(57)【要約】【課題】  従来の表面層が有していた問題点を解決し、１２００ｄｐｉ以上の解像度をもつ電子写真装置に使用される感光体において、耐久性とドット再現性を両立した電子写真感光体を提供すること。【解決手段】  少なくとも、支持体上に感光層を有する電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、該電子写真感光体に静電潜像を形成させる露光手段と、静電潜像の形成された電子写真感光体にトナーで現像する現像手段と、電子写真感光体上のトナー像を転写体上に転写する転写手段とを有し、像露光手段における解像度が１２００ｄｐｉ以上である電子写真装置において、該電子写真感光体が電荷発生層と電荷輸送層を有し、電荷輸送層が窒素原子を含む樹脂を含有せずかつ電荷輸送層におけるガラス転移温度が１３０℃以上、かつ電荷輸送層が２０μｍ以下であり、該電子写真感光体の電荷輸送速度が、２×１０５Ｖ／μｍの電界強度におけるモビリティーとして１×１０−７ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上であることを特徴とする電子写真装置。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、支持体上に感光層を有する電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、該電子写真感光体に静電潜像を形成させる露光手段と、静電潜像の形成された電子写真感光体にトナーで現像する現像手段と、電子写真感光体上のトナー像を転写体上に転写する転写手段とを有し、露光手段における解像度が１２００ｄｐｉ以上である電子写真装置において、該電子写真感光体が電荷発生層と電荷輸送層を有し、電荷輸送層が窒素原子を含む樹脂を含有せずかつ電荷輸送層におけるガラス転移温度が１３０℃以上、該電子写真感光体の電荷輸送速度が、２×１０５Ｖ／μｍの電界強度におけるモビリティーとして１×１０−７ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上、かつ電荷輸送層が２０μｍ以下であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項２】
該電子写真感光体の電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（１）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真装置。
【化１】
2007058052.tif 000083
（式中、Ａｒ１０１〜Ａｒ１０８はそれぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ１１〜Ｚ１５はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【請求項３】
該電子写真感光体の電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（２）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真装置。
【化２】
2007058052.tif 000084
（式中、Ａｒ２０１〜Ａｒ２０９はそれぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ２１〜Ｚ２６はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【請求項４】
該電子写真感光体の電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（３）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真装置。
【化３】
2007058052.tif 000085
（式中、Ａｒ３０１〜Ａｒ３１０は、それぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ３１〜Ｚ３７はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【請求項５】
該電子写真感光体の電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（４）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真装置。
【化４】
2007058052.tif 000086
（式中、Ａｒ４０１〜Ａｒ４１１は、それぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ４１〜Ｚ４８はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【請求項６】
該電子写真感光体の電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真装置。
【化５】
2007058052.tif 000087
（式中、Ａｒ５０１〜Ａｒ５１２は、それぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ５１〜Ｚ５９はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真装置に関し、詳しくは、特定の電荷輸送層を有する電子写真感光体を用いた特定の静電潜像形成手段を有する電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機感光体は、有機光導電性材料をバインダー樹脂等に溶解や分散し、様々な手法により導電性基体上に製膜させて感光層を形成させて用いることが通常化されている。その感光体は電子写真プロセスにおいて電気的、機械的、光学的など、多くの特性が要求されてきており、特に繰り返し使用されることにおける安定した特性を達成させることは重要な項目のひとつである。そのために感光体の機械的特性（耐摩耗性）の向上のみならず、電気的、光学的などの特性を同時に満足させることが望まれてきた。有機感光体の耐摩耗性を向上させる手段としては、表面層に用いるバインダー樹脂を耐摩耗性に優れる種を選択することや高分子量化することが提案されている。
【０００３】
上市されている感光体の多くは、低分子の電荷輸送物質を使用しており、また該電荷輸送物質単独では感光体としての成膜性が劣る事からバインダー樹脂との混合により製膜し表面層としての膜強度を出して用いられている。膜強度のひとつの指標としてガラス転移温度があるが、ガラス転移温度と膜密着性の相反性から特許文献１においてはガラス転移温度を低下させた電荷輸送層の提案がなされ、さらに特許文献２においては電荷輸送層のガラス転移温度を５５℃〜６７℃以下とする感光体が提案されている。また、ガラス転移温度と電荷輸送特性の関係に着目し、特許文献３においては電荷輸送層ガラス転移温度を５０℃〜７０℃とする感光体が提案されている。
【０００４】
しかし、これらの感光体は、電子写真装置内で用いられ、クリーニング部材と摺擦を受ける場合において、耐摩耗、耐キズ性において必ずしも十分な耐久性を得るには至っていない。バインダー樹脂本来の膜強度を生かすためには、添加する電荷輸送物質の添加量を減らせばよいが、その場合には電荷輸送能の低下が生じ、感度の低下や残留電荷を起因とする耐久電位特性の悪化という問題点が生じる。
【０００５】
このようにバインダー樹脂に低分子の電荷輸送材料を混合させる系では強度等の低下があり、一方で電荷輸送材料の混合量にも上限界があることから電気的特性にも限界が生じてしまう。そのために電荷輸送材料を高分子化して成膜性を持たせることや、バインダー樹脂に電荷輸送性をもつ構造を導入し電荷輸送機能をもたせることにより、強度と電気的特性の向上を目指した感光層を得る提案が特許文献４、特許文献５、特許文献６、特許文献９、特許文献７、特許文献８等でなされている。
【０００６】
しかし、これらの多くは必ずしも十分な耐摩耗性を有しているわけではなく、また強度と感度等の特性を１つの材料で達成させる事は設計の自由度が低いことでもあり、両特性の制御が容易ではなく、ある程度の特性が得られる場合でも、製造が容易ではないことからコストが非常に高く実用には向かない等の問題があった。
【０００７】
特に、高画質な画像を得るために電荷輸送層を薄くすると感光体の寿命が短くなり、昨今求められている１２００ｄｐｉ以上の高解像度画像を出力可能な電子写真装置では、画質と耐久性の両立が困難であった。
【特許文献１】特開平６−０５９４６９号公報
【特許文献２】特開平６−０５３７８６号公報
【特許文献３】特開昭６４−９９６４号公報
【特許文献４】特開平２−２８２２６３号公報
【特許文献５】特開平３−２２１５２２号公報
【特許文献６】特開平８−１０１５１７号公報
【特許文献７】特開平８−２０８８２０号公報
【特許文献８】国際公開第００／０７８８４３号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、従来の表面層が有していた問題点を解決し、１２００ｄｐｉ以上の解像度をもつ電子写真装置に使用される感光体において、耐久性とドット再現性を両立した電子写真感光体に係る電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために、本発明の電子写真装置は、少なくとも、支持体上に感光層を有する電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、該電子写真感光体に静電潜像を形成させる露光手段と、静電潜像の形成された電子写真感光体にトナーで現像する現像手段と、電子写真感光体上のトナー像を転写体上に転写する転写手段とを有し、露光手段における解像度が１２００ｄｐｉ以上である電子写真装置において、該電子写真感光体が電荷発生層と電荷輸送層を有し、電荷輸送層が窒素原子を含む樹脂を含有せずかつ電荷輸送層におけるガラス転移温度が１３０℃以上、該電子写真感光体の電荷輸送速度が、２×１０５Ｖ／μｍの電界強度におけるモビリティーとして１×１０−７ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上、かつ電荷輸送層が２０μｍ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明において、上記電子写真感光体を使用することにより、耐久性とドット再現性を両立できる電子写真装置を提供可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の電子写真感光体の表面層は、ガラス転移温度が１３０℃以上であり、該電子写真感光体の電荷輸送速度が、２×１０５Ｖ／μｍの電界強度のおけるモビリティーとして１×１０−７ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上であり、かつ電荷輸送層が２０μｍ以下であることを特徴としている。
【００１２】
ガラス転移温度と電荷輸送速度を両立させた電荷輸送層を得るためには、上述したようにバインダー樹脂に電荷輸送性をもつ構造を導入し電荷輸送機能をもたせる方法があるが、コストや膜物性の設計自由度を高める観点から、電荷輸送材料とバインダー樹脂を相溶させて得ることが好ましい。
【００１３】
高いガラス転移温度と高い電荷輸送能を両立させた電荷輸送材料として、特定の化学構造式で記述できる高分子量の電荷輸送物質（Ｍａｃｒｏ−Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）を用いることができる。
【００１４】
感光層に含有される電荷輸送物質は、上記式（１）〜（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質に加えて、低分子量の電荷輸送物質や高分子量の電荷輸送物質を同時に含有しても良いが、電子写真感光体の機械的強度や電子写真特性の点から、上記式（１）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは９５質量％〜１００質量％であって、更に好ましくは１００質量％である。
【００１５】
または、上記式（２）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは９５質量％〜１００質量％であって、更に好ましくは１００質量％である。
【００１６】
または、上記式（３）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは９５質量％〜１００質量％であって、更に好ましくは１００質量％である。
【００１７】
または、上記式（４）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは９５質量％〜１００質量％であって、更に好ましくは１００質量％である。
【００１８】
または、上記式（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは９５質量％〜１００質量％であって、更に好ましくは１００質量％である。
【００１９】
上記式（１）中のＡｒ１０１〜Ａｒ１０８、上記式（２）中のＡｒ２０１〜Ａｒ２０９、上記式（３）中のＡｒ３０１〜Ａｒ３１０、上記式（４）中のＡｒ４０１〜Ａｒ４１１、及び、上記式（５）中のＡｒ５０１〜Ａｒ５１２で示される置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基などが挙げられ、置換または無置換の一価の芳香族複素環基としては、ピリジル基、インドール基、キノリニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基などが挙げられる。なかでも、フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基が好ましい。
【００２０】
これらが有する置換基としては、水素原子、炭素数が１〜８のいずれかであるアルキル基、炭素数が３〜１２のいずれかである芳香族炭化水素環基、炭素数が１〜８のいずれかであるアルコキシ基、ハロゲン原子、フッ化アルキル基、シアノ基、ニトロ基などが挙げられ、なかでも、水素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基が好ましい。
【００２１】
上記式（１）中のＺ１１〜Ｚ１５、上記式（２）中のＺ２１〜Ｚ２６、上記式（３）中のＺ３１〜Ｚ３７、上記式（４）中のＺ４１〜Ｚ４８、及び、上記式（５）中のＺ５１〜Ｚ５９で示される置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、ピレニレン基、などが挙げられ、置換または無置換の二価の芳香族複素環基としては、ピリジニレン基、インドーリレン基、キノリニレン基、ベンゾフラニレン基、ジベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾチオフェンニレン基などが挙げられる。
【００２２】
また、上述の二価の芳香族炭化水素環または二価の芳香族複素環基が、単結合、置換または無置換の炭素数が１〜４のいずれかであるアルキレン基、アルキリデン基、置換または無置換のケイ素数が１〜４のいずれかであるシリレン基、酸素原子、硫黄原子により連結することで形成されるものも置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基として挙げられる。置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基のうち、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ピリジニレン基、ジベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基が好ましい。
【００２３】
より好ましくは、上記式（１）中のＺ１１〜Ｚ１５が置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であり、
あるいは、上記式（２）中のＺ２１〜Ｚ２６が置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であり、
あるいは、上記式（３）中のＺ３１〜Ｚ３７が置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であり、
あるいは、上記式（４）中のＺ４１〜Ｚ４８が置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であり、
あるいは、上記式（５）中のＺ５１〜Ｚ５９が、置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基である。
【００２４】
更に好ましくは、上記式（１）中のＺ１１〜Ｚ１５のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ１１〜Ｚ１５が置換または無置換のビフェニレン基であり、
あるいは、上記式（２）中のＺ２１〜Ｚ２６のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ２１〜Ｚ２６が置換または無置換のビフェニレン基であり、
あるいは、上記式（３）中のＺ３１〜Ｚ３７のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ２１〜Ｚ２６が置換または無置換のビフェニレン基であり、
あるいは、上記式（４）中のＺ４１〜Ｚ４８のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ２１〜Ｚ２６が置換または無置換のビフェニレン基であり、
あるいは、上記式（５）中のＺ５１〜Ｚ５９のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ１１〜Ｚ５９が置換または無置換のビフェニレン基である。
【００２５】
これらの二価の芳香族炭化水素環基または二価の芳香族複素環基が有する置換基としては、水素原子、炭素数が１〜８のいずれかであるアルキル基、炭素数が３〜１２のいずれかである芳香族炭化水素環基、炭素数が１〜８のいずれかであるアルコキシ基、ハロゲン原子、フッ化アルキル基、シアノ基、ニトロ基などが挙げられ、なかでも、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基が好ましい。
【００２６】
次に、本発明の電荷輸送物質の具体的な例を挙げるが、必ずしも提示した構造に限定されない。
【００２７】
【化６】
2007058052.tif 000002
【００２８】
【化７】
2007058052.tif 000003
【００２９】
【化８】
2007058052.tif 000004
【００３０】
【化９】
2007058052.tif 000005
【００３１】
【化１０】
2007058052.tif 000006
【００３２】
【化１１】
2007058052.tif 000007
【００３３】
【化１２】
2007058052.tif 000008
【００３４】
【化１３】
2007058052.tif 000009
【００３５】
【化１４】
2007058052.tif 000010
【００３６】
【化１５】
2007058052.tif 000011
【００３７】
【化１６】
2007058052.tif 000012
【００３８】
【化１７】
2007058052.tif 000013
【００３９】
【化１８】
2007058052.tif 000014
【００４０】
【化１９】
2007058052.tif 000015
【００４１】
【化２０】
2007058052.tif 000016
【００４２】
【化２１】
2007058052.tif 000017
【００４３】
【化２２】
2007058052.tif 000018
【００４４】
【化２３】
2007058052.tif 000019
【００４５】
【化２４】
2007058052.tif 000020
【００４６】
【化２５】
2007058052.tif 000021
【００４７】
【化２６】
2007058052.tif 000022
【００４８】
【化２７】
2007058052.tif 000023
【００４９】
【化２８】
2007058052.tif 000024
【００５０】
【化２９】
2007058052.tif 000025
【００５１】
【化３０】
2007058052.tif 000026
【００５２】
【化３１】
2007058052.tif 000027
【００５３】
【化３２】
2007058052.tif 000028
【００５４】
【化３３】
2007058052.tif 000029
【００５５】
【化３４】
2007058052.tif 000030
【００５６】
【化３５】
2007058052.tif 000031
【００５７】
【化３６】
2007058052.tif 000032
【００５８】
【化３７】
2007058052.tif 000033
【００５９】
【化３８】
2007058052.tif 000034
【００６０】
【化３９】
2007058052.tif 000035
【００６１】
【化４０】
2007058052.tif 000036
【００６２】
【化４１】
2007058052.tif 000037
【００６３】
【化４２】
2007058052.tif 000038
【００６４】
【化４３】
2007058052.tif 000039
【００６５】
【化４４】
2007058052.tif 000040
【００６６】
【化４５】
2007058052.tif 000041
【００６７】
【化４６】
2007058052.tif 000042
【００６８】
【化４７】
2007058052.tif 000043
【００６９】
【化４８】
2007058052.tif 000044
【００７０】
【化４９】
2007058052.tif 000045
【００７１】
【化５０】
2007058052.tif 000046
【００７２】
【化５１】
2007058052.tif 000047
【００７３】
【化５２】
2007058052.tif 000048
【００７４】
【化５３】
2007058052.tif 000049
【００７５】
【化５４】
2007058052.tif 000050
【００７６】
【化５５】
2007058052.tif 000051
【００７７】
【化５６】
2007058052.tif 000052
【００７８】
【化５７】
2007058052.tif 000053
【００７９】
【化５８】
2007058052.tif 000054
【００８０】
【化５９】
2007058052.tif 000055
【００８１】
【化６０】
2007058052.tif 000056
【００８２】
【化６１】
2007058052.tif 000057
【００８３】
【化６２】
2007058052.tif 000058
【００８４】
【化６３】
2007058052.tif 000059
【００８５】
【化６４】
2007058052.tif 000060
【００８６】
【化６５】
2007058052.tif 000061
【００８７】
【化６６】
2007058052.tif 000062
【００８８】
【化６７】
2007058052.tif 000063
【００８９】
本発明における電荷輸送物質の分子量は、１５００〜４０００が好ましく、より好ましくは１５００〜３５００である。
【００９０】
本発明における電荷輸送物質は、特定の化学構造式のみによって示される単一性の高い高分子量の電荷輸送物質であることを特徴としているため、モノマーの繰り返し重合反応による製造法では製造困難である。従って、低分子量電荷輸送物質の製造で使用していた合成法を繰り返し行う逐次合成法によって合成された電荷輸送物質を用いることが好ましい。逐次合成法とは、原材料と反応対象物との化学反応により主生成物として単一の化合物を生成する反応を多段階で行う合成法であり、重合反応により分子量分布を有する化合物を合成する製造法とは異なり、分子量分布を持たないほどの単一性の高い電荷輸送物質が選択的に製造できる。
【００９１】
逐次合成法に用いられる合成反応は、従来からの低分子量電荷輸送物質の製造で使用していた合成反応が用いられる。すなわち、ウルマン反応や金属触媒による合成方法が利用される。また、多段階の合成を順次連続して製造してもよく、また、合成の一工程終了後、次段階の合成までの工程の間に精製工程をいれてもよい。また、最終工程終了後、従来から一般に用いられている精製方法を使用することができる。すなわち、活性白土、活性炭、シリカ、アルミナといった吸着剤による処理や、シリカまたはアルミナなどによるカラムクロマトグラフィー、ポリスチレン微粒子などを利用したゲルパーミッションカラムクロマトグラフィーなどの精製、再結晶や晶析などの結晶化による精製手法を使用してもよい。
【００９２】
次に、本発明における電荷輸送物質の製造例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００９３】
（製造例１）電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−１０）の製造
＜ビス（２，４−ジメチルフェニル）アミンの製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、２，４−ジメチルフェニルアミン１３３ｇ（１．１ｍｏｌ）、１−ブロモ−２，４−ジメチルベンゼン１８５ｇ（１．０ｍｏｌ）、酢酸パラジウム１１．２ｇ（０．０５ｍｏｌ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルフォスフィノイル−２−メチルプロパン３２．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、リン酸三カリウム２１２ｇ（１．０ｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド５００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、１２時間還流させた。
【００９４】
反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、目的のビス（２，４−ジメチルフェニル）アミンを得た。得られた化合物の収量は１８９ｇ、収率は８４％であった。得られた化合物を元素分析器（ＣＨＮコーダー  ＭＴ−５、ＹＡＮＡＣＯ（株）製）を用いて測定した。なお、以下の元素分析による実測値及び計算値の単位は質量％である。実測値：Ｃ，８５．２４、Ｈ，８．５３、Ｎ，６．６３（計算値：Ｃ，８５．２８、Ｈ，８．５０、Ｎ，６．２２）。
【００９５】
＜ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（ブロモフェニル）フェニル］アミンの製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した２Ｌの３口反応容器に、（２，４−ジメチルフェニル）アミン１１２．５ｇ（０．５ｍｏｌ）、４，４’−ジブロモビフェニル１５６ｇ（０．５ｍｏｌ）、酢酸パラジウム５．６ｇ（０．０２５ｍｏｌ）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン２７．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム６３．７ｇ（０．７ｍｏｌ）、キシレン８００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。
【００９６】
反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝２：１）にて精製を行い、目的の（ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（ブロモフェニル）フェニル］アミンを得た。得られた化合物の収量は１５５．２ｇ、収率は６８質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，７３．４４、Ｈ，５．６２、Ｎ，２．９８（計算値：Ｃ，７３．６８、Ｈ，５．７４、Ｎ，３．０７）。
【００９７】
＜ビス（２，４−ジメチルフェニル）（４−｛４−［（２、４−ジメチルフェニル）アミノ］フェニル｝フェニル）アミンの製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、（ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（ブロモフェニル）フェニル］アミン９１．３ｇ（０．２ｍｏｌ）、２，４−ジメチルフェニルアミン３６．３ｇ（０．３ｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．２４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン１１．１ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム２６．９ｇ（０．２８ｍｏｌ）、キシレン５００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、３時間還流させた。
【００９８】
反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１：１）にて精製を行い、目的のビス（２，４−ジメチルフェニル）（４−｛４−［（２、４−ジメチルフェニル）アミノ］フェニル｝フェニル）アミンを得た。得られた化合物の収量は８３．４ｇ、収率は８４質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８７．０３、Ｈ，７．２６、Ｎ，５．７１（計算値：Ｃ，８７．０５、Ｈ，７．３１、Ｎ，５．６４）。
【００９９】
＜ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（４−｛（２、４−ジメチルフェニル）［４−（４−ブロモフェニル）フェニル］アミノ｝フェニル）フェニル］アミンの製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、ビス（２，４−ジメチルフェニル）（４−｛４−［（２、４−ジメチルフェニル）アミノ］フェニル｝フェニル）アミン４９．７ｇ（０．１ｍｏｌ）、４，４’−ジブロモビフェニル３１．２ｇ（０．１ｍｏｌ）、酢酸パラジウム１．１３ｇ（０．００５ｍｏｌ）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン５．５４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム１３．４ｇ（０．１４ｍｏｌ）、キシレン３００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。
【０１００】
反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝２：１）にて精製を行い、目的のビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（４−｛（２、４−ジメチルフェニル）［４−（４−ブロモフェニル）フェニル］アミノ｝フェニル）フェニル］アミンを得た。得られた化合物の収量は５０．９ｇ、収率は７０質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて実測値を測定した。実測値：Ｃ，７９．２６、Ｈ，５．９８、Ｎ，３．８３（計算値：Ｃ，７９．２２、Ｈ，５．９６、Ｎ，３．８５）。
【０１０１】
＜（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ、ｄ］フラン−２−イル｝アミンの製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した５００ｍＬの３口反応容器に、２，８−ジブロモジベンゾフラン６５．２ｇ（０．２ｍｏｌ）、２，４−ジメチルフェニルアミン７２．６ｇ（０．６ｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．２４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン１２．２ｇ（０．０４ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム５１．８ｇ（０．５４ｍｏｌ）、キシレン３００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。
【０１０２】
反応終了後、減圧蒸留により過剰量の２，４−ジメチルフェニルアミン、および溶媒を留去、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去、再結晶により目的の（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ、ｄ］フラン−２−イル｝アミンを得た。得られた化合物の収量は７１．５ｇ、収率は８８質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８２．６８、Ｈ，６．４４、Ｎ，６．９２（計算値：Ｃ，８２．７３、Ｈ，６．４５、Ｎ，６．８９）。
【０１０３】
＜電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−１０）の製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した５００ｍＬの３口反応容器に、ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（４−｛（２、４−ジメチルフェニル）［４−（４−ブロモフェニル）フェニル］アミノ｝フェニル）フェニル］アミン３６．４ｇ（０．０５ｍｏｌ）、（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ、ｄ］フラン−２−イル｝アミン１０．２ｇ（０．０２５ｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．５７ｇ（０．００２５ｍｏｌ）、ビフェニル−２−イル−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフォスフィン３．０ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム６．７ｇ（０．０７ｍｏｌ）、キシレン２００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、４時間還流させた。
【０１０４】
反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１：１）にて精製を行い、例示化合物（ＣＴ−１０）で示された目的の電荷輸送物質を得た。得られた化合物の収量は３９．１ｇ、収率は８９質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８４．８０、Ｈ，５．８１、Ｎ，４．８３（計算値：Ｃ，８４．８５、Ｈ，５．８５、Ｎ，４．７９）。
【０１０５】
また、得られた化合物の質量分析をレーザー脱離イオン化飛行時間型質量分析（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＡＳＳ）装置（ＲＥＦＬＥＸＩＩＩ、ＢＲＵＫＥＲ社製、マトリックス；９−ニトロアントラセン）を用いて行った。このとき得られた質量スペクトルの測定結果を図１に示す。なお、この質量スペクトルの横軸は質量電荷比（生成イオンの質量（ｍ）／生成イオンの電荷の価数（ｚ））、縦軸は検出した生成イオンの強度を示す。
【０１０６】
（製造例２）電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−１７）の製造
＜（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ］ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル｝アミンの製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した５００ｍＬの３口反応容器に、２，８−ジブロモジベンゾチオフェン６８．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、２，４−ジメチルフェニルアミン７２．６ｇ（０．６ｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．２４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン１２．２ｇ（０．０４ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム５１．８ｇ（０．５４ｍｏｌ）、キシレン３００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。
【０１０７】
反応終了後、減圧蒸留により過剰量の２，４−ジメチルフェニルアミン、および溶媒を留去、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去、再結晶により目的の（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ］ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル｝アミンの製造を得た。得られた化合物の収量は７１．０ｇ、収率は８４質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，７９．６０、Ｈ，６．２４、Ｎ，６．５２（計算値：Ｃ，７９．５８、Ｈ，６．２０、Ｎ，６．６３）。
【０１０８】
＜電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−１７）の製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した５００ｍＬの３口反応容器に、ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（４−｛（２、４−ジメチルフェニル）［４−（４−ブロモフェニル）フェニル］アミノ｝フェニル）フェニル］アミン３６．４ｇ（０．０５ｍｏｌ）、（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ］ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル｝アミン１０．６ｇ（０．０２５ｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．５７ｇ（０．００２５ｍｏｌ）、ビフェニル−２−イル−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフォスフィン３．０ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム６．７ｇ（０．０７ｍｏｌ）、キシレン２００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、４時間還流させた。
【０１０９】
反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１：１）にて精製を行い、例示化合物（ＣＴ−１７）で示された目的の電荷輸送物質を得た。得られた化合物の収量は３７．３ｇ、収率は８７質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８６．８０、Ｈ，６．４０、Ｎ，４．８６（計算値：Ｃ，８６．７８、Ｈ，６．４６、Ｎ，４．９０）。また、得られた化合物の質量分析を上述と同様の装置を用いて行った。このとき得られた質量スペクトルの測定結果を図２に示す。
【０１１０】
（製造例３）電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−３９）の製造
＜（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミンの製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、２，４−ジメチルフェニルアミン１３３ｇ（１．１ｍｏｌ）、１−ブロモ−４−メチルベンゼン１７１ｇ（１．０ｍｏｌ）、酢酸パラジウム１１．２ｇ（０．０５ｍｏｌ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルフォスフィノイル−２−メチルプロパン３２．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、リン酸三カリウム２１２ｇ（１．０ｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド５００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、１２時間還流させた。
【０１１１】
反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、目的の（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミンを得た。得られた化合物の収量は１８９．５ｇ、収率は８８質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８５．２７、Ｈ，８．０９、Ｎ，６．６４（計算値：Ｃ，８５．２６、Ｈ，８．１１、Ｎ，６．６３）。
【０１１２】
＜（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミンの製造＞
空気冷却管、およびメカニカルスターラーを付した２Ｌの３口反応容器に、（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミン１０５．７ｇ（０．５ｍｏｌ）、４’−ブロモ−４−ヨードビフェニル２１５．４ｇ（０．６ｍｏｌ）、銅粉５０ｇ、炭酸カリウム６０ｇ、ｏ−ジクロロベンゼン６００ｍＬを入れ、オイルバスにて１２時間加熱した。
【０１１３】
反応終了後、室温まで放冷し、ろ過により固形物を除去後、トルエン／水により抽出。有機層より溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝２：１）にて精製を行い、目的の（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミンを得た。得られた化合物の収量は１６５．９ｇ、収率は７５質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，７３．３３、Ｈ，５．４８、Ｎ，３．１７（計算値：Ｃ，７３．３０、Ｈ，５．４７、Ｎ，３．１７）。
【０１１４】
＜Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミンの製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミン８８．５ｇ（０．２ｍｏｌ）、２，４−ジメチルフェニルアミン２６．７ｇ（０．２２ｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン１１．１ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム２６．８ｇ（０．２８ｍｏｌ）、キシレン４００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。
【０１１５】
反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１：１）にて精製を行い、目的のＮ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミンを得た。得られた化合物の収量は７１．４ｇ、収率は７４質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８７．０５、Ｈ，７．１４、Ｎ，５．８１（計算値：Ｃ，８７．１０、Ｈ，７．１０、Ｎ，５．８０）。
【０１１６】
＜Ｎ４’−（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミンの製造＞
空気冷却管、およびメカニカルスターラーを付した２Ｌの３口反応容器に、（Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン４８．３ｇ（０．１ｍｏｌ）、４’−ブロモ−４−ヨードビフェニル３９．５ｇ（０．１１ｍｏｌ）、銅粉２０ｇ、ｏ−ジクロロベンゼン２００ｍＬを入れ、オイルバスにて１２時間加熱した。
【０１１７】
反応終了後、室温まで放冷し、ろ過により固形物を除去後、トルエン／水により抽出。有機層より溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝２：１）にて精製を行い、目的のＮ４’−（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミンを得た。得られた化合物の収量は４５．０ｇ、収率は６３質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，７８．８８、Ｈ，５．６９、Ｎ，３．９６（計算値：Ｃ，７９．０９、Ｈ，５．７９、Ｎ，３．９２）。
【０１１８】
＜Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−ビフェニル−４，４’−ジアミンの製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、４、４’−ジブロモビフェニル６２．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、２，４−ジメチルフェニルアミン７２．６ｇ（０．６ｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．２４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン１２．２ｇ（０．０４ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム５１．８ｇ（０．５４ｍｏｌ）、キシレン３００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。
【０１１９】
反応終了後、減圧蒸留により過剰量の２，４−ジメチルフェニルアミン、および溶媒を留去、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去、再結晶により目的のＮ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−ビフェニル−４，４’−ジアミンを得た。得られた化合物の収量は６２．７ｇ、収率は８０質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８５．６６、Ｈ，７．１８、Ｎ，７．１６（計算値：Ｃ，８５．６７、Ｈ，７．１９、Ｎ，７．１４）。
【０１２０】
＜電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−３９）の製造＞
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した５００ｍＬの３口反応容器に、Ｎ４’−（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン３５．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）、Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−ビフェニル−４，４’−ジアミン９．８ｇ（０．０２５ｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．５７ｇ（０．００２５ｍｏｌ）、ビフェニル−２−イル−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフォスフィン３．０ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム６．７ｇ（０．０７ｍｏｌ）、キシレン２００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、４時間還流させた。
【０１２１】
反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１：１）にて精製を行い、例示化合物（ＣＴ−３９）で示された目的の電荷輸送物質を得た。得られた化合物の収量は３４．４ｇ、収率は８３質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８８．４０、Ｈ，６．５１、Ｎ，５．０９（計算値：Ｃ，８８．３７、Ｈ，６．５６、Ｎ，５．０７）。また、得られた化合物の質量分析を上述と同様の装置を用いて行った。このとき得られた質量スペクトルの測定結果を図３に示す。
【０１２２】
次に本発明の電荷輸送層に使用されるバインダー樹脂について述べる。
【０１２３】
結着樹脂としては、通常、感光層または電荷輸送層に使用できる樹脂ならば、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリレート樹脂、ポリアクリレート樹脂など、いずれの樹脂においても使用可能であるが、樹脂の透過性、成膜性の観点から、また、感光層または電荷輸送層が電子写真感光体の表面層である場合には耐摩耗性の観点からも、ポリカーボネートまたはポリアリレート樹脂が好ましい。
【０１２４】
ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、２００００〜８００００であることが好ましい。
【０１２５】
ポリカーボネート樹脂を構成する二価の有機残基部分は、置換または無置換の二価のビフェニル残基、置換または無置換の二価のビスフェニル残基、置換または無置換の二価のビフェニルエーテル残基、置換または無置換の二価のビフェニルチオエーテル残基など、二価の有機残基であればどのよう構造であっても可能であるが、置換または無置換の二価のビフェニル残基、置換または無置換の二価のビスフェニル残基、または、置換または無置換の二価のビフェニルエーテル残基であることが好ましい。
【０１２６】
以下に、ポリカーボネート樹脂の繰り返し構造単位の具体例を示すが、これらの構造に特に限定はされない。
【０１２７】
【化６８】
2007058052.tif 000064
【０１２８】
【化６９】
2007058052.tif 000065
【０１２９】
【化７０】
2007058052.tif 000066
【０１３０】
【化７１】
2007058052.tif 000067
【０１３１】
【化７２】
2007058052.tif 000068
【０１３２】
【化７３】
2007058052.tif 000069
【０１３３】
また、生産性の向上などのために、ポリカーボネート樹脂中の二価の有機残基部分に異種の二価の有機残基を使用する共重合樹脂を使用することも可能である。混合の効果を効率よく発現させるためには、混合比率は、５／９５〜９５／５であることが好ましく、２０／８０〜８０／２０であることがより好ましい。
【０１３４】
ポリアリレート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００００〜２０００００であることが好ましく、強度、生産性などの面から、８００００〜１５００００であることがより好ましい。
【０１３５】
ポリアリレート樹脂に用いられるフタル酸部位の構造に関しては、イソフタル酸またはテレフタル酸が使用される。樹脂中におけるテレフタル酸とイソフタル酸の比率（イソフタル酸／テレフタル酸）は質量比で０／１００〜１００／０まで任意に可能であるが、ポリアリレート樹脂の溶媒に対する溶解性の観点から、イソフタル酸／テレフタル酸＝２０／８０〜８０／２０であることが好ましい。さらには、ポリアリレート樹脂の強度の観点より、イソフタル酸／テレフタル酸＝３０／７０〜７０／３０が好ましい。
【０１３６】
ポリアリレート樹脂を構成する二価の有機残基部分は、置換または無置換の二価のビフェニル残基、置換または無置換の二価のビスフェニル残基、置換または無置換の二価のビフェニルエーテル残基、置換または無置換の二価のビフェニルチオエーテル残基など、二価の有機残基であればどのよう構造であっても可能であるが、置換または無置換の二価のビフェニル残基、置換または無置換の二価のビスフェニル残基、または、置換または無置換の二価のビフェニルエーテル残基であることが好ましい。
【０１３７】
以下に、ポリアリレート樹脂の繰り返し構造単位の具体例を示すが、これらの構造に特に限定はされない。
【０１３８】
【化７４】
2007058052.tif 000070
【０１３９】
【化７５】
2007058052.tif 000071
【０１４０】
【化７６】
2007058052.tif 000072
【０１４１】
【化７７】
2007058052.tif 000073
【０１４２】
【化７８】
2007058052.tif 000074
【０１４３】
【化７９】
2007058052.tif 000075
【０１４４】
【化８０】
2007058052.tif 000076
【０１４５】
【化８１】
2007058052.tif 000077
【０１４６】
【化８２】
2007058052.tif 000078
【０１４７】
【化８３】
2007058052.tif 000079
【０１４８】
また、溶解性の向上などのために、ポリアリレート樹脂中の二価の有機残基部分に異種の二価の有機残基を使用する共重合樹脂を使用することも可能である。混合の効果を効率よく発現させるためには、混合比率は、５／９５〜９５／５であることが好ましく、２０／８０〜８０／２０であることがより好ましい。
【０１４９】
さらに、生産性の向上などのために、ポリカーボネート樹脂、またはポリアリレート樹脂に、他構造のポリアリレート樹脂やポリカーボネート樹脂をブレンドすることも可能である。混合の効果を効率よく発現させるためには、混合比率は質量比で、５／９５〜９５／５であることが好ましく、２０／８０〜８０／２０であることがより好ましい。
【０１５０】
本発明において、電荷移動度の測定は、Ｔｉｍｅ  ｏｆ  ｆｌｉｇｈｔ法により行った。本発明に用いた電子写真感光体は、Ａｌ基板上に電荷注入阻止層、電荷発生層、および電荷輸送層を順次形成しており、Ａｌ基板はアース側電極として扱うことができる。そこで電荷移動度の測定用サンプルは、真空蒸着用チェインバーに設置可能な大きさに基板を含む形で電子写真感光体を切り取り、電子写真感光体の表面上に金を半透明になるように真空蒸着して測定用サンプルとした。
【０１５１】
このサンプルに電界強度が２×１０５Ｖ／μｍとなるよう電圧を印加した後、波長６８０ｎｍのレーザーダイオードによるパルス光照射を行って電荷発生層から電荷を発生させ、生じた過渡電流波形を高速電流アンプ（ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ４２８）とデジタルオシロスコープ（Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ  ＴＤＳ４２０Ａ）をもちいて測定した。Ｔｒａｎｓｉｔ  ｔｉｍｅの判定には、電流（ｉ）と時刻（ｔ）との関係を対数変換し、得られた波形の折れ曲がり点から求める方法（Ｓｃｈｅｒ−Ｍｏｎｔｒｏｌｌ法）を用いた。
【０１５２】
本発明において、ガラス転移温度の測定は、動的粘弾性測定法により行った。まず感光体表面層をコロナ処理の施されていないＰＥＴフィルム上に塗工し、この後ＰＥＴｆｉｌｍ上から剥がし取って、幅３ｍｍの短冊を作成して測定用サンプルとした。このサンプルをレオメーター（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ  ＲＳＡＩＩ）にて測定した。測定モードは引っ張りモードとし、ひずみ率を０．３％、Ｉｎｉｔｉａｌ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｆｏｒｃｅは７０ｇに設定して−１３８℃〜２００℃まで掃引を行い、得られた温度―圧力波形の微分曲線の変曲点からガラス転移温度を求めた。
【０１５３】
本発明において、電子写真感光体の耐久寿命の向上、およびドット再現性が優れている点に関しては以下のように考えられる。
【０１５４】
電荷輸送物質の高い電荷輸送能は、窒素原子に芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基のいずれかが結合した３級アミンにより発現し、そのような３級アミンを多数、分子内に配置することにより、電荷輸送能の高効率化が達成される。しかしながら、上記の３級アミンを多数、分子内に配置することで電荷輸送物質の溶剤に対する溶解性は低下し易くなる。また、電子写真感光体の感光層塗工用塗布液を電子写真感光体の支持体上に塗布後、結着樹脂と電荷輸送物質との相溶性が低下し、分離状態を形成し易くなり、作製した電子写真感光体の特性悪化を発生する傾向にある。
【０１５５】
本発明においては、電荷輸送物質の分子内に適当な数の上記の３級アミンを有しているため、電荷輸送物質の溶剤に対する溶解性低下、あるいは結着樹脂との相溶性低下による特性悪化を生むことなく、電荷輸送機能の高効率化が達成できていると考えられる。
【０１５６】
さらに、電子写真感光体の耐久寿命の向上が著しく改善された点に関しては、上記式（１）〜（５）のいずれかで示される構造を有する本発明の電荷輸送物質の分子構造が剛直なためであると考えられ、この点が従来から使用されてきた低分子電荷輸送物質では結着樹脂中に分散させた電子写真感光体では達成できなかった耐久寿命の向上を生み出していると考えられる。
【０１５７】
ドット再現性の向上に関しては、電荷輸送機能を高効率化することで向上し、それに加え電荷輸送層の膜厚を２０μｍ以下にすることにより、キャリアの拡散による潜像劣化を抑えることができたため再現性の向上がより図られていると考えられる。
【０１５８】
また、本発明において、電荷輸送物質の分子量が１５００〜４０００であって、上記（１）〜（５）で示される電荷輸送物質が占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることも、上記特性の向上が図られている要因であると考えられる。これは、上記式（１）〜（５）で示される電荷輸送物質以外の電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して１０質量％以上になると、上記電荷輸送物質が有する高感度化に寄与する特性が妨げられると考えられる。同様の理由から、同時にドット再現性に関しても、本発明で使用する電荷輸送物質は優位性を有していると考えられる。また、電子写真感光体の耐久寿命の向上に関しても、上記式（１）〜（５）で示される電荷輸送物質以外の低分子量成分の電荷輸送物質の存在が機械的強度の低下を生むと考えられる。
【０１５９】
以下、本発明に用いる電子写真感光体の構成について説明する。
【０１６０】
本発明の電子写真感光体の感光層は、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層と電荷発生物質を含有する電荷発生層に機能分離した機能分離型（積層型）感光層であり、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した機能分離型（積層型）である。
【０１６１】
本発明の電子写真感光体に用いる支持体としては、導電性を有するものであればいずれのものでもよく、例えば、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、亜鉛、ステンレスなどの金属をドラムまたはシート状に成型したもの、アルミニウムや銅などの金属箔をプラスチックフィルムにラミネートしたもの、アルミニウム、酸化インジウム、酸化スズなどをプラスチックフィルムに蒸着したものなどが挙げられる。
【０１６２】
ＬＢＰなど画像入力がレーザー光の場合は、散乱による干渉縞防止、または、支持体の傷を被覆することを目的とした導電層を設けてもよい。これは、カーボンブラック、金属粒子などの導電性粒子を結着樹脂に分散させて形成することができる。
【０１６３】
導電層の膜厚は、５〜４０μｍが好ましく、１０〜３０μｍがより好ましい。
【０１６４】
また、支持体または導電層の上に、接着機能を有する中間層を設けてもよい。
【０１６５】
中間層の材料としては、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、カゼイン、ポリウレタン、ポリエーテルウレタンなどが挙げられる。これらを適当な溶剤に溶解して支持体または導電層上に塗布し、中間層が形成される。
【０１６６】
中間層の膜厚は、０．０５〜５μｍが好ましく、０．３〜１μｍがより好ましい。
【０１６７】
機能分離型（積層型）感光層の場合、支持体、導電層、または中間層の上には電荷発生層が形成される。
【０１６８】
電荷発生層は、電荷発生物質を０．３〜４倍量の結着樹脂および溶剤とともにホモジナイザー、超音波分散、ボールミル、振動ボールミル、サンドミル、アトライター、ロールミルおよび液衝突型高速分散機などの方法でよく分散し、分散液を塗布、乾燥させて形成される。
【０１６９】
電荷発生層の膜厚は、５μｍ以下が好ましく、０．１〜２μｍがより好ましい。
【０１７０】
電荷発生物質としては、通常知られているものが使用可能であり、例えば、セレン−テルル、ピリリウム、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン、アントアントロン、ジベンズピレンキノン、トリスアゾ、シアニン、ジスアゾ、モノアゾ、インジゴ、キナクドリンなどの各顔料が挙げられる。
【０１７１】
これらの顔料は０．３〜４倍の質量の結着樹脂および溶剤ともにホモジナイザー、超音波分散、ボールミル、振動ミル、サンドミルアトライター、ロールミル、液衝突型高速分散機などを使用して、良く分散した分散液とする。機能分離型（積層型）感光層の場合、この分散液を支持体、導電層、または中間層上に塗布し、乾燥することによって電荷発生層が得られる。
【０１７２】
機能分離型（積層型）感光層の場合、電荷発生層の上には電荷輸送層が形成される。
【０１７３】
電荷輸送層または感光層は、電荷輸送物質自身が結着性を有している場合は、結着樹脂は必ずしも必要としないが、機械的強度や電子写真特性の観点から、感光層に結着樹脂を含有していることが好ましい。また、結着樹脂は絶縁性であることが好ましい。
【０１７４】
また、該感光層は電子写真感光体の表面層であることが好ましい。
【０１７５】
電荷輸送層は上記電荷輸送物質と結着樹脂を溶剤に溶解させ塗布液とし、この塗布液を電荷発生層上に塗布後、乾燥することによって作製される。
【０１７６】
塗布液中の電荷輸送物質と結着樹脂の比率（電荷輸送物質／結着樹脂）は、質量比で１／１０〜１２／１０が好ましく、電子写真感光体の電荷輸送特性、あるいは電荷輸送層の強度といった観点より、２／１０〜１０／１０がより好ましい。
【０１７７】
また、電荷輸送層中に酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、可塑剤を必要に応じて添加してもよい。
【０１７８】
電荷輸送層が電子写真感光体の表面層である場合、必要に応じて、潤滑剤や微粒子を使用してもよい。潤滑剤あるいは微粒子としては、ポリテトラフルオロエチレン微粒子、ポリスチレン微粒子といった樹脂微粒子、シリカ微粒子、アルミナ微粒子、酸化スズ微粒子といった金属酸化物微粒子、およびそれら微粒子に表面処理を施した微粒子、ステアリン酸亜鉛といった固体潤滑剤、アルキル基により置換されたシリコーン、フッ化アルキル基を有する脂肪族系オイル、ワニスなどが挙げられる。
【０１７９】
電荷輸送層の膜厚は、５〜２０μｍが好ましく、８〜１８μｍが好ましい。
【０１８０】
また、電子写真感光体の表面層として、感光層を保護するための層、すなわち、保護層を感光層上に別途設けてもよい。
【０１８１】
保護層に使用する樹脂としては、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂が好ましく、さらには、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂がより好ましい。また、残留電位の低減あるいは膜強度の向上を目的として、導電性粒子や潤滑剤を含有させてもよい。
【０１８２】
保護層の成膜方法は、熱、光あるいは電子線での硬化が可能であり、必要に応じて重合開始剤や酸化防止剤を含有してもよい。
【０１８３】
電子写真感光体の各層の形成工程において、使用する溶剤としては、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、トルエン、キシレンなどが挙げられ、単独で用いても複数の溶剤を用いてもよい。
【０１８４】
また、上記塗布の方法としては、浸漬塗布法、スプレー塗布法、バーコート法など通常知られている方法が使用できる。
【０１８５】
次に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置について説明する。
【０１８６】
図４に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。
【０１８７】
図４において、１はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、軸を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１は、回転過程において、一次帯電手段２によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの露光光３を受ける。こうして電子写真感光体１の周面に静電潜像が順次形成されていく。
【０１８８】
形成された静電潜像は、次いで現像手段４によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不図示の給紙部から電子写真感光体１と転写手段７との間に電子写真感光体１の回転と同期取りされて給送された転写材６に、転写手段７により順次転写されていく。
【０１８９】
像転写を受けた転写材６は、電子写真感光体面から分離されて像定着手段２７（図５参照）へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリントまたはコピー）として装置外へプリントアウトされる。
【０１９０】
像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段８によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、さらに前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、一次帯電手段３が図４のように帯電ローラなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【０１９１】
本発明においては、上述の電子写真感光体１、一次帯電手段２、現像手段４およびクリーニング手段８などの構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば、一次帯電手段２、現像手段４およびクリーニング手段８の少なくとも１つを電子写真感光体１と共に一体に支持してカートリッジ化し、装置本体のレール（不図示）などの案内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジとすることができる。
【０１９２】
また、露光光３は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光、あるいは、センサーで原稿を読取り、信号化し、この信号にしたがって行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動および液晶シャッターアレイの駆動などにより照射される光である。
【０１９３】
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンターおよびレーザー製版など電子写真応用分野にも広く用いることができる。
【０１９４】
以下、実施例にしたがって本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。
【実施例】
【０１９５】
（実施例１）
直径３０ｍｍ、長さ２６０．５ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、以下の材料より構成される塗料を浸漬塗布法にて塗布し、１４０℃で３０分熱硬化することにより、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
【０１９６】
導電性顔料：ＳｎＯ２コート処理硫酸バリウム  １０部
抵抗調整用顔料：酸化チタン  ２部
結着樹脂：フェノール樹脂  ６部
レベリング材：シリコーンオイル  ０．００１部
溶剤：メタノール／メトキシプロパノール＝２／８  ２０部
【０１９７】
次に、この導電層上に、Ｎ―メトキシメチル化ナイロン（登録商標）３部及び共重合ナイロン（登録商標）３部をメタノール６５部及びｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解した溶液を浸漬塗布法で塗布し、乾燥することによって、膜厚が０．７μｍの中間層を形成した。
【０１９８】
次にＣｕＫαのＸ線回折スペクトルにおける回折角２θ±０．２°の７．４°、２８．２°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン４部と、ポリビニルブチラール（エスレックＢＸ−１、積水化学（株）製）２部と、シクロヘキサノン６０部とを、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で４時間分散した後、エチルアセテート１００部を加えて、電荷発生層用分散液を調製した。これを中間層上に浸漬塗布法で塗布し、膜厚が０．２０μｍの電荷発生層を形成した。
【０１９９】
次に、例示化合物（ＣＴ−１０）で示される電荷輸送物質４部と、結着樹脂として繰り返し単位構造の例（ＰＡ−２）で示される樹脂（重量平均分子量（Ｍｗ）＝１３００００、樹脂中におけるテレフタル酸とイソフタル酸の質量比：テレフタル酸／イソフタル酸＝５０／５０）１０部とを、モノクロロベンゼン８０部とジメトキシメタン１０部の混合溶媒に溶解し、電荷輸送層用塗布液を調製した。これを電荷発生層上に浸漬塗布法で塗布し、１１５℃、１時間乾燥して、膜厚が１８μｍの電荷輸送層を形成した。このようにして実施例１に用いられる電子写真感光体を作製した。
【０２００】
次に、本発明の電子写真感光体の評価方法について説明する。
【０２０１】
評価装置はキヤノン（株）製ＬＢＰ−２５１０（一次帯電：直流電圧のみを印可する接触耐電方式、プロセススピード：９４．２ｍｍ／ｓｅｃ）を改造して用いた。改造は像露光量を調整できるようにし、かつ６００ｄｐｉを１２００ｄｐｉ、２４００ｄｐｉの解像度がだせるようにした。評価は、常温常湿環境下（２３℃、６５％）で行った。作製した電子写真感光体の明部電位（Ｖｌ）の評価は、装置の光源を像露光量が電子写真感光体面上での光量が０．２８μＪ／ｃｍ２となるように設定して行った。電子写真感光体の表面電位の測定は、電子写真感光体上端より１８０ｍｍの位置に電位測定用プローブが位置するように固定された冶具と現像器とを交換して、現像器位置で行った。
【０２０２】
また、Ａ４サイズの普通紙を１枚画像出力ごとに１度停止する間欠モードにて４００００枚の画像出力を行い、画像評価を１０００枚ごとに実施し、画像悪化が確認された時点を耐久限界値とした。さらに、４００００枚の画像出力後、電子写真感光体上の傷の評価を行った。傷の評価は、表面粗さ測定器（サーフコーダーＳＥ−３４００、（株）小西研究所）を用いて、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１における十点平均粗さ（Ｒｚｊｉｓ）評価に則った評価（評価長さ８ｍｍ）を行い、電子写真感光体上端より１８０ｍｍの位置を測定した。耐久中にトナーを消費しきってしまった場合は、トナーのみを補給した。
【０２０３】
また、ドット再現性評価の際は、隣接した画素似影響を受けないように隣接ドット間を１０ドット分離した画像パターンを用い、孤立ドットの再現性を確認した。
【０２０４】
○：ドットの大きさが均一で良好。
【０２０５】
△：ドットの大きさがまばらである。
【０２０６】
×：ドットが薄くバラツキも大きい。
【０２０７】
（実施例２〜８）
電荷輸送物質に表１で示した電荷輸送物質を使用した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２０８】
（実施例９，１０）
電荷輸送物質に表１で示した電荷輸送物質を使用し、結着樹脂としてポリカーボネート樹脂（繰り返し構造単位の例（ＰＣ−５）；ユーピロンＺ−４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）を使用した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２０９】
（実施例１１）
電荷輸送物質に表１で示した電荷輸送物質を使用し、結着樹脂として繰り返し単位構造の例（ＰＡ−２）および（ＰＡ−９）で示される構造の共重合樹脂（重量平均分子量（Ｍｗ）＝１２５０００、繰り返し単位構造比：ＰＡ−２／ＰＡ−９＝７／３、樹脂中におけるテレフタル酸とイソフタル酸の質量比：テレフタル酸／イソフタル酸＝５０／５０）を使用した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２１０】
（実施例１２）
電荷輸送物質に表１で示した電荷輸送物質を使用し、電荷輸送物質を６部にした以外は実施例１１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２１１】
（実施例１３）
電荷輸送物質に表１で示した電荷輸送物質を使用し、解像度を２４００ｄｐｉにした以外は実施例１１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２１２】
（実施例１４）
電荷輸送層の膜厚を１２μｍにした以外は実施例１１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２１３】
（実施例１５）
電荷輸送物質として、特許文献１１に記載されている重合反応によって下記式（８Ａ）で示される化合物を作製した。下記式（８Ａ）で示される化合物は通常のＧＰＣによる測定（使用カラム：昭和電工（株）製ＫＦ−８０２、展開溶媒：メタノール／テトラヒドロフラン＝７／３、検出器：ＲＩ検出器、サンプルの分子量はポリスチレン換算法により決定）のピーク面積比により、繰り返し回数ｎ＝４：ｎ＝５：ｎ＝６：ｎ＝７：ｎ＝８が７：２３：５０：１７：３の比率で混合されている電荷輸送物質であった。この下記式（８Ａ）で示される化合物を使用した以外は実施例１と同様に感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２１４】
【化８４】
2007058052.tif 000080
（６）  
【０２１５】
（比較例１）
電荷輸送物質として下記式（７）で示される化合物を使用した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２１６】
【化８５】
2007058052.tif 000081
（７）  
【０２１７】
（比較例２）
電荷輸送物質を８部とした以外は、比較例２と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【０２１８】
【表１】
2007058052.tif 000082
【０２１９】
表に示したとおり、本発明によって耐久性とドット再現性の両立がはかられた。
【図面の簡単な説明】
【０２２０】
【図１】本発明の例示化合物（ＣＴ−１０）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＡＳＳスペクトルである。
【図２】本発明の例示化合物（ＣＴ−１７）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＡＳＳスペクトルである。
【図３】本発明の例示化合物（ＣＴ−３９）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＡＳＳスペクトルである。
【図４】接触帯電方式のプロセスカートリッジおよび電子写真装置の一例を示す図である。
【図５】フルカラー接触帯電方式の電子写真装置の一例を示す図（図４で示したプロセスカートリッジを下からイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの順に縦型にタイデム式に並列した方式である）である。
【符号の説明】
【０２２１】
１      電子写真感光体
２      帯電ローラ
２Ａ    バイアス電源
３      露光光
４      現像器
５      荷電粒子（トナー）
５ａ    可転写粒子像（トナー像）
５ｂ    被転写粒子
６      用紙
７      転写ローラ
７Ａ    バイアス電源
８      クリーナー（クリーニング装置）
９      給紙カセット
１０    給紙ローラ
１１    レジストローラ
２０Ｋ、２０Ｃ、２０Ｍ、２０Ｙ  各色プロセスカートリッジ
２１Ｋ、２１Ｃ、２１Ｍ、２１Ｙ  電子写真感光体
２２Ｋ、２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ  帯電ローラ
２３    転写ローラ
２４    紙搬送ベルト
２５    レーザー光源
２６    トナー
２７    定着器
２８    給紙ローラ
【図１】
2007058052.tif 000088
【図２】
2007058052.tif 000089
【図３】
2007058052.tif 000090
【図４】
2007058052.tif 000091
【図５】
2007058052.tif 000092