(57)【要約】【課題】  ＭＯＳＦＥＴを用いた電流振幅制限回路と過電流防止回路の開発、および、スイッチ付き電流振幅制限回路とスイッチ付き過電流防止回路の開発。【解決手段】  エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電流は、非飽和領域での動作では抵抗特性を示し、飽和領域での動作では定電流特性を示す。図１のように、直流電源に負荷回路とＭＯＳＦＥＴＱ１とＱ２を直列接続する。スイッチ素子であるＱ２をオンにし、電流振幅制限素子であるＱ１を常時飽和領域で動作させれば電流振幅制限回路になり、Ｑ１を過電流時のみ飽和領域で動作させれば過電流防止回路になる。Ｑ２の機能をＱ１に持たせれば、スイッチ付き電流振幅制限回路やスイッチ付き過電流防止回路になる。図５と図６は、交流電源に応用した回路例である。【選択図】図１
2007068131.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴまたはエンハンスメント型ＩＧＢＴと、交流電源と、負荷回路を、実質的に直列に接続した回路において、正常動作時で少なくとも電流振幅最大時には、前記ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴを飽和領域で動作させる回路にした、電流振幅制限回路。
【請求項２】
エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴまたはエンハンスメント型ＩＧＢＴと、直流電源または交流電源と、負荷回路を、実質的に直列に接続した回路において、正常動作時は前記ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴを非飽和領域で動作させ、過電流時は前記ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴを飽和領域で動作させる回路にした、過電流防止回路。
【請求項３】
エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴまたはエンハンスメント型ＩＧＢＴと、直流電源または交流電源と、負荷回路を、実質的に直列に接続し、前記ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴをオン／オフさせる回路において、前記ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴがオンの状態で少なくとも電流振幅最大時には飽和領域で動作させる回路にした、スイッチ付き電流振幅制限回路。
【請求項４】
エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴまたはエンハンスメント型ＩＧＢＴと、直流電源または交流電源と、負荷回路を、実質的に直列に接続し、前記ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴをオン／オフさせる回路において、前記ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴがオンの状態で正常動作時は非飽和領域で動作させ、過電流時は前記ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴを飽和領域で動作させる回路にした、スイッチ付き過電流防止回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴまたはエンハンスメント型ＩＧＢＴ（本文では単にＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴと記す）を使用した電流振幅制限回路（直流回路では定電流回路になる）および過電流防止回路に関する。実施例は全てＮチャンネルＭＯＳＦＥＴであるが、簡単な回路変更でＰチャンネルＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴも使用可能である。なお、ＭＯＳＦＥＴをＩＧＢＴに置き換えるときは、ＭＯＳＦＥＴのドレイン、ソース、ゲートはＩＧＢＴのコレクタ、エミッタ、ゲートとする。
「電流振幅制限回路」および「過電流防止回路」の意味を説明する。
▲１▼「電流振幅制限回路」および「過電流防止回路」はＭＯＳＦＥＴのドレイン電流（ＩＧＢＴではコレクタ電流）がある大きさの電流に抑制される回路である。ドレイン電流の抑制は、段落「０００８」〜「０００９」記載のように、ＭＯＳＦＥＴの出力特性が「飽和領域」での動作による。
▲２▼直流回路での「電流振幅制限回路」は、常時「飽和領域」での動作になるので「定電流回路」になる。交流回路での「電流振幅制限回路」は電流波形が正負両領域にまたがるため、半サイクル毎に「飽和領域」と「非飽和領域」での動作になる。
▲３▼「過電流防止回路」は、直流回路でも交流回路でも正常動作時は「非飽和領域」で動作し、過電流発生時のみ「飽和領域」に掛かって動作して電流を制限する回路である。
【背景技術】
【０００２】  図７は、ＮチャンネルジャンクションＦＥＴ（ＪＦＥＴ）を用いた直流電源での電流振幅制限回路（定電流回路）の１例である。図７の回路において品名や個体により異なるが、ゲート・ソース間電圧が０Ｖで電源Ｅの電圧ＶＥがある電圧以上あれば電流Ｉは数ｍＡ〜数十ｍＡの電流振幅制限回路（定電流回路）になる。他にも、バイポーラトランジスタの出力特性である、ベース電流をパラメータとするコレクタ・エミッタ間電圧とコレクタ電流の関係を使用する回路等もある。
【非特許文献１】鈴木雅臣著「続トランジスタ回路の設計」ＣＱ出版株式会社、１９９４年７月２０日第３版発行、ｐ．８０〜８２、図３９〜４０。
【０００３】  図８により、ＭＯＳＦＥＴを用いた過電流防止回路の例を説明する。図８の回路は、抵抗器Ｒ２で発生する電圧を制御回路ＳＧの入力とし、ＳＧの出力ＯＰのハイ／ロウでＭＯＳＦＥＴＱ１をオン／オフさせる回路であるが、過電流時はＲ２で発生する電圧が高くなりＳＧ出力をロウにしてＱ１をオフにする。
【非特許文献２】山崎浩著「パワーＭＯＳＦＥＴの応用技術」日刊工業新聞社、２００３年２月２８日第２版発行、ｐ．１３４〜１３５、図４．６６。  他にも白熱電球や平滑用コンデンサへの充電電流のスイッチオン時の過電流（突入電流）防止のために、サーミスタの使用やＳＣＲと小抵抗の並列回路の使用等がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  以上述べたように、図７の電流振幅制限回路（定電流回路）は数ｍＡ〜数十ｍＡの比較的小さな電流である。また、バイポーラトランジスタの出力特性であるベース電流をパラメータとしてコレクタ・エミッタ間電圧によるコレクタ電流の関係を使用する回路は、定電流化したベース電流を常時流す必要があり常時損失が発生する事、コレクタ・エミッタ間電圧が上昇すればコレクタ電流もある程度上昇する事、コレクタ電流により降伏電圧が異なる事等、電流振幅制限素子としては問題があった。
過電流防止回路は図８のように電流検出の抵抗器を直列に接続することが多く、常時抵抗器による損失が発生する事、複雑な制御回路を使用する事等、問題があった。
以上の回路は電流振幅制限回路や過電流防止回路としての機能以上の付加価値はないが、本提案回路は前記機能の他に、ＭＯＳＦＥＴがオンの時のゲート・ソース間電圧値により、スイッチ付き電流振幅制限回路やスイッチ付き過電流防止回路になる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】  直流電源または交流電源の両端子間に、実質的に負荷回路とＭＯＳＦＥＴを直列に接続する。この回路が、正常動作で電流振幅最大時にＭＯＳＦＥＴの飽和領域での動作であれば、電流振幅制限回路になる。また、ＭＯＳＦＥＴが正常動作時は非飽和領域の動作で、過電流時は飽和領域での動作であれば過電流防止回路になる。さらに、ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間電圧をハイ／ロウにしてＭＯＳＦＥＴをオン／オフさせ、オン時のゲート・ソース間電圧を前記電流振幅制限回路または過電流防止回路としての動作電圧にすれば、スイッチ付き電流振幅制限回路やスイッチ付き過電流防止回路になる。
【発明の効果】
【０００６】  図２に示すように、ＭＯＳＦＥＴの出力特性であるドレイン・ソース間電圧とドレイン電流との関係は、ゲート・ソース間電圧をパラメータとして低いドレイン・ソース間電圧では非飽和領域の動作であり低いオン抵抗で定抵抗特性を示すが、ドレイン・ソース間電圧がある電圧以上では飽和領域での動作で電流振幅制限特性（定電流特性）を示す。この回路のＭＯＳＦＥＴにオン／オフのスイッチ機能を持たせれば、オン時に電流振幅制限回路や過電流防止回路になる。しかも、主要部品は前記ＭＯＳＦＥＴのみであり、小型、廉価な大電流での電流振幅制限回路や過電流防止回路が可能になる。これらの回路は自動的にスイッチオンする装置、例えばタイマーでスイッチオン、リモコンでスイッチオン、センサーの情報に基づくスイッチオン等の回路に使用すれば、待機電力の少ない非常に経済的なスイッチ付き電流振幅制限回路やスイッチ付き過電流防止回路になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】  以下、本発明の実施の形態を図１〜図６の実施例とグラフに基づいて説明する。
【実施例１】
【０００８】  図１を説明する前に図２〜図４を説明する。
図２はＭＯＳＦＥＴの出力特性であるゲート・ソース間電圧ＶＧＳをパラメータとするドレイン・ソース間電圧ＶＤＳとドレイン電流ＩＤの関係である。図２を見れば明らかなように低いドレイン・ソース間電圧ＶＤＳではドレイン電流ＩＤはＶＤＳに比例して上昇するが、この時のＭＯＳＦＥＴは非飽和領域で動作し低い抵抗での定抵抗特性を示す。ドレイン・ソース間電圧ＶＤＳが上昇すればドレイン電流ＩＤは肩特性の後、ＭＯＳＦＥＴは飽和領域での動作となりＩＤはゲート・ソース間電圧ＶＧＳで決まる電流振幅制限特性（定電流特性）を示す。このことをＭＯＳＦＥＴのオン抵抗で表現すれば、非飽和領域では低いオン抵抗の定抵抗特性を示し、飽和領域になれば定電流特性を示すオン抵抗に上昇する。この素子を、正常動作時は非飽和領域で動作させ過電流時に飽和領域で動作させれば、最大電流振幅がゲート・ソース間電圧ＶＧＳで決まる過電流防止回路になる。さらに、ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間電圧をハイ／ロウにしてオン／オフさせ、オンの時は電流振幅制限回路や過電流防止回路として動作させれば、スイッチ付き電流振幅制限回路やスイッチ付き過電流防止回路になる。
【非特許文献３】Ｅｄｗｉｎ  Ｓ．Ｏｘｎｅｒ著・山崎浩訳「パワーＦＥＴ・基礎から回路設計へ」丸善株式会社．昭和６２年６月３０日発行．図２は、本書のｐ．７１．図４．６。
【０００９】  図３〜図４で電流振幅制限回路（定電流回路）と過電流防止回路を説明する。
図３は実際の回路ではないが電流振幅制限回路と過電流防止回路の説明のための回路である。電源Ｅは鋸歯状波（のこぎり波）とし、負荷回路ＲＬは純抵抗器とし、電圧ＶＧＳを有する電源ＥＧＳをＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート・ソース間に印加する。図４は、そのときの電源Ｅと負荷回路ＲＬとＭＯＳＦＥＴＱ１の電流波形と電圧波形である。なお、ＭＯＳＦＥＴ出力特性の肩部分曲線とオン電圧は無視する。
（１）は電源電圧波形。（２）は負荷回路ＲＬの電流波形。（３）は負荷回路ＲＬの電圧波形。（４）はＭＯＳＦＥＴＱ１の電圧波形。電圧波形同士の関係は、（１）＝（３）＋（４）である。
（２）の電流波形で動作を説明する。ａ−ｂ間は非飽和領域の定抵抗特性領域で、ｂ−ｃ間は飽和領域の電流振幅制限特性領域である。電流振幅制限回路は、ｂ−ｃ間を使用する。過電流防止回路では、正常動作時はａ−ｂ間を使用し、過電流時の電流振幅制限動作はｂ−ｃ間を使用する。【００１０】  図２〜図４の説明に基づき図１を説明する。
図１は本発明の請求項２〜請求項４に係わる実施例で、直流電源用回路である。
図１を説明する。直流電圧ＶＥを有する直流電源Ｅの正端子に負荷回路ＲＬを接続し、ＲＬの別の端子にＭＯＳＦＥＴＱ１のドレインを接続し、Ｑ１のソースには別のＭＯＳＦＥＴＱ２のドレインを接続し、Ｑ２のソースは直流電源Ｅの負端子である０点に接続する。別に、ＭＯＳＦＥＴＱ１にはゲート側を正にしたゲート・ソース間電圧ＶＧＳを有する直流電源ＥＧＳを接続する。さらに、電圧ＶＥＨを有する補助電源ＥＨは制御回路ＳＧの電源として接続し、ＳＧの出力ＯＰはＭＯＳＦＥＴＱ２のゲートに接続する。この回路でのＭＯＳＦＥＴＱ１は電流振幅制限回路や過電流防止回路として動作し、ＭＯＳＦＥＴＱ２は制御回路ＳＧの出力ＯＰのハイ／ロウによりオン／オフするスイッチとして動作する。なお、この時の負荷回路ＲＬは必ずしも抵抗器でなくともよく、インダクタやコンデンサ等を含む回路でもよい。
動作を説明する。制御回路ＳＧの入力ＩＰによりＳＧ出力ＯＰがロウならＭＯＳＦＥＴＱ２はオフである。出力ＯＰがハイならＭＯＳＦＥＴＱ２はオンになり電源Ｅからの電流は、電源Ｅ−負荷回路ＲＬ−ＭＯＳＦＥＴＱ１−ＭＯＳＦＥＴＱ２−電源Ｅ、と流れてＲＬは動作する。この動作を下記４つに分類できるが、▲１▼と▲２▼はＭＯＳＦＥＴＱ１とＱ２を別素子の時で、▲３▼と▲４▼はＱ２の機能をＱ１に持たせている。
▲１▼ＭＯＳＦＥＴＱ２がオンで、ＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート・ソース間電圧が常に飽和領域での動作になる電圧であれば、電流振幅制限回路になる。
▲２▼ＭＯＳＦＥＴＱ２がオンで、ＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート・ソース間電圧が正常時は非飽和領域で過電流時は飽和領域での動作になる電圧であれば、過電流防止回路になる。
▲３▼制御回路ＳＧ出力ＯＰをハイ／ロウにしてＭＯＳＦＥＴＱ１をオン／オフさせ、オンの時の出力ＯＰ電圧を前記▲１▼記載のゲート・ソース間電圧にすればＱ１は電流振幅制限回路になり、スイッチ付き電流振幅制限回路となる
▲４▼制御回路ＳＧ出力ＯＰをハイ／ロウにしてＭＯＳＦＥＴＱ１をオン／オフさせ、オンの時の出力ＯＰ電圧を前記▲２▼記載のゲート・ソース間電圧にすればＱ１は過電流防止回路になり、スイッチ付き過電流防止回路となる。
以上のように図１の回路では非常に簡単な回路で、電流振幅制限回路や過電流防止回路またはスイッチ付き電流振幅制限回路やスイッチ付き過電流防止回路になる。
電池ＥＧＳに代えて、電源Ｅの正端子とＭＯＳＦＥＴＱ２のドレイン間にＥ側より抵抗器とカソードをＥ側にしたツェナーダイオードを直列接続し、電源Ｅ−抵抗器−ツェナーダイオード−ＭＯＳＦＥＴＱ２−電源Ｅ、と電流を流した時の、ツェナー電圧をＱ１のゲート・ソース間に印加してもよい。
補助電源ＥＨは、抵抗器＋ツェナーダイオードのツェナー電圧を使用してもよいし、他の回路でもよい。
【実施例２】
【００１１】  図５は本発明の請求項１〜請求項４に係わる実施例で、交流電源用回路である。
この回路は、ＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４のゲート同士とソース同士を各々接続した逆直列回路を、交流電源ＡＣと負荷回路ＲＬに直列接続する。以後の説明上、ＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４のソース同士を０点とし、交流電源ＡＣの黒点側をＫ点とし、ＡＣの非黒点側をＬ点とし、Ｑ４のドレインと負荷回路ＲＬの接続点をＭ点とする。Ｋ点と０点間に０点側より、コンデンサＣとアノードを０点側にしたツェナーダイオードＺＤの並列回路に抵抗器Ｒ１とアノードをＫ点側にしたダイオードＤ１を直列接続する。ＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４の寄生ダイオードはそれぞれダイオードＤ３とＤ４とする。ＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４をＩＧＢＴに置き換えるときは寄生ダイオードに相当するダイオードを接続する必要がある。この回路は、ツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧が補助電源ＥＨとして制御回路ＳＧの電源端子に接続され、制御回路ＳＧの出力ＯＰはＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４のゲートに接続される。このときのＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４はスイッチ動作と同時に電流振幅制限回路や過電流防止回路の動作も行う。
動作を説明する。交流電源ＡＣの黒点側が正になればＡＣの電流は、交流電源ＡＣ−ダイオードＤ１−抵抗器Ｒ１−コンデンサＣ−ダイオードＤ３−交流電源ＡＣと流れてコンデンサＣをツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧に充電し、その電圧は補助電源ＥＨとして制御回路ＳＧの電源端子に印加されてＳＧは動作し、ＳＧ出力ＯＰはＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４のゲート同士・０点間に印加される。制御回路ＳＧの出力ＯＰがロウならＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４はオフになるので負荷回路ＲＬに電流は流れない。出力ＯＰがハイならばＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４はオンになるので負荷回路ＲＬに電流が流れる。交流電源ＡＣの黒点側が正であれば負荷回路ＲＬを流れる電流は、交流電源ＡＣ−負荷回路ＲＬ−ＭＯＳＦＥＴＱ４−ダイオードＤ３−交流電源ＡＣと流れ、黒点側が負のときの電流は、交流電源ＡＣ−ＭＯＳＦＥＴＱ３−ダイオードＤ４−負荷回路ＲＬ−交流電源ＡＣと流れて、負荷回路ＲＬは動作する。なお、ＭＯＳＦＥＴがオンのときの寄生ダイオードに流れる電流は、先ずＭＯＳＦＥＴのソースからドレインへチャンネル部を流れ、そのオン電圧が寄生ダイオードの立ち上がり電圧以上になったときに寄生ダイオードにも流れる。
この回路は交流電源なので、２つのＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４でスイッチ付き電流振幅制限回路やスイッチ付き過電流防止回路として動作する。ＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４のゲート・ソース間電圧を固定すれば、電流振幅制限回路や過電流防止回路になる。ＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４の特性が異なれば、電流波形は必ずしも対象波形にはならない。負荷回路ＲＬはトランスの１次側でもよい。過電流防止回路は、スイッチオン時の整流平滑後のコンデンサ充電電流の突入電流防止回路や白熱電球への突入電流防止回路等になる。また、図１の直流電源とは違い、波形も下記のように多少異なる。
▲１▼電流振幅制限回路としての動作時は、電流波形の上限と下限で振幅制限する。
▲２▼過電流防止回路としての動作時は、正常動作時はそのままの波形で、過電流時は電流波形の上限と下限で振幅制限する。
【実施例３】
【００１２】  図６は本発明の請求項１〜請求項４に係わる実施例で、図５とは別の交流電源用回路である。
この回路は、図５のＬ点とＭ点間にダイオードＤ５とＤ７のカソード同士を接続した逆直列回路と、ダイオードＤ６とＤ８のアノード同士を接続した逆直列回路を並列接続し、ダイオードＤ５とＤ７のカソードにＭＯＳＦＥＴＱ１のドレインを接続し、ダイオードＤ６とＤ８アノードにＱ１のソースを接続する。この回路の０点はＭＯＳＦＥＴＱ１のソースである。Ｋ点と０点間には図５と同じく、コンデンサＣ、ツェナーダイオードＺＤ、抵抗器Ｒ１、ダイオードＤ１を接続し、ＺＤのツェナー電圧が補助電源ＥＨとして制御回路ＳＧの電源端子に接続し、制御回路ＳＧの出力ＯＰをＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートに接続している。
動作を説明する。交流電源ＡＣの黒点側が正になればＡＣの電流は、交流電源ＡＣ−ダイオードＤ１−抵抗器Ｒ１−コンデンサＣ−ダイオードＤ６−交流電源ＡＣと流れてコンデンサＣをツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧に充電し、その電圧を補助電源ＥＨとして制御回路ＳＧの電源端子に印加してＳＧは動作し、制御回路ＳＧの出力ＯＰはＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート・０点間に印加される。制御回路ＳＧの出力ＯＰがロウならＭＯＳＦＥＴＱ１はオフになるので負荷回路ＲＬに電流は流れない。出力ＯＰがハイならばＭＯＳＦＥＴＱ１はオンになるので負荷回路ＲＬに電流が流れる。交流電源ＡＣの黒点側が正であれば負荷回路ＲＬを流れる電流は、交流電源ＡＣ−負荷回路ＲＬ−ダイオードＤ７−ＭＯＳＦＥＴＱ１−ダイオードＤ６−交流電源ＡＣと流れ、黒点側が負のときの電流は、交流電源ＡＣ−ダイオードＤ５−ＭＯＳＦＥＴＱ１−ダイオードＤ８−負荷回路ＲＬ−交流電源ＡＣと流れて、負荷回路ＲＬは動作する。その他のことは図５に準じ、スイッチ付き電流振幅制限回路やスイッチ付き過電流防止回路になる。ＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート・ソース間電圧を固定すれば、電流振幅制限回路や過電流防止回路になる。ＭＯＳＦＥＴＱ１をＩＧＢＴに置き換える時は、ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードに相当するダイオードは接続する必要はない。図６の負荷回路ＲＬは交流回路用であるが、負荷回路ＲＬが直流でも動作する回路であれば負荷回路ＲＬをダイオードＤ５とＤ７のカソードとＭＯＳＦＥＴＱ１のドレイン間に接続してもよい。その回路を利用すれば、負荷回路ＲＬとＭＯＳＦＥＴの複数の直列回路を複数の制御回路出力で制御できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】  本発明の第１の実施例である直流電源用回路で、スイッチ機能を別素子にした電流振幅制限回路および過電流防止回路である。
【図２】  ＭＯＳＦＥＴの出力特性で、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳをパラメータとするドレイン・ソース間電圧ＶＤＳとドレイン電流ＩＤの関係である。
【図３】  図４に示すＭＯＳＦＥＴの動作領域説明用回路である。
【図４】  図３の回路による各部の電流波形と電圧波形である。
【図５】  本発明の第２の実施例である交流電源用回路で、２つの素子によるスイッチ付き電流振幅制限回路およびスイッチ付き過電流防止回路である。
【図６】  本発明の第３の実施例である図５とは別の交流電源用回路で、１つの素子によるスイッチ付き電流振幅制限回路およびスイッチ付き過電流防止回路である。
【図７】  従来の回路で、ジャンクションＦＥＴを使用した定電流回路の例である。
【図８】  従来の回路で、電流検出用抵抗を使用した過電流防止回路の例である。
【符号の説明】
【００１４】      Ｅ              直流電源
ＡＣ            交流電源
ＥＧＳ          ゲート・ソース間電源
ＥＨ            補助電源
ＳＧ            制御回路
ＩＰ            制御回路の入力
ＯＰ            制御回路の出力
ＲＬ            負荷回路
Ｑ１〜Ｑ４      エンハンスメント型ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ
ＪＦＥＴ        ジャンクションＦＥＴ
Ｄ１〜Ｄ８      ダイオード
Ｒ１〜Ｒ２      抵抗器
Ｃ              コンデンサ
ＩＤ            ＭＯＳＦＥＴのドレイン電流
ＶＥ            直流電源電圧
ＶＧＳ          ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間電圧
ＶＤＳ          ＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間電圧
【図１】
2007068131.tif 000003
【図２】
2007068131.tif 000004
【図３】
2007068131.tif 000005
【図４】
2007068131.tif 000006
【図５】
2007068131.tif 000007
【図６】
2007068131.tif 000008
【図７】
2007068131.tif 000009
【図８】
2007068131.tif 000010