(57)【要約】【課題】下地層の粒成長を抑制し、且つ高い配向性を出現させることによって、低い媒体ノイズを有し、高S/N比が得られる磁気ディスクを提供する。【解決手段】ディスク状ガラス基板上に、少なくとも、非晶質の第１下地層と、結晶質の第２下地層と、磁性層とを有する磁気ディスクの製造方法であって、酸化性ガスを含む雰囲気において反応性スパッタリングにより前記第１下地層を成膜した後、１００℃から２４０℃の範囲の基板温度で前記第２下地層を成膜する。前記第１下地層は、例えばＣｏＷ、ＣｒＷ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＴａのうちの何れかの材料からなる。前記酸化性ガスとしては、例えば酸素ガス、二酸化炭素ガスである。また、前記第２下地層は、体心立方構造のＣｒ系合金からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状ガラス基板上に、少なくとも、非晶質の第１下地層と、第２下地層と、磁性層とを有する磁気ディスクの製造方法であって、
酸化性ガスを含む雰囲気において反応性スパッタリングにより前記第１下地層を成膜した後、１００℃から２４０℃の範囲の基板温度で前記第２下地層を成膜することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【請求項２】
前記第１下地層は、ＣｏＷ、ＣｒＷ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＴａのうちの何れかの材料からなることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項３】
前記酸化性ガスは、酸素ガス、二酸化炭素ガスの少なくとも何れかであることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項４】
前記第２下地層は、体心立方構造のＣｒ系合金からなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項５】
前記ディスク状ガラス基板の主表面上に、前記磁性層に磁気異方性を誘導する周方向に沿ったテクスチャを形成していることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項６】
前記第２下地層上に、交換結合構造を備える磁性層を形成することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一に記載の磁気ディスクの製造方法により得られる磁気ディスクであって、前記磁性層の磁化容易軸は、ディスク面に対して略平行に配向していることを特徴とする磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、HDD（ハードディスクドライブ）等の情報を記録するための磁気ディスク装置に搭載する磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、情報記録技術、特に磁気記録技術はＩＴ産業の発達に伴い飛躍的な技術革新が要請されている。たとえば、HDD等の磁気ディスク装置に搭載する磁気ディスクでは、100Gbit/inch２以上の情報記録密度を達成できる技術が求められている。
このような磁気ディスクでは、特に出力と媒体ノイズの比、即ちＳ／Ｎ比が優れていることが求められる。このため、従来では主にグレインサイズの微細化や結晶配向の制御等によって媒体ノイズを低下させることによる磁気特性の向上を図る試みがなされてきた。
【０００３】
また、このような高記録密度においては、記録された磁化を保持するのに十分な保磁力（Ｈｃ）を有することも重要である。保磁力が低いと、磁気ディスク上に記録した信号が時間の経過と共に減衰する、所謂熱揺らぎ現象と呼ばれる障害を発生する場合があることが知られている。
従来の磁気ディスクの一般的な構造は、ディスク状のガラス基板上に、主に上層の結晶グレインを微細化させる機能を有する非晶質の下地層と、主に上層に成膜される磁性層の結晶配向性を制御する機能を有する結晶質の下地層と、これら下地層の上に成膜される磁性層とを備える構造のものである（例えば下記特許文献１、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−８６９３６号公報
【特許文献２】特許第３２１７０１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来の磁気ディスクは、保磁力を出来るだけ高めるため、通常は、ガラス基板上に成膜した非晶質下地層を酸素ガスで曝露し、その上に結晶質下地層等を形成することにより製造していた。しかし、このような従来の製造方法では、酸素ガスを曝露するためのチャンバーを必要とし、また、従来の製造工程上、上記結晶質下地層を成膜する前の基板温度が比較的高い（２５０〜３００℃）ために、結晶質下地層の粒成長を十分に抑制することが困難であり、そのためこの結晶質下地層上に成膜される磁性層のグレインサイズを十分に小さくすることができず、媒体ノイズをより一層低下させることが困難であった。また、結晶質下地層上に成膜される磁性層と結晶質下地層との界面付近で配向性が不揃いになりやすくノイズの原因にもなりやすいという問題もあった。
本発明者は、従来の技術では、近年の加速的な高記録密度化の要求に伴い、媒体ノイズを十分に低減させて、磁気特性をより一層向上することは困難であることを見い出した。
【０００６】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、下地層の粒成長を抑制し、且つ高い配向性（磁性層の磁化容易軸の配向性）を出現させることによって、低い媒体ノイズを有し、高S/N比が得られる磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決すべく、下地層の粒成長を抑制し、磁性層の配向性を好適に制御し、媒体ノイズを低減させるために鋭意研究を行なったところ、非晶質の下地層を酸化性ガスを含む雰囲気で反応性スパッタリングにより成膜することによって、その後の結晶質の下地層を成膜するための基板温度を低くすることができ、この結晶質の下地層の粒成長を好適に抑制することが出来ることを突き止め、以下の構成を有する本発明を完成するに至った。
【０００８】
（構成１）ディスク状ガラス基板上に、少なくとも、非晶質の第１下地層と、第２下地層と、磁性層とを有する磁気ディスクの製造方法であって、酸化性ガスを含む雰囲気において反応性スパッタリングにより前記第１下地層を成膜した後、１００℃から２４０℃の範囲の基板温度で前記第２下地層を成膜することを特徴とする磁気ディスクの製造方法である。
（構成２）前記第１下地層は、ＣｏＷ、ＣｒＷ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＴａのうちの何れかの材料からなることを特徴とする構成１記載の磁気ディスクの製造方法である。
（構成３）前記酸化性ガスは、酸素ガス、二酸化炭素ガスの少なくとも何れかであることを特徴とする構成１又は２記載の磁気ディスクの製造方法である。
（構成４）前記第２下地層は、体心立方構造のＣｒ系合金からなることを特徴とする構成１乃至３の何れか一に記載の磁気ディスクの製造方法である。
（構成５）前記ディスク状ガラス基板の主表面上に、前記磁性層に磁気異方性を誘導する周方向に沿ったテクスチャを形成していることを特徴とする構成１乃至４の何れか一に記載の磁気ディスクの製造方法である。
（構成６）前記第２下地層上に、交換結合構造を備える磁性層を形成することを特徴とする構成１乃至５の何れか一に記載の磁気ディスクの製造方法である。
（構成７）構成１乃至６の何れか一に記載の磁気ディスクの製造方法により得られる磁気ディスクであって、前記磁性層の磁化容易軸は、ディスク面に対して略平行に配向していることを特徴とする磁気ディスクである。
【０００９】
本発明は、構成１にあるように、非晶質の第１下地層を酸化性ガスを含む雰囲気で反応性スパッタリングにより成膜することによって、その後の第２下地層（結晶質の下地層）を成膜するための基板温度を低くすることができ、低温で第２下地層を成膜することができる。この場合の低温とは、具体的には、１００℃から２４０℃の範囲の基板温度である。このような低温で第２下地層を成膜できることにより、この第２下地層の粒成長を好適に抑制することができる。そのため、この第２下地層上に成膜される磁性層のグレインサイズを十分に小さくすることができ、媒体ノイズをより一層低下させることが可能になる。また、グレインが十分に微細化された第２下地層上に成膜される磁性層は、膜形成の初期段階から結晶成長を損うことなく、結晶性の高い磁性層を形成することができる。従って、グレインサイズと配向性が好適に制御された磁性層を形成することができ、媒体ノイズの低減を図ることができるので、結果、磁気特性を向上できる。
【００１０】
前記第１下地層としては、構成２にあるように、ＣｏＷ、ＣｒＷ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＴａのうちの何れかの材料からなることが好ましい。
前記酸化性ガスとしては、構成３にあるように、例えば酸素ガス、二酸化炭素ガスの少なくとも何れかを用いることができる。
前記第２下地層としては、構成４にあるように、体心立方構造のＣｒ系合金からなることが好ましい。
【００１１】
また、構成５にあるように、前記ディスク状ガラス基板の主表面上に、前記磁性層に磁気異方性を誘導する周方向に沿ったテクスチャを形成することにより、磁気特性の異方性の卓越した磁気ディスクが得られる。
また、構成６のように、前記第２下地層上に、交換結合構造を備える磁性層を形成することにより、磁性層の磁性グレインを微細化しても、熱磁気余効（熱揺らぎ磁気余効）による熱揺らぎ障害を抑制することができる。
また、本発明により得られる磁気ディスクは、磁性層の配向性が好適に制御され、磁性層の磁化容易軸はディスク面に対して略平行に配向している。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、下地層の粒成長を抑制し、該下地層上に、グレインサイズと配向性が好適に制御された磁性層を形成することができるので、低い媒体ノイズを有し、高S/N比が得られる磁気ディスクを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を詳述する。
本発明に係る磁気ディスクの一実施の形態としては、例えばアモルファスガラスからなるディスク状のガラス基板上に、非晶質の第１下地層、結晶質の第２下地層、磁性層、保護層、及び潤滑層が順次接して成膜された磁気ディスクである。
上記ガラス基板は、その主表面上にテクスチャーが形成されており、順次成膜される六方最密充填構造（ｈｃｐ構造）を含む磁性層のＣ軸（磁化容易軸）をディスクの円周方向に優先配向させる機能を備える。このような優先配向を付与することにより、磁気ディスクのディスク円周方向の保磁力がディスク半径方向の保磁力よりも大きい、磁気特性の異方性を備えた磁気ディスクが得られる。
【００１４】
なお、ガラスとしては、アモルファスガラスの他、結晶化ガラス等があるが、特にアモルファスガラスは非晶質で表面平滑性が高いので本発明には好適である。ガラス基板の材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス等が挙げられる。中でも、アルミノシリケートガラスは、高精度に平滑な表面を得ることが出来、また化学強化により高い剛性を得ることが出来るので、本発明に好適である。
【００１５】
アモルファスのアルミノシリケートガラスとして、SiO2：５８〜７５重量％、Al2O3：５〜２３重量％、Li2O：３〜１０重量％、Na2O：４〜１３重量％を主成分として含有するアルミノシリケートガラスからなることが好ましい。
更に、上記ガラス基板の組成を、SiO2：６２〜７５重量％、Al2O3：５〜１５重量％、Li2O：４〜１０重量％、Na2O：４〜１２重量％、ZrO2：５．５〜１５重量％を主成分として含有するとともに、Na2O/ZrO2の重量比が０．５〜２．０、Al2O3/ZrO2の重量比が０．４〜２．５であるアルミノシリケートガラスであることが好ましい。
また、ZrO2の未溶解物が原因で生じるガラス基板表面の突起を無くすためには、モル％表示で、SiO2を５７〜７４％、ZnO2を０〜２．８％、Al2O3を３〜１５％、Li2Oを７〜１６％、Na2Oを４〜１４％含有する化学強化用ガラス等を使用することが好ましい。
このようなアルミノシリケートガラスは、化学強化することによって、抗折強度が増加し、圧縮応力層の深さも深く、ヌープ硬度にも優れる。
ガラス基板の厚さは、特に制約は無いが、0.1mm〜1.5mm程度が好ましい。
【００１６】
また、上記テクスチャーは、磁性層に磁気異方性を誘導する形状であれば特に限定されない。例えば、円周状テクスチャー、らせん状テクスチャー、クロステクスチャーなどを挙げることが出来る。特に円周状テクスチャーであれば、テクスチャーの方向が磁気ディスク上を浮上飛行する磁気ヘッドの走行方向に類似するので、本発明の作用を好ましく得ることができる。テクスチャーの表面粗さに関しては、Rmaxで６ｎｍ以下、Raで０．６ｎｍ以下であることが好ましい。このような平滑な表面粗さの場合、磁気ディスクの高記録密度化に資することができる。なお、ここで表面粗さRmaxとは、日本工業規格（JIS）B0601に定める最大高さ、Raとは、同じく日本工業規格（JIS）B0601に定める算術平均粗さのことである。
また、このようなテクスチャーを形成する方法としては、ガラス基板主表面に樹脂テープを押し付けた状態でガラス基板とテープとを相対的に移動させることにより該ガラス基板の主表面上にライン状をなすテクスチャーを形成するテープ式テクスチャー研磨方法が好ましく挙げられる。
【００１７】
前記第１下地層は、この上に成膜される各層のグレインを微細化させる機能を有し、ガラス基板がアモルファスガラスからなる場合、そのアモルファスガラス表面に対応させる為にアモルファスの合金膜とすることが好ましい。この第１下地層の材料としては、例えばＣｏＷ、ＣｒＷ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＴａ等のＣｏ系合金又はＣｒ系合金材料が好ましく挙げられる。
本発明では、第１下地層は、酸化性ガスを含む雰囲気において反応性スパッタリングにより成膜する。この場合の酸化性ガスは、酸素ガス、二酸化炭素ガスが取扱い易く好ましい。また、これらのガスを混合して用いてもよい。
【００１８】
また、第１下地層の成膜時の温度、成膜速度、及び成膜時の真空度については、本発明では特に制約される必要はないが、成膜時の温度領域は、例えば常温〜２４０℃の範囲が好適である。また、成膜速度としては、例えば４０Å／秒〜１００Å／秒の範囲が好適である。さらに、成膜時の真空度は、例えば４μバール〜１２μバールの範囲内に調整することが好適である。
また、第１下地層の膜厚は適宜設定することができ特に制約はないが、通常は５０Å〜２００Å程度の範囲内とするのが適当である。
【００１９】
本発明では、前記第１下地層を成膜した後、１００℃から２４０℃の範囲の基板温度で前記第２下地層を成膜する。本発明によれば、非晶質の第１下地層を酸化性ガスを含む雰囲気で反応性スパッタリングにより成膜することによって、その後の第２下地層（結晶質の下地層）を成膜するための基板温度を低くすることができ、低温で第２下地層を成膜することができる。この場合の低温とは、具体的には、１００℃から２４０℃の範囲、好ましくは１２０℃から２１０℃の範囲の基板温度である。このような低温で第２下地層を成膜できることにより、この第２下地層の粒成長を好適に抑制することができる。その結果、グレインが十分に微細化された第２下地層が得られる。なお、本発明によれば、このように低温で第２下地層を成膜しても、高い保磁力（Ｈｃ）を持った磁気ディスクが得られる。
【００２０】
ところで、前記第２下地層は、この上に成膜される磁性層に含まれる六方最密充填構造（ｈｃｐ構造）の磁化容易軸（Ｃ軸）をディスクの面内に略平行に配向させるように制御し、且つグレインの粗大化を抑制する機能を備える。この第２下地層の材料としては、体心立方構造（ｂｃｃ構造）のＣｒ系合金が好ましく挙げられ、具体的には、ＣｒＭｎ、ＣｒＭｏＴｉ、ＣｒＡｌ、ＣｒＹ、ＣｒＭｏＢ、ＣｒＭｏＴａ、ＣｒＭｏＭｎ等の合金材料が挙げられる。
【００２１】
第２下地層は、例えば、希ガス元素と酸素元素とを含む雰囲気において、Ｃｒと添加元素を含む組成の合金ターゲットを用いて成膜することができる。第２下地層の成膜方法としては、反応性スパッタリング成膜が好適である。反応性スパッタリング成膜を希ガス元素と酸素元素とを含む雰囲気において行なう場合、添加ガスとしては、Ａｒ（アルゴン）等の希ガスと、例えばＣＯ２、ＮＯ２、Ｏ２等の酸素元素を含むガスとの混合ガスを用いることができる。希ガスと混合する酸素元素を含むガスとしては特にＣＯ２、Ｏ２が取扱い易く好ましい。このような反応性スパッタリング成膜に用いる混合ガス中の希ガスと酸素元素を含むガスとの混合比は特に制約されないが、通常は希ガスに対する酸素元素を含むガスの混合比を０．３％〜１０体積％の範囲内とするのが適当である。
【００２２】
また、第２下地層の成膜時の基板温度は前述したとおりであるが、成膜速度、成膜時の真空度については、本発明では特に制約される必要はないが、成膜速度としては、例えば４０Å／秒〜１００Å／秒の範囲が好適である。さらに、成膜時の真空度は、例えば４μバール〜１２μバールの範囲内に調整することが好適である。
なお、第２下地層は、その上に成膜される磁性層との間でヘテロエピタキシャルな関係となるように成膜されていることが好ましい。
また、第２下地層は単一層でもよいが、異なる材料の積層構成としてもよい。第２下地層の膜厚は適宜設定することができ特に制約はないが、通常は５０Å〜２００Å程度の範囲内とするのが適当である。
【００２３】
本発明では、この第２下地層の粒成長を好適に抑制することができるため、このグレインが十分に微細化された第２下地層上に成膜される磁性層のグレインサイズを十分に小さくすることができ、媒体ノイズをより一層低下させることが可能になる。また、グレインが十分に微細化された第２下地層上に成膜される磁性層は、膜形成の初期段階から結晶成長を損うことなく、結晶性の高い磁性層を形成することができる。従って、グレインサイズと配向性が好適に制御された磁性層を形成することができ、媒体ノイズの低減を図ることができる。その結果、磁気特性を向上できる。
【００２４】
本発明における磁性層としては、Ｃｏ合金の磁性層であることが好ましく、特に六方最密充填構造（ｈｃｐ構造）を備える結晶質の磁性層であることが好ましい。このような磁性層として、ＣｏＣｒ系合金磁性層、ＣｏＰｔ系合金磁性層、ＣｏＣｒＰｔ系合金磁性層、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金磁性層、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金磁性層、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系合金磁性層などを挙げることができる。これらの磁性層は磁気異方性定数が高いので、高い磁気異方性を得ることができる。
上記磁性層は、Ａｒ（アルゴン）等の希ガスを添加ガスとして用いた例えばスパッタリング成膜により好適に形成することができる。磁性層の膜厚は適宜設定することができるが、例えば５０〜３００Å程度の範囲とすることが適当である。
【００２５】
また、本発明においては、上記磁性層は交換結合膜を含む交換結合構造を備えることが好ましい。交換結合構造を備える磁性層を形成することにより、磁性層の磁性グレインを微細化しても、熱磁気余効（熱揺らぎ磁気余効）による熱揺らぎ障害を抑制することができるので、高記録密度化に好適である。特に交換結合膜の上下で磁性層の磁化方向が反平行となるように結合を調整することが好ましい。このような調整は、例えば、上下に分断された磁性層間に非磁性層を介挿し、この非磁性層を例えば５〜１０Å程度の膜厚とすることにより得ることができる。磁性層がＣｏ系合金強磁性材料の場合、上記非磁性層としては、ｈｃｐ結晶構造のＲｕ層又はＲｕ系合金層等を好ましく挙げることができる。
【００２６】
本発明の磁気ディスクは、本実施の形態に示すように、磁性層上に、保護層及び潤滑層を設けることが好ましい。保護層としては、炭素系保護層が好適であり、特にアモルファス炭素からなるダイヤモンドライク保護層が好ましい。保護層は、特にプラズマＣＶＤ法により成膜するのが好ましい。また、潤滑層としては、例えばパーフルオロポリエーテル化合物が好適である。潤滑層の形成は、ディップ法、スプレイ法、スピンコート法等、公知の方法を用いることが出来る。
以下に実施例を挙げて、本発明の実施の形態についてさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００２７】
（実施例１）
本実施例の磁気ディスクは、化学強化されたアモルファスのアルミノシリケートガラスからなるガラス基板の主表面に、テープ研磨によりテクスチャーを形成し、その上に磁性層等を成膜することにより得られる磁気ディスクである。具体的には、以下の（１）ガラス基板製造工程、（２）テクスチャー加工工程、及び（３）成膜工程を経て本実施例の磁気ディスク１０（図１参照）を製造した。図１の磁気ディスク１０は、ガラス基板１上に、非晶質の下地層２、体心立方晶の下地層３ａ，３ｂ、磁性層４ａ〜４ｄ、保護層５、潤滑層６が順次接して形成されている。磁性層は、安定化層４ａ、非磁性層４ｂ、第１の磁性層４ｃ、及び第２の磁性層４ｄが接して形成されており、非磁性層４ｂを介して第１の磁性層４ｃと安定化層４ａが反平行に交換結合する交換結合構造の磁性層である。上記ガラス基板１上には、第１の磁性層４ｃに円周方向の磁気異方性を誘導する円周状のテクスチャーが形成されている。
【００２８】
（１）ガラス基板製造工程
アモルファスのアルミノシリケートガラスを溶融し、ダイレクトプレスにより得たガラスディスクに対して、形状加工、研削、鏡面研磨加工し、Rmaxで4.5nm、Raで0.44nmの鏡面状態のガラスディスクを得た。このガラスディスクに化学強化を施して、ガラス基板１を得た。得られたガラス基板１は、外径は65ｍｍ、内径は20mm、板厚は0.635mmの2.5インチ型磁気ディスク用基板である。
なお、本実施例におけるアルミノシリケートガラスは、SiO2：６３．６重量％、Al2O3：１４．２重量％、Li2O：５．４重量％、Na2O：１０．４重量％、ZrO2：６．０重量％、Sb2O3：０．４重量％の組成を有する。
【００２９】
（２）テクスチャー加工工程
（１）で得られたガラス基板１主表面に樹脂テープを押し付けた状態でガラス基板とテープとを相対的に移動させることにより該ガラス基板１の主表面上にテクスチャーを形成するテープ式テクスチャー研磨方法を用いて、テクスチャー加工を行なった。具体的には、枚葉の回転式テープテクスチャー装置を用いて、テープにはポリエステル繊維布のテープを使用し、多結晶ダイヤモンドが分散剤に溶かしてあるダイヤモンドスラリーを供給しながら行なった。
このときのテクスチャー加工条件は以下のとおりである。
加工圧力：１０ｇ／ｍｍ２
基板回転速度：１５０ｒｐｍ
テープの送り速度：３ｍｍ／秒
テクスチャー加工時間：５０秒
以上のようにして、ディスクの略円周方向に沿って配列した複数のライン状をなすテクスチャーを形成した。
【００３０】
得られたガラス基板１の主表面の微細モホロジーを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて観察したところ、所定の微細なテクスチャーが形成されていることが確認された。またこのとき原子間力顕微鏡で表面粗さを精密に計測したところ、Rmaxで4.81nm、Raで0.42nmの鏡面状態であることを確認した。Ra及びRmaxは、JISのB0601の規定に従って求めた。
以上のようにして、非磁性非金属の磁気ディスク用ガラス基板１を製造した。
【００３１】
（３）成膜工程
次に、枚葉静止対向型成膜装置を用いて、DCマグネトロンスパッタリング方式により、上記ガラス基板１上に、順次、非晶質下地層２から保護層５までの成膜を行った。
即ち、まずCoW（Co：50at%、W：50at％）合金からなるスパッタリングターゲット（以下、単にターゲットと呼ぶ）を用いて、３モル％の酸素を含むアルゴンガス雰囲気中で、ガラス基板１上にCoWからなる非晶質合金の下地層２を100Åの厚さに成膜した。
その後、基板温度を２００℃に加熱し、体心立方晶の下地層３ａ，３ｂの成膜を行なった。まず、ターゲットとしてCrMn（Cr：80ａｔ％、Mn：20ａｔ％）合金を用い、アルゴンガス雰囲気中で、膜厚50ÅのCrMn合金からなる下地層３ａを成膜し、続いてターゲットとしてCrMoTi（Cr：80ａｔ％、Mo：15ａｔ％、Ti：5ａｔ％）合金を用い、アルゴンガス雰囲気中で、膜厚50ÅのCrMoTi合金からなる下地層３ｂを成膜した。
【００３２】
次に、hcp結晶構造の強磁性CoCrTa（Co：85at%、Cr：10at%、Ta：5at％）合金からなるターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中で、CoCrTa合金からなるhcp結晶構造の安定化層４ａを30Åの厚さに成膜した。次いで、hcp結晶構造の非磁性Ru金属からなるターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中で、Ru金属からなるhcp結晶構造の非磁性層４ｂを、反強磁性型交換結合を誘導できるように７Åの厚さに成膜した。
次に、hcp結晶構造の強磁性CoCrPtB（Ｃｏ：61at%、Ｃｒ：20at%、Ｐｔ：11at%、Ｂ：8at%）合金からなるターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中で、CoCrPtB合金からなるhcp結晶構造の第１の磁性層４ｃを100Åの厚さに成膜した。更に、hcp結晶構造の強磁性CoCrPtBCu（Ｃｏ：61at%、Ｃｒ：14at%、Ｐｔ：10at%、Ｂ：12at%、Ｃｕ：3at％）合金からなるターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中で、CoCrPtBCu合金からなるhcp結晶構造の第２の磁性層４ｄを100Åの厚さに成膜した。磁性層全体としての膜厚は237Åである。
【００３３】
次に、上記磁性層上に保護層５の成膜を行なった。カーボンターゲットを用いて、２０体積％の水素を含むアルゴンガス雰囲気中で、水素化炭素からなる保護層を30Åの厚さに成膜した。この保護層５は、浮上飛行する磁気ヘッドの撃力から磁性層を防護するためのものである。次に、ディップ法でPFPE（パーフルオロポリエーテル）化合物を含む潤滑層６を10Åの厚さで成膜した。この潤滑層６は、浮上飛行する磁気ヘッドとの接触を緩和するためのものである。
以上のようにして本実施例の磁気ディスク１０を製造した。
【００３４】
得られた本実施例の磁気ディスク１０の磁性層におけるCo合金の結晶配向性をＸＲＤ（Ｘ線回折法）を用いて調べたところ、Ｃ軸がディスク面に略平行に配向していることを確認した。すなわち、六方最密充填構造の（１１０）面がディスク面に略平行に配向していた。六方最密充填構造のコバルト合金強磁性体の磁化容易軸はＣ軸に平行であるので、磁気ディスク全体としての磁化容易軸はディスク面に略平行となっている。
また、磁気ディスク１０の磁気特性をVSM（振動試料型磁化測定装置）を用いて評価したところ、磁化曲線は反強磁性型の交換結合を示しており、安定化層４ａの磁化と第１の磁性層４ｃの磁化とが反平行に結合する交換磁場が磁気ディスク内部に生起していることが判った。また、磁気ディスク１０の保磁力Hcは（4300）Oeであり、良好な結果となった。
【００３５】
次に、磁気ディスク１０の電磁変換特性(R/W特性)評価を行った。即ち、磁気ディスクの媒体ノイズNは、線記録密度（１Ｆ）700kfciでキャリア信号を記録した後、ＤＣ〜１Ｆの1.2倍周波数までの媒体積分ノイズとして求めた。再生出力Ｓは12F記録密度の信号の再生出力を用いた。記録再生に用いた磁気ヘッドの浮上量は12nm、再生素子はGMR型素子である。本実施例の磁気ディスク１０の評価を行ったところ、そのS/N比は、20.4dB（表１参照）であった。このS/N比は、例えば100Gbit/inch２以上の高記録密度を得る磁気ディスクの所要値として十分満足する結果であった。
【００３６】
（実施例２〜７）
実施例１の非晶質下地層２の材料と、該下地層２のスパッタリング成膜時の酸化性ガスの種類を表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして実施例２〜７の磁気ディスクをそれぞれ製造した。
得られた各実施例の磁気ディスクについて、磁性層におけるCo合金の結晶配向性をＸＲＤを用いて調べたところ、Ｃ軸がディスク面に略平行に配向していることを確認した。また、各実施例の磁気ディスクについて、VSM評価結果は実施例１と同様の結果が得られた。
また、各実施例の磁気ディスクのS/N比は、20.1dB（実施例２）、20.4dB（実施例３）、20.3dB（実施例４）、19.1dB（実施例５）、19.3dB（実施例６）、19.8dB（実施例７）といずれも良好な結果が得られた。
以上の実施例の結果は纏めて下記表１に示す。
【００３７】
【表１】
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【００３８】
（比較例１〜３）
実施例１における非晶質下地層２の成膜時に酸化性ガスを使用しなかったこと以外は実施例１と同様にして磁気ディスク（比較例１）を製造した。また、実施例１における体心立方晶の下地層３ａ，３ｂの成膜時の基板温度を２５℃としたこと以外は実施例１と同様にして磁気ディスク（比較例２）を製造した。更に、実施例１における体心立方晶の下地層３ａ，３ｂの成膜時の基板温度を２８０℃としたこと以外は実施例１と同様にして磁気ディスク（比較例３）を製造した。
【００３９】
各比較例の磁気ディスクのS/N比は、16.2dB（比較例１）、18.3dB（比較例２）、17.6dB（比較例３）といずれも低かった。以上の比較例の結果についても上記表１に纏めて示した。
これらの結果は、各比較例の磁気ディスクにおいては、本発明実施例の磁気ディスクと比べると、磁性層のグレインと配向性が好適に制御されていないことによるものと考えられる。
【００４０】
（実施例８）
実施例１における体心立方晶の下地層３ａ，３ｂの成膜時の基板温度を１６０℃としたこと以外は実施例１と同様にして実施例８の磁気ディスクを製造した。
本実施例の磁気ディスクについて、磁性層におけるCo合金の結晶配向性をＸＲＤを用いて調べたところ、Ｃ軸がディスク面に略平行に配向していることを確認した。また、本実施例の磁気ディスクについて、VSM評価結果は実施例１と同様の結果が得られた。また、本実施例の磁気ディスクのS/N比は、19.7dBと良好な結果が得られた。
【００４１】
（比較例４〜６）
実施例１における非晶質下地層２の成膜時に酸化性ガスの代わりに還元性ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを使用したこと以外は実施例１と同様にして磁気ディスク（比較例４）を製造した。また、実施例１における体心立方晶の下地層３ａ，３ｂの成膜時の基板温度を８０℃としたこと以外は実施例１と同様にして磁気ディスク（比較例５）を製造した。更に、実施例１における体心立方晶の下地層３ａ，３ｂの成膜時の基板温度を２６０℃としたこと以外は実施例１と同様にして磁気ディスク（比較例６）を製造した。
【００４２】
各比較例の磁気ディスクのS/N比は、16.0dB（比較例４）、15.2dB（比較例５）、17.1dB（比較例６）といずれも低かった。
これらの結果は、各比較例の磁気ディスクにおいては、本発明実施例の磁気ディスクと比べると、磁性層のグレインと配向性が好適に制御されていないことによるものと考えられる。なお、比較例４の磁気ディスクは、等方性媒体となった。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施例による磁気ディスクの層構成を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  ガラス基板
２  非晶質下地層
３ａ，３ｂ  体心立方晶の下地層
４ａ  安定化層
４ｂ  非磁性層
４ｃ  第１の磁性層
４ｄ  第２の磁性層
５  保護層
６  潤滑層
１０  磁気ディスク
【図１】
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