(57)【要約】【課題】フリットで密封された有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１電極、有機薄膜層及び第２電極でなる有機電界発光素子及び前記有機電界発光素子に信号を伝達するための金属配線が形成された第１基板と、前記第１基板上部に配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に具備されたフリットと、前記金属配線と前記フリットの間に前記第１電極の電極物質で形成されて前記第１電極と分離した保護膜と、を含む。【選択図】図８ａ
2007220647.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、有機薄膜層及び第２電極でなる有機電界発光素子及び前記有機電界発光素子に信号を伝達するための金属配線が形成された第１基板と、
前記第１基板上部に配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に具備されたフリットと、
前記金属配線と前記フリットの間に前記第１電極の電極物質で形成されて前記第１電極と分離した保護膜と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１基板及び前記第２基板の中で少なくともいずれか一つが透明物質でなることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記金属配線が、走査ライン、データライン及び電源供給ラインを含むことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記保護膜が、前記有機電界発光素子が形成された領域を除いた残りの領域にさらに形成されたことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第１電極の電極物質が、ＡＣＸ、Ａｇ、Ａｕで構成されたグループから選択された一つまたは一つ以上であることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記第１電極の電極物質が、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯで構成されたグループから選択された一つまたは一つ以上であることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記フリットが、レーザまたは赤外線によって溶融されて前記基板に接着されたことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記フリットに少なくとも一つの転移金属ドーパントが含まれたことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
第１電極、有機薄膜層及び第２電極でなる有機電界発光素子と、
前記有機電界発光素子の動作を制御するためのトランジスタ及び前記有機電界発光素子に信号を伝達するための金属配線が形成された第１基板と、
前記第１基板上部に配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に具備されたフリットと、
前記金属配線と前記フリットの間に前記第１電極の電極物質で形成されて前記第１電極と分離した保護膜と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板及び前記第２基板の中で少なくともいずれか一つが透明物質でなることを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記金属配線が、走査ライン、データライン及び電源供給ラインを含むことを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記保護膜が、前記有機電界発光素子が形成された領域を除いた残りの領域にさらに形成されたことを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１電極の電極物質が、ＡＣＸ、Ａｇ、Ａｕで構成されたグループから選択された一つまたは一つ以上であることを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１電極の電極物質が、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯで構成されたグループから選択された一つまたは一つ以上であることを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記フリットが、レーザまたは赤外線によって溶融されて前記基板に接着されたことを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記フリットに少なくとも一つの転移金属ドーパントが含まれたことを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
画素領域及び非画素領域を含む第１基板上にバッファー層を形成する段階と、
前記画素領域の前記バッファー層上に半導体層を形成した後前記画素領域及び非画素領域の全体上部面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記画素領域の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及び第１金属配線を形成して、前記非画素領域の前記ゲート絶縁膜上に前記画素領域の第１金属配線から延長される第１金属配線を形成する段階と、
前記画素領域及び非画素領域の全体上部面に層間絶縁膜を形成した後前記半導体層の所定部分が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と、
前記画素領域の前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホールを通じて前記半導体層に連結されるソース及びドレイン電極と第２金属配線を形成して、前記非画素領域の前記層間絶縁膜上に前記画素領域の第２金属配線から延長される第２金属配線を形成する段階と、
前記画素領域の全体上部面に平坦化層を形成した後前記ソースまたはドレイン電極が露出されるようにビアホールを形成する段階と、
前記画素領域及び非画素領域の全体上部面に無機物電極層を形成した後パターニングして前記画素領域には前記ビアホールを通じて前記ソースまたはドレイン電極に連結される第１電極が形成されて、前記非画素領域には保護膜が形成されるようにする段階と、
前記第１電極上に有機薄膜層及び第２電極を形成する段階と、
第２基板の周辺部に沿ってフリットを形成する段階と、
前記第１基板上部に前記第２基板を配置した後前記フリットを前記第１基板に接着させる段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１電極と前記保護膜が分離するように前記無機物電極層をパターニングすることを特徴とする請求項１７記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記無機物電極層は、ＡＣＸ、Ａｇ、Ａｕで構成されたグループから選択された一つまたは一つ以上に形成することを特徴とする請求項１７記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記無機物電極層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯで構成されたグループから選択された一つまたは一つ以上に形成することを特徴とする請求項１７記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記フリットをレーザまたは赤外線で溶融させて前記基板に接着させることを特徴とする請求項１７記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記フリットに少なくとも一つの転移金属ドーパントが含まれたことを特徴とする請求項１７記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
第１電極、有機薄膜層及び第２電極でなる有機電界発光素子が形成された画素領域、及び、外部から提供される信号を前記有機電界発光素子に伝達するための金属配線が形成された非画素領域を含む第１基板と、
前記第１基板上部に配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に具備されたフリットと、
前記金属配線と前記フリットの間に積層構造に具備された第１及び第２保護膜とを含み、
前記フリットによって前記第１基板と前記第２基板が接着されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２４】
前記金属配線が、走査ライン、データライン及び電源供給ラインを含むことを特徴とする請求項２３記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２５】
前記第１及び第２保護膜が前記非画素領域の全体面に形成されたことを特徴とする請求項２３記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２６】
前記第１保護膜が、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙで構成されたグループから選択されたシリコン化合物で形成されたことを特徴とする請求項２３記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２７】
前記第２保護膜が、前記第１電極の電極物質で形成されて、前記第１電極と分離したことを特徴とする請求項２３記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２８】
前記第１電極の電極物質が、ＡＣＸ、Ａｇ、Ａｕで構成されたグループから選択された無機物または無機物の混合物であることを特徴とする請求項２７記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２９】
前記第１電極の電極物質が、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯで構成されたグループから選択された無機物または無機物の混合物であることを特徴とする請求項２７記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３０】
前記フリットが、レーザまたは赤外線によって溶融されて前記基板に接着されたことを特徴とする請求項２３記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３１】
第１電極、有機薄膜層及び第２電極でなる有機電界発光素子及び前記第１電極に連結されてソース及びドレインとゲートを含むトランジスタが形成された画素領域、及び、外部から提供される信号を前記有機電界発光素子に伝達するための金属配線が形成された非画素領域を含む第１基板と、
前記第１基板上部に配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に具備されたフリットと、
前記金属配線と前記フリットの間に積層構造で具備された第１及び第２保護膜とを含み、
前記フリットによって前記第１基板と前記第２基板が接着されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項３２】
前記金属配線が、走査ライン、データライン及び電源供給ラインを含むことを特徴とする請求項３１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３３】
前記第１及び第２保護膜が、前記非画素領域の全体面に形成されたことを特徴とする請求項３１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３４】
前記第１保護膜が、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙで構成されたグループから選択されたシリコン化合物で形成されたことを特徴とする請求項３１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３５】
前記第２保護膜が、前記第１電極の電極物質で形成されて、前記第１電極と分離したことを特徴とする請求項３１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３６】
前記第１電極の電極物質が、ＡＣＸ、Ａｇ、Ａｕで構成されたグループから選択された無機物または無機物の混合物であることを特徴とする請求項３５記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３７】
前記第１電極の電極物質が、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯで構成されたグループから選択された無機物または無機物の混合物であることを特徴とする請求項３５記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３８】
前記フリットが、レーザまたは赤外線によって溶融されて前記基板に接着されたことを特徴とする請求項３１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３９】
画素領域及び非画素領域の第１基板上にバッファー層を形成する段階と、
前記画素領域の前記バッファー層上に半導体層を形成した後前記画素領域及び非画素領域の全体上部面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記画素領域の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及び第１金属配線を形成して、前記非画素領域の前記ゲート絶縁膜上に前記画素領域の第１金属配線から延長される第１金属配線及びパッドを形成する段階と、
前記画素領域の全体上部面に層間絶縁膜を形成した後前記半導体層の所定部分が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と、
前記画素領域の前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホールを通じて前記半導体層に連結されるソース及びドレイン電極と第２金属配線を形成して、前記非画素領域の前記ゲート絶縁膜上に前記画素領域の第２金属配線から延長される第２金属配線及びパッドを形成する段階と、
前記第１及び第２金属配線を含む前記非画素領域の全体上部面に第１保護膜を形成する段階と、
前記画素領域の全体上部面に平坦化層を形成した後前記ソースまたはドレイン電極が露出されるようにビアホールを形成する段階と、
前記画素領域及び非画素領域の全体上部面に無機物電極層を形成した後パターニングして前記画素領域には前記ビアホールを通じて前記ソースまたはドレイン電極に連結される第１電極が形成されて、前記非画素領域には第２保護膜が形成されるようにする段階と、
前記第１電極上に有機薄膜層及び第２電極を形成して有機電界発光素子を形成する段階と、
周辺部に沿ってフリットが形成された第２基板を準備する段階と、
前記第１基板上部に前記第２基板を配置した後前記フリットを前記第１基板に接着させる段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項４０】
前記第１保護膜を形成した後前記第１及び第２金属配線上のみに残留されるようにパターニングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項３９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項４１】
前記第１保護膜をＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙで構成されたグループから選択されたシリコン化合物で形成することを特徴とする請求項３９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項４２】
前記第１電極と前記第２保護膜が分離するように前記無機物電極層をパターニングすることを特徴とする請求項３９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項４３】
前記無機物電極層をＡＣＸ、Ａｇ、Ａｕで構成されたグループから選択された無機物または無機物の混合物で形成することを特徴とする請求項３９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項４４】
前記無機物電極層をＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯで構成されたグループから選択された無機物または無機物の混合物で形成することを特徴とする請求項３９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項４５】
前記フリットをレーザまたは赤外線で溶融させて前記基板に接着させることを特徴とする請求項３９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳細には、フリット(frit)で密封された有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機電界発光表示装置は画素領域と非画素領域を提供する基板と、密封(encapsulation)のために基板と対向されるように配置されてエポキシのようなシラント(sealant)によって基板に接着される容器または基板で構成される。
【０００３】
基板の画素領域には走査ライン及びデータラインの間にマトリックス方式で連結された複数の発光素子が形成されて、発光素子はアノード電極及びカソード電極と、アノード電極及びカソード電極の間に形成されて正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層を含む有機薄膜層で構成される。
【０００４】
ところで、上記のように構成される発光素子は、有機物を含むから酸素に脆弱であり、カソード電極が金属材料で形成されるので、空気中の水気によって易しく酸化されて電気的特性及び発光特性が劣化される。そこで、これを防止するために金属材質のカン(can)やコップ形態に製作された容器や、硝子、プラスチックなどの基板に吸湿剤をパウダー形態で搭載させたりフィルム形態で接着して外部から浸透される水気が除去されるようにする。
【０００５】
しかし、吸湿剤をパウダー形態で搭載させる方法は、工程が複雑になって材料及び工程単価が上昇され、表示装置の厚さが増加して前面発光には適用が難しい。また、吸湿剤をフィルム形態で接着する方法は、水気をとり除くのに限界があって耐久性と信頼性が低くて量産には適用が難しい。
【０００６】
それで、このような問題点を解決するためにフリットで側壁を形成して発光素子を密封させる方法が利用された。特許文献１には、ガラスフリットで側壁が形成されたインカプスシュウレーション容器及びその製造方法に関して記載されている。
【０００７】
また、特許文献２には、第１及び第２ガラス板をフリットで接着させて密封した硝子パッケージ及びその製造方法について記載されている。
【０００８】
また、特許文献３には、レーザを利用したフリットフレーム密封方法について記載されている。
【０００９】
また、特許文献４には、レーザを利用してフリット層で上部基板と下部基板を封着させるパッケージング方法について記載されている。
【特許文献１】国際特許出願ＰＣＴ／ＫＲ２００２／０００９９４号明細書
【特許文献２】米国特許出願１０／４１４、７９４号明細書
【特許文献３】大韓民国特許公開特２００１−００８４３８０号明細書
【特許文献４】大韓民国特許公開特２００２−００５１１５３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明はフリット下部及びフリットと交差される部分の金属配線がレーザによる熱に直接的に露出しないようにすることで、熱による金属配線の被害が防止されるようにした有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を果たすための本発明の一側面による有機電界発光素子は、第１電極、有機薄膜層及び第２電極でなる有機電界発光素子及び前記有機電界発光素子に信号を伝達するための金属配線が形成された第１基板と、前記第１基板上部に配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に具備されたフリットと、前記金属配線と前記フリットの間に前記第１電極の電極物質で形成されて前記第１電極と分離した保護膜とを含む。
【００１２】
前記目的を果たすための本発明の他の一側面による有機電界発光素子は、第１電極、有機薄膜層及び第２電極でなる有機電界発光素子と、前記有機電界発光素子の動作を制御するためのトランジスタ及び前記有機電界発光素子に信号を伝達するための金属配線が形成された第１基板と、前記第１基板上部に配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に具備されたフリットと、前記金属配線と前記フリットの間に前記第１電極物質に形成されて、前記第１電極と分離した保護膜とを含む。
【００１３】
前記目的を果たすための本発明のまた他の一側面による有機電界発光素子は、第１電極、有機薄膜層及び第２電極でなる有機電界発光素子が形成された画素領域、及び、外部から提供される信号を前記有機電界発光素子に伝達するための金属配線が形成された非画素領域を含む第１基板と、前記第１基板上部に配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に具備されたフリットと、前記金属配線と前記フリットの間に積層構造で具備された第１及び第２保護膜とを含み、前記フリットによって前記第１基板と前記第２基板が接着される。
【００１４】
前記目的を果たすための本発明のまた他の一側面による有機電界発光素子は、第１電極、有機薄膜層及び第２電極でなる有機電界発光素子及び前記第１電極に連結されてソース及びドレインとゲートを含むトランジスタが形成された画素領域、及び、外部から提供される信号を前記有機電界発光素子に伝達するための金属配線が形成された非画素領域を含む第１基板と、前記第１基板上部に配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に具備されたフリットと、前記金属配線と前記フリットの間に積層構造で具備された第１及び第２保護膜とを含み、前記フリットによって前記第１基板と前記第２基板が接着される。
【００１５】
前記目的を果たすための本発明のまた他の一側面による有機電界発光素子の製造方法は、画素領域及び非画素領域を含む第１基板上にバッファー層を形成する段階と、前記画素領域の前記バッファー層上に半導体層を形成した後前記画素領域及び非画素領域の全体上部面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記画素領域の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及び第１金属配線を形成して、前記非画素領域の前記ゲート絶縁膜上に前記画素領域の第１金属配線から延長される第１金属配線を形成する段階と、前記画素領域及び非画素領域の全体上部面に層間絶縁膜を形成した後前記半導体層の所定部分が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と、前記画素領域の前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホールを通じて前記半導体層に連結されるソース及びドレイン電極と第２金属配線を形成して、前記非画素領域の前記層間絶縁膜上に前記画素領域の第２金属配線から延長される第２金属配線を形成する段階と、前記画素領域の全体上部面に平坦化層を形成した後前記ソースまたはドレイン電極が露出されるようにビアホールを形成する段階と、前記画素領域及び非画素領域の全体上部面に無機物電極層を形成した後パターニングして前記画素領域には前記ビアホールを通じて前記ソースまたはドレイン電極に連結される第１電極が形成されて、前記非画素領域には保護膜が形成されるようにする段階と、前記第１電極上に有機薄膜層及び第２電極を形成する段階と、第２基板の周辺部に沿ってフリットを形成する段階と、前記第１基板上部に前記第２基板を配置した後前記フリットを前記第１基板に接着させる段階とを含む。
【００１６】
前記目的を果たすための本発明のまた他の一側面による有機電界発光素子の製造方法は、画素領域及び非画素領域の第１基板上にバッファー層を形成する段階と、前記画素領域の前記バッファー層上に半導体層を形成した後前記画素領域及び非画素領域の全体上部面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記画素領域の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及び第１金属配線を形成して、前記非画素領域の前記ゲート絶縁膜上に前記画素領域の第１金属配線から延長される第１金属配線及びパッドを形成する段階と、前記画素領域の全体上部面に層間絶縁膜を形成した後前記半導体層の所定部分が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と、前記画素領域の前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホールを通じて前記半導体層に連結されるソース及びドレイン電極と第２金属配線を形成して、前記非画素領域の前記ゲート絶縁膜上に前記画素領域の第２金属配線から延長される第２金属配線及びパッドを形成する段階と、前記第１及び第２金属配線を含む前記非画素領域の全体上部面に第１保護膜を形成する段階と、前記画素領域の全体上部面に平坦化層を形成した後前記ソースまたはドレイン電極が露出されるようにビアホールを形成する段階と、前記画素領域及び非画素領域の全体上部面に無機物電極層を形成した後パターニングして前記画素領域には前記ビアホールを通じて前記ソースまたはドレイン電極に連結される第１電極が形成されて、前記非画素領域には第２保護膜が形成されるようにする段階と、前記第１電極上に有機薄膜層及び第２電極を形成して有機電界発光素子を形成する段階と、周辺部に沿ってフリットが形成された第２基板を準備する段階と、前記第１基板上部に前記第２基板を配置した後前記フリットを前記第１基板に接着させる段階とを含む。
【発明の効果】
【００１７】
上述したように本発明は非画素領域の金属配線上に二重構造の保護膜を形成するので、レーザを反射させて熱吸収を阻む無機物層と熱の伝達を遮断するシリコン化合物層によってフリット下部及びフリットと交差される部分の金属配線がレーザや赤外線による熱に直接的に露出しないため、熱による金属配線の被害が発生されず、これによって金属配線の亀裂や自体抵抗値及び電気的特性変化が防止されて素子の電気的特性及び信頼性を維持することができる。
【００１８】
また、別途の工程段階やマスクを追加しないでアノード電極を形成する過程で非画素領域の金属配線上にフリットとの接着力が優秀な無機物層が形成されるので、フリットが金属配線に直接接着される場合よりさらに優秀な接着力で接着を成すことができる。したがってフリットの接着力が向上して酸素や水気の浸透が効果的に防止されるから表示装置の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳しく説明する。以下の実施形態はこの技術分野において通常的な知識を有する者に本発明が充分に理解されるように提供されるもので、さまざまな形態で変形することができ、本発明の範囲が次に記述される実施形態に限定されるのではない。
【００２０】
図２ａ、図３ａ及び図４は、本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置を説明するための平面図で、図２ｂ及び図３ｂは、図２ａ及び図３ａを説明するための断面図である。
【００２１】
図２ａを参照すれば、基板２００は画素領域２１０及び非画素領域２２０でなる。このとき非画素領域２２０は、画素領域２１０を取り囲む領域または画素領域２１０の周辺領域になることができる。画素領域２１０の基板２００には走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃの間にマトリックス方式で連結された複数の有機電界発光素子１００が形成されて、非画素領域２２０の基板２００には画素領域２１０の走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃから延長された走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃ、有機電界発光素子１００の動作のための電源供給ライン（図示せず）、そしてパッド（１０４ｃ及び１０６ｄ）を通じて外部から提供された信号を処理して走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃに供給する走査駆動部４１０及びデータ駆動部４２０が形成される。
【００２２】
図２ｂを参照すれば、有機電界発光素子１００はアノード電極１０８ａ及びカソード電極１１１と、アノード電極１０８ａ及びカソード電極１１１の間に形成された有機薄膜層１１０でなる。有機薄膜層１１０は正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層が積層された構造で形成されて、正孔注入層と電子注入層がさらに含まれることができる。
【００２３】
パッシブマトリックス方式の場合、走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃの間に上記のように構成された有機電界発光素子１００がマトリックス方式で連結され、また、アクティブマトリックス方式の場合、走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃの間に有機電界発光素子１００がマトリックス方式で連結されて、有機電界発光素子１００の動作を制御するための薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;ＴＦＴ）及び信号を維持させるためのキャパシタがさらに含まれる。
【００２４】
薄膜トランジスタは、ソース及びドレインとゲートを含む。図面において半導体層１０２は、ソース及びドレイン領域とチャンネル領域を提供して、ソース及びドレイン領域にはソース及びドレイン電極１０６ａ及び１０６ｂが連結され、チャンネル領域の上部にはゲート絶縁膜１０３によって半導体層１０２と電気的に絶縁されるゲート電極１０４ａが形成される。
【００２５】
図３ａ及び図３ｂを参照すれば、封止基板３００には周辺部に沿ってフリット３２０が形成される。フリット３２０は、画素領域２１０を密封させて酸素や水気の浸透を防止するためのもので、画素領域２１０を含む非画素領域２２０の一部を取り囲むように形成されて、レーザや赤外線によって溶融されうる物質、例えば、少なくとも一種類の転移金属がドーピングされた硝子フリットで形成されうる。
【００２６】
図４を参照すれば、基板２００上部に封止基板３００が配置される。封止基板３００は、画素領域２１０及び非画素領域２２０の一部と重畳されるように基板２００上部に配置されるが、非画素領域２２０に形成された走査ライン１０４ｂ、データライン１０６ｃ及び電源供給ラインとフリット３２０の間には、アノード電極１０８ａのような無機物電極物質でなり、アノード電極１０８ａと分離した保護膜１０８ｂが具備される。
【００２７】
アノード電極１０８ａと保護膜１０８ｂは、前面発光方式の場合不透明な無機物電極物質で形成されうるし、背面発光方式の場合透明な無機物電極物質で形成されうる。不透明な無機物電極物質としては、例えば、ＡＣＸ（Ａｌ合金）、Ａｇ、Ａｕで構成されたグループから選択された無機物または無機物の混合物があり、透明な無機物電極物質としてはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯで構成されたグループから選択された無機物または無機物の混合物がある。
【００２８】
上記のように基板２００上に封止基板３００が接合された状態でレーザまたは赤外線を照射してフリット３２０が溶融されて基板２００に接着されるようにする。
【００２９】
次に、上記のように構成された本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を図５ａないし図５ｇ及び図６ａ及び図６ｂを参照して説明する。
【００３０】
図５ａ及び図６ａを参照すれば、まず、画素領域２１０及び非画素領域２２０が定義された基板２００を準備する。非画素領域２２０は、画素領域２１０を取り囲む領域または画素領域２１０の周辺領域に定義されうる。
【００３１】
画素領域２１０及び非画素領域２２０の基板２００上にバッファー層１０１を形成する。バッファー層１０１は、熱による基板２００の被害を防止して基板２００からイオンが外部に拡散することを遮断するためのもので、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）のような絶縁膜で形成する。
【００３２】
図５ｂを参照すれば、画素領域２１０のバッファー層１０１上に活性層を提供する半導体層１０２を形成した後半導体層１０２を含む画素領域２１０及び非画素領域２２０の全体上部面にゲート絶縁膜１０３を形成する。半導体層１０２は、薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域とチャンネル領域を提供する。
【００３３】
図５ｃを参照すれば、半導体層１０２上部のゲート絶縁膜１０３上にゲート電極１０４ａを形成する。このとき画素領域２１０にはゲート電極１０４ａに連結される走査ライン１０４ｂが形成され、非画素領域２２０には画素領域２１０の走査ライン１０４ｂから延長される走査ライン１０４ｂ及び外部から信号を受けるためのパッド１０４ｃが形成されるようにする。
【００３４】
ゲート電極１０４ａ、走査ライン１０４ｂ及びパッド１０４ｃはモリブデンＭｏ、タングステンＷ、チタンＴｉ、アルミニウムＡｌなどの金属、またはこれらの合金や積層構造で形成する。図５ｃの非画素領域２２０は走査ライン１０４ｂが形成された部分の断面である。
【００３５】
図５ｄを参照すれば、ゲート電極１０４ａを含む画素領域２１０及び非画素領域２２０の全体上部面に層間絶縁膜１０５を形成する。そして層間絶縁膜１０５とゲート絶縁膜１０３をパターニングして半導体層１０２の所定部分が露出されるようにコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを通じて半導体層１０２に連結されるようにソース及びドレイン電極１０６ａ及び１０６ｂを形成する。
【００３６】
このとき画素領域２１０にはソース及びドレイン電極１０６ａ及び１０６ｂに連結されるデータライン１０６ｃが形成されて、非画素領域２２０には画素領域２１０のデータライン１０６ｃから延長されるデータライン１０６ｃ及び外部から信号を受けるためのパッド１０６ｄが形成されるようにする。ソース及びドレイン電極１０６ａ及び１０６ｂ、データライン１０６ｃ及びパッド１０６ｄはモリブデンＭｏ、タングステンＷ、チタンＴｉ、アルミニウムＡｌなどの金属、またはこれらの合金や積層構造で形成する。図５ｄの非画素領域２２０はデータライン１０６ｃが形成された部分の断面である。
【００３７】
図５ｅ、５ｆ及び図６ｂを参照すれば、画素領域２１０の全体上部面に平坦化層１０７を形成して表面を平坦化させる。そして画素領域２１０の平坦化層１０７をパターニングしてソースまたはドレイン電極（１０６ａまたは１０６ｂ）の所定部分が露出されるようにビアホールを形成する。
【００３８】
その後、画素領域２１０及び非画素領域２２０の全体上部面に無機物でなる電極物質層を形成した後画素領域２１０にはビアホールを通じてソースまたはドレイン電極（１０６ａまたは１０６ｂ）に連結されるアノード電極１０８ａが形成されて、非画素領域２２０には保護膜１０８ｂが形成されるようにパターニングする。
【００３９】
このとき、走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃとアノード電極１０８ａの間の電気的絶縁が維持されるようにアノード電極１０８ａと保護膜１０８ｂが分離した構造を持つようにパターニングする。図５ｅの非画素領域２２０は、走査ライン１０４ｂが形成された部分の断面で、図５ｆの非画素領域２２０はデータライン１０６ｃが形成された部分の断面である。
【００４０】
無機物でなる電極物質層は、前面発光方式の場合不透明な無機物または無機物の混合物で形成することができ、背面発光方式の場合透明な無機物または無機物の混合物で形成することができる。不透明な無機物または無機物の混合物は、例えば、ＡＣＸ（Ａｌ合金）、Ａｇ、Ａｕで構成されたグループから選択されうるし、透明な無機物または無機物の混合物は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯで構成されたグループから選択されうる。
【００４１】
このとき、平坦化層１０７を画素領域２１０及び非画素領域２２０の全体上部面に形成して、非画素領域２２０のデータライン１０６ｃに連結されたパッド１０６ｄが露出されるように平坦化層１０７をパターニングすることができるが、平坦化層１０７が有機物で形成される場合、データライン１０６ｃとの接着が不良になることがあるから画素領域２１０のみに形成することが好ましい。
【００４２】
図５ｇを参照すれば、アノード電極１０８ａの一部領域が露出されるように平坦化層１０７上に画素定義膜１０９を形成した後、露出されたアノード電極１０８ａ上に有機薄膜層１１０を形成して、有機薄膜層１１０を含む画素定義膜１０９上にカソード電極１１１を形成する。
【００４３】
前記第１実施形態では非画素領域２２０の走査ライン１０４ｂ、データライン１０６ｃ及び電源供給ラインが無機物でなる保護膜１０８ｂによって露出しない構造を提示した。
【００４４】
走査ライン１０４ｂ、データライン１０６ｃ及び電源供給ラインを含む非画素領域２２０の全体面に保護膜１０８ｂが形成された構造を提示したが、非画素領域２２０の走査ライン１０４ｂ、データライン１０６ｃ及び電源供給ライン上のみに保護膜１０８ｂが形成された構造でも実現することができる。
【００４５】
図３ａ及び図３ｂを再参照すれば、画素領域２１０及び非画素領域２２０の一部と重畳される大きさの封止基板３００を準備する。封止基板３００としては硝子のように透明な物質でなる基板を使用することができ、好ましくはシリコン酸化物（ＳｉＯ２）でなる基板を使用する。
【００４６】
封止基板３００の周辺部に沿ってフリット３２０を形成する。フリット３２０は画素領域２１０を密封させて酸素や水気の浸透を防止するためのもので、画素領域２１０を含む非画素領域２２０の一部を取り囲むように形成する。フリットは一般的にパウダー形態の硝子原料を意味するが、本発明ではレーザまたは赤外線吸収材、有機バインダー、熱膨脹係数を減少させるためのフィラー(Filler)などが含まれたペースト状態のフリットが塑性過程を経て硬化された状態を意味する。例えば、フリットには少なくとも一種類の転移金属がドーピングされうる。
【００４７】
図７を参照すれば、封止基板３００を図５ａないし図５ｇに示された工程を通じて製作された基板２００の上部に配置する。画素領域２１０及び非画素領域２２０の一部と重畳されるように基板２００上部に封止基板３００が配置された状態でフリット３２０に沿ってレーザまたは赤外線を照射してフリット３２０を基板２００に接着させる。レーザまたは赤外線がフリット３２０に吸収されて熱が発生されることによってフリット３２０が溶融されて基板２００に接着される。
【００４８】
レーザの場合３６ないし３８Ｗ程度のパワーで照射し、一定の溶融温度及び接着力が維持されるようにフリット３２０に沿って一定の速度で移動させる。レーザまたは赤外線の移動速度は、１０ないし３０ｍｍ／ｓｅｃ、好ましくは、２０ｍｍ／ｓｅｃ程度になるようにする。
【００４９】
一方、前記実施形態ではゲート絶縁膜１０３と層間絶縁膜１０５を画素領域２１０と非画素領域２２０に形成した場合を説明したが、画素領域２１０のみに形成されるようにすることも可能である。そしてフリット３２０が画素領域２１０のみを密封させるように形成された場合を説明したが、これに限らず走査駆動部４１０を含むように形成することができる。この場合、封止基板３００の大きさも変更されなければならない。また、フリット３２０が封止基板３００に形成された場合を説明したが、これに限らず基板２００に形成することもできる。
【００５０】
前記第１実施形態による有機電界発光表示装置は、画素領域２１０のアノード電極１０８ａを形成する過程で非画素領域２２０の走査ライン１０４ｂ、データライン１０６ｃ、電源供給ラインなどのような金属配線上部に無機物電極物質でなる保護膜１０８ｂが形成されるようにする。
【００５１】
そこで、フリット３２０を溶融させて基板２００に接着させるためにレーザが照射されるとき、図８ａ及び図８ｂに示されたようにフリット３２０下部及びフリット３２０と交差される部分の走査ライン１０４ｂ、データライン１０６ｃ、電源供給ラインなどのような金属配線がレーザによる熱に直接露出されなくなる。
【００５２】
一般に、電極または配線として使われる金属は、８００ｎｍの赤外線ＩＲ波長帯域でＣｒ（０．６３２）、Ｍｏ（０．５５０）、Ｔｉ（０．５５７）、Ｗ（０．５００）の反射率を現わすが、本発明に使われる不透明な無機物電極物質は、Ａｌ（０．８６８）、Ａｇ（０．９６９）、Ａｕ（０．９８６）などで比較的高い反射率を持つ。したがって、高い反射率によって熱吸収率が低いので下部の金属配線に熱伝達が減少されうる。
【００５３】
また、本発明に使われる透明な無機物電極物質（ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯなど）は、金属酸化物で、金属物質に比べて熱伝導率が非常に低いから下部金属配線に伝達される熱を遮断する役目をし、バッファー層としての役目もするので、熱による金属配線の被害を防止することができる。
【００５４】
したがって、保護膜１０８ｂによって熱の伝達が遮られて熱による金属配線の被害が発生されず、これによって金属配線の亀裂や、自体抵抗値及び電気的特性変化が防止されて素子の電気的特性及び信頼性が維持されうる。
【００５５】
上述したように本発明の第１実施形態はアノード電極を形成する過程で非画素領域の走査ライン、データライン、電源供給ラインなどのような金属配線上部に無機物でなる保護膜が形成されるようにする。
【００５６】
保護膜によってフリット下部及びフリットと交差される部分の金属配線がレーザや赤外線による熱に直接的に露出されず、熱の伝達が遮られるので熱による金属配線の被害が発生されない。したがって、金属配線の亀裂や自体抵抗値及び電気的特性変化が防止されて素子の電気的特性及び信頼性が維持されうる。
【００５７】
また、別途の工程段階やマスクを追加しないで非画素領域の金属配線上にフリットとの接着力が優秀な無機物で保護膜を形成することで、フリットが金属配線に直接接着される場合よりさらに優秀な接着力で基板との接着を成すことができる。したがって、フリットと基板の間の接着力が向上されて酸素や水気の浸透が效果的に防止され、表示装置の信頼性が向上する。
【００５８】
図９ａ、図１０ａ及び図１１は、本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置を説明するための平面図で、図９ｂ及び図１０ｂは図９ａ及び図１０ａを説明するための断面図である。
【００５９】
図９ａを参照すれば、基板６００は画素領域６１０及び非画素領域６２０でなる。非画素領域６２０は、画素領域６１０を取り囲む領域または画素領域６１０の周辺領域になる。画素領域６１０の基板６００には走査ライン５０４ｂ及びデータライン５０６ｃの間にマトリックス方式で連結された複数の有機電界発光素子５００が形成されて、非画素領域６２０の基板６００には画素領域６１０の走査ライン５０４ｂ及びデータライン５０６ｃから延長された走査ライン５０４ｂ及びデータライン５０６ｃ、有機電界発光素子５００の動作のための電源供給ライン（図示せず）、そしてパッド（５０４ｃ及び５０６ｄ）を通じて外部から提供された信号を処理して走査ライン５０４ｂ及びデータライン５０６ｃに供給する走査駆動部８１０及びデータ駆動部８２０が形成される。
【００６０】
図９ｂを参照すれば、有機電界発光素子５００はアノード電極５０９ａ及びカソード電極５１２と、アノード電極５０９ａ及びカソード電極５１２の間に形成された有機薄膜層５１１でなる。有機薄膜層５１１は正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層が積層された構造で形成されて、正孔注入層と電子注入層がさらに含まれることができる。
【００６１】
パッシブマトリックス方式の場合、走査ライン５０４ｂ及びデータライン５０６ｃの間に上記のように構成された有機電界発光素子５００がマトリックス方式で連結され、また、アクティブマトリックス方式の場合、走査ライン５０４ｂ及びデータライン５０６ｃの間に有機電界発光素子５００がマトリックス方式で連結されて、有機電界発光素子５００の動作を制御するための薄膜トランジスタＴＦＴ及び信号を維持させるためのキャパシタがさらに含まれる。
【００６２】
薄膜トランジスタは、ソース及びドレインとゲートを含む。図面において半導体層５０２はソース及びドレイン領域とチャンネル領域を提供し、ソース及びドレイン領域にはソース及びドレイン電極（５０６ａ及び５０６ｂ）が連結されて、チャンネル領域の上部にはゲート絶縁膜５０３によって半導体層５０２と電気的に絶縁されるゲート電極５０４ａが形成される。
【００６３】
図１０ａ及び図１０ｂを参照すれば、封止基板７００には周辺部に沿ってフリット７２０が形成される。フリット７２０は、画素領域６１０を密封させて酸素や水気の浸透を防止するためのもので、画素領域６１０を含む非画素領域６２０の一部を取り囲むように形成されて、レーザや赤外線によって溶融されうる物質、例えば、少なくとも一種類の転移金属がドーピングされた硝子フリットで形成されうる。
【００６４】
図１１を参照すれば、基板６００の上部に封止基板７００が配置される。封止基板７００は、画素領域６１０及び非画素領域６２０の一部と重畳されるように基板６００上部に配置されるが、非画素領域６２０に形成された走査ライン５０４ｂ、データライン５０６ｃ及び電源供給ラインとフリット７２０の間には第１保護膜５０７及び第２保護膜５０９ｂが積層構造で具備される。
【００６５】
第１保護膜５０７は、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙで構成されたグループから選択されたシリコン化合物で形成されて、第２保護膜５０９ｂは前面発光方式の場合不透明な無機物電極物質で形成され、背面発光方式の場合透明な無機物電極物質で形成される。
【００６６】
不透明な無機物電極物質としては、例えば、ＡＣＸ（Ａｌ合金）、Ａｇ、Ａｕで構成されたグループから選択された無機物または無機物の混合物があり、透明な無機物電極物質としてはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯで構成されたグループから選択された無機物または無機物の混合物がある。
【００６７】
このとき、第１保護膜５０７及び第２保護膜５０９ｂは非画素領域６２０の全体面に形成されうるし、第２保護膜５０９ｂはアノード電極５０９ａのような無機物電極物質で形成されうる。第２保護膜５０９ｂがアノード電極５０９ａのような無機物電極物質で形成される場合走査ライン５０４ｂ及びデータライン５０６ｃとアノード電極５０９ａの間の電気的絶縁のために第２保護膜５０９ｂはアノード電極５０９ａと分離しなければならない。
【００６８】
上記のように基板６００上に封止基板７００が接合された状態でレーザまたは赤外線を照射してフリット７２０が溶融されて基板６００に接着されるようにする。
【００６９】
次に、上記のように構成された本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を図１２ａないし図１２ｈ及び図１３ａ及び図１３ｂを参照して説明する。
【００７０】
図１２ａ及び図１３ａを参照すれば、まず、画素領域６１０及び非画素領域６２０が定義された基板６００を準備する。非画素領域６２０は、画素領域６１０を取り囲む領域または画素領域６１０の周辺領域に定義することができる。
【００７１】
画素領域６１０及び非画素領域６２０の基板６００上にバッファー層５０１を形成する。バッファー層５０１は熱による基板６００の被害を防止して基板６００からイオンが外部に拡散することを遮断するためのもので、シリコン酸化膜ＳｉＯ２やシリコン窒化膜ＳｉＮｘのような絶縁膜で形成する。
【００７２】
図１２ｂを参照すれば、画素領域６１０のバッファー層５０１上に活性層を提供する半導体層５０２を形成した後、半導体層５０２を含む画素領域６１０及び非画素領域６２０の全体上部面にゲート絶縁膜５０３を形成する。半導体層５０２は、薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域とチャンネル領域を提供する。
【００７３】
図１２ｃを参照すれば、半導体層５０２上部のゲート絶縁膜５０３上にゲート電極５０４ａを形成する。このとき、画素領域６１０にはゲート電極５０４ａに連結される走査ライン５０４ｂが形成されて、非画素領域６２０には画素領域６１０の走査ライン５０４ｂから延長される走査ライン５０４ｂ及び外部から信号を受けるためのパッド５０４ｃが形成されるようにする。
【００７４】
ゲート電極５０４ａ、走査ライン５０４ｂ及びパッド５０４ｃは、モリブデンＭｏ、タングステンＷ、チタンＴｉ、アルミニウムＡｌなどの金属、またはこれらの合金や積層構造で形成する。図１２ｃの非画素領域６２０は走査ライン５０４ｂが形成された部分の断面である。
【００７５】
図１２ｄを参照すれば、ゲート電極５０４ａを含む画素領域６１０の全体上部面に層間絶縁膜５０５を形成する。そして層間絶縁膜５０５とゲート絶縁膜５０３をパターニングして半導体層５０２の所定部分が露出されるようにコンタクトホールを形成して、コンタクトホールを通じて半導体層５０２に連結されるようにソース及びドレイン電極（５０６ａ及び５０６ｂ）を形成する。
【００７６】
このとき、画素領域６１０にはソース及びドレイン電極（５０６ａ及び５０６ｂ）に連結されるデータライン５０６ｃが形成されて、非画素領域６２０には画素領域６１０のデータライン５０６ｃから延長されるデータライン５０６ｃ及び外部から信号を受けるためのパッド５０６ｄが形成されるようにする。ソース及びドレイン電極（５０６ａ及び５０６ｂ）、データライン５０６ｃ及びパッド５０６ｄは、モリブデンＭｏ、タングステンＷ、チタンＴｉ、アルミニウムＡｌなどの金属、またはこれらの合金や積層構造で形成する。図１２ｄの非画素領域６２０はデータライン５０６ｃが形成された部分の断面である。
【００７７】
図１２ｅ及び１２ｆを参照すれば、走査ライン５０４ｂ及びデータライン５０６ｃを含む非画素領域６２０の全体上部面に第１保護膜５０７を形成する。第１保護膜５０７は、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙなどで構成されたグループから選択されたシリコンを含む物質、すなわち、シリコン化合物で形成する。図１２ｅの非画素領域６２０は、走査ライン５０４ｂが形成された部分の断面で、図１２ｆの非画素領域６２０はデータライン５０６ｃが形成された部分の断面である。
【００７８】
図１２ｇ及び１３ｂを参照すれば、画素領域６１０の全体上部面に平坦化層５０８を形成して表面を平坦化させる。そして画素領域６１０の平坦化層５０８をパターニングしてソースまたはドレイン電極（５０６ａまたは５０６ｂ）の所定部分が露出されるようにビアホールを形成する。その後、画素領域６１０及び非画素領域６２０の全体上部面に無機物でなる電極物質層を形成した後、画素領域６１０にはビアホールを通じてソースまたはドレイン電極（５０６ａまたは５０６ｂ）に連結されるアノード電極５０９ａが形成されて、非画素領域６２０には第２保護膜５０９ｂが残留されるようにパターニングする。
【００７９】
無機物でなる電極物質層は、前面発光方式の場合不透明な無機物または無機物の混合物で形成することができ、背面発光方式の場合透明な無機物または無機物の混合物で形成することができる。不透明な無機物または無機物の混合物は、例えば、ＡＣＸ（Ａｌ合金）、Ａｇ、Ａｕで構成されたグループから選択されうるし、透明な無機物または無機物の混合物は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯで構成されたグループから選択されうる。
【００８０】
上記実施形態では別途の工程段階及びマスクが追加されないようにするためにアノード電極５０９ａを形成する過程で第２保護膜５０９ｂが形成されるようにしたが、アノード電極５０９ａと第２保護膜５０９ｂをそれぞれの工程で形成することもできる。しかし、アノード電極５０９ａと第２保護膜５０９ｂが同一工程段階で無機物電極物質層で形成される場合、走査ライン５０４ｂ及びデータライン５０６ｃとアノード電極５０９ａの間の電気的絶縁のためにアノード電極５０９ａと第２保護膜５０９ｂが分離した構造を持つようにしなければならない。
【００８１】
図１２ｈを参照すれば、アノード電極５０９ａの一部領域が露出されるように平坦化層５０８上に画素定義膜５１０を形成した後、露出したアノード電極５０９ａ上に有機薄膜層５１１を形成して、有機薄膜層５１１を含む画素定義膜５１０上にカソード電極５１２を形成する。
【００８２】
上記第２実施形態では非画素領域６２０の走査ライン５０４ｂ、データライン５０６ｃ及び電源供給ラインが第１保護膜５０７と第２保護膜５０９ｂによって露出されない構造を提示した。走査ライン５０４ｂ、データライン５０６ｃ及び電源供給ラインを含む非画素領域６２０の全体面に第１保護膜５０７と第２保護膜５０９ｂが積層構造で形成された構造を提示したが、非画素領域６２０の走査ライン５０４ｂ、データライン５０６ｃ及び電源供給ライン上のみに第１保護膜５０７と第２保護膜５０９ｂが形成された構造でも実現することができる。
【００８３】
図１０ａ及び図１０ｂを再参照すれば、画素領域６１０及び非画素領域６２０の一部と重畳される大きさの封止基板７００を準備する。封止基板７００としては硝子のように透明な物質でなる基板を使うことができ、好ましくはシリコン酸化物ＳｉＯ２でなる基板を使用する。
【００８４】
封止基板７００の周辺部に沿ってフリット７２０を形成する。フリット７２０は画素領域６１０を密封させて酸素や水気の浸透を防止するためのもので、画素領域６１０を含む非画素領域６２０の一部を取り囲むように形成する。フリットは一般的にパウダー形態の硝子原料を意味するが、本発明ではレーザまたは赤外線吸収材、有機バインダー、熱膨脹係数を減少させるためのフィラー(Filler)などが含まれたペースト(paste)状態のフリットが塑性過程を経て硬化された状態を意味する。例えば、少なくとも一種類の転移金属がドーピングされうる。
【００８５】
図１４を参照すれば、封止基板７００を図１２ａないし図１２ｈに示された工程を通じて製作された基板６００の上部に配置する。画素領域６１０及び非画素領域６２０の一部と重畳されるように封止基板７００を基板６００上部に配置した状態でフリット７２０に沿ってレーザまたは赤外線を照射してフリット７２０を基板６００に接着させる。レーザまたは赤外線がフリット７２０に吸収されて熱が発生されることによってフリット７２０が溶融されて基板６００に接着される。
【００８６】
レーザの場合３６ないし３８Ｗ程度のパワーで照射し、一定の溶融温度及び接着力が維持されるようにフリット７２０に沿って一定の速度で移動させる。レーザまたは赤外線の移動速度は１０ないし３０ｍｍ／ｓｅｃ、好ましくは２０ｍｍ／ｓｅｃ程度になるようにする。
【００８７】
一方、本実施形態ではフリット７２０が画素領域６１０のみを密封させるように形成された場合を説明したが、これに限らず走査駆動部８１０を含むように形成することができる。この場合封止基板７００の大きさも変更されなければならない。また、フリット７２０が封止基板７００に形成された場合を説明したが、これに限らず基板６００に形成することもできる。
【００８８】
前記第２実施形態による有機電界発光表示装置は、非画素領域６２０の走査ライン５０４ｂ、データライン５０６ｃ、電源供給ラインのような金属配線上に第１保護膜５０７及び第２保護膜５０９ｂが積層構造で形成される。そこで、フリット７２０を溶融させて基板６００に接着させるためにレーザが照射されるとき、図１５ａ及び図１５ｂに示されたようにフリット７２０下部及びフリット７２０と交差される部分の金属配線５０４ｂ、５０６ｃがレーザによる熱に直接露出されない。
【００８９】
すなわち、無機物電極物質でなる第２保護膜５０９ｂは、レーザを反射させて熱が吸収されないようにし、シリコン化合物でなる第１保護膜５０７は、第２保護膜５０９ｂから伝達された熱が金属配線５０４ｂ、５０６ｃに伝達されないように完全に遮断するようになる。
【００９０】
一般的に電極または配線として使われる金属は、８００ｎｍの赤外線ＩＲ波長帯域でＣｒ（０．６３２）、Ｍｏ（０．５５０）、Ｔｉ（０．５５７）、Ｗ（０．５００）の反射率を現わすが、本発明に使われる不透明な無機物電極物質は、Ａｌ（０．８６８）、Ａｇ（０．９６９）、Ａｕ（０．９８６）などで比較的高い反射率を持つ。
【００９１】
したがって、高い反射率によって熱吸収率が低いので、下部金属配線に伝達される熱の量が非常に小さくなる。また、本発明に使われる透明な無機物電極物質（ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯなど）は金属酸化物であり、金属物質に比べて熱伝導率が非常に低いので、下部金属配線に伝達される熱を遮断する役目をし、バッファー層としての役目もするから熱による金属配線の被害を完全に防止することができる。
【００９２】
したがって二重構造で形成された第１保護膜５０７及び第２保護膜５０９ｂによって熱の伝達が效果的に遮られて熱による金属配線５０４ｂ、５０６ｃの被害が発生されず、これによって金属配線の亀裂や、自体抵抗値及び電気的特性変化が防止されて素子の電気的特性及び信頼性が維持されうる。
【００９３】
また、本発明は別途の工程段階やマスクを追加しないで非画素領域６２０の金属配線５０４ｂ、５０６ｃ上にフリット７２０との接着力が優秀な無機物で第２保護膜５０９ｂを形成することでフリット７２０が金属配線５０４ｂ、５０６ｃに直接接着される場合よりさらに優秀な接着力で接着を成すことができる。したがって、フリット７２０との接着力が向上して酸素や水気の浸透が效果的に防止されて表示装置の信頼性が向上される。
【００９４】
以上、本発明の好ましい実施形態を挙げて詳細に説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるのではなく、本発明の技術的思想の範囲内で当分野における通常の知識を有する者によって多様に変形されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】レーザの照射による金属配線の被害を説明するための写真である。
【図２ａ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置を説明するための平面図である。
【図２ｂ】図２ａを説明するための断面図である。
【図３ａ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置を説明するための平面図である。
【図３ｂ】図３ａを説明するための断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置を説明するための平面図である。
【図５ａ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５ｂ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５ｃ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５ｄ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５ｅ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５ｆ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５ｇ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６ａ】図５ａを説明するための平面図である。
【図６ｂ】図５ｅを説明するための平面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８ａ】図７に示されたＡ部分の拡大断面図である。
【図８ｂ】図７に示されたＡ部分の拡大平面図である。
【図９ａ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置を説明するための平面図である。
【図９ｂ】図９ａを説明するための断面図である。
【図１０ａ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置を説明するための平面図である。
【図１０ｂ】図１０ａを説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置を説明するための平面図である。
【図１２ａ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２ｂ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２ｃ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２ｄ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２ｅ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２ｆ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２ｇ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２ｈ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３ａ】図１２ａを説明するための平面図である。
【図１３ｂ】図１２ｇを説明するための平面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５ａ】図１４に示されたＢ部分の拡大断面図である。
【図１５ｂ】図１４に示されたＢ部分の拡大平面図である。
【符号の説明】
【００９６】
１０  金属配線
２０  フリット
１００、５００  有機電界発光素子
１０１、５０１  バッファー層
１０２、５０２  半導体層
１０３、５０３  ゲート絶縁膜
１０４ａ、５０４ａ  ゲート電極
１０４ｂ、５０４ｂ  走査ライン
１０４ｃ、１０６ｄ、５０４ｃ、５０６ｄ  パッド
１０５、５０５  層間絶縁膜
１０６ａ、１０６ｂ、５０６ａ、５０６ｂ  ソースおよびドレイン電極
１０６ｃ、５０６ｃ  データライン
１０７、５０８  平坦化層
１０８ａ、５０９ａ  アノード電極
１０８ｂ  保護膜
１０９、５１０  画素定義膜
１１０、５１１  有機薄膜層
１１１、５１２  カソード電極
２００、６００  基板
２１０、６１０  画素領域
２２０、６２０  非画素領域
３００、７００    封止基板
３２０、７２０  フリット
４１０、８１０  走査駆動部
４２０、８２０  データ駆動部
５０７  第１保護膜
５０９ｂ    第２保護膜
【図１】
2007220647.tif 000003
【図２ａ】
2007220647.tif 000004
【図２ｂ】
2007220647.tif 000005
【図３ａ】
2007220647.tif 000006
【図３ｂ】
2007220647.tif 000007
【図４】
2007220647.tif 000008
【図５ａ】
2007220647.tif 000009
【図５ｂ】
2007220647.tif 000010
【図５ｃ】
2007220647.tif 000011
【図５ｄ】
2007220647.tif 000012
【図５ｅ】
2007220647.tif 000013
【図５ｆ】
2007220647.tif 000014
【図５ｇ】
2007220647.tif 000015
【図６ａ】
2007220647.tif 000016
【図６ｂ】
2007220647.tif 000017
【図７】
2007220647.tif 000018
【図８ａ】
2007220647.tif 000019
【図８ｂ】
2007220647.tif 000020
【図９ａ】
2007220647.tif 000021
【図９ｂ】
2007220647.tif 000022
【図１０ａ】
2007220647.tif 000023
【図１０ｂ】
2007220647.tif 000024
【図１１】
2007220647.tif 000025
【図１２ａ】
2007220647.tif 000026
【図１２ｂ】
2007220647.tif 000027
【図１２ｃ】
2007220647.tif 000028
【図１２ｄ】
2007220647.tif 000029
【図１２ｅ】
2007220647.tif 000030
【図１２ｆ】
2007220647.tif 000031
【図１２ｇ】
2007220647.tif 000032
【図１２ｈ】
2007220647.tif 000033
【図１３ａ】
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【図１３ｂ】
2007220647.tif 000035
【図１４】
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【図１５ａ】
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【図１５ｂ】
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