(57)【要約】      （修正有）【課題】ＥＵＶ露光装置において、コレクタ鏡の劣化の影響を低減する方法を提供する。【解決手段】マスク１０からパターンを基板３０上に投影するための装置は、放射線源２と、投影光学系１２と有する。コレクタ鏡の劣化の影響を低減するために、ビーム路に光学素子２１を配置する。当該光学素子２１は、異なる反射度または異なる透過度を有する少なくとも２つの領域を有し、上記領域のうちの第１の領域が、上記マスク１０および／またはコレクタ鏡８上の第１の位置に配置され、上記領域のうちの第２の領域が、上記ビーム路の故に、上記マスク１０および／またはコレクタ鏡８上の、上記第１の位置とは異なる第２の位置に配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク（１０）からパターンを基板（３０）上に投影するための装置であって、
超紫外線波長帯の光ビームを出射する放射線源（２）と、
上記光ビームを上記マスク（１０）へ向かわせるためのビーム路の第１の一部を形成する、コレクタ鏡（８）と露光光学系（６）と、
吸収性と反射性とを有する構造素子を有するパターンが形成されて、そのパターンによってパターニングされる光ビームが反射する上記マスク（１０）と、
上記マスク（１０）から反射した光ビームを上記基板（３０）に集光し、その結果上記パターンが基板（３０）上に投影されるようにするためのビーム路の第２の一部を形成する反射鏡の配置を有する、投影光学系（１２）と、
上記ビーム路に配置された光学素子（２１）であって、異なる反射度または異なる透過度を有する少なくとも２つの領域（２３、２５、２８、２９、５３、５５、５８、５９）を有する光学素子（２１）とを備え、
上記領域のうちの第１の領域（２３、２５、２８、２９）が、上記マスク（１０）および／またはコレクタ鏡（８）上の第１の位置に配置され、
上記領域のうちの第２の領域（５３、５５、５８、５９）が、上記ビーム路の故に、上記マスク（１０）および／またはコレクタ鏡（８）上の、上記第１の位置とは異なる第２の位置に配置されている、装置。
【請求項２】
上記マスク（１０）上の各配置位置での上記パターンの反射型構造素子の幅があらかじめ定められた望ましい値からはずれるのを補償するように、反射度または透過度が、各場合について、上記第１（２３、２５、２８、２９）および第２（５３、５５、５８、５９）の領域に適合している、請求項１に記載の装置（１）。
【請求項３】
コレクタ鏡（８）の、上記領域がそれぞれ配置される異なる位置での反射度が、放射線の除去に起因して、あらかじめ定められた望ましい値からはずれるのを補償するように、反射度または透過度が、各場合について、上記第１（２３、２５、２８、２９）および第２（５３、５５、５８、５９）の領域に適合している、請求項１または２に記載の装置（１）。
【請求項４】
上記光学素子（２１）が反射型の素子（２１ｃ、２１ｄ）である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項５】
上記光学素子（２１）が多層の鏡である、請求項４に記載の装置（１）。
【請求項６】
上記多層の鏡は、異なる反射度を生むために、上記第１の領域（２８）または第２の領域（５８）に、吸収性材料でコーティングされている、請求項５に記載の装置（１）。
【請求項７】
上記多層の鏡は、異なる反射度を生むために、ローカルエッチングにて、上記第１の領域（２９）または第２の領域（５９）において、一つまたは複数の上部被覆層（２７ｂ）が、薄膜化されるまたは除去されている、請求項５に記載の装置（１）。
【請求項８】
上記多層の鏡は、上記多層の鏡の反射面を保護し、シリコンまたはルテニウムで形成されている、キャップ層（３１）を備えている、請求項５に記載の装置（１）。
【請求項９】
上記多層の鏡は、モリブデンとシリコンとが交互に連続した構成を有している、請求項５ないし８のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１０】
上記光学素子（２１）が透過型の素子（２１ａ、２１ｂ）である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１１】
上記透過型の素子（２１ａ、２１ｂ）は薄膜マスクを有している、請求項１０に記載の装置（１）。
【請求項１２】
上記薄膜マスクは、シリコンで構成された薄膜（２２）を有している、請求項１１に記載の装置（１）。
【請求項１３】
上記薄膜マスクは、０．２ｍｍまたはそれより薄い厚みの薄膜（２２）を有し、該薄膜を介して上記光ビームが上記ビーム路に放射される、請求項１１または１２に記載の装置（１）。
【請求項１４】
上記薄膜（２２）の透過度が６０％より大きい、請求項１３に記載の装置（１）。
【請求項１５】
上記薄膜（２２）の透過度が６５％より大きい、請求項１３に記載の装置（１）。
【請求項１６】
透過度を下げるために、上記透過型の光学素子（２１ａ、２１ｂ）の薄膜マスク上の上記第１の領域（２３）または第２の領域（５３）に、吸収層が形成されている、請求項１２ないし１５のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１７】
上記吸収層が炭素を含んでいる、請求項１６に記載の装置（１）。
【請求項１８】
上記吸収層が酸化物を含んでいる、請求項１６に記載の装置（１）。
【請求項１９】
透過度を上げるために、上記透過型の光学素子（２１ａ、２１ｂ）の薄膜マスク上の上記第１の領域（２５）または第２の領域（５５）に、ホールが形成されている、請求項１２ないし１５のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項２０】
上記放射線源が、１１ｎｍ〜１４ｎｍの波長帯の光を出射する、請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項２１】
上記マスク（１０）、基板（３０）および光学素子（２１）に対してそれぞれ設けられ、これらの各構成要素の装着、脱着、および／または位置決めができるように可動となっている、マウントが設けられている、請求項１ないし２０のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項２２】
上記光学素子（２１）は、上記ビーム路の中へまたはそこから外へ可動となるように、可動な回転盤上に搭載されている、請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項２３】
上記ビーム路に光ビーム集光効果を追加として有するようにするために、上記光学素子（２１）は反射型光学素子（２１ｃ、２１ｄ）であり、起伏のある湾曲した表面を有する、請求項２２に記載の装置（１）。
【請求項２４】
マスク（１０）からパターンを基板（３０）上に投影する方法であって、
放射線源（２）を用いて超紫外線波長帯の光ビームを出射する工程と、
ビーム路の第１の一部を形成するとともにコレクタ鏡（８）を有する露光光学系（６）を用いて、上記出射光ビームを上記マスク（１０）へ向かわせる工程と、
吸収性と反射性とを有する構造素子を有するパターンが形成されている上記マスク（１０）から、上記光ビームをパターニングするとともに反射させる工程と、
上記ビーム路の第２の一部を形成する反射鏡（１４〜１９）の配置を有する投影光学系（１２）によって、上記反射光ビームを上記基板（３０）に集光し、その結果上記パターンが基板（３０）上に投影されるようにする工程とを有し、
上記マスクからの第２の位置で反射する光ビームの強度と比べて、上記マスクからの第１の位置で反射する光ビームの強度の減衰の仕方を異ならせるために、上記ビーム路に、異なる反射度または異なる透過度を有する少なくとも２つの領域（２３、２５、２８、２９、５３、５５、５８、５９）を有する光学素子（２１）が配置され、上記各領域は上記位置のそれぞれに配置されており、
その結果、上記マスク上の第１・第２位置での上記パターンの反射型構造素子の幅があらかじめ定められた望ましい値からはずれるのが補償される、方法。
【請求項２５】
マスク（１０）からパターンを基板（３０）上に投影する方法であって、
放射線源（２）を用いて超紫外線波長帯の光ビームを出射する工程と、
ビーム路の第１の一部を形成するとともにコレクタ鏡（８）を有する露光光学系（６）を用いて、上記出射光ビームを上記マスク（１０）へ向かわせる工程と、
吸収性と反射性とを有する構造素子を有するパターンが形成されている上記マスク（１０）から、上記光ビームをパターニングするとともに反射させる工程と、
上記ビーム路の第２の一部を形成する反射鏡（１４〜１９）の配置を有する投影光学系（１２）によって、上記反射光ビームを上記基板（３０）に集光し、その結果上記パターンが基板（３０）上に投影されるようにする工程とを有し、
上記コレクタ鏡（８）からの第２の位置で反射する光ビームの強度と比べて、上記コレクタ鏡（８）からの第１の位置で反射する光ビームの強度の減衰の仕方を異ならせるために、上記ビーム路に、異なる反射度または異なる透過度を有する少なくとも２つの領域（２３、２５、２８、２９、５３、５５、５８、５９）を有する光学素子（２１）が配置され、上記各領域は上記位置のそれぞれに配置されており、
その結果、コレクタ鏡（８）の、上記領域がそれぞれ配置される異なる位置での反射度が、放射線の除去に起因して、あらかじめ定められた望ましい値からはずれるのが補償される、方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、パターンをマスク、特にＥＵＶマスクから基板に投影するための装置、および、その方法に関するものである。
【０００２】
半導体の製造において、形成される最小寸法が漸減しているために、近年、ほぼ４０ｎｍ以下の最小寸法から始まる、いわゆるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶ：超紫外線）への移行が期待されている。ＥＵＶリソグラフィには、マスク（ＥＵＶマスク）にあらかじめ形成されている上記パターンを基板（例えば、半導体ウェハー）に転写するために、波長が１１ｎｍ〜１４ｎｍである光または放射線が用いられる。上記ＥＵＶ放射線は、軟Ｘ線放射線（soft X-ray radiation）とも呼ばれている。
【０００３】
これに必要な、レジストプロセスの変更に加えて、現時点で用いられている光投影リソグラフィ（optical projection lithography）（遠赤外線ＤＵＶが２８４ｎｍまたは１９３ｎｍ。遠紫外線ＦＵＶが１５７ｎｍ）から移行した場合においては、従来の材料からなるレンズシステムが上記ＥＵＶ放射線について不透明であるために、鏡光学系または反射光学系しか、その露光装置（exposure devices）において用いることができない。したがって、露光装置のビーム路（beam paths）が著しく変わる。それゆえに特に、好ましくは、反射マスクも、この技術に用いるべきである。なぜなら、透過マスクとしての従来の石英マスクも、ＥＵＶ放射線に対して不透明であるからである。
【０００４】
さらに、この進歩によって達成される目的は、高エネルギーＥＵＶ放射線に対して劣化を示さない、または、わずかな劣化のみを示す、鏡やマスクなどの構成要素の材料を提供することである。構成要素が鏡である場合に、これらの劣化が露光領域（image field）に均一に影響する限り、簡単なケースでは、鏡表面でのソース粒子故の例えば除去に起因した反射度（degree of reflection）減少を、より高強度の放射線源にて補償することができる場合がある。例えば、鏡表面が劣化した結果これに付随する可能性のある散乱効果がここでは無視できるような場合である。
【０００５】
しかしながら、放射線源に最も近く配置された鏡（つまりコレクタ鏡（collector mirror））においては、劣化が不均一に生じうる。一方では、ここでは局所的な放射線強度が最も高い。他方では、コレクタ鏡の形状は、鏡表面と放射線源との間の距離の差異を要するような形状である。これは、コレクタ鏡が、例えば放物面鏡として、放射線を特定の方向において取り除く（couple out）必要があるからである。その結果、特定の状況下では、鏡表面上の位置によって、劣化の程度が様々に異なったものになる。
【０００６】
上記ＥＵＶ露光装置のビーム路における上記コレクタ鏡の位置は、マスクの位置に対して基本的に共役（conjugate）である。結果として、コレクタ鏡の反射度の不均等性によっても、マスクの露光領域の照度が非均一になる。この結果、基板に投影され、かつ、そこでレジストにて処理された構造素子の線幅が変動してしまう。
【０００７】
他の構成要素（特に、上記ビーム路の鏡）も次第にその影響を受けて劣化してしまう。その結果、露光領域分布（image field distribution）が不均一になってしまう。従来の解決策は、この原因（つまり、劣化）の立証に基づき、対応する構成要素を、コストをかけて交換することを提供している。
【０００８】
しかしながら、上記基板の線幅の変動は、ほかにも、初めから存在している、または、ＥＵＶ露光装置の厳しい製造条件下での時間経過だけで生じる、ＥＵＶマスク上の対応する線すなわち構造素子の幅の変動が原因でも起こりうる。
【０００９】
ＥＵＶマスクの場合は、新たに造る以外にも、マスク上の限られた部位を修復するということも可能である。しかしこれは、広範囲に適用することはできない。さらに、修復の場合には、マスクを製造者に返却するためにかかる時間のロスや、もし劣化が最終製品でしか確認されないような場合には露光装置のその後の製品について急に計画の立て直しが必要になるということも考慮する必要がある。
【００１０】
したがって、ＥＵＶ露光装置の構成要素の劣化が露光処理品質に与える影響を低減すること、さらに、ＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造にて得られる品質を維持するためのコストを低減することが望ましい。
【００１１】
従来技術文献としては、
米国特許公開公報：第２００５／０１４０９５７号
米国特許公開公報：第２００６／００９１３２４号
米国特許公開公報：第２００６／００９２３９７号
米国特許第６，８３５，５０８号
を挙げることができる。
【００１２】
この目的は、マスク（１０）からパターンを基板（３０）上に投影するための装置によって達成される。すなわち、該装置は、
超紫外線波長帯の光ビームを出射する放射線源と、
上記光ビームを上記マスクへ向かわせるためのビーム路の第１の一部を形成する、コレクタ鏡と露光光学系と、
吸収性と反射性とを有する構造素子を有するパターンが形成されて、そのパターンによってパターニングされる光ビームが反射する上記マスクと、
上記マスクから反射した光ビームを上記基板に集光し、その結果上記パターンが基板上に投影されるようにするためのビーム路の第２の一部を形成する反射鏡の配置を有する、投影光学系と、
上記ビーム路に配置された光学素子であって、異なる反射度または異なる透過度を有する少なくとも２つの領域を有する光学素子とを備え、
上記領域のうちの第１の領域が、上記マスクおよび／またはコレクタ鏡上の第１の位置に配置され、
上記領域のうちの第２の領域が、上記ビーム路の故に、上記マスクおよび／またはコレクタ鏡上の、上記第１の位置とは異なる第２の位置に配置されている。
【００１３】
放射線源、露光光学系、投影光学系は、ＥＵＶ露光装置の構成部分である。ＥＵＶマスクは、通常、コレクタ鏡および基板面に対して共役な面に配置されたマウントに取り付けられる。光学素子は、ビーム路において上記マスクに対して共役（conjugate）な面の外側の少し離れたところに位置している。例えば、マスク近傍に直接、または、露光光学系の領域に、または、投影光学系の領域に位置している。
【００１４】
一例として、光学素子とＥＵＶマスクまたはこれら２つに対して共役な面との間の距離は、光学素子が透過型のものであれば、１ないし１０ｍｍである。もし光学素子として反射型のものが用いられれば、構造上の要件として、２０ｃｍないし１ｍという、より大きな距離が必要になる可能性もある。したがって、光学素子は、投影との関連で、焦点はずし部（defocus position）に位置する。結果として、規定の反射度または透過度を有する光学素子上の別々の吸収性素子にもかかわらず、「ぼけた」投影のゆえに、素子をぼやけさせることができ、その結果、吸収性素子の密度分布によるだけで、どのような所望の反射度または透過度も達成することができる。
【００１５】
したがって、光学素子が鏡として動作するのであれば、光学素子は、異なる反射度により特徴付けられる異なる領域を有し、また、露光中に放射線が光学素子を通るのであれば、光学素子は、異なる透過度により特徴付けられる異なる領域を有している。領域は、マスクからの反射度または透過度が連続的に分布しているものの一部としてもよい。
【００１６】
露光装置のビーム路の配置の故に、また、光学素子がマスクおよび／またはコレクタ鏡に対して共役な面に近接して位置しているので、上記領域は、各場合に、マスクおよび／またはコレクタ鏡上の位置に配置している。したがって、マスクおよび／またはコレクタ鏡の対応位置からの放射線の流れは、その後、光学素子の領域によって、個別のやり方で減衰する。
【００１７】
したがって、例えば、コレクタ鏡の外側または内側の領域で劣化の増加を弱めるために、これらの位置に対応する光学素子の領域において、光学素子の他の領域とは対照的に、反射率または透過率を増加させることができ、その結果、劣化が正確に補償される。
【００１８】
このように、コレクタ鏡を交換する必要がなく、それどころか、劣化を補償する光学素子をビーム路に導入することができる。
【００１９】
マスクの線幅の変動の場合は、線幅の増加した位置または区間は、反射または透過が減少した光学素子上の領域に割り当てることができ、その結果、ここで補償される。
【００２０】
このような光学素子を生成するために、ある構成によれば、好ましくは、基板（ウェハー）は、初めに、光学素子の無い状態で露光される。線幅の変動を判定するために、投影されたパターンの構造素子が測定される。あらかじめ定められた望ましい値からの逸脱が判定される。この場合、望ましい値は、要約（abstract）配置由来としてもよいし、例えば露光基板の平均値を表していてもよい。
【００２１】
局所的に得られた線幅と放射線量との関係に基づいて、目的とする線幅が得られるように線量をどのように変えねばならないかを推論することができる。線量値は、元々用いられる線量と比較される。これによりただちに、この位置に対する必要な局所的な減衰が明らかになる。したがって、関連のある領域での減衰に対応する反射度または透過度を有する光学素子を生成することができる。
【００２２】
マスクにおける線幅の変動分布から、反射型または透過型の光学素子が存在するか否かに応じて、反射または透過の分布を計算することができる。
【００２３】
この方法は繰り返すことができる。つまり、投影は、改めて、しかし今度は光学素子のある状態で行う。線幅の変動が再度測定され、その結果やはり、光学素子の表面を横切ってみたときの、変化して適合された反射分布または透過分布が明らかになる。
【００２４】
光学素子は、透過または反射素子として具体化することができる。薄膜は、第１の場合に関係していてもよい。薄膜は、ＥＵＶ放射線について半透明である。薄い薄膜にホールを形成するか、吸収層または構造素子を局所的に用いるかのいずれかにより、異なる透過度を達成できる。
【００２５】
第２の場合には、光学素子は、露光装置の鏡または反射マスク自体と類似の方法で形成してもよい。例えば、吸収層または構造素子を用いるか、例えば多層の鏡が関係している場合には鏡の被覆層を変えることにより、反射度が実現できる。
【００２６】
目的物は、さらに、添付の請求項に記載されたような、マスクからパターンを基板上に投影する方法によって実現できる。構成や方法に関する有利な構成は、従属請求項から取り入れることができる。
【００２７】
本発明を、模式的な一実施形態に基づいて図面を用いて詳述する。
【００２８】
図１は、パターンをＥＵＶマスクから基板に投影するための構造の第１の模式的な実施形態を示す図である。
【００２９】
図２Ａおよび図２Ｂは、第２の模式的な実施形態にかかる透過型光学素子を示す図である。
【００３０】
図３は、第３の模式的な実施形態にかかる反射型光学素子を示す図である。
【００３１】
図４は、第４の模式的な実施形態にかかる反射型光学素子を示す図である。
【００３２】
図５は、本発明の補正を行う光学素子か従来の鏡かを選択するための回転盤を備えた模式的な一実施形態を示す図である。
【００３３】
図１は、本発明の第１の模式的な実施形態にかかる、パターンをＥＵＶマスクから基板に投影するための装置１を示す図である。放射線源２が、波長が１３．５ｎｍである光ビーム４ａ（超紫外線波長帯、ＥＵＶ）を生成する。露光光学系６が、図１において概略的にのみ示したコレクタ鏡８を含む複数の鏡を備えている。
【００３４】
光ビーム（参照符号４ｂ）は、露光光学系６によってＥＵＶ反射マスク１０に照射される（directed）。上記マスク上には、吸収性と反射性とを有する構造素子のパターンが、あらかじめ定められた設計どおりに形成されている。上記パターンは、基板（例えば、半導体ウェハー）３０に転写される。上記反射マスクは、通常、基板を含んでいる。この基板上に、入射光ビーム（incident light beams）を反射する積層が形成されている。上記積層には、例えば、上記積層を保護する被覆層（キャップ層（capping layer））と、さらに、製造に起因して設置されたバッファ層とが形成されている。さらに、それらの上に、吸収層が位置している。転写される上記パターンに基づいた吸収性の構造素子は、吸収層の除去されなかった領域に相当し、他方、上記反射積層は、まさに除去された領域において露出している。上記バッファ層は、この場合同様に除去されるが、これに対し、上記保護被覆層は残存している。
【００３５】
したがって、上記マスクによって反射された光ビーム４ｃは、上記マスクのパターンによってパターニングされる。上記光ビームは、さらに、投影光学系（projection optical system）１２を共に構成している鏡１４〜１９の構造を通り抜ける。上記投影光学系によって、上記光ビーム４ｃは、最後に、基板３０に投影される、つまり、上記基板に焦点が合う。
【００３６】
光学素子２１が、光ビーム４ａ〜４ｃによって形成されたビーム路内に配置される。図２Ａおよび図２Ｂでは、透過型の状態で用いられる光学素子が含まれている。つまり、光ビーム４ｃはここでは光学素子２１を通り抜ける。
【００３７】
上記光学素子は、ビーム路の位置４４に配置されている。上記ビーム路において、上記光学素子は、装置１のビーム路におけるマスクの平面に対して共役（conjugate）な面４０からのほんのわずかな焦点はずし部（defocus）４２に位置している。上記焦点はずし部４２は、例えばここに示したように透明な光学素子の場合、１０ｍｍ未満である。
【００３８】
上記光学素子は、基本的に、上記マスクに対して共役な面４０のうちの１つに位置していてもよい。しかしこの場合は、上記光学素子上に形成された、反射率または透過率が異なっている領域間の境界を、基板３０のレジストに直接投影することになる。したがって、０よりも大きいディフォーカス量（defocus value）（焦点はずし値）を選択することが好ましい。なぜなら、上記光学素子上の上記領域用の高い解像度をここで得る必要はないからである。
【００３９】
しかし、光学素子２１が、正確にはＥＵＶ反射マスク１０およびコレクタ鏡８に対して共役な面に近接して正確に配置されているので、上記マスクおよびコレクタ鏡の上の位置が、上記光学素子上の個別の領域に相当していることが明らかである。もし例えば、光学素子２１が上記マスクに対してフーリエ変換された面に近接して配置された場合には、こうはならない。
【００４０】
結果として、目標とされたように、望ましい値よりも部分的に非常にわずかな線幅を有するＥＵＶ反射マスク１０上の構造素子を、上記マスクの強度で投影している間に補強（amplified）できる。あるいは逆に、過度に広い線幅を有する上記構造素子を、弱める（attenuated）ことができる。
【００４１】
さらには、コレクタ鏡が部分的に劣化して反射率が低下するのを補償できる。
【００４２】
図２Ａおよび図２Ｂは、本発明の他の例を示している。図示した透過型の実施形態では、光学素子２１ａ（図２Ａ）は、フレーム２４を備えていてもよく、上記フレームの上には、薄膜２２が配置されている。上記薄膜は、上記放射線に対して耐性のあるシリコンから形成されていてもよい。この厚さは、例えば２００ｎｍ未満である。波長が１３．５ｎｍであれば、薄膜２２は、７０％の透過型（透過度）である。
【００４３】
さらに、領域２３、２５の薄膜２２を、それぞれ、周辺領域５３、５５と相対的に、部分的に変更した。このために、図２Ａの光学素子２１ａの場合、例えば（図に模式的に示した）領域２３に、炭素が部分的に堆積されている。このことは、例えばいわゆるコンタミネーションリソグラフィ（contamination lithography）によってなされる。上記リソグラフィでは、目標に応じて、所望の領域の上記薄膜の表面に、気相から炭素を堆積するために、電子ビームが用いられる。
【００４４】
別の方法として、上記薄膜のシリコンを部分的に酸化することもできる。他の層によって吸収性素子を形成することが重要である。ここでは、透過度は、（垂直方向の）層厚によって、または、互いに近接して配置されている吸収性素子の密度によって、設定できる。上記したように、焦点のはずれた距離（defocus distance）のせいで、吸収性素子の画像（images）（像）はぼやける。
【００４５】
図２Ｂは、光学素子２１ｂの他の実施形態を示す図である。この図では、上記薄膜上の他の層を堆積または形成する代わりに、領域２５にホールが形成される。上記ホールは、目的どおり透明である。この場合も、最小直径を有するホールの配置または分布によって、異なった透過度を得ることができる。上記透過度は、上記ホールの密度に対応している。
【００４６】
図３は、多層の鏡を含んだ反射素子である本発明の光学素子２１ｃの、模式的な一実施形態を示す図である。この光学素子は、図１に示した光学素子と同様に、光ビーム４ｃのビーム路に集積されているが、透過の代わりに反射が用いられる。鏡１６を参照して、（そして、この例では鏡１６の代わりになるものとして、）鏡の参照符号１６ａは、投影光学系１２の領域のビーム路における位置を示している。
【００４７】
補正素子か、損なわれていないビーム路かを選択できるようにするために、回転盤／タレット（turret）が備えられていてもよい。これは、反射光学素子またはそれに相当する標準的な鏡をビーム路に移動させるものである。一例を、図５に示す。
【００４８】
第１の変形例では、平坦かつ均一な表面を有する光反射素子を実現する。すでに実装されたＥＵＶ露光装置のビーム路には、対応する鏡は備えられていないので、この点でさらなる適合を行う必要がある。
【００４９】
第２の変形例では、特定の機能を実行する従来のビーム路に位置する鏡に対して、それに相当するものとして成形された光反射素子を形成する。上記光反射素子は、露光装置におけるビーム路のアセンブリにおいて、所望の補正機能と必要な集光特性とを実現する。図５に示した例は、この形態に相当する。つまり、鏡１４〜１９および光学素子２１ｄの表面は、この機能を行うために、一様に成形されているか、あるいは、湾曲している。回転盤６０により、所望の鏡をビーム路４ｃ上の必要な鏡位置６２に移動させるための選択が可能になる。
【００５０】
図３では、光学素子２１ｃの基板２６に、例えばモリブデンおよびシリコンを交互に配置した層を含んだ多層２７が、配置されている。例えばＥＵＶ反射マスク１０の場合、吸収層が堆積されなかった他の領域５８よりも反射率の低い領域２８の表面に、吸収性素子が備えられている。製造は、例えば、従来の反射マスクの製造と同様に行われる。したがって、バッファ層および／または被覆層が備えられていてもよい。吸収性素子によって、領域２８における所望の反射度を設定できる。小さな吸収性素子の密度分布に関する図２Ａおよび図２Ｂについてなされた説明を、ここでも適用可能である。
【００５１】
他の実施形態について、図４に示す。この場合、反射光学素子２１ｄの、領域２９の多層内に位置する被覆層２７ｂを薄膜化するか、またはさらに、除去する。その結果、この位置の反射特性が変化する。したがって、所望の反射度を設定することができる。これに対して、領域５９では、上部被覆層の薄膜化や除去は行わない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】パターンをＥＵＶマスクから基板に投影するための構造の第１の模式的な実施形態を示す図である。
【図２Ａ】第２の模式的な実施形態にかかる透過型光学素子を示す図である。
【図２Ｂ】第２の模式的な実施形態にかかる透過型光学素子を示す図である。
【図３】第３の模式的な実施形態にかかる反射型光学素子を示す図である。
【図４】第４の模式的な実施形態にかかる反射型光学素子を示す図である。
【図５】本発明の補正を行う光学素子か従来の鏡かを選択するための回転盤を備えた模式的な一実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１      装置
２      放射線源
４ａ〜４ｃ      光ビーム
６      露光光学系
８      コレクタ鏡
１０      ＥＵＶ反射マスク
１２      投影光学系
１４〜１９      投影光学系の鏡
２１      光学素子
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ      光学素子
２２      薄膜
２３、２５、２８、２９      反射または透過によって変更された光学素子上の領域
２４      フレーム
２６      光学素子の基板
２７      多層
３０      基板
３２      キャップ層、保護層
４０      マスクおよびコレクタ鏡に対して共役な面
４２      焦点はずし部
４４      ビーム路における光学素子の位置
５３、５５、５８、５９      変更されていない光学素子上の領域
６０      回転盤
６２      ビーム路における鏡位置
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007306004.tif 000008