(57)【要約】【課題】本発明は複数の発光素子間の光吸収を防止すると共に、複数の発光素子を高密度に実装することを課題とする。【解決手段】半導体装置１０は、基板２０に複数の貫通電極３０を形成し、複数の貫通電極３０の夫々に複数の発光素子（ＬＥＤ）４０の各端子を下面側のバンプ５０を介して電気的に接続されるように構成されている。また、半導体装置１０は、基板２０上に複数の発光素子４０の載置領域を囲む隔壁８０が形成されている。上記隔壁８０は、メッキ法などの薄膜形成法を用いて金属膜(Ｃｕ等)を積層して形成されている。また、隔壁８０は、各発光素子４０の各側面に近接対向するように形成され、各発光素子４０の周囲を囲むように形成される。そのため、各発光素子４０の側面から放射された光は、隔壁８０によって遮断され、発光素子４０間の光吸収が防止される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に複数の発光素子が実装された半導体装置において、
前記複数の発光素子が載置される載置領域の近傍に前記複数の発光素子間の光を遮断する隔壁を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記隔壁は、前記発光素子の側面に近接対向するように前記基板上に垂直に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記発光素子は、サファイアを基板として形成されたＬＥＤであることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項４】
基板に複数の発光素子を実装する半導体装置の製造方法において、
前記基板に前記複数の発光素子が配置される複数箇所に貫通電極を形成する工程と、
前記貫通電極に接続されるように前記基板の表面にシード層を形成する工程と、
前記複数の発光素子が載置される載置領域にレジストをパターニングする工程と、
前記載置領域の周囲に前記複数の発光素子間の光を遮断する隔壁を形成する工程と、
前記レジストを前記基板から除去する工程と、
前記載置領域に前記発光素子を配置する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記隔壁は、前記発光素子の側面近傍に薄膜形成法により金属膜を積層されたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記隔壁は、メッキにより形成された金属層が前記発光素子の側面を囲むように積層されたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板に複数の発光素子を実装する半導体装置の製造方法において、
前記基板の表面のうち前記複数の発光素子が載置される領域に複数の凹部を形成し、複数の凹部間に隔壁を残す工程と、
前記複数の凹部の底部に貫通電極を形成する工程と、
前記複数の凹部に前記発光素子を載置する工程と、
前記発光素子の端子を前記貫通電極に接続する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記凹部は、前記発光素子の輪郭形状に対応する形状に形成されたことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記凹部は、エッチングにより形成され、前記発光素子の側面に近接対向する凹部内壁が隔壁として形成されたことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記発光素子は、サファイアを基板として形成されたＬＥＤであることを特徴とする請求項４乃至９の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及び半導体装置の製造方法に係り、特に基板に複数の素子を高密度実装する半導体装置及び半導体装置の製造方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光素子（LED：light emitting diode）を光源とする照明装置や表示装置等の開発が進められており、それに伴って複数の発光素子を高密度に実装することが要望されている。特に発光素子は、半導体チップと同様に微細加工技術を駆使して製造された微小なチップであり、例えば、数ミリの中に複数の発光素子を実装することで発光時の光強度を高めることが検討されている。
【０００３】
例えば、青色ＬＥＤからなる発光素子では、半透明なサファイア基板を基材としてＰ層、Ｎ層などを積層して作成されており、Ｐ層とＮ層との境界部分から放射された光の一部が、サファイア基板の側面や底面から外部に漏れる。複数の発光素子を同一基板上に配置した場合、サファイア基板が光を吸収する性質を有するため、隣接された発光素子の側面から放射された光が隣の発光素子のサファイア基板に吸収されてしまい、発光素子から外部に向けて放射される光強度が低下するという問題があった。
【０００４】
このような、問題を解消する方法として、例えば、基板上に台形状の凹部を形成し、基板表面を金属メッキしておき、この凹部に発光素子を実装する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３４４０３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の半導体装置では、金属メッキ層が形成された凹部に発光素子を実装することで発光素子からの光が金属メッキ層の傾斜面で反射させて光の放射方向を基板上方に集中させるように構成されているが、発光素子の間隔が広くなり、発光素子を高密度に実装することが難しいという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記事情に鑑み、上記課題を解決した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は以下のような手段を有する。
【０００８】
本発明は、基板に複数の発光素子が実装された半導体装置において、前記複数の発光素子が載置される載置領域の近傍に前記複数の発光素子間の光を遮断する隔壁を設けたことを特徴とする。
【０００９】
また、前記隔壁は、前記発光素子の側面に近接対向するように前記基板上に垂直に形成されたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、基板に複数の発光素子を実装する半導体装置の製造方法において、前記基板に前記複数の発光素子が配置される複数箇所に貫通電極を形成する工程と、前記貫通電極に接続されるように前記基板の表面にシード層を形成する工程と、前記複数の発光素子が載置される載置領域にレジストをパターニングする工程と、前記載置領域の周囲に前記複数の発光素子間の光を遮断する隔壁を形成する工程と、前記レジストを前記基板から除去する工程と、前記載置領域に前記発光素子を配置する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
前記隔壁は、前記発光素子の側面近傍に薄膜形成法により金属膜を積層されたことを特徴とする。
【００１２】
前記隔壁は、メッキにより形成された金属層が前記発光素子の側面を囲むように積層されたことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、基板に複数の発光素子を実装する半導体装置の製造方法において、前記基板の表面のうち前記複数の発光素子が載置される領域に複数の凹部を形成し、複数の凹部間に隔壁を残す工程と、前記複数の凹部の底部に貫通電極を形成する工程と、前記複数の凹部に前記発光素子を載置する工程と、前記発光素子の端子を前記貫通電極に接続する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
前記凹部は、前記発光素子の輪郭形状に対応する形状に形成されたことを特徴とする。
【００１５】
前記凹部は、エッチングにより形成され、前記発光素子の側面に近接対向する凹部内壁が隔壁として形成されたことを特徴とする。
【００１６】
前記発光素子は、サファイアを基板として形成されたＬＥＤであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、複数の発光素子が載置される載置領域の近傍に複数の発光素子間の光を遮断する隔壁を設けたため、発光素子間での光吸収による光強度の低下を防止できると共に、発光素子を高密度実装することが可能になる。
【００１８】
また、本発明によれば、隔壁を薄くすることで、各発光素子の間隔を小さくすることが可能になり、複数の発光素子を密集させて単位面積当たりの実装数を増やして複数の発光素子の光強度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は本発明による実施例１の半導体装置を示す図である。図１に示されるように、半導体装置１０は、Ｓｉなどからなる基板２０にＣｕからなる複数の貫通電極３０を形成し、複数の貫通電極３０の夫々に複数の発光素子（ＬＥＤ）４０の各端子を下面側のＡｕよりなるバンプ（Ａｕスタッドバンプ）５０を介して電気的に接続されるように構成されている。また、基板２０の表面には、絶縁膜６０が形成されており、基板２０の下面側には貫通電極３０に電気的に接続された配線パターン７０が形成されている。
【００２１】
また、半導体装置１０は、複数の発光素子４０間に、隔壁８０が形成されている。さらに、隔壁８０の上面には透明なガラス板９０が接合されており、隔壁８０の内部空間が封止されている。
【００２２】
上記隔壁８０は、例えば、メッキ法などの薄膜形成法を用いて金属層(Ｃｕ等)を積層して形成されている。また、隔壁８０は、図１において断面のみを図示してあるが、各発光素子４０の各側面に近接対向するように形成され、各発光素子４０の周囲を囲むように形成される。すなわち、隔壁８０は、上方からみると、各発光素子４０の４方向の側面に近接対向するように四角形状の内壁を有する格子状に形成される。そのため、各発光素子４０の側面から放射された光は、隔壁８０によって遮断される。
【００２３】
発光素子４０は、サファイアを基材として形成されたＬＥＤであり、半透明なサファイア基板にＰ層、Ｎ層、電極を積層した構成になっている。そのため、発光素子４０では、夫々各端子に電圧が印加されると、Ｐ層とＮ層との境界で発光し、所定の発光色を有する光が放射される。また、複数の発光素子４０は、発光時にサファイア基板の側面及び底面から光が外部に漏れるが、隔壁８０により光が遮断されるため、各発光素子４０間での光吸収が防止される。
【００２４】
さらに、隔壁８０が光沢のある金属層により形成された場合には、隔壁８０の表面が光を反射する反射面としても機能することになる。その場合には、発光素子４０の側面から漏れた光が隔壁８０で反射して発光素子４０に吸収されるため、発光素子４０から上方へ放射される光強度の低下を防止できる。
【００２５】
また、隔壁８０は、基板２０の上面に垂直な壁面を有するように形成されるため、水平方向の厚さｔを小さくすることにより、各発光素子４０の間隔を狭くすることができる。そのため、複数の発光素子４０は、隔壁８０の厚さｔを小さくすることで高密度に実装することが可能になる。
【００２６】
このように、複数の発光素子４０が密集した状態に実装されることで、見かけ上発光面積を増大させることができるので、半導体装置１０から発光される光強度が高められている。
【００２７】
次に、上記の半導体装置１０を製造する製造方法の一例について、図２Ａ〜図２Ｋに基づき、手順を追って説明する。尚、以下の図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
【００２８】
まず、図２Ａに示す工程において、シリコン基板２０をエッチングしてパターニングし、貫通電極（ビアプラグ）３０を形成するための、シリコン基板２０を貫通する貫通孔（ビアホール）２２を形成する。
【００２９】
次に、図２Ｂに示す工程において、貫通孔２２の内壁面を含むシリコン基板２０の表面に、例えば熱ＣＶＤ(Chemical vaper deposition)法などにより、酸化膜（シリコン酸化膜、または熱酸化膜とよぶ場合もある）による絶縁膜６０を形成する。
【００３０】
次に、図２Ｃに示す工程において、例えばＣｕのメッキ法（例えばセミアディティブ法）により、各貫通孔２２のそれぞれに貫通電極３０を形成する。
【００３１】
次に、図２Ｄに示す工程において、絶縁膜６０の上下面にＣｕ等の導電性金属からなるシード層６２,６４を積層する。
【００３２】
次に、図２Ｅに示す工程において、例えばシード層６２を給電層とするメッキ法により、例えばＮｉ／Ａｕよりなる接続層（図示せず）及び接続層上にバンプ（Ａｕスタッドバンプ）５０を形成する。
【００３３】
次に、図２Ｆに示す工程において、シード層６２,６４及びバンプ５０の表面に、例えば、ドライフィルムレジスト、または塗布されたレジスト膜をパターニングしてレジストパターン６６,６８を形成する。上側のレジスト６６の厚さは、前述した隔壁８０の高さ寸法に対応しており、発光素子４０の上面高さ位置よりも高くなるように形成される。
【００３４】
また、上面側のレジスト層６６に隔壁８０を形成する領域、すなわち、発光素子４０が載置される領域の外側の領域に凹部６６ａを形成する。また、下面側のレジスト６８層に配線パターン７０を形成する領域に凹部６８ａを形成する。尚、凹部６６ａ，６８ａは、スクリーン印刷によりパターン形成しても良いし、あるいは感光性型のレジストを写真法により形成する方法を用いても良い。
【００３５】
次に、図２Ｇに示す工程において、上面側のシード層６２を給電層とするメッキ法（例えばセミアディティブ法）によりレジスト層６６の凹部６６ａにＣｕなどの金属を析出させて金属膜を積層する。これにより、基板２０上に垂直な壁面を有する隔壁８０が形成される。尚、隔壁８０は、メッキ以外の薄膜形成法（例えば、スパッタ法やＣＶＤ法など）を用いても良い。
【００３６】
さらに、下面側のシード層６４を給電層とするメッキ法によりレジスト層６８の凹部６８ａにＣｕなどの導線性金属を析出させて配線パターン７０を形成する。
【００３７】
次に、図２Ｈに示す工程において、例えば、アルカリ水溶液などを用いてレジスト層６６,６８を基板２０から剥離する。尚、図２Ｈ以降においては、シード層６２,６４の図示を省略してある。
【００３８】
次に、図２Ｉに示す工程において、真空吸着部９２に吸着された各発光素子４０を搬送して隔壁８０の内側に形成された載置領域に載置する。真空吸着部９２は、複数の発光素子４０を一括して吸着する構成のものでも良いし、あるいは発光素子４０を１個ずつ吸着して搬送するようにしても良い。
【００３９】
次に、図２Ｊに示す工程において、超音波接合用ボンダ装置（図示せず）のホーン９４を各発光素子４０の上面に当接させて加圧した状態とし、振動子（図示せず）で発生した超音波による振動を各発光素子４０に伝播させる。これにより、複数の発光素子４０の下面に形成された各端子がバンプ５０を介して貫通電極３０に接合される。
【００４０】
次に、図２Ｋに示す工程において、複数の隔壁８０の上面にガラス板９０を載置し、隔壁８０とガラス板９０との間を接合する。例えば、陽極接合により隔壁８０とガラス板９０とを接合する場合、隔壁８０上にスパッタによりシリコンよりなる接合層（図示せず）を形成し、この接合層とガラス板９０との間に高電圧を印加し、所定の昇温を行ってガラス板９０を隔壁８０に接合する。これにより、各発光素子４０が実装された隔壁８０の内部空間は、ガラス板９０によって封止される。
【００４１】
このように、実施例１では、複数の発光素子４０の側面に近接対向する隔壁８０をメッキ法などの膜形成法により各発光素子８０の周囲に形成することにより発光素子４０の側面からの光を隔壁８０によって遮断することができ、隣接する発光素子４０間での光の吸収を防止することができる。そして、基板２０上に隔壁８０の垂直な壁面で反射した光が発光素子４０に戻されるため、発光素子４０から上方に放射される光強度の低下を抑制することができる。さらに、隔壁８０の厚さｔを薄くするにより各発光素子４０の間隔を小さくできるので、より高密度実装が可能になり、基板２０上の単位面積当たりの発光素子４０の実装数を増やして複数の発光素子４０による光強度を高めることができる。
【実施例２】
【００４２】
図３は実施例２の半導体装置１００を示す図である。図３に示されるように、半導体装置１００は、シリコン基板（以下「基板」という）１２０と、基板１２０上に形成された凹部１２２と、凹部１２２に実装された発光素子１４０と、ガラス板１９４とを有し、凹部１２２を囲む隔壁１８０の上面とガラス板１４０とを接合して凹部１２２を封止した構成である。
【００４３】
隔壁１８０は基板１２０と一体に形成されており、後述するエッチング処理による所定位置に形成される。
【００４４】
また、発光素子１４０は、例えばＡｕよりなるバンプ（Ａｕスタッドバンプ）１５０を介して基板１２０の底面に貫通するように形成される貫通電極１３０と電気的に接続されている。さらに、貫通電極１３０の下端は、基板１２０の下面に形成された配線パターン１７０に接続されている。
【００４５】
また、基板１２０の表面は、酸化膜（シリコン酸化膜）からなる絶縁膜１６０が形成され、例えば当該基板１２０と貫通電極１３０、配線パターン１７０、バンプ１５０との間は絶縁されている。
【００４６】
次に、上記の半導体装置１００を製造する製造方法の一例について、図４Ａ〜図４Ｊに基づき、手順を追って説明する。
【００４７】
まず、図４Ａに示す工程において、基板１２０をエッチングによりパターニングして、発光素子１４０を設置するための複数の凹部１２２及び、基板１２０を貫通する複数の貫通孔１２４を形成する。凹部１２２は、上方からみると、発光素子１４０の側面輪郭形状に対応する四角形状を有し、発光素子１４０を載置する載置領域に対応する位置に設けられる。また、凹部１２２は、深さ寸法がバンプ１５０上に載置された発光素子１４０よりも深くなる寸法に形成される。
【００４８】
そして、凹部１２２の形成により基板１２０上には、凹部１２２を除く部分に隔壁１８０が残される。隔壁１８０は、発光素子１４０の４方向の各側面に近接対向する垂直な壁面を有する。
【００４９】
次に、図４Ｂに示す工程において、凹部１２２の内壁面や貫通孔１２４の内壁面を含むシリコン基板１２０の表面に、例えば熱ＣＶＤ(Chemical vaper deposition)法などにより、酸化膜（シリコン酸化膜、または熱酸化膜とよぶ場合もある）による絶縁膜１６０を形成する。
【００５０】
次に、図４Ｃに示す工程において、例えばＣｕのメッキ法（例えばセミアディティブ法）により、各貫通孔１２４のそれぞれに貫通電極１３０を形成する。さらに、貫通電極１３０の上端にはんだを積層してバンプ１５０を形成する。
【００５１】
次に、図４Ｄに示す工程において、例えばメッキ法により、基板１２０の下面側に形成された絶縁膜１６０の下面にＣｕ等の導電性金属からなるシード層１６４を積層する。
【００５２】
次に、図４Ｅに示す工程において、シード層１６４の表面に、例えば、ドライフィルムレジスト、または塗布されたレジスト膜をパターニングしてレジストパターン１６８を形成する。
【００５３】
次に、図４Ｆに示す工程において、下面側のシード層１６４を給電層とするメッキ法によりレジスト層１６８の凹部１６８ａにＣｕなどの導電性金属を析出させて配線パターン１７０を形成する。
【００５４】
次に、図４Ｇに示す工程において、例えば、アルカリ水溶液などを用いてレジスト層１６８を基板１２０から剥離する。尚、図４Ｇ以降においては、シード層１６４の図示を省略してある。
【００５５】
次に、図４Ｈに示す工程において、真空吸着部１９２に吸着された各発光素子１４０を搬送して隔壁１８０の内側に形成された凹部１２２（載置領域）に載置する。真空吸着部１９２は、複数の発光素子１４０を一括して吸着する構成のものでも良いし、あるいは発光素子１４０を１個ずつ吸着して搬送するものでも良い。
【００５６】
次に、図４Ｉに示す工程において、超音波接合用ボンダ装置（図示せず）のホーン１９４を各発光素子１４０の上面に当接させて加圧した状態とし、振動子（図示せず）で発生した超音波による振動を各発光素子１４０に伝播させる。これにより、複数の発光素子１４０の下面に形成された各端子がバンプ１５０を介して貫通電極１３０に接合される。
【００５７】
次に、図４Ｊに示す工程において、隔壁１８０の上面にガラス板１９０を載置し、隔壁１８０とガラス板１９０との間を接合する。例えば、陽極接合により隔壁１８０とガラス板１９０とを接合する場合、隔壁１８０上にスパッタによりシリコンよりなる接合層（図示せず）を形成し、この接合層とガラス板１９０との間に高電圧を印加し、所定の昇温を行ってガラス板１９０を複数の隔壁１８０に接合する。これにより、各発光素子１４０が実装された隔壁１８０の内部空間は、ガラス板１９０によって封止される。
【００５８】
このように、実施例２では、基板１２０の表面をエッチングにより発光素子１４０の載置領域に凹部１２２を形成して載置領域の周囲に隔壁１８０を残すことにより発光素子１４０の側面からの光を遮断する隔壁１８０を形成することができ、隔壁１８０の存在により隣接する発光素子１４０間での光の吸収を防止することができる。そして、基板１２０上に隔壁１８０の垂直な壁面がシリコンに形成された光沢を有する反射面となるため、隔壁１８０で反射した光が発光素子１４０に戻されて、発光素子１４０から上方に放射される光強度の低下を抑制することができる。さらに、隔壁１８０の厚さｔを薄くするにより各発光素子１４０の間隔を小さくできるので、より高密度実装が可能になり、基板１２０上の単位面積当たりの発光素子１４０の実装数を増やして複数の発光素子１４０による光強度を高めることができる。
【００５９】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
尚、上記実施例１では、粘着テープに貼着された発光素子４０を真空吸着部７０に吸着させる方法を一例として挙げたが、これに限らず、粘着テープ以外に例えば、予め空気吸引孔７２の間隔で発光素子４０が載置されたトレー等から複数の発光素子４０を同時に吸着する方法を用いても良い。
【００６１】
また、上記実施例２では、基板１２０上の壁部１２６に傾斜面１２８を設けた構成を例に挙げたが、これに限らず、傾斜面１２８を設ける代わりに、反射ミラーを凹部１２２に配置する構成としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明による実施例１の半導体装置を示す図である。
【図２Ａ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図２Ｂ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図２Ｃ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図２Ｄ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図２Ｅ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【図２Ｆ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その６）である。
【図２Ｇ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その７）である。
【図２Ｈ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その８）である。
【図２Ｉ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その９）である。
【図２Ｊ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その１０）である。
【図２Ｋ】実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その１１）である。
【図３】実施例２の半導体装置を示す図である。
【図４Ａ】実施例２の半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図４Ｂ】実施例２の半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図４Ｃ】実施例２の半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図４Ｄ】実施例２の半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図４Ｅ】実施例２の半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【図４Ｆ】実施例２の半導体装置の製造方法を示す図（その６）である。
【図４Ｇ】実施例２の半導体装置の製造方法を示す図（その７）である。
【図４Ｈ】実施例２の半導体装置の製造方法を示す図（その８）である。
【図４Ｉ】実施例２の半導体装置の製造方法を示す図（その９）である。
【図４Ｊ】実施例２の半導体装置の製造方法を示す図（その１０）である。
【符号の説明】
【００６３】
１０,１００  半導体装置
２０,１２０  基板
３０,１３０  貫通電極
４０,１４０  発光素子
７０,１７０  配線パターン
８０,１８０  隔壁
９０,１９０  ガラス板
１２２  凹部
【図１】
2007201361.tif 000003
【図２Ａ】
2007201361.tif 000004
【図２Ｂ】
2007201361.tif 000005
【図２Ｃ】
2007201361.tif 000006
【図２Ｄ】
2007201361.tif 000007
【図２Ｅ】
2007201361.tif 000008
【図２Ｆ】
2007201361.tif 000009
【図２Ｇ】
2007201361.tif 000010
【図２Ｈ】
2007201361.tif 000011
【図２Ｉ】
2007201361.tif 000012
【図２Ｊ】
2007201361.tif 000013
【図２Ｋ】
2007201361.tif 000014
【図３】
2007201361.tif 000015
【図４Ａ】
2007201361.tif 000016
【図４Ｂ】
2007201361.tif 000017
【図４Ｃ】
2007201361.tif 000018
【図４Ｄ】
2007201361.tif 000019
【図４Ｅ】
2007201361.tif 000020
【図４Ｆ】
2007201361.tif 000021
【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
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【図４Ｊ】
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