(57)【要約】【課題】堆積したパーティクルによる品質劣化を生じることなくダイシングを行うことができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体ウェハを個々の半導体装置毎に分割して半導体チップ１ｄを製造する半導体チップの製造方法において、半導体ウェハの分割をプラズマエッチングによって行うプラズマダイシングのために形成されたマスク３を、研削ヘッド２６を用いた機械研削によって除去する。これにより、プラズマアッシングによってマスクを除去する場合に避けがたい反応生成物の発生を防止して、堆積したパーティクルによる品質劣化を生じることなくダイシングを行うことができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリートラインによって区画された複数の領域のそれぞれに半導体装置が形成された半導体ウェハを個々の半導体装置毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法であって、
前記半導体ウェハの半導体装置形成面側に剥離可能な保護テープを貼付ける保護テープ貼付工程と、前記保護テープを貼り付けた半導体ウェハの裏面側を研削して半導体ウェハを薄化する裏面研削工程と、前記裏面研削工程の後、前記複数の領域を覆うマスクを半導体ウェハの裏面に形成するマスク形成工程と、前記マスクが形成された表面から半導体ウェハにプラズマを照射して前記半導体ウェハにおいてマスクで覆われていない部分を除去することにより、この半導体ウェハを個々の半導体装置毎に複数の半導体チップに分割するプラズマダイシング工程と、このプラズマダイシング工程後に前記マスクが形成された裏面を研削することにより前記マスクを除去するマスク除去工程と、前記マスク除去工程において前記裏面に形成された加工変質層を除去する加工変質層除去工程と、前記分割された複数の半導体チップから前記保護テープを剥離するテープ剥離工程とを含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
前記加工変質層除去工程において、前記裏面をプラズマエッチングすることにより前記裏面に形成された加工変質層を除去することを特徴とする請求項１記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体装置が形成された半導体ウェハを個々の半導体装置毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の基板などに実装される半導体チップは、ウェハ状態で回路パターン形成が行われた半導体装置を個片に切り出すことにより製造される。近年、半導体装置の薄化によりウェハ状態の半導体装置の取り扱い難度が増大したのに伴い、半導体ウェハを切断して個片の半導体チップに分割するダイシングを、プラズマエッチングによって行うプラズマダイシングが用いられるようになっている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
プラズマダイシングは、格子目状の分割位置を示すストリートライン以外の部位をレジスト膜のマスクによってマスキングした状態でプラズマエッチングすることにより、半導体ウェハをストリートラインに沿って切断するものである。ダイシング後にはマスクを除去する必要があるため、特許文献１に示す先行技術例においては、プラズマダイシングに用いた同一のプラズマ処理装置によってマスク除去のためのプラズマアッシングを行うようにしている。
【特許文献１】特開２００４−１７２３６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながらプラズマアッシングにおいては、マスク除去時に発生した反応生成物がパーティクルとなって飛散してプラズマ処理装置の内部に付着堆積する。このため、同一のプラズマ処理装置によってダイシングとアッシングを反復して実行する過程において、堆積したパーティクルが半導体ウェハに付着することに起因するダイシングの品質劣化が生じる場合があった。
【０００５】
そこで本発明は、堆積したパーティクルによる品質劣化を生じることなくダイシングを行うことができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体チップの製造方法は、ストリートラインによって区画された複数の領域のそれぞれに半導体装置が形成された半導体ウェハを個々の半導体装置毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法であって、前記半導体ウェハの半導体装置形成面側に剥離可能な保護テープを貼付ける保護テープ貼付工程と、前記保護テープを貼り付けた半導体ウェハの裏面側を研削して半導体ウェハを薄化する裏面研削工程と、前記裏面研削工程の後、前記複数の領域を覆うマスクを半導体ウェハの裏面に形成するマスク形成工程と、前記マスクが形成された表面から半導体ウェハにプラズマを照射して前記半導体ウェハにおいてマスクで覆われていない部分を除去することにより、この半導体ウェハを個々の半導体装置毎に複数の半導体チップに分割するプラズマダイシング工程と、このプラズマダイシング工程後に前記マスクが形成された裏面を研削することにより前記マスクを除去するマスク除去工程と、前記マスク除去工程において前記裏面に形成された加工変質層を除去する加工変質層除去工程と、前記分割された複数の半導体チップから前記保護テープを剥離するテープ剥離工程とを含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、プラズマダイシングのためのマスクを機械研削によって除去すること
により、マスク除去時の反応生成物の発生を防止して、堆積したパーティクルによる品質劣化を生じることなくダイシングを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法を示すフロー図、図２、図３，図４，図５，図６は本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【０００９】
まず半導体チップの製造方法について、図１，図２に沿って各図を参照しながら説明する。この半導体チップの製造方法は、分割位置を示すストリートラインによって区画された複数の領域のそれぞれに半導体装置が形成された半導体ウェハを、個々の半導体装置毎に分割して半導体チップを製造するものである。
【００１０】
図１において、まず半導体ウェハに機械研削時の保護用のテープを貼り付ける保護テープ貼付工程が実行される（ＳＴ１）。すなわち、図２（ａ）に示すように、半導体ウェハ１の半導体装置形成面１ａ側に、剥離可能な保護テープ２を貼付ける。次いで、裏面研削工程が実行される（ＳＴ２）。すなわち図３に示すように、半導体ウェハ１を保護テープ２側を下面にした姿勢で、チャックテーブル６に載置する。そして保護テープ２を貼り付けた半導体ウェハ１の裏面側を、研削ヘッド７によって機械研削して、半導体ウェハ１を薄化する。これにより、当初約７５０μｍの厚みの半導体ウェハ１は、図２（ｂ）に示すように、６０μｍ程度の厚みｔまで薄化される。
【００１１】
次に、マスク形成工程が実行される（ＳＴ３）。すなわち、裏面研削工程の後、機械研削面には５〜２０μｍ程度の厚みのレジスト膜が、樹脂膜貼付けやスピンコートによる樹脂塗布などの方法によって形成される。次いで、レジスト膜において個々の半導体チップを区画するストリートラインに対応した部分のみを、フォトリソグラフィーやレーザ加工などの方法によって除去する。これにより、図２（ｃ）に示すように、プラズマダイシングのためのマスク、すなわちストリートライン３ａによって区画された領域を覆うマスク３が、半導体ウェハ１の裏面に形成される。
【００１２】
次いでプラズマダイシング工程が実行される（ＳＴ４）。図４は、このプラズマダイシングのために用いられるドライエッチング装置１０の構成を示している。図４において、真空チャンバ１１の内部は減圧雰囲気下でプラズマ処理を行う処理室１２となっており、真空排気装置１５を駆動することにより、処理室１２の内部はプラズマ処理のための圧力まで減圧される。処理室１２の内部には、高周波電極１３およびシャワー電極１４が上下対向して配設されている。高周波電極１３の上面には、処理対象の半導体ウェハ１が保護テープ２を下面側にしてマスク３を上面に向けた姿勢で載置される。
【００１３】
高周波電極１３には高周波電源装置１６が電気的に接続されている。シャワー電極１４は接地部１８に接地されており、高周波電源装置１６を駆動することによって高周波電極１３とシャワー電極１４との間には高周波電圧が印加される。シャワー電極１４の下面には、複数のガス噴出孔１４ａが開口しており、ガス噴出孔１４ａはフッ素系のプラズマ処理用ガスを供給するガス供給部１７に接続されている。
【００１４】
プラズマ処理に際しては、まず高周波電極１３上に半導体ウェハ１を載置し、処理室１２内を真空排気装置１５によって真空排気しながらガス供給部１７によって処理室１２内にフッ素系のプラズマ発生用ガス（ここでは六フッ化硫黄（ＳＦ６）とヘリウムの混合ガス）を半導体ウェハ１に対して吹き付け、この状態で高周波電極１３とシャワー電極１４との間に高周波電圧を印加する。これによりフッ素系ガスがプラズマ化することによるフッ素ラジカルとイオンが発生し、このフッ素ラジカルの化学作用と加速されたイオンの物
理作用によってプラズマダイシングが行われる。
【００１５】
すなわちフッ素系ガスのプラズマを半導体ウェハ１に上面から照射することにより、図３（ｄ）に示すように、半導体ウェハ１においてマスク３で覆われていないストリートライン３ａの部分がフッ素ラジカルの化学作用と加速されたイオンの物理作用によって除去される。そして半導体ウェハ１２の全厚みを貫通するダイシング溝１ｃを形成することにより、半導体ウェハ１を個々の半導体装置毎に複数の半導体チップ１ｄに分割する。
【００１６】
次いでマスク除去のための裏面研削が実行される（ＳＴ５）。すなわち図５に示すように、個片に分割された半導体チップ１ｄが貼り付けられた保護テープ２はチャックテーブル２５上に載置され、半導体チップ１ｄの上面を覆うマスク３は、研削ヘッド２６によって機械的に除去され、これにより半導体チップ１ｄは５５μｍ程度の厚みとなる。このとき、マスク３とともに半導体チップ１ｄも部分的に機械研削されることにより、半導体チップ１ｄの上面には加工変質層１ｅが形成される。
【００１７】
次に、機械研削面１ｅの加工変質層を除去するストレスリリーフが行われる（ＳＴ６）。すなわち、図６に示すように、マスク除去のための裏面研削後の半導体チップ１ｄは保護テープ２に貼り付けられた状態で再びドライエッチング装置１０に収容され、機械研削面１ｅを対象としたフッ素系ガスによるプラズマエッチングが行われる。これにより、図２（ｅ）に示すように、マスク除去後の半導体チップ１ｄの上面に残留した機械研削面１ｅが除去され、半導体チップ１ｄは最終的に５０μｍ程度まで薄化される。
【００１８】
すなわち、このストレスリリーフにおいては、マスク３が除去された半導体チップ１ｄ裏面をプラズマエッチングすることにより、この裏面に形成された加工変質層を除去する。なおこの加工変質層除去工程において、プラズマエッチングを用いる替わりに、ドライポリッシングや、ケミカルメカニカルポリッシングまたはウエットエッチングなど各種の方法を用いてもよいが、プラズマダイシングに用いる同一のドライエッチング装置１０を用いるようにすれば、設備費用の増大を招くことなくストレスリリーフを行うことが可能となる。
【００１９】
この後、保護テープ剥離が行われる（ＳＴ７）。すなわち図２（ｆ）に示すように、半導体チップ１ｄは保護テープ２に貼り付けられた状態のまま、ウェハリング５に展張されたダイシングシート４に転写される。そして複数の半導体チップ１ｄをダイシングシート４に貼着した状態で、分割された複数の半導体チップ１ｄから保護テープ２を剥離する（テープ剥離工程）これにより、半導体チップ１ｄは半導体装置形成面１ａを上向きにして裏面側をダイシングシート４に保持された状態となる。
【００２０】
上記説明したように、本実施の形態に示す半導体チップの製造方法においては、プラズマダイシングのために半導体ウェハに形成されるマスクを、機械研削によって除去するようにしている。これにより、マスクをプラズマアッシングによって除去する方法において不可避的に発生する反応生成物の発生を防止することができる。したがって反応生成物がプラズマ処理装置内に堆積することがなく、堆積したパーティクルによる品質劣化を生じることなくダイシングを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明の半導体チップの製造方法は、マスク除去時の反応生成物の発生を防止して、堆積したパーティクルによる品質劣化を生じることなくダイシングを行うことができるという利点を有し、複数の半導体装置が形成された半導体ウェハを個々の半導体装置に分割して半導体チップを製造する分野に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法を示すフロー図
【図２】本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法の工程説明図
【図３】本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法の工程説明図
【図４】本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法の工程説明図
【図５】本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法の工程説明図
【図６】本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法の工程説明図
【符号の説明】
【００２３】
１  半導体ウェハ
１ａ  半導体装置形成面
１ｄ  半導体チップ  
２  保護テープ
３  マスク
３ａ  ストリートライン
１０  ドライエッチング装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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