(57)【要約】【課題】高さのあるプローブピンの高い寸法精度と生産性を確保する。【解決手段】プローブピン１０の側面に溝２０を形成し，接触部２１のある先端部側を溝２０の部分から屈折させる。プローブピン１０の先端を尖状に形成し，接触部２１にする。プローブピン１０の溝２０より後端部側をコンタクタ１１の接続端子１１ａに接合し，プローブピン１０の先端部側は，溝２０の部分からウェハＷのある下側に折り曲げられる。プローブピン１０の接触部２１をウェハＷに接触させて，ウェハＷの電気的特性の検査を行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンであって，
側面に溝を有し，
被検査体と接触する接触部のある先端部側が前記溝の部分から屈折していることを特徴とする，プローブピン。
【請求項２】
前記先端部側の先端が尖状に形成されて前記接触部になっていることを特徴とする，請求項１に記載のプローブピン。
【請求項３】
前記先端部側の先端は，幅が一定の突起状に形成されて前記接触部になっていることを特徴とする，請求項１に記載のプローブピン。
【請求項４】
前記先端部側の屈折角は，４５°〜６０°に設定されていることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のプローブピン。
【請求項５】
屈折した前記先端部側の側面には，前記接触部となる錐状の頂部が形成され，
前記溝よりも後端部側が水平に維持されたときに鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように，前記頂部が形成されていることを特徴とする，請求項１に記載のプローブピン。
【請求項６】
被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって，
基材の直線状の端面から並列的に突出する直線状の複数のピンを形成する工程と，
前記複数のピンの先端部側の側面に溝を形成する工程と，
前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と，
前記複数のピンを前記基材の端面から切断する工程と，を有することを特徴とする，プローブピンの製造方法。
【請求項７】
前記複数のピンを形成する工程では，フォトリソグラフィー技術を用いて，母型に前記基材と前記複数のピンの型を形成し，当該母型にメッキ技術により前記基材と前記複数のピンを一体的に形成することを特徴とする，請求項６に記載のプローブピンの製造方法。
【請求項８】
前記母型の前記各ピンの先端部に対応する部分に，錐状の穴を形成する工程を有し，
前記メッキ技術により前記母型に前記基材と前記複数のピンを一体的に形成する際に，前記各ピンの先端部側の側面に錐状の頂部が形成され，
前記複数のピンの溝よりも後端部側が水平に維持され，前記複数のピンの先端部側が折り曲げられた状態のときに，鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように，前記頂部が形成されることを特徴とする，請求項７に記載のプローブピンの製造方法。
【請求項９】
被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって，
フォトリソグラフィー技術を用いて，母型に，プローブピンの溝の型を直線状の突条に形成する工程と，
その後，フォトリソグラフィー技術を用いて，前記母型に，前記溝の型に対し直角方向に交差しなおかつ前記溝の型の直線方向に沿って並列的に並べられた複数のピンの型を形成する工程と，
その後，メッキ技術を用いて，前記母型に，溝を有する複数のピンを成型する工程と，
前記複数のピンを前記母型から取り外す工程と，
前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と，を有することを特徴とする，プローブピンの製造方法。
【請求項１０】
前記複数のピンの型を形成する工程では，前記複数のピンが並列的に取り付けられる基材の型も形成し，
前記複数のピンを成型する工程では，前記メッキ技術により，前記複数のピンと前記基材を一体的に成型し，
前記複数のピンを前記母型から取り外す工程では，前記基材を前記複数のピンと共に前記母型から取り外し，
複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げた後に，前記複数のピンを前記基材から切断することを特徴とする，請求項９に記載のプローブピンの製造方法。
【請求項１１】
前記基材は，直線状の端面を有し，前記複数のピンは，前記基材の端面から並列的に突出するように形成されることを特徴とする，請求項１０に記載のプローブピンの製造方法。
【請求項１２】
前記溝の型を形成する工程と前記複数のピンの型を形成する工程との間において，前記母型の表面に薄膜を被覆することを特徴とする，請求項９〜１１のいずれかに記載のプローブピンの製造方法。
【請求項１３】
前記プローブピンの溝の型を形成する工程は，
前記母型上にレジスト膜を形成し，その母型上のレジスト膜に直線状の溝を形成する工程と，
そのレジスト膜の溝にメッキにより型材料を埋設する工程と，
前記母型から前記レジスト膜を除去して，前記型材料からなる前記プローブピンの溝の型を形成する工程と，を有することを特徴とする，請求項９〜１２のいずれかに記載のプローブピンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンと，その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体ウェハ上に形成されたＩＣ，ＬＳＩなどの電子回路の電気的特性の検査は，プローブ装置に装着されたプローブカードを用いて行われている。プローブカードは，通常，回路基板やコンタクタを有している。ウェハに対向するコンタクタの下面には，多数のプローブピンが支持されており，この多数のプローブピンを，電子回路の各電極に接触させることにより，ウェハの電気的特性の検査を行っている。
【０００３】
従来のプローブピンは，通常図１９に示すように直線状の梁部１００と，梁部１００の先端部に直角方向に突出した接触部１０１から構成され，略Ｌ型形状を有している。このようなプローブピンは，一般的に電鋳などのメッキ技術により一体成型されて製造されている（例えば，特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−５２７７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら，プローブピンは，接触部１０１の幅を細くし，接触部１０１の高さを確保する必要があるため，比較的アスペクト比（接触部１０１の幅と高さの比）が大きい。このため，一体成型時に，例えば接触部１０１と梁部１００が接触する角付近に空洞ができたりして，プローブピンの生産効率や寸法精度が低下する場合があった。プローブピンの寸法精度が低下すると，プローブピンとウェハとの接触が不安定となり，信頼性の高い検査を行うことができない。
【０００６】
また，ウェハに，ウェハの欠片などの異物が付着していて，その異物が梁部１００の下方の位置している場合には，検査時に異物が梁部１００に接触しプローブピンを破損する可能性がある。この可能性を低くするため，プローブピンの接触部１０１に，より高さのあるものが要求されている。しかしながら，実際，従来のプローブピンのアスペクト比は２程度が限界であり，これ以上アスペクト比が大きくなると，生産効率や寸法精度が著しく低下する。このため，従来のプローブピンでは，接触部１０１を十分に高くすることができず，ウェハなどの被検査体のある方向に十分に長いプローブピンを実現することができなかった。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，高い寸法精度と高い生産効率を維持しながら，被検査体の方向に十分に高さのあるプローブピンと，その製造方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明は，被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンであって，側面に溝を有し，被検査体と接触する接触部のある先端部側が前記溝の部分から屈折していることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば，プローブピンの側面に溝が形成され，プローブピンの先端部側がその溝の部分から屈折しているので，従来のようにアスペクト比の高い加工を行わなくても，プローブピンに十分な高さを確保される。また，アスペクト比の高い加工が必要ないので，生産性を上げることができる。プローブピンが溝の部分から折り曲げて形成されているので，接触部のある先端部側の長さや高さを一定にすることができ，プローブピンの高い寸法精度を確保できる。
【００１０】
前記先端部側の先端が尖状に形成されて前記接触部になっていてもよい。また，前記先端部側の先端は，幅が一定の突起状に形成されて前記接触部になっていてもよい。
【００１１】
前記先端部側の屈折角は，４５°〜６０°に設定されていてもよい。
【００１２】
屈折した前記先端部側の側面には，前記接触部となる錐状の頂部が形成され，前記溝よりも後端部側が水平に維持されたときに鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように，前記頂部が形成されていてもよい。
【００１３】
別の観点による本発明は，被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって，基材の直線状の端面から並列的に突出する直線状の複数のピンを形成する工程と，前記複数のピンの先端部側の側面に溝を形成する工程と，前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と，前記複数のピンを前記基材の端面から切断する工程と，を有することを特徴とする。
【００１４】
前記複数のピンを形成する工程では，フォトリソグラフィー技術を用いて，母型に前記基材と前記複数のピンの型を形成し，当該母型にメッキ技術により前記基材と前記複数のピンを一体的に形成してもよい。
【００１５】
前記プローブピンの製造方法は，前記母型の前記各ピンの先端部に対応する部分に，錐状の穴を形成する工程を有し，前記メッキ技術により前記母型に前記基材と前記複数のピンを一体的に形成する際に，前記各ピンの先端部側の側面に錐状の頂部が形成され，前記複数のピンの溝よりも後端部側が水平に維持され，前記複数のピンの先端部側が折り曲げられた状態のときに，鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように，前記頂部が形成されるようにしてもよい。
【００１６】
別の観点による本発明は，被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって，フォトリソグラフィー技術を用いて，母型に，プローブピンの溝の型を直線状の突条に形成する工程と，その後，フォトリソグラフィー技術を用いて，前記母型に，前記溝の型に対し直角方向に交差しなおかつ前記溝の型の直線方向に沿って並列的に並べられた複数のピンの型を形成する工程と，その後，メッキ技術を用いて，前記母型に，溝を有する複数のピンを成型する工程と，前記複数のピンを前記母型から取り外す工程と，前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と，を有することを特徴とする。なお，ここで言う「フォトリソグラフィー技術を用いて」の内容には，他の技術と併用する場合も含まれる。
【００１７】
本発明によれば，プローブピンの側面に溝が形成され，プローブピンの先端部側がその溝の部分から折り曲げられるので，従来のようにアスペクト比の高い加工を行わなくても，十分に高さのあるプローブピンを製造できる。また，プローブピンに位置精度と寸法精度の高い溝を形成できるので，この溝から屈折したプローブピンも高い精度で形成できる。また，共通の型から複数のプローブピンが形成されるので，同じ溝の位置のプローブピンが一度に多量に形成でき，プローブピンの製造効率を上げることができる。
【００１８】
前記複数のピンの型を形成する工程では，前記複数のピンが並列的に接続された基材の型も形成し，前記複数のピンを成型する工程では，前記メッキ技術により，前記複数のピンと前記基材を一体的に成型し，前記複数のピンを前記母型から取り外す工程では，前記基材を前記複数のピンと共に前記母型から取り外し，複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げた後に，前記複数のピンを前記基材から切断してもよい。
【００１９】
前記基材は，直線状の端面を有し，前記複数のピンは，前記基材の端面から並列的に突出するように形成されてもよい。
【００２０】
前記溝の型を形成する工程と前記複数のピンの型を形成する工程との間において，前記母型の表面に薄膜を被覆してもよい。
【００２１】
前記プローブピンの溝の型を形成する工程は，前記母型上にレジスト膜を形成し，その母型上のレジスト膜に直線状の溝を形成する工程と，そのレジスト膜の溝にメッキにより型材料を埋設する工程と，前記母型から前記レジスト膜を除去して，前記型材料からなる前記プローブピンの溝の型を形成する工程と，を有するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば，十分に高さのあるプローブピンを高い寸法精度で効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，プローブ装置１の構成の概略を示す説明図である。
【００２４】
プローブ装置１には，例えばプローブカード２と，被検査体としてのウェハＷを載置する載置台３が設けられている。
【００２５】
プローブカード２は，例えばウェハＷの電極に接触する複数のプローブピン１０を下面に支持したコンタクタ１１と，プローブピン１０に対しコンタクタ１１の本体を通じて電気信号を授受するプリント配線基板１２を備えている。コンタクタ１１とプリント配線基板１２は，例えば略円盤状に形成され，プリント配線基板１２は，コンタクタ１１の上面側にコンタクタ１１と通電可能に配置されている。
【００２６】
プローブピン１０は，例えばコンタクタ１１の本体の下面に形成された接続端子１１ａに接合されている。
【００２７】
プローブピン１０は，例えばニッケル合金などの金属の導電性材料により形成されている。プローブピン１０は，例えば図２に示すように細長の略直方体形状に形成されている。プローブピン１０の下側の側面には，溝２０が形成されている。溝２０は，例えばプローブピン１０の中央よりも先端寄りの所定の位置に，例えば幅５０μｍ，深さ２０μｍ程度に形成されている。プローブピン１０の溝２０よりも後端部側は，水平に形成され，接続端子１１ａに接合されている。プローブピン１０の溝２０よりも先端部側は，溝２０の部分から下方側に屈折されている。プローブピン１０の先端部側の屈折角θは，例えば４５°〜６０°の範囲，より好ましくは５５°に設定されている。プローブピン１０の先端は，例えば図３に示すように平面から見て尖状に形成され，その先端がウェハＷとの接触部２１になっている。
【００２８】
載置台３は，図１に示すように例えば左右及び上下に移動自在に構成されており，載置したウェハＷを三次元移動させ，ウェハＷ上の所望の位置にプローブカード２のプローブピン１０を接触させることができる。
【００２９】
次に，上述したプローブピン１０の製造方法について説明する。先ず，図４に示すように方形の平板状の基材３０と，その基材３０の一端面から並列的に櫛刃状に突出する複数のピン３１からなる櫛状体３３が形成される。この複数のピン３１は，後にプローブピン１０となる部分であり，所望のプローブピン１０の寸法に合わせて形成される。基材３０には，後述する加工時に櫛状体３３を所定の位置に固定するための位置決め穴３４が形成されている。
【００３０】
櫛状体３３の形成は，例えばフォトリソグラフィ技術と電鋳技術を用いて行われる。例えば先ず，図５に示すように母型４０となるステンレス製の平板上に，フィルム状のレジスト膜Ｒが成膜される（図５（ａ））。そのレジスト膜Ｒが所定のパターンに露光され現像されて，母型４０に櫛状体３３の型４０ａが形成される（図５の（ｂ））。その母型４０の型４０ａにニッケル合金がメッキされて櫛状体３３が成型される（図５（ｃ））。
【００３１】
次に，母型４０が図示しない加工機に固定され，図６に示すように櫛状体３３の各ピン３１の先端部側に溝２０が形成される。各ピン３１の溝２０は，例えばダイサー切削により一括して形成され，例えば図４に示すように並列的に配置された複数のピン３１に対し直交する直線Ｌに沿って形成される。これにより，各ピン３１の溝２０は，先端部からの等距離の位置に形成される。なお，この溝２０は，エッチング加工により形成されてもよい。溝２０の形成後，櫛状体３３は，母型４０から取り外される。
【００３２】
その後，図７に示すように各ピン３１の溝２０よりも先端部側が，溝２０のある側に角度θだけ屈折される。このピン３１の屈折は，例えばプレス加工により行われる。その後，各ピン３１が，例えばダイサーにより基材３０の端面から切断され，同じ形状の複数のプローブピン１０が形成される。形成されたプローブピン１０は，上述したように溝２０が下側を向いて先端部側が下方に折り曲がるようにコンタクタ１１の下面に接合される。
【００３３】
ウェハＷ上の電子素子の電気的特性が検査される際には，ウェハＷが載置台３上に載置され，ウェハＷが載置台３によってコンタクタ１１側に上昇される。そして，ウェハＷの各電極が対応するプローブピン１０の接触部２１に接触される。プリント配線基板１２とコンタクタ１１を介し，プローブピン１０を通じてウェハＷとの間で電気信号が授受されて，ウェハＷ上の電子素子の電気的特性が検査される。
【００３４】
以上の実施の形態によれば，プローブピン１０に溝２０が形成され，プローブピン１０の先端部側が溝２０の部分から屈折しているので，従来のようにアスペクト比の高い一体成型を行わなくても，十分に高さのある接触部２１を形成できる。また，アスペクト比の高い一体成型をする必要がないので，生産性を上げることができる。溝２０の位置から屈折しているので，接触部２１の位置や高さが安定し，寸法精度の高いプローブピン１０を形成できる。さらに，溝２０の位置や屈折角度を調整することにより，接触部２１の高さを容易に設定できる。
【００３５】
また，プローブピン１０の先端を尖状にして接触部２１にしたので，接触部２１とウェハＷとの間で高い接触圧を確保することができ，プローブピン１０による検査を安定させることができる。
【００３６】
プローブピン１０の屈折角度θを４５°〜６０°の範囲に設定したので，さらにプローブピン１０とウェハＷとの接触を安定させることができる。
【００３７】
以上の実施の形態によれば，プローブピン１０を製造するにあたって，基材３０と複数のピン３１からなる櫛状体３３を形成し，その状態で一括して複数のピン３１に溝２０を形成し，さらに各ピン３１の先端部側を溝２０の部分から折り曲げるようにしたので，同じ寸法のプローブピン１０を一度に多数個製造でき，高い寸法精度を有するプローブピン１０を高い生産性で製造できる。
【００３８】
また，フォトリソグラフィ技術により母型４０に，櫛状体３３の型４０ａを形成し，その型４０ａに電鋳技術により櫛状体３３を一体成型したので，高い寸法精度の櫛状体３３を比較的簡単に形成できる。
【００３９】
櫛状体３３の基材３０には，位置決め穴３４が形成されているので，ピン３１に対する高い精度の加工を実現できる。
【００４０】
以上の実施の形態では，プローブピン１０の先端が尖状に形成されていたが，図８に示すようにプローブピン１０の先端は，幅が一定の突起状に形成されて接触部２１になっていてもよい。このときの突起の幅は，例えば１０μｍ〜１５μｍ程度に設定される。かかる場合，プローブピン１０とウェハＷとの多数回の接触によりプローブピン１０の接触部２１が磨耗しても，接触部２１の幅が一定に維持されるので，プローブピン１０とウェハＷとの接触を安定させることができる。これにより，安定した検査を持続させることができる。
【００４１】
以上の実施の形態では，プローブピン１０の先端が接触部２１になっていたが，図９に示すようにプローブピン１０の先端部側の側面に，四角錐状の頂部５０を形成して，その頂部５０を接触部２１にしてもよい。この場合，頂部５０は，プローブピン１０の溝２０と同じ側面に形成される。図１０に示すように，プローブピン１０の溝２０より後端部側が水平の状態でコンタクタ１１の接触端子１１ａに接合されたときに，鉛直線Ｚが頂部５０の内角θ１を２等分するように，頂部５０が形成される。
【００４２】
ここで，頂部５０を有するプローブピン１０の形成方法を説明する。図１１に示すように所定角度傾けられた例えばダイアモンド製の錐６０により，上述のステンレス製の母型４０に，頂部５０の型となる穴６１が空けられる（図１１の（ａ））。この穴６１は，後にピン３１の先端部側の型４０ａになる位置に空けられる。このときの錐６０の傾き角度により，頂部５０の向きが設定される。この錐６０の傾き角度は，最終的なプローブピン１０の屈折角度θ２（図１０に示す）になり，この錐６０の傾き角度θ２がθ１/２よりも大きくなると，鉛直線Ｚにより２等分するような頂部５０の内角θ１が形成できなくなる。このため，θ２＜θ１/２の条件を満たすように，錐６０の傾き角度θ２が設定される。なお，頂部５０の内角θ１が７０°の場合，θ２は，例えば３０°程度が望ましい。その後，母型４０には，櫛状体３３の型４０ａとなるレジストパターンが形成される（図１１の（ｂ））。その後電鋳により，母型４０に櫛状体３３が成型される（図１１の（ｃ））。櫛状体３３が母型４０から取り出され，頂部５０のあるピン３１を有する櫛状体３３が形成される（図１１の（ｄ））。その後，上述したようにピン３１に溝２０が形成され，ピン３１の先端部側が折り曲げられ，ピン３１が基材３０から切断されて，プローブピン１０が形成される。
【００４３】
かかる例によれば，プローブピン１０の屈折した先端部に頂部５０が形成され，その頂部５０は，内角θ１が鉛直線Ｚにより２等分されるように形成されるので，プローブピン１０とウェハＷとの接触時に，プローブピン１０からウェハＷに作用する力の鉛直方向の成分が大きくなり，プローブピン１０とウェハＷとの接触を安定させることができる。また，母型４０に錐６０により穴６１を空けて，電鋳により頂部５０を櫛状体３３と一体成型したので，頂部５０を有するプローブピン１０を比較的少ない工程で簡単に形成できる。
【００４４】
なお，上記例において頂部５０の形状は，四角錐に限られず，他の角錐形状であってもよく，また円錐形状であってもよい。また，図１２に示すように頂部５０の先端部に微小な平坦面５０ａを形成してもよい。こうすることにより，プローブピン１０とウェハＷとの接触をさらに安定させ，また接触による頂部５０の先端部の磨耗を抑制できる。
【００４５】
次に，第２の実施の形態にかかるプローブピン１０の製造方法について説明する。先ず，図４に示した櫛状体３３は，例えばフォトリソグラフィ技術と電鋳技術を用いて形成される。例えば図１３（ａ）に示すように先ず母型４０となるステンレス製の平板上に，フィルム状のレジスト膜Ｒが成膜される。次に，レジスト膜Ｒが図１３（ｂ）に示すように所定のパターンに露光され現像されて，レジスト膜Ｒに，直線状で一定幅の溝Ｒ１が形成される。その後，図１３（ｃ）に示すようにレジスト膜Ｒの溝Ｒ１に，例えば型材料であるニッケルが電鋳によりメッキされ，溝Ｒ１がニッケルにより埋められる。その後レジスト膜Ｒが除去されて，図１３（ｄ）に示すように母型４０に，プローブピン１０の溝の型４０ｂ（バンプ）が形成される。溝の型４０ｂは，図１４に示すように所定方向（Ｘ方向）に向けた直線状の突条に形成される。その後，母型４０の表面全体には，メッキ処理或いはスパッタ処理により，溝の型４０ｂを覆うように薄膜が被覆される。これにより，溝の型４０ｂと母型４０本体との接着性が向上され，また，母型４０と櫛状体３３との剥離性が向上する。
【００４６】
続いて，図１５（ａ）に示すように母型４０に，再びフィルム状のレジスト膜Ｒが成膜される。次に図１５（ｂ）に示すようにレジスト膜Ｒが所定のパターンに露光され現像されて，母型４０に，基材３０の型とピン３１の型からなる櫛状体３３の型４０ｃが形成される。この際，図１６に示すようにピン３１の型４０ｄは，溝の型４０ｂと直交し，溝の型４０ｂの形成方向（Ｘ方向）に並列的に並ぶように形成される。
【００４７】
図１５（ｃ）に示すように母型４０の型４０ｃに例えばニッケル合金が電鋳によりメッキされて櫛状体３３が成型される。その後，例えば洗浄処理により図１７に示すように母型４０からレジスト膜Ｒが取り除かれる。次に図１８に示すように櫛状体３３が母型４０から取り外されて，櫛状体３３が出来上がる。このとき，櫛状体３３の各ピン３１の溝２０は，例えば図６に示したようにピン３１に対し直交するＸ方向の直線Ｌ上に形成されている。このように各ピン３１の溝２０は，先端部から等距離の所定位置に形成されている。
【００４８】
次に，上記第１の実施の形態と同様に，プレス加工により，図７に示すように各ピン３１の溝２０よりも先端部側が，溝２０のある側に角度θだけ屈折される。その後，各ピン３１が，例えばダイサーにより基材３０の端面から切断され，同じ形状の複数のプローブピン１０が形成される。
【００４９】
以上の実施の形態によれば，フォトリソグラフィー技術を用いて，溝の型４０ｂを母型４０に形成し，その母型４０に，フォトリソグラフィー技術により櫛状体３３の型４０ｃを形成し，さらに電鋳技術により，その母型４０に櫛状体３３を成型している。このように，微細加工が可能なフォトリソグラフィー技術を用いて溝の型４０ｂを形成し，その型４０ｂによってプローブピン１０に溝２０を形成しているので，位置精度と寸法精度が高い溝２０をピン３１に形成できる。そして，その溝２０の部分から曲げてプローブピン１０を形成しているので，精度の高いプローブピン１０を形成できる。
【００５０】
また，溝の型４０ｂが直線の突条に形成され，各ピン３１の型４０ｄが溝の型４０ｂに直交しなおかつその型４０ｂの形成方向に沿って並列的に形成されるので，同じ溝２０を有するプローブピン１０を一度の大量に形成できる。これによって，プローブピン１０の製造効率を向上できる。
【００５１】
以上の実施の形態では，母型４０に，複数のピン３１と基材３０が一体となった櫛状体３３の型４０ｃを形成し，複数のピン３１と基材３０を一体成型したので，複数のピン３１を基材３０に取り付けた状態で一括して曲げることができる。これにより，各プローブピン１０の曲げ位置や曲げ角度を一致させることができる。
【００５２】
溝の型４０ｂが形成された後に，母型４０の表面全面に薄膜のメッキ処理を施したので，溝の型４０ｂと母型４０との接着性を高めることができる。この結果，櫛状体３３を母型４０から取り外す際に，溝の型４０ｂがプローブピン１０と共に母型４０から剥離することを防止できる。
【００５３】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば以上の実施の形態において，ピン３１と共に一体成型された基材３０は，方形の平板形状であったが，他の形状であってもよい。また基材３０がなく，ピン３１だけを成型してもよい。また，フォトリソグラフィ技術を用いて加工する際のレジストは，フィルム以外の液体のものであってもよい。母型４０の材質は，ステンレス鋼に限られず，導電性のあるもの，或いは非導電性の基材の表面に導電性の素材を被覆したものであってもよい。溝の型４０ｂやプローブピン１０の材質も，ニッケルに限られず，他の電着金属であってもよい。本発明は，被検査体がウェハＷ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は，高い寸法精度で高さのあるプローブピンを実現する際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】プローブ装置の構成の概略を示す側面図である。
【図２】プローブピンの取付け部の構成を示す縦断面の説明図である。
【図３】プローブピンの平面図である。
【図４】櫛状体の平面図である。
【図５】（ａ）は，母型にレジスト膜を成膜した状態を示す縦断面の説明図である。(ｂ)は，母型に櫛状体の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。（ｃ）は，母型に櫛状体を形成した状態を示す縦断面の説明図である。
【図６】櫛状体の複数のピンの拡大図である。
【図７】ピンが曲げられた状態を示す斜視図である。
【図８】先端に突起が形成されたプローブピンの平面図である。
【図９】頂部を有するプローブピンの斜視図である。
【図１０】頂部を有するプローブピンをコンタクタに取り付けた状態の説明図である。
【図１１】（ａ）は，母型に錐により穴を空けた状態を示す縦断面の説明図である。（ｂ）は，母型に頂部のある櫛状体の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。（ｃ）は，母型に頂部のある櫛状体を形成した状態を示す縦断面の説明図である。（ｄ）は，櫛状体を母型から取り外した状態を示す縦断面の説明図である。
【図１２】頂部に平坦面を有するプローブピンの平面図である。
【図１３】（ａ）は，母型にレジスト膜を成膜した状態を示す縦断面の説明図である。（ｂ）は，母型のレジスト膜に溝を形成した状態を示す縦断面の説明図である。（ｃ）は，レジスト膜の溝にニッケルを埋設した状態を示す縦断面の説明図である。（ｄ）は，母型に溝の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。
【図１４】溝の型が形成された母型の斜視図である。
【図１５】（ａ）は，溝の型が形成された母型にレジスト膜を成膜した状態を示す縦断面の説明図である。(ｂ)は，母型に櫛状体の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。（ｃ）は，母型に櫛状体を形成した状態を示す縦断面の説明図である。
【図１６】櫛状体の型が形成された状態の母型の一部の斜視図である。
【図１７】レジスト膜が除去された状態の母型の一部の斜視図である。
【図１８】櫛状体を母型から取り外した様子を示す斜視図である。
【図１９】従来のプローブピンを示す説明図である。
【符号の説明】
【００５６】
１    プローブ装置
２    プローブカード
１０  プローブピン
１１  コンタクタ
１１ａ  接続端子
２０  溝
２１  接触部
Ｗ  ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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