(57)【要約】【課題】温度変化が起きても放電特性を向上させることができるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルは、隔壁１１２と、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３が配置される基板１０１と、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３を覆う誘電体層１０４と、誘電体層１０４を覆う第１保護層１０５ａと、第１保護層１０５ａを覆い、第１保護層１０５ａの面積より小さな面積を有する第２保護層１０５ｂと、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁と、
スキャン電極及びサステイン電極が配置される基板と、
前記スキャン電極及び前記サステイン電極を覆う誘電体層と、
前記誘電体層を覆う第１保護層と、
前記第１保護層を覆い、前記第１保護層の面積より小さな面積を有する第２保護層と、
を含むプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記第２保護層の領域は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間のギャップに対応する領域と前記隔壁に対応する領域のうちの少なくとも１つの領域を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第１保護層は、ドーパントを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第１保護層は、ドーパントを含み、
前記ドーパントの濃度は、１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記スキャン電極及び前記サステイン電極のそれぞれは、透明電極とバス電極を備え、
前記第２保護層の一部は、前記スキャン電極の前記透明電極と前記サステイン電極の前記透明電極との間のギャップに対応する領域に位置することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記第１保護層の導電率は、前記第２保護層の導電率より大きいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記第１保護層の厚さは、前記第２保護層の厚さより厚いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記第２保護層の厚さは、５０Å以上１０００Å以下に形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記第２保護層の厚さは、５０Å以上１００Å以下に形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記第１保護層は、Ｓｉ又はＴｉのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記第１保護層及び前記第２保護層は、ＭｇＯを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記第１保護層の二次電子放出係数は、前記第２保護層の二次電子放出係数より大きいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
隔壁を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
基板にスキャン電極及びサステイン電極を形成するステップと、
前記スキャン電極及び前記サステイン電極を覆う誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層上に第１保護層を形成するステップと、
前記第１保護層上に第２保護層を形成するステップと、
前記第２保護層の一部を除去するステップと、
を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記第２保護層の領域は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間のギャップに対応する領域と前記隔壁に対応する領域のうちの少なくとも１つの領域を含むことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記第１保護層は、ドーパントを含むことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記第１保護層は、ドーパントを含み、
前記ドーパントの濃度は、１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１７】
前記スキャン電極及び前記サステイン電極のそれぞれは、透明電極とバス電極を含み,
前記第２保護層の一部は、前記スキャン電極の前記透明電極と前記サステイン電極の前記透明電極との間のギャップに対応する領域に位置することを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１８】
前記第１保護層の導電率は、前記第２保護層の導電率より大きいことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１９】
前記第１保護層の厚さは、前記第２保護層の厚さより厚いことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２０】
前記第２保護層の厚さは、５０Å以上１０００Å以下に形成されることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２１】
前記第２保護層の厚さは、５０Å以上１００Å以下に形成されることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２２】
前記第１保護層は、Ｓｉ又はＴｉのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２３】
前記スキャン電極と前記サステイン電極のうちの少なくとも１つにエージングパルスが供給されて、前記第２保護層の一部が除去されることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法
【請求項２４】
前記第１保護層の二次電子放出係数は、前記第２保護層の二次電子放出係数より大きいことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは、前面パネルと後面パネルとの間に形成された隔壁が１つの放電セルをなすものであって、放電セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）又はネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）と、少量のキセノンを含有する放電ガスとが充填されている。放電セルは、画素を表示するための複数のピクセルをなすものである。例えば、赤色（Ｒｅｄ、Ｒ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ、Ｇ）、青色（Ｂｌｕｅ、Ｂ）の放電セルが集まって、１つのピクセルをなすものである。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルは、高周波電圧により放電される際に、放電ガスが真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ  Ｕｌｔｒａ  ｖｉｏｌｅｔｒａｙｓ）を発生し、隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることにより、映像が具現される。
【０００４】
プラズマディスプレイパネルには、放電を発生させるための駆動電圧が供給され、このような駆動電圧により、リセット期間においてリセット放電、アドレス期間においてアドレス放電、サステイン期間においてサステイン放電などの放電が発生することによって、映像が表示される。
【０００５】
プラズマディスプレイパネルは、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層を含む。保護層は、イオンが衝突する時に二次電子を再び放出する。保護層の二次電子の再放出は、二次電子放出係数に比例する。
【０００６】
二次電子放出係数の増加のために、Ｓｉ、Ｔｉのような多様なドーパント（ｄｏｐａｎｔ）をドーピングする。ドーパントのドーピングは、温度の変化に応じて保護層の特性を大きく変化させて、温度に応じて保護層が互いに異なる放電特性を引き起こす。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、温度変化が起きても放電特性を向上させることができるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、隔壁と、スキャン電極及びサステイン電極が配置される基板と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う第１保護層と、前記第１保護層を覆い、前記第１保護層の面積より小さな面積を有する第２保護層とを含むことを特徴とする。
【０００９】
さらに、前記第２保護層の領域は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間のギャップに対応する領域と前記隔壁に対応する領域のうちの少なくとも１つの領域を含むことが好ましい。
【００１０】
また、前記第１保護層は、ドーパントを含むことが好ましい。
【００１１】
また、前記第１保護層は、ドーパントを含み、前記ドーパントの濃度は、１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
また、前記スキャン電極及び前記サステイン電極のそれぞれは、透明電極とバス電極を備え、前記第２保護層の一部は、前記スキャン電極の前記透明電極と前記サステイン電極の前記透明電極との間のギャップに対応する領域に位置することが好ましい。
【００１３】
また、前記第１保護層の導電率は、前記第２保護層の導電率より大きいことが好ましい。
【００１４】
また、前記第１保護層の厚さは、前記第２保護層の厚さより厚いことが好ましい。
【００１５】
また、前記第２保護層の厚さは、５０Å以上１０００Å以下に形成されることが好ましい。
【００１６】
また、前記第２保護層の厚さは、５０Å以上１００Å以下に形成されることが好ましい。
【００１７】
また、前記第１保護層は、Ｓｉ又はＴｉのうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００１８】
また、前記第１保護層及び前記第２保護層は、ＭｇＯを含むことが好ましい。
【００１９】
また、前記第１保護層の二次電子放出係数は、前記第２保護層の二次電子放出係数より大きいことが好ましい。
【００２０】
本発明に係る隔壁を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板にスキャン電極及びサステイン電極を形成するステップと、前記スキャン電極及び前記サステイン電極を覆う誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層上に第１保護層を形成するステップと、前記第１保護層上に第２保護層を形成するステップと、前記第２保護層の一部を除去するステップと、を含むことを特徴とする。
【００２１】
さらに、前記第２保護層の領域は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間のギャップに対応する領域と前記隔壁に対応する領域のうちの少なくとも１つの領域を含むことが好ましい。
【００２２】
また、前記第１保護層は、ドーパントを含むことが好ましい。
【００２３】
また、前記第１保護層は、ドーパントを含み、前記ドーパントの濃度は、１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
また、前記スキャン電極及び前記サステイン電極のそれぞれは、透明電極とバス電極を備え、前記第２保護層の一部は、前記スキャン電極の前記透明電極と前記サステイン電極の前記透明電極との間のギャップに対応する領域に位置することが好ましい。
【００２５】
また、前記第１保護層の導電率は、前記第２保護層の導電率より大きいことが好ましい。
【００２６】
また、前記第１保護層の厚さは、前記第２保護層の厚さより厚いことが好ましい。
【００２７】
また、前記第２保護層の厚さは、５０Å以上１０００Å以下に形成されることが好ましい。
【００２８】
また、前記第２保護層の厚さは、５０Å以上１００Å以下に形成されることが好ましい。
【００２９】
また、前記第１保護層は、Ｓｉ又はＴｉのうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００３０】
また、前記スキャン電極と前記サステイン電極のうちの少なくとも１つにエージングパルスが供給されて、前記第２保護層の一部が除去されることが好ましい。
【００３１】
また、前記第１保護層の二次電子放出係数は、前記第２保護層の二次電子放出係数より大きいことが好ましい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明に係るプラズマディスプレイパネル及びその製造方法によれば、温度変化が起きても放電開始電圧を下げ、ジッタ特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の好ましい実施の形態を、添付図面に基づき詳細に説明する。
【００３４】
図１に示すように、本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルは、前面パネル１００と後面パネル１１０を備える。前面パネル１００は、前面基板１０１を備え、前面基板１０１には、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３が配置される。後面パネル１１０は、後面基板１１１を備え、後面基板１１１には、アドレス電極１１３が位置する。アドレス電極１１３は、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３と交差する。
【００３５】
スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３のそれぞれは、透明電極１０２ａ、１０３ａと、バス電極１０２ｂ、１０３ｂと、を備える。上部誘電体層１０４は、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３を覆い、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３間の放電電流を制限し、絶縁させる。第１保護層１０５ａ及び第２保護層１０５ｂは、上部誘電体層１０４上に位置し、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の蒸着により形成される。第１保護層１０５ａは、上部誘電体層１０４を覆い、第２保護層１０５ｂは、第１保護層１０５ａを覆い、第１保護層１０５ａの面積より小さな面積を有する。
【００３６】
第１保護層１０５ａは、二次電子放出係数を高めるために、ドーパントを含む。ドーパントの濃度は、１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であってもよい。ドーパントの濃度が１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であるとき、二次電子を円滑に放出し、かつ、プラズマディスプレイパネルの安定した放電特性及びジッタ特性を維持することができる。第１保護層１０５ａは、Ｓｉ又はＴｉのうちの少なくとも１つを含む。すなわち、第１保護層１０５ａのドーパントは、Ｓｉ又はＴｉのうちの少なくとも１つである。
【００３７】
本発明の実施の形態において、第１保護層１０５ａの厚さと第２保護層１０５ｂの厚さは、互いに異なってもよい。また、第１保護層１０５ａの厚さＴ１は、第２保護層１０５ｂの厚さＴ２より厚くてもよい。第１保護層１０５ａの厚さＴ１が第２保護層１０５ｂの厚さＴ２より厚いのは、第１保護層１０５ａが上部誘電体層１０４上に位置するので、第１保護層１０５ａが上部誘電体層１０４を保護しなければならないからである。
【００３８】
第２保護層１０５ｂの厚さＴ２は、５０Å以上１０００Å以下であってもよい。第２保護層１０５ｂの厚さＴ２はが５０Å以上１０００Å以下であるとき、エージング過程において陽イオンの衝突による第２保護層１０５ｂの除去が容易になる。第２保護層１０５ｂの厚さＴ２は、５０Å以上１００Å以下であってもよい。第２保護層１０５ｂの厚さＴ２が５０Å以上１００Å以下であるとき、エージング過程において消費される時間を低減することができる。
【００３９】
エージング過程において除去される第２保護層１０５ｂの部分は、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３に対応する部分である。エージング過程後の第２保護層１０５ｂは、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間のギャップＧに対応する領域と隔壁１１２に対応する領域のうちの少なくとも１つの領域を含むことができる。
【００４０】
スキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間のギャップＧは、スキャン電極１０２の透明電極１０２ａとサステイン電極１０３の透明電極１０３ａとの間の距離であってもよい。また、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３がバス電極１０２ｂ、１０３ｂのみを備える場合、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間のギャップＧは、スキャン電極１０２のバス電極１０２ｂとサステイン電極１０３のバス電極１０３ｂの距離であってもよい。
【００４１】
第１保護層１０５ａは、上部誘電体層１０４を保護し、二次電子の放出を円滑にする。すなわち、第１保護層１０５ａに含まれたドーパントは、第１保護層１０５ａの導電率と二次電子放出係数を増加させる。
【００４２】
第２保護層１０５ｂは、ドーパントを含んでいない、又は、第１保護層１０５ａのドーパントの濃度より低い濃度のドーパントを含んでいる。第１保護層１０５ａの導電率及び二次電子放出係数は、第２保護層１０５ｂの導電率及び二次電子放出係数より大きい。第２保護層１０５ｂは、電荷が放電セル間の移動を妨害する。
【００４３】
すなわち、第１保護層１０５ａは二次電子の放出を容易にし、第２保護層１０５ｂは電荷の移動を妨害して、向上した放電特性を維持することができる。特に、温度が変わるとき、第２保護層１０５ｂにより電荷の移動が防止されるので、温度変化と関係なく放電特性を維持することができる。例えば、第１保護層１０５は二次電子の放出を容易にするので、放電開始電圧が低くなり、ジッタ特性が向上する。また、第２保護層１０５ｂが電荷が隣接放電セルに移動することを妨害するので、温度変化に関係なく放電開始電圧とジッタ特性を維持することができる。
【００４４】
図１の後面パネル１１０は下部誘電体層１１５を備える。下部誘電体層１１５はアドレス電極１１３を覆い、アドレス電極１１３間を絶縁させる。隔壁１１２は下部誘電体層１１５上に位置し、放電セルを区画する。隔壁１１２間には蛍光体１１４が位置する。
【００４５】
図２に示すように、前面基板１０１に透明電極１０２ａ、１０３ａとバス電極１０２ｂ、１０３ｂを備えるスキャン電極１０２とサステイン電極１０３が形成される。
【００４６】
上部誘電体層１０４は、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３上に形成され、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３を絶縁させる。
【００４７】
ドーパントによりドーピングされた酸化マグネシウムのような保護層材が蒸着されて、第１保護層１０５ａが形成される。ドーパントは、Ｓｉ又はＴｉのうちの少なくとも１つを含んでもよい。ドーパントの濃度は、１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であってもよい。
【００４８】
酸化マグネシウムのような保護層材が第１保護層１０５ａ上に蒸着されて、第２保護層１０５ｂが形成される。第１保護層１０５ａの厚さは、第２保護層１０５ｂの厚さより厚くてもよい。第２保護層１０５ｂの厚さは、５０Å以上１０００Å以下であってもよいし、５０Å以上１００Å以下であってもよい。
【００４９】
図２では、プラズマディスプレイパネルの前面パネル１００のみを示した。後面パネル（図示せず）が完成すると、前面パネル１００と後面パネル（図示せず）とを合着した後、エージング工程が行われる。スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３に交互にエージングパルスが供給されると、陽イオンが第２保護層１０５ｂと衝突することによって、第２保護層１０５ｂの一部が除去される。エージングパルスが供給されると、陽イオンがスキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間を移動するので、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３に対応する第２保護層１０５ｂの領域が除去される。これにより、残っている第２保護層１０５ｂの領域は、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間のギャップに対応する領域と、隔壁に対応する領域のうちの少なくとも１つを含むことができる。
【００５０】
図３に示すように、第１保護層１０５ａがドーパントを含むので、第１保護層１０５ａの二次電子放出係数は、第２保護層１０５ｂより大きい。ドーパントがドーピングされた第１保護層１０５ａが形成されると、過剰電子と過剰正孔が発生するので、電荷の衝突により多くの二次電子が第１保護層１０５ａから放出される。第１保護層１０５ａが放出する二次電子の個数は、第２保護層１０５ｂが放出する二次電子の個数より多い。したがって、第１保護層１０５ａの二次電子放出係数は、第２保護層１０５ｂの二次電子放出係数より大きい。
【００５１】
ドーピングされていない、又は、第１保護層１０５ａのドーピング濃度より低いドーピング濃度を有する第２保護層１０５ｂは、優れた配向性、結晶性、膜密度を有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を含むので、安定した結合構造を有する。
【００５２】
図４に示すように、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３に対応する第２保護層１０５ｂの領域が除去されるので、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３のギャップに対応する第２保護層１０５ｂの領域ＧＬと隔壁（図示せず）に対応する第２保護層１０５ｂの領域ＢＬのうちの少なくとも１つの領域が残る。除去されない第２保護層１０５ｂの導電率は、第１保護層１０５ｂの導電率より小さいので、１つの放電セルの内部に存在する電荷が隣接放電セルに移動することが防止される。したがって、安定した放電が行われる。
【００５３】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルを示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造工程を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルに備えられた第１保護層と第２保護層の二次電子の放出を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの第１保護層と第２保護層を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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