(57)【要約】【課題】制御回路に記憶されるデータ量を削減することにより、装置全体の小型化を可能にすること。【解決手段】この光送信器１は、ＬＤ２と、ＬＤ駆動回路３と、光信号Ｓｏｕｔを受光するＰＤ４と、ＰＤ４の光電流Ｉｍｏｎに基づいて、変調電流設定用信号Ｃｍ及びバイアス電流設定用信号ＣｂをＬＤ駆動回路３に出力するＬＤ制御回路５とを備え、ＬＤ制御回路５は、コントローラ６とメモリ９とを有し、メモリ９は、変調電流設定値Ｄｍを、バイアス電流設定値Ｄｂに対応したアドレスに格納し、コントローラ６は、光電流Ｉｍｏｎに基づいてバイアス電流設定値Ｄｂを設定し、変調電流設定値Ｄｍをメモリ９のバイアス電流設定値Ｄｂに対応するアドレスから読み出し、それぞれの値Ｄｂ，ＤｍをＬＤ駆動回路３に出力する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を出力するレーザダイオードと、
変調電流設定用信号及びバイアス電流設定用信号に応答して、前記レーザダイオードにバイアス電流及び変調電流を供給するレーザダイオード駆動回路と、
前記光信号を受光しモニタ信号を生成するフォトダイオードと、
前記モニタ信号に基づいて、前記変調電流設定用信号及び前記バイアス電流設定用信号を前記レーザダイオード駆動回路に出力するレーザダイオード制御回路とを備える光送信器において、
前記レーザダイオード制御回路は、電流設定制御部とメモリとを有し、
前記メモリは、前記変調電流設定用信号を、前記バイアス電流設定用信号に対応したアドレスに格納し、
前記電流設定制御部は、前記モニタ信号に基づいて前記バイアス電流設定用信号を決定し、前記変調電流設定用信号を前記メモリの前記バイアス電流設定用信号に対応したアドレスから読み出し、それぞれ前記レーザダイオード駆動回路に出力する、
ことを特徴とする光送信器。
【請求項２】
前記レーザダイオード制御回路は、
前記レーザダイオードのバイアス電流をモニタするバイアス電流モニタ部を更に有し、
前記電流設定制御部は、前記バイアス電流モニタ部の出力に基づき前記バイアス電流設定用信号を決定し、
前記メモリの該バイアス電流設定用信号に対応するアドレスから、前記変調電流設定用信号を読み出す、
ことを特徴とする請求項１記載の光送信器。
【請求項３】
前記電流設定制御部は該バイアス電流設定用信号および前記モニタ信号の比較結果を前記レーザダイオード駆動回路に出力する、
ことを特徴とする請求項２に記載の光送信器。
【請求項４】
前記レーザダイオード制御回路の出力と前記レーザダイオード駆動回路との間には、ローパスフィルタが接続されている、
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光送信器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信に用いられる光データリンクの一部を構成し、レーザダイオードを内蔵する光送信器に関し、特に、該光送信器においてレーザダイオードを安定的に駆動させるための制御回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光送信器から出力される光信号の強度及び消光比を制御するために、様々な制御回路が考案されている。特許文献１には、レーザダイオードを含むレーザ光発生部の発光パワーのモニタ値に応じて、メモリからバイアス電流に対応する設定値と変調電流に対応する設定値との組合せを選択して、その組合せを用いてレーザダイオードのバイアス電流及び変調電流を制御するための制御信号を生成する制御回路が示されている。
【特許文献１】特開２００４−２２７４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述したような従来の制御回路においては、所望の発光パワー及び消光比になるような設定値の組み合わせが予めメモリに格納されている。ここで、レーザダイオードの駆動電流に対する光出力の温度特性は個々に異なるため、光送信器の初期設定時において、周囲温度を変化させて発光パワー及び消光比を一定にする設定値の組合せを測定し、その組合せをメモリに格納する必要がある。従って、発光制御の精度を向上させるためにはメモリの記憶容量を大きくする必要があるため、全体の回路規模が大きくなる。特に、メモリはＲＡＭ等に比較してチップ面積が大きいために、回路の大型化、及びそれに伴う高コスト化の影響を大きく受けることになる。
【０００４】
そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、制御回路に記憶されるデータ量を削減することにより、装置全体の小型化を可能にする光送信器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明の光送信器は、光信号を出力するレーザダイオードと、
【０００６】
変調電流設定用信号及びバイアス電流設定用信号に応答して、レーザダイオードにバイアス電流及び変調電流を供給するレーザダイオード駆動回路と、光信号を受光しモニタ信号を生成するフォトダイオードと、モニタ信号に基づいて、変調電流設定用信号及びバイアス電流設定用信号をレーザダイオード駆動回路に出力するレーザダイオード制御回路とを備える光送信器において、レーザダイオード制御回路は、電流設定制御部とメモリとを有し、メモリは、変調電流設定用信号を、バイアス電流設定用信号に対応したアドレスに格納し、電流設定制御部は、モニタ信号に基づいてバイアス電流設定用信号を決定し、変調電流設定用信号をメモリのバイアス電流設定用信号に対応したアドレスから読み出し、それぞれレーザダイオード駆動回路に出力することを特徴とする。
【０００７】
このような光送信器においては、バイアス電流の設定用信号に対応したメモリのアドレスに変調電流の設定用信号が予め格納され、電流設定制御部によりレーザダイオードから出力される光信号のモニタ信号に基づいてバイアス電流設定用信号が設定されることにより、レーザダイオード駆動回路によってバイアス電流設定用信号に応じたバイアス電流がレーザダイオードに供給される。そして、電流設定制御部によりバイアス電流設定用信号に対応するメモリのアドレスから、変調電流設定用信号が読み出されてレーザダイオード駆動回路に出力され、レーザダイオード駆動回路によってレーザダイオードに変調電流が供給される。これにより、レーザダイオードの駆動電流を制御する際に必要なメモリの記憶容量が削減され、制御回路の回路規模を小さくすることができる。
【０００８】
レーザダイオード制御回路は、レーザダイオードのバイアス電流をモニタするバイアス電流モニタ部を更に有し、電流設定制御部は、バイアス電流モニタ部の出力に基づきバイアス電流設定用信号を決定し、メモリの該バイアス電流設定用信号に対応するアドレスから、変調電流設定用信号を読み出すことが好ましい。
【０００９】
かかる構成を採れば、バイアス電流がモニタされることによりバイアス電流設定用信号が決定されて、メモリからその信号に対応する変調電流設定用信号が読み出されるので、モニタ信号から変調電流設定用信号を容易に選択することができ、制御回路におけるデータ処理の高速化を図ることができる。
【００１０】
また、電流設定制御部は該バイアス電流設定用信号およびモニタ信号の比較結果をレーザダイオード駆動回路に出力することが好ましい。この場合、レーザダイオード駆動回路においてバイアス電流が所定値に近づくように容易に調整することができる。
【００１１】
また、レーザダイオード制御回路の出力とレーザダイオード駆動回路との間には、ローパスフィルタが接続されていることも好ましい。このようなローパスフィルタを備えることで、電源の立ち上がり時やレーザダイオードの駆動開始時等の駆動電流における過大電流の発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の光送信器によれば、制御回路に記憶されるデータ量を削減することにより、装置全体の小型化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ本発明に係る光送信器の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態である光送信器１の構成を示すブロック図である。同図に示す光送信器１は、光通信で用いられる光データリンクの一部を構成する光通信モジュールであり、光信号Ｓｏｕｔを出力する半導体レーザダイオード（以下、ＬＤという）２と、ＬＤ２に駆動電流を供給するＬＤ駆動回路３と、ＬＤ２から出力される光信号Ｓｏｕｔの一部を受光するフォトダイオード（以下、ＰＤという）４と、ＬＤ駆動回路３の供給する駆動電流を制御するＬＤ制御回路５とを備えている。
【００１５】
ＬＤ２のアノードにはバイアス電位ＶＣＣが印加され、ＬＤ２のカソードには、ＬＤ駆動回路３の２つの接続端子３ａ，３ｂが接続されている。このＬＤ駆動回路３は、ＬＤ制御回路５から入力される変調電流設定用信号Ｃｍ及びバイアス電流設定用信号Ｃｂ（詳細は後述）に応じて、変調電流設定用信号Ｃｍ及びバイアス電流設定用信号Ｃｂのそれぞれのレベルに応じた変調電流Ｉｍ及びバイアス電流Ｉｂを生成し、接続端子３ａ，３ｂにおいて出力する。このとき、ＬＤ駆動回路３は、外部から入力されるパルス信号ＳＩＮを用いて変調電流Ｉｍの振幅を変調する。このようなＬＤ駆動回路３を構成する素子としては、差動増幅器、トランジスタ等を用いることができる。
【００１６】
さらに、カソードがバイアス電圧ＶＣＣに接続されたＰＤ４を有する。このＰＤ４は、ＬＤ２から出力される光信号Ｓｏｕｔの一部を受光し、光信号Ｓｏｕｔの光強度に応じた光電流（モニタ信号）Ｉｍｏｎを生成する。
【００１７】
ＬＤ制御回路５は、コントローラ（電流設定制御部）６と、コントローラ６とＬＤ駆動回路３との間に接続された２つのＤ／Ａコンバータ７ｍ，７ｂと、ＰＤ４の光電流Ｉｍｏｎをモニタする光信号モニタ部８と、コントローラ６に接続されたメモリ９とから構成されている。
【００１８】
光信号モニタ部８は、ＰＤ４のアノード側に直列接続され、ＰＤ４の出力信号である光電流Ｉｍｏｎに応じた電圧降下を生じさせる抵抗素子１０と、ＰＤ４のアノードに接続され、抵抗素子１０によって生じた電圧降下量であるモニタ電圧Ｖｍｏｎが入力されるＡ／Ｄコンバータ１１とを有している。Ａ／Ｄコンバータ１１は、入力されたアナログ信号であるモニタ電圧Ｖｍｏｎを、そのレベルに応じたデジタル信号Ｄｍｏｎに変換してコントローラ６に出力する。
【００１９】
コントローラ６は、ＣＰＵやデジタルプロセッサ等によって構成される演算装置であり、Ａ／Ｄコンバータ１１から入力されたデジタル信号Ｄｍｏｎに基づいて、変調電流設定用信号Ｄｍ及びバイアス電流設定用信号Ｄｂを設定して、それぞれ、Ｄ／Ａコンバータ７ｍ及びＤ／Ａコンバータ７ｂに出力する。
【００２０】
具体的には、コントローラ６は、信号Ｄｍｏｎの示す値と所定の基準値との差分値を算出するとともに、その差分値が小さくなるように、バイアス電流設定値Ｄｂを、所定の設定ステップΔＳｂで増減させて決定する。また、コントローラ６は、決定したバイアス電流設定値Ｄｂに基づいて、メモリ９を参照して、バイアス電流設定値Ｄｂに対応するアドレスから、変調電流設定値Ｄｍのデータを読み出す。
【００２１】
図２には、メモリ９に格納されたバイアス電流設定用テーブルのデータ構成を示す。同図に示すように、メモリ９において、バイアス電流設定値Ｄｂの最小値Ｄｂｍｉｎに対応するアドレス“ベース値＋０”には、バイアス電流設定値Ｄｂｍｉｎに対応する変調電流設定値“Ｄｍ０”が格納されている。さらに、アドレス“ベース値＋１”にはバイアス電流設定値Ｄｂｍｉｎ＋ΔＳｂに対応する変調電流設定値Ｄｍ１が格納されている。以下、バイアス電流設定値Ｄｂの最小値Ｄｂｍｉｎから最大値Ｄｂｍａｘまでの間で、設定ステップΔＳｂの間隔で設定されるバイアス電流設定値Ｄｂｍｉｎ＋（ｉ−１）＊ΔＳｂに対応するアドレス“ベース値＋（ｉ−１）”には、それぞれのバイアス電流設定値Ｄｂｍｉｎ＋（ｉ−１）＊ΔＳｂに対する変調電流設定値“Ｄｍｉ”が格納されている。そこで、コントローラ６は、上記のような構成のメモリ９を参照することによって、バイアス電流設定値“Ｄｂｍｉｎ＋（ｉ−１）＊ΔＳｂ”に対する変調電流設定値“Ｄｍｉ”の組合せを選択する。
【００２２】
図１に戻って、Ｄ／Ａコンバータ７ｍ，７ｂは、それぞれ、コントローラ６から出力された変調電流設定用信号Ｄｍ及びバイアス電流設定用信号Ｄｂを、アナログ信号Ｃｍ，Ｃｂに変換してＬＤ駆動回路３に出力する。すなわち、メモリ９のデータ線は、コントローラ６を経由して、Ｄ／Ａコンバータ７ｍの入力に接続される。
【００２３】
次に、メモリ９に格納されるバイアス電流設定用テーブルの設定方法について説明する。
【００２４】
まず、光送信器１の初期設定時において、コントローラ６の自動制御処理を停止させて周囲温度を一定にした状態で光電流Ｉｍｏｎをモニタして、所定の光強度及び消光比となるような変調電流設定値とバイアス電流設定値との最適な組合せ｛Ｄｍ，Ｄｂ｝（ｉ）を作成する。そして、周囲温度を順次変化させて複数の設定値の組合せ｛Ｄｍ，Ｄｂ｝（ｉ＝１，…，Ｍ）を作成する。このとき、所定の光強度及び消光比を与えるバイアス電流と変調電流の組み合わせはほぼレーザダイオードの動作温度にのみ依存し、一意に定められる。すなわち、一のバイアス電流に対し所定の光強度及び消光比を与える変調電流は一義的に決定され、複数の変調電流の値が一のバイアス電流の値に対応付けられることは無い。次いで、バイアス電流設定値Ｄｂが、最小値“Ｄｂｍｉｎ”及び最大値“Ｄｂｍａｘ”で設定ステップΔＳｂの間隔で変化するような組み合わせ｛Ｄｍ，Ｄｂ｝（ｊ＝１，…，Ｎ）を選択する。図３は、このようにして作成した設定値の組み合わせ｛Ｄｍ，Ｄｂ｝（ｊ＝１，…，Ｎ）の一例を示す。ここで、Ｄｂ０＝Ｄｂｍｉｎ，Ｄｂ１＝Ｄｂｍｉｎ＋ΔＳｂ，…，Ｄｂｎ＝Ｄｂｍａｘとなるような設定値が選択される。
【００２５】
次に、バイアス電流設定値の最小値Ｄｂ０に対してメモリ９の相対的メモリアドレスである“ベース値”を決定する。そして、メモリのメモリアドレス“ベース値”に、対応する変調電流設定値Ｄｍ０を格納する。以下、順にメモリアドレスを１ずつ増加しながら、メモリ９に対応する変調電流設定値Ｄｍ１，…，Ｄｍｎを格納していく。
【００２６】
以上説明した光送信器１の作用効果について説明する。
【００２７】
光送信器１においては、メモリ９にはバイアス電流Ｉｂの設定値Ｄｂに対応したメモリアドレスに変調電流Ｉｍに関する設定値Ｄｍが予め格納され、コントローラ６によりＬＤ２から発せられる光信号Ｓｏｕｔのモニタ値Ｄｍｏｎに基づいてまずバイアス電流設定用信号Ｄｂが設定され、この値に応じたバイアス電流ＩｂがＬＤ２に供給される。同時に、コントローラ６によりバイアス電流設定値Ｄｂに対応するメモリ９のアドレスから、変調電流設定値Ｄｍが読み出され、その設定値Ｄｍに応じた変調電流設定用信号ＣｍがＬＤ駆動回路３に出力され、ＬＤ駆動回路３によってＬＤ２に変調電流Ｉｍが供給される。
【００２８】
これにより、ＬＤ２の光強度が所定レベル及び消光比になるように駆動電流を制御する際に、従来のデジタル制御回路で必要であったバイアス電流設定値の格納領域が削減され、制御回路全体の回路規模を小さくすることができる。具体的には、図４に示すように、組合せ｛Ｄｍ，Ｄｂ｝を別々のアドレスに格納する場合に比して、記憶容量を半減させることができる。
【００２９】
また、メモリ９には、変調電流設定値Ｄｍがバイアス電流設定値Ｄｂに対応するアドレスに格納されており、変調電流設定値とバイアス電流設定値との組合せ｛Ｄｍ，Ｄｂ｝を容易に選択することができ、ＬＤ制御回路５におけるデータ処理の高速化を図ることができる。また、メモリ９への処理データ設定時における書き込み時間も短縮することができ、初期設定作業の効率化を図ることができる。
【００３０】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００３１】
図５は、本発明の第２実施形態である光送信器２１の構成を示すブロック図である。同図に示す光送信器２１においては、ＬＤ制御回路２５におけるバイアス電流Ｉｂの制御がアナログ回路によって実現されている点が第１実施形態と異なる。
【００３２】
すなわち、ＬＤ制御回路２５は、コントローラ３０、Ｄ／Ａコンバータ３１、及びバイアス電流制御回路３２からなる電流設定制御部２６と、モニタ回路（バイアス電流モニタ部）２７と、Ａ／Ｄコンバータ２８とを含んでいる。
【００３３】
Ｄ／Ａコンバータ３１は、コントローラ３０から出力されたデジタル信号である光強度設定用信号ＤＰをアナログ信号（バイアス電流設定用信号）ＣＰに変換し、バイアス電流制御回路３２に出力する。
【００３４】
バイアス電流制御回路３２は、抵抗素子及び差動増幅器によって構成された回路であり、光信号モニタ部である抵抗素子１０によって生じたモニタ電圧Ｖｍｏｎが入力される。バイアス電流制御回路３２は、光強度設定用信号ＣＰ及びモニタ電圧Ｖｍｏｎの比較演算の結果をＬＤ駆動回路３に出力することにより、光強度設定用信号ＣＰを基準にモニタ電圧Ｖｍｏｎが一定レベルになるようにバイアス電流設定用信号Ｃｂを生成する。
【００３５】
モニタ回路２７は、ＬＤ駆動回路３によって生成されたバイアス電流Ｉｂをモニタし、そのモニタ信号をＡ／Ｄコンバータ２８に出力し、Ａ／Ｄコンバータ２８は、モニタ信号をバイアス電流Ｉｂのレベルを示すデジタル信号であるモニタ信号Ｄｂｍｏｎに変換する。
【００３６】
コントローラ３０は、ＬＤ２から出力される光信号Ｓｏｕｔの強度が所望の強度になるように、予めメモリ２９に保持された設定値に基づいて、光強度設定用信号ＤＰを設定する。また、コントローラ３０は、Ａ／Ｄコンバータ２８から出力されたモニタ信号Ｄｂｍｏｎに基づいてバイアス電流設定用信号Ｃｂを特定し、定期的にメモリ２９を参照して、モニタ信号Ｄｂｍｏｎ、すなわちバイアス電流設定用信号Ｃｂに対応するアドレスから、変調電流設定用信号Ｄｍを読み出す。このようにして、コントローラ３０は、定期的に変調電流Ｉｍのレベルを制御する。
【００３７】
ここで、メモリ２９には、モニタ信号Ｄｂｍｏｎの最小値Ｄｂｍｉｎから最大値Ｄｂｍａｘまでの間の所定間隔の値に対応するメモリアドレス“ベース値＋０”，…，“ベース値＋ｎ”に、それぞれ変調電流設定値“Ｄｍ０”，…，“Ｄｍｎ”を格納しておく（図２参照）。これにより、コントローラ３０は、バイアス電流Ｉｂのレベルを示すモニタ信号Ｄｂｍｏｎに対応する変調電流設定値Ｄｍを決定することができる。
【００３８】
また、Ｄ／Ａコンバータ７ｍとＬＤ駆動回路３との間には所定の時定数を有するローパスフィルタ３３が接続されている。このローパスフィルタ３３の時定数としては、系全体の負帰還制御が不安定にならない程度の遅延時間を持ち、かつ、ＡＰＣ応答時間の規格である、DisEnableモード（外部命令によってＬＤを発光させないモード）からEnableモード（外部命令によってＬＤを発光させるモード）への切り替え時の安定化までの応答時間の規格を満たすような値を選択することが好ましい。
【００３９】
なお、光送信器２１におけるメモリ２９に格納されたバイアス電流設定用テーブルの設定手順は、以下のような手順を採ることができる。
【００４０】
まず、光送信器２１の初期設定時において、コントローラ３０の自動制御処理を停止させて周囲温度を一定にした状態で、コントローラ３０から光強度設定用信号ＤＰを出力させる。この状態で、光電流Ｉｍｏｎをモニタすることにより、所定の消光比となるような最適な変調電流設定値Ｄｍを決定して、その時のモニタ信号の値Ｄｂｍｏｎとの最適な組合せ｛Ｄｍ，Ｄｂｍｏｎ｝を作成する。
【００４１】
そして、周囲温度を順次変化させて複数の設定値の組合せ｛Ｄｍ，Ｄｂｍｏｎ｝（ｉ＝１，…，Ｍ）を作成する。次いで、組み合わせ｛Ｄｍ，Ｄｂｍｏｎ｝（ｉ＝１，…，Ｍ）の中から、モニタ信号の値Ｄｂｍｏｎが、最小値“Ｄｂｍｉｎ”及び最大値“Ｄｂｍａｘ”の間で所定間隔で変化するような組み合わせ｛Ｄｍ，Ｄｂｍｏｎ｝（ｊ＝１，…，Ｎ）を選択する。
【００４２】
次に、モニタ信号の値Ｄｂｍｏｎの最小値“Ｄｂｍｉｎ”に対してメモリ９の相対的メモリアドレスである“ベース値”を決定する。そして、メモリ９のメモリアドレス“ベース値”に、対応する変調電流設定値Ｄｍ０を格納する。以下、順にメモリアドレスを１ずつ増加しながら、メモリ９に対応する変調電流設定値Ｄｍ１，…，Ｄｍｎを格納していく。
【００４３】
上述した光送信器２１によっても、ＬＤ２の光強度が所定レベル及び消光比になるようにくどう電流を制御する際に、必要なメモリ２９の記憶容量が削減され、制御回路全体の回路規模を効果的に小さくすることができる。また、メモリ２９には、変調電流設定値Ｄｍがモニタ信号の値Ｄｂｍｏｎに対応するメモリアドレスに格納されており、変調電流設定値Ｄｍを容易に選択することができ、ＬＤ制御回路２５におけるデータ処理の高速化を図ることができる。特に、バイアス電流の制御機能をアナログ回路で実現することによりコントローラ３０の負荷を軽減することができる。
【００４４】
また、ローパスフィルタ３３を備えることで、電源の立ち上がり時やレーザダイオードの駆動開始時等の駆動電流における過大電流の発生を防止することができる。
【００４５】
一般に、ＬＤ駆動回路は応答が早いものが多く、設定用信号Ｃｍ，Ｃｂを変化させるとすぐに応答してしまう。例えば、１Ｇｂｐｓ以上のデータ速度の駆動回路であれば、１ｎｓｅｃ〜数十ｎｓｅｃの応答速度であり、一般のＡＰＣ回路の応答速度である数μｓｅｃ〜数十μｓｅｃよりも早い。このような場合には、電源の立ち上がり時や、DisEnableモードからEnableモードに遷移させた時に、まず、バイアス電流Ｉｂが目標値ＩＢＴ＋０．５×ＩＭＴ（ここで、ＩＢＴは目標バイアス電流、ＩＭＴは目標変調電流）に落ち着こうとし、デジタル制御処理に要する時間だけ遅れて変調電流Ｉｍが流れ始める。その結果、図６に示すように、ＬＤの駆動電流においてオーバーシュートが発生し、ＬＤに過大電流が流れてしまう。
【００４６】
このような現象には、（１）変調電流Ｉｍが流れていない状態ではバイアス電流ＩｂはＩＢＴよりも大きい値に一旦収束しようとし、このような目標値よりも大きいバイアス電流Ｉｂを参照して変調電流Ｉｍが決まってしまうこと、（２）光モジュールに収納されるような小型のデジタルプロセッサは、通常数百μｓｅｃ程度の演算周期でしか制御データを更新できないことから、時間的に過去の時点でのバイアス電流Ｉｂを参照して変調電流Ｉｍが制御されてしまうこと等の影響も加わってしまう。
【００４７】
これに対して、ローパスフィルタ３３を備えることで、図７に示すように、ＬＤの駆動電流におけるオーバーシュートを抑えることができ、ＬＤの過大発光により光データリンクから出力される光強度が仕様値や安全基準を超えることや、ＬＤに最大定格電流以上が流れることを防止することができる。このローパスフィルタは図１に示す第１の実施の形態においても上に説明したと同様の効果を奏する。
【００４８】
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、光送信器１のコントローラ６における変調電流設定値Ｄｍ及びバイアス電流設定値Ｄｂの決定方法としては、以下のような方法を採ることもできる。すなわち、メモリ９におけるアドレスメモリに対応するバイアス電流設定値Ｄｂのデータ間隔が、Ｄ／Ａコンバータ７ｂで処理可能なデータ間隔よりも大きい場合には、バイアス電流設定値Ｄｂの設定ステップΔＳｂをＤ／Ａコンバータ７ｂのデータ間隔に一致させるとともに、変調電流設定値Ｄｍを内挿法により算出してもよい。より具体的には、コントローラ６は、既に設定したバイアス電流設定値Ｄｂがバイアス電流設定値“Ｄｂｋ”とバイアス電流設定値“Ｄｂｋ＋１”の間の値である場合は、メモリ９からそれぞれのバイアス電流設定値“Ｄｂｋ”，“Ｄｂｋ＋１”に対応する変調電流設定値“Ｄｍｋ”，“Ｄｍｋ＋１”を読み出して（図２参照）、それらを用いて内挿法によりバイアス電流設定値Ｄｂに対応する最適なバイアス電流設定値Ｄｂを決定することができる。これにより、メモリ９に格納されたテーブル内のデータを補間することができ、発光制御の精度をより向上させることができる。
【００４９】
また、メモリ９，２９においては、変調電流設定値Ｄｍを、バイアス電流設定値Ｄｂ又はバイアス電流のモニタ信号の値Ｄｂｍｏｎに対応するアドレスに格納していたが、その逆であってもよい。具体的には、メモリ９，２９において、バイアス電流設定値Ｄｂを、変調電流設定値Ｄｍ又は変調電流のモニタ信号の値Ｄｍｍｏｎに対応するアドレスに格納しておき、コントローラ６，３０が、変調電流設定値Ｄｍ又は変調電流のモニタ信号の値Ｄｍｍｏｎに基づいてバイアス電流設定値Ｄｂを読み出すように動作してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１実施形態である光送信器の構成を示すブロック図である。
【図２】図１のメモリに格納されたバイアス電流設定用テーブルのデータ構成を示す図である。
【図３】変調電流設定値及びバイアス電流設定値の組み合わせの一例を示す図である。
【図４】本発明の比較例における駆動電流設定用テーブルのデータ構成を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態である光送信器の構成を示すブロック図である。
【図６】図５の光送信器においてローパスフィルタを備えない場合のＬＤの駆動電流の時間変化を示す図である。
【図７】図５の光送信器におけるＬＤの駆動電流の時間変化を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１，２１…光送信器、３…ＬＤ駆動回路、２…レーザダイオード、４…フォトダイオード、５，２５…ＬＤ制御回路、６，３０…コントローラ（電流設定制御部）、２６…電流設定制御部、８…光信号モニタ部、９，２９…メモリ、１０…抵抗素子、１１…Ａ／Ｄコンバータ、２７…モニタ回路（バイアス電流モニタ部）、３３…ローパスフィルタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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