(57)【要約】【課題】弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタの耐熱性を向上させて耐電力性を向上させる。【解決手段】ＳＡＷフィルタは、基板と、この基板の表面に形成されたＳＡＷ共振子９０Ｓ１と、基板の表面にＳＡＷ共振子９０Ｓ１よりも厚く形成され、そのＳＡＷ共振子９０Ｓ１と接続された接続パターン９４と、基板の表面に形成され、接続パターン９４と接続されたボンディングパッドと、このボンディングパッド上に形成されたフェースダウン接続用のバンプとを有している。又、ボンディングパッドは、ＳＡＷ共振子９０Ｓ１よりも厚く形成されている。そのため、各ＳＡＷ共振子９０Ｓ１の振動により基板に発生した熱は、厚い膜の接続パターン９４及びボンディングパッドを伝わって逃げるので、放熱効果が向上し、各ＳＡＷ共振子９０Ｓ１での温度上昇を抑えることができる。【選択図】図２２
2007068231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に形成された弾性表面波共振子と、
前記表面に前記弾性表面波共振子よりも厚く形成され、前記弾性表面波共振子と接続された接続パターンと、
前記表面に形成され、前記接続パターンと接続されたボンディングパッドと、
前記ボンディングパッド上に形成されたフェースダウン接続用のバンプとを有することを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
前記ボンディングパッドは、前記弾性表面波共振子よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
弾性表面波フィルタがフェースダウン接続により搭載された弾性表面波フィルタパッケージにおいて、
前記弾性表面波フィルタは、
基板と、
前記基板の表面に形成された弾性表面波共振子と、
前記表面に前記弾性表面波共振子よりも厚く形成され、前記弾性表面波共振子と接続された接続パターンと、
前記表面に形成され、前記接続パターンと接続されたボンディングパッドと、
前記ボンディングパッド上に形成されたバンプとを有することを特徴とする弾性表面波フィルタパッケージ。
【請求項４】
前記弾性表面波フィルタの前記ボンディングパッドは、前記弾性表面波共振子よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項３記載の弾性表面波フィルタパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電体或いは強誘電体等の基板に電極が形成された１端子対の弾性表面波（以下、ＳＡＷという）共振子を多段の梯型等に接続したＳＡＷフィルタ、及びＳＡＷフィルタパッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＳＡＷ共振子を用いたＳＡＷフィルタに関する技術としては、例えば次のような文献に記載されるものがあった。
【０００３】
【非特許文献１】電子情報通信学会論文誌Ａ、Ｊ７６−Ａ  ［２］（１９９３−２）、佐藤他著“ＳＡＷ共振器を用いた低損失帯域フィルタ”Ｐ．２４５−２５２
【非特許文献２】電子情報通信学会論文誌Ａ、Ｊ７６−Ａ  ［２］（１９９３−２）、疋田他著“移動無線通信機用ＳＡＷフィルタの実験”Ｐ．２３３−２４４
【非特許文献３】日本応用物理学会論文誌、３６［５Ｂ］（１９９７−５）、Noritoshi  Kimura他著、“The Power  Durability  of  900MHz  Band  Double-Mode-Type  Surface  Acoustic  Wave  Filters  and  Improvement  in  Power  Durability  of  Al-Cu  Thin  Film  Electrodes  by  Cu  Atom  Segregation”Ｐ．３１０１−３１０６
【０００４】
前記非特許文献１〜３には、ＳＡＷフィルタの構成及びＳＡＷフィルタの寿命等について記載されている。
【０００５】
図２は、前記非特許文献１〜３に示された従来のＳＡＷフィルタの基本構成を示す回路図、及び、図３は、図２の周波数特性を示す特性図である。
【０００６】
１端子対ＳＡＷ共振子を梯子型に接続したＳＡＷフィルタは、ＳＡＷ共振子１０を、図２のように直列腕のＳＡＷ共振子１０Ｓと並列腕のＳＡＷ共振子１０Ｐとに用い、これを梯子型に接続し、直列腕のＳＡＷ共振子１０Ｓの周波数特性１１により、フィルタの高域の減衰極１３を形成し、並列腕のＳＡＷ共振子１０Ｐの周波数特性１２により、フィルタの低域の減衰極１４を形成して帯域フィルタにしたものである。
【０００７】
図４は、図２のＳＡＷ共振子１０の要部を示す構成図であり、斜視図とＡ部分拡大図が示されている。
【０００８】
ＳＡＷ共振子１０は、基板１５に形成されてＳＡＷを送受するためのすだれ状電極（以下、ＩＤＴという）１６を持ち、この両側に、金属ストリップによるグレーティング反射器１７が配置されている。
【０００９】
定Ｋ型フィルタの理論から、直列腕のＳＡＷ共振子１０Ｓにおける共振周波数と並列腕のＳＡＷ共振子１０Ｐにおける反共振周波数とを一致させることにより、帯域フィルタが実現できる。通常、１段だけでは減衰量が不十分なため、例えば４段構成にする。
【００１０】
図５は、従来の４段構成の梯子型ＳＡＷフィルタの回路図、図６は、図５のＳＡＷフィルタの構成図、及び、図７は、図５のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す特性図である。
【００１１】
４段構成の梯子型ＳＡＷフィルタの場合、１段目の直列腕のＳＡＷ共振子１０ｓ１と、２段目の直列腕のＳＡＷ共振子１０ｓ２と、３段目の直列腕のＳＡＷ共振子１０ｓ３と、４段目の直列腕のＳＡＷ共振子１０ｓ４とが、全体の直列腕になっている。この直列腕に対して、１段目の並列腕のＳＡＷ共振子１０ｐ１と、２段目の並列腕のＳＡＷ共振子１０ｐ２と、３段目の並列腕のＳＡＷ共振子１０ｐ３と、４段目の並列腕のＳＡＷ共振子１０ｐ４とが、梯子型に接続されている。
【００１２】
図８は、従来のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
図５のＳＡＷフィルタは、例えば図８（ａ）〜（ｅ）の工程を経て製造される。
【００１３】
先ず、図８（ａ）の工程では、例えば、結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ３単結晶基板１５を用意し、該基板１５のパターン形成予定面にレジスト１８をスピンコートで塗布する。図８（ｂ）の工程において、レジスト１８が塗布された基板１５に対して光学マスク１９を設定し、光２０で露光することにより、レジスト１８にＳＡＷフィルタのパターンを転写する。図８（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト１８を選択的に除去する。図８（ｄ）の工程において、不要なレジスト１８が除去された基板１５の上側全面に、ＳＡＷ共振子１０のＩＤＴ１６となる電極金属のアルミニウム（Ａｌ）薄膜２１を蒸着する。図８（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いて、Ａｌ薄膜２１の不要な部分をレジスト１８と共に除去する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、従来の図６のＳＡＷフィルタでは、次のような課題があった。
直列腕のＳＡＷ共振子１０Ｓ１〜１０Ｓ４及び並列腕のＳＡＷ共振子１０Ｐ１〜１０Ｐ４がいずれも定在波を利用するために、エネルギー密度が高く、トランスバーサル型フィルタと比較すると、耐電力的に厳しくなる。又、ＳＡＷを利用するので、波のエネルギーが基板１５の表面から１波長以内の領域にそのエネルギーが集中する。つまり、エネルギー密度が高くなる。このことは、近年の携帯電話用アンテナ共用器（デュープレクサ）等のように、ワットオーダの入力電力がある場合に、特に厳しくなる。
【００１５】
ＳＡＷデバイスに大きな電力が入力されると、ＳＡＷの送受を行うＩＤＴ１６に強い繰り返し応力が加わるので、電極金属Ａｌにマイグレレーシュンが発生したり、発熱したりする。この対策として、現在では、電極金属であるＡｌに、銅（Ｃｕ）やチタン（Ｔｉ）を添加し、ＩＤＴ１６における耐ストレスマイグレーション性や耐エレクトロマイグレーション性を向上させて耐電力を向上させている。ところが、このように耐電力を向上させようとすると、添加する金属を増加させなければならず、添加する金属がＡｌ中で偏在したり、エッチングのときに該添加金属が残ってしまったり、抵抗値が上昇するという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のＳＡＷフィルタは、基板と、前記基板の表面に形成されたＳＡＷ共振子と、前記表面に前記ＳＡＷ共振子よりも厚く形成され、前記ＳＡＷ共振子と接続された接続パターンと、前記表面に形成され、前記接続パターンと接続されたボンディングパッドと、前記ボンディングパッド上に形成されたフェースダウン接続用のバンプとを有している。
【００１７】
本発明のＳＡＷフィルタパッケージでは、前記ＳＡＷフィルタがフェースダウン接続により搭載されている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、接続パターンを、ＳＡＷ共振子の電極の厚さよりも厚い膜で形成したので、ＳＡＷ共振子の振動で発生した熱が該膜を伝わって逃げ、そのため、放熱効果が向上し、各ＳＡＷ共振子での温度上昇を抑えることができる。これにより、耐熱性が向上して耐電力が向上すると共に、温度上昇による周波数変化を抑制できる。しかも、放熱効果を上げるために、接続パターン等を広げる必要がないので、チップサイズの大型化を抑制できると共に、寄生容量の増加を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
ＳＡＷフィルタは、基板と、前記基板の表面に形成されたＳＡＷ共振子と、前記表面に前記ＳＡＷ共振子よりも厚く形成され、前記ＳＡＷ共振子と接続された接続パターンと、前記表面に形成され、前記接続パターンと接続されたボンディングパッドと、前記ボンディングパッド上に形成されたフェースダウン接続用のバンプとを有している。
【００２０】
本発明のＳＡＷフィルタパッケージは、前記ＳＡＷフィルタがフェースダウン接続により搭載されている。
【００２１】
前記ＳＡＷフィルタのボンディングパッドは、前記ＳＡＷ共振子よりも厚く形成されている。
【実施例１】
【００２２】
図９は、本発明の実施例１を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図１０は、図９中のＳＡＷ共振子３０s1の構成を示す斜視図である。
【００２３】
実施例１の梯子型ＳＡＷフィルタは、耐電力の特に発熱に着目し、梯子型ＳＡＷフィルタにおける各ＳＡＷ共振子間を接続するパターン、ＳＡＷ共振子とボンディングパッドとの間を接続する接続パターン及び該ボンディングパッドに、例えば熱伝導率のよいＡｕ（金）等を蒸着することにより、発熱の大きい共振子で発生した熱を後段の発熱の小さい共振子及び外部回路に逃がし、耐熱性を向上させ、耐電力を向上させたものである。特に、発熱によって電極のマイグレーションが加速されるという報告もあるので、発生した熱を分散・放熱させて耐熱性を向上することは、重要である。
【００２４】
図９の梯子型ＳＡＷフィルタは、従来の図５のＳＡＷフィルタと同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子３０s1，３０s2，３０s3，３０s4，３０p1，３０p2，３０p3，３０p4と、入力ボンディングパッド３１と、出力ボンディングパッド３２と、複数のアースボンディングパッド３３とを備えている。
【００２５】
ＳＡＷ共振子３０s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子３０p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０p4が４段目の並列腕の共振子である。
【００２６】
ＳＡＷ共振子３０s1は、図１０に示すように、基板３５上にＡｌ或いはＡｌ合金で形成されたＩＤＴ３０ａ及び該ＩＤＴ３０ａの両側に形成された反射器３０ｂ，３０ｃを有している。ＳＡＷ共振子３０s2〜３０s4，３０p1〜３０p4も、同様のＩＤＴ３０ａ及び反射器３０ｂ，３０ｃを有している。
【００２７】
各ＳＡＷ共振子３０s1〜３０s4，３０p1〜３０p4の間、ＳＡＷ共振子３０s1と入力ボンディングパッド３１との間、ＳＡＷ共振子３０s4と出力ボンディングパッド３２との間、及び各ＳＡＷ共振子３０p1〜３０p4とアースボンディングパッド３３との間が、接続パターン３４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。
【００２８】
図１は、図９及び図１０における実施例１を示す梯子形ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図１０のＢ部分拡大斜視図が示されている。
【００２９】
各ボンディングパッド３１〜３３及び接続パターン３４は、基板３５上に形成されたＡｌ或いはＡｌ合金の膜３６と、前記耐熱性の向上のために、その上に蒸着された例えばＡｕの放熱用の膜３７とで構成されている。
【００３０】
図１１（ａ）〜（ｉ）は、図１のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【００３１】
図９のＳＡＷフィルタは、図１１（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。
【００３２】
まず、図１１（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ3 単結晶基板３５を用意し、該基板３５のＡＷ共振子形成予定面にレジスト３８をスピンコートで塗布する。図１１（ｂ）の工程において、レジスト３８が塗布された基板３５に対して光学マスク３９を設定し、光４０で露光することにより、レジスト３８に、ＳＡＷ共振子３０s1〜３０s4，３０p1〜３０p4、ボンディングパッド３１〜３３及び接続パターン３４のパターンが転写される。図１１（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト３８を選択的に除去し、図１１（ｄ）の工程において、不要なレジスト３８が除去された基板３５の上側全面にＡｌ薄膜４１を蒸着する。図１１（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト３８及びＡＬ薄膜４１を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子３０s1〜３０s4，３０p1〜３０p4、ボンディングパッド３１〜３３及び接続パターン３４の膜３６が、基板３５上に形成される。
【００３３】
図１１（ｆ）の工程において、基板３５のＳＡＷフィルタ３０s1〜３０s4，３０p1〜３０p4等が形成された面上に、再びレジスト４２を塗布する。図１１（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、膜３７のパターン転写を行い、その後の現像で、不要なレジスト４２を除去してＡｌ薄膜４１の表面を露出させる。
【００３４】
図１１（ｈ）の工程において、Ａｌ薄膜４１の表面が露出した基板３５の上側全面に、膜３７となるＡｕ薄膜４３を蒸着する。図１１（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な薄膜４３をレジスト４２と共に除去する。以上により、膜３７が、ボンディングパッド３１〜３３及び膜３６の上に形成される。
【００３５】
次に、図９のＳＡＷフィルタの動作を説明する。
入力ボンディングパッド３１に図示しないボンディングワイヤを介して信号が印加されると、直列腕ＳＡＷ共振子３０s1〜３０s4には電力が通過し、かつ、最初の段になるほど大きな電力がかかる。これは、後段になるほど、途中のＳＡＷ共振子で電力が減衰するためである。つまり、直列腕ＳＡＷ共振子３０s1に一番大きな電力がかかり、該直列腕ＳＡＷ共振子３０s1の発熱量が一番おおきくなって、耐電力的に一番厳しくなる。そこで、直列腕ＳＡＷ共振子３０s1の耐電力を説明する。
【００３６】
入力ボンディングパッド３１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子３０s1に入り、直列腕ＳＡＷ共振子３０s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子３０s2と１段目及び２段目の並列腕ＳＡＷ共振子３０p1，３０p2とに入力される。
【００３７】
１段目の直列腕ＳＡＷ共振子３０s1に入力された電力により、該直列腕ＳＡＷ共振子３０s1が振動し、基板３５における共振子３０s1の下の１波長以内の領域にはＳＡＷの定在波が発生し、それによって発熱する。
【００３８】
直列腕ＳＡＷ共振子３０s1で発生した熱は、図９に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。
【００３９】
放熱ルートＲ１は、直列腕ＳＡＷ共振子３０s1の入力側電極指からパターン３４を伝わり、ボンディングパッド３１及びボンディングワイヤを通って外部回路へ伝わるルートである。放熱ルートＲ２は、直列腕ＳＡＷ共振子３０s1の出力側電極指からパターン３４を伝わり、直列腕ＳＡＷ共振子３０s2と並列腕ＳＡＷ共振子３０p1，３０p2とに伝わるルートである。放熱ルートＲ３は、直列腕ＳＡＷ共振子３０s1の入力側電極指からボンディングパッド３１に至るパターン３４から、基板３５の結晶中に伝わるルートである。放熱ルートＲ４は、直列腕ＳＡＷ
共振子３０s1の出力側電極指から直列腕ＳＡＷ共振子３０s2及び並列腕ＳＡＷ共振子３０p1，３０p2にいたるパターン３４から、基板３５の結晶中に伝わるルートである。放熱ルートＲ５は、基板３５における直列腕ＳＡＷ共振子３０s1の下側の、深さが１波長以下の領域で発生した熱が、該基板３５の横方向及び深さ方向へ伝わるルートである。
【００４０】
この実施例１のＳＡＷフィルタでは、ボンディングパッド３１〜３３と接続パターン３４の膜３６の上に、Ａｕの放熱用の膜３７を形成している。Ａｌ、Ａｕ、ＬｉＴａＯ3 の熱伝導率は、それぞれ２３７，３１５，４．２［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］なので、放熱ルートＲ１〜Ｒ４での放熱効果が著しく向上し、結果的に耐熱性が向上して耐電力が向上する。
【００４１】
例えば、９００ＭＨｚ携帯電話の周波数帯域で、Ａｌ薄膜４１の膜厚比（＝膜厚Ｈ／周波数λ）を１１％、Ａｕ薄膜４３の膜厚比を５％とし、直列腕ＳＡＷ共振子３０s1とボンディングパッド３１との間のパターン３４と、直列腕ＳＡＷ共振子３０s1と直列腕ＳＡＷ共振子３０s2及び並列腕ＳＡＷ共振子３０p1との間のパターン３４との上のみに放熱用膜３７を形成した簡単なもので評価をしても、６％の温度低下が見られた。
【００４２】
よって、基板３５の表面近傍で発生した熱を、熱伝導率がよくない結晶内部からではなく、表面の膜３７を通じて早く放熱する。
【００４３】
以上のように、この実施例１では、接続パターン３４の上及びボンディングパッド３１〜３３の上に放熱用膜３７を形成して放熱性を改善したので、次のような利点を持つＳＡＷフィルタが得られる。
【００４４】
（１）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。
（２）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
（３）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
（４）  膜３６の上にＡｕが蒸着されるので、該膜３６の膜はがれが防止できる。
（５）  膜３６の上にＡｕが蒸着されるので、該接続パターン３４の電気抵抗が下がる。
（６）  各ＳＡＷ共振子３０s2〜３０s4，３０p1〜３０p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
（７）  電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
（８）  放熱効果を上げるために、接続パターン、ボンディングパッドを広げる必要がなく、チップサイズを大きくしないですむ。
（９）  放熱効果を上げるために、接続パターン、ボンディングパッドを広げる必要がなく、寄生容量が増加しない。
【実施例２】
【００４５】
図１２は、本発明の実施例２を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図１３は、図１２中のＳＡＷ共振子５０s1の構成を示す斜視図である。
【００４６】
この梯子型ＳＡＷフィルタは、実施例１を示す図９と同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子５０s1〜５０s4，５０p1〜５０p4と、入力ボンディングパッド５１と、出力ボンディングパッド５２と、複数のアースボンディングパッド５３とを備えている。
【００４７】
ＳＡＷ共振子５０s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子５０p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０p4が４段目の並列腕の共振子である。
【００４８】
ＳＡＷ共振子５０s1は、図１２に示すように、実施例１と同様のＩＤＴ５０ａ及び反射器５０ｂ，５０ｃを有している。ＳＡＷ共振子５０s2〜５０s4，５０p1〜５０p4も、同様のＩＤＴ５０ａ及び反射器５０ｂ，５０ｃを有している。
【００４９】
各ＳＡＷ共振子５０s1〜５０s4，５０p1〜５０p4の間、ＳＡＷ共振子５０s1と入力ボンディングパッド５１との間、ＳＡＷ共振子５０s4と出力ボンディングパッド５２との間、及び各ＳＡＷ共振子５０p1〜５０p4とアースボンディングパッド５３との間が、接続パターン５４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。
【００５０】
図１４は、図１２及び図１３における実施例２を示す梯子形ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図１３のＣ部分拡大斜視図が示されている。
【００５１】
実施例１では、接続パターン及びボンディングパッドの上に放熱用の膜を形成していたが、本実施例では、接続パターン５４及びボンディングパッド５１〜５３の下側と基板５５との間に放熱用の膜５６を形成している。即ち、放熱用の膜パターン５６の上に、ＡｌまたはＡｌ合金の膜５７が積層された構成になっている。
【００５２】
図１５（ａ）〜（ｉ）は、図１のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【００５３】
図１２のＳＡＷフィルタは、図１５（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。
【００５４】
まず、図１５（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ3 単結晶基板５５を用意し、該基板５５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト５８をスピンコートで塗布する。図１５（ｂ）の工程において、レジスト５８が塗布された基板５５に対して光学マスク５９を設定し、光６０で露光することにより、レジスト５８に、接続パターン５４の放熱用膜５６のパターンが転写される。図１５（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト５８を選択的に除去し、図１５（ｄ）の工程において、不要なレジスト５８が除去された基板５５の上側全面にＡｕ薄膜６１を蒸着する。図１５（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト５８及びＡｕ薄膜６１を除去する。ここまでの工程で、膜５６が基板５５上に形成される。
【００５５】
図１５（ｆ）の工程において、基板５５の放熱用の膜５６が形成された面上に、再びレジスト６２を塗布する。図１５（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、ＳＡＷ共振子５０s1〜５０s4，５０p1〜５０p4、ボンディングパッド５１〜５３及び膜５７のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト６２を除去する。Ａｕ薄膜６１の表面を露出させる。
【００５６】
図１５（ｈ）の工程において、Ａｕ薄膜６１の表面が露出した基板５５の上側全面に、ＳＡＷ共振子５０s1〜５０s4，５０p1〜５０p4、及び５７となるＡｌ薄膜６３を蒸着する。図１５（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な薄膜６３をレジスト６２と共に除去する。以上により、ＳＡＷ共振子５０s1〜５０s4，５０p1〜５０p4、ボンディングパッド５１〜５３及び接続パターン５４が、形成される。
【００５７】
次に、このＳＡＷフィルタの動作を、図１２中に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を参照して説明する。
【００５８】
この梯子型ＳＡＷフィルタにおいても、ボンディングパッド５１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子５０s1に入り、該直列腕ＳＡＷ共振子５０s1が振動することにより、熱が発生する。１段目の直列腕ＳＡＷ共振子５０s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子５０s2と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子５０p1と２段目の並列腕ＳＡＷ共振子５０p2とに入力される。
【００５９】
１段目の直列腕ＳＡＷ共振子５０s1で発生した熱は、実施例１と同様の放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。
【００６０】
ここで、この実施例２の梯子型ＳＡＷフィルタでは、接続パターン５４及びボンディングパッド５１〜５３において、放熱用の膜５６が形成されているので、実施例１と同様に、放熱ルートＲ１〜Ｒ４による放熱が、従来に比べて圧倒的によくなる。さらに、その放熱膜５６が直接基板５５に蒸着されているので、特に高周波で、接続パターン５４が細くかつ基板５５の結晶が厚い場合や、基板結晶が放熱性の悪いパッケージに固定されている場合、バンプ等で基板結晶がフェースダウンで接続され、基板結晶裏面からの放熱が期待できない時等には、非常に有効である。
【００６１】
以上のように、この実施例２では、接続パターン５４及びボンディングパッド５１〜５３の下側に放熱用の膜５６を形成して各ＳＡＷ共振子５０s1〜５０s4，５０p1〜５０p4における放熱を改善したので、次の（１１）から（１７）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。
【００６２】
（１１）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。
（１２）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
（１３）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
（１４）  ＡｌまたはＡＬ合金の膜５７の下にＡｕの放熱用の膜５６が蒸着されるので、該膜５６の膜はがれを防止できる。
（１５）  接続パターン５４の下にＡｕ薄膜６１が蒸着されるので、該接続パターン５４のオーミック抵抗が下がる。
（１６）  各ＳＡＷ共振子５０s1〜５０s4，５０p1〜５０p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
（１７）  電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
【実施例３】
【００６３】
図１６は、本発明の実施例３を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図１７は、図１６中のＳＡＷ共振子７０s1の構成を示す斜視図である。
【００６４】
この梯子型ＳＡＷフィルタは、実施例１を示す図９と同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4と、入力ボンディングパッド７１と、出力ボンディングパッド７２と、複数のアースボンディングパッド７３とを備えている。
【００６５】
ＳＡＷ共振子７０s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子７０p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０p4が４段目の並列腕の共振子である。
【００６６】
ＳＡＷ共振子７０s1は、図１７に示すように、実施例１と同様のＩＤＴ７０ａ及び反射器７０ｂ，７０ｃを有している。ＳＡＷ共振子７０s2〜７０s4，７０p1〜７０p4も、同様のＩＤＴ７０ａ及び反射器７０ｂ，７０ｃを有している。
【００６７】
各ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4の間、ＳＡＷ共振子７０s1と入力ボンディングパッド７１との間、ＳＡＷ共振子７０s4と出力ボンディングパッド７２との間、及び各ＳＡＷ共振子７０p1〜７０p4とアースボンディングパッド７３との間が、接続パターン７４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。
【００６８】
図１８は、図１６及び図１７における実施例３を示す梯子形ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図１７のＤ部分拡大図が示されている。
【００６９】
実施例１では、接続用パターン及びボンディングパッドの上側に放熱用の膜を形成していたが、本実施例では、これらの接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３を、放熱用の膜７６だけで形成している。
【００７０】
図１９（ａ）〜（ｉ）は、図１６のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【００７１】
図１６のＳＡＷフィルタは、図１９（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。
【００７２】
まず、図１９（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ3 単結晶基板７５を用意し、該基板７５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト７７をスピンコートで塗布する。図１９（ｂ）の工程において、レジスト７７が塗布された基板７５に対して光学マスク７８を設定し、光７９で露光することにより、レジスト７７に、共振子のパターンが転写される。図１９（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト７７を選択的に除去し、図１９（ｄ）の工程において、不要なレジスト７８が除去された基板７５の上側全面にＡｌ薄膜８０を蒸着する。図１９（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト７７及びＡｌ薄膜８０を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4が基板７５上に形成される。
【００７３】
図１９（ｆ）の工程において、基板７５のＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4が形成された面上に、再びレジスト８１を塗布する。図１９（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト８１を除去し、基板７５の表面とＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4の端部を露出させる。
【００７４】
図１９（ｈ）の工程において、基板７５の上側全面に、接続パターン７４となるＡｕ薄膜８２を蒸着する。図１９（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な薄膜８２をレジスト８１と共に除去する。以上により、接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３が、基板７５上に形成される。
【００７５】
次に、このＳＡＷフィルタの動作を、図１６中に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を参照して説明する。
【００７６】
この梯子型ＳＡＷフィルタにおいても、ボンディングパッド７１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子７０s1に入り、該直列腕ＳＡＷ共振子７０s1が振動することにより、熱が発生する。１段目の直列腕ＳＡＷ共振子７０s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子７０s2と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子７０p1と２段目の並列腕ＳＡＷ共振子７０p2とに入力される。
【００７７】
１段目の直列腕ＳＡＷ共振子７０s1で発生した熱は、実施例１と同様の放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。
【００７８】
ここで、この実施例３の梯子型ＳＡＷフィルタでは、信号伝送用パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３が、Ａｕ膜８２で形成されているので、実施例１と同様に、放熱ルートＲ１〜Ｒ４による放熱が、従来に比べて圧倒的によくなる。さらに、放熱ルートとなるＡｕ薄膜８２が、直接基板７５に蒸着されているので、特に高周波で、接続パターン７４が細くかつ基板７５の結晶が厚い場合や、基板結晶が放熱性の悪いパッケージに固定されている場合、バンプ等で結晶基板がフェースダウンで接続され、結晶基板の裏面からの放熱が期待できない時等には、非常に有効である。
【００７９】
以上のように、この実施例３では、接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３をＡｕ膜で形成して各ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4における放熱を改善したので、次の（２１）から（２８）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。
【００８０】
（２１）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。
（２２）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
（２３）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
（２４）  接続パターン７４がＡｕで構成されるので、デバイスのオーミック損失が低減できる。
（２５）  接続パターン７４は、Ａｕのみで蒸着・形成されるので、他の金属との密着不良により膜はがれがなくなると共に、Ａｌ中拡散による信頼性低下も防止できる。
（２６）  各ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
（２７）  電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
（２８）  細い電極指と太い接続パターン７４とを同時にエッチングまたはリフトオフすると、過剰に細い電極指をエッチングまたはリフトオフする危険があったが、本実施例では電極指と接続パターン７４とが別の工程で形成されるので、制御が容易である。
【実施例４】
【００８１】
図２０は、本発明の実施例４を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図２１は、図２０中のＳＡＷ共振子９０s1の構成を示す斜視図である。
【００８２】
この梯子型ＳＡＷフィルタは、実施例１を示す図９と同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子９０s1〜９０s4，９０p1〜９０p4と、入力ボンディングパッド９１と、出力ボンディングパッド９２と、複数のアースボンディングパッド９３とを備えている。
【００８３】
ＳＡＷ共振子９０s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子９０p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０p4が４段目の並列腕の共振子である。
【００８４】
ＳＡＷ共振子９０s1は、図２１に示すように、実施例１と同様のＩＤＴ９０ａ及び反射器９０ｂ，９０ｃを有している。ＳＡＷ共振子９０s2〜９０s4，９０p1〜９０p4も、同様のＩＤＴ９０ａ及び反射器９０ｂ，９０ｃを有している。
【００８５】
各ＳＡＷ共振子９０s1〜９０s4，９０p1〜９０p4の間、ＳＡＷ共振子９０s1と入力ボンディングパッド９１との間、ＳＡＷ共振子９０s4と出力ボンディングパッド９２との間、及び各ＳＡＷ共振子９０p1〜９０p4とアースボンディングパッド９３との間が、接続パターン９４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。
【００８６】
図２２は、図２０及び図２１における実施例４を示す梯子形ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図２１のＥ部分拡大図が示されている。
【００８７】
実施例１では、接続パターン及びボンディングパッドの上側に放熱用の膜を形成していたが、本実施例では、これらの接続パターン９４及びボンディングパッド９１〜９３を、共振子９０s1〜９０s4，９０p1〜９０p4よりも５０％以上厚いＡｌまたはＡｌ合金の膜９６だけで形成している。
【００８８】
図２３（ａ）〜（ｉ）は、図２０のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【００８９】
図２０のＳＡＷフィルタは、図２３（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。
【００９０】
まず、図２３（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ3 単結晶基板９５を用意し、該基板９５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト９７をスピンコートで塗布する。図２３（ｂ）の工程において、レジスト９７が塗布された基板９５に対して光学マスク９８を設定し、光９９で露光することにより、レジスト９７に、共振子のパターンが転写される。図２３（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト９７を選択的に除去し、図２３（ｄ）の工程において、不要なレジスト９８が除去された基板９５の上側全面にＡｌ薄膜１００を蒸着する。図２３（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト９７及びＡｌ薄膜１００を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子９０s1〜９０s4，９０p1〜９０p4が基板９５上に形成される。
【００９１】
図２３（ｆ）の工程において、基板９５のＳＡＷ共振子９０s1〜９０s4，９０p1〜９０p4が形成された面上に、再びレジスト１０１を塗布する。図２３（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン９４及びボンディングパッド９１〜９３のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト１０１を除去し、基板９５の表面とＳＡＷ共振子９０s1〜９０s4，９０p1〜９０p4の端部を露出させる。
【００９２】
図２３（ｈ）の工程において、基板９５の上側全面に、接続パターン９４となるＡｕ薄膜１０２を蒸着する。図２３（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な薄膜１０２をレジスト１０１と共に除去する。以上により、接続パターン９４及びボンディングパッド９１〜９３が、基板９５上に形成される。
【００９３】
次に、このＳＡＷフィルタの動作を、図２０中に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を参照して説明する。
【００９４】
この梯子型ＳＡＷフィルタにおいても、ボンディングパッド９１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子９０s1に入り、該直列腕ＳＡＷ共振子９０s1が振動することにより、熱が発生する。１段目の直列腕ＳＡＷ共振子９０s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子９０s2と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子９０p1と２段目の並列腕ＳＡＷ共振子９０p2とに入力される。
【００９５】
１段目の直列腕ＳＡＷ共振子９０s1で発生した熱は、実施例１と同様の放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。
【００９６】
ここで、この実施例４の梯子型ＳＡＷフィルタでは、接続パターン９４及びボンディングパッド９１〜９３が、ＡｌまたはＡｌ合金の厚い膜で形成されているので、実施例１と同様に、放熱ルートＲ１〜Ｒ４による放熱が、従来に比べて圧倒的によくなる。さらに、放熱ルートとなるＡｌまたはＡｌ合金が、直接基板９５に蒸着されているので、特に高周波で、接続パターン９４が細くかつ基板９５の結晶が厚い場合や、基板結晶が放熱性の悪いパッケージに固定されている場合、バンプ等で基板結晶がフェースダウンで接続され、基板結晶の裏面からの放熱が期待できない場合等には、非常に有効である。
【００９７】
以上のように、この実施例４では、接続パターン９４及びボンディングパッド９１〜９３を厚いＡｌまたはＡｌ合金で形成して各ＳＡＷ共振子９０s1〜９０s4，９０p1〜９０p4における放熱を改善したので、次の（３１）から（３７）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。
【００９８】
（３１）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。
（３２）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
（３３）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
（３４）  接続パターン９４がＡｌで構成されるので、特別な工程を追加せずにすむ。
（３５）  接続パターン９４は、Ａｌのみが蒸着され形成されるので、他の金属との密着不良により膜はがれがなくなると共に、他の金属のＡｌ中拡散による信頼性低下も防止できる。
（３６）  各ＳＡＷ共振子９０s2〜９０s4，９０p1〜９０p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
（３７）  電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
【実施例５】
【００９９】
図２４は、本発明の実施例５を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図２５は、図２４中のＳＡＷ共振子１１０s1の構成を示す斜視図である。
【０１００】
この梯子型ＳＡＷフィルタは、実施例１を示す図９と同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子１１０s1〜１１０s4，１１０p1〜１１０p4と、入力ボンディングパッド１１１と、出力ボンディングパッド１１２と、複数のアースボンディングパッド１１３とを備えている。
【０１０１】
ＳＡＷ共振子１１０s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子１１０p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０p4が４段目の並列腕の共振子である。
【０１０２】
ＳＡＷ共振子１１０s1は、図２５に示すように、実施例１と同様のＩＤＴ１１０ａ及び反射器１１０ｂ，１１０ｃを有している。ＳＡＷ共振子１１０s2〜１１０s4，１１０p1〜１１０p4も、同様のＩＤＴ１１０ａ及び反射器１１０ｂ，１１０ｃを有している。
【０１０３】
各ＳＡＷ共振子１１０s1〜１１０s4，１１０p1〜１１０p4の間、ＳＡＷ共振子１１０s1と入力ボンディングパッド１１１との間、ＳＡＷ共振子１１０s4と出力ボンディングパッド１１２との間、及び各ＳＡＷ共振子１１０p1〜１１０p4とアースボンディングパッド１１３との間が、接続パターン１１４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。
【０１０４】
図２６は、図２４及び図２５における実施例５を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図２５のＦ部分拡大斜視図が示されている。
【０１０５】
実施例１では、接続パターン及びボンディングパッドの上側に放熱用の膜を形成していたが、本実施例では、接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３の上側に基板１１５よりも、熱伝導率の大きい誘電体膜１１６を蒸着して耐熱性を向上させている。
【０１０６】
図２７（ａ）〜（ｉ）は、図２４のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【０１０７】
図２４のＳＡＷフィルタは、図２７（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。
【０１０８】
まず、図２７（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ3 単結晶基板１１５を用意し、該基板１１５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト１１７をスピンコートで塗布する。図２７（ｂ）の工程において、レジスト１１７が塗布された基板１１５に対して光学マスク１１８を設定し、光１１９で露光することにより、レジスト１１７に、ＳＡＷ共振子１１０s1〜１１０s4，１１０p1〜１１０p4とボンディングパッド１１１〜１１３、及び接続パターン１１４のパターンが転写される。図２７（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト１１７を選択的に除去し、図２７（ｄ）の工程において、不要なレジスト１１８が除去された基板１１５の上側全面にＡｌ薄膜１２０を蒸着する。図２７（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト１１７及びＡｌ薄膜１２０を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子１１０s1〜１１０s4，１１０p1〜１１０p4と、ボンディングパッド１１１〜１１３及び接続パターン１１４の下地が基板１１５上に形成される。
【０１０９】
図２７（ｆ）の工程において、基板１１５のＳＡＷ共振子１１０s1〜１１０s4，１１０p1〜１１０p4が形成された面上に、再びレジスト１２１を塗布する。図２７（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト１２１を除去し、接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３の下地のパターンを露出させる。
【０１１０】
図２７（ｈ）の工程において、基板１１５の上側から全面に、膜１１６となる伝導率の高い誘電体の例えばＡｌ2 Ｏ3 の膜１２２を蒸着する。Ａｌ2 Ｏ3 の熱伝導率は、２１［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］である。図２７（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な膜１２２をレジスト１２１と共に除去する。以上により、上側に膜１１６が乗った接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３が、基板１１５上に形成される。
【０１１１】
次に、このＳＡＷフィルタの動作を、図２４中に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を参照して説明する。
【０１１２】
この梯子型ＳＡＷフィルタにおいても、ボンディングパッド９１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１１０s1に入り、該直列腕ＳＡＷ共振子１１０s1が振動することにより、熱が発生する。１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１１０s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子１１０s2と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子１１０p1と２段目の並列腕ＳＡＷ共振子１１０p2とに入力される。
【０１１３】
１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１１０s1で発生した熱は、実施例１と同様の放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。
【０１１４】
ここで、この実施例５の梯子型ＳＡＷフィルタでは、接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３の上側に、熱伝導率の高い膜１１６が形成されているので、実施例１と同様に、放熱ルートＲ１〜Ｒ４による放熱が、従来に比べて圧倒的によくなる。さらに、特に高周波で、接続パターン１１４が細くかつ基板１１５の結晶が厚い場合や、基板結晶が放熱性の悪いパッケージに固定されている場合、バンプ等で基板結晶がフェースダウンで接続され、基板結晶の裏面からの放熱が期待できない場合等には、非常に有効である。
【０１１５】
以上のように、この実施例５では、接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３を、ＡｌまたはＡｌ合金の膜と熱伝導率が高い誘電体の膜１１６とで形成して、各ＳＡＷ共振子１１０s1〜１１０s4，１１０p1〜１１０p4における放熱を改善したので、次の（４１）から（４７）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。
【０１１６】
（４１）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。
（４２）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
（４３）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
（４４）  接続パターン１１４の上側が誘電体の膜１１６になるので、パターンに保護ができる。
（４５）  誘電体の膜１１６は、接続パターン１１４やボンディングパッド１１１〜１１３以外の電気的特性に影響のでない部分にも蒸着可能であり、該誘電体で放熱構造を構築すれば、さらに、外部への放熱が改善できる。
（４６）  各ＳＡＷ共振子１１０s1〜１１０s4，１１０p1〜１１０p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
（４７）  電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
【実施例６】
【０１１７】
図２８は、本発明の実施例６を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図２９は、図２８中のＳＡＷ共振子１３０s1の構成を示す斜視図である。
【０１１８】
この梯子型ＳＡＷフィルタは、実施例１を示す図９と同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子１３０s1〜１３０s4，１３０p1〜１３０p4と、入力ボンディングパッド１３１と、出力ボンディングパッド１３２と、複数のアースボンディングパッド１３３とを備えている。
【０１１９】
ＳＡＷ共振子１３０s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子１３０p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０p4が４段目の並列腕の共振子である。
【０１２０】
ＳＡＷ共振子１３０s1は、図２９に示すように、実施例１と同様のＩＤＴ１３０ａ及び反射器１３０ｂ，１３０ｃを有している。ＳＡＷ共振子１３０s2〜１３０s4，１３０p1〜１３０p4も、同様のＩＤＴ１３０ａ及び反射器１３０ｂ，１３０ｃを有している。
【０１２１】
各ＳＡＷ共振子１３０s1〜１３０s4，１３０p1〜１３０p4の間、ＳＡＷ共振子１３０s1と入力ボンディングパッド１３１との間、ＳＡＷ共振子１３０s4と出力ボンディングパッド１３２との間、及び各ＳＡＷ共振子１３０p1〜１３０p4とアースボンディングパッド１３３との間が、接続パターン１３４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。
【０１２２】
図３０は、図２８及び図２９における実施例６を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図２９のＧ部分拡大斜視図が示されている。
【０１２３】
実施例１では、接続パターン及びボンディングパッドの上側に放熱用の膜を形成していたが、本実施例では、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３を、ＡｌまたはＡｌ合金の膜１３６を基板１３５に形成し、その上に、放熱用の膜１３７を積層し、さらに、熱伝導率の高い誘電体の膜１３８を積層して構成し、耐熱性を向上させている。
【０１２４】
図３１（ａ）〜（ｍ）は、図２８のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【０１２５】
図２８のＳＡＷフィルタは、図３１（ａ）〜（ｍ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。
【０１２６】
まず、図３１（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ3 単結晶基板１３５を用意し、該基板１３５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト１３９をスピンコートで塗布する。図３１（ｂ）の工程において、レジスト１３９が塗布された基板１３５に対して光学マスク１４０を設定し、光１４１で露光することにより、レジスト１３９に、ＳＡＷ共振子１３０s1〜１３０s4，１３０p1〜１３０p4とボンディングパッド１３１〜１３３、及び接続パターン１３４の膜１３６のパターンが転写される。図３１（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト１３９を選択的に除去し、図３１（ｄ）の工程において、不要なレジスト１３９が除去された基板１３５の上側全面にＡｌ薄膜１４２を蒸着する。図３１（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト１３９及びＡｌ薄膜１４２を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子１３０s1〜１３０s4，１３０p1〜１３０p4と、ボンディングパッド１３１〜１３３及び接続パターン１３４の下地の膜１３６が基板１３５上に形成される。
【０１２７】
図３１（ｆ）の工程において、基板１３５のＳＡＷ共振子１３０s1〜１３０s4，１３０p1〜１３０p4等が形成された面上に、再びレジスト１４３を塗布する。図３１（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３の膜１３６のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト１４３を除去し、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３の膜１３６のパターンを露出させる。
【０１２８】
図３１（ｈ）の工程において、基板１３５の上側から全面に、膜１３７となるＡｕの薄膜１４４を蒸着する。図３１（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な膜１４４をレジスト１４３と共に除去する。
【０１２９】
図３１（ｊ）の工程において、基板１３５の上側から全面に、再びレジスト１４５を塗布する。図３１（ｋ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３の膜１３８のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト１４５を除去し、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３の膜１３７のパターンを露出させる。
【０１３０】
図３１（ｌ）の工程において、基板１３５の上側から全面に、膜１３８となる伝導率の高い誘電体のＡｌ2 Ｏ3 の膜１４６を蒸着する。図３１（ｍ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な膜１４６をレジスト１４５と共に除去する。以上により、３層の接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３が、基板１３５上に形成される。
【０１３１】
次に、このＳＡＷフィルタの動作を、図３１中に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を参照して説明する。
【０１３２】
この梯子型ＳＡＷフィルタにおいても、ボンディングパッド１３１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１３０s1に入り、該直列腕ＳＡＷ共振子１３０s1が振動することにより、熱が発生する。１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１３０s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子１３０s2と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子１３０p1と２段目の並列腕ＳＡＷ共振子１３０p2とに入力される。
【０１３３】
１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１３０s1で発生した熱は、実施例１と同様の放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。
【０１３４】
ここで、この実施例６の梯子型ＳＡＷフィルタでは、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３を、ＡｌまたはＡｌ合金の膜１３６と、Ａｕの放熱用の膜１３７と、熱伝導率の高い誘電体の膜１３８とで構成したので、実施例１と同様に、放熱ルートＲ１〜Ｒ４による放熱が、従来に比べて圧倒的によくなる。さらに、特に高周波で、接続パターン１３４が細くかつ基板１３５の結晶が厚い場合や、基板結晶が放熱性の悪いパッケージに固定されている場合、バンプ等で基板結晶がフェースダウンで接続され、基板結晶の裏面からの放熱が期待できないとき等には、非常に有効である。
【０１３５】
以上のように、この実施例６では、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３を、ＡｌまたはＡｌ合金の膜１３６と、Ａｕの放熱用の膜１３７と、熱伝導率の高い誘電体の膜１３８とで構成して放熱性を改善したので、次の（５１）から（６０）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。
【０１３６】
（５１）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。
（５２）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
（５３）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
（５４）  Ａｌの膜１３６上にＡｕの膜１３７が蒸着されるので、膜１３６の膜はがれが防止できる。
（５５）  Ａｌの膜１３６上にＡｕの膜１３７が蒸着されるので、接続パターン１３４の断面積が増え、抵抗が減じることができる。
（５６）  各ＳＡＷ共振子１３０s1〜１３０s4，１３０p1〜１０p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
（５７）  電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる
（５８）  接続パターン１３４の上側が誘電体の膜１３８になるので、パターンに保護ができる。なおＡｌで構成されるので特別な工程を追加せずにすむ。
（５９）  接続パターン１３４の最上部が誘電体の膜１３８になるので、Ａｕの膜１３７のはがれも防止できる。
（６０）  誘電体の膜１３８は、接続パターン１３４やボンディングパッド１３１〜１３３以外の電気的特性に影響のでない部分にも蒸着可能であり、該誘電体で放熱構造を構築すれば、さらに、外部への放熱が改善できる。
【０１３７】
なお、本発明は、上記実施例に限定されず種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば次のようなものがある。
【０１３８】
（ｉ）  第１〜実施例３及び実施例５では、ＡｌまたはＡＬ合金よりも、熱伝導率の高い金属としてＡｕを使用したが、ＡｇやＣｕも熱伝導率が高く、それぞれ４２６［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，３９８［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］なので、これらを利用しても同様の効果が得られる。
（ii）  第１及び実施例２及び実施例５では、ＡｌまたはＡＬ合金よりも、熱伝導率の高い金属の膜３７，５６を一層に形成したが、金属を変えて多層にしてもよい。
（iii)  第５及び実施例６では、基板よりも熱伝導率の高い誘電体をＡｌ2 Ｏ3 としたが、ＡＩＮやＳｉ3 Ｎ4 も利用可能である。ＡＩＮやＳｉ3 Ｎ4 の熱伝導率は、２００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，５．５［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］である。また、ＡｇやＣｕも熱伝導率が高く、それぞれ４２６［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，３９８［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］なので、これらを利用しても同様の効果が得られる。
（iv）  第５及び実施例６では、基板よりも熱伝導率の高い誘電体の膜１１６，１３８を１層にしたが、多層にしてもよい。
（ｖ）  実施例３の膜７６の上、或いは実施例４の膜９６の上に、基板よりも熱伝導率の高い誘電体のＡｌ2 Ｏ3 を積層してもよい。
（vi）  第１から実施例６で説明した製造工程では、ＡｌやＡｌ2 Ｏ3 にリフトオフを適用したが、エッチングを行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】実施例１を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。
【図２】従来のＳＡＷフィルタの基本構成を示す回路図である。
【図３】図２の周波数特性を示す特性図である。
【図４】図２のＳＡＷ共振子１０の要部を示す構成図である。
【図５】４段構成の梯子型ＳＡＷフィルタの回路図である。
【図６】図５のＳＡＷフィルタの構成図である。
【図７】図５のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す特性図である。
【図８】従来のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施例１を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。
【図１０】図９中のＳＡＷ共振子３０s1の構成を示す斜視図である。
【図１１】図１のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例２を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。
【図１３】図１２中のＳＡＷ共振子５０s1の構成を示す斜視図である。
【図１４】実施例２を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。
【図１５】図１のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施例３を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。
【図１７】図１６中のＳＡＷ共振子７０s1の構成を示す斜視図である。
【図１８】実施例３を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。
【図１９】図１６のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施例４を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。
【図２１】図２０中のＳＡＷ共振子９０s1の構成を示す斜視図である。
【図２２】実施例４を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。
【図２３】図２０のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【図２４】本発明の実施例５を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。
【図２５】図２４中のＳＡＷ共振子１１０s1の構成を示す斜視図である。
【図２６】実施例５を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。
【図２７】図２４のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【図２８】本発明の実施例６を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。
【図２９】図２８中のＳＡＷ共振子１３０s1の構成を示す斜視図である。
【図３０】実施例６を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。
【図３１】図２８のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１４０】
１０s1〜１０s4，１０p1〜１０p4，３０s1〜３０s4，３０p1〜３０p4，５０s1
〜５０s4，５０p1〜５０p4，７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4，９０s1〜９０s4
，９０p1〜９０p4，１１０s1〜１１０s4，１１０p1〜１１０p4，１３０s1〜１３０s4，１３０p1〜１３０p4    ＳＡＷ共振子
１１〜１３，３１〜３３，５１〜５３，７１〜７３，９１〜９３，１１１〜１１３，１３１〜１３３    ボンディングパッド
１４，３４，５４，７４，９４，１１４，１３４    接続パターン
１５，３５，５５，７５，９５，１１５，１３５    基板
１０ａ，３０ａ，５０ａ，７０ａ，９０ａ，１１０ａ，１３０ａ    ＩＤＴ
３６，５７，９４，１３４    ＡｌまたはＡｌ合金膜
３７，５６，７４，１３７    Ａｕ膜
１１６，１３８    誘電体膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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