(57)【要約】【課題】  板状の加工対象物が切断されることで得られるチップにパーティクルが付着するのを確実に防止することができるレーザ加工方法を提供する。【解決手段】  エキスパンドテープ２３を介して加工対象物１に応力を印加する際に、加工対象物１の形成物質（溶融処理領域１３が形成された加工対象物１、加工対象物１が切断されることで得られた半導体チップ２５、その半導体チップ２５の切断面から生じたパーティクル等）に軟Ｘ線を照射する。これにより、半導体チップ２５の切断面から生じたパーティクルは、ランダムに飛散することなく、エキスパンドテープ２３上に落下することになる。従って、加工対象物１が切断されることで得られる半導体チップ２５にパーティクルが付着するのを確実に防止することが可能になる。【選択図】  図１７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記加工対象物の内部に形成する工程と、
弾性を有するシートを介して前記加工対象物に応力を印加することにより、前記改質領域を切断の起点として前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断されることで得られた複数のチップを互いに離間させる工程と、を含み、
前記シートを介して前記加工対象物に応力を印加する際には、前記加工対象物の形成物質を除電することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項２】
板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記加工対象物の内部に形成する工程と、
弾性を有するシートを介して前記加工対象物に応力を印加することにより、前記改質領域を切断の起点として前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断されることで得られた複数のチップを互いに離間させる工程と、を含み、
前記シートを介して前記加工対象物に応力を印加する際には、前記加工対象物の形成物質に軟Ｘ線を照射することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項３】
前記チップを互いに離間させる工程では、前記シートを介して前記加工対象物に応力を印加することにより、前記改質領域を切断の起点として前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を前記チップに切断することを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
前記加工対象物は半導体基板を備え、前記改質領域は溶融処理領域を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って切断するためのレーザ加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来におけるこの種の技術として、ウェハに対して透過性を有するレーザ光を分割予定ラインに沿ってウェハに照射することにより、ウェハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成した後、ウェハの一方の面に貼着された伸張可能な保護テープを拡張することにより、ウェハを変質層に沿って分割するというウェハの分割方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１２９６０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述した方法でウェハを複数のチップに分割すると、チップにパーティクルが付着するおそれがある。特に、脆弱な膜を有するＭＥＭＳウェハ等においては、ウェハが切断されることで得られるチップにパーティクルが付着するのを確実に防止する必要がある。
【０００４】
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、板状の加工対象物が切断されることで得られるチップにパーティクルが付着するのを確実に防止することができるレーザ加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係るレーザ加工方法は、板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を加工対象物の内部に形成する工程と、弾性を有するシートを介して加工対象物に応力を印加することにより、改質領域を切断の起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が切断されることで得られた複数のチップを互いに離間させる工程と、を含み、シートを介して加工対象物に応力を印加する際には、加工対象物の形成物質を除電することを特徴とする。
【０００６】
このレーザ加工方法では、シートを介して加工対象物に応力を印加する際に、加工対象物の形成物質を除電する。これにより、改質領域を切断の起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が切断されることで得られるチップの切断面から生じたパーティクルは、ランダムに飛散することなく、例えば、シート上に落下することになる。従って、このレーザ加工方法によれば、板状の加工対象物が切断されることで得られるチップにパーティクルが付着するのを確実に防止することが可能になる。
【０００７】
なお、切断の起点となる改質領域は、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の内部において多光子吸収その他の光吸収を生じさせることで形成される。また、加工対象物の形成物質とは、加工対象物を形成している物質、或いは加工対象物を形成していた物質を意味し、具体的には、改質領域が形成された加工対象物、加工対象物が切断されることで得られたチップ、そのチップの切断面から生じたパーティクル等がある。
【０００８】
本発明に係るレーザ加工方法は、板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を加工対象物の内部に形成する工程と、弾性を有するシートを介して加工対象物に応力を印加することにより、改質領域を切断の起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が切断されることで得られた複数のチップを互いに離間させる工程と、を含み、シートを介して加工対象物に応力を印加する際には、加工対象物の形成物質に軟Ｘ線を照射することを特徴とする。
【０００９】
このレーザ加工方法では、シートを介して加工対象物に応力を印加する際に、加工対象物の形成物質に軟Ｘ線を照射する。これにより、改質領域を切断の起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が切断されることで得られるチップの切断面から生じたパーティクルは、ランダムに飛散することなく、例えば、シート上に落下することになる。従って、このレーザ加工方法によれば、板状の加工対象物が切断されることで得られるチップにパーティクルが付着するのを確実に防止することが可能になる。
【００１０】
本発明に係るレーザ加工方法においては、チップを互いに離間させる工程では、シートを介して加工対象物に応力を印加することにより、改質領域を切断の起点として切断予定ラインに沿って加工対象物をチップに切断する場合がある。
【００１１】
本発明に係るレーザ加工方法においては、加工対象物は半導体基板を備え、改質領域は溶融処理領域を含む場合がある。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、板状の加工対象物が切断されることで得られるチップにパーティクルが付着するのを確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。本実施形態のレーザ加工方法では、加工対象物の内部に改質領域を形成するために多光子吸収という現象を利用する。そこで、最初に、多光子吸収により改質領域を形成するためのレーザ加工方法について説明する。
【００１４】
材料の吸収のバンドギャップＥＧよりも光子のエネルギーｈνが小さいと光学的に透明となる。よって、材料に吸収が生じる条件はｈν＞ＥＧである。しかし、光学的に透明でも、レーザ光の強度を非常に大きくするとｎｈν＞ＥＧの条件（ｎ＝２，３，４，・・・）で材料に吸収が生じる。この現象を多光子吸収という。パルス波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光点のピークパワー密度（Ｗ／ｃｍ２）で決まり、例えばピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上の条件で多光子吸収が生じる。ピークパワー密度は、（集光点におけるレーザ光の１パルス当たりのエネルギー）÷（レーザ光のビームスポット断面積×パルス幅）により求められる。また、連続波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光点の電界強度（Ｗ／ｃｍ２）で決まる。
【００１５】
このような多光子吸収を利用する本実施形態に係るレーザ加工方法の原理について、図１〜図６を参照して説明する。図１に示すように、ウェハ状（板状）の加工対象物１の表面３には、加工対象物１を切断するための切断予定ライン５がある。切断予定ライン５は直線状に延びた仮想線である。本実施形態に係るレーザ加工方法では、図２に示すように、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射して改質領域７を形成する。なお、集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。また、切断予定ライン５は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、仮想線に限らず加工対象物１に実際に引かれた線であってもよい。
【００１６】
そして、レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち、図１の矢印Ａ方向に）相対的に移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより、図３〜図５に示すように、改質領域７が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に形成され、この改質領域７が切断起点領域８となる。ここで、切断起点領域８とは、加工対象物１が切断される際に切断（割れ）の起点となる領域を意味する。この切断起点領域８は、改質領域７が連続的に形成されることで形成される場合もあるし、改質領域７が断続的に形成されることで形成される場合もある。
【００１７】
本実施形態に係るレーザ加工方法は、加工対象物１がレーザ光Ｌを吸収することにより加工対象物１を発熱させて改質領域７を形成するものではない。加工対象物１にレーザ光Ｌを透過させ加工対象物１の内部に多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。
【００１８】
加工対象物１の内部に切断起点領域８を形成すると、この切断起点領域８を起点として割れが発生し易くなるため、図６に示すように、比較的小さな力で加工対象物１を切断することができる。よって、加工対象物１の表面３に不必要な割れを発生させることなく、加工対象物１を高精度に切断することが可能になる。
【００１９】
この切断起点領域８を起点とした加工対象物１の切断には、次の２通りが考えられる。１つは、切断起点領域８形成後、加工対象物１に人為的な力が印加されることにより、切断起点領域８を起点として加工対象物１が割れ、加工対象物１が切断される場合である。これは、例えば加工対象物１の厚さが大きい場合の切断である。人為的な力が印加されるとは、例えば、加工対象物１の切断起点領域８に沿って加工対象物１に曲げ応力やせん断応力を加えたり、加工対象物１に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることである。他の１つは、切断起点領域８を形成することにより、切断起点領域８を起点として加工対象物１の断面方向（厚さ方向）に向かって自然に割れ、結果的に加工対象物１が切断される場合である。これは、例えば加工対象物１の厚さが小さい場合には、１列の改質領域７により切断起点領域８が形成されることで可能となり、加工対象物１の厚さが大きい場合には、厚さ方向に複数列形成された改質領域７により切断起点領域８が形成されることで可能となる。なお、この自然に割れる場合も、切断する箇所において、切断起点領域８が形成されていない部位に対応する部分の表面３上にまで割れが先走ることがなく、切断起点領域８を形成した部位に対応する部分のみを割断することができるので、割断を制御よくすることができる。近年、シリコンウェハ等の加工対象物１の厚さは薄くなる傾向にあるので、このような制御性のよい割断方法は大変有効である。
【００２０】
さて、本実施形態に係るレーザ加工方法において、多光子吸収により形成される改質領域としては、次の（１）〜（３）の場合がある。
【００２１】
（１）改質領域が１つ又は複数のクラックを含むクラック領域の場合
加工対象物（例えばガラスやＬｉＴａＯ３からなる圧電材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射する。このパルス幅の大きさは、多光子吸収を生じさせつつ加工対象物の表面に余計なダメージを与えずに、加工対象物の内部にのみクラック領域を形成できる条件である。これにより、加工対象物の内部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば１×１０１２（Ｗ／ｃｍ２）である。パルス幅は例えば１ｎｓ〜２００ｎｓが好ましい。なお、多光子吸収によるクラック領域の形成は、例えば、第４５回レーザ熱加工研究会論文集（１９９８年．１２月）の第２３頁〜第２８頁の「固体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」に記載されている。
【００２２】
本発明者は、電界強度とクラックの大きさとの関係を実験により求めた。実験条件は次ぎの通りである。
【００２３】
（Ａ）加工対象物：パイレックス（登録商標）ガラス（厚さ７００μｍ）
（Ｂ）レーザ
光源：半導体レーザ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
波長：１０６４ｎｍ
レーザ光スポット断面積：３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：出力＜１ｍＪ／パルス
レーザ光品質：ＴＥＭ００
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）加工対象物が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒
【００２４】
なお、レーザ光品質がＴＥＭ００とは、集光性が高くレーザ光の波長程度まで集光可能を意味する。
【００２５】
図７は上記実験の結果を示すグラフである。横軸はピークパワー密度であり、レーザ光がパルスレーザ光なので電界強度はピークパワー密度で表される。縦軸は１パルスのレーザ光により加工対象物の内部に形成されたクラック部分（クラックスポット）の大きさを示している。クラックスポットが集まりクラック領域となる。クラックスポットの大きさは、クラックスポットの形状のうち最大の長さとなる部分の大きさである。グラフ中の黒丸で示すデータは集光用レンズ（Ｃ）の倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８０の場合である。一方、グラフ中の白丸で示すデータは集光用レンズ（Ｃ）の倍率が５０倍、開口数（ＮＡ）が０．５５の場合である。ピークパワー密度が１０１１（Ｗ／ｃｍ２）程度から加工対象物の内部にクラックスポットが発生し、ピークパワー密度が大きくなるに従いクラックスポットも大きくなることが分かる。
【００２６】
次に、クラック領域形成による加工対象物の切断のメカニズムについて、図８〜図１１を参照して説明する。図８に示すように、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射して切断予定ラインに沿って内部にクラック領域９を形成する。クラック領域９は１つ又は複数のクラックを含む領域である。このように形成されたクラック領域９が切断起点領域となる。図９に示すように、クラック領域９を起点として（すなわち、切断起点領域を起点として）クラックがさらに成長し、図１０に示すように、クラックが加工対象物１の表面３と裏面２１とに到達し、図１１に示すように、加工対象物１が割れることにより加工対象物１が切断される。加工対象物１の表面３と裏面２１とに到達するクラックは自然に成長する場合もあるし、加工対象物１に力が印加されることにより成長する場合もある。
【００２７】
（２）改質領域が溶融処理領域の場合
加工対象物（例えばシリコンのような半導体材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。電界強度の上限値としては、例えば１×１０１２（Ｗ／ｃｍ２）である。パルス幅は例えば１ｎｓ〜２００ｎｓが好ましい。
【００２８】
本発明者は、シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることを実験により確認した。実験条件は次の通りである。
【００２９】
（Ａ）加工対象物：シリコンウェハ（厚さ３５０μｍ、外径４インチ）
（Ｂ）レーザ
光源：半導体レーザ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
波長：１０６４ｎｍ
レーザ光スポット断面積：３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザ光品質：ＴＥＭ００
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ
倍率：５０倍
Ｎ．Ａ．：０．５５
レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）加工対象物が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒
【００３０】
図１２は、上記条件でのレーザ加工により切断されたシリコンウェハの一部における断面の写真を表した図である。シリコンウェハ１１の内部に溶融処理領域１３が形成されている。なお、上記条件により形成された溶融処理領域１３の厚さ方向の大きさは１００μｍ程度である。
【００３１】
溶融処理領域１３が多光子吸収により形成されたことを説明する。図１３は、レーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を示すグラフである。ただし、シリコン基板の表面側と裏面側それぞれの反射成分を除去し、内部のみの透過率を示している。シリコン基板の厚さｔが５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ、５００μｍ、１０００μｍの各々について上記関係を示した。
【００３２】
例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの波長である１０６４ｎｍにおいて、シリコン基板の厚さが５００μｍ以下の場合、シリコン基板の内部ではレーザ光が８０％以上透過することが分かる。図１２に示すシリコンウェハ１１の厚さは３５０μｍであるので、多光子吸収による溶融処理領域１３はシリコンウェハ１１の中心付近、つまり表面から１７５μｍの部分に形成される。この場合の透過率は、厚さ２００μｍのシリコンウェハを参考にすると、９０％以上なので、レーザ光がシリコンウェハ１１の内部で吸収されるのは僅かであり、ほとんどが透過する。このことは、シリコンウェハ１１の内部でレーザ光が吸収されて、溶融処理領域１３がシリコンウェハ１１の内部に形成（つまりレーザ光による通常の加熱で溶融処理領域が形成）されたものではなく、溶融処理領域１３が多光子吸収により形成されたことを意味する。多光子吸収による溶融処理領域の形成は、例えば、溶接学会全国大会講演概要第６６集（２０００年４月）の第７２頁〜第７３頁の「ピコ秒パルスレーザによるシリコンの加工特性評価」に記載されている。
【００３３】
なお、シリコンウェハは、溶融処理領域によって形成される切断起点領域を起点として断面方向に向かって割れを発生させ、その割れがシリコンウェハの表面と裏面とに到達することにより、結果的に切断される。シリコンウェハの表面と裏面に到達するこの割れは自然に成長する場合もあるし、シリコンウェハに力が印加されることにより成長する場合もある。そして、切断起点領域からシリコンウェハの表面と裏面とに割れが自然に成長する場合には、切断起点領域を形成する溶融処理領域が溶融している状態から割れが成長する場合と、切断起点領域を形成する溶融処理領域が溶融している状態から再固化する際に割れが成長する場合とのいずれもある。ただし、どちらの場合も溶融処理領域はシリコンウェハの内部のみに形成され、切断後の切断面には、図１２のように内部にのみ溶融処理領域が形成されている。このように、加工対象物の内部に溶融処理領域によって切断起点領域を形成すると、割断時、切断起点領域ラインから外れた不必要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。尚、溶融処理領域は多光子吸収のみでなく、他の吸収作用を含む場合もある。
【００３４】
（３）改質領域が屈折率変化領域の場合
加工対象物（例えばガラス）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば１×１０１２（Ｗ／ｃｍ２）である。パルス幅は例えば１ｎｓ以下が好ましく、１ｐｓ以下がさらに好ましい。多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、例えば、第４２回レーザ熱加工研究会論文集（１９９７年．１１月）の第１０５頁〜第１１１頁の「フェムト秒レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に記載されている。
【００３５】
以上、多光子吸収により形成される改質領域として（１）〜（３）の場合を説明したが、ウェハ状の加工対象物の結晶構造やその劈開性などを考慮して切断起点領域を次のように形成すれば、その切断起点領域を起点として、より一層小さな力で、しかも精度良く加工対象物を切断することが可能になる。
【００３６】
すなわち、シリコンなどのダイヤモンド構造の単結晶半導体からなる基板の場合は、（１１１）面（第１劈開面）や（１１０）面（第２劈開面）に沿った方向に切断起点領域を形成するのが好ましい。また、ＧａＡｓなどの閃亜鉛鉱型構造のIII−V族化合物半導体からなる基板の場合は、（１１０）面に沿った方向に切断起点領域を形成するのが好ましい。さらに、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などの六方晶系の結晶構造を有する基板の場合は、（０００１）面（Ｃ面）を主面として（１１２０）面（Ａ面）或いは（１１００）面（Ｍ面）に沿った方向に切断起点領域を形成するのが好ましい。
【００３７】
なお、上述した切断起点領域を形成すべき方向（例えば、単結晶シリコン基板における（１１１）面に沿った方向）、或いは切断起点領域を形成すべき方向に直交する方向に沿って基板にオリエンテーションフラットを形成すれば、そのオリエンテーションフラットを基準とすることで、切断起点領域を形成すべき方向に沿った切断起点領域を容易且つ正確に基板に形成することが可能になる。
【００３８】
次に、本発明の好適な実施形態について説明する。
［第１実施形態］
【００３９】
図１４及び図１５に示すように、加工対象物１は、厚さ６２５μｍのシリコンウェハ（半導体基板）１１と、複数の機能素子１５を含んでシリコンウェハ１１の表面３に形成された機能素子層１６とを備えている。機能素子１５は、例えば、結晶成長により形成された半導体動作層、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、或いは回路として形成された回路素子等であり、シリコンウェハ１１のオリエンテーションフラット６に平行な方向及び垂直な方向にマトリックス状に多数形成されている。
【００４０】
以上のように構成された加工対象物１を以下のようにして機能素子１５毎に切断する。まず、図１６（ａ）に示すように、シリコンウェハ１１の裏面２１にエキスパンドテープ（シート）２３を貼り付ける。続いて、図１６（ｂ）に示すように、機能素子層１６を上側にして加工対象物１をレーザ加工装置の載置台（図示せず）上に固定する。そして、シリコンウェハ１１の表面３をレーザ光入射面としてシリコンウェハ１１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを多光子吸収が生じる条件で照射し、載置台の移動によって、隣り合う機能素子１５，１５間を通るように格子状に設定された切断予定ライン５（図１４の破線参照）に沿って集光点Ｐをスキャンする。
【００４１】
この切断予定ライン５に沿った集光点Ｐのスキャンを１本の切断予定ライン５に対して複数回（例えば、１９回）行うが、集光点Ｐを合わせる位置の表面３からの距離を各回毎に変えることで、裏面２１側から順に、複数列の溶融処理領域１３を切断予定ライン５に沿ってシリコンウェハ１１の内部に１列ずつ形成する。このように、複数列の溶融処理領域１３を裏面２１側から順に一列ずつ形成すると、各溶融処理領域１３を形成するに際し、レーザ光Ｌが入射する表面３とレーザ光Ｌの集光点Ｐとの間に溶融処理領域１３が存在しないことになる。そのため、既に形成された溶融処理領域１３によるレーザ光Ｌの散乱、吸収等が起こることはない。従って、各溶融処理領域１３を切断予定ライン５に沿ってシリコンウェハ１１の内部に確実に形成することができる。なお、溶融処理領域１３から加工対象物１の表面又は裏面に割れが発生する場合もある。また、溶融処理領域１３には、クラックが混在する場合もある。更に、１本の切断予定ライン５に対してシリコンウェハ１１の内部に形成される溶融処理領域１３の列数は、シリコンウェハ１１の厚さ等に応じて変化するものであり、複数列に限定されず、１列の場合もある。
【００４２】
続いて、図１７（ａ）に示すように、軟Ｘ線照射式除電機（図示せず）により軟Ｘ線（３ｋｅＶ〜９．５ｋｅＶ）を照射して、加工対象物１の周囲の雰囲気を光電離によってイオン化し、この状態で、エキスパンドテープ２３を拡張させる。そして、図１７（ｂ）に示すように、軟Ｘ線が照射され、且つエキスパンドテープ２３が拡張させられた状態で、シリコンウェハ１１の裏面２１に対し、エキスパンドテープ２３を介してナイフエッジ（押圧部材）４１を押し当てて、矢印Ｂ方向に移動させる。これにより、加工対象物１には曲げ応力が作用するため、加工対象物１が切断予定ライン５に沿って切断される。このとき、エキスパンドテープ２３が拡張させられているため、図１８に示すように、加工対象物１が切断された直後に、軟Ｘ線が照射された状態で、切断されることで得られた複数の半導体チップ（チップ）２５が互いに離間することになる。
【００４３】
なお、軟Ｘ線照射式除電機は、特許第２９５１４７７号公報や特許第２７４９２０２号公報に記載されている通り、公知のものである。商品としては、浜松ホトニクス株式会社製の製品名「PhotoIonizer（製品番号Ｌ９４９０）」がある。
【００４４】
以上説明したように、第１実施形態のレーザ加工方法においては、エキスパンドテープ２３を介して加工対象物１に応力を印加する際に、加工対象物１の形成物質（溶融処理領域１３が形成された加工対象物１、加工対象物１が切断されることで得られた半導体チップ２５、その半導体チップ２５の切断面から生じたパーティクル等）に軟Ｘ線を照射する（図１７（ａ），（ｂ）及び図１８参照）。これにより、溶融処理領域１３を切断の起点として切断予定ライン５に沿って加工対象物１が切断されることで得られる半導体チップ２５の切断面から生じたパーティクルは、ランダムに飛散することなく、エキスパンドテープ２３上に落下することになる。従って、第１実施形態のレーザ加工方法によれば、加工対象物１が切断されることで得られる半導体チップ２５にパーティクルが付着するのを確実に防止することが可能になる。
【００４５】
ここで、エキスパンドテープ２３を介して加工対象物１に応力を印加する際に、加工対象物１の形成物質に軟Ｘ線を照射すると、半導体チップ２５の切断面から生じたパーティクルがエキスパンドテープ２３上に落下することになる原理について考察する。
【００４６】
加工対象物１の形成物質に軟Ｘ線を照射しない場合、図１９（ａ）に示すように、加工対象物１が複数の半導体チップ２５に切断されると、各半導体チップ２５の切断面２５ａ、及び切断面２５ａから生じたパーティクル１ａは、剥離帯電によってランダムに帯電する。これにより、パーティクル１ａは、切断面２５ａとの電気的反発力によってランダムに飛散することになる。その結果、図１９（ｂ）に示すように、ランダムに飛散したパーティクル１ａの一部が半導体チップ２５に付着してしまう。
【００４７】
一方、加工対象物１の形成物質に軟Ｘ線照射式除電機４２により軟Ｘ線を照射する場合、加工対象物１の周囲の雰囲気が光電離によってイオン化されるため、図２０（ａ）に示すように、各半導体チップ２５の切断面２５ａ、及び切断面２５ａから生じたパーティクル１ａは、電気的に中和され、剥離帯電によってランダムに帯電することはない。これにより、パーティクル１ａは、図２０（ｂ）に示すように、自重によって落下し、エキスパンドテープ２３上に固定されることになる。
［第２実施形態］
【００４８】
第２実施形態のレーザ加工方法は、軟Ｘ線が照射され、且つエキスパンドテープ２３が拡張させられた状態で、シリコンウェハ１１の裏面２１に対し、エキスパンドテープ２３を介したナイフエッジ４１の押し当てを行わない点で、第１実施形態のレーザ加工方法と異なっている。
【００４９】
すなわち、図１６（ａ）に示すように、シリコンウェハ１１の裏面２１にエキスパンドテープ２３を貼り付ける。そして、図１６（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１１の表面３をレーザ光入射面としてシリコンウェハ１１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを多光子吸収が生じる条件で照射し、複数列の溶融処理領域１３を切断予定ライン５に沿ってシリコンウェハ１１の内部に形成する。
【００５０】
続いて、図１７（ａ）に示すように、軟Ｘ線照射式除電機（図示せず）により軟Ｘ線を照射して、加工対象物１の周囲の雰囲気を光電離によってイオン化し、この状態で、エキスパンドテープ２３を拡張させる。これにより、図１８に示すように、溶融処理領域１３を切断の起点として切断予定ライン５に沿って加工対象物１を複数の半導体チップ２５に切断すると共に、切断されることで得られた複数の半導体チップ２５を互いに離間させる。
【００５１】
以上説明したように、第２実施形態のレーザ加工方法においては、エキスパンドテープ２３を介して加工対象物１に応力を印加する際に、加工対象物１の形成物質（溶融処理領域１３が形成された加工対象物１、加工対象物１が切断されることで得られた半導体チップ２５、その半導体チップ２５の切断面から生じたパーティクル等）に軟Ｘ線を照射する（図１７（ａ）及び図１８参照）。これにより、溶融処理領域１３を切断の起点として切断予定ライン５に沿って加工対象物１が切断されることで得られる半導体チップ２５の切断面から生じたパーティクルは、ランダムに飛散することなく、エキスパンドテープ２３上に落下することになる。従って、第２実施形態のレーザ加工方法によれば、加工対象物１が切断されることで得られる半導体チップ２５にパーティクルが付着するのを確実に防止することが可能になる。
【００５２】
次に、上述した第１実施形態のレーザ加工方法に準じて複数の半導体チップ２５を得た場合、及び上述した第２実施形態のレーザ加工方法に準じて複数の半導体チップ２５を得た場合のそれぞれにおける、半導体チップ２５の表面のパーティクルの数量、及びエキスパンドテープ２３の表面のパーティクルの数量について説明する。
【００５３】
なお、下記の表１及び表２におけるパーティクルの数量は、厚さ６２５μｍ、外径１００ｍｍのシリコンウェハ１１の内部に、１本の切断予定ライン５に対して１９列の溶融処理領域１３を形成して、２ｍｍ×２ｍｍの半導体チップ２５を得たときに、２μｍ以上のパーティクルについて測定した結果である。
【００５４】
【表１】
2007142206.tif 000003
【００５５】
【表２】
2007142206.tif 000004
【００５６】
表１及び表２に示すように、エキスパンドテープ２３を介して加工対象物１に応力を印加する際に、加工対象物１の形成物質に軟Ｘ線を照射しないと、半導体チップ２５の表面及びエキスパンドテープ２３の表面にパーティクルが付着することから、パーティクルがランダムに飛散することが分かる。一方、エキスパンドテープ２３を介して加工対象物１に応力を印加する際に、加工対象物１の形成物質に軟Ｘ線を照射すると、半導体チップ２５の表面にパーティクルが付着せず、エキスパンドテープ２３の表面にパーティクルが付着することから、パーティクルがランダムに飛散することなく自重によって落下することが分かる。
【００５７】
本発明は、上述した第１実施形態及び第２実施形態のレーザ加工方法に限定されるものではない。
【００５８】
例えば、シリコンウェハ１１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射し、溶融処理領域１３を切断予定ライン５に沿ってシリコンウェハ１１の内部に形成することにより、溶融処理領域１３から加工対象物１の表面及び裏面に割れを発生させて、エキスパンドテープ２３を拡張させる前に、加工対象物１を複数の半導体チップ２５に切断してもよい。また、シリコンウェハ１１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射し、溶融処理領域１３を切断予定ライン５に沿ってシリコンウェハ１１の内部に形成した後に、加熱手段等で加工対象物１を加熱することにより、或いはブレーカ等で加工対象物１に応力を印加することにより、エキスパンドテープ２３を拡張させる前に、加工対象物１を複数の半導体チップ２５に切断してもよい。これらの場合にも、エキスパンドテープ２３を介して加工対象物１に応力を印加する際に（すなわち、エキスパンドテープ２３を拡張させて、複数の半導体チップ２５を互いに離間させる際に）、加工対象物１の形成物質に軟Ｘ線を照射すれば、上述した第１実施形態及び第２実施形態のレーザ加工方法と同様の効果が奏される。
【００５９】
また、上述した第１実施形態及び第２実施形態のレーザ加工方法では、シリコンウェハ１１の表面３をレーザ光入射面としたが、シリコンウェハ１１の裏面２１をレーザ光入射面としてもよい。シリコンウェハ１１の裏面２１をレーザ光入射面とする場合には、一例として、次のように加工対象物１を複数の半導体チップ２５に切断する。すなわち、機能素子層１６の表面に保護テープを貼り付け、保護テープにより機能素子層１６を保護した状態で、レーザ加工装置の載置台に、加工対象物１を保持した保護テープを固定する。そして、シリコンウェハ１１の裏面２１をレーザ光入射面としてシリコンウェハ１１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定ライン５に沿って溶融処理領域１３をシリコンウェハ１１の内部に形成する。続いて、載置台に固定された保護テープを加工対象物１と共に離隔させる。そして、シリコンウェハ１１の裏面２１にエキスパンドテープ２３を貼り付けて、機能素子層１６の表面から保護テープを剥がした後、加工対象物１の形成物質に軟Ｘ線を照射した状態で、エキスパンドテープ２３を拡張させて、溶融処理領域１３を切断の起点として加工対象物１を切断予定ライン５に沿って切断すると共に、切断されることで得られた複数の半導体チップ２５を互いに離間させる。
【００６０】
また、上述した第１実施形態及び第２実施形態のレーザ加工方法では、エキスパンドテープ２３を介して加工対象物１に応力を印加する際に、加工対象物１の形成物質に軟Ｘ線を照射したが、コロナ放電式除電機を使用するなど、何らかの方法で、加工対象物１の形成物質を除電してもよい。この場合にも、溶融処理領域１３を切断の起点として切断予定ライン５に沿って加工対象物１が切断されることで得られる半導体チップ２５の切断面から生じたパーティクルは、加工対象物１の形成物質から静電気が除去されているため、ランダムに飛散することなく、エキスパンドテープ２３上に落下することになる。従って、この場合にも、加工対象物１が切断されることで得られる半導体チップ２５にパーティクルが付着するのを確実に防止することが可能になる。
【００６１】
また、上述した第１実施形態及び第２実施形態のレーザ加工方法では、半導体材料からなる加工対象物の内部に溶融処理領域を形成したが、ガラスや圧電材料等、他の材料からなる加工対象物の内部に、クラック領域や屈折率変化領域等、他の改質領域を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本実施形態に係るレーザ加工方法によるレーザ加工中の加工対象物の平面図である。
【図２】図１に示す加工対象物のII−II線に沿っての断面図である。
【図３】本実施形態に係るレーザ加工方法によるレーザ加工後の加工対象物の平面図である。
【図４】図３に示す加工対象物のIV−IV線に沿っての断面図である。
【図５】図３に示す加工対象物のV−V線に沿っての断面図である。
【図６】本実施形態に係るレーザ加工方法により切断された加工対象物の平面図である。
【図７】本実施形態に係るレーザ加工方法におけるピークパワー密度とクラックスポットの大きさとの関係を示すグラフである。
【図８】本実施形態に係るレーザ加工方法の第１工程における加工対象物の断面図である。
【図９】本実施形態に係るレーザ加工方法の第２工程における加工対象物の断面図である。
【図１０】本実施形態に係るレーザ加工方法の第３工程における加工対象物の断面図である。
【図１１】本実施形態に係るレーザ加工方法の第４工程における加工対象物の断面図である。
【図１２】本実施形態に係るレーザ加工方法により切断されたシリコンウェハの一部における断面の写真を表した図である。
【図１３】本実施形態に係るレーザ加工方法におけるレーザ光の波長とシリコン基板の内部透過率との関係を示すグラフである。
【図１４】第１実施形態のレーザ加工方法の対象となる加工対象物の平面図である。
【図１５】図１４に示すXV−XV線に沿っての部分断面図である。
【図１６】第１実施形態のレーザ加工方法を説明するための加工対象物の部分断面図であり、（ａ）は加工対象物にエキスパンドテープを貼り付けた状態、（ｂ）は加工対象物にレーザ光を照射している状態である。
【図１７】第１実施形態のレーザ加工方法を説明するための加工対象物の部分断面図であり、（ａ）はエキスパンドテープを拡張させた状態、（ｂ）は加工対象物にエキスパンドテープを介してナイフエッジを押し当てている状態である。
【図１８】第１実施形態のレーザ加工方法を説明するための加工対象物の部分断面図であり、加工対象物が半導体チップに切断された状態である。
【図１９】半導体チップの切断面から生じたパーティクルがランダムに飛散することになる原理を説明するための模式図である。
【図２０】半導体チップの切断面から生じたパーティクルが自重によって落下することになる原理を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００６３】
１…加工対象物、５…切断予定ライン、７…改質領域、１１…シリコンウェハ（半導体基板）、１３…溶融処理領域、２３…エキスパンドテープ（シート）、２５…半導体チップ（チップ）、Ｌ…レーザ光、Ｐ…集光点。
【図１】
2007142206.tif 000005
【図２】
2007142206.tif 000006
【図３】
2007142206.tif 000007
【図４】
2007142206.tif 000008
【図５】
2007142206.tif 000009
【図６】
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【図７】
2007142206.tif 000011
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2007142206.tif 000018
【図１５】
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【図１６】
2007142206.tif 000020
【図１７】
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【図１８】
2007142206.tif 000022
【図１９】
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【図２０】
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