(57)【要約】【課題】製造工程時間を短縮し、生産コストを下げる整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置及びその製造方法の提供。【解決手段】本発明は、交流電流で整流回路と発光ダイオードを直接駆動、組み合わせする発光装置及びその製造方法である。この発光ダイオードの発光ダイオード装置は、主に下プリント基板、上プリント基板を含む。下プリント基板は、一般のＩＣ回路の製造方法を採用し、整流回路をその中で実施し、適する電気接点をその上表面に設置する。上プリント基板は一般のＩＣ回路の製造方法で、多数個の発光ダイオードを相互に絶縁独立したＮｘＭマトリックスの配列方式で実施する。ＮｘＭ個の発光ダイオードの間は、導線で適する回路を構成する。最後に再び上下プリント基板を相対させバンプで整流回路と発光ダイオード回路の間の電気連結を完了させる。【選択図】図７
2007188942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
整流回路と複数個の発光ダイオードを組み合わせ、並びに交流電流で直接発光を駆動する発光ダイオードの発光装置において、
少なくとも下プリント基板と、上プリント基板を含み、
下プリント基板は、少なくとも整流回路を含み、その整流回路の適する位置の複数個の第一電気接点は下プリント基板上表面に設置され、
上プリント基板は、少なくとも複数個の相互に絶縁して独立した発光ダイオードを含み、その複数個の発光ダイオードは、ＮｘＭ（Ｎ、Ｍ≧１）のマトリックスに配列され、その複数個の発光ダイオードは複数本の導線及び適する連接方式によって順方向にしたプリント基板の整流回路と相互にマッチした負荷回路に連接し、その負荷回路は第一電気接点と相対する複数個の第二電気接点を具え、
そのうち、この上プリント基板の発光ダイオードマトリックスは下プリント基板の上表面を向き、相対する第一、第二電気接点は適する連結法で連接し、整流回路と負荷回路が結合して完成し、交流電流を直接駆動して発光する完全な回路アーキテクチャーとすることを特徴とする発光ダイオードの発光装置。
【請求項２】
請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記整流回路は、下述の内の一つであり、それは橋架け式整流回路、全波整流回路、及び半波整流回路であることを特徴とする発光ダイオードの発光装置。
【請求項３】
請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記複数個の発光ダイオードは、その適する連接方式として下述のうちのひとつとし、それは直列、並列及び直列並列共用であることを特徴とする発光ダイオードの発光装置。
【請求項４】
請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記下プリント基板は、発光ダイオードの発光装置パッケージング時の副キャリアであることを特徴とする発光ダイオードの発光装置。
【請求項５】
請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記下プリント基板は、更に降圧装置を含み、整流回路の入力端に設置することを特徴とする発光ダイオードの発光装置。
【請求項６】
請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記下プリント基板は、更に金属薄膜層を含み、下プリント基板の底部に設置することを特徴とする発光ダイオードの発光装置。
【請求項７】
請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記第一、第二電気接点は、その連結方式がバンプを採用することを特徴とする発光ダイオードの発光装置。
【請求項８】
発光ダイオードの発光ダイオード装置製造方法において、
この発光ダイオードの発光装置は、整流回路と複数個の発光ダイオードを組み合わせ、交流電流で直接駆動して発光するもので、その製造方法は、少なくとも下述を含み、
（１）下プリント基板と上プリント基板を準備し、その下プリント基板は一般のＩＣ回路で整流回路を実施し、その整流回路の適する位置の複数個の第一電気接点は、下プリント基板の上表面に設置し、上プリント基板は一般のＩＣ回路法で複数個の発光ダイオードを実施し、その複数個の発光ダイオードは互いに絶縁独立し、ＮｘＭ（Ｎ、Ｍ≧１）のマトリックスに配列し、この複数個の発光ダイオードは複数本の導線及び適する連接方式で順方向に下プリント基板の整流回路と相互にマッチする負荷回路と連接し、その負荷回路は第一電気接点と相互に対応する複数個の第二電気接点を具えるもので、他に、
（２）上プリント基板を反転させて発光ダイオードのマトリックスを下向きの下プリント基板の上表面と向かい合わせ、適する電気連結方式で相互に対応する第一、第二電気接点と相対し、第一、第二回路を結合し、整流回路と負荷回路の結合が完成し、交流電流で直接発光する完全な回路アーキテクチャーとなることを特徴とする発光ダイオードの発光装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の発光ダイオードの発光装置において、前記整流回路は、下述の一つで、橋架け整流回路、全波整流回路、及び半波整流回路であることを特徴とする発光ダイオードの発光装置。
【請求項１０】
請求項８記載の発光ダイオードの発光装置において、前記複数個の発光ダイオードは、その連接方式が下述のうちの一つで、直列、並列、及び直列並列共用であることを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置。
【請求項１１】
請求項８記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記下プリント基板は、発光ダイオードの発光装置パッケージング時の副キャリアであることを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記発光ダイオードの発光装置の製造方法は、更に下述のステップを含み、
下プリント基板底部に高熱伝導材を設置することを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項８記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記第一、第二電気接点は、その電気連結方式がバンプを採用することを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項８記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記複数個の発光ダイオードを連接する複数本の導線は、金属蒸メッキとスパッタリングのうちの一つを採用することを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記バンプは、超音波方式、熱共晶方式のうちの一つで接合することを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記高熱伝導材の付設は、金属蒸メッキ方式とスパッタリング方式のどちらかで形成された金属薄膜層を付設することを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置及びその製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードに関するもので、特に整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードの基本的な使用方法は、発光ダイオードに対して適する順方向直流電圧をかけ、発光ダイオードの電子、正孔の結合を駆使して光を発する。発光ダイオードが家庭や戸外での照明に使用されるに従い、交流電流で発光ダイオードを直接駆動する需要が高まっている。しかし、交流電圧を発光ダイオードに掛ける場合、過大な逆方向電圧は発光ダイオードを壊しやすい。そのため、一般に見られる解決方法として、変圧器や降圧回路を使用し、交流電圧を発光ダイオードが負荷できる範囲内に落とす方法がある。しかし、このような降圧の過程に於いて、大量のエネルギーが熱エネルギーに変換されてしまう。
【０００３】
交流電流を直接発光ダイオードにかける別の問題として、発光ダイオードは、交流電流が発光ダイオードに順方向バイアスの半周期でかけた時だけ発光する。この他、半周期でも、発光ダイオードに対して逆バイアスをかけたのでは発光しない。そのため一般的な応用も整流回路を結合するのが常であり、先ず交流電流を直流電流に転換し、その後発光ダイオード上にかける。最も良く見られるのが、整流回路、即ち橋架け式(ｂｒｉｄｇｅ)整流回路である。
【０００４】
図１に示すのは、公知の交流電流で駆動した発光ダイオードの回路を示す図である。図に示すとおり、交流電源１０(例として１１０Ｖもしくは２２０Ｖの電気)の交流電圧を降圧装置２０(通常レジスタ)で降圧し、次に橋架け式整流回路の四筋のダイオード３０の整流を行い、その後橋架け式整流回路の負荷である発光ダイオード４０に電圧をかけて発光させる。図２、３で示すのは、交流電圧を正半周期と逆半周期の電流ルートへそれぞれかけたものである（点線で示す）。図に示すとおり、橋架け式整流回路の作用によって、交流電圧の正半周期もしくは逆半周期に係わらず、発光ダイオード４０は順方向バイアス下に於いて発光する。
【０００５】
同様の原理に基づき、下記に類似のアーキテクチャーを示す。図４に示すとおり、特許文献１の実用新案は、発光ダイオード４０が橋架け式整流回路の負荷とする他に、多数個の発光ダイオード４０をそれぞれ橋架け式整流回路四筋の電流ルート上で直列設置し、これらの発光ダイオード４０を各々適する降圧後の交流電流の正半周期と逆半周期で各自発光する。
【０００６】
図５に示すのは、断面を示す図で、前述の公知技術を実際に生産する際、通常先ずプリント回路板もしくはプリント基板５０上で回路を作る(図未提示)。次に粒構成された橋架け式整流回路のダイオード粒(ｄｉｅ)６０と、各発光ダイオード粒７０を一つ一つ反転させ、ダイオード粒６０、発光ダイオード粒７０を同一面の正負電極（図未提示）下向きでプリント基板５０に向かせて位置し、続いて溶接球もしくはバンプ(ｂｕｍｐ)８０でプリント基板５０へ連接して予め回路を作っておく。この他、よく見られる方法として、橋架け式整流回路のダイオード及び発光ダイオードを同一基板上で作り、導線(ｂｏｎｄｉｎｇ  ｗｉｒｅ)や金線(ｇｏｌｄ  ｗｉｒｅ)で繋ぐ方式で、ダイオード及び発光ダイオードを必要な回路アーキテクチャーに連接する。
【０００７】
【特許文献１】台湾特許公告２６５，７４１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述の橋架け式整流回路を結合する発光ダイオードの発光装置製造に関しての問題について、本発明は一種の新しい発光ダイオードの発光装置構造を提供する。これにより、各ダイオードと発光ダイオードを反転せずにすでに作られた回路のプリント基板上に設置すればよく、また各ダイオードと発光ダイオードをプリント基板上に作って、それから線を連接する必要がない。
【０００９】
本発明が提出する発光ダイオードの発光装置は主に下プリント基板及び上プリント基板を含む。下プリント基板は通常シリコンもしくはその他の適する材料で構成される。下プリント基板は、先ず一般のＩＣ回路製造方法で整流回路（橋架け式整流回路、その他の全波整流回路、半波整流回路を含む）を実施し、適する電気接点をその上表面に設置する。上プリント基板は、一般のＩＣ回路製造法を用い、多数個の発光ダイオードをＮｘＭマトリックスで実施し、各発光ダイオードを相互に絶縁独立させる。発光ダイオードの間は、先ず金属メッキ層の方式である蒸メッキもしくはスパッタリング上を導線で連接し、下プリント基板の橋架け整流回路と相互にマッチさせた回路を構成する。
【００１０】
最後に上下プリント基板を相対させ、凸塊を接点として下プリント基板の整流回路と上プリント基板の発光ダイオード回路の間の電気連結を完成する。下プリント基板は同時にその後の発光装置パッケージング時の副キャリアとなる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１の発明は、整流回路と複数個の発光ダイオードを組み合わせ、並びに交流電流で直接発光を駆動する発光ダイオードの発光装置において、少なくとも下プリント基板と、上プリント基板を含み、
下プリント基板は、少なくとも整流回路を含み、その整流回路の適する位置の複数個の第一電気接点は下プリント基板上表面に設置され、
上プリント基板は、少なくとも複数個の相互に絶縁して独立した発光ダイオードを含み、その複数個の発光ダイオードは、ＮｘＭ（Ｎ、Ｍ≧１）のマトリックスに配列され、その複数個の発光ダイオードは複数本の導線及び適する連接方式によって順方向にしたプリント基板の整流回路と相互にマッチした負荷回路に連接し、その負荷回路は第一電気接点と相対する複数個の第二電気接点を具え、
そのうち、この上プリント基板の発光ダイオードマトリックスは下プリント基板の上表面を向き、相対する第一、第二電気接点は適する連結法で連接し、整流回路と負荷回路が結合して完成し、交流電流を直接駆動して発光する完全な回路アーキテクチャーとすることを特徴とする発光ダイオードの発光装置としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記整流回路は、下述の内の一つであり、それは橋架け式整流回路、全波整流回路、及び半波整流回路であることを特徴とする発光ダイオードの発光装置としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記複数個の発光ダイオードは、その適する連接方式として下述のうちのひとつとし、それは直列、並列及び直列並列共用であることを特徴とする発光ダイオードの発光装置としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記下プリント基板は、発光ダイオードの発光装置パッケージング時の副キャリアであることを特徴とする発光ダイオードの発光装置としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記下プリント基板は、更に降圧装置を含み、整流回路の入力端に設置することを特徴とする発光ダイオードの発光装置としている。
請求項６の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記下プリント基板は、更に金属薄膜層を含み、下プリント基板の底部に設置することを特徴とする発光ダイオードの発光装置としている。
請求項７の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの発光装置において、前記第一、第二電気接点は、その連結方式がバンプを採用することを特徴とする発光ダイオードの発光装置としている。
請求項８の発明は、発光ダイオードの発光ダイオード装置製造方法において、
この発光ダイオードの発光装置は、整流回路と複数個の発光ダイオードを組み合わせ、交流電流で直接駆動して発光するもので、その製造方法は、少なくとも下述を含み、
（１）下プリント基板と上プリント基板を準備し、その下プリント基板は一般のＩＣ回路で整流回路を実施し、その整流回路の適する位置の複数個の第一電気接点は、下プリント基板の上表面に設置し、上プリント基板は一般のＩＣ回路法で複数個の発光ダイオードを実施し、その複数個の発光ダイオードは互いに絶縁独立し、ＮｘＭ（Ｎ、Ｍ≧１）のマトリックスに配列し、この複数個の発光ダイオードは複数本の導線及び適する連接方式で順方向に下プリント基板の整流回路と相互にマッチする負荷回路と連接し、その負荷回路は第一電気接点と相互に対応する複数個の第二電気接点を具えるもので、他に、
（２）上プリント基板を反転させて発光ダイオードのマトリックスを下向きの下プリント基板の上表面と向かい合わせ、適する電気連結方式で相互に対応する第一、第二電気接点と相対し、第一、第二回路を結合し、整流回路と負荷回路の結合が完成し、交流電流で直接発光する完全な回路アーキテクチャーとなることを特徴とする発光ダイオードの発光装置の製造方法としている。
請求項９の発明は、請求項８記載の発光ダイオードの発光装置において、前記整流回路は、下述の一つで、橋架け整流回路、全波整流回路、及び半波整流回路であることを特徴とする発光ダイオードの発光装置としている。
請求項１０の発明は、請求項８記載の発光ダイオードの発光装置において、前記複数個の発光ダイオードは、その連接方式が下述のうちの一つで、直列、並列、及び直列並列共用であることを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置としている。
請求項１１の発明は、請求項８記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記下プリント基板は、発光ダイオードの発光装置パッケージング時の副キャリアであることを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置の製造方法としている。
請求項１２の発明は、請求項８記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記発光ダイオードの発光装置の製造方法は、更に下述のステップを含み、
下プリント基板底部に高熱伝導材を設置することを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置の製造方法としている。
請求項１３の発明は、請求項８記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記第一、第二電気接点は、その電気連結方式がバンプを採用することを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置の製造方法としている。
請求項１４の発明は、請求項８記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記複数個の発光ダイオードを連接する複数本の導線は、金属蒸メッキとスパッタリングのうちの一つを採用することを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置の製造方法としている。
請求項１５の発明は、請求項１２記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記バンプは、超音波方式、熱共晶方式のうちの一つで接合することを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置の製造方法としている。
請求項１６の発明は、請求項１３記載の発光ダイオードの発光装置の製造方法において、前記高熱伝導材の付設は、金属蒸メッキ方式とスパッタリング方式のどちらかで形成された金属薄膜層を付設することを特徴とする整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置及びその製造方法としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置及びその製造方法は、下述の利点がある。
（１）発光ダイオード及び橋架け整流回路が発する熱は、下プリント基板から発散される。
（２）上プリント基板で使用する多数個の発光ダイオードにより、それにかかる操作電圧はおよそ入力の交流電圧に等しく、そのため降圧装置の使用及び降圧のためのコストを下げることができる。
（３）整流回路と発光ダイオードをそれぞれ分けて製造するため、製品応用時の回路設計を節約できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は交流電流によって整流回路と発光ダイオードを直接駆動、組み合わせた発光装置及びその製作方法を提供する。本発明が組み合わせする整流回路は橋架け式整流回路、その他の全波整流回路、及び半波整流回路である。言い換えれば、本発明は、整流回路の種類を特定していないが、以下で説明しやすいように、主に橋架け整流回路を例とする。他に整流回路と発光ダイオードの負荷回路が組み合わせて、図１に示す回路になることが本発明の重点ではない。このような回路は公知の技術であり、本発明の重点は、この回路のＩＣアーキテクチャーを実現することである。
【００１４】
橋架け整流回路を構成するダイオードの材料、種類、作業方式について基本的に特別な制限はない。光源を発光ダイオードとするものに対して本発明は特別な制限を設けていない。例として、元素周期表ＩＩＩ族の元素（Ａｌ、Ｇａ、もしくはＩｎ等）及びＶ族元素（Ｎ、ＰもしくはＡｓ）から構成されるＩＩＩ〜Ｖ族の半導体を挙げることができる。しかし、
（１）本発明が採用する発光ダイオードの正負電極は原則的に発光ダイオードの同一面に位置し、導線の蒸メッキもしくはスパッタリングを連接しやすくする。
（２）本発明が採用する発光ダイオードは反転方式を採用し、橋架け方式整流回路と結合するため、反射層を具え、反転後その主動層(ａｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ)下方に位置し、主動層から発する光線を上向きに発射する。ただ、この反射メカニズムは、発光ダイオード外部にも設置できる。その他光線が上へ発射しやすい等の細かい事のために、発光ダイオードに透明プリント基板を必要とするかどうかは最終製品の輝度と発光効率に影響するためである。
【００１５】
図６に示すのは、本発明実施例に基づく発光ダイオードの発光装置の回路を示す図である。図に示すとおり、本実施例の回路は、橋架け式整流回路四筋から構成される四本線回路１３０（ダイオード１１０の回路を含む）、及び負荷回路２３０（発光ダイオード２１０の回路を含む）を含む。その他実施例内には、橋架け式整流回路の四筋１３０には一個以上、且つ適する方式（直列、並列もしくは両者すべて）で順方向に連接するダイオード１１０を含み、またその他実施例内には、負荷回路２３０内に異なる数、及び適する方式（直列、並列、もしくは両者すべて）で、順方向に連接する発光ダイオード２１０を連接する。本発明は、橋架け式整流回路１３０及び負荷回路２３０がＩＣ回路方式によって各々実施され、その後この二者を結合し、交流電流で直接駆動するダイオード発光装置を構成することである。
【００１６】
図７に示すとおり、本実施例は主に下プリント基板１００、上プリント基板２００を含む。下プリント基板１００は、通常シリコンもしくはその他の適する材料、例としてＡＩＮ，ＢｅＯ等で構成される。下プリント基板１００は先ず一般のＩＣ回路の製造方法で前述の橋架け式整流回路１３０(ダイオード１１０を含む)を下プリント基板１００内に設置する。ダイオード１１０の細かい部分に関しては図７で表示していないが、そのうち適するｐ型とｎ型材料を含み、ｐ−ｎインターフェイスを構成する。ここでは一般のＩＣ回路の製造方法のすべて方法で適合し、公知のＩＣ回路製造方法は、エッチング、沈殿、イオン値分布等があるが、ここでは詳細しない。
【００１７】
下プリント基板１００は適する電気接点１２０を上表面に設置し、後続の上プリント基板２００の負荷回路２３０と連接しやすくし、また後日応用時に交流電源と連接する。下プリント基板１００もまた回路部品を含み、例として交流電源と橋架け式整流回路の入力端の間に設置し、降圧装置２０のレジスタを構成する。言い換えれば、本発明の主な特徴は完全な発光ダイオードの発光装置回路を取外し、上下プリント基板１００、２００内で各々実施し、次に二者を結合し、完全な回路にする。下プリント基板１００は同時に将来発光装置をパッケージングする時の副キャリアとなる。下プリント基板１００は同時に橋架け式回路及び各発光ダイオードの放熱を行い、そのため上表面、底部等に高熱伝導材（例として蒸メッキもしくはスパッタリングの金属薄膜層１４０）を設置して、放熱効果を高める。電気接点１２０と金属薄膜１４は金属材のＡｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｕ等もしくはその他を組み合わせたもので構成される。
【００１８】
上述のとおり、上プリント基板２００は主に発光ダイオード２１０の負荷回路２３０を含む。そのため、採用する発光ダイオードの発光技術において、上プリント基板２００は発光ダイオード重畳チップが成長するのに適した材料で構成される。このことから発光ダイオードが窒化ガリウム系の発光ダイオードであった場合、上プリント基板２００はサファイアを材料とする。上プリント基板２００は有機金属化学気相沈殿法（ＭＯＶＣＤ）でＬＥＤ重畳チップ構造に成長後、一般のＩＣ回路の製造法によって、ＮｘＭ（Ｎ、Ｍ≧１）個の発光ダイオード２１０をマトリックスの配列法を用いてその中で実施し、また各発光ダイオード２１０は相互に絶縁独立している。
【００１９】
図８、９に示すのは、３ｘ３個の発光ダイオードを含む上プリント基板２００の透視図と断面図である。図に示すとおり、各発光ダイオード２１０は、ｎ型半導体層２１１、ｎ型電極２１２、ｐ型半導体層２１３及びｐ型電極２１４から構成される。この構造が示すとおり、本発明はこの一つのアーキテクチャーだけに限定するものではない。各ＬＥＤを連接してＬＥＤマトリックスを形成する前に、先ず絶縁プロセスを経なければならず、各発光ダイオード２１０の間には絶縁層２１５を具え、それぞれが絶縁独立する。この絶縁層２１５は、ＳｉＯX、ＳｉＮX、Ａｌ2Ｏ3もしくはＴｉＮ等の材料で構成される。その後再び金属メッキ層方式の蒸メッキもしくはスパッタリング上に導線２２０を連接し、各独立した発光ダイオード２１０を直列、並列もしくは直、並列共用方式で順方向に負荷回路２３０を連接する。導線２３０は金属材のＡｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ，Ｗ、Ａｇ、Ｃｕなどもしくはこれらの材料を組み合わせたものを採用する。
【００２０】
最後に、上プリント基板２００を反転し、発光ダイオード２１０のマトリックスを下に向けて下プリント基板１１０に相対させる。その後、バンプ２４０と、超音波もしくは熱共晶方式の接合法により負荷回路２３０の適する電気接点（図未提示）及び下プリント基板１１０の適する電気接点１２０を連接する。このようにして完成したのが図６に示す完全な発光装置回路である。バンプ２４０の材質は、Ａｕ、ＡｕＳｎ、ＳｎもしくはＡｌもしくはそれらの組合せである。一般的に上下プリント基板２００、１００を実施する時、相互の電気接点の位置を考慮する必要があり、このように適するように合わせる。図６に示す発光装置の完成後、通常パッケージング工程へ進む。また下プリント基板１００は直接副キャリアとして用いることができる。以上のようにして製造工程時間を短縮し、生産コストを下げる。
【００２１】
この他、発光ダイオード２１０及び橋架け式整流回路が発した熱は下プリント基板１００から放出される。他にＡｌＩｎＧａＮ発光ダイオードを例に取ると、直流電流２０ｍＡの下での操作は電圧を２〜４Ｖとする。もしも大きすぎるマトリックスで２５粒の発光ダイオードを直列させると、その操作電圧は１００Ｖ前後に達し、１１０Ｖの交流電流を直接受けて降圧装置を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】周知の交流電流駆動の発光ダイオードの回路を示す図である。
【図２】図１の回路で交流電流の正方向半周期の下での電流経路を示す図である。
【図３】図１の回路で、交流電流の逆方向半周期の下での電流回路を示す図である。
【図４】周知の台湾実用新案265741号の回路を示す図である。
【図５】周知の発光ダイオードの発光装置の断面図である。
【図６】本発明実施例で、発光ダイオードの発光装置の回路を示す図である。
【図７】図６の発光ダイオードの発光装置構造断面図である。
【図８】図７のプリント基板の透視図である。
【図９】図７のプリント基板の断面図である。
【符号の説明】
【００２３】
１０    交流電源                    ２０    降圧装置
３０    ダイオード                  ４０    発光ダイオード
５０    プリント基板                ６０    ダイオード粒(ｄｉｅ)
７０    発光ダイオード粒(ｄｉｅ)    ８０    バンプ
１００  下プリント基板              １１０  ダイオード
１２０  電気接点                    １３０  橋架け式整流回路
１４０  金属薄膜層
２００  上プリント基板              ２１０  発光ダイオード
２１１  ｎ型半導体層                ２１２  ｎ型電極
２１３  ｐ型半導体層                ２１４  ｐ型電極
２１５  絶縁層                      ２２０  導線
２３０  負荷回路                    ２４０  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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