(57)【要約】【課題】外形に曲線を含む基板を生産性良く製造が可能となる基板の分断方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】基板３４の内部にレーザ光を集光して照射し、改質部を配列して形成する。改質部の中心にはクラック部３８が形成される。孔部４０ａが形成されているダイプレート４０に基板３４を配置し、クラック部３８が孔部４０ａと対応するようにする。基板３４のクラック部３８で囲まれた場所をポンチ４２で押圧して、クラック部３８に剪断力を加える。クラック部３８を起点としてクラックが進行して、クラック部３８に囲まれた廃材部４３が基板３４から分断される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基板を分断する基板の分断方法であって、
前記基板にレーザ光を照射して、改質部を配列してスクライブ面を形成するスクライブ工程と、
前記基板に形成されるスクライブ面に沿って分断する分断工程とを有し、
前記分断工程では、前記基板の前記スクライブ面に沿って剪断力を加えて分断することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記スクライブ工程では、前記基板の厚さ方向に対して、前記改質部を斜めに配列して前記スクライブ面を形成することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項３】
第１の枠部と第１の本体部とを接続して支持する第１の支持部などからなる第１の基板の形状を形成する第１基板形成工程と、
第２の枠部と第２の本体部とを接続して支持する第２の支持部などからなる第２の基板の形状を形成する第２基板形成工程と、
前記第１の基板と第２の基板とを接着する接着工程と、
前記第１の支持部及び第２の支持部を分断する分断工程とを有し、
前記第１基板形成工程、前記第２基板形成工程、前記分断工程のうち少なくとも１つの工程において、請求項１又は２に記載の基板の分断方法を用いて形成または分断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第１基板形成工程、前記第２基板形成工程、前記分断工程の総ての工程において、請求項１又は２に記載の基板の分断方法を用いて形成または分断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記支持部に電極が形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の電気光学装置の製造方法において、
分断工程では、ガラスカッタを用いてスクライブして分断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置は、液晶を備えた表示装置であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の電気光学装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、曲線形状に分断可能な基板の分断方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（以下、改質部と称す。）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光点におけるピークパワー密度を１×１０8（Ｗ／ｃｍ２）以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。
【０００３】
また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）をＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、改質部の大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、およそ２５０μｍである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。
【０００４】
液晶表示装置などの表示装置においては、外形が矩形の形状が一般的に用いられている。しかし、製品外観のデザインを優れたものにする為に、外形が曲線で構成される表示装置を用いることがある。外形が曲線で構成されるパネルを製造する方法として、特許文献２に、外形形状を所望の形状にエッチングして、パネルを形成する方法が紹介されている。この方法では、上下の各パネルの外形を形成する形状に溝を形成し、上下のパネルを接着後に、溝部に応力を加えて破断してパネルを形成している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【特許文献２】特開２０００−７５２５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板に溝部を形成する方法は、次の通りである。基板にレジスト液を塗布して乾燥し、レジスト膜を形成する。レジスト膜を露光して、露光されたレジスト膜を剥離し、レジスト膜のパターンを形成する。続いて、基板をエッチング処理することで、溝を形成した後、レジスト膜を剥離する方法を行っていた。
この様にエッチングして溝を形成する方法では、溝部を形成するための工程数が多くなっているため、生産性の良くない基板の分断方法となっていた。
【０００７】
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、外形に曲線を含む基板を生産性良く製造が可能となる基板の分断方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の基板の分断方法は、光透過性の基板を分断する基板の分断方法であって、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列してスクライブ面を形成するスクライブ工程と、基板に形成されるスクライブ面に沿って分断する分断工程とを有し、分断工程では、基板のスクライブ面に沿って剪断力を加えて分断することを特徴とする。
【０００９】
この基板の分断方法によれば、スクライブ工程で、基板にレーザ光を集光して照射し、改質部が配列して形成されるスクライブ面が、形成される。分断工程では、スクライブ面に沿って剪断力が加えられて分断される。スクライブ面が曲線からなる面であるときにも、スクライブ面に沿って剪断力を加えることで分断することが可能である。
【００１０】
基板を曲線に沿って分断するとき、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜をパターニングして、基板をエッチングした後、レジストを剥離する方法に比べて、レーザ光を照射して形成される改質部が配列されているスクライブ面に沿って分断する方法の方が、少ない工程数で形成することができる。従って、生産性良く基板を分断することができる。
【００１１】
本発明の基板の分断方法は、上記に記載の基板の分断方法であって、スクライブ工程では、基板の厚さ方向に対して、改質部を斜めに配列してスクライブ面を形成することを特徴とする。
【００１２】
この基板の分断方法によれば、スクライブ工程で、基板の厚さ方向に対して、改質部を斜めに配列してスクライブ面を形成している。スクライブ面に沿って剪断力を加えるとき、スクライブ面が基板の厚さ方向に対して、斜めに形成されていることから、分断されるスクライブ面どうしが離れるように分断される。従って、分断されたスクライブ面どうしが擦れあうことなく分断される為、擦れにより基板を構成する材料が分離して粉状になることが生じにくくなる。その結果、基板の構成する材料の粉が基板に付着して不具合となることを防止することができる。
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１の枠部と第１の本体部とを接続して支持する第１の支持部などからなる第１の基板の形状を形成する第１基板形成工程と、第２の枠部と第２の本体部とを接続して支持する第２の支持部などからなる第２の基板の形状を形成する第２基板形成工程と、第１の基板と第２の基板とを接着する接着工程と、第１の支持部及び第２の支持部を分断する分断工程とを有し、第１基板形成工程、第２基板形成工程、分断工程のうち少なくとも１つの工程において、上記に記載の基板の分断方法を用いて形成または分断することを特徴とする。
【００１４】
この電気光学装置の製造方法によれば、第１基板形成工程で第１の基板を形成し、第２基板形成工程で第２の基板を形成する。接着工程で第１の基板と第２の基板とを接着し、分断工程で支持部を分断する。第１基板形成工程、第２基板形成工程、分断工程のうち少なくとも１つの工程において、上記の基板の分断方法が用いられる。上記の基板の分断方法は、曲線形状の基板が生産性良く形成されることから、上記基板の分断方法を用いた電気光学装置の製造方法は、その基板が生産性良く形成される。その結果、この電気光学装置の製造方法は、生産性良く形成される電気光学装置の製造方法とすることができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記に記載の電気光学装置の製造方法において、第１基板形成工程、第２基板形成工程、分断工程の総ての工程において、上記に記載の基板の分断方法を用いて形成または分断することを特徴とする。
【００１６】
この電気光学装置の製造方法によれば、第１基板形成工程、第２基板形成工程、分断工程の総ての工程において、上記に記載の基板の分断方法を用いて形成または分断されている。上記の基板の分断方法は、曲線形状の基板が生産性良く形成されることから、第１基板形成工程、第２基板形成工程、分断工程の総ての工程において、上記基板の分断方法を用いた電気光学装置の製造方法では、その基板が生産性良く形成される。その結果、この電気光学装置の製造方法は、生産性良く形成される電気光学装置の製造方法とすることができる。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記に記載の電気光学装置の製造方法において、支持部に電極が形成されることを特徴とする。
【００１８】
この電気光学装置の製造方法によれば、支持部に電極が形成されている。電気光学装置は電極部に配線が接続されて用いられる。従って、支持部が本体から突出する部分の形状に誤差があっても影響がない事が多い。従って、分断工程では電極が配置される支持部を分断することから、分断位置の変動する分断方法で分断することができる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記に記載の電気光学装置の製造方法において、分断工程では、ガラスカッタを用いてスクライブして分断することを特徴とする。
【００２０】
ここで、ガラスカッタは、ダイヤモンド片又は、超硬合金片や表面にダイヤモンドや超硬合金等の硬質の素材を備えて形成された輪を基板上を加圧しながら移動することで、基板に傷をつけてクラックを形成する刃工具を示す。尚、超硬合金は、周期律表４族、５族、６族金属の炭化物をＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの鉄系金属で焼結した複合材料を示す。また、ガラスカッタを用いてスクライブすることとは、ガラスカッタを用いて基板に傷をつけてクラックを形成することを示す。
【００２１】
この電気光学装置の製造方法によれば、分断工程において、支持部がガラスカッタを用いてスクライブされて、分断される。ガラスカッタを用いてスクライブする方法は、レーザ光を用いてスクライブするときに比べて短い時間でスクライブすることができる。従って、支持部を分断するとき、分断される面が曲面でなく平面でも良いときは、ガラスカッタを用いてスクライブすることで、短時間でスクライブできる。その結果、生産性良くスクライブすることができる為、生産性良く製造できる電気光学装置の製造方法とすることができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置は、上記に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されることを特徴とする。
【００２３】
この電気光学装置によれば、この電気光学装置は、上記の電気光学装置の製造方法を用いて製造されている。上記の電気光学装置の製造方法は生産性良く電気光学装置を製造できることから、この電気光学装置は、生産性良く製造される電気光学装置とすることができる。
【００２４】
本発明の電気光学装置は、上記に記載の電気光学装置は、液晶を備えた表示装置であることを特徴とする。
【００２５】
この電気光学装置によれば、液晶を備えていることから、少ない電力で駆動することができる為、省電力な電気光学装置とすることができる。
【００２６】
本発明の電子機器は、上記に記載の電気光学装置を表示部として備えることを特徴とする。
【００２７】
この電子機器によれば、この電子機器は上記に記載の電気光学装置を表示部として備えることから、表示部に生産性良く製造される電気光学装置を備えた電子機器とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
【００２９】
本発明の第１の実施形態に係るレーザスクライブ方法について図１〜図４に従って説明する。
【００３０】
最初にレーザ照射装置について説明する。図１は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。
図１に示すように、レーザ照射装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部３と、光学経路部３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５を主として構成されている。
【００３１】
レーザ光源２は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、本実施形態において、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用している。発光条件及び集光レンズの条件としては、例えば、パルスレーザ光は、中心波長が約８００ｎｍ、波長分布の半値幅はおよそ２０ｎｍであり、パルス幅は約３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力は約７００ｍＷの条件を採用している。集光レンズは、例えば、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ  Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が約３ｍｍの対物レンズを採用している。
【００３２】
光学経路部３はダイクロイックミラー６を備えている。ダイクロイックミラー６は、レーザ光源２から照射されるレーザ光の光軸７上に配置されている。ダイクロイックミラー６はレーザ光源２から照射されるレーザ光を反射して、光軸７の進行方向を変更する。ダイクロイックミラー６に反射したレーザ光が通過する光軸７上に集光レンズ８が配置されている。テーブル部４には基板としてのワーク９が配置され、集光レンズ８を通過したレーザ光がワーク９に照射されるようになっている。
【００３３】
集光レンズ８はレンズ支持部１０により、レンズ移動機構１１に支持されている。レンズ移動機構１１は、図示しない直動機構を有し、集光レンズ８を光軸７方向（図中Ｚ軸方向）に移動させて、集光レンズ８を通過したレーザ光が集光する位置を移動可能としている。
直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構１１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸７方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００３４】
集光レンズ８とダイクロイックミラー６とを通過する光軸７の延長線上にあって、ダイクロイックミラー６に対して集光レンズ８と反対側には、撮像装置１２を備えている。撮像装置１２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ８を透過してワーク９を照射する。撮像装置１２は、集光レンズ８とダイクロイックミラー６とを通してワーク９を撮像することが可能となっている。
【００３５】
テーブル部４は、基台１５を備えている。基台１５の光学経路部３側には、レール１６が凸設して配置されており、レール１６上にはＸ軸スライド１７が配置されている。Ｘ軸スライド１７は、図示しない直動機構を備え、レール１６上をＸ方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構１１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド１７が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００３６】
Ｘ軸スライド１７の光学経路部３側にはレール１８が凸設して配置されており、レール１８上にはＹ軸スライド１９が配置されている。Ｙ軸スライド１９は、Ｘ軸スライド１７と同様な直動機構を備え、レール１８上をＹ方向に移動可能となっている。
【００３７】
Ｙ軸スライド１９の光学経路部３側には、ステージ２０が配置され、ステージ２０の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、ワーク９を載置すると、チャック機構によって、ワーク９がステージ２０の上面における所定の位置に固定されるようになっている。
【００３８】
制御装置５は、メインコンピュータ２４を備えている。メインコンピュータ２４は内部に図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やメモリーを備えている。ＣＰＵはメモリー内に記憶されたプログラムソフトに従って、レーザ照射装置１の動作を制御するものである。
メインコンピュータ２４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置２５、表示装置２６、レーザ制御装置２７、レンズ制御装置２８、画像処理装置２９、ステージ制御装置３０と接続されている。
【００３９】
入力装置２５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置２６はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。ＣＰＵは、入力される各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザ加工を行い、加工状況を表示装置２６に表示する。操作者が表示装置２６に表示される各種情報を見て、レーザ加工状況を確認して操作するようになっている。
【００４０】
レーザ制御装置２７は、レーザ光源２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ２４の制御信号により制御される。
レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構１１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置２８は、この位置センサの出力を検出することにより、集光レンズ８の光軸７方向の位置を認識する。レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構１１を所望の位置に移動することができるようになっている。
【００４１】
画像処理装置２９は、撮像装置１２から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ２０にワーク９を配置し、撮像装置１２で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構１１を操作して、集光レンズ８とワーク９との距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光レンズ８を移動して、ワーク９のステージ２０側の面に焦点が合うときと、ワーク９の光学経路部３側の面に焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、面に焦点が合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。
【００４２】
集光レンズ８を光軸７の方向に移動して、撮像装置１２が撮像する画像が鮮明になる集光レンズ８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、ワーク９の厚みを測定することが可能となる。
【００４３】
撮像装置１２で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光を照射したときに、集光レンズ８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物をワーク９としてステージ２０に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置１２の焦点が合うように集光レンズ８を移動する。次に、レーザ光を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部の距離を計測することでオフセット距離を設定することができる。
【００４４】
集光レンズ８を光軸７方向に移動して、ワーク９の光学経路部３側の面に撮像装置１２の焦点を合わせる。レーザ光を照射したい位置とオフセット距離とで集光レンズ８の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光レンズ８を移動させる。この方法でワーク９における所定の深さにレーザ光を集光することが可能となる。
【００４５】
ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報の取得と移動制御を行う。Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とには図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置３０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置を検出する。ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報を取得し、メインコンピュータ２４から指示される位置情報とを比較し、差に相当する距離に対応して、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して移動する。ステージ制御装置３０はＸ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して、所望の位置にワーク９を移動することが可能となっている。
【００４６】
レーザ制御装置２７がレーザ光源２を制御しレーザ光を発光させる。画像処理装置２９がワーク９の面における光軸７方向の位置を検出する。レンズ制御装置２８がレーザ光を集光する光軸７方向の位置を制御する。ステージ制御装置３０がワーク９をＸＹ方向に移動して、ワーク９にレーザ光が照射される位置を制御する。上述した制御を行い所望の位置にレーザ光を集光して照射することが可能となっている。
【００４７】
ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光レンズ８によって集光されたレーザ光は、ワーク９に入射する。そして、ワーク９がレーザ光を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップＥｇよりも光子のエネルギーｈνが非常に大きいとき、ワーク９は光子エネルギーを吸収する。これを多光子吸収と言い、レーザ光のパルス幅を極めて短くすることでエネルギーを高めて、多光子吸収をワーク９の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。
【００４８】
本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果複数のクラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英などの場合には、クラック部は複数のクラックにならず、空洞が形成される場合もある。
【００４９】
このような改質部を形成するためのレーザ光の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光の出力やパルス幅、パルス周期、レーザスキャン速度等の設定が必要になる。特に、レーザ光源２が照射するレーザ光の出力は、ダイクロイックミラー６や集光レンズ８のような光軸７上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。
【００５０】
（レーザスクライブ方法）
次に本発明の基板の分断方法について図２〜図５にて説明する。図２は、基板の分断方法のフローチャートであり、図３は基板の模式図である。図４〜図５は基板の分断方法を説明する図である。
【００５１】
図２のフローチャートにおいて、ステップＳ１はスクライブ工程に相当し、基板の一部において、基板の内部に改質部を形成する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は分断工程に相当し、基板を分断する工程である。
【００５２】
次に、図３〜図５を用いて、図２に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。
図３は、本実施形態において形成する基板の模式図である。図３（ａ）は基板の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の線Ａ−Ａにおける断面図である。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、基板３４に孔部３５を形成する。孔部３５は平面形状が曲線にて構成されている孔部境界面３５ａに沿って形成される貫通孔となっている。孔部境界面３５ａの形状は孔部３５が形成される前の段階では、境界予定面３５ｂと称し、形状は同じ形状を示す。孔部３５は断面形状が台形となっており、基板３４の上側の面３４ａにおける孔部３５の面積は、基板３４の下側の面３４ｂにおける孔部３５の面積より狭く形成されている。基板３４は光透過性の脆性材料からなる基板であれば良く、本実施形態では、ソーダ石灰ガラスを採用している。
【００５３】
図４（ａ）〜図４（ｅ）はステップＳ１に対応する図である。図４（ａ）に示すように、基板３４の境界予定面３５ｂに沿って、集光レンズ８からレーザ光３６を基板３４の内部に集光して照射する。レーザ光３６が集光された場所には改質部３７の１段目が形成される。改質部３７の中央で最もレーザ光が集光する領域には複数のクラックからなるクラック部３８が形成される。
【００５４】
図４（ｂ）に示すように、形成されている１段目の改質部３７に対して、基板３４の厚み方向に隣接する場所に、２段目の改質部３７を形成する。２段目の改質部３７についても、境界予定面３５ｂに沿って、集光レンズ８からレーザ光３６を基板３４の内部に集光して照射し、２段目の改質部３７を形成する。
【００５５】
図４（ｃ）に示すように、形成されている２段目の改質部３７に対して、基板３４の厚み方向に隣接する場所に、３段目の改質部３７を形成する。３段目の改質部３７についても、境界予定面３５ｂに沿って、集光レンズ８からレーザ光３６を基板３４の内部に集光して照射し、３段目の改質部３７を形成する。
【００５６】
図４（ｄ）に示すように、形成されている３段目の改質部３７に対して、基板３４の厚み方向に隣接する場所に、４段目の改質部３７を形成する。４段目の改質部３７についても、境界予定面３５ｂに沿って、集光レンズ８からレーザ光３６を基板３４の内部に集光して照射し、４段目の改質部３７を形成する。
【００５７】
図４（ｅ）に示すように、その結果、改質部３７が境界予定面３５ｂに沿って、基板３４の上面３４ａから下面３４ｂにわたって形成されているスクライブ面３９が形成される。境界予定面３５ｂは断面形状が台形に設定されており、改質部３７は基板３４の厚さ方向に対して、斜めの面となるように形成される。
【００５８】
図５（ａ）〜図５（ｂ）はステップＳ２に対応する図である。図５（ａ）に示すように、基板３４を金属製のダイプレート４０上に配置する。基板３４のクラック部３８に対応するダイプレート４０の場所には孔部４０ａが形成されている。基板３４に対してダイプレート４０の反対側には、ポンチプレート４１が配置され、ポンチプレート４１の境界予定面３５ｂに沿って形成されるクラック部３８と対応する場所には、金属製のポンチ４２が形成されている。ポンチ４２は図示しないガイドと直動機構により上下動するようになっている。直動機構は、例えば油圧シリンダのように、油ポンプにより加圧された油をシリンダに流入及び流出して、シリンダを直動させる機構でもよい。
【００５９】
図５（ｂ）に示すように、ポンチ４２にて基板３４をダイプレート４０に押圧する。基板３４のスクライブ面３９を構成するクラック部３８には剪断力が加わり、クラック部３８を起点としてクラックが成長し、スクライブ面３９に囲まれた廃材部４３が基板３４から分離され、分断される。分断された廃材部４３は、ポンチ４２に押されてダイプレート４０の孔部４０ａに移動して落下する。その結果、図３（ａ）に示す曲線形状の孔部３５が形成される。
【００６０】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ステップＳ１のスクライブ工程で、基板３４にレーザ光３６を集光して照射し、改質部３７がスクライブ面３９に沿って配列して形成される。ステップＳ２の分断工程では、境界予定面３５ｂに形成されるスクライブ面３９に沿って剪断力が加えられて分断される。スクライブ面が曲線からなる面であるときにも、スクライブ面に沿って剪断力を加えることで分断することができる。
【００６１】
基板３４を曲線に沿って分断するとき、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜をパターニングして、基板をエッチングした後、レジストを剥離する方法に比べて、レーザ光３６を照射して形成される改質部３７が配列されているスクライブ面３９に沿って分断する方法の方が、少ない工程数で形成することができる。従って、生産性良く基板を分断することができる。
【００６２】
（２）本実施形態によれば、ステップＳ１のスクライブ工程で、基板３４の厚さ方向に対して、改質部３７を斜めに配列してスクライブ面３９を形成している。スクライブ面３９に沿って剪断力を加えるとき、スクライブ面が基板３４の厚さ方向に対して、斜めに形成されていることから、分断されるスクライブ面３９どうしが離れるように分断される。従って、分断されたスクライブ面どうしが擦れあうことなく分断される為、擦れにより基板３４を構成する材料が分離して粉状になることが生じにくくなる。その結果、基板３４の構成する材料の粉が基板に付着して不具合となることを防止することができる。
（第２の実施形態）
【００６３】
次に本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について図６〜図１３にて説明する。図６は液晶表示装置の模式図である。
この実施形態は、第１の実施形態の方法を応用するものである。
【００６４】
（液晶表示装置）
最初に液晶表示装置について説明する。図６（ａ）は、液晶表示装置の模式平面図であり、図６（ｂ）は、液晶表示装置の模式断面図である。
【００６５】
図６（ａ）及び図６（ｂ）において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置５０は、対をなす第１の基板５１と第２の基板５２とが光硬化性の封止材であるシール材５３によって貼り合わされ、このシール材５３によって区画される領域内に封入された液晶５４からなる液晶層を狭持している。
【００６６】
第２の基板５２は円形に形成された部位と矩形に形成された部位から構成されている。第２の基板５２の矩形になっている辺５２ａ（図６（ａ）中下側の辺）に沿って、電極としての実装端子５５が配列して形成されている。第２の基板５２の円形部分の中央から同心円状に扇形の画素電極５６が配置され、画素電極５６と実装端子５５とが配線５７を介して電気的に接続されている。
【００６７】
第１の基板５１の液晶５４が配置されている側には、共通電極５８が配置され、基板間導通材５９を介して実装端子５５と電気的に接続されている。
【００６８】
シール材５３は、基板面内の領域において円形の枠状に形成され、一部が第１の基板５１及び第２の基板５２の外周に接続され、液晶５４を封入する封入口５１ｅを形成している。封入口５１ｅは液晶５４を封入した後、封止剤６０で封止されている。
【００６９】
第１の基板５１は、共通電極５８と反対側の面に偏光シート６１が配置され、第２の基板５２も、画素電極５６と反対側の面に偏光シート６２が配置されている。
【００７０】
実装端子５５は図示しない駆動回路と電気的に接続される。液晶５４は、該液晶５４を挟持する画素電極５６と共通電極５８とに電圧が印加されると液晶分子の傾き角度が変化する性質を持っており、駆動回路により、液晶５４にかける電圧をコントロールして液晶５４の傾き角度を制御し、液晶５４を通過する光の偏光角を切替える。液晶表示装置５０は、偏光角を切替えて、偏光シート６１と偏光シート６２とを通過する光に対して、画素電極５６毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。
【００７１】
（液晶表示装置の製造方法）
次に上述した液晶表示装置５０の製造方法について図７〜図１３にて説明する。図７は、液晶表示装置の製造方法のフローチャートであり、図８〜１３は液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【００７２】
図７のフローチャートにおいて、ステップＳ１１は第１基板のスクライブ工程に相当し、第１の基板の内部に改質部を形成してスクライブする工程である。次にステップＳ１２に移行する。ステップＳ１２は、第１基板の分断工程に相当し、第１基板の孔部を分断する工程である。ステップＳ１１とステップＳ１２とを合わせて第１基板形成工程（ステップＳ２２）とする。次にステップＳ１３に移行する。
【００７３】
ステップＳ１３は、第２基板のスクライブ工程に相当し、第２の基板の内部に改質部を形成してスクライブする工程である。次にステップＳ１４に移行する。ステップＳ１４は、第２基板の分断工程に相当し、第２の基板の孔部を分断する工程である。ステップＳ１３とステップＳ１４とを合わせて第２基板形成工程（ステップＳ２３）とする。次にステップＳ１５に移行する。
【００７４】
ステップＳ１５は、接着工程に相当し、第１の基板と第２の基板とを接着して組立てる工程である。次にステップＳ１６に移行する。ステップＳ１６は、短冊加工工程に相当し、基板を短冊形状に分断する工程である。次にステップＳ１７に移行する。ステップＳ１７は、液晶注入工程に相当し、第１の基板と第２の基板との間に液晶を注入する工程である。次にステップＳ１８に移行する。ステップＳ１８は、封止工程に相当し、注入した液晶が漏洩しないように封止する工程である。次にステップＳ１９に移行する。
【００７５】
ステップＳ１９は、組立て基板のスクライブ工程に相当し、第１の基板と第２の基板とが組立てられた基板をスクライブする工程である。次にステップＳ２０に移行する。ステップＳ２０は、組立て基板の分断工程に相当し、ステップＳ１９にて、スクライブされた基板を分断する工程である。ステップＳ１９とステップＳ２０とを合わせて分断工程（ステップＳ２４）とする。次にステップＳ２１に移行する。ステップＳ２１は、偏光シート貼付け工程に相当し、第１の基板と第２の基板とに偏光シートを貼り付ける工程である。
【００７６】
次に、図８〜図１３を用いて、図７に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。
【００７７】
図８（ａ）及び図８（ｂ）はステップＳ１１に対応する図である。図８（ｂ）は図８（ａ）の線Ｂ−Ｂにおける断面図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第１の基板５１には、図６に示す液晶表示装置５０を４個形成できるように、共通電極５８が４個形成されている。第１の実施形態に示す基板の分断方法と同様に、第１の基板５１にレーザ光を照射して、共通電極５８の周辺に、Ｃ字形状の廃材部６３の周囲にクラック部６４から構成されるスクライブ面６５を形成する。
【００７８】
第１の基板５１には、液晶表示装置５０に対応する第１の本体部５１ｂと、第１の本体部５１ｂを取り囲む第１の枠部５１ｃと、第１の本体部５１ｂと第１の枠部５１ｃとを接続する第１の支持部５１ｄとを形成するように、スクライブ面６５が形成される。
【００７９】
図８（ｃ）はステップＳ１２に対応する図である。図８（ｃ）に示すように、第１の基板５１をダイプレート６６に配置する。ダイプレート６６の基板５１と接する面６６bには、廃材部６３の形状に孔部６６ａが形成されている。廃材部６３の平面形状と同一の形状に形成されているポンチ６７をポンチプレート６８を介して第１の基板５１に押圧する。第１の基板５１のスクライブ面６５には、剪断力が加わり、第１の基板５１から廃材部６３が分離され、分断される。
図８（ｄ）に示すように、その結果、第１の基板５１には図８（ａ）に示す廃材部６３と略同じ形状の孔部６９が形成される。
【００８０】
図９（ａ）及び図９（ｂ）はステップＳ１３に対応する図である。図９（ｂ）は図９（ａ）の線Ｃ−Ｃにおける断面図である。図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、第２の基板５２には、図６に示す液晶表示装置５０を４個形成できるように、画素電極５６が形成されている。第１の実施形態に示す基板の分断方法と同様に、第２の基板５２にレーザ光を照射して、画素電極５６の周辺と実装端子５５の両端付近に、括弧形状の廃材部７０の周囲にクラック部７１から構成されるスクライブ面７２を形成する。
【００８１】
第２の基板５２には、液晶表示装置５０に対応する第２の本体部５２ｂと、第２の本体部５２ｂを取り囲む第２の枠部５２ｃと、第２の本体部５２ｂと第２の枠部５２ｃとを接続する第２の支持部５２ｄ，５２ｅとを形成するように、スクライブ面７２が形成される。
【００８２】
図９（ｃ）はステップＳ１４に対応する図である。図９（ｃ）に示すように、第２の基板５２をダイプレート７３に配置する。ダイプレート７３の基板５２と接する面には、廃材部７０の形状に孔部７３ａが形成されている。廃材部７０の平面形状と同一の形状に形成されているポンチ７４をポンチプレート７５を介して第２の基板５２に押圧する。第２の基板５２のスクライブ面７２には、剪断力が加わり、第２の基板５２から廃材部７０が分離され、分断される。
図９（ｄ）に示すように、その結果、第２の基板５２には図９（ａ）に示す廃材部７０と同じ形状の孔部７６が形成される。
【００８３】
図１０（ａ）〜図１０（ｃ）はステップＳ１５に対応する図である。図１０（ａ）に示すように、第２の基板５２にシール材５３を塗布する。塗布方法は、塗布する位置及び材料が適正に塗布できれば良く、例えば、本実施形態ではスクリーン印刷法を用いて塗布している。
【００８４】
図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示すように、続いて、第１の基板５１と第２の基板５２との相対位置を合わせ、第１の基板５１と第２の基板５２とを貼り合せて接着する。接着後に加熱乾燥して、シール材５３が硬化するまで放置する。例えば、本実施形態では光硬化性の接着剤を採用しており、シール材５３に光を照射して半硬化させた後、加熱乾燥している。
【００８５】
図１０（ｄ）〜図１１（ｃ）はステップＳ１６に対応する図である。図１０（ｄ）に示すように、ガラスカッタ７７を第１の基板５１に押圧しつつ移動する。ガラスカッタ７７の第１の基板５１と接触する場所には、超硬合金からなる円板状のガラスカッタホイール７８が配置されている。ガラスカッタ７７が第１の基板５１を押圧しつつ移動するとき、ガラスカッタホイール７８が回転しつつ第１の基板５１に応力を加え、クラック７９を形成する。クラック７９は第１の基板５１の厚さ方向に形成され、ガラスカッタ７７が第１の基板５１を押圧しつつ移動する跡に連続して形成される。
続いて、第１の基板５１に形成されているクラック７９と対向する第２の基板５２の位置に、同様の方法にてクラック７９を形成する。
【００８６】
図１１（ａ）に示すように、その結果、クラック７９が第１の基板５１と第２の基板５２とにおける所定の場所に形成される。クラック７９は直線状に形成され、封入口５１ｅが形成されている孔部７６ａを通るように形成される。
【００８７】
図１１（ｂ）に示すように、第２の基板５２を弾性のある台８０の上に配置する。このとき、第２の基板５２のクラック７９が台８０に接するように配置する。第２の基板５２の内部に形成されたクラック７９と対応する第１の基板５１上の位置に加圧部材８１を配置し、加圧部材８１を第２の基板５２方向に押圧する。第２の基板５２は加圧部材８１に押圧された場所が台８０に沈み込み、第２の基板５２と台８０とが接触する面に張力が作用する。クラック７９には張力がかかり、クラック７９を起点として破断が進行して、第２の基板５２が分断される。
【００８８】
同様に、第１の基板５１を台８０の上に配置して、クラック７９に対応する場所を加圧部材８１で第１の基板５１方向に押圧する。クラック７９には張力がかかり、クラック７９を起点として破断が進行して、第１の基板５１が分断される。
【００８９】
図１１（ｃ）に示すように、その結果、第１の基板５１と第２の基板５２とがクラック７９で短冊形状に分断され、封入口５１ｅが側面に露出している短冊基板８２が形成される。短冊基板８２は、外周に位置する枠部８２ａと、図６に示す液晶表示装置５０に相当する本体部８２ｂと、枠部８２ａと本体部８２ｂとを接続する支持部８２ｃ，８２ｄとから構成される。
【００９０】
図１２（ａ）はステップＳ１７に対応する図である。図１２（ａ）に示すように、短冊基板８２を注入装置８３に配置する。注入装置８３は、容器８４を備えている。容器８４の上面にはカバー８５が配置され、注入装置８３は、容器８４とカバー８５にて箱状のチャンバ室８６を形成している。容器８４とカバー８５は、その後部に、蝶番８７を介して連結され、カバー８５に設けた取っ手８８を使って開閉可能になっている。
【００９１】
注入装置８３は真空ポンプ８９を備え、チャンバ室８６に備えられた吸入口９０から配管９１を介して、チャンバ室８６内の空気を吸引し、チャンバ室８６を減圧することが可能となっている。
【００９２】
容器８４は内部に液状の液晶９２と多孔質の吸収体９３が配置され、吸収体９３の内部には液晶９２が浸透している。
【００９３】
まず、短冊基板８２の封入口５１ｅが吸収体９３に接するように配置する。次に、真空ポンプ８９を駆動して、チャンバ室８６の空気を排出する。このとき、短冊基板８２の内部に存在する空気は封入口５１ｅから排出され、短冊基板８２の内部は減圧される。
【００９４】
続いて、チャンバ室８６に空気を流入して、チャンバ室８６の圧力を大気圧に戻す。このとき、短冊基板８２の封入口５１ｅから、吸収体９３に浸透している液晶９２が吸引され、短冊基板８２の内部は液晶９２で満たされる。
【００９５】
図１２（ｂ）はステップＳ１８に対応する図である。図１２（ｂ）に示すように、シリンダ９４を用いて短冊基板８２の封入口５１ｅに封止剤９５を塗布する。封止剤９５は液晶９２の流出を防ぎ、液晶９２を変質させない材料であれば良く、例えば、本実施形態ではエポキシ樹脂を採用している。封止剤９５を塗布した後、短冊基板８２を加熱乾燥して封止剤９５を固化する。
【００９６】
図１２（ｃ）〜図１２（ｄ）はステップＳ１９に対応する図である。図１２（ｃ）に示すように、第１の基板５１にレーザ光３６を集光レンズ８で集光して照射する。図１２（ｂ）に示す支持部８２ｃをスクライブするスクライブ予定線９６ａに沿ってレーザ光３６を照射する。レーザ光３６が集光される場所には、改質部３７が形成され、改質部３７の中心にはクラック部３８が形成される。第１の実施形態と同様に、第１の基板５１にレーザ光３６を集光する深さを換えて照射して、スクライブ予定線９６ａに沿って改質部３７を配列して形成する。
図１２（ｄ）に示すように、その結果、第１の基板５１にスクライブ面９７が形成される。
【００９７】
第２の基板５２においても同様に、図１２（ｂ）に示す支持部８２ｃをスクライブするスクライブ予定線９６ａと、支持部８２ｄをスクライブするスクライブ予定線９６ｂとに沿ってレーザ光３６を照射して改質部３７を形成する。第２の基板５２にレーザ光３６を集光する深さを換えて照射して、改質部３７を配列して形成する。
【００９８】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）はステップＳ２０に対応する図である。図１３（ａ）に示すように、短冊基板８２を弾性のある台８０の上に配置する。このとき、第１の基板５１のクラック部３８から構成されるスクライブ面９７が台８０に接するように配置する。第１の基板５１の内部に形成されるスクライブ面９７と対応する第２の基板５２上の位置に加圧部材８１を配置し、加圧部材８１を第１の基板５１方向に押圧する。第１の基板５１は加圧部材８１に押圧された場所が台８０に沈み込み、第１の基板５１と台８０とが接触する面に張力が作用する。クラック部３８には張力がかかり、クラック部３８を起点として破断が進行して、第１の基板５１が分断される。
【００９９】
図１３（ｂ）に示すように、第２の基板５２が台８０に接するように、短冊基板８２を台８０の上に配置して、スクライブ面９７に対応する場所を加圧部材８１で第２の基板５２方向に押圧する。クラック部３８には張力がかかり、クラック部３８を起点として破断が進行して、第２の基板５２が分断される。
【０１００】
ステップＳ２１において、図６（ｂ）に示す偏光シート６１を第１の基板５１に貼付け、偏光シート６２を第２の基板５２に貼り付けて液晶表示装置５０が完成する。
【０１０１】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ステップＳ２２の第１基板形成工程で第１の基板５１を形成する。ステップＳ２２の第１基板形成工程において、第１の実施形態に記載した基板の分断方法が用いられる。上記の基板の分断方法は、曲線形状の基板が生産性良く形成されることから、上記基板の分断方法を用いた液晶表示装置５０の製造方法では、その第１の基板５１が生産性良く形成される。
【０１０２】
（２）本実施形態によれば、ステップＳ２３の第２基板形成工程で第２の基板５２を形成する。ステップＳ２３の第２基板形成工程において、第１の実施形態に記載した基板の分断方法が用いられる。上記の基板の分断方法は、曲線形状の基板が生産性良く形成されることから、上記基板の分断方法を用いた液晶表示装置５０の製造方法では、その第２の基板５２が生産性良く形成される。
【０１０３】
（３）本実施形態によれば、液晶表示装置５０は液晶５４を駆動して液晶表示装置５０を透過する光と遮る光を制御する。液晶５４の駆動は、画素電極５６と共通電極５８との間に印加する電圧で制御することから、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）方式や電子管方式に比べて、少ない消費電力で駆動することができる。
（第３の実施形態）
【０１０４】
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の一実施形態について図１４の液晶表示装置の製造方法を説明する図を用いて説明する。
この実施形態が第２の実施形態と異なるところは、図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）に示したスクライブ方法と異なる点にある。図７に示すステップＳ１９，Ｓ２０以外の工程は、第２の実施形態と同じであり、説明を省略する。
【０１０５】
すなわち、本実施形態では、図７に示すステップＳ１９において、図１４（ａ）に示すように、ガラスカッタ７７を第１の基板５１の共通電極５８と逆側の面５１ａに押圧しつつ移動する。ガラスカッタ７７の第１の基板５１と接触する場所には、超硬合金からなる円板状のガラスカッタホイール７８が配置されている。ガラスカッタ７７が第１の基板５１を押圧しつつ移動するとき、ガラスカッタホイール７８が回転しつつ第１の基板５１に応力を加え、クラック１００を形成する。クラック１００は第１の基板５１の厚さ方向に形成され、ガラスカッタ７７が第１の基板５１を押圧しつつ移動する跡に連続して形成される。
【０１０６】
図１４（ｂ）に示すように、続いて、第２の基板５２の画素電極５６と逆側の面５２ａにおいて、分断する予定の場所にガラスカッタ７７を押圧しつつ移動する。クラック１００は第２の基板５２の厚さ方向に形成され、ガラスカッタ７７が第２の基板５２を押圧しつつ移動する跡に連続して形成される。
図１４（ｃ）に示すように、その結果、短冊基板８２の支持部８２ｃと支持部８２ｄとには、クラック１００が形成される。
【０１０７】
図７に示すステップＳ２０では、第２の実施形態と同様に、短冊基板８２を弾性のある台の上に配置する。第１の基板５１のクラック部１００が台に接するように配置する。第１の基板５１の内部に形成されるクラック１００と対応する第２の基板５２上の位置に加圧部材を配置し、加圧部材を第１の基板５１方向に押圧する。第１の基板５１は加圧部材に押圧された場所が台に沈み込み、第１の基板５１と台とが接触する面に張力が作用する。クラック１００には張力がかかり、クラック１００を起点として破断が進行して、第１の基板５１が分断される。
【０１０８】
第２の基板５２が台に接するように、短冊基板８２を台の上に配置して、クラック１００と対応する場所を加圧部材で第２の基板５２方向に押圧する。クラック１００には張力がかかり、クラック１００を起点として破断が進行して、第２の基板５２が分断される。
【０１０９】
続いて、ステップＳ２１にて、図６（ｂ）に示す偏光シート６１，６２を貼り付けて液晶表示装置５０が完成する。
【０１１０】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する
（１）本実施形態によれば、実装端子５５が配置されている支持部８２ｄを分断している。液晶表示装置５０は実装端子５５に配線が接続されて用いられる。支持部８２ｄが本体部８２ｂから突出する支持部８２ｄの形状に誤差があっても影響がない事が多い。分断工程では実装端子５５が配置される支持部８２ｄを分断することから、分断位置が変動するガラスカッタ７７を用いて分断する方法を採用することができる。分断工程において、支持部８２ｃ，８２ｄがガラスカッタ７７を用いてスクライブされて、分断されている。ガラスカッタ７７を用いてスクライブする方法は、レーザ光３６を用いてスクライブするときに比べて短い時間でスクライブすることができる。従って、支持部８２ｃ，８２ｄを分断するとき、分断される面が曲面でなく平面のときは、ガラスカッタ７７を用いてスクライブすることで、短時間でスクライブできる。その結果、生産性良くスクライブすることができる。
（第４の実施形態）
【０１１１】
次に、上記の第２の実施形態の液晶表示装置５０を備えた電子機器について説明する。
図１５は、腕時計に液晶表示装置を搭載した例を示す概略斜視図である。図１５に示すように、電子機器としての腕時計１０４の本体は情報を表示する表示装置１０５を備えている。この表示装置１０５には複数の液晶表示装置を備えており、その液晶表示装置の一つは、第２の実施形態により製造された液晶表示装置５０が配置されている。腕時計１０４に配置されている表示装置１０５は、第２の実施形態により製造されており、レーザ光を用いてクライブされ、外形が曲面に分断された液晶表示装置５０を搭載している。従って、表示部にレーザ光を用いてクライブされ、外形が曲面に生産性良く分断された液晶表示装置５０を備えた電子機器とすることができる。
【０１１２】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
【０１１３】
上記の第２の実施形態では、図１３に示すように、第１の基板５１と第２の基板５２とを押圧して、スクライブ面９７のクラック部３８に張力を加えて分断した。これに限らず、図５に示すダイプレート４０とポンチ４２とを用いてスクライブ面９７に剪断力を加えて分断しても良い。
スクライブ面９７が曲線のときにも、曲線形状の基板が生産性良く形成することができる。
（変形例２）
【０１１４】
前記第１の実施形態では、レーザ光源２は、フェムト秒レーザを用いたが、ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧのレーザ媒質を用いて発光するレーザ光をＱスイッチパルス発振することでレーザ光の光強度を高めているレーザ光を用いても良い。このとき、分極反転光デバイスを用いて波長を変換しても良い。条件を調整して、基板内部に改質部が形成可能な条件を用いてスクライブし、分断しても良い。
（変形例３）
【０１１５】
前記第１の実施形態では、ポンチ４２を油圧シリンダにて押圧して剪断力を加えたが、モータにて重りを回転して、クランク機構により直線運動にかえてポンチ４２を直線運動してもよい。廃材部４３と基板３４とを分断する動作を連続して行うときのサイクルタイムを早くすることができる。
（変形例４）
【０１１６】
前記第１の実施形態では、境界予定面３５ｂは台形に設定したが、矩形に設定しても良い。レーザ光を照射する場所の演算を簡便にすることができる。
（変形例５）
【０１１７】
前記第２の実施形態では、実装端子５５付近を支持部８２ｄとして枠部８２ａと本体部８２ｂとを接続していたが、分離する廃材部７０の形状を括弧形状でなく、Ｃ字形状としても良い。支持部８２ｄを分断する工程を削除することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】第１の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を示す概略図。
【図２】基板の分断方法のフローチャート。
【図３】基板の模式図。
【図４】基板の分断方法を説明する図。
【図５】基板の分断方法を説明する図。
【図６】第２の実施形態に係る液晶表示装置の模式図。
【図７】基板の分断方法のフローチャート。
【図８】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図９】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１０】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１１】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１２】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１３】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１４】第３の実施形態に係るレーザスクライブ方法を説明する図。
【図１５】第４の実施形態に係る腕時計を示す概略斜視図。
【符号の説明】
【０１１９】
９…基板としてのワーク、３４…基板、３６…レーザ光、３７…改質部、５０…電気光学装置としての液晶表示装置、５１…第１の基板、５１ｂ…第１の本体部、５１ｃ…第１の枠部、５１ｄ…第１の支持部、５２…第２の基板、５２ｂ…第２の本体部、５２ｃ…第２の枠部、５２ｄ，５２ｅ…第２の支持部、５５…電極としての実装端子、６５…スクライブ面、７７…ガラスカッタ、１０４…電子機器としての腕時計、１０５…表示部としての表示装置。
【図１】
2007319920.tif 000003
【図２】
2007319920.tif 000004
【図３】
2007319920.tif 000005
【図４】
2007319920.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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