマーク４７が形成されている。また、図３１に示されるように、ターゲットマーク４７をダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂに重なるようにライン状に形成することもできる。図３０および図３１のいずれの場合も、ダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂ毎にターゲットマーク４７が形成されている。
【００８１】
封止樹脂５ａの上面５ｂのうち、製品番号などのマークを形成する領域以外の領域には、ターゲットマーク４７の配置が可能である。また、例えば封止樹脂５ａの上面５ｂに製品番号などのマークを形成するとしても、各半導体装置領域３２ａのほぼ中央部に形成し、ダイシング領域３２ｂ上には形成しないので、製品番号などのマークは、ターゲットマーク４７の配置の邪魔にはならない。このため、配線基板３１の上面３１ａの第１ターゲットマーク４３配置可能領域に比べて、封止樹脂５ａの上面５ｂのターゲットマーク４７の配置可能領域が広い。また、封止樹脂５ａの上面５ｂは、ほぼ平坦でマーキングがしやすい。このため、図３０や図３１にも示されるように、封止樹脂５ａの上面５ｂに、ダイシング工程のダイシング領域３２ｂ（ダイシングライン）毎にターゲットマーク４７を設けることができる。
【００８２】
そして、本実施の形態の上記ステップＳ６のハーフダイシング工程（溝３８形成工程）では、配線基板３１の上面３１ａに形成されたターゲットマーク４３を基に溝３８を形成するよりも、封止樹脂５ａの上面５ｂに設けられたターゲットマーク４７（第２ターゲットマーク）を基に、封止樹脂５ａの上面５ｂ側から封止体３５に溝３８を形成することが好ましい。すなわち、上記ステップＳ６のハーフダイシング工程において、封止樹脂５ａの上面５ｂのターゲットマーク４７を基準にダイシング位置（溝３８形成位置）を位置決めして、封止体３５に溝３８を形成する。
【００８３】
従って、配線基板３１の上面３１ａのターゲットマーク４３は、ステップＳ５で封止樹脂５ａの上面５ｂにターゲットマーク４７を形成する際の、ターゲットマーク４７形成位置の位置決め用のアライメントマーク（ターゲットマーク）であり、ターゲットマーク４７は、ステップＳ６のハーフダイシング工程で封止体３５に溝３８を形成する際の、ダイシング位置（溝３８形成位置）の位置決め用のアライメントマーク（ターゲットマーク）である。
【００８４】
上記のように、ステップＳ５のマーキング工程で、封止樹脂５ａの上面５ｂに、ダイシング用のターゲットマーク４７をダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂ毎に形成していたので、ステップＳ６のハーフダイシング工程（溝３８形成工程）では、ダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂ毎に形成されたターゲットマーク４７を基にハーフダイシングを行って、溝３８を形成することができる。このため、ステップＳ６のハーフダイシング工程においては、ダイシングブレード３７による一本の溝３８形成動作毎に、その溝３８を形成すべきダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂ用に設けられたターゲットマーク４７を基準に、封止体３５に対するダイシングブレード３７の相対的な移動位置を位置決めし、ダイシングブレード３７による溝３８形成を行うことができる。
【００８５】
本実施の形態では、ダイシング領域３２ｂ毎に形成されたターゲットマーク４７を基にハーフダイシング（溝３８形成）を行うことができるので、ステップＳ６のハーフダイシング（溝３８形成）工程のダイシング位置（溝３８形成位置）の精度をより高めることができ、配線基板３１の上面３１ａ側のパターン、例えば接続端子１５、に対するハーフダイシング位置（溝３８形成位置）の相対的な位置精度をより高めることができる。
【００８６】
配線基板３１の上面３１ａに形成されたターゲットマーク４３は、配線基板３１の上面３１ａ側の導体層１２やソルダレジスト層１４のパターンにより形成されるので、配線基板３１の上面３１ａ側のパターン（例えば接続端子１５）との相対的な位置は精度よく形成することが可能である。そして、封止樹脂５ａの上面５ｂに形成されたターゲットマーク４７は、配線基板３１の上面３１ａに形成されたターゲットマーク４３を基に形成されるので、封止樹脂５ａの上面５ｂに形成された第２ターゲットマーク４７も、配線基板３１の上面３１ａの第１ターゲットマークと同様に、配線基板３１の上面３１ａ側のパターン（例えば接続端子１５）との相対的な位置は精度よく形成することが可能である。封止樹脂５ａの上面５ｂのこのようなターゲットマーク４７を基に、ステップＳ６のハーフダイシングを行うので、ステップＳ６のハーフダイシング工程では、配線基板３１の上面３１ａ側のパターン（例えば接続端子１５）に対するハーフダイシング位置の相対的な位置精度を高くすることができ、封止樹脂５ａの溝３８から接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出するのを防止することができる。このため、製造された半導体装置１の側面１ｃから接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出するのを防止することができる。
【００８７】
もし、製造された半導体装置１の側面１ｃからボンディングワイヤ４が露出したとすると、半導体チップ２の電極２ａと配線基板３の接続端子１５とのボンディングワイヤ４を介した電気的接続が遮断されたり、あるいは露出したボンディングワイヤ４を介してショートが発生する可能性があり、製造後の検査工程で不良品として除去することになるので、半導体装置の製造歩留まりが低下してしまう。
【００８８】
また、もし、製造された半導体装置１の側面１ｃから接続端子１５が露出したとすると、接続端子１５上にはソルダレジスト層１４が形成されていないので、接続端子１５を構成する導体パターンと封止樹脂５の接触面が、半導体装置１の側面１ｃで露出することになる。しかしながら、接続端子１５を構成する導体パターンと封止樹脂５の密着強度は、ソルダレジスト層１４と封止樹脂５との密着強度よりも小さい。このため、製造された半導体装置１の側面１ｃから接続端子１５が露出していると、露出する接続端子１５と封止樹脂５との界面から半導体装置１の内部に水分などが侵入して、半導体装置１の耐湿性を低下させる可能性があり、半導体装置の製造歩留まりが低下してしまう。
【００８９】
それに対して、本実施の形態では、上記のように、製造された半導体装置１の側面１ｃから接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出するのを防止することができる。このため、半導体装置１の製造歩留まりを向上させることができる。また、製造された半導体装置１の信頼性を向上させることができる。また、ダイシング領域３２ｂのマージンを小さくすることができるので、半導体装置１を小型化することができる。
【００９０】
また、本実施の形態では、ステップＳ７で外部端子（半田ボール６）を形成する前に（すなわち半田ボール６未接続状態で）、ステップＳ６のハーフダイシング工程（溝３８形成工程）を行うので、ステップＳ６のハーフダイシングのために封止体３５を固定する際に、半田ボール６のような外部端子が邪魔になることがなく、配線基板３１の下面３１ｂ側から封止体３５を容易かつ的確に固定することができる。このため、ステップＳ６のハーフダイシング工程（溝３８形成工程）で、封止樹脂５ａの上面５ｂ側から、封止体３５に溝３８を的確に形成することができる。本実施の形態は、ステップＳ７で配線基板３１の下面３１ｂの各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６にそれぞれ形成する外部接続用端子（外部端子）が、半田からなる場合に適用すれば効果が大きく、外部接続用端子（外部端子）が、半田ボール６である場合に適用すれば、極めて効果が大きい。
【００９１】
また、本実施の形態では、ステップＳ６のハーフダイシング工程（溝３８形成工程）の後に、ステップＳ７で外部端子を形成する（半田ボール６接続）。ステップＳ６のダイシング工程（溝３８形成工程）では、フルダイシングではなくハーフダイシングを行い、溝３８の底部３８ａの下方に少なくとも配線基板３１の一部を残存させる。このため、封止体３５（配線基板３１）は完全には切断されず、個片化されない。このため、ステップＳ７では、個片化されていない封止体３５の配線基板３１の下面３１ｂに半田ボール６を接続して外部端子を形成するので、個片化された半導体装置に半田ボール６を接続する場合に比べて、半田ボール６の接続工程（外部端子形成工程）が容易である。従って、半導体装置の製造工程や製造装置を単純化でき、半導体装置のスループットを向上し、半導体装置の製造コストを低減することが可能性である。
【００９２】
また、ステップＳ４の封止樹脂５ａ形成工程（封止体３５形成工程）において、封止樹脂５ａ（封止体３５）は複数の半導体装置領域３２aを覆うように形成するため、封止樹脂５ａ（封止体３５）が一括で形成された配線基板３１は反り易い。そのため、封止樹脂５ａ（封止体３５）を形成した後に外部端子を形成しようとすると、配線基板３１の反りの影響により、外部端子を安定して接続することが困難となる可能性がある。しかしながら、本実施の形態では、外部端子（半田ボール６）を形成する前に、ステップＳ６のハーフダイシング工程において、配線基板３１に溝３８を形成しておくことで、配線基板３１の反り（反り量）を低減（緩和）することができる。これにより、安定して配線基板３１に外部端子（半田ボール６）を形成することが可能である。
【００９３】
また、本実施の形態では、ステップＳ７で外部端子（半田ボール６）を形成した後、ステップＳ８で配線基板３１の下面３１ｂ側からダイシングを行い、封止体３５を個片化している。ステップＳ８では、配線基板３１の下面３１ｂに半田ボール６（外部端子）を形成した状態でダイシングを行うが、配線基板３１の下面３１ｂ側からダイシングを行うので、ステップＳ８のダイシングのために封止体３５を固定する際に、封止樹脂５ａの上面５ｂ側をパッケージ固定テープ４２などで固定すればよいので、半田ボール６（外部端子）が邪魔になることがなく、封止体３５を容易かつ的確に固定できる。このため、ステップＳ８のダイシング工程で、配線基板３１の下面３１ｂ側から、的確にダイシングを行うことができる。
【００９４】
また、上記第１の比較例に関連して説明したように、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマークは、配線基板３１の上面３１ａ側のパターンとは、ずれが生じやすく、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマークと配線基板３１の上面３１ａ側のパターン（例えば接続端子１５）との相対的な位置の精度は、低くなりやすい。このため、配線基板３１の下面３１ｂ側からダイシングを行うステップＳ８のダイシング工程は、封止樹脂５ａの上面５ｂ側からハーフダイシングを行うステップＳ６のハーフダイシング（溝３８形成）工程に比べて、配線基板３１の上面３１ａ側のパターン（例えば接続端子１５）に対するダイシング位置の相対的な位置精度が低くなる可能性がある。
【００９５】
このため、もし溝３８が配線基板３１に到達していない（封止樹脂５ａの途中で止まっている）と、溝３８の底部（３８ａの下方）に残存する封止樹脂５ａおよび配線基板３１をステップＳ８のダイシング工程で完全に切断して除去する必要があり、ステップＳ８のダイシングによる封止体３５の切断面（切削面）４８が配線基板３１だけでなく封止樹脂５ａにも到達する（形成される）ことになる。この場合、ステップＳ６の封止樹脂５ａの上面５ｂ側からのハーフダイシングに比べて位置精度が低いステップＳ８の配線基板３１の下面３１ｂ側からのダイシングにおいて封止樹脂５ａまで切断（切削）した際に、ステップＳ８のダイシングによる切断面（切削面）４８からボンディングワイヤ４が露出する可能性があり、半導体装置の製造歩留まりを低下させる。
【００９６】
このため、本実施の形態では、ステップＳ６のハーフダイシング工程で形成した溝３８が配線基板３１に到達するようにすることが好ましい。すなわち、本実施の形態では、ステップＳ６のハーフダイシング工程で、ダイシング領域３２ｂに沿って、封止樹脂５ａの全部と配線基板３１の一部を切断（切削）し封止樹脂５ａおよび配線基板３１に溝３８を形成し、溝３８（の底部３８ａ）は配線基板３１に到達している。ダイシング領域３２ｂにおいて、ステップＳ６のハーフダイシング工程で切断（切削）されずに残存した部分が、ステップＳ８のダイシング工程で切断（切削）されるので、ステップＳ６の封止樹脂５ａの上面５ｂ側からのハーフダイシング工程に比べて位置精度が低いステップＳ８の配線基板３１の下面３１ｂ側からのダイシング工程では、配線基板３１を切断（切削）すればよく、封止樹脂５ａは切断（切削）する必要はない。このため、ステップＳ８のダイシング工程では、ダイシングブレード４１は、配線基板３１の上面３１ａに相当する位置にまで到達しないので、ステップＳ８のダイシングによる切断面（切削面）４８は封止樹脂５ａに到達せず、配線基板３１にだけ形成されるようにすることができる。従って、たとえステップＳ８のダイシング工程がステップＳ６のハーフダイシング工程に比べて、配線基板３１の上面３１ａ側のパターンに対するダイシング位置の相対的な位置精度が低くかったとしても、半導体装置１の配線基板３の上面３ａに残存すべきパターン（例えば接続端子１５）が、ステップＳ８のダイシング工程で、ダイシングブレード４１によって切断されるのを防止することができる。また、ステップＳ８のダイシング工程では、配線基板３１を切断（切削）するが、封止樹脂５ａは切断（切削）しないので、たとえステップＳ８のダイシング工程のダイシング位置の位置精度が低くかったとしても、ステップＳ８のダイシング工程での切断面で、接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出するのを防止できる。位置精度が高いステップＳ６の封止樹脂５ａの上面５ｂ側からのハーフダイシング工程での切断面（切削面）により封止樹脂５の側面５ａと配線基板３の側面３ｃの上部３ｅとが規定（形成）されるので、ステップＳ８のダイシングによる切断面（切削面）４８からボンディングワイヤ４や接続端子１５が露出するのを防止することができ、半導体装置の信頼性や製造歩留まりをより向上させることができる。
【００９７】
本実施の形態では、製造された半導体装置１の封止樹脂５の側面５ｃは、ステップＳ６のハーフダイシング工程で形成された溝３８の側面（すなわちステップＳ６におけるダイシングブレード３７による切断面または切削面）によって規定（形成）される。上記のようにステップＳ６のハーフダイシング工程のダイシング位置の精度は高いので、製造された半導体装置１の封止樹脂５の側面５ｃから接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出するのを防止することができる。また、上記のようにステップＳ６のハーフダイシング工程のダイシング位置の精度は高いので、ダイシング領域３２ｃのマージンを少なくすることができ、半導体装置の小型化などにも有利である。このため、本実施の形態は、例えば、チップサイズもしくは半導体チップ２より僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージであるＣＳＰ形態の半導体装置に適用すれば、より効果が大きい。例えば、半導体チップ２の端部と配線基板３の端部との平面位置の差が０．５ｍｍ以下程度である場合などに適用すれば、より効果が大きい。
【００９８】
また、本実施の形態では、ステップＳ６のハーフダイシング工程で用いるダイシングブレード３７の幅Ｗ１と、ステップＳ８のダイシング工程で用いるダイシングブレード４１の幅Ｗ２が異なる（すなわちＷ１≠Ｗ２）ことが好ましい。これにより、ステップＳ６のハーフダイシング工程のダイシング位置とステップＳ８のダイシング工程のダイシング位置のミスマッチ（ずれ）を吸収可能となる。
【００９９】
また、ステップＳ６のハーフダイシング工程で用いるダイシングブレード３７の幅Ｗ１が、ステップＳ８のダイシング工程で用いるダイシングブレード４１の幅Ｗ２よりも大きい（Ｗ１＞Ｗ２）場合、製造された半導体装置の側面において、封止樹脂５の側面５ｃよりも、配線基板３の側面３ｃの下部が外側に突出した形状の段差が形成される。また、ステップＳ６のハーフダイシング工程で用いるダイシングブレード３７の幅Ｗ１と、ステップＳ８のダイシング工程で用いるダイシングブレード４１の幅Ｗ２が同じ場合（Ｗ１＝Ｗ２）であっても、ステップＳ６のハーフダイシング工程のダイシング位置とステップＳ８のダイシング工程のダイシング位置がずれると、製造された半導体装置の側面に段差が生じる。この段差は、ダイシング領域３２ｂの両側の一方では、封止樹脂５の側面５ｃよりも、配線基板３の側面３ｃの下部が外側に突出した形状の段差となる。製造された半導体装置の側面において、封止樹脂５の側面５ｃよりも、配線基板３の側面３ｃの下部が外側に突出した形状の段差が形成されると、次のような不具合が生じる可能性がある。すなわち、半導体装置１の製品寸法は、封止樹脂５の外形寸法で決まるため、半導体装置の側面において、封止樹脂５の側面５ｃよりも、配線基板３の側面３ｃの下部が外側に突出した形状の段差が形成されると、半導体装置１の製造後に行うテスト工程などで、ソケットなどに半導体装置が収まらない（収容できない）可能性や、搬送工程などでパッケージ収納トレイなどに半導体装置が収まらない（収納できない）可能性がある。ソケットやトレイの寸法は、ＪＥＤＥＣ（Joint Electron Device Engineering Council：電子デバイス技術合同協議会）の規格に基づいており、封止樹脂５側の寸法に対応する寸法で形成される。
【０１００】
そこで、本実施の形態では、ステップＳ６のハーフダイシング工程で用いるダイシングブレード３７の幅Ｗ１が、ステップＳ８のダイシング工程で用いるダイシングブレード４１の幅Ｗ２よりも小さい（すなわちＷ１＜Ｗ２）ことが、より好ましい。これにより、製造された半導体装置１の側面１ｃにおいて、封止樹脂５の側面５ｃと配線基板の側面３ｃの上部３ｅとは、ステップＳ６のハーフダイシング工程でのダイシングブレード３７による切断面（すなわち溝３８の側面）であり、同一平面により形成されるが、ステップＳ８のダイシング工程でのダイシングブレード４１による切断面４８である配線基板３の側面３ｃの下部３ｄとは、ずれた状態となる。このため、製造された図１〜図６に示される半導体装置１の側面１ｃにおいて、封止樹脂５の側面５ｃよりも、配線基板３の側面３ｃの下部３ｄが内側に窪んだ形状の段差２０が形成される。すなわち、封止樹脂５の側面５ｃおよび配線基板３の側面３ｃにより形成される半導体装置１の側面１ｃに段差２０が形成され、半導体装置１の側面５ｃの下部が上部よりも窪んだ状態となり、この半導体装置１の側面１ｃの段差２０は、封止樹脂５の側面ではなく、配線基板３の側面３ｃに形成され、配線基板３の側面３ｃの下部３ｄが配線基板３ｃの側面３ｃの上部３ｅよりも窪んだ状態となる。また、たとえステップＳ６のハーフダイシング工程のダイシング位置とステップＳ８のダイシング工程のダイシング位置がずれた場合でも、製造された半導体装置１の側面１ｃには、封止樹脂５の側面５ｃよりも、配線基板３の側面３ｃの下部３ｄが内側に窪んだ形状の段差２０が形成される。このため、上記のような、半導体装置の側面において、封止樹脂５の側面５ｃよりも、配線基板３の側面３ｃの下部が外側に突出した形状の段差が形成されるのを防止することができ、製造された半導体装置１の側面１ｃの下部の形状を安定させることができる。このため、本実施の形態では、半導体装置１の製品寸法は、封止樹脂５の外形寸法で決まり、半導体装置１の側面において、封止樹脂５の側面５ｃよりも、配線基板３の側面３ｃの下部３ｄが内側に窪んだ形状の段差２０が形成されているので、半導体装置１の製造後に行うテスト工程や搬送工程などで、ソケットやパッケージ収納トレイなどに半導体装置１を的確に収めることが可能になる。これにより、半導体装置の製造歩留まりを、より向上することができ、また、半導体装置の取り扱いの容易さを高めることができる。
【０１０１】
従って、半導体装置１は、封止樹脂５の側面５ｃおよび配線基板３の側面３ｃにより形成される半導体装置１の側面１ｃに段差２０を有して、半導体装置１の側面５ｃの下部が上部よりも窪んだ状態となっていることが好ましい。この半導体装置１の側面１ｃの段差２０は、封止樹脂５の側面５ｃではなく、配線基板３の側面３ｃに形成されていることがより好ましく、配線基板３の側面３ｃの下部３ｄが配線基板３の側面３ｃの上部３ｅよりも窪んだ状態となり、封止樹脂５の側面５ｃには段差２０は形成されていないことがより好ましい。これにより、半導体装置１の製造後に行うテスト工程や搬送工程などで、ソケットやトレイなどに半導体装置１を的確に収める（収容する）ことができ、テスト工程や搬送工程が行いやすくなり、また、より的確にテスト工程や搬送工程を行うことができる。
【０１０２】
（実施の形態２）
図３２は、本発明の実施の形態の半導体装置の製造工程で用いられる基板保持治具５１の構造の一例を示す平面図であり、図３３は図３２に示す基板保持治具５１の構造を示す側面図である。また、図３４および図３５は、本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図であり、上記実施の形態１の図２１および図２５に対応する。
【０１０３】
本実施の形態の半導体装置の製造工程は、ステップＳ６のハーフダイシング工程およびステップＳ８のダイシング工程以外は上記実施の形態１とほぼ同様であるのでここではその説明は省略し、本実施の形態の半導体装置の製造工程におけるステップＳ６のハーフダイシング工程およびステップＳ８のダイシング工程について説明する。また、本実施の形態の半導体装置の製造工程に従って製造された半導体装置は、上記実施の形態１の図１〜図７の半導体装置１とほぼ同様の構造を有しているので、ここではその説明は省略する。
【０１０４】
上記実施の形態１では、ステップＳ６のハーフダイシング工程およびステップＳ８のダイシング工程において、シート状またはテープ状の固定治具であるパッケージ固定テープ３９，４２によって、封止体３５を固定していたが、本実施の形態では、板状の固定治具である基板保持治具５１によって、封止体３５を固定している。
【０１０５】
まず、図３２および図３３に示される基板保持治具５１について説明する。
【０１０６】
図３２および図３３に示されるように、基板保持治具５１は、プレート状の治具本体５１ａと、封止体３５を支持し、かつゴムなどから形成された製品支持部５１ｂとからなり、製品支持部５１ｂには、ダイシング工程のダイシングライン（ダイシング領域３２ｂ）に対応して格子状に溝５１ｄが形成されている。
【０１０７】
さらに、製品支持部５１ｂの溝５１ｄによって区画されて形成された四角形の領域（１つの半導体装置領域３２ａに対応した領域）には、それぞれ１つずつ吸着孔（貫通孔）５１ｃが形成されている。また、製品支持部５１ｂの外側の治具本体５１ａには位置決め孔５１ｅが形成されており、ダイシング時には、この位置決め孔５１ｅを用いて基板保持治具５１の位置決めを行うことができる。
【０１０８】
このような基板保持治具５１によって、配線基板３１（封止体３５）を固定しながら、ステップＳ６のハーフダイシング工程およびステップＳ８のダイシング工程を行う。
【０１０９】
すなわち、本実施の形態では、ステップＳ６のハーフダイシング工程において、図３４に示されるように、配線基板３１の下面３１ｂを、基板保持治具５１の吸着孔５１ｃを介して吸引して製品支持部５１ｂに密着（吸着）させることで、封止体３５を固定してから、ダイシングブレード３７による封止体３５のハーフダイシング（溝３８形成）を行う。そして、本実施の形態では、ステップＳ８のダイシング工程において、図３５に示されるように、封止樹脂５ａの上面５ｂを、基板保持治具５１の吸着孔５１ｃを介して吸引して製品支持部５１ｂに密着（吸着）させることで、封止体３５を固定してから、ダイシングブレード４１による封止体３５のダイシングを行う。
【０１１０】
ステップＳ６のハーフダイシング工程およびステップＳ８のダイシング工程について、封止体３５の固定の仕方以外については、上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０１１１】
本実施の形態においても、上記実施の形態１とほぼ同様の効果を得ることができる。但し、基板保持治具５１を用いた場合は、吸引による吸着力が弱いと、ダイシング中に封止体３５がずれる可能性がある。このため、上記実施の形態１のようにパッケージ固定テープ３９，４２によって封止体３５を固定した方が、封止体３５をより強固かつ確実に固定できるので、ステップＳ６のハーフダイシング工程およびステップＳ９のダイシング工程中に封止体３５がずれるのをより的確に防止でき、ダイシング位置の精度をより高めることができる。
【０１１２】
（実施の形態３）
図３６〜図４０は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。図３６は、上記実施の形態１の図１７に対応し、図３７は、上記実施の形態１の図１９に対応し、図３８は、上記実施の形態１の図２２に対応し、図３９は、上記実施の形態１の図２６に対応し、図４０は、上記実施の形態１の図２８に対応する。
【０１１３】
本実施の形態においても、上記図１４および図１５までの工程は、上記実施の形態１と同様であるのでここではその説明を省略し、ここでは図１５に続く工程について説明する。
【０１１４】
ステップＳ１の配線基板３１の準備工程およびステップＳ２のダイボンディング工程を行って、上記図１５の構造を得た後、ステップＳ３のワイヤボンディング工程を行って、図３６に示されるように、半導体チップ２の各電極２ａと、これに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５とをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する。ステップＳ３のワイヤボンディングにおいて、上記実施の形態１では、先に半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）している。それに対して、本実施の形態では、ステップＳ３のワイヤボンディングにおいて、先に配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）している。
【０１１５】
例えば、ワイヤボンディング装置のキャピラリ（図示せず）に保持されたボンディングワイヤ４の先端を超音波を印加しながら配線基板３１の接続端子１５表面に押し付けて接続してから、キャピラリを上方に引き上げてから横方向に移動させ、ボンディングワイヤ４を半導体チップ２の電極２ａの表面に超音波を印加しながらこすりつけて接続してからボンディングワイヤ４を切断する。これにより、配線基板３１の接続端子１５と半導体チップ２の電極２ａとをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続することができる。
【０１１６】
また、図３６に示されるように、半導体チップ２の電極２ａに金（Ａｕ）などからなるスタッドバンプ（バンプ電極、バンプ）６１を形成しておき、セカンドボンディングの際には、半導体チップ２の電極２ａ上のスタッドバンプ６１にボンディングワイヤ４を接続すれば、より好ましい。これにより、ボンディングワイヤ４と半導体チップ２の電極２ａとの接続強度を向上することができる。また、半導体チップ２の電極２ａへのセカンドボンディングの際に半導体チップ２に与えられるストレスを低減することができる。
【０１１７】
ステップＳ３のワイヤボンディング工程の後、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ５のモールド工程（封止樹脂５ａ形成工程）を行って、図３７に示されるように、配線基板３１の上面３１ａ上に封止樹脂５ａを形成する。その後、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ５のマーキング工程を行う。
【０１１８】
次に、上記実施の形態１のステップＳ６のハーフダイシング工程に相当する工程を行って、図３８に示されるように、ダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂに沿って、配線基板３の上面３ａ側、すなわち封止樹脂５ａの上面５ｂ側からハーフダイシングを行い、封止体３５に溝（切り溝）３８ｂ（上記実施の形態１の溝３８に対応するもの）を形成する。上記実施の形態１では、ステップＳ６のハーフダイシング工程で封止体３５に形成された溝３８（の底部３８ａ）は配線基板３１に到達していることが好ましいが、本実施の形態では、ステップＳ６のハーフダイシング工程で封止体３５に形成された溝３８ｂ（の底部３８ｃ）は配線基板３１に到達せずに、溝３８ｂの底部３８ｃの下方に封止樹脂５ａが残存していても良い。
【０１１９】
次に、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ７の半田ボール６接続工程を行って、配線基板３１の下面３１ｂのランド１６に半田ボール６を接続する。
【０１２０】
次に、上記実施の形態１のステップＳ８のダイシング工程に相当する工程を行って、図３９に示されるように、ダイシングブレード（ここでは図示せず）などを用い、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂに沿って、配線基板３１の下面３１ｂ側からダイシングを行い、封止体３５を切断する。これにより、図４０に示されるように、封止体３５がダイシング領域３２ｂに沿って完全に切断されて、それぞれの半導体装置領域３２ａが個々の半導体装置１ａ（上記実施の形態１の半導体装置１に相当するもの）に切断分離される。
【０１２１】
上記実施の形態１では、ステップＳ３のワイヤボンディングにおいて、先に半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）している。このため、形成されたボンディングワイヤ４は、端子１５に接続する部分が最もダイシング領域１５に近づいている。
【０１２２】
このため、上記実施の形態１では、もし溝３８が配線基板３１に到達していない（封止樹脂５ａで止まっている）と、ステップＳ８のダイシングによる切断面（切削面）４８が封止樹脂５ａに到達することになる。この場合、ステップＳ６の封止樹脂５ａの上面５ｂ側からのハーフダイシングに比べて位置精度が低いステップＳ８の配線基板３１の下面３１ｂ側からのダイシングにおいて封止樹脂５ａまで切断（切削）した際に、ステップＳ８のダイシングによる切断面（切削面）４８からボンディングワイヤ４が露出する可能性があり、半導体装置の信頼性や製造歩留まりを低下させる。
【０１２３】
このため、上記実施の形態１では、ステップＳ６のハーフダイシング工程で形成した溝３８が配線基板３１に到達するようにしている。これにより、ステップＳ６の封止樹脂５ａの上面５ｂ側からのハーフダイシング工程に比べて位置精度が低いステップＳ８の配線基板３１の下面３１ｂ側からのダイシング工程では、封止樹脂５ａを切断せずに配線基板３１だけを切断すればよく、ステップＳ８のダイシングによる切断面（切削面）４８は封止樹脂５ａに到達せず、配線基板３１にだけ形成される。位置精度が高いステップＳ６の封止樹脂５ａの上面５ｂ側からのハーフダイシング工程での切断面（切削面）により封止樹脂５の側面５ａと配線基板３の側面３ｃの上部３ｅとが規定（形成）されるので、ステップＳ８のダイシングによる切断面（切削面）からボンディングワイヤ４が露出するのを防止することができ、半導体装置の信頼性や製造歩留まりを向上させることができる。
【０１２４】
それに対して、本実施の形態では、ステップＳ３のワイヤボンディングにおいて、先に配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）している。このため、形成されたボンディングワイヤ４は、ワイヤループの最上部に近い位置４ａが、最もダイシング領域３２ｂに近づいた状態となっている。すなわち、ボンディングワイヤ４の位置４ａは、ボンディングワイヤ４における最もダイシング領域３２ｂに近い位置に対応する。この位置４ａが、ボンディングワイヤ４のうち、封止樹脂５の側面５ｃから最も露出し易い部分となる。製造された半導体装置１ａにおいては、ボンディングワイヤ４の位置４ａは、ボンディングワイヤ４における最も封止樹脂５の側面５ｃに近い位置に対応する。
【０１２５】
このため、本実施の形態では、ステップＳ６のハーフダイシング工程で形成した溝３８ｂの底部３８ｃの高さ（高さ位置）ｈ１が、ボンディングワイヤ４の位置４ａの高さ（高さ位置）ｈ３よりも低ければよい（ｈ１＜ｈ３）。すなわち、ステップＳ６のハーフダイシング工程で形成した溝３８ｂの底部３８ｃの高さｈ１が、ボンディングワイヤ４の位置４ａの高さｈ３よりも低ければ、溝３８ｂの底部３８ｃが配線基板３１に到達せずに封止樹脂５ａで止まっていてもよい。従って、ステップＳ２のワイヤボンディング工程で、ボンディングワイヤ４の一端を配線基板３１の接続端子１５に接続してから、ボンディングワイヤ４の他端を半導体チップ２の電極２ａに接続した場合は、ステップＳ６で封止体３５に形成される溝３８の底部３８ｃの高さ（高さ位置）ｈ１を、少なくともボンディングワイヤ４のワイヤループの高さ（高さ位置）ｈ２よりも低く（ｈ１＜ｈ２）する。
【０１２６】
ここで、溝３８ｂの底部３８ｃの高さ（高さ位置）ｈ１、ボンディングワイヤ４のワイヤループの高さ（高さ位置）ｈ２およびボンディングワイヤ４の位置４ａの高さ（高さ位置）ｈ３を言うときは、配線基板３１の上面３１ａからの高さ（距離）のことであり、配線基板３１の上面３１ａから配線基板３１の上面３１ａに垂直な方向の高さ（距離）に対応し、配線基板３１の上面３１ａに近い側を低い、遠い側を高いものとして表記している。また、ボンディングワイヤ４のワイヤループの高さ（高さ位置）ｈ２は、ボンディングワイヤ４のワイヤループの最頂部（ボンディングワイヤ４において配線基板３１の上面３１ａから最も高い位置にある部分）の配線基板３１の上面３１ａからの高さに対応する。本実施の形態のようにステップＳ２のワイヤボンディング工程で、ボンディングワイヤ４の一端を配線基板３１の接続端子１５に接続してから、ボンディングワイヤ４の他端を半導体チップ２の電極２ａに接続した場合は、ボンディングワイヤ４のワイヤループの高さｈ２とボンディングワイヤ４の位置４ａの高さｈ３とは、ほぼ同程度（ｈ２≒ｈ３）である。
【０１２７】
本実施の形態では、ステップＳ６のハーフダイシング工程で形成した溝３８ｂの底部３８ｃの高さｈ１を、少なくともボンディングワイヤ４のワイヤループの高さｈ２よりも低く（ｈ１＜ｈ２）して、ボンディングワイヤ４の位置４ａの高さｈ３よりも低く（ｈ１＜ｈ３）している。このため、ボンディングワイヤ４のうち封止樹脂５の側面５ｃから最も露出し易い位置４ａに対応する領域の封止樹脂５の側面（切断面）が、位置精度が高いステップＳ６の封止樹脂５ａの上面５ｂ側からのハーフダイシング工程での切断面（すなわち溝３８ｂの側壁）により規定（形成）される。これにより、ダイシングによる封止樹脂５ａの切断面（切削面）からボンディングワイヤ４が露出するのを防止することができ、半導体装置の信頼性や製造歩留まりを向上させることができる。
【０１２８】
また、本実施の形態においても、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ６のハーフダイシング工程で形成した溝３８ｂを配線基板３１に到達させることもでき、この場合、封止樹脂５の側面５ｃでのボンディングワイヤ４の露出を防止できるのに加えて、更に端子１５が半導体装置１の側面１ｃから露出するのをより的確に防止できるようになる。
【０１２９】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
本発明は、配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージ形態の半導体装置の製造方法および半導体装置に適用して有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の上面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の下面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置の側面図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図８】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。
【図９】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造に用いられる配線基板の製造工程中の平面図である。
【図１０】図９に続く配線基板の製造工程中における平面図である。
【図１１】図１０に続く配線基板の製造工程中における平面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１３】図１２と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１４】図１２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１５】図１４と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１６】図１４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１７】図１６と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１８】図１６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１９】図１８と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２０】図１８に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２１】図２０に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２２】図２１と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２３】図２１に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２４】図２３と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２５】図２３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２６】図２５と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２７】図２５に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２８】図２７と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２９】図１８および図１９と同じ半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図３０】図２０と同じ半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図３１】図２０と同じ半導体装置の製造工程中の他の形態の平面図である。
【図３２】本発明の他の実施の形態の半導体装置の製造工程で用いられる基板保持治具の構造の一例を示す平面図である。
【図３３】図３２に示す基板保持治具の構造を示す側面図である。
【図３４】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３５】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３６】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３７】図３６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３８】図３７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３９】図３８に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図４０】図３９に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１，１ａ  半導体装置
１ｃ  側面
２  半導体チップ
２ａ  電極
２ｂ  表面
２ｃ  裏面
３  配線基板
３ａ  上面
３ｂ  下面
３ｃ  側面
３ｄ  下部
３ｅ  上部
４  ボンディングワイヤ
４ａ  位置
５，５ａ  封止樹脂
５ｂ  上面
５ｃ  側面
６  半田ボール
８  接着材
１１  基材層
１１ａ  上面
１１ｂ  下面
１２  導体層
１４  ソルダレジスト層
１５  接続端子
１６  ランド
１７  開口部
２０  段差
３１  配線基板
３１ａ  上面
３１ｂ  下面
３２ａ  半導体装置領域
３２ｂ  ダイシング領域
３３  導体パターン
３４  めっき配線
３５  封止体
３６  レーザ
３７  ダイシングブレード
３８，３８ｂ  溝
３８ａ，３８ｃ  底部
３９  パッケージ固定テープ
４１  ダイシングブレード
４２  パッケージ固定テープ
４３  ターゲットマーク
４４  樹脂
４５  領域
４７  ターゲットマーク
４８  切断面
５１  基板保持治具
５１ａ  治具本体
５１ｂ  製品支持部
５１ｃ  吸着孔
５１ｄ  溝
５１ｅ  位置決め孔
【図１】
2007311378.tif 000003
【図２】
2007311378.tif 000004
【図３】
2007311378.tif 000005
【図４】
2007311378.tif 000006
【図５】
2007311378.tif 000007
【図６】
2007311378.tif 000008
【図７】
2007311378.tif 000009
【図８】
2007311378.tif 000010
【図９】
2007311378.tif 000011
【図１０】
2007311378.tif 000012
【図１１】
2007311378.tif 000013
【図１２】
2007311378.tif 000014
【図１３】
2007311378.tif 000015
【図１４】
2007311378.tif 000016
【図１５】
2007311378.tif 000017
【図１６】
2007311378.tif 000018
【図１７】
2007311378.tif 000019
【図１８】
2007311378.tif 000020
【図１９】
2007311378.tif 000021
【図２０】
2007311378.tif 000022
【図２１】
2007311378.tif 000023
【図２２】
2007311378.tif 000024
【図２３】
2007311378.tif 000025
【図２４】
2007311378.tif 000026
【図２５】
2007311378.tif 000027
【図２６】
2007311378.tif 000028
【図２７】
2007311378.tif 000029
【図２８】
2007311378.tif 000030
【図２９】
2007311378.tif 000031
【図３０】
2007311378.tif 000032
【図３１】
2007311378.tif 000033
【図３２】
2007311378.tif 000034
【図３３】
2007311378.tif 000035
【図３４】
2007311378.tif 000036
【図３５】
2007311378.tif 000037
【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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