(57)【要約】【課題】基板上のパーティクルを適切に除去することができるとともに、洗浄後の基板を十分に乾燥することができる技術を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、チャンバー１０の内部に、半導体ウェハーＷを支持する支持部２１、支持部２１を回転させる回転駆動部２５、回転する半導体ウェハーＷに純水を吐出する吐出ノズル３１、回転する半導体ウェハーＷから飛散した液を回収するカップ２９、半導体ウェハーＷに向けてフラッシュランプ４９から閃光を照射する閃光照射部４０、および、石英窓５０を備える。支持部２１に半導体ウェハーＷを保持して水平面内にて回転させつつ吐出ノズル３１からその主面に純水を吐出する。このときにフラッシュランプ４９から１回目の閃光照射を行う。続いて、純水供給を停止し、半導体ウェハーＷの回転は継続した状態にてフラッシュランプ４９から２回目の閃光照射を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を洗浄した後に乾燥させる基板処理装置であって、
基板を略水平姿勢にて支持する支持部と、
前記支持部を略鉛直方向に沿った軸のまわりに回転させる回転駆動部と、
前記支持部に支持された基板の主面に洗浄液を吐出する洗浄液吐出部と、
フラッシュランプを備え、前記支持部に支持された基板の主面に向けて閃光を照射する閃光照射部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記閃光照射部から閃光を照射するタイミングを制御する照射制御部をさらに備え、
前記照射制御部は、前記支持部に支持されて回転される基板の主面に前記洗浄液吐出部から洗浄液を吐出している間に閃光照射を行うとともに、前記洗浄液吐出部からの洗浄液吐出を停止した後にも閃光照射を行うように前記閃光照射部を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記照射制御部は、前記洗浄液吐出部からの洗浄液吐出を停止した後に前記基板上の洗浄液の膜厚が所定範囲となった時点で閃光照射を行うように前記閃光照射部を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板を洗浄した後に乾燥させる基板処理方法であって、
基板を略水平面内にて回転させる回転工程と、
回転する基板の主面に洗浄液を吐出する吐出工程と、
回転されつつ洗浄液が吐出されている基板の主面にフラッシュランプからの閃光を照射する第１閃光照射工程と、
洗浄液の吐出を停止した状態にて基板を回転させて前記主面に残留する洗浄液を振り切る乾燥工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
請求項４記載の基板処理方法において、
洗浄液の吐出を停止した後に、基板の主面にフラッシュランプからの閃光を照射する第２閃光照射工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
請求項５記載の基板処理方法において、
前記第２閃光照射工程は、基板の主面への洗浄液吐出を停止した後に前記基板上の洗浄液の膜厚が所定範囲となった時点で実行されることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）を純水等の洗浄液によって洗浄した後に乾燥する基板処理技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板洗浄技術の一つとして、超音波振動子によって超音波振動が付与された洗浄液を基板に供給する超音波洗浄技術が知られている。例えば、特許文献１には、超音波振動子から超音波振動が付与された洗浄液を細長いスリット形状の供給口を有するノズルから基板に供給して洗浄処理を行うとともに、その後洗浄液の供給を停止して基板の回転を継続し、残留する洗浄液を遠心力によって振り切り乾燥する技術が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−３３３９００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような超音波を利用した超音波洗浄においては、数ＭＨｚ程度のメガヘルツ帯の超音波振動が洗浄液に付与されることが多いが、基板上の微小なパーティクルをより効果的に除去するためには、さらに高い周波数の超音波を洗浄液に付与する必要がある。しかしながら、周波数の高い超音波を使用する場合には、相当に大きなエネルギーを超音波振動子に供給したとしても超音波の振幅が小さくなり、基板上の微小パーティクルを十分に除去できないという問題が生じる。
【０００５】
また、基板回転の遠心力によって洗浄液を振り切る従来の振り切り乾燥では、目視可能な程度の液滴は除去できるものの、近年の微細パターンに入り込んだ微量水分をも完全に除去することはできない。このような微細パターンに入り込んだ微量水分は、水分子間の力によってパターンを倒壊させるという問題を生じる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板上のパーティクルを適切に除去することができる技術を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は、洗浄後の基板を十分に乾燥することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を洗浄した後に乾燥させる基板処理装置であって、基板を略水平姿勢にて支持する支持部と、前記支持部を略鉛直方向に沿った軸のまわりに回転させる回転駆動部と、前記支持部に支持された基板の主面に洗浄液を吐出する洗浄液吐出部と、フラッシュランプを備え、前記支持部に支持された基板の主面に向けて閃光を照射する閃光照射部と、を備える。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記閃光照射部から閃光を照射するタイミングを制御する照射制御部をさらに備え、前記照射制御部に、前記支持部に支持されて回転される基板の主面に前記洗浄液吐出部から洗浄液を吐出している間に閃光照射を行うとともに、前記洗浄液吐出部からの洗浄液吐出を停止した後にも閃光照射を行うように前記閃光照射部を制御させる。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記照射制御部に、前記洗浄液吐出部からの洗浄液吐出を停止した後に前記基板上の洗浄液の膜厚が所定範囲となった時点で閃光照射を行うように前記閃光照射部を制御させる。
【００１１】
また、請求項４の発明は、基板を洗浄した後に乾燥させる基板処理方法であって、基板を略水平面内にて回転させる回転工程と、回転する基板の主面に洗浄液を吐出する吐出工程と、回転されつつ洗浄液が吐出されている基板の主面にフラッシュランプからの閃光を照射する第１閃光照射工程と、洗浄液の吐出を停止した状態にて基板を回転させて前記主面に残留する洗浄液を振り切る乾燥工程と、を備える。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る基板処理方法において、洗浄液の吐出を停止した後に、基板の主面にフラッシュランプからの閃光を照射する第２閃光照射工程をさらに備える。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る基板処理方法において、前記第２閃光照射工程を、基板の主面への洗浄液吐出を停止した後に前記基板上の洗浄液の膜厚が所定範囲となった時点で実行する。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１の発明によれば、基板を略水平姿勢にて支持する支持部と、該支持部を略鉛直方向に沿った軸のまわりに回転させる回転駆動部と、該支持部に支持された基板の主面に洗浄液を吐出する洗浄液吐出部と、フラッシュランプを備え、該支持部に支持された基板の主面に向けて閃光を照射する閃光照射部と、を備えるため、回転されつつ洗浄液が吐出されている基板の主面に閃光を照射することと、洗浄液に吐出を停止した後にも回転を続ける基板の主面に閃光を照射することとができ、基板上のパーティクルを適切に除去することができるとともに、洗浄後の基板を十分に乾燥することができる。
【００１５】
また、請求項２の発明によれば、支持部に支持されて回転される基板の主面に洗浄液吐出部から洗浄液を吐出している間に閃光照射を行うとともに、洗浄液吐出部からの洗浄液吐出を停止した後にも閃光照射を行うため、基板上のパーティクルを適切に除去することができるとともに、洗浄後の基板を十分に乾燥することができる。
【００１６】
また、請求項３の発明によれば、洗浄液吐出部からの洗浄液吐出を停止した後に基板上の洗浄液の膜厚が所定範囲となった時点で閃光照射を行うため、微細なパターン形成がなされた基板であっても確実に乾燥することができる。
【００１７】
また、請求項４の発明によれば、基板を略水平面内にて回転させる回転工程と、回転する基板の主面に洗浄液を吐出する吐出工程と、回転されつつ洗浄液が吐出されている基板の主面にフラッシュランプからの閃光を照射する第１閃光照射工程と、洗浄液の吐出を停止した状態にて基板を回転させて主面に残留する洗浄液を振り切る乾燥工程と、を備えるため、洗浄処理中に基板上のパーティクルを適切に除去することができる。
【００１８】
また、請求項５の発明によれば、洗浄液の吐出を停止した後に、基板の主面にフラッシュランプからの閃光を照射する第２閃光照射工程をさらに備えるため、請求項４の発明の効果に加えて洗浄後の基板を十分に乾燥することができる。
【００１９】
また、請求項６の発明によれば、第２閃光照射工程を、基板の主面への洗浄液吐出を停止した後に前記基板上の洗浄液の膜厚が所定範囲となった時点で実行するため、微細なパターン形成がなされた基板であっても確実に乾燥することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明に係る基板処理装置１の構成を示す図である。基板処理装置１は、基板としての半導体ウェハーＷを回転させつつ洗浄液として純水を供給して洗浄処理を実行した後、該基板の乾燥処理を実行する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置１は、チャンバー１０の内部に、半導体ウェハーＷを支持する支持部２１、支持部２１を回転させる回転駆動部２５、回転する半導体ウェハーＷに純水を吐出する吐出ノズル３１、回転する半導体ウェハーＷから飛散した液を回収するカップ２９、半導体ウェハーＷに向けて閃光を照射する閃光照射部４０、および、石英窓５０を備えて構成される。
【００２２】
チャンバー１０は略円筒形状の筐体であって、閃光照射に対して優れた耐久性を有するアルミニウム（またはアルミニウム合金）等によって形成されている。なお、チャンバー１０の材質としては、アルミニウムに代えてニッケル（またはニッケル合金）を使用するようにしても良い。
【００２３】
支持部２１はいわゆる真空吸着チャックであり、例えばＳｉＣのようなセラミックスによって略円盤形状に形成されている。支持部２１は、例えば電動モータ等の回転駆動部２５の駆動によって鉛直方向に沿った軸心まわりで回転する回転軸２２の上端に一体回転可能に取り付けられている。また、支持部２１は、中空の回転軸２２を介して例えば真空ポンプ等の真空吸引手段と連通されている。
【００２４】
支持部２１の上面に半導体ウェハーＷを載置し、上記真空吸引手段からの負圧を支持部２１の上面から半導体ウェハーＷの裏面に作用させることによって、支持部２１は該半導体ウェハーＷを略水平姿勢にて真空吸着支持する。この状態にて、回転駆動部２５が回転軸２２を回転駆動させることにより、支持部２１およびそれに支持された半導体ウェハーＷが略鉛直方向に沿った軸のまわりで回転する。
【００２５】
支持部２１の上方には吐出ノズル３１が設置されている。吐出ノズル３１は、閃光を透過する材料、例えば石英によって構成されている。吐出ノズル３１はチャンバー１０の側壁を貫通して設けられており、その基端部は開閉バルブ３２を介して純水供給源３３と連通接続されている。開閉バルブ３２を開放することによって純水供給源３３から送給された純水が吐出ノズル３１から支持部２１に支持された半導体ウェハーＷの主面に吐出される。
【００２６】
カップ２９は、支持部２１によって吸着支持された半導体ウェハーＷの周囲を囲むように囲繞する。カップ２９も耐閃光特性に優れたアルミニウム合金等によって形成されている。カップ２９は、回転する半導体ウェハーＷから飛散した液体（ここでは洗浄後の水）を回収して下部の排液口２９ａへと導く。排液口２９ａから流出した排液はそのまま工場の廃液ラインに排出されたり、或いは回収して再利用するための回収ラインに導かれる。
【００２７】
閃光照射部４０は、複数（本実施の形態においては１７本）のキセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」という）４９およびリフレクタ４２を有する光源である。複数のフラッシュランプ４９は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が支持部２１に支持される半導体ウェハーＷの主面に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。リフレクタ４２は、複数のフラッシュランプ４９の上方にそれら全体を覆うように設けられ、その表面はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。石英窓５０は、石英製の円盤状部材であって閃光照射部４０から出射された閃光を支持部２１に支持された半導体ウェハーＷの主面に向けて透過する。なお、本実施形態においては、チャンバー１０内部の上方位置に閃光照射部４０を一体的に組み込んでいるが、石英窓５０よりも上方の閃光照射部４０を別ユニットとしてチャンバー１０に対して相対的に移動可能に設けるようにしても良い。
【００２８】
各キセノンフラッシュランプ４９は、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設されたガラス管と、該ガラス管の外周面上に巻回されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのジュール熱でキセノンガスが加熱されて光が放出される。このキセノンフラッシュランプ４９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。
【００２９】
また、基板処理装置１は装置各部の動作を制御するユニットコントローラとして制御部５を備える。制御部５のハードウェア構成は一般的なコンピュータと同じである。制御部５は、上述した開閉バルブ３２、回転駆動部２５およびフラッシュランプ４９に電力供給を行うパワーユニット等の動作を制御する。制御部５が当該パワーユニットを制御することによって、閃光照射部４０から閃光を照射するタイミングを制御することができる。
【００３０】
さらに、基板処理装置１は、上述した構成の他に、チャンバー１０に対して半導体ウェハーＷを搬出入するための開口部、当該開口部を開閉するシャッター機構、カップ２９を昇降させる昇降駆動機構、チャンバー１０に窒素ガス等のプロセスガスを供給するガス供給機構、チャンバー１０内の雰囲気ガスを排気する排気機構、チャンバー１０の過剰な温度上昇を抑制するための冷却機構（いずれも図示省略）等を備えている。
【００３１】
次に、基板処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。図２は、基板処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順を示すフローチャートである。また、図３は、基板処理装置１における半導体ウェハーＷの処理の進行と基板回転数、純水吐出流量および照射光量との相関を示す図である。なお、以下に示す処理手順は制御部５が基板処理装置１の各機構部を制御することによって進行するものである。
【００３２】
まず、ステップＳ１にて、外部の搬送ロボットが半導体ウェハーＷをチャンバー１０内に搬入し、支持部２１上に載置する。そして、支持部２１は半導体ウェハーＷを略水平姿勢にて吸着支持する。なお、半導体ウェハーＷをチャンバー１０内に搬入するときには、図示を省略するチャンバー１０の開口が開放されるとともに、カップ２９が下降されてその上端が支持部２１よりも下方に位置する。
【００３３】
次に、上記チャンバー１０の開口が閉鎖されるとともに、カップ２９が支持部２１に支持された半導体ウェハーＷの周囲を囲繞する位置にまで上昇した後、時刻ｔ１に回転駆動部２５によって半導体ウェハーＷの回転が開始される（ステップＳ２）。半導体ウェハーＷは略水平面内にて回転され、回転数Ｒ１となるまで回転速度が上昇する。
【００３４】
やがて、半導体ウェハーＷの回転数がＲ１に到達した後、時刻ｔ２に吐出ノズル３１から純水吐出が開始される（ステップＳ３）。吐出ノズル３１からは、支持部２１に支持されて回転する半導体ウェハーＷの主面上の回転中心近傍に吐出流量Ｆ１にて純水が吐出される。吐出ノズル３１から供給された純水は回転に伴う遠心力によって半導体ウェハーＷの中心近傍から周縁部へと向かうように流れ、半導体ウェハーＷの端縁部から飛散する。飛散した使用済みの水はカップ２９によって受け止められ、排液口２９ａから排出される。吐出流量Ｆ１は、着液した純水が半導体ウェハーＷの主面上に薄い水膜を形成しつつ、回転中心から周縁部に向けて渦状に流れる程度の流量である。
【００３５】
半導体ウェハーＷを回転数Ｒ１にて回転させつつ、その主面に吐出流量Ｆ１にて純水を吐出している工程中の時刻ｔ３に閃光照射部４０から閃光照射を行う（ステップＳ４）。このとき、閃光照射部４０のフラッシュランプ４９から出射される閃光の一部は直接に石英窓５０を透過して下方へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ４２により反射されてから石英窓５０を透過して下方へと向かう。そして、フラッシュランプ４９から出射されて石英窓５０を透過した閃光は、回転されつつ純水が吐出されている半導体ウェハーＷの主面に照射される。なお、吐出ノズル３１は石英製であるため、フラッシュランプ４９からの閃光は吐出ノズル３１を透過する。よって、吐出ノズル３１が閃光を吸収して昇温することは無く、また、閃光照射時に吐出ノズル３１が半導体ウェハーＷの主面上に影を形成することも無い。
【００３６】
閃光照射部４０のフラッシュランプ４９から照射される光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリ秒ないし１０ミリ秒程度の極めて短く強い閃光である。ステップＳ４において閃光照射部４０から照射される閃光の光量Ｌ１は、黒体カロリーメータ換算（黒体にて閃光を受光したときに該黒体が吸収するエネルギー）で１Ｊ／ｃｍ2〜３０Ｊ／ｃｍ2に相当するものであり、上記ステップＳ３にて半導体ウェハーＷ上に形成される水膜の膜厚に応じて設定される。
【００３７】
吐出された純水が水膜を形成しつつ回転中心から周縁部に向けて渦状に流れている状態の半導体ウェハーＷに、このような強い閃光を照射すると、以下のような３つの現象が生じる。まず、高エネルギーの閃光は透過する気体を急激に膨張させて衝撃波を生じせしめる。基板処理装置１においては、チャンバー１０内の石英窓５０よりも下方の空間に衝撃波が発生することとなる。この衝撃波が半導体ウェハーＷの主面上に形成されていた水膜に衝突してこれを瞬間的に急激に飛散させることにより、該主面に付着していたパーティクルが除去される。
【００３８】
また、半導体ウェハーＷの主面上を純水が渦状に流れると水膜に凹凸が生じる。このような凹凸を有する水膜にフラッシュランプ４９からの閃光が入射すると、凹凸のレンズ効果によって閃光が水膜中の特定点に集光し、その特定点近傍において純水が急激に沸騰して一気に蒸発しようとして水膜中に衝撃波が発生することとなる。この衝撃波によっても半導体ウェハーＷの主面に付着していたパーティクルが剥離除去される。
【００３９】
さらに、半導体ウェハーＷの方が純水よりも閃光の吸収率が大きいため、閃光照射時には半導体ウェハーＷの主面の方が水膜よりも急激に昇温することとなる。その結果、半導体ウェハーＷと水膜との界面において純水が沸騰してキャビテーションが発生し、微小気泡が消滅するときに超音波が生じる。この超音波によっても半導体ウェハーＷの主面に付着していたパーティクルが剥離除去されることとなる。
【００４０】
以上のような３つの作用によって半導体ウェハーＷの主面に付着していたパーティクルが適切に除去される。なお、時間的順序としては、まずレンズ効果による閃光の集光に起因した衝撃波およびキャビテーションに起因した超音波が半導体ウェハーＷの主面からパーティクルを剥離させるように作用した後、チャンバー１０内の気体膨張による衝撃波が半導体ウェハーＷの主面に到達して遊離したパーティクルを水膜ごと吹き飛ばすこととなる。
【００４１】
閃光照射部４０からの一回目の閃光照射が完了した後、時刻ｔ４に吐出ノズル３１からの純水吐出が停止される（ステップＳ５）。これにより、基板処理装置１における半導体ウェハーＷの洗浄処理は終了する。なお、一回目の閃光照射終了後、純水吐出を停止するまでの間に、半導体ウェハーＷの主面には再び上記と同様の水膜が形成される。
【００４２】
純水吐出を停止した後も半導体ウェハーＷは暫時回転数Ｒ１にて回転を続けるため、主面上に形成されていた水膜は半導体ウェハーＷの端縁部から遠心力により純水が飛散することによって次第に薄くなる。すなわち、純水吐出を停止した状態にて半導体ウェハーＷを回転させることによってその主面に残留する純水を遠心力によって振り切って除去するいわゆる振り切り乾燥処理に移行することとなる。そのまま振り切り乾燥処理を継続すると、やがて上記水膜が消滅して目視可能な程度の水分はほぼ完全に除去されるものの、微視的に見れば主面上に形成された微細パターンに入り込んだ微量水分までは完全に除去されない。このような微量水分がパターン倒壊の原因となることは既述した通りである。
【００４３】
そこで、吐出ノズル３１からの純水吐出を停止した後、半導体ウェハーＷの回転を続けて振り切り乾燥処理を行い、半導体ウェハーＷの主面上に形成された水膜の膜厚が所定範囲となった時点（時刻ｔ５）で閃光照射を行うように制御部５が閃光照射部４０のパワーユニットを制御する（ステップＳ６）。ステップＳ６において閃光照射部４０から照射される閃光の光量Ｌ２は、黒体カロリーメータ換算で１Ｊ／ｃｍ2〜２０Ｊ／ｃｍ2に相当するものであり、ステップＳ４に照射される閃光の光量Ｌ２よりは少ない。なお、光量Ｌ１よりも光量Ｌ２の方が少ないのは、洗浄処理時の閃光照射（ステップＳ４）は半導体ウェハーＷの主面上に比較的厚い水膜が形成された状態にて実行されるのに対して、乾燥処理時の閃光照射（ステップＳ６）は該水膜がある程度薄くなった後に実行されるものだからである。
【００４４】
振り切り乾燥処理中に主面上の水膜がある程度薄くなった時点で半導体ウェハーＷに強い閃光を照射すると、半導体ウェハーＷの主面が急激に昇温して当該主面と水膜との界面において純水が瞬間的に沸騰する。通常、半導体ウェハーＷの主面と水膜との界面では水分子間の力がパターンに作用していてそれが微細パターン中に微量水分が残留する原因となるのであるが、このような瞬間的な沸騰現象が生じると水分子間の力が主面に作用しなくなり、半導体ウェハーＷの回転に伴う遠心力によって一気に水膜が飛散消滅することとなる。このようにすれば主面上の微細パターン中にも微量水分が残留することなく完全な乾燥が行われることとなり、その結果微細パターンに入り込んだ微量水分の水分子間の力に起因したパターン倒壊を防止することができる。
【００４５】
半導体ウェハーＷの主面上に形成された水膜の膜厚が所定範囲となった時点で確実に閃光照射を行うために、例えば予め純水吐出停止後の水膜膜厚変化パターンを実験やシミュレーションによって求めておいてそれをテーブルとして制御部５に持たせ、該テーブルに基づいて閃光照射のタイミングを決定するようにすれば良い。また、基板処理装置１に公知の光学手法を用いた膜厚測定器を備え、その測定結果に基づいて閃光照射のタイミングを決定するようにしても良い。なお、膜厚測定器を設けるときには、測定器が閃光を直接受光したり半導体ウェハーＷ上に影をつくらないように、例えば投光器をチャンバー１０の側壁の一方側に設け、該側壁の他方側であって前記投光器からの光の反射光を受光できる位置に受光器を設けるようにする。
【００４６】
閃光照射部４０からの二回目の閃光照射が完了した後、時刻ｔ６に半導体ウェハーＷの回転が停止する（ステップＳ７）。これにより、基板処理装置１における半導体ウェハーＷの乾燥処理は終了する。
【００４７】
その後、処理済みの半導体ウェハーＷが搬送ロボットによってチャンバー１０から搬出されることにより、一連の洗浄処理および乾燥処理が完了する。
【００４８】
このように、本実施形態の基板処理装置１においては、回転する半導体ウェハーＷの主面に純水を吐出して洗浄する装置にフラッシュランプ４９を有する閃光照射部４０を備えることにより、半導体ウェハーＷの主面に付着したパーティクルを適切に除去することができるとともに、その洗浄処理後の半導体ウェハーＷを十分に乾燥することもできる。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、閃光照射部４０に１７本のフラッシュランプ４９を備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプ４９の本数は任意の数とすることができる。
【００５０】
また、フラッシュランプ４９はキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。
【００５１】
また、洗浄処理および乾燥処理を行う工程において、チャンバー１０内に窒素ガス等の不活性ガスを供給するようにしても良い。
【００５２】
また、洗浄液としては純水に限定されるものではなく、例えば、オゾン水、水素水、炭酸水等の公知の洗浄液を使用することができる。
【００５３】
また、上記実施形態においては、共通のチャンバー１０内において洗浄処理および乾燥処理を行っていたが、これを異なるチャンバーにて行うようにしても良い。すなわち、洗浄用チャンバーと乾燥用チャンバーのそれぞれに専用の閃光照射部を設け、洗浄用チャンバーにて閃光照射を利用した洗浄処理の終了した半導体ウェハーＷを乾燥用チャンバーに搬送して閃光照射を使用した乾燥処理を行うようにする。なお、乾燥用チャンバーには必ずしも石英製の吐出ノズル３１や回転駆動部２５を設ける必要な無い。
【００５４】
また、基板処理装置１によって洗浄および乾燥処理される基板は半導体ウェハーＷに限定されるものではなく、液晶表示装置やプラズマ表示装置等に使用されるガラス基板であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に係る基板処理装置の構成を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置における基板処理手順を示すフローチャートである。
【図３】図１の基板処理装置における半導体ウェハーの処理の進行と基板回転数、純水吐出流量および照射光量との相関を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  基板処理装置
５  制御部
１０  チャンバー
２１  支持部
２５  回転駆動部
３１  吐出ノズル
４０  閃光照射部
４９  フラッシュランプ
５０  石英窓
Ｗ  半導体ウェハー
【図１】
2007019158.tif 000003
【図２】
2007019158.tif 000004
【図３】
2007019158.tif 000005