(57)【要約】【課題】セラミック回路基板集合体から個片体にするための分割線が分割を行う時に容易に、歩留まりよく分割できる分割線を有するセラミック回路基板集合体を提供する。【解決手段】セラミック基板１１の一方に回路金属板１２と、他方に放熱金属板１３を接合するセラミック回路基板１４を複数個有し、両主面の外周辺部にダミー部１５を有し、ここを除去するための４本の分割線と、複数個から個片体にするためのダミー金属板１６に延設する分割線が設けられるセラミック回路基板集合体１０において、４本の分割線の１本が両方の端をセラミック基板１１の端部に延設すると共に、少なくとも一方の端と、セラミック基板１１の外形線との間に０．５〜３ｍｍの分割線を設けない部分を有し、しかも、他の２本が一方の端をセラミック基板１１の端部、他方をダミー金属板１６に延設して設けられ、残りの１本が両方の端をダミー金属板１６に延設して設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の焼成済のセラミック基板の一方の主面に回路を設けた回路金属板と、他方の主面に板状の放熱金属板を接合するセラミック回路基板を複数個有し、前記セラミック基板の両主面の外周辺部にダミー金属板を接合するダミー部を有し、該ダミー部を分割して除去するための前記セラミック基板の外形線のそれぞれに並行し、縦方向と、横方向で直交する４本の外周分割線が設けられると共に、複数個の前記セラミック回路基板から個片体に分割するための１又は複数本の個別分割線が前記ダミー金属板に延設して設けられるセラミック回路基板集合体において、
前記外周分割線の４本の内の１本が前記外周分割線の両方の端を前記セラミック基板の相対向する端部に延設すると共に、少なくとも一方の端と、前記外周分割線が延設するところの前記セラミック基板の外形線との間に０．５〜３ｍｍの前記外周分割線を設けない部分を有して設けられ、しかも、前記外周分割線の４本の内の他の２本が一方の端を前記セラミック基板の端部、他方の端を前記ダミー金属板に延設して設けられ、残りの１本が両方の端を前記ダミー金属板に延設して設けられていることを特徴とするセラミック回路基板集合体。
【請求項２】
請求項１記載のセラミック回路基板集合体において、前記ダミー金属板に延設して設けられる前記外周分割線の端、及び前記個別分割線の両方の端と、前記ダミー金属板との間に前記外周分割線を超え、前記ダミー金属板と接続しない前記外周分割線及び前記個別分割線を有することを特徴とするセラミック回路基板集合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高電力が流れて高熱を発する半導体素子を搭載する半導体モジュール用基板として用いるためのセラミック回路基板に関し、より詳細には、複数個のセラミック回路基板が大型のセラミック基板に配列して形成されたセラミック回路基板集合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、民生用機器や、自動車の車載用等に採用されている半導体モジュール用基板として用いるためのセラミック回路基板は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や、ジルコニア入りアルミナ等のセラミック基材からなる焼成済のセラミック基板の上表面に、銅板で回路を形成した回路金属板を直接接合法で接合している。この直接接合法とは、予め表面を酸化させた銅板をセラミック基板の表面に当接させ、銅の融点付近まで温度を上げて銅と微量の酸素との反応により生成するＣｕ−Ｏ共晶液相を接合剤として焼成してセラミック基板に直接接合する方法である。なお、セラミック回路基板は、セラミック基板の下表面にも同様に、銅板からなる放熱金属板を直接接合法で直接接合している。この放熱金属板は、セラミック基板と銅板との熱膨張係数の差から発生する半導体モジュール用基板の反りの発生のバランスを保つと同時に、半導体素子からの発熱を半導体モジュール用基板の下面から速やかに放熱させている。
【０００３】
また、従来の他のセラミック回路基板は、ＡｌＮや、Ａｌ２Ｏ３や、ジルコニア入りアルミナや、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等のセラミック基材からなる焼成済のセラミック基板の上表面と回路金属板との間に、Ａｇ−ＣｕろうにＴｉやＺｎ等の活性金属を含有させた活性金属ろう材を挟み込んで加熱してろう付け接合している。一方、セラミック基板の下表面にも、銅板からなる放熱金属板を活性金属ろう材でろう付け接合している。この活性金属法は、酸素に対して活性な高融点金属を用いることで、セラミック基材との界面反応を促進させて接合する方法である。
【０００４】
このセラミック回路基板は、セラミック基板に接合された回路金属板上の所定の位置に半導体素子が接合され、半導体素子と回路金属板の他の所定の位置との間をボンディングワイヤや、リボン等でボンディングして電気的に接続状態とし、実装を行っている。しかしながら、セラミック回路基板は、それぞれが単独に作製されているので、実装するための取り扱いや、実装時の位置決め等をそれぞれに行う必要があり、実装を行うための手間がかかり作業効率の低下となっている。そこで、最近では、大型のセラミック基板に複数個のセラミック回路基板を配列させて形成したセラミック回路基板集合体が開発されている。
【０００５】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、セラミック回路基板集合体５０の一例には、セラミック基板５１の一方の表面に回路を設けた回路金属板５２、他方の表面に放熱金属板５３を接合して形成した複数個のセラミック回路基板５４を有し、外周辺部にダミー部５５を有し、セラミック基板５１の反りをコントロールするためにこのダミー部５５の両面のそれぞれにダミー金属板５６を有し、セラミック基板５１にダミー部５５を分割して除去するための４本の外周分割線５７の内の相対向する２本がセラミック基板５１の端部まで延設し、他の相対向する２本がダミー金属板５６に延設するようにするのと、複数個のセラミック回路基板５４から個片体に分割するための複数本の個別分割線５８がダミー金属板５６に延設するようにして設けられて有しているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】ＥＰ０６２７７６０Ｂ１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述したような従来のセラミック回路基板集合体は、次のような問題がある。
（１）セラミック回路基板集合体のダミー部を分割して除去するための４本の外周分割線の内の相対向する２本がセラミック基板の端部まで延設する外周分割線は、本来の分割線に沿って分割しなければならない前に分割線から分割されやすく、歩留まりの低下となっている。しかも、セラミック基板の端部まで延設している外周分割線は、２本で構成されているので、歩留まりの低下の割合が増加する状態となっている。
（２）ダミー金属板に延設して設けられる外周分割線の端、及び個別分割線の両方の端がダミー金属板に接続して設けられる場合には、セラミック基板とダミー金属板の熱膨張係数の差から発生する応力によって、分割線部分に亀裂や、これを起点とする接合部近辺にクラック等が発生しやすく、また、このクラックや、亀裂の発生場所がセラミック回路基板と近接する位置でダミー部分を超えてセラミック回路基板に影響を及ぼし、歩留まりの低下となっている。また、ダミー金属板等のパターンを形成した後に、分割線を設ける場合には、レーサーで形成することとなるが、レーサー光をダミー金属板と接続する位置に合わせたり、外周分割線に接する位置に合わせてレーザー光を照射する時のレーザー光の出発位置と、終点位置を正確に位置決めして設定する必要があり、作業能率の低下となり、セラミック回路基板集合体のコストアップとなっている。
【０００８】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、セラミック回路基板集合体から個片体のセラミック回路基板にするための分割線が分割を行わなければならない時に容易に、歩留まりよく分割できる分割線を有するセラミック回路基板集合体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的に沿う本発明に係るセラミック回路基板集合体は、矩形状の焼成済のセラミック基板の一方の主面に回路を設けた回路金属板と、他方の主面に板状の放熱金属板を接合するセラミック回路基板を複数個有し、セラミック基板の両主面の外周辺部にダミー金属板を接合するダミー部を有し、ダミー部を分割して除去するためのセラミック基板の外形線のそれぞれに並行し、縦方向と、横方向で直交する４本の外周分割線が設けられると共に、複数個のセラミック回路基板から個片体に分割するための１又は複数本の個別分割線がダミー金属板に延設して設けられるセラミック回路基板集合体において、外周分割線の４本の内の１本が外周分割線の両方の端をセラミック基板の相対向する端部に延設すると共に、少なくとも一方の端と、外周分割線が延設するところのセラミック基板の外形線との間に０．５〜３ｍｍの外周分割線を設けない部分を有して設けられ、しかも、外周分割線の４本の内の他の２本が一方の端をセラミック基板の端部、他方の端をダミー金属板に延設して設けられ、残りの１本が両方の端をダミー金属板に延設して設けられている。
【００１０】
ここで、セラミック回路基板集合体は、ダミー金属板に延設して設けられる外周分割線の端、及び個別分割線の両方の端と、ダミー金属板との間に外周分割線を超え、ダミー金属板と接続しない外周分割線及び個別分割線を有するのがよい。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１又はこれに従属する請求項２記載のセラミック回路基板集合体は、外周分割線の４本の内の１本が外周分割線の両方の端をセラミック基板の相対向する端部に延設すると共に、少なくとも一方の端と、外周分割線が延設するところのセラミック基板の外形線との間に０．５〜３ｍｍの外周分割線を設けない部分を有して設けられ、しかも、外周分割線の４本の内の他の２本が一方の端をセラミック基板の端部、他方の端をダミー金属板に延設して設けられ、残りの１本が両方の端をダミー金属板に延設して設けられているので、外力が働いた時に最初に割れる部分である両方の端をセラミック基板の相対向する端部に延設する外周分割線が１本で構成されている上に、その少なくとも一方の端と、セラミック基板の端部との間の０．５〜３ｍｍの分割線を設けない部分によって、セラミック回路基板集合体としての作業工程途中に多少の外力が掛かったとしても容易に割れない抵抗を持たせることができ、割る必要がある時までの分割線からの破壊を防止することができる。また、割る必要がある時には、この分割線を設けない部分を有する外周分割線を、先ず、最初に分割することで他の外周分割線及び個別分割線が容易に歩留まりよく分割することができる。更に、この分割線を設けない部分を有する外周分割線を分割した時に、例え分割線を設けない部分にバリ等が発生したとしても、除去して廃棄するダミー部での発生であり、しかもセラミック回路基板から離れた部分での発生でセラミック回路基板に影響を及ぼすようなことは発生しない。
【００１２】
特に、請求項２記載のセラミック回路基板集合体は、ダミー金属板に延設して設けられる外周分割線の端、及び個別分割線の両方の端と、ダミー金属板との間に外周分割線を超え、ダミー金属板と接続しない外周分割線及び個別分割線を有するので、セラミック基板とダミー金属板の熱膨張係数の差から発生する応力があったとしても分割線の端とダミー金属板とが接続せず、分割線部分の亀裂や、これを起点とする接合部近辺のクラック等の発生を防いで歩留まりの低下を防止することができる。また、外周分割線及び個別分割線は、外周分割線を超えて設けられているので、分割線が互いに直交しており、歩留まりよく分割することができる。更に、レーザーで分割線を設けている場合には、分割線がダミー金属板と接続しないよう隙間を設けて作業能率よく形成できているので、セラミック回路基板集合体のコストアップを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミック回路基板集合体の平面図、Ａ−Ａ’線縦断面図、図２は同セラミック回路基板集合体の変形例の平面図である。
【００１４】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係るセラミック回路基板集合体１０は、矩形状で焼成済の大型のセラミック基板１１の表、裏面の一方の主面に、上面に半導体素子を搭載したりするための、例えば、Ｃｕ板からなる回路を設けた複数の回路金属板１２を有している。この回路金属板１２は、所定の場所の配線回路部の上面に半導体素子が搭載され、半導体素子のパッド電極と他の配線回路部とをボンディングワイヤや、リボンワイヤ等で接続するようになっている。また、このセラミック回路基板集合体１０は、セラミック基板１１の表、裏面の他方の主面に、半導体素子から発生する熱を放熱させるための、例えば、Ｃｕ板からなる個々の回路金属板１２の外周と略同じ面積からなるベタ状の複数の放熱金属板１３を有している。この放熱金属板１３は、半導体素子から発生する熱を放熱させると同時に、熱膨張係数が回路金属板１２と同等又は近似する金属で形成して、セラミック基板１１との熱膨張係数差から接合時に発生する反りや曲がりを、セラミック基板１１の両面で熱膨張係数が同等又は近似する金属からなる回路金属板１２と放熱金属板１３をそれぞれ貼り合わせてバランスをとることで、発生を防止している。
【００１５】
このセラミック回路基板集合体１０は、１個の回路金属板１２と１個の放熱金属板１３とでセラミック回路基板１４を構成し、このセラミック回路基板１４が複数個マトリックス状に配列するように形成されている。また、このセラミック回路基板集合体１０は、セラミック基板１１の外周辺部にダミー部１５を有し、このダミー部１５の両主面のそれぞれにダミー金属板１６、１６ａが接合されている。このそれぞれのダミー金属板１６、１６ａは、例えば、それぞれ回路金属板１２側のダミー金属板１６には、回路金属板１２の厚さと同じ厚さ、放熱金属板１３側のダミー金属板１６ａには、放熱金属板１３の厚さと同じ厚さにしてセラミック基板１１との熱膨張係数差から接合時に発生する反りや曲がりを、セラミック基板１１の両面で熱膨張係数が同等又は近似するようにしてダミー部１５部分のバランスをとることで、セラミック回路基板集合体１０の反りや曲がりの発生を防止できるようにしている。
【００１６】
セラミック基板１１の一方の主面側の回路金属板１２とダミー金属板１６は、通常、セラミック基板１１の両方の主面を覆うように大型のＣｕ板を直接接合法や、活性金属ろう材接合法で接合した後、セラミック基板１１の他方の主面の全体をマスクで保護した上で、一方の主面側の大型のＣｕ板を覆うようにセラミック基板１１の一方の主面側のＣｕ板上に回路金属板１２とダミー金属板１６のパターン以外の部分が開口部から露出するマスクを当接させて開口部をエッチングすることで形成している。また、放熱金属板１３とダミー金属板１６ａは、一方の主面側の全体をマスクで保護した上で、上記と同様にしてエッチングすることで形成している。なお、このエッチングの形成は、先に回路金属板１２側を行ったが、順番を逆にして放熱金属板１３側を先に行なってもよいし、セラミック基板１１の両主面を同時に行うこともできる。回路金属板１２とダミー金属板１６や、放熱金属板１３とダミー金属板１６ａは、上記のエッチング方式以外に、予めＣｕ板をエッチングや、打ち抜きプレス加工等によってパターン形成したものを直接接合法や、活性金属ろう材接合法で接合して形成することもできる。
【００１７】
ここで、セラミック基板１１にＣｕ板を接合する方法として、直接接合法と、活性金属ろう材接合法について説明する。直接接合法とは、予めＣｕ板の表面に酸化膜を施したり、Ｃｕ板中の酸素濃度を管理したりして、酸素濃度を０．００８〜０．３９％に制御したＣｕ板をセラミック基板１１に当接して、１０６３℃以上でＣｕの融点温度である１０８３℃以下の温度、例えば、１０７０℃程度の温度で加熱し、Ｃｕと微量の酸素との反応により生成するＣｕ−Ｏ共晶液相を結合材としてセラミック基板１１にＣｕ板を接合する方法である。また、活性金属ろう材接合法とは、Ｃｕ板をチタンや、ジルコニウムや、ベリリウム等のような極めて反応性の大きい、所謂活性な金属をＡｇ−Ｃｕ系ろう等に加えた活性金属ろう材を介してセラミック基板１１に当接して、活性金属ろう材の溶融温度、例えば、７５０〜８５０℃程度で加熱してチタン等の酸素との親和力の強さを利用して、直接接合する方法である。
【００１８】
セラミック基板１１の少なくとも一方の主面には、ダミー部１５を直線状に分割して除去するための矩形状のセラミック基板１１の外形線に並行し、縦方向と、横方向で直交する４本の外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃが設けられている。また、セラミック基板１１の少なくとも一方の主面には、複数個のセラミック回路基板１４から直線状に分割して個片体のセラミック回路基板１４とするための１、又は複数本の個別分割線１８が外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃや他の個別分割線１８と直交し、ダミー金属板１６に延設するようにして設けられている。この外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃの４本の内の１本である外周分割線１７は、両方の端をセラミック基板１１の相対向する端部に延設すると共に、少なくとも一方の端と、この外周分割線１７が延設するところのセラミック基板１１の外形線との間に０．５〜３ｍｍの外周分割線１７を設けない部分を有して設けられている。また、外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃの４本の内の他の２本である外周分割線１７ａ、１７ｂは、一方の端をセラミック基板１１の端部に延設し、他方の端をダミー金属板１６に延設して設けられている。更に、外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃの４本の内の残りの１本である外周分割線１７ｃは、両方の端のそれぞれを相対向する位置に設けられているそれぞれのダミー金属板１６に延設して設けられている。
【００１９】
セラミック回路基板集合体１０は、分割が必要な時には、４本の外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃの内の両方の端をセラミック基板１１の相対向する端部に延設する外周分割線１７を、先ず、最初に分割し、次いで３本の外周分割線１７ａ、１７ｂ、１７ｃの内の両方の端の延設するところにダミー金属板１６がない外周分割線１７ａを分割している。そして、次に、２本の外周分割線１７ｂ、１７ｃの内の両方の端の延設するところにダミー金属板１６がない外周分割線１７ｂを分割し、最後に残りの外周分割線１７ｃを分割している。次いで、ダミー部１５が除去されたセラミック回路基板集合体１０は、個別分割線１８を分割して複数個のそれぞれ個片体のセラミック回路基板１４としている。なお、外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃや、個別分割線１８は、焼成済のセラミック基板１１にレーザー光を照射して形成する点状の連続した穴からなるものであってもよく、あるいは、焼成前のセラミック基板１１のセラミックグリーンシートに鋭利な刃先を押圧して形成するＶ字状の連続した溝からなるものであってもよい。
【００２０】
ここで、セラミック回路基板集合体１０に用いられているセラミック基板１１について説明する。セラミック基板１１には、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や、ジルコニア入りアルミナや、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックから作製されたものを用いることができる。セラミック基板１１の一例であるアルミナからなるセラミック基板１１は、アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及び、トルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤が加えられ、十分に混練した後、脱泡して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラリーを作製し、このスラリーをドクターブレード法等によって、例えば、厚み０．６４ｍｍのロール状のシートに形成され、適当なサイズにカットしてセラミックグリーンシートを作製し、大気中約１６００℃で焼成して形成している。
【００２１】
また、セラミック基板１１の一例であるジルコニア入りアルミナからなるセラミック基板１１は、主成分のアルミナを７０〜９７ｗｔ％の範囲にして、これにジルコニア（ＺｒＯ２）を２〜２９．９ｗｔ％の範囲で添加し、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）、セリア（ＣｅＯ２）のいずれか１種以上の焼結助剤を０．１〜２ｗｔ％の範囲で添加し、可塑剤、バインダー、及び溶剤を加えて、例えば、厚み０．２５ｍｍのシート状のセラミックグリーンシートを形成し、これを適当な大きさに切断してアルミナからなるセラミック基板１１の場合と同様に大気中約１６００℃で焼成して形成している。
【００２２】
更に、セラミック基板１１の一例である窒化アルミニウムからなるセラミック基板１１は、窒化アルミニウム粉末に焼結助剤を添加し、可塑剤、バインダー、及び溶剤を加えてシート状のセラミックグリーンシートとし、これを適当な大きさに切断して、窒素雰囲気中約１７００℃の高温で焼成して形成している。窒化アルミニウムからなるセラミック基板１１にＣｕ板を接合する場合には、窒化アルミニウムからなるセラミック基板１１の表面に酸化膜を形成、すなわちＡｌＮの表面をＡｌ２Ｏ３とする必要がある。
【００２３】
なお、アルミナからなるセラミック基板１１は、機械的強度、特に曲げ強度（抗折強度）がジルコニア入りアルミナや、窒化アルミニウムに比べて劣るので、セラミック基板１１の厚さを薄くすることに限界がある。ジルコニア入りアルミナからなるセラミック基板１１は、アルミナ単体のセラミック基板１１と比べて熱伝導率を同等程度に保ちながら機械的強度、特に曲げ強度（抗折強度）を大幅に高めることができる（アルミナ基板では、３２０Ｎ／ｍｍ２、ジルコニア入りアルミナ基板では、５８０Ｎ／ｍｍ２）。また、イットリア、カルシア、マグネシア、セリアのいずれか１種以上を添加することで、セラミック基板１１の焼成温度をアルミナ単体のセラミック基板１１と同等程度に抑えつつ、ジルコニア結晶粒の靱性を改善することができる。これらによって、ジルコニア入りアルミナからなるセラミック基板１１は、厚みを薄くすることで放熱特性に優れたセラミック基板１１とすることができる。窒化アルミニウムからなるセラミック基板１１は、熱伝導率（１９０Ｗ／ｍＫ）が高いので、放熱特性に優れたセラミック基板１１とすることができるが、窒化アルミニウムが高価でありコストダウンに限界がある。
【００２４】
図２に示すように、本発明の一実施の形態に係るセラミック回路基板集合体１０の変形例のセラミック回路基板集合体１０ａは、セラミック基板１１のダミー部１５に設けられたダミー金属板１６に延設していない外周分割線１７を除く、ダミー金属板１６に延設して設けられる外周分割線１７ａ、１７ｂ、１７ｃの端と、ダミー金属板１６との間には、両方の端がダミー金属板１６に延設する外周分割線１７ｃを除く、それぞれが交叉する外周分割線１７、１７ａ、１７ｂを超え、ダミー金属板１６と接続しない外周分割線１７ａ、１７ｂ、１７ｃを有している。また、セラミック回路基板集合体１０ａは、全ての個別分割線１８の両方の端と、ダミー金属板１６との間には、それぞれが交叉する外周分割線１７，１７ａ、１７ｂ、１７ｃを超え、ダミー金属板１６と接続しない個別分割線１８を有している。なお、このセラミック回路基板集合体１０ａは、セラミック基板１１の少なくとも一方の主面に設けられる４本の外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃの一方の端をセラミック基板１１の端部に延設し、他方の端をダミー金属板１６に延設して設けられている外周分割線１７ａ、１７ｂがそれぞれ相対向するダミー部１５に沿うようにして並行して設けられている。この外周分割線１７、１７ａ、１７ｂを超える外周分割線１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、及び外周分割線１７，１７ａ、１７ｂ、１７ｃを超える個別分割線１８によって、それぞれの外周分割線１７，１７ａ、１７ｂ、１７ｃは、それぞれの交点でのバリ等の発生を防止して正確に分割することができる。また、ダミー金属板１６と接続しない外周分割線１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、及びダミー金属板１６と接続しない個別分割線１８によって、ダミー金属板１６と外周分割線１７ａ、１７ｂ、１７ｃの端、及びダミー金属板１６と個別分割線１８の両方の端の近傍には、分割線部分の亀裂や、これを起点とする接合部近辺のクラック等の発生を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明のセラミック回路基板集合体は、大量に熱を発生する半導体素子を実装し、分割線から分割してパワーモジュール用等として組立た後、高電圧が流れる所に用いる電子部品として自動車部品用等として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミック回路基板集合体の平面図、Ａ−Ａ’線縦断面図である。
【図２】同セラミック回路基板集合体の変形例の平面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来のセラミック回路基板集合体の平面図、Ｂ−Ｂ’線縦断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０、１０ａ：セラミック回路基板集合体、１１：セラミック基板、１２：回路金属板、１３：放熱金属板、１４：セラミック回路基板、１５：ダミー部、１６、１６ａ：ダミー金属板、１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ：外周分割線、１８：個別分割線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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