(57)【要約】【課題】真空紫外域において、高透過率及び高屈折率を有する光学素子を提供する。【解決手段】光の吸収端が１９０ｎｍ以下であり、真空紫外光に使用される光学素子であって、スカンジウムを含むフッ化物で構成されることを特徴とする光学素子を提供する。【選択図】図１
2007200937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の吸収端が１９０ｎｍ以下であり、真空紫外光に使用される光学素子であって、
スカンジウムを含むフッ化物で構成されることを特徴とする光学素子。
【請求項２】
前記フッ化物は、Ｓｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３（０≦ｘ≦０．４５）であることを特徴とする光学素子。
【請求項３】
レンズ、回折格子、光学膜体及びそれらの複合体の一であることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項４】
レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系の最も前記被処理体側の光学素子と前記被処理体との間の少なくとも一部に供給される液体を介して前記被処理体を露光する露光装置であって、
前記光学素子は、請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の光学素子であることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
真空紫外光を露光光として利用し、当該露光光を請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の光学素子を含む光学系を介して被処理体に照射して当該被処理体を露光することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項４又は５記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、光学素子に係り、特に、４００ｎｍ以下の波長範囲において用いられるレンズ、窓材、プリズムなどに好適な光学素子に関する。本発明は、例えば、投影光学系と被処理体との間の液体を介して被処理体を露光する液浸露光装置の投影光学系に使用される最終レンズ（被処理体に最も近い光学素子）に好適である。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化及び薄型化の要請から電子機器に搭載される半導体素子の微細化への要求は益々高くなっており、かかる要求を満足するために露光解像度を高める提案が様々なされている。露光光源の波長を短くすることは解像度の向上に有効な一手段である。近年では、露光光源は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）になろうとしており、Ｆ２レーザー（波長約１５７ｎｍ）やＥＵＶ光（波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度）の実用化も進んでいる。但し、光源の短波長化に伴い、従来の硝材のほとんどが透過率不足のため使用することができなくなる。そこで、エキシマレーザーを露光光源とする露光装置では、石英ガラス（ＳｉＯ２）及びフッ化カルシウム（ＣａＦ２）を硝材として使用している（例えば、特許文献１及び２参照）。
【０００３】
このような中で、ＡｒＦエキシマレーザーなどの光源を用いながら、更に解像度を向上させる技術として、液浸露光が注目されている。液浸露光は、投影光学系の最終面（最もウェハ側の最終レンズ）とウェハとの間を液体で満たす（投影光学系のウェハ側の媒質を液体にする）ことで露光光の実効波長を短波長化し、投影光学系の開口数（ＮＡ）を見掛け上大きくして解像度を向上させる。投影光学系のＮＡは、液体の屈折率をｎとすると、ＮＡ＝ｎ・ｓｉｎθである。従って、投影光学系の最終面とウェハとの間を空気の屈折率よりも高い屈折率（ｎ＞１）の液体で満たすことで投影光学系のＮＡをｎまで大きくすることができる。例えば、液体として純水（屈折率ｎ＝１．４４）を使用した場合、投影光学系の最終面とウェハとの間が空気のときと比べて投影光学系のＮＡは１．４４倍となる。従って、実質的に、空気中より１．４４分の１の短波長化を実現したのと同様の解像度を得ることができる。
【０００４】
液浸露光では、液体の屈折率が投影光学系の最終レンズの屈折率よりも大きい場合、投影光学系の最終レンズの屈折率に束縛され、かかる屈折率以上は投影光学系のＮＡを大きくすることができない。近年、液体の屈折率は増大する傾向にあり、１．６０以上の屈折率の液体が報告されている。従って、投影光学系のレンズにも、より大きな屈折率、具体的には、１．６０（即ち、液体の屈折率）よりも大きな屈折率が求められている。
【特許文献１】特開昭６１−１２９８２８号公報
【特許文献２】特開平８−７８３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、エキシマレーザーを露光光源とする露光装置に使用されているＳｉＯ２及びＣａＦ２の屈折率（１９３ｎｍの波長に対する屈折率）は１．５０及び１．５６であり、投影光学系の高ＮＡ化を実現するには小さい値である。
【０００６】
硝材の屈折率ｎは、一般に、以下の数式１で表される。ここで、Ｎは密度、ｍは電子の有効質量、ωｊ０は共振周波数、ωは光の周波数、ｆｊは振動子強度である。
【０００７】
【数１】
2007200937.tif 000003
【０００８】
数式１を参照するに、共振周波数ωｊ０が光の周波数ωに近いほど、硝材の屈折率ｎが大きくなる。一方、共振周波数ωｊ０が使用光源に近づくほど、光の吸収が大きくなるという関係もある。
【０００９】
ＣａＦ２の場合、共振周波数ωｊ０が使用光源、例えば、ＡｒＦエキシマレーザーの周波数よりも大きい。従って、真空紫外域における透過率は非常に優れているが、屈折率は小さい値となる。
【００１０】
また、真空紫外域で低吸収率及び高屈折率を示す硝材として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）単結晶がある。しかしながら、Ａｌ２Ｏ３単結晶は、三方晶系コランダム構造の結晶構造であるため、大きな光学異方性、即ち、大きな複屈折を有する。従って、Ａｌ２Ｏ３単結晶は、高い結像性能が要求される露光装置の硝材としては不適当である。
【００１１】
そこで、本発明は、真空紫外域において、高透過率及び高屈折率を有する光学素子、当該光学素子を有する露光装置及びデバイス製造方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての光学素子は、光の吸収端が１９０ｎｍ以下であり、真空紫外光に使用される光学素子であって、スカンジウムを含むフッ化物で構成されることを特徴とする。
【００１３】
本発明の別の側面としての露光装置は、レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系の最も前記被処理体側の光学素子と前記被処理体との間の少なくとも一部に供給される液体を介して前記被処理体を露光する露光装置であって、前記光学素子は、上述の光学素子であることを特徴とする。
【００１４】
本発明の更に別の側面としての露光装置は、真空紫外光を露光光として利用し、当該露光光を上述の光学素子を含む光学系を介して被処理体に照射して当該被処理体を露光することを特徴とする。
【００１５】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、真空紫外域において、高透過率及び高屈折率を有する光学素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００１９】
スカンジウム（Ｓｃ）を含んだフッ化物の共振周波数は、ＣａＦ２の共振周波数よりも小さく、また、使用光源（真空紫外域の光）の周波数よりも十分に大きい。従って、Ｓｃを含むフッ化物は、光の吸収率を低く抑えたまま、高屈折率を有する光学素子を実現することができる。
【００２０】
また、Ｓｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３（０≦ｘ≦０．４５）で表されるフッ化物（即ち、Ｓｃを含むフッ化物）は、酸化レニウム型の立方晶構造であるため、複屈折が非常に小さく、露光装置に適用可能な光学素子を構成することができる。
【００２１】
図１を参照して、Ｓｃを含むフッ化物の製造方法について説明する。かかる製造方法は、ブリッジマン法を利用する。なお、本実施形態では、Ｓｃを含むフッ化物としてＳｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３結晶の製造を例に説明する。
【００２２】
まず、原料であるフッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）とフッ化ルテチウム（ＬｕＦ３）とを所望の割合で混合する（ステップ１００２）。なお、ＳｃＦ３とＬｕＦ３とを混合する時は、混合用容器内にＳｃＦ３及びＬｕＦ３を入れて回転させ、均一な混合を確保することが好ましい。
【００２３】
次に、ＳｃＦ３とＬｕＦ３の混合物を結晶成長させる（ステップ１００４）。結晶成長には、例えば、坩堝降下型のブリッジマン法による成長炉を用いる。具体的には、ＳｃＦ３とＬｕＦ３の混合物を収納した坩堝を１５５０℃まで加熱して溶融させた後、徐々に坩堝を降下させて冷却し、Ｓｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３結晶を成長させる。
【００２４】
次いで、結晶成長したＳｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３結晶を熱処理（アニール）する（ステップ１００６）。アニールは、アニール炉を用いて成長したＳｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３結晶を熱処理し、結晶の割れを引き起こす歪みを除去する。アニールは、坩堝を９００℃以上１３００℃以下に均熱的に加熱する。
【００２５】
その後、Ｓｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３結晶を必要とされる光学素子に成形加工する（ステップ１００８）。なお、光学素子に成形加工するＳｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３結晶は、熱処理後、透過率等の光学特性を測定し、所望の光学性能を有するＳｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３結晶を選択する。光学素子は、レンズ、回折素子、光学膜体及びそれらの複合体、例えば、レンズ、マルチレンズ、レンズアレイ、レンチキュラーレンズ、ハエの目レンズ、非球面レンズ、回折格子、バイナリーオプティックス素子及びそれらの複合体を含む。
【００２６】
このようにして得られたＳｃを含むフッ化物は、真空紫外域における透過率及び屈折率などの光学特性に優れている。かかるフッ化物から製造された光学素子は、液浸露光装置の投影光学系の最終面を形成する最終光学素子（最もウェハ側の光学素子）に好適である。
【００２７】
本発明者は、上述した製造方法によってフッ化物を製造し、光学特性（吸収端及び屈折率）の測定を行なった。
【実施例１】
【００２８】
まず、結晶成長炉の坩堝内に成長の起点及び成長方位を制御するためのフッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）の種結晶を収納した。続いて、原料であるフッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）を坩堝に収納した。
【００２９】
次に、排気装置によって結晶成長炉を１０−４Ｐａ程度の真空にした後、アルゴンガス又はフッ素ガスを結晶成長炉に導入し、１ａｔｍに復圧した。そして、坩堝の温度を室温から１５５０℃まで昇温し、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）を融解した。
【００３０】
次いで、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）を融解した状態で５時間維持した後、坩堝を０.５ｍｍ／ｈ以上１０ｍｍ／ｈ以下の速度で引き下げ、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）結晶を成長させた。
【００３１】
続いて、結晶成長したフッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）をアニール炉で熱処理した。具体的には、フッ素ガス又はアルゴンガスの雰囲気中で、坩堝を約１０００℃に均熱的に加熱した。
【００３２】
このようにして得られたフッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）結晶は、吸収端が約１５０ｍｍ、屈折率が１．６０以上であった。
【実施例２】
【００３３】
まず、原料として、フッ化化スカンジウム（ＳｃＦ３）とフッ化ルテチウム（ＬｕＦ３）とを、０．５５：０．４５のモル比で混合し、結晶成長炉の坩堝内に成長の起点及び成長方位を制御するための種結晶を収納した。続いて、混合した原料であるＳｃ０．５５Ｌｕ０．４５Ｆ３を坩堝に収納した。
【００３４】
次に、排気装置によって結晶成長炉を１０−４Ｐａ程度の真空にした後、アルゴンガス又はフッ素ガスを結晶成長炉に導入し、１ａｔｍに復圧した。そして、坩堝の温度を室温から１５５０℃まで昇温し、原料であるＳｃ０．５５Ｌｕ０．４５Ｆ３を融解した。
【００３５】
次いで、Ｓｃ０．５５Ｌｕ０．４５Ｆ３を融解した状態で５時間維持した後、坩堝を０.５ｍｍ／ｈ以上１０ｍｍ／ｈ以下の速度で引き下げ、Ｓｃ０．５５Ｌｕ０．４５Ｆ３結晶を成長させた。
【００３６】
続いて、結晶成長したＳｃ０．５５Ｌｕ０．４５Ｆ３をアニール炉で熱処理した。具体的には、フッ素ガス又はアルゴンガスの雰囲気中で、坩堝を約１０００℃に均熱的に加熱した。
【００３７】
このようにして得られたＳｃ０．５５Ｌｕ０．４５Ｆ３結晶は、吸収端が１９０ｍｍ以下、屈折率が１．６０以上であった。
【００３８】
以下、図２を参照して、上述したスカンジウムを含むフッ化物を硝材として用いた露光装置１００について説明する。ここで、図２は、本発明の一側面としての露光装置１００の構成を示す概略断面図である。
【００３９】
露光装置１００は、投影光学系１００の最も被処理体１４０側にある最終レンズ１３２と被処理体１４０との間の少なくとも一部に供給される液体ＷＴを介して、レチクル１２０に形成された回路パターンを被処理体１４０に露光する液浸露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。また、「ステップ・アンド・リピート方式」とは、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００４０】
露光装置１００は、図２に示すように、照明装置１１０と、レチクル１２０を載置するレチクルステージ１２５と、投影光学系１３０と、被処理体１４０を載置するウェハステージ１４５と、液体給排機構１５０と、図示しない制御部とを有する。図示しない制御部は、照明装置１１０、レチクルステージ１２５、ウェハステージ１４５、液体給排機構１５０を制御可能に接続されている。
【００４１】
照明装置１１０は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル１２０を照明し、光源部１１２と、照明光学系１１４とを有する。
【００４２】
光源部１１２は、例えば、光源としては、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーなどを使用することができるが、光源の種類はエキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーを使用してもよいし、その光源の個数も限定されない。また、光源部１１２に使用可能な光源はレーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００４３】
照明光学系１１４は、レチクル１２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、オプティカルインテグレーター、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系１１４は、軸上光、軸外光を問わずに使用することができる。オプティカルインテグレーターは、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレーターを含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。
【００４４】
レチクル１２０は、例えば、反射型又は透過型レチクルで、その上には転写されるべき回路パターンが形成され、レチクルステージ１２５に支持及び駆動されている。レチクル１２０から発せられた回折光は、投影光学系１３０を介し、被処理体１４０上に投影される。レチクル１２０と被処理体１４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１００は、スキャナーであるため、レチクル１２０と被処理体１４０を縮小倍率比の速度比で走査することによりレチクル１２０のパターンを被処理体１４０上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（「ステッパー」とも呼ばれる。）の場合は、レチクル１２０と被処理体１４０を静止させた状態で露光が行われる。
【００４５】
レチクルステージ１２５は、図示しないレチクルチャックを介してレチクル１２０を支持し、図示しない移動機構に接続されている。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及び各軸の回転方向にレチクルステージ１３０を駆動することでレチクル１２０を移動することができる。露光装置１００は、レチクル１２０と被処理体１４０を図示しない制御部によって同期した状態で走査する。ここで、レチクル１２０又は被処理体１４０の面内で走査方向をＹ軸、それに垂直な方向をＸ軸、レチクル１２０又は被処理体１４０の面に垂直な方向をＺ軸とする。
【００４６】
投影光学系１３０は、レチクル１２０に形成されたパターンを経た回折光を被処理体１４０上に結像する。投影光学系１３０は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の反射鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。
【００４７】
投影光学系１３０の最終面に配置された最終レンズ１３２は、スカンジウムを含むフッ化物からなる光学素子で構成される。これにより、最終レンズ１３２は、後述する液体ＷＴよりも大きな屈折率、具体的には、１．６０以上の屈折率を有する。従って、投影光学系１３０は高ＮＡ及び高解像度を実現する。
【００４８】
被処理体１４０は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板、その他の被処理体を広く含む。被処理体１４０には、フォトレジストが塗布されている。
【００４９】
ウェハステージ１４５は、図示しないウェハチャックによって被処理体１４０を支持する。ウェハステージ１４５は、レチクルステージ１２５と同様に、リニアモーターを利用して、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及び各軸の回転方向に被処理体１４０を移動する。また、レチクルステージ１２５の位置とウェハステージ１４５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ウェハステージ１４５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられる。レチクルステージ１２５及び投影光学系１３０は、例えば、床等に載置されたベースフレーム上にダンパを介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００５０】
液体給排機構１５０は、給排ノズル１５２を介して、投影光学系１３０と被処理体１４０との間、詳細には、投影光学系１３０の被処理体１４０側の最終面と被処理体１４０との間に液体ＷＴを供給する。また、液体給排機構１５０は、供給した液体ＷＴを回収する。即ち、投影光学系１３０と被処理体１４０の表面で形成される間隙は、液体給排機構１５０から供給される液体ＷＴで満たされている。液体ＷＴは、本実施形態では、純水であるが、特に純水に限定するものではない。液体ＷＴは、露光光の波長に対して高い透過特性及び高い屈折率特性を有し、投影光学系１３０や被処理体１４０に塗布されているフォトレジストに対して化学的安定性の高い液体を使用することができる。液体ＷＴは、例えば、フッ素系不活性液体を使用してもよい。
【００５１】
図示しない制御部は、ＣＰＵ、メモリを有し、露光装置１００の動作を制御する。制御部は、照明装置１１０、レチクルステージ１２５、ウェハステージ１４５、液体給排機構１５０と電気的に接続されている。制御部は、例えば、露光時のウェハステージ１４５の駆動方向等の条件に基づいて、液体ＷＴの供給と回収、或いは、停止の切り替え及び液体ＷＴの給排量を制御する機能も有する。ＣＰＵは、ＭＰＵなど名前の如何を問わずいかなるプロセッサも含み、各部の動作を制御する。メモリは、ＲＯＭ及びＲＡＭより構成され、露光装置１００を動作するファームウェアを格納する。
【００５２】
露光において、光源部１１２から発せられた光束は、照明光学系１１４によりレチクル１２０を、例えば、ケーラー照明する。レチクル１２０を通過してレチクルパターンを反映する光は、投影光学系１３０により、液体ＷＴを介して被処理体１４０に結像される。露光装置１００が用いる投影光学系１３０は、スカンジウムを含むフッ化物からなる光学素子を最終レンズ１３２として使用し、優れた結像性能を実現する。従って、露光装置１００は、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００５３】
次に、図３及び図４を参照して、露光装置１００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図３は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００５４】
図４は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１００によってレチクルの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重の回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１００を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００５５】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、スカンジウムを含むフッ化物の製造方法は、坩堝を引き下げることで原料を冷却するブリッジマン法だけではなく、結晶を融液から引き上げるチョクラルスキー法を用いてもよい。また、スカンジウムを含むフッ化物で構成される光学素子は、液浸露光装置だけではなく、通常の露光装置（ドライ系）にも用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】スカンジウムを含むフッ化物の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略断面図である。
【図３】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図４】図３に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００５７】
１００                露光装置
１１０                照明装置
１１２                光源部
１１４                照明光学系
１２０                レチクル
１２５                レチクルステージ
１３０                投影光学系
１３２                最終レンズ
１４０                被処理体
１４５                ウェハステージ
１５０                液体給排機構
ＷＴ                  液体
【図１】
2007200937.tif 000004
【図４】
2007200937.tif 000005
【図２】
2007200937.tif 000006
【図３】
2007200937.tif 000007