(57)【要約】      （修正有）【課題】  マスクブランクの中央付近と外周付近の感度相違に基づく露光用マスクのマスクパターンにおける面内ＣＤばらつき等を抑制し、例えば、半導体デバイスにおけるハーフピッチ６５ｎｍノードに適合できるようにする。【解決手段】  ノズル２２からレジスト液を基板１５の表面に滴下する際、レジスト液が基板表面に滴下した位置において他の位置と比べてレジストの高感度化を抑制するように、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの偏心位置Ｑと基板の回転数を以下の範囲で調整してレジスト液を滴下し、この滴下したレジスト液を広がらせて基板中央部近傍にレジスト溜りを形成し、このレジスト溜りを遠心力によって基板表面の周辺部に拡散させ、その後、乾燥させてレジスト膜を形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズルからレジスト液を基板表面に滴下する際、基板表面におけるレジスト液の滴下位置が異なった位置になるように勾玉状に滴下した後、この滴下したレジスト液を広がらせて基板中央近傍にレジスト溜りを形成し、このレジスト溜りを遠心力によって基板表面の周辺部に拡散させ、その後、乾燥させてレジスト膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
上記レジスト液の滴下位置が時間の経過と共に異なった位置になるように、上記基板とレジスト液を滴下するノズルを相対的に移動させることを特徴とする請求項１記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
上記ノズルからレジスト液を基板表面に滴下する際、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離と、基板とノズルの相対移動速度を調整して勾玉状にレジスト液を滴下することを特徴とする請求項１又は２記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
ノズルからレジスト液を基板表面に滴下する際、レジスト液が基板表面に滴下した位置において他の位置と比べてレジストの高感度化を抑制するように、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離と、基板の回転数を以下の範囲で調整してレジスト液を滴下し、この滴下したレジスト液を広がらせて基板中央部近傍にレジスト溜りを形成し、このレジスト溜りを遠心力によって基板表面の周辺部に拡散させ、その後、乾燥させてレジスト膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離：１ｃｍ以上５ｃｍ以下
基板の回転数：０．５ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下
【請求項５】
四角形状の基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布工程を有するマスクブランクの製造方法であって、
上記レジスト塗布工程は、
上記基板の表面にレジスト液を滴下して広げる滴下工程と、
滴下されたレジスト液を上記基板表面の全面に均一に広げて、均一な膜厚のレジスト膜を形成する均一化工程と、
均一な膜厚に形成されたレジスト膜を乾燥する乾燥工程とを有し、
上記滴下工程は、必要な膜厚が得られる所定量以上のレジスト液をノズルから滴下する際、レジスト液が基板表面に滴下した位置において他の位置と比べてレジストの高感度化を抑制するように、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離と、基板の回転数を以下の範囲で調整して、上記基板の表面にレジスト液を分散して滴下することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離：１ｃｍ以上５ｃｍ以下
基板の回転数：０．５ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下
【請求項６】
前記レジスト液が、化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項７】
前記基板は、基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成した薄膜付き基板であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項８】
前記薄膜は、クロムを含む材料からなることを特徴とする請求項７記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクのレジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにしてマスクパターンを形成して露光用マスクを製造することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、四角形状の基板上にレジスト液を均一に回転塗布し、かつレジスト感度の面内ばらつきを抑えたレジスト膜を形成するレジスト塗布工程を有するマスクブランクの製造方法、及びこのマスクブランクから露光用マスクを製造する露光用マスクの製造方法に関し、特に、半導体デバイス製造用のマスクブランクの製造方法、及び半導体デバイス製造用の露光用マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、四角形状の基板上、またはこの基板上に成膜された薄膜を有する薄膜付き基板上にレジスト膜を形成する場合、基板を回転させてレジスト液を塗布する回転塗布装置を利用したレジスト回転塗布方法が一般に用いられている。この回転塗布方法の代表例として、特に、基板四隅に厚膜が形成されることなく均一なレジスト膜を形成するための、特許文献１に記載のレジスト回転塗布方法が知られている。
【０００３】
このレジスト回転塗布方法は、基板の回転数と回転時間との積が、例えば２４０００（ｒｐｍ・秒）以下になるように選定すると共に、回転時間を２０秒以下に選定することにより基板回転数及び基板回転時間を設定し、レジスト液を基板に滴下した後、上述のように設定した基板回転数で基板回転時間だけ基板を回転させて、レジスト膜の膜厚を均一化させる均一化工程を実施し、その後、この均一化工程の基板回転数よりも低い回転数で基板を回転させて、均一化工程により得られたレジスト膜の膜厚の均一性を保持しながら当該レジスト膜を乾燥させる乾燥工程を実施するものである。
また、レジスト液の塗布ムラを防止する均一なレジスト塗布方法として、特許文献２に記載のレジスト回転塗布方法が知られている。この特許文献２に記載のレジスト塗布方法は、塗布液が被塗布物表面上で環状の軌跡を描くように塗布液を滴下することにより、塗布ムラを低減しようとするものである。
【特許文献１】特公平４‐２９２１５号公報
【特許文献２】特開昭５７−１３０５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、近年では、半導体デバイスなどの被転写体のパターン微細化の要請が高くなり、光リソグラフィー技術において使用される露光光はＡｒＦエキシマレーザやＦ２エキシマレーザーへと短波長化が進み、また、露光装置に用いられるレンズの焦点距離も短くなってきている。更に、光リソグラフィー技術において使用される露光用マスクや、この露光用マスクを製造するマスクブランクにおいても、上述の露光光の露光波長に対して光を遮光する遮光膜や、位相をシフトさせる位相シフト膜の開発が急速に行われ、様々な膜材料が提案されている。
【０００５】
このような光リソグラフィー技術の革新の流れは今後も継続されるため、露光用マスクやマスクブランクに要求される精度も年々厳しくなっている。例えば、被転写体としての半導体デバイスのパターン微細化の要請であるハーフピッチ６５ｎｍノードでは、露光用マスクのマスクパターンにおけるパターンラインの線幅寸法（ＣＤ：Critical Dimension）が、目標とするターゲットラインの線幅寸法（ＣＤ）に対して面内でばらつく「面内ＣＤばらつき」は、ラインアンドスペースパターンで５．１ｎｍ、孤立ラインパターンで３．６ｎｍとされ、現状のマスクブランクの製造技術や露光用マスクの製造技術では、その達成が困難になりつつある。
マスクブランクの製造プロセスにおける「面内CDばらつき」に起因する要因としては、基板又は薄膜付き基板上に形成されたレジスト膜厚の面内均一性、レジスト膜形成後のプリベーク処理温度の面内均一性などが挙げられる。また、露光用マスクの製造プロセスにおける「面内CDばらつき」に起因する要因としては、露光後ベーク処理温度の面内均一性、現像処理の面内均一性などが挙げられる。
尚、上記の「面内CDばらつき」は、面内均一性評価用のテストパターンを用いて、レジスト膜に対して描画、現像処理してレジストパターンを形成した後、測長用SEMなどの線幅寸法測定装置を用いて、基板中央から外周までの面内の決められた複数の箇所でパターン寸法の測定をして評価される。
【０００６】
上記「面内CDばらつき」に起因するマスクブランク製造プロセス、露光用マスク製造プロセスにおける各面内均一性を向上させてもなお、「面内CDばらつき」が改善されないという問題が発生した。この問題は、特に、近年、半導体デバイスのパターン微細化のために、レジスト膜の高感度化及び高解像度化が必要とされ、それらの要求を兼ね備えた化学増幅型レジスト膜が使用されるようになってきて、問題が顕著になった。
上記の評価手法により面内CDばらつきの傾向を観察したところ、基板の中央位置、即ち、レジスト液が基板に滴下した位置においてCDがオーバー、即ち、高感度化になり、基板外周部のCDがアンダー、即ち、低感度化になっていることが確認できた。
これは、化学増幅型レジストは、一般にポリマー（Polymer）とPAG（Photo  Acid  Generator）とクェンチャー（Quencher）を基本構成となっているが、化学増幅型レジストをマスクブランク上に形成する際、特に、化学増幅型レジスト液を基板に滴下する際、基板が回転したとしても、ある構成成分が中央付近に留まりやすくなる状況が発生し、マスクブランクの中央付近と、外周部とで、レジスト膜の構成物質の量のばらつきが発生し、それが原因で、マスクブランク面内の基板中央付近と外周部とで感度ばらつきが生じ、マスクブランク面内のCDばらつきに影響して、被転写体のパターン微細化の要請にこたえることが難しいことを突き止めた。
【０００７】
本発明の目的は、上述の事情を考慮してなされたものであり、マスクブランクの中央付近と外周付近の感度相違に基づく露光用マスクのマスクパターンにおける面内ＣＤばらつき等を抑制して、被転写体のパターン微細化の要請、例えば、半導体デバイスにおけるハーフピッチ６５ｎｍノードに適合できるというような要請に応えることができる露光用マスクを実現できるマスクブランクの製造方法、及びこのマスクブランクを用いて露光用マスクを製造する露光用マスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題を解決するための手段として、
第１の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、レジスト液を基板表面に滴下する際、基板表面におけるレジスト液の滴下位置が異なった位置になるように勾玉状に滴下した後、この滴下したレジスト液を広がらせて基板中央近傍にレジスト溜りを形成し、このレジスト溜りを遠心力によって基板表面の周辺部に拡散させ、その後、乾燥させてレジスト膜を形成することを特徴とするものである。
第２の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第１の手段において、上記レジスト液の滴下位置が時間の経過と共に異なった位置になるように、上記基板とレジスト液を滴下するノズルを相対的に移動させることを特徴とするものである。
第３の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第１又は第２の手段において、ノズルからレジスト液を基板表面に滴下する際、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離と、基板とノズルの相対移動速度を調整して、勾玉状にレジスト液を滴下することを特徴とするものである。
第４の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、ノズルからレジスト液を基板表面に滴下する際、レジスト液が基板表面に滴下した位置において他の位置と比べてレジストの高感度化を抑制するように、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離と、基板の回転数を以下の範囲で調整してレジスト液を滴下し、この滴下したレジスト液を広がらせて基板中央部近傍にレジスト溜りを形成し、このレジスト溜りを遠心力によって基板表面の周辺部に拡散させ、その後、乾燥させてレジスト膜を形成することを特徴とするものである。
但し、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離は、１ｃｍ以上５ｃｍ以下、基板の回転数は、０．５ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下とする。
第５の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、四角形状の基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布工程を有するマスクブランクの製造方法であって、上記レジスト塗布工程は、上記基板の表面にレジスト液を滴下して広げる滴下工程と、滴下されたレジスト液を上記基板表面の全面に均一に広げて、均一な膜厚のレジスト膜を形成する均一化工程と、均一な膜厚に形成されたレジスト膜を乾燥する乾燥工程とを有し、上記滴下工程は、必要な膜厚が得られる所定量以上のレジスト液をノズルから滴下する際、レジスト液が基板表面に滴下した位置において他の位置と比べてレジストの高感度化を抑制するように、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離と、基板の回転数を以下の範囲で調整して、上記基板の表面にレジスト液を分散して滴下することを特徴とするものである。
但し、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離は、１ｃｍ以上５ｃｍ以下、基板の回転数は、０．５ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下とする。
【０００９】
第６の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第４又は第５の手段において、上記レジスト液は、基板表面に勾玉状にレジスト液を滴下することを特徴とする。
第７の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第５又は第６の手段において、上記滴下工程は、必要な膜厚が得られる所定量以上のレジスト液をノズルから、上記基板の上記表面に滴下する際に、その滴下位置を変更することを特徴とするものである。
【００１０】
第８の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第１乃至第７の手段のいずれかにおいて、上記レジスト液の滴下は、基板を回転させながら、または上記基板の表面の中心周りにノズルを移動させながら、上記基板表面の中心に対し偏心した位置にレジスト液を滴下することを特徴とするものである。
【００１１】
第９の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第1乃至第８の手段のいずれかにおいて、上記レジスト液の滴下は、基板の表面に滴下されたレジスト液を上記表面の中心まで広げる工程を含むことを特徴とするものである。  
【００１２】
第１０の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第９の手段において、上記レジスト液の滴下においてレジスト液を基板の表面の中心まで広げる工程は、上記表面に滴下されたレジスト液が、滴下終了後に、上記表面の中心に広がるまで待機する工程であることを特徴とするものである。
【００１３】
第１１の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第８または第９の手段において、上記滴下工程は、上記基板の回転中に、レジスト液を滴下するノズルを、上記表面の中心を通る直線上で基板の表面の中心から偏心した位置に移動させることを特徴とするものである。
【００１４】
第１２の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第１１の手段において、上記滴下工程は、基板の回転中に、レジスト液を滴下するノズルを、上記表面の中心を通る直線上で基板の表面の偏心した位置から基板表面の中心方向へ移動させることを特徴とするものである。
【００１５】
第１３の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第１１の手段において、上記滴下工程は、上記基板の回転中に、基板の表面の中心又は当該中心から偏心した位置にレジスト液を滴下するノズルを、上記表面の中心を通る直線上において外方へ移動させることを特徴とするものである。
【００１６】
第１４の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第1乃至第１３の手段のいずれかにおいて、上記レジスト液が、化学増幅型レジストからなることを特徴とするものである。
【００１７】
第１５の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第1乃至第１４の手段いずれかにおいて、上記基板は、基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成した薄膜付きの基板であることを特徴とするものである。
第１６の手段にかかるマスクブランクの製造方法は、第１５の手段において、上記薄膜は、クロムを含む材料からなることを特徴とするものである。
【００１８】
第１７の手段にかかる露光用マスクの製造方法は、第１乃至第１６の手段のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクのレジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにしてマスクパターンを形成して露光用マスクを製造することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１９】
第１〜４、１５の手段によれば、レジスト液を基板表面に滴下する際、基板表面におけるレジスト液の滴下位置が異なるように勾玉状に滴下するようにし、より詳細には、レジスト液の滴下位置が時間の経過と共に異なった位置になるように、基板とレジスト液を滴下するノズルを相対的に移動させて勾玉状に滴下するようにし、さらに詳細には、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの距離を１ｃｍ以上５ｃｍ以下、基板の回転数を０．５ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下で調整してレジスト液を滴下するようにしたものである。それによって、レジスト液が基板表面の一箇所に集中して滴下されることがなく、また、レジスト感度に影響するレジスト液を構成する成分が滴下位置の箇所に集中することを抑制することを可能にしたものである。従って、上記の製造方法によって作製されたマスクブランクのレジスト膜に対して露光・現像処理によって形成されたレジストパターンをマスクとして形成されるマスクパターンを備えた露光用マスクにおいて、レジスト液の滴下位置およびその近傍と、それ以外の位置において、レジスト膜の感度ばらつきによる上記マスクパターンのパターンラインの線幅寸法（CD）が面内でばらつく「面内CDばらつき」を抑制できる。これらの結果、被転写体のパターン微細化の要請（例えば、半導体デバイスにおけるハーフピッチ６５ｎｍノード以降の世代）に適合できる露光用マスクを実現できる。上記レジスト液の滴下手法により「面内ＣＤばらつき」が抑制されるメカニズムについては定かでないが、基板表面にレジスト液が勾玉状に滴下される条件は、基板表面に対するレジスト液の圧力が弱く、かつレジスト液の滴下開始から滴下終了まで基板表面をレジスト液が緩やかに広がりながら、基板中央近傍にレジスト溜りを形成することができる。つまり、レジスト液滴下の際の基板表面に対するレジスト液の圧力が弱いことで、レジスト感度に影響するレジスト液を構成する成分が、基板表面の表面状態などが原因により基板表面の滴下位置に停留しやすくなるのが抑制され、レジスト感度に影響するレジスト液を構成する成分が基板表面に均一に分散されることで、面内ＣＤばらつきが抑制されるものと考えられる。
第５、１５の手段によれば、レジスト塗布工程における滴下工程では、必要な膜厚が得られる所定量以上のレジスト液が、基板の表面に分散して滴下されることから、この所定量以上のレジスト液が基板の表面の一箇所に集中して滴下されることがないので、基板の表面に滴下跡が発生することを防止できると共に、レジスト膜から形成されるレジストパターンをマスクとして形成されるマスクパターンを備えた露光用マスクにおいて、上記マスクパターンのパターンラインの線幅寸法（ＣＤ）が面内でばらつく「面内ＣＤばらつき」を抑制できる。これらの結果、被転写体のパターン微細化の要請（例えば、半導体デバイスにおけるハーフピッチ６５ｎｍノード）に適合できる露光用マスクを実現できる。
【００２０】
第７の手段によれば、レジスト塗布工程における滴下工程では、必要な膜厚が得られる所定量以上のレジスト液の滴下位置が、基板の表面において変更されることから、このレジスト液を基板表面に分散して滴下することができるので、基板表面にレジスト液の滴下跡の発生を防止できると共に、露光用マスクのマスクパターンにおける面内ＣＤばらつきを抑制できる。
【００２１】
第８の手段によれば、滴下工程では、基板を回転させながら、または基板の表面の中心周りにノズルを回転させながら、基板の表面の中心に対し偏心した位置にレジスト液を滴下することから、レジスト液を基板の表面に分散して滴下できる。即ち、所定量以上のレジスト液が基板の表面の一箇所に集中して滴下されることがなく、レジスト感度に影響するレジスト液を構成する成分が滴下位置の箇所に集中することを抑制できる。従って、基板表面にレジスト液の滴下跡の発生、レジスト液滴下位置およびその近傍と、それ以外の位置において、レジスト膜の感度ばらつきを抑制できると共に、露光用マスクのマスクパターンにおける面内ＣＤばらつきを抑制でき、更に、基板表面の中心に対し対称にレジスト液を滴下することができる。
【００２２】
第９または第１０の手段によれば、滴下工程が、基板の表面に滴下されたレジスト液を上記表面の中心まで広げる工程を含むことから、基板を回転させる均一化工程において、レジスト液を基板表面の全面に均一に広げることができ面内膜厚均一性が良好なレジスト膜を形成することができる。
【００２３】
第１１の手段によれば、滴下工程では、基板の表面の中心から偏心した位置にレジスト液を滴下するノズルを、上記基板の回転中に、上記表面の中心を通る直線上で移動させることから、基板の表面に滴下されたレジスト液をこの表面の中心まで迅速に広げることができ、また、基板の表面に滴下されたレジスト液を基板表面の外方へ迅速且つ均一に広げることができる。
【００２４】
第１２の手段によれば、滴下工程では、基板の回転中に当該基板の表面の中心から偏心した位置にレジスト液を滴下するノズルを、上記表面の中心を通る直線上で当該中心方向へ移動させることから、基板の表面に滴下されたレジスト液を、この表面の中心まで迅速に広げることができる。
【００２５】
第１３の手段によれば、滴下工程では、基板の表面の中心、または当該中心から偏心した位置にレジスト液を滴下するノズルを、上記基板の回転中に、上記表面の中心を通る直線上において外方へ移動させることから、基板の表面に滴下されたレジスト液をこの表面の中心まで迅速に広げることができると共に、この表面に滴下されたレジスト液を基板表面の外方へ迅速且つ均一に広げることができる。
【００２６】
第１４の手段によれば、化学増幅型レジストは粘度が低く、且つ乾燥され易いレジストであるが、この化学増幅型レジストであっても、基板の表面にレジスト液の滴下跡の発生、レジスト液滴下位置およびその近傍と、それ以外の位置において、化学増幅型レジストのレジスト感度に影響するレジスト液を構成する成分が滴下位置に集中することを抑制できる。従って、マスクブランクにおけるレジスト膜の感度ばらつきによる、露光用マスクのマスクパターンにおける面内ＣＤばらつきを抑制できる。
【００２７】
第１６の手段によれば、クロムを含む材料からなる薄膜、更には、薄膜表面に反射防止機能を持たせるために酸素、窒素、弗素のうち少なくとも１つの元素を含むクロム系材料からなる薄膜の場合、薄膜の表面状態は比較的に表面粗さが粗くなる状態となり、レジスト液の滴下位置において感度が高くなりやすいが、そのような薄膜の表面状態であっても、本発明の上記方法を適用することによって、露光用マスクのマスクパターンにおける面内CDばらつきを抑制することができる。
第１７の手段によれば、第１乃至第１６の手段のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクのレジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにしてマスクパターンを形成して露光用マスクを製造することから、露光用マスクのマスクパターンにおける面内ＣＤばらつき等を抑制できるので、被転写体のパターン微細化の要請(例えば、半導体デバイスにおけるハーフピッチ６５ｎｍノード)に適合できる露光用マスクを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づき説明する。
図１は、本発明に係るマスクブランクの製造方法の一実施形態におけるレジスト塗布工程を実施するための回転塗布装置を示す側断面図である。図４（Ａ）は、図１の薄膜付き基板から製造されたマスクブランクを示す断面図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のマスクブランクから製造された露光用マスクを示す断面図である。
【００２９】
図４に示すマスクブランク１０の製造方法は、四角形状の基板１１の主表面１２に、被転写体へ転写するためのマスクパターン１３となる薄膜１４を、スパッタリング法や蒸着法、ＣＶＤ法などを用いて成膜し、この薄膜付き基板１５の薄膜１４の表面１９に、レジスト塗布工程によってレジスト膜１６を形成してマスクブランク１０を製造する。また、上記マスクブランク１０の製造方法は、四角形状の基板１１の主表面１２に直接レジスト膜１６を形成して、マスクブランク１０を製造する場合も含む。
【００３０】
上記薄膜１４は、露光光（例えばＡｒＦエキシマレーザなど）に対して光学的変化をもたらすものであり、具体的には、露光光を遮光する遮光膜や、露光光の位相を変化させる位相シフト膜（この位相シフト膜には、遮光機能及び位相シフト機能を有するハーフトーン膜も含む）である。また、上記薄膜１４は、単層に限らず積層しても良い。上記薄膜１４の積層膜としては、例えば遮光膜の積層膜や、位相シフト膜と遮光膜を積層した積層膜としても良い。
【００３１】
また、上記マスクブランク１０には、薄膜付き基板１５の薄膜１４における中心部の領域にマスクパターン形成領域１７(図３)を有する。このマスクパターン形成領域１７は、薄膜付き基板１５を露光用マスク１８としたときに、半導体基板などの被転写体の回路パターンを転写して形成するためのマスクパターン１３が形成されることになる領域である。このマスクパターン形成領域１７は、マスクブランク１０のサイズなどによって異なるが、例えばマスクブランク１０が１５２ｍｍ×１５２ｍｍのサイズの場合には、薄膜付き基板１５の薄膜１４における中心部の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域である。
【００３２】
尚、上記マスクブランク１０は、透過型マスクブランクまたは反射型マスクブランクである。透過型マスクブランクの場合には、基板１１に透光性基板が用いられ、薄膜１４として遮光膜が形成されたマスクブランクと、薄膜１４として位相シフト膜（ハーフトーン膜も含む）が形成された位相シフトマスクブランクとを含む。また、反射型マスクブランクの場合には、基板１１として熱膨張係数の小さいものが用いられ、マスクブランク１０は、この基板１１上に光反射多層膜、マスクパターンとなる光吸収体膜を順次形成したものである。これらの光反射多層膜及び光吸収体膜が薄膜１４である。
【００３３】
さて以下に、薄膜付き基板１５の薄膜１４の表面１９にレジスト液を塗布してレジスト膜１６を形成する前記レジスト塗布工程について説明する。このレジスト塗布工程では、図１に示す回転塗布装置２０が用いられる。
【００３４】
回転塗布装置２０は、薄膜付き基板１５を載置して回転可能に保持するスピンナーチャック２１と、薄膜付き基板１５の表面１９にレジスト液２６を滴下するためのノズル２２と、滴下されたレジスト液２６が薄膜付き基板１５の回転によりこの薄膜付き基板１５の外方へ飛散して、回転塗布装置２０の周辺に飛散するのを防止するカップ２３と、このカップ２３の下部に設けられて、薄膜付き基板１５の回転中にこの薄膜付き基板１５外へ飛散したレジスト液２６を回収して排液する図示しない排液手段とを有する。上記スピンナーチャック２１はモータ２５に連結され、このモータ２５の駆動により、スピンナーチャック２１に保持された薄膜付き基板１５が、後述の回転条件によって回転する。
【００３５】
上記回転塗布装置２０を用いたレジスト塗布工程では、まず最初に、薄膜付き基板１５を基板搬送装置（不図示）によって回転塗布装置２０のスピンナーチャック２１へ移送し、このスピンナーチャック２１上に薄膜付き基板１５を保持する。次に、モータ２５によりスピンナーチャック２１を介して薄膜付き基板１５を回転させながら、この薄膜付き基板１５の薄膜１４の表面１９にレジスト液２６をノズル２２から滴下して広げる滴下工程と、モータ２５により薄膜付き基板１５を回転させながら、滴下されたレジスト液２６を薄膜付き基板１５の薄膜１４の表面１９における全面に均一に広げて、均一な膜厚のレジスト膜１６を形成する均一化工程と、モータ２５により薄膜付き基板１５を回転させながら、均一な膜厚に形成されたレジスト膜１６を乾燥する乾燥工程とを順次実施して、薄膜付き基板１５の薄膜１４の表面１９にレジスト膜１６を形成する。
【００３６】
ここで、上記レジスト液２６は特に限定されないが、粘度が１０ｍＰａ・ｓを超え、平均分子量が１０万以上である高分子量樹脂からなる高分子型レジストや、粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満で、平均分子量が１０万未満であるノボラック樹脂と溶解阻害剤などからなるノボラック型レジストや、ポリヒドロキシスチレン系樹脂と酸発生剤などからなる化学増幅型レジストなどである。特に、本実施の形態において効果があるのは、粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満で、平均分子量が１０万未満のレジストである。また、化学増幅レジストのように、ポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒ）とＰＡＧ(Ｐｈｏｔｏ  Ａｃｉｄ  Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ)とクエンチャー（Ｑｕｅｎｃｈｅｒ）とを含む複数の構成物質から成るレジストの場合、マスクブランク面内で、上記構成物質の面内ばらつきが生じることで、面内ＣＤばらつきが生じやすいレジスト材料において、本発明の効果が最も得られる。
【００３７】
上記均一化工程と上記乾燥工程における薄膜付き基板１５の回転数及び回転時間は、レジスト液２６の種類によって設定されるが、いずれの場合も、図２に示すように、均一化工程における薄膜付き基板１５の回転数は、乾燥工程における薄膜付き基板１５の回転数よりも高く設定されている。これにより、四角形状の薄膜付き基板１５における内接円２７（図３）の外側領域にまで至るマスクパターン形成領域１７においても、均一な膜厚のレジスト膜１６を形成することが可能となる。
【００３８】
例えば、化学増幅型レジストやノボラック系レジストでは、粘度が低いので（１０ｍＰａ・ｓ以下）、均一化工程では、基板回転数は８５０〜２０００ｒｐｍに、基板回転時間は１〜１０秒にそれぞれ設定され、乾燥工程では、基板回転数は１００〜４５０ｒｐｍに設定される。また、高分子型レジストでは、粘性が高いので（１０ｍＰａ・ｓ超）、均一化工程では、基板回転数は８５０〜２０００ｒｐｍに、基板回転時間は２〜１５秒にそれぞれ設定され、乾燥工程では、基板回転数は５０〜４５０ｒｐｍに設定される。乾燥工程での基板回転時間は、レジスト膜１６が完全に乾燥するまでに（それ以上乾燥回転を続けてもレジスト膜１６の膜厚が減少しなくなるまでに）要す時間が設定される。
【００３９】
尚、レジスト塗布工程では、上記乾燥工程終了後に、薄膜付き基板１５上に形成されたレジスト膜１６に含まれる溶剤を完全に蒸発させるため、このレジスト膜１６を加熱して乾燥処理する加熱乾燥処理工程を有してもよい。この加熱乾燥処理工程は、通常、レジスト膜１６が形成された薄膜付き基板１５を加熱プレートにより加熱する加熱工程と、レジスト膜１６が形成された薄膜付き基板１５を冷却プレートにより冷却する冷却工程とを含む。これらの加熱工程における加熱温度及び時間、冷却工程における冷却温度及び時間は、レジスト液２６の種類に応じて適宜調整される。
【００４０】
ところで、上述の均一化工程の前に実施する前記滴下工程は、図１に示すように、必要な膜厚が得られるための所定量のレジスト液２６をノズル２２から、薄膜付き基板１５の薄膜１４の表面１９に分散し滴下して、このレジスト液２６を薄膜付き基板１５の表面１９に広げる工程である。更に詳細には、必要な膜厚が得られるための所定量のレジスト液２６をノズル２２から表面１９に滴下する際、レジスト液滴下位置の基板回転中心Oからの距離（偏心位置Q、図３参照）と、基板１５とノズル２２の相対移動速度（ノズル２２の位置を固定した場合は基板１５の回転速度）を調整して、ドーナツ状の滴下軌跡Ｃを描きつつ（図５（Ａ）参照）、滴下開始（滴下開始部１６ａ）から滴下終了まで勾玉状にレジスト液２６を滴下した後（図５（Ｂ）参照）、この勾玉状レジスト液１６ｂを広がらせて基板中央近傍に略円形状のレジスト溜り１６ｃを形成する（図５（Ｃ）参照）工程である。
具体的には、モータ２５によりスピンナーチャック２１を介して薄膜付きレジスト１５を回転させ、この薄膜付きレジスト１５の表面１９の中心Ｏ（図３参照）に対し所定距離だけ偏心した偏心位置Ｑにノズル２２を設定し、薄膜付き基板１５の回転中に上記ノズル２２からレジスト液２６を滴下して、薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏに対し対称な位置に、レジスト液２６をドーナツ状の軌跡を描きながら勾玉状に滴下するものであり、これにより、薄膜付き基板１５の表面１９に対するレジスト液１６の滴下位置を変更させて、この薄膜付き基板１５の表面１９にレジスト液２６を分散して滴下することができる。
【００４１】
尚、薄膜付き基板１５を静止させた状態で、ノズル２２を薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏ周りに回転させながら、このノズル２２からレジスト液２６を薄膜付き基板１５の表面１９に滴下して、この薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏに対し対称な位置にレジスト液２６をドーナツ状の軌跡を描きながら勾玉状に滴下してもよい。
【００４２】
この滴下工程において薄膜付き基板１５を回転させる場合の回転数は、レジスト液２６の最終的な吐出量と吐出速度、レジスト液２６の滴下位置などから適宜調整して設定されるが、例えば０．５〜５０ｒｐｍが好ましく、更に好ましくは５〜２５ｒｐｍである。また、レジスト液２６の滴下位置は、レジスト液滴下位置の基板回転中心Oからの距離（偏心位置Q）は、１ｃｍ以上５ｃｍ以下が好ましい。
回転数が５０ｒｐｍを越えると、薄膜付き基板１５の回転数が大きすぎて滴下したレジスト液２６が飛散したり、薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏにレジスト液２６が広がらない事態が発生して、均一な膜厚のレジスト膜１６が形成されない恐れがある。
また、回転数が０．５ｒｐｍ未満であると、レジスト液２６の使用量が増大したり、薄膜付き基板１５の裏面側にレジスト液２６が回り込んでパーティクル発生の原因になる恐れがある。また、０．５ｒｐｍ未満だと、レジスト液滴下位置と他の位置と比べてレジストの高感度化を抑制する効果が小さくなる。従って、滴下工程における薄膜付き基板１５の回転数は、０．５〜５０ｒｐｍの範囲に設定される。
【００４３】
更に、当該滴下工程では、薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏに対し対称な位置に、レジスト液２６をドーナツ状の滴下軌跡を描きながら勾玉状に滴下する場合においては、均一化工程においてレジスト液２６を薄膜付き基板１５の表面１９の全面に均一に広げて均一な膜厚の（面内膜厚均一性が良好な）レジスト膜１６を形成するために、薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏ位置までレジスト液２６を広げる工程を含む必要がある。この工程は、ノズル２２からのレジスト液２６の滴下終了後に薄膜付き基板１５の回転を停止させ、この薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏ周りにドーナツ状の滴下軌跡を描きながら勾玉状に滴下されて勾玉状レジスト液１６ｂに形成されたレジスト液２６が、この表面１９の中心Ｏ位置に広がるまで待機する工程である。
【００４４】
更に、薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏ位置までレジスト液２６を広げる工程は、薄膜付き基板１５の回転中に、この薄膜付き基板１５の表面１９の上方に設定したノズル２２を、薄膜付き基板１５の表面１９において中心Ｏ及び偏心位置Ｑを通る直線Ｌ上で移動させる滴下工程においても実現可能であり、次の２つの滴下工程が挙げられる。
【００４５】
１つ目の滴下工程は、薄膜付き基板１５の回転中に当該薄膜付き基板１５の表面１９の偏心位置Ｑに設定されてレジスト液２６を滴下するノズル２２を、上記直線Ｌ上において中心Ｏ方向へ移動させるものである。上記偏心位置Ｑに設定されたノズル２２から滴下されたレジスト液２６は、回転する薄膜付き基板１５の表面１９において、この表面１９の中心Ｏ周りにドーナツ状に滴下軌跡を描きながら勾玉状に滴下されるが、ノズル２２が上述の如く中心Ｏ方向へ移動することで、この移動中のノズル２２から滴下されたレジスト液２６が、回転する薄膜付き基板１５の表面１９上において中心Ｏ付近に滴下されることになる。この結果、薄膜付き基板１５の表面１９に滴下されたレジスト液２６を、この表面１９の中心Ｏ位置まで迅速に広げることが可能となる。
【００４６】
２つ目の滴下工程は、薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏ、またはこの中心Ｏから若干偏心した偏心位置Ｑに設定されたノズル２２を、薄膜付き基板１５の回転中に上記直線Ｌ上で薄膜付き基板１５の外方へ徐々に移動させながら、当該ノズル２２からレジスト液２６を滴下するものである。この滴下工程では、滴下工程の当初ノズル２２が、回転する薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏまたはその付近に滴下されるので、薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏ位置までレジスト液２６を迅速に広げることが可能になると共に、薄膜付き基板１５の表面１９に対し遠心力が作用する方向にレジスト液２６が滴下されることで、このレジスト液２６を薄膜付き基板１５の表面１９の外方へ迅速且つ均一に広げることが可能となる。
【００４７】
上述のような滴下工程、均一化工程及び乾燥工程を実施することで、薄膜付き基板１５の薄膜１４の表面１９にレジスト膜１６を形成して、図４（Ａ）に示すマスクブランク１０を作製する。そして、このマスクブランク１０のレジスト膜１６に所定パターンを描画・現像処理してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして薄膜１４（例えば遮光膜）をドライエッチングしてマスクパターン１３（図４（Ｂ））を形成して、露光用マスク１８を作製する。
【００４８】
従って、上記実施の形態によれば、次の効果（１）〜（５）を奏する。
（１）レジスト塗布工程における滴下工程では、薄膜付き基板１５を回転させながら、当該薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏに対し偏心した偏心位置Ｑにノズル２２からレジスト液２６を滴下することから、必要な膜厚が得られるための所定量のレジスト液２６の滴下位置が、薄膜基板１５の表面１９において変更され、このレジスト液２６が薄膜付き基板１５の表面１９に分散して滴下されることになる。従って、この所定量のレジスト液２６が薄膜付き基板１５の表面１９の一箇所に集中して（例えば表面１９の中心Ｏ位置に集中して）滴下されることがないので、薄膜付き基板１５の表面１９に滴下跡が発生することを防止できると共に、レジスト膜１６から形成されるレジストパターンをマスクとして形成されるマスクパターン１３を備えた露光用マスク１８において、上記マスクパターン１３のパターンライン２８(図４(Ｂ))の線幅寸法（ＣＤ）が、目標とするターゲットラインの線幅寸法（ＣＤ）に対して面内でばらつく「面内ＣＤばらつき」を抑制できる。
これらの結果、被転写体のパターン微細化の要請（例えば、半導体デバイスにおけるハーフピッチ６５ｎｍノード）に適合できる露光用マスク１８を実現できる。
（２）レジスト液２６を基板表面１９に滴下する際、基板表面１９におけるレジスト液２６の滴下位置が異なるように勾玉状に滴下するようにし、より詳細には、レジスト液２６の滴下位置が時間の経過と共に異なった位置になるように、基板１５とレジスト液２６を滴下するノズル２２を相対的に移動させて勾玉状に滴下するようにし、さらに詳細には、レジスト液滴下位置の基板回転中心Ｏからの距離を１ｃｍ以上５ｃｍ以下、基板の回転数を０．５ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下で調整してレジスト液２２を滴下するようにしたので、レジスト液２２が基板表面１９の一箇所に集中して滴下されることがなく、また、レジスト感度に影響するレジスト液を構成する成分が滴下位置の箇所に集中することを抑制できる。従って、上記の製造方法によって作製されたマスクブランクのレジスト膜１６に対して露光・現像処理によって形成されたレジストパターンをマスクとして形成されるマスクパターン１３を備えた露光用マスク１８において、レジスト液２６の滴下位置およびその近傍と、それ以外の位置において、レジスト膜の感度ばらつきによる上記マスクパターンのパターンライン２８（図４（Ｂ））の線幅寸法（CD）が目標とするターゲットラインの線幅寸法（ＣＤ）に対して面内でばらつく「面内CDばらつき」を抑制できる。これらの結果、被転写体のパターン微細化の要請（例えば、半導体デバイスにおけるハーフピッチ６５ｎｍノード以降の世代）に適合できる露光用マスク１８を実現できる。
【００４９】
（３）レジスト塗布工程における滴下工程が、薄膜付き基板１５の表面１９に滴下されたレジスト液２６を上記表面１９の中心Ｏ位置まで広げる工程を含むことから、薄膜付き基板１５を回転させる均一化工程において、レジスト液２６を薄膜付き基板１５の表面１９の全面に均一に広げて、均一な膜厚のレジスト膜１６を形成することができる。
【００５０】
（４）レジスト塗布工程における滴下工程では、薄膜付き基板１５の回転中に当該薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏから偏心した偏心位置Ｑにレジスト液を滴下するノズル２２を、滴下終了直前に、上記表面１９の中心Ｏ及び偏心位置Ｑを通る直線Ｌ上で当該中心Ｏ方向へ移動させる場合には、薄膜付き基板１５の表面１９に滴下されたレジスト液２６を、この表面１９の中心Ｏ位置まで迅速に広げることができる。
【００５１】
（５）レジスト塗布工程における滴下工程では、薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏ、または当該中心Ｏから偏心した偏心位置Ｑにレジスト液を滴下するノズル２２を、上記薄膜付き基板１５の回転中に、上記表面１９の中心Ｏ及び偏心位置Ｑを通る直線Ｌ上において外方へ移動させる場合には、薄膜付き基板１５の表面１９に滴下されたレジスト液２６をこの表面１９の中心Ｏ位置まで迅速に広げることができると共に、この表面１９に滴下されたレジスト液２６を薄膜付き基板１５の表面１９上の外方へ迅速且つ均一に広げることができる。
【００５２】
（６）必要な膜厚が得られるための所定量のレジスト液２６の滴下位置が、薄膜付き基板１５の表面１９において変更され、このレジスト液２６が薄膜付き基板１５の表面１９に分散して滴下されることから、レジスト液２６が、粘度が低く且つ乾燥され易い化学増幅型レジストであっても、薄膜付き基板１５の表面１９にレジスト液２６の滴下跡の発生、レジスト液滴下位置およびその近傍と、それ以外の位置において、化学増幅型レジストのレジスト感度に影響するレジスト液を構成する成分が滴下位置に集中することを抑制できる。従って、マスクブランクにおけるレジスト膜１６の感度ばらつきによる、露光用マスク１８のマスクパターン１３における面内ＣＤばらつきを抑制できる。
【実施例】
【００５３】
次に、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法について、具体的に説明する。
【００５４】
（実施例１）
サイズが１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍの合成石英ガラス基板上に、スパッタリング法によりクロム膜と酸化窒化クロム膜を順次形成し、遮光膜と反射防止膜の薄膜が形成された薄膜付き基板を得た。
次に、レジスト塗布工程によりレジスト液を回転塗布し、薄膜の表面にレジスト膜を形成した。レジスト塗布工程における各条件は以下のとおりである。
レジスト：ポジ型化学増幅型レジストFEP171（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）
滴下工程：薄膜付き基板を回転させながらレジスト液を滴下した。
基板回転数：５ｒｐｍ
基板へのレジスト滴下方法：薄膜付き基板の表面の中心から３ｃｍ偏心した偏心位置にレジスト液を滴下し、この基板を少なくとも１回転させた後、レジスト液の滴下を終了した。基板に対するレジスト液の滴下は、ドーナツ状に滴下軌跡を描きながら、滴下開始から滴下終了まで勾玉状に滴下されるように適宜、ノズルからのレジスト液の吐出速度を調整して行った。レジスト液の滴下終了後、薄膜付き基板の表面に滴下されたレジスト液が、この薄膜付き基板の中心位置に広がるまで待機させた。この待機中にレジスト液は、滴下位置から薄膜付き基板の外周方向へも、中心方向と同様に広がる。つまり、基板表面の中央近傍（中心近傍）に略円形のレジスト溜りを形成させた。
均一化工程
基板回転数：１５００ｒｐｍ
基板回転時間：２秒
乾燥工程
基板回転数：２５０ｒｐｍ
次に、加熱乾燥装置及び冷却装置に、レジスト膜が形成された薄膜付き基板を搬送し、所定の加熱乾燥処理を行ってレジスト膜を乾燥させ、ＡｒＦエキシマレーザー露光用マスクブランクを作製した。
【００５５】
得られたマスクブランクのレジスト膜について膜厚分布を測定した。その結果、レジスト膜の平均膜厚は３００ｎｍ、レジスト膜の面内膜厚均一性は３ｎｍであった。
ここで、上記レジスト膜の膜厚分布は、薄膜付き基板の表面中央の１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角エリア（つまり、マスクパターン形成領域）の全体に均等に配置した２９×２９＝８４１の測定点で、分光反射型膜厚計（ナノメトリックスジャパン社製：ＡＦＴ６１００Ｍ）を用いて膜厚を測定し、この測定した膜厚データから上記平均膜厚を求めた。また、上記面内膜厚均一性は、各測定点における膜厚データから「（膜厚の最大値）−（膜厚の最小値）＝（面内膜厚均一性）」として求めた。
【００５６】
次に、上記レジスト膜に対して電子線描画装置により所定パターンを描画し、加熱処理、現像処理してレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクにして、塩素と酸素を含むガスを用いてドライエッチング処理を施し、マスクパターン(遮光膜パターン)を形成し、レジスト膜を剥離して露光用マスクを作製した。得られた露光用マスクのマスクパターンは、ラインアンドスペースパターンであり、そのパターンラインの線幅寸法(ＣＤ)は260ｎｍである。
露光用マスクの面内に1３×1３ヶ配置した本マスクパターンの線幅寸法を測長SEMで測長して、露光用マスクのマスクパターンにおけるパターンラインの線幅寸法(ＣＤ)が、露光用マスクの面内においてばらつく「面内ＣＤばらつき」を測定した。その結果、面内ＣＤばらつきは3σで４ｎｍを達成し、次世代における半導体デバイスのパターン微細化の要請（ハーフピッチ65ｎｍノード）である５．１ｎｍ(ラインアンドスペースパターンの場合)を満足できる結果となった。
【００５７】
（比較例）
上記実施例１におけるレジスト塗布工程の滴下工程を、以下の方法にした以外は、上記実施例１と同様にしてマスクブランクを作製し、このマスクブランクから露光用マスクを作製した。
滴下工程：薄膜付き基板を回転させず、この薄膜付き基板の表面の中心位置に、必要な膜厚が得られるための所定量のレジスト液を滴下した。
得られたマスクブランクにおけるレジスト膜の平均膜厚、面内膜厚均一性は、実施例１とほぼ同程度であった。
また、このマスクブランクから作製された露光用マスクの面内ＣＤばらつき（３σ）は７ｎｍであった。この面内ＣＤばらつき（３σ）７ｎｍは、次世代における半導体デバイスのパターン微細化の要請（ハーフピッチ65ｎｍノード）である５．１ｎｍ(ラインアンドスペースパターンの場合)を満足できるものではなかった。
上記実施例１におけるレジスト膜付きマスクブランクと比較例１におけるレジスト膜付きマスクブランクに形成されたレジスト膜表面を、基板中央部と外周部においてＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行時間型２次イオン質量分析法）により測定した。その結果、実施例１におけるレジスト膜表面におけるＰＡＧ成分の濃度は、中央部と外周部とほぼ同じであったが、比較例１におけるＰＡＧ成分の濃度は、中央部よりも外周部の方が低い傾向であった。
これは、実施例１のマスクブランクに形成された化学増幅型レジストは、該化学増幅型レジストを構成するポリマー、ＰＡＧ及びクエンチャーの構成物質が、マスクブランク面内で均一に含まれているが、比較例１のマスクブランクに形成された化学増幅型レジストは、化学増幅型レジストを構成するポリマー、ＰＡＧ及びクエンチャーの構成物質が、マスクブランク面内で均一に含まれておらず、ばらつきを持っており、その違いが面内ＣＤばらつきの違いに現われたものと考えられる。
【００５８】
（実施例２）
上記実施例１におけるレジスト液をネガ型化学増幅型レジストＮＥＢ２２（住友化学工業社製）に変更し、レジスト塗布工程において、均一化工程で、基板回転数を８００ｒｐｍとし、基板回転時間を４秒とし、乾燥工程で、基板回転数を３００ｒｐｍとした以外は実施例１と同様にしてマスクブランクを作製し、このマスクブランクから、マスクパターンが孤立ラインパターンであり、そのパターンラインの線幅寸法(ＣＤ)が180ｎｍの露光用マスクを作製した。
得られたマスクブランクにおけるレジスト膜の平均膜厚、面内膜厚均一性は、実施例１とほぼ同程度であった。また、得られた露光用マスクの面内ＣＤばらつき（３σ）は2ｎｍであった。この面内ＣＤばらつき（３σ）2ｎｍは、次世代における半導体デバイスのパターン微細化の要請（ハーフピッチ６５ｎｍノード）である３．６ｎｍ(孤立ラインパターンの場合)を満足できる結果となった。これは、化学増幅型レジストを構成するポリマー、ＰＡＧ及びクエンチャーの構成物質が、マスクブランク面内で均一に含まれていることが一つの要因と考えられる。
（比較例２）
基板へのレジスト滴下方法が、上記特許文献２となるように、レジスト液の滴下位置、基板回転数を適宜調整して、基板に対するレジスト液の滴下をドーナツ状に滴下し、勾玉状のレジスト状態を経ることなく直ちにレジスト溜りを基板中央近傍に形成した以外は、実施例１と同様にしてマスクブランクを作製し、このマスクブランクから露光用マスクを作製した。
得られたマスクブランクにおけるレジスト膜の平均膜厚、面内膜厚均一性は、実施例１とほぼ同程度であった。
また、このマスクブランクから作製された露光用マスクの面内ＣＤばらつき（３σ）は６．８ｎｍであった。この面内ＣＤばらつき（３σ）６．８ｎｍは、次世代における半導体デバイスのパターン微細化の要請（ハーフピッチ６５ｎｍノード）である５．１ｎｍ（ラインアンドスペースパターンの場合）を満足できるものではなかった。レジスト液滴下の際の基板へのレジスト液圧力が大きく、化学増幅型レジストを構成するポリマー、ＰＡＧ及びクエンチャーの構成物質が、マスクブランク面内で均一に含まれておらず、ばらつきを持っていることが一つの要因と考えられる。
（実施例３〜４）
上記実施例１において、レジストの滴下位置を、薄膜付き基板の表面の中心から１ｃｍ（実施例３）、５ｃｍ（実施例４）とした以外は実施例１と同様にしてマスクブランクを作製し、このマスクブランクから露光用マスクを作製した。
得られたマスクブランクにおけるレジスト膜の平均膜厚、面内膜厚均一性は、実施例１とほぼ同程度であった。
また、このマスクブランクから作製された露光用マスクの面内ＣＤばらつき（３σ）は５ｎｍ（実施例３）、４．７ｎｍ（実施例４）であった。この面内ＣＤばらつき（３σ）は、次世代における半導体デバイスのパターン微細化の要請（ハーフピッチ６５ｎｍノード）である５．１ｎｍ（ラインアンドスペースパターンの場合）を満足するものであった。
（実施例５〜６）
上記実施例４において、レジスト滴下時の基板回転数を０．５ｒｐｍ（実施例５）、上記実施例３においてレジスト滴下時の基板の回転数を５０ｒｐｍ（実施例６）とした以外は実施例３、４と同様にして、マスクブランクを作製し、このマスクブランクから露光用マスクを作製した。
得られたマスクブランクにおけるレジスト膜の平均膜厚、面内膜厚均一性は、実施例１とほぼ同程度であった。
また、このマスクブランクから作製された露光用マスクの面内ＣＤばらつき（３σ）は４．８ｎｍ（実施例５）、５ｎｍ（実施例６）であった。この面内ＣＤばらつき（３σ）は、次世代における半導体デバイスのパターン微細化の要請（ハーフピッチ６５ｎｍノード）である５．１ｎｍ（ラインアンドスペースパターンの場合）を満足するものであった。
尚、本件発明におけるレジスト滴下の最適条件（基板回転中心からの距離が１ｃｍ以上５ｃｍ以下、基板回転数が０．５ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下）から逸脱した条件にてレジスト液を滴下した場合においては、面内ＣＤばらつきが次世代における半導体デバイスのパターン微細化の要請（ハーフピッチ６５ｎｍノード）を満足するものが発生したり、レジスト液が基板回転中心にいきわたらずに均一な膜厚のレジスト膜が形成されないものが発生するという不具合が生じる結果となった。
【００５９】
以上、本発明を上記実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、レジスト塗布工程の滴下工程において使用されるノズル２２を、薄膜付き基板１５の表面１９の中心Ｏに対し対称な複数の位置にレジスト液２６を滴下可能な、リング形状または馬蹄形状に形成して、薄膜付き基板１５の表面１９の複数箇所にレジスト液２６を分散して滴下してもよい。また、レジスト塗布工程における滴下工程においては、基板回転数を一定回転数とせず、低い回転数から高い回転数へ、または高い回転数から低い回転数へ連続的に、または段階的に変更させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明に係るマスクブランクの製造方法の一実施形態におけるレジスト塗布工程を実施するための回転塗布装置を示す側断面図である。
【図２】図１の回転塗布装置を用いたレジスト塗布工程における基板の回転数と回転時間との関係を示すグラフである。
【図３】図１の薄膜付き基板を示す平面図である。
【図４】（Ａ）は、図１の薄膜付き基板から製造されたマスクブランクを示す断面図であり、（Ｂ）は、図４（Ａ）のマスクブランクから製造された露光用マスクを示す断面図である。
【図５】本発明に係るマスクブランクの製造方法における滴下工程の基板表面のレジスト液の滴下状態を示す平面図であって、（Ａ）は、レジスト液の滴下開始時点のレジスト液の滴下状態及び、レジスト液の滴下軌跡を示す平面図、（Ｂ）は、レジスト液の滴下開始から滴下終了まで行った後のレジスト液滴下終了時点のレジスト液の滴下状態を示す平面図であり、（Ｃ）は、基板表面にレジスト液を滴下し終わって、基板中央近傍にレジスト溜りを形成した状態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０  マスクブランク
１１  基板
１３  マスクパターン
１４  薄膜
１５  薄膜付き基板
１６  レジスト膜
１６ｂ  勾玉状レジスト液
１８  露光用マスク
１９  表面
２０  回転塗布装置
２２  ノズル
２６  レジスト液
Ｏ  中心
Ｑ  偏心位置
【図１】
2007058200.tif 000003
【図２】
2007058200.tif 000004
【図３】
2007058200.tif 000005
【図４】
2007058200.tif 000006
【図５】
2007058200.tif 000007