(57)【要約】【課題】同じ露光技術を有した露光装置群を設け、露光を分担してレジスト塗布から、描画、現像とする一連のプロセス工程を１度で終了させることができる露光ネットワークシステムを得るにある。【解決手段】電子ビーム露光ネットワークシステムにおいて、該電子ビーム露光ネットワークシステム１００は、ウェハ１０に露光する設計パターンを役割分担する電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０を複数台設ける。全ての設計パターンの露光が完了するまで描画するように決められたウェハ１０は、決められた役割分担の露光工程へ設けたウェハ搬送手段３０により搬送され、全ての設計パターンの最終露光工程が完了したウェハ１０をウェハ搬送手段３０で現像工程へ搬送され一連のプロセスでパターン形成が完了する電子ビーム露光ネットワークシステムを構成している。【選択図】図１
2007201385.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム露光ネットワークシステムにおいて、該電子ビーム露光ネットワークシステム（１００）は、ウェハ（１０）に露光する設計パターンを役割分担する等倍ステンシルマスクを設けた電子ビームパターン転写露光装置（２０）を１台以上設けて、全ての設計パターンの露光が完了するまで描画するように決められたウェハ（１０）は、決められた役割分担の露光工程へ搬送するようにウェハ搬送手段（３０）を設けて、全ての設計パターンの最終露光工程が完了したウェハ（１０）をウェハ搬送手段（３０）により現像工程へ搬送され一連のプロセスでパターン形成が完了する構成であることを特徴とする電子ビーム露光ネットワークシステム。
【請求項２】
上記記載の電子ビーム露光ネットワークシステムであって、該電子ビーム露光ネットワークシステム（１００）は、ウェハ（１０）に露光する設計パターンを役割分担する等倍ステンシルマスクを設けた電子ビームパターン転写露光装置（２０）と、微細パターン描画能力を維持するように調整された電子ビーム露光装置（６０）とを１台以上設けて、
全ての設計パターンの露光が完了するまで描画するように決められたウェハ（１０）は決められた役割分担の露光工程へと搬送するようにウェハ搬送手段（３０）を設けて、全ての設計パターンの最終露光工程が完了したウェハ（１０）をウェハ搬送手段（３０）により現像工程へ搬送され一連のプロセスでパターン形成が完了する構成であることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム露光ネットワークシステム。
【請求項３】
前記記載の電子ビーム露光ネットワークシステムであって、電子ビーム露光ネットワークシステム（１００）は、電子ビームパターン転写露光装置（２０）と、電子ビーム露光装置（６０）等と連携するウェハ搬送手段（３０）等に通信手段（５１）を設けて、該通信手段（５１）は、ウェハ露光工程と、ウェハ描画の工程と、ウェハ搬送工程等の決められた工程順序を指令するように設けた制御部（５０）の伝達を行う構成であることを特徴とする請求項１〜２記載の電子ビーム露光ネットワークシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、半導体集積回路等の素子形成に必要なパターン描画を電子ビームを使用して露光する電子ビーム露光ネットワークシステムに関する。【０００２】  半導体素子の形成に必要なパターンはナノメートルの微細化の領域へ進んでいる。そのパターン形成の主流は光露光技術である。光露光技術での微細化には光源の短波長化と同時に、高解像度とするため位相シフト技術、超解像度技術、光近接効果補正技術など各種補正技術を必要としている。超ＬＳＩ半導体装置の製作において、必要な回路パターンを決める光露光マスクの原板であるレチクルは各種補正技術を施すため製作コストは上昇をきたしている。製作コストを低減することが電子ジャーナル主催のリソグラフィーシンポジュウムにあるように課題である。パターン線幅サブ１００ナノメートルのＬＳＩ半導体装置を製作するレチクルは、レチクル１枚千万円もするので、素子を完成させるに必要なレチクル１組は１億円にもなる。【０００３】  電子ビーム露光装置は、超精密・高精度なパターン描画能力を有するものの、パターンが微細になるほど電子ビームを細くシャープな状態に保つ必要がある。電子ビームの状態維持には高精度で複雑な回路機構を要するので電子ビーム装置の価格は高価である。電子ビーム露光装置の電子ビーム状態の調整は精密さが求められ調整するには時間を要する。
従って電子ビーム状態を短時間で変えることは出来ないので微細パターン描画条件に固定された電子ビームで描画することになり、大きなパターンも同じ条件で描画することとなりスループットが低下する。それを補うために、光露光技術と電子ビーム露光技術と言うような異なる露光技術を組み合わせてスループットを改善するＭｉｘ  ＆  Ｍａｔｃｈ（以下：ミックス・アンド・マッチと称する）の露光方法が知られている。【０００４】  上記記載のミックス・アンド・マッチの露光方法では、露光が終了する度に現像して、次の露光装置に適したレジスト塗布から、描画、現像とする一連のプロセスを行うことになる。素子形成の層別に適した露光法を選択することになるが、異なる露光技術を組み合わせるミックス・アンド・マッチにおいては、各露光で使用するレジストの塗布・現像を個別におこなわなくてはならないのでスループットが悪い。【０００５】  同じ露光技術、例えば、電子ビーム露光装置で、パターン創生機能を有する高価格の電子ビーム露光装置（ＥＢ）と、特許文献３と特許文献４と関連する低価格の電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）の組み合わせで、レジストプロセスが共通となるレジスト条件で描画ができればプロセスの簡素化が図れる（特許文献３と特許文献４）。【０００６】  低コストを目指したＥＢ露光装置ＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｈｙ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）が存在する。低電圧加速電子ビームでの転写方式であるので、該装置の描画レジスト膜厚は１００ｎｍ以下の薄いレジストとなるため、後のエッチング工程に耐えられるように多層レジスト構造を取らなければならないので、通常の電子ビーム露光装置（ＥＢ）とミックス・アンド・マッチを行う際、通常の高加速電子ビームを使用する電子ビーム露光装置（ＥＢ）が持つ厚膜レジストへの高解像露光能力が生かされない欠点を有する。【０００７】  ミックス・アンド・マッチを行う際における露光装置相互間の重ね合わせ精度の向上についての文献を多く見る。また、マスクを共有する文献もある。
【特許文献１】  特開２００３−１９７５０４  露光方法及びデバイス製造方法
【特許文献２】  特開平６−１２４８６５  露光システム
【特許文献３】  特開２００２−２３７４４７  ステンシル多層マスク
【特許文献４】  特開２００２−２７０４９９  露光装置
【非特許文献１】  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｊｏｕｒｎａｌ  からのお知らせ２００５年２月２５日  Ｎｏ．５７３
【非特許文献２】  日経マイクロデバイス  ２００５／０３／０９資料、「価格はＬＥＥＰＬの１／１０」，低コストのＥＢ露光装置が登場  （株）ピー・ディー・サービスは、低コストの電子ビーム（ＥＢ）パターン転写露光装置ＭＰＬ（Ｍｉｌｔｉ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｔａｈｙ）の受注を開始する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  上記記載のように、同じ露光技術で微細パターン描画能力を維持する露光装置と、高いスループットを有する露光装置でネットワークを構成して、同じレジストプロセスでレジスト塗布から、描画、現像とする一連のプロセス工程を１回で終了させることができるようにして、装置全体のスループットを向上させる露光ネットワークシステムを構築し提供することを目的としている。【０００９】  本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は次の添付図面と照らし合わせて読むと、より完全にあきらかになるであろう。ただし、図面はもっぱら解説のためのものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】  上記目的を達成するために、本発明は、電子ビーム露光ネットワークシステムにおいて、該電子ビーム露光ネットワークシステム１００は、ウェハ１０に露光する設計パターンを役割分担する等倍ステンシルマスクを設けた電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０を１台以上設ける。全ての設計パターンの露光が完了するまで描画するように決められたウェハ１０は、決められた役割分担の露光工程へ搬送するウェハ搬送手段３０を設けた。全ての設計パターンの最終露光工程が完了したウェハ１０を、ウェハ搬送手段３０により現像工程へ搬送され一連のプロセスでパターン形成が完了する構成の電子ビーム露光ネットワークシステムである。【００１１】  また、請求項２記載の発明では、請求項１記載の電子ビーム露光ネットワークシステムであって、該電子ビーム露光ネットワークシステム１００は、ウェハ１０に露光する設計パターンを役割分担する等倍ステンシルマスクを設けた電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０と、微細パターン描画能力を維持するように調整された電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０とを１台以上設ける。全ての設計パターンの露光が完了するまで描画するように決められたウェハ１０は、決められた役割分担の露光工程へ搬送するウェハ搬送手段３０を設けた。全ての設計パターンの最終露光工程が完了したウェハ１０を、ウェハ搬送手段３０により現像工程へ搬送され一連のプロセスでパターン形成が完了する構成の電子ビーム露光ネットワークシステムである。【００１２】  また、請求項３記載の発明では、請求項１〜２記載の電子ビーム露光ネットワークシステムであって、電子ビーム露光ネットワークシステム１００は、電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０と、電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０等と連携するウェハ搬送手段３０等に通信手段５１を設けた。該通信手段５１は、無線通信あるいは有線通信又は光通信等のいずれかを使用してウェハ露光工程と、ウェハ描画の工程と、ウェハ搬送工程等の決められた工程順序を指令するように設けた制御部５０の伝達を行う構成の電子ビーム露光ネットワークシステムである。
【発明の効果】
【００１３】  以下の説明からあきらかのように、本発明にあたっては次に列挙する効果が得られる。【００１４】  本発明は、電子ビーム露光ネットワークシステムにおいて、該電子ビーム露光ネットワークシステムは、ウェハに露光する設計パターンを役割分担する等倍ステンシルマスクを設けた電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）を１台以上設ける。全ての設計パターンの露光が完了するまで描画するように決められたウェハは、決められた役割分担の露光工程へ搬送するウェハ搬送手段を設けた。全ての設計パターンの最終露光工程が完了したウェハを、ウェハ搬送手段により現像工程へ搬送され一連のプロセスでパターン形成が完了する構成の電子ビーム露光ネットワークシステムであるので、露光するウェハは、同じ種類のレジストでよく、露光が全て完了してからのレジスト現像処理は露光プロセス工程が全て終了したのち１度で済むので露光工程におけるスループットの向上とコスト低減に威力を発揮する。【００１５】  また、請求項２記載の発明では、請求項１記載の電子ビーム露光ネットワークシステムであって、該電子ビーム露光ネットワークシステムは、ウェハに露光する設計パターンを役割分担する等倍ステンシルマスクを設けた電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）と、微細パターン描画能力を維持するように調整された電子ビーム露光装置（ＥＢ）とを１台以上設ける。全ての設計パターンの露光が完了するまで描画するように決められたウェハは、決められた役割分担の露光工程へ搬送するウェハ搬送手段を設けた。全ての設計パターンの最終露光工程が完了したウェハを、ウェハ搬送手段により現像工程へ搬送され一連のプロセスでパターン形成が完了する構成の電子ビーム露光ネットワークシステムであるので、電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）のパターン形成において、マスクとウェハ間に電圧を印加してマスクからの電子を引き出しやすく、マスク通過後は電子ビームの発散を抑えるので、レジストが膜厚であってもパターン形成が出来る。これは、通常の電子ビーム露光装置（ＥＢ）が有する厚膜レジストへの描画性能との整合性が非常に良好となる。低エネルギーの転写装置で、通常使用される複雑な多層構造レジストを使用しないで済む。【００１６】  電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）は、電子ビーム露光装置（ＥＢ）との制約がない露光を実現しているので、電子ビーム露光装置（ＥＢ）とのミックス・アンド・マッチは描画工程の能率向上とコスト低減に威力を発揮する。【００１７】  また、請求項３記載の発明では、請求項１〜２記載の電子ビーム露光ネットワークシステムであって、電子ビーム露光ネットワークシステムは、電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）と、電子ビーム露光装置（ＥＢ）等と連携するウェハ搬送手段等に通信手段を設けた。該通信手段は、ウェハ露光工程と、ウェハ描画の工程と、ウェハ搬送工程等の決められた工程順序を指令するように設けた制御部の伝達を行う構成の電子ビーム露光ネットワークシステムであるので、設計パターンを役割分担する手順を制御部に決め置くことで全て工数のロスを最小限にとどめ露光工程におけるスループットの向上とコスト低減に威力を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】  以下、図面に示す実施するための最良の形態により、本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】  図１は、複数の電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）を組み合わせ搬送手段を介在させた電子ビーム露光ネットワークシステムの模式図を示す。
本発明は、電子ビーム露光ネットワークシステムにおいて、該電子ビーム露光ネットワークシステム１００は、ウェハ１０に露光する設計パターンを役割分担する等倍ステンシルマスクを設けた電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０を１台以上設ける。
全ての設計パターンの露光が完了するまで描画するように決められたウェハ１０は決められた役割分担の露光工程へ設けたウェハ搬送手段３０で搬送される。
全ての設計パターンの最終露光工程が完了したウェハ１０をウェハ搬送手段３０により現像工程へ搬送され一連のプロセスでパターン形成が完了する構成の電子ビーム露光ネットワークシステムである。【００２０】  電子ビーム露光ネットワークシステムであって、電子ビーム露光ネットワークシステム１００は、前記記載の複数台の電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０と、連携するウェハ搬送手段３０等に通信手段５１を設けた。該通信手段５１は、無線通信あるいは有線通信又は光通信等のいずれかを使用してウェハ露光工程と、ウェハ描画の工程と、ウェハ搬送工程等の決められた工程順序を指令するように設けた制御部５０の伝達を行う構成の電子ビーム露光ネットワークシステムである。【００２１】  電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０は、露光においてマスク面上を多重走査による重ね塗りであるため、電子ビームの高速偏向ができること、照射均一性が得られる。その上低加速電子ビームであるためレジストを高感度で使用できる。しかし、等倍ステンシルマスクを使用するので微細パターンの開口はメンブレンを薄くする必要があるため細く長い配線パターンではマスクの自重で曲がる場合が生じる。自重での曲りが発生すること、全ての設計パターンを１枚の等倍ステンシルマスクでは作成できない。ステンシルマスクにおける不得意とするパターンやサイズは既に明白でありこれ等の対策は取られている。対策として、例えば「ロ字」等のパターンでは２つ以上の相補マスクでパターンを分割している。パターンを分割した相補マスクを複数の電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０に分割分担接続して露光することで所望するパターンを形成できる。
複数の転写装置を並列動作できるので高いスループットが維持できる。【００２２】  図２は、等倍ステンシルマスクからなる相補マスクにおけるパターン露光分割分担の模式図を示す。
電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用する設計マスクパターン２１を２つ以上の相補マスクに分割して設けたパターン分割の例１である。
パターン分割の例１は、電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用できるように設けた分割転写パターン２２と、もう一方の電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用できるように設けた分割転写パターン２３で分担接続して露光することで所望する設計マスクパターン２１を形成する。【００２３】  図２のパターン分割の例２では、電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用できるように設けた分割転写パターン２４と、もう一方の電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用できるように設けた分割転写パターン２５とで分担接続して露光することで所望する設計マスクパターン２１を形成する。【００２４】  設計マスクパターン２１を形成するため電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０を１台使用して、分割転写パターン２２と分割転写パターン２３と、あるいは分割転写パターン２４と分割転写パターン２５とを交換接続して露光することで所望する設計マスクパターン２１を形成することもできる。【００２５】  図３は、等倍ステンシルマスクからなる相補マスクにおけるパターン露光分割分担の模式図を示す。
電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用する設計マスクパターン２６を２つ以上の相補マスクを設けてパターンの分割を図った例３を示す。
パターン分割の例３では、電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用する分割転写パターン２７と、もう一方の電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用する分割転写パターン２８とを分担接続して露光することで所望するパターンである設計マスクパターン２６を形成する。【００２６】  設計マスクパターン２６を形成するため電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０を１台使用して、分割転写パターン２７と分割転写パターン２８とで分割パターンを交換接続して露光することで所望する設計マスクパターン２６を形成することもできる。【００２７】  進歩発展を続けている参考情報として、電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用する等倍ステンシルマスクの一例を示すと、該等倍ステンシルマスクは２μｍ厚のシリコン膜に所望するパターンを等倍の大きさの回路パターン形状の開口を設けたマスクである。直径２００ｍｍのシリコンウェハからマスクは制作される。１度に露光される領域は、マスク上１０ｍｍ角で、ウェハ上では等倍露光であるので１０ｍｍ角である。【００２８】  電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０は次の利点がある。
１，予めマスクとして用意された大きいパターンから微細なパターンが一括転写されるので高いスループットとなる。
２，低加速度電圧の電子ビーム露光でありながら、マスク通過後の電子ビームの発散を抑えるので、厚膜のレジストにパターン形成ができる。該厚膜レジストが使用できるので、他の電子ビーム露光装置（ＥＢ）でのレジスト条件の整合性が取り安くプロセス上での連携が取れる。該プロセス上の連携とは、電子ビーム露光装置（ＥＢ）ごとにレジスト現像処理を行わなくても、電子ビーム露光装置（ＥＢ）における露光処理のあと、レジスト現像処理を行う必要がなく電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０において露光処理が行える。露光処理が継ぎ足して行えることはパターン形成プロセス工程の短縮ができるので露光工程におけるスループット改善における功績は大である。
３．電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０は、構造上収束レンズ系を設けないため装置価格が格段に安価となる。
４，電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０では、接続するマスクの各パターンが開口型電極のレンズ効果を発揮するような機構を採用しているためパターン転写露光に適している。
５，電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０は、ウェハとマスク間に印可電圧（Ｖｗ）を加えるため電子の引き出しに効果がある。電子の拡散を防いて、電子直進性維持に構造上有利であるので超微細パターンの正確な転写露光を行う。【００２９】｛発明を実施するための異なる形態｝【００３０】  次に、図４〜図６に示す本発明を実施するための異なる形態につき説明する。なを、これらの本発明を実施するための異なる形態の説明にあたって、前記本発明を実施するための最良の第１の実施の形態と同一の形態と同一構成部分には、同一符号を付して重複する説明を省略する。
【実施例２】
【００３１】  図４は、電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）と、電子ビーム露光装置（ＥＢ）とを組み合わせ搬送手段を介在させた電子ビーム露光ネットワークシステムの模式図を示す。
電子ビーム露光ネットワークシステムであって、該電子ビーム露光ネットワークシステム１００は、ウェハ１０に露光する設計パターンを役割分担する等倍ステンシルマスクを設けた電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０と、微細パターン描画能力を維持するように調整された電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０とを１台以上設ける。
全ての設計パターンの露光が完了するまで描画するように決められたウェハ１０は、決められた露光工程へ設けたウェハ搬送手段３０で搬送される。全ての設計パターンの最終露光工程が完了したウェハ１０をウェハ搬送手段３０により現像工程へ搬送され一連のプロセスでパターン形成が完了する構成の電子ビーム露光ネットワークシステムである。【００３２】  上記記載の電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０をメイン装置と、異なる露光技術を組み合わせるミックス・アンド・マッチでは、露光で使用するレジストの種類が電子ビームレジストを用いる電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０と、ミックス・アンド・マッチを行うことで最後の露光装置の露光が終了するまで現像は行わないで済むので、電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０と、電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０とをミックス・アンド・マッチすることで驚異的なスループットの向上が図られる。【００３３】  電子ビーム露光ネットワークシステムであって、電子ビーム露光ネットワークシステム１００は、電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０と、電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０等と連携するウェハ搬送手段３０等に通信手段５１を設けた。該通信手段５１は、無線通信あるいは有線通信又は光通信等のいずれかを使用してウェハ露光工程と、ウェハ描画の工程と、ウェハ搬送工程等の決められた工程順序を指令するように設けた制御部５０の伝達を行う構成の電子ビーム露光ネットワークシステムである【００３４】  図５は、設計マスクパターンの電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）と、電子ビーム露光装置（ＥＢ）との分割分担パターンの模式図を示す。
パターン分割の例１は、設計マスクパターン２１を形成するために電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用できるように分割転写パターン２２を設けた。もう一方の電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０で使用できるように分割転写パターン７１を設けた。
電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０に設けた分割転写パターン２２と、電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０に設けた分割転写パターン７１とで分担接続して設計マスクパターン２１を形成する。【００３５】  パターン分割の例２は、設計マスクパターン２１を形成するために電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用できるように分割転写パターン２４を設けた。もう一方の電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０で使用できるように分割転写パターン７２を設けた。
電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０に設けた分割転写パターン２４と、電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０に設けた分割転写パターン７２とで分担接続して設計マスクパターン２１を形成する。【００３６】  図６は、ステンシルマスクの製作の一つである相補マスクにおける電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）と、電子ビーム露光装置（ＥＢ）とのパターン描画分割分担の模式図を示す。
パターン分割の例は、設計マスクパターン２６を形成するために電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０で使用できるように分割転写パターン２７を設けた。もう一方の電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０で使用できるように分割転写パターン７３を設けた。
電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）２０に設けた分割転写パターン２７と、電子ビーム露光装置（ＥＢ）６０に設けた分割転写パターン７３とで分担接続して設計マスクパターン２６を形成する。
【産業上の利用可能性】
【００３７】  本発明は露光装置を製造、販売する産業で利用され、また、半導体装置製造産業で使用される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明を実施するための最良の第１の形態の電子ビーム露光ネットワークシステムの模式図を示す。
【図２】本発明を実施するための最良の第１の形態に用いる相補マスクの分割パターン描画分担の模式図を示す。
【図３】本発明を実施するための最良の第１の形態に用いる相補マスクの分割パターン描画分担の模式図を示す。
【図４】本発明を実施するための最良の第２の形態の電子ビーム露光ネットワークシステムの模式図を示す。
【図５】本発明を実施するための最良の第２の形態に用いる相補マスクの分割パターン描画分担の模式図を示す。
【図６】本発明を実施するための最良の第２の形態に用いる相補マスクの分割パターン描画分担の模式図を示す。
【符号の説明】
【００３９】  １０  ウェハ
２０  電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）
２１  設計マスクパターン
２２  分割転写パターン
２３  分割転写パターン
２４  分割転写パターン
２５  分割転写パターン
２６  分割転写パターン
２７  分割転写パターン
２８  分割転写パターン
３０  ウェハ搬送手段
５０  制御部
５１  通信手段
６０  電子ビーム露光装置（ＥＢ）
７１  分割転写パターン
７２  分割転写パターン
７３  分割転写パターン
１００  電子ビーム露光ネットワークシステム
【図１】
2007201385.tif 000003
【図２】
2007201385.tif 000004
【図３】
2007201385.tif 000005
【図４】
2007201385.tif 000006
【図５】
2007201385.tif 000007
【図６】
2007201385.tif 000008