(57)【要約】【課題】表示画素の画素形成領域に膜厚が比較的均一な電荷輸送層を形成する表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板１１上の画素形成領域を画定するバンク１８（バンクメタル部１８ｂ）表面に、撥液性のトリアジンチオール化合物の被膜１８ｃを選択的に形成した後、インクジェット法を適用して画素電極１５上に有機高分子系の正孔輸送材料の水溶液を液滴状にして塗布し、その後、窒素雰囲気中でホットプレート等を用いて熱処理を行って溶媒を除去することにより、画素形成領域に電荷輸送層である正孔輸送層１６ａを形成する。【選択図】図５
2007095512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷輸送層を有する発光素子を備える表示装置の製造方法において、
基板上に設けられた複数の隔壁の表面に撥液性膜を形成する撥液性膜形成工程と、
前記複数の隔壁間に配置された画素電極上に電荷輸送層材料を含む電荷輸送材料含有酸性液を塗布する塗布工程と、
不活性ガス雰囲気で前記電荷輸送材料含有酸性液を乾燥する乾燥工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記撥液性膜は、酸素を含む雰囲気で撥液性が劣化する性質を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法において、前記撥液性膜は、トリアジンチオール化合物を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁は、少なくとも表面が非酸化物の金属単体又は合金であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記複数の隔壁は、前記発光素子に直接又は間接的に接続される配線であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記発光素子は、トランジスタを有する発光駆動回路に接続されていることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、表示画素として有機エレクトロルミネッセンス素子を複数配列した表示パネルを備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータや映像機器、携帯情報機器等のモニタ、ディスプレイとして多用されている液晶表示装置（ＬＣＤ）に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等のような自発光素子を２次元配列した発光素子型の表示パネルを備えたディスプレイ（表示装置）の研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した発光素子型ディスプレイにおいては、液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性もなく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライトを必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという極めて優位な特徴を有している。
【０００４】
ここで、発光素子型ディスプレイに適用される自発光素子の一例として、有機ＥＬ素子について簡単に説明する。
図９は、有機ＥＬ素子の一構成例を示す概略断面図である。
図９に示すように、有機ＥＬ素子は、概略、ガラス基板等の絶縁性基板１１１の一面側（図面上方側）に、アノード（陽極）電極１１２、有機化合物等（有機材料）からなる有機ＥＬ層１１３、及び、カソード（陰極）電極１１４を順次積層した構成を有している。
【０００５】
有機ＥＬ層１１３は、例えば、正孔輸送材料（正孔注入層形成材料）からなる正孔輸送層（正孔注入層）１１３ａと、電子輸送性発光材料からなる電子輸送性発光層（発光層）１１３ｂとを積層して構成されている。なお、有機ＥＬ層１１３（正孔輸送層１１３ａ及び電子輸送性発光層１１３ｂ）に適用される正孔輸送材料や電子輸送性発光材料としては、低分子系や高分子系の種々の有機材料が知られている。
【０００６】
ここで、一般に、低分子系の有機材料の場合、有機ＥＬ層における発光効率は比較的高いものの、製造プロセスにおいて蒸着法が適用されているため、画素形成領域のアノード電極上にのみ選択的に薄膜形成する際に、上記アノード電極以外の領域への低分子材料の蒸着を防止するためのマスク表面にも低分子材料が付着することになるため、製造時の材料ロスが大きいうえ、製造プロセスが非効率的であるという問題を有している。
【０００７】
一方、高分子系の有機材料を適用した場合には、湿式成膜法として液滴吐出法（いわゆる、インクジェット法）等を適用することができるので、画素形成領域のアノード電極上にのみ選択的に液滴を塗布して、良好に有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送性発光層）の薄膜を形成することができる。
【０００８】
ここで、高分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の製造プロセスについて、簡単に説明する。
図１０及び図１１は、従来技術における表示パネル（有機ＥＬ素子）の製造プロセスの一例を示す工程断面図である。ここでは、説明の都合上、絶縁性基板上に有機ＥＬ素子のみを形成する場合を示す。また、上述した有機ＥＬ素子（図９）の素子構造と同等の構成については、同一の符号を付して説明する。
【０００９】
有機ＥＬ素子の製造プロセスの一例は、まず、図１０（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１１の一面側（図面上方側）の、各表示画素が形成される領域（画素形成領域）Ａpxごとにアノード電極（陽極）１１２を形成した後、図１０（ｂ）に示すように、隣接する表示画素との境界領域に絶縁性の樹脂材料等からなる隔壁（バンク）１２１を形成する。ここで、隔壁１２１に囲まれた画素形成領域Ａpxには、上記アノード電極１１２が露出している。
【００１０】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、酸素ガス雰囲気中で上記絶縁性基板１１１表面に紫外線ＵＶを照射することにより、活性酸素ラジカルが発生して、アノード電極１１２表面の有機物を分解除去して親水化するとともに、隔壁１２１表面においてもラジカルを発生して親液化する。
次いで、上述した親液化処理を施した絶縁性基板１１１に対して、フッ化物ガス雰囲気中で紫外線ＵＶを照射することにより、隔壁１２１表面においてはフッ素が結合して撥液化（又は、撥水化）し、一方、アノード電極（ＩＴＯ）１１２表面は親液性を保持する。
【００１１】
次いで、図１０（ｄ）に示すように、インクジェット装置を用いて、インクヘッドＩＨＨから高分子系の有機材料からなる正孔輸送材料を溶媒に分散、又は、溶解させた液状材料（第１の溶液）ＨＭＣを液滴状にして吐出させ、上記親液性を有するアノード電極１１２上に塗布した後、乾燥処理を行うことにより、図１０（ｅ）に示すように、アノード電極１１２上に正孔輸送材料を定着させて正孔輸送層１１３ａを形成する。
【００１２】
次いで、同様に、図１０（ｆ）に示すように、インクヘッドＩＨＥから高分子系の有機材料からなる電子輸送性発光材料を溶媒に分散、又は、溶解させた液状材料（第２の溶液）ＥＭＣを液滴状にして吐出させ、上記正孔輸送層１１３ａ上に塗布した後、乾燥処理を行うことにより、図１１（ｇ）に示すように、電子輸送性発光材料を定着させて電子輸送性発光層１１３ｂを形成する。なお、上記正孔輸送材料を含む液状材料ＨＭＣ、及び、電子輸送性材料を含む液状材料ＥＭＣの塗布処理においては、隔壁１２１表面が撥水性を有しているので、仮に液状材料ＨＭＣ、ＥＭＣの液滴が隔壁１２１上に着滴してもはじかれて、各画素形成領域Ａpxのアノード電極１１２上の親液性領域（すなわち、有機ＥＬ素子形成領域Ａel）にのみ塗布されることになる。
【００１３】
次いで、図１１（ｈ）に示すように、各画素形成領域Ａpxの有機ＥＬ層１１３（正孔輸送層１１３ａ及び電子輸送性発光層１１３ｂ）を介してアノード電極１１２に対向するように、共通電極からなるカソード電極（陰極）１１４を形成した後、図１１（ｉ）に示すように、当該カソード電極１１４を含む絶縁性基板１１１上に、保護絶縁膜や封止樹脂層１１５を形成し、さらに封止基板１１６を接合することにより、有機ＥＬ素子（有機ＥＬ表示パネル）が完成する。
このような有機ＥＬ素子の製造方法については、例えば、特許文献１等に詳しく説明されている。
【００１４】
このような素子構造を有する有機ＥＬ素子においては、図９に示すように、直流電圧源１１５からアノード電極１１２に正電圧、カソード電極１１４に負電圧を印加することにより、正孔輸送層１１３ａに注入されたホールと電子輸送性発光層１１３ｂに注入された電子が有機ＥＬ層１１３内で再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）ｈνが放射される。
【００１５】
ここで、この光ｈνは、アノード電極１１２及びカソード電極１１４を、各々、光透過性又は遮光性（及び反射特性）を有する電極材料を用いて形成することにより、絶縁性基板１１１の一面側（図面上方）もしくは他面側（図面下方）の任意の方向に放射させることができる。このとき、光ｈνの発光強度は、アノード電極１１２とカソード電極１１４間に流れる電流量に応じて決まる。
【００１６】
なお、図９においては、アノード電極１１２として錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ；Indium Thin Oxide）等の透明電極材料を用い、カソード電極１１４として金属材料等の遮光性及び反射特性を有する電極材料を用いることにより、有機ＥＬ層１１３において発光した光ｈνを、直接又はカソード電極１１４で反射させて、透明な絶縁性基板１１１の他面側に放射させるボトムエミッション構造について示した。
【００１７】
【特許文献１】特開２００３−２５７６５６号公報  （第４頁〜第６頁、図２〜図５、図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
上述したような表示パネル（有機ＥＬ素子）の製造方法においては、各表示画素（画素形成領域Ａpx）のアノード電極１１２の周囲を隔壁１２１によって包囲し、仕切りである隔壁１２１の間に電荷輸送層材料となる液体を塗布後、乾燥させて電荷輸送層（例えば、上記正孔輸送層１１３ａや電子輸送性発光層１１３ｂ）を成膜している。このように塗布された電荷輸送層材料となる液体は、表面エネルギーの関係で隔壁とアノード電極の周縁に凝集してしまいやすく、アノード電極の中央上の電荷輸送層が薄くなってしまい、膜厚が不均一になってしまうといった問題を生じた。このため、隔壁の表面に撥液性を示す膜を被膜してアノード電極上に電荷輸送層を均一に成膜することが試みられている。しかし、電荷輸送層材料となる液体を大気中で加熱して乾燥させると、上記撥液性を示す膜を劣化させてしまい、電荷輸送層を均一な膜厚とすることが困難であった。ここで、電荷輸送層とは、順バイアスが印加されると、電子又は正孔を輸送する層であって、電子と正孔とが再結合する発光領域を含んでいてもよい。
【００１９】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、表示画素の画素形成領域に膜厚が比較的均一な電荷輸送層を形成する表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
請求項１記載の発明は、
電荷輸送層を有する発光素子を備える表示装置の製造方法において、
基板上に設けられた複数の隔壁の表面に撥液性膜を形成する撥液性膜形成工程と、
前記複数の隔壁間に配置された画素電極上に電荷輸送層材料を含む電荷輸送材料含有酸性液を塗布する塗布工程と、
不活性ガス雰囲気で前記電荷輸送材料含有酸性液を乾燥する乾燥工程と、
を含むことを特徴とする。
【００２１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記撥液性膜は、酸素を含む雰囲気で撥液性が劣化する性質を備えることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法において、前記撥液性膜は、トリアジンチオール化合物を含むことを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁は、少なくとも表面が非酸化物の金属単体又は合金であることを特徴とする。
【００２２】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記複数の隔壁は、前記発光素子に直接又は間接的に接続される配線であることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記発光素子は、トランジスタを有する発光駆動回路に接続されていることを特徴とする。
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る表示装置の製造方法においては、表示画素の画素形成領域に膜厚が比較的均一な電荷輸送層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。
（表示パネル）
まず、本発明に係る表示装置（表示パネル）の概略構成について説明する。
【００２５】
図１は、本発明に係る表示装置（表示パネル）の一実施形態を示す要部概略平面図であり、図２は、本発明に係る表示装置（表示パネル）の一実施形態を示す要部概略断面図である。なお、図１に示す平面図においては、図示の都合上、視野側から見た各画素形成領域とアノードラインＬａ及びカソードラインＬｃの配設構造のみを示し、図２に示す他の構成（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ等のトランジスタ）を省略した。ここで、図１においては、隣接する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色からなる色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸを構成する場合を示し、図２においては、赤色画素ＰＸｒの形成領域Ｒpxを中心とした断面構造を示す。
【００２６】
本発明の一実施形態に係る表示装置（有機ＥＬ素子を備えた表示パネル）は、図１、図２に示すように、ガラス基板等の絶縁性の基板（絶縁性基板）１１上に、有機ＥＬ素子を発光駆動するための発光駆動回路（発光駆動手段；具体例については、後述する）を構成する１乃至複数のトランジスタ（図２中では、便宜的に２個のトランジスタＴ１、Ｔ２を示す）、及び、トランジスタＴ１、Ｔ２に直接または間接的に接続されたアノードラインＬａ、カソードラインＬｃ、データライン、走査ラインを含む各種配線層ＬＮが設けられ、当該トランジスタＴ１，Ｔ２及び配線層ＬＮの一部を被覆するように、窒化シリコン等からなる保護絶縁膜１３及び感光性樹脂等からなる平坦化膜１４が積層形成された構成を有している。
【００２７】
各トランジスタＴ１，Ｔ２は、例えば、絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極Ｅｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｅｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部にそれぞれ形成された不純物層ＯＨＭと、不純物層ＯＨＭにそれぞれ形成されたソース電極Ｅｓ及びドレイン電極Ｅｄと、を有して構成されている。また、トランジスタＴ１，Ｔ２及び配線層ＬＮ上に積層形成された保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４には、適宜コンタクトホールＨＬが形成され、上記トランジスタと平坦化膜１４上の導電層（例えば、後述する画素電極１５）とが電気的に接続されるように、金属材料（コンタクトメタルＭＴＬ）が埋め込まれている。
【００２８】
そして、上記平坦化膜１４上の、各色画素の形成領域（図２に示す赤色画素ＰＸｒの形成領域Ｒpx参照）には、少なくとも光反射特性を有し、例えばアノード電極となる画素電極１５、正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂからなる有機ＥＬ層（電荷輸送層、発光層）１６、及び、光透過性を有し、例えばカソード電極となる対向電極１７を順次積層した有機ＥＬ素子が設けられている。
【００２９】
また、相互に隣接する各色画素の形成領域間（厳密には、有機ＥＬ素子の形成領域相互の境界領域）には、平坦化膜１４（絶縁性基板１１）から突出するようにバンク（隔壁）１８（図１におけるカソードラインＬｃの列方向部分）が設けられている。さらに、上記有機ＥＬ素子及びバンク１８を含む絶縁性基板１１上には、透明な封止樹脂層１９を介して、絶縁性基板１１に対向するようにガラス基板等からなる封止基板（対向基板）２０が接合されている。
【００３０】
特に、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）においては、上記バンク１８により各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・・が画定されるとともに、当該バンク１８として金属材料等の導電性材料を適用することにより、図１に示すように、表示パネル（絶縁性基板１１）上に２次元配列された各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）間に格子状に金属導電層（カソードラインＬｃ）を配設することができ、例えば、図２に示すように、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子の対向電極１７を当該バンク１８上に延在させるとともに、対向電極１７及びバンク１８が相互に電気的に接続することにより、バンク１８を、対向電極１７に所定の共通電圧（接地電位等）を供給するためのカソードラインＬｃとして適用した構成を有している。
【００３１】
そして、このような構成を有する表示装置においては、例えば、表示パネルの下層（有機ＥＬ素子の絶縁性基板１１側の層）に設けられたトランジスタＴ１，Ｔ２や配線層ＬＮ等からなる発光駆動回路において、図示を省略したデータラインを介して供給された階調信号（表示データ）に基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴ２のドレイン−ソース間に流れ、例えば、トランジスタＴ２からコンタクトホールＨＬに埋め込まれたコンタクトメタルＭＴＬを介して、有機ＥＬ素子の画素電極１５に供給されることにより、有機ＥＬ素子が表示データに応じた所定の輝度階調で発光動作する。
【００３２】
このとき、有機ＥＬ素子がトップエミッション型である場合、つまり、画素電極１５が光反射性電極（図２に示すように、アルミニウム等の反射金属層１５ａと、有機ＥＬ層１６に接触する、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのうちの少なくとも一つを含む化合物または混合物等の透明電極材料（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）や、亜鉛ドープ酸化インジウム等）等の酸化金属層１５ｂの積層構造でもよい。）であり、カソード電極１７が例えばＩＴＯや亜鉛ドープ酸化インジウム等の透明導電膜である場合、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１６において発光した光は、光透過性を有する対向電極１７を介して直接、あるいは、光反射特性を有する画素電極１５で反射して、封止樹脂層１９を介して封止基板２０方向（視野側；図２の図面上方）に出射される。
【００３３】
また、有機ＥＬ素子がボトムエミッション型である場合、つまり、画素電極１５が酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのうちの少なくとも一つを含む化合物または混合物等の透明電極材料（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）や、亜鉛ドープ酸化インジウム等）膜であり、カソード電極１７が例えば、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｌｉ、等の比較的仕事関数の低い電子注入膜と、電子注入膜が酸化されるのを防止するとともにシート抵抗を下げるためのＡｌ等の保護導電膜との積層構造でもよい。各表示画素の有機ＥＬ層１６において発光した光は、基板１１を介して出射される。ボトムエミッション型の場合、平坦化膜１４は必ずしも必要がない。また、画素電極１５が形成される領域には保護絶縁膜１３が形成されていなくてもよい。
【００３４】
（表示装置の製造方法）
次に、上述した構成を有する表示装置（表示パネル）の製造方法について説明する。
図３乃至図６は、本実施形態に係るトップエミッション型の表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図である。また、図７は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法に適用される被膜材料の分子構造を示す化学記号である。なお、ボトムエミッション型についてもトップエミッション型の製法を踏襲して製造することができる。
【００３５】
本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法は、まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に対応する所定の領域ごとに、表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流を生成して有機ＥＬ素子に供給する発光駆動回路を構成する複数のトランジスタＴ１，Ｔ２や配線層ＬＮ等を形成する。
【００３６】
具体的には、絶縁性基板１１の一面側に、例えば、金属材料からなるゲート電極Ｅｇ及び当該ゲート電極Ｅｇに接続される配線層を形成し、その後、絶縁性基板１１の全域に絶縁膜を被覆してゲート絶縁膜１２を形成する。次いで、ゲート絶縁膜１２上の上記ゲート電極Ｅｇに対応する領域に、例えば、アモルファスシリコンやポリシリコン等からなる半導体層ＳＭＣを形成し、当該半導体層ＳＭＣの両端部にそれぞれ半導体層ＳＭＣとソース電極Ｅｓ及びドレイン電極Ｅｄとのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭを形成し、不純物層ＯＨＭ上にソース電極Ｅｓ及びドレイン電極Ｅｄ並びにこれらの電極の元となる導電膜をパターニングして一括して形成され、適宜トランジスタＴ１，Ｔ２に接続される走査ライン、データライン、アノードラインＬａを形成する。
【００３７】
ここで、半導体層ＳＭＣ上には、上記ソース電極Ｅｓ及びドレイン電極Ｅｄ並びに配線層ＬＮをパターニング形成する際の半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するためのブロック層ＢＬが設けられていてもよい。また、ソース電極Ｅｓ及びドレイン電極Ｅｄ並びに走査ライン、データライン、アノードラインＬａは、配線抵抗を低減し、かつ、マイグレーションを低減する目的で、例えば、アルミニウム合金と遷移金属からなる積層配線構造を有している。
【００３８】
次いで、図３（ｂ）に示すように、上記トランジスタＴ１，Ｔ２及び走査ライン、データライン、アノードラインＬａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように保護絶縁膜（パッシベーション膜）１３及び平坦化膜１４を順次形成した後、当該平坦化膜１４及び保護絶縁膜１３を貫通して、例えば、上記発光駆動回路を構成する特定のトランジスタ（発光駆動用トランジスタ）Ｔ２のソース電極（又は、ドレイン電極）の上面が露出するコンタクトホールＨＬを形成する。
【００３９】
次いで、図３（ｃ）、図４（ｄ）に示すように、上記コンタクトホールＨＬにコンタクトメタルＭＴＬを埋め込んだ後、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に当該コンタクトメタルＭＴＬに電気的に接続された画素電極１５を形成する。ここで、画素電極１５は、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射特性を有する反射金属層１５ａを薄膜形成してパターニングした後、当該反射金属層１５ａを被覆するようにＩＴＯや亜鉛ドープ酸化インジウム等の酸化金属層１５ｂを薄膜形成してパターニングする。上層の酸化金属層１５ｂのパターニングの際に反射金属層１５ａとの間で電池反応を引き起こさないように、反射金属層１５ａをパターニング後に酸化金属層１５ｂとなる膜を被膜して反射金属層１５ａが露出しないようにこの膜をパターニングすることが好ましい。
【００４０】
このように、画素電極１５が、下層の反射金属層１５ａと上層の酸化金属層１５ｂを積層した電極構造を有していることにより、反射金属層１５ａの上面及び端面が酸化金属層１５ｂにより被覆されるので、反射金属層１５ａと酸化金属層１５ｂのエッチング条件が異なる場合であっても、酸化金属層１５ｂをパターニング形成する際に下層の反射金属層１５ａがオーバーエッチングされたり、エッチングダメージを受けたりすることを防止することができる。
【００４１】
このように、画素電極１５の上層を構成する酸化金属層１５ｂは、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのうちの少なくとも一つを含む化合物又は混合物等の透明電極材料（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）や、亜鉛ドープ酸化インジウム等）を、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いて成膜した後、有機ＥＬ素子の平面形状（発光領域）に対応させてパターニングすることにより形成される。
【００４２】
次いで、上記各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に対応して形成された画素電極１５間の領域（すなわち、相互に隣接する色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・間の境界領域）に、図４（ｅ）に示すように、例えば、シリコン窒化膜等の無機の絶縁性材料からなるバンク下地層２１を形成する。
【００４３】
さらに、図４（ｆ）に示すように、当該バンク下地層２１上に、例えば、少なくとも表面が、銅や銀、アルミニウム、又は、これらを主成分とする金属単体又は合金等の非酸化物であり、低抵抗の金属材料からなるバンクメタル部１８ｂ（金属導電層；図１に示したカソードラインＬｃに相当する）を形成する。これにより、バンクメタル部１８ｂ（カソードラインＬｃ）及びバンク下地層２１からなるバンク（隔壁）１８に囲まれた領域が、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・（すなわち、有機ＥＬ素子における発光領域）として画定される。なお、上記バンク１８に形成されるバンクメタル部１８ｂは、酸化を防止するために表面に金メッキを施してもよい。バンクメタル部１８ｂの代わりに同一形状の非導電材料（例えばポリイミド）で形成し、表面に金属メッキを施して導電性を付与してもよい。
【００４４】
次いで、図５（ｇ）に示すように、上記バンクメタル部１８ｂの表面に、トリアジントリチオール、またはフッ素系トリアジンジチオール誘導体等のトリアジンチオール化合物の被膜１８ｃからなる撥液性の薄膜（撥液性膜）を選択的に形成する。具体的には、上記バンク１８まで形成された絶縁性基板１１を、ＵＶオゾン洗浄して清浄化した後、トリアジンチオール化合物の水溶液で満たした槽内に挿入して水溶液に浸漬する。この工程における水溶液の温度は概ね２０〜３０℃程度とし、浸漬時間は概ね１〜１０分程度とする。このとき、トリアジンチオール化合物は金属と選択的に結合することになる。ただし、金属酸化物、有機絶縁膜、無機絶縁膜には撥液性を発現する程度には被膜されない。次いで、上記水溶液から取り出した絶縁性基板１１をアルコールで濯ぐことにより、絶縁性基板１１上の余分なトリアジンチオール化合物を洗い流し、水で２次洗浄した後、窒素ガス（Ｎ２）のブローにより乾燥させる。
【００４５】
ここで、トリアジンチオール化合物の一例として、上述したようなフッ素系トリアジンジチオール誘導体は、図７（ａ）に示すように、トリアジン（３個の窒素を含む六員環構造）の窒素（−Ｎ）にチオール基（−ＳＨ）が結合した分子構造に加え、特定のチオール基（−ＳＨ）のＳ原子にアルキル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）及びフッ化アルキル基（−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ３）が順次結合した分子構造を有し、他のトリアジンチオール化合物と同様に、図７（ｂ）に示すように、バンクメタル部１８ｂの表面に選択的に結合してバンクメタル部１８ｂの表面を撥液性にする被膜１８ｃを被膜するが、金属酸化物、有機絶縁膜、無機絶縁膜に対して、はっきりと撥液性を示す程度には結合しない。このフッ素系トリアジンジチオール誘導体は、それ自体が撥液性を示すトリアジントリチオールに加えてさらに撥液性を示すフッ素原子を含んでいるので、被膜１８ｃは、トリアジントリチオールよりも強い撥液性を示す。なお、上述した工程において使用する水溶液の濃度は、概ね１×１０−４〜１×１０−２mol／Ｌの範囲が好ましい。
【００４６】
なお、上記フッ素系トリアジンジチオール誘導体は、チオール基のＳ原子がアルキル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）と結合していたが、直接フッ化アルキル基と結合してもよく、また著しい立体障害にならない限りアルキル基、フッ化アルキル基の炭素数に特別な制限はない。また、上記フッ素系トリアジンジチオール誘導体は、残る二つのチオール基の一つのＳ原子において、水素基に代わって直接又は間接的にフッ化アルキル基が置換形成されていてもよく、或いはフッ素原子を含む基の炭素間がオレフィン二重結合を有していてもよい。また、その他のトリアジンチオール誘導体として、例えば、６−ジメチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩或いは６−ジドデシルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩を用い、水に溶解して被膜１８ｃを被膜してもよい。
【００４７】
これにより、絶縁性基板１１の一面側に形成された各構成のうち、金属材料からなるバンクメタル部１８ｂの表面にのみ、トリアジンチオール化合物の被膜１８ｃが形成され、一方、酸化金属層（ＩＴＯ等）１５ｂにより被覆された画素電極１５の表面、バンク下地層２１の表面、画素電極１５間から露出された平坦化膜１４（或いは保護絶縁膜１３）には付着しにくく、被膜が形成されない。したがって、同一の絶縁性基板１１上において、バンクメタル部１８ｂの表面のみが撥液化処理され、当該バンク１８により画定された各色画素の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に露出する画素電極１５表面は撥液化処理されていない状態が実現される。
【００４８】
したがって、同一の絶縁性基板１１上において、バンク１８（バンクメタル部１８ｂ）の表面は、後述する正孔輸送材料に対してフッ素系トリアジンジチオール誘導体等のトリアジンチオール化合物の被膜１８ｃにより撥液性を有し、一方、当該バンク１８により画定された各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に露出する画素電極１５表面は、後述する正孔輸送材料に対して、上記バンク１８表面に比較して馴染みやすい（親液性を有する）状態が維持される。
【００４９】
なお、本実施形態において使用する「撥液性」とは、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒を、絶縁性基板上等に滴下して、接触角の測定を行った場合に、当該接触角が５０°以上になる状態と規定する。また、「撥液性」に対する「親液性」とは、本実施形態においては、上記接触角が４０°以下になる状態と規定する。
【００５０】
次いで、図５（ｈ）に示すように、表面がトリアジンチオール化合物の被膜１８ｃにより撥液化されたバンクメタル部１８ｂ（バンク１８）により画定された各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に、インクジェット法を適用して正孔輸送材料の水溶液を液滴状にして塗布し、その後、当該水溶液を乾燥させて正孔輸送層１６ａを形成する。具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料を含む有機化合物含有液（化合物含有液）として、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、図示を省略したインクヘッドから液滴状にして吐出させ、上記画素電極１５（酸化金属膜１５ｂ）上に塗布した後、窒素雰囲気中（不活性ガス雰囲気中）で基板１１ごと加熱して乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、当該画素電極１５上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、電荷輸送層である正孔輸送層１６ａを形成する。窒素雰囲気で加熱して正孔輸送層１６ａのような電荷輸送層を乾燥すると、トリアジンチオール化合物の被膜１８ｃは撥液性の劣化進行が抑えられる。
【００５１】
このとき、画素電極１５（酸化金属膜１５ｂ）表面は、基板１１をＵＶオゾン洗浄した際に親水化されており、撥液性の被膜１８ｃがほとんど形成されていないので、トリアジンチオール化合物の被膜１８ｃにより撥液化処理されたバンク１８（バンクメタル部１８ｂ）表面に比較して、有機化合物含有液（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の液滴が濡れやすく、馴染みやすい性質を有しているので、当該有機化合物含有液が各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・の全域に良好に行き渡り、正孔輸送材料の凝集を抑制して均一な膜質及び膜厚を有する正孔輸送層１６ａを形成することができる。一方、トリアジンチオール化合物の被膜１８ｃにより撥液化処理されたバンク１８（バンクメタル部１８ｂ）表面に着滴した上記有機化合物含有液は、はじかれて当該膜上には定着しない。
【００５２】
ここで、上記画素電極１５上に有機化合物含有液を塗布する工程に先立って、画素電極１５（酸化金属膜１５ｂ）表面のみをさらに親液化する処理、例えば、上記有機化合物含有液に対して親液性を有する下地膜を形成する処理や、周知の酸素プラズマ処理、ＵＶ−オゾン処理により、有機化合物含有液の液滴がより濡れやすく、馴染みやすくする処理を施すものであってもよい。
【００５３】
このように、本実施形態においては、正孔輸送層１６ａの形成に際し、画素電極１５（酸化金属膜１５ｂ）上に有機化合物含有液（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を塗布後、窒素雰囲気中で熱処理を施して溶媒を除去するようにしているので、バンク１８（バンクメタル部１８ｂ）表面に薄膜形成されたトリアジンチオール化合物の被膜１８ｃが上記熱処理により劣化することを抑制して、その撥液性が良好に維持される。なお、トリアジンチオール化合物の被膜１８ｃの撥液性と熱処理との関係については、詳しく後述する。
【００５４】
次いで、上記正孔輸送層１６ａの場合と同様に、図６（ｉ）に示すように、上記バンク１８に囲まれた各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に、インクジェット法を適用して電子輸送性発光材料の水溶液を液滴状にして塗布し、その後、当該水溶液を乾燥させて電子輸送性発光層１６ｂを形成する。具体的には、有機高分子系の電子輸送性発光材料を含む有機化合物含有液（化合物含有液）として、例えば、ポリフルオレン系やポリパラフェニレンビニレン系等の発光材料を、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解した溶液を、インクヘッドから個々に分離した液滴を吐出するインクジェット法や分離せずに連続した液状にして排出するノズルコート法によって図示を省略したノズルベッドから吐出させ、上記正孔輸送層１６ａ上に塗布した後、窒素雰囲気中で基板１１ごと加熱した乾燥処理、あるいは、真空雰囲気中でシーズヒータ等を用いて乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、正孔輸送層１６ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、電荷輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１６ｂを形成する。ここで、上記発光材料は、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に対応させて、赤、緑、青の各色を有するものを適用する。
【００５５】
このとき、有機化合物含有液（電子輸送性発光材料）は、乾燥した正孔輸送層１６ａに対して濡れやすく、また、バンク１８（バンクメタル部１８ｂ）表面に形成されたトリアジンチオール化合物の被膜１８ｃの撥液性が良好に維持されているので、当該有機化合物含有液（電子輸送性発光材料）が各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・の全域に良好に行き渡るとともに、バンク１８の側面における液面端部の迫り上がり（這い上がり）を防止することができる。
【００５６】
これにより、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に均一な膜質及び膜厚を有する電子輸送性発光層１６ｂを形成することができるとともに、バンク１８（バンクメタル部１８ｂ）表面において有機化合物含有液は定着せず、また、当該バンク１８を乗り越えて隣接する色画素の形成領域に漏れ出ることもない。したがって、画素電極１５上に均一な膜質及び膜厚を有する有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を形成することができるとともに、隣接する各色画素間における混色を防止することができる。
【００５７】
次いで、図６（ｊ）に示すように、上記各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・を含む絶縁性基板１１上に透明電極層を形成し、少なくとも、上述した有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を介して画素電極１５に対向する対向電極１７を形成する。ここで、対向電極１７は、例えば、少なくとも各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・に形成された有機ＥＬ層１６上から、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・を画定するバンク１８上にまで延在する単一の対向電極として形成される。具体的には、対向電極１７は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法等により、カルシウム（Ｃａ）やバリウム（Ｂａ）、インジウム（Ｉｎ）等の仕事関数の比較的低い金属材料を、可視光線の波長以下（概ね４００ｎｍ以下）の膜厚（例えば、１０ｎｍ〜２０ｎｍ程度）に薄膜形成し、さらに、その上層に、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのうちの少なくとも一つを含む化合物又は混合物等の透明電極材料（例えば、ＩＴＯや、亜鉛ドープ酸化インジウム等）の透明電極膜を積層形成した構造を有している。
【００５８】
これにより、下層のカルシウムやインジウム等の仕事関数の低い金属材料が、有機ＥＬ層１６（電子輸送性発光層１６ｂ）を構成する有機材料に対して、電気的に良好な状態で密着するとともに、可視光の波長以下の膜厚を有しているので、有機ＥＬ層１６で発光した光を良好に透過させることができる。また、上層のＩＴＯ等の透明電極膜は、上記下層の金属膜を４００ｎｍ以下に極めて薄く形成することにより高抵抗化するため、対向電極１７を低抵抗化させる目的で積層形成される。さらに、バンク１８上にまで対向電極１７が延在して形成された構成を有することにより、バンクメタル部１８ｂの表面に極めて薄く形成されたトリアジンチオール化合物の被膜１８ｃを介して、対向電極１７とバンクメタル部１８ｂ（カソードラインＬｃ）を構成する金属材料とを電気的に良好に接続することができる。
【００５９】
次いで、図２に示したように、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・及びバンク１８を含む絶縁性基板１１の一面側に、透明な封止樹脂層１９を形成した後、当該絶縁性基板１１に対向するように、封止基板２０を接合することにより、複数の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの組み合わせ）が２次元配列された表示パネルが完成する。ここで、絶縁性基板１１への封止基板２０の接合方法としては、封止基板２０の接合面側に、ＵＶ硬化接着剤や熱硬化接着剤を塗布して、絶縁性基板１１に貼り合わせた後、ＵＶ照射や加熱処理により上記接着剤を硬化させて接合する方法を良好に適用することができる。
【００６０】
ここで、上述した表示装置（表示パネル）の製造方法において、正孔輸送層１６ａの形成工程におけるトリアジンチオール化合物の被膜１８ｃの撥液性と熱処理との関係について、実験データを示して具体的に検証する。
上述した実施形態に示したような正孔輸送層１６ａの形成工程と同等の条件を設定するために、バンク１８（バンクメタル部１８ｂ）に適応される金属材料である銅（Ｃｕ）の基板上に、トリアジンチオール化合物の薄膜（被膜）を形成した試料を用い、比較例として大気中で熱処理した場合と、本実施形態における窒素雰囲気中で熱処理した場合について比較検証した。
【００６１】
撥液性を有するフッ素系トリアジンジチオール誘導体の薄膜（被膜）は、各々２×１０−３mol／Ｌの同モル濃度のフッ素系トリアジンジチオール誘導体及び水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を純水に溶解させた水溶液に、バンクメタル部１８ｂと見立てた銅基板を浸漬して形成した。この浸漬工程における水溶液の温度は２３℃程度、浸漬時間は３分に設定した。浸漬処理後、エタノールで洗い流し、さらに純水で洗浄した後、窒素ガス（Ｎ２）のブローにより乾燥させた。そして、フッ素系トリアジンジチオール誘導体の被膜を形成した（撥液化処理した）銅基板に対して、ホットプレートを用いて銅基板ごと大気中で熱処理した場合と、窒素雰囲気中でホットプレートを用いて銅基板ごと熱処理した場合の接触角を測定した。ここで、大気中及び窒素雰囲気中での熱処理時間は、各々１５分間に設定した。
【００６２】
まず、上述した銅基板において撥液化処理を施した直後の接触角は、表１に示すように、純水においては１１７°、電子輸送性発光層を形成する際に用いられる有機溶剤であるメシチレンにおいては５１°であるのに対して、大気中で熱処理を施した場合の接触角は、純水においては４０°、メシチレンにおいては３°となり、銅基板表面の撥液性が著しく低下して親液化していることが判明した。
【００６３】
これに対して、本実施形態に示したように、窒素雰囲気中で熱処理を施した場合の接触角は、純水においては１２１°、メシチレンにおいては５０°となり、銅基板表面の撥液性がほぼ維持されていることが判明した。なお、本実施形態においては、熱処理を窒素雰囲気中で施した場合の接触角のみを検証したが、本発明はこれに限定されるものではなく、アルゴン（Ａｒ）等の他の不活性ガスであっても同様の結果が得られることが、本願発明者の各種実験の結果、判明した。
【００６４】
【表１】
2007095512.tif 000003
【００６５】
これにより、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法によれば、正孔輸送層の形成工程後においても、バンク１８表面が良好な撥液性を有しているので、後続の電子輸送性発光層等の電荷輸送層の形成工程において、有機化合物含有液（電子輸送性発光材料）の液面端部がバンク１８の側面に沿って迫り上がる（這い上がる）現象や、当該有機化合物含有液がバンク１８表面に付着する現象、隣接する画素へ乗り越える現象を防止することができる。
【００６６】
したがって、絶縁性基板１１上の画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、・・の形成領域Ｒpx、Ｇpx、・・）に露出する画素電極１５上に、凝集を生じることなく、略全域にわたり均一な膜質及び膜厚を有する有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を形成することができるので、各表示画素（画素形成領域）のサイズを大型化した場合であっても、各画素形成領域内の略全域で有機ＥＬ素子を均一に発光動作させることができ、開口率が高く発光特性に優れた表示パネルを実現することができる。また、有機ＥＬ層１６（特に電子輸送性発光層１６ｂ）の形成工程において、有機化合物含有液がバンクを乗り越えて隣接する色画素間で混色が生じる現象を防止することができ、適切な発光色で画像表示を行うことができる表示パネルを実現することができる。
【００６７】
なお、上述した実施形態においては、有機ＥＬ層１６として、正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを順次成膜した構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機ＥＬ層として、発光層単層、あるいは、正孔輸送層、発光層、電子輸送層からなる多層構造を有するものでもよく、また、正孔輸送性発光層、電子輸送層からなるものでもよく、さらに、その他の電荷輸送層を適宜追加するものや、正孔輸送層と電子輸送性発光層との間に、正孔輸送層の正孔輸送を制御して電子輸送性発光層の所定の位置で電子と正孔対の再結合を引き起こすための電荷輸送性制御層（インタレイヤ）を介在させた多層構造を有するものであってもよい。この場合、有機ＥＬ層１６を複数の電荷輸送層からなる多層構造とする場合にあっては、最上層以外の全ての下層（例えば、正孔輸送層、インタレイヤ、電子輸送性発光層を順次積層してなる有機ＥＬ層の場合には、正孔輸送層及びインタレイヤ）を形成する際に、本実施形態と同様に、窒素雰囲気中で熱処理を施すようにすることにより、バンク表面の撥液性を劣化させることなく良好に維持することができる。
【００６８】
また、上述した実施形態においては、トップエミッション構造を有する表示パネルに本発明に係る表示装置の製造方法を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発光駆動回路を構成するトランジスタや配線層等の配置を適宜考慮して設計レイアウトを行うことにより、絶縁性基板側に光を放射するボトムエミッション型の発光構造を有する表示パネルにも良好に適用することができる。ボトムエミッション型であれば、必ずしも平坦化膜１４は必要がなく、保護絶縁膜１３上または基板１１上に画素電極１５を形成してもよい。
【００６９】
具体的には、バンク１８（バンクメタル部１８ｂ）の形成領域に対して平面的に重なる領域（すなわち、バンク１８の略下層領域）にトランジスタＴ１、Ｔ２や配線層ＬＮ等を配置するように設計レイアウトを行うことにより、絶縁性基板１１方向に光を放射させた場合であっても、表示画素ＰＩＸ（表示パネル）の開口率をそれほど低下させることなく、かつ、本発明に係る製造方法を適用して画素形成領域（有機ＥＬ素子形成領域）の比較的広い領域（略全域）で均一に発光動作させて、発光特性に優れた表示パネルを実現することができる。
【００７０】
上記実施形態では、画素電極１５をアノードとし、対向電極１７をカソードとしたが、画素電極１５をカソードとし、対向電極１７をアノードとしてもよい。
また上記実施形態では、バンクメタル部１８ｂをアノードラインＬａの一部として利用したが、代わりにカソードラインＬｃの一部に適用してもよい。
【００７１】
（画素駆動回路の構成例）
図８は、本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す等価回路図である。
本発明に適用可能な表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、例えば図８に示すように、絶縁性基板１１上に設けられたトランジスタＴ１、Ｔ２を含んで構成される発光駆動回路ＤＣと、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えて構成されている。トランジスタＴ１、Ｔ２に直接または間接的に接続されたアノードラインＬａ、カソードラインＬｃ、データラインＬｄ、走査ラインＬｓを含む各種配線層ＬＮが設けられ、当該トランジスタＴ１、Ｔ２及び配線層ＬＮの一部を被覆するように、窒化シリコン等からなる保護絶縁膜１３及び感光性樹脂等からなる平坦化膜１４が積層形成された構成を有している。トランジスタＴ２のゲート−ソース間には、キャパシタＣＳが設けられている。
【００７２】
なお、本構成例においては、表示パネルを構成する表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる発光駆動回路ＤＣとして、ｎチャネル型のトランジスタ（すなわち、単一のチャネル極性を有するトランジスタ）Ｔ１、Ｔ２を適用した回路構成を示した。このような回路構成によれば、ｎチャネル型のトランジスタのみを適用することができるので、既に製造技術が確立されたアモルファスシリコン半導体製造技術を用いて、動作特性が安定したトランジスタを簡易に製造することができる。ここで、発光駆動回路のトランジスタは、アモルファスシリコンＴＦＴ以外にポリシリコンＴＦＴでもよい。つまり、ｎチャネルトランジスタのみでもｐチャネルトランジスタのみでも、ｎチャネルトランジスタ及びｐチャネルトランジスタをともに備えていてもよい。また、２つに限らず３つ以上のトランジスタで構成してもよい。また、発光駆動回路は、有機ＥＬ素子の輝度階調を制御する電圧階調制御を行ってもよく、発光駆動回路に所望の電流値の電流を流して有機ＥＬ素子の輝度階調を制御する電流階調制御であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る表示装置（表示パネル）の一実施形態を示す要部概略平面図である。
【図２】本発明に係る表示装置（表示パネル）の一実施形態を示す要部概略断面図である。
【図３】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。
【図４】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。
【図５】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。
【図６】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。
【図７】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法に適用される被膜材料の分子構造を示す化学記号である。
【図８】本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す等価回路図である。
【図９】有機ＥＬ素子の一構成例を示す概略断面図である。
【図１０】従来技術における表示パネル（有機ＥＬ素子）の製造プロセスの一例を示す工程断面図（その１）である。
【図１１】従来技術における表示パネル（有機ＥＬ素子）の製造プロセスの一例を示す工程断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００７４】
１１      絶縁性基板
１３      保護絶縁膜
１４      平坦化膜
１５      画素電極
１６      有機ＥＬ層
１６ａ    正孔輸送層
１６ｂ    電子輸送性発光層
１７      対向電極
１８      バンク
１８ｂ    バンクメタル部
１８ｃ    トリアジンチオール化合物の被膜
１９      封止樹脂層
２０      封止基板
Ｔ１、Ｔ２      トランジスタ
Ｌａ      アノードライン
Ｌｃ      カソードライン
ＬＮ      配線層
ＰＩＸ    表示画素
ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ    色画素
Ｒpx、Ｇpx      色画素の形成領域
【図１】
2007095512.tif 000004
【図２】
2007095512.tif 000005
【図３】
2007095512.tif 000006
【図４】
2007095512.tif 000007
【図５】
2007095512.tif 000008
【図６】
2007095512.tif 000009
【図７】
2007095512.tif 000010
【図８】
2007095512.tif 000011
【図９】
2007095512.tif 000012
【図１０】
2007095512.tif 000013
【図１１】
2007095512.tif 000014