(57)【要約】      （修正有）【課題】温度変化による特性変動の小さい歪補償回路を提供する。【解決手段】入力端子に接続された第１のキャパシタと出力端子に接続された第２のキャパシタとの間に接続された第１のダイオードを含んでなる回路と、バイアス供給端子と第１のダイオードの間に挿入された少なくとも第１の抵抗を直列に含んでなる回路と、第１の抵抗と第１のダイオードとの間の経路に一端が接続され、他端が接地された、少なくとも第２のダイオードを含んでなる回路とを備え、バイアス供給端子にバイアス電圧を供給した際に、第２のダイオードを含んでなる回路に流れる直流バイアス電流は第１のダイオードに流れる直流バイアス電流よりも小さく、入力端子から第２のダイオードを含んでなる回路の接地までのインピーダンスが、入力端子から第１のダイオードを含んでなる回路の第１のダイオードの入力端子より遠い一端までのインピーダンスよりも大きい歪補償回路を用いる。【選択図】図１
2007336367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイオードを用いる歪補償回路において、
少なくとも信号の入力端子と、
前記信号の出力端子と、
前記入力端子から前記出力端子への信号経路と、
前記入力端子に接続され前記信号経路に直列に挿入された第１のキャパシタと、
前記出力端子に接続され前記信号経路に直列に挿入された第２のキャパシタと、
前記第１のキャパシタと前記第２のキャパシタとの間に接続された第１のダイオードを含んでなる回路と、
前記第１のダイオードにバイアス電圧を供給するためのバイアス供給端子と、
前記バイアス供給端子と前記第１のダイオードの間に挿入された少なくとも第１の抵抗を直列に含んでなる回路と、
前記第１の抵抗と前記第１のダイオードとの間の経路に一端が接続され、他端が接地された、少なくとも第２のダイオードまたは第１のバイポーラトランジスタを含んでなる回路とを備え、
前記第２のダイオードまたは第１のバイポーラトランジスタに供給されるバイアス電圧は前記バイアス供給端子から供給され、
前記バイアス供給端子にバイアス電圧を供給した際に、
前記第２のダイオードまたは前記第１のバイポーラトランジスタを含んでなる回路に流れる直流バイアス電流は前記第１のダイオードに流れる直流バイアス電流よりも小さく、
前記入力端子から前記第２のダイオードまたは第１のバイポーラトランジスタを含んでなる回路の接地までのインピーダンスが、前記入力端子から前記第１のダイオードを含んでなる回路の前記第１のダイオードの前記入力端子より遠い一端までのインピーダンスよりも大きい、歪補償回路。
【請求項２】
前記バイアス供給端子にバイアス電圧を供給した際に、前記第２のダイオードまたは前記第１のバイポーラトランジスタを含んでなる回路に流れる直流バイアス電流の温度による変化量が前記第１のダイオードに流れる直流バイアス電流の温度による変化量よりも大きい、請求項１記載の歪補償回路。
【請求項３】
請求項１または２に記載の歪補償回路と、電力増幅素子とを備える電力増幅器。
【請求項４】
請求項１または２に記載の歪補償回路と、少なくとも前記電力増幅素子とが同一半導体チップ上に形成されている、請求項３記載の電力増幅器。
【請求項５】
請求項１または２に記載の歪補償回路のバイアス供給端子に供給されるバイアス電圧が、前記電力増幅素子のバイアス供給端子に供給される少なくとも１つのバイアス電圧と共通である、請求項３または４記載の電力増幅器。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１つに記載の電力増幅器を用いる、通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は歪補償回路、それを用いた電力増幅器および電力増幅器を備える通信装置に関し、特に、ダイオードを用いた歪補償回路、それを用いた電力増幅器および通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線ＬＡＮシステムや携帯電話に代表される今日の無線通信システムでは、ＯＦＤＭ（Orthogonal Frequency Division Multiplex；直交周波数分割多重）やＱＰＳＫ（Quadrature Phase Shift Keying；直交位相変調）などのディジタル変復調が主流となっている。これらのディジタル変復調方式では、信号の振幅および位相の両方で情報が搬送されるため、電力増幅器には入力信号を線形増幅することが要求される。特に携帯電話等の携帯情報端末に用いられる場合には、システムの小型化、低コスト化および低消費電力化も同時に求められる。
【０００３】
電力増幅器の線形性を高める手法として、電力増幅器に用いられる電力増幅素子の前段もしくは後段に、電力増幅素子とは逆の非線形性を有するダイオードを用いた歪補償回路を設けることによって歪をキャンセルさせる方法が提案されている。
【０００４】
図７は、従来の歪補償回路の構成を示す回路図である。一例として、特許文献１にて開示されている、信号経路と接地との間にダイオードを含む回路が接続された歪補償回路の一例（以下、従来例１と称す）が示されている。
【０００５】
図７を参照して、従来の歪補償回路は、入力端子１０１、キャパシタ１０２，１０３、出力端子１０４、ダイオード１０５、抵抗１０６，１０８、バイアス供給端子１０９を含む。ダイオード１０５はアノード端子がキャパシタ１０２とキャパシタ１０３との間の接続点１１０に接続され、カソード端子は抵抗１０６を介して接地されている。
【０００６】
また、ダイオード１０５のアノード端子は抵抗１０８を介してバイアス供給端子１０９と接続され、ダイオードに対して順方向バイアス電圧が印加される。
【０００７】
入力端子１０１から入力された信号はキャパシタ１０２、１０３を介して出力端子１０４に出力されるが、信号の一部はキャパシタ１０２とキャパシタ１０３との間に接続されたダイオード１０５と抵抗１０６を介して接地へ漏れる。
【０００８】
入力信号が大きくなると、ダイオード１０５に入力される信号の電力も大きくなることから、ダイオード１０５にはその整流作用によって直流電流が流れ、この直流電流によって抵抗１０６および１０８において電圧降下が発生し、ダイオード１０５に印加されるバイアス電圧が低下する。
【０００９】
その結果、ダイオード１０５のＲＦ抵抗値が変化し、それに伴いダイオード１０５に入力される信号の電力の大きさも変化し、出力端子からは、入力された信号とは異なる振幅および位相特性を有する信号が出力されることにより、歪補償回路として機能する。
【００１０】
図８は、従来の歪補償回路の他の一例を示す回路図である。一例として、特許文献２にて開示されている、信号経路にダイオードを含む回路が直列に接続された歪補償回路の一例（以下、従来例２と称す）が示されている。
【００１１】
図８を参照して、歪補償回路は、インダクタ１１１を含み、ダイオード１０５のアノード端子がキャパシタ１０２に、カソード端子がキャパシタ１０３に接続され、カソード端子はインダクタ１１１を介して接地されている。また、ダイオード１０５のアノード端子には抵抗１０８を介してバイアス供給端子１０９が接続されており、ダイオードに対してバイアス電圧が印加される。
【００１２】
入力端子１０１から入力された信号はキャパシタ１０２、ダイオード１０５、キャパシタ１０３を介して出力端子１０４に出力される。入力信号が大きくなると、ダイオード１０５に入力される信号の電力が大きくなることから、ダイオード１０５にはその整流作用によって直流電流が流れ、この直流電流によって抵抗１０８において電圧降下が発生し、ダイオード１０５に印加されるバイアス電圧が低下する。その結果、ダイオード１０５のＲＦ抵抗値が変化し、それに伴いダイオード１０５に入力される信号の電力の大きさも変化し、出力端子からは、入力された信号とは異なる振幅および位相特性を有する信号が出力されることにより、歪補償回路として機能する。
【００１３】
以上のように、ダイオードを用いた歪補償回路では、信号経路に対するダイオードの接続形態にかかわらず、ダイオードに流れる電流の変化によってその振幅および位相特性が調整されることにより、歪補償回路としての機能が実現される。
【特許文献１】特開２００１−１４４５５０号公報
【特許文献２】特開２００１−１２７５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
一般的に電力増幅器は、使用する環境温度がある程度変化した場合にも所望の特性を満たすことが要求される。しかしながら、上記従来技術による歪補償回路では、ダイオードの電流−電圧特性が温度依存性を有する影響によって、歪補償回路の歪特性を規定するダイオード（以下、歪補償用ダイオードと称す）に流れる電流が大きく変化するため、電力増幅器に用いられる電力増幅素子の非線形性を広い温度範囲でキャンセルすることができないという問題があった。
【００１５】
本発明は、上記のような従来の歪補償回路における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、温度変化による特性変動の小さい歪補償回路を提供することである。
【００１６】
本発明の他の目的は、使用する環境温度がある程度変化した場合にも高線形動作が可能な電力増幅器、ならびに当該電力増幅器を用いた通信装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の目的を達成するために、本発明に係る歪補償回路は、少なくとも信号の入力端子と、信号の出力端子と、入力端子から出力端子への信号経路と、入力端子に接続され信号経路に直列に挿入された第１のキャパシタと、出力端子に接続され信号経路に直列に挿入された第２のキャパシタと、第１のキャパシタと第２のキャパシタとの間に接続された第１のダイオードを含んでなる回路と、第１のダイオードにバイアス電圧を供給するためのバイアス供給端子と、バイアス供給端子と第１のダイオードの間に挿入された少なくとも第１の抵抗を直列に含んでなる回路と、第１の抵抗と第１のダイオードとの間の経路に一端が接続され、他端が接地された、少なくとも第２のダイオードまたは第１のバイポーラトランジスタを含んでなる回路とを備え、第２のダイオードまたは第１のバイポーラトランジスタに供給されるバイアス電圧はバイアス供給端子から供給され、バイアス供給端子にバイアス電圧を供給した際に、第２のダイオードまたは第１のバイポーラトランジスタを含んでなる回路に流れる直流バイアス電流は第１のダイオードに流れる直流バイアス電流よりも小さく、入力端子から第２のダイオードまたは第１のバイポーラトランジスタを含んでなる回路の接地までのインピーダンスが、入力端子から第１のダイオードを含んでなる回路の第１のダイオードの入力端子より遠い一端までのインピーダンスよりも大きい。
【００１８】
好ましくは、バイアス供給端子にバイアス電圧を供給した際に、第２のダイオードまたは第１のバイポーラトランジスタを含んでなる回路に流れる直流バイアス電流の温度による変化量が第１のダイオードに流れる直流バイアス電流の温度による変化量よりも大きい。
【００１９】
本発明に係る電力増幅器は、電力増幅素子と、歪補償回路とを備える。
好ましくは、歪補償回路と、少なくとも電力増幅素子とが同一半導体チップ上に形成されている。
【００２０】
好ましくは、歪補償回路のバイアス供給端子に供給されるバイアス電圧が、電力増幅素子のバイアス供給端子に供給される少なくとも１つのバイアス電圧と共通である。
【００２１】
本発明に係る通信装置は、上記電力増幅器を備える。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る歪補償回路によれば、温度変化による特性変動の小さい歪補償回路を得ることができる。
【００２３】
また本発明に係る電力増幅器は、上記歪補償回路を備えるため、使用する環境温度がある程度変化した場合にも高線形動作を可能とすることができる。また、歪補償回路と電力増幅素子のバイアス電圧を共通化することによって、歪補償回路にバイアス電圧を供給する電源を余分に設ける必要がなくなり、システム全体の小型化、低コスト化、および低消費電力化を実現できる。
【００２４】
また本発明に係る通信装置は、上記電力増幅器を備えるため、温度変化による特性変動の小さい通信装置を提供することができる。また、歪補償回路と電力増幅素子のバイアス電圧を共通化することによって、歪補償回路にバイアス電圧を供給する電源を余分に設ける必要がなくなり、通信装置の小型化、低コスト化、および低消費電力化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、その説明は繰り返さない。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１である歪補償回路の構成を示す回路図である。
【００２６】
図１を参照して、本発明の実施の形態１に従う歪保証回路は、入力端子１、キャパシタ２，３、出力端子４、ダイオード５，１２、抵抗６，８、バイアス供給端子９およびインダクタ１３を含む。
【００２７】
ダイオード５は、歪補償用ダイオードであり、そのアノード端子はキャパシタ２とキャパシタ３間の接続点１０に接続され、カソード端子は抵抗６を介して接地されている。
【００２８】
歪補償用ダイオード５のアノード端子は抵抗８を介してバイアス供給端子９と接続されており、歪補償用ダイオード５に対して順方向バイアス電圧が印加される。
【００２９】
抵抗８と歪補償用ダイオード５との間の経路に存在する接続点１１と接地との間には、ダイオード１２およびインダクタ１３によって構成されるバイアス制御用回路１５が設けられている。
【００３０】
ダイオード１２は、ダイオード５よりもターンオン電圧の小さいダイオードを用いている。ここでダイオードのターンオン電圧とは、ダイオードに流れるある電流値に対して、ダイオードのアノード端子−カソード端子間に発生する電圧のことである。これによって、バイアス制御用回路１５に流れる直流バイアス電流はダイオード５に流れる直流バイアス電流よりも大きくしている。インダクタ１３は、バイアス制御用回路１５のインピーダンスを調整するために設けられたものである。このインダクタ１３は、入力端子１からダイオード１２を含んでなるバイアス制御用回路１５の接地までのインピーダンスが、入力端子１からダイオード５のカソード端までのインピーダンスよりも大きいという条件を満たすようにインピーダンス値が調整されている。
【００３１】
インダクタ１３は、上記インピーダンスの条件を満たしていれば、除去もしくはその他の回路素子で置き換えてもかまわない。
【００３２】
本発明の実施の形態に従う歪補償回路は、上記インピーダンスの条件を満たすことによって、接続点１０からバイアス制御用回路１５内のダイオード１２へ漏れる信号電力を歪補償用ダイオード５へ漏れる信号電力よりも小さくすることができ、バイアス制御用回路内のダイオード１２が歪補償作用に与える影響を抑制することができる。
【００３３】
図２は、本発明の実施の形態１に従う歪補償回路と図７に示した従来例１による歪補償回路について、温度に従って歪補償用ダイオードおよびバイアス制御用回路に流れる直流バイアス電流が変化する場合を説明する図である。
【００３４】
ここで、これらの歪補償回路では、抵抗６，１０６、および抵抗８，１０８は同じ抵抗値であるものとする。歪補償用ダイオード５および１０５に流れる直流バイアス電流および印加されるバイアス電圧が環境温度２５℃において同じになるように設計されている。このとき、環境温度２５℃における歪補償用ダイオードに印加されるバイアス電圧および流れる直流バイアス電流は、１．０Ｖおよび１５μＡである。また、ダイオード１２およびインダクタ１３によって構成されるバイアス制御用回路１５に流れる直流電流は環境温度２５℃において６９０μＡである。
【００３５】
図２に示されるように、従来技術による歪補償回路と比較して、本実施の形態による歪補償回路では、歪補償用ダイオードに流れる直流バイアス電流の環境温度による変化が大幅に抑制されている。これは、本実施の形態による歪補償回路では、図２に示すように、バイアス制御用回路に流れる電流および電流の環境温度による変化量が歪補償ダイオードに流れる電流およびその変化量に比べて十分大きいことによる。
【００３６】
歪補償用ダイオードに印加される電圧は、バイアス供給端子に与えられるバイアス電圧、および、抵抗６および８に流れる電流に伴う電位降下によって規定されるが、バイアス制御用回路に流れる電流のほうが歪補償ダイオードに流れる電流よりも大きいことから、抵抗での電圧降下は主にバイアス制御用回路に流れる電流によって規定される。そのため、環境温度が上昇（もしくは低下）した場合、それに伴って歪補償用ダイオードに流れる電流が増加（もしくは低下）しようとするが、バイアス制御用回路に流れる電流および温度による変化量が大きいために、抵抗８での電圧降下が大きく変化し、歪補償用ダイオードに印加される電圧が大きく低下（もしくは増加）する。
【００３７】
その結果、歪補償用ダイオードに流れる電流の環境温度による変化が従来技術の歪補償回路を用いた場合と比較して大幅に抑制される。とくに、バイアス制御用回路に流れる直流バイアス電流の温度による変化量が歪補償用ダイオードに流れる直流バイアス電流の温度による変化量よりも大きい場合、抵抗８での電圧降下の温度による変化の量をより大きくすることができるため、その効果は顕著となる。
【００３８】
図３は、本発明の実施の形態１および従来例１に従う歪補償回路の出力信号と入力信号との電力の比すなわち利得が環境温度に従って変化する場合を説明する図である。
【００３９】
図３（ａ）を参照して、ここでは、本発明の実施の形態１に従う歪補償回路に関して、利得と、入力電力との関係が、環境温度の変化に従って変化する場合が示されている。
【００４０】
図３（ｂ）を参照して、ここでは、従来例１に従う歪補償回路に関して、利得と、入力電力との関係が、環境温度の変化に従って変化する場合が示されている。
【００４１】
従来技術では、利得の絶対値、および、入力電力の増大による利得の変化量のいずれも、温度変化によって大きく変動しているのに対して、本発明の実施の形態１に従う歪補償回路では、それらの変動が大幅に抑制されている。これは、本発明の実施の形態１に従う歪補償回路では、歪補償用ダイオードに流れる電流の温度による変化が図２に示したように大幅に抑制されたことによる。
【００４２】
このように、本発明の実施の形態１に従う歪補償回路によれば、入力端子からバイアス制御用回路の接地までのインピーダンスを入力端子から歪補償用ダイオードのカソード端までのインピーダンスよりも大きくすることによって、バイアス制御用ダイオードが歪補償回路の歪特性に与える影響を抑制するとともに、歪補償用ダイオードに流れる電流をバイアス制御用回路内のダイオードに流れる電流よりも小さくすることによって、歪補償用ダイオードに流れる電流の環境温度による変化を大幅に抑制することができ、温度変化による特性変動の小さい歪補償回路を提供できる効果がある。
【００４３】
なお、本発明の実施の形態１では、信号経路と接地との間にダイオードを含む回路が接続された歪補償回路の構成を用いたが、信号経路にダイオードを含む回路が直列に接続された歪補償回路の構成においても同様に適応可能である。
【００４４】
また、本実施の形態では、バイアス制御用回路にダイオードを用いているが、同様の特性をもつバイポーラトランジスタのエミッタ−ベース接合もしくはベース−コレクタ接合を用いてもよい。
（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２に従う電力増幅器の構成を示す図である。
【００４５】
図４を参照して、本発明の実施の形態２に従う電力増幅器は電力増幅素子を２段用いた多段構成となっている。
【００４６】
本発明の実施の形態２に従う電力増幅器は、入力端子２１、電力増幅素子２２，３２、入力整合回路２４、電力増幅素子の入力側バイアス回路２５，３５、電力増幅素子の出力側電源回路２６，３６、段間整合回路３０，３１、出力端子３４、出力整合回路３７、歪補償回路４０、電力増幅素子および歪補償回路にバイアスを与えるバイアス供給端子９，４９、抵抗４４，４８、キャパシタ１４、およびトランジスタ４２，４３を含む。
【００４７】
歪補償回路４０内の歪補償用ダイオード５のアノード端子はトランジスタ４２のエミッタ−ベース接合および抵抗８を介してバイアス供給端子９と接続されており、歪補償用ダイオード５に対して順方向バイアス電圧が印加される。
【００４８】
抵抗８と歪補償用ダイオード５との間の経路に存在する接続点１１と接地との間には、ダイオード１２、トランジスタ４３および抵抗４４によって構成されるバイアス制御用回路４５が設けられている。接続点１１は、キャパシタ１４を介して接地されている。ダイオード１２のオン電圧とトランジスタ４３のオン電圧の和は、ダイオード１０のオン電圧とトランジスタ４２のオン電圧の和よりも小さくすることで、バイアス制御用回路４５に流れる直流バイアス電流はダイオード５に流れる直流バイアス電流よりも大きくされる。
【００４９】
トランジスタ４２は、歪補償用ダイオード５に印加されるバイアス電圧と電流、および、歪補償回路の入力端子側からダイオード制御用回路１５の接地までのインピーダンスを調整するために設けられる。これにより、歪補償回路の入力端子側からバイアス制御用回路４５の接地までのインピーダンスが、歪補償回路の入力端子側からダイオード５のカソード端までのインピーダンスよりも大きくなる条件を満たすことができる。
【００５０】
バイアス供給端子４９および抵抗４８は、歪補償用ダイオード５に流れる電流を制御するために設けたものであり、トランジスタ４２を介することによって、歪補償用ダイオード５に流れる電流による抵抗８での電位降下の影響を、トランジスタの電流利得の逆数分だけ小さくすることができる。
【００５１】
電力増幅素子２２および３２はバイポーラトランジスタであるＧａＡｓ  ＨＢＴにより構成されている。また、ダイオード５および１２はＧａＡｓ  ＨＢＴのベース−コレクタ接合からなるｐｎ接合ダイオードにより構成され、トランジスタ４２，４３はＧａＡｓ  ＨＢＴにより構成されており、これら歪補償回路の素子は電力増幅素子と同一半導体チップ上に形成されることによって電力増幅器の小型化および低コスト化を実現している。
【００５２】
バイアス供給端子９には電力増幅素子の入力側バイアス回路２５および３５が接続され、１つのバイアス電圧を共有できる構成としている。
【００５３】
また、バイアス供給端子４９には電力増幅素子の出力側電源回路２６および３６が接続され、１つのバイアス電圧を共有できる構成としている。
【００５４】
これにより、歪補償回路にバイアス電圧を供給する電源を電力増幅器とは別に設ける必要がなくなり、システム全体の小型化、低コスト化、および低消費電力化を実現している。
【００５５】
図５は、本実施の形態２の電力増幅器と、歪補償回路４０の代わりに従来例１による歪補償回路を用いた電力増幅器における利得偏差と出力電力との関係の環境温度による変化を説明する図である。
【００５６】
図５（ａ）を参照して、ここでは本発明の実施の形態２に従う電力増幅器の環境温度に従う利得偏差の変化が示されており、本発明の実施の形態２に従う電力増幅器においては、電力増幅器の利得偏差の環境温度による変化が従来技術を用いた場合すなわち図５（ｂ）に示される場合と比較して大幅に抑制されている。
【００５７】
このように、本発明の実施の形態２に従う電力増幅器によれば、使用する環境温度がある程度変化した場合にも高線形動作が可能な電力増幅器を提供できる効果がある。また、歪補償回路と電力増幅素子のバイアス電圧を共通化することによって、歪補償回路にバイアス電圧を供給する電源を余分に設ける必要がなくなり、システム全体の小型化、低コスト化、および低消費電力化を実現できる効果がある。
【００５８】
なお、本実施の形態では、ダイオードとしバイポーラトランジスタのベース−コレクタ接合によるｐｎ接合ダイオードを用いて説明したが、エミッタ−ベース接合によるｐｎ接合ダイオードなどの他のダイオードを用いても実施できるのはもちろんである。
【００５９】
また、上記実施の形態では電力増幅素子としてＧａＡｓ  ＨＢＴを用いたが、ＳｉバイポーラトランジスタやＳｉＧｅ  ＨＢＴ、ＩｎＰ  ＨＢＴなど他のバイポーラトランジスタを用いてもよい。また、上記実施の形態では電力増幅素子としてバイポーラトランジスタを用いているが、電力増幅素子はＦＥＴであってもよい。
【００６０】
また、上記実施の形態では電力増幅器は電力増幅素子を２段用いた多段構成となっているが、３段以上の電力増幅素子を用いた多段構成であっても同様に実施できるのはもちろんである。
【００６１】
また、上記実施の形態では電力増幅素子および歪補償回路にバイアスを与えるバイアス供給端子を半導体チップ上でそれぞれ１つに束ねることでバイアス電圧を共有する構成としているが、バイアス供給端子を電力増幅素子用および歪補償回路用として別々に設け、半導体チップの外で束ねることでバイアス電圧を共有できる構成としてもよい。
（実施の形態３）
図６は、本発明の実施の形態３に従う通信装置８０の主要部の構成を示すブロック図である。
【００６２】
図６を参照して、通信装置８０は、送信用ＲＦ部８１、受信用ＲＦ部８５、ＲＦ信号とＩＦ信号とを変換する周波数変換部８８、ＩＦ／ベースバンド部８９、スイッチ９０、アンテナ９１を含む。
【００６３】
送信用ＲＦ部８１は、本発明の実施の形態２で示した電力増幅器を含んでなる多段電力増幅器８２とフィルタ８３、ドライバ増幅段８４等から構成され、受信用ＲＦ部８５は低雑音増幅器８６やフィルタ８７等で構成される。
【００６４】
上記ドライバ増幅器及び電力増幅器段で構成される送信部は、通信装置内で最大の信号電力を扱うため、増幅器の消費電力が大きく、増幅時の歪も生じやすいが、本実施の形態３に従う構成では、送信部にこの発明の電力増幅器を用いることによって、使用する環境温度がある程度変化した場合にも高線形動作が可能となり、温度変化による特性変動の小さい通信装置を提供することができる。
【００６５】
また、歪補償回路と電力増幅素子のバイアス電圧を共通化することによって、歪補償回路にバイアス電圧を供給する電源を余分に設ける必要がなくなり、通信装置の小型化、低コスト化、および低消費電力化が可能となる。
【００６６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等な意味および範囲内でのすべての変更点が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施の形態１である歪補償回路の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の実施の形態１に従う歪補償回路と図７に示した従来例１による歪補償回路について、温度に従って歪補償用ダイオードおよびバイアス制御用回路に流れる直流バイアス電流が変化する場合を説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態１および従来例１に従う歪補償回路の出力信号と入力信号との電力の比が環境温度に従って変化する場合を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態２に従う電力増幅器の構成を示す図である。
【図５】本実施の形態２の電力増幅器と、歪補償回路４０の代わりに従来例１による歪補償回路を用いた電力増幅器における利得偏差と出力電力との関係の環境温度による変化を説明する図である。
【図６】本発明の実施の形態３に従う通信装置８０の主要部の構成を示すブロック図である。
【図７】従来の歪補償回路の構成を示す回路図である。
【図８】従来の歪補償回路の他の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００６８】
１，２１，１０１  入力端子、２，３，１４，１０２，１０３  キャパシタ、４，３４，１０４  出力端子、５，１２，１０５  ダイオード、６，８，４４，４８，１０６，１０８  抵抗、１３，１１１  インダクタ、９，４９，１０９  バイアス供給端子、２２，３２  電力増幅素子、２４，３４  入力整合回路、２５，３５  入力側バイアス回路、２６，３６  出力側電源回路、２７，３７  出力整合回路、４０  歪補償回路、３０，３１  段間整合回路、８０  通信装置、８１  送信用ＲＦ部、８２  多段電力増幅器、８３，８７  フィルタ、８４  ドライバ増幅段、８５  受信用ＲＦ増幅部、８６  低雑音増幅器、８８  周波数変換部、８９  ＩＦ／ベースバンド部、９０  スイッチ、９１  アンテナ。
【図１】
2007336367.tif 000003
【図２】
2007336367.tif 000004
【図３】
2007336367.tif 000005
【図４】
2007336367.tif 000006
【図５】
2007336367.tif 000007
【図６】
2007336367.tif 000008
【図７】
2007336367.tif 000009
【図８】
2007336367.tif 000010