(57)【要約】      （修正有）【課題】コンタクトピンを備える電気テスト用テスタにより電気テストを容易且つ適切に行うことが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置Ｘは、半導体基板１１と該半導体基板１１の上面１１ａに配設される機能素子部１２および電極１３とを含んでなる半導体チップ１０と、半導体チップ１０における半導体基板１１の下面１１ｂに形成される絶縁層２０と、絶縁層２０における半導体基板１１の下面１１に対向する面とは反対の面に形成される導電部３０と、一端部において半導体チップ１０の電極１３に対して電気的に接続し且つ他端部において導電部３０に対して電気的に接続する配線導体５０を含み、導電部３０が露出するように構成される絶縁基体４０と、を備えている。【選択図】図１
2007201288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と該半導体基板の上面に配設される機能素子部および電極とを含んでなる半導体チップと、
前記半導体チップにおける前記半導体基板の下面に形成される絶縁層と、
前記絶縁層における前記半導体チップの下面に対向する面とは反対の面に形成される導電部と、
一端部において前記半導体チップの前記電極に対して電気的に接続し且つ他端部において前記導電部に対して電気的に接続する配線導体を含み、前記導電部が露出するように構成される絶縁基体と、を備えることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップと前記絶縁基体とを接合するための接合材を備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップおよび前記絶縁基体とともに前記機能素子部を収容するための収容空間を規定する蓋体と、前記絶縁基体と前記蓋体との間を封止するための封止材とを備える、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記機能素子部が前記光素子を含む場合において、前記蓋体の少なくとも一部は透光性を有する、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁基体は、前記半導体チップを挟み込む一対の絶縁体を含んでなる、請求項１から４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁基体は、前記半導体チップの側面を取り囲む枠状である、請求項１から４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部電気回路に対して電気的に接続可能な状態で半導体チップを絶縁基体に保持してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ（例えば半導体集積回路素子）を絶縁基体に保持してなる半導体装置は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
図３は、従来の半導体装置の一例を示す断面図である。半導体装置９０は、半導体チップ９１、絶縁基体９２、ボンディングワイヤ９３、蓋体９４、接着剤９５、および封止材９６を備えている。半導体チップ９１は、半導体基板９１１と、半導体基板９１１の上面中央部に形成される半導体回路（図示せず）と、半導体基板９１１の上面外周部に形成される電極９１２とにより構成される。絶縁基体９２は、一端部において半導体チップ９１の電極９１２と電気的に接続され且つ他端部において図示しない外部回路基板と電気的に接続される配線導体９２１を含んで構成され、半導体チップ９１を収容するための凹部９２ａが形成されている。ボンディングワイヤ９３は、半導体チップ９１の電極９１２と絶縁基体９２の配線導体９２１とを電気的に接続するための部材である。蓋体９４は、絶縁基体９２と協働して半導体チップ９１を収容するための収容空間Ｓを規定する機能を担う部材である。接着剤９５は、絶縁基体９２の凹部９２ａの底面（搭載面）に半導体チップ９１を接着固定するための部材である。封止材９６は、収容空間Ｓを気密封止するための部材である。
【０００４】
半導体装置９０は、外部回路基板と電気的に接続される前に、半導体チップ９１の固有特性に応じた電気的特性の良否を調べるための電気テストにより、良品もしくは不良品に選別される。
【０００５】
この電気テストは、通常、以下のような流れで行われる。まず、絶縁基体９２の側面や下面において露出されている配線導体９２１の一部を予め広面積に形成しておき、その広面積部位に電気テスト用テスタに備え付けられている電気テスト用ソケットのコンタクトピンを接触させる。次に、半導体装置９０と電気テスト用テスタとの間で電気的な信号の送受信を行う。次に、信号の送受信により得られた結果に基づき、半導体装置９０における半導体チップ９１の固有特性に応じた電気的特性の良否を調べ、半導体装置９０の良品もしくは不良品の選別を行う。
【特許文献１】特開２００５−１７５２６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の電気テストをより確実に行なうには、配線導体９２１と上記コンタクトピンとをより適切に接触させる必要があるため、配線導体９２１における上記コンタクトピンとの接触部位を平坦で且つ広面積とするのが望ましい。しかしながら、絶縁基体９２の側面や下面には、外部回路基板と電気的に接続される配線導体などの多数の配線導体が形成されているため、電気テスト用の広面積部位を形成するための領域を充分に確保することが困難である。特に、近年においては、半導体装置９０の小型化にともない絶縁基体９２の側面や下面の面積がより小さくなっているのに加え、配線導体９２１の高密度化にともない配線導体９２１の配線数がより増加しているため、電気テスト用の広面積部位を形成するための領域を充分に確保することが更に困難となってきている。
【０００７】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、例えばコンタクトピンを備える電気テスト用テスタにより電気テストを容易且つ適切に行うことが可能な半導体装置を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板と該半導体基板の上面に配設される機能素子部および電極とを含んでなる半導体チップと、前記半導体チップにおける前記半導体基板の下面に形成される絶縁層と、前記絶縁層における前記半導体チップの下面に対向する面とは反対の面に形成される導電部と、一端部において前記半導体チップの前記電極に対して電気的に接続し且つ他端部において前記導電部に対して電気的に接続する配線導体を含み、前記導電部が露出するように構成される絶縁基体とを備えることを特徴としている。
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、前記半導体チップと前記絶縁基体とを接合するための接合材を備えるのが好ましい。
【００１０】
本発明に係る半導体装置における前記機能素子部は、受光素子および発光素子の少なくとも一方の光素子を含むのが好ましい。
【００１１】
本発明に係る半導体装置は、前記半導体チップおよび前記絶縁基体とともに前記機能素子部を収容するための収容空間を規定する蓋体と、前記絶縁基体と前記蓋体との間を封止するための封止材とを備えるのが好ましい。
【００１２】
前記機能素子部が前記光素子を含む場合において、本発明に係る半導体装置における前記蓋体の少なくとも一部は透光性を有するのが好ましい。
【００１３】
本発明に係る半導体装置における前記絶縁基体は、前記半導体チップを挟み込む一対の絶縁体を含んでなるのが好ましい。
【００１４】
本発明に係る半導体装置における前記絶縁基体は、前記半導体チップの側面を取り囲む枠状であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る半導体装置では、導電部が半導体チップの下面側に絶縁層を介して形成されている。半導体チップの下面は、通常、半導体チップの側面に比べて面積が広い。また、半導体チップの電気的特性をチェックするのに必要な配線導体のみを、導電部に集約することにより、全ての配線導体を導電部に集約する場合に比べて、各々の導電部の面積をより大きく確保することができる。したがって、本半導体装置では、従来より半導体チップの小型化や配線導体の高密度化が進んだとしても、導電部の面積を充分に確保することができるので、例えばコンタクトピンを備える電気テスト用テスタにより電気テストを容易且つ適切に行うことができる。
【００１６】
加えて、本半導体装置における導電部は、絶縁基体とは別に形成されるのに加え、平坦度の比較的高い半導体基板に形成された絶縁層上に形成されるので、その表面の平坦度を比較的高いものとすることができる。したがって、本半導体装置では、平坦度が比較的高い導電部を介して上記電気テストを行うことができるので、上記電気テストの精度をより高めることができる。
【００１７】
本半導体装置は、半導体チップと絶縁基体とを接合するための接合材を備えているので、絶縁基体に対して半導体チップをより確実に固定し、半導体装置としての信頼性を高めるうえで好適である。また、本半導体装置では、半導体チップの側面全体を絶縁基体との接合領域とすることにより、例えば機能素子部を気密封止する場合における気密封止性を高めることができる。
【００１８】
本半導体装置は、半導体チップおよび絶縁基体とともに機能素子部を収容するための収容空間を規定する蓋体と、絶縁基体と蓋体との間を封止するための封止材とを備えているので、機能素子部に対する外部環境（湿度など）の影響を低減することができる。したがって、本半導体装置は、外部環境に対する信頼性を高めるうえで好適である。
【００１９】
本半導体装置の蓋体は、その少なくとも一部が透光性を有しているので、機能素子部が光素子を含んでいる場合における外部と光素子との間の光の授受をより適切に行うことが可能となる。したがって、本半導体装置は、機能素子部が光素子を含んでいる場合において、光素子における受光精度（あるいは発光精度）を充分に確保するうえで好適である。
【００２０】
本半導体装置の絶縁基体は、半導体チップを挟み込む一対の絶縁体を含んでいるので、一対の絶縁体と半導体チップとの間にスペース（例えば所定の凹部に半導体チップを収容する際における該凹部の側壁と該半導体チップの側壁との間のスペース）を充分に確保しなくても、絶縁体と半導体チップとを容易に組み立てることができるのに加え、上述のスペース分の小型化も達成することができる。また、本半導体装置では、半導体チップを一対の絶縁体で挟み込むことにより、半導体チップと絶縁基体との間の平行度（特に半導体チップが長尺状の場合における平行度）をより高めることができる。したがって、本半導体装置は、機能素子部の機能精度を高めるうえで好適である。
【００２１】
本半導体装置の絶縁基体は、半導体チップの側面を取り囲む枠状である。そのため、本半導体装置では、半導体装置の外周域からの機械的な衝撃や応力などに起因して、例えば接合材により接合される半導体チップと絶縁基体との間において剥離などが発生するのを防ぐことができる。したがって、本半導体装置は、耐衝撃性および耐熱応力性などの信頼性や、機械的強度を高めるうえで好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明に係る半導体装置Ｘの断面を表す。半導体装置Ｘは、半導体チップ１０、絶縁層２０、導電部３０、絶縁基体４０、配線導体５０、ボンディングワイヤ６０、および蓋体７０を備え、例えばバーコードリーダ、画像認識装置、センサ、スキャナ、デジタルカメラ、携帯電話、ＬＥＤ光源装置、ファクシミリ、コピー機、車載用認識装置などの各種光学機器や各種電子機器（コンピューター、測定機器など）に適用されるものである。
【００２３】
半導体チップ１０は、半導体基板１１、機能素子部１２、および電極１３を備える。半導体基板１１は、その形状が直方体状（例えば平板状）であり、その構成材料として単結晶シリコン、ガリウム−リン（Ｇａ−Ｐ）系化合物、インジウム−リン（Ｉｎ−Ｐ）系化合物などが挙げられる。機能素子部１２は、種々の機能を担う部材を含んでなる部位であり、本実施形態では受光した光を電気信号に変換する機能を担う受光素子を含んで構成される。電極１３は、半導体チップ１０に対して電気や電気信号などを入出力するための部位であり、例えばアルミニウム、金、銅などの導電性部材により構成されている。本実施形態における電極１３は、半導体基板１１の上面１１ａに配設されている。
【００２４】
ここで、半導体チップ１０としての電荷結合素子（ＣＣＤ）型イメージセンサ素子の作製方法の一例について説明する。まず、シリコン基板の上面中央部に、シリコン酸化膜および該シリコン酸化膜を挟んで配置され且つ互いに結合される多数のゲートを配列形成する。次に、このゲートと電気的に接続するように、シリコン基板の上面外縁部に金バンプ（電極１３）を形成する。以上のようにして、ＣＣＤ型イメージセンサ素子が作製される。
【００２５】
絶縁層２０は、半導体基板１１と電極３０とを電気的に絶縁するための機能を担う部位であり、半導体基板１１の下面１１ｂに形成されている。絶縁層２０を構成する材料としては、ポリイミドやシリカ（ＳｉＯ２）などが挙げられる。なお、絶縁層２０の形成方法としては、絶縁樹脂（例えば、ポリイミド樹脂）を半導体基板１１の下面１１ｂに塗布した後、硬化（例えば熱硬化や紫外線硬化）させて形成する方法や、上記絶縁樹脂を予めシート状にして半導体基板１１の下面１１ｂに貼り付けた後、硬化（例えば熱硬化や紫外線硬化）させて形成する方法、上記絶縁樹脂を予め所定の剛性を有する板状に成形した後、半導体基板１１の下面１１ｂに貼り付けて形成する方法、スパッタリング法あるいはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成する方法などが挙げられるが、後述する導電部３０の平坦度を高めるうえでは、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法が好適である。
【００２６】
導電部３０は、例えばコンタクトピンを備える電気テスト用テスタにより半導体チップ１０の電気テストを行なう際に、該コンタクトピンを接触させる部位であり、半導体基板１１の下面１１ｂに絶縁層２０を介して形成されている。導電部３０を構成する材料としては、銅、銀、パラジウム、白金、金、タングステン、モリブデン、マンガン、アルミニウムなどの金属材料が挙げられる。なお、導電部３０の形成方法としては、フォトリソ加工を用いて形成する方法や、スクリーン印刷法を用いて形成する方法などが挙げられるが、後述する導電部３０の平坦度を高めるうえでは、フォトリソ加工法が好適である。
【００２７】
ここで、導電部３０を構成する材料として銅を採用した場合における導電部３０の作製方法の一例について説明する。まず、半導体基板１１の下面１１ｂに形成された絶縁層２０上に銅ペーストをスクリーン印刷法により印刷する。次に、印刷された銅ペーストを所望のパターン形状に加工する。以上のようにして、導電部３０が作製される。
【００２８】
絶縁基体４０は、本実施形態において一対の絶縁体４１により構成されている。一対の絶縁体４１は、互いに対向する側面４１ａの間に半導体チップ１０を適切に挟み込むことができるように、その形状や寸法などが設定されている。本実施形態における絶縁体４１の形状は直方体状であるが、取扱い性の向上を図るべく直方体の一部（例えば半導体チップ１０に対向する面とは反対の面）に凹凸を設けた形状、取り扱い性の向上を図るとともに半導体装置のより一層の小型化を図るべく該直方体の一部を円弧状に成形した形状、欠けなどの発生を抑制すべく絶縁体４１の角部に相当する部位にＲ面取り加工やＣ面取り加工を施した形状などでもよい。また、本実施形態における絶縁体４１の寸法は、その機械的強度や実装領域の面積、半導体チップ１０の寸法などに応じて適宜設定される。
【００２９】
絶縁体４１を構成する材料としては、アルミナ質焼結体（アルミナセラミックス）、窒化アルミニウムセラミックス、炭化珪素セラミックス、窒化珪素セラミックス、およびガラスセラミックスなどのセラミックスや、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、およびポリエステル樹脂などの熱硬化型または紫外線硬化型の樹脂などが挙げられる。
【００３０】
一対の絶縁体４１の側面４１ａと半導体チップ１０における半導体基板１１の側面１１ｃとの取付けは、接合材８０を介して接合することにより行なわれる。接合材８０としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、およびポリエーテルアミド樹脂などの熱硬化型または紫外線硬化型の樹脂や、低融点ガラス、Ａｕ−Ｓｉ合金、およびＡｕ−Ｓｎ合金などのロウ材などが挙げられるが、半導体チップ１０への熱的な負荷を低減するという観点においてエポキシ樹脂やシリコーン樹脂が好適である。
【００３１】
ここで、接合材８０として樹脂を採用した場合における、一対の絶縁体４１の側面４１ａと半導体基板１１の側面１１ｃとの取付け方法の一例について説明する。まず、一対の絶縁体４１の側面４１ａと半導体基板１１の側面１１ｃとの間に未硬化の樹脂を挟んだ状態で位置決めを行なう。次に、未硬化の樹脂を熱や光（紫外光など）などにより硬化させる。以上のようにして、一対の絶縁体４１の側面４１ａと半導体基板１１の側面１１ｃとの取付けは行なわれる。なお、樹脂として光硬化型樹脂を採用すると、熱硬化型樹脂に比べて半導体チップ１０に加わる熱が少なくてすむので、半導体チップ１０の機能素子部１２に歪みなどの不具合が発生するのを防止することができ、ひいては機能素子部１２の機能精度を良好に保つことができる。
【００３２】
また、絶縁基体４０は、半導体チップ１０と外部電気回路との電気的導通を図るための導電路としての機能を担う配線導体５０を有している。本実施形態における配線導体５０は、その第１端部５０ａが絶縁体４１の上面４１ｂに配設され、その第２端部５０ｂが絶縁体４１の下面４１ｃに配設され、その第３端部５０ｃが絶縁体４１の段差部４１ｄに配設されている。配線導体５０を構成する材料としては、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、金、パラジウム、白金などが挙げられる。
【００３３】
ここで、配線導体５０をメタライズ導体として形成する場合における配線導体５０の形成方法の一例について説明する。まず、絶縁基体４０を構成するセラミックグリーンシートの所定箇所にスルーホールを形成する。次に、スルーホール形成済みのセラミックグリーンシートの表面およびスルーホールの内面に金属ペースト（タングステンなど）を印刷塗布する。以上のようにして、配線導体５０の形成が行なわれる。
【００３４】
ボンディングワイヤ６０は、導体間を電気的に接続するための部材である。本実施形態において、半導体チップ１０の電極１３と配線導体５０の第１端部５０ａとを電気的に接続するためのボンディングワイヤ６０は、その一端部が半導体チップ１０の電極１３に対して電気的に接続され、その他端部が配線導体５０の第１端部５０ａに対して電気的に接続されている。また、導電部３０と配線導体５０の第３端部５０ｃとを電気的に接続するためのボンディングワイヤ６０は、その一端部が導電部３０に対して電気的に接続され、その他端部が配線導体５０の第３端部５０ｃに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態におけるボンディングワイヤ６０に代えて、いわゆるリボンなどの帯状接続線などを採用してもよい。
【００３５】
蓋体７０は、半導体チップ１０、絶縁基体４０、および封止材８１と協働して機能素子部１２を収容するための収容空間（気密封止されている空間）Ｓを規定する役割を担う部材である。本実施形態においては、封止材８１により蓋体７０が半導体チップ１０および絶縁体４１の上面４１ｂに取り付けられ、且つ、蓋体７０と半導体チップ１０および絶縁体４１との間の隙間が埋められている。蓋体７０を構成する材料としては、アルミナ質焼結体（アルミナセラミックス）、窒化アルミニウムセラミックス、炭化珪素セラミックス、窒化珪素セラミックス、およびガラスセラミックスなどのセラミックスや、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、およびポリエステル樹脂などの熱硬化型または紫外線硬化型の樹脂や、ガラス、石英、サファイア、および透明樹脂などの透光性部材や、ＡｕＳｎリッド（Ｎｉ／Ａｕメッキされた４２アロイ基板にＡｕ−Ｓｎぷリフォームしたもの）などの金属性材料などが挙げられるが、例えば半導体チップ１０の機能素子部１２と外部空間との間で光の授受を適切に行う場合は、少なくともその一部を上記透光性部材により構成することが好ましい。なお、封止材８１としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、およびポリエーテルアミド樹脂などの熱硬化型または紫外線硬化型の樹脂などが挙げられるが、半導体チップ１０への熱的な負荷を低減するという観点においてエポキシ樹脂やシリコーン樹脂が好適である。
【００３６】
本実施形態に係る半導体装置Ｘでは、導電部３０が半導体チップ１０における半導体基板１１の下面１１ｂ側に絶縁層２０を介して形成されている。半導体基板１１の下面１１ｂは、通常、半導体基板１１の側面１１ｃに比べて面積が広い。また、半導体チップ１０の電気的特性をチェックするのに必要な配線導体５０のみを、導電部３０に集約することにより、全ての配線導体５０を導電部３０に集約する場合に比べて、各々の導電部３０の面積をより大きく確保することができる。したがって、半導体装置Ｘでは、従来より半導体チップ１０の小型化や配線導体５０の高密度化が進んだとしても、導電部３０の面積を充分に確保することができるので、例えばコンタクトピンを備える電気テスト用テスタにより半導体チップ１０の電気テストを容易且つ適切に行うことができる。
【００３７】
また、半導体装置Ｘにおける導電部３０は、絶縁基体４０とは別に形成されるのに加え、平坦度の比較的高い半導体基板１１に形成された絶縁層２０上に形成されるので、その表面の平坦度を比較的高いものとすることができる。したがって、半導体装置Ｘでは、平坦度が比較的高い導電部３０を介して上記電気テストを行うことができるので、上記電気テストの精度をより高めることができる。
【００３８】
さらに、半導体装置Ｘでは、上記電気テスト用テスタのコンタクトピンと接触させる導電部３０を半導体チップ１０の下面側の中央部に配設しているので、電気テスト治具の取り数を多くすることができる。ここで、電気テスト治具とは、電気テストを行うための所定の配線が形成された電気テスト用基板（テストボード）を意味している。テストボードには、多数の半導体装置Ｘを同時的に電気テストすることができるように、多数のソケットが取り付けられている。ソケットは、半導体装置Ｘの導電部３０に応じてコンタクトピンを有しており、該コンタクトピンに対して半導体装置Ｘが脱着可能となるように構成されている。つまり、半導体装置Ｘでは、平面視において、ソケットのコンタクトピンを半導体装置Ｘの外周より内方に配設することが可能となるため、従来のようにコンタクトピンを半導体装置Ｘの外周より外方に配設する必要がある場合に比べて、所定サイズのテストボードに対してより多くの半導体装置Ｘを配置すること（電気テスト治具の取り数をより多くすること）が可能となり、ひいては生産性をより高めることができるのである。
【００３９】
半導体装置Ｘは、半導体チップ１０と絶縁基体４０とを接合するための接合材８０を備えているので、絶縁基体４０に対して半導体チップ１０をより確実に固定し、半導体装置Ｘとしての信頼性を高めることができる。また、半導体装置Ｘでは、半導体基板１１の側面１１ｃ全体を絶縁基体４０との接合領域とすることにより、機能素子部１２を気密封止する場合における気密封止性を高めることができる。
【００４０】
半導体装置Ｘは、収容空間Ｓを規定する蓋体７０と、半導体基板１１および絶縁基体４０と蓋体７０との間を封止するための封止材８１とを備えているため、収容空間Ｓの気密封止性をより高めることができる。したがって、半導体装置Ｘは、機能素子部１２に対する外部環境（湿度など）の影響を低減することができ、外部環境に対する信頼性を高めることができる。
【００４１】
半導体装置Ｘの蓋体７０は、その少なくとも一部を透光性部材により構成することによって、機能素子部１２が光素子を含んでいる場合における外部と光素子との間の光の授受をより適切に行うことができる。したがって、半導体装置Ｘは、機能素子部１２が光素子を含んでいる場合においても、光素子における受光精度（あるいは発光精度）を充分に確保することができる。
【００４２】
半導体装置Ｘの絶縁基体４０は、半導体チップ１０を挟み込む一対の絶縁体４１を含んでいるので、一対の絶縁体４１と半導体チップ１０との間にスペースを充分に確保しなくても、絶縁体４１と半導体チップ１０とを容易に組み立てることができるのに加え、上述のスペース分の小型化も達成することができる。また、半導体装置Ｘでは、半導体チップ１０を一対の絶縁体４１で挟み込むことにより、半導体チップ１０と絶縁基体４０との間の平行度（特に半導体チップ１０が長尺状の場合における平行度）をより高めることができる。したがって、半導体装置Ｘは、機能素子部１２の機能精度をより高めることができるのである。
【００４３】
以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の思想から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
【００４４】
半導体装置Ｘでは、図２に示すように、絶縁基体４０としての一対の絶縁体４１に代えて、半導体チップ１０における半導体基板１１の側面１１ｃを取り囲む枠状絶縁体を採用してもよい。このような構成の半導体装置Ｘでは、半導体装置Ｘの外周域からの機械的な衝撃や応力などに起因して、接合材８０により接合される半導体チップ１０と枠状絶縁体との間において剥離などが発生するのを防ぐことができる。したがって、半導体装置Ｘは、耐衝撃性および耐熱応力性などの信頼性や、機械的強度を高めることができるのである。
【００４５】
半導体装置Ｘでは、蓋体７０に代えて、透光性部材を例えばポッティングして機能素子部１２を覆うことにより、機能素子部１２の気密封止を達成するようにしてもよい。このような構成の半導体装置は、半導体装置Ｘの小型化および低背化を図ることができる。
【００４６】
半導体装置Ｘでは、導電部３０と配線導体５０とを電気的に接続しているボンディングワイヤ６０の接続部分を絶縁性樹脂などによりを被覆してもよい。このような構成によると、導電部３０とボンディングワイヤ６０との接続部位における機械的な接続強度を高めることができるので、配線導体３０とボンディングワイヤ６０との間の電気的な接続信頼性をより高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置を表す図であり、（ａ）は下面図、（ｂ）は（ａ）の線Ｉｂ−Ｉｂに沿った断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の変形例を表す図であり、（ａ）は下面図、（ｂ）は（ａ）の線ＩＩｂ−ＩＩｂに沿った断面図である。
【図３】従来の半導体装置の一例を表す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の線ＩＩＩａ−ＩＩＩａに沿った断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
Ｘ    半導体装置
１０    半導体チップ
１１    半導体基板
１２    機能素子部
１３    電極
２０    絶縁層
３０    導電部
４０    絶縁基体
４１    一対の絶縁体
５０    配線導体
６０    ボンディングワイヤ
７０    蓋体
８０    接合材
８１    封止材
【図１】
2007201288.tif 000003
【図２】
2007201288.tif 000004
【図３】
2007201288.tif 000005