(57)【要約】      （修正有）【課題】容易かつ確実にデータを消去することができる携帯電話等の携帯端末のデータ消去装置を提供する。【解決手段】携帯電話等の携帯端末１の入出力コネクタ１１にプローブ２１を接続した状態で、プローブ２１から携帯端末１内の回路に対し、定格を超える電流信号が送信され、携帯端末内の回路を復元不能に破壊する事が出来、容易かつ確実にデータを消去する。【選択図】図１
2007200101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入出力コネクタを有する携帯端末に記憶されたデータを消去するデータ消去装置であって、
入出力コネクタに接続可能なプローブを具備し、当該プローブから接続した携帯端末の定格を超える電流信号を送信することを特徴とするデータ消去装置。
【請求項２】
前記プローブは、携帯端末の入出力コネクタにおいて電源の供給を受ける電源端子および情報の送受信を行う１または複数の情報端子に対し、それぞれ接続可能な複数の出力端子を有し、
携帯端末の各端子に接続される回路の内部抵抗がより低い端子に対応する出力端子から順に、当該回路の定格電流を超える電流信号をそれぞれ送信することを特徴とする請求項１記載のデータ消去装置。
【請求項３】
出力端子に所定の電流を流すためのスイッチング素子を具備し、
携帯端末の電源端子に対応する出力端子に対するスイッチング素子としてサイリスタを用い、携帯端末の情報端子に対応する出力端子に対するスイッチング素子としてＭＯＳ−ＦＥＴを用いることを特徴とする請求項２記載のデータ消去装置。
【請求項４】
交流電源を所定の電圧に変換するトランスと、変換した電圧により電荷を充電可能なコンデンサとを有し、コンデンサに充電された電荷を放電することにより、電流信号を生成する電源装置を具備することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のデータ消去装置。
【請求項５】
電流信号は、コンデンサの充放電により生成された複数のパルス状の信号を含むことを特徴とする請求項４記載のデータ消去装置。
【請求項６】
プローブにおける電流信号の送信時の印加電圧は、１００Ｖ以上１８０Ｖ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のデータ消去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の携帯端末に記憶されたデータを消去するデータ消去装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の携帯端末において、不要となり廃棄する際、個人の情報等が他者に漏洩しないようにするために、携帯端末に記憶されたデータの消去が行われる。
【０００３】
しかしながら、ソフトウェア等によりデータを消去するだけでは、データの一部が失われることなく残存する可能性があり、完全ではない。
【０００４】
そこで、従来、回路を水に浸ける、穴を開ける、ハンマー等により破壊する等の処置が採られていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、このような従来の処置においては、以下のような問題があった。すなわち、回路を水に浸ける方法では、乾燥させると、回路が復帰して再び動作可能な場合があり、データも引き出し可能となる問題があった。また、穴を開けたり、ハンマー等により物理的に破壊する方法は、確実に破壊するとなると、大きな荷重をかける装置が必要となり、コストもかかり手間である。
【０００６】
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するべくなされたもので、容易かつ確実にデータを消去することができる携帯電話等の携帯端末のデータ消去装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るデータ消去装置は、入出力コネクタを有する携帯端末に記憶されたデータを消去するデータ消去装置であって、入出力コネクタに接続可能なプローブを具備し、当該プローブから接続した携帯端末の定格を超える電流信号を送信することを特徴とするものである。
【０００８】
上記構成のデータ消去装置によれば、携帯電話等の携帯端末の入出力コネクタにプローブを接続した状態で、プローブから携帯端末内の回路に対し、定格を超える電流信号が送信される。
【０００９】
このように、携帯端末に対し、定格を超える電流を流すことにより、携帯端末内の回路を復元不能に破壊することができ、容易かつ確実にデータを消去することができる。
【００１０】
好ましくは、前記プローブは、携帯端末の入出力コネクタにおいて電源の供給を受ける電源端子および情報の送受信を行う１または複数の情報端子に対し、それぞれ接続可能な複数の出力端子を有し、携帯端末の各端子に接続される回路の内部抵抗がより低い端子に対応する出力端子から順に、当該回路の定格電流を超える電流信号をそれぞれ送信するように構成される。
【００１１】
この場合、プローブには、携帯端末の入出力コネクタの電源端子および情報端子に対し、それぞれ接続可能な複数の出力端子が備えられている。そして、プローブから携帯端末に対して電流信号を送信する際に、プローブに接続された携帯端末の各端子のうち、当該端子に接続された回路の内部抵抗がより低い端子に対応するプローブの出力端子から順に、当該回路の定格電流を超える電流信号が送信される。
【００１２】
これにより、携帯端末の略すべての回路に対し、電流信号を効率的に送信することが可能となるため、より確実にデータを消去することができる。
【００１３】
好ましくは、出力端子に所定の電流を流すためのスイッチング素子を具備し、携帯端末の電源端子に対応する出力端子に対するスイッチング素子としてサイリスタを用い、携帯端末の情報端子に対応する出力端子に対するスイッチング素子としてＭＯＳ−ＦＥＴを用いるように構成される。
【００１４】
この場合、電源端子に対しては、電流値の比較的大きい電流信号を送信する必要があるため、比較的大きい電流に対応可能なサイリスタが用いられる。一方、情報端子に対しては、電流値の比較的小さい電流信号を送信すればよいため、応答性の高いＭＯＳ−ＦＥＴが用いられる。
【００１５】
したがって、適所により好適なスイッチング素子を用いることにより、より安価かつ高性能な装置を実現することができる。
【００１６】
好ましくは、交流電源を所定の電圧に変換するトランスと、変換した電圧により電荷を充電可能なコンデンサとを有し、コンデンサに充電された電荷を放電することにより、電流信号を生成する電源装置を具備するように構成される。
【００１７】
この場合、電源装置において、トランスにより交流電源が所定の電圧に変換され、変換された電圧によりコンデンサに電荷が充電される。そして、コンデンサに充電された電荷を放電することにより電流信号が生成される。
【００１８】
したがって、コンデンサへの充放電を制御することにより、安定的かつ効率的に電流信号を送信することができる。
【００１９】
さらに好ましくは、電流信号は、コンデンサの充放電により生成された複数のパルス状の信号であるように構成される。
【００２０】
この場合、電流信号は、コンデンサの放電時間を短く（パルス的に）して所定間隔で所定回数繰り返すことにより複数のパルス状の信号として生成される。
【００２１】
これにより、安定的な電流信号の送信が可能になる。また、パルス幅、パルス間隔、およびパルス回数等を種々変更することにより、破壊する回路により最適な電流信号の生成が可能となる。
【００２２】
好ましくは、プローブにおける電流信号の送信時の印加電圧は、１００Ｖ以上１８０Ｖ以下であるように構成される。また、より好ましくは、１６０Ｖであるように構成される。
【００２３】
この場合、携帯端末内の回路の定格を十分に上回る電流信号を生成可能である一方、高圧負荷によるプローブの損傷（熱による溶解等）や携帯端末の発火を防止することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係るデータ消去装置によれば、携帯端末に対し、定格を超える電流を流すことにより、携帯端末内の回路を復元不能に破壊することができ、容易かつ確実にデータを消去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明を実施するための最良の形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に係るデータ消去装置を示す図である。図１（ａ）は外観図を示し、図１（ｂ）は携帯端末とデータ消去装置とを接続するそれぞれのコネクタを示す図である。
【００２６】
本実施形態におけるデータ消去装置は、図１（ａ）に示すように、入出力コネクタ１１を有する携帯端末１に記憶されたデータを消去するデータ消去装置２であって、入出力コネクタ１１に接続可能なプローブ２１を具備し、当該プローブ２１から接続した携帯端末の定格を超える電流信号を送信することを特徴とするものである。なお、本実施形態においては、データ消去装置２において電流信号を生成する回路が内蔵されたデータ消去装置本体２２の表面に消去開始ボタン（プッシュボタン）２３および消去中を示すインジケータランプ２４をさらに有している。
【００２７】
携帯端末１の入出力コネクタ１１は、複数の入出力端子１２（１２1，１２2，…）としての電気接点を有し、電源の供給をうける電源端子または情報の送受信を行う情報端子として割り当てられている（使用しない端子も存在し得る）。一方、本実施形態のプローブ２１は、携帯端末１の入出力コネクタ１１において電源の供給を受ける電源端子および情報の送受信を行う１または複数の情報端子に対し、それぞれ接続可能な複数の出力端子２２（２２1，２２2，…）を有し、携帯端末１の各端子１２に接続される回路における定格電流がより低い端子１２に対応する出力端子２２から順に、当該回路の定格電流を超える電流信号をそれぞれ送信するように構成される。
【００２８】
上記構成のデータ消去装置２によれば、携帯電話等の携帯端末１の入出力コネクタ１１にプローブ２１を接続した状態で、プローブ２１から携帯端末１内の回路に対し、定格を超える電流信号が送信される。
【００２９】
より具体的に説明する。図２は図１のデータ消去装置における概略電気回路図である。なお、図２においては本実施形態のデータ消去装置において発明の特徴部分に関係する回路のみを記載し、他の構成については簡単のためあえて省略してある。
【００３０】
本実施形態においては、図２に示すように、電源装置３として、交流電源３１と、交流電源３１を所定の電圧に変換するトランス３２と、変換した電圧により電荷を充電可能なコンデンサ３３とを有している。そして、ＣＰＵ３５による自動制御に基づいて、コンデンサ３３に充電された電荷を放電することにより、電流信号を生成するように構成される。なお、図２における出力端子２２の形状は、簡単のため、図１のプローブ２１に対応した形状とはなっていない。
【００３１】
まず、携帯端末１の入出力コネクタ１１とデータ消去装置２のプローブ２１とを接続することにより、携帯端末１の各入出力端子１２とデータ消去装置２の出力端子２２とが電気的に接続される。携帯端末１の入出力端子１２に接続された回路が存在し、かつ、破壊されていなければ（データ消去前の段階において）、データ消去装置２と導通する。そして、ＣＰＵ３５の制御に基づいて、導通された入出力端子１２に接続された回路の内部抵抗が最も小さい回路（に接続された入出力端子１２）から順に電流信号を送信する。内部抵抗が最も小さい回路に当該回路の定格電流を超える電流信号を流して当該回路を破壊し、データを消去する。
【００３２】
このように、携帯端末に対し、定格を超える電流を流すことにより、携帯端末内の回路を復元不能に破壊することができ、容易かつ確実にデータを消去することができる。
【００３３】
ここで、内部抵抗が最も小さい回路に電流信号が流れ終わると、当該回路は破壊されるため、導通しなくなる。したがって、当該破壊された回路の次に内部抵抗が小さい回路に対し、電流信号が送信されることとなる。このようにして、コンデンサ３３への電荷充電後、消去開始ボタン２３を押下することにより、プローブ２１に接続された携帯端末１の各入出力端子１２のうち、当該端子１２に接続された回路の内部抵抗がより小さい端子１２に対応するプローブ２１の出力端子２２から順に、当該回路の定格電流を超える電流信号が送信される。電流信号が送信されている間、ＣＰＵ３５は当該送信されている電流を検知してインジケータランプ２４を点灯させる。なお、充電が完了したか否かを検出する回路を別途付加して、充電完了時に別途ランプを点灯させることとしてもよい。
【００３４】
これにより、携帯端末１の略すべての回路に対し、電流信号を効率的に送信することが可能となるため、より確実にデータを消去することができる。
【００３５】
続いて、送信される電流信号の生成について説明する。電源装置３においては、トランス３２により交流電源３１が所定の電圧に変換され、変換された電圧によりコンデンサ３３に電荷が充電される。充電された電荷は、ＣＰＵ３５における自動制御により、所定の出力端子２２に対して放電される。ＣＰＵ３５によって放電が制御されることにより、電流信号が生成される。
【００３６】
したがって、ＣＰＵ３５によりコンデンサ３３への充放電を制御することにより、安定的かつ効率的に電流信号を送信することができる。
【００３７】
ここで、電源回路３は、コンデンサ３３から出力端子２１に所定の電流を流すためのスイッチング素子３４を具備し、携帯端末１の電源端子１２に対応する出力端子２２（図２においては出力端子２２2）に対するスイッチング素子３４としてサイリスタ３４１を用い、携帯端末１の情報端子１２に対応する出力端子２２（図２においては出力端子２２3）に対するスイッチング素子としてＭＯＳ−ＦＥＴ３４２を用いるように構成される。
【００３８】
すなわち、電源端子に対しては、電流値の比較的大きい電流信号を送信する必要があるため、比較的大きい電流に対応可能なサイリスタ３４１が用いられる。一方、情報端子に対しては、電流値の比較的小さい電流信号を送信すればよいため、応答性の高いＭＯＳ−ＦＥＴ３４２が用いられる。
【００３９】
したがって、適所により好適なスイッチング素子３４を用いることにより、より安価かつ高性能な装置を実現することができる。
【００４０】
なお、複数の情報端子が存在する場合には、ＭＯＳ−ＦＥＴ３４２を含むスイッチング回路３６を複数配置し、ＣＰＵ３５において制御することにより、適用可能である。また、定格値および携帯端末１の回路構成によっては、１つの出力端子２２から複数の入出力端子１２に接続された携帯端末１内の回路について電流信号を送信することも可能である。この場合であっても、電流信号が流れて回路が破壊されれば、当該破壊された回路に接続された入出力端子１２からのフィードバック（電流検出）が不可能になるため、ＣＰＵ３５において自動的に破壊していない回路に接続された入出力端子１２を検出し得る。
【００４１】
ここで、電流信号は、コンデンサ３３の充放電により生成された複数のパルス状の信号を含むように構成される。図３は本実施形態における電流信号の電圧波形の例を示す図である。
【００４２】
ここでは、携帯端末１の電源端子、情報端子（高）、および情報端子（低）の３つの入出力端子１２に接続された回路を破壊するための電流信号を例示する。なお、これらの端子に接続された回路の内部抵抗は低い方から順に、情報端子（低）、情報端子（高）、および電源端子となる。これは、定格電流が低い順であることと同義である。
【００４３】
携帯端末１とデータ消去装置２とが接続されると、まず、ＣＰＵ３５は、携帯端末１の入出力コネクタ１１の情報端子（低）に対応する出力端子２２に接続されたＭＯＳ−ＦＥＴ３４２のスイッチング制御を行う。このとき、ＣＰＵ３５からの電流制御により、トランジスタ３７をスイッチングすることにより、ＭＯＳ−ＦＥＴ３４２の出力波形は、コンデンサ３３から放電される電流がパルス的に切り取られ、所定のパルス幅およびパルス間隔で所定回数繰り返された複数のパルス状の信号を含む信号として生成される。
【００４４】
電流信号をパルス的に送信することにより、安定的な電流信号の送信が可能になる。また、パルス幅、パルス間隔、およびパルス回数等を種々変更することにより、破壊する回路により最適な電流信号の生成が可能となる。
【００４５】
なお、プローブ２１における電流信号の送信時の印加電圧は、１００Ｖ以上１８０Ｖ以下であるように構成される。また、より好ましくは、１６０Ｖであるように構成される。
【００４６】
この場合、携帯端末１内の回路の定格を十分に上回る電流信号を生成可能である一方、高圧負荷によるプローブの損傷（熱による溶解等）や携帯端末１の発火を防止することができる。
【００４７】
このような電流信号により、情報端子（低）に接続された携帯端末１の回路が破壊される。
【００４８】
情報端子（低）に接続された携帯端末１の回路が破壊されると、次に内部抵抗の小さい回路の情報端子（高）に対応する出力端子２２に接続されたＭＯＳ−ＦＥＴ３４２がＣＰＵ３５により制御される。この際、ＣＰＵ３５は、上記と同様に情報端子（高）に電流信号を送信するべく制御する。このとき、情報端子（低）に接続された回路より定格電流が大きくなるため、情報端子（低）に対する電流信号よりも電流値が大きい電流信号を生成する必要がある。したがって、本実施形態においては、図３に示すように、パルス幅を大きくする（パルス間隔同一）ことによって電流信号の電流値を大きくさせる。
【００４９】
さらにこの電流信号により、情報端子（高）に接続された携帯端末１の回路が破壊されると、最後に残った内部抵抗の最も大きい電源回路の電源端子に対応する出力端子２２に接続されたサイリスタ３４１がＣＰＵ３５により制御される。ＣＰＵ３５は、上記と同様に電源端子に電流信号を送信するべく制御する。このとき、情報端子（高）に接続された回路より定格電流が大きくなるため、情報端子（低）に対する電流信号よりも電流値が大きい電流信号を生成する必要がある。ここで、電源端子に対する電流信号の生成においては、スイッチング素子がＭＯＳ−ＦＥＴ３４２に比して応答速度の劣るサイリスタ３４１を用いていることおよび電流信号の電流値が大きいことから、本実施形態においてはパルス信号とする制御は行っていない。
【００５０】
以上のように制御されることにより、携帯端末１の略すべての回路に対し、電流信号を効率的に送信することが可能となるため、より確実にデータを消去することができる。
【００５１】
以上、本発明に係る実施の形態を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変更、修正が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態に係るデータ消去装置を示す図である。
【図２】図１のデータ消去装置における概略電気回路図である。
【図３】本実施形態における電流信号の電圧波形の例を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  携帯端末
１１  入出力コネクタ
２  データ消去装置
２１  プローブ
２２  出力端子
３  電源装置
３１  交流電源
３２  トランス
３３  コンデンサ
３４  スイッチング素子
３４１  サイリスタ
３４２  ＭＯＳ−ＦＥＴ
【図１】
2007200101.tif 000003
【図２】
2007200101.tif 000004
【図３】
2007200101.tif 000005