(57)【要約】【課題】従来の一値記録による２価（非記録を０とする）ビット符号列を改め最小種のエレメントによってセル数詞情報及びゼロ情報を記録し、非記録スペースを機能コードとする。【解決手段】単位モジュールを進数の基本数詞の正又は負の任意の倍数によるＥ１からＥｎの複数のエレメント及び合成されたエレメントでセル表現し、複数のエレメントとその合成がセル数詞情報及びゼロ情報とするエレメントセルにおいて非エレメントセル（スペース）を機能コードとして付加配列する。【効果】本発明は高集積データを省スペースに記録し、認識を容易にしたことで検索、流通、管理、制御等の自動認識システムに広く応用、適用される。【選択図】図１
2007188542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報をＥ１からＥｎの単エレメントもしくはＥ１からＥｎの合成エレメントで構成されたエレメントセルで表現し、その周囲の情報としないエレメントセルもしくはスペースを非エレメントとし、当該非エレメントセルが機能を有することを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項２】
請求項１におけるエレメントセルの一つをゼロ情報とすることを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項３】
請求項１又は２において、エレメントセルと非エレメントセルとを組み合わせた事を特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項４】
請求項１乃至３において、合成エレメントセルの一部を機能コードとすることを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項５】
請求項１及至３において、Ｅ１からＥｎのエレメントで合成されたエレメントセルの１組を飽和エレメントセルＢｓ、１組を機能エレメントセルＢ’ｏ、非エレメントセルをＢｏとしたエレメントセルにおいて、飽和エレメントセルＢｓをゼロ情報、機能エレメントセルＢ’ｏ及び非エレメントセルＢｏを機能コードとするエレメントセルの組み合わせを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項６】
２進数又は３進数の単位セルの基本数詞をＥ１エレメントとし、基本数詞の負の等倍数をＥ２エレメントとするＥ１、Ｅ２エレメントによるセル表現において、Ｅ１、Ｅ２エレメントの合成を飽和エレメントセルＢｓ、非エレメントセルをＢｏとしたエレメントセルの組み合わせにおいて、Ｅ１、Ｅ２エレメントでセル数詞情報を、飽和エレメントＢｓでゼロ情報を表現し、非エレメントＢｏを機能コードとするエレメントセルの組み合わせを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項７】
請求項６に記載されたＥ２エレメントを基本数詞の２倍数としたことを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項８】
７進数の単位セルの基本数詞をＥ２１エレメントとし、基本数詞の２倍数をＥ２２エレメント、基本数詞の４倍数をＥ２３エレメントとするＥ２１、Ｅ２２、Ｅ２３エレメントでセル表現するとき、Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３の全エレメントで合成されたエレメントを飽和エレメントセルＢｓ、非エレメントセルをＢｏとしたエレメントセルにおいて、Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３及び２種エレメントの合成でセル数詞情報を、飽和エレメントＢｓでゼロ情報を表現し、非エレメントＢｏを機能コードとするエレメントセルの組み合わせを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項９】
請求項８に記載されたＥ２３エレメントを基本数詞の負の３倍数としたことを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項１０】
６進数の単位セルの基本数詞をＥ２１エレメントとし、基本数詞の２倍数をＥ２２エレメント、基本数詞の３倍数をＥ２３エレメントとするＥ２１、Ｅ２２、Ｅ２３エレメントでセル表現するとき、Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３の全エレメントで合成されたエレメントを飽和エレメントセルＢｓ、Ｅ２１とＥ２２の合成エレメントセルをＢ’ｏ、非エレメントセルをＢｏとしたエレメントセルの組み合わせにおいて、Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３及びＢ’ｏを除く２種エレメントの組み合わせでセル数詞情報を、飽和エレメントセルＢｓでゼロ情報を表現し、エレメントセルＢ’ｏ及び非エレメントセルＢｏを機能コードとするエレメントセルの組み合わせを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項１１】
請求項１０に記載されたＥ２１、Ｅ２２の合成エレメントセルでゼロ情報を表現し、飽和エレメントセルＢｓを機能コードとするエレメントセルの組み合わせを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項１２】
請求項１０に記載された６進数単位セルのＥ２２、Ｅ２３の合成エレメントセルを機能コードＢ”ｏとし、Ｂ’ｏ、Ｂ”ｏ、非エレメントＢｏを機能コードとした５進数エレメントセルの組み合わせを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項１３】
図形又は文字を部分的にエレメントセルと非エレメントセルとに分割したコード構造とする請求項１、２におけるエレメントセルの組み合わせを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項１４】
請求項１，２によるＥ１からＥｎの複数のエレメント及び合成された情報のためのエレメントを、色相又は濃度及び密度による光反射率の強弱構造とするエレメントセルの組み合わせを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、従来より使用されている１値２価コード方式にくらべ操作性にすぐれた形状が自由な高集積情報コードであり応用範囲が広く、かつ正確な情報認識を可能とするエレメントセルと非エレメントセルの認識コード及び認識コードシートに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光学的に認識する符号方式の代表はバーコードシンボルキャラクターである。
【０００３】
ＪＡＮコード（ＪＩＳ−Ｘ−０５０１）では黒バーを１、白バー（スペース）を０とする１値記録による２値レベルビット符号を単位モジュールとし、数字の０及び１〜９を７モジュール単位で１キャラクターとする。
【０００４】
非記録スペース（記録されていない下地若しくは空白部分）をゼロ情報とする２値レベル方式によるモジュール群の列は、単位モジュール及び２倍、３倍を幅とする大小の黒バー及び白バー（スペース）の列となり時間測定を同期させた単位モジュールの正確な認識と、白バーを一般のスペースと区別する符号領域指示符号（スタート、ストップ等のコード）によって非記録のスペースを白バーと指定する事が必要とされる。
【０００５】
この２値レベル方式による黒バー及び白バー（スペース）のサイズの誤差は常に相関関係にあり、黒バーの記録精度を厳しく管理してもコード媒体の変形に対処する事は難しく利用分野が限定されている。
【０００６】
コード３９並びにコーダバー／ＮＷ−７（ＪＩＳ−Ｘ−０５０３）のバーコードでは、細バーと細バーの２倍幅の黒及び白バー（スペース）の４種類の符号バーで構成されているが、２種類の白バーにスペースを流用する思想は変わらない。
【０００７】
実用コードをビット符合とする高集積二次元コードにおいても記録、非記録の２値レベルとする思想は変わらず、予め設定した膨大なソフト及び冗長図形のパターン認識により実用符号の領域、部位、数量を指示し、更に指定されたアルゴリズムに従い実用符号を認識しビット出力する二工程からなる。
【０００８】
文字符号によるＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｈａｒａｃｔｅｒ Ｒｅａｄｅｒ）方式では個々の文字符号をパターン認識し、細分化された大量のデータを符号毎の基本データと照合し、文字符号に割り付けられた情報を選択してビット出力する方法による。
【０００９】
適用分野を多元化するための冗長性の少ない高集積で信頼性の高い認識の容易なコード及び認識方法が求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
１０進数で表示された８０，１２０は漢字では八拾、百弐拾と空位（ゼロ記号）の省略を容易にするが、２進数によるビット符号表示では１０１００００，１１１１０００となり、空位（ゼロ記号）を省略した１値表示では１１，１１１１と空位（ゼロ記号）がどの位置に何個あるか判断することが難しくコード領域とポジションを指定し、■□■□□□□ ■■■■□□□と表示する。
【００１１】
光学的認識によるバーコードでは大小複数の幅による記録黒バーと非記録の白バー（スペース）の列となり補助手段を付加した方法によらない単位ビットの認識は不可能である。
【００１２】
記録黒バーと非記録白バー（スペース）のサイズ誤差は常に相関関係にあり、記録黒バーが標準より太くなれば非記録白バー（スペース）は細くなり、逆に黒バーが細くなれば白バーが太くなりカウント同期に誤差が発生する。
【００１３】
又コード媒体が変形すればコード規格が乱れ対処が困難となる。
【００１４】
データ量を増やせば符号列は長くなり、安価なペン型リーダーでは手動による移動速度を一定に保つことが難しく認識エラーが多くなる。
【００１５】
読取精度を上げようとすれば、高精度なスキャニングシステムが要求される。
【００１６】
さらに、キャラクター接続のクワイエットゾーンに対する規格も厳しく、追記によるデータ変更は出来ず利便性の高い負を加えた符号列を発明しても適用する機能を持たない。
【００１７】
実用コードがコンピュータ２値符号と合致する高集積二次元コードにおいても、記録、非記録による２値レベルとする思想は変わらず、予め設定された膨大なソフトと冗長図形のパターン認識により符号の領域、位置、数量を指定し、指定されたアルゴリズムによってビット符号の認識と出力をする二工程からなるイメージセンサーでの認識方法が多く用いられ、追記によるデータ変更もバーコードと同様に不可とされる。
【００１８】
ＯＣＲ用文字符号はゼロ符号も表記する追記可能なコード列によって構成されるが、省スペース化には限界がある。又個々の符号のパターン認識データと基本データとの照合を必要とし、安易なシステムへの改良は難しい。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明はデータを省スペース化、高集積化するために単位モジュールを多進数セル情報としたことを特徴とするものである。
【００２０】
単位セルは基本数詞と基本数詞の正又は負の任意の倍数（等倍数を含む）によるＥ１からＥｎの複数のエレメントでエレメントセル情報を表現するものである。
【００２１】
Ｅ１からＥｎの任意のエレメントとそのエレメントの合成によってセルの数詞情報を表す。
【００２２】
ただし、正数詞情報、負数詞情報を表現するセルでは進数によっては当該セルで全数詞情報を表現されない場合があり、その場合は隣接するセルとの組み合わせによる。
【００２３】
さらに本発明では、Ｅ１からＥｎの組み合わせにより合成されたエレメントセルの１組を飽和エレメントセルＢｓとし、飽和エレメントセルＢｓをゼロ情報とすることを特徴とする。
【００２４】
セル数詞情報、飽和エレメントセルＢｓに該当しないエレメントの組み合わせによる合成エレメントセルがあれば、その合成エレメントセルを合成エレメントセルＢ’ｏ又はＢ”ｏと定め機能コードとする。
【００２５】
Ｅ１からＥｎエレメントと、その組み合わせにより合成されたエレメントセルは単位モジュール情報となりＮ進数の正数詞情報、負数詞情報及びゼロ情報を表現する。
【００２６】
本発明はエレメントセルで表現されていない部分を非エレメントセルＢｏとし、かつそれを機能コードとする。
【００２７】
当該機能コードＢｏを付加したエレメントセルの組み合わせは、機能コードＢｏの役割により、同種のエレメントセルが連続しない認識コードとなるため認識方法が容易になる。
【００２８】
さらにまた、本発明は機能コードＢｏの役割により冗長図形を省略し、かつ時間測定によるカウントの同期も不要となる。
【００２９】
さらにまた、本発明は機能コードＢｏの役割により、追記によるデータの変更を容易にする事が出来る。
【００３０】
さらにまた、本発明は機能コードＢｏの役割により、エレメントセル及び非エレメントセルの寸法のバラツキや形状変形の影響を受けることなく、精度の高い認識を可能とする。
【００３１】
さらにまた、本発明は機能コードＢｏの役割により、コード媒体の変形に対応した認識も容易である。
【００３２】
さらにまた、本発明は単位モジュールを多進数エレメントセル情報とすることで、省スペース、高集積化された。
【００３３】
さらにまた本発明の特徴は、情報をＥ１からＥｎの単エレメントもしくはＥ１からＥｎの合成エレメントで構成されたエレメントセルで表現し、その周囲の情報としないエレメントセルもしくはスペースを非エレメントとし、当該非エレメントセルが機能を有することを特徴とする。
【００３４】
さらにまた本発明の特徴は、請求項１におけるエレメントセルの一つをゼロ情報とすることを特徴とする。
【００３５】
さらにまた本発明の特徴は、請求項１又は２において、エレメントセルと非エレメントセルとを組み合わせたことを特徴とする。
【００３６】
さらにまた本発明の特徴は、請求項１乃至３における合成エレメントセルの一部を機能コードとすることを特徴とする。
【００３７】
さらにまた本発明の特徴は、請求項１及至３において、Ｅ１からＥｎのエレメントで合成されたエレメントセルの１組を飽和エレメントセルＢｓ、１組を機能エレメントセルＢ’ｏ、非エレメントセルをＢｏとしたエレメントセルにおいて、飽和エレメントセルＢｓをゼロ情報、機能エレメントセルＢ’ｏ及び非エレメントセルＢｏを機能コードとすることを特徴とする。
【００３８】
さらにまた本発明の特徴は、２進数又は３進数の単位セルの基本数詞をＥ１エレメントとし、基本数詞の負の等倍数をＥ２エレメントとするＥ１、Ｅ２エレメントによるセル表現において、Ｅ１、Ｅ２エレメントの合成を飽和エレメントセルＢｓ、非エレメントセルをＢｏとしたエレメントセルの組み合わせにおいて、Ｅ１、Ｅ２エレメントでセル数詞情報を、飽和エレメントＢｓでゼロ情報を表現し、非エレメントＢｏを機能コードとすることを特徴とする。
【００３９】
さらにまた本発明の特徴は、請求項６に記載されたＥ２エレメントを基本数詞の２倍数としたことを特徴とする。
【００４０】
さらにまた本発明の特徴は、７進数の単位セルの基本数詞をＥ２１エレメントとし、基本数詞の２倍数をＥ２２エレメント、基本数詞の４倍数をＥ２３エレメントとするＥ２１、Ｅ２２、Ｅ２３エレメントでセル表現するとき、Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３の全エレメントで合成されたエレメントを飽和エレメントセルＢｓ、非エレメントセルをＢｏとしたエレメントセルにおいて、Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３及び２種エレメントの合成でセル数詞情報を、飽和エレメントＢｓでゼロ情報を表現し、非エレメントＢｏを機能コードとすることを特徴とする。
【００４１】
さらにまた本発明の特徴は、請求項８に記載されたＥ２３エレメントを基本数詞の負の３倍数としたことを特徴とする。
【００４２】
さらにまた本発明の特徴は、６進数の単位セルの基本数詞をＥ２１エレメントとし、基本数詞の２倍数をＥ２２エレメント、基本数詞の３倍数をＥ２３エレメントとするＥ２１、Ｅ２２、Ｅ２３エレメントでセル表現するとき、Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３の全エレメントで合成されたエレメントを飽和エレメントセルＢｓ、Ｅ２１とＥ２２の合成エレメントセルをＢ’ｏ、非エレメントセルをＢｏとしたエレメントセルの組み合わせにおいて、Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３及びＢ’ｏを除く２種エレメントの組み合わせでセル数詞情報を、飽和エレメントセルＢｓでゼロ情報を表現し、エレメントセルＢ’ｏ及び非エレメントセルＢｏを機能コードとすることを特徴とする。
【００４３】
さらにまた本発明の特徴は、請求項１０に記載されたＥ２１、Ｅ２２の合成エレメントセルでゼロ情報を表現し、飽和エレメントセルＢｓを機能コードとすることを特徴とする。
【００４４】
さらにまた本発明の特徴は、請求項１０に記載された６進数単位セルのＥ２２、Ｅ２３の合成エレメントセルを機能コードＢ”ｏとし、Ｂ’ｏ、Ｂ”ｏ、非エレメントＢｏを機能コードとした５進数エレメントセルの組み合わせを特徴とする。
【００４５】
さらにまた本発明の特徴は、図形又は文字を部分的にエレメントセルと非エレメントセルとに分割したコード構造とする請求項１、２におけるエレメントセルの組み合わせを特徴とする。
【００４６】
さらにまた本発明の特徴は、請求項１，２によるＥ１からＥｎの複数のエレメント及び合成された情報のためのエレメントを、色相又は濃度及び密度による光反射率の強弱構造とするエレメントセルの組み合わせを特徴とする。
【発明の効果】
【００４７】
本発明は高集積データを省スペースに記録し、認識を容易にしたことで検索、流通、管理、制御等の自動認識システムに広く応用、適用される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明を実施例と図面に基づいて説明する。図１−ＡはＥ１，Ｅ２の２種エレメントで表現したエレメントセルと非エレメントセルを表す概念図である。
【００４９】
Ｅ１エレメントセル１１とＥ２エレメントセル１２とでセルの数詞情報を表現し、Ｅ１エレメント１１とＥ２エレメント１２の合成１３を飽和エレメントセルＢｓとし非エレメントセル（スペース）１４を機能コードＢｏとする。
【００５０】
１３の合成された飽和エレメントセルＢｓはゼロ情報を表現するエレメントセルとし１４の非エレメントセル（スペース）Ｂｏは機能コードとする。
【００５１】
図２−ＡはＮ進法の各桁の基本数詞をベキ数で表示したＮ進法行列である（Ｎ倍で上位桁へ）。
【００５２】
図２−ＢはＮ進法の各桁の基本数詞を表示したＮ進法行列である（基本数詞１のＮ倍が上位桁の１）。
【００５３】
本発明のエレメントセルは、Ｎ進数の基本数詞１を基本エレメント情報とし、基本数詞の正又は負の任意の倍数数詞エレメント情報とエレメントの合成による数詞情報をＮ進数エレメントセル情報とする。
【００５４】
ゼロ情報は飽和エレメントセルＢｓで表現し、スペースは情報に流用した従来の方式と異なり非エレメントセルＢｏとし、機能コードとして活用することを特徴とする。
【００５５】
又複数のエレメントセルの組み合わせは、Ｎ進法の桁数及び位取りを表わすものである。
【００５６】
図１−Ｂの概念図はＥ１エレメント１１を基本数詞としＥ２エレメント１２を基本数詞の負の等倍数とすると、Ｅ１エレメント１１はセルの基本数詞の正価情報を、Ｅ２エレメント１２は基本数詞の負価情報とすることが出来る。合成エレメントセルＢｓ１３はゼロ情報を表現するエレメントセルとなり、非エレメントセルＢｏ１４は機能コードとするエレメントセルとなる。
【００５７】
このエレメントセルによって構成された２進法行列（図３−Ａ）では、従来のビット記録方式による冗長ビットや補数変換の手法によることなく、２進数セルの負数の情報をも表現する。
【００５８】
２進数エレメントセル情報とベキ数表示による桁数及び位取りの組み合わせは、図３−Ｂに示す通りである。
【００５９】
図３−Ｃの３進法行列の３進数エレメントセルは図１−Ｂに示した通り基本数詞の正及び負の２倍数詞情報を持たないので、２倍数詞情報の表現は隣接エレメントセルとの組み合わせ（２＝１０３−１，−２＝−１０３＋１）によって補完する。
【００６０】
図４−Ａ、図４−Ｂは図１−Ｃに示した通りＥ１エレメントを基本数詞とし、Ｅ２エレメントを基本数詞の２倍数詞とした３進数エレメントセル情報と桁数及び位取りの組み合わせを例示したものである。
【００６１】
非エレメンセルＢｏ１４の機能コードをエレメントセル間のトリガー機能とする実施例（機能１）を図１６によって説明する。
【００６２】
Ｅ１エレメント１１、Ｅ２エレメント１２又はＥ１エレメント１１とＥ２エレメント１２の合成（飽和）エレメントセルＢｓ１３によって表現されたエレメントセル間及び初項エレメントセル前、終項エレメントセル後に１４の非エレメントセルＢｏ１４を配置した。
【００６３】
エレメントセルの組み合わせ（図１６）は情報を表現するエレメントセル間に非エレメントセルＢｏ１４が配置されてエレメントセルの接続しないエレメントセルの組み合わせとなり、機能コードＢｏ１４をエレメントセル間のトリガー機能とすることでＥ１エレメント１１、Ｅ２エレメント１２、Ｅ１エレメント１１とＥ２エレメント１２の合成による飽和エレメントセルＢｓ１３に寸法のバラツキや多少のズレがあっても認識方法を容易とする。
【００６４】
従ってエレメントセル１７２、１７４、１７６、１７８の前後は非エレメントセルＢｏ１４からなり、従来のスペースを符合とするコード方式で必要とされたスタート、エンド、単位モジュール指示等の冗長図形や冗長コードが省略される。
【００６５】
エレメントセル１１、１２、１３とエレメントセル間に付加された非エレメントセルＢｏ１４には相関する寸法関係がなく、エレメントセル追記によるコード変更を可能にし、コード媒体の変形に対処した認識も容易になり、伸縮差の大きい繊維やシュリンクフィルム等の媒体へのエレメントセル情報記録を可能とした。
【００６６】
非エレメントセルＢｏ１４を機能２とする前エレメントセル指示機能コード及び終了指示符号を図１７、１８によって説明する。
【００６７】
エレメントセル記録密度を２倍にし、セル間の非エレメントセルＢｏ１４を省略したエレメントセルの連続列の構造では、多数の同種エレメントセルの連続表示がなされる。
【００６８】
図１７−Ａは奇数個の同種エレメントセルが１８１、１８２、１８３と隣接表示されたエレメントセルの連続組み合わせの部分図である。
【００６９】
従来のスペースを符合とするコード方法では、連続された同種符号は時間的測定又は指定された方式によるカウントで単位モジュールを認識する。
【００７０】
本発明では非エレメントセルＢｏ１４の機能コードを前エレメントセル指示機能コードとし、図１７−Ａのエレメントセル１８１の次の同種エレメントセル１８２を非エレメントセルＢｏ１４に変換表示した図１７−Ｂとすることで、同種エレメントセルの連続がないエレメントセルの組み合わせとなり時間測定やカウントを必要としない容易な認識方法となる。
【００７１】
図１８−Ａの偶数個の同種エレメントセルが１９１、１９２、１９３、１９４と隣接表示されたエレメントセルの連続組み合わせでは、１９１エレメントセルの次位１９２エレメントセル及び１９３エレメントセルの次位１９４エレメントセルを前エレメントセル指示機能コードとする非エレメントセルＢｏ１４に変換表示した図１８−Ｂとすることで同種エレメントの連続した組み合わせを排除する。
【００７２】
但し、１９４エレメントセルがエレメントセル組み合わせ行列の最終に位置するときは、予め定められたエレメントセル終了指示符号１９６を付加する。
【００７３】
図５はセル情報を表現するＥ２１エレメント２１、Ｅ２２エレメント２２、Ｅ２３エレメント２３と合成エレメント２４、飽和エレメントＢｓ２５と非エレメントＢｏ１４を示す概念図である。
【００７４】
単位モジュールを多進数エレメントセルとし、３個のエレメントＥ２１、Ｅ２２及びＥ２３でセル表現するとき、個々のエレメントによるエレメントセルは３種類のセル数詞情報となる。
【００７５】
セル数詞情報は、Ｅ２１エレメントセル、Ｅ２２エレメントセル、Ｅ２３エレメントセル及び２種エレメントの合成による合成エレメントセル２４によって表現される。
【００７６】
合成エレメントセルで数詞情報を補完することを数詞補完、数詞補完するエレメントの合成によるエレメントセルを数詞補完エレメントセル（図８−Ｂ）とする。
【００７７】
単位モジュールが５進数エレメントセルとなる図６、図７の例により説明する。
【００７８】
図７に示すＥ２１エレメント２１を基本数詞、Ｅ２２エレメント２２を基本数詞の２倍数、Ｅ２３エレメント２３を基本数詞の３倍数とする５進数エレメントセルでは、Ｅ２１を数詞１、Ｅ２２を数詞２、Ｅ２３を数詞３とするエレメントセル情報及びＥ２１エレメント２１とＥ２３エレメント２３の合成による合成エレメントセル４５が数詞４のエレメントセル情報を表わし、Ｅ２１エレメントとＥ２２エレメントの合成エレメントセル４４をＢ’ｏ、Ｅ２２エレメントとＥ２３エレメントの合成エレメントセル４６をＢ”ｏとし機能コードとする。
【００７９】
非エレメントセル（スペース）Ｂｏ並びに機能エレメントセルＢ’ｏ、Ｂ”ｏの組み合わせによる暗号アルゴリズムを持った秘匿性の高いセキュリティ機能エレメントセルの組み合わせが特徴となる。
【００８０】
図８に示す正負の数詞情報を表現する４進数のエレメントセルを図８−Ｂで説明する。Ｅ２１エレメント２１を基本数詞、Ｅ２２エレメント２２を基本数詞の２倍数、Ｅ２３エレメント２３を基本数詞の負の３倍数とし、２個のエレメントの合成４４、４５、４６で他の倍数数詞情報を補完する。３個のエレメントの合成２５を飽和エレメントセルＢｓ、１４を非エレメントセルをＢｏとする。
【００８１】
図８−Ａは正負の４進法行列のエレメントセル情報を示したものであるが、Ｅ２１エレメント、Ｅ２２エレメントを負、Ｅ２３エレメントを正と、エレメント数詞の正負符号を変えてもエレメントセルは同様の情報表現機能を持つ。非エレメントセルＢｏは機能コードとする。
【００８２】
図９−Ｂに示す６進数エレメントセルはＥ２１エレメント２１を基本数詞、Ｅ２２エレメント２２を基本数詞の２倍数、Ｅ２３エレメント２３を基本数詞の３倍数とするとき、Ｅ２１エレメント２１とＥ２２エレメント２２との合成エレメントセル４４は、Ｅ２３エレメントセル２３と同じ数詞情報となるので、この合成エレメントセル４４は機能コードＢ’ｏとし、非エレメントセルＢｏと同様、機能コードとすることも可能である。
【００８３】
図９−Ａは６進法行列のエレメントセル情報を例示したものである。
【００８４】
図１０、図１１は図５の概念図によって表現可能な最大進数エレメントセル情報を単位モジュールとする７進法行列のエレメントセル情報を例示したものである。
【００８５】
図１２は４個のエレメントＥ５１、Ｅ５２、Ｅ５３、Ｅ５４による４種類のエレメントセル情報、２個のエレメントの組み合わせによる合成エレメント６種類のエレメントセル情報、３個のエレメントの組み合わせによる合成エレメント４種類のエレメントセル情報、４個のエレメントの合成による飽和エレメントセルＢｓと非エレメントセルＢｏを示した概念図である。
【００８６】
４個のエレメントＥ５１、Ｅ５２、Ｅ５３、Ｅ５４では、４種類のエレメントセル情報５１、５２、５３、５４、Ｅ５１〜Ｅ５４の任意の２個のエレメントの組み合わせによる合成エレメントは５５、５６、５７、５８、５９、６０の６種類のエレメントセル情報、Ｅ５１〜Ｅ５４の任意の３個のエレメントの組み合わせによる合成エレメントは５１１、５１２、５１３、５１４の４種類のエレメントセル情報、Ｅ５１〜Ｅ５４の全ての４個のエレメントの合成５１５の飽和エレメントセルＢｓによる１５種類のエレメントセル情報を表現する。
【００８７】
図１３、図１４は図１２の概念図による最大の１５進数エレメントセルによる１５進法行列のエレメントセル情報を例示したものである。
【００８８】
従来のビット単位の拡大では４ビット（１／２バイト）を１６進数とするが、本発明の１５進数エレメントセルの利用は６０進法からなる時間、周期の記録と演算を容易にする。
【００８９】
２進法の２進数表示単位桁数をビット（ｂｉｔ）で表現するが、３進法の３進数単位桁数をビットスリー（Ｂｉｔ３）で表現し同じ桁数（ｂｉｔとｂｉｔ３）の記録を比較すると、図１５のデータボリュームの比較表が示す通り、ビット桁数又はバイト数（４桁単位）が増加されるとデータ倍率が驚異的な数字となり、２進ビット単位記録方式にくらべ３進ビット単位記録方式の方がはるかに莫大なデータ量となる。
【００９０】
本発明は、Ｅ１からＥｎの複数のエレメントで記録されたエレメントセルの周囲に非エレメントセルＢｏを配置した構造（図１９−Ａ）であり、かつこれらのエレメントセル（情報）、非エレメントセルＢｏ（機能）とを図１９−Ｂに示すマトリックス状に配置すればこれらの情報をＣＣＤ（電荷結合素子）撮像によっても容易に認識することが可能である。
【００９１】
さらに又、本発明の特徴は、自由なサイズと自由な形状のエレメントセル、非エレメントセルを交互に配置することだけを必須条件とするものであるため図１９−Ｃに例示する様に目視文字、図形等で情報を表現することが可能である。
【００９２】
さらに本発明の特徴は、自由なサイズと自由な形状のエレメント、非エレメントで構成することが出来るため、当該エレメント、非エレメントを用いて情報を任意の形状にすることができる（図１９−Ｄ）目視による人間のための言語とコンピュータのための情報言語とを同時に表現することが出来、システムの応用分野が著しく多様化される。
【００９３】
図２０に示す図形又は文字を部分的にエレメントセル部位と非エレメントセルＢｏ部位とに分割したコード構造とする事で目視言語とコンピュータ言語を簡易に合体させることを可能とする。しかも安価なペンタイプセンサーによる簡易で操作性にすぐれたスキャンニングを可能にし、２種言語を並記しない省スペース記録方式となる。
【００９４】
図１のＥ１エレメントをマゼンタ、Ｅ２エレメントをシアンとする階調のない２種カラーエレメントからなる３進数セル符号行列は図２１の複眼受光ユニットによる減法混色の光電効果でエレメントセル情報が簡易に認識される。
【００９５】
図２１は２種類の色相エレメント（Ｅ１、Ｅ２）による２進数エレメントセル又は３進数エレメントセル並びに非エレメントセルＢｏからなるエレメントセル情報によるデータシートの減法混色法による簡易複眼認識システムに関する構成図である。
【００９６】
複眼認識システムは一個の白色ＬＥＤ発光素子と、マゼンタフィルター付フォトトランジスター（ＰＨＯＴＯ−Ｔｒ１）並びにシアンフィルター付フォトトラントランジスター（ＰＨＯＴＯ−Ｔｒ２）の２個の受光素子構造とし、受光素子各々の光電効果を２値化する。
【００９７】
図２２は受光素子各々の光電効果のアナログデータを閾値の設定によって２値データとする模式図である。
【００９８】
マゼンタ（Ｅ１エレメント）、シアン（Ｅ２エレメント）の反射光の同色色相フィルター透過光は単色光となり、異色色相フィルター透過では減法混色で混色光となる。
【００９９】
ブルーバイオレット（合成エレメントＢｓ）の反射光の色相フィルター透過は混色光となり、非エレメント（Ｂｏ）の反射光の色相フィルターの透過光は透過フィルター色の単色光となる。単色光、混色光の光電効果のアナログデータを各々の回路に定められた閾値による２値データを倫理積（ＡＮＤ回路）でエレメントセルと非エレメントセルを識別し、エレメントセル情報を出力する。
【０１００】
更に図２３に示す通り、データの組み合わせで３進数（Ｂｉｔ３）エレメントセル情報とする。図２４はフィルター透過による加法混色法による補色データの抽出をグリーンフィルター及びレッドフィルター透過の例で示したものである（本方式は印刷用カラー分解、ＣＣＤカラー撮像等広く使用されている公知の技術である）。
【０１０１】
カラーＣＣＤの撮像画素はエレメントセル群と非エレメントセル群が規則的に配置されており、本発明のエレメントセル情報は容易な情報変換アルゴリズムによって解析される。
【０１０２】
図２５はセルエレメントを濃度（階調又は分布密度）によって記録される３進数エレメントセルを例示したものである。
【０１０３】
Ｅ１対Ｅ２対Ｂｓの濃度比率を１／３対２／３対３／３とし、Ｅ１エレメントで基本数詞情報を、Ｅ２エレメントで基本数詞の２倍数情報を、Ｅ１エレメントとＥ２エレメントの合成エレメントＢｓでゼロ情報を表わす。
【０１０４】
この方式によるエレメントセル情報の認識は１組の発光、受光素子で実施し、受光された光電効果を図２６に例示されている３点の閾値で４段階のレベルに分類して、エレメントセル情報（０、１、２）と非エレメントセル情報を判別する。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の概念説明図
【図２】一般の進数行列
【図３】正、負の２進法、３進法行列のエレメントセル情報
【図４】正の３進法行列のエレメントセル情報
【図５】３エレメントと合成エレメント及び非エレメントの概念図
【図６】正の５進法行列のエレメントセル情報
【図７】３エレメントによるエレメントセルと非エレメントセル及び３エレメントセルの合成図
【図８】正、負の４進法行列のエレメントセル情報及びその概念説明図
【図９】正の６進法行列のエレメントセル情報及びその概念図
【図１０】正の７進法行列のエレメントセル情報
【図１１】正、負の７進法行列のエレメントセル情報
【図１２】４エレメントとによるエレメントセル及び非エレメントセルの概念図
【図１３】正の１５進法行列のエレメントセル情報
【図１４】正、負の１５進法行列のエレメントセル情報
【図１５】ｂｉｔとＢｉｔ３のデータボリューム比較表
【図１６】非エレメントセルＢｏをトリガー機能とする組合せ（機能１）
【図１７】非エレメントセルＢｏを前エレメントセル指示機能とする組合せ（パート１）
【図１８】非エレメントセルＢｏを前エレメントセル指示機能とする組合せ（パート２）
【図１９】デザインコード及びコードデザインの例示図
【図２０】図形又は文字の分割コード構造
【図２１】複眼受光認識システム図
【図２２】反射色光のフィルター透過による単色、混色の閾値（２値データ）の概念説明図
【図２３】複眼認識データと３進数エレメントセル情報の関係図
【図２４】加法混色法によるエレメントセルの認識説明図
【図２５】濃度又は密度による光反射率の強弱構造のエレメントセルの概念説明図
【図２６】図２５の認識閾値と光電効果レベルの関係を表す説明図
【符号の説明】
【０１０６】
１１     Ｅ１エレメントセル
１２     Ｅ２エレメントセル
１３     飽和エレメントセルＢｓ
１４     非エレメントセルＢｏ
２１     Ｅ２１エレメントセル
２２     Ｅ２２エレメントセル
２３     Ｅ２３エレメントセル
２４     合成エレメントセル
２５     飽和エレメントセルＢｓ
４４     合成エレメントセル
１７２   エレメントセル
１９６   エレメントセル終了指示符号
【図１】
2007188542.tif 000003
【図２】
2007188542.tif 000004
【図３】
2007188542.tif 000005
【図４】
2007188542.tif 000006
【図５】
2007188542.tif 000007
【図６】
2007188542.tif 000008
【図７】
2007188542.tif 000009
【図８】
2007188542.tif 000010
【図９】
2007188542.tif 000011
【図１０】
2007188542.tif 000012
【図１１】
2007188542.tif 000013
【図１２】
2007188542.tif 000014
【図１３】
2007188542.tif 000015
【図１４】
2007188542.tif 000016
【図１５】
2007188542.tif 000017
【図１６】
2007188542.tif 000018
【図１７】
2007188542.tif 000019
【図１８】
2007188542.tif 000020
【図１９】
2007188542.tif 000021
【図２０】
2007188542.tif 000022
【図２１】
2007188542.tif 000023
【図２２】
2007188542.tif 000024
【図２３】
2007188542.tif 000025
【図２４】
2007188542.tif 000026
【図２５】
2007188542.tif 000027
【図２６】
2007188542.tif 000028
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を、Ｅ１ からＥｎのいずれか１個から成るエレメントセル、もしくは、Ｅ１ からＥｎのいずれか２種以上を合成して成る合成エレメントセル、で表現し、
前記エレメントセル及び前記合成エレメントセル以外の領域である非エレメントセルに、前記情報を読み取る際の機能又はエレメントセルを指示する機能が割り当てられており、
前記合成エレメントセルの１組を飽和エレメントセルＢｓとし、他の１組を機能エレメントセルＢ’ｏとし、非エレメントセルをＢｏとし、前記飽和エレメントセルＢｓをゼロ情報、前記機能エレメントセルＢ’ｏ及び前記非エレメントセルＢｏに前記情報を読み取る際の機能又はエレメントセルを指示する機能が割り当てられていることを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項２】
７進数の単位セルの基本数詞をＥ２１ エレメントセルとし、基本数詞の２倍数をＥ２２ エレメントセルとし、基本数詞の４倍数をＥ２３ エレメントセルとするＥ２１、Ｅ２２ 、Ｅ２３エレメントセルで表現を行い、Ｅ２１、Ｅ２２ 、Ｅ２３の全エレメントセルで合成されたエレメントセルを飽和エレメントセルＢｓとし、非エレメントセルをＢｏとし、Ｅ２１、Ｅ２２ 、Ｅ２３及び２種エレメントの合成でセル数詞情報を、飽和エレメントＢｓでゼロ情報を表現し、非エレメントセルＢｏに前記情報を読み取る際の機能又はエレメントセルを指示する機能が割り当てられていることを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項３】
請求項２に記載されたＥ２３ エレメントセルを基本数詞の負の３倍数としたことを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項４】
６進数の単位セルの基本数詞をＥ２１ エレメントセルとし、基本数詞の２倍数をＥ２２エレメントセルとし、基本数詞の３倍数をＥ２３ エレメントセルとし、Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３の全エレメントセルで合成されたエレメントセルを飽和エレメントセルＢｓとし、Ｅ２１とＥ２２の合成エレメントセルをＢ’ｏとし、非エレメントセルをＢｏとしたエレメントセルの組み合わせにおいて、Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３及びＢ’ｏを除く２種エレメントの組み合わせでセル数詞情報を、飽和エレメントセルＢｓでゼロ情報を表現し、エレメントセルＢ’ｏ及び非エレメントセルＢｏに前記情報を読み取る際の機能又はエレメントセルを指示する機能が割り当てられていることを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項５】
請求項４に記載されたＥ２１、Ｅ２２の合成エレメントセルでゼロ情報を表現し、前記飽和エレメントセルＢｓに前記情報を読み取る際の機能又はエレメントセルを指示する機能が割り当てられていることを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項６】
請求項４に記載された６進数単位セルのＥ２２、Ｅ２３の合成エレメントセルに前記情報を読み取る際の機能又はエレメントセルを指示する機能を表わす機能コードＢ”ｏとし、
Ｂ’ｏ、Ｂ”ｏ、非エレメントＢｏも、前記情報を読み取る際の機能又はエレメントセルを指示する機能を表わす機能コードとする、５進数エレメントセルの組み合わせを特徴とする認識コード及び認識コードシート。
【請求項７】
情報を、Ｅ１ からＥｎのいずれか１個から成るエレメントセル、もしくは、Ｅ１ からＥｎのいずれか２種以上を合成して成る合成エレメントセル、で表現し、前記エレメントセル及び前記合成エレメントセル以外の領域である非エレメントセルに、
前記情報を読み取る際の機能又はエレメントセルを指示する機能が割り当てられており、
前記エレメントセル又は前記合成エレメントセルの一つをゼロ情報とし、
さらに、図形又は文字を部分的に前記エレメントセルと前記非エレメントセルとに分割したコード構造としたエレメントセルの組み合わせを特徴とする認識コード及び認識コードシート。