(57)【要約】      （修正有）【課題】インダクタンスの低減によってインピーダンスを低減可能な電気素子を提供する。【解決手段】導体板１１，１２，２１〜２３は、それぞれ、積層された誘電体層１〜５の主面に形成される。サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂは、導体板１１，１２に接続され、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄは、導体板２１〜２３に接続される。陽極電極１０Ｃ，１０Ｄは、それぞれ、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂに接続される。陰極電極２０Ｅは、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂに接続され、陰極電極２０Ｆは、サイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄに接続される。導体板１１，１２と導体板２１〜２３とには、互いに逆方向の電流が流れる。導体板１１，１２と導体板２１〜２３との重複部分において、電流が流れる方向の長さは、電流が流れる方向に垂直な方向の長さ以上に設定される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導体板を有する基板と、
前記基板上に形成された電気素子とを備え、
前記電気素子は、
各々が第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流すｎ（ｎは正の整数）個の第２の導体板と、
前記ｎ個の第２の導体板と交互に積層され、各々が前記第１の電流のリターン電流である第２の電流を前記電気負荷回路側から前記電源側へ流すｍ（ｍは正の整数）個の第３の導体板とを含み、
前記第１の導体板は、前記電気負荷回路側から受けた前記第２の電流を前記ｍ個の第３の導体板の各々の一方端に流すとともに、前記ｍ個の第３の導体板の各々の他方端から受けた前記第２の電流を前記電源側へ流し、
前記ｎ個の第２の導体板は、前記第１および第２の電流がそれぞれ前記ｎ個の第２の導体板および前記ｍ個の第３の導体板に流れたとき、自己インダクタンスよりも小さいインダクタンスを有し、
前記第２の導体板と前記第３の導体板との重複部において前記第１および第２の電流が流れる方向に垂直な方向における前記第２および第３の導体板の長さをＷとし、前記第１および第２の電流が流れる方向における前記第２および第３の導体板の長さをＬとした場合、Ｗ≧Ｌが成立し、
前記第２の電流は、
前記ｍ個の第３の導体板を流れる第１の電流成分と、
前記第１の導体板を流れる第２の電流成分とを含み、
前記第１の導体板は、
前記ｍ個の第３の導体板の各々の一方端に接続された第１の平板部材と、
前記ｍ個の第３の導体板の各々の他方端に接続された第２の平板部材と、
前記第１および第２の平板部材間に設けられ、前記第２の電流成分を前記第１の電流成分よりも小さくする電流抑制部とを含む、電気回路装置。
【請求項２】
前記電流抑制部は、前記第２の電流成分を零にする、請求項１に記載の電気回路装置。
【請求項３】
第１の導体板を有する基板と、
前記基板上に形成された電気素子とを備え、
前記電気素子は、
各々が第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流すｎ（ｎは正の整数）個の第２の導体板と、
前記ｎ個の第２の導体板と交互に積層され、各々が前記第１の電流のリターン電流である第２の電流を前記電気負荷回路側から前記電源側へ流すｍ（ｍは正の整数）個の第３の導体板とを含み、
前記第１の導体板は、前記電気負荷回路側から受けた前記第２の電流を前記ｍ個の第３の導体板の各々の一方端に流すとともに、前記ｍ個の第３の導体板の各々の他方端から受けた前記第２の電流を前記電源側へ流し、
前記ｎ個の第２の導体板は、前記第１および第２の電流がそれぞれ前記ｎ個の第２の導体板および前記ｍ個の第３の導体板に流れたとき、自己インダクタンスよりも小さいインダクタンスを有し、
前記第２の導体板と前記第３の導体板との重複部において前記第１および第２の電流が流れる方向に垂直な方向における前記第２および第３の導体板の長さをＷとし、前記第１および第２の電流が流れる方向における前記第２および第３の導体板の長さをＬとした場合、Ｗ≧Ｌが成立し、
前記第１の導体板は、
前記ｍ個の第３の導体板の各々の一方端に接続された第１の平板部材と、
前記ｍ個の第３の導体板の各々の他方端に接続され、前記第１の平板部材と分離された第２の平板部材とを含む、電気回路装置。
【請求項４】
各々が第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流すｎ（ｎは正の整数）個の第１の導体板と、
前記ｎ個の第１の導体板と交互に積層され、各々が前記第１の電流のリターン電流である第２の電流を前記電気負荷回路側から前記電源側へ流すｍ（ｍは正の整数）個の第２の導体板とを備え、
前記ｎ個の第１の導体板は、前記第１および第２の電流がそれぞれ前記ｎ個の第１の導体板および前記ｍ個の第２の導体板に流れたとき、自己インダクタンスよりも小さいインダクタンスを有し、
前記第１の導体板と前記第２の導体板との重複部において前記第１および第２の電流が流れる方向に垂直な方向における前記第１および第２の導体板の長さをＷとし、前記第１および第２の電流が流れる方向における前記第１および第２の導体板の長さをＬとした場合、Ｌ≧Ｗが成立する、電気回路装置。
【請求項５】
第３の導体板を有する基板をさらに備え、
前記ｎ個の第１の導体板および前記ｍ個の第２の導体板は、前記基板上に形成され、
前記第２の電流は、
前記ｍ個の第２の導体板を流れる第１の電流成分と、
前記第３の導体板を流れる第２の電流成分とを含み、
前記第３の導体板は、
前記ｍ個の第２の導体板の各々の一方端に接続された第１の平板部材と、
前記ｍ個の第２の導体板の各々の他方端に接続された第２の平板部材と、
前記第１および第２の平板部材間に設けられ、前記第２の電流成分を前記第１の電流成分よりも小さくする電流抑制部とを含む、請求項４に記載の電気回路装置。
【請求項６】
前記電流抑制部は、前記第２の電流成分を零にする、請求項５に記載の電気回路装置。
【請求項７】
第３の導体板を有する基板をさらに備え、
前記ｎ個の第１の導体板および前記ｍ個の第２の導体板は、前記基板上に形成され、
前記第３の導体板は、
前記ｍ個の第２の導体板の各々の一方端に接続された第１の平板部材と、
前記ｍ個の第２の導体板の各々の他方端に接続され、前記第１の平板部材と分離された第２の平板部材とを含む、請求項４に記載の電気回路装置。
【請求項８】
前記第１の平板部材と前記第２の平板部材との間隔は、相対的に大きい値に設定される、請求項３または請求項７に記載の電気回路装置。
【請求項９】
前記ｎ個の第１の導体板および前記ｍ個の第２の導体板が配置される基板をさらに備え、
前記基板は、
一主面に形成された第３の導体板と、
前記ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される第１の導体部を前記一主面に形成する第１のスリットと、
前記ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される第２の導体部を前記一主面に形成する第２のスリットと、
前記第１のスリットと前記第２のスリットとの間に配置され、前記ｍ個の第２の導体板の各々の両端にそれぞれ接続される第３および第４の導体部を前記一主面に形成する第３のスリットとを含む、請求項４に記載の電気回路装置。
【請求項１０】
前記基板は、前記第２の電流が流れる方向と略垂直な方向に前記第３のスリットから延伸した第４のスリットをさらに含む、請求項９に記載の電気回路装置。
【請求項１１】
前記基板は、前記第４のスリットの両端に形成され、前記第４のスリットと所定の角度を成す方向に延伸した第５のスリットをさらに含む、請求項１０に記載の電気回路装置。
【請求項１２】
電気素子のインピーダンスを相対的に小さくする基板であって、
前記電気素子は、
各々が第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流すｎ（ｎは正の整数）個の第１の導体板と、
前記ｎ個の第１の導体板と交互に積層され、各々が前記第１の電流のリターン電流である第２の電流を前記電気負荷回路側から前記電源側へ流すｍ（ｍは正の整数）個の第２の導体板とを含み、
前記ｎ個の第１の導体板は、前記第１および第２の電流がそれぞれ前記ｎ個の第１の導体板および前記ｍ個の第２の導体板に流れたとき、自己インダクタンスよりも小さいインダクタンスを有し、
前記基板は、
誘電体と、
前記誘電体の一主面に配置され、前記ｍ個の第２の導体板の各々の一方端に接続される第３の導体板と、
前記誘電体の一主面に前記第３の導体板と所定の間隔で配置され、前記ｍ個の第２の導体板の各々の他方端に接続される第４の導体板とを備える基板。
【請求項１３】
前記誘電体の一主面に配置され、前記ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される第１の信号線と、
前記第１の信号線が配置された一主面に配置され、前記ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される第２の信号線とをさらに備え、
前記第３および第４の導体板は、前記第１および第２の信号線と同じ一主面に配置される、請求項１２に記載の基板。
【請求項１４】
前記第３の導体板は、前記第１の信号線の両側に配置された第１および第２の平板部材からなり、
前記第４の導体板は、前記第２の信号線の両側に配置された第３および第４の平板部材からなる、請求項１３に記載の基板。
【請求項１５】
前記誘電体の一主面に配置され、前記ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される第１の信号線と、
前記第１の信号線が配置された一主面に配置され、前記ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される第２の信号線とをさらに備え、
前記第３および第４の導体板は、前記第１および第２の信号線と異なる一主面に配置される、請求項１２に記載の基板。
【請求項１６】
前記誘電体の一主面に配置され、前記ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される第１の信号線と、
前記第１の信号線が配置された一主面に配置され、前記ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される第２の信号線とをさらに備え、
前記第３の導体板は、
前記第１の信号線と同じ一主面に前記第１の信号線の両側に配置された第１および第２の平板部材と、
前記第１の信号線と異なる一主面に配置された第３の平板部材とを含み、
前記第４の導体板は、
前記第２の信号線と同じ一主面に前記第２の信号線の両側に配置された第４および第５の平板部材と、
前記第２の信号線と異なる一主面に配置された第６の平板部材とを含む、請求項１２に記載の基板。
【請求項１７】
前記誘電体は、積層された複数の誘電体からなり、
前記第３の導体板は、各誘電体の表裏に配置された複数の第１の平板部材からなり、
前記第４の導体板は、各誘電体の表裏に配置された複数の第２の平板部材からなる、請求項１２に記載の基板。
【請求項１８】
前記複数の誘電体のうち、最も上側に配置された誘電体の一主面に配置され、前記ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される第１の信号線と、
前記第１の信号線が配置された一主面に配置され、前記ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される第２の信号線とをさらに備え、
前記複数の第１の平板部材のうち、前記最も上側に配置された誘電体の一主面に配置された平板部材は、前記第１の信号線の両側に配置された第１および第２の平板部からなり、
前記複数の第２の平板部材のうち、前記最も上側に配置された誘電体の一主面に配置された平板部材は、前記第２の信号線の両側に配置された第３および第４の平板部からなる、請求項１７に記載の基板。
【請求項１９】
前記所定の間隔は、相対的に大きい値に設定される、請求項１２から請求項１８のいずれか１項に記載の基板。
【請求項２０】
電気素子のインピーダンスを相対的に小さくする基板であって、
前記電気素子は、
各々が第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流すｎ（ｎは正の整数）個の第１の導体板と、
前記ｎ個の第１の導体板と交互に積層され、各々が前記第１の電流のリターン電流である第２の電流を前記電気負荷回路側から前記電源側へ流すｍ（ｍは正の整数）個の第２の導体板とを含み、
前記ｎ個の第１の導体板は、前記第１および第２の電流がそれぞれ前記ｎ個の第１の導体板および前記ｍ個の第２の導体板に流れたとき、自己インダクタンスよりも小さいインダクタンスを有し、
前記基板は、
誘電体と、
前記誘電体の一主面に配置された第３の導体板と、
前記ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される第１の導体部を前記一主面に形成する第１のスリットと、
前記ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される第２の導体部を前記一主面に形成する第２のスリットと、
前記第１のスリットと前記第２のスリットとの間に配置され、前記ｍ個の第２の導体板の各々の両端にそれぞれ接続される第３および第４の導体部を前記一主面に形成する第３のスリットとを備える基板。
【請求項２１】
前記基板は、前記第２の電流が流れる方向と略垂直な方向に前記第３のスリットから延伸した第４のスリットをさらに備える、請求項２０に記載の基板。
【請求項２２】
前記基板は、前記第４のスリットの両端に形成され、前記第４のスリットと所定の角度を成す方向に延伸した第５のスリットをさらに備える、請求項２１に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気回路装置およびそれに用いる基板に関し、特に、広帯域で高周波特性に優れたノイズフィルタ機能を有する電気回路装置およびそれに用いる基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）等のデジタル回路技術は、コンピュータおよび通信関連機器だけでなく、家庭電化製品および車載用機器にも使用されている。
【０００３】
そして、ＬＳＩ等で発生した高周波電流は、ＬＳＩ近傍にとどまらず、プリント回路基板等の実装回路基板内の広い範囲に広がり、信号配線およびグランド配線に誘導結合し、信号ケーブル等から電磁波として漏洩する。
【０００４】
従来のアナログ回路の一部をデジタル回路に置き換えた回路、およびアナログ入出力を持つデジタル回路等のアナログ回路とデジタル回路とが混載される回路では、デジタル回路からアナログ回路への電磁干渉問題が深刻になってきている。
【０００５】
この対策には、高周波電流の発生源であるＬＳＩを供給電源系から高周波的に分離すること、すなわち、電源デカップリングの手法が有効である。そして、この電源デカップリングの手法を用いたノイズフィルタとして伝送線路型ノイズフィルタが知られている（特許文献１）。
【０００６】
この伝送線路型ノイズフィルタは、第１および第２の導電体と、誘電体層と、第１および第２の陽極とを備える。そして、第１および第２の導電体の各々は、板状形状からなり、誘電体層は、第１および第２の導電体間に配置される。
【０００７】
第１の陽極は、第１の導電体の長さ方向における一方端に接続され、第２の陽極は、第１の導体体の長さ方向における他方端に接続される。第２の導電体は、基準電位に接続するための陰極として機能する。また、第１の導電体、誘電体層および第２の導電体は、コンデンサを構成する。さらに、第１の導電体の厚さは、第１の導電体に流れる電流の直流成分によって生じる温度上昇を実質的に抑制するように設定される。
【０００８】
そして、伝送線路型ノイズフィルタは、電源とＬＳＩとの間に接続され、電源からの電流を第１の陽極、第１の導電体および第２の陽極からなる経路によってＬＳＩへ流すとともに、ＬＳＩで発生した交流電流を減衰する。
【０００９】
このように、伝送線路型ノイズフィルタは、コンデンサの構成を有し、コンデンサの２つの電極を構成する第１および第２の導電体を伝送線路として用いたノイズフィルタである。
【特許文献１】特開２００４−８０７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、伝送線路型ノイズフィルタは、（インダクタンス／キャパシタンス）１／２によって表されるインピーダンスを有し、インダクタンスを低減する手段を採用していない。また、インピーダンスは、周波数が高くなるに従ってキャパシタンスが支配的な領域からインダクタンスが支配的な領域へ移行する。その結果、従来の伝送線路型ノイズフィルタにおいては、伝送線路型ノイズフィルタが元来的に有するインダクタンスによって決定されるインピーダンスよりも低いインピーダンスを実現できないという問題がある。
【００１１】
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、インダクタンスの低減によってインピーダンスを低減可能な電気回路装置を提供することである。
【００１２】
また、この発明の別の目的は、インダクタンスの低減によってインピーダンスを低減可能な電気回路装置に用いる基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明によれば、電気回路装置は、基板と、電気素子とを備える。基板は、第１の導体板を有する。電気素子は、基板上に形成される。そして、電気素子は、ｎ（ｎは正の整数）個の第２の導体板と、ｍ（ｍは正の整数）個の第３の導体板とを含む。ｎ個の第２の導体板は、各々が第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流す。ｍ個の第３の導体板は、ｎ個の第２の導体板と交互に積層され、各々が第１の電流のリターン電流である第２の電流を電気負荷回路側から電源側へ流す。第１の導体板は、電気負荷回路側から受けた第２の電流をｍ個の第３の導体板の各々の一方端に流すとともに、ｍ個の第３の導体板の各々の他方端から受けた第２の電流を前記電源側へ流す。ｎ個の第２の導体板は、第１および第２の電流がそれぞれｎ個の第２の導体板およびｍ個の第３の導体板に流れたとき、自己インダクタンスよりも小さいインダクタンスを有する。第２の導体板と第３の導体板との重複部において第１および第２の電流が流れる方向に垂直な方向における第２および第３の導体板の長さをＷとし、第１および第２の電流が流れる方向における第２および第３の導体板の長さをＬとした場合、Ｗ≧Ｌが成立する。第２の電流は、ｍ個の第３の導体板を流れる第１の電流成分と、第１の導体板を流れる第２の電流成分とを含む。第１の導体板は、ｍ個の第３の導体板の各々の一方端に接続された第１の平板部材と、ｍ個の第３の導体板の各々の他方端に接続された第２の平板部材と、第１および第２の平板部材間に設けられ、第２の電流成分を第１の電流成分よりも小さくする電流抑制部とを含む。
【００１４】
好ましくは、電流抑制部は、第２の電流成分を零にする。
【００１５】
また、この発明によれば、電気回路装置は、基板と、電気素子とを備える。基板は、第１の導体板を有する。電気素子は、基板上に形成される。そして、電気素子は、ｎ（ｎは正の整数）個の第２の導体板と、ｍ（ｍは正の整数）個の第３の導体板とを含む。ｎ個の第２の導体板は、各々が第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流す。ｍ個の導体板は、ｎ個の第２の導体板と交互に積層され、各々が第１の電流のリターン電流である第２の電流を電気負荷回路側から電源側へ流す。第１の導体板は、電気負荷回路側から受けた第２の電流をｍ個の第３の導体板の各々の一方端に流すとともに、ｍ個の第３の導体板の各々の他方端から受けた第２の電流を電源側へ流す。ｎ個の第２の導体板は、第１および第２の電流がそれぞれｎ個の第２の導体板およびｍ個の第３の導体板に流れたとき、自己インダクタンスよりも小さいインダクタンスを有する。第２の導体板と第３の導体板との重複部において第１および第２の電流が流れる方向に垂直な方向における第２および第３の導体板の長さをＷとし、第１および第２の電流が流れる方向における第２および第３の導体板の長さをＬとした場合、Ｗ≧Ｌが成立する。第１の導体板は、ｍ個の第３の導体板の各々の一方端に接続された第１の平板部材と、ｍ個の第３の導体板の各々の他方端に接続され、第１の平板部材と分離された第２の平板部材とを含む。
【００１６】
さらに、この発明によれば、電気回路装置は、ｎ（ｎは正の整数）個の第１の導体板と、ｍ（ｍは正の整数）個の第２の導体板とを備える。ｎ個の第１の導体板は、各々が第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流す。ｍ個の第２の導体板は、ｎ個の第１の導体板と交互に積層され、各々が第１の電流のリターン電流である第２の電流を電気負荷回路側から電源側へ流す。ｎ個の第１の導体板は、第１および第２の電流がそれぞれｎ個の第１の導体板およびｍ個の第２の導体板に流れたとき、自己インダクタンスよりも小さいインダクタンスを有する。第１の導体板と第２の導体板との重複部において第１および第２の電流が流れる方向に垂直な方向における第１および第２の導体板の長さをＷとし、第１および第２の電流が流れる方向における第１および第２の導体板の長さをＬとした場合、Ｌ≧Ｗが成立する。
【００１７】
好ましくは、電気回路装置は、基板をさらに備える。基板は、第３の導体板を有する。ｎ個の第１の導体板およびｍ個の第２の導体板は、基板上に形成される。第２の電流は、ｍ個の第２の導体板を流れる第１の電流成分と、第３の導体板を流れる第２の電流成分とを含む。第３の導体板は、ｍ個の第２の導体板の各々の一方端に接続された第１の平板部材と、ｍ個の第２の導体板の各々の他方端に接続された第２の平板部材と、第１および第２の平板部材間に設けられ、第２の電流成分を第１の電流成分よりも小さくする電流抑制部とを含む。
【００１８】
好ましくは、電流抑制部は、第２の電流成分を零にする。
【００１９】
好ましくは、電気回路装置は、基板をさらに備える。基板は、第３の導体板を有する。ｎ個の第１の導体板およびｍ個の第２の導体板は、基板上に形成される。第３の導体板は、ｍ個の第２の導体板の各々の一方端に接続された第１の平板部材と、ｍ個の第２の導体板の各々の他方端に接続され、第１の平板部材と分離された第２の平板部材とを含む。
【００２０】
好ましくは、第１の平板部材と第２の平板部材との間隔は、相対的に大きい値に設定される。
【００２１】
好ましくは、電気回路装置は、ｎ個の第１の導体板およびｍ個の第２の導体板が配置される基板をさらに備える。そして、基板は、一主面に形成された第３の導体板と、第１から第３のスリットとを含む。第１のスリットは、ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される第１の導体部を一主面に形成する。第２１のスリットは、ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される第２の導体部を一主面に形成する。第３のスリットは、第１のスリットと第２のスリットとの間に配置され、ｍ個の第２の導体板の各々の両端にそれぞれ接続される第３および第４の導体部を一主面に形成する。
【００２２】
好ましくは、基板は、第２の電流が流れる方向と略垂直な方向に第３のスリットから延伸した第４のスリットをさらに含む。
【００２３】
好ましくは、基板は、第４のスリットの両端に形成され、第４のスリットと所定の角度を成す方向に延伸した第５のスリットをさらに含む。
【００２４】
さらに、この発明によれば、基板は、電気素子のインピーダンスを相対的に小さくする基板である。電気素子は、ｎ（ｎは正の整数）個の第１の導体板と、ｍ（ｍは正の整数）個の第２の導体板とを含む。ｎ個の第１の導体板は、各々が第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流す。ｍ個の第２の導体板は、ｎ個の第１の導体板と交互に積層され、各々が第１の電流のリターン電流である第２の電流を電気負荷回路側から電源側へ流す。ｎ個の第１の導体板は、第１および第２の電流がそれぞれｎ個の第１の導体板およびｍ個の第２の導体板に流れたとき、自己インダクタンスよりも小さいインダクタンスを有する。基板は、誘電体と、第３の導体板と、第４の導体板とを備える。第３の導体板は、誘電体の一主面に配置され、ｍ個の第２の導体板の各々の一方端に接続される。第４の導体板は、誘電体の一主面に第３の導体板と所定の間隔で配置され、ｍ個の第２の導体板の各々の他方端に接続される。
【００２５】
好ましくは、基板は、第１および第２の信号線をさらに備える。第１の信号線は、誘電体の一主面に配置され、ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される。第２の信号線は、第１の信号線が配置された一主面に配置され、ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される。そして、第３および第４の導体板は、第１および第２の信号線と同じ一主面に配置される。
【００２６】
好ましくは、第３の導体板は、第１の信号線の両側に配置された第１および第２の平板部材からなる。第４の導体板は、第２の信号線の両側に配置された第３および第４の平板部材からなる。
【００２７】
好ましくは、基板は、第１および第２の信号線をさらに備える。第１の信号線は、誘電体の一主面に配置され、ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される。第２の信号線は、第１の信号線が配置された一主面に配置され、ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される。そして、第３および第４の導体板は、第１および第２の信号線と異なる一主面に配置される。
【００２８】
好ましくは、基板は、第１および第２の信号線をさらに備える。第１の信号線は、誘電体の一主面に配置され、ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される。第２の信号線は、第１の信号線が配置された一主面に配置され、ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される。第３の導体板は、第１から第３の平板部材を含む。第１および第２の平板部材は、第１の信号線と同じ一主面に第１の信号線の両側に配置される。第３の平板部材は、第１の信号線と異なる一主面に配置される。第４の導体板は、第４から第６の平板部材を含む。第４および第５の平板部材は、第２の信号線と同じ一主面に第２の信号線の両側に配置される。第６の平板部材は、第２の信号線と異なる一主面に配置される。
【００２９】
好ましくは、誘電体は、積層された複数の誘電体からなる。第３の導体板は、各誘電体の表裏に配置された複数の第１の平板部材からなる。第４の導体板は、各誘電体の表裏に配置された複数の第２の平板部材からなる。
【００３０】
好ましくは、基板は、第１および第２の信号線をさらに備える。第１の信号線は、複数の誘電体のうち、最も上側に配置された誘電体の一主面に配置され、ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される。第２の信号線は、第１の信号線が配置された一主面に配置され、ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される。そして、複数の第１の平板部材のうち、最も上側に配置された誘電体の一主面に配置された平板部材は、第１の信号線の両側に配置された第１および第２の平板部からなる。また、複数の第２の平板部材のうち、最も上側に配置された誘電体の一主面に配置された平板部材は、第２の信号線の両側に配置された第３および第４の平板部からなる。
【００３１】
好ましくは、所定の間隔は、相対的に大きい値に設定される。
【００３２】
さらに、この発明によれば、基板は、電気素子のインピーダンスを相対的に小さくする基板である。電気素子は、ｎ（ｎは正の整数）個の第１の導体板と、ｍ（ｍは正の整数）個の第２の導体板とを含む。ｎ個の第１の導体板は、各々が第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流す。ｍ個の第２の導体板は、ｎ個の第１の導体板と交互に積層され、各々が第１の電流のリターン電流である第２の電流を電気負荷回路側から電源側へ流す。ｎ個の第１の導体板は、第１および第２の電流がそれぞれｎ個の第１の導体板およびｍ個の第２の導体板に流れたとき、自己インダクタンスよりも小さいインダクタンスを有する。基板は、誘電体と、第３の導体板と、第１から第３のスリットとを備える。第３の導体板は、誘電体の一主面に配置される。第１のスリットは、ｎ個の第１の導体板の各々の一方端に接続される第１の導体部を一主面に形成する。第２のスリットは、ｎ個の第１の導体板の各々の他方端に接続される第２の導体部を一主面に形成する。第３のスリットは、第１のスリットと第２のスリットとの間に配置され、ｍ個の第２の導体板の各々の両端にそれぞれ接続される第３および第４の導体部を一主面に形成する。
【００３３】
好ましくは、基板は、第２の電流が流れる方向と略垂直な方向に第３のスリットから延伸した第４のスリットをさらに備える。
【００３４】
好ましくは、基板は、第４のスリットの両端に形成され、第４のスリットと所定の角度を成す方向に延伸した第５のスリットをさらに備える。
【発明の効果】
【００３５】
この発明によれば、電気回路装置は、第１の電流を電源側から電気負荷回路側へ流すｎ個の第１の導体板と、第１の電流のリターン電流である第２の電流を電気負荷回路側から電源側へ流すｍ個の第２の導体板との重複部分は、第１および第２の電流が流れる方向に略長方形の形状を有する。その結果、ｎ個の第１の導体板とｍ個の第２の導体板との磁気的結合が相対的に強くなり、ｎ個の第１の導体板の各々の実効インダクタンスが第１の導体板の自己インダクタンスよりも小さくなる。
【００３６】
したがって、この発明によれば、インダクタンスの低減によって電気回路装置のインピーダンスを低減できる。
【００３７】
また、この発明によれば、電気回路装置は、リターン電流をｍ個の第３の導体板に導く基板を備えるので、ｎ個の第２の導体板とｍ個の第３の導体板との磁気的結合が相対的に強くなり、ｎ個の第２の導体板の各々の実効インダクタンスが第２の導体板の自己インダクタンスよりも小さくなる。
【００３８】
したがって、この発明によれば、インダクタンスの低減によって電気回路装置のインピーダンスを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００４０】
［実施の形態１］
図１は、この発明の実施の形態１による電気回路装置の構成を示す概略図である。図１を参照して、この発明の実施の形態１による電気回路装置１００は、誘電体層１〜５と、導体板１１，１２，２１〜２３と、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂと、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄと、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄと、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆとを備える。
【００４１】
誘電体層１〜５は、順次、積層される。導体板１１，１２，２１〜２３の各々は、平板形状からなる。そして、導体板２１は、誘電体層１，２間に配置され、導体板１１は、誘電体層２，３間に配置される。導体板２２は、誘電体層３，４間に配置され、導体板１２は、誘電体層４，５間に配置され、導体板２３は、誘電体層５の一主面５Ａに配置される。その結果、誘電体層１〜５は、それぞれ、導体板２１，１１，２２，１２，２３を支持する。
【００４２】
サイド陽極電極１０Ａは、導体板１１，１２の一方端に接続され、電気回路装置１００の側面１００Ａ（誘電体層１〜４の側面からなる側面）に形成される。サイド陽極電極１０Ｂは、導体板１１，１２の他方端に接続され、電気回路装置１００の側面１００Ａに対向する側面１００Ｂ（誘電体層１〜４の側面からなる側面）に形成される。その結果、サイド陽極電極１０Ｂは、サイド陽極電極１０Ａに対向して配置される。
【００４３】
陽極電極１０Ｃは、電気回路装置１００の底面１００Ｃに配置され、サイド陽極電極１０Ａに接続される。陽極電極１０Ｄは、電気回路装置１００の底面１００Ｃに配置され、サイド陽極電極１０Ｂに接続される。
【００４４】
サイド陰極電極２０Ａは、導体板２１〜２３の一方端側において導体板２１〜２３に接続され、電気回路装置１００の正面１００Ｄに配置される。サイド陰極電極２０Ｂは、導体板２１〜２３の一方端側において導体板２１〜２３に接続され、電気回路装置１００の正面１００Ｄに対向する裏面１００Ｅに配置される。これにより、サイド陰極電極２０Ｂは、サイド陰極電極２０Ａに対向して配置される。
【００４５】
サイド陰極電極２０Ｃは、導体板２１〜２３の他方端側において導体板２１〜２３に接続され、電気回路装置１００の正面１００Ｄに配置される。サイド陰極電極２０Ｄは、導体板２１〜２３の他方端側において導体板２１〜２３に接続され、電気回路装置１００の正面１００Ｄに対向する裏面１００Ｅに配置される。これにより、サイド陰極電極２０Ｄは、サイド陰極電極２０Ｃに対向して配置される。
【００４６】
陰極電極２０Ｅは、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂに接続され、電気回路装置１００の底面１００Ｃに配置される。陰極電極２０Ｆは、サイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄに接続され、電気回路装置１００の底面１００Ｃに配置される。
【００４７】
このように、電気回路装置１００は、導体板１１，１２，２１〜２３が誘電体層１〜５を挟んで交互に配置された構造からなり、２個の陽極電極１０Ｃ，１０Ｄと、２個の陰極電極２０Ｅ，２０Ｆとを有する。
【００４８】
誘電体層１〜５の各々は、たとえば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）からなり、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂ、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄ、導体板１１，１２，２１〜２３、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄおよび陰極電極２０Ｅ，２０Ｆの各々は、たとえば、ニッケル（Ｎｉ）からなる。
【００４９】
図２は、図１に示す誘電体層１，２および導体板１１，２１の寸法を説明するための図である。図２を参照して、誘電体層１，２の各々は、導体板１１，２１を電流が流れる方向ＤＲ１に長さＬ１を有し、方向ＤＲ１に直交する方向ＤＲ２に幅Ｗ１を有し、厚さＤ１を有する。長さＬ１は、たとえば、１５ｍｍに設定され、幅Ｗ１は、たとえば、１３ｍｍに設定され、厚さＤ１は、たとえば、２５μｍに設定される。
【００５０】
導体板１１は、長さＬ１および幅Ｗ２を有する。そして、幅Ｗ２は、たとえば、１１ｍｍに設定される。また、導体板２１は、長さＬ２および幅Ｗ１を有する。そして、長さＬ２は、たとえば、１３ｍｍに設定される。さらに、導体板１１，２１の各々は、たとえば、１０μｍ〜２０μｍの範囲の膜厚を有する。
【００５１】
誘電体層３〜５の各々は、図２に示す誘電体層１，２と同じ長さＬ１、同じ幅Ｗ１および同じ厚さＤ１を有する。また、導体板１２は、図２に示す導体板１１と同じ長さＬ１、同じ幅Ｗ２および同じ膜厚を有し、導体板２２，２３の各々は、図２に示す導体板２１と同じ長さＬ２、同じ幅Ｗ１および同じ膜厚を有する。
【００５２】
このように、導体板１１，１２は、導体板２１〜２３と異なる長さおよび異なる幅を有する。これは、導体板１１，１２に接続されるサイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂが導体板２１〜２３に接続されるサイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄと短絡するのを防止するためである。
【００５３】
図３は、隣接する２つの導体板の平面図である。図３を参照して、導体板１１および導体板２１を１つの平面へ投影すると、導体板１１および２１は、重複部分２０を有する。そして、導体板１１と導体板２１との重複部分２０は、長さＬ２および幅Ｗ２を有する。導体板１１と導体板２２との重複部分、導体板１２と導体板２２との重複部分および導体板１２と導体板２３との重複部分も、重複部分２０と同じ長さＬ２および同じ幅Ｗ２を有する。そして、実施の形態１においては、Ｗ２≦Ｌ２になるように、長さＬ２および幅Ｗ２が設定される。
【００５４】
図４は、図１に示す電気回路装置１００の断面図である。図４の（ａ）は、図１に示す線ＩＶＡ−ＩＶＡ間における電気回路装置１００の断面図を示し、図４の（ｂ）は、図１に示す線ＩＶＢ−ＩＶＢ間における電気回路装置１００の断面図を示す。
【００５５】
図４を参照して、導体板２１は、誘電体層１，２の両方に接し、導体板１１は、誘電体層２，３の両方に接する。また、導体板２２は、誘電体層３，４の両方に接し、導体板１２は、誘電体層４，５の両方に接する。さらに、導体板２３は、誘電体層５に接する。
【００５６】
サイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄは、導体板１１，１２には接続されず、導体板２１〜２３に接続される。また、陰極電極２０Ｆは、誘電体層１の裏面１Ａに配置され、サイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄに接続される（図４の（ａ）参照）。
【００５７】
サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂは、導体板２１〜２３に接続されず、導体板１１，１２に接続される。また、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄは、誘電体層１の裏面１Ａに配置され、それぞれ、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂに接続される（図４の（ｂ）参照）。
【００５８】
その結果、導体板２１／誘電体層２／導体板１１、導体板１１／誘電体層３／導体板２２、導体板２２／誘電体層４／導体板１２、および導体板１２／誘電体層５／導体板２３は、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄと陰極電極２０Ｅ，２０Ｆとの間に並列に接続された４個のコンデンサを構成する。
【００５９】
この場合、各コンデンサの電極面積は、隣接する２つの導体板の重複部分２０（図３参照）の面積に等しい。
【００６０】
図５および図６は、それぞれ、図１に示す電気回路装置１００の製造方法を説明するための第１および第２の工程図である。図５を参照して、長さＬ１、幅Ｗ１および厚さＤ１を有する誘電体層１（ＢａＴｉＯ３）となるグリーンシートの表面１Ｂに、長さＬ２および幅Ｗ１を有する領域にＮｉペーストをスクリーン印刷により塗布し、誘電体層１の表面１ＢにＮｉからなる導体板２１を形成する。
【００６１】
同じようにして、ＢａＴｉＯ３からなる誘電体層３，５を作製し、その作製した誘電体層３，５上にそれぞれＮｉからなる導体板２２，２３を形成する（図５の（ａ）参照）。
【００６２】
引き続いて、長さＬ１、幅Ｗ１および厚さＤ１を有する誘電体層２（ＢａＴｉＯ３）となるグリーンシートの表面２Ａに、長さＬ１および幅Ｗ２を有する領域にＮｉペーストをスクリーン印刷により塗布し、誘電体層２の表面２ＡにＮｉからなる導体板１１を形成する。
【００６３】
同じようにして、ＢａＴｉＯ３からなる誘電体層４を作製し、その作製した誘電体層４上にＮｉからなる導体板１２を形成する（図５の（ｂ）参照）。
【００６４】
その後、導体板２１，１１，２２，１２，２３がそれぞれ形成された誘電体層１〜５のグリーンシートを順次積層する（図５の（ｃ）参照）。これによって、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄに接続される導体板１１，１２および陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続される導体板２１〜２３は、交互に積層される。
【００６５】
さらに、Ｎｉペーストをスクリーン印刷によって塗布し、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂ、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄ、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄおよび陰極電極２０Ｅ，２０Ｆを形成する（図６の（ｄ），（ｅ）参照）。その後、図６の（ｅ）まで作製された素子を１３５０℃の焼成温度で焼成して電気回路装置１００が完成する。または、ポストファイヤーにより、内部電極（導体板１１，１２，２１〜２３）よりも融点が低く、導電率が高い材料をサイド電極（外部電極）に使用することも可能である。また、サイド電極（外部電極）に関しては、ハンダ濡れ性等を考慮し、必要に応じて焼成後にＮｉ，Ａｕ，Ｓｕ等によってメッキ処理を行うこともある。
【００６６】
なお、電気回路装置１００の作製においては、グリーンシートを使用せず、誘電体のペーストを印刷して乾燥させ、その上に導体を印刷し、さらに、誘電体のペーストを印刷して同様な工程を行い、積層していく方法もある。
【００６７】
図７は、図１に示す電気回路装置１００の機能を説明するための斜視図である。図７を参照して、電気回路装置１００に電流を流す場合、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆを接地電位に接続し、導体板１１，１２に流れる電流が導体板２１〜２３に流れる電流と逆向きになるように電流を電気回路装置１００に流す。
【００６８】
たとえば、電流が陽極電極１０Ｃから陽極電極１０Ｄの方向へ流れるように電流を電気回路装置１００に流す。そうすると、電流は、陽極電極１０Ｃからサイド陽極電極１０Ａを介して導体板１１，１２へ流れ、導体板１１，１２を矢印３０の方向へ流れ、さらに、サイド陽極電極１０Ｂを介して陽極電極１０Ｄへ流れる。
【００６９】
また、導体板１１，１２を流れる電流のリターン電流は、陰極電極２０Ｆからサイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄを介して導体板２１〜２３に流れ、導体板２１〜２３を矢印３０と反対方向である矢印４０の方向へ流れ、さらに、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂを介して陰極電極２０Ｅへ流れる。
【００７０】
そうすると、導体板１１，１２を流れる電流Ｉ１と、導体板２１〜２３を流れる電流Ｉ２とは、大きさが等しく、かつ、向きが逆方向の電流となる。
【００７１】
図８は、導線を流れる電流によって生成される磁束密度を説明するための図である。また、図９は、２つの導線間において磁気的干渉が生じた場合の実効インダクタンスを説明するための図である。
【００７２】
図８を参照して、無限に長い直線導線に電流Ｉが流れているとき、導線から距離ａの位置に存在する点Ｐに生じる磁束密度Ｂは、
【００７３】
【数１】
2007201419.tif 000003
【００７４】
によって表される。ただし、μ０は、真空の透磁率である。
【００７５】
また、図８に示す導線が２本になり、お互いに磁気的な干渉が生じたときには、２本の導線の自己インダクタンスをそれぞれＬ１１，Ｌ２２とし、結合係数をｋ（０＜ｋ＜１）とし、２本の導線の相互インダクタンスをＬ１２とすると、相互インダクタンスＬ１２は、次式によって表される。
【００７６】
【数２】
2007201419.tif 000004
【００７７】
ここで、Ｌ１１＝Ｌ２２の場合、相互インダクタンスＬ１２は、次式になる。
【００７８】
【数３】
2007201419.tif 000005
【００７９】
図９を参照して、導線Ａと導線Ｂとがリード線Ｃによって接続され、大きさが等しく、かつ、向きが逆方向の電流が導線Ａ，Ｂに流れる場合を想定すると、導線Ａの実効インダクタンスＬ１１ｅｆｆｅｃｔｉｖｅは、次式によって表される。
【００８０】
【数４】
2007201419.tif 000006
【００８１】
このように、２本の導線Ａ，Ｂ間に磁気的干渉が生じる場合、導線Ａの実効インダクタンスＬ１１ｅｆｆｅｃｔｉｖｅは、導線Ｂとの間の相互インダクタンスＬ１２によって導線Ａの自己インダクタンスＬ１１よりも小さくなる。これは、導線Ａに流れる電流Ｉが生成する磁束φＡの方向が導線Ｂに流れる電流−Ｉが生成する磁束φＢの方向と逆向きになり、導線Ａに流れる電流Ｉが生成する実効的な磁束密度が小さくなるからである。
【００８２】
図１０は、図１に示す電気回路装置１００のインダクタンスが小さくなる機構を説明するための概念図である。電気回路装置１００においては、上述したように、導体板１１は、導体板２１，２２から２５μｍの位置に配置され、導体板１２は、導体板２２，２３から２５μｍの位置に配置されるため、導体板１１と導体板２１，２２との間および導体板１２と導体板２２，２３との間に磁気的干渉が生じ、導体板１１，１２を流れる電流Ｉ１は、導体板２１〜２３を流れる電流Ｉ２と大きさが等しく、かつ、向きが逆方向であるため、導体板１１，１２の実効インダクタンスは、導体板１１，１２と導体板２１〜２３との間の相互インダクタンスによって導体板１１，１２の自己インダクタンスよりも小さくなる。
【００８３】
この場合、導体板１１，１２の自己インダクタンスは、導体板１１，１２と導体板２１〜２３との重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２以上である場合の方が重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い場合よりも大きく低下する。その理由を図１０を参照して説明する。
【００８４】
図１０の（ａ）は、重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２以上である場合を示し、図１０の（ｂ）は、重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い場合を示す。なお、図１０の（ａ），（ｂ）において、矢印は、方向ＤＲ２へ広がりを持った電流を表す。また、図１０の（ａ），（ｂ）において、重複部分２０の面積は等しい。
【００８５】
図１０の（ａ）を参照して、電流Ｉ１が導体板１１を流れ、電流Ｉ２が導体板２１を流れる。そうすると、重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２以上である場合、電流Ｉ１，Ｉ２は、重複部分２０の幅Ｗ２のほぼ全体に広がって、それぞれ、導体板１１，２１を流れる。その結果、導体板２１を流れる電流Ｉ２によって生成される磁束φＢが導体板１１を流れる電流Ｉ１によって生成される磁束φＡを打ち消す度合が相対的に大きくなり、導体板１１の実効インダクタンスが導体板２１との間の相互インダクタンスによって導体板１１の自己インダクタンスよりも小さくなる度合が相対的に大きくなる。導体板１２の実効インダクタンスが導体板１２の自己インダクタンスよりも小さくなる度合についても同様である。
【００８６】
図１０の（ｂ）を参照して、重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い場合、電流Ｉ１は、方向ＤＲ２において導体板１１のほぼ中央部を流れ、電流Ｉ２は、方向ＤＲ２において導体板２１の端に近い部分を流れる。
【００８７】
長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い場合、サイド陽極電極１０Ａから導体板１１に導入された電流Ｉ１が導体板１１の幅方向ＤＲ２へ広がるときのインピーダンスよりも電流Ｉ１が長さ方向ＤＲ１へ流れるときのインピーダンスの方が小さくなるからである。
【００８８】
また、長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い場合、サイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄから導体板２１に導入された電流Ｉ２が導体板２１の幅方向ＤＲ２へ広がるときのインピーダンスよりも電流Ｉ２が導体板２１の長さ方向ＤＲ１へ流れるときのインピーダンスの方が小さくなるからである。
【００８９】
そうすると、重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い場合、電流Ｉ１は、幅方向ＤＲ２において重複部分２０のほぼ中央部を流れ、電流Ｉ２は、幅方向ＤＲ２において重複部分２０の端に近い部分を流れる。その結果、導体板２１を流れる電流Ｉ２によって生成される磁束φＢが導体板１１を流れる電流Ｉ１によって生成される磁束φＡを打ち消す度合が相対的に小さくなり、導体板１１の実効インダクタンスが導体板２１との間の相互インダクタンスによって導体板１１の自己インダクタンスよりも小さくなる度合が相対的に小さくなる。導体板１２の実効インダクタンスが導体板１２の自己インダクタンスよりも小さくなる度合についても同様である。
【００９０】
このように、重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２以上である場合、導体板１１，１２の実効インダクタンスが導体板１１，１２の自己インダクタンスよりも小さくなる度合は、相対的に大きくなる。
【００９１】
その結果、電気回路装置１００における全体の実効インダクタンスＬは、相対的に大きく低下する。
【００９２】
電気回路装置１００全体の実効キャパシタンスをＣとすると、電気回路装置１００のインピーダンスＺｓは、次式によって表される。
【００９３】
【数５】
2007201419.tif 000007
【００９４】
電気回路装置１００においては、上述したように、並列に接続された４個のコンデンサが形成されるので、１個のコンデンサが形成される場合に比べ、実効キャパシタンスＣは大きくなる。
【００９５】
したがって、電気回路装置１００においては、キャパシタンスが支配的な低周波数領域においては、実効キャパシタンスＣが大きくなることによってインピーダンスＺｓが低下し、インダクタンスが支配的な高周波数領域においては、上述した実効インダクタンスＬの低下によってインピーダンスＺｓが低下する。
【００９６】
その結果、電気回路装置１００は、広い周波数領域において、相対的に低いインピーダンスＺｓを有する。
【００９７】
図１１は、図１に示す電気回路装置１００のインピーダンスの周波数依存性を示す図である。図１１において、横軸は、周波数を表し、縦軸は、インピーダンスを表す。また、曲線ｋ１は、重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２以上である場合のインピーダンスの周波数依存性を示し、曲線ｋ２は、重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い場合のインピーダンスの周波数依存性を示す。
【００９８】
図１１を参照して、０．００６ＧＨｚ以下の低周波数領域は、キャパシタンスが支配的な周波数領域であり、０．０１ＧＨｚ以上の高周波数領域は、インダクタンスが支配的な周波数領域である。上述したように、重複部分２０の長さＬ２が幅Ｗ２以上である場合および重複部分２０の長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い場合、重複部分２０の面積は等しいので、キャパシタンスが支配的である０．００６ＧＨｚ以下の低周波数領域においては、重複部分２０の長さＬ２が幅Ｗ２以上である電気回路装置１００のインピーダンス（曲線ｋ１）は、重複部分２０の長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い電気回路装置のインピーダンス（曲線ｋ２）とほぼ同じである。
【００９９】
一方、重複部分２０の長さＬ２が幅Ｗ２以上である場合、電気回路装置１００のインダクタンスは、重複部分２０の長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い場合に比べ、相対的に大きく低下するので、インダクタンスが支配的である０．０１ＧＨｚ以上の高周波数領域においては、重複部分２０の長さＬ２が幅Ｗ２以上である電気回路装置１００のインピーダンス（曲線ｋ１）は、重複部分２０の長さＬ２が幅Ｗ２よりも短い電気回路装置のインピーダンス（曲線ｋ２）よりも小さくなる。
【０１００】
したがって、導体板１１，１２と導体板２１〜２３との重複部分２０における長さＬ２を幅Ｗ２以上に設定することにより、インダクタンスが支配的な周波数領域において電気回路装置１００のインピーダンスを小さくできる。
【０１０１】
図１２は、図１に示す電気回路装置１００の使用状態を示す概念図である。図１２を参照して、電気回路装置１００は、電源９０と、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１１０との間に接続される。そして、電気回路装置１００の陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、接地電位に接続される。電源９０は、正極端子９１および負極端子９２を有する。ＣＰＵ１１０は、正極端子１１１および負極端子１１２を有する。
【０１０２】
リード線１２１は、一方端が電源９０の正極端子９１に接続され、他方端が電気回路装置１００の陽極電極１０Ｃに接続される。リード線１２２は、一方端が電源９０の負極端子９２に接続され、他方端が電気回路装置１００の陰極電極２０Ｅに接続される。
【０１０３】
リード線１２３は、一方端が電気回路装置１００の陽極電極１０Ｄに接続され、他方端がＣＰＵ１１０の正極端子１１１に接続される。リード線１２４は、一方端が電気回路装置１００の陰極電極２０Ｆに接続され、他方端がＣＰＵ１１０の負極端子１１２に接続される。
【０１０４】
そうすると、電源９０の正極端子９１から出力された電流Ｉは、リード線１２１を介して電気回路装置１００の陽極電極１０Ｃに流れ、電気回路装置１００内をサイド陽極電極１０Ａ、導体板１１，１２、サイド陽極電極１０Ｂおよび陽極電極１０Ｄの順に流れる。そして、電流Ｉは、陽極電極１０Ｄからリード線１２３および正極端子１１１を介してＣＰＵ１１０へ流れ込む。
【０１０５】
これによって、電流Ｉは、電源電流としてＣＰＵ１１０へ供給される。そして、ＣＰＵ１１０は、電流Ｉによって駆動され、電流Ｉと同じ大きさのリターン電流Ｉｒを負極端子１１２から出力する。
【０１０６】
そうすると、リターン電流Ｉｒは、リード線１２４を介して電気回路装置１００の陰極電極２０Ｆへ流れ、電気回路装置１００内をサイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄ、導体板２１〜２３、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂおよび陰極電極２０Ｅの順に流れる。そして、リターン電流Ｉｒは、陰極電極２０Ｅからリード線１２２および負極端子９２を介して電源９０に流れる。
【０１０７】
その結果、電気回路装置１００において、電流Ｉが導体板１１，１２を電源９０側からＣＰＵ１１０側へ流れ、リターン電流Ｉｒが導体板２１〜２３をＣＰＵ１１０側から電源９０側へ流れるため、電気回路装置１００の実効インダクタンスＬは、上述したように相対的に大きく低下する。また、電気回路装置１００は、並列に接続された４個のコンデンサを含むので、電気回路装置１００の実効キャパシタンスＣは、大きくなる。したがって、電気回路装置１００のインピーダンスＺｓは小さくなる。
【０１０８】
そして、ＣＰＵ１１０は、電源９０から電気回路装置１００を介して供給された電流Ｉによって駆動され、不要な高周波電流を発生する。この不要な高周波電流は、リード線１２３，１２４を介して電気回路装置１００へ漏れるが、電気回路装置１００は、上述したように、低いインピーダンスＺｓを有するため、不要な高周波電流は、電気回路装置１００およびＣＰＵ１１０からなる回路を流れ、電気回路装置１００から電源９０側への漏洩が抑制される。
【０１０９】
ＣＰＵ１１０の動作周波数は、高周波数側へシフトする傾向にあり、１ＧＨｚ程度での動作も想定される。このような高い動作周波数の領域においては、電気回路装置１００のインピーダンスＺｓは、主に実効インダクタンスＬによって決定され、実効インダクタンスＬは、上述したように相対的に大きく低下するので、電気回路装置１００は、高い動作周波数で動作するＣＰＵ１１０が発生する不要な高周波電流をＣＰＵ１１０の近傍に閉じ込めるノイズフィルタとして機能する。
【０１１０】
実施の形態１においては、Ｌ２≧Ｗ２になるように重複部分２０の長さＬ２および幅Ｗ２を設定する。そして、ＣＰＵ１１０の動作周波数が相対的に高くなるに従って、Ｌ２／Ｗ２は、相対的に大きな値に設定される。これによって、高周波数領域における電気回路装置１００のインピーダンスが大きく低下する。
【０１１１】
上述したように、電気回路装置１００は、電源９０とＣＰＵ１１０との間に接続され、ＣＰＵ１１０が発生する不要な高周波電流をＣＰＵ１１０の近傍に閉じ込めるノイズフィルタとして機能する。そして、電気回路装置１００が電源９０とＣＰＵ１１０との間に接続される場合、導体板１１，１２，２１〜２３は、伝送線路として接続される。すなわち、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄに接続された導体板１１，１２と、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続された導体板２１〜２３とを用いて構成されるコンデンサが端子を介して伝送線路に接続されるのではなく、導体板１１，１２，２１〜２３が伝送線路の一部として接続される。したがって、導体板１１，１２は、電源９０から出力された電流Ｉが電源９０側からＣＰＵ１１０側へ流れるための導体であり、導体板２１〜２３は、リターン電流ＩｒがＣＰＵ１１０側から電源９０側へ流れるための導体である。その結果、等価直列インダクタンスを極力排除できる。
【０１１２】
また、電気回路装置１００においては、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄに接続された導体板１１，１２に流れる電流を、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続された導体板２１〜２３に流れる電流と逆向きに設定することによって、導体板１１，１２と導体板２１〜２３との間に磁気的干渉を生じさせ、導体板１１，１２の自己インダクタンスを導体板１１，１２と導体板２１〜２３との間の相互インダクタンスによって減少させる。そして、これによって、電気回路装置１００の実効インダクタンスを減少させ、電気回路装置１００のインピーダンスＺｓを低下させる。
【０１１３】
このように、この発明においては、コンデンサの電極を構成する導体板１１，１２，２１〜２３を伝送線路の一部として接続することを第１の特徴とし、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄに接続された導体板１１，１２と、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続された導体板２１〜２３とに逆向きの電流を流して導体板１１，１２と導体板２１〜２３との間に磁気的干渉を生じさせることによって導体板１１，１２の実効インダクタンスを導体板１１，１２の自己インダクタンスよりも小さくし、それによって電気回路装置１００のインピーダンスＺｓを小さくすることを第２の特徴とし、信号を構成する電流を流す導体板１１，１２の各々が接地電位に接続される２つの導体板（導体板２１，２２または導体板２２，２３）によって挟まれることを第３の特徴とする。
【０１１４】
この第２の特徴は、ＣＰＵ１１０からのリターン電流Ｉｒを電気回路装置１００の内部に配置された導体板２１〜２３に流す構成を採用することによって実現される。
【０１１５】
そして、第１の特徴によって等価直列インダクタンスを極力排除でき、第２の特徴によって不要な高周波電流をＣＰＵ１１０の近傍に閉じ込めることができる。また、第３の特徴によって電気回路装置１００のノイズが外部へ出るのを抑制できるとともに、電気回路装置１００が外部からのノイズに影響されるのを抑制できる。
【０１１６】
上記においては、誘電体層１〜５は、全て同じ誘電体材料（ＢａＴｉＯ３）により構成されると説明したが、この発明においては、これに限らず、誘電体層１〜５は、相互に異なる誘電体材料により構成されていてもよく、２種類の誘電体材料により構成されていてもよく、一般的には、１種類以上の誘電体材料により構成されていればよい。この場合、誘電体層１〜５を構成する各誘電体材料は、好ましくは、３０００以上の比誘電率を有する。
【０１１７】
そして、ＢａＴｉＯ３以外の誘電体材料としては、Ｂａ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２，（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ３，（Ｂａ，Ｃａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３，（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３，ＳｒＴｉＯ３，ＣａＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ３，Ｐｂ（Ｆｅ，Ｗ）Ｏ３，Ｐｂ（Ｆｅ，Ｎｂ）Ｏ３，Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３，Ｐｂ（Ｎｉ，Ｗ）Ｏ３，Ｐｂ（Ｍｇ，Ｗ）Ｏ３，Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３，Ｐｂ（Ｌｉ，Ｆｅ，Ｗ）Ｏ３，Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１およびＣａＺｒＯ３等を用いることができる。
【０１１８】
また、上記においては、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄ、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂ、導体板１１，１２，２１〜２３、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄおよび陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、ニッケル（Ｎｉ）からなると説明したが、この発明においては、これに限らず、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄ、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂ、導体板１１，１２，２１〜２３、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄおよび陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀パラジウム合金（Ａｇ−Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ルビジウム（Ｒｕ）およびタングステン（Ｗ）のいずれかにより構成されてもよい。
【０１１９】
さらに、上記においては、電気回路装置１００は、誘電体層１〜５を備えると説明したが、この発明においては、これに限らず、電気回路装置１００は、誘電体層１〜５を備えていなくてもよい。誘電体層１〜５がなくても、導体板１１，１２と導体板２１〜２３との間で磁気的干渉が生じ、上述した機構によって電気回路装置１００のインピーダンスが低下するからである。
【０１２０】
さらに、上記においては、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄに接続される導体板の個数は、２個（導体板１１，１２）であり、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続される導体板の個数は、３個（導体板２１〜２３）であると説明したが、この発明においては、これに限らず、電気回路装置１００は、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄに接続されるｎ（ｎは正の整数）個の導体板と、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続されるｍ（ｍは正の整数）個の導体板とを備えていればよい。この場合、電気回路装置１００は、ｊ（ｊ＝ｍ＋ｎ）個の誘電体層を備える。陽極電極１０Ｃ，１０Ｄに接続される導体板と、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続される導体板とを少なくとも１個備えていれば、磁気的干渉を生じさせることができ、実効インダクタンスを小さくできるからである。
【０１２１】
そして、この発明においては、電気回路装置１００に流れる電流が増加するに従って、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄに接続される導体板の個数と、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続される導体板の個数とを増加させる。陽極電極１０Ｃ，１０Ｄに接続される導体板および陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続される導体板が複数の導体板からなるとき、複数の導体板は、２個の陽極電極（１０Ｃ，１０Ｄ）間、または２個の陰極電極（２０Ｅ，２０Ｆ）間に並列に接続されるので、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄに接続される導体板の個数と、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続される導体板の個数とを増加させれば、電気回路装置１００に流れる電流を増加できるからである。
【０１２２】
また、この発明においては、電気回路装置１００のインピーダンスを相対的に低下させる場合、電極１０Ｃ，１０Ｄに接続される導体板の個数と、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続される導体板の個数とを増加させる。電極１０Ｃ，１０Ｄに接続される導体板の個数と、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆに接続される導体板の個数とを増加させれば、並列接続されるコンデンサの個数が増加し、電気回路装置１００の実効キャパシタンスが大きくなってインピーダンスが低下するからである。
【０１２３】
さらに、上記においては、導体板１１，１２は、導体板２１〜２３に平行に配置されると説明したが、この発明においては、これに限らず、導体板１１，１２と導体板２１〜２３との間隔が長さ方向ＤＲ１に対して変化するように導体板１１，１２，２１〜２３を配置してもよい。
【０１２４】
さらに、上記においては、電気回路装置１００は、ＣＰＵ１１０に接続されると説明したが、この発明においては、これに限らず、電気回路装置１００は、所定の周波数で動作する電気負荷回路であれば、どのように電気負荷回路に接続されてもよい。
【０１２５】
さらに、上記においては、電気回路装置１００は、ＣＰＵ１１０が発生する不要な高周波電流をＣＰＵ１１０の近傍に閉じ込めるノイズフィルタとして用いられると説明したが、この発明においては、これに限らず、電気回路装置１００は、コンデンサとしても使用される。電気回路装置１００は、上述したように、並列に接続された４個のコンデンサを含むので、コンデンサとしても使用可能である。
【０１２６】
そして、より具体的には、電気回路装置１００は、ノートパソコン、ＣＤ−ＲＷ／ＤＶＤ装置、ゲーム機、情報家電、デジタルカメラ、自動車電装用、自動車用デジタル機器、ＭＰＵ周辺回路およびＤＣ／ＤＣコンバータ等に用いられる。
【０１２７】
したがって、ノートパソコンおよびＣＤ−ＲＷ／ＤＶＤ装置等にコンデンサとして用いられているが、電源９０とＣＰＵ１１０との間で使用されてＣＰＵ１１０が発生する不要な高周波電流をＣＰＵ１１０の近傍に閉じ込めるノイズフィルタの機能を有する電気回路装置は、この発明による電気回路装置１００に含まれる。
【０１２８】
［実施の形態２］
図１３は、実施の形態２による電気回路装置の構成を示す概念図である。図１３を参照して、実施の形態２による電気回路装置１０１は、図１に示す電気回路装置１００に基板２００を追加したものであり、その他は、電気回路装置１００と同じである。
【０１２９】
電気回路装置１０１においては、電気回路装置１００は、基板２００の一主面２０１Ａ上に配置される。
【０１３０】
図１４は、図１３に示す基板２００の構成を示す斜視図である。図１４を参照して、基板２００は、誘電体２０１と、信号線２０２，２０３と、導体板２０４，２０５とを含む。
【０１３１】
信号線２０２，２０３は、所定の間隔を隔てて誘電体２０１の一主面２０１Ａ上に配置される。導体板２０４，２０５は、所定の間隔を隔てて誘電体２０１の一主面２０１Ａに対向する一主面２０１Ｂに配置される。このように、基板２００は、信号線２０２，２０３が一方の一主面２０１Ａ上に配置され、導体板２０４，２０５が他方の一主面２０１Ｂに配置されたマイクロストリップライン基板からなる。
【０１３２】
そして、基板２００が電気回路装置１０１に用いられる場合、導体板２０４，２０５は、接地される。
【０１３３】
図１５は、図１３に示す電気回路装置１０１を詳細に説明するための斜視図である。図１５を参照して、誘電体層１〜５、導体板１１，１２，２１〜２３、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂ、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄ、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄおよび陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、基板２００の誘電体２０１の一主面２０１Ａに配置される。そして、誘電体層１〜５、導体板１１，１２，２１〜２３、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂ、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄ、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄおよび陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、実施の形態２においては、「電気素子」を構成する。
【０１３４】
そして、サイド陽極電極１０Ａおよび陽極電極１０Ｃは、信号線２０２に接続され、サイド陽極電極１０Ｂおよび陽極電極１０Ｄは、信号線２０３に接続される。サイド陰極電極２０Ａおよび陰極電極２０Ｅは、導体２０６によって導体板２０４に接続され、サイド陰極電極２０Ｃおよび陰極電極２０Ｆは、導体２０７によって導体板２０５に接続される。なお、図１５においては、図示されていないが、サイド陰極電極２０Ｂは、導体（図示せず）によって導体板２０４に接続され、サイド陰極電極２０Ｄは、導体（図示せず）によって導体板２０５に接続される。
【０１３５】
導体板２０４，２０５は、電流Ｉが導体板１１，１２を流れたときのリターン電流Ｉｒが流れるための導体板である。そして、リターン電流Ｉｒは、導体板２０５から導体２０７および導体（図示せず）を介してサイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄへ流れ、導体板２１〜２３を介してサイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂへ流れる。
【０１３６】
そして、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂへ流れたリターン電流Ｉｒは、導体２０６および導体（図示せず）を介して導体板２０４へ流れ、導体板２０４から電気回路装置１０１の外部へ流れる。
【０１３７】
このように、基板２００は、リターン電流Ｉｒを電気回路装置１０１内の導体板２１〜２３に導く導体板２０４，２０５を備える。
【０１３８】
図１６は、図１５に示す電気回路装置１０１の断面図である。図１６の（ａ）は、図１５に示す線ＸＶＩＡ−ＸＶＩＡ間における電気回路装置１０１の断面図を示し、図１６の（ｂ）は、図１５に示す線ＸＶＩＢ−ＸＶＩＢ間における電気回路装置１０１の断面図を示す。
【０１３９】
図１６の（ａ）を参照して、陰極電極２０Ｆは、誘電体２０１の一主面２０１Ａ上に配置され、導体板２０５は、誘電体２０１の一主面２０１Ｂに誘電体２０１の幅全体にわたって配置される。そして、導体板２０５は、導体２０７によってサイド陰極電極２０Ｃおよび陰極電極２０Ｆに接続され、導体２０８によってサイド陰極電極２０Ｄおよび陰極電極２０Ｆに接続される。
【０１４０】
なお、導体板２０４は、導体板２０５と同じ方法によってサイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂおよび陰極電極２０Ｅに接続される。
【０１４１】
図１６の（ｂ）を参照して、信号線２０２は、サイド陽極電極１０Ａおよび陽極電極１０Ｃに接続され、信号線２０３は、サイド陽極電極１０Ｂおよび陽極電極１０Ｄに接続される。
【０１４２】
導体板２０４は、導体板２０５と所定の間隔Ｌ３を隔てて一主面２０１Ｂに配置される。所定の間隔Ｌ３は、基本的には、所定の周波数を有するリターン電流Ｉｒが導体板２０４と導体板２０５との間で流れない間隔に設定される。
【０１４３】
このように、導体板２０４，２０５を所定の間隔Ｌ３を隔てて誘電体２０１の一主面２０１Ｂに配置することによって、リターン電流Ｉｒを導体板２０４，２０５間で流すことなく、電気回路装置１０１内の導体板２１〜２３へ導くことができる。
【０１４４】
その結果、導体板１１，１２は、導体板２１〜２３との磁気的結合が相対的に大きくなり、実施の形態１において説明した機構により、導体板１１，１２の実効インダクタンスは、導体板１１，１２の自己インダクタンスよりも大きく低下する。
【０１４５】
図１７は、図１５に示す電気回路装置１０１のインピーダンスの周波数依存性を示す図である。図１７において、縦軸は、インピーダンスを表し、横軸は、周波数を表す。また、曲線ｋ３は、電気回路装置１０１におけるインピーダンスの周波数依存性である。
【０１４６】
図１７を参照して、キャパシタンスが支配的である０．００６ＧＨｚ以下の低周波数領域においては、電気回路装置１０１のインピーダンスは、実施の形態１による電気回路装置１００のインピーダンスとほぼ同じである（曲線ｋ１，ｋ３参照）。
【０１４７】
一方、インダクタンスが支配的である０．０１ＧＨｚ以上の高周波数領域においては、電気回路装置１０１のインピーダンスは、実施の形態１による電気回路装置１００のインピーダンスよりもさらに大きく低下する（曲線ｋ１，ｋ３参照）。
【０１４８】
したがって、２つの導体板２０４，２０５が所定の間隔Ｌ３を隔てて配置された基板２００を用いることによって、リターン電流Ｉｒを電気回路装置１０１内の導体板２１〜２３に導くことができ、導体板１１，１２の実効インダクタンスを導体板１１，１２の自己インダクタンスよりも大きく低下させることができる。その結果、インダクタンスが支配的な高周波数領域において、電気回路装置１０１のインピーダンスを大きく低下させることができる。
【０１４９】
図１８は、図１５に示す２つの導体板２０４，２０５間における電気的な分離度と周波数の関係を示す図である。図１８において、縦軸は、Ｉｓｏｌａｔｉｏｎを表し、横軸は、周波数を表す。そして、Ｉｓｏｌａｔｉｏｎは、その値が小さい方が電気的な分離度が大きいことを意味する。また、曲線ｋ４，ｋ５，ｋ６は、それぞれ、所定の間隔Ｌ３が１．５ｍｍ、３．０ｍｍおよび４．５ｍｍである場合を示す。
【０１５０】
図１８を参照して、所定の間隔Ｌ３を１．５ｍｍから３．０ｍｍまで大きくすることによって、導体板２０４，２０５間におけるＩｓｏｌａｔｉｏｎは、２〜３ＧＨｚの周波数範囲において低下し、導体板２０４，２０５間における電気的な分離度が大きくなる。そして、導体板２０４，２０５間におけるＩｓｏｌａｔｉｏｎは、所定の間隔Ｌ３を３．０ｍｍから４．５ｍｍまで大きくしても、２〜３ＧＨｚの周波数範囲において殆ど変化しない。したがって、所定の間隔Ｌ３は、好ましくは、３．０ｍｍ以上に設定される。
【０１５１】
図１９は、図１３に示す基板２００の構成を示す他の斜視図である。図１３に示す基板２００は、図１９に示す基板２００Ａからなっていてもよい。図１９を参照して、基板２００Ａは、図１４に示す基板２００の導体板２０４，２０５をそれぞれ導体板２０９，２１０に代えたものであり、その他は、基板２００と同じである。
【０１５２】
導体板２０９は、誘電体２０１の一主面２０１Ａに配置され、平板部材２０９１，２０９２からなる。そして、平板部材２０９１，２０９２は、誘電体２０１の一主面２０１Ａにおいて信号線２０２の両側に配置される。
【０１５３】
導体板２１０は、誘電体２０１の一主面２０１Ａに配置され、平板部材２１０１，２１０２からなる。そして、平板部材２１０１，２１０２は、誘電体２０１の一主面２０１Ａにおいて信号線２０３の両側に配置される。そして、平板部材２０９１と平板部材２１０１との間隔および平板部材２０９２と平板部材２１０２との間隔は、所定の間隔Ｌ３に設定される。
【０１５４】
このように、基板２００Ａにおいては、導体板２０９，２１０は、信号線２０２，２０３と同じ一主面２０１Ａに所定の間隔Ｌ３で配置される。そして、導体板２０９，２１０は、それぞれ、信号線２０２，２０３の両側に配置された平板部材２０９１，２０９２；２１０１，２１０２からなる。したがって、基板２００Ａは、コプレーナ基板からなる。
【０１５５】
基板２００Ａが電気回路装置１０１に用いられる場合、導体板２０９の平板部材２０９１は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ａおよび陰極電極２０Ｅに接続され、平板部材２０９２は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ｂおよび陰極電極２０Ｅに接続される。また、導体板２１０の平板部材２１０１は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ｃおよび陰極電極２０Ｆに接続され、平板部材２１０２は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ｄおよび陰極電極２０Ｆに接続される。そして、導体板２０９，２１０は、接地される。
【０１５６】
基板２００Ａは、所定の間隔Ｌ３を隔てて配置された２つの導体板２０９，２１０を備えるので、基板２００Ａを電気回路装置１０１に用いた場合も、基板２００を電気回路装置１０１に用いた場合と同様に、インダクタンスが支配的な高周波数領域において電気回路装置１０１のインピーダンスを大幅に低減できる。
【０１５７】
図２０は、図１３に示す基板２００の構成を示すさらに他の斜視図である。図１３に示す基板２００は、図２０に示す基板２００Ｂからなっていてもよい。図２０を参照して、基板２００Ｂは、図１４の示す基板２００に導体板２０９，２１０を追加したものであり、その他は、基板２００と同じである。導体板２０９，２１０については、図１９において説明したとおりである。
【０１５８】
したがって、基板２００Ｂは、信号線２０２，２０３と同じ一主面２０１Ａに所定の間隔Ｌ３で配置された導体板２０９，２１０と、信号線２０２，２０３が配置された一主面２０１Ａに対向する一主面２０１Ｂに所定の間隔Ｌ３で配置された導体板２０４，２０５とを備える。そして、基板２００Ｂが電気回路装置１０１に用いられる場合、導体板２０４，２０５，２０９，２１０は、接地される。このような基板２００Ｂを裏面ＧＮＤ付コプレーナ基板という。
【０１５９】
基板２００Ｂが電気回路装置１０１に用いられる場合、導体板２０９の平板部材２０９１および導体板２０４は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ａおよび陰極電極２０Ｅに接続され、導体板２０９の平板部材２０９２および導体板２０４は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ｂおよび陰極電極２０Ｅに接続される。また、導体板２１０の平板部材２１０１および導体板２０５は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ｃおよび陰極電極２０Ｆに接続され、導体板２１０の平板部材２１０２および導体板２０５は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ｄおよび陰極電極２０Ｆに接続される。そして、導体板２０４，２０５，２０９，２１０は、接地される。
【０１６０】
基板２００Ｂは、所定の間隔Ｌ３を隔てて配置された２つの導体板２０４，２０５と２つの導体板２０９，２１０とを備えるので、基板２００Ｂを電気回路装置１０１に用いた場合も、基板２００を電気回路装置１０１に用いた場合と同様に、インダクタンスが支配的な高周波数領域において電気回路装置１０１のインピーダンスを大幅に低減できる。
【０１６１】
図２１は、図１３に示す基板２００の構成を示すさらに他の斜視図である。図１３に示す基板２００は、図２１に示す基板２００Ｃからなっていてもよい。図２１を参照して、基板２００Ｃは、図２０に示す基板２００Ｂに誘電体２１１および導体板２１２，２１３を追加したものであり、その他は、基板２００Ｂと同じである。
【０１６２】
誘電体２１１は、その一主面２１１Ａが導体板２０４，２０５に接するように配置される。導体板２１２，２１３は、誘電体２１１の一主面２１１Ａに対向する一主面２１１Ｂに所定の間隔Ｌ３で配置される。
【０１６３】
したがって、基板２００Ｃは、複数の誘電体２０１，２１１を積層し、その積層した複数の誘電体２０１，２１１の各誘電体の表面および裏面に導体板２０４，２０５，２０９，２１０，２１２，２１３を所定の間隔Ｌ３で配置した構造からなる。そして、導体板２０４，２０５，２０９，２１０，２１２，２１３は、接地される。このような基板２００Ｃを多層基板という。
【０１６４】
基板２００Ｃが電気回路装置１０１に用いられる場合、導体板２０９の平板部材２０９１および導体板２０４，２１２は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ａおよび陰極電極２０Ｅに接続され、導体板２０９の平板部材２０９２および導体板２０４，２１２は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ｂおよび陰極電極２０Ｅに接続される。また、導体板２１０の平板部材２１０１および導体板２０５，２１３は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ｃおよび陰極電極２０Ｆに接続され、導体板２１０の平板部材２１０２および導体板２０５，２１５は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ｄおよび陰極電極２０Ｆに接続される。そして、導体板２０４，２０５，２０９，２１０，２１２，２１３は、接地される。
【０１６５】
基板２００Ｃは、所定の間隔Ｌ３を隔てて配置された２つの導体板２０４，２０５と２つの導体板２０９，２１０と、２つの導体板２１２，２１３とを備えるので、基板２００Ｃを電気回路装置１０１に用いた場合も、基板２００を電気回路装置１０１に用いた場合と同様に、インダクタンスが支配的な高周波数領域において電気回路装置１０１のインピーダンスを大幅に低減できる。
【０１６６】
基板２００Ｃは、２個の誘電体２０１，２１１を有すると説明したが、この発明においては、これに限らず、基板２００Ｃは、３個以上の誘電体を備えていてもよく、一般的には、複数の誘電体を備えていればよい。
【０１６７】
なお、上述した基板２００，２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃは、インダクタンスが支配的な高周波数領域において電気素子（誘電体層１〜５、導体板１１，１２，２１〜２３、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂ、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄ、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄおよび陰極電極２０Ｅ，２０Ｆからなる）のインピーダンスを低減するための基板であり、この発明による基板を構成する。
【０１６８】
図２２は、図１３に示す基板２００の構成を示すさらに他の斜視図である。図１３に示す基板２００は、図２２に示す基板２００Ｄからなっていてもよい。図２２を参照して、基板２００Ｄは、図１４に示す基板２００にビアホールＢＨ１，ＢＨ２を追加したものであり、その他は、基板２００と同じである。
【０１６９】
ビアホールＢＨ１は、信号線２０２側に設けられ、誘電体２０１を貫通して導体板２０４に接続される。ビアホールＢＨ２は、信号線２０３側に設けられ、誘電体２０１を貫通して導体板２０５に接続される。
【０１７０】
基板２００Ｄが電気回路装置１０１に用いられる場合、信号線２０２がサイド陽極電極１０Ａに接続され、信号線２０３がサイド陽極電極１０Ｂに接続され、ビアホールＢＨ１が陰極電極２０Ｅに接続され、ビアホールＢＨ２が陰極電極２０Ｆに接続される。
【０１７１】
このように、基板２００Ｄが電気回路装置１０１に用いられる場合、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、それぞれ、ビアホールＢＨ１，ＢＨ２を介して、接地された導体板２０４，２０５に接続される。これによって、リターン電流Ｉｒは、導体板２０５、ビアホールＢＨ２、陰極電極２０Ｆ、サイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄ、導体板２１，２２、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ、陰極電極２０Ｅ、ビアホールＢＨ１および導体板２０４の順で流れ、導体板１１，１２の実効インダクタンスは、導体板１１，１２の自己インダクタンスよりも小さくなる。
【０１７２】
図２３は、図１３に示す基板２００の構成を示すさらに他の斜視図である。図１３に示す基板２００は、図２３に示す基板２００Ｅからなっていてもよい。図２３を参照して、基板２００Ｅは、図１４に示す基板２００に電流抑制部２２０を追加したものであり、その他は、基板２００と同じである。
【０１７３】
電流抑制部２２０は、たとえば、インピーダンスからなり、一方端が導体板２０４に接続され、他方端が導体板２０５に接続される。リターン電流Ｉｒのうち、電気回路装置１０１の導体板２１〜２３に流れる電流を電流Ｉｒ１とし、導体板２０５から電流抑制部２２０を介して導体板２０４に流れる電流を電流Ｉｒ２とすると、電流抑制部２２０は、電流Ｉｒ２を電流Ｉｒ１よりも小さくする。
【０１７４】
その結果、リターン電流Ｉｒは、主に導体板２１〜２３を介して電気回路装置１０１を流れ、導体板１１，１２の実効インダクタンスは、導体板１１，１２の自己インダクタンスよりも小さくなる。
【０１７５】
基板２００Ｅが電気回路装置１０１に用いられる場合、導体板２０４は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂおよび陰極電極２０Ｅに接続され、導体板２０５は、導体（図示せず）によってサイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄおよび陰極電極２０Ｆに接続される。そして、導体板２０４，２０５は、接地される。
【０１７６】
基板２００Ｅは、所定の間隔Ｌ３を隔てて配置された２つの導体板２０４，２０５と、２つの導体板２０４，２０５間に流れる電流Ｉｒ２を導体板２１〜２３に流れる電流Ｉｒ１よりも抑制する電流抑制部２２０とを備えるので、基板２００Ｄを電気回路装置１０１に用いた場合も、基板２００を電気回路装置１０１に用いた場合と同様に、インダクタンスが支配的な高周波数領域において電気回路装置１０１のインピーダンスを大幅に低減できる。
【０１７７】
なお、図１３に示す基板２００は、図１９に示す基板２００Ａの平板部材２０９１，２１０１間および平板部材２０９２，２１０２間に電流抑制部２２０を設けた基板からなっていてもよいし、図２０に示す基板２００Ｂの導体板２０４，２０５間、平板部材２０９１，２１０１間および平板部材２０９２，２１０２間に電流抑制部２２０を設けた基板からなっていてもよいし、図２１に示す基板２００Ｃの導体板２０４，２０５間、平板部材２０９１，２１０１間、平板部材２０９２，２１０２間および導体板２１２，２１３間に電流抑制部２２０を設けた基板からなっていてもよし、図２２に示す基板２００Ｄの導体板２０４，２０５間に電流抑制部２２０を設けた基板からなっていてもよい。そして、これらの基板を用いた場合にも、電気回路装置１０１のインピーダンスをインダクタンスが支配的な高周波数領域において低減できる。
【０１７８】
上述した電気回路装置１０１は、電気回路装置１００と同じように電源９０と、ＣＰＵ１１０との間に配置され、ＣＰＵ１１０で発生するノイズをＣＰＵ１１０の近傍に閉じ込める（図１２参照）。
【０１７９】
実施の形態２によれば、電気回路装置１０１は、所定の間隔Ｌ３で配置され、かつ、リターン電流Ｉｒを導体板２１〜２３に流す導体板２０４，２０５（導体板２０９，２１０，２１２，２１３）を有する基板２００，２００Ｄ（基板２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ）を備えるので、インダクタンスが支配的な高周波数領域において電気回路装置１０１のインピーダンスを基板２００，２００Ｄ（基板２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ）を備えない場合よりもさらに低減できる。
【０１８０】
また、実施の形態２によれば、電気回路装置１０１は、リターン電流Ｉｒを主に導体板２１〜２３に流す導体板２０４，２０５および電流抑制部２２０を有する基板２００Ｅを備えるので、インダクタンスが支配的な高周波数領域において電気回路装置１０１のインピーダンスを基板２００Ｅを備えない場合よりもさらに低減できる。
【０１８１】
その他は、実施の形態１と同じである。
【０１８２】
なお、実施の形態２においては、導体板２０４および２０５は、「第３の導体板」を構成し、導体板２０４は、「第１の平板部材」を構成し、導体板２０５は、「第２の平板部材」を構成する。
【０１８３】
また、基板２００，２００Ｄにおいて、導体板２０４は、「第３の導体板」を構成し、導体板２０５は、「第４の導体板」を構成する。
【０１８４】
さらに、基板２００Ａにおいて、平板部材２０９１，２０９２は、それぞれ、「第１の平板部材」および「第２の平板部材」を構成し、平板部材２１０１，２１０２は、それぞれ、「第３の平板部材」および「第４の平板部材」を構成する。
【０１８５】
さらに、基板２００Ｂにおいて、平板部材２０９１，２０９２は、それぞれ、「第１の平板部材」および「第２の平板部材」を構成し、導体板２０４は、「第３の平板部材」を構成し、平板部材２１０１，２１０２は、それぞれ、「第４の平板部材」および「第５の平板部材」を構成し、導体板２０５は、「第６の平板部材」を構成する。
【０１８６】
さらに、基板２００Ｃにおいて、誘電体２０１，２１１は、「複数の誘電体」を構成し、導体板２０４，２０９，２１２は、「第３の導体板」および「複数の第１の平板部材」を構成し、導体板２０５，２１０，２１３は、「第４の導体板」および「複数の第２の平板部材」を構成し、平板部材２０９１，２０９２は、それぞれ、「第１の平板部」および「第２の平板部」を構成し、平板部材２１０１，２１０２は、それぞれ、「第３の平板部」および「第４の平板部」を構成する。
【０１８７】
［実施の形態３］
図２４は、実施の形態３による電気回路装置の構成を示す概念図である。図２４を参照して、実施の形態３による電気回路装置１０２は、図１５に示す電気回路装置１０１の導体板１１，１２，２１〜２３をそれぞれ導体板１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ〜２３Ａに代えたものであり、その他は、電気回路装置１０１と同じである。
【０１８８】
導体板２１Ａは、誘電体層１，２間に配置され、導体板１１Ａは、誘電体層２，３間に配置される。また、導体板２２Ａは、誘電体層３，４間に配置され、導体板１２Ａは、誘電体層４，５間に配置され、導体板２３Ａは、誘電体層５の一主面５Ａに配置される。
【０１８９】
導体板１１Ａ，１２Ａは、その一方端がサイド陽極電極１０Ａに接続され、他方端がサイド陽極電極１０Ｂに接続される。導体板２１Ａ〜２３Ａは、その一方端がサイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂに接続され、他方端がサイド陰極電極２０Ｃ，２０Ｄに接続される。
【０１９０】
線ＸＶＩＡ−ＸＶＩＡ間における電気回路装置１０２の断面図は、図１６の（ａ）に示す電気回路装置１０１の断面図と同じであり、線ＸＶＩＢ−ＸＶＩＢ間における電気回路装置１０２の断面図は、図１６の（ｂ）に示す電気回路装置１０１の断面図と同じである。そして、図１６の（ａ），（ｂ）において、導体板１１，１２，２１〜２３を導体板１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ〜２３Ａに代えればよい。
【０１９１】
図２５は、隣接する２つの導体板の他の平面図である。図２５を参照して、導体板１１Ａは、長さＬ４と幅Ｗ５とを有し、導体板２１Ａは、長さＬ５と幅Ｗ４とを有する。そして、長さＬ４と幅Ｗ５との間には、Ｗ５≧Ｌ４の関係があり、長さＬ５と幅Ｗ４との間には、Ｗ４≧Ｌ５の関係がある。このように、導体板１１Ａ，２１Ａは、長さ方向ＤＲ１よりも幅方向ＤＲ２に長い形状からなる。
【０１９２】
導体板１２Ａは、導体板１１Ａと同じサイズを有し、導体板２２Ａ，２３Ａは、導体板２１Ａと同じサイズを有する。
【０１９３】
導体板１１Ａおよび導体板２１Ａを１つの平面へ投影すると、導体板１１Ａおよび２１Ａは、重複部分２００Ａを有する。そして、導体板１１Ａと導体板２１Ａとの重複部分２００Ａは、長さＬ５および幅Ｗ５を有する。導体板１１Ａと導体板２２Ａとの重複部分、導体板１２Ａと導体板２２Ａとの重複部分および導体板１２Ａと導体板２３Ａとの重複部分も、重複部分２００Ａと同じ長さＬ５および同じ幅Ｗ５を有する。そして、実施の形態３においては、Ｗ５≧Ｌ５になるように、長さＬ５および幅Ｗ５が設定される。
【０１９４】
重複部分２００Ａの幅Ｗ５が長さＬ５以上である場合、図１０の（ｂ）に示すように、導体板１１Ａを流れる電流Ｉ１は、幅方向ＤＲ２において重複部分２００Ａのほぼ中央部を流れ、導体板２１Ａを流れる電流Ｉ２は、幅方向ＤＲ２において重複部分２００Ａの端に近い部分を流れる。その結果、上述したように、導体板１１Ａ，１２Ａの実効インダクタンスが導体板１１Ａ，１２Ａの自己インダクタンスよりも小さくなる度合は、相対的に低下する。
【０１９５】
しかし、電気回路装置１０２は、所定の間隔Ｌ３で配置された導体板２０４，２０５を備えるので、導体板２０４，２０５は、リターン電流Ｉｒ（＝電流Ｉ２）を導体板２１Ａ〜２３Ａを介して流す。
【０１９６】
その結果、基板２００が陰極電極２０Ｅ，２０Ｆ間で電気的に接続された導体板を一主面２０１Ｂに有する場合に比べ、導体板２１Ａ〜２３Ａに流れるリターン電流の割合が増加し、導体板１１Ａ，１２Ａの実効インダクタンスが導体板１１Ａ，１２Ａの自己インダクタンスよりも小さくなる度合は、相対的に大きくなる。
【０１９７】
したがって、重複部分２００Ａの幅Ｗ５が長さＬ５以上であっても、リターン電流Ｉｒが流れる方向に電気的に分離された導体板２０４，２０５を備えることによって電気回路装置１０２のインダクタンスを小さくできる。
【０１９８】
図２６は、図２４に示す電気回路装置１０２のインピーダンスの周波数依存性を示す図である。図２６において、横軸は、周波数を表し、縦軸は、インピーダンスを表す。また、曲線ｋ４は、重複部分２００Ａにおける幅Ｗ５が長さＬ５以上であり、かつ、分離された導体板２０４，２０５を備える場合のインピーダンスの周波数依存性を示し、曲線ｋ５は、重複部分２００Ａにおける幅Ｗ５が長さＬ５以上であり、かつ、導体板２０４，２０５が電気的に導通した場合のインピーダンスの周波数依存性を示す。
【０１９９】
図２６を参照して、０．００６ＧＨｚ以下の低周波数領域は、キャパシタンスが支配的な周波数領域であり、０．０１ＧＨｚ以上の高周波数領域は、インダクタンスが支配的な周波数領域である。
【０２００】
キャパシタンスが支配的である０．００６ＧＨｚ以下の低周波数領域においては、導体板２０４，２０５が電気的に切断された場合の電気回路装置１０２のインピーダンス（曲線ｋ４）は、導体板２０４，２０５が電気的に導通された場合の電気回路装置１０２のインピーダンス（曲線ｋ５）とほぼ同じである。
【０２０１】
一方、インダクタンスが支配的である０．０１ＧＨｚ以上の高周波数領域においては、導体板２０４，２０５が電気的に切断された場合の電気回路装置１０２のインピーダンス（曲線ｋ４）は、導体板２０４，２０５が電気的に導通された場合の電気回路装置１０２のインピーダンス（曲線ｋ５）よりも小さくなる。
【０２０２】
したがって、重複部分２００Ａの幅Ｗ５が長さＬ５以上であっても、電気的に分離された導体板２０４，２０５を基板２００に設けることによって電気回路装置１０２のインダクタンスを小さくできる。
【０２０３】
電気回路装置１０２においては、基板２００に代えて基板２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄ，２００Ｅのいずれかを用いてもよい。そして、基板２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄ，２００Ｅのいずれかを用いた場合も、基板２００を用いた場合と同様に電気回路装置１０２のインピーダンスを小さくできる。
【０２０４】
したがって、基板２００，２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄ，２００Ｅは、導体板１１，１２と導体板２１〜２３との重複部分２０における長さＬ２が幅Ｗ２以上である電気回路装置１００，１０１と、導体板１１Ａ，１２Ａと導体板２１Ａ〜２３Ａとの重複部分２００Ａにおける幅Ｗ５が長さＬ５以上である電気回路装置１０２とにおいて、インダクタンスが支配的な高周波数領域でインピーダンスを小さくする基板である。
【０２０５】
上述した電気回路装置１０２は、電気回路装置１００と同じように電源９０と、ＣＰＵ１１０との間に配置され、ＣＰＵ１１０で発生するノイズをＣＰＵ１１０の近傍に閉じ込める（図１２参照）。
【０２０６】
実施の形態３によれば、電気回路装置１０２は、所定の間隔Ｌ３で配置され、かつ、リターン電流Ｉｒを導体板２１Ａ〜２３Ａに流す導体板２０４，２０５（導体板２０９，２１０，２１２，２１３）を有する基板２００，２００Ｄ（基板２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ）を備えるので、インダクタンスが支配的な高周波数領域において電気回路装置１０２のインピーダンスを基板２００，２００Ｄ（基板２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ）を備えない場合よりもさらに低減できる。
【０２０７】
また、実施の形態３によれば、電気回路装置１０２は、リターン電流Ｉｒを主に導体板２１Ａ〜２３Ａに流す導体板２０４，２０５および電流抑制部２２０を有する基板２００Ｅを備えるので、インダクタンスが支配的な高周波数領域において電気回路装置１０２のインピーダンスを基板２００Ｅを備えない場合よりもさらに低減できる。
【０２０８】
その他は、実施の形態１，２と同じである。
【０２０９】
実施の形態３においては、誘電体層１〜５、導体板１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ〜２３Ａ、サイド陽極電極１０Ａ，１０Ｂ、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄ、サイド陰極電極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄおよび陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、「電気素子」を構成する。
【０２１０】
また、導体板２０４および２０５は、「第１の導体板」を構成し、導体板２０４は、「第１の平板部材」を構成し、導体板２０５は、「第２の平板部材」を構成する。
【０２１１】
図２７は、図１３に示す基板の他の構成を示す平面図である。図２７の（ａ）を参照して、基板２００Ｆは、導体板３０１と、スリット３０２〜３０４と、ビアホール３０９とを備える。導体板３０１は、誘電体（図示せず）の一主面の全体に形成される。スリット３０２〜３０４は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより誘電体（図示せず）の一主面に形成される。スリット３０２〜３０４が誘電体（図示せず）の一主面に形成されることにより、導体部３０５〜３０８が誘電体（図示せず）の一主面に形成される。
【０２１２】
図２７の（ａ）には、図示されていないが、基板２００Ｆは、誘電体（図示せず）のもう１つの一主面に導体板３０１に対向するように形成されたもう１つの導体板を備える。そして、ビアホール３０９は、導体板３０１と、もう１つの導体板とを電気的に接続するように碁盤目状に形成される。
【０２１３】
基板２００Ｆを用いて電気回路装置を作製する場合、導体部３０５，３０６は、信号ラインを構成し、導体板３０１およびもう１つの導体板は、接地電位に接続され、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄは、それぞれ、導体部３０５，３０６に接続され、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、それぞれ、導体部３０７，３０８に接続される。その結果、リターン電流は、基板２００Ｆの導体板３０１およびもう１つの導体板よりも導体板２１〜２３，２１Ａ〜２３Ａを流れる。
【０２１４】
図２７の（ｂ）を参照して、基板２００Ｇは、図２７の（ａ）に示す基板２００Ｆにビアホール３１０，３１１を追加したものであり、その他は、基板２００Ｆと同じである。ビアホール３１０，３１１は、それぞれ、導体部３０７，３０８に形成される。
【０２１５】
基板２００Ｇを用いて電気回路装置を作製する場合、導体部３０５，３０６は、信号ラインを構成し、導体板３０１およびもう１つの導体板は、接地電位に接続され、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄは、それぞれ、導体部３０５，３０６に接続され、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、それぞれ、導体部３０７，３０８に接続される。その結果、リターン電流は、基板２００Ｇの導体板３０１およびもう１つの導体板よりも導体板２１〜２３，２１Ａ〜２３Ａを流れる。
【０２１６】
図２７の（ｃ）を参照して、基板２００Ｈは、基板２００Ｆにスリット３１２，３１３を追加したものであり、その他は、基板２００Ｆと同じである。スリット３１２，３１３は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより、スリット３０３に連結されるように誘電体（図示せず）の一主面に形成される。そして、スリット３０３，３１２，３１３からなるスリットは、信号ラインを構成する導体部３０５，３０６の長さ方向と直交する方向において、基板２００Ｈの全体に形成される。
【０２１７】
基板２００Ｈを用いて電気回路装置を作製する場合、導体部３０５，３０６は、信号ラインを構成し、導体板３０１およびもう１つの導体板は、接地電位に接続され、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄは、それぞれ、導体部３０５，３０６に接続され、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、それぞれ、導体部３０７，３０８に接続される。その結果、リターン電流は、基板２００Ｈの導体板３０１およびもう１つの導体板よりも導体板２１〜２３，２１Ａ〜２３Ａを流れる。
【０２１８】
図２７の（ｄ）を参照して、基板２００Ｊは、基板２００Ｇにスリット３１２，３１３を追加したものであり、その他は、基板２００Ｇと同じである。基板２００Ｊにおいても、スリット３１２，３１３は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより、スリット３０３に連結されるように誘電体（図示せず）の一主面に形成される。そして、スリット３０３，３１２，３１３からなるスリットは、信号ラインを構成する導体部３０５，３０６の長さ方向と直交する方向において、基板２００Ｊの全体に形成される。
【０２１９】
基板２００Ｊを用いて電気回路装置を作製する場合、導体部３０５，３０６は、信号ラインを構成し、導体板３０１およびもう１つの導体板は、接地電位に接続され、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄは、それぞれ、導体部３０５，３０６に接続され、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、それぞれ、導体部３０７，３０８に接続される。その結果、リターン電流は、基板２００Ｊの導体板３０１およびもう１つの導体板よりも導体板２１〜２３，２１Ａ〜２３Ａを流れる。
【０２２０】
図２８は、図２７に示す基板２００Ｆ，２００Ｇ，２００Ｈ，２００Ｊを用いた電気回路装置のインピーダンスと周波数との関係を示す図である。図２８において、横軸は、周波数を表し、縦軸は、インピーダンスを表す。また、曲線ｋ７は、基板２００Ｆを用いた場合を示し、曲線ｋ８は、基板２００Ｇを用いた場合を示し、曲線ｋ９は、基板２００Ｈを用いた場合を示し、曲線ｋ１０は、基板２００Ｊを用いた場合を示す。
【０２２１】
陰極電極２０Ｅ，２０Ｆがそれぞれ接続される導体部３０７，３０８にビアホール３１０，３１１を設けることにより、約１０ＭＨｚ以上のインダクタンスが支配的な周波数領域においてインピーダンスが低下する（曲線ｋ７，ｋ８参照）。
【０２２２】
また、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆがそれぞれ接続される導体部３０７，３０８間にスリット３０３よりも長いスリット３１２，３１３を設けることにより、約１０ＭＨｚ以上のインダクタンスが支配的な周波数領域においてインピーダンスが低下する（曲線ｋ７〜ｋ９参照）。
【０２２３】
さらに、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆがそれぞれ接続される導体部３０７，３０８にビアホール３１０，３１１を設け、かつ、導体部３０７，３０８間にスリット３０３よりも長いスリット３１２，３１３を設けることにより、約１ＧＨｚ以上の周波数領域においてインピーダンスが低下する（曲線ｋ９，ｋ１０参照）。これは、スリット３１２，３１３の一方側に設けられた導体板３０１からスリット３１２，３１３の他方側に設けられた導体板３０１への電流の流れがスリット３１２，３１３によって阻止され、電気素子内の導体板２１〜２３，２１Ａ，２２Ａ，２３Ａを流れるからである。
【０２２４】
図２９は、図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。図２９を参照して、基板２００Ｋは、図２７の（ｂ）に示す基板２００Ｇにスリット３１４，３１５を追加したものであり、その他は、基板２００Ｇと同じである。スリット３１４，３１５は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより、スリット３０３に連結されるように誘電体（図示せず）の一主面に形成される。そして、スリット３０３，３１４，３１５からなるスリットは、信号ラインを構成する導体部３０５，３０６の長さ方向と直交する方向において、基板２００Ｋの一部分に形成される。
【０２２５】
図３０は、図２９に示す基板２００Ｋを用いて電気回路装置を作製した場合における３個のスリット３０３，３１４，３１５からなるスリットの長さに対するインピーダンスの変化を示す図である。
【０２２６】
図３０において、横軸は、スリットの長さを表し、縦軸は、インピーダンスを表す。また、曲線ｋ１１は、シミュレーション結果を示し、曲線ｋ１２は、実測値を示す。さらに、スリット３０３の幅は、５ｍｍであり、周波数は、１００ＭＨｚである。
【０２２７】
図３０に示す結果より、スリット３０３，３１４，３１５からなるスリットの長さを５ｍｍ以上に設定することにより、インピーダンスは、低下する。すなわち、スリット３０３，３１４，３１５からなるスリットの長さをスリット３０３の幅（＝５ｍｍ）よりも長くすることにより、インピーダンスが低下する。このように、基板２００Ｋの一部にスリット３０３，３１４，３１５からなるスリットを設けることにより、電気回路装置のインピーダンスを低下させることができる。
【０２２８】
図３１は、図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。図３１を参照して、基板２００Ｌは、図２９に示す基板２００Ｋにスリット３１６，３１７を追加したものであり、その他は、基板２００Ｋと同じである。
【０２２９】
スリット３１６は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより、スリット３１４の一方端に略垂直に連結されるように誘電体（図示せず）の一主面に形成される。そして、スリット３１６は、所定の長さを有し、スリット３１４の両側に同じ長さだけ延伸する。スリット３１７は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより、スリット３１５の一方端に略垂直に連結されるように誘電体（図示せず）の一主面に形成される。そして、スリット３１７は、スリット３１６と同じ長さを有し、スリット３１５の両側に同じ長さだけ延伸する。
【０２３０】
図３２は、図３１に示すスリット３１６，３１７の長さとＳ２１との関係を示す図である。図３２において、縦軸は、Ｓ２１を表し、横軸は、スリット長を表す。そして、Ｓ２１は、スリット３１４，３１５の一方側の導体板３０１からスリット３１４，３１５の他方側の導体板３０１への電流の伝達特性である。
【０２３１】
図３２を参照して、スリット３１６，３１７のスリット長が５ｍｍ、１０ｍｍおよび１５ｍｍと長くなることに伴って、伝達特性Ｓ２１は、低下する。これは、スリット３１６，３１７を設けることによって、電流が、スリット３１４，３１５が形成されていない導体板３０１の部分を介してスリット３１４，３１５の一方側の導体板３０１からスリット３１４，３１５の他方側の導体板３０１へ回り込むのを防止するためである。そして、この電流の回り込みを防止する度合は、スリット３１６，３１７のスリット長を長くする程、大きくなる。
【０２３２】
従って、基板２００Ｌを用いることによって、リターン電流が電気素子内部の導体板２１〜２３，２１Ａ，２２Ａ，２３Ａを流れ易くなり、導体板１１，１２；１１Ａ，１２Ａの実効インダクタンスを自己インダクタンスよりも更に小さくできる。
【０２３３】
図３３は、図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。図３３を参照して、基板２００Ｍは、図３１に示す基板２００Ｌのスリット３１６，３１７をそれぞれスリット３１８，３１９に代えたものであり、その他は、基板２００Ｌと同じである。
【０２３４】
スリット３１８は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより、スリット３１４の一方端に連結されるように誘電体（図示せず）の一主面に形成される。スリット３１９は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより、スリット３１５の一方端に連結されるように誘電体（図示せず）の一主面に形成される。
【０２３５】
スリット３１８は、直線部３１８Ａ，３１８Ｂ，３１８Ｃからなる。直線部３１８Ａは、スリット３１４に略垂直に形成される。直線部３１８Ｂは、直線部３１８Ａの一方端から直線部３１８Ａと所定の角度を成す方向に延伸する。直線部３１８Ｃは、直線部３１８Ａの他方端から直線部３１８Ａと所定の角度を成す方向に延伸する。その結果、直線部３１８Ｂ，３１８Ｃは、直線部３１８Ａの両端においてスリット３０３に向かう方向に対して略ハの字状に配置される。
【０２３６】
スリット３１９は、直線部３１９Ａ，３１９Ｂ，３１９Ｃからなる。直線部３１９Ａは、スリット３１５に略垂直に形成される。直線部３１９Ｂは、直線部３１９Ａの一方端から直線部３１９Ａと所定の角度を成す方向に延伸する。直線部３１９Ｃは、直線部３１９Ａの他方端から直線部３１９Ａと所定の角度を成す方向に延伸する。その結果、直線部３１９Ｂ，３１９Ｃは、直線部３１９Ａの両端においてスリット３０３に向かう方向に対して略ハの字状に配置される。
【０２３７】
スリット３１８，３１９を備える場合も、スリット３１６，３１７を備える場合と同様に、伝達特性Ｓ２１が小さくなり、電流が、スリット３１４，３１５が形成されていない導体板３０１の部分を介してスリット３１４，３１５の一方側の導体板３０１からスリット３１４，３１５の他方側の導体板３０１へ回り込むのを防止できる。
【０２３８】
図３４は、図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。図３４を参照して、基板２００Ｎは、図３１に示す基板２００Ｌのスリット３１６，３１７をそれぞれスリット３２０，３２１に代えたものであり、その他は、基板２００Ｌと同じである。
【０２３９】
スリット３２０は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより、スリット３１４の一方端に連結されるように誘電体（図示せず）の一主面に形成される。スリット３２１は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより、スリット３１５の一方端に連結されるように誘電体（図示せず）の一主面に形成される。
【０２４０】
スリット３２０は、直線部３２０Ａ，３２０Ｂ，３２０Ｃからなる。直線部３２０Ａは、スリット３１４に略垂直に形成される。直線部３２０Ｂは、直線部３２０Ａの一方端から直線部３２０Ａと所定の角度を成す方向に延伸する。直線部３２０Ｃは、直線部３２０Ａの他方端から直線部３２０Ａと所定の角度を成す方向に延伸する。その結果、直線部３２０Ｂ，３２０Ｃは、直線部３１８Ａの両端においてスリット３０３と反対方向に対して略ハの字状に配置される。
【０２４１】
スリット３２１は、直線部３２１Ａ，３２１Ｂ，３２１Ｃからなる。直線部３２１Ａは、スリット３１５に略垂直に形成される。直線部３２１Ｂは、直線部３２１Ａの一方端から直線部３２１Ａと所定の角度を成す方向に延伸する。直線部３２１Ｃは、直線部３２１Ａの他方端から直線部３２１Ａと所定の角度を成す方向に延伸する。その結果、直線部３２１Ｂ，３２１Ｃは、直線部３２１Ａの両端においてスリット３０３と反対方向に対して略ハの字状に配置される。
【０２４２】
スリット３２０，３２１を備える場合も、スリット３１６，３１７を備える場合と同様に、伝達特性Ｓ２１が小さくなり、電流が、スリット３１４，３１５が形成されていない導体板３０１の部分を介してスリット３１４，３１５の一方側の導体板３０１からスリット３１４，３１５の他方側の導体板３０１へ回り込むのを防止できる。
【０２４３】
図３１、図３３および図３４において、各種のスリットを備える基板２００Ｌ，２００Ｍ，２００Ｎを示したが、この発明においては、これに限らず、図３１、図３３および図３４に示すような形状の基板は、一般的には、高周波電流がスリットの一方側からスリットの他方側へ伝達するのを抑制する形状のスリットを備えていればよい。
【０２４４】
図３５は、図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。図３５を参照して、基板２００Ｐは、図２７の（ａ）に示す基板２００Ｆのスリット３０２〜３０４をスリット３２２〜３２４に代えたものであり、その他は、基板２００Ｆと同じである。
【０２４５】
スリット３２２は、導体板３０１の一部を切り欠くことによって誘電体（図示せず）の一主面に形成される。そして、スリット３２２を形成することによって、導体部３２５〜３２８が誘電体（図示せず）の一主面に形成される。
【０２４６】
スリット３２３は、導体板３０１の一部を切り欠くことによって誘電体（図示せず）の一主面に形成され、スリット３２２の一方側でスリット３２２に連結される。また、スリット３２４は、導体板３０１の一部を切り欠くことによって誘電体（図示せず）の一主面に形成され、スリット３２２の他方側でスリット３２２に連結される。
【０２４７】
基板２００Ｐを用いて電気回路装置を作製する場合、導体部３２５，３２８は、信号ラインを構成し、導体板３０１およびもう１つの導体板は、接地電位に接続され、陽極電極１０Ｃ，１０Ｄは、それぞれ、導体部３２５，３２８に接続され、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆは、それぞれ、導体部３２６，３２７に接続される。その結果、リターン電流は、基板２００Ｐの導体板３０１およびもう１つの導体板よりも導体板２１〜２３，２１Ａ〜２３Ａを流れる。
【０２４８】
図３６は、図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。図３６を参照して、基板２００Ｑは、図３５に示す基板２００Ｐのスリット３２３，３２４をそれぞれスリット３１４，３１５に代えたものであり、その他は、基板２００Ｐと同じである。
【０２４９】
スリット３１４，３１５は、導体板３０１の一部を切り欠くことにより、スリット３２２に連結されるように誘電体（図示せず）の一主面に形成される。そして、スリット３２２，３１４，３１５からなるスリットは、信号ラインを構成する導体部３２５，３２８の長さ方向と直交する方向において、基板２００Ｑの一部分に形成される。
【０２５０】
図３７は、図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。また、図３８は、図３７に示す線ＸＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩ間における基板２００Ｒの断面図である。図３７および図３８を参照して、基板２００Ｒは、導体板４０１，４０３，４０５，４０７と、誘電体４０２，４０４，４０６と、スリット４１１，４１２，４１３，４１４と、導体部４１５，４１６，４１７，４１８，４１９，，４２０，４２１，４２６とを備える。
【０２５１】
導体板４０１は、誘電体４０２の表面に形成され、導体板４０３は、誘電体４０４の表面に形成され、導体板４０５は、誘電体４０６の表面に形成され、導体板４０７は、誘電体４０６の裏面に形成される。そして、導体板４０３が形成された誘電体４０４は、導体板４０５，４０７が形成された誘電体４０６上に積層され、導体板４０１が形成された誘電体４０２は、導体板４０３が形成された誘電体４０４上に積層される。
【０２５２】
スリット４１１〜４１４は、導体板４０１の一部を切り欠くことによって誘電体４０２の表面に形成される。そして、スリット４１１，４１２，４１４は、基板２００Ｒの幅方向に直線上に配置される。また、スリット４１３は、両端がスリット４１２に連結され、スリット４１１を囲むように形成される。この場合、スリット４１３の幅は、高周波電流の波長および誘電体４０２の比誘電率に応じて決定され、高周波電流がスリット４１３の内側に形成された導体部４２１からスリット４１３の外側に形成された導体部４２６へ飛び越えない値に設定される。
【０２５３】
その結果、導体板４０１は、導体部４２１と導体部４２６とに分離される。また、導体部４１６〜４１９が誘電体４０２の表面に形成される。この場合、導体部４１７は、その両端が導体部４２１に連結され、導体部４１８は、その両端が導体部４２６に連結される。
【０２５４】
導体部４１５は、導体板４０３の一部を切り欠くことによって誘電体４０４の表面に形成される。そして、導体部４１５は、ビアホール４２３によって導体部４１６に接続される。また、導体部４２０は、導体板４０３の一部を切り欠くことによって誘電体４０４の表面に形成される。そして、導体部４２０は、ビアホール４２６によって導体部４１９に接続される。
【０２５５】
導体部４１７は、ビアホール４２４によって導体板４０５に接続され、導体部４１８は、ビアホール４２５によって導体板４０７に接続される。なお、導体部４２１は、ビアホールによって導体板４０５に接続され、導体部４２６は、ビアホールによって導体板４０７に接続されている。そして、導体板４０１，４０５，４０７は、接地電位に接続されている。
【０２５６】
基板２００Ｒを用いて電気回路装置を作製する場合、導体部４１５，４１６，４１９，４２０およびビアホール４２３，４２６は、信号ラインを構成し、陽極電極１０Ｃは、導体部４１５に接続され、陽極電極１０Ｄは、導体部４２０に接続され、陰極電極２０Ｅは、導体部４１７に接続され、陰極電極２０Ｆは、導体部４１８に接続される。その結果、リターン電流は、電気素子内の導体板２１〜２３，２１Ａ〜２３Ａを流れる。
【０２５７】
このように、リターン電流が電気素子内の導体板２１〜２３，２１Ａ〜２３Ａを流れるのは、陰極電極２０Ｅ，２０Ｆが接続される導体部４１７，４１８は、それぞれ、スリット４１３によって分離された導体部４２１，４２６に接続され、導体部４２１，４２６は、それぞれ、異なる導体板４０５，４０７に接続されているからである。
【０２５８】
このように、基板２００Ｒを用いることによって、リターン電流を完全に電気素子内部の導体板２１〜２３，２１Ａ〜２３Ａに流すことができ、導体板１１，１２，１１Ａ，１２Ａの実効インダクタンスを自己インダクタンスよりも小さくできる。その結果、電気回路装置１００，１０１，１０２のインピーダンスを小さくできる。
【０２５９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０２６０】
この発明は、インダクタンスの低減によってインピーダンスを低減可能な電気回路装置に適用される。また、この発明は、インダクタンスの低減によってインピーダンスを低減可能な電気回路装置に用いる基板に適用される。
【図面の簡単な説明】
【０２６１】
【図１】この発明の実施の形態１による電気回路装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す誘電体層および導体板の寸法を説明するための図である。
【図３】隣接する２つの導体板の平面図である。
【図４】図１に示す電気回路装置の断面図である。
【図５】図１に示す電気回路装置の製造方法を説明するための第１の工程図である。
【図６】図１に示す電気回路装置の製造方法を説明するための第２の工程図である。
【図７】図１に示す電気回路装置の機能を説明するための斜視図である。
【図８】導線を流れる電流によって生成される磁束密度を説明するための図である。
【図９】２つの導線間において磁気的干渉が生じた場合の実効インダクタンスを説明するための図である。
【図１０】図１に示す電気回路装置のインダクタンスが小さくなる機構を説明するための概念図である。
【図１１】図１に示す電気回路装置のインピーダンスの周波数依存性を示す図である。
【図１２】図１に示す電気回路装置の使用状態を示す概念図である。
【図１３】実施の形態２による電気回路装置の構成を示す概念図である。
【図１４】図１３に示す基板の構成を示す斜視図である。
【図１５】図１３に示す電気回路装置を詳細に説明するための斜視図である。
【図１６】図１５に示す電気回路装置の断面図である。
【図１７】図１５に示す電気回路装置のインピーダンスの周波数依存性を示す図である。
【図１８】図１５に示す２つの導体板間における電気的な分離度と周波数の関係を示す図である。
【図１９】図１３に示す基板の構成を示す他の斜視図である。
【図２０】図１３に示す基板の構成を示すさらに他の斜視図である。
【図２１】図１３に示す基板の構成を示すさらに他の斜視図である。
【図２２】図１３に示す基板の構成を示すさらに他の斜視図である。
【図２３】図１３に示す基板の構成を示すさらに他の斜視図である。
【図２４】実施の形態３による電気回路装置の構成を示す概念図である。
【図２５】隣接する２つの導体板の他の平面図である。
【図２６】図２４に示す電気回路装置のインピーダンスの周波数依存性を示す図である。
【図２７】図１３に示す基板の他の構成を示す平面図である。
【図２８】図２７に示す基板を用いた電気回路装置のインピーダンスと周波数との関係を示す図である。
【図２９】図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。
【図３０】図２９に示す基板を用いて電気回路装置を作製した場合における３個のスリットからなるスリットの長さに対するインピーダンスの変化を示す図である。
【図３１】図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。
【図３２】図３１に示すスリットの長さとＳ２１との関係を示す図である。
【図３３】図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。
【図３４】図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。
【図３５】図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。
【図３６】図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。
【図３７】図１３に示す基板のさらに他の構成を示す平面図である。
【図３８】図３７に示す線ＸＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩ間における基板の断面図である。
【符号の説明】
【０２６２】
１〜５  誘電体層、５Ａ，２０１Ａ，２０１Ｂ，２１１Ａ，２１１Ｂ  一主面、１０Ａ，１０Ｂ  サイド陽極電極、１０Ｃ，１０Ｄ  陽極電極、１１，１１Ａ，１２，１２Ａ，２１〜２３，２１Ａ〜２３Ａ，２０４，２０５，２１２，２１３，３０１，４０１，４０３，４０５，４０７  導体板、２０，２０Ａ  重複部分、２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ  サイド陰極電極、２０Ｅ，２０Ｆ  陰極電極、９０  電源、９１，１１１  正極端子、９２，１１２  負極電極、１００，１０１，１０２  電気回路装置、１００Ｂ  側面、１００Ｃ  底面、１００Ｄ  正面、１００Ｅ  裏面、１１０  ＣＰＵ、１２１〜１２４  リード線、２００，２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄ，２００Ｅ，２００Ｆ，２００Ｇ，２００Ｈ，２００Ｊ，２００Ｋ，２００Ｌ，２００Ｍ，２００Ｎ，２００Ｐ，２００Ｑ、２００Ｒ  基板、２０１，２１１  誘電体、２０２，２０３  信号線、２０６〜２０８  導体、２２０  電流抑制部、３０２〜３０４，３１２〜３２４，４１１〜４１４  スリット、３０５〜３０８，３２５〜３２８，４１５〜４２１，４２６  導体部、３０９〜３１１，４２３〜４２６  ビアホール、４０２，４０４，４０６  誘電体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図３０】
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【図３２】
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【図３８】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３１】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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