(57)【要約】 【課題】リフト・オフ法によって薄膜パターンを形成する際に製造される製品に障害を生じさせない薄膜パターン形成方法を提供する。【解決手段】基板Ｐ上に形成されたレジスト膜Ｒを、形成する薄膜パターンに対応する薄膜パターン用開口部Ｍ１ａと一辺の長さＬ１，Ｌ２がレジスト膜Ｒの膜厚の２分の１以下の大きさに設定されたダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂを有する露光マスクＭ１を介して露光させ、現像工程の後、基板Ｐおよびレジスト膜Ｒ上に、蒸着法またはスパッタリング法によって薄膜パターンの形成材料ｆによる薄膜Ｆ１，Ｆ２を形成し、この後に、レジスト膜Ｒをレジスト剥離液ｒによって溶解して基板Ｐ上から除去する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジスト膜を形成し、
このレジスト膜を、基板上に形成する薄膜パターンに対応する薄膜パターン形成部と一辺の長さまたは直径がレジスト膜の膜厚の２分の１以下の大きさに設定されたダミー・パターン形成部を有する露光マスクを介して露光させ、
この露光後のレジスト膜を現像し、
現像後の基板およびレジスト膜上に、蒸着法またはスパッタリング法によって薄膜パターンの形成材料による薄膜を形成し、
この後に、レジスト膜をレジスト剥離液によって溶解して基板上から除去する、  ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項２】
前記レジスト膜がポジタイプのレジスト膜であり、露光マスクの薄膜パターン形成部が、基板上に形成する薄膜パターンに対応する形状の薄膜パターン形成用開口部であり、ダミー・パターン形成部が、一辺の長さまたは直径がレジスト膜の膜厚の２分の１以下の大きさに設定されたダミー・パターン形成用開口部である請求項１に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記ダミー・パターン形成用開口部が矩形に形成されて、この矩形の開口部の縦横の一辺の長さが、それぞれ、レジスト膜の膜厚の２分の１以下に設定されている請求項２に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記ダミー・パターン形成用開口部が円形に形成されて、この円形の開口部の直径の大きさが、レジスト膜の膜厚の２分の１以下に設定されている請求項２に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項５】
前記レジスト膜がネガタイプのレジスト膜であり、露光マスクの薄膜パターン形成部が、基板上に形成する薄膜パターンに対応する形状の薄膜パターン形成用遮光部であり、ダミー・パターン形成部が、一辺の長さまたは直径がレジスト膜の膜厚の２分の１以下の大きさに設定されたダミー・パターン形成用遮光部である請求項１に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項６】
前記ダミー・パターン形成用遮光部が矩形に形成されて、この矩形の遮光部の縦横の一辺の長さが、それぞれ、レジスト膜の膜厚の２分の１以下に設定されている請求項５に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項７】
前記ダミー・パターン形成用遮光部が円形に形成されて、この円形の遮光部の直径の大きさが、レジスト膜の膜厚の２分の１以下に設定されている請求項５に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項８】
前記ダミー・パターン形成部が、露光マスクの複数箇所に設けられている請求項１に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項９】
前記露光マスクが、表示パネルに備えられる行電極を構成する透明電極を形成するための露光マスクであり、この露光マスクの薄膜パターン形成部が、表示パネルの基板上に形成される透明電極のパターンに対応した形状を有している請求項１に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項１０】
前記露光マスクが、表示パネルの基板に形成されるアライメント・マークのパターンに対応した薄膜パターン形成部を有している請求項９に記載の薄膜パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、リフト・オフ法によって薄膜パターンを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜パターン形成技術には、リフト・オフ法と呼ばれる技術がある。
【０００３】
このリフト・オフ法とは、基板上に形成されたレジスト膜に所要のパターンが形成された露光マスクを重ね合わせて、露光工程と現像工程を行うことにより、基板上に露光マスクのパターンに対応したレジスト・パターンを形成し、次に、真空蒸着装置等によって、基板上の現像工程によってレジスト膜が除去されているパターン形成部分に蒸着膜を形成し、この後、レジスト剥離液によってレジスト・パターンを除去することによって、基板上に蒸着膜による所要のパターンの薄膜を形成する技術である。
【０００４】
このリフト・オフ法においては、蒸着膜形成の際に、現像によってレジスト膜が除去されているパターン形成部分のみならず、レジスト膜が残留しているレジスト・パターン上にも蒸着膜が形成されることになる。
【０００５】
このため、レジスト剥離工程において、レジスト・パターンが比較的広く残る部分（すなわち、薄膜パターンを形成しない部分）等では、レジスト・パターンの表面に形成される蒸着膜によってレジスト剥離液がレジスト膜に浸透し難くなり、レジストの剥離を確実に行うことが出来なくなる虞がある。
【０００６】
従来、このリフト・オフ法においてレジスト・パターンを形成するレジスト膜の剥離を確実に行うことを目的とした薄膜パターン形成方法が提案されている。
【０００７】
この従来の薄膜パターン形成方法は、レジスト・パターンを形成するレジスト膜の剥離が困難な部位の近傍にダミー・パターン（現像によってレジスト膜が除去されることにより形成されるダミーの薄膜パターン）を形成して、レジスト剥離工程においてレジスト膜とレジスト剥離液との接触面積を大きくすることにより、レジスト膜の剥離が容易に行われるようにしたものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
しかしながら、この従来の薄膜パターン形成方法では、ダミー・パターンの形成によってこの部分に不要な薄膜パターンが形成されることになるので、このダミー・パターンが形成される部分にさらに他の薄膜パターンが形成される場合や、ダミー・パターンによって形成される薄膜パターンが正規の薄膜パターンの機能を損なうといった問題が発生してしまう。
【０００９】
例えば、図１は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）やフィールド・エミッション・ディスプレイ（ＦＥＤ）等の表示パネルのガラス基板Ｐ上に形成された薄膜パターンを示しており、行電極Ｘ，Ｙとアライメント・マークＡがそれぞれ薄膜パターンによって形成されている。
【００１０】
そして、この薄膜パターンのうち、行電極Ｘ，Ｙをそれぞれ構成する透明電極Ｘａ，Ｙａと基板Ｐの位置合わせのためのアライメント・マークＡが、パネルの非表示領域Ｅ２内にリフト・オフ法によって形成され、この透明電極Ｘａ，Ｙａとアライメント・マークＡの形成後、行電極Ｘ，Ｙをそれぞれ構成する金属製のバス電極Ｘｂ，Ｙｂが、フォトリソグラフィ法によって、表示領域Ｅ１からこの表示領域Ｅ１の外周を囲む非表示領域Ｅ２内に引き出された形態で形成される。
【００１１】
このような表示パネルにおいて、前述したリフト・オフ法によって透明電極Ｘａ，Ｙａとアライメント・マークＡを形成する場合には、レジスト・パターンの面積が大きいためにレジスト剥離工程においてレジスト膜が剥離し難い非表示領域Ｅ２に、ダミー・パターンが形成されることになる。
【００１２】
この場合、非表示領域Ｅ２内において、バス電極Ｘｂ，Ｙｂの引出エリアＥ２ａ内にダミー・パターンが形成されると、透明電極Ｘａ，Ｙａの形成後にこの引出エリアＥ２ａ内に形成されるバス電極Ｘｂ，Ｙｂが、透明電極Ｘａ，Ｙａと同じ導電材料によって形成されるダミー・パターンによって、互いにショートする虞が生じる。
【００１３】
また、アライメント・マークＡの周辺エリアＥ２ｂ内にダミーパターンを形成された場合には、このダミー・パターンがアライメントマークと誤認識される虞が生じる。
【００１４】
このため、上述した従来の薄膜パターン形成方法は、その使用に制約があり、特に、表示パネルの製造には不向きなものである。
【００１５】
【特許文献１】特開平５−３４９２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
この発明は、上記のような従来の薄膜パターン形成方法における問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
この発明による薄膜パターン形成方法は、上記目的を達成するために、基板上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を、基板上に形成する薄膜パターンに対応する薄膜パターン形成部と一辺の長さまたは直径がレジスト膜の膜厚の２分の１以下の大きさに設定されたダミー・パターン形成部を有する露光マスクを介して露光させ、この露光後のレジスト膜を現像し、現像後の基板およびレジスト膜上に、蒸着法またはスパッタリング法によって薄膜パターンの形成材料による薄膜を形成し、この後に、レジスト膜をレジスト剥離液によって溶解して基板上から除去することを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
この発明による薄膜パターン形成方法は、基板上に形成されたレジスト膜を、基板上に形成する薄膜パターンに対応する薄膜パターン形成部と一辺の長さまたは直径がレジスト膜の膜厚の２分の１以下の大きさに設定されたダミー・パターン形成部を有する露光マスクを介して露光させ、この露光後のレジスト膜を現像した後、現像後の基板およびレジスト膜上に、蒸着法またはスパッタリング法によって薄膜パターンの形成材料による薄膜を形成し、この後に、レジスト膜をレジスト剥離液によって溶解して基板上から除去する実施形態の薄膜パターン形成方法を、その最良の実施形態としている。
【００１９】
この実施形態による薄膜パターン形成方法によれば、基板上に形成されたレジスト膜は、露光マスクを介して露光されて、その後に現像されると、露光マスクの薄膜パターン形成部に対向するレジスト膜の部分が現像液によって完全に除去されて、基板が露出されることによりレジスト・パターンが形成されるが、ダミー・パターン形成部に対向する部分のレジスト膜には、このダミー・パターン形成部の面積が、その一辺の長さまたは直径がレジスト膜の膜厚の２分の１以下の大きさに設定されていることによって小さく、レジスト膜の底部まで十分に露光されていないために、底部まで完全に除去されず、上層部の一部のみが除去されて凹所が形成される。
【００２０】
この現像終了後、蒸着法またはスパッタリング法等により、基板上のレジスト膜が完全に除去されている部分に、薄膜パターンの形成材料の粒子によって薄膜が成膜される。
【００２１】
このとき、レジスト・パターンを形成しているレジスト膜上にも薄膜パターンの形成材料による薄膜が形成されるが、この薄膜は、所謂ステップ・カバレッジの影響によって、レジスト膜の凹所の内部には形成されない。
【００２２】
このため、次に剥離液によるレジスト膜の剥離が行われる際に、剥離液が凹所からレジスト膜内によく浸透することにより、レジスト膜が容易にかつ完全に基板上から除去される。
【００２３】
そして、このとき、レジスト膜上に形成されていた薄膜は、レジスト膜とともに除去されるので、ダミーの薄膜パターンは形成されない。
【００２４】
したがって、上記薄膜パターン形成方法を用いて薄膜パターンを形成すれば、レジスト・パターンの面積の大きい部分においても、レジスト膜が容易にかつ完全に除去されるようになるとともに、このレジスト・パターンの形成部分に正規の薄膜パターンの形成材料と同じ材料によるダミー・パターンが形成されることもないので、例えば、レジスト膜の除去後にレジスト・パターンの形成部分に他の薄膜パターンが形成されるような場合でも、従来のように製造製品にダミー・パターンによって障害が発生するといった虞は無くなる。
【００２５】
上記薄膜パターン形成方法において、露光マスクの薄膜パターン形成部を、基板上に形成する薄膜パターンに対応する形状の薄膜パターン形成用開口部とし、ダミー・パターン形成部を、一辺の長さまたは直径がレジスト膜の膜厚の２分の１以下の大きさに設定されたダミー・パターン形成用開口部とするのが好ましい。
【００２６】
これによって、露光マスクの薄膜パターン形成用開口部に対向する部分の基板上に薄膜パターンが形成され、ダミー・パターン形成用開口部に対向する部分のレジスト膜上に凹所が形成される。
【００２７】
さらに、上記薄膜パターン形成方法において、ダミー・パターン形成用開口部を矩形に形成して、この矩形の開口部の縦横の一辺の長さを、それぞれ、レジスト膜の膜厚の２分の１以下に設定するのが好ましい。
【００２８】
これによって、レジスト膜上に、このレジスト膜の底部に到達しない矩形の凹所が形成される。
【００２９】
また、上記薄膜パターン形成方法において、ダミー・パターン形成用開口部を円形に形成して、この円形の開口部の直径の大きさをレジスト膜の膜厚の２分の１以下に設定するのが好ましい。
【００３０】
これによって、レジスト膜上に、このレジスト膜の底部に到達しない円形の凹所が形成される。
【００３１】
また、上記薄膜パターン形成方法において、ダミー・パターン形成部が露光マスクの複数箇所に設けられることによって、レジスト膜上の凹所が複数個形成されて、レジスト膜の剥離がさらに容易になる。
【００３２】
上記薄膜パターン形成方法は、露光マスクが、表示パネルに備えられる行電極を構成する透明電極を形成するための露光マスクであり、この露光マスクの薄膜パターン形成部が、表示パネルの基板上に形成される透明電極のパターンに対応した形状を有していることが好ましい。
【００３３】
すなわち、この薄膜パターン形成方法は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）やフィールド・エミッション・ディスプレイ（ＦＥＤ）等の表示パネルの製造において、パネル基板上に薄膜による構造物を成形する場合に好適であり、この薄膜パターン形成方法によって表示パネルの薄膜による構造物を形成した場合には、表示パネルのガラス基板上の非表示領域内に従来のようなダミー・パターンが形成されないため、この透明電極の形成工程の終了後、バス電極を非表示領域内に形成しても、バス電極の引出エリア内において従来のようにショートを起こしたりする虞が無くなる。
【００３４】
上記薄膜パターン形成方法において、露光マスクが、表示パネルの基板に形成されるアライメント・マークのパターンに対応した薄膜パターン形成部を有している場合には、アライメント・マークの周辺エリア内にもダミーパターンが形成されないため、アライメントマークの誤認識が発生する虞が無くなる。
【実施例】
【００３５】
以下、この発明による薄膜パターン形成方法の実施形態における一実施例について、図面を参照しながら説明を行う。
【００３６】
図２は、この実施例における薄膜パターン形成方法の各工程を順に示した工程説明図である。
【００３７】
この薄膜パターン形成方法は、先ず、基板Ｐ上にレジスト膜Ｒが形成される（図２（ａ））。
【００３８】
なお、このレジスト膜Ｒは、ポジタイプとネガタイプのどちらでも用いることが出来るが、この実施例においては、ポジタイプを用いることとする。
【００３９】
次に、この基板Ｐ上に形成されたレジスト膜Ｒに対して、露光マスクＭ１（Ｍ２）を介して露光工程が行われる。
【００４０】
図３および４は、それぞれ、この露光工程において使用される露光マスクの例を示す平面図である。
【００４１】
図３の露光マスクＭ１は、その中央部分に、複数の薄膜パターン用開口部Ｍ１ａが形成され、両端部分に、それぞれ、複数の矩形のダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂが形成されている。
【００４２】
この露光マスクＭ１のダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂは、その縦横の辺Ｌ１またはＬ２が、それぞれ、レジスト膜Ｒの膜厚Ｔの２分の１以下の大きさになるように形成されている。
【００４３】
また、図４の露光マスクＭ２は、その中央部分に、複数の薄膜パターン用開口部Ｍ２ａが形成され、両端部分に、それぞれ、複数の円形のダミー・パターン用開口部Ｍ２ｂが形成されている。
【００４４】
この露光マスクＭ２のダミー・パターン用開口部Ｍ２ｂは、その径Ｄが、レジスト膜Ｒの膜厚Ｔの２分の１以下の大きさになるように形成されている。
【００４５】
図２（ｂ）の露光工程の終了後、現像工程において、ポジタイプのレジスト膜Ｒの薄膜パターン用開口部Ｍ１ａまたはＭ２ａ，ダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂまたはＭ２ｂに対向する露光部分が除去される（図２（ｃ））。
【００４６】
この時、レジスト膜Ｒの薄膜パターン用開口部Ｍ１ａまたはＭ２ａに対向する露光部分は、底部まで完全に除去されてレジスト・パターンが形成されるが、ダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂまたはＭ２ｂに対向する露光部分は、底部まで完全に除去されず、上層部の一部のみが除去されて、凹所Ｒａが形成される。
【００４７】
これは、前述したように、露光マスクＭ１のダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂの縦横の辺Ｌ１またはＬ２（図３参照）が、レジスト膜Ｒの膜厚Ｔの２分の１以下の大きさになっているおり、また、露光マスクＭ２のダミー・パターン用開口部Ｍ２ｂの径Ｄ（図４参照）が、レジスト膜Ｒの膜厚Ｔの２分の１以下の大きさになっていることによって、ダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂ，Ｍ２ｂの開口面積が小さく、レジスト膜Ｒの底まで露光されるのに十分な露光量が得られないので、現像工程においてレジスト膜Ｒの底部部分が除去されないからである。
【００４８】
このダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂの縦横の辺Ｌ１またはＬ２，および、ダミー・パターン用開口部Ｍ２ｂの径Ｄの大きさの上限値をレジスト膜Ｒの膜厚Ｔの２分の１としたのは、ダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂ，Ｍ２ｂの大きさを変えながら実験を行った結果によって得られたもので、現像工程においてレジスト膜Ｒの底部部分が残留する限度の値として求められたものである。
【００４９】
このダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂ，Ｍ２ｂの大きさの下限値は、僅かでもダミー・パターン用開口部が開口していれば、レジスト膜Ｒの上層部の露光が行われて現像工程によって凹所Ｒａが形成されるので、特に設定されないが、露光工程において照射される光の波長以上の大きさに設定するのが好ましい。
【００５０】
この現像工程の後、成膜工程が行われて、蒸着法またはスパッタリング法等により、基板Ｐ上のレジスト膜Ｒが完全に除去されている部分に、薄膜パターンの形成材料の粒子ｆによって薄膜Ｆ１が成膜され、さらに、このとき、レジスト・パターンを形成しているレジスト膜Ｒ上にも薄膜パターンの形成材料ｆによる薄膜Ｆ２が形成される（図２（ｄ））。
【００５１】
このレジスト膜Ｒ上に形成される薄膜Ｆ２は、所謂ステップ・カバレッジの影響によって、露光マスクＭ１，Ｍ２の薄膜パターン用開口部Ｍ１ａ，Ｍ２ａに対して開口部の面積が小さいレジスト膜Ｒの凹所Ｒａの内部には形成されない。
【００５２】
すなわち、一般に、スパッタリング法や蒸着法においては、材料源から放出される薄膜形成材料の粒子は、磁場の影響等によって、薄膜形成面に対して垂直方向には進まず、傾斜した方向や、その進行方向を四方八方に変化させながら進む。
【００５３】
このため、図２（ｄ）においてレジスト膜Ｒ上に薄膜Ｆ２が形成される際に、図５に示されるように、材料源から放出される薄膜形成材料の粒子ｆが、凹所Ｒａの開口部の面積が小さいために、この開口部の周辺部のレジスト膜Ｒの上面や凹所Ｒａの側壁面にぶつかって凹所Ｒａの底部部分までは到達せず、そして、この凹所Ｒａの開口部付近に薄膜Ｆ２が成膜されてゆくほど凹所Ｒａの開口部が狭くなってゆくことによって、益々、薄膜形成材料の粒子ｆが凹所Ｒａの底部に到達しなくなる。
【００５４】
この現象が、ステップ・カバレッジと呼ばれている。
【００５５】
この図２（ｄ）の成膜工程の終了後、レジスト剥離工程が行われ、レジスト剥離液ｒによってレジスト膜Ｒが溶解されて、基板Ｐ上から除去される（図２（ｅ））。
【００５６】
このとき、レジスト剥離液ｒは、液体であるために、開口部の面積が小さいレジスト膜Ｒの凹所Ｒａ内にも進入してレジスト膜Ｒに浸透してゆく。
【００５７】
このため、レジスト膜Ｒが形成しているレジスト・パターンの面積が広い部分でも、凹所Ｒａから薄膜Ｆ２によって被覆されている状態のレジスト膜Ｒの全体にレジスト剥離液ｒが容易に浸透してゆくので、レジスト膜Ｒの剥離が容易に行われるようになる。
【００５８】
そして、このとき、正規の薄膜パターンを形成する薄膜Ｆ１以外の薄膜Ｆ２は、レジスト膜Ｒとともに除去されるので、基板Ｐ上には、薄膜Ｆ１のみが残ることになる。
【００５９】
以上のようにして、基板Ｐ上に、薄膜Ｆ１による所要の薄膜パターンが形成される（図２（ｆ））。
【００６０】
この薄膜パターン形成方法によって基板上に薄膜パターンを形成すれば、基板上には正規の薄膜パターンのみが形成されて、従来のように、基板上にダミー・パターンが形成されることはない。
【００６１】
したがって、上記薄膜パターン形成方法によれば、レジスト・パターンの面積の大きい部分においても、レジスト膜Ｒの除去が容易に行われるようになるとともに、このレジスト・パターンの形成部分に正規の薄膜パターンの形成材料と同じ材料によるダミー・パターンが形成されることもないので、例えば、レジスト膜Ｒの除去後にこのレジスト・パターンの形成部分に他の薄膜パターンが形成されるような場合でも、従来のように製造製品にダミー・パターンによって障害が発生するといった虞は無くなる。
【００６２】
この薄膜パターン形成方法は、特に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）やフィールド・エミッション・ディスプレイ（ＦＥＤ）等の表示パネルの製造において、パネル基板上に薄膜による構造物を成形する場合に好適である。
【００６３】
すなわち、図１において説明したように、ＰＤＰやＦＥＤ等の表示パネルのガラス基板上に、行電極Ｘ，Ｙとアライメント・マークＡを形成する際に、行電極Ｘ，Ｙを構成する透明電極Ｘａ，Ｙａとアライメント・マークＡ（正規の薄膜パターン）を上記の薄膜パターン形成方法によって形成するようにすれば、ガラス基板Ｐ上の非表示領域Ｅ２内に従来のようなダミー・パターンが形成されないため、この透明電極Ｘａ，Ｙａとアライメント・マークＡの形成工程の終了後、金属製のバス電極Ｘｂ，Ｙｂの引出部を非表示領域Ｅ２内に形成しても、バス電極Ｘｂ，Ｙｂの引出エリアＥ２ａ内において従来のようにショートを起こしたりする虞が無くなり、さらに、アライメント・マークＡの周辺エリアＥ２ｂ内にもダミーパターンが形成されないため、アライメントマークＡの誤認識が発生する虞も無くなる。
【００６４】
なお、上記の例においては、レジスト膜Ｒとしてポジタイプのレジストが用いられた例が示されているが、ネガタイプのレジストを用いてもよい。
【００６５】
このネガタイプのレジストを用いた場合には、露光マスクの開口部（光透過部）と遮光部とが逆の配置になるが、他の部分は上記の場合と同様の工程で薄膜パターンの形成が行われる。
【００６６】
すなわち、ネガタイプのレジストの場合、レジスト膜の露光マスクの遮光部に対向する部分が露光後も硬化されずに現像によって除去されることになるが、露光工程において、露光マスクの開口部に照射された光は、この露光マスクの遮光部の縁部において回折して、一部がレジスト膜の露光マスクの遮光部に対向している部分に入り込むため、このレジスト膜の露光マスクの遮光部に対向する部分の一部が硬化する。
【００６７】
このとき、露光マスクの遮光部の一辺の長さまたは直径が大きい場合には、レジスト膜の露光マスクの遮光部に対向する部分全体の体積に対して、上記のような回折光によって硬化する部分の体積の割合は非常に小さいため、現像工程において、レジスト膜の露光マスクの遮光部分に対向する部分は底部まで除去されてしまうことになるが、露光マスクの遮光部の一辺の長さまたは直径がレジスト膜の膜厚の２分の１以下の大きさに設定されることによって、回折光によって硬化する部分の体積の割合が大きくなる。
【００６８】
これによって、現像工程において、レジスト膜の硬化しなかった部分が除去される場合に、レジスト膜の露光マスクの遮光部分に対向する部分が底部まで除去されずに、図２と同様のダミー・パターンが形成されるようになる。
【００６９】
この露光マスクの遮光部の一辺の長さまたは直径をレジスト膜の膜厚の２分の１以下としたのは、この遮光部の大きさを変えながら実験を行った結果によって得られたもので、現像工程においてレジスト膜の底部部分が残留する限度の値として求められたものである。
【００７０】
上記実施例の薄膜パターン形成方法は、基板上に形成されたレジスト膜を、基板上に形成する薄膜パターンに対応する薄膜パターン形成部と一辺の長さまたは直径がレジスト膜の膜厚の２分の１以下の大きさに設定されたダミー・パターン形成部を有する露光マスクを介して露光させ、この露光後のレジスト膜を現像した後、現像後の基板およびレジスト膜上に、蒸着法またはスパッタリング法によって薄膜パターンの形成材料による薄膜を形成し、この後に、レジスト膜をレジスト剥離液によって溶解して基板上から除去する実施形態の薄膜パターン形成方法を、その上位概念の実施形態としている。
【００７１】
この上位概念を構成する実施形態による薄膜パターン形成方法によれば、基板上に形成されたレジスト膜は、露光マスクを介して露光されて、その後に現像されると、露光マスクの薄膜パターン形成部に対向するレジスト膜の部分が現像液によって完全に除去されて、基板が露出されることによりレジスト・パターンが形成されるが、ダミー・パターン形成部に対向する部分のレジスト膜には、このダミー・パターン形成部の面積が、その一辺の長さまたは直径がレジスト膜の膜厚の２分の１以下の大きさに設定されていて小さく、レジスト膜の底部まで十分に露光されていないために、底部まで完全に除去されず、上層部の一部のみが除去されて凹所が形成される。
【００７２】
この現像終了後、蒸着法またはスパッタリング法等により、基板上のレジスト膜が完全に除去されている部分に、薄膜パターンの形成材料の粒子によって薄膜が成膜される。
【００７３】
このとき、レジスト・パターンを形成しているレジスト膜上にも薄膜パターンの形成材料による薄膜が形成されるが、この薄膜は、所謂ステップ・カバレッジの影響によって、レジスト膜上に形成されている凹所の内部には形成されない。
【００７４】
このため、次に剥離液によるレジスト膜の剥離が行われる際に、剥離液が凹所からレジスト膜内によく浸透することにより、レジスト膜が容易にかつ完全に基板上から除去される。
【００７５】
そして、このとき、レジスト膜上に形成されていた薄膜は、レジスト膜とともに除去されるので、ダミーの薄膜パターンは形成されない。
【００７６】
したがって、上記薄膜パターン形成方法を用いて薄膜パターンを形成すれば、レジスト・パターンの面積の大きい部分においても、レジスト膜が容易にかつ完全に除去されるようになるとともに、このレジスト・パターンの形成部分に正規の薄膜パターンの形成材料と同じ材料によってダミー・パターンが形成されることもないので、例えば、レジスト膜の除去後にこのレジスト・パターンの形成部分に他の薄膜パターンが形成されるような場合でも、従来のように製造される製品にダミー・パターンによって障害が発生するといった虞は無くなる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】従来例の問題点を示す説明図である。
【図２】この発明の実施例における工程説明図であり、（ａ）はレジスト膜の形成工程，（ｂ）は露光工程，（ｃ）は現像工程，（ｄ）は成膜工程，（ｅ）はレジスト膜剥離工程，（ｅ）は薄膜パターン形成状態をそれぞれ示している。
【図３】同実施例に使用される露光マスクの一例を示す平面図である。
【図４】同実施例に使用される露光マスクの他の例を示す平面図である。
【図５】スパッタリング法および蒸着法におけるステップ・カバレッジの影響を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００７８】
Ａ            …アライメント・マーク
Ｆ１，Ｆ２    …薄膜
Ｍ１，Ｍ２    …露光マスク
Ｍ１ａ，Ｍ２ａ…薄膜パターン用開口部（薄膜パターン形成部）
Ｍ１ｂ，Ｍ２ｂ…ダミー・パターン用開口部（ダミー・パターン形成部）
Ｐ            …基板
Ｒ            …レジスト膜
Ｒａ          …凹所
Ｔ            …膜厚
ｆ            …薄膜パターンの形成材料
ｒ            …レジスト剥離液
Ｘ，Ｙ        …行電極
Ｘａ，Ｙａ    …透明電極
Ｘｂ，Ｙｂ    …バス電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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