(57)【要約】【課題】  磁気記録媒体及びその製造方法に関し、製造工程数及びコストを増加することなく、アルミナナノホールの配列を制御する。【解決手段】  記録層５が酸化アルミニウム基材６と酸化アルミニウムに形成された孔９を充填する強磁性材料１０とからなる磁気記録媒体における酸化アルミニウム基材６の表面の領域の半分以上をアルマイト８より緻密なアルミナとするとともに、その下部をアルマイト８とする。【選択図】          図１
2007328847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層が酸化アルミニウム基材と酸化アルミニウムに形成された孔を充填する強磁性材料とからなる磁気記録媒体であって、前記酸化アルミニウム基材の表面の領域の半分以上がアルマイトより緻密なアルミナからなるとともに、その下部がアルマイトからなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
基板上に下地層を介して製膜したＡｌ膜の表面に選択的に酸素イオンを注入して電流制限用酸化膜を形成する工程、前記電流制限用酸化膜をマスクとしてＡｌ膜を陽極酸化して前記電流制限用酸化膜の下部をアルマイトに変換するとともに、前記電流制限用酸化膜に覆われていない領域に孔を形成する工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
上記Ａｌ膜の表面に選択的に酸素イオンを注入する工程において、直径ＤのレジストパターンをピッチＬで三角格子状に配置したレジストマスクをイオン注入マスクとして用いることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
上記電流制限用酸化膜の膜厚ｄを、上記レジストパターンをピッチをＬとした場合、
ｄ＞Ｌ／３
とすることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
上記レジストパターンの直径Ｄを、上記レジストパターンをピッチをＬとした場合、
Ｄ＞２Ｌ／３
とすることを特徴とする請求項３または４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録媒体及びその製造方法に関するものであり、特に、アルマイト垂直磁気記録媒体を低工程数で製造するための構成に特徴のある磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータの外部記憶装置或いは民生用ビデオ記録装置としてハードディスク装置等が広く用いられているが、このハードディスク装置等に用いられている磁気記録媒体に対しては大容量化、高速化、低コスト化が求められている。
【０００３】
この様な大容量化、高速化、低コスト化を達成するための技術目標の最重点は高密度化であるが、これまでは連続磁性膜の水平記録が主流であったものの、技術的限界にさしかかろうとしている。
【０００４】
その理由の一つとしては、連続膜の結晶粒が大きいと複雑磁区を生じてノイズが大きくなり、これを避けるために結晶粒を小さくすると熱揺らぎにより、磁化が経時的に減少してエラーを生ぜしめることが挙げられる。
【０００５】
また、もう一つの理由としては、記録密度を高めると相対的に記録減磁界が大きくなり、このため媒体保磁力を大きくする必要があるが、記録ヘッドの書込み能力の不足により、オーバーライト特性が確保できなくことが挙げられる。
【０００６】
このため新方式として、いわゆるパターンドメディアや垂直記録方式が盛んに研究されており、この内、パターンドメディアでは、磁性膜が連続膜ではなく、ドット、バー、或いは、ピラーパターンとし、そのサイズをナノメートルスケールにすることにより、複雑磁区ではなく、単磁区構造を取らせるものである（例えば、非特許文献１参照）。
【０００７】
一方、垂直記録方式は、水平記録方式に比べて記録減磁界が小さいことが高密度化に有利であり、さらに水平記録方式に比べて極端に記録層膜厚を薄くする必要がない点、記録磁化の熱揺らぎに対する耐性の点でも有利である。
【０００８】
さらに、この様なパターンドメディアと垂直記録の両方式を取り入れた媒体として、陽極酸化で形成したアルミナナノホール群に磁性金属を充填して垂直磁気記録に供するタイプの磁気記録媒体が注目されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
このアルミナナノホール垂直磁気記憶媒体は、陽極酸化時の酸化電圧コントロールによって、ナノホール密度すなわち記録密度をコントロールできること、および陽極酸化前にＡｌ膜表面にナノホール発生の起点となる凹みをつけておくこと、即ち、テクスチャー処理によって磁性ビットの配列制御が可能なことから超高密度の磁気記録媒体として有望なものの一つである。
【００１０】
この様なアルミナナノホールの作製方法では、アルミナナノホールの起点となる部分以外をマスクし、エッチングによって掘り込むことでアルミナナノホールの起点となる凹部を作製している。
【特許文献１】特開２００２−１７５６２１号公報
【非特許文献１】Ｐｒｏｃ．ＩＥＥＥ，Ｖｏｌ．８５，Ｎｏ．４，ｐ．６５２，１９                    ９７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、上述のプロセスをそのまま行った場合には、エッチングによって意識的に作製した凹部の他に、パターニング時にはマスクしていた部分にＡｌの製膜時に発生したイントリンシックな凹部が存在し、そのどちらもがアルミナナノホール発生の起点となってしまうためにナノホールの発生を制御できなくなってしまうという問題があるので、この事情を図１４及び図１５を参照して説明する。
【００１２】
図１４参照  
図１４は、従来の平坦化処理なしでパターニングする場合の概念的工程図であり、まず、基板上に裏打層となる軟磁性膜（いずれも図示を省略）及び酸化停止層４１を設けたのち、Ａｌ膜４２を堆積させる。
【００１３】
次いで、三角格子状の開口部を有するレジストマスク４３を設け、このレジストマスク４３をマスクとしてエッチングを行うことによってＡｌ膜４２の表面に三角格子状の凹部４４を形成する。
【００１４】
次いで、希硫酸浴中で陽極酸化を行うことによって、Ａｌ膜４２を酸化して凹部４４を起点としたアルミナナノホール４６を形成するとともに、他の領域を陽極酸化膜４８とする。
【００１５】
しかし、Ａｌ膜４２には製膜時に自然発生的な（イントリンシックな）凹部４５が発生しているので、陽極酸化工程において、この凹部４５を起点として不所望なアルミナナノホール４７も形成されることになる。
【００１６】
図１５参照  
図１５は得られたアルミナナノホールの表面ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真を模写したものを示す。
図から明らかなように、パターニングによる凹部の配列は三角格子状であるのに、形成されるアルミナナノホールの配列が三角格子状からかなりずれていることが分かる。
【００１７】
そこで、本発明者等は、Ａｌ膜の表面にテクスチャー処理を行う方法として、Ａｌを製膜したのち、一旦、平坦化処理を行ってからパターニング処理を行うという方法を提案している（必要ならば、特願２００６−０７３５８０参照）。
【００１８】
しかし、アルミナナノホールパターンドメディアの作成プロセスを考えた場合、ナノホールの配列制御のためのテクスチャー処理時のみならず、ナノホールへの磁性金属の埋めこみ処理の後にも平坦化処理が必須である。
【００１９】
この場合、平坦化処理が二重にかさなるだけでなく、たとえばこの平坦化処理をＣＭＰ（化学機械研磨）のようなスラリーを用いた湿式処理で行う場合には、テクスチャー処理のまえにさらに洗浄処理が必要となり、工程増延いてはコスト増を避けられないという問題がある。
【００２０】
したがって、本発明は、製造工程数及びコストを増加することなく、アルミナナノホールの配列を制御することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、記録層５が酸化アルミニウム基材６と酸化アルミニウムに形成された孔９を充填する強磁性材料１０とからなる磁気記録媒体であって、酸化アルミニウム基材６の表面の領域の半分以上がアルマイト８より緻密なアルミナからなるとともに、その下部がアルマイト８からなることを特徴とする。
【００２２】
このように、酸化アルミニウムを電流制限用酸化膜７として規則正しい配置の孔９を形成した場合、記録層５を構成する酸化アルミニウム基材６の表面の領域の半分以上がアルマイト８より緻密なアルミナから構成されることになる。
【００２３】
また、製造工程としては、基板１上に下地層２を介して製膜したＡｌ膜の表面に選択的に酸素イオンを注入して電流制限用酸化膜７を形成し、次いで、電流制限用酸化膜７をマスクとしてＡｌ膜を陽極酸化して電流制限用酸化膜７の下部をアルマイト８に変換するとともに、電流制限用酸化膜７に覆われていない領域に孔９を形成すれば良い。
【００２４】
このように、酸素イオンの注入によって形成した酸化アルミニウムを電流制限用酸化膜７とすることによって、イオン注入を行わなかった場所に電流集中を起こさせることができるので、陽極酸化の前に平坦化処理を行わなくても孔９、即ち、アルミナナノホールの配列を制御することができ、それによって、製造工程の削減及び低コスト化が可能になる。
【００２５】
この場合、Ａｌ膜の表面に選択的に酸素イオンを注入する工程において、所定形状のレジストパターンを所定ピッチで周期的に配置したレジストマスクをイオン注入マスクとして用いることが望ましく、それによって、規則正しい配置の孔９を精度良く形成することができる。
【００２６】
即ち、たとえ、マスクしていた部分にイントリンシックな凹部があったとしても、もともとナノホールを発生させたい部分であるため問題にならない。一方、マスクの無い部分のイントリンシックな凹部は前もってイオン注入により酸化されているためそこには電流は流れずナノホールの発生源とはなりえないので、事前の平坦化処理は不要になる。
【００２７】
この所定形状のレジストパターンとしては直径Ｄのレジストパターンが典型的なものであり、この直径ＤのレジストパターンをピッチＬで三角格子状に配置することが望ましく、それによって、最密充填パターンで孔９を配置することができる。
【００２８】
また、一般に陽極酸化時のバリア層の厚さはピッチＬに対して１／３程度であるので、電流制限用酸化膜７によって酸化電流を制限するためには、電流制限用酸化膜７の膜厚ｄを、レジストパターンをピッチをＬとした場合、
ｄ＞Ｌ／３
とすることが必要になる。
【００２９】
また、イオン注入の際には横方向にも深さ方向と同程度にイオン分布が拡がるので、電流制限用酸化膜７の膜厚ｄをｄ＞Ｌ／３とした場合には、直径Ｄのレジストパターンの内側にもＬ／３程度の酸化膜がイオン注入により形成されるので、レジストパターンの直下に孔形成領域となる未酸化領域を残すためには、レジストパターンの直径Ｄを、レジストパターンをピッチをＬとした場合、
Ｄ＞２Ｌ／３
とすることが必要になる。
【００３０】
なお、下地層２としては、垂直磁気記録の裏打層となる軟磁性膜３を含むとともに、最表面がＴａ等の酸化停止層４で構成されていることが典型的な構成である。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、アルミナナノホールを有するパターンドメディアの作製時の平坦化処理を一度で済ませることが可能となり、工数低減、ひいてはコスト削減の効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明は、ガラス基板等の基板上に例えば、パーマロイ等の軟磁性膜とＴａ等の酸化停止層を順次堆積させた下地層を介して製膜したＡｌ膜の表面に、所定形状のレジストパターンを所定ピッチで周期的に配置したレジストマスク、典型的には、直径Ｄ（Ｄ＞２Ｌ／３）のレジストパターンをピッチＬで三角格子状に配置したレジストマスクをイオン注入マスクとして用いて選択的に酸素イオンを注入して例えば、厚さｄ（ｄ＞Ｌ／３）の電流制限用酸化膜を形成し、次いで、電流制限用酸化膜をマスクとしてＡｌ膜を陽極酸化して電流制限用酸化膜の下部をアルマイトに変換するとともに、電流制限用酸化膜に覆われていない領域に孔、即ち、アルミナナノホールを形成し、この孔内にＣｏ等の強磁性材料を充填したのち、ＣＭＰ法等により平坦化処理し、最後に、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）等の保護膜を設けるとともに、その表面にフッソ樹脂系の潤滑膜を塗布するものである。
【実施例１】
【００３３】
ここで、図２乃至図１３を参照して、本発明の実施例１のアルミナナノホール垂直媒体の製造工程を説明するが、実際には基板の表裏両面に同じ構造を形成するものであるが、ここでは、図示を簡単にするために片面のみを図示・説明する。
図２参照  
まず、例えば、ハードディスク用の１インチφのガラス基板１１上に、スパッタリング法を用いて密着層として厚さが、例えば、２０ｎｍのＴａ膜１２を製膜したのち、陽極酸化時の電極層兼軟磁性層として厚さが、例えば、１００ｎｍのパーマロイ膜１３、酸化停止層となる厚さが、例えば、５ｎｍのＴａ膜１４、厚さが、例えば、３００ｎｍのＡｌ膜１５を順次製膜する。
【００３４】
次いで、Ａｌ膜１５の表面に厚さが、例えば、２０ｎｍのレジスト１６、例えば、ＰＭＭＡをスピンコートによって塗布する。
【００３５】
図３参照  
次いで、熱インプリント装置を用いて、例えば、ピッチＬが６０ｎｍで凹凸高さが５０ｎｍのＮｉ製の凹型三角格子モールドを用い、基板温度１２０℃において、５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で１分間のインプリント処理を行い、高さ３０〜４０ｎｍで、マスク部の直径が４５ｎｍの三角格子状のレジストピラー１７を形成する。
【００３６】
次いで、基板をプラズマドーピング装置に導入し、チャンバー圧力１．５ＰａでＯ2 を２０ｓｃｃｍ流した状態で、基板にパルス電圧−３ｋｅＶ、パルス幅が５０μ秒、パルス印加周波数１０００パルス／秒で１分間の酸素イオン１８の注入処理をおこなってＡｌ膜１５の表面に酸化膜１９を形成する。
【００３７】
この場合、パルス印加時のイオン電流密度を例えば、５ｍＡ／ｃｍ2 とすることにより、実効的に１×１０17ｃｍ-2のドーズ量の酸素イオン１８を注入したこととなり、それによって、Ａｌ膜１５の表面から約２２ｎｍの深さまで酸化膜１９が形成されることになる。
【００３８】
なお、半導体へのドーピングを目的としたイオン注入では、多価イオンの注入によるエネルギーコンタミネーションや目的外のイオンの注入によるイオンコンタミネーション等を防ぐため非常に高価で大型のイオン注入装置を必要とするが、今回の酸化目的の注入は、加速電圧が低く、またコンタミネーションにも鈍感なため、高圧パルス電圧を印加する機構を備えたプラズマ処理装置、所謂プラズマドーピング装置によって注入処理を行った。
【００３９】
ここで、図４乃至図９を参照して、イオン注入工程における各種の条件を説明する。
図４参照  
図４に表面に５ｎｍの厚さの自然酸化膜がついたＡｌ膜に加速電圧を電圧１〜５ｋｅＶまで変化させて酸素イオンを注入した場合の注入イオンの分布をＴＲＩＭ（ｔｈｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｏｆ  Ｉｏｎｓ  ｉｎ  Ｍａｔｔｅｒ）コードを用いてシミュレーションした結果を示す。
【００４０】
この場合の酸素注入量を１×１０17ｃｍ-2とした場合、注入されたイオンの大半は自然酸化膜（図におけるＯx ）中でブロックされ、Ａｌ膜の内部まで到達した酸素イオンによって酸化膜の成長が起きる。
【００４１】
図５参照  
図５は、各電圧に対して形成される酸化膜の膜厚を示したものであり、ここでは、酸素密度がＡｌ2 Ｏ3 のストイキオメトリと一致する７×１０22ｃｍ-3になるところまで酸化膜の成長が起きるとして膜厚を評価している。
図から明らかな場合、１×１０17ｃｍ-2、３ｋｅＶの注入条件では自然酸化膜と合わせて約２２ｎｍの酸化膜１９が形成されることになる。
【００４２】
図６参照  
図６は、ＰＭＭＡマスクのイオンブロック機能の説明図であり、３ｋｅＶの加速エネルギーでは約３２ｎｍの深さまで７×１０22ｃｍ-3となるので、上述のように、レジストピラー１７の高さを３０ｎｍすると、注入された酸素イオンはレジストピラー１７の直下の自然酸化膜（図におけるＯx ）中で７×１０22ｃｍ-3以下となり、Ａｌ膜１５の表面には新たな酸化膜が形成されることはない。
【００４３】
図７参照  
図７は、後述する陽極酸化工程における陽極酸化の状況の説明図であり、一般に陽極酸化時のバリア層２０の厚さは、ピッチＬに対してＬ／３程度であるので、酸素イオンのイオン注入によって酸化膜１９の厚さｄを自然酸化膜と合わせてＬ／３以上とすることによって、酸化電流を制限することができる。
因に、上述の条件では、ｄ＝２２ｎｍで、ピッチＬ＝６０ｎｍに対して、２２／６０≒０．３７となり、上述のｄ＞Ｌ／３の条件を満たすことになる。
【００４４】
図８参照  
図８は、レジストピラーの平面パターンの説明図であり、イオン注入の際には横方向にも深さ方向と同程度にイオン分布が拡がるので、酸化膜１９の膜厚ｄをｄ＞Ｌ／３とした場合には、直径Ｄのレジストピラー１７の内側にもＬ／３程度の酸化膜２１がイオン注入により形成されるので、レジストピラー１７の直下に孔形成領域となる未酸化領域２２を残すためには、レジストピラー１７の直径Ｄを、レジストピラー１７をピッチＬに対してＤ＞２Ｌ／３とすることが必要になる。
【００４５】
図９参照  
図９は、レジストピラーの直径Ｄの上限の説明図であり、Ｄが（２／３1/2 ）Ｌを超えた場合には、各レジストピラー１７が完全にオーバーラップして、イオン注入すべき開口が無くなるので、Ｄ＜３1/2 Ｌとすることが必要になり、したがって、レジストピラー１７の直径Ｄは、  ２Ｌ／３＜Ｄ＜（２／３1/2 ）Ｌ
の条件を満たす必要がある。
因に、上述の条件では、Ｄ＝４５ｎｍ、Ｌ＝６０ｎｍであるので、Ｄ＝３／４Ｌとなる。
【００４６】
図１０参照  
再び、製造工程の説明に戻ると、剥離液にてレジストピラー１７の剥離処理を行ったのち、例えば、０．３Ｍの希硫酸を入れた陽極酸化槽に基板を浸漬して、例えば、酸化電圧２５Ｖで陽極酸化処理を行う。
この時、酸化膜１９が酸化電流を阻止するので、電流は酸化膜１９が形成されていない領域に集中して、酸化膜２３を形成しながらエッチングを行い凹部２４が形成される。
【００４７】
図１１参照  
引き続いて陽極酸化が進行すると酸化停止層となるＴａ膜１４の表面で陽極酸化が停止して、規則配列したアルミナナノホール２５が形成される。
【００４８】
図１２参照  
図１２は、アルミナナノホールの表面ＳＥＭ写真を模写したものであり、上述のテクスチャー処理をしていないアルミナナノホールに比べてアルミナナノホールの配列が向上していることがわかる。
【００４９】
図１３参照  
次いで、例えば、硫酸Ｃｏ５０ｇ，ホウ酸２０ｇ／Ｌ水溶液のＣｏメッキ浴を用いてアルミナナノホール２５の内部への磁性体Ｃｏ２６の充填を行う。
この場合、１２Ｖ，５０Ｈｚの交流電圧を３分間印加することによって、アルミナナノホール２５の内部に磁性体Ｃｏ２６がメッキされ表面から磁性体Ｃｏ２６が溢れた状態となる。
【００５０】
次いで、ＣＭＰ処理により酸化膜１９の表面が露出するまで研磨することによって、溢れた磁性体Ｃｏ２６を除去し、最後に、厚さが、例えば、１ｎｍのカーボン保護膜２７をスパッタで製膜したのち、フッ素系潤滑剤２８の塗布を行うことによって本発明の実施例１のアルミナナノホール垂直媒体の基本構成が完成する。
【００５１】
以上、本発明の実施例を説明してきたが、本発明は実施例に記載した条件・構成に限られるものではなく、各種の変更が可能であり、例えば、実施例においてはレジストのパターニングをインプリント法にて行ったが、インプリント法に限られるものではなく、電子ビーム直接描画や通常のフォトプロセスを用いても良いものである。
【００５２】
また、注入するイオン種にしても、酸素だけでなく、酸素と窒素の混合等のバリエーションでも同様の効果が得られる。
【００５３】
また、上記の実施例においては、イオン注入工程において高圧パルス電圧を印加する機構を備えたプラズマ処理装置、所謂プラズマドーピング装置を用いているが、通常のイオン注入装置を用いても良いものである。
【００５４】
また、上記のレジストピラーの直径Ｄ及びピッチＬは単なる一例であり、相互の関係を保ったままで、任意に変更可能であることは言うまでもない。
その場合、上述のように、ピッチＬはバリア層の厚さに依存し、その厚さはイオン注入の加速電圧に依存するので、レジストの膜厚は加速電圧に応じてレジスト直下に新たな酸化膜が形成されない膜厚に設定する必要がある。
【００５５】
例えば、ＰＭＭＡレジストの場合、上記の図６に示すように３０ｎｍと薄いレジストでも、Ｌ＝１００ｎｍのピッチに対応する５ｋｅＶまでほぼ完全に酸素イオンの注入をブロックできることがわかり、狭ピッチのパターニングに要求される薄いレジストの膜厚を加速電圧に応じて最適な値に設定することができる。
【００５６】
また、上記の実施例においては、レジストピラーの配列パターンを三角格子状にしているが、三角格子状に限られるものではなく、正方格子状或いはラインアンドスペース等の他の規則配列パターンを用いても良いものである。
【００５７】
また、上記の実施例においては、１インチ磁気ディスクを例に説明しているが、１インチに限られるものではなく、３．５インチ、２．５インチ、１．８インチ等の各種のサイズの磁気ディスクに適用されることは言うまでもない。
【００５８】
また、上記の実施例においては、ＨＤ媒体基板として結晶化ガラスを用いているが、結晶化ガラスに限られるものではなく、サファイア等の硬質な材料であれば良いものである。
【００５９】
また、上記の実施例においては、密着層としてＴａを用いているが、Ｔａに限られるものではなく、Ｔｉ或いはＮｂ等を用いても良いものである。
【００６０】
また、上記の実施例においては、下地軟磁性層としてパーマロイを用いているが、パーマロイに限られるものではなく、他の公知の軟磁性体を用いても良いものである。
【００６１】
また、上記の実施例においては、酸化停止層としてＴａを用いているが、Ｔａに限られるものではなく、Ｔｉ或いはＮｂ等を用いても良いものである。
【００６２】
また、上記の実施例においては、埋込強磁性体としてＣｏを用いているが、Ｃｏに限られるものではなく、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＦｅＰｔ等の他の強磁性体を用いても良いものである。
【００６３】
ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  記録層５が酸化アルミニウム基材６と酸化アルミニウム基材６に形成された孔９を充填する強磁性材料１０とからなる磁気記録媒体であって、前記酸化アルミニウム基材６の表面の領域の半分以上がアルマイト８より緻密なアルミナからなるとともに、その下部がアルマイト８からなることを特徴とする磁気記録媒体。
（付記２）  基板１上に下地層２を介して製膜したＡｌ膜の表面に選択的に酸素イオンを注入したのち、熱処理を施すことによって電流制限用酸化膜７を形成する工程、前記電流制限用酸化膜７をマスクとしてＡｌ膜を陽極酸化して前記電流制限用酸化膜７の下部をアルマイト８に変換するとともに、前記電流制限用酸化膜７に覆われていない領域に孔９を形成する工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（付記３）  上記Ａｌ膜の表面に選択的に酸素イオンを注入する工程において、所定形状のレジストパターンを所定ピッチで周期的に配置したレジストマスクをイオン注入マスクとして用いることを特徴とする付記２記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記４）  上記所定形状のレジストパターンが直径Ｄのレジストパターンであり、前記直径ＤのレジストパターンをピッチＬで三角格子状に配置したことを特徴とする付記３記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記５）  上記電流制限用酸化膜７の膜厚ｄを、上記レジストパターンをピッチをＬとした場合、
ｄ＞Ｌ／３
とすることを特徴とする付記４記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記６）  上記レジストパターンの直径Ｄを、上記レジストパターンをピッチをＬとした場合、
Ｄ＞２Ｌ／３
とすることを特徴とする付記４または５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記７）  上記下地層２が、軟磁性層３を含むとともに、最表面が酸化停止層４で構成されていることを特徴とする付記２乃至６のいずれか１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の活用例としては、アルマイト垂直磁気記録媒体が典型的なものであるが、アルマイトに限られるものではなく、陽極酸化によって各種基材にナノホールを形成する場合にも適用されることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１のアルミナナノホール垂直媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施例１のアルミナナノホール垂直媒体の図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】注入イオンの分布のシミュレーション結果の説明図である。
【図５】酸化膜の膜厚の加速電圧依存性の説明図である。
【図６】ＰＭＭＡマスクのイオンブロック機能の説明図である。
【図７】陽極酸化工程における陽極酸化の状況の説明図である。
【図８】レジストピラーの平面パターンの説明図である。
【図９】レジストピラーの直径Ｄの上限の説明図である。
【図１０】本発明の実施例１のアルミナナノホール垂直媒体の図３以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図１１】本発明の実施例１のアルミナナノホール垂直媒体の図１０以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図１２】アルミナナノホールの配列パターンの説明図である。
【図１３】本発明の実施例１のアルミナナノホール垂直媒体の図１１以降の製造工程の説明図である。
【図１４】従来の平坦化処理なしでパターニングする場合の概念的工程図である。
【図１５】アルミナナノホールの配列パターンの説明図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  基板
２  下地層
３  軟磁性層
４  酸化停止層
５  記録層
６  酸化アルミニウム基材
７  電流制限用酸化膜
８  アルマイト
９  孔
１０  強磁性材料
１１  ガラス基板
１２  Ｔａ膜
１３  パーマロイ膜
１４  Ｔａ膜
１５  Ａｌ膜
１６  レジスト
１７  レジストピラー
１８  酸素イオン
１９  酸化膜
２０  バリア層
２１  酸化膜
２２  未酸化領域
２３  酸化膜
２４  凹部
２５  アルミナナノホール
２６  磁性体Ｃｏ
２７  カーボン保護膜
２８  フッ素系潤滑剤
４１  酸化停止層
４２  Ａｌ膜
４３  レジストマスク
４４  凹部
４５  凹部
４６  アルミナナノホール
４７  アルミナナノホール
４８  陽極酸化膜
【図１】
2007328847.tif 000003
【図２】
2007328847.tif 000004
【図３】
2007328847.tif 000005
【図４】
2007328847.tif 000006
【図５】
2007328847.tif 000007
【図６】
2007328847.tif 000008
【図７】
2007328847.tif 000009
【図８】
2007328847.tif 000010
【図９】
2007328847.tif 000011
【図１０】
2007328847.tif 000012
【図１１】
2007328847.tif 000013
【図１２】
2007328847.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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