(57)【要約】【課題】温度に強く依存するガススプリングの保持力あるいは操作時の緩やかな動作を温度に依存しないようにシリンダ・ピストンユニットの特性を安定させる制御弁を提供する。【解決手段】シリンダ・ピストンユニット１の収縮時は押し込みガス容室６の圧縮ガスは矢印ｂ１、ｂ２、ｂ３の経路でピストン円周部のガス流路１１、ピストンリング溝８、ピストン内部の円環状のガス流路１２を通って引き出しガス容室５に移動する。ユニット伸長時は引き出しガス容室５の圧縮ガスは矢印ａ１、ａ２、ａ３の経路で円環状のガス流路１２、弁座流路１９を通って押し込みガス容室６に移動する。設定温度を超えると弁座１３は開放され、設定温度以下で弁座１３が遮蔽される。遮蔽時における伸長時の強制操作で弁座１３からボール弁１４が押し出されてもバイメタルディスク１５にかかる応力を螺旋バネ１８が吸収する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダとピストンにより少なくとも２つに分割されそれぞれ圧縮ガスが充填された密閉空間において前記ピストンに設けられ前記ピストンの運動方向に依存するシリンダ・ピストンユニットの制御弁であって、
切り替え温度を設定され、周囲温度の前記切り替え温度に依存して、弁を弁座に押圧又は押圧から開放する動作を切り替える熱応動体と、
該熱応動体を前記弁を押圧する方向に付勢する付勢部材と、
を有することを特徴とする制御弁。
【請求項２】
前記弁はボール弁であり、
前記熱応動体は前記設定された切り替え温度で反り返り方向を反転させるリング型バイメタルであり、
前記付勢部材は前記リング型バイメタルの内径側を押圧するように配置されたコイルバネであり、
前記リング型バイメタルはその外径側を反転動作の自由端として動作することを特徴とする請求項１記載の制御弁。
【請求項３】
前記弁はボール弁であり、
前記熱応動体は前記設定された切り替え温度で反り返り方向を反転させるリング型バイメタルであり、
前記付勢部材は前記リング型バイメタルの内径側を押圧するように配置された皿バネであり、
前記リング型バイメタルはその外径側を反転動作の自由端として動作することを特徴とする請求項１記載の制御弁。
【請求項４】
前記弁はリーフ弁であり、
前記熱応動体は前記設定された切り替え温度で反り返り方向を反転させるリング型バイメタルであり、
前記付勢部材は前記リング型バイメタルの内径側を押圧するように配置されたコイルバネであり、
前記リング型バイメタルはその外径側を反転動作の自由端として動作することを特徴とする請求項１記載の制御弁。
【請求項５】
前記弁はボール弁であり、
前記熱応動体はリング状外縁部と該リング状外縁部に円周部の一部で一体となる連結部を有する内円板部とからなるクリープ型の板バイメタルであり、
前記付勢部材は前記板バイメタルの前記リング状外縁部を押圧するように配置されたコイルバネであり、
前記板バイメタルは前記内円板部の前記リング状外縁部に一体に連結された円周部の反対側円周部を反転動作の自由端として動作することを特徴とする請求項１記載の制御弁。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ピストン・シリンダユニット等に用いられる制御弁に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば自動車のリアフラップ（テールゲートともいう）の開閉部に配設されてリアフラップの急激な開閉動作を緩衝する装置として、ガススプリングの構造を備えたピストン・シリンダユニットが知られている。
【０００３】
例としては、例えばシリンダ内に圧縮ガスを充填したガススプリングの構成で、温度依存性の弾性体としてバイメタルディスクを使用し、周囲温度の変化によるガススプリングの保持力の変化を吸収して、ガススプリングの保持力を一定範囲内に維持するようにしたものが提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
この技術は、ピストンロッドを無垢棒ではなく空洞の筒状体に構成し、この筒状体のピストンロッドの内部空洞を温度補償用ガス容室とし、バイメタルディスクの周囲温度の変化による反転動作で温度補償用ガス容室のガス通路を開閉するものである。
【０００４】
また、温度に依存して切り替えを行うために平板状のバイメタルをコの字型に成形して使用しているものも提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
この技術においては、バイメタルが組み込まれたピストン部がシリンダ内部で上方に運動する場合、上方室のガスが下方室に移動する際の流路は、外周側がパッキンで止められているので、中央の制御弁部に集中する。周囲温度が高く、ガス温度が高い場合、両方のガス圧力も高く、ピストン棒の保持力は十分に保たれる。
【０００５】
しかし、周囲温度が低下するにつれシリンダの容積が変化しないにも関わらず、ガス体積の温度依存性のためにガスの圧力が低下して、シリンダの操作に必要な力が変化する。これに対処するために、バイメタル板の温度による変位によって、制御弁を閉じる方向の押圧力を変化させ、これにより、シリンダの操作に必要な力を一定に保たせると言うものである。
【特許文献１】特開平０９−１２６２６２号公報（［要約］、図１、図２、図３）
【特許文献２】特開平１１−２７０６１２号公報（［要約］、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の技術は、周囲温度に対応する制御が比較的容易であるとはいえるが、ピストンロッドの内部を空洞にして温度補償用ガス容室としているため、ピストンロッドが大型化する。すなわちピストン・シリンダユニット全体が大型化するという問題を有している。また、そればかりでなく、弁近傍の構造も複雑であり、その組み立てには高度の技術と手数を要するという問題もある。
【０００７】
また、特許文献２の技術は、バイメタル板は構造が簡単であるが、このバイメタル板は温度変化で連続的に変位するため設定温度の管理では、設定温度での姿勢や位置を確認する必要があり、又設定の精度の管理も容易ではない。さらに、バイメタル自体に必要以上の外部応力が作用すると設定特性が変化するため、異常な高温、強引な操作により特性変化を起こす虞が多分にある。
【０００８】
本発明の課題は、温度に強く依存するガススプリングの保持力あるいは操作時の緩やかな動作を温度に依存しないようにシリンダ・ピストンユニットの特性を安定させる制御弁を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の制御弁は、シリンダとピストンにより少なくとも２つに分割されそれぞれ圧縮ガスが充填された密閉空間において上記ピストンに設けられ上記ピストンの運動方向に依存するシリンダ・ピストンユニットの制御弁であって、切り替え温度を設定され、周囲温度の上記切り替え温度に依存して、弁を弁座に押圧又は押圧から開放する動作を切り替える熱応動体と、該熱応動体を上記弁を押圧する方向に付勢する付勢部材と、を有して構成される。
【００１０】
この制御弁は、例えば、上記弁はボール弁であり、上記熱応動体は上記設定された切り替え温度で反り返り方向を反転させるリング型バイメタルであり、上記付勢部材は上記リング型バイメタルの内径側を押圧するように配置されたコイルバネであり、上記リング型バイメタルはその外径側を反転動作の自由端として動作するように構成することができる。
【００１１】
また、この制御弁は、例えば、上記弁はボール弁であり、上記熱応動体は上記設定された切り替え温度で反り返り方向を反転させるリング型バイメタルであり、上記付勢部材は上記リング型バイメタルの内径側を押圧するように配置された皿バネであり、上記リング型バイメタルはその外径側を反転動作の自由端として動作するように構成してもよい。
【００１２】
また、この制御弁は、例えば、上記弁はリーフ弁であり、上記熱応動体は上記設定された切り替え温度で反り返り方向を反転させるリング型バイメタルであり、上記付勢部材は上記リング型バイメタルの内径側を押圧するように配置されたコイルバネであり、上記リング型バイメタルはその外径側を反転動作の自由端として動作するように構成することもできる。
【００１３】
また、この制御弁は、例えば、上記弁はボール弁であり、上記熱応動体はリング状外縁部と該リング状外縁部に円周部の一部を一体に連結された内円板部とからなるクリープ型の板バイメタルであり、上記付勢部材は上記板バイメタルの上記リング状外縁部を押圧するように配置されたコイルバネであり、上記板バイメタルは上記内円板部の上記リング状外縁部に一体に連結された円周部の反対側円周部を反転動作の自由端として動作するように構成してもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、シリンダ内のガスの温度依存性を解決するための制御弁にバイメタルと圧縮バネとを組み合わせて使用する。これにより、弁にかかる圧力による応力を圧縮バネにより吸収させてバイメタルへ作用する応力を制限することができ、したがって、バイメタルの特性変化を無くして安定性のある制御弁を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１(a),(b) は、第１の実施形態におけるシリンダ・ピストンユニットの制御弁の構成及び動作状態を示す図であり、同図(c) は、この制御弁に使用されるリング型バイメタルの形状を示す図である。
【００１７】
尚、図１(b) は、図１(a) と同一構成であるので、動作説明に必要な構成部分にのみ図１(a) と同一の番号を付与して示している。
図１(a),(b) に示すように、シリンダ・ピストンユニット１は、シリンダ２と、ピストン部３と、ピストンロッド４とを備えている。ピストンロッド４は、シリンダ２の内部に引き込まれた端部にピストン部３を固定されている。
【００１８】
シリンダ２の内部は、ピストン部３によって、引き出しガス容室５と押し込みガス容室６の少なくとも２つの作業室に分割されている。これら２つの作業室には所定の圧縮ガスが充填されている。
【００１９】
また、ピストンロッド４は、シリンダ２への挿通部においてパッキング７と摩擦接触しており、これにより、引き出しガス容室５は外部より密封閉鎖されている。
また、ピストン部３の周囲にはピストンリング溝８が形成されている。このピストンリング溝８にピストンリング９が外嵌している。ピストンリング９はピストンリング溝８内において軸方向に可動であり且つシリンダ２の内壁に摩擦接触している。
【００２０】
ピストン部３には、ピストンリング溝８と押し込みガス容室６との間に位置する週面の一部に、軸方向に沿ってガス流路１１が形成されている。
更に、ピストン部３には押し込みガス容室６側を閉鎖され、引き出しガス容室５側に全面開口する円環状の空洞からなるガス流路１２が形成されている。このガス流路１２は、一部において、ピストンリング溝８及び弁座１３に連通している。
【００２１】
弁座１３には、ボール弁１４が離接可能に配設されている。このボール弁１４に対して弁座１３の反対側に、リング型のバイメタルディスク１５がその外径側を対応させて配置されている。
【００２２】
バイメタルディスク１５は、図１(c) に示すように、中央部に孔１６の空いたドーナツ形状で、外径内径ともに略真円をなし、設定温度で反り返り方向を反転するスナップ動作を行うバイメタルディスクである。
【００２３】
図１(a) に示すように、ピストン部３と、このピストン部３から押し込みガス容室６内に突出するピストンロッド４の最端部の潰しカシメ部４−１との間に、横に張り出すフランジを上下に形成された筒状の位置決め保持部材１７が外嵌している。
【００２４】
この位置決め保持部材１７のピストン部３側のフランジに当接して、バイメタルディスク１５が孔１６を介して外嵌している。更に、螺旋バネ１８が、位置決め保持部材１７に外嵌し、位置決め保持部材１７の押し込みガス容室６側のフランジとバイメタルディスク１５との間に介装されている。
【００２５】
これにより、バイメタルディスク１５の内径側すなわち孔１６の周辺部は、常に螺旋バネ１８により、位置決め保持部材１７のピストン部３側のフランジに、つまりピストン部３側に押圧されている。
【００２６】
尚、図１(a),(b) において、ピストンロッド４の潰しカシメ部４−１と、シリンダ２の押し込みガス容室６の図外となる左側端部にある底面との間に配設されている螺旋押しバネは図示を省略している。
【００２７】
本例において、バイメタルディスク１５が反り返り方向を反転する動作温度は、例えば、０℃に設定される。そして、図１(a) は設定温度である０℃を超える状態を示している。すなわち、ピストン部３において、バイメタルディスク１５、ボール弁１４、及び弁座１３とから成る制御弁は、開いた状態である。
【００２８】
この状態において、ピストンロッド４が矢印ａで示すようにシリンダ２から引き出されたときは、ピストンリング９が、図に実線で示すように、ピストンリング溝８内において相対的に押し込みガス容室６側に移動する。したがって、ピストンリング溝８と押し込みガス容室６との間のガス流路１１は閉鎖される。
【００２９】
ただし、制御弁が開いているので、ピストンロッド４の引き出しによって断熱圧縮されて圧力の高まった引き出しガス容室５のガスは、円環状のガス流路１２に矢印ａ１で示すように流入し、弁座１３の流路１９に矢印ａ２で示すように流入し、開いた制御弁の隙間を通って矢印ａ３で示すように押し込みガス容室６に流入する。
【００３０】
この状態構成において、周囲温度が十分に高い場合は、シリンダ２内部のガス圧は十分に高く保たれており、制御弁が開いた状態でもシリンダ・ピストンユニット１を保持またはピストンロッド４の緩やかな引き出し状態を維持できる。
【００３１】
一方、この状態でシリンダ・ピストンユニット１が強制的に操作された、つまりピストンロッド４が強制的に引き出し方向に移動された場合に、ガス圧に押されたボール弁１４がバイメタルディスク１５を押し出しても、バイメタルディスク１５は押し出され方向に在る螺旋バネ１８の収縮により外部応力が吸収されるので、特性変化を来すような影響を回避することができる。
【００３２】
また、ピストンロッド４が矢印ｂで示すようにシリンダ２内に押し込まれたときは、ボール弁１４が慣性で相対的に弁座１３方向に移動して弁座１３の流路を閉鎖する。但し、これと同時に、ピストンリング９が、図に破線で示すように、ピストンリング溝８内において相対的に引き出しガス容室５側に移動する。したがって、ピストンリング溝８と押し込みガス容室６との間のガス流路１１が開放される。
【００３３】
ピストンロッド４の押し込みによって断熱圧縮されて圧力の高まった押し込みガス容室６のガスは、矢印ｂ１で示すようにガス流路１１に流入し、矢印ｂ２で示すようにピストンリング溝８と通って円環状のガス流路１２に流入し、更に矢印ｂ３で示すように引き出しガス容室５に流入する。これにより２つの作業室のガス圧の不均衡が徐々に解消される。
【００３４】
図１(b) は設定温度である０℃以下の状態を示している。すなわち、ピストン部３において、バイメタルディスク１５、ボール弁１４、及び弁座１３とから成る制御弁は、閉じた状態である。
【００３５】
この状態において、ピストンロッド４が矢印ａで示すようにシリンダ２から引き出されたときは、この場合もピストンリング９が、図に実線で示すように、ピストンリング溝８内において相対的に押し込みガス容室６側に移動する。したがって、ピストンリング溝８と押し込みガス容室６との間のガス流路１１は閉鎖される。
【００３６】
そして、この場合は、制御弁も閉じているので、ピストンロッド４の引き出しによって引き出しガス容室５のガスは断熱圧縮される。引き出しガス容室５のガス圧は周辺温度が低温であるので、それほど高くはない。したがって断熱圧縮により程よいガス圧となって、シリンダ・ピストンユニット１を保持またはピストンロッド４の緩やかな引き出し状態を維持することができる。
【００３７】
ただし、引き出しガス容室５のガス圧が所定の限界を超えたときは、引き出しガス容室５の高圧となったガスが、図１の矢印ａ１、ａ２、及びａ３の流路に従ってボール弁１４を弁座１３から押し上げて、押し込みガス容室６に流入する。
【００３８】
また、ピストンロッド４が矢印ｂで示すようにシリンダ２内に押し込まれたときは、図１(a) で説明したと同様の状態になる。ただし、押し込みガス容室６には、前述したように、ピストンロッド４の潰しカシメ部４−１と、シリンダ２の押し込みガス容室６の図外となる左側端部にある底面との間に図示を省略した螺旋押しバネが配設されているので、周辺温度の高低に拘わりなく、つまり２つの作業室内のガス圧に拘わりなく、急激な動作は回避される。
【００３９】
一般に、スナップ型のバイメタルディスクは、設定温度を容易に変更できると共に設定された温度での反転動作が正確であるので、スナップ型のバイメタルディスクを制御弁に使用すると設定温度の管理が容易となる。
【００４０】
また、本例では、スナップ型のバイメタルディスクと圧縮バネとを組合せているので、制御弁としての動作が明確になり、過度の操作によるバイメタルの特性変化を防止することができる。
【実施例２】
【００４１】
図２(a),(b) は、第２の実施形態におけるシリンダ・ピストンユニットの制御弁の構成及び動作状態を示す図である。尚、図２(a),(b) においては、図１(a) と構成が異なる部分には新たな番号を付与し、図１(a) と構成が同一で説明に必要な部分には図１(a) と同一の番号を付与し、その他の部分には番号の付与を省略している。
【００４２】
図２(a),(b) に示すように、本例においては、螺旋バネ１８に代わって２枚の皿バネ２１が、位置決め保持部材１７に外嵌し、位置決め保持部材１７の押し込みガス容室６側のフランジとバイメタルディスク１５との間に介装されている。
【００４３】
これら２枚の皿バネ２１、バイメタルディスク１５、ボール弁１４、及び弁座１４からなる制御弁の動作及び作用は、図１(a),(b) の場合と同様である。
尚、本例では、螺旋バネの代わりに２枚の皿バネをバイメタルディスクに組み合わせた例を示しているが、皿バネは２枚と限ることなく、例えば１枚でもよく、また３枚以上用いるようにしてもよい。
【実施例３】
【００４４】
図３(a),(b) は、第３の実施形態におけるシリンダ・ピストンユニットの制御弁の構成及び動作状態を示す図であり、同図(c) は、この制御弁に使用されるリーフ弁の形状を示す図である。
【００４５】
尚、図３(a),(b) においては、図１(a) と構成が異なる部分には新たな番号を付与し、図１(a) と構成が同一で説明に必要な部分には図１(a) と同一の番号を付与し、その他の部分には番号の付与を省略している。
【００４６】
図３(a),(b) に示すように、本例においては、図１のボール弁１４に代わって図３(c) に示す１枚のリーフ弁２２が使用される。リーフ弁２２は、図３(c) に示すように、中央部に孔２３の空いたドーナツ形状で、外径内径ともに略真円をなす板バネである。
【００４７】
本例では、図１(a) におけるボール弁１４の収容部が図３(a) に示すように弁座２４を形成する。この場合も、バイメタルディスク１５により弁体の制御を行う。
図３(a) では、所定温度を超えた状態を示し、バイメタルディスク１５はリーフ弁２２の弁体を開放状態としている。リーフ弁２２自体は、弁体を閉じる位置にあるが、シリンダ・ピストンユニット１の伸長動作、すなわちピストンロッド４の引き出し動作でのガス移動を制御する状態ではない。
【００４８】
すなわち、ピストンロッド４の引き出しによって圧縮された引き出しガス容室５のガスは、リーフ弁２２の弁体を押し込みガス容室６側に押し出すようにして、リーフ弁２２の弁体と弁座２４との間に出来た間隙を通って押し込みガス容室６側に流入する。
【００４９】
このとき、過度のガス移動が生じて、ガス流のガス圧がリーフ弁２２の外周部を押し込みガス容室６側に大きく押したとしても、リーフ弁２２の背後のバイメタルディスク１５と圧縮バネ（ここでは螺旋バネ１８を示す）が応力を吸収し、リーフ弁２２を保護することができる。
【００５０】
図３(b) は、所定温度以下の制御弁として動作した状態を示す。バイメタルディスク１５と圧縮バネ（螺旋バネ１８）がリーフ弁２２を背後から押圧している。
この場合も、強制操作時における引き出しガス容室５からの高いガス圧がかかった場合でも、圧縮バネが応力を吸収し、バイメタルディスク１５やリーフ弁２２を保護するようになっている。
【００５１】
以上、第１乃至第３の実施形態では、いずれも熱応動体としてスナップ型のバイメタルディスク１５を用いているが、これに限ることなく、圧縮バネとの組合せでは、温度変化に応じて変位する熱応動体としてクリープ型のバイメタルディスクと組み合わせても良い。これを、第４の実施形態として以下に説明する。
【実施例４】
【００５２】
図４(a),(b) は、第４の実施形態におけるシリンダ・ピストンユニットの制御弁の構成及び動作状態を示す図であり、同図(c) は、この制御弁に使用されるクリープ型バイメタルの形状を示す図である。
【００５３】
尚、図４(a),(b) においては、図１(a) と構成が異なる部分には新たな番号を付与し、図１(a) と構成がほぼ同一で説明に必要な部分には図１(a) と同一の番号を付与し、その他の部分には番号の付与を省略している。
【００５４】
図４(a),(b) に示すように、本例においては、シリンダ・ピストンユニットの伸長時のガス流動部の弁にはボール弁１４を用い、この弁押さえとしての圧縮バネと熱応動体には、図１の螺旋バネ１８及びバイメタルディスク１５に代わって、大径の螺旋バネ２５及びクリープ型バイメタルディスク２６が使用される。
【００５５】
クリープ型バイメタルディスク２６は、図４(c) に示すように、リング状外縁部２７と、このリング状外縁部２７に円周部の一部で一体となる連結部２８を有する内円板部２９とで構成される板バイメタルである。
【００５６】
内円板部２９は中央部に大径の孔３１の空いたほぼドーナツ形状である。この内円板部２９とリング状外縁部２７との連結部２８を含む円周上に設けられている小径の２つの孔３２は、リング状外縁部２７と内円板部２９とをの切り離し部分の間隙３３とで全体のバランスをとるために切り欠かれた孔である。
【００５７】
大径の螺旋バネ２５は、クリープ型バイメタルディスク２６のリング状外縁部２７を押圧するように配置される。
このように大径の螺旋バネ２５によってリング状外縁部２７を押さえられてリング状外縁部２７をピストン座に固定されたクリープ型バイメタルディスク２６は、内円板部２９のリング状外縁部２７に一体に連結された円周部（連結部２８）の反対側円周部３４を反転動作の自由端として動作する。
【００５８】
図４(a) は、所定温度を超えた状態を示し、クリープ型バイメタルディスク２６の反転動作の自由端（連結部２８の反対側円周部３４）はボール弁１４を開放状態としている。  したがって、ボール弁１４は、シリンダ・ピストンユニット１の伸長動作、すなわちピストンロッド４の引き出し動作でのガス移動を制御する状態ではない。
【００５９】
図４(b) は、所定温度以下の制御弁として動作した状態を示す。大径の螺旋バネ２５によりリング状外縁部２７を位置固定されたクリープ型バイメタルディスク２６が自由端（連結部２８の反対側円周部３４）の反転動作によってボール弁１４を背後から弁座１３に押圧している。
【００６０】
このように、クリープ型バイメタルディスクと圧縮バネとの組合せでも、過度の操作が発生した場合には、クリープ型バイメタルディスク背後の圧縮バネが、その過度の操作によってクリープ型バイメタルディスクに加わる応力を吸収して、過度の操作からクリープ型バイメタルディスクを保護し、クリープ型バイメタルディスクの特性変化を防止することができる。
【００６１】
尚、クリープ型バイメタルディスクは、設定温度の精度は必ずしも良いとはいえないが、ガススプリングのように周囲温度の変化で徐々にガス圧が変化して操作性が変化する場合には、操作性に適合する場合もあり、圧縮バネと組み合わせる熱応動体としては有効な部材である。
【００６２】
以上述べた第１乃至第４の実施形態では、ガススプリングで構成されるシリンダ・ピストンユニットの伸長時における保持力維持と緩やかな動作の温度補償、及び強制的伸長動作時におけるガス流路の弁押さえバイメタルの保護について述べてきた。
【実施例５】
【００６３】
この第５の実施形態では、上記とは逆に、シリンダ・ピストンユニットの収縮時における保持力維持と緩やかな動作の温度補償、及び強制的収縮動作時におけるガス流路の弁押さえバイメタルの保護の構成について説明する。
【００６４】
図５(a),(b) は逆動作に対応する第５の実施形態におけるシリンダ・ピストンユニットの制御弁の構成及び動作状態を示す図である。
図５(a) に示すように、本例では、ピストン３が、ピストンロッド４に対して図１とは逆向きに取り付けられており、したがって、位置決め保持部材１７に保持されるバイメタルディスク１５及び螺旋バネ１８も図１の場合とは逆向きに且つ引き出しガス容室５側に取り付けられている。
【００６５】
図５(a) は、所定温度を超えた状態を示し、弁座１３、ボール弁１４、バイメタルディスク１５及び螺旋バネ１８から成る制御弁は開放状態である。図５(b) は、所定温度以下になり、制御弁を閉じた状態である。この状態での強制操作で弁体（ボール弁１４）に負荷がかかった場合でも、バイメタルディスク１５に構造的影響が出る前に、背後の螺旋バネ１８が、その応力を吸収することができる。
【００６６】
このように、ガススプリングのピストンの動作で、逆の押し込みで保持又は緩やかな押し込み動作の制御の場合に、図５(a),(b) に示す逆向きの構造で対応できる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】(a),(b) は第１の実施形態におけるシリンダ・ピストンユニットの制御弁の構成及び動作状態を示す図、(c) はこの制御弁に使用されるリング型バイメタルの形状を示す図である。
【図２】(a),(b) は第２の実施形態におけるシリンダ・ピストンユニットの制御弁の構成及び動作状態を示す図である。
【図３】(a),(b) は第３の実施形態におけるシリンダ・ピストンユニットの制御弁の構成及び動作状態を示す図、(c) はこの制御弁に使用されるリーフ弁の形状を示す図である。
【図４】(a),(b) は第４の実施形態におけるシリンダ・ピストンユニットの制御弁の構成及び動作状態を示す図、(c) はこの制御弁に使用されるクリープ型バイメタルの形状を示す図である。
【図５】(a),(b) は逆動作に対応する第５の実施形態におけるシリンダ・ピストンユニットの制御弁の構成及び動作状態を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１      シリンダ・ピストンユニット
２      シリンダ
３      ピストン部
４      ピストンロッド
４−１  潰しカシメ部
５      引き出しガス容室
６      押し込みガス容室
７      パッキング
８      ピストンリング溝
９      ピストンリング
１１    ガス流路
１２    ガス流路
１３    弁座
１４    ボール弁
１５    バイメタルディスク
１６    孔
１７    位置決め保持部材
１８    螺旋バネ
１９    弁座流路
２１    皿バネ
２２    リーフ弁
２３    孔
２４    弁座
２５    大径螺旋バネ
２６    クリープ型バイメタル
２７    リング状外縁部
２８    連結部
２９    内円板部
３１    大径の孔
３２    小径の孔
３３    間隙
３４    連結部反対側円周部
【図１】
2007002988.tif 000003
【図２】
2007002988.tif 000004
【図３】
2007002988.tif 000005
【図４】
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【図５】
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