(57)【要約】【課題】半導体発光装置において、白色光を得るために、電流制御用の抵抗をパッケージに内蔵しても、色度を精度良く合わせる。【解決手段】パッケージ２の中に、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３と、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３とそれぞれ並列に接続されるチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３とを配置する。チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３に流れる電流を制御するために抵抗値が発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の光度に対応している。それぞれ規定の電流を流したときの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の光度及び同時発光時の色度を測定する。その測定結果に基づいて、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の同時発光時に白色が発光するように、発光ダイオードＤ１，Ｄ３に流れる電流を規定の電流から増加させていき、チップ抵抗Ｒ１，Ｒ３の抵抗値を変更する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つのパッケージ内に複数の発光素子が配置されている半導体発光装置において、
それぞれの発光素子に流れる電流を制御するために抵抗値を発光素子の光度に対応させた抵抗がパッケージに内蔵されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体発光装置において、抵抗は発光素子に並列に電気的に接続されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体発光装置において、抵抗は発光素子に直列に電気的に接続されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の半導体発光装置において、発光素子からの光を所定の方向に反射させるために発光素子を囲むようにして設けられる反射板を有し、抵抗が反射板の外側に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】
請求項１又は４の半導体発光装置において、抵抗は発光素子が搭載されているリードフレームの発光素子と同じ上面側に搭載されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項６】
請求項１又は４の半導体発光装置において、抵抗は発光素子が搭載されているリードフレームの発光素子とは反対の下面側に搭載されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体発光装置において、抵抗は搭載後に抵抗値が変更可能な可変抵抗であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項８】
請求項１又は７記載の半導体発光装置において、発光素子及び抵抗を搭載後に発光素子を発光させて光度を測定することにより、抵抗の抵抗値が所定値に変更されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項９】
請求項７又は８記載の半導体発光装置において、抵抗の抵抗値を外部より変更するための孔がパッケージに設けられていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体発光装置において、発光素子の発振波長を赤、緑、青色を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１１】
請求項１又は１０記載の半導体発光装置において、それぞれの発光素子の光の混合によって所望の白色となるように発光素子に流れる電流値を抵抗によって制御することを特徴とする半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関し、より特定的には複数の発振波長の光を混合して白色光を作り出し、液晶のバックライトや照明装置に使用される半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を用いた白色光源は、例えば、液晶表示装置のバックライト、照明装置、画像読取装置などへの適用が可能である。このため、発光ダイオードを用いて高品質な白色光源を作り出す研究開発が進められている。
【０００３】
発光ダイオードにより白色光源を作る方法は、蛍光材を用いる方法と、複数の発振波長を用いる方法とに大別される。蛍光材を用いる方法では、紫外から青色の発光ダイオードの放射光を黄色、緑色および赤色等に変換する蛍光材を使用して白色を作り出す。複数の発振波長を用いる方法では、２種類または３種類以上の異なる発振波長を有する複数の発光ダイオードを点灯させて白色を作り出す。
【０００４】
しかしながら、どちらの方法においても、所望の色度および発光強度を得ることは実際には困難である。
【０００５】
前者の蛍光材を用いる方法では、紫外から青色の発光ダイオードの輝度にバラツキがあるのに加えて、蛍光材の塗布バラツキによって色度が大きく異なってくる。さらに、蛍光材を用いた白色光源がいったん製品化されると、色度の調整は事実上不可能である。
【０００６】
後者の複数の発振波長を用いる方法については、従来、様々な技術が公知となっている。たとえば、特開２００１−１４４３３２号公報（特許文献１）には、駆動電流値により発光色が変化するＬＥＤ素子において、ＬＥＤ素子を駆動するためのパルス電流の電流値が発光波長に対応して設定されるか、または、パルス電流のデューティが発光強度に対応して設定されることによって、光強度を変化させても発光色が変化しないＬＥＤ駆動方法およびＬＥＤ装置ならびにＬＥＤランプ、ＬＥＤランプ駆動方法と表示装置とが開示されている。
【０００７】
特開２００４−８６０８１号公報（特許文献２）には、複数個の発光ダイオードの発光時間を記憶する時間メモリ回路と、時間メモリ回路の記憶情報に基づいて発光ダイオードの発光時間を可変する制御部とを含み、複数個の発光素子が発光して得られる光の白色バランスを時間メモリ回路の記憶情報を書き換えることによって調整するカラー表示装置について開示されている。
【０００８】
このように、従来の技術では、発光素子ごとに流れる電流量すなわち発光強度を変化させて所望の色度を作り出し、駆動電圧のパルス幅またはデューティ比を変化させて発光強度を調整している。
【０００９】
なお、発光強度を調整することなく色度の調整だけを行なうことについては、各発振波長の発光ダイオードの点灯時間の割合を変えることによっても可能である。
【００１０】
駆動回路の一部を半導体発光装置内に搭載することについても、従来、次のような様々な技術が公知となっている。
【００１１】
電流制限用の抵抗が発光素子と直列に接続されている場合の従来例は、特開平５−３４７４３４号公報（特許文献３）に記載されている。特開平１１−２５１６４６号公報（特許文献４）においては、駆動のためのトランジスタ素子が発光素子を搭載するサブマウントに形成されていることが記載されている。また、特開２００１−２３０４４８号公報（特許文献５）では、サブマウントにＬＥＤ素子保護のためのダイオード素子が形成されている。また、特開２００５−２００３８号公報（特許文献６）においては、ツェナーダイオードをＬＥＤ素子の保護のために逆並列に電気接続することが記載されている。
【００１２】
図１０は、特許文献６に開示された、駆動回路の一部をＬＥＤ素子が搭載されたパッケージ内に内蔵する従来の半導体発光装置を示す。図１１は、この半導体発光装置の回路構成を示す。
【００１３】
図１１に示すように、この半導体発光装置において、発光素子Ｄ１０１およびツェナーダイオードＺＤは、パッケージ１０１の上面に設けられた開口１０１ａから露出し、かつ近接して配置されている。発光素子Ｄ１０１は、リードフレーム１０２上に配置されており、ボンディングワイヤ１０４を介してリードフレーム１０３に接続されている。一方、ツェナーダイオードＺＤは、両端がリードフレーム１０２，１０３上に固定されている。また、図１０に示すように、ツェナーダイオードＺＤは、発光素子Ｄ１０１と並列に電気的に接続されている。
【００１４】
特開平７−２２１４０５号公報（特許文献７）においては、半導体レーザ素子の保護のためにセラミックコンデンサの上にサブマウントを介して半導体レーザ素子が搭載されていることが記載されている。特開２００３−２７３４０４号公報（特許文献８）では、ＬＥＤパッケージの外に出たリード端子を分割して、ＬＥＤと直列になるように電流制限用素子を挿入し、それらにホルダを被せて内臓することが記載されている。
【００１５】
このように、従来技術では、静電気やサージ電流からの発光素子の保護のためにダイオードやコンデンサを発光素子と並列に電気的に接続して一つのパッケージ内に収めたり、電流制限用の抵抗を発光素子に直列に挿入して一つのパッケージ内に収めたりしている。
【特許文献１】特開２００１−１４４３３２号公報（２００１年５月２５日公開）
【特許文献２】特開２００４−８６０８１号公報（２００４年３月１８日公開）
【特許文献３】特開平５−３４７４３４号公報（１９９３年１２月２７日公開）
【特許文献４】特開平１１−２５１６４６号公報（１９９９年９月１７日公開）
【特許文献５】特開２００１−２３０４４８号公報（２００１年８月２４日公開）
【特許文献６】特開２００５−２００３８号公報（２００５年１月２０日公開）
【特許文献７】特開平７−２２１４０５号公報（１９９５年８月１８日公開）
【特許文献８】特開２００３−２７３４０４号公報（２００３年９月２６日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
白色光源を複数個並べて、液晶のバックライトや照明光源とする場合に、個々の白色光源の間にわずかな色度の違いであっても、人間の目には比較によって色の違いが大きく感じられるため、違和感を生じてしまう。そのため、白色光源の色度を可能な限り揃える必要がある。
【００１７】
従来技術による複数の発振波長で白色光源を作り出す方法では、各発光素子に流れる電流を素子毎に調整して白色を作る。しかし、ユーザ側で色度の揃った白色光源を得るためには、個別に色度を測定して個別に電流を設定した回路を用意する必要がある。実際には、電流値を制御する抵抗値を個別に変えて対応をしている。そのため、白色光源を測定あるいはランク分けしたものを購入し、回路基板上で可変の抵抗器を調整するか、ランク分けに応じた回路定数の基板にアッセンブリを行う。従って、測定と調整作業が煩雑になったり、ランク分けでは精度良く色度を合わすことができない。
【００１８】
上記のような理由で、抵抗などの駆動回路の一部を半導体発光装置のパッケージの中に内蔵したとしても、精度良く色度を合わすことができない。
【００１９】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、電流制御用の抵抗をパッケージに内蔵しても、白色光源として色度を精度良く合わせることができる半導体発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の基本の半導体発光装置は、一つのパッケージ内に複数の発光素子が配置されている半導体発光装置において、それぞれの発光素子に流れる電流を制御するために抵抗値を発光素子の光度に対応させた抵抗がパッケージに内蔵されていることを特徴としている。
【００２１】
上記の構成では、上記の抵抗がパッケージに内蔵されているので、発光素子に流れる電流が、発光素子の光度に対応した抵抗の抵抗値によって制御される。これにより、色度が精度良く合わせられるので、白色光源の色度を揃えることができる。
【００２２】
前記半導体発光装置において、抵抗は発光素子に並列に電気的に接続されていることが好ましい。これにより、発光素子で発生した熱が細い金線や熱伝導の悪い樹脂だけでなく抵抗（たとえば熱伝導の良いチップ抵抗のセラミック部）を伝わる。それゆえ、発光素子が搭載されているリード端子と反対側のリード端子にも抵抗を介して熱が伝わりやすくなるためにリード端子からの放熱効率の高いパッケージ２を得ることができる。
【００２３】
あるいは、前記半導体発光装置において、抵抗は発光素子に直列に電気的に接続されていることが好ましい。これにより、抵抗に流れる電流がそのまま発光素子に流れるため、抵抗と発光素子とが並列接続される構成に比べて、発光素子に流す電流を少なくすることができる。それゆえ、装置全体としての消費電力が小さくなる。
【００２４】
前記のいずれかの半導体発光装置において、発光素子からの光を所定の方向に反射させるために発光素子を囲むようにして設けられる反射板を有し、抵抗が反射板の外側に配置されていることが好ましい。反射板の内側に抵抗が配置されると、発光素子からの光が反射板に達するまでに抵抗によって遮られることにより、反射板で反射されなくなる。これに対し、抵抗が反射板の外側に配置されることにより、発光素子からの光が反射板に達するまでに抵抗によって遮られることがなく、反射板に達する。従って、発光素子の出射光を有効に利用することができる。
【００２５】
この半導体発光装置又は基本の半導体発光装置において、抵抗は発光素子が搭載されているリードフレームの発光素子と同じ上面側に搭載されていることが好ましい。これにより、発光素子の光度測定、及び抵抗の抵抗値の調整（たとえば後述のレーザトリミング）のための作業を半導体発光装置の同じ側からすることができる。また、半導体発光装置の外観検査も一方側からできるので容易になる。
【００２６】
あるいは、上記の半導体発光装置又は基本の半導体発光装置において、抵抗は発光素子が搭載されているリードフレームの発光素子とは反対の下面側に搭載されていることが好ましい。これにより、発光素子の光を出射させるためにパッケージに形成される開口部の位置に関係なく抵抗を配置することができる。それゆえ、開口部のサイズでパッケージの大きさが決まるので、パッケージを極力小さくして、半導体発光装置の小型化を図ることができる。
【００２７】
前記の基本の半導体発光装置において、抵抗は搭載後に抵抗値が変更可能な可変抵抗であることが好ましい。このような可変抵抗としてはレーザトリミング抵抗が利用される。これにより、抵抗をパッケージに搭載した状態で抵抗値を発光素子の光度に対応させることができる。
【００２８】
上記の半導体発光装置又は基本の半導体発光装置において、発光素子及び抵抗を搭載後に発光素子を発光させて光度を測定することにより、抵抗の抵抗値が所定値に変更されていることが好ましい。この構成では、半導体発光装置の製造過程において各発光素子の光度を測定し、白色になるように電流を調整する抵抗の抵抗値を個別に設定される。これは、すなわち、上記の半導体発光装置においては、複数の発光素子の発振波長を組み合わせによって白色が得られるように、可変抵抗の抵抗値をレーザ等によるトリミングで変更することである。
【００２９】
上記の抵抗の抵抗値が抵抗の搭載後に変更可能な半導体発光装置において、抵抗の抵抗値を外部より変更するための孔がパッケージに設けられていることが好ましい。これにより、抵抗をパッケージに内蔵していても、搭載後の抵抗の抵抗値を容易に変更することができる。従って、発光素子の電流の制御をより容易にすることができる。
【００３０】
前記の基本の半導体発光装置において、発光素子の発振波長を赤、緑、青色を含むことが好ましい。これにより、基本色の発光素子を用いて高演色の白色光源を得ることができる。
【００３１】
上記の半導体発光装置又は基本の半導体発光装置において、それぞれの発光素子の光の混合によって所望の白色となるように発光素子に流れる電流値を抵抗によって制御することが好ましい。これにより、製造時に検査する光度を用いて白色となるように個別の発光素子の光度（電流値）を抵抗の抵抗値を変化させるなどして合わせる。それゆえ、製品の完成後に改めて測定を行って回路定数を決めるという作業をなくすことができる。すなわち、ユーザにとっては一つの駆動回路を用意するだけで、どの半導体発光装置でも色度の揃った白色を得ることができる。
【発明の効果】
【００３２】
一つのパッケージにおける複数の発光素子に流れる電流を制御するために抵抗値を発光素子の光度に対応させた抵抗がパッケージに内蔵されている。これにより、色度が精度良く合わせられる。また、従来、駆動回路に使用していたような抵抗を駆動回路の一部として発光装置のパッケージに内蔵するので、駆動回路全体としては小型化が可能になる。従って、発光素子の電流を調整するために、複雑な回路や手順を用いることなく、色度の揃った白色光源を簡素な構成で容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本発明の一実施形態について図１ないし図８に基づいて説明すると、以下の通りである。
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００３５】
［実施の形態１］
図１は、本実施の形態に係る半導体発光装置１の構造を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。図３は、半導体発光装置１の内部構造を示す平面図である。      
【００３６】
なお、図３は、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３及びチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の配置位置が図１と異なる別の構造を示している。しかしながら、図３に示す構造は、リードフレーム３〜８上における発光ダイオードＤ１〜Ｄ３及びチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の相互の配置関係について図１に示す構造と同じである。
【００３７】
図１及び図２に示すように、半導体発光装置１は、パッケージ２と、リードフレーム３〜８と、ボンディングワイヤ９と、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３と、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３とを備えている。
【００３８】
リードフレーム３〜８は、それぞれの端部を外部に露出するようにパッケージ２内に装入されている。また、リードフレーム３〜５は、パッケージ２の一方の側端部に等間隔をおいて配置されている。一方、リードフレーム６〜８は、パッケージ２の他方の側端部に等間隔をおいて配置されている。
【００３９】
パッケージ２は、樹脂によって形成されており、上面の中央部分に円孔の壁面として形成された反射板２ａが設けられるとともに、反射板２ａの周囲に長孔２ｂ〜２ｄが設けられている。反射板２ａは、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３からの光を反射して所定方向に導くために、リードフレーム３〜８側からパッケージ２の上端面にかけて広くなるテーパー状に形成されている。これにより、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３からの光は大きく発散せず、光量が低下することはない。
【００４０】
発光素子としての発光ダイオードＤ１〜Ｄ３は、発光部を上方に向けて反射板２ａから露出するように配置されており、それぞれのカソード部でリードフレーム３，５，４の上端面に固定されている。また、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のアノード部は、それぞれリードフレーム６，８，７に金線などのボンディングワイヤ９を介して接続されている。これらの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３は、それぞれ赤色、緑色及び青色の発振波長を持つ。
【００４１】
なお、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のアノード及びカソードは、使用する発光ダイオードによっては極性が逆となる場合があるので、そのような発光ダイオードを用いれば、上記のアノード部とカソード部とが逆になる。
【００４２】
チップ抵抗Ｒ１の両端部は、リードフレーム３，６の上端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ２の両端部は、リードフレーム５，８の上端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ３の両端部は、リードフレーム４，７の上端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ長孔２ｂ〜２ｄから露出するように配置されている。このように、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３を取り囲んでいる反射板２ａの外側に配置されている。反射板２ａの内側にチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３が配置されると、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３からの一部の光が反射板２ａに達するまでに抵抗Ｒ１〜Ｒ３によって遮られることにより、反射板２ａで反射されなくなる。これに対し、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３が反射板の外側に配置されることにより、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３からの光が反射板２ａに達するまでの光路上に障害物がないので、その光は全て反射板２ａに達する。従って、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３素子の出射光を有効に利用することができる。
【００４３】
可変抵抗としてのチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、抵抗値を固定の所定値に変更することができる抵抗であり、例えばトリマブルチップ抵抗器が用いられる。トリマブルチップ抵抗器は、特開平３−１２９５８号公報に開示されているように、集光されたレーザ光を照射することにより抵抗膜が焼き切られて、トリミングパターンを作り変えることによって抵抗値が変わる。半導体発光装置１においては、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３のそれぞれに、長孔２ｂ〜２ｄを介してトリミングのためのレーザ光を照射する。
【００４４】
図４は、半導体発光装置１における製造工程の一部を示している。
【００４５】
図４に示すように、先ず、リードフレーム３〜８がパッケージ２に組み込まれた状態で、パッケージ２内に可変抵抗としてのチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３を搭載する（Ｓ１）。次いで、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３をパッケージ２内に搭載して、ボンディングワイヤ９によってワイヤボンディングを行う（Ｓ２）。更に、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３が露出する発光部としての円孔２ａを透明の封止樹脂で覆い、この封止樹脂を硬化させる（Ｓ３）
次いで、それぞれの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３に規定の電流（例えば、赤色の発光ダイオードＤ１に２２ｍＡ，緑色の発光ダイオードＤ２に３５ｍＡ，青色の発光ダイオードＤ３に１３ｍＡ）を流す（Ｓ４）。このときの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のそれぞれの光度及び同時発光時の色度を測定して、色度座標（ｘ，ｙ）を求める（Ｓ５）。ｙの値に基づいて、青色の発光ダイオードＤ３に接続されるチップ抵抗Ｒ３の抵抗値を変更する（Ｓ６）。続いて、ｘの値に基づいて、赤色の発光ダイオードＤ１に接続されるチップ抵抗Ｒ１の抵抗値を変更する（Ｓ７）。
【００４６】
赤色の発光ダイオードＤ１の光量を増加させればｘの値が大きくなり、青色の発光ダイオードＤ３の光量を増加させればｙの値が大きくなるという関係がある。また、ｙの値を調整するとｘの値が大きく変動する一方、ｘの値を調整してもｙの値は大きく変動しない。このため、上記のように、チップ抵抗Ｒ３の抵抗値を変更してｙの値を調整し、それに続いて、チップ抵抗Ｒ１の抵抗値を変更してｘの値を調整する。
【００４７】
上記の抵抗値の変更においては、発光ダイオードＤ１，Ｄ３に流れる電流を規定の電流から増加させていく。これは、次の理由による。トリマブルチップ抵抗器は、抵抗値を増加させる方向にしか調整できない。このため、チップ抵抗Ｒ１，Ｒ３がそれぞれ発光ダイオードＤ１，Ｄ３と並列に電気的に接続されている状態では、発光ダイオードＤ１，Ｄ３に流れる電流を増加させる方向にしか調整できない。従って、発光ダイオードＤ１，Ｄ３に流れる規定の電流は調整完了時の電流よりも小さくする必要がある。また、一般に緑色の発光ダイオードＤ２の光度が低いので、白色としての光度は緑色の光度に依存する。そのため、緑色の発光ダイオードＤ２には一定の電流を流して、赤色の発光ダイオードＤ１又は青色の発光ダイオードＤ３の光度で色度を調整することができる。その場合には、緑色の発光ダイオードＤ２の電流を制御する抵抗器は不要になる。
【００４８】
上記のようにして、チップ抵抗Ｒ１，Ｒ３の抵抗値を変えた後に、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の同時発光時の色度を測定して、色度座標（ｘ，ｙ）を判定する（Ｓ８）。
【００４９】
このようにして、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３を同時発光時に白色が発光するように、チップ抵抗Ｒ１，Ｒ３の抵抗値が変更（調整）されることによって、半導体発光装置１が完成する。
【００５０】
図５は、半導体発光装置１の使用例を示している。
【００５１】
図５に示すように、発光ダイオードＤ１およびチップ抵抗Ｒ１は並列に接続され、発光ダイオードＤ２およびチップ抵抗Ｒ２は並列に接続され、発光ダイオードＤ３およびチップ抵抗Ｒ３は並列に接続されている。発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のカソードはＧＮＤに接続され、アノードはそれぞれ半導体発光装置１の外部に設けられる抵抗Ｒ４〜Ｒ６を介して電源電圧Ｖｃｃが印加される。抵抗Ｒ４〜Ｒ６は、電源電圧Ｖｃｃを発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の順方向電圧にまで降下させるために設けられている。
【００５２】
このような構成においては、電源電圧Ｖｃｃが発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の順方向電圧に比べて十分高いと、それぞれの順方向電圧にばらつきがあっても、ほぼ一定の電流をそれぞれの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の端子に流すことができる。その端子に流れ込む電流の一部が白色になるように調整されたチップ抵抗Ｒ１，Ｒ３抵抗に流れ込む。そのため、半導体発光装置１が図４に示すような回路に接続されると、半導体発光装置１に合わせて外部の抵抗Ｒ４〜Ｒ６の値を変更することなく白色が得られることになる。
【００５３】
また、上記の構成においては、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３がそれぞれ発光ダイオードＤ１〜Ｄ３と並列に接続されている。これにより、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のそれぞれで発生した熱が細い金線（ボンディングワイヤ９）や熱伝導の悪い樹脂（パッケージ２）だけでなく、熱伝導の良いチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３のセラミック部を伝わる。この結果、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３が搭載されているリードフレーム３，５，４と反対側のリードフレーム６，８，７にも熱が伝わりやすくなる。従って、リードフレーム３〜８からの放熱性の高いパッケージ２を得ることができる。
【００５４】
また、半導体発光装置１において、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３が搭載されているリードフレーム３〜８の上面側に搭載されている。これにより、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の光度測定、及びチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値の調整（前述のレーザトリミング）のための作業を半導体発光装置１の同じ側からすることができる。また、半導体発光装置１の外観検査も一方側からできるので容易になる。
【００５５】
［実施の形態２］
図６乃至図８に基づいて本発明の他の実施の形態について説明する。尚、実施の形態１の半導体発光装置１における構成要素と同等の構成要素においては、同一の符号を付記する。
【００５６】
図６は、本実施の形態に係る半導体発光装置１１の構造を示す平面図である。図７は、半導体発光装置１１の断面図である。図８は、半導体発光装置１１の下面図である。
【００５７】
なお、図８は、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３及びチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の配置位置が図１と完全には一致していない別の構造を示している。しかしながら、図８に示す構造は、リードフレーム３〜８上における発光ダイオードＤ１〜Ｄ３及びチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の相互の配置関係について図３に示す構造と同じである。
【００５８】
また、図７は、図６の半導体発光装置１１のＢ−Ｂ線矢視断面図であるが、Ｂ−Ｂ線状にはチップ抵抗Ｒ２が存在しない。しかしながら、後述するように、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３がパッケージ１２の下面側に配置されていることを分かりやすくするため、図７では、便宜上チップ抵抗Ｒ２を図示している。
【００５９】
図６乃至図７に示すように、この半導体発光装置１１において、パッケージ１２は、樹脂によって形成されており、上面の中央部分に円孔の壁面として形成された反射板１２ａが設けられるとともに、下面に長孔１２ｂ〜１２ｄが設けられている。
【００６０】
発光素子としての発光ダイオードＤ１〜Ｄ３は、発光部を上方に向けて反射板１２ａから露出するように配置されており、それぞれのカソード部でリードフレーム３〜５の上端面に固定されている。また、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のアノード部は、それぞれリードフレーム３，５，７にボンディングワイヤ９を介して接続されている。
【００６１】
また、この半導体発光装置１１において、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の配置が前述の半導体発光装置１と異なっている。具体的には、チップ抵抗Ｒ１の両端部は、リードフレーム３，６の下端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ２の両端部は、リードフレーム５，８の下端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ３の両端部は、リードフレーム４，７の下端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ長孔１２ｂ〜１２ｄから露出するように配置されている。半導体発光装置１１においては、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３のそれぞれに、長孔１２ｂ〜１２ｄを介してトリミングのためのレーザ光を照射する。
【００６２】
このように、本実施形態では、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３がリードフレーム３〜８において、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３が配置される側と反対側に配置される。これにより、長孔１２ｂ〜１２ｄを反射板１２ａの配置位置に関係なく設けることができる。それゆえ、反射板１２ａの位置に関わらず、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の搭載位置を決定することができる。従って、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の配置の自由度が大きくなるため、半導体発光装置１１のより小型化が可能となる。
【００６３】
［実施の形態３］
図９に基づいて本発明の更に他の実施の形態について説明する。尚、本実施の形態において、実施の形態１の半導体発光装置２１における構成要素と同等の構成要素については、同一の符号を付記する。
【００６４】
図９は、本実施の形態に係る半導体発光装置２１の構成を示す回路図である。
【００６５】
図９に示すように、半導体発光装置２１において、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のそれぞれに直列に接続されている。
また、図５に示す前述の抵抗Ｒ４〜Ｒ６は、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３のそれぞれに並列に接続されて抵抗対を形成している。
【００６６】
上記の構成では、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３は、それぞれ上記の抵抗対に直列に電気的に接続されている。これにより、各抵抗対に流れる電流がそのまま発光ダイオードＤ１〜Ｄ３に流れるため、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３と発光ダイオードＤ１〜Ｄ３とが並列接続される半導体発光装置１のように電流がそれぞれに流れることがなく、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３に流す電流を少なくすることができる。それゆえ、装置全体としての消費電力が小さくなる。
【００６７】
また、それぞれの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３にそれぞれ抵抗を２個並列接続し、そのうちの一つを可変なチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３としている。これにより、抵抗での消費電力が分散する。この結果、赤色の発光ダイオードＤ１及び青色の発光ダイオードＤ３のように順方向電圧が大きく異なる場合でも、抵抗Ｒ４や抵抗Ｒ６の抵抗値を適切に設定することにより、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の変更後の抵抗値の差を小さくすることができる。従って、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３として用いる可変抵抗器を可変抵抗値範囲が同一の一種類に統一することができる。
【００６８】
なお、以上のように開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明の半導体発光装置は、電流制御用の抵抗をパッケージの中に内蔵しても、色度を精度良く合わせることができるので、液晶のバックライトや証明装置として違和感のない白色光源に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の構造を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図３】上記半導体発光装置におけるリードフレーム上の発光ダイオード及びチップ抵抗の配置を示す平面図である。
【図４】上記半導体発光装置の製造工程の一部を示すフロー図である。
【図５】上記半導体発光装置と外部の抵抗との接続構成を示す回路図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る半導体発光装置の構造を示す平面図である。
【図７】図６の半導体発光装置のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図８】図６の半導体発光装置の構造を示す下面図である。
【図９】本発明の更に他の実施形態に係る半導体発光装置の構成を示す回路図である。
【図１０】従来の半導体発光装置の構造を示す平面図である。
【図１１】図１０の半導体発光装置の回路構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００７１】
１，１１，２１  半導体発光装置
２，１２        パッケージ
２ａ            反射板
２ｂ〜２ｄ      長孔
３〜８            リードフレーム
１２ｂ〜１２ｄ    長孔
Ｄ１〜Ｄ３        発光ダイオード（発光素子）
Ｒ１〜Ｒ３        チップ抵抗
Ｒ４〜Ｒ６        抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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