(57)【要約】【課題】簡単に製造することが可能な光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】光吸収層(基板)１の上に反射層２を形成し、発光層６の上に電流阻止層７を形成すると共に、チップ外周を凸形状にしている。こうして、電流阻止層７によって電流をチップの中央付近に集中させて、発光層６からの光の透光層８による全反射の割合を低くし、効率よく光を外部に取り出す。さらに、発光層６の下に設けられた反射層２によって、発光層６で発光した光を発光層６,電流阻止層７および透光層８でなる光透過性層の側へ反射させて、光吸収層(基板)１で吸収される無効発光を抑え、さらなる発光効率の向上を図る。こうして、光取り出し効率の高い、延いては輝度の高い、半導体発光素子を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層と、
上記発光層の一方の側に形成されると共に、上記発光層の発光波長の光に対して光吸収特性を有する光吸収層と、
上記発光層の他方の側に形成されると共に、上記発光波長の光に対して透光特性を有する透光層と、
上記発光層と上記光吸収層との間に形成されると共に、上記発光波長の光に対して反射特性を有する反射層と
を備え、
上記発光層,光吸収層,透光層および反射層を含む半導体チップの外周が凸形状を成している
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光素子において、
上記発光層と上記透光層との間および上記発光層と上記光吸収層との間の少なくとも一方に電流阻止層を形成した
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体発光素子において、
上記電流阻止層は、上記半導体チップの周辺領域に形成されている
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体発光素子において、
上記半導体チップは、上記発光層,光吸収層,透光層,反射層および電流阻止層を通る軸を有し、
上記電流阻止層は、上記軸を中心とする円形を成している
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項５】
内側に空間を有して回転する第１回転体と、この第１回転体内の上記空間に配置されて上記第１回転体と対向して回転する第２回転体との間に、半導体発光素子のチップを投入し、
上記第１回転体および上記第２回転体の少なくとも一方を回転させることによって、上記投入されたチップの外周を凸形状に加工する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記第１回転体の回転軸と上記第２回転体の回転軸とは同一の回転軸である
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記第１回転体および上記第２回転体の少なくとも一方における上記チップが接触する領域には緩衝体が設けられている
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記第１回転体および上記第２回転体の少なくとも一方における上記緩衝体の表面には研磨体が設けられている
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記第１回転体と上記第２回転体との隙間の長さは、加工終了時における上記チップの略最長直径である
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記第２回転体における上記チップが接触する領域には突起が設けられている
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記突起は、上記第２回転体の回転軸の延在方向に非対称な形状を有している
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、輝度の高い半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子(例えば、半導体発光ダイオード：ＬＥＤ)は、半導体のｐｎ接合に注入された電子とホールとの発光再結合を利用して活性層から光を発光するデバイスである。
【０００３】
近年では、青色の半導体発光素子が開発され、光の３原色が揃ったことで、あらゆる波長の光を作り出すことが可能になった。このことにより、半導体発光素子は、様々な分野で注目され、幅広いアプリケーションに用いられるようになっている。
【０００４】
この半導体発光素子では、光取り出し効率を向上させて発光輝度を高くすることが課題となっている。しかしながら、半導体が有する高い屈折率のために、半導体内側界面への入射角が大きい光は全反射して発光素子外部に放出される確率が低くなり、発光効率が抑えられる結果になっている。
【０００５】
そのために、半導体発光素子の半導体積層部を凸に湾曲させたり、実装時にマウント側にミラーを設けて基板側へ漏れた光を外方向に導く等の方法(例えば、特開２００３‐４６１２１号公報(特許文献１))によって、発光効率を高めるようにしている。
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に開示された従来の半導体発光素子においては、以下のような問題がある。すなわち、上記半導体積層部を凸に湾曲させるには、基板上に発光層をクラッド層で挟んだ発光部および電流拡散層を形成した後、上記電流拡散層に対して塩酸系のエッチングあるいは研磨等を行う必要がある。したがって、上記従来の半導体発光素子の製造には大きな手間が掛かり、製造コストを上げる要因となっている。
【０００７】
さらに、実装時に、基板側へ漏れた光を外方向に導くためのミラーを配置する等の手間が掛かるという問題もある。
【特許文献１】特開２００３‐４６１２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、この発明の課題は、簡単に製造することが可能な光取り出し効率の高い半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、この発明の半導体発光素子は、
発光層と、
上記発光層の一方の側に形成されると共に、上記発光層の発光波長の光に対して光吸収特性を有する光吸収層と、
上記発光層の他方の側に形成されると共に、上記発光波長の光に対して透光特性を有する透光層と、
上記発光層と上記光吸収層との間に形成されると共に、上記発光波長の光に対して反射特性を有する反射層と
を備え、
上記発光層,光吸収層,透光層および反射層を含む半導体チップの外周が凸形状を成している
ことを特徴としている。
【００１０】
上記構成によれば、半導体チップの外周が凸形状を成している。したがって、発光層から出射された光における光透光層の内側界面での全反射が減少される。さらに、上記発光層と光吸収層との間には反射層が形成されている。したがって、上記発光層から出射されて上記光吸収層へ向かう光が上記反射層によって上記透光層側へ反射され、上記発光層からの出射光が上記光吸収層で吸収されて無効発光となることが抑制される。こうして、光取り出し効率の向上が図られる。
【００１１】
また、１実施の形態の半導体発光素子では、
上記発光層と上記透光層との間および上記発光層と上記光吸収層との間の少なくとも一方に電流阻止層を形成している。
【００１２】
この実施の形態によれば、上記発光層と上記透光層との間および上記発光層と上記光吸収層との間の少なくとも一方に形成された電流阻止層によって、電流密度を上げることができる。したがって、光取り出し効率の向上を図ることができる。
【００１３】
また、１実施の形態の半導体発光素子では、
上記電流阻止層は、上記半導体チップの周辺領域に形成されている。
【００１４】
半導体チップの外周が凸形状を成している場合には、発光層の中心部から出射された光が上記光透光層の内側界面で全反射される割合は低い。この実施の形態によれば、上記電流阻止層が上記半導体チップの周辺領域に形成されているため、電流を上記発光層の中心部に集中させることができる。したがって、上記発光層の中心部から光を出射させることができ、上記発光層からの出射光が上記光透光層で全反射される割合を低減できる。こうして、光取り出し効率の向上を図ることができる。
【００１５】
また、１実施の形態の半導体発光素子では、
上記半導体チップは、上記発光層,光吸収層,透光層,反射層および電流阻止層を通る軸を有し、
上記電流阻止層は、上記軸を中心とする円形を成している。
【００１６】
この実施の形態によれば、上記電流阻止層は円形を成しているため、上記発光層から出射された光を、凸形状を有する半導体チップの外周から効果的に取り出すことができる。したがって、光取り出し効率の向上を図ることができる。
【００１７】
また、この発明の半導体発光素子の製造方法は、
内側に空間を有して回転する第１回転体と、この第１回転体内の上記空間に配置されて上記第１回転体と対向して回転する第２回転体との間に、半導体発光素子のチップを投入し、
上記第１回転体および上記第２回転体の少なくとも一方を回転させることによって、上記投入されたチップの外周を凸形状に加工する
ことを特徴としている。
【００１８】
上記構成によれば、半導体発光素子のチップの外周を凸形状に加工する際に、個々のチップに対してエッチングあるいは研磨等を行う必要がなく、凸形状を有する半導体発光素子を一括して容易に製造することができる。こうして、発光効率の高い半導体発光素子を低コストで簡単に製造することができる。
【００１９】
また、１実施の形態の半導体発光素子の製造方法では、
上記第１回転体の回転軸と上記第２回転体の回転軸とは同一の回転軸である。
【００２０】
この実施の形態によれば、上記第１回転体の回転軸と上記第２回転体の回転軸とは同一にして、上記第１回転体と上記第２回転体との回転制御が容易になる。
【００２１】
また、１実施の形態の半導体発光素子の製造方法では、
上記第１回転体および上記第２回転体の少なくとも一方における上記チップが接触する領域には緩衝体が設けられている。
【００２２】
この実施の形態によれば、上記チップが上記第１回転体と上記第２回転体との間で転動する際に、上記チップに掛かる衝撃が緩衝体によって緩和される。したがって、上記チップが衝撃によって割れることが防止される。
【００２３】
また、１実施の形態の半導体発光素子の製造方法では、
上記第１回転体および上記第２回転体の少なくとも一方における上記緩衝体の表面には研磨体が設けられている。
【００２４】
この実施の形態によれば、上記チップが上記第１回転体と上記第２回転体との間で転動する際に、上記チップの角が研磨体によって研磨される。したがって、投入チップが速やかに凸形状に加工される。
【００２５】
また、１実施の形態の半導体発光素子の製造方法では、
上記第１回転体と上記第２回転体との隙間の長さは、加工終了時における上記チップの略最長直径である。
【００２６】
この実施の形態によれば、加工終了時には、上記チップの最長直径が自動的に且つ略均一に設定される。
【００２７】
また、１実施の形態の半導体発光素子の製造方法では、
上記第２回転体における上記チップが接触する領域には突起が設けられている。
【００２８】
この実施の形態によれば、上記チップは突起の間で転がることができ、上記チップの外周に対する加工効率が向上される。
【００２９】
また、１実施の形態の半導体発光素子の製造方法では、
上記突起は、上記第２回転体の回転軸の延在方向に非対称な形状を有している。
【００３０】
この実施の形態によれば、上記突起は、上記第２回転体の回転軸の延在方向に非対称な形状を有しているので、上記チップがさらに転がり易くなり、上記チップの加工がより簡単になる。
【発明の効果】
【００３１】
以上より明らかなように、この発明の半導体発光素子は、半導体チップの外周を凸形状に成したので、発光層から出射された光における光透光層の内側界面での全反射を減少させることができる。さらに、上記発光層と光吸収層との間に反射層を形成したので、上記発光層から出射されて上記光吸収層へ向かう光を上記反射層によって上記透光層側へ反射させて、上記発光層からの出射光が上記光吸収層で吸収されて無効発光となるのを抑制することができる。したがって、光取り出し効率を向上させることができる。
【００３２】
また、上記発光層と上記透光層との間および上記発光層と上記光吸収層との間の少なくとも一方における上記半導体チップの周辺領域に電流阻止層を形成すれば、電流密度を上げると共に、電流を上記発光層の中心部に集中させることができ、上記発光層の中心部から光を出射させることができる。したがって、上記発光層からの出射光が上記光透光層で全反射される割合を低減でき、さらなる光取り出し効率の向上を図ることができる。
【００３３】
また、この発明の半導体発光素子の製造方法は、回転する第１回転体と、この第１回転体内で上記第１回転体と対向して回転する第２回転体との間に、半導体発光素子のチップを投入し、上記第１回転体および上記第２回転体の少なくとも一方を回転させて上記投入されたチップの外周を凸形状に加工するので、個々のチップに対してエッチングあるいは研磨等を行う必要がなく、凸形状を有する半導体発光素子を一括して容易に製造することができる。したがって、発光効率の高い半導体発光素子を低コストで簡単に製造することができる。
【００３４】
また、上記第１回転体および上記第２回転体の少なくとも一方に緩衝体を設け、上記第１回転体および上記第２回転体の少なくとも一方における上記緩衝体の表面に研磨体を設ければ、上記チップが上記第１回転体と上記第２回転体との間で転動する際に、上記チップが衝撃によって割れることを防止できる。さらに、上記チップの角を上記研磨体によって研磨することができ、上記チップの外周を速やかに凸形状に加工できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３６】
・第１実施の形態
図１は、本実施の形態の半導体発光素子における素子構造を示す縦断面図である。図１において、光吸収層１は、発光波長の光に対して光吸収特性を有しており、基板としての機能も有している。そして、この光吸収層(基板)１上に、発光波長の光に対して反射特性を有する反射層２が成長形成されている。さらに、反射層２上に、下クラッド層３,活性層４および上クラッド層５が順次積層されたＡlＧaＩnＰ系材料からなるダブルヘテロ接合構造の発光層６が成長形成され、発光層６の上に、上クラッド層５とは伝導性が異なる半導体あるいは絶縁体によって形成された電流阻止層７が形成されてパターニングされている。さらに、上クラッド層５および電流阻止層７の上に、発光波長の光に対して透明な透光層８が形成されている。そして、チップ外周は凸形状を有しており、本実施の形態においてはチップ全体が球形を成している。
【００３７】
また、半球状を成す上記透光層８における頂部から下方にずれた位置に第１伝導型の第１電極９が形成され、半球状を成す光吸収層１の底部には第２伝導型の第２電極１０が形成されている。
【００３８】
上述したように、上記光吸収層(基板)１,発光層６および透光層８でなる基本構成は上記特許文献１に開示された従来の半導体発光素子と同様である。しかしながら、本実施の形態においては、光吸収層(基板)１の上に反射層２が形成されており、また、発光層６の上に電流阻止層７が形成されている。
【００３９】
このような構成であれば、上記電流阻止層７を上クラッド層５の外周部に形成すれば、電流阻止層７によってチップ中央付近に発光を限定することができ、さらに電流密度を高めることができる。また、反射層２によって、光吸収層(基板)１側への無効発光を抑えることができる。したがって、チップ外周の凸形状を、最大限に活かすことができるのである。
【００４０】
すなわち、図２に示すように、上記発光層６からの発光のうちの外周部からの発光は、チップ外周が凸形状を成していても透光層８によって全反射する割合が高く、外周部からの発光は非効率的である。これに対して、本実施の形態のように、電流阻止層７によって電流をチップの中央付近に集中させることによって、図３に示すように、発光層６で発光した光の透光層８による全反射の割合を低くすることができ、効率よく光を外部に取り出すことができるのである。
【００４１】
さらに、上記発光層６の下に設けられた上記反射層２によって、発光層６で発光した光を発光層６,電流阻止層７および透光層８でなる光透過性層の側へ反射させることによって、光吸収層(基板)１で吸収される無効発光を抑え、さらなる発光効率の向上を図ることが可能となる。
【００４２】
以上のごとく、本実施の形態によれば、上記発光層６で発光した光の透光層８による全反射の割合を低くすると共に、発光層６で発光した光を反射層２によって上記光透過性層の側へ反射させて光吸収層(基板)１で吸収される無効発光を抑えることができる。したがって、光取り出し効率の高い、延いては輝度の高い半導体発光素子を提供することができるのである。
【００４３】
尚、本実施の形態のように、好ましくは上記発光層６と透光層８との間に電流阻止層７を設けた方が良いのであるが、電流阻止層７の位置は発光層６と透光層８との間に限定されるものではない。
【００４４】
また、本実施の形態においては、上記発光層６を、下クラッド層３,活性層４および上クラッド層５からなるダブルヘテロ接合構造であるとして説明した。しかしながら、この発明では、必ずしもダブルヘテロ接合構造を有する必要はなく、発光層を含む半導体積層部を有するものであれば一向に構わない。その他、この発明の要旨を逸脱しない範囲で変形して実施することができる。
【００４５】
・第２実施の形態
本実施の形態は、上記第１実施の形態における半導体発光素子を製造する半導体発光素子の製造装置に関する。
【００４６】
図４は、上記半導体発光素子の製造装置における概略構成図である。尚、図４(a)は、上記製造装置の縦断面図である。また、図４(b)は、上記製造装置の横断面図である。
【００４７】
本半導体発光素子の製造装置は、円形の筺体を成すと共に、上記円形の中心を中心として回転する第１回転体１１と、第１回転体１１の回転中心に設けられた回転軸１２と、第１回転体１１内に収納されると共に、回転軸１２を中心として回転する第２回転体１３とを、含んで構成されている。但し、第２回転体１３の基本形状は円形を成しており、回転軸１２は、第２回転体１３の中心に位置している。
【００４８】
上記第１回転体１１における外周壁は、例えばラバーのような緩衝体で構成された緩衝部１４を成している。そして、緩衝部１４の内側表面には、例えばラップシートのようなチップを研磨するための研磨体１５が設けられている。さらに、第２回転体１３における外周面には、一つ以上の突起１６が設けられている。この突起１６は、例えばラバーのような緩衝体で構成されるのが望ましい。
【００４９】
また、上記第１回転体１１における緩衝部１４の内面と第２回転体１３における突起１６の先端とのギャップの距離は、上記第１実施の形態における球形を成す半導体発光素子の略直径であって、球形ではない半導体発光素子の場合には半導体発光素子の最長直径と同程度である。そして、上記ギャップの距離は、投入チップを球形にするのであれば、投入チップの対角長の約７０％程度であることが望ましい。
【００５０】
このように、上記第１回転体１１における緩衝部１４の内面と第２回転体１３における突起１６の先端との間にギャップを設けることによって、投入チップの直径あるいは最長部分の長さが上記ギャップの大きさになると、投入チップが突起１６の箇所を通過して移動するようになって研磨効率が低下するため、投入チップの直径あるいは最長部分の長さが上記ギャップの距離によって規定されるのである。
【００５１】
上記構成を有する半導体発光素子の製造装置は、以下のように動作して半導体発光素子を製造する。例えば、上記第１実施の形態に記載のごとく、光吸収層１,反射層２,下クラッド層３,活性層４,上クラッド層５,電流阻止層７および透光層８が順次形成されてなる半導体積層体が、略立方体のチップに切り出される。そして、この切り出された略立方体のチップが、本半導体発光素子の製造装置における第１回転体１１と第２回転体１３との間に投入され、第２回転体１３が第１回転体１１に対して相対的に回転される。こうすることによって、第１回転体１１と第２回転体１３との間で投入チップが回転しながら、上記投入チップの角部が第１回転体１１の緩衝部１４の内側表面に設けられた研磨体１５によって研磨される。その場合、第２回転体１３における第１回転体１１に対する相対的な回転速度が大きければ、上記投入チップが速やかに球形に研磨されることになる。
【００５２】
ここで、上記第１回転体１１における緩衝部１４は、例えばラバーのような緩衝体で構成されている。したがって、上記緩衝体によって上記投入チップの割れが防止され、緩衝部１４の内側表面に設けられた研磨体１５による研磨効率を向上させることができる。さらに、第２回転体１３における外周面には、例えばラバーのような緩衝体で構成された突起１６が設けられている。したがって、上記投入チップは突起１６の間で転がることができ、研磨体１５による研磨効率が更に向上される。
【００５３】
以上のごとく、本実施の形態によれば、投入されたチップを、効率よく割れることなくスムーズに、外周が凸形状を有するように研磨することができるのである。
【００５４】
尚、図４においては、上記突起１６の形状は、第２回転体１３の回転軸１２の延在方向に対称に形成されている。しかしながら、この発明はこれに限定されるものではなく、図６に示すように、回転軸１２の延在方向に非対称な形状を有する突起１７を含むように構成しても一向に構わない。第２回転体１３をこのように構成することによって、上記投入チップが第１回転体１１と第２回転体１３との上記ギャップ内においてさらに転がり易くなり、外周部に凸形状を有する半導体発光素子の製造がより簡単になる。
【００５５】
また、上記第１回転体１１と第２回転体１３とをどのように回転させるかは、本実施の形態では特に限定するものではない。第２回転体１３のみを回転させても良いし、第１回転体１１のみを回転させても良いし、第１回転体１１と第２回転体１３との両方を回転させても良い。
【００５６】
また、上記第２回転体１３における突起１６の横断面形状は、図４に示す形状に限定されるものではなく、図７に示すような形状であってもよい。
【００５７】
また、上記実施の形態においては、第１回転体１１と第２回転体１３との回転軸１２は垂直方向に配置されている。しかしながら、回転体１１,１３の回転軸１２の方向は垂直方向に限定されるものではない。
【００５８】
・第３実施の形態
本実施の形態は、半導体発光素子の製造装置における上記第２実施の形態とは異なる他の実施の形態に関する。
【００５９】
図５は、上記半導体発光素子の製造装置における概略構成図である。尚、図５(a)は、上記製造装置の縦断面図である。また、図５(b)は、上記製造装置の横断面図である。
【００６０】
本実施の形態における半導体発光素子の製造装置の基本構成は、図４に示す上記第２実施の形態の場合と同様である。すなわち、第１回転体２１,回転軸２２,緩衝部２４および研磨体２５は、図４に示す半導体発光素子の製造装置における第１回転体１１,回転軸１２,緩衝部１４および研磨体１５と同じである。
【００６１】
本実施の形態における第２回転体２３は、図４に示す半導体発光素子の製造装置における第２回転体１３と同様に、基本形状は円形を成している。但し、回転軸２２は、第２回転体２３の中心ではなく、中心からずれた箇所に位置している。したがって、本実施の形態においては、第１回転体２１における緩衝部２４の内面と第２回転体２３における突起２６の先端とのギャップの距離は、部分的に異なることになる。
【００６２】
上述のような構成の場合には、上記第１回転体２１と第２回転体２３との上記ギャップの距離が大きい箇所において、上記投入チップの移動が積極的に起こることになり、上記投入チップの形状がより球状に近い形状にすることができる。つまり、上記ギャップの距離が大きい部分では、上記投入チップが自由に動き回ることが可能になり、研磨される面がよりランダムに変化することになる。したがって、より一層球形に近い形状になるのである。
【００６３】
したがって、上記ギャップの距離は、最も狭い部分においては、上記第２実施の形態の場合と同様に、球形を成す半導体発光素子の略直径であって、球形ではない半導体発光素子の場合には半導体発光素子の最長直径と同程度にすればよい。一方、最も広い部分においては、特に限定するものではなく、最終的に得たい半導体発光素子の形状に応じて設定すればよい。
【００６４】
尚、本実施の形態においても、上記第２実施の形態の場合と同様に、上記突起２６の形状は、図６に示すように、回転軸の延在方向に非対称な形状を有する突起１７を含むように構成しても一向に構わない。また、第２回転体２３における突起２６の横断面形状は、図５に示す形状に限定されるものではなく、図７に示すような形状であってもよい。
【００６５】
また、上記第１回転体２１と第２回転体２３とをどのように回転させるかは、本実施の形態では特に限定するものではない。第２回転体２３のみを回転させても良いし、第１回転体２１のみを回転させても良いし、第１回転体２１と第２回転体２３との両方を回転させても良い。
【００６６】
また、本実施の形態においては、第１回転体２１と第２回転体２３との回転軸２２は垂直方向に配置されている。しかしながら、回転軸２２の方向は垂直方向に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】この発明の半導体発光素子における素子構造を示す縦断面図である。
【図２】図１における発光層の外周部からの発光が透光層で全反射されることの説明図である。
【図３】図１における発光層の中央付近からの発光が透光層で全反射され難いことの説明図である。
【図４】この発明の半導体発光素子の製造装置における概略構成図である。
【図５】図４とは異なる半導体発光素子の製造装置における概略構成図である。
【図６】図４および図５における回転軸の延在方向に非対称な形状を有する突起の説明図である。
【図７】図４および図５とは異なる突起の横断面形状を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１…光吸収層(基板)、
２…反射層、
３…下クラッド層、
４…活性層、
５…上クラッド層、
６…発光層、
７…電流阻止層、
８…透光層、
９,１０…電極、
１１,２１…第１回転体、
１２,２２…回転軸、
１３,２３…第２回転体、
１４,２４…緩衝部、
１５,２５…研磨体、
１６,１７,２６…突起。
【図１】
2007294714.tif 000003
【図２】
2007294714.tif 000004
【図３】
2007294714.tif 000005
【図４】
2007294714.tif 000006
【図５】
2007294714.tif 000007
【図６】
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【図７】
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