(57)【要約】【課題】基板、特に微小電子半導体基板をプラズマ・エッチングする方法を提供すること。【解決手段】本発明によれば、基板が設けられ、少なくとも１つのマスクが、基板上に付与される。当該マスクは基板上に堆積した後に構造化されてもよく、もしくは、既に構造化したマスクが付与される。当該構造はマスク内の開口を画定する。これらの開口は、異なる形状、たとえば、円形通路を形成するための丸い構造、ストライプ導体、または通路を画定するための長方形構造を有する。プラズマ・エッチング・プロセスを実施することによって、少なくとも開口において、材料が基板から除去される。【選択図】図１０
2007142374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法であって、
基板を設けること、
前記基板上に開口を含む少なくとも１つの構造化マスクを付与すること、
または、
前記基板上に少なくとも１つのマスクを付与すること、
前記マスクを構造化することによって、前記マスク内に開口を画定すること、
少なくとも１つのハロゲン化物と酸素を含むプロセス・ガスを使用するプラズマ・エッチング・プロセスによって少なくとも前記開口内において、前記基板から材料を除去することを含む基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２】
前記プロセス・ガス内の酸素の量は、前記ガスの容積パーセンテージとして表された、４０％未満、好ましくは、３０％未満、特に好ましくは、２５％未満であることを特徴とする請求項１に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３】
前記酸素と前記ハロゲン化物の比は、３０％未満、好ましくは、２５％未満、特に好ましくは、２０％未満（容積比のパーセンテージ）であることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項４】
前記ハロゲン化物は硫黄ハロゲン化物として提供されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項５】
前記硫黄ハロゲン化物は、ＳＦ６として提供されることを特徴とする請求項２に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項６】
前記基板は半導体材料を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項７】
前記基板はシリコンを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項８】
前記基板はウェハであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項９】
前記マスクはフォトレジストを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項１０】
前記マスクはフォトリソグラフィ・マスクであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項１１】
前記マスクをリフト・オフする工程をさらに含む請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項１２】
前記基板のエッチングは、少なくとも２つのエッチング工程で実施される請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項１３】
第１エッチング工程は、後続の第２エッチング工程より高いエッチング速度を有する請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項１４】
前記酸素の量は、前記第２エッチング工程において減少する請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項１５】
前記基板は、酸素を含まない最終エッチング工程のプロセスを使用して、前記最終エッチング工程でエッチングされる請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項１６】
前記基板内への少なくとも１つの通路のエッチングは、１つのエッチング工程で実施される請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項１７】
５〜５００μｍ／分、好ましくは、７〜１００μｍ／分、特に好ましくは、８〜２０μｍ／分の前記エッチング・プロセスのエッチング速度を特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項１８】
前記プロセス・ガスはＣＨＦ３をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項１９】
前記プロセス・ガスはＣ４Ｆ８をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２０】
前記基板を通して少なくとも１つの通路をエッチングすることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２１】
前記基板を通して少なくとも１つのテーパ付き通路をエッチングすることを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２２】
前記テーパ付き通路は、前記基板の表面に対する側壁角度を画定し、前記側壁角度は、５０°〜９０°、好ましくは、６０°〜８５°、特に好ましくは、６５°〜８０°に調整されることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２３】
２００ｎｍ未満、好ましくは、１００ｎｍ未満、特に好ましくは、５０ｎｍ未満の、前記通路の前記側壁のピーク−谷の粗さを特徴とする請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２４】
前記通路の前記側壁の表面粗さは、前記表面粗さが前記側壁の標準表面粗さＲａとして表される場合、１００ｎｍ未満、好ましくは、３０ｎｍ未満、特に好ましくは、１０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２５】
１０μｍ〜５００μｍ、好ましくは、１５〜１００μｍ、特に好ましくは、１８〜７０μｍの径を有する少なくとも１つの通路を形成することを特徴とする請求項１乃至２４のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２６】
前記通路は、前記マスクの下にオーバーハングを画定し、前記通路の径は前記開口の径より大きい、プラズマ・エッチング方法であって前記開口の前記径と前記通路の前記径との差は、１０μｍ未満、好ましくは、５μｍ未満、特に好ましくは、２μｍ未満であることを特徴とする請求項１乃至２５のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２７】
前記側壁は、少なくとも部分的に不動態化される請求項１乃至２６のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２８】
前記不動態化は、不動態化ガスを前記プロセス・ガスに添加することによって達成される請求項１乃至２７のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項２９】
前記不動態化ガスは、化学化合物を含む少なくとも１つの炭素を含む請求項１乃至２８のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３０】
前記不動態化ガスは、Ｃ４Ｆ８および／またはＣＨＦ３を含む請求項１乃至２９のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３１】
前記オーバーハングは、前記プラズマ源の電力によって制御されることを特徴とする請求項１乃至３０のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３２】
前記基板を薄膜化する工程をさらに含む請求項１乃至３１のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３３】
前記基板の前記材料は、５μｍ〜５００μｍ、好ましくは、２０〜２００μｍ、特に好ましくは、８０〜１６０μｍの深さまで除去されることを特徴とする請求項１乃至３２のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３４】
前記プラズマを、誘導結合式プラズマ（ＩＣＰ）源によって生成することを特徴とする請求項１乃至３３のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３５】
前記マスクはステッパによって構造化されることを特徴とする請求項１乃至３４のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３６】
前記基板表面を平滑化する工程をさらに含む請求項１乃至３５のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３７】
前記基板を平滑化する工程は、前記基板表面のエッチング、特に、ＫＯＨエッチングによって実施されることを特徴とする請求項１乃至３６のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３８】
少なくとも１つの導電層を前記基板上に堆積させることをさらに含む請求項１乃至３７のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項３９】
前記基板を、少なくとも１つの不動態化層によって少なくとも部分的にコーティングすることをさらに含む請求項１乃至３８のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項４０】
前記プロセス・ガス内の酸素の量は、前記ガスの容積パーセンテージとして表された、３〜４０％、好ましくは、５〜３０％、特に好ましくは、１０〜２０％であることを特徴とする請求項１乃至３９のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項４１】
前記プラズマ・エッチング・プロセス中の前記基板の温度は、２００°未満、好ましくは、１５０°未満、特に好ましくは、１２０°未満であることを特徴とする請求項１乃至４０のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項４２】
前記プラズマ・エッチング・プロセスは、不連続に、特に、パルスで実施されることを特徴とする請求項１乃至４１のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項４３】
基板を設けること、
前記基板上に少なくとも１つのマスクを付与すること、
前記マスクを構造化することによって、前記マスク内に開口を画定すること、
プラズマ・エッチング・プロセスによって少なくとも前記開口内において、前記基板から材料を除去することを含む請求項１乃至４２のいずれか１項に記載の基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法。
【請求項４４】
方法請求項１乃至４３のいずれか１項に従って特に生産される、生産可能な電子部品。
【請求項４５】
方法請求項１乃至４３のいずれか１項に記載の方法によって特に生産される、生産可能なウェハ・レベル・パッケージ。
【請求項４６】
方法請求項１乃至４３のいずれか１項に記載の方法によって特に生産される、生産可能な微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）。
【請求項４７】
方法請求項１乃至４３のいずれか１項に記載の方法によって特に生産される、生産可能な微小流体デバイス。
【請求項４８】
方法請求項１乃至４３のいずれか１項に記載の方法によって特に生産される、生産可能なフィルタ、特に分子篩。
【請求項４９】
方法請求項１乃至４３のいずれか１項に記載の方法によって特に生産される、生産可能なマイクロプロセッサ。
【請求項５０】
方法請求項１乃至４３のいずれか１項に記載の方法によって特に生産される、生産可能なセンサ、特に圧力センサ。
【請求項５１】
方法請求項１乃至４３のいずれか１項に記載の方法によって特に生産される、生産可能なマイクロプロセッサ用クーラ。
【請求項５２】
方法請求項１乃至４３のいずれか１項に記載の方法によって特に生産される、生産可能な感光性デバイス、特に、電荷結合式感光性デバイス（ＣＣＤ）または相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）。
【請求項５３】
請求項１乃至５２のいずれか１項による感光性デバイスであって、前記感光性デバイスの画素を画定する感光性素子の少なくとも１つのアレイを備え、前記感光性素子は背面接触式である、感光性デバイス。
【請求項５４】
請求項１乃至５３のいずれか１項による感光性デバイスであって、前記画素は、背面接触式であり、複数の増幅器に電気接続されることを特徴とする、感光性デバイス。
【請求項５５】
請求項１乃至５４のいずれか１項による感光性デバイスであって、少なくとも１つの増幅器は、各画素に割り当てられることを特徴とする、感光性デバイス。
【請求項５６】
請求項１乃至５５のいずれか１項による感光性デバイスであって、前記増幅器は、背面接触式であり、かつ／または、バケット・ブリゲード回路（Ｅｉｍｅｒｋｅｔｔｅ）内で接続される、感光性デバイス。
【請求項５７】
請求項１乃至５６のいずれか１項による感光性デバイスであって、前記増幅器は縦続型増幅器である、感光性デバイス。
【請求項５８】
請求項１乃至５７のいずれか１項による感光性デバイスであって、光電子増倍のために、光電子増倍管、特に、２次電子増倍管を備える、感光性デバイス。
【請求項５９】
請求項１乃至５８のいずれか１項による感光性デバイスであって、前記感光性デバイスの画素を画定する感光性素子の少なくとも１つのアレイを備え、前記感光性素子は増幅器と背面接触する感光性デバイスであって、少なくとも１つの増幅器は各画素に割り当てられることを特徴とする、感光性デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、特に、微小電子半導体基板をプラズマ・エッチングする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ・エッチング・プロセスは、集積回路の生産において層をエッチングするのに一般的に使用される。反応性イオン・エッチングが、主要な技術であるが、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）および誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）などの最近の高度な技法が、プラズマ密度を高める磁界を使用して導入された。
【０００３】
プラズマ・エッチングは、部分的に化学エッチングに基づくと信じられている。これは、化学反応が、バルク材料の原子とガス原子の間に起こって分子が形成され、分子が、次に、基板から除去されることを意味する。印加されるＤＣ電圧のために、化学エッチング効果より小さいと信じられる、あるスパッタリング効果も存在する。さらに、化学エッチング・プロセスは、イオン衝撃によって増加するか、または、維持されると信じられている。組み合わされた両方の効果は、相乗効果をもたらし、エッチング速度が高まる。
【０００４】
エッチング・プロセスにおける主要な工程は、
１．反応性粒子の形成
２．エッチングされる表面における反応性粒子の到達
３．エッチングされる表面における反応性粒子の吸収
４．表面における反応性粒子の化学吸収
５．分子の形成
６．分子の脱離
【０００５】
チップ上またはチップ内におけるデバイス密度を増加させることによって、たとえば、マイクロセンサ、マイクロアクチュエータが集積化されるＭＥＭＳ、ＲＦ回路などの用途において、また、しばしばデジタルおよびアナログ電子部品に関しても、総合機能の増加が存在する。この増加した複雑さによって、デバイス上のより小さなボンド・パッドおよびより進歩したパケージングの問題がもたらされる。
【０００６】
イメージ・センサ・パッケージおよびＭＥＭＳまたは太陽電池の本質的な特徴の１つは、背面接触である。光学デバイスは、一方の面で、パッケージによって生じる制限の無い状態での、環境とのインタフェースを必要とする。しかし、他の面では、光学デバイスはまた、環境の影響に対する保護を必要とする。流れの挙動を検出するか、または、修正するために、環境に対するインタフェースを必要とする航空機用ＭＥＭＳ（ａｒｅｏ  ＭＥＭＳ）の場合でさえも、正確に画定された開口または通路が、これらのデバイスの機能にとって必須である。
【０００７】
最先端のエッチング方法の１つの問題は、エッチングされた通路の湾曲である。これは、エッチングされた通路の径が、マスクの下で増加し、マスクを除去した後に、小さなカラーが、エッチングされた構造の縁部に沿って延びることを意味する。したがって、湾曲は、エッチングされた構造のサイズにとって著しい欠点を示し、後続の製造プロセス工程において問題を生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
信頼性があり、微小サイズ構造化精度を改善する、基板の少なくとも一部のエッチング方法を提供することが本発明の目的である。
さらに、エッチングされた通路の湾曲を減少させること、または、少なくとも、エッチング方法のパラメータに基づいて湾曲のサイズを制御することが、本発明の目的である。
【０００９】
テーパ付き通路のエッチングを可能にするエッチング方法を提供すること、および、エッチング方法に基づいてテーパ付き通路の側壁角度を規定することが、本発明のさらなる目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の目的は、独立請求項１および４１〜５０による、基板の少なくとも一部のプラズマ・エッチング方法によって達成される。
有利な工夫が、それぞれの従属請求項の主題である。
【００１１】
本発明によれば、基板が設けられ、少なくとも１つのマスクが、基板上に付与される。このマスクは、基板上に堆積した後に構造化されることができる、または、既に構造化したマスクが付与される。
【００１２】
構造は、マスク内の開口を画定するか、または、備える。これらの開口は、異なる形状、たとえば、円形通路を形成するための丸い構造またはストライプ導体または通路を画定するための長方形構造を有するであろう。
プラズマ・エッチング・プロセスを実施することによって、少なくとも開口において、材料が基板から除去される。
【００１３】
本発明によれば、少なくとも１つのハロゲン化物と酸素を含むプロセス・ガスが使用される。
本発明者等は、このガス混合物によって、微小サイズ構造、特に、背面接触用電子デバイス用の通路をエッチングすることが可能であることを発見した。本発明の方法は、側壁角度が基板の材料と実質的に独立であるテーパ付き通路を提供する。これは、側壁角度が、結晶構造によっても画定されず、結晶テクスチャにも従わないことを意味する。
さらに、マスクの下にオーバーハング（湾曲）が実質的に無い状態で通路を形成することが可能である。
【００１４】
本発明の好ましい実施形態によれば、プロセス・ガス内の酸素の量は、容積パーセンテージで規定された、４０％未満、好ましくは、３０％未満、特に好ましくは、２５％未満である。前記酸素と前記ハロゲン化物の比は、３０％未満、好ましくは、２５％未満、特に好ましくは、２０％未満（容積比のパーセンテージ）である。本発明者等は、ＳＦ６／Ｏ２混合物の３０％未満の酸素の量によって、オーバーハングまたは湾曲が実質的に無い状態で微小サイズの通路をエッチングすることが可能になることを発見した。ガスの容積は、標準ｃｍ３（ｓｃｃｍ）として測定する。
ハロゲン化物は、特に、硫黄ハロゲン化物、特に、ＳＦ６として提供される。
【００１５】
本発明によれば、用語ハロゲン化物は、１つまたは複数のハロゲン原子を含む分子または原子として規定される。さらに、前記ハロゲン原子は、分子内で化学的に結合することができるか、または、イオン、たとえば、プラズマ内のイオンとして提供されることができる。
本発明による方法は、種々の物質、特に、シリコン・ウェハなどの半導体材料に関する。
【００１６】
本発明の好ましい実施形態によれば、フォトレジストが、マスクとして使用される。
こうしたマスクは、１０μｍの精度またはさらにそれ以上、すなわち、０．２μｍまたはさらに０．１μｍなどのマイクロメートルのほんの数分の１の精度を有する構造を可能にする、特に、ステッパを使用するフォトリソグラフィ・プロセスによって、構造化することができる。
【００１７】
本発明者等は、ＳｉＯＸの選択性が非常に良好であることを発見した。感光性レジスト上でエッチングすることが可能である。
基板をエッチングした後、マスクを、容易に除去することができる。
【００１８】
本発明の実施形態によれば、基板は、少なくとも２つの工程でエッチングされる。
特に、後続の第２エッチング工程より高いエッチング速度を有する第１エッチング工程を実施することができる。前記第１エッチング子工程によって、深い構造を高速にエッチングすることが可能である。高いエッチング速度によって精度の低下がもたらされる場合があるため、プロセスは、低いエッチング速度を有する１つまたは複数のさらなるエッチング工程で終了するであろう。
【００１９】
本発明者等は、第２エッチング工程において酸素の部分を減少させることによって、精度を改善することができることを発見した。
最後の工程として、単一プロセス・ガスである、プロセス・ガスとしてハロゲン化物ガスのみによってエッチングすることが可能である。
【００２０】
あるいは、少なくとも１つの通路（バイア・ホール）は、単一エッチング工程で、基板内にエッチングされることもできる。特に、不動態化用のガス、たとえば、ＣＨＦ３またはＣ４Ｆ８の添加によって、オーバーハングまたは湾曲が実質的に無い、高精度の通路をエッチングすることが可能である。
【００２１】
本発明による方法によって、種々のエッチング速度が可能であり、特に、エッチング速度は、５〜５００μｍ／分、好ましくは、７〜１００μｍ／分、特に好ましくは、８〜２０μｍ／分で変わることができる。
【００２２】
プロセス・ガスに対するＣＨＦ３およびＣ４Ｆ８などの不動態化ガスの添加は、製造精度を改善し、さらに、マスクの下でのオーバーハング形成を減少させる。好ましくは、これらの不動態化ガスは、化学化合物を含む少なくとも１つの炭素を含む。
【００２３】
側壁角度は、エッチング・プロセスのパラメータによって制御することができる。側壁角度を５０°〜ほぼ９０°に形成することが可能である。本発明者等は、本発明によるエッチング方法によって、側壁角度が、前記基板の結晶構造に従わないことを発見した。
【００２４】
ほとんどの用途の場合、急峻な通路が望ましい。しかし、９０°の側壁角度が急峻であるため、さらなるプロセス工程において、導電性または非導電性材料の堆積を可能にしないであろう。したがって、側壁角度は、好ましくは、７５°〜８５°に保たれる。
【００２５】
通路の側壁の粗さは、２００ｎｍ未満、好ましくは、１００ｎｍ未満、特に好ましくは、５０ｎｍ未満（ピーク−谷）に減少することができ、１００ｎｍ未満、好ましくは、３０ｎｍ未満、特に、１０ｎｍ未満（Ｒａ）の側壁の標準的表面粗さＲａを提供する。
【００２６】
１０μｍ〜５００μｍ、好ましくは、１５〜１００μｍ、特に好ましくは、１８〜７０μｍの非常に小さな径の通路またはバイア・ホールを形成することが可能である。
【００２７】
本発明によれば、径の解釈は、実質的に円形通路に限定されない。径の解釈は、通路の実質的に全ての形状に当てはまり、径は、通路の対向する側壁の間の距離として規定される。
【００２８】
本明細書の用語によれば、前記マスク開口の近傍の前記通路の径が前記マスク開口の径より大きい時に、通路が前記マスクの下にオーバーハングを画定する。
本発明によれば、マスク開口の近傍において、開口の径と通路の径との差は１０μｍ未満、好ましくは、５μｍ未満、特に好ましくは、２μｍ未満である通路を形成することが可能である。
【００２９】
可能なオーバーハングは、特に、プラズマ源の電力によって制御されることができる。
特に、残っているオーバーハングを除去するために、基板を、薄膜化することができる。
【００３０】
本発明による方法によって、基板は、５μｍ〜５００μｍ、好ましくは、２０〜２００μｍ、特に好ましくは、８０〜１６０μｍの深さにエッチングされることができる。
【００３１】
プラズマを生成するプラズマ源として、ほぼ全ての種類のプラズマ源を使用することができ、特に、誘導結合式プラズマ（ＩＣＰ）源が適切である。
マスクをステッパによって構造化することによって、１０μｍよりよい精度を達成することができる。
【００３２】
基板の表面粗さを改善するために、基板は、さらなるプロセス工程において平滑化されるであろう。
【００３３】
前記プラズマ・エッチング・プロセス中の基板の温度は、２００℃未満、好ましくは、１５０℃未満、特に好ましくは、１２０℃未満に保持される。したがって、本発明による方法は、微小電子部品に適する。
【００３４】
基板温度を減少させるために、エッチング・プロセスは、不連続的に、特に、パルスで実施することができる。
特に、基板は、ＫＯＨエッチング・プロセスでエッチングされることができる。
【００３５】
基板のエッチング後に、たとえば、少なくとも１つの導電性層を基板上に堆積させることによって、導電性ストライプを形成することができる。
最後に、基板を、不動態化層によってコーティングすることができる。
【００３６】
本発明は、電子部品、特に、ウェハ・レベル・パッケージ、イメージ・センサ、たとえば、ＣＣＤチップ、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）などの種々の用途に、または、同様に、微小流体システムに適する。
【００３７】
側壁角度は、基板の材料によって影響を受けないか、または、わずかに影響を受けるだけであるため、同様に、フィルタ、特に、分子篩を製造することができる。実質的に谷を進む通路を形成するために、ほぼ９０°の側壁角度を有するこうしたフィルタを設けることができる。
【００３８】
本発明は、特に、電荷結合式感光性デバイス（ＣＣＤ）の背面接触する感光性デバイスに適する。
各画素に直接接触することによって、イメージ・デバイスの信号ノイズは、かなり低減することができる。
【００３９】
各画素の信号を、縦続型増幅器または光電子増倍管、特に、２次電子増幅管によって増幅することができる。
増幅された信号は、バケット・ブリゲード回路によって伝達することができる。バケット・ブリゲード回路が増幅された信号を処理することから、信号ノイズが著しく減少する。
好ましくは、上述した電子部品は、集積回路として、特に、薄膜集積回路として提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
図１〜図６は、本発明の例示的な実施形態に従って基板の一部をエッチングする工程を概略的に示す。
【００４１】
図１に示すように、基板１が設けられる。本発明のこの実施形態による基板１は、その前面上に電子部品２を備えるウェハである。電子部品２は、たとえば、イメージ・センサ、または、一般に、電子、光電子、微小流体、または微小機械構造を備えてもよい。
【００４２】
図２に示すように、フォトリソグラフィ・マスク３は、基板１の背面上に付与される。
【００４３】
図３による次の工程として、マスク３は、前記基板１上で開口４を画定するために構造化される。フォトリソグラフィ機構またはステッパ・デバイス（図示せず）によって、１０μｍの精度を有する微小サイズ構造を付与すること、または、０．１μｍの精度を有するミクロン以下のサイズの構造を付与することが、それぞれ可能である。
【００４４】
図４を参照すると、通路５は、マスク３の開口を通して基板１内にエッチングされる。本発明によれば、ＳＦ６と、３０％までのＯ２を含む、エッチング用プロセス・ガスが使用される。これらの通路は、バイアのように基板全体を通して延びてもよく、または、基板１内の予め決めた深さで終わってもよい。
【００４５】
本発明者等は、テーパ付き通路の側壁角度が、基板の材料に実質的に依存せず、プロセス・パラメータに基づいて制御することができることを発見した。
【００４６】
さらに、オーバーハング（突出部）または湾曲のサイズを、本発明のエッチング方法によって制御することができる。
【００４７】
このプラズマ異方性エッチング方法の基本的な考えは、側壁不動態化と底面エッチングの間の均衡である。
【００４８】
テーパ付き通路のプラズマ・エッチングは、ＨＲ（高速度）ＩＣＰ（誘導結合式プラズマ）プラズマ・キット・ツール上で実施することができる。エッチング・ガスＳＦ６が使用される時、シリコンにおいて、最高２５μｍ／分のエッチング速度が達成される。Ｃ４Ｆ８、Ｏ２およびＣＨＦ６が不動態化ガスとして使用される。
【００４９】
プラズマ・エッチング・プロセスは、プラズマ・ガスと基板１との化学反応に、ある程度依存する。エッチング速度は、プラズマによって生成される反応種のエッチ・フロントへの拡散速度に依存し、エッチ・フロントから逃げるための、形成されたエッチング生成物の拡散速度にさらに依存する。エッチ・フロントに出入りする拡散速度は、浅いシリコン構造に比例して減少する。これは、エッチ深さが増加すると、エッチング速度を減少させる。
【００５０】
代替法として、極低温プラズマ・エッチングもまた、テーパ付き通路５のエッチングのために使用されるであろう。極低温エッチングで使用されるメカニズムは、シリコン表面における、ブロッキング層の形成とラジカルの反応確率の減少との組み合わせである。この方法の欠点は、極低温である。この低温は、それぞれの温度制限のために、多くの用途に適しない。
【００５１】
図７〜図１０は、ウェハ・レベル・パッケージング式イメージ・センサを接触させる方法を概略的に示す。
【００５２】
図７は、シリコン内へのテーパ付きバイア・ホールおよびチャネル構造のプラズマ・エッチングを示す。基板は、レジスト層１３がエッチ・ストップ層としてその上に付与されるシリコン層１１を備える。エッチングされた通路５の下には、導電性材料層１４もまた存在する。ガラス・シート１０は、好ましくは、接着（ｇｌｕｅ）層１２を使用して、シリコン層１１に搭載される。ガラス・シート１０は、シリコン層１１の能動素子（ＩＣ／センサ）を被覆する。
【００５３】
図８は、不動態化層とＩＤＬ（誘電体層間）層の堆積を示す。２つの不動態化層１５、１６は、シリコン層１１に付与され、第１不動態化層１５はＣＶＤプロセスで堆積され、第２不動態化層１６はスプレー・コーティングされる。レジスト層１７は、最終層として付与される。後続のプロセス工程において、レジスト層１７は、導電性材料層１４の上で開けられる。
【００５４】
図９は、導電性材料１４に対して通路を形成するための、不動態化層および接着層１２、１３および１４、１５のプラズマ・エッチングを示す。後続の工程で、外側レジスト層（図８の１７）が剥離される。
【００５５】
図１０に示すように、接触層１８は、最終的に被覆され、好ましくは、金属層によってスパッタリングされ、再配分される。はんだマスクおよび接触用のバンパー１９が付与される。
【００５６】
これらのプロセスは、フロント・エンド・パッドに対する電気接触用のバイア・ホールのプラズマ・エッチング、このバイア・ホール内に接触窓を作成するためのスプレー・コーティング、およびパッド接続を再分配するための金属化を含む。
【００５７】
スプレー・コーティング、リソグラフィ・プロセスおよび通路内の金属化において、良好な均一性と段差カバリジを有するために、テーパ付き側壁が必要とされる。
【００５８】
極低温プロセスにおいて通常見られる垂直側壁を有する通路は、使用されるのに適さない。その理由は、垂直側壁を有する通路が、後続のスプレー・コーティングまたはスパッタリング・プロセスにおいて、鋭い角部の良好な段差カバリジを得ることが難しいためである。
【００５９】
ＫＯＨおよびＴＭＡＨは、技法を使用するのに安価でかつ容易であるため、シリコンにおいてテーパ付き通路を生成するのに使用される最も一般的な方法である。しかし、これらの技法の制限は、（５４、７０°の固定角度における）異なる設計についての低いエッチング速度（１μｍ／分）と柔軟性の無さである。
【００６０】
微小流体の用途の場合、テーパ付き側壁を有する通路は、ディフューザまたはノズルとして使用することができる。
【００６１】
テーパ付き側壁を有するチャネルの使用は、計算のための単純な幾何形状、より高い流量の可能性、および、熱時定数の減少などの明らかな利点を有する。
ＳＦ６／Ｏ２ガス混合物によって最高３０μｍの深さを有するシリコン内のテーパ付き通路を作成することが容易であることが発見された。３０μｍより深い通路の場合、側壁は、オーバーハング、すなわち、湾曲を示す傾向がある。
【００６２】
図１１および図１２は、同じ製法であるが、異なるエッチ時間によってエッチングされた２つの通路を示す。
図１１による通路は、より短い時間間隔でエッチングされた。エッチ深さは約１７μｍである。この通路は、オーバーハングまたは湾曲を実質的に持たない。
【００６３】
図１２による通路は、より長い期間でエッチングされ、約５４μｍのエッチ深さと約２０μｍのオーバーハングを有する。
【００６４】
このオーバーハングまたは湾曲は、このエリアにおいて、カバリジの減少または欠陥を生じるため、スプレー・コーティング、不動態化層の堆積、および金属化などの、図８〜１０に示す次のプロセス工程にとって極めて致命的である。
【００６５】
ＳＦ６／Ｏ２−Ｓｉ系（ｓｙｓｔｅｍ）は、イオン抑制プロセスであると信じられている。このガス系では、酸素は、シリコン酸化物によって、シリコン表面上に不動態化層の形成を誘導する。
【００６６】
ＳＦ５＋イオンは、パッシベータまたは不動態化層をエッチングし、Ｆラジカルが、シリコン基板をエッチングすることを可能にする。
オーバーハングの可能性のある原因は、以下であることが信じられている。すなわち、
【００６７】
不動態化層が絶縁体（ＳｉＯ２）であり、それによって、側壁と衝突するイオンが、電子で補償することが難しいその電荷を残すことになることによる側壁の帯電。この帯電が次のイオンをはね返す可能性がある。
【００６８】
ＳＦ６／Ｏ２イオンエッチ・ガス混合物については、イオン偏向が最も顕著であること。通路壁の負電位は、側壁の方にイオンを偏向させる。
【００６９】
イオンがある角度以下で到達すると、通路の上側は、イオンがマスク層の下のエリアをエッチングすること阻止することになる、イオン・シャドウイング（ｉｏｎ  ｓｈａｄｏｗｉｎｇ）。
【００７０】
イオン偏向は、バイア・プロファイルにおけるオーバーハング形成（湾曲）の主要な駆動力であると信じられている。
【００７１】
図１３〜１５は、複数工程エッチング方法を示す。
図１３に示すように、第１工程として、オーバーハング２０を有する通路５が、基板内にエッチングされる。この第１初期工程では、湾曲を有するプロファイルは、ＳＦ６／Ｏ２−プラズマ（１０％Ｏ２）によって生成された。この工程における典型的なエッチング速度は、（５％エッチ・エリアの場合）１０μｍ／分より高い。
側壁角度αは、基板の表面と通路５の側壁との間の角度として規定される。
【００７２】
図１４に示すように、マスク（図１１の３）層は、純粋酸素プラズマによって除去される。
【００７３】
図１５を参照すると、最終工程として、オーバーハング（図１１および図１２の２０）を除去し、最終の通路幾何形状を達成するために、ＳＦ６−プラズマによる等方性エッチング工程が実施される。
【００７４】
パッケージ性能の改善および信頼性を保証するために、機械的薄膜化工程において生成された可能性がある結晶転位を有する応力を含むシリコン層を回避することができる。
さらなる工程では、エッチ・マスクは、純粋酸素プラズマにおいて除去された。
【００７５】
最後の工程では、最終プロファイルは、等方性エッチ工程（ＳＦ６プラズマ）で達成された。
【００７６】
図１６は、図１３〜１５に示す本発明の実施形態に従って実施される複数エッチング方法の結果の画像を示す。
側壁角度は、少なくとも５５〜７５°の範囲で調整可能である。
【００７７】
通路内部の粗さは優れている（≦２００ｎｍピーク−谷）。
レジストに対するシリコンの選択性は５０より大きい。
【００７８】
通路に入る前に、側壁不動態化、壁の帯電、および／または、イオンのエネルギーを増加させることによって、イオン偏向を最小にすることができる。この効果は、追加の不動態化ガス（たとえば、Ｃ４Ｆ８またはＣＨＦ３）を添加することによって達成することができる。
【００７９】
Ｃ４Ｆ８グロー放電は、ウェハ表面の上に等方的にブロッキング・ポリマー・フィルムを堆積するのに採用することができる化学反応性ポリマー前駆物質種を生成する。
【００８０】
不動態化材料がＦＣポリマーであるために、イオン帯電およびイオン偏向などの効果を回避することができる。
テーパ付きプロファイルは、このガス化学物質を有する１工程で達成することができる。
【００８１】
図１７は、ＳＦ６／Ｏ２／Ｃ４Ｆ８ガス混合物を使用してシリコン基板１内への通路５のエッチングを概略的に示す。アンダーカット２１は、マスクの下に構築されるが、ほとんど全くオーバーハングを見ることができない。
【００８２】
図１６は、このエッチング方法の結果を示す。８インチ・ウェハ材を使用して、通路内部の粗さは約３μｍ（ピーク−谷）である。レジストに対するシリコンの選択性は約８０である。
【００８３】
ＳＦ６／Ｏ２／Ｃ４Ｆ８ガス混合物は、極めて重要な容易な設計の改善をもたらす。それでも、通路内部の粗さは、一部の用途にとって致命的である。典型的な粗さは、このガス混合物を使用して約３μｍである。
微小流体または電子パッケージなどの良好な粗さ品質を必要とする用途の場合、追加の平滑化工程が必要とされる。
【００８４】
代替法として、ＳＦ６／Ｏ２／ＣＨＦ３ガス混合物を使用することができる。このガス化学物質は、シリコン酸化物とポリマー（ＦＣ過フッ化炭化水素）によるシリコン表面の不動態化を可能にする。
【００８５】
ガスＣＨＦ３は、シリコン表面を不動態化する過フッ化炭化水素ポリマー源だけではなく、ＣＦ−イオン源でもあり、ＣＦ−イオン源は、通路の底面におけるＳｉＯｘＦｙ層を除去することができ（ｒｅｓｐｏｎｓｉｂｌｅ  ｆｏｒ）、揮発性ＣＯｘＦｙを形成する。この場合のＦ：Ｃ比は３であり、それによって、ＦＣポリマーは、Ｃ４Ｆ８放電（Ｆ：Ｃ比２）によって堆積したＦＣポリマーほどは安定でなく、Ｏ２によって完全に除去することができる。
【００８６】
図１８は、本発明によるプラズマ・エッチングに使用されるプラズマ源３０を概略的に示す。
【００８７】
プラズマ源３０は、電力発生器（図示せず）、ガス入口３３、およびポンプ３４に接続される、下部電極３１と上部電極３２を備える。
好ましくは、図１８による直接エッチ・プラズマ・チャンバの代わりに、誘導結合式プラズマ・チャンバが使用される。
【００８８】
誘導結合式プラズマ源３５は、図１８ａに概略的に示される。こうした型のプラズマ源では、エネルギーは、電磁誘導によって生じる電流によって、すなわち、時間変化する磁界によって供給される。誘導結合式プラズマ源３５は、プラズマ・チャンバ３７の外側にコイル３６を、内側に電極３８を備える。交流電流がコイル３６を通って流れると、交流電流によって、時間変化する磁界が生じ、磁界によって、プラズマの形成が引き起こされる。
【００８９】
接地された電極および壁である、リアクタの全ての表面の近傍において、いわゆる、ダーク・シース（ｄａｒｋ  ｓｈｅａｔｈ）が形成される。このダーク・シースは、ある種の誘電体またはある種のコデンサとして考えることができる。そのため、印加電力は、コンデンサを通ってプラズマに伝達されると仮定してもよい。プロセス・ガスは、ガス入口３３を通ってプラズマ源の中に誘導されることができる。
本発明によれば、知られている全ての種類のプラズマ源、たとえば、ＨＦ、マイクロ波などを使用することができる。
【００９０】
図１９は、感光性デバイス４０、特に、画素４１を備えるイメージ・センサのエリアの断面を概略的に示す。各画素４１は、感光性電荷結合デバイスを備え、通路を介して背面接触する。前記通路は、導電性材料６で充填され、本発明によるエッチング方法でエッチングされる。
【００９１】
各画素４１は、前記通路を介して増幅器４３に接続される。増幅器４３は、集積回路層４４として設けられ、単一ＩＣを構成する。前記集積回路層４４は、接着材料層４２を介して基板２上に結合される。接触層４５は、集積回路層として設けられる。前記接触層は、増幅器４３に接続される。
【００９２】
前記増幅器４３は、前記画素４１の近くに設置されるため、信号は、実質的に直接で、かつ、信号形成直後に増幅される。増幅された信号は、コモンノイズにあまり感度が無い。
増幅器４３の信号は、接触層４５を介して伝達される。増幅器の信号を伝達するために、接触層４５は、バケット・ブリゲード回路（Ｅｉｍｅｒｋｅｔｔｅ）を備える。
【００９３】
バケット・ブリゲード回路は、既に増幅された信号を処理するため、信号は、たとえば、前記バケット・ブリゲード回路によって誘導されたノイズにあまり敏感ではない。したがって、前記感光性デバイスのノイズは、大幅に減少する。
バケット・ブリゲード回路は、はんだ接触部（図示せず）に接続される。
【００９４】
あるいは、本発明の別の実施形態（図示せず）によれば、画素は、増幅器に接触し、増幅器は、直接接触する。バケット鎖回路が無い状態では、感光性デバイスの繰り返しレートは、かなり増加するであろう。
【００９５】
図２０は、本発明の１つの例示的な実施形態によるウェハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージング方法のフローチャートを示す。この方法は、特に、パケージングされたＣＣＤイメージ・センサを製造するのに使用される。
図２０に示すように、シリコン・ウェハは、その前面をガラス・シート上に置いた状態で結合する。次の工程として、ガラス・シートによって支持されるシリコン層が薄膜化される。
【００９６】
たとえば、ＣＣＤセンサの画素に接触するために、シリコン層内にバイアが形成される。画素は、はんだボール・グリッド・アレイへ向かうリード線に接触する。はんだボール・グリッド・アレイは、センサ・パッケージの接触を可能にする。
最後の工程として、チップは、たとえば、ダイシングによって単位部分に分割される。
【００９７】
図２１を参照すると、ガラス・シートとシリコン層の結合工程がより詳細に示される。
ガラス・シートは、ガラス表面を活性化するための、酸素を含むプラズマで処理される。
【００９８】
次の工程として、シリコンとガラス層は、ＣＶＤプロセスにおいて前処理される。前駆物質ガスとして、たとえば、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｄｉｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｚａｎ）が使用される。
【００９９】
ガラスとシリコン層は、位置合わせされ、接着剤で結合される。接着剤は、ＵＶ放射および加熱によって硬化する。
ガラス・シートは、たとえば、イメージ・センサ用の光学要素の役目を果たし、キャリアとしてシリコン・ウェハを保護する。
【０１００】
図２２と図２３を参照すると、バイアを形成する工程が、本発明の例示的な実施形態に従ってより詳細に示される。
図２２は、シリコン層を薄膜化する例示的な工程を示す。ウェハは、ホイルに張り合わされ、シリコン層は、研磨によって、５０〜１８０μｍの厚さに薄膜化される。研磨は、よりよい精度を達成するために異なる送り速度（ｆｅｅｄ）を有するいくつかの工程で実施されてもよい。
【０１０１】
ガラス層は、シリコン・ウェハのキャリアの役を果たすため、１００μｍより小さい厚さを有する実質的に均一なシリコン層を製造することが可能である。
研磨後に、ウェハは清浄され、ホイルが除去され、ウェハは再び清浄される。
【０１０２】
図２３を参照すると、シリコン構造化のためにリソグラフィを適用する工程が詳細に示される。ウェハは、プライマによってスピン・コーティングされる。フォトレジストは、約３０分間、９０℃で加熱され、露光され、現像される。
【０１０３】
すすぎと乾燥後に、電子構造用のバイアと通路は、本発明によるエッチング方法によってエッチングされる。プラズマ・エッチング・プロセスは、１工程または２工程方策で実施される。１工程方策でエッチングすることによって、エッチング速度は、通常、低く設定されることになる。したがって、オーバーハング（湾曲）を減少させる第２エッチング工程は、必要でない場合がある。
【０１０４】
エッチングされた構造の側壁角度は、通常、７０°である。シリコン層の厚さは、エッチング・プロセスにおいてさらに減少してもよい。この急峻な側壁角度によって、小さな構造、たとえば、ＣＣＤチップなどのイメージ・センサの背面接触が可能になる。
これらの工程を実施後のウェハは、図７に示される。
レジストの剥離は、酸素プラズマで実施される。
【０１０５】
図２４を参照すると、低温ＰＥＣＶＤ（プラズマ増強化学蒸着）プロセスによって、絶縁層が構造化したウェハ表面上に堆積される。このＳｉＯ絶縁層は、通常、上部で２μｍ、バイアの内部で１μｍの厚さを有する。
【０１０６】
リソグラフィの場合、さらなる層が、スプレー・コーティング・プロセスにおいて付与される。これらの層は、上部で２０μｍ、バイアの内部で１〜２μｍの典型的な厚さを有する。
ウェハは、ここで、図８に相当する。
【０１０７】
図２５を参照すると、フローチャートは、たとえば、チップの画素を接触させる工程を詳細に示す。プラズマ・エッチング・プロセスの場合、ＣＦ４／Ｃ４Ｆ８／Ｈｅプラズマを使用して、絶縁層は、画素を接触させるために除去される（図９に示すように）。
上部の硬化したレジスト層をアッシングするために、酸素プラズマが適用される。
レジスト層は、ここで、剥離される。
ウェハは、ここで、図８に相当する。
【０１０８】
次の工程として、Ａｌリード線が、バイアを充填するためにスパッタリングされる（再分配）。電子構造を提供するためのＡｌバイアの形成は、ウェット・エッチング・プロセスを含む従来の薄膜化方法によって実施され、明示的には示さない。
ウェハは、ここで、図９に相当する。
【０１０９】
ＣＣＤチップ用の接触部を設けるために、はんだボール・グリッド・アレイが付与される（バンプ形成）。
ウェハは、ここで、図１０に相当する。最後に、チップが、単位部分に分割される。
上述した方法および装置に対する変更ならびに方法および装置の変形は、本明細書で開示される本発明の概念から逸脱することなく可能であることが、当業者に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の例示的な実施形態に従って基板をエッチングする工程を示す図である。
【図２】本発明の例示的な実施形態に従って基板をエッチングする工程を示す図である。
【図３】本発明の例示的な実施形態に従って基板をエッチングする工程を示す図である。
【図４】本発明の例示的な実施形態に従って基板をエッチングする工程を示す図である。
【図５】本発明の例示的な実施形態に従って基板をエッチングする工程を示す図である。
【図６】本発明の例示的な実施形態に従って基板をエッチングする工程を示す図である。
【図７】ウェハ・レベル・パッケージング式イメージ・センサを接触させる方法を概略的に示す図である。
【図８】ウェハ・レベル・パッケージング式イメージ・センサを接触させる方法を概略的に示す図である。
【図９】ウェハ・レベル・パッケージング式イメージ・センサを接触させる方法を概略的に示す図である。
【図１０】ウェハ・レベル・パッケージング式イメージ・センサを接触させる方法を概略的に示す図である。
【図１１】同じ製法であるが、異なるエッチ時間でエッチングされた通路の２つの画像のうちの１つの画像である。
【図１２】同じ製法であるが、異なるエッチ時間でエッチングされた通路の２つの画像のうちの１つの画像である。
【図１３】複数工程エッチング方法を示す図である。
【図１４】複数工程エッチング方法を示す図である。
【図１５】複数工程エッチング方法を示す図である。
【図１６】図１３〜１５による複数工程エッチング方法の結果を示す図である。
【図１７】本発明のエッチング方法の結果の画像を示す図である。
【図１８】本発明によるプラズマ・エッチングに使用するために採用されたプラズマ源を概略的に示す図である。
【図１８ａ】誘導結合式プラズマ源を概略的に示す図である。
【図１９】感光性デバイスのあるエリアの断面を概略的に示す図である。
【図２０】ウェハが、とりわけ、本発明のエッチング方法を使用してパッケージングされ、接触する、例示的なウェハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージング方法のフローチャートを概略的に示す図である。
【図２１】ウェハが、とりわけ、本発明のエッチング方法を使用してパッケージングされ、接触する、例示的なウェハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージング方法のフローチャートを概略的に示す図である。
【図２２】ウェハが、とりわけ、本発明のエッチング方法を使用してパッケージングされ、接触する、例示的なウェハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージング方法のフローチャートを概略的に示す図である。
【図２３】ウェハが、とりわけ、本発明のエッチング方法を使用してパッケージングされ、接触する、例示的なウェハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージング方法のフローチャートを概略的に示す図である。
【図２４】ウェハが、とりわけ、本発明のエッチング方法を使用してパッケージングされ、接触する、例示的なウェハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージング方法のフローチャートを概略的に示す図である。
【図２５】ウェハが、とりわけ、本発明のエッチング方法を使用してパッケージングされ、接触する、例示的なウェハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージング方法のフローチャートを概略的に示す図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１  基板
２  チップ
３  マスク
４  開口
５  通路
６  導電性材料
１０  ガラス・シート
１１  シリコン層
１２  接着層
１３  レジスト層
１４  導電性材料
１５  第１不動態化層
１６  第２不動態化層
１７  レジスト層
２０  オーバーハング
２１  アンダーカット
３０  プラズマ源
３１  下部電極
３２  上部電極
３３  ガス入口
３４  ポンプ
４０  感光性デバイス
４１  画素
４２  接着層
４３  増幅器
４４  ＩＣ層
４５  接触層
【図１】
2007142374.tif 000003
【図２】
2007142374.tif 000004
【図３】
2007142374.tif 000005
【図４】
2007142374.tif 000006
【図５】
2007142374.tif 000007
【図６】
2007142374.tif 000008
【図７】
2007142374.tif 000009
【図８】
2007142374.tif 000010
【図９】
2007142374.tif 000011
【図１０】
2007142374.tif 000012
【図１１】
2007142374.tif 000013
【図１２】
2007142374.tif 000014
【図１３】
2007142374.tif 000015
【図１４】
2007142374.tif 000016
【図１５】
2007142374.tif 000017
【図１６】
2007142374.tif 000018
【図１７】
2007142374.tif 000019
【図１８】
2007142374.tif 000020
【図１８ａ】
2007142374.tif 000021
【図１９】
2007142374.tif 000022
【図２０】
2007142374.tif 000023
【図２１】
2007142374.tif 000024
【図２２】
2007142374.tif 000025
【図２３】
2007142374.tif 000026
【図２４】
2007142374.tif 000027
【図２５】
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