(57)【要約】【課題】電気的な性能が良く、小型の高周波回路装置を提供すること。【解決手段】本発明の高周波回路装置において、第１，第２のランド部４，５を繋ぐ接続導体６と、接続導体６に対向する接地パターン１０を設けることによって、第１，第２のランド部４，５間には高周波的にローパスフィルタが存在した状態となって、所望の周波数でのリターンロスの改善が図れ、電気的な性能の良好なものが得られる。【選択図】図２
2007201262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の絶縁薄板が積層された回路基板と、この回路基板の表面に設けられた第１，第２のランド部と、この第１，第２のランド部間を接続する接続導体と、前記第１，第２のランド部のそれぞれ接続された電子部品とを備え、前記接続導体は、前記回路基板の積層間に設けられた導体パターンと、前記回路基板の孔内に設けられ、前記第１のランド部と前記導電パターンとを繋ぐ第１の導体と、前記回路基板の孔内に設けられ、前記第２のランド部と前記導電パターンとを繋ぐ第２の導体とで構成されると共に、前記回路基板には、前記導電パターンに対向する接地パターンを設けたことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項２】
前記絶縁薄板がセラミック材で形成されたことを特徴とする請求項１記載の高周波回路装置。
【請求項３】
前記絶縁薄板が低温焼成セラミック材で形成されたことを特徴とする請求項２記載の高周波回路装置。
【請求項４】
前記導電パターンと前記接地パターンは、互いに隣り合う積層間に設けられたことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の高周波回路装置。
【請求項５】
前記接続導体によって接続された第１，第２のランド部間に位置する前記回路基板の表面には、レジスト膜を無くしたことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の高周波回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電気機器や電子回路ユニット等に使用して好適な高周波回路装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図４は従来の高周波回路装置の要部の斜視図であり、次に、従来の高周波回路装置の構成を図４に基づいて説明すると、回路基板５１の表面には、配線パターン５２と、一部が配線パターン５２に接続された一対のランドからなる第１，第２，第３のランド部５３，５４，５５が設けられると共に、第１，第２のランド部５３，５４の一方のランド部は、互いに導電パターン５６によって接続されている。
【０００３】
絶縁材のレジスト膜５７は、第１，第２，第３のランド部５３，５４，５５を露出した状態で、回路基板５１上、配線パターン５２上、及び導電パターン５６上に設けられて、半田領域が形成されている。
【０００４】
そして、第１，第２，第３のランド部５３，５４，５５のそれぞれの半田領域には、第１，第２，第３の電子部品５８ａ、５８ｂ、５８ｃが半田付けされると共に、ここでは図示しないが、回路基板５１上に種々の回路部品が搭載されて、所望の高周波回路が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】実開平８−５９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の高周波回路装置にあっては、第１，第２のランド部５３，５４を繋ぐ導電パターン５６に高周波信号が流れると、第１，第２のランド部５３，５４間にインダクタが存在した状態となって、リターンロスが劣化し、電気的な性能が悪くなると共に、第１，第２のランド部５３，５４間の導電パターン５６上には、半田領域を形成するためのレジスト膜５７が設けられるため、第１，第２のランド部５３，５４間には、レジスト膜５７を形成するためのスペースを必要として、大型になるという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、電気的な性能が良く、小型の高周波回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明は、複数枚の絶縁薄板が積層された回路基板と、この回路基板の表面に設けられた第１，第２のランド部と、この第１，第２のランド部間を接続する接続導体と、第１，第２のランド部のそれぞれ接続された電子部品とを備え、接続導体は、回路基板の積層間に設けられた導体パターンと、回路基板の孔内に設けられ、第１のランド部と導電パターンとを繋ぐ第１の導体と、回路基板の孔内に設けられ、第２のランド部と導電パターンとを繋ぐ第２の導体とで構成されると共に、回路基板には、導電パターンに対向する接地パターンを設けたことを特徴としている。
【０００８】
このように構成した本発明は、接続導体と接地パターンとによって、第１，第２のランド部間には高周波的にローパスフィルタが存在した状態となって、所望の周波数でのリターンロスの改善が図れ、電気的な性能の良好なものが得られる。
【０００９】
また、本発明は、上記発明において、絶縁薄板がセラミック材で形成されたことを特徴としている。
【００１０】
このように構成した本発明は、セラミック材によって、第１，第２のランド部間の絶縁性が良くなって、第１，第２のランド部間の間隔を狭くすることができて、小型化が図れる。
【００１１】
また、本発明は、上記発明において、絶縁薄板が低温焼成セラミック材で形成されたことを特徴としている。
【００１２】
このように構成した本発明は、低温焼成セラミック材によって、高周波特性の良好なものが得られる。
【００１３】
また、本発明は、上記発明において、導電パターンと接地パターンは、互いに隣り合う積層間に設けられたことを特徴としている。
【００１４】
このように構成した本発明は、導電パターンと接地パターンが近接した状態で配置できて、小型化が図れると共に、ローパスフィルタのコンデンサを形成するための導電パターンと接地パターンを小さくできて、一層の小型化が図れる。
【００１５】
また、本発明は、上記発明において、接続導体によって接続された第１，第２のランド部間に位置する回路基板の表面には、レジスト膜を無くしたことを特徴としている。
【００１６】
このように構成した本発明は、レジスト膜が不要となる上に、第１，第２のランド部間の間隔を一層狭めることができて、小型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、接続導体と接地パターンとによって、第１，第２のランド部間には高周波的にローパスフィルタが存在した状態となって、所望の周波数でのリターンロスの改善が図れ、電気的な性能の良好なものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明の高周波回路装置の要部の平面図、図２は本発明の高周波回路装置の要部断面図、図３は本発明の高周波回路装置に係る等価回路図である。
【００１９】
次に、本発明の高周波回路装置に係る構成を図１〜図３に基づいて説明すると、回路基板１は、複数枚のセラミック材、或いは低温焼成セラミック材（ＬＴＣＣ）等の絶縁薄板２が積層されて形成されており、この回路基板１の表面には、配線パターン３と、一部が配線パターン３に接続された一対のランドからなる第１，第２のランド部４，５が設けられている。
【００２０】
この第１，第２のランド部４，５の一方のランド部は、互いに接続導体６によって接続されており、この接続導体６は、回路基板１の積層間に設けられた導電パターン７と、回路基板１の孔１ａ内に設けられ、第１のランド部４と導電パターン７を繋ぐ第１の導体８と、回路基板１の孔１ｂ内に設けられ、第２のランド部５と導電パターン７を繋ぐ第２の導体９とで構成されている。
【００２１】
そして、接続導体６によって接続された第１，第２のランド部４，５の一方のランド部間は、互いに近接（例えば、５０ミクロン程度の間隔）した状態で配置されると共に、このランド部間に位置する回路基板１の表面には、絶縁材のレジスト膜を無くした状態となっている。
【００２２】
なお、レジスト膜は、上記ランド部間の回路基板１の表面以外の適宜箇所に設けても良い。
【００２３】
導電材からなる接地パターン１０は、導電パターン７に対向した状態で、導電パターン７に隣接した積層間に設けられており、また、この接地パターン１０は、導電パターン１０から隣接しない積層間、或いは回路基板１の下面に設けても良い。
【００２４】
そして、第１，第２のランド部４，５のそれぞれには、第１，第２の電子部品１１ａ、１１ｂが半田付けされると共に、ここでは図示しないが、回路基板１上に種々の回路部品が搭載されて、所望の高周波回路が形成されて、本発明の高周波回路装置が構成されている。
【００２５】
また、第１，第２の電子部品１１ａ、１１ｂは、双方がコンデンサや抵抗器等の同じ電子部品、或いは、一方がコンデンサや抵抗器で、他方がＩＣ部品で形成されても良い。
【００２６】
このような構成を有する本発明の高周波回路装置にあっては、第１，第２のランド部４，５を繋ぐ接続導体６に高周波信号が流れると、図３に示すように高周波的には、第１，第２の導体８，９がインダクタＬ、導電パターン７と接地パターン１０との間がコンデンサＣとなって、Ｔ形のローパスフィルタが存在した状態となる。
【００２７】
その結果、接続導体６と接地パターン１０とによって、第１，第２のランド部４，５間には高周波的にローパスフィルタが存在した状態となって、所望の周波数でのリターンロスの改善が図れ、電気的な性能の良好なものが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の高周波回路装置の要部の平面図である。
【図２】本発明の高周波回路装置の要部断面図である。
【図３】本発明の高周波回路装置に係る等価回路図である。
【図４】従来の高周波回路装置の要部の斜視図である。
【符号の説明】
【００２９】
１  回路基板
１ａ、１ｂ  孔
２  絶縁薄板
３  配線パターン
４  第１のランド部
５  第２のランド部
６  接続導体
７  導電パターン
８  第１の導体
９  第２の導体
１０  接地パターン
１１ａ、１１ｂ  電子部品
Ｌ  インダクタ
Ｃ  コンデンサ
【図１】
2007201262.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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