(57)【要約】【課題】  基板上で素子が封止される構造を有する半導体装置であって、単純な構造で当該素子の封止の気密性が良好となるよう構成されている半導体装置と、当該半導体装置を製造する製造方法を提供する。【解決手段】  基板と、前記基板上の素子と、前記素子を封止する封止構造体と、を有し、前記封止構造体は有機材料より形成されている有機材料部を含み、該有機材料部には、無機材料よりなる保護膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。【選択図】  図１
2007019107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の素子と、
前記素子を封止する封止構造体と、を有し、
前記封止構造体は有機材料より形成されている有機材料部を含み、該有機材料部には、無機材料よりなる保護膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記素子は、ＭＥＭＳ素子であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記有機材料部は、一面が開口された、有機材料よりなる筐体形状を有し、該開口側が前記基板側に接合されるように設置されることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止構造体は、無機材料よりなる複数の無機材料部が、接着剤よりなる前記有機材料部により接合された構造であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記無機材料部は、平板状の天井部と、該天井部を支持する前記基板上に設置される支持部と、を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記素子は光機能素子であり、前記天井部の光透過面が前記保護膜から露出していることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
基板上の素子を、封止構造体により封止して半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記基板上の前記素子を、有機材料よりなる部分を含む前記封止構造体により封止する工程と、
少なくとも前記有機材料よりなる部分に無機材料よりなる保護膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記素子は、ＭＥＭＳ素子であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に係り、特に封止構造体を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に形成される、または基板上に搭載される素子には、様々な種類のものが存在するが、当該素子の種類によっては、基板上で封止された状態で用いられることが好ましい場合がある。
【０００３】
例えば、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（Micro  Electro  Mechanical  System、ＭＥＭＳと呼ばれる場合がある）を用いた素子（以下文中ＭＥＭＳ素子）は、構造上基板上で封止されて用いられることが好ましい代表的な素子である。
【０００４】
このようなＭＥＭＳ素子としては、例えば圧力センサ、加速度センサ、光機能素子などがある。このようなＭＥＭＳ素子は、真空状態や減圧状態、または不活性ガスで置換された雰囲気で用いられることが好ましく、素子は気密封止されて用いられることが好ましい。
【０００５】
このため、ＭＥＭＳ素子を封止する方法が様々に提案されていた（特許文献１、特許文献２参照）。例えば、樹脂材料による耐湿コーティング層を半導体素子の周囲に形成する方法や、シリコンウェハを張り合わせることにより、半導体素子を封止する方法が提案されていた。
【特許文献１】特開平８−３１６４９６号公報
【特許文献２】特開２００５−１９９６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、例えば樹脂材料により素子を封止しようとした場合、樹脂材料では気体の透過率が大きく、素子を気密封止することが困難であった。このため、封止による素子の保護の効果が十分に得られない場合が生じていた。
【０００７】
一方、気体の透過率が小さい無機材料を用いて素子を封止する方法としては、例えば、シリコン（シリコンウェハ）を張り合わせることにより、素子を封止する方法が提案されていた。しかし、この場合、素子を封止するためのシリコンの形状が複雑になり、シリコンの加工にコストと時間を要し、半導体装置の生産性が低下してしまう問題があった。
【０００８】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
本発明の具体的な課題は、基板上で素子が封止される構造を有する半導体装置であって、単純な構造で当該素子の封止の気密性が良好となるよう構成されている半導体装置と、当該半導体装置を製造する製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の観点では上記の課題を、基板と、前記基板上の素子と、前記素子を封止する封止構造体と、を有し、前記封止構造体は有機材料より形成されている有機材料部を含み、該有機材料部には、無機材料よりなる保護膜が形成されていることを特徴とする半導体装置により、解決する。
【００１１】
当該半導体装置は、単純な構造で当該素子の封止の気密性が良好となるよう構成されている特長を有している。
【００１２】
また、前記素子は、ＭＥＭＳ素子であると、ＭＥＭＳ素子を効果的に気密封止でき、好ましい。
【００１３】
また、前記有機材料部は、一面が開口された、有機材料よりなる筐体形状を有し、該開口側が前記基板側に封止されるように設置されると、前記封止構造体を容易に形成することが可能であり、好ましい。
【００１４】
また、前記封止構造体は、無機材料よりなる複数の無機材料部が、接着剤よりなる前記有機材料部により接合された構造であると、前記封止構造体が単純な構造の組み合わせで構成できるため、封止構造体を容易に形成することが可能となり、好ましい。
【００１５】
また、前記無機材料部は、平板状の天井部と、該天井部を支持する前記基板上に設置される支持部と、を含むと、天井部と支持部を別個に形成することが可能となり、封止構造体を容易に形成することが可能となり、好ましい。
【００１６】
また、前記素子は光機能素子であり、前記天井部の光透過面が前記保護膜から露出していると、当該天井部の光の透過特性が良好となり、光機能素子の特性を劣化させずに用いることが可能となる。
【００１７】
また、本発明の第２の観点では、上記の課題を、基板上の素子を、封止構造体により封止して半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、前記基板上の前記素子を、有機材料よりなる部分を含む前記封止構造体により封止する工程と、少なくとも前記有機材料よりなる部分に無機材料よりなる保護膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決する。
【００１８】
上記の半導体装置の製造方法では、基板上で素子が封止される構造を有する半導体装置であって、当該素子の封止の気密性が良好となるよう構成されている半導体装置を、容易に形成することが可能となる。
【００１９】
また、前記素子は、ＭＥＭＳ素子であると、ＭＥＭＳ素子を効果的に気密封止して保護することが可能となり、好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、基板上で素子が封止される構造を有する半導体装置であって、単純な構造で当該素子の封止の気密性が良好となるよう構成されている半導体装置と、当該半導体装置を製造する製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明に係る半導体装置は、基板上の素子が封止構造体により封止されている構造を有している。この場合に前記封止構造体は有機材料より形成されている有機材料部を含み、該有機材料部には、無機材料よりなる保護膜が形成されている。
【００２２】
このように、本実施例よる半導体装置では、気体の透過率が小さく、気密性に優れた無機材料よりなる保護膜が前記封止構造体に形成されているため、当該封止構造体の気密性が良好となっている。
【００２３】
また、当該保護膜により気密性が確保されるため、封止構造体を加工や成型が容易な有機材料を用いて形成することが可能となる。このため、封止構造体の加工が容易となる効果を奏する。さらに、封止構造体を、有機材料を含む構造で形成できるために、例えば複数の部品を有機材料で接合して封止構造体を形成することが可能となる。このため、封止構造体を形成する個々の部品を単純とすることが可能となり、半導体装置の製造が容易となって製造コストを低減することが可能となる効果を奏する。
【００２４】
次に、上記の半導体装置と該半導体装置の製造方法について、図面に基づき説明する。
【実施例１】
【００２５】
図１は、本発明の実施例１による半導体装置１０を模式的に示した図である。図１を参照するに、本実施例による半導体装置１０は、例えばシリコンなどの半導体よりなる基板１１上に形成された、例えばＭＥＭＳ素子よりなる素子１２が、封止構造体１３により封止された構造を有している。
【００２６】
前記封止構造体１３は、例えば樹脂材料などの有機材料よりなり、例えば一面が開口された筐体形状を有している。当該封止構造体１３は、開口された側が例えば樹脂系の接着剤（図示せず）により、前記基板上に設置されて前記素子１２を封止する構造になっている。
【００２７】
前記封止構造体１３の外側（前記素子１２に面する側の反対側）の表面から基板１１上面には、無機材料よりなる保護膜１４が形成されている。よって素子１２を気密封止することができる。前記保護膜１４は無機材料より構成されているため、気体の透過率が小さく、気密性が保たれる。このため、真空または減圧雰囲気や、不活性ガス雰囲気中で用いられることが好ましい素子、例えばＭＥＭＳ素子などを気密封止することが可能となる。また、前記素子１２が水分に曝される影響が抑制され、前記素子１２を湿気から効果的に保護することが可能となっている。
【００２８】
例えば、従来は前記封止構造体１３に相当する構造は、シリコンやガラスといった無機材料より形成される場合があったが、この場合には封止構造体に相当する構造の加工コストが高く、製造コストが高くなってしまう問題があった。また、封止構造体１３に相当する構造を、例えば樹脂材料などの有機材料により形成すると、加工（成型）は容易であるが、気体の透過率が大きく、気密性が十分でない問題を有していた。
【００２９】
そこで、本実施例では、加工性が良好である有機材料、例えば樹脂材料により前記封止構造体１３を形成し、該封止構造体１３の表面に、気密性、耐透水性に優れた無機材料よりなる保護膜１４を形成している。このため、単純な構造であって形成が容易であると共に、前記素子１２の気密性が良好であり、封止による保護効果が良好である半導体装置を提供することが可能となっている。この場合、気密性が良好であると、例えば水分を含んだ気体（空気）の透過量が小さく、素子を湿気から保護する効果も奏する。
【００３０】
例えば、前記保護膜１４を構成する無機材料としては、例えば金属材料としては、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｒなど、非金属材料としては、ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２、などの材料を用いることが可能である。また、前記保護膜１４は、例えば、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法（例えばスパッタ法など）により、形成することが可能である。
【００３１】
また、前記基板１１は、配線基板であってもよい。すなわち、前記素子１２は、別途形成して配線基板よりなる基板１１上に搭載してもよい。
【実施例２】
【００３２】
図２は、本発明の実施例２による半導体装置２０を模式的に示した図である。図２を参照するに、本実施例による半導体装置２０においては、基板２１が実施例１の前記基板１１に、素子２２が実施例１の前記素子１２に、さらに保護膜２６が実施例１の保護膜１４に相当し、同様の構造を有している。
【００３３】
本実施例において、実施例１の封止構造体１３に相当する封止構造体２５は、無機材料よりなる無機材料部２３と、有機材料よりなる有機材料部２４とが組み合わされた構造となっている。さらに、前記有機材料部２４を含む前記封止構造体２５の外側の表面から基板２１の上面には、前記保護膜２６が形成されている。
【００３４】
このように、本実施例による封止構造体では、有機材料と無機材料の組み合わせにより形成されており、例えば複数の無機材料よりなる部品が、有機材料により接合された構造となっている。このため、例えば無機材料で一体的に封止構造体を形成する場合に比べて、無機材料部の個々の部品の形状が単純となるため、封止構造体の製造が容易となり、製造コストを抑制できる効果を奏する。
【００３５】
例えば、前記無機材料部２３は、前記基板２１と対向するように設置される平板上の天井部２３Ｂと、該天井部２３Ｂを支持する前記基板１１上に設置される支持部２３Ａと、より構成されている。前記支持部２３Ａは、例えば、前記素子２２を囲む空間が内部に形成された、略四角柱形状（枠状）を有している。
【００３６】
また、前記有機材料部２４は、例えば樹脂材料などの有機材料を主成分とする接着剤層２４Ａ、２４Ｂよりなる。前記接着剤層２４Ｂは、前記天井部２３Ｂと前記支持部２３Ａを接合し、前記接着剤層２４Ａは、前記支持部２３Ａと前記基板２１を接合している。
【００３７】
前記素子２２を気密封止するための保護膜２６は、前記封止構造体２５の外側（前記素子２２に面する側の反対側）の表面と前記基板２１上面に形成されている。すなわち、前記保護膜２６は、前記接着剤層２４Ａ，２４Ｂと、前記支持部２３Ａ，前記天井部２３Ｂ、および前記基板２１上面に形成されている。前記保護膜２６は、特に、気体の透過率が大きく気密性が十分ではない有機材料部２４（前記接着剤層２４Ａ，２４Ｂ）での気体の透過を抑制し、素子が封止された空間の気密性を良好としている。
【００３８】
このように、気密性に優れる前記保護膜２６を前記封止構造体２５に形成することで、前記封止構造体２５を、有機材料と無機材料の組み合わせにより形成することが可能になっている。このため、有機材料よりなる接着剤を用いて、気密性に優れた封止構造体を形成することが可能となり、封止構造体の構造の自由度が飛躍的に向上している。
【００３９】
例えば、無機材料を用いて陽極接合などの接合方法により形成される従来の封止構造体に比べて、本実施例による封止構造体は形成が容易であり、低コストで形成することが可能である。
【実施例３】
【００４０】
また、図３は、本発明の実施例３による半導体装置２０Ａを模式的に示した図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図３を参照するに、本実施例の場合、実施例２の保護膜２６に相当する保護膜２６Ａは、前記接着剤層２４Ａ，２４Ｂの側面と、前記支持部２３Ａの側面，前記天井部２３Ｂの側面、および前記基板２２の上面に形成されているが、前記天井部２３Ｂの、前記素子２２上の面には形成されていない。
【００４１】
例えば、前記素子２２が光機能素子（例えば発光、光電変換、反射、などの機能を有する素子）の場合、前記天井部２３Ｂを介して前記素子２２に光が入射するか、または前記天井部２３Ｂを介して前記素子２２から光が照射されるため、前記天井部２３Ｂの、前記素子２２上の面は、光透過面となる。このため、当該光透過面には、保護膜が形成されずに保護膜より露出していることが好ましい。
【００４２】
また、当該光透過面に保護膜を形成する場合には、例えば反射防止膜として、または所定の波長の光をカットするフィルターとして機能するように、所定の光学特性を有するようにして形成してもよい。
【００４３】
なお、実施例１に示した基板１１、実施例２および実施例３に示した基板２１には、搭載される素子（素子１２、２２）と外部との電気的接続をとるための配線や外部接続端子が形成されていてもよい。
【００４４】
また、実施例１〜実施例３に示した半導体装置においては、封止されて保護される素子はＭＥＭＳ素子に限定されるものではなく、他の様々な半導体素子であってもよい。例えば、光電変換素子（例えばフォトダイオード）や発光素子（例えばＬＥＤ）などの光機能素子は、受光面または発光面がごみやほこりなどから保護されることが好ましい。このため、当該光機能素子は、実施例１〜実施例３の構造により、保護されることが好ましい。
【実施例４】
【００４５】
次に、図１に示した半導体装置１０の製造方法の一例について、図４Ａから図４Ｃに基づき、手順を追って説明する。なお、図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付している。
【００４６】
まず、図４Ａに示す工程において、例えばシリコンや、またはＧａＡｓなどの半導体よりなる基板１１上に、例えばＭＥＭＳ素子などよりなる素子１２を形成する。また、本工程においては、配線基板よりなる基板１１上に素子１２を搭載して配線を接続するようにしてもよい。
【００４７】
次に、図４Ｂに示す工程において、前記基板１１上に、例えば一面が開口された筐体形状を有する、樹脂材料よりなる封止構造体１３を設置し、開口された側の面を、例えば樹脂系の接着剤（図示せず）により、前記基板１１上に接合して素子１２を封止する構造とする。
【００４８】
次に、図４Ｃに示す工程において、前記封止構造体１３の外側（前記素子１２に面する側の反対側）の表面から基板１１の上面にかけて、無機材料よりなる保護膜１４を、例えばスパッタリング法により、形成する。また、保護膜１４は、スパッタリング法に限定されず、ＣＶＤ法などを用いて形成してもよい。また、当該保護膜１４を構成する無機材料としては、例えば金属材料としては、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｒなど、非金属材料としては、ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２、などの材料を用いることが可能である。
【００４９】
このようにして、実施例１の図１に示した半導体装置１０を形成することができる。
【実施例５】
【００５０】
次に、図２に示した半導体装置２０の製造方法の一例について、図５Ａから図５Ｄに基づき、手順を追って説明する。なお、図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付している。
【００５１】
まず、図５Ａに示す工程において、例えばシリコンや、またはＧａＡｓなどの半導体よりなる基板２１上に、例えばＭＥＭＳ素子などよるなる素子２２を形成する。また、本工程においては、配線基板よりなる基板２１上に素子２２を搭載して配線を接続するようにしてもよい。
【００５２】
次に、図５Ｂに示す工程において、前記基板２１上に、無機材料よりなる支持部２３Ａと前記基板２１とを、例えば樹脂系の接着剤よりなる接着剤層２４Ａにより、接合する。
【００５３】
次に、図５Ｃに示す工程において、例えば平板状の無機材料よりなる前記天井部２３Ｂと、前記支持部２３Ａとを、例えば樹脂系の接着剤よりなる接着剤層２４Ｂにより接合する。
【００５４】
次に、図５Ｄに示す工程において、前記封止構造体２５の外側（前記素子２２に面する側の反対側）の表面と基板２１上面に、無機材料よりなる保護膜２６を、図４Ｃで先に説明した場合と同様の方法、材料により形成する。このようにして、実施例２の図２に示した半導体装置２０を形成することができる。
【００５５】
また、実施例３の図３に示した半導体装置２０Ａを形成する場合には、上記の図５Ｃに示す工程において、前記天井部２３Ｂ上に、マスク層を形成し、次いで保護膜２６Ａを形成し、その後、マスク層を除去すればよい。
【００５６】
また、上記の半導体装置１０、２０、２０Ａを形成する場合には、基板上に素子が封止される構造を多数形成した後、ダイシングにより個片化する方法が一般的に用いられる。
【００５７】
例えば、図６は、上記の図５Ｂの工程において、前記基板２１上に、前記支持部２３Ａが接合された状態を示す斜視図である。この後で、当該貫通穴を覆うように前記天井部２３Ｂが接合され、さらに保護層が形成された後、ダイシングされて個片化される。
【００５８】
例えば、無機材料を用いて一体的に前記封止構造体２５に相当する構造を形成する場合には、エッチング（切削）に時間とコストがかかる問題があった。本実施例による製造方法では、このように個々の形状が単純である部品を組み合わせて封止構造体を構成することが可能となっているため、半導体装置の製造が容易となり、製造コストが低減される効果がある。
【００５９】
また、半導体装置２０を製造する場合には、以下に示す方法によっても形成することが可能であり、この場合、半導体装置を構成するための個々の部品の形状がさらに単純になって、半導体装置の製造コストがさらに抑制される。
【実施例６】
【００６０】
次に、図２に示した半導体装置２０の製造方法の別の一例について、図７Ａから図７Ｆに基づき、手順を追って説明する。なお、図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付している。
【００６１】
まず、図７Ａに示す工程において、例えばシリコンや、またはＧａＡｓなどの半導体よりなる基板２１上に、例えばＭＥＭＳ素子などよるなる素子２２を形成する。また、本工程においては、配線基板よりなる基板２１上に素子２２を搭載して配線を接続するようにしてもよい。
【００６２】
次に、図７Ｂに示す工程において、前記基板２１上に、無機材料よりなる支持部２３Ａと前記基板２１とを、例えば樹脂系の接着剤よりなる接着剤層２４Ａにより、接合する。本実施例の場合、支持部２３Ａは、素子２２を収容する複数の貫通孔を有する平板状である点で実施例５記載の方法と相違する。
【００６３】
次に、図７Ｃに示す工程において、例えば平板状の無機材料よりなる前記天井部２３Ｂと、前記支持部２３Ａとを、例えば樹脂系の接着剤よりなる接着剤層２４Ｂにより接合する。
【００６４】
次に、図７Ｄに示す工程において、隣接して形成される、複数の半導体装置の境界部に、基板２１が露出するように溝部２５Ａを形成する。前記溝部２５Ａは、例えばウェハのダイシングに用いるダイサーにより、支持部２３Ａ、天井部２３Ｂを切断して形成する。また、前記溝部２５Ａを形成する場合、基板２１の表面が多少切削されるようにすると、後工程で保護膜により接着剤層２４Ａを完全に被覆することが可能となるため、封止性が向上し、好適である。
【００６５】
次に、図７Ｅに示す工程において、前記天井部２３Ｂ上と、前記溝部２５Ａの内壁面に、無機材料よりなる保護膜２６を、図４Ｃで先に説明した場合と同様の方法、材料により形成する。その後、前記溝部２５Ａの底部より基板２１を切断する。この場合、切断は、図中に示す切断線２５Ｂにそって、例えばウェハのダイシングに用いるダイサーにより、行う。
【００６６】
このようにして、図７Ｆに示す、半導体装置を形成することができる。本実施例の場合、支持部２３Ａと天井部２３Ｂの切断（溝部２５Ｂの形成）を、支持部２３Ａと天井部２３Ｂの接合の後に行っており、接合前の構造が単純な形状（平板）の組み合わせとなるメリットがある。
【００６７】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明によれば、基板上で素子が封止される構造を有する半導体装置であって、単純な構造で当該素子の封止の気密性が良好となるよう構成されている半導体装置と、当該半導体装置を製造する製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】実施例１による半導体装置を示す図である。
【図２】実施例２による半導体装置を示す図である。
【図３】実施例３による半導体装置を示す図である。
【図４Ａ】図１の半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図４Ｂ】図１の半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図４Ｃ】図１の半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図５Ａ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図５Ｂ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図５Ｃ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図５Ｄ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図６】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【図７Ａ】図２の半導体装置の別の製造方法を示す図（その１）である。
【図７Ｂ】図２の半導体装置の別の製造方法を示す図（その２）である。
【図７Ｃ】図２の半導体装置の別の製造方法を示す図（その３）である。
【図７Ｄ】図２の半導体装置の別の製造方法を示す図（その４）である。
【図７Ｅ】図２の半導体装置の別の製造方法を示す図（その５）である。
【図７Ｆ】図２の半導体装置の別の製造方法を示す図（その６）である。
【符号の説明】
【００７０】
１０，２０，２０Ａ  半導体装置
１１，２１  基板
１２，２２  素子
１３，２５  封止構造体
１４，２６  保護膜
２３Ａ  支持部
２３Ｂ  天井部
２３  無機材料部
２４Ａ，２４Ｂ  接着剤層
２４  有機材料部
２５Ａ  溝部
【図１】
2007019107.tif 000003
【図２】
2007019107.tif 000004
【図３】
2007019107.tif 000005
【図４Ａ】
2007019107.tif 000006
【図４Ｂ】
2007019107.tif 000007
【図４Ｃ】
2007019107.tif 000008
【図５Ａ】
2007019107.tif 000009
【図５Ｂ】
2007019107.tif 000010
【図５Ｃ】
2007019107.tif 000011
【図５Ｄ】
2007019107.tif 000012
【図６】
2007019107.tif 000013
【図７Ａ】
2007019107.tif 000014
【図７Ｂ】
2007019107.tif 000015
【図７Ｃ】
2007019107.tif 000016
【図７Ｄ】
2007019107.tif 000017
【図７Ｅ】
2007019107.tif 000018
【図７Ｆ】
2007019107.tif 000019