(57)【要約】【課題】積層基板と、これに搭載されるバンドパスフィルタ素子とを含む積層体全体の厚みを小さくする。【解決手段】高周波モジュール１は、積層基板１００と、積層基板１００の上面１００ａに搭載された複数の素子と、これらの素子を覆う金属製ケース１１０とを備えている。積層基板１００の上面１００ａに搭載された複数の素子は、バンドパスフィルタ素子４０を含んでいる。バンドパスフィルタ素子４０は、バンドパスフィルタの機能を実現するバンドパスフィルタ用導体層および複数のバンドパスフィルタ用誘電体層を含んでいるが、電磁気的なシールドとして機能する導体層は含んでいない。積層基板１００に含まれるグランド用導体層１０２Ｇとケース１１０は、それぞれバンドパスフィルタ素子４０に対向してバンドパスフィルタ素子４０に対する電磁気的なシールドとして機能する。【選択図】図４
2007306172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グランドに接続されるグランド用導体層を含む複数の基板内導体層と、この基板内導体層と交互に積層された複数の基板内誘電体層とを有する積層基板に搭載されるバンドパスフィルタ素子であって、
互いに積層され、バンドパスフィルタの機能を実現するバンドパスフィルタ用導体層およびバンドパスフィルタ用誘電体層を含むが、電磁気的なシールドとして機能する導体層は含まず、
前記積層基板に含まれる前記グランド用導体層が前記バンドパスフィルタ素子に対向して前記バンドパスフィルタ素子に対する電磁気的なシールドとして機能するように、前記積層基板に搭載されることを特徴とするバンドパスフィルタ素子。
【請求項２】
前記バンドパスフィルタ用導体層は、共振器を構成する導体層を含むことを特徴とする請求項１記載のバンドパスフィルタ素子。
【請求項３】
積層基板と、前記積層基板に搭載されたバンドパスフィルタ素子とを備えた高周波モジュールであって、
前記積層基板は、前記バンドパスフィルタ素子が搭載される搭載面と、複数の基板内導体層と、この基板内導体層と交互に積層された複数の基板内誘電体層とを有し、
前記バンドパスフィルタ素子は、互いに積層され、バンドパスフィルタの機能を実現するバンドパスフィルタ用導体層およびバンドパスフィルタ用誘電体層を含み、
前記積層基板は、前記基板内導体層として、前記搭載面を介して前記バンドパスフィルタ素子に対向する位置に配置され、前記バンドパスフィルタ素子に対する電磁気的なシールドとして機能する導体層を含むことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項４】
前記バンドパスフィルタ素子は、電磁気的なシールドとして機能する導体層を含んでいないことを特徴とする請求項３記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記バンドパスフィルタ用導体層は、共振器を構成する導体層を含むことを特徴とする請求項３または４記載の高周波モジュール。
【請求項６】
更に、前記バンドパスフィルタ素子を覆うように配置され、前記バンドパスフィルタ素子に対する電磁気的なシールドとして機能する金属製ケースを備えたことを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記バンドパスフィルタ用誘電体層の誘電率は、前記基板内誘電体層の誘電率よりも大きいことを特徴とする請求項３ないし６のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記積層基板は、前記基板内導体層を用いて構成される回路を含み、前記電磁気的なシールドとして機能する導体層は、前記回路におけるグランドを兼ねていることを特徴とする請求項３ないし７のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項９】
前記搭載面は凹部を含み、前記バンドパスフィルタ素子は前記凹部内に配置されていることを特徴とする請求項３ないし８のいずれかに記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンドパスフィルタ素子、およびこのバンドパスフィルタ素子と積層基板とを備えた高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の周波数帯域（マルチバンド）に対応可能な携帯電話機が実用化されている。一方、高速データ通信機能を有する第３世代の携帯電話機も普及している。そのため、携帯電話機には、マルチモード（複数方式）およびマルチバンド（複数の周波数帯）に対応することが求められている。
【０００３】
例えば、時分割多重接続方式でマルチバンド対応の携帯電話機は実用化されている。一方で、広帯域符号分割多重接続（以下、ＷＣＤＭＡとも記す。）方式の携帯電話機も実用化されている。そこで、時分割多重接続方式の既存の基盤（インフラ）を活かしながらＷＣＤＭＡ方式の通信も利用可能にするために、両方式の通信機能を有するマルチモードおよびマルチバンド対応の携帯電話機が求められている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、ＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）方式、ＤＣＳ（Digital Cellular System）方式およびＰＣＳ（Personal Communications Service）方式の３つの時分割多重接続方式の信号の入出力とＷＣＤＭＡ方式の信号の入出力とを行うフロントエンド部が記載されている。
【０００５】
携帯電話機におけるフロントエンド部には、小型化、高集積化が求められている。そのため、一般に、携帯電話機におけるフロントエンド部の少なくとも主要部分はモジュール化されている。このようなモジュールは、フロントエンドモジュールと呼ばれる。また、信号の切り替えを行うスイッチ回路を含むフロントエンドモジュールは、アンテナスイッチモジュールとも呼ばれる。このようなフロントエンドモジュールを含め、高周波信号の処理を行う回路とこの回路を一体化するための基板との複合体を、本出願において高周波モジュールと呼ぶ。高周波モジュールにおける基板としては、例えば、交互に積層された複数の誘電体層および複数の導体層を有する積層基板が用いられる。
【０００６】
特許文献１に示されるような複数の時分割多重接続方式の信号の入出力とＷＣＤＭＡ方式の信号の入出力とを行うフロントエンド部では、ＷＣＤＭＡ方式の受信信号を選択的に通過させるバンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦとも記す。）が必要になる。以下、ＷＣＤＭＡ方式の受信信号を選択的に通過させるＢＰＦを、ＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦという。このＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦには、低損失で、且つ高い耐電力性能が要求される。このような要求を満たすＢＰＦとしては、ブロック型誘電体フィルタが知られている。しかし、ブロック型誘電体フィルタは、形状が比較的大きい。そのため、ブロック型誘電体フィルタとフロントエンドモジュールとを別体として、両者を携帯電話機の基板に搭載すると、ブロック型誘電体フィルタが占める面積が大きくなって、フロントエンド部の小型化、高集積化が困難になる。そこで、ブロック型誘電体フィルタを、フロントエンドモジュールの基板に搭載して、フロントエンドモジュールに含めることも考えられる。そのためには、ブロック型誘電体フィルタを薄型化する必要がある。しかし、動作原理上、ブロック型誘電体フィルタの薄型化は困難である。そのため、ブロック型誘電体フィルタをフロントエンドモジュールに含めることも困難である。
【０００７】
ところで、特許文献１に示されたフロントエンド部では、ＷＣＤＭＡ方式の受信信号を常時受信可能な状態にしておくために、ＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦと、ＷＣＤＭＡ方式の受信信号以外の信号を切り替えるためのスイッチは、それぞれ位相線路を介してアンテナに接続されている。位相線路は、アンテナからＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦに至る経路とアンテナからスイッチに至る経路のそれぞれのインピーダンスを調整し、これによって、ＷＣＤＭＡ方式の受信信号と他の信号とを分離する。このような構成において、ＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦとフロントエンドモジュールとを別体として、両者を携帯電話機の基板に搭載する場合には、以下のような不具合がある。すなわち、この場合には、アンテナからＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦに至る経路のインピーダンスを調整するための位相線路を携帯電話機の基板上に設け、この位相線路によってフロントエンド部の特性を調整する必要がある。しかし、この調整は難しい。ＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦをフロントエンドモジュールに含めることができれば、フロントエンドモジュール内の位相線路だけでフロントエンド部の特性を調整することが可能になるため、特性の調整が容易になる。しかし、前述のように、ＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦとしてブロック型誘電体フィルタを用いる場合には、ＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦをフロントエンドモジュールに含めることが困難である。
【０００８】
一方、小型化、薄型化の可能なフィルタとしては、弾性表面波フィルタが知られている。しかし、弾性表面波フィルタは、耐電力性能が低いため、特許文献１に示されているように、ＷＣＤＭＡ方式の受信信号を常時受信可能で、大電力のＧＳＭ方式の送信信号がＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦを通過する可能性のあるフロントエンド部におけるＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦとして用いるのには適していない。
【０００９】
また、例えば特許文献２に示されるように、誘電体層によって挟まれた導体層よりなる共振器を用いた積層型のＢＰＦも知られている。特許文献２に示されたＢＰＦは、共振器電極を２層の高誘電率層で挟み込み、２層の高誘電率層の積層方向の両側に２層の低誘電率層を配置した構造を有している。高誘電率層と低誘電率層との間にはシールド電極が配置されている。
【００１０】
また、特許文献３には、共振導体を２層の高誘電体層で挟み込み、２層の高誘電体層の積層方向の両側に２層の低誘電体層を配置し、更に、２層の低誘電体層の積層方向の両側にグランド（ＧＮＤ）電極を配置した構造の誘電体共振器が記載されている。
【００１１】
また、特許文献４には、特許文献３に記載された誘電体共振器と同様の構造の誘電体フィルタが記載されている。
【００１２】
また、特許文献５には、中心誘電体の両面に４分の１波長のストリップラインを設け、中心誘電体の積層方向の両側に２層の内側誘電体を配置し、２層の内側誘電体の積層方向の両側に２層の外側誘電体を配置し、更に、２層の外側誘電体の積層方向の外側にアース電極を配置した構造のマイクロ波回路素子が記載されている。
【００１３】
積層型のＢＰＦでは、外部の電磁界の影響を受けることを防止するために、電磁気的なシールドが必要である。特許文献２におけるシールド電極、特許文献３、４におけるグランド電極、特許文献５におけるアース電極は、いずれもシールドの機能を有している。
【００１４】
また、積層型のＢＰＦでは、小型化のためには共振器の周囲に高誘電率の層を配置することが有効である。特許文献３ないし５に示された構造においても、中心の導体の周囲に高誘電率の層が配置されている。
【００１５】
【特許文献１】特開２００４−４０３２２号公報
【特許文献２】特開平１０−３０３０６８号公報
【特許文献３】特開平５−１４５３０８号公報
【特許文献４】特開平５−１５２８０３号公報
【特許文献５】特開平９−２０５３０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
複数の時分割多重接続方式の信号の入出力とＷＣＤＭＡ方式の信号の入出力とを行うフロントエンド部において、ＷＣＤＭＡ受信用ＢＰＦとして上記の積層型のＢＰＦを用いることも考えられる。しかしながら、この場合、以下のような問題が生じる。すなわち、積層型のＢＰＦでは、前述のようにシールドが必要である。また、積層型のＢＰＦでは、前述のように、小型化のためには共振器の周囲に高誘電率の層を配置することが有効である。このような構造の積層型のＢＰＦでは、共振器とシールドとの間に高誘電率の層が配置されることから、共振器とシールドとの間に発生する容量（キャパシタンス）が大きくなりやすい。その結果、特許文献３に記載されているように、共振器のＱが低下しやすい。これを防止するためには、共振器とシールドとの距離を大きくする必要がある。しかし、そうすると、積層型のＢＰＦの全体の厚みが大きくなってしまい、この積層型のＢＰＦを基板に搭載すると、基板とＢＰＦとを含む積層体全体の厚みが大きくなり、フロントエンド部の小型化が困難になる。
【００１７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、積層基板に搭載されるバンドパスフィルタ素子であって、積層基板とバンドパスフィルタ素子とを含む積層体全体の厚みを小さくすることができるようにしたバンドパスフィルタ素子を提供することにある。
【００１８】
本発明の第２の目的は、積層基板と、積層基板に搭載されたバンドパスフィルタ素子とを備え、積層基板とバンドパスフィルタ素子とを含む積層体全体の厚みを小さくすることができるようにした高周波モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明のバンドパスフィルタ素子は、グランドに接続されるグランド用導体層を含む複数の基板内導体層と、この基板内導体層と交互に積層された複数の基板内誘電体層とを有する積層基板に搭載される素子である。本発明のバンドパスフィルタ素子は、互いに積層され、バンドパスフィルタの機能を実現するバンドパスフィルタ用導体層およびバンドパスフィルタ用誘電体層を含むが、電磁気的なシールドとして機能する導体層は含んでいない。本発明のバンドパスフィルタ素子は、積層基板に含まれるグランド用導体層がバンドパスフィルタ素子に対向してバンドパスフィルタ素子に対する電磁気的なシールドとして機能するように積層基板に搭載される。
【００２０】
本発明のバンドパスフィルタ素子は、電磁気的なシールドとして機能する導体層は含んでいない。しかし、バンドパスフィルタ素子が積層基板に搭載されると、積層基板に含まれるグランド用導体層がバンドパスフィルタ素子に対向してバンドパスフィルタ素子に対する電磁気的なシールドとして機能する。
【００２１】
本発明のバンドパスフィルタ素子において、バンドパスフィルタ用導体層は、共振器を構成する導体層を含んでいる。
【００２２】
本発明の高周波モジュールは、積層基板と、積層基板に搭載されたバンドパスフィルタ素子とを備えている。積層基板は、バンドパスフィルタ素子が搭載される搭載面と、複数の基板内導体層と、この基板内導体層と交互に積層された複数の基板内誘電体層とを有している。バンドパスフィルタ素子は、互いに積層され、バンドパスフィルタの機能を実現するバンドパスフィルタ用導体層およびバンドパスフィルタ用誘電体層を含んでいる。積層基板は、基板内導体層として、搭載面を介してバンドパスフィルタ素子に対向する位置に配置され、バンドパスフィルタ素子に対する電磁気的なシールドとして機能する導体層を含んでいる。
【００２３】
本発明の高周波モジュールでは、積層基板が、バンドパスフィルタ素子に対する電磁気的なシールドとして機能する導体層を含んでいる。本発明の高周波モジュールでは、バンドパスフィルタ素子は、電磁気的なシールドとして機能する導体層を含んでいなくてもよい。
【００２４】
本発明の高周波モジュールにおいて、バンドパスフィルタ用導体層は、共振器を構成する導体層を含んでいてもよい。
【００２５】
また、本発明の高周波モジュールは、更に、バンドパスフィルタ素子を覆うように配置され、バンドパスフィルタ素子に対する電磁気的なシールドとして機能する金属製ケースを備えていてもよい。
【００２６】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、バンドパスフィルタ用誘電体層の誘電率は、基板内誘電体層の誘電率よりも大きくてもよい。
【００２７】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、積層基板は、基板内導体層を用いて構成される回路を含み、電磁気的なシールドとして機能する導体層は、この回路におけるグランドを兼ねていてもよい。
【００２８】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、搭載面は凹部を含み、バンドパスフィルタ素子は凹部内に配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明のバンドパスフィルタ素子は、電磁気的なシールドとして機能する導体層を含んでいないが、バンドパスフィルタ素子が積層基板に搭載されると、積層基板に含まれるグランド用導体層がバンドパスフィルタ素子に対向してバンドパスフィルタ素子に対する電磁気的なシールドとして機能する。本発明のバンドパスフィルタ素子は、電磁気的なシールドとして機能する導体層を含んでいないため、電磁気的なシールドとして機能する導体層を含む場合に比べて厚みを小さくすることができる。そのため、本発明によれば、積層基板とバンドパスフィルタ素子とを含む積層体全体の厚みを小さくすることが可能になるという効果を奏する。
【００３０】
また、本発明の高周波モジュールでは、積層基板が、バンドパスフィルタ素子に対する電磁気的なシールドとして機能する導体層を含んでいるため、バンドパスフィルタ素子は、電磁気的なシールドとして機能する導体層を含んでいなくてもよい。そのため、本発明によれば、バンドパスフィルタ素子の厚みを小さくすることが可能になり、これにより、積層基板とバンドパスフィルタ素子とを含む積層体全体の厚みを小さくすることが可能になるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールを含む携帯電話機の高周波回路の一例について説明する。図１は、この高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。この高周波回路は、ＧＳＭ方式、ＤＣＳ方式およびＰＣＳ方式の３つの時分割多重接続方式の信号とＷＣＤＭＡ方式の信号とを処理する。
【００３２】
ＧＳＭ方式の送信信号の周波数帯域は８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚである。ＧＳＭ方式の受信信号の周波数帯域は９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚである。ＤＣＳ方式の送信信号の周波数帯域は１７１０ＭＨｚ〜１７８５ＭＨｚである。ＤＣＳ方式の受信信号の周波数帯域は１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚである。ＰＣＳ方式の送信信号の周波数帯域は１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚである。ＰＣＳ方式の受信信号の周波数帯域は１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚである。ＷＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域は１９２０ＭＨｚ〜１９８０ＭＨｚである。ＷＣＤＭＡ方式の受信信号の周波数帯域は２１１０ＭＨｚ〜２１７０ＭＨｚである。
【００３３】
図１に示した高周波回路は、本実施の形態に係る高周波モジュール１を備えている。高周波モジュール１は、アンテナ端子ＡＮＴと、４つの受信信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４と、３つの送信信号端子Ｔｘ１，Ｔｘ２，Ｔｘ３とを備えている。
【００３４】
受信信号端子Ｒｘ１は、ＧＳＭ方式の受信信号ＧＳＭ／Ｒｘを出力する。受信信号端子Ｒｘ２は、ＤＣＳ方式の受信信号ＤＣＳ／Ｒｘを出力する。受信信号端子Ｒｘ３は、ＰＣＳ方式の受信信号ＰＣＳ／Ｒｘを出力する。受信信号端子Ｒｘ４は、ＷＣＤＭＡ方式の受信信号ＷＣＤＭＡ／Ｒｘを出力する。送信信号端子Ｔｘ１には、ＧＳＭ方式の送信信号ＧＳＭ／Ｔｘが入力される。送信信号端子Ｔｘ２には、ＤＣＳ方式の送信信号ＤＣＳ／ＴｘとＰＣＳ方式の送信信号ＰＣＳ／Ｔｘとが入力される。送信信号端子Ｔｘ３には、ＷＣＤＭＡ方式の送信信号ＷＣＤＭＡ／Ｔｘが入力される。
【００３５】
高周波回路は、更に、アンテナ端子ＡＮＴに接続されたアンテナ２と、高周波モジュール１の全ての受信信号端子および全ての送信信号端子に接続されたアンプ部３と、このアンプ部３に接続された集積回路４とを備えている。集積回路４は、主に信号の変調および復調を行う回路である。アンプ部３は、高周波モジュール１より出力された受信信号を増幅して集積回路４に送るローノイズアンプや、集積回路４より出力された送信信号を増幅して高周波モジュール１に送るパワーアンプ等を有している。
【００３６】
高周波モジュール１は、高周波スイッチ１０と、３つのローパスフィルタ（以下、ＬＰＦと記す。）１１，１３，１５と、２つのハイパスフィルタ（以下、ＨＰＦと記す。）１２，１４と、５つのＢＰＦ２４，２５，２６，２７，２８と備えている。
【００３７】
高周波スイッチ１０は、４つのポートＰ１〜Ｐ４を有している。高周波スイッチ１０は、高周波モジュール１に設けられた図示しない複数の制御端子に入力される制御信号の状態に応じて、ポートＰ１を、ポートＰ２〜Ｐ４のいずれかに選択的に接続する。
【００３８】
高周波モジュール１は、更に、一端がアンテナ端子ＡＮＴに接続された位相線路１６と、位相線路１６の他端と高周波スイッチ１０のポートＰ１との間に設けられたキャパシタ３３とを有している。
【００３９】
高周波モジュール１は、更に、一端がアンテナ端子ＡＮＴに接続され、他端がＢＰＦ２４の入力端に接続された位相線路１７と、一端が位相線路１７の他端に接続され、他端が接地されたインダクタ３２を有している。ＢＰＦ２４の出力端は、受信信号端子Ｒｘ４に接続されている。
【００４０】
高周波モジュール１は、更に、一端が高周波スイッチ１０のポートＰ２に接続されたキャパシタ３６と、一端がキャパシタ３６の他端に接続された位相線路１８とを有している。位相線路１８の他端は、ＬＰＦ１１の出力端とＨＰＦ１２の入力端とに接続されている。ＬＰＦ１１の入力端は、送信信号端子Ｔｘ１に接続されている。
【００４１】
高周波モジュール１は、更に、一端がＨＰＦ１２の出力端に接続された位相線路２０を有している。位相線路２０の他端は、ＢＰＦ２５，２６の各入力端に接続されている。ＢＰＦ２５の出力端は、受信信号端子Ｒｘ２に接続されている。ＢＰＦ２６の出力端は、受信信号端子Ｒｘ３に接続されている。
【００４２】
高周波モジュール１は、更に、一端が高周波スイッチ１０のポートＰ３に接続されたキャパシタ３５と、一端がキャパシタ３５の他端に接続された位相線路２１とを有している。位相線路２１の他端は、ＬＰＦ１５の出力端に接続されている。ＬＰＦ１５の入力端は、送信信号端子Ｔｘ２に接続されている。
【００４３】
高周波モジュール１は、更に、一端が高周波スイッチ１０のポートＰ４に接続されたキャパシタ３４と、一端がキャパシタ３４の他端に接続された位相線路１９とを有している。位相線路１９の他端は、ＬＰＦ１３の入力端とＨＰＦ１４の出力端とに接続されている。
【００４４】
高周波モジュール１は、更に、一端がＬＰＦ１３の出力端に接続された位相線路２２と、一端がＨＰＦ１４の入力端に接続された位相線路２３とを有している。位相線路２２の他端は、ＢＰＦ２７の入力端に接続されている。ＢＰＦ２７の出力端は、受信信号端子Ｒｘ１に接続されている。位相線路２３の他端は、ＢＰＦ２８の出力端に接続されている。ＢＰＦ２８の入力端は、送信信号端子Ｔｘ３に接続されている。
【００４５】
ＢＰＦ２４は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ素子４０を用いて構成されている。ＢＰＦ２５〜２８は、例えば弾性表面波素子を用いて構成されている。高周波スイッチ１０は、例えばＧａＡｓ化合物半導体による電界効果トランジスタを用いて構成されている。
【００４６】
ここで、図１に示した高周波モジュール１および高周波回路の作用について説明する。高周波モジュール１において、ＢＰＦ２４は、ＷＣＤＭＡ方式の受信信号を選択的に通過させる。このＢＰＦ２４は、常時、アンテナ２に接続されている。従って、この高周波回路では、常時、ＷＣＤＭＡ方式の受信信号を受信可能な状態になっている。アンテナ２によって受信されたＷＣＤＭＡ方式の受信信号は、アンテナ端子ＡＮＴ、位相線路１７およびＢＰＦ２４を通過して受信信号端子Ｒｘ４より出力される。位相線路１６，１７およびインダクタ３２は、アンテナ２からＢＰＦ２４に至る経路とアンテナ２から高周波スイッチ１０に至る経路のそれぞれのインピーダンスを調整し、これによって、ＷＣＤＭＡ方式の受信信号と他の信号とを分離する。
【００４７】
ＷＣＤＭＡ方式の受信信号以外の信号については、以下に示すように、高周波スイッチ１０の状態に応じて送信または受信が可能になる。なお、高周波スイッチ１０の状態は、図示しない複数の制御端子に入力される制御信号の状態に応じて切り替えられる。キャパシタ３３〜３６は、制御信号によって発生する直流成分の通過を阻止するために設けられている。
【００４８】
ポートＰ１がポートＰ２に接続された状態では、ＧＳＭ方式の送信信号の送信、ＤＣＳ方式の受信信号の受信またはＰＣＳ方式の受信信号の受信が可能になる。この状態では、送信信号端子Ｔｘ１に入力されたＧＳＭ方式の送信信号は、ＬＰＦ１１、位相線路１８、キャパシタ３６、高周波スイッチ１０、キャパシタ３３、位相線路１６およびアンテナ端子ＡＮＴを順に通過して、アンテナ２に供給される。また、この状態では、アンテナ２によって受信されたＤＣＳ方式の受信信号は、アンテナ端子ＡＮＴ、位相線路１６、キャパシタ３３、高周波スイッチ１０、キャパシタ３６、位相線路１８、ＨＰＦ１２、位相線路２０およびＢＰＦ２５を順に通過して、受信信号端子Ｒｘ２より出力される。また、この状態では、アンテナ２によって受信されたＰＣＳ方式の受信信号は、アンテナ端子ＡＮＴ、位相線路１６、キャパシタ３３、高周波スイッチ１０、キャパシタ３６、位相線路１８、ＨＰＦ１２、位相線路２０およびＢＰＦ２６を順に通過して、受信信号端子Ｒｘ３より出力される。
【００４９】
ポートＰ１がポートＰ３に接続された状態では、送信信号端子Ｔｘ２に入力されたＤＣＳ方式の送信信号またはＰＣＳ方式の送信信号が、ＬＰＦ１５、位相線路２１、キャパシタ３５、高周波スイッチ１０、キャパシタ３３、位相線路１６およびアンテナ端子ＡＮＴを順に通過して、アンテナ２に供給される。ＬＰＦ１５は、ＤＣＳ方式の送信信号およびＰＣＳ方式の送信信号に含まれる高調波成分を除去する。
【００５０】
ポートＰ１がポートＰ４に接続された状態では、ＧＳＭ方式の受信信号の受信またはＷＣＤＭＡ方式の送信信号の送信が可能になる。この状態では、アンテナ２によって受信されたＧＳＭ方式の受信信号は、アンテナ端子ＡＮＴ、位相線路１６、キャパシタ３３、高周波スイッチ１０、キャパシタ３４、位相線路１９、ＬＰＦ１３、位相線路２２、ＢＰＦ２７を順に通過して、受信信号端子Ｒｘ１より出力される。また、この状態では、送信信号端子Ｔｘ３に入力されたＷＣＤＭＡ方式の送信信号は、ＢＰＦ２８、位相線路２３、ＨＰＦ１４、位相線路１９、キャパシタ３４、高周波スイッチ１０、キャパシタ３３、位相線路１６およびアンテナ端子ＡＮＴを順に通過して、アンテナ２に供給される。
【００５１】
位相線路１８〜２３は、それぞれ、それらが設けられた信号経路のインピーダンスを調整するものである。
【００５２】
次に、図２ないし図４を参照して、高周波モジュール１の構造について説明する。図２は、高周波モジュール１の外観を示す斜視図である。図３は、高周波モジュール１の平面図である。図４は、高周波モジュール１の断面図である。図２ないし図４に示したように、高周波モジュール１は、高周波モジュール１の各要素を一体化する積層基板１００を備えている。図４に示したように、積層基板１００は、交互に積層された複数の基板内誘電体層１０１と複数の基板内導体層１０２とを有している。なお、図４では、積層基板１００の断面を簡略化して表している。また、積層基板１００は、積層方向における両側に配置された上面１００ａおよび底面１００ｂと、上面１００ａと底面１００ｂとを連結する４つの側面とを有し、直方体形状をなしている。
【００５３】
高周波モジュール１における回路は、基板内誘電体層１０１および基板内導体層１０２と、積層基板１００の上面１００ａに搭載された素子とを用いて構成されている。上面１００ａには、少なくとも、ＢＰＦ２４を構成するバンドパスフィルタ素子４０が搭載されている。上面１００ａは、本発明における搭載面に対応する。ここでは、一例として、上面１００ａには、バンドパスフィルタ素子４０の他に、高周波スイッチ１０、ＢＰＦ２５〜２８、インダクタ３２およびキャパシタ３３〜３６が搭載されているものとする。積層基板１００は、例えば低温同時焼成セラミック多層基板になっている。
【００５４】
図示しないが、積層基板１００の底面１００ｂには、端子ＡＮＴ，Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｔｘ１〜Ｔｘ３と、複数の制御端子および複数のグランド端子が配置されている。
【００５５】
図４に示したように、積層基板１００は、基板内導体層１０２として、上面１００ａを介してバンドパスフィルタ素子４０に対向する位置に配置されると共に、グランドに接続されるグランド用導体層１０２Ｇを含んでいる。
【００５６】
また、高周波モジュール１は、積層基板１００の上面１００ａに搭載された素子を覆うように配置され、グランドに接続される金属製ケース１１０を備えている。なお、図２および図３では、金属製ケース１１０を省略している。
【００５７】
次に、図５を参照して、ＢＰＦ２４の回路構成について説明する。図５に示したように、ＢＰＦ２４は、入力端子５１と、出力端子５２と、３つの共振器６１，６２，６３とを備えている。ＢＰＦ２４は、更に、共振器６１の一端とグランドとの間に設けられたキャパシタ６４と、共振器６２の一端とグランドとの間に設けられたキャパシタ６５と、共振器６３の一端とグランドとの間に設けられたキャパシタ６６と、共振器６１の一端と共振器６２の一端との間に設けられたキャパシタ６７と、共振器６２の一端と共振器６３の一端との間に設けられたキャパシタ６８と、共振器６１の一端と共振器６３の一端との間に設けられたキャパシタ６９とを備えている。入力端子５１は、共振器６１の一端に接続されている。出力端子５２は、共振器６３の一端に接続されている。共振器６１，６２，６３の各他端はグランドに接続されている。
【００５８】
次に、図６および図７を参照して、ＢＰＦ２４を構成するバンドパスフィルタ素子４０の構成について詳しく説明する。図６は、バンドパスフィルタ素子４０の構成を示す説明図である。図７は、図６中の７−７線で示す位置におけるバンドパスフィルタ素子４０の断面を示す断面図である。
【００５９】
図７に示したように、バンドパスフィルタ素子４０は、互いに積層され、ＢＰＦ２４の機能を実現する複数のバンドパスフィルタ用導体層および複数のバンドパスフィルタ用誘電体層４１〜４４を含んでいる。また、バンドパスフィルタ素子４０は、積層方向における両側に配置された上面４０ａおよび底面４０ｂと、上面４０ａと底面４０ｂとを連結する４つの側面とを有し、直方体形状をなしている。
【００６０】
図６において、（ａ）〜（ｄ）は、それぞれバンドパスフィルタ素子４０における上から１層目ないし４層目の誘電体層の上面を表している。（ｅ）は、４層目の誘電体層およびその下の導体層を、上から見た状態で表したものである。
【００６１】
図６における（ａ）に示したように、１層目の誘電体層４１は、４つの側面４１ａ〜４１ｄを有している。誘電体層４１の上面は、４つの側面４１ａ〜４１ｄに対応する４つの辺を有している。誘電体層４１の上面には、入力端子用導体層４１１と、出力端子用導体層４１２と、グランド用導体層４１３，４１４が形成されている。導体層４１１は、側面４１ａに対応する辺に接している。導体層４１２は、側面４１ｂに対応する辺に接している。導体層４１３は、側面４１ｃに対応する辺に接している。導体層４１４は、側面４１ｄに対応する辺に接している。
【００６２】
図６における（ｂ）に示したように、２層目の誘電体層４２は、４つの側面４２ａ〜４２ｄを有している。誘電体層４２の上面は、４つの側面４２ａ〜４２ｄに対応する４つの辺を有している。誘電体層４２の上面には、３つのキャパシタ用導体層４２１，４２２，４２３が形成されている。導体層４２１，４２２，４２３は、いずれも側面４２ｃに対応する辺に接している。
【００６３】
図６における（ｃ）に示したように、３層目の誘電体層４３は、４つの側面４３ａ〜４３ｄを有している。誘電体層４３の上面は、４つの側面４３ａ〜４３ｄに対応する４つの辺を有している。誘電体層４３の上面には、３つの共振器用導体層４３１，４３２，４３３と、３つのキャパシタ用導体層４３４，４３５，４３６が形成されている。共振器用導体層４３１の一端部は、キャパシタ用導体層４３４に接続されている。共振器用導体層４３２の一端部は、キャパシタ用導体層４３５に接続されている。共振器用導体層４３３の一端部は、キャパシタ用導体層４３６に接続されている。共振器用導体層４３１〜４３３の他端部は、いずれも側面４３ｄに対応する辺に接している。キャパシタ用導体層４３４は、側面４３ａに対応する辺に接している。キャパシタ用導体層４３６は、側面４３ｂに対応する辺に接している。キャパシタ用導体層４３４，４３５，４３６は、それぞれ導体層４２１，４２２，４２３に対向する位置に配置されている。
【００６４】
共振器用導体層４３１，４３２，４３３は、それぞれ、図５における共振器６１，６２，６３を構成する。導体層４２１，４３４と、これらの間に配置された誘電体層４２は、図５におけるキャパシタ６４を構成する。導体層４２２，４３５と、これらの間に配置された誘電体層４２は、図５におけるキャパシタ６５を構成する。導体層４２３，４３６と、これらの間に配置された誘電体層４２は、図５におけるキャパシタ６６を構成する。
【００６５】
図６における（ｄ）に示したように、４層目の誘電体層４４は、４つの側面４４ａ〜４４ｄを有している。誘電体層４４の上面は、４つの側面４４ａ〜４４ｄに対応する４つの辺を有している。誘電体層４４の上面には、３つのキャパシタ用導体層４４１，４４２，４４３が形成されている。導体層４４１は、導体層４３４，４３５に対向する位置に配置されている。導体層４４２は、導体層４３５，４３６に対向する位置に配置されている。導体層４４３は、導体層４３４，４３５，４３６に対向する位置に配置されている。
【００６６】
導体層４３４，４３５と、導体層４４１と、これらの間に配置された誘電体層４３は、図５におけるキャパシタ６７を構成する。導体層４３５，４３６と、導体層４４２と、これらの間に配置された誘電体層４３は、図５におけるキャパシタ６８を構成する。導体層４３４，４３６と、導体層４４３と、これらの間に配置された誘電体層４３は、図５におけるキャパシタ６９を構成する。
【００６７】
図６における（ｅ）に示したように、４層目の誘電体層４４の下面は、４つの側面４４ａ〜４４ｄに対応する４つの辺を有している。誘電体層４４の下面には、入力端子用導体層４４１と、出力端子用導体層４４２と、グランド用導体層４４３，４４４が形成されている。導体層４４１は、側面４４ａに対応する辺に接している。導体層４４２は、側面４４ｂに対応する辺に接している。導体層４４３は、側面４４ｃに対応する辺に接している。導体層４４４は、側面４４ｄに対応する辺に接している。
【００６８】
図示しないが、側面４１ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａには、導体層が形成され、この導体層によって、導体層４１１，４３４，４４１が電気的に接続されている。同様に、側面４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ，４４ｂには、導体層が形成され、この導体層によって、導体層４１２，４３６，４４２が電気的に接続されている。また、側面４１ｃ，４２ｃ，４３ｃ，４４ｃには、導体層が形成され、この導体層によって、導体層４１３，４２１〜４２３，４４３が電気的に接続されている。また、側面４１ｄ，４２ｄ，４３ｄ，４４ｄには、導体層が形成され、この導体層によって、導体層４１４，４３１〜４３３，４４４が電気的に接続されている。
【００６９】
バンドパスフィルタ用誘電体層４１〜４４の誘電率は、基板内誘電体層１０１の誘電率よりも大きい。具体的には、例えば、基板内誘電体層１０１の比誘電率は５〜１０であり、バンドパスフィルタ用誘電体層４１〜４４の比誘電率は、２０以上、好ましくは３０〜８０である。
【００７０】
図６に示した導体層は、いずれもＢＰＦ２４の機能を実現するバンドパスフィルタ用導体層である。バンドパスフィルタ素子４０は、電磁気的なシールドとして機能する導体層は含んでいない。しかし、バンドパスフィルタ素子４０が積層基板１００に搭載されると、積層基板１００に含まれるグランド用導体層１０２Ｇが、上面１００ａを介してバンドパスフィルタ素子４０に対向してバンドパスフィルタ素子４０に対する電磁気的なシールドとして機能する。グランド用導体層１０２Ｇのうち、バンドパスフィルタ素子４０に対向する部分における一方の面の面積は、バンドパスフィルタ素子４０に含まれるいずれの導体層における一方の面の面積よりも大きい。また、バンドパスフィルタ素子４０が積層基板１００に搭載され、ケース１１０によって覆われると、このケース１１０も、バンドパスフィルタ素子４０に対向してバンドパスフィルタ素子４０に対する電磁気的なシールドとして機能する。
【００７１】
共振器用導体層４３１，４３２，４３３によって構成される共振器６１，６２，６３は、共振器用導体層４３１，４３２，４３３の上下に配置されると共にグランドに接続される導体層の形態に応じて、それらのＱが変化する。本実施の形態では、グランド用導体層１０２Ｇとケース１１０が、共振器用導体層４３１，４３２，４３３の上下に配置されると共にグランドに接続される導体層になる。本実施の形態では、グランド用導体層１０２Ｇとケース１１０の間にバンドパスフィルタ素子４０が配置されたときに所望のＢＰＦ２４の特性が得られるように、パンドパスフィルタ素子４０が設計されている。すなわち、本実施の形態では、パンドパスフィルタ素子４０、グランド用導体層１０２Ｇおよびケース１１０によって、所望のＢＰＦ２４の特性が実現される。
【００７２】
グランド用導体層１０２Ｇは、バンドパスフィルタ素子４０に対する電磁気的なシールドとしてのみ機能するものであってもよいし、積層基板１００内において基板内導体層および基板内誘電体層を用いて構成された回路におけるグランドを兼ねたものであってもよい。グランド用導体層１０２Ｇは、積層基板１００に含まれる複数の導体層のうちの最下層であってもよいし、そうでなくてもよい。グランド用導体層１０２Ｇが最下層である場合には、バンドパスフィルタ素子４０とグランド用導体層１０２Ｇと間の距離を最も大きくすることができるという利点がある。一方、グランド用導体層１０２Ｇが最下層ではない場合には、積層基板１００において、グランド用導体層１０２Ｇの下方に、回路要素を構成するための他の導体層を配置することが可能になるという利点がある。
【００７３】
なお、例えば、図１に示した高周波回路が金属製の筐体に収容され、この筐体がバンドパスフィルタ素子４０の特性に影響を与えない程度に、筐体とバンドパスフィルタ素子４０との間の距離が確保される場合もある。このような場合には、ケース１１０がなくても、高周波回路を収容する金属製の筐体がバンドパスフィルタ素子４０に対する電磁気的なシールドとして機能する。このように、本実施の形態に係る高周波モジュール１を含む製品が、ケース１１０の代わりにシールドとして機能する要素を含む場合もあるため、ケース１１０は必ずしも必要ではない。
【００７４】
次に、第１および第２の比較例と比較しながら、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ素子４０および高周波モジュール１の効果について説明する。図８は、第１の比較例のバンドパスフィルタ素子の断面図である。第１の比較例のバンドパスフィルタ素子は、誘電体層１４１〜１４４を含んでいる。誘電体層１４２，１４３，１４４の各上面には、それぞれ誘電体層４２，４３，４４の各上面に形成された導体層と同様の導体層が形成されている。誘電体層１４１の上面と誘電体層１４４の下面には導体層は形成されていない。誘電体層１４１の上には誘電体層１５１が配置され、誘電体層１４４の下には誘電体層１５２が配置されている。誘電体層１５１の上面にはシールド用導体層１５３が配置されている。誘電体層１５３の下面にはシールド用導体層１５４が配置されている。
【００７５】
誘電体層１５１，１５２の各厚みは、誘電体層１４１〜１４４の各厚みよりも大きく、例えば誘電体層１４１〜１４４の合計の厚みよりも大きい。誘電体層１４１〜１４４の誘電率は、誘電体層１５１，１５２の誘電率よりも大きい。具体的には、例えば、誘電体層１５１，１５２の比誘電率は５〜１０であり、誘電体層１４１〜１４４の比誘電率は、２０以上、好ましくは３０〜８０である。第１の比較例のバンドパスフィルタ素子は、本実施の形態に係るパンドパスフィルタ素子４０、グランド用導体層１０２Ｇおよびケース１１０によって実現されるＢＰＦ２４の特性と同等の特性を実現するものとする。ここで、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ素子４０の代わりに第１の比較例のバンドパスフィルタ素子を積層基板１００に搭載して実現した高周波モジュールを第１の比較例の高周波モジュールと呼ぶ。
【００７６】
第１の比較例のバンドパスフィルタ素子の厚みは、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ素子４０の厚みよりも大幅に大きくなる。そのため、第１の比較例の高周波モジュールにおいて、積層基板１００とバンドパスフィルタ素子とを含む積層体全体の厚みは、本実施の形態に係る高周波モジュール１における積層基板１００とバンドパスフィルタ素子４０とを含む積層体全体の厚みよりも大きくなる。また、第１の比較例のバンドパスフィルタ素子では、誘電体層１４１〜１４４に形成された導体層と、シールド用導体層１５３，１５４との間の距離を小さくすると、バンドパスフィルタ素子に含まれる共振器のＱが低下する。そのため、誘電体層１５１，１５２の厚みをある程度大きくする必要がある。これらのことから、第１の比較例では、高周波モジュールの厚みが大きくなり、高周波モジュールを含む高周波回路の小型化が困難になる。
【００７７】
これに対し、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ素子４０は、電磁気的なシールドとして機能する導体層を含んでいないため、第１の比較例のバンドパスフィルタ素子に比べて厚みを小さくすることができる。また、本実施の形態では、積層基板１００に含まれるグランド用導体層１０２Ｇと金属製ケース１１０がバンドパスフィルタ素子４０に対する電磁気的なシールドとして機能する。そのため、バンドパスフィルタ素子４０とシールドとの間の距離を大きくすることができ、その結果、共振器６１〜６３のＱを大きくすることができる。これらのことから、本実施の形態によれば、共振器６１〜６３のＱを大きくしながら、高周波モジュール１の厚み、すなわち積層基板１００とバンドパスフィルタ素子４０とを含む積層体全体の厚みを小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、共振器６１〜６３のＱの向上と高周波モジュール１の低背化とを両立でき、高周波モジュール１を含む高周波回路の小型化も可能になる。
【００７８】
ここで、図９および図１０を参照して、共振器とグランド用導体層との間の距離と共振器のＱとの関係について調べたシミュレーションの結果について説明する。図９は、シミュレーションで用いたモデルを示す説明図である。このモデルは、共振器を構成する導体層としてのストリップライン１６０と、ストリップライン１６０の下方に配置されたグランド用導体層１６１と、ストリップライン１６０の上方に配置されたグランド用導体層１６２と、グランド用導体層１６１，１６２間に配置された誘電体層１６３とを備えている。ストリップライン１６０の幅Ｗは０．１ｍｍとし、ストリップライン１６０の厚みｔは０．０１ｍｍとした。グランド用導体層１６１，１６２の各幅は、ストリップライン１６０の幅Ｗよりも十分に大きいものとする。ストリップライン１６０とグランド用導体層１６１，１６２は、互いに平行に配置されている。ここで、グランド用導体層１６１の下面とグランド用導体層１６２の上面との間に距離をＨ（ｍｍ）とし、ストリップライン１６０によって構成される共振器の無負荷のＱをＱｕとする。シミュレーションでは、上記の距離ＨとＱｕとの関係を調べた。その結果を図１０に示す。図１０から分かるように、距離Ｈが小さくなるほどＱｕが小さくなる。このことから、共振器とグランド用導体層との間の距離が小さくなるほど共振器のＱが小さくなることが分かる。
【００７９】
また、本実施の形態によれば、バンドパスフィルタ素子４０を積層基板１００に搭載したので、アンテナ２からＢＰＦ２４に至る経路とアンテナ２から高周波スイッチ１０に至る経路のそれぞれのインピーダンスを調整してＷＣＤＭＡ方式の受信信号と他の信号とを分離する位相線路３１を、積層基板１００内に設けることができる。そのため、本実施の形態によれば、高周波モジュール１の特性の調整が可能になる。
【００８０】
図１１は、第２の比較例の高周波モジュールの断面図である。第２の比較例の高周波モジュールは、本実施の形態における積層基板１００の代わりに積層基板２００を備えている。この積層基板２００の上面には、本実施の形態において積層基板１００の上面に搭載された素子のうち、バンドパスフィルタ素子４０以外の素子が搭載されている。
【００８１】
積層基板２００は、ＢＦＰ２４を実現するための高誘電率部分２０２と、この高誘電率部分２０２の下に配置された低誘電率部分２０１と、高誘電率部分２０２の上に配置された低誘電率部分２０３とを含んでいる。各部分２０１〜２０３は、それぞれ、交互に積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。高誘電率部分２０２は、ＢＦＰ２４を実現するための複数の導体層を含んでいる。高誘電率部分２０２に含まれる誘電体層の誘電率は、低誘電率部分２０１，２０３に含まれる誘電体層の誘電率よりも大きい。具体的には、例えば、低誘電率部分２０１，２０３に含まれる誘電体層の比誘電率は５〜１０であり、高誘電率部分２０２に含まれる誘電体層の比誘電率は、２０以上、好ましくは３０〜８０である。
【００８２】
第２の比較例では、上述のように、積層基板２００が、高誘電率部分２０２と低誘電率部分２０１，２０３とを含んでいる。そのため、低誘電率部分２０１，２０３によって実現される回路要素の特性は、高誘電率部分２０２に含まれる誘電率の大きな誘電体層の影響を受ける。そのため、第２の比較例では、所望の特性を有する回路を実現するための積層基板２００の設計が難しくなる。また、第２の比較例において、積層基板２００を低温同時焼成セラミック多層基板によって構成する場合には、誘電率の異なる複数種類の誘電体材料の層を積層し焼成して積層基板２００を製造する必要がある。この場合には、積層基板２００を精度よく製造することが難しくなる。
【００８３】
これに対し、本実施の形態では、積層基板１００とバンドパスフィルタ素子４０を別個に設計および製造できるので、積層基板１００とバンドパスフィルタ素子４０の設計および製造が容易になる。
【００８４】
［第２の実施の形態］
次に、図１２を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る高周波モジュールおよびバンドパスフィルタ素子４０について説明する。図１２は、本実施の形態に係る高周波モジュールの断面図である。本実施の形態に係る高周波モジュール１では、積層基板１００の上面１００ａが凹部１００ｃを含んでいる。そして、バンドパスフィルタ素子４０は凹部１００ｃ内に配置されている。積層基板１００は、基板内導体層１０２として、上面１００ａの一部である凹部１００ｃの底面を介してバンドパスフィルタ素子４０に対向する位置に配置されると共に、グランドに接続されるグランド用導体層１０２Ｇを含んでいる。このグランド用導体層１０２Ｇが、上面１００ａの一部である凹部１００ｃの底面を介してバンドパスフィルタ素子４０に対向してバンドパスフィルタ素子４０に対する電磁気的なシールドとして機能する。
【００８５】
本実施の形態では、第１の実施の形態に比べて、バンドパスフィルタ素子４０とケース１１０との間の距離を大きくすることができる。第１の実施の形態のように積層基板１００が平坦な上面１００ａを有し、この上面１００ａの上にバンドパスフィルタ素子４０を搭載した場合には、バンドパスフィルタ素子４０とケース１１０との間の距離を十分に大きくすることができず、共振器６１〜６３のＱが低下してしまう場合もある。このような場合であっても、本実施の形態によれば、バンドパスフィルタ素子４０とケース１１０との間の距離を十分に大きくして、共振器６１〜６３のＱを向上させることが可能になる。なお、本実施の形態において、積層基板１００内のグランド用導体層１０２Ｇは、バンドパスフィルタ素子４０とグランド用導体層１０２Ｇとの間の距離を十分に大きくすることができる位置に配置すればよい。
【００８６】
また、本実施の形態によれば、凹部１００ｃの深さとグランド用導体層１０２Ｇの位置を任意に設計することができるため、ＢＰＦ２４の特性の調整が容易になる。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８７】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明において、バンドパスフィルタ用誘電体層４１〜４４の誘電率は、基板内誘電体層１０１の誘電率と等しくてもよい。この場合にも、前述の各実施の形態の効果を得ることができる。
【００８８】
また、本発明は、携帯電話機における高周波回路に含まれる高周波モジュールに限らず、バンドパスフィルタを含む高周波モジュール全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の第１実施の形態に係る高周波モジュールを含む携帯電話機の高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールの外観を示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールの平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールの断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタ素子を用いて構成されるバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタ素子の構成を示す説明図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタ素子の断面図である。
【図８】第１の比較例のバンドパスフィルタ素子の断面図である。
【図９】共振器とグランド用導体層との間の距離と共振器のＱとの関係について調べたシミュレーションで用いたモデルを示す説明図である。
【図１０】シミュレーションの結果を示す特性図である。
【図１１】第２の比較例の高周波モジュールの断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る高周波モジュールの断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１…高周波モジュール、２４…バンドパスフィルタ、４０…バンドパスフィルタ素子、４１〜４４…バンドパスフィルタ用誘電体層、６１〜６３…共振器、１００…積層基板、１０１…基板内誘電体層、１０２…基板内導体層、１０２Ｇ…グランド用導体層、１１０…金属製ケース、４３１〜４３３…共振器用導体層。
【図１】
2007306172.tif 000003
【図２】
2007306172.tif 000004
【図３】
2007306172.tif 000005
【図４】
2007306172.tif 000006
【図５】
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【図６】
2007306172.tif 000008
【図７】
2007306172.tif 000009
【図８】
2007306172.tif 000010
【図９】
2007306172.tif 000011
【図１０】
2007306172.tif 000012
【図１１】
2007306172.tif 000013
【図１２】
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