(57)【要約】【課題】  湿気の浸入を防止して、性能の良好なものが得られると共に、薄型の表面弾性波ディバイスを提供すること。【解決手段】  本発明の表面弾性波ディバイスにおいて、櫛歯部２ａを囲んだ状態で振動空間部５を形成するための空間形成部材４の外周面には、振動空間部５への湿気浸入防止用の封止膜６が設けられため、振動空間部５内（櫛歯部２ａ側）への水分や気体の浸入防止を確実にできて、性能の良好なものが得られると共に、封止膜６によって、振動空間部５の密封度を向上することができ、また、圧電基板１からの封止膜６の高さは、導体バンプ３の先端よりも小さいため、厚みが薄く、薄型化が図れる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側に櫛歯電極を設けた圧電基板と、振動空間部を形成するために前記圧電基板に設けられた空間形成部材とを備え、前記櫛歯電極は、櫛歯部と、この櫛歯部に接続された電極を有すると共に、前記電極には、導体バンプが接続され、前記空間形成部材は、前記櫛歯部を囲んだ状態で前記圧電基板に付着され、前記櫛歯部の厚みより厚い環状の側壁と、この側壁の開口部を塞ぐ蓋体を有し、前記空間形成部材の外周面には、前記振動空間部への湿気浸入防止用の封止膜が設けられると共に、前記圧電基板からの前記封止膜の高さは、前記導体バンプの先端よりも小さいことを特徴とする表面弾性波ディバイス。
【請求項２】
前記封止膜は、前記側壁から繋がって前記圧電基板上に設けられて、前記圧電基板と前記側壁との間を前記封止膜によって覆ったことを特徴とする請求項１記載の表面弾性波ディバイス。
【請求項３】
前記封止膜は、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物、又はシリコン酸窒化物の１つ以上の製膜で形成されることを特徴とする請求項１、又は２記載の表面弾性波ディバイス。
【請求項４】
前記封止膜が多層の膜で形成されたことを特徴とする請求項３記載の表面弾性波ディバイス。
【請求項５】
前記封止膜がスパッタ、又はＣＶＤによって製膜されたことを特徴とする請求項３，又は４記載の表面弾性波ディバイス。
【請求項６】
前記空間形成部材の前記側壁と前記蓋体は、別部材で形成されると共に、同一材料、或いは異なる材料で形成されたことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の表面弾性波ディバイス。
【請求項７】
前記封止膜上には、前記導体バンプを露出した状態で、第１の保護樹脂部が設けられると共に、前記圧電基板からの前記第１の保護樹脂部の高さは、前記導体バンプの先端よりも小さいことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の表面弾性波ディバイス。
【請求項８】
前記圧電基板の他面には、第２の保護樹脂部が設けられたことを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の表面弾性波ディバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電気機器に使用される共振器やフィルタ等に適用して好適な表面弾性波ディバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の表面弾性波ディバイスの図面を説明すると、図３は従来の表面弾性波ディバイスに係る要部断面図であり、次に、従来の表面弾性波ディバイスの構成を図３に基づいて説明すると、圧電基板５１には、ここでは図示しないが、櫛歯部と電極を有する櫛歯電極が設けられると共に、この圧電基板５１には、櫛歯部を囲んだ状態で、振動空間部５２を形成するためのドライフィルムレジストからなる空間形成部材５３が設けられている。
【０００３】
導体バンプ５４が櫛歯電極の電極に設けられると共に、絶縁樹脂からなる保護樹脂部５５は、導体バンプ５４の先端部を露出し、空間形成部材５３を覆った状態で、圧電基板５１の下面に設けられる。
【０００４】
圧電基板５１からの保護樹脂部５５の高さは、導体バンプ５４の先端部よりも大きく、この保護樹脂部５５に埋設され、外部機器のマザー基板に接続される端子５６が導体バンプ５４に接続されて、従来の表面弾性波ディバイスが形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２３２２６０号公報（第４−第５頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の表面弾性波ディバイスは、振動空間部５２を形成するための空間形成部材５３がドライフィルムレジストで形成されているため、湿気が振動空間部５２内に浸入して性能を悪くし、また、保護樹脂部５５によって空間形成部材５３を覆っても、保護樹脂部５５も湿気が浸入するため、性能を改善することができないばかりか、保護樹脂部５５が導体バンプ５４の先端部を越えた状態になっているため、厚み方向に大きくなって、薄型化が図れないという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、湿気の浸入を防止して、性能の良好なものが得られると共に、薄型の表面弾性波ディバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の解決手段として、一面側に櫛歯電極を設けた圧電基板と、振動空間部を形成するために前記圧電基板に設けられた空間形成部材とを備え、前記櫛歯電極は、櫛歯部と、この櫛歯部に接続された電極を有すると共に、前記電極には、導体バンプが接続され、前記空間形成部材は、前記櫛歯部を囲んだ状態で前記圧電基板に付着され、前記櫛歯部の厚みより厚い環状の側壁と、この側壁の開口部を塞ぐ蓋体を有し、前記空間形成部材の外周面には、前記振動空間部への湿気浸入防止用の封止膜が設けられると共に、前記圧電基板からの前記封止膜の高さは、前記導体バンプの先端よりも小さい構成とした。
【０００８】
また、第２の解決手段として、前記封止膜は、前記側壁から繋がって前記圧電基板上に設けられて、前記圧電基板と前記側壁との間を前記封止膜によって覆った構成とした。
【０００９】
また、第３の解決手段として、前記封止膜は、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物、又はシリコン酸窒化物の１つ以上の製膜で形成される構成とした。
【００１０】
また、第４の解決手段として、前記封止膜が多層の膜で形成された構成とした。
【００１１】
また、第５の解決手段として、前記封止膜がスパッタ、又はＣＶＤによって製膜された構成とした。
【００１２】
また、第６の解決手段として、前記空間形成部材の前記側壁と前記蓋体は、別部材で形成されると共に、同一材料、或いは異なる材料で形成された構成とした。
【００１３】
また、第７の解決手段として、前記封止膜上には、前記導体バンプを露出した状態で、第１の保護樹脂部が設けられると共に、前記圧電基板からの前記第１の保護樹脂部の高さは、前記導体バンプの先端よりも小さい構成とした。
【００１４】
また、第８の解決手段として、前記圧電基板の他面には、第２の保護樹脂部が設けられた構成とした。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の表面弾性波ディバイスにおいて、櫛歯部を囲んだ状態で振動空間部を形成するための空間形成部材の外周面には、振動空間部への湿気浸入防止用の封止膜が設けられため、振動空間部内（櫛歯部側）への水分や気体の浸入防止を確実にできて、性能の良好なものが得られると共に、封止膜によって、振動空間部の密封度を向上することができ、また、圧電基板からの封止膜の高さは、導体バンプの先端よりも小さいため、厚みが薄く、薄型化が図れる。
【００１６】
また、封止膜は、側壁から繋がって圧電基板上に設けられて、圧電基板と側壁との間を封止膜によって覆ったため、圧電基板と側壁の境目にも封止膜が存在して、振動空間部内への水分や気体の浸入防止と密封を一層確実にできる。
【００１７】
また、封止膜は、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物、又はシリコン酸窒化物の１つ以上の製膜で形成されたため、耐湿に優れた封止膜を形成できる。
【００１８】
また、封止膜が多層の膜で形成されたため、水分や気体の浸入防止と密封のより確実なものが得られる。
【００１９】
また、封止膜がスパッタ、又はＣＶＤによって製膜されたため、封止膜は、密着性が良く、薄く精度の良いものが得られる。
【００２０】
また、空間形成部材の側壁と蓋体は、別部材で形成されたため、空間形成部
部材の形成が容易となると共に、同一材料、或いは異なる材料で形成されたため、適宜の材料が選択できて、自由度のあるものが得られる。
【００２１】
また、封止膜上には、導体バンプを露出した状態で、第１の保護樹脂部が設けられたため、外力からの空間形成部材の保護が図れると共に、圧電基板からの第１の保護樹脂部の高さは、導体バンプの先端よりも小さいため、厚みが薄く、薄型化が図れる。
【００２２】
また、圧電基板の他面には、第２の保護樹脂部が設けられたため、外力からの圧電基板の保護が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明の表面弾性波ディバイスの第１実施例に係る要部断面図、図２は本発明の表面弾性波ディバイスの第２実施例に係る要部断面図であり、次に、本発明の表面弾性波ディバイスの第１実施例に係る構成を図１に基づいて説明すると、四角形の圧電基板１の一面（下面）には、櫛歯電極２が設けられ、この櫛歯電極２は、櫛歯部２ａと、この櫛歯部２ａに繋がった電極２ｂを有すると共に、電極２ｂには、半田等で形成された導体バンプ３が設けられている。
【００２４】
箱形の空間形成部材４は、圧電基板１の下面に付着（接着）された環状の側壁４ａと、この側壁４ａの開口部を塞ぐ蓋体４ｂとで形成され、この空間形成部材４の側壁４ａは、櫛歯部２ａの厚みより厚く形成され、櫛歯部２ａを囲んで配置されており、空間形成部材４が圧電基板１に設けられることによって、密封された振動空間部５が形成されると共に、空間形成部材４は、導体バンプ３間内に配置されたものとなっている。
【００２５】
また、空間形成部材４の側壁４ａと蓋体４ｂは、この実施例では別部材によって形成されており、側壁４ａは、例えば、酸化シリコン等の無機絶縁材や、エポキシ、ポリイミド、アクリル等の紫外線硬化性樹脂からなる絶縁材が使用され、また、蓋体４ｂは、例えば、エポキシ、ポリイミド、アクリル等の紫外線硬化性樹脂からなる絶縁材や、ガラス等の無機材料が使用され、これ等の材料は、適宜に選択して使用可能である。
【００２６】
なお、側壁４ａと蓋体４ｂは、この実施例では別部材によって形成されたもので説明したが、側壁４ａと蓋体４ｂが一体化されて１部品になったものでも良い。
【００２７】
振動空間部５への湿気浸入防止用の封止膜６は、空間形成部材４の全外周面と、この空間形成部材４から圧電基板１の下面に跨って形成されおり、封止膜６が空間形成部材４の全外周面に設けられることによって、空間形成部材４側からの振動空間部５への湿気や気体の浸入を防止し、また、封止膜６が空間形成部材４から圧電基板１の下面に跨って設けられることによって、圧電基板１と側壁４ａの境目からの振動空間部５への湿気や気体の浸入を防止するものである。
【００２８】
また、封止膜６は、電極２ｂへの導体バンプ３の接続箇所を除く圧電基板１の下面に設けられると共に、この封止膜６は、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物、又はシリコン酸窒化物の１つの膜、或いは同種や異種からなる多層の膜で形成され、そして、封止膜６は、スパッタ、或いはＣＶＤ（気相蒸着）によって製膜される。
【００２９】
絶縁材からなる第１の保護樹脂部７は、導体バンプ３の先端部を露出した状態で、封止膜６を覆うように圧電基板１の下面設けられると共に、圧電基板１からの第１の保護樹脂部７の高さは、導体バンプ３の先端よりも小さく形成されており、この第１の保護樹脂部７は、例えば、エポキシ、ポリイミド、シリコーン等の熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂で形成されている。
【００３０】
また、絶縁材からなる第２の保護樹脂部８は、圧電基板１の他面（上面）を覆うように設けられており、この第２の保護樹脂部８は、例えば、エポキシ、ポリイミド、シリコーン等の熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂で形成されて、本発明の表面弾性波ディバイスが形成されている。
【００３１】
このような構成を有する本発明の表面弾性波ディバイスは、ここでは図示しないが、導体バンプ３が外部機器のマザー基板の配線パターン上に載置されて、配線パターンに接続されるようになっている。
【００３２】
また、図２は本発明の表面弾性波ディバイスの第２実施例を示し、この第２実施例について説明すると、導電材からなる引出端子９が電極２ｂに接続された状態で、絶縁膜である封止膜６上に引き出され、導体バンプ３が電極２ｂから離れた位置の引出端子９に接続されて、マザー基板の配線パターンに対応できるようにしたものであり、その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の表面弾性波ディバイスの第１実施例に係る要部断面図である。
【図２】本発明の表面弾性波ディバイスの第２実施例に係る要部断面図である。
【図３】従来の表面弾性波ディバイスに係る要部断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  圧電基板
２  櫛歯電極
２ａ  櫛歯部
２ｂ  電極
３  導体バンプ
４  空間形成部材
４ａ  側壁
４ｂ  蓋体
５  振動空間部
６  封止膜
７  第１の保護樹脂部
８  第２の保護樹脂部
９  引出端子
【図１】
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【図２】
2007019943.tif 000004
【図３】
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