(57)【要約】【解決課題】半導体装置の製造に用いられる銅配線の形成において、過剰研磨しても銅配線を平坦化することのできる研磨方法を提供する。【解決手段】研磨パッド上に研磨スラリーを供給しながら、半導体基板上に形成された銅膜の表面を平坦化する平坦化工程を有する半導体装置の製造方法であって、銅研磨の進行とともに研磨パッド上に排出される銅イオンを含む研磨廃液を、研磨スラリーの供給を一時的に停止して、純水をパッド上に供給することにより除去したのち、研磨スラリーを再び供給して追研磨して銅残渣を解消することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッド上に研磨スラリーを供給しながら、半導体基板上に形成された銅膜の表面を平坦化する平坦化工程を有する半導体装置の製造方法であって、銅研磨の進行とともに研磨パッド上に排出される銅イオンを含む研磨廃液を、研磨スラリーの供給を一時的に停止して、純水をパッド上に供給することにより除去した後、研磨スラリーを再び供給して追研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
銅イオンを含む研磨廃液を純水を用いて除去する工程が、銅研磨の終点 が検出されたのち実施されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
銅イオンを含む研磨廃液を純水を用いて除去する工程が、流量３００ｃｃ／ｍｉｎで３秒から３０秒間であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に用いられる銅配線の形成において、過剰研磨
しても銅配線を平坦化することのできる研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置製造の配線工程において、絶縁膜上に配線形成用の溝形成を行い、配線用の金属膜をめっき法などにより埋め込み、過剰な金属膜を、取り除き、金属配線を含んだ絶縁膜を平坦化する技術として、ＣＭＰ（Chemical  and  Mechanical  Polishing）が用いられている。これは、砥粒を分散させたスラリーにより機械的に研磨する方法である。
【０００３】
ＣＭＰ技術においては従来より、セリア、アルミナなどの金属酸化物あるいはシリカなどの無機砥粒を含むスラリーが用いられている。しかし、これらの無機砥粒は硬度が高く、銅など硬度が低い金属膜を研磨する場合、スクラッチと呼ばれる金属表面の研磨傷や、ディッシングと呼ばれ、配線部分の金属膜が中心部でより研磨されることによって凹形状に形成される現象が大きな課題となっている。
【０００４】
現在、半導体の性能向上のため、絶縁膜上の銅線幅はより微細化が進んでおり、その研磨対象の絶縁膜表面は、より複雑な構造になっている。配線幅がより微細化されると、スクラッチによる金属表面の研磨傷は断線を引き起こし、また、ディッシングやエロージョンは配線抵抗の上昇やばらつき、さらには上層に形成される配線間のショートを引き起こし、半導体デバイスの信頼性を著しく低下させ、歩留まりを大幅に低下させる原因と成っている。
このスクラッチは、砥粒の硬さや、砥粒の凝集体が存在することにより起こる部分的な過剰研磨が原因である。
【０００５】
ディッシングは、硬い砥粒による過剰な研磨や、研磨速度を上げるために金属表面の溶出を促進させるためのｐH調整や添加剤等の添加が主な原因である。また、半導体ウェハーに形成された半導体デバイスの銅配線形成に用いられるCMPでは、配線パターンや、ウェハー上の位置などの違いにより均一に銅が研磨されないのが一般的である。この場合、銅残渣によるショートを防ぐために、研磨はウェハー全面でほぼ銅が除去（クリア）された状態（ジャストポイント）からさらに追加で研磨を継続するのが一般的である。このため、ウェハー内のある位置のデバイスでは銅が過剰に研磨されるために本来あるべき銅配線に比べてディッシングが大きくなり、抵抗値の増大を引き起こす。したがって、何らかの方法で過剰研磨はしても銅配線の体積減少を最小限に抑える工夫が必要である。
【特許文献１】特開平１１−２１６６６３
【特許文献２】特開平１１−３３３６９９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、研磨パッド上に研磨スラリーを供給 しながら、半導体基板上に形成された銅膜の表面を平坦化する平坦化工程を有する半導体装置 の製造方法において、ジャストポイント検知後に追加研磨してもディッシングが増加せず、銅表面にスクラッチなどの欠陥が発生しない研磨方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
今回、我々は過剰研磨時に銅配線の体積減少を引き起こす要因の一つとして、研磨廃液中に多量に含まれるCuイオンが、銅表面を保護する防食剤と結合して、本来の防食機能を低下させることによって引き起こされるウェットエッチングであることを突き止めた。そこで、このCuイオンによるウェットエッチングを抑制するためにCMP研磨装置の終点検知機能によって検出されるシ゛ャストホ゜イント直後に純水をウェハーと研磨パッドの間に供給してCuイオンを強制的に除去することにより、その後に追研磨を実施しても銅配線の体積減少が著しく低減できることを見出し本発明を完成した。
すなわち本発明は
（１）研磨パッド上に研磨スラリーを供給しながら、半導体基板上に形成された銅膜の表面を平坦化する平坦化工程を有する半導体装置の製造方法であって、銅研磨の進行とともに研磨パッド上に排出される銅イオンを含む研磨廃液を、研磨スラリーの供給を一時的に停止して、純水をパッド上に供給することにより除去したのち、研磨スラリーを再び供給して追研磨して銅残渣を解消することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）銅イオンを含む研磨廃液を、純水を用いて強制的に除去する工程が、銅研磨の終点 が検出されたのち、実施されることを特徴とする（１）記載の半導体装置 の製造方法。
（３）純水を用いて強制的に除去する工程が、流量３００ｃｃ／ｍｉｎで３秒から３０秒間であることを特徴とする（１）または（２）記載の半導体装置 の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の方法により、半導体装置の製造に用いられる銅配線の形成において、過剰研磨しても銅配線を平坦化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の、半導体基板上に形成された銅膜の表面を平坦化する平坦化工程を有する半導体装置の製造方法で用いられ研磨パッドは特に限定されるものではないが、発泡ポリウレタン／クッション層の二層構造パッドが好適に用いられる。また、研磨パッドの溝形状に関しても特に限定されるものではないが格子溝、同心円溝、円溝などが用いられる。
研磨装置に備えられている終点検出機構としては、ウェハー全面でほぼ銅がクリアされた状態（ジャストポイント）が検出できればよく、その方式としては、研磨パッドに光学窓を設けた研磨面光反射強度変化方式、ウェハー表面への磁場印加により金属導電層に渦電流を発生させる金属膜厚変化方式、研磨テーブル回転軸のトルク変化を検出する方式などがある。
【００１０】
研磨スラリーとしては銅を研磨するスラリーであれは砥粒の種類などによらず全てが使用できるが、有機粒子を砥粒とする研磨スラリーはスクラッチ低減にも効果的であるため好適に用いられる。
砥粒として用いられる有機粒子は、金属と錯体を形成しうる官能基を有するのが好ましい。金属と錯体を形成しうる官能基としては、カルボン酸基、水酸基、アミン基、ケトン基、グリシジル基、アセトアセトキシ基が挙げられる。特にカルボン酸が好ましく用いられる。
【００１１】
有機粒子は、例えばこれら官能基を有する単量体及びこれと共重合可能なその他ビニル系単量体を乳化重合することより製造することができる。特に好ましいカルボン酸基を有する有機粒子の場合、得られた共重合体エマルション中の不飽和カルボン酸に対して０．３モル等量以上のアルカリ性物質を添加することにより、カルボン酸基を解離させて、金属と錯体を形成しやすい状態にする。
【００１２】
本発明で用いられる不飽和カルボン酸は、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などの不飽和一塩基酸、イタコン酸、フマル酸、マレイン酸などの不飽和二塩基酸又はこれらのモノエステル類から選択された１種又は２種以上で、特にアクリル酸、メタクリル酸が好ましい。
【００１３】
水酸基含有ビニル単量体としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
アミノ基含有ビニル単量体としては第３級アミノ基を含有するアミノ基含有（メタ）アクリレート系単量体が挙げられ、例えば、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、Ｎ、Ｎ−ｔ−ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ、Ｎ−モノメチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
また、第３級アミノ基を含有するＮ−アミノアルキル（メタ）アクリルアミドが挙げられ、例えば、Ｎ、Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−イソプロピル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
アセトアセトキシ基含有ビニル単量体としては、アセトアセトキシエチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、グリシジル基含有ビニル単量体としてはグリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００１４】
これらの金属と錯体を形成する官能基を有する単量体の使用量は共重合体中の全単量体成分中1〜５０重量部で、好ましくは３〜４５重量部、より好ましくは５〜４０重量部である。1重量部未満では、目的とする研磨速度が得られず、また、５０重量部を超えると耐水性、耐アルカリ性が不良となる場合がある。
【００１５】
上記の金属と錯体を形成する官能基を有する単量体と共重合可能なその他ビニル系単量体とは、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン等の芳香族ビニル化合物、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸イソボルニル等の（メタ）アクリル酸エステル類、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル等のビニルエステル類、（メタ）アクリロニトリル等のビニルシアン化合物、塩化ビニル、塩化ビニリデン等のハロゲン化ビニル化合物が用いられる。又、官能基単量体として、不飽和カルボン酸以外に必要に応じて（メタ）アクリルアミドもしくはＮ−メチロール（メタ）アクリルアミド等が使用される。
その他ビニル系単量体の使用量は、９９〜５０重量％、好ましくは９５〜７０重量％である。
【００１６】
この様な有機粒子は、アルカリ性物質を添加することにより、全体が膨潤するもの、しないものがあるが、そのどちらでもよい。尚、ここで示す膨潤とは、その一次粒子の平均粒子径が、分解や凝集することなく、水やその他の水溶性物質を粒子内に含むことにより、大きくなることである。
【００１７】
アルカリ添加による有機粒子の膨潤度調整のため、必要に応じて架橋性単量体を共重合することができる。この例としては、重合性不飽和結合を一分子中に２個以上含有する単量体で、ジビニルベンゼン、ブタジエン、エチレングリコールジメタクレート、トリメチロールアロバントリメタクリレート、エチレングリコールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジメタクリレート、ジアクリレート等が挙げられる。この架橋性単量体の使用量は２０重量％以下で、好ましくは１０重量％以下であり、不飽和カルボン酸の種類、使用量、ビニル系共重合体の種類などによって適宜使用される。
尚、これらの有機粒子は、単独で使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００１８】
この有微粒子の研磨剤中の含有量としては、その有機微粒子によって異なるが、０．１〜２０重量％が好ましい。０．１重量％未満では、有機微粒子の効果が充分に発揮できないため、目的とする研磨速度が達成できない場合がある。また、２０重量％を超えると、研磨剤の粘度が高いため、研磨時の一定速度での研磨剤の供給が難しくなる場合がある。
【００１９】
金属を含有しない有機粒子の水分散体を得るためには、金属を含有しない単量体、界面活性剤等の分散剤、重合開始剤、その他添加剤を使用することで製造することができる。
金属を含有しない分散剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、変成ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、（メタ）アクリル酸（共）重合体、ポリ（メタ）アクリルアミド（共）重合体、エチレングリコール等の水溶性ポリマーが挙げられ、界面活性剤としてはアニオン系、ノニオン系、カチオン系が挙げられる。アニオン系界面活性剤は親水性基としてスルホン酸やカルボン酸等の酸性基を有しているが、そのカウンターイオンとしてＮａやＫ等の金属塩となっていないものを使用することができる。一般的にはアンモニウム塩であり、例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸、ラウリル硫酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ジアルキルスルホコハク酸、ステアリン酸、オレイン酸、ジオクチルスルホサクシネート、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸、ジアルキルスルホコハク酸、ステアリン酸、オレイン酸、ｔｅｒｔ−オクチルフェノキシエトキシポリエトキシエチル硫酸等のアンモニウム塩が挙げられる。
【００２０】
また、ノニオン性界面活性剤としては一般的に親水性基としてエチレングリコール鎖を有しており金属を含有していないものが多い。例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、オキシエチレン・オキシプロピレンブロックコポリマー、ｔｅｒｔ−オクチルフェノキシエチルポリエトキシエタノール、ノニルフェノキシエチルポリエトキシエタノール等が挙げられる。
【００２１】
さらにカチオン系界面活性剤としては、例えば、ラウリルトリメチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、ジステアリルジメチルアンモニウムクロライド、アルキルベンジルジメチルアンモニウムクロライド、ラウリルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、ラウリルカルボキシメチルヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、ココナットアミンアセテート、ステアリルアミンアセテート、アルキルアミングアニジンポリオキシエタノール、アルキルピコリニウムクロライド等が挙げられる。これらの分散剤は１種又は２種以上を選択することができる。
【００２２】
重合開始剤は金属を含有しないことが重要である。このような条件を満たす重合開始剤としては、例えば、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、アゾビスシアノ吉草酸、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩、２，２’−アゾビス〔２−（Ｎ−フェニルアミジノ）プロパン〕二塩酸塩、２，２’−アゾビス｛２−〔Ｎ−（４−クロロフェニル）アミジノ〕プロパン｝二塩酸塩、２，２’−アゾビス｛２−〔Ｎ−（４−ヒドロキシフェニル）アミジノ〕プロパン｝二塩酸塩、２，２’−アゾビス〔２−（Ｎ−ベンジルアミジノ）プロパン〕二塩酸塩、２，２’−アゾビス〔２−（Ｎ−アリルアミジノ）プロパン〕二塩酸塩、２，２’−アゾビス｛２−〔Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）アミジノ〕プロパン｝二塩酸塩、アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−〔１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル〕プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−〔１，１−ビス（ヒドロキシメチル）エチル〕プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−〔２−ヒドロキシエチル〕プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（イソブチルアミド）二水和物等のアゾ化合物；クメンハイドロパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ラウロイルパーオキサイド等の有機過酸化物が挙げられ、これらの１種、又は２種以上を選択することができる。開始剤としては水溶性であることが好ましく、過硫酸アンモニウム、アゾビスシアノ吉草酸、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩がより好ましいものである。 一般的な開始剤の使用量は、（共）重合させるモノマーの全重量を基準として０．１〜５重量％である。
また、有機粒子を得る場合に、必要に応じてｔ−ドデシルメルカプタン、ｎ−ドデシルメルカプタン等のメルカプタン類、アリルスルフォン酸、メタアリルスルフォン酸及びこれ等のソーダ塩等のアリル化合物などを分子量調節剤として使用することも可能である。
【００２３】
有機粒子は、従来より公知の乳化重合法、懸濁重合法、機械乳化法に基づき製造することができる。例えば乳化重合法では、分散剤と開始剤の存在下で、各種モノマーを一括で仕込み重合する方法、モノマーを連続的に供給しながら重合する方法がある。その際の重合温度としては通常３０〜９０℃で行われ、実質的に有機粒子の水分散体が得られる。乳化重合法は、小粒子径で分散安定性に優れた有機粒子を得ることが可能であるため、より好ましい重合方法である。
【００２４】
有機粒子を含む研磨スラリーには銅と錯体を形成しうる水溶性化合物として、酢酸、シュウ酸、リンゴ酸、酒石酸、コハク酸、クエン酸等のカルボン酸類、メチルアミン、ジメチルアミン、トリエチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン等のアミン類類、グリシン、アスパラギン酸、グルタミン酸、システイン等のアミノ酸類、アセチルアセトン等のケトン類、イミダゾール等のN含有環状化合物等が挙げられる。好ましくは、シュウ酸、リンゴ酸、エチルアミンを含んでも良い。含有量としては、その水溶性錯形成化合物によって異なるが、研磨剤中０．１〜１０重量％の範囲が好ましい。０．１重量％未満では、その効果が充分に発揮できず、目的とする研磨速度が達成できない場合がある。また、１０重量％を超えると、被研磨金属と錯体形成が過剰に進み、研磨対象外の被研磨金属が溶出するディッシングが抑制できない場合がある。
【００２５】
被研磨物の金属が、有機微粒子に含まれる官能基と錯体を形成し同様に、上記の水溶性化合物と金属錯体を形成することにより、良好な金属研磨が行われる。この金属錯体は、有機微粒子の配位子と水溶性物質の配位子からなるものでもよいし、有機微粒子−金属の錯体形成が、水溶性物質−金属の錯体形成を促進させる、或いは、水溶性物質−金属の錯体形成が、有機微粒子−金属の錯体形成を促進させてるものでもよい。
【００２６】
有機粒子を含む研磨スラリーは酸化剤として過酸化水素を使用するのが好ましい。これらの酸化剤の含有率としては、研磨用組成物中０．１〜１５重量％の範囲が好ましく、０．５〜５重量％の範囲が特に好ましい。０．１重量％未満では、金属と有機粒子の化学反応が進行せず目的とする研磨速度が達成できない。また、１５重量％を超えると、金属表面に生成する酸化膜が不動態化し、研磨が進行せず、目的とする研磨速度が達成できない。
【００２７】
有機粒子を含む研磨スラリーのｐHは、５〜１１、更に好ましくは、７〜１０の範囲である。ｐH５未満では、金属の溶出が抑制できないため、ディッシングが発生してしまう場合がある。また、pH１１を超えると、金属膜研磨の最終点となる半導体絶縁膜と金属配線が同一面上に存在する点において、絶縁膜を溶解させたり、部分的に分解させたりする場合がある。
【００２８】
この研磨剤のpH調整に使用する物質は、特には限定ないが、アルカリ性物質としては、アンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン、エチルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミン、メチルアミン等のアミン類、NaOH、KOH等の無機類等が挙げられる。また、酸性物質としては、塩酸、硝酸等の無機類、酢酸、シュウ酸、クエン酸等の有機酸類が挙げられる。これらのpH調整剤は、上記に示した金属の配位子となりうる水溶性化合物を兼ねてもよい。また、これらの物質は、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
有機微粒子、水溶性化合物及び水を混合し、ｐH調整して、研磨剤となるスラリーを製造する。この製造方法は、特には、限定ないが、pH調整した樹脂エマルションに、ｐH調整した金属と配位子を形成しうる水溶性化合物の水溶液を加え、よく攪拌混合するのが好ましい。その後、徐々に、酸化剤を加えて、さらに攪拌混合する。
そして、最終的なｐHと濃度調整後、ろ紙濾過により、不溶解物と凝集体を取り除き、研磨剤とする。
【００２９】
その他としては重合前、重合中、重合後に使用することができる。添加剤としては、例えば、濡れ剤、帯電防止剤、酸化防止剤、防腐剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、蛍光増白剤、着色剤、浸透剤、離型剤、流動性改良剤、増粘剤等が挙げられるが、金属を含有しないものを適時選択することができる。
【００３０】
その他に、研磨促進剤として、塩素、フッ素、沃素を含むハロケ゛ン化物や、研磨や腐食を避けたい部分のCu配線の保護膜としてベンゾトリアゾール、キナルジン酸等の窒素含有複素環化合物、及び、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、グルコース等の水溶性高分子、界面活性剤等の物質を、単独、又は、２種類以上組み合わせて添加してもよい。その添加量、種類については、本発明の目的を達成することができる限り、特に限定されない。
【実施例】
【００３１】
以下、実施例によって、本発明を詳細に説明する。
【００３２】
（実施例１）
攪拌機、温度計、還流コンデンサー付きのセパラフラスコに、水１９４．７部、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸アンモニウム０．１部を仕込み、攪拌下に窒素置換しながら７０℃迄昇温する。内温を７０℃に保ち重合開始剤として過硫酸アンモニウム０．４部添加した。これとは別に、アクリル酸ブチル７５．０部、メタクリル酸２０．０部、ジビニルベンゼン５．０部を、水４０部とアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸アンモニウム０．１部に混合し単量体の乳化物を調製し、この乳化物をフラスコ内に４時間かけて滴下し、その後４時間７０℃で保持して、有機粒子を得た。この有機粒子を５wt%含み水にクエン酸２ｗｔ％、ＢＴＡ０．０２ｗｔ％、過酸化水素２．０ｗｔ％を加えて銅研磨用スラリーとした。研磨パッドには「ＩＣ−１４００」（ニッタハース社製）を用い、光学式終点検出機構を備えた研磨機を使用した。研磨には配線溝が形成され銅めっきにより銅が形成されたパターンウェハー「８５４ＣＭＰ０６２」（セマテック製）を用いた。
【００３３】
研磨スラリーを供給して研磨を開始したてから、60秒後に終点が検出された終点検出は研磨面光反射強度変化方式を用いた。ここで研磨スラリーの供給を一時停止して純水を研磨パッド上に流量３００ｃｃ／ｍｉｎで５秒供給して研磨パッド上の銅イオンを含む研磨廃液を研磨パッド上から除去した。再び研磨スラリーを供給して追研磨を３０秒実施した。パターンウェハー上に銅残渣は確認されなかった。配線／絶縁膜のパターンが１００μｍの部分のディッシングを触針式段差系「ＤＥＫＴＡＫ３０３０」を用いて測定した。測定結果を表１に示す。
【００３４】
（実施例２）
実施例１の純水供給時間を２０秒とした以外は実施例１と同様の研磨を実施した。測定結果を表１に示す。
【００３５】
（比較例１）
実施例１で、終点検出後、純水を供給せずに追研磨を継続した以外は実施例１と同様の研磨を実施した。測定結果を表１に示す。
【００３６】
（比較例２）
実施例１で使用した研磨スラリーを純水で２倍に希釈して研磨した。研磨を開始してから８５秒後に終点が検出された。終点検出後の純水を供給せずに追研磨を３０秒実施した。パターンウェハー上に銅残渣は確認されなかった。配線／絶縁膜のパターンが１００μｍの部分のディッシングを触針式段差系「ＤＥＫＴＡＫ３０３０」を用いて測定した。測定結果を表１に示す。  
【００３７】
【表１】
2007235005.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明の方法により、半導体装置の製造に用いられる銅配線の形成において、過剰研磨しても銅配線を平坦化することができるので産業上の利用価値は高い。