(57)【要約】【課題】光ＣＶＤ装置において、処理速度を低下させることなく、汚染膜のクリーニングを行うこと。【解決手段】光源部２０及びシール部２２を備えた区画手段１４と、ＣＶＤ膜の成膜中は、区画手段により気密的に区画される成膜室１６及びクリーニング室１８と、光源部を回転させることにより、成膜室露出領域ＢＭをクリーニング室に、及び、クリーニング室露出領域ＢＣを成膜室に、それぞれ露出させる回転手段２８を備えている。そして、回転手段は、ＣＶＤ膜の成膜中又はＣＶＤ膜の成膜後に光源部を回転させる。【選択図】図１
2007142299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源部及びシール部を備えた区画手段と、
少なくともＣＶＤ膜の成膜中は、該区画手段により気密的に区画される成膜室及びクリーニング室と、
前記光源部を回転させることにより、前記成膜室に露出していた該光源部の第１領域を前記クリーニング室に、及び、前記クリーニング室に露出していた該光源部の第２領域を前記成膜室に、それぞれ露出させる回転手段とを備え、
前記回転手段は、前記ＣＶＤ膜の成膜中又は前記ＣＶＤ膜の成膜後に前記光源部を回転させること
を特徴とする光ＣＶＤ装置。
【請求項２】
光源部とシール部とが互いに密着して配置された区画手段と、
該区画手段により気密的に区画された成膜室及びクリーニング室と、
前記シール部に密着した状態で前記光源部を回転させることにより、前記成膜室に露出していた該光源部の第１領域を前記クリーニング室に、及び、前記クリーニング室に露出していた該光源部の第２領域を前記成膜室に、それぞれ露出させる回転手段とを備えていること
を特徴とする光ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記成膜室と前記クリーニング室とで処理チャンバが構成されており、
前記光源部は、内部で発生する紫外光を透過させる材料からなる１本以上の中空円筒形の外筒を備えており、
前記シール部は、ガスケット部品を備えており、
該ガスケット部品は、前記外筒及び該外筒に対向する前記処理チャンバの双方に密着し、及び、前記外筒が２本以上設けられる場合には、任意に選択された互いに隣り合う２本の前記外筒の双方に密着して配置されており、
前記回転手段は、前記外筒を該外筒の中心軸の周りに周方向に回転させること
を特徴とする請求項２に記載の光ＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記光源部は、前記外筒の内部に配置され、前記紫外光を発生するランプ、及び、該ランプと前記外筒の内周面との間に固定される光遮蔽板を更に備え、
該光遮蔽板は、前記外筒に密着している前記ガスケット部品を視点として、当該外筒内部に配置された前記ランプを見たときの最大視角を含む角度範囲にわたり延在していることを特徴とする請求項３に記載の光ＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記回転手段は、前記光源部を連続的に回転させることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の光ＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記回転手段は、前記光源部を断続的に回転させることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の光ＣＶＤ装置。
【請求項７】
光源部とシール部とを備え、該シール部及び該光源部が密着している密着状態、並びに、該シール部及び該光源部が離間している離間状態の２つの状態を取ることができる区画手段と、
前記シール部に接続され、該シール部及び前記光源部の相対的位置を変化させることにより、前記密着状態及び前記離間状態の間で遷移を行わせるシール移動手段と、
前記密着状態において、前記区画手段により気密的に区画される成膜室及びクリーニング室と、
前記離間状態において、前記光源部を回転させることにより、前記成膜室に露出していた該光源部の第１領域を前記クリーニング室に、及び、前記クリーニング室に露出していた該光源部の第２領域を前記成膜室に、それぞれ露出させる回転手段とを備え、
前記区画手段は、前記回転の先後において、前記密着状態にあること
を特徴とする光ＣＶＤ装置。
【請求項８】
前記成膜室と前記クリーニング室とで処理チャンバが構成されており、
前記光源部は、紫外光を発生するランプを内包し、該紫外光を透過させる領域を有する１本以上の外筒を備えており、
前記シール部は、ガスケット部品を備えており、
前記密着状態において、該ガスケット部品は、前記外筒及び該外筒に対向する前記処理チャンバの双方に密着し、及び、前記外筒が２本以上設けられる場合には、任意に選択された互いに隣り合う２本の前記外筒の双方に密着して配置されており、
前記離間状態において、前記シール部は、前記シール移動手段により、前記外筒の回転軌跡の範囲外に移動されていること
を特徴とする請求項７に記載の光ＣＶＤ装置。
【請求項９】
前記外筒は、
前記ランプを挟んで対向して設けられ、かつ、前記紫外光を透過させる材料からなる２枚の窓と、
２枚の該窓を保持し、かつ、前記密着状態において、前記ガスケット部品と密着する１対のガイドとを備えること
を特徴とする請求項８に記載の光ＣＶＤ装置。
【請求項１０】
前記外筒は、前記紫外光を透過させる材料からなる中空円筒形の筒部と、
該筒部の外周面に、該筒部の直径を隔てて設けられ、該筒部の外側に向かって延在し、かつ、前記密着状態において、前記ガスケット部品と密着する１対のガイドとを備えること
を特徴とする請求項８に記載の光ＣＶＤ装置。
【請求項１１】
前記クリーニング室に、プラズマ源で発生したプラズマを導入するためのプラズマ導入手段が設けられていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光ＣＶＤ装置。
【請求項１２】
前記クリーニング室の内部に、プラズマを発生するためのプラズマ源が設けられていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光ＣＶＤ装置。
【請求項１３】
前記成膜室に、ＣＶＤ膜が成膜される被成膜体を保持する保持手段と、該ＣＶＤ膜の成膜に用いる原料ガスを導入するための原料ガス導入手段が設けられていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光ＣＶＤ装置。
【請求項１４】
光ＣＶＤによりＣＶＤ膜を製造するにあたり、
光源部及びシール部を備えた区画手段と、
少なくともＣＶＤ膜の成膜中は、該区画手段により気密的に区画される成膜室とクリーニング室と、
前記光源部を回転させることにより、前記成膜室に露出していた該光源部の第１領域を前記クリーニング室に、及び、前記クリーニング室に露出していた該光源部の第２領域を前記成膜室に、それぞれ露出させる回転手段と
を備えた光ＣＶＤ装置を用い、
前記成膜室において、前記成膜室に露出した前記光源部の領域から照射される紫外光により、当該ＣＶＤ膜の成膜を行うと同時に、
前記クリーニング室において、前記クリーニング室に露出した前記光源部の領域のクリーニングを行う処理工程と、
該処理工程の実施中又は実施後のどちらかに、前記回転手段が前記光源部を回転させる回転工程と
を繰り返し実施することを特徴とするＣＶＤ膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、原料ガスに紫外光等を照射することで成膜を行う光ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、及びこの装置を用いたＣＶＤ膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや、ＦＰＤ（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）の製造プロセスにおける薄膜形成技術として光ＣＶＤが注目されている。光ＣＶＤは、原料ガスの解離エネルギー以上のフォトンエネルギーを有する光の照射により原料ガスを分解し、光分解により生じた反応活性種を基板に堆積させる成膜手法である。光ＣＶＤはフォトンエネルギーを利用して成膜を行うために、基板に熱エネルギーを加える必要がない。そのため、基板温度が低温（≦１００℃）であっても成膜を行うことができるという利点を有する。
【０００３】
一般に、光ＣＶＤ装置は、光源、成膜室、及び光源と成膜室とを仕切り、光源からの光を透過させる窓を備える。そして、光源を点灯させることにより、光路に存在する原料ガスを光分解して、成膜室中の基板にＣＶＤ膜を成膜する。この際、成膜室に露出する窓表面に対するＣＶＤ膜の堆積を防ぐために、窓は、たとえば約２００℃の温度に加熱される（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−７５９８０号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、たとえ窓を加熱したとしても、窓表面へのＣＶＤ膜の堆積を完全には抑制することはできない。窓表面に堆積されたＣＶＤ膜（以下、汚染膜とも称する。）は、光源から成膜室に向けて照射される光を遮る。これにより、成膜室に照射される光の実効照度が減少し、よって、ＣＶＤ膜の堆積速度が低下してしまう。
【０００５】
そのため、汚染膜が厚くなりすぎる前に、窓のクリーニングを行う必要がある。従来、このクリーニングは、成膜室に導入されたプラズマにより行われていた。しかし、この従来法では、プラズマを成膜室に導入するので、クリーニング期間中はＣＶＤ膜を成膜することができなかった。
【０００６】
つまり、従来法では、クリーニングを実施しなければならない分だけ、光ＣＶＤ装置のＣＶＤ膜成膜のスループットが低下するという問題点があった。
【０００７】
この発明は、このような問題点に鑑みなされたものである。したがって、この発明の目的は、光ＣＶＤ装置のスループットを低下させることなく、汚染膜をクリーニングすることができる光ＣＶＤ装置、及び、この装置を用いたＣＶＤ膜の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、この発明の第１の光ＣＶＤ装置は、光源部及びシール部を備えた区画手段と、少なくともＣＶＤ膜の成膜中は、区画手段により気密的に区画される成膜室及びクリーニング室とを備えている。
【０００９】
また、光ＣＶＤ装置は、光源部を回転させることにより、成膜室に露出していた光源部の第１領域をクリーニング室に、及び、クリーニング室に露出していた光源部の第２領域を成膜室に、それぞれ露出させる回転手段をさらに備えている。この回転手段は、ＣＶＤ膜の成膜中又はＣＶＤ膜の成膜後に光源部を回転させる。
【００１０】
このようにすることにより、第１の光ＣＶＤ装置では、光源部は、成膜室とクリーニング室の両室に露出する。成膜室では、基板へのＣＶＤ膜の成膜が行われる。また、クリーニング室では、光源部のクリーニングが行われる。また、成膜室とクリーニング室とは、少なくともＣＶＤ膜の成膜中は、区画手段により気密的に区画されている。
【００１１】
これらより、この光ＣＶＤ装置では、ＣＶＤ膜の成膜と、光源部のクリーニングとを同時に行うことができる。
【００１２】
そして、ＣＶＤ膜の成膜中又はＣＶＤ膜の成膜後に、回転手段が光源部を回転させることにより、成膜時に成膜室に露出していた光源部の第１領域（汚染膜が堆積している）をクリーニング室に露出させ、前記成膜時にクリーニング室に露出していた光源部の第２領域（清浄化されている）を成膜室に露出させる。
【００１３】
なお、ここで、「ＣＶＤ膜」とは、被成膜体表面に、光ＣＶＤ法により成膜される膜のことを示す。
【００１４】
また、「ＣＶＤ膜の成膜中」とは、光ＣＶＤ法によりＣＶＤ膜の成膜が行われている期間のことを示す。
【００１５】
この発明の第２の光ＣＶＤ装置は、光源部とシール部とが互いに密着して配置された区画手段と、区画手段により気密的に区画された成膜室及びクリーニング室と、シール部に密着した状態で光源部を回転させることにより、成膜室に露出していた光源部の第１領域をクリーニング室に、及び、クリーニング室に露出していた光源部の第２領域を成膜室に、それぞれ露出させる回転手段とを備えている。
【００１６】
このようにすることにより、第２の光ＣＶＤ装置によれば、成膜時に成膜室に露出する光源部の第１領域（露出領域とも称する。）からは紫外光が照射され、これにより成膜室でＣＶＤ膜が成膜される。この過程で、露出領域にもＣＶＤ膜（汚染膜）が堆積し、その結果、露出領域が汚染される。
【００１７】
一方、クリーニング室では、クリーニング室に露出する光源部の第２領域（クリーニング領域とも称する。）の清浄化が行われる。これにより光源部に堆積した汚染膜が除去される。
【００１８】
ところで、互いに密着して配置された光源部とシール部とからなる区画手段により、成膜室及びクリーニング室は気密的に区画されている。つまり、区画手段を設けることにより、両室をそれぞれ異なる真空度に維持することができる。その結果、要求される真空度がそれぞれ異なるＣＶＤ膜の成膜（成膜室）と、光源部の清浄化（クリーニング室）とを同時並行的に行うことができる。
【００１９】
そして、汚染膜が堆積した露出領域がクリーニング室に露出するように、及び、清浄化されたクリーニング領域が成膜室に露出するように、回転手段が、気密性を保ったまま光源部を回転させる。これにより、露出領域の清浄度は常に一定以上に保たれる。よって、ＣＶＤ膜の基板に対する堆積速度が常に一定以上に保たれる。
【００２０】
第２の光ＣＶＤ装置において、成膜室とクリーニング室とで処理チャンバが構成されていることが好ましい。そして、光源部は、内部で発生する紫外光を透過させる材料からなる１本以上の中空円筒形の外筒を備えていることが好ましい。
【００２１】
また、シール部は、ガスケット部品を備えていることが好ましい。ここで、ガスケット部品は、外筒及び外筒に対向する処理チャンバの双方に密着し、及び、外筒が２本以上設けられる場合には、任意に選択された互いに隣り合う２本の外筒の双方に密着して配置されていることが好ましい。さらに、回転手段は、外筒を外筒の中心軸の周りに周方向に回転させることが好ましい。
【００２２】
第２の光ＣＶＤ装置において、光源部は、外筒の内部に配置され、紫外光を発生するランプ、及び、ランプと外筒の内周面との間に固定される光遮蔽板を更に備えることが好ましい。ここで、光遮蔽板は、外筒に密着しているガスケット部品を視点として、外筒内部に配置されたランプを見たときの最大視角を含む角度範囲にわたり延在していることが好ましい。
【００２３】
このようにすることにより、光遮蔽板は、外筒の内周面とランプとの間に固定される。したがって、外筒が回転しても光遮蔽板は動かない。さらに、外筒に密着しているガスケット部品を視点として、この外筒に内包されるランプを見たときの最大視角を含む角度範囲にわたり、光遮蔽板が延在している。これらより、ランプで発生する紫外光は、光遮蔽板により遮蔽され、ガスケット部品には直接照射されない。
【００２４】
第２の光ＣＶＤ装置において、回転手段は、光源部を連続的に回転させることが好ましい。
【００２５】
このように、回転手段による光源部の回転を連続的に行うことにより、成膜室におけるＣＶＤ膜の成膜と、クリーニング室における光源部のクリーニングとを同時に、かつ、連続して行うことができる。すなわち、光源部の任意の一点に注目すると、この点は（１）成膜室中を移動する状態と、（２）クリーニング室中を移動する状態とを一定周期で繰り返す。状態（１）においては、この点は成膜室での成膜に寄与する。そして、状態（２）においては、この点はクリーニング室でクリーニングされる。
【００２６】
第２の光ＣＶＤ装置において、回転手段は、光源部を断続的に回転させてもよい。
【００２７】
このように、回転手段による光源部の回転を断続的に行うことにより、光源部の回転を停止している間に、成膜室におけるＣＶＤ膜の成膜と、クリーニング室におけるクリーニングとを同時に行うことができる。そして、ＣＶＤ膜の成膜、及びクリーニングの終了後、光源部を回転させれば、成膜室には、クリーニングを施された清浄な光源部の領域が露出し、及び、クリーニング室には、汚染膜の堆積により汚染された光源部の領域が露出する。
【００２８】
この発明の第３の光ＣＶＤ装置は、光源部とシール部とを備え、シール部及び光源部が密着している密着状態、並びに、シール部及び光源部が離間している離間状態の２つの状態を取ることができる区画手段と、シール部及び光源部の相対的位置を変化させることにより、密着状態及び離間状態の間で遷移を行わせるシール部に接続されたシール移動手段と、密着状態において、区画手段により気密的に区画される成膜室及びクリーニング室と、離間状態において、光源部を回転させることにより、成膜室に露出していた光源部の第１領域をクリーニング室に、及び、クリーニング室に露出していた光源部の第２領域を成膜室に、それぞれ露出させる回転手段とを備えている。そして、区画手段は、回転の先後において、密着状態にある。
【００２９】
このように、第３の光ＣＶＤ装置によれば、光源部とシール部とを備える区画手段は、離間状態と密着状態の２状態を取ることができる。
【００３０】
密着状態においては、シール部と光源部とが密着するので、区画手段は、成膜室とクリーニング室とを気密的に区画する。
【００３１】
この密着状態において、成膜室に露出する光源部の第１領域（露出領域）からは紫外光が照射され、これにより成膜室でＣＶＤ膜の成膜が進行する。この過程で、露出領域にも汚染膜が堆積し、その結果、露出領域が汚染される。
【００３２】
また、密着状態において、クリーニング室では、クリーニング室に露出する光源部の第２領域（クリーニング領域）の清浄化が行われる。これにより光源部に堆積した汚染膜が除去される。
【００３３】
ところで、密着状態においては、成膜室とクリーニング室とは、区画手段により気密的に区画されている。よって、両室をそれぞれ異なる真空度に維持することができる。その結果、要求される真空度がそれぞれ異なるＣＶＤ膜の成膜（成膜室）と、光源部の清浄化（クリーニング室）とを同時並行的に行うことができる。
【００３４】
密着状態から離間状態への区画手段の遷移は、シール移動手段がシール部と光源部との相対的位置を変化させることで行われる。
【００３５】
この離間状態において、成膜過程で汚染された露出領域がクリーニング室に露出するように、及び、清浄化されたクリーニング領域が成膜室に露出するように、回転手段が光源部を回転させる。これにより、露出領域の清浄度は、常に一定以上に保たれる。
【００３６】
第３の光ＣＶＤ装置において、成膜室とクリーニング室とで処理チャンバが構成されていることが好ましい。また、光源部は、紫外光を発生するランプを内包し、紫外光を透過させる領域を有する１本以上の外筒を備えていることが好ましい。また、シール部は、ガスケット部品を備えていることが好ましい。そして、密着状態において、ガスケット部品は、外筒及び外筒に対向する処理チャンバの双方に密着し、及び、外筒が２本以上設けられる場合には、任意に選択された互いに隣り合う２本の外筒の双方に密着して配置されており、離間状態において、シール部は、シール移動手段により、外筒の回転軌跡の範囲外に移動されていることが好ましい。
【００３７】
このようにすることにより、外筒の回転時に、外筒とガスケット部品との干渉（接触）が防止される。
【００３８】
第３の光ＣＶＤ装置において、外筒は、ランプを挟んで対向して設けられ、かつ、紫外光を透過させる材料からなる２枚の窓と、２枚の窓を保持し、かつ、密着状態において、ガスケット部品と密着する１対のガイドとを備えることが好ましい。
【００３９】
このようにすることにより、外筒に設けられた窓を介して成膜室に紫外光が照射される。また、密着状態において、２枚の窓を保持するガイドとガスケット部品とが密着するので、成膜室及びクリーニング室が気密的に区画される。
【００４０】
第３の光ＣＶＤ装置において、外筒は、紫外光を透過させる材料からなる中空円筒形の筒部と、筒部の外周面に、筒部の直径を隔てて設けられ、筒部の外側に向かって延在し、かつ、密着状態において、ガスケット部品と密着する１対のガイドとを備えることが好ましい。
【００４１】
このようにすることにより、紫外光を透過可能な材料から形成された筒部を介して成膜室に紫外光が照射される。また、密着状態において、筒部の外周面に設けられたガイドとガスケット部品とが密着するので、成膜室とクリーニング室とが気密的に区画される。
【００４２】
第１〜第３の光ＣＶＤ装置において、クリーニング室に、プラズマ源で発生したプラズマを導入するためのプラズマ導入手段が設けられていることが好ましい。
【００４３】
また、第１〜第３の光ＣＶＤ装置において、クリーニング室の内部に、プラズマを発生するためのプラズマ源が設けられていてもよい。
【００４４】
また、第１〜第３の光ＣＶＤ装置において、成膜室に、ＣＶＤ膜が成膜される被成膜体を保持する保持手段と、ＣＶＤ膜の成膜に用いる原料ガスを導入するための原料ガス導入手段が設けられていることが好ましい。
【００４５】
この発明のＣＶＤ膜の製造方法は、光ＣＶＤによりＣＶＤ膜を製造するにあたり、光源部及びシール部を備えた区画手段と、少なくともＣＶＤ膜の成膜中は、区画手段により気密的に区画される成膜室とクリーニング室と、光源部を回転させることにより、成膜室に露出していた光源部の第１領域をクリーニング室に、及び、クリーニング室に露出していた光源部の第２領域を成膜室に、それぞれ露出させる回転手段とを備えた光ＣＶＤ装置を用いて成膜を行う。
【００４６】
そして、成膜室において、成膜室に露出した光源部の領域から照射される紫外光により、ＣＶＤ膜の成膜を行うと同時に、クリーニング室において、クリーニング室に露出した光源部の領域のクリーニングを行う処理工程と、処理工程の実施中又は実施後のどちらかに、回転手段が光源部を回転させる回転工程を繰り返し実施する。
【発明の効果】
【００４７】
この発明の光ＣＶＤ装置は、上述のような構成を有しているので、ＣＶＤ膜の成膜と光源部のクリーニングとを同時に行うことができる。よって、光ＣＶＤ装置のスループットを低下させることなく、汚染膜を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、各図は、各構成要素の形状、大きさ及び配置関係を、この発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例について説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例に過ぎない。したがって、この発明は以下の実施の形態に何ら限定されない。
【００４９】
（実施の形態１）
図１（Ａ）は、実施の形態１の光ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。図１（Ｂ）は、回転手段の概略構成を示す模式図である。図２は、光遮蔽板の形状及び配置の説明に供する模式図である。図３（Ａ）及び（Ｂ）は、光ＣＶＤ装置の変形例の説明に供する模式図である。
【００５０】
まず、おもに図１（Ａ）を参照して、光ＣＶＤ装置１０の構造につき説明する。
【００５１】
光ＣＶＤ装置１０は、処理チャンバ１２、区画手段１４、及び回転手段２８を備えている。
【００５２】
処理チャンバ１２は、ほぼ直方体状の箱状体である。したがって、処理チャンバ１２は、図面垂直方向にも全長Ｌにわたって延在している。処理チャンバ１２は、その内部が区画手段１４により成膜室１６とクリーニング室１８とに気密的に区画されている。
【００５３】
成膜室１６においては、真空紫外光ＣＶＤにより、被成膜体としての基板ＳにＣＶＤ膜が成膜される。真空紫外光は、後述する光源部２０から照射される。
【００５４】
成膜室１６には、保持手段としてのサセプタ３６が備えられている。このサセプタ３６に基板Ｓが保持される。
【００５５】
基板Ｓは、第１主面（被成膜面）と、第１主面の反対側の面である第２主面とを備えた平行平板である。基板Ｓは、第２主面側でサセプタ３６に保持される。したがって、基板Ｓの第１主面は、後述する外筒２４に対向して配置される。この実施の形態においては、基板Ｓの第１主面は、重力方向下向きに配置されている。ここで、光源部２０の外筒２４（後述）とサセプタ３６との間の距離は、好ましくは、たとえば約２５ｍｍとする。
【００５６】
サセプタ３６の内部には、従来周知の通り、図示しない冷却材配管が設けられている。そして、この冷却材配管には、図示しない冷却装置から冷却材が流通される。その結果、基板Ｓは、ＣＶＤ膜の成膜中に、好ましくは、たとえば約２５℃の温度に保持される。
【００５７】
また、サセプタ３６は、従来周知の通り、図示しないサセプタ回転機構に接続されている。このサセプタ回転機構は、基板Ｓを保持したサセプタ３６を、ＣＶＤ膜の成膜中に回転させる。この回転により、基板Ｓの第１主面は、同一平面内で回転される。この結果、基板Ｓに成膜されるＣＶＤ膜の膜質が均一となる。
【００５８】
また、成膜室１６には、ゲートバルブ３８が設けられている。ゲートバルブ３８は、成膜室１６と図示しないロードロック室とを仕切っている。よって、このゲートバルブ３８を介して、成膜室１６の真空を破ることなく成膜室１６に対して基板Ｓの搬入及び搬出を行うことができる。
【００５９】
また、成膜室１６には、ＣＶＤ膜の成膜に用いる原料ガスを供給するための原料ガス導入手段４０が設けられている。また、成膜室１６は、真空ポンプ等の排気手段４２に接続されている。その結果、成膜室１６は、所望の真空度に保持される。
【００６０】
処理チャンバ１２の構成要素であるクリーニング室１８においては、光源部２０を構成する外筒２４のクリーニングが行われる。
【００６１】
クリーニング室１８には、図示しないプラズマ発生源で発生されたプラズマを導入するためのプラズマ導入手段４４が設けられている。また、クリーニング室１８は、真空ポンプ等からなる排気手段４６に接続されている。
【００６２】
光ＣＶＤ装置１０の構成要素である区画手段１４は、光源部２０とシール部２２とを備える。
【００６３】
光源部２０は、外筒２４、エキシマランプ３０、及び光遮蔽板３２を備えている。
【００６４】
外筒２４は、真空紫外光を透過させる合成石英製の中空円筒であり、図面垂直方向に関して全長Ｌと等しい長さにわたって延在している。そして、外筒２４は、両端が軸受けを介して処理チャンバ１２に接続されている。その結果、外筒２４は、中心軸２４ｂの周りで、周方向に自在に回転することができる。ここで、外筒２４の厚み（合成石英の厚み）は、好ましくは、たとえば約２ｍｍとする。
【００６５】
光ＣＶＤ装置１０では、たとえば４本の外筒２４が設けられている。これらの外筒２４は、所定の間隔を空けて互いに平行に配置されている。
【００６６】
エキシマランプ３０は、外筒２４の内部に配置されている。エキシマランプ３０は、内部にＸｅガスが封入された合成石英製の２重円筒型ランプであり、誘電体バリア放電により、波長が１７２ｎｍの真空紫外光を発生する。
【００６７】
このエキシマランプ３０は、外筒２４と中心軸２４ｂを共通にして配置されている。また、エキシマランプ３０は、図面垂直方向に関して全長Ｌと等しい長さにわたって延在している。
【００６８】
ここで、エキシマランプ３０の放射照度は、外筒２４の外表面において約５０ｍＷ／ｃｍ２であった。なお、この放射照度は、汚染膜（後述）が存在しない状態の外筒２４について測定したものである。また、放射照度の測定には、ウシオ電機株式会社製の照度計（ＵＩＴ−１５０／ＶＵＶＳ−１７２）を用いた。
【００６９】
光源部２０の構成要素である光遮蔽板３２は、外筒２４の内部にエキシマランプ３０とともに配置されている。より詳細には、光遮蔽板３２は、エキシマランプ３０と外筒２４の内壁面２４ａとの間の間隙に固定されている。光遮蔽板３２は、好ましくは、たとえばエキシマランプ３０を挟んだ両側に対称的に設けられている。つまり、光遮蔽板３２は、１本の外筒２４につき２枚ずつ設けられている。これら一対の光遮蔽板３２，３２の間隙から成膜室１６へ真空紫外光が照射される。
【００７０】
光遮蔽板３２は、金属板であり、外筒２４の内周面２４ａとほぼ等しい曲率を有する断面円弧状に形成されている。そして、光遮蔽板３２は、図面垂直方向に関してエキシマランプ３０の全長Ｌと等しい長さにわたって延在している。
【００７１】
光遮蔽板３２は、エキシマランプ３０から照射される真空紫外光を遮蔽し、後述するガスケット部品２６への真空紫外光の直接照射を防止する機能を有する。光ＣＶＤ装置１０では、光遮蔽板３２として、好ましくは、たとえばアルミニウム板が用いられている。
【００７２】
光遮蔽板３２は、外筒２４とは機械的に接続されていない。したがって、光遮蔽板３２は、外筒２４の回転にかかわらず、常に同じ場所に止まることとなる。つまり、外筒２４が回転したとしても、光遮蔽板３２とガスケット部品２６との相対的な位置関係は変化しない。なお、光遮蔽板３２の配置及び形状の詳細については後述する。
【００７３】
区画手段１４の構成要素であるシール部２２は、円柱形のガスケット部品２６を備えている。ガスケット部品２６は、剛体からなる棒状の芯材２６ａと、芯材２６ａの周囲を被覆する中空筒円筒状のエラストマー２６ｂとからなる。ガスケット部品２６は、図面垂直方向に関して外筒２４の全長Ｌと等しい長さにわたって延在している。ガスケット部品２６は、両端が軸受けを介して処理チャンバ１２に支持されており、外筒２４の回転に従動して回転することができる。
【００７４】
隣り合った外筒２４及び２４の間に位置するガスケット部品２６は、両者２４及び２４に密着して配置されている。同様に、外筒２４と処理チャンバ１２の壁面１２ａとの間に位置するガスケット部品２６は、両者２４及び１２ａに密着して配置されている。
【００７５】
したがって、光ＣＶＤ装置１０では、ガスケット部品２６は、外筒２４，２４間に３本、外筒２４と壁面１２ａ間に２本の合計５本が設けられている。
【００７６】
ここで、エラストマー２６ｂとしては耐熱性に優れた材料が用いられる。なぜなら、エラストマー２６ｂは、エキシマランプ３０の点灯時に１５０℃程度の温度まで加熱される外筒２４に接触するからである。エラストマー２６ｂとしては、フッ素ゴム、たとえば、フッ化ビニリデン系ゴム、テトラフルオロエチレン−プロピレン系ゴム又はテトラフルオロエチレン−パーフルオロビニルエーテル系ゴム等が用いられる。
【００７７】
また、エラストマー２６ｂの外表面は、プラズマＣＶＤ等により形成されたシリコン窒化膜により被覆されている。このシリコン窒化膜は、エキシマランプ３０から照射される真空紫外光を遮蔽する保護膜として機能し、エラストマー２６ｂの劣化を抑制する。
【００７８】
このように、外筒２４と２４との間、及び、外筒２４と壁面１２ａとの間にガスケット部品２６が、隙間なく密着して配置されることから、成膜室１６とクリーニング室１８とは、気密的に区画される。ここで「気密的」とは、成膜室１６とクリーニング室１８との間で気体の移動が生じず、その結果、両室１６及び１８をそれぞれ異なる真空度に保つことができることを意味する。ガスケット部品２６による気密封着は、従来周知の方法で、何ら困難を伴うことなく行うことができる。
【００７９】
図１（Ｂ）を参照すると、光ＣＶＤ装置１０の構成要素である回転手段２８は、電動モータ２８ａ及び回転伝達部２８ｂを備えている。
【００８０】
電動モータ２８ａ及び回転伝達部２８ｂの両者とも、処理チャンバ１２の外部に設けられている。
【００８１】
電動モータ２８ａは、外部から供給される電力で駆動される。電動モータ２８ａの回転数は、従来周知の方法により制御される。
【００８２】
回転伝達部２８ｂは、複数の歯車を組み合わせた歯車機構を備えている。回転伝達部２８ｂは、電動モータ２８ａと外筒２４との間に介在している。そして、回転伝達部２８ｂは、電動モータ２８ａの回転を減速した上で、外筒２４へと伝達する。
【００８３】
回転手段２８は、４本の外筒２４の一端部にそれぞれ接続されている。したがって、回転手段２８を駆動することにより、ガスケット部品２６と密着したまま、外筒２４を周方向に連続的に回転させることができる（図中矢印Ｒ１参照）。また、回転手段２８を停止することにより、外筒２４を所定の回転位置で停止させることができる。
【００８４】
具体的には、図１（Ａ）の状態から、たとえば外筒２４を反時計回りに１８０°回転させることにより、外筒２４の成膜室１６に露出していた第１領域ＢＭ（以下、成膜室露出領域ＢＭとも称する。）をクリーニング室１８に露出させ、及び、外筒２４のクリーニング室に露出していた第２領域ＢＣ（以下、クリーニング室露出領域ＢＣとも称する。）を成膜室１６に露出させることができる。
【００８５】
すなわち、この回転により、成膜室露出領域ＢＭは、成膜室１６に対して、露出状態から非露出状態へと変化される。一方、クリーニング室露出領域ＢＣは、クリーニング室１８に対して、露出状態から非露出状態へと変化される。
【００８６】
ここで、図２を参照して、光遮蔽板３２の形状及び配置につき説明する。図２に示すように、任意の外筒２４Ａと、この外筒２４Ａに密着するガスケット部品２６Ａの対を考える。このとき、光遮蔽板３２Ａは、ガスケット部品２６Ａの表面の任意の点から、エキシマランプ３０Ａが直接目視できないような形状及び配置とする。
【００８７】
つまり、光遮蔽板３２Ａは、外筒２４Ａに密着しているガスケット部品２６Ａを視点としてエキシマランプ３０Ａを見たときの最大視角θを含む角度範囲Θにわたり設けられている。
【００８８】
ここで、「最大視角θ」とは、断面視（図２）で、ガスケット部品２６Ａの外縁及びエキシマランプ３０Ａの外縁の双方に接する４本の共通接線のうち、ガスケット部品２６Ａとエキシマランプ３０Ａの間で交差しない２接線Ｂ１，Ｂ２のなす角度を示す。
【００８９】
また、「最大視角θを含む角度範囲Θ」とは、Θ≧θであり、かつ、θの範囲を完全に包含する角度範囲のことを示す。
【００９０】
次に、おもに図１（Ａ）を参照して、光ＣＶＤ装置１０の動作につき説明する。あわせて本発明のＣＶＤ膜の製造方法について説明する。
【００９１】
まず、光ＣＶＤ装置１０の動作の概略を説明する。光ＣＶＤ装置１０において、外筒２４の外周面の一方の半面は成膜室１６に露出し（成膜室露出領域ＢＭ）、及び、他方の半面はクリーニング室１８に露出する（クリーニング室露出領域ＢＣ）。さらに、成膜室１６とクリーニング室１８とは、区画手段１４により気密的に区画されている。
【００９２】
それらの結果、光ＣＶＤ装置１０においては、成膜室１６とクリーニング室１８とをそれぞれ異なる真空度に保つことができる。よって、成膜室１６とクリーニング室１８とで、要求真空度の異なる処理を並行して行うことができる。すなわち、成膜室１６における基板ＳへのＣＶＤ膜の成膜と、クリーニング室１８におけるクリーニング室露出領域ＢＣのクリーニングとを同時進行させることができる。
【００９３】
なお、以下の説明では、原料ガスとしてオクタメチルシクロテトラシロキサン（（（ＣＨ３）２ＳｉＯ）４）（以下、ＯＭＣＴＳとも称する。）を用いて、基板Ｓ上にＣＶＤ膜としてのシリコン酸化膜（以下、単に酸化膜とも称する。）を成膜する場合につき例示する。
【００９４】
また、以下に説明する第１工程の実施に先立ち、光ＣＶＤ装置１０は、１枚以上の基板Ｓに対する酸化膜の成膜を完了しているものとする。すなわち、外筒２４のクリーニング室露出領域ＢＣには、後述する汚染膜が既に堆積しているものとする。
【００９５】
また、以下の説明において、ガス流量の単位「ｓｃｃｍ」は、温度０℃に換算した場合の流量を示す。
【００９６】
（第１工程：成膜室１６側）
サセプタ３６に基板Ｓを固定した状態で、原料ガス導入手段４０を介して成膜室１６に原料ガス（ＯＭＣＴＳ  流量：約１０ｓｃｃｍ）を導入し、成膜室１６内の真空度を約１００ｍＴｏｒｒに制御する。
【００９７】
その上で、エキシマランプ３０を５分間点灯することにより、真空紫外光（波長：約１７２ｎｍ）を発生させる。発生した真空紫外光は、外筒２４の成膜室露出領域ＢＭから、成膜室１６へと照射され、光路中に存在するＯＭＣＴＳ分子を光分解する。光分解により生じたラジカル等の反応活性種は、約２５℃の温度に保たれた基板Ｓの第１主面に堆積する。これにより、基板Ｓの第１主面上に、膜厚が約１μｍの酸化膜が成膜される。
【００９８】
なお、光遮蔽板３２が上述のような形状及び配置とされているので、エキシマランプ３０から発生する真空紫外光は、ガスケット部品２６には直接照射されない。
【００９９】
ところで、酸化膜は、基板Ｓのみでなく、外筒２４の成膜室露出領域ＢＭ上にも堆積する。成膜室露出領域ＢＭに堆積した酸化膜（以下、汚染膜とも称する。）は、エキシマランプ３０から照射される真空紫外光を吸収する。その結果、汚染膜の膜厚増加にしたがって、成膜室１６へと照射される真空紫外光の放射強度は徐々に弱まっていく。
【０１００】
具体的には、基板Ｓへの酸化膜（膜厚：約１μｍ）の成膜終了後、真空紫外光の放射照度は、成膜室露出領域ＢＭに対応する外筒２４の外表面において、約２０ｍＷ／ｃｍ２まで減少する（汚染膜成膜前：約５０ｍＷ／ｃｍ２）。
【０１０１】
（第１工程：クリーニング室１８側）
成膜室１６における酸化膜の成膜と同時に、クリーニング室１８では、外筒２４のクリーニング室露出領域ＢＣに堆積した汚染膜のクリーニングが行われる。
【０１０２】
すなわち、クリーニング室１８の外部に設けられたプラズマ発生源（不図示）において、エッチングガスに高周波電力を印加してプラズマが発生される。ここでエッチングガスは、流量が約８００ｓｃｃｍのＡｒガスと、流量が約２００ｓｃｃｍのＯ２ガスと、流量が約４０ｓｃｃｍのオクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）ガスの混合ガスとする。
【０１０３】
このようにして発生されたプラズマは、プラズマ導入手段４４を介してクリーニング室１８に導入される。ここで、クリーニング室１８内の圧力を、好ましくは、たとえば約５Ｔｏｒｒに制御する。
【０１０４】
これにより、外筒２４のクリーニング室露出領域ＢＣは、プラズマに晒されることとなる。したがって、クリーニング室露出領域ＢＣに堆積した汚染膜は、このプラズマによりエッチングされて取り除かれる。その結果、クリーニング室露出領域ＢＣはクリーニングされ、清浄な表面を取り戻す。
【０１０５】
（第２工程）
第１工程において、成膜室１６での酸化膜の成膜が終了し、かつ、クリーニング室１８での汚染膜の除去が終了したならば、（１）基板Ｓの交換と、（２）外筒２４の１８０°回転とを行う。
【０１０６】
すなわち、酸化膜の成膜が終了した基板Ｓを、ゲートバルブ３８を介して成膜室１６から搬出する。そして、次の成膜に備えて、ゲートバルブ３８を介して新たな基板Ｓを成膜室１６に搬入し、サセプタ３６に固定する。
【０１０７】
これとともに、回転手段２８を駆動して、４本の外筒２４を、それぞれの中心軸２４ｂの周りで周方向に１８０°回転させる。
【０１０８】
これにより、第１工程において汚染膜が堆積された成膜室露出領域ＢＭは、クリーニング室１８へと露出することとなる。同様に、第１工程において清浄化されたクリーニング室露出領域ＢＣは、成膜室１６へと露出することとなる。
【０１０９】
なお、外筒２４の回転の際に、ガスケット部品２６は、外筒２４との密着状態を保ったまま、外筒２４の回転に従動して回転する。よって、外筒２４の回転中も成膜室１６とクリーニング室１８との間は気密的に区画されている。
【０１１０】
以降、第１工程と第２工程とを繰り返すことにより、基板Ｓへの酸化膜（ＣＶＤ膜）の成膜を行う。
【０１１１】
なお、以上の説明において、第１工程が処理工程に対応し、及び第２工程が回転工程に対応する。
【０１１２】
以下、この実施の形態で説明した光ＣＶＤ装置１０及びＣＶＤ膜の製造方法の奏する効果につき説明する。
【０１１３】
光ＣＶＤ装置１０は、ＣＶＤ膜の成膜と、外筒２４のクリーニングとを同時に行うことができる。したがって、外筒２４のクリーニングのためにＣＶＤ膜の成膜を停止する必要がない。その結果、光ＣＶＤ装置１０のスループットが従来技術に比べて向上する。
【０１１４】
具体的には、従来技術では、この実施の形態と同様の条件で酸化膜を成膜した場合、窓（背景技術参照）に堆積した汚染膜を取り除くために、約５分間のクリーニングが必要であった。しかし、この実施の形態の光ＣＶＤ装置１０は、成膜とクリーニングとを同時に実施できるので、従来技術で必要とされていた５分間のクリーニング時間が不用となる。その結果、光ＣＶＤ装置１０は、従来技術に比べてスループットが約２倍に向上する。
【０１１５】
また、外筒２４とガスケット部品２６とを密着させて配置することにより、成膜室１６とクリーニング室１８とを気密的に区画している。これにより、クリーニング室１８に導入されたプラズマの成膜室１６への侵入、及び、成膜室１６に導入された原料ガスのクリーニング室１８への侵入が防止される。その結果、成膜室１６における酸化膜の成膜と、クリーニング室１８におけるクリーニングとを同時進行することができる。
【０１１６】
また、光遮蔽板３２は、外筒２４とは独立して固定されている。したがって、たとえ外筒２４が回転したとしても、光遮蔽板３２は、常に同じ箇所に止まることとなる。その結果、外筒２４の回転にかかわらず、エキシマランプ３０から照射される真空紫外光は、光遮蔽板３２により遮られ、ガスケット部品２６に直接照射されることがない。よって、ガスケット部品２６の耐用期間を延ばすことができる。
【０１１７】
また、光遮蔽板３２を、ガスケット部品２６を視点としてエキシマランプ３０を見たときの最大視角θを含む角度範囲Θにわたり延在するような形状及び配置（図２）としたので、ガスケット部品２６に対する真空紫外光の直接照射を確実に防止することができる。
【０１１８】
また、光ＣＶＤ装置１０においては、基板Ｓの第１主面（被成膜面）が重力方向下向きに配置されている。よって、成膜室１６内の浮遊異物や、成膜室１６の壁面から剥離する異物等の被成膜面への落下による付着が抑制される。結果として、基板Ｓに成膜される酸化膜の膜質が向上する。
【０１１９】
また、ガスケット部品２６は、外筒２４の回転に従動回転する。よって、外筒２４の回転時のガスケット部品２６と外筒２４との接触摩擦を低減することができる。その結果、ガスケット部品２６の耐用期間を延ばすことができる。
【０１２０】
以下、この実施の形態で説明した光ＣＶＤ装置１０及びＣＶＤ膜の製造方法において許容される設計条件変更及び変形例につき説明する。
【０１２１】
光源部２０から照射される光の波長は１７２ｎｍには限定されない。つまり、光源部２０から照射される光の波長は、成膜に用いる原料ガス分子の結合エネルギーよりも大きいフォトンエネルギーを有するものであればよい。
【０１２２】
たとえば、（１）ＳｉＨ４とＮ２Ｏの混合ガスを原料ガスとして用い、ＣＶＤ膜としてのＳｉＯ２膜を成膜する場合、（２）ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガスを原料ガスとして用い、ＣＶＤ膜としてのＳｉ３Ｎ４膜を成膜する場合、及び（３）Ｓｉ２Ｈ６とＮＨ３の混合ガスを原料ガスとして用い、ＣＶＤ膜としてのＳｉ３Ｎ４膜を成膜する場合には、波長１９３ｎｍの光を発生するＡｒＦレーザや、波長１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの光を発生する低圧水銀ランプ等を用いることができる。
【０１２３】
また、クリーニング室露出領域ＢＣをプラズマに晒す時間（クリーニング時間）は、成膜室１６における成膜時間（約５分間）と等しくする必要はない。クリーニング時間は、汚染膜が除去でき、かつ、外筒２４をオーバーエッチしないだけの長さとすればよい。
【０１２４】
また、外筒２４の材料は合成石英には限定されない。外筒２４は、光源部２０から照射される光を実用充分な強度で透過できる材料を用いて形成されていればよい。
【０１２５】
また、シール部２２は、成膜室１６とクリーニング室１８とを気密的に区画することができれば、上述したガスケット部品２６には限定されない。たとえば、図３（Ａ）に示すように、シール部２２として、隣り合う外筒２４及び２４の間に延在する平板状の仕切板４８と、この仕切板４８の外縁に固定され、外筒２４の外周面との間に介在されたＯ−リング５０，５０とを備えたものを用いてもよい。
【０１２６】
また、ガスケット部品２６は、外筒２４の回転に従動して回転する必要はない。つまり、ガスケット部品２６は、処理チャンバ１２に固定されていてもよい。このようにすることによっても、実用上許容できる気密性を保持しながら、成膜室１６とクリーニング室１８とを区画することができる。
【０１２７】
また、外筒２４の本数は、４本には限定されない。ＣＶＤ膜を成膜すべき基板Ｓの大きさや形状に応じて、適宜変更することができる。外筒２４の本数を変更した場合、それに応じてガスケット部品２６の本数も変更する必要がある。
【０１２８】
また、光遮蔽板３２は、任意的な構成要素である。よって、真空紫外光照射によるガスケット部品２６の劣化が許容できるのであれば、光遮蔽板３２を設ける必要はない。
【０１２９】
また、光遮蔽板３２は、上述した形状及び配置には限定されない。つまり、光遮蔽板３２は、ガスケット部品２６への真空紫外光の直接照射を防止でき、かつ、成膜室１６に充分な放射照度で真空紫外光を照射できる形状及び配置であればよい。
【０１３０】
たとえば、図３（Ｂ）に示すように、成膜室１６側にのみ開口部５２ａが設けられ、クリーニング室１８側が完全に閉鎖された断面優弧状の光遮蔽板５２を用いてもよい。このような光遮蔽板５２を用いることにより、真空紫外光がクリーニング室１８に照射されないので、クリーニング室１８に設けられた樹脂部品の真空紫外光照射による劣化を防ぐことができる。
【０１３１】
また、図３（Ｂ）に示した変形例において、光遮蔽板５２の内壁面５２ｂを鏡面としてもよい。このようにすることにより、エキシマランプ３０から発生した真空紫外光のほとんどを、成膜室１６に向けて照射することができる。その結果、成膜室１６における真空紫外光の放射照度が増加する。
【０１３２】
また、外筒２４の内壁面２４ａに沿って、外筒２４を加熱するための螺旋状のヒータを設けてもよい。ヒータを設けることにより、ＣＶＤ膜の成膜中に外筒２４を１５０℃よりも高温にすることができる。その結果、外筒２４の表面に対する汚染膜の堆積をより抑制することができる。
【０１３３】
また、この実施の形態では、クリーニング室１８の外部にプラズマ発生源を設けている。しかし、プラズマ発生源を、クリーニング室１８の内部に設けてもよい。このようにすることにより、光ＣＶＤ装置１０の構造を単純化できる。
【０１３４】
また、光ＣＶＤ装置１０は、基板Ｓの被成膜面を重力方向下向きに配置した、いわゆるフェイスダウン型には限られない。基板Ｓの被成膜面を重力方向上向きに配置した、いわゆるフェイスアップ型や、基板Ｓの被成膜面を重力方向に平行に配置した縦型であってもよい。
【０１３５】
（実施の形態２）
図４（Ａ）は、実施の形態２の光ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。図４（Ｂ）は、実施の形態２の光ＣＶＤ装置のドラム回転装置の概略構成を示す模式図である。図５は、光ＣＶＤ装置の変形例の説明に供する模式図である。
【０１３６】
なお、実施の形態２の光ＣＶＤ装置５４は、下記の２点以外は、実施の形態１で説明した光ＣＶＤ装置１０と同様の構造を有している。
（１）成膜室１６内において所定速度で給送されるフィルムＦに連続的に酸化膜を成膜すること。
（２）外筒２４が連続的に回転されること。
【０１３７】
したがって、図４（Ａ）及び図１（Ａ）の双方に共通する構成要素には同符号を付して、その説明を適宜省略する。そして、以下の記載では、光ＣＶＤ装置１０との相違点をおもに説明する。
【０１３８】
光ＣＶＤ装置５４において、成膜室１６には、被成膜体としてのフィルムＦを給送するフィルム給送装置５８が設けられている。フィルム給送装置５８は、供給ドラム６０、巻取ドラム６２、成膜ステージ６４、及びドラム回転装置６５を備えている。
【０１３９】
供給ドラム６０及び巻取ドラム６２は、円柱形の部品であり、それぞれの中心軸６０ａ及び６２ａが互いに平行となるように間隔を空けて成膜室１６中に配置されている。そして、この間隔に成膜ステージ６４が設けられている。
【０１４０】
供給ドラム６０の両端は、回転抵抗が付与された軸受けを介してフィルム給送装置５８に支持されている。これにより供給ドラム６０は、中心軸６０ａの周りで周方向に回転することができる。供給ドラム６０には、酸化膜（ＣＶＤ膜）成膜前のフィルムＦが予め巻回されている。
【０１４１】
巻取ドラム６２は、ドラム回転装置６５に接続されており、ＣＶＤ膜の成膜中に中心軸６２ａを中心として周方向に回転される。また、供給ドラム６０に巻回されているフィルムＦの自由端は成膜ステージ６４を経由して、この巻取ドラム６２に固着されている。
【０１４２】
したがって、巻取ドラム６２を回転させると（図中矢印Ｒ２参照）、フィルムＦは、成膜ステージ６４を走行した後に巻取ドラム６２に巻き取られる。巻取りの過程で、巻取ドラム６２の回転は、運動伝達要素としてのフィルムＦを介して供給ドラム６０へと伝達される。これにより、供給ドラム６０は従動回転し、新たなフィルムＦが成膜ステージ６４へと給送される。
【０１４３】
上述のように供給ドラム６０の軸受けには回転抵抗が付与されているので、成膜ステージ６４へと送り出されるフィルムＦは張架された状態（ピンと張った状態）で、成膜ステージ６４上を走行する。
【０１４４】
図４（Ｂ）を参照すると、フィルム給送装置５８の構成要素であるドラム回転装置６５は、電動モータ６５ａ、回転伝達部６５ｂ、走行速度計６５ｃ、及び制御部６５ｄを備える。
【０１４５】
電動モータ６５ａは、外部から供給される電力で駆動され、後述する制御部６５ｄにより回転速度が制御される。
【０１４６】
回転伝達部６５ｂは、複数の歯車を組み合わせた歯車機構を備えている。回転伝達部６５ｂは、電動モータ６５ａと巻取ドラム６２との間に介在している。そして、回転伝達部６５ｂは、電動モータ６５ａの回転を減速した上で、巻取ドラム６２へと伝達する。
【０１４７】
走行速度計６５ｃは、成膜ステージ６４に設けられている。走行速度計６５ｃは、従来周知の方法で、成膜ステージ６４を走行するフィルムＦの走行速度を測定する。測定されたフィルムＦの走行速度は、制御部６５ｄへと送信される。
【０１４８】
制御部６５ｄは、測定されたフィルムＦの走行速度が、予め記憶されている走行速度の設定値に等しくなるように、電動モータ６５ａの回転速度を制御する。制御部６５ｄによる制御の結果、成膜ステージ６４上におけるフィルムＦの走行速度は常に一定に保たれる。ここで、フィルムＦの走行速度は、好ましくは、たとえば約５分間かけて、成膜ステージ６４を走行するような速さとする。
【０１４９】
再び図４（Ａ）を参照すると、フィルム給送装置５８の構成要素である成膜ステージ６４は、外筒２４に対向するように配置された平板状の部品である。成膜ステージ６４は、平面状の支持面６４ａを備えている。フィルムＦは、支持面６４ａで支持されることで、平面状に張架された状態で成膜ステージ６４上を走行する。この走行の過程で、フィルムＦには酸化膜が成膜される。ここで、支持面６４ａと外筒２４との間の距離は、好ましくは、たとえば約２５ｍｍとする。
【０１５０】
また、成膜ステージ６４の裏面（外筒２４とは反対側の面）には、冷却材配管６６が設けられている。この冷却材配管６６には、図示しない冷却装置から冷却材が流通される。その結果、フィルムＦは、ＣＶＤ膜の成膜中に、好ましくは、たとえば約２５℃の温度に保持される。
【０１５１】
フィルムＦは、図面垂直方向に関して全長Ｌよりも短い幅を有する帯状の樹脂製薄膜である。フィルムＦの膜厚は、好ましくは、たとえば約２００μｍとする。ここで、フィルムＦの材料である樹脂としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート又はポリエーテルサルホン等が用いられる。
【０１５２】
光ＣＶＤ装置５４において、ＣＶＤ膜の成膜中、つまり、エキシマランプ３０の点灯中に外筒２４は連続して回転される。ここで、外筒２４の回転速度は、好ましくは、たとえば約０．５ｒｐｍとする。
【０１５３】
次に、おもに図４（Ａ）を参照して、光ＣＶＤ装置５４の動作につき説明する。
【０１５４】
実施の形態１で説明したと同様の条件で、原料ガス導入手段４０を介して成膜室１６に原料ガスとしてのＯＭＣＴＳを導入する。
【０１５５】
そして、フィルム供給装置５８を稼働して、成膜ステージ６４上に、上述した速度でフィルムＦを走行させる。これと同時に、回転手段２８を稼働して、外筒２４を約０．５ｒｐｍの回転速度で回転させながら、エキシマランプ３０を点灯する。
【０１５６】
これにより、光分解により生じたＯＭＣＴＳ由来の反応活性種が、成膜ステージ６４上を走行するフィルムＦの表面に堆積する。ところで、フィルムＦは成膜ステージ６４上を走行しているので、反応活性種の堆積時間は場所により異なる。つまり、供給ドラム６０から送り出されたばかりのフィルムＦの領域では堆積時間は短く、巻取ドラム６２に巻き取られる寸前のフィルムＦの領域では堆積時間が長い。
【０１５７】
その結果、フィルムＦ上に成膜される酸化膜の膜厚は、供給ドラム６０側から巻取ドラム６２側へと向かうにつれて徐々に厚くなっていく。そして、酸化膜の膜厚が約１μｍとなったところで、フィルムＦは巻取ドラム６２へと巻き取られる。
【０１５８】
ところで、実施の形態１で説明したように、エキシマランプ３０を点灯させると、成膜室１６に露出した外筒２４の表面にも汚染膜が堆積し、徐々に真空紫外光の放射照度が弱まっていく。しかし、光ＣＶＤ装置５４では、上述のように、ＣＶＤ膜の成膜中（エキシマランプ３０の点灯中）に、回転手段２８により外筒２４も回転されている。その結果、外筒２４は、成膜室１６への露出と、クリーニング室１８への露出とを一定周期（約２分間隔）で繰り返す。
【０１５９】
クリーニング室１８において、外筒２４は実施の形態１と同様の条件でクリーニングされ、外筒２４の表面から汚染膜が除去される。その結果、外筒２４の成膜室１６に露出した領域に堆積した汚染膜は、ＣＶＤ膜の成膜に支障を来たす前に、クリーニング室１８において除去されることとなる。
【０１６０】
このようにして、成膜ステージ６４上を間断なく給送されるフィルムＦに、連続的に酸化膜（ＣＶＤ膜）が成膜される。
【０１６１】
以下、この実施の形態で説明した光ＣＶＤ装置５４の奏する効果につき説明する。
【０１６２】
光ＣＶＤ装置５４は実施の形態１で説明した光ＣＶＤ装置１０と、同様の構造を有していることから、光ＣＶＤ装置１０と同様の効果を奏する。
【０１６３】
さらに、光ＣＶＤ装置５４は、外筒２４をＣＶＤ膜の成膜中に連続的に回転させることにより、成膜室１６におけるＣＶＤ膜の成膜と、クリーニング室１８における外筒２４のクリーニングとを同時に、かつ、連続して行うことができる。
【０１６４】
すなわち、外筒２４の任意の一点に注目すると、この点は、（１）成膜室１６に露出した状態と、（２）クリーニング室１８に露出した状態とを一定周期で繰り返す。状態（１）においては、この点は成膜室１６での成膜に寄与する。そして、状態（２）においては、この点はクリーニング室１８でクリーニングされる。
【０１６５】
その結果、非常に長い帯状のフィルムＦに対して連続的に酸化膜を成膜することができる。
【０１６６】
以下、この実施の形態で説明した光ＣＶＤ装置５４において許容される設計条件変更及び変形例につき説明する。
【０１６７】
光ＣＶＤ装置５４は実施の形態１で説明した光ＣＶＤ装置１０と、同様の構造を有している。よって光ＣＶＤ装置１０と同様の変形が可能である。
【０１６８】
また、供給ドラム６０及び巻取ドラム６２は、成膜室１６内部に配置されている必要はない。たとえば、供給ドラム６０及び巻取ドラム６２のどちらか一方又は双方を、成膜室１６の外部に設けてもよい。この場合、成膜室１６の真空度を保ったまま、フィルムＦを成膜室１６へ搬入（搬出）するためには、特別な搬送機構を設ける必要がある。
【０１６９】
この搬送機構としては、たとえば、図５に示すように、外周面同士が圧接され、かつ、周方向に回転自在とされた２本のエラストマーローラ６８，６８を、成膜室１６の側壁に設け、これらのエラストマーローラ６８，６８の圧接面Ｐの間にフィルムＦを通過させることが考えられる。このようにすることにより、エラストマーローラ６８，６８同士が圧接されるので圧接面Ｐからのリークが防止される。また、エラストマーローラ６８は周方向に回転自在とされるので、フィルムＦの通過を妨げない。
【０１７０】
また、成膜ステージ６４上におけるフィルムＦの走行速度は、フィルムＦに成膜する酸化膜の設計膜厚を勘案して決定すればよい。つまり、酸化膜の膜厚を薄くする場合には、フィルムＦの走行速度を速くして、酸化膜の堆積時間を短くすればよい。逆に、酸化膜の膜厚を厚くする場合には、フィルムＦの走行速度を遅くして、酸化膜の堆積時間を長くすればよい。
【０１７１】
また、外筒２４の回転速度は０．５ｒｐｍには限定されない。外筒２４の回転速度は、０．１〜１ｒｐｍの範囲で、設計に応じた任意好適な速度とすればよい。
【０１７２】
外筒２４の回転速度が０．１ｒｐｍであれば、外筒２４は１回転に１０分を要することとなる。つまり、１回転する間に、外筒２４表面の任意の１点は、５分間は成膜室１６に露出し、及び残りの５分間はクリーニング室に露出する。これは、実施の形態１で説明した光ＣＶＤ装置１０の外筒２４と同様である。よって、外筒２４の回転速度を０．１ｒｐｍ以上とすれば、成膜室１６における真空紫外光の放射照度を実用上充分な大きさに保つことができる。また、クリーニング室１８において、外筒２４の表面に堆積した汚染膜を確実に除去できる。また、このように外筒２４を低速で回転させることにより、可動部（ガスケット部品２６と外筒２４との接触部等）の運動が緩やかとなる。よって、可動部の運動に由来する異物の発生が抑制される。
【０１７３】
また、外筒２４の回転速度が１ｒｐｍ以下であれば、外筒２４は最低３０秒ごとに、クリーニング室１８でクリーニングを受けることとなる。これにより、外筒２４を常に清浄な状態に保つことができ、成膜室１６における真空紫外光の放射照度の低下を抑えることができる。また、上述の可動部に由来する異物の発生を実用上許容できる程度に抑制することができる。
【０１７４】
（実施の形態３）
図６は、実施の形態３の光ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。図７は、離間状態における光ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。
【０１７５】
まず、おもに図６を参照して光ＣＶＤ装置７０の構造につき説明する。なお、図６及び図７において、図１（Ａ）と同様の構成要素には同符号を付して、その説明を適宜省略する。
【０１７６】
光ＣＶＤ装置７０は、処理チャンバ７２、区画手段７８、シール移動手段８０、及び回転手段２８を備えている。
【０１７７】
光ＣＶＤ装置７０の個々の構成要素の説明に先立ち、まず、装置全体の概略構成につき説明する。
【０１７８】
処理チャンバ７２は、区画手段７８により成膜室８４とクリーニング室８６とに区画されている。区画手段７８は光源部７４と、シール部７６と、境界板７２ａとを備えている。そして、シール部７６にはシール移動手段８０が接続されている。このシール移動手段８０を稼働することにより、光源部７４とシール部７６とは接離される。
【０１７９】
そして、光源部７４とシール部７６とが密着した状態（密着状態：図６）で、区画手段７８は、処理チャンバ７２を成膜室８４とクリーニング室８６とに気密的に区画する。
【０１８０】
また、光源部７４とシール部７６とが離間した状態（離間状態：図７）で、成膜室８４とクリーニング室８６とは連通する。また、この離間状態において、回転手段２８により光源部７４が回転される。
【０１８１】
光源部７４とシール部７６との接離、すなわち相対的位置変化は、シール移動手段８０により行われる。シール移動手段８０を昇降させることにより、シール部７６は光源部７４に対して変位する。これにより、区画手段７８は密着状態（図６）と離間状態（図７）との間で遷移を行う。
【０１８２】
以下、光ＣＶＤ装置７０の個々の構成要素につき説明する。
【０１８３】
光ＣＶＤ装置７０の構成要素である処理チャンバ７２は、ほぼ直方体状の箱状体である。したがって、処理チャンバ７２は、図面垂直方向にも全長Ｌにわたって延在している。処理チャンバ７２は、区画手段７８により成膜室８４とクリーニング室８６とに区画される。
【０１８４】
成膜室８４においては、真空紫外光ＣＶＤにより、基板ＳにＣＶＤ膜が成膜される。
【０１８５】
成膜室８４には、サセプタ３６、ゲートバルブ３８、原料ガス導入手段４０、及び排気手段４２が設けられている。成膜室８４に設けられるこれらの構成要素は、実施の形態１で説明したと同様の構造及び配置であるので、その説明を省略する。
【０１８６】
処理チャンバ７２の構成要素であるクリーニング室８６においては、外筒８８の窓９０のクリーニングが行われる。
【０１８７】
クリーニング室８６には、プラズマ導入手段４４及び排気手段４６が設けられている。クリーニング室８６に設けられるこれらの構成要素は、実施の形態１で説明したと同様の構造及び配置であるので、その説明を省略する。
【０１８８】
また、成膜室８４とクリーニング室８６との境界位置における処理チャンバ７２の内壁面には、処理チャンバ７２の内部に向けて水平に突出する境界板７２ａが設けられている。この境界板７２ａは区画手段７８の構成要素となる。
【０１８９】
区画手段７８の構成要素である光源部７４は、エキシマランプ３０と、このエキシマランプ３０を内包する外筒８８を備えている。エキシマランプ３０は、実施の形態１で説明したと同様の構造であるので、その説明を省略する。
【０１９０】
外筒８８は、ほぼ四角柱状であり、図面垂直方向に関して全長Ｌと等しい長さにわたって延在している。そして、外筒８８は、両端が軸受けを介して処理チャンバ７２に接続されている。その結果、外筒８８は、中心軸８８ｂの周りで周方向に自在に回転することができる。そして、四角柱状の外筒８８の内部にはエキシマランプ３０が配置されている。光ＣＶＤ装置７０では、たとえば３本の外筒８８が設けられている。
【０１９１】
外筒８８は、ガイド９２，９２と窓９０，９０とを備える。
【０１９２】
ガイド９２，９２は、外筒８８の中心軸８８ｂを囲む４側面のうち、エキシマランプ３０を挟んで対向する２側面をなすように配置された部品である。ガイド９２，９２は、エキシマランプ３０から発生する真空紫外光を遮蔽可能な材料、たとえばアルミニウム等の金属から形成されている。
【０１９３】
ガイド９２は、基板Ｓの被成膜面に対して垂直に配置された平板状の光遮蔽部９２ａと、光遮蔽部９２ａの両端部が基板Ｓの被成膜面に対して平行に屈曲された窓保持部９２ｂ，９２ｂとを備えている。
【０１９４】
以降、基板Ｓの被成膜面に対して平行な方向を「水平方向」と、及び、基板Ｓの被成膜面に対して垂直な方向を「垂直方向」とそれぞれ称する。
【０１９５】
クリーニング室８６に臨む窓保持部９２ｂの表面、及び、クリーニング室８６に臨む境界板７２ａの表面には、シール部７６のＯ−リング９６（後述）が密着される。したがって、これらの表面は同一平面内に位置する。つまり、これらの表面は高さが等しくなるように配置されている。また、これらの表面は、Ｏ−リング９６と密着された際に隙間を生じないように、平滑に加工されている。
【０１９６】
外筒８８の構成要素である窓９０，９０は、外筒８８の残りの２側面に対応して配置されている。窓９０，９０は、平面形状が矩形の合成石英製の平板である。窓９０，９０は、水平方向に延在しており、エキシマランプ３０を挟んで、互いに対向して配置されている。窓９０は、ガイド９２の窓保持部９２ｂの内壁面に、Ｏ−リング８８ａを介して保持されている。
【０１９７】
ここで、窓９０の厚み（合成石英の厚み）は、好ましくは、たとえば約２ｍｍとする。また、成膜室８４側に露出した窓９０（９０Ｍ）とサセプタ３６との間の距離は、好ましくは、たとえば約２５ｍｍとする。
【０１９８】
区画手段７８の構成要素であるシール部７６は、シール板９４及びガスケット部品としてのＯ−リング９６を備える。
【０１９９】
シール板９４は、水平方向に延在する矩形平板状の部品である。シール板９４の基板Ｓに臨む表面９４ａには、凹溝が形成されており、この凹溝にＯ−リング９６，９６が嵌合されている。このＯ−リング９６，９６は、図面垂直方向に、全長Ｌと等しい長さにわたって設けられている。
【０２００】
シール板９４は、互いに隣り合った外筒８８，８８の間、及び、外筒８８と処理チャンバ７２の壁面との間に配置されている。したがって、光ＣＶＤ装置７０においては、合計４枚のシール板９４が設けられている。そして、４枚のシール板９４のそれぞれに、シール移動手段８０が接続されている。
【０２０１】
ここで、シール板９４の配置につき、より詳細に説明する。
【０２０２】
隣り合った外筒８８及び８８の間に配置されるシール板９４は、密着状態（図６）において、両外筒８８，８８のクリーニング室８６に臨む窓保持部９２ｂ，９２ｂの表面にＯ−リング９６，９６を介して密着されている。
【０２０３】
また、外筒８８と処理チャンバ７２の壁面との間に配置されるシール板９４は、密着状態（図６）において、境界板７２ａのクリーニング室８６に臨む面と、外筒８８のクリーニング室８６に臨む窓保持部９２ｂの表面とにＯ−リング９６，９６を介して密着（圧接）されている。
【０２０４】
このように、Ｏ−リング９６，９６が気体の移動を遮断するので、密着状態において、成膜室８４とクリーニング室８６とは気密的に区画される。
【０２０５】
光ＣＶＤ装置７０の構成要素であるシール移動手段８０は、円筒形パイプであり、垂直方向に延在している。シール移動手段８０の一端部は、シール板９４のクリーニング室８６に臨む面９４ｂに接続されている。シール移動手段８０の他端部は、クリーニング室８６の底面に設けられた貫通孔８６ａを貫通して、処理チャンバ７２の外部に設けられた、昇降装置８１に接続されている。シール移動手段８０は、この昇降装置８１により、垂直方向に昇降自在とされている。
【０２０６】
昇降装置８１としては、シリンダ８１ａ内部に摺動可能にピストン８１ｂを配置した従来周知のシリンダ機構を用いることができる。
【０２０７】
なお、貫通孔８６ａには、Ｏ−リング８６ｂが嵌合されている。これにより、貫通孔８６ａを介したリークが防止され、クリーニング室８６（処理チャンバ７２）の気密性が保持される。
【０２０８】
なお、ここで、シール移動手段８０を基板Ｓに接近するように移動させることを「上昇」と称し、逆に、シール移動手段８０を基板Ｓから離間するように移動させることを「下降」と称する。そして、上昇と下降とを総称して、「昇降」と称する。
【０２０９】
上述したように、シール移動手段８０を昇降させることにより、区画手段７８を密着状態（図６）と離間状態（図７）との間で遷移させることができる。
【０２１０】
つまり、図６に示すように、昇降装置８１を稼働させてシール移動手段８０を上端位置まで上昇させると、４枚のシール板９４に設けられたＯ−リング９６は、窓保持部９２ｂ及び境界板７２ａのクリーニング室８６に臨む表面にそれぞれ圧接（密着）される。これにより、区画手段７８は密着状態となり、成膜室８４とクリーニング室８６とは気密的に区画される。
【０２１１】
また、図７に示すように、昇降装置８１を稼働させてシール移動手段８０を下降させると（図中矢印Ａ１参照）、４枚のシール板９４は、窓保持部９２ｂ及び境界板７２ａのクリーニング室８６に臨む表面からそれぞれ離れる。これにより区画手段７８は離間状態となり、成膜室８４とクリーニング室８６とは連通される。
【０２１２】
なお、離間状態において、シール移動手段８０は、外筒８８の回転（後述）の障害にならない位置、つまり、外筒８８の回転軌跡の範囲外となる位置まで、シール板９４を下降させる。
【０２１３】
光ＣＶＤ装置７０の構成要素である回転手段２８は、モータ２８ａ等を備えている（図１（Ｂ））。回転手段２８は、３本の外筒８８の一端部にそれぞれ接続されている。そして、回転手段２８は、上述した離間状態において、外筒８８をそれぞれの中心軸８８ｂの周りで周方向に回転させる（図中矢印Ｒ３参照）。
【０２１４】
より詳細には、回転手段２８は、外筒８８を１８０°ステップで回転させる。これにより、それまで成膜室８４に露出していた窓９０Ｍ（第１領域）は回転して、クリーニング室８６に露出する。逆に、それまでクリーニング室８６に露出していた窓９０Ｃ（第２領域）は回転して、成膜室８４に露出する。
【０２１５】
なお、この回転にあたり、シール板９４は、外筒８８の回転軌跡の範囲外に移動されているので、シール板９４が外筒８８の回転の障害となることはない。
【０２１６】
次に、図６及び図７を参照して、光ＣＶＤ装置７０の動作につき説明する。
【０２１７】
なお、以下の説明では、成膜室８４において、実施の形態１で説明したと同様の原料ガス（ＯＭＣＴＳ）を用い、実施の形態１と同様の成膜条件で基板Ｓ上に酸化膜の成膜を行うものとする。
【０２１８】
また、クリーニング室８６において、実施の形態１で説明したと同様の条件で発生させたプラズマを用い、窓９０Ｃのクリーニングを行うものとする。
【０２１９】
また、実施の形態１と同様に、以下に説明する第１工程の実施に先立ち、光ＣＶＤ装置７０は、１枚以上の基板Ｓに対する酸化膜の成膜を既に完了しているものとする。すなわち、外筒８８の窓９０Ｃには、汚染膜が既に堆積しているものとする。
【０２２０】
（第１工程：成膜とクリーニング）
第１工程では、図６に示した密着状態において、酸化膜の成膜と窓９０Ｃのクリーニングとが同時に行われる。
【０２２１】
すなわち、第１工程の実施中に区画手段７８は密着状態に保たれている。つまり、シール移動手段８０は、上端位置まで上昇され、これにより、シール板９４と外筒８８とがＯ−リング９６を介して密着される。よって、成膜室８４とクリーニング室８６とは気密的に区画される。
【０２２２】
その結果、成膜室８４の真空度（約１００ｍＴｏｒｒ）とクリーニング室８６の真空度（約５Ｔｏｒｒ）を異ならせることができ、成膜室８４における成膜と、クリーニング室８６におけるクリーニングとを同時進行することができる。
【０２２３】
すなわち、成膜室８４においては、エキシマランプ３０から照射され窓９０Ｍを透過した真空紫外光により原料ガスが光分解され、基板Ｓ及び窓９０Ｍへと堆積する。
【０２２４】
これと同時に、クリーニング室８６においては、プラズマ導入手段４４を介して導入されたプラズマにより窓９０Ｃに堆積した汚染膜がクリーニングされる。
【０２２５】
（第２工程：外筒８８の回転）
第１工程終了後に実施される第２工程では、図７に示した離間状態において、外筒８８が回転される。
【０２２６】
すなわち、第２工程では、成膜が完了した基板Ｓを取り出した後、昇降装置８１を稼働させることで、シール移動手段８０を下降させる。これにより、シール移動手段８０に接続されたシール板９４が外筒８８から離間する。
【０２２７】
シール板９４が、外筒８８の回転軌跡外まで離間した段階で、昇降装置８１を停止する。そして、回転手段２８を稼働して、３本の外筒８８をそれぞれ周方向に１８０°回転させる。これにより、汚染膜が堆積した窓９０Ｍをクリーニング室８６に露出させ、及び、クリーニングが終了した窓９０Ｃを成膜室８４に露出させる。なお、シール板９４は、外筒８８の回転軌跡の外に位置しているので、回転の過程で外筒８８とシール板９４とが干渉（接触）することはない。
【０２２８】
そして、再び昇降装置８１を稼働させて、シール移動手段８０を上昇させ、シール板９４と外筒８８とをＯ−リング９６を介して密着させる。これにより区画手段７８は密着状態に復帰する。つまり、第２工程（外筒８８の回転）の先後において、区画手段７８は密着状態に保たれる。
【０２２９】
この後、成膜室８４に新たな基板Ｓを導入し、“第１工程→第２工程”を繰り返し実施する。
【０２３０】
以下、この実施の形態で説明した光ＣＶＤ装置７０の奏する効果につき説明する。
【０２３１】
光ＣＶＤ装置７０は、ＣＶＤ膜の成膜と、外筒８８のクリーニングとを同時に行うことができる。したがって、外筒８８のクリーニングのためにＣＶＤ膜の成膜を停止する必要がない。その結果、光ＣＶＤ装置７０のスループットが従来技術に比べて向上する。
【０２３２】
また、密着状態において、区画手段７８が、成膜室８４とクリーニング室８６とを気密的に区画している。これにより、クリーニング室８６に導入されたプラズマの成膜室８４への侵入、及び、成膜室８４に導入された原料ガスのクリーニング室８６への侵入が防止される。その結果、成膜室８４における酸化膜の成膜と、クリーニング室８６におけるクリーニングとを同時進行することができる。
【０２３３】
また、光ＣＶＤ装置７０においては、基板Ｓの第１主面（被成膜面）が重力方向下向きに配置されている。よって、成膜室８４内の浮遊異物や、成膜室８４の壁面から剥離する異物等の被成膜面への落下による付着が抑制される。結果として、基板Ｓに成膜される酸化膜の膜質が向上する。
【０２３４】
また、ガスケット部品としてのＯ−リング９６は、窓保持部９２ｂと面９４ｂとに挟まれて存在することから、実施の形態１（及び、実施の形態２）のガスケット部品２６に比べて、真空紫外光やプラズマに晒されにくい。これにより、Ｏ−リング９６の耐用期間を延ばすことができる。
【０２３５】
また、実施の形態１（及び、実施の形態２）では、中空円筒状の合成石英を外筒２４として用いていた。しかし、この実施の形態の外筒８８では、平板状の合成石英を窓９０，９０として用いている。つまり、外筒２４と窓９０とを比較した場合、合成石英の加工コストの分だけ、窓９０の方が安価である。よって、この実施の形態の外筒８８の製造コストを、実施の形態１（及び実施の形態２）の外筒２４よりも低減することができる。
【０２３６】
以下、この実施の形態で説明した光ＣＶＤ装置７０において許容される設計条件変更及び変形例につき説明する。
【０２３７】
実施の形態１で説明したと同様に、光源部７４から照射される光の波長は、成膜に用いる原料ガス分子の結合エネルギーよりも大きいフォトンエネルギーを有するものであれば、１７２ｎｍには限定されない。
【０２３８】
また、外筒８８の本数は、３本には限定されない。ＣＶＤ膜を成膜すべき基板Ｓの大きさや形状に応じて、適宜変更することができる。
【０２３９】
また、外筒８８に、窓９０を加熱するためのヒータを設けてもよい。ヒータを設けることにより、ＣＶＤ膜の成膜中に窓９０，９０を１５０℃よりも高温にすることができる。その結果、窓９０，９０の表面に対する汚染膜の堆積をより抑制することができる。
【０２４０】
また、クリーニング用のプラズマを発生するプラズマ発生源は、クリーニング室８６の内部に設けてもよい。
【０２４１】
また、光ＣＶＤ装置７０は、フェイスアップ型や、縦型であってもよい。
【０２４２】
（実施の形態４）
図８は、実施の形態４の光ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。図９は、離間状態における光ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。
【０２４３】
まず、おもに図８を参照して光ＣＶＤ装置９８の構造につき説明する。なお、実施の形態４の光ＣＶＤ装置９８は、外筒１００以外は、実施の形態３で説明した光ＣＶＤ装置７０と同様の構造を有している。
【０２４４】
したがって、図８及び図９において、図６と同様の構成要素には同符号を付して、その説明を適宜省略する。そして、以下の記載では、光ＣＶＤ装置７０との相違点をおもに説明する。
【０２４５】
光ＣＶＤ装置９８において、区画手段１０６は、光源部１０８と、シール部７６と、境界板７２ａとからなる。
【０２４６】
光源部１０８は、外筒１００とエキシマランプ３０とからなる。
【０２４７】
外筒１００は、筒部１０２とガイド１０４とを備えている。
【０２４８】
筒部１０２は、合成石英製の中空円筒であり、図面垂直方向に関して全長Ｌと等しい長さにわたって延在している。そして、筒部１０２は、両端が軸受けを介して処理チャンバ７２に接続されており、筒部１０２の中心軸１０２ａの周りに周方向に回転自在とされている。筒部１０２の内部には、２重円筒型のエキシマランプ３０が筒部１０２と中心軸１０２ａを共通にして配置されている。
【０２４９】
ここで、筒部１０２の厚み（合成石英の厚み）は、好ましくは、たとえば約２ｍｍとする。また、筒部１０２とサセプタ３６との距離は、好ましくは、たとえば約２５ｍｍとする。
【０２５０】
筒部１０２の外周面１０２ｂには、筒部１０２の直径を隔てて、水平方向に延在する一対のガイド１０４，１０４が設けられている。ガイド１０４は、筒部１０２の径方向外側に向かって延在する板状の部品である。ガイド１０４は、筒部１０２と同様に合成石英からなり、筒部１０２の外周面１０２ｂに溶接により接続されている。
【０２５１】
したがって、外筒１００は、ガイド１０４，１０４を境にして、第１領域１００Ｍ（以下、成膜室露出領域１００Ｍとも称する。）が成膜室８４に露出し、第２領域１００Ｃ（以下、クリーニング室露出領域１００Ｃとも称する。）がクリーニング室８６へと露出する。
【０２５２】
また、外筒１００の一端部には、実施の形態３と同様に、回転手段２８（図１（Ｂ））が接続されている。したがって、離間状態（図９）において回転手段２８を稼働させることにより、外筒１００を周方向に回転させることができる。
【０２５３】
また、密着状態（図８）においては、ガイド１０４及び境界板７２ａのクリーニング室８６に臨む表面にシール板９４のＯ−リング９６が密着することにより、成膜室８４とクリーニング室８６とが気密的に区画される。
【０２５４】
次に、図８及び図９を参照して、光ＣＶＤ装置９８の動作につき説明する。
【０２５５】
なお、この実施の形態では、原料ガスとして（ビスターシャルブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２）（以下、ＢＴＢＡＳとも称する。）を用いて、基板Ｓ上にＣＶＤ膜としてもシリコン窒化膜（以下、単に窒化膜とも称する。）を成膜する場合につき説明する。
【０２５６】
また、実施の形態１と同様に、以下に説明する第１工程の実施に先立ち、光ＣＶＤ装置９８は、１枚以上の基板Ｓに対する窒化膜の成膜を完了しているものとする。すなわち、クリーニング室露出領域１００Ｃには、既に汚染膜が堆積しているものとする。
【０２５７】
（第１工程：成膜とクリーニング）
第１工程では、図８に示した密着状態において、窒化膜の成膜とクリーニング室露出領域１００Ｃのクリーニングとが同時に行われる。
【０２５８】
すなわち、第１工程の実施中に区画手段１０６は密着状態に保たれている。つまり、シール移動手段８０は、上端位置まで上昇され、これにより、シール板９４とガイド１０４、及びシール板９４と境界板７２ａとが、それぞれＯ−リング９６を介して密着される。よって、成膜室８４とクリーニング室８６とは気密的に区画される。
【０２５９】
この状態において、原料ガス導入手段４０を介して成膜室８４に、原料ガスであるＢＴＢＡＳを流量が約４０ｓｃｃｍで導入し、成膜室８４内の真空度を約１００ｍＴｏｒｒに制御する。
【０２６０】
その上で、エキシマランプ３０を５分間点灯することにより、真空紫外光（波長：約１７２ｎｍ）を発生させる。発生した真空紫外光は、外筒１００の成膜室露出領域１００Ｍから、成膜室８４へと照射され、光路中に存在するＢＴＢＡＳ分子を光分解する。光分解により生じたラジカル等の反応活性種は、約２５℃の温度に保たれた基板Ｓの第１主面に堆積する。これにより、基板Ｓの第１主面上に、膜厚が約０．５μｍの窒化膜が成膜される。
【０２６１】
これと同時に、クリーニング室８６においては、クリーニング室露出領域１００Ｃに堆積した汚染膜がクリーニングされる。
【０２６２】
汚染膜が酸化膜であった実施の形態１とは異なり、この実施の形態では汚染膜は窒化膜である。したがって、この実施の形態では、実施の形態１とは若干異なる工程でクリーニングが実施される。
【０２６３】
すなわち、まず、クリーニング室８６に、１分間にわたってＯ２ガスを流通して、クリーニング室露出領域１００Ｃの窒化膜（汚染膜）を酸化する。このときのＯ２ガスの流通条件は、流量を約５００ｓｃｃｍとし、クリーニング室８６内の真空度を約１Ｔｏｒｒに保つ。
【０２６４】
このようにして窒化膜（汚染膜）を酸化した後に、実施の形態１と同様の条件で、約４分間にわたりクリーニング室露出領域１００Ｃに堆積した汚染膜をクリーニングする。
【０２６５】
（第２工程：外筒１００の回転）
第１工程終了後に実施される第２工程では、図９に示した離間状態において、外筒１００の回転が行われる。
【０２６６】
すなわち、第２工程では、成膜が完了した基板Ｓを取り出した後、昇降装置８１を稼働させることで、シール移動手段８０を下降させる（図中矢印Ａ２参照）。これにより、シール移動手段８０に接続されたシール板９４が外筒１００から離間する。
【０２６７】
シール板９４が、外筒１００の回転軌跡外まで離間した段階で、回転手段２８を稼働して、４本の外筒１００をそれぞれ周方向に１８０°回転させる（図中矢印Ｒ４参照）。これにより、汚染膜が堆積した成膜室露出領域１００Ｍをクリーニング室８６に露出させ、及び、クリーニングが終了したクリーニング室露出領域１００Ｃを成膜室８４に露出させる。
【０２６８】
そして、再び昇降装置８１を稼働させて、シール移動手段８０を上昇させ、シール板９４と外筒１００とを密着させる。これにより区画手段１０６は密着状態に復帰する。つまり、第２工程（外筒１００の回転）の先後において、区画手段１０６は密着状態に保たれる。
【０２６９】
以下、この実施の形態で説明した光ＣＶＤ装置９８の奏する効果につき説明する。
【０２７０】
光ＣＶＤ装置９８は、ＣＶＤ膜の成膜と、外筒１００のクリーニングとを同時に行うことができる。したがって、外筒１００のクリーニングのためにＣＶＤ膜の成膜を停止する必要がない。その結果、光ＣＶＤ装置９８のスループットが従来技術に比べて向上する。
【０２７１】
また、密着状態において、区画手段１０６が、成膜室８４とクリーニング室８６とを気密的に区画している。これにより、クリーニング室８６に導入されたプラズマの成膜室８４への侵入、及び、成膜室８４に導入された原料ガスのクリーニング室８６への侵入が防止される。その結果、成膜室８４における窒化膜の成膜と、クリーニング室８６におけるクリーニングとを同時進行することができる。
【０２７２】
また、光ＣＶＤ装置９８においては、基板Ｓの第１主面（被成膜面）が重力方向下向きに配置されている。よって、成膜室８４内の浮遊異物や、成膜室８４の壁面から剥離する異物等の被成膜面への落下による付着が抑制される。結果として、基板Ｓに成膜される酸化膜の膜質が向上する。
【０２７３】
また、外筒１００は合成石英のみから形成されている。したがって、外筒１００は、光を遮るガイド９２を有する外筒８８（実施の形態３）よりも、成膜室８４に対する真空紫外光の放射強度を大きくすることができる。この結果、基板Ｓに対するＣＶＤ膜の堆積速度を大きくすることができる。
【０２７４】
以下、この実施の形態で説明した光ＣＶＤ装置９８において許容される設計条件変更及び変形例につき説明する。
【０２７５】
この実施の形態の光ＣＶＤ装置９８は、実施の形態３で説明した光ＣＶＤ装置７０と、ほぼ同様の構造を有している。よって光ＣＶＤ装置７０と同様の変形が可能である。
【０２７６】
また、ガイド１０４は、溶接により筒部１０２に固定されている必要はない。筒部１０２を、たとえば金属からなるホルダで保持し、このホルダに金属製のガイドを設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０２７７】
【図１】（Ａ）は、実施の形態１の光ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。（Ｂ）は、実施の形態１の光ＣＶＤ装置に用いられる回転手段の概略構成を示す模式図である。
【図２】実施の形態１の光ＣＶＤ装置における光遮蔽板の形状及び配置の説明に供する模式図である。
【０２７８】
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、実施の形態１の光ＣＶＤ装置の変形例の説明に供する模式図である。
【図４】（Ａ）は、実施の形態２の光ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。（Ｂ）は、実施の形態２の光ＣＶＤ装置に用いられるドラム回転装置の概略構成を示す模式図である。
【図５】実施の形態２の光ＣＶＤ装置の変形例の説明に供する模式図である。
【図６】実施の形態３の光ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。
【図７】実施の形態３の光ＣＶＤ装置の離間状態における概略構成を示す模式図である。
【図８】実施の形態４の光ＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。
【図９】実施の形態４の光ＣＶＤ装置の離間状態における概略構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【０２７９】
１０  光ＣＶＤ装置
１２  処理チャンバ
１２ａ  壁面
１４  区画手段
１６  成膜室
１８  クリーニング室
２０  光源部
２２  シール部
２４、２４Ａ  外筒
２４ａ  内周面
２４ｂ  中心軸
２６、２６Ａ  ガスケット部品
２６ａ  芯材
２６ｂ  エラストマー
２８  回転手段
２８ａ  電動モータ
２８ｂ  回転伝達部
３０、３０Ａ  エキシマランプ
３２、３２Ａ  光遮蔽板
３６  サセプタ
３８  ゲートバルブ
４０  原料ガス導入手段
４２、４６  排気手段
４４  プラズマ導入手段
４８  仕切板
５０  Ｏ−リング
５２  光遮蔽板
５２ａ  開口部
５２ｂ  内壁面
ＢＭ  成膜室露出領域
ＢＣ  クリーニング室露出領域
Ｓ  基板
５４  光ＣＶＤ装置
５８  フィルム給送装置
６０  供給ドラム
６０ａ  中心軸
６２  巻取ドラム
６２ａ  中心軸
６４  成膜ステージ
６４ａ  支持面
６５  ドラム回転装置
６５ａ  電動モータ
６５ｂ  回転伝達部
６５ｃ  走行速度計
６５ｄ  制御部
６６  冷却材配管
６８  エラストマーローラ
Ｆ  フィルム
Ｐ  圧接面
７０  光ＣＶＤ装置
７２  処理チャンバ
７２ａ  境界板
７４  光源部
７６  シール部
７８  区画手段
８０  シール移動手段
８１  昇降装置
８１ａ  シリンダ
８１ｂ  ピストン
８４  成膜室
８６  クリーニング室
８６ａ  貫通孔
８６ｂ  Ｏ−リング
８８  外筒
８８ａ  Ｏ−リング
８８ｂ  中心軸
９０  窓
９０Ｃ  窓
９０Ｍ  窓
９２  ガイド
９２ａ  光遮蔽部
９２ｂ  窓保持部
９４  シール板
９４ａ  表面
９４ｂ  面
９６  Ｏ−リング
９８  光ＣＶＤ装置
１００  外筒
１００Ｍ  成膜室露出領域
１００Ｃ  クリーニング室露出領域
１０２  筒部
１０２ａ  中心軸
１０２ｂ  外周面
１０４  ガイド
１０６  区画手段
１０８  光源部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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