(57)【要約】【課題】ウェーハの裏面のうちデバイス領域に相当する部分を研削してその外周側にリング状補強部を形成する場合において、結晶方位識別部による影響を受けずにリング状補強部による充分な強度を確保する。【解決手段】外周側面１４から結晶方位識別部１５が突出する形状にウェーハ１を形成する。デバイス領域１２の裏面側を研削しても、研削される部分が結晶方位識別部１５に達しないため、デバイス領域１２の外周側に残存するリング状補強部は、充分な強度を確保することができ、その後の搬送等の取り扱いが容易となる。【選択図】図１
2007095909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスが形成されたウェーハであって、
該ウェーハの外周側面から結晶方位識別部が突出して形成されているウェーハ。
【請求項２】
複数のデバイスが形成されたウェーハであって、
外周に面取り部が形成され、該面取り部の側面から該ウェーハの中心方向に向けて該面取り部の幅以下の深さを有する凹状の結晶方位識別部が形成されているウェーハ。
【請求項３】
前記凹状の結晶方位識別部の深さは０．５ｍｍ以下である請求項２に記載のウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶方位を識別するための識別部が形成されたウェーハに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図９及び図１０に示すように、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスＤがそれぞれの表面５０、６０側に複数形成されたウェーハ５、６は、ダイシング装置等の分割装置によって個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている。
【０００３】
ウェーハは、電子機器の小型化、軽量化等を図るべく、裏面の研削によりその厚さが５０μｍ以下、３０μｍ以下というように極めて薄く形成されるため、その後の搬送等の取り扱いが容易ではないという問題がある。
【０００４】
そこで、本出願人は、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄く形成する際に、図９及び図１０に示すウェーハ５、６において、デバイスＤが形成されているデバイス領域５１、６１の裏面のみを研削し、デバイス領域５１、６１の外周側の外周余剰領域５２、６２は研削せずに元の厚さのままとしてリング状補強部を形成し、薄くなったウェーハのその後の搬送等の取り扱いを容易とする発明について特許出願した（特願２００５−１６５３９５）。なお、現時点において、かかる発明に類似する公知文献は発見できない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ウェーハには、結晶方位を識別するための結晶方位識別部が外周余剰領域５２、６２からデバイス領域５１、６１にかけて形成されている。具体的には、図９に示すウェーハ５においては、結晶方位識別部として、切り欠き上のオリエンテーションノッチ５３が形成されている。また、図１０に示すウェーハ６においては、結晶方位識別部として、フラットな面であるオリエンテーションフラット６３が形成されている。いずれのウェーハにおいても、結晶方位識別部は、外周余剰領域５２，６２の一部が切り欠いて構成され、デバイス領域５１、６１にも達しているため、デバイス領域５１、６１の裏面側を研削すると、研削された部分がオリエンテーションノッチ５３またはオリエンテーションフラット６３に達してしまい、外周余剰領域５２、６２を残存させても、十分な補強ができないという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、ウェーハの裏面のうちデバイス領域に相当する部分を研削してその外周側にリング状補強部を形成する場合において、結晶方位識別部の影響を受けずにリング状補強部による充分な強度を確保することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明を構成する第一の発明は、複数のデバイスが形成されたウェーハであって、ウェーハの外周側面から結晶方位識別部が突出して形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明を構成する第二の発明は、複数のデバイスが形成されたウェーハであって、外周に面取り部が形成され、面取り部の側面からウェーハの中心方向に向けて面取り部の幅以下の深さを有する凹状の結晶方位識別部が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
第二の発明において、凹状の結晶方位識別部の深さは０．５ｍｍ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
ウェーハの外周側面から結晶方位識別部が突出して形成されているウェーハや、外周に面取り部が形成され面取り部の側面から面取り部の幅以下の深さを有する凹状の結晶方位識別部が形成されているウェーハにおいては、結晶方位識別部がデバイス領域に達しない状態で形成されているため、裏面のうちデバイス領域に相当する部分を所望の厚さになるまで研削しても、研削された部分が結晶方位識別部に達しないため、リング状補強部により充分な強度が確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
最初に、本発明の第一の例として、図１に示すウェーハ１について説明する。図１に示すウェーハ１の表面１０には、縦横に形成されたストリートＳによって区画されて複数のデバイスＤが形成されている。デバイスＤが形成された２点鎖線の内側部分がデバイス領域１２を構成している。デバイス領域１２の外周側には、デバイスが形成されていない部分である外周余剰領域１３が形成されている。
【００１２】
ウェーハ１の外周側面１４からは、結晶方位識別部であるオリエンテーション凸部１５が外周側に向けて突出して形成されている。このオリエンテーション凸部１５は、例えば、インゴットの外周を研磨して断面を円形に整える際に、その一部を研磨せずに残すことで形成することができる。
【００１３】
このウェーハ１は、図２に示す裏面１１を研削することにより所望の厚さに形成されるが、裏面１１を研削する前に、図２に示すように、表面１０に保護テープ３が貼着される。そして、例えば図３に示す研削装置４を用いて裏面を研削する。
【００１４】
この研削装置４は、ウェーハを保持するチャックテーブル４０と、チャックテーブル４０に保持されたウェーハに対して研削を施す研削部４１とを備えている。研削部４１は、垂直方向の軸心を有する回転軸４２と、回転軸４２の下端に装着されたホイール４３と、ホイール４３の下面に固着された砥石部４４とから構成される。ウェーハ１は、保護テープ３側がチャックテーブル４０によって保持され、裏面１１が露出した状態となる。
【００１５】
そして、チャックテーブル４０が回転すると共に、ホイール４３が回転しながら研削部４１が下降することにより、回転する砥石部４４がウェーハ１の裏面１１に接触して研削が行われる。このとき砥石部４４は、ウェーハ１の表面１０に形成されたデバイス領域１２（図２参照）の裏側に接触させ、その外周側は研削しないようにする。そして、デバイス領域１２の裏側が所望量研削されると、研削を終了する。
【００１６】
こうして、裏面１１のうちデバイス領域１２に相当する領域のみを研削することにより、図３及び図４に示すように、デバイス領域１２の裏面側には凹部１６が形成され、凹部１６の外周側には、研削前の厚さを維持したリング状補強部１７が形成される。例えば、リング状補強部１７の幅は２〜３ｍｍ程度あればよい。また、リング状補強部１７の厚さは数百μｍあることが望ましい。一方、デバイス領域１２の厚さは３０μｍ程度にまで薄くすることができる。
【００１７】
図４に示すウェーハ１においては、オリエンテーション凸部１５が外周側に突出して形成されているため、デバイス領域１２の裏面側を研削しても、研削された部分がオリエンテーション凸部１５に達しないため、元の厚さを維持したリング状補強部１７によって充分な補強がなされ、その後の搬送等の取り扱いが容易となる。
【００１８】
次に、本発明の第二の例として、図５に示すウェーハ２について説明する。図１に示したウェーハ１と同様に、図５に示すウェーハ２の表面２０には、縦横に形成されたストリートＳによって区画されて複数のデバイスＤが形成されている。デバイスＤが形成された形成された２点鎖線の内側部分がデバイス領域２２を構成している。デバイス領域２２の外周側には、デバイスが形成されていない部分である外周余剰領域２３が形成されている。
【００１９】
ウェーハ１の外周側面２４の一部には、結晶方位識別部であるオリエンテーション凹部２５がウェーハ２の中心方向に向けて凹状に形成されている。このオリエンテーション凹部２５は、例えば、インゴットの外周を研磨して断面を円形に整えた後に、その一部を研磨することによって形成することができる。
【００２０】
図６に示すように、ウェーハＷの外周側面２４は面取りされており、断面が半円、半楕円状等に形成された面取り部２８が形成されている。面取り部２８の幅Ｌは、外周側面２４の最端部からウェーハＷの中心部に向けて１〜２ｍｍ程度であり、面取り部２８は、外周余剰領域２３に形成され、デバイス領域２２には達していない。
【００２１】
オリエンテーション凹部２５は、面取り部の幅Ｌ以下の深さＤを有する。面取り部２８の幅Ｌが１ｍｍの場合は、オリエンテーション凹部２５の深さは、ウェーハＷの中心部に向けて０．５ｍｍ以下である。
【００２２】
このウェーハ２は、図７に示す裏面２１を研削することにより所望の厚さに形成されるが、裏面２１を研削する前に、図７に示すように、表面２０に保護テープ３が貼着される。そして、例えば図３に示した研削装置４を用いて裏面を研削する。研削の方法は、ウェーハ１の場合と同様である。
【００２３】
裏面２１のうちデバイス領域２２に相当する領域のみを研削することにより、図８に示すように、デバイス領域２２の裏面側には凹部２６が形成され、凹部２６の外周側には、研削前の厚さを維持したリング状補強部２７が形成される。
【００２４】
図８に示すウェーハＷにおいては、オリエンテーション凹部２５がウェーハＷの中心側に向けて凹状に形成されているが、その深さが面取り部２８の幅より小さく、面取り部２８は外周余剰領域２３に形成され、デバイス領域には達していないため、デバイス領域２２の裏面側を研削しても、研削された部分がオリエンテーション凹部２５に達しないため、元の厚さを維持したリング状補強部２７によって充分な補強がなされ、その後の搬送等の取り扱いが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】ウェーハの外周側面から結晶方位識別部が突出して形成されているウェーハの一例を示す平面図である。
【図２】同ウェーハの表面に保護テープを貼着する状態を示す斜視図である。
【図３】同ウェーハの裏面のうちデバイス領域に相当する部分を研削する状態を示す斜視図である。
【図４】同ウェーハの研削後の状態を示す断面図である。
【図５】外周に面取り部が形成され、面取り部の側面から面取り部の幅以下の深さを有する凹状の結晶方位識別部が形成されているウェーハの一例を示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線断面図である。
【図７】同ウェーハの表面に保護テープを貼着する状態を示す斜視図である。
【図８】同ウェーハの研削後の状態を示す断面図である。
【図９】オリエンテーションノッチが形成されたウェーハを示す平面図である。
【図１０】オリエンテーションフラットが形成されたウェーハを示す平面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１：ウェーハ
１０：表面
Ｄ：デバイス  Ｓ：ストリート
１２：デバイス領域
１１：裏面
１６：凹部
１３：外周余剰領域
１４：外周側面  １５：オリエンテーション凸部
１７：リング状補強部
２：ウェーハ
２０：表面
Ｄ：デバイス  Ｓ：ストリート
２２：デバイス領域
２１：裏面
２６：凹部
２３：外周余剰領域
２４：外周側面  ２５：オリエンテーション凹部
２７：リング状補強部
２８：面取り部
３：保護テープ
４：研削装置
４０：チャックテーブル  ４１：研削部  ４２：回転軸  ４３：ホイール
４４：砥石部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007095909.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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