(57)【要約】【課題】半導体パワーモジュールからのノイズを、“どの周波数領域の” “どこから発生した”ノイズについて、“どのようなインピーダンス追加”をして低減するかを明確にする。【解決手段】１Ｍ〜１００ＭＨｚの周波数領域の、整流ダイオードモジュールＭ１とＩＧＢＴモジュールＭ２などのコモンループで発生するノイズを、１種類または２種類のインピーダンス（Ｚ）を、少なくとも１箇所に追加または挿入することにより低減させる。図示のように、２種類のインピーダンスＺ１，Ｚ２を用いる場合はＭｎ−Ｚｎ系フェライト材，Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材を用い、これらを組み合わせることで、１Ｍ〜１００ＭＨｚのノイズを効果的に低減できるようにする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パワーモジュールを備えた電力変換装置のコモンループの少なくとも１箇所に、ノイズ電流を低減するためのインピーダンスを設けたことを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記コモンループはコンバータ出力とインバータ入力との間のコモンループであることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記コモンループはインバータ出力と入力フィルタとの間のコモンループであることを特徴とする請求項１または２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記コモンループはインバータ出力と入力保護用素子との間のコモンループであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記コモンループは入力フィルタと入力保護用素子との間のコモンループであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電力変換装置。
【請求項６】
前記コモンループは入力保護用素子とコンバータ入力との間のコモンループであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の電力変換装置。
【請求項７】
前記コモンループは入力フィルタとコンバータ入力との間のコモンループであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の電力変換装置。
【請求項８】
前記インピーダンスの値は、１〜１４ｋΩであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の電力変換装置。
【請求項９】
前記ノイズは、伝導性電磁波から放射ノイズにまたがる１Ｍ〜１００ＭＨｚ付近にピークを持つものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の電力変換装置。
【請求項１０】
前記インピーダンスは、伝導性電磁波から放射ノイズにまたがる１Ｍ〜１００ＭＨｚ付近にてインピーダンスが大きいことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の電力変換装置。
【請求項１１】
前記インピーダンスは、１種類、または２種類の周波数特性を持つものを組み合わせて使用することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の電力変換装置。
【請求項１２】
前記インピーダンスに２種類の周波数特性を持つものを組み合わせて使用する場合、２種類のインピーダンスの合成インピーダンス値が１Ω〜１４ｋΩとなるようにすることを特徴とする請求項１１に記載の電力変換装置。
【請求項１３】
前記２種類のインピーダンスのうち、１つは１Ｍ〜３０ＭＨｚにおいてインピーダンスの大きなＭｎ−Ｚｎ系フェライトであり、もう１つは３０Ｍ〜１００ＭＨｚにおいてインピーダンスの大きなＮｉ−Ｚｎ系フェライトであることを特徴とする請求項１１または１２に記載の電力変換装置。
【請求項１４】
前記インピーダンスを、前記半導体パワーモジュール内に設けることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の電力変換装置。
【請求項１５】
前記２種類のインピーダンスを、接地ラインを挟んで異なる２箇所以上に挿入するときは、接地ラインを挟んで電力変換装置に近い側のインピーダンス値を、接地ラインを挟んで電力変換装置に遠い側のインピーダンス値よりも小さくすることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１つに記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、パワー半導体のスイッチング時に、伝導または放出される伝導性ノイズや放射ノイズを低減することを目的に、ノイズ電流が流れる回路にインピーダンスを追加または付加する電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＥＭＣ（電磁妨害：ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｒｅｎｃｅ）規制が厳しくなる中、汎用インバータを始め、様々な産業機器で放射ノイズ（単にノイズとも言う）の低減が技術課題となっている。特に、これらの主部品であるパワー半導体、およびこれらを搭載したパワーモジュールがスイッチングすることにより発生するノイズの低減については、対策が必要とされている。その対策の１つとして、フェライトコアの挿入が挙げられ、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
具体的なノイズ低減の対策手段例としては、例えば以下のようなものがある。
チップと接続端子間をつなぐ電極にノイズ吸収材として磁性材料（フェライト）のコアを挿入している。また、パッケージ内部に封入しているゲル材に磁性粉末を混入している（例えば特許文献２参照）。
また、全ての入出力配線、端子がノイズ吸収用磁性材を貫通させる事によってインダクタンスを発生させてノイズを低減させている（例えば特許文献３参照）。
さらに、２種類の異なる周波数特性を持つインピーダンス追加による対策としては、トロイダルコアを用いた２つのコイルをカスケード接続してフィルタとするノイズ低減装置が、例えば特許文献２にインバータ装置やスイッチング電源装置用として提案されている。
【０００４】
しかし、上記特許文献１は、ダイオードのリード端子にフェライトコアを挿入するもので、挿入箇所は特定されているが、対象とする周波数が不明であり、そのためどのような値のインピーダンスを追加すれば良いかが明確でない。さらに、どこから発生するノイズであるのかが明確でない。
例えば特許文献２では、ノイズ発生のメカニズムとして、パワー半導体のスイッチングにより発生し、アンテナとなる部材を介して外部に放出されると考えられている。こうした考え方に基づき、特許文献２においては、アンテナとなりそうな部位（入出力端子、ゲル、パッケージなど）にフェライトコアや、磁性粉末コンパウンドのゲルおよび筐体などを用いている。しかしアンテナと考える部位は、金属を使用している部分の殆ど全てが該当するため、磁性材料を多用する事になり、不要な部分へ適用している可能性が高い。
【０００５】
また、上記特許文献４では、対象とする周波数領域は１５０ｋＨｚ〜３０ＭＨｚと明示されているが、３０ＭＨｚ以上の周波数領域に対しては対策が明確でない。その上、１〜３０ＭＨｚの領域には複数のピークが存在しているが（約６ＭＨｚ，９ＭＨｚ，１８ＭＨｚ，２９ＭＨｚ）、対策後も残っており、規格が厳しい条件になればなるほど（例えばIEC 61800-3, Conducted Emissions, PDS(Power Drive System)用におけるCategoryC1、CategoryC2相当）、規格に対するマージンが小さくなってしまい、対策として十分ではない。
【０００６】
【特許文献１】特許第２８５１２６８号明細書
【特許文献２】特開２００４−２０７４３２号公報
【特許文献３】特開平０５−２９１７８３号公報
【特許文献４】特開平０７−２１２１６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献４において、対策後も複数のピークが存在する理由として、２つの理由が考えられる。１つは対策を施している箇所が、根本的に発生しているループに対応していないこと、もう１つはインピーダンスの値が適切でないことを示す。特許文献２では、１ＭＨｚ以降の周波数領域のために改めてフェライトコアを挿入しているため、後者は考えにくく、ノイズ発生ループが別に存在する場合に見られる現象と言える。また、特許文献２では対策箇所が入力部のみであるため、どんなに大きなインピーダンスを追加挿入しても、ノイズが発生するループが違う箇所を経由している場合には、効果は低い。
【０００８】
つまり、ただ入力部に追加挿入すれば全ての周波数領域のノイズが低減できる訳ではなく、発生する周波数、発生するループに対応した適切な量のインピーダンス追加挿入がなければ、発生ノイズを根本から対策することはできない。
したがって、この発明の課題は、“どの周波数領域の” “どこから発生した”ノイズについて、“どのようなインピーダンスの追加挿入”をして低減するかを明確にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
ここで、この発明の原理について以下に説明する。
まず、この発明では、ノイズを低減したい対象周波数は伝導ノイズの規格範囲１５０ｋＨｚ〜３０ＭＨｚおよび放射ノイズ３０ＭＨｚ〜１ＧＨｚの中でも１〜１００ＭＨｚに限定する。その理由としては、次のことが挙げられる。汎用インバータをはじめ、ＵＰＳ（無停電電源装置）や産業用電源またはＩＨ（誘導過熱用）インバータ等は、ノイズ対策にＥＭＣ対応入力フィルタを有しているが、このフィルタは１５０ｋＨｚのノイズを抑えるように設計されているため、１５０ｋＨｚ〜１ＭＨｚ程度までの周波数領域では高いフィルタ効果が得られる。しかし、ＭＨｚ以降の周波数領域では効きが悪くなるため、規格に対するマージンが小さく厳しくなる。一方、１００ＭＨｚ以降は放射ノイズ領域であるが、現実的に取り得る回路定数から考えても、共振周波数が１００ＭＨｚ以降では発生する可能性が低いため、ノイズの強度自体も小さく、抑制の必要性も低い。よって、１〜１００ＭＨｚを対象周波数とする。
【００１０】
次に、対象とするノイズ発生源を6つのループに限定し、このループによるノイズを低減する。半導体パワーモジュールを用いた実質的なインバータ回路図例を図９に示す。すなわち図８ａ，８ｂに示す簡易的な回路に対し、サージなどから保護するためのバリスタ（Ｒ）（以下、入力保護用素子ともいう）Ｂや入力ノイズを低減するための入力フィルタＦを付加した、図９のようなより現実的な回路で考えた場合には、モジュールの基板容量やノイズフィルタのC接地など、接地する経路が複数存在するため、グランドを介したコモンループが複数発生する。具体的には、図７ａ〜７ｆのように合計で６通りのコモンノイズ電流が流れるループＣＬ１〜ＣＬ６が存在する事になる。
【００１１】
１つ目は図７ａに示すコンバータＭＩの出力とＩＧＢＴインバータＭ２の入力との間のコモンループＣＬ１、２つ目は図７ｂに示すインバータ出力と入力フィルタとの間のコモンループＣＬ２、３つ目は図７ｃに示すインバータ出力と入力保護用素子Ｂとの間のコモンループＣＬ３、４つ目は図７ｄに示す入力フィルタと入力保護用用素子Ｂとの間のコモンループＣＬ４、５つ目は図７ｅに示す入力保護用素子Ｂとコンバータ入力との間のコモンループＣＬ５、６つ目は図７ｆに示す入力フィルタとコンバータ入力との間のコモンループＣＬ６である。これらの６つのループについてノイズを低減する。
【００１２】
対策のための手段としては、上記６つのコモンループ内にインピーダンスを追加挿入する。追加挿入の手段は限定せず、例えば上述のようなフェライトなどのコアを挿入しても良いし、抵抗やインダクタンスなどの電子部品でも良い。ただし、上記６つのコモンループで形成されるＬＣＲ共振回路に対し、小容量〜大容量クラスのインバータをＰＩＭ（Ｐｏｗｅｒ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）７ｉｎ１，６ｉｎ１，２ｉｎ１，１ｉｎ１の各モジュールを用いて回路を組んだ場合、Ｌ，Ｃ，Ｒの各回路定数は以下の範囲にそれぞれ存在するものとする。
Ｌ：５〜１０００ｎＨ
Ｃ：５０〜５０００ｐＦ
Ｒ：０．０５〜１０Ω
【００１３】
上記範囲でＬＣＲ共振回路の取り得るインピーダンスＺは、次の（１）式で示される。
Ｚ＝√｛Ｒ2＋（ωＬ−１／ωＣ）2｝…（１）
また、追加インピーダンスをＺａｄｄとすると、インピーダンスを追加したときのノイズ低減量は、次式となる。
ノイズ低減量［ｄＢ］＝２０ｌｏｇ｛Ｚ／（Ｚ＋Ｚａｄｄ）｝…（２）
【００１４】
周波数が１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚでＬ，Ｃ，Ｒの各回路定数が上記の範囲にそれぞれ存在する場合、インピーダンス追加前のＬＣＲ共振回路におけるＺの最大値Ｚｍａｘ，最小値Ｚｍｉｎは以下のようになる。
（a）ｆｃ＝１ＭＨｚ，Ｌ＝１０ｎＨ，Ｃ＝４００ｐＦ，Ｒ＝１０Ωのとき、（１）式より、
Ｚｍａｘ＝３９８Ω
（b）ｆｃ＝１００ＭＨｚ，Ｌ＝５．１ｎＨ，Ｃ＝４９７ｐＦ，Ｒ＝０．０５Ωのとき、（１）式より、
Ｚｍｉｎ＝０．０５Ω
【００１５】
従って、上記（ａ），（ｂ）のＺに対し、低減したいインピーダンスを追加すれば良いことになる。具体的には、３０ｄＢ落とすのに必要なインピーダンスの追加を考える。３０ｄＢの根拠は、インバータの実機評価において、内蔵フィルタのみで特別な対策をしない場合に得られる強度に対し、約３０ｄＢ落とせば最も厳しいＩＥＣ（国際電気標準会議）６１８００−３のＣ３規格を満足するため、３０ｄＢと定めた。３０ｄＢ低減させるためには、上記（２）式の括弧｛｝内の値が、
｛Ｚ／（Ｚ＋Ｚａｄｄ）｝＝１／３５…（３）
となれば良い。
【００１６】
この（３）式の関係を満たすために、追加挿入すべきインピーダンスは、
（ａ）の場合は、  Ｚａｄｄ＝１４ｋΩ
（ｂ）の場合は、  Ｚａｄｄ＝１．７Ω
となる。以上より、３０ｄＢ低減させるのに必要な追加インピーダンスＺａｄｄの取り得る範囲を、次のように定める。
１Ω＜Ｚａｄｄ＜１４ｋΩ
【００１７】
なお、ＬＣＲ共振周波数ｆｃは、次の（４）式で示され、この共振周波数はｆｃに対応して放射ノイズのピークが発生する。
√｛（１／ＬＣ）−（Ｒ／２Ｌ）2｝／２π…（４）
そこで、この（４）式から、ｆｃがノイズ低減を必要とする１Ｍ〜１００ＭＨｚの範囲内に入るようにＬ，Ｃ，Ｒの値を定めて、上記（ａ），（ｂ）の条件を導出している。
【００１８】
ただし追加するインピーダンスとして２つの異なる周波数特性を持つものを用いる場合は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトとＭｎ−Ｚｎ系フェライトを用いる。上記特許文献４において１５０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの低い周波数では鉄基微細結晶軟磁性材料のトロイダルコアを用いているが、この発明では１ＭＨｚ以降で１００ＭＨｚまでの周波数領域を対象とするため、この領域の中でも効果の高いフェライトを適材適所するには、１Ｍ〜３０ＭＨｚ帯においてインピーダンスの大きなＭｎ−Ｚｎ系フェライトと、３０Ｍ〜１００ＭＨｚ帯においてインピーダンスの大きなＮｉ−Ｚｎ系フェライトが好適である。また、特許文献２ではインピーダンス値についての数値的な特定は無いが、この発明では２つのインピーダンスの合計値が１〜１４ｋΩの値を持つものとする。
【００１９】
インピーダンスとして、２種類の材質のフェライトコアを用いた場合の周波数特性の一例を図６に示す。
図６のＺ１は３０ＭＨｚ以下の周波数特性に優れたＭｎ−Ｚｎフェライト材、Ｚ２は３０ＭＨｚ以上の周波数特性に優れたＮｉ−Ｚｎフェライト材である。これらを組み合わせれば、両方の周波数帯域をカバーすることが可能となる。
【００２０】
以上のことから、請求項１の発明は、半導体パワーモジュールを備えた電力変換装置のコモンループの少なくとも１箇所に、ノイズ電流を低減するためのインピーダンスを設けたことを特徴とする。
この請求項１の発明においては、前記コモンループはコンバータ出力とインバータ入力との間のコモンループであることができ（請求項２の発明）、請求項１または２の発明においては、前記コモンループはインバータ出力と入力フィルタとの間のコモンループであることができる（請求項３の発明）。
【００２１】
請求項１〜３のいずれかの発明においては、前記コモンループはインバータ出力と入力保護用素子との間のコモンループであることができ（請求項４の発明）、請求項１〜４のいずれかの発明においては、前記コモンループは入力フィルタと入力保護用素子との間のコモンループであることができ（請求項５の発明）、また、請求項１〜５のいずれかの発明においては、前記コモンループは入力保護用素子とコンバータ入力との間のコモンループであることができ（請求項６の発明）、さらに、請求項１〜６のいずれかの発明においては、前記コモンループは入力フィルタとコンバータ入力との間のコモンループであることができる（請求項７の発明）。
【００２２】
上記請求項１〜７のいずれかの発明においては、前記インピーダンスの値は、１〜１４ｋΩであることができ（請求項８の発明）、請求項１〜８のいずれかの発明においては、前記ノイズは、伝導性電磁波から放射ノイズにまたがる１Ｍ〜１００ＭＨｚ付近にピークを持つものであることができ（請求項９の発明）、請求項１〜９のいずれかの発明においては、前記インピーダンスは、伝導性電磁波から放射ノイズにまたがる１Ｍ〜１００ＭＨｚ付近にてインピーダンスを大きくすることができ（請求項１０の発明）、請求項１〜１０のいずれかの発明においては、前記インピーダンスは、１種類、または２種類の周波数特性を持つものを組み合わせて使用することができる（請求項１１の発明）。
【００２３】
上記請求項１１の発明においては、前記インピーダンスに２種類の周波数特性を持つものを組み合わせて使用する場合、２種類のインピーダンスの合成インピーダンス値が１〜１４ｋΩとなるようにすることができ（請求項１２の発明）、また、請求項１１または１２の発明においては、前記２種類のインピーダンスのうち、１つは１Ｍ〜３０ＭＨｚにおいてインピーダンスの大きなＭｎ−Ｚｎ系フェライトであり、もう１つは３０Ｍ〜１００ＭＨｚにおいてインピーダンスの大きなＮｉ−Ｚｎ系フェライトであることができる（請求項１３の発明）。
【００２４】
請求項１〜１３のいずれかの発明においては、前記インピーダンスを、前記半導体パワーモジュール内に設けることができる（請求項１４の発明）。また、請求項１１〜１３のいずれかの発明においては、前記２種類のインピーダンスを、接地ラインを挟んで異なる２箇所以上に挿入するときは、接地ラインを挟んで電力変換装置に近い側のインピーダンス値を、接地ラインを挟んで電力変換装置に遠い側のインピーダンス値よりも小さくすることができる（請求項１５の発明）。
【発明の効果】
【００２５】
この発明によれば、これまでの入力フィルタにおいて対策が困難であった１Ｍ〜１００ＭＨｚ付近に発生するノイズを対象とし、かつノイズ発生ループをインバータ、コンバータ、入力フィルタ、入力保護用素子間に発生し得るコモンループに絞った上で、そのループに適切なインピーダンスを追加することにより、１Ｍ〜１００ＭＨｚ付近に発生するノイズを効果的に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１ａ〜１ｓはこの発明の第１の実施の形態として、６種類のループに対するインピーダンスの追加対策箇所を示す回路図、図２はこの発明の第２の実態の形態として、周波数特性の異なる２種類のインピーダンスを追加対策した例を示す回路図、図８ａ，８ｂおよび図９は半導体パワーモジュールの従来例を示す回路図である。なお、図８ａは電解コンデンサＣＮが直流中間回路に直結している例、図８ｂは電解コンデンサＣＮがスナバコンデンサＣに直結した例である。
【００２７】
図１a〜１ｓは、図７ａ〜７ｆで説明した６つのコモンループにより、１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で共振周波数が発生し、これによってノイズが発生するので、１〜１４ｋΩのインピーダンスＺを追加挿入することでノイズ低減を図るものである。図１ａ〜１ｓのうち、図１ａ，図１ｄ，図１ｆはモジュール内（図１ａはモジュールＭ２内、図１ｄ，１ｆはモジュールＭ１内）に追加挿入した場合、それ以外はモジュール外の経路に追加挿入した場合である。同一経路に同じインピーダンスを追加挿入するとき、モジュール内かまたはモジュール外かには特に差異は無く、同じ機能を果たす。
【００２８】
図１ａ〜１ｄ，１ｒおよび１ｓは図５ａ〜ｆのうちのループＣＬ１〜３に、図１ｅ，１ｆはループＣＬ２〜６に、図１ｇ，１ｊ〜１ｍはループＣＬ３〜５に、図１ｈ，１ｉ，１ｎ，１ｏはループＣＬ２，４，６に、図１ｐ，１ｑはループＣＬ１，５，６にそれぞれ対処している例と言うことができる。
なお、図１ａ〜１ｓで使用するモジュールとしてＰＩＭ６ｉｎ１モジュールを想定しているが、７ｉｎ１，２ｉｎ１または１ｉｎ１のいずれを用いても効果は同じである。また、図１ａ〜１ｓではインピーダンスＺは１種類で、対策箇所も１ヶ所の例であるが、インピーダンスをＺ１、Ｚ２の２種類とし、組み合わせて対処するようにしても良い。
【００２９】
図１aの回路において、異なる２種類の周波数のインピーダンスＺ１、Ｚ２を用いた場合の回路例を図２を示す。Ｎｉ−ＺｎフェライトとＭｎ−Ｚｎフェライトを複合的に追加挿入した場合には、両方の効果が加算され、複数のピークに効果的に対処することができる。
【００３０】
図１ａ〜１ｓのうち、特に図１ｂの場合のノイズ実測結果を図４に示す。
ここでは、伝導ノイズ領域の１０ＭＨｚのピークを低減するため、この周波数に対応する追加挿入インピーダンスとして、Ｚａｄｄ＝２２Ωを追加挿入した。これにより、インピーダンス追加挿入していない図４（１）の場合に比べ、インピーダンスを追加挿入した図４（２）の場合の方が約１２ｄＢ低減できることが分かる。
【００３１】
以上のような追加インピーダンス量とノイズ低減量との関係をまとめると、表１のようになる。
【表１】
2007274884.tif 000003
【００３２】
図２では、異なる２種類の周波数のインピーダンスＺ１，Ｚ２ともモジュールＭ２内に挿入したが、図３のようにすることができる。
すなわち、特に１〜４ＭＨｚのノイズを低減するため、２つのインピーダンスを互いに異なる位置に挿入した。１つは入力保護用バリスタＢと入力フィルタＦとの間に、例えばＺａｄｄ１＝７５Ωを、もう１つは入力フィルタＦとモジュールＭ１との間に、例えばＺａｄｄ２＝４５Ωをそれぞれ追加挿入する。
【００３３】
２箇所に挿入することにより、１箇所だけの場合に比べノイズを約１５ｄＢ低減することができる。この様子を示すのが図５で、１箇所だけの場合を矢印Ｗに、また２箇所の場合をＵ，Ｖに示す。ただし、Ｚａｄｄ１＝４５Ω、Ｚａｄｄ２＝７５Ωのように、インピーダンス値を入れ替えた場合をＶで示し、この場合は１２ｄＢ低減し、Ｚａｄｄ１＝７５Ω、Ｚａｄｄ２＝４５ΩとするＵの場合より３ｄＢ程度低くなる。従って、接地ラインを挟んでモジュールＭ１に近い側（電力変換装置側）のインピーダンス値を、接地ラインを挟んでモジュールＭ１に近い側（電力変換装置側）のインピーダンス値よりも小さくする方が、効果的と言える。なお、ＸはＩＥＣ６１８００−３  Ｃ３なる国際規格値を示している。
【００３４】
以上では、モジュールとしてＩＧＢＴ（絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ）モジュールの例を示したが、これに限らず一般的なスイッチングモジュールを用いることができるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１ａ】この発明の第１の実施の形態その１を示す回路図
【図１ｂ】この発明の第１の実施の形態その２を示す回路図
【図１ｃ】この発明の第１の実施の形態その３を示す回路図
【図１ｄ】この発明の第１の実施の形態その４を示す回路図
【図１ｅ】この発明の第１の実施の形態その５を示す回路図
【図１ｆ】この発明の第１の実施の形態その６を示す回路図
【図１ｇ】この発明の第１の実施の形態その７を示す回路図
【図１ｈ】この発明の第１の実施の形態その８を示す回路図
【図１ｉ】この発明の第１の実施の形態その９を示す回路図
【図１ｊ】この発明の第１の実施の形態その１０を示す回路図
【図１ｋ】この発明の第１の実施の形態その１１を示す回路図
【図１ｌ】この発明の第１の実施の形態その１２を示す回路図
【図１ｍ】この発明の第１の実施の形態その１３を示す回路図
【図１ｎ】この発明の第１の実施の形態その１４を示す回路図
【図１ｏ】この発明の第１の実施の形態その１５を示す回路図
【図１ｐ】この発明の第１の実施の形態その１６を示す回路図
【図１ｑ】この発明の第１の実施の形態その１７を示す回路図
【図１ｒ】この発明の第１の実施の形態その１８を示す回路図
【図１ｓ】この発明の第１の実施の形態その１９を示す回路図
【図２】この発明の第２の実施の形態を示す回路図
【図３】この発明の第３の実施の形態を示す回路図
【図４】図１ｂの場合の伝導ノイズの実測結果説明図
【図５】図３の場合の伝導ノイズの実測結果説明図
【図６】２つの異なる周波数特性のインピーダンスを用いる場合として、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの周波数特性図
【図７ａ】より実際的なインバータ回路におけるノイズ発生ループＣＬ１の説明図
【図７ｂ】より実際的なインバータ回路におけるノイズ発生ループＣＬ２の説明図
【図７ｃ】より実際的なインバータ回路におけるノイズ発生ループＣＬ３の説明図
【図７ｄ】より実際的なインバータ回路におけるノイズ発生ループＣＬ４の説明図
【図７ｅ】より実際的なインバータ回路におけるノイズ発生ループＣＬ５の説明図
【図７ｆ】より実際的なインバータ回路におけるノイズ発生ループＣＬ６の説明図
【図８ａ】一般的なインバータ回路例その１を示す回路図
【図８ｂ】一般的なインバータ回路例その２を示す回路図
【図９】インバータ回路のより実際的な例を示す回路図
【符号の説明】
【００３６】
Ｚ，Ｚ１，Ｚ２…インピーダンス、Ｃ…スナバコンデンサ、ＣＮ…電解コンデンサ、Ｍ１…整流ダイオードモジュール、Ｍ２…ＩＧＢＴ（スイッチング）モジュール、Ｂ・・・入力保護素子（バリスタ（Ｒ））、Ｆ・・・入力フィルタ、ＣＬ１〜ＣＬ６…コモンループ。
【図１ａ】
2007274884.tif 000004
【図１ｂ】
2007274884.tif 000005
【図１ｃ】
2007274884.tif 000006
【図１ｄ】
2007274884.tif 000007
【図１ｅ】
2007274884.tif 000008
【図１ｆ】
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【図１ｇ】
2007274884.tif 000010
【図１ｈ】
2007274884.tif 000011
【図１ｉ】
2007274884.tif 000012
【図１ｊ】
2007274884.tif 000013
【図１ｋ】
2007274884.tif 000014
【図１ｌ】
2007274884.tif 000015
【図１ｍ】
2007274884.tif 000016
【図１ｎ】
2007274884.tif 000017
【図１ｏ】
2007274884.tif 000018
【図１ｐ】
2007274884.tif 000019
【図１ｑ】
2007274884.tif 000020
【図１ｒ】
2007274884.tif 000021
【図１ｓ】
2007274884.tif 000022
【図２】
2007274884.tif 000023
【図３】
2007274884.tif 000024
【図４】
2007274884.tif 000025
【図５】
2007274884.tif 000026
【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図７ｅ】
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【図７ｆ】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図９】
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