(57)【要約】      （修正有）【課題】広い波長範囲（特に短波長側）で光学的検知精度に優れ、かつ研磨領域と光透過領域との間からのスラリー漏れを防止することができる研磨パッドを提供する。【解決手段】研磨領域９及び光透過領域１０からなる研磨層の片面に少なくとも透明支持フィルムが積層されている研磨パッド８において、少なくとも光透過領域及び透明支持フィルム１１を含む光学的検知領域の光透過率が、波長３００〜４００ｎｍの全範囲で４０％以上であることを特徴とする研磨パッド。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨領域及び光透過領域からなる研磨層の片面に少なくとも透明支持フィルムが積層されている研磨パッドにおいて、少なくとも光透過領域及び透明支持フィルムを含む光学的検知領域の光透過率が、波長３００〜４００ｎｍの全範囲で４０％以上であることを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
光学的検知領域を構成する各部材の主原料であるポリマーの芳香環濃度が合計で２重量％以下である請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
光透過領域の主原料であるポリマーがポリウレタン樹脂であり、該ポリウレタン樹脂のイソシアネート成分が、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート、４，４’−ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、及びイソホロンジイソシアネートからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１又は２記載の研磨パッド。
【請求項４】
透明支持フィルムの主原料であるポリマーが、ポリプロピレン、ポリエチレン、脂肪族ポリアミド、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル、及びポリ塩化ビニルからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１〜３のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレンズ、反射ミラー等の光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、アルミ基板、及び一般的な金属研磨加工等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工を安定、かつ高い研磨効率で行うことが可能な研磨パッドの製造方法に関するものである。本発明の製造方法によって得られる研磨パッドは、特にシリコンウエハ並びにその上に酸化物層、金属層等が形成されたデバイスを、さらにこれらの酸化物層や金属層を積層・形成する前に平坦化する工程に好適に使用される。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際には、ウエハ表面に導電性膜を形成し、フォトリソグラフィー、エッチング等をすることにより配線層を形成する形成する工程や、配線層の上に層間絶縁膜を形成する工程等が行われ、これらの工程によってウエハ表面に金属等の導電体や絶縁体からなる凹凸が生じる。近年、半導体集積回路の高密度化を目的として配線の微細化や多層配線化が進んでいるが、これに伴い、ウエハ表面の凹凸を平坦化する技術が重要となってきた。
【０００３】
ウエハ表面の凹凸を平坦化する方法としては、一般的にケミカルメカニカルポリシング（以下、ＣＭＰという）が採用されている。ＣＭＰは、ウエハの被研磨面を研磨パッドの研磨面に押し付けた状態で、砥粒が分散されたスラリー状の研磨剤（以下、スラリーという）を用いて研磨する技術である。ＣＭＰで一般的に使用する研磨装置は、例えば、図１に示すように、研磨パッド１を支持する研磨定盤２と、被研磨材（半導体ウエハ）４を支持する支持台（ポリシングヘッド）５とウエハの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤の供給機構を備えている。研磨パッド１は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤２に装着される。研磨定盤２と支持台５とは、それぞれに支持された研磨パッド１と被研磨材４が対向するように配置され、それぞれに回転軸６、７を備えている。また、支持台５側には、被研磨材４を研磨パッド１に押し付けるための加圧機構が設けてある。
【０００４】
ＣＭＰを行う上で、ウエハ表面の平坦度の判定の問題がある。すなわち、希望の表面特性や平面状態に到達した時点を検知する必要がある。従来、酸化膜の膜厚や研磨速度等に関しては、テストウエハを定期的に処理し、結果を確認してから製品となるウエハを研磨処理することが行われてきた。
【０００５】
しかし、この方法では、テストウエハを処理する時間とコストが無駄になり、また、あらかじめ加工が全く施されていないテストウエハと製品ウエハでは、ＣＭＰ特有のローディング効果により、研磨結果が異なり、製品ウエハを実際に加工してみないと、加工結果の正確な予想が困難である。
【０００６】
そのため、最近では上記の問題点を解消するために、ＣＭＰプロセス時に、その場で、希望の表面特性や厚さが得られた時点を検出できる方法が望まれている。このような検知については様々な方法が用いられているが、測定精度や非接触測定における空間分解能の点から光学的検知手段が主流となりつつある。
【０００７】
光学的検知手段とは、具体的には光ビームを窓（光透過領域）を通して研磨パッド越しにウエハに照射して、その反射によって発生する干渉信号をモニターすることによって研磨の終点を検知する方法である。
【０００８】
現在、光ビームとしては、３００〜８００ｎｍに波長光を持つハロゲンランプを使用した白色光が一般的に用いられている。
【０００９】
このような方法では、ウエハの表面層の厚さの変化をモニターして、表面凹凸の近似的な深さを知ることによって終点が決定される。このような厚さの変化が凹凸の深さに等しくなった時点で、ＣＭＰプロセスを終了させる。また、このような光学的手段による研磨の終点検知法およびその方法に用いられる研磨パッドについては様々なものが提案されてきた。
【００１０】
例えば、固体で均質な１９０ｎｍから３５００ｎｍの波長光を透過する透明なポリマーシートを少なくとも一部分に有する研磨パッドが開示されている（特許文献１）。また、段付の透明プラグが挿入された研磨パッドが開示されている（特許文献２）。また、ポリシング面と同一面である透明プラグを有する研磨パッドが開示されている（特許文献３）。
【００１１】
前記のように、光ビームとしてはハロゲンランプを使用した白色光などが用いられているが、白色光を用いた場合にはさまざまな波長光をウエハに上に当てることができ、多くのウエハ表面のプロファイルが得られるという利点がある。この白色光を光ビームとして用いる場合には、広い波長範囲で検出精度を高める必要がある。しかしながら、従来の窓（光透過領域）を有する研磨パッドは、短波長側（紫外領域）での検出精度が非常に悪く、光学的終点検出に誤作動が生じるという問題があった。今後、半導体製造における高集積化・超小型化において、集積回路の配線幅はますます小さくなっていくことが予想され、その際には高精度の光学的終点検知が必要となるが、従来の終点検知用の窓は広い波長範囲（特に短波長側）で十分満足できるほどの精度を有していない。
【００１２】
一方、スラリーが研磨領域と光透過領域との境界（継ぎ目）から漏れ出さないための提案（特許文献４、５）もなされている。また、スラリー漏れを防止するために、上層パッドと下層パッドとの間に上下面に接着剤が塗布された透明フィルムを配置する方法が開示されている（特許文献６）。しかし、短波長側での検出精度が悪いという上記問題は全く解決されていない。
【００１３】
【特許文献１】特表平１１−５１２９７７号公報
【特許文献２】特開平９−７９８５号公報
【特許文献３】特開平１０−８３９７７号公報
【特許文献４】特開２００１−２９１６８６号公報
【特許文献５】特表２００３−５１０８２６号公報
【特許文献６】特開２００３−６８６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、広い波長範囲（特に短波長側）で光学的検知精度に優れ、かつ研磨領域と光透過領域との間からのスラリー漏れを防止することができる研磨パッドを提供することを目的とする。また、該研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、上述のような現状に鑑み鋭意研究を重ねた結果、下記研磨パッドにより上記課題を解決できることを見出した。
【００１６】
すなわち本発明は、研磨領域及び光透過領域からなる研磨層の片面に少なくとも透明支持フィルムが積層されている研磨パッドにおいて、少なくとも光透過領域及び透明支持フィルムを含む光学的検知領域の光透過率が、波長３００〜４００ｎｍの全範囲で４０％以上であることを特徴とする研磨パッド、に関する。
【００１７】
研磨パッドの光学的検知領域を通過する光の強度の減衰が少ないほど研磨終点の検出精や膜厚の測定精度を高めることができる。そのため、使用する測定光の波長における光透過率の度合いは、研磨終点の検出精度や膜厚の測定精度を決定づけるため重要となる。本発明の光学的検知領域は、特に短波長側での光透過率の減衰が小さく、広い波長範囲で検出精度を高く維持することが可能である。ここで、光学的検知領域とは、膜厚測定装置から照射した光ビーム及びウエハ表面で反射した光ビームを透過させるための領域であり、少なくとも光透過領域及び透明支持フィルムを含む。
【００１８】
上記のように一般的に用いられている膜厚測定装置は、３００〜８００ｎｍ付近に発信波長を持つレーザーを用いているため、特に短波長側（３００〜４００ｎｍ）での光学的検知領域の光透過率が４０％以上であれば高い反射光が得られ、終点検出精度や膜厚検出精度を格段に向上させることができる。該短波長側での光透過率は４５％以上であることが好ましく、さらに好ましくは５０％以上である。なお、本発明における光透過率は、光学的検知領域の厚みが１ｍｍの場合の値、又は１ｍｍの厚みに換算した場合の値である。一般に、光透過率は、Ｌａｍｂｅｒｔ―Ｂｅｅｒの法則より、物体の厚みによって変化する。厚みが大きいほど、光透過率は低下するため、厚みを一定にした時の光透過率を算出する必要がある。
【００１９】
本発明においては、光学的検知領域を構成する各部材の主原料であるポリマーの芳香環濃度が合計で２重量％以下であることが好ましく、より好ましくは１重量％以下である。光学的検知領域を構成する各部材（光透過領域、透明支持フィルムなど）の主原料であるポリマーの芳香環濃度を合計で２重量％以下にすることにより、波長３００〜４００ｎｍの全範囲における光学的検知領域の光透過率を４０％以上に調整することができる。ここで、芳香環濃度とは、ポリマー中の芳香環の重量割合をいう。
【００２０】
また、光透過領域の主原料であるポリマーがポリウレタン樹脂であり、該ポリウレタン樹脂のイソシアネート成分が、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート、４，４’−ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、及びイソホロンジイソシアネートからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。上記イソシアネート成分を含むポリウレタン樹脂は、芳香環濃度が小さいため光透過領域の主原料として好適である。
【００２１】
また、透明支持フィルムの主原料であるポリマーが、ポリプロピレン、ポリエチレン、脂肪族ポリアミド、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル、及びポリ塩化ビニルからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。上記ポリマーは、芳香環を含まないため透明支持フィルムの主原料として好適である。
【００２２】
本発明において、光透過領域の形成材料は無発泡体であることが好ましい。無発泡体であれば光の散乱を抑制することができるため、正確な反射率を検出することができ、研磨の光学終点の検出精度を高めることができる。
【００２３】
また、光透過領域の研磨側表面に研磨液を保持・更新する凹凸構造を有しないことが好ましい。光透過領域の研磨側表面にマクロな表面凹凸があると、凹部に砥粒等の添加剤を含有したスラリーが溜まり、光の散乱・吸収が起こり、検出精度に影響を及ぼす傾向にある。さらに、光透過領域の他面側表面もマクロな表面凹凸を有しないことが好ましい。マクロな表面凹凸があると、光の散乱が起こりやすく、検出精度に影響を及ぼすおそれがあるからである。
【００２４】
本発明においては、研磨領域の形成材料が微細発泡体であることが好ましい。
【００２５】
また、前記微細発泡体の平均気泡径は、７０μｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは５０μｍ以下である。平均気泡径が７０μｍ以下であれば、プラナリティ（平坦性）が良好となる。
【００２６】
また、前記微細発泡体の比重は、０．５〜１であることが好ましく、より好ましくは０．７〜０．９である。比重が０．５未満の場合、研磨領域表面の強度が低下し、被研磨材のプラナリティが低下し、１より大きい場合は、研磨領域表面の微細気泡の数が少なくなり、プラナリティは良好であるが、研磨速度が小さくなる傾向にある。
【００２７】
また、前記微細発泡体のアスカーD硬度は、４０〜７０度であることが好ましく、より好ましくは４５〜６０度である。アスカーＤ硬度が４０度未満の場合には、被研磨材のプラナリティが低下し、７０度より大きい場合には、プラナリティは良好であるが、被研磨材のユニフォーミティ（均一性）が低下する傾向にある。
【００２８】
また、本発明は、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法、に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の研磨パッドは、研磨領域及び光透過領域からなる研磨層の片面に少なくとも透明支持フィルムを有している。そして、少なくとも前記光透過領域及び透明支持フィルムを含む光学的検知領域の光透過率が、波長３００〜４００ｎｍの全範囲で４０％以上であることが必要である。
【００３０】
前記光透過領域の形成材料であるポリマーは、前記特性を発現する材料であれば特に制限されないが、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ハロゲン系樹脂（ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなど）、オレフィン系樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、及びエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのうち、芳香環濃度が小さいポリマーを用いることが好ましく、特に芳香環濃度が小さいポリウレタン樹脂を用いることが好ましい。ポリウレタン樹脂は耐摩耗性が高く、研磨中のドレッシング痕による光透過領域の光散乱を抑制できるため好適な材料である。
【００３１】
前記ポリウレタン樹脂は、イソシアネート成分、ポリオール成分（高分子量ポリオール、低分子量ポリオールなど）、及び鎖延長剤からなるものである。
【００３２】
イソシアネート成分としては、２，４−トルエンジイソシアネート、２，６−トルエンジイソシアネート、２，２’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ−キシリレンジイソシアネート、ｍ−キシリレンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート；エチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ジイソシアネート；１，４−シクロヘキサンジイソシアネート、４，４’−ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート等の脂環式ジイソシアネートが挙げられる。これらは１種で用いても、２種以上を混合しても差し支えない。これらのうち、芳香環濃度を小さくするために脂肪族ジイソシアネート及び／又は脂環式ジイソシアネートを用いることが好ましく、特に１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート、４，４’−ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、及びイソホロンジイソシアネートからなる群より選択される少なくとも１種のジイソシアネートを用いることが好ましい。
【００３３】
高分子量ポリオールとしては、ポリテトラメチレンエーテルグリコールに代表されるポリエーテルポリオール、ポリブチレンアジペートに代表されるポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカプロラクトンのようなポリエステルグリコールとアルキレンカーボネートとの反応物などで例示されるポリエステルポリカーボネートポリオール、エチレンカーボネートを多価アルコールと反応させ、次いで得られた反応混合物を有機ジカルボン酸と反応させたポリエステルポリカーボネートポリオール、及びポリヒドキシル化合物とアリールカーボネートとのエステル交換反応により得られるポリカーボネートポリオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのうち、芳香環濃度を小さくするために、芳香環を持たない高分子量ポリオールを用いることが好ましい。また、光透過率を向上させるために、長い共鳴構造を持たない高分子量ポリオールや、電子吸引性・電子供与性の高い骨格構造をあまり持たない高分子量ポリオールを用いることが好ましい。
【００３４】
また、ポリオール成分として上述した高分子量ポリオールの他に、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、及びトリエチレングリコール等の低分子量ポリオールを併用してもよい。また、エチレンジアミン、及びジエチレントリアミン等の低分子量ポリアミンを用いてもよい。芳香環濃度を小さくするために、芳香環を持たない低分子量ポリオールや低分子量ポリアミンを用いることが好ましい。
【００３５】
鎖延長剤としては、上記低分子量ポリオール、上記低分子量ポリアミン、あるいは４，４’−メチレンビス（ｏ−クロロアニリン）（ＭＯＣＡ）、２，６−ジクロロ−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−メチレンビス（２，３−ジクロロアニリン）、３，５−ビス（メチルチオ）−２，４−トルエンジアミン、３，５−ビス（メチルチオ）−２，６−トルエンジアミン、３，５−ジエチルトルエン−２，４−ジアミン、３，５−ジエチルトルエン−２，６−ジアミン、トリメチレングリコール−ジ−ｐ−アミノベンゾエート、１，２−ビス（２−アミノフェニルチオ）エタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチル−５，５’−ジメチルジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ｍ−キシリレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、及びｐ−キシリレンジアミン等に例示される芳香族ポリアミンを挙げることができる。これらは１種で用いても、２種以上を混合しても差し支えない。ただし、ポリウレタン樹脂の芳香環濃度を小さくするために、前記芳香族ポリアミンは、使用しないことが好ましいが、上記光透過特性を損なわない程度に配合してもよい。
【００３６】
前記ポリウレタン樹脂におけるイソシアネート成分、ポリオール成分、及び鎖延長剤の比は、各々の分子量やこれらから製造される光透過領域の所望物性などにより適宜変更できる。光透過領域が前記特性を得るためには、ポリオールと鎖延長剤の合計官能基（水酸基＋アミノ基）数に対するイソシアネート成分のイソシアネート基数が０．９５〜１．１５であることが好ましく、さらに好ましくは０．９９〜１．１０である。
【００３７】
前記ポリウレタン樹脂は、溶融法、溶液法など公知のウレタン化技術を応用して製造することができるが、コスト、作業環境などを考慮した場合、溶融法で製造することが好ましい。なお、必要に応じてポリウレタン樹脂に酸化防止剤等の安定剤、触媒、界面活性剤、滑剤、顔料、充填剤、帯電防止剤、その他の添加剤を添加してもよい。
【００３８】
前記ポリウレタン樹脂の重合手順としては、プレポリマー法、ワンショット法のどちらでも可能であるが、事前にイソシアネート成分とポリオール成分からイソシアネート末端プレポリマーを合成しておき、これに鎖延長剤を反応させるプレポリマー法が好ましい。
【００３９】
光透過領域の作製方法は特に制限されず、公知の方法により作製できる。例えば、前記方法により製造したポリウレタン樹脂のブロックをバンドソー方式やカンナ方式のスライサーを用いて所定厚みにする方法、所定厚みのキャビティーを持った金型に樹脂を流し込み硬化させる方法、コーティング技術やシート成形技術を用いた方法などが挙げられる。なお、光透過領域に気泡がある場合には、光の散乱により反射光の減衰が大きくなり研磨終点検出精度や膜厚測定精度が低下する傾向にある。したがって、このような気泡を除去するために前記材料を混合する前に１０Ｔｏｒｒ以下に減圧することにより材料中に含まれる気体を十分に除去することが好ましい。また、混合後の撹拌工程においては気泡が混入しないように、通常用いられる撹拌翼式ミキサーの場合には、回転数１００ｒｐｍ以下で撹拌することが好ましい。また、撹拌工程においても減圧下で行うことが好ましい。さらに、自転公転式混合機は、高回転でも気泡が混入しにくいため、該混合機を用いて撹拌、脱泡を行うことも好ましい方法である。
【００４０】
光透過領域の形状、大きさは特に制限されるものではないが、研磨領域の開口部と同様の形状、大きさにすることが好ましい。
【００４１】
光透過領域は、研磨領域の厚みと同一厚さ又はそれ以下にすることが好ましい。光透過領域が研磨領域より厚い場合には、研磨中に突き出た部分によりウエハを傷つけるおそれがある。一方、薄すぎる場合には耐久性が不十分になる。また、光透過領域は、研磨領域の研削性と同等又はそれ以下にすることが好ましい。光透過領域が研磨領域より研削されにくい場合には、研磨中に突き出た部分によりウエハを傷つけるおそれがある。
【００４２】
前記透明支持フィルムの形成材料であるポリマーは、前記特性を発現する材料であれば特に制限されないが、透明性が高く、耐熱性を有すると共に可とう性を有するポリマーであることが好ましい。具体的には、ポリエステル；ポリエチレン；ポリプロピレン；ポリアクリレート；ポリメタクリレート；ポリアミド；ポリイミド；ポリビニルアルコール；ポリ塩化ビニル；ポリフルオロエチレンなどの含フッ素樹脂；ナイロン；セルロース；ポリカーボネートなどの汎用エンジニアリングプラスチック；ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、及びポリエーテルスルホンなどの特殊エンジニアリングプラスチックなどを挙げることができる。芳香環濃度を小さくするために、芳香環を持たないポリマーを用いることが好ましく、特にポリプロピレン、ポリエチレン、脂肪族ポリアミド、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル、及びポリ塩化ビニルからなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
【００４３】
透明支持フィルムの厚さは特に制限されないが、強度や巻き取り等の観点から２０〜２００μｍ程度であることが好ましい。なお、透明支持フィルムの表面は、コロナ放電処理がなされていてもよい。
【００４４】
研磨領域の形成材料は、研磨層の材料として通常用いられるものであれば特に制限なく使用できるが、本発明においては微細発泡体を用いることが好ましい。微細発泡体とすることにより表面にある気泡部分にスラリーを保持することができ、研磨速度を大きくすることができる。
【００４５】
研磨領域の形成材料としては、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ハロゲン系樹脂（ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなど）、ポリスチレン、オレフィン系樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、エポキシ樹脂、及び感光性樹脂などが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４６】
ポリウレタン樹脂は耐摩耗性に優れ、原料組成を種々変えることにより所望の物性を有するポリマーを容易に得ることができるため、研磨領域の形成材料として特に好ましい材料である。ポリウレタン樹脂の原料は前記と同様である。
【００４７】
前記ポリウレタン樹脂は、前記方法と同様の方法により製造することができる。
【００４８】
前記ポリウレタン樹脂を微細発泡させる方法は特に制限されないが、例えば中空ビーズを添加する方法、機械的発泡法、及び化学的発泡法等により発泡させる方法などが挙げられる。なお、各方法を併用してもよいが、特にポリアルキルシロキサンとポリエーテルとの共重合体であるシリコン系界面活性剤を使用した機械的発泡法が好ましい。該シリコン系界面活性剤としては、ＳＨ−１９２、Ｌ−５３４０（東レダウコーニングシリコーン製）等が好適な化合物として例示される。
【００４９】
研磨領域に用いられる独立気泡タイプのポリウレタン発泡体を製造する方法の例について以下に説明する。かかるポリウレタン発泡体の製造方法は、以下の工程を有する。
１）イソシアネート末端プレポリマーの気泡分散液を作製する発泡工程
イソシアネート末端プレポリマーにシリコン系界面活性剤を添加し、非反応性気体の存在下で撹拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散液とする。前記プレポリマーが常温で固体の場合には適宜の温度に予熱し、溶融して使用する。
２）硬化剤（鎖延長剤）混合工程
上記の気泡分散液に鎖延長剤を添加、混合、撹拌して発泡反応液とする。
３）注型工程
上記の発泡反応液をモールドに流し込む。
４）硬化工程
モールドに流し込まれた発泡反応液を加熱し、反応硬化させる。
【００５０】
微細気泡を形成するために使用される非反応性気体としては、可燃性でないものが好ましく、具体的には窒素、酸素、炭酸ガス、ヘリウムやアルゴン等の希ガスやこれらの混合気体が例示され、乾燥して水分を除去した空気の使用がコスト的にも最も好ましい。
【００５１】
非反応性気体を微細気泡状にしてシリコン系界面活性剤を含むイソシアネート末端プレポリマーに分散させる撹拌装置としては、公知の撹拌装置を特に限定なく使用可能であり、具体的にはホモジナイザー、ディゾルバー、２軸遊星型ミキサー（プラネタリーミキサー）等が例示される。撹拌装置の撹拌翼の形状も特に限定されないが、ホイッパー型の撹拌翼を使用すると微細気泡が得られるため好ましい。
【００５２】
なお、撹拌工程において気泡分散液を作成する撹拌と、混合工程における鎖延長剤を添加して混合する撹拌は、異なる撹拌装置を使用することも好ましい態様である。特に混合工程における撹拌は気泡を形成する撹拌でなくてもよく、大きな気泡を巻き込まない撹拌装置の使用が好ましい。このような撹拌装置としては、遊星型ミキサーが好適である。撹拌工程と混合工程の撹拌装置を同一の撹拌装置を使用しても支障はなく、必要に応じて撹拌翼の回転速度を調整する等の撹拌条件の調整を行って使用することも好適である。
【００５３】
前記ポリウレタン発泡体の製造方法においては、発泡反応液を型に流し込んで流動しなくなるまで反応した発泡体を、加熱、ポストキュアすることは、発泡体の物理的特性を向上させる効果があり、極めて好適である。金型に発泡反応液を流し込んで直ちに加熱オーブン中に入れてポストキュアを行う条件としてもよく、そのような条件下でもすぐに反応成分に熱が伝達されないので、気泡径が大きくなることはない。硬化反応は、常圧で行うと気泡形状が安定するため好ましい。
【００５４】
前記ポリウレタン樹脂の製造において、第３級アミン系、有機スズ系等の公知のポリウレタン反応を促進する触媒を使用してもかまわない。触媒の種類、添加量は、混合工程後、所定形状の型に流し込む流動時間を考慮して選択する。
【００５５】
前記ポリウレタン発泡体の製造は、容器に各成分を計量して投入し、撹拌するバッチ方式であっても、また撹拌装置に各成分と非反応性気体を連続して供給して撹拌し、気泡分散液を送り出して成形品を製造する連続生産方式であってもよい。
【００５６】
研磨領域は、以上のようにして作製されたポリウレタン発泡体を、所定のサイズに裁断して製造される。
【００５７】
微細発泡体からなる研磨領域は、被研磨材と接触する研磨側表面に、スラリーを保持・更新するための溝が設けられていることが好ましい。該研磨領域は、微細発泡体により形成されているため研磨表面に多くの開口を有し、スラリーを保持する働きを持っているが、更なるスラリーの保持性とスラリーの更新を効率よく行うため、また被研磨材との吸着による被研磨材の破壊を防ぐためにも、研磨側表面に溝を有することが好ましい。溝は、スラリーを保持・更新する表面形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、ＸＹ格子溝、同心円状溝、貫通孔、貫通していない穴、多角柱、円柱、螺旋状溝、偏心円状溝、放射状溝、及びこれらの溝を組み合わせたものが挙げられる。また、溝ピッチ、溝幅、溝深さ等も特に制限されず適宜選択して形成される。さらに、これらの溝は規則性のあるものが一般的であるが、スラリーの保持・更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させることも可能である。
【００５８】
前記溝の形成方法は特に限定されるものではないが、例えば、所定サイズのバイトのような治具を用い機械切削する方法、所定の表面形状を有した金型に樹脂を流しこみ硬化させる方法、所定の表面形状を有したプレス板で樹脂をプレスして形成する方法、フォトリソグラフィを用いて形成する方法、印刷手法を用いて形成する方法、及び炭酸ガスレーザーなどを用いたレーザー光により形成する方法などが挙げられる。
【００５９】
研磨領域の厚みは特に限定されるものではないが、通常０．８〜４ｍｍ程度であり、好ましくは１〜２ｍｍである。前記厚みの研磨領域を作製する方法としては、前記ポリウレタン発泡体のブロックをバンドソー方式やカンナ方式のスライサーを用いて所定厚みにする方法、所定厚みのキャビティーを持った金型に樹脂を流し込み硬化させる方法、及びコーティング技術やシート成形技術を用いた方法などが挙げられる。
【００６０】
図２及び３は、本発明の研磨パッド８の断面図である。該研磨パッドの製造方法は特に制限されず、種々の方法が考えられるが、具体的な例を以下に説明する。
【００６１】
ケース１（図２）
光透過領域１０を設けるための開口部１３を研磨領域９に形成する。研磨領域９の片面に接着層１２を形成し、光学的検知領域１４に対応する大きさで該接着層１２を打ち抜く。その後、透明支持フィルム１１を前記接着層１２に貼り合わせ、光透過領域１０を開口部１３内にはめ込んで前記接着層１２に貼り合わせる。この場合、光学的検知領域１４は光透過領域１０及び透明支持フィルム１１により構成される。
【００６２】
ケース２（図３）
光透過領域１０を設けるための開口部１３を研磨領域９に形成する。透明支持フィルム１１の片面に接着層１２を形成し、前記研磨領域９を該接着層１２に貼り合わせる。その後、光透過領域１０を開口部１３内にはめ込んで前記接着層１２に貼り合わせる。この場合、光学的検知領域１４は光透過領域１０、透明支持フィルム１１、及び接着層１２により構成される。
【００６３】
前記研磨パッドの作成方法において、研磨領域や接着層を開口する手段は特に制限されないが、例えば、切削能力をもつ工具をプレスして開口する方法、炭酸レーザーなどによるレーザーを利用する方法、及びバイトのような工具にて研削する方法などが挙げられる。なお、研磨領域の開口部の大きさ及び形状は特に制限されない。
【００６４】
接着層１２としては、例えば、両面テープ、又は接着剤を塗布して硬化したものなどが挙げられる。両面テープとしては、不織布やフィルム等の基材の両面に接着層を設けた一般的なものを使用することができる。スラリーの浸透等を防ぐことを考慮すると、基材にフィルムを用いることが好ましい。また、接着層の原料である接着剤としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤などの一般的なものが挙げられる。ただし、上記ケース２のように光学的検知領域１４が接着層１２を含む場合には、光学的検知領域１４の光透過率を波長３００〜４００ｎｍの全範囲で４０％以上にするために、前記両面テープの基材は、セルロース、ポリエチレン、及びポリプロピレンなどの非芳香族系ポリマーにより形成されていることが好ましい。また、接着剤のベースポリマーも芳香環を含まないものを用いることが好ましい。
【００６５】
本発明の研磨パッドは、前記透明支持フィルムの片面にクッションシート（クッション層）が積層されていてもよい。
【００６６】
前記クッションシートは、研磨層の特性を補うものである。クッションシートは、ＣＭＰにおいて、トレードオフの関係にあるプラナリティとユニフォーミティの両者を両立させるために必要なものである。プラナリティとは、パターン形成時に発生する微小凹凸のあるウエハを研磨した時のパターン部の平坦性をいい、ユニフォーミティとは、ウエハ全体の均一性をいう。研磨層の特性によって、プラナリティを改善し、クッションシートの特性によってユニフォーミティを改善する。本発明の研磨パッドにおいては、クッションシートは研磨領域より柔らかいものを用いることが好ましい。
【００６７】
前記クッションシートとしては、例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布などの繊維不織布やポリウレタンを含浸したポリエステル不織布のような樹脂含浸不織布、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、感光性樹脂などが挙げられる。
【００６８】
透明支持フィルムとクッションシートとを貼り合わせる手段としては、例えば、透明支持フィルムとクッションシートとを両面テープを介して積層してプレスする方法が挙げられる。ただし、クッションシートには光学的検知領域１４に対応する部分に開口部を設けておくことが必要である。
【００６９】
本発明の研磨パッドは、透明支持フィルム又はクッション層のプラテンと接着する面側に両面テープが設けられていてもよい。
【００７０】
半導体デバイスは、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を経て製造される。半導体ウエハとは、一般にシリコンウエハ上に配線金属及び酸化膜を積層したものである。半導体ウエハの研磨方法、研磨装置は特に制限されず、例えば、図１に示すように研磨パッド１を支持する研磨定盤２と、半導体ウエハ４を支持する支持台（ポリシングヘッド）５とウエハへの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤３の供給機構を備えた研磨装置などを用いて行われる。研磨パッド１は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤２に装着される。研磨定盤２と支持台５とは、それぞれに支持された研磨パッド１と半導体ウエハ４が対向するように配置され、それぞれに回転軸６、７を備えている。また、支持台５側には、半導体ウエハ４を研磨パッド１に押し付けるための加圧機構が設けてある。研磨に際しては、研磨定盤２と支持台５とを回転させつつ半導体ウエハ４を研磨パッド１に押し付け、スラリーを供給しながら研磨を行う。スラリーの流量、研磨荷重、研磨定盤回転数、及びウエハ回転数は特に制限されず、適宜調整して行う。
【００７１】
これにより半導体ウエハ４の表面の突出した部分が除去されて平坦状に研磨される。その後、ダイシング、ボンディング、パッケージング等することにより半導体デバイスが製造される。半導体デバイスは、演算処理装置やメモリー等に用いられる。
【実施例】
【００７２】
以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実施例等について説明する。なお、実施例等における評価項目は下記のようにして測定した。
【００７３】
（光学的検知領域の光透過率の測定）
実施例１〜８、比較例１及び２
作製した各光透過領域を１０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切り出し、その周囲に１ｍｍ幅の両面テープ（積水化学工業社製、ダブルタックテープ＃５７８２、厚み：１３０μｍ）を貼り合わせた。その後、各実施例及び比較例で使用した透明支持フィルム（１０ｍｍ×５０ｍｍ）を前記両面テープに貼り合わせて光透過率測定用試料を作製した。  
実施例９
作製した光学的検知領域を１０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切り出して光透過率測定用試料とした。
【００７４】
作製した光透過率測定用試料を超純水が充填されたガラスセル（光路長１０ｍｍ×光路幅１０ｍｍ×高さ４５ｍｍ、相互理化学硝子製作所製）に入れ、分光光度計（島津製作所製、ＵＶ−１６００ＰＣ）を用いて、測定波長域３００〜９００ｎｍで光透過率を測定した。得られた光透過率の測定結果をＬａｍｂｅｒｔ−Ｂｅｅｒの法則を用いて、厚み１ｍｍの光透過率に換算した。なお、光透過率測定用試料が光透過領域と透明支持フィルムとの間に空間を有する場合には、空間を含めた厚みを基にして換算した。
【００７５】
実施例１
〔研磨領域の作製〕
反応容器内に、ポリエーテル系プレポリマー（ユニロイヤル社製、アジプレンＬ−３２５、ＮＣＯ濃度：２．２２ｍｅｑ／ｇ）１００重量部、及びシリコン系界面活性剤（東レ・ダウシリコーン社製、ＳＨ１９２）３重量部を混合し、温度を８０℃に調整した。撹拌翼を用いて、回転数９００ｒｐｍで反応系内に気泡を取り込むように約４分間激しく撹拌を行った。そこへ予め１２０℃で溶融した４，４’−メチレンビス（ｏ−クロロアニリン）（イハラケミカル社製、イハラキュアミンＭＴ）２６重量部を添加した。その後、約１分間撹拌を続けてパン型のオープンモールドへ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、１１０℃で６時間ポストキュアを行いポリウレタン発泡体ブロックを得た。このポリウレタン発泡体ブロックをバンドソータイプのスライサー（フェッケン社製）を用いてスライスし、ポリウレタン発泡体シートを得た。次にこのシートをバフ機（アミテック社製）を使用して、所定の厚さに表面バフをし、厚み精度を整えたシートとした（シート厚み：１．２７ｍｍ）。このバフ処理をしたシートを直径６１ｃｍで打ち抜き、溝加工機（東邦鋼機社製）を用いて表面に同心円状の溝加工を行った。この溝加工したシートの所定位置に光透過領域をはめ込むための開口部（５７ｍｍ×２０ｍｍ）を打ち抜きにより形成した。そして、このシートの溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ（積水化学工業社製、ダブルタックテープ＃５７８２、厚み：１３０μｍ、基材：不織布、接着剤：アクリル系、芳香環濃度：０％）を貼り合わせた。その後、前記開口部内の両面テープを５１ｍｍ×１３ｍｍの大きさで打ち抜いて両面テープ付き研磨領域を作製した。
【００７６】
〔光透過領域の作製〕
容器に１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート（以下、ＨＤＩと略す）７７０重量部、及び１，３−ブタンジオール（以下、１，３−ＢＧと略す）２３０重量部を入れ、８０℃で１２０分間加熱撹拌してイソシアネート末端プレポリマーＡを作製した。  
また、数平均分子量６５０のポリテトラメチレングリコール（以下、ＰＴＭＧ−６５０と略す）２９重量部、トリメチロールプロパン（以下、ＴＭＰと略す）１３重量部、及び触媒（花王製、Ｋａｏ  Ｎｏ．２５）０．４３重量部を８０℃にて混合撹拌して混合液を得た。その後、８０℃に温度調節した該混合液に前記イソシアネート末端プレポリマーＡ（１００重量部）を加え、ハイブリッドミキサー（キーエンス社製）で十分に撹拌し、その後脱泡した。この反応液を離型処理したモールド上に滴下し、その上に離型処理したＰＥＴフィルムを被せ、ニップロールにて厚みを１．２５ｍｍに調整した。その後、該モールドを１００℃のオーブンに入れ、１６時間ポストキュアを行ってポリウレタンシートを作製した。該ポリウレタンシートをトムソン刃を用いて５７ｍｍ×１９ｍｍの大きさで打ち抜いて光透過領域ａ（厚み：１．２５ｍｍ）を作製した。
【００７７】
〔研磨パッドの作製〕
ラミ機を使用して前記両面テープ付き研磨領域にポリプロピレン製の透明支持フィルム（東洋紡績社製、パイレンフィルム−ＯＴ  Ｐ−２１６１、厚さ５０μｍ、芳香環濃度：０％）を貼り合わせた。その後、前記光透過領域ａを研磨領域の開口部内に挿入し、両面テープに貼り合わせて研磨パッドを作製した。
【００７８】
実施例２
実施例１において、パイレンフィルム−ＯＴ  Ｐ−２１６１の代わりにポリプロピレン製の透明支持フィルム（東洋紡績社製、パイレンフィルム−ＯＴ  Ｐ２００２、厚さ５０μｍ、芳香環濃度：０％）を用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００７９】
実施例３
実施例１において、パイレンフィルム−ＯＴ  Ｐ−２１６１の代わりにポリエチレン製の透明支持フィルム（東洋紡績社製、リックスフィルム  Ｌ６１００、厚さ６０μｍ、芳香環濃度：０％）を用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００８０】
実施例４
実施例１において、パイレンフィルム−ＯＴ  Ｐ−２１６１の代わりに脂肪族ポリアミド製の透明支持フィルム（東洋紡績社製、ハーデンフィルム  Ｎ１１００、厚さ２５μｍ、芳香環濃度：０％）を用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００８１】
実施例５
〔光透過領域の作製〕
容器にＰＴＭＧ−６５０（２４２重量部）、１，３−ＢＧ（１３４重量部）、及びＨＤＩ（６２５重量部）を入れ、８０℃で１２０分間加熱撹拌してイソシアネート末端プレポリマーＢを作製した。  
また、１，３−ＢＧ（６重量部）、ＴＭＰ（１０重量部）、及び触媒（Ｋａｏ  Ｎｏ．２５）０．３５重量部を８０℃にて混合撹拌して混合液を得た。その後、８０℃に温度調節した該混合液に前記イソシアネート末端プレポリマーＢ（１００重量部）を加え、ハイブリッドミキサー（キーエンス社製）で十分に撹拌し、その後脱泡した。その後、実施例１と同様の方法で光透過領域ｂ（５７ｍｍ×１９ｍｍ、厚み：１．２５ｍｍ）を作製した。
【００８２】
〔研磨パッドの作製〕
実施例１において、光透過領域ａの代わりに光透過領域ｂを用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００８３】
実施例６
〔光透過領域の作製〕
容器にＰＴＭＧ−６５０（２５２重量部）、１，３−ＢＧ（３重量部）、及び４，４’−ジシクロへキシルメタンジイソシアネート（以下、ＨＭＤＩと略す）６６７重量部を入れ、８０℃で１２０分間加熱撹拌してイソシアネート末端プレポリマーＣを作製した。  
また、１，３−ＢＧ（６重量部）、ＴＭＰ（７重量部）、及び触媒（Ｋａｏ  Ｎｏ．２５）０．３３重量部を８０℃にて混合撹拌して混合液を得た。その後、８０℃に温度調節した該混合液に前記イソシアネート末端プレポリマーＣ（１００重量部）を加え、ハイブリッドミキサー（キーエンス社製）で十分に撹拌し、その後脱泡した。その後、実施例１と同様の方法で光透過領域ｃ（５７ｍｍ×１９ｍｍ、厚み：１．２５ｍｍ）を作製した。
【００８４】
〔研磨パッドの作製〕
実施例１において、光透過領域ａの代わりに光透過領域ｃを用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００８５】
実施例７
〔光透過領域の作製〕
容器にＰＴＭＧ−６５０（２７９重量部）、１，３−ＢＧ（９０重量部）、及びイソホロンジイソシアネート６３１重量部を入れ、８０℃で１２０分間加熱撹拌してイソシアネート末端プレポリマーＤを作製した。  
また、１，３−ＢＧ（７重量部）、ＴＭＰ（５重量部）、及び触媒（Ｋａｏ  Ｎｏ．２５）０．３４重量部を８０℃にて混合撹拌して混合液を得た。その後、８０℃に温度調節した該混合液に前記イソシアネート末端プレポリマーＤ（１００重量部）を加え、ハイブリッドミキサー（キーエンス社製）で十分に撹拌し、その後脱泡した。その後、実施例１と同様の方法で光透過領域ｄ（５７ｍｍ×１９ｍｍ、厚み：１．２５ｍｍ）を作製した。
【００８６】
〔研磨パッドの作製〕
実施例１において、光透過領域ａの代わりに光透過領域ｄを用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００８７】
実施例８
〔光透過領域の作製〕
容器に数平均分子量１０００のポリテトラメチレングリコール（４６２重量部）、ジエチレングリコール（５４重量部）、及びＨＭＤＩ（４８４重量部）を入れ、８０℃で１２０分間加熱撹拌してイソシアネート末端プレポリマーＥを作製した。  
また、エタキュア１００（アルベマール社製、３，５−ジエチル−２，６−トルエンジアミンと３，５−ジエチル−２，４−トルエンジアミンとの混合物）４重量部、ＴＭＰ（５重量部）、及び触媒（Ｋａｏ  Ｎｏ．２５）０．４３重量部を８０℃にて混合撹拌して混合液を得た。その後、８０℃に温度調節した該混合液に前記イソシアネート末端プレポリマーＥ（１００重量部）を加え、ハイブリッドミキサー（キーエンス社製）で十分に撹拌し、その後脱泡した。その後、実施例１と同様の方法で光透過領域ｅ（５７ｍｍ×１９ｍｍ、厚み：１．２５ｍｍ）を作製した。
【００８８】
〔研磨パッドの作製〕
実施例１において、光透過領域ａの代わりに光透過領域ｅを用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００８９】
実施例９
〔研磨領域の作製〕
実施例１において、開口部内の両面テープを打ち抜かなかった以外は、実施例１と同様の方法で両面テープ付き研磨領域を作製した。
【００９０】
〔研磨パッドの作製〕
実施例１の両面テープ付き研磨領域の代わりに前記両面テープ付き研磨領域を用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００９１】
比較例１
実施例１において、パイレンフィルム−ＯＴ  Ｐ−２１６１の代わりにポリエチレンテレフタレート製の透明支持フィルム（東洋紡績社製、東洋紡エステルフィルム  Ｅ５００１、厚さ１００μｍ、芳香環濃度：３８％）を用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００９２】
比較例２
〔光透過領域の作製〕
ポリエーテル系プレポリマー（ユニロイヤル社製、アジプレンＬ−３２５、ＮＣＯ濃度：２．２２ｍｅｑ／ｇ）１００重量部を減圧タンクに計量し、減圧（約１０Ｔｏｒｒ）によりプレポリマー中に残存している気体を脱泡させた。脱泡した上記プレポリマーに、予め１２０℃で溶融させておいた４，４’−メチレンビス（ｏ−クロロアニリン）２９重量部を添加し、ハイブリッドミキサー（キーエンス社製）で十分に撹拌し、その後脱泡した。その後、実施例１と同様の方法で光透過領域ｆ（５７ｍｍ×１９ｍｍ、厚み：１．２５ｍｍ）を作製した。
【００９３】
〔研磨パッドの作製〕
実施例１の光透過領域ａの代わりに前記光透過領域ｆを用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【表１】
2007307638.tif 000003
【００９４】
表１から明らかなように、本発明の研磨パッドは、短波長側での光透過率が非常に高いため、従来の研磨パッドに比べて光学的検知精度に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】ＣＭＰ研磨で使用する従来の研磨装置の一例を示す概略構成図
【図２】本発明の研磨パッドの一例を示す概略断面図
【図３】本発明の研磨パッドの他の一例を示す概略断面図
【符号の説明】
【００９６】
１：研磨パッド
２：研磨定盤
３：研磨剤（スラリー）
４：被研磨材（半導体ウエハ）
５：支持台（ポリシングヘッド）
６、７：回転軸
８：研磨パッド
９：研磨領域
１０：光透過領域
１１：透明支持フィルム
１２：接着層
１３：開口部
１４：光学的検知領域
【図１】
2007307638.tif 000004
【図２】
2007307638.tif 000005
【図３】
2007307638.tif 000006