(57)【要約】【課題】デバイスを形成したワークの厚みを薄くしても、赤外線の透過によるデバイスへの影響を抑えることが可能な半導体パッケージを提供する。【解決手段】ワーク１１の他方の面１１ｂに対向して、基板１３が配されている。基板１３の一方の面１３ａには、配線層１４が形成されている。デバイス１２は、バンプ１６などを介して配線層１４に電気的に接続されている。そして、互いに対向するワーク１１と基板１３との間、例えばワーク１１の他方の面１１ｂには、赤外線の透過を阻止、あるいは抑制する赤外線透過防止層１５が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面にデバイスが形成された平板状のワークと、前記ワークの他方の面に対向して配され、前記デバイスと電気的に接続された基板とを有する半導体パッケージであって、
前記ワークと前記基板との間に赤外線透過防止層を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記赤外線透過防止層は、前記ワークの他方の面を覆うよう配されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記赤外線透過防止層は、前記基板の前記ワークと対向する面を覆うように配されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記赤外線透過防止層は、前記ワークと前記デバイスとの隙間を埋めるように配されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記デバイスはイメージングデバイスであることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の上にデバイスが形成された半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラモジュールなどに搭載されているＣＣＤなどのイメージングデバイスを備えた半導体パッケージにおいて、例えばイメージングデバイスに電気的に接続される配線などが形成された基板の上に、イメージングデバイスを有するワークが搭載された形態のものが用いられる。このようなイメージングデバイスを備えた半導体パッケージは、搭載する装置の小型化に伴い、さらなる薄型化が求められている。（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２４１８４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述したような半導体パッケージの薄型化を図る際に、特にイメージングデバイスを形成したワークの厚みを薄くすると、入射光に含まれる赤外線がワークを透過して基板で反射され、再びワークを経てイメージングデバイスに再入射してしまう虞がある。特に、基板上のイメージングデバイスと重なる位置に配線が形成されていると、この配線が赤外線の反射によってイメージングデバイスに写りこみ、画像信号のノイズとなるという課題があった。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、デバイスを形成したワークの厚みを薄くしても、赤外線の透過によるデバイスへの影響を抑えることが可能な半導体パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の請求項１に係る半導体パッケージは、一方の面にデバイスが形成された平板状のワークと、前記ワークの他方の面に対向して配され、前記デバイスと電気的に接続された基板とを有する半導体パッケージであって、
前記ワークと前記基板との間に赤外線透過防止層を有することを特徴とする。
本発明の請求項２に係る半導体パッケージは、請求項１において、前記赤外線透過防止層は、前記ワークの他方の面を覆うように配されていることを特徴とする。
本発明の請求項３に係る半導体パッケージは、請求項１または２において、前記赤外線透過防止層は、前記基板の前記ワークと対向する面を覆うように配されていることを特徴とする。
本発明の請求項４に係る半導体パッケージは、請求項１において、前記赤外線透過防止層は、前記ワークと前記デバイスとの隙間を埋めるように配されていることを特徴とする。
本発明の請求項５に係る半導体パッケージは、請求項１において、前記デバイスはイメージングデバイスであることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の半導体パッケージによれば、デバイスに入射した赤外線が、たとえ厚みの薄いワークを透過しても、ワークの他方の面に形成された赤外線透過防止層によって吸収されるので、基板まで達することがない。従って、赤外線が基板や配線層で反射されて再びデバイスに入射して、配線層の形状がデバイスに写り込み、ひいては画素信号のノイズとして出力される虞のない半導体パッケージの提供が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明に係る半導体パッケージの一例について、図面を参照して説明する。なお、この実施形態では、デバイスとしてイメージングデバイスを備えた半導体パッケージを例示する。図１は、本発明の半導体パッケージの一例を示す側面断面図である。半導体パッケージ１０は、一方の面１１ａにデバイス１２が形成されたワーク１１を備えている。デバイス１２は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）などのイメージングデバイスであればよい。デバイス１２は、入射面１２ａから入射した光を、例えば画素信号として出力する。
【０００８】
ワーク１１の他方の面１１ｂに対向して、基板１３が配されている。基板１３の一方の面１３ａには、配線層１４が形成されている。デバイス１２は、バンプ１６などを介して配線層１４に電気的に接続されている。そして、互いに対向するワーク１１と基板１３との間、例えばワーク１１の他方の面１１ｂには、赤外線の透過を阻止、あるいは抑制する赤外線透過防止層１５が形成されている。
【０００９】
このような構成の半導体パッケージ１０によれば、デバイス１２の入射面１２ａから入射した赤外線ＩＲは、厚みの薄いワーク１１を透過しても、ワーク１１の他方の面１１ｂ
に形成された赤外線透過防止層１５によって吸収され、基板１３まで達することがない。従って、赤外線が基板１３や配線層１４で反射されて再びデバイス１２に入射して、配線層１４の形状がデバイス１２に写り込んで、画素信号のノイズとして出力されることを確実に防止することが可能になる。
【００１０】
デバイス１２は、ＣＣＤ以外にも、例えば、ＣＭＯＳイメージセンサ、ＩＲセンサ、スキャナ用ラインセンサ、光学式ＤＮＡチップなどが挙げられる。ワーク１１は、例えばシリコンなどから形成され、厚みは５〜３００μｍ程度に形成されていれば良い。
【００１１】
赤外線透過防止層１５は、例えばＴａ２Ｏ５，ＳｉＯ２，ＭｇＦ２などの金属酸化物やフッ化物などを光の波長以下で積層したものや、可視、近赤外線カットフィルタ樹脂（ＶＩＲＰシリーズ：大日本塗料株式会社製）などから形成され、厚みは１ｎｍ〜５０μｍ程度に形成されていれば良い。こうした赤外線透過防止層１５は、予めフィルム状に形成された赤外線透過防止膜を貼り付けて形成したり、赤外線透過防止材料を塗布、スピンコート、ラミネート、蒸着などにより積層して形成すれば、赤外線透過防止層を容易に形成することができ、形成方法は限定されるものではない。
【００１２】
基板１３は、一方の面１３ａに導電層１４を備えたプリント配線基板であればよい。導電層１４は、例えばＣｕ，Ａｌなどの導電材をフォトレジストによって所定のパターンに形成すればよい。
【００１３】
ワークと基板との間に形成される赤外線透過防止層は、図２に示すように、基板の一面側に形成されていてもよい。この実施形態では、半導体パッケージ２０を構成する基板２３の一方の面２３ａには配線層２４が形成されている。そして、この配線層２４を含む基板２３の一方の面２３ａを覆うように赤外線透過防止層２５が配されている。
【００１４】
このような実施形態においても、ワーク２１の厚みを薄く形成しても、デバイス２２やワーク２１を透過した赤外線は、基板２３の一方の面２３ａに形成された赤外線透過防止層２５によって吸収されるので、赤外線が基板２３や配線層２４で反射されて再びデバイス２２に入射して、配線層２４の形状がデバイス２２に写り込んで、画素信号のノイズとして出力されることを確実に防止することが可能になる。
【００１５】
赤外線透過防止層は、図３に示すように、ワークと基板との隙間を埋めるように形成されてもよい。この実施形態では、半導体パッケージ３０を構成する基板３３の一方の面３３ａと、ワーク３１の他方の面３１ｂとの隙間を埋めるように赤外線透過防止層３５が配されている。
【００１６】
このような実施形態においても、ワーク３１の厚みを薄く形成しても、デバイス３２やワーク３１を透過した赤外線は、基板３３とワーク３１との隙間を埋めるように配された赤外線透過防止層３５によって吸収されるので、基板３３まで達することがない。従って、赤外線が基板３３や配線層３４で反射されて再びデバイス３２に入射して、配線層３４の形状がデバイス３２に写り込んで、画素信号のノイズとして出力されることを確実に防止することが可能になる。
【００１７】
なお、赤外線透過防止層は、図１に示したワークの他方の面と、図２に示した基板の一方の面の双方に配されていても良い。あるいは、赤外線透過防止層を２層以上、複数の層から形成されていてもよい。これら複数の赤外線透過防止層のそれぞれを、互いに異なる波長帯の赤外線が吸収できるように構成すれば、赤外線を幅広い波長帯でより確実に吸収することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の半導体パッケージの一例を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体パッケージの他の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体パッケージの他の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００１９】
１０…半導体パッケージ、１１…ワーク、１２…デバイス、１３…基板、１４…配線層、１５…赤外線透過防止層、１６…バンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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