(57)【要約】【課題】樹脂からなる突出体を備えた突起電極において電極の狭ピッチ化を容易に実現できる製造技術を提供する。【解決手段】本発明の電子部品の製造方法は、樹脂により形成された突出部１２４及び該突出部上に形成された電極層１２５を有する突起電極を基体上に備えてなる電子部品の製造方法において、凹凸パターンを備えた成形面１１を有する型１０を用いて、前記突出部１２４Ｙを前記基体上に成形する樹脂成形工程を具備することを特徴とする。【選択図】図１
2007188993.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂により形成された突出部及び該突出部上に形成された電極層を有する突起電極を基
体上に備えてなる電子部品の製造方法において、
凹凸パターンを備えた成形面を有する型を用いて、前記突出部を前記基体上に成形する
樹脂成形工程を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
樹脂により形成された突出部及び該突出部上に形成された電極層を有する突起電極を基
体上に備えてなる電子部品の製造方法において、
凹凸パターンを備えた成形面を有する型を用いて、前記突出部に相当する部分が含まれ
る前記樹脂からなる突出構造を前記基体上に成形し、前記突出構造の１又は複数の部分を
機械的に除去することにより、複数の前記突出部を成形する樹脂成形工程を具備すること
を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂成形工程の前に、前記基体上に樹脂層を形成する工程を具備し、
前記樹脂成形工程において、前記樹脂層から前記突出部を成形することを特徴とする請
求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂成形工程では、前記樹脂層を加熱して軟化させることにより成形を行うことを
特徴とする請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂成形工程では、複数の前記突出部が相互に連結され一体に構成されてなる突出
構造が成形されることを特徴とする請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
電気光学パネルと、該電気光学パネルに実装され、樹脂により形成された突出部及び該
突出部上に形成された電極層を有する突起電極を基体上に備え、該突起電極が前記電気光
学パネル上に形成された導電体に導電接続されてなる電子部品とを備えた電気光学装置の
製造方法において、
凹凸パターンを備えた成形面を有する型を用いて、複数の前記突出部を前記基体上に成
形する樹脂成形工程と、
前記突出部上に前記電極層を形成して前記突起電極を形成する工程と、
前記突起電極を前記導電体に導電接続させた状態で前記電気光学パネルと前記電子部品
とを絶縁樹脂で接着する実装工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
電気光学パネルと、該電気光学パネルに実装され、樹脂により形成された突出部及び該
突出部上に形成された電極層を有する突起電極を基体上に備え、該突起電極が前記電気光
学パネル上に形成された導電体に導電接続されてなる電子部品とを備えた電気光学装置の
製造方法において、
凹凸パターンを備えた成形面を有する型を用いて、複数の前記突出部に相当する部分を
含む前記樹脂からなる突出構造を前記基体上に成形する工程と、
前記突出構造上に前記電極層を形成する工程と、
前記突出構造の１又は複数の部分を機械的に除去することにより、複数の前記突出部を
成形して突起電極を形成する工程と、
前記突起電極を前記導電体に導電接続させた状態で前記電気光学パネルと前記電子部品
とを絶縁樹脂で接着する実装工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
電気光学パネルと、該電気光学パネルに実装され、樹脂により形成された突出部及び該
突出部上に形成された電極層を有する突起電極を基体上に備え、該突起電極が前記電気光
学パネル上に形成された導電体に導電接続されてなる電子部品とを備えた電気光学装置の
製造方法において、
凹凸パターンを備えた成形面を有する型を用いて、複数の前記突出部に相当する部分を
含む前記樹脂からなる突出構造を前記基体上に成形する工程と、
前記突出構造の１又は複数の部分を機械的に除去することにより、複数の前記突出部を
成形する工程と、
前記突出部上に前記電極層を形成して前記突起電極を形成する工程と、
前記突起電極を前記導電体に導電接続させた状態で前記電気光学パネルと前記電子部品
とを絶縁樹脂で接着する実装工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品の製造方法、及び、電気光学装置の製造方法に係り、特に、半導体装
置その他の電子部品に設けられる場合に好適な突起電極の製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示体に駆動用ＩＣを実装する方法としては、液晶表示体を構成するガラ
ス基板上に形成した配線パターンに対して、異方性導電材（ＡＣＦ又はＡＣＰ）を介して
突起電極を備えた駆動用ＩＣを加熱しながら加圧することにより、異方性導電材中の導電
性粒子を挟んだ状態で突起電極が配線パターンに導電接続され、しかも、駆動用ＩＣが異
方性導電材中の絶縁樹脂によってガラス基板上に接着されるようにした、いわゆるＣＯＧ
実装とよばれる方法が広く知られている。
【０００３】
ところが、近年では、液晶表示体の高精細化に伴って電極数が増大したことにより、駆
動用ＩＣの電極間隔が小さくなって（狭ピッチ化されて）きているため、上記方法では、
隣接する突起電極間に導電性粒子を介在した電気的短絡が発生しやすくなり、実装不良が
多くなるという問題点がある。
【０００４】
そこで、上記の異方性導電材を用いた実装方法に代えて、駆動用ＩＣの表面上に樹脂よ
りなる突出体をフォトリソグラフィ法により設け、この突出体の少なくとも頂部に電極層
を形成することにより突起電極を形成して、この突起電極をガラス基板上に形成された配
線パターンに導電接続した状態でガラス基板と駆動用ＩＣとを絶縁樹脂によって接着して
なる実装構造が提案されている（例えば、以下の特許文献１参照）。この方法では、この
突起電極をガラス基板上に形成された配線パターンに接触させて加圧することにより上記
突出体が弾性変形し、この状態で絶縁樹脂によって駆動用ＩＣをガラス基板に接着するこ
とで、安定な実装構造を得ることができるとともに、導電性粒子を用いずに実装を行うこ
とができるため、狭ピッチ化が進んでも、隣接電極間の短絡を防止することができる。
【０００５】
また、上記の突出体の表面を凸曲面状に構成することにより、実装時における突出体の
弾性変形を測定しやすくして、接続信頼性の検査が容易に行えるようにした突起電極の構
造並びに半導体装置の製造方法が提案されている（例えば、以下の特許文献２参照）。こ
の方法では、突出体を半球状に構成したり半円柱状に構成したりすることにより、実装時
における加圧力で突出体が弾性変形すると、突起電極と、実装すべきガラス基板上の配線
パターンとの間の接触部が点接触状態若しくは線接触状態から面接触状態へと変わるため
、当該接触部の形状を見ることで簡単に導電接続状態を知ることができる。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【特許文献２】特開２００５−１３６４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述の方法では、半導体基板等の基体上に感光性樹脂を塗布し、この感
光性樹脂に露光・現像処理を施すフォトリソグラフィ法によって上記突出体を形成してい
るため、フォトリソグラフィ法の解像限界によって突起電極の形状精度を維持しつつ突起
電極の間隔を現状よりも小さくすることが困難であり、電極の狭ピッチ化に限界があると
いう問題点がある。
【０００７】
また、突出体を構成する樹脂は感光性樹脂を光硬化させたものとなるため、樹脂材料の
選択肢を広げることができず、実装構造の信頼性を高めるための突出体の弾性特性の最適
化が難しいという問題点もある。
【０００８】
さらに、フォトリソグラフィ法の解像限界を補足するために、半円柱状に形成した突出
構造上に複数の電極層を形成した後、この電極層をマスクとして酸素プラズマ処理等によ
って上記突出構造の電極層の間にある部分の一部若しくは全部を除去する方法（上記特許
文献２参照）が知られているが、この方法では、電極の狭ピッチ化はある程度可能になる
ものの、プラズマ処理によって集積回路素子（例えばトランジスタ）の性能が劣化すると
いう問題点がある。
【０００９】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その目的は、樹脂からなる突出体
を備えた突起電極において電極の狭ピッチ化を容易に実現することのできる製造技術を実
現することにある。また、他の目的は、樹脂材料の選択肢を広げることができる製造技術
を実現することにある。さらに、別の目的は、プラズマ処理等による集積回路素子の性能
劣化を招くことのない製造技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
斯かる実情に鑑み、本発明の電子部品の製造方法は、樹脂により形成された突出部及び
該突出部上に形成された電極層を有する突起電極を基体上に備えてなる電子部品の製造方
法において、凹凸パターンを備えた成形面を有する型を用いて、前記突出部を前記基体上
に成形する樹脂成形工程を具備することを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、型の成形面に設けられた凹凸パターンを転写して基体上に突出部を
形成することで、突出部の形状精度を維持しつつ、その間隔を小さくすることが可能にな
るため、突起電極の狭ピッチ化を図ることができる。また、型成形によって突出部を形成
するために樹脂材料の選択肢を広げることができる。さらに、型を形成しておけば繰り返
し成形することで突起電極を製造できるため、製造コストの上昇も抑制できる。
【００１２】
なお、上記の樹脂成形工程においては、基体上に樹脂を塗布し、その後、型により樹脂
を成形することが好ましいが、本発明はこれに限らず、例えば、樹脂を型に塗布し、その
後、これを基体上に転写してもよい。
【００１３】
また、本発明の別の電子部品の製造方法は、樹脂により形成された突出部及び該突出部
上に形成された電極層を有する突起電極を基体上に備えてなる電子部品の製造方法におい
て、凹凸パターンを備えた成形面を有する型を用いて、前記突出部に相当する部分が含ま
れる前記樹脂からなる突出構造を前記基体上に成形し、前記突出構造の１又は複数の部分
を機械的に除去することにより、複数の前記突出部を成形する樹脂成形工程を具備するこ
とを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、樹脂成形工程において一体の突出構造を形成した後に、樹脂除去工
程において一体の突出構造における１又は複数の部分を機械的に除去して複数の突出部を
設けることで、突起電極の狭ピッチ化も可能になるとともに、プラズマ処理等が不要にな
ることにより集積回路素子等の劣化を回避することができる。なお、上記樹脂成形工程の
後に上記樹脂除去工程を実施し、しかる後に上記電極層を形成してもよく、或いは、上記
樹脂成形工程の後に上記電極層を形成し、その後、上記樹脂除去工程を実施してもよい。
【００１５】
本発明において、前記樹脂成形工程の前に、前記基体上に樹脂層を形成する工程を具備
し、前記樹脂成形工程において、前記樹脂層から前記突出部を成形することが好ましい。
これによれば、基体上に樹脂層を形成してから、この樹脂層を型により成形して突出部を
設けることにより、高精度かつ安定的に突出部を形成することができる。
【００１６】
本発明において、前記樹脂成形工程では、前記樹脂層を加熱して軟化させることにより
成形を行うことが好ましい。これによれば、樹脂層を加熱することにより成形が容易にな
るとともに形状精度も高めることができる。一般的には、型を加熱することで樹脂を間接
的に加熱する方法を用いることが成形を容易にし、形状精度を高める上で最も好ましい。
【００１７】
本発明において、前記樹脂成形工程では、複数の前記突出部が相互に連結され一体に構
成されてなる突出構造が成形されることが好ましい。これによれば、複数の突出部が相互
に連結され一体に構成されてなる突出構造が成形されることで、突出部自体のサイズをそ
れほど小さくしなくても突起電極の狭ピッチ化を図ることができる。
【００１８】
次に、本発明の電子部品は、上記のいずれかに記載された製造方法により製造されてな
ることを特徴とする。この電子部品としては、ＩＣチップ等の半導体装置（集積回路装置
）が好ましいが、積層コンデンサ、インダクタ等の他の電子部品であってもよい。
【００１９】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、電気光学パネルと、該電気光学パネルに実
装され、樹脂により形成された突出部及び該突出部上に形成された電極層を有する突起電
極を基体上に備え、該突起電極が前記電気光学パネル上に形成された導電体に導電接続さ
れてなる電子部品とを備えた電気光学装置の製造方法において、凹凸パターンを備えた成
形面を有する型を用いて、複数の前記突出部を成形する樹脂成形工程と、前記突出部上に
前記電極相を形成して前記突起電極を形成する工程と、前記突起電極を前記導電体に導電
接続させた状態で前記電気光学パネルと前記電子部品とを絶縁樹脂で接着する実装工程と
、を具備することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の別の電気光学装置の製造方法は、電気光学パネルと、該電気光学パネル
に実装され、樹脂により形成された突出部及び該突出部上に形成された電極層を有する突
起電極を基体上に備え、該突起電極が前記電気光学パネル上に形成された導電体に導電接
続されてなる電子部品とを備えた電気光学装置の製造方法において、凹凸パターンを備え
た成形面を有する型を用いて、複数の前記突出部に相当する部分を含む前記樹脂からなる
突出構造を前記基体上に成形する工程と、前記突出構造上に前記電極層を形成する工程と
、前記突出構造の１又は複数の部分を機械的に除去することにより、複数の前記突出部を
成形して突起電極を形成する工程と、前記突起電極を前記導電体に導電接続させた状態で
前記電気光学パネルと前記電子部品とを絶縁樹脂で接着する実装工程と、を具備すること
を特徴とする。
【００２１】
さらに、本発明の異なる電気光学装置の製造方法は、電気光学パネルと、該電気光学パ
ネルに実装され、樹脂により形成された突出部及び該突出部上に形成された電極層を有す
る突起電極を基体上に備え、該突起電極が前記電気光学パネル上に形成された導電体に導
電接続されてなる電子部品とを備えた電気光学装置の製造方法において、凹凸パターンを
備えた成形面を有する型を用いて、複数の前記突出部に相当する部分を含む前記樹脂から
なる突出構造を前記基体上に成形する工程と、前記突出構造の１又は複数の部分を機械的
に除去することにより、複数の前記突出部を成形する工程と、前記突出部上に前記電極層
を形成して前記突起電極を形成する工程と、前記突起電極を前記導電体に導電接続させた
状態で前記電気光学パネルと前記電子部品とを絶縁樹脂で接着する実装工程と、を具備す
ることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２３】
［第１実施形態］
図１は本発明に係る電子部品の製造方法（後述する電気光学装置の製造方法の一部）を
示す概略工程断面図、図２（ａ）は電子部品上の突起電極の平面形状の例を示す部分平面
図、図３（ａ）は図１と直交する面に沿った突起電極の断面構造を示す部分断面図、図３
（ｂ）は電子部品を他の基板上に実装した構造を示す部分断面図である。
【００２４】
本発明に係る電子部品において、突起電極が形成される基体としては、半導体装置を構
成する半導体基板、セラミック電子部品を構成するセラミック基板、ＢＧＡ等の複合電子
部品を構成するプリント回路基板等の各種の基板が挙げられるが、以下の説明では、基板
１２１上に接続パッド１２２及び絶縁膜１２３が形成されたものを基体とする。特に、本
発明の基体としては、シリコン単結晶等よりなる半導体基板が好ましい。
【００２５】
基板１２１上には図３（ａ）に示すようにアルミニウム等で構成される接続パッド１２
２が露出するように形成され、この接続パッド１２２以外の表面が酸化シリコン膜等で構
成される絶縁膜１２３で被覆されている。
【００２６】
本実施形態では、図１（ａ）に示すように、上記の基板１２１、接続パッド１２２及び
絶縁膜１２３よりなる基体上に樹脂１２４Ｘを塗布する。この樹脂１２４Ｘとしては、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン変性
ポリイミド樹脂等の各種の樹脂を用いることができる。また、熱可塑性樹脂が最も好まし
いが、後述するように熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂をも用いることが可能である。樹脂１
２４Ｘはスピンコーティング法、ロールコーター法、印刷法、ディスペンサ法など、各種
の方法を採用して塗布することができる。樹脂１２４Ｘは基体の表面全体に塗布すること
も可能であるが、基体の一部表面（例えば、突起電極が配列される領域）上にのみ塗布し
てもよい。
【００２７】
次に、図１（ｂ）に示すように、型（モールド）１０を用いて上記の樹脂１２４Ｘを成
形する。型１０は、成形面１１上に凹凸パターンを形成したものであり、この成形面１１
には、凹部１１ａと凸部１１ｂが適宜のパターンで形成されている。型１０自体は、アル
ミニウムやステンレス鋼等の金属、合成樹脂、セラミックス、石英、各種ガラスなどで構
成できる。成形面１１はレーザー加工、Ｘ線リソグラフィ、放電加工、エッチング加工等
によって形成される。
【００２８】
ここで、樹脂１２４Ｘとして熱可塑性樹脂を用いる場合には樹脂１２４Ｘを加熱して軟
化させ、型１０を押し付けることによって成形できる。この場合、型１０を加熱すること
によって型１０で樹脂１２４Ｘを加熱しながら成形することが最も好ましい。また、熱硬
化性樹脂を用いる場合には、樹脂１２４Ｘに流動性があるうちに成形を行い、その状態で
熱硬化させる。ここで、熱硬化により成形ができなくなる前に成形が完了するのであれば
、上記の熱可塑性樹脂と同様に樹脂１２４Ｘを加熱したり型１０を加熱したりした状態で
成形を行ってもよい。さらに、光硬化性樹脂を用いる場合には、型１０としてガラス等の
光透過性の素材を用い、成形後に型１０を通して光照射を行うことにより樹脂を硬化させ
ることができる。
【００２９】
次に、図１（ｃ）に示すように、型１０を離型させると、成形面１１に対応した凹凸パ
ターンが転写され、樹脂よりなる突出構造１２４Ｙが形成される（以上、樹脂成形工程）
。図示例の場合、突出構造１２４Ｙには複数の突出部１２４が含まれる。図１（ｃ）に示
す突出構造１２４Ｙは、図２（ａ）に示す複数の独立した（半球状の）突出部１２４を有
する場合に対応するものである。この突出部１２４は頂部１２４ａと、周縁部１２４ｂと
を有し、周縁部１２４ｂは隣接する突出部１２４との間に残存するベース部１２４ｖに接
続されている。
【００３０】
なお、図１（ｃ）及び図２（ａ）に示す例では半球状の突出部１２４が設けられている
が、半円柱状、円錐台形状、角錐台形状に構成されていてもよいなど、その突出形状は特
に限定されない。ただし、図示例の場合には図３（ａ）に示すように接続パッド１２２か
ら突出部１２４の頂部１２４ａにまで達する後述する電極層１２５が形成されるため、電
極層１２５の断線を防止するためには頂部１２４ａの周囲のうち少なくとも一部の周縁部
１２４ｂの表面は傾斜面であることが好ましい。
【００３１】
また、上記の樹脂成形工程の説明では基体上に樹脂１２４Ｘを塗布した後に型１０で成
形を行っているが、これとは異なり、型１０の成形面１１上に樹脂１２４Ｘを塗布し、そ
の後、型１０を基体上に押し付け、基体上に成形された樹脂を転写することで上記の突出
構造１２４Ｙを形成してもよい。
【００３２】
次に、図１（ｄ）に示すように、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によって導電
体を被着し、適宜のパターニング処理を施すことにより電極層１２５を形成する。電極層
１２５の素材構成は特に限定されないが、例えば、Ｔｉ−Ｗ上にＡｕを積層した構造、或
いは、Ｃｒ上にＡｕを積層した構造などが好適に用いられる。ただし、Ａｕ、Ｔｉ−Ｗ、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ−Ｖ、鉛フリー半田等の各種金属（合金
）を単層とした構造、或いは、これらを適宜の組み合わせで積層した構造を用いることも
できる。
【００３３】
この電極層１２５は突出部１２４の少なくとも頂部１２４ａを覆うとともに、上記接続
パッド１２２に導電接続される。図示例では、図２（ａ）に示すように平面視が帯状とな
るように構成される。本実施形態の場合、突出構造１２４Ｙには複数の突出部１２４が含
まれ、これらの複数の突出部１２４のすべてにそれぞれ上記電極層１２５が形成される。
このようにして、上記突出部１２４と金属層１２５で構成される突起電極１２０Ｂが形成
される。
【００３４】
図３（ｂ）は実装後の突起電極１２Ｂの断面形状を示す拡大断面図である。図３（ｂ）
に示すように、上記の突起電極１２０Ｂは、実装されるべき基板１１１上に形成された導
電体（配線パターン、後述する配線１１７，１１８）に対して導電接続される。この基板
１１１は特に限定されるものではないが、本実施形態の場合、ガラス基板、半導体基板、
セラミック基板、硬質樹脂基板（ガラスエポキシ樹脂やフェノール樹脂等で構成されるプ
リント回路基板）等の硬質基板であることが好ましい。これらの硬質基板では基板素材自
体が弾性変形しにくいため、上記の弾性変形可能な樹脂からなる突出部１２４を備えた突
起電極１２０Ｂを設けることが導電接続状態を安定かつ再現性よく得る上で効果的である
。
【００３５】
実装時においては、突起電極１２０Ｂと導電体１１７，１１８の間に絶縁樹脂１１９を
介在させ、過熱しながら加圧することによって、絶縁樹脂１１９を軟化させて突起電極１
２０Ｂを導電体１１７，１１９に当接させるとともに、突出部１２４を弾性変形させる。
そして、この状態で絶縁樹脂１１９を硬化させることにより、電子部品を基板１１１上に
接着固定する。なお、絶縁樹脂１１９としては、流動性を有する絶縁樹脂材（ＮＣＰ）を
用いてもよく、或いは、半固形状態のシート状の絶縁樹脂材（ＮＣＦ）を用いてもよい。
ＮＣＰを用いる場合には印刷法やスピンコーティング法等で予め基板１１１上に配置する
ことが好ましい。
【００３６】
突出部１２４は、通常、高さが１０〜２０μｍ、平面形状の直径若しくは円換算径が２
０〜４０μｍ程度であるが、本実施形態の場合、上記の寸法に限らず、突出部１２４をさ
らに小型化することができる。すなわち、突出部１２４の高さは実装構造の信頼性を確保
するためにある程度必要とされるので、従来の構造では、突出部の高さをｈとし、突起電
極１２０Ｂが配列される方向に見た突出部１２４の幅をｗとすると、通常、幅ｗとして高
さｈの約２倍程度が必要とされるため、その幅ｗによって突起電極の狭ピッチ化が妨げら
れていた。したがって、突起電極１２０Ｂの狭ピッチ化を図るためには、図示例とは異な
り、突出部１２４のアスペクト比を高くする必要がある。
【００３７】
本実施形態では、従来のフォトリソグラフィ法ではなく、型１０の成形面１１による樹
脂１２４Ｘの成形によって突出構造１２４Ｙが形成されるので、突出部１２４のアスペク
ト比を従来よりも高くすることができることから、突起電極１２０Ｂの高さを確保しつつ
幅を低減することにより、突起電極１２０Ｂの狭ピッチ化を図ることができる。なお、図
１に示す突出部の形状は従来例と同様の半球状としてあるが、これはあくまでも製法説明
上の都合であり、上記のように高いアスペクト比を持つ突出部１２４を形成することは容
易である。
【００３８】
また、本実施形態では、従来の方法のようにフォトリソグラフィ法を用いる必要がない
ので、樹脂１２４Ｘとして種々の樹脂材料を任意に用いることができるから、樹脂材料の
選択肢が広がり、その結果、突出部１２４の弾性変形特性を最適化することが可能になる
。すなわち、従来方法では、突出部は感光性樹脂を露光して光硬化してなる樹脂材料であ
ったが、本実施形態ではこのような樹脂材料に限定されることがないため、突出部の硬度
や弾性特性をより自由に設定することが可能になり、その結果、実装構造の電気的信頼性
を向上させることができる。
【００３９】
さらに、本実施形態では、型１０を繰り返し用いて突出構造１２４Ｙを容易に成形でき
るので、製造コストの上昇を抑制できる。型１０の成形面１１は微細な凹凸パターンを有
しているが、成形面１１を一旦形成してしまえばそのまま繰り返し型１０を用いることが
でき、また、マスター型を作成し、このマスター型に基づいて複数の型１０を製作するこ
とも可能だからである。
【００４０】
上記の電子部品及びその実装構造は、図４に示す電気光学装置１００に用いることがで
きる。図４に示す電気光学装置１００は、電気光学パネル１１０に上記の電子部品１２０
として駆動用ＩＣが実装されたものである。
【００４１】
電気光学パネル１１０は、ガラス等よりなる一対の基板１１１と１１２をシール材１１
３を介して貼り合わせ、基板１１１と１１２の間のシール材１１３で囲まれた領域に電気
光学物質である液晶１１４を封入したものである。基板１１１にはもうひとつの基板１１
２と対向する対向部分１１１ａと、基板１１２の外形より外側へ張り出してなる張り出し
部分１１１ｂとが設けられている。
【００４２】
張り出し部分１１ｂの表面上には配線１１７、１１８が形成されている。配線１１７は
液晶１１４の封入領域内に形成される図示しない電極に直接若しくは間接的に導電接続さ
れたものであり、配線１１８は張り出し部分１１１ｂの端部に配列された図示しない入力
端子に接続されるものである。なお、この入力端子は、張り出し部分１１１ｂの端部に実
装されたフレキシブル配線基板１３１の配線パターンに導電接続されている。そして、張
り出し部分１１１ｂの表面上には上記の電子部品１２０が実装され、配線１１７、１１８
は電子部品１２０に設けられた上記の突起電極１２０Ｂに導電接続される。
【００４３】
なお、液晶１１４の封入領域内には複数の画素が縦横に配列されてなる駆動領域が形成
され、この駆動領域と平面的に重なる範囲において、基板１１１及び１１２の外面上に偏
向板１１５、１１６が配置（貼着）されている。
【００４４】
電気光学装置１００では、電子部品１２０として駆動用ＩＣを実装することにより、駆
動用ＩＣと電気光学パネル１１０、並びに、駆動用ＩＣと入力端子との間の電気的信頼性
を確保しつつ、突起電極１２０Ｂの狭ピッチ化に対応することが可能となる。したがって
、例えば、電気光学パネル１１０の高精細化（駆動領域内の画素数の増大）に伴う突起電
極１２０Ｂの数の増加に容易に対応することができる。
【００４５】
［第２実施形態］
次に、図２（ｂ）及び図６を参照して、本発明に係る第２実施形態について説明する。
図２（ｂ）は本実施形態の電子部品上の突起電極の構造を示す部分平面図、図６は本実施
形態の製造方法を示す概略工程断面図（ａ）〜（ｄ）である。
【００４６】
この実施形態は、図２（ｂ）に示すように、突出構造１２４Ｚ′が所定方向（図示上下
方向）に伸びるように形成されている。この突出構造１２４Ｚ′の断面は半円状であり、
突出構造１２４Ｚ′は全体として半円柱状に構成されている。ただし、突出構造１２４Ｚ
′の断面形状は任意であり、例えば、台形や矩形の断面形状となっていても構わない。ま
た、実装前の断面構造及び実装後の断面構造は第１実施形態と同様に図３に示すように構
成されている。
【００４７】
本実施形態では、上記突出構造１２４Ｚ′の途中に１又は複数の凹溝１２４ｕが形成さ
れ、この凹溝１２４ｕによって複数の突出部１２４が長手方向に配列されたものとなって
いる。なお、突出部１２４ごとに電極層１２５が形成され、突出部１２４と電極層１２５
によって突起電極１２０Ｃが構成される点は第１実施形態と同様である。
【００４８】
本実施形態では、図６（ａ）に示すように、まず、基体上に樹脂１２４Ｘを塗布し、そ
の後、図６（ｂ）に示すように、型１０′によって樹脂１２４Ｘを成形する（樹脂成形工
程）。型１０′は凹凸パターンを備えた成形面１１′を有し、その凹凸パターンは所定方
向（図示左右方向）に延長された凹部１１ａ′及びこれに対応する凸部１１ｂ′を備え、
この樹脂成形工程により、図６（ｃ）に示すように所定方向に延長された突出構造１２４
Ｚが成形される。なお、成形方法については第１実施形態と全く同様である。
【００４９】
次に、図６（ｄ）に示すように、部分除去具２０を用いて基体上の突出構造１２４Ｚの
１又は複数の部分を機械的に除去して、上記のように凹溝１２４ｕを備えた突出構造１２
４Ｚ′を形成する（樹脂除去工程）。この樹脂除去工程では、突出構造１２４Ｚが長手方
向に分離され、複数の突出部１２４が形成される。
【００５０】
この工程で用いられる部分除去具２０は、突出構造１２４Ｚの部分を除去するための機
械的除去部２１を備えている。機械的除去部２１は爪状に下方に突出した形状を有する。
上記凹溝１２４ｕを複数形成する場合には複数の機械的除去部２１が設けられる。これら
の複数の機械的除去部２１は間隔を隔てて相互に固定されており、一体的に操作できるよ
うに構成されている。
【００５１】
部分除去具２０は図示しない駆動機構等により基体の表面に沿って移動され、上記機械
的除去部２１が突出構造１２４Ｚの部分を掻き取ることより、上記凹溝１２４ｕが形成さ
れる。このとき、必要に応じて機械的除去部２１を加熱することにより、突出構造１２４
Ｚの部分の除去を容易に行うことが可能になる。このようにすれば、凹溝１２４ｕにより
複数の突出部１２４が相互に分断されるため、第１実施形態と同様の良好な実装性能を確
保することが可能になる。
【００５２】
本実施形態では、一体の突出構造１２４Ｚを型１０′による成形で形成する樹脂成形工
程の後に、突出構造１２４Ｚの１又は複数の部分を部分除去具２０により機械的に除去す
る樹脂除去工程を実施することで、突出部１２４を小さな間隔で配列させることが可能に
なり、突起電極１２０Ｃの狭ピッチ化を容易に実現できる。また、凹溝１２４ｕを形成す
るために酸化プラズマ処理などといった、集積回路中のトランジスタ等の電子素子に悪影
響を与えやすい処理を行う必要がなくなるので、電子部品の機能不良などを生ずる虞が大
幅に低減される。
【００５３】
なお、上記の部分除去具２０を用いた樹脂除去工程は、電極層１２５を形成する工程の
前に行っても、当該工程の後に行ってもよい。すなわち、樹脂成形工程の後に樹脂除去工
程を実施し、その後、電極層１２５を形成してもよいし、また、樹脂成形工程の後に電極
層を形成し、その後、樹脂除去工程を実施しても構わない。
【００５４】
［第３実施形態］
次に、図５、図７乃至図９を参照して本発明に係る第３実施形態について説明する。図
５（ａ）は本実施形態の突出構造１２４Ｙ″の概略斜視図、図５（ｂ）は突出構造１２４
Ｙ″の概略平面図、図７はその変形例を示す概略斜視図（ａ）及び概略平面図（ｂ）、図
８は他の変形例を示す概略斜視図（ａ）及び概略平面図（ｂ）、図９は本実施形態の製造
方法の概略工程断面図（ａ）〜（ｄ）である。
【００５５】
この実施形態において、図５に示す突出構造１２４Ｙ″は、複数の突出部１２４″の頂
部が別々に構成されてはいるが、周縁部１２４ｂ″が連結されて一体化されてなる構造と
なっている。すなわち、本実施形態の突出構造１２４Ｙ″は、複数の突出部１２４″がそ
れらの周縁部が接続される態様で連結した形状を有し、各突出部１２４はそれぞれ山状に
構成されており、それぞれに頂部を備えている。ここで、山状というのは、頂部の全周囲
に傾斜面が存在する形状を言う。したがって、本実施形態の突出構造１２４Ｙ″は複数の
突出部１２４″が相互に連結されていわゆる山脈状に構成されたものとなる。
【００５６】
図示例の場合、突出部１２４″は半球状に構成され、この半球状の周縁部が隣接する突
出部１２４″に周縁部（連結部）１２４ｂ″にて連結されている。また、この突出構造１
２４Ｙ″は、複数の突出部１２４″が一列に直線状に配列された形状となっている。
【００５７】
本実施形態では、複数の突出部１２４″をそれらの周縁部が接続される態様で一体に連
結してなる突出構造１２４Ｙ″を設け、突出部１２４″ごとに電極層１２５を形成して突
起電極１２０Ｂ″（図９（ｃ）及び（ｄ）参照）を構成しているので、個々の突出部１２
４″の形状寸法を従来の突出部と同様の形状及び寸法に設定しても、突起電極１２０Ｂ″
の配列ピッチを突出部１２４の幅未満とすることが可能になる。例えば、配列ピッチを突
出部１２４″の幅未満でその高さ以上とすることが可能であり、また、第１実施形態と同
様に突出部のアスペクト比を高くすれば、配列ピッチを突出部の高さ以下とすることも不
可能ではない。
【００５８】
また、この突出構造１２４Ｙ″には突出部１２４″の間に凹状の谷部１２４ｖ″が設け
られるため、各突出部１２４″の弾性変形が容易になる。特に、突出部１２４″を山状に
形成したことにより、突出部１２４″の頂部の周囲が全て傾斜面として構成されることと
なるため、各突出部１２４″の弾性変形が全周に亘って発生しやすくなり、実装時におけ
る弾性変形の態様が等方的になるため、突起電極１２０Ｂ″の間隔を狭めても弾性変形の
容易性を確保しやすいという効果が得られる。また、同様の理由により、突出構造１２４
Ｙ″の谷部１２４ｖ″上に形成される、隣接する突出部１２４″間の間隙は、図５（ｂ）
の平面図に示すように突出部１２４″の頂部間を結ぶ線上（図示しないが図５（ｂ）中で
は水平線となる。）の平面位置から突出部１２４″の配列方向と直交する方向（図５（ｂ
）の上下両側）に向けて開くように構成されるため、実装時における絶縁樹脂１１９の突
起電極１２０Ｂ″間の流動性が良好となり、突起電極１２０Ｂ″間の領域から絶縁樹脂１
１９が円滑に排出され、突起電極１２０Ｂ″と導電体１１７，１１８との導電接触状態が
確実に得られるという効果もある。
【００５９】
本実施形態においても、図９（ａ）に示すように樹脂１２４Ｘを塗布した後、図９（ｂ
）に示すように第１実施形態と同様に型１０″で成形することにより上述の突出構造１２
４Ｙ″が形成される。この突出構造１２４Ｙ″は上記のように複数の突出部１２４″が相
互に連結された構造を有するが、このように特殊な形状であっても、型１０″の成形面１
１″の凹凸パターンを変更するだけで容易に突出構造１２４Ｙ″を形成することができる
。なお、この場合も、第１実施形態で説明したのと同様に、型１０″に樹脂を塗布してこ
れを基体上に転写しても構わない。
【００６０】
その後、図９（ｃ）に示すように、上記突出構造１２４Ｙ″の各突出部１２４″にそれ
ぞれ電極層１２５を形成する。これによって、狭ピッチで配列された複数の突起電極１２
０Ｂ″が完成される。
【００６１】
ただし、この場合、突出構造１２４Ｙ″における突出部１２４″間の谷部１２４ｖ″が
充分に深く形成されておらず、実装時において各突出部１２４″が弾性変形しにくく、ま
た、突出部１２４″間において谷部１２４ｖ″上の間隙が不十分で絶縁樹脂１１９の流動
不足によって導電接触状態が悪くなる可能性もある。そこで、上記の工程の後に、突出構
造１２４Ｙ″における突出部１２４″間の領域の一部又は全部を除去する樹脂除去工程を
設け、図９（ｄ）に示すように、上記領域に凹溝１２４ｕ″を形成してもよい。
【００６２】
この樹脂除去工程は、上記第２実施形態の部分除去具２０とほぼ同様に構成され、機械
的除去部２１′を備えた部分除去具２０′を用いて行うことが好ましい。ただし、この機
械的除去部２１′は先端が三角状に構成され、断面Ｖ字状の凹溝１２４ｕ″を形成できる
ように構成されている。この部分除去部材２０′を用いることによって、突出部１２４″
間の深さを確保できるとともに、酸素プラズマ処理を不要とすることができるため、電子
部品の性能劣化や不良率の増加を抑制することができる。なお、部分除去具２０′におい
て、複数の機械的除去部２１′を設ける点、機械的除去部２１′を加熱しながら掻き取り
を行ってもよい点などは第２実施形態と同様である。
【００６３】
この場合には、凹溝１２４ｕ″を設けるための樹脂除去工程が別途必要になるが、もと
もと突出構造１２４Ｙ″の突出部１２４″間には谷部１２４ｖ″が設けられているために
、谷部１２４ｖ″がない場合に比べて当該工程を容易に行うことができる。
【００６４】
図７及び図８は、本実施形態の突出構造の他の例の概略斜視図（ａ）及び概略平面図（
ｂ）を示すものである。なお、上記実施形態と対応する部分には対応する符号を付してあ
る。図７に示す突出構造１２４Ｙ″は、複数の半円柱状の突出部１２４″が直線状に並び
、これらの突出部１２４″の間に断面Ｖ状の凹溝で構成される谷部１２４ｖ″が形成され
たものである。また、図８に示す突出構造１２４Ｙ″は、複数の半球状の突出部１２４″
が一体に連結されている点では図５に示すものと同様であるが、それらの突出部１２４″
が千鳥状に配列された例を示す。なお、複数の突出部の配列態様は上記のような一列に配
列されたものだけに限られず、例えば、二列、或いはそれ以上の列となるように配列され
たものであってもよい。また、直線状に限らず、曲線状に配列されていても構わない。
【００６５】
［電子機器］
最後に、図１０及び図１１を参照して、本発明に係る電子機器の例について説明する。
図１０は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるノート型パーソナルコンピュータを
示している。このパーソナルコンピュータ２００は、複数の操作ボタン２０１ａや他の操
作装置２０１ｂを備えた本体部２０１と、この本体部２０１に接続され、表示画面２０２
ａを備えた表示部２０２とを備えている。図示例の場合、本体部２０１と表示部２０２は
開閉可能に構成されている。表示部２０２の内部には上述の電気光学装置１００が内蔵さ
れており、表示画面２０２ａに所望の表示画像が表示されるようになっている。この場合
、パーソナルコンピュータ２００の内部には、上記電気光学装置１００を制御する表示制
御回路が設けられる。この表示制御回路は、電気光学装置１００に対して映像信号その他
の入力データや所定の制御信号を送り、その動作態様を決定するように構成されている。
【００６６】
図１２は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここ
に示す携帯電話機３００は、複数の操作ボタン３０１ａ，３０１ｂ及び送話口などを備え
た操作部３０１と、表示画面３０２ａや受話口などを備えた表示部３０２とを有し、表示
部３０２の内部に上記の電気光学装置１００が組み込まれてなる。そして表示部３０２の
表示画面３０２ａにおいて電気光学装置１００により形成された表示画像を視認すること
ができるようになっている。この場合、携帯電話機３００の内部には、上記液晶装置１０
０を制御する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路は、液晶装置１００に対して
映像信号その他の入力データや所定の制御信号を送り、その動作態様を決定するように構
成されている。
【００６７】
尚、本発明の電子部品の製造方法、及び、電気光学装置の製造方法、並びに、これらの
方法で製造した電子部品、電気光学装置、及び、電子機器は、上述の図示例にのみ限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは
勿論である。例えば、上記各実施形態の電気光学装置は液晶表示体を構成する電気光学パ
ネルを含むものとして説明したが、本発明では、液晶表示体に限らず、有機エレクトロル
ミネッセンス装置、電気泳動表示体、プラズマディスプレイパネル等で構成される各種の
電気光学パネルを用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１実施形態の製造方法を示す概略工程断面図（ａ）〜（ｄ）。
【図２】第１実施形態の突起電極の構造を示す部分平面図（ａ）及び第２実施形態の突起電極の構造を示す部分平面図（ｂ）。
【図３】第１及び第２実施形態の突起電極の断面図（ａ）及び実装後の実装構造の断面図（ｂ）。
【図４】第１乃至第３実施形態の電気光学装置を示す概略斜視図。
【図５】第３実施形態の突出構造を示す概略斜視図。
【図６】第２実施形態の製造方法を示す概略工程断面図（ａ）〜（ｄ）。
【図７】第３実施形態の突出構造の変形例を示す概略斜視図（ａ）及び概略平面図（ｂ）。
【図８】第３実施形態の突出構造の別の変形例を示す概略斜視図（ａ）及び概略平面図（ｂ）。
【図９】第３実施形態の製造方法を示す概略工程断面図（ａ）〜（ｄ）。
【図１０】実施形態の電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図１１】実施形態の電子機器の他の例を示す概略斜視図。
【符号の説明】
【００６９】
１００…電気光学装置、１１０…電気光学パネル、１１１…基板、１２０…電子部品（半
導体装置）、１２０Ｂ、１２０Ｃ…突起電極、１２１…基板、１２２…接続パッド、１２
３…絶縁膜、１２４…突出部、１２４Ｘ…樹脂、１２４Ｙ、１２４Ｚ…突出構造、１２４
ａ…頂部、１２４ｂ…周縁部（連結部）、１２４ｖ…谷部、１２５…電極層、１０、１０
′…型、１１、１１′…成形面、２０、２０′…部分除去具、２１、２１′…機械的除去
部
【図１】
2007188993.tif 000003
【図２】
2007188993.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007188993.tif 000009
【図８】
2007188993.tif 000010
【図９】
2007188993.tif 000011
【図１０】
2007188993.tif 000012
【図１１】
2007188993.tif 000013