(57)【要約】【課題】  発光輝度が高い発光素子を提供する。【解決手段】  絶縁性基板（１）と、前記絶縁性基板上に形成され、長手方向を有する互いに絶縁された第１および第２の電極と（２ａ，２ｂ）、電解質（７）とを具備する発光素子である。前記電解質はイオン性液体を主成分とし、前記第１および第２の電極の単位長さ当たりの表面積は、前記第１および第２の電極の単位長さ当たりの接地面積の３倍以上１０００倍以下であることを特徴とする。【選択図】    図８
2007095488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成され、長手方向を有する互いに絶縁された第１および第２の電極と、
電解質とを具備する発光素子において、
前記電解質はイオン性液体を主成分とし、
前記第１および第２の電極の単位長さ当たりの表面積は、前記第１および第２の電極の単位長さ当たりの接地面積の３倍以上１０００倍以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記前記第１および第２の電極は、高さ２０μｍ以上２００μｍ以下のバルク状であり、前記電極は、底面で前記絶縁性基板と接合していることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１および第２の電極は、高さ０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下のバルク状であり、絶縁性基板に埋没していることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１および第２の電極は、高さが１μｍ以上２０μｍ以下の多孔質状であり、平均粒径が５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である微粒子の集合体を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１の電極と前記第２の電極とを絶縁しつつ、これらの少なくとも一方の上に配置された半導体または導体からなる多孔質層を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１および第２の電極の高さＨは、下記数式で表わされる範囲内であることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
０．５ｈ＜Ｈ＜１０ｈ
（上記数式中、ｈは前記多孔質層の高さである。）
【請求項７】
第１の電極と第２の電極との間にスペーサーを介在させ、これらを積層型もしくは捲回型に成形する工程と、
前記第１および第２の電極を、長手方向を有し互いに絶縁されるように、第１の絶縁性基板上に形成する工程と、
前記スペーサーを除去する工程と、
絶縁性の外装枠を介して、前記第１の絶縁性基板に離間対向して第２の絶縁性基板を配置する工程と、
前記第１の絶縁性基板と第２の絶縁性基板と絶縁性の外装枠とにより画定された空間に、溶融塩と色素とを含有する電解液を注入する工程と、
前記電解液の注入口を封止する工程と
を具備することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１の電極と前記第２の電極とを絶縁しつつ、これらの少なくとも一方の上に多孔質層を成膜する工程をさらに具備することを特徴とする請求項７に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面型発光素子としては、現在、固体のＥＬが広く検討されている。かかる素子は、高い輝度が得られるが、発光には６Ｖ以上の電圧が必要とされる。また、蒸着による成膜プロセスが必要なために大面積化には限界があり、製造コストが増大してしまう。
【０００３】
一方、溶液タイプの発光素子は、発光に必要な電圧が３Ｖ程度で済む反面、発光には電解液中での酸化体・還元体の移動が必要とされ、固体型発光素子と比較して輝度が低い。電極表面に多孔質層を導入することによって、発光輝度の向上が可能であることが見出された（例えば、非特許文献１参照）。電極表面への多孔質層の導入は、塗工・印刷など安価な工程で可能で、また蒸着プロセスと比較して大面積化が容易であることから、溶液タイプの発光素子が注目されている。
【０００４】
有機溶媒系電解液を用いた発光素子においては、従来のＩＴＯの代替として絶縁体表面に微細な金属電極をスパッタにより成膜した櫛型電極を用いる手法が提案されている。しかしながら、平面型電極を用いた場合、セルに流せる電流は電極面積に依存するために基板面積により規制される。また、その配線形成プロセスは、コストの削減が求められている。こうした発光素子の発光輝度は、依然として固体型発光デバイスより劣り、発光輝度のさらなる向上が求められてきた。また、前述の電極表面に多孔質層を導入し発光輝度を向上させたデバイスにおいてもその光強度の半減期が短い、すなわち寿命が短いという問題があった。
【０００５】
従来の発光素子の電極作製プロセスでは、スパッタ等の手法によって電極が成膜される（例えば、特許文献１参照）。櫛型電極を作製した際には、その電極間に生じる電界が不均一となる。さらに、電極間に発光反応を助長するために成膜されている多孔質層中にかかる電界も不均一となる。その結果、同一電界を印加しても高い発光が得られず、消費電力に対して効率の低い発光素子となっている。また、電極はその厚みに対して幅が広く、断面が扁平である。これに起因して、大面積基板や高強度発光素子などで基板中に多量の配線が敷設される場合に、その配線の電流容量に対し発光に寄与しない電極部の比有効面積が増してしまう。
【非特許文献１】九州工業大学大学院・生命体工学研究科、岡本清一、「チタニアナノ結晶集合体を電極に用いることによる電気化学発光の増大」、２００４年度電気化学会（平成１６年３月２４日〜）要旨集３１０頁
【特許文献１】特開２００２−２０３６８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、発光輝度が高い発光素子、およびかかる発光素子を安価に製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様にかかる発光素子は、絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成され、長手方向を有する互いに絶縁された第１および第２の電極と、
電解質とを具備する発光素子において、
前記電解質はイオン性液体を主成分とし、
前記第１および第２の電極の単位長さ当たりの表面積は、前記第１および第２の電極の単位長さ当たりの接地面積の３倍以上１０００倍以下であることを特徴とする。
【０００８】
本発明の一態様にかかる発光素子の製造方法は、
第１の電極と第２の電極との間にスペーサーを介在させ、これらを積層型もしくは捲回型に成形する工程と、
前記第１および第２の電極を、長手方向を有し互いに絶縁されるように、第１の絶縁性基板上に形成する工程と、
前記スペーサーを除去する工程と、
絶縁性の外装枠を介して、前記第１の絶縁性基板に離間対向して第２の絶縁性基板を配置する工程と、
前記第１の絶縁性基板と第２の絶縁性基板と絶縁性の外装枠とにより画定された空間に、溶融塩と色素とを含有する電解液を注入する工程と、
前記電解液の注入口を封止する工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、発光輝度が高い発光素子、およびかかる発光素子を安価に製造する方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。  
本発明の実施形態にかかる発光素子においては、絶縁性基板の上に、長手方向を有する第１および第２の電極が互いに絶縁されて配置される。絶縁性基板の材質は特に限定されず、例えば、ガラス、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＥ（ポリエチレン）、ポリカーボネート、およびエポキシ樹脂などを用いることができる。
【００１１】
第１および第２の電極は、それぞれ長手方向を有し、例えば線状あるいは板状とすることができる。線状の場合には、例えば櫛形電極とすることができ、板状の場合には、捲回して用いられる。電極の材料としては、導電性を有する任意の材料を用いることができ、例えば、金属、表面に導電材を配置した絶縁体、および導電性炭素などが挙げられる。なかでも金属が好ましく、さらに金、白金、銀、ステンレス、およびタングステンなど耐腐食性に優れた金属材料が好ましい。金属が用いられる場合には、容易に加工を行なうことができ、薄い電極を容易に作製することが可能である。
【００１２】
ただし、本発明の実施形態においては、第１および第２の電極の単位長さあたりの表面積は、この第１および第２の電極の単位長さ当たりの接地面積の３倍以上１０００倍以下に規定される。電極の単位長さとは、基板上に敷設された配線の長手方向に対する任意に仮定される長さを意味する。電極の断面とは、この配線の長手方向に垂直な面を示す。電極の接地面積とは、電極を敷設した基板を上面から見た場合、前述の単位長さの電極が基板に投影される面積である。例えば、幅５０μｍの電極であれば、電極の単位長さを１ｍｍとした際には電極の接地面積は０．０５ｍｍ2といった計算により求めることができる。電極の単位長さ当たりの表面積の求め方については後述する。この面積の比の下限を３と規定したことにより、発光輝度を十分に高めることが可能となった。一方、面積の比の上限は１０００と規定しているので、第１および第２の電極が傾いて短絡するといった不都合は避けられる。
【００１３】
第１および第２の電極の高さは、１μｍ以上１０ｍｍ以下とすることができる。電極高が１μｍ以上であれば、必要な電極面積が得られるために発光輝度を確保することができる。一方、電極高が１０ｍｍ以下であれば、電極深部における発光も素子外部に容易に取り出すことができ、発光効率の低下は避けられる。
【００１４】
電極高が１μｍ以上２０μｍ以下の場合には、電極は平均粒径５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の微粒子の集合体から構成することができる。微粒子の粒径は、ある程度の分散値を有するが、本明細書においては、その平均値をさす平均粒径を用いる。微粒子の粒径の測定方法は、例えば、社団法人、日本セラミックス協会発行の「セラミックスのキャラクタリゼーション技術」（セラミックス編集委員会講座小委員会著）に記載されており、ＡＳＴＭ法、プラニメトリック法、およびコード法などが挙げられる。そうした方法に準じて試料の断面を顕微鏡観察し、その領域内の十分な数の粒径の平均を測定する方法により求められる。一般的には、１００〜２００個程度の粒子について測定すればよい。
【００１５】
多孔質電極を構成する微粒子の平均粒径が５ｎｍ以上であることによって、電極内への電解液の含浸性が高められて、発光輝度の向上につながる。微粒子の平均粒径が１５０ｎｍ以下であることにより、微粒子同士の間に十分な接合点を確保され、電極の機械的強度が高められる。微粒子の平均粒径は、１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下が好ましい。
【００１６】
電極内に粒子と空隙とが共存しているような電極は、多孔質電極ということができ、その単位長さ当たりの表面積は、例えば以下の手法により求めることができる。まず、電極の断面を顕微鏡観察し、空隙に接している粒子の輪郭線の総和を測定する。その総和と長手方向の単位長さを乗じた値を、その多孔質電極の単位長さあたりの表面積とする。電極高が１μｍ以上２０μｍ以下である場合、多孔質構造とすることによって表面積が増加する。このため、発光輝度を充分に高めることができる。
【００１７】
高さが１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ平均粒径５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の微粒子の集合体からなる多孔質電極は、塗布、スクリーン式印刷、またはインクジェット式印刷により形成することができる。
【００１８】
第１および第２の電極高が２０μｍ以上２００μｍ以下の場合には、電極は底面で絶縁性基板と接合していればよい。また、電極高が０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の場合には、電極は底面および側面で絶縁性基板と接合させることができる。こうした電極は、板状電極であり、その単位長さ当たりの表面積は、電極の長手方向に垂直な断面を切り出し、その輪郭と単位長さとを乗じた値によって求められる。
【００１９】
電極が絶縁性基板に接合する面が底面のみであっても、電極高さが２００μｍ以下であれば、十分な機械的強度が確保される。このため、電極が基板から脱落するおそれはない。一方、電極が底面および側面で絶縁性基板と接合していても、電極高が０．１ｍｍ以上の場合には、発光に関与しない電極面積の影響は無視できる。
【００２０】
多孔質およびバルク状のいずれの電極であっても、その表面積と接地面積との比を算出する場合、電極の単位長さは任意に取ることができる。単位長さをいくつに設定しても、表面積を接地面積で除する際に電極の長さ方向の項が相殺される。したがって、多孔質電極の場合は、その単位長さあたりの表面積が接地面積の何倍かと言った値は、任意の断面の空隙の輪郭線の総和を電極幅で除した値となる。同様に、バルク状電極の場合は、任意の断面の輪郭線を電極幅で除した値となる。
【００２１】
高さが２０μｍ以上２００μｍ以下であり、かつ電極底面で絶縁性基板と接合している電極は、ドライエッチング法またはウェットエッチング法により形成することができる。一方、高さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、かつ電極が底面および側面で絶縁性基板と接合している電極は、積層法または捲回法を用いて形成することができる。積層法とは、例えば複数枚のシート状電極を重ねるか、または２枚の電極を九十九折状に折りたたみ、必要に応じて切断して電極を作製するものである。捲回法とは、例えば２枚の状電極を重ねてから渦巻状に巻き、必要に応じて切断して電極を作製するものである。これらの手法については、後に詳細に説明する。
【００２２】
第１および第２の電極の少なくとも一方の上には、半導体または導体からなる多孔質層が形成されていることが望ましい。半導体としては、金属酸化物や窒化物を挙げることができる。具体的には、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、亜鉛、インジウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデンあるいはタングステンなどの遷移金属の酸化物、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＮｂ2Ｏ6等のペロブスカイト、およびこれら複合酸化物または酸化物の混合物、ＧａＮなどである。一方、導体としては、Ａｕ，Ｐｔ、Ａｇ、Ｒｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、およびＡｌ等が挙げられる。
【００２３】
多孔質層は、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット法、スプレー法、塗布法、スピンコート法、およびＣＶＤ法といった手法により形成することができる。多孔質層を電極上に形成することによって、電解液中の酸化還元反応が助長され、発光効率が高められる。
【００２４】
多孔質層の高さｈと、第１および第２の電極の高さＨとは、０．５ｈ＜Ｈ＜１０ｈの関係にあることが望ましい。Ｈが０．５ｈを越えることによって、多孔質層の効果を充分に得ることができる。一方、Ｈが１０ｈ未満であれば、多孔質層の表面と電極との距離が過度に大きくなることはない。このため、充分な電子導電性を確保することができ、発光効率の低下は避けられる。
【００２５】
第１の電極と第２の電極との間の短絡を防ぐために、絶縁性の多孔質膜を配置してもよい。絶縁性の多孔質膜には、絶縁性と、発光色素の移動を妨げない多孔質性とが求められる。例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＥ、ＰＰ製の多孔質膜や不織布、およびアルミナ、シリカなど絶縁性無機微粒子を、第１または第２の電極の上に配置して形成することができる。
【００２６】
具体的には、絶縁多孔質膜や不織布は、電極の間に配置すればよい。また、絶縁性無機微粒子の多孔質膜は、例えばスクリーン印刷法、インクジェット法、スプレー法、塗布法、スピンコート法、あるいはＣＶＤ法などといった手法により形成することができる。絶縁性の多孔質膜としては、特に二酸化ケイ素の微粒子膜が好ましい。
【００２７】
本発明の実施形態にかかる発光素子における電解質は、イオン性液体を主成分とし、可逆的な酸化還元体構造をとる発光色素を含む。イオン性液体は、下記一般式（Ａ）で表わされる構造を有する溶融塩化合物であり、可逆的な酸化還元体としては中心金属にＲｕをもつ錯体が望ましい。
【００２８】
なお、本明細書において「主成分とする」とは、当該物質が構成成分として最も高い含有率（重量％）で含まれることをさす。電解質には、２０重量％以下程度であれば、例えばエチレンカーボネート、あるいはプロピレンカーボネートに代表される炭酸エステル類など、リチウムイオン二次電池の電解液として通常用いられる有機溶媒が含有されていてもよい。
【００２９】
【化１】
2007095488.tif 000003
【００３０】
カチオン種は特に限定されないが、イミダゾリウムイオン、ピリジニウムイオン、４級アンモニウムイオンなどを用いることができる。中でも、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルブチルアンモニウムイオン、Ｎ−エチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピルアンモニウムイオン、Ｎ−（２−メトキシエチル）−Ｎ，Ｎ−ジメチルエチルアンモニウムイオン、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムイオン、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムイオン、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルピロリジニウムイオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−メチルピロリジニウムイオン、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルピペリジニウムイオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−メチルピペリジニウムイオンが好ましい。
【００３１】
アニオン種は特に限定されないが、例えば、ＰＦ6-，［ＰＦ3(Ｃ2Ｆ5)3］-、［ＰＦ3(ＣＦ3)3］-、ＢＦ4-，［ＢＦ2(ＣＦ3)2］-、［ＢＦ2(Ｃ2Ｆ5)2］-、［ＢＦ3(ＣＦ3)］-、［ＢＦ3(Ｃ2Ｆ5)］-、［Ｂ(ＣＯＯＣＯＯ)2-］（ＢＯＢ-）、ＣＦ3ＳＯ3-（Ｔｆ-）、Ｃ4Ｆ9ＳＯ3-（Ｎｆ-）、［(ＣＦ3ＳＯ2)2Ｎ］-（ＴＦＳＩ-）、［(Ｃ2Ｆ5ＳＯ2)2Ｎ］-（ＢＥＴＩ-）、［(ＣＦ3ＳＯ2)(Ｃ4Ｆ9ＳＯ2)Ｎ］-、［(ＣＮ)2Ｎ］-（ＤＣＡ-）、［(ＣＦ3ＳＯ2)3Ｃ］-、および［(ＣＮ)3Ｃ］-などを用いることができる。なかでも、ＢＦ4-，［ＢＦ3(ＣＦ3)］-、［ＢＦ3(Ｃ2Ｆ5)］-、ＴＦＳＩ-、およびＢＥＴＩ-が好ましい。
【００３２】
本発明の実施形態にかかる発光素子においては、電極の単位長さ当たりの表面積が、この電極の単位長さ当たりの接地面積の３倍以上１０００倍以下に規定されるので、発光輝度を高めることが可能となった。
【００３３】
こうした電極が微粒子の集合体からなる多孔質電極の場合には、塗布、スクリーン式印刷、またはインクジェット式印刷により形成することができる。電極は、電極材料膜を形成し、ドライエッチング法またはウェットエッチング法により加工して形成することも可能である。
【００３４】
さらには、例えば複数枚のシート状電極を順次積み重ねる積層法、あるいは、渦巻状に巻く捲回法によって、電極を作製することができる。積層法においては、まず例えば複数枚のシート状電極と、各々のシート状電極の間隔を維持するためのスペーサーとを互い違いに重ねる。あるいは、２枚のシート状電極でスペーサーを挟み、これを九十九折状に折り畳むことによって電極群を作製する。得られた電極群を、必要に応じてプレス・切断した後、端部を絶縁体で固定する。さらに、スペーサーを除去することによって、電極が作製される。捲回法においては、スペーサーを挟んだ２枚のシート状電極を渦巻状に巻き、必要に応じて切断する。さらに、端部を絶縁体で固定した後、スペーサーを除去することによって電極が得られる。
【００３５】
スペーサーとしては、前述のシート状電極の間隔を維持し、かつ後の工程で除去できるものであれば特に規定されるものではなく、導電体、半導体、あるいは絶縁体のものを使用することができる。材質としては、例えば金属、金属酸化物、金属塩、無機化合物、および有機高分子などを用いることができる。また、形状としては、例えばシート状、板状、網状のものを用いることができる。
【００３６】
導電体としては、例えば金属箔や金属網を用いることができる。半導体としては、例えば金属酸化物を板状に成形したもの、あるいは有機バインダーとともにフィルム状に成形したものを用いることができる。絶縁体としては、例えば高分子フィルムあるいは高分子多孔質フィルムを用いることができる。
【００３７】
金属箔あるいは金属網は、こうした形状に成形できる任意の金属を用いることができ、例えば、アルミニウム、銅、ステンレス、金、およびチタンなどにより構成することができる。金属酸化物は、特に金属種が規定されず、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、および酸化スズなどを用いることができる。また、金属塩の場合も、金属種およびアニオン種は特に限定されず、例えば、塩化アルミニウム、塩化鉄、塩化銅、酢酸鉄、および硝酸銅などを用いることができる。
【００３８】
無機化合物としては、例えば、ホウ酸、リン酸２水素アンモニウムなどの化合物を用いることができる。金属酸化物、金属塩および無機化合物は、例えば、単独で板状に成形してスペーサーとして用いることができる。あるいは、金属酸化物、金属塩および無機化合物は、結着剤と混合し、この混合物をシート状に成形することによりスペーサーとして用いてもよい。結着剤としては、例えば、ポリビニリデンジフルオライド（ＰＶｄＦ）やカルボメトキシセルロース（ＣＭＣ）などの有機高分子を用いることができる。高分子フィルムとしては、フィルム状に加工できれば特に限定されず、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ＰＶｄＦ、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン（ＦＥＰ）、ポリテトラフルオロエチレン／エチレン（ＥＴＦＥ）、およびポリウレタンなどが挙げられる。また、高分子フィルムは、多孔質構造であってもよい。多孔質構造の高分子フィルムとしては、高分子フィルムを多孔質に加工したもの、あるいはセルロースなどの繊維状高分子を不織布としてシート状にしたものを用いることができる。
【００３９】
スペーサーの除去に当たっては、電極および電極端部を固定する絶縁体を阻害しなければ、任意の方法を採用することができる。例えば、引き抜き、溶解、分解、および腐食などの方法によって、スペーサーを除去することができる。引き抜き法は、スペーサーを電極群から引き抜く方法であり、スペーサーが断裂したり、あるいは電極に変形などが生じなければ実施することができる。こうした方法は、全ての性質・材質・形状のスペーサーに適応することができる。
【００４０】
溶解法は、電極および電極端部を固定する絶縁体の機能を喪失するものでなければ、実施することができる。例えば、電極が金箔からなり、スペーサーがアルミニウム箔・あるいはアルミ網からなる場合、希塩酸によりスペーサーを溶解する。さらに、水で洗浄することによって、スペーサーを除去することができる。スペーサーの材質に応じて、種々の方法で溶解除去することができる。
【００４１】
例えば、スペーサーがＰＶｄＦ製の場合には、ＮＭＰなどの有機溶媒で溶解し、さらに洗浄することで除去することができる。スペーサーがＰＥ製多孔質膜からなる場合には、加熱することで多孔質膜を収縮させることにより除去することができる。さらに、例えばスペーサーがセルロース製不織布からなる場合には、まず、水中で酵素・微生物により腐食させ、さらに洗浄すればよい。また、塩化ナトリウムとＣＭＣとからなる膜が、スペーサーとして用いられる場合がある。こうしたスペーサーは、塩化ナトリウムとＣＭＣとを溶解した水溶液を、電極の片側の面に塗布・乾燥して作製することができ、容易に除去することができる。具体的には、こうしたスペーサーは、水で洗浄することにより溶解・除去することによって除去することができる。また、例えばスペーサーがＰＥ製フィルムである場合、大気下あるいは酸素・オゾン雰囲気下で加熱し、酸化分解することにより除去することができる。
【００４２】
電極を固定する端部の絶縁体としては、スペーサーの除去工程においてその機能を喪失しなければ、その材質は特に規定されるものではない。例えば、ＰＥ、ＰＰ、ＰＶｄＦ、ＰＴＦＥ、およびポリウレタンなどの各種有機高分子を用いることができる。スペーサーは、材質に応じた方法により除去することが望まれる。例えば、ＰＥおよびＰＰは、引き抜き法、塩酸・有機溶剤による溶解法により除去することが適切である。また、ＰＶｄＦは、引き抜き法、塩酸による溶解法で除去することが好ましい。
【００４３】
これらのスペーサーの除去方法のなかでも、最も簡便で好ましいのは引き抜き法であり、次いで好ましいのは加熱法である。加熱法は、電極間隔が狭い場合には、その効果を特に発揮できる。
【００４４】
いずれの方法を採用した場合も、所望の電極を容易に形成することができ、発光輝度の高い発光素子を安価に製造することが可能となった。
【００４５】
以下、図面を参照して本発明の具体例をさらに詳細に説明する。  
（実施例１）
まず、図１に示すように、厚さ１．１ｍｍの第１のガラス基板１上に、対向する電極間のギャップが１００μｍとなるように一対の櫛形電極２ａ，２ｂを形成した。本実施例における電極２ａ，２ｂは、平均粒径５００ｎｍの銀の微粒子とガラスフリットとを混合し、有機バインダ中に分散させたデグサジャパン製の焼付け銀電極からなり、スクリーン印刷法により形成した。
【００４６】
本実施例における発光素子の製造方法を、図２乃至図８を参照して説明する。まず、図２に示すように、ガラス基板１上に銀ペースト３を印刷する。印刷には、でペースト印刷用のギャップ（幅１８μｍ）がパターニングされたメタルマスク（厚さ２０μｍ）を用いた。印刷された銀ペーストを５５０℃で焼成することにより、図３に示すように焼結収縮した銀電極４が得られる。銀電極５の上に、図４に示すようにさらに銀ペースト３を印刷し、同様に焼結して図５に示すように一体化した銀電極４を形成する。所望の高さの銀電極が形成されるまで、印刷および焼結を繰り返し、図６に示すように高さ１８μｍの対向金属電極２ａ．２ｂを得た。電極２ａ，２ｂは、平均粒径５００ｎｍの銀の微粒子と溶融固化したガラスとの集合体からなり、内部に空隙を有しないバルク状の電極である。
【００４７】
基板１の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極２ａ，２ｂの高さは、その底面の幅１８μｍの１．０倍の１８μｍであった。また、この電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約４．０倍であった。電極の単位長さ当たりの表面積は、前述した顕微鏡での断面観察により粒径と空隙との輪郭の総和に単位長さを乗じて算出する方法により求めた。単位長さ当たりの接地面積も同様に、顕微鏡による断面観察から算出された輪郭の総和に単位長さを乗じる方法により求めた。以下の実施例も比較例も同様である。
【００４８】
続いて、図７に示すように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に１００μｍの間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解液７を調製し、２つのガラス基板１および６の間の間隙に注入した。
【００４９】
電解液の注入口をエポキシ樹脂（図示せず）で封止して、図８に示すような発光素子を得た。第１のガラス基板１上の対向電極２ａ，２ｂのうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加して電流を流したところ、２８０ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【００５０】
輝度の測定にはトプコン社製ＢＭ−８を使用し、素子の中心部、直径約１ｍｍの範囲の輝度を半減期測定に用いた。以下の実施例においても、同様にして輝度の測定を行なう。
【００５１】
（実施例２）
まず、図１に示したように、厚さ１．１ｍｍの第１のガラス基板１上に、対向する電極間のギャップが４０μｍとなるように一対の電極２ａ，２ｂを形成した。これらの電極２ａ，２ｂは、平均粒径５００ｎｍの銀の微粒子とガラスフリットとを混合し、有機バインダ中に分散させた焼付け銀電極を用いた。
【００５２】
本実施例における銀電極の形成方法を、図９乃至図１２を参照して説明する。まず、図９に示すようにガラス基板１上にレジスト膜１０を形成し、幅３μｍのギャップでパターニングして、図１０に示すようにレジストパターン１１からなるマスクを形成した。この溝に、図１１に示すように前述の銀ペーストをスキージ印刷で埋め込み、１５０℃で乾燥・仮固化した。その後、マスクを有機溶剤で洗浄除去し、残った銀ペーストを５２０℃で３０分焼結することにより、図１２に示されるような高さ６μｍの対向金属電極２ａ，２ｂを得た。電極２ａ，２ｂは、平均粒径５００ｎｍの銀の微粒子と溶融固化したガラスとの集合体からなり、内部に空隙を有しないバルク状の電極である。
【００５３】
基板１の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極２ａ，２ｂの高さは、その底面の幅３μｍの２．０倍の６μｍであった。また、この電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約６．０倍であった。ここでは、面積は前述の顕微鏡観察による測定・算出方法により求めた。接地面積も同様に、前述の顕微鏡観察から測定する方法により求めた。
【００５４】
続いて、図７に示したように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に７０μｍの間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解液７を調製し、２つのガラス基板の間の間隙に注入した。
【００５５】
電解液の注入口をエポキシ樹脂（図示せず）で封止し、図８に示したような発光素子を得た。第１のガラス基板１上の対向電極２ａ，２ｂのうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加して電流を流したところ、３００ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【００５６】
（実施例３）
まず、図１に示したように、厚さ１．１ｍｍの第１のガラス基板１上に、対向する電極間のギャップが４０μｍとなるように一対の電極２ａ，２ｂを形成した。これらの電極２ａ，２ｂは、銅を用いて以下の手法により形成した。
【００５７】
本実施例における銅電極の形成方法を、図１３乃至図１６を参照して説明する。まず、図１３に示すように、第１のガラス基板１上に、電極材料膜としてのＣｕ膜１４を１７μｍの膜厚になるように無電解メッキで成膜した。Ｃｕ膜１４の上には、図１４に示すように、幅３μｍのギャップのレジストパターン１５からなるマスクを形成した。
【００５８】
続いて、アルバック社製リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置を用い、エッチングを行なって図１５に示すようにＣｕ膜を選択的に除去した。エッチングは、ＢＣｌ3（３塩化ホウ素）またはＣＣｌ4（４塩化炭素）のガス雰囲気中で行ない、条件は、１〜１０Ｐａ、１０〜２００ＳＣＣＭ、ＤＣバイアス（Ｖdc）４００〜１０００Ｖとした。その後、有機溶剤でマスクを洗浄除去し、図１６に示されるような高さ１７μｍの対向金属電極２ａ，２ｂを得た。
【００５９】
基板１の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極２ａ，２ｂの高さは、その底面の幅３μｍの約５．４倍の１７μｍであった。また、この電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約１２倍であった。表面積は、前述の顕微鏡観察による測定・算出方法により求めた。接地面積も同様に、前述の顕微鏡観察から測定する方法により求めた。
【００６０】
続いて、図７に示したように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に７０μｍの間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解液７を調製し、２つのガラス基板の間の間隙に注入した。
【００６１】
電解液の注入口をエポキシ樹脂（図示せず）で封止し、図８に示したような発光素子を得た。第１のガラス基板１上の対向電極２ａ，２ｂのうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加して電流を流したところ、４００ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【００６２】
（実施例４）
図１７乃至図１９を参照して、本実施例における電極の形成方法を説明する。本実施例における方法は、いわゆる捲回法である。まず、板状の電極材料として、厚さ１００μｍの金箔を２枚用意した。図１７に示すように、この金箔１７ａおよび１７ｂでスペーサーとしての厚さ２０μｍのＰＥ製多孔質膜１８を挟み、渦巻状に捲回して電極群を作製した。得られた電極群の一方を、図１８に示すようにダイヤモンドカッターで切断し、切断面を洗浄・乾燥した。その後、図１９に示すようにガラス基板１９上に接合する。
【００６３】
接合に先立って、まず図２０に詳細を示すように、エポキシ樹脂２０により末端から１ｍｍの領域を固着した。電極末端から６ｍｍの位置で電極群を切断することによって、ＰＥ製多孔質膜１８を介して２枚の電極（高さ１５ｍｍ）１７ａ，１７ｂが、渦巻状にエポキシ樹脂２０（厚さ１ｍｍ）の上に配置された電極を得た。得られた電極１７ａ，１７ｂを１３０℃で１２時間加熱することにより、図２１に示すようにＰＥ製多孔質膜１８を熱収縮させた。
【００６４】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極１７ａ，１７ｂの高さは、その底面の幅１００μｍの約１５０倍の１５ｍｍであった。また、表面積は、前述の顕微鏡観察による測定・算出方法により求めた。接地面積も同様に、前述の顕微鏡観察から測定する方法により求めた。
【００６５】
得られた高さ１６ｍｍの対向電極１７ａ，１７ｂの、厚さ１ｍｍのエポキシ樹脂２０がついていない端部を、図２２に示すようにエポキシ系接着剤２１が塗布されたガラス基板１９へ固着した。固着に当たっては、１５０℃で３０分の熱処理を行なった。その後、他方の厚さ１ｍｍのエポキシ樹脂２０およびＰＥ層１８を切断除去し、高さ１５ｍｍの捲回した対向電極層を作製した。
【００６６】
ガラス基板１９に対向する基板としては石英ガラス２２を用い、２枚の基板１９，２２を隔てる絶縁性の外装枠としてポリイミド製板（図示せず）を用いて、図２３に示すように発光素子のセルを作製した。
【００６７】
室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロジメチルスルホンイミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2０．２ｇを溶解して電解液を調製し、これを２枚の電極１７ａ，１７ｂの間隙に注入した。その後、常法により注入口を封口して発光セルを得た。対向する２枚の電極に交流３Ｖの電圧を加えたところ、３００ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【００６８】
（比較例１）
対向櫛形電極２ａ，２ｂの高さを３．０μｍに変更した以外は、前述の実施例１と同様にして発光素子を作製し、同様にして評価した。なお、電極２ａ，２ｂの形成に当たっては、スクリーン印刷の電極材料の溶媒濃度を高めることでペースト粘度を低くし、メタルマスクの厚さを１０μｍとし、印刷、焼付けの回数を１回とした。
【００６９】
観察された電極２ａ，２ｂの高さは、約３．０μｍであり、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約２．３倍であった。実施例１と同様にして発光を試みたところ、光量は１５５ｃｄ／ｍ2であった。実施例１と比較すると、電極が薄いことに起因して発光強度の低下が現れていた。
【００７０】
（比較例２）
対向櫛型電極２ａ，２ｂとして５０ｎｍのＣｒ層と５００ｎｍのＡｕ層との積層電極を用いた以外は、前述の実施例１と同様にして発光素子を作製し、同様にして評価した。なお、第１および第２の電極２ａ，２ｂの形成に当たっては、そのギャップ、電極の幅は変化させず、電極を基板上に置いたメタルマスク越しにスパッタによる成膜を行なった。電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約２．０倍であった。
【００７１】
実施例１と同様にして発光を試みたところ、光量は９５ｃｄ／ｍ2であった。比較例１の場合と同様に、電極が薄い際の発光強度の低下が現れていた。
【００７２】
（比較例３）
一対の金箔（厚さ１５μｍ）１７ａ，１７ｂでＰＥ製多孔質膜（厚さ２０μｍ）１８を挟んで渦巻状に捲回し、実施例４と同様の手法により電極群を作製した。得られた電極群の一方をダイヤモンドカッターで切断し、切断面を洗浄・乾燥後、エポキシ樹脂２０を用いて、末端から１ｍｍの領域を固着した。電極末端から１６ｍｍの位置で電極群を切断することによって、ＰＥ製多孔質膜を介した２枚の電極（高さ１５ｍｍ）１７ａ，１７ｂが渦巻状にエポキシ樹脂（厚さ１ｍｍ）２０の上に配置された電極を得た。さらに、１３０℃で１２時間加熱して、ＰＥ製多孔質膜１８を熱収縮させた。
【００７３】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製した電極１７ａ，１７ｂの高さは、その底面の幅１５μｍの約３００倍の１５ｍｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約２０００倍であった。表面積および接地面積は、実施例４と同様の手法により求めた。
【００７４】
対向する基板としては石英ガラスを、２枚の基板を隔てるガスケットとしてポリイミド製板を用いることにより、発光素子のセルを作製した。  
電解液（ルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2０．２ｇ，１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロジメチルスルホンイミド１．１ｇを溶解したもの）を注入し、封口して発光セルを完成した。
【００７５】
対向する２枚の電極に交流３Ｖの電圧を加え、光量測定を試みたところ、試料セル９７個の内７２個では電極間のショート不良が発生していた。顕微鏡観察により、１５ｍｍ長の電極端同士が接触していたり、電極が根元から倒れている不良箇所が多く観察された。残りのセルで光量評価したところ、平均で１００ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【００７６】
（実施例５）
まず、図１に示すように、厚さ１．１ｍｍの第１のガラス基板１上に、対向する電極間のギャップが１００μｍとなるように一対の櫛形電極２ａ，２ｂを形成した。本実施例における電極は、平均粒径５０ｎｍの金の微粒子を分散させたペーストを用いて形成した。具体的には、インクジェット法により基板上へ成膜し、５００℃で焼き付けた。所望の厚さになるまで、この成膜と焼付けとを繰り返して、多孔質微細金粒子構造とした。配線２ａ，２ｂの幅は５０μｍとし、高さは３０μｍとした。この対向電極の双方の表面に、スイスソラロニクス社製のチタニアペースト、Ｎａｎｏｘｉｄｅ  Ｄをインクジェット法により塗布し、乾燥後、４５０℃で３０分焼成した。こうした塗布、乾燥および焼成の工程を５回繰り返して、２５ミクロン厚のポーラスチタニア膜を多孔質半導体層により電極表面をコーティングした。
【００７７】
続いて、図７に示すように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に２００μｍｎ間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解液７を調製し、２つのガラス基板１および６の間の間隙に注入した。
【００７８】
電解液の注入口をエポキシ樹脂（図示せず）封止して、図８に示すような発光素子を得た。後述する輝度の測定後、試作セルを分解し、多孔質電極層の断面を観察したところ、その表面積は基板への投影面積の６００倍以上であることがわかった。ここでは、表面積および接地面積は、実施例４と同様の手法により求めた。
【００７９】
次いで、第１のガラス基板上に配した対向電極のうち、一方の電極側をマイナス、もう一方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加し、電流を流したところ、３５０ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。輝度の測定はトプコン社製ＢＭ−８を使用した。素子の中心部、直径約１ｍｍの範囲の輝度を半減期測定に用いた。
【００８０】
（実施例６）
まず、図１に示したように、厚さ１．１ｍｍの第１のガラス基板１上に対向する電極間のギャップが１００μｍとなるように一対の櫛形電極２ａ，２ｂを形成した。
【００８１】
図２４乃至図２８を参照して、本実施例における発光素子の製造方法を説明する。対向電極の形成に当たっては、まず、平均粒径１５０ｎｍの金の微粒子を分散させたペースト２４を、図２４に示すようにガラス基板１上に塗布した。これを、５００℃で基板上に焼き付けて、図２５に示すような多孔質微細金粒子構造の一対の対向電極２ａ，２ｂを得た。その配線の幅は２０μｍとし、高さは２０μｍとした。電極２ａ，２ｂの単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の２２０倍以上であった。表面積および接地面積は、実施例１と同様の手法により求めた。
【００８２】
この対向電極の双方の表面に、スイスソラロニクス社製のチタニアペースト、Ｎａｎｏｘｉｄｅ  Ｄをインクジェット法により塗布し、乾燥した。その後、４５０℃で３０分焼成した。こうした塗布、乾燥、および焼成の工程を３回繰り返した。これによって、図２６に示すように、電極表面をコーティングする１５μｍ厚のポーラスチタニア膜からなる多孔質半導体層２５が形成された。電極２ａの高さＨは、多孔質半導体層２５の高さｈの約１．３倍である。図２７には、こうした多孔質半導体層２５が設けられた電極２ａを有するガラス基板１の平面図を示す。
【００８３】
続いて、図２８に示したように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に１００μｍの間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解液７を調製し、２つのガラス基板１，６の間の間隙に注入した。
【００８４】
電解液の注入口をエポキシ樹脂（図示せず）で封止し、図２９に示したような発光素子を得た。第１のガラス基板１上に配した対向電極のうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加して電流を流したところ、３００ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【００８５】
（比較例４）
厚さ１．１ｍｍの第１のガラス基板上に、対向する電極間のギャップが１００μｍとなるように櫛型電極を形成した。ここでの対向電極は、平均粒径５ｎｍの金の微粒子を分散させたペーストを５００℃で基板上に焼き付け、多孔質微細金粒子構造として形成した。その配線の幅は２０μｍであり、高さは２μｍであった。
【００８６】
この対向電極の双方の表面に、スイスソラロニクス社製のチタニアペースト、Ｎａｎｏｘｉｄｅ  Ｄをインクジェット法により塗布し、乾燥した。その後、４５０℃で３０分焼成した。こうした塗布、乾燥、および焼成の工程を３回繰り返した。これによって、電極表面をコーティングする１５ミクロン厚のポーラスチタニア膜からなる多孔質半導体層が形成された。
【００８７】
第２のガラス基板の接着や電解液の種類、注入、封止プロセスは前述の実施例３と同様とし、発光素子を得た。輝度の測定後、試作セルを分解し、多孔質電極層の断面を前述と同様の手法で観察した。その結果、電極の単位長さ当たりの表面積は、単位長さ当たりの接地面積の約２．３倍であった。
【００８８】
次いで、第１のガラス基板上に配した対向電極のうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加し、電流を流したところ、９５ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。本比較例においては、金微粒子の粒径が微細すぎることに起因して、焼結後に電極内部の空隙が埋まってしまった。こうした構造では、多孔質電極としての表面積が十分に得られない。表面積の不足と電極の多孔質化による抵抗増大のために、発光強度が低下したものと推測される。
【００８９】
（比較例５）
対向電極の金の微粒子として、平均粒径の異なる３種類の微粒子を混合して用いた。用いた微粒子の平均粒径は、５００ｎｍ、５０ｎｍ、および５ｎｍである。こうした微粒子を分散させたペーストを使用した以外は実施例５と同様のプロセスにより、発光素子を作製した。
【００９０】
輝度の測定後、試作セルを分解し、多孔質電極層の断面を観察したところ、電極の単位長さ当たりの表面積は、単位長さ当たりの接地面積の３０００倍以上であった。次いで、第１のガラス基板上に配した対向電極のうち、一方の電極側をマイナス、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加し、電流を流したところ、１１５ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【００９１】
本比較例においては、粒径の大きく異なる微粒子を混合して用いて電極を形成したため、大きな粒子の表面に小さな粒子が付着した形態が多く見られた。また、粒子の平均粒径に大きな差があることから、電極内部の空隙が大きくなるとともに、電極の表面積が非常に増大した。その結果、電極としての抵抗値が増大して、発光強度が低下したものと推測される。
【００９２】
（実施例７）
厚さ５０μｍの金箔に、スイスソラロニクス社製のチタニアペーストＮａｎｏｘｉｄｅ  Ｄを５０μｍの厚さで塗布後、乾燥した。その後、４５０℃で３０分焼成した。こうした塗布、乾燥、および焼成の工程を４回繰り返し、２０μｍ厚のポーラスチタニア膜を形成した。さらに裏面にも同様の処理を施して、表裏両面に２０ミクロン厚のポーラスチタニア膜を形成し、板状の電極材料を作製した。
【００９３】
こうして得られた板状の２枚の電極材料１７ａ，１７ｂと、ＰＥ製多孔質膜１８（厚さ２０μｍ）とを用いて、図１７乃至図２１に示したような工程により対向電極を作製した。具体的には、まず、図１７に示したように、２枚の板状の電極材料１７ａ，１７ｂで、スペーサーとしてのＰＥ製多孔質膜１８を挟んで渦巻状に捲回し、電極群を作製した。得られた電極群の一方をダイヤモンドカッターで図１８に示したように切断し、切断面を洗浄・乾燥後、エポキシ樹脂２０により末端から１ｍｍの領域を固着した。
【００９４】
電極末端から６ｍｍの位置で電極群を切断することによって、ＰＥ製多孔質膜１８を介した２枚の電極１７ａ，１７ｂ（高さ５ｍｍ）が渦巻状にエポキシ樹脂２０（厚さ１ｍｍ）の上に配置された電極を得た。これを１３０℃で１２時間加熱することによりＰＥ製多孔質膜１８を熱収縮させて、対向電極が完成した。電極の厚さは１００μｍであり、高さは６ｍｍであった。
【００９５】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極１７ａ，１７ｂの高さは、その底面の幅５０μｍの約１００倍の５ｍｍであった。電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約２００倍であった。ここでは、表面積および接地面積は、実施例４と同様の手法により求めた。
【００９６】
対向する基板としては石英ガラスを、２枚の基板を隔てる絶縁性の外装枠としてポリイミド製板を用いることにより、発光素子のセルを作製した。
【００９７】
電解液（ルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2  ０．２ｇ，１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロジメチルスルホンイミド１．１ｇを溶解したもの）を注入し、封口して発光素子を得た。対向する２枚の電極に交流３Ｖの電圧を加えたところ、５００ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【００９８】
（比較例６）
厚さ１５μｍ金箔を用いた以外は、前述の実施例７と同様の手法により表裏両面に２０ミクロン厚のポーラスチタニア膜を形成して、板状の電極材料１７ａ，１７ｂを作製した。
【００９９】
こうして作製された２枚の板状の電極材料１７ａ，１７ｂで、厚さ２０μｍのＰＥ製多孔質膜１８を挟んで捲回し、電極群を作製した。得られた電極群の一方をダイヤモンドカッターで切断し、切断面を洗浄・乾燥後、エポキシ樹脂２０により末端から１ｍｍの領域を固着した。
【０１００】
電極末端から１６ｍｍの位置で電極群を切断することによって、ＰＥ製多孔質膜１８を介した２枚の電極（高さ１５ｍｍ）１７ａ，１７ｂがエポキシ樹脂（厚さ１ｍｍ）２０の上に渦巻状に配置された電極を得た。これを１３０℃で１２時間加熱して、ＰＥ製多孔質膜１８を熱収縮させた。
【０１０１】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極１７ａ，１７ｂの高さは、その底面の幅１５μｍの約３００倍の１５ｍｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約２０００倍であった。対向する基板としては石英ガラスを用い、２枚の基板を隔てるガスケットとしてポリイミド製板を用いて、発光素子のセルを作製した。
【０１０２】
電解液（ルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2  ０．２ｇ，１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロジメチルスルホンイミド１．１ｇを溶解したもの）を注入し、封口して発光素子を得た。
【０１０３】
対向する２枚の電極１７ａ，１７ｂに交流３Ｖの電圧を加え、光量測定を試みたところ、試料セル９７個のうち、７２個では電極間のショート不良が発生していた。顕微鏡観察の結果、１５ｍｍ長の電極端同士が接触していたり、電極が根元から倒れている不良箇所が多く観察された。残りのセルで光量を評価したところ、平均で１１０ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【０１０４】
本比較例においては、電極の高さが幅に対して大きすぎるため、電極の倒れやショートが多発した。また、ショート不良を起こさず発光強度が測定できた試料においても、電極の基板近傍、すなわち発光の取り出し側から見ると電極の奥深くで生じた発光反応による光は、素子表面に達する以前に反射散乱により強度が低下してしまった。そのため、同程度の電力で駆動した場合、表面積が増大している割には発光強度が低下したものと推測される。
【０１０５】
（実施例８）
まず、図１に示したように、厚さ１．１ｍｍの第１のガラス基板１上に対向する電極間のギャップが１００μｍとなるように一対の櫛型電極２ａ，２ｂを形成した。ここでの対向電極は、デグサジャパン製の焼付け銀電極からなり、図２乃至図６に示したようにスクリーン印刷法により形成した。ペースト印刷用のギャップ（幅２０μｍ）がパターニングされたメタルマスク（厚さ２０μｍ）を用い、印刷および５５０℃での焼付けを３〜５回繰り返して、高さ２０μｍの対向金属電極を形成した。得られた対向電極２ａ，２ｂは、平均粒径５００ｎｍの銀の微粒子と溶融固化したガラスとの集合体からなり、内部に空隙を有しないバルク状の電極である。
【０１０６】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極２ａ，２ｂの高さは、その底面の幅２０μｍの約１．０倍の２０μｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約４．０倍であった。ここでは、表面積および接地面積は、実施例１と同様の手法により求めた。
【０１０７】
この対向電極２ａ，２ｂ間のギャップに、スイスソラロニクス社製のチタニアペースト、Ｎａｎｏｘｉｄｅ  Ｄを塗布した。乾燥後、４５０℃で３０分焼成した。こうした塗布、乾燥、および焼成の工程を３回繰り返して、図３０に示すように２０ミクロン厚のポーラスチタニア膜２５を形成した。得られた電極の平面図を図３１に示す。図示するように、ポーラスチタニア膜２５は、対向する各電極上に設けられ、かつ、ポーラスチタニア層同士は接触せずに、チタニア間、電極間の絶縁は確保されているように構成し、多孔質半導体層として得た。電極２ａ，２ｂの高さＨは、多孔質半導体層であるポーラスチタニア膜２５の高さｈの１．０倍である。
【０１０８】
続いて、図３２に示したように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に１００μｍの間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解液７を調製し、２つのガラス基板の間の間隙に注入した。
【０１０９】
電解液の注入口をエポキシ樹脂（図示せず）で封止し、図３３に示したような発光素子を得た。第１のガラス基板１上の対向電極２ａ，２ｂのうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加し、電流を流したところ、５６０ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【０１１０】
本実施例においては、多孔質ではない比較的低抵抗であるバルクの銀電極２ａ，２ｂと、発光反応を助長する多孔質半導体層であるポーラスチタニア膜２５との組み合わせである。多孔質半導体層２５が存在しない場合は、電極２ａ，２ｂの多孔質化等による抵抗の増大によるデメリットとの兼ね合いとなるが、電極の表面積が増大したほうが高い発光強度が得られる場合がある。一方、本実施例のように電極がバルクの場合には、発光反応を助長する多孔質半導体層の存在による発光強度増大の寄与が大きい。このとき、電極も低抵抗化に有利なバルク電極が適合している。そのため、他の多孔質電極の場合や多孔質半導体層を設けない場合と比較して、発光強度が高められたものと推測される。
【０１１１】
なお、対向電極２ａ，２ｂの断面は、図３４に示すように半円状とし、こうした電極を覆って多孔質半導体層２５を配置してもよい。この場合には、図３５に示すように、絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を配置し、２枚のガラス基板の間の間隙に電解質７を注入して発光素子が得られる。
【０１１２】
（実施例９）
多孔質電極を形成する銀ナノ粒子を市販のカーボンナノ粒子（平均粒径１５ｎｍ）に変更し、焼付け温度を３００℃とした以外は実施例５と同様の方法により発光素子を作製した。
【０１１３】
まず、図１に示したように、厚さ１．１ｍｍの第１のガラス基板１上に対向する電極間のギャップが１００μｍとなるように一対の櫛型電極２ａ，２ｂを形成した。ここでの対向電極２ａ，２ｂは、平均粒径１５ｎｍのカーボンナノ粒子を有機バインダ中に分散させたペーストを用いて、図２乃至図６に示したようにスクリーン印刷法により形成した。印刷には、ペースト印刷用のギャップ（幅２０μｍ）がパターニングされたメタルマスク（厚さ２０μｍ）を用いた。印刷と５５０℃での焼付けとを３〜５回繰り返して、高さ２０μｍの対向金属電極２ａ，２ｂを形成した。得られた金属電極２ａ，２ｂは、平均粒径１５ｎｍのカーボンナノ粒子の集合体からなる多孔質電極である。
【０１１４】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極２ａ，２ｂの高さは、その底面の幅２０μｍの約１．０倍の２０μｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約２００倍であった。ここでは、表面積および接地面積は、実施例１と同様の手法により求めた。
【０１１５】
この対向電極間のギャップには、多孔質半導体層としてポーラスカーボン膜を設けた。多孔質半導体層の形成に当たっては、まず、粒径２０ｎｍのカーボンナノ粒子を有機バインダ中に分散したペーストを塗布した。乾燥後、３００℃で３０分焼成した。こうした塗布、乾燥、および焼成の工程を３回繰り返して、２０ミクロン厚のポーラスカーボン膜が形成された。電極の高さＨは、多孔質半導体層としてのポーラスカーボン膜の高さｈの１．０倍である。
【０１１６】
第１のガラス基板に対向するように第２のガラス基板を、その間隙が１００μｍになるように基板の外周部へ絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサーを介して対向接着させ、この間隙に電解液を注入した。電解液には、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させたものを使用した。
【０１１７】
電解液の注入口をエポキシ樹脂で封止して発光素子を得た。次いで、第１のガラス基板上に配した対向電極のうち、一方の電極側をマイナス、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加して電流を流したところ、３００ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【０１１８】
（実施例１０）
まず、図１に示したように、厚さ１．０ｍｍの第１のガラス基板１上に、対向する電極間のギャップが１５０μｍとなるように櫛型電極２ａ，２ｂを形成した。ここでの対向電極２ａ，２ｂは、平均粒径５００ｎｍの銀の微粒子とガラスフリットとを混合し有機バインダ中に分散させた昭和電工社製の焼付け銀電極からなり、図２乃至図６に示したように、スクリーン印刷法により形成した。印刷には、ペースト印刷用のギャップ（幅３０μｍ）がパタニングされたメタルマスク（厚さ３０μｍ）を用いた。ペーストの印刷、５２０℃での焼付けを３〜５回繰り返して、高さ３０μｍの対向金属電極２ａ，２ｂを形成した。得られた金属電極２ａ，２ｂは、平均粒径５００ｎｍの銀の微粒子と溶融固化したガラスとの集合体からなり、内部に空隙を有しないバルク状の電極である。
【０１１９】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極２ａ，２ｂの高さは、その底面の幅２２μｍの約１．４倍の３０μｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約４．７倍であった。ここでは、表面積および接地面積は、実施例１と同様の手法により求めた。
【０１２０】
この対向電極間のギャップに、スイスソラロニクス社製のチタニアペースト、Ｎａｎｏｘｉｄｅ  Ｄを塗布した。乾燥後、４５０℃で３０分焼成した。こうした塗布、乾燥、および焼成の工程を４回繰り返した。その結果、図３０に示したような２５ミクロン厚のポーラスチタニア膜からなる多孔質半導体層２５が形成された。電極の高さＨは、多孔質半導体層であるポーラスチタニア膜の高さｈの１．２倍である。
【０１２１】
続いて、図３２に示したように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に１００μｍの間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解液７を調製し、２つのガラス基板１，６の間の間隙に注入した。
【０１２２】
電解液の注入口をエポキシ樹脂で封止して、発光素子を得た。次いで、第１のガラス基板１上の対向電極２ａ，２ｂのうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加して電流を流したところ、４８０ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【０１２３】
（実施例１１）
図３６乃至図４１を参照して、本実施例における発光素子の製造方法を説明する。  
まず、図３６に示すように、厚さ１．０ｍｍのガラス基板１上に樹脂フィルム２７を介して金ワイヤ２８を１５０μｍの間隔で配置した。これを、平面プレス機で５ｋｇ／ｃｍの圧力を３００℃の温度下で印加し、基板１上に圧着した。ワイヤのプレス時の倒れ防止のために、ワイヤ間には、図３７に示すようにワイヤ高さよりわずかに低いスペーサー２９を配置した。プレス後にスペーサー２９を除去して、図３８に示したような高さ２００μｍの対向金属電極３０ａ，３０ｂが得られた。
【０１２４】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極３０ａ，３０ｂの高さは、その底面の幅３０μｍの約６．７倍の２００μｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約１５．３倍であった。表面積および接地面積は、実施例１と同様の手法により求めた。
【０１２５】
この対向電極間のギャップに、スイスソラロニクス社製のチタニアペースト、Ｎａｎｏｘｉｄｅ  Ｄ  をスプレー塗布した。乾燥後、４５０℃で３０分焼成しこの工程を４回繰り返した。その結果、図３９に示すように、２５ミクロン厚のポーラスチタニア膜からなる多孔質半導体層２５が形成された。基板の断面観察の結果から、電極３０ａの高さＨは、多孔質半導体層２５としてのポーラスチタニア膜の高さｈの約８倍であることが確認された。
【０１２６】
続いて、図４０に示すように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に１００μｍの間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解液７を調製し、２つのガラス基板の間の間隙に注入した。
【０１２７】
電解液の注入口をエポキシ樹脂（図示せず）で封止し、図４１に示したような発光素子を得た。第１のガラス基板１上の対向電極３０ａ，３０ｂのうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加し、電流を流したところ、４１０ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【０１２８】
本実施例においては、電極３０ａの高さがチタニアからなる多孔質半導体層２５の高さよりも大きい。このため、電極３０ａと３０ｂとの間に生じる電界が、発光反応に寄与するチタニア層に対して均一となることに起因するものと推測される。
【０１２９】
（実施例１２）
まず、図１に示したように、厚さ１．１ｍｍの第１のガラス基板１上に対向する電極間のギャップが１００μｍとなるように一対の櫛型電極２ａ，２ｂを形成した。ここでの対向電極２ａ，２ｂは、平均粒径５００ｎｍの銀の微粒子とガラスフリットとを混合し有機バインダ中に分散させたデグサジャパン製の焼付け銀電極からなり、図２乃至図６に示したようにスクリーン印刷法により形成した。ペースト印刷用のギャップ（幅３０μｍ）がパターニングされたメタルマスク（厚さ２０μｍ）を用い、印刷、５５０℃での焼付けを６〜９回繰り返して、高さ３０μｍの対向金属電極２ａ，２ｂを形成した。得られた金属電極２ａ，２ｂは、平均粒径５００ｎｍの銀の微粒子と溶融固化したガラスとの集合体からなり、内部に空隙を有しないバルク状の電極である。
【０１３０】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極２ａ，２ｂの高さは、その底面の幅３０μｍの約１．０倍の３０μｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約４．０倍であった。ここでは、表面積および接地面積は、実施例１と同様の手法により求めた。
【０１３１】
続いて、図７に示したように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に１００μｍの間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解質７を調製し、２つのガラス基板１，６の間の間隙に注入した。
【０１３２】
電解液の注入口をエポキシ樹脂（図示せず）で封止し、図８に示したような発光素子を得た。第１のガラス基板１上の対向電極２ａ，２ｂのうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加し、電流を流したところ、４５０ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【０１３３】
（実施例１３）
図４２乃至図４６を参照して、本実施例における発光素子の製造方法を説明する。
【０１３４】
まず、図４２に示すように、厚さ１．０ｍｍの第１のガラス基板１上にエポキシ系接着剤を薄く塗布し、樹脂フィルム３２を介して断面が矩形の金のリボン３３を１５０μｍの間隔で配置した。これを、平面プレス機で５ｋｇ／ｃｍの圧力を３００℃の温度下で印加し、基板上に圧着した。リボンのプレス時の倒れ防止のために、図４３に示すように、リボン間にリボン高さよりわずかに低く、エポキシ系接着剤との解離性を有するテフロン（登録商標）ブロックスペーサー２９を配置した。プレス後にスペーサ−を除去し、有機溶剤中で洗浄して、金のリボン３３と基板１との間の接着部分以外に存在するエポキシ系接着剤を除去した。その結果、図４４に示すような高さ１８０μｍの対向金属電極３４ａ，３４ｂが得られた。
【０１３５】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極３４ａ，３４ｂの高さは、その底面の幅３０μｍの約６．０倍の１８０μｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約１４倍であった。ここでは、面積および接地面積は、実施例１０と同様の手法により求めた。
【０１３６】
続いて、図４５に示すように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に１００μｍの間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解液７を調製し、２つのガラス基板の間の間隙に注入した。
【０１３７】
電解液の注入口をエポキシ樹脂（図示せず）で封止し、図４６に示したような発光素子を得た。第１のガラス基板１上の対向電極３４ａ，３４ｂのうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加し、電流を流したところ、４１０ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【０１３８】
（実施例１４）
図４４に示したように、厚さ１．０ｍｍのガラス基板１上に、対向する電極間のギャップが１５０μｍとなるように櫛型電極３４ａ，３４ｂを形成した。ここでの対向電極３４ａ，３４ｂは、図４２に示したように断面が矩形の幅１８０μｍ、厚み３０μｍの金のリボン３３を、エポキシ系接着剤を予め薄く塗布したガラス基板上に並べ、平面プレス機で５ｋｇ／ｃｍの圧力を３００℃の温度下で印加し、ガラス基板上に圧着した。リボンのプレス時の倒れ防止のために、図４３に示したように、リボン間にリボン高さよりわずかに低く、エポキシ系接着剤との容易に剥離する特質を有するテフロンブロックスペーサー２９を設置し、プレス後に除去した。
【０１３９】
その後、対向電極３４ａ，３４ｂのギャップに少量のエポキシ系樹脂を注入し、１５０℃で３０分固化し、対向電極の下端がエポキシ樹脂中に深さ２０μｍ埋没する構造をとった。なお、「埋没」とは、発光セル完成時にこの電極３４ａ，３４ｂの一部が基板１中に有り、基板と電極との接触部分が電極の底面一面のみならず、その側面の一部、すなわち底面および表裏の両側面の３つの面で基板と接し、しかも、電解液と接触しない側面部分を有することを示す。
【０１４０】
このようにして、図４４に示したように高さ１６０μｍの対向金属電極３４ａ，３４ｂを、ガラスとエポキシ樹脂とによる第１の基板１上に得た。基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極３４ａ，３４ｂの高さは、その底面の幅３０μｍの約５．２倍の１６０μｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たりの接地面積の約１４倍であった。ここでは、表面積および接地面積は、実施例１０と同様の手法により求めた。
【０１４１】
続いて、図４５に示したように、第１のガラス基板１の外周部に絶縁性の外装枠としての樹脂スペーサー５を介して第２のガラス基板６を対向して配置し、第１のガラス基板１と第２のガラス基板６との間に３００μｍの間隙を設けた。一方、室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2を０．２ｇ溶解させて電解液７を調製し、２つのガラス基板１，６の間の間隙に注入した。
【０１４２】
電解液の注入口をエポキシ樹脂（図示せず）で封止し、図４６に示したような発光素子を得た。第１のガラス基板上に配した対向電極のうち、一方の電極側をマイナスとし、他方の電極側をプラスにして３Ｖの直流電圧を印加し、電流を流したところ、４４０ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【０１４３】
（実施例１５）
厚さ５０μｍの２枚の金箔１７ａ，１７ｂと、厚さ２０μｍのＰＥ製多孔質膜１８とを用いて、図１７乃至図２１に示したような工程により対向電極を作製した。具体的には、まず、図１７に示したように、板状の電極材料としての金箔１７ａ，１７ｂでＰＥ製多孔質膜１８を挟んで対向し、渦巻状に捲回した。作製した電極群の一方をダイヤモンドカッターで図１８に示したように切断し、切断面を洗浄・乾燥後、エポキシ樹脂２０により末端から１ｍｍの領域を固着した。
【０１４４】
電極末端から６ｍｍの位置で電極群を切断することによって、ＰＥ製多孔質膜１８を介した２枚の電極１７ａ，１７ｂ（高さ５ｍｍ）が渦巻状にエポキシ樹脂２０（厚さ１ｍｍ）の上に配置された電極を得た。これを、１３０℃で１２時間加熱することにより、ＰＥ製多孔質膜１８を熱収縮させて電極が完成した。
【０１４５】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極１７ａ，１７ｂの高さは、その底面の幅５０μｍの約１００倍の５ｍｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たり接地面積の約２００倍であった。ここでは、表面積および接地面積は、実施例４と同様の手法により求めた。
【０１４６】
対向する基板としては石英ガラスを、２枚の基板を隔てる絶縁性の外装枠としてポリイミド製板を用いることにより、発光素子のセルを作製した。
【０１４７】
電解液（ルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2  ０．２ｇ，１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロジメチルスルホンイミド１．１ｇを溶解したもの）を注入し、封口して発光素子を得た。対向する２枚の電極に交流３Ｖの電圧を加えたところ、３００ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【０１４８】
（実施例１６）
図４７乃至図５５を参照して、本実施例を説明する。
【０１４９】
まず、図４７に示すように、第１の電極４１と第２の電極４２とで、スペーサー４３を挟持した。第１の電極４１および第２の電極４２としては、板状の電極材料である厚さ５０μｍの金箔を用い、スペーサー４３としては厚さ２０μｍのＰＥ製多孔質膜を用いた。これらをプレスし、図４８に示すように一体化して電極シート４４を作製した。
【０１５０】
得られた電極シート４４は、図４９に示すように九十九折状に折り畳み、図５０に示すようにプレスした。プレス後の電極シート４４の斜視図を、図５１に示す。作製された電極群の一方をダイヤモンドカッターで切断し、切断面を洗浄・乾燥した。その後、図５２に示すように基板４５上に接合する。
【０１５１】
接合に先立って、まず図５３に詳細に示すように、エポキシ樹脂４６により末端から１ｍｍの領域を固着した。電極末端から６ｍｍの位置で電極群を切断することによって、ＰＥ製多孔質膜４３を介して２枚の電極（高さ５ｍｍ）４１，４２が、九十九折状にエポキシ基板（厚さ１ｍｍ）４６の上に配置された電極を得た。得られた電極を、１３０℃で１２時間加熱することにより、図５４に示すようにＰＥ製多孔質膜からなるスペーサー４３を熱収縮させた。
【０１５２】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極４１，４２の高さは、その底面の幅５０μｍの約１００倍の５ｍｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たり接地面積の約２００倍であった。ここでは、表面積および設置面積は、実施例４と同様の手法により求めた。
【０１５３】
基板４５に対向する基板としては石英ガラス４７を用い、２枚の基板を隔てる絶縁性の外装枠としてポリイミド製板を用いることにより、図５５に示すように発光素子のセルを作製した。
【０１５４】
室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロジメチルスルホンイミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2０．２ｇを溶解して電解液４９を調製し、これを２枚の基板４５，４７の間隙に注入した。最後に、封口して発光素子を得た。対向する２枚の電極に交流３Ｖの電圧を加えたところ、３１０ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【０１５５】
（実施例１７）
図５６乃至図６１を参照して、本実施例を説明する。
【０１５６】
まず、図５６に示すように、多孔質膜５３を介して第１の電極５１と第２の電極５２とを積層した。第１の電極５１および第２の電極５２としては、板状の電極材料である厚さ５０μｍの短冊状金箔を用い、多孔質膜５３としては厚さ２０μｍのＰＥ製多孔質膜を用いた。第１の電極５１と第２の電極５２とは、相互にずれた位置に配置してプレス圧着し、図５７に示すような電極群を得た。
【０１５７】
第１の電極群を第１の一体化電極５４に接続し、第２の電極群を第２の一体化電極５５に接続して、図５８に示すように導電性を確保した。図５９に示すように、電極末端から６ｍｍの位置で電極群を切断し、切断面を洗浄・乾燥後、エポキシ樹脂５７により末端から１ｍｍの領域を固着した。これによって、ＰＥ製多孔質膜５３を介した２枚の電極（高さ５ｍｍ）５１，５２が相互にエポキシ基板（厚さ１ｍｍ）の上に配置された電極を得た。これを、１３０℃で１２時間加熱することにより、ＰＥ製多孔質膜５３を熱収縮させて電極を作製し、図６０に示すように、エポキシ基板５６に接着した。
【０１５８】
基板の一部を切断して顕微鏡観察したところ、作製された電極５１，５２の高さは、その底面の幅５０μｍの約１００倍の５ｍｍであった。また、電極の単位長さ当たりの表面積は、電極の単位長さ当たり接地面積の約２００倍であった。ここでは、表面積および設置面積は、実施例４と同様の手法により求めた。
【０１５９】
基板５６に対向する基板としては石英ガラス５８を用い、２枚の基板を隔てる絶縁性の外装枠としてポリイミド製板を用いることにより、図６１に示すように発光素子のセルを作製した。
【０１６０】
室温溶融塩としての１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロジメチルスルホンイミド１．１ｇに、発光色素としてのルテニウム（II）トリスビピリジル（ＰＦ6-）2０．２ｇを溶解して電解液６０を調製し、これを２枚の基板５６，５８の間隙に注入した。最後に、封口して発光素子を得た。対向する２枚の電極に交流３Ｖの電圧を加えたところ、３００ｃｄ／ｍ2の光量で発光した。
【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる発光素子における櫛形電極を表わす斜視図。
【図２】本発明の一実施形態にかかる発光素子の製造方法の一工程を表わす断面図。
【図３】図２に続く工程を表わす断面図。
【図４】図３に続く工程を表わす断面図。
【図５】図４に続く工程を表わす断面図。
【図６】図５に続く工程を表わす断面図。
【図７】図６に続く工程を表わす断面図。
【図８】本発明の一実施形態にかかる発光素子の断面図。
【図９】本発明の他の実施形態にかかる発光素子における電極の形成方法の一工程を表わす断面図。
【図１０】図９に続く工程を表わす断面図。
【図１１】図１０に続く工程を表わす断面図。
【図１２】図１１に続く工程を表わす断面図。
【図１３】本発明の他の実施形態にかかる発光素子における電極の形成方法の一工程を表わす断面図。
【図１４】図１３に続く工程を表わす断面図。
【図１５】図１４に続く工程を表わす断面図。
【図１６】図１５に続く工程を表わす断面図。
【図１７】本発明の他の実施形態にかかる発光素子における電極の形成方法の一工程を表わす断面図。
【図１８】図１７に続く工程を表わす断面図。
【図１９】図１８に続く工程を表わす断面図。
【図２０】電極の詳細を表わす拡大図。
【図２１】図２０に続く工程を表わす断面図。
【図２２】本発明の他の実施形態にかかる発光素子の製造方法の一工程を表わす断面図。
【図２３】図２２に続く工程を表わす断面図。
【図２４】本発明の他の実施形態にかかる発光素子における電極の形成方法の一工程を表わす断面図。
【図２５】図２４に続く工程を表わす断面図。
【図２６】図２５に続く工程を表わす断面図。
【図２７】図２６に示した電極の平面図。
【図２８】図２７に続く工程を表わす断面図。
【図２９】図２８に続く工程を表わす断面図。
【図３０】本発明の他の実施形態にかかる発光素子における電極の断面図。
【図３１】本発明の他の実施形態にかかる発光素子における電極の平面図。
【図３２】本発明の他の実施形態にかかる発光素子の製造方法の一工程を表わす断面図。
【図３３】図３２に続く工程を表わす断面図。
【図３４】本発明の他の実施形態にかかる発光素子における電極の断面図。
【図３５】本発明の他の実施形態にかかる発光素子の断面図。
【図３６】本発明の他の実施形態にかかる発光素子の製造方法の一工程を表わす断面図。
【図３７】図３６に続く工程を表わす断面図。
【図３８】図３７に続く工程を表わす断面図。
【図３９】図３８に続く工程を表わす断面図。
【図４０】図３９に続く工程を表わす断面図。
【図４１】図４０に続く工程を表わす断面図。
【図４２】本発明の他の実施形態にかかる発光素子の製造方法の一工程を表わす断面図。
【図４３】図４２に続く工程を表わす断面図。
【図４４】図４３に続く工程を表わす断面図。
【図４５】図４４に続く工程を表わす断面図。
【図４６】図４５に続く工程を表わす断面図。
【図４７】本発明の他の実施形態にかかる発光素子の製造方法の一工程を表わす斜視図。
【図４８】一体化した電極シートの断面図。
【図４９】折りたたまれた電極シートの側面図。
【図５０】プレスされた電極シートの側面図。
【図５１】プレスされた電極シートの斜視図。
【図５２】基板に接合された電極シートの斜視図。
【図５３】電極シートの製造工程を示す断面図。
【図５４】図５３に続く工程を示す断面図。
【図５５】本発明の他の実施形態にかかる発光素子の断面図。
【図５６】本発明の他の実施形態にかかる発光素子の製造方法の一工程を表わす斜視図。
【図５７】図５６に続く工程を示す断面図。
【図５８】図５７に続く工程を示す断面図。
【図５９】切断された電極群を示す斜視図。
【図６０】基板に接合された電極群を示す斜視図。
【図６１】本発明の他の実施形態にかかる発光素子の断面図。
【符号の説明】
【０１６２】
１…第１のガラス基板；  ２ａ，２ｂ…一対の対向電極；  ３…銀ペースト
４…焼結収縮した銀電極；  ５…樹脂スペーサ；  ６…第２のガラス電極
７…電解液；  ８…発光素子；  １０…レジスト膜；  １１…レジストパターン
１２…銀ペースト；  １４…Ｃｕ膜；  １５…マスク
１７ａ，１７ｂ…Ａｕ膜；  １８…ＰＥ多孔質膜；  １９…ガラス基板
２０…エポキシ膜；  ２１…エポキシ系接着剤；  ２２…石英ガラス
２４…金属粒子層；  ２５…チタニア層；  ２７…樹脂フィルム；  ２８…金ワイヤ
２９…スペーサ；  ３０ａ，３０ｂ…対向金属電極；  ３２…樹脂フィルム
３３…金リボン；  ３４ａ，３４ｂ…対向金属電極；  ４１…第１の電極
４２…第２の電極；  ４３…スペーサ；  ４４…電極シート；  ４５…基板
４６…エポキシ樹脂；  ４７…石英基板；  ４８…スペーサ；  ４９…電解液
５１…第１の電極；  ５２…第２の電極；  ５３…多孔質膜
５４…第１の一体化電極；  ５５…第２の一体化電極；  ５６…基板
５７…エポキシ樹脂；  ５８…ガラス基板；  ５９…スペーサ；  ６０…電解質。
【図１】
2007095488.tif 000004
【図２】
2007095488.tif 000005
【図３】
2007095488.tif 000006
【図４】
2007095488.tif 000007
【図５】
2007095488.tif 000008
【図６】
2007095488.tif 000009
【図７】
2007095488.tif 000010
【図８】
2007095488.tif 000011
【図９】
2007095488.tif 000012
【図１０】
2007095488.tif 000013
【図１１】
2007095488.tif 000014
【図１２】
2007095488.tif 000015
【図１３】
2007095488.tif 000016
【図１４】
2007095488.tif 000017
【図１５】
2007095488.tif 000018
【図１６】
2007095488.tif 000019
【図１７】
2007095488.tif 000020
【図１８】
2007095488.tif 000021
【図１９】
2007095488.tif 000022
【図２０】
2007095488.tif 000023
【図２１】
2007095488.tif 000024
【図２２】
2007095488.tif 000025
【図２３】
2007095488.tif 000026
【図２４】
2007095488.tif 000027
【図２５】
2007095488.tif 000028
【図２６】
2007095488.tif 000029
【図２７】
2007095488.tif 000030
【図２８】
2007095488.tif 000031
【図２９】
2007095488.tif 000032
【図３０】
2007095488.tif 000033
【図３１】
2007095488.tif 000034
【図３２】
2007095488.tif 000035
【図３３】
2007095488.tif 000036
【図３４】
2007095488.tif 000037
【図３５】
2007095488.tif 000038
【図３６】
2007095488.tif 000039
【図３７】
2007095488.tif 000040
【図３８】
2007095488.tif 000041
【図３９】
2007095488.tif 000042
【図４０】
2007095488.tif 000043
【図４１】
2007095488.tif 000044
【図４２】
2007095488.tif 000045
【図４３】
2007095488.tif 000046
【図４４】
2007095488.tif 000047
【図４５】
2007095488.tif 000048
【図４６】
2007095488.tif 000049
【図４７】
2007095488.tif 000050
【図４８】
2007095488.tif 000051
【図４９】
2007095488.tif 000052
【図５０】
2007095488.tif 000053
【図５１】
2007095488.tif 000054
【図５２】
2007095488.tif 000055
【図５３】
2007095488.tif 000056
【図５４】
2007095488.tif 000057
【図５５】
2007095488.tif 000058
【図５６】
2007095488.tif 000059
【図５７】
2007095488.tif 000060
【図５８】
2007095488.tif 000061
【図５９】
2007095488.tif 000062
【図６０】
2007095488.tif 000063
【図６１】
2007095488.tif 000064