(57)【要約】【課題】安定的な動作を保証し、小型化・薄型化が可能であり、温度管理上のセンサの偽装を防止することができる半導体集積回路、無線タグ及びセンサを提供する。【解決手段】かかる課題を解決するため、本発明の半導体集積回路は、発振回路からの発振周波数の変化に基づいて温度を測定する半導体集積回路において、発振回路の容量が強誘電体であり、強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、発振周波数を変化させることを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振回路からの発振周波数の変化に基づいて温度を測定する半導体集積回路において、上記発振回路の容量が強誘電体であり、上記強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、上記発振周波数を変化させることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
上記強誘電体は、少なくとも上記発振回路と同一基板上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
赤外線センサに強誘電体が設けられ、上記強誘電体が入射した赤外線により発熱し、その発熱による分極電荷量の変化を検出することで、入射する赤外線の遮断の有無を確認させることができる半導体集積回路。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体集積回路は、上記赤外線センサを赤外線の入射用の窓つきのパッケージに封止したことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体集積回路は、集積回路の裏面をエッチングすることにより、赤外線入射口を形成したことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項６】
センサを搭載した半導体集積回路を備えた無線タグにおいて、上記半導体集積回路が請求項１〜５のいずれかに記載の半導体集積回路であることを特徴とする無線タグ。
【請求項７】
強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、直接的又は間接的に感知対象を感知することを特徴とするセンサ。
【請求項８】
上記強誘電体が発振回路の容量として使用され、温度変化による誘電率の変化により発振周波数を変化させることで温度を感知することを特徴とする請求項７に記載のセンサ。
【請求項９】
上記強誘電体が、入射した赤外線により発熱し、その発熱による分極電荷量の変化を検出することで、入射する赤外線の遮断の有無を確認することを特徴とする請求項７に記載のセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路、無線タグ及びセンサに関し、例えば、物品等の温度を感知することができ、物品等に簡単に取り付けることができるＩＣカードやＩＣタグなどの無線タグ、半導体集積回路、及びセンサに適用し得る。
【背景技術】
【０００２】
従来、温度センサは主にサーミスタが用いられていた。それ故、物流などで物品の温度管理をするために温度センサ付きの回路を物品に付与する際、温度履歴管理用に用いられるＩＣカード、ＩＣタグに、温度センサを内蔵することはできずに外付け部品となっていた。
【０００３】
図２は、サーミスタを温度センサとした場合の従来の回路構成例を示す。図２において、従来の回路は、集積回路内部に少なくとも、２系統のＣＲ発振回路１００、ＣＲ発振式アナログ−デジタル回路２００を有し、集積回路の端子に、基準抵抗３１１、発振用コンデンサ３１２、サーミスタ３１３及び抵抗３１４が接続されている。そして、ＣＲ発振回路１００が、接続する部品の温度による抵抗あるいは容量の変化によって変動するＣＲ発振周波数を発振し、ＣＲ発振式アナログ−デジタル回路２００が、ＣＲ発振周波数に基づくＣＲ発振クロックをカウントすることで抵抗値あるいは容量値をデジタル値に変換する。そのデジタル値は図示しないＣＰＵなどに与えられて対応する温度が特定されて管理される。なお、ＣＲ発振回路１００を２系統としたのは、例えばＩＣカード等の表と裏の両面の温度を２点測定する必要がある場合にも対応できるようにしている。
【０００４】
また、特許文献１には、温度に依存して共振周波数が変化する共振回路を有するセンサとして構成された温度センサを用いた温度測定システムが開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１４４６８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図２において、サーミスタ３１３は集積回路内に作りこむことは不可能であり、図２に示す回路構成ではＩＣカード、ＩＣタグに外付け部品として取り付けなければならず、コストの上昇や物品への実装の困難性が問題となる。
【０００７】
また、サーミスタは外部部品であるため、サーミスタ自体を他の抵抗体などへ取り替えられ、温度履歴管理上偽装がなされるおそれなどの問題があった。
【０００８】
また、特許文献１の温度測定システムは、温度測定装置が、無線タグに向けて電波を発し、温度センサの共振周波数を検知し、その共振周波数に対応する温度を特定することが開示されている。このとき、特許文献１の温度測定装置は、電波の周波数をスイープさせることにより放出する電波の周波数を変化させることが必要となる。そのため、設定された電力が無線タグ側に供給されない可能性があり、無線タグ内の回路が安定して動作しないおそれがある。
【０００９】
そこで、上記の課題に鑑み、安定的な動作を保証し、小型化・薄型化が可能であり、温度管理上のセンサの偽装を防止することができる半導体集積回路、無線タグ及びセンサが求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
かかる課題を解決するため、第１の本発明の半導体集積回路は、発振回路からの発振周波数の変化に基づいて温度を測定する半導体集積回路において、発振回路の容量が強誘電体であり、強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、発振周波数を変化させることを特徴とする。
【００１１】
第２の本発明の半導体集積回路は、赤外線センサに強誘電体が設けられ、強誘電体が入射した赤外線により発熱し、その発熱による分極電荷量の変化を検出することで、入射する赤外線の遮断の有無を確認させることができる。
【００１２】
第３の本発明の無線タグは、センサを搭載した半導体集積回路を備えた無線タグにおいて、半導体集積回路が第１又は第２の本発明の半導体集積回路であることを特徴とする。
【００１３】
第４の本発明のセンサは、強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、直接的又は間接的に感知対象を感知することを特徴とするセンサ。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体集積回路、無線タグ及びセンサによれば、安定的な動作を保証し、小型化・薄型化が可能であり、温度管理上のセンサの偽装を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（Ａ）第１の実施形態
以下、本発明の半導体集積回路、無線タグ及びセンサの第１の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
本実施形態は、温度センサを搭載した半導体集回路を備える無線タグを物品に備え付けて、その物品に対する温度管理を行なうシステムに適用した場合を示す。
【００１７】
（Ａ−１）第１の実施形態の構成
図３は、物品に備え付けられた無線タグとリーダライタ装置との関係を示すイメージ図である。図３に示すように、物品１には、後述する、強誘電体薄膜キャパシタを温度センサとして同一基板上に有する半導体集積回路を持つ無線タグ２が備え付けられている。
【００１８】
リーダライタ装置３は、所定帯域の無線電波を利用して無線タグ２との間で情報の送受信をし、無線タグ２に対して温度測定開始指示したり、無線タグ２が格納している又は測定した温度情報を読み込んだりするものである。また、リーダライタ装置３は、据置式、カード式、携帯式など種々の形態のものを適用することができる。
【００１９】
リーダライタ装置３と無線タグ２との間の通信方式は、特に限定されず種々の通信方式を適用することができ、例えば、国際標準化機構が推進するＩＳＯ１５６９３等で規格された１３．５６ＭＨｚ帯周波数を用いた方式を適用できる。
【００２０】
図４は、無線タグ２の内部構成例を示したブロック図である。図４に示すように、本実施形態の無線タグ２は、ＣＰＵ２１、メモリ２２、アンテナ部２３、温度センサ２４、ＣＲ発信器２５、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器２６を少なくとも有する。ＣＰＵ２１は、無線タグ２の機能を司るものであり、メモリ２２は、例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性の書き換え可能メモリ等を適用できる。
【００２１】
温度センサ２４、ＣＲ発振器２５、Ａ／Ｄ変換器２６は、同一基板上の半導体集積回路として構成することができる。勿論、ＣＰＵ２１やメモリ２２なども同一基板上に設けることも可能である。つまり、従来のように、温度センサを外部部品とするのではなく、同一基板上に設けることができるので、システムの小型化、温度センサの取替え等による偽装を防止できる。
【００２２】
以下では、本実施形態の無線タグ２が備える温度センサ２４、ＣＲ発振器２５、Ａ／Ｄ変換器２６の構成について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図１は、温度センサ、ＣＲ発振器、Ａ／Ｄ変換器を同一基板上に備えた半導体集積回路の回路図である。なお、図１のＣＲ発振器及びＡ／Ｄ変換器の回路は、図２に示す従来の回路に対応するものを適用できるので、対応する部品については対応する符号を付して示す。
【００２４】
図１に示すように、２系統のＣＲ発振回路１００、Ａ／Ｄ変換器２００が同一基板上にあり、ＣＲ発振回路１００には、基準抵抗３１、基準キャパシタ３２、強誘電体薄膜キャパシタ３３、発振用抵抗３４が接続される。
【００２５】
また、少なくとも強誘電体薄膜キャパシタ３３は、ＣＲ発振回路１００及びＡ／Ｄ変換器２００の半導体集積回路内の同一基板上に形成される。なお、ＣＲ発振回路１００に接続する他の部品類は、半導体集積回路内部あるいは外部のいずれで形成されても良い。
【００２６】
本実施形態では、温度センサ２４として、ＣＲ発振回路１００の容量に強誘電体薄膜キャパシタ３３を使用する。例えばＩＣカード等には近年強誘電体メモリが採用されており、強誘電体薄膜キャパシタを形成するプロセスが使用されているため、特別な工程を追加することなく容易に強誘電体薄膜キャパシタを追加できる。
【００２７】
ここで、強誘電体薄膜キャパシタ３３には様々な種類があるが、本実施形態では、鉛を含まない強誘電体メモリ材料として注目されているＳｒＢｉ２Ｔａ２０９（ＳＢＴ）を例にあげて説明する。
【００２８】
強誘電体薄膜キャパシタ３３は、組成、電極、焼成温度他いろいろなパラメータにより特性が変化するが、全般的にキュリー温度（Ｔｃ）をピークに誘電率が温度に応じて変化する特性がある。
【００２９】
図５は、ＳｒＢｉ２Ｔａ２０９（ＳＢＴ）の誘電率の温度特性を示す図である。図５に示すように、例えば、ＳｒＢｉ２Ｔａ２０９（ＳＢＴ）は、２０℃では約１８０程度の誘電率があり、６０℃では約２００程度の誘電率があるので、２０℃と６０℃と間の４０℃の温度差で約１０％以上の誘電率の変化がみられる。
【００３０】
そこで、本実施形態では、このような温度特性のある強誘電体薄膜キャパシタ３３をＣＲ発振回路１００の容量として使用し、温度変化により変化する誘電率の変動によりＣＲ発振周波数も変化するから、ＣＲ発振回路１００で発振させるＣＲ発振クロックの周波数も変化させることができる。そして、Ａ／Ｄ変換器２００が抵抗値あるいは容量をデジタル化することで、その後の温度管理をデジタルで管理することができる。
【００３１】
ＣＲ発振回路１００は、接続する基準抵抗３１、基準キャパシタ３２、強誘電体薄膜キャパシタ３３、発振用抵抗３４の容量あるいは抵抗の変化によって変化するＣＲ発振周波数を発振させ、Ａ／Ｄ変換器２００に与えるものである。
【００３２】
Ａ／Ｄ変換器２００は、ＣＲ発振式Ａ／Ｄ変換器であり、所定時間内で、ＣＲ発振回路１００から与えられたＣＲ発振周波数に基づくＣＲ発振クロックをカウントし、抵抗値あるいは容量値をデジタル化するものである。なお、Ａ／Ｄ変換器２００は、ＣＲ発振クロックのカウント値を図示しないＣＰＵ２１に与える。
【００３３】
また、図１に示すように、Ａ／Ｄ変換器２００は、基準カウンタ２０１、測定カウンタ２０２、ＡＤＣコントロールレジスタ２０３、デコーダ２０４、Ｅｎａｂｌｅ  ＡＤ−Ｃレジスタ２０５、ＯＲ回路２０６、同期回路２０７、微分器２０８及び２０９、出力回路２１０、入力回路２１１、Ｓｅｌｅｃｔ  ＡＤ−Ｃ  ｉｎｔレジスタ２１２、ＡＮＤ回路２１３、ＯＲ回路２１４を有して構成される。
【００３４】
（Ａ−２）第１の実施形態の動作
次に、図１に示す半導体集積回路における動作について図面を参照して説明する。
【００３５】
Ａ／Ｄ変換器２００の動作について図６の動作波形を参照して説明する。
【００３６】
Ａ／Ｄ変換器２００は、ＣＲ発振回路１００に接続される抵抗あるいは容量の変化によって変化するＣＲ発振周波数に基づくＣＲ発振クロック（ＯＳＣ  ｃｌｏｃｋ）をカウントし、抵抗値あるいは容量値をデジタル値に変換するものである。
【００３７】
ここで、ＣＲ発振回路１００のＣＲ発振周波数ｆｏｓｃｃｌｋとＣＲ定数との関係は、以下の式で表される。
【００３８】
１／ｆｏｓｃｃｌｋ＝ｔｏｓｃｃｌｋ＝ｋｏｓｃｃｌｋ・Ｃ・Ｒ…（１）
ここで、ｋｏｓｃｃｌｋは、電源電圧、基準抵抗、構成するトランジスタなどから決まる比例定数をいう。
【００３９】
まず、基準カウンタ２０１に所望のゲート時間となるようカウンタ値（ここではｎＡ０とする）を設定する。なお、ゲート時間は、システムクロック（Ｓｙｓｔｅｍ＿Ｃ１ｏｃｋ）とカウント値（カウンタ最大値ｎＡ０）との積であらわされる。また、測定カウンタ２０２の値を“０”にプリセットする。
【００４０】
次に、ＡＤＣコントロールレジスタ２０３を所望の発振モードに設定することで、デコーダ２０４に発振モードが決まり、発振に用いられる抵抗及びキャパシタが選択される。発振モードは、図示しないＣＰＵを通じた操作により設定可能としてよい。
【００４１】
そこで、ＥｎａｂｌｅＡＤ−Ｃレジスタ２０５をセットすると、ＥｎａｂｌｅＡＤ−Ｃレジスタ２０５からの出力がＯＲ回路２０６及び同期回路２０７に与えられる。そして、同期回路２０７からのＣＲＯＮ信号がＡＮＤ回路２１３でシステムクロックに同期してセットされ、システムクロックにより基準カウンタ２０１はカウントアップを開始する。
【００４２】
また、同期回路２０７からＣＲＯＮ信号がＣＲ発振回路１００に与えられると、ＣＲ発振回路１００は動作を開始する。
【００４３】
ここで、ＣＲ発振回路１００の動作について図面を参照して説明する。図７は、ＣＲ発振の動作開始を示す概略的な回路図であり、図８はＣＲ発振回路１００における動作波形図である。
【００４４】
図７において、Ａ／Ｄ変換器２００から変換開始信号（ＣＲＯＮ信号）が入力されると、図７（Ａ）から図７（Ｂ）のように変換してＣＲ発振周波数を発振させる。
【００４５】
図８に示すように、ＣＲ発振回路１００にＣＲＯＮ信号が与えられると（図７（ア））、インバータ１０１を通じて抵抗３４に電流が流れ、ＣＲ発振周波数が発振される（図７（イ））。そして、基準抵抗３１の抵抗値に達するとインバータ１０２に信号が通り、インバータ１０２から反転した信号が出力され（図７（ウ））、インバータ１０３からさらに反転した信号が出力されると（図７（エ））、図７（イ）の抵抗値が下がりＣＲ発振波形を形成する。なお、図７（ウ）の信号がＡ／Ｄ変換器２００に与えられる。
【００４６】
図１に戻り、同期回路２０７からＣＲＯＮ信号がＣＲ発振回路１００に与えられ、ＣＲ発振回路１００が動作を開始すると、ＣＲ発振周波数がＣＲ発振回路１００から入力回路２１１に与えられる。
【００４７】
そして、入力回路２１１からの出力がＣＲ発振クロックとして測定カウンタ２０２に与えられ、測定カウンタ２０２はＣＲ発振クロックのカウントを開始する。
【００４８】
ゲート時間経過後（本実施形態では、ｎＡ０＋１〜ＦＦＦＦをゲート時間とする）、基準カウンタ２０１はオーバーフローしてオーバーフローフラグをセットし、その信号によりＣＲ発振は停止し、測定カウンタ２０２もカウントを停止する。
【００４９】
図６において、測定カウンタ２０２のカウント値ｎＢ０は、ゲート時間中のＣＲ発振クロックのカウント値であり、ＣＲ発振クロックの周波数に比例したものとなる。
【００５０】
ここで、ＣＲ発振回路１００自体を構成するトランジスタ等にも温度よる特性変化があるため、同じ容量、抵抗の場合でも周波数が変化してしまう。そのため、その温度センサではない、温度による特性変化を有しない基準抵抗、基準容量をその都度発振させ周波数を測定し、ＣＲ発振回路１００の温度特性を相殺させる。
【００５１】
ところが、本実施形態では、温度センサとしてＣＲ発振回路１００の容量に強誘電体薄膜キャパシタ３３を使用するため、強誘電体薄膜キャパシタ３３の誘電率の温度特性により、ＣＲ発振周波数もそれに比例して変動するため、温度センサとして機能させることができる。
【００５２】
また、本実施形態では表、裏などの温度を測定することは不可能になるが、半導体集積回路内で発熱する箇所がある場合、離れた２箇所の温度を測定することで平均化できるようになるので、例ではＣＲ発振回路を２系統のままとした。
【００５３】
（Ａ−３）第１の実施形態の効果
以上のように、第１の実施形態によれば、半導体集積回路内部の強誘電体薄膜キャパシタをＣＲ発振式Ａ／Ｄ変換回路に接続したことで、集積回路外部のサーミスタなどの温度センサを不要にできる。その結果、従来のように外部部品が不要になり、商品のコストを下げることが可能になる。また、本実施形態によれば、ＩＣカード、ＩＣタグなどの製品では形状の薄型化、小型化が重要な要件であり、これも容易に実現することが可能になる。
【００５４】
（Ｂ）第２の実施形態
次に、本発明の半導体集積回路、無線タグ及びセンサの第２の実施形態について図面を参照して説明する。
【００５５】
第２の実施形態も、強誘電体薄膜キャパシタを用いる点で第１の実施形態と共通する。しかし、第１の実施形態では、強誘電体薄膜キャパシタが触れる温度を直接的に感知するのに対して、第２の実施形態では、強誘電体薄膜キャパシタが赤外線を受光することにより熱を発生しその熱により強誘電体の分極が減少する。そして、その分極の減少からキャパシタの電極に電圧が発生することをセンサとして利用する。
【００５６】
図９は、第２の実施形態に係る回路構成図を示す。図９に示す回路は、１つの半導体集積回路上に形成されるものである。
【００５７】
図９示すように、本実施形態の半導体集集積回路は、並列比較式Ａ／Ｄ変換器４００、赤外線センサ５００、アンプ６００、出力電圧変化検出回路７００を少なくとも備える。
【００５８】
並列比較式Ａ／Ｄ変換器４００は、アンプ６００を通じて受け取った赤外線センサ５００の出力をデジタル化するものである。なお、本実施形態では、赤外線センサ５００からの出力が電圧であるため、並列比較式Ａ／Ｄ変換器４００を適用したが、電圧変換式であれば他のＡ／Ｄ変換器を適用しても良い。
【００５９】
赤外線センサ５００は、直列に接続された強誘電体薄膜キャパシタ５０１、それに並列に接続された抵抗５０２、インピーダンス変換用のＦＥＴ５０３を有して構成される。
【００６０】
ここで、図１０は、本実施形態の赤外線受光用窓を有したパッケージの例を示す。また、図１１は、本実施形態の集積回路例の断面図である。図１０に示すように、本実施形態の半導体集積回路は、例えばガラス等でなる赤外線の受光窓１０ａで封止し、その受光窓１０ａから入射した赤外線が、強誘電体薄膜キャパシタ５０１に照射し熱を発生させることができる構成である。また、例えば、ＩＣカードやＩＣタグ等のように実装上薄くなくてはならないものの場合には、図１１に示すように、集積回路裏面に、例えばシリコン基板をエッチングするなどして赤外線の入射口１０ｂを形成するようにしても良い。
【００６１】
また、図１２は、強誘電体薄膜キャパシタ５０１への赤外線入射と出力電圧との関係を示す関係図である。
【００６２】
一般に、強誘電体薄膜キャパシタ５０１は、赤外線があたると熱が発生し、その熱により強誘電体の分極が減少する。そのため、図１２（ａ）に示すように、分極の減少から強誘電体薄膜キャパシタの電極に電圧が発生する。また、強誘電体薄膜キャパシタ５０１への赤外線照射をやめると熱の発生をやめ、強誘電体の分極が増加する。そのため、図１２（ｂ）に示すように、分極の増加から強誘電体薄膜キャパシタの電極に電圧が減少する。
【００６３】
そこで、本実施形態では、この強誘電体薄膜キャパシタ５０１への赤外線照射に係る熱の変化に応じた出力電圧の変化を検知することで、間接的なセンサとして機能させるものとする。
【００６４】
アンプ６００は、赤外線センサ５００からの出力電圧を増幅して、並列比較式Ａ／Ｄ変換器４００及び出力電圧変化検出回路７００に与えるものである。これにより、強誘電体薄膜キャパシタ５０１からの出力電圧を所望の倍率に増幅することができる。なお、アンプ６０による出力電圧の増幅率は、強誘電体薄膜キャパシタの材料や検知したい対象物、パッケージなどにより調整することができる。
【００６５】
出力電圧変化検出回路７００は、アンプ６００を通じて赤外線センサ５００の出力を受け取り、赤外線センサ５００の出力電圧が変化したことを検出すると出力するものである。また、出力電圧変化検出回路７００は、赤外線センサ５００の出力変化を検出すると、Ａ／Ｄ変換割り込み（ＡＤＩＮＴ）を発生させて、Ａ／Ｄ変換を行い温度の変化を記録させる。
【００６６】
（Ｂ−３）第２の実施形態の効果
以上のように、本実施形態によれば、サーミスタ、サーモパイルなどの外つけセンサの替わりに強誘電体薄膜キャパシタで焦電式の赤外線センサを構成することで外つけ部品を不要にすることができる。
【００６７】
さらに、本実施形態によれば、強誘電体薄膜キャパシタを発振に用いたりしないため、キャパシタは分極反転をすることはなく、キャパシタ特性の劣化しないセンサを実現できる。また、センサを駆動する必要がないため、低消費電力化が可能になる。
【００６８】
（Ｃ）他の実施形態
上述した第１及び第２の実施形態に係るシステムは、強誘電体メモリなど強誘電体薄膜キャパシタを有する集積回路、特にＩＣカード、ＩＣタグなどで温度履歴などを監視するシステムを安価で、且つ小型に構成することを可能にする。
【００６９】
また、第１及び第２の実施形態はともに、センサとなる強誘電体薄膜キャパシタを同一基板上に形成するとしたが、別基板に形成後、同一のパッケージに組み入れることも可能である。さらに、強誘電体薄膜はＳＢＴを例に説明しているが、これに限定されず、ＰＺＴなど強誘電体特性を有し薄膜化が可能なものであれば良い。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】第１の実施形態の温度センサを搭載した半導体集積回路の回路構成図である。
【図２】従来の温度センサを搭載した半導体集積回路の回路構成図である。
【図３】第１の実施形態の無線タグとリーダライタ装置との関係を示すイメージ図である。
【図４】第１の実施形態の無線タグの内部構成を示す機能ブロック図である。
【図５】第１の実施形態の強誘電体薄膜キャパシタ（ＳＢＴ）の誘電率の温度特性を示す図である。
【図６】第１の実施形態の半導体集積回路の動作波形図である。
【図７】第１の実施形態のＣＲ発振回路の概略的な回路図である。
【図８】第１の実施形態のＣＲ発振回路の動作波形図である。
【図９】第２の実施形態の半導体集積回路の回路構成図である。
【図１０】第２の実施形態の赤外線受光窓を有したパッケージの例を示す図である。
【図１１】第２の実施形態の半導体集積回路の断面図である。
【図１２】第２の実施形態の強誘電体薄膜キャパシタの赤外線入射と出力電圧との関係を示す関係図である。
【符号の説明】
【００７１】
２…無線タグ、２４…温度センサ、２５、１００…ＣＲ発振器、１６、２００…Ａ／Ｄ変換器、３３、５０１…強誘電体薄膜キャパシタ、５００…赤外線センサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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