(57)【要約】【課題】バルクフィーダのバルク供給部における吸着室を、空芯コイルの吸着用のコレットと衝突しないようにする。【解決手段】バルクフィーダの吸着室３７の側壁３７ａを、底面３９側に対して９０度より大きな角度をもって立ち上げ、上方開口面を広くする。かかる構成により、これまでの９０度で立ち上げていた場合とは異なり、空芯コイル１４ｄの吸着用に用いるコレット４０ａのダイヤモンド製のノズルが、金属製あるいは樹脂製の吸着室３７の側壁３７ａと衝突することがなくなり、側壁３７ａの変形が原因の吸着不全、供給不全をなくすことができる。【選択図】図５
2007142095.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品供給装置の吸着室にある部品を吸着用装置で吸着する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記吸着室の前記吸着用装置が出入りする開口部は、前記部品が前記吸着用装置で吸着されるまで待機される前記吸着室の待機場所より広く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
部品供給装置により提供される部品を吸着用装置で吸着する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記部品の前記吸着用装置による吸着前に待機させられる待機場所よりも、前記部品を吸着するために前記吸着用装置が出入りする、前記待機場所より上方位置に設けた出入り口の方が広く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
部品供給装置により提供される部品を吸着用装置で吸着する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記部品が前記吸着用装置で吸着されるまで待機する待機場所に対して、周囲の壁が９０度より大きい角度で立ち上げられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
バルクフィーダにより提供される円筒状部品を吸着用装置で吸着する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記円筒状部品が前記吸着用装置で吸着されるまで待機する待機場所より、前記円筒状部品を吸着するために前記吸着用装置が出入りする、前記待機場所より上方位置に設けた
出入り口の方が広く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
バルクフィーダにより提供される空芯コイルをコレットで吸着する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記空芯コイルが前記コレットで吸着されるまで待機する待機場所より、前記空芯コイルを吸着するために前記コレットが出入りする出入り口が広く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造に関する技術で、特に空芯コイルの部品供給に用いられるバルクフィーダに適用して有効な技術である。
【背景技術】
【０００２】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
携帯電話等の増幅部に用いられる高周波モジュールでは、回路インピーダンスの調整のため、インダクタが設けられている。かかるインダクタの内でも、特に空芯コイルの使用がその高性能化と共に低価格化の面で優れている。
【０００４】
かかる空芯コイルについては、例えば、特許文献１にその開示がある。また、特許文献２には、空芯コイルを用いた半導体装置、その製造方法及び、バルクフィーダに構成された空芯コイルの供給装置等についての開示がある。
【特許文献１】特開２００２−１７０７１０号公報
【特許文献２】国際公開番号ＷＯ２００２／０５２５８９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、空芯コイルの供給に使用する装置で、以下の課題があることを見出した。
【０００６】
すなわち、空芯コイルの供給に際しては、バルクフィーダと呼ばれる装置を使用し、多数の空芯コイルを整列させて、１個ずつコレットで吸着して部品供給を行っている。
【０００７】
しかし、突然に、コレットによる空芯コイルの吸着が全く行われなくなる現象が発生した。あるいは、バルクフィーダでは複数の空芯コイルがコレットにより吸着されるべく吸着室に順番に供給されるが、かかる空芯コイルの吸着室への供給が突然できなくなる現象が発生した。そのためバルクフィーダの停止が相次ぎ、作業効率の低下が問題となった。
【０００８】
かかる原因を調査した結果、コレットがバルクフィーダの吸着室の壁に当たり、壁が変形することで、上記の如き吸着不全、あるいは供給不全が発生することを見いだした。吸着室の壁は金属製あるいは合成樹脂製で、一方コレットはダイヤモンド製で、硬さが格段に違う。そのため、コレットが吸着室の壁に当たることにより、当たった箇所が変形して、上記の如き吸着不全、あるいは供給不全が発生することが確認された。
【０００９】
本発明の目的は、バルクフィーダ等の部品供給装置において、供給部品の吸着が確実に行えるように、部品供給装置側を適切に対応させることにある。
【００１０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
すなわち、部品供給装置の提供した部品を吸着用装置で吸着するに際して、吸着用装置の出入りを行う出入り口の開口部を、吸着部品の待機場所より広く形成した。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１４】
本発明では、バルクフィーダ等の部品供給装置において、吸着室で待機する部品の吸着用装置が出入りする出入り口を、吸着部品の待機場所より広くすることで、吸着用部品の吸着室への衝突をなくした。このように構成することで、吸着室の変形による吸着不全、部品の供給不全を解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００１６】
本発明は、直接には、バルクフィーダで空芯コイルを供給するに際し、コレットによる吸着時の不都合を解消したものである。しかし、以下に説明する本発明は、かかるバルクフィーダと空芯コイル、コレットとの組み合わせだけに限定する必要はなく、部品吸着時の状況が同様の構成を有する部品供給装置、吸着部品、吸着用装置に当然に適用することができるものである。
【００１７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の全体構成を模式的に示す断面図である。図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明で使用される部品の一例としての空芯コイルを模式的に示す側面図、断面図、正面図である。図３は、本発明の半導体装置の製造方法で使用する半導体製造装置としてのバルクフィーダの全体構成を模式的に示す説明図である。図４（ａ）、（ｂ）は、バルクフィーダのバルク供給部の様子を模式的に示す部分断面図である。
【００１８】
本発明に係る半導体装置１０は、図１に示すように、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）モジュール１０ａ等に構成されている。かかる半導体装置１０は、次のようにして製造される。
【００１９】
例えば、図１に示すように、複数枚の絶縁体板（本実施の形態では、５枚のセラミック基板１１ａ〜１１ｅを例示して説明する）を用意し、かかるセラミック基板１１ａ〜１１ｅに複数個のビア１２を形成する。このビア１２の内部に導電性材料、例えば銅（Ｃｕ）または銀を充填する。
【００２０】
次に、各々のセラミック基板１１ａ〜１１ｅの表面に導電性材料、例えば銅または銀からなる表面導体パターンを印刷する。その後、これら５枚のセラミック基板１１ａ〜１１ｅを順次積層し、例えば８００〜９００℃程度の温度で焼成することにより、図１に示すように、積層基板１１を形成する。
【００２１】
このようにして形成された積層基板１１を洗浄した後、積層基板１１の裏面に導電性材料、例えば銅または銀からなる導体ペーストを印刷する。続いて、例えば１５０℃以下の温度で導体ペーストを焼き固めることにより、積層基板１１の裏面に裏面導体パターンを形成する。
【００２２】
さらに、図１に示すように、積層基板１１の部品搭載面に、能動素子が形成された半導
体チップ１３および受動素子が形成されたチップ部品１４等の表面実装部品を搭載する。その後、これら表面実装部品を絶縁性の樹脂１５によって覆うことにより、ＲＦモジュール１０ａが完成する。尚、半導体チップ１３、チップ部品１４は、半田１６を介して搭載されている。
【００２３】
半導体チップ１３は、例えば、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ等の電界効果トランジスタ１３ａに形成されている。半導体チップ１３の主面に形成された複数のパッド（ボンディングパッド、電極等とも言う）と、これに対応する積層基板１１の部品搭載面に形成された表面導体パターンとは、接合材により接続されている。ここでは、接合材には、例えば金（Ａｕ）線１７ａからなるワイヤボンディング１７が用いられている。
【００２４】
チップ部品１４は、例えばコンデンサ１４ａ、チップコイル１４ｂ、レジスタ１４ｃ、空芯コイル１４ｄ等の受動素子に構成されている。チップ部品１４の両端に形成された接続端子が、半田１６を介して、積層基板１１の部品搭載面に形成された表面導体パターンに接続されている。
【００２５】
ここで空芯コイル１４ｄは、例えば、図２（ａ）に示すように、線材が螺旋状に複数回巻かれて、絶縁部分２１とその両側に非絶縁部分２２が形成された構成になっている。絶縁部分２１は、図２（ｂ）に示すように、芯線２３が絶縁膜２４に被覆されており、非絶縁部分２２は芯線２３が絶縁膜２４により被覆されていない構成となっている。かかる構成を、図２（ｃ）では、正面からみた様子を示した。
【００２６】
このように構成された空芯コイル１４ｄは、絶縁部分２１がインダクタンス部分として使用され、その両端側に設けられた非絶縁部分２２が電極部分として用いられるようになっている。芯線２３としては、例えば、銅（Ｃｕ）線あるいはＣｕ系の合金材からなる導線に構成されている。絶縁膜２４としては、例えば、耐熱性、絶縁性に優れたポリエステル材からなる樹脂製に形成されている。
【００２７】
かかる構成の空芯コイル１４ｄは、コンデンサ１４ａ等に比べて背が高い部品なので、部品取付け時には、コンデンサ１４ａ等の背の低い部品が取付けられた後で取付けられることとなる。
【００２８】
空芯コイル１４ｄの取付けに際しては、図３に示すような部品供給装置としてのバルクフィーダ３０ａに構成した半導体製造装置３０を用いて行われる。
【００２９】
かかるバルクフィーダ３０ａは、例えば空芯コイル１４ｄ等の円筒状部材等の筒状部材に構成されたバルクを収納するバルク収納ケース３１を有している。さらに、バルク収納ケース３１の下部には、それに接続されたホッパー３２、ホッパー３２に接続され先端のバルク供給部３３まで空芯コイル１４ｄを案内する搬送レール３４とを有している。
【００３０】
バルク収納ケース３１は、底面側が中央に向けて裾絞まりの薄い箱型構造に形成され、収納された多数の空芯コイル１４ｄは、底面側中央に集められる。底面側中央に集められた空芯コイル１４ｄは、空芯コイル１４ｄ１個分の縦方向分の通過断面積をほぼ有する筒状に構成されたホッパー３２に通され、縦に整列された状態で搬送レール３４を経由してバルク供給部３３まで送られる。
【００３１】
ここで、空芯コイル１４ｄの縦方向とは、図２（ａ）に示すように、芯線２３を螺旋状に巻き回した方向に沿う方向である。
【００３２】
かかる空芯コイル１４ｄの搬送に際しては、図示はしないが、バルク供給部３３側からの真空吸引の制御により、その搬送が行われることとなる。
【００３３】
バルク供給部３３まで搬送された空芯コイル１４ｄは、１個ずつ、コレット４０ａ等に構成された吸着用装置４０により吸着され、図３に示すように、例えば、前記説明のＲＦモジュール１０ａを構成する積層基板１１上に移載され、その後リフローにより半田接続されて固定される。
【００３４】
搬送レール３４は、より詳細には、図４（ａ）に示すように、搬送レール本体３４ｂ中に、例えば空芯コイル１４ｄが縦列して通過できるようなガイド孔３４ａを形成することにより構成されている。かかるガイド孔３４ａが、バルク供給部３３に至っている。このようにして、ガイド孔３４ａ内を縦方向に整列された空芯コイル１４ｄが、バルク供給部３３に向けて複数個繋がるようにして連続的に供給されるようになっている。
【００３５】
搬送レール本体３４ｂでは、図４（ａ）に示すように、バルク供給部３３側で凹部３５が形成されている。そのため、ガイド孔３４ａは、搬送レール本体３４ｂ内をバルク供給部３３まで至り、かかる凹部３５部分で終了している。
【００３６】
かかる凹部３５内には摺動子３６が組み込まれ、搬送レール３４のレール方向に沿って前後移動可能に設けられている。摺動子３６の左端側上方のガイド孔３４ａに当接する側には、空芯コイル１４ｄが１個分落とし込める凹部に形成された吸着室３７が設けられている。吸着室３７に落とし込まれた空芯コイル１４ｄの先端部分は、摺動子３６に設けたストッパ部３８で当接されるようになっている。
【００３７】
一方、ガイド孔３４ａは、バルク供給部３３の凹部３５に至る少し手前で上面が開放されている。その開放された上面部分は、搬送レール３４のレール方向に沿って前後に移動するシャッター５１で、開閉自在に覆われている。かかるシャッター５１は、図４（ａ）に示すように、枠構造に構成された摺動子３６との間にバネ５２を介して設けられ、バネ５２の付勢によりシャッター５１が上記ガイド孔３４ａの上面開放部分を覆うことができるように構成されている。
【００３８】
かかる構成のバルク供給部３３では、図４（ｂ）に示すように、摺動子３６、シャッター５１が紙面右方向に移動することで、１個分の空芯コイル１４ｄが落とし込まれた吸着室３７の上方が開放される。かかる開放状態に合わせて、コレット４０ａで吸着室３７にある空芯コイル１４ｄを上方より吸着して、ＲＦモジュール１０ａを構成する積層基板１１上に空芯コイル１４ｄを移載することができるようになっている。
【００３９】
このようにバルクフィーダ３０ａにより提供された空芯コイル１４ｄは、コレット４０ａにより吸着、移載されるが、かかる空芯コイル１４ｄはバルクフィーダ３０ａ内では、真空吸引機構に基づきその移動が行われる。
【００４０】
前記ストッパ部３８の下方には、図４（ａ）に示すように、真空吸引通路６０ａが設けられ、摺動子３６とシャッター５１との間には真空吸引通路６０ｂが設けられている。さらに、摺動子３６、シャッター５１、搬送レール本体３４ｂには、それぞれ孔が設けられ、真空吸引通路６０ｃ、６０ｄ、６０ｅに構成されている。この内、真空吸引通路６０ｅが、図示はしない真空吸引機構とパイプ接続されている。
【００４１】
さらに、搬送レール本体３４ｂの凹部３５には、凹部３５内を転動する球体６１が設けられている。また、シャッター５１には、球体６１と接触可能な球体制御面６２が構成されている。
【００４２】
図４（ａ）に示すように、摺動子３６、シャッター５１が左端のガイド孔３４ａ側に寄った状態では、球体６１がシャッター５１に設けられた球体制御面６２により左側に押されることとなる。球体６１は、それまで塞いでいた真空吸引通路６０ｄの孔を外れる。その結果、真空吸引機構に接続された真空吸引通路６０ｅに連通する真空吸引通路６０ｄは真空吸引状態になる。併せて、真空吸引通路６０ｄは、真空吸引通路６０ｃ、６０ｂを経て、真空吸引通路６０ａに連通され、空芯コイル１４ｄが真空吸引されることになる。
【００４３】
その後、摺動子３６、シャッター５１が、例えば図４（ｂ）に示すように、紙面右方向に移動すると、シャッター５１に設けられた球体制御面６２も右側に移動する。それに合わせて、真空吸引力により球体６１が真空吸引通路６０ｄ側に移動させられ、真空吸引通路６０ｄを塞ぐこととなる。このようにして、空芯コイル１４ｄに対する真空吸引作用は停止され、真空吸引作用が停止している間に、コレット４０ａで吸着され、移載されることとなる。
【００４４】
かかるコレット４０ａによる空芯コイル１４ｄの吸着に際しては、吸着室３７のコレット４０ａの出入り口に当たる開口部は、これまでの場合よりも広く構成されている。図５（ａ）には、バルク供給部３３の部分を拡大して示した。図５（ｂ）は、バルク供給部３３を模式的に示した平断面図であり、点線部分が吸着室３７を示している。かかる吸着室３７をＸ−Ｘ線で切断した様子を、図５（ｃ）に模式的に示した。
【００４５】
図５（ｃ）に示すように、吸着室３７では、コレット４０ａによる吸着動作が行われるまで、空芯コイル１４ｄはその位置で待機していることとなる。すなわち、吸着室３７は、空芯コイル１４ｄがコレット４０ａにより吸着されるまでの待機場所として使用されていることとなる。
【００４６】
尚、図に示すコレット４０ａでは、その吸着部が吸着させる空芯コイル１４ｄに合わせて円弧状に形成されている。しかし、本発明はかかるコレット４０ａの吸着部の形状には関係がなく、円弧に形成されていなくても一向に構わない。
【００４７】
吸着室３７は、空芯コイル１４ｄのコレット４０ａによる吸着が行えるように、上方側が開口されている。かかる上方の開口部は、前記説明のように、シャッター５１が左に移動したときには閉じられることとなるが、摺動子３６、シャッター５１が右方向に移動した際には開かれることとなる。
【００４８】
コレット４０ａは、空芯コイル１４ｄを吸着する際には、吸着室３７の上方が開口されるのに符合して、空芯コイル１４ｄの上方に至ると共にある程度下降する。下降した状態で真空引きにより、空芯コイル１４ｄを吸着する。
【００４９】
かかる吸着動作に際して、コレット４０ａは、その駆動元のロータリヘッドの停止精度に合わせて停止位置にある程度の誤差を生ずる。また、バルクフィーダの取付け精度も、ある範囲で振れている。かかるロータリヘッドの停止精度とバルクフィーダの取付け精度との兼ね合いで、コレット４０ａの空芯コイル１４ｄの吸着動作がある範囲で振れることとなり、場合によっては、吸着室３７と接触することとなる。
【００５０】
そこで、コレット４０ａが空芯コイル１４ｄの吸着のために出入りする場所を、図５（ｃ）に示すように、空芯コイル１４ｄの待機場所より広げることで、コレット４０ａの吸着動作に際しての振れによる衝突を防ぐようにした。吸着室３７の側壁３７ａの底面３９側に対しての立ち上げ角度を、例えば９０度より大きくすることで、これまでの構成の立ち上げ角度９０度の場合（波線で表示）より、出入り口４１の開口部を広くすることができる。
【００５１】
そのため、コレット４０ａのダイヤモンド製のノズルは、吸着室３７を構成するアルミニウム製等の金属部分、あるいは樹脂部分の側壁３７ａに衝突することがなくなり、その部分の衝突による変形に起因する吸着不全、あるいは供給不全が解消された。因みに、樹脂製の側壁３７ａはカバーに構成されている。
【００５２】
図６（ａ）に拡大して示すように、側壁３７ａの吸着室３７の底面３９側に対する立ち上げ角度は、原則的には９０度より大きく、１８０度未満であればよいが、実際的には、１００度以上、１１５度以下であればよい。かかる範囲の立ち上げ角度を有していれば、バルクフィーダ取付け精度と、ロータリヘッドの停止精度を考慮したコレット４０ａの吸着動作時の振れに纏わるクリアランスを十分に持たせることができ、コレット４０ａと吸着室３７の側壁３７ａとの衝突を回避することができる。
【００５３】
これまでは、図６（ｂ）に拡大して示すように、吸着室３７の側壁３７ａの立ち上がり角度は９０度、すなわち垂直に構成されていたため、バルクフィーダ取付け精度と、ロータリヘッドの停止精度を考慮したクリアランスを十分に持たせることができなかった。
【００５４】
そのため、例えば、図７に模式的に示すように、側壁３７ａの金属側にコレット４０ａが衝突して、空芯コイル１４ｄを吸着することができない障害が発生した。あるいは、コレット４０ａが、樹脂製の側壁３７ａに衝突して、コレット４０ａで吸着した空芯コイル１４ｄを、吸着室３７から無事に吸着した状態で搬出することができない障害が発生した。
【００５５】
かかる吸着ミスについては、図８に側方から見た様子を断面図として模式的に示した。あるいは、後続の空芯コイル１４ｄを、新たに吸着室３７に供給することができない障害が発生した。かかる吸着室３７への空芯コイル１４ｄの供給不全については、図９に模式的に示した。
【００５６】
しかし、コレット４０ａの出入り口４１を、コレット４０ａの停止精度等を考慮して上記の如く広く形成しておくことで、出入り口４１の変更後は、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、コレット４０ａと側壁３７ａとの衝突が起きない。そのため、吸着ミス（吸着不全）や供給不全を誘うような変形が発生せず、かかる不全が解消した。
【００５７】
実際にかかる出入り口４１の開口部を広く形成する変更を行うことで、吸着に関連したミスがどの程度低減したかを調べた。その結果を、図１１に示した。吸着ミス等を含めた吸着に関する総ミスの全体が、変更前は０．６４％あったものが、変更後には０．４８％に低減した。０．１６％の減少に相当する。
【００５８】
一方、吸着ミスに関しては、変更前の０．４８％から、変更後の０．３２％に低減した。０．１６％の低減効果である。両結果を比較すると、吸着ミスの低減効果が、そのまま総ミスの低減効果に現れていることがわかる。吸着ミスの割合が、総ミスに占める割合は無視できないくらいに大きな影響を及ぼしているが、その吸着ミスを低減させるためのコレット４０ａの出入り口４１を広げる対策が、簡単な構成でありながら、極めて有効であることが確認できた。
【００５９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、前記実施の形態１で述べた本発明に関しての変形例について説明する。
【００６０】
前記実施の形態１では、コレット４０ａと吸着室３７との衝突により側壁３７ａ部分に変形が生じ、かかる変形が原因でコレット４０ａによる吸着不全、あるいは空芯コイル１４ｄの供給不全が生じていた。そのため、図６（ａ）に示すように、吸着室３７の上方に位置するコレット４０ａの出入り口４１に相当する部分を広くする対策を施した。要は、コレット４０ａが空芯コイル１４ｄの吸着に際して、吸着室３７に出入りする際に、コレット４０ａと吸着室３７とが接触しないように構成されていればよかった。
【００６１】
そこで、コレット４０ａと吸着室３７とが接触しないようにする構成としては、前記実施の形態１で説明した場合以外にも、図１２（ａ）に示す構成でも構わない。すなわち、図１２（ａ）に示す構成では、コレット４０ａが吸着室３７内に出入りする範囲で、出入り口４１の開口部を広げるように構成したものである。
【００６２】
空芯コイル１４ｄが載置される箇所は、これまで通りの吸着室３７の大きさで側壁３７ａを立ち上げ、コレット４０ａの出入りが関与する辺りの空芯コイル１４ｄの途中から段部４２を形成して上方間口を大きく形成した。所謂、逆凸型に開口させた場合である。
【００６３】
図１２（ｂ）に示す構成では、前記図１２（ａ）に示す段部４２の構成を、円弧面に形成したものである。所謂、逆フラスコ型に開口させた場合である。図１２（ｃ）に示す構成は、前記実施の形態１で説明した側壁３７ａの形状を、円弧状に変形したもので、所謂逆半円形に構成した場合である。
【００６４】
実際的には、前記実施の形態１で示した形状が加工しやすさの点では好ましいが、本実施の形態２で述べたような構成でも、前記実施の形態１で述べたと構成と同様の効果を有する。
【００６５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６６】
前記実施の形態の説明では、例えば、本発明を半導体装置の製造方法で把握した場合について説明したが、本発明は、バルクフィーダ等の半導体製造装置として把握することもできる。さらに、本発明は、かかる半導体製造装置、あるいは半導体装置の製造方法により製造された半導体装置として把握することも可能である。
【００６７】
前記実施の形態では、少なくともコレットの長さにほぼ相当する分は、出入り口を広く形成したが、吸着する部品によってはコレットの長さが部品長さの一部だけでよい場合もある。しかし、かかる場合でも、コレットのほぼ長さ分は、出入り口を広く形成しておくことが必要である。
【００６８】
前記実施の形態では、部品供給装置としてバルクフィーダに構成した場合を例に挙げて説明したが、本発明は、バルクフィーダと同様の部品待機機能を有する吸着室状の箇所が設けられ、かかる箇所にコレット等の吸着用装置が出入りする構成を有するものであれば、当然に適用することができる。
【００６９】
前記実施の形態では、部品供給装置から供給される部品として空芯コイルを例に挙げて説明したが、空芯コイル以外の他の部品でも構わない。例えば、空芯コイルとは異なった円筒状部品でも、さらには非円筒状部品であっても構わない。要は、コレット等の吸着用装置による吸着時に、吸着室と吸着用装置の衝突が防げるように、出入り口が広く構成されていればよい。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は半導体装置の製造分野で、特にバルクフィーダを用いて部品供給する分野で有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一実施の形態に関わる半導体装置をＲＦモジュールに構成した場合の様子を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は空芯コイルの側面図であり、（ｂ）はその断面図であり、（ｃ）は正面図である。
【図３】本発明で使用するバルクフィーダの全体構成を模式的に示す説明図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）はバルクフィーダのバルク供給部を部分的に拡大してその動作を示す断面説明図である。
【図５】（ａ）はバルクフィーダのバルク供給部を部分的に示す側面図であり、（ｂ）はその平断面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＸ−Ｘ線で吸着室を切断した状況を示す断面図である。
【図６】（ａ）は本発明に係るバルク供給部の吸着室の断面図であり、（ｂ）はこれまでのバルク供給部の吸着室の断面図である。
【図７】これまでのバルクフィーダにおける吸着室での障害発生の過程を模式的に示した説明図である。
【図８】これまでのバルクフィーダにおける吸着ミスの発生過程を模式的に示した断面図である。
【図９】これまでのバルクフィーダにおける供給不全の発生過程を模式的に示した断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は本発明に係る吸着室の変更後の改善状況を示す断面説明図である。
【図１１】本発明の効果をグラフ形式で示した説明図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の変形例を示す吸着室の部分断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０      半導体装置
１０ａ    ＲＦモジュール
１１      積層基板
１１ａ    セラミック基板
１１ｂ    セラミック基板
１１ｃ    セラミック基板
１１ｄ    セラミック基板
１１ｅ    セラミック基板
１２      ビア
１３      半導体チップ
１３ａ    電界効果トランジスタ
１４      チップ部品
１４ａ    コンデンサ
１４ｂ    チップコイル
１４ｃ    レジスタ
１４ｄ    空芯コイル
１５      樹脂
１６      半田
１７      ワイヤボンディング
１７ａ    金線
２１      絶縁部分
２２      非絶縁部分
２３      芯線
２４      絶縁膜
３０      半導体製造装置
３０ａ    バルクフィーダ
３１      バルク収納ケース
３２      ホッパー
３３      バルク供給部
３４      搬送レール
３４ａ    ガイド孔
３４ｂ    搬送レール本体
３５      凹部
３６      摺動子
３７      吸着室
３７ａ    側壁
３８      ストッパ部
３９      底面
４０      吸着用装置
４０ａ    コレット
４１      出入り口
４２      段部
５１      シャッター
５２      バネ
６０ａ    真空吸引通路
６０ｂ    真空吸引通路
６０ｃ    真空吸引通路
６０ｄ    真空吸引通路
６０ｅ    真空吸引通路
６１      球体
６２      球体制御面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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