(57)【要約】  【課題】プラズマ処理時及びその前後には被処理材（基板）を確実にトレイに固定して処理性及びハンドリング性を上げるとともに、必要な時には容易に基板をトレイから剥離することができる方法及び装置を提供する。  【解決手段】トレイ上に載置した基板を支持台上に載置して、基板の表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、トレイと基板を熱剥離接着部材で接着する。熱剥離接着部材としては、発泡剥離性シートを好適に用いることができる。熱剥離接着部材は通常は粘着性を有するため、プラズマ処理前後はトレイと基板が確実に固定され、良好なハンドリング性が得られる一方、処理後はトレイを所定の剥離温度以上に加熱するだけで、基板はトレイから容易に剥離する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理材をトレイ上に載置し、更に該トレイを支持台上に載置して、該被処理材の表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、
トレイと被処理材を熱剥離接着部材で接着することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
プラズマ処理時に該支持台を冷却することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
熱剥離接着部材が発泡剥離剤である請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
熱剥離接着部材が発泡剥離性シートである請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
トレイの表面に溝を設け、被処理材とトレイの間にある気体を該溝から逃がしながらトレイと被処理材を接着することを特徴とする請求項１〜４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
トレイの表面のうち溝が占める面積の割合が5%〜40%であることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
溝の深さが10μm〜200μmであることを特徴とする請求項５又は６に記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
被処理材の周囲に配置したシール材を介して蓋を載置し、蓋を機械的に被処理材に押圧しつつ、被処理材、シール材及び蓋により形成される与圧室内に気体を注入することにより被処理材の全面を押圧して被処理材をトレイに接着させることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記気体の圧力が0.2MPa〜5MPaであることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記押圧の際に、被処理材の下面を排気することを特徴とする請求項８又は９に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
被処理材をトレイ上に載置し、更に該トレイを支持台上に載置して、該被処理材の表面をプラズマにより処理するプラズマ処理装置において、
トレイと被処理材を接着する熱剥離接着部材を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１２】
該支持台を冷却する冷却装置が設けられている請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
熱剥離接着部材が発泡剥離剤である請求項１１又は１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
熱剥離接着部材が発泡剥離性シートである請求項１１又は１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
トレイが表面に溝を有することを特徴とする請求項１１〜１４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
トレイの表面のうち溝が占める面積の割合が5%〜40%であることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
溝の深さが10μm〜200μmであることを特徴とする請求項１５又は１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
板状の被処理材を、表面に溝を有するトレイに均等に接着させるための被処理材接着装置であって、
該被処理材の上面の周囲に対応する位置に配置されるシール材と、
該シール材を介して被処理材の上側に配置される蓋と、
該シール材を押圧しつつ該蓋を該トレイに固定する固定手段と、
被処理材、シール材及び蓋により形成される与圧室内に気体を注入するための与圧手段と、
を備えることを特徴とする被処理材接着装置。
【請求項１９】
与圧室の周囲の空間を減圧する減圧手段を備えることを特徴とする請求項１８に記載の被処理材接着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマにより被処理材表面にエッチング、堆積（成膜）、洗浄等の処理を施すプラズマ処理方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板等の被処理材（以下、単に基板と呼ぶ）表面のプラズマ処理は、次のようにして行われる。まず基板を真空容器内に搬入して支持台上に載置する。真空容器の内部を減圧状態にした後、処理用のガス（プラズマガス）を真空容器内に導入し、種々の方法でエネルギーを投入してプラズマガスをプラズマ化する。導入するプラズマガスの種類や投入するエネルギー等を適宜設定することにより、基板に対してエッチング、堆積、洗浄等の処理が行われる。
【０００３】
ここで、通常、ハンドリングの便宜のため、基板はまずトレイ上に載置・固定され、次に、基板を載置したトレイが真空容器内の支持台上に載置される。すなわち、基板はトレイと一緒に真空容器内に装入され、処理後はトレイと一緒に真空容器から取り出され、後工程の処理が行われる。所定の処理が終わった後、基板はトレイから取り外される。
【０００４】
支持台上でプラズマ処理が行われている間、プラズマのエネルギーが基板に投入されるため基板の温度は上昇する。この温度上昇が過度になると、基板自体の特性が変化又は劣化したり、フォトレジストが焼けてしまう。そのため、多くの場合、プラズマ処理の間、基板を冷却することが行われる。基板の冷却は、通常、それを載置する支持台を冷却することにより行われる。
【０００５】
基板と支持台の間に上記のようにトレイが介在する場合、トレイに熱伝導率の良好な材料を用いたとしても、支持台とトレイの接触面、及び、トレイと基板の接触面の熱伝達が良好でなければ、基板は十分に冷却されない。支持台とトレイは、従来より機械的な（メカニカル）チャックや静電チャック等で十分な密着性が確保され、場合によっては、それに加えて熱伝導率の良好なヘリウムガスを両者間に流す機構も備えられていた。そのため、支持台とトレイの間の熱伝達に大きな問題はなかった。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−１６０２５８号公報
【特許文献２】特開平５−２４５９６７号公報
【特許文献３】特開平８−１２４９７５号公報
【特許文献４】特開２００３−２５７９０７号公報
【特許文献５】特開２００５−１５０３１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
トレイと基板は可搬性が重視されるため、両者の間に上記のようなチャック方法を用いることができない。しかし、単に基板をトレイに載置しただけでは、減圧下では両者の間が真空断熱されてしまう。この場合、基板の熱が十分支持台に伝達されず、折角支持台に冷却装置を設けてもその効果を奏することなく基板温度が上昇する。また、プラズマ処理では、複数枚の小径ウエハを真空容器に搬送して同時にプラズマ処理を行うことがあるが、従来の機械的なチャックでは、複数枚の基板を同時にトレイに固定できず、また、ウエハ端部を固定すると、基板表面の処理の均一性が低下して有効な処理面積が小さくなるなどの欠点があった。静電チャックでは、前述のようにトレイに載置した基板を冷却することができなかった。
【０００８】
トレイと基板の間にグリスを塗布して両者の密着性を上げることにより、両者の間の熱伝達率を上げることができるが、プラズマ処理中にグリスの一部が気化することによって真空容器の内部や基板表面を汚染する。また、グリスはトレイと基板を接着する効果も有するが、熱伝達率向上の効果を上げようとするとその接着力も強力となり、支持台から基板を剥離する際に基板に無理な力が加わって基板を損傷するという問題がある。更に、プラズマ処理後はグリスを有機溶媒で除去する必要がある。
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、プラズマ処理時及びその前後には基板を確実にトレイに固定して処理性及びハンドリング性を上げるとともに、必要な時には容易に基板をトレイから剥離することができる方法及び装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために成された本発明は、被処理材をトレイ上に載置し、更に該トレイを支持台上に載置して、該被処理材の表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、トレイと被処理材を熱剥離接着部材で接着することを特徴とする。
【００１１】
ここで、熱剥離接着部材とは、所定以上の温度になると剥離する接着部材のことを言う。例えば、特許文献１〜５に記載の発泡剥離性シート又は発泡剥離剤は本発明に好適に用いることができる。ただし、特許文献１〜５にはプラズマ処理容器内で発泡剥離性シート又は発泡剥離剤を用いることは記載されていない。もちろん本発明では、このような発泡剥離性シート・発泡剥離剤以外にも、熱を加えることにより接着力が弱まる又は接着力を失う接着部材であればいずれも使用することができる。
【００１２】
上で述べた「トレイ上に載置」又は「支持台上に載置」とは、重力方向に関する上下を言うのではなく、単に一つの方向を示すのみである。すなわち、例えば支持台が重力方向に関して上部に配置され、その下面にトレイが何らかの方法で固定され、そのトレイの下面に被処理材が熱剥離接着部材で接着される場合も、本発明の範囲に含まれる。
【００１３】
上記「プラズマ処理」には、プラズマエッチング処理、プラズマ成膜処理、プラズマ洗浄処理等、プラズマを用いたあらゆる処理が含まれる。
プラズマ処理における被処理材への入熱量が少ない場合は、被処理材の温度はそう上がらないが、投入エネルギが大きくなるにつれ、被処理材の温度が上昇する。このプラズマ処理中の被処理材の温度が熱剥離接着部材の剥離温度を超えると好ましくないため、プラズマ処理時には支持台を冷却することが望ましい。
【００１４】
トレイと被処理材の接着は、トレイの表面に溝を設け、被処理材とトレイの間にある気体を該溝から逃がしながら行うことが望ましい。
【００１５】
溝を設けたトレイを用いる場合、被処理材の周囲に配置したシール材を介して蓋を載置し、蓋を機械的に被処理材に押圧しつつ、被処理材、シール材及び蓋により形成される与圧室内に気体を注入することにより被処理材の全面を押圧して被処理材をトレイに接着させることが望ましい。この場合において、前記押圧の際に、被処理材の下面を排気することがより望ましい。ここで「下面」とは、被処理材の、与圧室とは反対側の面を指す。
【００１６】
表面に溝を有するトレイと被処理材の接着は以下に述べる被処理材接着装置を用いて行うことが望ましい。即ち、この装置は、板状の被処理材を、表面に溝を有するトレイに均等に接着させるための被処理材接着装置であって、
該被処理材の上面の周囲に対応する位置に配置されるシール材と、
該シール材を介して被処理材の上側に配置される蓋と、
該シール材を押圧しつつ該蓋を該トレイに固定する固定手段と、
被処理材、シール材及び蓋により形成される与圧室内に気体を注入するための与圧手段と、
を備えることを特徴とする
【００１７】
上記被処理材接着装置は、与圧室の周囲の空間を減圧する減圧手段を備えることが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るプラズマ処理方法又はプラズマ処理装置では、プラズマ処理中及びその前後において被処理材がトレイに確実に固定されているため、被処理材の処理室（真空容器）への搬入や搬出等のハンドリングが容易となる。また、プラズマ処理中は、被処理材に投入されたエネルギにより生じる熱を効率よくトレイ及び支持台に伝達するため、被処理材の温度上昇を抑えることができる。この効果は、支持台を冷却した場合により顕著である。
【００１９】
そして、プラズマ処理が終了し、被処理材とトレイを処理室から取り出して必要な後処理を行った後は、熱剥離接着部材を加熱して所定の剥離温度以上とするだけで、被処理材はトレイから離れる。従って、処理全体を通して被処理材に無理な力を加えることなく、迅速なプラズマ処理を行うことができる。さらに、グリスを使用しないので、その洗浄工程を省くことが可能となる。
【００２０】
本発明が対象とする被処理材は、シリコンや化合物などの半導体、ガラスや樹脂などの絶縁体、金属などの導体など、その種類を問わない。また、その形状についても、大きな１枚板であるウエハ状のものはもちろん、小さなチップ状のものが多数配列したものであってもよい。
【００２１】
トレイの表面に溝を設けることにより、トレイと被処理材を接着する際に、被処理材とトレイの間にある気体を、溝を通して外部へ逃がすことができるため、トレイと被処理材の間に気体が残留することを防止することができる。これにより、被処理材からトレイへの熱の伝導性がより高まり、プラズマ処理中における被処理材の温度上昇をより確実に抑えることができる。
【００２２】
被処理材の上部に与圧室を設け、与圧室内に気体を注入し被処理材の全面を押圧して被処理材をトレイに接着させることにより、被処理材の全面を均等な圧力で押圧することができるため、トレイと被処理材の間の一部に気体が残留することを防ぐことができ、トレイへの被処理材の接着性を更に高めることができる。
【００２３】
その際、機械的な押圧により加えられるシール材への圧力に偏りが生じたとしても、被処理材の下面を排気することにより、その偏りを補正してシール材に均等な圧力を加えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の一実施形態を図１により説明する。図１は、カソードカップリング型プラズマCVD装置１０の断面図である。上下分割型の真空容器１１内には、上部電極１２と下部電極１３がほぼ平行に配設されている。上部電極１２の下面には多数の細かいガス導入口が設けられ、一方、下部電極１３内には冷却装置が設けられている。電気的には、上部電極１２及び容器１１が接地される一方、下部電極１３には高周波電力が投入される。なお、本実施例では下部電極１３が上記支持台として作用する。
本プラズマCVD装置１０を用いた被処理材（以下、基板と呼ぶ）１４の処理方法は、次の通りである。
【００２５】
まず、真空容器１１の外で、図２(a)に示すように、アルミナ等から成るトレイ１５上に、発泡剥離性シート１６を介して基板１４を載置する。発泡剥離性シート１６は、常温では粘着性を有するが、熱を加えることにより含有成分が発泡し、それにより粘着性を失うというものである。例えば、日東電工株式会社製「リバアルファ」（登録商標）を用いることができる。
【００２６】
こうして基板を固定したトレイ１５を下部電極１３上に載置し、静電クランプ等でトレイ１５を下部電極１３に固定する。真空容器１１を閉じた後、上部電極１２から処理ガスを真空容器１１内に導入しつつ、下部電極１３に高周波電力を投入する。これにより、処理ガスがプラズマ化され、基板１４上に成膜が行われる。その間、下部電極１３の冷却装置には冷却液が所定流量で流され、基板１４が所定温度以上に上昇しないように制御される。
【００２７】
所定時間の処理が終了した後、高周波電力の投入が停止され、真空容器１１内の処理ガスを十分吸引除去した後、真空容器１１内に空気が導入されて真空容器１１が開放される。トレイ１５のクランプが解除され、トレイ１５が下部電極１３から取り外されて真空容器１１外に取り出される。そして、図２(b)に示すように、トレイ１５を加熱台１７上に載置し、所定の剥離温度以上に加熱することにより、発泡剥離性シート１６は粘着力を失い、基板１４をトレイから持ち上げることができるようになる。発泡剥離性シート１６が発泡し、粘着力を失う温度は、各種のものが用意されている。例えば、上記日東電工株式会社製リバアルファでは９０℃、１２０℃、１５０℃などで剥離するものが用意されている。これらは、基板１４の種類やプラズマ処理条件に応じて適宜選択して使用することが可能である。
【００２８】
次に、図３を用いてトレイの好適な一実施形態であるトレイ１５Ａについて説明する。図３(a)はトレイ１５Ａの上面図である。トレイ１５Ａは、基板１４を載置する側の表面に溝２１を設けたものである。この例では、溝２１を蜂の巣（ハニカム）状に、トレイ１５の端部２２にまで延びるように形成した。
【００２９】
このように溝２１を設けることにより、図３(b)の縦断面図に示すように、発泡剥離性シート１６を用いてトレイ１５Ａ上に基板１４を接着する際に、基板１４からトレイ１５Ａに圧力を加えるにより発泡剥離性シート１６から押し出される気体を溝２１から端部２２を通過して外部に逃がすことができる。そのため、接着後にトレイ１５Ａと基板１４の間に気体が残留することを防ぐことができ、溝２１がない場合よりもトレイ１５Ａと基板１４の接着性が向上する。そのため、プラズマCVD装置１０により基板１４上に成膜が行われる際に基板１４の熱をより確実にトレイ１５Ａに逃がすことができ、基板１４が所定温度以上に上昇することを防ぐことができる。なお、図３(b)では説明の都合上、溝２１は図３(a)に示した蜂の巣状のものとは異なる形状で示した。
【００３０】
上述の効果を確実に得るために、溝２１は、トレイ１５Ａの表面の面積のうち5%以上に形成されていることが望ましい。しかし、溝２１が占める面積が大きすぎると基板１４からトレイ１５Ａへの熱の伝導効率が低下するため、この面積は40%以下とすることが望ましい。また、溝２１の深さは、溝２１を通過する空気のコンダクタンス及び熱の伝導効率を考慮して、10μm〜200μmとすることが望ましい。
【００３１】
ここで、溝２１は正方格子状や三角格子状等、蜂の巣状以外の形状に形成してもよい。また、溝２１が図３に示したように端部２２にまで延びていなくとも、基板１４の面よりも大きい範囲に溝２１が形成されていれば、トレイと基板の間の発泡剥離性シートが含んでいる気体を外部に排出するという、溝を設ける目的を達成することができる。
【００３２】
次に、トレイと基板を接着する接着装置３０について、図４〜図７を用いて説明する。図４は接着装置３０の縦断面図である。接着装置３０はトレイを載置する載置台３０Ａと、載置台３０Ａを覆う蓋３０Ｂと、載置台３０Ａと蓋３０Ｂを重ねて固定するクランプ３０Ｃを有する。
【００３３】
載置台３０Ａの構成を図４及び載置台３０Ａの上面図である図５を用いて説明する。載置台３０Ａの上面の中央部３１Ａは、載置台３０Ａを蓋３０Ｂで覆うことによりこの中央部３１Ａに排気室３１が形成されるように、周囲よりも一段低くなっている。中央部３１Ａ内に、トレイを嵌め込むための窪み３２が形成されている。中央部３１Ａ内の窪み３２から離れた位置に、排気室３１内の空気を排出するための排出口３３が設けられている。また、中央部３１Ａの周囲には、排気室３１内の気密を保つための排気室Ｏリング３４が設けられている。
【００３４】
蓋３０Ｂの構成を図４及び蓋３０Ｂを下面図である図６を用いて説明する。蓋３０Ｂを載置台３０Ａに被せた際に窪み３２の直上になる位置に、各窪み３２と１対１に対応して、蓋３０Ｂの下面よりも上側に窪んで成る与圧室３５が形成されている。各与圧室３５の上面に、気体を注入するための気体注入口３６が設けられている。本実施例では注入される気体は窒素ガスとしたが、気体の種類は特に問わない。また、各与圧室３５の周囲には、窪み３２に被処理材を載置した時に被処理材の上面の周囲に対応する位置に配置されるシール材（Ｏリング）３７が設けられている。
【００３５】
図４及び図４中に破線で囲った１個の与圧室３５の近傍を拡大した図である図７を用いて、接着装置３０の動作を説明する。まず、使用者は窪み３２にトレイ１５Ａを嵌め込み、トレイ１５Ａの上に発泡剥離性シート１６を介して基板１４を載置する。次に、使用者は載置台３０Ａに蓋３０Ｂを被せ、クランプ３０Ｃにより両者を固定する。これにより、蓋３０Ｂはシール材３７を押圧するようにトレイ１５Ａに固定される。そして、排出口３３から空気を排出して排気室３１内を減圧する。これにより、仮にクランプ３０Ｃによりシール材３７に加えられた圧力に偏りが生じていたとしても、その偏りを補正してシール材３７に均一に圧力を加えることができる。
【００３６】
次に、気体注入口３６から各与圧室３５に窒素ガスを供給する。これにより、基板１４の表面に均一な圧力が加えられ、基板１４がトレイ１５Ａに接着する。この時、トレイ１５Ａと基板１４の間に残存していた空気は、トレイ１５Ａの溝を通って排出口３３から排出される。
【００３７】
与圧室３５に供給する気体の圧力は、大気圧よりも大きく、且つ基板に不要な力を加えることなく基板をトレイに接着するために、0.2MPa〜5MPaとすることが望ましい。
【００３８】
ここでは１台の接着装置に窪み３２、与圧室３５、気体注入口３６及びシール材３７を７組設けた例を示したが、その個数は任意である。
【実施例１】
【００３９】
発泡剥離性シートを用いた場合とそれを用いない場合で、プラズマ処理時の基板の温度上昇がどのように変化するかを測定する試験を行った。プラズマ処理装置にはサムコ株式会社製RIE-200誘導結合型プラズマエッチング装置を使用した。その概略構成を図８に示す。基板には50×50×0.2mmの熱酸化膜付Siチップを、発泡剥離性シートには日東電工株式会社製リバアルファNo.3195Mを用いた。トレイには、第１試験ではNi被覆アルミナ板（Al2O3/Ni）を、第２試験では表面を酸化したシリコンウエハ（SiO2/Si）を用いた。なお、リバアルファNo.3195Mの粘着力は3.7N/20mm、剥離温度は120℃である。第１試験におけるトレイのNi被覆は、支持台への静電チャックのためである。
【００４０】
図９に示すように、発泡剥離性シート４１により基板４２をトレイ４３上に固定し、基板４２表面とトレイ４３表面にそれぞれ温度測定用のサーモラベル４４を貼付した。なお、サーモラベル４４をプラズマから保護するため、サーモラベル４４の上にカプトンテープ（デュポン社の登録商標）４５を貼付した。また、比較のために、発泡剥離性シートを使用せず、基板をトレイ上に単に載置しただけの場合の試験も行った。
【００４１】
こうして準備したトレイ４３及び基板４２を上記プラズマ処理装置に装入し、図１０に示す処理条件でプラズマエッチング処理を行った。これらの処理の間の基板４２表面の最高温度を測定した結果を図１１に示す。アルミナトレイの場合、発泡剥離性シート４１を用いることにより、基板温度は10℃低下している。また、シリコントレイの場合、35〜40℃も低下している。
プラズマエッチング処理を行った後、トレイ４３をプラズマ処理装置から取り出し、図示しないホットプレートに載置した。ホットプレートに通電し、トレイ４３を徐々に１５０℃まで加熱したところ、発泡剥離性シートが発泡して粘着力を失い、基板４２をトレイ４３から容易に剥離することができた。
【００４２】
次に、基板４２をΦ50mm×0.2mmサファイア（Al2O3）とし、トレイ４３にNi被覆アルミナ板（Al2O3/Ni）を用いてプラズマエッチング処理を行った。処理条件は、ガス種をCl2/SiCl4 = 50/5(sccm)、ICP/バイアス=800/500(W)、処理時間10分、圧力0.6Paとした。その最高温度測定結果を図１２に示す。投入電力が小さい場合には、発泡剥離性シート４１を使用することによる温度低下は10℃に留まっているが、投入電力が大きくなると、その温度低下効果は顕著となり、約140℃も低下している。
プラズマエッチング処理を行った後は上記同様、トレイ４３をプラズマ処理装置から取り出し、図示しないホットプレートに載置してトレイ４３を徐々に１５０℃まで加熱した。これにより、発泡剥離性シートが発泡して粘着力を失い、基板４２をトレイ４３から容易に剥離することができた。
【実施例２】
【００４３】
上述の溝つきのトレイ１５Ａに発泡剥離性シートを介してサファイア基板を接着した時の、サファイア基板の剥がれ難さを確認する実験を行った。この実験では、(i)接着装置３０を用いて接着を行った試料Ａ、(ii)接着装置３０を用いることなく、トレイ１５Ａ上に発泡剥離性シートを介してサファイア基板を載置し、サファイア基板上から該基板の全面に手で圧力を加えて接着を行った試料Ｂ、(iii)同じく接着装置３０を用いることなく、トレイ１５Ａ上に発泡剥離性シートを介してサファイア基板を載置し、サファイア基板上のうちプラズマ処理がなされない周辺部にのみ手で圧力を加えて接着を行った試料Ｃ、を用いた。
【００４４】
これら３個の試料につき、サファイア基板をピンセットで挟んで持ち上げようとしたところ、試料Ｃはすぐにサファイア基板がトレイ１５Ａから剥がれた。また、試料Ｂは、試料Ｃよりは剥がれ難かったものの、やはりサファイア基板はトレイ１５Ａから剥がれた。それに対して試料Ａでは、試料Ｂのサファイア基板が剥がれた位置までサファイア基板を持ち上げても剥がれることはなかった。
【００４５】
なお、実際にプラズマ処理を行う場合には、基板の表面に形成されたレジストが不均一に力を加えられることにより破壊されるおそれがある等の理由により、試料Ｂのようにサファイア基板の全面に手で圧力を加えることはできない。そのため、手で力を加えて接着を行う限り、試料Ｃのように周辺部にしか圧力を加えることができず、試料Ｂよりも更に接着力が弱くなる。従って、接着装置３０を用いて確実に接着を行うことが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態で用いるカソードカップリング型プラズマCVD装置の概略構成図。
【図２】トレイ、発泡剥離性シートと基板の関係を示す断面図であり、(a)は接着状態、(b)は剥離状態を表す。
【図３】トレイの好適な一実施形態であるトレイ１５Ａを示す上面図(a)及びトレイ１５Ａに基板１４を接着する際に基板１４とトレイ１５Ａの間から気体を排出することができることを示す縦断面図(b)。
【図４】トレイと被処理材を接着するための装置の一実施形態を示す縦断面図。
【図５】接着装置３０のステージ３０Ａを示す上面図。
【図６】接着装置３０の蓋３０Ｂを示す下面図。
【図７】１個の与圧室３５の周囲を拡大して示した縦断面図。
【図８】温度上昇測定試験に用いたトレイと基板の斜視図。
【図９】温度上昇測定試験に用いたICPプラズマエッチング装置の概略構成図。
【図１０】温度上昇測定試験条件の表。
【図１１】温度上昇測定試験条件の結果の表。
【図１２】温度上昇測定試験条件の結果の表。
【符号の説明】
【００４７】
１０…プラズマCVD装置
１１…真空容器
１２…上部電極
１３…下部電極
１４、４２…被処理材（基板）
１５、１５Ａ、４３…トレイ
１６、４１…発泡剥離性シート
１７…加熱台
２１…溝
２２…トレイの端部
３０…接着装置
３０Ａ…載置台
３０Ｂ…蓋
３０Ｃ…クランプ
３１…空間
３１Ａ…載置台の中央部
３３…排出口
３４…排気室Ｏリング
３５…与圧室
３６…気体注入口
３７…シール材
４４…サーモラベル
４５…サーモラベル保護シート
【図１】
2007201404.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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