(57)【要約】【課題】ウェットエッチングによる隔壁形成の際に隔壁の高さに高低差を持たせるための高低差形成準備工程を設けて、閉鎖型の隔壁の高さに高低差を形成し、それによりＰＤＰを作製した際の放電ガスの通気経路を確保する。【解決手段】基板上の隔壁形成面全体にほぼ均一な厚みの隔壁材料層を形成し、形成した隔壁材料層を焼成し、焼成した隔壁材料層上にレジスト膜を形成して、そのレジスト膜を放電空間が独立した閉鎖型の隔壁パターンに形成し、その隔壁パターンをマスクとして隔壁材料層をウェットエッチングすることにより隔壁を形成することからなり、ウェットエッチングによる隔壁形成の際に隔壁の高さに高低差を持たせるための高低差形成準備工程を設ける。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の隔壁形成面全体にほぼ均一な厚みの隔壁材料層を形成し、
形成した隔壁材料層を焼成し、
焼成した隔壁材料層上にレジスト膜を形成して、そのレジスト膜を放電空間が独立した閉鎖型の隔壁パターンに形成し、
その隔壁パターンをマスクとして隔壁材料層をウェットエッチングすることにより隔壁を形成することからなり、
ウェットエッチングによる隔壁形成の際に隔壁の高さに高低差を持たせるための高低差形成準備工程を備えたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項２】
前記高低差形成準備工程が、レジスト膜を隔壁パターンに形成する際に、隔壁パターンの一部を細くするか、または途切れさせる工程からなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項３】
前記高低差形成準備工程が、隔壁材料層をほぼ均一な厚みで形成した後、第２層目の隔壁材料層を形成する工程からなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項４】
第２層目の隔壁材料層の形成が、隔壁材料層の高低差をつけたい位置の内、高くする位置に第２層目の隔壁材料層を形成することからなる請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項５】
第２層目の隔壁材料層の形成が、ウェットエッチングの際のエッチングレートが異なる２種の隔壁材料を用意し、隔壁材料層の高低差をつけたい位置の内、高くする位置に低いエッチングレートの隔壁材料を、低くする位置に高いエッチングレートの隔壁材料を、それぞれ用いて第２層目の隔壁材料層を形成することからなる請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」と記す）の隔壁形成方法に関し、さらに詳しくは、焼成した隔壁材料層をウェットエッチングすることで、たとえば格子状の閉鎖型の隔壁を形成するプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰでは、セル（単位発光領域）間のクロストークを防止するためにセルとセルとの間に隔壁を形成する。隔壁には種々の形態があるが、近年では高精細化、高輝度化の観点から、たとえば格子状のような閉鎖型の隔壁が形成されることが多い。この閉鎖型の隔壁を形成した場合、セルの密閉度が高いと、パネル内に放電ガスを封入する際、パネル内を均一に排気すること、及び多数のセル内に均一に放電ガスを充填することが難しくなる。
【０００３】
一般に良く用いられているサンドブラスト法で例えば格子状の隔壁を形成するには、まず、基板の隔壁形成面全体に隔壁材料層を形成した後、サンドブラストで隔壁材料層を格子状（横方向の隔壁部の幅が縦方向の隔壁部の幅より大きな格子パターン）に切削し、これを焼成することで隔壁を形成する。この方法で隔壁を形成した場合、すでに格子状に切削した隔壁材料層を焼成するため、格子の横方向隔壁部と縦方向隔壁部とで熱収縮のバランスが異なることに起因して、通常は格子の交差部を含む横方向隔壁部がそれ以外の部分と比べて低くなり、隔壁の高さに高低差が生じる。したがって、隔壁を形成した基板にもう一方の基板を貼り合わせると、隔壁ともう一方の基板との間に隙間ができ、この隙間を通気経路として、パネル内を均一に排気すること、及び放電ガスを多数のセル内に均一に充填することが可能である。
【０００４】
ところが、サンドブラスト法で隔壁を形成した場合、隔壁材料層を隔壁形状に切削した後焼成するので、熱収縮により隔壁の位置ずれや変形が生ずることがある。この熱収縮による変形、つまり基板の収縮で生じた隔壁の位置ずれや隔壁材料層自身の収縮による変形については、あらかじめ予測してマスク設計を行うのであるが、熱収縮による変形を１００％予測することは難しく、これが歩留まりの低下につながる。
【０００５】
他方、隔壁材料層を先に焼成し、その上に隔壁形状のレジストパターンを形成し、これを硝酸等でウェットエッチングすることで隔壁を形成する方法も提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特公平６−６６１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のウェットエッチングの手法で隔壁を形成した場合、熱収縮による隔壁の位置ずれや変形は生じないものの、以下のような問題がある。すなわち、隔壁材料層を焼成した場合、隔壁材料層の焼成時の熱収縮が層内で均一に生じるため、焼成された隔壁材料層の表面は平滑なものとなる。したがって、隔壁を形成した基板にもう一方の基板を貼り合わせると、隔壁ともう一方の基板との隙間が極めて狭いものとなり、パネル内を均一に排気すること、及び多数のセル内に均一に放電ガスを充填することができず、これがパネル特性の低下や、パネル不良の発生につながる。
【０００８】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、ウェットエッチングによる隔壁形成の際に隔壁の高さに高低差を持たせるための高低差形成準備工程を設けて、閉鎖型の
隔壁の高さに高低差を形成し、それによりＰＤＰを作製した際の放電ガスの通気経路を確保するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板上の隔壁形成面全体にほぼ均一な厚みの隔壁材料層を形成し、形成した隔壁材料層を焼成し、焼成した隔壁材料層上にレジスト膜を形成して、そのレジスト膜を放電空間が独立した閉鎖型の隔壁パターンに形成し、その隔壁パターンをマスクとして隔壁材料層をウェットエッチングすることにより隔壁を形成することからなり、ウェットエッチングによる隔壁形成の際に隔壁の高さに高低差を持たせるための高低差形成準備工程を備えたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高低差形成準備工程により、ウェットエッチングによる隔壁形成の際に隔壁の高さに高低差がもたらされ、それにより前面側の基板と背面側の基板を封着した際の放電ガスの通気経路が確保され、ウェットエッチングで閉鎖型の隔壁を形成した場合のパネル特性の低下や、パネル不良の発生が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明において、基板としては、ガラス、石英、セラミックス等の基板や、これらの基板上に、電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板が含まれる。
【００１２】
隔壁材料層は、基板上の隔壁形成面全体にほぼ均一な厚みで形成される。隔壁材料としては、当該分野で公知の各種の材料を適用することができる。たとえば、ＰｂＯ，ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＮａＯ，Ａｌ2Ｏ3などを含んだガラスフリットを適用することができる。隔壁材料層は、たとえば、上記のガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなるガラスペーストを、スクリーン印刷、バーコータ、スロットコータなどの手法で塗布して乾燥させることにより形成することができる。
【００１３】
隔壁材料層の焼成は、たとえば焼成炉を用いた焼成など、当該分野で公知の方法を適用することができる。
【００１４】
レジスト膜に用いるレジストとしては、エッチング液に対して耐性があり、隔壁材料層に密着させることができるものであればよく、当該分野で公知の各種のレジストを適用することができる。たとえば、日本ゼオン社のＺＰＰ１７００ＰＧや、デユポン社のリストンＣＭ１０６のようなドライフィルムを適用することができる。
【００１５】
レジスト膜のパターニングは、当該分野で公知のフォトリソグラフィーの手法を用いて行うことができる。
【００１６】
隔壁材料層のウェットエッチングは、たとえば硝酸（ＨＮＯ3）等のエッチング液を用い、シャワーエッチングを行うか、またはエッチング液に浸漬することにより行うことができる。
【００１７】
高低差形成準備工程は、ウェットエッチングによる隔壁形成の際に隔壁の高さに高低差を持たせるための工程であり、この工程は、以下の各種の工程を適用することができる。
【００１８】
たとえば、レジスト膜を隔壁パターンに形成する際に、隔壁パターンの一部を細くするか、または途切れさせる工程であってもよい。
【００１９】
また、隔壁材料層をほぼ均一な厚みで形成した後、第２層目の隔壁材料層を形成する工
程であってもよい。この場合、第２層目の隔壁材料層の形成は、隔壁材料層の高低差をつけたい位置の内、高くする位置に第２層目の隔壁材料層を形成するようにしてもよい。あるいは、ウェットエッチングの際のエッチングレートが異なる２種の隔壁材料を用意し、隔壁材料層の高低差をつけたい位置の内、高くする位置に低いエッチングレートの隔壁材料を、低くする位置に高いエッチングレートの隔壁材料を、それぞれ用いて第２層目の隔壁材料層を形成するようにしてもよい。
【００２０】
上記エッチングレートの高い（エッチングされやすい）隔壁材料は、上述した隔壁材料のガラスフリットの内、主成分をＰｂＯとし、エッチング液に硝酸を用いる場合であれば、硝酸にエッチングされにくいＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3の含有量を少なくした材料を適用することで得ることができる。
【００２１】
エッチングレートの低い（エッチングされにくい）隔壁材料は、上述した隔壁材料のガラスフリットの内、主成分をＰｂＯとし、エッチング液に硝酸を用いる場合であれば、硝酸にエッチングされにくいＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3の含有量を多くした材料を適用することで得ることができる。エッチングレートの低い層は、ＳｉＯ2をスパッタ、蒸着などで成膜することによっても形成することができる。
【００２２】
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳述する。なお、本発明はこれによって限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
【００２３】
図１（ａ）および図１（ｂ）は本発明の隔壁形成方法で隔壁を形成したＰＤＰの構成を示す説明図である。図１（ａ）はＰＤＰの全体図、図１（ｂ）はＰＤＰの部分分解斜視図である。このＰＤＰはカラー表示用のＡＣ駆動型の３電極面放電型ＰＤＰである。
【００２４】
ＰＤＰ１０は、ＰＤＰとして機能する構成要素が形成された前面側の基板１１と背面側の基板２１から構成されている。前面側の基板１１と背面側の基板２１としては、ガラス基板、石英基板、セラミックス基板等を使用することができる。
【００２５】
前面側の基板１１の内側面には、水平方向に表示電極Ｘと表示電極Ｙが等間隔に配置されている。隣接する表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が全て表示ラインＬとなる。各表示電極Ｘ，Ｙは、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの幅の広い透明電極１２と、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１３から構成されている。表示電極Ｘ，Ｙは、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００２６】
なお、本ＰＤＰでは、表示電極Ｘと表示電極Ｙが等間隔に配置され、隣接する表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が全て表示ラインＬとなる、いわゆるＡＬＩＳ構造のＰＤＰを示したが、これに限定されず、対となる表示電極Ｘ，Ｙが放電の発生しない間隔（非放電ギャップ）を隔てて配置された構造のＰＤＰであっても、本発明を適用することができる。
【００２７】
表示電極Ｘ，Ｙの上には、表示電極Ｘ，Ｙを覆って誘電体層１７が形成されている。誘電体層１７は、ガラスペーストを、前面側の基板１１上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。
【００２８】
誘電体層１７の上には、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するための保護膜１８が形成されている。この保護膜はＭｇＯで形成されている。保護膜は、電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような、当該分野で公知の薄膜形成
プロセスによって形成することができる。
【００２９】
背面側の基板２１の内側面には、平面的にみて表示電極Ｘ，Ｙと交差する方向に複数のアドレス電極Ａが形成され、そのアドレス電極Ａを覆って誘電体層２４が形成されている。アドレス電極Ａは、Ｙ電極との交差部で点灯セルを選択するためのアドレス放電を発生させるものであり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造で形成されている。このアドレス電極Ａは、その他に、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等で形成することもできる。アドレス電極Ａも、表示電極Ｘ，Ｙと同様に、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。誘電体層２４は、誘電体層１７と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。
【００３０】
隣接するアドレス電極Ａとアドレス電極Ａとの間の誘電体層２４上には、放電空間をセルごとに区画する格子状（メッシュ状、ボックス状などとも呼ばれる）の隔壁２９が形成されている。隔壁２９は、ウェットエッチングで形成されている。具体的には、隔壁２９は、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなる隔壁材料（ガラスペースト）を誘電体層２４上に塗布して乾燥させた後、その隔壁材料層上に隔壁パターンのレジスト膜を形成し、これを硝酸等のエッチング液に浸すか又はシャワーエッチングを行い、レジスト膜の形成箇所以外の隔壁材料を除去することにより形成されている。
【００３１】
隔壁２９の側面及び隔壁間の誘電体層２４上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが形成されている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁２９間の凹溝状の放電空間内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色毎に繰り返した後、焼成することにより形成している。この蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成することができる。
【００３２】
ＰＤＰ１０は、このような構成要素を形成した前面側の基板１１と背面側の基板２１とを、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが交差するように対向配置し、周囲を封着し、隔壁２９で囲まれた放電空間３０にＸｅとＮｅ等とを混合した放電ガスを充填することにより作製されている。このＰＤＰでは、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの交差部の放電空間３０が、表示の最小単位である１つのセル（単位発光領域）となる。１画素はＲ、Ｇ、Ｂの３つのセルで構成される。
【００３３】
図２（ａ）〜図２（ｆ）はウェットエッチングで隔壁を形成する方法を示す説明図である。
ウェットエッチングで隔壁を形成するには、アドレス電極（このアドレス電極は図２（ａ）〜図２（ｆ）では図示せず省略している）が形成された背面側の基板２１の上に誘電体材料をスクリーン印刷などの手法で塗布し、乾燥することで、後述するウェットエッチングに対して耐エッチング性を有するか、または後述する隔壁材料層よりも低エッチングレートの誘電体材料層２４ａを形成する（図２（ａ）参照）。
【００３４】
この誘電体材料層２４ａ上の隔壁形成面に隔壁材料をスクリーン印刷による積層印刷や、メタルマスクによる一括厚膜印刷や、ロールコータなどの方法で所望の厚さまで形成し、乾燥させて、後述するウェットエッチングが可能な隔壁材料層２９ａを形成する（図２（ｂ）参照）。これらの手法を用いて形成した隔壁材料層２９ａは全体的に均一な厚みと
なっている。誘電体材料層２４ａと隔壁材料層２９ａはこの時点では乾燥膜である
【００３５】
そして、誘電体材料層２４ａと隔壁材料層２９ａを焼成して、誘電体層２４と隔壁材料層２９ｂを形成する（図２（ｃ）参照）。誘電体層２４と隔壁材料層２９ｂはこの時点では焼成膜である。
【００３６】
この後、隔壁材料層２９ｂ上にドライフィルムをラミネートするか、または液状レジストを塗布することにより、レジスト膜Ｒを形成し、フォトリソグラフィーにより、そのレジスト膜Ｒを、例えば格子状の閉鎖型の隔壁パターンに形成する（図２（ｄ）参照）。
【００３７】
そして、硝酸等のエッチング液に浸すか、またはシャワーエッチングを行うことでウェットエッチングを行い（図２（ｅ）参照）、レジスト膜Ｒを取り去り、閉鎖型の隔壁２９を形成する（図２（ｆ）参照）。
【００３８】
本発明においては、ウェットエッチングによる隔壁形成の際に隔壁の高さに高低差を持たせるための高低差形成準備工程を実施する。以下にこの高低差形成準備工程の実施形態を説明する。
【００３９】
実施形態１
図３（ａ）〜図３（ｃ）は高低差形成準備工程の実施形態１を示す説明図である。図３（ａ）はレジスト膜の隔壁パターン形成後の平面図、図３（ｂ）はウェットエッチング後の隔壁の平面図、図３（ｃ）は図３（ｂ）のIII−III断面図である。以下の実施形態では、閉鎖型の隔壁として格子状の隔壁を形成する場合について説明する。
【００４０】
本実施形態では、レジスト膜のパターンの一部を局所的に細く形成して格子状の隔壁を形成する。このレジスト膜のパターンの一部を局所的に細く形成する工程が高低差形成準備工程となる。
【００４１】
具体的には、レジスト膜Ｒを隔壁パターンに形成する際、レジスト膜Ｒで形成した隔壁パターンの内、横方向の隔壁に対応した隔壁パターンの一部を局所的に細く形成して細パターン部Ｒ１とし、ウェットエッチングを行う(図３（ａ）参照）。隔壁パターンに細パターン部Ｒ１を形成するのは、細パターン部Ｒ１を形成したフォトマスクを使用して露光することにより行う。
【００４２】
隔壁パターンに細パターン部Ｒ１を形成して、ウェットエッチングを行った場合、エッチングが進むにつれて、サイドエッチングが進み、細パターン部Ｒ１では、サイドエッチングにより横方向の隔壁には隔壁トップ付近で浅い溝が形成され、この溝が上下方向（画面の列方向）に隣接するセルＣ１とセルＣ２との間の通気経路３１となる（図３（ｂ）および図３（ｃ）参照）。したがって、前面側の基板と背面側の基板を封着する際、この通気経路３１によって、不純物ガスの排気および放電ガスの導入を行うことができる。
【００４３】
実施形態２
図４（ａ）〜図４（ｃ）は高低差形成準備工程の実施形態２を示す説明図である。図４（ａ）はレジスト膜の隔壁パターン形成後の平面図、図４（ｂ）はウェットエッチング後の隔壁の平面図、図４（ｃ）は図４（ｂ）のIV−IV断面図である。
【００４４】
本実施形態では、レジスト膜のパターンの一部を局所的に途切れさせて格子状の隔壁を形成する。このレジスト膜のパターンの一部を局所的に途切れさせる工程が高低差形成準備工程となる。
【００４５】
具体的には、レジスト膜Ｒを隔壁パターンに形成する際、レジスト膜Ｒで形成した隔壁パターンの内、横方向の隔壁に対応した隔壁パターンの一部を局所的に途切れさせた途切れパターン部Ｒ２とし、ウェットエッチングを行う(図４（ａ）参照）。隔壁パターンに途切れパターン部Ｒ２を形成するのは、途切れパターン部Ｒ２を形成したフォトマスクを使用して露光することにより行う。途切れパターンＲ２の幅Ｗｂは、レジスト膜Ｒの縦方向の隔壁の開口幅Ｗａ、つまりセル対応部の幅よりも細い幅とする。
【００４６】
隔壁パターンに途切れパターン部Ｒ２を形成して、ウェットエッチングを行った場合、途切れパターン部Ｒ２の幅Ｗｂが、縦方向の隔壁の開口幅Ｗａに比べて狭いため、この部分にエッチング液が入りにくく、見かけ上のエッチングレートが低くなる。よって、縦方向の隔壁が形成された時点では、横方向の隔壁のエッチングは隔壁の底部まで進まず、実施形態１と同様に、横方向の隔壁には隔壁トップ付近で浅い溝が形成され、上下方向（画面の列方向）に隣接するセルＣ１とセルＣ２との間の通気経路３１となる（図４（ｂ）および図４（ｃ）参照）。
【００４７】
実施形態３
図５（ａ）〜図５（ｄ）は高低差形成準備工程の実施形態３を示す説明図である。図５（ａ）は隔壁材料層形成後の隔壁材料層の平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のVb-Vb断面図、図５（ｃ）はウェットエッチング後の隔壁の平面図、図５（ｄ）は図５（ｃ）のVd-Vd断面図である。
【００４８】
本実施形態では、隔壁材料層を形成する際、縦方向の隔壁部分だけを隆起させる。この縦方向の隔壁部分だけを隆起させておく工程が高低差形成準備工程となる。
【００４９】
具体的には、例えばスクリーン印刷を複数回行うことで隔壁材料層２９ａを所望の高さまで形成する場合であれば、最上層の隔壁材料層を形成する際、縦方向の隔壁の頂部に相当する面（隔壁材料層の表面）に部分的に隔壁材料層を形成する（図５（ａ）および図５（ｂ）参照）。つまり、縦方向の隔壁部分４１だけを隆起させ、横方向の隔壁部分４２を相対的に凹ませることで、隔壁材料層２９ａの表面に凹凸を形成する。この縦方向の隔壁の隆起部分の厚みは、焼成後で１０μｍ前後の厚みであればよい。このようにして隔壁材料層２９ａを形成した後、一括焼成して、焼成後の凹凸のある隔壁材料層の表面に格子状隔壁パターンのレジスト膜を形成し、ウェットエッチングを行い、レジストの除去を行う。
【００５０】
このように、縦方向の隔壁部分だけを隆起させて、隔壁トップ面に凹凸を形成することにより、横方向の隔壁部分、つまり上下方向（画面の列方向）に隣接するセルＣ１とセルＣ２との間に通気経路３１が形成される（図５（ｃ）および図５（ｄ）参照）。
【００５１】
図６（ａ）〜図６（ｄ）は実施形態３の変形例を示す説明図である。図６（ａ）は隔壁材料層形成後の隔壁材料層の平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のVIb-VIb断面図、図６（ｃ）はウェットエッチング後の隔壁の平面図、図６（ｄ）は図６（ｃ）のVId-VId断面図である。
【００５２】
本例では、隔壁材料層を形成する際、縦方向の隔壁と横方向の隔壁との交差部以外の部分だけを隆起させる。この交差部以外の部分だけを隆起させておく工程が高低差形成準備工程となる。
【００５３】
具体的には、例えばスクリーン印刷を複数回行うことで隔壁材料層２９ａを所望の高さまで形成する場合であれば、最上層の隔壁材料層を形成する際、縦方向の隔壁と横方向の隔壁との交差部以外の面（隔壁材料層の表面）に部分的に隔壁材料層を形成する（図６（
ａ）および図６（ｂ）参照）。つまり、隔壁の交差部４３以外の部分４４だけを隆起させることで、隔壁材料層２９ａの表面に凹凸を形成する。この隔壁の隆起部分の厚みは、焼成後で１０μｍ前後の厚みであればよい。このようにして隔壁材料層２９ａを形成した後、一括焼成して、焼成後の凹凸のある隔壁材料層の表面に格子状隔壁パターンのレジスト膜を形成し、ウェットエッチングを行い、レジストの除去を行う。
【００５４】
このように、隔壁の交差部以外の部分だけを隆起させて、隔壁トップ面に凹凸を形成することにより、隔壁の交差部、つまり斜め方向（画面の１列ずれた列方向）に隣接するセルＣ３とセルＣ４との間に通気経路３２が形成される（図６（ｃ）および図６（ｄ）参照）。
【００５５】
上記の例では、隔壁の交差部以外を隆起させて、交差部を相対的に凹ませ、この凹ませた部分を通気経路としたが、この通気経路を形成する部分は、パネル化後、放電の結合などが生じにくい位置であればどこであってもよく、隔壁の交差部以外に形成してもよい。
【００５６】
実施形態４
図７（ａ）〜図７（ｄ）は高低差形成準備工程の実施形態４を示す説明図である。図７（ａ）は隔壁材料層形成後の隔壁材料層の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のVIIb-VIIb断面図、図７（ｃ）はウェットエッチング後の隔壁の平面図、図７（ｄ）は図７（ｃ）のVIId-VIId断面図である。
【００５７】
本実施形態では、最上層の隔壁材料層を形成する際、縦方向の隔壁部分にエッチングレートの低い隔壁材料層を、横方向の隔壁部分にエッチングレートの高い隔壁材料層を、それぞれ形成する。この縦方向の隔壁部分と横方向の隔壁部分にエッチングレートの異なる隔壁材料層を形成しておく工程が高低差形成準備工程となる。
【００５８】
具体的には、例えばスクリーン印刷を複数回行うことで隔壁材料層２９ａを所望の高さまで形成する場合であれば、最上層の隔壁材料層を形成する際、横方向の隔壁に相当する面（隔壁材料層の表面）に部分的に下層よりもエッチングレートの高い（エッチングされやすい）隔壁材料層４５を形成し、縦方向の隔壁の頂部に相当する面に部分的にそれよりもエッチングレートの低い（エッチングされにくい）隔壁材料層４６を形成する（図７（ａ）および図７（ｂ）参照）。つまり、横方向の隔壁部分と縦方向の隔壁部分をエッチングレートの異なる材料で縞状に形成する。このようにして平坦な隔壁材料層２９ａを形成した後、一括焼成して、焼成後の隔壁材料層の表面に格子状隔壁パターンのレジスト膜を形成し、ウェットエッチングを行う。
【００５９】
このように、最上層にエッチングレートの異なる隔壁材料層を形成することにより、エッチングの際、エッチングレートの高い横方向の隔壁部分でサイドエッチング量が大きくなり、この部分で隔壁トップ付近の隔壁材料が除去され、浅い溝が形成されて、横方向の隔壁部分、つまり上下方向（画面の列方向）に隣接するセルＣ１とセルＣ２との間に通気経路３１が形成される（図７（ｃ）および図７（ｄ）参照）。
【００６０】
図８（ａ）〜図８（ｄ）は実施形態４の変形例を示す説明図である。図８（ａ）は隔壁材料層形成後の隔壁材料層の平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のVIIIb-VIIIb断面図、図８（ｃ）はウェットエッチング後の隔壁の平面図、図８（ｄ）は図８（ｃ）のVIIId-VIIId断面図である。
【００６１】
本例では、最上層の隔壁材料層を形成する際、縦方向の隔壁部分と横方向の隔壁部分との交差部以外の部分にエッチングレートの低い隔壁材料層を、隔壁の交差部の部分にエッチングレートの高い隔壁材料を、それぞれ形成する。この隔壁の交差部と交差部以外の部
分にエッチングレートの異なる隔壁材料層を形成しておく工程が高低差形成準備工程となる。
【００６２】
具体的には、例えばスクリーン印刷を複数回行うことで隔壁材料層２９ａを所望の高さまで形成する場合であれば、最上層の隔壁材料層を形成する際、縦方向の隔壁部分と横方向の隔壁部分との交差部以外の面（隔壁材料層の表面）に部分的に下層よりもエッチングレートの低い隔壁材料層４７を形成し、隔壁の交差部の部分にそれよりもエッチングレートの高い隔壁材料層４８を形成する（図８（ａ）および図８（ｂ）参照）。つまり、隔壁の交差部以外の部分と交差部の部分をエッチングレートの異なる材料で形成する。このようにして平坦な隔壁材料層２９ａを形成した後、一括焼成して、焼成後の隔壁材料層の表面に格子状隔壁パターンのレジスト膜を形成し、ウェットエッチングを行う。
【００６３】
このように、最上層にエッチングレートの異なる隔壁材料層を形成することにより、エッチングの際、エッチングレートの高い隔壁交差部分でサイドエッチング量が大きくなり、この部分で隔壁トップ付近の隔壁材料が除去され、浅い溝が形成されて、隔壁の交差部、つまり斜め方向（画面の１列ずれた列方向）に隣接するセルＣ３とセルＣ４との間に通気経路３２が形成される（図８（ｃ）および図８（ｄ）参照）。
【００６４】
上記の例では、隔壁の交差部分にエッチングレートの高い隔壁材料層を形成して、その部分を通気経路としたが、この通気経路を形成する部分は、パネル化後、放電の結合などが生じにくい位置であればどこであってもよく、隔壁の交差部以外に形成してもよい。
【００６５】
実施形態５
本実施形態では、実施形態１または実施形態２の格子状隔壁パターンのレジスト膜を実施形態４と併用する。例えば、隔壁材料層の、格子状隔壁の横方向の隔壁に対応したレジストパターンの細パターン部Ｒ１、または途切れパターン部Ｒ２に対応する位置に、下層よりもエッチングレートの高い隔壁材料層を形成する。
【００６６】
これにより、細パターン部Ｒ１または途切れパターン部Ｒ２でサイドエッチング量が多くなるため、隔壁トップ付近の溝を安定して形成することが可能となる。
【００６７】
なお、上述の実施形態として、格子形状の隔壁について説明したが、通気効率の悪い閉鎖型の隔壁（ハニカムなど）でも、同様の方法を適用することができる。
【００６８】
以上述べたように、上記の実施形態によれば、ウェットエッチングで格子状の隔壁を形成する際、レジスト膜に細パターン部または途切れパターン部を形成したり、あるいは、隔壁材料層の通気経路形成部分以外の部分に隆起を形成したり、または隔壁材料層の通気経路形成部分とそれ以外の部分とでエッチングレートの異なる隔壁材料層を形成する等の高低差形成準備工程を実施しておくことにより、ウェットエッチング工程で一括して通気経路となる溝を形成することができ、これにより、前面側の基板と背面側の基板を封着した際の通気経路を確保することができ、製造後のＰＤＰのパネル特性を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の隔壁形成方法で隔壁を形成したＰＤＰの構成を示す説明図である。
【図２】ウェットエッチングで隔壁を形成する方法を示す説明図である。
【図３】高低差形成準備工程の実施形態１を示す説明図である。
【図４】高低差形成準備工程の実施形態２を示す説明図である。
【図５】高低差形成準備工程の実施形態３を示す説明図である。
【図６】実施形態３の変形例を示す説明図である。
【図７】高低差形成準備工程の実施形態４を示す説明図である。
【図８】実施形態４の変形例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０  ＰＤＰ
１１  前面側の基板
１２  透明電極
１３  バス電極
１７，２４  誘電体層
１８  保護膜
２１  背面側の基板
２４ａ  誘電体材料層
２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ  蛍光体層
２９  隔壁
２９ａ  隔壁材料層
２９ｂ  焼成後の隔壁材料層
３０  放電空間
４１  縦方向の隔壁部分
４２  横方向の隔壁部分
４３  隔壁の交差部
４４  隔壁の交差部以外の部分
４５，４７  エッチングレートの高い隔壁材料層
４６，４８  エッチングレートの低い隔壁材料層
Ａ  アドレス電極
Ｌ  表示ライン
Ｒ１  細パターン部
Ｒ２  途切れパターン部
Ｘ，Ｙ  表示電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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