(57)【要約】【課題】酸化された多孔性シリコン（ＯＰＳ）物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のディスプレイ素子の製造方法は、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）及び酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）のうち少なくとも一つを含有する第１パネル２０及び第２パネル６０を準備するステップと、第１パネル２０上にＯＰＳ物質系の電子放出源４０を形成するステップと、第１パネル２０上にシリコンを蒸着してＯＰＳ物質系の電子放出源４０を取り囲むシリコンスペーサ５０を形成するステップと、第１パネル２０と第２パネル６０とが相互に対向するようにシリコンスペーサ５０上に第２パネル６０を陽極接合するステップとを含むことを特徴とする。【選択図】図３Ｊ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）及び酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）のうち少なくとも一つを含有する第１パネル及び第２パネルを準備するステップと、
前記第１パネル上にＯＰＳ（酸化多孔性シリコン）物質系の電子放出源を形成するステップと、
前記第１パネル上にシリコンを蒸着して前記ＯＰＳ物質系の電子放出源を取り囲むシリコンスペーサを形成するステップと、
前記第１パネルと前記第２パネルとが相互に対向するように前記シリコンスペーサ上に前記第２パネルを陽極接合するステップと
を含むことを特徴とするディスプレイ素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１パネル及び前記第２パネルは、前記シリコンスペーサと熱膨張係数が実質的に同一なガラスまたはプラスチック材質によって製造されていることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１パネル及び前記第２パネルは、パイレックス（登録商標）７７４０ガラスであることを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項４】
前記ＯＰＳ物質系の電子放出源を形成するステップは、
前記第１パネル上にカソード電極を形成するステップと、
前記カソード電極上にＯＰＳ層を形成するステップと、
前記ＯＰＳ層上にグリッド電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項５】
前記ＯＰＳ層を形成するステップは、
前記カソード電極上にシリコン層を形成するステップと、
前記シリコン層を陽極酸化処理してＯＰＳ層に変化させるステップと
を含むことを特徴とする請求項４に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項６】
前記シリコンスペーサは、１００μｍ以内の高さに形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項７】
前記シリコンスペーサは、１０μｍ以内の高さに形成されることを特徴とする請求項６に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項８】
前記シリコンスペーサは、１００μｍ以内の幅に形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項９】
前記シリコンスペーサは、１０μｍ以内の幅に形成されることを特徴とする請求項８に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１パネルと前記第２パネルとが相互に対向するように前記シリコンスペーサ上に前記第２パネルを陽極接合するステップは、
前記第１パネル及び前記第２パネルを２００℃以上に加熱するステップと、
前記第１パネル及び前記第２パネルのそれぞれとシリコンスペーサとの間に直流電圧を印加するステップと
を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記直流電圧は、６００Ｖ以上であることを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１パネル及び前記第２パネルに（−）電圧を印加し、前記シリコンスペーサに（＋）電圧を印加することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第２パネル上に蛍光体層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第２パネル上にアノード電極を形成するステップと、
前記アノード電極上に蛍光体層を形成するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載のディスプレイ素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の方法で製造されたディスプレイ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化された多孔性シリコン（Ｏｘｉｄｉｚｅｄ Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ；以下、ＯＰＳ）物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法に係り、さらに詳細には、第１パネル及び第２パネルの接合工程中にＯＰＳ層の表面汚染を抑制して、前記ＯＰＳ層の電子放出特性を向上させるディスプレイ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ；以下、ＰＤＰ）は、電気的放電を利用して画像を形成する装置であって、輝度や視野角などの表示性能に優れており、その使用が日ごとに増大している。このようなＰＤＰは、電極に印加される直流または交流電圧によって、前記電極間にガス放電が起こり、この放電の過程で発生する紫外線によって蛍光体が励起されて可視光を発散する。このようなＰＤＰは、その放電形式によって直流型と交流型とに分類され、また電極の配置構造によって対向放電型と面放電型とに分類される。
【０００３】
図１は、従来のＰＤＰの構造を示した断面斜視図である。
【０００４】
図１に示すように、従来のＰＤＰは、背面パネル２と前面パネル１０が相互に対向し、この背面パネル２と前面パネル１０との間に介在した複数の隔壁８を備えている。したがって、前記背面パネル２、前面パネル１０及び隔壁８によって取り囲まれた放電空間１５が形成され、前記放電空間１５内には、キセノン（Ｘｅ）のような放電ガスが充填される。前記隔壁８は、複数の単位放電セルを区画し、前記単位放電セル間における電気的、光学的クロストークを防止する役割を行う。従来のＰＤＰの構造を具体的に説明すれば、前記背面パネル２の内面にアドレス電極４が設けられており、前記アドレス電極４は、第１誘電体層６との間に埋め込まれている。そして、前記第１誘電体層６上に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を含む蛍光体層９が塗布されている。また、前記前面パネル１０の内面には、第１維持電極１１ａ及び第２維持電極１１ｂが設けられており、前記第１維持電極１１ａ及び第２維持電極１１ｂのそれぞれの上には、それらのライン抵抗を減らすための第１バス電極１２ａ及び第２バス電極１２ｂが設けられている。前記第１維持電極１１ａ及び第２維持電極１１ｂと第１バス電極１２ａ及び第２バス電極１２ｂとは、第２誘電体層１３との間に埋め込まれており、前記第２誘電体層１３上には、さらにＭｇＯ保護膜１４が形成されている。前記ＭｇＯ保護膜１４は、プラズマスパッタリングから第２誘電体層１３の損傷を防止すると同時に、プラズマの放電時に２次電子を放出することによって放電電圧を下げる役割を行っている。
【０００５】
このような構造のＰＤＰにおいて、放電を通じて電子が持続的に供給及び加速され、加速された電子が中性粒子と衝突して励起粒子を生成する。そして、このような励起粒子が安定化されながら紫外線を放出し、前記紫外線によって蛍光体が励起されて可視光を形成する。このような可視光は、前面パネル１０を通じて射出されて画像を表示することができる。
【０００６】
しかし、このような従来のＰＤＰの製造技術では、高画質の画面を実現するために、まだ解決されるべき多くの課題を有している。例えば、従来のＰＤＰに適用されている隔壁は、ペーストプリンティングによって製造されているため、下部が広く、上部へ行くほど次第にその幅が狭くなる構造を有している。このようなストライプ状の隔壁の構造は、その製作は容易であるが、放電時に隣接するセルとの間でクロストークが発生する可能性のある構造であり、高輝度、高効率のディスプレイを実現する場合には技術上の限界をもたらしている。
【０００７】
特に、ＰＤＰまたはＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）のようなディスプレイ装置のパッケージング時には、有機物ペーストを上部パネルまたは下部パネル上に塗布した後、それを４００℃程度の比較的高温で焼成して、上部パネルと下部パネルとを相互に接合させていた。したがって、前記焼成工程において有機物がガス状になって放出され、放電セルの内面を汚染し、その結果、ディスプレイ装置の放電特性及び輝度特性を低下させるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前記問題点を改善するためのものであって、ＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造時に、第１パネルと第２パネルとを接合する工程においてＯＰＳ層の表面汚染を抑制し、前記ＯＰＳ層の電子放出特性を向上させることのできるディスプレイ素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るディスプレイ素子の製造方法は、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）及び酸化カルシウム（Ｋ２Ｏ）のうち少なくとも一つを含有する第１パネル及び第２パネルを準備するステップと、前記第１パネル上にＯＰＳ（酸化多孔性シリコン）物質系の電子放出源を形成するステップと、前記第１パネル上にシリコンを蒸着して前記ＯＰＳ物質系の電子放出源を取り囲むシリコンスペーサを形成するステップと、前記第１パネルと前記第２パネルとが相互に対向するように前記シリコンスペーサ上に前記第２パネルを陽極接合するステップとを含むことを特徴とする。
【００１０】
ここで、前記第１パネル及び前記第２パネルは、前記シリコンスペーサと熱膨張係数が実質的に同一なガラスまたはプラスチック材質によって製造されている。例えば、前記第１パネル及び前記第２パネルは、パイレックス（登録商標）７７４０ガラスである。
【００１１】
前記ＯＰＳ物質系の電子放出源を形成するステップは、前記第１パネル上にカソード電極を形成するステップと、前記カソード電極上にＯＰＳ層を形成するステップと、前記ＯＰＳ層上にグリッド電極を形成するステップとを含んでいる。
【００１２】
ここで、前記ＯＰＳ層を形成するステップは、前記カソード電極上にシリコン層を形成するステップと、前記シリコン層を陽極酸化処理してＯＰＳ層に変化させるステップとを含んでいる。
【００１３】
前記シリコンスペーサの高さ及び幅は、それぞれ１００μｍ以内に形成され、望ましくは、それぞれ１０μｍ以内に形成する。
【００１４】
前記第１パネルと前記第２パネルとが相互に対向するように前記シリコンスペーサ上に前記第２パネルを陽極接合するステップは、前記第１パネル及び前記第２パネルを２００℃以上に加熱するステップと、前記第１パネル及び前記第２パネルのそれぞれとシリコンスペーサとの間に直流電圧を印加するステップとを含んでいる。ここで、前記直流電圧は、６００Ｖ以上であり、前記第１パネル及び前記第２パネルに（−）電圧を印加し、前記シリコンスペーサに（＋）電圧を印加する。
【００１５】
望ましくは、前記第１パネルと前記第２パネルとが相互に対向するように前記シリコンスペーサ上に前記第２パネルを陽極接合するステップは、真空雰囲気で実行する。
【００１６】
そして、前記ディスプレイ素子の製造方法は、前記第２パネル上に蛍光体層を形成するステップをさらに含み、さらに望ましくは、前記第２パネル上にアノード電極を形成するステップと、前記アノード電極上に蛍光体層を形成するステップとをさらに含んでもよい。ここで、前記アノード電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）のような透明な導電性物質から形成される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造時に陽極接合工程を利用することによって、第１パネルと第２パネルとを接合する工程中にＯＰＳ層の表面汚染を抑制し、これによって前記ＯＰＳ層の電子放出特性を向上させることができる。そして、第１パネルと第２パネルとの間のギャップを数十μｍ以下に制御することが容易になり、ディスプレイ素子のさらなる小型化、コンパクト化に有利である。
【００１８】
また、本発明のディスプレイ素子の製造方法に係る製造工程では、第１パネルと第２パネルを接合する工程において排気のためのチューブを使用することなくパッケージングが行われるので、ＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造工程をより簡単かつ容易にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付した図面を参照して、本発明に係るＯＰＳ（Ｏｘｉｄｉｚｅｄ Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ、酸化された多孔性シリコン）物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法の実施形態を詳細に説明する。この過程において図面に示す層や領域の厚さは、説明を明確にするために誇張して示す。
【００２０】
図２は、本発明の一実施形態に係るディスプレイ素子の製造方法によって製造されたＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の概略的な断面図である。
【００２１】
図２に示すように、本発明の一実施形態に係るディスプレイ素子は、相互に対向した第１パネル２０と第２パネル６０、前記第１パネル２０と第２パネル６０との間に介在してそれらを所定間隔だけ離隔するシリコンスペーサ５０及び前記第１パネル２０の上面に形成されたＯＰＳ物質系の電子放出源４０を備えている。
【００２２】
ここで、前記ＯＰＳ物質系の電子放出源４０は、前記第１パネル２０上の第２パネル６０と対向する面に順次積層して形成されたカソード電極３２、酸化されたＯＰＳ層３４ａ及びグリッド電極３６を備えている。そして、前記ＯＰＳ物質系の電子放出源４０に対応して、前記第２パネル６０上の第１パネル２０に対向する面には順次アノード電極６２及び蛍光体層６４が形成されている。
【００２３】
このような構造のディスプレイ素子において、前記カソード電極３２、グリッド電極３６及びアノード電極６２に印加される電圧をそれぞれＶｃ、Ｖｇ及びＶａとすると、それらの電圧の間にＶｃ＜Ｖｇ＜Ｖａの関係を満足するような電圧を印加すれば、それらの電極間には一定のサイズの電界を形成することができる。このような電界の影響によって、カソード電極３２からＯＰＳ層３４ａに電子が供給される。そして、このようにして供給された電子は、前記ＯＰＳ層３４ａを通過する過程で加速され、加速された電子は前記ＯＰＳ層３４ａからアノード電極６２に向かって放出される。前記蛍光体層６４は、前記加速された電子によって励起されて可視光を形成し、このような可視光が第２パネル６０を通じて放射されて画像を表示することができる。
【００２４】
ここで、前記ＯＰＳ層３４ａから電子が加速されて放出される原理を具体的に説明すると、次の通りである。前記ＯＰＳ層３４ａを形成するシリコンナノ結晶の直径は、約５ｎｍであり、前記シリコンナノ結晶内における電子の平均自由行程（約５０ｎｍ）と比較して十分に小さい。したがって、前記シリコンナノ結晶内で電子が衝突する確率は非常に低く、ほとんどの電子は、シリコンナノ結晶内で衝突することなく通過して、その界面に到達する。一方、シリコンナノ結晶の間には、非常に薄い酸化膜が形成されており、所定電圧が印加されると、このようなシリコンナノ結晶の間の酸化膜がＯＰＳ層３４ａ内に電界領域を形成する。もちろん、前記酸化膜は、電子がトンネリングして通過できる程度に非常に薄い。したがって、注入された電子は、ＯＰＳ層３４ａ内に形成された電界領域で加速される。したがって、ＯＰＳ層３４ａを備えていると、ディスプレイ素子の輝度特性を従来のディスプレイ素子よりも向上させることができる。
【００２５】
図３Ａ乃至図３Ｋは、本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を説明するための工程図である。ここで、それぞれの物質層は、半導体の製造工程またはＰＤＰの製造工程において一般に使用される多様な薄膜蒸着法によって形成することが可能である。このような薄膜蒸着法としては、物理気相蒸着、化学気相蒸着、スプレイコーティング及びスクリーンプリンティングなどを含んでいる。
【００２６】
まず、図３Ａに示すように、酸化ナトリウムＮａ２Ｏか、または酸化カリウムＫ２Ｏを含む第１パネル２０及び第２パネル（図示せず）を準備する。望ましくは、前記第１パネル２０及び第２パネルは、シリコンと熱膨張係数が類似しているガラスまたはプラスチック材質のものを選択することが好ましい。例えば、パイレックス（登録商標）７７４０（Ｐｙｒｅｘ７７４０）ガラスが、このような条件を充足させることが可能である。
【００２７】
ここで、パイレックス（登録商標）７７４０ガラスは、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３を混合したホウケイ酸ガラスの一種で耐熱ガラスである。その熱膨張率は約３×１０−６／Ｋであり、耐熱衝撃性に加えて耐腐食性にも優れている。
【００２８】
次に、図３Ｂ乃至図３Ｆに示すように、前記第１パネル２０上にＯＰＳ物質系の電子放出源４０を形成する。具体的に説明すると、まず図３Ｂに示すように前記第１パネル２０上にＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇのような導電性物質を用いてカソード電極３２が形成される。その後、図３Ｃに示すように前記カソード電極３２上にシリコン層３４を形成する。次いで、図３Ｄに示すように前記シリコン層３４を陽極酸化処理して、図３Ｅに示すような酸化されたＯＰＳ層３４ａに変化させる。この陽極酸化処理工程は、一般に周知の工程であるので、陽極酸化処理についての詳細な説明は省略する。ただし、本実施形態では、前記陽極酸化処理のためにフッ化水素（ＨＦ）及びエタノールを混合した溶液をエッチング液として利用し、このような陽極酸化処理によってＯＰＳ層３４ａを形成した。その後、図３Ｆに示すように前記ＯＰＳ層３４ａ上にＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇのような導電性物質を用いてグリッド電極３６を形成する。このような工程を経て、前記第１パネル２０上にＯＰＳ物質系の電子放出源４０が形成される。
【００２９】
次に、図３Ｇに示すように、前記第１パネル２０上にシリコン（Ｓｉ）を蒸着して、前記ＯＰＳ物質系の電子放出源４０を取り囲むシリコンスペーサ５０を形成する。ここで、前記シリコンスペーサ５０の高さ及び幅は、それぞれ１００μｍ以内に形成され、望ましくはそれぞれ１０μｍ以内に形成することが好ましい。
【００３０】
一方、図３Ｈに示すように、予め準備された第２パネル６０上に、ＩＴＯのような透明な導電性物質を用いてアノード電極６２が形成される。そして、前記アノード電極６２上に蛍光物質を塗布して蛍光体層６４を形成する。前記第２パネル６０上に順次形成されたアノード電極６２及び蛍光体層６４は、前記ＯＰＳ物質系の電子放出源４０と一組になって単位セルまたは単位画素を構成する。
【００３１】
次に、図３Ｉ及び図３Ｋに示すように、前記第１パネル２０と第２パネル６０とが相互に対向するように、前記シリコンスペーサ５０上に前記第２パネル６０を密着させる。その後、前記第１パネル２０及び第２パネル６０をホットプレート上で２００℃以上に加熱する。そして、前記第１パネル２０及び第２パネル６０のそれぞれとシリコンスペーサ５０との間に直流電圧を印加して、それらを陽極接合する。このとき、図３Ｊに示すように前記第１パネル２０及び第２パネル６０に（−）電圧を印加し、前記シリコンスペーサ５０に（＋）電圧を印加し、前記直流電圧のサイズは、６００Ｖ以上であることが望ましい。このような陽極接合工程は、真空雰囲気で実行する。このようにパネルのパッケージング時に真空雰囲気で陽極接合を実行すれば、不純物が混入せず、非常に高い接合強度を維持することができる。
【００３２】
前記陽極接合工程において、前記第１パネル２０及び第２パネル６０を構成する材質、例えばパイレックス(登録商標)７７４０ガラスでは、一定量のＮａ２ＯまたはＫ２Ｏ成分を含んでいるので、前記パイレックス（登録商標）７７４０ガラスを２００℃以上に加熱すれば、Ｎａ２ＯまたはＫ２Ｏがイオン化して、前記パイレックス（登録商標）７７４０ガラス内にナトリウムイオン（Ｎａ＋）またはカリウムイオン（Ｋ＋）が生成される。このようにして生成されたナトリウムイオンまたはカリウムイオンは、印加される電界によって比較的容易に移動させることができる。前記パイレックス（登録商標）ガラスで形成された第１パネル２０、第２パネル６０のそれぞれとシリコンスペーサ５０との間に６００Ｖ以上の直流電圧を印加した場合、前記ナトリウムイオン（Ｎａ＋）またはカリウムイオン（Ｋ＋）は印加電圧によって急速に移動して、前記シリコンスペーサ５０と隣接する第１パネル２０、第２パネル６０の表面に容易に動けない負電荷のみが残る。したがって、前記第１パネル２０及び第２パネル６０とシリコンスペーサ５０との界面において強い帯電現象または静電力が発生し、この界面でＳｉ−Ｏ−Ｓｉの化学的結合が形成される。その結果、前記第１パネル２０及び第２パネル６０とシリコンスペーサ５０との間にある表面屈曲によるギャップが除去され、前記第１パネル２０及び第２パネル６０とシリコンスペーサ５０とが相互に密着して接合される。前記陽極接合法による接合強度は非常に強いだけでなく、接合にかかる時間も、パネルのサイズによって数秒乃至数分と比較的に短い。特に、パネルのパッケージング時に真空雰囲気で陽極接合すれば、不純物が混入しないので、非常に高い接合強度を維持することができる。
【００３３】
従来、ＰＤＰ及びＦＥＤのようなディスプレイ素子のパッケージング工程は、有機物ペーストを約４００℃で焼成し、上部パネルと下部パネルとを接合する工程によって製造されるので、前記焼成過程において有機物がガス状に放出されてＯＰＳ層の表面を汚染し、ＯＰＳ層の電子放出特性を低下させていた。しかし、本発明に係る陽極接合を利用したパッケージング工程によれば、有機物ペーストを利用しないので、焼成工程が省略されてＯＰＳ層の表面汚染を抑制し、前記ＯＰＳ層の電子放出特性を向上させることができる。その結果、ディスプレイ素子の輝度特性が従来よりも改善させることができる。また、所望の厚さ程度のシリコン薄膜を蒸着してスペーサを製造した後に、後続の工程で陽極接合工程を実施するので、上部パネルと下部パネルとの間のギャップを数十μｍ以下に制御することが容易である。そして、一般的に、ＰＤＰ及びＦＥＤのようなディスプレイ装置の製造時では、上部パネルと下部パネルとの接合工程後に真空雰囲気を形成するためにチューブが必要であったが、本工程の場合では、真空雰囲気でパネルのパッケージング工程、すなわち陽極接合工程を行えるので、排気のためのチューブが不要であるという長所がある。
【００３４】
以上、このような本願発明の理解を助けるために、いくつかの模範的な実施形態を説明し、かつ図示したが、このような実施形態は、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、前記実施形態から多様な変形及び均等な他の実施形態を実現することが可能であるという点を理解しなければならない。したがって、本発明は、図示し、かつ説明した構造及び工程順序にのみ限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の技術思想を中心に保護されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、ディスプレイ素子に関連した技術分野に好適に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来のＰＤＰの構造を示す断面斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態によって製造したＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の概略的な構造を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｆ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｇ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｈ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｉ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｊ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｋ】本発明の一実施形態に係るＯＰＳ物質系の電子放出源を備えたディスプレイ素子の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００３７】
２０  第１パネル
３２  カソード電極
３４ａ  ＯＰＳ層
３６  グリッド電極
４０  ＯＰＳ物質系の電子放出源
５０  シリコンスペーサ
６０  第２パネル
６２  アノード電極
６４  蛍光体層
【図１】
2007242612.tif 000003
【図２】
2007242612.tif 000004
【図３Ａ】
2007242612.tif 000005
【図３Ｂ】
2007242612.tif 000006
【図３Ｃ】
2007242612.tif 000007
【図３Ｄ】
2007242612.tif 000008
【図３Ｅ】
2007242612.tif 000009
【図３Ｆ】
2007242612.tif 000010
【図３Ｇ】
2007242612.tif 000011
【図３Ｈ】
2007242612.tif 000012
【図３Ｉ】
2007242612.tif 000013
【図３Ｊ】
2007242612.tif 000014
【図３Ｋ】
2007242612.tif 000015