(57)【要約】【課題】  ドライポンプからチャンバへの赤外線の入射を抑制する露光装置を提供する。【解決手段】  露光装置は、チャンバと、ドライポンプと、排気路と、赤外線遮蔽部とを備える。チャンバは、露光装置を構成するコンポーネントを収容する。ドライポンプは、チャンバ内の気体を排気する。排気路は、チャンバとドライポンプとを接続する。赤外線遮蔽部は、チャンバ内の排気路の入口部および排気路内の少なくとも一方に形成され、ドライポンプからチャンバへの赤外線の入射を妨げる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置を構成するコンポーネントを収容するチャンバと、
前記チャンバ内の気体を排気するドライポンプと、
前記チャンバと前記ドライポンプとを接続する排気路と、
前記チャンバ内の前記排気路の入口部および前記排気路内の少なくとも一方に形成され、前記ドライポンプから前記チャンバへの赤外線の入射を妨げる赤外線遮蔽部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の露光装置において、
前記赤外線遮蔽部は、複数の突起片により前記排気路を通気可能に遮蔽する遮蔽構造を有することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項１に記載の露光装置において、
前記赤外線遮蔽部は、前記気体を通過させる通気部が形成されるとともに、前記排気路を遮蔽する遮蔽部材を有することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の露光装置において、
前記遮蔽部材を冷却する冷却器をさらに備えることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４に記載の露光装置において、
前記赤外線遮蔽部として、前記ドライポンプから前記赤外線の直射を遮る曲部を前記排気路に形成したことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の露光装置において、
前記赤外線遮蔽部として、前記赤外線を散乱させる複数の突起を前記排気路の内面に形成したことを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の露光装置において、
前記突起が粗面化処理で形成されることを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の露光装置において、
前記赤外線遮蔽部として、前記赤外線の反射防止膜を前記排気路の内面に形成したことを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の露光装置において、
前記赤外線遮蔽部は、前記排気路を冷却する冷却器を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の露光装置において、
前記露光装置がＥＵＶ露光装置であることを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の露光装置において、
前記露光装置が荷電粒子線露光装置であることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空環境下で運転される露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、１〜５０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ光を使用したＥＵＶ露光装置や、荷電粒子線を使用した荷電粒子線露光装置が開発されている（なお、上記の露光装置の一例として特許文献１を示す）。
ＥＵＶ露光装置や荷電粒子線露光装置は、投影光学系、原版ステージ、感応基板ステージ等のコンポーネントを具備している。これらのコンポーネントは、ＥＵＶ光や荷電粒子線の空気による吸収を防ぐために真空雰囲気のチャンバの内部に配置されることが一般的である。そして、チャンバには真空引きのためのドライポンプが排気路を介して接続されている。
【０００３】
また、上記の露光装置では、露光時においてウエハ、レチクルおよび光学素子などに熱変形が生じると露光精度が低下する。そのため、チャンバ内の各コンポーネントについては温度管理を非常に高い精度で行う必要がある。
【特許文献１】特開２００５−２０３７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の発明者は上記露光装置における露光時の諸現象を解析した。その結果、ドライポンプの生じる赤外線が排気路を介してチャンバ内に入射し、チャンバ内のコンポーネントを加熱することを突き止めた。
本発明は上記従来技術の課題を解決するためのものであって、その目的は、ドライポンプからチャンバへの赤外線の入射を抑制する露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る露光装置は、チャンバと、ドライポンプと、排気路と、赤外線遮蔽部とを備える。チャンバは、露光装置を構成するコンポーネントを収容する。ドライポンプは、チャンバ内の気体を排気する。排気路は、チャンバとドライポンプとを接続する。赤外線遮蔽部は、チャンバ内の排気路の入口部および排気路内の少なくとも一方に形成され、ドライポンプからチャンバへの赤外線の入射を妨げる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の露光装置では、ドライポンプからチャンバへの赤外線の入射に起因する露光装置のコンポーネントの温度上昇を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
（第１実施形態の説明）
以下、第１実施形態の露光装置の構成を説明する。まず、図２を参照しつつ本発明の一例に係るＥＵＶ露光装置の全体構成を模式化して説明する。
図２に示すＥＵＶ露光装置１００は、露光の照明光としてＥＵＶ光を用いる。ＥＵＶ光の波長は０．１〜４００ｎｍの範囲であるが、この実施形態では１〜５０ｎｍ程度の波長のＥＵＶ光が用いられる。投影光学系は像光学システム１０１を用いたものである。ウエハ１０３上に照射されるパターンは反射型のレチクル１０２により決められる。ウエハ１０３上にはレチクル１０２によるパターンの縮小像が形成されることとなる。上記のレチクル１０２はレチクルステージ１０４の下側に静電チャック（不図示）を介して配置される。ウエハ１０３はウエハステージ１０５上に配置される。典型的には、露光はステップ・スキャンによりなされる。露光装置全体は所定の温度範囲に保たれたクリーンルームに配置されており、装置内部も所定の温度範囲となるように制御されている。
【０００８】
露光時の照明光に使用されるＥＵＶ光は大気に対する透過性が低いので、ＥＵＶ光が通過する光経路は、真空ポンプ１０７で真空に保たれた真空チャンバ１０６に囲まれている。また、ＥＵＶ光はレーザプラズマＸ線源によって生成される。レーザプラズマＸ線源はレーザ源１０８（励起光源として作用）とキセノンガス供給装置１０９からなっている。このレーザプラズマＸ線源は真空チャンバ１１０で取り囲まれており、レーザプラズマＸ線源で生成されたＥＵＶ光は真空チャンバ１１０の窓１１１を通過する。
【０００９】
放物面ミラー１１３は、キセノンガス放出部の近傍に配置されている。放物面ミラー１１３はプラズマによって生成されたＥＵＶ光を集光する集光光学系を構成する。この放物面ミラー１１３の焦点位置は、ノズル１１２からのキセノンガスが放出される位置の近傍にくるように調節されている。ＥＵＶ光は放物面ミラー１１３の多層膜で反射し、真空チャンバ１１０内の窓１１１を通じて集光ミラー１１４へと達する。集光ミラー１１４はレチクル１０２へＥＵＶ光を集光、反射させる。ＥＵＶ光は集光ミラー１１４で反射され、レチクル１０２の所定の部分を照明する。すなわち、放物面ミラー１１３と集光ミラー１１４はこの露光装置の照明システムを構成する。
【００１０】
レチクル１０２は、ＥＵＶ光を反射する多層膜とパターンを形成するための吸収体パターン層を有している。レチクル１０２でＥＵＶ光が反射されることでＥＵＶ光はパターン化される。パターン化されたＥＵＶ光は像光学システム１０１を通じてウエハ１０３に達する。
図２での像光学システム１０１は、凹面第１ミラー１１５ａ、凸面第２ミラー１１５ｂ、凸面第３ミラー１１５ｃ、凹面第４ミラー１１５ｄの４つの反射ミラーからなっている。各々のミラー１１５ａ〜１１５ｄはＥＵＶ光を反射する多層膜が備えられている。
【００１１】
レチクル１０２で反射されたＥＵＶ光は、第１ミラー１１５ａから第４ミラー１１５ｄまで順次反射されて、レチクル１０２のパターンの縮小像（例えば、１／４、１／５、１／６の縮小率）を形成する。像光学システム１０１は、像の側（ウエハ１０３の側）でテレセントリックになるように設定されている。
レチクル１０２は可動のレチクルステージ１０４によって少なくともＸ−Ｙ平面内で支持されている。ウエハ１０３は、好ましくはＸ，Ｙ，Ｚ方向に可動のウエハステージ１０５によって支持されている。ウエハ１０３上のダイを露光するときには、照明システムによりＥＵＶ光がレチクル１０２の所定の領域に照射される。そして、レチクル１０２とウエハ１０３とは像光学システム１０１に対して上記の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、レチクルパターンはウエハ１０３上の所定の露光範囲（ダイに対して）に露光される。
【００１２】
露光の際には、ウエハ１０３上のレジストから生じるガスが像光学システム１０１のミラー１１５ａ〜１１５ｄに影響を与えないように、ウエハ１０３はパーティション１１６の後ろのウエハチャンバに配置されることが好ましい。パーティション１１６は開口１１６ａを有しており、開口１１６ａを通じてＥＵＶ光がミラー１１５ｄからウエハ１０３へと照射される。パーティション１１６内の空間は真空ポンプ１１７により真空排気されている。このようにして、露光時に生じるガス状のゴミがミラー１１５ａ〜１１５ｄあるいはレチクル１０２に付着するのを防ぎ、これらの光学性能が悪化することを防止している。
【００１３】
図１に戻って、第１実施形態の露光装置での主要部を説明する。説明の便宜上、図１ではウエハおよびウエハステージを収容するウエハチャンバとその排気系（図２では１１６および１１７に対応する）の例を説明する。勿論、第１実施形態の構成を、例えば、レチクルおよび像光学システムを収容する真空チャンバとその排気系（図２では１０６および１０７に対応する）などのその他の箇所に適用してもよい。
【００１４】
図１での露光装置は、真空チャンバ１１と、ターボポンプ１２と、メカニカルポンプ１３と、排気ダクト１４と、ダクト用冷却器１５と、投影光学系１６と、ウエハ１７と、ウエハステージ１８とを有する。
真空チャンバ１１内にはウエハ１７およびウエハステージ１８が収容されている。真空チャンバ１１の上方には投影光学系１６からウエハ１７にＥＵＶ光を導く開口が形成されている。また、真空チャンバ１１においてウエハステージ１８の下方には排気ダクト１４の一端が接続されている。排気ダクト１４の他端はターボポンプ１２の吸気口に接続されている。さらに、排気ダクト１４は、液冷配管１５ａで接続されたダクト用冷却器１５によって冷却されている。
【００１５】
一方、ターボポンプ１２の排気口には、あら引き用のメカニカルポンプ１３が直列に接続されている。そして、これらの真空ポンプ１２、１３の駆動によって、真空チャンバ１１の内部は１０-5Ｐａ程度の高真空に保たれる。なお、ターボポンプ１２は、液冷配管１９ａで接続されたポンプ用冷却器１９によって冷却される。
ここで、第１実施形態の排気ダクト１４は、一端側からＬ字状に屈曲して他端側に連絡している。また、排気ダクト１４の内面には、目荒らしなどの粗面化処理によって無数の突起が形成されている。そのため、排気ダクト１４の内面は、後述の赤外線の反射を妨げる反射防止面を構成している。この排気ダクト１４の突起の高さ（すなわち、排気ダクト１４の内面の表面粗さ）は、反射を防止する赤外線の波長に応じて適宜設定される。一例として、第１実施形態では、排気ダクト１４の内面の突起高さが数μｍ〜数ｍｍ程度となるように設定される。なお、排気ダクト１４の内面にネジ切り等の表面加工を施したり、けい砂や各種セラミック粉などを基材に混入して塗布するなどの手段によって上記の突起を形成するようにしてもよい。
【００１６】
以下、第１実施形態の露光装置の作用を説明する。ターボポンプ１２はポンプ用冷却器１９によって冷却されるが、ターボポンプ１２の動作時にはターボポンプに内蔵されたモータからも赤外線が発生する。この赤外線は真空チャンバ１１に向けて排気ダクト１４に放射されることとなる。
しかし、上記のように排気ダクト１４はＬ字状に屈曲しているため、ターボポンプ１２から真空チャンバ１１への赤外線の直射は遮られる。また、排気ダクト１４の内面は、上記のように無数の突起が形成された反射防止面となっている。すなわち、図３に示すように、排気ダクト１４の内面で反射する赤外線は、突起のなす凹凸面で激しく散乱する。そして、この散乱に伴う反射と吸収との繰り返しで真空チャンバ１１に到達する赤外線量は著しく低減することとなる。さらに、排気ダクト１４はダクト用冷却器１５によって冷却されるため、排気ダクト１４が二次熱源となることもない。
【００１７】
以上のように、第１実施形態の構成によれば、ターボポンプ１２から真空チャンバ１１に入射する赤外線量が著しく低減する。その結果、ターボポンプ１２からの赤外線に起因するウエハ１７の熱変形が大幅に抑制されることとなる。
（第２実施形態の説明）
図４は第２実施形態の露光装置での主要部を説明する図である。ここで、以下の実施形態での露光装置の構成要素について、図１に示す第１実施形態の構成と共通のものについては同一符号を付して重複説明を省略する。
【００１８】
この第２実施形態では、排気ダクト１４の内面に赤外線の反射を防止する反射防止膜２０が形成されている。この反射防止膜２０は公知の赤外線反射防止材で形成される。一例として、反射防止膜２０は、ゴールドブラック、カーボンブラックまたは金属酸化物を高分子材料に分散させた薄膜材料などで形成される。また、排気ダクト１４はダクト用冷却器１５によって冷却されるため、排気ダクト１４が二次熱源となることはない。この第２実施形態の構成によっても、第１実施形態の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
【００１９】
（第３実施形態の説明）
図５は第３実施形態の露光装置での主要部を説明する図である。この第３実施形態では、排気ダクト１４の中間に管路を曲げて周回させた周回部１４ａを形成し、赤外線のトラップを形成している。また、排気ダクト１４はダクト用冷却器１５によって冷却されている。この第３実施形態の構成でも、ターボポンプ１２から真空チャンバ１１への赤外線の入射が遮られるため、第１実施形態の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
【００２０】
（第４実施形態の説明）
図６は第４実施形態の露光装置での主要部を説明する図である。第４実施形態では、排気ダクト１４の中間部に赤外線を遮蔽するための遮蔽部材２１が配置されている。この遮蔽部材２１は液冷配管２２ａで接続された冷却器２２によって冷却される。なお、図６の例ではウエハステージ１８の直下にターボポンプ１２を配置し、排気ダクト１４には曲部を形成していない。
【００２１】
図７および図８に遮蔽部材２１の構成の一例を示す。遮蔽部材２１は、大きさが異なる複数の円周形の遮蔽羽根２１ａを同心円状に配置して形成された板状部材である。この遮蔽部材２１は排気ダクト１４の内径に収まる大きさに設定されている。また、遮蔽部材２１には各々の遮蔽羽根２１ａを貫いて液冷配管２２ａが配置されている。
また、各々の遮蔽羽根２１ａは一端側の径が他端側の径よりも拡がるように形成されている。各々の遮蔽羽根２１ａにおいて一端側から他端側へ拡がる角度はいずれも同じ角度に設定されている。なお、遮蔽部材２１と直交する方向（図８の上側または下側）から見て、それぞれ隣接する遮蔽羽根２１ａの一端側と他端側とは互いに重なり合うように構成されている。
【００２２】
すなわち、遮蔽部材２１の組立状態では、ルーバー状に配置された複数の遮蔽羽根２１ａによって赤外線の通過が遮られる。一方、遮蔽羽根２１ａの間にはスリット状の通気部が形成されて、排気ダクト１４を流れる気体は遮蔽部材２１を通過することができる。また、遮蔽部材２１は冷却器２２によって冷却されるので、遮蔽部材２１が二次熱源となることもない。したがって、第４実施形態の構成でも第１実施形態の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。なお、図７、図８に示した遮蔽部材２１の構成はあくまで一例であって、遮蔽羽根２１ａの配置などは設計により適宜変更することができる。
【００２３】
第４実施形態において図６の構成の変形例を図９に示す。図９では遮蔽部材２３を真空チャンバ１１の排気ダクト１４の入口に設けている。図９の遮蔽部材２３も図６の場合と同様に冷却器２２で冷却されている。また、図９での遮蔽部材２３は、排気ダクト１４を遮蔽できる大きさで、開口のない板状部材で構成されている。そして、図９の場合には、遮蔽部材２３と排気ダクト１４の入口との間にクリアランスを設けて通気部を構成している。勿論、図９の場合にも上記の図７、図８に示す遮蔽部材２１を使用すれば、排気ダクト１４の入口に遮蔽部材２１をクリアランスなしに取り付けることができる。
【００２４】
（第５実施形態の説明）
図１０は第５実施形態の露光装置での主要部を説明する図である。第５実施形態では、排気ダクト１４内に複数の突起片２４を有する遮蔽構造が形成されている。各々の突起片２４は排気ダクト１４の延長方向の、異なる位置に配置されており、それぞれ排気ダクト１４を部分的に遮蔽している。そして、複数の突起片２４は、いずれかの突起片２４が遮蔽していない領域を遮蔽するように組み合わせられており、遮蔽構造全体で排気ダクト１４の全体を遮蔽するように設定されている。図１０の例では、各突起片２４が排気ダクト１４の半分強の領域を遮蔽し、複数の突起片２４を交互に噛み合うように配置して遮蔽構造を構成している。なお、各々の突起片２４は、ダクト用冷却器１５などで冷却することが好ましい。
【００２５】
また、各突起片２４の間にはクリアランスが確保され、突起片２４が排気ダクト１４を完全に遮蔽していないので排気ダクト１４の通気は確保されている。かかる第５実施形態の構成でも第１実施形態の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
（実施例および比較例の説明）
ここで、図６に示した第４実施形態の構成の露光装置の実施例を説明する。実施例では、ＥＵＶ露光装置においてウエハステージの直下１ｍの位置にターボポンプを配置するとともに、排気ダクト内には遮蔽部材を配置した。そして、ターボポンプによって２５０Ｌ／ｍｉｎの条件で真空引きを行った。また、ウエハの管理目標温度は２３℃に設定し、遮蔽部材は２３℃に冷却した。この実施例において、真空チャンバ内に１０分間ウエハを放置しても、ウエハの温度上昇は０．１℃以下に保たれた。
【００２６】
一方、上記実施例の比較例として、遮蔽部材を有しない点を除いて上記と同様の条件で真空引きを行ってウエハの温度を測定した。この場合には、真空チャンバ内に１０分間ウエハを放置すると、ウエハの温度が２３．９℃まで大きく上昇した。
（実施形態の補足事項）
（１）上記実施形態はＥＵＶ露光装置の例を説明したが、本発明は荷電粒子線露光装置にも適用することができる。ここで、本発明を荷電粒子線露光装置に適用した場合の構成を模式的に説明する。
【００２７】
図１１は、荷電粒子線露光装置の全体構成を模式的に示す図である。露光装置全体は所定の温度範囲に保たれたクリーンルームに配置されており、装置内部も所定の温度範囲となるように制御されている。荷電粒子線露光装置２００の上部には、光学鏡筒（真空チャンバ）２０１が配置されている。光学鏡筒２０１には真空ポンプ２０２が接続されており、光学鏡筒２０１内を真空排気している。
【００２８】
光学鏡筒２０１の上部には電子銃２０３が配置されている。電子銃２０３は下方に向けて電子線を放射する。電子銃２０３の下方には、順にコンデンサレンズ２０４、電子線偏向器２０５、マスクＭが配置されている。電子銃２０３から放射された電子線は、コンデンサレンズ２０４によって収束される。続いて、偏向器２０５により図の横方向に順次走査されて、光学系の視野内にあるマスクＭの各小領域の照明が行われる。
【００２９】
マスクＭは、マスクステージ２１１の上部に設けられたチャック２１０により静電吸着等で固定されている。マスクステージ２１１は定盤２１６に載置されている。
マスクステージ２１１には、図の左側に示す駆動装置２１２が接続されている。駆動装置２１２は、ドライバ２１４を介して制御装置２１５に接続されている。また、マスクステージ２１１の側方（図の右側）にはレーザ干渉計２１３が設置されている。レーザ干渉計２１３は制御装置２１５に接続されている。
【００３０】
定盤２１６の下側には、ウェハチャンバ（真空チャンバ）２２１が配置されている。ウェハチャンバ２２１の側方（図の右側）には、真空ポンプ２２２が接続されており、ウェハチャンバ２２１内を真空排気している。ウェハチャンバ２２１内には、上側からコンデンサレンズ２２４、偏向器２２５、ウェハＷが配置されている。
マスクＭを通過した電子線は、コンデンサレンズ２２４により収束される。コンデンサレンズ２２４を通過した電子線は、偏向器２２５により偏向される。これにより、ウェハＷ上の所定の位置にマスクＭの像が結像される。
【００３１】
ウェハＷは、ウェハステージ２３１の上部に設けられたチャック２３０により静電吸着等で固定されている。ウェハステージ２３１は、定盤２３６に載置されている。ウェハステージ２３１には、図の左側に示す駆動装置２３２が接続されている。駆動装置２３２は、ドライバ２３４を介して、制御装置２１５に接続されている。また、ウェハステージ２３１の側方（図の右側）にはレーザ干渉計２３３が設置されている。レーザ干渉計２３３は、制御装置２１５に接続されている。
【００３２】
そして、制御装置２１５は、レーザー干渉計２１３、２３３で得た位置情報に基づいて、マスクステージ２１１およびウエハステージ２３１を、各々に対応する駆動装置２１２、２３２で露光時の目標位置に駆動する。
上記の荷電粒子線露光装置においても、真空チャンバ２０１および真空ポンプ２０２の部分または真空チャンバ２２１および真空ポンプ２２２の部分に、上記実施形態の構成を適用することができる。
【００３３】
（２）上記実施形態は本発明の一例であって、第１実施形態から第５実施形態の各構成を任意に組み合わせて実施してもよい。例えば、第４実施形態に示す遮蔽部材を多段に配置して適用してもよい。また、上述したように、本発明はＥＵＶ露光装置や荷電粒子線露光装置において、ウエハチャンバ以外の真空チャンバにも当然に応用できる。この場合には、真空ポンプから真空チャンバに入射する赤外線を妨げることで、マスク、レチクルや光学素子の熱変形を抑制できる。
【００３４】
なお、本発明は、その精神またはその主要な特徴から逸脱することなく、他の様々な形で実施することができる。そのため、上述した実施形態は、あらゆる点で単なる例示に過ぎず限定的に解釈してはならない。本発明は、特許請求の範囲によって示されるものであって、本発明は明細書本文にはなんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】第１実施形態における露光装置の主要部の説明図
【図２】ＥＵＶ露光装置の全体構成を示す模式図
【図３】排気ダクトの表面状態を拡大して示す模式図
【図４】第２実施形態における露光装置の主要部の説明図
【図５】第３実施形態における露光装置の主要部の説明図
【図６】第４実施形態における露光装置の主要部の説明図
【図７】遮蔽部材の構成の一例を示す平面図
【図８】図７のＡ−Ａ断面図
【図９】図６の構成の変形例を示す図
【図１０】第５実施形態における露光装置の主要部の説明図
【図１１】荷電粒子線露光装置の全体構成を示す模式図
【符号の説明】
【００３６】
１１…真空チャンバ、１２…ターボポンプ、１４…排気ダクト、１４ａ…周回部、１５…ダクト用冷却器、１７…ウエハ、２０…反射防止膜、２１，２３…遮蔽部材、２２…冷却器、２４…突起片、１００…ＥＵＶ露光装置、１０６…真空チャンバ、１０７…真空ポンプ、１１０…真空チャンバ、１１６…パーティション、１１７…真空ポンプ、２００…荷電粒子線露光装置、２０１…光学鏡筒（真空チャンバ）、２０２…真空ポンプ、２２１…ウェハチャンバ（真空チャンバ）、２２２…真空ポンプ
【図１】
2007294673.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007294673.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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