(57)【要約】【課題】  生産性が良好であり、製造上の管理が容易であり、反射面において高い反射率、例えば８５％以上の反射率が得られる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】  互いに略平行な一対の共振器面Ａ，Ｂを有する半導体レーザ素子において、この一対の共振器面の一方の共振器面Ａ上に形成された第１の金属化合物膜２５と、この第１の金属化合物膜２５上に形成された金属膜２６と、この金属膜２６上に形成された第２の金属化合物膜２７と、からなる複合多層膜２２を有する半導体レーザ素子５０とする。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに略平行な一対の共振器面を有する半導体レーザ素子において、
前記一対の共振器面の一方の共振器面上に形成された第１の金属化合物膜と、
前記第１の金属化合物膜上に形成され、所定の金属からなる金属膜と、
前記金属膜上に形成された第２の金属化合物膜と、
を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第１の金属化合物膜及び前記第２の金属化合物膜は、前記所定の金属の酸化物または窒化物からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
互いに略平行な一対の共振器面を有する半導体レーザ素子の製造方法において、
前記一対の共振器面の一方の面上に、反応性スパッタ法を用いて、所定の金属が酸化または窒化されてなる第１の金属酸化膜または第１の金属窒化膜を成膜する第１の成膜工程と、
前記第１の金属酸化膜または前記第１の金属窒化膜上に、前記所定の金属からなる金属膜を成膜する第２の成膜工程と、
前記金属膜上に、前記反応性スパッタ法を用いて、前記所定の金属が酸化または窒化されてなる第２の金属酸化膜または第２の金属窒化膜を成膜する第３の成膜工程と、
を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法、特に共振器型の半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体レーザ素子は、ＢＤ（Blu-ray Disk），ＤＶＤ（Digital Versatile Disk），ＣＤ（Compact Disk）等の光ディスクを記録／再生する光ディスク装置等に広く用いられ、さらなる高出力化が望まれている。
この高出力化に対応する半導体レーザ素子の一つに、共振器型の半導体レーザ素子がある。この共振器型の半導体レーザ素子は、互いに略平行な光出射面と反射面とからなる共振器面を有している。そして、この共振器型の半導体レーザ素子に電流を印加すると、活性層でレーザ発振し、この発振したレーザ光は光出射面と反射面との間で共振し、電流が発振しきい値以上になったとき、その光出射面からレーザ光が出射される。
【０００３】
そして、共振器型の半導体レーザ素子のさらなる高出力化の手段の一例が特許文献１及び特許文献２に記載されている。
【０００４】
特許文献１によれば、半導体レーザ素子の反射面に金属膜を形成して、反射面における反射率を大きくすることによって、高出力の半導体レーザ素子が得られるとするものである。
【０００５】
また、特許文献２によれば、半導体レーザ素子の反射面にＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）膜とＡｌＮ（窒化アルミニウム）膜とが交互に積層された金属化合物多層膜を形成して、反射面における反射率を大きくすることによって、高出力の半導体レーザ素子が得られるとするものである。
【特許文献１】特開昭６０−１３０１８８号公報
【特許文献２】特開平２−１３７２８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の半導体レーザ素子は、以下に示す問題を有している。
【０００７】
特許文献１に記載の半導体レーザ素子は、反射面に金属膜が直接形成されているため、この半導体レーザ素子に電流を印加した際、電流の一部がこの金属膜を通ってリークする場合がある。このリーク電流は発光に寄与しないため、このような半導体レーザ素子は発光出力が低くなるという問題を有している。
また、特許文献１に記載されているように金属膜としてＡｌ（アルミニウム）を用いた場合、反射面における反射率は５５〜６５％程度である。一般的に、高出力の半導体レーザ素子を得るためには、反射面における反射率が８５％以上であることが望ましい。従って、特許文献１に記載の半導体レーザ素子において、反射面における、さらなる反射率の改善が必要である。
【０００８】
特許文献２に記載の半導体レーザ素子は、反射面に絶縁性を有する金属化合物多層膜が形成されているので、上述したリーク電流はほとんど発生しない。しかし、反射面において高い反射率を得るためには、金属化合物多層膜を高多層化する必要がある。
例えば、反射面において８５％以上の高い反射率を得るためには、Ａｌ２Ｏ３膜とＡｌＮ膜とを交互に６層ずつ積層(合計１２層からなる積層構造)する必要があり、成膜時間が長くなるので、生産性が悪い。
また、高い反射率を得るためには、Ａｌ２Ｏ３膜及びＡｌＮ膜の膜厚を厳しく管理しなければならない。
例えば、反射面において８５％以上の高い反射率を得るためには、Ａｌ２Ｏ３膜及びＡｌＮ膜の膜厚のばらつきを±（プラスマイナス）２％以内に管理しなければならない。
【０００９】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、生産性が良好であり、製造上の管理が容易であり、反射面において８５％以上の高い反射率を有する、半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本願各発明は次の手段を有する。
１）互いに略平行な一対の共振器面を有する半導体レーザ素子において、前記一対の共振器面（Ａ，Ｂ）の一方の共振器面（Ｂ）上に形成された第１の金属化合物膜（２５）と、前記第１の金属化合物膜（２５）上に形成された所定の金属からなる金属膜（２６）と、前記金属膜（２６）上に形成された第２の金属化合物膜（２７）と、を有することを特徴とする半導体レーザ素子（５０）である。
２）前記第１の金属化合物膜（２５）及び前記第２の金属化合物膜（２７）は、前記所定の金属の酸化物または窒化物からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子（５０）である。
３）互いに略平行な一対の共振器面（Ａ，Ｂ）を有する半導体レーザ素子の製造方法において、前記一対の共振器面（Ａ，Ｂ）の一方の共振器面（Ｂ）上に、反応性スパッタ法を用いて、所定の金属が酸化または窒化されてなる第１の金属酸化膜（２５）または第１の金属窒化膜を成膜する第１の成膜工程と、前記第１の金属酸化膜（２５）または第１の金属窒化膜上に、前記所定の金属からなる金属膜（２６）を成膜する第２の成膜工程と、前記金属膜（２６）上に、前記反応性スパッタ法を用いて、前記所定の金属が酸化または窒化されてなる第２の金属酸化膜（２７）または第２の金属窒化膜を成膜する第３の成膜工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ素子（５０）の製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、一方の共振器面上に形成された第１の金属化合物膜と、この第１の金属化合物膜上に形成された金属膜と、この金属膜上に形成された第２の金属化合物膜と、を有するようにしたので、生産性が良好であり、製造上の管理が容易であり、反射面において高い反射率、例えば８５％以上の反射率が得られるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図６、及び表１を用いて説明する。
図１〜図４は、本発明の半導体レーザ素子及びその製造方法の実施例における、第１〜第４工程をそれぞれ説明するための斜視図である。各図は各工程に対応している。
ところで、後述する所定の工程を経たｎ型基板１は、半導体レーザ素子５０がマトリクス状に複数形成されており、このｎ型基板１を所定の間隔で劈開及び分断することによって、単体の半導体レーザ素子５０を得ることができるが、図１〜図４では、説明をわかりやすくするために、工程の始めから、単体の半導体レーザ素子５０の構造を示すこととした。
【００１３】
＜実施例＞
（第１工程）［図１参照］
まず、第１の結晶成長として、例えば、厚さが約３００μｍであるｎ型基板１上に、厚さが約２μｍであるｎ型クラッド層２と、活性層３と、厚さが約０．２μｍである第１のｐ型クラッド層４と、厚さが約２０ｎｍであるｐ型エッチングストップ層５と、厚さが約１．５μｍである第２のｐ型クラッド層６と、厚さが約０．２μｍであるｐ型キャップ層７とを、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法により、順次成膜して積層する。
実施例では、ｎ型基板１及びｐ型キャップ層７の材料としてＧａＡｓ（ガリウム砒素）を、ｎ型クラッド層２，第１のｐ型クラッド層４，及び第２のｐ型クラッド層６の材料としてＡｌＧａＡｓ（アルミニウムガリウム砒素）を用いた。
また、ｐ型ドーパントとしてＺｎ(亜鉛)を、ｎ型ドーパントとしてＳｉ（シリコン）を用いた。
この積層後のｎ型基板１を、積層基板１０と呼ぶ。
また、各層の厚さや成膜条件は、本実施例に限定されるものではない。
上述のｎ型を第１導電型、ｐ型を第２導電型と呼ぶ場合がある。
【００１４】
（第２工程）［図２参照］
フォトリソ法により、第２のｐ型クラッド層６及びｐ型キャップ層７を選択的にエッチングして、第２のｐ型クラッド層６及びｐ型キャップ層７からなるリッジ１２を、所定の間隔を有する略平行なストライプ状に複数形成する。
ところで、図２は、複数のリッジ１２の内の１つを示している。
【００１５】
（第３工程）［図３参照］
次に、第２の結晶成長として、リッジ１２の段差を埋めるように、露出しているｐ型エッチングストップ層５の表面上に、厚さが約１μｍである第１のｎ型電流ブロック層１４と、厚さが約０．３μｍである第２のｎ型電流ブロック層１５とを、ＭＯＣＶＤ法により、順次成膜して積層する。
実施例では、第１のｎ型電流ブロック層１４及び第２のｎ型電流ブロック層１５の材料として、ＡｌＧａＡｓ及びＧａＡｓを用いた。
【００１６】
次に、第３の結晶成長として、リッジ１２及び第２のｎ型電流ブロック層１５の表面に、厚さが約３μｍであるｐ型コンタクト層１７を、ＭＯＣＶＤ法により、形成する。
実施例では、ｐ型コンタクト層１７の材料として、ＧａＡｓを用いた。
【００１７】
その後、例えば蒸着法により、ｐ型コンタクト層１７の表面にＡｕ(金)系のｐ型電極１９を形成し、ｎ型基板１の積層方向に対して反対側の面にＡｕ(金)系のｎ型電極２０を形成する。
【００１８】
この第３工程を経たｎ型基板１を、リッジ１２が延在する方向と直交する面に沿って、所定の間隔にて劈開し、その劈開面が共振器面Ａ，Ｂとなるバー２１を形成する。
【００１９】
（第４工程）［図４参照］
バー２１の共振器面Ａ，Ｂにおいて、例えば、一方の共振器面Ａに高反射膜２２を、他方の共振器面Ｂに低反射膜２３を、反応性スパッタ法を用いて形成する。
この形成方法について、以下に詳述する。
【００２０】
まず、バー２１の共振器面Ａに高反射膜２２を形成する方法について説明する。
共振器面Ａが所定の向き（高反射膜２２が成膜される向き）になるように、バー２１をＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance：電子サイクロトロン共鳴）スパッタ装置（図示せず）内に載置する。このＥＣＲスパッタ装置には、共振器面Ａに対向する位置にＡｌ（アルミニウム）からなるターゲット（図示せず）が載置されている。
【００２１】
次に、Ａｒ（アルゴン）ガス及びＯ２(酸素)ガスをＥＣＲスパッタ装置内に導入して、プラズマを発生させる。
これにより、ターゲットからＡｌ原子がＥＣＲスパッタ装置内に飛散し、この飛散したＡｌ原子はＯ２(酸素)ガスのＯ(酸素)原子と反応してＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）となる。このＡｌ２Ｏ３はバー２１の共振器面Ａ上に第１のＡｌ２Ｏ３膜２５（第１の金属化合物膜という場合がある）として成膜される。
次に、Ｏ２ガスの導入を止めてＡｒガスのみにすると、飛散したＡｌ原子はＡｌ膜２６（金属膜という場合がある）として第１のＡｌ２Ｏ３膜２５上に積層される。
さらに、Ａｒガスに加えて、再び、Ｏ２ガスをＥＣＲスパッタ装置内に導入して、このＡｌ膜２６上に第２のＡｌ２Ｏ３膜２７（第２の金属化合物膜という場合がある）を積層する。
【００２２】
この第１のＡｌ２Ｏ３膜２５とＡｌ膜２６と第２のＡｌ２Ｏ３膜２７とからなる多層膜は、Ａｌ２Ｏ３からなる金属化合物膜とＡｌからなる金属膜との複合多層膜であり、この複合多層膜は、共振器面Ａにおける高反射膜２２となる。そして、この高反射膜２２が形成された共振器面Ａは、後述する半導体レーザ素子５０の反射面となる。
【００２３】
ところで、実施例では、第１及び第２のＡｌ２Ｏ３膜２５，２７の成膜条件として、Ａｒガス流量を２０ｃｃｍとし、Ｏ２ガス流量を４〜５ｃｃｍの範囲とした。Ａｌ膜２６の成膜条件として、Ａｒガス流量を２０ｃｃｍとした。
また、実施例では、第１のＡｌ２Ｏ３膜２５、Ａｌ膜２６、及び第２のＡｌ２Ｏ３膜２７の厚さを、それぞれ１１９ｎｍ、５０ｎｍ、及び２０ｎｍとした。
この第１のＡｌ２Ｏ３膜２５、Ａｌ膜２６、及び第２のＡｌ２Ｏ３膜２７の各厚さに関する詳細な説明については後述することとする。
【００２４】
次に、バー２１の共振器面Ｂに低反射膜２３を形成する方法について説明する。
共振器面Ｂが所定の向き（低反射膜２３が成膜される向き）になるように、バー２１をＥＣＲスパッタ装置（図示せず）内に載置する。このＥＣＲスパッタ装置には、共振器面Ｂに対向する位置にＡｌからなるターゲット（図示せず）が載置されている。
次に、Ａｒガス及びＯ２ガスをＥＣＲスパッタ装置内に導入し、プラズマを発生させる。
これにより、ターゲットからＡｌ原子がＥＣＲスパッタ装置内に飛散し、この飛散したＡｌ原子はＯ２ガスのＯ原子と反応してＡｌ２Ｏ３となる。このＡｌ２Ｏ３はバー２１の共振器面Ｂ上にＡｌ２Ｏ３膜として成膜される。
このＡｌ２Ｏ３膜は、共振器面Ｂにおける低反射膜２３となる。そして、この低反射膜２３が形成された共振器面Ｂは、後述する半導体レーザ素子５０の光出射面となる。
【００２５】
ところで、実施例では、低反射膜２３であるＡｌ２Ｏ３膜の成膜条件として、Ａｒガス流量を２０ｃｃｍとし、Ｏ２ガス流量を４〜５ｃｃｍの範囲とした。
また、実施例では、この低反射膜２３の厚さを９８．９ｎｍとした。
この低反射膜２３であるＡｌ２Ｏ３膜の厚さに関する詳細な説明については後述することとする。
【００２６】
上述した高反射膜２２及び低反射膜２３が形成されたバー２１を、ストライプ状に形成したリッジ１２間の略中心線を通り共振器面Ａ，Ｂに対して直交する面で分断することによって、本実施例の半導体レーザ素子５０を得る。
【００２７】
この半導体レーザ素子５０は、ｐ型電極１９からｎ型電極２０に向かって順方向電流を注入しこの電流が発振しきい値以上になったとき、リッジ１２の下部に対応した活性層３でレーザ発振が起こり、レーザ光Ｌが活性層３の光出射面である共振器面Ｂから出射されるものである。
【００２８】
ここで、実施例の第４工程における第１のＡｌ２Ｏ３膜２５、Ａｌ膜２６、及び第２のＡｌ２Ｏ３膜２７の各厚さについて説明する。
【００２９】
まず、第１のＡｌ２Ｏ３膜２５の厚さについて、図５を用いて説明する。
図５は、反射膜の厚さと、半導体レーザ素子の反射面における反射率との関係を表した図である。
図５中の第１の反射膜は、本発明における一実施例であり、第１のＡｌ２Ｏ３膜とＡｌ膜と第２のＡｌ２Ｏ３膜とからなる３層構造の複合多層膜であり、Ａｌ膜及び第２のＡｌ２Ｏ３膜の各厚さは、５０ｎｍ及び２０ｎｍである。第１の反射膜の場合、第１のＡｌ２Ｏ３膜の厚さと反射率との関係について調べた。
図５中の第２の反射膜は、実施例に対する第１比較例であり、Ｔａ２Ｏ５（５酸化タンタル）膜とＡｌ２Ｏ３膜とが交互に積層された１０層構造の金属化合物多層膜である。
図５中の第３の反射膜は、実施例に対する第２比較例であり、ＡｌＮ膜とＡｌ２Ｏ３膜とが交互に積層された１２層構造の金属化合物多層膜である。
【００３０】
また、第１の反射膜における第１のＡｌ２Ｏ３膜、第２の反射膜におけるＴａ２Ｏ５膜及びＡｌ２Ｏ３膜、第３の反射膜におけるＡｌＮ膜及びＡｌ２Ｏ３膜の各厚さｔを、ａ・λ／ｎ（ｔ＝ａ・λ／ｎ）と表すことができる。ここで、ａは変数、λはレーザ光の波長、ｎは膜の屈折率である。
なお、Ｔａ２Ｏ５膜、Ａｌ２Ｏ３膜、及びＡｌＮ膜の屈折率ｎを、それぞれ２．１２、１．６４、及び２．１とした。
【００３１】
図５中に、反射率が８５％以上となる、第１乃至第３の反射膜の各厚さの範囲をそれぞれｘ，ｙ，ｚで表した。図５から、第１の反射膜は、反射率が８５％以上となる厚さの範囲ｘが最も広いことを確認した。
そこで、反射率が８５％以上となる、第１乃至第３の反射膜の各厚さの範囲ｘ，ｙ，ｚを数値化して、表１にまとめた。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
表１から、８５％以上の反射率を得るためには、実施例である第１の反射膜を用いた場合、第１のＡｌ２Ｏ３膜の厚さの設定値（中心値）を０．２８５λ／ｎとし、そのばらつきを±３３％の範囲内になるように管理すればよいことを見出した。
また、λをＤＶＤに対応する波長である７８０ｎｍとすると、第１のＡｌ２Ｏ３膜の厚さの範囲「０．２８５λ／ｎ±３３％」は、「１３６ｎｍ±３３％」または「９１〜１８１ｎｍの範囲」と表すことができる。
そこで、上述の実施例では、第１のＡｌ２Ｏ３膜２５の厚さを１１９ｎｍ（０．２５λ／ｎ）に設定した。
【００３４】
また、この第１のＡｌ２Ｏ３膜２５は、バー２１とＡｌ膜２６との絶縁膜として機能する。バー２１とＡｌ膜２６との十分な絶縁性を得るためには、第１のＡｌ２Ｏ３膜２５の厚さを２０ｎｍ以上に設定することが望ましい。
【００３５】
また、表１から、比較例である第２の反射膜または第３の反射膜を用いた場合、各厚さをそれぞれ「０．２５５λ／ｎ±６％」または「０．２５５λ／ｎ±２％」と実施例に比べて狭い範囲で管理しなければならないことを確認した。
【００３６】
次に、実施例の第４工程におけるＡｌ膜２６の厚さについて、図６を用いて説明する。
図６は、実施例の反射膜２２におけるＡｌ膜２６の厚さと、半導体レーザ素子の反射面における反射率との関係を表した図である。
反射膜の第１及び第２のＡｌ２Ｏ３膜の各厚さは、１１９ｎｍ及び２０ｎｍである。
【００３７】
図６から、Ａｌ膜の厚さを１７ｎｍ以上とすることにより、８５％以上の高い反射率が得られることを見出した。
そこで、上述の実施例では、Ａｌ膜２６の厚さを５０ｎｍに設定した。
【００３８】
次に、実施例の第４工程における第２のＡｌ２Ｏ３膜２７の厚さについて、説明する。
この第２のＡｌ２Ｏ３膜２７は、上述のＡｌ膜２６の酸化防止膜及び保護膜としての機能を有している。そして、この第２のＡｌ２Ｏ３膜２７の厚さを１０ｎｍ以上とすることにより、Ａｌ膜２６が大気中の酸素と反応して酸化することを防止できる。
そこで、上述の実施例では、第２のＡｌ２Ｏ３膜２７の厚さを２０ｎｍに設定した。
【００３９】
上述したように、半導体レーザ素子の反射面となる共振器面に、第１の金属化合物膜である第１のＡｌ２Ｏ３膜と、金属膜であるＡｌ膜と、第２の金属化合物膜である第２のＡｌ２Ｏ３膜とからなる３層構造の複合多層膜を形成することにより、少ない積層数で、その厚さの管理を厳しくすることなく、反射面において高い反射率を得ることができる。
即ち、本発明の半導体レーザ素子及びその製造方法によれば、生産性が良好であり、製造上の管理が容易であり、反射面において８５％以上の高い反射率をすることができる。
【００４０】
次に、実施例の第４工程における低反射膜２３であるＡｌ２Ｏ３膜の厚さについて、説明する。
高出力の半導体レーザ素子を得るためには、一般的に、光出射面におけるレーザ光の反射率を１０％以下にすることが望ましい。
そこで、発明者らが鋭意実験した結果、例えば、低反射膜２３であるＡｌ２Ｏ３膜の厚さを０．２０８λ／ｎとすることにより、光出射面におけるレーザ光の反射率を１０％以下にできることを見出した。
ここで、λをＤＶＤに対応する波長である７８０ｎｍとすると、０．２０８λ／ｎ＝９８．９ｎｍとなる。
そこで、実施例では、低反射膜２３であるＡｌ２Ｏ３膜の厚さを９８．９ｎｍとした。このときの光出射面における反射率は、約７．３％と良好であった。
【００４１】
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
【００４２】
例えば、実施例では、高反射膜として、第１のＡｌ２Ｏ３膜とＡｌ膜と第２のＡｌ２Ｏ３膜とからなる複合多層膜を形成したが、他の高反射膜として、第１のＡｌＮ（窒化アルミニウム）とＡｌ膜と第２のＡｌＮ膜とからなる複合多層膜を形成してもよい。
この第１及び第２のＡｌＮ膜を、実施例の第４工程において、第１のＡｌ２Ｏ３膜及び第２のＡｌ２Ｏ３膜を形成した反応性スパッタ法と同様の方法で形成することができる。
即ち、ＥＣＲスパッタ装置内に導入するＯ２ガスをＮ２（窒素）ガスに代えることにより、Ａｌ２Ｏ３膜に代えてＡｌＮ膜を形成することができる。
そして、この第１のＡｌＮとＡｌ膜と第２のＡｌＮ膜とからなる複合多層膜は、実施例における第１のＡｌ２Ｏ３膜とＡｌ膜と第２のＡｌ２Ｏ３膜とからなる複合多層膜と同様の効果、即ち、生産性が良好であり、製造上の管理が容易であり、反射面において高い反射率、例えば８５％以上の反射率が得られるという効果を奏することを、発明者らは確認している。
【００４３】
また、この変形例として、高反射膜を、Ａｌ２Ｏ３膜とＡｌ膜とＡｌＮ膜とが順次積層されてなる複合多層膜、または、ＡｌＮ膜とＡｌ膜とＡｌ２Ｏ３膜とが順次積層されてなる複合多層膜としてもよい。
【００４４】
また、実施例では、高反射膜に用いられる材料として、Ａｌ（アルミニウム）を用いたが、これに限定されるものではなく、例えば、Ａｌの代わりに、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）を用いることができる。
【００４５】
また、変形例として、実施例における基板及び各層の極性を逆にしてもよい。即ち、ｎ型をｐ型とし、ｐ型をｎ型としてもよい。
【００４６】
また、実施例では、リッジ型の半導体レーザ素子を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、本発明の半導体レーザ素子及びその製造方法は、共振器型の半導体レーザ素子全般に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第１工程を説明するための斜視図である。
【図２】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第２工程を説明するための斜視図である。
【図３】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第３工程を説明するための斜視図である。
【図４】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第４工程を説明するための斜視図である。
【図５】反射膜の厚さと、半導体レーザ素子の反射面における反射率との関係を表した図である。
【図６】反射膜におけるＡｌ膜の厚さと、半導体レーザ素子の反射面における反射率との関係を表した図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  ｎ型基板、  ２  ｎ型クラッド層、  ３  活性層、  ４  第１のｐ型クラッド層、  ５  ｐ型エッチングストップ層、  ６  第２のｐ型クラッド層、  ７  ｐ型キャップ層、  １０  積層基板、  １２  リッジ、  １４  第１の電流ブロック層、  １５  第２の電流ブロック層、  １７  ｐ型コンタクト層、  １９  ｐ型電極、  ２０  ｎ型電極、  ２１  バー、  ２２  高反射膜、  ２３  低反射膜、  ２５  第１のＡｌ２Ｏ３膜、  ２６  Ａｌ膜、  ２７  第２のＡｌ２Ｏ３膜、  ５０  半導体レーザ素子、  Ａ，Ｂ  共振器面、  Ｌ  レーザ光、  ｘ，ｙ，ｚ  厚さの範囲
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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