(57)【要約】【課題】  複数のブランキング電極より成るブランキングアパーチャーアレイのいずれかのブランキング電極に不良が生じた場合でも、ブランキングアパーチャアレイ全体が不良品として使用不能となることを防止する荷電粒子線露光装置およびその荷電粒子線露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。【解決手段】  少なくとも１つの描画用ブランキング電極が動作しないときに少なくとも１つの描画用ブランキング電極が描画すべき領域を少なくとも１つの描画用ブランキング電極の代わりに描画するように描画用ブランキング電極の両側に隣接して配設される救済用ブランキング電極をブランキングアパーチャアレイは有するため、ブランキングアパーチャアレイ全体が使用不能とならず、正常な動作を行うブランキングアパーチャアレイとして使用することが出来、歩留まりを飛躍的に向上させる。【選択図】      図４
2007019245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、
複数の描画用ブランキング電極より成る複数の開口を有するブランキングアパーチャアレイから成り、各々の前記荷電粒子線を偏向する第１の偏向手段と、
前記第１の偏向手段の少なくとも上方、下方あるいは同一平面上に設けられ、各々の前記荷電粒子線を一括して偏向し、前記描画用ブランキング電極の動作時には前記電子ビームを試料に対して照射し、少なくとも１つの前記描画用ブランキング電極が動作しないときには前記少なくとも１つの描画用ブランキング電極を通過する前記電子ビームを遮蔽板に前記第１の偏向手段と共に照射する第２の偏向手段と、を有する荷電粒子線露光装置において、
少なくとも１つの前記描画用ブランキング電極が動作しないときに前記少なくとも１つの描画用ブランキング電極が描画すべき領域を前記少なくとも１つの描画用ブランキング電極の代わりに描画するように前記描画用ブランキング電極の両側に隣接して配設される救済用ブランキング電極を前記ブランキングアパーチャアレイは有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
請求項１記載の荷電粒子線露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路等の露光に用いられる電子線露光装置、イオンビーム露光装置、加工に用いられる収束イオンビーム装置等の荷電粒子線露光装置に関し、特に、複数の荷電粒子線を用いてパターン描画を行う荷電粒子線露光装置およびその荷電粒子線露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造における電子線描画技術については、例えば、株式会社プレスジャーナル、昭和６３年２月２０日発行、月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗｏｒｌｄ（セミコンダクタ・ワールド）３月号、Ｐ７５〜Ｐ８３、（非特許文献１）及び、株式会社工業調査会、昭和６３年３月１日発行、「電子材料  １９８８年３月号、Ｐ４３〜Ｐ５０（非特許文献２）に記載されている。これらの非特許文献１及び非特許文献２に記載されているように、この種の電子線描画技術の代表例としては、シングルのスポットビームを用い、ラスタースキャン方式による描画方法が一般的に良く知られている。
更に、複数の荷電粒子線を用いたマルチ荷電粒子線露光装置として、例えば、実公昭５６−１９４０２号公報（特許文献１）及び応用物理６９、１１３５（１９９４）（非特許文献３）に多数開口のブランキングアパーチャアレイによる方法が記載されている。  
この実公昭５６−１９４０２号公報（特許文献１）では、ブランキングアパーチャアレイは、シリコンなどの半導体結晶を基板として、それに多数の開口を所定間隔にて２次元的な配置で形成し、各開口の対向する側面に一対のブランキング電極を形成してあり、ブランキング電極間に電圧を印加するか、しないかをパターンデータにより制御するようになっている。例えば、各開口でのブランキング電極の一方の電極を接地し、他方の電極に電圧を印加すると、この開口を通過する電子ビームは曲げられるので、下部に設置されたレンズを通過した後に単開口アパーチャでカットされて電子ビームは試料面（半導体基板上のレジスト層）には届かない。
【０００３】
一方、他方の電極に電圧を印加しないと、そこを通過する電子ビームは曲げられることはないので、下部に配置されたレンズを通過した後にアパーチャでカットされずに電子ビームが試料面に達する。しかし、この場合何らかの原因でブランキング電極に電圧がかからなくなった場合、常にビームが試料に照射されてしまい問題を生じることになる。
それを回避する為、荷電粒子線の制御方法として特願２００３−３４８３５４に示す方法が提案されている。複数個の第２の偏向手段と、第２の偏向手段とは別に第１の偏向手段が設けられ、第２の偏向手段に電圧もしくは電流が印加された場合に試料に荷電粒子線が照射され、印加されない場合に遮蔽版に荷電粒子線が照射されるよう、第１の偏向手段には常時偏向信号を印加し、第２の偏向手段に信号が印加された場合に荷電粒子線が試料に到達するよう設計されている。これは複数個配置されている第２の偏向手段の何れかが故障した場合であっても荷電粒子線が試料に到達せず遮蔽版によって遮蔽される。つまり、何らかの原因でブランキング電極に電圧がかからなくなった場合でも、常にビームが試料に照射されるという不具合のない方法が提案されている。
【０００４】
ここで、多数の開口を有するブランキングアパーチャアレイを用いてパターン描画を行う荷電粒子線露光装置による従来の描画方法を図１、図２を参照して説明する。
図１に示されるように多数の開口を有するブランキングアパーチャアレイ６を通過した複数の電子ビーム１０は一括してラスタースキャンされる。
図２（Ａ）（Ｂ）にはブランキングアパーチャーアレイ６の一部である４×４配列のブランキング電極の位置と各ブランキング電極１つずつが試料１１上を描画する領域を表した模式図が示される。
図２（Ａ）に示されるように１つのブランキング電極２０１を通過した電子ビーム１０は試料１１上の点線に囲まれる矩形領域２０１−アの領域をラスタースキャンする。その隣のブランキング電極２０２を通過したビームは、試料１１上の点線に囲まれる矩形領域２０２−イの領域をラスタースキャンする。各ブランキング電極２０１，２０２等の各描画領域は隣接する各領域とが整合して接続するように制御される。パターンジェネレーター（不図示）により発生される信号に基づき、それぞれのブランキング電極２０１，２０２等がＯＮ−ＯＦＦされ、ラスタースキャンする複数の電子ビーム１０により、それぞれの描画領域に書込みがなされる。その一つ一つの領域のパターンがつなぎ合わさって全体のパターンが描画される。
【特許文献１】実公昭５６−１９４０２号公報
【非特許文献１】株式会社プレスジャーナル、昭和６３年２月２０日発行、月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗｏｒｌｄ（セミコンダクタ・ワールド）３月号、Ｐ７５〜Ｐ８３
【非特許文献２】株式会社工業調査会、昭和６３年３月１日発行、「電子材料  １９８８年３月号、Ｐ４３〜Ｐ５０
【非特許文献３】応用物理６９、１１３５（１９９４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、図１、図２（Ａ）に示される多数開口のブランキングアパーチャアレイ６を用いてパターン描画を行う荷電粒子線露光装置においては、ブランキングアパーチャアレイ６を構成する多数のブランキング電極２０１，２０２等の内の一つの例えば図２（Ｂ）に示されるようにブランキング電極２０２が不良となると矩形領域２０２‐イの電子ビーム１０によるパターン描画が不良となり、その結果、全体の描画も不良になる。
この結果、このブランキングアパーチャアレイ６は不良品で、描画には使えないことになり、ブランキングアパーチャーアレイ６自体の交換が必要となった。
このように、複数のブランキング電極２０１，２０２等より成るブランキングアパーチャーアレイ６内では、たった１個のブランキング電極２０２の不良があっても許されず１００％の歩留りが要求される。
そこで、本発明は、複数のブランキング電極より成るブランキングアパーチャーアレイのいずれかのブランキング電極に不良が生じた場合でも、ブランキングアパーチャアレイ全体が不良品として使用不能となることを防止する荷電粒子線露光装置およびその荷電粒子線露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。  
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、複数の描画用ブランキング電極より成る複数の開口を有するブランキングアパーチャアレイから成り、各々の前記荷電粒子線を偏向する第１の偏向手段と、前記第１の偏向手段の少なくとも上方、下方あるいは同一平面上に設けられ、各々の前記荷電粒子線を一括して偏向し、前記描画用ブランキング電極の動作時には前記電子ビームを試料に対して照射し、少なくとも１つの前記描画用ブランキング電極が動作しないときには前記少なくとも１つの描画用ブランキング電極を通過する前記電子ビームを遮蔽板に前記第１の偏向手段と共に照射する第２の偏向手段と、を有する荷電粒子線露光装置において、少なくとも１つの前記描画用ブランキング電極が動作しないときに前記少なくとも１つの描画用ブランキング電極が描画すべき領域を前記少なくとも１つの描画用ブランキング電極の代わりに描画するように前記描画用ブランキング電極の両側に隣接して配設される救済用ブランキング電極を前記ブランキングアパーチャアレイは有することを特徴とする。
さらに、本発明のデバイス製造方法は、前記荷電粒子線露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の荷電粒子線露光装置によれば、少なくとも１つの描画用ブランキング電極が動作しないときに少なくとも１つの描画用ブランキング電極が描画すべき領域を少なくとも１つの描画用ブランキング電極の代わりに描画するように描画用ブランキング電極の両側に隣接して配設される救済用ブランキング電極を前記ブランキングアパーチャアレイは有する。
このため、何らかの理由によりいずれかの描画用ブランキング電極に動作不良が生じた場合に、その動作不良な描画用ブランキング電極の両側に隣接する２個の救済用ブランキング電極により描画し、動作不良の描画用ブランキング電極の分担する描画領域も正常に描画が行われ、ブランキングアパーチャアレイ全体が使用不能とならず、正常な動作を行うブランキングアパーチャアレイとして使用することが出来、歩留まりを飛躍的に向上させる。
さらに、本発明のデバイス製造方法によれば、何らかの理由によりいずれかの描画用ブランキング電極に動作不良が生じた場合に、その動作不良な描画用ブランキング電極の両側に隣接する２個の救済用ブランキング電極により描画し、動作不良の描画用ブランキング電極の分担する描画領域も正常に描画が行われ、ブランキングアパーチャアレイ全体が使用不能とならず、正常な動作を行うブランキングアパーチャアレイとして使用することが出来、歩留まりを飛躍的に向上させるため、半導体デバイスの製造能率も向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明をその実施例に基づいて説明する。
【実施例１】
【０００９】
図１の要部概略図を参照して本発明の実施例１の荷電粒子線装置であるマルチ電子ビーム露光装置を説明する。
なお、電子ビームに限らずイオンビームを用いた露光装置にも同様に適用でき、同様の効果が得られる。
電子源１より放射状に放出される荷電粒子線である電子ビーム１０はコリメータレンズ２によって所望の大きさを有する面積ビームに成形された後、マスク３にほぼ垂直入射される。マスク３は複数のパターンを有するマスクである。マスク３を通して成形された電子ビーム１０はレンズ４によって各々ブランキングアパーチャアレイ６に収束される。ブランキングアパーチャアレイ６は、複数の描画用ブランキング電極のアレイから成り、個々の電子ビーム１０を偏向する。ブランキングアパーチャアレイ６の直下には静電型の偏向器５が配置され、全ての電子ビーム１０を同時に一括して偏向する。ブランキングアパーチャアレイ６および偏向器５によって偏向された電子ビーム１０はブランキング絞り９によって遮蔽され、ブランキングアパーチャアレイ６、偏向器５によって偏向されないビームはレンズ７，８によって収束された後、試料１１上に照射される。
【００１０】
電子ビーム１０のオンオフを偏向器５を使用せずにブランキングアパーチャアレイ６のみ使用して行った場合、図５（ａ）に示されるようにブランキングアパーチャアレイ６を構成する描画用ブランキング電極６−１，６−２に電圧を印加するとブランキング絞り９に電子ビーム１０が照射され、電圧を印加しないと試料１１に電子ビーム１０が照射される。
しかし、ブランキングアパーチャアレイ６は複数の描画用ブランキング電極６−１，６−２から成る偏向器のアレイであり、図５（ｂ）に示されるようにブランキングアパーチャアレイ６内の１つの描画用ブランキング電極６−２でも故障すると試料１１上に常時、電子ビーム１０が照射される。
そこで、図５（ｃ）または図５（ｄ）に示されるようにブランキングアパーチャアレイ６の上方または下方に位置する偏向器５を使用して常時、電子ビーム１０を偏向した状態にすると、ブランキングアパーチャアレイ６を構成する描画用ブランキング電極６−１，６−２が動作している場合に試料１１への電子ビーム１０の照射が行われ、描画用ブランキング電極６−２が動作していない場合にはブランキング絞り９に電子ビーム１０が照射される。
すなわち、ブランキングアパーチャアレイ６を構成する描画用ブランキング電極６−１，６−２の何れかが故障した場合において電子ビーム１０が試料１１に照射されることはない。
【実施例２】
【００１１】
次に、図６を参照して本発明の実施例２を説明する。
ブランキングアパーチャアレイ６の上下において電子ビーム１０は試料１１に対して垂直状態を維持して軸ずれを完全に無くし、偏向器５、ブランキングアパーチャアレイ６の動作によって収差特性が損なわれないように、ブランキングアパーチャアレイ６の上下に静電型の偏向器５−１、偏向器５−２が配置されていても良い。
偏向器５−１、５−２は全ての電子ビーム１０に共通の偏向器であり、ブランキングアパーチャアレイ６は個々の電子ビーム１０を偏向するための偏向器である。偏向器５−１、５−２は電子ビーム１０を右側に偏向する作用を持ち、ブランキングアパーチャアレイ６はビームを左側に偏向する。また、偏向器５−１、５−２はブランキングアパーチャアレイ６に対して水平方向に対称に配置される。
以上の構成では、偏向器５−１、５−２のみを動作させた場合には電子ビーム１０はブランキング絞り９に照射され、さらにブランキングアパーチャアレイ６を動作させた場合には電子ビーム１０は試料１１に照射される。
従って、ブランキングアパーチャアレイ６を構成する描画用ブランキング電極６−２の如くブランキングアパーチャアレイ６中の一部の描画用ブランキング電極が故障した場合にも電子ビーム１０は試料１１に到達することなくブランキング絞り９によって遮断され、電子ビーム１０は偏向器５、ブランキングアパーチャアレイ６の上下で試料１１に対して垂直状態を維持して軸ずれを起こさず、ビーム特性の劣化を招くことも無い。
なお、偏向器５，５−１，５−２、ブランキングアパーチャアレイ６は静電型の例を用いて説明したが、電磁型偏向器を用いても同様の作用効果を奏する。
また、上記実施例では偏向器５−１、５−２はブランキングアパーチャアレイ６に対して対称な位置に配置したが、非対称な位置であっても偏向器５−１、５−２、ブランキングアパーチャアレイ６の偏向感度と位置関係を調節することによって同様の効果を得ることが出来る。
【実施例３】
【００１２】
次に、図７を参照して本発明の実施例３を説明する。
偏向器５は電磁偏向器、描画用ブランキング電極６−１，６−２から成るブランキングアパーチャアレイ６は静電偏向器であり偏向器５とブランキングアパーチャアレイ６の各ビームに対する偏向中心は一致するよう、同一面上に配置し、偏向器５とブランキングアパーチャアレイ６の偏向感度は同じで、向きが反対になるようにされていても良い。
この場合、偏向器５のみが動作している場合は電子ビーム１０が偏向され、偏向器５とブランキングアパーチャアレイ６が動作している場合には電子ビーム１０が偏向されないため、偏向器５を常時動作させ、ブランキングアパーチャアレイ６を動作させた場合に電子ビーム１０を試料１１に照射することが出来る。
このため、ブランキングアパーチャアレイ６を構成する描画用ブランキング電極６−２の如くブランキングアパーチャアレイ６の一部が故障しても電子ビーム１０が試料１１へ常時、照射されることが無い。
さらに偏向器５とブランキングアパーチャアレイ６の偏向位置が同じであるため、偏向器５、ブランキングアパーチャアレイ６の上下のみならず全ての位置において電子ビーム１０は試料１１に対して垂直状態を維持して電子ビーム１０の軸ずれを生ずることが無い。
以上に説明したように、図１に示される電子ビーム露光装置は、偏向器５、５−１、５−２を使用して常時電子ビーム１０を偏向した状態におき、ブランキングアパーチャアレイ６が動作している場合にのみ試料１１へのビーム照射が行われ、ブランキングアパーチャアレイ６を構成する描画用ブランキング電極６−１，６−２の何れかが故障した場合においても、電子ビーム１０が試料１１に照射されない。
【００１３】
多数の開口を有するブランキングアパーチャアレイ６は、ｎ個×ｍ列からなる複数の描画用のブランキング電極から成る。
図３にはその一部３個×３列の描画用ブランキング電極３０１，３０２,３０３の配列が模式的に示される。描画用ブランキング電極３０１，３０２，３０３の両側に救済用のブランキングアパーチャー６を構成するブランキング電極３００’，３０１’,３０２’が配設される。救済用ブランキング電極３００’，３０１’,３０２’の構造、構成、寸法および配置は、描画用ブランキング電極３０１，３０２，３０３と同一である。  
Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈと示された点線で囲まれた矩形領域は、１つのブランキング電極３０２を通過したビームが、ラスタースキャンにより描画される１つの描画領域３０２‐アを表わす。領域３０２−アに隣接する点線で囲まれた矩形領域は、隣接する描画用ブランキング電極３０１，３０２、３０３により描画される領域を表わす。
このように各描画用ブランキング電極３０１，３０２、３０３の各描画領域は隣接する各領域と整合して接続するように制御される。パターンジェネレーター（不図示）により発生される信号に基づき、各々の描画用ブランキング電極３０１，３０２、３０３がＯＮ−ＯＦＦされ、ラスタースキャンしている複数の電子ビーム１０により、各々の描画領域に書込みがなされる。この結果、その一つ一つの領域のパターンがつなぎ合わさって全体のパターンが描画される。  
【００１４】
図４に多数の開口を有するブランキングアパーチャアレイ６のうちの１つのブランキング電極３０２ａが、何らかの理由により不良となった場合の本発明の実施例１による描画方法を説明する。
描画用ブランキング電極３０２ａは、矩形領域ＣＤＧＨを描画する。しかし、何らかの理由でブランキングできなくなりその領域が描画できなくなったとする。その場合には、描画用ブランキング電極３０２ａに隣接する２つの救済用ブランキング電極３０１’ａと、３０２’ａを使用して描画する。
救済用ブランキング電極３０１’ａは、矢印αに示す方向のラスタースキャンによりＡＢＥＦで示す矩形領域全体を描画できるようになっているが、不良により描画できなくなっているＣＤＥＦの領域のみを描画する。ＡＢＣＤの領域は電子ビーム１０が常にＯＦＦされるようにパターンジェネレーター（不図示）より信号が発生されるか、もしくは他の制御手段（不図示）により制御されている。
一方、ＣＤＥＦの領域では、パターンジェネレータにより発生される正規のパターン信号により救済用ブランキング電極３０１’ａがＯＮ−ＯＦＦされ、正規のパターンが描画される。
同時に、もう一方の救済用ブランキング電極３０２’ａも矢印αに示す方向のラスタースキャンによりＥＦＩＪで示す矩形領域全体を描画できるが、不良により描画できないＥＦＧＨの領域のみを描画する。ＧＨＩＪの領域は電子ビーム１０が常にＯＦＦされるようにパターンジェネレーター（不図示）より信号が発生されるか、もしくは他の制御手段（不図示）により制御されている。
一方、ＥＦＧＨの領域では、パターンジェネレータにより発生される正規のパターン信号に基づく信号により救済用ブランキング電極３０２’ａがＯＮ−ＯＦＦされ、正規のパターンが描画される。
図示されないが描画用及び救済用の両ブランキング電極は、電圧もしくは電流駆動できるよう配線が接続されており、その配線はパターンジェネレーターにより発生される信号及びその他の制御信号に基づき、それぞれの描画用及び救済用ブランキング電極がＯＮ−ＯＦＦできるよう配線され、電気的に制御されている。ラスタースキャンの方向は、図４に示される方向に対し９０度回転した方向であっても、本実施例による方法は問題なく可能である。
【００１５】
図３および図４では、描画用ブランキング電極の配列を、Ｘ方向Ｙ方向ほぼ等しい間隔に設定し、救済用ブランキング電極をその間に配置した例を示した。従い、描画用ブランキング電極列と救済用ブランキング電極列の間隔は、１／２になる実施例を示した。
しかし、描画用ブランキング電極の配列を、Ｘ方向Ｙ方向の間隔比を２：１とし、その広い間隔の間に救済用ブランキング電極列を配置しても良い。こうすると、描画用ブランキング電極と救済ブランキング電極とが、Ｘ方向Ｙ方向等間隔に配列されることになる。但しこの場合には１つのブランキング電極による描画領域のＸ方向Ｙ方向の幅の比は２：１となり、長方形になる。ラスタースキャンの縦横比もこれに合わせることが可能であり問題ない。
【実施例４】
【００１６】
次に、本発明の実施例４として、上記実施例１の荷電粒子線露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。
図８は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップ２（ＥＢデータ変換）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記露光制御データが入力された露光装置とウエハを用い、リソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付け露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来例及び本発明の実施例の荷電粒子線露光装置の要部概略図である。
【図２】従来例の荷電粒子線露光装置を構成するブランキングアパーチャアレイの構成図である。
【図３】本発明の実施例１の荷電粒子線露光装置を構成するブランキングアパーチャアレイの構成図である。
【図４】本発明の実施例１の荷電粒子線露光装置を構成するブランキングアパーチャアレイの構成図である。
【図５】従来例及び本発明の実施例１の荷電粒子線露光装置を構成する第１の偏向手段および第２の偏向手段による偏向作用の構成図である。
【図６】本発明の実施例２の荷電粒子線露光装置を構成する第１の偏向手段および第２の偏向手段による偏向作用の構成図である。
【図７】本発明の実施例３の荷電粒子線露光装置を構成する第１の偏向手段および第２の偏向手段による偏向作用の構成図である。
【図８】本発明の実施例１の荷電粒子線露光装置を用いた本発明の実施例４の半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【符号の説明】
【００１８】
１  電子源    ２  コリメータレンズ
３  マスク      ４  レンズアレイ
５、５−１、５−２  偏向器
６  ブランキングアパーチャアレイ  
６−１，６−２  描画用ブランキング電極  
７、８  レンズ    ９  ブランキング絞り
１０  ビーム    １１  試料
２０１、３０１、３０２、３０３  描画用ブランキング電極
３００’、３０１’、３０２’  救済用ブランキング電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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