(57)【要約】【課題】  動作周波数を自在に調整でき、更には放射効率とアンテナ利得の高いアンテナと、そのアンテナによる動作周波数の制御方法を提供すること。【解決手段】  リング共振器を備え動作周波数を調整可能なアンテナであって、線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器を備え、その高周波信号の入力端子が、マイクロストリップ線路上に設けられ、その入力端子から電気長で半波長の位置にある点が、半導体増幅素子の入力伝送線路に接続され、入力端子から電気長で１／４波長の位置にある点に、所定の特性インピーダンスのスタブ部が設けられ、そのスタブ部が可変キャパシタを接続され、そして可変キャパシタの容量を調整する動作調整手段を有する。【選択図】  図６
2007142977.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リング共振器を備え動作周波数を調整可能なアンテナであって、
線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器を備え、
その高周波信号の入力端子が、マイクロストリップ線路上に設けられ、その入力端子から電気長で半波長の位置にある点が、半導体増幅素子の入力伝送線路に接続され、
入力端子から電気長で１／４波長の位置にある点に、所定の特性インピーダンスのスタブ部が設けられ、そのスタブ部が可変キャパシタを接続され、
そして可変キャパシタの容量を調整する動作調整手段を有する
ことを特徴とするチューナブルアンテナ。
【請求項２】
可変キャパシタが、バラクタダイオードであり、
動作調整手段が、バラクタダイオードへの印加電圧を調整する印加電圧調整手段である
請求項１に記載のするチューナブルアンテナ。
【請求項３】
入力端子及び出力端子にマイクロストリップ線路が接続される
請求項１または２に記載のするチューナブルアンテナ。
【請求項４】
スタブ部が短絡スタブである
請求項１ないし３に記載のするチューナブルアンテナ。
【請求項５】
スタブ部が開放スタブである
請求項１ないし３に記載のするチューナブルアンテナ。
【請求項６】
半導体増幅素子がＦＥＴであり、リング共振器がゲート回路に接続され、ソース回路からは発振信号を出力され、ドレイン回路には開放スタブが設けられる
請求項５に記載のするチューナブルアンテナ。
【請求項７】
リング共振器を備え動作周波数を調整可能なアンテナにおいて、
線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器を設け、
その高周波信号の入力端子を、マイクロストリップ線路上に設け、その入力端子から電気長で半波長の位置にある点に、半導体増幅素子の入力伝送線路に接続し、
入力端子から電気長で１／４波長の位置にある点に、所定の特性インピーダンスのスタブ部が設け、そのスタブ部に可変キャパシタを接続し、
そして動作調整手段によって可変キャパシタの容量を調整して共振周波数を変化させることで、動作周波数を調整する
ことを特徴とするチューナブルアンテナの制御方法。
【請求項８】
可変キャパシタとして、バラクタダイオードを用い、
動作調整手段として、バラクタダイオードへの印加電圧を調整する印加電圧調整手段を用い、
バラクタダイオードへの印加電圧を変化させることで、減衰極周波数が変化させる
請求項７に記載のするチューナブルアンテナの制御方法。
【請求項９】
リング共振器の上側リング部の特性インピーダンスをＺ1、下側リング部の特性インピーダンスをＺ2、開放スタブ部の特性インピーダンスをＺ3として、
式：
tan2θp=2(1+Z1/Z2)
×Z3/Z2
f=θp°／90°×f0
(GHz)   （f0は中心周波数）
によって求められる減衰極周波数ｆを、
上側リング部の特性インピーダンスＺ1、下側リング部の特性インピーダンスＺ2、開放スタブ部の特性インピーダンスＺ3を調整することで変化させる
請求項７または８に記載のするチューナブルアンテナの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミリ波やマイクロ波等の高周波で用いることができ、動作周波数を自在に調整できるアンテナと、そのアンテナによる動作周波数の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から知られているリング共振器として、特許文献１に開示されるリング共振器がある。
【特許文献１】特許第３３０９４５４号
【０００３】
特許文献１は、ＵＨＦ〜ＳＨＦ帯における通信装置や計測機器に利用され、小形で低コストのストリップ線路フィルタを構成するリング共振器に関するものである。
この技術では、ストリップ線路リング共振器において、線路長を等間隔に４分割した各点と結合回路を介して接続した４つの端子を設ける。そして、当該線路上の第１の点と線路長の１／２離れた位置にある第２の点との間に共振容量を接続し、かつ第１の点と線路長の１／４離れた位置にある第３の点と、その第３の点と線路長１／２離れた位置にある第４の点との間に共振容量を接続する。
【０００４】
これにより、共振周波数を任意に設定できる直交する共振モードが利用できると共に、共振容量の容量値により周波数調整を容易に実現することができる等のメリットを得ている。
しかしながら、この方法は、共振容量を接続する必要があり、より簡便に共振周波数を設定可能とすることで、小型化や共振周波数の安定化を図る必要がある。
【０００５】
同様の従来技術には、特許文献２〜７などもある。
特許文献２は、移動体通信機等のＲＦ段等に帯域通過フィルタとして使用される分布定数フィルタに関し、詳しくは位相と振幅の両方に条件を課した伝達関数で与えられる非最小位相推移回路をマイクロストリップ回路等の不平衡分布定数回路で構成した分布定数フィルタに関するものである。
特許文献３は、ＵＨＦ〜ＳＨＦ帯における通信装置、計測機器に利用される小形、低コストのフィルタに関するものである。
特許文献４〜６は、ＵＨＦ帯、マイクロ波帯、ミリ波帯等の高周波領域で用いられるデュアルモードフィルタに関するものである。
特許文献７は、ＵＨＦ帯以上におけるリング共振器を用いた高周波フィルタに関するものである。
【０００６】
【特許文献２】特開平１１−１７４０５号
【特許文献３】特許第３３１６９６２号
【特許文献４】特許第３３０４７２４号
【特許文献５】特許第２９０６８６３号
【特許文献６】特許第２５３８１６４号
【特許文献７】特許第２５１１９８１号
【０００７】
また、従来から高周波の発振回路として、トランジスタを用いた直列帰還発振器が知られている。この発振器で用いられる共振器としては、誘電体共振器やＹＩＧ共振器などがあり、前者が広く使われている。
例えば誘電体共振器の構造については特許文献８が開示されている。
【特許文献８】特開２００３−２８３２４７号
【０００８】
誘電体共振器を用いた高周波発振器では、図１に示すようにＦＥＴ（４０）の入力伝送線路（４１）の適当な位置に、ある程度の距離を離して誘電体共振器（４２）を配し、調整をしながら所望の発振周波数を決めている。
調整においては図２に示すように、誘電体共振器（４２）を高周波回路基板（４３）より高い位置に置き、さらに発振器治具（４４）と誘電体共振器（４２）との間隔を導電性ネジで調整して発振周波数を調整する。
【０００９】
特許文献８にも開示されている通り、温度や圧力によっても共振周波数が変動するため、このような調整は経験と勘に頼らざるを得ないものである。図１及び図２におけるＸ、Ｙ、ｈ、ｄで示されるそれぞれの位置は、定量的に決められるものではなく、製造の困難性、高コスト化の原因となっていた。
【００１０】
さらに、図３には、高周波発振器の発振周波数を可能にする技術として、誘電体共振器（５０）と、λ／４のマイクロストリップ伝送線路（５１）とバラクタダイオード（５２）とを用いる電圧制御発振器の構成を示している。この例では、誘電体共振器（５０）と半導体増幅素子（５３）の入力伝送線路（５４）の反対側に、伝送線路（５１）及びバラクタダイオード（５２）を取り付けている。そして、バラクタダイオード（５２）への印加電圧を調整することにより、発振周波数を可変に構成している。
【００１１】
しかしながら、この構成でも、上記のように誘電体共振器（５０）の位置調整により発振周波数を調整しなければならず、一定の発振周波数範囲を実現するためには経験と勘に頼らざるを得ない問題がある。また、発振周波数範囲を十分に広く取ることができなかった。
【００１２】
一般に、マイクロストリップアンテナは、構造によって動作する周波数が決まってしまう。
信号帯域を可変にするためには、図４に示すように、誘電体部分にバラクタダイオードを挟み込んで構成したり、図５に示すように、回路上の発光ダイオードに光を当ててパッチ部分の面積を変えたり、また、パッチアンテナの高さをバイアス電圧により機械的に変化させたり、回路を機械的にスイッチで切り換え
る構成のものがあった。
しかしながら、従来技術によるアンテナは、外部信号によって動作周波数を自在に調整することはできなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
そこで、本発明は、動作周波数を自在に調整でき、更には放射効率とアンテナ利得の高いアンテナと、そのアンテナによる動作周波数の制御方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明のチューナブルアンテナは、リング共振器を備え動作周波数を調整可能なアンテナであって、線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器を備え、その高周波信号の入力端子が、マイクロストリップ線路上に設けられ、その入力端子から電気長で半波長の位置にある点が、半導体増幅素子の入力伝送線路に接続され、入力端子から電気長で１／４波長の位置にある点に、所定の特性インピーダンスのスタブ部が設けられ、そのスタブ部が可変キャパシタを接続され、そして可変キャパシタの容量を調整する動作調整手段を有することを特徴とする。
【００１５】
なお、リングの形状は任意であり、電気長及びインピーダンスが同じであれば、どのように回路構成しても同様に動作する。
リング共振器の共振周波数は、そのリングの周長、リングを構成する各部の特性インピーダンスの組み合わせで決まる。アンテナ放射素子にリング共振器を用いることにより、小型でありながら、放射効率とアンテナ利得の高いアンテナが得られる。そして、リング共振器をチューナブルリング共振器とすることによって、動作周波数可変のチューナブルアンテナが実現される。
【００１６】
ここで、可変キャパシタとしてバラクタダイオードを使用し、動作調整手段としてバラクタダイオードへの印加電圧を調整する印加電圧調整手段を用いるのが簡便である。
【００１７】
入力端子及び出力端子にマイクロストリップ線路を接続して、信号の反射の抑制に寄与させてもよい。
【００１８】
スタブ部は、短絡スタブでも開放スタブでもよい。
短絡スタブ付リング共振器は、周波数がゼロ（と通過中心周波数の倍の周波数）のとき、信号を通過させないという利点があり、開放スタブ付リング共振器は、減衰極の周波数間隔を広くできる利点がある。
【００１９】
また、半導体増幅素子をＦＥＴとし、リング共振器をゲート回路に接続し、ソース回路からは発振信号を出力し、ドレイン回路には開放スタブを設けて構成してもよい。
【００２０】
このようなチューナブルアンテナの制御方法は、リング共振器を備え動作周波数を調整可能なアンテナにおいて、線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器を設け、その高周波信号の入力端子を、マイクロストリップ線路上に設け、その入力端子から電気長で半波長の位置にある点に、半導体増幅素子の入力伝送線路に接続し、入力端子から電気長で１／４波長の位置にある点に、所定の特性インピーダンスのスタブ部が設け、そのスタブ部に可変キャパシタを接続し、そして動作調整手段によって可変キャパシタの容量を調整して共振周波数を変化させることで、動作周波数を調整することを特徴とする。
【００２１】
可変キャパシタとして、バラクタダイオードを用い、動作調整手段として、バラクタダイオードへの印加電圧を調整する印加電圧調整手段を用い、バラクタダイオードへの印加電圧を変化させることで、減衰極周波数を変化させる構成が簡便である。
【００２２】
リング共振器の上側リング部の特性インピーダンスをＺ1、下側リング部の特性インピーダンスをＺ2、開放スタブ部の特性インピーダンスをＺ3として、
式：
tan2θp=2(1+Z1/Z2)
×Z3/Z2
f=θp°／90°×f0
(GHz)   （f0は中心周波数）
によって求められる減衰極周波数ｆを、
上側リング部の特性インピーダンスＺ1、下側リング部の特性インピーダンスＺ2、開放スタブ部の特性インピーダンスＺ3を調整することで変化させてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によると、アンテナ放射素子にリング共振器を用いたので、小型でありながら放射効率と高いアンテナ利得が得られる。そして、リングの周長とリングを構成する各部の特性インピーダンスの組み合わせを調整したので、リング共振器の共振周波数を変化させられ、アンテナ動作周波数を自在に調整可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を、図面に示す実施例を基に説明する。なお、実施形態は適宜設計変更可能である。
まず本発明における共振周波数が可変なリング共振器の構造について説述する。リング共振器の第１の実施態様としては、図６に示すようマイクロストリップ線路で実現されたリング共振器（１）を挙げることができる。
【００２５】
リング共振器（１）において、リングは通過周波数での電気長が１波長（λ）のマイクロストリップ線路であり、線路上には共振器の入力側端（２）と出力側端（３）が、電気長でλ／２離れた位置に設けられる。更に、リング周上で入力側端（２）から電気長でλ／４離れた位置（４）に、電気長でλ／４の長さのスタブ部（５）が接続されている。なお、以下の記載では線路長の記述においては、すべて電気長を意味するものとして説述する。
【００２６】
スタブ部（５）には、印加電圧により容量を変えられる可変キャパシタとしてバラクタダイオード（９）の一端が連結されていて、バラクタダイオード（９）の他端は接地されている。本構成により後述するように、印加電圧によって共振周波数を調整することができるが、可変キャパシタとしてはバラクタダイオード（９）以外の周知のデバイスを用いることもできる。
【００２７】
本構成によれば、通過帯城で２等分点の片側回路を切り離すことができ、伝送線路の間に通過周波数でλ／２長の伝送線路を形成できる。
図６において、このリング共振器（１）の上側リング部の特性インピーダンスをＺ1、下側リング部の特性インピーダンスをＺ2、開放スタブ（５）の特性インピーダンスをＺ3とすると、減衰極周波数ｆは次式によって求められる。
式：
tan2θp=2(1+Z1/Z2)
×Z3/Z2
f=θp°／90°×f0
(GHz)   （f0は中心周波数）
【００２８】
例えば、リング共振器（１）を比誘電率３．５、基板厚１．６７ｍｍ、導体厚３５μｍ、誘電損失０．０２５の高周波回路基板において作成する。リングの実効半径は１５ｍｍで、開放スタブの長さは約２０ｍｍである。このときの各特性インピーダンスは、Ｚ1＝５０Ω、Ｚ2＝１３１．８Ω、Ｚ3＝２４．６Ωとした場合の周波数特性を測定した。
【００２９】
このときのリング共振器の高周波特性は図７に示す通りである。図において上側が通過特性で、下側が群遅延特性を示している。２ＧＨｚ帯における通過損失は約０．２８ｄＢ、減衰極周波数は約８００ＭＨｚと約３２００ＭＨｚであり、上式（数１）により求めた理論値（７９２ＭＨｚ、３２０８ＭＨｚ）とよく一致していることが分かる。また、比帯域は１００％を超えていて、群遅延特性も２±０．４ＧＨｚで１ｎｓ程度（一定）、ほぼ伝送線路の値である。
このように、リング共振器では急峻な減衰特性が得られる他、平坦な群遅延特性、平坦でロスの少ない通過帯域の周波数特性が特徴であり、従来の誘電体共振器に比べて優れた特性を有する。
【００３０】
次に、リング共振器の各特性インピーダンスに係る減衰極周波数の解析について説述する。図８は、リング共振器（１）におけるＳマトリクスを説明する図である。各ポート＃１〜＃３を図のように定めると、このときのＳマトリクスは下式（数１）で表される。
【数１】
2007142977.tif 000003
【００３１】
そして、図９のように、共振回路の入力側端＃１と出力側端＃２との間で２ポートのデバイスとして扱い、スタブ部の反射係数をΓとすると、このときのＳマトリクスは数２で表される。
【数２】
2007142977.tif 000004
【００３２】
そして、共振条件Ｓ21R＝０となるのはΓ＝ΓLであり、出力側整合ΓLは、下式（数３）で表される。
【数３】
2007142977.tif 000005
【００３３】
ここで、各特性インピーダンスはＺ1＝６２．３Ω、Ｚ2＝９０Ω、Ｚ3＝５０Ωであり、中心周波数６．５ＧＨｚを入力した場合の通過特性を測定した結果を図１０に示す。
図１０は、反射特性Ｓ11と通過特性Ｓ21を示していて、減衰極周波数は３．９ＧＨｚ及び９．１ＧＨｚとなっている。
【００３４】
図１１は、Γ及びΓLの周波数・位相特性を示す。図のように、減衰極周波数の値は、Γ及びΓLの交点（Γ＝ΓL）における周波数であり、Γによって定まることが分かる。
このような特性を利用して、本例ではスタブ部（５）にバラクタダイオード（９）を配設し、Γの特性を変化させるように構成した。
【００３５】
すなわち、可変キャパシタの容量Ｃ＝０ｐＦの場合には、上述のようにグラフ（３０）の特性を示し、減衰極周波数が３．９ＧＨｚ、９．１ＧＨｚとなるが、容量Ｃを変化させることで、グラフが移動し（３１）（３２）、Γ及びΓLの交点も変化する。
例えば、Ｃ＝０．２ｐＦの時には、３．３ＧＨｚ及び８．３ＧＨｚ、Ｃ＝０．５ｐＦの時には、２．９ＧＨｚ及び７．６ＧＨｚに変化する。
このように、本例によればバラクタダイオード（９）への印加電圧を変化させることで、減衰極周波数が変化するように構成した。
【００３６】
次に、リング共振器のＱ値について説述する。
一般的に、誘電体共振器は、そのＱ値が高いことから、誘電体共振器で安定化した発振器からの出力波形は、信号純度が高い特徴がある。従って、信号純度の指標の１つである位相雑音特性に優れている。このため、誘電体共振器安定化電圧制御発振器は、基準信号を作成する装置等に用いられることがある。
【００３７】
本例に係るリング共振器のＱ値は、下式（数４）によって表すことができる。下式（数４）に示されるように、Ｑ値は各特性インピーダンスによって決まり、それに基づくシミュレーション及び実証実験により、リング共振器のＱ値が十分に高いことが示されている。
【数４】
2007142977.tif 000006
【００３８】
以上の構成により、リング共振器の特性が変化するので、これを帯域フィルタとして利用すれば、例えば電圧制御により阻止帯域又は通過帯域の変化するフィルタを提供することができる。
リング共振器は多様なデバイスに対して適用することができ、以下では、可変高周波発振器として用いる場合につき説述する。
【００３９】
図１２は、可変高周波発振器（１０）であり、マイクロストリップ線路長が１波長のリング共振器（１１）を用いている。リング共振器（１１）の入力側端（１２）は５０Ωの抵抗（１３）で終端し、出力側端（１４）は半導体増幅素子としてＦＥＴ（１５）のゲート回路（１６）に接続する。
【００４０】
リング共振器には図６に示した構成の通り、電気長で１／４波長のスタブ（１７）を設けていて、上述した通り、バラクタダイオード（１８）により共振周波数を調整可能としている。バラクタダイオード（１８）には、図示しないＤＣ電源により印加電圧を入力する。
ＦＥＴ（１５）のソース回路（１９）からは発振信号を出力（２０）し、ドレイン回路（２１）には開放スタブ（２２）を設けている。
【００４１】
以上のように、高周波発振器は、従来の誘電体共振器を用いた構成では位置の決定が経験と勘に頼らざるを得ず、設計が困難かつ不安定であった問題点を解消し、各特性インピーダンスを定めることで定式的に設計が行える利点がある。
図１３は、図１２に示した高周波発振器（１０）による発振周波数特性を示す測定結果であり、設計値で９．２４〜９．３７ＧＨｚの周波数範囲とし、実測値として９．２６〜９．３５ＧＨｚの高周波発振を得ている。
本例は、このように十分な周波数範囲で、安定に高周波発振が可能な可変高周波発振器を提供することができる。またバラクタダイオードを設けるだけの構成であり、小型化、低コスト化にも寄与している。
【００４２】
上記のリング共振器の他、図１４及び図１５に示すようなリング共振器を用いることもできる。
図１４は、図６で示した円形のリングに代えて矩形のリングを用いたリング共振器を示している。
このように、リングの形状は任意であり、電気長及びインピーダンスが同じであれば、どのように回路構成してもよい。
なお、入力端子及び出力端子に接続されているマイクロストリップ線路（６）（７）は、信号の反射を抑えるために設けられているものであり、その特性インピーダンスＺ0は、前式（数１）からも分かるように、減衰極周波数には影響しない。
【００４３】
図１５は、リング共振器の別実施例を示す図である。図６の構成と異なる点は、入力側端（２）からλ／４離れた位置（４）に接続されるスタブ部（５）の長さがλ／２であり、かつ、先端が接地されていることである。
図６における開放スタブ付リング共振器は、減衰極の周波数間隔を広くできるが、周波数がゼロのときに減衰が起きないのに対し、この短絡スタブ付リング共振器は、減衰極の周波数間隔を開放スタプの場合ほど広くできないが、周波数がゼロ（と通過中心周波数の倍の周波数）のとき、信号を通過させないという特徴がある。
【００４４】
図１６は、図１５のリングフィルタにおいて、Ｚ1＝５０Ω、Ｚ2＝１３１．８Ω、Ｚ3＝７０．７Ωにしたときの特性図である。通過中心周波数が２ＧＨｚのとき、減衰極周波数が約１．４ＧＨｚと２．６ＧＨｚであり、開放スタブの場合（８００ＭＨｚと３．２ＧＨｚ）よりも間隔が狭いが、周波数ゼロの場合と４ＧＨｚ（通過中心周波数の倍の周波数）においても減衰していることが分かる。
【００４５】
上述のように、アンテナ放射素子にリング共振器を用いることにより、小型でありながら、放射効率とアンテナ利得の高いアンテナが実現する。また、リング共振器をチューナブルリング共振器とすることで、動作周波数可変のチューナブルアンテナが実現される。そして、リング共振器の共振周波数は、そのリングの周長、リングを構成する各部の特性インピーダンスの組み合わせで決まる。
【００４６】
図１７は、アンテナ放射素子にリング共振器を用いたアンテナの電磁界解析結果と、アンテナ情報を示す図である。
図１８及び図１９は、そのアンテナによる周波数と入力リターン特性との関係、バイアス電圧と動作周波数との関係をそれぞれ示すグラフである。
図１９から、バイアス電圧の差に応じて動作周波数が変化することが明らかに示されている。
【００４７】
また、図２０及び図２１は、電磁界解析による入力リターン特性と実測による入力リターン特性をそれぞれ示すグラフである。
電磁界解析結果から、入力リターン特性Ｓ１１が、１３．１６ＧＨｚで−１１ｄＢｉであり、放射効率８５％以上、アンテナ利得５．５ｄＢｉ以上の特性が得られている。また、実測では、入力リターン特性Ｓ１１が、１３．１４ＧＨｚで−２７ｄＢｉと確認されている。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明のチューナブルアンテナ及びその制御方法によると、外部信号等によって動作周波数を自在に調整可能なので、通信業務に限らず、災害発生時や警察による犯罪捜索時など諸々の場面に活用でき、産業上利用価値が高い。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来の誘電体共振器の構成を示す説明図
【図２】従来の誘電体共振器の構成を示す説明図
【図３】従来の電圧制御可能な誘電体共振器の構成を示す説明図
【図４】従来の動作周波数可変マイクロストリップアンテナの説明図
【図５】従来の動作周波数可変マイクロストリップアンテナの説明図
【図６】本発明によるリング共振器の実施例を示す模式図
【図７】リング共振器の高周波特性グラフ
【図８】リング共振器のＳマトリクスを説明する説明図
【図９】リング共振器のＳマトリクスを説明する説明図
【図１０】リング共振器の通過特性を示すグラフ
【図１１】Γ及びΓLの周波数・位相特性を示すグラフ
【図１２】可変高周波発振器の構成を示す模式図
【図１３】可変高周波発振器による周波数特性グラフ
【図１４】リング共振器の実施例を示す模式図
【図１５】リング共振器の実施例を示す模式図
【図１６】周波数特性グラフ
【図１７】電磁界解析結果とアンテナ情報を示す説明図
【図１８】周波数と入力リターン特性との関係を示すグラフ
【図１９】バイアス電圧と動作周波数との関係をそれぞれグラフ
【図２０】電磁界解析による入力リターン特性を示すグラフ
【図２１】実測による入力リターン特性を示すグラフ
【符号の説明】
【００５０】
１０    高周波発振器
１１    リング共振器
１２    入力側端
１３    ５０Ω終端
１４    出力側端
１５    ＦＥＴ
１６    ゲート回路
１７    スタブ部
１８    バラクタダイオード
１９    ソース回路
２０    発振出力
２１    ドレイン回路
２２    開放スタブ
【図１】
2007142977.tif 000007
【図２】
2007142977.tif 000008
【図３】
2007142977.tif 000009
【図４】
2007142977.tif 000010
【図５】
2007142977.tif 000011
【図６】
2007142977.tif 000012
【図７】
2007142977.tif 000013
【図８】
2007142977.tif 000014
【図９】
2007142977.tif 000015
【図１０】
2007142977.tif 000016
【図１１】
2007142977.tif 000017
【図１２】
2007142977.tif 000018
【図１３】
2007142977.tif 000019
【図１４】
2007142977.tif 000020
【図１５】
2007142977.tif 000021
【図１６】
2007142977.tif 000022
【図１７】
2007142977.tif 000023
【図１８】
2007142977.tif 000024
【図１９】
2007142977.tif 000025
【図２０】
2007142977.tif 000026
【図２１】
2007142977.tif 000027