(57)【要約】【課題】ＭＲの向上を図りながらも磁気シールド膜のシールド機能低下を回避することができるＣＰＰ型磁気抵抗効果素子等を提供する。【解決手段】ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子５１は、磁気抵抗効果膜５３と、それを挟む上下一対の給電用磁気シールド膜５５、５７とを備える。一対の給電用磁気シールド膜のうち下部給電用磁気シールド膜５５は、少なくとも二層構造を備えており、結晶質材料層７１と、その下方側に設けられた非結晶質材料層７３とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果膜と、それを挟む上下一対の給電用磁気シールド膜とを備え、
前記一対の給電用磁気シールド膜のうち下部給電用磁気シールド膜は、少なくとも二層構造を備えており、結晶質材料層と、該結晶質材料層の下方側に設けられた非結晶質材料層とを含む
ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
前記結晶質材料層における結晶質材料の粒径は、９０ｎｍ以上、８５０ｎｍ以下である、請求項１に記載のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
前記非結晶質材料層は、前記下部給電用磁気シールド膜の膜厚の１／４〜３／４の膜厚を有する、請求項１又は２に記載のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
前記結晶質材料層における結晶質材料は、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｃｏの少なくとも１つを含む元素から構成され、Ｃ・Ｓ・Ｂ等の微量元素を含み、
前記非結晶質材料層における非結晶質材料は、Ｃｏ・Ｆｅ・Ｚｒ・Ｔａ・Ｍｏ・Ｎｉ・Ｃｕ・Ｓｉ・Ｈｆ・Ｎｂ・Ｗ・Ｃｒ・Ａｌ・Ｐ・Ｖ・Ｃ・Ｂ・Ｏ・Ｎの少なくとも１つを含む元素から構成される磁性材料である、
請求項１乃至３の何れか一項に記載のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
前記結晶質材料層における結晶質材料は、ＮｉxＦｅ(1-x)(７５＜ｘ＜８５[at.％])もしくはＣｏyＦｅ(1-y)(５＜ｙ＜１５[at.％])である、請求項１乃至４の何れか一項に記載のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を読み取り素子として含む磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項６に記載の磁気ヘッドと、磁気記録媒体とを含む磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子など、膜面と交差する方向に給電がなされるＣＰＰ型磁気抵抗効果素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果素子は、例えば、磁気記録分野において、磁気記録媒体に記録された情報の読み取り素子として使用されている。磁気情報の検出は、所定の給電構造を介して磁気抵抗効果膜にセンス電流を給電し、外部磁界に伴う抵抗値変化に応じたセンス電流の変化をみることによって行われる。
【０００３】
磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給する給電構造の一形式として、ＣＰＰ（current perpendicular to plane）型がある。この構造では、膜面方向と交差する上下方向から磁気抵抗効果膜を挟むように磁気シールド膜を配置し、かかる磁気シールド膜を介して磁気抵抗効果膜にセンス電流を給電していた（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１７７８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁気抵抗効果素子においては、フリー層やピンド層に高いスピン分極率を示すハーフメタル材料（代表例としてホイスラー合金など）やバリア層に結晶質の材料としてＭｇＯなどを用いることでＭＲが飛躍的に向上する。また、そのようなＭＲの向上を得るためには、３００℃以上の高温アニール処理を施すことが必要であった。
【０００５】
しかしながら、ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子において、３００℃以上の高温アニール処理を行うと、磁気シールド膜内で粗大粒が成長してしまい、透磁率が低下して磁気シールドとしての機能を損なうおそれがある。
【０００６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、ＭＲの向上を図りながらも磁気シールド膜のシールド機能低下を回避することができる、ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するため、本発明に係るＣＰＰ型磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果膜と、それを挟む上下一対の給電用磁気シールド膜とを備え、前記一対の給電用磁気シールド膜のうち下部給電用磁気シールド膜は、少なくとも二層構造を備えており、結晶質材料層と、該結晶質材料層の下方側に設けられた非結晶質材料層とを含む。
【０００８】
前記結晶質材料層における結晶質材料の粒径は、９０ｎｍ以上、８５０ｎｍ以下であると好適である。
【０００９】
前記非結晶質材料層は、前記下部給電用磁気シールド膜の膜厚の１／４〜３／４の膜厚を有すると好適である。
【００１０】
前記結晶質材料層における結晶質材料は、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｃｏの少なくとも１つを含む元素から構成され、Ｃ・Ｓ・Ｂ等の微量元素を含み、前記非結晶質材料層における非結晶質材料は、Ｃｏ・Ｆｅ・Ｚｒ・Ｔａ・Ｍｏ・Ｎｉ・Ｃｕ・Ｓｉ・Ｈｆ・Ｎｂ・Ｗ・Ｃｒ・Ａｌ・Ｐ・Ｖ・Ｃ・Ｂ・Ｏ・Ｎの少なくとも１つを含む元素から構成されている磁性材料であると好適である。
【００１１】
前記結晶質材料層における結晶質材料は、ＮｉxＦｅ(1-x)(７５＜ｘ＜８５[at.％])もしくはＣｏyＦｅ(1-y)(５＜ｙ＜１５[at.％])であると好適である。
【００１２】
同課題を解決するための本発明は、磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置も提供する。
【００１３】
本発明に係る磁気ヘッドは、上述したＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を読み取り素子として含むものである。
【００１４】
本発明に係る磁気記録再生装置は、上述した磁気ヘッドと、磁気記録媒体とを含むものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ＭＲの向上を図りながらも磁気シールド膜のシールド機能低下を回避することができる。
【００１６】
なお、本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施の形態によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明に係るＣＰＰ型磁気抵抗効果素子、それを読み取り素子に用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。なお、図中、同一符号は同一又は対応部分を示すものとする。また、説明中の上下方向に関しては、基板からの積層方向において積層順の早い側を「下方」、後続する側を「上方」としている。
【００１８】
図１に、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子であるＣＰＰ型磁気抵抗効果素子５１の構成を模式的に示す。ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子５１は、磁気抵抗効果膜５３と、その上下に設けられた一対の給電用磁気シールド膜５５、５７とを有している。磁気抵抗効果膜５３には、反強磁性層６１、ピンド層６３、非磁性層６５及びフリー層６７が含まれている。また、磁気抵抗効果膜５３の側方には、絶縁層６９及びバイアス層７０が設けられている。
【００１９】
ピンド層６３の磁化方向は、ピンド層６３における非磁性層６５と逆側に設けられた反強磁性層６１との交換結合によってある一定の方向に固定されている。一方、フリー層６７の磁化方向は、記録媒体からの磁束など外部磁界に対応して変化できるようになっている。
【００２０】
次に、本実施の形態に係る各層の構成材料を例示する。反強磁性層６１は、ＩｒＭｎ層等により構成されている。ピンド層６３は、いわゆるシンセティックピンド構造として構成されており、積層方向下方から順に、第１のＣｏＦｅ層、Ｒｕ層、第２のＣｏＦｅ層及びＣｏＭｎＳｉ（ホイスラー合金）層からなる複層構造を含んでいる。非磁性層６５は、Ｃｕ層等により構成されている。さらに、フリー層６７は、積層方向下方から順に、第１のＣｏＦｅ層、ＮｉＦｅ層、第２のＣｏＦｅ層からなる複層構造を含んでいる。なお、フリー層としては、ホイスラー合金層を含む態様でもよい。
【００２１】
磁気抵抗効果膜５３の積層方向下方に設けられた下部給電用磁気シールド膜５５は、少なくとも二層構造を備えており、すなわち、結晶質材料層７１と、非結晶質材料層７３とを有している。なお、非結晶質材料層７３の構成には、文字通りの厳密な意味での非結晶質材料からなる構成のみが該当するものではなく、粒径が１０ｎｍ以下の微結晶質材料からなる構成も包含されるものとする。
【００２２】
これらの層の構成材料を一例として示すと、結晶質材料層７１における結晶質材料は、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｃｏの少なくとも１つを含む元素から構成され、Ｃ・Ｓ・Ｂ等の微量元素を含む。非結晶質材料層７３における非結晶質材料は、Ｃｏ・Ｆｅ・Ｚｒ・Ｔａ・Ｍｏ・Ｎｉ・Ｃｕ・Ｓｉ・Ｈｆ・Ｎｂ・Ｗ・Ｃｒ・Ａｌ・Ｐ・Ｖ・Ｃ・Ｂ・Ｏ・Ｎの少なくとも１つを含む元素から構成されている磁性材料である。
【００２３】
また、好適には、結晶質材料層７１における結晶質材料は、ＮｉxＦｅ(1-x)(７５＜ｘ＜８５[at.％])もしくはＣｏyＦｅ(1-y)(５＜ｙ＜１５[at.％])である。さらに、結晶質材料層７１における結晶質材料の粒径は、９０ｎｍ以上、８５０ｎｍ以下である。
【００２４】
また、非結晶質材料層７３は、下部給電用磁気シールド膜５５の膜厚の１／４〜３／４の膜厚を有する。
【００２５】
なお、上部給電用磁気シールド膜５７については、本実施の形態では特に限定はなく、既存のとおり構成されているものとする。
【００２６】
次に、このような構成を有するＣＰＰ型磁気抵抗効果素子の製造方法について説明する。下部給電用磁気シールド膜５５を形成するまでの工程については既存の仕方と同様であってもよいため、その説明は省略する。下部給電用磁気シールド膜５５を形成するにあたっては、まず、その構成膜である非結晶質材料層７３を成膜する。非結晶質材料層７３は、例えばスパッタ法やめっき法によって形成することがきる。次に、非結晶質材料層７３の積層方向上方に結晶質材料層７１を成膜する。結晶質材料層７１は、例えばスパッタ法やめっき法によって形成することができる。
【００２７】
このようにして形成された下部給電用磁気シールド膜５５の積層方向上方に、磁気抵抗効果膜５３を形成する。具体的には、まず、反強磁性層６１を成膜し、その上に、ピンド層６３を形成し、さらにその上に、非磁性層６５、フリー層６７、図示省略するキャップ層を順次形成する。なお、反強磁性層６１を成膜する前に、下部給電用磁気シールド膜５５の上面に適当な下地層を成膜しておくと好適である。
【００２８】
続いて、３００℃以上、好適には３２０℃〜３６０℃程度の高温アニール処理を行う。これは、高温アニール処理を行うことによって、ピンド層６３の一部として用いたＣｏＭｎＳｉが規則化して高い分極率を示すハーフメタルとなり、ＭＲを大幅に向上させることができるからである。
【００２９】
次に、磁気抵抗効果膜５３のパターニングを行う。具体的に例示すると、磁気抵抗効果膜５３を構成するフリー層６７の上方にマスク部材を設け、エッチングなどによって、反強磁性層６１、ピンド層６３、非磁性層６５及びフリー層６７の不要部を除去し、図１に示されるように磁気抵抗効果膜５３をパターニングする。
【００３０】
その後は、エッチングによって除去された磁気抵抗効果膜５３の左右両側部分に、絶縁層６９やバイアス層７０を形成し、磁気抵抗効果膜５３及びバイアス層７０の上方に、上部給電用磁気シールド膜５７を形成した図１に示す構造を得る。なお、高温アニール処理の実施タイミングは、ＣｏＭｎＳｉ層（又はＭｇＯ層）が成膜された後であれば特に上記に限られず、例えば、絶縁層６９の形成後であってもよい。
【００３１】
ところで、上述したように、高温アニール処理を行うことにより、ＭＲが大幅に向上した磁気抵抗効果素子は得られるが、それと共に、磁気シールド膜、つまり磁気抵抗効果膜の形成時には常に設けられていることになる下部給電用磁気シールド膜に対しても高温アニール処理が作用してしまうこととなる。
【００３２】
この点、例えばＮｉＦｅやＣｏＦｅなどの結晶質からなる従来の軟磁性磁気シールド膜においては、高温アニール処理がなされると、磁気シールド膜内の結晶粒の成長が著しく、軟磁気特性が悪化して透磁率が低下し、磁気シールドとしての機能が低下する。またこれに関して、本発明者は、従来の磁気シールド膜を構成する結晶質材料に代えて、高温熱処理でも軟磁気特性が悪化しない材料として、非晶質（ＣｏＺｒＴａ・ＣｏＭｏＴａ等のＣｏ系・ＦｅＴａＣ等のＦｅ系）や微結晶材料（Ｆｅ−ＺｒＯ２・ＦｅＣｏ−ＨｆＯ等のヘテログラニュラー、ＦｅＳｉＢなど）を用いるという対応を検討してみた。しかし、それらの材料は比抵抗が高く、シールドを電極として兼ねるＣＰＰ型磁気抵抗効果素子においては、寄生抵抗が上昇するという新たな問題を伴う。すなわち、磁気シールドの機能低下抑制と寄生抵抗の上昇抑制とは相反する関係にあったといえる。
【００３３】
これに対して、本実施の形態に係るＣＰＰ型磁気抵抗効果素子では、下部給電用磁気シールド膜５５を二層構造とし、しかも、その具体的構成として、下方に非結晶質材料層７３を設け、上方に結晶質材料層７１を設けた。これによって、高いアニール処理温度でも下部給電用磁気シールド膜５５における結晶質材料の粒成長を抑制でき、十分なシールド機能の確保ができるようになっている。また、結晶質材料層７１における結晶質材料が高温アニール処理によって適度に粒成長することで抵抗の高い粒界がシールド内で減少するため、磁気シールドの機能低下抑制を図りながらも電極部分の寄生抵抗の低下も実現できる。
【００３４】
また、本実施の形態では、結晶質材料層７１における結晶質材料の粒径は、９０ｎｍ以上、８５０ｎｍ以下に設定されている。これに関しては、本発明者の検討によれば、粒径が９０ｎｍ未満の場合には、結晶粒界が磁気抵抗効果素子直下に来る確率が高くなり、寄生抵抗が上昇する可能性があり、逆に８５０ｎｍを超える場合には、結晶磁気異方性の効果が支配的になって透磁率が低下する可能性がある。よって、本実施の形態では、上記の粒径設定によって、何れの可能性も排除するようにしている。
【００３５】
さらに、本実施の形態では、非結晶質材料層７３は、下部給電用磁気シールド膜５５の膜厚の１／４〜３／４の膜厚を有するように設定されている。これに関しては、本発明者の検討によれば、１／４未満の場合には、結晶質材料の粒成長によって、シールド全体としての機能が低下する可能性があり、逆に３／４を超える場合には、抵抗の大きい非結晶質材料によって寄生抵抗が大きくなる可能性がある。よって、本実施の形態では、上記の膜厚設定によって、何れの可能性も排除するようにしている。
【００３６】
さらに、本実施の形態では、結晶質材料層７１における結晶質材料が、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｃｏの少なくとも１つを含む元素から構成され、Ｃ・Ｓ・Ｂ等の微量元素を含むようにし、非結晶質材料層７３における非結晶質材料は、Ｃｏ・Ｆｅ・Ｚｒ・Ｔａ・Ｍｏ・Ｎｉ・Ｃｕ・Ｓｉ・Ｈｆ・Ｎｂ・Ｗ・Ｃｒ・Ａｌ・Ｐ・Ｖ・Ｃ・Ｂ・Ｏ・Ｎの少なくとも１つを含む元素から構成されるようにし、かつ、非晶質材料の磁歪定数λを−３×１０-6＜λ＜３×１０-6の範囲とすることにより、応力に起因するシールドの磁区構造の変化による、再生ヘッドのノイズや出力変動を抑制することができる。
【００３７】
また、本実施の形態では、結晶質材料層７１における結晶質材料を、ＮｉxＦｅ(1-x)（７５＜ｘ＜８５[at.％])もしくはＣｏyＦｅ(1-y)(５＜ｙ＜１５[at.％])とした。したがって、磁歪をほぼ０にすることができ、応力に起因するシールドの磁区構造の変化による、再生ヘッドのノイズや出力変動を抑制する作用が得られる。
【００３８】
また、本発明者は、下部給電用磁気シールド膜における非結晶質材料層の厚みと、ヒステリシスジャンプのリジェクト率と、ＭＲと、下部給電用磁気シールド膜における結晶質材料層の粒径との関係を試験し、その結果を表１に示す。なお、ヒステリシスジャンプのリジェクト率とは、ウエハ工程における検査工程において、ＭＲ素子のＱＳＴカーブ（出力電圧及び外部磁場を縦横軸とする曲線）の不良率であり、ＱＳＴカーブが線形ではなくヒステリシスを持つものが不良となる。また、磁気抵抗効果膜の構成については、Ｔａ層、Ｒｕ層を成膜した後に、ＩｒＭｎ層の反強磁性層を積層し、ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅ／ＣｏＭｎＳｉ層のピンド層を積層し、Ｃｕ層の非磁性層を積層し、ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ層のフリー層を積層し、さらにその上にＴａ層が積層されているものとする。
【００３９】
また、下部給電用磁気シールド膜に関しては、全厚を２．０μｍに構成し、非結晶質材料層はＣｏＺｒＴａＣｒ層で構成し、結晶質材料層はＮｉＦｅ層で構成されている。アニール温度を３５０℃一定として、非結晶質材料層であるＣｏＺｒＴａＣｒ層の膜厚を様々に変更したときの上記関係を表１に示す。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
上記表１に示したように、まず、非結晶質材料層（ＣｏＺｒＴａＣｒ層）の膜厚が０．５μｍ未満の場合、すなわち、下部給電用磁気シールド膜の全厚２．０μｍの１／４未満の場合には、ヒステリシスジャンプのリジェクト率が比較的大きいのに対し、非結晶質材料層（ＣｏＺｒＴａＣｒ層）の膜厚が０．５μｍ（シールド膜の全厚の１／４）以上の場合には、ヒステリシスジャンプのリジェクト率を大幅に低減できる。その一方、非結晶質材料層（ＣｏＺｒＴａＣｒ層）の膜厚が１．５μｍを超える場合、すなわち、下部給電用磁気シールド膜の全厚２．０μｍの３／４を超える場合には、ＭＲが急激に低下しているのに対し、非結晶質材料層（ＣｏＺｒＴａＣｒ層）の膜厚が１．５μｍ（シールド膜の全厚の３／４）以下の場合には、ＭＲの低下を抑制しほぼ維持できている。
【００４２】
さらに、本発明者は、下部給電用磁気シールド膜の全厚を変更して、表１と同様な試験を行った。その結果を、表２に示す。表２の試験においては、下部給電用磁気シールド膜の全厚を１．０μｍに変更する一方、磁気抵抗効果膜の構成、下部給電用磁気シールド膜の材料、アニール処理温度については表１の試験と同様である。
【００４３】
【表２】
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【００４４】
上記表２に示したように、非結晶質材料層（ＣｏＺｒＴａＣｒ層）の膜厚が０．２０μｍ未満の場合、すなわち、下部給電用磁気シールド膜の全厚１．０μｍの１／４未満の場合には、ヒステリシスジャンプのリジェクト率が比較的大きいのに対し、非結晶質材料層（ＣｏＺｒＴａＣｒ層）の膜厚が０．２５μｍ（シールド膜の全厚の１／４）以上の場合には、ヒステリシスジャンプのリジェクト率を大幅に低減できる。その一方、非結晶質材料層（ＣｏＺｒＴａＣｒ層）の膜厚が０．７５μｍを超える場合、すなわち、下部給電用磁気シールド膜の全厚１．０μｍの３／４を超える場合には、ＭＲが急激に低下しているのに対し、非結晶質材料層（ＣｏＺｒＴａＣｒ層）の膜厚が０．７５μｍ（シールド膜の全厚の３／４）以下の場合には、ＭＲの低下を抑制しほぼ維持できている。
【００４５】
以上から分るように、本実施の形態に係るＣＰＰ型磁気抵抗効果素子によれば、磁気シールド機能とＭＲとの双方の観点で良好な作用を獲得できることが分る。
【００４６】
次に、本発明の実施の形態として、上述したＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を読み取り素子に用いた磁気ヘッドについて説明する。
【００４７】
図２に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面側の断面を示す。磁気ヘッド１１は、書き込み素子２１と、読み取り素子であるＣＰＰ型磁気抵抗効果素子５１とを備えている。
【００４８】
書き込み素子２１には、ギャップ膜２５が設けられている。ギャップ膜２５の上下には、上磁極膜２７及び下磁極膜２９が延在している。上磁極膜２７と下磁極膜２９は、媒体対向面と逆側において、結合部３１によって磁路が形成されるように結合されている。上磁極膜２７と下磁極膜２９との間には、コイル３３が形成されている。コイル３３は、結合部３１を軸に周回するように配置されている。
【００４９】
読み取り素子であるＣＰＰ型磁気抵抗効果素子５１は、非磁性膜３５を挟んで書き込み素子２１の下方に配置されている。
【００５０】
さらに、本発明の実施の形態として、上述した磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置について説明する。
【００５１】
図３は、磁気記録再生装置の平面図である。図示された磁気記録再生装置１は、磁気ヘッド装置３と、磁気ディスク５とを含む。磁気ヘッド装置３は少なくとも、ヘッド支持装置７と、位置決め装置９と、磁気ヘッド１１とを有する。ヘッド支持装置７の一端は、位置決め装置９に接続されている。磁気ヘッド１１は、ヘッド支持装置７の他端に支持されて、磁気ディスク５の磁気記録面と対向するように配置される。
【００５２】
このように構成された磁気記録再生装置１においては、磁気ディスク５が図示しない駆動装置により矢印Ａ１の方向に回転駆動されると、磁気ヘッド１１が、微小浮上量で、磁気ディスク５の面から浮上する。磁気ヘッド１１は、位置決め装置９の駆動によってヘッド支持装置７を介して磁気ディスク５の径方向ｂ１またはｂ２に移動される。そして、磁気ディスク５上の所定のトラック位置において磁気情報の書き込み、読み取りを行う。
【００５３】
以上、好ましい実施の形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の改変態様を採り得ることは自明である。
【００５４】
まず、本発明は、上述した実施の形態のようにＣＰＰ型ＧＭＲ素子に限定されるものではなく、磁気シールド膜が磁気シールド機能及び給電機能を兼ねるＣＰＰ型磁気抵抗効果素子に広く適用できる。よって、例えば、ＴＭＲ素子として実子することもできる。その場合には、上述した非磁性層は、ＭｇＯ（結晶性酸化マグネシウム）層などＭＲ比を向上させる為に高温アニールが必要な素子からなり、トンネルバリア層として機能するものとして構成される。この場合にも、高いアニール処理温度で下部給電用磁気シールド膜における結晶質の粒成長を抑制できると同時に、非結晶質材料の存在によって十分なシールド機能を確保することができる。また、結晶質材料層における結晶質材料が高温アニール処理によって適度に粒成長することで抵抗の高い粒界がシールド内で減少するため、電極部分の寄生抵抗の低下も実現できる。
【００５５】
さらに、本発明は、上述したような面内磁気記録態様での実施に限定されるものではなく、垂直磁気記録態様に適用して実施することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態に係るＣＰＰ型磁気抵抗効果素子の構成を模式的に示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの要部拡大断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る磁気記録再生装置を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
５１                    ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子
５３                    磁気抵抗効果膜
５５                    下部給電用磁気シールド膜
７１                    結晶質材料層
７３                    非結晶質材料層
【図１】
2007242786.tif 000005
【図２】
2007242786.tif 000006
【図３】
2007242786.tif 000007