(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単な手法で、コイル導体部間の短絡を抑制でき、また前記コイル導体部間を適切に絶縁層にて埋めることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】下部コイル層１０の各導体部１０ａの少なくとも側壁面１０ｃ上に沿って無機絶縁層１１を形成し、各導体部１０ａ間を有機絶縁層１２で埋め、前記導体部１０ａの上面１０ｂ、磁極部７、接続層８を同一平面となるように、有機絶縁層１２及び無機絶縁層１１とともに研磨する。各導体部１０ａの上面１０ｂを研磨している最中、硬質な前記無機絶縁層１１が各導体部１０ａが研磨によってだれるのを抑制し、よって各導体部１０ａ間が短絡するのを適切に防止できる。また、各導体部１０ａ間を有機絶縁層１２で埋めることで、各導体部１０ａ間に空洞が形成されることなく適切に各導体部１０ａ間を埋めることが可能である。【選択図】図６
2007095170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）  第１の磁性部上の記録媒体との対向面側に隆起部と、前記第１の磁性部上のハイト側に、前記第１の磁性部と（ｆ）工程で形成される第２の磁性部とを磁気的に接続するための接続部とを形成する工程、
（ｂ）  前記第１の磁性部上の前記隆起部と前記接続部との間に、絶縁下地層を介してコイル層を形成する工程、
（ｃ）  前記コイル層を構成する各導体部の少なくとも側壁面上に沿って、無機絶縁層を形成する工程、
（ｄ）  各導体部間を有機絶縁層にて埋める工程、
（ｅ）  前記隆起部の上面、各導体部の上面、及び前記接続部の上面を所定の研磨位置まで前記有機絶縁層及び無機絶縁層とともに削り、前記隆起部、各導体部及び接続部の各上面を同一平面にて露出させる工程、
（ｆ）  前記隆起部上から前記接続部上にかけて第２の磁性部を形成する工程。
【請求項２】
前記（ｃ）工程で、前記無機絶縁層を、各導体部の上面と側壁面との上縁部から前記側壁面上に沿って、少なくとも前記（ｅ）工程での前記研磨位置よりも下側にまで形成する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記無機絶縁層を、化学蒸着法にて形成する請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記無機絶縁層を、原子層蒸着法にて形成する請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記無機絶縁層に使用される無機絶縁材料を、前記導体部及び有機絶縁層よりも研磨速度が遅い材質の中から選択する請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記無機絶縁層を、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５の少なくともいずれか１つから選択する請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル導体部間の短絡を抑制でき、また前記コイル導体部間を適切に絶縁層にて埋めることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献には、いずれも下部コア層上の記録媒体との対向面側に磁極部が形成され、前記下部コア層上のハイト側には接続部が形成され、前記磁極部と接続部間の前記下部コア層上には絶縁下地層を介してコイル層が形成され、前記磁極層と接続部間が上部コア層で磁気的に接続された構成の薄膜磁気ヘッドが開示されている。
【０００３】
例えば特許文献１の図２の形態について、特許文献１の［００８０］欄〜［００８１］欄には、「コイル絶縁層１５の上面とコイル層１７の上面は同一平面状で形成されていることが好ましい。」、「前記コイル絶縁層１５の上面とコイル層１７の上面とを同一平面状で形成するには、後述する製造方法で説明するように、前記コイル絶縁層１５の上面とコイル層１７の上面とを例えばＣＭＰ技術を用いて削ることによって達成することが出来る」等と記載されている。
【０００４】
特許文献１の図２に示すように、記録部１４の上面と、前記記録部１４のハイト側に形成されている層の上面とが同一平面で形成される構造の薄膜磁気ヘッドでは、一層目（下層側）のコイル層１７の膜厚を最大限にするには、前記コイル層１７の上面を記録部１４の上面と同一平面状に形成すればよい。そのためには前記コイル層１７を前記記録部１４と同等程度に高く形成し、ＣＭＰ技術を用いて、前記記録部１４の上面とともに前記コイル層１７の上面も研磨し、前記コイル層１７の上面を前記記録部１４の上面と同一平面で形成する。これにより、前記コイル層１７の膜厚を最大限に大きく形成でき、前記コイル層のコイル抵抗を低減できる。
【０００５】
前記コイル層のコイル抵抗の低減は、ＰＴＰ（Pole  Tip  Protrusion）の改善を促進でき好ましい。
【特許文献１】特開２００１―１１００１４号公報
【特許文献２】特開２００１―０５２３１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記コイル層は軟質なＣｕで形成され、しかも前記コイル導体部間を埋めるコイル絶縁層がレジスト等の有機材料であると、前記コイル層と前記コイル絶縁層はともに軟質であるために、上記したＣＭＰによる研磨工程によって、前記コイル導体部の上面にだれが生じやすく（スメアの発生）、その結果、各コイル導体部間が短絡するといった問題が発生した。
【０００７】
また、前記有機材料に代えて、前記コイル導体部間を無機絶縁層で埋める場合、前記無機絶縁層は前記コイル導体部に比べて硬質であるため上記問題を解決できたとしても、背の高いコイル導体部に比べて、各導体部間の幅が非常に小さいため、各コイル導体部間をスパッタ法等によって前記無機絶縁層で適切に埋めることが出来ず、例えば各コイル導体部の下縁部付近に空洞部が形成されやすい。このような空洞が形成されると、磁気ヘッドの駆動の際における発熱により、前記空洞部に溜まったガスが膨張するなどして、薄膜磁気ヘッド内部の膜形状に変形をもたらすなどの問題が生じた。
【０００８】
特許文献２では、例えば図２に示すように、前記コイル導体部上に保護層２７を設けている。そしてこの保護層２７の上面がトラック幅規制部１４の上面と同一平面で一致している。前記保護層２７を設ける理由はコイル導体部の酸化を防止するためであるとしている。
【０００９】
しかし、特許文献２では上記したコイル導体部のだれ発生の課題認識がなく、当然、上記課題を解決する手段が提示されていないことと、仮に前記保護層２７が硬質な材質であり、前記コイル導体部のだれ発生を抑制できたとしても、そもそもコイル層を２層の積層構造でメッキ形成しなければならず、製造工程が煩雑化すること、さらに前記保護層２７の比抵抗が高いと、コイル抵抗が高くなり、ＰＴＰを適切に改善できないという問題が生じる。また特許文献２は、前記コイル絶縁層を主として無機絶縁層で形成しており、上記した空洞部が発生しやすい構造となっている。
【００１０】
そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、簡単な手法で、コイル導体部間の短絡を抑制でき、また前記コイル導体部間を適切に絶縁層にて埋めることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００１２】
（ａ）  第１の磁性部上の記録媒体との対向面側に隆起部と、前記第１の磁性部上のハイト側に、前記第１の磁性部と（ｆ）工程で形成される第２の磁性部とを磁気的に接続するための接続部とを形成する工程、
（ｂ）  前記第１の磁性部上の前記隆起部と前記接続部との間に、絶縁下地層を介してコイル層を形成する工程、
（ｃ）  前記コイル層を構成する各導体部の少なくとも側壁面上に沿って、無機絶縁層を形成する工程、
（ｄ）  各導体部間を有機絶縁層にて埋める工程、
（ｅ）  前記隆起部の上面、各導体部の上面、及び前記接続部の上面を所定の研磨位置まで前記有機絶縁層及び無機絶縁層とともに削り、前記隆起部、各導体部及び接続部の各上面を同一平面にて露出させる工程、
（ｆ）  前記隆起部上から前記接続部上にかけて第２の磁性部を形成する工程。
【００１３】
本発明では、前記（ｃ）工程で、各導体部の少なくとも側壁面上に沿って無機絶縁層を形成している。前記（ｃ）工程では、前記無機絶縁層を、各導体部の上面と側壁面との上縁部から前記側壁面上に沿って、少なくとも前記（ｅ）工程での前記研磨位置よりも下側にまで形成することが必要である。
【００１４】
上記のように前記無機絶縁層を、各導体部の側壁面上に沿って形成することで、前記（ｅ）工程で、各導体部の上面を研磨している最中、硬質な前記無機絶縁層が各導体部が研磨によってだれるのを抑制でき（ブロックし）、よって各導体部間が短絡するのを適切に防止できる。
【００１５】
また、前記（ｄ）工程で各導体部間を有機絶縁層で埋めることで、各導体部間に空洞が形成されることなく適切に各導体部間を埋めることが可能である。
【００１６】
本発明では、前記無機絶縁層を、化学蒸着法にて形成することが好ましい。特に、前記無機絶縁層を、原子層蒸着法にて形成することが好ましい。化学蒸着法では、スパッタ法等の物理蒸着法に比べて、各導体部間のアスペクト比（導体部の高さ寸法／各導体部間の幅寸法）が大きくても、少なくとも研磨位置より下側の前記導体部の側壁面にまで適切に無機絶縁層を形成しやすい。特に、化学蒸着法の一種である原子層蒸着法（ALD  Atomic  Layer  Deposition）では、原子層を一層づつ積み上げて所定膜厚の層を形成するものであり、高アスペクト比の空間の側壁面にも確実に無機絶縁層を形成することが可能である。
【００１７】
また本発明では、前記無機絶縁層に使用される無機絶縁材料を、前記導体部及び有機絶縁層よりも研磨速度が遅い材質の中から選択することが好ましい。具体的には、前記無機絶縁層を、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５の少なくともいずれか１つから選択することが好ましい。
これにより、より適切に導体部の上面のだれ発生を抑制することが出来る。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、コイル層の各導体部の少なくとも側壁面上に沿って無機絶縁層を形成し、各導体部間を有機絶縁層で埋め、このあと、前記コイル層の上面を第１及び接続部と同一平面となるように研磨加工するため、各導体部の上面を研磨している最中、硬質な前記無機絶縁層が各導体部が研磨によってだれるのを抑制し（ブロックし）、よって各導体部間が短絡するのを適切に防止できる。
【００１９】
また、各導体部間を有機絶縁層で埋めることで、各導体部間に空洞が形成されることなく適切に各導体部間を埋めることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法について図１〜図９を参照しながら説明する。図示Ｘ方向はトラック幅方向、図示Ｙ方向はハイト方向、図示Ｚ方向は膜厚方向であり、各方向は残り２つの方向と直交する関係にある。各図は、Ｙ−Ｚ平面と平行な方向から切断した切断面の断面図である。また「記録媒体との対向面」とは図示Ｘ−Ｚ方向と平行な方向の面を指す。
【００２１】
図１では、例えば図示しない磁気抵抗効果素子を備えた再生ヘッド上に、下部コア層（第１の磁性部）１をメッキ形成する。前記下部コア層１をＮｉＦｅ合金等の磁性材料でメッキ形成する。
【００２２】
図１に示す下部コア層１上に、例えば図示しない磁性下地層を形成した後、レジストなどで形成されるＧｄ決め層２を記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れた位置に形成する。前記Ｇｄ決め層２を、例えばレジスト層を塗布後、熱処理を施して形成する。
【００２３】
図１に示す工程では、前記下部コア層上及びＧｄ決め層２上に、レジスト層３を塗布し、前記レジスト層３を露光現像して、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法であって、且つトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定の幅寸法で形成される磁極部形成溝３ａを形成する。このとき前記磁極部形成溝３ａ内には少なくとも一部のＧｄ決め層２が露出している。
【００２４】
次に、前記磁極部形成溝２ａ内に下から下から下部磁極層４、ギャップ層５、および上部磁極層６の順で連続しなる磁極部（隆起部）７をメッキ形成する。なお３層構造でなく、例えばギャップ層５と上部磁極層６の２層構造からなる磁極部７であってもよい。前記ギャップ層５にはメッキ可能なＮｉＰ等の非磁性材料を使用する。下部磁極層４及び上部磁極層６をＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金等の磁性材料にてメッキ形成する。
【００２５】
また前記レジスト層３のハイト方向（図示Ｙ方向）後端には、露光現像によって溝３ｂを形成し、この溝３ｂ内に、磁性材料製の接続層（接続部）８をメッキ形成する。例えば前記接続層８は磁極部７と同じ積層構造であってもよいが、磁性材料の単層構造であることが好ましい。例えば、前記磁極部７の形成後、前記レジスト層３を除去し、あらためて前記接続層形成用のレジスト層を下部コア層１から磁極部７上に塗布し前記レジスト層を露光現像して溝を形成し、前記溝内に前記接続層８をメッキ形成してもよい。
【００２６】
図１に示すレジスト層３を除去し、次に図２に示すように、前記磁極部７上から下部コア層１上、さらには前記接続層８上にかけて絶縁下地層９を形成する。前記絶縁下地層９を例えばスパッタ法にて形成する。前記絶縁下地層９は少なくとも前記磁極部７と接続層８の間にある下部コア層１上に形成されればよい。磁極部７と接続層８間は広い間隔で形成されているので、スパッタ法でも適切に前記下部コア層１上に絶縁下地層９を形成できる。前記絶縁下地層９を例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料で形成する。
【００２７】
次に図３に示す工程では、前記絶縁下地層９上に、例えば、下部コイル層１０を前記接続層８を中心にして巻回する螺旋形状にてパターン形成する。前記コイル層の形成をもう少し詳しく説明すると、図示しないメッキ下地層をスパッタ法等で前記絶縁下地層９上に形成した後、図示しないレジスト層を前記メッキ下地層上に塗布し、露光現像して前記レジスト層にコイル層形状のパターン溝を形成する。そして前記パターン溝にコイル層をメッキ形成し、前記レジスト層を除去するとともに、前記下部コイル層１０下以外の前記メッキ下地層を除去する。前記下部コイル層１０をＣｕで形成する。
【００２８】
前記下部コイル層１０は所定のターン数で形成され、各ターン毎の導体部１０ａ間には所定の間隔（幅寸法）Ｔ１が空いている。前記間隔Ｔ１の大きさは各導体部１０ａ間にて異なっていても当然よい。例えば、前記間隔Ｔ１は、０．５μｍ程度で、導体部１０ａの高さ寸法Ｈ１は、２．５〜３．５μｍ程度である。このように導体部１０ａの高さに比して導体部１０ａ間の間隔は非常に小さくアスペクト比（導体部１０ａの高さ寸法Ｈ１／各導体部間の間隔Ｔ１）は非常に高くなっている。
【００２９】
次に図４に示す工程では、各導体部１０ａの上面１０ｂおよび側壁面１０ｃ、前記磁極部７の上面及び側壁面、接続部８の上面及び側壁面、さらには各導体部１０ａ間から露出する下部コア層１上に薄い膜厚の無機絶縁層１１を形成する。前記無機絶縁層１１を少なくとも各導体部１０ａの側壁面１０ｃ上に沿って形成すればよいが、図４では露出する全ての表面に前記無機絶縁層１１を形成している。
【００３０】
前記無機絶縁層１１を、化学蒸着法（CVD、Chemical  Vapor  Deposition）にて形成することが好ましい。これにより、少なくとも前記無機絶縁層１１を適切に各導体部１０ａの側壁面１０ｃ上に形成することが可能である。より好ましくは、前記無機絶縁層１１を原子層蒸着法（ALD  Atomic  Layer  Deposition）で形成する。原子層蒸着法では、原子層を一層づつ積み上げて所定膜厚の層を形成するものであり、この方法であれば、高アスペクト比を有する各導体部１０ａ間でもより適切に前記側壁面１０ｃ上に沿って前記無機絶縁層１１を形成することが可能である。
【００３１】
前記無機絶縁層１１を上記したように薄い膜厚で形成すればよく、例えば５００〜１０００Å程度で形成すればよい。本実施形態では、前記無機絶縁層１１によって各導体部１０ａ間を埋めることはしない。前記無機絶縁層１１によって各導体部１０ａ間を埋めると、各導体部１０ａの下縁部付近に空洞が形成されやすくなる。また上記した原子層蒸着法等を用いることで、たとえ前記空洞の形成を抑制できたとしても製造時間が非常に長くなり生産コストが高くなるという新たな問題が生じるので、前記無機絶縁層１１を少なくとも導体部１０ａの側壁面１０ｃ上に沿って薄い膜厚で形成すれば足りる。
【００３２】
図５に示す工程では、前記各導体部１０ａ間をレジストなどの有機材料で形成された有機絶縁層１２により埋めるとともに、前記導体部１０ａ上を前記有機絶縁層１２で覆う。その後、必要に応じて前記有機絶縁層１２を熱処理する。
【００３３】
次に図６に示す工程では、ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Planarization）技術により、前記磁極部７の上面７ａ、各導体部１０ａの上面１０ｂ及び接続層８の上面８ａを所定の研磨位置Ａ−Ａまで、前記有機絶縁層１２及び無機絶縁層１１とともに研磨する。
【００３４】
本実施形態では、各導体部１０ａの側壁面１０ｃ上に無機絶縁層１１を形成しているから、前記導体部１０ａの上面１０ｂ上に形成されている有機絶縁層１２及び無機絶縁層１１が除去されて前記導体部１０ａの上面１０ｂが露出すると、前記導体部１０ａの周囲に、前記側壁面１０ｃ上に形成された無機絶縁層１１が露出する。
【００３５】
これにより軟質な導体部１０ａと有機絶縁層１２間に硬質な無機絶縁層１１が露出する状態になるため、前記導体部１０ａの上面１０ｂを研磨しても、前記上面１０ｂにだれが生じるのを適切に防止することができる。また前記無機絶縁層１１に使用される無機絶縁材料を、前記導体部１０ａ及び有機絶縁層１２よりも研磨速度が遅い材質の中から選択することが好ましい。例えば、前記無機絶縁層１１を、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５の少なくともいずれか１つから選択することが好ましい。例えば前記無機絶縁層１１を２層以上の構造にしてもよい。Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２は、原子層蒸着法（ALD  Atomic  Layer  Deposition）での成膜が可能であり、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５は化学蒸着法（CVD、Chemical  Vapor  Deposition）での成膜が可能である。
【００３６】
これにより前記導体部１０ａの側壁面１０ｃ上に形成された前記無機絶縁層１１がＣＭＰによって前記導体部１０ａよりも先に削られていくことはなく、前記導体部１０ａの上面１０ｂにだれが発生するのをより適切に防止することが可能になる。
【００３７】
また前記無機絶縁層１１は仮に前記無機絶縁層１１にＳｉＯ２を用いたときよりも研磨速度が速い材質であることが好ましい。ＳｉＯ２は、磁極部７、導体部１０ａ及び接続層８をＣＭＰにて適切に研磨するために選択された特定のスラリーを用いたときに、非常に研磨速度が遅くなり、前記無機絶縁層１１を適切に研磨できない。またＳｉＯ２の研磨速度があまりにも遅いために前記導体部１０ａの上面１０ｂがより削れて前記導体部１０ａの膜厚が所定値より薄くなりやすく、ＰＴＰの改善に適した薄膜磁気ヘッドを製造できなくなる。
【００３８】
したがって、無機絶縁層１１にはＡｌ２Ｏ３等を用いて、研磨速度をＳｉＯ２を用いた場合よりも速くし、磁極部７、導体部１０ａ、接続層８及び有機絶縁層１２とともに適切に無機絶縁層１１も研磨されるようにする。
【００３９】
また図５の工程では、各導体部１０ａ間を有機絶縁層１２により埋めている。これにより、各導体部１０ａ間に空洞が形成されるといった不具合は生じず、適切且つ簡単に各導体部１０ａ間を埋めることが出来る。
【００４０】
以上のように各導体部１０ａの上面１０ｂにだれが生じるのを適切に防止できるため、本実施形態の製造方法によれば、各導体部１０ａ間が短絡するのを防止でき、しかも各導体部１０ａ間を適切に絶縁層により埋めることが出来る。
【００４１】
以下、薄膜磁気ヘッドが完成するまでの残りの製造工程を説明する。図７に示す工程では、磁極部７の上面７ａ、及び接続層８の上面８ａと同一平面で形成された各導体部１０ａの上面１０ｂ及び有機絶縁層１２の上面１２ａに、絶縁下地層１３を形成し、前記絶縁下地層１３上に下部コイル層１０と同様の方法により上部コイル層１４を形成する。
【００４２】
次に図８に示す工程では、前記上部コイル層１４上を有機材料によるコイル絶縁層１５によって覆い、図９に示す工程では、前記磁極部７の上面７ａ上から前記コイル絶縁層１５上及び接続層８の上面８ａにかけてフレームメッキ法等の手法により上部コア層（第２の磁性部）１６をパターン形成する。さらに前記上部コア層１６上にＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料で形成された保護層１７を形成する。前記上部コア層１６は下部コア層１と接続層８を介して磁気的に接続されている。
【００４３】
ところで、前記無機絶縁層１１を、図４のように、導体部１０ａの側壁面１０ｃ上の全体に形成できなくてもよいが、図１０に示すように、前記無機絶縁層１１を、各導体部１０ａの上面１０ｂと側壁面１０ｃとの上縁部１０ｃ１から前記側壁面１０ｃ上に沿って、少なくともＣＭＰによる研磨位置Ａ―Ａよりも下側にまで形成する必要がある。これにより前記導体部１０ａの上面１０ｂをＣＭＰによる研磨工程中、前記導体部１０ａの周囲には常に前記無機絶縁層１１が露出する状態になり、適切に前記導体部１０ａのだれの発生を抑制することが出来る。
【００４４】
前記無機絶縁層１１を化学蒸着法でなく、スパッタ法等の物理蒸着法によっても図１０に示すように、研磨位置Ａ−Ａの下まで無機絶縁層１１を形成できれば、スパッタ法等の使用も可能である。ただし、化学蒸着法のほうが、高アスペクト比の前記導体部１０ａの側壁面１０ｃ上に、より確実に、研磨位置Ａ−Ａの下まで無機絶縁層１１を形成できるので化学蒸着法を用いるほうがよい。
【００４５】
図９に示す薄膜磁気ヘッドでは、下部コイル層１０を構成する各導体部１０ａの上面１０ｂが前記磁極部７の上面７ａと同一平面で形成されるため、前記各導体部１０ａの高さ寸法が最大限に高く形成されており、コイル抵抗を低減でき、ＰＴＰが改善された薄膜磁気ヘッドとなっている。しかも各導体部１０ａ間は適切に絶縁されており電気的にも安定している。
【００４６】
薄膜磁気ヘッドの実施形態は、図９の形態に限定されるものでない。例えば図１１に示す薄膜磁気ヘッドでは、下部コア層（第１の磁性部）２９上の記録媒体との対向面側に磁性材料で形成された隆起層（隆起部）３２が形成され、前記下部コア層２９のハイト側に磁性材料で形成された接続層（接続部）３３が形成され、前記隆起層３２、下部コア層２９及び接続層３３の空間内に絶縁下地層３４を介して下部コイル層３５が形成される。
【００４７】
図１１に示すように前記下部コイル層３５を構成する各導体部３５ａの側壁面上には無機絶縁層３６が形成されており、また各導体部３５ａ間は有機絶縁層３７により埋められている。
【００４８】
図１１に示すように隆起層３２の上面、導体部３５ａの上面、接続層３３の上面及び有機絶縁層３７の上面は同一平面で形成されている。
【００４９】
図１１に示すように、前記下部コイル層３５上には例えば有機材料で形成された絶縁層３８が形成され、前記絶縁層３８の記録媒体との対向面側及びハイト側には、下から下部磁極層３８、及びギャップ層３９がこの順でメッキ形成され、さらに前記ギャップ層３９上から前記絶縁層３８上にかけて上部磁極層（第２の磁性部の一部）４１がメッキ形成され、さらに前記上部磁極層４１上には上部コア層（第２の磁性部の一部）４２がメッキ形成されている。前記上部コア層４２上には、例えばＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機絶縁材料で形成された絶縁層５８が形成され、前記絶縁層５８上に上部コイル層５９が形成されている。前記上部コイル層５９上にはＡｌ２Ｏ３等の保護層６０が形成されている。
【００５０】
図１１では、下部コイル層３５を構成する各導体部３５ａ、前記上部コイル層５９を構成する各導体部５９ａは、夫々複数本、所定の間隔をあけて設けられ、下部コイル層３５の導体部３５ａと上部コイル層５９の導体部５９ａどうしが導電性の接続部（図示しない）を介して導通接続され、下部コイル層３５、上部コイル層５９及び接続部が一つのコイルとして、ちょうど前記上部磁極層４１及び上部コア層４２を軸にして巻回された形態になっている。
【００５１】
図１１に示す構造の薄膜磁気ヘッドでも、隆起層３２の上面、導体部３５ａの上面及び接続層３３の上面を同一平面に揃えるために、ＣＭＰ技術等を用いた研磨工程を行うため、少なくとも前記導体部３５ａの側壁面に無機絶縁層３６を形成することで、前記研磨工程によって導体部３５ａの上面にだれが発生するのを適切に防止することが可能である。また各導体部３５ａ間を有機絶縁層３７で埋めることで、空洞が形成されることなく各導体部３５ａ間を適切に埋めることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図（断面図）、
【図２】図１の次に行われる一工程図（断面図）、
【図３】図２の次に行われる一工程図（断面図）、
【図４】図３の次に行われる一工程図（断面図）、
【図５】図４の次に行われる一工程図（断面図）、
【図６】図５の次に行われる一工程図（断面図）、
【図７】図６の次に行われる一工程図（断面図）、
【図８】図７の次に行われる一工程図（断面図）、
【図９】図８の次に行われる一工程図であり、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの完成図（断面図）、
【図１０】図４に示す工程に代えて行うことが可能な一工程図（拡大断面図）、
【図１１】図９とは異なる形態の薄膜磁気ヘッドの断面図、
【符号の説明】
【００５３】
１、２９  下部コア層
７  磁極部
８、３３  接続層
９、１３  絶縁下地層
１０、３５  下部コイル層
１０ａ、３５ａ  導体部
１０ｂ  （導体部の）上面
１０ｃ  （導体部の）側壁面
１１  無機絶縁層
１２  有機絶縁層
１４、５９  上部コイル層
１５  コイル絶縁層
１６  上部コア層
３２  隆起層
４１  上部磁極層
４２  上部コア層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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