(57)【要約】【課題】  飽和状態からの復帰が早く、かつ、ダイナミックレンジを大きくすることができる受光増幅回路及び光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】  受光増幅回路１は、増幅回路１０の増幅器Ａの反転入力端子に接続された電圧制御回路１１を備える。電圧制御回路１１は、カソードが増幅器Ａの反転入力端子に接続されると共に、アノードが直流電圧供給点Ｖｔｈに接続されるダイオードＤ１を含んでいる。電圧制御回路１１は、直流電圧供給点Ｖｔｈの電位と、ダイオードＤ１の順方向電圧との差によって、増幅器Ａの反転入力端子の電位についての閾値を規定する。そして、電圧制御回路１１は、増幅器Ａの反転入力端子の電位が閾値より低下したときに、増幅器Ａの反転入力端子の電位が閾値まで復帰するように、電圧を供給する。【選択図】  図１
2007019793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光の強度に応じた電圧を出力する受光増幅回路であって、
前記入射光の強度に応じた電流信号を出力する受光部と、
ベースまたはゲートが前記受光部に接続される第１のトランジスタと、ベースまたはゲートが所定の基準電圧供給点に接続される第２のトランジスタとからなる差動トランジスタ対を含み、前記受光部から出力された電流信号に応じた電圧を出力する増幅回路と、
前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されて、前記差動トランジスタ対がオフする電圧より高い所定の閾値を規定し、前記第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位が前記閾値より低下したときに、前記第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位が前記閾値となるように電圧を供給する電圧供給回路とを備える、受光増幅回路。
【請求項２】
前記閾値は、接地電位より大きく、かつ、前記基準電圧供給点の電位より小さくなるように設定されることを特徴とする、請求項１に記載の受光増幅回路。
【請求項３】
前記閾値は、前記基準電圧供給点の電位が降下するのに伴って、降下することを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項４】
前記電圧制御回路は、カソードが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、アノードが電圧供給点に接続されるダイオードを含むことを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項５】
前記電圧制御回路は、
その一方端が電圧供給点に接続される第１の抵抗と、
その一方端が前記第１の抵抗の他方端に接続されると共に、その他方端が接地電圧点に接続される第２の抵抗と、
カソードが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、アノードが前記第１の抵抗の前記他方端に接続されるダイオードとを含むことを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項６】
前記電圧制御回路は、
その一方端が電圧供給点に接続される第１の抵抗と、
その一方端が前記第１の抵抗の他方端に接続されると共に、その他方端が接地電圧点に接続される第２の抵抗と、
エミッタが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、コレクタが電圧供給点に接続され、ベースが前記第１の抵抗の前記他方端に接続される第３のトランジスタとを含むことを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項７】
前記電圧制御回路は、
その一方端が前記基準電圧供給点に接続される抵抗と、
エミッタが前記第１の抵抗の他方端に接続され、コレクタが電圧供給点に接続され、ベースが前記抵抗の他方端に接続される第３のトランジスタとを含むことを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項８】
前記電圧制御回路は、アノードが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、カソードが基準電圧供給点に接続される定電圧ダイオードを含むことを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項９】
前記電圧制御回路は、ソースが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、ドレインが前記閾値電圧点に接続され、ゲートがドレインに接続される電界効果型の第３のトランジスタを含むことを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項１０】
前記電圧制御回路は、
エミッタが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、コレクタが電圧供給点に接続されるトランジスタと、
入力端子が基準電圧点に接続され、出力端子が前記第３のトランジスタのベースに接続されるバッファアンプとを含むことを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項１１】
光ディスク媒体からの反射光の強度に応じた電圧を出力する光ピックアップ装置であって、
前記反射光の強度に応じた電流信号を出力する受光部と、
ベースまたはゲートが前記受光部に接続される第１のトランジスタと、ベースまたはゲートが所定の基準電圧供給点に接続される第２のトランジスタとからなる差動トランジスタ対を含み、前記受光部から出力された電流信号に応じた電圧を出力する増幅回路と、
前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されて、前記差動トランジスタ対がオフする電圧より高い所定の閾値を規定し、前記第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位が前記閾値より低下したときに、前記第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位が前記閾値となるように電圧を供給する電圧供給回路とを備える、光ピックアップ装置。
【請求項１２】
前記閾値は、接地電位より大きく、かつ、前記基準電圧供給点の電位より小さくなるように設定されることを特徴とする、請求項１１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１３】
前記閾値は、前記基準電圧供給点の電位が降下するのに伴って、降下することを特徴とする、請求項１２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１４】
前記電圧制御回路は、カソードが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、アノードが電圧供給点に接続されるダイオードを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１５】
前記電圧制御回路は、
その一方端が電圧供給点に接続される第１の抵抗と、
その一方端が前記第１の抵抗の他方端に接続されると共に、その他方端が接地電圧点に接続される第２の抵抗と、
カソードが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、アノードが前記第１の抵抗の前記他方端に接続されるダイオードとを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１６】
前記電圧制御回路は、
その一方端が電圧供給点に接続される第１の抵抗と、
その一方端が前記第１の抵抗の他方端に接続されると共に、その他方端が接地電圧点に接続される第２の抵抗と、
エミッタが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、コレクタが電圧供給点に接続され、ベースが前記第１の抵抗の前記他方端に接続される第３のトランジスタとを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１７】
前記電圧制御回路は、
その一方端が前記基準電圧供給点に接続される抵抗と、
エミッタが前記第１の抵抗の他方端に接続され、コレクタが電圧供給点に接続され、ベースが前記抵抗の他方端に接続される第３のトランジスタとを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１８】
前記電圧制御回路は、アノードが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、カソードが基準電圧供給点に接続される定電圧ダイオードを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１９】
前記電圧制御回路は、ソースが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、ドレインが前記閾値電圧点に接続され、ゲートがドレインに接続される電界効果型の第３のトランジスタを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項２０】
前記電圧制御回路は、
エミッタが前記第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、コレクタが電圧供給点に接続されるトランジスタと、
入力端子が基準電圧点に接続され、出力端子が前記第３のトランジスタのベースに接続されるバッファアンプとを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光増幅回路及び光ピックアップ装置に関し、より特定的には、入射光の強度に応じた電圧を出力する受光増幅回路及びこれを用いた光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１２は、従来の受光増幅回路の回路図である。図１２に示される受光増幅回路８１は、受光素子ＰＤ１と、増幅器Ａと、帰還抵抗Ｒｇ−ａと、基準抵抗Ｒｒｅｆ−ａと、ダイオードＤ２とを備える。
【０００３】
受光素子ＰＤ１は、入射光の強度に応じた光電流Ｉｉｎを発生する。受光素子ＰＤ１のカソードは、増幅器Ａの反転入力端子に接続され、受光素子ＰＤ１のアノードは、接地電圧点ＧＮＤに接続されている。
【０００４】
帰還抵抗Ｒｇ−ａは、負帰還ループを形成するように、増幅器Ａの反転入力端子と出力端子との間に接続されている。また、基準抵抗Ｒｒｅｆ−ａは、増幅器Ａの非反転入力端子と、基準電圧源Ｖｒｅｆとの間に接続されている。
【０００５】
ダイオードＤ２は、帰還抵抗Ｒｇ−ａと並列に配置され、カソードが帰還抵抗Ｒｇ−ａの一方端と接続点ｃにおいて接続され、アノードが帰還抵抗Ｒｇ−ａの他方端と接続点ｄにおいて接続されている。
【０００６】
増幅器Ａの出力電圧Ｖｏは、受光素子ＰＤ１への入射光の強度が大きくなるにつれて増加する。しかしながら、上記のような受光増幅回路８１においては、受光素子ＰＤ１への入射光に応じて光電流Ｉｉｎが増加しても、ダイオードＤ２の両端の電圧は、ダイオードＤ２の順方向電圧Ｖｆ（例えば、０．７Ｖ）に維持される。すなわち、受光増幅回路８１において、受光素子ＰＤ１への入射光の強度が大きくなっても、増幅器Ａの出力電圧は、（Ｖｒｅｆ＋Ｖｆ）にクランプされる。このような受光増幅回路８１によれば、増幅器Ａが飽和することが抑制されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−２４２７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のようなダイオードＤ２が含まれていない受光増幅回路においては、増幅器Ａが飽和する程度以上に入射光の強度が大きくなると、光電流Ｉｉｎの増加に伴って、帰還抵抗Ｒｇ−ａによる電圧降下が大きくなる。この結果、増幅器Ａの反転入力端子の電位は、接地電位以下に低下することがある。増幅器Ａの一対の入力端子が差動トランジスタ対によって構成されている場合、増幅器Ａの反転入力端子の電位が接地電位以下に低下すると、差動トランジスタがオフするため、増幅器Ａの飽和状態からの復帰が遅れる要因となる。上記のような従来の受光増幅回路８１によれば、増幅器Ａが飽和しないため、増幅器Ａの飽和状態からの復帰が遅延することは、回避される。
【０００８】
しかしながら、上記のような従来の受光増幅回路８１においては、次のような問題がある。
【０００９】
まず、ダイオードＤ２によって増幅器Ａの飽和が抑制されるものの、増幅器Ａの出力電圧の上限が（Ｖｒｅｆ＋Ｖｆ）に制限される。これにより、受光増幅回路８１のダイナミックレンジが所定の範囲に制限されるため、受光増幅回路８１のＳ／Ｎ比を向上させることができない。
【００１０】
また、ダイオードＤ２がオンであるとき、ダイオードＤ２を流れる電流は、増幅器Ａの出力端子から供給される。受光素子ＰＤ１への入射光の強度に応じて増幅器Ａの出力電圧が大きくなると、ダイオードＤ２に流れる電流が増加するので、ダイオードＤ２へとより大きな電流を供給するために、増幅器Ａの電流供給能力を大きくする必要がある。そうすると、増幅器Ａを構成するトランジスタ数が増加することによって、増幅器Ａの素子のサイズが大きくなってしまう。
【００１１】
更に、ダイオードＤ２がオンになると、増幅器Ａの開ループゲインが低下し、発振するという問題もある。以下、この点について詳細に説明する。
【００１２】
図１３は、図１２に示される増幅器の周波数特性を示す図である。図１３において、実線は、ダイオードＤ２がオフの場合における増幅器Ａの開ループゲインを示し、破線は、ダイオードＤ２がオンの場合における増幅器Ａの開ループゲインを示す。また、図１３において、二点鎖線は、出力信号の位相変移を示す。
【００１３】
ダイオードＤ２がオフの場合には、増幅器Ａの開ループゲインは、帰還抵抗Ｒｇ−ａによって規定されている。このとき、増幅器Ａの開ループゲインは、図１３の実線で示される特性を示す。一方、ダイオードＤ２がオンになると、増幅器Ａの開ループゲインは、帰還抵抗Ｒｇ−ａと、ダイオードＤ２のオン抵抗との並列和によって規定される。このとき、増幅器Ａのゲインは、ダイオードＤ２がオフの場合と比べて、高周波側にシフトする。ダイオードＤ２がオフからオンに変化すると、増幅器Ａの開ループゲインが０ｄＢのときの位相余裕は、ＭｏｆｆからＭｏｎへと大きく減少する。この結果、フィードバック回路の動作が不安定となり、増幅器Ａが発振してしまう。
【００１４】
図１２に示される受光増幅回路８１においては、ダイオードＤ２によって、以上のような問題が生じるため、帰還抵抗Ｒｇ−ａと並列にダイオードＤ２が接続されないことが望ましい。
【００１５】
それ故に、本発明の目的は、飽和状態からの復帰が早く、かつ、ダイナミックレンジを大きくすることができる受光増幅回路及び光ピックアップ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
第１の発明は、入射光の強度に応じた電圧を出力する受光増幅回路であって、入射光の強度に応じた電流を出力する受光部と、ベースまたはゲートが受光部に接続される第１のトランジスタと、ベースまたはゲートが所定の基準電圧供給点に接続される第２のトランジスタとからなる差動トランジスタ対を含み、受光部から出力された電流に応じた電圧を出力する増幅回路と、第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されて、差動トランジスタ対がオフする電圧より高い所定の閾値を規定し、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位が閾値より低下したときに、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位が閾値となるように電圧を供給する電圧供給回路とを備える。
【００１７】
このような構成によれば、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位は、所定の閾値以上に維持されるため、増幅回路の差動トランジスタ対がオフすることを回避することが可能となる。この結果、増幅回路が飽和状態から非飽和状態へと復帰するために要する時間を短くすることが可能となる。また、増幅回路の出力電圧は、制限されないため、増幅回路のダイナミックレンジを向上させることが可能となる。
【００１８】
この場合、閾値は、接地電位より大きく、かつ、基準電圧供給点の電位より小さくなるように設定されるのがより好ましい。
【００１９】
このような構成によれば、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位は、接地電位と基準電圧供給点の電位との間に維持されるため、第１のトランジスタのベース電位が接地電位より低くなることがない。これにより、例えばＩＣ内部で寄生ＰＮ接合がオンすることがないため、受光増幅回路の動作の安定性が向上する。
【００２０】
また、閾値は、基準電圧供給点の電位が降下するのに伴って、降下するようにしても良い。
【００２１】
このような構成によれば、基準電圧供給点の電位変動に応答して、適切な閾値が設定されるため、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位をより確実に閾値に維持することが可能となる。つまり、閾値が固定されている場合において、基準電圧供給点の電位を低下させたときに、第１のトランジスタのベース電位が閾値より低下することによって、受光部への入射光にかかわらず受光増幅回路が動作してしまうという不具合を回避できる。また、基準電圧供給点の電位を低くすることができるので、増幅回路のダイナミックレンジを向上させることが可能となる。
【００２２】
また、電圧制御回路は、カソードが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、アノードが電圧供給点に接続されるダイオードを含んでも良い。
【００２３】
また、電圧制御回路は、その一方端が電圧供給点に接続される第１の抵抗と、その一方端が第１の抵抗の他方端に接続されると共に、その他方端が接地電圧点に接続される第２の抵抗と、カソードが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、アノードが第１の抵抗の他方端に接続されるダイオードとを含んでも良い。
【００２４】
このような構成によれば、ダイオードのアノードに印加される電圧の大きさは、第１及び第２の抵抗による分圧によって規定されるため、第１及び第２の抵抗の大きさによって、閾値を所望の値に設定することが可能となる。
【００２５】
また、電圧制御回路は、その一方端が電圧供給点に接続される第１の抵抗と、その一方端が第１の抵抗の他方端に接続されると共に、その他方端が接地電圧点に接続される第２の抵抗と、エミッタが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、コレクタが電圧供給点に接続され、ベースが第１の抵抗の他方端に接続される第３のトランジスタとを含んでも良い。
【００２６】
このような構成によれば、第３のトランジスタのベース電流によって、第３のトランジスタのベース−エミッタ間電圧が変動しないため、閾値を一定に維持することが可能となる。
【００２７】
また、電圧制御回路は、その一方端が基準電圧供給点に接続される抵抗と、エミッタが第１の抵抗の他方端に接続され、コレクタが電圧供給点に接続され、ベースが抵抗の他方端に接続される第３のトランジスタとを含んでも良い。
【００２８】
このような構成によれば、基準電圧供給点の電位が変動するのに伴って、第３のトランジスタのベース電位が変動するため、閾値を基準電圧供給点に応じた最適な値に設定することが可能となる。
【００２９】
また、電圧制御回路は、アノードが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、カソードが基準電圧供給点に接続される定電圧ダイオードを含んでも良い。
【００３０】
このような構成によれば、閾値は、基準電圧供給点と定電圧ダイオードの降伏電圧とによって規定されるため、定電圧ダイオードの特性によって、所望の閾値を設定することが可能となる。
【００３１】
また、電圧制御回路は、ソースが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、ドレインが閾値電圧点に接続され、ゲートがドレインに接続される電界効果型の第３のトランジスタを含んでも良い。
【００３２】
このような構成によれば、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位についての閾値は、電界効果型の第３のトランジスタの閾値電圧によって規定されるため、第３のトランジスタの特性によって閾値を微調整することが可能となる。
【００３３】
また、電圧制御回路は、エミッタが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、コレクタが電圧供給点に接続されるトランジスタと、入力端子が基準電圧点に接続され、出力端子が第３のトランジスタのベースに接続されるバッファアンプとを含んでも良い。
【００３４】
このような構成によれば、第３のトランジスタのベースから見たインピーダンスが大きくなるので、基準電圧供給点から電流を取り出すことによって他の部分に影響が生じるような場合であっても、第３のトランジスタのベースの電位を安定させることが可能となる。
【００３５】
第２の発明は、光ディスク媒体からの反射光の強度に応じた電圧を出力する光ピックアップ装置であって、反射光の強度に応じた電流を出力する受光部と、ベースまたはゲートが受光部に接続される第１のトランジスタと、ベースまたはゲートが所定の基準電圧供給点に接続される第２のトランジスタとからなる差動トランジスタ対を含み、受光部から出力された電流に応じた電圧を出力する増幅回路と、第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されて、差動トランジスタ対がオフする電圧より高い所定の閾値を規定し、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位が閾値より低下したときに、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位が閾値となるように電圧を供給する電圧供給回路とを備える。
【００３６】
このような構成によれば、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位は、所定の閾値以上に維持されるため、増幅回路の差動トランジスタ対がオフすることを回避することが可能となる。この結果、光ピックアップ装置の増幅回路が飽和状態から非飽和状態へと復帰するために要する時間を短くすることが可能となる。また、光ピックアップ装置の増幅回路の出力電圧は、制限されないため、増幅回路のダイナミックレンジを向上させることが可能となる。
【００３７】
この場合、閾値は、接地電位より大きく、かつ、基準電圧供給点の電位より小さくなるように設定されても良い。
【００３８】
このような構成によれば、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位は、接地電位と基準電圧供給点の電位との間に維持されるため、第１のトランジスタのベース電位が接地電位より低くなることがない。これにより、例えばＩＣ内部で寄生ＰＮ接合がオンすることがないため、光ピックアップ装置の動作の安定性が向上する。
【００３９】
また、閾値は、基準電圧供給点の電位が降下するのに伴って、降下するようにしても良い。
【００４０】
このような構成によれば、基準電圧供給点の電位変動に応答して、適切な閾値が設定されるため、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位をより確実に閾値に維持することが可能となる。つまり、閾値が固定されている場合において、基準電圧供給点の電位を低下させたときに、第１のトランジスタのベース電位が閾値より低下することによって、受光部への入射光にかかわらず受光増幅回路が動作してしまうという不具合を回避できる。また、基準電圧供給点の電位を低くすることができるので、増幅回路のダイナミックレンジを向上させることが可能となる。
【００４１】
また、電圧制御回路は、カソードが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、アノードが電圧供給点に接続されるダイオードを含んでも良い。
【００４２】
また、電圧制御回路は、その一方端が電圧供給点に接続される第１の抵抗と、その一方端が第１の抵抗の他方端に接続されると共に、その他方端が接地電圧点に接続される第２の抵抗と、カソードが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、アノードが第１の抵抗の他方端に接続されるダイオードとを含んでも良い。
【００４３】
このような構成によれば、ダイオードのアノードに印加される電圧の大きさは、第１及び第２の抵抗による分圧によって規定されるため、第１及び第２の抵抗の大きさによって、閾値を所望の値に設定することが可能となる。
【００４４】
また、電圧制御回路は、その一方端が電圧供給点に接続される第１の抵抗と、その一方端が第１の抵抗の他方端に接続されると共に、その他方端が接地電圧点に接続される第２の抵抗と、エミッタが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、コレクタが電圧供給点に接続され、ベースが第１の抵抗の他方端に接続される第３のトランジスタとを含んでも良い。
【００４５】
このような構成によれば、第３のトランジスタのベース電流によって、第３のトランジスタのベース−エミッタ間電圧が変動しないため、閾値を一定に維持することが可能となる。
【００４６】
また、電圧制御回路は、その一方端が基準電圧供給点に接続される抵抗と、エミッタが第１の抵抗の他方端に接続され、コレクタが電圧供給点に接続され、ベースが抵抗の他方端に接続される第３のトランジスタとを含んでも良い。
【００４７】
このような構成によれば、基準電圧供給点の電位が変動するのに伴って、第３のトランジスタのベース電位が変動するため、閾値を基準電圧供給点に応じた最適な値に設定することが可能となる。
【００４８】
また、電圧制御回路は、アノードが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、カソードが基準電圧供給点に接続される定電圧ダイオードを含んでも良い。
【００４９】
このような構成によれば、閾値は、基準電圧供給点と定電圧ダイオードの降伏電圧とによって規定されるため、定電圧ダイオードの特性によって、所望の閾値を設定することが可能となる。
【００５０】
また、電圧制御回路は、ソースが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、ドレインが閾値電圧点に接続され、ゲートがドレインに接続される電界効果型の第３のトランジスタを含んでも良い。
【００５１】
このような構成によれば、第１のトランジスタのベースまたはゲートの電位についての閾値は、電界効果型の第３のトランジスタの閾値電圧によって規定されるため、第３のトランジスタの特性によって閾値を微調整することが可能となる。
【００５２】
また、電圧制御回路は、エミッタが第１のトランジスタのベースまたはゲートに接続されると共に、コレクタが電圧供給点に接続されるトランジスタと、入力端子が基準電圧点に接続され、出力端子が第３のトランジスタのベースに接続されるバッファアンプとを含んでも良い。
【００５３】
このような構成によれば、第３のトランジスタのベースから見たインピーダンスが大きくなるので、基準電圧供給点から電流を取り出すことによって他の部分に影響が生じるような場合であっても、第３のトランジスタのベースの電位を安定させることが可能となる。
【発明の効果】
【００５４】
本発明によれば、受光素子への入射光の強度が、増幅回路を飽和させる強度から、飽和させない強度に変化したときに、飽和状態からの復帰が早く、かつ、ダイナミックレンジを大きくすることが可能な受光増幅回路及び光ピックアップ装置を構成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る受光増幅回路の回路図である。図１に示される受光増幅回路１は、受光素子ＰＤ１と、増幅回路１０と、電圧制御回路１１とを備える。
【００５６】
受光素子ＰＤ１は、入射光の強度に応じた電流信号を出力する。受光素子ＰＤ１のカソードは、増幅回路１０の増幅器Ａの反転入力端子に接続され、受光素子ＰＤ１のアノードは、接地電圧点ＧＮＤに接続されている。
【００５７】
増幅回路１０は、増幅器Ａと、帰還抵抗Ｒｇ−ａと、抵抗Ｒｒｅｆ−ａとを備える。増幅器Ａは、差動トランジスタ対を構成する第１及び第２のトランジスタを含む（図示せず）。本実施形態においては、第１の及び第２のトランジスタの各々のベースが、反転入力端子及び非反転入力端子に相当する。帰還抵抗Ｒｇ−ａの一方端は、増幅器Ａの反転入力端子に接続され、帰還抵抗Ｒｇ−ａの他方端は、増幅器Ａの出力端子に接続されている。また、抵抗Ｒｒｅｆ−ａの一方端は、増幅器Ａの非反転入力端子に接続され、抵抗Ｒｒｅｆ−ａの他方端は、基準電圧供給点Ｖｒｅｆに接続されている。抵抗Ｒｒｅｆ−ａは、増幅器Ａの反転入力端子から見たインピーダンスと、非反転入力端子から見たインピーダンスとを一致させるために、帰還抵抗Ｒｇ−ａと同一の抵抗値を有する。
【００５８】
電圧制御回路１１は、増幅回路１０の増幅器Ａの反転入力端子に接続されている。より詳細には、本実施形態に係る電圧制御回路１１は、カソードが増幅器Ａの反転入力端子に接続されると共に、アノードが所定の直流電圧供給点Ｖｔｈに接続されるダイオードＤ１を含んでいる。電圧制御回路１１は、直流電圧供給点ＶｔｈとダイオードＤ１の順方向電圧Ｖｆ（例えば、０．７Ｖ）とによって、増幅器Ａの反転入力端子の電位についての閾値（Ｖｔｈ−Ｖｆ）を規定する。増幅器Ａの反転入力端子の電位が、閾値（Ｖｔｈ−Ｖｆ）よりも低くなったときに、電圧制御回路１１は、ダイオードＤ１がオンになることによって、増幅器Ａの反転入力端子が閾値（Ｖｔｈ−Ｖｆ）の電位と等しくなるように、増幅器Ａの反転入力端子に電圧を印加することができる。これにより、増幅器Ａの反転入力端子の電位は、閾値以上に維持される。
【００５９】
図２は、図１に示される受光増幅回路における増幅器の出力端子及び反転入力端子の電位を示す図である。図２において、実線は、図１に示される増幅器Ａの出力端子及び反転入力端子の電位を示す。また、破線は、比較のために、本実施形態に係る電圧制御回路１１が含まれない場合における増幅器Ａの反転入力端子の電位を示す。
【００６０】
まず、受光素子ＰＤ１への入射光の強度に応じた光電流Ｉｉｎと、増幅器Ａの出力端子の電位との関係について説明する。受光素子ＰＤ１へと光が入射していない場合には、増幅器Ａの出力電圧Ｖｏは、基準電圧Ｖｒｅｆとほぼ等しい。受光素子ＰＤ１へと光が入射すると、増幅器Ａの出力電圧は、受光素子ＰＤ１によって生じた光電流Ｉｉｎに比例して増加する。受光素子ＰＤ１によって生じる光電流Ｉｉｎが所定のＩｉｎ１まで増加すると、増幅器Ａの出力は、最大出力電圧Ｖｏｍａｘに達し、増幅器Ａは、飽和する。尚、増幅器Ａのダイナミックレンジは、増幅器Ａの出力段の回路方式によって規定されている。
【００６１】
次に、光電流Ｉｉｎと、増幅器Ａの反転入力端子の電位との関係について説明する。増幅器Ａの一対の入力端子は、仮想短絡状態であるため、受光素子ＰＤ１によって生じる光電流Ｉｉｎが所定のＩｉｎ１より小さい場合には、反転入力端子の電圧は、基準電圧Ｖｒｅｆにほぼ等しい。受光素子ＰＤ１への入射光の強度が増加すると、増幅器Ａの出力端子からより多くの光電流Ｉｉｎが供給される。光電流ＩｉｎがＩｉｎ１より多くなると、帰還抵抗Ｒｇ−ａによる電圧降下によって、増幅器Ａの反転入力端子の電位が低下する。光電流ＩｉｎがＩｉｎ２より多くなると、増幅器Ａの反転入力の電位は、電圧制御回路１１によって規定される閾値（Ｖｔｈ−Ｖｆ）より低下する。このとき、ダイオードＤ１がオンになることによって、電圧制御回路１１は、反転入力端子へと電圧を供給することができるので、増幅器Ａの反転入力端子の電位は、閾値（Ｖｔｈ−Ｖｆ）まで復帰する。
【００６２】
一方、本実施形態に係る電圧制御回路１１が含まれない場合には、図２の破線で示されるように、増幅器Ａの反転入力端子の電位は、増幅器Ａが飽和した後、電流Ｉｉｎに比例して低下する。電流ＩｉｎがＩｉｎ３より多くなると、増幅器Ａの反転入力端子の電位は、接地電位（０Ｖ）以下に低下してしまう。これにより、増幅器Ａに含まれる差動トランジスタは、オフになる。このとき、増幅器Ａを構成する回路内部において、通常はオンすることのないＰＮ接合がオンすることが考えられる。差動トランジスタのベース電位が接地電位以下に低下することは、増幅器Ａの通常の使用状態においては発生しない。しかしながら、受光素子ＰＤ１を備える受光増幅回路においては、受光素子ＰＤ１への入射光の強度が増加するにつれて、帰還抵抗Ｒｇ−ａを流れる光電流Ｉｉｎによる電圧降下の影響が大きくなるため、このような現象が発生し得る。
【００６３】
結果として、電圧制御回路１１を有しない受光増幅回路においては、受光素子ＰＤ１への入射光の強度が、一旦増幅器Ａが飽和する程度の強度まで増加してから、増幅器Ａが飽和しない程度の強度まで減少したときに、増幅器Ａが飽和状態から非飽和状態へと復帰するのに要する時間が長くなる。このような受光増幅回路が、例えば、光ディスクドライブ装置における光ピックアップ装置に用いられる場合、増幅器Ａの飽和状態から非飽和状態への復帰が遅延することによって、光ディスクドライブ装置において行われる後続の処理にエラーを生じさせる虞がある。
【００６４】
これに対して、本実施形態に係る受光増幅回路１は、電圧制御回路１１を備えているので、増幅器Ａの反転入力端子の電位は、電圧制御回路１１によって規定される閾値以上に維持される。これにより、増幅器Ａの差動トランジスタ対がオフすることが回避されるため、増幅器Ａの飽和状態から通常状態への復帰に要する時間を短くすることが可能となる。
【００６５】
また、本実施形態に係る受光増幅回路１の出力電圧Ｖｏは、電圧制御回路１１によって制限されることはないため、増幅回路１０の出力段の構成と、基準電圧Ｖｒｅｆとによって、受光増幅回路１のダイナミックレンジを大きく設定することが可能となる。
【００６６】
更に、本実施形態に係る受光増幅回路１は、図１２の従来例に示されるようなダイオードＤ２が不要であるため、ダイオードＤ２に起因する不具合が生じることはない。すなわち、図１２の従来例においては、増幅器Ａが飽和したときにダイオードＤ２へと電流を供給するために、増幅器Ａの電流供給能力を大きくする必要があった。また、ダイオードＤ２のオン抵抗によって、増幅器Ａのゲインの周波数特性が変化することにより、増幅器Ａが発振してしまうという問題があった。本実施形態に係る受光増幅回路１は、増幅器Ａの電流供給能力を大きくする必要がないため、回路のサイズは、増加しない。また、フィードバック経路上には、帰還抵抗以外に抵抗として働く素子が配置されないため、増幅器Ａのゲインは変化せず、よって、増幅器Ａの発振が抑制される。
【００６７】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る受光増幅回路の回路図である。本実施形態に係る受光増幅回路２の基本的な構成は、第１の実施形態におけるものと同様であるが、電圧制御回路１２の構成が第１の実施形態とは異なっている。
【００６８】
図３に示される電圧制御回路１２は、第１の抵抗Ｒ１と、第２の抵抗Ｒ２と、ダイオードＤ１とを含んでいる。第１の抵抗Ｒ１の一方端は、電圧供給点Ｖｃｃに接続されている。第２の抵抗Ｒ２の一方端は、接続点ａにおいて、第１の抵抗Ｒ１の他方端に接続され、第２の抵抗Ｒ２の他方端は、接地電圧点ＧＮＤに接続されている。ダイオードＤ１のアノードは、接続点ａにおいて第１の抵抗Ｒ１の他方端に接続され、ダイオードＤ１のカソードは、増幅器Ａの反転入力端子に接続されている。ダイオードＤ１の順方向電圧をＶｆ、接続点ａの電位をＶａとすると、電圧制御回路１２は、増幅器Ａの反転入力端子の電位についての閾値（Ｖａ−Ｖｆ）を規定する。
【００６９】
本実施形態に係る電圧制御回路１２によれば、接続点ａにおける電位Ｖａは、Ｖｃｃ−ＧＮＤ間に直列接続された第１の抵抗Ｒ１及び第２の抵抗Ｒ２の分圧によって規定される。よって、第１の抵抗Ｒ１及び第２の抵抗Ｒ２の抵抗値によって、増幅器Ａの反転入力端子の電位についての閾値を所望の値に設定することが可能となる。
【００７０】
（第３の実施形態）
図４は、本発明の第３の実施形態に係る受光増幅回路の回路図である。本実施形態に係る受光増幅回路３の基本的な構成は、第１の実施形態におけるものと同様であるが、電圧制御回路１３の構成が第１の実施形態とは異なっている。
【００７１】
図４に示される電圧制御回路１３は、第１の抵抗Ｒ１と、第２の抵抗Ｒ２と、ＮＰＮ型のトランジスタＱ１とを含んでいる。第１の抵抗Ｒ１の一方端は、電圧供給点Ｖｃｃに接続されている。第２の抵抗Ｒ２の一方端は、接続点ｂにおいて、第１の抵抗Ｒ１の他方端に接続され、第２の抵抗Ｒ２の他方端は、接地電圧点ＧＮＤに接続されている。トランジスタＱ１のベースは、接続点ｂにおいて第１の抵抗Ｒ１の他方端に接続されている。また、トランジスタＱ１のエミッタは、増幅器Ａの反転入力端子に接続され、トランジスタＱ１のコレクタは、電圧供給点Ｖｃｃに接続されている。ダイオードＤ１の順方向電圧をＶｆとし、接続点ｂの電位をＶｂとすると、電圧制御回路１３は、増幅器Ａの反転入力端子の電位についての閾値（Ｖｂ−Ｖｂｅ）を規定する。
【００７２】
本実施形態に係る電圧制御回路１３によれば、接続点ｂにおける電位Ｖｂは、Ｖｃｃ−ＧＮＤ間に直列接続された第１の抵抗Ｒ１及び第２の抵抗Ｒ２の分圧によって規定される。よって、第１の抵抗Ｒ１及び第２の抵抗Ｒ２の抵抗値によって、増幅器Ａの反転入力端子の電位についての閾値を所望の値に設定することが可能となる。
【００７３】
また、本実施形態に係る電圧制御回路１３においては、トランジスタＱ１がオンになると、主としてトランジスタＱ１のコレクタからエミッタへと電流が流れる。トランジスタＱ１のベース電流によって接続点ｂにおける電位の変動がすることが抑制されるため、閾値（Ｖｂ−Ｖｂｅ）をほぼ一定に維持することが可能となる。
【００７４】
尚、本実施形態に係る電圧制御回路１３は、ＮＰＮ型のトランジスタＱ１を含んでいるが、トランジスタＱ１の代わりにＰＮＰ型のトランジスタを含んでいても良い。
【００７５】
（第４の実施形態）
図５は、本発明の第４の実施形態に係る受光増幅回路の回路図である。本実施形態に係る受光増幅回路４の基本的な構成は、第１の実施形態におけるものと同様であるが、電圧制御回路１４の構成が第１の実施形態とは異なっている。
【００７６】
図５に示される電圧制御回路１４は、抵抗Ｒｂ１と、ＮＰＮ型のトランジスタＱ１とを含んでいる。抵抗Ｒｂ１の一方端は、基準電圧供給点Ｖｒｅｆに接続されている。トランジスタＱ１のベースは、抵抗Ｒｂ１の他方端に接続され、トランジスタＱ１のエミッタは、増幅器Ａの反転入力端子に接続され、トランジスタＱ１のコレクタは、電圧供給点Ｖｃｃに接続されている。
【００７７】
図６は、図５に示される受光増幅回路の具体的な構成例を示す回路図である。図６に示される増幅回路１０は、ＮＰＮ型の一対のトランジスタＱ３及びＱ４よりなる差動トランジスタ対２０を含んでいる。尚、図６においては、トランジスタＱ３及びＱ４の各々が、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタに対応する。
【００７８】
本実施形態に係る電圧制御回路１４においては、トランジスタＱ１のベースは、抵抗Ｒｂ１を介して、基準電圧供給点Ｖｒｅｆに接続されている。したがって、トランジスタＱ１のベース電位は、基準電圧供給点Ｖｒｅｆの電位が降下するのに伴って降下する。これにより、増幅器Ａの反転入力端子の電位についての閾値もまた、基準電圧供給点Ｖｒｅｆの電位変動に応じて変動する。
【００７９】
このような構成によれば、基準電圧供給点の電位変動に応答して、適切な閾値が設定されるため、増幅器Ａの反転入力端子の電位をより確実に閾値に維持することが可能となる。また、このように閾値を変化させることが可能な場合には、基準電圧供給点Ｖｒｅｆの電位を低く設定することができるので、増幅回路のダイナミックレンジを向上させることが可能となる。
【００８０】
尚、本実施形態に係る電圧制御回路１４においては、トランジスタＱ１のベースは、抵抗Ｒｂ１を介して基準電圧供給点Ｖｒｅｆに接続されているが、トランジスタＱ１のベースは、基準電圧供給点Ｖｒｅｆに直接接続されていても良い。また、本実施形態においては、電圧制御回路１４は、ＮＰＮ型のトランジスタＱ１を含んでいるが、トランジスタＱ１の代わりにＰＮＰ型のトランジスタを含んでいても良い。
【００８１】
（第５の実施形態）
図７は、本発明の第５の実施形態に係る受光増幅回路の回路図である。本実施形態に係る受光増幅回路５の基本的な構成は、第１の実施形態におけるものと同様であるが、電圧制御回路１５の構成が第１の実施形態とは異なっている。
【００８２】
図７に示される電圧制御回路１５は、定電圧ダイオードであるツェナーダイオードＺＤ１を含んでいる。ツェナーダイオードＺＤ１のアノードは、増幅器Ａの反転入力端子に接続され、ツェナーダイオードＺＤ１のカソードは、基準電圧供給点Ｖｒｅｆに接続されている。
【００８３】
電圧制御回路１５は、基準電圧供給点Ｖｒｅｆと、ツェナーダイオードＺＤ１の降伏電圧との差によって、増幅器Ａの反転入力端子についての電位を規定する。したがって、本実施形態に係る受光増幅回路５によれば、ツェナーダイオードＺＤ１の特性によって、反転入力端子についての所望の閾値を設定することが可能となる。
【００８４】
（第６の実施形態）
図８は、本発明の第６の実施形態に係る受光増幅回路の回路図である。本実施形態に係る受光増幅回路６の基本的な構成は、第１の実施形態におけるものと同様であるが、電圧制御回路１６の構成が第１の実施形態とは異なっている。
【００８５】
図８に示される電圧制御回路１５は、電界効果型トランジスタであるＮチャンネル型のＭＯＳトランジスタＭ１を含んでいる。ＭＯＳトランジスタＭ１のソースは、増幅器Ａの反転入力端子に接続され、ＭＯＳトランジスタＭ１のドレインは、直流電圧供給点Ｖｔｈに接続され、更に、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートは、ドレインに接続されている。すなわち、ＭＯＳトランジスタＭ１は、直流電圧供給点Ｖｔｈと、増幅器Ａの反転入力端子との間にダイオード接続されている。
【００８６】
本実施形態に係る受光増幅回路６によれば、増幅器Ａの反転入力端子の電位についての閾値は、ＭＯＳのトランジスタＭ１の閾値電圧によって規定されるため、ＭＯＳトランジスタＭ１の特性によって閾値を微調整することが可能となる。
【００８７】
尚、本実施形態に係る電圧制御回路１５は、Ｎチャンネル型のＭＯＳトランジスタＭ１を含んでいるが、ＭＯＳトランジスタＭ１の代わりにＰチャンネル型のトランジスタを含んでいても良い。また、ＭＯＳトランジスタＭ１の代わりに、様々な種類の電界効果トランジスタが用いられても良い。
【００８８】
（第７の実施形態）
図９は、本発明の第７の実施形態に係る受光増幅回路の回路図である。本実施形態に係る受光増幅回路７の基本的な構成は、第１の実施形態におけるものと同様であるが、電圧制御回路１７の構成が第１の実施形態とは異なっている。
【００８９】
図９に示される電圧制御回路１７は、ＮＰＮ型のトランジスタＱ１と、バッファアンプＢｕｆｆｅｒとを含んでいる。トランジスタＱ１のエミッタは、増幅器Ａの反転入力端子に接続され、トランジスタＱ１のコレクタは、電圧供給点Ｖｃｃに接続されている。バッファアンプＢｕｆｆｅｒの入力端子は、基準電圧供給点Ｖｒｅｆに接続され、バッファアンプＢｕｆｆｅｒの出力端子は、トランジスタＱ１のベースに接続されている。
【００９０】
本実施形態に係る受光増幅回路７によれば、トランジスタＱ１のベースから見たインピーダンスが大きくなるので、基準電圧供給点Ｖｒｅｆから電流を取り出すことによって他の部分（例えば出力電圧Ｖｏ）に影響が生じるような場合であっても、トランジスタＱ１のベースの電位を安定させることが可能となる。これにより、増幅器Ａの反転入力端子の電位についての閾値が安定して維持される。
【００９１】
（第８の実施形態）
図１０は、本発明の第８の実施形態に係る光ピックアップ装置の出力電圧特性を示す図である。尚、本実施形態に係る光ピックアップ装置は、上記のいずれかの実施形態に係る受光増幅回路を含んでいる。
【００９２】
図１０の破線は、受光素子に入射する光ディスク媒体からの反射光の強度の時間変化を示す。光ディスク媒体へのデータの書き込み時においては、光ディスク媒体の記録面上に形成されるピットの形状の安定化させるために、光ピックアップ装置は、立ち上がり時にオーバーシュートのあるパルス状の光を光ディスク媒体に照射する。このため、図１０に示されるように、反射光の強度は、時刻ｔ１から直線的に増加する。反射光の強度は、時刻ｔ２において、増幅器が飽和する強度を超えた後、時刻ｔ３において最大強度に達する。反射光の強度は、時刻ｔ３から減少し、時刻ｔ４以降に、増幅器が飽和する強度を下回る。その後、反射光の強度は、時刻ｔ５〜時刻ｔ６の期間において、ほぼ一定値に安定する。
【００９３】
一方、図１０の実線は、破線で示される強度の反射光が受光素子に入射したときの増幅器の出力電圧の時間変化を示す。増幅器の出力電圧は、時刻ｔ１〜時刻ｔ２の期間において、反射光強度の増加に伴って増加し、最大出力電圧Ｖｏｍａｘに達する。時刻ｔ２〜時刻ｔ３の期間においては、反射光の強度は、増幅器が飽和する強度以上に大きいため、増幅器の出力電圧は、最大出力電圧Ｖｏｍａｘである。その後、増幅器の出力電圧は、時刻ｔ４〜時刻ｔ５の期間において、反射光強度の減少に伴って減少し、時刻ｔ５〜時刻ｔ６の期間において、ほぼ一定値に安定する。
【００９４】
本実施形態に係る光ピックアップ装置においては、反射光の強度が、一旦増幅器が飽和する程度以上に大きくなってから、再度減少する場合でも、電圧制御回路によって増幅器に含まれる差動トランジスタ対がオフすることが抑制されている。したがって、本実施形態に係る光ピックアップ装置は、飽和状態から非飽和状態への復帰に要する時間が短縮されている。よって、図１０に示されるように、増幅器は、反射光強度に追従して、電圧を出力することができる。
【００９５】
光ディスクドライブ装置においては、増幅器の出力電圧が最大出力電圧以下において安定したときに、増幅器の出力電圧に基づいて、光ディスク媒体に照射するレーザーのパワーが調整される。本実施形態に係る光ピックアップ装置の出力電圧は、増幅器が飽和した後に反射光強度が減少した場合、短時間で非飽和状態へと復帰して安定する。したがって、時刻ｔ５以降に、レーザーのパワーを調整することが可能となる。
【００９６】
図１１は、従来の光ピックアップ装置の出力電圧特性を示す図である。図１１における実線は、図１２に示される従来の受光増幅回路を備える光ピックアップ装置の出力電圧特性を示し、二点鎖線は、図１２に示される回路からダイオードＤ２が除かれた受光増幅回路を含む光ピックアップ装置の出力電圧特性を示す。また、破線は、図１０と同様に、受光素子に入射する反射光強度を示す。
【００９７】
まず、図１２に示される従来の受光増幅回路８１を備える光ピックアップ装置の出力電圧は（図１１の実線）、時刻ｔ１〜時刻ｔ８の期間において、反射光強度の増加に伴って増加する。ただし、反射光強度が増加しても、帰還抵抗Ｒｇ−ａと並列に接続されたダイオードＤ２によって、光ピックアップ装置の出力電圧は、ダイオードＤ２の順方向電圧（例えば、０．７Ｖ）にクリップされる。出力電圧が一定値である場合、出力電圧に基づいて、受光素子に入射する光ディスク媒体からの反射光の強度が安定したか否かを判定することができないので、光ディスク媒体に照射するレーザーのパワーを調整することができない。そうすると、光ディスクドライブ装置において、光ディスク媒体へと正常にデータを書き込むために必要な制御を行うことができず、書き込み自体が失敗してしまう。
【００９８】
次に、図１２に示される回路からダイオードＤ２が除かれた受光増幅回路を備える光ピックアップ装置の出力電圧は（図１１の二点鎖線）、時刻ｔ１〜時刻ｔ２の期間において、反射光強度の増加に伴って増加し、時刻ｔ２において最大出力電圧に達する。その後、時刻ｔ３以降に、反射光強度が減少しても、増幅器Ａの差動トランジスタ対がオフするため、増幅器Ａの飽和状態から即座に復帰することができない。このような光ピックアップ装置は、時刻ｔ９以降に飽和状態からの復帰を開始し、時刻ｔ１０において、出力電圧が安定する。したがって、光ディスクドライブ装置において、光ディスク媒体に照射するレーザーのパワーは、出力電圧が安定する時刻ｔ１０以降になって初めて、調整され得る。そうすると、レーザーのパワーを調整するために時間を要するため、光ディスク媒体へのデータの書き込みが失敗する可能性がある。
【００９９】
以上のように、本実施形態に係る光ピックアップ装置によれば、増幅器の反転入力端子の電位は、電圧制御回路によって、所定の閾値以上に維持されるため、増幅回路の差動トランジスタ対がオフすることを回避することが可能となる。この結果、光ピックアップ装置の増幅回路が飽和状態から非飽和状態へと復帰するために要する時間を短くすることが可能となる。また、光ピックアップ装置の増幅回路の出力電圧は、電圧制御回路によって制限されないため、増幅回路のダイナミックレンジを向上させることが可能となる。
【０１００】
尚、図６に示される受光増幅回路は、一例としてＮＰＮ型の差動トランジスタ対を含んでいるが、本発明に係る受光増幅回路及び光ピックアップ装置は、電界効果型トランジスタよりなる差動トランジスタ対を含む増幅器が用いられる場合にも同様に適用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は、増幅回路に含まれる差動トランジスタ対をオフさせないことによって、増幅回路の飽和状態からの迅速な復帰を可能とするので、例えば光ディスクドライブ装置に用いられる受光増幅回路及び光ピックアップ装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る受光増幅回路の回路図
【図２】図１に示される受光増幅回路における増幅器の出力端子及び反転入力端子の電位を示す図
【図３】本発明の第２の実施形態に係る受光増幅回路の回路図
【図４】本発明の第３の実施形態に係る受光増幅回路の回路図
【図５】本発明の第４の実施形態に係る受光増幅回路の回路図
【図６】図５に示される受光増幅回路の具体的な構成例を示す回路図
【図７】本発明の第５の実施形態に係る受光増幅回路の回路図
【図８】本発明の第６の実施形態に係る受光増幅回路の回路図
【図９】本発明の第７の実施形態に係る受光増幅回路の回路図
【図１０】本発明の第８の実施形態に係る光ピックアップ装置の特性を示す図
【図１１】従来の光ピックアップ装置の出力電圧特性を示す図
【図１２】従来の受光増幅回路の回路図
【図１３】図１２に示される受光増幅回路の周波数特性を示す図
【符号の説明】
【０１０３】
１〜７  受光増幅回路
１０  増幅回路
１１〜１７  電圧制御回路
２０  差動トランジスタ対
ＰＤ１  受光素子
Ｄ１  ダイオード
Ａ  増幅器
Ｒｇ−ａ  帰還抵抗
Ｒｒｅｆ−ａ、Ｒｂ１  抵抗
Ｒ１  第１の抵抗
Ｒ２  第２の抵抗
Ｑ１〜Ｑ４  トランジスタ
Ｍ１  ＭＯＳトランジスタ
ＺＤ１  ツェナーダイオード
Ｂｕｆｆｅｒ  バッファアンプ
Ｖｃｃ  電圧供給点
Ｖｒｅｆ  基準電圧供給点
Ｖｔｈ  直流電圧供給点
ＧＮＤ  接地電圧点
【図１】
2007019793.tif 000003
【図２】
2007019793.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007019793.tif 000009
【図８】
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【図９】
2007019793.tif 000011
【図１０】
2007019793.tif 000012
【図１１】
2007019793.tif 000013
【図１２】
2007019793.tif 000014
【図１３】
2007019793.tif 000015