(57)【要約】【課題】  磁気記録ディスク用基板に気相中で成膜する際に膜厚に偏りが発生するのを防止可能な磁気記録ディスクの製造方法、磁気記録ディスク製造装置、および磁気記録ディスク製造用基板ホルダを提案すること。【解決手段】  基板ホルダ３００は、磁気記録ディスク用基板１０の表面に下地層、磁性層、保護層などの薄膜を物理気相成長法により成膜する際に、複数枚の磁気記録ディスク用基板１０を保持した状態でターゲット２３１、２３２、２３３および２４４に対向配置される。複数枚の磁気記録ディスク用基板１０は成膜中、基板ホルダ３００上で自転するため、磁気記録ディスク用基板１０では、ターゲット２３１、２３２および２３３の半径方向において薄膜の膜厚に偏りが発生しない。【選択図】  図３
2007095205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録ディスク用基板の表面に少なくとも下地層、磁性層、および保護層を備えた磁気記録ディスクの製造方法において、
前記下地層、前記磁性層、および前記保護層のうちの少なくとも１層を気相中で形成する成膜工程を有し、
当該成膜工程では、同一面内に前記磁気記録ディスク用基板を複数枚保持する基板ホルダを用い、成膜中、前記基板ホルダ上で前記複数枚の磁気記録ディスク用基板を各々、面内方向で自転させることを特徴とする磁気記録ディスクの製造方法。
【請求項２】
前記成膜工程では、前記下地層、前記磁性層、および前記保護層のうちの少なくとも１層を物理気相成長法により形成し、
前記複数枚の磁気記録ディスク用基板は、前記基板ホルダにおいてターゲットと対向する面において当該ターゲットの中心位置と対向する位置を中心に周方向に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ディスクの製造方法。
【請求項３】
前記下地層、前記磁性層、および前記保護層のうち、少なくとも前記磁性層を前記成膜工程で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録ディスクの製造方法。
【請求項４】
前記磁性層には、第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成されたスペーサ層とを備える交換結合膜が含まれていることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録ディスクの製造方法。
【請求項５】
前記成膜工程では、成膜中、前記複数枚の磁気記録ディスク用基板を各々２回転以上、自転させることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の磁気記録ディスクの製造方法。
【請求項６】
磁気記録ディスク用基板の表面に下地層、磁性層、および保護層のうちの少なくとも１層を気相中で形成する磁気記録ディスク製造装置において、
同一面内に前記磁気記録ディスク用基板を複数枚保持する基板ホルダと、前記基板ホルダ上で前記複数枚の磁気記録ディスク用基板を各々、面内方向で自転させる回転駆動手段とを有することを特徴とする磁気記録ディスク製造装置。
【請求項７】
磁気記録ディスク用基板を同一面上に複数枚保持する基板ホルダ本体と、該基板ホルダ本体上で前記複数枚の磁気記録ディスク用基板を各々、面内方向で自転させる回転駆動手段とを有することを特徴とする磁気記録ディスク製造用基板ホルダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録ディスク用基板の表面に気相中で薄膜を形成する成膜工程を備えた磁気記録ディスク（光磁気記録ディスクも含む）の製造方法、かかる製造方法を実施するための磁気記録ディスク製造装置、および磁気記録ディスク製造用基板ホルダに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録ディスクは、ガラス基板や金属基板などの非磁性基板の表面に少なくとも下地層、磁性層、保護層、および潤滑層がこの順に積層された構造になっており、これらの薄膜のうち、下地層、磁性層および保護層は、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティングなどの物理気相成長法により形成されることが多い。このような物理気相成長法を行う成膜装置のうち、枚葉式のものでは、ターゲットに対向する面内に磁気記録ディスク用基板を保持する基板ホルダが用いられる。
【０００３】
また、磁気記録ディスクについては、外径寸法が３．５インチや３．０インチから２．５インチ、さらには近年、１．０インチのものが採用されるようになっている。このような磁気記録ディスクのうち、外径寸法が比較的、小さな磁気記録ディスクを製造する際、既存の成膜装置などをそのまま使用できるように、図６に示すように、外径寸法が大きな磁気記録ディスク用基板用の基板ホルダを改造して、小さな磁気記録ディスク用基板１１０を複数枚、保持できるようにした基板ホルダ１００が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１１６２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、かかる基板ホルダ１００を用いて、複数枚の磁気記録ディスク用基板１１０に成膜を行うと、膜厚に偏りができるという問題が発生する。このような偏りは、図６において矢印Ａで示すように、基板ホルダ１００に略同芯状態に対向配置されるターゲット２３５の半径方向に向かって発生し、磁気記録ディスク用基板１１０に形成した薄膜では、ターゲット２３５の半径方向の外側に向かうほど膜厚が薄くなる傾向にある。
【０００５】
ここで、下地層と磁性層の膜厚の偏りは、磁気ヘッドのＲＷ（Ｒｅａｄ／Ｗｒｉｔｅ）特性、および静磁気特性に影響を与えることが知られている。このため、従来の方法で製造した磁気記録ディスクの半径７mm、８．５mm、１０mmの位置での０°、９０°、１８０°、２７０°の各角度位置における磁気ヘッド再生出力を測定すると、図７に示すように、各位置での再生出力に大きな変動が発生する場合がある。また、再生出力は、残留磁化（Ｍｒ）と磁性層の厚さ（ｔ）の積（Ｍｒ×ｔ）に比例するので、従来の方法では、磁気記録ディスクの磁性層などに膜厚の偏りが発生していることが分かる。
【０００６】
また、保護層の膜厚の偏りは、ＨＤＩ（Head−Disk−Interface）特性に影響を与えることが知られている。すなわち、磁気記録ディスクの面内において保護層の膜厚が極端に薄い場所があって、かかる場所に磁気ヘッドが接触すると、クラッシュを起こすおそれがある。このため、保護層の膜厚は、クラッシュなどのＨＤＩ信頼性が保てる膜厚最小値で均一であることが望ましいが、面内に保護層の膜厚分布に偏りがある場合には、平均膜厚を厚めに設定する必要が生じる。その結果、磁性層と磁気ヘッドとのスペーシングが大きくなるので、ＲＷ特性が悪くなり、ＨＤＩ信頼性を低下させる原因となる。それ故、従来の基板ホルダでは高記録メディアの実現が難しい。
【０００７】
また、磁性層を、第１の磁性層と、第２の磁性層と、該第１及び第２の磁性層の間に形成されたスペーサ層とを備える交換結合膜として形成することにより、磁気記録ディスクを反強磁性結合性記録媒体（ＡＦＣ／Antiferromagnetically−coupled  media）とした場合、スペーサ層の膜厚を極薄、具体的には０.７〜１ｎｍに形成する必要があり、かつ、膜厚に対して高い精度が求められる。このため、従来の基板ホルダ１００では、交換結合膜の成膜が困難であるという問題がある。
【０００８】
なお、基板ホルダに複数枚の基板を保持した状態で成膜したときに発生する薄膜の厚さの偏りは、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティングなどの物理気相成長法に限らず、化学気相成長法でも発生する問題点と考えられる。
【０００９】
以上の問題に鑑みて、本発明の課題は、磁気記録ディスク用基板に気相中で成膜する際に膜厚に偏りが発生するのを防止可能な磁気記録ディスクの製造方法、磁気記録ディスク製造装置、および磁気記録ディスク製造用基板ホルダを提案することにある。
【００１０】
また、本発明は、反強磁性結合性記録媒体の交換結合膜を形成するのに適した磁気記録ディスクの製造方法、磁気記録ディスク製造装置、および磁気記録ディスク製造用基板ホルダを提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明では、磁気記録ディスク用基板の表面に少なくとも下地層、磁性層、および保護層を備えた磁気記録ディスクの製造方法において、前記下地層、前記磁性層、および前記保護層のうちの少なくとも１層を気相中で形成する成膜工程を有し、当該成膜工程では、同一面内に前記磁気記録ディスク用基板を複数枚保持する基板ホルダを用いるとともに、成膜中、前記基板ホルダ上で前記複数枚の磁気記録ディスク用基板を各々、面内方向で自転させることを特徴とする。
【００１２】
本発明は、前記成膜工程では、前記下地層、前記磁性層、および前記保護層のうちの少なくとも１層を物理気相成長法により形成し、前記複数枚の磁気記録ディスク用基板は、前記基板ホルダにおいてターゲットと対向する面において当該ターゲットの中心位置と対向する位置を中心に周方向に配置されている場合に特に効果的である。
【００１３】
本発明は、前記下地層、前記磁性層、および前記保護層のうち、少なくとも前記磁性層を前記成膜工程で形成することが好ましい。磁性層の膜厚に偏りがあると、再生出力がばらつく結果となるが、磁性層の膜厚の偏りを防止すると、安定した再生出力を得ることができる。
【００１４】
また、前記磁性層に、第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成されたスペーサ層とを備える交換結合膜が含まれている磁気記録ディスクの製造に本発明を適用すると効果的である。すなわち、磁気記録ディスクを反強磁性結合性記録媒体として構成した場合、薄いスペーサ層の膜厚を高い精度で制御する必要があるが、本発明を適用すれば、このような膜厚制御を実現することができる。
【００１５】
本発明において、前記成膜工程では、成膜中、前記複数枚の磁気記録ディスク用基板を各々２回転以上、自転させることが好ましい。
【００１６】
本発明では、磁気記録ディスク用基板の表面に下地層、磁性層、および保護層のうちの少なくとも１層を気相中で形成する磁気記録ディスク製造装置において、同一面内に前記磁気記録ディスク用基板を複数枚保持する基板ホルダと、成膜中、前記基板ホルダ上で前記複数枚の磁気記録ディスク用基板を各々、面内方向で自転させる回転駆動機構とを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る磁気記録ディスク製造用基板ホルダは、磁気記録ディスク用基板を同一面上に複数枚保持する基板ホルダ本体と、該基板ホルダ本体上で前記複数枚の磁気記録ディスク用基板を各々、面内方向で自転させる回転駆動機構とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、同一面内に磁気記録ディスク用基板を複数枚保持する基板ホルダを用いるとともに、成膜中、基板ホルダ上で複数枚の磁気記録ディスク用基板を各々、面内方向で自転させるため、各磁気記録ディスク用基板上の各位置は成膜中、移動する。このため、物理気相成長法で成膜する際、基板ホルダをターゲットに略同芯状態に対向配置させて成膜を行っても、磁気記録ディスク用基板上の各位置はターゲットに対して相対移動することになる。このため、磁気記録ディスク用基板に形成した薄膜には、膜厚の偏りが発生しない。従って、磁性層として交換結合膜を形成するのにも、十分な膜厚精度をもって交換結合膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、図面を参照して、本発明を適用した実施の形態を説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識容易とするために各層や各部材ごとに縮尺や倍率を相違させてある。
【００２０】
［磁気記録ディスクおよびその製造方法の概略］
図１(ａ)および(ｂ)はそれぞれ、磁気記録ディスクを示す平面図、および磁気記録ディスクの概略断面図である。これらの図に示すように、本形態の磁気記録ディスク１は、中心穴１１１を備えた円形の非磁性基板１１の表面１１ａに下地層１２、磁性層１３、保護層１４、および潤滑層１５をこの順に積層した構造を有している。
【００２１】
非磁性基板１１は、例えば、アルミノシリケートガラスなどの化学強化ガラスからなり、１．０インチ型の場合、外径が２７mm、内径（中心穴１１１の直径）が７mm、および厚さが０．３８１mmである。また、非磁性基板１１の表面１１ａは、表面粗さがＲａで０．３ｎｍ以下、Ｒｍａｘで３ｎｍ以下となるように鏡面研磨が施されている。
【００２２】
このような磁気記録ディスク１の製造工程の概略を説明しながら、各薄膜の構成を以下に説明する。磁気記録ディスク１を製造するには、詳しくは後述するように、まず、非磁性基板１１の表面１１ａに対してＤＣマグネトロンスパッタリング法などの物理気相成長法により第１の下地層１２１を形成する。第１の下地層１２１は、例えば厚さが５ｎｍのＡｌＲｕ合金薄膜である。次に、第１の下地層１２１の上層に対してＤＣマグネトロンスパッタリング法などにより第２の下地層１２２を形成する。第２の下地層１２２は、例えば厚さが５０ｎｍのＣｒＭｏＴｉ合金薄膜である。第１の下地層１２１および第２の下地層１２２からなる下地層１２は、磁性層１３の結晶構造を良好にするために形成される。
【００２３】
次に、下地層１２（第２の下地層１２２）の上層に対してＤＣマグネトロンスパッタリング法などの物理気相成長法により磁性層１３を形成する。磁性層１３は、例えば厚さが１５ｎｍのＣｏＣｒＢ合金薄膜である。
【００２４】
次に、磁性層１３の上層に対してプラズマＣＶＤ法などにより保護層１４を形成する。保護層１４は、例えば、厚さが４ｎｍのアモルファスのダイヤモンドライクカーボンからなり、耐摩耗性を向上させて磁性層１３を保護する機能を担っている。
【００２５】
次に、保護層１４の表面に潤滑層１５をディップ法により形成する。潤滑層１５は、例えば、厚さが１．２ｎｍの薄いパーフルオロポリエーテル層などから構成され、磁気ヘッドと接触した際の衝撃を緩和するなどの機能を担っている。
【００２６】
［磁気記録ディスク製造用成膜装置］
図２(ａ)、(ｂ)は各々、本発明に係る物理気相成長法に用いた枚葉式成膜装置の反応チャンバを模式的に示す説明図、および別の成膜装置の反応チャンバを模式的に示す説明図である。本形態においては、非磁性基板１１の表面１１ａに下地層１２、磁性層１３および保護層１４を成膜するにあたって、例えば、以下に説明する成膜装置が用いられる。ここで、製造途中品（以下、磁気記録ディスク用基板１０という）は、詳しくは後述するように、基板ホルダ３００によって複数枚（本形態では４枚）、保持された状態で成膜装置内を搬送されるようになっている。
【００２７】
図２(ａ)に示す枚葉式成膜装置は、回転搬送型のものであり、反応チャンバ２３０内で、非磁性基板１１の表面１１ａに下地層１２（第１の下地層１２１、第２の下地層１２２）、および磁性層１３を形成することが可能な枚葉式の成膜装置である。従って、反応チャンバ２３０内には、基板ホルダ３００の回転搬送方向に沿って各層のターゲット２３１、２３２、２３３が配置されている。ターゲット２３１は第１の下地層１２１を形成するためのＡｌＲｕターゲットであり、ターゲット２３２は第２の下地層１２２を形成するためのＣｒＭｏＴｉターゲットであり、ターゲット２３３は磁性層１３を形成するためのＣｏＣｒＢターゲットである。なお、各ターゲット２３１、２３２、２３３が配置されている空間は、必要に応じて、基板ホルダ３００の移動を許容しつつ仕切られている。各ターゲット２３１〜２３３は、反応チャンバ２３０内において、搬送されてくる基板ホルダ３００（磁気記録ディスク用基板１０）を挟むように、上側と下側の両側に配置されている。
【００２８】
このように構成した枚葉式成膜装置では、反応チャンバ２３０の上流側に配置された加熱チャンバ２２０で所定の温度まで加熱された磁気記録ディスク用基板１０を、反応チャンバ２３０内のターゲット２３１〜２３３に順次、対向配置させ、ＤＣマグネトロンスパッタリング法などの物理気相成長法を用いて、磁気記録ディスク用基板１０上に下地層１２（第１の下地層１２１、第２の下地層１２２）、磁性層１３を形成した後、磁気記録ディスク用基板１０を反応チャンバ２３０から排出する。
【００２９】
成膜装置としては、図２(ｂ)に示すように、直線搬送型の枚葉式成膜装置を用いることも可能である。成膜装置２００は、基板ホルダ３００の搬送方向に向かって上流側から仕込室２１０と、基板加熱ヒータ２２１が設置された加熱チャンバ２２０と、ターゲット２３１、２３２、２３３が上下に配置された反応チャンバ２３０と、プラズマＣＶＤ室２５０と、取出室２４０と備えた構造となっている。
【００３０】
（基板ホルダ３００）
図３(ａ)および(ｂ)は、本発明を適用した基板ホルダ３００の平面図、およびそのＩ−Ｉ´線で切断した部分の縦断面図である。
【００３１】
本形態の基板ホルダ３００は、３．５インチ型の基板ホルダを改造して、１．０インチ型の磁気記録ディスク用基板１０を４枚、保持できるようにしたものである。基板ホルダ３００は、３．５インチ型用の基板ホルダであった円盤状のベース３０１（基板ホルダ本体）の同一面上に、４枚の１．０インチ型の磁気記録ディスク用基板１０を周方向に等角度間隔で保持可能に構成されている。ベース３０１は、例えばチタン製であり、外径が９５mmである。なお、図３(ａ)、(ｂ)において想像線で示すように、反応チャンバ２３０内のターゲット２３１〜２３３はいずれも、外径がベース３０１よりも大きい１２０mmの円盤形状を備えており、磁気記録ディスク用基板１０は、基板ホルダ３００においてターゲット２３１〜２３３の中心位置と対向する位置を中心に周方向に配置されている。
【００３２】
ベース３０１には、磁気記録ディスク用基板１０より径が大きい４つの貫通穴３１０が周方向に等角度間隔で形成されている。ベース３０１の上面には、貫通穴３１０の開口縁を囲むように取り付けられたベアリング３０２を介して、磁気記録ディスク用基板１０の外周端部を挟持する外周チャッキング機構３３１を備えた基板保持部３０３が回転自在の状態で配置されている。この基板保持部３０３は円形輪郭を備えている。基板保持部３０３の外周チャッキング機構３３１に磁気記録ディスク用基板１０をチャッキングすると、磁気記録ディスク用基板１０は貫通穴３１０と同芯状態に保持される。
【００３３】
また、ベース３０１には、その中心位置に回転駆動部３０５が配置されている。回転駆動部３０５は、４つの基板保持部３０３の外周面の各々に外周面が接触している円盤状の駆動伝達部材３５１を備え、この駆動伝達部材３５１は、減速歯車列などを介して、ベース３０１に固定されたモータ３５２の出力軸に連結されている。
【００３４】
従って、基板保持部３０３に磁気記録ディスク用基板１０を保持した状態で、モータ３５２を起動させて、駆動伝達部３５１を例えば時計周りＣＷに回転させると、４枚の磁気記録ディスク用基板１０は各々、面内で反時計周りＣＣＷに自転する。このようにして本形態では、ベアリング３０２、基板保持部３０３、および回転駆動部３０５などによって磁気記録ディスク用基板１０を面内で自転させる基板回転手段が構成されている。
【００３５】
なお、本形態のモータ３５２は、例えば、内蔵電池によって駆動されるようになっており、磁気記録ディスク用基板１０を１分間に１００回転（１００ｒｐｍ）させるように、減速歯車列などが設定されている。
【００３６】
（磁気記録ディスク１の製造方法）
このように構成した基板ホルダ３００を用いて、ガラス基板（非磁性基板１１）の表面に下地層１２（第１の下地層１２１、第２の下地層１２２）、磁性層１３を成膜するにあたって、まず、精密研磨及び化学強化された１．０インチ型のガラス基板を４枚、保持した基板ホルダ３００を、自動搬送装置（図示せず）にセットして、所定の仕込室から加熱チャンバ２２０内に導入する。その際、基板ホルダ３００において、回転駆動部３０５を駆動して、基板保持部３０３を所定の速度で回転させ、磁気記録ディスク用基板１０を基板ホルダ３００上で定速で自転させた状態とする。加熱チャンバ２２０では、磁気記録ディスク用基板１０を加熱ヒータ２２１によって、例えば３００℃、１分間の加熱条件で加熱する。
【００３７】
次に、基板ホルダ３００を反応チャンバ２３０内に導入する。基板ホルダ３００は所定の搬送速度で搬送され、基板ホルダ３００が各ターゲット２３１〜２３３に略同芯状態に対向設置された状態で成膜が行われる。このような成膜が行われる間、磁気記録ディスク用基板１０は定速で自転している。ここで、磁気記録ディスク用基板１０の自転数は、１回の成膜工程にかかる時間により決定されるが、１回の成膜工程において、成膜中、２回転以上、磁気記録ディスク用基板１０を自転させることが好ましい。
【００３８】
このようにしてガラス基板１１の両面に、膜厚が５ｎｍのＡｌＲｕ層（第１の下地層１２１）、および膜厚が５０ｎｍのＣｒＭｏＴｉ（第２の下地層１２２）からなる下地層１２と、膜厚が１５ｎｍのＣｏＣｒＢ磁性層１３とを形成する。ここで、反応チャンバ２３０内のスパッタリング条件は、例えば、スパッタ圧力が５ｍＴｏｒｒであり、スパッタ雰囲気がアルゴンの不活性ガスである。
【００３９】
このようにして成膜が終了した基板ホルダ３００は、成膜装置から排出される。また、成膜装置から排出された磁気記録ディスク用基板１０に対しては、磁性層１３の上層に対してプラズマＣＶＤ法などにより保護層１４を形成した後、カーボン保護層１４の上層にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤をディップ法により塗布することにより潤滑層１５を形成する。パーフルオロポリエーテル系潤滑剤としては、例えば、Solvay  Solexis社製のFomblin−Ｚ−Tetraol（商品名）を用いることができ、潤滑剤の塗布後、磁気記録ディスク用基板１０は、オーブンを用いて１００℃で１時間、加熱処理が施され、潤滑層１５を磁気記録ディスク用基板１０の最表層に定着させる。ここで、潤滑層１５の膜厚をフーリエ変換型赤外分光光度計（ＦＴＩＲ）で測定したところ１．２ｎｍであった。
【００４０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、基板ホルダ３００によって保持されている複数枚の磁気記録ディスク用基板１０を各々、自転させた状態で物理気相成長法により各層の成膜を行っている。磁気記録ディスク用基板を周方向に回転させながら成膜を行うので、基板ホルダ３００をターゲット２３１〜２３３に略同芯状態に対向配置させて成膜を行っても、磁気記録ディスク用基板１０の表面の薄膜には、膜厚に偏りが発生しない。
【００４１】
また、図４には、本発明を適用した製造方法によって製造された各磁気記録ディスク１の半径７mm、８．５mm、１０mmの位置での０°、９０°、１８０°、２７０°の各角度位置における磁気ヘッド再生出力を測定した結果を示してある。ここで、１つの基板ホルダ３００に保持された４枚の磁気記録ディスク用基板１０から製造した各磁気記録ディスク１は略同一の結果を示し、図４に示す結果は、そのうちの１枚のデータである。
【００４２】
図４からわかるように、本形態によれば、各位置での再生出力のばらつきが極めて小さく、再生出力の変動は３％以内である。ここで、再生出力は、残留磁化をＭｒとし、磁性層１３の厚さをｔとしたとき、（Ｍｒ×ｔ）に比例するので、磁性層１３には膜厚に偏りが発生していないことがわかる。このように本形態によれば、磁性層１３を含む各層の膜厚に偏りが発生していないので、ＲＷ特性、静磁気特性、ＨＤＩ特性に与える影響が小さい。それ故、ＨＤＩなどの信頼性を向上することができるという効果を奏する。
【００４３】
また、本形態では、基板ホルダ３００を加熱チャンバ２２０に導入して、磁気記録ディスク用基板１０を加熱する際も、磁気記録ディスク用基板１０を周方向に回転させるので、磁気記録ディスク用基板１０の面内において熱分布に偏りが発生しない。
【００４４】
［その他の実施の形態］
本発明は、図５に示すように、磁気記録ディスク１を、磁性層１３ａが第１の磁性層１３１と、第２の磁性層１３３と、第１及び第２の磁性層の間に形成されたスペーサ層１３２とを備える交換結合膜とした反強磁性結合性記録媒体として構成する場合には特に効果的である。このような磁気記録ディスク１では、第１の磁性層１３１と第２の磁性層１３３とをスペーサ層１３２を介して反平行結合させるため、スペーサ層１３２の膜厚については、０．７〜１ｎｍといった極めて薄くて、かつ、高い膜厚精度が求められるが、本発明によれば、かかるスペーサ層１３２の形成にも十分対応することができる。それ故、小型の磁気記録ディスク１でも、反強磁性結合性記録媒体として構成することにより、大容量化を実現できる。
【００４５】
また、本発明は、垂直磁気記録方式の磁気記録ディスク１を製造する際、複合ターゲットを用いてグラニュラー構造をスパッタ法などにより形成する場合にも適用することができる。
【００４６】
さらに、上記形態は、下地層１２および磁性層１３を物理気相成長法により形成する際、ターゲットとの位置関係に起因する膜厚の偏りを解消したが、例えば、下地層１２その他の層をスパッタ法で成膜する際や、保護層１４をプラズマＣＶＤ法で成膜する際に本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】(ａ)および(ｂ)はそれぞれ、磁気記録ディスクを示す平面図、および磁気記録ディスクの概略断面図である。
【図２】(ａ)および(ｂ)はそれぞれ、本発明に係る物理気相成長法に用いた回転搬送型の枚葉式成膜装置の構成を模式的に示す説明図、および直線搬送型の枚葉式成膜装置を模式的に示す説明図である。
【図３】(ａ)および(ｂ)は、本発明を適用した基板ホルダの平面図、およびそのＩ−Ｉ´線で切断した部分の縦断面図である。
【図４】本発明の製造方法によって製造された磁気記録ディスクの磁気ヘッド再生出力（Ｍｒ×ｔ）を測定した結果の図である。
【図５】本発明を適用した製造方法によって製造される磁気記録ディスクの交換結合膜の説明図である。
【図６】従来の基板ホルダを示す説明図である。
【図７】従来の基板ホルダを用いて製造された磁気記録ディスクの磁気ヘッド再生出力（Ｍｒ×ｔ）を測定した結果の図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  磁気記録ディスク
１０  磁気記録ディスク用基板
１１  非磁性基板
１２  下地層
１３  磁性層
１３ａ  磁性層（交換結合膜）
１４  保護層
１５  潤滑層
１３１  第１の磁性層
１３２  スペーサ層
１３３  第２の磁性層
２００  成膜装置
２３０  反応チャンバ
２３１〜２３３  ターゲット
３００  基板ホルダ
３０１  ベース
３０２  ベアリング
３０３  基板保持部
３０５  回転駆動部
【図１】
2007095205.tif 000003
【図２】
2007095205.tif 000004
【図３】
2007095205.tif 000005
【図４】
2007095205.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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