(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタの光リーク電流による表示品位の低下を抑止する。【解決手段】遮光層１１の遮光長Ｌ１を決定するため、まず、第１の測定用薄膜トランジスタを用いて、空乏層ＤＥＰへの入射光量Ｑｄに対する光リーク電流Ｉｌｅａｋの特性直線Ｃ１を得る（ステップＡ１）。次に、特性直線Ｃ１を基に、光リーク電流Ｉｌｅａｋの許容値Ｉｍａｘに対応する入射光量Ｑｄの許容値Ｑｍａｘを決定する（ステップＡ２）。次に、第２の測定用薄膜トランジスタを用いて、遮光長Ｌ２に対する光リーク電流Ｉｉを測定し、それに対応する入射光量Ｑｄを、特性直線Ｃ１を基に算出する（ステップＡ３）。その算出結果を基に、想定される所定の光源に応じた遮光長Ｌ２に対する入射光量Ｑｄの特性曲線Ｃ２を得る（ステップＡ４）。次に、特性曲線Ｃ２から入射光量Ｑｄの許容値Ｑｍａｘに対応する遮光長Ｌ２を求め、これを遮光長Ｌ１とする（ステップＡ５）。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、絶縁基板上に形成された遮光層と、前記遮光層を覆うバッファ膜と、前記バッファ膜上に形成され前記遮光層と対向する能動層と、前記能動層を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され前記能動層と対向するゲート電極と、を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、
前記ゲート電極の端と前記遮光層の端との距離である遮光長を決定する際、
前記能動層の空乏層が遮光されない状態において、前記能動層の光リーク電流の許容値に対応する前記空乏層への入射光量の許容値を決定するステップと、
所定の光源を用いた場合における前記遮光長と前記空乏層への入射光量との関係を示す特性曲線を取得するステップと、
前記特性曲線と前記入射光量の許容値とを基に、前記所定の光源を用いた場合における前記遮光長を決定するステップと、を経ることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記入射光量の許容値を決定するステップは、
前記遮光長が前記能動層の空乏層を覆わない長さである場合において、前記入射光量を変化させながら前記光リーク電流を測定し、前記入射光量と前記光リーク電流との関係を示す特性曲線を取得するステップと、
前記入射光量と前記光リーク電流との関係を示す特性曲線を基に、前記光リーク電流の許容値に対応する前記入射光量の許容値を決定するステップと、を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記遮光長と前記入射光量との関係を示す特性曲線を取得するステップは、
測定用光源を用いて前記遮光長を変化させながら前記光リーク電流を測定するステップと、
前記入射光量と前記光リーク電流との関係を示す特性曲線を基に、各遮光長における光リーク電流に対応する前記入射光量を算出するステップと、
前記所定の光源の光量と前記測定用光源の光量との比率を求め、その比率を前記入射光量に乗じるステップと、を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタは表示装置の表示画素に配置された画素選択トランジスタとして形成されることを特徴とする請求項１、２、３のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に関し、特に、光に曝される環境下で用いられる薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、アクティブマトリクス型の液晶表示装置では、ガラス基板等の絶縁基板上においてマトリクス状に配置された複数の表示画素に、画素選択用の薄膜トランジスタが形成されている。
【０００３】
図５は、液晶表示装置の表示画素の等価回路図である。図５では、絶縁基板上に複数配置された表示画素の中から、その１つを示している。図５に示すように、垂直駆動回路ＤＲ１から画素選択信号が供給されるゲート配線ＧＬと、水平駆動回路ＤＲ２から表示信号が供給されるドレイン配線ＤＬとが交差している。
【０００４】
ゲート配線ＧＬとドレイン配線ＤＬに囲まれる領域には、画素選択用の薄膜トランジスタ（以降、「薄膜トランジスタ」と略称する）ＴＲが配置されている。薄膜トランジスタＴＲのゲートはゲート配線ＧＬと接続されており、そのドレインはドレイン配線ＤＬと接続されている。また、薄膜トランジスタＴＲのソースは、表示信号を保持する保持容量Ｃｓ、及び液晶ＬＣを挟む１対の電極の１つである画素電極と接続されている。液晶ＬＣを挟む１対の電極の他方の電極は共通電位Ｖｃｏｍに接続されている。
【０００５】
次に、図示は省略するが、上記薄膜トランジスタＴＲの概略構成について説明する。即ち、薄膜トランジスタＴＲを構成する絶縁基板上には、バッファ膜を介して能動層が形成されている。さらに、能動層を覆うゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜を介して能動層と対向するゲート電極が形成されている。能動層上には、ゲート電極を覆う層間絶縁膜が形成されている。そして、能動層のソース及びドレイン上の層間絶縁膜にはコンタクトホールが設けられている。層間絶縁膜上には、コンタクトホールを通してソース及びドレインとそれぞれ接続されたソース電極及びドレイン電極が形成されている。ここで、ゲート電極は図５のゲート配線ＧＬと同一の金属層からなり、ドレイン電極はドレイン配線ＤＬと同一の金属層からなる。
【０００６】
なお、関連する技術文献としては、例えば以下の特許文献が挙げられる。
【特許文献１】特開２００５−１１７０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来例に係る薄膜トランジスタでは、能動層のチャネル近傍に存在する空乏層に、外光、表示画素の発光部からの表示光、もしくはそれらの反射光が入射して電子正孔対が発生し、光リーク電流が生じ、表示品位が低下していた。能動層の空乏化領域とは、薄膜トランジスタのソースもしくはドレインと、チャネルとの間に形成されるキャリアの存在しない領域である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、光に曝される環境下で用いられる薄膜トランジスタの光リーク電流による表示品位の低下を抑止するものである。
【０００９】
本発明は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成された遮光層と、遮光層を覆うバッファ膜と、バッファ膜上に形成され遮光層と対向する能動層と、能動層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され能動層と対向するゲート電極と、を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート電極の端と遮光層の端との距離である遮光長を決定する際、能動層の空乏層が遮光されない状態において、能動層の光リーク電流の許容値に対応する空乏層への入射光量の許容値を決定するステップと、所定の光源を用いた場合における遮光長と空乏層への入射光量との関係を示す特性曲線を取得するステップと、特性曲線と入射光量の許容値とを基に、所定の光源を用いた場合における遮光長を決定するステップと、を経ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法によれば、遮光層によって、能動層の空乏層に入射する光が遮光されるため、光リーク電流の発生を極力抑止できる。従って、薄膜トランジスタの光リーク電流による表示品位の低下を極力抑止することができる。
【００１１】
また、光リーク電流を許容値以内に抑えることが可能な遮光層の遮光長を、完成後の薄膜トランジスタが曝されると想定する所定の光源の光量に応じて決定することができる。
【００１２】
そのため、光リーク電流を許容値以内に抑える最低限度の遮光長を有した遮光層を形成すればよく、不要な遮光層の形成を回避することができる。従って、薄膜トランジスタが表示装置の表示画素に配置された場合、表示画素の開口率の低下を極力低く抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタついて図面を参照して説明する。この薄膜トランジスタは、図５に示した液晶表示装置の表示画素に配置された薄膜トランジスタＴＲと同様に、各表示画素に配置された画素選択用の薄膜トランジスタであるものとする。また、この薄膜トランジスタＴＲ以外の表示画素の構成については従来例と同様であるものとする。
【００１４】
まず、本実施形態の薄膜トランジスタの製造方法の概略について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法を説明する図であり、後述する基板１０の平面図である。図２は、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法を説明する図であり、図１のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【００１５】
図１及び図２に示すように、ガラス基板等の絶縁基板（以降、「基板」と略称する）１０上に、薄膜トランジスタを基板側から遮光する機能を有した遮光層１１が所定のパターンを以って形成される。ここで、所定のパターンとは、後述する遮光長Ｌ１を有するパターンである。遮光層１１は、例えはクロムもしくはモリブデンを含む金属からなり、例えば５０[ｎｍ]〜２００[ｎｍ]の膜厚を有する。さらに、基板１０上に、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜からなり遮光層１１を覆うバッファ膜１２が形成される。
【００１６】
バッファ膜１２上に、遮光層１１と対向する能動層１３が所定のパターンを以って形成される。この能動層１３は、例えばアモルファスシリコン層がレーザーアニールされてなるポリシリコン層である。もしくは、能動層１３は、ポリシリコン層以外の半導体層であってもよい。例えば、能動層１３は、その一部もしくは全体がアモルファスシリコン層からなるものであってもよい。能動層１３には、高濃度の不純物が添加されてなるソース１３Ｓ及びドレイン１３Ｄが形成される。
【００１７】
なお、能動層１３には、ソース１３Ｓ及びドレイン１３Ｄに隣接する各領域に、低濃度の不純物が添加されてなる低濃度層Ａが形成される。各低濃度層Ａに挟まれる領域にはチャネルが存在する。即ち、この薄膜トランジスタは、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。そして、チャネルと低濃度層Ａとの接合部には、薄膜トランジスタのオフ時にキャリアが存在しない空乏化領域（以降、「空乏層」と略称する）ＤＥＰが形成されている。
【００１８】
さらに、バッファ膜１２上に、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなり、能動層１３を覆うゲート絶縁膜１４が形成される。ゲート絶縁膜１４上には、例えばクロムもしくはモリブデンからなり、局所的に能動層１３と対向するゲート電極１５が形成される。このゲート電極１５は、図５のゲート配線ＧＬと同一の金属層として形成される。また、ゲート絶縁膜１４上には、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなり、ゲート電極１５を覆う層間絶縁膜１６が形成されている。
【００１９】
さらに、能動層１３のソース１３Ｓ及びドレイン１３Ｄ上の層間絶縁膜１６にはコンタクトホールＣＨが設けられる。層間絶縁膜１６上には、コンタクトホールＣＨを通してソース１３Ｓ及びドレイン１３Ｄとそれぞれ接続されたソース電極１７Ｓ及びドレイン電極１７Ｄが形成される。ソース電極１７Ｓ及びドレイン電極１７Ｄは、例えばアルミニウムを含む金属からなる。このドレイン電極１７Ｄは、図５のドレイン配線ＤＬと同一の金属層として形成される。ソース電極１７Ｓ及びドレイン電極１７Ｄは、必要に応じて、層間絶縁膜１６上で能動層１３を遮光するように延在してもよい。
【００２０】
さらに、層間絶縁膜１６上には、ソース電極１７Ｓ及びドレイン電極１７Ｄを覆い、ソース電極１７Ｓの一部上に不図示の開口部を有する平坦化膜１８が形成されている。また、これより上層は図示しないが、平坦化膜１８上には、その開口部を通してソース電極１７Ｓと接続された画素電極が形成される。画素電極上には、第１の配向膜が形成される。また、画素電極と対向して、第２の配向膜及び対向電極が形成された対向基板が配置される。第１の配向膜と第２の配向膜の間には液晶が封止される。
【００２１】
なお、上記薄膜トランジスタの製造方法において、遮光層１１の遮光長Ｌ１は、ゲート電極１５の端Ｐｉを基点としたときの遮光層１１の端Ｐｄに至る距離で定義されるものとする。即ち、遮光長Ｌ１＞０であれば、遮光層１１はゲート電極１５の端Ｐｉからゲート電極１５の外側に向かって延在しており、遮光長Ｌ１＜０であれば、遮光層１１はゲート電極１５の端Ｐｉよりも内側に存在している。図２では、遮光長Ｌ１＞０の場合を示している。
【００２２】
この遮光層１１の遮光長Ｌ１は、以下のように決定される。次に、その決定方法について図面を参照して説明する。図３は、本発明の薄膜トランジスタの製造方法を説明する図であり、遮光層１１の遮光長Ｌ１の決定方法を示すフロー図である。
【００２３】
また、図４（Ａ）は、後述する第１の測定用薄膜トランジスタを用いた場合、即ち、空乏層ＤＥＰが遮光されない場合における空乏層ＤＥＰへの入射光量と光リーク電流との関係を示す特性図である。その縦軸は対数スケールによる入射光量[ｌｘ]に対応しており、横軸は対数スケールによる光リーク電流[ｐＡ]に対応している。また、図４（Ｂ）は、後述する第２の測定用薄膜トランジスタを用いた場合における空乏層ＤＥＰへの入射光量と遮光層の遮光長との関係を示す特性図である。その縦軸は対数スケールによる入射光量[ｌｘ]に対応しており、横軸は遮光長[μｍ]に対応している。なお、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、上記特性図の具体例の１つを示すものである。
【００２４】
本実施形態の遮光長Ｌ１の決定方法は、上記薄膜トランジスタの製造方法において、遮光層１１を形成する工程よりも前に行われる。また、この遮光長Ｌ１の決定方法を実行する際には、それに必要となる後述する実測値を得るための不図示の薄膜トランジスタとして、第１及び第２の測定用薄膜トランジスタが準備される。第１及び第２の測定用薄膜トランジスタ、及び本実施形態の製造方法により製造される予定の薄膜トランジスタは、遮光層１１に係る構成以外の仕様については同一の仕様を有している。
【００２５】
ただし、第１の薄膜トランジスタは、遮光層１１を備えていない。もしくは第１の薄膜トランジスタには、遮光層１１と同様の遮光層が形成されているが、その遮光層の遮光長Ｌ２（遮光長Ｌ１と同様に定義される）は空乏層ＤＥＰを覆わない長さ（例えば約−１．５[μｍ]）となっている。
【００２６】
また、第２の測定用薄膜トランジスタは複数準備される。各第２の測定用薄膜トランジスタには、遮光層１１と同様の遮光層が形成されており、各遮光層の遮光長Ｌ２（遮光長Ｌ１と同様に定義される）は互いに異なっている。
【００２７】
なお、以降の説明では、第１及び第２の測定用薄膜トランジスタ、本実施形態の製造方法により製造される予定の薄膜トランジスタ共に、能動層１３の空乏層ＤＥＰに入射する光量Ｑｄを、「入射光量Ｑｄ」と略称する。ただし、第２の測定用薄膜トランジスタでは、遮光長Ｌ２が空乏層ＤＥＰを覆う長さの場合、その空乏層ＤＥＰへ入射する光量、即ち入射光量Ｑｄは測定できない。そこで、後述するように、その入射光量Ｑｄは、直接の測定によらず、算出により求められる。
【００２８】
まず、図３のフロー図及び図４（Ａ）の特性図に示すように、ステップＡ１では、第１の測定用薄膜トランジスタを用いて、入射光量Ｑｄを変化させながら、能動層１３の光リーク電流Ｉｌｅａｋを測定する。この測定結果を光リーク電流Ｉｌｅａｋの実測値系列Ｓ１とする。
【００２９】
一般に、入射光量Ｑｄと光リーク電流Ｉｌｅａｋとの間には、線形関係が存在することが知られている。そこで、光リーク電流Ｉｌｅａｋの実測値系列Ｓ１を基に、その回帰直線等の算出により、入射光量Ｑｄと光リーク電流Ｉｌｅａｋの関係を示す特性直線Ｃ１を求める。特性直線Ｃ１は、ａを比例係数、ｂを定数として、次式で与えられる直線として求められる。ただし、図４（Ａ）では、光リーク電流Ｉｌｅａｋ横軸で表している。図４（Ａ）の例では、光リーク電流Ｉｌｅａｋの単位を［ｐＡ］として、ａ＝３．７７３×１０-４，ｂ＝１．３２８×１０-２となる。
【００３０】
【数１】
2007201074.tif 000003
【００３１】
次に、ステップＡ２では、薄膜トランジスタの光リーク電流Ｉｌｅａｋの許容値Ｉｍａｘを指定する。この例では、光リーク電流Ｉｌｅａｋの許容値Ｉｍａｘは、１［ｐＡ］で指定されるものとする。そして、特性直線Ｃ１を基に、光リーク電流の許容値Ｉｍａｘに対応する入射光量Ｑｄの許容値Ｑｍａｘを決定する。この例では、１[ｐＡ]の光リーク電流Ｉｌｅａｋの許容値Ｉｍａｘに対応する入射光量Ｑｄの許容値Ｑｍａｘは、３×１０３ [ｌｘ]となる。
【００３２】
なお、このステップＡ２は、後述するステップＡ３以降に行われるものであってもよい。また、光リーク電流の許容値Ｉｍａｘに対応する入射光量Ｑｄの許容値Ｑｍａｘが既知情報として準備されている場合には、ステップＡ２は省略される。
【００３３】
次に、図３及び図４（Ｂ）に示すように、ステップＡ３では、第２の測定用薄膜トランジスタ、及び一定の光量α１の光を発する測定用光源を用いて、遮光層１１の遮光長Ｌ２を変化させながら、各遮光長Ｌ２に対する光リーク電流Ｉｉ（プロットは不図示）を測定する。そして、特性曲線Ｃ１を基に、各遮光長Ｌ２における光リーク電流Ｉｉに対応する入射光量Ｑｄを算出する。この入射光量Ｑｄの算出は、式（数１）より、次式によって求められる。ただし、光リーク電流Ｉｉの単位は［ｐＡ］とする。
【００３４】
【数２】
2007201074.tif 000004
【００３５】
例えば、Ｌ２＝１．２[μｍ]，α１＝２．８×１０３ [ｌｘ] とし、そのときに測定された光リーク電流Ｉｉを０．２［ｐＡ］とする。このとき、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）の例では、式（数２）より、入射光量Ｑｄは約４９０［ｌｘ］として算出される。
【００３６】
この入射光量Ｑｄの算出を各遮光長Ｌ２について行い、入射光量Ｑｄの理論値系列Ｓ２を算出する。なお、この例では、遮光長Ｌ２の範囲は−１．５[μｍ]〜４ [μｍ]であるものとする。
【００３７】
次に、ステップＡ４では、完成後の薄膜トランジスタが曝されると想定する所定の光源の光量α２を指定する。この例では、完成後の薄膜トランジスタが１×１０４ [ｌｘ]の光に曝されると想定して、所定の光源の光量α２は、１×１０４ [ｌｘ]で指定されるものとする。次に、ステップＡ３で用いた測定用光源の光量α１に対する上記所定の光源の光量α２の比率Ｒを算出する。さらに、この比率Ｒを、ステップＡ３で測定した入射光量Ｑｄの理論値系列Ｓ２に乗じる。これにより、完成後の薄膜トランジスタが曝されると想定する所定の光源を用いた場合の、各遮光長Ｌ２に対する入射光量Ｑｄの理論値系列Ｓ３（プロットは不図示）が取得される。さらに、この理論値系列Ｓ３を基に、その回帰曲線等の算出により、遮光長Ｌ２と入射光量Ｑｄの関係を示す特性曲線Ｃ２が取得される。
【００３８】
これは、本発明の発明者らによる確認によれば、図示しないが、ある遮光長Ｌ２において測定用光源の光量α１を変化させながら光リーク電流Ｉｉを測定し、上記の如く入射光量Ｑｄを算出すると、光量α１と入射光量Ｑｄとの間に線形関係が存在することを根拠としている。
【００３９】
なお、ステップＡ４では、入射光量Ｑｄの理論値系列Ｓ２を基にした回帰曲線等の算出により遮光長Ｌ２と入射光量Ｑｄの関係を示す特性曲線を取得し、その後、その特性曲線が示す入射光量Ｑｄに比率Ｒを乗じて特性曲線Ｃ２を取得してもよい。
【００４０】
また、完成後の薄膜トランジスタが曝されると想定する所定の光源を用いた場合の遮光長Ｌ２と入射光量Ｑｄの関係を示す特性曲線Ｃ２が既知情報として準備されている場合には、ステップＡ３及びステップＡ４は省略される。
【００４１】
次に、ステップＡ５では、ステップＡ４の遮光長Ｌ２と入射光量Ｑｄの関係を示す特性曲線Ｃ２から、ステップＡ２の入射光量Ｑｄの許容値Ｑｍａｘに対応する遮光長Ｌ２を求め、これを遮光長Ｌ１として決定する。この例では、特性曲線Ｃ２より、入射光量Ｑｄの許容値Ｑｍａｘである３×１０３ [ｌｘ]に対応する遮光長Ｌ２は０[μｍ]である。即ち、所定の光源の光量α２が１×１０４ [ｌｘ]である場合の遮光層１１の遮光長Ｌ１が０ [μｍ]として決定される。
【００４２】
上記ステップＡ１〜Ａ５を経て決定された遮光長Ｌ１を以って遮光層１１が形成されると、完成後の薄膜トランジスタが曝されると想定する所定の光源を用いた場合においても、光リーク電流Ｉｌｅａｋを許容量Ｉｍａｘ以下に抑えることができる。
【００４３】
また、この遮光長の決定方法によれば、完成後の薄膜トランジスタが曝されると想定する所定の光源の光量を任意に設定することができる。即ち、ステップＡ４において、完成後の薄膜トランジスタが曝されると想定する所定の光源の光量α２を任意の値に設定し、その光量α２に応じた遮光長Ｌ２と入射光量Ｑｄの関係を示す特性曲線を取得することができる。これにより、所定の光源の光量α２を任意の値に設定した場合においても、光リーク電流Ｉｌｅａｋを許容量Ｉｍａｘ以下に抑えることが可能な遮光長Ｌ１を求めることができる。
【００４４】
例えば、図４（Ｂ）に示すように、所定の光源の光量α２が１×１０５ [ｌｘ]の場合、遮光長Ｌ２と入射光量Ｑｄの関係を示す特性曲線Ｃ３が取得され、入射光量Ｑｄの許容値Ｑｍａｘである３×１０３ [ｌｘ]に対応する遮光長Ｌ２は３ [μｍ]となる。即ち遮光層１１の遮光長Ｌ１は３ [μｍ]として決定される。また、所定の光源の光量α２が１×１０６ [ｌｘ]の場合、遮光長Ｌ２と入射光量Ｑｄの関係を示す特性曲線Ｃ４が取得され、入射光量Ｑｄの許容値Ｑｍａｘである３×１０３ [ｌｘ]に対応する遮光長Ｌ２は６[μｍ]となる。即ち遮光層１１の遮光長Ｌ１は６ [μｍ]として決定される。
【００４５】
さらにいえば、上記遮光長Ｌ１の決定方法によれば、遮光層１１が冗長に形成することを回避することができる。言い換えれば、最低限度の遮光長Ｌ１を以って遮光層１１を形成することができる。従って、この遮光層１１が形成された薄膜トランジスタは、液晶表示装置の表示画素において、空乏層ＤＥＰの遮光に伴う開口率の低下を極力抑止することができる。
【００４６】
なお、本発明は、上記実施形態の能動層１３において、ソース１３Ｓがドレインとなり、ドレイン１３Ｄがソースとなった場合についても適用される。この場合、ソース電極１７Ｓがドレイン電極として形成され、ドレイン電極１７Ｄがソース電極として形成される。
【００４７】
また、上記実施形態の薄膜トランジスタは、液晶表示装置の表示画素に配置されるものとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明は、光に曝される環境下で用いられるものであれば、液晶表示装置以外の表示装置、もしくは表示装置以外の装置に配置される薄膜トランジスタに対しても適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法を説明する図である。
【図２】本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法を説明する図である。
【図３】本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法のうち、遮光長の決定方法を示すフロー図である。
【図４】薄膜トランジスタの空乏層への入射光量と光リーク電流との関係を示す特性図、及び空乏層への入射光量と遮光長との関係を示す特性図である。
【図５】液晶表示装置の表示画素の等価回路図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  基板                    １１  遮光層                  １２  バッファ膜
１３  能動層                  １３Ｓ  ソース                １３Ｄ  ドレイン
１４  ゲート絶縁膜            １５  ゲート電極              １６  層間絶縁膜
１７Ｓ  ソース電極            １７Ｄ  ドレイン電極          １８  平坦化膜
Ａ    低濃度層                Ｌ１，Ｌ２  遮光長
ＧＬ  ゲート配線              ＤＬ  ドレイン配線            ＬＣ  液晶
ＴＲ  薄膜トランジスタ        ＣＨ  コンタクトホール        Ｃｓ  保持容量
【図１】
2007201074.tif 000005
【図２】
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【図３】
2007201074.tif 000007
【図４】
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【図５】
2007201074.tif 000009