(57)【要約】【課題】導電率が６０％ＩＡＣＳ以上で０．２％耐力が６００ＭＰａ以上を有することのできる新規な電子材料用銅合金を提供する。【解決手段】Ｍｇ：０．４〜１．０質量％、Ｃｒ：０．１〜０．５質量％、Ｓｉ：０．０５〜０．２質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる組成を有する電子材料用銅合金。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇ：０．４〜１．０質量％、Ｃｒ：０．１〜０．５質量％、Ｓｉ：０．０５〜０．２質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる組成を有する電子材料用銅合金。
【請求項２】
更に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＴｉから選ばれる１種又は２種以上を総量で０．５質量％以下含有する請求項１に記載の銅合金。
【請求項３】
更に、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ａｌ、及びＺｎから選ばれる１種又は２種以上を総量で０．１質量％以下含有する請求項１又は２に記載の銅合金。
【請求項４】
不可避的不純物たる炭素が３０ｐｐｍ以下である請求項１〜３の何れか一項に記載の銅合金。
【請求項５】
導電率が６０％ＩＡＣＳ以上で０．２％耐力が６００ＭＰａ以上である請求項１〜４の何れか一項に記載の銅合金
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の銅合金を用いた伸銅品。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか一項に記載の銅合金を用いた電子機器部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子材料用銅合金に関し、特に大電流用途に適した電子材料用銅合金に関する。更に、本発明は前記銅合金を用いた電子機器部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅合金はリードフレーム、コネクタ、ピン、端子、リレー、スイッチ等の各種電子機器部品の材料として一般に使用されている。こうした電子材料用銅合金には、基本特性として高強度及び高導電性（又は熱伝導性）を両立させることが要求される。
【０００３】
銅合金の基本特性を向上させるために一般に行われている方法の一つとして、添加元素の種類、その組合せ、量及び比率などを微妙に変化させる方法が挙げられるが、その際に合金の性質にどのような影響を与えるかについては、一般的に予測可能性が極めて低い。更に、銅合金の導電性は一般的に強度と相反する関係にあり、強度を高めるために合金元素を添加すると導電性が低下するという問題がある。そのため、導電率を低下させずに如何に強度を向上させるかが当該分野における普遍的な課題となっている。
【０００４】
銅合金の強化機構として知られているものの代表的な例として、結晶中に溶質原子が固溶することによる固溶強化と呼ばれる強化機構と、母相中に微細な金属間化合物を析出させることによる析出強化と呼ばれる強化機構が挙げられる。電子材料として使用される銅合金においては、例えば、リン青銅、黄銅及びＣｕ−Ｍｇ−Ｐ系合金は固溶強化型銅合金であり、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金、ベリリウム銅及びＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金は析出強化型銅合金である。
【０００５】
固溶強化型銅合金のうち、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｐ系合金に関しては、例えば特公平６−９０８８７号に記載されており、これによれば、Ｍｇ：０．３〜２重量％、Ｐ：０．００１〜０．１重量％を含有し、残りがＣｕと不可避的不純物からなる組成を有する。Ｍｇ成分にはＣｕの素地に固溶することによって、主要成分であるＣｕ自体が具備する高導電性を損なうことなく、強度と熱クリープ特性を向上させる作用があると記載されている。また、Ｐ成分には、脱酸作用があるほか、Ｍｇ成分と共存した状態で強度及び熱クリープ特性を向上させる作用があると記載されている。
【０００６】
析出強化型銅合金のうち、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金に関しては、例えば特開２００４−３１５９４０号に記載されており、これによれば、Ｎｉを１．０〜４．５質量％、Ｓｉを０．２５〜１．５％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる銅基合金において、ＮｉとＳｉの質量濃度を［Ｎｉ］、［Ｓｉ］とした場合のＮｉとＳｉの質量濃度比（以下［Ｎｉ］／［Ｓｉ］とする）が４〜６で、且つ、（式１）で定義するχが０．１〜０．４５となるような［Ｎｉ］、［Ｓｉ］であることを特徴とする。
（［Ｎｉ］−４χ）2（［Ｓｉ］−χ）＝１／８......（式１）
Ｎｉ成分及びＳｉ成分は、時効処理を行うことによりＮｉとＳｉが微細なＮｉ2Ｓｉを主とした金属間化合物の析出粒子を形成し、合金の強度を著しく増加させる一方、導電性も向上する作用があると記載されている。また、［Ｎｉ］／［Ｓｉ］比を４〜６とすることで高い導電率を得られると記載されている。
【０００７】
また、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金に関しては、例えば特開２００４−２５６９０２号に記載されており、これによれば、Ｃｒを０．０２〜０．４％、Ｚｒを０．０１〜０．２５％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる組成を有する。Ｃｒ成分は時効処理した際に母材中に析出して強度及び耐熱性を向上させる作用を有しており、Ｚｒ成分には時効処理によりＣｕと化合物を形成して母材中に析出しこれを強化する作用があると記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特公平６−９０８８７号公報
【特許文献２】特開２００４−３１５９４０号公報
【特許文献３】特開２００４−２５６９０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記銅合金を導電率と強度の観点から評価すると、リン青銅は導電率が１５％ＩＡＣＳ程度で０．２％耐力が６５０ＭＰａ程度であり、黄銅は導電率が３０％ＩＡＣＳ程度で０．２％耐力が５００ＭＰａ程度であり、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金は導電率が５０％ＩＡＣＳ程度で０．２％耐力が７００ＭＰａ程度であり、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｐ系合金は導電率が６０％ＩＡＣＳ程度で０．２％耐力が５５０ＭＰａ程度であり、ベリリウム銅（特に低ベリリウム銅）は導電率が４０〜６０％ＩＡＣＳ程度で０．２％耐力が７００〜９００ＭＰａ程度であり、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金は導電率が８０％ＩＡＣＳ程度で０．２％耐力が５５０ＭＰａ程度である。
【００１０】
リン青銅や黄銅は一般に製造工程が単純で比較的低コストで製造可能であるが、導電率と強度の両立という観点からは他の銅合金に劣る。
【００１１】
Ｃｕ−Ｍｇ−Ｐ系合金は導電率が６０％ＩＡＣＳ程度で０．２％耐力が５５０ＭＰａ程度を有することができるため、比較的調和の取れた特性を有していると言えるが、より高い強度を有する銅合金の開発が望まれる。
【００１２】
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金は０．２％耐力が７００ＭＰａ程度であり、高い強度を有すると言えるが、導電率が５０％ＩＡＣＳ程度とＣｕ−Ｍｇ−Ｐ系合金より低い。より高い導電率を有する銅合金の開発が望まれる。また、一般に製造工程がやや複雑となる。
【００１３】
Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金は０．２％耐力が５５０ＭＰａ程度を有しつつ、導電率が８０％ＩＡＣＳ程度とＣｕ−Ｍｇ−Ｐ系合金よりも高い導電率を有することができるが、強度はＣｕ−Ｍｇ−Ｐ系合金と同程度である。また、一般に真空下での溶解鋳造が必要とされるなど製造コストの面ではあまり有利とはいえない。
【００１４】
上記ニーズを満たす銅合金としては上述した導電率が７０％ＩＡＣＳ程度で０．２％耐力が７００ＭＰａである低ベリリウム銅があるが、原料が高価で、製造工程も複雑であるという問題や環境への懸念もあることからこれに代わる銅合金が望まれる。
【００１５】
従って、本発明の課題の一つは導電率が６０％ＩＡＣＳ以上で０．２％耐力が６００ＭＰａ以上を有することのできる新規な電子材料用銅合金を提供することである。また、本発明の別の課題の一つは、該銅合金を用いた電子機器部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意研究したところ、Ｃｕに添加元素としてＭｇ、Ｃｒ及びＳｉを所定量配合するときに、強度及び導電率がバランス良く向上することを見出した。斯かる知見を基礎として完成された本発明は、一実施形態において、Ｍｇ：０．４〜１．０質量％、Ｃｒ：０．１〜０．５質量％、Ｓｉ：０．０５〜０．２質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる組成を有する電子材料用銅合金である。
【００１７】
本発明に係る銅合金は別の一実施形態において、更にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＴｉから選ばれる１種又は２種以上を総量で０．５質量％以下含有してもよく、及び／又は、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ａｌ、及びＺｎから選ばれる１種又は２種以上を総量で０．１質量％以下含有してもよい。
【００１８】
また、本発明に係る銅合金は別の一実施形態において、不可避的不純物たる炭素が３０ｐｐｍ以下である。
【００１９】
更に、本発明は一実施形態において、前記銅合金を用いた伸銅品である。
【００２０】
更に、本発明は一実施形態において、前記銅合金を用いた電子機器部品である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、導電率が６０％ＩＡＣＳ以上で０．２％耐力が６００ＭＰａ以上を有することができる電子材料として好適な銅合金を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
Ｍｇ成分
ＭｇはＣｕ結晶中に固溶する性質を有し、微量添加するだけで強度を大幅に改善できることが知られているが、０．４質量％未満では所望の強度を得ることができず、１．０質量％を超えると、Ｍｇが母相中に過剰に固溶するため、所望の導電率が得られず、更に熱間加工性に悪影響を及ぼすことから、Ｍｇの含有量は０．４質量％〜１．０質量％とした。Ｍｇの含有量は好ましくは０．５質量％〜０．７質量％であり、より好ましくは０．５質量％〜０．６質量％である。
【００２３】
Ｃｒ及びＳｉ成分
本発明で添加するＭｇの量は１％未満と微量であり、導電率の低下を抑制する点では有利であるがこれだけでは目的とする強度を得ることは難しい。しかしながら、本発明者は更にＣｒとＳｉを所定量添加することで導電率を損なわずに強度の向上が可能であることを見出した。また、これによって耐熱性を改善できることも分かった。
【００２４】
但し、Ｃｒの含有量が０．１質量％未満では所望の強度及び／又は導電率を得ることができず、更には後に説明するクロムシリサイドを形成できないＳｉが母相中に過剰に固溶して導電率を低下させる。一方、０．５質量％を超えると導電率が低下し、更に熱間加工性及び曲げ加工性に悪影響を及ぼす。そこでＣｒの含有量は０．１〜０．５質量％とした。Ｃｒの含有量は好ましくは０．３質量％〜０．５質量％であり、より好ましくは０．４質量％〜０．５質量％である。
【００２５】
また、Ｓｉの含有量が０．０５質量％未満ではＣｒ量が少ないときと同様に所望の強度を得ることができず、０．２質量％を超えるとＣｒ量が多い場合と同様に、導電率、熱間加工性及び曲げ加工性に問題が生じる。そこでＳｉの含有量は０．０５〜０．２質量％とした。Ｓｉの含有量は好ましくは０．１質量％〜０．２質量％であり、より好ましくは０．１５質量％〜０．１８質量％である。
【００２６】
理論によって本発明が限定されることを意図するものではないが、本発明に係る銅合金の強化機構について考察する。Ｍｇは固溶強化により銅合金の強化に寄与する。Ｓｉ及びＣｒは脱酸作用を有しており、Ｍｇの酸化を防止することができるために、これらを添加することによってＭｇの固溶強化がより促されると考えられる。更に、ＣｒとＳｉはＣｕに添加すると、時効処理を行うことにより、クロムシリサイドを形成して微細な金属間化合物として銅母相中に析出するので、導電率を損なわずに更に強度の向上を図ることができると考えられる。
すなわち、本発明に係る銅合金は主としてＭｇによる固溶強化とＣｒ−Ｓｉの金属間化合物による析出強化のシナジーによって導電率と強度の両立が達成されていると考えられる。
その他、シリサイドを形成する析出型の添加元素としてはＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ及びＴｉなどもあるが、ＣｒシリサイドはＮｉシリサイドよりも導電率の上昇に優れている。また、ＣｒはＣｏに比べて原料代が安価である。そして、ＦｅやＴｉに比較して固溶し残った状態でも導電率の上昇が小さいという利点もある。そのため、Ｃｒは製造コストと特性のバランスにおいて優れているといえる。
【００２７】
含有炭素量
銅合金の製造過程では種々の要因、例えば溶解鋳造時に酸化防止のために行う木炭被覆や溶解原料に付着した油分によって炭素成分が不純物として合金中に混入する恐れがある。
Ｃｒは炭素と結合して強度に寄与しないＣｒ系炭化物（Ｃｒ−Ｃ）を形成し易い。Ｃｒ系炭化物の生成が多くなり、Ｓｉと結合してシリサイドを形成するＣｒ量が減少すると、Ｃｒと結合できなかったＳｉが母相中に過剰に固溶し導電率を低下させ得るため好ましくない。本発明者は、本発明に係る銅合金の特性をより発揮させるために含有炭素量を意図的に制御することが有効であることを見出し、好ましくは含有炭素量を３０ｐｐｍ以下に制御すればそのような悪影響をほとんど回避できることも見出した。
【００２８】
合金元素の酸化を抑制しつつ含有炭素量を上記範囲に制御する方法には、例えば、溶解鋳造前に原材料中に炭素分が混入しないように脱脂を行うこと、真空や不活性雰囲気（例えばＡｒ）下で溶解鋳造を行うこと、溶解鋳造時に溶湯の攪拌を行うことなどの方法が挙げられる。
【００２９】
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ及びＴｉ
合金成分としてはＭｇ、Ｃｒ及びＳｉのみを規定量添加することで本発明の課題は充分に達成できるが、本発明においては随意的にＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ及びＴｉから選ばれる１種又は２種以上を更に添加してもよい。Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ及びＴｉはＣｒと同様に、時効処理を行うことにより、Ｓｉとシリサイドを形成して微細な金属間化合物として析出する。
これらから選択される１種又は２種以上を総量で０．５質量％以下添加することで導電率を損なわず強度を向上できる。しかしながら、その総量が０．１質量％未満ではその効果は小さく、０．５質量％を超えると導電率が低下し、更に熱間加工性に悪影響を及ぼすため、総量で０．１〜０．５質量％とするのが好ましい。
【００３０】
その他の添加元素
上述したＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ及びＴｉに加えて、又はそれらに代えてＡｇ、Ｓｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ａｌ及びＺｎから選ばれる１種又は２種以上を総量で０．１質量％以下添加することでも強度などの特性改善が期待できる。しかしながら、０．００１質量％未満ではその効果は小さく、０．１質量％を超えると導電率が低下するため総量で０．００１質量％〜０．１質量％とするのが好ましい。
そのほか、本発明に係る銅合金の特性に悪影響を与えない範囲で本明細書に具体的に記載されていない元素が添加されてもよい。
【００３１】
次に本発明の製造方法に関して説明する。本発明に係る銅合金は、析出型銅合金の慣例の製造方法により製造可能であり、複雑な加工工程や熱処理工程を要しないので工業的生産に適している。従って、当業者であれば組成や求められる特性に応じて最適な製法を選択することができるため特別の説明を要しないと考えられるが、以下に例示目的のための一般的な製造方法を説明する。
【００３２】
まず大気溶解炉を用い、電気銅、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｓｉ等の原料を溶解し、所望の組成の溶湯を得る。そして、この溶湯をインゴットに鋳造する。その後、熱間圧延を行い、冷間圧延と熱処理を繰り返して、所望の厚み及び特性を有する条や箔に仕上げる。熱処理には溶体化処理と時効処理がある。溶体化処理では、７００〜１０００℃の高温で加熱して、Ｍｇ及びＣｒ−Ｓｉ系化合物をＣｕ母地中に固溶させ、同時にＣｕ母地を再結晶させる。溶体化処理を、熱間圧延で兼ねることもある。時効処理では、３５０〜５５０℃の温度範囲で１時間以上加熱し、溶体化処理で固溶させたＣｒ−Ｓｉ系化合物を微細粒子として析出させる。この時効処理で強度と導電率が上昇する。Ｍｇは実質的に析出せずに固溶したままである。より高い強度を得るために、時効前及び／又は時効後に冷間圧延を行うことがある。また、時効後に冷間圧延を行う場合には、冷間圧延後に歪取焼鈍（低温焼鈍）を行うことがある。なお、本発明に係る銅合金の製造はできるだけ炭素分が混入しないように行うのが好ましい。
【００３３】
本発明に係る銅合金は一実施形態において、０．２％耐力が６００ＭＰａ以上でかつ導電率が６０％ＩＡＣＳ以上とすることができ、更には０．２％耐力が６００ＭＰａ以上でかつ導電率が６５％ＩＡＣＳ以上とすることができ、更には０．２％耐力が６５０ＭＰａ以上でかつ導電率が６０％ＩＡＣＳ以上とすることもでき、更には０．２％耐力が７００ＭＰａ以上でかつ導電率が６０％ＩＡＣＳ以上とすることもできる。
【００３４】
電子材料用銅合金には強度及び導電率以外にも、例えば曲げ加工性や耐熱性などの特性が用途に応じて必要とされる。曲げ加工性は複雑な曲げ加工を施す際に重要な特性であり、耐熱性は、例えば高温環境下で使用される場合に重要な特性である。しかしながら、本発明に係る銅合金は良好な曲げ加工性及び耐熱性も有する。
【００３５】
本発明に係る銅合金は種々の伸銅品、例えば板、条、管、棒及び線に加工することができ、更に、本発明に係る銅合金はリードフレーム、コネクタ、ピン、端子、リレー、スイッチ、二次電池用箔材等の電子機器部品に使用することができる。そして、本発明に係る銅合金は０．２％耐力が６００ＭＰａ以上でかつ導電率が６０％ＩＡＣＳ以上の特性を有することからパソコンや携帯電話のような小電流用途のみならず、負荷の高いモーターや自動車の大電流用途にも好適である。
【００３６】
銅合金の産業的な利用を促進するためには、基本特性に優れた銅合金を低コストで供給できることが望ましいが、本発明に係る銅合金は、ベリリウムのような高価な金属を必要とせず、Ｍｇ、Ｓｉ及びＣｒといった比較的安価な添加元素のみを加えて製造可能であり、特殊な製造工程を要しない点で工業上の利用性にも優れている。
【実施例】
【００３７】
以下に本発明の具体例を示すが、これら実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
【００３８】
本発明の実施例に用いる銅合金は、表１に示すようにＭｇ、Ｓｉ及びＣｒの含有量をいくつか変化させた銅合金に適宜Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ及びＳｎを添加した組成を有する。また、比較例に用いる銅合金は、それぞれ本発明の範囲外のパラメータをもつ銅合金である。
【００３９】
表１に記載の各種成分組成の銅合金を、高周波溶解炉で１２５０℃で溶製し、厚さ３０ｍｍのインゴットに鋳造した。この際、溶解鋳造前に原材料中に炭素分が混入しないように脱脂を行うこと、真空や不活性雰囲気（例えばＡｒ）下で溶解鋳造を行うこと、溶解鋳造時に溶湯の攪拌を行うことによって炭素量を制御した。次いで、このインゴットを９５０℃で加熱後、板厚１１ｍｍまで熱間圧延し、速やかに冷却を行った。表面のスケール除去のため厚さ１０ｍｍまで面削を施した後、冷間圧延により厚さ０．６ｍｍの板とした。次にＮｉ及びＣｒの添加量に応じて９００℃〜１０００℃で溶体化処理を１２０秒行い、これを直ちに水冷した。その後０．３ｍｍまで冷間圧延して、最後に添加量に応じて４００℃〜５５０℃で各１〜１２時間かけて不活性雰囲気中で時効処理を施して、試料を製造した。
【００４０】
このようにして得られた各合金につき強度及び導電率の特性評価を行った。強度については圧延平行方向での引っ張り試験を行って０．２％耐力（ＹＳ）を測定し、導電率（ＥＣ；％ＩＡＣＳ）についてはＷブリッジによる体積抵抗率測定により求めた。
曲げ加工性の評価は、Ｗ字型の金型を用いて試料板厚と曲げ半径の比が１となる条件で９０°曲げ加工を行った。評価は曲げ加工部表面を光学顕微鏡で観察し、クラックが観察されない場合を実用上問題ないと判断して○とし、クラックが認められた場合を×とした。
耐熱性は２００℃〜６００℃で１時間焼鈍を行い、焼鈍後の試料を引張試験して強度を測定し、半軟化温度を決定することにより評価した。半軟化温度とは、焼鈍後の引張り強さが焼鈍前の引張り強さと完全に軟化した後の引張り強さとの中間の値になるような焼鈍温度をいう。比較例Ｎｏ．１１より半軟化温度が高ければ、良好であるといえる。
【００４１】
炭素の含有量は燃焼分解/ガス分析法により測定した。具体的には金属試料を高周波燃焼させ、金属試料中の炭素をＬＥＣＯ社製ＣＳ-４００を用いて高周波融解−赤外線吸収法により定量分析して測定した。
【００４２】
【表１】
2007126739.tif 000002
【００４３】
合金Ｎｏ．１〜４、９及び１０は規定範囲内のＭｇ、Ｓｉ及びＣｒを含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる組成を有する本発明に係る銅合金である。表１から分かるように、これらの銅合金はすべて０．２％耐力（ＹＳ）が６００ＭＰａ以上で導電率（ＥＣ）が６０％ＩＡＣＳ以上であった。曲げ加工性も良好であった。
また、添加元素として更に規定範囲内のＮｉ、Ｃｏ又はＳｎを加えることによって導電率を犠牲にすることなく強度が向上することが分かる（合金Ｎｏ．５〜８）。なお、表には記載していないがＡｇを加えた銅合金は破断伸び（ＥＬ）が若干向上した。
【００４４】
合金Ｎｏ．１１では添加元素としてＭｇのみを用いたため、強度が不足したと考えられる。
合金Ｎｏ．１２では添加元素としてＣｒを含有しないために強度及び導電率が共に不十分であったと考えられる。
合金Ｎｏ．１３では添加元素としてＭｇを用いておらず、固溶したＭｇが銅結晶中に存在しないことから導電率は高かったが、Ｓｉ及びＣｒの析出強化のみでは強度が不十分であったことを示すと考えられる。
合金Ｎｏ．１４では添加元素としてＳｉを含有せず、更には、含有炭素量も多かったために強度に寄与しないＣｒ系炭化物が生成し、充分な強度が得られなかったものと考えられる。曲げ加工性も不十分となった。
合金Ｎｏ．１５ではＭｇの含有量が規定範囲を上回ったために熱間加工性に悪影響を及ぼしたものと考えられる。
合金Ｎｏ．１６ではＭｇの含有量が規定範囲を下回ったために強度が不足したものと考えられる。
合金Ｎｏ．１７ではＳｉの含有量が規定範囲を上回ったために導電率及び曲げ加工性が不十分となったものと考えられる。
合金Ｎｏ．１８ではＳｉの含有量が規定範囲を下回ったために強度が不足したものと考えられる。
合金Ｎｏ．１９ではＣｒの含有量が規定範囲を上回ったために導電率及び曲げ加工性が不十分となったものと考えられる。
合金Ｎｏ．２０ではＣｒの含有量が規定範囲を下回ったために強度が不足し、更には、Ｃｒと結合できないＳｉが過剰に固溶したため導電率も不十分となったと考えられる。
合金Ｎｏ．２１では含有炭素量が多く、強度に寄与しないＣｒ系炭化物が多量に生成したために強度が不足するとともに、Ｓｉが過剰に固溶したために導電率も不十分となったものと考えられる。曲げ加工性も不十分となった。
合金Ｎｏ．２２では更なる添加元素としてＮｉを過剰に加えたために導電率が不足したものと考えられる。曲げ加工性も不十分となった。
合金Ｎｏ．２３では更なる添加元素としてＳｎを過剰に加えたために導電率が不足したものと考えられる。曲げ加工性も不十分となった。