(57)【要約】【課題】      半導体製造装置で使用できる、寿命が長く異物の発生がなく、安価なダミーウエハ、さらにパーティクル捕捉が良好なクリーニングウエハを提供することを課題とする。【解決手段】静電チャックに吸着できる導電性樹脂層を表面に有すウエハであって、表面の体積抵抗値が１０６Ω・ｃｍ以下で、表面の粗さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする導電性ウエハとする。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に樹脂層を有する導電性ウエハであって、表面の体積抵抗値が１０６Ω・ｃｍ以下で、表面の粗さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする導電性ウエハ。
【請求項２】
材質構成が少なくとも一層以上のアラミド系粉末又はポリイミド系粉末から選ばれる一以上の樹脂材料に導電性フィラーを混合し、モールド成型した樹脂層を含むことを特徴とする、上記請求項１の導電性ウエハ。
【請求項３】
樹脂層の導電性を確保するため、カーボンフィラー又はカーボンナノチューブから選ばれる一以上の導電性フィラーを含有する樹脂層を含むことを特徴とする、請求項１または請求項２の導電性ウエハ。
【請求項４】
材質構成が少なくとも一層以上のシリコン、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐から選ばれる一種以上の半導体基板材料からなる部位を含むことを特徴とする、請求項１の導電性ウエハ。
【請求項５】
半導体製造装置の静電チャックに、前記請求項１又は請求項１と請求項２、請求項３、請求項４のいずれか若しくはそれらの組み合わせで構成される導電性積層ウエハを前記半導体製造装置内に導入し、前記静電チャックに装填し、前記静電チャックに所定電圧を与え、吸着力を一定時間維持させることで前記導電性積層ウエハを前記静電チャックに押し付け、前記静電チャック表面に付着している異物を前記導電性積層ウエハに捕捉し、前記導電性積層ウエハを前記静電チャックから離脱させ、前記異物を捕捉した導電性積層ウエハを半導体製造装置外に移送することにより異物の付着した静電チャックをクリーニングすることを特徴とする、半導体製造装置のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】      本発明は、例えば半導体製造プロセスで用いられているイオン注入装置、イオンドーピング装置、エッチング装置、ＣＶＤ装置、アッシング装置、ステッパー装置、リソグラフィー装置、液晶基板製造装置、ウエハ検査装置などに具備されている静電型ウエハ保持装置いわゆる静電チャックに吸着が可能なダミーウエハ、クリーニングウエハの技術に関する。
【背景技術】
【０００２】      ダミーウエハの用途として一般に以下に掲げる二つの態様が実施されている。第一に、静電チャックを有する半導体製造装置に搬送のみ、あるいは試験を目的としてダミーウエハを使用する場合がある。第二に、静電チャックを有する半導体製造装置にダミーウエハを導入し、当該静電チャックに吸着することにより静電チャック表面に付着しているパーティクルなどの異物を捕捉させ、ダミーウエハを回収することで静電チャックのウエハ吸着面を清掃する場合がある。いわゆるクリーニングウエハとしての機能である。いずれの場合においてもダミーウエハは、通常のシリコンウエハと形態が同一で静電チャックに吸着し、パーティクルなどの異物発生がないことが必須で、さらにクリーニングウエハではウエハ載置面である静電チャックの吸着面あるいは搬送機構のウエハとの接触面に付着している異物を捕捉することも要求される。【０００３】      従来、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、イオン注入装置、イオンドーピング装置、アッシング装置、ステッパー装置、リソグラフィー装置、その他ウエハの各種物性評価、検査装置などにおいてパーティクル評価などの検査目的、製品ウエハのロット内およびロット間枚数調整、あるいはメンテナンス後あるいは装置導入後のパーティクル除去などのコンデショニングのためにシリコン製ダミーウエハを使用していた。このシリコン製ダミーウエハは、高価な品質の高いウエハではなく、純度、平坦度などの品質が低く、価格も安価なものが使われる。シリコンは半導体であるため静電チャックに吸着でき、しかも実際に半導体素子をつくる基板と同質の材料であるため汚染などの懸念がないためである。【０００４】      一方クリーニングウエハの必要性は以下のようである。半導体製造装置の処理室内部には製造過程で発生した様々な異物が付着あるいは浮遊している。たとえばシリコンウエハからの欠片やレジストの残留物、プラズマ中あるいは機械的な摩擦から発生した構成部材や真空容器材料からの異物、その他ウエハの搬送により取り込まれたパーティクルなどがその一例である。静電チャックにこれら異物が付着すると、ウエハと静電チャック載置面の接触が不十分になるため冷却性能が劣化する。また、リソグラフィー装置では異物の大きさの分ウエハの位置が変わり焦点距離が合わないという不具合が生じている。これらの異物の載置面からの除去は手作業によるふき取りあるいはダミーウエハでパーティクル付着などについて素性がわかっているものを使って行っている。【０００５】      本発明者らにより、窒化アルミニウム、アルミナ、または石英のいずれかの絶縁性基盤上片面にシリコン、炭化珪素などの導電層を形成したことを特徴とするダミーウエハが特開平１１−２９８８０号公報に提案されている。プラズマエッチング装置で使用するために化学的反応性が低いガラス状グラファイトを使用しダミーウエハの寿命を延ばす提案が特開平７−２４０４０１号公報によって開示されている。特開２００４−６３６６９号公報ではクリーニング効果を発揮させるため表面をエンボス状とし載置面に擦過させるものが公開されている。さらに、本発明者らにより特開２００４−２１４４２２号公報に導電性樹脂を積層させてダミーウエハを提供することが開示されている。【０００６】
【特許文献１】      特開平１１−２９８８０号公報
【特許文献２】      特開平７−２４０４０１号公報
【特許文献３】      特開２００４−６３６６９号公報
【特許文献４】      特開２００４−２１４４２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】      しかし、従来のダミーウエハあるいはクリーニングウエハは以下の欠点を有している。基板に窒化アルミニウム、アルミナまたは石英使用するものはその材料コストが高くなるため使用範囲が制限される。ガラス状グラファイトは酸性に対して弱いため、酸素プラズマ中ではスパッタ率が非常に大きくなり、短時間でパーティクルが発生し寿命が短い。したがい、ガラス状グラファイトはあらゆる反応性プラズマ雰囲気で使用することができない。表面はエンボス状のクリーニングウエハの基板はシリコンであるため繰り返し使っていると欠けるおそれがあり、またエンボス加工のコストも高い。導電性樹脂を積層させたクリーニングウエハは表面が凸凹やたわみが発生しやすく異物の捕捉にむらがあるため改良が求められていた。【０００８】      そこで、本発明では半導体製造装置で使用できる、寿命が長く異物の発生がなく、安価なダミーウエハ、さらにパーティクル捕捉が良好なクリーニングウエハを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】      上記課題を解決するために、請求項１記載の導電性ウエハは、表面に樹脂層を有する導電性ウエハであって、表面の体積抵抗値が１０６Ω・ｃｍ以下で、表面の粗さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする導電性ウエハである。表面の樹脂層を導電性とする方法は２つあって、一つは所定の厚みのポリイミドあるいはアラミドなどを基材とする導電性樹脂シートを積層する方法、他は後述するようにポリイミドあるいはアラミドなどの樹脂の粉末に導電性フィラーを混合し、モールド成型する方法がある。通常のポリイミドシートは絶縁体であるため、静電吸着型ウエハ保持装置に吸着できないが、本発明では導電性を持たせたポリイミドシートを使用し、このシートを従来のウエハ厚さにまで積層する。ウエハ全体としての導電性を確保するため、各層は隣接する層と電気的に導通する方法で接着する必要がある。導電性シートの樹脂層の材質としてはポリイミド以外に他の物質たとえば、アラミド、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、アセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリプロピレン、アラミド、ポリカルボジイミド、ナイロンなどの樹脂に前記に同等の導電性を付与した物質、あるいはシリコンなどのゴム系物質に導電性を付与した物質を使用することも可能である。実際には使用する装置の化学的、物理的環境を考量して適当な樹脂シートを選択する。表面の粗さの管理はラッピング処理により研磨することで実現する。【００１０】      請求項２記載の導電性ウエハは、材質構成が少なくとも一層以上のアラミド系粉末又はポリイミド系粉末から選ばれる一以上の樹脂材料に導電性フィラーを混合し、モールド成型した樹脂層を含むことを特徴とする、上記請求項１の導電性ウエハである。ポリイミドあるいはアラミドは化学的、物理的耐性に優れ、アラミドの場合はさらに機械的に剛性が高く、従来のシリコン半導体、あるいはシリコンカーバイトなどと同等な機械的強度を持たせることができる。アラミド系材質は鋼材に比べ２０％軽量であるが７倍の引張強度を有しかつ柔軟性も有すため、ウエハの平坦度やウエハ全域での表面粗さが出しやすくなりクリーニングウエハとしての異物捕捉機能にもすぐれる。導電性ウエハの製造は以下のとおりである。アラミド系粉末又はポリイミド系粉末から選ばれる一以上の樹脂材料の粉末と後述する導電性フィラーであるカーボンナノチューブを十分混合させる。この混合物を溶融しさらに十分に練りわせ、型に流し込ことでモールド成型する。完成物の厚みは任意で、０．０４ｍｍ程度のシート状の薄いものからウエハの厚みである１ｍｍ程度のものまで製作可能である。完成物は旋盤加工と仕上げのラッピング処理により目的の表面粗さを得る。シート状ではあるがモールド成型しているため通常の樹脂シートよりも構造的に強固にできる特徴がある。この導電性一体成型樹脂層を既存のウエハの表面に貼り付ける、あるいはそのもの自身で導電性ウエハを作ることができる。【００１１】      請求項３記載の発明は導電性を確保するため、カーボンフィラー又はカーボンナノチューブから選ばれる一以上の導電性フィラーを含有する樹脂層を含むことを特徴とする、請求項１または請求項２の導電性ウエハである。導電性フィラーは���細な品質管理のされたカーボンフィラーを使っても良いし、より微細なカーボンナノチューブを使っても良い。カーボンナノチューブの場合微少であるがために半導体製造プロセスへの悪影響を与えにくいということも期待できる。【００１２】      請求項４記載の導電性ウエハは、材質構成が少なくとも一層以上のシリコン、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐から選ばれる一種以上の半導体基板材料からなる部位を含むことを特徴とする、請求項１の導電性ウエハである。一例として従来のシリコン、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐等の半導体基板に、前述した請求項２あるいは請求項３の導電性の樹脂層を貼りダミーウエハやクリーニングウエハとする。このような構成をとることで、直径３００ｍｍ以上の大口径のダミーウエハやクリーニングウエハを供給可能とする。【００１３】      請求項５に記載の半導体製造装置のクリーニング方法は、半導体製造装置の静電チャックに、請求項１又は請求項１と請求項２、請求項３、請求項４のいずれか若しくはそれらの組み合わせで構成される導電性ウエハを前記半導体製造装置内に導入し、静電チャックに装填し、静電チャックに所定電圧を与え、吸着力を一定時間維持させることで導電性ウエハを静電チャックに押し付け、静電チャック表面に付着している異物を導電性ウエハに捕捉し、前記導電性ウエハを前記静電チャックから離脱させ、異物を捕捉した導電性ウエハを半導体製造装置外に移送することにより異物の付着した静電チャックをクリーニングすることを特徴とする、半導体製造装置のクリーニング方法である。
【発明の効果】
【００１４】      本発明により以下の効果を発揮できる。すなわち、導電性ウエハ表面の体積抵抗値が１０６Ω・ｃｍ以下で、その表面粗さを５０ｎｍ以下とすることで静電チャックとの密着性を確実にできるため、クリーニングウエハとしての異物捕捉機能をウエハ全面にわたって保証できる。従来のポリイミドやアラミド樹脂に導電性をもたせることでその製造コストを下げると同時に異物の発生を抑えることができ、化学的、物理的に安定したそれらの樹脂を使用することにより寿命も長くなる。強固なアラミド樹脂を用いること、あるいは従来のシリコンウエハなどの表面に導電性の樹脂シート若しくは粉末からモールド成型した導電性の樹脂シートを貼り付けることで、大口径の製造装置に対応できるダミーウエハ、クリーニングウエハを提供できる。さらにモールド成型した一体物の導電性ウエハを形成できるためより量産性に適し、価格を下げることができる。
【発明の実施するための最良の形態】
【実施例１】
【００１５】      以下、本発明の実施の一形態の実施例を図１基づいて説明する。図１において、積層中間部にアラミド層を有す導電性ウエハ１ａを表裏面の二層の導電性ポリイミドシート２と、中間部の五層の導電性アラミドシート３を熱融着形成することで構成する。【００１６】      導電性ポリイミドシート２はカプトンＸＣ（デュポン社商品名）と呼ばれるものを使用する。一般的にポリイミド材質は−２７０℃〜４００℃までの耐熱性を有し、高弾性、機械的強度も合わせ持つ。また放射線、薬品などに対する耐性もある。従い、物理的、電気的、化学的に強い高分子材料であると言える。本発明では上記特性に加え、カーボン微粒子あるいはカーボンナノチューブなどの導電フィラーを添加して導電性を持たせたポリイミドシートを用いる。通常の半導体シリコンウエハのシート抵抗値はおよそ１００〜１０００Ω／ｃｍ２であるが、導電性ポリイミドシート２は５０〜１０００Ω／ｃｍ２とシリコンウエハと同等あるいはそれ以下のシート抵抗値を有するため、静電チャックに吸着が可能となる。【００１７】      アラミドと呼ばれる物質は、衣類などで使われるナイロンと同じ分子結合をもつ芳香族ポリアミドである。この物質の特徴は前述した高剛性に加えポリイミドと同等な耐腐食性や柔軟性を持つ。導電性アラミドシート３は太さ１０μｍ程度のアラミド繊維を編んだもので形成されている。積層中間部にアラミド層を有す導電性ウエハ１ａの全体で導電性をもたせるため、導電性アラミドシート３はアラミド繊維の中にカーボン繊維の導電フィラーを織り込んで導電性をもたせる。繊維状であるためそのシート抵抗値を計測することは困難であるが、体積抵抗率はおよそ１０６〜１０８Ω・ｃｍの範囲である。【００１８】      半導体製造装置で使われるウエハはその寸法が標準化されているため、所定の厚さに成型する必要がある。８インチシリコンウエハの標準厚さは０．７５ｍｍである。０．７５ｍｍの積層ウエハを製作する場合、導電性ポリイミドシート２の一層の厚さを０．０４ｍｍとすると、上下２層の導電性ポリイミドシート２の厚さは合計０．０８ｍｍ、導電性アラミドシート３の合計厚さは０．６７ｍｍ、となるよう積層、整形する。各層貼り付けには接着剤は用いず、プラズマ処理を施した各層に熱を加え機械的圧力により接合する熱融着整形手法を用いる。これにより真空中での接着層からのガス放出のおそれはなくなり、係る作業工程も簡単になる利点がある。別の方法としては、エポキシ系の接着剤に導電性のものを使い、各層を貼り付け、成形することもできる。一体の成型が終わると次に表面を鏡面仕上げとする。成型後の積層中間部にアラミド層を有す導電性ウエハ１ａの表面の平均粗さは０．４μｍ程度あるため、静電チャックのウエハ載置面と接触が多くの部分で不完全となりクリーニングウエハとしての異物捕捉が良好に行われないためである。鏡面仕上げはラッピング方法により行い、仕上げの平均表面粗さは５０ｎｍ以下である。【００１９】      本実施例により製作した積層中間部にアラミド層を有す導電性ウエハ１ａの体積抵抗率は１０４〜１０６Ω・ｃｍ程度の範囲であった。また表面粗さは５０ｎｍ程度が達成出来た。積層ウエハ端面の端面処理はアラミド繊維などが露出していることから、水蒸気の吸着あるいは、繊維の離脱が懸念されるが、積層ウエハ端面全周を樹脂あるいは、ガラスなどで封じ込む処理を施すことで対応できる。樹脂の場合であると、両表面層の導電性ポリイミドシート２を導電性アラミドシート３より大きく作成し、両表面層の導電性ポリイミドシート２どうしを外周部で接着させ、導電性アラミドシート３を包み込んで、外部に露出させない構造とすることも出来る。
【実施例２】
【００２０】      図２には積層中間部にシリコン層４を有す導電性ウエハ１ｂの一実施例を示す。シリコン層４の形成方法としては通常のシリコンウエハを用いる。シリコンウエハを用いるのは、従来の使用前あるいは使用後のダミーウエハを加工して本発明のクリーニングウエハとできる利点がある。また大口径のウエハ、たとえば直径３００ｍｍや次世代の直径４５０ｍｍのウエハに即時対応できる利点がある。さらに本実施例の構成では使用済みの表面の導電性ポリイミドシート２を剥離し新しい導電性ポリイミドシート２を貼りなおすことでクリーニングウエハとしての再生も可能である。以下では直径３００ｍｍの積層中間部にシリコン層４を有す導電性ウエハ１ｂを作成する場合について説明する。【００２１】      先ず直径３００ｍｍのシリコンウエハを用意する。市販の規格品のウエハで、グレードはダミーウエハや再生ウエハで十分である。このウエハを洗浄し表面の油脂など後の接着工程でシリコン層４と導電性積層ポリイミドシート２の貼り合わせに支障がでないようにする。導電性積層ポリイミドシート２を所定の外形としたものを準備する。導電性ポリイミドシート２はカプトンＸＣ（デュポン社商品名）と呼ばれるものを使用する。導電性ポリイミドシート２の厚さはシリコンウエハに貼って厚くなっても装置でハンドリングできるよう０．２ｍｍ以下とする。ここでは実施例１と同じく導電性ポリイミドシート２の一層の厚さは０．０４ｍｍとした。導電性ポリイミドシート２の一層の厚さは０．０２〜０．２ｍｍまで可能でウエハのそりやたわみの状況によって、あるいは捕捉するパーティクルの大きさや静電チャックとの密着度などを考量して決定できる。次に、導電性ポリイミドシート２をシリコン層４であるシリコンウエハに貼り付ける。ここでも実施例１同様にプラズマ処理を施した導電性ポリイミドシート２あるいはシリコン層４に熱を加え機械的圧力により接合する熱融着整形手法を用いる。これにより真空中での接着層からのガス放出のおそれはなくなり、係る作業工程も簡単になる利点がある。別の方法としては、エポキシ系の接着剤に導電性のものを使い、貼り付け、成形することもできる。一体の成型が終わると次に表面を鏡面仕上げする。成型後の積層中間部にシリコン層を有す導電性ウエハ１ｂの表面の平均粗さは実施例１の場合より少なく０．１ｍｍ程度であるがウエハ載置面と接触部分が多くできるよう鏡面仕上げを行う。鏡面仕上げラッピング方法により行い、仕上げ精度は平均表面粗さ５０ｎｍ以下である。以上により、積層中間部にシリコン層を有す導電性ウエハ１ｂを完成する。
【実施例３】
【００２２】      図３に粉末の樹脂を一体成型した導電性ウエハの実施例を示す。導電性一体成型樹脂層５は粉末状のポリイミドと導電性フィラーとしてカーボンナノチューブを十分混合させて作る。比率は重量比でカーボンナノチューブが３０〜６０％である。この混合物を高温で溶融しさらに十分に練りあわせ、ウエハの型に流し込ことでモールド成型する。型は後の寸法出しの切削分を確保するため厚み直径ともにある程度大きめに作っておく。直径２００ｍｍの導電性ウエハを完成させる場合、導電性一体成型樹脂層５のモールド成型後の直径は２０２ｍｍで厚みは０．９ｍｍである。この成型物は旋盤加工と仕上げのラッピング処理により所定の直径２００ｍｍ、厚み０．７５ｍｍに仕上げ、同時に５０ｎｍ以下の平均表面粗さを得る。
【実施例４】
【００２３】      図４に粉末の樹脂を成型して作った導電性一体成型樹脂層５をシリコン層４に貼り付けた導電性ウエハの実施例を示す。シリコン層４は従来のシリコンウエハで、直径３００ｍｍのシリコンウエハを用意する。市販の規格品のウエハで、グレードはダミーウエハや再生ウエハで十分である。このウエハを洗浄し表面の油脂など後の接着工程でシリコン層４と導電性一体成型樹脂層５の貼り合わせに支障がでないようにする。導電性一体成型樹脂層５は粉末状のポリイミドと導電性フィラーとしてカーボンナノチューブを十分混合させて作る。比率は重量比でカーボンナノチューブが３０〜６０％である。この混合物を高温で溶融しさらに十分に練りわせ、ウエハの型に流し込ことでモールド成型する。型は後の寸法出しの切削分を確保するため厚み直径ともにある程度大きめに作っておく。直径３００ｍｍの導電性ウエハを完成させる場合、導電性一体成型樹脂層５のモールド成型後の直径は３０２ｍｍで厚みは０．３ｍｍである。この成型物は旋盤加工と仕上げのラッピング処理により所定の直径３００ｍｍ、厚み０．２ｍｍに仕上げる。次にシリコン層４と導電性一体成型樹脂層５を熱可塑性ポリイミド接着シートにより高温高圧下で貼り付ける。次に表面を旋盤加工し目的の５０ｎｍの平均表面粗さが得られるようラッピング処理して、粉末の樹脂を成型して作ったシートをシリコンウエハに貼り付けた導電性ウエハ１ｄを完成させる。シリコン層４と導電性一体成型樹脂層５の接着はエポキシ系の接着剤をつかっても可能である。
【実施例５】
【００２４】      次に本発明の導電性ウエハを半導体製造装置のクリーニングウエハとして使用する場合の一実施例について説明する。実施例１、実施例２、実施例３、または実施例４で説明した導電性ウエハをクリーニングウエハとする。本発明のクリーニングウエハを半導体製造装置内に導入し、静電チャックに装填し、静電チャックに所定電圧を与え、吸着力を一定時間維持させることで導電性ウエハを静電チャックに押し付け、静電チャック表面に付着している異物を導電性ウエハに捕捉し、導電性ウエハを静電チャックから離脱させ、異物を捕捉した導電性ウエハを半導体製造装置外に移送することにより異物の付着した静電チャックをクリーニングする。具体的には静電チャックに加える電圧はシリコンウエハを吸着させるときと同程度でよい。本発明のクリーニングウエハの表面は樹脂層であるため柔らかく、静電チャックのウエハ載置面に付着している異物は静電チャックの吸着とともにクリーニングウエハの表面層に食い込み、捕捉される。一回の吸着の時間は１〜６０秒程度で十分で、何枚もシリーズにクリーニングウエハを流したほうが効果的であるため、トータルな時間を考量して決定する。上記の一連の流れを製造装置が空いているとき、あるいは必要に応じ複数のクリーニングウエハ、たとえば一ロット実施し、必要ならばさらにそれを複数回繰り返すなどして製造装置のクリーニングを行う。本発明のクリーニングウエハは片面ずつ色を変えて作っておくなどして識別し、その使用頻度、寿命を管理することもできる。また使用済みのクリーニングウエハはその表面を削ることで、付着しているゴミとともに除去することで再生が可能であり、もちろん使用済みの表面の導電性ポリイミドシート２を剥がし、新しい導電性ポリイミドシート２を表面に貼り付けても再生可能である。【００２５】      半導体エッチング装置での実験によると、セラミック表面層を有する静電チャックにおいて、本実施例によるクリーニングウエハの効果は、一回の着脱において０．１２μｍ以上のパーティクルで１０００個以上の除去が確認されている。クリーニングウエハを１０〜３０枚同装置に連続して流すことにより、パーティクル捕捉の効果はさらに顕著になる。
【産業上の利用可能性】
【００２６】      本発明の実施により、安価なダミーウエハや効果のすぐれたクリーニングウエハが提供できる。これらのダミーウエハ、クリーニングウエハは再生も可能であるため、資源の節約にも貢献できる。本発明の積層ウエハは静電チャックに吸着できるため、半導体製造装置処理室のウエハの載置面の異物の除去はもちろんのこと、処理室内で浮遊している異物を載置面の異物除去を繰り返しおこなうことで処理室を含む搬送部など同半導体製造装置全体の清掃を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】積層中間部にアラミド層を有す導電性ウエハの実施例。
【図２】積層中間部にシリコン層を有す導電性ウエハの実施例。
【図３】粉末の樹脂を一体成型した導電性ウエハの実施例。
【図４】粉末の樹脂を成型して作ったシートをシリコンウエハに貼り付けた導電性ウエハの実施例。
【符号の説明】
【００２８】１ａ    積層中間部にアラミド層を有す導電性ウエハ
１ｂ    積層中間部にシリコン層を有す導電性ウエハ
１ｃ    粉末の樹脂を一体成型した導電性ウエハ
１ｄ    粉末の樹脂を成型して作ったシートをシリコンウエハに貼り付けた導電性ウエハ
２      導電性ポリイミドシート
３      導電性アラミドシート
４      シリコン層
５      導電性一体成型樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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