(57)【要約】【課題】基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層し、上面に凹凸構造を有する半導体発光素子において、発光効率を高くする。【解決手段】サファイア基板２上に、バッファ層３を形成し、１０００℃の成膜温度でｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５およびｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を成膜した後、開口を有するマスクを形成して、温度を８００℃に低下して再びｐ型窒化ガリウム化合物半導体層を成長させることで、先端が四角錐状で四角柱状の凸部７を形成することができる。したがって、その凸部７によって、発光層５で発生した光の取出し効率を向上しつつも、ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を必要最小限の厚さとして、低抵抗化を図ることができ、発光効率が高い青色または紫外の発光ダイオード１を実現することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層して成り、前記ｐ型窒化物半導体層上に凹凸構造を有する半導体発光素子において、
前記凹凸構造を、前記ｐ型窒化物半導体層からエピタキシャル成長させたｐ型ドーパントを含む先端が四角錐状で四角柱状の凸部から成ることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記凸部の最表層の組成を、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１）とすることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記請求項１または２記載の半導体発光素子を用いることを特徴とする照明装置。
【請求項４】
基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層して成り、前記ｐ型窒化物半導体層上に凹凸構造を有する半導体発光素子の製造方法において、
前記ｐ型窒化物半導体層を予め定める規定の膜厚に成長させた後に、開口部を有するマスク形成を行い、前記ｐ型窒化物半導体層から、ｐ型ドーパントを含み、先端が四角錐状で四角柱状の凸部を低温でエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記マスクは、ＮｉＯ２もしくはＳｎＯ２の金属酸化膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはサファイアから成ることを特徴とする請求項４記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記凸部のエピタキシャル成長後に、酸素原子を含む雰囲気下で熱処理を行うことを特徴とする請求項４または５記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、青色または紫外の光を発生することができる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の素子構造に関し、詳しくはｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に凹凸構造を形成して、発光層から発生する光を効率良く外部に取出す方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、窒化ガリウム系化合物半導体層と光を取出す空気層との屈折率が大きく異なるので、発光層から発生した光がそれらの界面においてある角度以上で入射した場合には、全反射してしまい、空気層側へ取出せなくなる。このため、従来から、発光層内で発生する光の全反射を低減して発光効率が高い青色または紫外の半導体発光素子を実現するために、特許文献１〜３で示されるように、光取出し面を粗面化する方法が用いられている。
【０００３】
特許文献１では、光取出し面となるｐ型またはｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に絶縁性の光散乱層を新たに形成しており、その光散乱層はＳｉＯ２をウェットエッチングして成り、表面は凹凸構造を有し、凸部は球形の粒子の一部から構成されていたり、取出し面上に島状に凸部を形成した例が記載されている。
【０００４】
また、特許文献２では、光取出し面となるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に最小寸法が発光波長λの１／４となる開口部を設けており、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にレジストを積層してそのレジストにパターン形成を行った後、レジストをマスクとして、開口部をイオン・ミリング法によって形成するプロセスが記載されている。
【０００５】
さらにまた、特許文献３では、光取り出し面となるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面、またはｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成した透明電極表面に、前記イオン・ミリング法やＲＩＥなどのエッチング手法を用いて、凹凸構造を形成することが記載されている。詳しくは、レジストなどによってパターン形成を行い、そのレジストをマスクとして開口部をイオン・ミリング法によりエッチングを行うことで、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上やｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成した透明電極表面に凹凸構造を形成するプロセスが記載されている。
【特許文献１】特開平１０−１６３５２５号公報
【特許文献２】特開２０００−９１６３９号公報
【特許文献３】特開２０００−１９６１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記特許文献１の従来技術では、光取出し面上に新たに光散乱層を設けているので、散乱層内での光吸収が発生する。また、ＳｉＯ２は、ＧａＮよりも屈折率が小さい（ＳｉＯ２が約１．７、ＧａＮが約２．５）ので、屈折率の大きいＧａＮから小さいＳｉＯ２へ、発光層からの光がある入射角度以上にて進む場合には、ＧａＮ側へ全反射するエスケープコーンが存在する。さらにまた、光取出し面と光散乱層との密着性が悪いときには、前記のような屈折率差を有する材料間の界面で反射が生じる。以上のようなことから、光取出し効率の向上が充分でないという問題がある。
【０００７】
一方、特許文献２では、光取出し面となるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に直接開口部を設けているので、光散乱効果を発揮する深さ（０．１μｍ以上）を有する開口部を形成しようとすれば、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を厚くする必要がある。しかしながら、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、一般的に、１０６Ω／ｃｍ２程度の抵抗値を持っており、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と比べて、高抵抗である。そのため、前記開口部の底部から半導体層までの抵抗値は小さいものの、大面積の前記開口部以外の上面から半導体層までの抵抗値は高く、あまりｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を厚くすると、素子の動作電圧が高くなり、発光効率の低下を招くなどの問題がある。
【０００８】
さらにまた、特許文献３のように、ＲＩＥやイオン・ミリング法などにより、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部をエッチングにより除去してｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に凹凸構造を形成した場合には、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層へダメージを与えてしまい、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型の電極材料とのオーミック性が低下する。その結果、上記と同様に窒化ガリウム系化合物からなる半導体発光素子の動作電圧が高くなるなどの問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型の電極材料とのオーミック性を低下させることなく、ｐ型窒化ガリウム系半導体層上に凹凸構造を形成して、光取出し効率の向上を一層進めることができる半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体発光素子は、基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層して成り、前記ｐ型窒化物半導体層上に凹凸構造を有する半導体発光素子において、前記凹凸構造を、前記ｐ型窒化物半導体層からエピタキシャル成長させたｐ型ドーパントを含む先端が四角錐状で四角柱状の凸部から成ることを特徴とする。
【００１１】
上記の構成によれば、ｐ型窒化物半導体層を所望とする厚さに形成した後、開口部を有するマスク形成を行い、前記ｐ型窒化物半導体層から、ｐ型ドーパントを含み、先端が四角錐状で四角柱状の凸部を低温でエピタキシャル成長させることで、回折による光取出し効率を向上する凹凸を作成する。
【００１２】
したがって、前記凸部を、回折による光取出し効率を向上することができる充分な高さに形成することができる。また、ｐ型窒化物半導体層は必要最小限の厚さとして、低抵抗化を図ることができる。また、前記マスクを除去するエッチングはｐ型窒化物半導体層を彫るものではなく、ダメージも小さく、また凸部にｐ型ドーパントを含むことから、ｐ型の電極材とオーミックコンタクトすることができる。これらによって、発光効率が高い青色または紫外の発光ダイオードを実現することができる。
【００１３】
また、本発明の半導体発光素子は、前記凸部の最表層の組成を、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１）とすることを特徴とする。
【００１４】
上記の構成によれば、凸部の最表層の組成をＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１）とすることで、ｐ型ドーパントの活性化エネルギーが低く、低抵抗なｐ型窒化物半導体層を形成できるので、ｐ型窒化物半導体層とｐ型の電極材とのオーミック性が良好になり、動作電圧を低減し、一層発光効率が高い青色または紫外の半導体発光素子を実現することができる。
【００１５】
さらにまた、本発明の照明装置は、前記の半導体発光素子を用いることを特徴とする。
【００１６】
上記の構成によれば、半導体発光素子に凹凸を形成することによる光取出し効率を一層向上することができる照明装置を実現することができる。
【００１７】
また、本発明の半導体発光素子の製造方法は、基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層して成り、前記ｐ型窒化物半導体層上に凹凸構造を有する半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ型窒化物半導体層を予め定める規定の膜厚に成長させた後に、開口部を有するマスク形成を行い、前記ｐ型窒化物半導体層から、ｐ型ドーパントを含み、先端が四角錐状で四角柱状の凸部を低温でエピタキシャル成長させることを特徴とする。
【００１８】
上記の構成によれば、ｐ型窒化物半導体層を所望とする厚さに形成した後、開口部を有するマスク形成を行い、温度を低下させて再び結晶成長を行わせると、該結晶は通常の成長のような面方向に拡がった成長をせず、先ず四角錐状に核成長し、その後、先端を四角錘として、前記開口の内周面に沿って、四角柱状に成長してゆく。
【００１９】
したがって、前記マスクを除去すると、ｐ型窒化物半導体層上に、ｐ型ドーパントを含み、先端が四角錐状で四角柱状の凸部から成る凹凸構造を形成することができる。
【００２０】
さらにまた、本発明の半導体発光素子の製造方法では、前記マスクは、ＮｉＯ２もしくはＳｎＯ２の金属酸化膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはサファイアから成ることを特徴とする。
【００２１】
上記の構成によれば、マスク材がエピタキシャル成長中に用いる成長ガスに対して腐食されることがなく、所定の形状をもつｐ型ドーパントを含む凸部の形成を容易に行うことができる。
【００２２】
また、本発明の半導体発光素子の製造方法は、前記凸部のエピタキシャル成長後に、酸素原子を含む雰囲気下で熱処理を行うことを特徴とする。
【００２３】
上記の構成によれば、凸部を含むｐ型窒化物半導体層内のドーパントが活性化されて低抵抗になるので、ｐ型窒化物半導体層とｐ型の電極材とのオーミック性は良好となり、発光効率が高い半導体発光素子を実現できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の半導体発光素子およびその製造方法は、以上のように、基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層して成り、前記ｐ型窒化物半導体層上に凹凸構造を有する半導体発光素子において、ｐ型窒化物半導体層を所望とする厚さに形成した後、開口部を有するマスク形成を行い、前記ｐ型窒化物半導体層から、ｐ型ドーパントを含み、先端が四角錐状で四角柱状の凸部を低温でエピタキシャル成長させることで、回折による光取出し効率を向上する凹凸を作成する。
【００２５】
それゆえ、前記凸部を、回折による光取出し効率を向上することができる充分な高さに形成することができる。また、ｐ型窒化物半導体層は必要最小限の厚さとして、低抵抗化を図ることができる。また、前記マスクを除去するエッチングはｐ型窒化物半導体層を彫るものではなく、ダメージも小さく、また凸部にｐ型ドーパントを含むことから、ｐ型の電極材とオーミックコンタクトすることができる。これらによって、発光効率が高い青色または紫外の発光ダイオードを実現することができる。
【００２６】
さらにまた、本発明の照明装置は、以上のように、前記の半導体発光素子を用いる。
【００２７】
それゆえ、半導体発光素子に凹凸を形成することによる光取出し効率を一層向上することができる照明装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、本発明の実施の一形態に係る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である発光ダイオード１の断面図である。この発光ダイオード１では、サファイア基板２上に、ＡｌＮとＧａＮとのペア層が積層されたバッファ層３、ｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５およびｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６が順に積層される。注目すべきは、本発明では、前記ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６に続けて、該ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６上に分散して、ｐ型ドーパントを含む先端が四角錐状で四角柱状の凸部７が結晶成長されていることである。その凸部７を含むｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６上には、導電膜８が積層され、さらにその導電膜８上にメタル層が積層されてｐ型電極９となる。一方、この発光ダイオード１の一部分、たとえば矩形の隅角部の１箇所は、エッチングによって前記ｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４まで彫り込まれ、その上にｎ型電極１０が形成される。
【００２９】
この発光ダイオード１では、サファイア基板２を支持基板として用いているが、基板はサファイアに限定されず、基板側から光取出しを行う場合には、該基板は発光波長に対して透光性を持つものであればよいことは言うまでもない。またその場合、導電膜８およびｐ型電極９は光を反射する材料となるけれども、基板がＳｉであったり、前記サファイア基板２側からＹＡＧレーザを照射することによって該サファイア基板２を除去し、前記バッファ層３上に導電膜を形成してｎ型電極とする場合には、導電膜８およびｐ型電極９は光を透過する材料として、ｐ型電極９側から光を取出すようにしてもよい。
【００３０】
前記バッファ層３は、たとえばＡｌＮとＧａＮとから成るペア層が１ｎｍの厚みで積層されて成り、前記ｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４は、たとえばＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層が２．２μｍの厚みで積層されて成り、前記発光層５は、たとえばＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層が３ｎｍの厚みで積層されて成り、前記ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６は、たとえばｐ型の電気伝導を示すドーパントＭｇを含むＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層が０．１μｍの厚みで積層されて成る。一方、前記凸部７は、たとえばｐ型ドーパントＭｇを含むＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎが０．１μｍの厚みで積層されて成る。ただし、この凸部７の最表層は、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１）で形成される。
【００３１】
前記各層４，５，６および凸部７において、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）の成分ｘおよびその厚さは、上記の値に限らず、所望とする電気的特性を得ることができる範囲で、適宜変化されてもよい。本発明の半導体発光素子では、前記ｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５、ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６および凸部７の組成は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表すことができ、上記の例は、凸部７の最表層を除き、ｙ＝０である。
【００３２】
以下に、上述のように構成される発光ダイオード１の結晶成長方法を説明する。成長に用いるガスは、キャリアガスとして、水素ガス（Ｈ２）、窒素ガス（Ｎ２）、成長に係わるガスとして、アンモニア（ＮＨ３）、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）３、以下ＴＭＧと略す）、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ３）３、以下ＴＭＡと略す）、シラン（ＳｉＨ４）、シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｍｇ（Ｃ５Ｈ５）２）である。
【００３３】
先ず、サファイア基板２を有機および酸溶液にて洗浄を行う。そして、Ｈ２を２（Ｌ／分）流しながら温度を１１００℃に上昇させ、サファイア基板２を気相エッチングする。次に、８００℃まで温度を低下させて、Ｈ２を２０（Ｌ／分）およびＮＨ３を１０（Ｌ／分）流しながら、１．８×１０−５（モル／分）のＴＭＡと１．１×１０−５（モル／分）のＴＭＧとを交互に供給して、合計で前記１ｎｍの厚みとしたＡｌＮとＧａＮとから成るペア層が積層されたバッファ層３をサファイア基板２上に結晶成長させる。
【００３４】
こうして基板処理が終わると半導体層の作成に移り、温度を１０００℃に上げて、Ｈ２を２０（Ｌ／分）およびＮＨ３を１０（Ｌ／分）流しながら、１．８×１０−５（モル／分）のＴＭＡと１．１×１０−５（モル／分）のＴＭＧとを交互に供給して、さらにシランを導入して、前記２．２μｍの厚みとし、ｎ型ドーパントとしてＳｉを含むＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層を、前記ｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４としてバッファ層３上に結晶成長させる。
【００３５】
引続き、温度を１０００℃に保ち、Ｈ２を２０（Ｌ／分）およびＮＨ３を１０（Ｌ／分）流しながら、１．８×１０−５（モル／分）のＴＭＡと１．１×１０−５（モル／分）のＴＭＧとを交互に供給して、さらにシランを導入して、前記３ｎｍの厚みとしたＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層を、前記発光層５としてｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４上に結晶成長させる。
【００３６】
さらに、温度を１０００℃に保ち、Ｈ２を２０（Ｌ／分）およびＮＨ３を１０（Ｌ／分）流しながら、１．８×１０−５（モル／分）のＴＭＡと１．１×１０−５（モル／分）のＴＭＧとを交互に供給して、さらにシクロペンタジエニルマグネシウムを導入して、前記０．１μｍの厚みとしたｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層を、前記ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６として発光層５上に結晶成長させる。
【００３７】
こうして、窒化ガリウム化合物半導体層が積層されると、注目すべきは、本発明では、イオンビーム蒸着方法にて、図２（ａ）に示すように、前記ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６上に、シリコン酸化膜１１が、厚さが０．３μｍとなるように蒸着が行われ、その上に、図２（ｂ）で示すように、レジスト１２が全面に塗布され、図２（ｃ）のように所定のパターンを有するマスク１３越しに露光を行い、レジスト１２の現像処理を行うことで、図２（ｄ）に示すように目的とするレジストパターンが形成される。
【００３８】
その後、図２（ｅ）で示すように、レジスト１２の開口部のシリコン酸化膜１１をＢＨＦによりエッチングを行い、さらに図２（ｆ）で示すように、アセトンによりパターン形成しているレジストを除去して、シリコン酸化膜１１をｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６上にパターン形成している。
【００３９】
このシリコン酸化膜１１のパターンを用いて、温度を８００℃に低下させて再び結晶成長を行い、Ｈ２を２０（Ｌ／分）およびＮＨ３を１０（Ｌ／分）流しながら、１．８×１０−５（モル／分）のＴＭＡと１．１×１０−５（モル／分）のＴＭＧとを交互に供給して、さらにシクロペンタジエニルマグネシウムを導入して、図２（ｇ）で示すように、前記０．１μｍの厚みとしたｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎから成る先端が四角錐状で四角柱状の凸部７を、ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６上に、前記シリコン酸化膜１１の開口１４内に結晶成長させる。前記開口１４の形状は、円でも多角形でもよく、ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６上に、低温で結晶核成長させると、先ず前記開口１４に内接するように四角錘が形成され、その四角錘から、開口１４の内周面に沿って、四角柱が成長してゆき、先端が前記四角錐状になる。
【００４０】
そして、最表層には、温度を６８０℃に低下させてそのまま結晶成長を行い、Ｈ２を１０（Ｌ／分）およびＮＨ３を２０（Ｌ／分）流しながら、１．８×１０−５（モル／分）のＴＭＡと３．１×１０−５（モル／分）のＴＭＧとを交互に供給して、さらにシクロペンタジエニルマグネシウムを導入して、０．１μｍの厚みとしたｐ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎを形成する。
【００４１】
その後、ＢＨＦなどを用いて前記シリコン酸化膜１１を除去し、酸素原子を含む雰囲気下で熱処理を行い、前記導電膜８およびｐ型電極９ならびにｎ型電極１０が形成されると、前記図１のようになる。
【００４２】
前記凸部７の成長にあたって、６５０℃程度では前記四角錐状の凸部７は形成されず、窒化物半導体層の通常の成膜温度である１０００℃以上であれば、シリコン酸化膜１１のパターン上で面方向にも成長してしまう。したがって、７００〜９００℃、特に上記８００℃で成長させることが好ましい。
【００４３】
このようにエピタキシャル成長時にマスクとなるシリコン酸化膜１１のパターンを用い、柱状の凸部７を形成することで、該凸部７は、回折による光取出し効率を充分に向上することができる高さ（たとえば、発光波長λ＝４６０ｎｍの１／４の前記０．１μｍ以上）とし、ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６は必要最小限の厚さ（たとえば、前記０．１μｍ程度）として、低抵抗化を図ることができる。また、ＢＨＦによるエッチングはｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を彫るものではなく、前記シリコン酸化膜１１を除去するものであり、ダメージも小さく、また凸部７にｐ型ドーパントを含むことから、導電膜８とオーミックコンタクトすることができる。これらによって、発光効率が高い青色または紫外の発光ダイオードを実現することができる。
【００４４】
また、凸部７の最表層の組成をＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１）とすることで、ｐ型ドーパントの活性化エネルギーが低く、低抵抗なｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を形成できるので、該ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６と導電膜８とのオーミック性が良好になり、動作電圧を低減し、一層発光効率が高い青色または紫外の半導体発光素子を実現することができる。
【００４５】
さらにまた、前記凸部７のエピタキシャル成長後に、酸素原子を含む雰囲気下で熱処理を行うことで、該凸部７を含むｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６内のドーパントが活性化されて（ＧａＮ中に取込まれているｐ型ドーパントＭｇは、エピタキシャル成長をさせた状態では水素と結合しているために活性化していないが、酸素雰囲気下で熱処理を行うことで、Ｍｇと水素との結合が切れて（水素と酸素とが結合して水蒸気になり）、ｐ型ドーパントＭｇが活性化する）低抵抗になるので、ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６と導電膜８とのオーミック性は良好となり、より一層発光効率を向上することができる。
【００４６】
前記シリコン酸化膜１１に代えて、ＮｉＯ２またはＳｎＯ２の金属酸化膜、シリコン窒化膜、もしくはサファイアをマスクとして用いることができ、これらの材料も、エピタキシャル成長中に用いる成長ガスに対して腐食されることがなく、所定の形状をもつｐ型ドーパントを含む凸部７の形成を容易に行うことができる。たとえば、シリコン窒化膜を用いる場合には、前記ＢＨＦによるエッチングに代えて、Ａｒのプラズマによるエッチングを行うようにすればよい。
【００４７】
上述のように構成される発光ダイオード１を照明装置に用いることで、同じ光束（輝度、照度）を得るにも、小型で低消費電力な照明装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施の一形態に係る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である発光ダイオードの断面図である。
【図２】本発明の発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１    発光ダイオード
２    サファイア基板
３    バッファ層
４    ｎ型窒化ガリウム化合物半導体層
５    発光層
６    ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層
７    凸部
８    導電膜
９    ｐ型電極
１０    ｎ型電極
１１    シリコン窒化膜
１２    レジスト
１４    開口
【図１】
2007095744.tif 000003
【図２】
2007095744.tif 000004