(57)【要約】【課題】  光サブモジュールの実装に高価な実装装置や複雑な工程を要さず、光導波路や光ファイバと光サブモジュールとの位置合わせを高精度に行うことが可能な光モジュールの作製方法を提供すること。【解決手段】  本発明の一実施形態に係る光サブモジュール８０は、サブマウント８１と、サブマウント８１に形成された概ね直方体である受光素子８２とを備える。受光素子８２のサブマウント８１と接している面と対向する面のエッジ８４ａおよびエッジ８４ｄを結ぶ２本の対角線は、サブマウント８１の、光サブモジュール８０が実装される基板の面と接する実装面８５と略平行である。また、実装面８５と受光素子８２との間の距離は、上記基板の面と基板に形成される光導波路に含まれる導波路コアとの間の距離とほぼ等しい。【選択図】  図８
2007019298.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光伝達手段が形成された基板に実装される光サブモジュールであって、
サブマウントと、
該サブマウントに形成された概ね直方体である光素子とを備え、
前記光素子の前記サブマウントと接している面と対向する面の頂点を結ぶ２本の対角線のいずれか一方が、前記サブマウントの、前記基板の第１の面と接する第２の面と略平行であり、前記第２の面と前記光素子との間の距離は、前記第１の面と前記光伝達手段との間の距離とほぼ等しいことを特徴とする光サブモジュール。
【請求項２】
前記光素子の前記サブマウントと接している面の形状は、略正方形であることを特徴とする請求項１記載の光サブモジュール。
【請求項３】
請求項１または２記載の光サブモジュールと、
光伝達手段が形成された基板と、
前記第２の面と略平行な対角線を形成する２つの頂点により、前記光素子と前記光伝達手段とが結合するように、前記光サブモジュールの、前記基板面内における、前記光伝達手段と略垂直方向である方向の位置決めを行なう位置決め手段とを備え、
前記方向に位置決めされた前記光サブモジュールを、前記第２の面を前記第１の面に接するようにして、前記基板に実装することを特徴とする光モジュール。
【請求項４】
光伝達手段が形成された基板と、サブマウントと、該サブマウントに形成された概ね直方体である光素子とを有する光サブモジュールであって、前記光素子の前記サブマウントと接している面と対向する面の頂点を結ぶ２本の対角線のいずれか一方が、前記サブマウントの、前記基板の第１の面と接する第２の面と略平行であり、前記第２の面と前記光素子との間の距離は、前記第１の面と前記光伝達手段との間の距離とほぼ等しい光サブモジュールを用意する第１の工程と、
前記第２の面と略平行な対角線を形成する２つの頂点により、前記光素子と前記光伝達手段とが結合するように、前記光サブモジュールの、前記基板面内における、前記光伝達手段と略垂直方向である方向の位置決めを行う第２の工程と、
前記方向に位置決めされた前記光サブモジュールを、前記第２の面を前記第１の面に接するようにして、前記基板に実装する第３の工程と
を有することを特徴とする光モジュールの作製方法。
【請求項５】
前記光素子の前記サブマウントと接している面の形状は、略正方形であることを特徴とする請求項４記載の光モジュールの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールの作製方法に関し、より詳細には、光モジュールに搭載された、光サブモジュールと光導波路とを高精度に実装する光モジュールの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高度情報化に伴い大容量の情報を伝達したいという要望から、高速で大容量の情報が伝達可能な光通信システムが注目されている。このような光通信システムにおいて、高速で大容量な通信網を構築する伝送媒体として光ファイバが用いられており、この光ファイバを大容量化するための技術として、ＷＤＭ（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）技術が注目されている。
【０００３】
このＷＤＭでは、例えば、平面型光導波路（ＰＬＣ；Ｐｌａｎｅｒ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの光導波路と、受光素子等の光素子を備えた光サブモジュールとを高精度に結合して、光モジュール上に実装する場合がある。
【０００４】
このような光サブモジュールと光導波路との光モジュールへの実装については、特許文献１に記載されている。特許文献１では、光導波路基板の一方端には、光ファイバおよび半導体レーザダイオードが接続されており、他方端には、サブマウントに取り付けられた誘電体多層膜フィルタが樹脂により貼り付けられている。
【０００５】
また、特許文献２には、図１および図２に示す光モジュールが記載されている。  
図１および図２において、光モジュール１は、シリコン基板２、シリコン基板２上に形成された光導波路３を備えている。また、光モジュール１には、受光素子支持用キャリア４が実装されている。光導波路３は、シリコン基板２上に形成したコア５と、このコア５の周囲に設けたクラッド６とを含んでいる。コア５は、導波路パタンが上方から見てＹ形になるように形成している。
【０００６】
特許文献２では、キャリア４は、セラミックによって角柱形に形成して外面にメタライズ処理が施してある。このキャリア４は、一側面に受光素子（汎用の面型ＰＤ）７を半田付けするとともに、底面をシリコン基板２の凹部８に半田付けしている。受光素子７は、受光面がシリコン基板２の主面（基板面内方向）と直交する状態でキャリア４に固着させている。また、この受光素子７の固着位置は、キャリア４をシリコン基板２に実装した状態で受光面がコア５の端面に対向するように設定している。
【０００７】
キャリア４は、上記凹部８の底部に、受光素子７を実装した側面と、この側面に連なる二つの側面とを嵌合させている。また、この凹部８の形成位置および深さは、上述したようにキャリア４を嵌合させた状態で受光素子７が上記分岐路５の先端と対向するように設定している。特許文献２では、上記深さを有する凹部８にキャリア４を嵌め込むことによって、受光素子７とコア５との結合を行っている。
【０００８】
特許文献２のように、汎用の面型ＰＤを利用して集積化が行えるので、光モジュールを安価で作製できる。
【０００９】
【特許文献１】特許第２８６７８５９号公報
【特許文献２】特開平１０−２０１５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
さて、特許文献２に記載されている凹部８をシリコン基板２上に形成することは、従来では高精度に行うことができる。しかしながら、光素子のキャリアとして、汎用的なセラミックのキャリアを用いる場合には、キャリア自体の外形およびメタルパタンの精度が十分には得られない（１００μｍ程度）こと、また、それに加えて汎用のボンダを用いて光素子をキャリアに実装する場合には、その実装精度も後述するように十分でないという問題があった。  すなわち、従来では、サブマウントの外形、またはサブマウントに予め形成されたアライメントマークによって、サブマウントと受光素子等の光素子との位置合わせを行っている。サブマウントは通常、所定の無機材料等を焼結することによって得られるセラミックであるが、この焼結の際に熱膨張や熱収縮等によって、熱処理による製造誤差が生じてしまい、この製造誤差により外形が変化してしまう場合がある。このような製造誤差は、小さなオーダでの制御では影響が出てくる。よって、サブマウントの外形によって、光素子をサブマウントに形成すると、上記製造誤差によって、光素子に位置にばらつきが生じてしまう。よって、サブマウントの外形により精度を出すことは難しい。
【００１１】
また、サブマウントにアライメントマークを予め形成し、該アライメントマークを基に光素子の形成を行うことも考えられる。しかしながら、この場合も、上記サブマウントを形成する際に生じる、熱処理による製造誤差により、アライメントマークは所定の位置からずれてしまう。よって、アライメントマークを基に、サブマウントに光素子を実装する場合も、光素子の位置にばらつきが生じてしまうので、アライメントマークなどのパタンによっても精度を出すのは難しい。
【００１２】
さらに加えて、受光素子の受光部をサブマウントの所望の位置に配置すること自体が、安価な汎用のボンダを用いた実装では容易ではない。汎用のボンダによって受光素子をサブマウントへと形成する場合、図７に示すような画面が汎用のボンダには表示される。
【００１３】
このとき、汎用のボンダの画面には、図７に示すように、サブマウント７１の斜視図が表示される。この画面で、サブマウント７１に受光部７３を有する受光素子７２を形成する場合、矢印方向Ｒには精度が出し易いが、矢印方向Ｓには精度が出ない。すなわち、図７において、矢印方向Ｒは紙面水平方向であるので、仮想線７４に沿って受光素子７２を動かせば所望の位置に受光素子７２を配置することができ、受光素子７２を矢印方向Ｒに精度良くサブマウントに実装できる。
【００１４】
しかしながら、矢印方向Ｓは、図７において奥行きの方向であり、サブマウントの表面と受光素子表面とが受光素子の厚さだけずれて観測されるため、仮想線７５に沿って受光素子７２を動かしても、所望の位置に受光素子７２を精度よく配置することは難しい。
【００１５】
サブマウント上に光素子が所望の位置からずれて配置されても、例えば、光素子が受光素子の場合、その受光素子の受光面積を大きくすれば、受光素子と導波路コアとの結合を良好に行うことはできる。
【００１６】
すなわち、特許文献２では、受光素子の受光面積が大きい場合は、所望の位置からずれて受光素子７が形成されていても、受光面積が大きい分、受光素子７とコア５とは良好に結合できる。
【００１７】
しかしながら、上述のように、受光素子の受光面積を大きくすると、受光素子は、低速の受信は可能であるが、高速の受信を良好に行うことは難しくなる。当時としては、低速な受信でも満足のいく光通信を行うことができたが、近年では、高度情報化により、高速で大容量の情報を伝達することが望まれており、受光素子としては、１ＧＨｚを超える高速の受信ＰＤを適用することが求められている。このような、高速な受信を行うためには、受光素子の受光面積は小さくする必要があり、この小さい受光面積の場合であっても、受光素子と導波路コアとの結合を良好に行うことが必要である。
【００１８】
このように、従来では、ＰＤ素子と光導波路とを、小型・安価に実装する構造として、サブマウントに固定した面型ＰＤを導波路端に立てて設置する構造が提案されているが、サブマウントへのＰＤ素子の位置合わせ精度が出せないため、ＰＤ素子が形成されたサブマウント（光サブモジュール）と光導波路との結合を良好に行うことが難しくなり、高速信号用の受光径の小さい（５０μｍ以下）ＰＤには適用するのが難しかった。
【００１９】
このような問題は、光素子として受光素子に限らず、発光素子などの光素子を備えた光サブモジュールについても言える。
【００２０】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光サブモジュールの実装に高価な実装装置や複雑な工程を要さず、光導波路や光ファイバと光サブモジュールとの位置合わせを高精度に行うことが可能な光モジュールの作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１記載の発明は、光伝達手段が形成された基板に実装される光サブモジュールであって、サブマウントと、該サブマウントに形成された概ね直方体である光素子とを備え、前記光素子の前記サブマウントと接している面と対向する面の頂点を結ぶ２本の対角線のいずれか一方が、前記サブマウントの、前記基板の第１の面と接する第２の面と略平行であり、前記第２の面と前記光素子との間の距離は、前記第１の面と前記光伝達手段との間の距離とほぼ等しいことを特徴とする。
【００２２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記光素子の前記サブマウントと接している面の形状は、略正方形であることを特徴とする。
【００２３】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の光サブモジュールと、光伝達手段が形成された基板と、前記第２の面と略平行な対角線を形成する２つの頂点により、前記光素子と前記光伝達手段とが結合するように、前記光サブモジュールの、前記基板面内における、前記光伝達手段と略垂直方向である方向の位置決めを行なう位置決め手段とを備え、前記方向に位置決めされた前記光サブモジュールを、前記第２の面を前記第１の面に接するようにして、前記基板に実装することを特徴とする。
【００２４】
請求項４記載の発明は、光伝達手段が形成された基板と、サブマウントと、該サブマウントに形成された概ね直方体である光素子とを有する光サブモジュールであって、前記光素子の前記サブマウントと接している面と対向する面の頂点を結ぶ２本の対角線のいずれか一方が、前記サブマウントの、前記基板の第１の面と接する第２の面と略平行であり、前記第２の面と前記光素子との間の距離は、前記第１の面と前記光伝達手段との間の距離とほぼ等しい光サブモジュールを用意する第１の工程と、前記第２の面と略平行な対角線を形成する２つの頂点により、前記光素子と前記光伝達手段とが結合するように、前記光サブモジュールの、前記基板面内における、前記光伝達手段と略垂直方向である方向の位置決めを行う第２の工程と、前記方向に位置決めされた前記光サブモジュールを、前記第２の面を前記第１の面に接するようにして、前記基板に実装する第３の工程とを有することを特徴とする。
【００２５】
請求項５記載の発明は、前記光素子の前記サブマウントと接している面の形状は、略正方形であることを特徴とする。
【００２６】
なお、本発明の「光伝達手段」は、導波路コアを有する光導波路や光ファイバなど、光や光信号の伝達（伝送）が可能なものである。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように、本発明によれば、光素子のサブマウントと接している面と対向する面の頂点を結ぶ２本の対角線のいずれか一方を、サブマウントの、基板の第１の面と接する第２の面と略平行にしているので、高価な実装装置や複雑な工程を要さず、光サブモジュールの基板への実装時の位置合わせを高精度に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。  
従来では、特許文献２に記載されているように、キャリア４の凹部８への嵌合時に受光素子７とコア５とが一致するように、深さが設定された凹部８と、上記一致が実現するように受光素子７が位置決めされたキャリア４とにより、受光素子７とコア５との結合を行っている。しかしながら、このとき、上述のように、キャリア４の外形およびパタン精度が出ないため、キャリア４上への受光素子７の位置合わせ精度を出すのが難しかった。
【００２９】
そこで、図３に示すような光サブモジュールを用いる。図３において、光サブモジュール３０は、サブマウント３１と、サブマウント３１に形成された、受光部３３を有する受光素子３２とを備える。受光素子３２は、概ね直方体であり、受光部が形成されている面は、エッジ（頂点）３４ａ〜３４ｄを有する正方形の形状であり、その一辺と、サブマウントの一辺とは平行になるようにサブマウント３１に形成されている。また、エッジ３４ａとエッジ３４ｂとの間のほぼ中央部分と、受光部３３の中心部分がほぼ一致するように受光部３３は、受光素子３２に形成されている。
【００３０】
このような光サブモジュール３０を、フリップチップボンダにより、受光素子３２と導波路コアとが一致するように光モジュールの所定の位置にアライメントする。このアライメント時では、フリップチップボンダの画面には、図３の矢印方向Ｐから見た、光サブモジュールの底面（実装面）が表示されている。図４は、図３の矢印方向Ｐから見た光サブモジュール３０の底面であって、受光素子３２を紙面左側に見たときの光サブモジュール３０の底面を示す図である。図４は、受光素子３２の一辺と、サブマウント３１の一辺とが平行になり、かつエッジ３４ａとエッジ３４ｂとの間のほぼ中央部分と、受光部３３の中心部分がほぼ一致するような、理想的な場合を示す図である。
【００３１】
このように、理想的に受光素子３２がサブマウント３１に形成されている場合は、フィリップチップボンダの画面に表示される、光サブモジュールの底面において、受光部３３の位置は確認できないが、受光素子３２の一辺と、サブマウント３１の一辺とが平行になっているので、エッジ３４ａとエッジ３４ｂとの中央部分と受光部３３の中心部分がほぼ一致していることになり、エッジ３４ａとエッジ３４ｂとの中央部分を導波路コアと一致するように光サブモジュールを光モジュールに実装すれば、受光素子３２と導波路コアとの結合を良好に行うことができる。
【００３２】
しかしながら、以下に示す問題から図３および図４のような光サブモジュールを精度良く実装することは難しい。
【００３３】
その問題点としては、受光素子３２のサブマウント３１への実装時に生じる回転ずれである。サブマウント３１への受光素子３２の実装の際に、回転ずれが生じてしまうことがある。このような回転ずれが生じると、図５に示すように、受光素子３２の一辺と、サブマウント３１の一辺とが平行ではなくなる。図６は、このような回転ずれが生じた光サブモジュールを、図５の矢印方向Ｑ（光サブモジュールの底面（実装面）方向）から見た図あって、受光素子を紙面左側に見たときの光サブモジュールの底面を示す図である。
【００３４】
図６から分かるように、回転ずれがあると、受光部３３の中心部分と、エッジ３４ａとエッジ３４ｂとの中央部分とはずれてしまう。受光素子３２の一辺の長さが５００μｍの場合、受光素子３２の一辺が、サブマウント３１の一辺と平行な場合から２度（図５では、θ＝２度）ずれると、受光部３３の中心部分と、エッジ３４ａとエッジ３４ｂとの中央部分とは１０μｍずれることになる。
【００３５】
よって、回転ずれが生じた場合は、エッジ３４ａとエッジ３４ｂとの中央部分を導波路コアと一致するように光サブモジュールを光モジュールに実装しただけでは、接続を良好に行うことができない。
【００３６】
また、回転ずれによって、エッジ３４ａとエッジ３４ｂとの焦点が異なることに加えて、回転ずれによって現れたエッジ３４ｃからの高強度なノイズ光によってエッジ３４ａの正確なエッジ検出が行えない。
【００３７】
そこで、本発明の一実施形態では、図８に示すように、受光素子の一辺が、サブマウントの一辺と平行な場合から略４５度回転して、受光素子をサブマウントに配置している。図８において、光サブモジュール８０は、サブマウント８１と、サブマウント８１に形成された、受光部８３を有する受光素子８２とを備える。受光素子８２は、概ね直方体であり、受光部が形成されている面は、エッジ８４ａ〜８４ｄを有する正方形の形状であり、その一辺と、サブマウントの一辺とが平行になる場合から略４５度回転してサブマウント８１に形成されている。また、エッジ８４ａとエッジ８４ｃとの対角線のほぼ中央部分と、受光部８３の中心部分がほぼ一致するように受光部８３は、受光素子８２に形成されている。すなわち、図８では、光サブモジュール８０の基板への実装面が実装面８５であり、実装面８５とエッジ８４ａとエッジ８４ｄとの対角線とが略平行になっている。また、受光部８３の中心部分からエッジ３４ａまでの距離と、上記中心部分からエッジ３４ｄまでの距離はほぼ等しくなっている。
【００３８】
このような光サブモジュール８０を、フリップチップボンダにより、受光素子８２と導波路コアとが一致するように光モジュールの所定の位置にアライメントする。このようなフリップチップボンダを用いて上記実装を行う場合、リフトによって保持された光サブモジュール８０と、基板との間にフリップチップボンダが有するカメラを配置する。このカメラにより、光サブモジュール８０の実装面８５と、基板の上面とを見ながら、基板水平方向のアライメントを行う。水平方向のアライメントが終わったらカメラを移動させ、上記アライメント位置で、光サブモジュール８０を基板に配置する。
【００３９】
このアライメント時では、フリップチップボンダの画面には、図８の矢印方向Ｔから見た、光サブモジュール８０の実装面８５が表示されている。図９は、図８の矢印方向Ｔから見た光サブモジュール８０の実装面８５であって、受光素子８２を紙面左側に見たときの光サブモジュール８０の底面を示す図である。図９から分かるように、エッジ８４ａとエッジ８４ｄとの間のほぼ中央部分と、受光部８２の中心部分がほぼ一致している。また、エッジ８４ｂについても、エッジ８４ａとエッジ８４ｄとの間のほぼ中央部分に配置される。
【００４０】
よって、エッジ８４ａとエッジ８４ｄとをアライメントマークとして使用して、フリップチップボンダの画面を観察しながら、エッジ８４ａとエッジ８４ｄとの中央部分を、光サブモジュールを実装する基板に形成された導波路コアと一致するようにリフトを動かして位置合わせを行えば、光サブモジュールの高精度な基板面内における、導波路コアに対して略垂直方向（単に、「水平方向」とも呼ぶ）の位置合わせを行うことができる。また、基板の面内に対する垂直方向（単に、「高さ方向」とも呼ぶ）の位置合わせは、後述するように、サブマウント８１に受光素子８２を配置する際に、汎用のボンダでも高精度に行うことができる。
【００４１】
本発明の一実施形態では、受光素子８２をサブマウント８１に形成する際に、回転ずれが生じたとしても、相当の回転ずれが生じない限り、エッジ８４ａとエッジ８４ｄとの対角線の中央部分付近と、受光部８３の中心部分付近との間のずれは小さい。よって、回転ずれが生じたとしても、アライメントマークとしてのエッジ８４ａおよびエッジ８４ｄとを見ながら、水平方向の位置決めを行えば、光サブモジュールと光導波路との接続を良好に行うことができる。
【００４２】
また、フリップチップボンダの画面上で、エッジ８４ａおよびエッジ８４ｄを正確に検出するためには、エッジ８４ａおよびエッジ８４ｄのいずれか一方付近の、特に検出すべきエッジの外側に、エッジ８４ｂやエッジ８４ｃが存在しないことが望ましい。例えば、図６にて説明したように、エッジ３４ｃが、見たいエッジであるエッジ３４ａの外側に見えるとき、アライメントにはエッジ３４ａおよび３４ｂを用いなければならないに、実際には、エッジ３４ｂとエッジ３４ｃを用いることになってしまう。これでは、水平方向の精度が出せない。
【００４３】
本発明の一実施形態では、多少の回転ずれでは、すなわち、相当の回転ずれが生じない限り、エッジ８４ｂやエッジ８４ｃは、エッジ８４ａおよびエッジ８４ｄのいずれか一方付近に存在しないので、アライメント時には、常に所望のエッジを観察できる。よって、水平方向の位置決めを高精度に行うことができる。
【００４４】
このとき、エッジ８４ａおよびエッジ８４ｄがクリアに見えるとより好ましい。図８では、エッジ８４ａおよびエッジ８４ｄまでの焦点距離はほぼ同じなので、エッジ８４ａおよびエッジ８４ｄをクリアに観察することができる。
【００４５】
なお、図８では、受光素子の受光部が形成されている面の形状は正方形であるが、本発明の一実施形態では、上記形状は長方形であっても良い。このとき、重要なことは、長方形のエッジのうち、アライメントマークとして用いるエッジは、対角線を形成し、この対角線と、光サブモジュールの実装面とが略平行になることである。
【００４６】
また、本発明の一実施形態では、アライメントマークとしてのエッジ８４ａとエッジ８４ｄとの対角線上付近に、受光部８３の中心部分が位置するように、受光部８３が形成されていることが好ましいが、この配置に限らない。すなわち、受光素子上に受光部がいずれの位置に配置されていても、水平方向のアライメントに先立ってアライメントマークとしてのエッジと受光部との関係が分かっていれば、その関係を考慮して水平方向の位置決めを行えば良い。
【００４７】
よって、受光部は、受光素子上に適切に形成されていれば良い。また、上記理由から、受光素子を実装面側から見た場合、対角線を形成するエッジの一方から受光部までの距離と、他方から受光部までの距離との比も、図８のように、１対１でなくても良く、いずれの比であっても良い。
【００４８】
また、本発明の一実施形態では、光サブモジュールに形成される素子は、受光素子に限らず、発光素子など他の光素子であっても良い。すなわち、本発明の一実施形態で重要なことは、光サブモジュールと光導波路との結合を良好に行うことであるので、光サブモジュールが備える光素子は、導波路コアと結合させるものであれば、いずれであっても良い。
【００４９】
次に、光サブモジュール８０の作製方法について説明する。  
本発明の一実施形態では、光サブモジュール８０は、汎用のボンダでも作製できる。汎用のボンダによって、受光素子をサブマウントへと形成する場合、図１０に示すような画面が汎用のボンダには表示される。汎用のボンダでは、上述したように、矢印方向Ｒには精度が出せるが、矢印方向Ｓには精度が出せない。
【００５０】
しかしながら、図１０において、実装面８５を精度が出せる方向である矢印方向Ｒに対して略垂直になるようにすると、高さ方向の位置決めを精度良く行うことができる。すなわち、光サブモジュール８０を基板に実装したときに基板の上面と実装面８５とが接することになるので、このとき受光素子８２が、受光素子８２と導波路コアとが良好に接続するような高さ（所望の高さとも呼ぶ）になるように、受光素子８２をサブマウント８１に形成すればよい。よって、汎用のボンダにおいて、実装面８５から所望の高さと同じ距離離れて受光素子８２を配置する。上述のように、矢印方向Ｒには精度が出せるので、受光素子８２は、基板への実装時に、良好に所望の高さとなる。
【００５１】
また、受光素子８２をサブマウント８１に形成する際に、エッジ８４ａとエッジ８４ｄとの対角線が、実装面８５と略平行になるようにする。このとき、回転ずれが多少生じても（回転ずれが相当生じない限り）、エッジ８４ａとエッジ８４ｄとの対角線の中央部分と、受光部８３の中心部分とのずれは小さいので、水平方向の位置決めは良好に行うことができる。よって、本発明の一実施形態では、汎用のボンダで光サブモジュールを作製する際、矢印方向Ｓにおいて、精度を出す必要はない。よって、汎用のボンダであっても、本発明の一実施形態に係る、光サブモジュールを作製することができる。
【００５２】
図１１は、本発明の一実施形態に係る光サブモジュール８０を備えた、光モジュールの斜視図であり、図１２は、図１１のＡ−Ａ'線断面図である。  
図１１において、光モジュール１１０は、光導波路１１２、および光サブモジュール８０と光ファイバ１１５とが実装される領域１１６とを有するシリコン基板１１１を備える。光導波路１１２は、シリコン基板１１１上に形成した導波路コア１１４と、この導波路コア１１４の周囲に設けたクラッド１１３とを含んでいる。導波路コア１１４は、導波路パタンが上方から見てＹ形になるように形成している。
【００５３】
導波路コア１１４のＹ形に分岐した一方の端には、光ファイバ１１５が接続されており、他方の端には、光サブモジュール８０が接続されている。このとき、図１２に示すように、受光素子８２は、それに対向する導波路コア１１４と良好に接続するように、高さ方向、水平方向共に高精度に位置決めされている。
【００５４】
以下で上述の光モジュール１１０の作製方法を説明する。  
まず、光導波路１１２が形成されたシリコン基板１１１と、シリコン基板１１１への実装時に、受光素子８２と導波路コア１１４の高さがほぼ同じになるように、受光素子８２が形成された光サブモジュール８０とを用意する。このとき、エッジ８４ａおよびエッジ８４ｄの対角線は、実装面８５と略平行になっている。
【００５５】
次いで、フリップチップボンダが有するリフトにより、光サブモジュール８０を所定の高さに保持し、かつ光サブモジュール８０の下側の位置にシリコン基板１１１を設置し、光サブモジュール８０とシリコン基板１１１との間にカメラを配置する。このとき、フリップチップボンダの表示画面には、図９に示すような光サブモジュール８０の実装面と、シリコン基板１１１の上面とが表示される。
【００５６】
次いで、アライメントマークとしてエッジ３４ａおよびエッジ３４ｄを用いて、上記表示を見ながら、エッジ３４ａとエッジ３４ｄとの対角線のほぼ中央部分が、光サブモジュールを接続させる光導波路コアとほぼ一致するように、リフトを動かし、光サブモジュールの水平方向のアライメントを行う。光サブモジュールを所望の位置まで移動させたら、リフトを止め、カメラを移動させる。
【００５７】
このように水平方向の位置決めが終了したら、リフトにより光サブモジュール８０をそのまま下げて、シリコン基板１１１に実装させる。このように、光サブモジュール８０をシリコン基板１１１に実装すると、光サブモジュール８０の実装時に、受光素子８２が導波路コアと高さがほぼ一致するように予め受光素子８２が配置されているので、高さ方向の位置決めが良好なものとなり、また、上記アライメントマークとして対角線に形成されたエッジ３４ａおよびエッジ３４ｄを用いて、水平方向の位置決めも良好の行うことができるので、複雑な工程や高価な装置を用いなくても、光サブモジュール８０と光導波路との接続を、良好に行うことができる。
【００５８】
また、受光素子８２と導波路コア１１４との接続を良好に行えるので、受光部８３の大きさを小さくすることができ、高速な受信にも対応することができる。
【００５９】
なお、上述では、光サブモジュールのシリコン基板への実装をフリップチップボンダによって行っているが、他の装置によって行っても良い。例えば、光サブモジュールの実装面と対向する面と、シリコン基板の上面とを観察しながら、上記実装を行っても良い。
【００６０】
また、上述の本発明の一実施形態では、光導波路と光サブモジュールとの位置決めについて説明したが、光サブモジュールと結合する光学部品は光導波路に限定されず、例えば、光ファイバなど、光サブモジュールと結合させる光学部品であればいずれのものであっても良い。
【００６１】
なお、本明細書において、「（光素子、光導波路など）を形成する」とは、基板上に光素子や光導波路などを半導体プロセスによって作りこむことを含み、また、別個に作製された光素子や光導波路を、基板上に配置することも含む。すなわち、結果として光素子や光導波路を基板上に存在させる、という意である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】従来の、光モジュールを示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ'線断面図である。
【図３】本発明の一実施形態を説明するための光サブモジュールを示す斜視図である。
【図４】図３の矢印方向Ｐから見た光サブモジュールの底面であって、受光素子を紙面左側に見たときの光サブモジュールの底面を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態を説明するための光サブモジュールを示す平面図である。
【図６】図５の矢印方向Ｑから見た光サブモジュールの底面であって、受光素子を紙面左側に見たときの光サブモジュールの底面を示す図である。
【図７】従来の、受光素子のサブマウントへの実装の様子を示す斜視図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る、光サブモジュールを示す斜視図である。
【図９】図８の矢印方向Ｔから見た光サブモジュールの実装面であって、受光素子を紙面左側に見たときの光サブモジュールの実装面を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る、受光素子のサブマウントへの実装の様子を示す斜視図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る光サブモジュールを備えた、光モジュールの斜視図である。
【図１２】図１１のＡ−Ａ'線断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
８０    光サブモジュール
８１    マウント
８２    受光素子
８３    受光部
８４ａ〜８４ｄ    エッジ
８５    実装面
１１０    光モジュール
１１１    シリコン基板
１１２    光導波路
１１３    クラッド
１１４    導波路コア
１１５    光ファイバ
１１６    光サブモジュールが形成される領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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