(57)【要約】【課題】  より均一性が高い荷電ビームレンズを提供する。【解決手段】  荷電ビームを用いて露光対象に露光を行う荷電ビーム露光装置内に設置された荷電ビームレンズであって、複数の開口１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃが形成された基板１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃを備え、前記複数の開口には、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口と、前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口とが含まれる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電ビームを用いて露光対象に露光を行う荷電ビーム露光装置内に設置された荷電ビームレンズであって、
複数の開口が形成された基板を備え、
前記複数の開口には、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口と、前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口とが含まれることを特徴とする荷電ビームレンズ。
【請求項２】
荷電ビームを用いて露光対象に露光を行う荷電ビーム露光装置内に設置された荷電ビームレンズであって、
複数の開口がそれぞれ形成された少なくとも３枚の基板を備え、
前記少なくとも３枚の基板のうち少なくとも１枚の基板に形成された前記複数の開口には、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口と、前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口とが含まれることを特徴とする荷電ビームレンズ。
【請求項３】
前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口の形状は、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口と略同様の形状である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の荷電ビームレンズ。
【請求項４】
前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口が、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口の配置と略同様の配置である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の荷電ビームレンズ。
【請求項５】
前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口が、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口の形成されているエリアの周囲に形成されている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の荷電ビームレンズ。
【請求項６】
前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口が、荷電ビームレンズを構成する全ての基板の同じ位置に形成されている
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の荷電ビームレンズ。
【請求項７】
荷電ビームを用いて露光対象に露光を行う荷電ビーム露光装置内に設置された荷電ビームレンズであって、
複数の開口がそれぞれ形成された少なくとも３枚の基板を備え、
前記少なくとも３枚の基板は、前記基板表面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された導電膜とを有し、
前記少なくとも３枚の基板のうち少なくとも１枚の基板に形成された前記導電膜は、前記複数の開口が形成されていない領域と前記複数の開口が形成された領域とで同じ形状となるように除去されていることを特徴とする荷電ビームレンズ。
【請求項８】
前記ベース基板のうち少なくとも１枚のベース基板に形成された前記導電膜は前記開口の配置と略同様の配置で除去されている
ことを特徴とする請求項７に記載の荷電ビームレンズ。
【請求項９】
前記ベース基板のうち少なくとも１枚のベース基板に形成された前記導電膜は前記開口の周囲で除去されている
ことを特徴とする請求項７または８に記載の荷電ビームレンズ。
【請求項１０】
荷電ビームを用いて露光対象に露光を行う荷電ビーム露光装置であって、
前記荷電ビームを放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第１の電子光学系と、
前記第１の電子光学系によって形成される複数の中間像を前記露光対象上に投影する第２の電子光学系と、
前記露光対象を保持し所定の位置に移動するステージとを備え、
前記第１の電子光学系が、請求項１〜９のいずれか１項に記載の荷電ビームレンズを有することを特徴とする荷電ビーム露光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の露光装置を用いて、前記露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に半導体集積回路等の露光に用いられる荷電ビームレンズ、及び荷電ビーム露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの生産において、マスクを用いずに複数本の荷電ビームで同時にパターンを描画するマルチ荷電ビーム露光システムの提案がなされている。
このシステムによるマルチ荷電ビーム露光装置において、露光に使用する複数本の荷電ビームの均一性が低いことは、露光領域全体にわたる高精度な露光パターン形成の妨げとなり、露光装置の描画性能や信頼性の低下につながる。そのため、露光装置に用いる荷電ビームレンズの均一性をいかに高くしていくかが装置性能の向上に不可欠である。
【０００３】
静電型の電子レンズ（静電レンズ）に関する主な文献を以下に示す。
A。D。 Feinerman等（J．Vac．Sci．Technol．A 10(4)、 p611、 1992）は、マイクロメカニクス技術により作製した電極をＳｉの結晶異方性エッチングにより作製したV溝とファイバとを陽極接合することで、静電単一レンズである３枚の電極からなる３次元構造体を形成することを開示している。Ｓｉには、メンブレン枠とメンブレンと該メンブレンに電子ビームが通過する開口が設けられる。また、K．Y． Lee等（J． Vac．Sci．Technol．B12 (6)、 p3425、 1994）は、陽極接合法を利用してＳｉとパイレックスガラスが複数積層して接合された構造体に関し、アライメントされたマイクロカラム用電子レンズを作製する技術を開示する。また、Sasaki（J．Vac．Sci．Technol． 19、 963 (1981)）は、レンズ開口配列を有する３枚電極でアインツェルレンズ配列にした構成を開示する。このように構成した静電型レンズでは、一般的に３枚の電極のうち中央の電極に電圧を印加し、他の２枚を接地することでレンズ作用を得ることができる。
【非特許文献１】J． Vac．Sci．Technol．A 10(4)、p611、1992
【非特許文献２】J． Vac．Sci．Technol．B12 (6)、p3425、1994
【非特許文献３】J． Vac．Sci．Technol．19、963 (1981)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、アレイ状に複数個の開口を形成することで構成されている荷電ビームレンズでは、開口が形成されているエリア中央付近の開口によって構成される荷電ビームレンズは４方向を同じような荷電ビームレンズにより囲まれている。しかし、開口エリア内の一番端の開口によって構成される荷電ビームレンズは２方向もしくは３方向にしか同じような荷電ビームレンズが存在しない。このように、エリア内の位置によって荷電ビームレンズの電場状態が変化することがあり、その結果として、例えばエリア周辺の荷電ビームレンズを通過した荷電ビームには、エリア中央付近では生じなかった光軸の傾きが生じたりする。
このようなエリア内における荷電ビームレンズの均一性の低下は、露光装置の描画性能や信頼性の低下につながる可能性がある。
【０００５】
本発明は、以上の背景に鑑みてなされたものであり、より均一性が高い荷電ビームレンズの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、荷電ビームレンズ、及び荷電ビーム露光装置を次のような構成としたものである。
（１）荷電ビームを用いて露光対象に露光を行う荷電ビーム露光装置内に設置された荷電ビームレンズであって、複数の開口が形成された基板を備え、前記複数の開口には、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口と、前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口とが含まれることを特徴とする荷電ビームレンズ。
【０００７】
（２）荷電ビームを用いて露光対象に露光を行う荷電ビーム露光装置内に設置された荷電ビームレンズであって、複数の開口がそれぞれ形成された少なくとも３枚の基板を備え、前記少なくとも３枚の基板のうち少なくとも１枚の基板に形成された前記複数の開口には、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口と、前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口とが含まれることを特徴とする荷電ビームレンズ。
【０００８】
（３）前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口の形状は、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口と略同様の形状であることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の荷電ビームレンズ。
【０００９】
（４）前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口が、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口の配置と略同様の配置であることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の荷電ビームレンズ。
【００１０】
（５）前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口が、前記露光に用いられる荷電ビームが通過する開口の形成されているエリアの周囲に形成されていることを特徴とする上記（１）〜（４）に記載の荷電ビームレンズ。
【００１１】
（６）前記露光に用いられる荷電ビームが通過しない開口が、荷電ビームレンズを構成する全ての基板の同じ位置に形成されていることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載の荷電ビームレンズ。
【００１２】
（７）荷電ビームを用いて露光対象に露光を行う荷電ビーム露光装置内に設置された荷電ビームレンズであって、複数の開口がそれぞれ形成された少なくとも３枚の基板を備え、前記少なくとも３枚の基板は、前記基板表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された導電膜とを有し、前記少なくとも３枚の基板のうち少なくとも１枚の基板に形成された前記導電膜は、前記複数の開口が形成されていない領域と前記複数の開口が形成された領域とで同じ形状となるように除去されていることを特徴とする荷電ビームレンズ。
【００１３】
（８）前記ベース基板のうち少なくとも１枚のベース基板に形成された前記導電膜は前記開口の配置と略同様の配置で除去されていることを特徴とする上記（７）に記載の荷電ビームレンズ。
【００１４】
（９）前記ベース基板のうち少なくとも１枚のベース基板に形成された前記導電膜は前記開口の周囲で除去されていることを特徴とする上記（７）または（８）に記載の荷電ビームレンズ。
【００１５】
（１０）荷電ビームを用いて露光対象に露光を行う荷電ビーム露光装置であって、前記荷電ビームを放射する荷電粒子源と、前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第１の電子光学系と、前記第１の電子光学系によって形成される複数の中間像を前記露光対象上に投影する第２の電子光学系と、前記露光対象を保持し所定の位置に移動するステージとを備え、前記第１の電子光学系が、上記（１）〜（９）のいずれかに記載の荷電ビームレンズを有することを特徴とする荷電ビーム露光装置。
【００１６】
（１１）上記（１０）に記載の露光装置を用いて、前記露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【００１７】
上記（１）〜（９）によれば、露光に使用する荷電ビームが通過するエリアの電場均一性を高めることができ、均一性の高い荷電ビームレンズが得られる。
【００１８】
上記（１０）による、荷電ビーム露光装置は、前記荷電ビームレンズが均一性の高いものであるため、高い描画性能や信頼性を有する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、露光対象上に照射される荷電ビームに対する均一性が高い荷電ビームレンズを提供することができる。また、この荷電ビームレンズを荷電ビームの露光装置に用いることで、描画性能や信頼性の高い露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の好適な形態として、マルチ荷電ビームレンズ、及びそれを用いた露光装置の露光対象がウエハである場合の実施例について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明の実施例１に係るマルチ荷電ビームレンズの構造を模式的に示す断面図である。このマルチ荷電ビームレンズ１００は、３枚の基板１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃを絶縁体１６０を介して配置した構造を有する。３枚の基板１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃにはそれぞれ開口部１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃ、導電膜１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃ、組み立て用溝１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃが形成されており、これらの溝１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ間に絶縁体１６０を配置することにより、３枚の基板１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃが互いに位置決めされる。この実施例では、上部基板の導電膜１４０ａ、中間基板の導電膜１４０ｂ、下部基板の導電膜１４０ｃのうち上部基板の導電膜１４０ａと下部基板の導電膜１４０ｃとに同一電位が与えられる。
【００２２】
中間基板の導電膜１４０ｂには、図１に示すように、典型的には、上部基板の導電膜１４０ａ及び下部基板の導電膜１４０ｃの電位に対して負の電位が与えられる。
この実施例では、マルチ荷電ビームレンズ１００は、３枚の基板で構成されているが、基板の枚数は、３枚に限られるものではなく、他の枚数であってもよい。
【００２３】
図２はこの実施例に係るマルチ荷電ビームレンズを上面から見た状態を模式的に示す図である。ウエハ上に照射される荷電ビームが通過する開口が形成されたエリア１７０と同様の形状の開口を、エリア内の開口と同様の配置でエリア１７０の周囲に２列形成したものである。
【００２４】
この実施例ではウエハ上に照射される荷電ビームが通過する開口を４×４の１６個、その周囲に形成された開口（ダミー開口）を２列で記載しているが、それぞれの開口の個数はこの数字に限られるものではなく、他の個数であってもよい。
【００２５】
図３は、露光に使用される荷電ビームが通過する開口の周囲に開口列を形成することによる荷電ビームへの影響を計算した結果を示す図である。
図３の横軸は露光に使用される荷電ビームが通過する開口の周囲に開口列を何列形成したかを示している。図３の縦軸は露光に使用される荷電ビームがマルチ荷電ビームレンズを通過した後にどれだけ光軸が傾くかを示している。また、グラフが複数本プロットしてあるのは、荷電ビームが通過する開口領域の中で、端に位置する開口や、その内側に位置する開口などの複数の開口に関して計算を行った結果である。
図３に示した通り、ビームが通過する開口の周囲に開口列を形成するにしたがって、ビーム光軸の傾きが減少するのが分かる。
【００２６】
次に本発明によるマルチ荷電ビームレンズを用いた電子ビーム露光装置（描画装置）について説明する。なお、以下の例は荷電ビームとして電子ビームを採用した露光装置であるが、本発明は、イオンビーム等の他の種類の荷電ビームを用いた露光装置にも同様に適用できる。
【００２７】
図４は本発明によるマルチ荷電ビームレンズを用いた電子ビーム露光装置の要部概略図である。図４において、１は、複数の電子源像を形成し、その電子源像から電子ビームを放射するマルチソースモジュールである。このマルチソースモジュール１は、３ｘ３に配列されていて、その詳細については後述する。
【００２８】
２１，２２，２３，２４は、磁界レンズアレイであって、３ｘ３に配列された同一形状の開孔を有する磁性体円板ＭＤを間隔を置いて上下に配置し、共通のコイルＣＣによって励磁したものである。その結果、各開口部分が各磁界レンズＭＬの磁極となり、設計上レンズ磁界を発生させる。
【００２９】
各マルチソースモジュール１の複数の電子源像は、磁界レンズアレイ２１，２２，２３，２４の対応する４つの磁界レンズ（ＭＬ１，ＭＬ２，ＭＬ３，ＭＬ４）によって、ウエハ４上に投影される。そして、ひとつのマルチソースモジュールからの電子ビームがウエハに照射するまでに、その電子ビームに作用する光学系をカラムと定義する。すなわち、本実施例は、９カラム（ｃｏｌ．１〜ｃｏｌ．９）の構成である。
【００３０】
この時、磁界レンズアレイ２１と磁界レンズアレイ２２の対応する２つの磁界レンズで、一度、像を形成し、次にその像を磁界レンズアレイ２３と磁界レンズアレイ２４の対応する２つの磁界レンズでウエハ４上に投影している。そして、磁界レンズアレイ２１，２２，２３，２４のそれぞれの励磁条件を共通コイルで個別に制御することにより、各カラムの光学特性（焦点位置、像の回転、及び倍率）は、それぞれを略一様に、言い換えれば同じ量だけ調整することができる。
【００３１】
３は、マルチソースモジュール１からの複数の電子ビームを偏向させて、複数の電子源像をウエハ４上でＸ，Ｙ方向に変位させる主偏向器である。５は、ウエハ４を載置し、光軸ＡＸ（Ｚ軸）と直交するＸＹ方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なステージであって、ステージ基準板６が固設されている。７は、電子ビームによってステージ基準板６上のマークが照射された際に生じる反射電子を検出する反射電子検出器である。
【００３２】
次に、図５は、ひとつのカラムの詳細図である。同図を用いてマルチソースモジュール１およびマルチソースモジュール１からウエハ４の照射される電子ビームの光学特性の調整機能について説明する。
【００３３】
１０１は、電子銃が形成する電子源（クロスオーバ像）である。この電子源１０１から放射される電子ビームは、コンデンサーレンズ１０２によって略平行な電子ビームとなる。本実施例のコンデンサーレンズ１０２は、３枚の開口電極からなる静電レンズである。
【００３４】
１０３は、開孔が２次元配列して形成されたアパーチャアレイであり、１０４は、同一の光学パワーを有する静電レンズが２次元配列して形成されたレンズアレイである。１０５，１０６は、個別に駆動可能な静電の８極偏向器が２次元配列して形成された偏向器アレイであり、１０７は、個別に駆動可能な静電のブランカーが２次元配列して形成されたブランカーアレイである。本発明によるマルチ荷電ビームレンズはレンズアレイ１０４を形成する。図５はウエハに照射される荷電ビームが通過する開口の周囲に一つずつ開口が形成されている例を示している。
【００３５】
図６を用いて各機能を説明する。コンデンサーレンズ１０２からの略平行な電子ビームは、アパーチャアレイ１０３によって複数の電子ビームに分割される。分割された電子ビームは、対応するレンズアレイ１０４の静電レンズを介して、ブランカーアレイ１０７の対応するブランカー上に、電子源の中間像を形成する。
【００３６】
この時、偏向器アレイ１０５，１０６は、ブランカーアレイ１０７上に形成される電子源の中間像の位置（光軸と直交する面内の位置）を個別に調整する。また、ブランカーアレイ１０７で偏向された電子ビームは、図４のブランキングアパーチャＡＰによって遮断されるため、ウエハ４には照射されない。一方、ブランカーアレイ１０７で偏向されない電子ビームは、図４のブランキングアパーチャＡＰによって遮断されされないため、ウエハ４には照射される。
【００３７】
図５に戻り、マルチソースモジュール１で形成された電子源の複数の中間像は、磁界レンズアレイ２１と磁界レンズアレイ２２の対応する２つの磁界レンズを介して、ウエハ４に投影される。
【００３８】
この時、複数の中間像がウエハ４に投影される際の光学特性のうち、像の回転と、倍率は、ブランカーアレイ上の各中間像の位置を調整できる偏向器アレイ１０５，１０６で調整することができ、焦点位置は、カラム毎に設けられたダイナミックフォーカスレンズ（静電若しくは磁界レンズ）１０８，１０９で調整することができる。
【００３９】
次に、本実施例のシステム構成図を図７に示す。ブランカーアレイ制御回路４１は、ブランカーアレイ１０７を構成する複数のブランカーを個別に制御する回路であり、偏向器アレイ制御回路４２は、偏向器アレイ１０５，１０６を構成する偏向器を個別に制御する回路である。Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路４３は、ダイナミックフォーカスレンズ１０８，１０９を個別に制御する回路であり、主偏向器制御回路４４は、主偏向器３を制御する回路である。反射電子検出回路４５は、反射電子検出器７からの信号を処理する回路である。これらのブランカーアレイ制御回路４１、偏向器アレイ制御回路４２、Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路４３、主偏向器制御回路４４、及び反射電子検出回路４５は、カラムの数（ｃｏｌ．１〜ｃｏｌ．９）と同じだけ装備されている。
【００４０】
磁界レンズアレイ制御回路４６は、磁界レンズアレイ２１，２２，２３，２４のそれぞれの共通コイルを制御する回路であり、ステージ駆動制御回路４７は、ステージ５の位置を検出する不図示のレーザ干渉計と共同してステージ５を駆動制御する制御回路である。主制御系４８は、上記複数の制御回路を制御し、電子ビーム露光装置全体を管理する。
【実施例２】
【００４１】
図８は、本発明の実施例２に係るマルチ荷電ビームレンズの構造を模式的に示す断面図である。この実施例は、ベース基板上に形成された導電膜がパターニングされた具体例を提供する。
【００４２】
このマルチ荷電ビームレンズ７００は、３枚のベース基板７１０ａ，７１０ｂ，７１０ｃを絶縁体７６０を介して配置した構造を有する。３枚のベース基板７１０ａ，７１０ｂ，７１０ｃには、それぞれ開口７３０ａ，７３０ｂ，７３０ｃ、導電膜７４０ａ，７４０ｂ，７４０ｃ、絶縁膜７５０ａ，７５０ｂ，７５０ｃ、及び組み立て用溝７２０ａ，７２０ｂ，７２０ｃが形成されており、これらの溝７２０ａ，７２０ｂ，７２０ｃ間に絶縁体７６０を配置することにより、３枚のベース基板７１０ａ，７１０ｂ，７１０ｃが互いに位置決めされる。また、導電膜７４０ａ，７４０ｂ，７４０ｃは、パターニングされ、部分７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが除去されている。この実施例では、導電膜７４０ａ、導電膜７４０ｂ、及び導電膜７４０ｃのうち、導電膜７４０ａと導電膜７４０ｃとに同一電位が与えられる。
【００４３】
導電膜７４０ｂには、図８に示すように、典型的には、導電膜７４０ａ及び導電膜７４０ｃの電位に対して負の電位が与えられる。
この実施例では、マルチ荷電ビームレンズ７００は、３枚のベース基板で構成されているが、ベース基板の枚数は、３枚に限られるものではなく、他の枚数であってもよい。
【００４４】
図９はこの実施例に係るマルチ荷電ビームレンズを上面から見た状態を模式的に示す図である。ウエハ上に照射される荷電ビームが通過する開口が形成されたエリア７８０と同様の形状で、エリア内の開口と同様の配置になるようエリア７８０の周囲において、導電膜を２列除去したものである。
【００４５】
この実施例では、ウエハ上に照射される荷電ビームが通過する開口を４×４の１６個、その周囲の導電膜が２列除去された図を記載しているが、それぞれの開口と、除去された導電膜の個数はこの数字に限られるものではなく、他の個数であってもよい。
【００４６】
また、この実施例では、基板に形成する開口の数を増やすことなく、マルチ荷電ビームレンズの均一性を向上させることが可能であり、開口数の増大による基板の強度低下を生じさせることなく、均一性の高いマルチ荷電ビームレンズを得ることができる。
【００４７】
ここで例示的に説明したマルチ荷電ビームレンズも、実施例１と同様に、図４に例示的に示す電子ビーム露光装置のような荷電ビーム露光装置に適用することができ、そのような荷電ビーム露光装置は半導体デバイス等のデバイスの製造に好適である。
【実施例３】
【００４８】
次に、本発明の実施例３として、上記実施例に係る荷電ビーム露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１０は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（ＥＢデータ変換）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
【００４９】
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記露光制御データが入力された露光装置とウエハを用い、リソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００５０】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付け露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施例１に係るマルチ荷電ビームレンズの構造を説明するための図である。
【図２】本発明の実施例１に係るマルチ荷電ビームレンズを上面から見た図である。
【図３】本発明の実施例に係るマルチ荷電ビームレンズの均一性の変化を示す図である。
【図４】本発明の実施例に係る電子ビーム露光装置の要部概略を示す図である。
【図５】本発明の実施例に係るカラム毎の電子光学系を説明するための図である。
【図６】本発明の実施例に係るマルチソースモジュールの機能を説明するための図である。
【図７】図４に示す電子ビーム露光装置のシステムの構成を説明するための図である。
【図８】本発明の実施例２に係るマルチ荷電ビームレンズの構造を説明するための図である。
【図９】本発明の実施例２に係るマルチ荷電ビームレンズを上面から見た図である。
【図１０】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１：マルチソースモジュール、３：主偏向器、４：ウエハ、５：ステージ、６：ステージ基準板、７：反射電子検出器、２１，２２，２３，２４：磁界レンズアレイ、４１：ブランカーアレイ制御回路、４２：偏向器アレイ制御回路、４３：Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路、４４：主偏向制御回路、４５：反射電子検出回路、４６：磁界レンズアレイ制御回路、４７：ステージ駆動制御回路、４８：主制御系、１００：マルチ荷電ビームレンズ、１０１：電子源、１０２：コンデンサーレンズ、１０３：アパーチャアレイ、１０４：レンズアレイ、１０５，１０６：偏向器アレイ、１０７：ブランカーアレイ、１０８，１０９：ダイナミックフォーカスレンズ、１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ：基板、１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ：組み立て用溝、１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃ：開口部、１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃ：導電膜、１６０：絶縁体、１７０：ウエハ上に照射される荷電ビームが通過する開口が形成されたエリア、７００：マルチ荷電ビームレンズ、７１０ａ，７１０ｂ，７１０ｃ：ベース基板、７２０ａ，７２０ｂ，７２０ｃ：組み立て用溝、７３０ａ，７３０ｂ，７３０ｃ：開口、７４０ａ，７４０ｂ，７４０ｃ：導電膜、７５０ａ，７５０ｂ，７５０ｃ：絶縁膜、７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃ：導電膜が除去された部分、７６０：絶縁体、７８０：ウエハに照射される荷電ビームが通過する開口が形成されたエリア、ＭＬＡ：磁界レンズアレイ、ＭＬ：磁界レンズ、ＭＤ：磁性体円板、ＣＣ：共通コイル。
【図１】
2007019192.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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