(57)【要約】【課題】本発明は、ＡＭＥＬディスプレイパネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のＡＭＥＬディスプレイパネルは、多数個のトランジスタを有する基板21と、トランジスタを含む基板の上に形成される平坦化層24、平坦化層とその下部の絶縁層を貫通してトランジスタに接続されるコンタクトホール、平坦化層及びコンタクトホールに沿って、トランジスタまで形成される導電性の平坦化層の上に形成される接着層26、接着層の上に形成される第１電極27、第１電極の上に形成される有機発光層28、有機発光層の上に形成される第２電極29を含んで構成される。【選択図】図２
2007142446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数個のトランジスタを有する基板と、
前記トランジスタを含む基板の上に形成される平坦化層と、
前記平坦化層及びその下部の絶縁層を貫通してトランジスタに接続されるコンタクトホールと、
前記平坦化層及び前記コンタクトホールに沿って、トランジスタまで形成される導電性の接着層と、
前記接着層の上に形成される第１電極と、
前記第１電極の上に形成される有機発光層と、
前記有機発光層の上に形成される第２電極と、を含んで構成されることを特徴とするＡＭＥＬディスプレイパネル。
【請求項２】
前記接着層は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項１に記載のＡＭＥＬディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第１電極はアノード電極であり、前記第２電極はカソード電極であることを特徴とする請求項１に記載のＡＭＥＬディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第１電極と有機発光層との間に、中間層が形成されることを特徴とする請求項１に記載のＡＭＥＬディスプレイパネル。
【請求項５】
前記中間層は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項４に記載のＡＭＥＬディスプレイパネル。
【請求項６】
基板の上に多数個のトランジスタを形成する段階と、
前記トランジスタが形成された基板の上に平坦化層を形成する段階と、
前記平坦化層及びその下部の絶縁層を選択的に除去し、前記トランジスタが露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と、
前記平坦化層及びコンタクトホールに沿ってトランジスタまで導電性の接着層を形成する段階と、
前記接着層の上に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極の上に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層の上に第２電極を形成する段階と、を含んでいることを特徴とするＡＭＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記接着層は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項６に記載のＡＭＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記第１電極を形成する段階の後に、前記第１電極の上に中間層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のＡＭＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記中間層は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項８に記載のＡＭＥＬディスプレイパネル製造方法。
【請求項１０】
多数個のトランジスタを有する基板と、
前記基板の上に形成される平坦化層と、
前記平坦化層の上に形成され、コンタクトホールを通って前記トランジスタと電気的に接続される導電性の接着層と、
前記接着層の上に形成される第１電極と、
前記第１電極の上に形成される中間層と、
前記中間層の上に形成される有機発光層と、
前記有機発光層の上に形成される第２電極と、を含んで構成されることを特徴とするＡＭＥＬディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記中間層は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項８に記載のＡＭＥＬディスプレイパネル。
【請求項１２】
基板の上に多数個のトランジスタを形成する段階と、
前記トランジスタが形成された基板の上に平坦化層を形成する段階と、
前記平坦化層及びその下部の絶縁層を選択的に除去し、前記トランジスタが露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホールを通ってトランジスタと電気的に接続されるように、前記平坦化層上に導電性の接着層を形成する段階と、
前記導電性の接着層の上に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極の上に中間層を形成する段階と、
前記中間層の上に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層の上に第２電極を形成する段階と、を含んでいることを特徴とするＡＭＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記中間層は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項１２に記載のＡＭＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイパネル、特にＡＭＥＬ(アクティブマトリックスＥＬ）ディスプレイパネルおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶／ＥＬディスプレイパネルは構造および駆動方法により、パッシブ(Passive)マトリックスＥＬディスプレイパネルとアクティブ(Active)マトリックスＥＬディスプレイパネルとに区分される。
【０００３】
アクティブマトリックスＥＬディスプレイパネルは、一般的にガラス基板の下部側に光を放出するボトムエミッション(Bottom Emission)方式を使用している。
しかし、ボトムエミッション方式は、ガラス基板の上に形成されたＴＦＴ(Thin Film Transistor)により光の放出が一部遮断され、発光面積が狭まる傾向があった。
【０００４】
したがって、ボトムエミッション方式は、ＴＦＴのサイズが大きくなりＴＦＴの数が多くなるほど開口率が幾何級数的に減る。
そこで、ボトムエミッション方式の短所を克服したトップエミッション(Top Emission)方式が台頭することになった。
【０００５】
トップエミッション方式は、ガラス基板の上部側に光を放出させるためのＴＦＴとは関係なく開口率を高めることのできる方式である。
トップエミッション方式は、カソードを反射板として利用する場合と、アノード(Anode)を反射板として利用する場合とがある。
【０００６】
カソードを反射板として利用する場合、アクティブマトリックスＥＬディスプレイパネルは、ガラス基板の上にカソード、有機発光層、透明電極であるアノードが順次に形成される構造を有する。
【０００７】
そして、アノードを反射板として利用する場合、アクティブマトリックスＥＬディスプレイパネルは、ガラス基板の上にアノード、有機発光層、透明電極であるカソードが順次に形成される構造を有する。
【０００８】
一般的に、アクティブマトリックスＥＬディスプレイパネルの制作時に、有機発光層の上に透明電極であるアノードを形成することは容易ではない。
そこで、アノードを反射板として利用するトップエミッション方式を主に使用する。
【０００９】
図１は、一般的なＡＭＥＬ(アクティブマトリックスＥＬ）ディスプレイパネルの構造を示した図面である。
【００１０】
図１に示されているように、ＡＭＥＬディスプレイパネルは、ＴＦＴ１２および蓄積キャパシタ(Storage Capacitor)１３を有する基板１１と、基板１１の上に形成される平坦化層１４と、ＴＦＴ１２に接続されるように平坦化層１４の上に形成されるアノード電極１６と、ピクセル間を分離させるための絶縁層１５と、アノード電極１６の上に形成される有機発光層１７と、有機発光層１７の上に形成されるカソード電極１８と、カソード電極１８の上に形成される保護層１９とから構成される。
【００１１】
このように、トップエミッションのディスプレイパネルは、ＴＦＴが形成された基板を平坦化し、ビアホール(via hole)を形成したのち、発光ピクセルを形成することで製作される。
【００１２】
しかし、基板を平坦化させるための平坦化層１４は一般的に有機物を多く使用するため、反射板として使用されるアノード電極と平坦化層との接着力はよくない。
アノード電極の金属物質と平坦化層の有機物質の接着力の低下は、ピクセルの形成をとても難しくするため、ディスプレイパネルの性能が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、上記関連技術の問題点を解決するためのもので、ディスプレイパネルを簡単で安全に製作することのできるＡＭＥＬディスプレイパネルおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するための本発明によるＡＭＥＬディスプレイパネルは、多数個のトランジスタを有する基板と、トランジスタを含む基板の上に形成される平坦化層と、平坦化層とその下部の絶縁層を貫通してトランジスタに接続されるコンタクトホールと、前記平坦化層及び前記コンタクトホールに沿って、トランジスタまで形成される導電性の接着層と、前記接着層の上に形成される第１電極と、第１電極の上に形成される有機発光層と、有機発光層の上に形成される第２電極と、を含んでいることを特徴とする。
【００１５】
ここで接着層は、酸化シリコン、窒化シリコン、ＩＴＯ(Indium-Tin-Oxide）、即ち、インジウム−スズ酸化物の中の一つにする。そして、第１電極はアノード電極、第２電極はカソード電極にする。また、本発明のＡＭＥＬディスプレイパネルは、第１電極と有機発光層の間に、さらに中間層を含ませることができ、中間層として使用される物質は、ＩＴＯが効果的である。
【００１６】
本発明のＡＭＥＬディスプレイパネルを製造する方法は、基板の上に多数個のトランジスタを形成する段階と、トランジスタが形成された基板の上に平坦化層を形成する段階と、平坦化層及びその下部の絶縁層を選択的に除去し、トランジスタまで導電性の接着層を形成する段階と、前記平坦化層とコンタクトホールに沿ってトランジスタまで導電性の接着層を形成する段階と、前記接着層の上に第１電極を形成する段階と、第１電極の上に有機発光層を形成する段階と、有機発光層の上に第２電極を形成する段階と、を含んでいることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、多数個のトランジスタを有する基板と、基板の上に形成される平坦化層と、平坦化層の上に形成され、コンタクトホールを通って前記トランジスタと電気的に接続される導電性の接着層と、接着層の上に形成される第１電極と、第１電極の上に形成される中間層と、中間層の上に形成される有機発光層と、有機発光層の上に形成される第２電極とを含んでいることを特徴とする。
【００１８】
さらに、本発明は、基板の上に多数個のトランジスタを形成する段階と、トランジスタが形成された基板の上に平坦化層を形成する段階と、平坦化層及びその下部の絶縁層を選択的に除去し、前記トランジスタが露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と、コンタクトホールを通ってトランジスタと電気的に接続されるように、前記平坦化層上に導電性の接着層を形成する段階と、導電性の接着層の上に第１電極を形成する段階と、第１電極の上に中間層を形成する段階と、中間層の上に有機発光層を形成する段階と、有機発光層の上に第２電極を形成する段階と、を含んでいることを特徴とする。
【００１９】
この場合、接着層にはＩＴＯを使用する。
そして、第１電極を形成する段階の後には、第１電極の上にＩＴＯからなる中間層をさらに形成することもできる。
【００２０】
本発明の他の目的、特徴および利点は、添付した図面を参照した実施例の詳しい説明を通して明確になる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、接着層によって第１電極と平坦化層の間の接着力を強化させるので、ディスプレイパネルを簡単、安全に製作することができる。
また、本発明は、第１電極と有機発光層との間に中間層を形成して、ディスプレイの性能を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付の図面を参照して本発明を更に詳細に説明する。
図２は、本発明の第１実施例によるＡＭＥＬディスプレイパネルの構造を示そている。
図２に示すように、本発明は、まず、多数個のＴＦＴ２２および蓄積キャパシタ２３が形成された基板２１の上に所定の厚さの平坦化層２４を形成する。
【００２３】
続いて、フォトリソグラフィー工程およびエッチング工程を使用して平坦化層２４およびその下部の絶縁層を選択的に除去する。
この時、ＴＦＴ２２のドレイン領域が露出しているコンタクトホールが形成される。
【００２４】
次に、コンタクトホールを介してＴＦＴ２２のドレイン領域と電気接続されるように平坦化層２４の上に接着層２６を形成する。この時、接着層２６は導電性を有するＩＴＯで形成される。そして、接着層２６の上に第１電極２７を形成する。
【００２５】
ここで、第１電極２７はアノード電極であり、反射層として利用される。
続いて、第１電極２７の上に有機発光層２８を形成し、ピクセル間の絶縁のためにピクセルとピクセルとの間に絶縁層２５を形成する。
【００２６】
ピクセルとピクセルの間にある有機発光層２８と、第１電極２７と、接着層２６とを除去した後、絶縁層２５が露出した平坦化層２４の上に形成される。そして、有機発光層２８の上にカソード電極である第２電極２９を形成し、第２電極２９の上に保護層(図示せず)を形成し、ＡＭＥＬディスプレイパネルの製作を完成させる。
【００２７】
このように、本発明は、平坦化層２４と第１電極２７の間に接着層２６を形成することで、平坦化層２４と第１電極２７の接着力が向上する。
したがって、絶縁層２５を形成するためのウェットエッチング工程時に使用されるエッチング液が平坦化層２４と第１電極２７との間に浸透し、第１電極２７が平坦化層２４から分離する現象を防止することができる。
【００２８】
図３は、本発明の第２実施例によるＡＭＥＬディスプレイパネルの構造を示している。
本発明の第２実施例では、接着層２６として酸化シリコンまたは窒化シリコンを使用する。これらの物質を使用する場合に、製造工程が、第１実施例とは異なる。
【００２９】
図３に示すように、本発明は、まず、所定の厚さの平坦化層２４を多数個のＴＦＴ２２および蓄積キャパシタ２３が形成された基板２１の上に所定の厚さの平坦化層２４を形成する。
【００３０】
続いて、平坦化層２４の上に接着層２６を形成する。この時、接着層２６は、酸化シリコンまたは窒化シリコンを使用する。そして、フォトリソグラフィー工程およびエッチング工程を使用して、接着層２６、平坦化層２４、およびその下部の絶縁層を選択的に除去する。
【００３１】
この時、ＴＦＴ２２のドレイン領域にコンタクトホールが形成される。
次に、第１電極２７がコンタクトホールを介してＴＦＴ２２のドレイン領域と電気接続されるように形成される。
【００３２】
ここで、第１電極はアノード電極であり、反射層として利用される。
続いて、第１電極２７の上に有機発光層２８が形成され、ピクセル間の絶縁のためにピクセルとピクセルの間に絶縁層２５が形成される。そして、カソード電極である第２電極２９が有機発光層２８の上に形成され、第２電極２９の上に保護層(図示せず)を形成し、ＡＭＥＬディスプレイパネルの製作を完成させる。
【００３３】
このように、本発明は、平坦化層２４と第１電極２７の間に 接着層２６を形成することで、平坦化層２４と第１電極２７の接着力が向上する。
【００３４】
図４は、本発明に第３実施例によるＡＭＥＬディスプレイパネルの構造を示している。
本発明の第３実施例は、中間層３０が、接着層２６の上に形成された第１電極２７と有機発光層２８の間に形成され、ディスプレイパネルの性能を向上させるようにしたものである。
【００３５】
この中間層３０には、ＩＴＯまたは同等物を使用する。中間層３０は、第１電極２７と有機発光層２８の正孔注入層(HIL、Hole Injecting Layer)とのワーク関数(work function)がマッチングするような役割をになう。このような中間層３０を使用すれば、ディスプレイパネルの性能はさらに向上する。
【００３６】
以上説明した内容を通して、当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内にて多様な変更および修正が可能であることがわかる。
【００３７】
したがって、本発明の技術的範囲は実施例に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲により決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】一般的なＡＭＥＬディスプレイパネルの構造を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例によるＡＭＥＬディスプレイパネルの構造を示す図である。
【図３】本発明の第２実施例によるＡＭＥＬディスプレイパネルの構造を示す図である。
【図４】本発明の第３実施例によるＡＭＥＬディスプレイパネルの構造を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
２１  基板
２２  ＴＦＴ
２３  蓄積キャパシタ
２４  平坦化層
２５  絶縁層
２６  接着層
２７  第１電極
２８  有機発光層
２９  第２電極
３０  中間層
【図１】
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【図２】
2007142446.tif 000004
【図３】
2007142446.tif 000005
【図４】
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