(57)【要約】【課題】エッチングにより除去した自然酸化膜がサイドウォールなどに再付着しないようにして、電気的特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】三フッ化窒素ガス、フッ化水素ガス、六フッ化二炭素ガス、四フッ化炭素ガスおよび六フッ化硫黄ガスよりなる群から選ばれる少なくとも１種以上のフッ素系ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングを行うことにより、シリコン基板１およびゲート電極３の表面に存在する自然酸化膜５を除去した後、シリコン基板１およびゲート電極３の上に金属シリサイド膜を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記シリコン基板を露出させるコンタクト孔を形成する工程と、
三フッ化窒素ガス、フッ化水素ガス、六フッ化二炭素ガス、四フッ化炭素ガスおよび六フッ化硫黄ガスよりなる群から選ばれる少なくとも１種以上のフッ素系ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記コンタクト孔から露出しているシリコン基板表面の自然酸化膜を除去する工程と、
前記自然酸化膜を除去したシリコン基板上に金属シリサイド膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記フッ素系ガスが前記アルゴンガスに対して０．５体積％以上の濃度で含まれる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属シリサイド膜は、コバルト、チタン、ニッケル、タングステン、モリブデン、クロムおよび白金よりなる群から選ばれる１種の金属とのシリサイドである請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、エッチングにより除去した自然酸化膜が再付着しないようにして、デバイスの電気的特性の低下を防止する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の微細化、高集積度化に伴ってソース・ドレイン領域の拡散抵抗層およびゲート電極抵抗の寄生容量が増大すると、信号伝達遅延を生じて高速化の妨げとなる。そこで、寄生容量を低減することによってデバイスの高速化を図るために、ソース・ドレイン領域およびゲート電極領域を自己整合的に金属シリサイド化する方法が採られている。
【０００３】
図７および図８は、従来のコバルトシリサイド膜を形成する工程の一例を示す図である。図７（ａ）では、シリコン基板２２上に、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２３と、ポリシリコン膜からなるゲート電極２４と、シリコン酸化膜からなるサイドウォール２５が形成されている。
【０００４】
シリコンの表面は活性であるために、大気中では自然に形成された自然酸化膜２６が存在する（図７（ｂ））。そこで、図７（ｃ）に示すように、アルゴン（Ａｒ）ガスを使用したプラズマエッチングを行うことによって、シリコン基板２２およびゲート電極２４の表面に形成された自然酸化膜２６を除去する。続いて、コバルト（Ｃｏ）膜（図８（ｂ）の２７）をスパッタ法で堆積した後、熱処理によるシリサイド化と選択エッチングとアニールとを行うことによって、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉ２）膜（図８（ｃ）の２８）を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上のシリサイド膜形成工程において、本発明者は、鋭意研究した結果、以下の問題点があることを見出した。
【０００６】
コバルト膜２７の堆積前にアルゴンガスを用いた物理的スパッタによって自然酸化膜２６の除去を行うと、図８（ａ）に示すように、エッチングされた自然酸化膜の残留物２９はサイドウォール２５に付着する。自然酸化膜２７を構成する酸化シリコン（ＳｉＯ２）は、アルゴンガスからなるプラズマによって分解されてシリコン（Ｓｉ）を生成するので、残留物２９には、酸化シリコンだけではなくシリコンも含まれている。したがって、この上にコバルト膜２７を成膜すると、図８（ｂ）に示すように、残留物２９中のシリコンがコバルトと反応して、サイドウォール２５の上にコバルトシリサイド２８を形成する。
【０００７】
サイドウォールを構成する酸化シリコンや窒化シリコンはコバルトとは反応しないので、本来、サイドウォールにコバルトシリサイドが形成されることはない。しかしながら、プラズマエッチングの残留物がサイドウォールに付着するとサイドウォール上にもコバルトシリサイドが形成され、電気的な短絡の原因となるという問題があった。
【０００８】
特開平５−２６７２０７号公報には、アルゴンガスを用いてプラズマエッチングを行う際の問題点に着目し、アルゴンガスに加えて反応性のガスを用いてエッチングする方法が開示されている。しかしながら、前記公報はアルゴンガスによるエッチングがシリコン基板に与えるダメージのみを問題としており、エッチングによる残留物の付着に関しては何ら記載されていない。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものである。即ち、本発明は、エッチングにより除去した自然酸化膜がサイドウォールなどに再付着しないようにして、電気的特性に優れた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１にかかる発明は、シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記シリコン基板を露出させるコンタクト孔を形成する工程と、
三フッ化窒素ガス、フッ化水素ガス、六フッ化二炭素ガス、四フッ化炭素ガスおよび六フッ化硫黄ガスよりなる群から選ばれる少なくとも１種以上のフッ素系ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記コンタクト孔から露出しているシリコン基板表面の自然酸化膜を除去する工程と、
前記自然酸化膜を除去したシリコン基板上に金属シリサイド膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
請求項２にかかる発明は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記フッ素系ガスが前記アルゴンガスに対して０．５体積％以上の濃度で含まれることを特徴とする。
【００１２】
請求項３にかかる発明は、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、前記金属シリサイド膜は、コバルト、チタン、ニッケル、タングステン、モリブデン、クロムおよび白金よりなる群から選ばれる１種の金属とのシリサイドであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本願請求項１に記載の発明によれば、シリコン基板上の自然酸化膜は、アルゴンガスおよび三フッ化窒素ガスを用いたプラズマエッチングにより除去されるので、エッチングの残留物が絶縁膜に付着することはない。
【００１４】
本願請求項２に記載の発明によれば、エッチングによる残留物を生じることなしに自然酸化膜を除去することができる。
【００１５】
本願請求項３に記載の発明によれば、エッチングされた自然酸化膜が残留物として再付着することを防止するとともに、寄生容量を低減させてデバイスの高速化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
実施の形態１．
図１および図２を用いて、本実施の形態にかかるシリサイド膜の形成方法について説明する。シリコン基板１上にゲート絶縁膜２を介してゲート電極３を形成した後、ゲート電極３の側面に絶縁膜からなるサイドウォール４を形成し、図１（ａ）の構造とする。ここで、ゲート絶縁膜としては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。また、ゲート電極としてはポリシリコンを用いることができる。さらに、サイドウォールとしては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。サイドウォールは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを組み合わせた多層構造であってもよい。尚、図１および図２では省略しているが、イオン注入によって、シリコン基板１内にはソース・ドレイン領域が形成されている。
【００１８】
まず、塩酸系や水酸化アンモニウム系の薬液を用いてＲＣＡ洗浄を行うことにより、シリコン基板１に付着した金属性不純物やイオン性不純物の他、粒子状不純物を除去する。続いて、フッ酸水溶液やバッファードフッ酸水溶液によりエッチングして表面を清浄にする。
【００１９】
次に、減圧気相成長装置（図示せず）に移載し、装置内部を真空ポンプで排気し減圧状態にした後で、アルゴンガスと三フッ化窒素（ＮＦ３）ガスとの混合ガスを導入してプラズマエッチングを行う（図１（ｂ））。これによりシリコン基板１およびゲート電極３の上に存在する自然酸化膜５が除去されて、図１（ｃ）の構造となる。アルゴンガスに対する三フッ化窒素ガスの割合は０．５体積％以上とする。
【００２０】
次に、再び自然酸化膜が形成されないようにするために真空を維持した状態でコバルト膜６の成膜工程へと移る（図２（ａ））。例えば、自然酸化膜の除去に用いた減圧気相成長装置と同じ装置を用い、導入ガスを変えてコバルト膜を成膜する。成膜後、４００℃〜５００℃程度で熱処理（ランプアニール）することにより、シリコン基板１およびゲート電極３をコバルト膜６と反応させてコバルトシリサイド膜７を形成する（図２（ｂ））。
【００２１】
続いて、未反応のコバルトをシリサイドに対して選択性のあるエッチング液で除去して、図２（ｃ）の構造とする。エッチング液としては、例えばリン酸、硝酸、酢酸および過酸化水素の混合液、硫酸過水または塩酸過水などを用いることができる。さらに、６５０℃〜８５０℃程度の熱処理を少なくとも１回以上行うことによって結晶構造を変化させ、シリサイドの抵抗を下げる。
【００２２】
本実施の形態によれば、自然酸化膜の除去にアルゴンガスと三フッ化窒素ガスとの混合ガスを用いることによって、次のような効果を得ることができる。
【００２３】
アルゴンプラズマにより生じたアルゴンイオンはシリコンに対して不活性であり、この不活性なアルゴンイオンをシリコン基板やゲート電極に衝突させると、これらの表面に存在する自然酸化膜は物理的に除去される。一方、三フッ化窒素ガスは反応性のガスであり、自然酸化膜を形成する酸化シリコンと反応する。すなわち、三フッ化窒素ガスは、シリコン基板やゲート電極の表面に形成された自然酸化膜と反応する他、アルゴンイオンにより物理的に除去された自然酸化膜とも反応する。そして、反応により得られた生成物は蒸発して気体となった後、真空ポンプで減圧気相成長装置の外部に排気される。したがって、本実施の形態によれば、自然酸化膜はアルゴンガスおよび三フッ化窒素ガスを用いたプラズマにより除去されて装置外部に排気されるので、除去された自然酸化膜が残留物としてサイドウォールに付着することはない。
【００２４】
本実施の形態では三フッ化窒素ガスを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、シリコン酸化膜と反応してこれをエッチングできるガスであれば他のガスを用いてもよい。例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガス、六フッ化二炭素（Ｃ２Ｆ６）ガス、四フッ化炭素（ＣＦ４）ガス、六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスなどのフッ素系ガスを用いることができる。
【００２５】
また、本実施の形態では、アルゴンガスに混合するガスとして三フッ化窒素ガスのみを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、シリコン酸化膜と反応するガスを２種類以上組み合わせてアルゴンガスに混合してもよい。混合する反応性ガスの割合は、アルゴンガスに対して０．５体積％以上であるのが好ましい。
【００２６】
実施の形態２．
実施の形態１と同様にして、シリコン基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成した後、ゲート電極の側面に絶縁膜からなるサイドウォールを形成する。ゲート絶縁膜としては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。また、ゲート電極としてはポリシリコンを用いることができる。さらに、サイドウォールとしては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。サイドウォールは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを組み合わせた多層構造であってもよい。また、イオン注入によって、シリコン基板内にソース・ドレイン領域を形成する。
【００２７】
まず、塩酸系や水酸化アンモニウム系の薬液を用いてＲＣＡ洗浄を行うことにより、シリコン基板に付着した金属性不純物やイオン性不純物の他、粒子状不純物を除去する。続いて、フッ酸水溶液やバッファードフッ酸水溶液によりエッチングして表面を清浄にする。
【００２８】
次に、減圧気相成長装置に移載し、装置内部を真空ポンプで排気し減圧状態にした後で、三フッ化窒素ガスプラズマを用いたエッチングを行うことによって自然酸化膜を除去する。このように、本実施の形態においては、アルゴンガスを用いずに三フッ化窒素ガスのみを用いて自然酸化膜を除去することを特徴としている。
【００２９】
次に、再び自然酸化膜が形成されないようにするために真空を維持した状態でコバルト膜の成膜工程へと移る。例えば、自然酸化膜の除去に用いた減圧気相成長装置と同じ装置を用い、導入ガスを変えてコバルト膜を成膜する。成膜後、４００℃〜５００℃程度で熱処理（ランプアニール）することにより、シリコン基板およびゲート電極をコバルト膜と反応させてコバルトシリサイド膜を形成する。
【００３０】
続いて、未反応のコバルトをシリサイドに対して選択性のあるエッチング液で除去する。エッチング液としては、例えばリン酸、硝酸、酢酸および過酸化水素の混合液、硫酸過水または塩酸過水などを用いることができる。さらに、６５０℃〜８５０℃程度の熱処理を少なくとも１回以上行うことによって結晶構造を変化させ、シリサイドの抵抗を下げる。
【００３１】
本実施の形態によれば、自然酸化膜の除去に三フッ化窒素ガスを用いることによって、次のような効果を得ることができる。
【００３２】
アルゴンガスを用いたスパッタエッチングでは、シリコン基板やゲート電極にアルゴンイオンが衝突することによって、これらの表面がダメージを受けるおそれがある。一方、三フッ化窒素ガスを用いた場合には、酸化シリコンとの化学反応によりエッチングが進行するので、シリコン基板やゲート絶縁膜がダメージを受けるおそれを低減させることができる。また、エッチングされた自然酸化膜がサイドウォールに残留物として付着する問題を解消することもできる。
【００３３】
本実施の形態では三フッ化窒素ガスを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、シリコン酸化膜と反応してこれをエッチングできるガスであれば他のガスを用いてもよい。例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガス、六フッ化二炭素（Ｃ２Ｆ６）ガス、四フッ化炭素（ＣＦ４）ガス、六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスなどのフッ素を含有したガスを用いることができる。
【００３４】
また、本実施の形態では、三フッ化窒素ガスのみを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、シリコン酸化膜と反応するガスを２種類以上組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
実施の形態３．
図３および図４を用いて、本実施の形態にかかるシリサイド膜の形成方法について説明する。シリコン基板８上にゲート絶縁膜９を介してゲート電極１０を形成した後、ゲート電極１０の側面に絶縁膜からなるサイドウォール１１を形成し、図３（ａ）の構造とする。ここで、ゲート絶縁膜としては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。また、ゲート電極としてはポリシリコンを用いることができる。さらに、サイドウォールとしては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。サイドウォールは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを組み合わせた多層構造であってもよい。尚、図３および図４では省略しているが、イオン注入によって、シリコン基板８内にはソース・ドレイン領域が形成されている。
【００３６】
まず、塩酸系や水酸化アンモニウム系の薬液を用いてＲＣＡ洗浄を行うことにより、シリコン基板８に付着した金属性不純物やイオン性不純物の他、粒子状不純物を除去する。続いて、フッ酸水溶液やバッファードフッ酸水溶液によりエッチングして表面を清浄にする。
【００３７】
次に、減圧気相成長装置（図示せず）に移載し、装置内部を真空ポンプで排気し減圧状態にする。その後、アルゴンガスを導入してプラズマエッチングを行うことにより、シリコン基板８およびゲート電極１０の表面の自然酸化膜１２を除去する（図３（ｂ））。しかしながら、アルゴンガスによるエッチングのみでは、図３（ｃ）に示すように、サイドウォール１１上にエッチングの残留物１３が付着している。そこで、本実施の形態においては、アルゴンガスによるエッチングに続いて、例えば２００倍に希釈したフッ酸水溶液でエッチングすることによって、残留物１３を除去することを特徴としている。具体的には、フッ酸水溶液は酸化シリコンを溶解するので、下地のサイドウォール１１をエッチングしてリフトオフすることによって残留物１３を除去する。フッ酸水溶液の代わりにバッファードフッ酸水溶液を用いてもよい。
【００３８】
次に、再び自然酸化膜が形成されないようにするために真空を維持した状態でコバルト膜１４の成膜工程へと移る（図４（ａ））。例えば、自然酸化膜の除去に用いた減圧気相成長装置と同じ装置を用い、導入ガスを変えてコバルト膜を成膜する。成膜後、４００℃〜５００℃程度で熱処理（ランプアニール）することにより、シリコン基板８およびゲート電極１０をコバルト膜１４と反応させてコバルトシリサイド膜１５を形成する（図４（ｃ））。
【００３９】
続いて、未反応のコバルトをシリサイドに対して選択性のあるエッチング液で除去して、図４（ｄ）の構造とする。エッチング液としては、例えばリン酸、硝酸、酢酸および過酸化水素の混合液、硫酸過水または塩酸過水などを用いることができる。さらに、６５０℃〜８５０℃程度の熱処理を少なくとも１回以上行うことによって結晶構造を変化させ、シリサイドの抵抗を下げる。
【００４０】
本実施の形態によれば、自然酸化膜の除去にアルゴンガスを用いたプラズマエッチングの後に、フッ酸水溶液またはバッファードフッ酸水溶液を用いたエッチングを行うことによって、プラズマエッチングによる残留物を除去することができる。また、フッ酸水溶液およびバッファードフッ酸水溶液は、一般にＲＣＡ洗浄とともに洗浄に用いられる溶液であるので、新たな装置等を導入する必要がなくコスト的にも有利である。
【００４１】
実施の形態４．
実施の形態１〜３においては、拡散層上のシリコン基板およびゲート電極の上にシリサイド膜を形成する例について示した。本実施の形態においては、シリコン基板と外部配線とを接続するコンタクトにシリサイド膜を形成する場合について述べる。この場合においても本発明を適用することができる。
【００４２】
図５（ａ）は、シリコン基板１６の上にコンタクト孔１７を有する絶縁膜１８が形成された状態を示している。絶縁膜１８としては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。また、絶縁膜１８は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを組み合わせた多層構造であってもよい。コンタクト孔１７の底部にはシリコン基板１６が露出しているために、表面に自然酸化膜１９が形成されている（図５（ｂ））。したがって、これを減圧気相成長装置（図示せず）に移載し、装置内部を真空ポンプで排気し減圧状態にした後で、アルゴンガスと三フッ化窒素（ＮＦ３）ガスとの混合ガスを導入してプラズマエッチングを行う（図５（ｃ））。これによりシリコン基板１６の上に存在する自然酸化膜１９が除去されて、図５（ｄ）の構造となる。アルゴンガスに対する三フッ化窒素ガスの割合は０．５体積％以上とする。
【００４３】
次に、再び自然酸化膜が形成されないようにするために真空を維持した状態でコバルト膜２０の成膜工程へと移る（図６（ａ））。例えば、自然酸化膜の除去に用いた減圧気相成長装置と同じ装置を用い、導入ガスを変えてコバルト膜を成膜する。成膜後、４００℃〜５００℃程度で熱処理（ランプアニール）することにより、シリコン基板１６をコバルト膜２０と反応させてコバルトシリサイド膜２１を形成する（図６（ｂ））。
【００４４】
続いて、未反応のコバルトをシリサイドに対して選択性のあるエッチング液で除去して、図６（ｃ）の構造とする。エッチング液としては、例えばリン酸、硝酸、酢酸および過酸化水素の混合液、硫酸過水または塩酸過水などを用いることができる。さらに、６５０℃〜８５０℃程度の熱処理を少なくとも１回以上行うことによって結晶構造を変化させ、シリサイドの抵抗を下げる。
【００４５】
本実施の形態によれば、自然酸化膜の除去にアルゴンガスと三フッ化窒素ガスとの混合ガスを用いることによって、次のような効果を得ることができる。
【００４６】
アルゴンガスのみを用いてプラズマエッチングを行った場合には、実施の形態１〜３で述べたのと同様に、プラズマエッチングによる残留物が絶縁膜１８に付着して短絡の原因となる。そこで、アルゴンガスと三フッ化窒素ガスとの混合ガスを用いてエッチングすることにより、自然酸化膜を物理的に除去するとともに化学的にも除去し、絶縁膜上に残留物が付着するのを防止することができる。
【００４７】
本実施の形態では三フッ化窒素ガスを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、シリコン酸化膜と反応してこれをエッチングできるガスであれば他のガスを用いてもよい。例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガス、六フッ化二炭素（Ｃ２Ｆ６）ガス、四フッ化炭素（ＣＦ４）ガス、六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスなどのフッ素系ガスを用いることができる。
【００４８】
また、本実施の形態では、アルゴンガスに混合するガスとして三フッ化窒素ガスのみを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、シリコン酸化膜と反応するガスを２種類以上組み合わせてアルゴンガスに混合してもよい。混合する反応性ガスの割合は、アルゴンガスに対して０．５体積％以上であるのが好ましい。
【００４９】
さらに、本実施の形態ではアルゴンガスと三フッ化窒素ガスを用いたエッチングについて述べたが、該エッチングに代えて、三フッ化窒素ガス、フッ化水素ガス、六フッ化二炭素ガス、四フッ化炭素ガスおよび六フッ化硫黄ガスよりなる群から選ばれる少なくとも１種以上のフッ素系ガスを用いたプラズマエッチング（実施の形態２と同様のエッチング）であってもよい。さらに、アルゴンガスによるエッチングと、これに続くフッ酸水溶液またはバッファードフッ酸水溶液を用いたエッチング（実施の形態３と同様のエッチング）であってもよい。これらのエッチングを行った場合であっても、絶縁膜上に残留物が付着するのを防止することができる。
【００５０】
尚、上記の実施の形態１〜４においては、シリコン基板やゲート絶縁膜の上にコバルト膜を形成し、このコバルト膜をシリコン基板やゲート絶縁膜と反応させてコバルトシリサイド膜を形成する例について述べたが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、シリコン基板やゲート絶縁膜の上にチタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）または白金（Ｐｔ）などの高融点を有する金属の薄膜を形成し、該金属をシリコン基板やゲート絶縁膜と反応させて、チタンシリサイド、ニッケルシリサイド、タングステンシリサイド、モリブデンシリサイド、クロムシリサイドまたは白金シリサイドなどのメタルシリサイドを形成する工程にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施の形態１にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。
【図２】実施の形態１にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。
【図３】実施の形態３にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。
【図４】実施の形態３にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。
【図５】実施の形態４にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。
【図６】実施の形態４にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。
【図７】従来の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図８】従来の半導体装置の製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１，８，１６，２２  シリコン基板、  ２，９，２３  ゲート絶縁膜、  ３，１０，２４  ゲート電極、  ４，１１，２５  サイドウォール、  ５，１２，１９，２６  自然酸化膜、  ６，１４，２０，２７  コバルト膜、  ７，１５，２１，２８  コバルトシリサイド膜、  １３，２９  残留物、  １７  接続孔、  １８  絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2007294994.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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