(57)【要約】【課題】接着特性を向上させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】画素領域Iと画素領域I以外の領域である非画素領域IIとを備えた基板３００と、画素領域Iの基板３００上に形成され、半導体層３２０と、ゲート電極３４０ａと、ソース／ドレイン電極３６０ａ，３６０ｂとを含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に連結されている第１電極３８０と、第１電極３８０上に位置する画素定義膜３９０と、第１電極３８０及び画素定義膜３９０上に形成され、少なくとも発光層を含む有機膜層４００と、有機膜層４００上に位置する第２電極４１０と、基板３００上に形成される少なくとも１つの無機膜３７０と、基板３００を封止する封止基板４２０と、非画素領域IIの無機膜３７０上に位置し、基板３００と封止基板４２０とを封止するためのフリット４３０と、を含む。【選択図】図２ｄ
2007200883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域と前記画素領域以外の領域である非画素領域とを備えた基板と、
前記画素領域の基板上に形成され、半導体層と、ゲート電極と、ソース／ドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に連結されている第１電極と、
前記第１電極上に位置する画素定義膜と、
前記第１電極及び前記画素定義膜上に形成され、少なくとも発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層上に位置する第２電極と、
前記基板に形成される少なくとも１つの無機膜と、
前記基板を封止する封止基板と、
前記非画素領域の無機膜上に位置し、前記基板と前記封止基板とを封止するためのフリットと、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記無機膜は、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、または無機平坦化膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記無機膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはＳＯＧ膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記無機平坦化膜の厚さは、１〜５μｍであることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記フリットは、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス、及びホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された１種以上を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記フリットは、前記基板の周縁部に位置することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記封止基板の一の面に位置する吸湿剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記吸湿剤は、透明吸湿剤であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
画素領域と非画素領域とを含む基板を準備する段階と、
前記画素領域の基板上に、半導体層と、ゲート電極と、ソース／ドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記基板の全面にわたって少なくとも１つの無機膜を形成する段階と、
前記画素領域に、前記薄膜トランジスタに連結されるように第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に画素定義膜を形成する段階と、
前記非画素領域の無機膜上の前記画素定義膜をエッチングして除去する段階と、
前記画素領域の第１電極及び画素定義膜上に、少なくとも発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
前記基板の全面にわたって第２電極を形成する段階と、
前記非画素領域の第２電極をエッチングして除去する段階と、
封止基板または前記基板の周縁部にフリットを塗布し、前記基板を封止する段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板を封止する段階は、前記基板の周縁部の無機膜上にフリットを塗布することを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板を封止する段階の後に、前記フリットにレーザーを照射して前記基板と前記封止基板とを接着する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記無機膜は、スピンコーティング法によって形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記フリットは、ディスペンシング法またはスクリーン印刷法によって塗布されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された無機膜と、前記無機膜上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層上に形成された有機発光ダイオードとを少なくとも備えた基板と、
前記基板と重ね合わされた封止基板と、
前記基板と前記封止基板との間に介在され、前記無機膜と接触するフリットと、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記有機平坦化層は、ポリアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリフェニレンスルファイド系樹脂、及びベンゾシクロブテンよりなる群から選択された１つの材料から形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記無機膜は、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のうち少なくとも１つから形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記フリットは、レーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された無機膜と、前記無機膜上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層上に形成された有機発光ダイオードとを備えた基板を準備する段階と、
前記無機膜の一領域が露出されるように、前記有機平坦化層の一領域をエッチングする段階と、
周縁部に沿ってフリットが塗布された封止基板を準備する段階と、
前記露出された無機膜の前記一領域と前記フリットとが直接的に接触するように、前記基板と前記封止基板とを重ね合わせる段階と、
前記フリットを溶融させて、前記基板と前記封止基板とを接着する段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記有機平坦化層をエッチングする段階は、前記有機平坦化層をドライエッチングすることを特徴とする請求項１８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記ドライエッチングは、イオンビームエッチング、ＲＦスパッタリングエッチング、及び反応性イオンエッチングよりなる群から選択された１つの方法により実施されることを特徴とする請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記フリットは、レーザーまたは赤外線によって溶融されることを特徴とする請求項１８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層の一領域上に順次に積層された無機膜及び有機膜層とを少なくとも備えた基板と、
前記有機膜層が少なくとも密封されるように、前記基板と重ね合わされた封止基板と、
前記基板と前記封止基板との間に介在され、前記無機膜と接触するフリットと、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２３】
前記有機膜層は、発光層と、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層よりなる群から選択された少なくとも一つの層と、を含むことを特徴とする請求項２２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２４】
前記無機膜は、アノード電極であることを特徴とする請求項２２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２５】
前記アノード電極は、アルミニウム、モリブデンタングステン、モリブデン、銅、銀、アルミニウム合金、銀合金、ＩＴＯ、ＩＺＯ、及び半透明金属よりなる群から選択された少なくとも１つの物質を含むことを特徴とする請求項２４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２６】
前記無機膜と前記有機膜層との間に、アノード電極が設けられていることを特徴とする請求項２２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２７】
前記無機膜は、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のうち少なくとも１つから形成されることを特徴とする請求項２６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２８】
前記有機平坦化層は、ポリアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリフェニレンスルファイド系樹脂、及びベンゾシクロブテンよりなる群から選択された１つの材料から形成されることを特徴とする請求項２２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２９】
前記フリットは、レーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含むことを特徴とする請求項２２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３０】
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層の一領域上に順次に積層された無機膜及び有機膜層とを少なくとも備えた基板を準備する段階と、
周縁部に沿ってフリットが塗布された封止基板を準備する段階と、
前記無機膜と前記フリットとが直接的に接触するように、前記基板と前記封止基板とを重ね合わせる段階と、
前記フリットを溶融させて、前記基板と前記封止基板とを接着する段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記無機膜は、アノード電極が延長されてなることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記無機膜と前記有機膜層との間に、アノード電極が形成されることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記フリットは、レーザーまたは赤外線によって溶融されることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳細には、接着特性を向上させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅ  ｒａｙ  ｔｕｂｅ）のような表示装置の問題点を解決する液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）、有機電界発光装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  ｄｅｖｉｃｅ）、及びＰＤＰ（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）などのような平板型表示装置（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）が注目されている。
【０００３】
液晶表示装置は、自発光型素子でなく、バックライトを必要とする非自発光型素子であるため、明るさ、コントラスト、視野角、及び大面積化などに限界がある。また、ＰＤＰは、自発光型素子ではあるが、他の平板型表示装置に比べて重さが重く、且つ消費電力が高く、製造方法が複雑であるという問題点がある。
【０００４】
これに対し、有機電界発光表示装置は、自発光型素子であるから、視野角、コントラストなどに優れていて、且つバックライトが不要なので、軽量及び薄形化が可能であり、消費電力の側面においても有利である。また、有機電界発光表示装置は、直流の低電圧駆動が可能であり、且つ応答速度が速く、固体よりなるので、外部衝撃に強く、しかも、使用温度範囲が広く、製造方法が単純であり、安価であるという長所を有する。
【０００５】
図１は、従来の有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【０００６】
図１を参照すれば、画素領域Ｉ及び非画素領域IIが設けられた基板１００上に、半導体層１１０と、ゲート絶縁膜１２０と、ゲート電極１３０ａと、スキャンドライバ１３０ｂと、層間絶縁膜１４０と、ソース／ドレイン電極１５０と、ソース／ドレイン配線からなる共通電源供給ライン１５０ｂ及び第２電極電源供給ライン１５０ａとが設けられている。
【０００７】
基板１００の全面には、有機平坦化膜１６０が設けられる。有機平坦化膜１６０は、アクリル系樹脂またはポリイミド系樹脂といった有機物からなる。
【０００８】
有機平坦化膜１６０には、第２電極電源供給ライン１５０ａ及びソース／ドレイン電極１５０を露出させるビアホールが設けられる。
【０００９】
基板１００上に、反射膜１７０を含む第１電極１７１が設けられ、基板１００の全面に画素定義膜１８０が設けられる。
【００１０】
第１電極１７１上に、少なくとも発光層を含む有機膜層１９０が設けられ、その上部に第２電極２００が設けられる。基板１００に対向する封止基板２１０が用意され、基板１００と封止基板２１０とは、ガラスフリット２２０で封止され、従来技術に係る有機電界発光表示装置が構成される。
【００１１】
しかしながら、従来の有機電界発光表示装置は、基板を封止するガラスフリットの下部に有機平坦化膜が位置し、ガラスフリットにレーザーを照射するとき、レーザーの高熱に
より、有機物からなる有機平坦化膜が損傷される。
【００１２】
これより、ガラスフリットが有機平坦化膜と接着する界面において接着力が低下するという短所がある。
【特許文献１】大韓民国特許出願公開第２００１−００５０６８３号明細書
【特許文献２】大韓民国特許出願公開第２００５−０１０９８１８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前述のような従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、接着特性を向上させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために、本発明の一態様に係る有機電界発光表示装置は、画素領域と前記画素領域以外の領域である非画素領域とを備えた基板と、前記画素領域の基板上に形成され、半導体層と、ゲート電極と、ソース／ドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に連結されている第１電極と、前記第１電極上に位置する画素定義膜と、前記第１電極及び前記画素定義膜上に形成され、少なくとも発光層を含む有機膜層と、前記有機膜層上に位置する第２電極と、前記基板に形成される少なくとも１つの無機膜と、前記基板を封止する封止基板と、前記非画素領域の無機膜上に位置し、前記基板と前記封止基板とを封止するためのフリットと、を含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の他の態様に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、画素領域と非画素領域とを含む基板を準備する段階と、前記画素領域の基板上に、半導体層と、ゲート電極と、ソース／ドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを形成する段階と、前記基板の全面にわたって少なくとも１つの無機膜を形成する段階と、前記画素領域に、前記薄膜トランジスタに連結されるように第１電極を形成する段階と、前記第１電極上に画素定義膜を形成する段階と、前記非画素領域の無機膜上の前記画素定義膜をエッチングして除去する段階と、前記画素領域の第１電極及び画素定義膜上に、少なくとも発光層を含む有機膜層を形成する段階と、前記基板の全面にわたって第２電極を形成する段階と、前記非画素領域の第２電極をエッチングして除去する段階と、封止基板または前記基板の周縁部にフリットを塗布し、前記基板を封止する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明のさらに他の態様に係る有機電界発光表示装置は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された無機膜と、前記無機膜上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層上に形成された有機発光ダイオードとを少なくとも備えた基板と、前記基板と重ね合わされた封止基板と、前記基板と前記封止基板との間に介在され、前記無機膜と接触するフリットと、を含むことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のさらに他の態様に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された無機膜と、前記無機膜上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層上に形成された有機発光ダイオードとを備えた基板を準備する段階と、前記無機膜の一領域が露出されるように、前記有機平坦化層の一領域をエッチングする段階と、周縁部に沿ってフリットが塗布された封止基板を準備する段階と、前記露出された無機膜の前記一領域と前記フリットとが直接的に接触するように、前記基板と前記封止基板とを重ね合わせる段階と、前記フリットを溶融させて、前記基板と前記封止基板とを接着する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明のさらに他の態様に係る有機電界発光表示装置は、薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層の一領域上に順次に積層された無機膜及び有機膜層とを少なくとも備えた基板と、前記有機膜層が少なくとも密封されるように、前記基板と重ね合わされた封止基板と、前記基板と前記封止基板との間に介在され、前記無機膜と接触するフリットと、を含むことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明のさらに他の態様に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層の一領域上に順次に積層された無機膜及び有機膜層とを少なくとも備えた基板を準備する段階と、周縁部に沿ってフリットが塗布された封止基板を準備する段階と、前記無機膜と前記フリットとが直接的に接触するように、前記基板と前記封止基板とを重ね合わせる段階と、前記フリットを溶融させて、前記基板と前記封止基板とを接着する段階と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の有機電界発光表示装置及びその製造方法は、フリットを無機膜と直接的に接触するように形成することによって、基板と封止基板との間の接着特性を向上させることがでる。これにより、有機発光素子をさらに効率的に密封することができ、ひいては、酸素及び水分の侵入を防止して、有機電界発光表示装置の寿命及び発光効率特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付の図面を参照して、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。下記の実施形態は、当業者に本発明の思想が十分に伝達され得るようにするために一例として提示されるものである。したがって、本発明は、下記の実施形態に限らず、様々な変形が可能である。なお、図面において、層及び領域の長さや厚みは、明確性を図るために誇張されて表現される場合がある。本明細書において、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
【００２２】
図５〜図９は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【００２３】
一般的に、有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）は、電流が提供される配列に依存する基本的な形態に基づいて分類することができる。図５は、パッシブマトリクス形態の有機電界発光表示装置１０００の構造を概略的に示す斜視図である。また、図６は、アクティブマトリクス形態の有機電界発光表示装置１００１の構造を概略的に示す斜視図である。有機電界発光表示装置１０００，１００１の構成は、基板１００２上に形成された有機電界発光画素を含み、有機電界発光画素は、アノード１００４と、カソード１００６と、有機膜層１０１０とを含む。ここで、適切な電流がアノード１００４に印加されるとき、電流は、画素を流れて通過するようになり、可視光線が有機膜層から放出される。
【００２４】
まず、図５を参照すれば、パッシブマトリクス有機電界発光表示装置（Ｐａｓｓｉｖｅ
Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＰＭＯＬＥＤ）は、一般的にストリップ形態のカソード１００６とこれに垂直となるように配列されたストリップ形態のアノード１００４との間に介在された有機膜層１０１０を含む。この際、カソード１００６とアノード１００４の交差により個々のＯＬＥＤ画素が定義され、アノード１００４及びカソード１００６による適切な励起子により光が生成される。このようなＰＭＯＬＥＤは、簡単に製作できるという利点を提供する。
【００２５】
次に、図６を参照すれば、アクティブマトリクス有機電界発光表示装置（Ａｃｔｉｖｅ
Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＡＭＯＬＥＤ）は、基板１００２とＯＬＥＤ画素アレイとの間に駆動回路１０１２を含む。Ａ
ＭＯＬＥＤの個々の画素は、共通のカソード１００６及び電気的に断絶された各々のアノード１００４により定義される。各駆動回路１０１２は、ＯＬＥＤ画素のアノード１００４と結合され、データライン１０１６及びスキャンライン１０１８に連結される。例えば、スキャンライン１０１８は、駆動回路の選択された線にスキャン信号を供給し、データライン１０１６は、特定の駆動回路にデータ信号を供給する。前記データ信号及びスキャン信号は、該当画素から光を放出するために、アノード１００４を反応させる駆動回路１０１２に印加される。
【００２６】
前述したＡＭＯＬＥＤにおいて、駆動回路１０１２、データライン１０１６、及びスキャンライン１０１８は、画素アレイと基板１００２との間に介在された平坦化膜１０１４内に覆われる。平坦化膜１０１４は、ＯＬＥＤ画素アレイ上に平坦な表面を提供する。平坦化膜１０１４は、有機物または無機物で形成されることができ、単一層または二重層で形成されることができる。駆動回路１０１２は、薄膜トランジスタとともに形成され、ＯＬＥＤ画素アレイの下部に格子状に配列される。駆動回路１０１２は、部分的に有機物質で形成された有機薄膜トランジスタを含む。このようなＡＭＯＬＥＤは、速い応答速度を有するだけでなく、ＰＭＯＬＥＤよりも消費電力が低いという利点がある。
【００２７】
上記ＰＭＯＬＥＤ及びＡＭＯＬＥＤの共通的な特徴を考察すれば、基板１００２は、ＯＬＥＤ画素及び回路を構造的に支持する。基板１００２は、プラスチック、ガラス、または不透明物質を含むことができる。前記ＯＬＥＤ画素またはダイオードは、アノード１００４と、カソード１００６と、アノード１００４とカソード１００６との間に介在される有機膜層１０１０とから構成される。ここで、適切な電流がアノード１００４に印加される場合、カソード１００６は、電子を放出し、アノード１００４は、正孔を放出する。これとは異なって、基板１００２上にカソードが形成され、アノードが反対側に配列されるインバーテッド構造もあり得る。
【００２８】
カソード１００６とアノード１００４との間には、少なくとも１つの有機膜層が介在される。より詳細には、カソード１００６とアノード１００４との間には、少なくとも１つの発光層が介在される。発光層は、１つ以上の有機化合物を含むことができる。通常、発光層は、青色、緑色、赤色、または白色のような単一色の可視光線を発光する。この際、有機膜層１０１０は、カソード１００６とアノード１００４との間に形成され、光を放出する役割を果たす。また、カソード１００６とアノード１００４との間に、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、及び電子注入層がさらに含まれることができる。
【００２９】
前記正孔輸送層及び正孔注入層は、発光層１０１０とアノード１００４との間に位置することができる。また、電子輸送層及び電子注入層は、カソード１００６と発光層１０１０との間に位置することができる。前記電子注入層は、カソード１００６から電子を注入するための仕事関数を低減し、発光層１０１０への電子注入を円滑にする。同様に、正孔注入層は、アノード１００４から発光層に正孔注入を円滑にする。前記正孔及び電子輸送層は、各々電極から発光層にキャリアの移動を円滑にする。
【００３０】
一実施形態として、１つの層をもって電子注入及び輸送の役割または正孔注入及び輸送の役割を共に果たすことができる。また、他の実施形態として、これらの層のうち１または複数の層は、省略されてもよい。また、少なくとも１つの有機膜層には、キャリアの注入または輸送を補助する１つ以上の物質がドープされることもできる。ここで、１つの有機膜層がカソードとアノードとの間に形成される場合には、有機膜層は、有機発光化合物だけでなく、キャリアの注入または輸送を補助する機能性物質を含むことができる。この際、前記発光層を含んでこの層内に使用され得るように開発された複数の有機物質が含まれることができる。また、前記発光層内に使用される多数の有機物質が開発されている。一実施形態として、このような有機物質は、オリゴマー重合体を含む高分子物質であって
もよい。また、発光層の有機物質は、低分子物質であってもよい。
【００３１】
また、電気回路は、カソード１００６とアノード１００４との間に適切なエネルギーを提供する。これは、カソード１００６とアノード１００４との間に介在された有機膜を介してカソード１００６に流れる電流によるものである。この際、カソード１００６は、隣接する有機膜層１０１０に電子を提供し、アノード１００４は、有機膜層１０１０に正孔を注入する。ここで、正孔と電子とは、有機膜層１０１０で再結合し、“励起子”を生成する。励起子は、有機膜層１０１０内の有機発光物質にエネルギーを提供し、そのエネルギーは、有機発光物質から光を発光するのに用いられる。ＯＬＥＤ１０００，１００１により生成されて放出される光の特性は、有機膜層内の有機分子の特性及び構成によって変わる。
【００３２】
上述したＯＬＥＤは、光の発光方向によっても分類される。前面発光ＯＬＥＤと呼ばれるタイプは、上部電極またはカソード１００６を介してイメージを表示する。この際、カソード１００６は、可視光線を透過させる程度に透明な物質で形成される。また、下部電極またはアノード１００４を介して光の損失を防ぐために、アノードは、光を反射することができる物質から形成される。他のタイプのＯＬＥＤは、下部電極またはアノード１００４を介して光を放出する背面発光タイプである。前記背面発光ＯＬＥＤにおいて、アノード１００４は、光を透過することができる程度に透明な物質から形成される。また、カソード１００６は、光を反射することができる物質から形成される。さらに他のタイプのＯＬＥＤは、アノード１００４とカソード１００６の両方の方向に光を放出するものであって、基板が透明な物質から形成される。
【００３３】
次に、図７を参照すれば、複数のＯＬＥＤ画素を含むＯＬＥＤ画素アレイ１０２１は、基板１００２上に形成される。アレイ１０２１の画素は、駆動回路によってオン／オフされ、画素の大部分は、アレイ１０２１によりディスプレイ情報またはイメージが制御される。また、ＯＬＥＤ画素アレイ１０２１は、発光領域と非発光領域とを定義するための他の構成要素とともに配置される。すなわち、発光領域は、ＯＬＥＤ画素アレイ１０２１が形成された基板１００２上の領域であり、非発光領域は、発光領域以外の領域である。前記非発光領域は、ロジックまたは電力供給回路を含むことができる。また、ＡＭＯＬＥＤにおいて、駆動回路と、前記駆動回路と結合されるデータ及びスキャンラインは、ＡＭＯＬＥＤの各画素を駆動及び制御するために発光領域に拡張されることができる。
【００３４】
上記ＯＬＥＤは、有機物質層が水分、酸素、または他の有害なガスにより損傷または低下することを考慮して製作される。したがって、ＯＬＥＤは、水分、酸素、または他の有害なガスが侵入することを防止できるように接合されたり、封止されたりする。
【００３５】
ここで、図８は、図７のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。同図を参照すれば、ＯＬＥＤ画素アレイ１０２１を密閉させるために、上部基板１０６１と下部基板１００２とを封止材１０７１を用いて封止する。一実施形態として、上部基板１０６１または下部基板１００２に１つ以上の層を形成し、上部基板１０６１と下部基板１００２とを封止材１０７１で封止する。この際、封止材１０７１は、ＯＬＥＤ画素アレイ１０２１の周縁部（周辺部、端部）に沿って下部または上部基板１００２，１０６１に位置される。
【００３６】
この際、封止材１０７１は、後述するフリット物質で形成される。上部または下部基板１０６１，１００２は、酸素または水分に対する露出からＯＬＥＤ画素アレイ１０２１を保護するために、プラスチック、ガラス、金属箔などのような物質から形成される。例えば、上部基板１０６１及び下部基板１００２のうち少なくとも一方は、全体的に透明な物質から形成される。
【００３７】
したがって、ＯＬＥＤの寿命を長くするために、上部基板１０６１、下部基板１００２、及び封止材１０７１は、酸素と水蒸気を遮断する領域１０８１を提供する。一適用例として、上部及び下部基板１０６１，１００２を結合するフリット物質からなる封止材１０７１は、１０−３ｃｃ／ｍ２ｄａｙの酸素遮断能力と１０−６ｇ／ｍ２ｄａｙの水分遮断能力を示す。この際、一部の酸素と水分（湿気）は、遮断領域１０８１内に侵入するので、遮断領域１０８１内に酸素と水分を吸収する物質を形成する。
【００３８】
また、図８に示されたように、封止材１０７１は、上部または下部基板１０６１，１００２の表面に平行する方向に幅Ｗを有する。この際、幅Ｗは、３００〜３０００μｍの大きさを有する。好ましくは、封止材１０７１は、５００〜１５００μｍの幅を有する。また、幅Ｗは、封止材１０７１の位置に応じて多様に形成される。例えば、封止材１０７１の幅は、下部基板１００２及び上部基板１０６１のうちいずれか一方に当接する領域の封止材１０７１が最も大きくなるように形成されることができる。
【００３９】
また、図８に示されたように、封止材１０７１は、上部または下部基板１０６１，１００２の表面に垂直な方向に高さＨを有する。この際、高さＨは、２〜３０μｍの大きさを有することができる。好ましくは、封止材１０７１の高さＨは、１０〜１５μｍである。また、封止材１０７１の位置に応じて、高さは多様化されることができる。
【００４０】
一実施形態として、封止材１０７１は、一般的な断面形態を有する。しかし、封止材１０７１は、必要に応じて矩形、台形、または円形などの多様な断面形態を有することができる。この際、密封力を高めるために、一般的に下部または上部基板１００２，１０６１に直接的に接触する封止材１０７１の領域を増加させることができる。すなわち、封止材の形態は、基板との界面の面積が大きくなるように形成することができる。
【００４１】
封止材１０７１は、ＯＬＥＤアレイ１０２１に隣接するように位置することができる一方、ＯＬＥＤアレイ１０２１から離隔された空間に位置することができる。一例として、封止材１０７１は、ＯＬＥＤアレイ１０２１の周囲を取り囲むように、一般的に線形に形成される。また、封止材１０７１は、ＯＬＥＤアレイ１０２１の境界に平行するように連結されることができる。他の実施形態として、封止材１０７１は、ＯＬＥＤアレイ１０２１の境界に平行しないように位置することができる。この際、封止材１０７１の少なくとも一部は、上部基板１０６１と下部基板１００２との間に位置する。
【００４２】
前述したように、封止材１０７１は、微細ガラス粒子を含むフリット物質（簡単に“フリット”または“ガラスフリット”と称する）から形成される。フリット粒子は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化テルル（ＴｅＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化リン（Ｐ２Ｏ５）、酸化ルテニウム（Ｒｕ２Ｏ）、酸化ロジウム（Ｒｈ２Ｏ）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス、及びホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された一又は複数の物質からなることができる。また、前記フリット粒子の粒子サイズは、２〜３０μｍであることができ、好ましくは、５〜１０μｍである。前記粒子は、フリット封止材１０７１に接触する上部及び下部基板１０６１，１００２間の間隔に相当する大きさを有することもできる。
【００４３】
封止材１０７１を形成するためのフリット物質は、１つ以上の充填物または添加物を含むことができる。前記充填物または添加物は、封止材の熱膨張特性を調整し、選択された
周波数による光の吸収特性を調整するためである。また、充填物または添加物は、フリットの熱膨張系を調整するために添加された充填物をさらに含むことができる。例えば、充填物または添加物は、遷移金属、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、及びバナジウムなどを含むことができる。また、付加的に、充填物または添加物は、ＺｎＳｉＯ４、ＰｂＴｉＯ３、ＺｒＯ２、及びユークリプタイト（ｅｕｃｒｙｐｔｉｔｅ）をさらに含むことができる。
【００４４】
前記フリット物質は、２０〜９０ｗｔ％のガラス粒子を含み、残りとして充填物または添加物を含む。また、フリットペーストは、１０〜３０ｗｔ％の有機物質及び７０〜９０％の無機物質を含む。また、前記フリットペーストは、２０ｗｔ％の有機物質及び８０ｗｔ％の無機物質を含むことができる。また、有機物質は、０〜３０ｗｔ％のバインダー及び７０〜１００ｗｔ％の溶媒（ソルベント）を含むことができる。また、有機物質は、１０ｗｔ％のバインダー及び９０ｗｔ％の溶媒を含むことができる。また、無機物質は、０〜１０ｗｔ％添加物、２０〜４０ｗｔ％の充填物、及び５０〜８０ｗｔ％のガラスパウダーを含むことができる。また、無機物質は、０〜５ｗｔ％の添加物、２５〜３０ｗｔ％の充填物、及び６５〜７５ｗｔ％のガラスパウダーを含むことができる。
【００４５】
前記フリット封止材は、フリットペーストを形成するために、乾燥フリット物質に液体物質を追加して形成される。添加物を含むか、含まない有機または無機溶媒は、液体物質として利用することができる。一実施形態として、溶媒は、１つ以上の有機化合物を含む。例えば、適用可能な有機化合物は、エチルセルロース（ｅｔｈｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）、ニトロセルロース（ｎｉｔｒｏ  ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）、ヒドロキシルプロピルセルロース（ｈｙｄｒｏｘｙｌ  ｐｒｏｐｙｌ  ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）、ブチルカルビトールアセテート（ｂｕｔｙｌ  ｃａｒｂｉｔｏｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、テルピネオール（ｔｅｒｐｉｎｅｏｌ）、ブチルセルロース（ｂｕｔｙｌ  ｃｅｌｌｕｓｏｌｖｅ）、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）化合物が挙げられる。また、封止材１０７１は、このように形成したフリットペーストを上部または下部基板１０６１，１００２に適用することにより形成される。
【００４６】
一実施形態として、まず、フリットペーストが形成され、上部基板１０６１と下部基板１００２との間に塗布される。次に、前処理または前焼成されて上部及び下部基板１０６１，１００２の一方に封止材１０７１が形成される。このとき、上部基板１０６１と下部基板１００２との間に介在された封止材１０７１は、部分的に加熱されて溶融される。そして、ＯＬＥＤ画素アレイ１０２１が酸素または水分に露出されることを防止するために、封止材１０７１が固化され、上部基板１０６１と下部基板１００２とを結合する。
【００４７】
このとき、前記フリット封止材に選択的に熱を加える方法として、レーザーまたは赤外線ランプのように光を照射する方法を利用する。上記のように、封止材１０７１を形成するためのフリット物質は、熱が加えられて溶融する特性を改良するために選択された１つ以上の添加剤または充填剤を含むことができる。
【００４８】
次に、図９を参照すれば、複数の分離されたＯＬＥＤ画素１０２１は、共通の下部基板１０１１上に形成される。一実施形態として、各ＯＬＥＤアレイ１０２１は、封止材１０７１によって周囲を取り囲まれる。また、共通の上部基板は、ＯＬＥＤ画素１０２１が形成された共通の下部基板１０１１を覆い、フリットペーストは、共通の下部基板１０１１と共通の上部基板との間に介在される。したがって、ＯＬＥＤアレイ１０２１は、前述した工程により封止されて完成される。
【００４９】
＜第１実施形態＞
図２ａ〜図２ｄは、本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図で
ある。
【００５０】
まず、図２ａを参照すれば、画素領域Ｉ及び非画素領域IIを備えた基板３００を用意する。基板３００としては、絶縁ガラス、プラスチック、または導電性基板を使用することができる。
【００５１】
次に、基板３００の全面にバッファ層３１０を形成する。バッファ層３１０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはこれらの多重層であることができる。また、バッファ層３１０は、下部の基板３００から不純物が上部に拡散することを防止する保護膜の役割を果たす。
【００５２】
次に、画素領域Ｉのバッファ層３１０上に半導体層３２０を形成する。半導体層３２０は、非晶質シリコン膜またはこれを結晶化した多結晶シリコン膜であることができる。次に、基板３００の全面にゲート絶縁膜３３０を形成する。ゲート絶縁膜３３０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはこれらの多重層であることができる。
【００５３】
その後、ゲート絶縁膜３３０上に、半導体層３２０の一部の領域と対応するようにゲート電極３４０ａを形成する。ゲート電極３４０ａは、Ａｌ、Ｃｕ、またはＣｒを使用することができる。
【００５４】
次に、基板３００の全面に層間絶縁膜３５０を形成する。層間絶縁膜３５０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはこれらの多重層であることができる。そして、画素領域Ｉの層間絶縁膜３５０及びゲート絶縁膜３３０をエッチングして、半導体層３２０を露出させるコンタクトホール３５１，３５２を形成する。
【００５５】
次に、画素領域Ｉの層間絶縁膜３５０上にソース／ドレイン電極３６０ａ，３６０ｂを形成する。ソース／ドレイン電極３６０ａ，３６０ｂは、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｄ、及びＡｇよりなる群から選ばれた少なくとも１つの物質を使用することができる。ソース／ドレイン電極３６０ａ，３６０ｂは、コンタクトホール３５１，３５２を介して半導体層３２０に連結される。
【００５６】
ここで、ゲート電極３４０ａを形成するときに、非画素領域II上にスキャンドライバ３４０ｂが同時に形成されることができる。
【００５７】
本実施形態では、トップゲート構造の薄膜トランジスタを形成したが、これとは異なって、ゲート電極が半導体層の下部に位置するボトムゲート構造の薄膜トランジスタを形成することもできる。
【００５８】
また、本実施形態では、ソース／ドレイン電極を形成するときに、同時にメタル配線３６０ｄを形成することができる。メタル配線３６０ｄは、共通電源供給ラインとして作用することができ、このとき、同時に第２電極電源供給ライン３６０ｃも形成されることができる。一方、これとは異なって、前記ゲート電極または第１電極を形成するときに、メタル配線を同時に形成することもできる。
【００５９】
次に、図２ｂを参照すれば、基板３００の全面に無機平坦化膜３７０を形成する。無機平坦化膜３７０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）よりなる群から選択された１つを使用する。本実施形態において、無機平坦化膜３７０は、たとえば、スピンコーティング法を使用して形成される。
【００６０】
ここで、無機平坦化膜３７０は、平坦化特性を良くするために、１〜５μｍの厚さに形
成する。無機平坦化膜３７０の厚さが１μｍ以下なら、良好な平坦化特性が得られず、５μｍ以上なら、素子の厚さが厚くなるという短所がある。
【００６１】
また、画素領域Ｉの無機平坦化膜３７０をエッチングして、ソース／ドレイン電極３６０ａ，３６０ｂのいずれか１つを露出させるビアホール３７１ａを形成し、非画素領域IIの無機平坦化膜３７０をエッチングして、第２電極電源供給ライン３６０ｃの一部を露出させる。
【００６２】
その後、図２ｃを参照すれば、画素領域Ｉの無機平坦化膜３７０上に、反射膜３７５を含む第１電極３８０を形成する。第１電極３８０は、ビアホール３７１ａの側部に位置し、露出されたソース／ドレイン電極３６０ａ，３６０ｂのいずれか一方に当接し、無機平坦化膜３７０上に延長される。第１電極３８０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）から形成されることができる。
【００６３】
次に、第１電極３８０を含む基板３００の全面に画素定義膜３９０を形成する。画素定義膜３９０は、第１電極３８０が位置するビアホール３７１ａを十分に満たすことができる程度の厚さに形成する。画素定義膜３９０は、有機膜または無機膜で形成することができるが、好ましくは有機膜で形成する。より好ましくは、画素定義膜３９０は、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、アクリル系高分子、及びポリイミドよりなる群から選択される１つの物質で形成する。画素定義膜は、流動性（ｆｌｏｗａｂｉｌｉｔｙ）に優れているので、前記基板全体に平坦に形成することができる。
【００６４】
次に、画素領域Ｉの画素定義膜３９０をエッチングして、第１電極３８０を露出させる開口部３９５ａを形成し、非画素領域IIの画素定義膜３９０をエッチングして、第２電極電源供給ライン３６０ｃを露出させる。
【００６５】
また、後続する処理で封止される非画素領域IIにおいて、基板３００の端部（周縁部）の画素定義膜３９０をエッチングして、後続する処理でガラスフリットが無機平坦化膜３７０に向上した接着力で接着されることができるようにする。
【００６６】
次に、開口部３９５ａを介して露出された第１電極３８０上に有機膜層４００を形成する。有機膜層４００は、少なくとも発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層重のうち１つ以上の層を追加的に含むことができる。
【００６７】
次に、基板３００の全面に第２電極４１０を形成する。第２電極４１０は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃａ、及びこれらの合金のうちいずれか１つを使用することができる。
【００６８】
このとき、後続する処理で封止される非画素領域IIにおいて、基板３００の端部の第２電極４１０をエッチングして、後続する処理でガラスフリットが無機平坦化膜３７０に向上した接着力で接着されることができるようにする。
【００６９】
このとき、第２電極４１０を全て覆うように保護膜４１５をさらに形成することができる。前面発光構造において、第２電極４１０を透過電極として使用する場合、第２電極４１０は、光が透過することができる程度に薄く形成されるために劣化しやすい。保護膜４１５は、このような第２電極４１０を保護することができる。
【００７０】
次に、図２ｄを参照すれば、基板３００に対向する封止基板４２０を用意する。封止基板４２０は、エッチングされた絶縁ガラスまたはエッチングされていない絶縁ガラスを使用することができる。
【００７１】
次に、封止基板４２０に吸湿剤４２５を形成する。吸湿剤４２５は、透明吸湿剤を使用することができ、また、不透明吸湿剤であるゲッター（ｇｅｔｔｅｒ）を使用することもできる。
【００７２】
このとき、透明吸湿剤を使用する場合には、封止基板の全面に形成することができ、前記透明吸湿剤としては、平均粒径が１００ｎｍ以下、特に２０〜１００ｎｍのアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属硫酸塩、及び金属過塩素酸塩、五酸化リン（Ｐ２Ｏ５）よりなる群から選択された１つ以上を使用することができる。
【００７３】
次に、封止基板４２０の周縁部にガラスフリット４３０を形成する。すなわち、基板３００に対向する封止基板４２０に対して、封止基板４２０の周縁部にガラスフリット４３０を塗布する。
【００７４】
本実施形態では、封止基板の周縁部にガラスフリットを塗布したが、基板の非画素領域IIの無機平坦化膜上にガラスフリットを塗布することもできる。
【００７５】
このとき、ガラスフリット４３０は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化テルル（ＴｅＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化リン（Ｐ２Ｏ５）、酸化ルテニウム（Ｒｕ２Ｏ）、酸化ロジウム（Ｒｈ２Ｏ）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス、及びホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された１つ以上を使用することができ、ディスペンシング法またはスクリーン印刷法を使用して塗布することができる。
【００７６】
次に、基板３００と封止基板４２０とを位置合わせした後、重ね合わせる。このとき、ガラスフリット４３０は、非画素領域IIにおいて基板３００上の無機平坦化膜３７０と接触する。
【００７７】
なお、本実施形態では、無機平坦化膜３７０上にガラスフリット４３０が位置するように形成したが、ガラスフリット４３０は、無機物からなるゲート絶縁膜３３０または層間絶縁膜３５０上に形成され、後続する処理でガラスフリット４３０にレーザーを照射する際に、接着力が低下することを防止することができる。
【００７８】
次に、ガラスフリット４３０にレーザーを照射して、ガラスフリット４３０を溶融して固化し、前記基板及び封止基板に接着されるようにして、本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置を完成する。
【００７９】
なお、従来は、ガラスフリットの下部に有機平坦化膜が位置するので、レーザーを照射する際に、レーザーの高熱により有機平坦化膜が損傷された。したがって、前記ガラスフリットと有機平坦化膜との接着力が低下し、ガラスフリットが剥離するという問題点があった。
【００８０】
しかしながら、上記のように、ガラスフリットの下部に無機膜を形成することによって、レーザーの高熱によって無機膜が損傷されないので、前記ガラスフリットと無機膜との
接着力が低下し、ガラスフリットが剥離することを防止することができるという利点がある。
【００８１】
＜第２実施形態＞
図３ａ〜図３ｇは、本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【００８２】
図３ａを参照すれば、本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、まず、蒸着基板５００の一領域上に半導体層５１０を形成する。半導体層５１０は、所定の領域にイオンドーピング工程を実施し、チャネル層５１０ａとソース／ドレイン領域５１０ｂとに区分して形成する。
【００８３】
次に、図３ｂを参照すれば、半導体層５１０を含む蒸着基板５００の一領域上にゲート絶縁膜５２０を形成する。そして、ゲート絶縁膜５２０のチャネル層５１０ａに対応する領域にゲート電極５３０を形成する。
【００８４】
次に、図３ｃを参照すれば、ゲート電極５３０及びゲート絶縁膜５２０上に層間絶縁膜５４０を形成する。その後、ゲート絶縁膜５２０及び層間絶縁膜５４０の少なくとも一領域にコンタクトホール５４５を形成し、層間絶縁膜５４０上に、コンタクトホール５４５を介してソース／ドレイン領域５１０ｂに接続するソース／ドレイン電極５５０ａ，５５０ｂを形成する。
【００８５】
次に、図３ｄを参照すれば、ソース／ドレイン電極５５０ａ，５５０ｂを含む層間絶縁膜５４０上に無機膜５６０を形成する。このとき、無機膜５６０は、シリコン窒化膜ＳｉＮｘ及びシリコン酸化膜ＳｉＯｘのうち少なくとも１つで形成されることが好ましい。ここで、無機膜５６０は、外部からの水分または不純物の拡散を抑制する障壁としての役割と、ソース／ドレイン電極５５０ａ，５５０ｂを保護する役割とを果たす。
【００８６】
次に、無機膜５６０上に有機平坦化層５７０を形成する。そして、有機平坦化層５７０の上部に感光膜パターン（不図示）を形成した後、感光膜パターンによるエッチング工程を実施し、無機膜５６０及び有機平坦化層５７０の一領域にビアホール５７５を形成する。後述する処理において、ビアホール５７５を介してソース／ドレイン電極５５０ａ，５５０ｂと有機発光ダイオードの第１電極５８０とが電気的に接続される。ビアホール５７５を形成するための工程は、ウェットエッチング及びドライエッチングが使用されることができ、好ましくは、ドライエッチング法を使用する。このようなドライエッチング工程には、イオンビームエッチング、ＲＦスパッタリングエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などの通常的に用いられる方法が適用される。一方、有機平坦化層５７０は、ポリアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリフェニレンスルファイド系樹脂、及びベンゾシクロブテンよりなる群から選択された１つの材料で形成されることが好ましい。
【００８７】
次に、図３ｅを参照すれば、有機平坦化層５７０上の一領域に、有機発光ダイオードの第１電極５８０を形成する。次に、第１電極５８０及び有機平坦化層５７０上に、第１電極５８０の一領域が露出される開口部（不図示）を具備した画素定義膜５９０を形成する。そして、画素定義膜５９０の開口部上に、有機膜層６００を形成し、有機膜層６００及び画素定義膜５９０上に、第２電極６１０を形成する。
【００８８】
次に、図３ｆを参照すれば、有機平坦化層５７０の薄膜トランジスタ（半導体層５１０、ゲート電極５３０、ソース／ドレイン電極５５０ａ，５５０ｂ）と有機発光ダイオード
（第１電極５８０、有機膜層６００、第２電極６１０）が形成されていない領域、すなわち、フリット６２０が塗布される領域をエッチングする。言い換えれば、最上層に形成された有機平坦化層５７０をエッチングすることによって、フリット６２０が有機膜層と直接的に接触せず、有機平坦化層５７０の下部に形成された無機膜５６０と直接的に接触するようになる。したがって、レーザーなどの熱に鈍感な無機膜とフリット６２０とが直接的に接触し、後続して進行するフリット６２０に所定の熱処理を加える工程時に、無機膜５６０に損傷が加えられない。これにより、フリット６２０による基板５００と封止基板６３０との接着特性が向上する。一方、有機平坦化層５７０をエッチングする工程は、ドライエッチング法を使用することが好ましい。このようなドライエッチング工程には、イオンビームエッチング、ＲＦスパッタリングエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などが用いられる。
【００８９】
次に、図３ｇを参照すれば、周縁部に沿ってフリット６２０が塗布された封止基板６３０を基板５００と対向するように配置する。封止基板６３０は、基板５００上に形成された前記所定の構造物を外部の酸素、水素、及び水分から保護するために、所定の構造物を間に置いて、基板５００と重ね合わされる。このとき、封止基板６３０は、制限されるものではないが、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、及び酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）よりなる群から選択された少なくとも１つの材料で形成することが可能である。
【００９０】
フリット６２０は、基板５００の非画素領域（不図示）、すなわち有機発光ダイオードが形成されていない領域と封止基板６３０との間に設けられる。このとき、フリット６２０は、基板５００の無機膜５６０と直接的に接触するように形成される。
【００９１】
ここで、フリット６２０は、熱膨張係数を調節するためのフィラーと、レーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含む。一方、ガラス材料に加えられる熱の温度を急激に低下させると、ガラス粉末形態のフリット１５０が生成される。一般的に、フリット６２０に酸化物粉末を含んで使用する。そして、酸化物粉末が含まれたフリット６２０に有機物を添加すれば、ジェル状態のペーストとなる。本実施形態に係るフリット６２０には、ＳｉＯ２などの主材料にＶ２Ｏ５などのレーザーまたは赤外線吸収材、有機バインダー、熱膨張係数を減少させるためのフィラー（Ｆｉｌｌｅｒ）などが含まれている。このジェル状態のペーストを封止基板６３０の密封ラインに沿って塗布する。その後、フリット６２０を所定の温度で熱処理すれば、有機物は、空気中に消滅され、ジェル状態のペーストは、硬化し、固体状態のフリット（ｇｌａｓｓ  ｆｒｉｔ）をなす。このとき、フリットを焼成する温度は、３００℃〜７００℃の温度範囲であることが好ましい。
【００９２】
その後、フリット６２０を間に置いて、基板５００と封止基板６３０とを重ね合わせた後、フリット６２０にレーザーまたは赤外線照射などの熱処理工程を進行し、フリット６２０を溶融させる。フリット６２０の溶融により、基板５００と封止基板６３０とが接着される。
【００９３】
上記のように、本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置は、フリットを有機膜層でなく、無機膜と直接的に接触するように形成し、基板と封止基板との間の接着特性を向上させることができる。これにより、有機発光素子をさらに効率的に密封することができ、ひいては、水素、酸素、及び水分の侵入を抑制して、有機電界発光表示装置の寿命及び発光効率特性を向上させることができる。
【００９４】
＜第３実施形態＞
図４ａ〜図４ｆは、本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【００９５】
図４ａを参照すれば、まず、蒸着基板７００の一領域上に半導体層７１０を形成する。半導体層７１０は、所定の領域にイオンドーピング工程を実施し、チャネル層７１０ａとソース／ドレイン領域７１０ｂとに区分して形成する。
【００９６】
次に、図４ｂを参照すれば、半導体層７１０を含む蒸着基板７００の一領域上にゲート絶縁膜７２０を形成する。そして、ゲート絶縁膜７２０のチャネル層７１０ａに対応する領域にゲート電極７３０を形成する。
【００９７】
次に、図４ｃを参照すれば、ゲート電極７３０及びゲート絶縁膜７２０上に、層間絶縁膜７４０を形成する。その後、ゲート絶縁膜７２０及び層間絶縁膜７４０の少なくとも一領域に、コンタクトホール７４５を形成し、層間絶縁膜７４０上に、コンタクトホール７４５を介してソース／ドレイン領域７１０ｂに接続するソース／ドレイン電極７５０ａ，７５０ｂを形成する。
【００９８】
次に、図４ｄを参照すれば、ソース／ドレイン電極７５０ａ，７５０ｂを含む層間絶縁膜７４０上に、無機膜７６０を形成する。このとき、無機膜７６０は、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）及びシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）のうち少なくとも１つで形成されることが好ましい。ここで、無機膜７６０は、外部からの水分または不純物の拡散を抑制する障壁としての役割と、ソース／ドレイン電極７５０ａ，７５０ｂを保護する役割とを果たす。
【００９９】
次に、無機膜７６０上に有機平坦化層７７０を形成する。そして、有機平坦化層７７０の上部に感光膜パターン（不図示）を形成した後、感光膜パターンによるエッチング工程を実施し、無機膜７６０及び有機平坦化層７７０の一領域にビアホール７７５を形成する。後述する処理において、ビアホール７７５を介してソース／ドレイン電極７５０ａ，７５０ｂと有機発光ダイオードの第１電極７８０とが電気的に接続される。ビアホール７７５を形成するための工程は、ウェットエッチング及びドライエッチングが使用されることができ、好ましくは、ドライエッチング法を使用する。このようなドライエッチング工程には、イオンビームエッチング、ＲＦスパッタリングエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などが使用される。一方、有機平坦化層７７０は、ポリアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリフェニレンスルファイド系樹脂、及びベンゾシクロブテンよりなる群から選択された１つの材料で形成されることが好ましい。
【０１００】
次に、有機平坦化層７７０上の一領域に、有機発光ダイオードの第１電極７８０を形成する。このとき、第１電極７８０は、アノード電極を意味し、無機膜材料で形成される。すなわち、第１電極７８０は、後述するフリット８２０との接着特性向上のための役割とアノード電極の役割とを同時に果たす。ここで、第１電極７８０には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム合金、銀合金、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及び半透明金属よりなる群から選択された少なくとも１つの物質を使用することができる。次に、第１電極７８０及び有機平坦化層７７０上に、第１電極７８０の一領域が露出される開口部（不図示）を具備した画素定義膜７９０を形成する。
【０１０１】
次に、図４ｅを参照すれば、画素定義膜７９０の開口部上には、有機膜層８００を形成し、有機膜層８００を含む画素定義膜７９０上には、第２電極８１０を形成する。
【０１０２】
次に、図４ｆを参照すれば、周縁部に沿ってフリット８２０が塗布された封止基板８３０を基板７００と対向するように配置する。封止基板８３０は、基板７００上に形成され
た前記所定の構造物を外部の酸素及び水分から保護するために所定の構造物を間に置いて、基板７００と重ね合わされる。このとき、封止基板８３０は、制限されるわけではないが、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、及び酸窒化シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯｘＮｙ）よりなる群から選択された少なくとも１つの材料で形成することが可能である。
【０１０３】
フリット８２０は、基板７００の非画素領域、すなわち有機発光ダイオードが形成されていない領域と封止基板８３０との間に設けられる。すなわち、フリット８２０は、無機膜で形成された第１電極７８０と直接的に接触するように形成される。ここで、フリット８２０は、熱膨張係数を調節するためのフィラーと、レーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含む。一方、ガラス材料に加えられる熱の温度を急激に低下させると、ガラス粉末形態のフリット１５０が生成される。一般的に、フリット８２０に酸化物粉末を含んで使用する。そして、酸化物粉末が含まれたフリット８２０に有機物を添加すれば、ジェル状態のペーストとなる。本実施形態に係るフリット８２０には、ＳｉＯ２などの主材料にＶ２Ｏ５などのレーザーまたは赤外線吸収材、有機バインダー、熱膨張係数を減少させるためのフィラーなどが含まれている。このジェル状態のペーストを封止基板８３０の密封ラインに沿って塗布する。その後、フリット８２０を所定の温度で熱処理すれば、有機物は、空気中に消滅され、ジェル状態のペーストは、硬化し、固体状態のフリットをなす。このとき、フリットを焼成する温度は、３００℃〜７００℃の温度範囲であることが好ましい。
【０１０４】
その後、フリット８２０を間に置いて、基板７００と封止基板８３０とを重ね合わせた後、フリット８２０にレーザーまたは赤外線照射などの熱処理工程を進行し、フリット８２０を溶融させる。フリット８２０の溶融により基板７００と封止基板８３０とが接着される。
【０１０５】
一方、本実施形態では、第１電極７８０が無機膜で形成され、フリット８２０と直接的に接触する例を説明した。しかしながら、これに限定されず、有機平坦化層７７０と第１電極７８０との間に無機膜（不図示）をさらに形成し、フリット８２０が図示しない無機膜と直接的に接触するように形成することもできる。このとき、無機膜は、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）及びシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）のうち少なくとも１つで形成されることが好ましい。すなわち、第１電極７８０を無機膜で形成することもでき、第１電極７８０以外に無機膜を別にさらに具備して使用することも可能である。
【０１０６】
上記のように、本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置は、フリットを有機膜層でなく、無機膜と直接的に接触するように形成し、基板と封止基板との間の接着特性を向上させることができる。これにより、有機発光素子をさらに効率的に密封することができ、ひいては、水素、酸素、及び水分の侵入を抑制し、有機電界発光表示装置の寿命及び発光効率特性を向上させることができる。
【０１０７】
以上において説明した本発明は、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であるので、上述した実施形態及び添付された図面に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】従来技術に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図２ａ】本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図２ｂ】図２ａに後続する図である。
【図２ｃ】図２ｂに後続する図である。
【図２ｄ】図２ｃに後続する図である。
【図３ａ】本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図３ｂ】図３ａに後続する図である。
【図３ｃ】図３ｂに後続する図である。
【図３ｄ】図３ｃに後続する図である。
【図３ｅ】図３ｄに後続する図である。
【図３ｆ】図３ｅに後続する図である。
【図３ｇ】図３ｆに後続する図である。
【図４ａ】本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図４ｂ】図４ａに後続する図である。
【図４ｃ】図４ｂに後続する図である。
【図４ｄ】図４ｃに後続する図である。
【図４ｅ】図４ｄに後続する図である。
【図４ｆ】図４ｅに後続する図である。
【図５】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す図である。
【図８】図７のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す図である。
【符号の説明】
【０１０９】
３００，５００，７００    基板、
３１０    バッファ層、
３２０，５１０，７１０    半導体層、
３３０，５２０，７２０    ゲート絶縁膜、
３４０ａ，５３０，７３０    ゲート電極、
３５０，５４０，７４０    層間絶縁膜、
３６０，５５０，７５０    ソース／ドレイン電極、
３７０，５７０，７７０    平坦化膜、
３８０，５８０，７８０    第１電極、
３９０，５９０，７９０    画素定義膜、
４００，６００，８００    有機膜層、
４１０，６１０，８１０    第２電極、
４２０，６３０，８３０    封止基板、
４３０，６２０，８２０    フリット。
【図１】
2007200883.tif 000003
【図２ａ】
2007200883.tif 000004
【図２ｂ】
2007200883.tif 000005
【図２ｃ】
2007200883.tif 000006
【図２ｄ】
2007200883.tif 000007
【図３ａ】
2007200883.tif 000008
【図３ｂ】
2007200883.tif 000009
【図３ｃ】
2007200883.tif 000010
【図３ｄ】
2007200883.tif 000011
【図３ｅ】
2007200883.tif 000012
【図３ｆ】
2007200883.tif 000013
【図３ｇ】
2007200883.tif 000014
【図４ａ】
2007200883.tif 000015
【図４ｂ】
2007200883.tif 000016
【図４ｃ】
2007200883.tif 000017
【図４ｄ】
2007200883.tif 000018
【図４ｅ】
2007200883.tif 000019
【図４ｆ】
2007200883.tif 000020
【図５】
2007200883.tif 000021
【図６】
2007200883.tif 000022
【図７】
2007200883.tif 000023
【図８】
2007200883.tif 000024
【図９】
2007200883.tif 000025