(57)【要約】      （修正有）【課題】正確な試験を実現可能とする半導体ウエハー試験方法、プログラム、記録媒体、及び半導体ウエハー試験装置を提供する。【解決手段】予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー１０６内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて被試験半導体ウエハー１０６の検査を行うことにより、被試験半導体ウエハー１０６内のチップの温度が最適になり、ウエハー面内の温度ばらつきがあっても正確な試験が可能となる。【選択図】図１
2007311712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて前記被試験半導体ウエハーの検査を行うことを特徴とする半導体ウエハー試験方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体ウエハー試験方法において、半導体ウエハーの面内温度分布情報を外部データーファイルとして設け、テストプログラムにより外部データーファイルを制御することを特徴とする半導体試験方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体ウエハー試験方法において、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を外部に設けた記憶素子に記録し、前記被試験半導体ウエハーと接触するプローバーのＸＹアドレス信号によりデーターを制御することにより検査規格の選択を行うことを特徴とする半導体ウエハー試験方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体ウエハー試験方法において、前記被試験半導体ウエハー内の複数のチップを温度によりグループに分類し、グループ単位で検査規格の選択を行うことを特徴とする半導体ウエハー試験方法。
【請求項５】
実質的なコンピュータに半導体ウエハーの試験を実施させるプログラムにおいて、前記コンピュータに、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択する処理、その検査規格に基づいて前記被試験半導体ウエハーの検査を行う処理を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項６】
請求項５に記載のプログラムにおいて、前記コンピュータに、テストプログラムにより外部データーファイルとしての半導体ウエハーの面内温度分布情報を制御する処理を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項７】
請求項５に記載のプログラムにおいて、前記コンピュータに、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を外部に設けた記憶素子に記録する処理、前記被試験半導体ウエハーと接触するプローバーのＸＹアドレス信号によりデーターを制御することにより検査規格の選択を行う処理を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項８】
請求項５に記載のプログラムにおいて、前記コンピュータに、前記被試験半導体ウエハー内の複数のチップを温度によりグループに分類する処理、グループ単位で検査規格の選択を行う処理を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項９】
請求項５から８のいずれか１項記載のプログラムを記録したことを特徴とする記録媒体。
【請求項１０】
半導体ウエハーを載置するウエハーステージと、前記半導体ウエハーの各チップにプローブを接触して電気的試験を行う半導体試験装置本体とを備えた半導体試験装置において、前記半導体試験装置本体は、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて前記被試験半導体ウエハーの検査を行うようにしたことを特徴とする半導体試験装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体試験装置において、前記半導体試験装置本体は、前記予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を格納する外部データーファイルを備え、テストプログラムにより前記外部データーファイルを制御するようにしたことを特徴とする半導体試験装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の半導体試験装置において、前記半導体試験装置本体は、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を記録する外部記憶素子を備え、前記被試験半導体ウエハーと接触するプローバーのＸＹアドレス信号によりデーターを制御することにより検査規格の選択を行うようにしたことを特徴とする半導体試験装置。
【請求項１３】
請求項１０に記載の半導体試験装置において、前記半導体試験装置本体は、前記被試験半導体ウエハー内の複数のチップを温度によりグループに分類し、グループ単位で検査規格の選択を行うようにしたことを特徴とする半導体試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハー試験方法、プログラム、記録媒体、及び半導体ウエハー試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な半導体ウエハー試験装置によるウエハー状態での半導体の試験では、プローバーと呼ばれるウエハーハンドリング設備を用いて半導体ウエハーごと被試験半導体チップ（以下「チップ」と記す）の位置を移動させながら電気特性試験を行う（例えば、特許文献１、２参照）。
このプローバーは、半導体ウエハーを載置するウエハーステージの温度を高温や低温に制御することで、半導体ウエハーの温度を任意の温度に制御して試験することが出来る。
【特許文献１】特開２００５−１２３２９３号公報
【特許文献２】特開２００５−３２７８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、通常ウエハーステージの温度には面内分布があり、ウエハーステージ内での場所により多少の温度ばらつきが生じる。また、ウエハーステージの周囲温度の影響により、半導体ウエハー中央部のチップの温度と、半導体ウエハー周辺部のチップの温度との間にも差が生じる。
【０００４】
一般的な半導体試験回路では許容範囲である温度ばらつきであっても、温度センサーなどのように高精度な温度制御を機能目的とした半導体集積回路においては、わずかな温度誤差も電気特性に影響を与える。かかる不具合の為に、正しく測定できなかったり、製品の歩留まりが低下したりする等の問題が生じていた。
【０００５】
そこで、本発明は上記課題を解決するため、正確な試験を実現可能とする半導体ウエハー試験方法、プログラム、記録媒体、及び半導体ウエハー試験装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて前記被試験半導体ウエハーの検査を行うことを特徴とする。
【０００７】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の発明において、半導体ウエハーの面内温度分布情報を外部データーファイルとして設け、テストプログラムにより外部データーファイルを制御することを特徴とする。
【０００８】
請求項３記載の発明は、請求項１に記載の発明において、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を外部に設けた記憶素子に記録し、前記被試験半導体ウエハーと接触するプローバーのＸＹアドレス信号によりデーターを制御することにより検査規格の選択を行うことを特徴とする。
【０００９】
請求項４記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記被試験半導体ウエハー内の複数のチップを温度によりグループに分類し、グループ単位で検査規格の選択を行うことを特徴とする。
【００１０】
請求項５記載の発明は、実質的なコンピュータに半導体ウエハーの試験を実施させるプログラムにおいて、前記コンピュータに、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択する処理、その検査規格に基づいて前記被試験半導体ウエハーの検査を行う処理を実行させることを特徴とする。
【００１１】
請求項６記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記コンピュータに、テストプログラムにより外部データーファイルとしての半導体ウエハーの面内温度分布情報を制御する処理を実行させることを特徴とする。
【００１２】
請求項７記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記コンピュータに、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を外部に設けた記憶素子に記録する処理、前記被試験半導体ウエハーと接触するプローバーのＸＹアドレス信号によりデーターを制御することにより検査規格の選択を行う処理を実行させることを特徴とする。
【００１３】
請求項８記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記コンピュータに、前記被試験半導体ウエハー内の複数のチップを温度によりグループに分類する処理、グループ単位で検査規格の選択を行う処理を実行させることを特徴とする。
【００１４】
請求項９記載の発明は、請求項５から８のいずれか１項記載のプログラムを記録した記録媒体であることを特徴とする。
【００１５】
請求項１０記載の発明は、半導体ウエハーを載置するウエハーステージと、前記半導体ウエハーの各チップにプローブを接触して電気的試験を行う半導体試験装置本体とを備えた半導体試験装置において、前記半導体試験装置本体は、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて前記被試験半導体ウエハーの検査を行うようにしたことを特徴とする。
【００１６】
請求項１１記載の発明は、請求項１０に記載の発明において、前記半導体試験装置本体は、前記予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を格納する外部データーファイルを備え、テストプログラムにより前記外部データーファイルを制御するようにしたことを特徴とする。
【００１７】
請求項１２記載の発明は、請求項１０に記載の発明において、前記半導体試験装置本体は、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を記録する外部記憶素子を備え、前記被試験半導体ウエハーと接触するプローバーのＸＹアドレス信号によりデーターを制御することにより検査規格の選択を行うようにしたことを特徴とする。
【００１８】
請求項１３記載の発明は、請求項１０に記載の発明において、前記半導体試験装置本体は、前記被試験半導体ウエハー内の複数のチップを温度によりグループに分類し、グループ単位で検査規格の選択を行うようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて被試験半導体ウエハーの検査を行うことにより、被試験半導体ウエハー内のチップの温度が最適になり、半導体ウエハー面内の温度ばらつきがあっても正確な試験が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明に係る半導体試験方法の一実施の形態は、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて被試験半導体ウエハーの検査を行うことを特徴とする。
【００２１】
上記構成によれば、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて被試験半導体ウエハーの検査を行うことにより、被試験半導体ウエハー内のチップの温度が最適になり、半導体ウエハー面内の温度ばらつきがあっても正確な試験が可能となる。
【００２２】
本発明に係る半導体試験方法の他の実施の形態は、上記構成に加え、半導体ウエハーの面内温度分布情報を外部データーファイルとして設け、テストプログラムにより外部データーファイルを制御することを特徴とする。
【００２３】
上記構成によれば、テストプログラムから半導体試験システム毎に用意された外部データーファイルから温度情報を引用することで、共通したテストプログラムとして効率的に運用管理することができる。
【００２４】
本発明に係る半導体試験方法の他の実施の形態は、上記構成に加え、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を外部に設けた記憶素子に記録し、被試験半導体ウエハーと接触するプローバーのＸＹアドレス信号によりデーターを制御することにより検査規格の選択を行うことを特徴とする。
【００２５】
上記構成によれば、半導体ウエハーのテストでチップの位置をＸＹアドレス情報で被試験半導体ウエハーのチップを制御しているので、テストプログラムでこのＸＹアドレスデーターを関数として取り扱う事ができる。
【００２６】
本発明に係る半導体試験方法の他の実施の形態は、上記構成に加え、被試験半導体ウエハー内の複数のチップを温度によりグループに分類し、グループ単位で検査規格の選択を行うことを特徴とする。
【００２７】
上記構成によれば、１チップ単位でデーターを持たずに数十〜数百チップを一つの塊のグループとして取り扱うことで、検査工程を簡略化することができる。
【００２８】
本発明に係るプログラムの一実施の形態は、実質的なコンピュータに半導体ウエハーの試験を実施させるプログラムにおいて、コンピュータに、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択する処理、その検査規格に基づいて被試験半導体ウエハーの検査を行う処理を実行させることを特徴とする。
【００２９】
上記構成によれば、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて被試験半導体ウエハーの検査を行うことにより、被試験半導体ウエハー内のチップの温度が最適になり、半導体ウエハー面内の温度ばらつきがあっても正確な試験が可能となる。
【００３０】
本発明に係るプログラムの他の実施の形態は、上記構成に加え、コンピュータに、テストプログラムにより外部データーファイルとしての半導体ウエハーの面内温度分布情報を制御する処理を実行させることを特徴とする。
【００３１】
上記構成によれば、テストプログラムから半導体試験システム毎に用意された外部データーファイルから温度情報を引用することで、共通したテストプログラムとして運用管理することができる。
【００３２】
本発明に係るプログラムの他の実施の形態は、上記構成に加え、コンピュータに、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を外部に設けた記憶素子に記録する処理、被試験半導体ウエハーと接触するプローバーのＸＹアドレス信号によりデーターを制御することにより検査規格の選択を行う処理を実行させることを特徴とする。
【００３３】
上記構成によれば、半導体ウエハーのテストでチップの位置をＸＹアドレス情報で被試験半導体ウエハーのチップを制御しているので、テストプログラムでこのＸＹアドレスデーターを関数として取り扱う事ができる。
【００３４】
本発明に係るプログラムの他の実施の形態は、上記構成に加え、コンピュータに、被試験半導体ウエハー内の複数のチップを温度によりグループに分類する処理、グループ単位で検査規格の選択を行う処理を実行させることを特徴とする。
【００３５】
上記構成によれば、１チップ単位でデーターを持たずに数十〜数百チップをひとつの塊のグループとして取り扱うことで、検査工程を簡略化することができる。
【００３６】
本発明に係る記録媒体の一実施の形態は、上記いずれかのプログラムを記録した記録媒体であることを特徴とする。
【００３７】
上記構成によれば、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて被試験半導体ウエハーの検査を行うことにより、被試験半導体ウエハー内のチップの温度が最適になり、半導体ウエハー面内の温度ばらつきがあっても正確な試験が可能となる。
【００３８】
本発明に係る半導体試験回路の一実施の形態は、半導体ウエハーを載置するウエハーステージと、半導体ウエハーの各チップにプローブを接触して電気的試験を行う半導体試験装置本体とを備えた半導体試験装置において、半導体試験装置本体は、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて被試験半導体ウエハーの検査を行うようにしたことを特徴とする。
【００３９】
上記構成によれば、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報から被試験半導体ウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいて被試験半導体ウエハーの検査を行うことにより、被試験半導体ウエハー内のチップの温度が最適になり、半導体ウエハー面内の温度ばらつきがあっても正確な試験が可能となる。
【００４０】
本発明に係る半導体試験回路の他の実施の形態は、上記構成に加え、半導体試験装置本体は、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を格納する外部データーファイルを備え、テストプログラムにより前記外部データーファイルを制御するようにしたことを特徴とする。
【００４１】
上記構成によれば、テストプログラムから半導体試験システム毎に用意された外部データーファイルから温度情報を引用することで、共通したテストプログラムとして運用管理することができる。
【００４２】
本発明に係る半導体試験回路の他の実施の形態は、上記構成に加え、半導体試験装置本体は、予め得られた半導体ウエハーの面内温度分布情報を記録する外部記憶素子を備え、被試験半導体ウエハーと接触するプローバーのＸＹアドレス信号によりデーターを制御することにより検査規格の選択を行うようにしたことを特徴とする。
【００４３】
上記構成によれば、半導体ウエハーのテストでチップの位置をＸＹアドレス情報で被試験半導体ウエハーのチップを制御しているので、テストプログラムでこのＸＹアドレスデーターを関数として取り扱う事ができる。
【００４４】
本発明に係る半導体試験回路の他の実施の形態は、上記構成に加え、半導体試験装置本体は、被試験半導体ウエハー内の複数のチップを温度によりグループに分類し、グループ単位で検査規格の選択を行うようにしたことを特徴とする。
【００４５】
上記構成によれば、１チップ単位でデーターを持たずに数十〜数百チップをひとつの塊のグループとして取り扱うことで、検査工程を簡略化することができる。
【００４６】
＜プログラム及び記憶媒体＞
以上で説明した本発明の半導体検査回路は、コンピュータで検査処理を実行させるプログラムによって実現されている。コンピュータとしては、例えばパーソナルコンピュータやワークステーションなどの汎用的なものが挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４７】
本実施形態のプログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記憶されていてもよい。
ここで、記憶媒体としては、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−Ｒ（CD Recordable）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）などのコンピュータで読み取り可能な記憶媒体、ＨＤＤ（Hard Disc Driver）、フラッシュメモリ、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリ）等の半導体メモリが挙げられる。
【００４８】
なお、上述した実施の形態は、本発明の好適な実施の形態の一例を示すものであり、本発明はそれに限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変形実施が可能である。
【実施例１】
【００４９】
次に本発明に係る半導体ウエハー試験方法を適用した半導体ウエハー試験装置の実施例について説明する。
【００５０】
半導体ウエハー試験装置に用いられるプローバーのウエハーステージを図２（ａ）、（ｂ）に示す。
図２（ａ）はウエハーステージの平面図であり、図２（ｂ）はウエハーステージの側面図である。
ウエハーテストにおいては、同図（ａ）、（ｂ）に示すウエハーステージ１０７の上に被試験ウエハー（以下「ウエハー」と記す）１０６が載置される。
ウエハーステージ１０７の内部には、例えば、図３のウエハーステージ透視図に示すようにヒーター１２０が内蔵され高温に制御できるような構造になっている。
その結果、ウエハーステージ１０７の面内では場所によりヒーター１２０からの距離に差が生じ、わずかではあるが温度ばらつきが生じてしまう。その温度ばらつきは、当然ウエハーステージ１０７に載置された被試験半導体ウエハー（以下「ウエハー」と記す）１０６の面内の温度ばらつきとなる。
また、実際のウエハーテストにおいては半導体試験装置１０１とプローバー１０２とを接続し、テストに必要な治具や工具類（テストボード１０３、プローブカード１０５）を用いて試験を行う。この試験を行う半導体試験装置の構造を図１に示す。
【００５１】
図１は、本発明に係る半導体ウエハー試験方法を適用した半導体ウエハー試験装置の一実施例を示す図である。
同図に示す半導体ウエハー試験装置１００は、ウエハー１０６を載置するウエハーステージ１０７と、ウエハー１０６の各チップにプローブを接触して電気的試験を行う半導体試験装置本体１０１とを備えた半導体試験装置であって、半導体試験装置本体１０１は、予め得られたウエハーの面内温度分布情報からウエハー内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいてウエハー１０６の検査を行うようにしたことを特徴とする。
図中、１０３はテストボード、１０４は接続リング、１０５はプローブカードを夫々示す。
半導体試験時、ウエハー１０６の中央部の被試験チップ（以下「チップ」と記す。但し図示せず）が試験される場合と、ウエハー１０６の周辺部のチップ（図示せず）が試験される場合とでは、図４（ａ）、（ｂ）に示すようにチップの温度に与える周囲環境が大きく異なる。
【００５２】
図４（ａ）は、ウエハーの中央部を測定する場合のプローブカードとウエハーとの位置関係を示す図であり、図４（ｂ）は、ウエハーの周辺部を測定する場合のプローブカードとウエハーとの位置関係を示す図である。
ウエハー１０６の中央部のチップの場合はウエハー１０６とプローブカード１０５とが全面的に密着した状態になっており、隙間も少ないことからその空間はウエハー１０６と近似した空気温度になり、チップの温度は安定する傾向にある。
【００５３】
ところが、ウエハー１０６の周囲のチップの場合は、温度を印加するウエハーステージ１０７もウエハー１０６と同様にプローブカード１０５に対してずれた位置関係になるので、この図の場合では左側からの温度影響を受けやすくなる。
【００５４】
この温度ばらつきは、半導体ウエハー試験装置１００の構造上必然的に生じるものである。よって、このウエハー１０６の面内の温度ばらつきを事前に面内の温度マップデーターとして格納しておき、その温度マップデーターによりチップの温度にあわせた検査規格を選択することで、より正確な試験を可能とする。
【００５５】
ウエハー面内の温度分布のマップ情報を図５に示す。
まず、検査前にウエハーステージ１０７（図１参照）上の温度分布を測定し、ウエハー１０６（図１参照）のチップレイアウトにあわせて、ウエハー温度分布データーを作成しておく。図５に示す温度情報はウエハー１０６のチップの位置を示すＸ軸のアドレスとＹ軸のアドレスとで設定されたマップ（地図）情報になっている。ウエハーテストではチップの位置をＸＹアドレス情報で制御しているので、テストプログラムでこのＸＹアドレスデーターを関数として取り扱う事が可能である。この関数を利用し、例えば下記のようにテストプログラム中でチップのＸＹアドレスに従って検査規格（下記テストプログラム中のLIMIT）を選択する方法がある。
【００５６】
テストプログラム記述例
IF Y=1 & X=1  THEN LIMIT=2.00V
：
IF Y=2 & X=6  THEN LIMIT=2.00V
IF Y=2 & X=7  THEN LIMIT=2.00V
IF Y=2 & X=8  THEN LIMIT=2.01V
IF Y=2 & X=9  THEN LIMIT=2.01V
IF Y=2 & X=10 THEN LIMIT=2.01V
:
IF Y=12 & X=8 THEN LIMIT=2.05V
：
IF Y=26 & X=16  THEN LIMIT=2.10V
【００５７】
このテストプログラムによれば、例えば、座標Ｙが２で座標Ｘが６であるチップの検査規格は２．００Ｖとなり、座標Ｙが２で座標Ｘが９であるチップの検査規格は２．０１Ｖとなる。
【００５８】
また、別の事例として上記の温度情報をテストプログラムとは異なる別の外部ファイルとして設ける方法がある。
通常、半導体ウエハーの試験においては１つの製品を複数の試験設備で行うことが多い。しかし試験に必要なテストプログラムは複数の試験設備でも共用して使用している。上記のウエハー面内温度ばらつきは、プローバー毎で異なるので、先に述べた方法では１台の試験設備に対して１つのテストプログラムを用意する必要があり、また、プローバーのメンテナンスなどにより温度分布が変わるたびにテストプログラムを修正する必要が生じる。かかる課題を解決するために、温度分布情報を独立した外部データーファイルとして設け、テストプログラムからはその試験設備毎に用意された外部データーファイルから温度情報を引用することで、試験設備で共通したテストプログラムとして運用管理することが可能となる。
【００５９】
テストプログラム記述例を図６に示す。
図６に示すテストプログラムによれば、まず、設備の種類を選択する。例えば、設備Ａを選択する。次にＸＹアドレスを入力する。例えば、ＸＹアドレスとしてＸを２とし、Ｙを１とすると、温度データーの回答が得られる。温度データーの回答として、ｏｎｄｏ＝７５．１、すなわち７５．１℃という温度データーが得られる。この温度データー７５．１℃に基づいて温度分布データーを読み出すと、ＬＩＭＩＴ＝２．１Ｖというデーターが得られる。この電圧２．１Ｖが検査規格の一つである。
【００６０】
同様に、ＸＹアドレスとしてＸを１とし、Ｙを２として入力すると、温度データーの回答として、ｏｎｄｏ＝７５．１、すなわち７５．１℃という温度データーが得られる。この温度データー７５．１℃に基づいて温度分布データーを読み出すと、ＬＩＭＩＴ＝２．１Ｖというデーターが得られる。以下同様にして全ＸＹアドレスに対応する検査規格が得られる。設備Ｂを選択した場合には設備Ｂの温度分布データーを用いればよい。
【００６１】
また、他の応用例として上記の温度分布データーを外部に設けたメモリ素子（フラッシュメモリなど）に記憶させ、プロ−バーから生成されるＸＹアドレス信号を、外部のメモリのアドレスとして使用する方法がある。先の温度データーを外部ファイルデーターとして設けた場合は、データーファイルの作成は容易であるが、課題としてはテストプログラム中での外部ファイルとのデーターの授受がテスト時間を増加させることがある。
【実施例２】
【００６２】
そこで、かかる不具合を解決させる為に、図７に示すように、外部に設けられたメモリ素子１３０にプロ−バー１０２から直接アドレスを入力し、ＸＹアドレスに基づいたチップの温度情報をテストプログラムへ引き渡す事でテスト時間の短縮が可能となる。
図７に示す半導体試験装置２００は、ウエハー１０６を載置するウエハーステージ１０７と、ウエハー１０６の各チップにプローブを接触して電気的試験を行う半導体試験装置本体１０１とを備えた半導体試験装置であって、半導体試験装置本体１０１は、予め得られたウエハーの面内温度分布情報からウエハー１０６内のチップの温度情報に応じた検査規格を選択し、その検査規格に基づいてウエハー１０６の検査を行うようにしたことを特徴とする。
図中、１０３はテストボード、１０４は接続リング、１０５はプローブカードを夫々示す。
図７は、本発明に係る半導体試験方法を適用した半導体試験回路の他の実施例を示す図である。
また更に、昨今のチップの小型化によりウエハー面内のチップ数は著しく増加しており、ウエハーのチップ１つ１つに応じた温度データーを準備する事は膨大な時間を必要とする。一方で実際の温度分布は数十〜数百チップの単位エリアで分布する傾向にあり、その為、１チップ単位でデーターを持たずに数十〜数百チップをひとつの塊のグループとして取り扱うことで、簡略化することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明に係る半導体ウエハー試験方法を適用した半導体ウエハー試験装置の一実施例を示す図である。
【図２】（ａ）はウエハーステージの平面図であり、（ｂ）はウエハーステージの側面図である。
【図３】ウエハーステージの透視図である。
【図４】（ａ）は、ウエハーの中央部を測定する場合のプローブカードとウエハーとの位置関係を示す図であり、（ｂ）は、ウエハーの周辺部を測定する場合のプローブカードとウエハーとの位置関係を示す図である。
【図５】ウエハー面内の温度分布のマップ情報を示す図である。
【図６】テストプログラム記述例である。
【図７】本発明に係る半導体ウエハー試験方法を適用した半導体ウエハー試験装置の他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００６４】
１００    半導体ウエハー試験装置
１０１    半導体ウエハー試験装置本体
１０２    プローバー
１０３    テストボード
１０４    接続リング
１０５    プローブカード
１０６    ウエハー（被試験ウエハー）
１０７    ウエハーステージ
【図１】
2007311712.tif 000003
【図２】
2007311712.tif 000004
【図３】
2007311712.tif 000005
【図４】
2007311712.tif 000006
【図５】
2007311712.tif 000007
【図６】
2007311712.tif 000008
【図７】
2007311712.tif 000009