(57)【要約】【課題】均一な膜厚の膜を効率よく形成し得る成膜方法、およびかかる成膜方法に用いることができる成膜装置を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、基材１上に、膜材料と溶媒とを含む液状材料の液滴１６１を供給して、液状被膜２を所定パターンで形成した後、基材搬送部１７により液状被膜２が形成された基材１をチャンバ１１内の基材ステージ１３上に搬送し、冷却手段１４により液状被膜２を冷却するとともに、排気ポンプ１２により液状被膜２の周囲の雰囲気を減圧して、液状被膜２を一次乾燥する第１の工程と、一次乾燥された液状被膜２を、加熱部１５により加熱して二次乾燥することにより、二次乾燥膜を得る第２の工程とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、膜材料と溶媒または分散媒とを含む液状被膜を、所定のパターンで形成した後、前記液状被膜の周囲の雰囲気を減圧して、前記液状被膜を一次乾燥する第１の工程と、
前記一次乾燥された液状被膜を加熱して、二次乾燥することにより、膜を得る第２の工程とを有する成膜方法であって、
前記第１の工程において、前記一次乾燥の途中に、前記液状被膜を冷却することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
基材上に、膜材料と溶媒または分散媒とを含む液状被膜を、所定パターンで形成した後、前記液状被膜の周囲の雰囲気を減圧して、前記液状被膜を一次乾燥する第１の工程と、
前記一次乾燥された液状被膜を加熱して、二次乾燥することにより、膜を得る第２の工程とを有する成膜方法であって、
前記第１の工程において、前記一次乾燥の前に、前記液状被膜を冷却することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
前記液状被膜の冷却は、前記液状被膜に冷却ガスを吹き付けることによりなされる請求項２に記載の成膜方法。
【請求項４】
基材上に、膜材料と溶媒または分散媒とを含む液状被膜を、所定のパターンで形成した後、前記液状被膜の周囲の雰囲気を減圧して、前記液状被膜を一次乾燥する第１の工程と、
前記一次乾燥された液状被膜を加熱して、二次乾燥することにより、膜を得る第２の工程とを有する成膜方法であって、
前記第１の工程において、前記一次乾燥の前および前記一次乾燥の途中に、前記液状被膜を冷却することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
前記液状被膜の冷却は、前記基材を冷却することによりなされる請求項１ないし４のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項６】
前記冷却における冷却温度は、前記液状被膜の周囲に存在するガスの露点より高い請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項７】
前記第１の工程において、前記溶媒または前記分散媒の飽和蒸気圧をＡ［Ｐａ］としたとき、前記液状被膜の周囲の圧力が１Ａ〜１．２Ａに低下するように減圧する請求項１ないし６のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項８】
前記第１の工程において、前記液状被膜の周囲に存在するガスの露点が、前記溶媒または前記分散媒の凝固点より低くなるよう、前記ガス中に含まれる水蒸気量を設定する請求項１ないし７のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記第１の工程の終了後、前記一次乾燥した液状被膜の周囲の圧力を常圧に復帰させることなく、前記第２の工程を開始する請求項１ないし８のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記第２の工程において、前記一次乾燥した液状被膜の周囲の圧力を、前記溶媒または前記分散媒の飽和蒸気圧未満に制御する請求項１ないし９のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の成膜方法に用いられる成膜装置であって、
前記基材上に、前記膜材料と前記溶媒または前記分散媒とを含む液状材料を供給し、所定パターンの液状被膜を形成する液状被膜形成手段と、
内部を減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、
前記液状被膜を冷却する冷却手段と、
前記チャンバ内で前記基材を保持する基材保持部と、
前記チャンバ内で前記液状被膜を加熱する加熱手段とを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項１２】
前記冷却手段は、前記チャンバ内に設けられている請求項１１に記載の成膜装置。
【請求項１３】
前記冷却手段は、冷却ガスを噴出するノズルを有している請求項１１または１２に記載の成膜装置。
【請求項１４】
前記冷却手段は、前記基材保持部の内部に、または、前記基材に接触するように設けられており、前記基材を介して前記液状被膜を冷却するよう構成されている請求項１１ないし１３のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１５】
前記冷却手段は、熱交換器の冷却部およびペルチェ素子の冷却部の少なくとも一方で構成されている請求項１４に記載の成膜装置。
【請求項１６】
当該成膜装置は、さらに、前記液状被膜が形成された前記基材を、前記チャンバ内に搬送する基材搬送手段を有しており、前記冷却手段は、前記基材の搬送途中で前記液状被膜を冷却し得るよう構成されている請求項１１ないし１５のいずれかに記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法および成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基材上に膜をパターニングする方法として、膜材料とこの膜材料を溶解し得る溶媒（または分散媒）とを含む液状材料を液滴吐出法を用いて基材上に供給し、形成された液状被膜を乾燥させることにより、所望の形状をなし、均一な厚さの膜を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。
このうち、特許文献１では、液状被膜が収納された容器内の雰囲気を、液状被膜中の溶媒蒸気で充填し、この雰囲気中に液状被膜を所定時間保持することにより、液状被膜を平坦化する。その後、容器内の溶媒蒸気を除去して液状被膜を乾燥させることにより、得られる膜の厚さの均一化を図っている。
しかしながら、この方法は減圧下ではなく、常圧下で液状被膜を乾燥させるため、溶媒の揮発速度が低い。このため、乾燥に長時間を要する場合がある。また、揮発速度を高めるため液状被膜を加熱することも行われるが、高温により膜材料が変質するおそれがある。
【０００３】
一方、特許文献２には、減圧乾燥法により液状被膜を乾燥させる方法が開示されている。具体的には、液状被膜を容器内に収納し、容器内を減圧する際の気流の向きを制御することにより、液状被膜中の各々の領域から揮発する溶媒の揮発速度を調整し、得られる膜の厚さの均一化を図っている。
また、特許文献３では、液状被膜中の縁部と中央部とを独立に温度制御することにより、液状被膜中の各々の領域から揮発する溶媒の揮発速度を調整し、得られる膜の厚さの均一化を図る成膜方法が開示されている。
【０００４】
これらの文献には、いずれも減圧乾燥による乾燥についての開示がなされている。しかしながら、これらの方法においては、容器内を減圧する過程で、減圧とともに液状被膜中から溶媒が徐々に揮発する。液状被膜における溶媒の揮発は、一般に、縁部側ほど促進されるため、形状被膜中に膜材料の濃度勾配が生じ、マランゴニ対流と呼ばれる対流が発生する。ところが、容器内の減圧には長時間を要するため、減圧の過程におけるマランゴニ対流の継続的な発生が避けられない。このため、この対流によって液状被膜中の膜材料が偏在してしまい、最終的に得られる膜は、その厚さが不均一なものとなるという問題が生じる。
また、特許文献３の方法のように、液状被膜中の各々の領域を独立に温度制御する場合、複雑な温度制御と、それを実現する複雑な成膜装置が必要となる。これらは、成膜装置の高コスト化を招くとともに、成膜方法が煩雑なものとなる。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２３２５３９号公報
【特許文献２】特開２００３−１６８６４３号公報
【特許文献３】特開２００３−２３４２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、均一な膜厚の膜を効率よく形成し得る成膜方法、およびかかる成膜方法に用いることができる成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の成膜方法は、基材上に、膜材料と溶媒または分散媒とを含む液状被膜を、所定のパターンで形成した後、前記液状被膜の周囲の雰囲気を減圧して、前記液状被膜を一次乾燥する第１の工程と、
前記一次乾燥された液状被膜を加熱して、二次乾燥することにより、膜を得る第２の工程とを有する成膜方法であって、
前記第１の工程において、前記一次乾燥の途中に、前記液状被膜を冷却することを特徴とする。
これにより、均一な膜厚の膜を効率よく形成することができる。
【０００８】
本発明の成膜方法は、基材上に、膜材料と溶媒または分散媒とを含む液状被膜を、所定パターンで形成した後、前記液状被膜の周囲の雰囲気を減圧して、前記液状被膜を一次乾燥する第１の工程と、
前記一次乾燥された液状被膜を加熱して、二次乾燥することにより、膜を得る第２の工程とを有する成膜方法であって、
前記第１の工程において、前記一次乾燥の前に、前記液状被膜を冷却することを特徴とする。
これにより、均一な膜厚の膜を効率よく形成することができる。
【０００９】
本発明の成膜方法では、前記液状被膜の冷却は、前記液状被膜に冷却ガスを吹き付けることによりなされることが好ましい。
これにより、低温の冷却ガスと液状被膜との間で直接熱交換がなされるため、液状被膜を短時間で効率よく冷却することができる。
本発明の成膜方法は、基材上に、膜材料と溶媒または分散媒とを含む液状被膜を、所定のパターンで形成した後、前記液状被膜の周囲の雰囲気を減圧して、前記液状被膜を一次乾燥する第１の工程と、
前記一次乾燥された液状被膜を加熱して、二次乾燥することにより、膜を得る第２の工程とを有する成膜方法であって、
前記第１の工程において、前記一次乾燥の前および前記一次乾燥の途中に、前記液状被膜を冷却することを特徴とする。
これにより、均一な膜厚の膜を効率よく形成することができる。
【００１０】
本発明の成膜方法では、前記液状被膜の冷却は、前記基材を冷却することによりなされることが好ましい。
基材は、液状被膜やその周囲のガスに比べて熱伝導率が比較的高く、基材全体における温度のバラツキを抑制することができるので、基材を介して冷却することにより、液状被膜をより均一に冷却することができる。
【００１１】
本発明の成膜方法では、前記冷却における冷却温度は、前記液状被膜の周囲に存在するガスの露点より高いことが好ましい。
これにより、液状被膜を冷却した際に、液状被膜の周囲に存在するガスが液化するのを防止することができる。その結果、生成した液体が液状被膜に混入したり、基材の表面に結露が発生して、液状被膜の形状が変形したりするのを確実に防止することができる。
【００１２】
本発明の成膜方法では、前記第１の工程において、前記溶媒または前記分散媒の飽和蒸気圧をＡ［Ｐａ］としたとき、前記液状被膜の周囲の圧力が１Ａ〜１．２Ａに低下するように減圧することが好ましい。
これにより、液状被膜中から必要以上に溶媒または分散媒が揮発するのを防止するとともに、第２の工程において、一次乾燥された液状被膜の確実な平坦化と、急速な二次乾燥を行うことができるように、溶媒または分散媒の一部を揮発・除去することができる。換言すれば、液状被膜が冷却された状態で完全に乾燥するのを防止することができ、第２の工程で最終的に得られる膜が不本意な形状になるのを防止することができる。
【００１３】
本発明の成膜方法では、前記第１の工程において、前記液状被膜の周囲に存在するガスの露点が、前記溶媒または前記分散媒の凝固点より低くなるよう、前記ガス中に含まれる水蒸気量を設定することが好ましい。
これにより、例え、液状被膜中の溶媒または分散媒が凝固するほど低い温度に液状被膜を冷却しても、生成した水分が液状被膜中に混入したり、基材の表面に結露が発生したりするのを確実に防止することができる。
【００１４】
本発明の成膜方法では、前記第１の工程の終了後、前記一次乾燥した液状被膜の周囲の圧力を常圧に復帰させることなく、前記第２の工程を開始することが好ましい。
これにより、チャンバ内の圧力を常圧から再び減圧するのに要する時間を省略することができる。その結果、再度の減圧の際に一次乾燥された液状被膜中から多量の溶媒または分散媒が揮発してしまうのを防止し、第２の工程に移行する前に一次乾燥された液状被膜が完全に乾燥してしまうのを防止することができる。
【００１５】
本発明の成膜方法では、前記第２の工程において、前記一次乾燥した液状被膜の周囲の圧力を、前記溶媒または前記分散媒の飽和蒸気圧未満に制御することが好ましい。
これにより、一次乾燥された液状被膜中から溶媒または分散媒が連続的に揮発・除去され、より短時間で一次乾燥された液状被膜を乾燥させることができる。その結果、一次乾燥された液状被膜が適切な形状に変形したタイミングで、速やかに乾燥させ、形状を固定することができるため、目的とする最適な形状の膜を効率よく形成することができる。
【００１６】
本発明の成膜装置は、本発明の成膜方法に用いられる成膜装置であって、
前記基材上に、前記膜材料と前記溶媒または前記分散媒とを含む液状材料を供給し、所定パターンの液状被膜を形成する液状被膜形成手段と、
内部を減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、
前記液状被膜を冷却する冷却手段と、
前記チャンバ内で前記基材を保持する基材保持部と、
前記チャンバ内で前記液状被膜を加熱する加熱手段とを有することを特徴とする。
これにより、均一な膜厚の膜を効率よく形成し得る成膜方法に用いることができる成膜装置が得られる。
【００１７】
本発明の成膜装置では、前記冷却手段は、前記チャンバ内に設けられていることが好ましい。
チャンバ内は気密状態が維持されているため、例えば、気温や湿度等の環境因子が液状被膜の乾燥状態に影響を及ぼすのを防止することができる。
本発明の成膜装置は、前記冷却手段は、冷却ガスを噴出するノズルを有していることが好ましい。
これにより、冷却手段の構造を単純化することができるため、成膜装置の低コスト化を図ることができる。
【００１８】
本発明の成膜装置では、前記冷却手段は、前記基材保持部の内部に、または、前記基材に接触するように設けられており、前記基材を介して前記液状被膜を冷却するよう構成されていることが好ましい。
これにより、冷却手段が備える配管を循環する冷媒と基材保持部との間の熱伝達性が高くなり、基材保持部をより短時間で所定の温度に冷却することができる。したがって、基材保持部および基材を介して、液状被膜を間接的に効率よく冷却することができる。
【００１９】
本発明の成膜装置では、前記冷却手段は、熱交換器の冷却部およびペルチェ素子の冷却部の少なくとも一方で構成されていることが好ましい。
これらの冷却手段は、冷却効率が比較的高いため、液状被膜を効率よく冷却することができる。
本発明の成膜装置では、当該成膜装置は、さらに、前記液状被膜が形成された前記基材を、前記チャンバ内に搬送する基材搬送手段を有しており、前記冷却手段は、前記基材の搬送途中で前記液状被膜を冷却し得るよう構成されていることが好ましい。
これにより、液状被膜の冷却に新たな時間を要せず、成膜時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の成膜方法および成膜装置について、図示の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の成膜装置および成膜方法の第１実施形態について説明する。
［成膜装置］
図１は、本発明の成膜装置の第１実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２１】
図１に示す成膜装置１０は、基材１上に、膜を構成する膜材料とこの膜材料を溶解する溶媒または膜材料を分散する分散媒とを含む液状被膜２を形成し、この液状被膜２を乾燥させて、所望の形状の膜を得るために用いられるものである。
具体的には、成膜装置１０は、図１に示すように、チャンバ（真空チャンバ）１１と、このチャンバ１１内を減圧する排気ポンプ（減圧手段）１２と、チャンバ１１内に設置され、基材１を保持する基材ステージ（基材保持部）１３と、基材ステージ１３を冷却することにより、基材１上の液状被膜２を間接的に冷却する冷却部（冷却手段）１４と、チャンバ１１内に設置され、基材１上の液状被膜２を加熱する加熱部（加熱手段）１５とを有している。
【００２２】
また、図１に示す成膜装置１０は、チャンバ１１に隣接するハウジング１６０内に、膜材料と溶媒とを含む液状材料を供給して、基材１１上に液状被膜２を形成する液滴吐出ノズル（液状被膜形成手段）１６を有している。
さらに、図１に示す成膜装置１０は、液状被膜２を形成された基材１を、ハウジング１６０内からチャンバ１１内に搬送する基材搬送部１７を有している。
【００２３】
以下、成膜装置１０の各部を詳細に説明する。なお、以下では、説明が煩雑になるのを避けるため、前述の「溶媒または分散媒」を省略して、単に「溶媒」と言う。
チャンバ１１は、ステンレス鋼のような剛性の高い材料で構成されており、内部を十分に減圧することが可能となっている。
排気ポンプ１２は、チャンバ１１内の気体を排出して圧力を低減するものである。この排気ポンプ１２は、例えば、ロータリーポンプ、ドライポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成することができる。
【００２４】
基材ステージ１３は、チャンバ１１内の底部に取り付けられており、基材ステージ１３の上面に基材１を支持する。
なお、基材ステージ１３は、必要に応じて、基材１を吸着する機能を有していてもよい。このような機能を有する基材ステージとしては、例えば、静電チャック、真空チャック等が挙げられる。基材１を基材ステージ１３に吸着することにより、基材１を確実に固定しつつ支持することができる。
また、基材ステージ１３の内部には、配管１４１が張り巡らされており、この配管１４１の両端は、チャンバ１１の外部に導かれ、チラー冷却ユニット１４２に接続されている。
【００２５】
チラー冷却ユニット１４２は、配管１４１の一端側に所定の温度に冷却した冷媒を導入するとともに、配管１４１の全体を通過した冷媒を他端側から回収するよう動作する。そして、回収した冷媒を再び所定の温度に冷却し、配管１４１の一端側に導入する。このように配管１４１中に冷媒を循環させることにより、配管１４１に接触している基材ステージ１３を所定の温度に冷却する。その結果、基材ステージ１３上に載置されている基材１、および基材１上に形成された液状被膜２を、所定の温度に冷却することができる。
このような配管（冷却部）１４１、チラー冷却ユニット１４２および冷媒により、冷却手段１４が構成されている。
【００２６】
また、図１に示す冷却手段１４は、配管１４１が基材ステージ１３に接触して設けられているため、冷媒と基材ステージ１３との間の熱伝達性が高くなり、基材ステージ１３をより短時間で所定の温度に冷却することができる。したがって、基材ステージ１３および基材１を介して、液状被膜２を間接的に効率よく冷却することができる。
この場合、基材ステージ１３は、熱伝導率の高い材料で構成されているのが好ましい。これにより、配管１４１と基材ステージ１３との熱交換が効率よく行われ、より短時間で液状被膜２を冷却することができる。
【００２７】
なお、本実施形態では、冷却手段１４が冷媒による熱交換器の冷却部で構成されているが、冷却手段１４は、例えば、ペルチェ素子の冷却部で構成されていてもよく、これらを併用したものであってもよい。これらの冷却手段は、冷却効率が比較的高いため、液状被膜２を効率よく冷却することができる。
また、配管１４１は、基材ステージ１３の下面に接触させるように設けられていてもよい。
【００２８】
また、本実施形態では、冷却手段１４がチャンバ１１内に設けられている。チャンバ１１内は気密状態が維持されているため、これにより、例えば、液状被膜２の冷却中に、気温や湿度等の環境因子が液状被膜２の乾燥状態に影響を及ぼすのを防止することができる。
さらに、チャンバ１１内が減圧されていると、液状被膜２とその周囲の雰囲気との間の断熱性が向上するため、冷却手段１４をチャンバ１１内に設けることにより、液状被膜２を目的とする温度に維持し易いという利点もある。
【００２９】
基材ステージ１３に対向する位置、すなわち、チャンバ１１内の天井部には、加熱部１５が取り付けられている。この加熱部１５により、基材１上に形成された後述する一次乾燥膜（液状被膜２の変化物）を加熱することができる。
加熱部１５の加熱方式としては、例えば、赤外線照射装置（赤外線ヒータ）による加熱、マイクロ波発生装置による加熱等の各方式が挙げられる。
【００３０】
また、図１に示す加熱部１５は、基材ステージ１３を覆うように設けられている。これにより、基材ステージ１３上に載置された基材１および一次乾燥膜の全体を、より均一に加熱することができる。その結果、一次乾燥膜における温度上昇幅、すなわち乾燥の程度のバラツキを抑制して、最終的に均質な膜を形成することができる。
なお、本実施形態では、加熱部１５がチャンバ１１内の天井部に取り付けられているが、加熱部１５の取り付け位置は特に限定されず、基材ステージ１３に接触するように（例えば、基材ステージ１３の内部に）電熱線等の発熱体が設けられていてもよい。これにより、基材ステージ１３および基材１を介して、一次乾燥膜を加熱することができる。
【００３１】
チャンバ１１に隣接して設けられたハウジング１６０は、液滴吐出ノズル１６を収納する容器で構成されている。
このハウジング１６０の内部は、チャンバ１１の側壁部に設けた開口部１１１を介して、チャンバ１１の内部と連通している。
また、チャンバ１１の側壁部には、開口部１１１を塞ぐようにゲートバルブ１１２が設けられており、ゲートバルブ１１２を開閉させることにより、チャンバ１１の内部空間が封止状態と開放状態（非封止状態）とをとり得るようになっている。
【００３２】
液滴吐出ノズル１６は、基材１上に液状材料を液滴１６１として供給する。また、液滴１６１を供給しつつ、液滴吐出ノズル１６を基材１に対して移動させることにより、所望の形状の液状被膜２を容易に形成することができる。
この液滴吐出ノズル１６は、液状被膜２を形成し得るその他の手段で代替することもできる。このような手段としては、例えば、ディスペンサーで液状材料を供給する方法、マスキングを施した基材１上にスピンコート法、スリットコート法またはディップコート法により液状材料を供給し、その後、マスキング部材を除去して液状被膜を得る方法等が挙げられる。
また、ハウジング１６０内の底部には、基材１を支持する基材ステージ１６２が設けられている。
【００３３】
本実施形態では、固定された基材１に対して液滴吐出ノズル１６を移動させることにより、所望の形状の液状被膜２を形成するよう制御されるが、固定された液滴吐出ノズル１６に対して基材１を積載した基材ステージ１６２を移動させるようにしてもよい。
ハウジング１６０内の基材ステージ１６２に隣接するように、基材搬送部１７が設けられている。
基材搬送部１７は、液状被膜２が形成された基材１を、開口部１１１およびゲートバルブ１１２を介して、チャンバ１１内に搬送する。
【００３４】
なお、基材搬送部１７による基材１の搬送と、ゲートバルブ１１２の開閉とは、互いに協調して動作するよう構成されているのが好ましい。具体的には、例えば、基材搬送部１７により基材１がゲートバルブ１１２に近付くとともにゲートバルブ１１２を開放して基材１を通過させ、基材１がゲートバルブ１１２を通過した直後にゲートバルブ１１２を閉塞するよう制御すればよい。これにより、ゲートバルブ１１２の開放時間、すなわちチャンバ１１内が外気に曝される時間を短縮し、チャンバ１１の内壁に外気中の気体分子（例えば、水蒸気等）が吸着するのを防止することができる。その結果、外気中の気体分子によって、液状被膜２に汚染・変質等の悪影響が及ぶのを確実に防止することができる。
【００３５】
［成膜方法］
次に、以上のような構成の成膜装置１０を用いて、基材１上に所定パターンの膜を形成する方法（本発明の成膜方法）について説明する。
本発明の成膜方法は、基材上に液状被膜を形成し、この液状被膜を乾燥させることにより、所定パターンで、均一な膜厚の膜を効率よく形成することを主たる目的としている。
【００３６】
ここで、従来も、このように基材上に液状被膜を形成し、この液状被膜を乾燥させることにより膜を得る方法が知られていた。
ところが、基材上に形成された液状被膜においては、一般に、その縁部の周囲における溶媒の蒸気圧が低いため、縁部側ほど溶媒が揮発し易く、乾燥が促進される。このように縁部の溶媒が優先的に揮発・除去されると、液状被膜中に濃度勾配が生じ、液状被膜中にはマランゴニ対流と呼ばれる対流が発生する。具体的には、この対流は、縁部で優先的に揮発・除去された溶媒を補うように、液状被膜の中央部から縁部に向かう液状材料の流れが生じることに起因して発生する。このような対流により、液状被膜中の膜材料が縁部側に偏在することとなり、最終的に得られる膜は、その厚さが不均一になるととともに、膜中における特性にもバラツキが生じるという問題があった。
【００３７】
このような課題を解決するため、容器内を減圧する際の気流の向きを設定したり、液状被膜中の縁部と中央部とを独立に温度制御することにより、液状被膜中の各々の領域から揮発する溶媒の揮発速度を調整し、得られた膜の厚さの均一化を図ることが試みられてきた。
しかしながら、容器内の減圧には長時間を要するため、減圧の過程において前述のマランゴニ対流の継続的な発生が避けられない。このため、従来の方法では、液状被膜中において膜材料の偏在が生じ、最終的に得られる膜の厚さを十分に均一化することができなかった。
【００３８】
そこで、本発明では、液状被膜中の溶媒を完全に除去して膜を得る二次乾燥工程の前に、液状被膜を冷却して溶媒の揮発量を抑制するとともに、液状被膜の周囲の雰囲気を減圧して、液状被膜を一次乾燥する工程（一次乾燥工程）を設けることとした。そして、この一次乾燥工程に引き続き、二次乾燥工程を設けることとした。これにより、液状被膜の形成後から二次乾燥工程が開始されるまでの過程で、液状被膜が冷却されることになり、溶媒の飽和蒸気圧が低下する。その結果、容器内の減圧の過程でも、液状被膜中からの溶媒の不本意な揮発を抑制または防止することができ、前述のマランゴニ対流の発生を抑制することができる。これにより、液状被膜中の膜材料の偏在を抑制して、均一な膜厚で、かつ均質な膜を効率よく得ることができる。
また、液状被膜が冷却されると、その粘性が高くなるため、液状被膜中の液状材料が移動し難くなり、マランゴニ対流の発生をさらに抑制することができる。
【００３９】
図２は、本発明の成膜方法の第１実施形態を説明するための模式図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図２に示す成膜方法は、基材１上に液状被膜２を、所定パターンで形成した後、液状被膜２を冷却するとともに、液状被膜２の周囲の雰囲気を減圧して、液状被膜２中の溶媒の一部を揮発・除去（一次乾燥）した一次乾燥膜３を得る一次乾燥工程（第１の工程）と、一次乾燥膜３を加熱するとともに、一次乾燥膜３の周囲の雰囲気を減圧することにより、一次乾燥膜３中に残存する溶媒を揮発・除去（二次乾燥）して、二次乾燥膜４を得る二次乾燥工程（第２の工程）とを有する。以下、各工程について、順次説明する。
【００４０】
［１］一次乾燥工程（第１の工程）
まず、液滴吐出ノズル１６により、基材１上に液状材料を液滴として供給する。
基材１は、いかなる材料で構成されたものであってもよいが、例えば、石英ガラス、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、各種低誘電率材料等の各種絶縁材料（誘電体）や、シリコン（例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等）、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の導電性材料で構成されたものを用いることができる。
供給する液状材料は、形成すべき膜を構成する膜材料と、この膜材料を溶解する溶媒とを含むものである。
【００４１】
溶媒としては、膜材料を溶解し得るものであれば特に限定されないが、例えば、水、酢酸、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、エチレンジアミン、ジエチルアミン、アセトン、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、１，４−ジオキサン、インダン、インデン、エチルナフタレン、メチルナフタレン、ベンゾフラン、トリメチルベンゼン、キシレン、トルエン、シクロヘキシルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエタン、テトラヒドロナフタレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ブタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ヘキサデカン、メシチレン、テトラリン、デカリン、アニソール、ブチルアセテート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
基板１上に供給された液滴は、基材１の上面に着弾し、点状の液状被膜２を形成する。また、この動作を、液滴吐出ノズル１６を基材１に対して相対的に移動させつつ間欠的に行うことにより、複数の点状の液状被膜２同士がつながり、線状または面状の液状被膜２を形成することもできる。
このような方法で、図２（ａ）に示すように、基材１上に所定パターンの液状被膜２を形成する。
【００４３】
なお、本工程は、液状被膜２の周囲、すなわちハウジング１６０内を加圧した状態で行うようにしてもよい。これにより、液滴中および液状被膜２中からの溶媒の揮発量を低減することができる。
また、液状被膜２の周囲の雰囲気ガス、すなわちハウジング１６０内の雰囲気ガスの組成は、特に限定されないが、液状被膜２中の溶媒蒸気であるのが好ましい。これにより、雰囲気ガス中の溶媒蒸気が飽和状態となり、液滴中および液状被膜２中からの溶媒の揮発量をさらに低減することができる。
【００４４】
続いて、液状被膜２を形成された基材１を、基材搬送部１７により、開口部１１１およびゲートバルブ１１２を介して、チャンバ１１内の基材ステージ１３上に搬入・移設する。
次に、ゲートバルブ１１２を閉塞して、チャンバ１１を封止する。これにより、チャンバ１１の内部は、減圧可能な状態となる。
【００４５】
続いて、冷却手段１４による液状被膜２の冷却を行う。
チラー冷却ユニット１４２を起動すると、冷却された冷媒を介して、基材ステージ１３および基材１が順次冷却され、その後、液状被膜２が冷却されることとなる。そして、液状被膜２の冷却温度は、最終的に冷媒の温度に近づく。したがって、冷媒の温度を設定することにより、液状被膜２の冷却温度を調整することができる。
【００４６】
また、このように、基材１を介して液状被膜２を冷却することにより、液状被膜２の全体を均一に冷却することができる。すなわち、基材１は、液状被膜２やその周囲のガスに比べて熱伝導率が比較的高いため、基材１全体における温度のバラツキを抑制することができる。このため、このように基材１を介して冷却することにより、液状被膜２をより均一に冷却することができる。
【００４７】
液状被膜２の冷却温度は、液状被膜２の周囲に存在するガスの露点、すなわち、チャンバ１１内のガスの露点より高いのが好ましい。これにより、液状被膜２を冷却した際に、液状被膜２の周囲に存在するガス（例えば、水蒸気等）が液化するのを防止することができる。その結果、生成した液体が液状被膜２に混入したり、基材１の表面に結露が発生して、液状被膜２の形状が変形したりするのを確実に防止することができる。
【００４８】
また、液状被膜２を冷却することにより、前述したように、冷却開始から後述する加熱開始までの間で、溶媒の揮発量を低減することができる。これにより、冷却開始から加熱開始までの間に十分な時間を確保することができる。その結果、例えば、成膜装置１０の設定変更や、液状被膜２が形成された基材１の搬送、チャンバ１１内の減圧等に長時間を要した場合でも、液状被膜２中から必要以上に溶媒が揮発・除去されるのを確実に防止することができる。さらに、換言すれば、チャンバ１１内の減圧に長時間をかけることができるので、排気能力が低く安価な排気ポンプ１２を用いることができる。このため、成膜装置１０の低コスト化を図ることもできる。
【００４９】
なお、液状被膜２の冷却を行うのに先立って、ハウジング１６０内や、チャンバ１１の内部のガスを、露点が低い乾燥ガスで置換するのが好ましい。また、この場合、用いる乾燥ガスは、その露点が、液状被膜２中の溶媒の凝固点より低くなるよう、含有する水蒸気量を設定したものが好ましい。これにより、例え、液状被膜２中の溶媒が凝固するほど低い温度に液状被膜２を冷却しても、生成した水分が液状被膜２中に混入したり、基材１の表面に結露が発生したりするのを確実に防止することができる。
液状被膜２の冷却温度は、含有する溶媒の種類や蒸気圧、液状被膜２の周囲の圧力等に応じて異なるが、例えば、５〜３０℃程度であるのが好ましく、１０〜２３℃程度であるのがより好ましい。
【００５０】
次に、排気ポンプ１２を起動して、チャンバ１１内の気体を排出し、減圧する。これにより、液状被膜２中から溶媒の一部を揮発・除去して、図２（ｂ）に示す一次乾燥膜３を得る。
この減圧の際、チャンバ１１内の到達圧力は、液状被膜２中の溶媒の種類や蒸気圧等によっても異なるが、溶媒の飽和蒸気圧をＡ［Ｐａ］としたとき、１Ａ〜１．２Ａ程度であるのが好ましく、１Ａ〜１．１Ａ程度であるのがより好ましい。これにより、液状被膜２中から必要以上に溶媒が揮発するのを防止するとともに、後述する二次乾燥工程において一次乾燥膜３の確実な平坦化と、急速な二次乾燥を行うことができるように、溶媒の一部を揮発・除去することができる。換言すれば、液状被膜２が冷却された状態で完全に乾燥するのを防止することができ、後述する二次乾燥工程で最終的に得られる膜が不本意な形状になるのを防止することができる。
【００５１】
また、チャンバ１１内の到達圧力を前記範囲内に設定した状態で、後述する二次乾燥工程に移行することにより、二次乾燥工程において速やかな溶媒の揮発・除去を行うことができる。すなわち、後述する二次乾燥工程で一次乾燥膜３を加熱すれば、一次乾燥膜３の周囲の雰囲気の温度も上昇し、溶媒の飽和蒸気圧が上昇するため、それに伴って溶媒の揮発量が急速に増大することとなる。これにより、マランゴニ対流が起きる時間を短縮することができ、一次乾燥膜３中の膜材料の偏在を抑制することができる。その結果、後述する二次乾燥工程の後、均一な膜厚で、かつ均質な膜を効率よく得ることができる。
【００５２】
［２］二次乾燥工程（第２の工程）
次に、加熱部１５による一次乾燥膜３の加熱を行う。
例えば、加熱部１５が赤外線ヒータで構成されている場合、赤外線ヒータに通電すると、放射加熱により一次乾燥膜３が加熱される。
このようにして一次乾燥膜３が加熱されると、一次乾燥膜３の粘性が低下し、流動性が向上する。このため、一次乾燥膜３は、重力の作用による平坦化と、表面張力の作用による表面の平滑化が進行し、膜厚の均一化が図られることとなる。
【００５３】
また、一次乾燥膜３の加熱により、一次乾燥膜３中の分子運動がさらに活発になり、溶媒の揮発量が増大する。これにより、一次乾燥膜３中から溶媒が急速に揮発・除去され、図２（ｃ）に示す二次乾燥膜４を短時間で得ることができる。
さらに、このように短時間で二次乾燥膜４を得ることができると、前述したように、加熱された一次乾燥膜３中でマランゴニ対流が起きる時間が非常に短いため、膜材料の偏在を抑制することができる。その結果、均一な膜厚で、かつ均質な二次乾燥膜４をより確実に得ることができる。
一次乾燥膜３の加熱温度は、含有する溶媒の種類や蒸気圧、一次乾燥膜３の周囲の圧力等に応じて異なるが、例えば、２０℃以上であるのが好ましく、３０℃以上であるのがより好ましい。これにより、溶媒の揮発量を十分に高めるとともに、一次乾燥膜３の粘度を十分に低下させることができる。
【００５４】
ここで、二次乾燥工程の開始のタイミングは、一次乾燥膜３中の溶媒の蒸気圧に応じて設定されるのが好ましい。具体的には、例えば、一次乾燥膜３が蒸気圧の高い溶媒を含んでいる場合、前記一次乾燥工程における溶媒の揮発量が多くなるので、二次乾燥工程の開始を早くするのが好ましく、一方、一次乾燥膜３が蒸気圧の低い溶媒を含んでいる場合、前記一次乾燥工程における溶媒の揮発量が少なくなるので、二次乾燥工程の開始を遅くするのが好ましい。このような設定を適宜行うことにより、二次乾燥工程における溶媒の揮発・除去に要する時間をさらに短縮することができ、膜材料の偏在をより確実に抑制することができる。
【００５５】
このような加熱の際、一次乾燥膜３の周囲の圧力ができるだけ低くなるように成膜装置１０を設定するのが好ましいが、具体的には、一次乾燥膜３中の溶媒の飽和蒸気圧未満になるよう設定するのが好ましい。これにより、一次乾燥膜３中から溶媒が連続的に揮発・除去され、より短時間で一次乾燥膜３を乾燥させることができる。その結果、一次乾燥膜３が適切な形状に変形したタイミングで、速やかに乾燥させ、形状を固定することができるため、目的とする最適な形状の二次乾燥膜４を効率よく形成することができる。
【００５６】
なお、前記工程［１］の後、一次乾燥膜３の周囲の圧力、すなわち、チャンバ１１内の圧力を常圧に復帰させることなく、減圧状態を維持して本工程［２］を開始するのが好ましい。これにより、チャンバ１１内の圧力を常圧から再び減圧するのに要する時間を省略することができる。その結果、再度の減圧の際に一次乾燥膜３中から多量の溶媒が揮発してしまうのを防止し、本工程［２］に移行する前に一次乾燥膜３が完全に乾燥してしまうのを防止することができる。
【００５７】
このようにして得られた二次乾燥膜４は、いかなる膜であってもよい。すなわち、本発明の成膜方法は、いかなる二次乾燥膜４を形成する場合にも適用することができる。
具体的には、本発明の成膜方法は、例えば、有機ＥＬ素子の半導体層（発光層、電子輸送層、正孔輸送層等）や絶縁層を形成する場合、有機薄膜トランジスタの半導体層や絶縁層を形成する場合、レジスト膜を形成する場合、その他の各種機能膜を形成する場合等に適用することができる。
【００５８】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の成膜装置および成膜方法の第２実施形態について説明する。
図３は、本発明の成膜装置の第２実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、本発明の成膜装置および成膜方法の第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態の成膜装置および成膜方法は、成膜装置が備える冷却部の冷却方式と取付位置が異なる以外は、前記第１実施形態と同様である。
【００５９】
本実施形態では、図３に示すように、成膜装置１０において、ハウジング１６０の基材搬送部１７の天井部には、冷却手段１４が備える冷却ノズル１４３が設けられている。また、冷却ノズル１４３には、配管１４４の一端が接続されており、配管１４４の他端は、ガス供給部１４５に接続されている。そして、ガス供給部１４５から供給された低温の冷却ガス１４６を、配管１４４および冷却ノズル１４３を介して、液状被膜２に吹き付けるよう構成されている。これにより、低温の冷却ガス１４６と液状被膜２との間で直接熱交換がなされるため、液状被膜２を短時間で効率よく冷却することができる。
【００６０】
また、基材１をハウジング１６０内の基材ステージ１６２からチャンバ１１内の基材ステージ１３に搬送しつつ、液状被膜２を冷却することができるので、液状被膜２の冷却に新たな時間を要せず、成膜時間を短縮することができる。
さらに、冷却手段１４の構造を単純化することができるため、成膜装置の低コスト化を図ることもできる。
【００６１】
吹き付ける冷却ガス１４６は、含有する水蒸気量を所定量に制御した冷却ガス１４６を用いるのが好ましい。具体的には、冷却ガス１４６中の水蒸気量を少なくすることにより、液状被膜２を冷却するとともに溶媒の揮発・除去を促進させることができ、逆に、冷却ガス１４６中の水蒸気量を多くすることにより、液状被膜２を冷却するとともに溶媒の揮発を抑制することができる。すなわち、冷却ガス１４６中の水蒸気量を設定することにより、搬送途中の液状被膜２から揮発する溶媒の揮発量を調整することができる。
なお、本実施形態では、冷却手段１４が冷却ガス１４６を吹き付けることにより液状被膜２を冷却するものであるが、冷却手段１４の冷却方式は、例えば、冷熱板による放射冷却等であってもよい。
【００６２】
本実施形態では、このような成膜装置１０を用い、次のようにして膜を形成することができる。
まず、液滴吐出ノズル１６により、基材１上に液状材料を液滴として供給する。これにより、液状被膜２を得る。
次に、液状被膜２が形成された基材１を、基材搬送部１７により、チャンバ１１側に向けて搬送する。この際、冷却ノズル１４３から冷却ガス１４６を、液状被膜２に向けて連続的に吹き付けた状態で、基材１を搬送する。これにより、液状被膜２の全体を効率よく冷却することができる。
液状被膜２を所定温度に冷却した後、チャンバ１１の開口部１１１およびゲートバルブ１１２を介して、チャンバ１１内の基材ステージ１３上に基材１を搬入・移設する。
【００６３】
次に、ゲートバルブ１１２を閉塞して、チャンバ１１を封止する。続いて、排気ポンプ１２を起動して、チャンバ１１内の気体を排出し、減圧する。これにより、液状被膜２中の溶媒の一部を揮発・除去して、一次乾燥膜を得る。
次に、加熱部１５により、一次乾燥膜を加熱する。これにより、一次乾燥膜中の溶媒を揮発・除去して、二次乾燥膜を得る。
【００６４】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の成膜装置および成膜方法の第３実施形態について説明する。
図４は、本発明の成膜装置の第３実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、本発明の成膜装置および成膜方法の第３実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態の成膜装置および成膜方法は、成膜装置が備える冷却部の取付位置が異なる以外は、前記第１実施形態と同様である。
【００６５】
本実施形態では、図４に示すように、成膜装置１０において、ハウジング１６０の内部および外部に冷却手段１４が設けられている。具体的には、冷却手段１４が備える配管１４１は、基材ステージ１６２の内部に張り巡らされており、この配管１４１の両端は、チャンバ１１の外部に導かれ、チラー冷却ユニット１４２に接続されている。チラー冷却ユニット１４２を用いて配管１４１に冷媒を循環させることにより、配管１４１に接触している基材ステージ１６２を所定の温度に冷却する。その結果、基材ステージ１６２上に載置されている基材１、および基材１上に形成された液状被膜２を、所定の温度に冷却することができる。
【００６６】
また、本実施形態では、このような成膜装置１０を用い、次のようにして膜を形成することができる。
まず、液滴吐出ノズル１６により、基材１上に液状材料を液滴として供給する。これにより、液状被膜２を得る。
次に、冷却手段１４により、基材ステージ１６２および基材１を順次冷却し、液状被膜２を冷却する。
【００６７】
次に、液状被膜２が形成された基材１を、基材搬送部１７により、チャンバ１１の開口部１１１およびゲートバルブ１１２を介して、チャンバ１１内の基材ステージ１３上に搬入・移設する。
次に、ゲートバルブ１１２を閉塞して、チャンバ１１を封止する。続いて、排気ポンプ１２を起動して、チャンバ１１内の気体を排出し、減圧する。これにより、液状被膜２中の溶媒の一部を揮発・除去して、一次乾燥膜を得る。
次に、加熱部１５により、一次乾燥膜を加熱する。これにより、一次乾燥膜中の溶媒を揮発・除去して、二次乾燥膜を得る。
【００６８】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の成膜装置および成膜方法の第４実施形態について説明する。
図５は、本発明の成膜装置の第４実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、本発明の成膜装置および成膜方法の第４実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態の成膜装置および成膜方法は、成膜装置が備える液滴吐出ノズル１６および基材ステージ１６２をチャンバ１１内に設けるようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。
【００６９】
本実施形態では、図５に示すように、液滴吐出ノズル１６は、チャンバ１１内の天井部に、加熱部１５に隣接して設けられている。また、基材ステージ１６２は、チャンバ１１内の底部に、基材ステージ１３に隣接して設けられている。これにより、ハウジング１６０と、チャンバ１１に設けられた開口部１１１およびゲートバルブ１１２を省略することができる。その結果、成膜装置１０を簡略化することができ、装置の低コスト化、およびランニングコストの低減を図ることができる。
【００７０】
また、液滴吐出ノズル１６が気密が維持されたチャンバ１１内に設けられているため、二次乾燥膜を形成する過程で、液状被膜２および一次乾燥膜が外気と接触するのを防止することができる。これにより、例えば気温や湿度等の環境因子が、液状被膜２および一次乾燥膜の乾燥状態に影響を及ぼすのを防止することができる。その結果、所望の形状をなし、均一な膜厚の膜をより確実に形成することができる。
【００７１】
さらに、基材１を搬送する距離を短縮することができるので、基材１の搬送時間、すなわち二次乾燥膜の成膜に要する時間を短縮することができる。
また、冷却手段１４は、２系統の配管１４１、１４１を備えており、これらの各配管１４１、１４１は、それぞれ基材ステージ１３と基材ステージ１６２の双方の内部に張り巡らされている。そして、各配管１４１、１４１の両端は、チャンバ１１の外部に導かれ、チラー冷却ユニット１４２に接続されている。これにより、基材ステージ１３と基材ステージ１６２の双方を冷却することができるので、液状被膜２の形成直後から継続的に液状被膜２を冷却することができる。その結果、液状被膜２の冷却を開始するまでのタイムラグが減少し、このタイムラグの間における液状被膜２の不本意な乾燥をより確実に防止することができる。
なお、冷却手段１４は、２系統の配管１４１、１４１のうちのいずれか一方に選択的に冷媒を循環させ得るよう構成されている。これにより、必要に応じて、基材ステージ１３または基材ステージ１６２を選択して冷却することができる。
【００７２】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の成膜装置および成膜方法の第５実施形態について説明する。
図６は、本発明の成膜装置の第５実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、本発明の成膜装置および成膜方法の第５実施形態について説明するが、前記第１実施形態および前記第４実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態の成膜装置および成膜方法は、基材ステージ１６２を省略し、液状被膜に対する一次乾燥から二次乾燥までの工程を基材ステージ１３上で行えるようにした以外は、前記第４実施形態と同様である。
【００７３】
本実施形態では、図６に示すように、加熱部１５および液滴吐出ノズル１６が、チャンバ１１内の基材ステージ１３の上方に設けられている。そして、液滴吐出ノズル１６は、加熱部１５による液状被膜２の加熱を妨げない位置に退避できるよう構成されている。これにより、基材１を基材ステージ１３上に載置した状態で、液状被膜２の形成、一次乾燥、および二次乾燥を行うことができる。その結果、液状被膜２が形成された基材１を搬送する必要がなくなり、搬送中に液状被膜２が不本意に乾燥するのを防止することができる。
【００７４】
また、液状被膜２の形成直後から継続的に液状被膜２を冷却することができるので、液状被膜２の冷却を開始するまでのタイムラグが減少し、このタイムラグの間における液状被膜２の不本意な乾燥をより確実に防止することができる。
さらに、成膜装置１０の基材搬送部等を省略することができるため、成膜装置１０の構成の簡略化を図ることができる。これにより、成膜装置１０の低コスト化を図ることができる。
【００７５】
以上、本発明の成膜方法および成膜装置について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の成膜方法では、必要に応じて、任意の目的の工程を追加することもできる。
また、本発明の成膜装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。
また、本発明の成膜装置は、前記各実施形態で説明した複数の構成を組み合わせたものでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の成膜装置の第１実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の成膜方法の第１実施形態を説明するための模式図（縦断面図）である。
【図３】本発明の成膜装置の第２実施形態を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の成膜装置の第３実施形態を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の成膜装置の第４実施形態を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の成膜装置の第５実施形態を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１……基材  ２……液状被膜  ３……一次乾燥膜  ４……二次乾燥膜  １０……成膜装置  １１……チャンバ  １１１……開口部  １１２……ゲートバルブ  １２……排気ポンプ  １３……基材ステージ  １４……冷却部  １４１……配管  １４２……チラー冷却ユニット  １４３……冷却ノズル  １４４……配管  １４５……ガス供給部  １４６……冷却ガス  １５……加熱部  １６……液滴吐出ノズル  １６０……ハウジング  １６１……液滴  １６２……基材ステージ  １７……基材搬送部  
【図１】
2007319821.tif 000003
【図２】
2007319821.tif 000004
【図３】
2007319821.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007319821.tif 000007
【図６】
2007319821.tif 000008