(57)【要約】  【課題】高寸法安定性と共に適度な弾性率を有するポリイミドフィルムを使用してなる折り曲げ性に優れたチップオンフィルムの提供。  【解決手段】ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分としてパラフェニレンジアミン及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであり、このポリイミドフィルムの少なくとも片面に、接着剤を介してまたは介することなく前記配線が形成されていることを特徴とするチップオンフィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分としてパラフェニレンジアミン及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであり、このポリイミドフィルムの少なくとも片面に、接着剤を介することなく前記配線が形成されていることを特徴とするチップオンフィルム。
【請求項２】
ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分としてパラフェニレンジアミン及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであり、このポリイミドフィルムの少なくとも片面に、接着剤を介して前記配線が形成されていることを特徴とするチップオンフィルム。
【請求項３】
前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として１０〜５０モル％のパラフェニレンジアミン及び５０〜９０モル％の４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１または２記載のチップオンフィルム。
【請求項４】
前記ポリイミドフィルムの弾性率３〜６ＧＰａ、５０〜２００℃での線膨張係数が５〜２０ｐｐｍ／℃、湿度膨張係数が３０ｐｐｍ／％ＲＨ以下、吸水率が３．５％以下、２００℃１時間での加熱収縮率が０．１０％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のチップオンフィルム。
【請求項５】
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する大きさ２０μｍ以上の凸の数が１０個／５ｃｍ×５ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のチップオンフィルム。
【請求項６】
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する高さ２μｍ以上の凸の数が１０個／５ｃｍ×５ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５記載のチップオンフィルム。
【請求項７】
前記配線が主として銅からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載のチップオンフィルム。
【請求項８】
前記配線が金属層をエッチングすることにより形成されたものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載のチップオンフィルム。
【請求項９】
前記配線が鍍金により形成されたものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載のチップオンフィルム。
【請求項１０】
前記接着剤がエポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種から主としてなることを特徴とする請求項２〜９のいずれか１項記載のチップオンフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップオンフィルム（ＣＯＦ）に関するものであり、更に詳しくは、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有するポリイミドフィルムを使用してなる折り曲げ性に優れたチップオンフィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線基板上に半導体素子が接合・搭載されて形成された基板としてＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープがある。このＴＡＢテープにおいては、絶縁テープにおける半導体素子が搭載される部分に予め貫通した開口部が開けられて、配線パターンが片持ち梁状に突き出した状態で配線パターンの先端部分と半導体素子が接合されるようになっている。
【０００３】
このＴＡＢテープに使用される絶縁テープとしては、ポリイミドフィルムが使用されており、とりわけ高い寸法精度を必要とすることから、低熱膨張性を有するポリイミドフィルムが使用されたＴＡＢテープ（例えば、特許文献１および２参照）が知られていた。
【０００４】
これに対して、ＴＡＢテープと同様に、フレキシブル配線基板上に半導体素子が接合・搭載されて形成された基板として、絶縁テープにおける半導体素子が搭載される部分へは貫通した開口部を設けず、絶縁テープ表面上に設けられた配線パターンの先端部分と半導体素子が接合されたチップオンフィルムが知られるようになった。このチップオンフィルムには、その使用目的から自由に折り曲げることが可能な絶縁テープが必要であるが、上記した低熱膨張性を有するポリイミドフィルムは高寸法安定ではあるものの、弾性率が高すぎるために、折り曲げる使用目的には適することができなかった。
【特許文献１】特開平５−１４８４５８号公報
【特許文献２】特開平１０−７０１５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上述した従来技術における問題点の解決を課題として検討した結果達成されたものである。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有するポリイミドフィルムを使用してなる折り曲げ性に優れたチップオンフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明によれば、ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分としてパラフェニレンジアミン及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであり、このポリイミドフィルムの少なくとも片面に、接着剤を介することなく前記配線が形成されていることを特徴とするチップオンフィルム、および同じくポリイミドフィルムの少なくとも片面に、接着剤を介して前記配線が形成されていることを特徴とするチップオンフィルムが提供される。
【０００８】
なお、本発明のチップオンフィルムにおいては、
前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として１０〜５０モル％のパラフェニレンジアミン及び５０〜９０モル％の４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであること、
前記ポリイミドフィルムの弾性率３〜６ＧＰａ、５０〜２００℃での線膨張係数が５〜２０ｐｐｍ／℃、湿度膨張係数が３０ｐｐｍ／％ＲＨ以下、吸水率が３．５％以下、２００℃１時間での加熱収縮率が０．１０％以下であること、
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する大きさ２０μｍ以上の凸の数が１０個／５ｃｍ×５ｃｍ以下であること、
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する高さ２μｍ以上の凸の数が１０個／５ｃｍ×５ｃｍ以下であること、
前記配線が主として銅からなること、
前記配線が金属層をエッチングすることにより形成されたものであること
前記配線が鍍金により形成されたものであること、および
前記接着剤がエポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種から主としてなること
が、いずれも好ましい条件として挙げられる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、以下に説明するとおり、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有するポリイミドフィルムを使用してなる折り曲げ性に優れたチップオンフィルムを得ることができる。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明について詳細に説明する。
【００１１】
図１（Ａ）は本発明のチップオンフィルムの一例を示すＩＣチップ搭載部分の平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）に示す（ａ）−（ｂ）線に沿った断面図である。
【００１２】
図１に示したように、本発明のチップオンフィルムは、基材としてポリイミドフィルム１を用い、このポリイミドフィルム１にＩＣチップが搭載可能なようにチップ搭載部３を設けるとともに、ポリイミドフィルム１の片面または両面に配線（例えばインナーリード）２を形成したものである。
【００１３】
ここで、インナーリード２の表面にＡｕ、Ｓｎ等のメッキをした後、複数のＡｕ、Ｓｎ等の金属バンプが設けられたＩＣチップとを接合する。この時インナーリード２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプを３００〜５００℃程度の固相接合及び共晶接合温度に加熱し、ボンディングツールを用い適性総荷重を一括で加えてインナーリード２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプを加熱加圧接合する。これにより固相接合及び共晶接合を行い、インナーリード２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプを電気的に接続でき、チップオンフィルムを得ることができるのである。
【００１４】
本発明のチップオンフィルムにおいて、基材として用いるポリイミドフィルムは、ジアミン成分としてパラフェニレンジアミン及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムである。好ましくはジアミン成分として１０〜５０モル％のパラフェニレンジアミン及び５０〜９０モル％の４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを用い、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を用いてなるポリイミドフィルムである。更に好ましくは、弾性率が３〜６ＧＰａ、５０〜２００℃での線膨張係数が５〜２０ｐｐｍ／℃、湿度膨張係数が３０ｐｐｍ／％ＲＨ以下、吸水率が３．５％以下、２００℃１時間での加熱収縮率が０．１０％以下であるポリイミドフィルムである。
【００１５】
ポリイミドフィルムのジアミン成分において、パラフェニレンジアミンが多すぎると硬くなり、少なすぎると柔らかすぎるので、１０〜５０モル％が好ましい。また、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルが多すぎると柔らかくなり、少なすぎると硬くなるので、５０〜９０モル％が好ましい。
【００１６】
ポリイミドフィルムの硬さの指標である弾性率は３〜６ＧＰａの範囲が好ましく、６ＧＰａを超えると硬すぎ、３ＧＰａより小さいと柔らかすぎる。線膨張係数は５〜２０ｐｐｍ／℃が好ましく、２０ｐｐｍ／℃を超えると熱による寸法変化が大き過ぎ、５ｐｐｍ／℃より小さくなると、配線に使用される金属との線膨張係数との差が大きくなるため反りが生じてしまう。湿度膨張係数が３０ｐｐｍ／％ＲＨを超えると湿度による寸法変化が大き過ぎるので、湿度膨張係数は３０ｐｐｍ／％ＲＨ以下が好ましい。吸水率が３．５％を超えると、吸い込んだ水の影響でフィルムの寸法変化が大きくなるので、３．５％以下が好ましい。２００℃１時間の加熱収縮率が０．１０％を超えると、やはり熱による寸法変化が大きくなるので、加熱収縮率は０．１０％以下が好ましい。
【００１７】
本発明におけるポリイミドフィルムには、パラフェニレンジアミンや４，４’―ジアミノジフェニルエーテル以外に少量のジアミンを添加してもよい。また、ピロメリット酸二無水物以外に少量の酸二無水物を添加してもよい。上記３成分以外に用いることができる具体的なジアミン及び酸二無水物としては以下のものが挙げられるが、これらに限定されない。
【００１８】
（１）酸二無水物
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３’，３，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンジカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル、ピリジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−デカヒドロナフタレンテトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，５，６−ヘキサヒドロナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロ−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロ−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロ−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，８，９，１０−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等。
【００１９】
（２）ジアミン
３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、メタフェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、ベンチジン、４，４’−ジアミノジフェニルサルファイド、３，４’−ジアミノジフェニルサルファイド、３，３’−ジアミノジフェニルサルファイド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、２，６−ジアミノピリジン、ビス−（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、３，３’−ジクロロベンチジン、ビス−（４−アミノフェニル）エチルホスフィノキサイド、ビス−（４−アミノフェニル）フェニルホスフィノキサイド、ビス−（４−アミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、ビス−（４−アミノフェニル）−Ｎ−メチルアミン、１，５−ジアミノナフタレン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジメチル−３’，４−ジアミノビフェニル３，３’−ジメトキシベンチジン、２，４−ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノペンチル）ベンゼン、ｐ−ビス−（１，１−ジメチル−５−アミノペンチル）ベンゼン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、１，３−ジアミノアダマンタン、３，３’−ジアミノ−１，１’−ジアミノアダマンタン、３，３’−ジアミノメチル１，１’−ジアダマンタン、ビス（ｐ−アミノシクロヘキシル）メタン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３−メチルヘプタメチレンジアミン、４，４’−ジメチルヘプタメチレンジアミン、２，１１−ジアミノドデカン、１，２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタン、２，２−ジメチルプロピレンジアミン、３−メトキシヘキサエチレンジアミン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、５−メチルノナメチレンジアミン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，１２−ジアミノオクタデカン、２，５−ジアミノ−１，３，４−オキサジアゾール、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、Ｎ−（３−アミノフェニル）−４−アミノベンズアミド、４−アミノフェニル−３−アミノベンゾエート等。
【００２０】
また、本発明において、ポリアミック酸溶液の形成に使用される有機溶媒の具体例としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトンなどの非プロトン性極性溶媒を挙げることができ、これらを単独又は混合物として用いるのが望ましいが、さらにはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の使用も可能である。
【００２１】
ポリイミドの重合方法は公知のいずれの方法で行ってもよく、例えば
（１）先に芳香族ジアミン成分全量を溶媒中に入れ、その後芳香族テトラカルボン酸類成分を芳香族ジアミン成分全量と当量になるよう加えて重合する方法。
（２）先に芳香族テトラカルボン酸類成分全量を溶媒中に入れ、その後芳香族ジアミン成分を芳香族テトラカルボン酸類成分と等量になるよう加えて重合する方法。
（３）一方の芳香族ジアミン化合物を溶媒中に入れた後、反応成分に対して芳香族テトラカルボン酸類化合物が９５〜１０５モル％となる比率で反応に必要な時間混合した後、もう一方の芳香族ジアミン化合物を添加し、続いて芳香族テトラカルボン酸類化合物を全芳香族ジアミン成分と全芳香族テトラカルボン酸類成分とがほぼ等量になるよう添加して重合する方法。
（４）芳香族テトラカルボン酸類化合物を溶媒中に入れた後、反応成分に対して一方の芳香族ジアミン化合物が９５〜１０５モル％となる比率で反応に必要な時間混合した後、芳香族テトラカルボン酸類化合物を添加し、続いてもう一方の芳香族ジアミン化合物を全芳香族ジアミン成分と全芳香族テトラカルボン酸類成分とがほぼ等量になるよう添加して重合する方法。
（５）溶媒中で一方の芳香族ジアミン成分と芳香族テトラカルボン酸類をどちらかが過剰になるよう反応させてポリアミド酸溶液（Ａ）を調整し、別の溶媒中でもう一方の芳香族ジアミン成分と芳香族テトラカルボン酸類をどちらかが過剰になるよう反応させポリアミド酸溶液（Ｂ）を調整する。こうして得られた各ポリアミド酸溶液（Ａ）と（Ｂ）を混合し、重合を完結する方法。この時ポリアミド酸溶液（Ａ）を調整するに際し芳香族ジアミン成分が過剰の場合、ポリアミド酸溶液（Ｂ）では芳香族テトラカルボン酸成分を過剰に、またポリアミド酸溶液（Ａ）で芳香族テトラカルボン酸成分が過剰の場合、ポリアミド酸溶液（Ｂ）では芳香族ジアミン成分を過剰にし、ポリアミド酸溶液（Ａ）と（Ｂ）を混ぜ合わせこれら反応に使用される全芳香族ジアミン成分と全芳香族テトラカルボン酸類成分とがほぼ等量になるよう調整する。
【００２２】
なお、重合方法はこれらに限定されることはなく、その他公知の方法を用いてもよい。
【００２３】
こうして得られるポリアミック酸溶液は、固形分を５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％を含有しており、またその粘度はブルックフィールド粘度計による測定値で１０〜２０００Ｐａ・ｓ、好ましくは、１００〜１０００Ｐａ・ｓのものが、安定した送液のために好ましく使用される。また、有機溶媒溶液中のポリアミック酸は部分的にイミド化されていてもよい。
【００２４】
次に、ポリイミドフィルムの製造方法について説明する。
【００２５】
ポリイミドフィルムを製膜する方法としては、ポリアミック酸溶液をフィルム状にキャストし熱的に脱環化脱溶媒させてポリイミドフィルムを得る方法、およびポリアミック酸溶液に環化触媒及び脱水剤を混合し化学的に脱環化させてゲルフィルムを作成しこれを加熱脱溶媒することによりポリイミドフィルムを得る方法が挙げられるが、後者の方が得られるポリイミドフィルムの線膨張係数を低く抑えることができるので好ましい。
【００２６】
更に、フィルムの滑り性を向上させる目的でシリカやアルミナ等の各種フィラーを添加してもよい。これら使用するフィラーの粒径としては、平均粒径が０．１〜１μｍのものを使用するのが好ましい。平均粒径０．１μｍ未満であるとフィルムの滑り性が悪く、また平均粒径１μｍを越えると、フィルム作製時には凝集体が多く存在させてしまうので好ましくない。さらには、平均粒径１μｍを越えるフィラーを使用すると、フィルム表面上に存在する大きさ２０μｍ以上の凸の数が１０個／５ｃｍ×５ｃｍより多くなり、また高さ２μｍ以上の凸の数が１０個／５ｃｍ×５ｃｍより多くなってしまう。このサイズの凸の存在量により、配線間にフィラーが跨って導電不通を引き起こすこと、またフォトレジストマスクの膜厚を突き破っての不具合を引き起こしやすくなること等の不具合を生じることになるため、フィルム表面上に存在する大きさ２０μｍ以上の凸の数が１０個／５ｃｍ×５ｃｍ以下、また高さ２μｍ以上の凸の数が１０個／５ｃｍ×５ｃｍ以下となるように制御することが望ましい。
【００２７】
ポリイミドフィルムの厚みについては特に限定されないが、好ましくは１〜２２５μｍ、より好ましくは５〜１７５μｍである。厚すぎるとロール状にした際に巻きずれが発生しやすくなり、薄すぎるとしわなどが入りやすくなる。
【００２８】
上記のようなポリイミドフィルムの片面あるいは両面に、接着剤を介して、あるいは接着剤無しでＩＣチップが搭載可能なように配線を形成して、本発明のチップオンフィルムを形成する。
【００２９】
接着剤を用いる場合の接着剤としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種が好ましい。これらの中で、特にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂が好ましい。これらの接着剤には、柔軟性を持たせる目的で、各種ゴム、可塑剤、硬化剤、リン系等の難燃剤、その他の各種添加物が付与されていてもよい。また、ポリイミド樹脂は主として熱可塑性ポリイミドが用いられることが多いが、熱硬化性ポリイミドでもよい。ポリイミド樹脂の場合、通常は溶媒不要な場合が多いが、適当な有機溶媒に可溶なポリイミドを用いてもよい。
【００３０】
配線形成の方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法等が挙げられる。サブトラクティブ法とは、接着剤を介してポリイミドフィルム上に銅箔を貼り、あるいは接着剤を介さず銅層をめっき法などで形成させた後、銅を配線パターン状にエッチング処理することで配線を形成する方法を意味する。この場合、銅箔としては圧延銅箔又は電解銅箔が用いられる。また、配線を形成する際には、通常フォトレジスト層を銅箔上に形成し、このフォトレジスト層を選択露光及び現像処理することで配線状にパターニングし、パターニングしたフォトレジスト層をエッチングマスクとして銅をエッチング処理し、その後にフォトレジスト層を完全に除去する。ここでフォトレジストとしては液状あるいはドライフィルムレジストが用いられ、エッチング液としては、塩化鉄系、塩化銅系、過酸系等の溶液が用いられる。
【００３１】
セミアディティブ法とは、まずポリイミドフィルム上に直接、或いは接着剤を介してシード層となる金属層を形成し、このシード層の上にフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層を選択露光及び現像処理することで配線状にパターニングし、パターニングしたフォトレジスト層を鍍金マスクとしてシード層上に無電解鍍金或いは電解鍍金にて配線を形成し、その後にフォトレジストを完全に除去し、最後に配線以外の部分のシード層をエッチング除去する方法を意味する。ここで、シード層金属としては、ニッケル、クロム、アルミニウム、鉛、銅、錫、亜鉛、鉄、銀、金等が単独或いは合金として使用される。また、フォトレジストとしては液状あるいはドライフィルムレジストが用いられ、無電解鍍金或いは電解鍍金の金属としては鉛、銅、ニッケル、クロム、錫、亜鉛、銀、金等が用いられ、エッチング液としては、シード層の金属に合わせたエッチング液が用いられる。
【００３２】
フルアディティブ法とは、ポリイミドフィルム上に直接、或いは接着剤の上にフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層を選択露光及び現像処理することで配線状にパターニングし、パターニングしたフォトレジスト層を鍍金マスクとして無電解鍍金にて配線を形成し、その後にフォトレジストを完全に除去する方法を意味する。ここでフォトレジストとしては液状あるいはドライフィルムレジストが用いられ、無電解鍍金の金属としては銅、ニッケル、鉛、クロム、錫、亜鉛、銀、金等が用いられる。
【００３３】
上記のような各種配線形成の方法に用いられる金属としては、主として銅が好ましい。
【００３４】
形成された配線は、電気・電子回路として用いられるが、銅よりも抵抗の高い金属では、電気伝導性が悪なるので好ましくない。また、銅に比べて密度が疎になる金属では、やはり電気伝導性が悪くなるので好ましくない。但し、銅は錆びやすく腐食されやすい欠点も有しているので、銅を保護する目的で、錫や鉛、アルミニウム、ニッケル、銀、金等の金属を銅の上に形成することは任意である。また、銅はポリイミドフィルム中に拡散しやすいため、銅の拡散を防ぐ目的で、ニッケルやクロム、銀、金、錫等をポリイミドフィルムと銅との間にバリア層としてかませることも任意である。
【００３５】
かくして構成される本発明のチップオンフィルムは、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有するポリイミドフィルムを使用していることから折り曲げ性に極めて優れており、微細な配線を必要とする各種ＩＣチップ搭載用途に好ましく適用することができる。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例にて本発明をさらに具体的に説明する。
【００３７】
なお、実施例で用いるポリイミドフィルムは合成例１〜６の方法により製膜したものを用いるが、これらに限定されない。また、比較例１〜２で用いるポリイミドフィルムは合成例７〜８により製膜したものを用いる。更に、実施例で用いる接着剤としては合成例９〜１０により調合したものを用いるが、これらに限定されない。
【００３８】
また、合成例で得られたポリイミドフィルムの各特性は次の方法で評価した。
【００３９】
（１）フィルム厚
Ｍｉｔｕｔｏｙｏ製ライトマチック（Series318 ）厚み計を使用して次のようにして測定した。すなわち、フィルム全面から任意に１５箇所を選び、この１５箇所にについて厚みを測定し、その平均を算出し、厚みとした。
【００４０】
（２）線膨張係数
島津製作所製ＴＭＡ−５０熱機械分析装置を使用し、測定温度範囲：５０〜２００℃、昇温速度：１０℃／分の条件で測定した。荷重を０．２５Ｎとし、まず３５℃から１０℃／分で昇温して３００℃まで温度を上げた。３００℃にて５分間保持し、その後１０℃／分で降温して３５℃まで温度を下げ、３５℃で３０分間保持し、しかる後に１０℃／分で昇温して３００℃まで温度を上げた。２度目の３５℃から３００℃までの昇温の時のデータを読み、５０〜２００℃の部分の平均から線膨張係数を算出した。
【００４１】
（３）弾性率
エー・アンド・デイ製ＲＴＭ−２５０テンシロン万能試験機を使用し、引張速度：１００ｍｍ／分の条件で測定した。ロードセル１０Ｋｇｆ、測定精度±０．５％フルスケールとし、応力−歪み曲線を測定し、応力−歪み曲線の立ち上がり部分の直線の傾き（２Ｎから１５Ｎの２点間の最小２乗法により算出）、初期試料長さ、試料幅、試料厚さから以下のように算出した。
弾性率＝（直線部分の傾き×初期試料長さ）／（試料幅×試料厚さ）
【００４２】
（４）湿度膨張係数
２５℃にてＵＬＶＡＣ製ＴＭ７０００炉内にフィルムを取り付け、炉内にドライ空気を送り込んで２時間乾燥させた後、ＨＣ−１型水蒸気発生装置からの給気によりＴＭ７０００炉内を９０％ＲＨに加湿させ、その間の寸法変化から湿度膨張係数を求めた。加湿時間は７時間とした。３ＲＨ％から９０ＲＨ％までのデータを読み、３〜９０ＲＨ％の部分の平均から湿度膨張係数を算出した。
【００４３】
（５）吸水率
９８％ＲＨ雰囲気下のデシケーター内に２日間静置し、乾燥時重量に対しての増加重量％で評価した。
【００４４】
（６）加熱収縮率
２０ｃｍ×２０ｃｍのフィルムを用意し、２５℃、６０％ＲＨに調整された部屋に２日間放置した後のフィルム寸法（Ｌ１）を測定し、続いて２００℃６０分間加熱した後再び２５℃、６０％ＲＨに調整された部屋に２日間放置した後フィルム寸法（Ｌ２）を測定し、下記式計算により評価した。
加熱収縮率  ＝  −（Ｌ２−Ｌ１）／Ｌ１×１００
【００４５】
（合成例１）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／パラフェニレンジアミン（分子量１０８．１４）をモル比で１００／７５／２５の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。得られた混合物を、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．２０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００４６】
（合成例２）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／パラフェニレンジアミン（分子量１０８．１４）をモル比で１００／７５／２５の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。得られた混合物を、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．０７ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ９μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００４７】
（合成例３）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／パラフェニレンジアミン（分子量１０８．１４）をモル比で１００／７０／３０の割合で用意し、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）中１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。得られた混合物を、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００４８】
（合成例４）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／パラフェニレンジアミン（分子量１０８．１４）をモル比で１００／８０／２０の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。得られた混合物を、Ｔ型スリットダイよりエンドレスベルト上にキャストし、７０℃の熱風にて加熱し、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．０５ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをエンドレスベルトから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×６０秒、３５０℃×６０秒、５５０℃×４５秒処理し、厚さ６μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００４９】
（合成例５）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／パラフェニレンジアミン（分子量１０８．１４）をモル比で１００／５０／５０の割合で用意し、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）中１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。得られた混合物を、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．４０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００５０】
（合成例６）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／パラフェニレンジアミン（分子量１０８．１４）をモル比で１００／６０／４０の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。得られた混合物を、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００５１】
（合成例７）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で５０／５０の割合で混合し、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。得られた混合物を、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．２０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００５２】
（合成例８）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で５０／５０の割合で混合し、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。得られた混合物を、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．１０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ１２．５μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００５３】
（合成例９）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／パラフェニレンジアミン（分子量１０８．１４）をモル比で１００／１５／８５の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。得られた混合物を、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．２０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００５４】
（合成例１０）
油化シェル（株）製エポキシ樹脂「エピコート」８３４を５０重量部、東都化成（株）リン含有エポキシ樹脂ＦＸ２７９ＢＥＫ７５を１００重量部、住友化学（株）製硬化剤４，４’−ＤＤＳを６重量部、ＪＳＲ（株）ＮＢＲ（ＰＮＲ−１Ｈ）１００重量部、昭和電工（株）製水酸化アルミニウム３０重量部をメチルイソブチルケトン６００重量部に３０℃で攪拌、混合し、接着剤溶液を得た。
【００５５】
（実施例１）
合成例１で製膜したポリイミドフィルムを用い、真空槽を到達圧力１×１０−３Ｐａにした後、アルゴンガス圧１×１０−１ＰａにてＤＣマグネトロンスパッタによりニッケル／クロム＝９５／５（重量比）のニクロム合金を厚さ５ｎｍになるように片面にスパッタリングし、更に銅を厚さ５０ｎｍになるようにスパッタリングした。次に、硫酸銅浴による電解鍍金で６μｍの厚さの銅層を、２Ａ／ｄｍ２の電流密度の条件により積層し、片面フレキシブル銅張板を作製した。なお、硫酸銅浴の組成は、硫酸銅五水和物８０ｇ／リットル、硫酸２００ｇ／リットル、塩酸５０ｍｇ／リットルに適宜量の添加剤を加えた溶液を用いた。
【００５６】
得られた銅張板を用い、片面の銅箔の上にクラリアントジャパン（株）製フォトレジストＡＺＰ４６２０を１０５℃１０分間の乾燥後膜厚５μｍで形成し、ライン幅／スペース幅＝１５μｍ／１５μｍのパターンが配置され、なおかつ図１に示すようなＩＣチップを接合するためのインナーリードが配置されているガラスフォトマスクを用いて、４００ｍＪ／ｃｍ２（全波長）で露光、ＡＺ４００Ｋ／水＝２５／７５（重量比）の現像液で現像し、フォトレジストをパターニングした。その後、塩化鉄３０重量％水溶液を用い、４０℃９０秒間で銅エッチングを行い、フォトレジストが形成されていない部分の銅を除去した。銅エッチング終了後、水酸化ナトリウム２．５重量％水溶液を用い、４０℃１分間でフォトレジストを剥離した。このようにして、片面にライン／スペース＝１５／１５μｍのチップオンフィルム用の回路パターンを形成した。
【００５７】
このようにして得られたチップオンフィルム用にパターニングされた配線板を用いて折り曲げ試験を行った。まず配線板を４８ｍｍ幅×１０ｃｍ長にサンプリングした後、ＭＩＴ試験機（ＪＩＳ−Ｐ−８１１５に記載の試験機）に試料をセットし、荷重９．８Ｎ、曲率半径０．３８ｍｍ、折り曲げ繰り返し数１０で行った。この際折り曲がり部分にインナーリードがくるようにサンプルの取り付けを調整した。折り曲げ試験後のインナーリードの先端部の捲れの有無を観察した。結果を表２に示す。
【００５８】
また、配線板のＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ３）、次に３００℃の半田浴に２０秒浸漬し、浸漬後に再びＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ４）した。半田浴による処理前後の寸法変化率を下記式により求めた。
寸法変化率（％）＝（Ｌ４−Ｌ３）／Ｌ３×１００
【００５９】
寸法結果を表２に示す。
【００６０】
（実施例２）
合成例２で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様に折り曲げテスト後の配線欠落の有無及び半田浴による処理前後の寸法変化率結果を表２に示す。
【００６１】
（実施例３）
合成例３で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様に折り曲げテスト後の配線欠落の有無及び半田浴による処理前後の寸法変化率結果を表２に示す。
【００６２】
（実施例４）
合成例４で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様に折り曲げテスト後の配線欠落の有無及び半田浴による処理前後の寸法変化率結果を表２に示す。
【００６３】
（実施例５）
合成例５で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様に折り曲げテスト後の配線欠落の有無及び半田浴による処理前後の寸法変化率結果を表２に示す。
【００６４】
（実施例６）
合成例６で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様に折り曲げテスト後の配線欠落の有無及び半田浴による処理前後の寸法変化率結果を表２に示す。
【００６５】
（実施例７）
合成例１で製膜したポリイミドフィルムを用い、この片面に合成例１０の接着剤を塗布し、１５０℃×５分間加熱乾燥し、乾燥膜厚１０μｍの接着剤層を形成した。この片面接着剤付きポリイミドフィルムと１／２オンス銅箔（日鉱グールド・フォイル（株）製、ＪＴＣ箔）とを、熱ロールラミネート機を用いてラミネート温度１６０℃、ラミネート圧力１９６Ｎ／ｃｍ（２０ｋｇｆ／ｃｍ）、ラミネート速度１．５ｍ／分の条件で熱ラミネートを行い、片面銅張板を作製した。
【００６６】
得られた銅張板を用い、片面の銅箔の上にクラリアントジャパン（株）製フォトレジストＡＺＰ４６２０を１０５℃１０分間の乾燥後膜厚１０μｍで形成し、ライン幅／スペース幅＝１５μｍ／１５μｍのパターンが配置され、なおかつ図１に示すようなＩＣチップを接合するためのインナーリードが配置されているガラスフォトマスクを用いて４００ｍＪ／ｃｍ２（全波長）で露光、ＡＺ４００Ｋ／水＝２５／７５（重量比）の現像液で現像し、フォトレジストをパターニングした。その後、塩化鉄３０重量％水溶液を用い、４０℃９０秒間で銅エッチングを行い、フォトレジストが形成されていない部分の銅を除去した。銅エッチング終了後、水酸化ナトリウム２．５重量％水溶液を用い、４０℃１分間でフォトレジストを剥離した。このようにして、片面にライン／スペース＝１５／１５μｍのチップオンフィルム用の回路パターンを形成した。
【００６７】
このようにして得られたチップオンフィルム用にパターニングされた配線板を用い折り曲げ試験を行った。まず配線板を４８ｍｍ幅×１０ｃｍ長にサンプリングした後、ＭＩＴ試験機（ＪＩＳ−Ｐ−８１１５に記載の試験機）に試料をセットし、荷重９．８Ｎ、曲率半径０．３８ｍｍ、折り曲げ繰り返し数１０で行った。この際折り曲がり部分にインナーリードがくるようにサンプルの取り付けを調整した。折り曲げ試験後のインナーリードの先端部の捲れの有無を観察した。結果を表２に示す。
【００６８】
また、配線板のＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ３）、次に３００℃の半田浴に２０秒浸漬し、浸漬後に再びＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ４）した。半田浴による処理前後の寸法変化率を下記式により求めた。
寸法変化率（％）＝（Ｌ４−Ｌ３）／Ｌ３×１００
【００６９】
寸法結果を表２に示す。
【００７０】
（比較例１）
合成例７で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様に折り曲げテスト後の配線欠落の有無及び半田浴による処理前後の寸法変化率結果を表２に示す。
【００７１】
（比較例２）
合成例８で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様に折り曲げテスト後の配線欠落の有無及び半田浴による処理前後の寸法変化率結果を表２に示す。
【００７２】
（比較例３）
合成例９で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様に折り曲げテスト後の配線欠落の有無及び半田浴による処理前後の寸法変化率結果を表２に示す。
【００７３】
【表１】
2007201442.tif 000002
【００７４】
【表２】
2007201442.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明のチップオンフィルムは、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有するポリイミドフィルムを使用していることから折り曲げ性に極めて優れており、微細な配線を必要とする各種ＩＣチップ搭載用途に好ましく適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】（Ａ）は本発明のチップオンフィルムの一例を示すＩＣチップ搭載部分の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す（ａ）−（ｂ）線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１・・・ポリイミドフィルム
２・・・配線（インナーリード）
３・・・ＩＣチップ搭載部
【図１】
2007201442.tif 000004