(57)【要約】【課題】半導体素子製造装置及び方法を提供する。【解決手段】本発明は半導体基板製造に使われる装置を提供する。本発明の装置は基板を収容する容器が置かれるロードポート、前記ロードポートと工程設備との間に配置されて前記ロードポートに置かれる容器と前記工程設備間で基板を移動する移送ロボットが設置されるフレーム、および前記ロードポートに置かれる前記容器内部から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器の壁に形成された流入口を通じて前記容器の内部に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガス供給部材を含む。上述の構造によって、前記容器と前記工程設備間で基板が移送される時、前記フレーム内の空気が前記容器内に流入されることを防止することができる。【選択図】図６
2007019500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を製造する装置において、
基板を収容する容器が置かれるロードポートと、
前記ロードポートと工程設備との間に配置され、前記ロードポートに置かれる容器と前記工程設備間で基板を移送する移送ロボットが設置されるフレームと、
前記ロードポートに置かれる容器内部から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器の壁に形成される流入口を通じて前記容器の内部に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガス供給部材と、を含むことを特徴とする半導体素子製造装置。
【請求項２】
前記流入口は前記容器の下部壁に形成され、
前記ガス供給部材は前記ロードポート内に形成され、前記ロードポート上に置かれる前記容器の流入口に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガスラインを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造装置。
【請求項３】
前記装置は前記容器の流入口を開閉する開閉部材をさらに含み、
前記開閉部材は、
前記容器に設置される支持板と、
前記容器に設置され、前記流入口を開閉する遮断板と、
前記遮断板が弾性力によって前記容器の流入口を遮断するように前記支持板と前記遮断板を連結する弾性体と、
前記ロードポート上に設置され、前記容器が前記ロードポート上に置かれる時、前記流入口が開くように前記遮断板を押す押出突起と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子製造装置。
【請求項４】
前記容器が前記ロードポートに置かれた状態で前記押出突起の側壁の前記容器内に挿入される部分には噴射口が形成され、
前記ガスラインは前記噴射口まで延長されることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子製造装置。
【請求項５】
前記容器は、
基板を収容し、前方が開放された空間を有する容器本体と、
前記空間の前方を開閉するドアと、を有し、
前記装置は前記フレームに設置され、前記容器本体から前記ドアを脱着するドア開閉器をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子製造装置。
【請求項６】
前記装置は、
前記ロードポート上に前記容器が置かれるか否かを感知するセンサと、
前記センサから信号を伝送され、前記ガスラインに窒素ガスまたは非活性ガスを供給する供給管上に設置されたバルブを開閉する制御器と、をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子製造装置。
【請求項７】
前記流入口は前記下部壁のへり領域に一つまたは複数個形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子製造装置。
【請求項８】
容器が置かれるロードポート及び前記ロードポートと工程設備との間に配置されて前記容器と前記工程設備間で基板を移送する移送ロボットが設置されるフレームを有する半導体素子製造装置で基板を移送する方法において、
前記容器と前記工程設備間で基板が移送される間に前記容器内部に窒素ガスまたは非活性ガスを供給し、
前記窒素ガスまたは非活性ガスは、前記フレーム内の汚染物質が前記容器に流入されることを防ぐために、前記容器から前記フレームに向かう方向に流れるように、前記容器の壁に形成された流入口を通じて前記容器内に供給されることを特徴とする半導体素子製造方法。
【請求項９】
前記窒素ガスまたは非活性ガスは前記容器のドアが開く前に、前記容器内に供給され始め、前記容器のドアが閉まった後に、供給が中断されることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子製造方法。
【請求項１０】
前記流入口は前記容器の下部壁に形成されることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子製造方法。
【請求項１１】
前記容器には前記流入口を開閉する遮断板が提供され、前記容器が前記ロードポートに置かれる前または前記ロードポートから移動された後には、前記遮断板と結合された弾性体の弾性力によって前記流入口を遮断し、前記容器が前記ロードポートに置かれれば、前記ロードポートに提供された押出突起によって前記遮断板が押されることによって、前記流入口が開放され、
前記容器に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガスラインは前記ロードポート内に形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子製造方法。
【請求項１２】
容器が置かれるロードポート及び前記ロードポートと工程設備との間に配置され、前記容器と前記工程設備間で基板を移送する移送ロボットが設置されるフレームを有する半導体素子製造装置で、
容器が前記ロードポート上に置かれる段階と、
前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスが供給される段階と、
前記容器のドアが開く段階と、
前記容器と前記工程設備間の前記移送ロボットによって基板が移送される段階と、
前記容器のドアが閉まる段階と、
前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスの供給を中断する段階と、を含み、
前記窒素ガスまたは非活性ガスは、前記フレーム内の汚染物質が前記容器に流入されることを防ぐために前記容器から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器に提供される壁に形成される流入口を通じて供給されることを特徴とする半導体素子製造方法。
【請求項１３】
前記方法は前記容器が前記ロードポート上に置かれているか否かを感知する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子製造方法。
【請求項１４】
前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスが供給される段階は、前記容器が前記ロードポート上に置かれたことを感知した後に実行されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子製造方法。
【請求項１５】
前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスの供給を中断する段階は、前記容器が前記ロードポートから移動されたことを感知した以後に実行されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子製造方法。
【請求項１６】
前記流入口が形成された壁は前記容器の下部壁であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子製造方法。
【請求項１７】
前記容器には前記流入口を開閉する遮断板が提供され、前記容器が前記ロードポートに置かれる前または前記ロードポートから移動された後には前記遮断板と結合された弾性体の弾性力によって前記流入口を遮断し、前記容器が前記ロードポートに置かれれば、前記ロードポートに提供される押出突起によって前記遮断板が押されることによって前記流入口が開放され、
前記容器に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガスラインは、前記ロードポート内に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子製造方法。
【請求項１８】
前記容器が前記ロードポートに置かれる状態で前記押出突起の側壁の前記容器内に挿入される部分には噴射口が形成され、
前記ガスラインは前記噴射口まで延長されることを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子を製造する装置及び方法に係り、さらに詳細にはウェーハを収容する容器と工程設備間にウェーハを移送する装置及び方法に関することである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの大きさと回路線幅のデザインルールが微細化されることによって、汚染防止の重要性が大きく増加されている。従来に半導体製造工程は比較的に高い清浄度で維持される清浄室内で進行され、ウェーハの貯蔵及び運搬のために開放型容器が主に使われた。しかし、最近は清浄室の維持費用を減らすために工程チャンバ内部及び工程チャンバと関する一部のチャンバ内部だけで高い清浄度が維持され、残りの領域では比較的に低い清浄度が維持されている。また、容器は低い清浄度が維持される領域で、その内部に収納されたウェーハが大気中の異物質などによって汚染されることを防止するために、開放型容器に代わり密閉型容器が使われており、このような密閉型容器の代表的な例で前面開放一体式容器（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ）がある。
【０００３】
ウェーハの直径が２００ｍｍから３００ｍｍに増加されることによって、工程チャンバの前方には容器から工程チャンバ内にウェーハを移送するためのモジュールで、チャンバ前方端部モジュール（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ｆｒｏｎｔ  ｅｎｄ  ｍｏｄｕｌｅ、以下、ＥＦＥＭ）のような基板移送システムが提供される。基板移送システムは上述のように、局部的に高清浄度で維持されるフレーム９１０を有し、フレーム９１０内にはウェーハＷを容器９２０から工程チャンバ(図示しない)に移送するロボット９４０と容器９２０のドアを開閉するドア開閉器（図示しない）が配置される。フレーム９１０内の上部には空気をフレーム９１０内から下方向に送風する送風ファン９５２と汚染物質を除去するフィルタ９５４が設置される。
【０００４】
容器９２０と工程チャンバ間のウェーハＷの移送が行われる間に図１に図示されるように、フレーム９１０内の空気の一部は容器９２０内に流入される。フレーム９１０内の空気には多量の汚染物質が存在する。これらはフレーム９１０内に流入される空気中に含まれ、フィルタ９５４によって濾過が行われない分子性の汚染物質と工程チャンバからフレーム９１０内に流入される汚染物質を含む。これら容器９２０内に流入される空気に含有される汚染物質はウェーハＷ上に形成された膜質特性に悪影響を及ぼす。
【０００５】
また、容器９２０内にウェーハＷのローディングが完了された以後、容器９２０が他の工程を実行するために移動される時、容器９２０内に含有される空気によってウェーハＷ上に自然酸化膜が形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は容器と工程チャンバ間でウェーハが移動される時、汚染物質が容器内に流入されることを防ぐことができる半導体素子製造装置及び方法を提供することを目的にする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は半導体基板製造に使われる装置を提供する。本発明の装置は、基板を収容する容器が置かれるロードポート、前記ロードポートと工程設備との間に配置されて前記容器と前記工程設備間で基板を移動する移送ロボットが設置されるフレームと、前記ロードポートに置かれる前記容器内部から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器の壁に形成された流入口を通じて前記容器の内部に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガス供給部材と、を含む。上述の構造によって、前記容器と前記設備間で基板が移送される時、前記フレーム内の空気が前記容器内に流入されることを防止することができる。
【０００８】
一実施形態によると、前記流入口は前記容器の下部壁に形成され、前記ガス供給部材は前記ロードポート上に置かれる前記容器の流入口に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するように前記ロードポート内に形成されたガスラインを有する。
【０００９】
また、前記装置は前記流入口を開閉する開閉部材をさらに含む。前記開閉部材は前記容器の内部に設置される支持板、前記流入口を開閉する遮断板、前記遮断板が弾性力によって前記容器の流入口を遮断するように前記支持板と前記遮断板を連結する弾性体、および前記ロードポート上に設置され、前記容器が前記ロードポート上に置かれる時、前記流入口が開くように前記遮断板を押す押出突起を含む。前記容器が前記ロードポートに置かれる状態で前記押出突起の側壁の前記容器内に挿入される部分には噴射口が形成され、前記ガスラインは前記噴射口まで延長されることができる。
【００１０】
上述の構造によって、前記容器が前記ロードポート上に置かれれば、前記容器の流入口が開いてガスが流入される通路が提供され、前記容器が前記ロードポートから移動されたら、前記容器の流入口が閉めて容器内部が外部から密閉される。
【００１１】
一実施形態によると、前記容器は基板を収容し、前方が開放された空間を有する容器本体と前記空間の前方を開閉するドアを有し、前記装置には前記フレームに設置され、前記体から前記ドアを脱着するドア開閉器が設置される。
【００１２】
まは、前記装置は前記ロードポート上に前記容器が置かれているか否かを感知するセンサと前記センサから信号を伝送され、前記ガスラインに窒素ガスまたは非活性ガスを供給する供給管上に設置されるバルブを開閉する制御器をさらに含むことができる。
【００１３】
まは、本発明は容器が置かれるロードポート及びロードポートと工程設備との間に配置されて前記容器と前記工程設備間で基板を移送する移送ロボットが設置されるフレームを有する半導体素子製造装置を使って半導体素子を製造する方法を提供する。本発明によると、前記容器と前記工程設備間で基板が移送される間に前記容器内部に窒素ガスまたは非活性ガスが供給され、前記窒素ガスまたは非活性ガスは、前記フレーム内の汚染物質が前記容器に流入されることを防止するために、前記容器から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器の壁に形成された流入口を通じて供給される。前記流入口は前記容器の下部壁に形成されることができる。
【００１４】
一実施形態によると、前記窒素ガスまたは非活性ガスは前記容器のドアが開く前に、前記容器内に供給され始め、前記容器のドアが閉められた後に供給が中断される。
【００１５】
一実施形態によると、前記容器には前記流入口を開閉する遮断板が提供され、前記容器が前記ロードポートに置かれる前またはロードポートから移動された後には前記遮断板と結合された弾性体の弾性力によって前記流入口を遮断し、前記容器が前記ロードポートに置かれれば、前記ロードポートに提供された押出突起によって前記遮断板が押されることによって前記流入口が開放され、前記容器に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガスラインは前記ロードポート内に形成されることができる。
【００１６】
また、本発明の他の実施形態によると、本発明の基板製造方法は容器が前記ロードポート上に置かれる段階、前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスが供給される段階、前記容器のドアが開く段階、前記容器と前記工程設備間の前記移送ロボットによって基板が移送される段階、前記容器のドアが閉まる段階、および前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスの供給を中断する段階を含み、前記窒素ガスまたは非活性ガスは、前記フレーム内の汚染物質が前記容器に流入されることを防止するために、前記容器から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器に提供される壁に形成された流入口を通じて供給される。
【００１７】
前記方法は前記容器が前記ロードポート上に置かれているか否かを感知する段階をさらに含むことができる。一実施形態によると、前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスが供給される段階は、前記容器が前記ロードポート上に置かれることを感知した後に実行される。また、一実施形態によると、前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスの供給を中断する段階は、前記容器が前記ロードポートから移動されることを感知した以後に実行される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、容器と工程設備間でウェーハが移送される時、フレーム内の空気が容器内部に流入されることを防止することができる。
【００１９】
また、本発明によると、容器が移動中に容器内部を窒素ガスまたは非活性ガス雰囲気で満たすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を添付する、図２ないし図６を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は色々な形態に変更されることができ、本発明の範囲が下で詳述する実施形態に限定されるものと解釈されない。本実施形態は当業界で平均的な知識を持つ者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。従って、図面での要素の形状はさらに明確な説明のために誇張されたものである。
【００２１】
また、本実施形態で基板はウェーハを例に挙げて説明する。しかし、基板はそれ以外に集積回路製造のために使われる他の種類の基板であることができる。
【００２２】
図２は本発明の一実施形態による半導体素子製造装置１を概略的に示す図面である。装置１は容器２０と工程設備１０間でウェーハＷを移送する基板移送システム４０を有する。容器２０は前方が開放され、空間が提供された容器本体２１とこれを開閉するドア２２を有する。容器本体２１の内側壁にはウェーハＷのへりの一部が挿入されるスロットが形成される。ウェーハＷが互いに水平方向に並んで置かれることができるように、スロットは内側壁に層になる構造で形成される。容器２０は移動中に外部の空気が流入されないようにドア２２によって密閉される。容器２０は前面開放一体式容器（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ、ＦＯＵＰ）が使われることができる。
【００２３】
基板移送システム４０は工程設備１０の前方に位置する。工程設備１０はロードロックチャンバと工程チャンバを有する。工程チャンバは化学気相蒸着、エッチング、フォト、測定、または、洗浄工程などのような工程を実行するチャンバであることができる。
【００２４】
基板移送システム４０は容器２０が置かれるロードポート１００と内部が局部的に高い清浄度で維持されるフレーム２００を有する。例えば、基板移送システムには設備前方端部モジュール（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ｆｒｏｎｔ  ｅｎｄ  ｍｏｄｕｌｅ、以下、ＥＦＥＭ）が使われることができる。
【００２５】
ロードポート１００はおおよそ平たい上部面を有し、フレーム２００の前方でフレーム２００に結合される。ロードポート１００は一つまたは複数個が提供されることができる。容器２０は移送装置（図示しない）によってロードポート１００上に置かれる。移送装置はオーバーヘッドトランスファ（ｏｖｅｒｈｅａｄ  ｔｒａｎｓｆｅｒ：ＯＨＴ）、オーバーヘッドコンベヤ（ｏｖｅｒｈｅａｄ  ｃｏｎｖｅｙｏｒ：ＯＨＣ）、または自動案内車両（ａｕｔｏｍａｔｉｃ  ｇｕｉｄｅｄ  ｖｅｈｉｃｌｅ：ＡＧＶ）などが使われることができる。フレーム２００は工程設備１０とロードポート１００との間に位置する。
【００２６】
フレーム２００の内部にはロードポート１００上に置かれる容器２０と工程設備１０間でウェーハＷを移送する移送ロボット２８０が一つまたは複数個が配置される。フレーム２００はおおよそ直六面体の形状を有し、工程設備１０と隣接する側面であるフレーム２００の後面２４０にはフレーム２００と工程設備１０間にウェーハが移送される通路である搬入口２４２が形成される。ロードポート１００と隣接する側面であるフレーム２００の前面２２０には容器２０とフレーム２００間のウェーハが移送される通路である開口部２２２が形成される。フレーム２２０内には容器２０のドア２２を開閉するためのドア開閉器２９０が設置される。ドア開閉器２９０は容器のドア２２に結合されて容器２０からドア２２を分離するドアホルダ２９２とこれを移動させるアーム２９４を有する。
【００２７】
フレーム２００の上部面にはファンフィルタユニット２５０が設置される。ファンフィルタユニット２５０はモータによって回転され、外部の空気をフレーム２００内から下方向に送風する送風ファン２５２とその下に配置されてフレーム２００の内部に導入される空気から汚染物質を濾過するフィルタ２５４を含む。フレーム２００の下部面にはフレーム２００内に流入された空気が抜ける排気口が形成された排気板（図示略）が設置される。
【００２８】
容器２０がロードポート１００にローディングされたら、ドア開閉器２９０によってドア２２が開く。容器２０内のウェーハＷは移送ロボット２８０によって工程設備１０に移送され、工程設備１０で工程が完了されたウェーハＷは移送ロボット２８０によって再び容器２０内に移送される。ウェーハＷが全部容器２０内に移送されたら、ドア開閉器２９０によってドア２２が閉まる。フレーム２００内には多様な汚染物質が存在する。汚染物質はファンフィルタユニット２５０によって外部から流入された空気内に含有された分子性汚染物質であり、搬入口２４２を通じて工程設備１０から流入された汚染物質であることができる。容器２０のドア２２が開く間に、フレーム２００内に存在する汚染物質が容器２０内に流入されることができる。これはウェーハＷ上に蒸着された薄膜の特性に悪影響を及ぼし、ドア２２が閉じた状態で容器２０が移動される時、ウェーハＷに自然酸化膜を形成する。
【００２９】
これを防ぐために、基板移動システム４０にはガス供給部材３００が提供される。ガス供給部材３００は容器２０内に窒素ガスまたは非活性ガスを供給する。以下、窒素ガスまたは非活性ガスを簡略的にガスと呼ぶ。容器本体２１の壁には流入口２４が形成され、ガス供給部材３００は流入口２４を通じて容器２０内にガスを供給する。容器２０内に流入されたガスは容器２０からフレーム２００に向かう方向に流れる。これはフレーム２００内の空気が容器２０内に流入されることを防ぐ。ガス供給部材３００は容器２０のドア２２が開く間に容器２０に継続的にガスを供給する。ガス供給部材３００は容器２０のドア２２が開く前に、容器２０内にガスを供給し始め、工程が完了されて容器２０のドア２２が閉まった以後に容器２０内へのガスの供給を中断する。
【００３０】
一実施形態によると、ガス供給部材３００は容器２０がロードポート１００に置かれれば、容器２０内にガスを供給し、容器２０がロードポート１００から移動されれば、容器２０内にガスの供給を中断する。
【００３１】
次に、ガス供給部材３００から容器２０内にガスを供給するための構造の一例を挙げて説明する。図３は容器２０の内部構造を概略的に示す図面であり、図４はロードポート１００の構造を概略的に示す図面である。流入口２４は容器本体２１の下部壁２１ａに形成され、ガス供給部材３００はロードポート１００に提供される。流入口２４は一つまたは複数個が提供され、容器２０内に収容されたウェーハＷにガスが直接噴射されることを最小化するように下部壁２１ａのへり領域に形成される。流入口２４は容器２０の下部壁２１ａ角の各々に形成されることができる。容器２０が移動中には容器２０内部の空間が外部から密閉されるように流入口２４は遮断される。流入口２４は開閉部材４００によって開放及び遮断される。
【００３２】
開閉部材４００は支持板４４０、弾性体４６０、遮断板４８０そして押出突起４９０を有する。支持板４４０、遮断板４８０、そして弾性体４６０は容器２０に提供され、押出突起４９０はロードポート１００に提供される。容器本体２１は下部壁２１ａの流入口２４が形成された領域の周りには互いに離隔されるように位置された複数の支持ロッド４２０が位置される。支持ロッド４２０は容器本体２１の下部壁２１ａと垂直するように容器本体２１内部に突出される。各支持ロッド４２０の最後端には支持板４４０が固定設置される。支持板４４０は流入口２４と向き合うように位置される。支持板４４０と流入口２４との間には流入口２４と向き合うように配置される遮断板４８０が位置される。遮断板４８０は流入口２４より広い面積を有するように提供されて遮断板４８０のへり領域が流入口２４の周辺領域と密着されるようにする。遮断板４８０はスプリング４６０のような弾性体によって支持板４４０に固定結合される。即ち、スプリング４６０の一端は遮断板４８０と固定され、スプリング４６０の他端は支持板４４０に固定される。外部から力を加えない状態で遮断板４８０が弾性力によって流入口２４を遮断するようにスプリング４６０は圧縮された状態で支持板４４０及び遮断板４８０と結合される。
【００３３】
押出突起４９０はロードポート１００の上部面に、これから上部に突出されるように設置される。押出突起４９０は容器２０がロードポート１００に置かれる時、流入口２４と対応される位置に流入口２４と同一な数で提供される。容器２０がロードポート１００に置かれれば、押出突起４９０は遮断板４８０を押す。スプリング４６０はさらに圧縮され、遮断板４８０は容器本体２１の下部壁２１ａから離隔される。押出突起４９０は容器本体２１内に十分に挿入されることができる長さを有する。
【００３４】
ロードポート１００内にはガスが供給されるガスライン３２０が形成される。ガスライン３２０は供給管３４０を通じて外部のガス貯蔵部（図示しない）からガスを供給される。供給管３４０にはその内部通路を開閉し、または流量を調節するバルブ３４２が設置される。バルブ３４２には電気的信号によって制御することができるソレノイドバルブが使われることができる。押出突起４９０の側壁には一つまたは複数の噴射口４９２が形成され、ガスライン３２０は押出突起４９０に提供される噴射口４９２まで延長される。供給管３４０及びガスライン３２０を通じて供給されるガスは押出突起４９０に形成される噴射口４９２を通じて外部に噴射される。噴射口４９２は押出突起４９０の側壁の容器２内に挿入された高さに形成される。
【００３５】
ロードポート１００上にはセンサ５２０が装着される。センサ５２０はロードポート１００に容器２０が置かれているかを感知し、これを制御器５４０に伝送する。センサ５２０は圧力センサまたは光センサなど、多様な種類のセンサが使われることができる。制御器５４０はセンサ５２０から信号を受け、上述の供給管３４０に設置されたバルブ３４２を制御する。ロードポート１００に容器２０が置かれたことをセンサ５２０が感知すれば、制御器５４０はバルブ３４２を開放してガスライン３２０にガスが供給されるようにする。容器２０がロードポート１００から移動されたことをセンサ５２０が感知すれば、制御器５４０はバルブ３４２を遮断してガスライン３２０にガスが供給されることを遮断する。
【００３６】
容器２０内部に供給される十分な量のガスを供給して、容器２０内部がフレーム２００内部より高い圧力を維持できるようにする。これはフレーム２００内の空気が容器２０内に流入されることを防止する。また、ドア２２が閉まる時まで、容器２０内に継続的にガスを供給し、容器２０が閉まった後、容器２０内部が窒素ガスまたは非活性ガス雰囲気を有するようにする。これは容器２０が他の設備に移動中に、容器２０内に収容されたウェーハＷに自然酸化膜が形成されることを防止する。
【００３７】
図５は容器２０がロードポート１００に置かれた状態でガスの流れを示す図面である。容器２０がロードポート１００に置かれれば、流入口２４が開放され、押出突起４９０は容器２０内に挿入される。ガスライン３２０を通じて供給されたガスは押出突起４９０の噴射口４９２を通じて容器２０内部に流入される。一部のガスはウェーハＷの内側壁を乗って上に上昇しながら、ウェーハＷとの間に提供された空間を通じてフレーム２００の内部に向かう方向に流れる。これはフレーム２００と容器２０の境界領域で流体の流れが容器２０からフレーム２００に向かう方向に流れるようにしてフレーム２００内の空気が容器２０内に流入されることを防止する。
【００３８】
次に、図６を参照して本発明の装置の動作過程を説明する。始めに容器２０がロードポート１００に置かれる前に、容器２０の流入口２４は遮断板４８０によって閉まった状態を維持する。容器２０が移送装置によってロードポート１００に置かれる(ステップＳ１０)。容器２０がロードポート１００に置かれれば、押出突起４９０によって流入口２４が開放され、押出突起４９０は容器２０内に挿入される。この時、センサ５２０は容器２０がロードポート１００に置かれているのを感知し、これに該当する信号を制御器５４０に伝送する。制御器５４０はガスライン３２０に窒素ガスまたは非活性ガスが供給されるようにバルブ３４２を開放する。ガスは押出突起４９０に提供される噴射口４９２を通じて容器２０内に噴射される。容器２０内部はフレーム２００内部に比べて高い圧力で維持される(ステップＳ２０)。
【００３９】
以後、容器２０のドア２２が開き、容器本体２１の前方が開放される（ステップＳ３０）。容器２０内のガスはフレーム２００内部に向かう方向に流れ、フレーム２００内の空気が容器本体２１内部に流入されることを遮断する。移送ロボット２８０によって容器２０内のウェーハが順次的に工程設備１０に移送され、工程チャンバ内で該当工程が実行される。工程が完了されたウェーハＷは移送ロボットによって再び容器２０内に移送される（ステップＳ４０）。容器２０内の全てのウェーハに対して工程が完了されたら、ドア２２が閉まる（ステップＳ５０）。
【００４０】
容器２０内部は窒素ガスまたは非活性ガスの雰囲気で満たされ、容器２０は他の工程設備１０に移動される。容器２０がロードポート１００から離隔されれば、遮断板４８０は弾性力によって容器２０の下部壁２１ａと密着されて流入口２４を遮断する。センサ５２０はロードポート１００から容器２０が移動されたことを感知し、該当信号を制御器５４０に伝送する。制御器５４０はバルブ３４２を遮断してガスライン３２０にガスが供給されることを中断する(ステップＳ６０)。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】容器と工程設備間で基板を移送するために一般的に使われる装置を概略的に示す図面である。
【図２】本発明の半導体素子製造装置を概略的に示す図面である。
【図３】容器に設置される開閉部材の一例を概略的に示すための図面である。
【図４】ロードポートに設置される開閉部材の一例を概略的に示すための図面である。
【図５】容器がロードポート上に置かれた状態でガスの流れを示す図面である。
【図６】本発明の半導体素子製造方法を順次的に示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４２】
１０  工程設備
２０  容器
４０  基板移送システム
１００  ロードポート
２００  フレーム
３００  ガス供給部材
３２０  ガスライン
３４２  バルブ
４００  開閉部材
４４０  支持板
４６０  スプリング
４８０  遮断板
４９０  押し部材
５２０  センサ
５４０  制御器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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