(57)【要約】【課題】後方散乱された電子が再突入しても、高コントラストが得られるような平面型画像表示装置を提供すること。【解決手段】マルチ電子放出素子を有するリアプレートとゲッタ材を有するメタルバックで被覆した蛍光体を有するフェースプレートとを対向配置し、８ｋｖから１５ｋｖまでの加速電圧を用いる平面型画像表示装置の蛍光体として、電流輝度特性をＬ＝ｋＩγ（Ｌは輝度、Ｉは照射電流、ｋは定数を示す）として表したときに、γ≧０．９である蛍光体を用いる。【選択図】図１
2007311263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子放出素子を備えてマルチ電子源を形成しているリアプレートと、前記リアプレートに対向して配置されるとともに、リアプレートに対向した面に蛍光体が配置され、該蛍光体はメタルバック膜に被覆されたフェースプレートと、を有し、前記リアプレートと前記フェースプレートの間に８ｋｖから１５ｋｖまでの加速電圧を印加する電圧印加手段を更に有する平面型画像表示装置において、
前記メタルバックはゲッタ材を有し、かつ前記蛍光体の電流輝度特性を、Ｌ＝ｋＩγ（Ｌは輝度、Ｉは照射電流、ｋは定数を示す）として表したときに、γ≧０．９であることを特徴とした平面型画像表示装置。
【請求項２】
前記蛍光体の一つが、化学式ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕで表される材料である請求項１に記載の平面型画像表示装置。
【請求項３】
前記蛍光体のＥｕの量が、Ｓｒに対して０．５at％から５at％の範囲である請求項２に記載の平面型画像表示装置。
【請求項４】
前記ゲッタ材は、Ｔｉ及びＺｒの少なくも一種を含む請求項１乃至３のいずれかに記載の平面型画像表示装置。
【請求項５】
前記電子放出素子が表面伝導型電子放出素子である請求項１乃至４のいずれかに記載の平面型画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子源を用いた平面型画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大きく重いブラウン管に代わる画像表示装置として、薄型のいわゆるフラットパネルディスプレイが注目されてきている。なかでも液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）が盛んに開発研究されているが、視野角が狭いこと、残像があることなどが課題として残っている。
【０００３】
一方、電子源より放出される電子ビームを蛍光体に照射して蛍光を発光させることで画像を表示する自発光型のフラットパネルディスプレイについての開発研究も盛んに行われている。この自発光型のフラットパネルディスプレイは、は液晶表示装置に比べて明るい画像が得られるとともに、視野角が広く、残像がなく、大画面化、高精細化の要求に対して、液晶に代わるものとして期待されている。
【０００４】
自発光型のフラットパネルディスプレイに関して特開平３−２６１０２４号公報には、フェースプレートとリアプレートに挟まれた真空パネルで内に、電子線を発生する電子放出素子を配して構成される薄型の画像表示装置が記載されている。電子放出素子として表面伝導型電子放出素子を用い、電子線を加速して蛍光体に照射し、蛍光体を発光させて画像を表示させる。
【０００５】
このような画像表示装置のフェースプレートの断面模式図を図８に示す。１００７はガラス基板、１００８は蛍光体、１００９はメタルバック、１０１０は黒色の導電体（ブラックマトリックス）を示す。電子線を加速して蛍光体１００８に照射して、画像を表示させる平面型画像表示装置はその内部の圧力が、おおよそ１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空に維持されている。真空の維持は輝度の経時変化や輝度バラツキの発生などの観点から重要であり、特開平０９−０８２２４５号公報には、メタルバック１００９がゲッタ材を有する平面型画像表示装置が記載されている。
【０００６】
このようなメタルバック１００９がゲッタ材を有するのは以下の理由による。電子源を用いた画像表示装置では、高エネルギーの電子によって衝撃を受ける蛍光体１００８などの画像表示部材等からのガス発生は避けがたい。発生したガスが電子源の電子放出部に吸着して特性に影響を及ぼすおそれがある。このようなガスを十分に吸着するために、画像表示領域内のメタルバック１００９にゲッタ材を有する構成にしている。
【０００７】
また、高エネルギーの電子が蛍光体１００８に突入する際には、電子の一部はメタルバック１００９や蛍光体１００８により後方に散乱される。後方散乱された電子は、電場に加速されて近傍のメタルバック１００９および蛍光体１００８に再突入する。これにより、駆動していない画素の蛍光体１００８が発光するハレーションという現象が発生する。さらに、メタルバック１００９がゲッタ材を有する場合は、後方散乱する電子の割合が増加することが考えられる。これは、ゲッタ材として利用される材料は通常メタルバックに利用されるアルミニウムよりも重い元素からなり、後方散乱係数が上昇するからである。
【０００８】
このハレーションへの対策として、リアプレートとフェースプレートの間に第三電極を設けた画像表示装置が特開平１１−２５０８３９号公報に記載されている。第三電極は、しかし、平面型画像表示装置の構造を複雑なものとし、装置の製造コストの上昇の原因となる場合がある。
【特許文献１】特開平０３−２６１０２４号公報
【特許文献２】特開平０９−０８２２４５号公報
【特許文献３】特開平１１−２５０８３９号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように平面型画像表示装置においては、メタルバック１００９に照射された電子線の一部が後方散乱される。メタルバック１００９にゲッタ材を有する場合は、通常は、メタルバック１００９として使われるアルミ二ウムよりも、メタルバックに含まれる元素の平均原子番号はおおきくなり、後方散乱される電子は増加する。散乱された電子は電場により加速され、再度蛍光体１００８に突入する。この再突入した電子の量が多いと、不要な部分の蛍光体１００８を発光させ、ハレーションが生じる。このハレーションは平面型表示装置のコントラストを妨げる。
【００１０】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、後方散乱された電子が再突入しても、高コントラストが得られるような平面型画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の平面画像表示装置は、複数の電子放出素子を備えてマルチ電子源を形成しているリアプレートと、前記リアプレートに対向して配置されるとともに、リアプレートに対向した面に蛍光体が配置され、該蛍光体はメタルバック膜に被覆されたフェースプレートと、を有し、前記リアプレートと前記フェースプレートの間に８ｋｖから１５ｋｖまでの加速電圧を印加する電圧印加手段を更に有する平面型画像表示装置において、
前記メタルバックはゲッタ材を有し、かつ前記蛍光体の電流輝度特性を、Ｌ＝ｋＩγ（Ｌは輝度、Ｉは照射電流、ｋは定数を示す）として表したときに、γ≧０．９であることを特徴とする平面型画像表示装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の平面型画像表示装置では、メタルバックにゲッタ材を有する効果を維持しつつ、電流輝度特性におけるγとして０．９以上と１に近い値を達成でき、一次電子による輝度に対する後方散乱により再突入した電子による輝度の割合が効果的に低減されている。その結果、一次電子照射部における発光強度が強く、高いコントラストの画像が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００１４】
図１は、本実施の形態に用いた平面型画像表示装置の斜視図であり、その内部構造をしめすために表示パネルの一部を切り欠いて示してある。図中、１００５はリアプレート、１００６は側壁、１００７はフェースプレートであり、これらの各部材により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容器が形成されている。この気密容器を組み立てるにあたっては、各部材の接合部を、十分な強度と気密性を保持させるための封着を行う必要がある。この封着は、例えばフリットガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中で、４００℃〜５００℃で１０分以上焼成することにより行うことができる。
【００１５】
平面型画像表示装置の電子源は、表面伝導型電子放出素子、スピント型電界放出素子、またはＭＩＭ型電子放出素子など平面型画像表示装置に用いられるものであれば制限されない。好ましくは製造が簡単で高輝度であり、大面積化に好適な表面伝導型電子放出素子であることが望ましい。ここでは表面伝導型電子放出素子を例にして説明する。
【００１６】
リアプレート１００５には、基板１００１が固定されている。基板１００１上には表面伝導型電子放出素子１００２が、Ｎ×Ｍ個形成されている（ここでＮ、Ｍは２以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜選定される）。これらＮ×Ｍ個の表面伝導型電子放出素子は、Ｍ本の行方向配線１００３とＮ本の列方向１００４により単純マトリクス配線されている。これら１００１〜１００４によって構成される部分をマルチ電子源と呼ぶ。
【００１７】
なお、本実施形態において、気密容器のリアプレート１００５にマルチ電子源の基板１００１を固定する構成としたが、マルチ電子源の基板１００１自体をリアプレート１００５として用いてもよい。
【００１８】
表面伝導型電子放出素子の素子構成について説明する。図２に示すのは、表面伝導型電子放出素子の構成を説明するための平面図（Ａ）および断面図（Ｂ）である。図中、１１０１は基板、１１０２と１１０３は素子電極、１１０４は導電性薄膜、１１０５は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１１１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。
【００１９】
基板１１０１としては、各種ガラス基板や、アルミナをはじめとする各種セラミック基板、あるいは上述の各種基板にたとえばＳｉＯ2を材料とする絶縁層を積層した基板などを用いることができる。
【００２０】
また、基板１１０１上に基板面と平行に対向して設けられた素子電極１１０２と１１０３は導電性を有する材料によって形成されている。例えば、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ等をはじめとする金属や合金、金属酸化物、半導体などのなかから適宜選択される。素子電極は、例えば真空蒸着などの成膜技術とフォトリソグラフイー、エッチングなどのパターニング技術を組み合わせれば、容易に形成できるが、電極形成方法としては印刷等のそれ以外の方法でも差し支えない。
【００２１】
素子電極１１０２、１１０３の形状は、電子放出素子の応用目的によって適宜設計される。一般的には、電極間隔Ｌは通常は数百オングストロームから数百μｍの範囲から適当な数値を選んで設計されるが、中でも画像表示装置に応用するために好ましいのは、数μｍより数１０μｍの範囲である。また、電子放出部幅Ｗは、数１０μｍから数１００μｍの範囲である。素子電極の厚さｄについては、通常は数１００オングストロームから数μｍの範囲から適当な数値が選ばれる。
【００２２】
また、導電性薄膜１１０４の部分には、微粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素として多数の微粒子を含んだ膜（島状の集合体を含む）のことをさす。
【００２３】
微粒子膜に用いた微粒子の粒径は、数オングストロームから数１０００オングストロームの範囲に含まれるものであるが、中でも１０オングストロームから２００オングストロームが好ましい。また、微粒子膜を形成するのに用いられうる材料としては、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕなどはじめとする金属や酸化物、硼化物、窒化物、硫化物などのなかから適宜選択される。
【００２４】
また、電子放出部１１０５は、導電性薄膜１１０４の一部に形成された亀裂部分であり、電気的には周囲の導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有している。亀裂は、導電性薄膜１１０４に対して、通電フォーミングの処理を行うことにより形成する。亀裂内には、数オングストロームから数１００オングストロームの粒径の微粒子を配置する場合がある。
【００２５】
また、薄膜１１１３は、炭素もしくは炭素化合物よりなる薄膜で、電子放出部１１０５およびその近傍を被覆している。薄膜１１１３は、通電フォーミング処理後に、通電活性化の処理を行うことにより形成する。
【００２６】
一方、フェースプレート１００７表面には透明導電膜が形成してある。さらにその上に帯電防止膜１０１２を備えた保護板１０１３を接着層により固定してある（透明導電膜も接着層も不図示）。これらは高圧印加時の帯電を除去するためのものであり、その機能が付与されていれば、必ずしもこの構成に限定されるものではない。また、裏面には蛍光体１００８およびメタルバック１００９を備えている。フェースプレート１００７のメタルバック１００９には高圧導入端子１０２１を通じて高圧電源１０２０により、高電圧が印加されている。
【００２７】
フェースプレート１００７の裏面には、蛍光体１００８が設けられている。蛍光体１００８の部分には、赤、緑、青の３原色の蛍光体が塗り分けられている。各色の蛍光体は、たとえば図３（ａ）に示すようにストライプ状に塗りわけられている。蛍光体のストライプの間に黒色の導電体（ブラックマトリクス）１０１０を設ける目的としては以下の点などを挙げることができる。
（１）電子ビームの照射位置に多少のずれがあっても、表示色にずれが生じないようにするため。
（２）外光の反射を防止して表示コントラストの低下を防ぐため。
（３）電子線による蛍光膜のチャージアップを防止するため。
黒色の導電体１０１０には、黒鉛を主成分として用いたが、上記の目的に適するものであれば、これ以外の材料を用いてもよい。
【００２８】
また、３原色の蛍光体の塗りわけ方は図３（ａ）に示したストライプ状の配列に限られるものではなく、たとえば図３（ｂ）に示すようなデルタ状配列、図３（ｃ）に示すような短冊状の配置、あるいはそれ以外の配列であってもよい。
【００２９】
ここでメタルバック１００９は、ゲッタ材を有している。例えばメタルバック１００９は、ゲッタ材を含む層で被覆されているものであってもよい。この場合には、ゲッタ材がブラックマトリクス１０１０上にメタルバック１００９を介して配置されているものや、メタルバック１００９の厚さが５０ｎｍ以下であり、かつゲッタ材が３０ｎｍから５０ｎｍの範囲の厚さを有する膜であってもよい。
【００３０】
さらにメタルバック１００９はゲッタ材を含むか、あるいはゲッタ材からなるものであってもよい。この場合には、ゲッタ材は５０ｎｍから７０ｎｍの範囲内の厚さのメタルバックとしての機能を有する膜であってもよい。
【００３１】
ゲッタ材は、Ｔｉ、Ｚｒまたはこれらのうち少なくも一種を主成分とする合金からなるものが、より良好な真空度が得られ、輝度劣化や輝度バラツキが少なくなるという点において好ましい。さらに、この合金には、Ａｌ、Ｖ、Ｆｅのいずれか一種以上の元素を副成分として含有するものであってもよい。
【００３２】
このような平面型画像表示装置で画像を表示する場合、フェースプレートとリアプレートとの間には、加速電圧を８ｋｖから１５ｋｖの範囲で印加している。８ｋｖ以下では輝度が十分確保できないため、８ｋｖ以上の加速電圧が必要である。上限は次のような理由により設定される。平面型画像表示装置は、その形態からカソード（リアプレート）とアノード（フェースプレート）間の距離がＣＲＴよりもはるかに小さい。カソードとアノード間の距離は大きくて数ｍｍ程度である。カソードとアノード間の距離が小さいと放電が発生しやすくなるため、平面型画像表示装置ではＣＲＴより電子線の加速電圧が制限されてくる。たかだか数ｍｍのカソードとアノード間では、放電のしやすさから、加速電圧は１５ｋｖ以下が好ましい。
【００３３】
以上のような構成をした平面型画像表示装置において、メタルバック１００９および蛍光体１００８に照射された電子が、再度蛍光体１００８に再突入しても不要な部分の発光を抑制するために、本発明者は蛍光体１００８について検討した。図４は蛍光体１００８に電子を照射したときの輝度の特性、γ特性を示す。一般に蛍光体の輝度Ｌは、蛍光体に照射される電流Ｉとの間に、Ｌ＝ｋＩγ（ｋは定数）の関係がある。γの値は、大きくは蛍光体材料によりきまるが、同じ材料であってもその製法によっても変わる。本発明者は種々のγ値と、ハレーションによる不要な部分の発光輝度と本来の輝点の輝度の比との関係を調べた。メタルバック１００９はゲッタ材を有する構成とした。ここでは、Ａｌの金属膜を５０ｎｍ形成したあと、Ｚｒを３０ｎｍ積層したものを用いた。図５にその結果を示す。ここで横軸はγ値であり、縦軸は、不要な部分の発光輝度に対する輝点輝度との比である。蛍光体のγを大きくすると輝度比は小さくなる。また、加速電圧が小さいほど輝度比は小さくなる。即ち、ハレーションは抑制される。
【００３４】
また、本発明者は輝度むらに対して主観評価による検出限界も検討した。その結果は、輝点の近傍で発生する輝度むらに対しては１％が検出限界であった。従って高コントラストの優れた画像を表示するためには輝点の近傍でのハレーションによる発光は１％以下であることが必要である。
【００３５】
即ち、平面型画像表示装置では、１５ｋｖ以下の加速電圧の範囲で、γが０．９以上であることが好ましい。この場合には輝点の近傍での輝度むらは１％より小さくなり、高コントラストの優れた表示画像を得ることができる。
【００３６】
このようなγを与える蛍光体材料としては、ユーロピウムを付活剤（Ａｃｔｉｖａｔｏｒ）として添加したストロンチウムチオガレートが好ましい。この材料はγ値が大きく、かつ発光強度も強い。ユーロピウムを添加したストロンチウムチオガレートは、化学式ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕで表される化合物である。ＥｕはＳｒＧａ2Ｓ4に固溶し、安定にＳｒＧａ2Ｓ4に添加することができる。ここではＥｕを、Ｓｒに対して、０．５ａｔ％から、５％の間の濃度で添加している。Ｅｕの割合をこの範囲から選択することで高輝度を得ることができる。
【００３７】
ハレーションによる輝度ムラは、ＲＧＢの３色のおのおのについて発生する。しかし、とりわけ輝度の大部分を担っているＧ(みどり)の蛍光体については、その影響がおおきい。従って、Ｇ(みどり)の蛍光体にγ≧０．９を用いることが、特に有効である。
【００３８】
Ｅｕは２価としてＳｒに置換していると考えられる。Ｅｕ2+の発光は５ｆ−４ｄの許容遷移であり、単純な一山の発光スペクトルを示し、そのピーク波長は約５３０ｎｍである。Ｅｕが２価として、置換していることはその発光スペクトルを測定することにより、確認できる。図６は、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕのカソードルミネセンスのスペクトル例をしめす。５ｆ−４ｄ遷移である５３０ｎｍをピークにもつスペクトルが得られており、それ以外の発光成分はない。
【００３９】
ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕの作り方は種々の方法がある。まず、ＳｒＳとＧａ2Ｓ3を化学量論比になるように秤量して混ぜ合わせる。添加物のＥｕはＥｕＣｌ2として、Ｓｒに対してＥｕが０．５at％〜５at％となる範囲で添加した。これに少量のエタノールを混ぜてプレス成型して乾燥させた。その後に、ＡｒとＨ2Ｓの混合雰囲気のなかで、８００℃〜９００℃の温度で１時間熱処理することにより、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕを形成した。
【００４０】
このＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕを粉砕してミリングしたのち、樹脂と溶剤に混ぜ合わせて、ペースト化した。ペーストにしたＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕは、スクリーン印刷法によりフェースプレート上に塗布した後、４５０℃１０分間焼成した。このようにして、フェースプレート上に蛍光体パターンを得ることができる。
【００４１】
また、ＳｒＣＯ3、ＧａＯ3、ＥｕＯ3を出発物質として形成することもできる。これら３種の材料を化学量論組成に秤量したのち、よく混ぜる。このときに焼結助剤としてＮａＢｒを微量入れてもよい。また、焼結助剤はその他にＫＢｒやＬｉＣＯ3等などを用いることができる。混合した原料に少量のエタノールを混ぜて、プレス機で成型した後、Ｈ2Ｓ雰囲気（Ｈ2Ｓ：５０％、Ａｒ：５０％）の中で、８００℃２時間焼成した。
【００４２】
ペースト化は上述と同様の方法によった。
【００４３】
また、酸化物を経由して硫化物を作る方法もある。はじめに酸化物を形成し、次に酸素を硫黄と置換することにより形成する。まず、出発物質として、ＳｒＣｌ3、ＧａＯ3、ＥｕＣｌ3を化学量論組成に秤量した後、よく混ぜる。それを大気中９００℃で熱処理して、ＳｒＧａ2Ｏ4：Ｅｕを形成する。できたＳｒＧａ2Ｏ4：Ｅｕをさらに、Ｈ2Ｓ雰囲気（Ｈ2Ｓ：５０％、Ａｒ：５０％：容量比）９００℃〜1０００℃で熱処理することにより、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕが形成できる。
【００４４】
このようにして形成されたＳｒＧａ2Ｓ4：ＥｕをＸ線回折により分析したところ、Ｓｒ、Ｇａ及びＳの組成はＸ線回折により解析したところ、ＳｒＧａ2Ｓ4の結晶であることが確認された。得られたＸ線回折のパターンを図７に示す。いずれもＳｒＧａ2Ｓ4結晶以外のピークはみられず、SrG2S4が形成されていることがわかる。
【００４５】
またＳｒ（ＮＯ3）3やＧａ（ＮＯ3）3という硝酸塩や、塩化物、硫化物を用いてＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕを合成する方法もある。
【００４６】
ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕの合成方法としては上記の方法が好適に利用でき、Ｘ線回折でＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ以外のピークがみられず、かつカソードルミネセンスのスペクトルが、Ｅｕの４ｆ−５ｄ遷移に起因するスペクトルである化合物が得られる方法であればよい。また、この範囲で組成等に揺らぎがあってもよい。
【００４７】
上記の合成方法を用いることにより得られたＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕのγ値を０．９５から１．０の間とすることが可能であり、０．９以上の値を容易に得ることができる。
【００４８】
本発明によれば、平面型画像表示装置において、電子線がメタルバックや蛍光体等の画像表示部材に入射する際に発生する後方散乱電子による、不要部分の発光を抑制することができ、高コントラストの画像を表示することができる。特に蛍光体をＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕは、発光強度がつよく、かつ高いγ値を安定に得ることができ、平面型画像表示装置の蛍光体として好適である。
【００４９】
本発明の平面型画像表示装置では、ゲッタ材をメタルバックに含有させた構成においても、０．９以上のγ値を有する蛍光体を用いたことによって後方散乱電子による不要部分の発光を抑制することができ、高コントラストの画像を表示することができる。特に好ましくは、蛍光体としてＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕを用いることで、発光強度がつよく、かつ高いγ値を安定に得ることができ、輝度が高く、かつ高コントラストの画像を表示することができる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により本発明の平面型画像表示装置をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
高歪点ガラスの絶縁性基板を有するリアプレートと、高歪点ガラスからなる基板を有するフェースプレートとを用いて図１に示す構造の平面型画像表示装置を組み立てた。リアプレート側の高歪点ガラスの絶縁性基板上には表面伝導型電子放出素子を形成している。高歪点ガラスからなるフェースプレートの基板の内側面には、蛍光体、メタルバック膜が設けられている。メタルバック膜は、Ａｌ薄膜を５０ｎｍ形成し、続いてＴｉ−Ａｌ合金よりなるゲッタ層をメタルバックに重ねた。Ｔｉ−Ａｌ合金の厚さは５０ｎｍとした。これらは、スパッタリング法にて形成したが、ターゲット組成は、Ｔｉ：８５％、Ａｌ：１５％（元素比）である。装置内は所定の真空度とし、１５ｋｖの加速電圧を用いた。
【００５１】
フェースプレート側の蛍光体は、表１に示す材料をそれぞれ塗布、焼成して形成した。なお、Ｅｕの元素比として０．３％前後のものを用いた。
【００５２】
それぞれのγの値と、輝点輝度とその近傍の不要部分での輝度との比を示す。不要部分の発光は、非点灯領域と点灯領域の境界において、点灯領域をマスキングすることにより、計測できる。γは蛍光体に照射される電流量を変えて、輝点輝度とその近傍の不要部分の輝度を輝度計で測定することにより、求めた。それぞれの蛍光体について、輝度比とそのγ値を求めたところ、表１を得た。γ値が大きいと輝度比が小さくなっている。γが０．９以上あれば、輝度比は１％と以下になっていて、コントラストに優れた表示を得られた。
【００５３】
【表１】
2007311263.tif 000003
【００５４】
（実施例２）
実施例１と同様に平面型画像表示装置を形成した。メタルバック膜は、メタルバック自体をゲッタ材にて形成した。スパッタリング法により厚さ５０ｎｍに形成したものであり、ターゲットにはＺｒ７５％、Ｖ２０％、Ｆｅ５％（元素比）の合金を用いた。実施例１と同様に、装置内は所定の真空度とし、１５ｋｖの加速電圧を用いた。
【００５５】
蛍光体は、表２に示したものを塗布、焼成して形成した。ここでは、同じ材料の異なるサンプルを測定している。ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕは、ＳｒＳ、Ｇａ2Ｓ3、ＥｕＣｌ2を出発物質としてもの、ＳｒＣＯ3、ＧａＯ3、Ｅｕ2Ｏ3を出発物質としたもの、Ｓｒ（ＮＯ3）3、Ｇａ（ＮＯ3）3、ＥｕＣｌ2を出発物質として形成条件を変えたものを用いた。ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕは、いずれの形成方法でも、安定して高いγを示し、かつ発光強度が強く、優れたコントラストの表示画像を得た。なお、Ｅｕの元素比として０．３％前後のものを用いた。他の材料は、γが高くても、発光強度が極めて弱いか、またはγの安定性がなかった。
【００５６】
【表２】
2007311263.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施形態に係わる平面型画像表示装置の一部破断の外観斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係わる表面伝導型電子放出素子の構成を示す平面図（Ａ）および断面図（Ｂ）である。
【図３】フェースプレートの蛍光体配列を例示した平面図である。
【図４】蛍光体のγ特性を説明するためのグラフ図である。
【図５】蛍光体のγとハレーション発光の輝度と輝点輝度との比の関係を示すグラフ図である。
【図６】本発明の実施形態に係わるＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕのカソードルミネセンスのスペクトル例を示すグラフ図である。
【図７】本発明の実施形態に係わるＳｒＧａ２Ｓ４：ＥｕのＸ線回折のパターン例を示すチャート図である。
【図８】フェースプレートの断面模式図である。
【符号の説明】
【００５８】
１００１  基板
１００２  表面伝導型電子放出素子
１００３  行配線
１００４  列配線
１００５  リアプレート
１００６  側壁
１００７  フェースプレート
１００８  蛍光体
１００９  メタルバック
１０１０  黒色導電体ブラックマトリックス
１０１２  帯電防止膜
１０１３  保護板
１１０１  基板
１１０２  素子電極
１１０３  素子電極
１１０４  導電性薄膜
１１０５  電子放出部
１１１３  薄膜
【図１】
2007311263.tif 000005
【図２】
2007311263.tif 000006
【図３】
2007311263.tif 000007
【図４】
2007311263.tif 000008
【図５】
2007311263.tif 000009
【図６】
2007311263.tif 000010
【図７】
2007311263.tif 000011
【図８】
2007311263.tif 000012