(57)【要約】【課題】レジストパターンの開口の寸法及び形状の変動を容易に抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、周期的なパターンを露光するためのフォトマスク装置２０を備える。フォトマスク装置２０は、マトリックス状に透光パターン２６が配置された透光パターン形成領域を有するパターン形成用マスク２１と、中央に形成された採光領域２７と採光領域２７を囲む光遮断部２８とを有する採光領域区画用マスク２２とを備える。採光領域区画用マスク２２が、透光パターン形成領域の周縁部に形成された透光パターン２６ｂを透過した露光光の内、０次回折光を遮断し、かつ、１次回折光を透過させるように配置される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期的なパターンを露光するためのフォトマスク装置を備える露光装置であって、
前記フォトマスク装置は、マトリックス状に透光パターンが配置された透光パターン形成領域を有する第１のフォトマスクと、中央に形成された光透過領域と該光透過領域を囲む光遮断領域とを有する第２のフォトマスクとを備え、該第２のフォトマスクが、前記透光パターン形成領域の周縁部に形成された透光パターンを透過した露光光の内、０次回折光を遮断し、かつ、１次回折光を透過させるように配置されることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第２のフォトマスクは、被露光体よりも前記第１のフォトマスクに近接して配置される、請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２のフォトマスクは、前記第１のフォトマスクよりも被露光体に近接して配置される、請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記０次回折光の方向が、前記第２のフォトマスクの鉛直方向とほぼ同じである、請求項１〜３の何れか一に記載の露光装置。
【請求項５】
前記０次回折光の方向と前記第２のフォトマスクの鉛直方向とが成す角度と、前記１次回折光と前記第２のフォトマスクの鉛直方向とが成す角度とがほぼ等しい、請求項１〜３の何れか一に記載の露光装置。
【請求項６】
露光装置を用い周期的なパターンを露光する露光方法であって、
マトリックス状に透光パターンが配置された透光パターン形成領域を有する第１のフォトマスクと、中央に形成された光透過領域と該光透過領域を囲む光遮断領域とを有する第２のフォトマスクとを、露光光の進行方向に順次に並べ、
前記第２のフォトマスクが、前記透光パターン形成領域の周縁部に形成された透光パターンを透過した露光光の内、０次回折光を遮断し、かつ、１次回折光を透過させるように、前記第１及び第２のフォトマスクを配置することを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び露光方法に関し、特に、半導体装置製造のフォトリソグラフィ工程に好適に適用される技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置製造のフォトリソグラフィ工程では、半導体基板の表面にフォトレジストを塗布した後、露光、現像、及び、エッチングを経て、使用済みのフォトレジストを除去する一連のプロセスが行われる。近年のフォトリソグラフィ工程では、半導体装置の配線幅の微小化に伴い、微細なパターンを形成する必要があり、高い位置精度による露光が要請されている。
【０００３】
図１２に従来の露光装置の概要を示す。露光装置２００は、光源から出射された露光光５０をフォトマスク６０に照射する照射光学系１０と、フォトマスク６０の透光パターンを透過した露光光５０を、被露光体４０上に投影する投影光学系３０とから構成されている。照射光学系１０及び投影光学系３０は、レンズ等の各種の光学機器から構成されている。図中の符号１１，１２は、照明光学系１０のフライアイレンズ及び光学絞りをそれぞれ示している。被露光体４０として、表面にフォトレジスト膜が形成された半導体基板４１が配置される。
【０００４】
フォトリソグラフィ工程では、先ず、露光装置２００を用い、露光光５０をフォトマスク６０の透光パターンを介してフォトレジスト膜上に投影する。ポジ型のフォトレジストでは、現像プロセスを経ることによって、露光光５０が投影されたフォトレジスト膜の部分が除去され、フォトマスク６０の透光パターンに対応した開口を有するレジストパターンが形成される。
【０００５】
レジストパターンの開口は、例えば半導体基板４１に形成する半導体素子の配列に対応して、マトリックス状に配列される。図１３（ａ）にレジストパターンの構成の一例を示す。レジストパターン４２は、半導体基板４１の上部に成膜された絶縁膜に円筒形のコンタクトホールを形成する際に用いられるものであって、円形の開口４３が、マトリックス状に形成されている。符号４４、４５は、周囲領域、及び、パターン形成領域をそれぞれ示している。
【０００６】
図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のレジストパターンの形成に用いられる従来のフォトマスクの構成を示している。フォトマスク６０では、レジストパターンの開口４３に対応して、矩形状の透光パターン６１がマトリックス状に配設されている。符号６２、６３は、光遮断部、及び、パターン形成領域４５に対応する領域をそれぞれ示している。
【０００７】
ところで、近年の露光装置では、露光の解像度を高めるため、露光に際して直接光の他に回折光を用いている。ところが、回折光を用いた露光を従来のフォトマスクを用いて行うと、実際に形成されるレジストパターンでは、パターン形成領域の周縁部に形成される開口の寸法が縮小する問題があった。図１４に、回折光を用いた露光方法で、上記フォトマスク６０を用いて実際に形成されたレジストパターンの形状を示す。レジストパターン４２’では、パターン形成領域４５の縁部に沿って配列した最外周の開口４３ｂの寸法が縮小している。
【０００８】
つまり、回折光を用いた露光では、フォトレジスト膜上で、パターン形成領域４５の中央部の開口４３ａが形成される部分では、上下左右の４方向に隣接する透光パターン６１からの回折光が投影される。これに対して、最外周の開口４３ｂが形成される部分では、領域６３の外側に透光パターン６１が配列されていないため、その回折光が投影されない。このように、フォトレジスト膜上で、最外周の開口４３ｂが形成される部分に投影される露光光５０の光量が不足するために生じたものである。
【０００９】
最外周の開口４３ｂの寸法の縮小を防止するために、例えば図１５に示すように、最外周の透光パターン６１ｂの寸法を拡大する方法が知られている。また、同図に示すように、領域６３の外側に、解像限界以下の寸法を有するダミー透光パターン６１ｃを配置し、ダミー透光パターン６１ｃからの回折光を利用する方法も知られている。フォトマスクにダミー透光パターンを配設する露光技術については、例えば特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００４−３４８１１８号公報（図４等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図１５のフォトマスク６４を用いた露光によれば、フォトレジスト膜上で、最外周の開口４３ｂが形成される部分に投影される露光光５０の光量を増やすことが出来る。これによって、最外周の開口４３ｂの寸法の縮小を防止できる。
【００１１】
しかし、上記露光では、フォトレジスト膜上で、最外周の開口４３ｂが形成される部分と、中央部の開口４３ａが形成される部分との間で、照射される直接光及び回折光の光量が異なる。従って、最外周の開口４３ｂの形状が、中央部の開口４３ａの形状に完全に一致しない問題があった。
【００１２】
また、フォトマスク６４で、最外周の透光パターン６１ｂやダミー透光パターン６１ｃの寸法の設計は、実際には容易でない。このため、フォトマスク６４の形成に先立って光学シミュレーションを行い、得られる開口４３ｂの寸法及び形状を予測し、また、光学シミュレーションによる予測を行った後に、レジストパターン４２を実際に形成してその精度を確認する必要があり、多くの手間を必要とするという問題があった。
【００１３】
本発明は、上記に鑑み、レジストパターンの開口の寸法及び形状の変動を容易に抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の露光装置は、周期的なパターンを露光するためのフォトマスク装置を備える露光装置であって、
前記フォトマスク装置は、マトリックス状に透光パターンが配置された透光パターン形成領域を有する第１のフォトマスクと、中央に形成された光透過領域と該光透過領域を囲む光遮断領域とを有する第２のフォトマスクとを備え、該第２のフォトマスクが、前記透光パターン形成領域の周縁部に形成された透光パターンを透過した露光光の内、０次回折光を遮断し、かつ、１次回折光を透過させるように配置されることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の露光方法は、露光装置を用い周期的なパターンを露光する露光方法であって、
マトリックス状に透光パターンが配置された透光パターン形成領域を有する第１のフォトマスクと、中央に形成された光透過領域と該光透過領域を囲む光遮断領域とを有する第２のフォトマスクとを、露光光の進行方向に順次に並べ、
前記第２のフォトマスクが、前記透光パターン形成領域の周縁部に形成された透光パターンを透過した露光光の内、０次回折光を遮断し、かつ、１次回折光を透過させるように、前記第１及び第２のフォトマスクを配置することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の露光装置及び露光方法によれば、被露光体を構成するフォトレジスト膜上で、パターン形成領域の最外周の開口が形成される部分と、中央部の開口が形成される部分との間で、投影される直接光（０次回折光）、及び、１次回折光の光量をそれぞれ一致させることが出来る。従って、レジストパターンで、最外周の開口の寸法及び形状を、中央部の開口の寸法及び形状に一致させることが出来る。
【００１７】
第１のフォトマスク及び第２のフォトマスクが簡素な構成を有し、それらの設計に際して、最外周の開口の寸法を予測する光学シミュレーションや、その精度の確認を行う必要が無い。従って、図１５に記載の従来の露光装置に比して、フォトマスクの設計を容易に行うことが出来る。このように、レジストパターンの開口の寸法及び形状の変動を容易に抑制できる露光装置及び露光方法を実現している。
【００１８】
なお、本発明では、透光パターン形成領域の周縁部の透光パターンを透過した露光光の内、第２のフォトマスクの光透過領域に向かう回折光を正の回折光とする。
【００１９】
本発明の露光装置では、前記第２のフォトマスクは、被露光体よりも前記第１のフォトマスクに近接して配置されてもよく、又は、前記第１のフォトマスクよりも被露光体に近接して配置されてもよい。
【００２０】
本発明の露光装置では、前記０次回折光の方向が、前記第２のフォトマスクの鉛直方向とほぼ同じであってもよく、又は、前記０次回折光の方向と前記第２のフォトマスクの鉛直方向とが成す角度と、前記１次回折光と前記第２のフォトマスクの鉛直方向とが成す角度とがほぼ等しくてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、図面を参照し、本発明の実施形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る露光装置の構成を示す断面図である。露光装置１００は、図示しない光源と、光源から出射された露光光５０をフォトマスク装置２０に照射する照射光学系１０と、フォトマスク装置２０の光透過部を通過した露光光５０を、ステージ上に載置された被露光体４０上に投影する投影光学系３０とを備える。
【００２２】
照射光学系１０は、光源側から入射した光束の光強度を、光軸に垂直な面内で均一化するフライアイレンズ１１と、フライアイレンズ１１を通過した光束の輪郭を規定する光学絞り１２とを備える。フライアイレンズ１１は、複数の小型のレンズを平行に束ねたレンズ群として構成され、個々のレンズが焦点を結ぶ点光源群を形成する。図２は、光学絞りを示している。光学絞り１２は、同図に示すように、円形の開口領域１３を備え、光束の輪郭を円形に規定する。
【００２３】
投影光学系３０は、フォトマスク装置２０のパターンを１／５若しくは１／４の縮小率で縮小して被露光体４０上に投影する。被露光体４０は、表面にポジ型のフォトレジスト膜が塗布された半導体基板４１である。
【００２４】
フォトマスク装置２０は、図１３（ａ）に示したレジストパターン４２の形成に用いられるものであって、一対のフォトマスクから成るフォトマスク対として構成される。フォトマスク装置２０は、光源側から順次に配設された、パターン形成用マスク２１、及び、採光領域区画用マスク２２から構成される。採光領域区画用マスク２２は、採光領域区画用マスク２２を鉛直方向に移動可能な駆動装置２３に搭載されている。
【００２５】
パターン形成用マスク２１及び採光領域区画用マスク２２は何れも、ガラスから成る透明基板２４と、透明基板２４上に形成された遮光膜２５とを備える。遮光膜２５が形成されていない領域が光透過部２６，２７を、遮光膜２５が形成された領域が光遮断部２８をそれぞれ構成する。パターン形成用マスク２１及び採光領域区画用マスク２２は、相互間の光学的な配置を調節し易くするため、遮光膜２５が相互に対向するように配置されている。
【００２６】
図３（ａ）は、パターン形成用マスクの平面構造を示している。同図中、符号２９は、レジストパターンのパターン形成領域４５に対応する領域を示している。パターン形成用マスクの光透過部（透光パターン）２６は、レジストパターンの開口４３の寸法に対応して、所定寸法に形成されると共に、開口４３の配列に対応して、マトリックス状に配列されている。個々の透光パターン２６は、正方形に形成されている。
【００２７】
透光パターン２６は、領域２９の内側に配列された透光パターン２６ａと、領域２９の外側に領域２９の縁部に沿って配列された１列の透光パターン２６ｂとから成る。透光パターン２６ａ、２６ｂを含み、透光パターン２６が形成された領域が、透光パターン形成領域を構成する。透光パターン２６は、投影光学系３０の縮小率に対応して、開口４３のピッチの５倍若しくは４倍のピッチで形成されている。
【００２８】
図３（ｂ）は、採光領域区画用マスクの平面構造を示している。採光領域区画用マスクの光透過部（採光領域）２７は、透光パターン２６を透過した直接光又は回折光を採光する範囲を区画する。採光領域２７は、パターン形成領域４５の形状に対応して正方形状に形成され、且つ、その境界が、パターン形成用マスク２１における、領域２９の最外周の透光パターン２６ｃと、領域２９の外側の透光パターン２６ｂとの間に位置するように形成されている。
【００２９】
図４は、パターン形成用マスク２１及びその近傍を露光光５０が進行する様子を示している。露光光５０は、パターン形成用マスク２１の内部では、同位相面５６が基板面に平行な平面波として進行し、パターン形成用マスク２１を通過すると、同位相面５６が遮光膜２５が形成されていない開口部分５７を中心とする球面波として進行する。各開口部分５７から進行する球面波は、位相が等しい角度方向では互いに強め合い、位相が異なる角度方向では互いに打ち消し合う。このため、透光パターン２６のピッチ及び露光光５０の波長で決定される角度方向に回折光が生じる。
【００３０】
回折光のうち、パターン形成用マスク２１へ入射する露光光５０と平行に進行する光（直接光）を０次回折光と呼び、上記露光光５０に対して所定の角度で進行する回折光については、角度が小さいものから順に１次回折光、２次回折光、・・・と呼んでいる。また、０次回折光から見た方向により正負を区別し、１次回折光，２次回折光，・・・、又は、−１次回折光，−２次回折光，・・・と呼んでいる。本発明では、前述のように、領域２９の外側の透光パターン２６ｂを透過した回折光については、採光領域区画用マスクの採光領域２７に向かう回折光を正の回折光としている。
【００３１】
ｎ次回折光の回折角θnは、透光パターン２６のピッチをＰ、露光光の波長をλとして、sin(θn)＝ｎλ／Ｐ（ｎ＝０，±１，±２，・・・）で表される。各次の回折光は、透光パターン２６の透過光情報をフーリエ変換した際の各成分に対応し、０次回折光は平均の光量の情報を、ｎ次回折光は透光パターン２６のピッチのｎ倍の周期情報をそれぞれ持っている。
【００３２】
本実施形態では露光に際して、−１次、０次、及び、１次の回折光５１〜５３を用いる。投影光学系３０は、−１次、０次、及び、１次の回折光５１〜５３を被露光体４０上に投影する。なお、一般に、２次以上又は−２次以下の回折光は、正方形に形成された透光パターン２６の矩形性の情報を持っているため、円形の開口４３を形成するためには使用しない方がよい。このため、−２次回折光５５及び２次回折光５４を含むその他の回折光は、透光パターン形成領域の全領域からの回折光について、投影光学系３０が投影可能な範囲を超えた回折角θnを有する構成としている。本実施形態においても、このような構成を採用するものである。
【００３３】
図５に、図１におけるパターン形成用マスク及び採光領域区画用マスクの一部を拡大して示す。露光に際して、同図に示すように、パターン形成用マスク２１における、領域２９の外側の透光パターン２６ｂからの０次回折光５１が、光遮断部２８で遮光され、且つ、上記透光パターン２６ｂからの１次回折光５２が、採光領域２７を透過できるように、パターン形成用マスク２１に対する採光領域区画用マスク２２の位置を設定する。なお、この間隔は、照射光学系１０の照射条件、及び、透光パターン２６の寸法、ピッチ等の条件によって異なり、条件に応じて駆動装置２３を用いて調節する。
【００３４】
本実施形態の露光装置１００では、フォトレジスト膜上で、パターン形成領域４５の最外周の開口４３ｂが形成される部分には、パターン形成用マスク２１における領域２９の外側の透光パターン２６ｂからの１次回折光が投影される。ここで、透光パターン２６ｂは、領域２９の内側の透光パターン２６ａと同じ寸法及び形状を有している。
【００３５】
従って、フォトレジスト膜上で、パターン形成領域４５の最外周の開口４３ｂが形成される部分には、パターン形成領域４５の中央部の開口４３ａが形成される部分と同じ光量の直接光及び１次回折光が投影される。
【００３６】
図６は、図１の露光装置を用いたフォトリソグラフィ工程を示している。先ず、半導体基板４１上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト膜を形成する（ステップＳ１）。パターン形成用マスク２１に対する採光領域区画用マスク２２の位置合わせを行った（ステップＳ２）後、フォトレジスト膜の露光を行なう（ステップＳ３）。引き続き、フォトレジスト膜を現像することによって、開口４３を有するレジストパターン４２を形成する（ステップＳ４）。
【００３７】
本実施形態の露光装置１００によれば、フォトレジスト膜で、最外周の開口４３ｂが形成される部分と、中央部の開口４３ａが形成される部分との間で、投影される直接光及び１次回折光の光量をそれぞれ一致させることが出来る。従って、レジストパターン４２で、最外周の開口４３ｂの寸法及び形状を、中央部の開口４３ａの寸法及び形状に一致させることが出来る。
【００３８】
パターン形成用マスク２１及び採光領域区画用マスク２２が簡素な構成を有し、それらの設計に際して、最外周の開口４３ｂの寸法を予測する光学シミュレーションや、その精度の確認を行う必要が無い。従って、図１５に記載の従来の露光装置に比して、フォトマスクの設計を容易に行うことが出来る。このように、レジストパターンの開口の寸法及び形状の変動を容易に抑制することが出来る。
【００３９】
上記実施形態では、パターン形成領域が正方形である場合について説明したが、パターン形成領域が正方形以外の形状である場合にも、本発明を適用できる。下記に説明する第１実施形態の変形例では、パターン形成領域が、略十字形の形状を有している。本変形例では、採光領域区画用マスクの採光領域２７は、図７（ａ）に示すように、レジストパターンのパターン形成領域の形状に対応し、略十字形に形成されている。パターン形成用マスクは、図３（ａ）と同じものを用いることが出来る。図７（ｂ）は、図３（ａ）のパターン形成用マスクにおいて、本変形例に係るレジストパターンのパターン形成領域に対応する領域２９を示している。
【００４０】
本変形例では、パターン形成用マスク２１における、領域２９の外側の１列目の透光パターン２６ｂからの０次回折光５１が、光遮断部２８で遮光され、且つ、上記透光パターン２６ｂからの１次回折光５２が、採光領域２７を透過できるように、パターン形成用マスク２１に対する採光領域区画用マスク２２の位置を設定する。なお、領域２９の外側の透光パターン２６ｂは、領域２９の縁部に沿って１列のみ配設されればよい。
【００４１】
図８は、本発明の第２実施形態に係る露光装置の構成を示している。露光装置１０１では、採光領域区画用マスク２２が、被露光体４０に近接して配設され、採光領域２７は、レジストパターンのパターン形成領域４５と同じ倍率で形成されている。本実施形態でも、露光に際して、第１実施形態と同様に、パターン形成用マスク２１における、領域２９の外側の透光パターン２６ｂからの０次回折光５１が、光遮断部２８で遮光され、且つ、１次回折光５２が、採光領域２７を透過できるように、採光領域区画用マスク２２の位置を設定する。本実施形態の露光装置１０１によれば、第１実施形態の露光装置１００と同様に、レジストパターンの開口４３の寸法及び形状の変動を容易に抑制することが出来る。
【００４２】
図９は、本発明の第３実施形態に係る露光装置の構成を示している。図１０は、同図の光学絞り１２の平面構造を示している。露光装置１０２は、斜入射照明法を採用した露光装置であって、これらの図中に示されるように、光学絞りの開口領域１３がリング状（環状）に形成されている。露光装置１０２では、露光光５０は、パターン形成用マスク２１に対して斜め上方から入射する。０次回折光５１は、この露光光５０の入射方向と同じ方向に進行する光であって、鉛直方向に対する０次回折光５１の角度と、鉛直方向に対する１次回折光５２の角度とが等しくなるように、開口領域１３の形状が設定されている。
【００４３】
投影光学系３０は、０次回折光５１及び１次回折光５２を被露光体４０上に投影し、−１次回折光５３を含むその他の回折光は、透光パターン形成領域の全領域からの回折光について、投影光学系３０が投影可能な範囲を超えた回折角θnを有する構成とする。
【００４４】
図１１に、図９におけるパターン形成用マスク及び採光領域区画用マスクの一部を拡大して示す。露光に際して、同図に示すように、パターン形成用マスク２１における、領域２９の外側の透光パターン２６ｂからの０次回折光５１が、光遮断部２８で遮光され、且つ、上記透光パターン２６ｂからの１次回折光５２が、採光領域２７を透過できるように、パターン形成用マスク２１に対する採光領域区画用マスク２２の位置を設定する。本実施形態の露光装置１０２は、上記を除いては、図１の露光装置１００と同様の構成を有している。
【００４５】
本実施形態の露光装置１０２によれば、第１実施形態の露光装置１００と同様に、レジストパターンの開口４３の寸法及び形状の変動を容易に抑制することが出来る。また、２つの回折光を用いた露光を行うことによって、第１実施形態の露光装置１００に比して焦点深度を深くできる。なお、本実施形態でも、図８に示したように、被露光体４０に近接して採光領域区画用マスク２２を配設する構成としてもよい。
【００４６】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明の露光装置及び露光方法は、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施した露光装置及び露光方法も、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る露光装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１の光学絞りの構成を示す平面図である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、図１のパターン形成用マスク及び採光領域区画用マスクの構成をそれぞれ示す平面図である。
【図４】図１のパターン形成用マスク及びその近傍を露光光が進行する様子を示す断面図である。
【図５】図１のパターン形成用マスク及び採光領域区画用マスクの一部を拡大して示す断面図である。
【図６】図１の露光装置を用いた露光方法の手順を示すフローチャートである。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の変形例における採光領域区画用マスク及びパターン形成用マスクの構成をそれぞれ示す平面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る露光装置の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る露光装置の構成を示す断面図である。
【図１０】図９の光学絞りの構成を示す平面図である。
【図１１】図９のパターン形成用マスク及び採光領域区画用マスクの一部を拡大して示す断面図である。
【図１２】従来の露光装置の構成を示す断面図である。
【図１３】図１３（ａ）は、レジストパターンの構成の一例を示す平面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のレジストパターンの形成に用いられるフォトマスクの構成を示す平面図である。
【図１４】図１３（ｂ）のフォトマスクを用いて実際に形成されるレジストパターンの構成を示す平面図である。
【図１５】図１３（ａ）のレジストパターンの形成に用いられる別のフォトマスクの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１００，１０１，１０２：露光装置
１０：照射光学系
１１：フライアイレンズ
１２：光学絞り
１３：開口領域
２０：フォトマスク装置
２１：パターン形成用マスク
２２：採光領域区画用マスク
２３：駆動装置
２４：透明基板
２５：遮光膜
２６，２６ａ，２６ｂ，２６ｃ：透光パターン（パターン形成用マスクの光透過部）
２７：採光領域（採光領域区画用マスクの光透過部）
２８：光遮断部
２９：領域
３０：投影光学系
４０：被露光体
４１：半導体基板
４２：レジストパターン
４３，４３ａ，４３ｂ：開口
４４：周囲領域
４５：パターン形成領域
５０：露光光
５１：０次回折光
５２：１次回折光
５３：−１次回折光
５４：２次回折光
５５：−２次回折光
５６：（露光光の）同位相面
【図１】
2007142130.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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