(57)【要約】【課題】  ヘッダー支持リードに加わる内部応力を分散させて低減し、ヘッダー支持リードと樹脂封止部との間での剥離が生じない半導体装置、そのような半導体装置の製造方法およびそのような半導体装置を搭載した電子機器を提供する。【解決手段】  リードフレーム１には、半導体チップ２を搭載するヘッダー部３が形成してある。ヘッダー部３は、ヘッダー支持リード４により支持されている。ヘッダー支持リード４は、蛇行（クランク）状態で延在し、リードフレーム１の一部を構成する支持リード保持部５により端部を保持されている。つまり、ヘッダー支持リード４は、ヘッダー部３と支持リード保持部５とを連結してあり、途中で屈曲して蛇行状態となるように形成してある。【選択図】  図１
2007095799.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、該半導体チップを搭載するヘッダー部と、該ヘッダー部を支持するヘッダー支持リードと、前記半導体チップ、前記ヘッダー部、前記ヘッダー支持リードを内包する樹脂封止部とを備える半導体装置において、
前記ヘッダー支持リードは、蛇行させてあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ヘッダー支持リードは、対称的に配置された４本で構成してあることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ヘッダー支持リードは、対称的に配置された２本で構成してあり、前記ヘッダー部の側面に沿って延在させてあることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体チップと、該半導体チップを搭載するヘッダー部と、該ヘッダー部を支持するヘッダー支持リードと、前記半導体チップ、前記ヘッダー部、前記ヘッダー支持リードを内包する樹脂封止部とを備える半導体装置において、
前記ヘッダー部は、スリットを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記ヘッダー支持リードは、溝を有することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ヘッダー支持リードは、粗面化してあることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体チップの厚さは、前記ヘッダー部の厚さと同程度としてあることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップは、前記ヘッダー部にフリップチップ実装してあることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体装置を搭載してある電子機器において、
前記半導体装置は、請求項１ないし請求項８のいずれか一つに記載の半導体装置であることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
ヘッダー部と該ヘッダー部を支持するヘッダー支持リードと該ヘッダー支持リードを保持する支持リード保持部とを備えるリードフレームの前記ヘッダー部に半導体チップを搭載する搭載工程と、前記半導体チップと前記ヘッダー部と前記ヘッダー支持リードとを内包する樹脂封止部を形成する樹脂封止工程とを備える半導体装置の製造方法において、
前記支持リード保持部はスリットを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体チップが搭載された面と反対側の面に樹脂封止部形成用の樹脂ランナーを設けることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装用に適した構造の半導体装置、そのような半導体装置を搭載した電子機器、およびそのような半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来例に係る半導体装置を図９ないし図１２に基づいて説明する。
【０００３】
図９は、従来例に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【０００４】
リードフレーム１０１には、半導体チップ１０２を搭載するヘッダー部１０３が形成してある。半導体チップ１０２は、例えば受光素子、集積回路などである。半導体チップ１０２は、ヘッダー部１０３にダイボンディングされている（ダイボンディング工程）。
【０００５】
ヘッダー部１０３は、ヘッダー支持リード１０４により支持されている。ヘッダー支持リード１０４は、直線状に延在し、リードフレーム１０１の一部を構成する支持リード保持部１０５により端部を保持されている。リードフレーム１０１は、端子用リード１０６を備え、端子用リード１０６と半導体チップ１０２とは相互に金線などのワイヤー１０７（図１０参照）を介してワイヤーボンディングされる（ワイヤーボンディング工程）。
【０００６】
なお、リードフレーム１０１は、ヘッダー部１０３、ヘッダー支持リード１０４、支持リード保持部１０５、端子用リード１０６を一体として形成してある。
【０００７】
ダイボンディング工程およびワイヤーボンディング工程により半導体チップ１０２をリードフレーム１０１に搭載する搭載工程が構成される。
【０００８】
ヘッダー支持リード１０４は、ヘッダー部１０３と支持リード保持部１０５とを最短距離で連結してあり、一般的に直線状に構成されている。
【０００９】
図１０は、従来例に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに搭載した半導体チップを樹脂封止した状態を示す。
【００１０】
図９で説明した搭載工程の後、半導体チップ１０２、ヘッダー部１０３、ヘッダー支持リード１０４を内包する樹脂封止部１０８が形成される（樹脂封止工程、モールド工程）。樹脂封止部１０８は、基本的に半導体チップ１０２が搭載された側（リードフレーム１０１の表面側）に形成されるので、半導体チップ１０２を周囲環境から保護することができる。
【００１１】
樹脂封止部１０８は、リードフレーム１０１の表面側からリードフレーム１０１の裏面に到達して露出するように形成されるので、端子用リード１０６相互間、ヘッダー部１０３と端子用リード１０６との間にも注入形成されている。
【００１２】
図１１は、従来例に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、半導体チップを樹脂封止後、樹脂封止部の端面でリードフレームを切断して半導体装置を完成した状態を示す。
【００１３】
樹脂封止部１０８の周囲の端面を境界にしてリードフレーム１０１（図９、図１０参照）を切断することにより、半導体装置１１０を形成する。
【００１４】
上述したとおり、半導体チップ１０２はヘッダー部１０３に搭載され、ヘッダー部１０３は樹脂封止部１０８の端面に向かって延在するヘッダー支持リード１０４に連結されている。また、半導体チップ１０２と端子用リード１０６とはワイヤー１０７を介して接続されている。
【００１５】
したがって、半導体チップ１０２、ヘッダー部１０３、ヘッダー支持リード１０４、端子用リード１０６、ワイヤー１０７を樹脂封止部１０８で内包した半導体装置１１０が形成される。また、半導体装置１１０の底面（ヘッダー部１０３の半導体チップ１０２が搭載された面と反対側の面）では、ヘッダー部１０３、ヘッダー支持リード１０４、端子用リード１０６、樹脂封止部１０８が平面状の底面を形成し、いわゆる表面実装型となっている。
【００１６】
つまり、樹脂封止部１０８は、ヘッダー部１０３の半導体チップ１０２が搭載された面（チップ搭載面）に形成され、薄型化が図られている。また、端子用リード１０６は、半導体装置１１０の底面で露出し、半導体装置１１０が実装される実装基板（不図示）の配線パターンにハンダ付けが可能な構成となっている。
【００１７】
上述したとおり、半導体装置１１０は、樹脂封止工程で樹脂封止部１０８がリードフレーム１０１のチップ搭載面に対して形成されることから、リードフレーム１０１に対して樹脂封止部１０８の厚みが非対称となる。したがって、樹脂封止工程での封止樹脂の成型収縮により封止樹脂の内部応力が発生し、封止樹脂（樹脂封止部１０８）とリードフレーム１０１との間に剥離が発生するという問題があった。
【００１８】
特に、内部応力のかかりやすいのが、半導体チップ１０２を搭載するヘッダー部１０３を支えている４本のヘッダー支持リード１０４であり、特にこの４本のヘッダー支持リード１０４と樹脂封止部１０８とが支持領域Ａｓで剥離するという問題があった。
【００１９】
ヘッダー支持リード１０４と樹脂封止部１０８との間での剥離の程度が大きく、半導体チップ１０２を搭載しているヘッダー部１０３にまで剥離が到達する場合には、ワイヤー１０７の断線、あるいは剥離部分に生じた隙間から樹脂封止部１０８の内部に浸入した水分により、リーク電流の増加、半導体チップ１０２の腐食などの問題が発生する。
【００２０】
図１２は、従来例に係る半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ方向から見た側面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ方向から見た側面図である。
【００２１】
図９ないし図１１では、説明の容易さを考慮して単体の半導体装置１１０について説明した。実際の製造工程では、単体で各工程の処理を施すのではなく、複数の半導体装置１１０を同時に形成する多連状態として処理が施される（図１２）。
【００２２】
つまり、リードフレーム１０１には、例えば縦１１行、横８列、すなわち１１×８のマトリックス状に合計８８個の半導体装置１１０（樹脂封止部１０８）が形成される。なお、図１２でリードフレーム１０１の細部は省略している。
【００２３】
樹脂封止工程の後、露出しているリードフレーム１０１の表面にメッキ処理を施し（メッキ工程）、その後樹脂封止部１０８の端面に沿ってフレームカット（単品化）を行い、単体としての個別の半導体装置１１０（図１１参照）を完成する。
【００２４】
８８個の半導体装置１１０を同時に樹脂封止することから、リードフレーム１０１は、極めて大きい面積を有することとなり、また、リードフレーム１０１の片側の面で封止樹脂量が多くなることから、封止樹脂の硬化時における収縮応力により、リードフレーム１０１が反ることがあり、ヘッダー支持リード１０４と樹脂封止部１０８との間で剥離が生じることがあった。
【００２５】
なお、表面実装型の半導体装置を開示した文献として例えば特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００１−１９６６４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、リードフレームのヘッダー部を支持するヘッダー支持リードを蛇行させることにより、ヘッダー支持リードと樹脂封止部との接触面積を大きくし、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を分散させて低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【００２７】
また、本発明は、リードフレームのヘッダー部にスリットを設けることにより、ヘッダー部と樹脂封止部との接触面積を大きくし、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を低減することができる半導体装置を提供することを他の目的とする。
【００２８】
また、本発明は、リードフレームのヘッダー支持リードに加わる内部応力を低減することができる半導体装置を搭載した電子機器とすることにより、信頼性の高い電子機器を提供することを他の目的とする。
【００２９】
また、本発明は、リードフレームのヘッダー部を支持するヘッダー支持リードを保持する支持リード保持部にスリットを設けることにより、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を分散させて低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを他の目的とする。
【００３０】
また、本発明は、リードフレームの半導体チップが搭載された面と反対側の面に樹脂封止部形成用の樹脂ランナーを設けることにより、封止樹脂の硬化時における収縮応力によるリードフレームの反りを防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、該半導体チップを搭載するヘッダー部と、該ヘッダー部を支持するヘッダー支持リードと、前記半導体チップ、前記ヘッダー部、前記ヘッダー支持リードを内包する樹脂封止部とを備える半導体装置において、前記ヘッダー支持リードは、蛇行させてあることを特徴とする。
【００３２】
この構成により、ヘッダー支持リードと樹脂封止部との接触面積を大きくすることができるので、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を分散させて低減することができる。
【００３３】
本発明に係る半導体装置では、前記ヘッダー支持リードは、対称的に配置された４本で構成してあることを特徴とする。
【００３４】
この構成により、内部応力を均等に分散させることができるので、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を低減することができる。
【００３５】
本発明に係る半導体装置では、前記ヘッダー支持リードは、対称的に配置された２本で構成してあり、前記ヘッダー部の側面に沿って延在させてあることを特徴とする。
【００３６】
この構成により、ヘッダー支持リードを長くすることができるので、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を低減することができる。
【００３７】
本発明に係る半導体装置では、半導体チップと、該半導体チップを搭載するヘッダー部と、該ヘッダー部を支持するヘッダー支持リードと、前記半導体チップ、前記ヘッダー部、前記ヘッダー支持リードを内包する樹脂封止部とを備える半導体装置において、前記ヘッダー部は、スリットを有することを特徴とする。
【００３８】
この構成により、ヘッダー部と樹脂封止部との接触面積を大きくすることができるので、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を低減することができる。
【００３９】
本発明に係る半導体装置では、前記ヘッダー支持リードは、溝を有することを特徴とする。
【００４０】
この構成により、ヘッダー支持リードと樹脂封止部との接触面積を大きくすることができるので、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を低減することができる。
【００４１】
本発明に係る半導体装置では、前記ヘッダー支持リードは、粗面化してあることを特徴とする。
【００４２】
この構成により、ヘッダー支持リードと樹脂封止部との接触面積を大きくすることができるので、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を低減することができる。
【００４３】
本発明に係る半導体装置では、前記半導体チップの厚さは、前記ヘッダー部の厚さと同程度としてあることを特徴とする。
【００４４】
この構成により、樹脂封止部の樹脂厚を削減することができるので、樹脂封止部による内部応力を減少することができることから、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を低減することができる。
【００４５】
本発明に係る半導体装置では、前記半導体チップは、前記ヘッダー部にフリップチップ実装してあることを特徴とする。
【００４６】
この構成により、ワイヤーボンディングが不要となり、樹脂封止部の樹脂厚を削減することができるので、樹脂封止部による内部応力を減少することができることから、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を低減することができる。
【００４７】
本発明に係る電子機器は、半導体装置を搭載してある電子機器において、前記半導体装置は、本発明に係る半導体装置であることを特徴とする。
【００４８】
この構成により、信頼性の高い半導体装置を搭載することから、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【００４９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ヘッダー部と該ヘッダー部を支持するヘッダー支持リードと該ヘッダー支持リードを保持する支持リード保持部とを備えるリードフレームの前記ヘッダー部に半導体チップを搭載する搭載工程と、前記半導体チップと前記ヘッダー部と前記ヘッダー支持リードとを内包する樹脂封止部を形成する樹脂封止工程とを備える半導体装置の製造方法において、前記支持リード保持部はスリットを有することを特徴とする。
【００５０】
この構成により、スリットを有する支持リード保持部によりヘッダー支持リードを保持するので、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を分散させて低減することができる。
【００５１】
本発明に係る半導体装置の製造方法では、前記半導体チップが搭載された面と反対側の面に樹脂封止部形成用の樹脂ランナーを設けることを特徴とする。
【００５２】
この構成により、リードフレームの両面での封止樹脂量のアンバランスを低減して封止樹脂の硬化時における収縮応力によるリードフレームの反りを防止することができるので、ヘッダー支持リードと樹脂封止部との間での剥離が発生することを防止することができる。
【発明の効果】
【００５３】
本発明に係る半導体装置によれば、半導体チップを搭載するヘッダー部を支持するヘッダー支持リードを蛇行させることから、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を分散させて低減することができるので、ヘッダー支持リードと樹脂封止部との間での剥離の発生を防止することができ、信頼性の高い半導体装置を実現するという効果を奏する。
【００５４】
本発明に係る半導体装置によれば、半導体チップを搭載するヘッダー部にスリットを設けることから、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を分散させて低減することができるので、ヘッダー支持リードと樹脂封止部との間での剥離の発生を防止することができ、信頼性の高い半導体装置を実現するという効果を奏する。
【００５５】
本発明に係る電子機器によれば、本発明に係る半導体装置を搭載した電子機器とすることから、信頼性の高い半導体装置を搭載することとなり、信頼性の高い電子機器を実現するという効果を奏する。
【００５６】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、スリットを有する支持リード保持部によりヘッダー支持リードを保持することから、ヘッダー支持リードに加わる内部応力を分散させて低減することができるので、ヘッダー支持リードと樹脂封止部との間での剥離の発生を防止することができ、信頼性の高い半導体装置を実現するという効果を奏する。
【００５７】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップが搭載された面と反対側の面に樹脂封止部形成用の樹脂ランナーを設けることから、リードフレーム両面での封止樹脂量のアンバランスを低減して封止樹脂の硬化時における収縮応力によるリードフレームの反りを防止できるので、ヘッダー支持リードと樹脂封止部との間での剥離の発生を防止することができ、信頼性の高い半導体装置を実現するという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００５９】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【００６０】
リードフレーム１には、半導体チップ２を搭載するヘッダー部３が形成してある。半導体チップ２は、例えば受光素子、集積回路などである。半導体チップ２は、ヘッダー部３にダイボンディングされている（ダイボンディング工程）。
【００６１】
ヘッダー部３は、ヘッダー支持リード４により支持されている。ヘッダー支持リード４は、蛇行（クランク）状態で延在し、リードフレーム１の一部を構成する支持リード保持部５により端部を保持されている。つまり、ヘッダー支持リード４は、ヘッダー部３と支持リード保持部５とを連結してあり、途中で屈曲して蛇行状態となるように形成してある。
【００６２】
リードフレーム１は、端子用リード６を備え、端子用リード６と半導体チップ２とは相互に金線などのワイヤー７（図２参照）を介してワイヤーボンディングされる（ワイヤーボンディング工程）。
【００６３】
なお、リードフレーム１は、ヘッダー部３、ヘッダー支持リード４、支持リード保持部５、端子用リード６を一体として形成してある。
【００６４】
ダイボンディング工程およびワイヤーボンディング工程により半導体チップ２をリードフレーム１に搭載する搭載工程が構成される。
【００６５】
図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに搭載した半導体チップを樹脂封止した状態を示す。
【００６６】
図１で説明した搭載工程の後、半導体チップ２、ヘッダー部３、ヘッダー支持リード４を内包する樹脂封止部８が形成される（樹脂封止工程、モールド工程）。樹脂封止部８は、半導体チップ２が搭載された側（リードフレーム１の表面側）に封止樹脂が充填されて形成されるので、半導体チップ２を周囲環境から保護することができる。
【００６７】
樹脂封止部８は、リードフレーム１の表面側からリードフレーム１の裏面に到達して露出するように形成されるので、端子用リード６相互間、ヘッダー部３と端子用リード６との間の隙間にも充填して形成されている。
【００６８】
図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、半導体チップを樹脂封止後、樹脂封止部の端面でリードフレームを切断して半導体装置を完成した状態を示す。
【００６９】
樹脂封止工程の後、露出しているリードフレーム１の表面にメッキ処理を施し（メッキ工程）、その後樹脂封止部８の端面に沿ってフレームカット（単品化：フレームカット工程：分離工程）を行なう。つまり、樹脂封止部８の周囲の端面を境界にしてリードフレーム１を切断することにより、単体としての個別の半導体装置１０を形成する。なお、支持リード保持部５も分離工程で半導体装置１０から切断される。
【００７０】
上述したとおり、半導体チップ２はヘッダー部３に搭載され、ヘッダー部３は樹脂封止部８の端面に向かって蛇行状態で延在するヘッダー支持リード４に連結されている。また、半導体チップ２と端子用リード６とはワイヤー７を介して接続されている。
【００７１】
したがって、半導体チップ２、ヘッダー部３、ヘッダー支持リード４、端子用リード６、ワイヤー７を樹脂封止部８で内包した半導体装置１０となる。また、半導体装置１０の底面（ヘッダー部３の半導体チップ２が搭載された面と反対側の面）では、ヘッダー部３、ヘッダー支持リード４、端子用リード６、樹脂封止部８が平面状の底面を形成し、いわゆる表面実装型となっている。
【００７２】
つまり、樹脂封止部８は、ヘッダー部３の半導体チップ２が搭載された面（チップ搭載面）に形成され、薄型化が図られている。また、端子用リード６は、半導体装置１０の底面で露出し、半導体装置１０が実装される実装基板（不図示）の配線パターンにハンダ付けが可能な構成となっている。
【００７３】
なお、ヘッダー部３およびヘッダー支持リード４は、樹脂封止部８に完全に封止されていることが好ましいが一部が露出しても構わない。
【００７４】
本実施の形態では、ヘッダー支持リード４は、対称的に配置された４本で構成し、ヘッダー部３の角部から延在させて、途中でクランク状に屈曲させて支持リード保持部５へ連接してある。このようにヘッダー支持リード４を蛇行させることにより、支持領域Ａｓでリードフレーム１（ヘッダー支持リード４）と封止樹脂（樹脂封止部８）との間に剥離が発生しないという大きな効果が得られた。
【００７５】
本実施の形態のヘッダー支持リード４に対して熱応力シミュレーションを行なうと、支持領域Ａｓにあるヘッダー支持リード４に加わる封止樹脂部８の内部応力（ピーク値）は、従来例に対して４２％程度まで減少していた。つまり、ヘッダー支持リード４をクランクさせることにより、封止樹脂部８の内部応力が減少し、ヘッダー部３につながる４本のヘッダー支持リード４に集中せず、分散することが確認された。
【００７６】
本実施の形態によれば、封止樹脂（樹脂封止部８）とリードフレーム１との間に剥離が発生しないことから、耐湿性が大きく向上する。したがって、極めて信頼性の高い、高品質な半導体装置１０を提供することが可能となる。
【００７７】
本実施の形態に係る半導体装置は、特に表面実装型のように樹脂封止部８がリードフレーム１の片面に主に形成され、樹脂封止部８とヘッダー支持リード４との間での剥離が生じやすい半導体装置に適用した場合に、大きな効果が得られる。
【００７８】
また、本実施の形態に係る半導体装置１０に搭載する半導体チップ２をフォトトランジスタなどの受光半導体素子とした場合には、照度センサ、光ピックアップなどに適した半導体装置とすることができる。
【００７９】
＜実施の形態２＞
図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【００８０】
本実施の形態の基本構成および作用は、実施の形態１と同様であるので、異ならせた構成部分について説明を行なう。
【００８１】
ヘッダー支持リード４は、蛇行（クランク）状態で延在し、リードフレーム１の一部を構成する支持リード保持部５により端部を保持されている。本実施の形態では、ヘッダー支持リード４を対称的に配置した２本で構成し、ヘッダー部３の側面に沿って延在させてある。なお、ヘッダー部３とヘッダー支持リード４とは、ヘッダー部３の対角線上の角部で連結させてある。
【００８２】
この構成により、樹脂封止部８（図２、図３参照）の端面からヘッダー部３までのヘッダー支持リード４の長さ（インナーリード長）を長くすることができる。
【００８３】
本実施の形態では、ヘッダー支持リード４の長さを長くしてあることから、支持領域Ａｓでリードフレーム１（ヘッダー支持リード４）と封止樹脂（樹脂封止部８）との間に剥離が発生しないという大きな効果が得られた。すなわち、本実施の形態のヘッダー支持リード４に対して熱応力シミュレーションを行なうと、支持領域Ａｓにあるヘッダー支持リード４に加わる封止樹脂部８の内部応力（ピーク値）は、従来例に対して１７％程度まで減少していた。
【００８４】
つまり、ヘッダー支持リード４をクランクさせることにより、封止樹脂部８の内部応力が減少し、ヘッダー部３につながる４本のヘッダー支持リード４に集中せず、分散することが確認された。
【００８５】
＜実施の形態３＞
図５は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【００８６】
本実施の形態の基本構成および作用は、実施の形態１と同様であるので、異ならせた構成部分について説明を行なう。
【００８７】
本実施の形態では、ヘッダー支持リード４は、直線状態で延在し、リードフレーム１の一部を構成する支持リード保持部５により端部を保持されている。支持リード保持部５には、スリット５ｓを形成してある。
【００８８】
つまり、ヘッダー部３に半導体チップ２を搭載する搭載工程、半導体チップ２、ヘッダー部３、ヘッダー支持リード４を内包する樹脂封止部８（図２、図３参照）を形成する樹脂封止工程を備える半導体装置１０（図２、図３参照）の製造方法において、支持リード保持部５はスリット５ｓを有する状態で樹脂封止工程を施される。なお、支持リード保持部５は他の実施の形態と同様に分離工程で半導体装置１０から切断される。
【００８９】
本実施の形態により、直線状のヘッダー支持リード４部分（支持領域Ａｓ）に加わる封止樹脂部８の内部応力（ピーク値）を、従来例に対して７５％程度まで減少することができ、リードフレーム１（ヘッダー支持リード４）と封止樹脂部８との剥離も減少させることができた。
【００９０】
また、ヘッダー部３につながるヘッダー支持リード４の表面あるいは裏面（底面）にノッチ加工（溝加工：溝４ｇを形成する）を施すことにより、樹脂封止部８とヘッダー支持リード４の接触面積を増加し、さらに支持領域Ａｓでの剥離を防止する効果を上げることができる。なお、ヘッダー支持リード４への溝加工は、本実施の形態に限るものではなく、他の実施の形態にも適用することが可能である。また、溝加工はヘッダー支持リード４の表面だけでなく、裏面（底面）側に対しても施すことが可能であり、表面に施した場合と同様の剥離防止効果が得られる。
【００９１】
＜実施の形態４＞
図６は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【００９２】
本実施の形態の基本構成および作用は、実施の形態１と同様であるので、異ならせた構成部分について説明を行なう。本実施の形態は、実施の形態１と実施の形態３とを組み合わせて構成としてある。
【００９３】
つまり、実施の形態１に係るヘッダー支持リード４とスリット５ｓを有する支持リード保持部５とを連結した構成としてある。なお、スリット５ｓを有する支持リード保持部５を他の実施の形態と組み合わせることも同様に可能である。
【００９４】
本実施の形態により、蛇行させたヘッダー支持リード４部分（支持領域Ａｓ）に加わる封止樹脂部８（図２、図３参照）の内部応力（ピーク値）を、従来例に対して１７％程度まで減少することができ、リードフレーム１（ヘッダー支持リード４）と封止樹脂部８との剥離を防止することができた。
【００９５】
＜実施の形態５＞
図７は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【００９６】
本実施の形態の基本構成および作用は、実施の形態１と同様であるので、異ならせた構成部分について説明を行なう。
【００９７】
本実施の形態では、半導体チップ２を搭載するヘッダー部３にスリット３ｓを設け、ヘッダー部３につながるヘッダー支持リード４を直線状の２本で構成してある。なお、他の実施の形態と組み合わせることも可能である。
【００９８】
本実施の形態により、ヘッダー支持リード４部分（支持領域Ａｓ）に加わる封止樹脂部８（図２、図３参照）の内部応力（ピーク値）を、従来例に対して２２％程度まで減少することができ、リードフレーム１（ヘッダー支持リード４）と封止樹脂部８との剥離を防止することができた。
【００９９】
＜実施の形態６＞
図８は、本発明の実施の形態６に係る半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ方向から見た側面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ方向から見た側面図である。
【０１００】
図１ないし図７では、説明の容易さを考慮して単体の半導体装置１０について説明した。実際の製造工程では、単体で各工程の処理を施すのではなく、複数の半導体装置１０を同時に形成する多連状態として処理が施される（図８）。
【０１０１】
つまり、リードフレーム１には、例えば縦１１行、横８列、すなわち１１×８のマトリックス状に合計８８個の半導体装置１０（樹脂封止部８）が形成される。なお、図８でリードフレーム１の細部は省略している。
【０１０２】
樹脂封止工程の後、露出しているリードフレーム１の表面にメッキ処理を施し（メッキ工程）、その後樹脂封止部８の端面に沿ってフレームカット（単品化）を行い、単体としての個別の半導体装置１０（図３参照）を完成する。
【０１０３】
本実施の形態では、樹脂封止工程において、樹脂封止部８を形成するための樹脂封止部形成用の樹脂ランナー８ｒをリードフレーム１の裏面側（半導体チップ２が搭載された面と反対側の面）にも設けた構成としてある。つまり、樹脂ランナー８ｒをリードフレーム１の裏面にも配置することにより、リードフレーム１の表面と裏面での封止樹脂量のアンバランスを小さくし、樹脂の応力のバランスを保つことが可能となる。
【０１０４】
一般に、封止樹脂がリードフレーム１の片側面に多く存在すると、封止樹脂の硬化収縮の応力により、ひどい場合はリードフレーム１が封止樹脂部８の側に反る場合がある。しかし、樹脂ランナー８ｒを裏面にも配置することで、リードフレーム１の反りを防止することが可能となり、リードフレーム１（ヘッダー支持リード４）と樹脂封止部８との間での剥離の発生を防止することが可能となる。
【０１０５】
＜実施の形態７＞
本実施の形態（不図示）では、ヘッダー支持リード４のいずれかの面（表面、裏面、側面）または全ての面を粗面化する構成とする。本実施の形態は、他の実施の形態に同様に適用することが可能である。この構成により、封止樹脂部８とヘッダー支持リード４の接触面積を増加することが可能となり、リードフレーム１（ヘッダー支持リード４）と樹脂封止部８との間での剥離の発生を防止することができる。なお、粗面化は、リードフレーム１にエッチングなどを施すことにより実現することができる。
【０１０６】
＜実施の形態８＞
本実施の形態（不図示）では、樹脂封止部８の厚さを薄くすることにより、封止樹脂部８での内部応力を低減する構成としてある。すなわち封止樹脂量が少ない程、封止樹脂部８の内部応力は減少するためである。
【０１０７】
具体的には、半導体チップ２の厚さを従来のチップ厚に比較して半分程度とすることにより、ヘッダー部８の厚さと同程度とする。
【０１０８】
この構成とすることにより、樹脂封止部８の厚さを従来例の場合に比較して３分の２程度にすることが可能となった。したがって、リードフレーム１（ヘッダー支持リード４）と樹脂封止部８との間での剥離の発生を防止することができる。
【０１０９】
＜実施の形態９＞
本実施の形態（不図示）では、実施の形態８と同様に、樹脂封止部８の厚さを薄くすることにより、封止樹脂部８での内部応力を低減する構成としてある。
【０１１０】
具体的には、半導体チップ２をフリップチップ実装することにより、ワイヤー７（図２参照）を不要として樹脂封止部８の厚さを薄くすることが可能となる。
【０１１１】
つまり、この構成とすることにより、樹脂封止部８の厚さをワイヤー７のループ高さ（通常は２００μｍ程度である。）に相当する量薄くすることが可能となる。したがって、リードフレーム１（ヘッダー支持リード４）と樹脂封止部８との間での剥離の発生を防止することができる。
【０１１２】
＜実施の形態１０＞
本実施の形態（不図示）に係る電子機器は、半導体装置を搭載してある電子機器において、半導体装置として実施の形態１ないし実施の形態９に係る半導体装置１０を用いる。
【０１１３】
信頼性の高い、高品質な半導体装置１０を搭載することから、電子機器の信頼性、つまり品質を向上することが可能となる。本実施の形態は、携帯電話、ＤＶＤなどの電子機器に適用することができる。
【０１１４】
また、本実施の形態に係る電子機器に搭載する半導体装置の半導体チップをフォトトランジスタなどの受光半導体素子とした場合には、照度センサ、光ピックアップなどを備える電子機器とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに搭載した半導体チップを樹脂封止した状態を示す。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、半導体チップを樹脂封止後、樹脂封止部の端面でリードフレームを切断して半導体装置を完成した状態を示す。
【図４】本発明の実施の形態２に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【図５】本発明の実施の形態３に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【図６】本発明の実施の形態４に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【図７】本発明の実施の形態５に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【図８】本発明の実施の形態６に係る半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ方向から見た側面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ方向から見た側面図である。
【図９】従来例に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに半導体チップを搭載した状態を示す。
【図１０】従来例に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、リードフレームに搭載した半導体チップを樹脂封止した状態を示す。
【図１１】従来例に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図であり、半導体チップを樹脂封止後、樹脂封止部の端面でリードフレームを切断して半導体装置を完成した状態を示す。
【図１２】従来例に係る半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ方向から見た側面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ方向から見た側面図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１  リードフレーム
２  半導体チップ
３  ヘッダー部
３ｓ  スリット
４  ヘッダー支持リード
４ｇ  溝
５  支持リード保持部
５ｓ  スリット
６  端子用リード
７  ワイヤー
８  樹脂封止部
８ｒ  樹脂ランナー
１０  半導体装置
Ａｓ  支持領域
【図１】
2007095799.tif 000003
【図２】
2007095799.tif 000004
【図３】
2007095799.tif 000005
【図４】
2007095799.tif 000006
【図５】
2007095799.tif 000007
【図６】
2007095799.tif 000008
【図７】
2007095799.tif 000009
【図８】
2007095799.tif 000010
【図９】
2007095799.tif 000011
【図１０】
2007095799.tif 000012
【図１１】
2007095799.tif 000013
【図１２】
2007095799.tif 000014