(57)【要約】【課題】複数のバンプを配置した領域の中心から外周にかけてバンプの断面積を大きくし、応力集中によるチップ配線基板間の接合不良を防止する。【解決手段】チップ２の外周部で発生する応力を分散させるため、チップ２と配線基板間のバンプを円形に配置し、中心から外周に向かって異なる大きさ径をもつバンプを配置する。チップ２の中心から距離の最も大きい位置のバンプ３ｃは、中心から距離の最も小さい位置のバンプ３ａよりもバンプの径が大きく、中間位置のバンプ３ｂは、バンプ３ａの径以上でバンプ３ｃの径以下とする。この構成により、半導体装置は接合の信頼性の向上を図ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子であるチップと、前記チップを搭載する配線基板と、前記チップと前記配線基板のジョイント部分として前記チップに配置し接合したバンプとを有し、
前記バンプを配置した領域において、前記チップの中心からの距離の大きい位置に配置した前記バンプが、前記チップの中心からの距離の小さい位置に配置した前記バンプよりも前記バンプの断面積が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記バンプを配置した領域において、前記バンプを径の異なる同心円の円周上に配置して、前記同心円の大きな径の円周上に配置した前記バンプが、前記同心円の小さな径の円周上に配置した前記バンプよりも前記バンプの断面積が大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記バンプの最も大きな断面積が、前記バンプの最も小さな断面積の６倍以下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体素子であるチップと、前記チップを搭載する配線基板と、前記チップと前記配線基板のジョイント部分として前記チップに配置し接合したバンプとを有し、
前記バンプを配置した領域において、前記バンプを径の異なる同心円の円周上に配置して、前記同心円の小さな径の円周上に配置した前記バンプより、前記同心円の大きな径の円周上に配置した前記バンプの数を多くして前記バンプの配置密度を高くしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
円周上に配置した前記バンプの最も多い数が、前記バンプの最も少ない数の５５倍以下であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体素子であるチップと、前記チップを搭載する配線基板と、前記チップと前記配線基板のジョイント部分として前記チップに配置し接合したバンプとを有し、
前記バンプを配置した領域において、前記バンプを前記チップの中心から放射状に配置して、前記チップの中心から外周に向かうにつれて、配置する前記バンプの間隔を狭くして前記バンプの配置密度を高くしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記配線基板と前記チップの間に充填する封止樹脂を有し、前記封止樹脂を、前記配線基板表面の電極と接合する前記バンプを配置した領域にのみ塗布することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体素子であるチップと、前記チップを搭載する配線基板と、前記チップと前記配線基板のジョイント部分として前記チップの円形の領域に配置し接合したバンプと、前記配線基板と前記チップの間に充填する封止樹脂とを有し、
前記封止樹脂を、前記配線基板表面の電極と接合する前記バンプを配置した領域にのみ塗布することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体素子であるチップ上に前記チップと配線基板のジョイント部分としてバンプを円形の領域に配置して接合する工程と、前記配線基板に封止樹脂を塗布する工程と、前記封止樹脂が塗布された前記配線基板上に前記バンプを配置した前記チップを搭載する工程と、前記チップと前記配線基板間に充填した前記封止樹脂を硬化させる工程とからなる半導体装置の製造方法であって、
前記封止樹脂の充填部分は、前記バンプを配置した領域であり、前記封止樹脂の充填部分の高さを、前記配線基板と前記チップ間の距離として、前記バンプを配置した領域に前記充填部分の高さを掛けて求めた前記封止樹脂の充填部分の体積から、前記バンプの総体積を引いて前記封止樹脂の塗布量を決定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置において、半導体素子であるチップに設けた、チップと配線基板とのジョイント部分であるバンプの配置構造に係り、特に、半導体装置の各部材の熱膨張係数の差により発生する半導体素子であるチップ外周部での応力集中を防ぐ半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子であるチップを配線基板に実装する際、チップと配線基板とのジョイント部分であるバンプをチップに形成し、バンプと配線基板を接合することにより実装している。
【０００３】
以下、図面を用いて従来例を説明する。図６（ａ）は、チップを配線基板上に実装してなる半導体装置の斜視図、図６（ｂ）は、図６（ａ）の破線Ｅ−Ｅ’に沿って切断した断面図、図６（ｃ）は、バンプが形成されたチップの平面図である。
【０００４】
従来の半導体装置１６は、チップ１０と配線基板１１を備えており、複数のバンプ１３が複数の同心円状の円周上に配置されている。配線基板表面の電極１５に対応したバンプ１３をチップ１０に形成し、チップ１０と配線基板１１とを接合する。また、チップ１０と配線基板１１間は封止樹脂１４で埋め補強する。
【０００５】
チップ１０と配線基板１１，バンプ１３，封止樹脂１４はそれぞれ異なる熱膨張係数をもつため、バンプ１３を配置する領域の外周部では中心部と比較してより大きな応力が加わっている。また、チップ１０の外周部では応力集中が発生する。電気的接続の信頼性を向上させるために、径の異なる複数の同心円状の円周上にバンプ１３を配置し、さらにチップ１０の四隅に補強バンプ１２を設けている。
【０００６】
従来例では、バンプ１３を同心円状に配置することにより、チップ１０のコーナー部へバンプを配置する場合に比べ、バンプへの応力集中は緩和されている。
【特許文献１】特開２０００−１２４２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、応力は距離に大略比例して大きくなるため、同心円状に配置されたバンプ配置では、同心円の径の大きい円周上に配置されたバンプに係る応力は、同心円の径の小さい円周上に配置されたバンプに係る応力より大きくなるので、外周部のバンプへの応力緩和は十分でないという問題があった。
【０００８】
本発明は、前記従来技術の問題を解決することに指向するものであり、半導体装置の半導体素子であるチップ、配線基板、チップと配線基板とのジョイント部分であるバンプ、封止樹脂など、各部材のそれぞれの熱膨張係数の差により生じる応力を緩和できるバンプの配置構造として、複数のバンプを円形に配置し、バンプの配置される領域の中心部から外周部にかけてバンプの配置密度を高くして、応力集中によるチップ配線基板間の接合不良を防止する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載した半導体装置は、半導体素子であるチップと、チップを搭載する配線基板と、チップと配線基板のジョイント部分としてチップに配置し接合したバンプとを有し、バンプを配置した領域において、チップの中心からの距離の大きい位置に配置したバンプが、チップの中心からの距離の小さい位置に配置したバンプよりもバンプの断面積が大きいことを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２，３に記載した半導体装置は、請求項１の半導体装置のバンプを配置した領域において、バンプを径の異なる同心円の円周上に配置して、同心円の大きな径の円周上に配置したバンプが、同心円の小さな径の円周上に配置したバンプよりもバンプの断面積が大きいこと、さらに、バンプの最も大きな断面積が、バンプの最も小さな断面積の６倍以下であることを特徴とする。
【００１１】
この構成により、半導体装置を構成する各部材の各々異なった熱膨張係数により生じる応力を緩和でき、接合の信頼性を向上すること、さらに、応力集中が起こる可能性をより低くできる。
【００１２】
また、請求項４に記載した半導体装置は、半導体素子であるチップと、チップを搭載する配線基板と、チップと配線基板のジョイント部分としてチップに配置し接合したバンプとを有し、バンプを配置した領域において、バンプを径の異なる同心円の円周上に配置して、同心円の小さな径の円周上に配置したバンプより、同心円の大きな径の円周上に配置したバンプの数を多くしてバンプの配置密度を高くしたことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５に記載さいた半導体装置は、請求項４の半導体装置の円周上に配置したバンプの最も多い数が、バンプの最も少ない数の５５倍以下であることを特徴とする。
【００１４】
この構成により、半導体装置を構成する各部材の各々異なった熱膨張係数により生じる応力を緩和でき、接合の信頼性を向上すること、さらに、応力集中が起こる可能性をより低くできる。
【００１５】
また、請求項６に記載した半導体装置は、半導体素子であるチップと、チップを搭載する配線基板と、チップと配線基板のジョイント部分としてチップに配置し接合したバンプとを有し、バンプを配置した領域において、バンプをチップの中心から放射状に配置して、チップの中心から外周に向かうにつれて、配置するバンプの間隔を狭くしてバンプの配置密度を高くしたことを特徴とする。
【００１６】
この構成により、半導体装置を構成する各部材の各々異なった熱膨張係数により生じる応力を緩和でき、接合の信頼性を向上すること、さらに、バンプを一直線上に配置して容易に形成することができる。
【００１７】
また、請求項７に記載した半導体装置は、請求項１〜６の半導体装置に配線基板とチップの間に充填する封止樹脂を有し、封止樹脂を、配線基板表面の電極と接合するバンプを配置した領域にのみ塗布することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項８に記載した半導体装置は、半導体素子であるチップと、チップを搭載する配線基板と、チップと配線基板のジョイント部分としてチップの円形の領域に配置し接合したバンプと、配線基板とチップの間に充填する封止樹脂とを有し、封止樹脂を、配線基板表面の電極と接合するバンプを配置した領域にのみ塗布することを特徴とする。
【００１９】
これにより、封止樹脂により生じる応力も緩和でき接合の信頼性を向上することができる。
【００２０】
また、請求項９に記載した半導体装置の製造方法は、半導体素子であるチップ上にチップと配線基板のジョイント部分としてバンプを円形の領域に配置して接合する工程と、配線基板に封止樹脂を塗布する工程と、封止樹脂が塗布された配線基板上にバンプを配置したチップを搭載する工程と、チップと配線基板間に充填した封止樹脂を硬化させる工程とからなる半導体装置の製造方法であって、封止樹脂の充填部分は、バンプを配置した領域であり、封止樹脂の充填部分の高さを、配線基板とチップ間の距離として、バンプを配置した領域に充填部分の高さを掛けて求めた封止樹脂の充填部分の体積から、バンプの総体積を引いて封止樹脂の塗布量を決定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、応力に大略比例したバンプの配置密度を有し、これにより、熱膨張係数の差による応力集中を緩和して、接合不良の発生を防ぐことができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。
【００２３】
図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけるバンプの配置を有する半導体装置の正面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の破線Ａ−Ａ’に沿って切断した断面図を示す図である。
【００２４】
本実施の形態１について図１（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体素子であるチップ２のパターン形成面上で３つの同心円の円周上に配置されたバンプ３ａ，３ｂ，３ｃを有する半導体装置１ａである。本実施の形態１におけるバンプは配線基板表面の電極に対応していることとする。
【００２５】
また、３つの同心円の円周上にバンプ径の異なるバンプを配置する。最も小さい円周上に配置されたバンプ３ａ、中間の円周上に配置されたバンプ３ｂ、最も大きい円周上に配置されたバンプ３ｃとし、チップの中心から最も小さい円周上に配置されたバンプ３ａまでの距離を「１」、中間の円周上に配置されたバンプ３ｂまでの距離を「３」、最も大きい円周上に配置されたバンプ３ｃまでの距離を「５」とすると、バンプ３ｂの径はバンプ３ａの径の３倍、バンプ３ｃの径はバンプ３ａの径の５倍である。
【００２６】
以上のように構成された半導体装置１ａについて、その原理を説明する。半導体装置１ａを構成する各部材は、各々異なった熱膨張係数をもっているため、昇温時に熱膨張係数の差による力で応力が発生し、その応力はチップ２の中心部からの距離に大略比例して大きくなる。そこで、本実施の形態１は、バンプの径を応力に合わせ変化させることで、バンプとチップ２や、バンプと配線基板表面の電極の接合面積に係る応力を均一にすることができる。
【００２７】
以上の原理により、接合部に発生する応力集中を防止することができる。また、本実施の形態１は、外周部のバンプの断面積が、中心部のバンプの断面積よりも大きいことにより、外部から加わる応力に対してより大きい効果を得ることができる。
【００２８】
なお、本実施の形態１では同心円の円周上に配置するバンプとしたが、同心円でなくても構わない。また、３つの円周を用いて説明をしたが、複数存在すればよい。さらに、チップ２の中心からの距離に比例させてバンプの径を大きくしたが、必ずしも比例させてバンプの径を大きくしなくても構わない。ただし、一般的に使用されるはんだバンプの場合、バンプの断面積を大きくするとほぼ比例的にバンプの高さも大きくなるため、チップ２の面内でのバンプの高さの差への許容量は１００μｍ以下である。したがって、バンプの最小断面の径を２０μｍとするとバンプの断面の面積比は６倍以下であることが望ましい。
【００２９】
また、バンプの断面の面積比を６倍より大きくすると、チップを配線基板に搭載する時、チップ２と配線基板とのジョイント部分であるバンプの形状は変形し、バンプ断面がバンプの隣接する方向に大きくなるため、隣接するバンプと接触し、ショートしてしまう問題があるので、好適には６倍以下とするのが好ましい。
【００３０】
次に、図２（ａ）は本発明の実施の形態２におけるバンプの配置を有する半導体装置の正面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の破線Ｂ−Ｂ’に沿って切断した断面図を示す図である。
【００３１】
本実施の形態２について、図２（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。図２（ａ），（ｂ）に示すように、半導体素子であるチップ２のパターン形成面上で３つの同心円の円周上に配置されたバンプ４ａ，４ｂ，４ｃを有する半導体装置１ｂである。本実施の形態２におけるバンプは配線基板表面の電極に対応していることとする。
【００３２】
また、３つの同心円について、最も径の小さい円周上に配置されたバンプ４ａ、中間の円周上に配置されたバンプ４ｂ、最も大きい円周上に配置されたバンプ４ｃとして、チップ２の中心からバンプ４ａまでの距離を「１」、バンプ４ｂまでの距離を「３」、バンプ４ｃまでの距離を「５」とすると、中間の円周上に配置されるバンプ４ｂの数は、最も小さい円周上に配置するバンプ４ａの数の３倍存在し、また最も大きい円周上に配置されたバンプ４ｃの数は、最も小さい円周上に配置されたバンプ４ａの数の５倍存在する。
【００３３】
以上のように構成された半導体装置１ｂについて、その原理を説明する。半導体装置１ｂを構成する各部材は、各々異なった熱膨張係数をもっているため、昇温時に熱膨張係数の差による力で応力が発生し、その応力はチップ２の中心部からの距離に大略比例して大きくなる。そこで、本実施の形態２は、バンプの配置密度を応力に合わせ変化させることで、バンプとチップ２や、バンプと配線基板表面の電極の接合面積に係る応力を均一にすることができる。
【００３４】
以上の原理により、接合部に発生する応力集中を防止することができる。また、本実施の形態２は、バンプの配置密度を変化させ、バンプの断面積を均一にすることにより、バンプ高さのばらつきを抑えることができ、接合の信頼性向上を得ることができる。
【００３５】
なお、本実施の形態２では同心円の円周上に配置するバンプとしたが、同心円でなくても構わない。また、３つの円周を用いて説明をしたが、複数存在すればよい。さらに、チップ２の中心からの距離に比例させてバンプの配置数を変化させたが、必ずしも比例させてバンプの数を増加させなくても構わない。ただし、チップ２を配線基板に搭載する実装時にバンプは変形して、バンプ断面はバンプの隣接する方向に大きくなり、隣接するバンプと接触してショートを起こす可能性があるので、バンプとバンプの間の距離、つまりバンプ間ピッチは、一定の間隔が必要である。いま、バンプの断面の径を２０μｍとすると、チップ２の面内でのバンプ間ピッチは４０μｍ以上とし、最も大きい円周径を９９００μｍ、最も小さい円周径を１８０μｍとした場合で計算すると、バンプの最小断面の径が２０μｍで最も多いバンプの配置数は最も少ないバンプの配置数の５５倍以下であることが望ましい。
【００３６】
次に、図３（ａ）は本発明の実施の形態３におけるバンプの配置を有する半導体装置の正面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の破線Ｃ−Ｃ’に沿って切断した断面図を示す図である。
【００３７】
本実施の形態３について、図３（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。図３（ａ），（ｂ）に示すように、半導体素子であるチップ２のパターン形成面上で放射状に配置されたバンプ５ａ，５ｂを有する半導体装置１ｃである。本実施の形態３におけるバンプは配線基板表面の電極に対応していることとする。
【００３８】
バンプを、バンプの配置される領域に放射状に配置し、その放射線上に配置されたバンプの配置密度は、チップ２中心部の領域に配置されたバンプ５ａより外周部に近づく領域に配置されたバンプ５ｂの方が高くなるように配置する。ただし放射状に配置されたバンプの各直線について、各々の直線でのバンプの数は等しくなくても構わない。
【００３９】
以上のように構成された半導体装置１ｃについて、その原理を説明する。半導体装置１ｃを構成する各部材は、各々異なった熱膨張係数をもっているため、昇温時に熱膨張係数の差による力で応力が発生し、その応力はチップ２の中心部からの距離に大略比例して大きくなる。そこで、本実施の形態３は、バンプの配置密度を応力の変化に応じて変化させることで応力を分散させることができ、接合性の向上を図ることができる。また、本実施の形態３は、バンプを一直線上に配置させるため、バンプが容易に形成できる。
【００４０】
次に、図４は本発明の実施の形態４における半導体装置の断面図である。本実施の形態４について、図４を参照しながら説明する。また、図４に示すように、半導体素子１ｄにおけるバンプ８は配線基板７表面の電極６に対応していることとする。
【００４１】
半導体素子であるチップ２には、チップ２と配線基板７とのジョイント部分であるバンプ８が円形に配置されて形成されており、配線基板表面の電極６にバンプ８を介してチップ２を接合している。また、配線基板７とチップ２の間には、封止樹脂９が充填されている。この充填される封止樹脂９の領域は、円形に配置されたバンプ８が存在する部分のみに存在している。
【００４２】
以上のように構成された半導体装置１ｄについて、その原理を説明する。半導体装置１ｄを構成する各部材、つまりチップ２，配線基板７，封止樹脂９は、各々異なった熱膨張係数をもっているため、昇温時に熱膨張係数の差による力で応力が発生し、その応力はチップ２の中心部からの距離に大略比例して大きくなる。よって封止樹脂９も応力発生に係わることから、封止樹脂９の充填領域部を円形にすることで、封止樹脂９の応力緩和を得ることができる。なお、封止樹脂９を充填する部分は、バンプ８を配置する領域よりも大きい範囲でも構わない。
【００４３】
また、前述の実施の形態１〜３のように、チップ２のバンプを配置した領域に、本実施の形態４の封止樹脂９を充填することで、より接合の信頼性を向上することができる。
【００４４】
次に、図５（ａ）は本発明の実施の形態５におけるバンプの配置を有する半導体装置の平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の破線Ａ−Ａ’の断面図、図５（ｃ）は半導体素子であるチップを配線基板に接合する工程を示す断面図、図５（ｄ）は半導体装置の断面図、図５（ｅ）は半導体装置の斜視図である。
【００４５】
本実施の形態５における半導体装置の製造方法について、図５（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。
【００４６】
本実施の形態５における製造方法は、まず、半導体素子であるチップ２のパターン形成面上でバンプ８を円形に形成する（図５（ａ），（ｂ）参照）。一般にバンプ８は金や半田などからできている。しかし、他の金属でも構わない。
【００４７】
次に、図５（ｃ）に示す、バンプ８の付いたチップ２と配線基板７を接合させる工程において、封止樹脂９を用いて、バンプ８の配置された領域のみを接合する。一般に封止樹脂９はエポキシ系のものを用いることが多いが、エポキシ系以外のものでも構わない。また本実施の形態５のバンプ８は配線基板表面の電極６に対応していることとする。
【００４８】
この接合させる工程において、まず、配線基板７上に封止樹脂９を滴下し、上部よりバンプ８の付いたチップ２を降下し、バンプ８と電極６を当接するように配線基板７上に搭載することにより、滴下した封止樹脂９が伸び、円形にバンプ８が配置されている部分に封止樹脂９が広がり、この封止樹脂９を硬化させ接合させる製造方法である。
【００４９】
ただし、封止樹脂９を硬化させるためには、一般に１５０℃程度で約２時間硬化炉中に置かなければならない。封止樹脂充填部分の高さは、配線基板と半導体素子であるチップ２間の距離とし、封止樹脂９を塗布する体積はバンプ８を配置する領域に対応する配線基板７の円形部分に樹脂充填部の高さを掛けて、その体積から複数のバンプ８の総体積を引いて封止樹脂９の量を決定する。
【００５０】
以上のような製造方法について、その原理を説明する。半導体装置１ｄを構成する各部材、つまりチップ２，配線基板７，封止樹脂９は、各々異なった熱膨張係数をもっているため、昇温時に熱膨張係数の差による力で応力が発生し、その応力はチップ２の中心部からの距離に大略比例して大きくなる。よって封止樹脂９も応力発生に係わることから、封止樹脂９を塗布する領域を円形にすることで、封止樹脂９の応力緩和を得ることができる。
【００５１】
なお、封止樹脂９を塗布する部分は、バンプ８を配置する領域よりも大きい範囲でも構わない。また、本実施の形態５の製造方法は、チップ２と配線基板７との接合および封止樹脂の注入を同時に行うことができるので、製造時間の短縮に有効である。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明に係る半導体装置およびその製造方法は、応力に大略比例したバンプの配置密度を有して、熱膨張係数の差による応力集中を緩和し、接合不良の発生を防ぐことができ、半導体装置において、半導体素子であるチップに設けた、チップと配線基板とのジョイント部分であるバンプの配置構造に係り、半導体装置の各部材の熱膨張係数の差により発生するチップ外周部での応力集中の防止に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態１におけるバンプの配置を有する半導体装置の正面図、（ｂ）は（ａ）の破線Ａ−Ａ’に沿って切断した断面図を示す図
【図２】（ａ）は本発明の実施の形態２におけるバンプの配置を有する半導体装置の正面図、（ｂ）は（ａ）の破線Ｂ−Ｂ’に沿って切断した断面図を示す図
【図３】（ａ）は本発明の実施の形態３におけるバンプの配置を有する半導体装置の正面図、（ｂ）は（ａ）の破線Ｃ−Ｃ’に沿って切断した断面図を示す図
【図４】本発明の実施の形態４における半導体装置の断面図
【図５】（ａ）は本発明の実施の形態５におけるバンプの配置を有する半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）の破線Ａ−Ａ’の断面図、（ｃ）は半導体素子であるチップを配線基板に接合する工程を示す断面図、（ｄ）は半導体装置の断面図、（ｅ）は半導体装置の斜視図
【図６】（ａ）は、従来のチップを配線基板上に実装してなる半導体装置の斜視図、（ｂ）は、（ａ）の破線Ｅ−Ｅ’に沿って切断した断面図、（ｃ）は、バンプが形成されたチップの平面図
【符号の説明】
【００５４】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１６  半導体装置
２，１０  チップ
３ａ，３ｂ，３ｃ，４ａ，４ｂ，４ｃ，５ａ，５ｂ，８，１３  バンプ
６，１５  電極
７，１１  配線基板
９，１４  封止樹脂
１２  補給バンプ
【図１】
2007142017.tif 000003
【図２】
2007142017.tif 000004
【図３】
2007142017.tif 000005
【図４】
2007142017.tif 000006
【図５】
2007142017.tif 000007
【図６】
2007142017.tif 000008