(57)【要約】【課題】スタンバイ移行時に保護回路の動作を維持する。【解決手段】スタンバイ時にオフ時制御回路２４によって第２電源回路２２の動作を維持し、保護回路系１２の動作を維持する。さらに、第１電源回路２０の出力トランジスタＱ６のベースから第２電源回路２２の出力トランジスタＱ３ベースに向けてダイオードＤ１を介し電圧を供給できるようにした。このため、第２電源回路２２の瞬間的な動作停止も防止することができる。【選択図】図１
2007201999.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンプに対しその動作電圧を出力トランジスタを介し供給する第１電圧供給回路と、
前記アンプにおける回路素子の保護動作を行う保護回路に対しその動作電圧を出力トランジスタを介し供給する第２電圧供給回路と、
スタンバイ時に前記第１および第２電圧供給回路の電源供給をオフするスタンバイ回路と、
スタンバイ回路による電源供給オフ動作を検出し、前記第２電圧供給回路の動作を所定時間だけ維持するオフ時制御回路と、
を含み、
前記第１電圧供給回路の出力トランジスタのベースと前記第２電圧供給回路の出力トランジスタのベースとを、前記第１電圧供給回路の出力トランジスタのベースから前記第２電圧供給回路の出力トランジスタのベースに向けて電流を流すダイオードによって接続することを特徴とする増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、増幅回路のスタンバイ移行時における回路素子保護に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、オーディオ機器などにおける低周波増幅回路などにおいては、端子の誤接続等に起因した大電流によって内部の回路素子が破壊されるのを防止するために保護回路を設けている。
【０００３】
一方、無駄な電力消費を抑制するという観点から、増幅回路の非動作時において、不要な回路への電力供給を断つ、スタンバイ機能を有している。
【０００４】
図２には、スタンバイ機能を有する増幅回路におけるの一例が示されている。スタンバイＳＷ端子１０には抵抗Ｒ１を介しＮＰＮ型のトランジスタＱ１が接続されている。トランジスタＱ１はエミッタがグランドに接続され、コレクタは抵抗Ｒ２を介し電源Ｖｃｃに接続されている。
【０００５】
抵抗Ｒ２とトランジスタＱ１のコレクタの接続点には、ＰＮＰ型のトランジスタＱ２のベースが接続され、このトランジスタＱ２のエミッタは電源Ｖｃｃ、コレクタはＮＰＮ型のトランジスタＱ３のベースに接続されている。トランジスタＱ３のコレクタは電源Ｖｃｃ、エミッタは保護回路系１２に接続されている。
【０００６】
また、抵抗Ｒ３とトランジスタＱ４のコレクタの接続点には、ＰＮＰ型のトランジスタＱ５のベースが接続され、このトランジスタＱ５のエミッタは電源Ｖｃｃ、コレクタはＮＰＮ型のトランジスタＱ６のベースに接続されている。トランジスタＱ６のコレクタは電源Ｖｃｃ、エミッタはＡＭＰ／バイアス回路系１４に接続されている。
【０００７】
さらに、トランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ４，Ｒ５を介しグランドに接続され、この抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続点は、コンデンサＲＦを介しグランドに接続されている。
【０００８】
このような回路において、抵抗Ｒ３、トランジスタＱ５，Ｑ６によって、ＡＭＰ／バイアス回路系１４に動作電圧が供給される。一方、抵抗Ｒ２、トランジスタＱ２，Ｑ３によって、保護回路系１２に動作電圧が供給される。
【０００９】
一方、スタンバイモードに移行する場合には、スタンバイＳＷ端子１０にＬレベルが入力される。これによって、トランジスタＱ１，Ｑ４がオフし、トランジスタＱ２，Ｑ３，Ｑ５，Ｑ６がオフして、保護回路系１２、ＡＭＰ／バイアス回路系１４への動作電圧の供給が停止される。なお、コンデンサＲＦを有しているため、ＡＭＰ／バイアス回路系１４へ供給される動作電圧は急激には下がらず徐々に下がるようになっている。これは、アンプなどを急激にオフすると、出力が急激に変化し、出力先のスピーカにおいてポップ音が発生するなどの不具合を防止するためである。
【００１０】
このように、スタンバイモードに移行した際にトランジスタＱ３、Ｑ６からの出力がなくなり、保護回路系１２およびＡＭＰ／バイアス回路系１４への電力供給が停止される。
【００１１】
【特許文献１】特開平９−２９４０２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述の従来の回路において、出力端の誤接続によるショートなどにより、アンプなどに大電流が流れると、保護回路系１２が動作して、電流をカットする。これによって、回路素子が保護される。
【００１３】
ここで、保護回路系１２が動作している状態において、スタンバイモードに移行して、スタンバイＳＷ端子１０にＬレベルが入力されると、保護回路系１２はすぐに動作しなくなる。一方、ＡＭＰ／バイアス回路系１４の動作は程度継続される。そこで、ＡＭＰ／バイアス回路系１４のアンプなどの回路素子が破壊されるおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、アンプに対しその動作電圧を出力トランジスタを介し供給する第１電圧供給回路と、前記アンプにおける回路素子の保護動作を行う保護回路に対しその動作電圧を出力トランジスタを介し供給する第２電圧供給回路と、スタンバイ時に前記第１および第２電圧供給回路の電源供給をオフするスタンバイ回路と、スタンバイ回路による電源供給オフ動作を検出し、前記第２電圧供給回路の動作を所定時間だけ維持するオフ時制御回路と、を含み、前記第１電圧供給回路の出力トランジスタのベースと前記第２電圧供給回路の出力トランジスタのベースとを、前記第１電圧供給回路の出力トランジスタのベースから前記第２電圧供給回路の出力トランジスタのベースに向けて電流を流すダイオードによって接続することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、スタンバイ時にオフ時制御回路によって第２電源回路の動作を維持すると共に、第１電源回路の出力トランジスタのベースから第２電源回路のベースに向けて電圧を供給できるようにしたため、第２電源回路の瞬間的な動作停止も防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１は、実施形態の構成を示す回路図である。このように、図２の従来例と同様に、スタンバイＳＷ端子１０には抵抗Ｒ１を介しＮＰＮ型のトランジスタＱ１が接続されている。トランジスタＱ１はエミッタがグランドに接続され、コレクタは抵抗Ｒ２を介し電源Ｖｃｃに接続されている。
【００１８】
抵抗Ｒ２とトランジスタＱ１のコレクタの接続点には、ＰＮＰ型のトランジスタＱ２のベースが接続され、このトランジスタＱ２のエミッタは電源Ｖｃｃ、コレクタはＮＰＮ型のトランジスタＱ３のベースに接続されている。トランジスタＱ３のコレクタは電源Ｖｃｃ、エミッタは保護回路系１２に接続されている。これら抵抗Ｒ２、トランジスタＱ２、Ｑ３によって、保護回路系１２にその動作電圧を供給する第２電圧供給回路２０が構成されている。
【００１９】
さらに、抵抗Ｒ３とトランジスタＱ４のコレクタの接続点には、ＰＮＰ型のトランジスタＱ５のベースが接続され、このトランジスタＱ５のエミッタは電源Ｖｃｃ、コレクタはＮＰＮ型のトランジスタＱ６のベースに接続されている。トランジスタＱ６のコレクタは電源Ｖｃｃ、エミッタはＡＭＰ／バイアス回路系１４に接続されている。これら抵抗Ｒ３、トランジスタＱ５、Ｑ６によって、ＡＭＰ／バイアス回路系１４にその動作電圧を供給する第１電圧供給回路２２が構成されている。
【００２０】
また、トランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ４，Ｒ５を介しグランドに接続され、この抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続点は、コンデンサＲＦを介しグランドに接続されている。
【００２１】
トランジスタＱ１と抵抗Ｒ２の接続点には、ＮＰＮ型のトランジスタＱ７のコレクタに接続されて、このトランジスタＱ７のエミッタはグランドに接続されている。また、第１電圧供給回路２２の出力であるトランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ６、Ｒ７を介しグランドに接続され、この抵抗Ｒ６、Ｒ７の接続点にＰＮＰ型のトランジスタＱ８のベースが接続されている。このトランジスタＱ８のエミッタは、抵抗Ｒ４、Ｒ５の接続点に接続され、コレクタは抵抗Ｒ８を介しグランドに接続されている。また、トランジスタＱ８のコレクタと抵抗Ｒ６の接続点にトランジスタＱ７のベースが接続されている。
【００２２】
抵抗Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８、トランジスタＱ７，Ｑ８、コンデンサＲＦがオフ時制御回路２４を構成している。
【００２３】
そして、本実施形態においては、第１電圧供給回路２２のトランジスタＱ６のベースにアノードが接続され、第２電圧供給回路２０のトランジスタＱ３のベースにカソードが接続されたダイオードＤ１が設けられている。
【００２４】
このような回路の動作について、説明する。
【００２５】
通常時において、トランジスタＱ１，Ｑ４はオンであり、第１電圧供給回路２２の出力トランジスタＱ６からＡＭＰ／バイアス回路系１４に、第２電圧供給回路２０の出力トランジスタＱ３から保護回路系１２に動作電圧が供給されている。
【００２６】
この状態において、トランジスタＱ８はオフとなっている。すなわち、抵抗Ｒ４，Ｒ５により分割される電圧値と、抵抗Ｒ６，Ｒ７により分割される抵抗値を適切に設定することで、トランジスタＱ８のベース電圧がそのエミッタ電圧に対し１ＶＢＥ以上低い電圧にならないようにすることで、通常時トランジスタＱ８をオフできる。なお、本実施形態ではトランジスタＱ８のベース電圧がそのエミッタ電圧より高くなるようにして、トランジスタＱ８を確実にオフさせている。トランジスタＱ８がオフであるため、トランジスタＱ７のベースがＬレベルとなって、トランジスタＱ７もオフである。
【００２７】
ここで、スタンバイＳＷ端子１０への入力がＬレベルになると、トランジスタＱ１，Ｑ４がオフする。これによって、トランジスタＱ５がオフして、トランジスタＱ６がオフする。ここで、上述のように抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続点は、コンデンサＲＦによってその電圧が保持されているため、トランジスタＱ８のエミッタ電圧はすぐには下がらない。一方、抵抗Ｒ６，Ｒ７の接続点の電圧は、トランジスタＱ６のオフによってすぐにグランド電圧になる。これによって、トランジスタＱ８がオンし、コンデンサＲＦに充電された電圧がトランジスタＱ８、抵抗Ｒ８を介しグランドに流れる。従って、トランジスタＱ７のベースがＨレベルとなり、トランジスタＱ７がオンし、抵抗Ｒ２に電流が流れる。これによって、トランジスタＱ２，Ｑ３がオンして保護回路系１２に動作電圧が供給されることになる。なお、抵抗Ｒ８の抵抗値を大きくすることで、コンデンサＲＦに充電電圧が急速に下がることを防止することができる。そして、トランジスタＱ８がオンしている限りは、保護回路系１２に通常と同様の動作電圧が供給され、ＡＭＰ／バイアス回路系１４の動作が停止してから保護回路系１２が停止する。
【００２８】
このような回路において、抵抗Ｒ３、トランジスタＱ５，Ｑ６によって、ＡＭＰ／バイアス回路系１４に動作電圧が供給される。一方、抵抗Ｒ２、トランジスタＱ２，Ｑ３によって、保護回路系１２に動作電圧が供給される。
【００２９】
このように、オフ時制御回路２４によって、第２電圧供給回路２０の動作を維持することで、保護回路系１２の動作中において、スタンバイＳＷ端子１０がＬレベルとなりスタンバイモードとなった場合においても、保護回路系１２の動作を延長することができる。
【００３０】
ところが、トランジスタＱ１がオフしてから上述のオフ時制御回路２４によりトランジスタＱ７がオンするまでには、若干の動作遅れ時間がある。通常は、数μｓｅｃ程度の短時間であるが、上述したような出力端の短絡のような異常においては、そのような時間であっても、保護回路系１２の動作が停止することによって回路素子が破壊されるおそれがある。
【００３１】
このように、異常接続で保護回路が動作時、スタンバイ移行時の過渡状態において、第２電圧供給回路の動作電流が多いため、Ｑ２のＶＣＥ飽和電圧が、Ｑ５のＶＣＥ飽和電圧より約０．３Ｖ程度大きい。このため、ダイオードＤ１によりＴｒＱ３のベース電位は、ＴｒＱ６のベース電位より、バイアス供給を受け、これによってＴｒＱ２がオフしてからＴｒＱ３がオフするまでの時間を遅らせることができる。
【００３２】
すなわち、上述のようなトランジスタＱ７がオンするまでの短時間において、ダイオードＤ１を介して供給される電圧によってトランジスタＱ３をオンすることができ、スタンバイ移行直後における瞬時の保護回路系１２の動作停止を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】実施形態の構成を示す図である。
【図２】従来例の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０  スタンバイＳＷ端子、１２  保護回路系、１４  ＡＭＰ／バイアス回路系、２０  第１電圧供給回路、２２  第２電圧供給回路、２４  オフ時制御回路。
【図１】
2007201999.tif 000003
【図２】
2007201999.tif 000004