(57)【要約】【課題】配線の微細化に対応しつつ、千鳥配列された突出電極と配線との接触を防止する。【解決手段】半導体チップ４に形成された突出電極５を配線パターン２上に接合させることにより、半導体チップ４が絶縁性基材１上にフェースダウン実装され、突出電極５は千鳥配列されるとともに、半導体チップ４上で外側に配置された突出電極５ｂの接合部に隣接する部分の配線パターン２ａを覆うように絶縁層７を形成する。【選択図】図２
2007201308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
突出電極が接合される配線パターンが形成された絶縁性基材と、
前記突出電極の接合部に隣接する部分の配線パターンを覆うように形成された絶縁層と
を備えることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
突出電極が接合される配線パターンが形成された絶縁性基材と、
前記突出電極の接合部に隣接する部分の配線パターンを覆うように形成された絶縁層と
、
前記突出電極の接合部との間隔に対して前記絶縁層との間隔が広がるようにして前記配
線パターン上に形成されたソルダーレジストとを備えることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
配線パターンが形成された回路基板と、
突出電極を介して前記配線パターンに接合された半導体チップと、
前記突出電極の接合部に隣接する部分の配線パターンを覆うように形成された絶縁層と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
配線パターンが形成された回路基板と、
突出電極を介して前記配線パターンに接合された半導体チップと、
前記突出電極の接合部に隣接する部分の配線パターンを覆うように形成された絶縁層と
、
前記突出電極の接合部との間隔に対して前記絶縁層との間隔が広がるようにして前記配
線パターン上に形成されたソルダーレジストと、
前記半導体チップと前記回路基板との間を封止する封止樹脂とを備えることを特徴とす
る半導体装置。
【請求項５】
前記配線パターンに沿った絶縁層の長さは前記突出電極の接合部の長さよりも大きいこ
とを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置。
【請求項６】
突出電極が接合される配線パターンを絶縁性基材上に形成する工程と、
インクジェット法にて樹脂を吐出させることにより、前記突出電極の接合部に隣接する
部分の配線パターンを覆うように絶縁層を形成する工程とを備えることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、突出電極を
端子電極に接合させる方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置では、インナーリードのファインピッチ化を図るために、例えば、特
許文献１に開示されているように、突出電極を千鳥配列する方法がある。
【特許文献１】特開２００４−１９３２２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、突出電極を千鳥配列する方法では、突出電極の接合時に突出電極が膨ら
み、突出電極間に配置された配線との間隔が狭くなることから、インナーリードのファイ
ンピッチ化の障害になるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、配線の微細化に対応しつつ、千鳥配列された突出電極と配線
との接触を防止することが可能な回路基板、半導体装置および半導体装置の製造方法を提
供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る回路基板によれば、突出電極が
接合される配線パターンが形成された絶縁性基材と、前記突出電極の接合部に隣接する部
分の配線パターンを覆うように形成された絶縁層とを備えることを特徴とする。
これにより、突出電極の接合時に突出電極が膨らみ、突出電極間に配置された配線パタ
ーンとの間隔が狭くなった場合においても、突出電極と配線パターンとが接触することを
防止することができ、配線の微細化に対応しつつ、千鳥配列された突出電極と配線とのシ
ョートを防止することが可能となる。
【０００５】
また、本発明の一態様に係る回路基板によれば、突出電極が接合される配線パターンが
形成された絶縁性基材と、前記突出電極の接合部に隣接する部分の配線パターンを覆うよ
うに形成された絶縁層と、前記突出電極の接合部との間隔に対して前記絶縁層との間隔が
広がるようにして前記配線パターン上に形成されたソルダーレジストとを備えることを特
徴とする。
これにより、配線パターンを覆うように絶縁層が形成されている場合においても、絶縁
層とソルダーレジストとの間の隙間を介して樹脂を流し込むことが可能となり、回路基板
上にフェースダウン実装された半導体チップの封止を安定して行うことが可能となる。
【０００６】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、配線パターンが形成された回路基板
と、突出電極を介して前記配線パターンに接合された半導体チップと、前記突出電極の接
合部に隣接する部分の配線パターンを覆うように形成された絶縁層とを備えることを特徴
とする。
これにより、突出電極の接合時に突出電極が膨らみ、突出電極間に配置された配線パタ
ーンとの間隔が狭くなった場合においても、突出電極と配線パターンとが接触することを
防止することができ、配線の微細化に対応しつつ、千鳥配列された突出電極と配線とのシ
ョートを防止することが可能となる。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、配線パターンが形成された回路基板
と、突出電極を介して前記配線パターンに接合された半導体チップと、前記突出電極の接
合部に隣接する部分の配線パターンを覆うように形成された絶縁層と、前記突出電極の接
合部との間隔に対して前記絶縁層との間隔が広がるようにして前記配線パターン上に形成
されたソルダーレジストと、前記半導体チップと前記回路基板との間を封止する封止樹脂
とを備えることを特徴とする。
これにより、配線パターンを覆うように絶縁層が形成されている場合においても、回路
基板上にフェースダウン実装された半導体チップ下に絶縁層とソルダーレジストとの間の
隙間を介して封止樹脂を流し込むことが可能となり、半導体チップの封止を安定して行う
ことが可能となる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記配線パターンに沿った絶縁層の
長さは前記突出電極の接合部の長さよりも大きいことを特徴とする。
これにより、突出電極の接合時に突出電極が膨らみ、突出電極間に配置された配線パタ
ーンとの間隔が狭くなった場合においても、突出電極と配線とのショートを防止すること
が可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、突出電極が接合される配
線パターンを絶縁性基材上に形成する工程と、インクジェット法にて樹脂を吐出させるこ
とにより、前記突出電極の接合部に隣接する部分の配線パターンを覆うように絶縁層を形
成する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、突出電極の接合部に隣接する部分の配線パターンを覆うように絶縁層を精
度よく形成することができ、配線の微細化に対応しつつ、千鳥配列された突出電極と配線
とのショートを防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照しな
がら説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図、図１
（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図、図１（ｃ）
は、図１（ｂ）の突出電極５の部分を拡大して示す平面図である。
【００１１】
図１において、絶縁性基材１上には、配線パターン２が形成されるとともに、端部が露
出したまま配線パターン２が覆われるようにソルダーレジスト３が形成されている。また
、半導体チップ４には突出電極５が形成されている。そして、突出電極５を配線パターン
２上に接合させることにより、半導体チップ４が絶縁性基材１上にフェースダウン実装さ
れている。そして、半導体チップ４と絶縁性基材１との間には封止樹脂６が注入され、半
導体チップ４の表面が封止されている。ここで、図１（ｃ）に示すように、突出電極５は
千鳥配列されている。そして、半導体チップ４上で内側に配置された突出電極５ａに接続
される配線パターン２ａは、半導体チップ４上で外側に配置された突出電極５ｂの間を通
るようにして突出電極５ａに達するように構成されている。そして、半導体チップ４上で
外側に配置された突出電極５ｂの接合部に隣接する部分の配線パターン２ａを覆うように
絶縁層７が形成されている。
【００１２】
これにより、突出電極５ｂの接合時に突出電極５ｂが膨らみ、突出電極５ｂ間に配置さ
れた配線パターン２ｂとの間隔が狭くなった場合においても、突出電極５ｂと配線パター
ン２ｂとが接触することを防止することができ、配線パターン２ａ、２ｂの微細化に対応
しつつ、千鳥配列された突出電極５ａ、５ｂと配線パターン２ａ、２ｂとのショートを防
止することが可能となる。
【００１３】
なお、絶縁性基材１としては、例えば、テープ基板またはフィルム基板を用いることが
でき、絶縁性基材１の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂やアミドイミド樹脂、エス
テルイミド樹脂、エーテルイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリエチレン樹脂あるいはこれらの変性樹脂などを用いることができる。また、突出
電極５の材料としては、例えば、銅Ｃｕ、ニッケルＮｉ、金Ａｕなどを用いることができ
る。また、銅Ｃｕで形成された突出電極５上には、ニッケルＮｉ、錫Ｓｎまたは金Ａｕな
どのキャップ層を形成してもよく、突出電極５上に形成されたキャップ層を介して半田層
を形成するようにしてもよい。
【００１４】
また、突出電極５を配線パターン２に接合させる場合、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＮＣＦ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆ
ｉｌｍ）接合、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）
接合、ＮＣＰ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合などの圧接接合を用いる
ようにしてもよいし、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。
【００１５】
また、配線パターンが形成された絶縁性基材１は、例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ
）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）などに用いることができる。
また、絶縁層７の材質としては、例えば、レジストやアンダーフィルなどの樹脂を用い
ることができ、絶縁層７の形成方法としては、例えば、インクジェット法やフォトエッチ
ング技術を用いることができる。また、配線パターン２ａに沿った絶縁層７の長さは突出
電極５ｂの接合部の長さよりも大きいことが好ましい。
【００１６】
図２（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図、図２
（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図、図２（ｃ）
は、図２（ｂ）の突出電極５の部分を拡大して示す平面図である。
図２において、図１の絶縁性基材１上にはソルダーレジスト３の代わりに、ソルダーレ
ジスト３´が形成されている。ここで、ソルダーレジスト３´は、半導体チップ４上で外
側に配置された突出電極５ｂの接合部との間隔に対して絶縁層７との間隔が広がるように
して配線パターン２ａ、２ｂ上に形成されている。
【００１７】
これにより、配線パターン２ａ、２ｂを覆うように絶縁層７が形成されている場合にお
いても、絶縁層７とソルダーレジスト３´との間の隙間を介して封止樹脂６を流し込むこ
とが可能となり、絶縁性基材１上にフェースダウン実装された半導体チップ４の封止を安
定して行うことが可能となる。
なお、上述した半導体装置は、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデ
オカメラ、デジタルカメラ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ  Ｄｉｓｃ）プレーヤ、ＩＣカード、ＩＣタ
グなどの電子機器に適用することができ、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子
機器の信頼性を向上させることができる。
【００１８】
また、上述した実施形態では、半導体チップの実装方法を例にとって説明したが、本発
明は、必ずしも半導体チップの実装方法に限定されることなく、例えば、弾性表面波（Ｓ
ＡＷ）素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサや
バイオセンサなどの各種センサ類などの実装方法に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す図。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す図。
【符号の説明】
【００２０】
１  絶縁性基材、２、２ａ、２ｂ  配線パターン、３、３´  ソルダーレジスト、４  
半導体チップ、５、５ａ、５ｂ  突出電極、６  封止樹脂、７  絶縁層
【図１】
2007201308.tif 000003
【図２】
2007201308.tif 000004