(57)【要約】【課題】抵抗体素子やコンデンサ部品、部品内蔵プリント配線板に有用な、安定した高品質の抵抗体薄膜が形成された薄膜抵抗体素子用の抵抗体薄膜積層フィルムの提供。【解決手段】基板の一面上に抵抗体薄膜層が形成され、該抵抗体薄膜層上に電極層が形成されてなる抵抗体薄膜積層フィルムにおいて、該基板がベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類を出発材料とする線膨張係数が１〜１２（ｐｐｍ／℃）のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムである抵抗体薄膜積層フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の一面上に抵抗体薄膜層が形成され、該抵抗体薄膜層上に電極層が形成されてなる抵抗体薄膜積層フィルムにおいて、該基材がベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類を出発材料とする線膨張係数が１〜１２（ｐｐｍ／℃）のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムであることを特徴とする抵抗体薄膜積層フィルム。
【請求項２】
ポリイミドベンゾオキサゾールフィルムの微分線膨張係数（ｄＣＴＥ）が（−０．２０）（ｐｐｍ／℃2）以下の値を有しないポリイミドベンゾオキサゾールフィルムである請求項１記載の抵抗体薄膜積層フィルム。
【請求項３】
基材の他面にも、少なくとも抵抗体薄膜層が形成されている請求項１〜２いずれかに記載の抵抗体薄膜積層フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は抵抗素子およびコンデンサ素子あるいは、部品内蔵基板等において抵抗層あるいは、抵抗層とコンデンサ層を形成する目的で用いられる抵抗体薄膜積層フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の回路の高密度化、コンパクト化の要請により抵抗素子やチップコンデンサなどの外付け部品を搭載することも、スペースの観点から難しくなってきている。また、高周波数化に伴い、配線を伸ばすことによる、信号のロスも問題となり、できるだけ高集積のＩＣ近辺に、その他の分品配置することが求められている。
かかる問題を、プリント配線板内に抵抗素子およびコンデンサ素子を作り込んだ部品内蔵基板において解決しようと、いう試みが活発になされている。プリント配線板内に抵抗素子を作り込む手法としては、抵抗体ペーストを印刷することで実現する方法が知られている。
【０００３】
これらの基板の基材として使用される従来のポリイミドフィルムは、耐熱性に優れ、フレキシブルな性状を有し従来基板に較べてより「軽少短薄」な抵抗体やコンデンサを得るに相応しいものであるが、薄い抵抗体層、電極層、高誘電体層などを基材に積層形成するためのスパッタリングや蒸着などの高温に曝される場合やまた電子機器として組み込まれる際に高温に暴露される場合、また電子機器の使用時において高温に暴露される場合などに対して、融点や強度などの特性で耐性は有しているが、熱膨張、熱収縮に対する耐性が、基材の熱膨張収縮性と金属などの抵抗体層、電極層形成材や金属酸化物などの高誘電体層形成材の熱膨張収縮性との間に離反があり、結果的に形成された抵抗体層、電極層や高誘電体層との接着不足による剥離やそり・捻じれの発生などの課題を抱えていた。（特許文献１〜３参照）
【特許文献１】特開２０００−３５７６３１号公報
【特許文献２】特開２００１−０４４０７３号公報
【特許文献３】特開平０９−０１７６９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記課題を解決すべく達成されたものであり、安定した抵抗率を有しかつ耐久性の高い抵抗体薄膜層を有しかつ、高い誘電率を有し、かつ耐久性の高誘電体薄膜を積層した薄膜抵抗あるいは、薄膜抵抗とコンデンサ用誘電体積層フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
すなわち本発明は、以下の構成からなるものである。
１．  基材の一面上に抵抗体薄膜層が形成され、該抵抗体薄膜層上に電極層が形成されてなる抵抗体薄膜積層フィルムにおいて、該基材がベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類を出発材料とする線膨張係数が１〜１２（ｐｐｍ／℃）のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムであることを特徴とする抵抗体薄膜積層フィルム。
２．  ポリイミドベンゾオキサゾールフィルムの微分線膨張係数（ｄＣＴＥ）が（−０．２０）（ｐｐｍ／℃2）以下の値を有しないポリイミドベンゾオキサゾールフィルムである１．記載の抵抗体薄膜積層フィルム。
３．  基材の他面にも、少なくとも抵抗体薄膜層が形成されている１．〜２．いずれかに記載の抵抗体薄膜積層フィルム。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の特定物性のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムを基材に使用した薄膜抵抗素子用の抵抗体薄膜積層フィルムおよび薄膜コンデンサ用の抵抗体薄膜積層フィルムは、特定物性のポリイミドベンゾオキサゾールフィルム基材上に薄い抵抗体薄膜層や電極層、高誘電体層などを積層形成するためのスパッタリングや蒸着やイオンプレーティングなどの高温に曝される場合、また電子機器として組み込まれる際の高温暴露、また電子機器の使用時における高温暴露などに対して、融点や強度などでも耐性を有し、かつ熱膨張、熱収縮に対する耐性が、基材の熱膨張収縮性と金属などの電極層形成材や金属酸化物などの高誘電体層形成材の熱膨張収縮性との間に離反もなく、結果的に形成された電極層や高誘電体層との接着において剥離がなく、そりや捻じれの発生などが生じない、さらに容量密度の高い薄膜の高誘電体層が形成し易く、優れた薄膜抵抗素子や薄膜コンデンサとなり極めて有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明において基材となるフィルムは、ポリイミドベンゾオキサゾールフィルムである。
本発明のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムは、例えば主としてベンゾオキサゾール骨格を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸類とを反応させて得られるポリイミドからなり、かつ、特定の物性（後述）をもつフィルムである。
上述の反応は、まず、溶媒中でベンゾオキサゾール骨格を有する芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類とを開環重付加反応に供してポリアミド酸溶液を得て、次いで、このポリアミド酸溶液を支持体上に塗布して乾燥するなどにより自己支持性のあるポリアミド酸フィルム（グリーンフィルムともいう）を成形した後に脱水縮合（イミド化）することによりなされる。
本発明で用いられるベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類としては、具体的には以下のものが挙げられる。
【０００８】
【化１】
2007019163.tif 000002
【０００９】
【化２】
2007019163.tif 000003
【００１０】
【化３】
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【００１１】
【化４】
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【００１２】
【化５】
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【００１３】
【化６】
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【００１４】
【化７】
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【００１５】
【化８】
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【００１６】
【化９】
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【００１７】
【化１０】
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【００１８】
【化１１】
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【００１９】
【化１２】
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【００２０】
【化１３】
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【００２１】
これらの中でも、合成のし易さの観点から、アミノ（アミノフェニル）ベンゾオキサゾールの各異性体が好ましい。ここで、「各異性体」とは、アミノ（アミノフェニル）ベンゾオキサゾールが有する２つアミノ基が配位位置に応じて定められる各異性体である（例；上記「化１」〜「化４」に記載の各化合物）。これらのジアミンは、単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
本発明においては、前記ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミンを全芳香族ジアミンに対して７５モル％以上好ましくは８０モル％以上使用することが好ましい。
【００２２】
本発明において、ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミンを主として使用するものであるが、全芳香族ジアミンの２５モル％未満であれば下記に例示されるベンゾオキサゾール構造を有しないジアミン類を一種又は二種以上、併用してもよい。
そのようなジアミン類としては、例えば、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベンジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、
【００２３】
３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホキシド、３，４’−ジアミノジフェニルスルホキシド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホキシド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
【００２４】
１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノシ）フェニル］ブタン、２，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−２−［４−（４−アミノフェノキシ）−３−メチルフェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−３−メチルフェニル］プロパン、２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−２−［４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、
【００２５】
１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、４，４’−ビス［（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、
【００２６】
２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、４，４’−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、ビス［４−｛４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ｝フェニル］スルホン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−トリフルオロメチルフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−フルオロフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−メチルフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−シアノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、
【００２７】
３，３’−ジアミノ−４，４’−ジフェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５，５’−ジフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４，５’−ジフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−フェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５−フェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４−フェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−５’−フェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジビフェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５，５’−ジビフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４，５’−ジビフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−ビフェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５−ビフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４−ビフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−５’−ビフェノキシベンゾフェノン、１，３−ビス（３−アミノ−４−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−４−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−５−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−５−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−４−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−４−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−５−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−５−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、２，６−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾニトリルおよび上記芳香族ジアミンにおける芳香環上の水素原子の一部もしくは全てがハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基又はアルコキシル基、シアノ基、又はアルキル基又はアルコキシル基の水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換された炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基又はアルコキシル基で置換された芳香族ジアミン等が挙げられる。
【００２８】
本発明で用いられる芳香族テトラカルボン酸類は、例えば芳香族テトラカルボン酸無水物である。芳香族テトラカルボン酸無水物としては、具体的には、以下のものが挙げられる。
【００２９】
【化１４】
2007019163.tif 000015
【００３０】
【化１５】
2007019163.tif 000016
【００３１】
【化１６】
2007019163.tif 000017
【００３２】
【化１７】
2007019163.tif 000018
【００３３】
【化１８】
2007019163.tif 000019
【００３４】
【化１９】
2007019163.tif 000020
【００３５】
これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
本発明においては、全テトラカルボン酸二無水物の２５モル％未満であれば下記に例示される非芳香族のテトラカルボン酸二無水物類を一種又は二種以上、併用しても構わない。そのようなテトラカルボン酸無水物としては、例えば、ブタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ペンタン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサ−１−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、３−エチルシクロヘキサ−１−エン−３−（１，２），５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−メチル−３−エチルシクロヘキサン−３−（１，２），５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−メチル−３−エチルシクロヘキサ−１−エン−３−（１，２），５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−エチルシクロヘキサン−１−（１，２），３，４−テトラカルボン酸二無水物、１−プロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３，４−テトラカルボン酸二無水物、１，３−ジプロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３−（２，３）−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−３，４，３’，４’−テトラカルボン酸二無水物、
【００３６】
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−プロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３，４−テトラカルボン酸二無水物、１，３−ジプロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３−（２，３）−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−３，４，３’，４’−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
【００３７】
ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミンと、芳香族テトラカルボン酸無水物とを重合してポリアミド酸を得るときに用いる溶媒は、原料となるモノマーおよび生成するポリアミド酸のいずれをも溶解するものであれば特に限定されないが、極性有機溶媒が好ましく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックアミド、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、スルホラン、ハロゲン化フェノール類等があげられる。これらの溶媒は、単独あるいは混合して使用することができる。溶媒の使用量は、原料となるモノマーを溶解するのに十分な量であればよく、具体的な使用量としては、モノマーを溶解した溶液に占めるモノマーの質量が、通常５〜４０質量％、好ましくは１０〜３０質量％となるような量が挙げられる。
【００３８】
ポリアミド酸を得るための重合反応（以下、単に「重合反応」ともいう）の条件は従来公知の条件を適用すればよく、具体例として、有機溶媒中、０〜８０℃の温度範囲で、１０分〜３０時間連続して撹拌および／又は混合することが挙げられる。必要により重合反応を分割したり、温度を上下させてもかまわない。この場合に、両モノマーの添加順序には特に制限はないが、芳香族ジアミン類の溶液中に芳香族テトラカルボン酸無水物類を添加するのが好ましい。重合反応によって得られるポリアミド酸溶液に占めるポリアミド酸の質量は、好ましくは５〜４０質量％、より好ましくは１０〜３０質量％であり、前記溶液の粘度はブルックフィールド粘度計による測定（２５℃）で、送液の安定性の点から、好ましくは１０〜２０００Ｐａ・ｓであり、より好ましくは１００〜１０００Ｐａ・ｓである。本発明におけるポリアミド酸の還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は、特に限定するものではないが３．０ｄｌ／ｇ以上が好ましく、４．０ｄｌ／ｇ以上がさらに好ましく、なおさらに５．０ｄｌ／ｇ以上が好ましい。
【００３９】
重合反応中に真空脱泡することは、良質なポリアミド酸の有機溶媒溶液を製造するのに有効である。また、重合反応の前に芳香族ジアミン類に少量の末端封止剤を添加して重合を制御することを行ってもよい。末端封止剤としては、無水マレイン酸等といった炭素−炭素二重結合を有する化合物が挙げられる。無水マレイン酸を使用する場合の使用量は、芳香族ジアミン類１モル当たり好ましくは０．００１〜１．０モルである。
重合反応により得られるポリアミド酸溶液から、ポリイミドベンゾオキサゾールフィルム（以下単にポリイミドフィルムともいう）を形成するためには、ポリアミド酸溶液を支持体上に塗布して乾燥するなどによりグリーンフィルムを得て、次いで、グリーンフィルムを熱処理に供することでイミド化反応させる方法が挙げられる。
【００４０】
ポリアミド酸溶液を塗布する支持体は、ポリアミド酸溶液をフィルム状に成形するに足る程度の平滑性、剛性を有していればよく、表面が金属、プラスチック、ガラス、磁器などであるドラム又はベルト状回転体などが挙げられる。また、適度な剛性と高い平滑性を有する高分子フィルムを利用する方法も好ましい態様である。中でも、支持体の表面は好ましくは金属であり、より好ましくは錆びなくて耐腐食に優れるステンレスである。支持体の表面にはＣｒ、Ｎｉ、Ｓｎなどの金属メッキを施してもよい。支持体表面は必要に応じて鏡面にしたり、あるいは梨地状に加工することができる。支持体へのポリアミド酸溶液の塗布は、スリット付き口金からの流延、押出機による押出し、スキージコーティング、リバースコーティング、ダイコーティング、アプリケータコーティング、ワイヤーバーコーティング等を含むが、これらに限られず、従来公知の溶液の塗布手段を適宜用いることができる。
得られたグリーンフィルムをイミド化することで、ポリイミドフィルムが得られる。
その具体的なイミド化方法としては、従来公知のイミド化反応を適宜用いることが可能である。例えば、閉環触媒や脱水剤を含まないポリアミド酸溶液を用いて、加熱処理に供することでイミド化反応を進行させる方法（所謂、熱閉環法）やポリアミド酸溶液に閉環触媒および脱水剤を含有させておいて、上記閉環触媒および脱水剤の作用によってイミド化反応を行わせる、化学閉環法を挙げることができるが、ポリイミドフィルム表裏面の表面面配向度の差が小さいポリイミドフィルムを得るためには、熱閉環法が好ましい。
【００４１】
熱閉環法の加熱最高温度は、１００〜５００℃が例示され、好ましくは２００〜４８０℃である。加熱最高温度がこの範囲より低いと充分に閉環されづらくなり、またこの範囲より高いと劣化が進行し、フィルムが脆くなりやすくなる。より好ましい態様としては、１５０〜２５０℃で３〜２０分間処理した後に３５０〜５００℃で３〜２０分間処理する２段階熱処理が挙げられる。
化学閉環法では、ポリアミド酸溶液を支持体に塗布した後、イミド化反応を一部進行させて自己支持性を有するフィルムを形成した後に、加熱によってイミド化を完全に行わせることができる。この場合、イミド化反応を一部進行させる条件としては、好ましくは１００〜２００℃による３〜２０分間の熱処理であり、イミド化反応を完全に行わせるための条件は、好ましくは２００〜４００℃による３〜２０分間の熱処理である。
【００４２】
閉環触媒をポリアミド酸溶液に加えるタイミングは特に限定はなく、ポリアミド酸を得るための重合反応を行う前に予め加えておいてもよい。閉環触媒の具体例としては、トリメチルアミン、トリエチルアミンなどといった脂肪族第３級アミンや、イソキノリン、ピリジン、ベータピコリンなどといった複素環式第３級アミンなどが挙げられ、中でも、複素環式第３級アミンから選ばれる少なくとも一種のアミンが好ましい。ポリアミド酸１モルに対する閉環触媒の使用量は特に限定はないが、好ましくは０．５〜８モルである。
脱水剤をポリアミド酸溶液に加えるタイミングも特に限定はなく、ポリアミド酸を得るための重合反応を行う前に予め加えておいてもよい。脱水剤の具体例としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸などといった脂肪族カルボン酸無水物や、無水安息香酸などといった芳香族カルボン酸無水物などが挙げられ、中でも、無水酢酸、無水安息香酸あるいはそれらの混合物が好ましい。また、ポリアミド酸１モルに対する脱水剤の使用量は特に限定はないが、好ましくは０．１〜４モルである。脱水剤を用いる場合には、アセチルアセトンなどといったゲル化遅延剤を併用してもよい。
【００４３】
熱閉環反応であっても、化学閉環法であっても、支持体に形成されたポリイミドフィルムの前駆体（グリーンフィルムともいう）を完全にイミド化する前に支持体から剥離してもよいし、イミド化後に剥離してもよい。
ポリイミドフィルムの厚さは特に限定されないが、後述するプリント配線基板用ベース基材に用いることを考慮すると、通常１〜１５０μｍ、好ましくは３〜５０μｍである。この厚さはポリアミド酸溶液を支持体に塗布する際の塗布量や、ポリアミド酸溶液の濃度によって容易に制御し得る。
本発明のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムの厚さは、特に限定されないが、通常１〜１５０μｍ、好ましくは３〜５０μｍである。この厚さはポリアミド酸溶液を支持体に塗布する際の塗布量や、ポリアミド酸溶液の濃度によって容易に制御し得る。
本発明のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムには、滑剤をポリアミド酸中に添加含有せしめるなどしてフィルム表面に微細な凹凸を付与しフィルムの滑り性を改善することが好ましい。
滑剤としては、無機や有機の０．０３μｍ〜３μｍ程度の平均粒子径を有する微粒子が使用でき、具体例として、酸化チタン、アルミナ、シリカ、炭酸カルシウム、燐酸カルシウム、燐酸水素カルシウム、ピロ燐酸カルシウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、粘土鉱物などが挙げられる。
本発明のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムは、通常は無延伸フィルムであるが、１軸又は２軸に延伸しても構わない。ここで、無延伸フィルムとは、テンター延伸、ロール延伸、インフレーション延伸などによってフィルムの面拡張方向に機械的な外力を意図的に加えずに得られるフィルムをいう。
【００４４】
本発明におけるポリイミドベンゾオキサゾールフィルムの線膨張係数は１〜１２ｐｐｍ／℃が必須であり、１〜９ｐｐｍ／℃の範囲が好ましく、さらに２〜７ｐｐｍ／℃の範囲が好ましい。
ポリイミドベンゾオキサゾールのフィルムの線膨張係数は、ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミンの選定とその使用比率、芳香族テトラカルボン酸類の選定とその使用量およびポリアミド酸の還元粘度、さらにグリーンフィルムの成形方法、脱水縮合（イミド化）方法によって制御され、これらの選定によって所定範囲の線膨張係数を有するポリイミドベンゾオキサゾールフィルムを得ることができる。
また本発明のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムは、微分線膨張係数（ｄＣＴＥ）が（−０．２０）（ｐｐｍ／℃2）以下の値を有しないポリイミドベンゾオキサゾールフィルムであることが好ましい。すなわち、より好ましいポリイミドベンゾオキサゾールフィルムは、線膨張係数の平均値が１〜１２ｐｐｍ／℃の範囲にあり、かつ線膨張係数の各微分係数が全て−０．２０ｐｐｍ／℃2を超える値を有するポリイミドベンゾオキサゾールフィルムである。線膨張係数の平均値が１〜１２ｐｐｍ／どの範囲にあることが必須であり、この範囲に線膨張係数の平均値が存在することで該ポリイミドフィルムに積層される金属抵抗体などの線膨張係数と同程度の値となり、温度変化に対する膨張・収縮挙動が極端に差異を有せず、結果として積層による金属の剥がれや皺などが生じにくくなるものと考えられる。線膨張係数の平均値が１〜１２ｐｐｍ／℃の範囲にあることでは得られなかった金属抵抗体薄膜などの積層における密着性がさらに向上し、金属薄膜層などの剥がれや皺の発生が極端に抑制し得るものとなる。
【００４５】
本発明のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムは、従来のポリイミドフィルムに比べて、高い剛性、強度、耐熱性を有し、かつ銅などの金属が有する線膨張係数の平均値に近い線膨張係数の平均値を有しており、かつ各温度に対する各線膨張係数値のプロットにおいて、線膨張係数の微分係数が全て−０．２０ｐｐｍ／℃2を超える値であって大きな屈曲が無く金属との積層において高温〜低温までの温度変化に対して密着性が損なわれないので、電極層や高高誘電体層の形成において、高温に曝される場合への使用に好適である。
特にフレキシブルな薄膜抵抗素子、薄膜コンデンサ用の基板として有用である。
本発明のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムは、線膨張係数の微分係数が、基本的には０から僅かにプラス側に存在するすなわち漸増プロットを描くものであるが、線膨張係数の微分係数が僅かなマイナス値を有する場合もある。本発明におけるポリイミドベンゾオキサゾールフィルムは、線膨張係数の微分係数が−０．２０ｐｐｍ／℃2以下の値を有しないものであり、より好ましくは−０．１５ｐｐｍ／℃2以下の値を有しないものである。
【００４６】
本発明における抵抗体薄膜層（抵抗層）形成材料は、多くの材料があり特に限定されるものではないが、例えばＣｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｎｉ−Ｃｒ、ＳｉＣｒ、ＴｉＣｒ、Ｃｕ−Ｍｎ−ＮｉＰｄ−Ａｇ、Ｐｄ−Ａｕ−Ｆｅ、Ｃｒ−ＳｉＯ、Ｃｒ−ＭｇＦ２、Ａｕ−ＳｉＯ、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2、ＩｎＯ2、窒化タンタルあるいは部分窒化タンタル、窒化チタンあるいは部分窒化チタンなどが挙げられる。好ましくはＮｉ−Ｃｒ、窒化タンタルあるいは部分窒化タンタル、窒化チタンあるいは部分窒化チタンである。
これらの材料の薄膜積層法としては、蒸着、スパッタ、イオンプレーティング、ＣＶＤなどあるが、好ましくはスパッタ法によって薄膜は作製される。
【００４７】
本発明においては、特定ポリイミドフィルム上に抵抗体薄膜層が形成され、該抵抗体薄膜層上に電極層が形成積層されたものを必須とするが、これらの積層上にさらに高誘電体層や第二電極層を設けてもよい。
本発明においては、特定ポリイミドフィルム上に抵抗体薄膜層、電極層、さらに必要に応じて高誘電体層、第二電極層を設けるが、これらの層をフィルムの他の一面に設けたものでもよい。
電極層および第二の電極層（導電層）の形成材料は、導体金属が好ましく使用でき、導体金属として好ましく用いられる金属は銅、金、白金、パラジウム、ロジウム、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、鉄、鉛、錫、ビスマスである。本発明ではこれら金属を単体で、又は二種以上からなる合金にて用いることができる。本発明の電極層は必ずしも単層である必要はなく、複数の層構造を有しても良い。
電極層および第二の電極層は、スパッタリング、蒸着、溶射などの乾式の真空プロセス、ないしは無電解メッキ、電気メッキなどの湿式プロセス、あるいはこの両者を組み合わせて形成することができる。本発明においては、電極層および第二の電極層を乾式のスパッタリングで形成し、必要に応じてより導電率の良い金属をさらにスパッタリングないし蒸着にて形成し、さらに必要であれば湿式の無電解メッキ、電気メッキにて導体金属を所定の厚さにまで形成する方法を用いることができる。
【００４８】
本発明における高誘電体（薄膜）層は、比誘電率が５以上、好ましくは９以上の固体であれば特に制限は無い。しかしながらより高い静電容量密度を得るためには以下に述べる強誘電材料を使用することが好ましい。
強誘電材料とは自発分極を有する物質をいう。より具体的には、ロッシェル塩、酒石酸リチウムアンモニウム、酒石酸リチウムタリウム等のロッシェル塩系強誘電体、リン酸二水素カリウム、ヒ酸二水素カリウム、リン酸二水素ルビジウム、ヒ酸二水素ルビジウム、ヒ酸二水素セシウム、リン酸二水素セシウム、等のリン酸（ヒ酸）二水素アルカリ塩系強誘電体、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸カリウム、タンタル酸ナトリウム、タンタル酸カリウム、ガリウム酸ランタン等のペロブスカイト型強誘電体、・三酸化タングステン等の変形ペロブスカイト型強誘電体、ニオブ酸カドミウム、ピロニオブ酸鉛等のピロクロライト型強誘電体、チタン酸カドミウム、チタン酸コバルト、チタン酸鉄、ニオブ酸リチウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸マンガン、チタン酸ニッケル、チタン酸リチウム等のイルメナイト型強誘電体、グアニジン・アルミニウム・サルフェ−ト六水和物、グアニジン・ガリウム・サルフェ−ト、グアニジン・クロム・サルフェ−ト、グアニジン・ヴァナジウム・サルフェ−ト、グアニジン・クロム・セレン酸塩、グアニジン・アルミニウム・セレン酸塩、グアニジン・ガリウム・セレン酸塩等のグアニジン系強誘電体。
【００４９】
トリグリシン・サルフェ−ト、トリグリシン・フルオベリレ−ト、トリグリシン・セレン酸塩、ジグリシン硝酸塩、ジグリシン塩化マンガン二水和物、グリシン硝酸銀等のグリシン系強誘電体、Ｐｂ2ＭｇＷＯ3、Ｐｂ3Ｆｅ2ＷＯ6、Ｐｂ2ＦｅＴａＯ6、系Ｋ3Ｌｉ2Ｎｂ5Ｏ15、Ｂａ2ＮａＮｂ5Ｏ15、Ｐｂ2ＫＮｂ5Ｏ15系、Ｐｂ5Ｇｅ3Ｏ11、Ｇｄ2（ＭｏＯ4）3系、メチルアンモニウム・アルミニウムサルフェ−ト・十二水和物、尿素クロムサルフェ−ト、硫酸アンモニウム、硫酸アンモニウム・カドミウム、リチウム・ヒドラジン・サルフェ−ト、硫酸水素アンモニウム、リチウム・ハイドロオキサイド・セレン酸、モノクロム酢酸アンモニウム、二カルシウム・ストロンチウム・プロピオン酸、尿素、フッ化ベリリウム酸アンモニウム、等々のその他の化合物系、さらにペロブスカイト系、ピロクロライト系、イルメナイト系等の無機系強誘電体の混合体、固溶体からなるセラミック系強誘電体、具体的には、ＰＺＴ系｛チタン酸鉛／ジルコン酸鉛固溶体：Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3｝、ＰＬＴ系｛チタン酸鉛／チタン酸ランタン固溶体：（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ3｝、ＰＬＺＴ系｛（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3｝、ニオブ酸鉛／ニオブ酸バリウム固溶体系、ニオブ酸ストロンチウム／ニオブ酸バリウム固溶体系、ＰＴＳ系｛Ｐｂ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ3｝、ＰＳＴ系｛（Ｐｂ，Ｓｒ）ＴｉＯ3｝、ＢＰＴ系｛（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ3｝、ＢＳＴ系｛（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3｝、ＢＭＴ系｛（Ｂａ，Ｍｇ）ＴｉＯ3｝、ＢＣＴ系｛（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ3｝、ポリビニリデンフルオライド、ポリ（ビニリデンフルオライド−トリフルオロエチレン）共重合体、ポリ（ビニリデンフルオライド−テトラフルオロエチレン）共重合体等のＰＶＤＦ系強誘電体などを示すことができる。
かかる高誘電体層の厚さは０．３〜３０μｍであり、好ましくは０．５〜１０μｍである。高誘電体層の厚みがこれより薄い場合には、高誘電体層に欠陥が生じる可能性が高くなり、層間短絡が起こりやすくなる。また高誘電体層の厚みがこの範囲を超えると静電容量密度が低下してしまう。
【００５０】
本発明では、基材と抵抗体薄膜層との間にバリア層を設けることができる。バリア層とは導体又は絶縁体の薄膜である。
本発明のバリア層は、無機素材を用いることが好ましく、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン、モリブデン、バナジウム、シリコン、ゲルマニウムおよび又はこれらの酸化物から選ばれる一種又は二種以上の合金、複合酸化膜、金属間化合物等を用いることができる。
かかるバリア層は、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の乾式真空製膜プロセスを用いて作製することができる。
【００５１】
本発明の抵抗体薄膜積層フィルムは、その抵抗体薄膜層が形成されていない側の面に接着剤層を設けることができる。かかる接着剤層は、抵抗体薄膜積層フィルムを、多層積層して加工する際に有用である。
本発明ではエポキシ系、ポリイミド系などの無溶剤型接着剤を好適に使用することができる。特に熱可塑性ポリイミドを接着剤層に用いることは好ましい態様である。
【００５２】
以下、本発明の抵抗体薄膜積層フィルムの製法について説明する。
本発明においては抵抗体薄膜層を形成する際に、２５０℃以上５００℃未満の温度での熱処理工程を経ることが好ましい。かかる熱処理は、抵抗体薄膜層を形成したる後に所定の温度に加熱しても良いし、あるいは、所定の温度に加熱した基材上に抵抗体薄膜層を形成しても良い。
例えば抵抗体薄膜層として、特定物性ポリイミドフィルムの一面に窒化チタン（Ｔｉ：Ｎ）を堆積させ、その上にＣｕを堆積させる場合を考える。この構成によれば、窒化チタン薄膜は絶縁基材であるポリイミドフィルムとの密着性が良好であると共に、成膜条件で膜応力を低下させることが可能であるため、Ｃｕ配線層の下地としても好適である。また、寸法精度良くウエットエッチングパターン形成が可能であるため、微細配線形成が可能であり、しかも、アンモニアを含む水溶液でウエットエッチングされるため、エッチング時に基板や配線を劣化させることがない。そのため、窒化チタン薄膜を配線の下地として用いることにより、信頼性の高い微細配線のビルドアップ配線基板となる。
また、薄膜作成前に、基材の下地処理として，アルカリ金属水酸化物による化学エッチング、酸素や窒素ガス、アルゴンガスなどを使った、プラズマ処理、コロナ処理、プラズマエッチングなど公知の処理をすることも、よい。公知のプライマーなどを塗ってもよい。
また、Ｃｕ配線として使う部分の下の抵抗層は抵抗としては使わないが、Ｃｕ配線層の下地層として，Ｃｕ配線層の密着力向上に寄与すると共に、電気的には、Ｃｕ配線層と並行して存在するため、Ｃｕ配線層の抵抗値を示すことになる。
【００５３】
また、窒化チタンはバリア性に優れているので、配線に使用される金属あるいは合金が基板へ拡散しにくい特性を有する。そのため、配線および電極の絶縁基材（フィルム）に対するバリア層として窒化チタン薄膜を用いたことにより、信頼性に優れた微細配線のビルドアップ配線基板を与えることができる。窒化チタンのウエットエッチング方法は、限定されるものではないが、アンモニアと過酸化水素を含む水溶液をエッチャントとするのが好適であり、このエッチャントの使用により基板の劣化を防止することができる。Ｔｉをバリア層とした基板では、同様のエッチャントを使用できるが、本発明の窒化チタンは成膜条件を変化させることにより、その組成や結晶膜のモフォロジーを変化させることが可能であり、それに伴い薄膜の応力を調整できる特徴がある。この応力の調整により、どの様な基板に対しても、良好な密着を得ることができる。この応力の調整は、特にチタンターゲットを使用し窒素ガスあるいは窒素とアルゴンの混合ガスを導入した反応性スパッタにおいて、スパッタ時圧力や基材温度の制御により容易に行うことができる。また、窒化チタンはバリア性に優れているため、本発明の構造により配線に使用される金属あるいは合金が基材へ拡散しにくいため、信頼性も優れている特徴がある。まず、絶縁基材（フィルム）上に窒化チタン、銅の順序で連続的にスパッタリングを行って、窒化チタンスパッタ膜および銅スパッタ膜を形成する。この工程における窒化チタンスパッタリングの方法は、チタンターゲットを使用し、窒素ガスあるいは窒素とアルゴンの混合ガスを導入した反応性ＤＣスパッタが好適であるが、ＲＦスパッタリング、マグネトロンスパッタ、或は、イオン照射との併用、反応種ガスとの混合等のその他の方法でも良く、限定はされない。
【実施例】
【００５４】
以下実施例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、実施例中のフィルムなどの特性その他は以下の方法により測定した。
１．ポリアミド酸の還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）
ポリマー濃度が０．２ｇ／ｄｌとなるようにＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により３０℃で測定した。
【００５５】
２．フィルム、銅箔のフィルム厚さ
フィルムの厚さは、マイクロメーター（ファインリューフ社製、ミリトロン（登録商標）１２５４Ｄ）を用いて測定した。
【００５６】
３．フィルムの引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度
乾燥後のフィルムを長手方向（ＭＤ方向）および幅方向（ＴＤ方向）にそれぞれ長さ１００ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状に切り出して試験片とし、引張試験機（島津製作所製オートグラフ（登録商標）、機種名ＡＧ−５０００Ａ）を用い、引張速度５０ｍｍ／分、チャック間距離４０ｍｍで測定し、引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度を求めた。
【００５７】
４．フィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）とその微分線膨張係数（ｄＣＴＥ）
下記条件で伸縮率を測定し、１００〜３５０℃において１０℃間隔で分割し、各分割範囲の伸縮率／温度の平均値より求めた。また微分線膨張係数は１００〜３５０℃において１０℃ごとの線膨張係数から各温度範囲での微分線膨張係数を求めた。
装置名        ；  ＭＡＣサイエンス社製ＴＭＡ４０００Ｓ
試料長さ      ；  ２０ｍｍ
試料幅        ；  ２ｍｍ
昇温開始温度  ；  ２５℃
昇温終了温度  ；  ４００℃
昇温速度      ；  ５℃／ｍｉｎ
雰囲気        ；  アルゴン
【００５８】
５．剥がれチェック
得られた抵抗体薄膜層積層ポリイミドフィルムの少なくとも長さ０．３ｍを採取し、水平面に静置して、薄膜層の剥がれを目視観察し、１００サンプル中の剥がれがあるサンプル数をもって評価した。
【００５９】
［参考例１］
（ポリアミド酸溶液の調製）
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである反応容器内を窒素置換した後、５００質量部の５−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾオキサゾール（ＤＡＭＢＯ）を入れた。次いで、５０００質量部のＮ−メチル−２−ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、４８５質量部のピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を加えて、２５℃にて４８時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液Ａが得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は２．２ｄｌ／ｇであった。
【００６０】
［製造例］
参考例により得られたポリアミド酸溶液Ａを送液し、ポリエチレンテレフタレート製フィルムの支持体上にコーティングし（スキージ／ベルト間のギャップは、１７５μｍ）、１１０℃にて３０分間乾燥した。乾燥後に自己支持性となったポリアミド酸フィルムを支持体から剥離して、厚さ２１．３μｍのポリアミド酸フィルム（グリーンフィルム）を得た。
得られたグリーンフィルムを、連続式の熱処理炉に通し、第１段が２００℃で３分、昇温速度４℃／秒で昇温して第２段として４８０℃で５分の条件で２段階の加熱を施して、イミド化反応を進行させた。その後、５分間で室温にまで冷却することで、褐色を呈する、幅６００ｍｍのポリイミドフィルム（Ｉ）を得、両端部（耳部）をスリットし、中央部のみの幅５２４ｍｍ、長さ約２００ｍのフィルムを製品とした。得られたポリイミドフィルムの特性を表１に示す。
また、製造例５では市販のジアミノジフェニルエーテル残基とピロメリット酸残基を主成分とするポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）を使った。製造例６では市販の全芳香族ポリエステルタイプの液晶ポリマーを主成分とするフィルム（厚さ２５μｍ）を使用した。
【００６１】
［実施例１〜３、比較例１〜３］
＜抵抗体薄膜層積層フィルムの作製と評価＞
製造例において得られたフィルム１を巻き出し装置、巻き取り装置、プラズマ処理装置を備えた真空装置内にセットし、次いでフィルム表面のプラズマ処理を行った。プラズマ処理条件はアルゴンガス中で、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力８０Ｗ、ガス圧１．９Ｐａの条件であり、処理時の温度は２４℃、プラズマ雰囲気での滞留時間約４５秒であった。
次いで、プラズマ処理後のフィルムを、同じく巻き出し装置、巻き取り装置、スパッタリングエリアを有する真空装置内にセットし、出力４００Ｗ、ガス圧１．８Ｐａの条件、ニッケル−クロム（クロム７％）ターゲットを用い、アルゴン雰囲気下にてＤＣスパッタ法により、ニッケル−クロム合金被膜を１０００オングストローム形成した。次いで、銅ターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ３０００オングストローム銅薄膜を形成させ、硫酸銅めっき浴をもちいて、厚さ４μｍの厚付け銅メッキ層を形成し第一電極層として、抵抗体薄膜積層フィルムを得た。
以下同様に基材としてフィルム２〜６を用い、抵抗体薄膜積層フィルムを得た。得られた抵抗体薄膜積層フィルムの特性を表２に示す。
【００６２】
【表１】
2007019163.tif 000021
【００６３】
【表２】
2007019163.tif 000022
【００６４】
［実施例４〜６、比較例４〜６］
＜抵抗体薄膜層積層フィルムの作製と評価＞
実施例１〜３、比較例１〜３の各例において得られた抵抗体薄膜積層フィルムのフィルム裏面に実施例１〜３、比較例１〜３と同様にして両面抵抗体薄膜積層フィルムを得た。
得られた両面抵抗体薄膜積層フィルムの特性を表３に示す。
【００６５】
【表３】
2007019163.tif 000023
【産業上の利用可能性】
【００６６】
以上述べてきたように、本発明の抵抗体薄膜積層フィルムは、抵抗体素子や薄膜コンデンサ素子用の基礎材料として有用であり、特に多層基板のビルドアップ層に抵抗体を内蔵することが可能となり特に高密度実装が求められる、高速の演算装置、グラフィックコントローラ、ディスプレイコントローラ、高容量のメモリーモジュール、等を搭載する基板材料として有用である。