(57)【要約】【課題】  基板上に配線層などを形成した場合に、剥離やクラックなどが生じにくく、信頼性の高いセラミック基板を提供する。【解決手段】  このセラミック基板では、アルミナなどの無機質フィラーと残部を低融点のガラスとから構成されているとともに、平面方向に、第１の領域１ａと第２の領域１ｂとが形成された単一のセラミック層１を備えている。そして、第１の領域１ａを構成するセラミックのヤング率は、第２の領域１ｂを構成するセラミックのヤング率よりも小さくされている。また、セラミック層１の第１の領域１ａ上には、所定のパターンを有する金属からなる配線層２が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面方向に第１の領域と第２の領域とが形成されているセラミック層を備え、
前記第１の領域を構成するセラミックのヤング率は、前記第２の領域を構成するセラミックのヤング率より小さい、セラミック基板。
【請求項２】
前記第１の領域を構成するセラミックと前記第２の領域を構成するセラミックとの組成が異なっている、請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項３】
前記セラミック層上に配線層をさらに備え、
前記配線層は、前記第１の領域上に形成されている、請求項１または２に記載のセラミック基板。
【請求項４】
請求項１〜３に記載のセラミック基板を用いた電子デバイス。
【請求項５】
前記セラミック層は、前記セラミック基板の最表面に配置されている、請求項４に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、セラミック基板およびこれを用いた電子デバイスに関し、特に、電子部品などを表面に実装するセラミック基板およびこれを用いた電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子デバイス用の基板として、機械的強度の大きいセラミック層を基板の表面に形成することにより、基板全体の機械的強度を大きくしたセラミック基板が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
図１０は、従来の機械的強度の大きいセラミック層が表面に形成されたセラミック基板の構造を説明するための断面図である。図１０を参照して、従来の機械的強度の大きいセラミック層が表面に形成されたセラミック基板の構造について説明する。
【０００４】
従来の機械的強度の大きいセラミック層が表面に形成されたセラミック基板１０１では、図１０に示すように、アルミナなどの無機質フィラーと残部を低融点ガラスとからなる第１セラミック層１０２ａが複数積層された内層１０２が形成されている。
【０００５】
内層１０２の上面上および下面上には、第１セラミック層１０２ａとは異なる割合の無機質フィラーおよび低融点ガラスからなり、第１セラミック層よりも抗折強度および引張強度などの機械的強度の大きい第２セラミック層１０３ａが複数積層された表層１０３が形成されている。このようにして、従来の機械的強度の大きいセラミック層が表面に形成されたセラミック基板１０１が構成されている。
【０００６】
図１１は、従来の機械的強度の大きいセラミック層が表面に形成されたセラミック基板の製造プロセスを説明するための断面図である。図１１を参照して、従来の機械的強度の大きいセラミック層が表面に形成されたセラミック基板の製造プロセスについて説明する。
【０００７】
まず、図１１に示すように、所定の割合で無機質フィラー、低融点ガラス、溶媒およびバインダーを混合してシート状に成形した第１のセラミックグリーンシート１０２ｐと、第１のセラミックグリーンシート１０２ｐとは異なる割合で無機質フィラーおよび低融点ガラスを含む第２のセラミックグリーンシート１０３ｐとをそれぞれ形成した後、第１のセラミックグリーンシート１０２ｐをそれぞれ複数枚重ね合わせるとともに、その最上面および最下面に第２のセラミックグリーンシート１０３ｐをそれぞれ複数枚重ね合わせた成形体１０１ｐを形成する。
【０００８】
次に、成形体１０１ｐを大気中などで焼結することにより、図１０に示すように、内層１０２の上面および下面に表層１０３を有するセラミック基板１０１が形成される。
【０００９】
このセラミック基板１０１は、内層１０２と内層１０２よりも機械的強度の大きい表層１０３とが積層されているので、内層１０２だけの場合と比較して、その機械的強度を大きくすることができる。
【００１０】
このようなセラミック基板は、高周波フィルタや複合モジュールなどの電子デバイス用の基板として用いることができる（例えば、特許文献３参照）。
【００１１】
この場合、セラミック基板の表面に半導体デバイスやチップコンデンサなどの電子部品や配線層が形成され、さらに、セラミック基板の内部に所定の配線パターンを有する配線層が形成される。
【００１２】
セラミック基板の表面および内部の配線層は、焼成することによりセラミック層となるセラミックグリーンシートの上面上に銀ペーストなど金属ペーストを所定の配線パターンに形成し、これらの金属ペーストが形成されたセラミックグリーンシートを重ね合わせた成形体を焼結することにより形成することができる。また、セラミック基板に表面実装される電子部品は、セラミック基板の上面上に形成された配線層上にハンダ付けすることにより固定することができる。
【特許文献１】特開平６−２９６６４号公報
【特許文献２】特開平１０−１９４８２８号公報
【特許文献３】特開２００３−１７１１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記した従来の機械的強度の大きいセラミック層が表面に形成されたセラミック基板１０１であっても、セラミック基板１０１の表面および内部に配線層および電子部品などを形成する場合には、第１のセラミックグリーンシート１０２ｐおよび第２のセラミックグリーンシート１０３ｐと、焼成することにより配線層となる金属ペーストおよび電子部品を固定するハンダとの熱収縮特性が異なっているので、この配線層および電子部品の周囲の第１セラミック層１０２ａおよび第２セラミック層１０３ａには局所的に応力が作用する。これにより、第１セラミック層１０２ａおよび第２セラミック層１０３ａにクラックが生じやすく、第１セラミック層１０２ａ、第２セラミック層１０３ａ、配線層および電子部品との間に剥離が生じたりすることにより、信頼性が低下するという問題点があった。
【００１４】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、
この発明の１つの目的は、剥離やクラックなどが生じにくく、信頼性が高いセラミック基板を提供することである。
【００１５】
この発明のもう１つの目的は、信頼性の高い電子デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面によるセラミック基板は、平面方向に第１の領域と第２の領域とが形成されているセラミック層を備え、第１の領域を構成するセラミックのヤング率は、第２の領域を構成するセラミックのヤング率より小さい。
【００１７】
この第１の局面によるセラミック基板では、上記のように、セラミック層の平面方向、すなわち、セラミック層の厚み方向に対して垂直な方向にヤング率の異なるセラミックからなる第１の領域と第２の領域とが形成されているので、例えば、このセラミック層上に配線層などを形成することにより、配線層周辺のセラミック層に局所的な応力が作用した場合であっても、ヤング率の小さい第１の領域が微小変形することにより、この応力を緩和することができる。また、セラミック基板の落下衝突時に配線層周辺のセラミック層に局所的な応力が作用した場合であっても、同様に、この応力集中を緩和することができる。これにより、セラミック基板全体が大きく変形することを抑制することができるので、セラミック層と配線層などとの剥離およびセラミック層内でのクラックの発生を抑制することができる。その結果、信頼性の高いセラミック基板を得ることができる。
【００１８】
なお、本発明において、「セラミック基板」とは、単一のセラミック層から構成される基板や複数のセラミック層を含む積層体から構成される基板を含む広い概念である、また、本発明のセラミック基板では、さらに、セラミック層の表面に配線層などが形成されていてもよい。
【００１９】
上記第１の局面によるセラミック基板において、好ましくは、第１の領域を構成するセラミックと前記第２の領域を構成するセラミックとの組成が異なっている。すなわち、第１の領域を構成するセラミックと前記第２の領域を構成するセラミックとにそれぞれ含まれているセラミックの種類および割合の少なくともいずれかが異なっている。このように構成すれば、容易に、第１の領域を構成するセラミックと第２の領域を構成するセラミックとのヤング率を異なるようにすることができる。これにより、セラミック基板に局所的に作用する応力を容易に緩和することができる。
【００２０】
なお、十分な応力の緩和効果を得るためには、第１の領域を構成するセラミックのヤング率は、第２の領域を構成するセラミックのヤング率の約９０％以下とするのが好ましいと考えられる。
【００２１】
上記第１の局面によるセラミック基板において、好ましくは、セラミック層上に配線層をさらに備え、配線層は、第１の領域上に形成されている。このように構成すれば、配線層の形成により生じる局所的な応力は、主に、ヤング率が小さく、変形しやすい第１の領域に作用するので、この応力をさらに効果的に緩和することができる。
【００２２】
この発明の第２の局面による電子デバイスは、上記第１の局面によるセラミック基板を用いている。すなわち、この電子デバイスは、平面方向に第１の領域と第２の領域とが形成されているセラミック層を備え、第１の領域を構成するセラミックのヤング率は、第２の領域を構成するセラミックのヤング率より小さいセラミック基板を用いている。
【００２３】
この第２の局面による電子デバイスでは、上記のように、セラミック層の平面方向、すなわち、セラミック層の厚み方向に対して垂直な方向にヤング率の異なるセラミックからなる第１の領域と第２の領域とが形成されているので、例えば、このセラミック層上に配線層などを形成することにより、配線層周辺のセラミック層に局所的な応力が作用した場合であっても、ヤング率の小さい第１の領域が微小変形することにより、この応力を緩和することができる。また、セラミック基板の落下衝突時に配線層周辺のセラミック層に局所的な応力が作用した場合であっても、同様に、この応力集中を緩和することができる。これにより、セラミック基板全体が大きく変形することを抑制することができるので、セラミック層と配線層などとの剥離およびセラミック層内でのクラックの発生を抑制することができる。その結果、信頼性の高い電子デバイスを得ることができる。
【００２４】
上記第２の局面による電子デバイスにおいて、好ましくは、セラミック層は、セラミック基板の最表面に配置されている。このように構成することにより、さらに、セラミック基板の表面に電子部品などを形成する場合に電子部品の周囲のセラミック基板の周辺に局所的な応力が作用した場合であっても、容易にこの応力を緩和することができる。これにより、電子部品を表面実装した後のセラミック基板全体が大きく変形することを抑制することができるので、セラミック層と配線層および電子部品などとの剥離およびセラミック層内でのクラックの発生を抑制することができる。その結果、さらに信頼性が高い電子デバイスを得ることができる。
【００２５】
なお、本発明における「電子デバイス」とは、例えば、高周波フィルタなどの電子回路、半導体チップおよび受動部品であるコンデンサ、インダクタ、あるいは、これらを組み合わせた複合モジュール部品など含む広い概念である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２７】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態によるセラミック基板の構造を説明するための断面図である。図１を参照して、本発明の第１実施形態によるセラミック基板の構造について説明する。
【００２８】
本発明の第１実施形態によるセラミック基板では、図１に示すように、アルミナなどの無機質フィラーと残部を低融点のガラスとから構成されている単一のセラミック層１を備えている。
【００２９】
セラミック層１には、平面方向、すなわち、セラミック層１の厚み方向に対して垂直な方向に、第１の領域１ａと第２の領域１ｂとが形成されており、第１の領域１ａを構成するセラミックは、アルミナと非晶質ガラス（ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ−Ｂ２Ｏ３）とを約４５：約５５の重量比で含有しており、約１００ＧＰａ〜約１２０ＧＰａのヤング率を有している。また、第２の領域１ｂを構成するセラミックは、アルミナと結晶系ガラス（ＣａＯ−ＭｇＯ−ＳｉＯ２−ＺｎＯ２）とを約３５：約６５の重量比で含有しており、約１４０ＧＰａのヤング率を有している。このように、第１の領域１ａを構成するセラミックのヤング率は、第２の領域１ｂを構成するセラミックのヤング率よりも小さくされている。
【００３０】
セラミック層１の第１の領域１ａ上には、所定のパターンを有する金属からなる配線層２が形成されている。このようにして、本発明の第１実施形態によるセラミック基板が構成されている。
【００３１】
図２〜図５は、本発明の第１実施形態によるセラミック基板の製造プロセスを説明するための断面図である。図２〜図５を参照して、本発明の第１実施形態によるセラミック基板の製造プロセスを説明する。
【００３２】
［セラミックグリーンシート原料の作製］
まず、セラミック層１の第１の領域１ａを構成するセラミックの組成と同じ割合でアルミナなどの無機質フィラーと低融点のガラスとを含む原料粉末を準備し、この原料粉末に、ＩＰＡなどのアルコール類、酢酸ブチルおよびシンナーなどの溶媒と、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）などのバインダーと、可塑剤とを添加、混合することにより、第１のセラミック混合物を形成する。
【００３３】
同様に、セラミック層１の第２の領域１ｂを構成するセラミックの組成と同じ割合でアルミナなどの無機質フィラーと低融点のガラスとを含む原料粉末を準備し、この原料粉末に、ＩＰＡなどのアルコール類、酢酸ブチルおよびシンナーなどのなどの溶媒と、ＰＶＢなどのバインダーと、可塑剤とを添加、混合することにより、第２のセラミック混合物を形成する。
【００３４】
［セラミックグリーンシートの作製］
次に、図２に示すように、耐熱性を有する基板５０上に開口部５１ａを有するポリアルキレングリコールまたはポリアルキレングリコールをセグメントとして含む共重合体などの加熱消失性樹脂からなるマスク層５１を形成する。この開口部５１ａは、マスク層５１にレーザ光の照射などによる局所的な加熱を行うことで形成することができる。
【００３５】
次に、図３に示すように、この開口部５１ａ内に第１のセラミック混合物を充填した後、マスク層５１を約１５０℃〜約３００℃に加熱することにより、基板５０上からマスク層５１を除去する。これにより、第１のセラミック混合物からなるパターン１ａｐを形成する。
【００３６】
次に、図４に示すように、マスク５１が除去された基板１０上に第２のセラミック混合物を塗布することにより、第２のセラミック混合物からなるパターン１ｂｐを形成した後、基板５０から分離することにより、第１のセラミック混合物からなるパターン１ａｐと第２のセラミック混合物からなるパターン１ｂｐとを平面方向に有するセラミックグリーンシート１ｐを形成する。
【００３７】
［配線層の作製］
次に、図５に示すように、セラミックグリーンシート１ｐの上面上に、所定のパターンを有する銀ペーストなどの金属ペースト２ｐを形成する。この所定のパターンを有する金属ペースト２ｐは、スクリーン印刷などにより形成することができる。
【００３８】
［セラミック基板の作製］
次に、金属ペースト２ｐが形成されたセラミックグリーンシート１ｐを大気中などで約８００℃〜約１０００℃で焼成することにより、図１に示すように、第１の領域１ａと第２の領域１ｂとからなるセラミック層１が形成され、セラミック層１の第１の領域１ａ上には、所定のパターンを有する配線層２が形成される。このようにして、本発明の第１実施形態によるセラミック基板が形成される。
【００３９】
第１実施形態では、上記のように、セラミック層１の平面方向、すなわち、セラミック層１の厚み方向に対して垂直な方向にヤング率の異なるセラミックからなる第１の領域１ａと第２の領域１ｂとが形成されているので、セラミック層１に作用する局所的な応力を効果的に緩和することができる。すなわち、配線層２の形成によりセラミック層１に作用する局所的な応力に対しては、ヤング率の小さい第１の領域１ａが微小変形するので、セラミック基板全体が大きく変形することを抑制することができるので、セラミック層１と配線層２などとの剥離およびセラミック層１内でのクラックの発生を抑制することができる。その結果、信頼性の高いセラミック基板を得ることができる。
【００４０】
また、第１実施形態では、第１の領域１ａを構成するセラミックのヤング率（約１００ＧＰａ〜約１２０ＧＰａ）は、第２の領域１ｂを構成するセラミックのヤング率（約１４０ＧＰａ）の約７１％〜約８６％の値を有しているので、セラミック層１の機械的強度をあまり低下させることなく、セラミック基板に作用する局所的な応力を十分緩和することができると考えられる。
【００４１】
また、第１実施形態では、配線層２は、ヤング率の小さい第１の領域１ａ上に形成されているので、配線層２の形成により生じる局所的な応力は、主に、ヤング率が小さく、変形しやすい第１の領域１ａに作用する。これにより、この応力をさらに効果的に緩和することができる。
【００４２】
（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態による電子デバイスの構造を説明するための断面図である。図６を参照して、本発明の第２実施形態による電子デバイスの構造について説明する。
【００４３】
本発明の第２実施形態による電子デバイスでは、セラミック基板２０は、複数のセラミック層１１〜１７が積層された構造を有している。各セラミック層１１〜１７には、それぞれ、平面方向に、第１の領域１ａと第２の領域１ｂとが形成されており、第１の領域１ａを構成するセラミックは、アルミナと非晶質ガラス（ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ−Ｂ２Ｏ３）とを約４５：約５５の重量比で含有しており、約１００ＧＰａ〜約１２０ＧＰａのヤング率を有している。また、第２の領域１ｂを構成するセラミックは、アルミナと結晶系ガラス（ＣａＯ−ＭｇＯ−ＳｉＯ２−ＺｎＯ２）とを約３５：約６５の重量比で含有しており、約１４０ＧＰａのヤング率を有している。このように、第１の領域１ａを構成するセラミックのヤング率は、第２の領域１ｂを構成するセラミックのヤング率よりも小さくされている。
【００４４】
また、セラミック層１１〜１７の第１の領域１ａの上面上および下面上の少なくともいずれかの面上には、所定のパターンを有する金属からなる配線層２がそれぞれ形成されている。
【００４５】
また、セラミック層１１〜１５および１７には、各セラミック層１１〜１７上に形成された各配線層２をセラミック基板２０の厚み方向に接続する接続部２ａが形成されている。
【００４６】
また、セラミック基板２０の上面上に形成された配線層２上には、チップコンデンサや半導体デバイスなどの電子部品３がハンダにより固定されている。また、セラミック基板１の下面上に形成された配線層２は、他の電子回路基板などとの接続に用いられる。このようにして、本発明の第２実施形態による電子デバイスが構成されている。
【００４７】
図７〜図９は、本発明の第２実施形態による電子デバイスの製造プロセスを説明するための断面図である。図７〜図９を参照して、本発明の第２実施形態による電子デバイスの製造プロセスを説明する。
【００４８】
［セラミック基板の作製］
まず、図７に示すように、第１実施形態と同様に、第１のセラミック混合物からなるパターン１ａｐと第２のセラミック混合物からなるパターン１ｂｐとを平面方向に有するセラミックグリーンシート１１ｐ〜１７ｐの上面上および下面上の少なくともいずれかの面上に、それぞれ、所定のパターンを有する金属ペースト２ｐを形成する。なお、セラミックグリーンシート１１ｐ〜１７ｐは、第１実施形態で用いたセラミックグリーンシート１ｐと同様に形成する。また、セラミックグリーンシート１１ｐ〜１５ｐおよび１７ｐに対しては、それぞれ、所定の位置にパンチなどにより開けた貫通孔２ａｐを形成した後、上記のセラミックグリーンシート１１ｐ〜１７ｐ上への金属ペースト２ｐの形成と同時に、金属ペースト２ｐをこの貫通孔２ａｐ内にも充填する。
【００４９】
次に、図８に示すように、各セラミックグリーンシート１１ｐ〜１７ｐをそれぞれ重ね合わせた積層体２０ｐを形成する。そして、この積層体２０ｐを大気中などで約８００℃〜約１０００℃で焼成することにより、図９に示すように、第１の領域１ａと第２の領域１ｂとからなるセラミック層１１〜１７が積層されたセラミック基板２０が形成される。この焼成により、セラミック層１の第１の領域１ａ上には、所定のパターンを有する配線層２が形成されるとともに、セラミック基板２０の厚み方向に各セラミック層１１〜１７上に形成された配線層２を接続する接続部２ａが形成される。
【００５０】
［電子部品の表面実装］
最後に、図６に示すように、セラミック基板２０の上面上の配線層２上にハンダペーストによりチップコンデンサや半導体デバイスなどの電子部品３を接着した後、ハンダペーストを加熱、溶融することにより、電子部品３をセラミック基板２０上に固定する。このようにして、本発明の第２実施形態による電子デバイスを作製する。
【００５１】
第２実施形態では、上記のように、平面方向にヤング率の異なるセラミックからなる第１の領域１ａと第２の領域１ｂとが形成されているセラミック層１１〜１７が複数積層されたセラミック基板２０を用いているので、各層１１〜１７に作用する局所的な応力を効果的に緩和することができる。すなわち、各層１１〜１７上の配線層２の形成により各層１１〜１７に作用する局所的な応力に対しては、ヤング率の小さい第１の領域１ａがそれぞれ微小変形するので、セラミック基板２０全体が大きく変形することを抑制することができる。その結果、各セラミック層１１〜１７と配線層２などとの剥離およびセラミック層１１〜１７内でのクラックの発生を抑制することができるので、信頼性の高いセラミック基板を得ることができる。
【００５２】
また、第２実施形態では、セラミック層１１がセラミック基板２０の最表面（上面）に配置されているので、セラミック基板２０の上面上に表面実装された電子部品３によりその周囲に作用する局所的な応力を緩和することができる。また、第２実施形態では、セラミック層１７がセラミック基板２０の最表面（下面）に配置されているので、セラミック基板２０を他の電子回路基板などにハンダで固定、接続する場合に、ハンダ付けされた箇所の周囲に作用する局所的な応力を緩和することができる。これらにより、電子部品３を表面実装した後や他の電子回路基板などにハンダで固定、接続した後のセラミック基板２０全体が大きく変形することを抑制することができるので、セラミック層１１〜１７と配線層２および電子部品３などとの剥離およびセラミック層１１〜１７内でのクラックの発生を抑制することができる。その結果、さらに信頼性が高い電子デバイスを得ることができる。
【００５３】
また、第２実施形態では、セラミック基板２０の最表面に形成されているセラミック層１１〜１７において、電子部品３が配置される領域の周囲にも、第１の領域１ａが形成されている。これにより、電子部品３が実装される際に生じる応力を効果的に緩和することができる。
【００５４】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５５】
たとえば、上記実施形態では、セラミック層１および１１〜１７は、第１の領域１ａと第２の領域１ｂとを構成するセラミックの組成をガラスの種類および無機質フィラーとガラスとの混合比を変えていたが、本発明はこれに限らず、無機質フィラーとガラスとの混合比、無機質フィラーの種類およびガラスの種類の少なくともいずれか１つを変えてもよい。例えば、第１の領域１ａを構成するセラミックの組成（アルミナ：結晶化ガラスの重量比）を約３５：約６５から約２０：約８０までアルミナの構成比率を小さくすることにより、そのヤング率を小さくすることができる。
【００５６】
また、上記実施形態では、セラミック層１および１１〜１７は、低融点のガラスを含有していたが、本発明はこれに限らず、低融点のガラスを含まない無機質フィラーからなるセラミックで構成してもよい。この場合には、酸化物、窒化物、ホウ化物などの無機質フィラーの種類やそれらの混合比を変えることにより、セラミック層１および１１〜１７内に第１の領域１ａと第２の領域１ｂとを形成することができる。これにより、さらに、機械的強度の大きいセラミック基板を形成することができる。
【００５７】
また、上記実施形態では、配線層２は、セラミック層１および１１〜１７の第１の領域１ａ上に形成されていたが、本発明はこれに限らず、配線層２の周辺に第１の領域１ａが分布するように第１の領域１ａを配置してもよい。
【００５８】
また、上記実施形態では、セラミック層１および１１〜１７は、第１の領域１ａおよび第２の領域１ｂの２つの領域を有していたが、本発明はこれに限らず、それぞれ、ヤング率の異なるセラミックから構成される３つ以上の領域を有していてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１実施形態によるセラミック基板の構造を説明するための断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるセラミック基板の製造プロセスの第１工程を説明するための断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態によるセラミック基板の製造プロセスの第２工程を説明するための断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態によるセラミック基板の製造プロセスの第３工程を説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態によるセラミック基板の製造プロセスの第４工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態による電子デバイスの構造を説明するための断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態による電子デバイスの製造プロセスの第１工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態による電子デバイスの製造プロセスの第２工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態による電子デバイスの製造プロセスの第３工程を説明するための断面図である。
【図１０】従来の機械的強度の大きいセラミック層が表面に形成されたセラミック基板の構造を説明するための断面図である。
【図１１】従来の機械的強度の大きいセラミック層が表面に形成されたセラミック基板の製造プロセスの一工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１      セラミック層
１ａ    第１の領域
１ｂ    第２の領域
２      配線層
【図１】
2007095727.tif 000003
【図２】
2007095727.tif 000004
【図３】
2007095727.tif 000005
【図４】
2007095727.tif 000006
【図５】
2007095727.tif 000007
【図６】
2007095727.tif 000008
【図７】
2007095727.tif 000009
【図８】
2007095727.tif 000010
【図９】
2007095727.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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