(57)【要約】【課題】  欠陥検査の信頼性を向上させることと、検査結果のデータ量を低減させることができる欠陥抽出装置及び欠陥抽出方法を提供すること。【解決手段】  半導体ウエハＷに光を照射する照明部１２と、照明部１２によって照射された半導体ウエハＷの表面を撮像する撮像部１３と、撮像部１３によって撮像された被検査画像と基準画像とを比較して、欠陥を抽出する欠陥抽出部３３と、欠陥抽出部３３による抽出結果を基に、前工程で欠陥領域と判定された検査領域を非検査領域に設定し、この非検査領域を除いた他の検査領域に対して良否判定する良否判定部３４とを有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査対象物に光を照射する照明部と、
前記照明部によって照射された前記被検査対象物の表面を撮像する撮像部と、
前記撮像部によって撮像された被検査画像と予め設定された基準画像とを比較して、欠陥を抽出する欠陥抽出部と、
該欠陥抽出部による抽出結果を基に、前工程で欠陥領域と判定された検査領域を非検査領域に設定し、この非検査領域を除いた他の検査領域に対して良否判定する良否判定部とを有することを特徴とする欠陥抽出装置。
【請求項２】
被検査対象物に光を照射する照明部と、
前記照明部によって照射された前記被検査対象物の表面を撮像する撮像部と、
前記撮像部によって撮像された被検査画像と予め設定された基準画像とを比較して、欠陥を抽出する欠陥抽出部と、
前記被検査対象物の設計情報を入力する入力部と、
前記被検査対象物の前工程での良否判定結果を記録するデータ保存部と、
前記データ保存部から前工程での良否判定結果を読み出し、この前工程の良否判定結果で良好と判定された検査領域のみ良否判定する良否判定部とを備えることを特徴とする欠陥抽出装置。
【請求項３】
前記良否判定に応じて検査領域を異なる色で表示する表示部を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の欠陥抽出装置。
【請求項４】
被検査対象物に光を照射し、照射された領域を撮像する撮像工程と、
前記撮像工程で撮像された被検査画像と予め設定してある基準画像とを比較して、欠陥位置を抽出する欠陥抽出工程と、
前記欠陥抽出工程による抽出結果を基に、前工程で欠陥領域と判定された検査領域を除いた他の検査領域に対して良否判定する検出結果出力工程とを備えることを特徴とする欠陥抽出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハなどの被検査試料の表面に形成された欠陥を抽出する欠陥抽出装置及び欠陥抽出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ上にチップを製造する製造工程では、例えば膜付け工程や、エッチング工程などの各製造工程ごとに半導体ウエハ上の欠陥をマクロ検査により抽出する欠陥抽出装置が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
この欠陥抽出装置は、半導体ウエハの表面に光を照射し、照射部位を撮像することによって、半導体ウエハの表面の被検査画像を取り込む。そして、取り込んだ被検査画像の輝度などの特徴量と、予め設定してある欠陥のない基準画像の特徴量とを画素単位でそれぞれ比較して、半導体ウエハ上にある傷、異物、むら、汚れなどの欠陥が形成された欠陥位置をマクロ的に抽出するものである。なお、欠陥検査装置による検査結果は、記録装置に保存される。
このような欠陥検査装置では、前工程で抽出された下地欠陥が擬似欠陥として再度検出されてしまう問題が生ずる。この問題を解決するために特許文献１では、輝度に差のある下地部分の範囲が広いことに着目し、予め設定された欠陥判別閾値に対して定められた画素エリア（例えば、１６×１６画素）の差画像平均値を加算し、新たな欠陥判別閾値とすることにより、擬似欠陥の発生を防止している。
【特許文献１】特開２００１−６８５１７号公報  （第１図）
【特許文献２】特開２００３−２４３２９０号公報  （第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の欠陥抽出装置では、被検査画像の各画素において欠陥の有無を判定した欠陥抽出画像を記録装置に保存しているため、欠陥抽出画像のデータ量が多くなり、保存された欠陥抽出画像を用いた処理に時間がかかるという問題があった。
また、上記の特許文献１の検査装置では、下地の膜厚の違いによる擬似欠陥を検出しないようにしているため、前工程で抽出された下地欠陥が表面欠陥として再度抽出され、この下地欠陥が表面欠陥として判定されてしまう問題が生ずる。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、欠陥検査の信頼性を向上させることと、検査結果のデータ量を低減させることができる欠陥抽出装置及び欠陥抽出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するため以下の手段を採用する。
本発明にかかる欠陥抽出装置は、被検査対象物に光を照射する照明部と、前記照明部によって照射された前記被検査対象物の表面を撮像する撮像部と、前記撮像部によって撮像された被検査画像と予め設定された基準画像とを比較して、欠陥を抽出する欠陥抽出部と、該欠陥抽出部による抽出結果を基に、前工程で欠陥領域と判定された検査領域を非検査領域に設定し、この非検査領域を除いた他の検査領域に対して良否判定する良否判定部とを有することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明にかかる欠陥抽出装置は、被検査対象物に光を照射する照明部と、前記照明部によって照射された前記被検査対象物の表面を撮像する撮像部と、前記撮像部によって撮像された被検査画像と予め設定された基準画像とを比較して、欠陥を抽出する欠陥抽出部と、前記被検査対象物の設計情報を入力する入力部と、前記被検査対象物の前工程での良否判定結果を記録するデータ保存部と、前記データ保存部から前工程での良否判定結果を読み出し、この前工程の良否判定結果で良好と判定された検査領域のみ良否判定する良否判定部とを備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかる欠陥抽出装置は、前記良否判定に応じて検査領域を異なる色で表示する表示部を備えていることが好ましい。
【０００９】
また、本発明にかかる欠陥抽出方法は、被検査対象物に光を照射し、照射された領域を撮像する撮像工程と、前記撮像工程で撮像された被検査画像と予め設定してある基準画像とを比較して、欠陥位置を抽出する欠陥抽出工程と、前記欠陥抽出工程による抽出結果を基に、前工程で欠陥領域と判定された検査領域を除いた他の検査領域に対して良否判定する検出結果出力工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の良否判定部によれば、欠陥抽出部による抽出結果を基に被検査画像の複数画素で構成される検査領域ごとで良否判定結果に変換するので、被検査画像の画素単位で欠陥位置を抽出して被検査画像に欠陥位置を付与した画像データとすることに比べて検査結果のデータ量を少なくすることができる。
【００１１】
また、被検査対象物に対して良否判定をするときに、前回の良否判定結果で良好と判定された検査領域のみに良否判定を行うことで、より効率よく欠陥抽出が行え、かつ下地欠陥による擬似欠陥の検出を防止し、被検査対象物表面の欠陥検査の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に、本発明の一実施形態にについて、図１を参照して説明する。
本実施形態にかかる欠陥抽出装置１は、半導体ウエハ上に形成された各チップ内の欠陥をマクロ的に検出するマクロ検査装置である。
この欠陥抽出装置１は、検査対象物の一つである半導体ウエハＷを検査する検査部２と、半導体ウエハＷの搬送及び位置決めを行う搬送部３と、欠陥抽出装置１全体の制御を行う装置制御部４と、装置制御部４を操作する操作部（入力部）５と、検査結果を表示する表示部６と、欠陥抽出結果を保存するデータ保存部７とを備えている。
【００１３】
検査部２は、半導体ウエハＷを保持する試料保持部１１と、照明部１２と、撮像部１３とを備えている。
試料保持部１１は、半導体ウエハＷを上面に載置した状態において、半導体ウエハＷの裏面全体を小さな突起部により平坦に支持して真空吸着により保持するように構成されている。これにより、半導体ウエハＷは、この試料保持部１１に対して移動不可能に固定されることになる。また、この試料保持部１１は、半導体ウエハＷの表面に沿う軸線方向（図１に示すＡ−Ｂ方向）に等速で移動可能に構成されている。
【００１４】
照明部１２は、試料保持部１１に載置された半導体ウエハＷの表面に照明光を入射角θ１で入射するものであり、半導体ウエハＷの全面を平行光束で均一に照明するスポット照明光源または半導体ウエハＷの表面を細い線状に照射するライン照明光源で構成されている。また、この照明部１２は、半導体ウエハＷの表面への照射位置を変えずに半導体ウエハＷに対する光の入射角度を変更できるように可動可能に構成されている。
撮像部１３は、半導体ウエハＷの表面の照射位置から反射角θ２で反射した反射光を受光して画像に変換するものであり、ラインセンサカメラまたはエリアセンサカメラによって構成されている。なお、この撮像部１３は、その光軸ｃの角度を変更できるように回動可能に構成されている。本実施形態では、照明部１２をライン照明光源で構成し、撮像部１３をラインセンサカメラで構成している。
【００１５】
この撮像部１３では、照明部１２による光の入射角θ１に対する撮像部１３の光軸角度（反射角θ２）を適宜調整することにより、半導体ウエハＷの表面において反射した回折光を取り込んで回折画像を被検査画像として得ることができるような構成となっている。また、撮像部１３が干渉フィルタを備えている場合には、撮像部１３において光の干渉を利用した干渉画像を被検査画像として得ることができるような構成となっている。なお、半導体ウエハＷ上の欠陥抽出にはこの回折画像や干渉画像を用いて行われる。
【００１６】
搬送部３は、半導体ウエハＷを搬入出する試料搬入出部２１と、試料移送部２２と、試料位置決め部２３とを備えている。
試料搬入出部２１は、欠陥抽出装置１の外部から内部への半導体ウエハＷの搬入及び欠陥抽出装置１の外部への半導体ウエハＷの搬出を行うものである。
試料移送部２２は、半導体ウエハＷを吸着して保持し、試料搬入出部２１、試料位置決め部２３及び検査部３との間での半導体ウエハＷの移送を行うように構成されている。なお、半導体ウエハＷのエッジ部分を保持することで移送を行うような構成であってもよい。
試料位置決め部２３は、半導体ウエハＷに形成されたノッチまたはオリエンテーションフラット（以下、オリフラと省略する。）などを検出して半導体ウエハＷの回転位置及び中心位置の両方もしくは一方の位置決めを行うものである。
【００１７】
装置制御部４は、検査部２及び搬送部３の駆動制御を行う駆動制御部３１と、画像補正部３２と、欠陥抽出部３３と、良否判定部３４とを備えている。
駆動制御部３１は、照明部１２による光の照射の切り替え制御、照射する光の入射角θ１及び強度などの制御や、撮像部１３による光軸角度θ２の調整や、搬送部３による半導体ウエハＷの搬送を駆動するものである。
画像補正部３２は、撮像部１３によって撮像された被検査画像に対して、シェーディング補正などの輝度補正、歪み補正、及び倍率補正を行うものである。
【００１８】
欠陥抽出部３３は、画像補正部３２で補正された被検査画像と予め登録された欠陥のない基準画像とを比較して半導体ウエハＷの表面に形成された欠陥を抽出するものである。
また、欠陥抽出部３３は、操作部５によって入力された検査条件（レシピ）によって半導体ウエハＷに行われた製造工程を判別し、保存された複数の基準画像から半導体ウエハＷに行われた製造工程に対応した基準画像を用いて、撮像部１３により撮像された画像と比較するように構成されている。
【００１９】
良否判定部３４は、欠陥抽出部３３によって抽出されたデータ画像の例えば、チップ領域のような複数画素で構成された一定領域ごとの良否判定結果に変換するものである。この良否判定結果は、例えば、欠陥が検出されなかったチップ領域である良好領域を「１」、欠陥が検出されたチップ領域である欠陥領域を「３」、前工程で欠陥が抽出された下地欠陥チップ領域である非検査領域を「５」として出力するように構成されている。
また、この良否判定部３４は、操作部５によるレシピ作成で下地欠陥チップを検査しないと設定された場合に、検査開始時にデータ保存部７から前工程の良否判定結果（検査結果データ）を読み出し、この良否判定結果に基づいて前工程で欠陥が抽出され不良と判定された下地欠陥チップ領域に対応するチップ領域（位置）を非検査領域に設定し、欠陥抽出部３３で抽出された欠陥データから非検査領域を除いた他の領域に対して良否判定を行うように構成されている。なお、非検査領域は、カセット内から半導体ウエハＷを取り出すスロット検査時に設定され、欠陥抽出部３３で非検査領域に設定されたチップ内の欠陥を抽出しないようにすることもできる。
【００２０】
操作部５は、キーボード、マウス、トラックボール及びタッチパネルモニタなどの入力手段であり、これらのうち少なくとも１つから構成されている。また、操作部５は、下地欠陥チップの非検査機能などのレシピ設定や、欠陥抽出部３３に対して半導体ウエハＷのロットＩＤ、半導体ウエハＷに施された製造工程名などを入力することができるように構成されている。
【００２１】
表示部６は、良否判定部３４によって変換された良否判定結果である良好領域、欠陥領域及び非検査領域それぞれに対応した色付けが行われた画像を表示するものである。なお、この良否判定結果の画像のほかに、欠陥面積、欠陥数、欠陥名称、品種名、半導体チップ製造工程名、ロットＩＤ、ウエハＩＤ、スロット番号などが表示される構成としてもよい。
データ保存部７は、良否判定結果や操作部５で入力された半導体ウエハＷの設計情報などを保存する記録装置である。
【００２２】
次に、本発明にかかる欠陥抽出方法を図２から図５を用いて説明する。
この欠陥抽出方法は、図３に示すように、半導体ウエハＷ上に形成される半導体チップの製造工程における各半導体チップ製造工程の間において適用される。この半導体ウエハＷの半導体チップ製造工程は、例えば、第１から第３半導体チップ製造工程（図３に示すステップＳ１１〜Ｓ１３。）を有しており、各半導体チップ製造工程の後に欠陥抽出方法によって半導体ウエハＷの欠陥抽出を行う。
【００２３】
なお、以下において、第１半導体チップ製造工程が行われた半導体ウエハＷの欠陥抽出方法について説明する。
先ず、試料搬入工程を行う（図２に示すステップＳ１）。
これは、まず、半導体ウエハＷを試料搬入出部２１に搬入する。ここで、操作部５からの検査開始信号により、半導体ウエハＷが試料移送部２２により試料位置決め部２３に搬送される。そして、半導体ウエハＷのノッチやオリフラまたは中心ブレ量など検出して半導体ウエハＷを所定位置に位置決めする。試料位置決め部２３で位置決めされた半導体ウエハＷは、試料移送部２２により検査部２の試料保持部１１に搬送される。
【００２４】
次に、入力工程を行う（図２に示すステップＳ２）。
これは、検察部２に搬送された半導体ウエハＷに対する検査条件を操作部５より入力する。この検査条件は、例えば、半導体ウエハＷに対して施された製造工程の前の工程名や、半導体ウエハＷのロットＩＤを入力することで設定される。ここで設定される検査条件としては、後述する撮像工程における照射部１２の照射条件や、撮像部１３による撮像条件、後述する検査結果出力工程において欠陥の有無が判定される領域などがある。
【００２５】
次に、撮像工程を行う（図２に示すステップＳ３）。
これは、まず照明部１２が、試料保持部１１に載置された半導体ウエハＷの表面に細い直線状の光を入射角θ１で照射する。そして、撮像部１３が、半導体ウエハＷの表面の照射位置から反射角θ２で反射した反射光を受光して画像に変換する。
このとき、半導体ウエハＷが載置された試料保持部１１は、撮像部１３の取り込み周期を基に設定された所定の速度で半導体ウエハＷの表面に沿う軸線方向（図１に示すＡ−Ｂ方向）に移動する。照明部１２が、半導体ウエハＷの表面をＡ−Ｂ方向に走査することにより半導体ウエハＷ表面全体の画像である被検査画像が得られる。
このようにして撮像された被検査画像は、画像補正部３２に送られる。
【００２６】
なお、この照明部１２による光の強度や半導体ウエハＷに対する入射角θ１などは、操作部５から入力された検査条件を基に駆動制御部３１が制御する。また、この撮像部１３が受光する光軸の反射角θ２は、照明部１２と同様に駆動制御部３１によって制御される。
【００２７】
次に、欠陥抽出工程を行う（図２示すステップＳ４）。
これは、まず、画像補正部３２が、検査部２で得られた被検査画像に対して、シェーディング補正などの輝度補正や、撮像部１３の構成要素であるレンズの個体差や、光学系の調整の誤差などによる画像歪みや、画像倍率の誤差を画像処理により補正する。この補正された被検査画像は、欠陥抽出部３３に送られる。
【００２８】
次に、欠陥抽出部３３が、操作部５により入力された検査条件に基づいて、第１半導体チップ製造工程が行われる半導体ウエハＷに対応する基準画像を読み込み、この基準画像と、被検査画像とを比較する。この比較は、基準画像及び被検査画像の画素単位で行われ、基準画像における輝度などの特徴量と被検査画像における特徴量との差が、設定した所定の閾値よりも大きい場合に比較箇所を欠陥として抽出する。このようにして抽出された欠陥抽出結果は、良否判定部３４に送られる。
【００２９】
次に、検査結果出力工程を行う（図２示すステップＳ５）。
これは、良否判定部３４が、図４（ａ）に示すようなチップ領域に対して欠陥抽出部３３によって抽出された欠陥抽出結果を基に、１つのチップ領域ごとの良否判定結果に変換する。なお、図４（ａ）において、チップが形成されていない領域を「０」、チップが形成されている領域を「１」としている。
そして、図４（ｂ）に示すように、欠陥が判定されなかった良好領域を「１」、欠陥が判定された欠陥領域を「３」として出力する。なお、チップが形成されないで欠陥の判定が行われなかった未検査領域は、「０」として変換する。
【００３０】
そして、図５（ａ）に示すように、表示部６は、良否判定部３４が出力した良否判定結果を基に、良好領域Ｗ１及び欠陥領域Ｗ２で異なる色を表示する。また、データ保存部７は、半導体ウエハＷのロットＩＤ、半導体ウエハＷに施された半導体チップ製造工程名、良否判定結果を保存する。
【００３１】
最後に、試料搬出工程を行う（図２に示すステップＳ６）。
これは、上述した試料搬入工程と同様に、検査部２に搬入された半導体ウエハＷを試料搬入出部２１に搬送して欠陥抽出装置１から取り出す。
【００３２】
以上のようにして、半導体ウエハＷの半導体ウエハ検査を行う。
この後、良否判定部３４が変換した良否判定結果を基に、欠陥領域と判定された領域については、例えば、顕微鏡などの他のミクロ検査が行える他の検査装置を用いて欠陥領域の確認を行う。
【００３３】
次に、第２半導体チップ製造工程が行われた半導体ウエハＷの欠陥抽出方法について説明する。なお、以下の説明において、上述した第１半導体チップ製造工程が行われた半導体ウエハＷの欠陥抽出方法と同一である点は、その説明を省略する。
この半導体ウエハＷに対する欠陥抽出方法は、入力工程（図２に示すステップＳ２）において、半導体ウエハＷのロットＩＤ及び第２半導体チップ製造工程の前工程（第１工程）の工程名である第１半導体チップ製造工程を入力する。
このようにすることで、データ保存部７に保存された前工程での半導体ウエハＷの検査結果を読み込み、検査結果で欠陥領域と判定された領域に対して現工程（第２工程）で検査を行わない非検査領域を設定するマスクデータが作成される。このマスクデータは、図４（ｃ）に示すように、図４（ｂ）の第１工程で欠陥が検出されなかった良好と判定されたチップ領域のみに対して検査を行うように形成される。なお、この図で、「０」は第２工程で検査を行う検査領域、「１」は第１工程で欠陥が検出された下地欠陥チップに対応する領域に対して第２工程で検査を行わない非検査領域を示している。
【００３４】
また、検査結果出力工程（図２示すステップＳ５）において、良否判定部３４が、欠陥抽出部３３によって抽出された欠陥抽出結果を基に、図４（ｄ）に示すような良否判定結果に変換する。しかし、上述した入力工程においてマスクデータが作成されているため、図４（ｃ）のマスクデータで「１」に対応するチップが非検査領域「５」に設定されることにより、図４（ｅ）に示すように第２工程で新たに検出された欠陥を含むチップだけが欠陥領域「３」に変換される。なお、図４（ｅ）において、欠陥が抽出されなかった良好領域を「１」、第２工程において欠陥が抽出された欠陥領域を「３」、第１工程で欠陥が検出されたが第２工程で欠陥の検査を行わなかった非検査領域を「５」として変換する。なお、チップが形成されないで欠陥の抽出が行われなかった未検査領域は、「０」として変換する。
【００３５】
そして、図５（ｂ）に示すように、表示部６は、良否判定部３４が変換した良否判定結果を基に、良好領域Ｗ１、欠陥領域Ｗ２及び非検査領域Ｗ３を異なる色で表示する。欠陥領域と判定された領域については、試料搬出工程（図２に示すステップＳ６）を行った後、上述と同様にミクロ検査が行える他の検査装置を用いて欠陥領域の確認を行う。
【００３６】
次に、第３半導体チップ製造工程が行われた半導体ウエハＷの欠陥抽出方法について説明する。なお、以下の説明において、上述した第２半導体チップ製造工程が行われた半導体ウエハＷの欠陥抽出方法と同一である点は、その説明を省略する。
この半導体ウエハＷに対する欠陥抽出方法は、入力工程（図２に示すステップＳ２）において、図４（ｆ）に示すように第１工程と第２工程とを含む前工程で検出されたチップに対してマスクデータを形成する。このマスクデータは、図４（ｅ）で上述と同様に第１工程と第２工程とで欠陥が抽出されなかった良好領域にのみに検査を行うに形成される。
【００３７】
そして、検査結果出力工程（図２示すステップＳ５）において、良否判定部３４が、欠陥抽出部３３によって抽出された欠陥抽出結果を基に、図４（ｇ）に示すような良否判定結果に変換するが、図４（ｆ）に示すようなマスクデータが作成されているので、図４（ｈ）に示すような良否判定結果となる。そして、図５（ｃ）に示すように、表示部６は、良否判定部３４が変換した良否判定結果を基に、各良否判定結果ごとに異なる色で表示する。
【００３８】
この欠陥抽出装置１及び欠陥抽出方法によれば、良否判定部３４が、欠陥抽出部３３による抽出結果を基に下地欠陥チップ（前工程で欠陥領域と判定されたチップ）を除いた良品チップのみに対して良否判定を行うので、前工程で欠陥が見つかった下地の欠陥を誤検出することがなく、半導体ウエハＷの表面の欠陥検査の信頼性を向上させることができる。
また、チップ領域ごとの欠陥の有無である良否判定結果を用いることで、光学顕微鏡など他のミクロ検査を行うことが可能な他の欠陥抽出装置との間で半導体ウエハＷの検査結果を相互に利用することができるので、効率のよい半導体ウエハＷの欠陥抽出が行える。
また、良否判定部３４がチップ領域ごとの良否判定結果に変換することで、チップ単位で欠陥の有無を判定することができる。
また、表示部６に良否判定結果を表示するときに、各良否判定結果ごとに異なる色で表示するので、被検査対象物の欠陥抽出結果をより効率よく確認することができる。
【００３９】
また、設計情報と前工程での良否判定結果とを用いることにより、下地工程（前工程）の画像データをデータ保存部７で保存することなく、前回の良否判定結果で良好と判定されたチップ領域のみに良否判定を行うことで、検査結果のデータ量を低減させ、かつ特別なハードウエアを用いることなく、より効率のよい欠陥抽出が行える。
【００４０】
また、表示部６が、良否判定結果ごとに異なる色で判定領域を表示するので、半導体ウエハＷの欠陥抽出結果をより効率よく確認することができる。
【００４１】
また、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態において、良否判定部はチップ領域である一定領域ごとで良否判定を行っていたが、この一定領域は複数画素で構成された領域であればよい。
また、表示部には、良否判定結果に基づいた色分けした画像が表示されたが、被検査画像に良否判定結果を合成して表示させてもよい。
また、検出結果出力工程によって欠陥と判定された欠陥領域に対してレーザリペア装置などを用いて欠陥を修正し、欠陥を修正した半導体ウエハに対して再び欠陥抽出を行う再判定手段が設けられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明にかかる一実施形態における欠陥抽出装置を示すブロック図である。
【図２】本発明にかかる一実施形態における欠陥抽出方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明にかかる一実施形態における半導体チップ製造工程を示すフローチャートである。
【図４】本発明にかかる一実施形態における良否判定結果及びマスクデータを示すチャート図である。
【図５】本発明にかかる一実施形態における表示部を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  欠陥抽出装置
５  操作部（入力部）
６  表示部
１２  照明部
１３  撮像部
３３  欠陥抽出部
３４  良否判定部
Ｗ  半導体ウエハ（被検査試料）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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