(57)【要約】【課題】光電変換素子の出入射光の光量を減らすことがなく、光電変換素子がレンズや光ファイバに対して位置ずれしない光モジュールを提供する。【解決手段】上部が開口した開口部を有するパッケージ２と、パッケージ２の開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部１８を有する封止部材４と、光透過用開口部１８を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材１９とからなる光モジュール１において、パッケージ２に、裏面に回路パターン１０を形成した回路基板３を収納すると共に、その回路基板３の裏面の回路パターン１０上に光電変換素子１１，１２を搭載し、かつ回路基板３に、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴１４を形成したことを特徴とする光モジュール。【選択図】図２
2007294743.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部が開口した開口部を有するパッケージと、上記パッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部を有する封止部材と、上記光透過用開口部を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材とからなる光モジュールにおいて、上記パッケージに、裏面に回路パターンを形成した回路基板を収納すると共に、その回路基板の裏面の回路パターン上に光電変換素子を搭載し、かつ上記回路基板に、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴を形成したことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
上記回路基板は、セラミック基板、Ｓｉ基板、ガラスエポキシ基板などの不透明基板である請求項１記載の光モジュール。
【請求項３】
上記回路基板は、ガラス基板である請求項１記載の光モジュール。
【請求項４】
上記光通路穴は、開口角が２０°以上である請求項１〜３いずれかに記載の光モジュール。
【請求項５】
上記光通路穴は、上記光電変換素子が発光素子の場合は基板裏面側の径が発光径以上であり、上記光電変換素子が受光素子の場合は基板裏面側の径が受光径以上である請求項１〜４いずれかに記載の光モジュール。
【請求項６】
上記回路基板は、厚さが０．５ｍｍ以上である請求項１〜５いずれかに記載の光モジュール。
【請求項７】
上記パッケージに上記回路基板を載置するテラスを設け、そのテラスにパッケージ側電極を形成すると共に、そのパッケージ側電極に対応して上記回路基板の裏面に基板側電極を形成し、これら両電極を接合して上記パッケージ内に上記回路基板を収納した請求項１〜６いずれかに記載の光モジュール。
【請求項８】
上記パッケージの上記パッケージ側電極より１段高い上縁面に接合枠を形成し、上記パッケージ内に上記回路基板を収納した後、上記接合枠に対応して上記光透過部材を備えた金属製の上記封止部材を設け、その封止部材と上記接合枠を接合して上記パッケージに上記封止部材を接合すると共に気密封止した請求項７記載の光モジュール。
【請求項９】
上記封止部材は、上記接合枠を介して、上記パッケージの回路パターンと導通している請求項８記載の光モジュール。
【請求項１０】
上記回路基板の上記光通路穴以外となる表面に、金属膜を形成した請求項１〜９いずれかに記載の光モジュール。
【請求項１１】
上記金属膜は、上記回路基板に形成したスルーホールを介して、上記パッケージの回路パターンと導通している請求項１０記載の光モジュール。
【請求項１２】
上記光電変換素子は、面発光レーザアレイ及び／又はフォトダイオードアレイである請求項１〜１１いずれかに記載の光モジュール。
【請求項１３】
上記基板側電極は、上記回路基板の上記光電変換素子や各光電変換素子を制御する制御用半導体チップの周囲に形成され、これら上記光電変換素子や上記制御用半導体チップと導通される請求項１〜１２いずれかに記載の光モジュール。
【請求項１４】
上記基板側電極は、半田バンプあるいはＡｕバンプを用いて上記パッケージ側電極に電気的に接続させると共に、上記パッケージに上記回路基板を接合した請求項１〜１３いずれかに記載の光モジュール。
【請求項１５】
上記封止部材は中央部に光透過用開口部が形成され、その光透過用開口部に上記光透過部材がシール材で取り付けられている請求項１〜１４いずれかに記載の光モジュール。
【請求項１６】
上記封止部材と上記接合枠を電気溶接あるいはレーザ溶接で接合して上記パッケージに上記封止部材を接合すると共に気密封止した請求項８〜１５いずれかに記載の光モジュール。
【請求項１７】
上部が開口した開口部を有するパッケージと、上記パッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部を有する封止部材と、上記光透過用開口部を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材とからなる光モジュールの製造方法において、上記パッケージに収納される回路基板の裏面に、回路パターンを形成すると共に、その回路パターンに光電変換素子を搭載し、かつ上記回路基板に、フェムト秒レーザあるいはＵＶ−ＹＡＧレーザを照射すると共に、走査しながら上記回路基板を掘り進み、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴を形成することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光インターコネクションに用いられる光モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、システム装置内および装置間の信号を高速に伝送する技術である光インターコネクションが広がっている。すなわち、光インターコネクションとは、光部品をあたかも電気部品のように扱って、パソコン、車両、光トランシーバなどの機器のマザーボードや回路基板に表面実装する技術をいう。
【０００３】
光インターコネクションに用いられる従来の光モジュールとして、図８に示すような光モジュール８１がある。
【０００４】
この光モジュール８１は、上部が開口したキャビティを有するセラミックパッケージ８２内に回路パターンを形成し、そのセラミックパッケージ８２に、透明基板８３を収納すると共に、その透明基板８３の裏面に半導体レーザ（ＬＤ）８４を複数個搭載し、セラミックパッケージ８２の上部を、光通路となるガラス８５を付けた金属製の蓋８６で覆うと共に気密封止したものである。光モジュール８１では、ＬＤ８４からの光信号はガラス８５を通して出力され、レンズ８７で集光されて外部へ伝送される。
【０００５】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２９２７３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の光モジュール８１は、ＬＤ８４を搭載する回路基板として透明基板８３を使用している。このため、ＬＤ８４の出射光は透明基板８３の裏面と表面で一部が反射し、出射光の光量が約８％減ってしまうという問題がある。
【０００８】
また、透明基板８３として樹脂基板を用いると、樹脂の温度膨張や湿気による膨潤により、ＬＤ８４がその出射光を集光するレンズや、レンズに光結合される光ファイバに対して位置ずれしてしまうという問題もある。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、光電変換素子の出入射光の光量を減らすことがなく、光電変換素子がレンズや光ファイバに対して位置ずれしない光モジュール及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、上部が開口した開口部を有するパッケージと、上記パッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部を有する封止部材と、上記光透過用開口部を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材とからなる光モジュールにおいて、上記パッケージに、裏面に回路パターンを形成した回路基板を収納すると共に、その回路基板の裏面の回路パターン上に光電変換素子を搭載し、かつ上記回路基板に、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴を形成した光モジュールである。
【００１１】
請求項２の発明は、上記回路基板は、セラミック基板、Ｓｉ基板、ガラスエポキシ基板などの不透明基板である請求項１記載の光モジュールである。
【００１２】
請求項３の発明は、上記回路基板は、ガラス基板である請求項１記載の光モジュールである。
【００１３】
請求項４の発明は、上記光通路穴は、開口角が２０°以上である請求項１〜３いずれかに記載の光モジュールである。
【００１４】
請求項５の発明は、上記光通路穴は、上記光電変換素子が発光素子の場合は基板裏面側の径が発光径以上であり、上記光電変換素子が受光素子の場合は基板裏面側の径が受光径以上である請求項１〜４いずれかに記載の光モジュールである。
【００１５】
請求項６の発明は、上記回路基板は、厚さが０．５ｍｍ以上である請求項１〜５いずれかに記載の光モジュールである。
【００１６】
請求項７の発明は、上記パッケージに上記回路基板を載置するテラスを設け、そのテラスにパッケージ側電極を形成すると共に、そのパッケージ側電極に対応して上記回路基板の裏面に基板側電極を形成し、これら両電極を接合して上記パッケージ内に上記回路基板を収納した請求項１〜６いずれかに記載の光モジュールである。
【００１７】
請求項８の発明は、上記パッケージの上記パッケージ側電極より１段高い上縁面に接合枠を形成し、上記パッケージ内に上記回路基板を収納した後、上記接合枠に対応して上記光透過部材を備えた金属製の上記封止部材を設け、その封止部材と上記接合枠を接合して上記パッケージに上記封止部材を接合すると共に気密封止した請求項７記載の光モジュールである。
【００１８】
請求項９の発明は、上記封止部材は、上記接合枠を介して、上記パッケージの回路パターンと導通している請求項８記載の光モジュールである。
【００１９】
請求項１０の発明は、上記回路基板の上記光通路穴以外となる表面に、金属膜を形成した請求項１〜９いずれかに記載の光モジュールである。
【００２０】
請求項１１の発明は、上記金属膜は、上記回路基板に形成したスルーホールを介して、上記パッケージの回路パターンと導通している請求項１０記載の光モジュールである。
【００２１】
請求項１２の発明は、上記光電変換素子は、面発光レーザアレイ及び／又はフォトダイオードアレイである請求項１〜１１いずれかに記載の光モジュールである。
【００２２】
請求項１３の発明は、上記基板側電極は、上記回路基板の上記光電変換素子や各光電変換素子を制御する制御用半導体チップの周囲に形成され、これら上記光電変換素子や上記制御用半導体チップと導通される請求項１〜１２いずれかに記載の光モジュールである。
【００２３】
請求項１４の発明は、上記基板側電極は、半田バンプあるいはＡｕバンプを用いて上記パッケージ側電極に電気的に接続させると共に、上記パッケージに上記回路基板を接合した請求項１〜１３いずれかに記載の光モジュールである。
【００２４】
請求項１５の発明は、上記封止部材は中央部に光透過用開口部が形成され、その光透過用開口部に上記光透過部材がシール材で取り付けられている請求項１〜１４いずれかに記載の光モジュールである。
【００２５】
請求項１６の発明は、上記封止部材と上記接合枠を電気溶接あるいはレーザ溶接で接合して上記パッケージに上記封止部材を接合すると共に気密封止した請求項８〜１５いずれかに記載の光モジュールである。
【００２６】
請求項１７の発明は、上部が開口した開口部を有するパッケージと、上記パッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部を有する封止部材と、上記光透過用開口部を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材とからなる光モジュールの製造方法において、上記パッケージに収納される回路基板の裏面に、回路パターンを形成すると共に、その回路パターンに光電変換素子を搭載し、かつ上記回路基板に、フェムト秒レーザあるいはＵＶ−ＹＡＧレーザを照射すると共に、走査しながら上記回路基板を掘り進み、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴を形成する光モジュールの製造方法である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、光電変換素子の出入射光の光量を減らすことなく、光信号を入出力できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面にしたがって説明する。
【００２９】
図１は、本発明の好適な実施形態を示す光モジュールの斜視図、図２はその２Ａ−２Ａ線断面図、図３はその分解斜視図、図４は図３を上方から見た分解斜視図と回路基板の透視図である。
【００３０】
図１〜図４に示すように、本実施形態に係る光モジュール（気密封止型パラレル光モジュール）１は、パソコン、車両、光トランシーバなどの機器のマザーボードや回路基板に表面実装するものであり、面積が１ｃｍ×１ｃｍ程度の大きさを有する。
【００３１】
この光モジュール１は、上部が開口した開口部（キャビティ、空洞、凹み、部屋）を有し、縦断面が凹状のセラミックパッケージ２と、そのセラミックパッケージ２に収納される回路基板３と、セラミックパッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための窓（光透過用開口部）１８を有する封止部材としてのキャップ４と、窓１８を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材としてのガラス窓１９とで主に構成される。
【００３２】
パッケージとしてセラミックパッケージ２を用いたのは、後述するようにパッケージ内を気密封止した際、気密封止のレベルを、Ｈｅリーク試験おいて１０-9Ｐａ・ｍ3／ｓ［Ｈｅ］以下に保つ必要があるからである。
【００３３】
セラミックパッケージ２内には、パッケージ側回路パターン５が形成される。回路パターン５の一部は、セラミックパッケージ２の上縁面と底面を結んで形成される。セラミックパッケージ２の底面には、機器のマザーボードや回路基板に光モジュール１を実装するための半田ボール６が複数個格子状に並べて取り付けられる。つまり、セラミックパッケージ２はＢＧＡを構成する。
【００３４】
セラミックパッケージ２には、底面より１段高い回路基板３を搭載するためのテラス７が設けられる。テラス７には、回路パターン５と導通するパッケージ側電極として、テラス上電極８が複数個並べて形成される。テラス上電極８は、例えば、Ｃｕ箔をフォトエッチングして一括形成される。セラミックパッケージ２のテラス上電極８より１段高い上縁面に、回路パターン５と導通し、キャップ４の受け皿となる接合枠９がＡｕ／Ｎｉなどの金属で形成される。
【００３５】
回路基板３の裏面には、基板側回路パターン１０が形成される。回路基板３の基板側回路パターン１０には、発光用の光電変換素子（発光素子）として、ＬＤを狭ピッチ（例えば、２５０μｍ）でアレイ状に４個並べた面発光レーザアレイ（ＶＣＳＥＬアレイ）１１と、受光用の光電変換素子（受光素子）として、フォトダイオード（ＰＤ）を狭ピッチ（例えば、２５０μｍ）でアレイ状に４個並べたＰＤアレイ１２と、ＶＣＳＥＬアレイ１１とＰＤアレイ１２を制御する制御用半導体チップとして制御用ＩＣ１３と、抵抗やコンデンサなどの電気部品とが実装される。
【００３６】
ＶＣＳＥＬアレイ１１は、回路基板３の裏面に半田バンプあるいはＡｕバンプを用いてフリップチップ実装される。すなわち、ＶＣＳＥＬアレイ１１は、各ＬＤの発光領域が回路基板３と対向するように実装される。同様に、ＰＤアレイ１２も、回路基板３の裏面に半田バンプあるいはＡｕバンプを用いてフリップチップ実装される。すなわち、ＰＤアレイ１２は、各ＰＤの受光領域が回路基板３と対向するように実装される。
【００３７】
制御用ＩＣ１３は、ＶＣＳＥＬアレイ１１の各ＬＤを駆動する駆動回路としてのドライバ（ＬＤ駆動回路ＩＣ）、ＰＤアレイ１２の各ＰＤからの電気信号を増幅する増幅回路としてのプリアンプ（ＰＤ駆動回路ＩＣ）などを備える。
【００３８】
さて、図１、図２、図４、図５に示すように、回路基板３には、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴１４が複数個（図では４個のＬＤに対して４個の光通路穴１４と、４個のＰＤに対して４個の光通路穴１４との合計８個）形成される。
【００３９】
図５に示すように、光通路穴１４は、ＶＣＳＥＬアレイ１１の各ＬＤのビーム広がり角やＰＤアレイの各ＰＤの入射光のビーム広がり角θｄが２０〜３０°なので、開口角θｐを２０°以上にする。
【００４０】
光通路穴１４は、ＬＤの場合、実装精度が通常±１０μｍであることを考慮して、基板裏面側の径φｄがＬＤの発光径φｔ＝１０μｍ以上となる２０〜３０μｍである。本実施形態では、ＶＣＳＥＬアレイ１１上に位置する光通路穴１４のφｄを３０μｍとした。
【００４１】
また、光通路穴１４は、ＰＤの場合、実装精度が通常±１０μｍであること、およびＰＤは受光径φｒ＝８０μｍのものが一般に用いられていることを考慮して、基板裏面側の径φｄがＰＤの受光径φｒ＝８０μｍ以上となる９０〜１１０μｍである。本実施形態では、ＰＤアレイ１２上に位置する光通路穴１４のφｄを１００μｍとした。
【００４２】
回路基板３の厚さｄは、０．５ｍｍ以上にするとよい。これは、回路基板３の厚さｄが０．５ｍｍ未満であると、回路基板３が反って、ＶＣＳＥＬアレイ１１の各ＬＤやＰＤアレイ１２の各ＰＤが、その出入射光を集光するレンズや、レンズに光結合される光ファイバに対して位置ずれしてしまうからである。
【００４３】
本実施の形態では、回路基板３の厚さｄを０．５ｍｍ、開口角θｐを３０°にしたため、光通路穴１４の基板表面側の径φｕは０．２６ｍｍとなる。また、ＶＣＳＥＬアレイ１１の各ＬＤの発光領域およびＰＤアレイの各ＰＤの受光領域と回路基板３の裏面との距離ｘを０．０５ｍｍにした。
【００４４】
回路基板３としては、セラミック基板、Ｓｉ基板、ガラスエポキシ基板などの不透明基板を用いる。
【００４５】
図１〜図４に示すように、回路基板３のＶＣＳＥＬアレイ１１、ＰＤアレイ１２、制御用ＩＣ１３の周囲には、基板側電極として、下面電極１５が複数個形成される。これら下面電極１５は、ＶＣＳＥＬアレイ１１、ＰＤアレイ１２、制御用ＩＣ１３と導通される。下面電極１５は、例えば、Ｃｕ箔をフォトエッチングして一括形成される。
【００４６】
回路基板３の光通路穴１４以外となる表面には、金属膜１６がＣｕなどの金属で形成される。金属膜１６は、例えばメッキで形成される。金属膜１６は、回路基板３にスルーホール１７を形成し、このスルーホール１７を介して、セラミックパッケージ２内の回路パターン５の一部を構成するベタＧＮＤ層（全面ＧＮＤ層）、あるいは機器のマザーボードや回路基板のＧＮＤと導通している。
【００４７】
キャップ４は、接合枠９に対応してＣｕなどの金属で枠状に形成される。このキャップ４は、接合枠９を介して、セラミックパッケージ２の回路パターン５と電気的に接続される。キャップ４の中央部には開口部１８が形成され、その開口部１８にガラス窓１９がシール材ｓで取り付けられる。シール材ｓとしては低融点ガラスを用いる。
【００４８】
光モジュール１の組み立ては、まず、回路基板３に各光部品、各電気部品をフリップチップ実装する。
【００４９】
そして、Ｈｅや窒素などの不活性ガスの雰囲気下において、テラス上電極８と下面電極１５を半田バンプあるいはＡｕバンプを用いて、半田接合して電気的に接続させてセラミックパッケージ２に回路基板３を接合する。これにより、セラミックパッケージ２内に回路基板３が収納される。これと同時に、接合枠９にキャップ４を接合すると共に気密封止して、セラミックパッケージ２にキャップ４を接合する。
【００５０】
接合枠９とキャップ４の接合は、抵抗溶接などの電気溶接あるいはレーザ溶接で行う。接合枠９とキャップ４の接合に電気溶接あるいはレーザ溶接を用いたのは、気密封止のレベルを、Ｈｅリーク試験において１０-9Ｐａ・ｍ3／ｓ［Ｈｅ］以下に保つためである。
【００５１】
ここで、接着剤や合成樹脂はノンハーメティックシールなので使用できない。特に、合成樹脂は膨潤するため、ＶＣＳＥＬアレイ１１やＰＤアレイ１２を外気や水分に晒すことになり、適さない。
【００５２】
最後に、セラミックパッケージ２の裏面に、半田ボール６を複数個格子状に並べて取り付けてＢＧＡを構成すると、光モジュール１が組み立てられる。
【００５３】
さらに、光モジュール１には、回路基板３の光通路穴１４上となる表面に、ＶＣＳＥＬアレイ１１の各ＬＤの出射光あるいはＰＤアレイ１２の各ＰＤの入射光を集光する８個のレンズを備えた一体型のレンズブロックが実装される。このレンズブロックには、８心の光ファイバが接続されたＭＴ光コネクタが接続される。
【００５４】
次に、光モジュール１の製造方法を説明する。ここでは、光通路穴１４以外は慣用の方法で製造できるため、光通路穴１４の形成方法についてのみ説明する。
【００５５】
図６に示すように、回路基板３の表面に、フェムト秒レーザあるいはＵＶ（紫外線）−ＹＡＧレーザＬを照射すると共に、螺旋状に走査しながら回路基板３を掘り進み（すなわち、トレパニングにより）、光通路穴１４を形成する。
【００５６】
より詳細には、図７に示すように、まず、パルスレーザの１つであるフェムト秒レーザ、あるいはＵＶ−ＹＡＧレーザを、基板表面側の径φｕの円７１内で左右に走査し、穴が深くなるにつれて徐々にレーザを走査する範囲の円を円７２，７３のように小さくしていくことで、光通路穴１４を形成する。つまり、穴の深さが基板表面側から深くなるにつれて穴の径が小さくなるようにレーザを走査する。これにより、逆円錐台状の光通路穴１４が形成される。
【００５７】
ここで、フェムト秒レーザは、チタンサファイアに種光（緑レーザ）を当て、チタンサファイアの再生増幅により発射するものである。波長λ＝７８０〜８００ｎｍ、パルス幅は５０ｆｓ以上、出力は１〜２Ｗ、周波数１ｋＨｚ（連続チャージ時間）である。フェムト秒レーザは、パルス幅が１５０ｆｓ以下だとレーザ光が熱エネルギーに変換する前に加工が完了してしまう。これをアブレーションという。つまり、フェムト秒レーザを用いると、熱だれが発生しない、光通路穴１４の周囲が盛り上がらないという利点がある。
【００５８】
ＵＶ−ＹＡＧレーザは、ＹＡＧ結晶を励起させて発射するものであり、波長結晶を透過させて、短波長側に波長を変換したものである。波長はλ／４、λ／３、λ／２（λ＝１０６４ｎｍ）の各種あり、短波になるほど強力になる。パルス幅は２０ｎｓ、出力は１〜５０Ｗ、周波数（連続チャージ時間）は３０ｋＨｚである。
【００５９】
第１の実施形態の作用を説明する。
【００６０】
光モジュール１では、機器のマザーボードや回路基板からの４つの電気信号は、セラミックパッケージ２の回路パターン５、制御用ＩＣ１３、ＶＣＳＥＬアレイ１１の順で伝送され、ＶＣＳＥＬアレイ１１で光信号にそれぞれ変換され、ＶＣＳＥＬアレイ１１から波長が異なる４つの光信号として回路基板３、光通路穴１４を通して上方に出力される。
【００６１】
一方、光モジュール１では、回路基板３の上方から光通路穴１４、回路基板３を通して入力された波長が異なる４つの光信号は、ＰＤアレイ１２で電気信号にそれぞれ変換され、ＰＤアレイ１２から４つの電気信号として制御用ＩＣ１３、セラミックパッケージ２の回路パターン５、機器のマザーボードや回路基板の順で伝送される。
【００６２】
光モジュール１は、回路基板３に光通路穴１４を形成しているため、回路基板３の裏面にＶＣＳＥＬアレイ１１やＰＤアレイ１２を搭載しても、ガラス窓１９を通して光信号を入出力できる。
【００６３】
特に、回路基板３として不透明基板を用いた場合には、光通路穴１４があることにより、回路基板３の表面と裏面で光が反射しないため、ＶＣＳＥＬアレイ１１やＰＤアレイ１２の出入射光の光量を減らすことなく、光信号を入出力できる。
【００６４】
光通路穴１４はテーパ状なので、反りの防止を目的とした厚さが０．５ｍｍ以上の回路基板３であれば、どんな厚さの基板にも光通路穴１４を形成できる。
【００６５】
また、回路基板３にセラミック基板、Ｓｉ基板、ガラスエポキシ基板などを使用しているため、樹脂基板を用いた場合のような温度膨張や湿気による膨潤の影響が極めて少なく、レンズブロックや、レンズブロックに光結合される光ファイバに対して位置ずれしない。
【００６６】
本実施形態に係る製造方法によれば、フェムト秒レーザあるいはＵＶ−ＹＡＧレーザで光通路穴１４を形成するため、回路基板３に３次元形状の光通路穴１４を簡単かつ高精度に作製できる。しかも、光通路穴１４の最深部のような約１０μｍものスポット状の小さな穴を形成できるため、回路基板３の裏面にＶＣＳＥＬアレイ１１やＰＤアレイ１２の搭載シロも確保できる。
【００６７】
また、光モジュール１は、金属製のキャップ４が接合枠９を介してセラミックパッケージ２の回路パターン５と導通しているので、キャップ４が電磁遮蔽板となって電磁波の出入射を防止でき、ＥＭＩ（電磁波障害）に対して強い。
【００６８】
さらに、光モジュール１は、回路基板３の光通路穴１４以外となる表面に金属膜１６が形成されており、その金属膜１６が機器のマザーボードや回路基板のＧＮＤやセラミックパッケージ２のＧＮＤ層と導通している。このため、金属膜１６が電磁遮蔽板となって電磁波の出入射を防止でき、ＥＭＩに対して強い。
【００６９】
光モジュール１では、キャップ４と接合枠９を電気溶接あるいはレーザ溶接してセラミックパッケージ２にキャップ４を接合すると共に気密封止しているため、キャップ４と接合枠９の間に隙間がなく、気密封止のレベルを、Ｈｅリーク試験おいて１０-9Ｐａ・ｍ3／ｓ［Ｈｅ］以下に保つことができる。
【００７０】
上記実施の形態では、回路基板３として不透明基板を用いた例で説明したが、回路基板３としてガラス基板を使用してもよい。このガラス基板に上述した光通路穴１４を形成することで、ガラス基板の表面と裏面で光が反射しないため、この場合にも、ＶＣＳＥＬアレイ１１やＰＤアレイ１２の出入射光の光量を減らすことなく、光信号を入出力できる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の好適な実施形態を示す光モジュールの斜視図である。
【図２】図１に示した光モジュールの２Ａ−２Ａ線断面図である。
【図３】図１に示した光モジュールの分解斜視図である。
【図４】図２に示した光モジュールを上方から見た分解斜視図と回路基板の透視図である。
【図５】光通路穴の拡大断面図である。
【図６】図１に示した光モジュール（光通路穴）の製造方法を説明する図である。
【図７】図１に示した光モジュール（光通路穴）の製造方法を説明する図である。
【図８】従来の光モジュールの断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  光モジュール
２  セラミックパッケージ
５  パッケージ側回路パターン
１０  基板側回路パターン
１１  ＶＣＳＥＬアレイ（光電変換素子）
１２  ＰＤアレイ（光電変換素子）
１４  光通路穴
１８  窓（光透過用開口部）
１９  ガラス窓（光透過部材）
【図１】
2007294743.tif 000003
【図２】
2007294743.tif 000004
【図３】
2007294743.tif 000005
【図４】
2007294743.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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