(57)【要約】【課題】  厚さを可及的に薄くでき、且つ樹脂から成る絶縁層と配線パターンとの熱膨張率差に起因する応力を受けても切断され難い配線パターンが形成された半導体装置を提供する。【解決手段】  基板を形成する樹脂から成る絶縁層１２内に埋め込まれた半導体素子１４の電極端子１８と外部接続端子を形成するランド部２０とが、絶縁層１８に形成された配線パターン２２によって電気的に接続する半導体装置１０であって、ランド部２０を含む配線パターン２２がめっき金属２６によって形成され、且つ電極端子１８と一端部が接続された金属製のワイヤ２４が配線パターン２２に沿ってめっき金属２６内に配設されていることを特徴とする。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を形成する樹脂から成る絶縁層内に埋め込まれた半導体素子の電極端子と外部接続端子を形成するランド部とが、前記絶縁層に形成された配線パターンによって電気的に接続する半導体装置であって、
前記ランドを含む配線パターンがめっき金属によって形成され、且つ前記電極端子又はランド部と一端部が接続された金属製のワイヤ及び前記絶縁層上に立設された複数個の金属製のスタッドバンプの少なくとも一方が前記配線パターンに沿ってめっき金属内に配設されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
配線パターンが、ワイヤ及びスタッドバンプを形成する金属よりも比抵抗の小さいめっき金属で形成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
ワイヤが、半導体素子の電極端子と外部接続端子を形成するランド部とに接続されている請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
スタッドバンプが、金属製のワイヤを用いて形成されている請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
外部接続端子を形成するランド部が、半導体素子の電極端子が形成された電極端子形成面に対し反対面側にも形成されている請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体素子の電極端子が形成された電極端子形成面の面積が、外部接続端子が形成された基板の外部接続端子形成面よりも小面積である請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
基板を形成する樹脂から成る絶縁層内に埋め込まれた半導体素子の電極端子と外部接続端子を形成するランド部とが、前記基板内に形成された配線パターンによって電気的に接続する半導体装置を製造する際に、
該半導体素子を支持板の一面側に搭載した後、前記半導体素子を埋め込んだ絶縁層にパターニングを施して前記半導体素子の電極端子を露出し、
次いで、前記電極端子の表面を含む絶縁層の全表面に金属薄膜を形成した後、前記電極端子又はランド部を形成する箇所に一端部を接続した金属製のワイヤ及び前記絶縁層上に立設された複数個の金属製のスタッドバンプの少なくとも一方を、形成する前記配線パターンの形状に沿って配設し、
その後、前記金属薄膜を給電層とする電解めっきによって、前記ワイヤ及びスタッドバンプの少なくとも一方が内部に配設されためっき金属から成る配線パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
配線パターンを、ワイヤ及びスタッドバンプを形成する金属よりも比抵抗の小さいめっき金属で形成する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ワイヤを、その一端部を半導体素子の電極端子に接続し、前記ワイヤの他端部を外部接続端子用のランド部を形成する箇所まで延出する請求項７又は請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
スタッドバンプを、金属製のワイヤを用いて形成する請求項７又は請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
外部接続端子を形成するランド部を、半導体素子の電極端子が形成された電極端子形成面に対し反対面側にも形成する請求項７〜１０のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体素子として、その電極端子が形成された電極端子形成面の面積が、外部接続端子を形成する基板の外部接続端子形成面よりも小面積の半導体素子を用いる請求項７〜１１のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、更に詳細には基板を形成する樹脂から成る絶縁層内に埋め込まれた半導体素子の電極端子と外部接続端子を形成するランド部とが、前記絶縁層に形成された配線パターンによって電気的に接続する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置では、基板に搭載された半導体素子の電極端子と基板に設けられた外部接続端子とを、基板に形成された配線パターンによって電気的に接続している。この配線パターンは、電解めっきによるめっき金属によって形成される。かかるめっき金属としては、比抵抗が小さい銅が汎用されている。
ところで、近年、半導体装置に用いられる基板としては、樹脂から成る絶縁層が用いられた樹脂基板が汎用されている。
しかし、配線パターンを形成する銅と基板を形成する樹脂とは、その熱膨張率差が大きく、銅から成る配線パターンには、樹脂基板との熱膨張率差に起因して発生する応力が加えられる。
一方、半導体装置の小型化及び高集積化の要請に応えるべく、配線パターンの微細化が進行し、樹脂基板と配線パターンとの熱膨張率差に起因して発生する応力によって配線パターンが断線されるおそれがある。
この様な、従来の半導体装置に対し、下記特許文献１では、基板に搭載された半導体素子の電極端子と基板に設けられた外部接続端子とを、金から成るワイヤ（金線）で電気的に接続した半導体装置が提案されている。
【特許文献１】特開平１１−１６３２１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
前記特許文献１で提案された半導体装置によれば、ワイヤと樹脂基板との熱膨張率差による応力程度では、ワイヤは断線され難い。
しかしながら、ワイヤとしては、取扱性が良好な金線が汎用されているが、金は銅よりも比抵抗が大きいため、電気的特性が優れている銅から成る配線パターンを採用することが要求される。
また、従来の半導体装置では、配線基板上に半導体素子を搭載しているため、半導体装置の厚さが厚くなり易い。一方、携帯電話等に用いられる半導体装置としては、可及的に厚さの薄い半導体装置が要望されている。
そこで、本発明の課題は、厚さを可及的に薄くでき、且つ樹脂から成る絶縁層と配線パターンとの熱膨張率差に起因する応力を受けても切断され難い配線パターンが形成された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者は、前記課題を解決すべく検討した結果、金線が内部に配設されためっき銅から成る配線パターンは、樹脂基板との熱膨張率差に因る応力を受けても断線され難く且つ電気特性も優れていることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、基板を形成する樹脂から成る絶縁層内に埋め込まれた半導体素子の電極端子と外部接続端子を形成するランド部とが、前記絶縁層に形成された配線パターンによって電気的に接続する半導体装置であって、前記ランドを含む配線パターンがめっき金属によって形成され、且つ前記電極端子又はランド部と一端部が接続された金属製のワイヤ及び前記絶縁層上に立設された複数個の金属製のスタッドバンプの少なくとも一方が前記配線パターンに沿ってめっき金属内に配設されていることを特徴とする半導体装置にある。
また、本発明は、基板を形成する樹脂から成る絶縁層内に埋め込まれた半導体素子の電極端子と外部接続端子を形成するランド部とが、前記基板内に形成された配線パターンによって電気的に接続する半導体装置を製造する際に、該半導体素子を支持板の一面側に搭載した後、前記半導体素子を埋め込んだ絶縁層にパターニングを施して前記半導体素子の電極端子を露出し、次いで、前記電極端子の表面を含む絶縁層の全表面に金属薄膜を形成した後、前記電極端子又はランド部を形成する箇所に一端部を接続した金属製のワイヤ及び前記絶縁層上に立設した複数個の金属製のスタッドバンプの少なくとも一方を、形成する前記配線パターンの形状に沿って配設し、その後、前記金属薄膜を給電層とする電解めっきによって、前記ワイヤ及びスタッドバンプの少なくとも一方が内部に配設されためっき金属から成る配線パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法でもある。
【０００５】
かかる本発明において、配線パターンを、ワイヤ及びスタッドバンプを形成する金属よりも比抵抗の小さいめっき金属で形成することによって、配線パターンの電気特性を向上できる。
このワイヤの一端部を半導体素子の電極端子に接続し、前記ワイヤの他端部を外部接続端子用のランド部を形成する箇所まで延出することによって、配線パターンを更に一層断線し難くできる。また、スタッドバンプとしては、ワイヤを用いて形成することによって容易に形成できる。
本発明に係る半導体装置の外部接続端子を形成するランド部を、半導体素子の電極端子が形成された電極端子形成面に対し反対面側にも形成することによって、他の半導体装置を直接積層できる。
更に、半導体素子として、その電極端子が形成された電極端子形成面の面積が、外部接続端子を形成する基板の外部接続端子形成面よりも小面積の半導体素子を好適に用いることができる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る半導体装置によれば、樹脂から成る絶縁層に形成されためっき金属によって形成された配線パターン内には金属製のワイヤ及び絶縁層上に立設された複数個の金属製のスタッドバンプの少なくとも一方が配設されている。このため、絶縁層と配線パターンとの熱膨張率差に因る応力が配線パターンに加えられても、ワイヤ及びスタッドバンプの少なくとも一方によって補強された配線パターンは断線するおそれを解消できる。
ここで、金属製のワイヤの一端部が半導体素子の電極端子に接続されている場合には、配線パターンと電極端子との剥離も防止できる。
更に、本発明では、基板を形成する絶縁層内に半導体素子が埋め込まれているため、基板上に半導体素子を搭載した半導体装置に比較して、半導体装置の厚さを薄くできる。
その結果、本発明に係る半導体装置によれば、配線パターンの信頼性を向上でき且つ従来の半導体装置よりも薄くできる。
また、本発明に係る半導体装置においても、ワイヤ及びスタッドバンプを形成する金属よりも比抵抗の小さいめっき金属により配線パターンを形成した場合、比抵抗の小さいめっき金属のみで形成した配線パターンと同程度の電気特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明に係る半導体装置の一例を図１に示す。図１（ａ）は半導体装置１０の外部接続端子としてのはんだボール１６，１６・・が全面に亘って設けられたボール側の正面図である。かかる半導体装置１０の略中央部に半導体素子１４が、エポキシやポリイミド等の樹脂から成る絶縁層１２に埋め込まれている。この絶縁層１２の表面は、はんだボール１６，１６・・の部分を除いてソルダレジスト１７によって覆われている。
かかるソルダレジスト１７を剥離した絶縁層１２の表面状態を図１（ｂ）に示す。絶縁層１２内に埋め込まれた半導体素子１４の電極端子１８とはんだボール１６が設けられるランド部２０との間は、配線パターン２２によって電気的に接続されている。このランド部２０は、半導体素子１４上にも形成されている。
かかる図１に示す半導体装置１０の拡大横断面図を図２に示す。半導体装置１０を主として形成する樹脂から成る絶縁層１２内に埋め込まれた半導体素子１４の電極端子１８とはんだボール１６が設けられるランド部２０とを電気的に接続する配線パターン２２は、絶縁層１２の表面に形成されている。この配線パターン２２には、半導体素子１４の電極端子１８に一端部が接続された金から成るワイヤ２４（以下、単にワイヤ２４と称することがある）が、銅から成るめっき金属２６内に配設されている。かかるワイヤ２４の他端部は、ランド部２０内に延出している。
尚、ソルダレジスト層１７に代えて、エポキシやポリイミド等の樹脂から成る絶縁層を形成してもよい。
【０００８】
この様に、配線パターン２２は、主として銅から成るめっき金属２６によって形成されているため、銅のみから成る配線パターンの電気特性と遜色はない。しかも、配線パターン２２は、めっき金属２６内にワイヤ２４が配設されているため、絶縁層１２との熱膨張率差に寄る応力を受けても断線するおそれを解消でき、半導体装置１０の信頼性を向上できる。
また、半導体装置１０では、半導体装置１０を主として形成する絶縁層１２内に半導体素子１４が埋め込まれているため、配線基板上に半導体素子が搭載された従来の半導体装置に比較して、その厚さを薄くできる。
更に、図１及び図２に示す半導体装置１０の絶縁層１２の外周縁近傍では、絶縁層１２の両面側にランド部２０，２０が形成されている。このランド部２０，２０に延出しているワイヤ２４の他端部は、ワイヤ２４よりも大径の球状部２４ａに形成されている。
この様に、半導体装置１０の両面側にランド部２０，２０・・を形成することによって、一面側に形成されたランド部２０，２０・・には、外部接続端子としてのはんだボール１６，１６・・を設け、他面側に形成されたランド部２０，２０・・には、他の半導体装置等の電子部品の外部接続端子を接続できる。
【０００９】
図１及び図２に示す半導体装置１０を製造する際には、先ず、図３（ａ）に示す様に、金属製の支持板３０の一面側に半導体素子１４を接着剤３２で接着した後、ポリイミド等の樹脂によって半導体素子１４が搭載された支持板３０の搭載面を覆う絶縁層１２を形成し、絶縁層１２内に半導体素子１４を埋め込む。
更に、絶縁層１２にエッチングやレーザ等によってパターニングを施し、半導体素子１４の電極端子１８を底面に露出する凹部３４を形成すると共に、絶縁層１２の外周縁近傍に支持板３０が底面に露出する凹部３６を形成する。
かかるパターニングを施した絶縁層１２の全面、電極端子１８の露出面及び支持板３０の露出面に金属薄膜（図示せず）を、無電解めっきや蒸着等で形成した後、図３（ｂ）に示す様に、めっき用レジスト３８によって絶縁層１２上に配線パターン２２，２２・・に倣ったパターンを形成する。
【００１０】
次いで、図３（ｃ）に示す様に、凹部３４の底面に露出する半導体素子１４の電極端子１８に一端部が接続されたワイヤ２４を、めっき用レジスト３８によって配線パターン２２に倣って形成されたパターンに沿って、対応するランド部２０の位置まで延出する。かかるワイヤ２４の接続及び延出は、半導体装置の製造工程のワイヤボンディング工程で用いられるボンディング装置を採用できる。このボンディング装置では、クランプ手段に把持されたワイヤ２４の先端部を半導体素子１４の電極端子１８に溶着した後、ワイヤ２４を引き出しつつめっき用レジスト３８によって形成されたパターンに沿って移動し、形成するランド部２０の位置上に位置するワイヤ２４の部分を溶断する。
この際、凹部３６の底面に露出している支持板３０上に形成された金属薄膜の露出面には、ワイヤ２４の他端部を溶着して溶断する。このため、支持板３０上の金属薄膜の露出面に溶着されているワイヤ２４の他端部は、ワイヤ２４よりも太い球状部に形成される。
一方、半導体素子１４の上方にランド部２０が形成される配線パターン２２では、ワイヤ２４の他端部は絶縁層１２上の金属薄膜と非接触状態で溶断される。
【００１１】
図３（ｃ）に示すようにワイヤ２４，２４・・が配設された絶縁層１２の表面側には、支持板３０及び金属薄膜（図示せず）を給電層とする電解銅めっきによって、めっき金属２６としてめっき銅を、めっき用レジスト３８によって形成されたパターン内に充填して配線パターン２２を形成する［図４（ａ）の工程］。
配線パターン２２を形成する電解銅めっきを施した後、めっき用レジスト３８を剥離し、絶縁層１２の表面に露出する金属薄膜（図示せず）をエッチング等によって除去する［図４（ｂ）の工程］。かかる金属薄膜の除去によって、配線パターン２２，２２・・の中途部を電気的に絶縁できる。
次いで、金属薄膜を除去した絶縁層１２の露出面及び配線パターン２２を、ソルダレジスト１７によって覆った後、支持板３０をエッチングによって除去する［図４（ｃ）及び図４（ｄ）の工程］。
【００１２】
その後、支持板３０が除去されて露出した絶縁層１２の露出面を、ソルダレジスト１７によって覆った後、ソルダレジスト１７，１７にパターニングを施し、ランド部２０，２０・・を露出する［図５（ａ）及び図５（ｂ）の工程］。
図５（ｂ）の工程を終了して得た半導体装置では、その両面側にランド部２０，２０・・が形成されており、半導体素子１４の電極端子１８，１８・・の形成面側に形成されたランド部２０，２０・・の各露出面には、図１（ａ）に示す様に、外部接続端子としてのはんだボール１６を設けることができる。
一方、半導体素子１４の電極端子１８，１８・・の形成面に対して反対面側に形成されたランド部２０，２０・・には、はんだボール１６を設けてもよく、他の半導体装置等の電子部品の外部接続端子を接続してもよい。
【００１３】
図３〜図５に示す半導体装置の製造方法では、支持板３０を完全に除去しているが、図６（ａ）に示す様に、エッチングの際に、支持板３０の一部をバンプ３５として残すこともできる。この様に、バンプ３５を残して露出した絶縁層１２の露出面を、バンプ３５を残してソルダレジスト１７によって覆った後、半導体素子１４の電極端子１８，１８・・の形成面側のソルダレジスト１７にパターンニングを施して、ランド部２０，２０・・の各面を露出する［図６（ｂ）の工程］。
その後、図７に示す様に、半導体素子１４の電極端子１８，１８・・の形成面側のランド部２０，２０・・の各露出面に、外部接続端子としてのはんだボール１６を設けることよって、半導体装置１０の両面側のランド部２０，２０・・の各露出面バンプを形成できる。
【００１４】
図１〜図７に示す半導体装置では、めっき金属内にワイヤ２４を配設した配線パターン２２，２２・・を形成しているが、ワイヤ２４に代えて複数個の金属製のスタッドバンプを形成してもよい。このスタッドバンプは、図３（ｂ）に示す様に、パターニングを施した絶縁層１２の全面、電極端子１８の露出面及び支持板３０の露出面に金属薄膜を形成した後、形成する配線パターンに沿って、ワイヤ２４を用いて形成することができる。
また、図１〜図７に示す半導体装置では、単層の絶縁層１２が形成されているものであるが、絶縁層を多層化することによって、配線パターン２２が複雑化しても対応できる。その例を図８に示す。
図８に示す半導体装置では、三層の絶縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃを形成し、最下層の絶縁層１２ａに埋め込まれた半導体素子１４の電極端子１８，１８・・の各々から、外部接続端子としてのはんだボール１６が設けられるランド部２０とを電気的に接続する配線パターン２２が、絶縁層１２ｂ，１２ｃを越えて設けられている。配線パターン２２のうち、配線パターン２２ａは電極端子１８と半導体装置１０の両面側に設けられたランド部２０，２０を電気的に接続し、配線パターン２２ｂは電極端子１８と半導体素子１４の上面側に設けられたランド部２０とを電気的に接続する。
かかる配線パターン２２ａには、電極端子１８及び絶縁層１２ｂの露出面に設けられた金から成るスタッドバンプ４０，４０と、絶縁層１２ｃと半導体装置１０の下面側のランド部２０とを接続する金から成るワイヤ２４とが、銅から成るめっき金属２６内に配設されている。
また、配線パターン２２ｂには、電極端子１８及び絶縁層１２ｂ，１２ｃの露出面に設けられた金から成るスタッドバンプ４０，４０が、銅から成るめっき金属２６内に配設されている。
【００１５】
この様に、図８に示す半導体装置１０では、配線パターン２２ａ，２２ｂは、主として銅から成るめっき金属２６によって形成されているため、銅のみから成る配線パターンの電気特性と遜色はない。しかも、配線パターン２２ａには、めっき金属２６内にワイヤ２４及び電極端子１８及び絶縁層１２ｂ上に立設されたスタッドバンプ４０，４０が配設されており、配線パターン２２ｂにも、めっき金属２６内に電極端子１８及び絶縁層１２ｂ，１２ｃ上に立設された複数個のスタッドバンプ４０が配設されている。このため、配線パターン２２ａ，２２ｂは、絶縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃとの熱膨張率差に寄る応力を受けても断線するおそれを解消できる。その結果、図８に示す半導体装置１０の信頼性を向上できる。
また、図８に示す半導体装置１０では、その最下層の絶縁層１２ａ内に半導体素子１４が埋め込まれているため、絶縁板上に半導体素子が搭載された従来の半導体装置に比較して、その厚さを薄くできる。
【００１６】
図８に示す半導体装置を製造する際には、先ず、図９（ａ）に示す様に、金属製の支持板３０の一面側に接着剤３２に接着して搭載した半導体素子１４を埋め込んだ最下層の絶縁層１２ａ上に、二層の絶縁層１２ｂ，１２ｃを積層する。これらの絶縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃの各々には、その外周縁近傍に支持板３０が底面に露出する凹部３６，３６が形成され、且つ半導体素子１４の電極端子１８，１８・・の各々が露出すると共に、露出した電極端子１８，１８・・の各近傍の絶縁層１２ｂの一部分が露出するようにエッチングやレーザ等によってパターニングが施されている。
かかるパターニングを施した絶縁層１２ａ，１２ｂ．１２ｃの露出面、電極端子１８の露出面及び支持板３０の露出面に金属薄膜（図示せず）を、無電解めっきや蒸着等で形成した後、図９（ｂ）に示す様に、めっき用レジスト３８によって絶縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ上に配線パターン２２，２２・・に倣ったパターンを形成する。
【００１７】
次いで、図９（ｃ）に示す様に、凹部３６の底面に露出する支持板３０の露出面と、凹部３６の近傍に露出する絶縁層１２ｃの金属薄膜（図示せず）の露出面に一端部が接続されたワイヤ２４を、凹部３６の底面に露出する支持板３０の露出面まで延出し、ワイヤ２４の他端部を溶着して溶断する。このため、支持板３０の露出面に溶着されているワイヤ２４の他端部は、ワイヤ２４よりも太い球状部に形成される。
また、半導体素子１４の電極端子１８及び絶縁層１２ｂ，１２ｃの各々に形成された金属薄膜の各露出面には、スタッドバンプ４０，４０・・を立設する。このスタッドバンプ４０は、ワイヤ２４の一端部を金属薄膜の所定の露出面に溶着した後、ワイヤ２４を加熱しつつ引き千切ることによって形成できる。
かかるワイヤ２４の接続及び延出、及びスタッドバンプ４０の形成には、半導体装置の製造工程のワイヤボンディング工程で用いられるボンディング装置を採用できる。
【００１８】
図９（ｃ）に示すようにワイヤ２４やスタッドバンプ４０が配設された絶縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃの金属薄膜が露出した露出面に、支持板３０及び金属薄膜を給電層とする電解銅めっきによって、めっき金属２６としてめっき銅を、めっき用レジスト３８によって形成されたパターン内に充填して配線パターン２２ａ，２２ｂを形成する［図１０（ａ）の工程］。
配線パターン２２ａ，２２ｂを形成する電解銅めっきを施した後、めっき用レジスト３８を剥離し、絶縁層１２ｃの表面に露出する金属薄膜（図示せず）をエッチング等によって除去する［図１０（ｂ）の工程］。かかる金属薄膜の除去によって、配線パターン２２ａ，２２ｂの各中途部を電気的に絶縁できる。
金属薄膜を除去した絶縁層１２ｃの露出面及び配線パターン２２ａ，２２ｂは、ソルダレジスト１７によって覆った後、支持板３０をエッチングによって除去する［図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）の工程］。
【００１９】
次いで、支持板３０が除去されて露出した絶縁層１２の露出面を、ソルダレジスト１７によって覆った後［図１０（ｅ）の工程］、ソルダレジスト１７，１７にパターニングを施し、ランド部２０，２０・・を露出することによって、図８に示す半導体装置１０を得ることができる。
図８に示す半導体装置１０では、その両面側にランド部２０，２０・・が形成されており、半導体素子１４の電極端子１８，１８・・の形成面側に形成されたランド部２０，２０・・の各露出面には、図１（ａ）に示す様に、外部接続端子としてのはんだボール１６を設けることができる。
一方、半導体素子１４の電極端子１８，１８・・の形成面に対して反対面側に形成されたランド部２０，２０・・には、はんだボール１６を設けてもよく、他の半導体装置等の電子部品の外部接続端子を接続してもよい。
尚、図１０（ｄ）の工程で支持板３０を除去する工程で、図６（ａ）に示す様に、支持板３０の一部をバンプ３５として残すこともできる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る半導体装置の一例である半導体装置について、その裏面状態示す背面図及びその表面のソルダレジストを剥離した絶縁層の表面状態を示す正面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の拡大横断面図である。
【図３】図２に示す半導体装置を製造する製造工程の一部を説明する工程図である。
【図４】図２に示す半導体装置を製造する製造工程の一部を説明する工程図である。
【図５】図２に示す半導体装置を製造する製造工程の一部を説明する工程図である。
【図６】本発明に係る半導体装置の製造方法の他の例を示す半導体装置の製造工程の一部である。
【図７】図６に示す製造工程で得られた半導体装置の拡大横断面図である。
【図８】本発明に係る半導体装置の他の例である半導体装置の拡大横断面図である。
【図９】図８に示す半導体装置を製造する製造工程の一部を説明する工程図である。
【図１０】図８に示す半導体装置を製造する製造工程の一部を説明する工程図である。
【符号の説明】
【００２１】
１０  半導体装置
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ  絶縁層
１４  半導体素子
１６  はんだボール（外部接続端子）
１７  ソルダレジスト
１８  電極端子
２０  ランド部
２２，２２ａ，２２ｂ  配線パターン
２４  ワイヤ
２４ａ  球状部
２６  めっき金属
３０  支持板
３２  接着剤
３４，３６  凹部
３５  バンプ
３８  めっき用レジスト
４０  スタッドバンプ
【図１】
2007220873.tif 000003
【図２】
2007220873.tif 000004
【図３】
2007220873.tif 000005
【図４】
2007220873.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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