(57)【要約】【課題】第２通信システムの受信部が信号を受信する場合の挿入損失の劣化を防止することのできる高周波スイッチを得る。【解決手段】第１ダイオードＤＤ１を含む第１スイッチング回路１４Ａと、第２ダイオードＤＤ２を含む第２スイッチング回路１４Ｂと、第３ダイオードＤＤ３を含む第３スイッチング回路１４Ｃと、高周波歪抑制用フィルタ１３Ｆと、ローパスフィルタ１２Ｄとを備えた高周波スイッチ。第１及び第２ダイオードＤＤ１，ＤＤ２はフィルタ１３Ｆを介してアンテナ端子ＡＮＴ側に接続され、第３ダイオードＤＤ３はフィルタ１３Ｆを介することなく直接にアンテナ端子ＡＮＴ側に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ端子と電気的に接続された第１ポートと、
近接した周波数を伝送する少なくとも第１及び第２通信システムの送信部と電気的に接続された第２ポートと、
第１通信システムの受信部と電気的に接続された第３ポートと、
第２通信システムの受信部と電気的に接続された第４ポートと、
フィルタと、
第１、第２及び第３スイッチング素子と、を備えた高周波スイッチにおいて、
前記第１ポートは前記フィルタの一方側と電気的に接続され、
前記第２ポートは前記第１スイッチング素子を介して前記フィルタの他方側と電気的に接続され、
前記第３ポートは前記第２スイッチング素子を介して前記フィルタの他方側と電気的に接続され、
前記第４ポートは前記第３スイッチング素子を介して前記フィルタの一方側と電気的に接続され、
前記送信部から送信信号が前記第２ポートに送信され、該送信信号が前記フィルタを介して前記アンテナ端子から送信されるとき、前記第１スイッチング素子と前記第３スイッチング素子とがオン状態、前記第２スイッチング素子がオフ状態になるように制御すること、
を特徴とする高周波スイッチ。
【請求項２】
前記第１、第２及び第３スイッチング素子はそれぞれ第１、第２及び第３ダイオードを含み、
前記第１ダイオードは前記フィルタの他方側と前記第２ポートとの間に電気的に直列に接続され、
前記第２ダイオードは前記フィルタの他方側と前記第３ポートとの間に電気的に直列に接続され、
前記第３ダイオードはその一端が前記フィルタの一方側と前記第１ポートとの間に電気的に接続され、かつ、その他端がグランドと電気的に接続されていること、
を特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチ。
【請求項３】
前記第１ダイオードはその一端が前記フィルタの他方側と電気的に接続され、その他端がローパスフィルタと電気的に接続され、前記ローパスフィルタは前記第２ポートと電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の高周波スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波スイッチ、特に、複数の異なる通信システムに利用可能な高周波スイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の高周波スイッチとして、特許文献１に記載のものが知られている。この高周波スイッチは、その概略を図８に示すように、アンテナ端子ＡＮＴとフィルタＦの一方側とを電気的に接続する第１ポートＰ１と、第１及び第２通信システムの送信部Ｔｘ１，Ｔｘ２と電気的に接続された第２ポートＰ２と、第１通信システムの受信部Ｒｘ１と電気的に接続された第３ポートＰ３と、第２通信システムの受信部Ｒｘ２と電気的に接続された第４ポートＰ４と、第１、第２及び第３スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と、を備えている。さらに、第１、第２及び第３スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３はそれぞれフィルタＦの他方側と電気的に接続されている。
【０００３】
より具体的には、第１スイッチング素子Ｓ１はフィルタＦの他方側と第２ポートＰ２との間に電気的に直列に接続されている第１ダイオードを含み、第２スイッチング素子Ｓ２はフィルタＦの他方側と第３ポートＰ３との間に電気的に直列に接続されている第２ダイオードを含み、第３スイッチング素子Ｓ３は一端がフィルタＦの他方側と第４ポートＰ４との間に電気的に接続され、他端がグランドと電気的に接続されている。
【０００４】
以上の高周波スイッチにおいて、送信部Ｔｘ１，Ｔｘ２からの信号をアンテナＡＮＴから送信する場合、第１スイッチング素子Ｓ１をオン、第２スイッチング素子Ｓ２をオフ、第３スイッチング素子Ｓ３をオンする。一方、アンテナ端子ＡＮＴから受信した信号を第２通信システムの受信部Ｒｘ２が受信する場合、第１スイッチング素子Ｓ１をオフ、第２スイッチング素子Ｓ２をオフ、第３スイッチング素子Ｓ３をオフする。
【０００５】
ところで、第１及び第２通信システムの送信部Ｔｘ１，Ｔｘ２からの信号をアンテナ端子ＡＮＴから送信する場合、第１スイッチング素子Ｓ１をオン、第２スイッチング素子Ｓ２をオフ、第３スイッチング素子Ｓ３をオンしたとき、オフ時に第２スイッチング素子Ｓ２内で発生するノイズがアンテナ端子ＡＮＴから送信されないようにするため、送信部Ｔｘ１，Ｔｘ２からの信号は高周波歪抑制用フィルタＦを介して送信している。なお、第３スイッチング素子Ｓ３は送信時にはオン状態になるのでノイズは発生しない。しかしながら、第２通信システムの受信部Ｒｘ２が信号を受信する場合、フィルタＦを介して受信するため、挿入損失が劣化するという問題点を有していた。
【特許文献１】特開２０００−１６５２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の第１の目的は、第２通信システムの受信部が信号を受信する場合の挿入損失の劣化を防止することのできる高周波スイッチを提供することにある。
【０００７】
本発明の第２の目的は、前記第１の目的を達成するとともに、第１及び第２通信システムの送信部から信号を送信する場合、不要なノイズを送信することのない高周波スイッチを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明に係る高周波スイッチは、
アンテナ端子と電気的に接続された第１ポートと、近接した周波数を伝送する少なくとも第１及び第２通信システムの送信部と電気的に接続された第２ポートと、第１通信システムの受信部と電気的に接続された第３ポートと、第２通信システムの受信部と電気的に接続された第４ポートと、フィルタと、第１、第２及び第３スイッチング素子と、を備えた高周波スイッチにおいて、
前記第１ポートは前記フィルタの一方側と電気的に接続され、
前記第２ポートは前記第１スイッチング素子を介して前記フィルタの他方側と電気的に接続され、
前記第３ポートは前記第２スイッチング素子を介して前記フィルタの他方側と電気的に接続され、
前記第４ポートは前記第３スイッチング素子を介して前記フィルタの一方側と電気的に接続され、
前記送信部から送信信号が前記第２ポートに送信され、該送信信号が前記フィルタを介して前記アンテナ端子から送信されるとき、前記第１スイッチング素子と前記第３スイッチング素子とがオン状態、前記第２スイッチング素子がオフ状態になるように制御すること、
を特徴とする。
【０００９】
以上の構成からなる本発明に係る高周波スイッチにおいては、第２通信システムの受信部は第３スイッチング素子を介してフィルタの一方側と接続され、フィルタを介さずしてアンテナ端子と直接的に接続されているため、第２通信システムの受信部が信号を受信する場合は挿入損失の劣化を生じることがない。一方、第３スイッチング素子は送信時にはオン状態になるのでノイズを発生することはない。
【００１０】
本発明に係る高周波スイッチにおいて、第１、第２及び第３スイッチング素子はそれぞれ第１、第２及び第３ダイオードを含み、第１ダイオードは前記フィルタの他方側と第２ポートとの間に電気的に直列に接続され、第２ダイオードは前記フィルタの他方側と第３ポートとの間に電気的に直列に接続され、第３ダイオードはその一端が前記フィルタの一方側と第１ポートとの間に電気的に接続され、かつ、その他端がグランドと電気的に接続されていてもよい。
【００１１】
また、第１ダイオードはその一端が前記フィルタの他方側と電気的に接続され、その他端がローパスフィルタと電気的に接続され、該ローパスフィルタは第２ポートと電気的に接続されていることが好ましい。第１及び第２通信システムの送信部から信号を送信する場合、ローパスフィルタを介するために不要なノイズを送信することがない。
【発明の効果】
【００１２】
以上の如く、本発明によれば、第２通信システムの受信部が信号を受信する場合、フィルタが介在されないので、挿入損失の劣化を防止することのできる。さらに、第１及び第２通信システムの送信部から信号を送信する場合、ローパスフィルタを介するために不要なノイズを送信することがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係る高周波スイッチの実施例について添付図面を参照して説明する。
【００１４】
（本発明の概念、図７参照）
まず、図７を参照して、本発明に係る高周波スイッチを概念的に説明する。この高周波スイッチは、アンテナ端子ＡＮＴと電気的に接続された第１ポートＰ１と、近接した周波数を伝送する少なくとも第１及び第２通信システムの送信部Ｔｘ１，Ｔｘ２と電気的に接続された第２ポートＰ２と、第１通信システムの受信部Ｒｘ１と電気的に接続された第３ポートＰ３と、第２通信システムの受信部Ｒｘ２と電気的に接続された第４ポートＰ４と、高周波歪抑制用フィルタＦと、第１、第２及び第３スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と、を備えている。
【００１５】
第１ポートＰ１はフィルタＦの一方側と電気的に接続され、第２ポートＰ２は第１スイッチング素子Ｓ１を介してフィルタＦの他方側と電気的に接続され、第３ポートＰ３は第２スイッチング素子Ｓ２を介してフィルタＦの他方側と電気的に接続され、第４ポートＰ４は第３スイッチング素子Ｓ３を介してフィルタＦの一方側と電気的に接続されている。
【００１６】
そして、送信部Ｔｘ１，Ｔｘ２から送信信号が第２ポートＰ２に送信され、該送信信号がフィルタＦを介してアンテナ端子ＡＮＴから送信されるとき、第１スイッチング素子Ｓ１と第３スイッチング素子Ｓ３とがオン状態、第２スイッチング素子Ｓ２がオフ状態になるように制御する。
【００１７】
また、第１、第２及び第３スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３はそれぞれ第１、第２及び第３ダイオードを含み、第１ダイオードはフィルタＦの他方側と第２ポートＰ２との間に電気的に直列に接続され、第２ダイオードはフィルタＦの他方側と第３ポートＰ３との間に電気的に直列に接続され、第３ダイオードはその一端がフィルタＦの一方側と第１ポートＰ１との間に電気的に接続され、かつ、その他端がグランドと電気的に接続されている。
【００１８】
本高周波スイッチにおいて、第２通信システムの受信部Ｒｘ２は第３スイッチング素子Ｓ３を介してフィルタＦの一方側と接続され、フィルタＦを介さずしてアンテナ端子ＡＮＴと直接的に接続されているため、第２通信システムの受信部Ｒｘ２が信号を受信する場合は挿入損失の劣化を生じることがない。一方、第３スイッチング素子Ｓ３は送信時にはオン状態になるのでノイズを発生することはない。
【００１９】
また、第１ダイオードはその一端がフィルタＦの他方側と電気的に接続され、その他端がローパスフィルタＬＦと電気的に接続され、該ローパスフィルタＬＦは第２ポートＰ２と電気的に接続されている。従って、第１及び第２通信システムの送信部Ｔｘ１，Ｔｘ２から信号を送信する場合、フィルタＬＦ，Ｆを介するために不要なノイズを送信することがない。
【００２０】
（第１実施例、図１〜図５参照）
第１実施例である高周波スイッチ（フロントエンドモジュール）は、トリプルバンド対応型であって、図１の等価回路に示すように、三つの異なる通信系であるＧＳＭ系及びＤＣＳ・ＰＣＳ系を備え、アンテナ端子ＡＮＴの後段に、ＧＳＭ系の信号経路とＤＣＳ／ＰＣＳ系の信号経路とを分岐するダイプレクサ２０と、コンデンサＣａｎｔとを備えている。ＧＳＭ系は高周波スイッチ１１ＧとＬＣフィルタ１２Ｇとで構成されている。ＤＣＳ／ＰＣＳ系は高周波歪抑制用フィルタ１３Ｆと高周波スイッチ１１ＤとＬＣフィルタ１２Ｄとで構成されている。
【００２１】
ダイプレクサ２０は、送信の際にはＧＳＭ系又はＤＣＳ／ＰＣＳ系からの送信信号を選択し、受信の際にはＧＳＭ系又はＤＣＳ／ＰＣＳ系への受信信号を選択する。このダイプレクサ２０は、インダクタＬｔ１，Ｌｔ２及びコンデンサＣｃ１，Ｃｃ２，Ｃｔ１，Ｃｔ２，Ｃｕ１を接続して構成されている。インダクタＬｔ１とコンデンサＣｔ１とからなる並列回路は、ＧＳＭ系の信号経路にシリーズ接続され、この並列回路の送信側入力端子ＧＳＭＴｘ側はコンデンサＣｕ１を介してグランドに接続される。また、コンデンサＣｃ１，Ｃｃ２からなる直列回路は、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の信号経路にシリーズ接続され、コンデンサＣｃ１，Ｃｃ２の接続点がインダクタＬｔ２及びコンデンサＣｔ２を介してグランドに接続される。
【００２２】
高周波スイッチ１１Ｇは、アンテナ端子ＡＮＴと送信側入力端子ＧＳＭＴｘとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと受信側出力端子ＧＳＭＲｘとの間の信号経路とを選択的に切り換える。ＬＣフィルタ１２Ｇは、高周波スイッチ１１Ｇと送信側入力端子ＧＳＭＴｘとの間にコンデンサＣｇｔを介して配置されている。
【００２３】
高周波スイッチ１１Ｇは、スイッチング素子であるダイオードＧＤ１，ＧＤ２、インダクタＧＳＬ１，ＧＳＬ２、コンデンサＧＣ４，ＧＣ５及び抵抗ＲＧを接続して構成されている。ダイオードＧＤ１は、ＧＳＭ系のアンテナ端子ＡＮＴと送信側入力端子ＧＳＭＴｘとの間の信号経路に、カソードがアンテナ端子ＡＮＴ側になるようにシリーズ接続されている。さらに、ダイオードＧＤ１のアノードとグランドとの間には、インダクタＧＳＬ１とコンデンサＧＣ４が接続され、インダクタＧＳＬ１とコンデンサＧＣ４との接続点に制御電源端子Ｖｇが接続されている。
【００２４】
ダイオードＧＤ２は、ＧＳＭ系のアンテナ端子ＡＮＴと受信側出力端子ＧＳＭＲｘとの間の信号経路にシャント接続され、カソードがコンデンサＧＣ５を介してグランドに接続される。ダイオードＧＤ２とコンデンサＧＣ５との接続点にはグランドに接続される抵抗ＲＧが接続されている。さらに、ダイオードＧＤ２のアノードはアンテナ端子ＡＮＴ側の信号経路にインダクタＧＳＬ２がシリーズ接続されるとともに、受信側出力端子ＧＳＭＲｘとの間にコンデンサＣｇｒとグランドに接続されるコンデンサＧｃｕ３が接続されている。
【００２５】
ＬＣフィルタ１２Ｇは、高周波スイッチ１１Ｇと送信側入力端子ＧＳＭＴｘとの間に配置され、インダクタＧＬｔ１とコンデンサＧＣｃ１とからなる並列共振回路を含むローパスフィルタである。この並列共振回路の両端にグランドに接続される二つのコンデンサＧＣｕ１，ＧＣｕ２が接続されている。
【００２６】
次に、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の通信経路について説明する。高周波歪抑制用フィルタ１３Ｆは、インダクタＤＬｔ１とコンデンサＤＣｃ１とからなる並列共振回路を、アンテナ端子ＡＮＴと高周波スイッチ１１Ｄとの間に接続したもので、アンテナ端子ＡＮＴ側に接続されたコンデンサＤＣｕ１はグランドに接続される。
【００２７】
高周波スイッチ１１Ｄは、アンテナ端子ＡＮＴと送信側入力端子ＤＣＳ／ＰＣＳＴｘとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと受信側出力端子ＰＣＳＲｘとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと受信側出力端子ＤＣＳＲｘとの間の信号経路とを選択的に切り換える。ＬＣフィルタ１２Ｄは高周波スイッチ１１Ｄと送信側入力端子ＤＣＳ／ＰＣＳＴｘとの間に配置されている。
【００２８】
高周波スイッチ１１Ｄは、さらに、第１、第２及び第３スイッチング回路１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃにて構成されている。第１スイッチング回路１４Ａは、スイッチング素子であるダイオードＤＤ１とインダクタＤＰＳＬｔ，ＤＰＳＬ１とコンデンサＤＰＣｔ１，ＤＰＣ４を接続して構成されている。ダイオードＤＤ１はカソードがフィルタ１３Ｆの後段に接続され、アノードがＬＣフィルタ１２Ｄにシリーズ接続されている。インダクタＤＰＳＬｔとコンデンサＤＰＣｔ１とからなる直列回路はダイオードＤＤ１とパラレルに接続されている。また、ダイオードＤＤ１のアノードがインダクタＤＰＳＬ１とコンデンサＤＰＣ４を介してグランドに接続され、インダクタＤＰＳＬ１とコンデンサＤＰＣ４の接続点には制御電源端子Ｖｄが接続されている。
【００２９】
第２スイッチング回路１４Ｂは、スイッチング素子であるダイオードＤＤ２とインダクタＰＳＬｔ，ＰＳＬ１とコンデンサＰＣｔ１，ＰＣ４を接続して構成されている。ダイオードＤＤ２はカソードがフィルタ１３Ｆの後段に接続され、アノードが受信側出力端子ＰＣＳＲｘとの間にコンデンサＣｐｒとグランドに接続されるコンデンサＰｃｕ１を介してシリーズ接続されている。インダクタＰＳＬｔとコンデンサＰＣｔ１とからなる直列回路はダイオードＤＤ２とパラレルに接続されている。また、ダイオードＤＤ２のアノードがインダクタＰＳＬ１とコンデンサＰＣ４を介してグランドに接続され、インダクタＰＳＬ１とコンデンサＰＣ４の接続点には制御電源端子Ｖｐが接続されている。
【００３０】
第３スイッチング回路１４Ｃは、スイッチング素子であるダイオードＤＤ３とインダクタＤＳＬ２とコンデンサＤＣ５と抵抗ＲＤを接続して構成されている。ダイオードＤＤ３はアンテナ端子ＡＮＴと受信側出力端子ＤＣＳＲｘとの間の信号経路にシャント接続され、カソードはコンデンサＤＣ５を介してグランドに接続される。ダイオードＤＤ３とコンデンサＤＣ５との接続点にはグランドに接続される抵抗ＲＤが接続されている。さらに、ダイオードＤＤ３のアノードはアンテナ端子ＡＮＴ側の信号経路にインダクタＤＳＬ２がシリーズ接続されるとともに、受信側出力端子ＤＣＳＲｘとの間にコンデンサＣｄｒとグランドに接続されるコンデンサＤｃｕ３が接続されている。
【００３１】
ＬＣフィルタ１２Ｄは、第１スイッチング回路１４Ａと送信側入力端子ＤＣＳ／ＰＣＳＴｘとの間に配置され、インダクタＤＬｔ２とコンデンサＤＣｃ２とからなる並列共振回路を含むローパスフィルタである。この並列共振回路の両端にグランドに接続される二つのコンデンサＤＣｕ２，ＤＣｕ３が接続されている。
【００３２】
次に、以上の構成からなる高周波スイッチの動作について説明する。なお、ＧＳＭ系の動作については従来のものと同様であるため省略する。
【００３３】
ＤＣＳ／ＰＣＳ系の送信信号を送信する場合には、ダイオードＤＤ１をオンし、ダイオードＤＤ２をオフし、ダイオードＤＤ３をオンする。これにて、送信側入力端子ＤＣＳ／ＰＣＳＴｘから入った送信信号が、ＬＣフィルタ１２Ｄ、第１スイッチング回路１４Ａ、フィルタ１３Ｆ及びダイプレクサ２０を通過し、アンテナ端子ＡＮＴから送信される。
【００３４】
ＰＣＳ系の受信信号を受信する場合には、ダイオードＤＤ１をオフし、ダイオードＤＤ２をオンし、ダイオードＤＤ３をオンする。これにて、アンテナ端子ＡＮＴから入力した信号が、ダイプレクサ２０、フィルタ１３Ｆ及び第２スイッチング回路１４Ｂを通過し、受信側出力端子ＰＣＳＲｘに出力される。
【００３５】
ＤＣＳ系の受信信号を受信する場合には、ダイオードＤＤ１をオフし、ダイオードＤＤ２をオフし、ダイオードＤＤ３をオフする。これにて、アンテナ端子ＡＮＴから入力した信号が、ダイプレクサ２０からフィルタ１３Ｆを介することなく第３スイッチング回路１４Ｃを通過し、受信側出力端子ＤＣＳＲｘに出力される。
【００３６】
即ち、本高周波スイッチにおいて、受信側出力端子ＤＣＳＲｘは第３スイッチング回路１４Ｃを介してアンテナ端子ＡＮＴ側にフィルタ１３Ｆを介することなく直接接続されている。即ち、受信側出力端子ＤＣＳＲｘが信号を受信する場合は、フィルタ１３Ｆを介することがないので、挿入損失の劣化は生じない。一方、第３ダイオードＤＤ３は送信時にはオン状態になるのでノイズを発生することはない。
【００３７】
また、送信側入力端子ＤＣＳ／ＰＣＳＴｘから信号を送信する場合は、ＬＣフィルタ１２Ｄを介するために不要なノイズを送信することが防止される。
【００３８】
次に、前記高周波スイッチのセラミック多層基板に内蔵されるコンデンサ電極、ストリップライン電極、グランド電極の構成について図２、図３及び図４を参照して説明する。これらのコンデンサ電極、ストリップライン電極、グランド電極はセラミックシート層上にスクリーン印刷法などで形成される。
【００３９】
セラミックシート層は、第１〜第１８シート層３１〜４８の計１８層からなり、これらが順に積層されることで、セラミック多層基板が形成される。なお、第８シート層３８と第１２シート層４２はそれらの上下層に形成されるコンデンサやインダクタなどの電極を電気的に接続するビアホール導体のみが形成されている。
【００４０】
第１シート層３１の裏面には、種々の各種端子Ｖｇ，Ｖｄ，Ｖｐ，ＧＳＭＴｘ，ＧＳＭＲｘ，ＤＣＳ／ＰＣＳＴｘ，ＤＣＳＲｘ、ＰＣＳＲｘの外部接続用電極が形成されている。他の電極はグランド用である。
【００４１】
第２シート層３２の表面には、グランド電極ＧＮＤ１が形成されている。第３シート層３３の表面には、コンデンサＤＰＣ４，ＰＣ４の電極が形成されている。第４シート層３４の表面には、グランド電極ＧＮＤ２が形成されている。第５シート層３５の表面には、コンデンサＣｔ２，ＧＣ４，ＧＣｕ３，ＤＣｕ３，ＰＣｕ１，Ｃｕ１の電極が形成されている。第６シート層３６の表面には、グランド電極ＧＮＤ３が形成されている。第７シート層３７の表面には、コンデンサＤＣｕ２，ＧＣｕ２，Ｄｃｕ１の電極が形成されている。
【００４２】
第９シート層３９及び第１０シート層４０の表面には、それぞれ、インダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＳＬ２，ＤＳＬ２のストリップライン電極が形成されている。第１１シート層４１の表面には、インダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＧＬｔ１，ＧＳＬ２，ＤＳＬ２のストリップライン電極が形成されている。
【００４３】
第１３シート層４３の表面には、コンデンサＣｔ１，ＧＣｃ１の電極が形成されている。第１４シート層４４の表面には、コンデンサＣｃ１，ＤＣｃ１，ＧＣｃ１の電極及びグランド電極ＧＮＤ４が形成されている。第１５シート層４５の表面には、コンデンサＣｃ１／Ｃｃ２，ＤＣｃ１，ＤＣ５，ＧＣｕ１の電極が形成されている。
【００４４】
第１６シート層４６の表面には、コンデンサＣｃ２，ＤＣｃ１の電極及びグランド電極ＧＮＤ５が形成されている。第１７シート４７の表面には、複数の接続用導体が形成されている。第１８シート４８の表面には外付けされる各種素子の接続用電極が形成されている。
【００４５】
セラミック多層基板上に搭載される素子は、図５に示すように、ダイオードＤＤ１，ＤＤ２，ＤＤ３，ＧＤ１，ＧＤ２、抵抗ＲＤ，ＲＧ、インダクタＤＰＳＬｔ，ＤＰＳＬ１，ＧＳＬ１，ＰＳＬｔ，ＰＳＬ１、コンデンサＤＰＣｔ１，ＰＣｔ１，ＧＣ５である。
【００４６】
（第２実施例、図６参照）
第２実施例である高周波スイッチ（フロントエンドモジュール）は、クワッドバンド対応型であって、図６の等価回路に示すように、ＧＳＭ系、ＤＣＳ／ＰＣＳ系及びＷ−ＣＤＭＡ系を備えている。
【００４７】
ＧＳＭ系は前記第１実施例と同様の構成を有している。ＤＣＳ／ＰＣＳ／Ｗ−ＣＤＭＡ系は高周波歪抑制用フィルタ１３Ｆと高周波スイッチ１１ＤとＬＣフィルタ１２Ｄとで構成されている。フィルタ１３Ｆ，１２Ｄは前記第１実施例と同様の構成を有している。高周波スイッチ１１Ｄは、第１スイッチング回路１４Ａと第２スイッチング回路１４Ｂｐ，１４Ｂｄと第３スイッチング回路１４Ｃとで構成されている。第１スイッチング回路１４Ａ及び第２スイッチング回路１４Ｂｐは前記第１実施例と同様である。第２スイッチング回路１４Ｂｄは第２スイッチング回路１４Ｂｐと同じ回路構成であり、フィルタ１３Ｆの後段に接続されている。第３スイッチング回路１４Ｃは前記第１実施例と同様に構成され、第３ダイオードＤＤ３のアノードがインダクタＤＳＬ２を介してフィルタ１３Ｆの前段、即ち、アンテナ端子ＡＮＴ側に接続されている。
【００４８】
この第２実施例においても、受信側出力端子Ｗ−ＣＤＭＡが第３スイッチング回路１４Ｃを介してアンテナ端子ＡＮＴ側にフィルタ１３Ｆを介することなく直接接続されているため、信号受信時の挿入損失の劣化を防止することができ、第３ダイオードＤＤ３は送信時にはオン状態になるのでノイズを発生することはない。
【００４９】
（他の実施例）
なお、本発明に係る高周波スイッチは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る高周波スイッチの第１実施例を説明するための等価回路図である。
【図２】第１実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１〜第８層）に形成された電極形状を示す平面図である。
【図３】第１実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第９〜第１５層）に形成された電極形状を示す平面図である。
【図４】第１実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１６〜第１８層）に形成された電極形状を示す平面図である。
【図５】第１実施例のセラミック多層基板上への各種素子の搭載状態を示す平面図である。
【図６】本発明に係る高周波スイッチの第２実施例を説明するための等価回路図である。
【図７】本発明に係る高周波スイッチを概念的に説明するためのブロック図である。
【図８】従来の高周波スイッチを示すためのブロック図である。
【符号の説明】
【００５１】
ＡＮＴ…アンテナ端子
ＤＣＳ／ＰＣＳＴｘ…送信側入力端子
ＰＣＳＲｘ，ＤＣＳＲｘ…受信側出力端子
１２Ｄ…ＬＣフィルタ
１３Ｆ…高周波歪抑制用フィルタ
１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ…スイッチング回路
ＤＤ１，ＤＤ２，ＤＤ３…ダイオード
【図１】
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【図２】
2007235259.tif 000004
【図３】
2007235259.tif 000005
【図４】
2007235259.tif 000006
【図５】
2007235259.tif 000007
【図６】
2007235259.tif 000008
【図７】
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【図８】
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