(57)【要約】      （修正有）【課題】偏向器の絶縁膜における帯電による荷電ビームへの影響を低減し、精度良くウエハを露光する偏向器、その偏向器を有する荷電ビーム露光装置およびその荷電ビーム露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。【解決手段】基板に形成され荷電ビームが通過する開口と、開口の周囲に対向して設置される少なくとも２つの電極と、基板と前記電極との間に介在され基板と電極とを電気的に絶縁する絶縁膜と、を有し、絶縁膜における荷電ビームによる帯電電位に基づいて電極への印加電位が制御され、荷電ビームを偏向するため、偏向器の絶縁膜における帯電による荷電ビームへの影響を低減し、精度良くウエハを露光する。その偏向器を有する荷電ビーム露光装置およびその荷電ビーム露光装置を用いるデバイス製造方法である。【選択図】図６ｂ
2007019250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電ビームを用いてウエハを露光する荷電ビーム露光装置の前記荷電ビームを偏向する偏向器において、
基板と、
前記基板に形成され前記荷電ビームが通過する開口と、
前記開口の周囲に対向して設置される少なくとも２つの電極と、
前記基板と前記電極との間に介在され前記基板と前記電極とを電気的に絶縁する絶縁膜と、を有し、
前記絶縁膜における前記荷電ビームによる帯電電位に基づいて前記電極への印加電位が制御され、前記荷電ビームを偏向することを特徴とする偏向器。
【請求項２】
前記少なくとも２つの電極の内、１つの前記電極には前記帯電電位の極性と同極性の電位を印加する請求項１記載の偏向器。
【請求項３】
前記少なくとも２つの電極の内、１つの前記電極には前記帯電電位の極性と同極性の電位を印加し、残りの前記電極の内、少なくとも１つの前記電極には電位を印加しない請求項２記載の偏向器。
【請求項４】
」  前記少なくとも２つの電極の内、１つの前記電極には前記帯電電位よりも小である電位を印加し、残りの前記電極の内、少なくとも１つの前記電極には前記帯電電位よりも大である電位を印加する請求項１記載の偏向器。
【請求項５】
前記帯電電位よりも小である電位と前記帯電電位との差が、前記帯電電位よりも大である電位と前記帯電電位との差に等しい請求項４記載の偏向器。
【請求項６】
前記帯電電位は、前記開口を通過した前記荷電ビームの偏向角度から求められる前記絶縁膜における帯電電位である請求項１から５のいずれかに記載の偏向器。
【請求項７】
前記少なくとも２つの前記電極に印加する電位の差を一定に保持したまま、前記少なくとも２つの前記電極に印加する電位を変化させ、前記開口を通過する前記荷電ビームの偏向後のビーム径が最小となるときに、前記帯電電位は、前記少なくとも２つの前記電極に印加する電位の平均値である請求項１から６のいずれかに記載の偏向器。
【請求項８】
前記少なくとも２つの電極の内、少なくとも１つの前記電極には電位を印加しないで、残りの前記電極の内、少なくとも１つの前記電極に正の電位を印加した場合と負の電位を印加した場合とで、前記開口を通過する前記荷電ビームの偏向後のビーム径を比較し、よりビーム径が小さくなる場合の前記印加された電圧の極性の極性が前記帯電電位の極性である請求項７記載の偏向器。
【請求項９】
ライン状またはアレイ状に配列される請求項１から８のいずれかに記載の偏向器。
【請求項１０】
荷電ビームを用いてウエハを露光する荷電ビーム露光装置であって、
荷電ビームを放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第１の電子光学系と、
前記第１の電子光学系によって形成される複数の中間像をウエハ上に投影する第２の電子光学系と、
前記ウエハを保持し所定の位置に駆動して位置決めする位置決め装置と、を有し、
前記第１の電子光学系が、請求項１から９のいずれかに記載の偏向器を有することを特徴とする荷電ビーム露光装置。
【請求項１１】
前記偏向器を構成する前記絶縁膜における前記帯電電位を決定する機構は、前記偏向器を構成する前記開口を通過した前記荷電ビームの偏向角度を検出する偏向角度検出手段と、
前記荷電ビームのビーム径を測定するビーム径測定手段と、を有する請求項１０記載の荷電ビーム露光装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１記載の荷電ビーム露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に半導体集積回路等の露光に用いられる電子ビーム露光装置、イオンビーム露光装置等の荷電ビーム露光装置に関し、特に、複数の荷電ビームを用いてパターン描画を行う荷電ビーム露光装置に用いる偏向器、その荷電ビーム露光装置およびその荷電ビーム露光装置を用いるデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の荷電ビームを用いてパターン描画を行う荷電ビーム露光装置が、“安田  洋：応用物理  ６９、１１３５（１９９４）”（非特許文献１）に示される。
図６（ａ）の断面図、図６（ｂ）の平面図には荷電ビーム露光装置に用いられるブランキングアパーチャアレイが示される。ブランキングアパーチャアレイは偏向器をアレイ状に配列したもので、複数の電子ビームの照射を個別に制御する。この偏向器は、基板５０、この基板５０に開口された開口５１、および基板５０に設けられる第１及び第２のブランキング電極５２、５３から成る。開口５１を通過した荷電粒子ビームを試料上に照射する時には、第１及び第２のブランキング電極５２、５３ に接地電位の信号を印加し、遮断する時には、第１及び第２のブランキング電極５２、５３に正負の電位の信号を同時に印加する。絶縁膜５４は、基板５０と電極５２、５３との間に介在され基板５０と電極５２，５３とを電気的に絶縁する。
また、ブランキングアパーチャアレイの作製方法として、シリコンなどの半導体結晶の基板５０に複数の開口５１を所定間隔で２次元的に配列し形成し、各開口５１の周囲に偏向電極５２，５３対を形成することにより作製する方法が紹介されている。具体的には、Ｓｉ基板５０の表面に、ブランキングアパーチャアレイに対応した凹部を形成し、各々の凹部に隣接して偏向電極５２，５３をめっきにより形成した後、基板５０の表面から、めっき下地として使われた導体層を除去し、その後でＳｉ基板５０の裏面をウェットエッチングしてメンブレンを形成する。ウェットエッチングは、Ｓｉ基板５０を、その裏面の一部を除き保護した状態で実行する。
【０００３】
また、特開２００４−２８２０３８号公報（特許文献１）にて、多数のブランキング電極への配線を可能にし、製造ラインにおけるコンタミネーションの影響を受けない偏向器として、複数の貫通口と、その貫通口を通過する荷電ビームの軌道を制御するために、各貫通口の側壁に対向して設けられた第１電極及び第２電極から成る電極対とを有する電極基板と、電極基板の各電極対に、個別の電位を印加するために、各電極対と接続する接続配線パッドを有する配線基板とを有し、配線基板の接続配線パッドとを介して、電極基板と配線基板とが接合して形成されるものが提案されている。
【特許文献１】特開２００４−２８２０３８号公報
【非特許文献１】安田  洋：応用物理  ６９、１１３５（１９９４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来例の図６（ａ）（ｂ）に示される偏向器はブランキングアパーチャアレイ以外にアライナーとして用いられる場合があり、偏向電極５２，５３の付近に例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜５４が広範囲に露出する。このため、荷電ビームが照射された場合に、絶縁膜５４においてチャージアップつまり帯電を引き起こし、開口５１を通過する荷電ビームに影響を与え、精度良くウエハを露光することが困難になる場合があった。
そこで、本発明は、偏向器の絶縁膜における帯電による荷電ビームへの影響を低減し、精度良くウエハを露光する偏向器、その偏向器を有する荷電ビーム露光装置およびその荷電ビーム露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。  
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の偏向器は、荷電ビームを用いてウエハを露光する荷電ビーム露光装置の前記荷電ビームを偏向する偏向器において、
基板と、前記基板に形成され前記荷電ビームが通過する開口と、前記開口の周囲に対向して設置される少なくとも２つの電極と、前記基板と前記電極との間に介在され前記基板と前記電極とを電気的に絶縁する絶縁膜と、を有し、
前記絶縁膜における前記荷電ビームによる帯電電位に基づいて前記電極への印加電位が制御され、前記荷電ビームを偏向することを特徴とする。
さらに、本発明の偏向器は、前記少なくとも２つの電極の内、１つの前記電極には前記帯電電位の極性と同極性の電位を印加する。
さらに、本発明の偏向器は、前記少なくとも２つの電極の内、１つの前記電極には前記帯電電位の極性と同極性の電位を印加し、残りの前記電極の内、少なくとも１つの前記電極には電位を印加しない。
さらに、本発明の偏向器は、前記少なくとも２つの電極の内、１つの前記電極には前記帯電電位よりも小である電位を印加し、残りの前記電極の内、少なくとも１つの前記電極には前記帯電電位よりも大である電位を印加する。
さらに、本発明の偏向器は、前記帯電電位よりも小である電位と前記帯電電位との差が、前記帯電電位よりも大である電位と前記帯電電位との差に等しい。
さらに、本発明の偏向器は、前記帯電電位は、前記開口を通過した前記荷電ビームの偏向角度から求められる前記絶縁膜における帯電電位である。
さらに、本発明の偏向器は、前記少なくとも２つの前記電極に印加する電位の差を一定に保持したまま、前記少なくとも２つの前記電極に印加する電位を変化させ、前記開口を通過する前記荷電ビームの偏向後のビーム径が最小となるときに、前記帯電電位は、前記少なくとも２つの前記電極に印加する電位の平均値である。
さらに、本発明の偏向器は、前記少なくとも２つの電極の内、少なくとも１つの前記電極には電位を印加しないで、残りの前記電極の内、少なくとも１つの前記電極に正の電位を印加した場合と負の電位を印加した場合とで、前記開口を通過する前記荷電ビームの偏向後のビーム径を比較し、よりビーム径が小さくなる場合の前記印加された電圧の極性の極性が前記帯電電位の極性である。
さらに、本発明の偏向器は、ライン状またはアレイ状に配列される。
さらに、本発明の荷電ビーム露光装置は、荷電ビームを用いてウエハを露光する荷電ビーム露光装置であって、
荷電ビームを放射する荷電粒子源と、前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第１の電子光学系と、前記第１の電子光学系によって形成される複数の中間像をウエハ上に投影する第２の電子光学系と、前記ウエハを保持し所定の位置に駆動して位置決めする位置決め装置と、を有し、前記第１の電子光学系が、請求項１から９のいずれかに記載の偏向器を有することを特徴とする。
さらに、本発明の荷電ビーム露光装置は、前記偏向器を構成する前記絶縁膜における前記帯電電位を決定する機構は、前記偏向器を構成する前記開口を通過した前記荷電ビームの偏向角度を検出する偏向角度検出手段と、
前記荷電ビームのビーム径を測定するビーム径測定手段と、を有する。
さらに、本発明のデバイス製造方法は、前記荷電ビーム露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の偏向器によれば、基板と、前記基板に形成され前記荷電ビームが通過する開口と、前記開口の周囲に対向して設置される少なくとも２つの電極と、前記基板と前記電極との間に介在され前記基板と前記電極とを電気的に絶縁する絶縁膜と、を有し、前記絶縁膜における前記荷電ビームによる帯電電位に基づいて前記電極への印加電位が制御され、前記荷電ビームを偏向するため、偏向器の絶縁膜における帯電による荷電ビームへの影響を低減し、精度良くウエハを露光する。
さらに、本発明の偏向器によれば、前記少なくとも２つの電極の内、１つの前記電極には前記帯電電位の極性と同極性の電位を印加する。
さらに、本発明の偏向器は、前記少なくとも２つの電極の内、１つの前記電極には前記帯電電位の極性と同極性の電位を印加し、残りの前記電極の内、少なくとも１つの前記電極には電位を印加しない。
このため、偏向器の絶縁膜における帯電による荷電ビームへの影響をより低減し、より精度良くウエハを露光する。具体的に、図１、図６（ａ）（ｂ）を参照して、本発明の偏向器のこの作用効果について計算を行った結果を説明する。本発明の偏向器は、電子ビームが通過する開口５１の左右に対向する２つの電極５２，５３を有し、開口５１の上下には帯電する物質である絶縁膜５４を有する。２つの電極５２，５３のうち一つの電極５２は接地電位つまり電位を印加しない状態で固定する。もう一方の電極５３には、偏向器に必要な偏向感度から求めた値に正負の符号をつけた２種類の電位を印加する。ある一定の収束角を持った電子ビームを、上記のように電極５２，５３に電位を印加した状態の偏向器に通過させ、電子ビームを偏向させる。この状態で上下の絶縁膜５４の帯電電位を変化させ、その時のボケ量をプロットしたものが図１に示される。
図１中の実線は偏向器の電極５２に接地電位つまり印加しない場合と電極５３に正の駆動電位とを印加した場合、点線は電極５２に接地電位と電極５３に負の駆動電位とを印加した場合のボケ量である。この計算結果から分かるよういに偏向器の２つの電極５２，５３の内、一方の電極５２を接地電位にする場合は、もう一方の電極５３を帯電電位と同極性で駆動した場合の方が電子ビームのボケ量がより小さくなる。
さらに、本発明の荷電ビーム露光装置によれば、第１の電子光学系が、前記偏向器を有するため、偏向器の絶縁膜における帯電による荷電ビームへの影響を低減し、精度良くウエハを露光する。
さらに、本発明のデバイス製造方法によれば、前記荷電ビーム露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備するため、偏向器の絶縁膜における帯電による荷電ビームへの影響を低減し、精度良くウエハを露光し、半導体デバイスの製造能率も向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照して本発明を、その実施例に基づいて説明する。
【実施例１】
【０００８】
次に、図２の要部概略図を参照して、アレイ状に配列された本発明の実施例１の偏向器を用いた電子ビーム露光装置を説明する。
なお、以下の本発明の実施例１は荷電ビームとして電子ビーム１ａを採用した描画用の電子ビーム露光装置であるが、本発明は、イオンビーム等の他の種類の荷電ビームを用いた露光装置にも適用できる。
マルチソースモジュール１は、複数の電子源像を形成し、その電子源像から電子ビーム１ａを放射する装置で、３ｘ３に配列され、その詳細については後述する。磁界レンズアレイ２１、２２、２３、２４は、３ｘ３に配列された同一形状の開口を有する磁性体円板ＭＤを間隔を置いて上下に配置し、共通のコイルＣＣによって励磁されるものである。その結果、各開口部分が各磁界レンズＭＬの磁極となり、レンズ磁界を発生させる。各マルチソースモジュール１の複数の電子源像は、磁界レンズアレイ２１、２２、２３、２４の対応する４つの磁界レンズＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３、ＭＬ４によって、ウエハ４上に投影される。ひとつのマルチソースモジュール１からの電子ビーム１ａがウエハ４に照射するまでに、その電子ビーム１ａに作用する光学系をカラムと定義する。すなわち、本実施例１は、９カラム（ｃｏｌ．１〜ｃｏｌ.９）の構成である。この時、磁界レンズアレイ２１と磁界レンズアレイ２２の対応する２つの磁界レンズで、一度、像を形成し、次にその像を磁界レンズアレイ２３と磁界レンズアレイ２４の対応する２つの磁界レンズでウエハ４上に投影する。磁界レンズアレイ２１、２２、２３、２４のそれぞれの励磁条件を共通コイルで個別に制御することにより、各カラムの光学特性（焦点位置、像の回転、倍率）のそれぞれを略一様に言い換えれば同じ量だけ調整することができる。
主偏向器３は、マルチソースモジュール１からの複数の電子ビームを偏向させて、複数の電子源像をウエハ４上でＸ、Ｙ方向に変位させる装置である。
ステージ５は、ウエハ４を載置し、光軸ＡＸ（Ｚ軸)と直交するＸＹ方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能な装置で、ステージ基準板６が固設されている。
反射電子検出器７は、電子ビームによってステージ基準板６上のマークが照射された際に生じる反射電子を検出する装置である。
【０００９】
次に、図３は、一つのカラムの詳細図で、図３を用いてマルチソースモジュール１およびマルチソースモジュール１からウエハ４の照射される電子ビームの光学特性の調整機能について説明する。
クロスオーバ像を形成する電子源１０１は電子銃から成る。この電子源１０１から放射される電子ビームは、コンデンサーレンズ１０２によって略平行な電子ビーム１０１ａとなる。本実施例１を構成するコンデンサーレンズ１０２は、３枚の開口電極からなる静電レンズである。アパーチャアレイ１０３は、開口が２次元的に配列されて形成されるアレイ、レンズアレイ１０４は、同一の光学パワーを有する静電レンズが２次元的に配列されて形成されるアレイである。偏向器アレイ１０５、１０６は、個別に駆動可能な静電の偏向器が２次元的に配列されて形成される。ブランカーアレイ１０７は、個別に駆動可能な静電のブランカーが平面状に配列して形成される。ビーム径を測定するステージ２９は、露光中は荷電ビームが通過する領域に干渉しない位置にあり、偏向器の駆動電位を決定する際には荷電ビームである電子ビーム１０１ａが通過する位置に移動し、ビーム径の測定を行う。
本発明の実施例１の偏向器１０５、１０６、１０７はレンズアレイ１０４の下方に設けられる。
【００１０】
次に、図４を用いて各機能を説明する。
コンデンサーレンズ１０２からの略平行な電子ビームは、アパーチャアレイ１０３によって複数の電子ビーム１０１ａに分割される。分割された電子ビーム１０１ａは、対応するレンズアレイ１０４の静電レンズを介して、ブランカーアレイ１０７の対応するブランカー上に、電子源の中間像１０１ｂを形成する。この時、偏向器アレイ１０５、１０６は、ブランカーアレイ１０７上に形成される電子源の中間像１０１ｂの位置（光軸と直交する面内の位置）を個別に調整する。また、ブランカーアレイ１０７で偏向された電子ビーム１０１ａは、図３に示されるブランキングアパーチャＡＰによって遮断されるため、ウエハ４には照射されない。一方、ブランカーアレイ１０７で偏向されない電子ビーム１０１ａは、図３のブランキングアパーチャＡＰによって遮断されないため、ウエハ４に照射される。
図３に戻り、マルチソースモジュール１で形成された電子源の複数の中間像は、磁界レンズアレイ２１と磁界レンズアレイ２２の対応する２つの磁界レンズを介してウエハ４に投影される。
この時、複数の中間像がウエハ４に投影される際の光学特性のうち、像の回転、倍率は、ブランカーアレイ上の各中間像の位置を調整できる偏向器アレイ１０５、１０６で調整でき、焦点位置は、カラム毎に設けられた静電若しくは磁界レンズから成るダイナミックフォーカスレンズ１０８、１０９で調整できる。
【００１１】
次に、図５を参照して、本発明の実施例１の偏向器が適用される荷電ビーム露光装置のシステム構成を説明する。
ブランカーアレイ制御回路４１は、ブランカーアレイ１０７を構成する複数のブランカーを個別に制御する回路、偏向器アレイ制御回路４２は、偏向器アレイ１０４、１０５を構成する偏向器を個別に制御する回路、Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路４３は、ダイナミックフォーカスレンズ１０８、１０９を個別に制御する回路、主偏向器制御回路４４は、主偏向器３を制御する回路、反射電子検出回路４５は、反射電子検出器７からの信号を処理する回路である。これらのブランカーアレイ制御回路４１、偏向器アレイ制御回路４２、Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路４３、主偏向器制御回路４４、反射電子検出回路４５は、カラムの数（ｃｏｌ．１〜ｃｏｌ.９）と同じだけ装備されている。磁界レンズアレイ制御回路４６は、磁界レンズアレイ２１、２２、２３、２４のそれぞれの共通コイルを制御する回路、ステージ駆動制御回路４７は、ステージの位置を検出する不図示のレーザ干渉計と共同してステージ５を駆動制御する制御回路である。主制御系４８は、上記複数の制御回路を制御し、電子ビーム露光装置全体を管理する。
【００１２】
次に、図６（ａ）の断面図、図６（ｂ）の平面図を参照して荷電ビームを用いてウエハを露光する荷電ビーム露光装置に適用される本発明の実施例１の偏向器を説明する。
開口５１は、基板５０に形成され荷電ビームが通過する。少なくとも２つの電極５２，５３は、開口５１の周囲に対向して設置される。絶縁膜５４は、基板５０と電極５２，５３との間に介在され基板５０と電極５２，５３とを電気的に絶縁する。さらに、絶縁膜５４における荷電ビームによる帯電電位に基づいて電極５２，５３への印加電位が制御され、荷電ビームを偏向する。
さらに、少なくとも２つの電極５２，５３の内、１つの電極５２には帯電電位の極性と同極性の電位を印加する場合も有る。
さらに、少なくとも２つの電極５２，５３の内、１つの電極５２には帯電電位の極性と同極性の電位を印加し、残りの電極の内、少なくとも１つの電極５３には電位を印加しない場合も有る。
さらに、少なくとも２つの電極５２，５３の内、１つの電極５２には帯電電位よりも小である電位を印加し、残りの電極の内、少なくとも１つの電極５３には帯電電位よりも大である電位を印加する場合も有る。
さらに、帯電電位よりも小である電位と帯電電位との差が、帯電電位よりも大である電位と帯電電位との差に等しい場合も有る。
さらに、帯電電位は、開口５１を通過した荷電ビームの偏向角度から求められる絶縁膜５４における帯電電位である場合も有る。
さらに、少なくとも２つの電極５２，５３に印加する電位の差を一定に保持したまま、少なくとも２つの電極５２，５３に印加する電位を変化させ、開口５を通過する荷電ビームの偏向後のビーム径が最小となるときに、帯電電位は、少なくとも２つの電極５２，５３に印加する電位の平均値である場合も有る。
さらに、少なくとも２つの電極５２，５３の内、少なくとも１つの電極５２には電位を印加しないで、残りの電極の内、少なくとも１つの電極５３に正の電位を印加した場合と負の電位を印加した場合とで、開口５１を通過する荷電ビームの偏向後のビーム径を比較し、よりビーム径が小さくなる場合の印加された電圧の極性の極性が帯電電位の極性である場合も有る。
以上の種々の印加電位を電極５２，５３に加えることにより
また、本実施例１の偏向器は、ライン状またはアレイ状に配列される。
さらに、荷電ビームを用いてウエハを露光する荷電ビーム露光装置を構成する第１の電子光学系が、本発明の実施例１の偏向器を有する。
さらに、本発明の実施例１の偏向器を構成する絶縁膜５４における帯電電位を決定する機構は、偏向器を構成する開口５１を通過した荷電ビームの偏向角度を検出する偏向角度検出手段である偏向角度検出センサー３０と、荷電ビームのビーム径を測定するビーム径測定手段であるステージ２９と、を有する。
【実施例２】
【００１３】
次に、本発明の実施例２として、上記本発明の実施例１の偏向器を有する荷電ビーム露光装置を用いた半導体デバイスの製造プロセスを説明する。
図８は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップ２（ＥＢデータ変換）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記露光制御データが入力された露光装置とウエハを用い、リソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付け露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例１の偏向器の効果の説明図である。
【図２】本発明の実施例１の偏向器を有する荷電ビーム露光装置の要部概略図である。
【図３】本発明の実施例１の偏向器を有する荷電ビーム露光装置のカラム毎の電子光学系の説明図である。
【図４】本発明の実施例１の偏向器を有する荷電ビーム露光装置のマルチソースモジュールの機能の説明図である。
【図５】本発明の実施例１の偏向器を有する荷電ビーム露光装置のシステムの構成図である。
【図６ａ】従来例および本発明の実施例１の偏向器の断面図である。
【図６ｂ】図６（ａ）の平面図である。
【図７】本発明の実施例１の偏向器を有する荷電ビーム露光装置を用いた本発明の実施例２の半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【符号の説明】
【００１５】
１  マルチソースモジュール    １ａ  電子ビーム
２１、２２、２３、２４  磁界レンズアレイ
２９  ステージ  ３０  偏向角度検出センサー
３  主偏向器  ４  ウエハ  ５  ステージ  ６  ステージ基準板  
４１  ブランカーアレイ制御回路  ４２  偏向器アレイ制御回路
４３  Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路  ４４  主偏向制御回路
４５  反射電子検出回路        ４６  磁界レンズアレイ制御回路
４７  ステージ駆動制御回路    ４８  主制御系
５０  基板  ５１  開口  ５２，５３  電極  ５４  絶縁膜
１０１  電子源  １０１ａ  電子ビーム
１０１ｂ  中間像  １０２  コンデンサーレンズ
１０３  アパーチャアレイ      １０４  レンズアレイ
１０５、１０６  偏向器アレイ  １０７  ブランカーアレイ
１０８、１０９  ダイナミックフォーカスレンズ
ＭＬＡ  磁界レンズアレイ  ＭＬ  磁界レンズ
ＭＤ  磁性体円板          ＣＣ  共通コイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７】
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