(57)【要約】【課題】放熱特性を十分に確保し、実装信頼性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイパッド（放熱板）１１に突起５ｂを設けることにより、樹脂注入時の注入圧力を分散することで、ダイパッド１１、接着剤１２、半導体素子４、ワイヤー２、インナーリード３ｉを封止樹脂体１０で封止後に半導体装置に生じる反りの原因となるダイパッドのシフトを抑制、制御し、反りを低減して基板実装の安定化を図る。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレーム枠と、前記フレーム枠内に配置され、上面側に半導体素子が載置される放熱板と、前記放熱板の上面側に接着されたリードとを備えるリードフレームにおいて、前記放熱板の少なくとも一つのコーナー部を上面側へ折り曲げて突起を形成し、前記突起が樹脂注入方向に対して斜め上方向を向いていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記突起は、樹脂封止時にゲート口近くに位置するコーナー部に設置することを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
フレーム枠と、前記フレーム枠内に配置され、上面側に半導体素子が載置される放熱板と、前記放熱板の上面側に接着されたリードとを備えるリードフレームにおいて、前記放熱板の少なくとも１箇所以上の部位に貫通孔を形成し、樹脂注入方向における貫通孔の下流側に放熱板の上面側へ突出する突起を設け、前記突起が樹脂注入方向に対して斜め上方向を向いていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】
前記貫通孔および前記突起は、樹脂封止時にゲート口近くに位置する放熱板のコーナー部に設置することを特徴とする請求項３に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記貫通孔および前記突起は、樹脂封止時にゲート口近くに位置する放熱板のコーナー部と、前記放熱板の中心を介して前記ゲート口の対角に位置するコーナー部とに設置することを特徴とする請求項３記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記貫通孔および前記突起は、樹脂封止時にゲート口近くに位置する放熱板のコーナー部と、前記放熱板の中心を介して前記ゲート口の対角に位置するコーナー部と、樹脂注入方向に対して所定角度で交差する方向で対角をなす二つのコーナー部とに設置することを特徴とする請求項３に記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記貫通孔および前記突起は、対角に位置する双方のコーナー部に設置するものが一対をなし、かつ前記放熱板の中心を介して対称位置に設置することを特徴とする請求項５または６記載のリードフレーム。
【請求項８】
請求項１から７の何れか１項に記載のリードフレームを使用し、前記リードフレームの放熱板の上側に半導体素子を接着剤により接合する工程と、前記放熱板の突起の逃がし溝を設けた治具を用いてリードフレームを押さえて前記半導体素子の電極パッドとリードのインナーリード部とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレーム上の半導体素子、放熱板、インナーリード部および金属細線の接続領域をトランスファーモールドにより樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱効果を高めることができる半導体装置用のリードフレームとそれを用いた樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の多機能化、小型化、高密度化に対応するために、半導体装置などの半導体部品の高密度、高機能化、システム化が要求されており、それに伴って半導体部品の消費電力が増大してきている。
【０００３】
これに対応して、一般に消費電力を抑制するための手段を用いている半導体装置は、放熱性を向上させるために、放熱板の機能を持たせたダイパッドを露出させるか、放熱板を別途に内蔵あるいは露出させる構造を有している。
【０００４】
以下、消費電力を抑制するために放熱板を内蔵して放熱性を向上させた従来の放熱板内蔵の半導体装置について説明する。
図１４に示すように、従来の放熱板内蔵の半導体装置は、放熱板の機能を持たせたダイパッド（放熱板）１１に接着剤１２を塗布して、その上に半導体素子４を固着している。半導体素子４はダイパッド（放熱板）１１の周辺に配置した複数本のリード３のインナーリード３ｉとそれぞれワイヤー２によって電気的に接続しており、各リード３はインナーリード３ｉと一体的に連結したアウターリード３ｏを有している。
【０００５】
ダイパッド（放熱板）１１、接着剤１２、半導体素子４、ワイヤー２及びインナーリード３ｉは封止樹脂体１０で封止されている。封止樹脂体１０は四辺形の平板状に成形されており、アウターリード３ｏが封止樹脂体１０の４辺からそれぞれ引き出されている。
【０００６】
この従来の放熱板内蔵の半導体装置は、ダイパッドあるいは放熱板を露出させる構造に比べて、基板設計への制約も少なく、非常に安価に作成でき、取り扱いが容易である。さらに、半導体素子４がインナーリード３ｉと接着剤１２を介して直接に放熱板の機能を有するダイパッド（放熱板）１１と接続しているので放熱性にも優れている。
【特許文献１】特開平６−２９１２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような構成の放熱板内蔵の半導体装置は、図１５に示すように、樹脂封止時において、上型内の上キャビティー２３における樹脂の注入速度が下型内の下キャビティー２４における樹脂の注入速度に比べ速くなり、上キャビティー２３で流動する上側の樹脂流３１の樹脂圧が下キャビティー２４で流動する下側の樹脂流３２の樹脂圧より高くなってダイパッド（放熱板）１１を下方に押し下げるシフトが発生する。
【０００８】
その結果、上下の樹脂厚のバランスが崩れて樹脂封止完了後に、半導体装置全体に大きな反りが発生し、実装機等において半導体装置の実装不良を多発させる原因となっている。このことを踏まえて、上下の樹脂厚のバランスを良くするための構造も考えられているが、放熱板を内蔵する場合には加工が非常に困難となる問題があった。
【０００９】
本発明は、上述した従来技術の問題を解決するものであり、放熱特性を十分に確保し、実装信頼性の向上を図った半導体装置用のリードフレーム及びそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、第１の発明に係るリードフレームは、フレーム枠と、前記フレーム枠内に配置され、上面側に半導体素子が載置される放熱板と、前記放熱板の上面側に接着されたリードとを備えるリードフレームにおいて、前記放熱板の少なくとも一つのコーナー部を上面側へ折り曲げて突起を形成し、前記突起が樹脂注入方向に対して斜め上方向を向いていることを特徴とする。
【００１１】
また、前記突起は、樹脂封止時にゲート口近くに位置するコーナー部に設置することを特徴とする。
第２の発明に係るリードフレームは、フレーム枠と、前記フレーム枠内に配置され、上面側に半導体素子が載置される放熱板と、前記放熱板の上面側に接着されたリードとを備えるリードフレームにおいて、前記放熱板の少なくとも１箇所以上の部位に貫通孔を形成し、樹脂注入方向における貫通孔の下流側に放熱板の上面側へ突出する突起を設け、前記突起が樹脂注入方向に対して斜め上方向を向いていることを特徴とする。
【００１２】
また、前記貫通孔および前記突起は、樹脂封止時にゲート口近くに位置する放熱板のコーナー部に設置することを特徴とする。
また、前記貫通孔および前記突起は、樹脂封止時にゲート口近くに位置する放熱板のコーナー部と、前記放熱板の中心を介して前記ゲート口の対角に位置するコーナー部とに設置することを特徴とする。
【００１３】
また、前記貫通孔および前記突起は、樹脂封止時にゲート口近くに位置する放熱板のコーナー部と、前記放熱板の中心を介して前記ゲート口の対角に位置するコーナー部と、樹脂注入方向に対して所定角度で交差する方向で対角をなす二つのコーナー部とに設置することを特徴とする。
【００１４】
また、前記貫通孔および前記突起は、対角に位置する双方のコーナー部に設置するものが一対をなし、かつ前記放熱板の中心を介して対称位置に設置することを特徴とする。
第３の発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、前記リードフレームの放熱板の上側に半導体素子を接着剤により接合する工程と、前記放熱板の突起の逃がし溝を設けた治具を用いてリードフレームを押さえて前記半導体素子の電極パッドとリードのインナーリード部とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレーム上の半導体素子、放熱板、インナーリード部および金属細線の接続領域をトランスファーモールドにより樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、放熱板に折り曲げた突起、または貫通孔と突起を設けることで、樹脂注入時の上下の樹脂流の注入速度をほぼ等しく制御でき、注入圧力を分散してダイパッドのシフトを抑制でき、さらには、樹脂の上下厚が均等になる方向にシフトを制御することも可能であり、放熱板のシフトを制御することで半導体装置封止後の反りを低減して基板実装の信頼性を向上できる。
【００１６】
さらに、ワイヤーボンディング工程において突起の逃がし溝を設けた治具を用いることで、既存設備を活用して従来の製造工程において効率の良い半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
図１は本発明の実施の形態１におけるリードフレームを用いた半導体装置を示す断面図である。ここでは、先に図１４において説明した構成部材と同等の機能を有するものには同符号を付して説明する。また、以下の各図においても同様とする。
【００１８】
図１において、半導体装置は、放熱板の機能を持たせたダイパッド（放熱板）１１の上面側に接着剤１２を塗布して、その上に半導体素子４を固着している。
ダイパッド（放熱板）１１の上面側にリード３が接続しており、半導体素子４はダイパッド（放熱板）１１の周辺に配置した複数本のリード３のインナーリード３ｉとそれぞれワイヤー２によって電気的に接続している。各リード３はインナーリード３ｉと一体的に連結したアウターリード３ｏを有している。
【００１９】
ダイパッド（放熱板）１１、接着剤１２、半導体素子４、ワイヤー２及びインナーリード３ｉは封止樹脂体１０で封止されている。封止樹脂体１０は４辺形の平板状に成形されており、アウターリード３ｏが封止樹脂体１０の４辺からそれぞれ引き出されている。
【００２０】
本実施の形態１において、ダイパッド（放熱板）１１は樹脂封止時に樹脂を注入するゲート口近くに位置し、ゲート口に対向するコーナー部が半導体素子４を搭載するダイパッド（放熱板）１１の上面側に折り曲げ加工されている。このコーナー部の曲げ形状は一段曲げであり、上方向に折り曲げたコーナー部の角縁部で第一突起５ａを形成している。
【００２１】
図２はダイパッド（放熱板）１１の曲げ加工されたコーナー部を含む拡大平面図である。図２に示すように、第一突起５ａは樹脂を注入するゲート口に対して最も近いダイパッド（放熱板）１１のコーナー部に配置されており、曲げ部７が樹脂の注入方向に対して所定角度（９０度）を有するように設置される。
【００２２】
この第一突起５ａは樹脂封止時にゲート口から注入される樹脂の流れを案内する機能を果たすものであり、インナーリード３ｉで構成される面より上側へ流れようとする樹脂流を下側に流れやすくするために設けている。
【００２３】
このため、第一突起５ａはダイパッド（放熱板）１１の面に対して１０〜６０度の角度で斜め上方向に折り曲げられるのが望ましい。折り曲げ角度が１０度より小さくても、あるいは６０度より大きくても樹脂流を制御する効果が減少する。また、第一突起５ａの折り曲げ角度は、樹脂封止体１０の大きさや厚み、ダイパッド（放熱板）１１の大きさ、半導体素子４の大きさにより１０〜６０度の範囲で設定し、上側および下側の樹脂流の流動のバランスが最適となる角度に設定することが望ましい。
（第２の実施形態）
図３は本発明の実施の形態２における半導体装置を示す断面図である。また、図４（ａ）は図３における要部を示す拡大平面図、図４（ｂ）は図３における要部を示す断面拡大図である。
【００２４】
図３および図４において、半導体装置は図１で説明した構成と基本的にほぼ同じであり、図１の構成と相違する点を以下に説明する。
ダイパッド（放熱板）１１は、少なくとも１箇所以上の部位に貫通孔８および第二突起５ｂを有しており、樹脂封止時に樹脂を注入するゲート口に対向するコーナー部に少なくとも１箇所の貫通孔８および第二突起５ｂを設けている。
【００２５】
第二突起５ｂはダイパッド（放熱板）１１の半導体素子４を搭載する上面側へ折れ曲がって突出し、樹脂封止時の樹脂注入方向に対して斜め上方向を向いている。
図４（ｂ）に示すように、本実施の形態では貫通孔８および第二突起５ｂを切り曲げ加工によって形成しており、第二突起５ｂは樹脂注入方向で貫通孔８の下流側に位置し、貫通孔８の開口縁をなす曲げ部７でダイパッド（放熱板）１１の一部を折り曲げることにより形成されている。曲げ部７は樹脂の注入方向に対して所定角度（９０度）を有するように設置される。第二突起５ｂの折り曲げ角度は、前述の実施の形態１で説明した第一突起５ａと同様に１０〜６０度の範囲に設定するのが望ましい。貫通孔８および第二突起５ｂは他の方法で形成することも可能である。
【００２６】
上述した構成により、実施の形態１に比べて限られた領域により大きな第二突起５ｂを形成することができるので、樹脂流の流動のコントロールがより容易になる。
図５（ａ）、（ｂ）は、本実施の形態２における貫通孔８および第二突起５ｂの配置例を示すダイパッド（放熱板）１１の平面図である。
【００２７】
図５（ａ）において、ダイパッド（放熱板）１１は、樹脂注入方向で対角の位置にある二つのコーナー部、つまりゲート口側のコーナー部と、ダイパッド（放熱板）１１の中心を介してゲート口と対角をなす側のコーナー部との２箇所に、貫通孔８および第二突起５ｂを設けている。いずれの第二突起５ｂもダイパッド（放熱板）１１の半導体素子４を搭載する上面側へ折れ曲がり、樹脂封止時の樹脂注入方向に対して斜め上方向を向いている。この構成がダイパッド（放熱板）１１の基本構成となる。
【００２８】
図５（ｂ）において、ダイパッド（放熱板）１１は、上述した樹脂注入方向で対角の位置にある二つのコーナー部に設けた貫通孔８および第二突起５ｂに加えて、樹脂注入方向に対して所定角度（９０度）で交差する方向で対角をなす二つのコーナー部に貫通孔８および第三突起５ｃを設けている。
【００２９】
図６は、貫通孔８および第三突起５ｃを示す拡大平面図である。図６に示すように、第３突起５ｃも第二突起５ｂと同様に、樹脂封止時の樹脂注入方向に対向しており、半導体素子４を搭載する上面側へ折れ曲がり、樹脂封止時の樹脂注入方向に対して斜め上方向を向いている。第二突起５ｂおよび第三突起５ｃの折り曲げ角度は、前述の実施の形態１で説明した第一突起５ａと同様に１０〜６０度の範囲に設定するのが望ましい。
【００３０】
上述した構成により、実施の形態１に比べて限られた領域により大きな第二突起５ｂおよび第三突起５ｃを形成することができるので、樹脂流の流動のコントロールがより容易になる。このことにより、樹脂注入時のダイパッドのシフトを抑制することができるので、放熱性を確保するとともに半導体装置の封止後の反りを低減することができる。
【００３１】
次に、実施の形態２の第二突起５ｂを設けたダイパッド（放熱板）１１を例として、本発明の半導体装置の製造方法を図７から図１２に示す。図７はダイボンディングの前工程を示す工程断面図、図８はダイパッド（放熱板）に搭載する半導体素子のダイボンディング工程を示す工程断面図、図９はダイパッドに搭載した半導体素子のボンディングパッドにボールボンディングする工程を示す工程断面図、図１０及び図１１はダイパッド（放熱板）に搭載された半導体素子からリードフレームのインナーリードにワイヤーをボンディングする工程を示す工程断面図である。
【００３２】
まず、図７に示すように、半導体素子ボンディング装置（図示せず）のステージ１６上において、ダイパッド（放熱板）１１上に接着剤１２を塗布する。接着剤１２の塗布はディスペンサ１７を用いて、接着剤１２を滴下することにより行う。接着剤１２としては、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂にＡｇ（銀）粉を混合させたＡｇペーストが用いられる。
【００３３】
次に、図８に示すように、ステージ１６において、接着剤１２を塗布したダイパッド（放熱板）１１上にコレット１８を用いて半導体素子４を搭載した後、ヒートステージ（図示せず）上で加熱し、接着剤１２を硬化させる。
【００３４】
一例として、半導体素子４は、外形寸法が６ｍｍ角、厚さが０．２〜０．４ｍｍ程度のシリコン単結晶である。また、加熱条件は１８０〜２５０℃，３０秒〜６０秒程度である。なお、接着剤１２の硬化はキュア炉を用いても良い。
【００３５】
次に、図９に示すように、ワイヤーボンディング装置（図示せず）のヒートステージ１９にリードフレーム１５のダイパッド（放熱板）１１が密接するように設置する。そして、第二突起５ｂの逃がし溝９が施された押さえ治具２０によってリードフレーム１５のインナーリード３ｉのワイヤーボンディング領域外周部を固定しながら、半導体素子４のボンディングパッド６上にボールボンディングをキャピラリー１３で実施する。
【００３６】
次に、図１０及び図１１に示すように、ダイパッド（放熱板）１１に固着された半導体素子４のボンディングパッド６と、リードフレーム１５のインナーリード３ｉとをワイヤー２を用いて電気的に接続する。一例として、ワイヤー２は、直径２０〜３５μｍのＡｕ（金）ワイヤーを用いる。
【００３７】
このようにして、図１２に示すように、リードフレーム１５の各単位リードフレーム毎にダイボンディング、ワイヤーボンディングした後に、リードフレーム１５の単位リードフレーム群を一括して樹脂封止して、各単位リードフレームに封止樹脂体１０を成形する。
【００３８】
次に、図１３（ａ）、（ｂ）を参照しながら、樹脂封止工程について説明する。図１３（ａ）は樹脂封止工程を行うための工程要部を示す拡大断面図、（ｂ）はダイパッドシフトを説明する工程断面図である。
【００３９】
図１３（ａ）において、トランスファ成形装置は、シリンダ装置（図示せず）によって型締めされる一対の上型２１と下型２２からなる封止金型を備えており、上型２１の上キャビティー２３と下型２２の下キャビティー２４とでキャビティー単体を成形する。上型２１と下型２２に上キャビティー２３と下キャビティー２４がそれぞれ複数組み形成されている。
【００４０】
上型２１の合わせ面にはポット２５が開設され、ポット２５にシリンダ装置（図示せず）により出退されるプランジャー２６が挿入されており、プランジャー２６で成形材料としての樹脂を送給する。
【００４１】
下型２２の合わせ面には、カル２７がポット２５との対向位置に形成されており、ランナー２８がカル２７と接続されている。ランナー２８の他端部は下キャビティー２４に接続されており、その接続部には樹脂をキャビティー内に注入するゲート２９が成形されている。
【００４２】
また、下型２２の合わせ面には逃がし部３０が形成されており、逃がし部３０はリードフレーム重合体におけるリードフレーム１５の厚み分を逃げ得るように、リードフレーム１５の外形より若干大きめの長方形で、リードフレーム１５の厚さよりも若干浅い深さに成形されている。
【００４３】
このような構成のトランスファ成形装置を用いて、樹脂封止は以下の方法で行われる。１８０℃程度に加熱されたトランスファ装置の封止金型において、逃がし部３０にリードフレーム重合体のリードフレーム１５を装着し、封止金型の上型２１と下型２２を型締めする。
【００４４】
次に、円筒形に打錠された樹脂（図示せず）をポット２５に挿入し、プランジャー２６により樹脂を送給し、カル２７、ランナー２８、ゲート２９を通じてキャビティーに樹脂を圧入する。
【００４５】
図１３（ｂ）に示すように、キャビティーに注入された樹脂は、ダイパッド１１に設けた第二突起５ｂによって上側の樹脂流３１の一部が下キャビティー２４に導かれることで、上キャビティー２３における樹脂の注入速度と下キャビティー２４における樹脂の注入速度とのバランスが図られた状態で流動する。
【００４６】
このため、上キャビティー２３で流動する上側の樹脂流３１の樹脂圧と下キャビティー２４で流動する下側の樹脂流３２の樹脂圧との差に起因するダイパッド（放熱板）１１の下方へのシフトを防ぐことができる。
【００４７】
注入終了後に、樹脂が熱硬化されて各単位リードフレームに封止樹脂体１０が成形されると、上型２１及び下型２２が型開きされるとともに、リードフレーム１５の封止樹脂体１０群がエジェクタ・ピン（図示せず）により離型され、樹脂成形されたリードフレーム１５からなるリードフレーム重合体がトランスファ成形装置から脱装される。
【００４８】
このようにして、樹脂成形された封止樹脂体１０の内部には、図１、図３に示すようにダイパッド１１、接着剤１２、半導体素子４、ワイヤー２、インナーリード３ｉが樹脂封止されることとなる。
【００４９】
次に、樹脂成形されたリードフレーム重合体のリードフレーム１５において封止樹脂体１０以外の部分にはんだ外装めっきを施す（図示せず）。リードフレーム１５の少なくとも半導体装置の完成品となる部分にＰｄ（パラジウム）やはんだめっきなどが事前に施されている場合は、はんだ外装めっきは必要としない。
【００５０】
はんだ外装めっきを経た後、あるいははんだ外装めっきされる前の樹脂成形されたリードフレーム重合体において、切断装置（図示せず）によって各単位リードフレーム毎に順次、ダムバー（図示せず）を切断する。
【００５１】
次に、リード成形装置（図示せず）によって、アウターリード３ｏの先端と内枠の一部を切断した後、半導体装置を外枠から切り離し、アウターリード３ｏをガルウイング形状（Ｌ字形）に屈曲成形して半導体装置を成形する。
【００５２】
以上のようにして、図１及び図３に示す半導体装置が完成する。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係るリードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法は、放熱板のコーナー部を折り曲げる、あるいは放熱板に貫通孔とともに突起を設けることにより樹脂流動により生じる放熱板の下方向へのシフトを防ぎ、この放熱板のシフトを制御して反りを低減し、実装信頼性を十分確保した品質の優れた半導体装置を得るとともに、既存設備を活用し、安定した半導体装置を製造でき、放熱性を損なわず実装信頼性を向上させた安定生産に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態１におけるリードフレームを用いた半導体装置を示す断面図
【図２】同実施の形態１のリードフレームにおける突起の部分を示した拡大平面図
【図３】本発明の実施の形態２におけるリードフレームを用いた半導体装置を示す断面図
【図４】同実施の形態２におけるリードフレームを示し、（ａ）はリードフレームにおける突起の部分を示した拡大平面図、（ｂ）は突起を示す拡大断面図
【図５】同実施の形態２における突起の配置例を示し、（ａ）は２つの第二突起を設けた放熱板、（ｂ）は第二突起と第三突起を設けた放熱板を示す図
【図６】同実施の形態２における第三突起の形状と位置を示す拡大平面図
【図７】本発明の半導体装置の製造方法におけるダイボンディングの前工程を示す工程断面図
【図８】同半導体装置の製造方法におけるダイパッド（放熱板）に搭載する半導体素子のダイボンディング工程を示す工程断面図
【図９】同半導体装置の製造方法におけるダイパッドに搭載した半導体素子のボンディングパッドにボールボンディングする工程を示す工程断面図
【図１０】同半導体装置の製造方法におけるダイパッド（放熱板）に搭載された半導体素子からリードフレームのインナーリードにワイヤーをボンディングする工程を示す工程断面図
【図１１】同半導体装置の製造方法におけるダイパッド（放熱板）に搭載された半導体素子からリードフレームのインナーリードにワイヤーをボンディングする工程を示す工程断面図
【図１２】同半導体装置の製造方法におけるワイヤーボンディング工程の終了した半導体装置を示す図
【図１３】同半導体装置の製造方法を示し、（ａ）は樹脂封止工程を示す拡大断面図、（ｂ）はダイパッドシフトを説明する工程断面図
【図１４】従来の放熱板内蔵の半導体装置を示す断面図
【図１５】従来のダイパッドシフトを説明する工程断面図
【符号の説明】
【００５５】
２  ワイヤー
３  リード
３ｉ  インナーリード
３ｏ  アウターリード
４  半導体素子
５ａ  第一突起
５ｂ  第二突起
５ｃ  第三突起
６  ボンディングパッド
７  曲げ部
８  貫通孔
９  逃がし溝
１０  封止樹脂体
１１  ダイパッド（放熱板）
１２  接着剤
１３  キャピラリー
１５  リードフレーム
１６  ステージ
１７  ディスペンサ
１８  コレット
１９  ヒートステージ
２０  押さえ治具
２１  上型
２２  下型
２３  上キャビティー
２４  下キャビティー
２５  ポット
２６  プランジャー
２７  カル
２８  ランナー
２９  ゲート
３０  逃がし部
３１  上側の樹脂流
３２  下側の樹脂流
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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