(57)【要約】【課題】垂直磁気記録における記録情報の信頼性を向上させる。【解決手段】垂直磁気記憶媒体１１０を備えた磁気記憶装置１００のデータチャネル１３０に、再生信号１３２からノイズレベルを検出して可否を判別するノイズレベル検出部１５０を設け、垂直磁気記憶媒体１１０に対する記録信号１３１の書き込みの直後に、当該書き込み領域から読み出した再生信号１３２のノイズレベルの大小を判別し、ノイズレベルが所定の値以下になるまで、イレーズ処理と再書き込みを反復することで、垂直磁気記憶媒体１１０に対する記録信号１３１の記録の信頼性を向上させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記憶媒体を備えた記憶装置であって、
前記垂直磁気媒体の情報記録領域から得られた再生信号からノイズレベルを検出するノイズレベル検出手段と、
前記ノイズレベルに基づいて、前記情報記録領域に対するイレーズ処理を実行する制御論理と、
を含むことを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
垂直磁気媒体の情報記録領域に情報を書き込む第１ステップと、
前記情報記録領域から得られた再生信号からノイズレベルを検出する第２ステップと、
前記ノイズレベルに基づいて、前記情報記録領域に対するイレーズ処理を実行する第３ステップと、
を含むことを特徴とする記憶装置の制御方法。
【請求項３】
請求項２記載の記憶装置の制御方法において、
前記第２ステップでは、前記ノイズレベルとして、前記再生信号の最大値と最小値の各々の平均値および／または最大値と最小値の差分を検出し、
前記第３ステップでは、前記平均値および／または前記差分の少なくとも一方が既定の範囲から逸脱したときに、前記イレーズ処理を実行することを特徴とする記憶装置の制御方法。
【請求項４】
請求項２記載の記憶装置の制御方法において、
前記イレーズ処理では、ＤＣイレーズおよびＡＣイレーズの少なくとも一方を実行することを特徴とする記憶装置の制御方法。
【請求項５】
請求項２記載の記憶装置の制御方法において、
前記イレーズ処理では、正負の極性を変化させたＤＣイレーズを交互に実行することを特徴とする記憶装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶装置に関し、たとえば、垂直磁気記憶媒体を備えた記憶装置の制御等に適用して有効な技術に関する。より詳細には、たとえば、裏打層を有する高記録密度垂直媒体と単磁極垂直ヘッドを使用して磁気記録装置を構成した際の信号処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記憶媒体では、記録の信頼性を確保するためには、上書き時における残留磁気によるノイズを管理する必要がある。
通常の面内記録方式の磁気ディスク媒体においては、たとえば、通常の書き込み周波数ｆ１の１／８の周波数ｆ８で書き込まれたデータを、ｆ１の１／２の周波数ｆ２で消去するオーバーライト試験における再生信号レベルが十分に取れている場合には問題とはならなかった。
【０００３】
一方、磁気記録方式として、記憶媒体を厚さ方向に磁化することで情報を記録する垂直磁気記録が注目されている。
たとえば、ハードディスク（ＨＤＤ）用の垂直磁気記録媒体は、ヘッドの磁気回路の一部を構成する裏打層を用いることで、ヘッドから発生する磁界が弱まっても、情報の記録が可能であり、裏打層がない垂直記録媒体や長手記録媒体と比べても倍以上の高保磁力化が可能である。また、垂直ヘッドは狭コア幅化されて漏洩磁界が少なく、高い記録磁界を発生させなければ高記録密度を達成することはできない。
【０００４】
垂直磁気記録の場合、記録直前の媒体の磁化状態や記録時の外部磁場の影響、あるいは媒体の高い保磁力に起因する不完全な書き込み等の理由で、新たに記録されたビットを再生した場合、エラーレートに１桁前後（最大でも２桁以下）のばらつきが見られる。このためエラーレートが良くなる状態で記録しておくことが望ましい。
【０００５】
この垂直磁気記録における媒体とヘッドに起因するエラーレートの劣化原因については、次のような点が考えられる。
磁気記録において高記録密度化するためには活性化体積（１単位の情報を記録するための媒体物質の体積）を小さくすることが必須であるが、小さくなりすぎると逆に熱揺らぎによる記録情報の消去が問題となる。通常、熱揺らぎ耐性を向上させるため、記録膜の保磁力（Ｈｃ）を増大させることで安定化を図るが、ヘッド側は高記録密度化を達成するためにコア幅が狭小化しており、ヘッドからの記録磁界の不足により記録不能となったり、不完全な書き込みに起因して再生出力が変動する等の技術的課題をもたらす場合がある。
【０００６】
また、その影響で記録されたデータのＮＬＴＳや非対称性が悪化したりしてエラーレートの劣化に影響を及ぼす。
なお、特許文献１には、磁気ディスク装置において、直流消去と交流消去とを組み合わせ、消去時間を磁気ディスクの回転時間の整数倍に設定することで、直流消去による残留磁化を交流消去で取り除く技術が開示されている。
【０００７】
しかし、この特許文献１では、上述のように垂直磁気記録に特有な技術的課題を認識していない。
【特許文献１】特開昭６２−２８７４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、垂直磁気記録における記録情報の信頼性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、垂直磁気記録における情報の記録密度を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の観点は、垂直磁気記憶媒体を備えた記憶装置であって、
前記垂直磁気媒体の情報記録領域から得られた再生信号からノイズレベルを検出するノイズレベル検出手段と、
前記ノイズレベルに基づいて、前記情報記録領域に対するイレーズ処理を実行する制御論理と、
を含む記憶装置を提供する。
【００１０】
本発明の第２の観点は、垂直磁気媒体の情報記録領域に情報を書き込む第１ステップと、
前記情報記録領域から得られた再生信号からノイズレベルを検出する第２ステップと、
前記ノイズレベルに基づいて、前記情報記録領域に対するイレーズ処理を実行する第３ステップと、
を含む記憶装置の制御方法を提供する。
【００１１】
上記した本発明によれば、垂直磁気記憶媒体に対する情報の書き込み時に、ノイズレベルを検出し、ノイズレベルの状態に応じて再書き込みを実行するので、ノイズレベルに影響されることなく、信頼性の高い情報の書き込みを行うことができる。
【００１２】
換言すれば、記録情報の信頼性の低下を生じることなく、垂直磁気記録による記録密度の向上を実現することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、垂直磁気記録における記録情報の信頼性を向上させることが可能となる。
また、垂直磁気記録における情報の記録密度を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施の形態である磁気記憶装置の構成の一例を示す概念図である。
本実施の形態の磁気記憶装置１００は、垂直磁気記憶媒体１１０、ヘッド部１２０、データチャネル１３０、ディスクコントローラ１４０、ノイズレベル検出部１５０を含んでいる。
【００１５】
垂直磁気記憶媒体１１０はスピンドルモータ１１１によって回転される。この垂直磁気記憶媒体１１０は、後述のように、記録層１１０ａと、図示しない裏打層等で構成され、厚さ方向（垂直方向）に磁化されることによって情報が記録される。
【００１６】
ヘッド部１２０は、ヘッド１２１、ヘッドアクチュエータ１２２、ヘッドアンプ１２３を含んでいる。
ヘッド１２１は、垂直磁気記憶媒体１１０に対して垂直方向に情報の記録を行う単磁極の書き込みヘッド部と、情報の再生を行う読み出しヘッド部とを含む。
【００１７】
ヘッドアクチュエータ１２２は、ヘッド１２１の垂直磁気記憶媒体１１０に対する位置決め制御を行う。
ヘッドアンプ１２３は、ヘッド１２１へ出力する記録信号１３１の電流変換と再生信号１３２の増幅を行う。
【００１８】
データチャネル１３０は、ヘッドアンプ１２３とディスクコントローラ１４０の間に介在し、記録信号１３１、再生信号１３２の中継を行う。
再生信号１３２の伝送経路には、再生信号１３２のレベルを制御する自動利得制御部１３３が設けられている。
【００１９】
ディスクコントローラ１４０は、磁気記憶装置１００の全体を制御するとともに、上位装置２００との間で授受される情報を、記録信号１３１として垂直磁気記憶媒体１１０に書き込み、再生信号１３２として読み出す。
【００２０】
本実施の形態の場合、ディスクコントローラ１４０には、ノイズレベル制御論理１４１が設けられており、後述の図２のフローチャートに例示される動作を行う。
さらに、本実施の形態の場合には、データチャネル１３０に接続されるノイズレベル検出部１５０が設けられている。
【００２１】
このノイズレベル検出部１５０の後述の各部は、ディスクコントローラ１４０から出力される制御信号１４２によって制御される。
このノイズレベル検出部１５０は、直流レベルセレクト部１５１、正側加算平均回路１５２、負側加算平均回路１５３、コンパレータ１５４、基準値記憶部１５５、が設けられている。
【００２２】
直流レベルセレクト部１５１は、ある一定時間ｔ０内の再生信号１３２の最大値１３２ａと最小値１３２ｂを、当該一定時間ｔ０毎に後段の正側加算平均回路１５２、負側加算平均回路１５３に出力する。
【００２３】
正側加算平均回路１５２は、直流レベルセレクト部１５１から到来する再生信号１３２の最大値１３２ａを、たとえば、一定時間ｔ０×回数ｍによって定まる時間毎に平均して最大値１３２ａのノイズレベルｈとして、後段のコンパレータ１５４および判定器１５６に出力する。
【００２４】
負側加算平均回路１５３は、直流レベルセレクト部１５１から到来する再生信号１３２の最小値１３２ｂを、たとえば、一定時間ｔ０×回数ｍによって定まる時間毎に平均して最小値１３２ｂのノイズレベルｈとして、後段のコンパレータ１５４および判定器１５６に出力する。
【００２５】
コンパレータ１５４は、正側加算平均回路１５２および負側加算平均回路１５３の各々から出力されるノイズレベルｈの差分Δを算出する。
基準値記憶部１５５には、ノイズレベルｈ、差分Δを判定するための基準値Ｔｈ１、基準値Ｔｈ２が、ノイズレベル制御論理１４１から書き込まれる。
【００２６】
判定器１５６は、最大値１３２ａ（＋側）、および最小値１３２ｂ（−側）の各々のノイズレベルｈが基準値Ｔｈ１を超過したか否かを判定する。
また、判定器１５６は、差分Δが基準値Ｔｈ２を超過したか否かを判定する。
【００２７】
以下、本実施の形態の作用の一例について説明する。
図１に例示されるように、データチャネル１３０において、再生信号１３２が破線のように分岐して、自動利得制御部１３３から直流レベルセレクト部１５１へ入力される。
【００２８】
直流レベルセレクト部１５１では、一例として、少なくとも５００ＭＨｚ／ｓａｍｐｌｅ以上のレートである一定時間ｔ０内の再生信号１３２の最大値１３２ａと最小値１３２ｂを、その一定時間ｔ０ごとに出力している。最大値１３２ａは正側加算平均回路１５２に、最小値１３２ｂは負側加算平均回路１５３に、それぞれ出力されて一定時間ｔ０×回数ｍによって決められる時間により平均化される。
【００２９】
この値の最大値１３２ａは＋側、最小値１３２ｂは−側のノイズレベルｈとなるので、これに対して判定器１５６にて、基準値記憶部１５５に設定された基準値Ｔｈ１を超えていないか判定を行う。もし、ノイズレベルｈが基準値Ｔｈ１を超えている場合は即座にイレーズをかけて書き直しを行う。
【００３０】
また、基準値Ｔｈ１による判定で仮に問題ないノイズレベルｈであると判定されても、上下に非対称となっている場合も考えられることから、コンパレータ１５４で＋側の最大値１３２ａ、−側の最小値１３２ｂの各々のノイズレベルｈの絶対値を比較して差分Δを求め、この差分Δが、ある一定レベル内（基準値Ｔｈ２）に収まっているかを監視する。
【００３１】
この基準値Ｔｈ２を超えている場合もやはりイレーズをかけて書き直しを行う。こうすることで最小のノイズレベルｈを維持しつつ、垂直磁気記憶媒体１１０の上下に書きやすさが違うために生じる非対称性等の不具合のない初期状態を垂直磁気記憶媒体１１０の記録層１１０ａに形成し、完全に書きやすい状態から記録を行いエラーレートを改善する。
【００３２】
つまり、記録層１１０ａにデータを書き込む以前の初期状態において垂直方向に発生する磁場を最善の状態にしておくことにより、高記録密度のために狭小化されたヘッド１２１からの弱い書き込み磁場でも確実に記録層１１０ａが、媒体平面に垂直な方向に磁化されるようにするものである。
【００３３】
すなわち、本実施の形態の磁気記憶装置１００は、垂直磁気記憶媒体１１０における高記録密度化によって問題となるヘッド１２１からの弱い書き込み磁場でも確実に垂直磁気記憶媒体１１０の消磁状態を維持させるための機能を備えたものである。
【００３４】
本実施の形態では、垂直磁気記憶媒体１１０を最適な状態に消磁することにより記録時には記録層１１０ａを上下どちらの垂直方向にでも磁化しやすくすることができる。また、あらかじめ記録層１１０ａを垂直方向に磁化させやすい状態にしておくことにより、データ書き込み時の記録層１１０ａの磁化を補助・促進することができ、磁気ディスク装置等の磁気記憶装置１００の信号処理の信頼性を向上させることができる。
【００３５】
図２および図３は、本実施の形態の磁気記憶装置１００における上述の作用を説明するフローチャートである。
以下の説明では、一例として、＋側の最大値１３２ａと、−側の最小値１３２ｂの各々のノイズレベルｈを評価する基準値Ｔｈ１としては０．０５ｍＶｐｐが、差分△を評価するための基準値Ｔｈ２としては０．００５５ｍＶｐｐが、基準値記憶部１５５に設定されている。
【００３６】
上位からのデータ書き込み（Ｗｒｉｔｅ）命令を受領すると、まず、制御変数ｎを０に初期化した後（ステップ２０１）、ライトデータを記録信号１３１として垂直磁気記憶媒体１１０の所定の位置に書き込む（ステップ２０２）。
【００３７】
このデータ書き込みの直後に、当該記録信号１３１の記録領域からの再生信号１３２の読み出し（Ｒｅａｄ）を実施する（ステップ２０３）。
このとき、垂直磁気記憶媒体１１０上の記録層１１０ａは図４（ａ）のように、個々の記録ビットの磁化方向（図中では矢印で表示）が本来の記録方向である垂直方向に対して傾斜した状態に不完全に磁化されている状態であり、この結果、エラーレートは、図５の線図のエラーレートｅ１（１０−４．５程度）のような特性となる。
【００３８】
ここで本実施の形態におけるノイズレベル検出部１５０の直流レベルセレクト部１５１から、再生信号１３２に応じて出力される信号（最大値１３２ａ、最小値１３２ｂ）は、図６のように表される。
【００３９】
この図６において、縦軸の０を基準として＋側が最大値１３２ａ、−側が最小値１３２ｂである。この、図６のデータは、正側加算平均回路１５２、負側加算平均回路１５３において、図７に例示されるようなノイズレベルｈとしてデータ化される。
【００４０】
いまの最初のＷｒｉｔｅ時のノイズレベルｈは最大値１３２ａ（＋側）が０．０５９３ｍＶｐｐとなり基準値Ｔｈ１の０．０５ｍＶｐｐを超えている。
このためステップ２０４の、（最大値１３２ａのノイズレベルｈ  ＜  基準値Ｔｈ１）かつ（最小値１３２ｂのノイズレベルｈ  ＜  基準値Ｔｈ１）、の判定ではＮｏと判定され、イレーズ処理が実行される（ステップ２０６）。
【００４１】
このイレーズ処理の一例が、図３のフローチャートに例示されたイレーズ処理３１０である。このイレーズ処理３１０では、制御変数ｎの奇／偶に応じて、直流のＤＣ（＋）イレーズと、ＤＣ（−）イレーズを交互に実行する。
【００４２】
ＤＣ（＋）イレーズでは、正の一定レベルの記録信号１３１を垂直磁気記憶媒体１１０に書き込む。ＤＣ（−）イレーズでは、負の一定レベルの記録信号１３１を垂直磁気記憶媒体１１０に書き込む。
【００４３】
すなわち、イレーズ処理３１０では、制御変数ｎの奇／偶を判別し（ステップ３１１）、最初は、ｎ＝０なので、ＤＣ（＋）イレーズが実施される（ステップ３１２）。
その後、図２のフローチャートに戻って、制御変数ｎを１加算した後（ステップ２０７）、再度、ステップ２０２〜ステップ２０４の処理が行われるが、今度のノイズレベルｈは最大値１３２ａ（＋側）と最小値１３２ｂ（−側）ともに０．０５ｍＶｐｐ以下のため、基準値Ｔｈ１の判定は可（Ｙｅｓ）となる。
【００４４】
次に差分Δと基準値Ｔｈ２の比較判定を行うと（ステップ２０５）、差分Δ＝０．００５９ｍＶｐｐとなり、基準値Ｔｈ２の０．００５５ｍＶｐｐを超過しているので、結果としては不可（Ｎｏ）の判定結果となり、ステップ２０６のイレーズ処理が実行される。
【００４５】
２回目の（ステップ２０６）では、ｎ＝１なので、ステップ３１１（図３）の判定で奇数と判定され、ＤＣ（−）イレーズが実施される（ステップ３１３）。
その後、３回目の（ステップ２０２）〜（ステップ２０５）の処理が行われるが、今度も、ステップ２０５で差分Δを比較すると、差分Δ＝０．００９６ｍＶｐｐであり、基準値Ｔｈ２の０．００５５ｍＶｐｐを下回る条件を満たしていないため、再度、Ｎｏと判定され、ステップ２０６のイレーズ処理に移行する。
【００４６】
以下、同様のことが繰り返されて、図７に例示したデータ例の場合、４回目の（ステップ２０４、ステップ２０５）にて初めて、基準値Ｔｈ１、基準値Ｔｈ２のすべての判定条件がクリアーされ、一つのデータ書き込み処理（ｗｒｉｔｅ命令）が完了する。
【００４７】
このとき、垂直磁気記憶媒体１１０上の記録層１１０ａは、図４（ｂ）に例示されるような、すべての記録ビット（矢印）が垂直方向を向いた理想的な記録状態に極めて近いものとなる。
【００４８】
この結果、エラーレートは、図５のエラーレートｅ２（１０−５程度）のような、エラーレートｅ１よりも大きく改善された特性が得られる。
なお、図２のフローチャートのステップ２０６で実行されるイレーズ処理としては、図３に例示した方法以外にも種々のイレーズ処理が考えられる。
【００４９】
たとえば、図８のフローチャートにイレーズ処理３２０を例示する。
このイレーズ処理３２０では、上述の図３のイレーズ処理３１０におけるイレーズ処理の後に、交流のＡＣイレーズを実行するものである。
【００５０】
このＡＣイレーズでは、たとえば、実際のデータを垂直磁気記憶媒体１１０に記録するときの記録周波数ｆ１よりも十分に大きな周波数の高周波信号を記録信号１３１として垂直磁気記憶媒体１１０に書き込む。あるいは装置内での最大周波数がｆ１であればその最大周波数を書き込む。
【００５１】
すなわち、制御変数ｎの奇／偶判定を行い（ステップ３２１）、奇数の場合にはＤＣ（＋）イレーズを実行し（ステップ３２２）、偶数の場合には、ＤＣ（−）イレーズを実行し（ステップ３２３）、その後、共通のＡＣイレーズを実行する（ステップ３２４）。
【００５２】
さらに、ステップ２０６のイレーズ処理の変形例として、図９のフローチャートに例示されるイレーズ処理３３０が考えられる。
このイレーズ処理３３０の場合には、ＤＣ（＋）イレーズ、ＤＣ（−）イレーズ、およびＡＣイレーズの３種類のイレーズ処理を交互に反復する。
【００５３】
すなわち、制御変数ｎ÷３の剰余、０、１、２を求め（ステップ３３１）、その各々の場合に、ＤＣ（＋）イレーズ（ステップ３３２）、ＤＣ（−）イレーズ（ステップ３３３）、およびＡＣイレーズ（ステップ３３４）、のいずれかを実行するものである。
【００５４】
さらに、イレーズ処理変形例として、図１０のフローチャートに例示されるイレーズ処理３４０も考えられる。この場合には、ＡＣイレーズを単独で実行する（ステップ３４１）ものである。したがって、図２のフローチャートにおけるステップ２０１、ステップ２０７における制御変数ｎの処理は省略できる。
【００５５】
ただし、毎回、ＡＣイレーズの周波数を変更する場合には、この制御変数ｎの値を利用して、ＡＣイレーズの周波数の切り替えを行うことができる。
以上説明したように、本実施の形態によれば、データ書き込み時にノイズレベルｈを検出し、このノイズレベルｈに応じて、イレーズ処理および再書き込みを反復することで、垂直磁気記憶媒体１１０に記録される信号の信頼性を向上させることができる。
【００５６】
この結果、記録情報の信頼性を損なうことなく、垂直磁気記憶媒体１１０を備えた磁気記憶装置１００の記憶容量を向上させることが可能となる。
なお、本発明は、上述の実施の形態に例示した構成に限らず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
たとえば、垂直磁気記憶媒体としては、回転する磁気ディスク等の媒体に限らない。
【００５７】
（付記１）
垂直磁気記憶媒体を備えた記憶装置であって、
前記垂直磁気媒体の情報記録領域から得られた再生信号からノイズレベルを検出するノイズレベル検出手段と、
前記ノイズレベルに基づいて、前記情報記録領域に対するイレーズ処理を実行する制御論理と、
を含むことを特徴とする記憶装置。
（付記２）
付記１記載の記憶装置において、
前記制御論理は、
前記情報記録領域に対する情報記録の直後に当該情報記録領域から再生信号を得るステップと、
前記ノイズレベル検出手段を介して前記再生信号のノイズレベルを検出するステップと、
前記ノイズレベルが既定の範囲を逸脱したとき、前記情報記録領域に対する前記イレーズ処理を行った後に、再度、前記情報記録を実行するステップと、
を反復することを特徴とする記憶装置。
（付記３）
付記１または付記２記載の記憶装置において、
前記イレーズ処理では、ＤＣイレーズおよびＡＣイレーズの少なくとも一方が行われることを特徴とする記憶装置。
（付記４）
付記１または付記２記載の記憶装置において、
前記イレーズ処理では、正負の極性を変化させたＤＣイレーズが交互に行われることを特徴とする記憶装置。
（付記５）
付記１記載の記憶装置において、
前記ノイズレベル検出手段は、
前記再生信号の最大値と最小値を検出する信号レベル選択手段と、
前記最大値および最小値の各々の平均値を算出する加算平均手段と、
前記平均値が既定の範囲から逸脱したか否かを判定する判定手段と、
を含むことを特徴とする記憶装置。
（付記６）
付記５記載の記憶装置において、
前記ノイズレベル検出手段は、
さらに、前記最大値および前記最小値の各々の前記平均値の差分を演算する差分演算手段を備え、
前記判定手段は、前記差分が既定の範囲から逸脱したか否かを判定する機能をさらに備えたことを特徴とする記憶装置。
（付記７）
垂直磁気媒体の情報記録領域に情報を書き込む第１ステップと、
前記情報記録領域から得られた再生信号からノイズレベルを検出する第２ステップと、
前記ノイズレベルに基づいて、前記情報記録領域に対するイレーズ処理を実行する第３ステップと、
を含むことを特徴とする記憶装置の制御方法。
（付記８）
付記７記載の記憶装置の制御方法において、
前記第２ステップでは、前記ノイズレベルとして、前記再生信号の最大値と最小値の各々の平均値および／または最大値と最小値の差分を検出し、
前記第３ステップでは、前記平均値および／または前記差分の少なくとも一方が既定の範囲から逸脱したときに、前記イレーズ処理を実行することを特徴とする記憶装置の制御方法。
（付記９）
付記７記載の記憶装置の制御方法において、
前記イレーズ処理では、ＤＣイレーズおよびＡＣイレーズの少なくとも一方を実行することを特徴とする記憶装置の制御方法。
（付記１０）
付記７記載の記憶装置の制御方法において、
前記イレーズ処理では、正負の極性を変化させたＤＣイレーズを交互に実行することを特徴とする記憶装置の制御方法。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の一実施の形態である磁気記憶装置の構成の一例を示す概念図である。
【図２】本発明の一実施の形態である磁気記憶装置における作用の一例を説明するフローチャートである。
【図３】本発明の一実施の形態である磁気記憶装置におけるイレーズ処理の一例を示すフローチャートである。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、本発明の磁気記憶装置におけるイレーズ処理前および処理後の垂直磁気記憶媒体の記録状態の一例を示す概念図である。
【図５】本発明の磁気記憶装置におけるエラーレートの改善例を示す線図である。
【図６】本発明の磁気記憶装置におけるイレーズの作用および効果の一例を示す線図である。
【図７】本発明の磁気記憶装置におけるイレーズ処理におけるノイズレベルおよび差分の推移を例示した説明図である。
【図８】本発明の一実施の形態である磁気記憶装置におけるイレーズ処理の変形例を示すフローチャートである。
【図９】本発明の一実施の形態である磁気記憶装置におけるイレーズ処理の変形例を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の一実施の形態である磁気記憶装置におけるイレーズ処理の変形例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５９】
１００  磁気記憶装置
１１０  垂直磁気記憶媒体
１１０ａ  記録層
１１１  スピンドルモータ
１２０  ヘッド部
１２１  ヘッド
１２２  ヘッドアクチュエータ
１２３  ヘッドアンプ
１３０  データチャネル
１３１  記録信号
１３２  再生信号
１３２ａ  最大値
１３２ｂ  最小値
１３３  自動利得制御部
１４０  ディスクコントローラ
１４１  ノイズレベル制御論理（制御論理）
１４２  制御信号
１５０  ノイズレベル検出部（ノイズレベル検出手段）
１５１  直流レベルセレクト部
１５２  正側加算平均回路
１５３  負側加算平均回路
１５４  コンパレータ
１５５  基準値記憶部
１５６  判定器
２００  上位装置
Ｔｈ１  基準値
Ｔｈ２  基準値
ｅ１  エラーレート
ｅ２  エラーレート
ｈ  ノイズレベル
Δ  差分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図６】
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