(57)【要約】【課題】放熱性の優れた回路装置を提供する。【解決手段】この回路装置は、金属基板２０と、金属基板２０上に搭載され、この金属基板２０と電気的に接続された複数の回路素子１０ａ，１０ｂを備える。金属基板２０は、熱伝導性に優れた銅板からなり、樹脂中に熱伝導率を高くするためのフィラーが添加された絶縁膜４によって複数の領域（たとえば、回路素子１０ａ，１０ｂの搭載領域である銅板１ａ，１ｂやボンディングワイヤ１１ａ，１１ｂの接続領域である銅板１ｃ，１ｄ，１ｅ）に区画されている。また、回路素子１０ａ，１０ｂは、これら回路素子の金属基板側の面にそれぞれ独立した動作電位を有し、それぞれ別々の銅板１ａ，１ｂ上に設けられている。【選択図】図２
2007294863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜によって複数の領域に区画された金属基板と、
前記金属基板の一方の面上に搭載され、この金属基板と電気的に接続された第１の回路素子および第２の回路素子と、
を備え、
前記第１の回路素子は、前記金属基板との接続部分に第１の電圧が印加され、
前記第２の回路素子は、前記金属基板との接続部分に、前記第１の電圧とは異なる第２の電圧が印加され、
前記第１の回路素子および前記第２の回路素子は、それぞれ異なる前記領域に設けられていることを特徴とした回路装置。
【請求項２】
前記第１の回路素子および前記第２の回路素子は、前記金属基板にそれぞれ直接搭載されていることを特徴とした請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記第１の回路素子および前記第２の回路素子が搭載された前記領域は、それぞれの回路素子の外縁を越えた位置に外縁を有していることを特徴とした請求項１または２に記載の回路装置。
【請求項４】
複数の前記領域は、ワイヤ接続用電極として機能する領域を含むことを特徴とした請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、伝熱促進用のフィラーが添加された樹脂膜からなることを特徴とした請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路装置。
【請求項６】
前記金属基板の他方の面上に設けられ、区画された前記領域同士を電気的に接続する配線層をさらに備えることを特徴とした請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路装置。
【請求項７】
前記第１の回路素子および前記第２の回路素子の少なくともいずれかよりも発熱量の小さい第３の回路素子をさらに備え、
前記第３の回路素子は、前記配線層の両面のうち前記金属基板が配置されている側と反対側の面上に搭載されていることを特徴とした請求項６に記載の回路装置。
【請求項８】
前記金属基板のうち前記第１の回路素子が設けられている前記領域の体積Ｖ［ｍ３］は、
前記第１の回路素子に通電されている間に生じる電力損失により発生する熱量をＱ［Ｊ］、前記領域の密度をρ［ｋｇ／ｍ３］、前記領域の比熱をＣ［Ｊ／ｋｇ・Ｋ］、前記第１の回路素子の発熱によって系に不具合が発生しない温度変化の上限値をΔＴｔｈ［Ｋ］とした場合、
Ｖ＞Ｑ／（ρ・Ｃ・ΔＴｔｈ）
を満たすことを特徴とした請求項１〜７のいずれか一項に記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置に関し、特に金属基板を用いた回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器などに含まれる回路装置は、小型化、高密度化および多機能化のために、単位体積当たりの発熱密度が増加している。このため、近年では、回路装置の基板として、高い放熱性を有する金属基板が用いられるとともに、その金属基板上に、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）やＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：大規模集積回路）などの回路素子が装着されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１０は、特許文献１に開示された従来の回路装置の構造を概略的に示した断面図である。図１０において、金属ベース板１０３は、その上部に第１絶縁層１０４および第１回路パターン１０５が設けられ、金属基板１２０を構成している。パワー素子１０６は、金属ベース板１０３の上部に第１絶縁層１０４および第１回路パターン１０５を介して配置されている。パワー素子１０６と第１回路パターン１０５は、ワイヤ線１０７により電気的に接続されている。さらに従来の回路装置においては、金属ベース板１０３は、パワー素子１０６およびそれに繋がる第１回路パターン１０５が配置されている領域毎に分割され、隣り合う領域間に第２絶縁層１０８が設けられている。
【特許文献１】特開平１１−０７４４５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の従来の構成では、複数のパワー素子１０６がそれぞれ金属ベース板１０３に第１絶縁層１０４を介して配置されているため、パワー素子１０６から発生する熱は、パワー素子１０６が搭載された領域の第１絶縁層１０４を通して金属ベース板１０３に放熱される。しかしながら、第１絶縁層１０４の熱抵抗が大きいため、パワー素子１０６から発生する熱は十分に金属ベース板１０３に放熱されないという問題点を有していた。
【０００５】
また、ワイヤ線１０７を介してパワー素子１０６と接続された第１回路パターン部分（パッド電極部分）において発生する熱に関しても、その下層の第１絶縁層１０４の熱抵抗が大きいため、金属ベース板１０３に十分に放熱されないという問題点を有していた。
【０００６】
本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、本発明の目的は、放熱性の優れた回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明のある態様の回路装置は、絶縁膜によって複数の領域に区画された金属基板と、金属基板の一方の面上に搭載され、この金属基板と電気的に接続された第１の回路素子および第２の回路素子と、を備え、第１の回路素子は、金属基板との接続部分に第１の電圧が印加され、第２の回路素子は、金属基板との接続部分に、第１の電圧とは異なる第２の電圧が印加され、第１の回路素子および第２の回路素子は、それぞれ異なる領域に設けられていることを特徴とする。ここで、回路素子は、ＬＳＩチップに代表される半導体素子、特にシリコン基板、ＳｉＧｅ基板もしくはＧａＡｓ基板の上に素子を形成した半導体素子である。また、回路素子は、Ａｌ２Ｏ３基板の上に受動回路素子を形成した受動素子でもよい。
【０００８】
この態様によると、金属基板との接続部分にそれぞれ異なる電圧が印加された回路素子（第１の回路素子と第２の回路素子）を、金属基板上に電気的に接続された状態で配置することができるので、回路素子から発生する熱がそれぞれの金属基板（区画された領域）に直接伝導されるため放熱効果が大きくなり、回路装置の耐熱信頼性が向上する。また、区画された領域間に介在する絶縁膜によって、回路素子から伝導する熱に起因した金属基板の伸びが吸収されるため、回路装置の反りが低減される。これにより、回路素子からの発熱による回路装置の信頼性低下を抑制することができる。
【０００９】
上記構成において、第１の回路素子および第２の回路素子は、金属基板に直接搭載されていることが好ましい。このようにすることで、回路素子（第１の回路素子、第２の回路素子）から発生する熱が金属基板に伝導されやすくなるので放熱効果が大きくなり、回路装置の耐熱信頼性がさらに向上する。
【００１０】
上記構成において、第１の回路素子および第２の回路素子が搭載された領域は、それぞれの回路素子の外縁を越えた位置に外縁を有していることが好ましい。このようにすることで、回路素子から発生する熱が、回路素子の面内で均一に金属基板に伝導されるため、回路素子の効率的な放熱が行えるようになる。
【００１１】
上記構成において、複数の領域は、ワイヤ接続用電極として機能する領域を含んでいてもよい。この場合、金属基板内のワイヤ接続用電極として用いる領域にワイヤ線が直接接続されるので、この接続部分において発生する熱が金属基板に直接伝導されるため放熱効果が大きくなり、回路装置の耐熱信頼性がさらに向上する。
【００１２】
上記構成において、絶縁膜は、伝熱促進用のフィラーが添加された樹脂膜からなることが好ましい。この場合、回路素子からその直下の領域の金属基板に伝導した熱の一部がさらに絶縁膜を介して隣接する領域の金属基板へ伝導されるため、回路素子を備える領域（区画された部分の金属基板）の放熱性能が向上し、回路装置の耐熱信頼性がさらに向上する。
【００１３】
上記構成において、金属基板の他方の面上に設けられ、区画された領域同士を電気的に接続する配線層をさらに備えることが好ましい。この態様によれば、金属基板に熱が直接伝導される状態を維持しつつ、区画された領域同士を容易に電気的に接続することができるので、金属基板の区画に関する設計自由度が増すことになる。この結果、回路装置の放熱性を向上させつつ、回路装置の省面積化を実現することが可能となる。
【００１４】
上記構成において、第１の回路素子および第２の回路素子の少なくともいずれかよりも発熱量の小さい第３の回路素子をさらに備え、第３の回路素子は、配線層の両面のうち金属基板が配置されている側と反対側の面上に搭載されていることが好ましい。この場合、発熱量が比較的大きな第１の回路素子や第２の回路素子が放熱性の高い金属基板の面上に搭載され、発熱量が第１の回路素子および第２の回路素子の少なくともいずれかよりも小さな第３の回路素子が配線層の面上に搭載されている。つまり、この態様によれば、発熱量の異なる複数の回路素子を金属基板または配線層に適宜搭載することで、放熱性を損なわずに実装面積の削減による小型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、放熱性の優れた回路装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を具現化した実施形態について図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１７】
（第１の実施形態）
図１および図２に基づいて、第１の実施形態の回路装置について説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る回路装置１００を構成する金属基板の区画状態を示す平面図である。この回路装置における金属基板２０は、熱伝導性に優れた銅（Ｃｕ）板からなり、後述する絶縁膜４によって回路素子１０ａ，１０ｂの搭載領域である銅板１ａ，１ｂやボンディングワイヤ１１ａ，１１ｂの接続領域（金属基板内のワイヤ接続用電極として用いる領域）である銅板１ｃ，１ｄ，１ｅのそれぞれを取り囲むように区画されている。
【００１９】
図２は、図１中のＸ−Ｘ’線に沿った回路装置１００の概略断面図である。この回路装置１００は、金属基板２０と、２つの回路素子１０ａ，１０ｂと、ボンディングワイヤ１１ａ，１１ｂと、封止樹脂層１２と、配線層３０とを備えている。
【００２０】
金属基板２０は、図１に示すように、絶縁膜４と、この絶縁膜４によって取り囲まれ区画された銅板１ａ〜１ｋ（図２中では銅板１ａ〜１ｇ）から構成される。銅板の区画は、たとえば、金属基板２０の上に搭載される回路素子ごとに行い、より好ましくは、金属基板２０との接続部分にそれぞれ異なる電圧が印加された回路素子ごとに行う。図２においては、金属基板２０との接続部分に所定の電圧が印加された回路素子１０ａと、金属基板２０との接続部分に、回路素子１０ａの電圧とは異なる電圧が印加された回路素子１０ｂとが、それぞれ区画された領域となる銅板１ａ，１ｂの上に搭載されている。また、回路素子１０ａ，１０ｂが搭載される銅板１ａ，１ｂは、それぞれ回路素子１０ａ，１０ｂの面積よりも大きく設けられ、それぞれの銅板１ａ，１ｂは回路素子１０ａ，１０ｂの外縁を越えた位置に外縁を有している。なお、本実施形態では、ボンディングワイヤの接続領域についても銅板を区画している。
【００２１】
ここで、絶縁膜４は、銅板（金属基板）を貫通するように設けられた溝３に埋め込まれ形成されている。絶縁膜４は、図３に示すように、エポキシ樹脂中に熱伝導率を高くするためのフィラー（充填材）４ａが添加された膜（伝熱促進用のフィラー４ａが添加された樹脂膜）である。具体的には、絶縁膜４は、エポキシ樹脂に、互いに異なる２種類の平均粒径の各々に対応するフィラー４ａ１および４ａ２を少なくとも含むフィラー４ａが約７５％の重量充填率で充填されている。このフィラー４ａ１および４ａ２の平均粒径は、それぞれ、約０．７μｍおよび約３μｍである。また、フィラー４ａ１（平均粒径：約０．７μｍ）および４ａ２（平均粒径：約３μｍ）は、図４に示すような頻度で充填されている。具体的には、フィラー４ａ１および４ａ２の配合比は、２：８である。このように互いに異なる２種類の平均粒径のフィラーを混在させることにより、粒径が大きいフィラー４ａ２との間に生じた隙間に粒径が小さいフィラー４ａ１が入り込むので、絶縁膜４にフィラー４ａをより密に充填することができる。この結果、絶縁膜４の熱伝導率を効果的に高めることができる。また、フィラー４ａ１および４ａ２の構成材料としては、絶縁膜４の熱伝導率を向上させることが可能なアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が用いられている。上記のようにフィラー４ａ１および４ａ２を充填することにより、絶縁膜４の熱伝導率は、約４．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）となる。なお、フィラーが添加されていないエポキシ樹脂の熱伝導率は約０．６Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
【００２２】
また、金属基板２０上には、図２に示すように、絶縁膜４と銅板１ａ〜１ｇを覆い、回路素子の搭載領域である銅板１ａ，１ｂの一部および金属基板２０のワイヤボンディング接続領域である銅板１ｃ、１ｄ，１ｅの一部に対応する部分に開口部を有するソルダーレジスト層９ａが形成されている。このソルダーレジスト層９ａは、金属基板２０の保護膜として機能する。
【００２３】
回路素子１０ａ，１０ｂは、金属基板２０との接続部分にそれぞれ異なる電圧が印加された回路素子である。たとえば、２つの回路素子がスイッチング動作を有する素子の場合には、電圧が印加された状態（オン状態）と電圧が印加されていない状態（オフ状態）とで互いに異なる電圧となる。回路素子１０ａ，１０ｂは、区画された金属基板２０の上に、それぞれ導電性材料からなる接着層（図示せず）を介して装着されている。この結果、区画された金属基板２０（銅板１ａ，１ｂ）は、それぞれ回路素子１０ａ，１０ｂと電気的に接続され、金属基板２０はそれぞれの回路素子に印加された電圧に維持される。
【００２４】
ボンディングワイヤ１１ａ，１１ｂは、アルミや金線などが採用され、金属基板２０上に搭載された回路素子１０ａ，１０ｂと金属基板２０の所定の領域（従来のパッド電極部分に相当する領域）とを電気的に接続している。
【００２５】
封止樹脂層１２は、金属基板２０の上に搭載された回路素子１０ａ，１０ｂを封止し、回路素子１０ａ，１０ｂを外界からの影響から保護している。封止樹脂層１２の材料は、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性の絶縁樹脂である。なお、封止樹脂層１２中には熱伝導性を高めるためのフィラーが添加されていてもよい。
【００２６】
配線層３０は、金属基板２０の他方の面（回路素子１０ａ，１０ｂが搭載された面とは反対側の面）に形成されており、絶縁膜５，７と導電膜（配線パターン）６，８とが交互に２回積層された構造を有する。この配線層３０によって、区画された金属基板２０同士の電気的な接続や外部接続端子（はんだボール）１３との電気的な接続がなされている。
【００２７】
なお、配線層３０は、図２に示すように、絶縁膜７と配線パターン８を覆うとともに外部接続端子１３の形成領域に対応する部分に開口部を有するソルダーレジスト層９ｂが形成されている。このソルダーレジスト層９ｂは、配線層３０の保護膜として機能する。
【００２８】
図５〜図９は、図２に示した第１の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。なお、図５〜図９は、図２と同様、図１中のＸ−Ｘ’線に沿った回路装置の断面図である。次に、図２および図５〜図９を参照して、本実施形態による回路装置の製造プロセスについて説明する。
【００２９】
まず、図５（Ａ）に示すように、銅板１（後工程で銅板１ａ〜１ｇとなる）の上に、リソグラフィ法により、後述する溝３が形成される領域のレジストが除去されたレジストパターン２が選択的に形成される。
【００３０】
図５（Ｂ）に示すように、ウェットエッチングを用いて、銅板１の露出部分がハーフエッチングされ、溝（凹部）３が形成された後、レジストパターン２が剥離される。
【００３１】
図５（Ｃ）に示すように、予め所定の割合でフィラー（充填材）４ａが含有された樹脂が塗布された後、スキージなどの掻取手段によって溝（凹部）３内に樹脂を埋め込み、絶縁膜４が形成される。
【００３２】
図５（Ｄ）に示すように、銅板１の裏面側（後述する回路素子が搭載される面とは反対側）が研削されることにより、溝（凹部）３に埋め込まれた絶縁膜４は裏面側において露出される。これにより、絶縁膜４と、この絶縁膜４によって区画された銅板１ａ〜１ｇとから構成される金属基板２０が形成される。
【００３３】
次に、図６（Ａ）に示すように、金属基板２０（銅板１）の裏面側に、エポキシ樹脂が塗布されることによって絶縁膜５が形成される。この絶縁膜５には、熱伝導率を高めるためのフィラーが添加されていてもよい。この後、絶縁膜５の表面上に銅箔６ｚが圧着される。なお、銅箔６ｚ付き絶縁膜５の積層体を予め用意し、金属基板２０（銅板１）の裏面側からこの積層体を熱圧着して貼り付けることによって、絶縁膜５および銅箔６ｚの形成を行ってもよい。
【００３４】
図６（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、ビアホール５ａ（図２参照）の形成領域に位置する銅箔６ｚが除去される。これにより、絶縁膜５のビアホール５ａの形成領域が露出される。
【００３５】
図６（Ｃ）に示すように、銅箔６ｚの上方（金属基板２０の裏面側）から炭酸ガスレーザまたはＵＶレーザを照射することによって、絶縁膜５の露出した表面から金属基板２０（銅板１）の表面に達するまでの領域が除去される。これにより、絶縁膜５に、絶縁膜５を貫通するビアホール５ａが形成される。
【００３６】
図６（Ｄ）に示すように、無電解めっき法を用いて、銅箔６ｚの表面およびビアホール５ａの内面上に、銅がめっきされる。続いて、電解めっき法を用いて、銅箔６ｚの表面およびビアホール５ａの内部がめっきされる。なお、本実施形態では、めっき液中に抑制剤および促進剤を添加することによって、抑制剤を銅箔６ｚの表面上に吸着させるとともに、促進剤をビアホール５ａの内面上に吸着させる。これにより、ビアホール５ａの内面上の銅めっきの厚みを大きくすることができるので、ビアホール５ａ内に銅を埋め込むことができる。その結果、図６（Ｄ）に示すように、絶縁膜５上に、導電膜６が形成されるとともに、ビアホール５ａ内に導電膜６が埋め込まれる。なお、この際、金属基板２０の上面側（後述する回路素子が搭載される面側）および金属基板２０の側面側にも導電膜６ａ（側面側の導電膜６ａは図示せず）が形成される。
【００３７】
次に、図７（Ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、導電膜６がパターニングされる。これにより、所定の配線パターンを有する導電膜６が形成される。
【００３８】
図７（Ｂ）に示すように、導電膜（配線パターン）６を覆うように、先の絶縁膜５と同じ材料からなるエポキシ樹脂が塗布されることによって、絶縁膜７が形成される。この後、絶縁膜７上に、銅箔８ｚが圧着される。なお、銅箔８ｚ付き絶縁膜７の積層体を予め用意し、金属基板２０（銅板１）の裏面側からこの積層体を熱圧着して貼り付けることによって、絶縁膜７および銅箔８ｚの形成を行ってもよい。
【００３９】
図７（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、ビアホール７ａ（図２参照）の形成領域に位置する銅箔８ｚが除去される。これにより、絶縁膜７のビアホール７ａの形成領域が露出される。
【００４０】
図７（Ｄ）に示すように、銅箔８ｚの上方（金属基板２０の裏面側）から炭酸ガスレーザまたはＵＶレーザを照射することによって、絶縁膜７の露出した表面から導電膜６の表面に達するまでの領域が除去される。これにより、絶縁膜７に、この絶縁膜７を貫通するビアホール７ａが形成される。
【００４１】
次に、図８（Ａ）に示すように、無電解めっき法を用いて、銅箔８ｚの表面およびビアホール７ａの内面上に、銅がめっきされる。続いて、電解めっき法を用いて、銅箔８ｚの上面およびビアホール７ａの内部がめっきされる。この際、めっき液中に、抑制剤および促進剤を添加することによって、抑制剤を銅箔８ｚの表面上に吸着させるとともに、促進剤をビアホール７ａの内面上に吸着させる。これにより、ビアホール７ａの内面上の銅めっきの厚みを大きくすることができるので、ビアホール７ａ内に銅を埋め込むことができる。その結果、絶縁膜７上に導電膜８が形成されるとともに、ビアホール７ａ内に導電膜８が埋め込まれる。なお、この際、金属基板２０の上面側（後述する回路素子が搭載される面側）および金属基板２０の側面側の導電膜６ａの表面にも導電膜８ａ（側面側の導電膜８ａは図示せず）が形成される。
【００４２】
図８（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、導電膜８がパターニングされる。これにより、所定の配線パターンを有する導電膜８が形成される。この結果、金属基板２０の裏面側に、絶縁膜５，７と導電膜（配線パターン）６，８とが交互に積層された構造を有する配線層３０が形成される。
【００４３】
図８（Ｃ）に示すように、金属基板２０の裏面側に保護膜（図示せず）を形成した後、金属基板２０の表面側および側面側に設けられた導電膜６ａおよび導電膜８ａがエッチングにより除去される。そして、エッチング後にこの保護膜が除去される。
【００４４】
次に、図９（Ａ）に示すように、金属基板２０（絶縁膜４および銅板１ａ〜１ｇ）を覆い、金属基板２０の回路素子の搭載領域である銅板１ａ，１ｂの一部および金属基板２０のワイヤボンディング接続領域である銅板１ｃ、１ｄ，１ｅの一部に対応する部分に開口部を有するソルダーレジスト層９ａが形成される。さらに、絶縁膜７と配線パターン８を覆い、外部接続端子１３の形成領域に対応する部分に開口部を有するソルダーレジスト層９ｂが形成される。ここで、ソルダーレジスト層９ａ，９ｂの形成は、開口部のないソルダーレジスト膜を両面同時に熱圧着して貼り付けた後、それぞれの領域に対応した開口部を形成するようにしてもよい。そして、銅板１ａおよび１ｂの上に、それぞれ導電性材料からなる接着層（図示せず）を介して回路素子１０ａ，１０ｂが装着される。これにより、銅板１ａ，１ｂは、それぞれ回路素子１０ａ，１０ｂと電気的に接続され、各回路素子には、金属基板２０との接続部分にそれぞれ異なる電圧が印加されることとなる。続いて、回路素子１０ａ，１０ｂと、金属基板２０のワイヤボンディング接続領域（従来のパッド電極部分に相当する領域）となる銅板１ｃ，１ｄ，１ｅとが、アルミや金線などのボンディングワイヤ１１ａ，１１ｂを介して電気的に接続される。
【００４５】
図９（Ｂ）に示すように、金属基板２０上の回路素子１０ａ，１０ｂを保護するために、回路素子１０ａ，１０ｂを覆うように、エポキシ樹脂からなる封止樹脂層１２が形成される。
【００４６】
最後に、図２に示したように、はんだ印刷法を用いて、導電膜８の表面（ソルダーレジスト層９ｂの開口部で露出した部分）に外部接続端子として機能するはんだボール１３が形成される。具体的には、樹脂とはんだ材をペースト状にした「はんだペースト」が、スクリーンマスクにより所望の箇所に印刷され、はんだ溶融温度に加熱されることで、はんだボール１３が形成される。
【００４７】
以上の工程により、本実施形態の回路装置を得ることができる。
【００４８】
本実施形態によれば、以下の通りの作用効果を奏するようになる。
【００４９】
（１）金属基板２０との接続部分にそれぞれ異なる電圧が印加された回路素子１０ａ，１０ｂを、金属基板２０（銅板１ａ，１ｂ）上に電気的に接続された状態で配置することができるので、回路素子１０ａ，１０ｂから発生する熱がそれぞれの金属基板２０（銅板１ａ，１ｂ）に直接伝導されるため放熱効果が大きくなり、回路装置の耐熱信頼性が向上する。
【００５０】
（２）区画された金属基板２０間に介在する絶縁膜４によって、回路素子１０ａ，１０ｂから伝導する熱に起因した金属基板２０（銅板１ａ，１ｂ）の伸びが吸収されるため、回路装置の反りが低減される。これにより、回路素子からの放熱による回路装置の信頼性低下を抑制することができる。
【００５１】
（３）回路素子１０ａ，１０ｂが搭載された銅板１ａ，１ｂは、それぞれの回路素子の外縁を越えた位置に外縁を有しているので、それぞれの回路素子から発生する熱が、回路素子１０ａ，１０ｂの面内で均一に銅板１ａ，１ｂに伝導されるため、回路素子１０ａ，１０ｂの効率的な放熱が行えるようになる。
【００５２】
（４）金属基板２０内においてワイヤ接続用電極として用いる領域（従来のパッド電極部分に相当する領域）の銅板１ｃ，１ｄ，１ｅに、回路素子１０ａ，１０ｂからのボンディングワイヤ１１ａ，１１ｂが直接接続されるので、この接続部分において発生する熱が金属基板２０（銅板１ｃ，１ｄ，１ｅ）に直接伝導されるため放熱効果が大きくなる。この結果、回路装置の耐熱信頼性がさらに向上する。
【００５３】
（５）絶縁膜４には、伝熱促進用のフィラーが添加されているので、たとえば、回路素子１０ａから直下の銅板１ａに伝導した熱の一部がさらに周囲を囲む絶縁膜４を介して隣接する銅板１ｃ，１ｄ，１ｈ，１ｊへ伝導されるため、回路素子１０ａを搭載する銅板１ａ部分の放熱性能が向上し、回路装置の耐熱信頼性がさらに向上する。
【００５４】
（６）金属基板２０に熱が直接伝導される状態を維持しつつ、区画された銅板同士を、配線層３０によって容易に電気的に接続することができるので、金属基板の区画に関する設計自由度が増すことになる。この結果、回路装置の放熱性を向上させつつ、回路装置の省面積化を実現することが可能となる。
【００５５】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る回路装置は、第１の実施形態で説明した回路装置１００のように金属基板上に回路素子が搭載されているだけでなく、金属基板とは反対側の配線層の上にも回路素子が搭載されている。このように構成することで、異なる機能を有する複数の回路素子を効率的に配置することができる。以下に、このような回路装置の一例として、小型のファンモータを駆動する回路装置について説明する。
【００５６】
図１１は、ファンモータを駆動するシステムの機能ブロック図である。制御部１３０は、温度センサやボタン等の操作部からの信号に基づいてファンモータ１４０を回転するための制御信号を生成しドライバ部１５０へ出力する。ドライバ部１５０は、パワー部１６０を駆動できる程度まで制御信号を増幅する。パワー部１６０は、増幅された制御信号に基づいてファンモータ１４０を直接駆動する。
【００５７】
制御部１３０は、静音化や低電力化の観点から高度な制御に対応できる構成であることが好ましい。具体的には、制御部１３０は、シグナルプロセッサ、ＲＡＭ、フラッシュメモリ等、微細ＣＭＯＳプロセスにより製造された部品等を備える。また、制御部１３０の電源電圧は、１．５Ｖ〜３Ｖ程度と低い。
【００５８】
ドライバ部１５０は、パワー部１６０が備えるパワーデバイスの構成に応じて設計されるが、ある程度電圧や電流を増幅する機能が必要とされる。例えば、バイポーラトランジスタ等のディスクリートデバイスがドライバ部１５０に好適である。
【００５９】
パワー部１６０は、ファンモータ１４０のような負荷を効率よく駆動させるために十分な駆動能力が要求される。例えば、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ等のディスクリートデバイスがパワー部に好適である。
【００６０】
図１１に示すようなシステムを実装するには、以下に示す実装技術が要求される。
【００６１】
（ｉ）高放熱実装技術
パワー部１６０が備えるパワーデバイスは、駆動しようとする機器の負荷が大きい場合にジュール熱による発熱が大きくなる。そのため、放熱性の高い基板への実装技術が必要となる。
【００６２】
（ｉｉ）高密度実装技術
微細ＣＭＯＳプロセスにより製造された部品を備える制御部１３０を高密度に実装するためには、多層・微細配線基板への実装技術が必要となる。
【００６３】
そこで、本実施形態に係る回路装置は、比較的発熱量が多いドライバ部１５０やパワー部１６０を構成するデバイスを放熱性のよい金属基板２０の一方の面上に搭載し、比較的発熱量の少ない制御部１３０を構成するデバイスを多層配線構造を備える配線層３０の一方の面上に搭載している。
【００６４】
図１２は、第２の実施形態に係る回路装置の概略断面図である。なお、回路装置２００は、回路装置１００と比較して配線層３０の一方の面上に回路素子を搭載している点が大きく異なる点であり、以下の説明では、第１の実施の形態で説明した内容を適宜省略する。
【００６５】
回路装置２００は、第１の実施の形態と同様に図５から図９に示す工程の後、図２に示す方法ではんだボール１３が形成される際に、回路素子１０ｃ，１０ｄが、配線層３０の導電膜８の上にはんだや導電性材料からなる接着層（図示せず）を介して装着されることで製造される。ここで、回路素子１０ａ，１０ｂは、発熱量が比較的大きな前述のドライバ部１５０やパワー部１６０として機能する。また、回路素子１０ｃ，１０ｄは、発熱量が比較的小さな前述の制御部１３０や受動素子等として機能する。つまり、回路素子１０ｃ，１０ｄは、回路素子１０ａ，１０ｂよりも発熱量が小さい。
【００６６】
これにより、回路装置２００は、発熱量が比較的大きなドライバ部１５０やパワー部１６０として機能する回路素子１０ａ，１０ｂを放熱性の高い金属基板の面上に搭載し、発熱量が比較的小さな制御部１３０として機能する回路素子１０ｃ，１０ｄを高密度実装が可能な配線層３０の両面のうち金属基板が配置されている側と反対側の面上に搭載することができる。つまり、回路装置２００によれば、図１１に示すシステムを一つにパッケージ化できるため、実装面積の削減による小型化や部品点数が減ることによる製造コストの削減を図ることができる。
【００６７】
また、回路装置２００では、ドライバ部１５０やパワー部１６０と制御部１３０とが、配線層３０の導電膜６，８やビアホール５ａ，７ａ内に埋め込まれた銅により一つのパッケージ内で接続されている。そのため、回路装置２００は、ドライバ部１５０やパワー部１６０と制御部１３０とを別々のパッケージにした場合と比較して、必要な接続ピンを削減することができる。また、回路装置２００は、ドライバ部１５０やパワー部１６０と制御部１３０とをワイヤで接続した場合と比較して、信号伝達の遅延を軽減することができる。
【００６８】
（金属基板の体積）
上述の各実施の形態に係る回路装置は、各回路素子が搭載される領域が絶縁膜によって区画されている。そのため、ある回路素子と、その回路素子が接合されている金属基板の一部とで一つの閉じた系が構成されていると考えられる。図１３は、回路素子とそれが搭載される金属基板の一部とで構成された系を説明するための模式図である。
【００６９】
図１３に例示するように、回路素子１０ａは、金属基板２０を構成する多数の銅板のうち銅板１ａに搭載されている。そのため、回路素子１０ａが駆動されることで発生する熱は、銅板１ａに優先的に拡散することになり、銅板１ａを介して放熱される。しかし、銅板１ａから放熱される熱量よりも回路素子１０ａで発生する熱量が多い場合、系全体の温度が徐々に高くなり、回路素子１０ａが故障したり、回路素子１０ａが銅板１ａから剥離してしまう可能性もある。
【００７０】
図１４は、回路素子の駆動が一時的にＯＮにされた場合の系の温度変化を模式的に示した図である。図１４に示すように、回路素子の駆動がＯＮになると系の温度は徐々に上昇し、回路素子の駆動がＯＦＦになったタイミングから少し遅れて徐々に低下する。この際の温度変化をΔＴとすると、この温度変化ΔＴが大きい場合、前述の回路素子の故障や剥離が発生しやすくなる。
【００７１】
そこで、回路素子１０ａに通電されている間の温度変化ΔＴを小さくするための対策として、銅板１ａの体積Ｖを大きくすることが考えられる。同じ発熱量の回路素子が装着されている場合、各銅板の体積Ｖが大きいほど熱容量が大きくなるため、系全体の温度変化ΔＴは小さくなり好ましい。しかし、体積Ｖが大きすぎると回路装置そのものが大型化してしまうため、各銅板の体積Ｖの上限については、回路装置を組み込む機器の大きさや装着する回路素子の発熱量に応じて適宜選択すればよい。
【００７２】
一方、各銅板の体積Ｖの下限については、以下の式（１）により決定するとよい。
【００７３】
【数１】
2007294863.tif 000003
【００７４】
ここで、式（１）の各記号は、Ｖ［ｍ３］：回路素子が装着された区画の金属基板の体積、Ｑ［Ｊ］：回路素子に通電されている間に生じる電力損失により発生する熱量、ρ［ｋｇ／ｍ３］：金属基板の密度、Ｃ［Ｊ／ｋｇ・Ｋ］：金属基板の比熱、ΔＴｔｈ［Ｋ］：回路素子の発熱によって系に不具合が発生しない温度変化の上限値である。
【００７５】
つまり、通電されている際の回路素子の発熱量Ｑ、回路素子が正常に機能する使用温度の上限と環境温度の差分から求められる温度変化の上限値ΔＴｔｈ、金属基板の材質から求められる密度ρ、比熱Ｃから、その回路素子が装着される区画の金属基板の体積Ｖの下限値が求められる。温度変化の上限値ΔＴｔｈは、例えば、Ｓｉの使用温度の上限が１５０℃、回路素子の環境温度が２５℃の場合、１２５［Ｋ］として求められる。
【００７６】
そこで、以下に銅板の体積Ｖの下限について一例を具体的に算出する。図１５は、本実施形態に係る回路素子に流れるパルス電流を模式的に示した図である。図１５に示す例では、回路素子には、１［Ａ］の電流Ｉが１サイクルごとに１０［ｓｅｃ］間通電されている。
【００７７】
回路素子のＯＮ抵抗Ｒｏｎ＝１［Ω］、１サイクルあたりの通電時間ｔ＝１０［ｓｅｃ］とすると、１サイクルあたりの回路素子における電力損失Ｑ＝Ｉ２×Ｒｏｎ×ｔ＝１０［Ｊ］となる。図１５に示すパルス電流が流れる回路素子が搭載された銅板の場合、銅の密度ρ＝８８８０［ｋｇ／ｍ３］、銅の比熱Ｃ＝０．３８６［Ｊ／ｋｇ・Ｋ］、温度変化の上限値ΔＴｔｈ＝１２５［Ｋ］として、式（１）より体積Ｖを算出すると以下の値になる。
【００７８】
Ｖ＝１０／（８８８０×０．３８６×１２５）＝２．３３４×１０−５［ｍ３］
したがって、この値よりも大きな体積の銅板に前述の回路素子を搭載すればよいことがわかる。
【００７９】
このように、各回路素子が装着される区画の金属基板の体積が式（１）を満たすように回路装置を設計することで、回路装置の動作信頼性を向上することができる。
【００８０】
なお、上記実施形態では、回路装置内において電位の異なる２つの回路素子が搭載された例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、３つ以上の回路素子が搭載された回路装置にも適用可能である。また、金属基板との接続部分に同じ電圧が印加される回路素子が複数含まれる場合に、区画された別々の金属基板（銅板）上にそれらの回路素子を搭載するようにしてもよい。このようにすることで、金属基板の区画に関する設計自由度がさらに増すことになる。この結果、回路装置の放熱性を向上させつつ、回路装置の省面積化を実現することが可能となる。また、金属基板（銅板）がさらに細分化されるので、回路素子から伝導する熱に起因した金属基板（銅板）の伸びが抑制されるため、回路装置の反りが低減される。
【００８１】
また、上記実施形態では、金属基板は厚さが均一であるが、これに限られない。たとえば、搭載される回路素子の高さ（厚さ）が高くなる（厚くなる）に応じて、回路素子が搭載される領域の金属基板（銅板）の厚さを薄くしてもよい。これによれば、金属基板の厚さが均一な回路装置に比べ、回路装置の高さを効率的に薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】第１の実施形態に係る回路装置を構成する金属基板の区画状態を示す平面図である。
【図２】図１中のＸ−Ｘ’線に沿った回路装置の概略断面図である。
【図３】第１の実施形態による回路装置の絶縁膜に充填されるフィラーの分布を示した模式図である。
【図４】第１の実施形態による回路装置の絶縁膜に充填されるフィラーの分布を示したグラフである。
【図５】第１の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】第１の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】第１の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】第１の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】第１の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１０】従来の回路装置の構造を概略的に示した断面図である。
【図１１】ファンモータを駆動するシステムの機能ブロック図である。
【図１２】第２の実施形態に係る回路装置の概略断面図である。
【図１３】回路素子とそれが搭載される金属基板の一部とで構成された系を説明するための模式図である。
【図１４】回路素子の駆動が一時的にＯＮにされた場合の系の温度変化を模式的に示した図である。
【図１５】本実施形態に係る回路素子に流れるパルス電流を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  銅板
１ａ〜１ｇ  区画された銅板
３  溝（凹部）
４  絶縁膜（伝熱促進用のフィラーが添加された樹脂）
５，７  絶縁膜
６，８  導電膜（配線パターン）
９ａ，９ｂ  ソルダーレジスト層
１０ａ，１０ｂ  回路素子
１１ａ，１１ｂ  ボンディングワイヤ
１２  封止樹脂層
１３  外部接続端子（はんだボール）
２０  金属基板
３０  配線層
【図１】
2007294863.tif 000004
【図２】
2007294863.tif 000005
【図３】
2007294863.tif 000006
【図４】
2007294863.tif 000007
【図５】
2007294863.tif 000008
【図６】
2007294863.tif 000009
【図７】
2007294863.tif 000010
【図８】
2007294863.tif 000011
【図９】
2007294863.tif 000012
【図１０】
2007294863.tif 000013
【図１１】
2007294863.tif 000014
【図１２】
2007294863.tif 000015
【図１３】
2007294863.tif 000016
【図１４】
2007294863.tif 000017
【図１５】
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