(57)【要約】【課題】本発明は、半導体チップを封止する封止樹脂とを備えた半導体装置、電子部品、及び半導体装置の製造方法に関し、反りの発生を抑制することのできる半導体装置、電子部品、及び半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】第１の半導体チップ１１と、第１の半導体チップ１１上に積み重ねられた第２の半導体チップ１２と、ワイヤ２１を介して第１の半導体チップ１１と電気的に接続された第１の外部接続端子１６と、ワイヤ２２を介して第２の半導体チップ１２と電気的に接続された第２の外部接続端子１７と、第１及び第２の半導体チップ１１，１２を覆うように封止する第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５とを設けた。【選択図】図９
2007294488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップ上に積み重ねられた第２の半導体チップと、
前記第１及び第２の半導体チップを覆うように封止する第１の封止樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記第１の封止樹脂は、低弾性樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の半導体チップが接続される第１の外部接続端子と、
前記第２の半導体チップが接続される第２の外部接続端子とを備え、
前記第１の半導体チップは、前記第１の外部接続端子と電気的に接続されるパッドを有しており、
前記第２の半導体チップは、前記パッドと重ならないように前記第１の半導体チップ上に積み重ねたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の外部接続端子は、前記第１及び第２の外部接続端子の一部が前記第２の半導体チップと対向する前記第１の半導体チップの面とは反対側の面に接触するように配置することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の半導体装置と、
前記半導体装置と電気的に接続される配線パターンを有する実装基板と、
前記半導体装置を封止する第２の封止樹脂とを備えたことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
前記半導体装置を複数備え、
前記半導体装置に設けられた前記第１及び第２の外部接続端子が他の半導体装置と接触しないように前記複数の半導体装置を積み重ねたことを特徴とする請求項４記載の電子装置。
【請求項６】
第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップ上に積み重ねられた第２の半導体チップと、前記第１の半導体チップが電気的に接続される第１の外部接続端子と、前記第２の半導体チップが電気的に接続される第２の外部接続端子と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
支持板となる金属板上に第１及び第２の外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、
第１の低弾性樹脂を介して、前記金属板上に前記第１の半導体チップを貼り付ける第１の半導体チップ貼付工程と、
前記第１の半導体チップ上に第２の半導体チップを貼り付ける第２の半導体チップ貼付工程と、
前記第１及び第２の半導体チップを第２の低弾性樹脂で封止する封止工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の半導体チップは、前記第１の外部接続端子と電気的に接続されるパッドを有しており、
前記第２の半導体チップは、前記パッドと重ならないように前記第１の半導体チップ上に貼り付けることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、電子部品、及び半導体装置の製造方法に関し、半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂とを備えた半導体装置、電子部品、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の半導体装置の断面図である。
【０００３】
図１を参照するに、従来の半導体装置２００は、半導体チップ２０１と、チップ固定用樹脂２０２と、封止樹脂２０３と、外部接続端子２０４とを有する。
【０００４】
半導体チップ２０１は、半導体基板（図示せず）と、半導体基板上に形成された半導体集積回路（図示せず）と、半導体集積回路と電気的に接続されたパッド２０６とを有する。半導体基板としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。パッド２０６は、ワイヤ２０９を介して、外部接続端子２０４と電気的に接続（ワイヤボンディング接続）されている。
【０００５】
チップ固定用樹脂２０２は、半導体チップ２０１の裏面２０１Ａを覆うように設けられている。チップ固定用樹脂２０２としては、接着性を有した弾性率の高い樹脂を用いる。具体的には、例えば、チップ固定用樹脂２０２として弾性率が５ＧＰａ以上のアクリル系樹脂やエポキシ系樹脂等を用いる。
【０００６】
封止樹脂２０３は、半導体チップ２０１及びワイヤ２０９を覆うように設けられている。封止樹脂２０３は、突出部２０８を有する。封止樹脂２０３としては、弾性率の高い樹脂を用いる。具体的には、封止樹脂２０３としては、例えば、弾性率が１０ＧＰａ以上のエポキシ系樹脂を用いる。
【０００７】
外部接続端子２０４は、導電性を有しており、突出部２０８を覆うように設けられている。外部接続端子２０４は、マザーボード等の実装基板（図示せず）に設けられた配線パターンと電気的に接続される端子である。
【０００８】
図２〜図８は、従来の半導体装置の製造工程を示す図である。図２〜図８において、従来の半導体装置２００と同一構成部分には同一符号を付す。
【０００９】
図２〜図８を参照して、従来の半導体装置２００の製造方法について説明する。始めに、図２に示す工程では、支持板となる金属板２１１上に開口部２１２Ａを有したレジスト膜２１２を形成する。次いで、図３に示す工程では、レジスト膜２１２をマスクとするウエットエッチングにより、金属板２１１に凹部２１１Ａを形成する。
【００１０】
次いで、図４に示す工程では、金属板２１１を給電層とする電解めっき法により、凹部２１１Ａに金属膜を析出させて、外部接続端子２０４を形成する。次いで、図５に示す工程では、レジスト膜２１２を除去する。
【００１１】
次いで、図６に示す工程では、接着性を有したチップ固定用樹脂２０２を介して、半導体チップ２０１を金属板２１１上に貼り付ける。このとき、加熱によりチップ固定用樹脂２０２を硬化させる。
【００１２】
次いで、図７に示す工程では、ワイヤ２０９を介して、外部接続端子２０４とパッド２０６とを電気的に接続（ワイヤボンディング接続）する。ワイヤ２０９を形成する際、図７に示す構造体は加熱される。次いで、図８に示す工程では、半導体チップ２０１及びワイヤ２０９を覆うように封止樹脂２０３を形成する。このとき、加熱により封止樹脂２０３を硬化させる。その後、金属板２１１を除去することで、図１に示す半導体装置２００が製造される（例えば、引用文献１参照。）。
【特許文献１】特開平９−１６２３４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来の半導体装置２００では、半導体チップ２０１の上面側には半導体チップ２０１（具体的には、半導体基板（図示せず））とは異なる熱膨張係数を有する封止樹脂２０３が設けられており、また半導体チップ２０１の下面側には半導体チップ２０１（具体的には、半導体基板（図示せず））とは異なる熱膨張係数を有するチップ固定用樹脂２０２が設けられている。そのため、半導体装置２００が加熱された場合や加熱された半導体装置２００の温度が低下した場合、半導体装置２００に反りが発生してしまうという問題があった。このように、半導体装置２００に反りが発生した場合には、外部接続端子２０４とパッド２０６との間の電気的接続信頼性が低下してしまう。
【００１４】
また、従来の半導体装置２００の製造方法では、例えば、図６及び図７に示す工程では、図６及び図７に示す構造体が加熱されるため、金属板２１１と半導体チップ２０１との熱膨張係数の差により、図６及び図７に示す構造体が反ってしまという問題があった。また、図８に示す工程では、図８に示す構造体が加熱されるため、金属板２１１及び封止樹脂２０３と半導体チップ２０１との熱膨張係数の差により、図８に示す構造体が反ってしまという問題があった。このように半導体装置２００の製造時において反りが発生した場合、外部接続端子２０４とパッド２０６との間の電気的接続信頼性が低下して、半導体装置２００の歩留まりが低下してしまう。
【００１５】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、反りの発生を抑制することのできる半導体装置、電子部品、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一観点によれば、第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップ上に積み重ねられた第２の半導体チップと、前記第１及び第２の半導体チップを覆うように封止する第１の封止樹脂と、を備えた半導体装置であって、前記第１の封止樹脂は、低弾性樹脂であることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１７】
本発明によれば、第１及び第２の半導体チップを覆うように低弾性樹脂を設けることにより、熱膨張係数の異なる低弾性樹脂と第１及び第２の半導体チップとの間に発生する応力が緩和されるため、半導体装置に反りが発生することを抑制できる。
【００１８】
本発明の他の観点によれば、第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップ上に積み重ねられた第２の半導体チップと、前記第１の半導体チップが電気的に接続される第１の外部接続端子と、前記第２の半導体チップが電気的に接続される第２の外部接続端子と、を備えた半導体装置の製造方法であって、支持板となる金属板上に第１及び第２の外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、第１の低弾性樹脂を介して、前記金属板上に前記第１の半導体チップを貼り付ける第１の半導体チップ貼付工程と、前記第１の半導体チップ上に第２の半導体チップを貼り付ける第２の半導体チップ貼付工程と、前記第１及び第２の半導体チップを第２の低弾性樹脂で封止する封止工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１９】
本発明によれば、金属板上に第１の低弾性樹脂を介して、第１の半導体チップを貼り付けることにより、熱膨張係数の異なる第１の半導体チップと金属板との間に発生する応力を第１の低弾性樹脂が緩和するため、反りの発生を抑制することができる。
【００２０】
また、第２の低弾性樹脂により第１及び第２の半導体チップを封止することで、さらに反りの発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、半導体装置の製造時における反りの発生を抑制することができると共に、製造後の半導体装置の反りの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
（第１の実施の形態）
図９は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００２３】
図９を参照するに、第１の実施の形態の半導体装置１０は、第１の半導体チップ１１と、第２の半導体チップ１２と、第１の低弾性樹脂１３と、第２の低弾性樹脂１５と、第１の外部接続端子１６と、第２の外部接続端子１７と、ワイヤ２１，２２とを有する。
【００２４】
第１の半導体チップ１１は、半導体基板（図示せず）と、半導体基板（図示せず）上に形成された半導体集積回路（図示せず）と、パッド２４とを有する。半導体基板としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。パッド２４は、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続されている。パッド２４は、ワイヤ２１を介して、第１の外部接続端子１６と電気的に接続（ワイヤボンディング接続）されている。
【００２５】
第２の半導体チップ１２は、第１の半導体チップ１１に設けられたパッド２４と重ならないように、チップ固定用樹脂１４を介して、第１の半導体チップ１１上に貼り付けられている。このように、第１の半導体チップ１１上に第２の半導体チップ１２を積み重ねることにより、半導体装置１０を小型化することができる。チップ固定用樹脂１４としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。
【００２６】
第２の半導体チップ１２は、半導体基板（図示せず）と、半導体基板（図示せず）上に形成された半導体集積回路（図示せず）と、パッド２５とを有する。半導体基板としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。パッド２５は、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続されている。パッド２５は、ワイヤ２２を介して、第２の外部接続端子１７と電気的に接続（ワイヤボンディング接続）されている。
【００２７】
図１０及び図１１は、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの位置関係を説明するための図である。
【００２８】
例えば、第１の半導体チップ１１の一辺にのみパッド２４が設けられている場合、第２の半導体チップ１２は、第１の半導体チップ１１に対して図１０に示すように配置することができる。また、第１の半導体チップ１１の二辺にパッド２４が設けられている場合、第２の半導体チップ１２は、第１の半導体チップ１１に対して図１１に示すように配置することができる。
【００２９】
図２を参照するに、第１の低弾性樹脂１３は、第１の半導体チップ１１の下面１１Ａを覆うように設けられている。第１の半導体チップ１１の一部（この場合、半導体チップ１１の下面１１Ａ側）を封止している。第１の低弾性樹脂１３の下面１３Ａは、第２の低弾性樹脂１５の下面１５Ａと略面一とされている。
【００３０】
第１の低弾性樹脂１３は、弾性率の低い樹脂であり、応力を緩和させる機能を有する。また、第１の低弾性樹脂１３は、接着剤としての機能を有する。第１の低弾性樹脂１３としては、例えば、弾性率が１ＭＰａ〜１ＧＰａの樹脂を用いることができる。弾性率が１ＭＰａよりも小さい樹脂を用いた場合、樹脂が柔らかすぎて半導体装置１０の製造時における取り扱いが困難である。また、弾性率が１ＧＰａよりも大きい樹脂を用いた場合、半導体装置１０に発生する反りを抑制する効果が小さい。具体的には、第１の低弾性樹脂１３としては、例えば、エラストマーを用いることができる。また、第１の低弾性樹脂１３の厚さは、例えば、０．０２５ｍｍとすることができる。
【００３１】
第２の低弾性樹脂１５は、第１の低弾性樹脂１３と共に、第１及び第２の半導体チップ１１，１２とワイヤ２１，２２とを封止している。これにより、第１及び第２の半導体チップ１１，１２は、第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５により覆われる。本実施の形態では、第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５により第１の封止樹脂が構成されている。第２の低弾性樹脂１５の下面１５Ａは、第１の低弾性樹脂の下面１３Ａと略面一とされている。第２の低弾性樹脂１５は、弾性率の低い樹脂であり、応力を緩和させる機能を有する。
【００３２】
第２の低弾性樹脂１５としては、例えば、弾性率が１ＭＰａ〜１ＧＰａの樹脂を用いることができる。弾性率が１ＭＰａよりも小さい樹脂を用いた場合、樹脂が柔らかすぎて半導体装置１０の製造時における取り扱いが困難である。また、弾性率が１ＧＰａよりも大きい樹脂を用いた場合、半導体装置１０に発生する反りを抑制する効果が小さい。具体的には、第２の低弾性樹脂１５としては、例えば、エラストマーを用いることができる。
【００３３】
このように、積み重ねられた第１及び第２の半導体チップ１１，１２を第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５で覆うことにより、熱膨張係数の異なる第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５と第１及び第２の半導体チップ１１，１２（具体的には、第１及び第２の半導体チップ１１，１２に設けられた半導体基板（図示せず））との間に発生する応力が緩和されるため、半導体装置１０に反りが発生することを抑制できる。これにより、第１の外部接続端子１６とパッド２４との接続信頼性、及び第２の外部接続端子１７と第２のパッド２５との接続信頼性を十分に確保することができる。
【００３４】
第１の外部接続端子１６は、第２の低弾性樹脂１５の下面１５Ａ側に設けられている。第１の外部接続端子１６の上面１６Ａは、ワイヤ２１と接続されている。これにより、第１の外部接続端子１６は、第１の半導体チップ１１と電気的に接続される。第１の外部接続端子１６の下面１６Ｂは、第２の低弾性樹脂１５から露出されている。第１の外部接続端子１６の下面１６Ｂは、半導体装置１０を実装基板（図示せず）に実装する際、実装基板の配線パターン（図示せず）と電気的に接続される（図３２参照）。
【００３５】
第２の外部接続端子１７は、第２の低弾性樹脂１５の下面１５Ａ側に設けられている。第２の外部接続端子１７の上面１７Ａは、ワイヤ２２と接続されている。これにより、第２の外部接続端子１７は、第２の半導体チップ１２と電気的に接続される。第２の外部接続端子１７の下面１７Ｂは、第２の低弾性樹脂１５から露出されている。第２の外部接続端子１７の下面１７Ｂは、半導体装置１０を実装基板（図示せず）に実装する際、実装基板の配線パターン（図示せず）と電気的に接続される（図３２参照）。
【００３６】
ワイヤ２１は、第２の低弾性樹脂１５により封止されている。ワイヤ２１の一方の端部はパッド２４と接続されており、ワイヤ２１の他方の端部は第１の外部接続端子１６と接続されている。
【００３７】
ワイヤ２２は、第２の低弾性樹脂１５により封止されている。ワイヤ２２の一方の端部はパッド２５と接続されており、ワイヤ２２の他方の端部は第２の外部接続端子１７と接続されている。
【００３８】
本実施の形態の半導体装置によれば、積み重ねられた第１及び第２の半導体チップ１１，１２を第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５で覆うことにより、熱膨張係数の異なる第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５と第１及び第２の半導体チップ１１，１２（具体的には、第１及び第２の半導体チップ１１，１２に設けられた半導体基板（図示せず））との間に発生する応力が緩和されるため、半導体装置１０に反りが発生することを抑制できる。これにより、第１の外部接続端子１６とパッド２４との接続信頼性、及び第２の外部接続端子１７と第２のパッド２５との接続信頼性を十分に確保することができる。
【００３９】
なお、本実施の形態の半導体装置では、チップ固定用樹脂１４として、ダイアタッチフィルムを用いた場合を例に挙げて説明したが、チップ固定用樹脂１４として、先に説明した第１の低弾性樹脂１３を用いてもよい。チップ固定用樹脂１４として第１の低弾性樹脂１３を用いることにより、反りの抑制効果を向上させることができる。
【００４０】
図１２は、本発明の第１の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の断面図である。図１２において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４１】
図１２を参照するに、第１の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置３０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた第１及び第２の外部接続端子１６，１７の代わりに外部接続端子３１を設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【００４２】
外部接続端子３１は、第２の低弾性樹脂１５の下面１５Ａ側に設けられている。外部接続端子３１の上面３１Ａは、ワイヤ２１，２２と接続されている。これにより、外部接続端子３１は、第１及び第２の半導体チップ１１，１２と電気的に接続される。外部接続端子３１の下面３１Ｂは、第２の低弾性樹脂１５から露出されている。外部接続端子３１の下面３１Ｂは、半導体装置３０を実装基板（図示せず）に実装する際、実装基板の配線パターン（図示せず）と電気的に接続される。
【００４３】
このような構成とされた第１の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置３０においても、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００４４】
図１３は、本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の断面図である。図１３において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４５】
図１３を参照するに、第１の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置４０は、第１の実施の形態の半導体装置１０の構成にさらに、第１の半導体チップ１１と、第２の半導体チップ１２と、第１の低弾性樹脂１３と、第１の外部接続端子１６と、第２の外部接続端子１７と、ワイヤ２１，２２とを設けた以外は、半導体装置１０と同様に構成されている。半導体装置４０は、積み重ねられた第１及び第２の半導体チップ１１，１２を２組備えた構成とされている。
【００４６】
このような構成とされた第１の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置４０においても、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００４７】
図１４〜図２１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図１４〜図２１において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４８】
図１４〜図２１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置１０の製造方法について説明する。
【００４９】
始めに、図１４を示す工程では、支持板となる金属板４５上に、開口部４６Ａ，４６Ｂを有したレジスト膜４６を形成する。金属板４５の材料としては、例えば、Ｃｕや４２アロイ等を用いることができる。開口部４６Ａは、第１の外部接続端子１６の形成位置に対応しており、開口部４６Ｂは、第２の外部接続端子１７の形成位置に対応している。
【００５０】
次いで、図１５に示す工程では、金属板４５を給電層とする電解めっき法により、開口部４６Ａ，４６Ｂに露出された金属板４５上に導電金属を析出させて、第１及び第２の外部接続端子１６，１７を同時に形成する（外部接続端子形成工程）。
【００５１】
具体的には、例えば、開口部４６Ａ，４６Ｂに露出された金属板４５上に、電解めっき法によりＡｕ層、Ｎｉ層、Ａｕ層を順次析出させて、Ａｕ層／Ｎｉ層／Ａｕ層よりなる第１及び第２の外部接続端子１６，１７を同時に形成する。
【００５２】
次いで、図１６に示す工程では、レジスト膜４６を除去する。次いで、図１７に示す工程では、第１の低弾性樹脂１３を介して、第１の半導体チップ１１を金属板４５上に貼り付ける（第１の半導体チップ貼付工程）。
【００５３】
第１の低弾性樹脂１３は、弾性率の低い樹脂であり、応力を緩和させる機能を有する。また、第１の低弾性樹脂１３は、接着剤としての機能を有する。第１の低弾性樹脂１３としては、例えば、弾性率が１ＭＰａ〜１ＧＰａの樹脂を用いることができる。弾性率が１ＭＰａよりも小さい樹脂を用いた場合、樹脂が柔らかすぎて半導体装置１０の製造時における取り扱いが困難である。また、弾性率が１ＧＰａよりも大きい樹脂を用いた場合、半導体装置１０に発生する反りを抑制する効果が小さい。具体的には、第１の低弾性樹脂１３としては、例えば、エラストマーを用いることができる。
【００５４】
このように、応力を緩和させる機能を有する第１の低弾性樹脂１３を介して、金属板４５上に第１の半導体チップ１１を貼り付けることにより、熱膨張係数の異なる第１の半導体チップ１１と金属板４５との間に第１の低弾性樹脂１３が配設される。これにより、金属板４５と第１の半導体チップ１１との間で応力が発生した場合、第１の低弾性樹脂１３により応力が緩和されるため、半導体装置１０の製造時における反りの発生を抑制することができる。
【００５５】
次いで、図１８に示す工程では、第１の半導体チップ１１上にチップ固定用樹脂１４を介して、第２の半導体チップ１２を貼り付ける（第２の半導体チップ貼付工程）。このとき、第２の半導体チップ１２は、第１の半導体チップ１１に設けられたパッド２４と重ならないように貼り付ける。このように、第２の半導体チップ１２をパッド２４と重ならないように第１の半導体チップ１１上に貼り付けることで、ワイヤ２１を介して、第１の半導体チップ１１と第１の外部接続端子１６とを電気的に接続することができる。チップ固定用樹脂１４としては、ダイアタッチフィルムを用いることができる。
【００５６】
次いで、図１９に示す工程では、ワイヤ２１を介して、第１の半導体チップ１１のパッド２４と第１の外部接続端子１６とを電気的に接続すると共に、ワイヤ２２を介して、第２の半導体チップ１２のパッド２５と第２の外部接続端子１７とを電気的に接続する。これにより、第１の半導体チップ１１は、第１の外部接続端子１６に対してワイヤボンディング接続され、第２の半導体チップ１２は、第２の外部接続端子１７に対してワイヤボンディング接続される。
【００５７】
次いで、図２０に示す工程では、第１及び第２の半導体チップ１１，１２と、ワイヤ２１，２２と、第１及び第２の外部接続端子１６，１７とを覆うように第２の低弾性樹脂１５を形成する（封止工程）。これにより、第１及び第２の半導体チップ１１，１２及びワイヤ２１，２２は、第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５により封止される。
【００５８】
第２の低弾性樹脂１５としては、例えば、弾性率が１ＭＰａ〜１ＧＰａの樹脂を用いることができる。弾性率が１ＭＰａよりも小さい樹脂を用いた場合、樹脂が柔らかすぎて半導体装置１０の製造時における取り扱いが困難である。また、弾性率が１ＧＰａよりも大きい樹脂を用いた場合、半導体装置１０に発生する反りを抑制する効果が小さい。具体的には、第２の低弾性樹脂１５としては、例えば、エラストマーを用いることができる。
【００５９】
このように、応力を緩和させる機能を有する第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５により、第１及び第２の半導体チップ１１，１２及びワイヤ２１，２２を封止することにより、図２０に示す構造体に応力が発生した場合、第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５により応力が緩和されるので、半導体装置１０の製造時における反りの発生を抑制することができる。これにより、第１の半導体チップ１１と第１の外部接続端子１６との間の電気的接続信頼性、及び第２の半導体チップ１２と第２の外部接続端子１７との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【００６０】
次いで、図２１に示す工程では、金属板４５をエッチングにより除去する。これにより、半導体装置１０が製造される。
【００６１】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、応力を緩和させる機能を有する第１の低弾性樹脂１３を介して、金属板４５上に第１の半導体チップ１１を貼り付けることにより、熱膨張係数の異なる第１の半導体チップ１１と金属板４５との間で応力が発生した場合、第１の低弾性樹脂１３により応力を緩和して、反りの発生を抑制することができる。
【００６２】
また、応力を緩和させる機能を有する第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５により、第１及び第２の半導体チップ１１，１２とワイヤ２１，２２とを封止することで、図２０に示す構造体に応力が発生した場合、第１及び第２の低弾性樹脂１３，１５により応力を緩和して、反りの発生を抑制することができる。
【００６３】
なお、本実施の形態では、金属板４５上に１つの半導体装置１０を製造する場合を例に挙げて説明したが、金属板４５上に複数の半導体装置１０を形成し、次いで、複数の半導体装置１０を個片化し、その後、金属板４５を除去して、複数の半導体装置１０を製造してもよい。
【００６４】
（第２の実施の形態）
図２２は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図２２において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６５】
図２２を参照するに、第２の実施の形態の半導体装置５０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた第１及び第２の外部接続端子１６，１７の代わりに、第１及び第２の外部接続端子５１，５２を設けた以外は、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様に構成される。
【００６６】
図２３は、第１及び第２の外部接続端子と第１の半導体チップとの位置関係を説明するための図である。
【００６７】
図２２及び図２３を参照して、第１及び第２の外部接続端子５１，５２について説明する。第１及び第２の外部接続端子５１，５２は、交互に配置されている。第１及び第２の外部接続端子５１，５２は、第２の低弾性樹脂１５により封止されている。第１及び第２の外部接続端子５１，５２の下面５１Ｂ，５２Ｂは、第２の低弾性樹脂１５から露出されている。第１及び第２の外部接続端子５１，５２の下面５１Ｂ，５２Ｂは、第２の低弾性樹脂１５の下面１５Ａと略面一とされている。
【００６８】
第１の外部接続端子５１は、その一部が第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触している。このように、第１の外部接続端子５１の一部を第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触させることにより、第１の半導体チップ１１が支持板となるため、第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触する部分の第１の外部接続端子５１の変位量を小さくすることができる。
【００６９】
第１の外部接続端子５１の上面５１Ａは、ワイヤ２１を介して、第１の半導体チップ１１と電気的に接続されている。実装基板（図示せず）に半導体装置５０を実装する場合、第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触する部分の第１の外部接続端子５１に実装基板の配線パターン（図示せず）と接続されたワイヤ（図示せず）が接続される（図３３参照）。
【００７０】
第２の外部接続端子５２は、その一部が第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触している。このように、第２の外部接続端子５２の一部を第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触させることにより、第１の半導体チップ１１が支持板となるため、第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触する部分の第２の外部接続端子５２の変位量を小さくすることができる。
【００７１】
第２の外部接続端子５２の上面５２Ａは、ワイヤ２２を介して、第２の半導体チップ１２と電気的に接続されている。実装基板（図示せず）に半導体装置５０を実装する場合、第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触する部分の第２の外部接続端子５２に実装基板の配線パターン（図示せず）と接続されたワイヤ（図示せず）が接続される（図３３参照）。
【００７２】
本実施の形態の半導体装置によれば、第１及び第２の外部接続端子５１，５２の一部が第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触するように第１及び第２の外部接続端子５１，５２を配置することにより、実装基板（図示せず）に半導体装置５０を実装する場合、第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触する部分の第１及び第２の外部接続端子５１，５２（変位量の少ない第１及び第２の外部接続端子５１，５２部分）に実装基板と電気的に接続されたワイヤ（図示せず）を接続することが可能となる。これにより、第１及び第２の外部接続端子５１，５２と実装基板と接続されたワイヤ（図示せず）との間の接続信頼性を向上させることができる。
【００７３】
第２の実施の形態の半導体装置５０は、第１の実施の形態で説明した図１７に示す工程において、第１の半導体チップ１１の下面１１Ａが第１及び第２の外部接続端子５１，５２の上面５１Ａ，５２Ａの一部と接触するように、第１の半導体チップ１１を金属板４５上に貼り付ける以外は、第１の実施の形態の半導体装置１０の製造方法と同様な手法により製造することができる。
【００７４】
図２４は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。図２４において、第２の実施の形態の半導体装置５０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７５】
図２４を参照するに、第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置５５は、第２の実施の形態の半導体装置５０に設けられた第１及び第２の外部接続端子５１，５２の代わりに外部接続端子５６を設けた以外は、半導体装置５０と同様に構成される。
【００７６】
外部接続端子５６は、第２の低弾性樹脂１５により封止されている。外部接続端子５６は、その一部が第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触するように配置されている。外部接続端子５６の上面５６Ａは、ワイヤ２１，２２を介して、第１及び第２の半導体チップ１１，１２と電気的に接続されている。外部接続端子５６の下面５６Ｂは、第２の低弾性樹脂１５から露出されている。外部接続端子５６の下面５６Ｂは、第２の低弾性樹脂１５の下面１５Ａと略面一とされている。
【００７７】
実装基板（図示せず）に半導体装置５５を実装する場合、第１の半導体チップ１１の下面１１Ｂと接触する部分の外部接続端子５６に実装基板の配線パターン（図示せず）と接続されたワイヤ（図示せず）が接続される。
【００７８】
このような構成とされた第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置５５においても、第２の実施の形態の半導体装置５０と同様な効果を得ることができる。
【００７９】
また、第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置５５は、第２の実施の形態の半導体装置５０と同様な手法により製造することができ、第１の実施の形態の半導体装置１０の製造方法と同様な効果を得ることができる。
【００８０】
（第３の実施の形態）
図２５は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図２５において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００８１】
図２５を参照するに、第３の実施の形態の半導体装置６０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた第２の低弾性樹脂１５と第１及び第２の外部接続端子１６，１７との代わりに、第２の低弾性樹脂６１、第１及び第２の外部接続端子６３，６４、及びダミー用接続端子６５，６６を設けた以外は、半導体装置１０と同様に構成される。
【００８２】
第２の低弾性樹脂６１は、弾性率の低い樹脂であり、応力を緩和させる機能を有する。第２の低弾性樹脂６１としては、例えば、弾性率が１ＭＰａ〜１ＧＰａの樹脂を用いることができる。弾性率が１ＭＰａよりも小さい樹脂を用いた場合、樹脂が柔らかすぎて半導体装置６０の製造時における取り扱いが困難である。また、弾性率が１ＧＰａよりも大きい樹脂を用いた場合、半導体装置６０に発生する反りを抑制する効果が小さい。具体的には、第２の低弾性樹脂６１としては、例えば、エラストマーを用いることができる。
【００８３】
第２の低弾性樹脂６１は、第１の低弾性樹脂１３と共に、第１及び第２の半導体チップ１１，１２とワイヤ２１，２２とを封止している。
【００８４】
このように、積み重ねられた第１及び第２の半導体チップ１１，１２を第１及び第２の低弾性樹脂１３，６１で覆うことにより、熱膨張係数の異なる第１及び第２の低弾性樹脂１３，６１と第１及び第２の半導体チップ１１，１２（具体的には、第１及び第２の半導体チップ１１，１２に設けられた半導体基板（図示せず））との間に発生する応力が緩和されるため、半導体装置６０に反りが発生することを抑制できる。これにより、第１の外部接続端子６３とパッド２４との接続信頼性、及び第２の外部接続端子６４と第２のパッド２５との接続信頼性を十分に確保することができる。
【００８５】
第２の低弾性樹脂６１は、その下面６１Ａから突出する複数の突出部６７，６８，７１，７２を有する。突出部６７，６８，７１，７２の形状は、例えば、半球形状とすることができる。
【００８６】
第１の外部接続端子６３は、突出部６７を覆うように設けられている。第１の外部接続端子６３の内面６３Ａは、ワイヤ２１を介して、第１の半導体チップ１１のパッド２４と電気的に接続されている。第１の外部接続端子６３の外面６３Ｂは、半導体装置６０をマザーボード等の実装基板（図示せず）に実装する際、実装基板のパッド（図示せず）と電気的に接続される。
【００８７】
第２の外部接続端子６４は、突出部６８を覆うように設けられている。第２の外部接続端子６４の内面６４Ａは、ワイヤ２２を介して、第２の半導体チップ１２のパッド２５と電気的に接続されている。第２の外部接続端子６４の外面６４Ｂは、半導体装置６０をマザーボード等の実装基板（図示せず）に実装する際、実装基板のパッド（図示せず）と電気的に接続される。第１及び第２の外部接続端子６３，６４としては、例えば、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕ積層膜を用いることができる。
【００８８】
ダミー用接続端子６５は、突出部７１を覆うように設けられている。ダミー用接続端子６６は、突出部７２を覆うように設けられている。半導体装置６０をマザーボード等の実装基板（図示せず）に実装する場合、ダミー用接続端子６５，６６の外面６５Ｂ，６６Ｂは実装基板（図示せず）に設けられたダミー用のパッド（図示せず）と接続される。ダミー用のパッド（図示せず）は、実装基板（図示せず）に設けられた配線パターンと電気的に接続されていないパッドである。
【００８９】
突出部７１，７２及びダミー用接続端子６５，６６は、実装基板（図示せず）に実装された半導体装置６０を実装基板（図示せず）に対して略水平となるように配置するためのものである。ダミー用接続端子６５，６６としては、例えば、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕ積層膜を用いることができる。
【００９０】
このような構成とされた第３の実施の形態の半導体装置６０においても、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００９１】
図２６は、本発明の第３の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の断面図である。図２６において、第３の実施の形態の半導体装置６０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００９２】
図２６を参照するに、第３の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置７５は、第３の実施の形態の半導体装置６０に設けられた第２の低弾性樹脂６１及びダミー用接続端子６５，６６の代わりに、第２の低弾性樹脂７６を設けると共に、図２５に示す第２の半導体チップ１２の状態から第２の半導体チップ１２の向きを１８０度回転させた以外は、半導体装置６０と同様に構成されている。
【００９３】
第２の低弾性樹脂７６は、弾性率の低い樹脂であり、応力を緩和させる機能を有する。第２の低弾性樹脂７６としては、例えば、弾性率が１ＭＰａ〜１ＧＰａの樹脂を用いることができる。弾性率が１ＭＰａよりも小さい樹脂を用いた場合、樹脂が柔らかすぎて半導体装置７５の製造時における取り扱いが困難である。また、弾性率が１ＧＰａよりも大きい樹脂を用いた場合、半導体装置７５に発生する反りを抑制する効果が小さい。具体的には、第２の低弾性樹脂７６としては、例えば、エラストマーを用いることができる。
【００９４】
第２の低弾性樹脂７６は、第１の低弾性樹脂１３と共に、第１及び第２の半導体チップ１１，１２とワイヤ２１，２２とを封止している。第２の低弾性樹脂７６は、その下面７６Ａから突出する突出部７７，７８を有する。突出部７８は、第１の半導体チップ１１を挟んで、突出部７７と対向するように配置されている。第１の外部接続端子６３は、突出部７７を覆うように設けられている。第２の外部接続端子６４は、突出部７８を覆うように設けられている。
【００９５】
このような構成とされた第３の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置７５においても、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００９６】
図２７は、本発明の第３の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の断面図である。図２７において、第３の実施の形態の半導体装置６０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００９７】
図２７を参照するに、第３の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置８０は、第３の実施の形態の半導体装置６０に設けられたダミー用接続端子６５，６６及び突出部７１，７２の代わりに、さらに第１及び第２の半導体チップ１１，１２、ワイヤ２１，２２、第１及び第２の外部接続端子６３，６４、及び突出部６７，６８を設けた以外は半導体装置６０と同様な構成とされている。半導体装置８０は、積み重ねられた第１及び第２の半導体チップ１１，１２を２組備えた構成とされている。
【００９８】
このような構成とされた第３の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置８０においても、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００９９】
図２８〜図３１は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図２８〜図３１において、第３の実施の形態の半導体装置６０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１００】
図２８〜図３１を参照して、第３の実施の形態の半導体装置６０の製造方法について説明する。始めに、図２８に示す工程では、支持板となる金属板８５上に、開口部８６Ａ〜８６Ｄを有したレジスト膜８６を形成する。金属板８５の材料としては、例えば、Ｃｕや４２アロイ等を用いることができる。開口部８６Ａ〜８６Ｄは、突出部６７，６８，７１，７２の形成位置に対応している。
【０１０１】
次いで、図２９に示す工程では、レジスト膜８６をマスクとして金属板８５をウエットエッチングして、開口部８６Ａ〜８６Ｄに露出された金属板８５に凹部８５Ａ〜８５Ｄを形成する。
【０１０２】
次いで、図３０に示す工程では、金属板８５を給電層とする電解めっき法により、凹部８５Ａ〜８５Ｄに導電金属を析出させて、第１及び第２の外部接続端子６３，６４とダミー用接続端子６５，６６とを同時に形成する（外部接続端子形成工程）。
【０１０３】
次いで、図３１に示す工程では、レジスト膜８６を除去する。その後、第１の実施の形態で説明した図１７〜図２１に示す工程と同様な処理を行うことにより、図２５に示す半導体装置６０が製造される。
【０１０４】
本実施の形態の半導体装置の製造方法においても、第１の実施の形態の半導体装置１０の製造方法と同様な効果を得ることができる。
【０１０５】
（第４の実施の形態）
図３２は、第４の実施の形態に係る電子装置の断面図である。
【０１０６】
図３２を参照するに、第４の実施の形態に係る電子装置９０は、実装基板９１と、半導体装置１０−１〜１０−４と、ワイヤ９４〜９７，１０１〜１０４と、第２の封止樹脂である封止樹脂９２とを有する。
【０１０７】
実装基板９１は、基板本体１０６と、貫通ビア１０９Ａ〜１０９Ｈと、第１のパッド１１１〜１１８と、第２のパッド１２１〜１２８とを有する。本実施の形態では、貫通ビア１０９Ａ〜１０９Ｈ、第１のパッド１１１〜１１８、及び第２のパッド１２１〜１２８により実装基板９１の配線パターンが構成されている。
【０１０８】
基板本体１０６は、板状とされており、複数の貫通孔１０７を有する。貫通ビア１０９Ａ〜１０９Ｈは、貫通孔１０７に設けられている。
【０１０９】
第１のパッド１１１〜１１８は、基板本体１０６の上面１０６Ａに設けられている。第１のパッド１１１は、貫通ビア１０９Ａと接続されており、第１のパッド１１２は、貫通ビア１０９Ｂと接続されている。第１のパッド１１３は、貫通ビア１０９Ｃと接続されており、第１のパッド１１４は、貫通ビア１０９Ｄと接続されている。第１のパッド１１５は、貫通ビア１０９Ｅと接続されており、第１のパッド１１６は、貫通ビア１０９Ｆと接続されている。第１のパッド１１７は、貫通ビア１０９Ｇと接続されており、第１のパッド１１８は、貫通ビア１０９Ｈと接続されている。
【０１１０】
第２のパッド１２１〜１２８は、基板本体１０６の下面１０６Ｂに設けられている。第２のパッド１２１は、貫通ビア１０９Ａを介して、第１のパッド１１１と電気的に接続されている。第２のパッド１２２は、貫通ビア１０９Ｂを介して、第１のパッド１１２と電気的に接続されている。第２のパッド１２３は、貫通ビア１０９Ｃを介して、第１のパッド１１３と電気的に接続されている。第２のパッド１２４は、貫通ビア１０９Ｄを介して、第１のパッド１１４と電気的に接続されている。第２のパッド１２５は、貫通ビア１０９Ｅを介して、第１のパッド１１５と電気的に接続されている。第２のパッド１２６は、貫通ビア１０９Ｆを介して、第１のパッド１１６と電気的に接続されている。第２のパッド１２７は、貫通ビア１０９Ｇを介して、第１のパッド１１７と電気的に接続されている。第２のパッド１２８は、貫通ビア１０９Ｈを介して、第１のパッド１１８と電気的に接続されている。実装基板９１としては、例えば、マザーボードを用いることができる。
【０１１１】
半導体装置１０−１〜１０−４は、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な構成とされている。なお、説明の便宜上、半導体装置１０−１の構成要素の符号には−１を付し、半導体装置１０−２の構成要素の符号には−２を付し、半導体装置１０−３の構成要素の符号には−３を付し、半導体装置１０−４の構成要素の符号には−４を付して以下の説明を行う。
【０１１２】
半導体装置１０−１は、チップ固定用樹脂１３１を介して、基板本体１０６上に貼り付けられている。チップ固定用樹脂１３１としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。
【０１１３】
半導体装置１０−１は、第１の半導体チップ１１−１と、第２の半導体チップ１２−１と、第１の半導体チップ１１−１と電気的に接続された第１の外部接続端子１６−１と、第２の半導体チップ１２−１と電気的に接続された第２の外部接続端子１７−１と、第１及び第２の半導体チップ１１−１，１２−１を覆う第１及び第２の低弾性樹脂１３−１，１５−１とを有する。第１の外部接続端子１６−１は、ワイヤ９５を介して、第１のパッド１１３と電気的に接続されている。第２の外部接続端子１７−１は、ワイヤ９４を介して、第１のパッド１１４と電気的に接続されている。
【０１１４】
半導体装置１０−２は、チップ固定用樹脂１３２を介して、半導体装置１０−１上に貼り付けられている。チップ固定用樹脂１３２としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。半導体装置１０−２は、第１及び第２の外部接続端子１６−１，１７−１と重ならないように半導体装置１０−１上に積み重ねられている。
【０１１５】
半導体装置１０−２は、第１の半導体チップ１１−２と、第２の半導体チップ１２−２と、第１の半導体チップ１１−２と電気的に接続された第１の外部接続端子１６−２と、第２の半導体チップ１２−２と電気的に接続された第２の外部接続端子１７−２と、第１及び第２の半導体チップ１１−２，１２−２を覆う第１及び第２の低弾性樹脂１３−２，１５−２とを有する。第１の外部接続端子１６−２は、ワイヤ９７を介して、第１のパッド１１１と電気的に接続されている。第２の外部接続端子１７−２は、ワイヤ９６を介して、第１のパッド１１２と電気的に接続されている。
【０１１６】
半導体装置１０−３は、チップ固定用樹脂１３３を介して、基板本体１０６上に固定されている。チップ固定用樹脂１３３としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。半導体装置１０−３は、第１の半導体チップ１１−３と、第２の半導体チップ１２−３と、第１の半導体チップ１１−３と電気的に接続された第１の外部接続端子１６−３と、第２の半導体チップ１２−３と電気的に接続された第２の外部接続端子１７−３と、第１及び第２の半導体チップ１１−３，１２−３を覆う第１及び第２の低弾性樹脂１３−３，１５−３とを有する。第１の外部接続端子１６−３は、ワイヤ１０２を介して、第１のパッド１１６と電気的に接続されている。第２の外部接続端子１７−３は、ワイヤ１０１を介して、第１のパッド１１５と電気的に接続されている。
【０１１７】
半導体装置１０−４は、チップ固定用樹脂１３４を介して、半導体装置１０−３上に固定されている。チップ固定用樹脂１３４としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。半導体装置１０−４は、第１及び第２の外部接続端子１６−３，１７−３と重ならないように半導体装置１０−３上に積み重ねられている。半導体装置１０−４は、第１の半導体チップ１１−４と、第２の半導体チップ１２−４と、第１の半導体チップ１１−４と電気的に接続された第１の外部接続端子１６−４と、第２の半導体チップ１２−４と電気的に接続された第２の外部接続端子１７−４と、第１及び第２の半導体チップ１１−４，１２−４を覆う第１及び第２の低弾性樹脂１３−４，１５−４とを有する。第１の外部接続端子１６−４は、ワイヤ１０４を介して、第１のパッド１１８と電気的に接続されている。第２の外部接続端子１７−４は、ワイヤ１０３を介して、第１のパッド１１７と電気的に接続されている。
【０１１８】
封止樹脂９２は、半導体装置１０−１〜１０−４と、ワイヤ９４〜９７，１０１〜１０４とを封止するように実装基板９１上に設けられている。封止樹脂９２としては、例えば、弾性率が１０ＧＰａ以上の樹脂を用いることができる。具体的には、封止樹脂９２としては、例えば、モールド樹脂を用いることができる。
【０１１９】
本実施の形態の電子装置によれば、第１及び第２の半導体チップ１１−１〜１１−４，１２−１〜１２−４が応力を緩和する機能を有する第１及び第２の低弾性樹脂１３−１〜１３−４，１５−１〜１５−４に覆われた半導体装置１０−１〜１０−４を設けることにより、実装基板９１と第１及び第２の半導体チップ１１−１〜１１−４，１２−１〜１２−４との間に発生する応力が緩和されるため、第１及び第２の半導体チップ１１−１〜１１−４，１２−１〜１２−４が電子装置１４０の反りの影響を受けにくくすることができる。
【０１２０】
なお、本実施の形態では、チップ固定用樹脂１３１〜１３４にダイアタッチフィルムを用いた場合を例に挙げて説明したが、チップ固定用樹脂１３１〜１３４の代わりに第１の低弾性樹脂１３を用いても良い。また、本実施の形態では、封止樹脂９２としてモールド樹脂を用いた場合を例に挙げて説明したが、モールド樹脂の代わりに第２の低弾性樹脂１５を用いても良い。このように、チップ固定用樹脂１３１〜１３４及び封止樹脂９２として低弾性樹脂を用いることにより、電子装置９０に発生する反りをさらに抑制することができる。
【０１２１】
（第５の実施の形態）
図３３は、第５の実施の形態に係る電子装置の断面図である。図３３において、第４の実施の形態の電子装置９０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１２２】
図３３を参照するに、第５の実施の形態に係る電子装置１４０は、第４の実施の形態の電子装置９０に設けられた半導体装置１０−１〜１０−４の代わりに、半導体装置５０−１〜５０−４を設けた以外は電子装置９０と同様に構成される。
【０１２３】
半導体装置５０−１〜５０−４は、第２の実施の形態の半導体装置５０と同様な構成とされている。なお、説明の便宜上、半導体装置５０−１の構成要素の符号には−１を付し、半導体装置５０−２の構成要素の符号には−２を付し、半導体装置５０−３の構成要素の符号には−３を付し、半導体装置５０−４の構成要素の符号には−４を付して以下の説明を行う。
【０１２４】
半導体装置５０−１は、チップ固定用樹脂１３１を介して、基板本体１０６上に貼り付けられている。半導体装置５０−１は、第１の半導体チップ１１−１と、第２の半導体チップ１２−１と、第１の半導体チップ１１−１と電気的に接続された第１の外部接続端子５１−１と、第２の半導体チップ１２−１と電気的に接続された第２の外部接続端子５２−１と、第１及び第２の半導体チップ１１−１，１２−１を覆う第１及び第２の低弾性樹脂１３−１，１５−１とを有する。第１及び第２の外部接続端子５１−１，５２−１は、その一部が第１の半導体チップ１１−１の下面１１−１Ａと接触するように配置されている。第１の外部接続端子５１−１は、ワイヤ９５を介して、第１のパッド１１３と電気的に接続されている。ワイヤ９５は、半導体チップ１１−１の下面１１−１Ａ上に位置する第１の外部接続端子５１−１と接続されている。
【０１２５】
このように、半導体チップ１１−１の下面１１−１Ａ上に位置する第１の外部接続端子５１−１にワイヤ９５を接続することにより、第１の半導体チップ１１−１が第１の外部接続端子５１−１の位置を規制する支持板となるため、ワイヤ９５と第１の外部接続端子５１−１との接続を強固にすることができる。
【０１２６】
第２の外部接続端子５２−１は、ワイヤ９４を介して、第１のパッド１１４と電気的に接続されている。ワイヤ９４は、半導体チップ１１−１の下面１１−１Ａ上に位置する第２の外部接続端子５２−１と接続されている。
【０１２７】
このように、半導体チップ１１−１の下面１１−１Ａ上に位置する第２の外部接続端子５２−１にワイヤ９４を接続することにより、第１の半導体チップ１１−１が第２の外部接続端子５２−１の位置を規制する支持板となるため、ワイヤ９４と第２の外部接続端子５２−１との接続を強固にすることができる。
【０１２８】
半導体装置５０−２は、チップ固定用樹脂１３２を介して、半導体装置１０−１上に貼り付けられている。半導体装置５０−２は、第１及び第２の外部接続端子５１−１，５２−１と重ならないように半導体装置５０−１上に積み重ねられている。半導体装置５０−２は、第１の半導体チップ１１−２と、第２の半導体チップ１２−２と、第１の半導体チップ１１−２と電気的に接続された第１の外部接続端子５１−２と、第２の半導体チップ１２−２と電気的に接続された第２の外部接続端子５２−２と、第１及び第２の半導体チップ１１−２，１２−２を覆う第１及び第２の低弾性樹脂１３−２，１５−２とを有する。第１及び第２の外部接続端子５１−２，５２−２は、少なくとも一部が第１の半導体チップ１１−２の下面１１−２Ａと接触するように配置されている。第１の外部接続端子５１−２は、ワイヤ９７を介して、第１のパッド１１１と電気的に接続されている。ワイヤ９７は、半導体チップ１１−２の下面１１−２Ａ上に位置する第１の外部接続端子５１−２と接続されている。
【０１２９】
このように、半導体チップ１１−２の下面１１−２Ａ上に位置する第１の外部接続端子５１−２にワイヤ９７を接続することにより、第１の半導体チップ１１−２が第１の外部接続端子５１−２の位置を規制する支持板となるため、ワイヤ９７と第１の外部接続端子５１−２との接続を強固にすることができる。
【０１３０】
第２の外部接続端子５２−２は、ワイヤ９６を介して、第１のパッド１１２と電気的に接続されている。ワイヤ９６は、半導体チップ１１−２の下面１１−２Ａ上に位置する第２の外部接続端子５２−２と接続されている。
【０１３１】
このように、半導体チップ１１−２の下面１１−２Ａ上に位置する第２の外部接続端子５２−２にワイヤ９６を接続することにより、第１の半導体チップ１１−２が第２の外部接続端子５２−２の位置を規制する支持板となるため、ワイヤ９６と第２の外部接続端子５２−２との接続を強固にすることができる。
【０１３２】
半導体装置５０−３は、チップ固定用樹脂１３３を介して、基板本体１０６上に貼り付けられている。半導体装置５０−３は、第１の半導体チップ１１−３と、第２の半導体チップ１２−３と、第１の半導体チップ１１−３と電気的に接続された第１の外部接続端子５１−３と、第２の半導体チップ１２−３と電気的に接続された第２の外部接続端子５２−３と、第１及び第２の半導体チップ１１−３，１２−３を覆う第１及び第２の低弾性樹脂１３−３，１５−３とを有する。第１及び第２の外部接続端子５１−３，５２−３は、その一部が第１の半導体チップ１１−３の下面１１−３Ａと接触するように配置されている。
【０１３３】
第１の外部接続端子５１−３は、ワイヤ１０２を介して、第１のパッド１１６と電気的に接続されている。ワイヤ１０２は、半導体チップ１１−３の下面１１−３Ａ上に位置する第１の外部接続端子５１−３と接続されている。
【０１３４】
このように、半導体チップ１１−３の下面１１−３Ａ上に位置する第１の外部接続端子５１−３にワイヤ１０２を接続することにより、第１の半導体チップ１１−３が第１の外部接続端子５１−３の位置を規制する支持板となるため、ワイヤ１０２と第１の外部接続端子５１−３との接続を強固にすることができる。
【０１３５】
第２の外部接続端子５１−３は、ワイヤ１０１を介して、第１のパッド１１５と電気的に接続されている。ワイヤ１０１は、半導体チップ１１−３の下面１１−３Ａ上に位置する第２の外部接続端子５２−３と接続されている。
【０１３６】
このように、半導体チップ１１−３の下面１１−３Ａ上に位置する第２の外部接続端子５２−３にワイヤ１０１を接続することにより、第１の半導体チップ１１−３が第２の外部接続端子５２−３の位置を規制する支持板となるため、第１の半導体チップ１１−３が支持板となるため、ワイヤ１０１と第２の外部接続端子５２−３との接続を強固にすることができる。
【０１３７】
半導体装置５０−４は、チップ固定用樹脂１３４を介して、半導体装置５０−３上に固定されている。半導体装置５０−４は、第１及び第２の外部接続端子５１−３，５２−３と重ならないように半導体装置５０−３上に積み重ねられている。半導体装置５０−４は、第１の半導体チップ１１−４と、第２の半導体チップ１２−４と、第１の半導体チップ１１−４と電気的に接続された第１の外部接続端子５１−４と、第２の半導体チップ１２−４と電気的に接続された第２の外部接続端子５２−４と、第１及び第２の半導体チップ１１−４，１２−４を覆う第１及び第２の低弾性樹脂１３−４，１５−４とを有する。
【０１３８】
第１及び第２の外部接続端子５１−４，５２−４は、その一部が第１の半導体チップ１１−４の下面１１−４Ａと接触するように配置されている。第１の外部接続端子５１−４は、ワイヤ１０４を介して、第１のパッド１１８と電気的に接続されている。ワイヤ１０４は、半導体チップ１１−４の下面１１−４Ａ上に位置する第１の外部接続端子５１−４と接続されている。
【０１３９】
このように、半導体チップ１１−４の下面１１−４Ａ上に位置する第１の外部接続端子５１−４にワイヤ１０４を接続することにより、第１の半導体チップ１１−４が第１の外部接続端子５１−４の位置を規制する支持板となるため、ワイヤ１０４と第１の外部接続端子５１−４との接続を強固にすることができる。
【０１４０】
第２の外部接続端子５２−４は、ワイヤ１０３を介して、第１のパッド１１７と電気的に接続されている。ワイヤ１０３は、半導体チップ１１−４の下面１１−４Ａ上に位置する第２の外部接続端子５２−４と接続されている。
【０１４１】
このように、半導体チップ１１−４の下面１１−４Ａ上に位置する第２の外部接続端子５２−４にワイヤ１０３を接続することにより、第１の半導体チップ１１−４が第２の外部接続端子５２−４の位置を規制する支持板となるため、ワイヤ１０３と第２の外部接続端子５２−４との接続を強固にすることができる。
【０１４２】
封止樹脂９２は、半導体装置５０−１〜５０−４と、ワイヤ９４〜９７，１０１〜１０４とを封止するように実装基板９１上に設けられている。
【０１４３】
本実施の形態の電子装置によれば、第１の半導体チップ１１−１〜１１−４の下面１１−１Ａ〜１１−４Ａと接触する部分の第１及び第２の外部接続端子５１−１〜５１−４，５２−１〜５２−４にワイヤ９４〜９７，１０１〜１０４を接続することにより、ワイヤ９４〜９７，１０１〜１０４と第１及び第２の外部接続端子５１−１〜５１−４，５２−１〜５２−４との接続を強固にすることができる。
【０１４４】
また、本実施の形態の電子装置は、第４の実施の形態の電子装置９０と同様な効果を得ることができる。
【０１４５】
なお、本実施の形態において、チップ固定用樹脂１３１〜１３４として第１の低弾性樹脂１３を用いても良い。また、封止樹脂９２として第２の低弾性樹脂１５を用いても良い。
【０１４６】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明によれば、半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂とを備えた半導体装置及び電子部品に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図３】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図４】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図５】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図６】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図７】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図８】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１０】第１の半導体チップと第２の半導体チップとの位置関係を説明するための図（その１）である。
【図１１】第１の半導体チップと第２の半導体チップとの位置関係を説明するための図（その２）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２３】第１及び第２の外部接続端子と第１の半導体チップとの位置関係を説明するための図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図２５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２６】本発明の第３の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図２７】本発明の第３の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図２８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図２９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図３０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図３１】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図３２】第４の実施の形態に係る電子装置の断面図である。
【図３３】第５の実施の形態に係る電子装置の断面図である。
【符号の説明】
【０１４９】
１０，１０−１〜１０−４，３０，４０，５０，５０−１〜５０−４，５５，６０，７５，８０  半導体装置
１１，１１−１〜１１−４  第１の半導体チップ
１１Ａ，１１−１Ａ〜１１−４Ａ，１３Ａ，１５Ａ，１６Ｂ，１７Ｂ，３１Ｂ，５１Ｂ，５２Ｂ，５６Ｂ，６１Ａ，７６Ａ，１０６Ｂ  下面
１２，１２−１〜１２−４  第２の半導体チップ
１３，１３−１〜１３−４  第１の低弾性樹脂
１５，１５−１〜１５−４，６１，７６  第２の低弾性樹脂
１４，１３１〜１３４  チップ固定用樹脂
１６，５１，６３，１６−１〜１６−４  第１の外部接続端子
１６Ａ，１７Ａ，３１Ａ，５１Ａ，５２Ａ，５６Ａ，１０６Ａ  上面
１７，５２，６４，１７−１〜１７−４  第２の外部接続端子
２１，２２，９４〜９７，１０１〜１０４  ワイヤ
２４，２５  パッド
３１，５６  外部接続端子
４５，８５  金属板
４６，８６  レジスト膜
４６Ａ，４６Ｂ，８６Ａ〜８６Ｄ  開口部
６３Ａ，６４Ａ  内面
６３Ｂ〜６６Ｂ  外面
６５，６６  ダミー用接続端子
６７，６８，７１，７２，７７，７８  突出部
８５Ａ〜８５Ｄ  凹部
９０，１４０  電子装置
９１  実装基板
９２  封止樹脂
１０６  基板本体
１０７  貫通孔
１０９Ａ〜１０９Ｈ  貫通ビア
１１１〜１１８  第１のパッド
１２１〜１２８  第２のパッド
【図１】
2007294488.tif 000003
【図２】
2007294488.tif 000004
【図３】
2007294488.tif 000005
【図４】
2007294488.tif 000006
【図５】
2007294488.tif 000007
【図６】
2007294488.tif 000008
【図７】
2007294488.tif 000009
【図８】
2007294488.tif 000010
【図９】
2007294488.tif 000011
【図１０】
2007294488.tif 000012
【図１１】
2007294488.tif 000013
【図１２】
2007294488.tif 000014
【図１３】
2007294488.tif 000015
【図１４】
2007294488.tif 000016
【図１５】
2007294488.tif 000017
【図１６】
2007294488.tif 000018
【図１７】
2007294488.tif 000019
【図１８】
2007294488.tif 000020
【図１９】
2007294488.tif 000021
【図２０】
2007294488.tif 000022
【図２１】
2007294488.tif 000023
【図２２】
2007294488.tif 000024
【図２３】
2007294488.tif 000025
【図２４】
2007294488.tif 000026
【図２５】
2007294488.tif 000027
【図２６】
2007294488.tif 000028
【図２７】
2007294488.tif 000029
【図２８】
2007294488.tif 000030
【図２９】
2007294488.tif 000031
【図３０】
2007294488.tif 000032
【図３１】
2007294488.tif 000033
【図３２】
2007294488.tif 000034
【図３３】
2007294488.tif 000035