(57)【要約】【課題】磁性層からなるめっきベース層のエッチバックにより磁極部側面に磁性層からなるサイドウォールが形成され、実効トラック幅が拡幅してしまう。【解決手段】飽和磁束密度に磁化した第２磁性金属７を磁気記録媒体に接触させても、磁気記録媒体の保磁力以上の磁場を発生しない小さな飽和磁束密度を有する第２磁性金属７をめっきベース層２として使用する。めっきベース層２のエッチバックにより磁極部４側面に形成されたサイドウォール５は、飽和磁束密度が小さいため書込には影響しないので、トラック幅は磁極部４の幅で規定され、サイドウォール５によるトラック幅の拡幅が起こらない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層上に形成された第１磁性金属からなる磁極層と、前記磁極層に形成され、磁気記録媒体の記録面に対向してトラック幅を規定する磁極部とを有する磁気ヘッドの製造方法において、
前記下地層上に、飽和磁束密度に磁化した第２磁性金属を前記磁気記録媒体に接触させたとき、前記磁気記録媒体に前記磁気記録媒体の保磁力未満の磁場を印加させる前記第２磁性金属からなるめっきベース層を形成する工程と、
前記めっきベース層上に前記磁極部を画定する開口を有するめっき用マスクを形成する工程と、
前記めっき用マスクの開口を埋め込む前記第１磁性金属を堆積するめっき工程と、
次いで、前記めっき用マスクを除去した後、前記磁極部の外側に表出する前記めっきベース層を全面イオンエッチングにより除去する工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第２磁性金属の飽和磁束密度は、０．４Ｔ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記めっきベース層を、窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタ法により成膜することを特徴とする請求項１又は２記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記めっきベース層は、Ｆｅ基磁性金属、Ｃｏ基磁性金属又はＦｅ−Ｃｏ基磁性金属からなることを特徴とする請求項１、２又は３記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
下地層上に形成された第１磁性金属からなる磁極層と、前記磁極層に形成され、磁気記録媒体の記録面に対向してトラック幅を規定する磁極部とを有する磁気ヘッドにおいて、
前記磁極部と前記下地層との間に、飽和磁束密度に磁化した第２磁性金属を前記磁気記録媒体に接触させたとき、前記磁気記録媒体に前記磁気記録媒体の保磁力未満の磁場を印加させる前記第２磁性金属からなるめっきベース層が設けられ、
前記磁極部の側壁面に前記第２磁性金属からなるサイドウォールが形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はめっき用マスクの開口に磁性金属をめっきにより埋込むことで形成される磁気ヘッド及びその製造方法に関し、とくにトラック幅を高精度に狭くすることができる磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置では、記録密度を向上するため保持力の高い磁気記録媒体が用いられるようになり、これに伴い磁気ヘッドを構成する磁極層材料にも高い飽和磁束密度が要求されている。かかる高飽和磁束密度を有する磁極層材料として、従来のパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）に代わり、近年はより飽和磁束密度が高いＦｅ−Ｃｏ系合金が使用されるようになっている。
【０００３】
磁気ヘッドを構成する磁極層の堆積には、通常、スパッタ法に比べて成膜速度が速いめっき法が用いられている。しかし、めっきにより飽和磁束密度が高い磁性金属からなる磁極層を形成すると、トラック幅を規定する磁極部（磁極部は磁極層の一部をなしている。）の幅を狭くすることが難しいという問題が生ずる。以下、この問題を、従来の磁気ヘッド及びそのの製造方法を参照して説明する。
【０００４】
図３は磁気ヘッド構造の説明図であり、垂直磁気記録媒体への書込用の垂直記録用磁気ヘッドの磁極層の構造を表している。なお、図３（ａ）はトラック方向を含み磁気記録媒体に垂直な面内での断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の磁極層１４を紙面上方から見た平面図、図３（ａ）は図３（ｂ）を紙面左方から見た正面図である。
【０００５】
図３（ａ）を参照して、垂直記録用磁気ヘッド１０は、非磁性材料からなる絶縁層１１及び絶縁下地層１１ａを挟んで下方にシールド層１２、上方に磁極層１４が設けられている。シールド層１２及び磁極層１４は、高飽和磁束密度を有する磁性金属、例えばＦｅ−Ｃｏ合金あるいはＦｅ−Ｎｉ合金からなり、その先端（図３（ａ）では左端）は磁気記録媒体１５の記録面１５ｂ（即ち、記録層１５ａの表面）に対向する。そして、絶縁層１１内に配置されたコイル１３により接続層内に生成された磁界が、磁極層１４を通り、磁極層１４の記録面１５ｂに対向する磁極部４を介して記録層１５ａに入り、シールド層１２を通り接続層へ帰還する磁気回路が形成される。この磁極部４を介して記録層１５ａに印加される磁界により、磁気記録媒体１５への書込がなされる。
【０００６】
図３（ｂ）及び図３（ｃ）を参照して、磁極層１４は、磁気記録媒体の記録面１５ｂとの対向面４ａ近傍では狭い幅の磁極部４を構成し、対向面から遠い部分は広い幅のヨーク部を構成している。この磁極部４の幅Ｗがトラック幅を規定する。（磁気ヘッド構造については、例えば特許文献１を参照。）。
【０００７】
次ぎに、かかる磁気ヘッド１０の製造工程を説明する。（製造工程について、例えば特許文献２を参照。）。
【０００８】
図４は従来の磁気ヘッドの製造工程断面図であり、図３（ｂ）の磁極部４の対向面４ａに平行な断面を表している。
【０００９】
図４（ａ）を参照して、まず、シールド層１２及び絶縁層１１を含む下地層１上に、めっき電極として用いられるめっきベース層２２を形成する。このめっきベース層２２は、通常、その上に形成する磁極層１４の材料として用いられる第１磁性金属６ａ、例えばＦｅ、Ｎｉ又はＣｏの合金が用いられる。かかる磁性金属６ａを用いる理由は、めっきベース層２２として、Ｐｔ、Ａｕ及びＣｕ等の貴金属を使用すると第１磁性金属６ａからなる磁極層１４との電極電位差が大きいため局部電池が形成されて腐食の原因となること、また、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｓｎ等の卑金属を使用すると酸性のめっき液に対する耐蝕性が劣ることから、いずれも信頼性が劣化するからである。なお、Ｃｒは酸化し易くめっきベース層としては信頼性が劣る。このように非磁性金属にはめっきベース層として優れた材料が見いだせず、めっきベース層にはおもに高い飽和磁束密度を有する第１磁性膜材料６ａが用いられている。
【００１０】
次いで、めっきベース層２２上に磁極層１４を画定する開口を有するレジストからなるめっき用マスク３を形成する。この開口の一部をなす開口３ａは、磁極層１４の磁極部４を画定する。
【００１１】
次いで、図４（ｂ）を参照して、めっきベース層２２を電極とするめっきにより、上記レジストの開口を埋め込む第１磁性膜材料６ａを堆積し、磁極層１４を形成すると同時に、開口３ａを埋め込む磁極部４を形成する。既述のように、磁極部４は磁極層１４の一部をなす。
【００１２】
次いで、図４（ｃ）を参照して、めっき用マスク３を除去した後、全面をイオンミリングして、磁極部４を含む磁極層１４の外側に表出するめっきベース層２２をエッチバックして除去する。
【００１３】
その結果、図４（ｄ）を参照して、下地層１上にめっきベース層２２を介して幅Ｗの磁極部を有する磁極層１４が形成される。そして、その側面に、めっきベース層２２のイオンミリングによりサイドウォール２５が形成される。
【００１４】
このサイドウォール２５は、第１磁性金属からなるめっきベース層２２の組成を含むため、第１磁性金属に近い高い飽和磁束密度を有する。従って、書込時に、サイドウォール２５と磁極部４とには同程度の磁束密度が発生する。その結果、本来は磁極部４の幅Ｗで規定されるべきトラック幅が、サイドウォール２５と磁極部４とを合わせた幅に拡幅してしまう。このため、狭いトラック幅による記録ができず、記録密度の高密度化が制限されてしまう。
【００１５】
トラック幅をサイドウォール２５を含めた磁極部４の幅で規制すると、磁極部４を画定するめっき用マスク３の開口３ａをトラック幅より狭く、即ちトラック幅からサイドウォール２５の厚みを差し引いた幅まで狭くしなければならない。しかし、トラック幅は８０〜１００ｎｍと非常に狭く、これより狭い開口３ａを形成することはめっき用マスクの製作上困難である。
【００１６】
一方、磁性金属を窒素を含む反応性の雰囲気中で蒸着又はスパッタをすると、窒素を含有する非磁性絶縁膜が形成される旨が報告されている。（例えば、特許文献３を参照。）。しかし、非磁性絶縁膜は絶縁材料とされており、これを導電性を必要とされるめっきベース層２２として利用することは考慮されていない。
【特許文献１】特開２００５−２４３０６１号公報
【特許文献２】特開２００４−１４５９１９号公報
【特許文献３】特開昭６３−２４７９０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
上述したように、めっきベース層上に形成されためっき用マスクを用いて磁極層をめっきにより形成する従来の磁気ヘッド及びその製造方法では、めっきベース層として貴金属又は卑金属を用いると、腐食を生ずるおそれがあり信頼性が損なわれる。
【００１８】
かかる腐食を回避するため、従来は、めっきベース層を磁極層と同じ磁性金属で形成していた。しかし、めっきベース層を磁性金属で形成すると、磁極部の側壁面に磁性金属を含有するサイドウォールが形成され、サイドウォールの厚さ分だけトラック幅が拡幅してしまう。このため、トラック幅を狭くすることが難しい。
【００１９】
本発明は、めっきベース層が腐食のおそれが少ない磁性金属で形成され、かつ、サイドウォールに起因するトラック幅の拡幅が小さな磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記課題を解決するための本発明の構成は、下地層上に、一部に磁極部が形成された第１磁性金属からなる磁極層を有する磁気ヘッドの製造方法に関し、下地層上に、飽和磁束密度に磁化した第２磁性金属を磁気記録媒体に接触させたとき、磁気記録媒体に磁気記録媒体の保磁力未満の磁場を印加させる第２磁性金属からなるめっきベース層を形成する工程と、めっき用マスクの開口を埋め込む第１磁性金属を堆積するめっき工程と、めっき用マスクを除去した後、磁極部の外側に表出するめっきベース層を全面イオンエッチングにより除去する工程とを有する。
【００２１】
本発明の上記構成では、めっきベース層の材料として用いられる第２磁性金属は、第２磁性金属の内部磁束密度をその飽和磁束密度にした状態で第２磁性金属を磁気記録媒体に接触させとき、磁気記録媒体に印加される磁界が磁気記録媒体の保持力未満となるような飽和磁束密度を有している。言い換えれば、第２磁性金属の飽和磁束密度によっては、磁気記録媒体の保持力を超える磁場を発生することができない。従って、第２磁性金属を磁化しても、これにより磁気記録媒体に書き込むことはできない。
【００２２】
この第２磁性金属は、めっきベース層の全面イオンエッチングによりエッチバックされ、磁極部の側壁面にサイドウォールとして付着する。しかし、このサイドウォールは第２磁性金属からなり、磁気記録媒体への書込に寄与する程の高い磁界を発生させない。このため、磁極部に形成されたサイドウォールは磁気記録にほとんど影響を与えず、トラック幅は実質的に磁極部の幅で規定されてしまう。従って、サイドウォールの形成に起因するトラック幅の拡幅が回避される。
【００２３】
また、めっきベース層材料である第２磁性金属は、その上に接する磁極部の第１磁性金属と同じく磁性金属であるから、めっきベース層と磁極部との電極電位差は小さい。このため、本発明に係る磁気ヘッドは耐腐食性に優れ、従来のめっきベース層を磁性金属とした磁気ヘッドと同等の信頼性を有する。
【００２４】
上述した飽和磁束密度を有する第２磁性金属は、磁性金属、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ又はＦｅ−Ｎｉを基とする磁性金属をターゲットとし、窒素ガスを含む雰囲気中、例えばＡｒ−Ｎ2 混合ガス又はＮ2 ガス雰囲気中でスパッタすることにより形成することができる。
【００２５】
従来、磁性金属をターゲットとするスパッタにおいて、Ａｒ−Ｎ2 混合ガスからなるスパッタ雰囲気中のＮ2 比を増加すると、磁性金属の飽和磁束密度が小さくなるとともに、電気抵抗も大きくなり絶縁物になると考えられていた。しかし、本発明の発明者は、磁性金属をターゲットとし，窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタにより形成された第２磁性金属が、小さな飽和磁束密度を有するとともに、めっきベース層に必要とされる導電性を有することを実験により明らかにした。この実験結果によれば、もっとも飽和磁束密度が小さくなるＮ2 ガス雰囲気中のスパッタにより形成された第２磁性金属でも、めっきベース層として十分な導電率を有している。従って、上述した磁気記録に影響を与えない程小さな飽和磁束密度を有する第２磁性金属を、めっきベース層材料として支障なく用いることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、めっきベース層を飽和磁束密度が小さな磁性材料で構成したので、耐腐食性に優れ、かつ、めっきベース層材料からなるサイドウォールによるトラック幅の拡幅が小さな磁気ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の第１実施形態は、トラック幅を規定する磁極部と幅広のヨーク部とを備えた磁極層をめっきにより形成する垂直記録用磁気ヘッドに関する。本第１実施形態に係る垂直記録用磁気ヘッドは、図３を参照して既に説明した垂直記録用磁気ヘッド１０と、磁極層１４をめっきで形成する際のめっきベース層（図３中に図示していない。）が異なる他は同様である。
【００２８】
以下、本発明を本第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造工程を参照しつつ説明する。
【００２９】
図１は本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造工程断面図であり、図３（ｂ）の磁極部４の対向面４ａに平行な断面を表している。
【００３０】
図１（ａ）を参照して、まず、下地層１が形成された磁気ヘッド基体を準備する。この下地層１は、図３（ａ）を参照して、リターンパスを兼ねる磁性材料からなるシールド層１２、シールド層１２上に絶縁下地層１１ａを介して絶縁層１１内に形成されたコイル１３、及び、シールド層１２上に形成されコイル１３により生成される磁束の通路となる磁気材料からなる接続層１６を含み、下地層１の表面には絶縁層１１及び接続層１６が表出している。
【００３１】
次いで、再び図１（ａ）を参照して、下地層１上に第２磁性金属からなるめっきベース層２を形成する。このめっきベース層２は、Ａｒ−Ｎ2 混合ガス又はＮ2 ガスを雰囲気ガスとし、７０ｗｔ％Ｆｅ−３０ｗｔ％Ｃｏ合金をターゲットとするスパッタにより堆積した。
【００３２】
図２は本発明の第１実施形態に係る第２磁性金属の磁化曲線であり、第２磁性金属の磁化曲線のスパッタ雰囲気依存性を表している。第２磁性金属のスパッタリングは、７０ｗｔ％Ｆｅ−３０ｗｔ％Ｃｏ合金をターゲットとするスパッタにより、ＡｒとＮ2 ガスの混合比率が異なる雰囲気中で堆積して形成した。
【００３３】
図２中、磁化曲線イ、ロ、ハ及びニは、それぞれ１００％Ａｒ、８３％Ａｒ−１７％Ｎ2 、５０％Ａｒ−５０％Ｎ2 、１００％Ｎ2 ガス雰囲気中でスパッタして堆積された磁性金属の磁化曲線を示している。なお、これらの雰囲気は、雰囲気ガスとししてスパッタ装置へ流入するＡｒ及びＮ2 の流入量を、それぞれＡｒを１０ｓｃｃｍ流入、Ａｒを１０ｓｃｃｍにＮ2 を２ｓｃｃｍ混入、Ａｒを１０ｓｃｃｍにＮ2 を１０ｓｃｃｍ混入、Ｎ2 を１０ｓｃｃｍ流入と制御することで作製された。
【００３４】
図２の磁化曲線イを参照して、Ａｒが１００％の雰囲気では、スパッタにより堆積された磁性金属膜は７０ｗｔ％Ｆｅ−３０ｗｔ％Ｃｏ合金にほぼ等しい０．０６ｅｍｕの飽和磁化を有する。Ｎ2 が１７％混入した雰囲気では、磁化曲線ロを参照して、飽和磁化は０．０２ｅｍｕに低下する。さらに、Ｎ2 の割合が多いＮ2 を５０％混入した雰囲気及び１００％Ｎ2 の雰囲気では、磁化曲線ハ、ニを参照して、０．０１ｅｍｕ以下に低下する。
【００３５】
磁性金属膜の飽和磁束密度は、飽和磁化に比例するから、雰囲気ガスのＮ2 量を増加すると、磁化曲線イ〜ニに示す飽和磁化の低下とともに小さくなる。具体的には、５０％Ｎ2 雰囲気及び１００％Ｎ2 雰囲気で堆積された磁性金属の飽和磁束密度は、０．０１Ｔ以下であった。
【００３６】
本第１実施形態に係る磁気記録媒体の保磁力は４０００Ｏｅ程度であり、この磁気記録媒体を書き換える（磁化を反転する）るためには保持力以上の記録磁界を必要とする。従って、磁化曲線ハ、ニに示す飽和磁束密度が０．０１Ｔの磁性金属が、磁気記録媒体の近傍に存在しても磁化反転させるほどの磁界を発生させることができず、磁気記録にはなんら影響を与えない。
【００３７】
磁性金属が磁気記録媒体の近傍に存在して磁気記録に影響するのは、磁性金属の飽和磁束密度が磁気記録媒体の書き換えに必要な０．４Ｔを超える場合である。図３と同一条件での実験によると、磁性金属の飽和磁束密度が０．４Ｔ未満となるのは、７５％Ａｒ−２５％Ｎ2 またはこれよりＮ2 ガスの割合が多い雰囲気でスパッタした場合である。
【００３８】
即ち、７０ｗｔ％Ｆｅ−３０ｗｔ％Ｃｏ合金をターゲットとするスパッタにより堆積された磁性金属は、Ｎ2 ガスの比率が２５％（体積％）以下の雰囲気でスパッタした場合、磁気記録媒体の書き換えに必要な磁気飽和密度を有せず、従って磁気記録に影響を及ぼさない。
【００３９】
さらに、上述した図３中の磁化曲線イ〜ニを有するスパッタにより堆積された磁性金属は、最も比抵抗が高い磁化曲線ニを有する磁性金属（Ｎ2 ガス雰囲気で体積されたもの）でも、厚さ２００ｎｍのめっきベース層の材料として用いて３０ｍＡ／ｃｍ2 のめっき電流を支障なく流すことができる低い導電率を有している。
【００４０】
本第１実施形態では、めっきベース層２材料である第２磁性金属７を堆積するスパッタの雰囲気ガスとして、５０％Ａｒ−５０％Ｎ2 の混合ガス及び１００％Ｎ2 ガスの２種類を用いた。このとき堆積する第２磁性金属７は、図３の磁化曲線ハ、ニで示すように０．０１Ｔ程度の飽和磁束密度を有し、４０００Ｏｅ程度の保磁力を有する磁気記録媒体１５の書き換えには影響しない。
【００４１】
さらに、比較例として、１００％Ａｒ雰囲気でのスパッタにより堆積しためっきベース層（第２磁性金属７を材料物質としない。）を準備した。
【００４２】
本第１実施形態では、めっきベース層２の厚さを、３０ｍＡ／ｃｍ2 程度のめっき電流を通電するために必要な厚さ、例えば５０〜２００ｎｍとした。
【００４３】
次いで、再び図１（ａ）を参照して、めっきベース層２上全面にレジストを塗布、パターニングして、開口３ａを有するレジストからなるめっき用マスクを形成する。この開口３ａは、図３（ｂ）に示す磁極層１４を画定する開口のうち磁極部４を画定する部分を表している。即ち、開口３ａは少なくとも磁極部４を含み、ヨーク部１４ａを含めることもできる。ここで、磁極部４の幅Ｗを画定する開口３ａの幅は９０ｎｍとした。
【００４４】
次いで、図１（ｂ）を参照して、めっきベース層２を電極とする電気めっきにより、開口３ａを埋め込む７０％Ｆｅ−３０％Ｃｏ合金からなる第１磁性金属を堆積して、第１磁性金属からなる磁極部４を形成する。なお、ヨーク部１４ａを含む磁極層１４全体をこのめっき工程で形成することもできる。
【００４５】
次いで、図１（ｃ）を参照して、めっき用マスク３を除去する。その後、磁極部４をマスクとしてＡｒイオンによる全面イオンミリングを行い、めっき用マスク３を除去した領域に表出するめっきベース層２をエッチバックして除去する。
【００４６】
このとき、図１（ｄ）を参照して、上記のめっき用マスク３のエッチバックにより、めっき用マスクの材料である第２磁性金属７が磁極部４の側壁面上に付着し、第２磁性金属７からなる厚さ５ｎｍのサイドウォール５が形成された。従って、幅９０ｎｍの磁極部４にサイドウォール５を加えた幅は１００ｎｍになった。
【００４７】
次いで、その後必要な通常の磁気ヘッドの製造工程を経て、下地層１上に第２磁性金属からなるめっき用マスク３を介して第１磁性金属からなる磁極部４が設けられ、その磁極部４の即壁面上に第２磁性金属からなるサイドウォール５が形成された磁気ヘッドが製造される。
【００４８】
次いで、上記工程で製造された磁気ヘッドを用いて、４０００Ｏｅの保磁力を有する磁気記録媒体１５への書込試験を行なった。その結果、５０％Ａｒ−５０％Ｎ2 及び１００％Ｎ2 の雰囲気中で堆積した第２磁性金属をめっきベース層２とする本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドでは、９０ｎｍのトラック幅に対して書込みエラーは発生しなかった。これに対して、１００％Ａｒ雰囲気中で堆積した磁性金属（第１磁性金属６と同じ材料）をめっきベース層２とする比較例の磁気ヘッドでは、９０ｎｍのトラック幅に対して書込エラーを発生した。
【００４９】
上述した第１実施形態に係る磁気ヘッドは垂直記録用であるが、水平記録用の磁気ヘッド（通常の薄膜磁気ヘッド）にも同様に適用することができる。さらに磁気ヘッドの磁気ギャップを規定する非磁性膜を、第１実施形態で説明した第２磁性金属膜により形成することができる。この非磁性膜は、通常、ＮｉＰめっき膜が使用されるが、めっき膜の精密な厚さ制御は難しい。非磁性膜をスパッタにより堆積する第２磁性金属膜とすることで、スパッタによる精密な厚さ制御が可能となる。
【００５０】
上記の本明細書には、以下の付記記載の発明が開示されている。
（付記１）下地層上に形成された第１磁性金属からなる磁極層と、前記磁極層に形成され、磁気記録媒体の記録面に対向してトラック幅を規定する磁極部とを有する磁気ヘッドの製造方法において、
前記下地層上に、飽和磁束密度に磁化した第２磁性金属を前記磁気記録媒体に接触させたとき、前記磁気記録媒体に前記磁気記録媒体の保磁力未満の磁場を印加させる前記第２磁性金属からなるめっきベース層を形成する工程と、
前記めっきベース層上に前記磁極部を画定する開口を有するめっき用マスクを形成する工程と、
前記めっきベース層を電極として、前記めっき用マスクの開口を埋め込む前記第１磁性金属を堆積し、前記１磁性金属からなる前記磁極部を形成するめっき工程と、
次いで、前記めっき用マスクを除去した後、前記磁極部の外側に表出する前記めっきベース層を全面イオンエッチングにより除去するエッチバック工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（付記２）前記第２磁性金属の飽和磁束密度は、０．４Ｔ以下であることを特徴とする付記１記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記３）前記第２磁性金属は、窒素を含有することで飽和磁束密度が小さくされた磁性材料からなることを特徴とする付記１又は２記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記４）前記第２磁性金属は、窒素を含有する前記第１磁性金属からなることを特徴とする付記１、２又は３記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記５）前記めっきベース層を、窒素ガスを含む雰囲気中で磁性材料をターゲットとするスパッタにより形成することを特徴とする付記１、２、３又は４記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記６）前記雰囲気は、窒素ガスを体積比で２５％以上含むＡｒガスであることを特徴とする付記５記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記７）前記めっきベース層は、Ｆｅ基磁性金属、Ｃｏ基磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ基磁性金属又はＦｅ−Ｎｉ基磁性金属からなることを特徴とする付記１、２、３、４、５又は６記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記８）前記めっきベース層は、Ｆｅ−Ｃｏ基磁性金属からなることを特徴とする付記１、２、３、４、５又は６記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記９）下地層上に形成された第１磁性金属からなる磁極層と、前記磁極層に形成され、磁気記録媒体の記録面に対向してトラック幅を規定する磁極部とを有する磁気ヘッドにおいて、
前記磁極部と前記下地層との間に、飽和磁束密度に磁化した第２磁性金属を前記磁気記録媒体に接触させたとき、前記磁気記録媒体に前記磁気記録媒体の保磁力未満の磁場を印加させる前記第２磁性金属からなるめっきベース層が設けられ、
前記磁極部の側面に前記第２磁性金属からなるサイドウォールが形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、磁気ディスク装置の磁気ヘッドに適用することで、トラック幅の狭い高密度磁気記録装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造工程断面図
【図２】本発明の第１実施形態のめっきベース層の磁気特性説明図
【図３】磁気ヘッド構造の説明図
【図４】従来の磁気ヘッドの製造工程断面図
【符号の説明】
【００５３】
１  下地層
２、２２  めっきベース層
３  めっき用マスク
３ａ  開口
４  磁極部
４ａ  対向面
５、２５  サイドウォール
６  第１磁性膜
６ａ  第１磁性膜材料
７  第２磁性膜
１０  磁気ヘッド
１１  絶縁層
１２  シールド層
１３  コイル
１４  磁極層
１４ａ  ヨーク部
１５  磁気記録媒体
１５ａ  記録層
１５ｂ  記録面
１５ｃ  ベース
１６  接続層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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