(57)【要約】【課題】スピンバルブ膜を用いたＣＰＰ構造の磁気ヘッドの製造方法に関し、リードコア幅及びリードギャップを微細且つ高精度に制御可能であり、安定して素子形状を得ることができる磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】下部電極１２上に、研磨耐性膜２０が上面に形成された磁気抵抗効果膜１６を形成し、磁気抵抗効果膜１６が形成された領域を含む下部電極１２上の全面に、磁区制御膜２４を形成し、研磨耐性膜２０をストッパとして、磁気抵抗効果膜１６上の磁区制御膜２４を研磨により選択的に除去し、研磨耐性膜２０を除去する工程と、研磨耐性膜２０を除去した磁気抵抗効果膜１６上に、上部電極３４を形成する。【選択図】図３
2007294071.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極の第１の領域上に、磁性材料に対して研磨選択性を有する第１の研磨耐性膜が上面に形成された磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記第１の領域を含む前記下部電極上の全面に、磁区制御膜を形成する工程と、
前記第１の研磨耐性膜をストッパとして、前記磁気抵抗効果膜上の前記磁区制御膜を研磨により除去し、前記第１の領域に隣接する第２の領域上に前記磁区制御膜を選択的に残存させる工程と、
前記第１の研磨耐性膜を除去する工程と、
前記第１の研磨耐性膜を除去した前記磁気抵抗効果膜上に、上部電極を形成する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁区制御膜を形成する工程の後に、前記磁区制御膜上に、磁性材料に対して研磨選択性を有する第２の研磨耐性膜を形成する工程を更に有し、
前記磁区制御膜を研磨する工程では、前記第１の研磨耐性膜及び前記第２の研磨耐性膜をストッパとして、前記磁区制御膜を研磨し、
前記第１の研磨耐性膜を除去する工程では、前記第１の研磨耐性膜及び前記第２の研磨耐性膜を除去する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第２の研磨耐性膜を形成する工程では、前記第２の研磨耐性膜の表面の高さが、前記磁気抵抗効果膜上に形成された前記第１の研磨耐性膜の表面の高さと等しくなるように、前記第２の研磨耐性膜の膜厚を設定する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第２の研磨耐性膜を形成する工程では、前記第２の研磨耐性膜を第１の領域及び第２の領域に選択的に形成する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項２又は３記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第２の研磨耐性膜を形成する工程では、前記第１の領域及び前記第２の領域を含む全面に、前記第２の研磨耐性膜を形成し、
前記磁区制御膜を研磨する工程は、前記第２の領域以外の領域に形成された前記第２の研磨耐性膜を選択的に除去する第１の研磨ステップと、前記第２の領域以外の領域に形成された前記磁区制御膜を選択的に除去する第２の研磨ステップとを有する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第１の研磨ステップ及び前記第２の研磨ステップでは、研磨特性の異なるスラリーを用いる
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁気抵抗効果膜を形成する工程は、前記下部電極上に前記磁気抵抗効果膜に対してエッチング選択性を有するエッチング耐性膜を形成する工程と、前記エッチング耐性膜上に前記磁気抵抗効果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜上に前記第１の研磨耐性膜を形成する工程と、前記エッチング耐性膜をストッパとして、前記第１の研磨耐性膜及び前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程とを有する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第１の研磨耐性膜及び前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程では、単層のレジスト膜を用いて前記第１の研磨耐性膜及び前記磁気抵抗効果膜をエッチングする
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第１の研磨耐性膜及び前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程では、反応性イオンエッチングにより前記第１の研磨耐性膜及び前記磁気抵抗効果膜をエッチングする
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第１の研磨耐性膜を除去する工程では、前記第１の研磨耐性膜を反応性イオンエッチングにより除去する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドの製造方法に係り、特に、いわゆるスピンバルブ膜を用い、センス電流を膜厚方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造を有する磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果素子は、２層の磁性層を有し、そのうち一方の磁性層については反強磁性層との間の一方向異方性磁界等により磁化方向を固定し、他方の磁性層については外部磁界に対して容易に磁化方向が変化するように構成したものである。そして、これら磁性層間の磁化方向の相対角度によって素子抵抗が変化するという性質を利用し、素子抵抗の変化に基づいて当該外部磁界の方向を検出する。
【０００３】
スピンバルブ膜を用いた従来の磁気抵抗効果素子としては、スピンバルブ膜の膜面内方向にセンス電流を流して膜面内方向の抵抗変化を検出する、ＣＩＰ（Current In-Plane）構造の磁気抵抗効果素子が知られている。
【０００４】
一方、より高密度・高感度な磁気抵抗効果素子として、スピンバルブ膜の膜厚方向にセンス電流を流して膜厚方向の抵抗変化を検出する、ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子が注目されている。ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子は、寸法が小さくなるにつれて素子出力が増大する特徴を有しており、高密度磁気記録装置における高感度な再生ヘッドとして有望である。
【特許文献１】特開平１１−１８５２２３号公報
【特許文献２】特開２００４−１８６６７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
スピンバルブ膜を用いた磁気ヘッドの製造方法の一つとして、二層レジストを用いて磁気抵抗効果膜をイオンミリングによりエッチングした後、磁区制御膜及び絶縁膜をリフトオフ法により形成する方法がある。ここで、コア幅を決める要因は、レジストパターン幅とイオンミリングプロセスにある。コア幅を微細化するためには、レジストパターン幅を狭くし、且つ適切なエッチングプロセスを適用する必要がある。
【０００６】
しかしながら、現状のプロセスでは、レジスト形成プロセス及びエッチングプロセス上の限界・制限等により、安定したコア幅を形成するには１００ｎｍ程度が限界となっており、更なる微細化は非常に困難であった。また、リフトオフプロセスを用いるため、バリが発生するなど、安定した素子形状を得ることが困難であった。
【０００７】
本発明の目的は、スピンバルブ膜を用いたＣＰＰ構造の磁気ヘッドの製造方法において、リードコア幅及びリードギャップを微細且つ高精度に制御可能であり、安定して素子形状を得ることができる磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、下部電極の第１の領域上に、磁性材料に対して研磨選択性を有する第１の研磨耐性膜が上面に形成された磁気抵抗効果膜を形成する工程と、前記第１の領域を含む前記下部電極上の全面に、磁区制御膜を形成する工程と、前記第１の研磨耐性膜をストッパとして、前記磁気抵抗効果膜上の前記磁区制御膜を研磨により除去し、前記第１の領域に隣接する第２の領域上に前記磁区制御膜を選択的に残存させる工程と、前記第１の研磨耐性膜を除去する工程と、前記第１の研磨耐性膜を除去した前記磁気抵抗効果膜上に、上部電極を形成する工程とを有する磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、磁気抵抗効果膜を用いた磁気ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果膜を形成した下部電極上の全面に磁区制御膜を堆積してこれを研磨することにより、磁気抵抗効果膜の両脇に磁区制御膜を形成する際に、磁気抵抗効果膜上に研磨耐性膜を形成しておくので、研磨の際に磁気抵抗効果膜の形成領域が削れることを防止することができる。これにより、磁気ヘッドのリードギャップを高精度に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による磁気ヘッド及びその製造方法について図１乃至図５を用いて説明する。
【００１１】
図１は本実施形態による磁気ヘッドの構造を示す正面図、図２乃至図４は本実施形態による磁気ヘッドの製造方法を示す工程断面図、図５は研磨耐性膜の役割を説明する工程断面図である。
【００１２】
はじめに、本実施形態による磁気ヘッドの構造について図１を用いて説明する。
【００１３】
基板１０上には、下部シールドを兼ねる下部電極１２が形成されている。下部電極１２上には、導電性の非磁性材料よりなるエッチング耐性膜１４と、スピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜１６と、導電性の非磁性材料よりなる磁気抵抗効果膜キャップ層１４とが形成されている。磁気抵抗効果膜１６及び磁気抵抗効果膜キャップ層１８は、メサ状にパターニングされている。以下の説明では、磁気抵抗効果膜１６及び磁気抵抗効果膜キャップ層１４が形成された領域を、ＭＲ（Magnetoresistive）素子領域（第１の領域）と呼ぶこととする。
【００１４】
磁気抵抗効果膜１６及び磁気抵抗効果膜キャップ層１８の側壁部分には、絶縁膜２２を介して、磁気抵抗効果膜１６の自由磁化層に縦バイアス磁界を印加するための磁区制御膜２４と、導電性の非磁性材料よりなる磁区制御膜キャップ層２６とが形成されている。以下の説明では、絶縁膜２２、磁区制御膜２４及び磁区制御膜キャップ層２６が形成された領域を、磁区制御領域（第２の領域）と呼ぶこととする。
【００１５】
ＭＲ素子領域及び磁区制御領域以外の領域の下部電極１２上には、絶縁膜３２が形成されている。磁気抵抗効果膜キャップ層１８、磁区制御膜キャップ層２６及び絶縁膜３２上には、上部シールドを兼ね、磁気抵抗効果膜キャップ層１８を介して磁気抵抗効果膜１６に電気的に接続された上部電極３４が形成されている。
【００１６】
こうして、センス電流を、上部電極３４−磁気抵抗効果膜キャップ層１８−磁気抵抗効果膜１６−エッチング耐性膜１４−下部電極１２の経路で流通させるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の再生磁気ヘッドが構成されている。
【００１７】
図１に示す磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜１６の幅はリードコア幅を規定するものであり、また、ＭＲ素子領域の下部電極１２と上部電極３４との間の距離はリードギャップを規定するものである。リードコア幅及びリードギャップのいずれも、微細且つ高精度に形成することが、磁気記録装置の記録密度を向上するうえで極めて重要である。
【００１８】
次に、本実施形態による磁気ヘッドの製造方法について図２乃至図４を用いて説明する。
【００１９】
まず、基板１０上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１μｍのＮｉＦｅを形成し、ＮｉＦｅよりなる下部シールド兼用の下部電極１２を形成する。
【００２０】
次いで、下部電極１２上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚３０ｎｍのＴａ膜を堆積し、Ｔａ膜よりなるエッチング耐性膜１４を形成する。エッチング耐性膜１４は、後工程で磁気抵抗効果膜１６をパターニングする際にエッチングストッパ膜として用いる膜である。本実施形態による磁気抵抗効果素子の製造方法において、エッチング耐性膜１４を設けているのは、磁区制御領域のエッチング膜厚を高精度に制御するためである。
【００２１】
次いで、エッチング耐性膜１４上に、例えばスパッタ法により、スピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜１６を形成する。磁気抵抗効果膜１６は、例えば、ＮｉＦｅ膜よりなる下地層と、ＰｄＰｔＭｎよりなる反強磁性層と、ＣｏＦｅ膜、Ｒｕ膜及びＣｏＦｅ膜よりなる積層フェリ構造の固定磁化層と、Ａｌ２Ｏ３膜よりなるバリア層と、ＮｉＦｅ膜よりなる自由磁化層とを順次積層して形成する。ここでは、このように形成した磁気抵抗効果膜１６の全体の膜厚が３０ｎｍであるものとする。
【００２２】
次いで、磁気抵抗効果膜１６上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚５ｎｍのＲｕ膜を堆積し、Ｒｕ膜よりなる磁気抵抗効果膜キャップ層１８を形成する。
【００２３】
次いで、磁気抵抗効果膜キャップ層１８上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚３０ｎｍのＴａ膜を堆積し、Ｔａ膜よりなる研磨耐性膜２０を形成する（図２（ａ））。研磨耐性膜２０は、後工程で磁気抵抗効果膜１６をパターニングする際にエッチングマスクとして、磁区制御膜２４を形成する際にＣＭＰのストッパとして用いる膜である。この目的のもと、研磨耐性膜２０は、磁区制御膜２４を構成する磁性材料に対して研磨選択性を有する材料により構成する。
【００２４】
次いで、研磨耐性膜２０上に、フォトリソグラフィにより、磁区制御領域を露出する単層のフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００２５】
次いで、フォトレジスト膜をマスクとして、例えば反応性イオンエッチングにより、研磨耐性膜２０を選択的エッチングする。研磨耐性膜２０のエッチングは、例えばＡｒを添加したＣＦ４ガスを用い、ＣＦ４ガスの流量を２０ｓｃｃｍ、Ａｒの流量を２０ｓｃｃｍ、ソースパワーを２００Ｗ、バイアスパワーを２０Ｗ、ガス圧力を１．５Ｐａとして行う。この条件では、研磨耐性膜２０のエッチングレートが約０．８５ｎｍ／秒、磁気抵抗効果膜キャップ層１８のエッチングレートが約０．０７ｎｍ／秒となり、磁気抵抗効果膜キャップ層１８に対して約１２程度のエッチング選択比が得られる。
【００２６】
次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜を除去する。
【００２７】
次いで、パターニングした研磨耐性膜２０をマスクとして及びエッチング耐性膜１４をストッパとして、例えば反応性イオンエッチングにより、磁気抵抗効果膜キャップ層１８及び磁気抵抗効果膜１６を選択的にエッチングする（図２（ｂ））。本実施形態による磁気抵抗効果素子の製造方法では、単層レジストを利用して磁気抵抗効果膜をパターニングするため、２層レジストを用いる場合と比較して、加工精度が高く微細化も可能である。したがって、リードコア幅を微細且つ高精度に制御することができる。
【００２８】
磁気抵抗効果膜キャップ層１８及び磁気抵抗効果膜１６のエッチングは、例えば、ＮＨ３を添加したＣＯガスを用い、ＣＯガスの流量を３０ｓｃｃｍ、ＮＨ３の流量を７０ｓｃｃｍ、ソースパワーを８００Ｗ、バイアスパワーを２００Ｗ、ガス圧力を０．２Ｐａ、エッチング時間を２２０秒（ジャストエッチング：１８５秒）として行う。この条件では、磁気抵抗効果膜キャップ層１８及び磁気抵抗効果膜１６のエッチングレートが０．２５２ｎｍ／秒、エッチング耐性膜１４のエッチングレートが０．０３６ｎｍ／秒となり、エッチング耐性膜１４に対して約７程度のエッチング選択比が得られる。このエッチングにより、研磨耐性膜２０は８ｎｍ程度エッチングされて膜厚が約２２ｎｍとなり、磁区制御領域のエッチング耐性膜１４は１ｎｍ程度エッチングされて膜厚が約２９ｎｍとなる。
【００２９】
なお、磁気抵抗効果膜キャップ層１８及び磁気抵抗効果膜１６のエッチングには、反応性イオンエッチングのほか、イオンミリングを用いてもよい。イオンミリングの場合、例えば、ビーム電流が３００ｍＡ、ビーム電圧が３００Ｖ、Ａｒ＋照射角度が０度の条件を用いることができる。この条件では、例えばＰｄＰｔＭｎ膜よりなる反強磁性層のエッチングレートが約２１ｎｍ／秒、Ｔａよりなるエッチング耐性膜１４のエッチングレートが約４．５ｎｍ／秒となり、約４．７程度のエッチング選択比が得られる。
【００３０】
次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚７ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜よりなる絶縁膜２２を形成する（図２（ｃ））。絶縁膜２２は、下部電極１２と後工程で形成する上部電極とを絶縁するためのものである。
【００３１】
次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚５ｎｍのＣｒＴｉ膜及び膜厚２５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ膜を堆積し、ＣｒＴｉ膜及びＣｏＣｒＰｔ膜よりなる磁区制御膜２４を形成する。
【００３２】
次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚５ｎｍのＲｕ膜を堆積し、Ｒｕ膜よりなる磁区制御膜キャップ層２６を形成する（図２（ｄ））。
【００３３】
次いで、フォトリソグラフィにより、ＭＲ素子領域及び磁区制御領域以外の領域にフォトレジスト膜２８を形成する。
【００３４】
次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１６ｎｍのＴａ膜を堆積し、Ｔａ膜よりなる研磨耐性膜３０を形成する（図３（ａ））。研磨耐性膜３０は、磁区制御膜２４を形成する際にＣＭＰのストッパとして用いる膜である。この目的のもと、研磨耐性膜３０は、磁区制御膜２４を構成する磁性材料に対して研磨選択性を有する材料により構成する。
【００３５】
ここで、研磨耐性膜３０は、磁区制御領域における研磨耐性膜３０の表面高さが、ＭＲ素子領域における研磨耐性膜２０の表面高さと等しくなるように、膜厚を適宜設定する。上記の例では、ＭＲ素子領域では、エッチング耐性膜１４の膜厚が３０ｎｍ、磁気抵抗効果膜１６の膜厚が３０ｎｍ、磁気抵抗効果膜キャップ層１８の膜厚が５ｎｍ、研磨耐性膜２０の膜厚が２２ｎｍであり、下部電極１２の表面から研磨耐性膜２０の表面までの厚さが８７ｎｍである。一方、磁区制御領域では、エッチング耐性膜１４の膜厚が２９ｎｍ、絶縁膜２２の膜厚が７ｎｍ、磁区制御膜２４の膜厚が３０ｎｍ、磁区制御膜キャップ層２６の膜厚が５ｎｍであり、下部電極１２の表面から磁区制御膜キャップ層２６の表面までの厚さは７１ｎｍである。そこで、研磨耐性膜３０の膜厚は、下部電極１２の表面から研磨耐性膜３０の表面までの厚さが８７ｎｍとなるように、１６ｎｍに設定する。
【００３６】
上述の通り、本実施形態による磁気抵抗効果素子の製造方法では、磁気抵抗効果膜１６の下層にエッチング耐性膜１４を設けて磁区制御領域のエッチング膜厚を高精度に制御している。したがって、研磨耐性膜３０の膜厚を制御することにより、ＭＲ素子領域における研磨耐性膜２０の表面高さと磁区制御領域における研磨耐性膜３０の表面高さとを容易に等しくすることができる。
【００３７】
次いで、ＭＲ素子領域及び磁区制御領域以外の領域の研磨耐性膜３０をフォトレジスト膜２８とともにリフトオフし、研磨耐性膜３０をＭＲ素子領域及び磁区制御領域に選択的に残存させる（図３（ｂ））。
【００３８】
次いで、ＣＭＰ（化学的機械的研磨：Chemical Mechanical Polishing）法により、磁区制御領域以外の領域に形成された研磨耐性膜２０及び磁区制御領域に形成された研磨耐性膜３０をストッパとして、磁区制御領域以外の領域に形成された磁区制御膜キャップ層２６、磁区制御膜２４及び絶縁膜２２をポリッシュバックする（図３（ｃ））。
【００３９】
このとき、磁区制御領域の窪みには研磨布が入り込みやすいため、ＭＲ素子領域の表面には研磨耐性膜３０が形成されているにもかかわらず、ＭＲ素子領域における研磨レートは早くなる。しかしながら、磁区制御膜キャップ層２６上には研磨耐性膜３０が形成されているため、磁区制御膜キャップ層２６及び磁区制御膜２４が削れてディッシングが生じることもない。また、ＭＲ素子領域における研磨耐性膜２０の表面高さと磁区制御領域における研磨耐性膜３０の表面高さとは、等しくなるように制御されている。したがって、ＭＲ素子領域の研磨も磁気抵抗効果膜キャップ層１８上の研磨耐性膜２０により精度良く停止させることができ、素子全体の高さをフラットにすることができる。
【００４０】
また、研磨耐性膜３０は、磁区制御膜２４を構成するＣｏＣｒＰｔ膜中のＰｔの残渣の発生や、磁区制御膜２４のオーバー研磨を防止する機能をも有する。研磨耐性膜３０を形成せずに磁区制御膜２４の研磨を行った場合、磁区制御膜２４を構成するＣｏＣｒＰｔ膜中のＰｔはＣｏやＣｒよりも研磨レートが遅いため、特に段差の生じる磁気抵抗効果膜１６と磁区制御膜２４との境界付近に引っ掛かるようにＰｔの残渣３６が生じやすくなる（図５（ａ）〜図５（ｃ）参照）。Ｐｔの残渣３６はオーバー研磨することで除去可能であるが、オーバー研磨した場合、磁区制御膜領域の表面に窪み（ディッシング）が生じてしまう（図５（ｄ）参照）。また、オーバー研磨をかけなかった場合、Ｐｔの残渣３６が磁気抵抗効果膜１６上に残存すると、磁気抵抗効果素子の抵抗値が大きくなり、ヘッドノイズ増大の問題が起きてしまう。
【００４１】
本実施形態のように研磨耐性膜３０を形成することで、磁区制御領域の研磨耐性を高めることができるので、磁区制御領域のディッシングを防止しつつ、磁区制御膜２４のオーバー研磨が可能となり、磁気抵抗効果膜１６上等にＰｔの残渣３６が残ることを防止することができる。
【００４２】
磁区制御膜キャップ層２６、磁区制御膜２４及び絶縁膜２２を研磨する際には、研磨耐性膜２０，３０を構成するＴａ膜の研磨速度よりも、磁区制御膜キャップ層２６を構成するＲｕ膜、磁区制御膜２４を構成するＣｏＣｒＰｔ膜、及び絶縁膜２２を構成するＡｌ２Ｏ３膜の研磨速度が速い選択性を有するスラリーを適用する。このようなスラリーとしては、例えば、砥粒としてアルミナを用いた強酸性のスラリー等を適用することができる。
【００４３】
磁区制御膜キャップ層２６、磁区制御膜２４及び絶縁膜２２のＣＭＰは、例えば圧力を２００ｇ／ｃｍ２、回転数を３０ｒｐｍ／３０ｒｐｍ、研磨時間を７１秒（ジャスト研磨：６２秒）として行う。この条件では、磁区制御膜キャップ層２６及び磁区制御膜２４の研磨レートが４１．４ｎｍ／分、絶縁膜の研磨レートが１３６．８ｎｍ／分、研磨耐性膜２０，３０の研磨レートが０．８１ｎｍ／分となり、研磨耐性膜２０，３０に対して約５１の研磨選択比が得られる。
【００４４】
次いで、例えば反応性イオンエッチングにより、磁気抵抗効果膜キャップ層１８及び磁区制御膜キャップ層２６に対して研磨耐性膜２０，３０を選択的にエッチングする（図４（ａ））。反応性イオンエッチングを用いることにより、磁気抵抗効果膜キャップ層１８及び磁区制御膜キャップ層２６に対して高い選択比を確保しつつ、研磨耐性膜２０，３０を除去することができる。これにより、リードギャップを高精度に制御することができる。
【００４５】
研磨耐性膜２０，３０のエッチングは、例えばＡｒを添加したＣＦ４ガスを用い、ＣＦ４の流量を２０ｓｃｃｍ、Ａｒの流量を２０ｓｃｃｍ、ソースパワーを２００Ｗ、バイアスパワーを２０Ｗ、ガス圧力を１．５Ｐａ、エッチング時間を７０秒（ジャストエッチング：４７秒）として行う。この条件では、Ｔａよりなる研磨耐性膜２０，３０のエッチングレートが０．８５ｎｍ／秒、Ｒｕよりなる磁気抵抗効果膜キャップ層１８及び磁区制御膜キャップ層２６のエッチングレートが０．０７３ｎｍ／秒となり、磁気抵抗効果膜キャップ層１８及び磁区制御膜キャップ層２６に対して約１１．６程度のエッチング選択比が得られる。
【００４６】
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、ＭＲ素子領域及び磁区制御領域外の磁区制御膜キャップ層２６、磁気抵抗効果膜キャップ層１８、磁気抵抗効果膜１６及び絶縁膜２２を除去する（図４（ｂ））。
【００４７】
次いで、例えばスパッタ法により例えばＡｌ２Ｏ３膜を堆積後、磁気抵抗効果膜キャップ層１８及び磁区制御膜キャップ層２６の表面が露出するまでこのＡｌ２Ｏ３膜をＣＭＰ法により研磨し、素子形成領域外にＡｌ２Ｏ３膜よりなる絶縁膜３２を埋め込む（図４（ｃ））。
【００４８】
次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１μｍのＮｉＦｅを形成し、ＮｉＦｅよりなる上部シールド兼用の上部電極３４を形成し、本実施形態による磁気ヘッドを完成する（図４（ｄ））。
【００４９】
このように、本実施形態によれば、単層レジスト及び反応性イオンエッチングを用いて磁気抵抗効果膜をパターニングするので、２層レジストを用いてイオンミリングにより磁気抵抗効果膜をパターニングする場合と比較して、微細且つ高精度の加工が可能となる。これにより、磁気ヘッドのリードコア幅を微細且つ高精度に制御することができる。
【００５０】
また、全面に磁区制御膜を堆積した後にＣＭＰによりこれを研磨し、磁気抵抗効果膜の両脇に磁区制御膜を形成する際に、ＭＲ素子領域上に研磨耐性膜を形成しておくので、ＣＭＰの際にＭＲ素子領域が削れることを防止することができる。これにより、磁気ヘッドのリードギャップを高精度に制御することができる。
【００５１】
また、磁区制御領域の磁区制御膜上にも研磨耐性膜を選択的に形成し、ＭＲ素子領域における研磨耐性膜の表面高さと磁区制御領域における研磨耐性膜の表面高さとを等しくすることにより、磁区制御領域におけるディッシングを防止することができる。これにより、形成する素子の平坦性を向上することができる。これにより、磁気ヘッドのリードギャップを更に高精度に制御することができる。
【００５２】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による磁気ヘッドの製造方法について図６及び図７を用いて説明する。なお、図１乃至図４に示す第１実施形態による磁気ヘッド及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
【００５３】
図６及び図７は本実施形態による磁気ヘッドの製造方法を示す工程断面図である。
【００５４】
本実施形態では、図１に示す第１実施形態による磁気ヘッドの他の製造方法を説明する。
【００５５】
まず、図２（ａ）乃至図２（ｄ）に示す第１実施形態による磁気ヘッドの製造方法と同様にして、基板１０上に、下部電極１２、エッチング耐性膜１４、磁気抵抗効果膜１６、磁気抵抗効果膜キャップ層１８、研磨耐性膜２０、絶縁膜２２、磁区制御膜２４及び磁区制御膜キャップ層２６を形成する（図６（ａ））。
【００５６】
次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１６ｎｍのＴａ膜を堆積し、Ｔａ膜よりなる研磨耐性膜３０を形成する（図６（ｂ））。研磨耐性膜３０は、磁区制御膜２４を形成する際にＣＭＰのストッパとして用いる膜である。この目的のもと、研磨耐性膜３０は、磁区制御膜２４を構成する磁性材料に対して研磨選択性を有する材料により構成する。また、研磨耐性膜３０の膜厚設定方法は、第１実施形態の場合と同様である。
【００５７】
次いで、ＣＭＰ法により、磁区制御領域以外の領域に形成された研磨耐性膜３０を、磁区制御膜キャップ層２６をストッパとして、選択的に研磨する（図６（ｃ））。
【００５８】
研磨耐性膜３０を研磨する際には、磁区制御膜キャップ層２６を構成するＲｕ膜の研磨速度よりも研磨耐性膜３０を構成するＴａ膜の研磨速度が速い選択性を有するスラリーを適用する。このようなスラリーとしては、例えば、砥粒としてアルミナを用いた弱酸性のスラリー等を適用することができる。研磨耐性膜３０のＣＭＰは、例えば、圧力を２０ｋＰａ、回転数を１００ｒｐｍとして行う。
【００５９】
次いで、ＣＭＰ法により、磁区制御領域以外の領域に形成された研磨耐性膜２０及び磁区制御領域に形成された研磨耐性膜３０をストッパとして、磁区制御領域以外の領域に形成された磁区制御膜キャップ層２６、磁区制御膜２４及び絶縁膜２２をポリッシュバックする。
【００６０】
磁区制御膜キャップ層２６、磁区制御膜２４及び絶縁膜２２を研磨する際には、磁区制御膜キャップ層２６を研磨する際に用いるスラリーとは異なり、研磨耐性膜２０，３０を構成するＴａ膜の研磨速度よりも、磁区制御膜キャップ層２６を構成するＲｕ膜、磁区制御膜２４を構成するＣｏＣｒＰｔ膜、及び絶縁膜２２を構成するＡｌ２Ｏ３膜の研磨速度が速い選択性を有するスラリーを適用する。このようなスラリーとしては、例えば、砥粒としてアルミナを用いた強酸性のスラリー等を適用することができる。
【００６１】
磁区制御膜キャップ層２６、磁区制御膜２４及び絶縁膜２２のＣＭＰは、例えば圧力を２００ｇ／ｃｍ２、回転数を３０ｒｐｍ／３０ｒｐｍ、研磨時間を７１秒（ジャスト研磨：６２秒）として行う。この条件では、磁区制御膜キャップ層２６及び磁区制御膜２４の研磨レートが４１．４ｎｍ／分、絶縁膜の研磨レートが１３６．８ｎｍ／分、研磨耐性膜２０，３０の研磨レートが０．８１ｎｍ／分となり、研磨耐性膜２０，３０に対して約５１の研磨選択比が得られる。
【００６２】
磁区制御膜２４を研磨する過程において、図７（ａ）に示すようにＰｔの残渣３６が残ることもある。しかしながら、磁気抵抗効果膜キャップ層１８上には研磨耐性膜２０が形成されており、磁区制御膜キャップ層２６上には研磨耐性膜３０が形成されているため、十分なオーバー研磨をかけることが可能であり、Ｐｔの残渣３６を残すことなく、磁区制御領域以外の領域に形成された磁区制御膜キャップ層２６、磁区制御膜２４及び絶縁膜２２を除去することができる（図７（ｂ））。
【００６３】
このようにして、磁区制御膜キャップ層２６の構成材料（例えばＲｕ）の研磨速度よりも研磨耐性膜３０の構成材料（例えばＴａ）の研磨速度が速い選択性を有するスラリーと、研磨耐性膜２０，３０の構成材料（例えばＴａ）の研磨速度よりも、磁区制御膜キャップ層２６の構成材料（例えばＲｕ）、磁区制御膜２４の構成材料（例えばＣｏＣｒＰｔ）及び絶縁膜２２の構成材料（例えばＡｌ２Ｏ３）の研磨速度が速い選択性を有するスラリーとを用いて、ＣＭＰ工程を２段階に分けて行うことにより、第１実施形態の場合と比較して、研磨耐性膜３０の形成が容易になる。
【００６４】
すなわち、第１実施形態ではフォトレジスト膜２８を用いてリフトオフにより研磨耐性膜３０をＭＲ素子領域及び磁区制御領域に選択的に形成しているが、フォトレジスト膜２８の形成過程で位置合わせずれが生じた場合、本来研磨耐性膜３０を残したくない領域に研磨耐性膜３０が残存してＣＭＰ過程で研磨できない領域が生じるなどの不具合が発生することも想定される。この点、本実施形態の方法では、第１の研磨ステップで磁区制御領域内に研磨耐性膜３０を自己整合的に形成できるので、第２の研磨ステップにおいて不具合が発生することを効果的に防止できる。
【００６５】
次いで、図４（ａ）乃至図４（ｄ）に示す第１実施形態による磁気ヘッドの製造方法と同様にして、研磨耐性膜２０，３０の除去、ＭＲ素子領域及び磁区制御領域外の磁区制御膜キャップ層２６、磁気抵抗効果膜キャップ層１８、磁気抵抗効果膜１６及び絶縁膜２２等の除去、絶縁膜３２及び上部電極３４の形成を行い、図１に示す磁気ヘッドを完成する（図７（ｃ））。
【００６６】
このように、本実施形態によれば、全面に磁区制御膜を堆積した後にＣＭＰによりこれを研磨して、磁気抵抗効果膜の両脇に磁区制御膜を埋め込み形成する際に、全面に研磨耐性膜を形成した後、第１の研磨ステップで磁区制御領域以外の領域に形成された研磨耐性膜を選択的に除去し、第２の研磨ステップで研磨耐性膜をストッパとして磁区制御領域以外の領域に形成された磁区制御膜を選択的に除去するので、研磨耐性膜を磁区制御領域内に自己整合的に形成することができる。これにより、磁区制御膜を埋め込み形成する際の研磨工程を容易にすることができる。
【００６７】
また、ＭＲ素子領域上及び磁区制御領域の磁区制御膜上に研磨耐性膜を形成しておくので、ＣＭＰの際にＭＲ素子領域が削れたり、磁区制御領域にディッシングが生じたりする不具合を防止することができる。これにより、磁気ヘッドのリードギャップを高精度に制御できるとともに、形成する素子の平坦性を向上することができ、ひいては磁気ヘッドのリードギャップを更に高精度に制御することができる。
【００６８】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による磁気記録装置について図８及び図９を用いて説明する。なお、図１乃至図７に示す第１及び第２実施形態による磁気ヘッドと同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
【００６９】
図８は本実施形態による磁気記録装置の構造を示す概略平面図、図９は本実施形態による磁気記録装置の磁気ヘッドの構造を示す正面図である。
【００７０】
はじめに、本実施形態による磁気記録装置の構造について図８を用いて説明する。
【００７１】
本実施形態による磁気記録装置４０は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体４２を備えている。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク４４が収容されている。磁気ディスク４４は、スピンドルモータ４６の回転軸に装着されている。スピンドルモータ４６は、例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク４４を回転させることができる。筐体本体４２には、筐体本体４２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。
【００７２】
収容空間には、ヘッドアクチュエータ４８がさらに収容されている。このヘッドアクチュエータ４８は、垂直方向に延びる支軸５０に回転自在に連結されている。ヘッドアクチュエータ４８は、支軸５０から水平方向に延びる複数のアクチュエータアーム５２と、各アクチュエータアーム５２の先端に取り付けられてアクチュエータアーム５２から前方に延びるヘッドサスペンションアセンブリ５４とを備えている。アクチュエータアーム５２は、磁気ディスク４４の表面および裏面ごとに設置されている。
【００７３】
ヘッドサスペンションアセンブリ５４は、ロードビーム５６を備えている。ロードビーム５６は、いわゆる弾性屈曲域でアクチュエータアーム５２の前端に連結されている。弾性屈曲域の働きで、ロードビーム５６の前端には、磁気ディスク４４の表面に向かって所定の押し付け力が作用する。ロードビーム５６の前端には、磁気ヘッド５８が支持されている。磁気ヘッド５８は、ロードビーム５６に固定されるジンバル（図示されず）に姿勢変化自在に受け止められている。
【００７４】
磁気ディスク４４の回転に基づき磁気ディスク４４の表面で気流が生成されると、気流の働きで磁気ヘッド５８には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とロードビーム５６の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク４４の回転中に比較的に高い剛性で磁気ヘッド５８は浮上し続けることができる。
【００７５】
アクチュエータアーム５２には、例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といった動力源６０が接続されている。この動力源６０の働きでアクチュエータアーム５２は支軸５０回りで回転することができる。こうしたアクチュエータアーム５２の回転に基づきヘッドサスペンションアセンブリ５４の移動は実現される。磁気ヘッド５８の浮上中に支軸５０回りでアクチュエータアーム５２が揺動すると、磁気ヘッド５８は径方向に磁気ディスク４４の表面を横切ることができる。こうした移動に基づき、磁気ヘッド５８を磁気ディスク４４上の所望の記録トラックに位置決めすることができる。
【００７６】
次に、本実施形態による磁気記録装置の磁気ヘッド５８について図９を用いて詳述する。
【００７７】
図９に示すように、磁気抵抗効果素子よりなる再生ヘッド６２と誘導型書き込み素子よりなる記録ヘッドとを有する磁気ヘッド５８は、一般的に、ヘッドスライダの基体となるＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルチック）よりなる平坦な基板１０上に、再生ヘッド６２、記録ヘッド６４の順に積層されて形成され、アルミナ等の絶縁体により覆われている。
【００７８】
再生ヘッド６２は、例えば本発明の第１実施形態による磁気ヘッドであり、基板１０上に形成された下部電極１２と、下部電極１２上に形成されたエッチング耐性膜１４と、エッチング耐性膜１４上に形成された磁気抵抗効果膜１６と、磁気抵抗効果膜１６上に形成された磁気抵抗効果膜キャップ層１８と、磁気抵抗効果膜キャップ層１８上に形成された上部電極３４と、磁気抵抗効果膜１６の両側に絶縁膜２２を介して設けられた磁区制御膜２４とを有している。
【００７９】
下部電極１２及び上部電極３４は、センス電流の経路としての機能に加え磁気シールドとしての機能を兼ねるものである。磁気抵抗効果膜１６は、例えば第１実施形態で示したようなスピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜である。磁区制御膜２４は、磁気抵抗効果膜１６の固定磁化層及び自由磁化層の単磁区化を図り、バルクハウゼンノイズの発生を防止するためのものである。
【００８０】
記録ヘッド６４は、磁気ディスク４４対向面にトラック幅に相当する幅を有する上部磁極６６と、非磁性ギャップ層６８を挟んで対向する下部磁極７０と、上部磁極６６と下部磁極７０とを接続するヨーク（図示せず）と、ヨークを巻回するコイル（図示せず）などにより構成される。上部磁極６６、下部磁極６８及びヨークは、軟磁性材料より構成され、記録磁界を確保するために飽和磁束密度の大なる材料、例えば、Ｎｉ80Ｆｅ20、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＮ、ＦｅＳｉＮ、ＦｅＣｏ合金などが好適である。
【００８１】
この磁気ヘッド５８を用いた磁気ディスク４４への書き込みは、記録ヘッド６４により行う。すなわち、上部磁極６６と下部磁極７０との間より漏洩する磁場により、記録ヘッド６４に対向する磁気ディスク４４に情報が記録される。
【００８２】
また、磁気ディスク４４に書き込まれた情報の再生は、再生ヘッド６２により行う。すなわち、磁気ディスク４４に記録された情報に基づいて漏洩する磁場を、磁気抵抗効果膜１６の抵抗変化として検知することにより、磁気ディスク４４に記録された情報を読み出すことができる。
【００８３】
このように、本実施形態によれば、第１実施形態による磁気ヘッドを用いて磁気記録装置を構成するので、再生ヘッドのリードコア幅及びリードギャップを微細且つ高精度に制御することができる。これにより、磁気記録装置の記録密度及び歩留まりを向上することができる。
【００８４】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００８５】
例えば、上記第１実施形態では、研磨耐性膜２０，３０を形成することにより、研磨の際にＭＲ素子領域が削れすぎることや磁区制御領域のディッシングを防止したが、研磨耐性膜３０は必ずしも形成する必要はない。この場合、磁区制御領域においてディッシングが生じることが考えられるが、ＭＲ素子領域については削れすぎを防止することができ、リードギャップを高精度に制御することが可能となる。
【００８６】
また、上記第１実施形態では、磁気抵抗効果膜１６下にエッチング耐性膜１４を形成したが、エッチング耐性膜１４は必ずしも形成する必要はない。エッチング耐性膜１４は下部電極１２に対して選択性よく磁気抵抗効果膜１６をエッチングするためのものであり、例えば構成材料の選択等によって、エッチング耐性膜１４が無くても磁気抵抗効果膜１６のエッチングを精度よく停止できるような場合には、エッチング耐性膜１４を設けなくてもよい。
【００８７】
また、磁気ヘッドの各層の構成材料は、上記実施形態に記載のものに限定されるものではなく、適宜変更することができる。
【００８８】
以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下の通りとなる。
【００８９】
（付記１）  下部電極の第１の領域上に、磁性材料に対して研磨選択性を有する第１の研磨耐性膜が上面に形成された磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記第１の領域を含む前記下部電極上の全面に、磁区制御膜を形成する工程と、
前記第１の研磨耐性膜をストッパとして、前記磁気抵抗効果膜上の前記磁区制御膜を研磨により除去し、前記第１の領域に隣接する第２の領域上に前記磁区制御膜を選択的に残存させる工程と、
前記第１の研磨耐性膜を除去する工程と、
前記第１の研磨耐性膜を除去した前記磁気抵抗効果膜上に、上部電極を形成する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００９０】
（付記２）  付記１記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁区制御膜を形成する工程の後に、前記磁区制御膜上に、磁性材料に対して研磨選択性を有する第２の研磨耐性膜を形成する工程を更に有し、
前記磁区制御膜を研磨する工程では、前記第１の研磨耐性膜及び前記第２の研磨耐性膜をストッパとして、前記磁区制御膜を研磨し、
前記第１の研磨耐性膜を除去する工程では、前記第１の研磨耐性膜及び前記第２の研磨耐性膜を除去する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００９１】
（付記３）  付記２記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第２の研磨耐性膜を形成する工程では、前記第２の研磨耐性膜の表面の高さが、前記磁気抵抗効果膜上に形成された前記第１の研磨耐性膜の表面の高さと等しくなるように、前記第２の研磨耐性膜の膜厚を設定する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００９２】
（付記４）  付記２又は３記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第２の研磨耐性膜を形成する工程では、前記第２の研磨耐性膜を第１の領域及び第２の領域に選択的に形成する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００９３】
（付記５）  付記２又は３記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第２の研磨耐性膜を形成する工程では、前記第１の領域及び前記第２の領域を含む全面に、前記第２の研磨耐性膜を形成し、
前記磁区制御膜を研磨する工程は、前記第２の領域以外の領域に形成された前記第２の研磨耐性膜を選択的に除去する第１の研磨ステップと、前記第２の領域以外の領域に形成された前記磁区制御膜を選択的に除去する第２の研磨ステップとを有する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００９４】
（付記６）  付記５記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第１の研磨ステップ及び前記第２の研磨ステップでは、研磨特性の異なるスラリーを用いる
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００９５】
（付記７）  付記１乃至６のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁気抵抗効果膜を形成する工程は、前記下部電極上に前記磁気抵抗効果膜に対してエッチング選択性を有するエッチング耐性膜を形成する工程と、前記エッチング耐性膜上に前記磁気抵抗効果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜上に前記第１の研磨耐性膜を形成する工程と、前記エッチング耐性膜をストッパとして、前記第１の研磨耐性膜及び前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程とを有する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００９６】
（付記８）  付記７記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第１の研磨耐性膜及び前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程では、単層のレジスト膜を用いて前記第１の研磨耐性膜及び前記磁気抵抗効果膜をエッチングする
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００９７】
（付記９）  付記７又は８記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第１の研磨耐性膜及び前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程では、反応性イオンエッチングにより前記第１の研磨耐性膜及び前記磁気抵抗効果膜をエッチングする
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００９８】
（付記１０）  付記１乃至９のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記第１の研磨耐性膜を除去する工程では、前記第１の研磨耐性膜を反応性イオンエッチングにより除去する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００９９】
（付記１１）  付記１乃至１０のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁気抵抗効果膜を形成する工程では、上面に非磁性材料よりなるキャップ層が形成された前記磁気抵抗効果膜を形成する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【０１００】
（付記１２）  付記１乃至１１のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁区制御膜を形成する工程では、上面に非磁性材料よりなるキャップ層が形成された前記磁区制御膜を形成する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【０１０１】
（付記１３）  付記１乃至１２のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁区制御膜を形成する工程では、前記磁気抵抗効果膜が形成された領域を含む前記下部電極上の全面に絶縁膜を形成後、前記磁区制御膜を形成する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の第１実施形態による磁気ヘッドの構造を示す正面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による磁気ヘッドの製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図３】本発明の第１実施形態による磁気ヘッドの製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図４】本発明の第１実施形態による磁気ヘッドの製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図５】本発明の第１実施形態による磁気ヘッドの製造方法における第２の研磨耐性膜の役割を説明する工程断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態による磁気ヘッドの製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図７】本発明の第２実施形態による磁気ヘッドの製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図８】本発明の第３実施形態による磁気記録装置の構造を示す概略平面図である。
【図９】本発明の第３実施形態による磁気記録装置の磁気ヘッドの構造を示す正面図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０…基板
１２…下部電極
１４…エッチング耐性膜
１６…磁気抵抗効果膜
１８…磁気抵抗効果膜キャップ層
２０，３０…研磨耐性膜
２２，３２…絶縁膜
２４…磁区制御膜
２６…磁区制御膜キャップ層
２８…フォトレジスト膜
３４…上部電極
３６…Ｐｔの残渣
４０…磁気記録装置
４２…筐体本体
４４…磁気ディスク
４６…スピンドルモータ
４８…ヘッドアクチュエータ
５０…支軸
５２…アクチュエータアーム
５４…ヘッドサスペンションアセンブリ
５６…ロードビーム
５８…磁気ヘッド
６０…動力源
６２…再生ヘッド
６４…記録ヘッド
６６…上部磁極
６８…非磁性ギャップ層
７０…下部磁極
【図１】
2007294071.tif 000003
【図２】
2007294071.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007294071.tif 000009
【図８】
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【図９】
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