(57)【要約】【課題】基板に配線パターンを形成する基板処理方法において、フォトレジスト層下の層をより単純化することにより工程数の削減、装置構成の増大抑制を実現でき、また、パターン形成処理に伴う膜厚減少を抑制することのできる基板処理方法を提供する。【解決手段】基板Ｗに形成された下地層Ｃに配線パターンを形成する基板処理方法において、炭素ナノ物質を分散剤に溶解した炭素ナノ物質分散溶剤を前記下地層Ｃ上に塗布し、炭素ナノ物質層Ｆを形成するステップと、前記炭素ナノ物質層Ｆ上にフォトレジストを塗布しレジスト層Ｒを形成するステップと、前記レジスト層Ｒに対し露光、現像処理を行うことにより所定のレジストパターンを形成するステップとを実行する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された下地層に配線パターンを形成する基板処理方法において、
炭素ナノ物質を分散剤に溶解した炭素ナノ物質分散溶剤を前記下地層上に塗布し、炭素ナノ物質層を形成するステップと、
前記炭素ナノ物質層上にフォトレジストを塗布しレジスト層を形成するステップと、
前記レジスト層に対し露光、現像処理を行うことにより所定のレジストパターンを形成するステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記レジストパターンの形成後、該レジストパターンをマスクとして露出した前記炭素ナノ物質層を溶解または酸素プラズマ照射により除去し、炭素ナノ物質層にパターン形成するステップを実行することを特徴とする請求項１に記載された基板処理方法。
【請求項３】
前記炭素ナノ物質層にパターン形成するステップの後、該炭素ナノ物質層のパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、下地層にパターン形成するステップを実行することを特徴とする請求項２に記載された基板処理方法。
【請求項４】
前記下地層にパターン形成するステップの後、該下地層上の炭素ナノ物質層を溶解または酸素プラズマ照射により除去するステップを実行することを特徴とする請求項３に記載された基板処理方法。
【請求項５】
前記炭素ナノ物質は、カーボンナノチューブまたはカーボンナノフラーレンであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された基板処理方法。
【請求項６】
前記分散剤は、硫酸ドデシルナトリウム（ＳＤＳ）またはデオキシリボ核酸（ＤＮＡ）であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された基板処理方法。
【請求項７】
前記炭素ナノ物質分散溶剤における炭素ナノ物質の濃度は、０．１〜１．０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載された基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ工程での露光時において、フォトレジストへの光の乱反射の影響を防止する反射防止膜を用いた基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造では、フォトリソグラフィ工程において、下地膜が形成された半導体ウエハ（以下、ウエハと称呼する）上にフォトレジストが塗布され、露光、現像処理によりレジストにパターン形成される。そして、パターン形成されたレジストをマスクとしてエッチング処理が施され、下地膜にパターンが形成される。
【０００３】
ところで、このようなフォトリソグラフィ工程の露光処理において、レジスト膜に照射した光がレジスト膜と下地膜との界面で乱反射すると、レジスト膜中の本来感光すべきでない領域にまで光が届いてしまい、所望のパターンが得られなくなる可能性があった。特に、回路パターンの微細化が進み、露光処理に使用される光源もＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）へと短波長化されている近年においては、この現象は大きな問題となっていた。そこで、レジスト膜の下に、露光光を吸収する反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｎｇ  Ｃｏａｔｉｎｇ：ＢＡＲＣ）を配置する膜構造が一般的となりつつある。図６は、反射防止膜を備えた従来の半導体デバイスの膜構造及びその製造工程の一例を示している。
【０００４】
半導体デバイスの製造においては、先ず、図６（ａ）に示すように、ウエハＷ上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる絶縁層Ｉ、多結晶シリコンからなる導体層（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）Ｃ、無機系材料であるＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈｙｌ  ＯｒｔｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ）からなるハードマスク層Ｔが形成され、さらにハードマスク層Ｔ上に有機系材料からなる反射防止膜としてのＢＡＲＣ層Ｂ、フォトレジスト材からなるレジスト層Ｒが形成される。
【０００５】
レジスト層Ｒの形成後、ガラスマスク（図示せず）を介して紫外線照射により露光し、現像後、図６（ｂ）に示すようにレジスト層Ｒに配線パターンを形成する。
次いでパターン形成されたレジスト層Ｒをマスクとしてエッチング処理を行い、ＢＡＲＣ層Ｂにパターン形成し、さらにレジスト層Ｒ及びＢＡＲＣ層Ｂをマスクとしてエッチング処理を行い、図６（ｃ）に示すようにハードマスク層Ｔに配線パターンを形成する。
【０００６】
次いで、図６（ｄ）に示すようにレジスト層Ｒ（及びＢＡＲＣ層Ｂ）の除去を目的としたアッシング処理を実施する。
そして、ハードマスク層Ｔをマスクとしてエッチング処理を行い、導体層Ｃに配線パターンが形成される。
尚、反射防止膜を用いる基板へのエッチング方法については、例えば特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００５−１２９８９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記したように、レジスト層Ｒの下に有機系材料からなるＢＡＲＣ層Ｂを形成する場合、さらに、その下層に導体層Ｃをマスキングするための無機系材料からなるハードマスク層Ｔを形成する必要があった。その結果、レジスト層Ｒの下が多層化されるため、成膜処理の工程数が増えて処理プロセスの複雑化、装置構成の増大を招いていた。
また、ハードマスク層Ｔを除去するドライエッチング処理を行うため、導体層Ｃの膜厚が減少するという課題もあった。
【０００８】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、基板に配線パターンを形成する基板処理方法において、フォトレジスト層下の層をより単純化することにより工程数の削減、装置構成の増大抑制を実現でき、また、パターン形成処理に伴う膜厚減少を抑制することのできる基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために、本発明にかかる基板処理方法は、基板に形成された下地層に配線パターンを形成する基板処理方法において、炭素ナノ物質を分散剤に溶解した炭素ナノ物質分散溶剤を前記下地層上に塗布し、炭素ナノ物質層を形成するステップと、前記炭素ナノ物質層上にフォトレジストを塗布しレジスト層を形成するステップと、前記レジスト層に対し露光、現像処理を行うことにより所定のレジストパターンを形成するステップとを実行することに特徴を有する。
【００１０】
また、前記レジストパターンの形成後、該レジストパターンをマスクとして露出した前記炭素ナノ物質層を溶解または酸素プラズマ照射により除去し、炭素ナノ物質層にパターン形成するステップを実行することが望ましい。
また、前記炭素ナノ物質層にパターン形成するステップの後、該炭素ナノ物質層のパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、下地層にパターン形成するステップを実行することが望ましい。
【００１１】
また、前記下地層にパターン形成するステップの後、該下地層上の炭素ナノ物質層を溶解または酸素プラズマ照射により除去するステップを実行することが望ましい。
尚、前記炭素ナノ物質は、カーボンナノチューブまたはカーボンナノフラーレンであることが望ましく、前記分散剤は、硫酸ドデシルナトリウム（ＳＤＳ）またはデオキシリボ核酸（ＤＮＡ）であることが望ましく、前記炭素ナノ物質分散溶剤における炭素ナノ物質の濃度は、０．１〜１．０ｗｔ％であることが望ましい。
【００１２】
このような方法によれば、反射防止膜としてカーボンナノチューブ或いはカーボンナノフラーレン等の炭素ナノ物質層を用いることができる。即ち、炭素ナノ物質が有する光吸収特性により炭素ナノ物質層を反射防止膜として機能させる。さらに、炭素ナノ物質が有する高強度特性により、その下層をエッチングする際のハードマスクとして機能させることができる。
これにより、従来、レジスト層下に必要としていた有機ＢＡＲＣ層、ＴＥＯＳ層を炭素ナノ物質層の一層とすることができ、膜構造の単純化により処理プロセスをより簡素化することができる。また、これにより装置構成の増大を抑制することができる。
また、純水、有機溶剤を用いた溶解或いは酸素プラズマの照射により炭素ナノ物質層の除去を容易に行うことができるため、従来のドライエッチングによる膜厚の減少がなく、膜厚を維持することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板に配線パターンを形成する基板処理方法において、フォトレジスト層下の層をより単純化することにより工程数の削減、装置構成の増大抑制を実現でき、また、パターン形成処理に伴う膜厚減少を抑制することのできる基板処理方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る基板処理方法につき、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図１は、本発明に係る基板処理方法が適用されるパターン形成装置１の概略構成を示す平面図である。
図１のパターン形成装置１は、被処理基板である半導体ウエハへのレジスト液塗布、加熱処理、現像処理等を行う塗布現像装置１００と、ウエハへの露光処理を行う露光装置２００と、現像処理後に基板に対して所定のエッチング処理等を行うエッチング装置３００とを備える。
【００１５】
図１に示すように、塗布現像装置１００は、例えば２５枚のウエハＷをカセット単位で外部から搬入出したり、カセットＣＳに対してウエハＷを搬入出したりするカセットステーション２と、フォトリソグラフィ工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各処理ユニットを多段に配置している処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられ、図示しない露光装置との間でウエハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００１６】
カセットステーション２には、カセット載置台５が設けられ、当該カセット載置台５は、複数のカセットＣＳをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になされている。また、カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に沿って移動可能なウエハ搬送体７が設けられている。このウエハ搬送体７は、カセットＣＳに収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ軸方向に配列された各カセットのウエハＷに対して選択的にアクセスできるよう構成されている。
【００１７】
さらにウエハ搬送体７は、Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり、後述する処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属する温調ユニット６０やトランジションユニット６１に対してもアクセスできるようになされている。
【００１８】
カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は、複数の処理装置が多段に配置された、例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３において、図１中の下側に、カセットステーション２側から順に第１の処理装置群Ｇ１、第２の処理装置群Ｇ２が配置されている。また、図１中の上側に、カセットステーション２側から順に第３の処理装置群Ｇ３、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が配置されている。
【００１９】
第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４との間には、第１の搬送装置１０が設けられ、この第１の搬送装置１０は、第１の処理装置群Ｇ１、第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各処理装置に選択的にアクセスしてウエハＷを搬送できるようになされている。
第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５との間には、第２の搬送装置１１が設けられ、この第２の搬送装置１１は、第２の処理装置群Ｇ２、第４の処理装置群Ｇ５内の各処理装置に選択的にアクセスしてウエハＷを搬送できるようになされている。
【００２０】
また、第１の処理装置群Ｇ１には、ウエハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えば図２に示すようにウエハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２０、２１、２２、露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＣ）２３、２４が下から順に５段に重ねられている。尚、ボトムコーティングユニット（ＢＣ）２３、２４は反射防止膜材料として、ウエハＷの導体層上に炭素ナノ物質分散溶剤を塗布し成膜する。この炭素ナノ物質分散溶液は、炭素ナノ物質を、硫酸ドデシルナトリウム（ＳＤＳ）またはデオキシリボ核酸（ＤＮＡ）等の分散剤に溶解したもの（濃度０．１〜１．０ｗｔ％）が用いられる。炭素ナノ物質としては、好ましくはカーボンナノチューブまたはカーボンナノフラーレンが用いられる。
【００２１】
また、第２の処理装置群Ｇ２には、液処理装置、例えばウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット（ＤＥＶ）３０〜３４が下から順に５段に重ねられている。
また、第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には、各処理装置群Ｇ１、Ｇ２内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室（ＣＨＭ）３５、３６がそれぞれ設けられている。
【００２２】
また、図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には、温調ユニット（ＴＣＰ）６０、ウエハＷの受け渡しを行うためのトランジションユニット（ＴＲＳ）６１、精度の高い温度管理下でウエハＷを温度調節する高精度温調ユニット（ＣＰＬ）６２〜６４及びウエハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）６５〜６８が順に９段に重ねられている。
【００２３】
第４の処理装置群Ｇ４では、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）７０、レジスト塗布処理後のウエハＷを加熱処理するプリベーキングユニット（ＰＡＢ）７１〜７４及び現像処理後のウエハＷを加熱処理するポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）７５〜７９が下から順に１０段に重ねられている。
【００２４】
第５の処理装置群Ｇ５では、ウエハＷを熱処理する複数の熱処理装置、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）８０〜８３、露光後のウエハＷを加熱処理する複数のポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）８４〜８９が下から順に１０段に重ねられている。
【００２５】
また、第１の搬送装置１０のＸ方向正方向側には、複数の処理装置が配置されており、例えば図３に示すようにウエハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）９０、９１、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）９２、９３が下から順に４段に重ねられている。
また、第２の搬送装置１１のＸ方向正方向側には、例えばウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット（ＷＥＥ）９４が配置されている。
【００２６】
また、インターフェイス部４には、例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路４０上を移動するウエハ搬送体４１と、バッファカセット４２が設けられている。ウエハ搬送体４１は、Ｚ方向に移動可能かつθ方向にも回転可能であり、インターフェイス部４に隣接した露光装置２００と、バッファカセット４２及び第５の処理装置群Ｇ５に対してアクセスしてウエハＷを搬送できるようになされている。
【００２７】
また、露光装置２００は、レジスト液が塗布されたウエハＷに対して、所定のマスクパターンを介して図示しない露光部から所定の光線を照射するものであり、前記露光部は、光源やレンズ、光ファイバなどを備えている。
露光装置２００における露光条件は、露光強度、露光時間、露光焦点、露光合わせ位置とで決定されるが、それらのパラメータは、露光装置２００全体の制御を行うコントローラ２１０により制御されるようになされている。
【００２８】
また、エッチング装置３００は、塗布現像装置１００及び露光装置２００によるフォトリソグラフィ工程が終了したウエハＷに対して、形成されたレジストパターンをマスクとしてウエハ上の下地膜を除去するエッチング処理を行う。このエッチング装置３００においては、例えば、平行平板プラズマ発生装置にてプラズマを発生させて所定のエッチングガスをプラズマ化し、これによりウエハＷに所定のプラズマ処理を行うようになっている。
【００２９】
また、エッチング装置３００におけるエッチング条件は、エッチング時間やエッチングガスの組成比とで決定されるが、前記エッチング時間とは、ウエハＷにエッチングガスを供給している時間であり、エッチングガス組成比はエッチングガスの種類や量で決定される。これらパラメータは、エッチング装置３００全体の制御を行うコントローラ３１０により制御される。
さらにエッチング装置３００においては、ウエハＷ上に成膜された炭素ナノ物質を溶解して振り切り除去する、或いは、炭素ナノ物質に酸素プラズマを照射して除去する炭素ナノ物質除去手段（図示せず）を備えている。
【００３０】
続いて、このように構成されたパターン形成装置１により実施されるフォトリソグラフィ工程について、図４のフローに基づき説明する。
先ず、塗布現像装置１００のカセットステーション２において、下地膜（絶縁層Ｉ、導体層Ｃ：図５参照）が形成されたウエハＷを収容したカセットＣＳから１枚のウエハＷが、ウエハ搬送体７により第３の処理装置群Ｇ３のトランジションユニット（ＴＲＳ）６１に搬送される。そこでウエハＷは、位置合わせが行われた後、アドヒージョンユニット（ＡＤ）９０、９１へ搬送され疎水化処理が行われる。
【００３１】
疎水化処理後、ウエハＷは高精度温調ユニット（ＣＰＬ）６２〜６４にて所定の冷却処理が行われ、その後、ボトムコーティングユニット（ＢＣ）２３、２４に搬送される。ボトムコーティングユニット（ＢＣ）２３、２４では、導体層Ｃ上に反射防止膜材料として、図５（ａ）に示すように炭素ナノ物質分散溶剤がスピンコーティング法により塗布される。そして、ウエハＷは高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）６５〜６８に搬送され、そこで加熱処理されて炭素ナノ物質層Ｆが成膜される（図４のステップＳ１）。
【００３２】
次いでウエハＷは、第１の処理装置群Ｇ１のレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２０〜２１に搬送されて、図５（ｂ）に示すように炭素ナノ物質層Ｆ上へのレジストＲの塗布処理が行われる（図４のステップＳ２）。尚、トラジション装置６１からレジスト塗布ユニット装置２０〜２１までのウエハＷの搬送は第１の搬送装置１０により行われる。
【００３３】
そして、ウエハＷは、第１の搬送装置１０により、第４の処理装置群Ｇ４のプリベーキングユニット（ＰＡＢ）７１〜７４に搬送されて所定の加熱処理、即ちプリベーク処理が行われる（図４のステップＳ３）。プリベークされたウエハＷは、周辺露光ユニット（ＷＥＥ）９４に搬送され、そこでウエハＷのエッジ部のみが露光処理される。
【００３４】
その後、ウエハＷは、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）８０〜８３において冷却処理がなされ、インターフェイス部４のウエハ搬送体４１によりバッファカセット４２に一時保管される。そしてバッファカセット４２に一時的に保持されたウエハＷは、ウエハ搬送体４１により取り出され、露光装置２００に引き渡され、そこで所定の露光処理が行われる（図４のステップＳ４）。
尚、この露光処理において、レジスト層Ｒの下層に形成された炭素ナノ物質層Ｆは、多量の炭素ナノ物質、即ちカーボンナノチューブまたはカーボンナノフラーレンを含有しており、それらの特徴である光吸収性により反射防止膜として機能する。
【００３５】
露光処理を終えたウエハＷは、再びインターフェイス部４を介して第５の処理装置群Ｇ５のポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）８４〜８９に搬送され、そこで露光後の加熱処理が行われる（図４のステップＳ５）。
次いでウエハＷは、第２の搬送装置１１により第２の処理装置群Ｇ２の現像処理ユニット（ＤＥＶ）３０〜３４に搬送されて現像処理が行われる（図４のステップＳ６）。
【００３６】
現像処理により図５（ｃ）に示すようにレジスト層Ｒにパターン形成がなされたウエハＷは、第４の処理装置群Ｇ４のポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）７５〜７９に搬送されてレジスト硬化のための加熱処理（ポストベーク）が行われる（図４のステップＳ７）。
そして、ウエハＷは第３の処理装置群Ｇ３の高精度温調ユニット（ＣＰＬ）６２〜６４に搬送されて冷却され、ウエハ搬送体７によりカセットＣＳに戻される。
【００３７】
塗布現像装置１００での現像処理後にカセットＣＳに戻されたウエハＷは、その後、図示しない搬送装置によりエッチング装置３００に搬送される。
エッチング装置３００では、先ず、パターン形成されたレジスト層Ｒをマスクとして、図５（ｄ）に示すように炭素ナノ物質層Ｆのパターン形成が行われる（図４のステップＳ８）。具体的には、炭素ナノ物質除去手段（図示せず）において、純水または有機溶剤（分散溶剤、ＳＤＳ）を用いて炭素ナノ物質層Ｆを溶解除去する、或いは炭素ナノ物質に酸素プラズマを照射することによりレジストパターンを介して露出した炭素ナノ物質を除去し、パターン形成がなされる。
【００３８】
次いでアッシングによりレジスト層Ｒが除去され（図４のステップＳ９）、図５（ｅ）に示すように炭素ナノ物質層Ｆのパターンをマスクとしてエッチング処理が施され、導体層Ｃにパターン形成される（図４のステップＳ１０）。即ち、炭素ナノ物質層Ｆは、多量の炭素ナノ物質、即ちカーボンナノチューブまたはカーボンナノフラーレンを含んでおり、それらの特徴である高強度特性によりハードマスクとして機能する。尚、炭素ナノ物質の粒子径は小さい（カーボンナノフラーレンの場合、約０．７ｎｍ）ため、パターンエッジのラフネス（粗さ）であるＬＥＲ（Ｌｉｎｅ  Ｅｄｇｅ  Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）は低減される。また、炭素ナノ物質は、耐プラズマ性に優れるため、エッチング選択比が確保される。
【００３９】
導体層Ｃへのパターン形成後、炭素ナノ物質除去手段において、図５（ｆ）に示すように、純水または有機溶剤を用いて導体層Ｃ上の炭素ナノ物質層Ｆが溶解除去される、或いは酸素プラズマが照射され、炭素ナノ物質層Ｆが溶解除去される（図４のステップＳ１１）。
【００４０】
以上のように本発明に係る実施の形態によれば、反射防止膜としてカーボンナノチューブ或いはカーボンナノフラーレン等の炭素ナノ物質層が用いられる。即ち、炭素ナノ物質が有する光吸収特性により炭素ナノ物質層を反射防止膜として機能させる。さらに、炭素ナノ物質が有する高強度特性により、その下層をエッチングする際のハードマスクとして機能させることができる。
これにより、従来、レジスト層下に必要としていた有機ＢＡＲＣ層、ＴＥＯＳ層を炭素ナノ物質層の一層とすることができ、膜構造の単純化により処理プロセスをより簡素化することができる。また、これにより装置構成の増大を抑制することができる。
また、純水、有機溶剤を用いた溶解或いは酸素プラズマの照射により炭素ナノ物質層の除去を容易に行うことができるため、従来のドライエッチングによる膜厚の減少がなく、膜厚を維持することができる。
【００４１】
尚、前記実施の形態において、被処理基板として半導体ウエハを例としたが、本発明における基板は、半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板、ＣＤ基板、ガラス基板等も可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、基板上に所定のパターンを形成する工程に適用することができ、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、本発明に係る基板処理方法を実施するパターン形成装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１のパターン形成装置が有する塗布現像装置の正面図である。
【図３】図３は、図１のパターン形成装置が有する塗布現像装置の背面図である。
【図４】図４は、本発明に係る基板処理方法の工程を示すフローである。
【図５】図５は、図４のフローの一部工程に対応するウエハの状態を示す断面図である。
【図６】図６は、従来の下地膜へのパターン形成工程を説明するためウエハの状態を示した断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１          パターン形成装置
１００      塗布現像装置
２００      露光装置
３００      エッチング装置
Ｃ          導体膜（下地層）
Ｆ          炭素ナノ物質層
Ｉ          絶縁層
Ｒ          レジスト液
Ｗ          ウエハ（基板）
【図１】
2007188925.tif 000003
【図２】
2007188925.tif 000004
【図３】
2007188925.tif 000005
【図４】
2007188925.tif 000006
【図５】
2007188925.tif 000007
【図６】
2007188925.tif 000008