(57)【要約】【課題】  ＥＵＶ光源装置内部の電極等に堆積した不純物（例えば、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物等の堆積物）を効率よく除去することにより、安定したＥＵＶを得ること。【解決手段】  チャンバ１内にＳｎＨ4 ガス等の原料ガスを導入し、高電圧パルス発生部１２から電極３ａ，３ｂ間に高電圧パルスを印加し、高密度高温プラズマ発生部９に高密度高温プラズマを発生させ波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射させる。放射されたＥＵＶ光はＥＵＶ集光鏡５により反射されＥＵＶ光取出部６から放射される。またＥＵＶ放射停止時等に、チャンバ１内にＸｅガスなどの希ガスを導入し、高電圧パルス発生部１２から電極３ａ，３ｂ間に高電圧パルスを印加し、希ガスプラズマ放電を発生させる。希ガスの高密度高温プラズマが断熱膨張して生じる希ガスの高速のイオンまたは中性原子が、チャンバ内の電極等に堆積した不純物に衝突して不純物を離脱させ除去する。【選択図】          図１
2007019286.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度高温プラズマが発生する容器と、この容器内に極端紫外光放射種および／または極端紫外光放射種の化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、
上記容器内で上記供給された原料を予備電離する予備電離手段と、
上記容器内で予備電離された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、
高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光光学手段と、
上記集光光学手段を介して極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光光源装置において、
希ガスを導入する希ガス供給手段と、
上記容器内への上記原料供給手段からの原料供給と上記希ガス供給手段からの希ガス供給とを切り替える切り替え手段とを設け、
上記容器内に希ガスプラズマを発生させ、上記原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させたときに容器内に堆積した堆積物を除去する
ことを特徴とする極端紫外光光源装置。
【請求項２】
上記原料供給手段からの原料供給流路と上記希ガス供給手段からの希ガス供給流路とは、互いに独立して上記容器内に接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項３】
上記容器内に、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光が外部へ出力されるのを遮光する遮光手段を設けた
ことを特徴とする請求項１もしくは請求項２の何れかに記載の極端紫外光光源装置。
【請求項４】
上記遮光手段は、極端紫外光遮光時に、容器内を、上記原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させた第１の空間と上記集光光学手段が含まれる第２の空間とに分割するように設けられている
ことを特徴とする請求項３記載の極端紫外光光源装置。
【請求項５】
上記原料供給手段、予備電離手段と上記加熱励起手段の駆動電源、希ガス供給手段、および、切り替え手段の動作を制御する制御手段を備えた
ことを特徴とする請求項１，２，３もしくは請求項４の何れかに記載の極端紫外光光源装置。
【請求項６】
上記極端紫外光放射種が錫（Ｓｎ）もしくはリチウム（Ｌｉ）のいずれかである
ことを特徴とする請求項１，２，３，４もしくは請求項５の何れかに記載の極端紫外光光源装置。
【請求項７】
上記原料がスタナン（ＳｎＨ4 ）である
ことを特徴とする請求項１，２，３，４もしくは請求項５の何れかに記載の極端紫外光光源装置。
【請求項８】
上記希ガスがキセノン（Ｘｅ）である
ことを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６もしくは請求項７の何れかに記載の極端紫外光光源装置。
【請求項９】
水素ガス供給手段が更に設けられ、
上記切り替え手段は、上記容器内への上記原料供給手段からの原料供給を、上記希ガス供給手段からの希ガス供給へ切り替えて、上記容器内に希ガスを供給する際、
希ガスとともに、上記容器内に上記水素ガス供給手段から水素ガスが供給されるように切り替える
ことを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７もしくは請求項８の何れかに記載の極端紫外光光源装置。
【請求項１０】
容器内で極端紫外光放射種および／または極端紫外光放射種の化合物を含む原料を加熱・励起して発生する高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を集光して取り出す極端紫外光光源装置における容器内の堆積物を除去する堆積物除去方法であって、
極端紫外光の発生を休止させている間、上記容器内への原料供給を、希ガス供給へと切り替えて希ガスを供給し、
容器内で希ガスのプラズマ放電を発生させ、希ガスプラズマにより、上記高密度高温プラズマを発生させたときに生じた上記容器内に堆積する堆積物を除去する
ことを特徴とする極端紫外光光源装置における堆積物除去方法。
【請求項１１】
極端紫外光の発生を休止させる際、容器内への原料供給を停止し、容器内を排気した後、上記容器内へ希ガスを供給する
ことを特徴とする請求項１０記載の極端紫外光光源装置における堆積物除去方法。
【請求項１２】
上記容器内に希ガスを供給する際、容器内を、極端紫外光を発生させるために加熱・励起が行われた空間と集光が行われた空間とに分割し、
上記加熱・励起が行われた空間において希ガスのプラズマ放電を発生させる
ことを特徴とする請求項１０もしくは請求項１１の何れかに記載の極端紫外光光源装置における堆積物除去方法。
【請求項１３】
上記原料供給手段からの原料供給と上記希ガス供給手段からの希ガス供給とを切り替える際、一方の供給流量を徐々に低下させるともに他方の供給流量を徐々に増加させる
ことを特徴とする請求項１０もしくは請求項１２の何れかに記載の極端紫外光光源装置における堆積物除去方法。
【請求項１４】
極端紫外光の発生回数が所定回数に到達したとき上記堆積物が所定量に到達したと判断し、警告信号を出力する
ことを特徴とする請求項１０，１１，１２もしくは請求項１３の何れかに記載の極端紫外光光源装置における堆積物除去方法。
【請求項１５】
上記堆積物の堆積量をモニタして算出し、算出した堆積量が所定値に到達したとき上記堆積物が所定量に到達したと判断し、警告信号を出力する
ことを特徴とする請求項１０，１１，１２もしくは請求項１３の何れかに記載の極端紫外光光源装置における堆積物除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は極端紫外光放出する極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置において、容器内に堆積した堆積物を除去する堆積物の除去方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、その製造用の投影露光装置においては解像力の向上が要請されている。その要請に応えるため、露光用光源の短波長化が進められ、エキシマレーザ装置に続く次世代の半導体露光用光源として、波長１３〜１４ｎｍ、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光ともいう）光を放出する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置ともいう）が開発されている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つにＥＵＶ放射種の加熱・励起により高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放射されるＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、高密度高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：レーザ生成プラズマ）方式ＥＵＶ光源装置とＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：放電生成プラズマ）方式ＥＵＶ光源装置とに大きく分けられる（例えば非特許文献１参照）。
【０００３】
ＬＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、固体、液体、気体等のターゲットをパルスレーザで照射して発生する高密度高温プラズマからのＥＵＶ放射光を利用するものである。
一方、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、電流駆動によって生成した高密度高温プラズマからのＥＵＶ放射光を利用するものである。
ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源における放電方式には、非特許文献１に記載されているように、Ｚピンチ方式、キャピラリー放電方式、プラズマフォーカス方式、ホローカソードトリガーＺピンチ方式等がある。ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源は、ＬＰＰ方式ＥＵＶ光源と比較して、光源装置の小型化、光源システムの消費電力が小さいといった利点あり、実用化への期待も大きい。
上記した両方式のＥＵＶ光源装置において、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種、すなわち、高密度高温プラズマ用原料として、現在１０価前後のＸｅ（キセノン）イオンとＳｎ（錫）イオンが有望と考えられている。
【０００４】
ここで、Ｓｎは、高密度高温プラズマを発生させるための入力エネルギーに対する波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光放射強度の比である変換効率がＸｅより数倍大きい。このため、ＥＵＶ放射種としてＳｎが注目されている。
ＥＵＶ放射種としてＳｎを用いる場合、Ｓｎは蒸気圧が低く、２０００°Ｃを超えないと十分な蒸気圧にならないので、Ｓｎのプラズマ生成領域への供給は、Ｓｎへのレーザ照射による蒸発、放電によるＳｎ供給源の自己加熱などで行っていた。
しかしながら、常温でガス状態であるＸｅと異なり、Ｓｎは常温では固体であり、加熱・励起して高密度高温プラズマを発生させる際、Ｓｎに起因する大量のデブリが発生するという不具合がある。また、蒸気圧が低いＳｎは、プラズマ状態から通常の気体状態に戻ったときに装置内の低温部に堆積し、装置性能が劣化してしまう。
【０００５】
このような不具合の改善するため、特許文献１に記載されているように、プラズマ生成領域にスタナン（ＳｎＨ4 ）ガスを供給する方法が提案されている。本方法の利点としては以下の点が挙げられる。
(i) 室温で固体のＳｎを蒸発させる方法と異なり高温に加熱するが必要ない。
(ii)気体であるＳｎＨ4 はプラズマ生成領域である加熱・励起空間（高密度高温プラズマ生成空間）まで容易に搬送し易い。
(iii) 希ガスと混合して、Ｓｎの濃度の制御が容易である。
(iv)固体のＳｎと異なり通常気体であるので、高密度高温プラズマ生成空間にてプラズマ形成後、原子ガス状態で排出され易く、装置内の低温部に凝集し堆積しにくい。
【０００６】
図２６に、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の構成例を示す。
図２６に示すように、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、放電容器であるチャンバ１を有する。チャンバ１内には、例えば、リング状の第１の主放電電極（カソード）３ａと第２の主放電電極（アノード）３ｂとがリング状の絶縁材３ｃを挟んで配置される。第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属からなる。また、絶縁材３ｃは、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド等からなる。
チャンバ１は、導電材で形成された第１の主放電電極側の第１の容器１ａと、同じく導電材で形成された第２の主放電電極側の第２の容器１ｂとから構成される。これらの第１の容器１ａと第２の容器１ｂとは、上記絶縁材３ｃにより分離、絶縁されている。ここで、チャンバ１の上記第２の容器１ｂと第２の主放電電極３ｂは接地されている。
【０００７】
リング状の第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃは、それぞれの貫通穴が略同軸上に位置するように配置し、連通穴を構成している。第１の主放電電極３ａおよび第２の主放電電極３ｂ間に電力が供給されて放電が発生したとき、この連通穴もしくは連通穴近傍にて高密度高温プラズマが生成される。
すなわち、高密度高温プラズマ発生部９は、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃに包囲された空間内もしくはその空間近傍に位置する。なお、第１の主放電電極３ａおよび第２の主放電電極３ｂ間の電力供給は、第１の主放電電極３ａおよび第２の主放電電極３ｂに接続された高電圧パルス発生部１２によりなされる。
第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃはＤＰＰ方式のＥＵＶ発生部を構成する。なお、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、図２６に示すもの以外にも様々な構成例があるが、それについては非特許文献１を参照されたい。
【０００８】
チャンバ１の第１の容器１ａ側には、ＥＵＶ放射種である原料ガスを供給するガス供給ユニット１１と接続されるガス導入口２が設けられる。上記原料ガスは、ガス導入口２を介して、チャンバ１内の高電圧高温プラズマ発生部９に供給される。
チャンバ１の第２の容器１ｂ側には、チャンバ内圧力（高密度高温プラズマ発生部圧力）をモニタする圧力モニタ１５が設けられている。また、高密度高温プラズマ発生部９の圧力を調整したり、チャンバ１内を排気するための排気ユニット１３が、チャンバの第２の容器１ｂ側に設けられたガス排出口７に接続されている。
また、チャンバの第２の容器１ｂ内には、ＥＵＶ集光鏡５が設けられる。ＥＵＶ集光鏡５は、例えば、径の異なる回転楕円体、または、回転放物体形状のミラーを複数枚具える。これらのミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置される。このミラーは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属を緻密にコーティングすることで、０°〜２５°の斜入射角度のＥＵＶ光を良好に反射できるようにしたものである。
【０００９】
なお、高密度高温プラズマとＥＵＶ集光鏡５との間には、高密度高温プラズマと接する金属（例えば、放電電極）が上記プラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリ等を捕捉してＥＵＶ光のみを通過させるためのデブリトラップ４が設置される。
デブリトラップ４は、例えば特許文献２に記載されているように、高密度高温プラズマ発生領域の径方向に設置される複数のプレートからなる。
また図２６に示すＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、制御部１４を有する。この制御部１４は、露光機の制御部４０からのＥＵＶ発光指令等に基づき、高電圧パルス発生部１２、ガス供給ユニット１１、ガス排気ユニット１３を制御する。
例えば、制御部１４は、露光機の制御部４０からのＥＵＶ発光指令を受信すると、ガス供給ユニット１１を制御して、チャンバ１内の高密度高温プラズマ発生部９に原料ガスを供給する。また、圧力モニタ１５からの圧力データに基づき、チャンバ１内の高密度高温プラズマ発生部９が所定の圧力となるよう、ガス供給ユニット１１からの原料ガス供給量を制御するとともに、ガス排気ユニット１３による排気量を制御する。その後、ＥＵＶを放射する高密度高温プラズマを発生させるため、高電圧パルス発生部１２を制御して、第１の主放電電極３ａおよび第２の主放電電極３ｂ間に電力を供給する。
【００１０】
ＥＵＶ光の放射は以下のように行われる。
放電容器であるチャンバ１内に、ガス供給ユニット１１より第１の容器１ａ側に設けられたガス導入口２を介して放電用ガスが導入される。
放電用ガスは、高密度高温プラズマ発生部９で波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種を高効率に形成するための原料ガスであり、例えば、ＳｎＨ4 （スタナン）である。導入されたＳｎＨ4 はチャンバ１内を流れて、第２の容器１ｂ側に設けられたガス排出口７に到達する。ガス排出口７には、真空ポンプ等のガス排気手段（不図示）を有するガス排気ユニット１３が接続されている。すなわち、ガス排出口１３に到達した放電用ガスは、ガス排気ユニット１３が具えるガス排気手段により排気される。
【００１１】
ここで、高密度高温プラズマ発生部９の圧力は１〜２０Ｐａに調節される。この圧力調節は、例えば、以下のように行われる。まず、制御部１４がチャンバ１に備えられた圧力モニタ１５より出力される圧力データを受信する。制御部１４は受信した圧力データに基づき、ガス供給ユニット１１及びガス排気ユニット１３を制御して、チャンバ１内へのＳｎＨ4 の供給量ならびに排気量を調節することにより、高密度高温プラズマ発生部９の圧力を所定の圧力に調節する。
上記したように接地されている上記第２の容器１ｂおよび第２の主放電電極３ｂと、上記第１の容器１ａおよび第１の主放電電極３ａとの間に、高電圧パルス発生部１２からおよそ＋２０ｋＶ〜−２０ｋＶの高電圧パルス電圧が印加される。その結果、絶縁材３ｃ表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生して第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間は実質、短絡状態になり、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間にパルス状の大電流が流れる。
【００１２】
その後、ピンチ効果によるジュール加熱によってリング状の第１、第２の各主放電電極３ａ，３ｂ間の高密度高温プラズマ発生部９には、高密度高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、第２の主放電電極３ｂ側に設けられたＥＵＶ集光鏡５により反射され、波長選択手段８（例えば、光学フィルタ）を備えるＥＵＶ光取出部６より図示を省略した露光機側光学系である照射部に出射される。
なお、波長選択手段は、例えば、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を選択するものである。すなわち、波長選択手段により選択された、例えば、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が露光機側光学系に向けて出射される。
【特許文献１】特開２００４−２７９２４６号公報
【特許文献２】特表２００２−５０４７４６号公報
【特許文献３】特表平１０−５１２０９２号公報
【特許文献４】特開２００３−２１８０２５号公報
【非特許文献１】「リソグラフィ用ＥＵＶ（極端紫外）光源研究の現状と将来展望」Ｊ．Ｐｌａｓｍａ  Ｆｕｓｉｏｎ  Ｒｅｓ．Ｖｏｌ．７９．Ｎｏ．３，Ｐ２１９−２６０，２００３年３月
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
発明者らが鋭意研究・実験を行った結果、放射種供給材料としてスタナン（ＳｎＨ4 ）を使用したとしても、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物（例えば、炭化物、酸化物など）は、ＥＵＶ光放射装置内の低温部に全く堆積しないわけではないことが判明した。
すなわち、ＳｎＨ4 のうちプラズマ形成に寄与しなかったものおよび／またはプラズマにより生じたＳｎやＳｎＨ、ＳｎＨ2 、ＳｎＨ3 （以下ＳｎＨx ）といったフラグメントが再結合したＳｎＨ4 や、高蒸気圧のフラグメントＳｎＨx は、ＥＵＶ光源装置のプラズマ生成領域と空間的に接続されている排気手段により、そのまま気体として排出される。  しかしながら、プラズマ形成の結果、分解生成する原子状ガスのＳｎ、ＳｎX といった金属クラスタや、プラズマにより生じたフラグメントＳｎＨx 等の一部が、装置の低温部と接触して、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積してしまうことが判明した。例えば、ＳｎＨ4 は１５０°Ｃ程度の金属表面で分解し、スズ鏡を作る。
なお、本発明でいうところのＳｎ化合物とは、例えば、Ｓｎの炭化物、酸化物などである。また、ＥＵＶ放射種であるＳｎの供給方法としてプラズマ生成領域にＳｎＨ4 を導入する場合のみならず、Ｓｎ2 Ｈ6 など他の高蒸気圧Ｓｎ水素化物を用いた場合も同様の不具合が起こることは言うまでもない。
【００１４】
例えば、ＳｎＨ4 を放電用ガスとして使用するとき、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積は、次のような時に生じる。
(i) 露光処理を一時中断するために、高電圧パルス発生部１２からの第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間への電力供給を断って放電を停止して、高密度高温プラズマ生成を一時停止している時。
放電が停止すると、ＥＵＶ光源装置内部、特に第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極電極３ｂの温度が低下する。この温度が低下した部分に、浮遊していた上記金属クラスタやフラグメントＳｎＨx 等の一部が接触して、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積する。
(ii)プラズマ放電の発生中。
放電中は、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂの温度は低温にはならない。しかしながら、放電中は、プラズマ形成の結果分解生成する上記金属クラスタや、プラズマにより生じるフラグメントＳｎＨx 等の付着と、プラズマが削り取る離脱とが同時に発生する。そのため、離脱よりも付着のほうが多くなるような状況が発生した場合、堆積物が生じる。
【００１５】
特に、図２７に示すように、第１の主放電電極３ａ（カソード）、第２の主放電電極３ｂ（アノード）、絶縁材３ｃの各表面にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積すると、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃに包囲された空間であるリング状の高密度高温プラズマ発生部９の径が狭くなったり、高密度高温プラズマ発生部９の空間形状が不均一になる。これによりプラズマ放電の不安定になったり、絶縁部の堆積による両極の導通化により、高密度高温プラズマ自体が発生し難くなったりする。
このため、高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ光のｐｕｌｅｓｅ−ｔｏ−ｐｕｌｓｅのエネルギー安定性やＥＵＶ光放出位置安定性（ｐｏｉｎｔｉｎｇ  ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）が不安定になる。すなわち、ＥＵＶ発生光源装置から出射するＥＵＶ光の特性が不安定になる。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、ＥＵＶ光源装置内部、特に電極等に堆積した不純物（例えば、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物等の堆積物）を効率よく除去することにより、安定したＥＵＶを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本願発明においては、ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶが発生する容器内にＥＵＶ放射種を含む原料を供給する供給手段に加えて、容器内に希ガスを供給する希ガス供給手段を設け、さらに両供給手段からの供給切り替えを行う切り替え手段を設ける。
上記のような構成のＥＵＶ光源装置において、例えば、ＥＵＶ光を発生させないときに、切り替え手段によって容器内へのＥＵＶ放射種を含む原料を希ガスの供給に切り替える。そして、容器内で希ガスプラズマを立ち上げ、希ガスプラズマにより、ＥＵＶ光源装置内部、特に電極に堆積した不純物（例えば、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物等の堆積物）を除去する。
なお、以下ではＥＵＶ光源装置内部、特に電極に堆積した不純物（例えば、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物等の堆積物）の除去を「クリーニング」と称することもある。
【００１７】
ＥＵＶ光源装置内部の電極等のクリーニングは、希ガスの高速のイオンまたは中性原子が汚染された表面に衝突し汚染された表面からガス中に汚染物質を飛び出させる作用を用いている。
この高速のイオンまたは中性原子は、ＥＵＶ光を放射する高密度高温プラズマを生成するときと同様の手順で生成された希ガスプラズマから発生する。すなわち、ＥＵＶが発生する容器内に希ガス供給手段より希ガスが供給され、接地されている上記第２の容器および第２の主放電電極と、上記第１の容器および第１の主放電電極との間に、高電圧パルス発生部から高電圧パルス電圧が印加される。
その結果、絶縁材表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生して第１の主放電電極、第２の主放電電極間は実質、短絡状態になり、第１の主放電電極、第２の主放電電極間にパルス状の大電流が流れる。
【００１８】
放電電流の立ち上がりであるｄＩ／ｄｔが十分に大きい放電により発生した希ガスプラズマは、放電電流によって生じた磁界によって径方向に収縮されるピンチ効果により中心軸上に高温・高密度のピンチプラズマを生成する。このピンチプラズマは、電気的にほぼ中性の状態であり、中性原子とイオンと電子により構成される。        
放電電流の立ち下がり、すなわち、放電電流値の減少と共に放電電流の自己磁場が減衰する。そのため、プラズマを収縮させる力が低下し、ピンチプラズマの維持が徐々に困難となり、ピンチプラズマは、立体角４π方向へ断熱膨張する。すなわち、ピンチプラズマが崩壊し、イオンや中性原子が高速で、四方八方に飛び散る。例えば、希ガスがＸｅであるとき、高速で飛び散るＸｅイオンの速度は、数１０００ｍ／ｓ以上になることもある。  高速のイオンは、ガス中を移動する際に中性原子と衝突して荷電交換したり、電子と衝突して再結合したりすることで、プラズマから距離が離れるにしたがい中性化する。
これら高速のイオンまたは中性原子が、第１、第２の主放電電極、絶縁材、ＥＵＶ集光鏡、第１、第２の容器等の表面に堆積した不純物に衝突すると、高速のイオンまたは中性原子と不純物原子との弾性衝突により高速のイオンまたは中性原子の運動エネルギーが不純物原子に与えられて不純物原子がガス中に飛び出し、不純物が除去される。
【００１９】
ここで、一般的な基板上に膜を生成させるスパッタリング装置を適用する場合を考える。この場合、イオン源等から照射されるイオンは、一般に運動エネルギーが小さい。よって、弾性衝突によって第１、第２の主放電電極等に堆積した不純物表面の原子に与える運動エネルギーが小さく、不純物表面から原子が飛び出すことができない。そのため、不純物表面から原子を飛び出させる十分な運動エネルギーをイオンに与えるためには、イオンと逆極性のバイアスを不純物に加えてイオンを加速させる必要がある。
一般的な膜生成の場合においても、基板とターゲット（成膜させる物質）間に直流高電圧を印加し、イオンをターゲットに衝突させて、はじき飛ばされたターゲット物質を基板に成膜させるようにしている。すなわち、直流高電圧を印加しないと、ターゲット物質をはじき飛ばすのは難しい。
一方、今回のピンチプラズマからのイオンまたは中性原子によるクリーニングでは、イオンまたは中性原子自体が、高い運動エネルギーを有しているためクリーニングの標的にバイアスを加える必要はない。
ここで、上記したピンチプラズマの断熱膨張を利用するクリーニングを行う際、容器内に導入するプラズマ原料として、必ずしも希ガスである必要はない。しかしながら、クリーニング対象である容器内の各部品への付着のしやすさ、容器内の各部品との反応性が無いとの理由から、クリーニング用プラズマ原料としては、希ガスを採用することが最も有効である。
【００２０】
本願発明は、高密度高温プラズマの断熱膨張によって生じる高速のイオンまたは中性原子を不純物に衝突させて、不純物を離脱させることによりクリーニングを行うものである。Ｚピンチ方式、キャピラリー放電方式、プラズマフォーカス方式、ホローカソードトリガーＺピンチ方式等いずれの方式によっても、高密度高温プラズマが生成可能であり、生成した高密度高温プラズマの断熱膨張により、クリーニングが可能となる。すなわち、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置においては、いかなるプラズマ生成方式を採用しようとも本願発明を実施することは可能である。
【００２１】
上述した知見に基づき、本発明は、以下のようにして前記課題を解決する。
（１）高密度高温プラズマが発生する容器と、この容器内に極端紫外光放射種および／または極端紫外光放射種の化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、上記容器内で上記供給された原料を予備電離する予備電離手段と、上記容器内で予備電離された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光光学手段と、上記集光光学手段を介して極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光光源装置において、希ガスを導入する希ガス供給手段と、上記容器内への上記原料供給手段からの原料供給と上記希ガス供給手段からの希ガス供給とを切り替える切り替え手段とを設け、上記容器内に希ガスプラズマを発生させ、上記原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させたときに容器内に堆積した堆積物を除去する。
（２）上記（１）において、上記原料供給手段からの原料供給流路と上記希ガス供給手段からの希ガス供給流路とを、互いに独立して上記容器内に接続する。
（３）上記（１）（２）において、容器内に、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光が外部へ出力されるのを遮光する遮光手段を設ける。
（４）上記（３）において、上記遮光手段を、極端紫外光遮光時に、容器内を、上記原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させた第１の空間と上記集光光学手段が含まれる第２の空間とに分割するように設ける。
（５）上記（１）から（４）において、上記原料供給手段、予備電離手段と上記加熱励起手段の駆動電源、希ガス供給手段、および、切り替え手段の動作を制御する制御手段を設ける。
（６）上記（１）から（５）において、極端紫外光放射種を、錫（Ｓｎ）もしくはリチウム（Ｌｉ）のいずれかとする。
（７）上記（１）から（５）において、上記原料をスタナン（ＳｎＨ4 ）とする。
（８）上記（１）から（７）において、上記希ガスをキセノン（Ｘｅ）とする。
（９）上記（１）から（８）において、水素ガス供給手段を更に設け、上記切り替え手段が、上記容器内への上記原料供給手段からの原料供給を上記希ガス供給手段からの希ガス供給へ切り替えて上記容器内に希ガスを供給する際、希ガスとともに、上記容器内に上記水素ガス供給手段から水素ガスが供給されるように切り替える。
（１０）容器内で極端紫外光放射種および／または極端紫外光放射種の化合物を含む原料を加熱・励起して発生する高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を集光して取り出す極端紫外光光源装置における容器内の堆積物を除去する堆積物除去方法において、極端紫外光の発生を休止させている間、上記容器内への原料供給を、希ガス供給へと切り替えて希ガスを供給し、容器内で希ガスのプラズマ放電を発生させ、希ガスプラズマにより、上記高密度高温プラズマを発生させたときに生じた上記容器内に堆積する堆積物を除去する。
（１１）上記（１０）において、極端紫外光の発生を休止させる際、容器内への原料供給を停止し、容器内を排気した後、上記容器内へ希ガスを供給する。
（１２）上記（１０）（１１）において、上記容器内に希ガスを供給する際、容器内を、極端紫外光を発生させるために加熱・励起が行われた空間と集光が行われた空間とに分割し、上記加熱・励起が行われた空間において希ガスのプラズマ放電を発生させる。
（１３）上記（１０）から（１２）において、上記原料供給手段からの原料供給と上記希ガス供給手段からの希ガス供給とを切り替える際、一方の供給流量を徐々に低下させるともに他方の供給流量を徐々に増加させる。
（１４）上記（１０）から（１３）において、極端紫外光の発生回数が所定回数に到達したとき上記堆積物が所定量に到達したと判断し、警告信号を出力する。
（１５）上記（１０）から（１４）において、上記堆積物の堆積量をモニタして算出し、算出した堆積量が所定値に到達したとき上記堆積物が所定量に到達したと判断し、警告信号を出力する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明においては、以下の効果を得ることができる。
（１）ＥＵＶ放射種の原料ガス供給機能に加え、クリーニング用ガスである希ガス供給機能を設け、希ガスのプラズマ放電を発生させることを可能としたので、ＥＵＶ光源装置内部、特に第１の主放電電極、第２の主放電電極、絶縁材に堆積した堆積物を、例えば露光処理の中断時のＥＵＶ光を放射していない時間を利用して取り除くことができる。
また、放電発生が停止して電極温度が低下し装置低温部に不純物が堆積したとしても、上記した希ガスプラズマによるクリーニング動作により堆積物を除去することができる。  このため、ＥＵＶ発生装置が搭載された露光装置の稼動時間を低下させることなく、ＥＵＶ光源装置内部への堆積物の除去することが可能となる。
したがって、プラズマ放電の不安定化を防ぐことができるとともに、絶縁部への堆積物の堆積による第１の主放電電極、第２の主放電電極間の導通化を防ぐことができ、安定したＥＵＶ光を得ることができる。
（２）希ガス（Ｘｅガス）を流しながら希ガスプラズマ放電を行っており、希ガスプラズマが広がる範囲は大きい。このため、希ガスのプラズマ放電条件によっては、第１、第２の電極、絶縁材のみならずデブリトラップ、ＥＵＶ集光鏡の上部に堆積した堆積物も希ガスプラズマによるクリーニング動作により除去することが可能となる。
（３）希ガスプラズマ発生手段とＥＵＶ放射種の原料ガス（例えば、ＳｎＨ4 ）の加熱・励起手段とを兼用することができる。このため、ＥＵＶ放射種の原料ガスの供給をクリーニング用ガスである希ガスの供給に切り替えるだけで、希ガスプラズマ放電を発生させることが可能であり、別途、容器内に希ガスプラズマ放電発生手段を設ける必要がなく、装置をコンパクトに構成することができる。
（４）ＥＵＶの発生を中断している時も希ガス（例えばＸｅガス）放電を続けるようにすれば、第１、第２の主放電電極の温度低下量も小さくなり、これらの電極へのＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量も減少する。このため、希ガスクリーニング処理の短縮化を実現することが可能となる。
（５）ガス供給の切り替えの際、希ガス供給流路のガス流量を徐々に増加させるとともに原料ガス供給流路のガス流量を徐々に減少させ、ガス流量がほぼ０になった原料ガス供給流路を閉状態とするようにすれば、ガス切り替え時のチャンバ内圧力（すなわち、高密度高温プラズマ発生部の圧力）の制御が容易になる。
（６）露光処理後、高密度高温プラズマ発生部を含むチャンバ内に残っている原料ガス（ＳｎＨ4 ガス）を排気したのち、希ガス（Ｘｅガス）を供給して希ガス（Ｘｅガス）放電を行うようにすることにより、希ガス（Ｘｅガス）プラズマ発生中に残余原料ガス（ＳｎＨ4 ガス）によりチャンバ内部の低温部にて金属鏡（スズ鏡）が形成されることを防ぐことができる。
（７）クリーニング用ガスとして希ガスに加え水素（Ｈ2 ）ガスも供給し、いわゆる反応性スパッタリングを行なわせることにより、Ｘｅプラズマによりクリーニングされるのみならず、容器内の堆積物を水素プラズマと反応させて、ガス化して排気させることができる。このため、効果的なクリーニングが可能となりクリーニング時間の短縮化が可能となる。
（８）希ガスプラズマによるクリーニング処理時に、第１の主放電電極、第２の主放電電極、絶縁材、デブリトラップのある第１の空間と、ＥＵＶ集光鏡等がある第２の空間とに分離し、希ガスプラズマによるクリーニング処理を上記第１の空間でのみ行うようにすれば、希ガス（Ｘｅガス）プラズマと衝突して第１の主放電電極、第２の主放電電極、絶縁材から離脱した不純物がＥＵＶ集光鏡に再付着することがなくなる。
このため、再付着した不純物に起因するＥＵＶ集光鏡の１３．５ｎｍに対する反射率が低下することもなく外部に放出されるＥＵＶ光の強度が低下することもない。
（９）パルス状のＥＵＶ光が放射される回数をカウントして、カウント数が所定値に到達したとき、あるいは容器内に堆積した堆積物の膜厚を計測し該膜厚が所定値に達したとき、ＥＵＶ光源に警告表示をさせ、例えば、手動あるいは自動でクリーニング処理を開始して、電極等に堆積した不純物の除去を行うようにすることにより、クリーニング処理が必要なときのみ、クリーニング工程を行うことが可能となり、効率的にクリーニング工程を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施例のＥＵＶ光源装置について説明する。
１．第１の実施例
（１）装置構成
図１は本発明の第１の実施例のＥＵＶ光源装置の構成を示す図であり、同図により、本発明の第１の実施例に係るＥＵＶ光源装置構成について説明する。
本実施例のＥＵＶ光源装置は、図２６に示したものと同様、放電容器であるチャンバ１を有し、チャンバ１内には、例えば、リング状の第１の主放電電極（カソード）３ａと第２の主放電電極（アノード）３ｂとがリング状の絶縁材３ｃを挟んで配置される。
チャンバ１は、導電材で形成された第１の主放電電極側の第１の容器１ａと、同じく導電材で形成された第２の主放電電極側の第２の容器１ｂとから構成される。これらの第１の容器１ａと第２の容器１ｂとは、上記絶縁材３ｃにより分離、絶縁され、チャンバ１の上記第２の容器１ｂと第２の主放電電極３ｂは接地されている。
リング状の第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃは、前記したように、それぞれの貫通穴が略同軸上に位置するように配置し、連通穴を構成している。第１の主放電電極３ａおよび第２の主放電電極３ｂ間に、高電圧パルス発生部１２により電力が供給され放電が発生したとき、この連通穴もしくは連通穴近傍にて高密度高温プラズマが生成される。
なお、上記第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃから構成され、上記高電圧パルス発生部１２からのパルス電力により放電し高密度高温プラズマを生成する部分を、本発明では加熱・励起手段と呼ぶ。
【００２４】
チャンバ１の第１の容器１ａ側には、ＥＵＶ放射種である原料ガス（例えば、ＳｎＨ4 ）を供給するガス供給ユニット２０と接続されるガス導入口２が設けられる。
本実施例においては上記ガス供給ユニット２０が、前記図２６に示したＥＵＶ放射種の原料ガス供給機能に加え、クリーニング用ガス供給機能を有し、さらに両機能の切り替え機能を有する。
すなわち、ガス供給ユニット２０には、高密度高温プラズマ発生部９にＥＵＶ放射種の原料ガスと希ガスの両方のガスが供給できるように、それぞれのガス供給源が設けられている。
ＥＵＶ放射種の原料ガスとしては、例えば、ＳｎＨ4 （スタナン）が、クリーニング用の希ガスとしてはＸｅ（キセノン）が使用される。その場合、ガス供給ユニットには、ＳｎＨ4 ガス供給源２０ａ、Ｘｅガス供給源２０ｂが設けられる。
各ガス供給源２０ａ，２０ｂの出口側にはそれぞれバルブＶ１，Ｖ２とガス流量調整器ＭＦＣ１，ＭＦＣ２が取り付けられている。バルブＶ１，Ｖ２は、例えば、エアオペレートバルブが用いられる。なお、図１においては、エアオペレートバルブ開閉のためのエア供給源、エア供給源からのエアの供給を制御するための電磁弁等は省略されている。また、ガス流量調整器ＭＦＣ１，ＭＦＣ２としては、例えば、マスフローコントローラが用いられる。
【００２５】
バルブＶ１はＳｎＨ4 ガスの供給路を開閉し、ガス流量調整器ＭＦＣ１はその流量を調整する。同様に、バルブＶ２はＸｅガスの供給路を開閉し、ガス流量調整器ＭＦＣ２はその流量を調整する。
バルブＶ１，Ｖ２の開閉は制御部１４からの信号により制御される。なお、バルブＶ１，Ｖ２がエアオペレートバルブの場合、バルブＶ１，Ｖ２の開閉は、エアオペレートバルブ開閉用エア供給源からのエア供給を制御するための電磁弁の開閉により制御される。
また、ガス流量調整器ＭＦＣ１，ＭＦＣ２は、制御部１４が有する設定部から入力されたパラメータに基づき、制御部１４からの信号により制御される。なお、設定部は制御部１４と独立に設けてもよい。
ＳｎＨ4 ガスの供給路、Ｘｅガスの供給路は、流量調整部ＭＦＣ１，ＭＦＣ２の下流にて結合し、１系統の供給路となり、チャンバの第１の容器に設けられたガス導入口２に接続される。
なお、クリーニング用ガスとしては、自身がデブリを発生せず、プラズマスパッタリング洗浄が期待できるガスであれば、Ｘｅガスでなく、Ａｒ，Ｋｒ等他の希ガスでも良いが、堆積物の原子量・分子量と同等であると、希ガスプラズマによるクリーニング時の弾性衝突によって、効果的に堆積物の除去が行われる。
例えば、堆積物がＳｎである場合、Ｓｎの原子量は５０であるので、原子量が５４であるＸｅガスをクリーニング用ガスとして用いるのが好ましい。
さらに、ＳｎＨ4 ガスを希ガス等で希釈して高密度高温プラズマ発生部２に供給する場合は、希釈用ガスのガス供給路を追加してもよい。その場合、希釈用ガス供給路には、バルブ、ガス流量調整器が設けられる。なおクリーニング用の希ガスを、希釈用に兼用させる場合は、特に希釈用ガスの供給路を新たに設ける必要はない。
【００２６】
また、チャンバ１の第２の容器１ｂ側には、チャンバ内圧力（高密度高温プラズマ発生部圧力）をモニタする圧力モニタ１５が設けられている。また、高密度高温プラズマ発生部９の圧力を調整したり、チャンバ１内を排気するための排気ユニット１３が、チャンバの第２の容器１ｂ側に設けられたガス排出口７に接続されている。
また、チャンバの第２の容器１ｂ内には、前記したようにＥＵＶ集光鏡５が設けられ、高密度高温プラズマとＥＵＶ集光鏡５との間には、高密度高温プラズマと接する金属（例えば、放電電極）が上記プラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリ等を捕捉してＥＵＶ光のみを通過させるためのデブリトラップ４が設置される。
また、本実施例に係るＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光等の光の外部への放出を遮断するシャッタ２１が設けられている。シャッタ２１は、ＥＵＶ集光鏡５とＥＵＶ光取出部６との間に設置される。シャッタ２１の開閉は、シャッタ駆動制御部１６の制御に基づき、シャッタ駆動機構２１ａが動作することにより行われる。シャッタ駆動制御部１６は、制御部１４からの開閉指令に基づき、シャッタ駆動機構１６を駆動制御する。
【００２７】
ところで、上記したように、高電圧パルス発生部１２より第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂ間にパルス電力を印加してＥＵＶ光を発生させる際、高温高密度プラズマ発生部９の圧力は１〜２０Ｐａに調節される。このような低い圧力下においては、電極構造によっては放電が発生し難くなり、結果としてＥＵＶ光の出力が不安定となる場合もある。
放電が発生し難い状況下で、安定した放電を生じさせるには、予備電離を行うことが望ましく、本実施例では予備電離を行うための予備電離ユニット１７と、予備電離電源１８を備えている。
予備電離ユニット１７としては、例えば電子線発生装置を用いる。電子線発生装置としては、例えば、特許文献３に記載されている電子線発生装置を用いることができる。
予備電離ユニット１７を構成する電子線発生装置は、ガラスなどの絶縁部材で構成された絶縁容器１７ａ内に、電子線源であるフィラメントヒータ１７ｂとカソード１７ｃとが設けられている。フィラメントヒータ１７ｂとカソード１７ｃの各々に接続された電力供給用の端子は、絶縁容器１７ａの外部に突出している。絶縁容器１７ａは密閉され、内部は真空に保たれている。
また、絶縁容器１７ａには、電子線を透過させる電子線透過膜１７ｄが設けられる。この電子線透過膜１７ｄは導電性である。電子線透過膜１７ｄは、第１の容器１ａに直接取り付けられる。
【００２８】
フィラメントヒータ１７ｂは、予備電離電源１８においてＡＣ電源に接続された絶縁トランスであるフィラメント電源トランスＴｒ１から電流が供給され、加熱される。また、カソード１７ｃにはＡＣ電源１８ｂに接続された絶縁トランスＴｒ２からコッククロフト回路等の昇圧回路１８ａを介してマイナス高電圧−ＨＶ２が印加される。通常、電子線透過窓１７ｄを接地電位とすることにより、電子線が引き出され、上記電子線透過窓１７ｄを介して、図１の矢印に示すように、電子線が放射される。
ここで、ＥＵＶ集光鏡５等が設けられる側の第２の主放電電極３ｂは、上記ＥＵＶ集光鏡５等との間で放電が生じないようにするため、接地電位とされる。よって、高電圧パルス発生部１２からは、第１の主放電電極３ａおよび第１の容器１ａに−数十ｋＶのマイナス高電圧−ＨＶ１が印加される。よって、電子線透過膜１７ｄの電位も−ＨＶ１となる。  そのため、電子線が効果的に引き出せるように、電子線発生装置のカソード１７ｃに印加するマイナス高電圧−ＨＶ２は、｜ＨＶ１｜＜｜ＨＶ２｜となるように設定される。
なお、予備電離は、電子線を用いて行うものでなくてもよく、例えば、特許文献４に記載されているように、チャンバ内で滑り放電を発生させ、滑り放電からの紫外線によって行ってもよい。
【００２９】
制御部１４は、例えばプロセッサとメモリ等などから構成され、メモリに記憶されたプログラムを実行することにより、前記したように、露光機の制御部４０からの指令等に基づき、上記高電圧パルス発生部１２、ガス供給ユニット２０、ガス排気ユニット１３、予備電離電源１８等を以下に説明する動作手順で制御する。
なお、図１には、チャンバ１内に堆積した堆積物の膜厚をモニタするモニタユニット２２と膜厚測定手段１９、チャンバ１内の堆積物の量が多くなったことを表示する警告表示手段２３が示されているが、これらの動作については、後述する第４、第５の実施例で説明する。
【００３０】
（２）本実施例のＥＵＶ光源装置の動作
本発明の第１の実施例のＥＵＶ光源装置における露光処理工程、露光工程中断中のクリーニング処理工程について以下説明する。なお、以下の説明では、図１に示した予備電離ユニットにより予備電離を行う場合について説明する。
図２、図３、図４は本実施例のＥＵＶ光源装置の動作手順を示すフローチャートであり、図２、図３は露光処理工程における動作手順を示すフローチャート、図４はクリーニング処理工程における動作手順を示すフローチャート、図５は露光処理工程及びクリーニング処理工程における動作を示すタイムチャートである。
なお、以下の第１〜第３の実施例では、クリーニング処理工程が露光工程中断中に自動的に行われる場合について説明するが、後述する第４の実施例のように、作業員がクリーニング処理を手動で行うようにすることもできる。
（Ａ）露光処理工程
図２、図３のフローチャート、図５のタイムチャートに示すように露光処理工程における動作は、以下の通りである。
(i) 図２、図５において、露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にスタンバイ信号が送出される。ここで、シャッタ２１は閉状態となっている（図２のステップＳ１０１、図５のａ）。
【００３１】
(ii)スタンバイ信号を受信したＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＳｎＨ4 ガスの流路を開閉するバルブＶ１を開、Ｘｅガスの流路を開閉するバルブＶ２を閉とする。また、スタンバイ信号を受信したＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＳｎＨ4 ガス流量が所定の値となるように、設定部に予め入力されたパラメータに基づき、ガス流量調整器ＭＦＣ１の動作を制御する（ステップＳ１０２、図５のｆ，ｇ，ｈ）。
本ステップにより、ＥＵＶ光源装置のチャンバ１内に、ＭＦＣ１により流量が設定されたＳｎＨ4 ガスが、ガス導入口２を介して導入される。なお、理解を容易にするために、ここでは、原料ガス供給路をＳｎＨ4 ガス供給路１本のみとし、ＳｎＨ4 ガスと希ガスとの希釈は考えない。
(iii) ＥＵＶ光源装置の制御部１４は圧力モニタ１５から送出される圧力データに基づき、高密度高温プラズマ発生部９の圧力が所定の圧力（例えば、１〜２０Ｐａ）となるように、ガス排気ユニット１３を制御して、ガス排気量を調節する（ステップＳ１０３、図５のｊ）。
【００３２】
(iv)ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、シャッタ駆動制御部１６にシャッタ２１の開信号を送出する（ステップＳ１０４）。
(v) シャッタ開信号を受信したシャッタ駆動制御部１６は、シャッタ駆動機構２１ａを駆動してシャッタ２１を開状態にする（ステップＳ１０５、図５のｋ）。
(vi)ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、露光機の制御部４０にスタンバイ完了信号を送出する（ステップＳ１０６、図５では図示せず）。
(vii) スタンバイ完了信号を受信した露光機の制御部４０は、ＥＵＶ光源装置の制御部１４に、ＥＵＶ発光指令信号を送出する（ステップＳ１０７、図５のｂ）。
(viii)ＥＵＶ発光指令信号を受信したＥＵＶ光源装置の制御部１４は、予備電離電源１８を制御して予備電離ユニット１７から電子線を高密度高温プラズマ発生部９に向けて照射し予備電離を行うとともに、高電圧パルス発生部１２にトリガ信号を送出する（ステップＳ１０８、図５のｌ，ｍ）。
【００３３】
(ix)トリガ信号を受信した高電圧パルス発生部１２は、第１の主放電電極３ａ（カソード）、第２の主電極（アノード）３ｂ間に、パルス電力を印加する。
絶縁材３ｃ表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生して第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極間３ｂは実質、短絡状態になり、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって高密度高温プラズマ発生部９に高密度高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される（ステップＳ１０９、図５のｎ）。
(x) 放射されたＥＵＶ光は、第２の主放電電極３ｂ側（アノード）に設けられたＥＵＶ集光鏡５により反射され、波長選択手段（例えば、光学フィルタ）８を備えるＥＵＶ光取出部６より、図示しない露光機側光学系である照射部に出射される（ステップＳ１１０）。    
【００３４】
(xi)以下、露光仕様に応じて、露光機の制御部からＥＵＶ光源装置の制御部にＥＵＶ放射停止信号（図５のｅ）が入力されるまでパルス状のＥＵＶ光の放射が繰り返し行われる。  すなわち、ステップＳ１１１にて、露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にＥＵＶ放射停止信号が入力したかどうかを検定し、検定時、上記信号が入力されていないとき（Ｎｏのとき）はステップＳ１０７に移行し、上述した処理を繰り返す。
一方、上記ＥＵＶ放射停止信号が入力されたとき（Ｙｅｓのとき）は図３のステップＳ１１２に行き、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＥＵＶ発光指令の出力を停止する。これにより、高電圧パルス発生部１２は高電圧パルスの発生を停止し、また予備電離電源１８は予備電離ユニットへの電源の供給を停止する（図５のｂ，ｌ，ｍ）。また第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃで構成されるＥＵＶ光発生部での放電動作は停止する。
このＥＵＶ放射停止信号は、露光処理を終了するときはＥＵＶ放射終了信号に、また、露光処理を休止するときはＥＵＶ放射休止信号に相当し、ＥＵＶ放射休止信号は、被露光対象であるワーク（例えば、ウエハ）の露光が終了し、露光済みのワークを次の未露光のワークと交換する休止期間の最初に発せられる。すなわち、ＥＵＶ放射休止信号は実質的にワーク交換の開始を告知する信号に相当する。
(xii) ＥＵＶ光源装置の制御部１４よりシャッタ駆動制御部１６にシャッタ閉信号を送出する（ステップＳ１１３、図５のｋ）。
これにより、シャッタ駆動制御部１６はシャッタ駆動機構２１ａを駆動してシャッタ２１を閉じる。また、バルブＶ１を閉じ、ＳｎＨ4 ガスの供給を停止する（ステップＳ１１４、図５のｇ）。
【００３５】
(xiii)ＥＵＶ光源装置の制御部１４はクリーニング信号があるかを判定する（ステップＳ１１５）。
ＥＵＶ放射休止期間に常にクリーニング処理を行う場合、ＥＵＶ放射休止信号を上記クリーニング信号とすることができ、この場合はＥＵＶ放射休止信号が与えられる毎にクリーニング処理が開始される。
なお、例えば、クリーニングが必要となったとき、あるいは、後述する実施例で説明するようにＥＵＶ発光回数が所定回数になったとき、あるいは前記膜厚測定手段１９によりに測定された膜厚が閾値を越えた場合等にクリーニングを行い、ＥＵＶ放射休止期間毎に必ずしもクリーニング処理を行わない場合は、露光機の制御部４０からクリーニング信号が送出されたときにのみクリーニングを行なうようにしてもよい。
例えば、作業員がクリーニング指令を入力すると、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、その旨を露光機の制御部４０に通知し、露光機の制御部４０は、ＥＵＶ放射休止信号を送出する際、クリーニング信号をＥＵＶ光源装置の制御部１４へ送出するようにする。
なお、以下の第１〜第３の実施例では、クリーニングを行う場合、露光機の制御部４０がＥＵＶ放射休止信号に加えて、クリーニング信号を発生するとして説明するが、ＥＵＶ放射休止信号がクリーニング信号であってもよい。
【００３６】
(xiv) ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、上記クリーニング信号があると（図５のｃ）、クリーニングモードに移行させる。クリーニングを行う場合には、ステップＳ１１８に行き、図４で後述するクリーニングが開始される。
また、クリーニング信号が発生していない場合、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は装置稼動停止信号があるかを判別し、装置稼動停止でなければ、前記図２のステップＳ１０１に戻る。
一方、装置稼動停止信号が入力されていると、ガス排気ユニット１３を停止し、装置の稼動を停止させる（ステップＳ１１７）。  
なお、露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にＥＵＶ放射停止信号が送出されずにＥＵＶ放射が休止したり終了する場合もある。
このような場合は、例えば、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、前回のＥＵＶ発光指令信号からの経過時間を計測して、この経過時間が所定時間を越えたときに、ＥＵＶ放射が休止もしくは終了したと判断する。これについての詳細な手順は省略する。
【００３７】
（Ｂ）露光処理中断中（ＥＵＶ光発生停止中）のクリーニング処理工程
図４のフローチャート、図５のタイムチャートに示すように露光中断中（ＥＵＶ光発生停止中）のクリーニング処理工程における動作は以下の通りである。
(i) 前記したように露光機の制御部４０より、ＥＵＶ光源装置の制御部１４にＥＵＶ放射休止信号が送出されると（図５のｅ）、シャッタ２１が閉じ、また、バルブＶ１が閉じてＳｎＨ4 ガスの供給を停止する（図５のｇ）。
ここで、前記したようにクリーニング信号が入力されていると（図５のｃ）、制御部１４は、バルブＶ２を開状態（バルブＶ１は閉状態）とし、高密度高温プラズマ発生部９に供給するガスをＥＵＶ放射種の原料ガスであるＳｎＨ4 ガスからクリーニング用ガスであるＸｅガスに切り替える。また、ガス流量調整器ＭＦＣ２を制御して、Ｘｅガス流量を調整する。
即ち、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、Ｘｅガス流量が所定の値となるように、設定部に予め入力されたパラメータに基づき、ガス流量調整器ＭＦＣ２の動作を制御する（ステップＳ２０１、図５のｈ，ｉ）。
本ステップにより、ＥＵＶ光源装置に、ＭＦＣ２により流量が設定されたＸｅガスが、ガス導入口２を介して導入される。
【００３８】
(ii)ＥＵＶ光源装置の制御部１４は圧力モニタ１５から送出される圧力データに基づき、高密度高温プラズマ発生部９の圧力が所定の圧力となるように、ガス排気ユニット１３を制御して、ガス排気量を調節する（ステップＳ２０２）。
なお、上記したＸｅガス流量や高密度高温プラズマ発生部９の圧力は、後に示す堆積物の除去に最も適した希ガス（Ｘｅガス）放電プラズマが得られるように設定される。
(iii) ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、露光機の制御部４０からのＥＵＶ発光指令信号を受信することなしに自発的に高電圧パルス発生部１２にトリガ信号を送出する自発放電指令モードに移行して、トリガ信号を高電圧パルス発生部１２に送出する（ステップＳ２０３、図５のｍ）。
(iv)トリガ信号を受信した高電圧パルス発生部１２は、第１の主放電電極３ａ（カソード）、第２の主電極（アノード）３ｂ間に、パルス電力を印加する（ステップＳ２０４）。
【００３９】
(v) 高密度高温プラズマ発生部９やその近傍には、Ｘｅガスによるプラズマ放電が発生する。このＸｅガスプラズマによるクリーニングにより、ＳｎＨ4 ガス放電中（ＥＵＶ光発生中）、もしくは、ＥＵＶ放射休止信号発信後から自発放電指令モードに移行するまでの放電停止時に第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁部３ｃの少なくとも一部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物が除去される。すなわち、電極３ａ，３ｂ、絶縁部３ｃが洗浄される（ステップＳ２０５）。
以下、露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にクリーニング停止信号（露光処理そのものを終了するときは露光処理終了信号に相当、また、露光処理を再開するときにはスタンバイ信号に相当）が入力されるまで、上記した希ガスクリーニングが繰り返し行われる。
すなわち、ステップＳ２０６にて、露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にクリーニング停止信号が入力したかどうかを検定し、検定時、上記信号が入力されていないとき（Ｎｏのとき）はステップＳ２０３に移行する。
【００４０】
(vi)一方、上記クリーニング停止信号が入力されたとき（Ｙｅｓのとき）は、以下のステップＳ２０７に移行する。
ステップＳ２０７において、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、自発放電指令モードを解除して、トリガ信号の高電圧パルス発生部９への送出を停止し、バルブＶ２を閉じ、このサブルーチンはエンドとなる。
なお、上記クリーニング停止信号がワーク交換終了信号に相当し、露光処理を再開する場合は、ステップＳ２０７から図２に示すステップＳ１０１に移行し、露光処理工程を再開する。すなわち、前記したようにスタンバイ信号が入力されると上述した露光処理工程を再開する。
【００４１】
（Ｃ）本実施例により得られる効果
本実施例においては、上述したように、ガス供給ユニットが、ＥＵＶ放射種の原料ガス供給機能に加え、クリーニング用ガスである希ガス供給機能を有し、さらに両機能の切り替え機能（上記した例では、バルブＶ１，Ｖ２の開閉に相当）を有する。
このため、被露光対象であるワーク（例えば、ウエハ）の露光が終了し、露光済みのワークを次の未露光のワークと交換する休止期間に、切り替え手段によって容器内へのＥＵＶ放射種を含む原料を希ガスの供給に切り替えて、接地されている上記第２の容器および第２の主放電電極と、上記第１の容器および第１の主放電電極との間に、高電圧パルス発生部からパルス電力を印加することにより、第１の主放電電極、第２の主放電電極、絶縁材から構成されるＥＵＶ発生部の連通孔もしくは連通孔近傍において、希ガス（例えば、Ｘｅガス）の高密度高温プラズマを形成することが可能となる。
【００４２】
また、ＥＵＶ放射種の原料ガス（例えば、ＳｎＨ4 ）を用いて放電により高密度高温プラズマ生成中に発生した、ＥＵＶ光源装置内部、特に第１の主放電電極、第２の主放電電極、絶縁材に堆積した不純物（上記原料ガスとしてＳｎＨ4 を用いた場合は、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物）を、露光処理の中断時のＥＵＶ光を放射していない時間を利用して、希ガスの高密度高温プラズマが断熱膨張して生じる希ガスの高速のイオンまたは中性原子が不純物に衝突して不純物が離脱する工程を行うことができる。
すなわち、希ガスプラズマによるクリーニングを行うことができる。ここで、希ガスは、プラズマ放電時、ＥＵＶ放射種の原料ガス（例えば、ＳｎＨ4 ）のときのように金属クラスタや原料ガスの分解によるフラグメントを発生しない。そのため、プラズマ放電中は不純物の付着がなく離脱のみが生じる。したがって、電極等に生じている堆積物は削り取られて相対的に減少する。
また、ＥＵＶ発生動作から希ガスプラズマによるクリーニング動作に移行する際、放電発生が停止して電極温度が低下し装置低温部に不純物が堆積したとしても、上記した希ガスプラズマによるクリーニング動作により堆積物を除去することができる。
その結果、ＥＵＶ発生装置が搭載された露光装置の稼動時間を低下させることなく、ＥＵＶ光源装置内部への堆積物の除去が可能である。
【００４３】
上記実施例では、希ガスプラズマ発生手段とＥＵＶ放射種の原料ガス（例えば、ＳｎＨ4 ）の加熱・励起手段（高電圧パルス発生部からパルス電力が供給される第１の主放電電極、第２の主放電電極）とを兼用している。
このため、ＥＵＶ放射種の原料ガスの供給をクリーニング用ガスである希ガスの供給に切り替えるだけで、希ガスプラズマ放電を発生させることが可能である。そのため、別途、容器内に希ガスプラズマ放電発生手段を設ける必要がなく、装置をコンパクトに構成することができる。
以上のように、本実施例によれば、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂへのデブリの堆積によるプラズマ放電の不安定化を防ぐことができ、また、絶縁部３ｃへのデブリの堆積による第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間の導通化を防ぐことができる。このため、安定したＥＵＶ光を得ることができる。
ここで、今回の希ガスの高密度高温プラズマからのイオンまたは中性原子によるクリーニングでは、イオンまたは中性原子自体が、高い運動エネルギーを有しているためクリーニングの標的にバイアスを加える必要はない。よってバイアスを加えられない絶縁部３ｃもクリーニングすることができる。
【００４４】
また、上記した高密度高温プラズマの断熱膨張を利用するクリーニングを行う際、容器内に導入するプラズマ原料として、必ずしも希ガスである必要はない。しかしながら、クリーニング対象である容器内の各部品への付着のしやすさ、容器内の各部品との反応性が無いとの理由から、クリーニング用プラズマ原料としては、希ガスを採用することが最も有効である。
なお、希ガス（Ｘｅガス）を流しながら希ガスプラズマ放電を行っているので、希ガスプラズマが広がる範囲は大きい。よって、希ガスプラズマ放電条件によっては、希ガスプラズマが、第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂ、絶縁材３ｃのみならずデブリトラップ４、ＥＵＶ集光鏡５の上部に接することもある。その際は、デブリトラップ４、ＥＵＶ集光鏡５の上部に堆積した不純物（上記原料ガスとしてＳｎＨ4 を用いた場合は、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物）も希ガスプラズマによるクリーニングにより除去することが可能となる。
また、クリーニング用の希ガスとしてＸｅガスを用いる場合、高密度高温プラズマの生成条件によっては、プラズマから、波長１３．５ｎｍを含むＥＵＶ波長領域の光が放射される。このような光は、不所望な露光に繋がる可能性もあるため、前述したようにクリーニングを行う前にシャッタ２１を閉状態にすることが望ましい。
【００４５】
なお、上記実施例では、第１の主放電電極、第２の主放電電極に高電圧パルスを印加して原料ガスと希ガスを加熱励起する高電圧パルス発生部１２を兼用しているが、原料ガスと希ガスを加熱励起するための高電圧パルス発生部をそれぞれ設けてもよい。
さらに、原料ガスを加熱励起するための加熱・励起手段と、希ガスを加熱励起するための加熱・励起手段をそれぞれ設けてもよい。
また、不図示の露光装置が露光装置光学系の光入射側にシャッタ機構を有する場合は、図１のＥＵＶ光源装置において、シャッタ、シャッタ駆動機構等を省略することができる。その場合、前記した実施例の動作手順におけるシャッタの開閉動作は、露光機側で行うことになる。
また、ワークの交換は、一般に露光装置に設けられた、ワークが複数枚保持可能なカセット間で行われる。すなわち、未露光のワークが複数枚保持された第１のカセットから、ワークが１枚露光領域に搬送される。この搬送されたワークは、露光処理終了後、露光済みワークを保持する第２のカセットへ搬送され保持される。第１のカセットが空となり、第２のカセットが露光済みワークで満杯となったとき、第１のカセットは、未露光ワークが満杯となったものに交換され、第２のカセットは空のカセットに交換される。上記図２、図３、図４、図５の説明では、休止期間の例としてワークの露光が終了し、露光済みのワークを次の未露光のワークと交換する期間を提示したが、上記休止期間はこのカセット交換期間であってもよい。
【００４６】
（３）第１の実施例の第１の変形例
次に上記実施例の第１の変形例について説明する。
装置構成は前記図１に示したものと同じであり、本変形例では、図２〜図４に示した処理工程において、ＥＵＶ放射休止信号が入力され、クリーニング信号が入力された際、直ちに、自発放電指令モードに移行させて、希ガスクリーニング処理の短縮化を実現するようにしたものである。
すなわち、前記実施例では、露光機の制御部４０よりＥＵＶ光源装置の制御部１４にＥＵＶ放射休止信号が入力された時点以降はＥＵＶ光発光信号が入力されない。そして、ＥＵＶ光源装置の制御部１４が自発放電指令モードに移行させるまで、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃで構成されるＥＵＶ発生部での放電動作は停止する。
そのため、放電動作停止期間中は、ＥＵＶ光源装置内部、特に第１の主放電電極、第２の主放電電極電極の温度が低下する。原料ガスとしてＳｎＨ4 ガスを使用する場合、この温度が低下した部分に、浮遊していた原子状ガスのＳｎ、ＳｎX といった金属クラスタやフラグメントＳｎＨx 等の一部が接触して、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積する。  前記クリーニング処理を行なうことで、これら堆積物も除去されるが、本変形例では、上記した放電動作停止期間を設けず、高密度高温プラズマ発生部への供給ガス種の切り替え中も放電動作を持続させる。これにより、第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂの温度低下量も小さくなり、第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂへのＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量も減少する。このため、希ガスクリーニング処理の短縮化を実現することが可能となる。
【００４７】
（Ａ）クリーニング処理工程
具体的には、クリーニング処理工程は例えば図６のタイムチャートに示すようになる（特に、同図の楕円で囲んだ部分を参照）。
露光機の制御部４０より、ＥＵＶ光源装置の制御部１４にＥＵＶ放射休止信号が送出される（図６のｅ）。このＥＵＶ放射休止信号は、前記したように被露光対象であるワーク（例えば、ウエハ）の露光が終了し、露光済みのワークを次の未露光のワークと交換する休止期間の最初に発せられる。
ＥＵＶ放射休止信号を受信したＥＵＶ光源装置の制御部１４は、クリーニング信号が入力されている場合（図６のｃ）、露光機の制御部４０からのＥＵＶ発光指令信号を受信することなしに自発的に高電圧パルス発生部９にトリガ信号を送出する自発放電指令モードに移行して、トリガ信号を高電圧パルス発生部１２に送出する（図６のｍ）。これにより、ＥＵＶ放射休止信号が送出された後も放電が維持される。
【００４８】
一方、上記クリーニング信号が発生すると、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、まず、シャッタ駆動制御部１６にシャッタ閉信号を送出する。これに応じてシャッタ駆動制御部１６は、シャッタ駆動機構２１ａを駆動してシャッタ２１を閉状態にする（図６のｋ）。
さらに、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＥＵＶ光源装置の高密度高温プラズマ発生部９に供給するガスをＥＵＶ放射種の原料ガスであるＳｎＨ4 ガスからクリーニング用ガスであるＸｅガスに切り替える。
即ち、ＳｎＨ4 ガスの流路を開閉するバルブＶ１を閉、Ｘｅガスの流路を開閉するバルブＶ２を開とする（図６のｆ，ｈ）。また、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、Ｘｅガス流量が所定の値となるように、設定部に予め入力されたパラメータに基づき、ガス流量調整器ＭＦＣ２の動作を制御する。これにより、ＥＵＶ光源装置に、ＭＦＣ２により流量が設定されたＸｅガスが、ガス導入口２を介して導入される（図６のｉ）。
ＥＵＶ光源装置の制御部１４は圧力モニタ１５から送出される圧力データに基づき、高密度高温プラズマ発生部９の圧力が所定の圧力となるように、ガス排気ユニット１３を制御して、ガス排気量を調節する。
一方、図６のｍに示すトリガ信号を受信した高電圧パルス発生部１２は、第１の主放電電極３ａ（カソード）、第２の主放電電極３ｂ（アノード）間に、パルス電力を印加する。
【００４９】
Ｘｅガスが、ガス導入口２を介して導入され、高密度高温プラズマ発生部９やその近傍にＸｅガスが存在しているとき、高密度高温プラズマ発生部９やその近傍には、Ｘｅガスによるプラズマ放電が発生する。このＸｅガスプラズマによるクリーニングにより、ＳｎＨ4 ガス放電中（ＥＵＶ光発生中）、もしくは、ＥＵＶ放射休止信号発信後から自発放電指令モードに移行するまでの放電停止時に第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁部３ｃの少なくとも一部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物が除去される。すなわち、電極、絶縁部が洗浄される。
以下、露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にクリーニング停止信号が入力されるまで、上記した希ガスクリーニングが繰り返し行われる。
以下の動作は前記した動作と同様であり、露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にクリーニング停止信号が入力したかどうかを検定し、検定時、上記信号が入力されていないとき（Ｎｏのとき）は上記クリーニング処理工程を継続し、上記信号が入力されたとき（Ｙｅｓのとき）はクリーニング処理を停止する。
そして、クリーニング処理工程が停止し、ついで前記したようにスタンバイ信号が入力されると、前記した露光工程に入る。
上記処理は前記図４のフローチャートにおいて、ステップＳ２０３の「自発放電モードに移行」をステップ２０１の前に移行させることにより実現することができる。
【００５０】
（Ｂ）本変形例の効果
本変形例によれば、第１の動作手順のときと同様の効果を奏し、さらに、以下の効果を得ることができる。
すなわち、ＥＵＶの発生を中断している時も希ガス（Ｘｅガス）により放電を続けるので、第１、第２の主放電電極の温度低下量も小さくなり、これらの電極へのＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量も減少する。よって、希ガスクリーニング処理の短縮化を実現することが可能となる。
【００５１】
（４）第１の実施例の第２の変形例
ここで、上記第１の変形例において、シャッタ２１が閉じる前に、希ガスによる放電が開始すると、不所望な光が放出される場合も生ずる。
これを回避する必要がある場合には、上記処理工程を図７のタイムチャートに示すように変形すればよい（特に、同図の楕円で囲んだ部分を参照）。
すなわち、図７のｋ，ｈ，ｍに示すように、シャッタ２１が閉じるまで待ち、シャッタ２１が閉じたら、バルブＶ２を開き、希ガスを導入するとともに、自発放電モードに移行する。
なお、この場合は、露光機の制御部４０よりＥＵＶ放射休止信号が与えられてから、ＥＵＶ光源装置の制御部１４が自発放電指令モードに移行するまでの間、放電動作は停止する。そのため、放電動作停止期間中に、例えば、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極電極３ｂの温度低下部分へＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積する。
しかしながら、図７における放電動作停止期間は、図５に示す第１の動作手順のときと比較すると短いので、第１、第２の主放電電極の温度低下量も小さくなり、これらの電極へのＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量も減少する。よって、希ガスクリーニング処理の短縮化を実現することが可能となる。
上記処理は前記図４のフローチャートにおいて、ステップＳ２０１の前に、シャッタが閉じるまで待つ処理を入れることにより実現することができる。
【００５２】
（５）第１の実施例の第３の変形例
上記した第１の実施例および第１の変形例では、クリーニング処理工程において、ＥＵＶ放射種の原料ガス供給とクリーニング用ガスである希ガス供給とを切り替えるとき、原料ガス供給経路と希ガス供給経路のいずれか一方をバルブＶ１もしくはＶ２を閉状態として遮断し、他方の遮断していない経路のガス流量調整器（ＭＦＣ１、ＭＦＣ２のいずれか一方）を動作させていた。
しかしながら、ガス供給の切り替えの際には、まず、バルブＶ１およびＶ２を開状態として両ガス供給経路を開放し、ガス流量調整器ＭＦＣ１，ＭＦＣ２によりＸｅガス供給流路のガス流量を徐々に増加させるとともにＳｎＨ4 ガス供給流路のガス流量を徐々に減少させ、ガス流量がほぼ０になったＳｎＨ4 ガス供給流路のバルブＶ１を閉状態とするようにしても良い。このような処理を行うことにより、ガス切り替え時のチャンバ内圧力（すなわち、高密度高温プラズマ発生部の圧力）の制御が容易になる。
【００５３】
本変形例のクリーニング処理工程を図８のタイムチャートに示す（特に、同図の楕円で囲んだ部分を参照）。
なお、図８は前記図４のクリーニング処理工程に本変形例を適用した場合を示しており、図６，７のタイムチャートに示したクリーニング処理工程にも、同様に適用することができる。
図８に示すように、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＳｎＨ4 ガスの供給流路を開閉するバルブＶ１、および、Ｘｅガスの流路を開閉するバルブＶ２を開とする（図８のｆ，ｈ）。
次に、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＳｎＨ4 ガスの流路のガス流量が徐々に減少するとともにＸｅガスの流路ガス流量が徐々に増加するように、設定部に予め入力されたパラメータに基づき、ガス流量調整器ＭＦＣ１、ＭＦＣ２の動作を制御する（図８のｇ，ｉ）。
さらに、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＳｎＨ4 ガスの流路のガス流量がほぼ０になったとき、バルブＶ１を閉状態にする（図８のｆ）。
なお、図８のその他の工程は、前記した第１の実施例などと同じステップであるので、ここでは説明を省略する。
上記処理は前記図３のフローチャートのステップＳ１１４において、バルブＶ１閉じる処理を行なわず、図４のステップＳ２０１の後に、上記のようにＳｎＨ4 ガスの流路のガス流量が徐々に減少するとともにＸｅガスの流路ガス流量が徐々に増加するような処理を追加することにより実現することができる。
【００５４】
（６）第１の実施例の第４の変形例
前記したクリーニング処理工程においては、ＥＵＶ放射種の原料ガス供給とクリーニング用ガスである希ガス供給との切り替え工程を実施後、高密度高温プラズマ発生部９の圧力が所定の圧力となるように調整していた。
しかしながら、ガス供給の切り替えを行ってもしばらくは高密度高温プラズマ発生部９を含むチャンバ内部にＳｎＨ4 ガスが残留することが考えられる。滞留したＳｎＨ4 ガスは、チャンバ内部の低温部にてスズ鏡を形成する可能性がある。
このような事情を勘案して、本変形例では、以下のような手順で残留可能性のあるＳｎＨ4 ガスを排気する工程を設ける。
露光処理が終わった時点で、ＳｎＨ4 ガス供給流路のバルブＶ１を閉じて（Ｘｅガス供給流路のバルブＶ２は閉のまま）ＳｎＨ4 ガスの高密度高温プラズマ発生部９への供給を停止し、また、高電圧パルス発生部１２からの第１、第２の主放電電極３ａ、３ｂへの電圧印加も停止するが、ガス排気ユニット１３による排気は継続し、チャンバ１内に残っているＳｎＨ4 ガスを排気する。所定時間この排気を継続し、続いて、バルブＶ２を開（バルブＶ１は閉のまま）してＸｅガスを供給し、また、高電圧パルス発生部１２からの電圧も印加してＸｅガスによるプラズマを発生させる。
以上のように、露光処理後、高密度高温プラズマ発生部９を含むチャンバ１内に残っているＳｎＨ4 ガスを排気することにより、Ｘｅガスプラズマ発生中に残余ＳｎＨ4 ガスによりチャンバ内部の低温部にてスズ鏡が形成されることを防ぐことができる。
【００５５】
本変形例のクリーニング処理工程のタイムチャートを図９に示す（特に、同図の楕円で囲んだ部分を参照）。
図９において、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＥＵＶ放射休止指令によりＳｎＨ4 ガスの供給流路を開閉するバルブＶ１を閉じたとき、上記制御部１４内に設けられた排気計測手段（排気タイマ）のカウント動作を開始する（図９のｊ）。
なお、先に説明したとおり、露光機の制御部４０よりＥＵＶ放射休止信号が送出された後は、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃで構成されるＥＵＶ発生部での放電動作は停止している。
また、ＳｎＨ4 ガス供給中の高密度高温プラズマ発生部９を含むチャンバ１内部の圧力を調整するために、ガス排気ユニット１３により、上記チャンバ内部は所定の排気量で排気されている。
【００５６】
次に、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、所定時間経過後（すなわち、排気時間計測手段のカウント終了後）、ＥＵＶ光源装置の高密度高温プラズマ発生部９に供給するガスをＥＵＶ放射種の原料ガスであるＳｎＨ4 ガスからクリーニング用ガスであるＸｅガスに切り替える。
即ち、Ｘｅガスの流路を開閉するバルブＶ２を開とし、Ｘｅガス流量が所定の値となるように、設定部に予め入力されたパラメータに基づき、ガス流量調整器ＭＦＣ２の動作を制御する（図９のｈ，ｉ）。これによりＥＵＶ光源装置に、ＭＦＣ２により流量が設定されたＸｅガスが、ガス導入口２を介して導入される。
ここで、上記所定時間とは、ガス排気ユニット１３により、上記チャンバ内部から残存するＳｎＨ4 ガスが十分に排気される時間であり、予め、ＥＵＶ光源装置の制御部１４に設定されている。
図９のその他の部分は前記図２〜図５で説明した処理と同じであり、ここでは説明を省略する。
【００５７】
（７）第１の実施例の第５の変形例
上記した実施例のクリーニング処理工程では、希ガス（Ｘｅガス）プラズマ放電を発生させるとき、高電圧パルス発生部１２から第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂ間にパルス電力を印加している。その際、ＥＵＶ光を発生させるときのような予備電離は特に行っていない。
本変形例においては、先に述べたクリーニング処理工程において、希ガス（Ｘｅガス）プラズマ放電を発生させる際、予備電離も行うようにしたものである。
予備電離を行わない場合、希ガスの圧力、高電圧パルス発生部から印加されるパルス電力等に変動があった場合、希ガスプラズマ放電が不均一となって、第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂの一部に放電が集中した、いわゆる、アーク状放電が発生することもある。  第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂのＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積した部分にて、このようなアーク状放電が発生すると、直径１００ｎｍから数１０μｍの比較的大きい粒子状のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が第１の容器１ａ内、第２の容器１ｂ内に飛散する。
【００５８】
上記粒子は、エネルギーが集中するアーク状放電によって電極より離脱するので、比較的遠くまで飛散し、例えば、デブリトラップ４、ＥＵＶ集光鏡５まで到達する。デブリトラップ４に到達したＳｎおよび／またはＳｎ化合物は、デブリトラップ４に付着して堆積する。よって、堆積した分、デブリトラップ４を通過するＥＵＶ光の通過量は減少する。
また、ＥＵＶ集光鏡５に到達し堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物は、ＥＵＶ集光鏡５のＥＵＶ光反射率の低下という事態を引き起こす。
上記したように、アーク状放電に起因するＳｎおよび／またはＳｎ化合物は、粒子径が比較的大きい。そのため、希ガスプラズマによるクリーニングで除去しようとすると、多くの時間を費やす。また、一般に、デブリトラップ４やＥＵＶ集光鏡５は、主として希ガスプラズマ放電が発生する第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂから数１０ｍｍ〜数１００ｍｍ離れている。希ガスプラズマの放電が発生する地点から希ガスプラズマが到達する量は、距離の２乗に反比例する。よって、デブリトラップ４やＥＵＶ集光鏡５まで到達する希ガスプラズマの量も少なくなり、希ガスプラズマによるクリーニングは、上記した距離の分、効果が低下する。
【００５９】
すなわち、粒子径が大きい不純物が希ガスプラズマの放電が発生する地点からの距離が大きい部分に付着して堆積した場合、希ガスプラズマによるクリーニングで除去しようとすると膨大な時間が費やされることになり、実質的に、不純物による装置性能の低下を抑制することは不可能となる。
ここで、希ガス（Ｘｅガス）プラズマ放電を発生させる際、予備電離も行うようにすると、放電集中の発生が抑制され、均一な希ガスプラズマを形成することが可能となる。すなわち、放電集中の発生が抑制されるので、比較的大きい粒子状のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が、希ガスプラズマの形成領域からの距離が大きいデブリトラップ４、ＥＵＶ集光鏡５まで到達することが殆ど無くなる。よって、希ガスプラズマによるクリーニングに費やされる時間を大幅に短縮でき、不純物による装置性能の低下を抑制することが容易となる。
また、予備電離により、均一な希ガスプラズマを形成することが可能となるので、希ガスプラズマによるクリーニングを均一に行うことが可能となる。
具体的には、前記図４−図９に示したクリーニング処理工程のフローチャートおよびタイムチャートにおいて、クリーニング処理工程中もＥＵＶ光源装置の制御部１４が、予備電離電源１８を制御して予備電離ユニット１７から電子線を高密度高温プラズマ発生部９に向けて照射し予備電離を行うようにする。
このようにすることにより、先に述べたクリーニング処理工程において、希ガス（Ｘｅガス）プラズマ放電を発生させる際、予備電離も行われる。なお、各動作手順におけるその他のステップについては、特に変更する必要はないので、ここでは説明を省略する。
【００６０】
２．第２の実施例
（１）装置構成
図１０は本発明の第２の実施例のＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。
図１に示したものとの相違は、ガス供給ユニット２０にＨ2 ガス供給源２０ｃとバルブＶ３とガス流量調整器ＭＦＣ３を設け、クリーニング処理工程において、チャンバ１内に希ガスとともに、Ｈ2 ガスを供給するようにしたものである。その他の構成は図１に示したものと同様であり、同様の構成については説明を省略する。
希ガス（例えばＸｅ）のみでクリーニングを行うと、放電から発生する高速のイオンにより電極表面に付着したＳｎは、運動エネルギーを高速のイオンから受け取り、蒸発または電極表面から剥がれ飛ばされる。
これらＳｎは、放電ガスの流れに乗り電極付近から遠ざかる。しかし、排気系までの経路中に低温部があると、その部分に付着してチャンバ１内に残ってしまう。
そこで、本実施例では、クリーニング用の希ガスに水素を混ぜてＳｎをガス化させる。その化学反応式を数式１に示す。
Ｓｎ＋２Ｈ2 （＋ｈｖ）→Ｓｎ＋４Ｈ→ＳｎＨ4 …（数式１）
【００６１】
水素は、通常分子の状態で存在するが、外部からエネルギーを加えるとＨ−Ｈの結合が切られ水素ラジカルに分解される。この水素ラジカルは、化学反応性に富んでおり本件で電極に付着して問題としているＳｎと結合してスタナン（ＳｎＨ4 ）またはＳｎ水素化合物となる。
クリーニング中のガスに水素ガスを混ぜると、上記に示したとおり放電プラズマと光源からの光子エネルギーの外部エネルギーを受けて水素ラジカルに分解し、それらは電極に付着したＳｎと結合し、高速イオンによるクリーニングと合わせて、２つの効果により電極に付着したＳｎのクリーニングを行う。また、電極のクリーニングにより電極から離されて浮遊しているＳｎは、浮遊している水素ラジカルと結合し、スタナンまたはＳｎ水素化合物となりガス化される。ガス化されることで電極から排気系までの低温部での再付着を防止し、チャンバ１内から排気することが容易となる。
【００６２】
（２）本実施例のＥＵＶ光源装置の動作
図１１は本実施例の動作を示すタイムチャートである。露光処理工程における動作は前記図２、図３のフローチャートに示した動作と同様であり、以下ではクリーニング処理工程における動作について説明する。
(i) 前記したように露光機の制御部４０より、ＥＵＶ光源装置の制御部１４にＥＵＶ放射停止信号が送出されると（図１１のｅ）、シャッタ２１が閉じ、また、バルブＶ１が閉じてＳｎＨ4 ガスの供給を停止する（図１１のｍ，ｆ，ｇ）。
ここで、前記したようにクリーニング信号が入力されていると（図１１のｃ）、制御部１４は、バルブＶ２を開状態（バルブＶ１は閉状態）とし、高密度高温プラズマ発生部９に供給するガスをＥＵＶ放射種の原料ガスであるＳｎＨ4 ガスからクリーニング用ガスであるＸｅガスに切り替える。また、ガス流量調整器ＭＦＣ２を制御して、Ｘｅガス流量を調整する。
これと同時に、バルブＶ３を開状態とし、水素ガスＨ2 をチャンバ１内に供給し、ガス流量調整器ＭＦＣ３を制御して、水素ガスＨ2 のガス流量を調整する（図１１のｈ，ｉ，ｊ，ｋ）。
【００６３】
(ii)ＥＵＶ光源装置の制御部１４は圧力モニタ１５から送出される圧力データに基づき、高密度高温プラズマ発生部９の圧力が所定の圧力となるように、ガス排気ユニット１３を制御して、ガス排気量を調節する。
なお、上記したＸｅガス流量、Ｈ2 ガス流量、高密度高温プラズマ発生部９の圧力は、後に示す堆積物の除去に最も適した希ガス（Ｘｅガス）放電プラズマが得られ、また、クリーニングが効果的に行なわれるように設定される。
以下の処理は、前記図４に示した処理と同様であり、前記したように、自発放電指令モードに移行して、トリガ信号を高電圧パルス発生部１２に送出し、第１の主放電電極３ａ、第２の主電極３ｂにパルス電力を印加する。
これにより、Ｘｅガスプラズマによるクリーニングが行なわれる。またこれに合わせて前記したように、水素ラジカルにより電極等に付着した堆積物がガス化され、チャンバ１内から排気される。
以下、露光機の制御部からＥＵＶ光源装置の制御部にクリーニング停止信号が入力されるまで、上記した希ガスクリーニングが繰り返し行われる。
【００６４】
本実施例においては、上記のように、クリーニング用ガスとして希ガスだけを供給するのではなく、水素（Ｈ2 ）ガスをも供給し、希ガスプラズマによるクリーニングのみならず、いわゆる反応性スパッタリングを行っているので、クリーニング時間の短縮が可能となる。
例えば、原料ガスとしてＳｎＨ4 を供給し、クリーニング用ガスとしてＸｅガス、Ｈ2 ガスとすれば、ＥＵＶ光源装置内部に付着したＳｎおよび／またはＳｎ化合物は、Ｘｅプラズマによりクリーニングされるのみならず、水素プラズマと反応して高蒸気圧のＳｎ水素化物となり、低温部に再付着することなく排気手段により排気される。
なお、上記実施例では、前記第１の実施例で説明したクリーニング処理工程において、Ｈ2 ガスを供給するようにした場合について説明したが、前記した第１〜第５の変形例におけるクリーニング処理工程において、Ｈ2 ガスを供給するようにしてもよい。
【００６５】
３．第３の実施例
（１）装置構成
図１２は本発明の第３の実施例のＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。
図１に示したものとの相違は、Ｘｅガスプラズマによるクリーニング時に、チャンバに第２の容器を２つの空間に分割することが可能な構成を採用したことであり、その他の構成は図１に示したものと同様であり、同様の構成については説明を省略する。
前記した第１の実施例では、高密度高温プラズマ発生部９にＸｅガスを供給し、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃからなるＥＵＶ発生部で放電を発生させてＸｅガスプラズマを生成し、Ｘｅガスプラズマによるクリーニングにより、特に、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃに堆積した不純物を除去していた。
第１の実施例によれば、Ｘｅガスプラズマ放電条件によっては、Ｘｅガスプラズマが、第１、第２の電極３ａ，３ｂ、絶縁材３ｃのみならずデブリトラップ４、ＥＵＶ集光鏡５の上部に接することもある。その際は、デブリトラップ、ＥＵＶ集光鏡の上部に堆積した不純物（ＥＵＶ放射種の原料ガスとしてＳｎＨ4 を用いた場合は、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物）も希ガスプラズマによるクリーニングにより除去することが可能となる。    
【００６６】
しかしながら、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃに堆積した不純物を希ガスプラズマによるクリーニングで除去する場合、Ｘｅガスプラズマと衝突して第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃから離脱した不純物がＥＵＶ集光鏡５に再付着する可能性もないわけではない。
この場合、ＥＵＶ集光鏡５の１３．５ｎｍに対する反射率が低下し、結果として外部に放出されるＥＵＶ光の強度が低下する。
本実施例は、上記したような不具合の可能性を排除するために、Ｘｅガスプラズマによるクリーニング時には、第２の容器１ｂにおいて、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃ、デブリトラップ４のある空間と、ＥＵＶ集光鏡５等がある空間とに分離するものである。以下具体的な構成について説明する。
【００６７】
本実施例のＥＵＶ光源装置は、チャンバ１の第２の容器１ｂにおいて、デブリトラップ４とＥＵＶ集光鏡５との間の空間に、ＥＵＶ光等の光の外部への放出を遮断するシャッタ２４ａ、シャッタ２４ｂが設けられている。シャッタ２４ａ、シャッタ２４ｂは図１２の紙面の左右方向に移動可能に保持される。
シャッタ２４ａ、シャッタ２４ｂが閉状態のときは、ＥＵＶ光等の光の外部への放出を遮断するとともに、第２の容器１ｂ内を、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃ、デブリトラップ４のある空間（以下、クリーニング空間と称する）と、ＥＵＶ集光鏡等がある空間（以下、遮断空間と称する）とに分割する。
シャッタ２４ａ、シャッタ２４ｂの開閉は、シャッタ駆動制御部２６ａ、シャッタ駆動制御部２６ｂの制御に基づき、シャッタ駆動機構２５ａ、シャッタ駆動機構２５ｂが動作することにより行われる。シャッタ駆動制御部２６ａ、シャッタ駆動制御部２６ｂは、ＥＵＶ光源装置の制御部１４からのシャッタ開閉指令に基づき、シャッタ駆動機構２５ａ、シャッタ駆動機構２５ｂを駆動制御する。
【００６８】
また、Ｘｅガスプラズマによるクリーニング時に、シャッタ２４ａ、シャッタ２４ｂが閉状態となることにより第２の容器１ｂ内が分割されて形成されるクリーニング空間には、圧力モニタ１５ｂとガス排気ユニット１３ｂとが設けられる。
圧力モニタ１５ｂは、クリーニング空間の圧力をモニタするものである。なお、圧力モニタ１５ｂに加え、遮断空間（シャッタ２４ａ，２４ｂが開状態のときはチャンバ１内）の圧力をモニタするための圧力モニタ１５ａが設けられる。
また、ガス排気ユニット１３ｂは、クリーニング空間中の圧力を調整したり、ガス排気を行うものである。なお、このガス排気ユニット１３ｂに加え、遮断空間（シャッタ２４ａ，２４ｂが開状態のときはチャンバ１内）を排気するガス排気ユニット１３ａが設けられる。
圧力モニタ１５ａ，１５ｂの検出結果である圧力データはＥＵＶ光源装置の制御部１４に送出される。またガス排気ユニット１３ａ，１３ｂは上記制御部１４に制御される。
なお、シャッタ２４ａ，２４ｂが開状態のときは、上記圧力モニタ１５ａによりチャンバ１内の圧力がモニタされ、また、ガス排出口７ａを介してガス排気ユニット１３ａによりチャンバ内が排気される。
また、シャッタ２４ａ，２４ｂが閉状態のときは、圧力モニタ１５ａ，１５ｂによりクリーニング空間、遮断空間内の圧力がそれぞれモニタされ、また、ガス排出口７ｂを介してガス排気ユニット１３ａによりクリーニング空間が排気されるとともに、ガス排出口７ａを介してガス排気ユニット１３ｂにより遮断空間が排気される。
【００６９】
前記図１に示した第１の実施例のＥＵＶ光源装置では、ＳｎＨ4 ガスの供給路、Ｘｅガスの供給路は、流量調整部ＭＦＣ１，ＭＦＣ２の下流にて結合し、１系統の供給路となり、チャンバの第１の容器に設けられたガス導入口２に接続されていた。
このような構成をそのまま採用してもよいが、本実施例では図１２に示すように、ガス供給ユニットからのＳｎＨ4 ガス供給流路とＸｅガス供給流路とを完全に分離して、各々がガス導入口２と接続されるように構成している。
このように構成することにより、ガス供給切替時、ガス供給路の残存ガスによるガス混合が起こらず、所望の純度のガスを供給することが可能となる。
なお、図１２では、分離したＳｎＨ4 ガス供給流路とＸｅガス供給流路は１つのガス導入口２に接続されているが、第１の容器１ａにガス導入口を２個設け、それぞれにガス供給流路を接続するようにしてもよい。
【００７０】
（２）本実施例のＥＵＶ光源装置の動作
図１３、図１４は本実施例の露光処理工程、図１５はクリーニング処理工程のフローチャート、図１６は本実施例のタイムチャートである。以下、本実施例の動作手順を上記フローチャート、タイムチャートにより説明する。
（Ａ）露光処理工程
露光処理工程に関しては、前記第１の実施例の処理とほぼ同様であり、同様の工程については同一のステップ名とし、図１３、図１４のフローチャートおよび図１６のタイムチャートにより簡略に説明する。
(i) 露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にスタンバイ信号が送出される（ステップＳ１０１１、図１６のａ）
(ii)上記スタンバイ信号を受信したＥＵＶ光源装置の制御部１４は、シャッタ駆動制御部２６ａ、シャッタ駆動制御部２６ｂにそれぞれシャッタ２４ａ，２４ｂの開信号を送出する。ここで、ガス排気ユニット１３ｂが動作をしている場合には停止させる（ステップＳ１０１２）。
【００７１】
(iii) シャッタ開信号を受信したシャッタ駆動制御部２６ａ、シャッタ駆動制御部２６ｂは、それぞれ、シャッタ駆動機構２５ａ、シャッタ駆動機構２５ｂを駆動してシャッタ２４ａ、シャッタ２４ｂを開状態にする（ステップＳ１０１３、図１６のｌ) 。
ここで、第1 の実施例と異なり、ＳｎＨ4 ガス供給前にシャッタ（シャッタ２４ａ，２４ｂ）を開状態にするのは、シャッタ２４ａ、シャッタ２４ｂが閉状態のままであると、第２の容器内１ｂが２つの空間に分離されてしまい、以下に続くＳｎＨ4 ガス供給後の高密度高温プラズマ発生部９の圧力調整工程をガス排気ユニット１３ａにより行うことが不可能となるためである。
(iv)ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、高密度高温プラズマ発生部９にＳｎＨ4 ガスを所定流量で供給するために、バルブＶ１を開、バルブＶ２を閉とし、ガス流量調整器ＭＦＣ１の動作を制御する（ステップＳ１０２、図１６のｆ，ｇ）
(v) ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、圧力モニタ１５ａから送出される圧力データに基づき、高密度高温プラズマ発生部９の圧力を所定圧力に設定するため、ガス排気ユニット１３ａを制御してガス排気量を調節する（ステップＳ１０３）。
【００７２】
(vi)ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、露光機の制御部４０にスタンバイ完了信号を送出する（ステップＳ１０６）。
(vii) スタンバイ完了信号を受信した露光機の制御部４０は、ＥＵＶ光源装置の制御部１４に、ＥＵＶ発光指令信号を送出する（ステップＳ１０７、図１６のｂ）。
(viii)ＥＵＶ発光指令信号を受信したＥＵＶ光源装置の制御部１４は、予備電離電源１８を制御して予備電離ユニット１７から電子線を高密度高温プラズマ発生部９に向けて照射し予備電離を行うとともに、高電圧パルス発生部１２にトリガ信号を送出する（ステップＳ１０８、図１６のｍ，ｎ）。
(ix)トリガ信号を受信した高電圧パルス発生部１２は、第１の主放電電極３ａ、第２の主電極３ｂ間に、パルス電力を印加し、高密度高温プラズマ発生部１２に高密度高温プラズマが発生させ、このプラズマからのＥＵＶ光放射を実現する（ステップＳ１０９、図１６のｏ）。
(x)放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光鏡５により反射され、波長選択手段８を備えるＥＵＶ光取出部６より、図示しない露光機側光学系である照射部に出射される（ステップＳ１１０）。
【００７３】
(xi)以下、露光仕様に応じて、露光機の制御部からＥＵＶ光源装置の制御部にＥＵＶ放射停止信号（図１６のｅ）が入力されるまでパルス状のＥＵＶ光の放射が繰り返し行われる。すなわち、ステップＳ１１１にて、ＥＵＶ放射停止信号が入力したかどうかを検定し、上記信号が入力されていないとき（Ｎｏのとき）はステップＳ１０７に移行し、上述した処理を繰り返す。一方、上記ＥＵＶ放射停止信号が入力されたとき（Ｙｅｓのとき）は図１６のステップＳ１１２に行き、ＥＵＶ発光指令の出力を停止する。
これにより、高電圧パルス発生部１２は高電圧パルスの発生を停止し、また予備電離電源１８は予備電離ユニットへの電源の供給を停止する（図１６のｍ，ｎ）。放電動作は停止する。
【００７４】
(xii) ＥＵＶ光源装置の制御部１４よりシャッタ駆動制御部２６ａ，２６ｂにシャッタ閉信号を送出する。これにより、シャッタ駆動制御部２６ａ，２６ｂはシャッタ駆動機構２５ａ，２５ｂを駆動してシャッタ２４ａ，２４ｂを閉じる。また、バルブＶ１を閉じ、ＳｎＨ4 ガスの供給を停止する。さらに、ガス排気ユニット１３ｂの動作を開始する（ステップＳ１１３１−Ｓ１１４１、図１６のｋ，ｌ）。
(xiii)ＥＵＶ光源装置の制御部１４はクリーニング信号が入力されているかを判定する。  このクリーニング信号が入力されていると、ステップＳ１１８に行き、図１５で後述するクリーニングが開始される。
(xiv) クリーニング信号が発生していない場合、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は装置稼動停止信号があるかを判別し、装置稼動停止でなければ、前記図１３のステップＳ１０１１に戻る。また、装置稼動停止信号が入力されていると、ガス排気ユニット１３ａを停止し（ガス排気ユニット１３ｂが動作中の場合はガス排気ユニット１３ｂも停止）、装置の稼動を停止させる（ステップＳ１１７）。  
【００７５】
（Ｂ）露光処理中断中（ＥＵＶ光発生停止中）のクリーニング処理工程
クリーニング処理工程についても、第１の実施例に示すものとほぼ同様であり、同様の工程については同一のステップ名とし、図１５のフローチャートおよび図１６のタイムチャートにより簡略に説明する。
(i) 前記したように露光機の制御部４０より、ＥＵＶ光源装置の制御部１４にＥＵＶ放射停止信号が送出されると（図１６のｅ）、シャッタ２４ａ，２４ｂが閉じ、また、バルブＶ１が閉じてＳｎＨ4 ガスの供給を停止する（図１６のｆ，ｇ）。
ここで、前記したようにクリーニング信号が入力されていると（図１６のｃ）、制御部１４は、バルブＶ２を開状態（バルブＶ１は閉状態）とし、高密度高温プラズマ発生部９に供給するガスをクリーニング用ガスであるＸｅガスに切り替える。また、ガス流量調整器ＭＦＣ２を制御して、Ｘｅガス流量を調整する（図１６のｈ，ｉ）。
【００７６】
(ii)ＥＵＶ光源装置の制御部１４は圧力モニタ１５ｂから送出される圧力データに基づき、高密度高温プラズマ発生部９の圧力が所定の圧力となるように、ガス排気ユニット１３ｂを制御して、ガス排気量を調節する（ステップＳ２０２１）。
(iii) ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、露光機の制御部４０からのＥＵＶ発光指令信号を受信することなしに自発的に高電圧パルス発生部１２にトリガ信号を送出する自発放電指令モードに移行して、トリガ信号を高電圧パルス発生部１２に送出する（ステップＳ２０３、図１６のｎ）。
(iv)トリガ信号を受信した高電圧パルス発生部１２は、第１の主放電電極３ａ（カソード）、第２の主電極（アノード）３ｂ間に、パルス電力を印加する（ステップＳ２０４）。(v) 高密度高温プラズマ発生部９やその近傍には、Ｘｅガスによるプラズマ放電が発生する。このＸｅガスプラズマによるクリーニングにより、第１の主放電電極、第２の主放電電極、絶縁部の少なくとも一部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物が除去される（ステップＳ２０５）。
【００７７】
以下、露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にクリーニング停止信号（露光処理そのものを終了するときは露光処理終了信号に相当、また、露光処理を再開するときにはスタンバイ信号に相当）が入力されるまで、上記した希ガスクリーニングが繰り返し行われる。
すなわち、ステップＳ２０６にて、露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にクリーニング停止信号が入力したかどうかを検定し、検定時、上記信号が入力されていないとき（Ｎｏのとき）はステップＳ２０３に移行する。
(vi)一方、上記クリーニング停止信号が入力されたとき（Ｙｅｓのとき）は、以下のステップＳ２０７に移行する。
ステップＳ２０７において、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、自発放電指令モードを解除して、トリガ信号の高電圧パルス発生部９への送出を停止し、バルブＶ２を閉じ、このサブルーチンはエンドとなる。
【００７８】
（Ｃ）本実施例により得られる効果
本実施例のＥＵＶ光源装置は、前記した第１の実施例に係るＥＵＶ光源装置と同様の効果を奏するが、さらに以下の効果を得ることができる。
本実施例においては、Ｘｅガスプラズマによるクリーニング処理時には、第２の容器において、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃ、デブリトラップ４のある空間と、ＥＵＶ集光鏡５等がある空間とに分離し、希ガスプラズマによるクリーニング処理を第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃ、デブリトラップ４のある空間でのみ行っている。
そのため、Ｘｅガスプラズマと衝突して第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁材３ｃから離脱した不純物がＥＵＶ集光鏡５に再付着することもなくなる。よって再付着した不純物に起因するＥＵＶ集光鏡５の１３．５ｎｍの光に対する反射率が低下することもなく、結果として外部に放出されるＥＵＶ光の強度が低下することもない。
なお、本実施例においても、先に説明した第１の実施例の第５の変形例のように、クリーニング処理工程において予備電離を行うようにしてもよい。
これにより、希ガス（Ｘｅガス）プラズマ放電を発生させる際、放電集中の発生が抑制され、均一な希ガスプラズマを形成することが可能となる。そのため、比較的大きい粒子状のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が、希ガスプラズマの形成領域からの距離が大きいデブリトラップ４、ＥＵＶ集光鏡５まで到達することが殆ど無くなり、希ガスプラズマによるクリーニングに費やされる時間を大幅に短縮でき、不純物による装置性能の低下を抑制することが容易となる。
また、予備電離により、均一な希ガスプラズマを形成することが可能となるので、希ガスプラズマによるクリーニングを均一に行うことが可能となる。
さらに、前記第１の実施例の第１〜第４の変形例を本実施例に適用してもよく、また第２の実施例のように、本実施例において、クリーニング処理工程において、Ｈ2 ガスを導入するようにしてもよい。
【００７９】
４．第４の実施例
上記した実施例では、露光済みのワークを次の未露光のワークと交換するための休止期間やワークを複数枚保持するカセットを交換するための休止期間である露光処理休止時間に、希ガスプラズマによるクリーニング処理を実行していた。
一方、ＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量は、パルス状のＥＵＶ光が放射される期間が長いほど（すなわち、パルス状のＥＵＶ光が放射される回数が多くなるほど）増加する。したがって、パルス状のＥＵＶ光が放射される回数が所定値を越えたとき、クリーニング処理を行えば効果的に堆積物を除去することができる。
そこで、本実施例では、パルス状のＥＵＶ光が放射される回数をカウントして、カウント数が所定値に到達したとき、ＥＵＶ光源に警告表示をさせる。作業者は、警告表示が出たら、例えば、手動で高密度高温プラズマ発生部に供給するガスをＳｎＨ4 ガスからＸｅガスに切り替えて電極等に堆積した不純物の除去を行う。
なお、露光機による露光が行われている際には、通常、露光処理の一連の露光作業が終わるまで、露光処理を中断することはできないので、例えば警告が出力されたとき、警告が出力されたことを露光機の制御部４０に通知し、露光機の制御部４０からＥＵＶ放射停止信号が送出されたとき、クリーニング処理を行う。
【００８０】
（１）装置構成
第４の実施例に係るＥＵＶ光源装置の構成は、例えば、図１、図１０、図１２に示した第１〜３の実施例に係るＥＵＶ光源装置の構成例と同等でよいが、本実施例では前記図１、図１０、図１２に示した警告表示手段２３を用いて、パルス状のＥＵＶ光が放射される回数が所定値を越えたとき警告表示をする。その他の構成は、前記実施例で説明したとおりであり、詳細な説明は省略する。
図１、図１０、図１２に示したように、チャンバ１の第１の容器１ａには、警告表示手段２３が設けられ、また、本実施例のＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＥＵＶ光放射される回数をカウントするカウント手段（図示せず）が設けられている。
そして、本実施例のＥＵＶ光源装置の制御部１４は、上記カウント手段のカウント値が所定の値になったとき、上記警告表示手段２３に警告信号を出力させる。警告表示手段２３は例えば警告灯である。なお、露光装置等の外部装置により警告信号を送出させてもよく、また、警告表示手段点灯時または警告信号送出時、不図示の音声発生手段を用いて、アラーム音を発生させるようにしてもよい。
【００８１】
（２）本実施例のＥＵＶ光源装置の動作
図１７、図１８は本実施例の露光処理工程のフローチャートである。以下、本実施例の動作を上記フローチャートにより説明する。
（Ａ）露光処理工程
本実施例の露光処理工程は、ＥＵＶ光の放射回数をカウントし、そのカウント値が所定値に達したとき、警告信号を出力する点を除き、前記図２、図３に示したものと基本的には同様であり、以下簡単に本実施例の露光処理工程について説明する。
【００８２】
(i) 露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にスタンバイ信号が送出される。ここで、シャッタ２１は閉状態となっている（図１７のステップＳ３０１）。
ここで、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、前記したように図示を省略したカウンタを有しており、カウンタのカウントはリセットされている（初期状態である）とする。
(ii)スタンバイ信号を受信したＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＳｎＨ4 ガスの流路を開閉するバルブＶ１を開、Ｘｅガスの流路を開閉するバルブＶ２を閉とする。また、スタンバイ信号を受信したＥＵＶ光源装置の制御部１４は、ＳｎＨ4 ガス流量が所定の値となるように、設定部に予め入力されたパラメータに基づき、ガス流量調整器ＭＦＣ１の動作を制御する。
また、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は圧力モニタ１５から送出される圧力データに基づき、高密度高温プラズマ発生部９の圧力が所定の圧力（例えば、１〜２０Ｐａ）となるように、ガス排気ユニット１３を制御して、ガス排気量を調節する。さらに、シャッタ駆動機構２１ａを駆動してシャッタ２１を開状態にする（ステップＳ３０２）。
【００８３】
(iii) ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、露光機の制御部４０にスタンバイ完了信号を送出する（ステップＳ３０３）。
(iv)スタンバイ完了信号を受信した露光機の制御部４０は、ＥＵＶ光源装置の制御部１４に、ＥＵＶ発光指令信号を送出する（ステップＳ３０４）。
(v) ＥＵＶ発光指令信号を受信したＥＵＶ光源装置の制御部１４は、予備電離電源１８を制御して予備電離ユニット１７から電子線を高密度高温プラズマ発生部９に向けて照射し予備電離を行うとともに、高電圧パルス発生部１２にトリガ信号を送出する（ステップＳ３０５）。
(vi)トリガ信号の送出後、ＥＵＶ光源装置の制御部に設けられた前記カウンタを１つ更新する（ステップＳ３０6 ）。
(vii) トリガ信号を受信した高電圧パルス発生部１２は、第１の主放電電極（カソード）３ａ、第２の主電極（アノード）３ｂ間に、パルス電力を印加する。これにより、高密度高温プラズマ発生部９に高密度高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される（ステップＳ３０７）。
【００８４】
(viii)次に、予め定められた所定発光回数（ｎｍ）発光したかどうかの検定を行う。すなわち、ステップＳ３０８において、カウンタのカウント数ｎをｎとするとき、ｎ＜ｎｍ
ときはステップＳ３１０に移行する。また、ｎ＝ｎｍのときはステップＳ３０９に移行する。
なお、上記した所定発光回数ｎｍは、ＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量による悪影響が看過できなくなる状態に陥ったときのＥＵＶ発光回数（すなわち、高電圧パルス発生部に入力されるトリガ信号の回数）の最小値である。
ＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量は、ＥＵＶ光強度およびＥＵＶ光の発光回数に依存するものと考えられる。一方、ＥＵＶ光強度は、ＳｎＨ4 ガス導入量、チャンバ内圧力、高電圧パルス発生部から第１、第２の主放電電極間に印加されるパルス電力量等のＥＵＶ光源装置の運転条件等に依存する。
【００８５】
従って、露光仕様に伴うＥＵＶ光源装置の運転条件が予め判明しているとき、上記した所定発光回数ｎｍは、上記した運転条件に対応するＥＵＶ光強度に基づき事前に算出され、ＥＵＶ光源装置の制御部１４に記憶されている。
(ix)ｎ＜ｎｍのときは、ＥＵＶ光源装置内（特に第１、第２の主放電電極、絶縁材）に堆積する不純物の堆積量による悪影響は看過可能な状態である。
そこで、ステップＳ３１0 においては、露光機の制御部４０からＥＵＶ光源装置の制御部１４にＥＵＶ放射停止信号が入力されたかどうかを検定し、ＥＵＶ放射停止信号が入力されない（Ｎｏ）場合はステップＳ３０４に移行し、上記処理を繰り返す。
一方、ｎ≧ｎｍのときは、ＥＵＶ光源装置内（特に第１、第２の主放電電極、絶縁材）に堆積する不純物の堆積量による悪影響は看過できない状態である。そこで、ステップＳ３０９においては、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、警告表示手段である警告灯を点灯させる。また、前記ＥＵＶ発光回数を計数するカウンタの値を初期値にリセットする。さらに、警告灯が点灯したことを露光機の制御部４０に通知する。そして、ステップＳ３１０に行く。
【００８６】
露光機の制御部４０は、上記警告灯が点灯したことが通知されると、露光処理を中断できるようなタイミングで、ＥＵＶ放射停止信号を出力する。また、前記したように、ＥＵＶ放射停止信号に加えて、クリーニング信号を送出するようにしてもよい。
なお、上記ＥＵＶ放射停止信号は、前記したように露光済みのワークを次の未露光のワークと交換する休止期間の最初に発せられる信号（第１〜第３の実施例のＥＵＶ放射休止信号）であってもよい。
ここで、上記所定発光回数ｎｍを、ＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量による悪影響が看過できなくなる状態の回数に設定するのではなく、ある程度、余裕を持って少なめに設定しておいてもよい。作業者は、警告表示が出たらメンテナンス時期と判断し、例えば、露光作業終了後等のタイミングでメンテナンスとして、手動で高密度高温プラズマ発生部に供給するガスをＳｎＨ4 ガスからＸｅガスに切り替えて電極等に堆積した不純物の除去を行う。
【００８７】
(x) ステップＳ３１０では、露光機の制御部４０からＥＵＶ放射停止信号が入力されたかを検定し、上記ＥＵＶ放射停止信号が入力されると（Ｙｅｓのとき）、ＥＵＶ発光指令の出力を停止する。また、シャッタ駆動制御部１６にシャッタ閉信号を送出する（図１８のステップＳ３１１）。これにより、シャッタ駆動制御部１６はシャッタ駆動機構２１ａを駆動してシャッタ２１を閉じる。
(xi)警告表示手段２３が点灯していない場合には、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は装置稼動停止信号があるかを判別し（ステップＳ３１５）、装置稼動停止でなければ、前記ステップＳ３０１に戻る。
また、警告表示手段２３が点灯している場合は、この段階で動作が停止し待機状態となる。作業員は、警告表示手段の点灯を確認し、第１〜３の実施例で説明したクリーニング工程を手動で行う。すなわち、ＥＵＶ光源装置の制御部１４を手動で制御して、前記したように希ガス（Ｘｅガス）プラズマ放電を発生させクリーニング処理を行う。
具体的な制御内容は、前記した実施例のクリーニング工程に準ずるものであるのでここでは説明を省略する。そして、クリーニング処理が終わったら、警告表示手段を消灯させる。
【００８８】
(xi)手動によるクリーニング処理が終了し、警告表示手段２３が消灯すると（ステップＳ３１３，Ｓ３１４）、クリーニング処理が終わったことが、ＥＵＶ光源装置の制御部１４から露光機の制御部４０に通知され、待機状態が解除される。
(xii) ＥＵＶ光源装置の制御部１４は装置稼動停止信号があるかを判別し（ステップＳ３１５）、装置稼動停止でなければ、前記ステップＳ３０１に戻る。
また、装置稼動停止信号が入力されていると、ガス排気ユニット１３を停止し、装置の稼動を停止させる（ステップＳ３１６）。  
【００８９】
図１９は、本実施例によるクリーニング処理を説明するタイムチャートである。
同図に示すように、ＥＵＶ光源装置の制御部には、前記したようにＥＵＶ光の発光回数を計数するカウンタが設けられ、このカウンタの計数値は、ＥＵＶ発光を繰り返すごとに増加する。そしてカウンタの計数値がｎｍを越えると、カウンタがリセットされるとともに、警告表示手段２３が点灯する。
そして、露光機の制御部４０からＥＵＶ放射停止信号が与えられると、前記したようにＥＵＶ発光指令の出力を停止する。また、シャッタ２１が閉じられる。
この状態で、作業員は手動で前記したクリーニング処理を行う。そしてクリーニング処理が終わったら警告表示手段２３を消灯させる。                          
【００９０】
（Ｂ）本実施例により得られる効果
本実施例は、パルス状のＥＵＶ光が放射される回数をカウントして、カウント数が所定値に到達したとき、ＥＵＶ光源に警告表示をさせる。そして、作業者は、警告表示が出たら、例えば、手動で高密度高温プラズマ発生部に供給するガスをＳｎＨ4 ガスからＸｅガスに切り替えて電極等に堆積した不純物の除去を行う。
従って、クリーニング処理が必要なときのみ、クリーニング工程を行うことが可能となり、ＥＵＶ放射停止中に都度、クリーニング工程を実施するより効率的である。
【００９１】
（３）第４の実施例の変形例
上記した実施例では、ＥＵＶ発光回数（ｎ）が所定発光回数（ｎｍ）に到達したら、警告灯を表示し、手動でクリーニング工程を行うようにしていた。しかしながら、以下のように、クリーニング工程も自動で行ってもよい。
図２０、図２１は本実施例の露光処理工程を示すフローチャートであり、以下本実施例における動作手順を説明する。
ＥＵＶ発光回数（ｎ）と所定発光回数（ｎｍ）とを比較・検定するまでの手順は、先の述べた第４の実施例におけるステップＳ３０１〜Ｓ３０８までの手順と同じなので、ここでは説明を省略する。
(i) ステップＳ３０８で、ｎ＜ｎｍと判定された場合は、前記第４の実施例で説明したのと同様、ＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量による悪影響は看過可能な状態であり、ステップＳ３１0 においては、露光機の制御部からＥＵＶ光源装置の制御部にＥＵＶ放射停止信号が入力されたかどうかを検定する。
そして、ＥＵＶ放射停止信号が入力されない（Ｎｏ）場合はステップＳ３０４に移行し、上記処理を繰り返す。
【００９２】
(ii)一方、ｎ≧ｎｍのとき、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、露光機の制御部４０にアラーム信号を送出する。また、前記ＥＵＶ発光回数を計数するカウンタの値を初期値にリセットする。そして、ステップＳ３１０に行く。
露光機の制御部４０は、上記アラームが通知されると、露光処理を中断できるようなタイミングで、ＥＵＶ放射停止信号を出力する。
(iii) ステップＳ３１０では、露光機の制御部４０からＥＵＶ放射停止信号が入力されたかを検定する。ＥＵＶ放射停止信号が入力されない場合（Ｎｏのとき）には、ステップＳ３０４に戻り、露光処理を継続する。
また、露光機の制御部４０から上記ＥＵＶ放射停止信号が入力されると（Ｙｅｓのとき）、ステップＳ３１１に行き、ＥＵＶ発光指令の出力を停止する。また、シャッタ駆動制御部１６にシャッタ閉信号を送出する。これにより、シャッタ駆動制御部１６はシャッタ駆動機構２１ａを駆動してシャッタ２１を閉じる。
そして、前記したように露光機の制御部４０にアラームを通知した場合は（ステップＳ３１２１）、クリーニングモードとなり、クリーニング処理が開始される（ステップＳ３１３１）。
(iv)ついで、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は装置稼動停止信号があるかを判別し（ステップＳ３１５）、装置稼動停止でなければ、前記ステップＳ３０１に戻る。
また、装置稼動停止信号が入力されていると、ガス排気ユニット１３を停止し、装置の稼動を停止させる（ステップＳ３１６）。  
【００９３】
クリーニング処理工程は、例えば、第１の実施例で述べたようなクリーニング手順を一部変更して適用する。なお、本実施例において、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、クリーニング処理時におけるトリガ信号の数を計数するための第２のカウンタ（前記ＥＵＶ光が放射される回数をカウントするカウンタと兼用してもよい）を備え、その計数値が所定の値になるまでの間、クリーニング処理を行う。
図２２は、本実施例におけるクリーニング手順を示すフローチャートである。
(i) ＥＵＶ光源装置の制御部は、ＥＵＶ光源装置の高密度高温プラズマ発生部に供給するガスをＥＵＶ放射種の原料ガスであるＳｎＨ4 ガスから希ガスプラズマによるクリーニング用ガスであるＸｅガスに切り替える。
即ち、ＳｎＨ4 ガスの流路を開閉するバルブＶ１を閉、Ｘｅガスの流路を開閉するバルブＶ２を開とする。また、ＥＵＶ光源装置の制御部は、Ｘｅガス流量が所定の値となるように、設定部に予め入力されたパラメータに基づき、ガス流量調整器ＭＦＣ２の動作を制御する（ステップＳ２０1 ）。本ステップにより、ＥＵＶ光源装置に、ＭＦＣ２により流量が設定されたＸｅガスが、ガス導入口２を介して導入される。
【００９４】
(ii)ＥＵＶ光源装置の制御部は圧力モニタ１５から送出される圧力データに基づき、高密度高温プラズマ発生部の圧力が所定の圧力となるように、ガス排気ユニット１３を制御して、ガス排気量を調節する（ステップＳ２０2 ）。
(iii) ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、露光機の制御部４０からのＥＵＶ発光指令信号を受信することなしに自発的に高電圧パルス発生部１２にトリガ信号を送出する自発放電指令モードに移行して、トリガ信号を高電圧パルス発生部に送出する（ステップＳ２０３）。
(vi)上記したようにＥＵＶ光源装置の制御部１４は、図示を省略したカウンタを有しており、トリガ信号の送出後、カウントを１つ更新する（ステップＳ２０３５）。
(vii) トリガ信号を受信した高電圧パルス発生部１２は、第１の主放電電極３ａ（カソード）、第２の主電極３ｂ（アノード）間に、パルス電力を印加する（ステップＳ２０４）。
【００９５】
(viii)高密度高温プラズマ発生部やその近傍には、Ｘｅガスによるプラズマ放電が発生する。このＸｅガスプラズマによるクリーニングにより、ＳｎＨ4 ガス放電中（ＥＵＶ光発生中）、もしくは、ＥＵＶ放射休止信号発信後から自発放電指令モードに移行するまでの放電停止時に第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ、絶縁部３ｃの少なくとも一部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物が除去される（ステップＳ２０５）。
ここで、希ガス（例えば、Ｘｅガス）プラズマによるクリーニングによるＥＵＶ光源装置内に堆積した不純物の除去量は、希ガス供給中で発生するパルス状の希ガスプラズマ放電が発生する回数が多くなるほど増加する。
一方、一回のパルス状の希ガスプラズマ放電による不純物（例えば、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物）の除去量は、Ｘｅガス導入量、チャンバ内圧力、高電圧パルス発生部から第１、第２の主放電電極間に印加されるパルス電力量等のＥＵＶ光源装置の運転条件等に依存する。
よって、露光仕様に伴うＥＵＶ光源装置の運転条件、ならびに、希ガスプラズマによるクリーニング動作条件が予め判明しているとき、上記したＥＵＶ発光回数の所定発光回数ｎｍだけＥＵＶ発光が行われたときに堆積された不純物を、除去するのに必要な希ガスプラズマ放電の回数（ｎｅ）は予め算出され、ＥＵＶ光源装置の制御部１４に記憶されている。
【００９６】
(ix)次のステップＳ２０５５において、希ガスプラズマ放電の回数が上記ｎｅに到達したか否かを検定する。
ｎ＜ｎｅのときは、ＥＵＶ光源装置内（特に第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂ、絶縁材３ｃ）に堆積する不純物が十分に除去できていない状態である。よって、希ガスプラズマによるクリーニングは続行される。すなわち、検定時、ｎ≧ｎｅがＮｏのとき、ステップＳ２０３に移行する。
一方、ステップＳ２０５５において、検定時、ｎ≧ｎｅがＹｅｓのときはステップＳ２０６１に移行し、ステップＳ２０６１において、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、自発放電指令モードを解除して、トリガ信号の高電圧パルス発生部への送出を停止し、バルブＶ２を閉じる。また、上記第２のカウンタのカウントをリセットして処理を終了する。
なお、露光処理を再開する場合は、ステップＳ２０６１から図２０に示すステップＳ３０１に移行する。
【００９７】
なお、本変形例においても、所定発光回数ｎｍをＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量による悪影響が看過できなくなる状態の回数に設定するのではなく、ある程度、余裕を持って少なめに設定しておいてもよい。
また、上記ステップＳ３０９においては、露光機の制御部４０は、アラーム信号を受信したらＥＵＶ光源装置の制御部１４にＥＵＶ放射停止信号が送出するが、アラーム信号を受信したタイミングが、１枚のワークの露光処理中の場合など、一連の露光処理を中断できない状態の場合もある。そのような場合は、露光機の制御部４０は、前記したようにアラーム信号を受信後、露光処理中のワークの処理が完了後にＥＵＶ光源装置の制御部にＥＵＶ放射停止信号を送出する。
また、クリーニング処理中に、ワークの露光準備が完了したときには、露光機の制御部は、ステップＳ２０１〜Ｓ２０６１の任意のタイミングで強制終了指令信号をＥＵＶ光源装置に送出してもよい。その場合、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、強制終了信号を受信したら、処理を強制終了する。
【００９８】
さらに、本実施例においても、先に述べた実施例１の第５の変形例のように、予備電離を行うようにしてもよい。
その場合、前記したように、希ガス（Ｘｅガス）プラズマ放電を発生させる際、放電集中の発生が抑制され、均一な希ガスプラズマを形成することが可能となる。そのため、比較的大きい粒子状のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が、希ガスプラズマの形成領域からの距離が大きいデブリトラップ、ＥＵＶ集光鏡まで到達することが殆ど無くなり、希ガスプラズマによるクリーニングに費やされる時間を大幅に短縮でき、不純物による装置性能の低下を抑制することが容易となる。
また、予備電離により、均一な希ガスプラズマを形成することが可能となるので、希ガスプラズマによるクリーニングを均一に行うことが可能となる。
【００９９】
図２３は、本実施例によるクリーニング処理を説明するタイムチャートである。
同図に示すように、ＥＵＶ光源装置の制御部には、前記したようにＥＵＶ光の発光回数を計数するカウンタが設けられ、このカウンタの計数値は、ＥＵＶ発光を繰り返すごとに増加する。そしてカウンタの計数値がｎｍを越えると、カウンタがリセットされるとともに、アラームが露光装置の制御部４０に通知される。
露光機の制御部４０は、前記したように一連の露光処理が終了し、ＥＵＶ光の放射停止が可能なタイミングで、ＥＵＶ放射停止信号を出力する。
ＥＵＶ放射停止信号が与えられると、前記したようにＥＵＶ発光指令の出力を停止する。また、シャッタ２１が閉じられる。
ついで、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、自発的に高電圧パルス発生部１２にトリガ信号を送出する自発放電指令モードに移行して、トリガ信号を高電圧パルス発生部１２に送出する。これにより、高密度高温プラズマ発生部やその近傍にＸｅガスによるプラズマ放電が発生し、クリーニングが行われる。
一方、第２のカウンタでＸｅガスによるプラズマ放電の回数をカウントし、このカウント値が所定の値であるｎｅに達すると、クリーニング処理を終了する。
【０１００】
５．第５の実施例
上述した第３の実施例においては、パルス状のＥＵＶ光が放射される回数をカウントすることにより、ＥＵＶ光源装置内（特に第１、第２の主放電電極、絶縁材）に堆積する不純物の堆積量による影響を判断していた。
本実施例では、上記カウントに代え、ＥＵＶ光源装置内（特に第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂ、絶縁材３ｃ）に堆積する不純物の堆積量をモニタし、モニタした不純物の堆積量が所定値に到達したとき、ＥＵＶ光源に警告表示をさせるものである。
作業者は、警告表示が出たら、例えば、手動で高密度高温プラズマ発生部に供給するガスをＳｎＨ4 ガスからＸｅガスに切り替えて電極等に堆積した不純物の除去を行う。
【０１０１】
（１）装置構成
本実施例に係るＥＵＶ光源装置の構成は、例えば、図１に示す実施例１に係るＥＵＶ光源装置の構成例と同等でよい。よって、詳細な説明は省略する。
なお、図１に関する先の説明においては、本実施例に関連する構成についての説明を省略していた。よって、以下、この構成について述べる。
図１において、チャンバ１の第２の容器１ｂにおける第２の主放電電極３ｂの近傍には、モニタユニット２２が設けられている。モニタユニット２２は、ＥＵＶ光源装置内（特に第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂ、絶縁材３ｃ）に堆積する不純物の堆積量を検知するためものであり、堆積物の堆積量や、堆積物の有無の確認、堆積物のクリーニング処理速度等を算出するためのモニタとして使用する。
モニタユニット２２は、例えば、水晶振動子式の膜厚モニタである。すなわち、ＥＵＶ光源装置内に配置した膜厚モニタに堆積した堆積物を検出することにより、堆積物の堆積状態を検出する。
モニタユニット２２からの検出信号は、膜厚測定手段１９に送出される。受信した検出信号に基づき膜厚測定手段１９は、ＥＵＶ光源装置内に堆積する堆積物の堆積物の堆積量やクリーニング処理速度等を算出したり、堆積物の有無の判断を行う。この算出結果、判断結果は、膜厚測定手段からＥＵＶ光源装置の制御部に送出される。
【０１０２】
（Ａ）露光処理工程、クリーニング処理工程
本実施例の露光処理工程およびクリーニング処理工程は、前記図１７、図１８の示したフローチャートと基本的には同じであるが、本実施例では、図１７のステップＳ３０６が削除され、その代わりに膜厚測定手段で容器内に堆積した不純物の堆積量を算出するステップが追加される。また、図１７のステップＳ３０８が削除され、その代わりに膜厚ｔｃと膜厚の設定値ｔｍを比較するステップが追加される。それ以外の処理は前記図１７、図１８で説明したのと同じである。したがって、ここでは上記変更点についてのみ説明する。
(i) 前記したようにステップＳ３０１〜Ｓ３０５の処理を行い、ＥＵＶ光が放射されると、モニタユニット２２より検出信号が膜厚測定手段１９に送出され、膜厚測定手段１９は、受信した検出信号に基づき、ＥＵＶ光源装置内の堆積物の堆積量ｔｃを算出し、算出結果をＥＵＶ光源装置の制御部１４に送出する。
(ii)膜厚測定手段１９から算出堆積量データを受信したＥＵＶ光源装置の制御部１４は、この算出堆積量ｔｃと上記閾値ｔｍとの大小を検定する。
そして、ｔｃ＜ｔｍのときは、ＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量による悪影響は看過可能な状態であり、クリーニング処理は行なわない。
【０１０３】
一方、ｔｃ≧ｔｍのときは、ＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量による悪影響は看過できない状態である。そこで、前記したように警告表示手段２３である警告灯を点灯させ、作業員の手動によるクリーニング処理を行なう。
なお、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、堆積物の堆積量の閾値ｔｍを予め記憶しているものとし、この堆積量の閾値ｔｍは、ＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量による悪影響が看過できなくなる状態になるときの閾値である。
その他の処理は前記図１７、図１８で説明したのと同様である。
なお、堆積量の閾値ｔｍを、ＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量による悪影響が看過できなくなる状態の閾値に設定するのではなく、ある程度、余裕を持って少なめに設定しておいてもよい。作業者は、警告表示が出たらメンテナンス時期と判断し、例えば、露光作業終了後等のタイミングでメンテナンスとして、手動で高密度高温プラズマ発生部に供給するガスをＳｎＨ4 ガスからＸｅガスに切り替えて電極等に堆積した不純物の除去を行うようにしてもよい。
【０１０４】
図２４は、本実施例によるクリーニング処理を説明するタイムチャートである。
同図に示すように、ＥＵＶ発光する毎に、モニタユニット２２により検出された膜厚測定値は大きくなり、膜厚測定値が堆積量の閾値ｔｍに達すると、警告灯が点灯する。
警告灯が点灯し、露光機の制御部４０からＥＵＶ放射停止信号が与えられると、前記したようにＥＵＶ発光指令の出力を停止する。また、シャッタ２１が閉じられる。
この状態で、作業員は、ＥＵＶ光源装置の制御部１４を手動で操作して、クリーニング処理を行なう。そしてクリーニング処理が終わったら警告表示手段２３を消灯させる。
【０１０５】
（Ｂ）本実施例により得られる効果
本実施例では、ＥＵＶ光源装置内（特に第１、第２の主放電電極、絶縁材）に堆積する不純物の堆積量をモニタして、堆積量が堆積量の閾値ｔｍに到達したとき、ＥＵＶ光源に警告表示をさせる。そして、作業者は、警告表示が出たら、例えば、手動で高密度高温プラズマ発生部に供給するガスをＳｎＨ4 ガスからＸｅガスに切り替えて電極等に堆積した不純物の除去を行うようにしている。
従って、クリーニング処理が必要なときのみ、クリーニング工程を行うことが可能となり、ＥＵＶ放射休止中に都度、クリーニング工程を実施するより効率的である。
【０１０６】
（２）第５の実施例の変形例
上記した実施例では、モニタし算出して求めた不純物の堆積量ｔｃが堆積量の閾値ｔｍに到達したら、警告灯を表示し、手動でクリーニング工程を行うようにしていた。しかしながら、堆積量が閾値ｔｍに達したら、前記図２０、図２１、図２２に示したように、クリーニング工程を自動で行ってもよい。
図２５は本実施例によるクリーニング処理を説明するタイムチャートである。
同図に示すように、ＥＵＶ発光する毎に、モニタユニット２２により検出された膜厚測定値は大きくなり、膜厚測定値が堆積量の閾値ｔｍに達すると、アラームが露光機の制御部４０に送出される。
これにより、露光機の制御部４０からＥＵＶ放射停止信号が与えられると、前記したようにＥＵＶ発光指令の出力を停止する。また、シャッタ２１が閉じられる。
ついで、ＥＵＶ光源装置の制御部１４は、自発的に高電圧パルス発生部１２にトリガ信号を送出する自発放電指令モードに移行して、トリガ信号を高電圧パルス発生部１２に送出する。これにより、高密度高温プラズマ発生部やその近傍にＸｅガスによるプラズマ放電が発生し、クリーニングが行われる。
一方、クリーニングを行なうことにより、堆積物の膜厚がｔｅに達すると、クリーニング処理を終了する。
【０１０７】
なお、本変形例においても、堆積量の閾値ｔｍを、ＥＵＶ光源装置内に堆積する不純物の堆積量による悪影響が看過できなくなる状態の閾値に設定するのではなく、ある程度、余裕を持って少なめに設定しておいてもよい。
また、前記したように、アラーム信号を受信したタイミングが、１枚のワークの露光処理中である場合は、露光機の制御部４０は、アラーム信号を受信後、露光処理中のワークの処理が完了後にＥＵＶ光源装置の制御部１４にＥＵＶ放射休止信号を送出するようにしてもよい。
また、クリーニング処理中に、ワークの露光準備が完了したときには、露光機の制御部４０は、強制終了指令信号をＥＵＶ光源装置に送出してもよい。
なお、本実施例においても、先に述べた実施例１の第５の変形例のように、予備電離を行うようにしてもよい。これにより、希ガス（Ｘｅガス）プラズマ放電を発生させる際、放電集中の発生が抑制され、均一な希ガスプラズマを形成することが可能となる。
そのため、比較的大きい粒子状のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が、希ガスプラズマの形成領域からの距離が大きいデブリトラップ、ＥＵＶ集光鏡まで到達することが殆ど無くなり、希ガスプラズマによるクリーニングに費やされる時間を大幅に短縮でき、不純物による装置性能の低下を抑制することが容易となる。
また、予備電離により、均一な希ガスプラズマを形成することが可能となるの  で、希ガスプラズマによるクリーニングを均一に行うことが可能となる。
さらに、第２、第３の実施例に、上記第４、第５の実施例を適用し、ＥＵＶ光の放射回数をカウントし、そのカウント値が所定値に達したとき、あるいは、不純物の堆積量が所定値に到達したとき、警告は発生したり、自動的にクリーニングを開始するようにしてもよい。
【０１０８】
上記第１〜第５の実施例においては、ＳｎＨ4 ガスのプラズマ放電と、Ｘｅガスのプラズマ放電とを一つの高電圧パルス発生部１２により行っているが、Ｘｅガスを放電させるための電源（パルス放電用電源、ＤＣ放電用電源、ＲＦ放電用電源等）を別途設けても良い。例えば、ＥＵＶ光を発生させるためのＳｎＨ4 の放電とクリーニングを行うための希ガス（Ｘｅガス）の放電は、用途が違うためそれぞれに対して最適な電源特性（電流値、電圧値、パルス波形、周波数）が異なる。
極端に電源特性の異なる場合、電源は、どちらかの効率を優先し、他方の効率を低下させることになる。その場合に別途設けることでそれぞれの効率（ＥＵＶ光とクリーニング）を維持することが可能である。
また、ＥＵＶ放射種としてＳｎを高密度高温プラズマ発生部に供給する際、ＳｎＨ4 に限らず、Ｓｎへのレーザ照射による蒸発、放電によるＳｎ供給源の自己加熱により、Ｓｎ蒸気として供給してもよい。
また、ＥＵＶ放射種としては、Ｌｉ（リチウム）を採用してもよい。その場合、原料ガスとしては、Ｌｉ蒸気、もしくは、Ｌｉ化合物でもよい。
なお、本発明のクリーニング法において、第１、第２の主放電電極、絶縁材、ＥＵＶ集光鏡等の表面をクリーニングする場合、電極等の放電部の形状は勿論のこと、駆動電流波形と放電周波数、クリーニング用ガス種と流量、容器内部のガス圧分布等を適宜設定することにより、クリーニング領域の分布とクリーニング速度を制御することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の第１の実施例のＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施例の露光工程処理における動作手順を示すフローチャート（１）である。
【図３】本発明の第１の実施例の露光工程処理における動作手順を示すフローチャート（２）である。
【図４】本発明の第１の実施例のクリーニング処理工程における動作手順を示すフローチャートである。
【図５】第１の実施例の動作を示すタイムチャートである。
【図６】第１の実施例の第１の変形例の動作を示すタイムチャートである。
【図７】第１の実施例の第２の変形例の動作を示すタイムチャートである。
【図８】第１の実施例の第３の変形例の動作を示すタイムチャートである。
【図９】第１の実施例の第４の変形例の動作を示すタイムチャートである。
【図１０】本発明の第２の実施例のＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施例のＥＵＶ光源装置の動作を示すタイムチャートである。
【図１２】本発明の第３の実施例のＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。
【図１３】本発明の第３の実施例の露光工程処理における動作手順を示すフローチャート（１）である。
【図１４】本発明の第３の実施例の露光工程処理における動作手順を示すフローチャート（２）である。
【図１５】本発明の第３の実施例のクリーニング処理工程における動作手順を示すフローチャートである。
【図１６】本発明の第３の実施例のＥＵＶ光源装置の動作を示すタイムチャートである。
【図１７】本発明の第４の実施例の露光工程処理における動作手順を示すフローチャート（１）である。
【図１８】本発明の第４の実施例の露光工程処理における動作手順を示すフローチャート（２）である。
【図１９】本発明の第４の実施例のＥＵＶ光源装置の動作を示すタイムチャートである。
【図２０】本発明の第４の実施例の変形例の露光工程処理における動作手順を示すフローチャート（１）である。
【図２１】本発明の第４の実施例の変形例の露光工程処理における動作手順を示すフローチャート（２）である。
【図２２】本発明の第４の実施例の変形例の動作を示すフローチャートである。
【図２３】本発明の第４の実施例の変形例によるクリーニング処理を説明するタイムチャートである。
【図２４】本発明の第５の実施例の動作を示すタイムチャートである。
【図２５】本発明の第５の実施例の変形例の動作を示すタイムチャートである。
【図２６】ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の構成例を示す図である。
【図２７】第１、第２の主放電電極、絶縁材の表面にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積した状態を示す図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１      チャンバ
２      ガス導入口
３ａ    主放電電極（カソード）
３ｂ    主放電電極（アノード）
３ｃ    絶縁材
４      デブリトラップ
５      ＥＵＶ集光鏡
６      ＥＵＶ光取出部
７      ガス排出口
８      波長選択手段
９      高密度高温プラズマ発生部
１２    高電圧パルス発生部
１３    ガス排気ユニット
１４    制御部（ＥＵＶ光源装置）
１５    圧力モニタ
１６    シャッタ駆動制御部
１７    予備電離ユニット
１８    予備電離電源
１９    膜厚測定手段
２０    ガス供給ユニット
２１    シャッタ
２２    モニタユニット
２３    警告表示手段
２４ａ  シャッタ
２４ｂ  シャッタ
【図１】
2007019286.tif 000003
【図２】
2007019286.tif 000004
【図３】
2007019286.tif 000005
【図４】
2007019286.tif 000006
【図５】
2007019286.tif 000007
【図６】
2007019286.tif 000008
【図７】
2007019286.tif 000009
【図８】
2007019286.tif 000010
【図９】
2007019286.tif 000011
【図１０】
2007019286.tif 000012
【図１１】
2007019286.tif 000013
【図１２】
2007019286.tif 000014
【図１３】
2007019286.tif 000015
【図１４】
2007019286.tif 000016
【図１５】
2007019286.tif 000017
【図１６】
2007019286.tif 000018
【図１７】
2007019286.tif 000019
【図１８】
2007019286.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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