(57)【要約】【課題】  ＥＵＶ露光装置、または高真空雰囲気下で光学素子を用いて露光を行う露光装置の光学素子に付着するパーティクルを抑制し、より高精度な露光を可能にする。【解決手段】  原版１１を載置する原版ステージ１５と、該原版を波長０．５〜５０ｎｍの光により照明する照明光学系と、該原版の像を被露光基板２２上に投影する投影光学系とを備えた露光装置において、前記原版ステージを囲む原版ステージ空間１７と前記投影光学系を囲む投影光学系空間１８とを分離する手段と、前記原版ステージ空間に気体を供給する気体供給手段４４と、前記原版ステージ空間内の気体を排気する排気手段３１とを設ける。【選択図】  図１
2007142019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版を載置する原版ステージと、該原版を波長０．５〜５０ｎｍの光により照明する照明光学系と、該原版の像を被露光基板上に投影する投影光学系とを備えた露光装置において、
前記原版ステージを囲む原版ステージ空間と前記投影光学系を囲む投影光学系空間とを分離する手段と、前記原版ステージ空間に気体を供給する気体供給手段と、前記原版ステージ空間内の気体を排気する排気手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
原版を載置する原版ステージと、該原版をパルス光により照明する照明光学系と、該原版の像を被露光基板上に投影する投影光学系とを備えた露光装置において、
前記原版ステージを囲む原版ステージ空間と前記投影光学系を囲む投影光学系空間とを分離する手段と、前記原版ステージ空間に気体を供給する気体供給手段と、前記原版ステージ空間内の気体を排気する排気手段と、前記原版ステージ空間内圧力を５〜５０Ｐａの範囲内に、かつ前記投影光学系空間内圧力を１Ｐａ以下に維持する手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
前記パルス光は波長０．５〜５０ｎｍの光であることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記原版ステージ空間に供給される気体はヘリウム、アルゴン及び水素のいずれか、またはこれらの２種または３種の混合気体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の露光装置。
【請求項５】
前記原版ステージ空間と前記投影光学系空間とを連通させるアパーチャを有し、該アパーチャは前記原版からの光を遮ることはなく、かつ通路長が５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の露光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光した前記基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等の微細なパターンを有するデバイスの製造等に用いて好適な露光装置に関し、特に露光装置の光学素子に付着するパーティクルを抑制する技術に関する。
本発明は、特に、ＥＵＶ光のような短波長（０．５〜５０ｎｍ）の光を用いて露光を行う露光装置、または、高真空雰囲気下において、ミラーやレンズ等の光学素子を用いて露光を行う露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体を製造するための光リソグラフィ技術においては、露光光の短波長化が進められ、ｉ線、ｇ線からＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザへと進化して来た。露光光の短波長化が進めば、より微細なマスクパターンをウエハに転写することが可能となる。しかし、細い線幅のパターンを露光するためには、紫外光を用いたリソグラフィでは原理的限界にある。そこで紫外光より短波長である極端紫外光（ＥＵＶ光、１３〜２０ｎｍ）を用いたＥＵＶリソグラフィが注目を集めている。
【０００３】
ＥＵＶ光で用いられる代表的な波長は１３．５ｎｍであるため、これまでの光リソグラフィを遥かに上回る解像度を実現することが可能である。しかし、その反面、ＥＵＶ光は物質に吸収されやすいという性質を持つ。このため、従来のような紫外光を光源としたリソグラフィの様に、屈折光学系を用いた縮小露光を行うと、硝材によってＥＵＶ光が吸収されてしまい、ウエハ等の被露光体に到達する光量が極端に少なくなってしまう。そのため、ＥＵＶ光を用いて露光を行う際には、反射光学系を用いた縮小露光装置を構成する必要がある。
【０００４】
図４は、ＥＵＶ光を用いた従来の縮小投影露光装置として特許文献１に記載された縮小投影露光装置の概略図を示す。図４のＥＵＶ露光装置２００は、ＥＵＶ光源２１０、照明光学系２２０、原版（マスク）２３０、アライメント光学系２４０、原版ステージ２５０、ウエハステージ２６０、ウエハ２７０および反射型縮小投影光学系１００を備える。これらの各構成要素は、真空容器２８０に収納されている。また、真空容器２８０内のガスを排気する不図示の排気系なども備えている。反射型縮小投影光学系１００は、第１のミラー１１０、第２のミラー１２０、第３のミラー１３０、第４のミラー１４０、第５のミラー１５０、第６のミラー１６０を有している。
【０００５】
ＥＵＶ光源２１０はいくつか種類があり、その中の一つであるレーザ生成プラズマ光源は、ターゲット材の選択により、ほぼ必要な波長帯のみの発光が可能である。例えば、Ｘｅをターゲット材２１３としてパルスノズルから噴出し、これにパルスレーザＬＢを照射してプラズマ２１５を発生させると、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
照明光学系２２０は複数枚の多層膜ミラーと、オプティカルインテグレータなどから構成されている。照明光学系の役割は光源から放射された光を効率よく集光すること、そして露光領域の照度を均一にすることなどが挙げられる。また、オプティカルインテグレータはマスクを均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
【０００６】
投影光学系１００はＭｏ、Ｓｉが交互にコーティングされた多層膜ミラーを用いた反射光学系で構成される。このＭｏ／Ｓｉ多層膜は波長１３ｎｍ付近で、６７％程度の直入反射率を得ることができる。反射率を１００％にすることは原理的に困難であり、吸収されたエネルギの大部分は熱に変わる。そのためミラーの基盤材料には低熱膨張ガラスなどが用いられる。反射光学系には、このようなＭｏ／Ｓｉ多層膜ミラーが収差補正のため複数枚用いられるが、ＥＵＶ光の透過率を保つためには多層膜ミラーの枚数を極力少なくする必要がある。
【０００７】
ＥＵＶ露光装置の原版ステージ２５０及びウエハステージ２６０は真空環境下で駆動する機構を持ち、原版ステージとウエハステージは縮小倍率に比例した速度比で、同期して走査する。また、原版ステージ及びウエハステージの位置や姿勢は不図示のレーザ干渉計によって観測され、制御される。
原版チャックに保持された原版やウエハチャックに保持されたウエハは原版ステージ及びウエハステージに搭載された微動機構によって高精度に位置決めが行われる。
【０００８】
アライメント光学系２４０は原版の位置と投影光学系の光軸との位置関係、そしてウエハと投影光学系の光軸との位置関係を検出する装置である。これにより、投影像がウエハ上の所定の位置に照射されるように原版ステージ及びウエハステージの位置と角度が設定される。また、フォーカス検出機構によりウエハ面に対して垂直方向のフォーカス位置が検出され、ウエハステージの位置、角度を制御することによって、ウエハ面の結像位置が常に保たれる。
ＥＵＶ露光装置はＥＵＶ光の物質による吸収を避けるため、ＥＵＶ光を照射する空間を真空に保つ必要がある。そのため露光装置には真空ポンプなどの排気系が複数台取り付けられている。
【特許文献１】特開２００３−４５７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＥＵＶ露光装置では、原版やウエハが装置チャンバに搬送されるまでに、ロボットハンドやゲートバルブの動作等、摺動、摩擦によりパーティクルが発生し、このパーティクルが原版やウエハに付着する可能性がある。さらに、ステージなどの可動部から発生するパーティクルが、露光時に原版やウエハの表面に付着する可能性がある。
このように原版やウエハの表面にパーティクルが付着すると、デバイス製造の歩留まりやデバイスの信頼性が低下するという問題があった。特に、原版の回路パターン面にパーティクルが付着すると、実際の露光では、ショット毎に全く同じ位置にパーティクルが転写されることになる。このためデバイス製造の歩留まりやデバイスの信頼性が大幅に低下するという問題がある。
本発明は、原版表面にパーティクルが付着することを阻止し、上述の問題を解決することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明に係る第１の露光装置は、原版を載置する原版ステージと、該原版を波長０．５〜５０ｎｍの光により照明する照明光学系と、該原版の像を被露光基板上に投影する投影光学系とを備える。さらに、前記原版ステージを囲む原版ステージ空間と前記投影光学系を囲む投影光学系空間とを分離する手段を備える。さらに、前記原版ステージ空間に気体を供給する気体供給手段と、前記原版ステージ空間内の気体を排気する排気手段とを備える。
【００１１】
本発明に係る第２の露光装置は、原版を載置する原版ステージと、該原版をパルス光により照明する照明光学系と、該原版の像を被露光基板上に投影する投影光学系とを備える。また、前記原版ステージを囲む原版ステージ空間と前記投影光学系を囲む投影光学系空間とを分離する手段を備える。さらに、前記原版ステージ空間に気体を供給する気体供給手段と、前記原版ステージ空間内の気体を排気する排気手段とを備える。そして、露光時に、前記原版ステージ空間内圧力が５〜５０Ｐａの範囲内であること、及び前記投影光学系空間内圧力が１Ｐａ以下であることを特徴とする。前記パルス光は極端紫外光のような波長０．５〜５０ｎｍの短波長光である。
【００１２】
上記第１及び第２の露光装置において、前記原版ステージ空間に供給される気体はヘリウム、アルゴン及び水素のいずれか、またはこれらの２種または３種の混合気体であることが好ましい。また、前記分離する手段は、原版からの光を遮ることなく原版ステージ空間と投影光学系空間とを連通させるアパーチャを有することができる。その場合、該アパーチャは通路長が５ｍｍ以上であることが好ましく、３０ｍｍ以上であることがさらに好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、光学素子に付着するパーティクルを抑制することができ、半導体デバイス等の微細なパターンを有するデバイスの製造等に用いて好適な露光装置を提供することができる。本発明は、特に、ＥＵＶ露光装置、または高真空雰囲気下で光学素子を用いて露光を行う露光装置に適用して好適なものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の好ましい実施の形態を実施例により説明する。
［実施例１］
図１は本発明の一実施例に係る縮小投影露光装置の概略構成を示す。図１の露光装置は、ＥＵＶ光（ここでは、０．１〜３０ｎｍ、より好ましくは１０〜１５ｎｍの波長の光）を用いるものである。
【００１５】
図１において、８は不図示のＥＵＶ光源から発し、不図示の照明光学系により導かれたＥＵＶ光である。このＥＵＶ光８は、原版照明ミラー１を介して原版１１に照射される。２は投影系第１ミラー、３は投影系第２ミラー、４は投影系第３ミラー、５は投影系第４ミラー、６は投影系第５ミラー、７は投影系第６ミラーである。また、１１は原版、１２は原版保持装置、１５は原版ステージ、１６は原版アライメント光学系、１７は原版ステージ１５を囲む原版ステージ空間、２２はウエハ、２４はウエハ保持装置、２１はウエハステージを示している。さらに、２５はウエハアライメント光学系、２７はウエハステージ２１を囲むウエハステージ空間を示している。
【００１６】
不図示のＥＵＶ光源はいくつか種類があり、その中の一つであるレーザ生成プラズマ光源はターゲット材の選択により、ほぼ必要な波長帯のみの発光が可能である。例えば、Ｘｅをターゲット材としてパルスノズルから噴出し、これにパルスレーザを照射してプラズマを発生させると、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
不図示の照明光学系は、複数枚の多層膜ミラーとオプティカルインテグレータなどから構成されている。照明光学系の役割は光源から放射された光を効率よく集光すること、そして露光領域の照度を均一にすることなどが挙げられる。また、オプティカルインテグレータはマスクを均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
【００１７】
投影光学系はＭｏ、Ｓｉが交互にコーティングされた複数枚の多層膜ミラーである投影系第１ミラー２〜投影系第６ミラー７の６枚のミラーで構成される。この多層膜はＥＵＶ光の直入反射率が６７％程度であるため、多層膜ミラーに吸収されたエネルギーの大部分は熱に変わる。そのためミラーの基盤材料には低熱膨張ガラスなどが用いられる。
【００１８】
原版ステージ１５及びウエハステージ２１は真空環境下で駆動する機構を持ち、縮小倍率に比例した速度比により同期して走査する。また、原版ステージ１１及びウエハステージ２１の位置や姿勢は不図示のレーザ干渉計によって観測され、制御される。
原版１１は原版ステージ１５上の原版保持装置１２に保持される。また、ウエハ２２はウエハステージ２１上のウエハ保持装置２４に保持される。原版ステージ１５及びウエハステージ２１はそれぞれ微動機構を持ち、原版１１またはウエハ２２の位置決めが可能である。
【００１９】
アライメント検出機構１６、２５は、それぞれ、原版１１の位置と投影光学系の光軸との位置関係、ウエハ２２と投影光学系の光軸との位置関係を計測する。その計測結果に基づき、原版１１の投映像がウエハ２２上における所定の位置に一致するように、原版ステージ１１及びウエハステージ２１の位置、角度が調整される。
また、フォーカス位置検出機構２６は投影光学系の結像位置をウエハ２２面上に保つためにウエハ２２面上における垂直方向のフォーカス位置を検出する。
一回の露光が終わるとウエハステージ２１はＸ、Ｙ方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動し、再び露光を行う。
【００２０】
ＥＵＶ露光装置９０では、摺動や摩擦を伴う可動部分がある。例えば、原版１１やウエハ２２を本体チャンバ９内に搬送するためのロボットハンド８５、８６、本体チャンバ９と原版ロードロック２０やウエハロードロック２８との空間を分離するゲートバルブ５１、５２である。そして、これらの稼動に伴う摺動、摩擦によりパーティクルが発生する。さらに、露光時にはステージ等の可動部からもパーティクルが発生する。
発生したパーティクルが原版１１表面の回路パターンに付着すると、ショット毎に全く同じ位置に付着したパーティクルが転写されることになる。このためデバイス製造の歩留まりやデバイスの信頼性が大幅に低下するという問題がある。
【００２１】
本実施例では上記の問題を解決し、露光性能及びスループットの低下を防ぐ露光装置を提供する。
本実施例では、気体供給装置４１により原版ステージ空間１７に気体を供給する気体供給口４４と原版ステージ空間１７内の気体を排気するターボ分子ポンプ３１を備えている。また、原版ステージ空間１７内の圧力を制御するために、圧力センサ６１により原版ステージ空間１７内の圧力を監視し、気体供給装置４１により供給する気体の流量を調整している。
【００２２】
原版ステージ空間１７内に気体が供給され、露光光８により原版１１が暖められると、原版１１とその周辺雰囲気に温度勾配が発生する。そして、原版１１表面近傍のガス分子の運動エネルギが、原版１１から離れた雰囲気のガス分子の運動エネルギより高くなる。原版１１表面近傍に浮遊するパーティクルは、ガス分子が運動エネルギの高い方から低い方へ移動する際に受ける熱泳動力により、原版１１表面から遠ざけられる。この様な熱泳動現象を利用することで、原版１１表面にパーティクルが付着することを阻止することが出来る。また、原版１１から離れた位置に、原版１１より低温の温調板８０を配置し、原版１１と温調板８０との間で温度勾配が発生しやすい構成にすることが好ましい。
【００２３】
原版ステージ空間１７と投影光学系空間１８は、露光光８を遮らないアパーチャ７１により連通している。また投影光学系空間１８とウエハステージ空間２７は、露光光８を遮らないアパーチャ７２により連通している。したがって、原版ステージ空間１７内に気体を供給すると、気体はアパーチャ７１を通過し、投影光学系空間１８内に流れ込む。さらに投影光学系空間１８内に流れ込んだ気体はアパーチャ７２を通過し、ウエハステージ空間２７内へ流れ込む。投影光学系空間１８内は露光光８の光路長が長いため、露光光８は気体分子により吸収され、著しくパワーロスを招きやすい。その結果、露光装置のスループットの低下へと繋がる。
【００２４】
本実施例では、投影光学系空間１８内における露光光８の気体による吸収を避けるために、投影光学系空間１８にターボ分子ポンプ３２、３３を配置し、投影光学系空間１８内の気体を排気する。またウエハステージ空間２７内の気体も同様にターボ分子ポンプ３４を配置し、排気を行う。原版ステージ空間１７から流れ込んだ気体をターボ分子ポンプ３２、３３、３４により排気することで、投影光学系空間１８内における露光光８の透過率を高く保ち、露光光８のパワーロスを抑えることが出来る。
露光光８のパワーロスを最小限に抑えるために、原版ステージ空間１８内に供給する気体は露光光８（ＥＵＶ光）の透過率が高いヘリウム、アルゴン、水素が好ましい（図２参照）。図２はヘリウム、アルゴン、水素及び空気のＥＵＶ光（１３．５）の透過率を示す。
原版ステージ空間１７、投影光学系空間１８、ウエハステージ空間２７内の圧力は、圧力センサ６１、６２、６３、６４による監視と、気体供給量の制御により、常に一定に保たれる。また、各空間内において圧力異常が発生した場合に備え、気体の供給を止めるようにインターロックをかけることが好ましい。
【００２５】
原版ステージ空間１７と原版ロードロック空間２０は原版１１を搬送するための開口部５３によって連通している。しかし、原版搬送時以外、開口部５３は、ゲートバルブ５１により閉じられ、原版ステージ空間１７と原版ロードロック空間２０が分離される。
原版１１を交換する際には、原版ステージ空間１７内と原版ロードロック空間２０内の圧力をほぼ近い値に合わせてから、ゲートバルブ５１を開く必要がある。圧力差がある状態でゲートバルブ５１を開くと、圧力変動により、露光装置９０に備えられている機器類に悪影響を及ぼす場合が考えられる。
【００２６】
原版ステージ空間１７内に気体を供給している場合、原版ステージ空間１７内に供給している同種のガスを原版ロードロック空間２０内に供給し、原版ステージ空間１７内の圧力と同等の圧力になる様に調整を行う。圧力調整は、原版ロードロック空間２０に設置される気体供給口４５と気体供給装置４２、圧力センサ６５により行う。この様な圧力調整を行うことで、原版１１を交換する際に、原版ステージ空間１７に供給している気体を止めずに原版１１を交換することが可能であり、原版１１交換時間の短縮によるスループットの向上が期待出来る。また、原版ステージ空間１７内に供給する気体を止めて、真空引きしたあとに、原版ロードロック空間２０との圧力調整を行ってから、ゲートバルブ５１を開き、原版１１を交換しても良い。
ウエハステージ空間２７とウエハロードロック空間２８は、開口部５４により連通し、開口部５４はゲートバルブ５２によって開閉される。
【００２７】
原版ステージ空間１７、投影光学系空間１８及びウエハステージ空間２７はアパーチャ７１、７２によって連通している。そのため、原版ステージ空間１７内に供給した気体は投影光学系空間１８及びウエハステージ空間２７内に流れ込み、原版ステージ空間１７内の圧力によりウエハステージ空間２７内の圧力は変動する。
ウエハ２２を交換する際には、原版１１を交換する場合と同様にウエハステージ空間２７内とウエハロードロック空間２８内の圧力を同等に調整してからゲートバルブ５２を開く必要がある。
【００２８】
このウエハステージ空間２７内とウエハロードロック空間２８内の圧力を同等の圧力に調整するために、ウエハロードロック空間２８に気体供給口４６、気体供給装置４３及び圧力センサ６６を備えている。これらの気体供給口４６、気体供給装置４３及び圧力センサ６６により原版ステージ空間１７内に供給する気体と同種の気体をウエハロードロック空間２８内に供給することで、圧力調整を行う。
こうすることで、原版ステージ空間１７内に供給している気体を止めずにウエハ２２を交換することが可能であり、スループットの向上に繋がる。
なお、原版ステージ空間１７内に供給する気体を止めて、原版ステージ空間１７、投影光学系空間１８およびウエハステージ空間２７内を真空引きしてから、ウエハステージ空間２７とウエハロードロック空間２８内の圧力調整を行い、ウエハを交換しても構わない。
【００２９】
［実施例２］
図２を用いて本発明の第２の実施例について説明する。
本実施例では、先の実施例１において、熱泳動現象を効果的に利用するための好適な原版ステージ空間１７内圧力値、また投影光学系空間１８内圧力値を示し、それを維持する構成を示す。特に言及しない箇所については、実施例１と同様である。
熱泳動現象を起こすには気体分子が必要であるが、上述したように、この気体分子は露光光８を吸収してしまう。但し、原版ステージ空間１７内の圧力を５〜５０Ｐａ程度に保つことで、熱泳動現象を利用し、かつ原版ステージ空間１７内における露光光８の吸収を極力抑えることが可能である。
また、原版ステージ空間１７と投影光学系空間１８はアパーチャ７１により連通しているため、原版ステージ空間１７内の気体が投影光学系空間１８内へ流れ込むことで投影光学系空間１８内における露光光８の透過率が低下してしまう。
【００３０】
投影光学系空間１８内における露光光８の透過率低下を防ぐためには、投影光学系空間１８内に流入した気体を、ターボ分子ポンプ３２，３３によって排気し、投影光学系空間１８内の圧力を１Ｐａ以下に下げる必要がある。しかしながら、露光装置９０に搭載出来るターボ分子ポンプの排気容量や数量には上限があるため、投影光学系空間１８における排気能力には限界がある。そこで、本実施例では原版ステージ空間１７から投影光学系空間１８へ流入する気体の流量を絞るために、アパーチャ７１のコンダクタンスを低下させる。つまり、アパーチャ７１の原版側にアパーチャ７１を挟んで、露光光８を遮らない壁７３を設け、アパーチャ７１の通路長（光軸方向の長さ）を長くする。こうすることで、投影光学系空間１８内の圧力を壁７３が無い場合よりも低下させることが可能であり、露光光８の透過率を高く保つことが出来る。その結果、露光装置９０のスループットを向上させることが可能であり、また原版ステージ空間１７内に供給する気体の供給量を節約することが出来る。
【００３１】
このアパーチャ７１の通路長は５ｍｍ以上が好ましく、より好ましくは３０ｍｍ以上である。アパーチャ７１の通路長が長くなれば、その分コンダクタンスが低下し、アパーチャ７１を通過する気体の流量を低減させることが出来る。そのため、投影光学系空間１８に大型のターボ分子ポンプもしくは、複数台のターボ分子ポンプを配置する必要がなくなる。これは、ターボ分子ポンプから発生する振動、または排熱を低減することが出来る上に、コストの面についても有利である。
【００３２】
［実施例３］
次に、この露光装置を利用した微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造プロセスを説明する。
図５は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００３３】
上記ステップ４のウエハプロセスは、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップステップを有する。また、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付露光する露光ステップを有する。さらに、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施例１に係るＥＵＶ露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】ＥＵＶ光の透過率を示した図である。
【図３】本発明の実施例２に係るＥＵＶ露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図４】従来のＥＵＶ露光装置の概略図である。
【図５】デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【符号の説明】
【００３５】
１：原版照明ミラー、２〜７：投影系第１〜６ミラー、８：露光光、９：本体チャンバ、１１：原版、１２：原版保持装置、１５：原版ステージ、１６：原版アライメント光学系、１７：原版ステージ空間、１８：投影光学系空間、２０：原版ロードロック空間、２１：ウエハステージ、２２：ウエハ、２４ウエハ保持装置、２５：ウエハアライメント光学系、２６：フォーカス位置検出機構、２７：ウエハステージ空間、２８：ウエハロードロック空間、３１〜３６：ターボ分子ポンプ、４１〜４３：気体供給装置、４４〜４６：気体供給口、５１、５２：ゲートバルブ、５３、５４：開口部、６１〜６６：圧力センサ、７１、７２：アパーチャ、７３：壁、８５：原版搬送ロボットハンド、８６：ウエハ搬送ロボットハンド、９０：露光装置
【図１】
2007142019.tif 000003
【図２】
2007142019.tif 000004
【図３】
2007142019.tif 000005
【図４】
2007142019.tif 000006
【図５】
2007142019.tif 000007