(57)【要約】【課題】基材を洗浄することなく、また、プライマーコート層やアンダーコート層を塗布することなく、樹脂やガラス繊維などが混入されたあらゆる基材に対して、電磁波シールド特性、密着性および耐食性に優れた導電膜を、高い生産性で成膜することが可能で、低コスト化が可能である導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳとポリカーボネートの混合樹脂、ポリアミド樹脂、または、ポリアミド樹脂とガラス繊維の混合樹脂などのエンジニアリングプラスチックからなる基材の表面、あるいは、ガラスからなる基材の表面に、パルス化した高周波プラズマを照射するイオン衝撃により、基材表面を改質し、その後、改質された基板表面にイオンプレーティング法により導電膜を成膜する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空装置内において、エンジニアリングプラスチックからなる基材の表面、または、ガラスからなる基材の表面に、パルス化した高周波プラズマを照射して、イオン衝撃により該基材の表面を改質し、その後、改質された基材の表面にイオンプレーティング法により導電膜を成膜することを特徴とする導電膜の成膜方法。
【請求項２】
前記エンジニアリングプラスチックが、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳとポリカーボネートの混合樹脂、ポリアミド樹脂、若しくは、ポリアミド樹脂とガラス繊維の混合樹脂である請求項１に記載の導電膜の成膜方法。
【請求項３】
前記高周波プラズマのパルス化において、パルスの周波数を０．５ｋＨｚ〜２ｋＨｚとし、Ｄｕｔｙ比を１０％〜３０％とすることを特徴とする請求項１または２に記載の導電膜の成膜方法。
【請求項４】
前記イオン衝撃に用いるイオン源として、アルゴン、窒素および酸素からなる群から選ばれる少なくとも１種のガスを用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の導電膜の成膜方法。
【請求項５】
前記イオン衝撃による表面の改質の後であり、かつ、導電膜を成膜する前に、前記真空装置内のガスを排気することを特徴とする請求項４に記載の導電膜の成膜方法。
【請求項６】
前記導電膜の成膜において、パルス化した高周波プラズマを用いることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の導電膜の成膜方法。
【請求項７】
前記導電膜として、膜厚が０．５μｍ〜１．２μｍである銅膜を成膜することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の導電膜の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種のプラスチック成形品やガラス製品の基材の表面に形成される導電膜の成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラスチック成形品やガラス製品に電磁波シールド特性や導電性を付与するために、これらの基材の中に導電性金属を混入する方法、基材の表面に導電性塗料を塗布する方法、湿式めっき法や真空成膜法により基材の表面に金属薄膜を形成する方法、あるいは、接着剤で金属箔を基材と貼り合わせる方法などが、知られている。
【０００３】
このうち、基材への導電性金属の混入、ないしは、基材への導電性塗料の塗布では、そのシールド効果が低いという問題がある。
【０００４】
また、金属箔を基材と張り合わせる方法は、基材が複雑形状の場合には、貼り合わせが困難である。
【０００５】
基材の表面に金属薄膜を成膜する方法のうち、湿式めっき法では、従来、無電解めっき法が用いられている。無電解めっき法では、クロム酸エッチング、パラジウム触媒付加などを行うため、成形品と薄膜との密着は強固となる。しかし、廃液の処理の問題、処理時間が長いという問題、成形品の両面にめっきが施されるという問題がある。
【０００６】
このため、真空成膜法により、成形品の表面に金属薄膜を形成する方法を選択することが一般的である。たとえば、膜厚が２μｍ〜３μｍのアルミニウム膜を基材の表面に形成したり、第１層に銅膜を成膜し、第１層の保護膜として、第２層にニッケル膜などを成膜することにより、基材に導電性を付与している。
【０００７】
真空成膜法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法があげられる。かかる真空成膜法では、膜の付き回りに優れており、複雑形状を有する基材に導電膜を形成することが可能となる。
【０００８】
しかし、かかる真空成膜法により、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ＡＢＳとＰＣの混合樹脂、または、ポリアミド樹脂などのエンジニアリングプラスチックに、直接、銅膜を成膜した場合、基材と銅膜の間における初期の密着性は良好であるが、耐湿試験後に密着性が悪化してしまうという問題がある。よって、これらの基材に、直接、導電膜を形成した製品は、実用化されるに至っていない。
【０００９】
真空成膜法における基材と膜の密着性を改善するために、官能基に富んだプライマーコート層を基材へ塗布し、乾燥し、その上に導電膜を成膜することが一般的に行われている。
【００１０】
しかし、プライマーコート層を塗布することは、作製工程を増やすことになり、それに応じて、廃液、または廃ガスなどの処理も必要になるため、製品コストの上昇を招く主な原因となっている。
【００１１】
これに対して、高周波プラズマを用いて、プラズマ処理により基材表面の改質を図ったり、金属薄膜の成膜を行うことが、以下の文献において開示されている。
【００１２】
特許文献１（特開平０７−１３３３６１号公報）には、電磁波シールド膜の密着性を上げるために、ＡＢＳ／ＰＣ基材表面を溶剤で拭き取る処理をした後、真空槽内でアルゴンなどの不活性ガスの導入による高周波励起プラズマにより、基材表面をボンバード処理し、アルミニウム膜または銅膜および保護膜を成膜することが開示されている。しかしながら、表面官能基が少ないＰＣ樹脂、ポリアミド樹脂、ないしは、ＰＣ樹脂が混入されたＡＢＳとの混合樹脂の場合、ボンバード処理のみを行っただけでは、初期の段階で膜が剥離してしまうため、プライマーコート層を塗布する必要がある。また、ＡＢＳ樹脂に対しては、初期密着性は良好であるものの、耐湿試験後に密着性が悪化することを改善するまでには至っていない。
【００１３】
特許文献２（特開平０７−７０３４５号公報）には、ガラス繊維やカーボン繊維のようなフィラー含有のプラスチック基材の表面に、水溶性塗料からなるプライマーコート層を設けた後、同様に高周波励起プラズマによりアルミニウム膜や銅膜を成膜する方法が開示されている。しかしながら、この方法では、高周波プラズマを利用するものの、従来と同様にプライマーを塗布する点に変わりはなく、生産性の向上および低コスト化を図ることはできない。
【００１４】
特許文献３〜８（特開平０６−１４５３９６号公報、特開平０６−１５７７９７号公報、特開平０６−２４００２７号公報、特開平０６−２４００３４号公報、特開平０６−２４００３５号公報、および特開平０７−７２８３号公報）には、プラスチック基材の表面をあらかじめ洗浄することなく、さらに、プライマコート層を設けることなく、高周波励起プラズマにより、基材の表面を洗浄しながら、アルミニウム膜または銅膜を成膜することが開示されている。しかしながら、同様に、表面官能基が多く含まれるＡＢＳ樹脂やそのポリマーアロイには適用できるが、表面官能基をほとんど含まないＰＣ樹脂やポリアミド樹脂ないしはＰＣとＡＢＳの混合樹脂からなる基材には、膜が付着しないという問題や、または、これらの基材と膜の密着性が低いという問題がある。
【００１５】
これらの文献に記載された技術では、成膜に際して、高周波プラズマ励起を行うことが特徴であるが、密着性が低く、また、かかる高周波プラズマ励起に際しての条件等には一切の記載がない。
【００１６】
なお、ガラス基材に対しても、ガラスを１５０℃以上に加熱して、表面の洗浄を行うとともに、基材の表面エネルギーを高めた状態で、真空成膜法により導電膜を成膜している。しかしながら、同様に、基材と膜の密着性が十分な成形品は得られていない。
【特許文献１】特開平０７−１３３３６１号公報
【特許文献２】特開平０７−０７０３４５号公報
【特許文献３】特開平０６−１４５３９６号公報
【特許文献４】特開平０６−１５７７９７号公報
【特許文献５】特開平０６−２４００２７号公報
【特許文献６】特開平０６−２４００３４号公報
【特許文献７】特開平０６−２４００３５号公報
【特許文献８】特開平０７−００７２８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、基材を洗浄することなく、また、プライマーコート層やアンダーコート層を塗布することなく、ＡＢＳ樹脂、ＰＣ樹脂またはポリアミド樹脂からなる基材、ガラス繊維などが混入されたこれらの樹脂などのエンジニアリングプラスチックからなる基材、あるいは、ガラス基材に対して、電磁波シールド特性、密着性および耐食性に優れた導電膜を、高い生産性で成膜することを可能とし、導電膜が基材に形成された製品の低コスト化を可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る導電膜の成膜方法は、真空装置内において、ＡＢＳ樹脂、ＰＣ樹脂、ＡＢＳとＰＣの混合樹脂、ポリアミド樹脂、若しくは、ポリアミド樹脂とガラス繊維の混合樹脂などのエンジニアリングプラスチックからなる基材の表面、または、ガラスからなる基材の表面に、パルス化した高周波プラズマを照射して、イオン衝撃により該基材の表面を改質し、その後、改質された基材の表面にイオンプレーティング法により導電膜を成膜することを特徴とする。
【００１９】
前記高周波プラズマのパルス化において、パルスの周波数を０．５ｋＨｚ〜２ｋＨｚとし、Ｄｕｔｙ比を１０％〜３０％とすることが好ましい。
【００２０】
前記イオン衝撃に用いるイオン源として、アルゴン、窒素および酸素からなる群から選ばれる少なくとも１種のガスを用いることが好ましい。
【００２１】
この場合、前記イオン衝撃による表面の改質の後であり、かつ、導電膜を成膜する前に、前記真空装置内のガスを排気することが好ましい。
【００２２】
前記導電膜の成膜において、パルス化した高周波プラズマを用いることが好ましい。
【００２３】
さらに、前記導電膜として、膜厚が０．５μｍ〜１．２μｍである銅膜を成膜することが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の導電膜の成膜方法は、基材を洗浄することなく、また、プライマーコート層やアンダーコート層を塗布することなく、樹脂基材、ガラスが混入された樹脂基材、あるいは、ガラス基材に対して、電磁波シールド特性、密着性および耐食性に優れた導電膜を、高い生産性で成膜することが可能である。これにより、基材の表面に導電膜が形成された製品の低コストによる実用化が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明では、ＡＢＳ樹脂、ＰＣ樹脂、ＡＢＳとＰＣの混合樹脂、ポリアミド樹脂、または、ポリアミド樹脂とガラス繊維の混合樹脂などのエンジニアリングプラスチックからなる基材の表面、あるいは、ガラスからなる基材の表面に、イオンプレーティング法により導電膜を設ける際に、溶剤での洗浄や、プライマーコート層を塗布することなく、パルス化した高周波プラズマを前記基材の表面に照射するイオン衝撃により、基材表面を改質し、その後、導電膜を成膜する。
【００２６】
本発明が適用される樹脂基材としては、ＡＢＳ樹脂、ＰＣ樹脂、ＡＢＳとＰＣの混合樹脂、ポリアミド樹脂、または、ポリアミド樹脂とガラス繊維の混合樹脂が代表的なものであるが、その他のエンジニアリングプラスチックからなる基材にも本発明は適用しうる。
【００２７】
このようなエンジニアリングプラスチックとして、結晶性樹脂では、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリアミド、ポリアセタール、非結晶性樹脂では、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、結晶性耐熱スーパ樹脂では、ポリフェニレンサルファイド、フッ素樹脂、ポリエーテルケトン、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル、非結晶性耐熱スーパ樹脂では、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、熱可塑性ポリイミドがあげられる。
【００２８】
プライマーコート層は、プラスチック成形品の表面と導電膜との密着性の向上には欠かせなかったが、本発明では、イオン衝撃により基材の表面を改質することにより、導電膜と基材との密着性が向上し、プライマーコート層を形成する工程が不要となる。
【００２９】
本発明は、真空装置内に導入したガスを高周波プラズマとする際に、パルス化することに特徴を有する。高周波プラズマをパルス化することにより、高周波電圧のピークが上がり、ピーク値が入力電力の１．５倍〜２倍になる。さらに、パルス毎の突入電流のピークは、それよりもさらに高くなる。これにより、高周波プラズマのイオン衝撃による基材の表面に対する改質効果が著しく向上する。
【００３０】
高周波プラズマとしては、１３．５６ＭＨｚの周波数が採用される。
【００３１】
また、高周波プラズマのパルス化において、パルスの周波数を０．５ｋＨｚ〜２ｋＨｚとし、Ｄｕｔｙ比を１０％〜３０％とすることにより、好ましい改質状態の表面が得ることができる。
【００３２】
パルスの周波数が、２ｋＨｚを超えて高くなりすぎると、高周波電圧のピーク値が下がるので好ましくなく、０．５ｋＨｚ未満になると、全体のエネルギーが減少するので好ましくない。
【００３３】
また、前記高周波プラズマのパルス化は、Ｄｕｔｙ比が３０％を超えて高くなりすぎると、高周波電圧のピーク値が下がるので好ましくなく、１０％未満になると、全体のエネルギーが減少するので好ましくない。
【００３４】
イオン衝撃のイオン種は、アルゴン、窒素、または酸素や、それらの混合ガスを用いて作り出す。具体的にいずれのガスを用いるかの判断は、基材の種類と、求める密着力と、コストによって、選択される。ポリアミド樹脂からなる基板に銅膜を形成する場合には、特に、基板と銅膜の間に強い密着力を得ることが要求されるが、このような場合には、高純度酸素ガス、高純度窒素ガス、あるいは、高純度酸素とアルゴンの混合ガスが用いられる。しかしながら、コストの観点から、通常の用途では、アルゴンガスを用いることが好ましい。
【００３５】
これらのガスを、真空装置内で高周波励起させるためには、ガスを真空装置内に導入し、高周波発生電源から発生した高周波でイオン化する。パルスがオンにある時には、高いエネルギーを有するプラスイオンのイオン衝撃により、基材表面の改質が促進され、パルスがオフにある時には、基材の表面近傍に集まった電子やアルゴンのプラスイオンが離れようとするが、アルゴンイオンなどは重いので、表面近傍にとどまり、徐々に密度が高くなってゆく。その結果、ボンバード粗面化効果が得られ、かつ、励起イオン種により、基材の表面が活性化する。これにより、活性化された表面とその上に設けられる導電膜との密着強度がさらに高まる。
【００３６】
イオン衝撃を行う時間は、３分程度が望ましい。イオン衝撃を行う時間が短すぎると、基材の表面改質が十分になされず、長すぎると、基材の温度が上昇し、表面の一部が溶融することがあり、十分な密着性を得られない場合がある。
【００３７】
イオン衝撃により、基材から水分や放出ガスが出る。よって、イオン衝撃を終了した後、そのままの状態で成膜すると、膜と基材との界面に、脆弱層ができる可能性があるので、イオン衝撃と成膜の間に、速やかにガスの排気を行うことが望ましい。排気時間は、１分〜２分が望ましい。排気時間が１分未満のように短すぎると、十分に有害ガスが排気されないおそれがあり、２分を超えて長すぎると、生産性を低下させるため、好ましくない。
【００３８】
その後、銅などの導電膜の成膜を開始する。導電膜の材料として、高い導電性を有し、コストの低い銅を用いることが望ましい。この場合にも、パルス化した高周波プラズマを発生させた状態で、導電膜を成膜することが望ましい。高周波出力をパルス化することにより、波形のピーク値が上がり、プラズマ密度も上がる。これにより、ガスのプラスイオンによる基材表面の洗浄効果が高まり、かつ、導電膜材料である銅のイオン化により、成膜される銅の構造が鎖状になり、基材に食い込むことで、膜と基材との間の密着力が高まる。
【００３９】
導電膜の成膜には、電子銃で高融点ターゲットを溶解し、金属を蒸発させ、基板に膜を形成するイオンプレーティング法を用いる。イオンプレーティング法を用いることにより、広い面積について速い成膜速度で導電膜を形成することができる。成膜は、バッチ方式、あるいは連続方式のいずれでも行うことが可能である。
【００４０】
導電膜として銅膜を成膜する場合、膜厚を０．５μｍ〜１．２μｍの範囲とする。膜厚が０．５μｍ未満では、抵抗値が高くなり、十分な電磁波シールド特性や導電性が得られず、膜本来の構造が粗になり、耐食性が著しく低下するので好ましくない。１．２μｍを超えると、電磁波シールド特性が、金属の銅と同等になるが、膜応力が強くなり、成膜後の初期付着では剥離しなくなる反面、耐湿試験後により剥離する可能性が高くなり、かつ、必要以上に膜を厚くすることで、成膜に時間がかかり、生産性を低下させるおそれがあるため、好ましくない。
【００４１】
また、導電膜を電磁波シールド膜として使用するためには、導電膜の上に保護膜として、ニッケル合金または錫合金を、膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍとなるように成膜することが望ましい。膜厚が０．０５μｍ未満では、保護膜にピンホールが多くなり、耐食性が低下し、膜厚が０．５μｍを超えると、厚さが増すにも関わらず性能に変化がなく、成膜時間が伸び、生産性が低下するので、好ましくない。
【実施例】
【００４２】
（実施例１）
ＡＢＳとポリカーボネートが５０％ずつ混合された混合樹脂で成形された携帯電話筐体用の基材を用いた。
【００４３】
基材を、その表面を洗浄せず、また、その表面にアンダーコートを塗布しないで、電子ビーム方式のイオンプレーティング装置（株式会社神港精機製作所製、ＡＡＩＨ−Ｗ３６２００ＳＢＴ）に設置した。イオンプレーティング装置には、電子銃（日本電子株式会社製、ＪＥＢＧ−２０３Ｇ）を備え、高周波電源（日本電子株式会社製、ＪＳＴ−１６Ｆ電源）にパルスコントロールできる回路を接続した。イオンプレーティング装置の真空槽内には、基材の表面に、均一に成膜がされるように、基材が自公転するための金属製治具を配した。
【００４４】
次に、真空槽を真空度５×１０-3Ｐａまで排気し、次に、アルゴンガスを３．２×１０-2Ｐａまで導入した。
【００４５】
高周波プラズマの周波数を、１３．５６ＭＨｚとして、高周波出力を１．０ｋＷとし、高周波プラズマは、周波数が１ｋＨｚであり、Ｄｕｔｙ比が２０％であるようにパルス化され、３分間、放電させて、基材の表面にアルゴンのイオン衝撃を与えた。
【００４６】
次に、イオン衝撃を止め、放出されたガスを１分間、排気した。
【００４７】
続けて、同じ高周波励起の条件で、銅をイオン化し、基材の表面に第１層として銅膜を成膜した。膜厚は、０．９μｍとした。
【００４８】
次に、同じ真空槽内で、高周波励起をしない条件で、Ｓｎ−５ｗｔ％Ｃｕ−７ｗｔ％Ｃｒ合金からなる保護膜を、第２層として成膜した。膜厚は、０．２μｍとした。
【００４９】
得られた導電膜に対する評価は、外観検査、初期テープ付着試験、６０℃×９５％×２４０ｈの耐湿試験を行った後のテープ付着試験、８５℃×２４０ｈの耐熱試験を行った後のテープ付着試験、表面抵抗の測定、および４８ｈの塩水噴霧試験を行った。なお、テープ付着試験として、導電膜の表面に、ナイフで１×１ｍｍの切れ目を入れ、１００マスにセロファンテープ（ニチバン株式会社製、ＣＴ１８３５）を貼り付け、該テープを引き剥がした時に、基材と金属層との間で剥離が生じるか否かを調べる碁盤目テープ試験を採用した。得られた評価結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】
2007332419.tif 000002
【００５１】
（実施例２）
基材に、ポリアミド樹脂とガラス繊維が５０％ずつ混合された混合樹脂を用いた以外は、実施例１と同様に成膜を行い、評価を行った。得られた導電膜の性能は、実施例１と同様であった。
【００５２】
（実施例３）
基材に、ＩＴＯ膜が成膜されたガラスを用いて、配線幅０．２ｍｍのステレスマスクをかぶせ、イオン衝撃の時間を５分とし、第１層の膜厚を１．０μｍとした以外は、実施例１と同様に成膜を行い、得られた導電膜について評価を行った。得られた導電膜の性能は、実施例１と同様であった。また、初期テープ付着試験において、配線の剥離がなかったことから、銅の配線基板として使用するための規格を満足した。
【００５３】
（比較例１）
高周波プラズマを、周波数が０．４ｋＨｚとなるようにパルス化した以外は、実施例１と同様に成膜を行った。しかし、イオン衝撃中に、金属製治具とチャンバー間で異常放電が生じ、高周波電力が入力できなくなった。また、異常放電により、膜にダメージが入り、傷や焼けが生じた。
【００５４】
（比較例２）
高周波プラズマを、周波数が５ｋＨｚとなるようにパルス化した以外は、実施例１と同様に成膜を行い、得られた導電膜について評価を行った。初期テープ付着試験の結果は１００／１００であり、剥離はなかったが、耐湿試験後のテープ付着試験の結果は９０〜９５／１００であり、一部に剥離が生じた。
【００５５】
（比較例３）
高周波プラズマを、Ｄｕｔｙ比が１０％となるようにパルス化した以外は、実施例１と同様に成膜を行った。しかし、イオン衝撃中に、金属製治具とチャンバー間で異常放電が生じ、高周波電力が入力できなくなった。また、異常放電により、膜にダメージが入り、傷や焼けが生じた。
【００５６】
（比較例４）
高周波プラズマを、Ｄｕｔｙ比を３０％となるようにパルス化した以外は、実施例１と同様に成膜を行い、得られた導電膜について評価を行った。初期テープ付着試験の結果は１００／１００であり、剥離はなかったが、耐湿試験後のテープ付着試験の結果は９０〜９５／１００であり、一部に剥離が生じた。
【００５７】
（比較例５）
イオン衝撃の時間を２分とした以外は、実施例１と同様に成膜を行い、得られた導電膜について評価を行った。初期テープ付着試験の結果は１００／１００であり、剥離はなかったが、耐湿試験後のテープ付着試験の結果は９０〜９５／１００であり、一部に剥離が生じた。
【００５８】
（比較例６）
イオン衝撃の時間を５分とした以外は、実施例１と同様に成膜を行い、得られた導電膜について評価を行った。初期テープ付着試験の結果は１００／１００であり、剥離はなかったが、耐湿試験後のテープ付着試験の結果は９０〜９５／１００であり、一部に剥離が生じた。
【００５９】
（比較例７）
イオン衝撃後の排気時間を０．５分にした以外は、実施例１と同様に成膜を行い、得られた導電膜について評価を行った。初期テープ付着試験の結果は１００／１００であり、剥離はなかったが、耐湿試験後のテープ付着試験の結果は９０〜９５／１００であり、一部に剥離が生じた。
【００６０】
（比較例８）
銅膜の成膜に際して、高周波励起を止めた以外は、実施例１と同様に成膜を行い、得られた導電膜について評価を行った。初期テープ付着試験の結果は１００／１００であり、剥離はなかったが、耐湿試験後のテープ付着試験の結果は９０〜９５／１００であり、一部に剥離が生じた。
【００６１】
（比較例９）
パルスコントロールできる回路を外し、高周波電源（日本電子株式会社製、ＪＳＴ−１６Ｆ電源）をそのままで使用して、高周波プラズマをパルス化しなかった以外は、実施例１と同様に成膜を行い、得られた導電膜について評価を行った。初期テープ付着試験の結果は９５〜９８／１００であり、初期剥離が一部に生じた。
【００６２】
（比較例１０）
ＡＢＳ／ＰＣ基材を洗浄しないで、ゴム系アンダーコートを０．４〜０．５μ、塗布し、プラズマと成膜処理時に高周波プラズマをパルス化しなかった以外は、実施例１と同様に成膜を行い、得られた導電膜について評価を行った。初期テープ付着試験や耐湿試験後のテープ付着試験では剥離は生じなかった。