(57)【要約】【課題】外部誘電体を処理対象物に更に接近させることができる処理ガス吐出装置などを提供する。【解決手段】処理ガス吐出装置は、上部外周面に供給穴２３を、下部外周面に吐出穴２４を有する管状の外部誘電体２２と、外部誘電体２２の外周面に設けられ且つ接地された外部電極２６と、外部誘電体２２の内部にこれと一定間隔を隔てて同軸に設けられる管状の内部誘電体３０と、内部誘電体３０の内部にその軸線と平行に設けられる管状の内部電極３２と、内部電極３２と外部電極２６との間に高周波電圧を印加する高周波電源３４と、供給穴２３から外部誘電体２２と内部誘電体３０との間に処理ガスを供給するガス供給機構とを備える。内部電極３２は、その中心軸線に沿って下部外周部が内側に偏倚した形状に形成されて、当該下部外周部が内部誘電体３０の内周面から離隔した状態となるように構成されている。【選択図】図２
2007294210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスをプラズマ化して吐出する処理ガス吐出装置であって、
管状の部材からなり、前記処理ガスが供給される供給穴と、前記供給された処理ガスを吐出する吐出穴とが外周面に開口した外部誘電体と、
前記供給穴及び吐出穴を塞がないように前記外部誘電体の外周面に設けられ且つ接地された外部電極と、
管状の部材からなり、前記外部誘電体の内部に、該外部誘電体の内周面と一定間隔を隔てるように且つ該外部誘電体と同軸に設けられる内部誘電体と、
棒状の部材からなり、前記内部誘電体の内部に該内部誘電体の軸線と平行に設けられる内部電極と、
前記内部電極と外部電極との間に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記供給穴から前記外部誘電体と内部誘電体との間に前記処理ガスを供給するガス供給手段とを備えてなり、
前記内部電極は、該内部電極の中心軸線に沿って、その前記外部誘電体の吐出穴に対応した側の外周部が内側に偏倚した形状に形成されて、該外周部が前記内部誘電体の内周面から離隔した状態となるように構成されてなることを特徴とする処理ガス吐出装置。
【請求項２】
処理ガスをプラズマ化して吐出する処理ガス吐出装置であって、
管状の部材からなり、前記処理ガスが供給される供給穴と、前記供給された処理ガスを吐出する吐出穴とが外周面に開口した外部誘電体と、
前記供給穴及び吐出穴を塞がないように前記外部誘電体の外周面に設けられ且つ接地された外部電極と、
管状の部材からなり、前記外部誘電体の内部に、該外部誘電体の内周面と一定間隔を隔てるように且つ該外部誘電体と同軸に設けられる内部誘電体と、
棒状の部材からなり、前記内部誘電体の内部に該内部誘電体の軸線と平行に設けられる内部電極と、
前記内部電極と外部電極との間に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記供給穴から前記外部誘電体と内部誘電体との間に前記処理ガスを供給するガス供給手段とを備えてなり、
前記内部電極は、前記内部誘電体内における位置が前記外部誘電体の吐出穴側とは反対側に偏倚した位置に配置されて、前記外部誘電体の吐出穴に対応した側の外周部が前記内部誘電体の内周面から離隔した状態となるように構成されてなることを特徴とする処理ガス吐出装置。
【請求項３】
前記内部電極の前記外部誘電体の吐出穴に対応した側の外周部と内部誘電体の内周面との間には、該内部誘電体内部の予め設定された位置に該内部電極を配置するためのスペーサが設けられてなることを特徴とする請求項１又は２記載の処理ガス吐出装置。
【請求項４】
前記内部電極は、その内部が中空に形成されて、該中空部内に冷却流体が流通するように構成され、
前記処理ガス吐出装置は、前記内部電極の中空部内に前記冷却流体を供給する冷却流体供給手段を更に備えてなることを特徴とする請求項１乃至３記載のいずれかの処理ガス吐出装置。
【請求項５】
処理対象物を支持する支持手段と、
前記請求項１乃至４記載のいずれかの処理ガス吐出装置であって、前記外部誘電体の吐出穴が前記支持手段によって支持される処理対象物と対峙するように配置された処理ガス吐出装置とを備え、
前記処理ガス吐出装置から吐出された処理ガスによって前記処理対象物の表面を処理するように構成されてなることを特徴とする表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理ガスをプラズマ化して吐出する処理ガス吐出装置、及びこの処理ガス吐出装置を備え、当該処理ガス吐出装置から吐出される処理ガスによって処理対象物の表面を処理する表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、前記処理ガス吐出装置として、例えば、図９に示すようなものが知られている（特開２００３−１０９７９９号公報参照）。同図９に示すように、この処理ガス吐出装置１００は、適宜支持される処理対象物たる基板Ｋの上方に配設され、当該基板Ｋに向け、処理ガスをプラズマ化して吐出する吐出機構１０１と、この吐出機構１０１に処理ガスを供給するガス供給機構１１０などから構成される。
【０００３】
前記吐出機構１０１は、円管状の部材からなり、基板Ｋの上方に配置される外部誘電体１０２と、外部誘電体１０２の外周面に設けられ且つ接地された外部電極１０３と、円管状の部材からなり、外部誘電体１０２の内部に、当該外部誘電体１０２と一定間隔を隔てるように且つ当該外部誘電体１０２と同軸に設けられる内部誘電体１０４と、円柱状の部材からなり、内部誘電体１０４の内部に当該内部誘電体１０４と同軸に設けられる内部電極１０５と、内部電極１０５と外部電極１０３との間に高周波電圧を印加する高周波電源１０６とを備える。
【０００４】
前記外部誘電体１０２は、上部外周面に形成された凸部１０２ａと、凸部１０２ａの上面に開口し、ガス供給機構１１０から処理ガスが供給される供給穴１０２ｂと、下部外周面に開口し、前記供給された処理ガスを基板Ｋに向けて吐出する吐出穴１０２ｃとを備え、この凸部１０２ａ（供給穴１０２ｂ）及び吐出穴１０２ｃは、外部誘電体１０２の軸線方向にそれぞれ所定間隔で複数形成される。
【０００５】
前記ガス供給機構１１０は、外部誘電体１０２の各凸部１０２ａの供給穴１０２ｂにそれぞれ接続した供給管１１１を備え、当該供給管１１１を介して各供給穴１０２ｂから外部誘電体１０２と内部誘電体１０４との間に処理ガスを供給する。
【０００６】
この処理ガス吐出装置１００によれば、ガス供給機構１１０により供給管１１１を介して各供給穴１０２ｂから外部誘電体１０２と内部誘電体１０４との間に処理ガスが供給されるとともに、高周波電源１０６により内部電極１０５と外部電極１０３との間に高周波電圧が印加され、当該内部電極１０５と外部電極１０３とによって高周波電界が形成される。
【０００７】
外部誘電体１０２と内部誘電体１０４との間に供給された処理ガスは、当該外部誘電体１０２と内部誘電体１０４との間を吐出穴１０２ｃ側に向けて流動するとともに、前記高周波電界によって内部電極１０５（内部誘電体１０４）と外部電極１０３（外部誘電体１０２）との間に生じる放電により、ラジカル原子やイオンなどを含んだプラズマとされ、吐出穴１０２ｃからその下方の基板Ｋに向けて吐出される。そして、このようにして吐出された処理ガス中のラジカル原子やイオンにより基板Ｋの表面が処理される。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１０９７９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記のようなプラズマ表面処理において、当該表面処理を効率的に行うには、より多くのラジカル原子やイオンを基板Ｋの表面に到達させる必要があり、このためには、外部誘電体１０２の下部と基板Ｋの表面との間の距離を短くして、より多くの処理ガスが励起状態のまま基板Ｋの表面に到達するようにすることが効果的である。
【００１０】
しかしながら、上記従来の処理ガス吐出装置１００では、外部誘電体１０２の下部と基板Ｋの表面との間の距離を短くすると、内部電極１０５と基板Ｋとの間の距離も短くなって、高周波電源１０６により高周波電圧が印加される内部電極１０５から基板Ｋの表面に放電が発生し、当該基板Ｋが損傷するといった問題を生じるため、外部誘電体１０２と基板Ｋとの間の距離を短くするには一定の限界があった。
【００１１】
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、外部誘電体を処理対象物に更に接近させることができる処理ガス吐出装置及びこの処理ガス吐出装置を備えた表面処理装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための本発明は、
処理ガスをプラズマ化して吐出する処理ガス吐出装置であって、
管状の部材からなり、前記処理ガスが供給される供給穴と、前記供給された処理ガスを吐出する吐出穴とが外周面に開口した外部誘電体と、
前記供給穴及び吐出穴を塞がないように前記外部誘電体の外周面に設けられ且つ接地された外部電極と、
管状の部材からなり、前記外部誘電体の内部に、該外部誘電体の内周面と一定間隔を隔てるように且つ該外部誘電体と同軸に設けられる内部誘電体と、
棒状の部材からなり、前記内部誘電体の内部に該内部誘電体の軸線と平行に設けられる内部電極と、
前記内部電極と外部電極との間に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記供給穴から前記外部誘電体と内部誘電体との間に前記処理ガスを供給するガス供給手段とを備えてなり、
前記内部電極は、該内部電極の中心軸線に沿って、その前記外部誘電体の吐出穴に対応した側の外周部が内側に偏倚した形状に形成されて、該外周部が前記内部誘電体の内周面から離隔した状態となるように構成されてなることを特徴とする処理ガス吐出装置に係る。
【００１３】
この処理ガス吐出装置によれば、ガス供給手段によって供給穴から外部誘電体と内部誘電体との間に処理ガスが供給されると、供給された処理ガスは、当該外部誘電体と内部誘電体との間を吐出穴側に向けて流動する。
【００１４】
内部電極と外部電極との間には、電圧印加手段によって電圧が印加され、当該内部電極と外部電極とによって電界が形成されており、前記処理ガスは、この電界によって当該内部電極（内部誘電体）と外部電極（外部誘電体）との間に生じる放電により、ラジカル原子やイオンなどを含んだプラズマとされる。そして、プラズマ化された処理ガスは、吐出穴から外部に向けて吐出される。
【００１５】
本発明の処理ガス吐出装置では、内部電極の外部誘電体の吐出穴に対応した側の外周部（内部電極の外部誘電体吐出穴側の外周部）を、当該内部電極の中心軸線に沿って、内側に偏倚した形状に形成し、当該外周部を内部誘電体の内周面から離隔した状態としたので、外部誘電体と、当該処理ガス吐出装置から吐出された処理ガスによってプラズマ表面処理（例えば、表面改質処理や洗浄処理、成膜処理など）される処理対象物とを接近させて、これらの間の距離を短くしても、内部電極と処理対象物との間の距離を一定距離以上離した状態とすることができ、内部電極から処理対象物の表面に放電が発生して当該処理対象物が損傷するのを防止することができる。
【００１６】
ここで、前記内側に偏倚した形状の一例としては、例えば、内部電極の横断面形状が完全な円形をしておらず、その円周部分の一部が本来の円弧位置よりも内側に形成された欠円形状などが挙げられる。
【００１７】
尚、前記内部電極は、上記構成に代え、次のように構成されていても良い。即ち、内部電極は、前記内部誘電体内における位置が前記外部誘電体の吐出穴側とは反対側に偏倚した位置に配置されて、前記外部誘電体の吐出穴に対応した側の外周部が前記内部誘電体の内周面から離隔した状態となるように構成される。このようにしても、外部誘電体と処理対象物とを接近させたときに、内部電極と処理対象物との間の距離を一定距離以上離した状態とすることができるので、上記と同様、内部電極から処理対象物の表面に放電が発生して当該処理対象物が損傷するのを防止することができる。
【００１８】
また、前記内部電極の外部誘電体吐出穴側の外周部と内部誘電体の内周面との間には、該内部誘電体内部の予め設定された位置に該内部電極を配置するためのスペーサが設けられていても良い。このようにすれば、例えば、内部電極と内部誘電体との間に形成された若干の隙間などによって内部電極の配置位置がずれるのを防止することができるので、外部誘電体と処理対象物との間の距離を調整，設定するのに好都合である。また、内部電極を偏倚した位置に配置することによって形成された、内部電極の外部誘電体吐出穴側の外周部と内部誘電体の内周面との間の空間により内部電極が外部誘電体の吐出穴側に落下するのを防止することもできる。
【００１９】
また、前記内部電極は、その内部が中空に形成されて、該中空部内に冷却流体が流通するように構成され、前記処理ガス吐出装置は、前記内部電極の中空部内に前記冷却流体を供給する冷却流体供給手段を更に備えていても良い。このようにすれば、冷却流体供給手段によって内部電極の中空部内に供給される冷却流体により内部誘電体を冷却することができるので、内部誘電体の温度上昇を防止して当該内部誘電体が破損するのを防止することができる。
【００２０】
また、本発明は、
処理対象物を支持する支持手段と、
上述した処理ガス吐出装置であって、前記外部誘電体の吐出穴が前記支持手段によって支持される処理対象物と対峙するように配置された処理ガス吐出装置とを備え、
前記処理ガス吐出装置から吐出された処理ガスによって前記処理対象物の表面を処理するように構成されてなることを特徴とする表面処理装置に係る。
【００２１】
この表面処理装置によれば、処理ガス吐出装置が、上述のように、上記従来の処理ガス吐出装置に比べて外部誘電体を処理対象物に接近させることができるので、より多くの処理ガスを励起状態のまま処理対象物の表面に到達させることができ、プラズマ表面処理をより効率的に実施することができる。
【００２２】
また、このように、より多くの処理ガスを励起状態のまま処理対象物の表面に到達させることができることから、外部誘電体の吐出穴から吐出される処理ガスの流量を少なくしたり、電圧印加手段によって内部電極と外部電極の間に印加される電圧を低くしても、一定レベル以上のプラズマ表面処理能力を確保することができ、処理ガス消費量や消費電力を少なくしてプラズマ表面処理にかかるコストを低く抑えることもできる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明に係る処理ガス吐出装置によれば、内部電極の外部誘電体吐出穴側の外周部を、当該内部電極の中心軸線に沿って、内側に偏倚した形状に形成したり、内部電極の内部誘電体内における配置位置を外部誘電体の吐出穴側とは反対側に偏倚した位置として、内部電極の外部誘電体吐出穴側の外周部を内部誘電体の内周面から離隔した状態としたので、外部誘電体と処理対象物とを接近させることができ、また、本発明に係る表面処理装置によれば、外部誘電体と処理対象物とを接近させることで、プラズマ表面処理を効率的且つ低コストで行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の具体的な実施形態について、添付図面に基づき説明する。尚、図１は、本発明の一実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示した正断面図であり、図２は、図１における矢示Ａ−Ａ方向の断面図である。
【００２５】
図１及び図２に示すように、本例の表面処理装置１は、処理対象物たる基板Ｋを水平に支持して所定の方向（図２の矢示方向）に搬送する搬送ローラ１０と、この搬送ローラ１０によって搬送される基板Ｋに向け処理ガスをプラズマ化して吐出する処理ガス吐出装置２０などを備えて構成される。
【００２６】
前記搬送ローラ１０は、その複数が基板搬送方向に沿って所定間隔で配設され、その回転軸１０ａの両端部が支持部材（図示せず）によって回転自在に支持されている。また、搬送ローラ１０は、その回転軸１０ａの一方端が駆動機構（図示せず）に接続されており、この駆動機構（図示せず）によって回転軸１０ａが軸中心に回転せしめられることで、基板Ｋを前記基板搬送方向に搬送する。
【００２７】
前記処理ガス吐出装置２０は、基板Ｋに向け処理ガスをプラズマ化して吐出する吐出機構２１と、この吐出機構２１に前記処理ガスを供給するガス供給機構４０とからなる。
【００２８】
前記吐出機構２１は、円管状の部材からなる外部誘電体２２と、外部誘電体２２の外周面に設けられた外部電極２６と、外部電極２６を介して外部誘電体２２を保持する保持部材２７と、円管状の部材からなり、外部誘電体２２の内部に、当該外部誘電体２２の内周面と一定間隔を隔てるように且つ当該外部誘電体２２と同軸に設けられる内部誘電体３０と、内部誘電体３０の内部に当該内部誘電体３０と同軸に設けられる管状の内部電極３２と、内部電極３２と外部電極２６との間に高周波電圧を印加する高周波電源３４と、内部電極３２及び保持部材２７の内部に冷却液を流通，循環させる冷却液循環機構３５とを備える。
【００２９】
前記外部誘電体２２は、その軸線が基板搬送方向と直交するとともに、基板Ｋの全幅に渡り当該基板Ｋと一定間隔を隔てて対峙するように当該基板Ｋの上方に設けられており、例えば、石英ガラスなどから構成される。
【００３０】
また、外部誘電体２２は、上部外周面に形成された凸部２２ａと、両端部に形成された鍔部２２ｂと、凸部２２ａの上面から内周面に貫通し、ガス供給機構４０から処理ガスが供給される供給穴２３と、下部外周面から内周面に貫通し、前記供給された処理ガスを基板Ｋに向けて吐出する吐出穴２４とを備えており、前記供給穴２３及び吐出穴２４は、外部誘電体２２の軸線方向に沿って形成されたスリット穴から構成される。
【００３１】
前記外部電極２６は、アルミニウムなどの金属膜から構成され、外部誘電体２２の左右両側の、凸部２２ａと吐出穴２４の近傍との間の外周面に当接して設けられており、保持部材２７を介して接地されている。
【００３２】
前記保持部材２７は、冷却液が流通する冷却流路２７ａを備えた左右対称な２部材を一組として構成されており、外部電極２６の外周面に当接して外部誘電体２２を左右両側から挟持するとともに、外部誘電体２２をその両端部が当該保持部材２７から突出した状態で保持する。また、左右の各保持部材２７は、その上面に取り付けられた連結部材２８によって連結，固定されている。尚、保持部材２７は、例えば、アルミニウムなどの金属から構成される。
【００３３】
前記内部誘電体３０は、その両端部が外部誘電体２２から突出した状態で当該外部誘電体２２の内部に配置されており、内部誘電体３０と外部誘電体２２との間の隙間は、外部誘電体２２の各鍔部２２ｂの端面に一端側が当接して設けられる筒状の封止部材３１によってそれぞれ封止されている。尚、内部誘電体３０は、例えば、石英ガラスなどから構成される。
【００３４】
前記内部電極３２は、例えば、ステンレス製の円管状をした部材から構成され、その両端部が内部誘電体３０及び封止部材３１から突出した状態且つ外周面の一部が内部誘電体３０の内周面に当接した状態で配置されており、当該両端部が、封止部材３１の端面に設けられた支持部材３３によって支持されている。また、内部電極３２は、下部が当該内部電極３２の中心軸線に平行な平面から形成されて、その横断面形状が欠円形状に形成されており、当該内部電極３２の下部外周面が内部誘電体３０の下部内周面から離隔した状態に設けられている。尚、内部電極３２の内部は、冷却液が流通する冷却流路３２ａとなっている。
【００３５】
前記冷却液循環機構３５は、内部電極３２の冷却流路３２ａの両端部にそれぞれ接続した第１接続管３６及び第２接続管３７と、保持部材２７の冷却流路２７ａの両端部にそれぞれ接続した第３接続管（図示せず）及び第４接続管（図示せず）と、第１接続管３６を介して冷却流路３２ａ内に、第３接続管（図示せず）を介して冷却流路２７ａ内に冷却液を供給するとともに、冷却流路３２ａ内を流通した冷却液を第２接続管３７を介して、冷却流路２７ａ内を流通した冷却液を第４接続管（図示せず）を介して還流させる循環装置３８とから構成される。
【００３６】
前記ガス供給機構４０は、一端が封止され、当該一端部が外部誘電体２２の上方に外部誘電体２２の軸線と平行に配置された導入管４１と、導入管４１の他端が接続され、圧力スイング吸着（ＰＳＡ）式窒素ガス生成装置などから構成されて窒素ガスを主成分とする処理ガスを生成する処理ガス生成装置４２と、上下に開口した中空状の部材からなり、上端部が導入管４１の一端側下部の外周面からその管内に接続し、下端部が外部誘電体２２の凸部２２ａの上面に接続した接続部材４３とから構成されており、処理ガス生成装置４２から導入管４１，接続部材４３，供給穴２３を順次介して外部誘電体２２と内部誘電体３０との間に前記処理ガスを供給する。
【００３７】
以上のように構成された本例の表面処理装置１によれば、ガス供給機構４０の処理ガス生成装置４２によって生成された処理ガスが導入管４１及び接続部材４３を介して供給穴２３から外部誘電体２２と内部誘電体３０との間に供給されると、供給された処理ガスは、当該外部誘電体２２と内部誘電体３０との間を吐出穴２４側に向けて流動する。
【００３８】
内部電極３２と外部電極２６との間には、高周波電源３４により高周波電圧が印加され、当該内部電極３２と外部電極２６とによって高周波電界が形成されており、前記処理ガスは、この高周波電界によって当該内部電極３２（内部誘電体３０）と外部電極２６（外部誘電体２２）との間に生じる放電により、ラジカル原子やイオンなどを含んだプラズマとされる。
【００３９】
そして、プラズマ化された処理ガスは、吐出穴２４から外部へ吐出され、吐出された処理ガス中のラジカル原子やイオンによって、搬送ローラ１０により搬送される基板Ｋの表面が処理される（例えば、表面改質処理や洗浄処理、成膜処理などが行われる）。
【００４０】
尚、内部電極３２の冷却流路３２ａ内や保持部材２７の冷却流路２７ａ内には、冷却液循環機構３５の循環装置３８から供給される冷却液が流通して保持部材２７，外部電極２６及び内部電極３２が冷却され、これにより、外部誘電体２２及び内部誘電体３０が冷却されている。
【００４１】
上述したように、本例の処理ガス吐出装置２０によれば、内部電極３２の下部を、当該内部電極３２の中心軸線に平行な平面から形成して、当該内部電極３２の横断面形状を欠円形状としたので、外部誘電体２２と基板Ｋとを接近させてこれらの間の距離を短くしても、内部電極３２と基板Ｋとの間の距離を一定距離以上離した状態とすることができ、高周波電源３４によって高周波電圧が印加される内部電極３２から基板Ｋの表面に放電が発生して当該基板Ｋが損傷するのを防止することができる。
【００４２】
したがって、本例の表面処理装置１によれば、上記従来の処理ガス吐出装置１００に比べて外部誘電体２２を基板Ｋに接近させることができるので、より多くの処理ガスを励起状態のまま基板Ｋの表面に到達させることができ、プラズマ表面処理をより効率的に実施することができる。
【００４３】
また、このように、より多くの処理ガスを励起状態のまま基板Ｋの表面に到達させることができることから、外部誘電体２２の吐出穴２４から吐出される処理ガスの流量を少なくしたり、高周波電源３４によって内部電極３２と外部電極２６の間に印加される高周波電圧を低くしても、一定レベル以上のプラズマ表面処理能力を確保することができ、処理ガス消費量や消費電力を少なくしてプラズマ表面処理にかかるコストを低く抑えることもできる。
【００４４】
また、冷却液循環機構３５によって内部電極３２の冷却流路３２ａ内や保持部材２７の冷却流路２７ａ内に冷却液を供給して循環させることで、外部誘電体２２及び内部誘電体３０の温度上昇を防止するようにしているので、石英ガラス管たる外部誘電体２２及び内部誘電体３０が破損するのを防止することができる。
【００４５】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。
【００４６】
上例では、内部電極３２の下部を、当該内部電極３２の中心軸線に平行な平面から形成して、当該内部電極３２の横断面形状を欠円形状としたが、これに限られるものではなく、例えば、図３に示すように、内部電極３２の下部及び上部の両方を、当該内部電極３２の中心軸線に平行な平面から形成して横断面形状を欠円形状としても良い。
【００４７】
また、前記外部誘電体２２や内部誘電体３０、内部電極３２は、円形をした管に限られるものではなく、例えば、図４に示すように、楕円形をした管から構成したり、図５に示すように、外部誘電体２２を角形の管から、内部誘電体３０及び内部電極３２を円形の管から構成したり、図６に示すように、外部誘電体２２，内部誘電体３０及び内部電極３２をそれぞれ角形の管から構成することもできる。
【００４８】
この場合、図４及び図５においては、内部電極３２は、下部が当該内部電極３２の中心軸線に平行な平面から形成されて、その横断面形状が欠円形状に形成され、当該内部電極３２の下部外周面が内部誘電体３０の下部内周面から離隔した状態に設けられる。図６においては、内部電極３２は、内部誘電体３０内における位置が上側に偏倚した位置に配置され、当該内部電極３２の下部外周面が内部誘電体３０の下部内周面から離隔した状態に設けられる。また、図６において、内部電極３２が下方に落下する恐れがある場合には、後述する図８のように、内部誘電体３０と内部電極３２との間に適宜スペーサ５０を設けることが好ましい。
【００４９】
また、図２乃至図６に示すように、内部電極３２の下部は必ずしも平面から形成されている必要はなく、内部電極３２の縦断面形状において平たく（凹凸がなく）形成されていれば、内部電極３２の横断面形状においては、例えば、図７に示すように内側に凹んだ状態にするなど平たくなくても良い。
【００５０】
また、図８に示すように、内部電極３２の下部外周面と内部誘電体３０の下部内周面との間には、当該内部誘電体３０内部の予め設定された位置に当該内部電極３２を配置するためのスペーサ５０を設けるようにしても良い。
【００５１】
このようにすれば、例えば、内部電極３２と内部誘電体３０との間に形成された若干の隙間などによって内部電極３２の配置位置がずれるのを防止することができるので、外部誘電体２２と基板Ｋとの間の距離を調整，設定するのに好都合である。即ち、例えば、内部電極３２と内部誘電体３０との間に若干の隙間が形成されていると、この隙間によって内部電極３２が下方に下がった状態で内部誘電体３０の内部に配置され、基板Ｋの表面との間の距離が短くなったり、外部電極２６と内部電極３２との間の距離が不均一になってプラズマの生成が不均一になるといった問題を生じるが、スペーサ５０を設ければ、内部電極３２が下がるのを効果的に防止して上記のような不都合が生じるのを有効に防止することができる。
【００５２】
また、前記スペーサ５０の形状は、図８に示した形状に限定されるものではなく、各種形状のものを採用することができ、また、図３乃至図７に示した内部電極３２と内部誘電体３０との間に当該スペーサ５０を設けるようにしても良い。また、上例では、基板Ｋを処理するように構成したが、処理対象物は基板Ｋに限定されるものではなく、また、処理ガスも窒素ガスを主成分とするものに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示した正断面図である。
【図２】図１における矢示Ａ−Ａ方向の断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る表面処理装置を示した断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る表面処理装置を示した断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る表面処理装置を示した断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る表面処理装置を示した断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る表面処理装置を示した断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る表面処理装置を示した断面図である。
【図９】従来例に係る表面処理装置の概略構成を示した断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１    表面処理装置
１０  搬送ローラ
２０  処理ガス吐出装置
２１  吐出機構
２２  外部誘電体
２３  供給穴
２４  吐出穴
２６  外部電極
２７  保持部材
３０  内部誘電体
３２  内部電極
３４  高周波電源
３５  冷却液循環機構
３６，３７  接続管
３８  循環装置
４０  ガス供給機構
４１  導入管
４２  処理ガス生成装置
４３  接続部材
Ｋ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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