(57)【要約】【課題】製造過程で異物が付着したとしてもショートの発生を抑制することが可能であるとともに、温度変化の大きな環境下での使用においても、画素毎に配置された表示素子の劣化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】画素毎に配置された第１電極６０と、第１電極６０上に配置された有機活性層６４と、複数の画素に共通に配置されるとともに有機活性層６４を覆うように配置された第２電極６６と、を備えた有機ＥＬ素子４０を備えた表示装置であって、第１電極６０と有機活性層６４との間に空隙Ｖを有することを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素毎に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層を覆うように配置された第２電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置であって、
前記第１電極と前記光活性層との間に空隙を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記光活性層は、複数の機能層を積層した多層構造であり、
前記第１電極上にホール注入層またはホール輸送層を備えたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
画素毎に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に光活性層を形成する工程と、
各画素の前記光活性層を覆うように第２電極を形成する工程と、を備え、
前記光活性層を形成する工程は、
前記第１電極表面及び前記第１電極上の異物の表面に前記光活性層を形成するための材料源を蒸着する工程と、
前記材料源をその融点以上の温度で所定時間加熱し、前記第１電極表面に蒸着された前記材料源と異物表面に蒸着された前記材料源とが繋がって前記第１電極、異物、及び、前記材料源で囲まれた空隙を形成する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、自発光性の表示素子を備えた表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、表示素子を構成する光活性層の形状及び光活性層の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置することにより構成されている。このような構成において、例えば、第１電極（陽極）及び有機活性層は、画素毎に配置されている。また、第２電極は、複数の画素に共通に配置されている。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子の製造工程において、低分子系の有機化合物からなる有機活性層を形成する工程においては、蒸着源から飛散した材料源を蒸着する蒸着法を適用可能である。このような蒸着法により有機活性層を成膜するのに先立って、第１電極表面に異物が付着することがある。異物の周辺では、有機活性層の膜厚が薄く、あるいは、有機活性層が存在せず、有機活性層上に第２電極を配置したときに、この異物周辺において第１電極と第２電極とがショートするおそれがある。このため、有機活性層を成膜した後に、加熱する工程を追加することにより、有機活性層を溶融し、異物周辺でのショートを抑制するよう有機活性層の膜厚を確保する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】米国特許第６，５０６，０８８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の方法によれば、加熱工程において、十分に有機活性層をメルトさせることにより、異物の周辺に隙間なく有機活性層を充填し、有機活性層と第１電極とを密着させている。
【０００６】
このような構成の有機ＥＬ表示装置においては、高温環境下では、各部の熱膨張率の違いにより有機ＥＬ素子を構成する各層にクラックが生じるおそれがある。例えば、支持基板となるガラス基板の熱膨張率は０．０４×１０−４であり、有機活性層を構成する有機系材料の熱膨張率は２−５×１０−４であり、第１電極や第２電極を構成する金属材料の熱膨張率は０．１−０．５×１０−４である。このような熱膨張率の差は、高温環境下において各部が熱膨張した際に各部間で応力を生じさせ、特に、異物周辺の比較的膜厚の薄い箇所では、クラックが発生しやすい。クラックの発生は、水分の浸入を容易にするため、有機ＥＬ素子の劣化を招くことになり、好ましくない。
【０００７】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造過程で異物が付着したとしてもショートの発生を抑制することが可能であるとともに、温度変化の大きな環境下での使用においても、画素毎に配置された表示素子の劣化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の第１態様による表示装置は、
画素毎に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層を覆うように配置された第２電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置であって、
前記第１電極と前記光活性層との間に空隙を有することを特徴とする。
【０００９】
この発明の第２態様による表示装置の製造方法は、
画素毎に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に光活性層を形成する工程と、
各画素の前記光活性層を覆うように第２電極を形成する工程と、を備え、
前記光活性層を形成する工程は、
前記第１電極表面及び前記第１電極上の異物の表面に前記光活性層を形成するための材料源を蒸着する工程と、
前記材料源をその融点以上の温度で所定時間加熱し、前記第１電極表面に蒸着された前記材料源と異物表面に蒸着された前記材料源とが繋がって前記第１電極、異物、及び、前記材料源で囲まれた空隙を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、製造過程で異物が付着したとしてもショートの発生を抑制することが可能であるとともに、温度変化の大きな環境下での使用においても、画素毎に配置された表示素子の劣化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１２】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置を例に図示しており、表示エリア１０２は、赤色に発光する赤色画素ＰＸＲ、緑色に発光する緑色画素ＰＸＧ、及び、青色に発光する青色画素ＰＸＢを含んでいる。
【００１３】
また、アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する列方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０側に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。
【００１４】
さらに、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７の少なくとも一部と、信号線Ｘｎのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８の少なくとも一部と、を備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。
【００１５】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路及び画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。画素回路は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを有している。これら画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。
【００１６】
表示素子は、自発光素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００１７】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の構成は、基本的に同一である。すなわち、図２に示すように、アレイ基板１００は、配線基板１２０の主面側に配置された複数の有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。
【００１８】
有機ＥＬ素子４０は、マトリクス状に配置され画素ＰＸ毎に独立島状に配置された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され複数の画素ＰＸに共通に配置された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された光活性層として機能する有機活性層６４と、によって構成されている。
【００１９】
有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面の絶縁膜上に配置され、陽極として機能する。配線基板１２０側から光を取り出す下面発光方式を採用した構成では、この第１電極６０は、例えば、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｎＯ２（酸化錫）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）などの光透過性を有する導電材料によって形成され、特にＩＴＯ、ＩＺＯを用いて形成することが好ましい。
【００２０】
有機活性層６４は、少なくとも発光層６４Ａを含んでいる。この有機活性層６４は、発光層６４Ａ以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。この有機活性層６４は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６４においては、発光層６４Ａが有機系材料であればよく、発光層６４Ａ以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６４において、発光層６４Ａ以外は共通層であり、図２に示した例では、第１電極６０側に配置されたホール側共通層６４Ｈは、ホール注入層及びホール輸送層を含み、また、第２電極６６側に配置された電子側共通層６４Ｅは、ブロッキング層及び電子輸送層を含み、発光層６４Ａは、これらのホール側共通層６４Ｈと電子側共通層６４Ｅとの間に配置されている。発光層６４Ａは、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。
【００２１】
第２電極６６は、各色画素の有機活性層６４上に共通に配置される。この第２電極６６は、電子注入機能を有する金属材料によって形成され、陰極として機能する。下面発光方式を採用した構成では、この第２電極６６は、光反射性を有する導電材料を用いて形成され、例えば、カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む２成分あるいは３成分の合金系を用いて形成することが好ましい。合金系材料としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａｇ：１〜２０ａｔ％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．３〜１４ａｔ％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０ａｔ％）、Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：５〜２０ａｔ％）等が好ましい。
【００２２】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、少なくとも隣接する色毎に画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、各画素を分離するよう形成することが望ましく、例えば各第１電極６０の縁に沿って格子状またはストライプ状に配置され、第１電極６０を露出する隔壁７０の開口形状が矩形となるよう形成されている。この隔壁７０は、例えば樹脂材料によって形成される。
【００２３】
この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０を構成する有機活性層６４は、低分子系材料を用いて蒸着法により形成される。ここで、有機活性層６４を形成するための製造装置すなわち蒸着装置について説明する。
【００２４】
図３に示すように、蒸着装置２００は、有機活性層６４の少なくとも１層の薄膜を形成するための材料源を放射する蒸着源２１０と、所定パターンを有する蒸着マスク２２０と、を備えている。蒸着対象である処理基板（例えば第１電極６０を形成済みの配線基板１２０）ＳＵＢは、蒸着マスク２２０と対向するように配置される。また、蒸着装置２００は、処理基板ＳＵＢを所定温度に加熱する加熱源２４０を備えている。
【００２５】
ところで、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を形成する過程において、異物が混入することがある。すなわち、第１電極６０を形成済みの配線基板１２０の表面つまり第１電極６０の表面に異物が付着することがある。異物が付着した状態で、有機活性層６４を形成したのに続いて第２電極６６を形成すると、異物の周辺で第１電極６０と第２電極６６とがショートしやすい。
【００２６】
このため、この実施の形態においては、有機活性層６４を形成する工程では、有機活性層６４を形成するための材料源を蒸着した後に材料源を溶融可能な温度で加熱している。このような加熱工程の追加により、異物上に蒸着された材料源と第１電極６０上に蒸着された材料源とを繋げることが可能となる。複数の機能層を積層した多層構造の有機活性層６４を形成する場合には、少なくとも最も第１電極６０に近接した機能層（図２に示した例では、ホール側共通層６４を構成するホール注入層またはホール輸送層）を形成する工程において上述したような蒸着工程及び加熱工程を適用すればよい。このようにして形成された有機活性層６４上に第２電極６６を形成することにより、例え異物が混入したとしてもその周辺での第１電極６０と第２電極６６とのショートの発生を抑制することが可能となる。
【００２７】
また、この実施の形態においては、図４に示すように、第１電極６０上に異物Ｆが付着した画素においては、第１電極６０と有機活性層６４との間に空隙Ｖを形成している。複数の機能層を積層した多層構造の有機活性層６４を形成する場合には、最も第１電極６０に近接した機能層（図２に示した例では、ホール側共通層６４を構成するホール注入層またはホール輸送層）と第１電極６０との間に空隙Ｖを形成している。
【００２８】
つまり、空隙Ｖは、有機活性層６４を形成するための材料源を蒸着した際に異物Ｆによって影となる部分に形成され、第１電極６０、有機活性層６４、及び、異物Ｆによって囲まれている。
【００２９】
このような空隙Ｖの存在は、温度変化の大きな環境下での使用に有利である。すなわち、高温環境下では、有機ＥＬ表示装置を構成する各部の熱膨張率の差、特に支持基板となるガラス基板、有機活性層６４を構成する有機系材料、第１電極６０や第２電極６６を構成する金属材料のそれぞれの熱膨張率の差に起因して、有機ＥＬ素子４０を構成する各層、特に異物周辺の膜厚の薄い箇所において熱膨張率の高い有機活性層６４にクラックが生じるおそれがある。
【００３０】
これに対して、空隙Ｖは、これらの熱膨張率の差に起因して発生する応力を緩和する作用がある。つまり、比較的熱膨張率の高い有機活性層６４が高温環境下で熱膨張した際に、その膨張分を空隙Ｖで吸収することが可能である。このため、温度変化の大きな環境下であっても、有機ＥＬ素子４０のクラックの発生を抑制することが可能となる。したがって、水分の影響を受けにくく、有機ＥＬ素子４０の劣化を抑制することが可能となる。
【００３１】
次に、この実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
【００３２】
まず、図５Ａに示すように、配線基板１２０上の表示エリア１０２において、複数種類の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎に独立島状の第１電極６０を形成する。すなわち、配線基板１２０の一主面側において陽極として機能する金属膜をパターン化し、第１電極６０を形成する。この第１電極６０については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応したパターンを有するマスクを介して金属材料源を蒸着する蒸着法によって形成しても良い。
【００３３】
続いて、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を形成する。すなわち、感光性樹脂材料例えばアクリルタイプのポジティブトーンのレジストを第１電極６０上を含む配線基板１２０の一主面側全体に成膜した後にフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングした後に、２２０℃で６０分の焼成処理を行う。これにより、各色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を囲むように第１電極６０の縁に沿って格子状の隔壁７０を形成する。
【００３４】
続いて、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）内における第１電極６０上に有機活性層６４を形成する。ここで、有機活性層６４は、複数の薄膜、すなわちホール注入層、ホール輸送層、発光層６４Ａ、ブロッキング層、電子輸送層を積層して構成されており、これらは全て低分子系の薄膜材料を蒸着することによって形成される。
【００３５】
まず、図５Ｂに示すように、蒸着法により複数種類の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通のホール側共通層６４Ｈを形成する。ここでは、まず、ホール注入層として機能する材料源として、ＣｕＰｃ(銅フタロシアニン)を１００オングストロームの膜厚で成膜する。その後、ホール輸送層として機能する材料源として、α−ＮＰＤ（芳香族ジアミン）を成膜する。
【００３６】
図５Ｂに示した例では、赤色画素ＰＸＲにおける第１電極６０上に異物Ｆが付着している。このため、ホール側共通層６４Ｈを形成するための材料源は、第１電極６０上に蒸着されるとともに、異物Ｆ上にも蒸着され、異物Ｆの陰となる第１電極６０の表面には堆積していない。
【００３７】
続いて、図５Ｃに示すように、蒸着した材料源を加熱する。このときの加熱温度及び加熱時間は、第１電極６０の表面に蒸着された材料源と異物Ｆの表面に蒸着された材料源とが繋がって第１電極、異物、及び、材料源で囲まれた空隙Ｖを形成するような条件に設定される。これにより、ホール側共通層６４Ｈが形成される。また、空隙Ｖは、連続した蒸着工程過程で形成されるため、真空である。
【００３８】
続いて、図５Ｄに示すように、蒸着法により画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）のそれぞれに個別の発光層６４Ａを形成する。さらに、蒸着法により複数種類の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通のブロッキング層及び電子輸送層を連続して成膜し、電子側共通層６４Ｅを形成する。ここでは、赤色画素ＰＸＲに配置される発光層６４ＡＲとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にＤＣＭ色素を用いて４００オングストロームの膜厚で成膜し、緑色画素ＰＸＧに配置される発光層６４ＡＧとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にクマリン誘電体を用いて４００オングストロームの膜厚で成膜し、青色画素ＰＸＢに配置される発光層６４ＡＢとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にペリレンを用いて４００オングストロームの膜厚で成膜した。また、ブロッキング層として、ＢＣＰ（バソキョプロイン）を成膜し、さらに、電子輸送層として、Ａｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）を成膜した。これにより、電子側共通層６４Ｅが形成される。
【００３９】
続いて、図５Ｅに示すように、有機活性層６４上に複数種類の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通の第２電極６６を形成する。すなわち、第２電極６６は、有機活性層６４を配置した配線基板１２０の一主面側に陰極として機能する金属材料源をドライプロセス、例えば蒸着法によって形成可能である。
【００４０】
このような工程により、有機ＥＬ素子４０が形成される。
【００４１】
このようにして形成した有機ＥＬ素子４０によれば、第１電極６０と第２電極６６とのショートを抑制することができた。また、６０℃乃至８０℃の高温環境下に曝した場合であっても、有機ＥＬ素子４０にクラックの発生は確認されなかった。
【００４２】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００４３】
例えば、上述した実施の形態においては、ホール側共通層としてホール注入層及びホール輸送層を形成するための材料源を蒸着した後にこれらの材料源を加熱する加熱工程を適用したが、最も第１電極６０に近接した機能層、つまり上述した実施の形態では、ホール注入層を形成した直後に加熱工程を適用しても良いし、有機活性層としてホール側共通層、発光層、及び、電子側共通層を形成するための材料源を全て蒸着した後にこれらの材料源を加熱する加熱工程を適用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、有機ＥＬ素子を製造するための製造装置（蒸着装置）の構成を概略的に示す図である。
【図４】図４は、図１に示した有機ＥＬ表示装置における異物が混入した１画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、第１電極及び隔壁を形成する工程を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、有機活性層のホール側共通層を形成する工程を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、ホール側共通層を加熱する工程を示す図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、有機活性層の発光層及び電子側共通層を形成する工程を示す図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、第２電極を形成する工程を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…画素スイッチ、２０…駆動トランジスタ、３０…蓄積容量素子、４０…有機ＥＬ素子、６０…第１電極、６４…有機活性層、６４Ａ…発光層、６４Ｈ…ホール側共通層、６４Ｅ…電子側共通層、６６…第２電極、７０…隔壁、１００…アレイ基板、１２０…配線基板、ＰＸ…画素、Ｖ…空隙、Ｆ…異物
【図１】
2007095636.tif 000003
【図２】
2007095636.tif 000004
【図３】
2007095636.tif 000005
【図４】
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【図５Ａ】
2007095636.tif 000007
【図５Ｂ】
2007095636.tif 000008
【図５Ｃ】
2007095636.tif 000009
【図５Ｄ】
2007095636.tif 000010
【図５Ｅ】
2007095636.tif 000011