(57)【要約】【課題】メモリセルが微細化されても十分な動作マージンを確保できるようにすること。【解決手段】基板１上の第１の領域に配設されたセレクトゲート３と、第１の領域に隣接する第２の領域に配設されたフローティングゲート６と、第２の領域と隣接する第３の領域に配設された第１の拡散領域７と、フローティングゲート６の上に配設されたコントロールゲート１１と、基板１、セレクトゲート３、第１の拡散領域７、及びコントロールゲート１１に印加される電圧を制御する駆動回路２２と、を備える。駆動回路２２は、書き換え動作の際、電圧を制御することにより、選択されたコントロールゲート１１に接続されているビットを、ディプレッション状態を含む低しきい値電圧状態にする第１制御と、ビット毎に所望のエンハンスメント状態の低しきい値電圧状態、又は高しきい値電圧状態に設定する第２制御と、を行う。【選択図】図２
2007220162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配設された記憶ノードと、
前記記憶ノードの上に配設されたコントロールゲートと、
前記基板及び前記コントロールゲートに印加される電圧を制御する駆動回路と、
を備え、
前記駆動回路は、書き換え動作の際、前記電圧を制御することにより、選択されたコントロールゲートに接続されているビットを、ディプレッション状態を含む低しきい値電圧状態にする第１制御と、前記ビット毎に所望のエンハンスメント状態の低しきい値電圧状態、又は高しきい値電圧状態に設定する第２制御と、を行うことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記記憶ノードが配設された第１の領域に隣接する第２の領域に配設されたセレクトゲートを備え、
前記駆動回路は、前記セレクトゲートに印加される電圧を制御することを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記記憶ノードが配設された第１の領域と隣接する第３の領域に配設されたローカルビット線を備え、
前記駆動回路は、前記ローカルビット線に印加される電圧を制御することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記駆動回路は、前記第１制御の際、前記コントロールゲートに対して負電圧、前記基板に正電圧をそれぞれ印加することによって、前記記憶ノードから前記基板に電子を引き抜くことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記駆動回路は、前記第１制御の際、前記コントロールゲートに対して負電圧、前記セレクトゲートに正電圧をそれぞれ印加することによって、前記記憶ノードから前記セレクトゲートに電子を引き抜くことを特徴とする請求項２又は３記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、前記第２の制御の際、前記電圧を制御することにより、前記記憶ノードに電子を選択的に注入することを特徴とする請求項４又は５記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記駆動回路は、前記第２の制御の際、電圧を２回以上のパルスに分けて印加し、前記記憶ノードについてベリファイを行って所望のしきい値電圧に合わせることを特徴とする請求項６記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記駆動回路は、所定のブロック内の１つの前記コントロールゲートに対して前記第１制御を行った後、当該１つの前記コントロールゲートに対して前記第２制御を行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記駆動回路は、所定のブロック内の全ての前記コントロールゲートに対して前記第１制御を行った後、任意の前記コントロールゲートに対して前記第２制御を行うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体記憶装置に関し、特に、書き換え可能な不揮発性の半導体記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の不揮発性半導体記憶装置において、図９〜１１に示すような不揮発性半導体記憶装置が知られている（特許文献１参照；従来例１）。従来例１に係る不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイにおいて、第１の拡散領域１０７と、セレクトゲート１０３と、第２の拡散領域（図９の１２１）と、フローティングゲート１０６と、コントロールゲート１１１と、を有する（図９、１０参照）。
【０００３】
第１の拡散領域１０７は、基板１０１表面に一の方向に沿って延在され、互いに離間して並設されている。第１の拡散領域１０７は、ローカルビット線（ＬＢ）として用いられる。セレクトゲート１０３（ＳＧ）は、互いに隣り合う第１の拡散領域１０７の間の領域の基板１０１上に絶縁膜１０２を介して配設され、第１の拡散領域１０７の延在方向に沿って延在している。第２の拡散領域（図９の１２１）は、セル領域外のセレクトゲート１０３下の基板１０１表面に配設され、セル領域外の両外側にてセレクトゲート１０３と交差する方向に延在している。第２の拡散領域（図９の１２１）は、共通ソース（ＣＳ）として用いられる。フローティングゲート１０６（ＦＧ）は、記憶ノードであり、第１の拡散領域１０７とセレクトゲート１０３との間の領域に絶縁膜１０２を介して配設され、平面に対する法線方向から見ると島状に配されている。コントロールゲート１１１（ＣＧ）は、フローティングゲート１０６とセレクトゲート１０３の上に絶縁膜１０８を介して配設され、互いに離間して並設されており、セレクトゲート１０３と交差する方向に延在している。コントロールゲート１１１は、ワード線として用いられる。
【０００４】
セレクトゲート１０３の両側にある第１の拡散領域１０７のうち一方の第１の拡散領域１０７と、フローティングゲート１０６と、コントロールゲート１１１と、セレクトゲート１０３とで第１の単位セルを構成し、セレクトゲート１０３の両側にある第１の拡散領域１０７のうち他方の第１の拡散領域１０７と、フローティングゲート１０６と、コントロールゲート１１１と、セレクトゲート１０３とで第２の単位セルを構成する。第１の拡散領域１０７は、複数の単位セルにおいて共有される。この不揮発性半導体記憶装置では、セレクトゲート１０３に正電圧を印加することによって、セル領域内のセレクトゲート１０３下の基板１０１表面に反転層１２０が形成される。
【０００５】
第１の拡散領域１０７、セレクトゲート１０３、第２の拡散領域１２１、コントロールゲート１１１、基板１０１（ウェル１０１ａ）に印加される電圧は、半導体記憶装置における周辺回路の一部である駆動回路１２２によって制御される。
【０００６】
セレクトゲート１０３は、１つの消去ブロック１２３内において１対のＳＧ０及びＳＧ１を有する（図１１参照）。ＳＧ０及びＳＧ１は、平面に対する法線方向から見て、それぞれ櫛状に形成されており、ＳＧ０の櫛歯部分はＳＧ１の櫛歯間隙に所定の間隔をおいて配され、ＳＧ１の櫛歯部分はＳＧ０の櫛歯間隙に所定の間隔をおいて配されている。ＳＧ０及びＳＧ１は、消去ブロック１２３内の全ての単位セルに電気的に接続されている。ここで、消去ブロック１２３は、複数の単位セルより構成され、消去動作を行ったときに同時にフローティングゲート１０６から電子が引き抜かれる全ての単位セルよりなるブロックである（消去動作については後述）。このような消去ブロック１２３は、１つの半導体記憶装置において複数存在する。
【０００７】
次に、従来例１に係る不揮発性半導体記憶装置の動作について図面を用いて説明する。図１２は、従来例１に係る半導体記憶装置の読み出し動作を説明するための模式図である。図１３は、従来例１に係る半導体記憶装置の書込み動作を説明するための模式図である。図１４は、従来例１に係る半導体記憶装置の第１消去動作を説明するための模式図である。図１５は、従来例１に係る半導体記憶装置の第２消去動作を説明するための模式図である。
【０００８】
図１２を参照すると、読み出し動作では、フローティングゲート１０６に電子が蓄積されていない状態（消去状態；しきい値電圧低）では、コントロールゲート１１１、セレクトゲート１０３、第２の拡散領域（図９の１２１）に正電圧を印加することにより、電子ｅが第１の拡散領域１０７からフローティングゲート１０６直下のチャネルを走行し、かつ、セレクトゲート１０３下に形成された反転層１２０を走行し、第２の拡散領域（図９の１２１）に移動する。一方、フローティングゲート１０６に電子が蓄積された状態（書込状態；しきい値電圧高）では、コントロールゲート１１１、セレクトゲート１０３、第２の拡散領域（図９の１２１）に正電圧を印加しても、フローティングゲート１０６下にチャネルがないので電子ｅが流れない（図示せず）。電子ｅが流れるかどうか、データ（０／１）を判断することで読み出しが行われる。
【０００９】
図１３を参照すると、書込み動作では、コントロールゲート１１１、第１の拡散領域１０７に正の高電圧を印加し、第２の拡散領域（図９の１２１）にセレクトゲート１０３のメモリセルにおいて１μＡの電流が流れる程度の正の低電圧を印加することにより、電子ｅが第２の拡散領域（図９の１２１）から、セレクトゲート１０３下に形成された反転層１２０を走行し、第１の拡散領域１０７に流れる。その際、一部の電子ｅがセレクトゲート１０３とフローティングゲート１０６の境界の電界によって高エネルギーを持つので、フローティングゲート１０６下の絶縁膜１０５（トンネル酸化膜）を通してフローティングゲート１０６に注入される。
【００１０】
図１４を参照すると、第１消去動作では、コントロールゲート１１１に負の高電圧を印加し、基板１０１（ウェル１０１ａ）に正の高電圧を印加する。例えば、コントロールゲート１１１に電圧Ｖｃｇ＝−９Ｖを印加し、基板１０１（ウェル１０１ａ）に電圧Ｖｓｕｂ＝９Ｖを印加し、第１の拡散領域１０７、セレクトゲート１０３および第２の拡散領域（図９の１２１）はオープン（ｏｐｅｎ）にする。これにより、電子ｅがフローティングゲート１０６から基板１０１（ウェル１０１ａ）に引き抜かれる。
【００１１】
図１５を参照すると、第２消去動作では、コントロールゲート１１１に負の高電圧を印加し、セレクトゲート１０３に正の電圧を印加する。例えば、コントロールゲート１１１に電圧Ｖｃｇ＝−９Ｖを印加し、セレクトゲート１０３に電圧Ｖｓｇ＝３Ｖを印加し、第１の拡散領域１０７、基板１０１（ウェル１０１ａ）および第２の拡散領域（図９の１２１）はオープン（ｏｐｅｎ）にする。これにより、電子ｅがフローティングゲート１０６からセレクトゲート１０３に引き抜かれる。
【００１２】
なお、消去動作は消去ブロック（図１１の１２３）内で一括して行い、しきい値電圧Ｖｔが消去下限値を下回ったビットに対して書き戻し（書込み）動作を行う。
【００１３】
【特許文献１】特開２００５−５１２２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、メモリセルの微細化に伴い、メモリセルの特性のバラツキが大きくなると、一括消去を行った場合のしきい値電圧Ｖｔのバラツキが大きくなり、十分な動作マージン（書込状態（図１６（Ａ）参照）と消去状態（図１６（Ｃ）参照）のしきい値電圧Ｖｔの差）を確保できなくなるおそれがある。また、十分な動作マージンを確保するために消去レベルを下げると、消去ブロック内の多数の任意のメモリセルがディプレッション状態（しきい値電圧Ｖｔが０Ｖ以下；図１６（Ｂ）参照）になり、選択的に書き戻し動作ができなくなって、動作不能になるおそれがある。
【００１５】
本発明の主な課題は、メモリセルが微細化されても十分な動作マージンを確保できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の視点においては、半導体記憶装置において、基板上に配設された記憶ノードと、前記記憶ノードの上に配設されたコントロールゲートと、前記基板及び前記コントロールゲートに印加される電圧を制御する駆動回路と、を備え、前記駆動回路は、書き換え動作の際、前記電圧を制御することにより、選択されたコントロールゲートに接続されているビットを、ディプレッション状態を含む低しきい値電圧状態にする第１制御と、前記ビット毎に所望のエンハンスメント状態の低しきい値電圧状態、又は高しきい値電圧状態に設定する第２制御と、を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明（請求項１−９）によれば、低しきい値電圧分布を狭くし、動作マージンを確保して信頼性を高めることができる。その理由は、選択されたコントロールゲート（ワード線）のセル（ビット）以外はディプレッション状態にならないため、低しきい値電圧状態、高しきい値電圧状態の両方をビット選択可能な電子注入方式によってビット毎のしきい値電圧を調整して設定できるからである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施形態１）
本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置の構成を模式的に示した部分平面図である。図２は、本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置の構成を模式的に示した図１のＸ−Ｘ´間の部分断面図である。
【００１９】
実施形態１に係る半導体記憶装置は、１セルあたり２ビット情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置である。半導体記憶装置は、基板１と、絶縁膜２と、セレクトゲート３と、絶縁膜４と、絶縁膜５と、フローティングゲート６と、第１の拡散領域７と、絶縁膜８と、絶縁膜９と、コントロールゲート１１と、第２の拡散領域（図１の２１）と、を有する。半導体記憶装置における一つの単位セルは、図２において一点鎖線で示すように、１つの第１の拡散領域７と、１つのフローティングゲート６と、コントロールゲート１１と、セレクトゲート３と、からなる。半導体記憶装置における２ビットセルは、１つのセレクトゲート３を共通として２つの単位セルを線対称として配置することで構成される。すなわち、図２において、２ビットセルの他方の単位セルは、１つの第１の拡散領域７と、１つのフローティングゲート６と、コントロールゲート１１と、セレクトゲート３と、からなる。
【００２０】
基板１は、Ｐ型シリコン基板である。基板１は、セレクトゲート３及びフローティングゲート６の下にウェル１ａを有する。ウェル１ａは、ｐ−型拡散領域である。ウェル１ａは、共通ソース拡散領域ともいう。
【００２１】
基板１において、第１の拡散領域７と第２の拡散領域２１とを結ぶ通路をなすチャネルは、基板１を上からみたときの形状として、セレクトゲート３の平面形状に関連して規定される１つの方向に沿って、１つの第２の拡散領域２１側から延在されている第１の経路Ｌを有し、１つの第２の拡散領域２１側から延在された第１の経路Ｌの端部は曲折されており、第１の方向に対して所定の角度（例えば直角）をなす第２の方向に沿って第１の拡散領域７側にまで延在されている第２の経路Ｓを有する。第１の経路Ｌのうちセル領域内のセレクトゲート３下のチャネルは、セレクトゲート３に正電圧を印加したときに、反転層２０となる。第２の経路Ｓでは、フローティングゲート６下もチャネル領域として使用することになる。
【００２２】
絶縁膜２は、セレクトゲート３と基板１の間に設けられている。絶縁膜２には、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。絶縁膜２は、セレクトゲート絶縁膜ともいう。
【００２３】
セレクトゲート３は、絶縁膜２の上に設けられた導電膜である。セレクトゲート３には、例えば、ポリシリコンを用いることができる。セレクトゲート３は、従来例１（図１１参照）と同様に、１つの消去ブロック１２３内において１対のＳＧ０及びＳＧ１を有する。ＳＧ０及びＳＧ１は、平面に対する法線方向から見て、それぞれ櫛状に形成されており、ＳＧ０の櫛歯部分はＳＧ１の櫛歯間隙に所定の間隔をおいて配されおり、ＳＧ１の櫛歯部分はＳＧ０の櫛歯間隙に所定の間隔をおいて配されている。ＳＧ０及びＳＧ１は、消去ブロック１２３内の全ての単位セルに電気的に接続されている。なお、セレクトゲート３は、平面に対する法線方向から見て第１の拡散領域７の両隣に配された各セレクトゲートが異なる印加電圧に制御できる構成であれば、１つの消去ブロック１２３内において３個以上に分割されていてもかまわない。
【００２４】
絶縁膜４は、セレクトゲート３の上に設けられている（図２参照）。絶縁膜４には、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜を用いることができる。
【００２５】
絶縁膜５は、絶縁膜４の側壁、セレクトゲート３の側壁、絶縁膜２の側壁、基板１上と、フローティングゲート６と、の間に設けられている。絶縁膜５には、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる（図２参照）。絶縁膜５は、トンネル酸化膜ともいう。
【００２６】
フローティングゲート６は、記憶ノードであり、セレクトゲート３及び絶縁膜４の積層体よりなるセレクトゲート構造の両側に、絶縁膜５を介して設けられている（図２参照）。フローティングゲート６には、例えば、ポリシリコンを用いることができる。フローティングゲート６は、断面を見るとサイドウォール状に形成されており（図２参照）、平面方向から見ると島状に配設されている（図１参照）。なお、フローティングゲート６の代わりにトラップ型の記憶ノードとしてもよい。
【００２７】
第１の拡散領域７は、基板１の所定領域（隣り合うフローティングゲート６の間）に設けられたｎ＋型拡散領域であり、セレクトゲート３（の櫛歯部分）が延在する方向に沿って配設されている（図１、２参照）。第１の拡散領域７は、セレクトゲート３との関係で、書込み時にはセルトランジスタのドレイン領域となり、読み出し時はソース領域となる。第１の拡散領域７は、ローカルビット線ともいう。
【００２８】
絶縁膜８は、フローティングゲート６とコントロールゲート１１の間に配設される絶縁膜である（図２参照）。絶縁膜８には、例えば、高絶縁性を有し、比誘電率が高く、薄膜化に好適なシリコン酸化膜８ａ、シリコン窒化膜８ｂ、シリコン酸化膜８ｃよりなるＯＮＯ膜を用いることができる。
【００２９】
絶縁膜９は、絶縁膜８と第１の拡散領域７の間に配設される絶縁膜である（図２参照）。絶縁膜９には、例えば、熱酸化によるシリコン酸化膜（熱酸化膜）、あるいはＣＶＤ法で成膜したシリコン酸化膜を用いることができる。
【００３０】
コントロールゲート１１は、セレクトゲート３の長手方向と直交する方向に延在されており、セレクトゲート３と立体交差する（図１参照）。コントロールゲート１１は、セレクトゲート３との交差部において、セレクトゲート３の上層に設けられた絶縁膜８の上面に当接している（図２参照）。コントロールゲート１１は、セレクトゲート３及び絶縁膜４の積層体よりなるセレクトゲート構造の両側に絶縁膜５、フローティングゲート６、及び絶縁膜８を介して設けられている（図２参照）。コントロールゲート１１は、導電膜よりなり、例えば、ポリシリコンを用いることができる。コントロールゲート１１の表面に、高融点金属シリサイド（図示せず）を設け、低抵抗化する構成としてもよい。コントロールゲート１１は、ワード線となる。
【００３１】
第２の拡散領域２１は、ｎ＋型拡散領域であり、セルトランジスタのソース／ドレイン領域となる（図１参照）。第２の拡散領域２１は、セル領域外でセレクトゲート３の長手方向と直交する方向に延在されており、セレクトゲート３と立体交差する。第２の拡散領域２１は、セレクトゲート３との交差部において、セレクトゲート３の下層に設けられた絶縁膜２直下の基板１表層に形成されている（図示せず）。
【００３２】
駆動回路２２は、周辺回路の一部であり、第１の拡散領域７、セレクトゲート３、コントロールゲート１１、基板１（ウェル１ａ）、第２の拡散領域２１に印加される電圧を制御するとともに、メモリセルのしきい値電圧のベリファイを行う。駆動回路２２の電圧制御は、少なくとも書き換え動作において、従来例１に係る不揮発性半導体記憶装置の駆動回路の電圧制御と異なる。駆動回路２２には、センスアンプ、リファレンスセル、デコーダ等が含まれる。なお、駆動回路２２の書き換え動作における電圧制御、ベリファイについては、後述する。
【００３３】
なお、実施形態１に係る半導体記憶装置は、駆動回路２２を除いて、従来例１に係る不揮発性半導体記憶装置と同様な構成である。また、実施形態１に係る半導体記憶装置は、ウェル１ａの形成からコントロールゲート１１の形成まで従来例１に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法と同様な製造方法により製造することができる。
【００３４】
次に、実施形態１に係る半導体記憶装置の動作について図面を用いて説明する。図３は、本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置の初期状態からＬ´状態への動作の第１の例を説明するための模式図である。図４は、本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置の初期状態からＬ´状態への動作の第２の例を説明するための模式図である。図５は、本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置のＬ´状態からＨ／Ｌ状態への動作の第１の例を説明するための模式図である。図６は、本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置のＬ´状態からＨ／Ｌ状態への動作の第２の例を説明するための模式図である。図７は、本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置のベリファイ動作を説明するための模式図である。ここで、「Ｌ」はエンハンスメント状態（Ｖｔ＞０）の低しきい値電圧状態のセルを示し、「Ｈ」は高しきい値電圧状態のセルを示し、「Ｌ´」はディプレッション状態（Ｖｔ≦０）を含む低しきい値電圧状態のセルを示す。また、初期状態は、各セルのしきい値電圧状態が低しきい値電圧の下限以下（例えばディプレッション状態）でない限り、高しきい値電圧状態でも低しきい値電圧状態でも構わない。
【００３５】
初期状態からＬ／Ｈ状態への書き換え動作について説明する。ここでは、初期状態がＨ、Ｈ状態の場合を例に説明する。
【００３６】
まず、フローティングゲート６の電子引き抜き動作を行う。図３を参照すると、消去ブロックにおける１つのコントロールゲート１１に対して負電圧を印加し、セレクトゲート６に対して正電圧を印加する。例えば、コントロールゲート１１（ＣＧｎ）に対してＶＣＧｎ＝−９Ｖを印加し、セレクトゲート６（ＳＧ０、ＳＧ１）に対してＶＳＧ０＝ＶＳＧ１＝５Ｖを印加し、第１の拡散領域７（ＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３）および基板１はオープン（ｏｐｅｎ）にする。これにより、選択されたコントロールゲート１１（ＣＧｎ）の下にある全てのフローティングゲート６から、フローティングゲート６側壁のトンネル酸化膜５を通してセレクトゲート３に電子ｅが引き抜かれ、選択されたコントロールゲート１１（ＣＧｎ）の下にある全てのフローティングゲート６に係るセルがディプレッション状態を含む低しきい値電圧状態となる。
【００３７】
なお、電子引き抜き動作の際、図３のような電圧制御を行う代わりに、図４のように消去ブロックにおける１つのコントロールゲート１１に対して負電圧を印加し、基板１に正の高電圧を印加してもよい。例えば、コントロールゲート１１（ＣＧｎ）に電圧ＶＣＧ＝−９Ｖを印加し、基板１に電圧Ｖｓｕｂ＝５Ｖを印加し、第１の拡散領域７（ＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３）およびセレクトゲート３をオープン（ｏｐｅｎ）にする。選択されたコントロールゲート１１（ＣＧｎ）の下にある全てのフローティングゲート６から、フローティングゲート６下のトンネル酸化膜５を通して基板１に電子ｅが引き抜かれ、選択されたコントロールゲート１１（ＣＧｎ）の下にある全てのフローティングゲート６に係るセルがディプレッション状態を含む低しきい値電圧状態となる。
【００３８】
セルをディプレッション状態にした後、フローティングゲート６の電子注入動作を行う。図５を参照すると、ディプレッション状態のセルに係るコントロールゲート１１（例えば、ＣＧｎ）、所定の第１の拡散領域７（例えば、ＬＢ２）に正の高電圧を印加し、所定のセレクトゲート３（例えば、ＳＧ０）にメモリセルにおいて１μＡの電流が流れる程度の正の低電圧を印加し、第１の拡散領域７（ＬＢ３）にグランド電位を印加する。例えば、コントロールゲート１１（ＣＧｎ）に電圧ＶＣＧ＝９Ｖを印加し、ドレイン側となる第１の拡散領域７（ＬＢ２）に電圧ＶＬＢ２＝５Ｖを印加し、セレクトゲート３にしきい値電圧（又はしきい値電圧よりも所定電圧高い電圧；１Ｖ）を印加し、ソース側となる第１の拡散領域７（ＬＢ３）、および基板１にグランド電位（ＧＮＤ＝０Ｖ）を印加する。これにより、電子ｅが第１の拡散領域７（ＬＢ２）から、フローティングゲート６（ＦＧ５）下のチャネルのデータ状態によらず、セレクトゲート３（ＳＧ０）下に形成されたチャネルを走行し、フローティングゲート６（ＦＧ４）下のチャネルを走行して、第１の拡散領域７（ＬＢ２）に流れる。その際、一部の電子ｅがセレクトゲート３（ＳＧ０）とフローティングゲート６（ＦＧ４）の境界の電界によって高エネルギーを持つので、フローティングゲート６（ＦＧ４）下のトンネル酸化膜５を通してフローティングゲート６（ＦＧ４）に注入される。これにより、所望のエンハンスメント状態の低しきい値電圧状態、又は高しきい値電圧状態に設定することができる。
【００３９】
なお、電子注入動作の際、図５のような電圧制御を行う代わりに、図６のように、ディプレッション状態のセルに係るコントロールゲート１１（例えば、ＣＧｎ）、所定の第１の拡散領域７（ＬＢ２）に正の高電圧を印加し、所定のセレクトゲート３（例えば、ＳＧ０）にメモリセルにおいて１μＡの電流が流れる程度の正の低電圧を印加し、第２の拡散領域（図１の２１）にグランド電位を印加する。例えば、コントロールゲート１１（ＣＧｎ）に電圧ＶＣＧ＝９Ｖを印加し、セレクトゲート３（ＳＧ０）に電圧ＶＳＧ０＝しきい値電圧（又はしきい値電圧よりも所定電圧高い電圧；１Ｖ）を印加し、ドレイン側となる第１の拡散領域７（ＬＢ２）に電圧ＶＬＢ２＝５Ｖを印加し、ソース側となる第２の拡散領域２１（埋め込み拡散層）、および基板１にグランド電位（ＧＮＤ＝０Ｖ）を印加する。これにより、電子ｅが第２の拡散領域（図１の２１）から、セレクトゲート３下に形成された反転層２０を走行し、フローティングゲート６（ＦＧ４）下のチャネルを走行して、第１の拡散領域７（ＬＢ２）に流れる。その際、一部の電子ｅがセレクトゲート３（ＳＧ０）とフローティングゲート６（ＦＧ４）の境界の電界によって高エネルギーを持つので、フローティングゲート６（ＦＧ４）下のトンネル酸化膜５を通してフローティングゲート６（ＦＧ４）に注入される。これにより、所望のエンハンスメント状態の低しきい値電圧状態、又は高しきい値電圧状態に設定することができる。
【００４０】
ここで、電子注入動作での電圧印加は、２回以上のパルス（例えば、１ｍｓ）に分けて印加し、ＦＧ４についてベリファイを行って所望のしきい値電圧に合わせる。パルスの印加とベリファイは交互に行なわれる。ベリファイでは、図７を参照すると、選択されたコントロールゲート１１（ＣＧｎ）に５Ｖ（非選択のコントロールゲート１１（ＣＧ１、ＣＧ２等）は０Ｖ）、ＳＧ０に５Ｖ（ＳＧ１は０Ｖ）、第２の拡散領域（図１の２１；ＣＳ）に１．４Ｖ、第１の拡散領域７（ＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３等）に０Ｖを印加して、第１の拡散領域７（ＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３等）に接続されている駆動回路（図１の２２）内のセンスアンプ（図示せず）により、ＦＧ４のしきい値電圧状態と、駆動回路（図１の２２）内のリファレンスセル（図示せず）とを比較して、ＦＧ４の下に電子ｅが流れるかどうかで、ＦＧ３のしきい値電圧がターゲットの電圧に達しているかどうかを判定する。ＦＧ３の下に電子ｅが流れないようになった段階で、ＦＧ４のしきい値電圧がターゲットの電圧に達していると判定され、パルスの印加が終了する。この動作によりＦＧ４について、所望のエンハンスメント状態の低しきい値電圧状態、又は高しきい値電圧状態に設定することができる（図９（Ｂ）参照）。また、メモリセルの特性にバラツキがあっても、所望のしきい値電圧状態に合わせることができる。
【００４１】
その後、ディプレッション状態であって電子注入動作が行われていない他のセルについて、電子注入動作を行うことにより、所望のエンハンスメント状態の低しきい値電圧状態、又は高しきい値電圧状態に設定する。所定のコントロールゲート１１（例えば、ＣＧｎ）に係る全てのセルの設定が完了した後は、別のコントロールゲート１１（例えば、ＣＧｎ＋１）について電子引き抜き動作、電子注入動作を行うことになる。
【００４２】
なお、上記動作はブロック内のワード毎に動作を完了してもよい。また、消去ブロック内において、コントロールゲート１１ごとに全てのセルの電子引き抜き動作を行った後に電子注入動作を行うようにしてもよい。
【００４３】
実施形態１によれば、低しきい値電圧分布を狭くし、動作マージンを確保して信頼性を高めることができる。その理由は、選択されたコントロールゲート１１（ワード線）のセル（ビット）以外はディプレッション状態にならないため、低しきい値電圧状態、高しきい値電圧状態の両方をビット選択可能な電子注入方式によってビット毎のしきい値電圧を調整して設定できるからである。
【００４４】
なお、実施形態１では、セレクトゲート、ローカルビット線等を有する構成となっているが、ワード線単位で電子引き抜き動作を実施することができ、ビットごとに電子注入動作を実施することができれば、セレクトゲート、ローカルビット線等がない構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置の構成を模式的に示した部分平面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置の構成を模式的に示した図１のＸ−Ｘ´間の部分断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置の初期状態からＬ´状態への動作の第１の例を説明するための模式図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置の初期状態からＬ´状態への動作の第２の例を説明するための模式図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置のＬ´状態からＨ／Ｌ状態への動作の第１の例を説明するための模式図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置のＬ´状態からＨ／Ｌ状態への動作の第２の例を説明するための模式図である。
【図７】本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置のベリファイ動作を説明するための模式図である。
【図８】本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置のメモリセルにおけるしきい値電圧分布を示した模式図であり、（Ａ）はＨ状態、（Ｂ）はＬ´状態、（Ｃ）はＬ状態である。
【図９】従来例１に係る半導体記憶装置の構成を模式的に示した部分平面図である。
【図１０】従来例１に係る半導体記憶装置の構成を模式的に示した図９のＹ−Ｙ´間の部分断面図である。
【図１１】従来例１に係る半導体記憶装置の消去ブロックにおけるセレクトゲートの構成を模式的に示した部分平面図である。
【図１２】従来例１に係る半導体記憶装置の読み出し動作を説明するための模式図である。
【図１３】従来例１に係る半導体記憶装置の書込み動作を説明するための模式図である。
【図１４】従来例１に係る半導体記憶装置の第１消去動作を説明するための模式図である。
【図１５】従来例１に係る半導体記憶装置の第２消去動作を説明するための模式図である。
【図１６】従来例１に係る半導体記憶装置のメモリセルにおけるしきい値電圧分布を示した模式図であり、（Ａ）はＨ状態、（Ｂ）はディプレッション状態、（Ｃ）はＬ状態である。
【符号の説明】
【００４６】
１、１０１  基板
１ａ、１０１ａ  ウェル
２、１０２  絶縁膜
３、１０３  セレクトゲート
４、１０４  絶縁膜
５、１０５  絶縁膜
６、１０６  フローティングゲート（記憶ノード）
７、１０７  第１の拡散領域（ローカルビット線）
８、１０８  絶縁膜
９、１０９  絶縁膜
１１、１１１  コントロールゲート（ワード線）
２０、１２０  反転層
２１、１２１  第２の拡散領域
２２、１２２  駆動回路
２３、１２３  消去ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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