(57)【要約】  【課題】  低コストで、従来の半導体光センサより比視感度特性に近い分光感度特性が得られる半導体光センサを提供する。  【解決手段】  ほぼ４００ｎｍから１１００ｎｍの範囲の波長に高い分光感度を有する半導体受光素子と、赤外域の波長の光を遮断すると共に、可視光域の波長の光を透過して半導体受光素子から光電流が得られる量の微粒子が透明樹脂内に分散させた光透過樹脂を備えている。また、半導体受光素子の受光面上に集光構造を備えている。【選択図】  図９
2007201137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも可視光域から赤外域にかけての波長に分光感度を有する半導体受光素子と、該半導体受光素子の少なくとも受光面側を封止するＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｃｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ又はＷの内から選択された１又は２以上の元素のホウ化物であって、あるいは前記ホウ化物の代わりに、あるいは前記ホウ化物に加えて、ルテニウム又はイリジウムの一方又は両方の元素の酸化物であって、且つ前記ホウ化物及び前記酸化物の粒径が１００ｎｍを越えない微粒子を分散させた光透過樹脂とを具備する半導体光センサであって、
前記光透過樹脂は、赤外域の波長の光を遮断すると共に、可視光域の波長の光を透過して前記半導体受光素子から光電流が得られる量の前記微粒子が透明樹脂内に分散していることと、前記半導体受光素子の受光面上に集光構造を備えていることを特徴とする半導体光センサ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体光センサにおいて、前記光透過樹脂を透過する可視光域の波長の光の透過率のピーク値に比べて、遮断する赤外域の波長の光の相対透過率が、１．５％を越えないように、前記微粒子が前記透明樹脂に分散していることを特徴とする半導体光センサ。
【請求項３】
請求項１記載の半導体光センサにおいて、前記光透過樹脂を透過する可視光域の波長の光の透過率のピーク値に比べて、遮断する赤外域の波長の光の相対透過率が、１．５％を越えないように、前記透明樹脂に含まれる前記微粒子の濃度及び前記光透過樹脂の厚さを設定していることを特徴とする半導体光センサ。
【請求項４】
請求項１記載の半導体光センサにおいて、前記光透過樹脂を透過する可視光域の波長の光の透過率のピーク値に比べて、遮断する赤外域の波長の光の相対透過率が、５％を越えないように、前記微粒子が前記透明樹脂に分散していることを特徴とする半導体光センサ。
【請求項５】
請求項１記載の半導体光センサにおいて、前記光透過樹脂を透過する可視光域の波長の光の透過率のピーク値に比べて、遮断する赤外域の波長の光の相対透過率が、５％を越えないように、前記透明樹脂に含まれる前記微粒子の濃度及び前記光透過樹脂の厚さを設定していることを特徴とする半導体光センサ。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれか記載の半導体光センサにおいて、前記集光構造は、少なくとも可視光域の波長の光を透過する樹脂により前記受光面を封止する前記光透過樹脂と一体成形されていることを特徴とする半導体光センサ。
【請求項７】
請求項１乃至５いずれか記載の半導体光センサにおいて、前記集光構造は、前記微粒子が分散した前記光透過樹脂により前記受光面を封止する前記光透過樹脂と一体成形されていることを特徴とする半導体光センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可視光域から赤外域の波長の光に分光感度をもつ半導体受光素子と、赤外域の波長の光を遮断する微粒子を透明樹脂に分散させた光透過樹脂とを備え、可視光域の波長の光に分光感度を有する半導体光センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
可視光域の光センサの一種である照度センサとして、従来から図１１に示すような分光感度特性をもつＣｄＳセルが広く用いられていた。しかし、カドミウムは環境負荷が高くＥＵのＲｏｈＳ指令の規制物質に該当し、２００６年７月からＥＵ内での使用が禁止されている。そのため代替品としてシリコンの光センサに置き換える試みがなされている。シリコンで照度センサを構成するためには、シリコンの分光感度を人間の目の感度である比視感度特性に合わせる必要がある。図１２は、シリコンホトトランジスタの分光感度特性を示している。図１２より、波長８００ｎｍ以上（赤外域）の波長の光に感度を有することがわかる。一方、人間の目は、図１３に標準比視感度特性を示すように、赤外域の光に感度を持っていない。
【０００３】
このため、従来のこの種の光センサでは、受光面側に酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜と酸化チタン（ＴｉＯ2）膜を交互に積層した多層膜で構成したフィルタを配置し、シリコンの分光感度の内、赤外域の分光感度を低下させ、比視感度特性（図１３）に近づけていた（例えば、特許文献１）。
【０００４】
しかし、酸化シリコン膜と酸化チタン膜を交互に積層した多層膜の形成は、時間的にも工程的にも手間がかかり、コスト高を招いてしまう。そのため本願出願人は、低コストで比視感度特性に近い分光感度特性を有する半導体光センサを提案した（特願２００５−１２８８５号）。
【０００５】
本願出願人が先に提案した半導体光センサを図１４に示す。図１４において、１は基板、２は少なくとも可視光域から赤外域にかけての波長に高い分光感度を有する半導体受光素子、３は金線、４は透明樹脂にＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｃｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ又はＷの内から選択された１又は２以上の元素のホウ化物等であって且つ粒径がほぼ１００ｎｍを越えない微粒子を分散させた光透過樹脂である。半導体受光素子２の少なくとも受光面側を微粒子が分散した光透過樹脂４で封止することで、微粒子が入射光の内、赤外域の波長の光を減衰させ、比視感度特性に近い分光感度特性を実現している。
【特許文献１】特開平９−１５０４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、先に本願出願人が提案した半導体光センサでは、赤外域の光を遮断する量の微粒子を透明樹脂に分散させる場合、その量が多すぎると可視光域の光も遮蔽してしまい、半導体受光素子の出力（光電流）が小さくなってしまう。
【０００７】
具体的には、図１５に透明樹脂（エポキシ樹脂）分散させる微粒子（ホウ化ランタン）の量を変えて、透過率が変化する様子を示す。光透過樹脂は、微粒子をトルエン等の有機溶剤に懸濁させた懸濁液を透明樹脂（エポキシ樹脂）に混合して用意するので、混合する懸濁液の量を多くすると、分散させる微粒子の量が多くなり（図１５においては、光透過樹脂に含まれる微粒子の量は、Ａ（２．７３ｗｔ％）、Ｂ（５．３９ｗｔ％）、Ｃ（８．８１ｗｔ％）の順に多くなる）、赤外域の光の透過率が下がると同時に、可視光域の光も遮蔽されることがわかる。また厚さが厚くなれば、赤外域の光の透過率が下がると同時に、可視光域の光も遮断されることも確認されている。
【０００８】
図１６は、ホウ化ランタンを２．０ｗｔ％含み、厚さ１ｍｍとした光透過樹脂の透過率のピーク値を１００％とした相対透過率を表示している。比視感度に比べて、赤外域の光を透過していることがわかる。
【０００９】
このような光透過樹脂を用いて半導体光センサを形成すると、半導体受光素子の受光感度が大きい赤外域の波長の光を含まない蛍光灯の場合は問題ないが、赤外域の波長の光を含む太陽光では、赤外域の光が入射して光電流が発生してしまうことになる。
【００１０】
そのため赤外域の波長の光をほぼ遮断するまで分散する微粒子の量を多くすると、可視光域の波長の光を遮蔽してしまい、半導体受光素子の光電流（出力信号）が非常に小さくなってしまう。その場合には、出力信号の増幅手段を別途備える必要が生じてしまう。
【００１１】
このような出力信号の増幅手段を別途備えることはコスト増を招いてしまうという問題があった。一方、ある程度赤外域の光が透過する状態で半導体光センサを形成すると、比視感度特性が得られないという問題があった。本発明はこれらの問題を解決し、低コストで、従来の半導体光センサより比視感度特性に近い分光感度特性が得られる半導体光センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本願請求項１に係る発明は、少なくとも可視光域から赤外域にかけての波長に分光感度を有する半導体受光素子と、該半導体受光素子の少なくとも受光面側を封止するＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｃｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ又はＷの内から選択された１又は２以上の元素のホウ化物であって、あるいは前記ホウ化物の代わりに、あるいは前記ホウ化物に加えて、ルテニウム又はイリジウムの一方又は両方の元素の酸化物であって、且つ前記ホウ化物及び前記酸化物の粒径が１００ｎｍを越えない微粒子を分散させた光透過樹脂とを具備する半導体光センサであって、前記光透過樹脂は、赤外域の波長の光を遮断すると共に、可視光域の波長の光を透過して前記半導体受光素子から光電流が得られる量の前記微粒子が透明樹脂内に分散していることと、前記半導体受光素子の受光面上に集光構造を備えていることを特徴とする。
【００１３】
本願請求項２に係る発明は、請求項１記載の半導体光センサにおいて、前記光透過樹脂を透過する可視光域の波長の光の透過率のピーク値に比べて、遮断する赤外域の波長の光の相対透過率が、１．５％を越えないように、前記微粒子が前記透明樹脂に分散していることを特徴とする。
【００１４】
本願請求項３に係る発明は、請求項１記載の半導体光センサにおいて、前記光透過樹脂を透過する可視光域の波長の光の透過率のピーク値に比べて、遮断する赤外域の波長の光の相対透過率が、１．５％を越えないように、前記透明樹脂に含まれる前記微粒子の濃度及び前記光透過樹脂の厚さを設定していることを特徴とする。
【００１５】
本願請求項４に係る発明は、請求項１記載の半導体光センサにおいて、前記光透過樹脂を透過する可視光域の波長の光の透過率のピーク値に比べて、遮断する赤外域の波長の光の相対透過率が、５％を越えないように、前記微粒子が前記透明樹脂に分散していることを特徴とする。
【００１６】
本願請求項５に係る発明は、請求項１記載の半導体光センサにおいて、前記光透過樹脂を透過する可視光域の波長の光の透過率のピーク値に比べて、遮断する赤外域の波長の光の相対透過率が、５％を越えないように、前記透明樹脂に含まれる前記微粒子の濃度及び前記光透過樹脂の厚さを設定していることを特徴とする。
【００１７】
本願請求項６に係る発明は、請求項１乃至５いずれか記載の半導体光センサにおいて、前記集光構造は、少なくとも可視光域の波長の光を透過する樹脂により前記受光面を封止する前記光透過樹脂と一体成形されていることを特徴とする。
【００１８】
本願請求項７に係る発明は、請求項１乃至５いずれか記載の半導体光センサにおいて、前記集光構造は、前記微粒子が分散した前記光透過樹脂により前記受光面を封止する前記光透過樹脂と一体成形されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の半導体光センサは、透明樹脂に赤外域の光をほぼ遮断する量のホウ化物等の微粒子を分散させることにより、比視感度特性に近い、分光感度特性が得られる光半導体センサを実現することができた。また、可視光域の光が遮蔽され半導体受光素子から出力される光電流の低下を補うため、集光構造によって半導体受光素子の受光面の受光量を増加させる構造とすることができ、増幅手段を備えなくても、照度センサに最適な半導体光センサが形成できる。
【００２０】
特に、可視光域の光の透過率のピーク値に比べて、遮断したい波長の光の相対透過率を１．５％程度まで遮断する量の微粒子を光透過樹脂に分散させることで、比視感度特性とほぼ一致した半導体光センサを形成することができる。所定の量の微粒子を分散させるためには、透明樹脂に分散する微粒子の濃度、光透過樹脂の厚さを調整することで、簡便に形成することができる。
【００２１】
本発明の集光構造は、光透過樹脂によって形成することができ、樹脂封止と同時に形成することにより、非常に簡便、安価に形成することができる。特に、微粒子を分散させた光透過樹脂によって形成すると、集光構造自体が赤外域の光を遮断する機能を発揮し、集光構造が小型化の妨げになることはない。
【００２２】
本発明の半導体光センサは、人間の目とほぼ一致した分光感度を持つため、携帯機器（携帯電話、ＰＤＡ等）やパーソナルコンピュータ等の液晶のバックライト制御用、住宅照明や防犯灯の自動点灯制御用、カメラのストロボ制御用など、照度センサとしての使用に適している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明では、半導体受光素子として、シリコン、又はガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐等の化合物半導体で構成され、少なくとも可視光域から赤外域の光に分光感度が高い材料（図１０に示すように４００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲の波長に高い分光感度を持つ材料）を用いる。また、この半導体受光素子の受光面を封止する光透過樹脂として、透明樹脂（例えばエポキシ樹脂）に粒径が１００ｎｍを越えないホウ化ランタン（ＬａＢ6）の他、後述する微粒子を分散させたものを用いる。
【００２４】
ホウ化ランタン等を選択した理由は、他の金属酸化物に比べ、赤外域の波長に対して大きな遮光特性を持つ材料だからである。すなわち、本発明の微粒子は、蛍光灯の光や太陽光が、ホウ化ランタン等の微粒子が分散した光透過樹脂内に入射し微粒子に遭遇すると、その微粒子のプラズマ周波数以下の粗密により発生する自由電子の振動数により、この周波数より高い周波数の電磁波は通過し低い周波数の電磁波は全反射される。ホウ化ランタンの場合、その全反射を起こす周波数の波長が赤外域にあり、赤外域の波長に対して遮光特性をもつからである。
【００２５】
また、微粒子として１００ｎｍを越えない粒径を選択した理由は、可視光（波長が４００〜７００ｎｍ）が散乱により反射されることを抑制するためである。すなわち、微粒子の粒径が可視光の波長よりも小さくなると、その微粒子による光の散乱はレーリー散乱が主体となり、この散乱は粒子体積の２乗、つまり粒径の６乗に比例して大きくなる。したがって、微粒子の粒径が小さくなるほど急激に散乱が小さくなり、可視光に対して透明性を増し、可視光波長の１／４以下の粒径（ほぼ１００ｎｍ以下）で可視光に対して高い透明性が得られるからである。
【００２６】
以上のようにホウ化ランタン等の微粒子は、これを透明樹脂内に分散させたとき、赤外域の波長の光を遮断し、それより短い波長の可視光域の光は透過させるという特有の特性をもつことになる。本発明では、赤外域の波長の光を遮断し（好ましくは可視光域の透過率のピーク値に対する相対透過率がほぼ１％程度以下とする）、かつ可視光域の波長の光を透過する条件を満たすように、分散する微粒子の濃度、あるいは光透過樹脂の厚さを適宜設定するものである。更に本発明では、可視光域の光が微粒子によって遮蔽され、減少した光量を補うため、レンズ等の集光構造を備え、半導体受光素子に入射する光量を増やす構造としていることが大きな特徴となる。
【００２７】
集光構造は、周知の集光構造を適用することが可能であるが、半導体受光素子の受光面を封止する光透過樹脂上に可視光域の光を透過する樹脂によって一体に成形した構造とするのが好ましい。特に本発明の微粒子を分散させた光透過樹脂によって集光構造を形成する場合、半導体受光素子の樹脂封止と集光構造の形成が同時にでき、また半導体光センサの小型化の妨げとならず好ましい。
【００２８】
なお、透明樹脂内に分散する微粒子としては、上記ホウ化ランタン（ＬａＢ6）の他に、ホウ化プラセオジウム（ＰｒＢ6）、ホウ化ネオジウム（ＮｄＢ6）、ホウ化セリウム（ＣｅＢ6）、ホウ化イットリウム（ＹＢ6）、ホウ化チタン（ＴｉＢ6）、ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ6）、ホウ化ハフニウム（ＨｆＢ6）、ホウ化バナジウム（ＶＢ6）、ホウ化タンタル（ＴａＢ6）、ホウ化クロム（ＣｒＢ、ＣｒＢ2）、ホウ化モリブデン（ＭｏＢ2、Ｍｏ2Ｂ5、ＭｏＢ）、ホウ化タングステン（Ｗ2Ｂ5）等のホウ化物微粒子がその代表的なものとして挙げられ、これらの内から選択した１又は２以上を使用できる。
【００２９】
また、これらのホウ化物微粒子の代わりに、あるいはこれらのホウ化物微粒子に加えて、酸化ルテニウム微粒子や酸化イリジウム微粒子を添加しても良い。具体的には、二酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、ルテニウム酸鉛（Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6.5）、ルテニウム酸ビスマス（Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7）、二酸化イリジウム（ＩｒＯ2）、イリジウム酸ビスマス（Ｂｉ2Ｉｒ2Ｏ7）、イリジウム酸鉛（Ｐｂ2Ｉｒ2Ｏ6.5）等の微粒子がその代表例として挙げられる。これらの酸化ルテニウムや酸化イリジウムは安定した酸化物であり、多量の自由電子を保有しており、赤外域の遮光性が高い。
【００３０】
以上のホウ化物微粒子、酸化物微粒子は、耐熱性にも優れているため、半導体光センサを実装するために必須であるハンダリフローのための加熱を行っても赤外線の遮光特性の劣化は認められず、好ましい。
【００３１】
これらの微粒子は、トルエン等の有機溶剤に懸濁させてから封止用の透明樹脂に分散させる。このとき、必要に応じて界面活性剤やカップリング剤を加えても良い。透明樹脂内に含まれる微粒子の量は、半導体受光素子表面の形成される樹脂厚、および要求される赤外域の遮光特性及び可視光域の透過特性に応じて設定される。以下、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００３２】
図１は、本発明に使用する光透過樹脂の説明図である。図１は、微粒子としてホウ化ランタン（ＬａＢ6）を透明樹脂（エポキシ樹脂）中に、５．０ｗｔ％（重量％）分散させ、厚さ１ｍｍとした光透過樹脂の透過率を示す。比較のため、２．０ｗｔ％、厚さ１ｍｍとした光透過樹脂の透過率を示す。図２は、微粒子としてホウ化ランタン（ＬａＢ6）を透明樹脂中に２．０ｗｔ％で厚さ５ｍｍとした光透過樹脂の透過率を示し、比較のため従来例の光透過樹脂の透過率を示している。図１及び図２に示すように、光透過樹脂に分散される微粒子濃度あるいは厚さを厚くすることで、赤外域の波長の光をほぼ遮断し、可視光のみを透過させることができることがわかる。本発明では、図１に示す赤外域の透過率は、可視光域のピーク値が１．７４％（５６０ｎｍ）に対し、例えば赤外域の透過率が０．０１１６％（８００ｎｍ）となり、可視光域のピーク値に対して０．６７％の相対透過率しかない。また、図２に示す赤外域の透過率は、可視光域のピーク値が２．９１％（５６０ｎｍ）に対し、例えば赤外域の透過率は０．０２９８％（８００ｎｍ）となり、可視光域のピーク値に対して１．０２％の相対透過率となる。
【００３３】
図３は、図１に示す透過率のピーク値を１００％とした相対透過率を示している。本願発明に使用される光透過樹脂の相対透過率を（実線太線）で示す。比較のため、赤外域の波長の光をわずかに透過するホウ化ランタンを透明樹脂中に２．０ｗｔ％分散させ、厚さ１ｍｍとした光透過樹脂の透過率の相対透過率（実線細線）と、比視感度（波線）を示す。図３に示すように、本発明の相対透過率は、比視感度に非常に近いことがわかる。なお、図３では、４００ｎｍ付近の相対透過率が比視感度と一致していないが、この領域は半導体受光素子の感度が非常に小さいので、ほぼ、比視感度と一致させることができ、問題ない。
【００３４】
同様に図４は、図２に示す透過率のピーク値を１００％とした相対透過率を示している。本願発明に使用される光透過樹脂の相対透過率を（実線太線）で示す。比較のため、赤外域の波長の光をわずかに透過するホウ化ランタンを透明樹脂中に２．０ｗｔ％分散させ、厚さ１ｍｍとした光透過樹脂の効果率の相対透過率（実線細線）と、比視感度（波線）を示す。図４に示すように、本発明の相対透過率も、比視感度に非常に近いことがわかる。なお、図４でも、４００ｎｍ付近の相対透過率が比視感度と一致していないが、この領域は半導体受光素子の感度が非常に小さいので、比視感度とほぼ一致し、問題はない。
【００３５】
図３と図４を比較すると、赤外域の相対透過率が図３に比べて図４の方がわずかに大きい。しかしこの程度の差は、問題とはならず、遮断したい波長域において、可視光のピーク値に対して相対透過率が１．５％を越えないようにすると、比視感度とほぼ一致した特性が得られ好ましい。さらに相対透過率が５．０％を越えないようにすることにより、問題ないことを確認している。
【００３６】
このように、赤外域の波長の光を遮断し、可視光域の波長の光をわずかでも透過するように、透明樹脂中に分散させる微粒子の濃度を高くしたり、光透過樹脂の厚さを厚くすることで、比視感度と非常に近似した特性を得ることができる。
【００３７】
次に、上記光透過樹脂を使用したのみでは、半導体受光素子に入射する光の量が少なく、増幅手段が必要となるので、本発明では、集光構造、具体的にはレンズ構造を形成して半導体受光素子に入射する光の量を多くする必要がある。
【００３８】
一例として図５に本発明の半導体光センサの断面図を示す。図５において１は基板、２は半導体受光素子、３は金線、４はホウ化ランタン等の微粒子を分散させた光透過樹脂、５は集光構造である。図５に示すように、半導体受光素子２の受光面上の光透過樹脂表面に球面構造の集光構造５を備えることで、その表面がレンズとして作用し、半導体受光素子２の受光面に多くの光が集まる構造となる。なお、集光構造５の形状（例えば曲率等）は、半導体受光素子２から出力される光電流の大きさが、所望の値となるように、適宜設定すればよい。
【００３９】
このような構造の半導体光センサは、たとえは集光基板上に複数の半導体受光素子を実装し、その受光面側を本発明の微粒子を分散させた光透過樹脂で封止し、ダイシングブレードを用いて切断することで個片化し、形成することができる。
【００４０】
本発明の半導体光センサから出力される光電流を測定した結果を図６に示す。比較のため従来例（赤外域の波長の光が透過する程度の微粒子を分散させた光透過樹脂で封止し、集光構造を備えなくとも光電流が得られる半導体光センサ）の光電流の測定結果も表示してある。従来例では、赤外域の波長の光を含んでいない蛍光灯では、光電流が低く、赤外域の波長の光を含む太陽光では光電流が高くなっている。すなわち、太陽光では比視感度と一致しない赤外域の波長の光によって光電流が大きくなっていることがわかる。それに対し本願発明の半導体光センサは、光源が太陽光であっても、蛍光灯であっても、ほぼ一致した光電流が得られており、赤外域の波長の光により光電流がないことが確認された。
【実施例２】
【００４１】
図７は本発明の別の半導体光センサの断面図である。図７において２は半導体受光素子、３は金線、４は光透過樹脂、５は集光構造、６はリードである。半導体受光素子２の一方の電極が一方のリード６に接続され、半導体受光素子２の別の電極は金線３によって別のリード６に接続され、本発明の光透過樹脂４によって封止した構造となっている。本実施例では、金型を使って樹脂封止することにより、集光構造５（レンズ構造）が形成されている。
【実施例３】
【００４２】
図８は本発明の更に別の半導体光センサの断面図である。半導体受光素子２の一方の電極が一方のリード６に金線３によって接続され、半導体受光素子２の別の電極は金線３によって別のリード６に接続され、本発明の光透過樹脂４によって封止した構造となっている。本実施例では、金型を使って樹脂封止することにより、集光構造５（レンズ構造）が形成されている。
【００４３】
以上のように形成した半導体光センサの分光特性の一例を図９に示す。図９より比視感度特性とほぼ一致した分光特性が得られることが確認された。このような分光特性は、半導体受光素子の受光面積、光透過樹脂に分散させる微粒子濃度、受光面上に光透過樹脂の厚さを適宜設定することで得ることができる。
【００４４】
以上本発明の実施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、種々変更可能である。たとえば、集光構造は、半導体光センサと別部品として周知技術のレンズを組み合わせることができる。また、集光構造を光透過樹脂で形成する際には、本発明の微粒子を所定の量分散した光透過樹脂に限らず、少なくとも一部を透明樹脂の他、所定の量（赤外域の光を遮断することができる量）に達しない光透過樹脂で形成してもよい。
【００４５】
例えば、実施例３で説明した半導体光センサの場合、図１０に示すように微粒子が分散した光透過樹脂４上に、透明樹脂で形成した集光構造５を可視光域の光を透過する接着剤（例えばＵＶ接着剤）を用いて半導体受光素子の受光面上の封止樹脂に接着し、一体成形することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に用いる光透過樹脂の透過率の特性図である。
【図２】本発明に用いる別の光透過樹脂の透過率の特性図である。
【図３】本発明に用いる光透過樹脂の相対透過率と比視感度とを比較した特性図である。
【図４】本発明に用いる別の光透過樹脂の相対透過率と比視感特性とを比較した特性図である。
【図５】本発明の実施例１の半導体光センサの説明図である。
【図６】本発明の実施例１の半導体光センサの光電流の特性図である。
【図７】本発明の実施例２の半導体光センサの説明図である。
【図８】本発明の実施例３の半導体光センサの説明図である。
【図９】本発明の半導体光センサの分光感度特性である。
【図１０】本発明の他の実施例の半導体光センサの説明図である。
【図１１】ＣｄＳの分光感度特性である。
【図１２】シリコンホトトランジスタの分光感度特性である。
【図１３】標準比視感度特性である。
【図１４】従来の半導体光センサの説明図である。
【図１５】微粒子を分散させたエポキシ樹脂の透過率の特性図である。
【図１６】微粒子を分散させたエポキシ樹脂の相対透過率と比視感度とを比較した特性図である。
【符号の説明】
【００４７】
１；基板、２；半導体受光素子、３；金線、４；光透過樹脂、５：集光構造、６；リード
【図１】
2007201137.tif 000003
【図２】
2007201137.tif 000004
【図３】
2007201137.tif 000005
【図４】
2007201137.tif 000006
【図５】
2007201137.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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