(57)【要約】【課題】薄い半導体チップの製造に好適な製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップの製造方法は、準備工程、分割工程及び分離工程を含む。準備工程では、半導体デバイス１２ａが形成された薄化基板１２’にテープ１００を接着する。テープ１００は、第１ベース部材１８、第１接着層１７と、第２ベース部材１６と、第２接着層１５を備える。分割工程では、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６に溝１９を形成する。これにより、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６がそれぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。分離工程では、第１接着層１７の接着力を低下させて半導体チップ１２ｃを第１ベース部材１８から分離する。この際に、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態で第１ベース部材１８から分離される。【選択図】図４
2007019113.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ベース部材と、
前記第１ベース部材上に配置された第１接着層と、
前記第１接着層上に配置された第２ベース部材と、
前記第２ベース部材上に配置された第２接着層と、
を備え、
前記第１ベース部材の可塑性が前記第２ベース部材の可塑性よりも大きいことを特徴とするテープ。
【請求項２】
前記第１接着層の接着力と前記第２接着層の接着力とを独立して制御可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載のテープ。
【請求項３】
前記第２ベース部材及び前記第２接着層が溝によって複数の領域に分割されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のテープ。
【請求項４】
半導体チップの製造方法であって、
第１ベース部材と、前記第１ベース部材上に配置された第１接着層と、前記第１接着層上に配置された第２ベース部材と、前記第２ベース部材上に配置された第２接着層とを備えるテープの前記第２接着層と半導体デバイスが形成された薄化基板とが接着された構造を準備する準備工程と、
前記薄化基板、前記第２接着層及び前記第２ベース部材に溝を形成して前記薄化基板、前記第２接着層及び前記第２ベース部材をそれぞれ複数の半導体チップ、複数のチップ接着層及び複数のチップベース部材に分割する分割工程と、
前記第１接着層及び前記第２接着層のうち前記第１接着層の接着力を低下させて、前記半導体チップが前記チップ接着層を介して前記チップベース部材によって支持された状態で前記半導体チップを前記第１ベース部材から分離する分離工程と、
を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項５】
前記チップ接着層の接着力を低下させて前記半導体チップから前記チップベース部材を分離する第２分離工程を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記準備工程は、
半導体デバイスが第１面に形成された基板の前記第１面を支持体によって支持して前記基板を前記基板の第２面側から薄化して前記薄化基板を作成する工程と、
前記薄化基板に前記テープを接着する工程と、
を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
前記準備工程は、
半導体デバイスが形成されたデバイス層と、前記デバイス層の下に配置された分離層とを有する基板を作製する工程と、
前記デバイス層に前記テープの前記第２接着層を接着する工程と、
前記分離層を利用して前記基板から前記デバイス層を前記薄化基板として分離する工程と、
を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項８】
半導体チップの製造方法であって、
第１ベース部材と、前記第１ベース部材上に配置された第１接着層と、前記第１接着層上に配置された第２ベース部材と、前記第２ベース部材上に配置された第２接着層とを備え、前記第２ベース部材が複数のチップベース部材に分割され、前記第２接着層が複数のチップ接着層に分割されたテープの前記第２接着層と半導体デバイスが形成された薄化基板とが接着された構造を準備する準備工程と、
前記薄化基板に溝を形成して、前記薄化基板を各々前記チップ接着層を介して前記チップベース部材によって支持された複数の半導体チップに分割する分割工程と、
前記第１接着層及び前記第２接着層のうち前記第１接着層の接着力を低下させて、前記半導体チップが前記チップ接着層を介して前記チップベース部材によって支持された状態で前記半導体チップを前記第１ベース部材から分離する分離工程と、
を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項９】
前記チップ接着層の接着力を低下させて前記半導体チップから前記チップベース部材を分離する第２分離工程を更に含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１０】
前記準備工程は、
半導体デバイスが第１面に形成された基板の前記第１面を支持体によって支持して前記基板を前記基板の第２面側から薄化して前記薄化基板を作成する工程と、
前記薄化基板に前記テープを接着する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１１】
前記準備工程は、
半導体デバイスが形成されたデバイス層と、前記デバイス層の下に配置された分離層とを有する基板を作製する工程と、
前記デバイス層に前記テープの前記第２接着層を接着する工程と、
前記分離層を利用して前記基板から前記デバイス層を前記薄化基板として分離する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの製造方法及びそれに好適なテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デバイス層の薄化技術は、ＩＣカード等への応用において期待されている。薄化技術としては、集積回路をシリコン基板上に作製した後、グラインダーを用いてシリコン基板をその裏面側から研削して薄化する技術が知られている。
【０００３】
図１を参照しながらデバイス層の薄化及びダイシングに関する背景技術を説明する。まず、図１（ａ）に示すように、半導体デバイス２が形成されたウェーハ３の表面に保護テープ４を貼り付けて、ウェーハ３の裏面をグラインダー１によって研磨して、図１（ｂ）に示すように、ウェーハ３を薄化する。
【０００４】
次に、図１（ｃ）に示すように、ダイシングテープ５上に薄化されたウェーハ３’を移設し、保護テープ４を剥離する。次に、図１（ｄ）に示すように、ダイサーによってウェーハ３’に溝６を形成してウェーハ３’を複数の半導体チップ３ａに分割する。
【０００５】
次いで、図１（ｅ）に示すように、ダイシングテープ５に引張力７を加えて引き伸ばして、半導体チップ３ａの間隔を広げる。この状態で、図１（ｆ）に示すように、ダイシングテープ５の裏側にニードル９を突き当てて、ダイシングテープ７から半導体チップ３ａを剥離した後に真空チャック８等によりピックアップする。
【非特許文献１】電子材料２００５年１月号、ｐ．８３、大山康彦、江南俊夫
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１を参照して説明した技術では、ダイシングテープ５を引き伸ばした際に薄い半導体チップ３ａに引張応力が作用するために、半導体チップ３ａが割れや欠けなどの損傷を受けることがある。また、同技術では、ニードル９を突き上げて半導体チップ３ａをピックアップする際に半導体チップ３ａに撓みが生じて半導体チップ３ａが損傷を受けることがある。更に、同技術では、真空チャック８等による半導体チップ３ａの搬送時に、薄くて脆弱な半導体チップ３ａが破損する可能性がある。このような問題は、半導体デバイス層の厚さが５０ミクロン又はそれ未満になるとより顕著になる。
【０００７】
本発明は、上記の課題認識を基礎としてなされたものであり、例えば、薄い半導体チップの製造に好適な製造方法及びテープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の側面に係るテープは、第１ベース部材と、前記第１ベース部材上に配置された第１接着層と、前記第１接着層上に配置された第２ベース部材と、前記第２ベース部材上に配置された第２接着層とを備える。ここで、前記第１ベース部材の可塑性は、前記第２ベース部材の可塑性よりも大きい。
【０００９】
本発明の好適な実施形態によれば、例えば、前記テープは、前記第１接着層の接着力と前記第２接着層の接着力とを独立して制御可能に構成されていることが好ましい。
【００１０】
本発明の好適な実施形態によれば、前記第２ベース部材及び前記第２接着層が溝によって複数の領域に分割されていることが好ましい。
【００１１】
本発明の第２の側面に係る半導体チップの製造方法は、準備工程、分割工程及び分離工程を含む。前記準備工程では、半導体デバイスが形成された薄化基板にテープを接着する。ここで、前記テープは、第１ベース部材と、前記第１ベース部材上に配置された第１接着層と、前記第１接着層上に配置された第２ベース部材と、前記第２ベース部材上に配置された第２接着層とを備える。また、前記薄化基板には、前記テープの前記第２接着層が接着される。前記分割工程では、前記薄化基板、前記第２接着層及び前記第２ベース部材に溝を形成する。これにより、前記薄化基板、前記第２接着層及び前記第２ベース部材がそれぞれ複数の半導体チップ、複数のチップ接着層及び複数のチップベース部材に分割される。前記分離工程では、前記第１接着層及び前記第２接着層のうち前記第１接着層の接着力を低下させて前記半導体チップを前記第１ベース部材から分離する。この際に、前記半導体チップが前記チップ接着層を介して前記チップベース部材によって支持された状態で前記半導体チップが前記第１ベース部材から分離される。
【００１２】
本発明の第３の側面に係る半導体チップの製造方法は、準備工程、分割工程及び分離工程を含む。ここで、前記準備工程では、半導体デバイスが形成された薄化基板にテープを接着する。前記テープは、第１ベース部材と、前記第１ベース部材上に配置された第１接着層と、前記第１接着層上に配置された第２ベース部材と、前記第２ベース部材上に配置された第２接着層とを備える。また、前記テープは、前記第２ベース部材が複数のチップベース部材に分割され、前記第２接着層が複数のチップ接着層に分割されている。前記薄化基板へのテープの接着は、前記半導体デバイスに前記第２接着層が接着されるようになされる。前記分割工程では、前記薄化基板に溝を形成して、前記薄化基板を各々前記チップ接着層を介して前記チップベース部材によって支持された複数の半導体チップに分割する。前記分離工程では、前記第１接着層及び前記第２接着層のうち前記第１接着層の接着力を低下させて前記半導体チップを前記第１ベース部材から分離する。この際に、前記半導体チップが前記チップ接着層を介して前記チップベース部材によって支持された状態で前記半導体チップが前記第２ベース部材から分離される。
【００１３】
前記第２及び第３の側面において、本発明の好適な実施形態によれば、前記製造方法は、前記チップ接着層の接着力を低下させて前記半導体チップから前記チップベース部材を分離する第２分離工程を更に含むことが好ましい。
【００１４】
本発明の好適な実施形態によれば、前記準備工程は、半導体デバイスが第１面に形成された基板の前記第１面を支持体によって支持して前記基板を前記基板の第２面側から薄化して前記薄化基板を作成する工程と、前記薄化基板に前記テープを接着する工程を含むことが好ましい。
【００１５】
或いは、前記準備工程は、半導体デバイスが形成されたデバイス層と前記デバイス層の下に配置された分離層とを有する基板を作製する工程と、前記デバイス層に前記テープの前記第２接着層を接着する工程と、前記分離層を利用して前記基板から前記デバイス層を前記薄化基板として分離する工程とを含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、例えば、薄い半導体チップの製造に好適な製造方法及びテープが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１８】
［第１実施形態］
この実施形態は、半導体デバイスが形成された薄化基板のダイシングに好適なテープに関する。
【００１９】
図２は、本発明の第１の実施形態のテープを模式的に示す断面図である。図２に示すテープ１００は、半導体デバイスが形成された薄化基板のダイシングに好適であり、ダイシングテープと呼ぶこともできる。テープ１００は、第１ベース部材１８と、第１ベース部材１８上に配置された第１接着層１７と、第１接着層１７上に配置された第２ベース部材１６と、第２ベース部材１６上に配置された第２接着層１５とを備える。テープ１００は、ベース部材と接着層とからなる積層構造を更に多く含むこともできる。第１ベース部材１８の可塑性は、第２ベース部材１６の可塑性よりも大きく、第２ベース部材１６よりも柔軟性を有する。
【００２０】
テープ１００は、第１接着層１７の接着力と第２接着層１５の接着力とを独立して制御可能に構成されうる。接着力は、例えば、接着層に紫外光を照射すること、又は、熱を印加することによって制御することができる。紫外光を受けると接着力が低下する接着剤としては、例えば、紫外光架橋型アクリル系ポリマーと紫外光感応型ガス発生物質とを含む紫外光剥離接着剤が知られている（特開２００５−１２３４０３号公報）。熱が印加されると接着力が低下する接着剤としては、例えば、ポリマー中に発泡剤を配合した熱剥離接着剤が知られている（特開平０８−００１８５９号公報）。
【００２１】
例えば、第１接着層１７は、紫外光の照射を受けることによって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成され、かつ、第２接着層１５は、熱が印加されることによって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成されうる。この場合、テープ１００に紫外光を照射することによって第１接着層１７及び第２接着層１５のうち第１接着層１７の接着力を選択的に低下させることができる。また、テープ１００に熱を印加することによって第１接着層１７及び第２接着層１５のうち第２接着層１５の接着力を選択的に低下させることができる。典型的には、まず、テープ１００に紫外光を照射することによって第１接着層１７の接着力を低下させて、第１ベース部材１８から第２ベース部材１６を分離する。次いで、第２接着層１５に熱を印加することによって第２接着層１５の接着力を低下させて、第２ベース部材１６とそれに第２接着層１５を介して接着されている部材とを分離する。
【００２２】
或いは、第１接着層１７は、第１温度（Ｔ１）で接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成され、かつ、第２接着層１５は、第２温度よりも高い第２温度（Ｔ２）で接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成されうる。この場合、まず、テープ１００を第１温度（Ｔ１）以上第２温度（Ｔ２）未満の温度に加熱することによって第１接着層１７の接着力を低下させて、第１ベース部材１８から第２ベース部材１６を分離する。次いで、第２接着層１５を第２温度（Ｔ２）以上の温度に加熱することによって第２接着層１５の接着力を低下させて、第２ベース部材１６とそれに第２接着層１５を介して接着されている部材とを分離する。
【００２３】
或いは、第２ベース部材１６は、紫外光の透過率が小さい部材として構成され、第１接着層１７及び第２接着層１５は、ともに紫外光の照射を受けることによって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成されうる。この場合、第１ベース部材１８を通して第１接着層１７に紫外光を照射することによって第１接着層１７及び第２接着層１５のうち第１接着層１７の接着力を選択的に低下させることができる。また、第２接着層１５に対して第２ベース部材１６の反対側から紫外光を照射することによって第１接着層１７及び第２接着層１５のうち第２接着層１５の接着力を選択的に低下させることができる。典型的には、まず、第１ベース部材１８を通して第１接着層１７に紫外光を照射することによって第１接着層１７の接着力を低下させて、第１ベース部材１８から第２ベース部材１６を分離する。次いで、第２接着層１５に紫外光を照射することによって第２接着層１５の接着力を低下させて、第２ベース部材１６とそれに第２接着層１５を介して接着されている部材とを分離する。第２ベース部材１６としては、例えば、ポリエステル等の樹脂にＴｉＯ２又はＺｎＯの微粒子を塗布して得られる部材が好適である。
【００２４】
或いは、第１接着層１７は、熱が印加されることによって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成されかつ、第２接着層１５は、紫外光の照射を受けることによって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成されうる。この場合、テープ１００に熱を印加することによって第１接着層１７及び第２接着層１５のうち第１接着層１７の接着力を選択的に低下させることができる。また、テープ１００に紫外光を照射することによって第１接着層１７及び第２接着層１５のうち第２接着層１５の接着力を選択的に低下させることができる。典型的には、まず、テープ１００に熱を印加することによって第１接着層１７の接着力を低下させて、第１ベース部材１８から第２ベース部材１６を分離する。次いで、第２接着層１５に紫外光を照射することによって第２接着層１５の接着力を低下させて、第２ベース部材１６とそれに第２接着層１５を介して接着されている部材とを分離する。
【００２５】
［第２実施形態］
この実施形態は、第１実施形態の改良例に関する。ここで、特に言及しない事項は、第１実施形態に従い得る。
【００２６】
図３は、本発明の第２実施形態のテープを模式的に示す断面図である。図３に示すテープ１００’は、半導体デバイスが形成された薄化基板のダイシングに好適であり、ダイシングテープと呼ぶこともできる。テープ１００’は、第１ベース部材１８と、第１ベース部材１８上に配置された第１接着層１７と、第１接着層１７上に配置された第２ベース部材１６と、第２ベース部材１６上に配置された第２接着層１５とを備える。テープ１００は、ベース部材と接着層とからなる積層構造を更に多く含むこともできる。第１ベース部材１８の可塑性は、第２ベース部材１６の可塑性よりも大きく、第２ベース部材１６よりも柔軟性を有する。
【００２７】
この実施形態のテープ１００’は、第２ベース部材１６及び第２接着層１５がプレカット溝３９によって複数の領域に分割されている。第２ベース部材１６は、溝３９によって複数のチップベース部材１６ａに分割されている。第２接着層１５は、溝３９によって複数のチップ接着層１５ａに分割されている。チップベース部材１６ａとそれに重なっているチップ接着層１５ａとは、ほぼ同一の形状を有する。また、チップベース部材１６ａとそれに重なっているチップ接着層１５ａとは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａに接着される半導体チップとほぼ同一の形状を有する。
【００２８】
[第３実施形態]
この実施形態は、第１実施形態のテープを利用した半導体チップの製造方法に関する。以下では、特に言及しないが、テープ１００は、第１接着層１７の接着力と第２接着層１５の接着力とを独立して制御可能に構成されているものとする。
【００２９】
図４は、本発明の第３実施形態の半導体チップの製造方法を模式的に示す図である。まず、図４（ａ）に示すように、半導体デバイス１２ａが第１面１２−１に形成された基板１２の第１面１２−１を保護層１３を介してステージ（支持体）１４によって支持する。この状態で、グラインダー１１によって基板１２の第２面１２−２から研磨して薄化し、図４（ｂ）に示すように、薄化基板（薄化された基板）１２’を得る。
【００３０】
次いで、図４（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を薄化基板１２’の被研磨面（第２面）に接着する。
【００３１】
次いで、必要に応じて薄化基板１２’から保護膜１３を剥離し、図４（ｄ）に示すように、ダイサーによって、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６にダイシング溝１９を形成する。これによって、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６は、それぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。
【００３２】
次いで、図４（ｄ）に示すように、第１ベース部材１８に対して引張力２０を加えて第１ベース部材１８を引き伸ばし、半導体チップ１２ｃ間の間隔を広げる。この状態で、図４（ｅ）に示すように、第１接着層１７に第１ベース部材１８を介して紫外光２１を照射するか、第１接着層１７に熱２１を印加する。これにより、第１接着層１７による第１ベース部材１８と第２ベース部材１６（チップベース部材１６ａ）との接着力が低下して、チップベース部材１６ａが第１接着層１７から容易に剥離可能になる。
【００３３】
次いで、図４（ｅ）に示すように、第１ベース部材１８の裏側にニードル２２を突き当てて、不図示の操作機構によって半導体チップ１２ｃをピックアップする。この際、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態でピックアップ（すなわち、第１接着層１７から分離）される。
【００３４】
次いで、図４（ｆ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ１２ｃを真空チャック２３等の操作機構によって半導体デバイス１２ａの形成面が下になるように、支持基板２４上に設置する。
【００３５】
次いで、チップ接着層１５ａ（第２接着層１５）に紫外光を照射又は熱を印加することにより、その接着力を低下させて、半導体チップ１２ｃからチップベース部材１６ａを分離する。
【００３６】
この実施形態によれば、半導体チップ１２ｃがチップベース部材１６ａによって支持された状態で第１ベース部材１８から分離され操作されるので、半導体チップ１２ｃの破損が防止される。
【００３７】
以下、本発明の第３実施形態を更に具体化した実施例を説明する。
【００３８】
［第１実施例］
第１実施例では、第１接着層１７は、紫外光によって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成され、第２接着層１５は、熱によって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成される。
【００３９】
以下、図４を参照しながら第１実施例の半導体チップの製造方法を説明する。まず、図４（ａ）に示すように、半導体デバイス１２ａが第１面１２−１に形成された基板１２の第１面１２−１を保護層１３を介してステージ（支持体）１４によって支持する。この状態で、グラインダー１１によって基板１２の第２面１２−２から研磨して薄化し、図４（ｂ）に示すように、薄化基板（薄化された基板）１２’を得る。
【００４０】
ここで、半導体デバイス１２ａは、例えば、ＣＭＯＳ、バイポーラトランジスタ、ダイオード、キャパシタ、ＤＲＡＭ等の半導体集積回路、マイクロプロセッサー、及び／又は、ロジックＩＣ等を含みうる。ただし、半導体デバイス１２ａの種類に制限はない。
【００４１】
保護層１３は、半導体デバイス１２ａ或いはそれが形成された面を保護する。保護層１３は、薄化後に容易に基板１２’から剥離可能であることが好ましく、例えば、紫外光を受けて接着強度が低下する接着剤等で構成されることが好ましい。
【００４２】
次いで、図４（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を薄化基板１２’の被研磨面（第２面）に接着する。テープ１００は、第１ベース部材１８、第１接着層１７、第２ベース部材１６及び第２接着層１５で構成される積層構造を有する。ここで、第１実施例において、第１ベース部材１８は、例えば、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１接着層１７は、紫外光を受けることによって接着力が低下する材料で形成される。第２ベース部材１６は、例えば、ポリエステル等で構成される。第２ベース部材１６は、半導体チップ１２ｃの操作時に半導体チップ１２ｃの損傷を防止するために、高い剛性を有することが好ましく、例えば、５０μｍ以上の厚さを有することが好ましい。第２接着層１５は、熱によって接着力が低下する材料で形成される。
【００４３】
次いで、図４（ｄ）に示すように、薄化基板１２’から保護膜１３を剥離する。その後、図４（ｄ）に示すように、ダイサーによって、深さが約３〜５μｍ、幅が約１００μｍの溝１９を形成する。これによって、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６は、それぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。
【００４４】
溝１９は、通常のダイシング方法にしたがって形成することができ、例えば、ブレード、化学エッチング、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー、エキシマーレーザー等によって行われる。
【００４５】
次いで、図４（ｄ）に示すように、第１ベース部材１８に対して引張力２０を加えて第１ベース部材１８を引き伸ばし、半導体チップ１２ｃ間の間隔を広げる。これによって、後の工程におけるニードル２２による突き当て時に、隣接する半導体チップ１３ｃ同士の接触による半導体チップ１２ｃの破損（例えば、クラック、欠け）を防止することができる。
【００４６】
次いで、図４（ｅ）に示すように、第１接着層１７に第１ベース部材１８を介して紫外光２１を照射する。これにより、第１接着層１７による第１ベース部材１８と第２ベース部材１６（チップベース部材１６ａ）との接着力が低下して、チップベース部材１６ａが第１接着層１７から容易に剥離可能になる。ここで、例えば、スポットＵＶ装置等を使って第１接着層１７に対して局所的に紫外光を照射することによって、ピックアップ対象の半導体チップ１２ｃの部分についてのみ第１接着層１７の接着力を弱めることができる。
【００４７】
次いで、図４（ｅ）に示すように、第１ベース部材１８の裏側にニードル２２を突き当てて、不図示の操作機構によって半導体チップ１２ｃをピックアップする。この際、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態でピックアップ（すなわち、第１接着層１７から分離）される。
【００４８】
次いで、図４（ｆ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ１２ｃを真空チャック２３等の操作機構によって半導体デバイス１２ａの形成面が下になるように、支持基板２４上に設置する。次いで、チップ接着層１５ａ（第２接着層１５）に熱を印加することにより、その接着力を低下させて、図４（ｇ）に示すように、半導体チップ１２ｃからチップベース部材１６ａを分離する。ここで、例えば、真空チャック２３にヒータを設け、このヒータによってチップ接着層１５ａに対して熱を印加することができる。
【００４９】
［第２実施例］
第２実施例では、第１接着層１７は、第１温度で接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成され、第２接着層１５は、第２温度よりも高い第２温度で接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成されうる。
【００５０】
基板１２の薄化までの工程（図４（ａ）、（ｂ））は第１実施例と同様である。
【００５１】
基板の薄化後、図４（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を薄化基板１２’の被研磨面（第２面）に接着する。テープ１００は、第１ベース部材１８、第１接着層１７、第２ベース部材１６及び第２接着層１５で構成される積層構造を有する。ここで、第２実施例において、第１ベース部材１８は、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１接着層１７は、温度（Ｔ１）の熱で接着力が低下する材料で形成される。第２ベース部材１６は、ポリエステル等で構成される。第２ベース部材１６は、半導体チップ１２ｃの操作時に半導体チップ１２ｃの損傷を防止するために、高い剛性を有することが好ましく、例えば、５０μｍ以上の厚さを有することが好ましい。第２接着層１５は、温度（Ｔ２）の熱で接着力が低下する材料で形成される。ここで、Ｔ１＜Ｔ２である。
【００５２】
次いで、図４（ｄ）に示すように、薄化基板１２’から保護膜１３を剥離する。その後、図４（ｄ）に示すように、ダイサーによって、深さが約３〜５μｍ、幅が約１００μｍの溝１９を形成する。これによって、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６は、それぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。
【００５３】
溝１９は、通常のダイシング方法にしたがって形成することができ、例えば、ブレード、化学エッチング、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー、エキシマーレーザー等によって行われる。
【００５４】
次いで、図４（ｄ）に示すように、第１ベース部材１８に対して引張力２０を加えて第１ベース部材１８を引き伸ばし、半導体チップ１２ｃ間の間隔を広げる。これによって、後の工程におけるニードル２２による突き当て時に、隣接する半導体チップ１３ｃ同士の接触による半導体チップ１２ｃの破損（例えば、クラック、欠け）を防止することができる。
【００５５】
次いで、図４（ｅ）に示すように、テープ１００に温度（Ｔ１）の熱を印加する。これにより、第１接着層１７による第１ベース部材１８と第２ベース部材１６（チップベース部材１６ａ）との接着力が低下して、チップベース部材１６ａが第１接着層１７から容易に剥離可能になる。ここで、テープ１００への熱の印加は、例えば、半導体チップ１２ｃをピックアップするための操作機構にヒータを搭載し、このヒータによって行うことができる。このようなヒータを使うことによって、ピックアップ対象の半導体チップ１２ｃの部分についてのみ第１接着層１７の接着力を弱めることができる。
【００５６】
次いで、図４（ｅ）に示すように、第１ベース部材１８の裏側にニードル２２を突き当てて、不図示の操作機構によって半導体チップ１２ｃをピックアップする。この際、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態でピックアップ（すなわち、第１接着層１７から分離）される。
【００５７】
次いで、図４（ｆ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ１２ｃを真空チャック２３等の操作機構によって半導体デバイス１２ａの形成面が下になるように支持基板２４上に設置する。次いで、チップ接着層１５ａ（第２接着層１５）に温度（Ｔ２）の熱を印加することにより、その接着力を低下させて、図４（ｇ）に示すように、半導体チップ１２ｃからチップベース部材１６ａを分離する。ここで、例えば、真空チャック２３にヒータを設け、このヒータによってチップ接着層１５ａに対して熱を印加することができる。
【００５８】
Ｔ１＜Ｔ２とすることによって、温度（Ｔ１）の熱の印加の際に、第２ベース部材１６が半導体チップ１２ｃから剥離することを防ぎ、第１ベース部材１８のみを選択的に剥離することができる。
【００５９】
［第３実施例］
第３実施例では、第２ベース部材１６は、紫外光の透過率が小さい部材として構成され、第１接着層１７及び第２接着層１５は、ともに紫外光によって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成される。
【００６０】
基板１２の薄化までの工程（図４（ａ）、（ｂ））は第１実施例と同様である。
【００６１】
基板の薄化後、図４（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を薄化基板１２’の被研磨面（第２面）に接着する。テープ１００は、第１ベース部材１８、第１接着層１７、第２ベース部材１６及び第２接着層１５で構成される積層構造を有する。ここで、第３実施例において、第１ベース部材１８層は、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１ベース部材１８は、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１接着層１７及び第２接着層１５は、紫外光を受けることによって接着力が低下する材料で形成される。第２ベース部材１６は、例えば、ポリエステル等で構成される。第２ベース部材１６は、半導体チップ１２ｃの操作時に半導体チップ１２ｃの損傷を防止するために、高い剛性を有することが好ましく、例えば、５０μｍ以上の厚さを有することが好ましい。また、第２ベース部材１６は、ポリエステル等の樹脂にＴｉＯ２又はＺｎＯの微粒子を塗布することによって紫外光の透過率が十分に下げられている。
【００６２】
次いで、図４（ｄ）に示すように、薄化基板１２’から保護膜１３を剥離する。その後、図４（ｄ）に示すように、ダイサーによって、深さが約３〜５μｍ、幅が約１００μｍの溝１９を形成する。これによって、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６は、それぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。
【００６３】
溝１９は、通常のダイシング方法にしたがって形成することができ、例えば、ブレード、化学エッチング、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー、エキシマーレーザー等によって行われる。
【００６４】
次いで、図４（ｄ）に示すように、第１ベース部材１８に対して引張力２０を加えて第１ベース部材１８を引き伸ばし、半導体チップ１２ｃ間の間隔を広げる。これによって、後の工程におけるニードル２２による突き当て時に、隣接する半導体チップ１３ｃ同士の接触による半導体チップ１２ｃの破損（例えば、クラック、欠け）を防止することができる。
【００６５】
次いで、図４（ｅ）に示すように、第１接着層１７に第１ベース部材１８を介して紫外光２１を照射する。これにより、第１接着層１７による第１ベース部材１８と第２ベース部材１６（チップベース部材１６ａ）との接着力が低下して、チップベース部材１６ａが第１接着層１７から容易に剥離可能になる。ここで、例えば、スポットＵＶ装置等を使って第１接着層１７に対して局所的に紫外光を照射することによって、ピックアップ対象の半導体チップ１２ｃの部分についてのみ第１接着層１７の接着力を弱めることができる。
【００６６】
次いで、図４（ｅ）に示すように、第１ベース部材１８の裏側にニードル２２を突き当てて、不図示の操作機構によって半導体チップ１２ｃをピックアップする。この際、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態でピックアップ（すなわち、第１接着層１７から分離）される。
【００６７】
次いで、図４（ｆ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ１２ｃを真空チャック２３等の操作機構によって半導体デバイス１２ａの形成面が下になるように支持基板２４上に設置する。次いで、チップ接着層１５ａ（第２接着層１５）に紫外光を照射することによってチップ接着層１５ａの接着力を低下させ、図４（ｇ）に示すように、半導体チップ１２ｃからチップベース部材１６ａを分離する。
【００６８】
［第４実施例］
第４実施例では、第１接着層１７は、熱によって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成され、第２接着層１５は、紫外光によって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成される。
【００６９】
基板１２の薄化までの工程（図４（ａ）、（ｂ））は第１実施例と同様である。
【００７０】
基板の薄化後、図４（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を薄化基板１２’の被研磨面（第２面）に接着する。テープ１００は、第１ベース部材１８、第１接着層１７、第２ベース部材１６及び第２接着層１５で構成される積層構造を有する。ここで、第４実施例において、第１ベース部材１８は、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１ベース部材１８は、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１接着層１７は、熱で接着力が低下する材料で形成される。第２ベース部材１６は、ポリエステル等で構成される。第２ベース部材１６は、半導体チップ１２ｃの操作時に半導体チップ１２ｃの損傷を防止するために、高い剛性を有することが好ましく、例えば、５０μｍ以上の厚さを有することが好ましい。紫外光を受けることによって接着力が低下する材料で形成される。
【００７１】
次いで、図４（ｄ）に示すように、薄化基板１２’から保護膜１３を剥離する。その後、図４（ｄ）に示すように、ダイサーによって、深さが約３〜５μｍ、幅が約１００μｍの溝１９を形成する。これによって、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６は、それぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。
【００７２】
溝１９は、通常のダイシング方法にしたがって形成することができ、例えば、ブレード、化学エッチング、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー、エキシマーレーザー等によって行われる。
【００７３】
次いで、図４（ｄ）に示すように、第１ベース部材１８に対して引張力２０を加えて第１ベース部材１８を引き伸ばし、半導体チップ１２ｃ間の間隔を広げる。これによって、後の工程におけるニードル２２による突き当て時に、隣接する半導体チップ１３ｃ同士の接触による半導体チップ１２ｃの破損（例えば、クラック、欠け）を防止することができる。
【００７４】
次いで、図４（ｅ）に示すように、テープ１００に熱を印加する。これにより、第１接着層１７による第１ベース部材１８と第２ベース部材１６（チップベース部材１６ａ）との接着力が低下して、チップベース部材１６ａが第１接着層１７から容易に剥離可能になる。ここで、テープ１００への熱の印加は、例えば、半導体チップ１２ｃをピックアップするための操作機構にヒータを搭載し、このヒータによって行うことができる。このようなヒータを使うことによって、ピックアップ対象の半導体チップ１２ｃの部分についてのみ第１接着層１７の接着力を弱めることができる。
【００７５】
次いで、図４（ｅ）に示すように、第１ベース部材１８の裏側にニードル２２を突き当てて、不図示の操作機構によって半導体チップ１２ｃをピックアップする。この際、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態でピックアップ（すなわち、第１接着層１７から分離）される。
【００７６】
次いで、図４（ｆ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ１２ｃを真空チャック２３等の操作機構によって半導体デバイス１２ａの形成面が下になるように支持基板２４上に設置する。次いで、チップ接着層１５ａ（第２接着層１５）に紫外光を照射することによってチップ接着層１５ａの接着力を低下させ、図４（ｇ）に示すように、半導体チップ１２ｃからチップベース部材１６ａを分離する。
【００７７】
［第４実施形態］
この実施形態は、第２実施形態のテープを利用した半導体チップの製造方法に関する。以下では、特に言及しないが、テープ１００’は、第１接着層１７の接着力と第２接着層１５の接着力とを独立して制御可能に構成されているものとする。
【００７８】
図５は、本発明の第４実施形態の半導体チップの製造方法を模式的に示す図である。第４実施形態は、第２ベース部材１６及び第２接着層１５が溝３９によって複数の領域に分割されたテープ１００’を使用する点で第３実施形態と異なる。第４実施形態では、薄化基板１２’のダイシング時に基板１２’の他に第２ベース部材１６及び第２接着層１５をダイシングする必要がない。
【００７９】
薄化基板１２’のダイシングは、図５に示すように薄化基板１２’にテープ１００’を接着する前に実施してもよいが、接着後に実施してもよい。
【００８０】
以下、図５を参照しながら本発明の第３実施形態の半導体チップの製造方法を説明する。まず、図５（ａ）に示すように、半導体デバイス１２ａが第１面１２−１に形成された基板１２の第１面１２−１を保護層１３を介してステージ（支持体）１４によって支持する。この状態で、グラインダー１１によって基板１２の第２面１２−２から研磨して薄化し、図５（ｂ）に示すように、薄化基板（薄化された基板）１２’を得る。更に、図５（ｂ）に示すように、ダイサーによって、薄化基板１２’にダイシング溝４０を形成する。これによって、薄化基板１２’は、それぞれ複数の半導体チップ１２ｃに分割される。
【００８１】
次いで、図５（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を薄化基板１２’の被研磨面（第２面）に接着する。ここで、テープ１００’の第２接着層１５及び第２ベース部材１６は、予め溝３９によって複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割されている。溝３９は、薄化基板１２’に形成されるダイシング溝４０に重なるように形成されている。
【００８２】
次いで、図５（ｄ）に示すように、必要に応じて薄化基板１２’から保護膜１３を剥離する。図５（ｄ）に示す構造は、図４（ｄ）に示す構造と同様であることが分かる。
【００８３】
以下の図５（ｅ）〜（ｇ）に示す工程は、図４（ｅ）〜（ｇ）に示す工程と同様である。
【００８４】
［第５実施形態］
この実施形態は、第１又は第２実施形態のテープを利用した半導体チップの製造方法に関する。また、この実施形態は、分離層を使った基板の分割方法を適用することによって第３又は第４実施形態における薄化工程（図４（ａ）、図５（ａ））を簡単化したものである。
【００８５】
以下では、特に言及しないが、テープ１００又は１００’は、第１接着層１７の接着力と第２接着層１５の接着力とを独立して制御可能に構成されているものとする。
【００８６】
図６は、本発明の第５実施形態の半導体チップの製造方法を模式的に示す図である。まず、図６（ａ）に示すように、シード基板３３上に分離層（例えば、多孔質層、イオン注入層）２を有し、その上にデバイス層（後に薄化基板となる層）１２’を有する基板１０を準備する。次いで、図６（ｂ）に示すように、デバイス層１に半導体デバイス１２ａを形成する。
【００８７】
次いで、図６（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を基板１０のデバイス層１２’に接着する。次いで、図６（ｄ）に示すように、分離層３２を利用して基板１０を分割する。この分割において、分離層３２の一部分２’は、デバイス層１２’の上に残り、分離層３２の他の部分２”は、シード基板３３の上に残る。この分割によって、テープ１００によって支持された薄化基板１２’が得られる。このような分割は、例えば、分離層３２に引張、せん断等の機械的な力を印加すること、又は、分離層３２若しくはその近傍の側面に流体を打ち込むことによってなされうる。
【００８８】
次いで、図６（ｅ）に示すように、ダイサーによって、分離層３２’、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６にダイシング溝１９を形成する。これによって、分離層３２’、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６は、それぞれ複数の分離層３２’ａ、複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ、複数のチップベース部材１６ａに分割される。ここで、第２実施形態のテープ１００’を適用する場合には、薄化基板１２’のみに溝を形成して複数の半導体チップ１２ｃに分割すればよい。薄化基板１２’の分割は、薄化基板１２’又は基板１０にテープ１００’を接着する前でもよいし、後でもよい。
【００８９】
次いで、図６（ｆ）に示すように、第１ベース部材１８に対して引張力２０を加えて第１ベース部材１８を引き伸ばし、半導体チップ１２ｃ間の間隔を広げる。この状態で、図６（ｇ）に示すように、第１接着層１７に第１ベース部材１８を介して紫外光２１を照射するか、第１接着層１７に熱２１を印加する。これにより、第１接着層１７による第１ベース部材１８と第２ベース部材１６（チップベース部材１６ａ）との接着力が低下して、チップベース部材１６ａが第１接着層１７から容易に剥離可能になる。
【００９０】
次いで、図６（ｇ）に示すように、第１ベース部材１８の裏側にニードル２２を突き当てて、不図示の操作機構によって半導体チップ１２ｃをピックアップする。この際、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態でピックアップ（すなわち、第１接着層１７から分離）される。
【００９１】
次いで、図６（ｈ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ１２ｃを真空チャック２３等の操作機構によって分離層３２’ａが下になるように支持基板２４上に設置する。
【００９２】
次いで、チップ接着層１５ａ（第２接着層１５）に紫外光を照射又は熱を印加することにより、その接着力を低下させて、半導体チップ１２ｃからチップベース部材１６ａを分離する。
【００９３】
次いで、図６（ｊ）に示すように、支持基板２４の電極と半導体チップ１２ｃの電極とを接続するワイヤー２５をワイヤーボンディングによって形成する。
【００９４】
この実施形態によれば、ダイシング用のテープ１００又は１００’を基板１０に接着した状態で分離層を利用してシード基板３３を分離し、その状態で薄化基板１２’をダイシングしてテープ１００又は１００’から分離することができる。したがって、薄化のためにダイシング用のテープ以外の保護テープを使用する必要がない。
【００９５】
以下、本発明の第５実施形態を更に具体化した実施例を説明する。
【００９６】
［第１実施例］
第１実施例では、第１接着層１７は、紫外光によって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成され、第２接着層１５は、熱によって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成される。
【００９７】
以下、図６を参照しながら第１実施例の半導体チップの製造方法を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、シード基板３３としてのシリコン基板上に分離層３２として多孔質シリコンを形成する。多孔質シリコン層は、シリコン基板を陽極化成することによって得られる。
【００９８】
分離性を向上させるためには、高多孔度の多孔質層が必要であり、エピタキシャル成長によって形成される移設デバイス層１２’の高品質化のためには、できるだけ低多孔度の多孔質層が必要である。これらの相反する要求を満たすためには、多孔度の異なる２層の多孔質構造が適している。このときの陽極化成条件は以下の通りである。
【００９９】
＜第１多孔質層（低多孔度層・・・表面側）＞
ＨＦ濃度：２０％
ＩＰＡ濃度：９％
電流密度：３．ｍＡ／ｃｍ２
時間：１８５秒
＜第２多孔質層（高多孔度層・・・深さ方向側）＞
ＨＦ濃度：２０％
ＩＰＡ濃度：９％
電流密度：９６．ｍＡ／ｃｍ２
時間：５秒
以上の条件で陽極化成を実施したところ、表面側に多孔度：約２５％、厚さ：１．２μｍの多孔質層が形成され、その下に多孔度：約５０％、厚さ：０．３μｍの多孔質層が形成された。
【０１００】
次いで、多孔質層２上にエピタキシャル成長によって移設デバイス層１２’を形成した。このときのエピタキシャル成長条件を以下に示す。
【０１０１】
＜水素中ベーク＞
水素流量：２４ｓｌｍ
温度：９５０℃
圧力：６００Ｔｏｒｒ
時間：２秒
＜エピタキシャル成長＞
ソースガス：ＳｉＨ２Ｃｌ２
温度：９００℃
流量：１６０ｓｃｃｍ
圧力：８０Ｔｏｒｒ
時間：３００秒
以上の条件でエピタキシャル成長したところ、デバイス層１２’として約２μｍのシリコン層が得られた。
【０１０２】
次いで、図６（ｂ）に示すように、移設デバイス層１２’上に半導体デバイス１２ａを作成する。ここで、半導体デバイス１２ａは、例えば、ＣＭＯＳ、バイポーラトランジスタ、ダイオード、キャパシタ、ＤＲＡＭ等の半導体集積回路、マイクロプロセッサー、及び／又は、ロジックＩＣ等を含みうる。ただし、半導体デバイス１２ａの種類に制限はない。
【０１０３】
次いで、図６（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を基板１０のデバイス層１２’に接着する。テープ１００は、第１ベース部材１８、第１接着層１７、第２ベース部材１６及び第２接着層１５で構成される積層構造を有する。ここで、第１実施例において、第１ベース部材１８は、例えば、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１接着層１７は、紫外光を受けることによって接着力が低下する材料で形成される。第２ベース部材１６は、例えば、ポリエステル等で構成される。第２ベース部材１６は、半導体チップ１２ｃの操作時に半導体チップ１２ｃの損傷を防止するために、高い剛性を有することが好ましく、例えば、５０μｍ以上の厚さを有することが好ましい。第２接着層１５は、熱によって接着力が低下する材料で形成される。
【０１０４】
次いで、図６（ｄ）に示すように、分離層３２を利用して基板１０を分割する。この分割によって、テープ１００によって支持された薄化基板１２’が得られる。このような分割は、例えば、分離層３２又はその近傍の側面に流体を打ち込むことによってなされうる。
【０１０５】
次いで、図６（ｅ）に示すように、ダイサーによって、深さが約３〜５μｍ、幅が約１００μｍの溝１９を形成する。これによって、薄化基板１２’、第２接着層１５、第２ベース部材１６及び分離層３２’は、それぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。
【０１０６】
溝１９は、通常のダイシング方法にしたがって形成することができ、例えば、ブレード、化学エッチング、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー、エキシマーレーザー等によって行われる。
【０１０７】
次いで、図６（ｆ）に示すように、第１ベース部材１８に対して引張力２０を加えて第１ベース部材１８を引き伸ばし、半導体チップ１２ｃ間の間隔を広げる。これによって、後の工程におけるニードル２２による突き当て時に、隣接する半導体チップ１３ｃ同士の接触による半導体チップ１２ｃの破損（例えば、クラック、欠け）を防止することができる。
【０１０８】
次いで、図６（ｇ）に示すように、第１接着層１７に第１ベース部材１８を介して紫外光２１を照射する。これにより、第１接着層１７による第１ベース部材１８と第２ベース部材１６（チップベース部材１６ａ）との接着力が低下して、チップベース部材１６ａが第１接着層１７から容易に剥離可能になる。ここで、例えば、スポットＵＶ装置等を使って第１接着層１７に対して局所的に紫外光を照射することによって、ピックアップ対象の半導体チップ１２ｃの部分についてのみ第１接着層１７の接着力を弱めることができる。
【０１０９】
次いで、図６（ｇ）に示すように、第１ベース部材１８の裏側にニードル２２を突き当てて、不図示の操作機構によって半導体チップ１２ｃをピックアップする。この際、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態でピックアップ（すなわち、第１接着層１７から分離）される。
【０１１０】
次いで、図６（ｈ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ１２ｃを真空チャック２３等の操作機構によって分離層３２’ａが下になるように支持基板２４上に設置する。次いで、チップ接着層１５ａ（第２接着層１５）に熱を印加することにより、その接着力を低下させて、図６（ｉ）に示すように、半導体チップ１２ｃからチップベース部材１６ａを分離する。ここで、例えば、真空チャック２３にヒータを設け、このヒータによってチップ接着層１５ａに対して熱を印加することができる。
【０１１１】
次いで、図６（ｊ）に示すように、支持基板２４の電極と半導体チップ１２ｃの電極とを接続するワイヤー２５をワイヤーボンディングによって形成する。
【０１１２】
［第２実施例］
第２実施例では、第１接着層１７は、第１温度で接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成され、第２接着層１５は、第２温度よりも高い第２温度で接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成されうる。
【０１１３】
基板１０の作製までの工程（図６（ａ）、（ｂ））は第１実施例と同様である。
【０１１４】
基板１０の製造後、図６（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を基板１０のデバイス層１２’に接着する。テープ１００は、第１ベース部材１８、第１接着層１７、第２ベース部材１６及び第２接着層１５で構成される積層構造を有する。ここで、第２実施例において、第１ベース部材１８は、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１接着層１７は、温度（Ｔ１）の熱で接着力が低下する材料で形成される。第２ベース部材１６は、ポリエステル等で構成される。第２ベース部材１６は、半導体チップ１２ｃの操作時に半導体チップ１２ｃの損傷を防止するために、高い剛性を有することが好ましく、例えば、５０μｍ以上の厚さを有することが好ましい。第２接着層１５は、温度（Ｔ２）の熱で接着力が低下する材料で形成される。ここで、Ｔ１＜Ｔ２である。
【０１１５】
次いで、図６（ｄ）に示すように、分離層３２を利用して基板１０を分割する。この分割によって、テープ１００によって支持された薄化基板１２’が得られる。このような分割は、例えば、分離層３２又はその近傍の側面に流体を打ち込むことによってなされうる。
【０１１６】
次いで、図６（ｅ）に示すように、ダイサーによって、深さが約３〜５μｍ、幅が約１００μｍの溝１９を形成する。これによって、薄化基板１２’、第２接着層１５、第２ベース部材１６及び分離層３２’は、それぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。
【０１１７】
溝１９は、通常のダイシング方法にしたがって形成することができ、例えば、ブレード、化学エッチング、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー、エキシマーレーザー等によって行われる。
【０１１８】
次いで、図６（ｆ）に示すように、第１ベース部材１８に対して引張力２０を加えて第１ベース部材１８を引き伸ばし、半導体チップ１２ｃ間の間隔を広げる。これによって、後の工程におけるニードル２２による突き当て時に、隣接する半導体チップ１３ｃ同士の接触による半導体チップ１２ｃの破損（例えば、クラック、欠け）を防止することができる。
【０１１９】
次いで、図６（ｇ）に示すように、テープ１００に温度（Ｔ１）の熱を印加する。これにより、第１接着層１７による第１ベース部材１８と第２ベース部材１６（チップベース部材１６ａ）との接着力が低下して、チップベース部材１６ａが第１接着層１７から容易に剥離可能になる。ここで、テープ１００への熱の印加は、例えば、半導体チップ１２ｃをピックアップするための操作機構にヒータを搭載し、このヒータによって行うことができる。このようなヒータを使うことによって、ピックアップ対象の半導体チップ１２ｃの部分についてのみ第１接着層１７の接着力を弱めることができる。
【０１２０】
次いで、図６（ｇ）に示すように、第１ベース部材１８の裏側にニードル２２を突き当てて、不図示の操作機構によって半導体チップ１２ｃをピックアップする。この際、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態でピックアップ（すなわち、第１接着層１７から分離）される。
【０１２１】
次いで、図６（ｈ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ１２ｃを真空チャック２３等の操作機構によって半導体デバイス１２ａの形成面が下になるように、支持基板２４上に設置する。次いで、チップ接着層１５ａ（第２接着層１５）に温度（Ｔ２）の熱を印加することにより、その接着力を低下させて、図６（ｉ）に示すように、半導体チップ１２ｃからチップベース部材１６ａを分離する。ここで、例えば、真空チャック２３にヒータを設け、このヒータによってチップ接着層１５ａに対して熱を印加することができる。
【０１２２】
Ｔ１＜Ｔ２とすることによって、温度（Ｔ１）の熱の印加の際に、第２ベース部材１６が半導体チップ１２ｃから剥離することを防ぎ、第１ベース部材１８のみを選択的に剥離することができる。
【０１２３】
次いで、図６（ｊ）に示すように、支持基板２４の電極と半導体チップ１２ｃの電極とを接続するワイヤー２５をワイヤーボンディングによって形成する。
【０１２４】
［第３実施例］
第３実施例では、第２ベース部材１６は、紫外光の透過率が小さい部材として構成され、第１接着層１７及び第２接着層１５は、ともに紫外光によって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成される。
【０１２５】
基板１０の作製までの工程（図６（ａ）、（ｂ））は第１実施例と同様である。
【０１２６】
基板１０の製造後、図６（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を基板１０のデバイス層１２’に接着する。テープ１００は、第１ベース部材１８、第１接着層１７、第２ベース部材１６及び第２接着層１５で構成される積層構造を有する。ここで、第３実施例において、第１ベース部材１８層は、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１ベース部材１８は、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１接着層１７及び第２接着層１５は、紫外光を受けることによって接着力が低下する材料で形成される。第２ベース部材１６は、例えば、ポリエステル等で構成される。第２ベース部材１６は、半導体チップ１２ｃの操作時に半導体チップ１２ｃの損傷を防止するために、高い剛性を有することが好ましく、例えば、５０μｍ以上の厚さを有することが好ましい。また、第２ベース部材１６は、ポリエステル等の樹脂にＴｉＯ２又はＺｎＯの微粒子を塗布することによって紫外光の透過率が十分に下げられている。
【０１２７】
次いで、図６（ｄ）に示すように、分離層３２を利用して基板１０を分割する。この分割によって、テープ１００によって支持された薄化基板１２’が得られる。このような分割は、例えば、分離層３２又はその近傍の側面に流体を打ち込むことによってなされうる。
【０１２８】
次いで、図６（ｅ）に示すように、ダイサーによって、深さが約３〜５μｍ、幅が約１００μｍの溝１９を形成する。これによって、薄化基板１２’、第２接着層１５、第２ベース部材１６及び分離層３２’は、それぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。
【０１２９】
溝１９は、通常のダイシング方法にしたがって形成することができ、例えば、ブレード、化学エッチング、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー、エキシマーレーザー等によって行われる。
【０１３０】
次いで、図６（ｆ）に示すように、第１ベース部材１８に対して引張力２０を加えて第１ベース部材１８を引き伸ばし、半導体チップ１２ｃ間の間隔を広げる。これによって、後の工程におけるニードル２２による突き当て時に、隣接する半導体チップ１３ｃ同士の接触による半導体チップ１２ｃの破損（例えば、クラック、欠け）を防止することができる。
【０１３１】
次いで、図６（ｇ）に示すように、第１接着層１７に第１ベース部材１８を介して紫外光２１を照射する。これにより、第１接着層１７による第１ベース部材１８と第２ベース部材１６（チップベース部材１６ａ）との接着力が低下して、チップベース部材１６ａが第１接着層１７から容易に剥離可能になる。ここで、例えば、スポットＵＶ装置等を使って第１接着層１７に対して局所的に紫外光を照射することによって、ピックアップ対象の半導体チップ１２ｃの部分についてのみ第１接着層１７の接着力を弱めることができる。
【０１３２】
次いで、図６（ｇ）に示すように、第１ベース部材１８の裏側にニードル２２を突き当てて、不図示の操作機構によって半導体チップ１２ｃをピックアップする。この際、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態でピックアップ（すなわち、第１接着層１７から分離）される。
【０１３３】
次いで、図６（ｈ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ１２ｃを真空チャック２３等の操作機構によって半導体デバイス１２ａの形成面が下になるように支持基板２４上に設置する。次いで、チップ接着層１５ａ（第２接着層１５）に紫外光を照射することによってチップ接着層１５ａの接着力を低下させ、図６（ｉ）に示すように、半導体チップ１２ｃからチップベース部材１６ａを分離する。
【０１３４】
次いで、図６（ｊ）に示すように、支持基板２４の電極と半導体チップ１２ｃの電極とを接続するワイヤー２５をワイヤーボンディングによって形成する。
【０１３５】
［第４実施例］
第４実施例では、第２ベース部材１６は、紫外光の透過率が小さい部材として構成され、第１接着層１７及び第２接着層１５は、ともに紫外光によって接着力が所定レベル以下に低下する材料で構成される。
【０１３６】
基板１０の作製までの工程（図６（ａ）、（ｂ））は第１実施例と同様である。
【０１３７】
基板１０の製造後、図６（ｃ）に示すように、テープ１００の第２接着層１５を基板１０のデバイス層１２’に接着する。テープ１００は、第１ベース部材１８、第１接着層１７、第２ベース部材１６及び第２接着層１５で構成される積層構造を有する。ここで、第４実施例において、第１ベース部材１８は、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１ベース部材１８は、ＰＶＣフィルム等、柔軟かつ紫外光を透過する部材で形成される。第１接着層１７は、熱で接着力が低下する材料で形成される。第２ベース部材１６は、ポリエステル等で構成される。第２ベース部材１６は、半導体チップ１２ｃの操作時に半導体チップ１２ｃの損傷を防止するために、高い剛性を有することが好ましく、例えば、５０μｍ以上の厚さを有することが好ましい。紫外光を受けることによって接着力が低下する材料で形成される。
【０１３８】
次いで、図６（ｄ）に示すように、分離層３２を利用して基板１０を分割する。この分割によって、テープ１００によって支持された薄化基板１２’が得られる。このような分割は、例えば、分離層３２又はその近傍の側面に流体を打ち込むことによってなされうる。
【０１３９】
次いで、図６（ｅ）に示すように、ダイサーによって、深さが約３〜５μｍ、幅が約１００μｍの溝１９を形成する。これによって、薄化基板１２’、第２接着層１５、第２ベース部材１６及び分離層３２’は、それぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。
【０１４０】
溝１９は、通常のダイシング方法にしたがって形成することができ、例えば、ブレード、化学エッチング、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー、エキシマーレーザー等によって行われる。
【０１４１】
次いで、図６（ｆ）に示すように、第１ベース部材１８に対して引張力２０を加えて第１ベース部材１８を引き伸ばし、半導体チップ１２ｃ間の間隔を広げる。これによって、後の工程におけるニードル２２による突き当て時に、隣接する半導体チップ１３ｃ同士の接触による半導体チップ１２ｃの破損（例えば、クラック、欠け）を防止することができる。
【０１４２】
次いで、図６（ｇ）に示すように、テープ１００に熱を印加する。これにより、第１接着層１７による第１ベース部材１８と第２ベース部材１６（チップベース部材１６ａ）との接着力が低下して、チップベース部材１６ａが第１接着層１７から容易に剥離可能になる。ここで、テープ１００への熱の印加は、例えば、半導体チップ１２ｃをピックアップするための操作機構にヒータを搭載し、このヒータによって行うことができる。このようなヒータを使うことによって、ピックアップ対象の半導体チップ１２ｃの部分についてのみ第１接着層１７の接着力を弱めることができる。
【０１４３】
次いで、図６（ｇ）に示すように、第１ベース部材１８の裏側にニードル２２を突き当てて、不図示の操作機構によって半導体チップ１２ｃをピックアップする。この際、半導体チップ１２ｃは、チップ接着層１５ａを介してチップベース部材１６ａによって支持された状態でピックアップ（すなわち、第１接着層１７から分離）される。
【０１４４】
次いで、図４（ｆ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ１２ｃを真空チャック２３等の操作機構によって半導体デバイス１２ａの形成面が下になるように支持基板２４上に設置する。次いで、チップ接着層１５ａ（第２接着層１５）に紫外光を照射することによってチップ接着層１５ａの接着力を低下させ、図６（ｉ）に示すように、半導体チップ１２ｃからチップベース部材１６ａを分離する。
【０１４５】
次いで、図６（ｊ）に示すように、支持基板２４の電極と半導体チップ１２ｃの電極とを接続するワイヤー２５をワイヤーボンディングによって形成する。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】デバイス層の薄化及びダイシングに関する背景技術を説明する図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のテープを模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態のテープを模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態の半導体チップの製造方法を模式的に示す図である。
【図５】本発明の第４実施形態の半導体チップの製造方法を模式的に示す図である。
【図６】本発明の第５実施形態の半導体チップの製造方法を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１４７】
１  グラインダー
２  半導体デバイス
３、３’  ウェーハ
４  保護テープ
５  ダイシングテープ
６  ダイシング溝
７  引張力
８  真空チャック
９  ニードル
１１  グラインダー
１２  基板
１２’  薄化基板
１２ａ  半導体デバイス
１２ｃ  半導体チップ
１３  保護層
１４  ステージ（支持体）
１５  第２接着層
１６  第２ベース部材
１７  第１接着層
１８  第１ベース部材
１９  ダイシング溝
２０  引張力
２１  紫外光又は熱
２２  ニードル
２３  真空チャック
２４  支持基板
３１  グラインダー
３２  分離層
３３  シード基板
３９  プレカット溝
【図１】
2007019113.tif 000003
【図２】
2007019113.tif 000004
【図３】
2007019113.tif 000005
【図４】
2007019113.tif 000006
【図５】
2007019113.tif 000007
【図６】
2007019113.tif 000008