(57)【要約】【課題】たとえ導電性ペーストで配線層を形成する場合においても、隣接する他の配線層との離間距離を従来よりも狭めて形成することのできる表示装置の製造方法の提供。【解決手段】同層かつ隣接して形成される第１配線層および第２配線層を有し、第１配線層および第２配線層は、いずれも導電性インクの塗布および乾燥により形成されるものであって、前記第１配線層および第２配線層はそれぞれ別工程による塗布および乾燥によって形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同層かつ隣接して形成される第１配線層および第２配線層を有し、第１配線層および第２配線層は、いずれも導電性インクの塗布および乾燥により形成されるものであって、
前記第１配線層および第２配線層はそれぞれ別工程による塗布および乾燥によって形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
配線層は複数からなる配線層群からなり、その一本おきの各配線層を第１配線層とし、その他の配線層を第２配線層とすることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
同層かつ隣接して形成される第１配線層および第２配線層を有し、第１配線層および第２配線層は、いずれも導電性インクの塗布および乾燥により形成され、それらの離間距離が広い部分と狭い部分とを有して形成されるものであって、
前記第１配線層および第２配線層は、第１配線層であって第２配線層との離間距離が狭い部分を少なくとも含む箇所とそれ以外の箇所とを分け、それぞれの箇所の信号線を別工程による塗布および乾燥によって形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
同層かつ隣接して形成される第１配線層および第２配線層を有し、第１配線層および第２配線層は、いずれも導電性インクにより形成され、それらの離間距離が広い部分と狭い部分とを有するものであって、
第２配線層との離間距離が狭い部分を少なくとも含む第１配線層とそれ以外の他の部分の第１配線層とが、一方が他方に重ね合わされて互いに接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
導電性インクにより形成された配線層群を備え、これら配線層群の各配線層は少なくともその一端側にて収束されて端子に導かれる表示装置であって、
前記配線層群の少なくとも収束された箇所であって、一本おきに配置される配線層と他の残りの配線層とが別工程で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記端子は半導体チップのバンプに接続されるそれであることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
導電性インクにより形成された配線層群を備え、これら配線層群の各配線層は少なくともその一端側にて収束されて端子に導かれる表示装置であって、
前記配線層群は絶縁膜を介して層を異にする第１配線層と第２配線層とで構成され、
前記配線層群の少なくとも収束された箇所であって端子に近接する部分を除く箇所にて一本おきに配置される配線層を前記第２配線層として形成され、
第１配線層と第２配線層との電気的接続は、前記絶縁膜に形成されたコンタクト孔を通してなされていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記配線層群の少なくとも収束された箇所にて形成された第１配線層および第２配線層のうち少なくともいずれか一方にて、一本おきに配置される配線層と他の残りの配線層とを別工程で形成されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記端子は半導体チップのバンプに接続されるそれであることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置およびその製造方法に係り、特に、配線層を導電性インクにより形成した表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば液晶表示装置等の表示装置は、その基板上にマトリックス状に配置された各画素が形成され、これら各画素を駆動させるため多数の信号線からなる配線層が形成されているとともに、これら各配線層に信号を供給するための駆動回路も搭載されたものとなっている。
【０００３】
前記画素等は高精細で形成されることから、いわゆるフォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法によってパターン化された金属層、半導体層、および絶縁層等を積層させて形成され、前記金属層の中には前記配線層をも含むものであった。
【０００４】
しかし、前記選択エッチング方法を用いて配線層を形成することは、材料の大部分を回収不能で捨てなければならない等の不都合が生じることから、近年、導電性インクを用いて形成する試みがなされてきている。
【０００５】
いわゆる印刷方法あるいはインクジェット方法等を用いて配線層を形成する手法で、下記文献等に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２０７９５９号公報
【特許文献２】特開平５−９５１７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、導電性インクを用いて配線層を形成する場合、その塗布後に乾燥させることによって形成されるが、塗布の直後においては該配線層の幅は比較的大きくなっており、乾燥後において該幅は小さく縮むという性質を有する。この理由は、導電性インクに含まれる溶媒または水分が飛散されるとともに、その際に作用する表面張力によるものと推察される。
【０００８】
このことから、たとえば互いに平行に走行する配線層群を形成する場合において、それらの離間距離に制限が付されることは免れなくなる。導電性インクの塗布の段階でそれらは互いに接触してしまう現象が発生するからである。
【０００９】
本願発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、たとえ導電性ペーストで配線層を形成する場合においても、隣接する他の配線層との離間距離を従来よりも狭めて形成することのできる表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
（１）
本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、同層かつ隣接して形成される第１配線層および第２配線層を有し、第１配線層および第２配線層は、いずれも導電性インクの塗布および乾燥により形成されるものであって、
前記第１配線層および第２配線層はそれぞれ別工程による塗布および乾燥によって形成することを特徴とする。
（２）
本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、（１）の構成を前提とし、配線層は複数からなる配線層群からなり、その一本おきの各配線層を第１配線層とし、その他の配線層を第２配線層とすることを特徴とする。
（３）
本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、同層かつ隣接して形成される第１配線層および第２配線層を有し、第１配線層および第２配線層は、いずれも導電性インクの塗布および乾燥により形成され、それらの離間距離が広い部分と狭い部分とを有して形成されるものであって、
前記第１配線層および第２配線層は、第１配線層であって第２配線層との離間距離が狭い部分を少なくとも含む箇所とそれ以外の箇所とを分け、それぞれの箇所の信号線を別工程による塗布および乾燥によって形成することを特徴とする。
（４）
本発明による表示装置は、たとえば、同層かつ隣接して形成される第１配線層および第２配線層を有し、第１配線層および第２配線層は、いずれも導電性インクにより形成され、それらの離間距離が広い部分と狭い部分とを有するものであって、
第２配線層との離間距離が狭い部分を少なくとも含む第１配線層とそれ以外の他の部分の第１配線層とが、一方が他方に重ね合わされて互いに接続されていることを特徴とする。
（５）
本発明による表示装置は、たとえば、導電性インクにより形成された配線層群を備え、これら配線層群の各配線層は少なくともその一端側にて収束されて端子に導かれる表示装置であって、
前記配線層群の少なくとも収束された箇所であって、一本おきに配置される配線層と他の残りの配線層とが別工程で形成されていることを特徴とする。
（６）
本発明による表示装置は、たとえば、（５）の構成を前提とし、前記端子は半導体チップのバンプに接続されるそれであることを特徴とする。
（７）
本発明による表示装置は、たとえば、導電性インクにより形成された配線層群を備え、これら配線層群の各配線層は少なくともその一端側にて収束されて端子に導かれる表示装置であって、
前記配線層群は絶縁膜を介して層を異にする第１配線層と第２配線層とで構成され、
前記配線層群の少なくとも収束された箇所であって端子に近接する部分を除く箇所にて一本おきに配置される配線層を前記第２配線層として形成され、
第１配線層と第２配線層との電気的接続は、前記絶縁膜に形成されたコンタクト孔を通してなされていることを特徴とする。
（８）
本発明による表示装置は、たとえば、（７）の構成を前提とし、前記配線層群の少なくとも収束された箇所にて形成された第１配線層および第２配線層のうち少なくともいずれか一方にて、一本おきに配置される配線層と他の残りの配線層とを別工程で形成されていることを特徴とする。
（９）
本発明による表示装置は、たとえば、（７）の構成を前提とし、前記端子は半導体チップのバンプに接続されるそれであることを特徴とする。
【００１１】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を用いて本発明による表示装置の実施例を説明する。
図２（ａ）は、本発明による表示装置の一実施例を示す平面図である。図２（ａ）はたとえば液晶表示装置を示し、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面の構成を示したものである。
【００１３】
図２（ａ）において、基板ＳＵＢ１の表面には、そのＸ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと、ｙ方向に延在しＸ方向に並設されるドレイン信号緑ＤＬが形成されている。
【００１４】
隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれた各領域は画素領域を構成し、これら各画素領域の集合体によって表示部ＡＲ（図中点線枠内）が形成されるようになっている。
【００１５】
各画素領域には、図２（ｂ）に示すように、ゲート信号線ＧＬからの信号によってオンする薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して一方の側のドレイン信号線ＤＬからの信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸはたとえば基板ＳＵＢ１と対向して配置される他の基板の液晶側の面に形成される対向電極（図示せず）との間に電界を生じせしめ、当該画素領域の液晶を挙動させるようになっている。
【００１６】
再び、図２（ａ）に戻り、各ゲート信号線ＧＬのたとえば一端は、表示部ＡＲを越えて延在され、走査信号駆動回路Ｖに接続されている。走査信号駆動回路Ｖはｙ方向に並設された複数の半導体チップＣＨＰｖから構成され、各ゲート信号線ＧＬのそれぞれは対応する半導体チップＣＨＰｖの対応する電極に接続されている。
【００１７】
また、各ドレイン信号線ＤＬのたとえば一端は、表示部ＡＲを越えて延在され、映像信号駆動回路Ｈに接続されている。映像信号駆動回路ＨはＸ方向に並設された複数の半導体チップＣＨＰｈから構成され、各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれは対応する半導体チップＣＨＰｈの対応する電極に接続されている。
【００１８】
走査信号駆動回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈがそれぞれ複数の半導体チップＣＨＰで構成されているのは、製造歩留まりの観点から大きなものを製造することが困難であるからである。このため、各半導体チップＣＨＰは比較的大きな間隔を有して配置されることになる。
【００１９】
この場合、各信号線ＧＬ、ＤＬは、それに隣接する他の信号線との間隔が半導体チップＣＨＰの各電極の隣接する他の電極との間隔よりも大きく構成されることから、対応する半導体チップＣＨＰに近接する部分において屈曲され、この結果、近接する他の信号線とともに該半導体チップＣＨＰ側に収束するパターンをなして形成されることが免れなくなる。
【００２０】
図１は、前記半導体チップＣＨＰとそれに接続される信号線（配線層）の構成を拡大して示した図である。該半導体チップＣＨＰは走査信号駆動回路Ｖのそれであってもよいし、また、映像信号駆動回路Ｈのそれであってもよい。前者の場合、図１に示す構成を右回り９０°に回転させることにより、後者の場合、右回りあるいは左回り１８０°に回転させることにより、図２（ａ）に示した場合と配置的に符号することになる。
【００２１】
なお、図１のIIIａ−IIIａ線における断面を図３（ａ）に、IIIｂ−IIIｂ線における断面を図３（ｂ）に、IIIｃ−IIIｃ線における断面を図３（ｃ）に示している。
【００２２】
図１において、複数（図ではたとえば９本）の信号線ＳＬが図上方から下方にかけて延在し、ほぼ同位置でそれぞれ収束する方向に屈曲し（真ん中の信号線はその必要がないことから屈曲していない）、さらに延在されて半導体チップＣＨＰの電極に接続されるべく端子ＳＴに導かれるようになっている。
【００２３】
ここで、この実施例では各信号線ＳＬはいずれも同層で形成されたものとなっている。すなわち、基板ＳＵＢ１の主表面のほぼ全域に形成された絶縁膜の上面に上述した各信号線ＳＬが形成され、これら各信号線の収束側の端部（端子ＳＴ）において、前記半導体チップＣＨＰがフェースダウンされてその電極がたとえば異方性導電膜等を介して前記端部（端子ＳＴ）に当接され、かつ接続されている。
【００２４】
ここで、前記各信号線ＳＬのうち、一本おきのそれであって、端子ＳＴの近傍にて該端子ＳＴと接続される信号線ＳＬａは、他の信号線ＳＬｂに対して時間的にずらして形成することを示している。
【００２５】
すなわち、信号線ＳＬａを最初に形成し、その後において信号線ＳＬｂを形成してもよく、また、信号線ＳＬｂを最初に形成し、その後において信号線ＳＬａを形成してもよいことを意味する。さらに換言すれば、信号線ＳＬａと信号線ＳＬｂとは異なった工程で形成されることを意味する。
【００２６】
信号線ＳＬａは、図１から明らかとなるように、信号線ＳＬｂに隣接して配置され、かつ、信号線ＳＬｂと離間距離を比較的小さくして形成されている。すなわち、相隣接する信号線ＳＬが表示領域ＡＲの内側から外側へかけて延在し、屈曲部を介して収束する構成において、少なくとも該屈曲後の前記端子ＳＴに及ぶ延在部において信号線ＳＬａが形成され、この信号線ＳＬａは他の信号線ＳＬｂと隣接している配置関係を有している。
【００２７】
導電性インクの塗布により形成される各信号線ＳＬは、その塗布後に乾燥させることによって形成されるが、塗布の直後においては該信号線ＳＬの幅は比較的大きくなっており、乾燥後において該幅は小さく縮むという性質を有する。導電性インクに含まれる溶媒が飛散されるとともに、その際に作用する表面張力によるものと推察される。
【００２８】
このため、乾燥後に形成される各信号線ＳＬにおいてその線幅に所定の値をもたせようとした場合、導電性インクの塗布の直後であって乾燥前に形成される信号線ＳＬの幅はそれよりも大きくなって形成され、同じ工程で同様に形成する隣接した他の信号線ＳＬとの接触が憂慮されることになる。
【００２９】
図１に示した構成からなる信号線ＳＬのように、隣接する他の信号線ＳＬとの離間距離が比較的大きな部分と小さな部分とを有する場合に、離間距離が大きな部分においてはこれら双方の接触はないとしても、離間距離の小さな部分においてはその憂いは回避できないことになる。
【００３０】
それ故、図１において、前記各信号線ＳＬの製造を２工程に分け、まず、最初の工程では、図１において、たとえば、図中最左側の信号線であって液晶表示部ＡＲ側から端子ＳＴにまで及ぶ信号線ＳＬｂ、その右側の二本目の信号線であって液晶表示部ＡＲ側から端子ＳＴに至る手前の途中まで及ぶ信号線ＳＬｂ、その右側の三本目の信号線であって液晶表示部ＡＲ側から端子ＳＴにまで及ぶ信号線ＳＬｂ、その右側の四本目の信号線であって液晶表示部ＡＲ側から端子ＳＴに至る手前の途中まで及ぶ信号線ＳＬｂ、……を塗布・乾燥させて形成している。
【００３１】
そして、次の工程では、図中最左側の信号線から二本目の信号線であって液晶表示部ＡＲ側から端子ＳＴに至る手前の途中から該端子ＳＴにまで及ぶ信号線ＳＬａ、図中最右側の信号線から四本目の信号線であって液晶表示部ＡＲ側から端子ＳＴに至る手前の途中から該端子ＳＴにまで及ぶ信号線ＳＬａ、図中最左側の信号線から六本目の信号線であって液晶表示部ＡＲ側から端子ＳＴに至る手前の途中から該端子ＳＴにまで及ぶ信号線ＳＬａ、……を塗布・乾燥させて形成している。
【００３２】
このような工程を経て各信号線ＳＬを形成することから、図中最右側の信号線から偶数本目の信号線（実質的に２工程を経て形成される信号線）において、前工程で形成した信号線と後工程で形成した信号線との電気的接続が図られることになるが、その接続は、図１の丸枠内に拡大して示したように各信号線の端部が直接に重ね合わされてなされるようになっている。なお、丸枠内に拡大して示した図は、各工程で形成した信号線の位置合わせが若干ずれた場合を示しており、これにより、各信号線の接続箇所を平面的に観察した場合でも容易に認識できるようになる。
【００３３】
各信号線ＳＬを２工程に分けて形成することは、その工数が従来よりも多くなるという不都合が生じるが、導電ペーストの塗布をたとえばインクジェット方法によって行うことにより、信号線ＳＬａはその長さが信号線ＳＬｂと比較して極めて短いことから、それに応じてその塗布（スキャン）時間を極めて短くでき、実質的に一工程で形成する場合と大差のない手間を有するに過ぎないという効果を奏する。
【００３４】
なお、上述した実施例では、信号線ＳＬｂを最初に形成し、その後に信号線ＳＬａを形成したものであるが、これらを逆にして、信号線ＳＬａを最初に形成し、その後に信号線ＳＬｂを形成するようにしても同様な効果が得られることはいうまでもない。
【００３５】
また、信号線ＳＬの形成を２工程に分けて形成する必要から、その接続部においては信頼性のある接続がなされることが要望されるが、その信頼性は各工程のパターン合わせ精度に依存する。そして、この精度は比較的向上していることから、たとえば図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、特に接続部の面積を大きくすることはなく、むしろ信号線の接続端部において幅を狭くするように形成しても良好な接続を図ることができる。
【００３６】
図４（ａ）ないし（ｄ）は、図１のIIIｃ−IIIｃ線における断面図を示し、その各信号線ＳＬの形成の製造における工程図を示したものである。
【００３７】
まず、図４（ａ）に示すように、用意された基板ＳＵＢ１の主表面には信号線ＳＬの形成すべき部分に溝ＧＴが形成されている。この溝ＧＴの形成箇所に合わせて導電ペーストを塗布した際に該導電性ペーストの流動性により広がって流れるのを阻止せんがためである。
【００３８】
なお、図４（ａ）ないし（ｄ）において、該溝ＧＴは基板ＳＵＢ１の表面に直接に形成したように描画されているが、信号線ＳＬを形成する表面において絶縁膜が形成されていれば、該絶縁膜の表面に該溝が形成されることになる。
【００３９】
また、該溝ＧＴはたとえば５μｍの幅を有し、また隣接する他の溝ＧＴとの離間距離も５μｍとなっている。このことは、形成された信号線の幅は５μｍで、隣接する他の信号線との離間距離も５μｍに設定することを意味する。
【００４０】
まず、図４（ａ）に示すように、形成すべき各信号線のうち一本おきに配置される信号線ＳＬｂの形成箇所に導電ペーストＣＰを塗布する。この塗布方法としては印刷方法あるいはインクジェット方式のいずれであってもよい。
【００４１】
塗布された導電ペーストＣＰは、それが塗布された箇所において前記溝ＧＴの幅を越えた幅（約１０μｍ）を有するように付着するとともに、その高さも該導電ペーストの表面張力によってある値になるが、形成しようとする信号線の高さよりも大きく形成される。この後の工程で焼成する際に溶媒が飛散され該導電ペーストが収縮することを見越して塗布するからである。
【００４２】
この場合、当該導電ペーストＣＰはそれと隣接して塗布される他の導電ペーストＣＰとは、その間の溝ＧＴを間にして少なくとも１０μｍ以上の離間距離が保たれることからそれら相互の接触は十分に回避できることになる。
【００４３】
そして、図４（ｂ）に示すように、乾燥を行い、該導電ペーストＣＰ内の溶媒を飛散させる。導電ペーストＣＰは収縮され、その幅が約５μｍとなって溝ＧＴ内に収まり、その高さも低くなって信号線ＳＬｂが形成される。
【００４４】
次に、図４（ｃ）に示すように、形成すべき各信号線ＣＰのうち残りの信号線ＳＬａの形成箇所に導電ペーストＣＰを塗布する。塗布された導電ペーストＣＰは、図４（ａ）の場合と同様に、それが塗布された箇所において前記溝ＧＴの幅を越えた幅を有するように付着するとともに、その高さも形成しようとする信号線の高さよりも大きく形成される。
【００４５】
この場合、当該導電ペーストＣＰは隣接して既に焼成された信号線と約２．５μｍの離間距離が保たれ、それら相互の接触は信頼性よく回避できることになる。
【００４６】
最後に、図４（ｄ）に示すように、焼成を行い、該導電ペーストＣＰ内の溶媒を飛散させる。図４（ｂ）に示したと同様に、導電ペーストＣＰは収縮され、その幅が約５μｍとなって溝ＧＴ内に収まり、その高さも低くなって信号線ＳＬａが形成される。
【００４７】
これにより形成された各信号線ＳＬはそれに隣接する他の信号線ＳＬとの間の離間距離が約５μｍとなり、所定通りの製造を行うことができる。
【００４８】
図６は、本発明による表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１と対応した図となっている。なお、図５のVIIａ−VIIａにおける断面を図７（ａ）に、VIIｂ−VIIｂにおける断面を図７（ｂ）に、VIIｃ−VIIｃにおける断面を図７（ｃ）に、VIIｄ−VIIｄにおける断面を図７（ｄ）に示している。
【００４９】
図６において、表示部ＡＲから延在される各信号線ＳＬが、互いに間隔が小さくなって収束し半導体チップＣＴのバンプと接続されるべく端子ＳＴに導かれるようになっていることは図１の場合と同様である。
【００５０】
しかし、図１の場合と比較して、前記各信号線ＳＬはその一部において層を異にする信号線を備えて形成されていることにある。
【００５１】
すなわち、表示部ＡＲから延在される信号線ＳＬが屈曲して収束する以降の領域（図中VIIｂ−VIIｂ線に対し下側の領域）であって、端子の近傍を除く領域（図中VIIｄ−VIIｄ線に対し上側の領域）に形成される信号線ＳＬのうち一本おきに配置される信号線ＳＬｄが絶縁膜IＬを介して下層に配置された構成となっている。
【００５２】
ここで、前記絶縁膜ＩＬはたとえば表示部ＡＲ内に形成されるそれであり、表示部ＡＲの外側にも延在されて形成されたものとして形成されている。
【００５３】
すなわち、図６中において、実線で示した信号線ＳＬｕは前記絶縁膜ＩＬの上層に形成され、点線で示した信号線ＳＬｄは前記絶縁膜ＩＬの下層に形成されている。
【００５４】
絶縁膜ＩＬの下層に形成された信号線ＳＬｄはその両端においてそれぞれ前記絶縁膜ＩＬに形成されたコンタクト孔ＣＨ１、ＣＨ２を通して該絶縁膜ＩＬの上層に形成された対応する信号線ＳＬｕと接続され、図１に示した配線層群と同様の機能をもたらしめることができる。
【００５５】
ここで、コンタクト孔ＣＨ１、ＣＨ２は、その断面図を図８に示すように、その径がＷとなっている。この径Ｗは比較的小さく設定しても信号線ＳＬｄに対する信号線ＳＬｕの接続において充分な信頼性をもたせることができる。
【００５６】
たとえば、フォトリソグラフィ技術による選択エッチングによって金属層から所定のパターンからなる配線層を形成する場合、一層目の配線層をコンタクト孔を通して二層目の配線層との接続を図ろうとすると、該コンタクト孔の側壁面にテーパー状の斜面を形成しなければならず、結果として該コンタクト孔の径をかなり大きく形成しなければならないという不都合が生じる。二層目の配線層のコンタクト孔における段差が起因する段切れの防止対策を傾斜をもつ側壁面によって図っているからである。
【００５７】
これに対し、本実施例の場合、二層目の信号線ＳＬｕは、その導電ペーストをコンタクト孔ＣＨに充填して形成するという態様を採るため、一層目の信号線ＳＬｄとの接続は充分に図れ、該コンタクト孔の側壁面は極端にいえば垂直面となっていてもよいからである。
【００５８】
このようにコンタクト孔の径を充分に小さくできることは、この実施例において、絶縁膜ＩＬの下層の信号線ＳＬｄの各端部のそれぞれのコンタクト孔ＣＨのうち、液晶表示部ＡＲ側のものはともかくとして、半導体チップＣＨＰ側のそれにおいて大きな効果を奏するようになる。
【００５９】
半導体チップＣＨＰ側に収束される各信号線ＳＬの隣接する他の信号線ＳＬとの間の間隔は非常に狭まって形成されており、該コンタクト孔ＣＨの存在によって、該間隔を広げなければならないという不都合がないからである。
【００６０】
また、図１と比較し、表示部ＡＲから延在される信号線ＳＬが屈曲して収束する以降の領域（図中VIIｂ−VIIｂ線に対し下側の領域）であって、端子の近傍を除く領域（図中VIIｄ−VIIｄ線に対し上側の領域）において、該絶縁膜ＩＬの上下層の各信号線ＳＬのそれぞれの間隔を狭めることができるようになる。各層におけるそれぞれの信号線ＳＬはその製造の際に互いに接続される憂いがないからである。このため、上述した領域にあって信号線群としての幅を充分に狭めることができることから、その分、基板ＳＵＢ１上において該信号線ＳＬを形成しなくてもよい領域が増大し、この領域において、たとえば信号線ＳＬの断線あるいは短絡を検査するための検査配線・回路、あるいは他の回路を充分な余裕をもって形成することができる効果を奏するようになる。
【００６１】
なお、端子の近傍の領域（図中VIIｄ−VIIｄ線に対し下側の領域）において、該端子ＳＴを含めそれに接続される各信号線ＳＬはいずれも絶縁膜ＩＬの上層に形成されたものとなっている。各端子ＳＴは半導体チップＣＨＰをフェースダウンさせてそのバンプに接続されることから、それらの高さ（基板ＳＵＢ１の表面に対し）を揃えなければならないからである。
【００６２】
そして、少なくとも、この領域において各端子ＳＴに接続される各信号線ＳＬは、一本おきに配置される信号線ＳＬと他の残りの信号線ＳＬとを別工程で形成することが望まれる。上述した信号線群において各信号線ＳＬの間隔がこの領域において最も小さいからである。
【００６３】
すなわち、図６において、液晶表示部ＡＲから一旦絶縁膜ＩＬ下に形成された信号線ＳＬｄを介して端子ＳＴに至る信号線ＳＬのうち該端子ＳＴの近傍において形成された信号線ＳＬｕは、他の残りの各信号線ＳＬｕと別工程で形成するようにしてもよい。
【００６４】
また、同様の趣旨から、図９に示すように構成するようにしてもよい。図９は図６と対応した図となっており、図６と比較して異なる構成は、液晶表示部ＡＲから端子ＳＴに至るまで絶縁膜ＩＬ上に形成された各信号線ＳＬｕのうち該端子ＳＴの近傍において形成された信号線ＳＬｕは、他の残りの各信号線ＳＬｕと別工程で形成されていることにある。このため、たとえば図中VIIｄ−VIIｄ線の箇所において、前記信号線ＳＬｕはそれと接続されるべく他の信号線ＳＬｕと重畳部を形成して互いに接続されて構成される。
【００６５】
上述した実施例では、その一実施例として、搭載される半導体チップの近傍において該半導体チップに接続される信号線について示したものである。しかし、半導体チップの搭載箇所において該半導体チップに組み込まれる相当の回路が基板ＳＵＢ１上に形成されたものであっても、該回路の周辺における信号線にそのまま適用できることはいうまでもない。
【００６６】
また、回路周辺の箇所に適用させることに限定されることなく、他の箇所においても本発明を適用できることはいうまでもない。
【００６７】
さらに、本実施例では、液晶表示装置を例に挙げてその態様を示したものであるが、たとえば有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置においても適用できることはいうまでもない。
画素の構成において構成の違いを有するものの信号線の配置等は本実施例とほぼ同様の構成を採用するからである。
【００６８】
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明による表示装置が搭載する半導体チップの近傍における信号線の一実施例を示した平面図である。
【図２】本発明による表示装置の構成の一実施例を示す概略平面図である。
【図３】図１のIIIａ−IIIａ線、IIIｂ一IIIｂ線、IIIｃ−IIIｃ線における断面を示す図である。
【図４】本発明による表示装置の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図５】本発明による表示装置に形成される同層の信号線の接続部の各実施例を示した平面図である。
【図６】本発明による表示装置が搭載する半導体チップの近傍における信号線の他の実施例を示した平面図である。
【図７】図６のVIIａ−VIIａ線、VIIｂ−VIIｂ線、VIIｃ−VIIｃ線、VIIｄ−VIIｄ線における断面を示す図である。
【図８】本発明による表示装置に形成されるコンタクト孔の一実施例を示す断面図である。
【図９】本発明による表示装置が搭載する半導体チップの近傍における信号線の他の実施例を示した平面図である。
【符号の説明】
【００７０】
ＳＵＢ１…基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＣＨＰ…半導体チップ、ＳＬ…信号線、ＡＲ…液晶表示部、ＳＴ…電極、ＩＬ…絶縁膜、ＳＬｕ…信号線（絶縁膜上の信号線）、ＳＬｄ…信号線（絶縁膜下の信号線）、ＣＨ…コンタクト孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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