(57)【要約】【課題】  風乱に起因するばたつきにより、キャリッジアームとの間で擦れを生じても、導体パターンが露出して短絡することを防止できる、回路付サスペンション基板を提供すること。【解決手段】  金属支持層２、ベース絶縁層３、導体パターン４、および、カバー絶縁層９を順次備える回路付サスペンション基板１における、キャリッジアームのスリットに差し込まれる差込部分ｃにおいて、導体パターン形成領域Ｘにおける金属支持層２のベース絶縁層３が形成される側の表面から導体パターン４のカバー絶縁層９が形成される側の表面までの厚みＴ３が、導体パターン非形成領域Ｙにおける金属支持層２のベース絶縁層３が形成される側の表面からカバー絶縁層９のベース絶縁層３が形成される側と反対側の表面までの厚みＴ２未満、すなわちＴ３＜Ｔ２となるように形成する。【選択図】    図２
2007095136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持層、前記金属支持層の上に形成されるベース絶縁層、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターン、および、前記ベース絶縁層の上に前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層を備え、
キャリッジアームのスリットに差し込むことにより、前記キャリッジアームに保持される回路付サスペンション基板であって、
前記キャリッジアームのスリットに差し込まれる差込部分において、
導体パターンが形成される導体パターン形成領域と、導体パターンが形成されない導体パターン非形成領域とを有し、
前記導体パターン形成領域における、前記金属支持層の前記ベース絶縁層が形成される側の表面から前記導体パターンの前記カバー絶縁層が形成される側の表面までの厚みが、前記導体パターン非形成領域における、前記金属支持層の前記ベース絶縁層が形成される側の表面から前記カバー絶縁層の前記ベース絶縁層が形成される側と反対側の表面までの厚み未満であることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記回路付サスペンション基板の長手方向と直交する方向において、前記導体パターン非形成領域が、前記導体パターン形成領域の両側に配置され、
前記導体パターン形成領域における、前記ベース絶縁層と前記導体パターンとの厚みの合計が、前記導体パターン非形成領域における、前記ベース絶縁層と前記カバー絶縁層との厚みの合計未満であることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記導体パターン形成領域における、前記ベース絶縁層と前記導体パターンと前記カバー絶縁層との厚みの合計が、前記導体パターン非形成領域における前記ベース絶縁層と前記カバー絶縁層との厚みの合計以下であることを特徴とする、請求項２に記載の回路付サスペンション基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板に関し、詳しくは、キャリッジアームに保持される回路付サスペンション基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ハードディスクドライブにおいて、磁気ヘッドを搭載する回路付サスペンション基板が用いられている。この回路付サスペンション基板は、キャリッジアーム側面に沿って配置されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−３４２２７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
すなわち、上記の回路付サスペンション基板は、図６に示すように、通常、金属支持層２、金属支持層２の上に形成されるベース絶縁層３、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４、および、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層９を備えており、キャリッジアーム１３に保持されてサスペンションアッセンブリを構成する。
【０００４】
より具体的には、キャリッジアーム１３には、スリット１４が形成されており、そのスリット１４に回路付サスペンション基板１２が差し込まれることにより、回路付サスペンション基板１２がキャリッジ１５に保持されている。
ところが、磁気ディスクが高速回転すると、ハードディスクドライブ内には風乱が発生するために、回路付サスペンション基板１２が、その風乱によってばたつき、キャリッジアーム１３との間で擦れが発生する。そして、その擦れによってカバー絶縁層９が破れた場合には、回路付サスペンション基板１２の導体パターン４が露出し、この露出した導体パターン４とキャリッジアーム１３とが接触して、導体パターン４の短絡を生じる。
【０００５】
本発明の目的は、風乱に起因するばたつきにより、キャリッジアームとの間で擦れを生じても、導体パターンが露出して短絡することを防止できる、回路付サスペンション基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持層、前記金属支持層の上に形成されるベース絶縁層、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターン、および、前記ベース絶縁層の上に前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層を備え、キャリッジアームのスリットに差し込むことにより、前記キャリッジアームに保持される回路付サスペンション基板であって、前記キャリッジアームのスリットに差し込まれる差込部分において、導体パターンが形成される導体パターン形成領域と、導体パターンが形成されない導体パターン非形成領域とを有し、前記導体パターン形成領域における、前記金属支持層の前記ベース絶縁層が形成される側の表面から前記導体パターンの前記カバー絶縁層が形成される側の表面までの厚みが、前記導体パターン非形成領域における、前記金属支持層の前記ベース絶縁層が形成される側の表面から前記カバー絶縁層の前記ベース絶縁層が形成される側と反対側の表面までの厚み未満であることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の回路付サスペンション基板は、前記回路付サスペンション基板の長手方向と直交する方向において、前記導体パターン非形成領域が、前記導体パターン形成領域の両側に配置され、前記導体パターン形成領域における、前記ベース絶縁層と前記導体パターンとの厚みの合計が、前記導体パターン非形成領域における、前記ベース絶縁層と前記カバー絶縁層との厚みの合計未満であることが好適である。
【０００８】
さらに、本発明の回路付サスペンション基板は、前記導体パターン形成領域における、前記ベース絶縁層と前記導体パターンと前記カバー絶縁層との厚みの合計が、前記導体パターン非形成領域における前記ベース絶縁層と前記カバー絶縁層との厚みの合計以下であることが好適である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の回路付サスペンション基板によれば、差込部分では、導体パターン形成領域における、金属支持層のベース絶縁層が形成される側の表面から導体パターンのカバー絶縁層が形成される側の表面までの厚みが、導体パターン非形成領域における、金属支持層のベース絶縁層が形成される側の表面からカバー絶縁層のベース絶縁層が形成される側と反対側の表面までの厚み未満であるために、磁気ディスクが高速回転することにより発生した風乱に起因するばたつきにより、回路付サスペンション基板が、キャリッジアームとの間で擦れを生じても、導体パターンが露出して短絡することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向に直交する方向の断面図（図１のＡ−Ａ’線断面図）である。
この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスク（図示せず）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、リード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。
【００１１】
なお、導体パターン４は、後述するが、磁気ヘッドの接続端子に接続するための磁気ヘッド側接続端子５と、リード・ライト基板の接続端子に接続するための外部側接続端子７と、磁気ヘッド側接続端子５と外部側接続端子７とを接続するための配線８とを一体的に備えている。
この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持層２、金属支持層２の上に形成されるベース絶縁層３、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４、および、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層９を備えている。なお、図１では、カバー絶縁層９が省略されている。
【００１２】
図１に示すように、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド側接続端子形成領域ａと、外部側接続端子形成領域ｂと、磁気ヘッド側接続端子形成領域ａと外部側接続端子形成領域ｂとの間に配置され、キャリッジアームのスリットに差し込まれる差込部分ｃとを一体的に備えている。
磁気ヘッド側接続端子形成領域ａは、この回路付サスペンション基板１の先端部に配置され、平面視略矩形状に形成されている。また、磁気ヘッド側接続端子形成領域ａには、複数の配線８の先端部から連続して、幅広のランドとして並列配置される磁気ヘッド側接続端子５と、磁気ヘッド側接続端子５を挟んで、金属支持層２を切り抜くことによって形成される、磁気ヘッドを実装するためのジンバル６とが設けられている。
【００１３】
また、外部側接続端子形成領域ｂは、この回路付サスペンション基板１の後端部に配置され、幅方向（長手方向に直交する方向）に屈曲する平面視略矩形状に形成されている。また、外部側接続端子形成領域ｂには、複数の配線８の後端部から連続して、幅広のランドとして並列配置される外部側接続端子７が設けられている。
差込部分ｃは、この回路付サスペンション基板１の長手方向に配置され、磁気ヘッド側接続端子形成領域ａおよび外部側接続端子形成領域ｂよりも幅狭の平面視略矩形平帯形状に形成されている。また、差込部分ｃには、長手方向に沿って延びる複数の配線８が幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００１４】
また、この回路付サスペンション基板１では、差込部分ｃにおいて、図２に示すように、導体パターン４が形成される導体パターン形成領域Ｘと、導体パターン４が形成されない導体パターン非形成領域Ｙとを有しており、回路付サスペンション基板１の幅方向において、導体パターン非形成領域Ｙが、導体パターン形成領域Ｘを挟んでその両側に配置されている。なお、導体パターン形成領域Ｘの幅は、例えば、０．３０〜１．０ｍｍであり、各導体パターン非形成領域Ｙの幅は、０．０３〜１．００ｍｍ、好ましくは、０．１１〜０．２５ｍｍである。
【００１５】
金属支持層２は、図１に示すように、長手方向に延びる平板状の薄板からなる。金属支持層２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、その厚みは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１８〜３０μｍである。
ベース絶縁層３は、金属支持層２の上に導体パターン４が形成される部分を含むパターンとして形成されている。また、ベース絶縁層３は、図２に示すように、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３の厚みが、導体パターン非形成領域Ｙにおけるベース絶縁層３の厚みより薄くなる断面略凹形状に形成されている。
【００１６】
より具体的には、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３は、均一な厚みで形成されており、その厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、５〜８μｍである。
また、導体パターン非形成領域Ｙにおけるベース絶縁層３は、各導体パターン非形成領域Ｙの幅方向内側において、導体パターン形成領域Ｘと連続して形成される幅方向内側部３ｓ、各導体パターン非形成領域Ｙの幅方向外側において、幅方向内側部３ｓよりも厚みが厚く形成される幅方向外側部３ｕ、および、幅方向内側部３ｓと幅方向外側部３ｕとの間において、幅方向外側部３ｕから幅方向内側部３ｓに向かって厚みが徐々に薄くなる傾斜部３ｔを備えている。
【００１７】
導体パターン非形成領域Ｙにおけるベース絶縁層３の厚みは、各幅方向内側部３ｓにおいて、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３の厚みに等しく、各幅方向外側部３ｕにおいて、各幅方向内側部３ｓよりも厚みが厚く、例えば、５〜２５μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
ベース絶縁層３を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、パターンでベース絶縁層３を形成するためには、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００１８】
導体パターン４は、図１に示し、上記したように、互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線８、各配線８の先端部からそれぞれ連続する各磁気ヘッド側接続端子５および各配線８の後端部からそれぞれ連続する各外部側接続端子７を一体的に備えている。導体パターン４を形成する導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などの金属箔が用いられ、導電性、廉価性および加工性の観点から、好ましくは、銅箔が用いられる。また、導体パターン４の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。また、各配線８の幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、５〜７０μｍであり、各配線８間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、５〜７０μｍである。
【００１９】
カバー絶縁層９は、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を被覆するように形成されている。カバー絶縁層９を形成する絶縁体としては、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。また、カバー絶縁層９は、導体パターン形成領域Ｘにおける導体パターン４の表面からカバー絶縁層９の表面までの厚みが均一であり、各導体パターン非形成領域Ｙにおけるベース絶縁層３の表面からカバー絶縁層９の表面までの厚みが均一となるように形成されている。また、カバー絶縁層９の厚みは、導体パターン形成領域Ｘおよび各導体パターン非形成領域Ｙにおいて、同じであっても、異なっていてもよく、より具体的には、導体パターン形成領域Ｘにおける上記した厚みが、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、２〜６μｍであり、導体パターン非形成領域Ｙにおける上記した厚みが、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、２〜１０μｍである。
【００２０】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法を、図３および図４を参照しつつ説明する。なお、図３および図４では、図２に対応する断面として示している。
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、金属支持層２を用意する。
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、金属支持層２の上に、ベース絶縁層３をパターンで形成する。
【００２１】
例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、金属支持層２の上に、パターンでベース絶縁層３を形成する場合には、まず、図４（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）のワニスを、金属支持層２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１０を形成する。
【００２２】
次に、図４（ｂ）に示すように、皮膜１０を、階調露光フォトマスク１１を介して露光する。階調露光フォトマスク１１は、遮光部分１１ａ、光半透過部分１１ｂおよび光全透過部分１１ｃを上記したベース絶縁層３の断面略凹形状に対応するパターンで備えている。なお、光半透過部分１１ｂにおいては、光透過率が１〜９９％のうちから適宜選択される光透過率で、光が透過される。より具体的には、光半透過部分１１ｂでは、導体パターン形成領域Ｘおよび各幅方向内側部３ｓに対向する中央部分が、各傾斜部３ｔに対向する両側部分よりも光透過率が低く、かつ、両側部分においては、幅方向外側から幅方向内側に向かって、徐々に光透過率が低くなるように形成されている。
【００２３】
そして、金属支持層２におけるベース絶縁層３を形成しない両端縁部には、遮光部分１１ａが対向し、金属支持層２におけるベース絶縁層３の導体パターン形成領域Ｘを形成する部分、幅方向内側部３ｓを形成する部分および傾斜部３ｔを形成する部分には、光半透過部分１１ｂが対向し、金属支持層２におけるベース絶縁層３の幅方向外側部３ｕを形成する部分に、光全透過部分１１ｃが対向するように、階調露光フォトマスク１１を皮膜１０に対して対向配置する。
【００２４】
また、階調露光フォトマスク１１を介して照射する光（照射線）は、その露光波長が、３００〜４５０ｎｍであり、その露光積算光量が、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２である。
その後、図４（ｃ）に示すように、露光された皮膜１０を、必要により所定温度に加熱した後、現像することにより、導体パターン形成領域Ｘにおける皮膜１０の厚みが、導体パターン非形成領域Ｙにおける皮膜１０の厚みより薄くなる断面略凹形状となり、導体パターン非形成領域Ｙにおいて、皮膜１０の幅方向内側部１０ｓの厚みが、導体パターン形成領域Ｘにおける皮膜１０の厚みに等しく、皮膜１０の幅方向外側部１０ｕの厚みが、幅方向内側部１０ｓの厚みより厚く、また、皮膜１０の傾斜部１０ｔにおいては、幅方向外側部１０ｕから幅方向内側部１０ｓに向かって厚みが徐々に薄くなるようにパターンニングされる。
【００２５】
この現像には、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いる、浸漬法やスプレー法などの公知の現像方法が用いられる。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを形成しているが、ポジ型でパターンニングすることもできる。
そして、図４（ｄ）に示すように、皮膜１０を加熱により硬化させれば、ベース絶縁層３は、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３の厚みが、導体パターン非形成領域Ｙにおけるベース絶縁層３の厚みより薄くなる断面略凹形状をなし、さらに、ベース絶縁層３の導体パターン非形成領域Ｙにおいて、幅方向内側部３ｓの厚みが、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３の厚みに等しく、幅方向外側部３ｕの厚みが、幅方向内側部３ｓの厚みより厚く、傾斜部３ｔの厚みが、幅方向外側部３ｕから幅方向内側部３ｓに向かって徐々に薄くなる形状で形成される。
【００２６】
なお、このようなベース絶縁層３は、上記した方法以外にも、例えば、ベース絶縁層３を均一な厚みで形成した後、エッチングなどによりパターンで形成することもできる。
また、例えば、非感光性樹脂からなる第１ベース絶縁層を、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３と同じ厚みで形成した後、感光性樹脂からなる第２ベース絶縁層を、導体パターン非形成領域Ｙにおける幅方向外側部３ｕと同じ厚みとなるように、導体パターン非形成領域Ｙの幅方向外側部３ｕおよび傾斜部３ｔのみに形成されるパターンで、露光、現像および硬化することにより形成することもできる。
【００２７】
そして、この方法では、次いで、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３の上に、導体パターン４を形成する。
導体パターン４を形成するには、例えば、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、アディティブ法が用いられる。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３から露出する金属支持層２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、種膜として、金属薄膜（図示せず）を形成する。金属薄膜を形成するための金属としては、例えば、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などが用いられる。また、金属薄膜の形成は、特に制限されないが、例えば、スパッタリング法などの真空蒸着法が用いられる。金属薄膜の厚みは、例えば、１００〜２０００Åである。また、金属薄膜は、例えば、クロム薄膜と銅薄膜とを順次スパッタリング法により形成するなど、多層で形成することもできる。
【００２８】
次いで、アディティブ法では、図３（ｃ）に示すように、金属薄膜の表面に導体パターン４の反転パターンで、めっきレジスト１６を形成する。より具体的には、めっきレジスト１６は、金属薄膜の表面に複数の配線８、各磁気ヘッド側端子６および各外部側接続端子７に対応する部分の金属薄膜が露出するように形成される。
めっきレジスト１６は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、公知の方法により、上記した導体パターン４の反転パターンとして形成する。
【００２９】
次いで、アディティブ法では、図３（ｄ）に示すように、めっきレジスト１６から露出する金属薄膜の表面に、導体パターン４を形成する。導体パターン４の形成は、特に制限されないが、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
その後、図３（ｅ）に示すように、めっきレジスト１６を除去する。めっきレジスト１６の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法を用いるか、または、剥離する。そして、導体パターン４から露出する金属薄膜を除去する。金属薄膜の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）が用いられる。
【００３０】
これによって、導体パターン４として、図１に示すように、複数の配線８、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７が一体的に形成される。
なお、導体パターン４の表面には、その後に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層（図示せず）を形成して、導体パターン４を保護する。
その後、この方法では、図３（ｆ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４のうち、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７が露出され、それ以外の部分の配線８が被覆されるように、カバー絶縁層９をパターンで形成する。
【００３１】
例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、ベース絶縁層３の上に、カバー絶縁層９をパターンで形成するには、まず、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、導体パターン４を含むベース絶縁層３および金属支持層２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する。
【００３２】
次に、その皮膜を階調露光フォトマスクを介して露光する。階調露光フォトマスクは、上記と同様の、階調露光フォトマスクが用いられる。
そして、皮膜に対して、金属支持層２、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７に対応する部分には、階調露光フォトマスクの遮光部分が対向し、それ以外の部分、すなわち、皮膜の導体パターン形成領域Ｘに対応する部分には、階調露光フォトマスクの光半透過部分が対向し、皮膜の導体パターン非形成領域Ｙに対応する部分には、階調露光フォトマスクの光全透過部分が対向するように、階調露光フォトマスクを皮膜に対して対向配置する。次いで、上記した皮膜１０の露光と同様に露光する。
【００３３】
また、カバー絶縁層９の導体パターン形成領域Ｘと導体パターン非形成領域Ｙとの厚みを等しく形成する場合には、遮光部分および光全透過部分をパターンで備えるフォトマスクを用いる。その場合には、皮膜に対して、金属支持層２、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７に対応する部分には、フォトマスクの遮光部分が対向し、それ以外の部分には、フォトマスクの光全透過部分が対向するように、フォトマスクを皮膜に対して対向配置させる。
【００３４】
次いで、露光された皮膜を、上記した皮膜１０の現像と同様に、現像し、ネガ型でパターンを形成する。
この現像により、皮膜はフォトマスクの遮光部分が対向していた金属支持層２、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７に対応する部分が溶解して、金属支持層２の端縁部、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７が露出するパターンに形成される。
【００３５】
そして、パターンに形成された皮膜を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層９が、金属支持層２の端縁部、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７が露出し、それ以外のベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するパターンとして形成される。
【００３６】
カバー絶縁層９は、上記のような階調露光フォトマスクを用いた場合には、金属支持層２の端縁部、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７が露出し、導体パターン形成領域Ｘにおけるカバー絶縁層９の厚みが、導体パターン非形成領域Ｙにおけるカバー絶縁層９の厚みより薄く形成される。
また、カバー絶縁層９は、上記のような遮光部分および光全透過部分をパターンで備えるフォトマスクを用いた場合には、金属支持層２の端縁部、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７が露出し、導体パターン形成領域Ｘおよび導体パターン非形成領域Ｙにおけるカバー絶縁層９が均一な厚みで形成される。
【００３７】
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、ベース絶縁層３の上に、ドライフィルムを、融着または必要により接着剤層を介して貼着した後、エッチングによって、金属支持層２の端縁部、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７が露出し、それ以外のベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するパターンとして、カバー絶縁層９を形成する。
【００３８】
その後、必要により、各磁気ヘッド側接続端子５および各外部側接続端子７に、これらの表面を被覆保護するためのめっき層（図示せず）を形成する。めっき層を形成するための金属は、特に制限されず、例えば、ニッケルや金などが用いられる。また、めっき層の形成は、例えば、電解めっきまたは無電解めっきが用いられる。また、めっき層は、ニッケルおよび金を順次めっきすることにより、多層として形成することもできる。
【００３９】
そして、金属支持層２を、化学エッチングなどの公知の方法によって、ジンバル６の切り抜きとともに外形加工し、洗浄および乾燥することにより、図１に示すような回路付サスペンション基板１を得る。なお、金属支持層２の外形加工は、めっき層の形成前にすることもできる。
このようにして得られる回路付サスペンション基板１では、差込部分ｃにおいて、導体パターン形成領域Ｘにおける、金属支持層２の表面（ベース絶縁層３が形成される側の表面）から導体パターン４の表面（カバー絶縁層９が形成される側の表面）までの厚みＴ３が、導体パターン非形成領域Ｙにおける、金属支持層２の表面（ベース絶縁層３が形成される側の表面）からカバー絶縁層９の表面（ベース絶縁層３が形成される側と反対側の表面）までの厚みＴ２未満、すなわち、Ｔ３＜Ｔ２となる。
【００４０】
さらに、具体的には、この回路付サスペンション基板１では、差込部分ｃにおいて、導体パターン形成領域Ｘにおける、ベース絶縁層３と導体パターン４とカバー絶縁層９との厚みの合計Ｔ１が、導体パターン非形成領域Ｙにおける、ベース絶縁層３とカバー絶縁層９との厚みの合計Ｔ２以下、すなわちＴ１≦Ｔ２となる。
そのため、この回路付サスペンション基板１では、キャリッジアームのスリットに差し込むことにより、キャリッジアームに保持させた状態で、磁気ディスクが高速回転することにより発生した風乱に起因するばたつきにより、キャリッジアームとの間で擦れが生じても、その擦れは、導体パターン非形成領域Ｙにおけるカバー絶縁層９との間で生じ、導体パターン形成領域Ｘにおけるカバー絶縁層９との間で生じることを防止できる。その結果、導体パターン４を被覆する部分のカバー絶縁層９の破れを生じることがなく、導体パターン４が露出することを防止できる。
【００４１】
また、図２に示す回路付サスペンション基板１では、ベース絶縁層３を、導体パターン非形成領域Ｙにおいて、カバー絶縁層９が積層されている側に向かって突出する断面略凹形状に形成したが、例えば、ベース絶縁層３を断面略凹形状とせずに、導体パターン非形成領域Ｙのベース絶縁層３を導体パターン形成領域Ｘのベース絶縁層３と同じ均一の厚みで形成し、導体パターン４の形成とともに、導体パターン非形成領域Ｙのベース絶縁層３の上にダミー配線を形成し、次いで、カバー絶縁層９をベース絶縁層３の上に導体パターン４およびダミー配線を被覆するように形成することによって、導体パターン形成領域Ｘにおける、金属支持層２の表面から導体パターン４の表面までの厚みＴ３が、導体パターン非形成領域Ｙにおける、金属支持層２の表面からカバー絶縁層９の表面までの厚みＴ２未満となるように、回路付サスペンション基板１を形成することもできる。
【００４２】
また、本発明の回路付サスペンション基板１では、上記したように、導体パターン形成領域Ｘにおける、金属支持層２の表面から導体パターン４の表面までの厚みＴ３が、導体パターン非形成領域Ｙにおける、金属支持層２の表面からカバー絶縁層９の表面までの厚みＴ２未満となればよく、本発明の他の実施形態の回路付サスペンション基板１として、図５に、差込部分ｃにおける幅方向の断面図（図１のＡ−Ａ’線断面図）として示すように、たとえ、導体パターン形成領域Ｘにおける、ベース絶縁層３と導体パターン４とカバー絶縁層９との厚みの合計Ｔ１が、導体パターン非形成領域Ｙにおける、ベース絶縁層３とカバー絶縁層９との厚みの合計Ｔ２より大きく、すなわちＴ１＞Ｔ２となる場合であっても、導体パターン形成領域Ｘにおける、ベース絶縁層３と導体パターン４との厚みの合計Ｔ３が、導体パターン非形成領域Ｙにおける、ベース絶縁層３とカバー絶縁層９との厚みの合計Ｔ２未満、すなわちＴ３＜Ｔ２となっていればよい。
【００４３】
なお、図５において、図２と同様の部材には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図５に示す回路付サスペンション基板１では、キャリッジアームのスリットに差し込むことにより、キャリッジアームに保持させた状態で、磁気ディスクが高速回転することにより発生した風乱に起因するばたつきにより、キャリッジアームとの間で擦れが生じると、導体パターン形成領域Ｘにおける金属支持層２の表面からカバー絶縁層９の表面までの厚みが、導体パターン非形成領域Ｙにおける金属支持層２の表面からカバー絶縁層９の表面までの厚みより厚いため、その擦れは、導体パターン形成領域Ｘにおけるカバー絶縁層９との間で生じる。しかし、導体パターン形成領域Ｘにおける、ベース絶縁層３と導体パターン４との厚みの合計Ｔ３が、その両側に配置された導体パターン非形成領域Ｙにおける、ベース絶縁層３とカバー絶縁層９との厚みの合計Ｔ２未満、すなわちＴ３＜Ｔ２であるために、導体パターン形成領域Ｘにおけるカバー絶縁層９がキャリッジアームとの間で擦れを生じて、破れ、導体パターン４が露出しても、その両側に配置された導体パターン非形成領域Ｙにおけるカバー絶縁層９の表面が、導体パターン４の表面よりも厚み方向において突出しているために、導体パターン４とキャリッジアームとの間には、その厚み方向における突出分（導体パターン非形成領域Ｙにおける金属支持層２の表面からカバー絶縁層９の表面までの厚みと導体パターン形成領域Ｘにおける金属支持層２の表面から導体パターン４の表面までの厚みとの差分）の隙間が形成されるため、導体パターン４とキャリッジアームとが接触することによる導体パターン４の短絡を防止できる。
【００４４】
上記のように、本発明の回路付サスペンション基板１は、差込部分ｃにおいて、導体パターン形成領域Ｘにおける、金属支持層２の表面から導体パターン４の表面までの厚みＴ３が、導体パターン非形成領域Ｙにおける、金属支持層２の表面からカバー絶縁層９の表面までの厚みＴ２未満であるため、磁気ディスクが高速回転することにより発生した風乱に起因するばたつきにより、キャリッジアームとの間で擦れが生じても、導体パターン４が露出して短絡することを防止できる。
【実施例】
【００４５】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例１
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持層２を用意した（図３（ａ）参照）。その金属支持層２の全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗工した後、加熱、乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜１０を形成した（図４（ａ）参照）。その皮膜１０を、金属支持層２におけるベース絶縁層３を形成しない端縁部には、遮光部分１１ａが対向し、金属支持層２における導体パターン形成領域Ｘに対向する部分、導体パターン非形成領域Ｙにおける幅方向内側部３ｓおよび傾斜部３ｔに対向する部分には、光半透過部分１１ｂが対向し、金属支持層２における導体パターン非形成領域Ｙにおける幅方向外側部３ｕに対向する部分には、光全透過部分１１ｃが対向するように、階調露光フォトマスクを皮膜１０に対して対向配置し、皮膜１０を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ２）で階調露光し（図４（ｂ）参照）、アルカリ現像液で現像した（図４（ｃ）参照）。その後、加熱、硬化させる（図４（ｄ）参照）ことにより、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３の厚みが導体パターン非形成領域Ｙにおけるベース絶縁層３の厚みより薄くなる断面凹形状で、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を形成した（図３（ｂ）参照）。このベース絶縁層３において、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３および導体パターン非形成領域Ｙにおける幅方向内側部３ｓの厚みは４μｍ、導体パターン非形成領域Ｙにおける幅方向外側部３ｕの厚みは１５μｍであった。
【００４６】
次いで、ベース絶縁層３から露出する金属支持層２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、クロム薄膜と銅薄膜とを、スパッタリング法によって順次形成することにより、厚み１１００Åの金属薄膜を形成した。その後、金属薄膜の表面に、導体パターン４の反転パターンで、ドライフィルムレジストからなるめっきレジスト１６を形成した（図３（ｃ）参照）。そして、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの導体パターン４を形成した（図３（ｄ）参照）後、めっきレジスト１６を剥離し、導体パターン４から露出する金属薄膜をエッチングした（図３（ｅ）参照）。
【００４７】
次いで、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の全面に感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗工した後、加熱、乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜を形成し、その皮膜を、階調露光フォトマスクを介して、７２０ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、アルカリ現像液で現像し、加熱、硬化させることにより、導体パターン形成領域Ｘにおける厚み３μｍ、導体パターン非形成領域Ｙにおける厚み５μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層９を形成し（図３（ｆ）参照）、回路付サスペンション基板１を得た（図２参照）。
【００４８】
この回路付サスペンション基板１のＴ１は、１７μｍ、Ｔ２は、２０μｍ、Ｔ３は、１４μｍとなり、Ｔ１＜Ｔ２、Ｔ３＜Ｔ２の関係が成立した。
実施例２
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持層２を用意した。その金属支持層２の全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗工した後、加熱、乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜を形成した。その皮膜を、金属支持層２におけるベース絶縁層３を形成しない端縁部には、遮光部分１１ａが対向し、金属支持層２における導体パターン形成領域Ｘに対向する部分、導体パターン非形成領域Ｙにおける幅方向内側部３ｓおよび傾斜部３ｔに対向する部分には、光半透過部分１１ｂが対向し、金属支持層２における導体パターン非形成領域Ｙにおける幅方向外側部３ｕに対向する部分には、光全透過部分１１ｃが対向するように、階調露光フォトマスクを皮膜に対して対向配置し、皮膜を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ２）で階調露光し、アルカリ現像液で現像した。その後、加熱、硬化させることにより、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３の厚みが導体パターン非形成領域Ｙにおけるベース絶縁層３の厚みより薄くなる断面凹形状で、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を形成した。このベース絶縁層３において、導体パターン形成領域Ｘにおけるベース絶縁層３の厚みは４μｍ、導体パターン非形成領域Ｙにおけるベース絶縁層３の厚みは１０μｍであった。
【００４９】
次いで、ベース絶縁層３から露出する金属支持層２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、クロム薄膜と銅薄膜とを、スパッタリング法によって順次形成することにより、厚み１１００Åの金属薄膜を形成した。その後、金属薄膜の表面に、導体パターン４の反転パターンで、ドライフィルムレジストからなるめっきレジストを形成した。そして、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの導体パターン４を形成した後、めっきレジストを剥離し、導体パターン４から露出する金属薄膜をエッチングした。
【００５０】
次いで、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の全面に感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗工した後、加熱、乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜を形成し、その皮膜を、フォトマスクを介して、７２０ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、アルカリ現像液で現像し、加熱、硬化させることにより、ポリイミド樹脂からなる厚み５μｍのカバー絶縁層９を形成し、回路付サスペンション基板１を得た（図５参照）。
【００５１】
この回路付サスペンション基板１のＴ１は、１９μｍ、Ｔ２は、１５μｍ、Ｔ３は、１４μｍとなり、Ｔ１＞Ｔ２、Ｔ３＜Ｔ２の関係が成立した。
比較例１
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持層の上に、均一な厚みを有する、厚み１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を形成した以外は、実施例２と同様の方法によって、回路付サスペンション基板を得た。
【００５２】
この回路付サスペンション基板のＴ１に相当する厚みは、２５μｍ、Ｔ２に相当する厚みは、１５μｍ、Ｔ３に相当する厚みは、２０μｍとなり、Ｔ１＞Ｔ２、Ｔ３＞Ｔ２の関係が成立した。
評価
各実施例および比較例の回路付サスペンション基板１をキャリッジアームのスリットに差し込むことによりキャリッジアームに保持させてサスペンションアッセンブリを構成した。そして、そのサスペンションアッセンブリをハードディスクドライブへ組み込み、磁気ディスクを７２００ｒｐｍで６０分間回転させた後、各回路付サスペンション基板１を観察した。
【００５３】
その結果、比較例１の回路付サスペンション基板のみが、カバー絶縁層９が破れて、導体パターン４が露出していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板のキャリッジアームのスリットに差し込まれる差込部分における、長手方向に直交する方向の断面図（図１のＡ−Ａ’線断面図）である。
【図３】図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、  （ａ）は、金属支持層を用意する工程、  （ｂ）は、金属支持層の上に、ベース絶縁層をパターンで形成する工程、  （ｃ）は、導体パターンの反転パターンでめっきレジストを形成する工程、  （ｄ）は、めっきレジストから露出するベース絶縁層の表面に、導体パターンを形成する工程、  （ｅ）は、めっきレジストを除去する工程、  （ｆ）は、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図４】図３（ｂ）において、金属支持層の上に、ベース絶縁層をパターンで形成する方法の製造工程図であって、（ａ）は、金属支持層の表面に、感光性樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、階調露光フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、露光された皮膜を現像する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させる工程を示す。
【図５】本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の、回路付サスペンション基板のキャリッジアームのスリットに差し込まれる差込部分における、長手方向に直交する方向の断面図（図１のＡ−Ａ’線断面図）である。
【図６】従来の回路付サスペンション基板が、キャリッジアームのスリットに差し込まれた状態における、回路付サスペンション基板の長手方向に直交する方向の断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１      回路付サスペンション基板
２      金属支持層
３      ベース絶縁層
４      導体パターン
９      カバー絶縁層
ｃ      差込部分
Ｘ      導体パターン形成領域
Ｙ      導体パターン非形成領域
【図１】
2007095136.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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