(57)【要約】【課題】  高電圧を印加して大電流を流す１チップの半導体装置を、高スループットで測定できるプローバの実現。【解決手段】  １チップの半導体装置5をテスタで検査をするために、各テスタの端子を半導体装置の電極に接続するプローバであって、１チップの半導体装置の電極に対応して配置されると共にテスタの端子に接続され、電極に接触することにより、電極をテスタの端子に電気的に接続するプローブ43,44と、１チップの半導体装置を複数個保持するチャックステージ20と、チャックステージを移動及び回転する移動回転機構15-18とを備える。【選択図】      図３
2007040926.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１チップの半導体装置をテスタで検査をするために、各テスタの端子を前記半導体装置の電極に接続するプローバであって、
前記１チップの半導体装置の電極に対応して配置されると共に前記テスタの端子に接続され、前記電極に接触することにより、前記電極を前記テスタの端子に電気的に接続するプローブと、
前記１チップの半導体装置を複数個保持するチャックステージと、
前記チャックステージを移動及び回転する移動回転機構とを備えることを特徴とするプローバ。
【請求項２】
前記プローブは、前記半導体装置の表面の電極に接触する少なくとも１組の触針を備え、前記触針の各組は、同一の電極に接触する複数の触針を備える請求項１に記載のプローバ。
【請求項３】
前記１チップの半導体装置は、表面に電極を有すると共に、裏面が電極である半導体装置であり、
前記チャックステージは、互いに絶縁された複数の導電表面を備え、各半導体装置の裏面を各導電表面に接触させて保持する請求項１又は２に記載のプローバ。
【請求項４】
前記プローブは、前記チャックステージの前記導電表面に接触する１組のピンを備える請求項３に記載のプローバ。
【請求項５】
前記ピンは、スプリングピンである請求項４に記載のプローバ。
【請求項６】
前記チャックステージは、前記複数の半導体装置を吸着する吸着機構を備える請求項１から５のいずれか１項に記載のプローバ。
【請求項７】
前記吸着機構は、前記複数の半導体装置をそれぞれ独立に吸着可能である請求項６に記載のプローバ。
【請求項８】
前記吸着機構は、２個以上の前記半導体装置を同時に吸着する請求項６に記載のプローバ。
【請求項９】
前記チャックステージは、前記複数の半導体装置が吸着されているかを検出する吸着状態検出手段を備える請求項６に記載のプローバ。
【請求項１０】
前記チャックステージは、前記複数の半導体装置の保持位置を規定する位置決め手段を備える請求項１から９のいずれか１項に記載のプローバ。
【請求項１１】
前記チャックステージは、保持した前記複数の半導体装置の温度を上昇させる加熱手段を備える請求項１から１０のいずれか１項に記載のプローバ。
【請求項１２】
前記チャックステージは、保持した前記複数の半導体装置の温度を降下させる冷却手段を備える請求項１から１１のいずれか１項に記載のプローバ。
【請求項１３】
当該プローバは、前記チャックステージに保持した前記複数の半導体装置の電極の位置を検出するアライメント用撮像装置を備える請求項１から１２のいずれか１項に記載のプローバ。
【請求項１４】
当該プローバは、前記プローブの位置を検出するプローブ合わせ用撮像装置を備える請求項１から１３のいずれか１項に記載のプローバ。
【請求項１５】
前記移動回転機構は、前記チャックステージを３軸方向に独立に移動する機構を備える請求項１から１４のいずれか１項に記載のプローバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置をテスタで検査するのに使用するプローバに関し、特に１チップの半導体装置を検査するのに使用するプローバに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程は、多数の工程を有し、品質保証及び歩留まりの向上のために、各種の製造工程で各種の検査が行われる。例えば、半導体ウエハ上に半導体装置（デバイス）の複数のチップが形成された段階で、各チップのデバイスの電極をテスタに接続し、テスタから電源及びテスト信号を供給し、デバイスの出力する信号をテスタで測定して、正常に動作するかを電気的に検査するウエハレベル検査が行われている。
【０００３】
ウエハレベル検査の後、ウエハはフレームに貼り付けられ、ダイサで個別のチップに切断される。切断された各チップは、正常に動作することが確認されたチップのみが次の組み立て工程でパッケージ化され、動作不良のチップは組み立て工程から除かれる。更に、パッケージ化された最終製品は、出荷検査が行われる。
【０００４】
ウエハレベル検査は、プローバにウエハを保持し、テスタの端子に接続されたプローブをウエハの各チップの電極に接触させ、テスタから電気的検査のための電源及びテスト信号を各チップに供給すると共に各チップからの出力信号を検出して正常に動作するかを測定する。ウエハレベル検査については、例えば、特許文献１及び２などに記載されている。
【０００５】
パワートランジスタ、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)、ＬＥＤ、半導体レーザなどの半導体装置（デバイス）は、１チップに１個のデバイスが形成され、動作時には高電圧を印加して大電流を流すため、動作特性の測定時にも高電圧を印加して大電流を流す必要がある。また、このようなデバイスは、一般にウエハの上面に電極が形成されると共に、ウエハの裏面も電極として機能する。例えば、ＩＧＢＴでは、ウエハの裏面がコレクタとして機能する。図１は、ＩＧＢＴチップの構成を模式的に示す図である。図示のように、ウエハ１にＩＧＢＴが形成され、ＩＧＢＴのゲートＧに接続される電極２及びエミッタＥに接続される電極３がウエハ１の表面に形成され、ＩＧＢＴのコレクタＣはウエハ１の裏面に対応する。
【０００６】
上記のようなウエハの裏面が電極として機能し、高電圧を印加して大電流を流すデバイスのウエハレベル検査を行う場合、ウエハに反りがあると、ウエハをプローバのチャックステージに吸着して保持する時、ウエハの裏面がチャックステージの導電性の表面に接触しない場合が生じ、測定を行えないという問題を生じる。
【０００７】
また、デバイスはウエハ上に多数隣接して形成されるため、あるデバイスの測定を行う場合、近接した他のデバイスの存在が測定に影響して正確な測定が行えないという問題を生じる。これは特に大電流を流す時やＡＣ特性を測定する場合に問題になる。
【０００８】
そこで、上記のようなデバイスについては、ウエハをダイシングしてチップに分割した後、１チップのデバイスを検査することが行われている。このための装置として、例えば、チップソータやチップハンドラーなどが知られている。
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−１５００８１号公報
【特許文献１】特開２００２−１７０８５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のパワートランジスタ、ＩＧＢＴ、ＬＥＤ、半導体レーザなどの半導体装置（でばいす）は、益々高電圧化及び大電流化が進んでいる。例えば、車載用のデバイスは、これまで主として制御系に使用されていたが、近年駆動にモータを使用する電気自動車やハイブリッドカーが開発され、高電圧で大電流を駆動できる半導体デバイスが求められている。例えば、駆動電流が１００Ａ以上のＩＧＢＴが求められている。
【００１１】
チップソータ及びチップハンドラーなどで測定を行う場合、マニュピレータ型プローブヘッドを使用して、バネでプローブを付勢したスプリングピンをチップ電極に接触させて電流を流す。しかし、スプリングピンは、プローブとプローブが摺動する円筒状の案内筒とが点接触する構造であり、あまり大きな電流は流せず、３０〜１００Ａが限界であり、上記の１００Ａ以上の電流という要求を満たせないという問題がある。
【００１２】
そこで、それ自体がバネ性を有する、プローバなどで使用される触針（プローブ）を使用することが考えられる。しかし、触針は細い部材であり、流せる電流が制限される上、触針とチップ電極との接触面積も小さいのでやはり流せる電流が制限される。そこで、プローブの本数を増加させて、全体で流せる電流を増加させることが考えられる。しかし、チップソータ及びチップハンドラーなどは装置の位置決め精度が不十分で、チップ電極の面積も限られるため、触針の本数をあまり増加させることができず、電流を十分に増加させることができないという問題がある。
【００１３】
更に、チップソータ及びチップハンドラーは、１個ずつ供給されるデバイスを、固定し、電極位置の測定位置に移動させてチップ電極の位置を測定してアライメントした後、測定位置に移動して触針をチップ電極に接触させた上で測定を行う。そのため、１個のデバイスごとに、電極位置の測定位置と測定位置との間で移動する必要があるので、１個のデバイスを測定するために長時間を要することになり、スループットが低いという問題があった。
【００１４】
本発明は、このような問題を解決するもので、高電圧を印加して大電流を流す１チップの半導体装置（デバイス）を、高スループットで測定できるプローバの実現を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を実現するため、本発明のプローバは、チャックステージが１チップの半導体装置（デバイス）を複数個保持するようにする。
【００１６】
すなわち、本発明のプローバは、１チップの半導体装置（デバイス）をテスタで検査をするために、各テスタの端子を前記半導体装置の電極に接続するプローバであって、前記１チップの半導体装置の電極に対応して配置されると共に前記テスタの端子に接続され、前記電極に接触することにより、前記電極を前記テスタの端子に電気的に接続するプローブと、前記１チップの半導体装置を複数個保持するチャックステージと、前記チャックステージを移動及び回転する移動回転機構とを備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明のプローバによれば、チャックステージは複数個の１チップのデバイスを保持するので、保持されたすべてのデバイスのチップ電極位置を測定した後、順次アライメントして測定を行えば、１個のデバイスごとに電極位置の測定位置と測定位置との間で移動する必要がないので、スループットが向上する。
【００１８】
高精度のアライメントを行うには、チャックステージに保持した複数のデバイスの電極の位置を高精度に検出するアライメント用撮像装置、及びプローブの位置を検出するプローブ合わせ用撮像装置を設ける必要がある。
【００１９】
プローブは、それ自体がバネ性を有する触針（プローブ）を複数設けることにより流せる電流を増加できるが、特に正確なアライメントが可能になることにより、触針の本数を大きくしてより大電流を流すことができる。
【００２０】
表面に電極を有するデバイスを測定する場合には、チャックステージは、互いに絶縁された複数の導電表面を備え、各デバイスの裏面を各導電表面に接触させて保持する。
【００２１】
このような構成により、各デバイスは保持された他のデバイスとは絶縁されており、高電圧を印加して大電流を流す測定やＡＣ特性の測定が正確に行える。
【００２２】
更に、デバイスの裏面に対応する電極とテスタを接続するため、プローブは、チャックステージの導電表面に接触するピンを備える。チャックステージの導電表面は大きな面積とすることが可能であるので、ピンの本数を増加させて全体で大きな電流を流すようにできる。そのため、ピンは、スプリングピンで実現できる。もちろん、上記のそれ自体がバネ性を有する触針（プローブ）で実現することも可能である。
【００２３】
チャックステージは、複数のデバイスを吸着する吸着機構を備える。吸着機構は、複数のデバイスをそれぞれ独立に吸着可能であることが望ましいが、保持するデバイスの個数が増加すると、吸着機構が複雑になるので、２個以上のデバイスを同時に吸着するようにしてもよい。吸着機構が真空吸着機構である場合、各吸着機構により吸着される複数のデバイスはすべてチャックステージに保持されている必要がある。測定する半導体装置の個数と保持部分の個数の関係で空き部分が生じる場合には、ダミーチップを保持するようにしてもよい。また、チャックステージの保持部分を複数のグループに分けて、各グループのデバイスは共通に吸着し、グループごとに独立に吸着するようにしてもよい。
【００２４】
また、チャックステージは、複数のデバイスが吸着されているかを検出する吸着状態検出手段を備えることが望ましい。吸着状態検出手段は、例えば、チャックステージの保持面に複数のピンを設け、チャックステージにデバイスが正しく吸着された時にピンがデバイスの裏面に接触して、デバイスの裏面を介して複数のピンが導通するように構成し、ピンの間の導通を検出することにより、吸着状態を確認できるようにする。また、真空吸着機構を使用する場合には、真空経路の負圧を検出することで、チャックステージにデバイスが正しく吸着されているかを検出できる。
【００２５】
チャックステージは、複数のデバイスの保持位置を規定する位置決め手段を備えることが望ましい。上記のように、アライメント用撮像装置及びプローブ合わせ用撮像装置を設けて正確なアライメントを可能にするが、アライメント用撮像装置によるチップ電極の位置測定を容易にするために、デバイスはある程度の誤差範囲内で位置決めされて配置されていることが望ましい。ダイサにより切断されたデバイスのチップの端面は、ある程度の位置精度を有するので、位置決め手段は、チャックステージの表面の保持部分を周辺より若干低くして、その壁を基準位置とするか、チャックステージの表面に位置決め部材を設けて、それにチップの端面を接触させることにより実現できる。
【００２６】
パワートランジスタ、ＩＧＢＴ、ＬＥＤ、半導体レーザなどの半導体デバイス、特に車載用の半導体デバイスは、過酷な使用条件で使用されるので、そのような条件での検査が可能なように、チャックステージには、保持した複数のデバイスの温度を上昇させる加熱手段及び／又は保持した複数のデバイスの温度を降下させる冷却手段を設けることが望ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、高電圧を印加して大電流を流す１チップの半導体装置（デバイス）を、高スループットで測定できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図２は、本発明の実施例のＩＧＢＴデバイスを測定するプローバの全体構成を示す図である。図２に示すように、本発明のプローバは、底板１１、側板１２、１３、及び天板１４で構成される筐体と、底板１１に設けられた３軸及び回転移動機構と、回転移動機構に設けられたチャックステージ２０と、回転移動機構に設けられたプローブの位置を検出するプローブ合わせ用撮像装置６０と、天板１４に設けられたプローブ部４０と、天板１４に設けられた半導体装置（デバイス）のチップ電極の位置を高精度に検出するアライメント用撮像装置５０とを有する。回転移動機構は、ベース１５に対して第１の方向に移動する第１移動台１６と、第１移動台１６に対して第２方向に移動する第２移動台１７と、第２移動台１７に対して第３の方向（上下方向）に移動すると共に回転する移動回転筒１８とを有する。チャックステージ２０は、移動回転筒１８に配置され、３軸方向及び回転が可能である。
【００２９】
アライメント用撮像装置５０は、チャックステージ２０に保持された１チップの半導体デバイス５の表面を撮影して、チップ電極の位置を検出する。アライメント用撮像装置５０は、チップ電極の位置を高精度に検出するため、顕微鏡と高解像度の撮像装置で構成され、得られた画像を処理してチップ電極の位置を検出する。
【００３０】
プローブ合わせ用撮像装置６０は、プローブ部４０に設けられた触針（プローブ）を撮影して、触針の先端位置を検出する。触針は、後述するように、近接して設けられた多数の、例えば、１００本の針で構成され、各針はそれ自体がバネ性を有する導電性の細い針である。
【００３１】
プローブ部４０（プローブカード）を交換した時には、プローブ合わせ用撮像装置６０を触針の下に移動して触針を撮影し、触針の先端位置を検出する。この動作は、基本的にはプローブカードを交換した時に行えばよいが、検査中に触針が変形するなどの故障が生じる場合があるので適宜行われる。
【００３２】
デバイス５をチャックステージ２０に保持した時には、各デバイス５をアライメント用撮像装置５０の下に移動してデバイス５のチップ電極の位置を検出する。そして、デバイス５のチップ電極が、上記のようにして検出したプローブの先端位置に一致するように、チャックステージ２０を回転し、Ｘ軸及びＹ軸方向に移動した後、Ｚ軸方向に上昇してプローブをチップ電極に接触させる。
【００３３】
以上の構成は、従来のプローバの基本構成と同じであり、本発明のプローバの特徴は、以下に説明する部分である。言い換えれば、本発明は上記の実施例の基本構成に限定されず、どのような基本構成を有するプローバにも適用可能である。
【００３４】
図３は、本発明の実施例のプローバのチャックステージ２０及びプローブ部４０の構成を示す図であり、（Ａ）が断面図を示し、（Ｂ）がチャックステージ２０の上面図を示す。
【００３５】
図３に示すように、チャックステージ２０は、移動回転筒１８に固定されるステージベース２６と、ステージベース２６に設けられた第１中間部材２５と、第１中間部材２５を覆うように設けられた第２中間部材２３と、第２中間部材２３の上に設けられたステージ部材２１とを有する。ステージ部材２１は、セラミック製であり、図３の（Ｂ）に示すように、５個の導電性部２２が設けられている。５個の導電性部２２は、セラミック材で隔てられているので、互いに絶縁されている。各導電性部２２の中央には、測定する１チップのデバイス５が載置される。デバイス５が載置される部分には、導電性部２２及びステージ部材２１を貫通するように複数の穴３１、例えば４個の穴が設けられている。複数の穴３１は、第２中間部材２３を貫通して、第１中間部材２５内の空洞３４まで延びている。第１中間部材２５の第２中間部材２３と接する上面部分にはヒータ２４が設けられており、複数の穴はヒータ２４を避けるように設けられる。
【００３６】
各導電性部２２に対応した空洞３４は、第１中間部材２５及び第２中間部材２３内に設けられた真空経路３５を介して真空口３６に接続されている。真空口３６は、それぞれ真空機構に接続され、対応する真空機構を動作させることにより、対応する導電性部２２の空洞３４及び複数の穴３１内を真空状態にできる。これにより、導電性部２２の表面に載置された１チップのデバイス５を真空吸着できる。
【００３７】
また、複数の穴３１内には、穴の内壁に接触しないように導電性の複数のスプリングピン３２がそれぞれ設けられている。複数のスプリングピン３２は、一端が導電性部２２の表面より若干高くなるように配置され、他端が接触検出回路３３に接続されている。接触検出回路３３は、複数のスプリングピン３２が相互に導通状態であるかを検出する。１チップのデバイス５が十分な力で真空吸着されると、複数のスプリングピン３２は、１チップのデバイス５の裏面に接触して、１チップのデバイス５の裏面の抵抗成分を介して接続された状態になる。一方、１チップのデバイス５が無いか又は十分な力で真空吸着されていない時には、複数のスプリングピン３２が１チップのデバイス５の裏面に接触しないので、複数のスプリングピン３２は絶縁された状態である。接触検出回路３３は、複数のスプリングピン３２により形成される閉回路の抵抗が所定値以下であるかを判定する。閉回路の抵抗が所定値以下の時には、１チップのデバイス５が十分な力で真空吸着されており、１チップのデバイス５の裏面は導電性部２２に十分に接触していると判定される。逆に、閉回路の抵抗が所定値以上の時には、１チップのデバイス５が無いか又は十分な力で真空吸着されていないと判定される。前述のように、ＩＧＢＴは、裏面がコレクタとして動作するので、測定を行うには１チップのデバイス５の裏面が導電性部２２に十分に接触していることが必要であり、閉回路の抵抗が所定値以上の時には測定が行えないので、測定から除いたり、閉回路の抵抗が所定値以下になるように再セットを行うなどの処置を行う。
【００３８】
高温での動作検査が必要なデバイスを検査する場合には、ヒータ２４によりステージ部材２１を加熱して、保持されたデバイス５を過熱して検査を行う。また、低温での検査を行う場合には、ヒータ６３の代わりに冷却機構を設ける。また、ヒータ２４と冷却機構の両方を設けることも可能である。
【００３９】
プローブ部４０は、１チップのデバイス５の表面のチップ電極に接触される２組の触針（プローブ）４３が設けられたリング部材４２と、導電性部２２の表面に接触する４本のスプリングピン４４と、リング部材４２及び４本のスプリングピン４４が固定されるガード４１と、ガード４１が取り付けられるプローブカード４５と、プローブカード４５が着脱可能に取り付けられる取り付け部材４６とを有し、取り付け部材４６は天板１４に取り付けられる。プローブカード４５の３本の導電線が設けられ、導電線の一方の端はテスタのテストヘッドに接続され、２本の導電線の他端はリング部材４２及びガードを介して２組の触針（プローブ）４３に接続され、１本の導電線の他端は４本のスプリングピン４４に共通に接続される。プローブカード４５は、検査するデバイスに応じて交換される。
【００４０】
各組の触針４３は、ウエハプローバなどで広く使用されているそれ自体がバネ性を有する触針を、その先端がチップ電極に接触するように多数配列したものである。触針４３はかならずチップ電極に接触することが必要であり、チップ電極の形状及びアライメント誤差を考慮して、先端部の配列が決められている。例えば、１本の触針は３Ａの電流が流せるだけでも、１００本の触針を設けることにより、合計で３００Ａの大電流が流せる。
【００４１】
４本のスプリングピン４４は、ステージ部材２１の導電性部２２の表面に接触する。図３の４４’は、スプリングピン４４が接触する導電性部２２の表面の位置を示す。上記のように、デバイス５の裏面は導電性部２２の表面に接触しており、デバイス５の裏面、すなわちコレクタは４本のスプリングピン４４を介してテストヘッドに接続される状態になり、検査が行える。前述にように、スプリングピンはあまり大電流を流すことはできないが、４本のスプリングピン４４を使用することにより４倍の電流を流すことができる。なお、導電性部２２のデバイス５が載置されていない部分の面積は大きいので、スプリングピン４４の本数を更に増加させることも可能である。より大電流を流す必要がある場合には、スプリングピン４４の本数を更に増加させる。
【００４２】
検査を行う時には、まず、チャックステージ２０をチップ受け渡し位置に移動し、５個のデバイス５を５箇所の導電性部２２に載置する。５個のデバイス５を載置した状態で真空口３６に接続される真空機構を動作させて５個のデバイス５を吸着する。この時、各導電性部２２に対応して設けられた複数のスプリングピン３２により形成される閉回路の抵抗が所定値以下であるかを判定し、所定値以下の時には次の動作に進み、所定値以上の時には再セットを行う。
【００４３】
次に、５個のデバイス５を吸着した状態で、各デバイス５がアライメント用撮像装置５０の下に位置するように移動して、デバイス５のチップ電極の位置をそれぞれ検出する。なお、触針４３の位置はあらかじめ測定されているものとする。
【００４４】
最初に検査するデバイス５のチップ電極が触針４３の直下に位置するように、チャックステージ２０を移動し（アライメントし）、チャックステージ２０を上昇させて、触針４３をデバイス５のチップ電極に接触させる。この時、４本のスプリングピン４４も導電性部２２の表面に接触する。この状態で触針４３及びスプリングピン４４に電圧を印加して測定を行う。
【００４５】
最初のデバイス５の検査が終了した後、他のデバイス５についても、チップ電極の位置検出結果に基づいてアライメント及び触針４３の接触を行い、検査を行う。
【００４６】
本発明の実施例のプローバは、各デバイスが接触される導電性部２２は、他のデバイスが接触される導電性部２２とはセラミック部材で絶縁されているので、大電流を流しても正確な測定が行える。また、触針４３は複数本の触針で構成されるので、全体では大電流を流すことが可能である。本発明では、従来のウエハプローバと同様に、アライメント用撮像装置５０及びプローブ合わせ用撮像装置６０により検出したチップ電極及び触針４３の位置に基づいてアライメントが行われるので正確なアライメントが可能であり、チップ電極の面積に対応した多数の触針を配置することが可能であり、全体では非常な大電流を流すことが可能である。
【００４７】
また、チャックステージ２０に載置した５個のデバイス５のチップ電極の位置をまとめて検出した上で、各デバイスのアライメント及び検査を連続して行うので、各デバイスごとにチップ電極位置の検出、アライメント及び検査を行う場合に比べてスループットが向上する。
【００４８】
また、チャックステージ２０は、加熱機構及び冷却機構を備えているので、デバイスに要求される広い使用環境条件での検査が可能になる。
【００４９】
以上、本発明の実施例について説明したが、各種の変形例が可能なのはいうまでもない。以下、変形例のいくつかを説明する。
【００５０】
図４の（Ａ）は、チャックステージ２０の変形例を示す図である。図３のチャックステージ２０は、セラミック製のステージ部材２１の掘り込んだ部分に導電性部２２を設けた。言い換えれば、ステージ部材２１と導電性部２２の表面位置は同じである。これに対して、図４の（Ａ）の変形例では、セラミック製のステージ部材２１の表面を平面とし、その上に導電性部２２を形成している。
【００５１】
デバイス５のチップ電極の位置をアライメント用撮像装置５０で検出する場合、チップ電極を含む画像を処理してチップ電極を検出する。そのためチップ電極が位置する範囲の画像を処理する必要があり、処理の高速化及び高精度化を図る上では、処理する画像範囲をできるだけ小さくすることが望ましい。そこで、チップ電極の位置誤差を小さくすることが望まれる。デバイス５はダイサにより切断されるが、ダイサによる切断の際も画像処理により切断位置が決定されるので、デバイスのエッジの位置はチップ電極に対してかなりの位置精度有する。
【００５２】
そこで、図４の（Ｂ）に示す変形例では、導電性部２２を掘り込んだ載置部２３を設け、載置部２３に図示のようにデバイス５を載置する。デバイス５は、載置部２３の２つの直交する壁に接触させて載置されるので、デバイス５の載置位置、すなわちチップ電極の位置の誤差を小さくできる。
【００５３】
なお、図４の（Ｂ）に示す変形例では導電性部２２を掘り込んで載置部２３を設けたが、導電性部２２の上にデバイス５のエッジ位置を規定する部材を取り付けることも可能である。
【００５４】
上記の実施例では、各デバイス５は独立に吸着される。従って、チャックステージに４個以下のデバイスを載置して検査を行うことも可能である。しかし、各デバイス５を独立に吸着するには、図３に示すように、導電性部２２に対応して複数（ここでは５個）の独立した空洞、真空経路及び真空機構を設ける必要があり、装置が複雑になるという問題がある。保持できるデバイスの個数が大きいほど、スループットが向上するが、実施例の構成では、装置が複雑になるため、導電性部２２の個数、すなわち保持できるデバイスの個数をあまり大きな数にすることはできない。
【００５５】
図５は、ステージ部材２１に５２個の導電性部２２を設けた変形例を示す図である。この変形例では、ステージ部材２１を領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４つの領域に分割し、各領域に１３個の導電性部２２を設け、各領域の導電性部２２に載置される１３個のデバイスは共通に吸着される。言い換えれば、導電性部２２に対応して設けられる空洞及び真空経路は領域ごとに共通に接続され、同一の真空機構により真空状態にされる。従って、各領域の１３個の導電性部２２のすべてにデバイスを載置しないと吸着することはできない。なお、検査するデバイスの個数が領域の導電性部の個数より少ない時には、例えばダミーデバイスを載置して吸着するようにしてもよい。
【００５６】
更に、上記の実施例では、複数のスプリングピン３２の形成する閉回路の抵抗値を検出してデバイスの吸着状態を検出したが、例えば、真空機構を動作させた時の真空経路の負圧を測定することにより、デバイスの吸着状態を検出することも可能である。この場合には、複数のスプリングピン３２及び接触検出回路３３を設ける必要はない。
【００５７】
複数のスプリングピン３２及び接触検出回路３３を設けない構成であれば、例えば、ステージ部材２１を着脱可能にすることもできる。この場合、第２中間部材２３にステージ部材２１を載置した時に、ステージ部材２１の真空穴と第２中間部材２３の真空穴が連結されるようにする必要がある。また、導電性部２２には、図４の（Ｂ）に示したようなデバイスの位置決めを行うと共に、載置したデバイスが移動しないような案内部材（図４の（Ｂ）では載置部２３の側壁）を設ける必要がある。
【００５８】
ステージ部材２１を着脱可能にすることにより、プローバ外で複数のデバイスを載置したステージ部材２１を載せるだけで、複数のデバイスの載置が行えるので、デバイスを１個ずつ載置する場合に比べてスループットが向上する。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、チップ状の半導体装置を検査するプローバであれば、どのようなものにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】ウエハに形成されたＩＧＢＴの電極配置を示す図である。
【図２】本発明の実施例のプローバの全体構成を示す図である。
【図３】実施例のプローバのチャックステージとプローブカードの部分の構成を示す図である。
【図４】チャックステージの変形例を示す図である。
【図５】チャックステージの変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００６１】
５    デバイス
２０    チャックステージ
２１    ステージ部材
２２    導電性部
４３    触針
４４    スプリングピン
【図１】
2007040926.tif 000003
【図２】
2007040926.tif 000004
【図３】
2007040926.tif 000005
【図４】
2007040926.tif 000006
【図５】
2007040926.tif 000007