(57)【要約】【課題】  空間電荷効果の補正を電子軌道の面内に対して高い一様性で行い、電子とイオンとの衝突による電子ビームの損失を減らして効率良く空間電荷を中和し、ビーム電流を増大して高スループット化を図る。【解決手段】  電子銃から放出された電子ビーム１を収束する機能を備え、該電子ビーム１の軌道領域の周囲に設けられたイオン発生手段１０と、該イオン発生手段１０から発生するイオンビーム２を電子ビーム１の軌道領域に照射するイオン照射手段とを備え、イオンビーム２を電子ビーム１の軌道領域に照射することで、該電子ビーム１により形成される空間電荷を中和し、空間電荷効果を低減する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子銃から放出された電子ビームを収束する機能を備えた電子ビーム装置において、前記電子ビームの軌道領域の周囲に設けられたイオン発生手段と、前記イオン発生手段から発生するイオンビームを前記電子ビームの軌道領域に照射するイオン照射手段と、を備えたことを特徴とする電子ビーム装置。
【請求項２】
前記イオンビームを前記電子ビームの軌道領域に照射することで、前記電子ビームにより形成される空間電荷を中和し、空間電荷効果を低減することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム装置。
【請求項３】
前記電子ビームを囲むカラムを有し、前記イオン発生手段から放出するイオンビームは、前記カラムの側壁に配置されたスリット状の開口を通して前記電子ビームの軌道領域に照射されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子ビーム装置。
【請求項４】
前記イオン発生手段は、前記電子ビームの軌道に対して軸対称に配置され、且つ、該電子ビームの軌道方向に直角の断面方向に対して、略均一に前記イオンビームが照射できることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【請求項５】
前記イオン発生手段は、前記電子ビームの軌道に沿った該電子ビームの電流密度の大小に応じて前記イオンビーム密度を変えることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【請求項６】
前記イオン発生手段からの電磁界の影響が、前記電子ビームの軌道に対して該電子ビームの光学特性に影響を与えることなく、該イオン発生手段から放出するイオンビームの照射角を変える手段を備え、該イオンビームを前記電子ビームの軌道領域に照射することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【請求項７】
装置内を通過する電子ビームの電流を検出する手段と、該電流値に基づいて前記電子ビームの軌道領域に照射するイオン電流の量を調整する手段とを備え、該電子ビームの電流の大小に対応して該イオン電流の調整を可能とすることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【請求項８】
前記イオン発生手段から放出するイオンのイオン化方式は、気体分子に電子を衝突させてイオン化することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【請求項９】
前記イオン発生手段は、放出されるイオンビームのエネルギーが、１００eV以下であり、該イオンビームが前記電子ビームの軌道領域に照射されることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の電子ビーム装置
【請求項１０】
前記イオン発生手段で生成されるイオンビームは、Ｈ、Ｈe、Ｎ、Ｏ及びＡrのうちから選択した物質のガスに基づく正イオンであり、該イオンビームが前記電子ビームの軌道に照射されることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の電子ビーム装置
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の電子ビーム装置を備えたことを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子ビーム露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス製造のリソグラフィ工程において用いられる電子ビーム装置及び電子ビーム露光装置技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリデバイス製造の量産段階においては、高い生産性を持つ光ステッパが用いられてきたが、線幅が０．１μｍ以下の４ＧＤＲＡＭ以降のメモリデバイスの生産においては、光露光方式に代わる露光技術の１つとして、解像度が高く、生産性の優れた電子ビーム露光法が期待されている。
【０００３】
従来の電子ビーム露光法は、単一ビームのガウシアン方式と可変成形方式が用いられてきた。
近年、電子ビーム露光法の生産性を向上させる方法として、デバイス回路の繰り返しパターンをセルマスクとして備えた部分一括転写方式が開発され実用化されている。一方、全くマスクを使わないマスクレス露光装置として、ＢＡＡ（ブランキング・アパーチャ-・アレー）を用いた電子描画方式が提案されている（Ｈ．Ｙａｓｕｄａ  ｅｔ，ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１３（６），３８１３−３８２０，（１９９６）、及びＭｕｒａｋｉ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１８（６），３０６１−３０６６，（２０００）参照）。
【０００４】
これらの電子ビーム露光装置は、単一の電子源から放射した電子ビームのエネルギーを５０ｋｅＶに加速した後、電子ビームを平行化するためのコリメータレンズ、そして、マルチ電子ビームをＯＮ／ＯＦＦするためのＢＡＡ（ビームブランキングアレー）、マルチビームをウエハ上に照射する縮小投影レンズからなる電子光学系で構成されている。そして、電子ビーム露光装置のスループットを向上させる方法として、電子光学系の収差補正機構を用いることで、一度に描画出来る領域を拡大するマルチビーム方式が提案されている。この様に、従来は、電子ビーム露光装置のスループットの向上を図るために露光面積を増大する工夫が行われている。
【０００５】
一方、電子ビーム露光装置のスループットは電子ビームの空間電荷効果によっても制限されることが知られているが、この効果を低減する方法として、イオンビームを用いることの有効性が、シミュレーションで示されている（参考文献、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ，Ｂ１９（６）、２５７２、（２００１））。
【０００６】
電子ビームの空間電荷効果を低減させる具体的な方法（特開平９−１７１０９９号公報）としては、電子ビームとイオンビームの磁界に対する偏向感度の違いを利用して、イオンと電子の軌道を一致させる方法が提案されている。その代表例は、図４に示した通り、イオンビーム２の入射方向に対して電子ビーム１を直角方向から磁界偏向器２００に入射し、電子ビーム１とイオンビームを同一軌道にすることで空間電荷効果の低減して、収束性能の優れた大電流型の収束電子ビーム装置を実現している。
【特許文献１】特開平９−１７１０９９号公報
【非特許文献１】Ｈ．Ｙａｓｕｄａ  ｅｔ，ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１３（６），３８１３−３８２０，（１９９６），
【非特許文献２】Ｍｕｒａｋｉ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１８（６），３０６１−３０６６，（２０００）
【非特許文献３】Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ，Ｂ１９（６）、２５７２、（２００１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
電子ビーム露光装置のスループットを向上させるためには、ウエハ面上に照射する電子ビームの電流を増大することが有効であるが、電子ビームが形成する空間電荷が電子ビームに対して凹レンズの効果として働くために、電子ビームの焦点位置をずらす作用が働いた。また、マルチビームの場合は、マルチビームのビーム間で働く空間電荷の影響のためにビーム間の位置の変動要因となっていた。更に、高速電子ビーム描画装置において最も重要な課題は、電子ビームの電流を増大すると、空間電荷効果のためにビーム解像度が劣化することであった。
【０００８】
一方、収束電子ビームの電子軌道にイオンビームを用いて空間電荷効果を中和する方法もあるが、この方法は、電磁界偏向器を用いたため、イオンビームで空間電荷効果を低減することが出来ても、良好なビーム位置精度を得ることが難しく、特に精度を要求する電子ビーム描画装置に適用することが難しかった。
【０００９】
本発明の目的は、空間電荷効果の補正を電子軌道の面内に対して高い一様性で行うことができ、電子とイオンとの衝突による電子ビームの損失を減らして効率良く空間電荷を中和することができ、ビーム電流を増大させて高スループット化を図ることができる電子ビーム装置及び電子ビーム露光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題に対し解決する手段として、本発明は、次に記載の（１）〜（１１）のいずれでもよい。
（１）電子銃から放出された電子ビームを収束する機能を備えた電子ビーム装置において、前記電子ビームの軌道領域の周囲に設けられたイオン発生手段と、前記イオン発生手段から発生するイオンビームを前記電子ビームの軌道領域に照射するイオン照射手段と、を備えたことを特徴とする電子ビーム装置。
【００１１】
（２）前記イオンビームを前記電子ビームの軌道領域に照射することで、前記電子ビームにより形成される空間電荷を中和し、空間電荷効果を低減することを特徴とする（１）に記載の電子ビーム装置。
【００１２】
（３）例えば、前記電子ビームを囲むカラムを有し、前記イオン発生手段から放出するイオンビームは、前記カラムの側壁に配置されたスリット状の開口を通して前記電子ビームの軌道領域に照射されることを特徴とする（１）または（２）に記載の電子ビーム装置。
【００１３】
（４）前記イオン発生手段は、例えば、前記電子ビームの軌道に対して軸対称に配置され、且つ、電子軌道方向に直角の断面方向に対して、略均一に前記イオンビームが照射できることを特徴とする（１）から（３）のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【００１４】
（５）前記イオン発生手段は、例えば、前記電子ビームの軌道に沿った該電子ビームの電流密度の大小に応じて前記イオンビーム密度を変えることを特徴とする（１）から（４）のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【００１５】
（６）例えば、前記イオン発生手段からの電磁界の影響が、前記電子ビームの軌道に対して該電子ビームの光学特性に影響を与えることなく、該イオン発生手段から放出するイオンビームの照射角を変える手段を備え、該イオンビームを前記電子ビームの軌道領域に照射することを特徴とする（１）から（５）のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【００１６】
（７）例えば、装置内を通過する電子ビームの電流を検出する手段と、該電流値に基づいて前記電子ビームの軌道領域に照射するイオン電流の量を調整する手段とを備え、該電子ビームの電流の大小に対応して該イオン電流を調整可能とする（１）から（６）のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【００１７】
（８）前記イオン発生手段から放出するイオンのイオン化方式は、例えば、気体分子に電子を衝突させてイオン化することを特徴とする（１）から（７）のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【００１８】
（９）前記イオン発生手段は、例えば、放出されるイオンビームのエネルギーが、１００eV以下であり、該イオンビームが前記電子ビームの軌道領域に照射されることを特徴とする（１）から（８）のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【００１９】
（１０）前記イオン発生手段で生成されるイオンビームは、例えば、Ｈ、Ｈe、Ｎ、Ｏ及びＡrのうちから選択した物質のガスに基づく正イオンであり、該イオンビームが前記電子ビームの軌道に照射されることを特徴とする（１）から（９）のいずれかに記載の電子ビーム装置。
【００２０】
（１１）上記（１）から（１０）のいずれかに記載の電子ビーム装置を備えたことを特徴とする電子ビーム露光装置。
【００２１】
（１２）上記（１１）に記載の電子ビーム露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の効果】
【００２２】
以上、説明してきたように、本発明によれば、名電子ビーム軌道に対し周囲からイオンビーム照射を行うことで、電子ビームに電磁界の影響を与えること無く空間電荷を均等に中和することが出来るため、空間電荷効果の補正を電子軌道の面内に対して高い一様性で行うことが出来る。また、電子ビームの電流量に対応してイオン量を調整することで、電子とイオンとの衝突による電子ビームの損失を減らして効率良く空間電荷を中和することが出来る。
【００２３】
また、電子ビームの電流密度が大きい領域に対してイオン電流密度を調整することで、更に効率の高い空間電荷の中和が可能となる。このことから、空間電荷効果の影響を３倍以上低減することが出来る。また、収束電子ビームの光学特性を損なうことなく、電子ビーム装置のビーム電流を増大することが出来ることから、電子ビーム描画装置においてビーム電流を増大して高スループット化が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明によるマルチ電子ビーム型露光装置に本発明の空間電荷効果を低減する手段を用いた実施例について、図を用いて説明する。
【実施例１】
【００２５】
図１に本発明の実施例１に係るマルチ電子ビーム型露光装置を示す。図１に示すマルチ電子ビーム型露光装置は、電子銃１００、照射系１１０、マルチビーム形成ユニット１２０、縮小投影系１３０、及びステージ１４０を備えて構成されている。電子銃１００は、ＬａＢ６等の熱電子源１０１、ウエネルト電極１０２、及びアノード電極１０３の３極型の電子銃で構成されている。熱電子源１０１から放出した電子ビーム１は、クロースオーバーを形成して５０ｋＶに加速され、そして、照射レンズ１１１に入射する。そこで電子ビームは、略平行化されてマルチビーム形成ユニット１２０に入射する。マルチビーム形成ユニット１２０では、単一光源から放出した電子ビームをマルチビームに分割するためのアパーチャアレー１２１、マルチに分割されたそれぞれの電子ビームを収束する機能を備えたマルチレンズアレー１２２、このマルチビームを独立に偏向してビームブランキングを行うＢＬＡ（ブランキングアレー）１２３、及びブランキングされたビームを遮断するビーム遮蔽電極１２４で構成されている。
【００２６】
更に、マルチビーム形成ユニット１２０を出たマルチビームは、下段の縮小投影系１３０に入射され、レンズ１３１，１３２から成るダブレット型のレンズによって、レンズアレー１２２で形成されるマルチビームの２次光源像をステージ１４０上に静電吸着されたウエハ１４１上に投影する。
【００２７】
マルチビーム形成ユニット１２０と縮小投影系１３０の間にあるイオン発生手段１０は、電子ビーム１の光路の周辺に配置されており、イオン発生手段１０で発生した正のイオンビームは、特別な電磁界を電子ビーム１の軌道領域に与えることなく照射される。マルチ電子ビームを用いた描画は、縮小投影系１３０内に備えられた偏向器（図に記載なし）を用いてマルチ電子ビームを同時に走査する。そして、この走査に同期してＢＬＡ１２３がビームをＯＮ／ＯＦＦすることで任意のパターンが感光剤の塗布されたウエハ１４１上に露光される。
【００２８】
通常の電子ビーム露光では、熱電子源１０１から出射された１本のビームがマルチビーム形成ユニット１２０でマルチビームに形成された後、それぞれ独立したビームとして縮小され、ウエハ１４１上に到達する過程でそれぞれの収束電子ビームが形成する空間電荷によって生ずる焦点位置変動の問題、電流密度の違いによって生ずるビーム位置の変動の問題、それに収束ビームのビームボケの問題が発生するが、焦点位置の変動につては、照射電流に対応してレンズのパワーの微調整をすることで課題を解決することが出来る。
【００２９】
しかし、空間電荷効果によるビーム位置の変動とビームボケの問題は補正することが難しいため、実際にはその誤差が許される電子ビーム電流の範囲で電子ビーム露光を行ってきた。本実施例の電子ビーム装置では、マルチビーム形成ユニット１２０とステージ１４０の間に、イオンビームを発生させる本発明のイオン発生手段１０が設けられており、この領域を通過する電子ビームに対して、正イオンビームが照射出来る様に構成されている。ここでのイオンビーム照射により、マルチビームが形成する空間電荷効果は中和されることから、空間電荷効果として引き起こされる収束電子ビームに対して不都合な焦点位置の変動、電子間のクーロン相互作用によって生じる収束ビーム位置の歪、それに収束電子ビームの収束ビーム性能の劣化、及び電子ビームのエネルギー分散の増大等、これらの現象を軽減することが出来る。
【００３０】
しかも、このイオン発生手段１０の配置は、電子ビームの軌道に対して、電磁界の影響無しにイオン照射が行える構成となっている。そしてまた、電子ビーム１の軌道領域の周辺から一様にイオンビームを照射することにより、空間電荷効果を一様に中和することが出来る。従って、マルチ電子ビームの一様性を損なうことなく空間電荷効果を低減することが出来る。
【００３１】
ここで、空間電荷効果として引き起こされる収束電子ビームの軌道の広がりについて説明する。このクーロン効果によるビームのボケδｃは、電子ビーム露光装置を例に取って示すと、電子ビームの電流I、電子ビームの軌道の長さL、電子光学系の倍率M、電子光学系のNAに相当する収束半角α、電子ビームのウエハ面への一括照射領域SF、電子ビームの加速電圧Vとすると、
δc∝（I０．８３L１．２６M）/（α０．６SF０．５５V１．５４）
の関係で表される（W.Stickel: Simulation of Coulomb interactions in electron beam
lithography systems-A comparison of theoretical models, J. Vac. Sci. Technol. B16(1998) 3211）。
【００３２】
この様に電子ビームの収束性能は電子ビーム装置の光学系パラメータにも依存するが、収束電子ビームの収束特性は、電子ビームの電流に略比例することから、電子ビームの電流を増大して高スループットを実現しようとすると、解像性能が障害となる。また、空間電荷効果は収束電子ビームに対して凹レンズの作用をすることから、電子ビームの電流量に合わせて電子レンズのパワーを制御してフォーカス調整を行うことが必要であった。また、マルチビームのこの空間電荷効果が個々のマルチビームのビーム位置を微妙に変化することが既に知られているが、これらを補正することは難しいとされている。しかし、本発明の空間電荷効果を中和する方法を用いることで、精密、且つ、高解像度が要求される電子ビーム露光装置において、これらの空間電荷効果の諸問題を解決することが出来る。従って、高スループット型の電子ビーム露光装置を実現することが出来る。
【００３３】
電子ビームの電流が多い場合は、それの量に合わせて空間電荷を中和するイオンビームの量を調整することが望ましい。ここでは、ステージ１４０の上に電子ビームの電流を計測するファラデーカップ１４２が設けてある。このファラデーカップ１４２で検出した電流値をイオン源制御手段３０に入力し、電子ビームの電流値に基づいてイオンの発生量を調整する。このことにより、電子ビーム露光装置のビーム電流を通常の３倍以上増大させることが期待出来る。また、イオンビーム照射の領域を電子ビームの軌道に沿って一様に照射するのでなく、空間電荷効果の影響の大きいと考えられる電子ビームの収束する領域、例えば、レンズ１３１と１３２の中間領域にイオン発生手段１０を設け、この領域のイオン密度を増すことにより、電子ビームで形成される空間電荷効果の影響を効率良く低減することが出来ることから電子ビーム電流を更に増大させることが出来る。
【００３４】
また、電子ビームの電流密度の場所による違いに応じて照射イオンビームの電流密度を調整するこの方法は、空間電荷効果低減の効率化だけでなく、電子がイオンと衝突して損失する割合を大幅に低減することが出来る。空間電荷効果を１／３程度に低減しようとした場合、電子ビームの損失は、０．２％程度あると言われており、この面からも場所によるイオンビームの電流密度調節は有効であると言える。
【００３５】
次に空間電荷を中和するイオン発生手段の電子ビームカラムへの取り付け方法について図２を用いて説明する。イオンを発生し電子ビーム軌道に照射する機構は、照射するイオン発生手段１０、及びイオン源制御手段３０を有し、このイオン源制御手段３０がイオンビーム電流制御ユニット３１とイオン化ガスを供給するガス供給ユニット３２とを備えて構成されている。特に、このイオン発生手段１０は、電子ビーム１を囲むカラム側壁２０の周囲に取り付けることにより、電子ビーム１の軌道に対して直交する面内のイオン電流密度の均一性を向上させることが出来る。従って、空間電荷効果補正の面内均一性を向上させることが出来る。
【００３６】
また、イオン発生手段１０から発生するイオン電流量は、イオンビーム電流制御ユニット３１により供給するガス流量とイオン化電流が制御されており、イオン発生手段１０で形成されたイオン２は、カラムの側壁２０に設けられたイオンビーム取り出し口１１から放出される。このイオン取り出し口１１は、スリット状の取り出し口とすることでイオン発生手段１０の真空度と電子ビーム１が通過する真空室２１との間の真空度の差圧を利用して、イオン発生手段１０の真空度に影響なく真空室２１を高い真空に保つことが出来る。
【００３７】
続いて、図３を用いてイオン発生手段１０においてイオンの発生から照射までの工程について説明する。イオン発生手段１０は、イオン化室１９、熱陰極あるいは冷陰極からなるカソード１２、及びアノード電極１３を備えて構成されている。イオン照射手段は、バイアス電極１４、及び引出し＆レンズ電極１５を備えて構成されている。また、イオン化室１９内へはイオン化ガスが、イオン化室１９の壁部に設けられたガス導入口から供給される。各電極の電圧、電流制御及びイオン化ガスの供給制御は前記記載のイオン源制御手段３０によって行われる。カソード１２からの放出した電子は、イオン化室１９内に供給されたイオン化ガスと衝突してイオン化する。ここで生成したイオンはバイアス電極１４とイオンの引出し＆レンズ電極１５によってイオンが引き出され、収束条件が制御される。
【００３８】
図３の（１）はイオンの放出方向が直線方向に放射されるイオン照射条件を示す。このイオン照射手段では、前記イオン取り出し口１１の部位に平行スリットを備えたイオンビーム照射スリット１６を通して、イオンビーム２が真空室２１に照射される。図３の（２）は真空室２１にイオンビーム２を分散して照射することを目的としたものである。このイオン照射手段では、イオンの引出し＆レンズ電極１５の条件をイオンビームが発散するような条件とすることで、発散するイオンビーム２が放射状のイオンビーム照射スリット１７を通して真空室２１に照射される。図３の（３）に示すイオン照射手段では、イオンビーム取り出し口１１に偏向器を備えたイオンビーム照射スリット１８を設けることで、電子ビーム１の軌道に沿って周囲からイオンビーム２が照射されることを可能としている。
【００３９】
以上説明したように電子ビーム軌道領域に対して、有効な空間電荷効果補正型の電子ビーム露光装置が実現する。本発明は、ここで説明した露光方式以外のマスクを利用した電子ビーム露光装置、ガウシアン方式や可変成形型の従来の電子ビーム露光装置に有効であることは言うまでもなく、高精度、高解像度を必要とする収束電子ビーム装置に対しても有効に適応することが出来る。
【実施例２】
【００４０】
次に、本発明の実施例２として、上記実施例１に係る電子ビーム露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図５は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（ＥＢデータ変換）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
【００４１】
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記露光制御データが入力された露光装置とウエハを用い、リソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００４２】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付け露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施例１に係る空間電荷効果中和型電子ビーム露光装置の要部を示す構成図である。
【図２】本発明の実施例１に係る空間電荷効果中和用イオン発生手段の取り付け例を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係るイオン発生手段を示す図であって、（１）が直線放射型イオン発生手段、（２）が分散放射型イオン発生手段、（３）が偏向型イオン発生手段である。
【図４】従来の空間電荷中和方法の説明用図である。
【図５】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１：電子ビーム、２：イオンビーム、１０：イオン発生手段、１１：イオンビーム取り出し口、１２：カソード、１３：アノード電極、１４：バイアス電極、１５：引出し＆レンズ電極：１６，１７：イオンビーム照射スリット、１８：偏向器付きイオン照射スリット、１９：イオン化室、２０：カラム側壁、２１：真空室、３０：イオン源制御手段、３１：イオンビーム電流制御ユニット、３２：ガス供給ユニット、１００：電子銃、１１０：照射系、１２０：マルチビーム形成ユニット、１２１：アパーチャ−アレー、１２２：レンズアレー、１２３：ブランキングアレー、１２４：遮蔽電極、１３０：縮小投影系、１３１，１３２：レンズ、１４０：ステージ、１４１：ウエハ、１４２：ファラデーカップ、２００：磁界型偏向器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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