(57)【要約】【課題】高い放電効率を実現するとともに、高い安定性と高い信頼性とを兼ね備えるＰＤＰおよびＰＤＰ装置を提供する。【解決手段】パネル部１０の放電空間１３には、Ｘｅガスを含む放電ガスが充填されている。放電空間１３内におけるＸｅガスは、その分圧が７．２×１０３［Ｐａ］以上４０．０×１０３［Ｐａ］以下であって、且つ、放電ガスの全圧に対する分圧比が２０［％］以下または６０［％］以上の範囲に設定されている。また、パネル部１０の前面パネル１１における誘電体層１１３の厚み方向において、各電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓ上での誘電体層１１３と誘電体保護層１１４とを足し合わせて考える絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下である【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を挟み対向配置された一対の基板を有し、一方の基板における前記放電空間側の主面に、複数の電極対と当該電極対の前記放電空間側を覆うように誘電体層および誘電体保護層が順に積層形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記放電空間には、キセノンガスを含む放電ガスが充填されており、
前記キセノンガスは、分圧が７．２×１０３Ｐａ以上４０．０×１０３Ｐａ以下であって、且つ、前記放電ガスの全圧に対する分圧比が２０％以下または６０％以上の範囲にあり、
前記誘電体層の厚み方向において、前記電極対を構成する各電極上での前記誘電体層と前記誘電体保護層とを足し合わせた積層体の単位面積あたりの静電容量が１．０μＦ／ｍ２以上２．４μＦ／ｍ２以下の範囲にあるプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記積層体の単位面積あたりの静電容量は、１．５５μＦ／ｍ２以上２．４μＦ／ｍ２以下の範囲にあり、
前記誘電体層の厚みは、３０μｍ以上である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記放電ガスの全圧に対する前記キセノンガスの分圧比は、１２％以上２０％以下の範囲または６０％以上の範囲にある請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記誘電体層は、鉛およびビスマスを含まない低融点ガラスからなる単層構造体または積層構造体であり、
前記低融点ガラスの比誘電率が、５．０以上９．０以下の範囲にある請求項１から３の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記誘電体保護層は、酸化マグネシウムを主成分とし、アルミニウムおよびシリコンの少なくとも一方が添加されてなる材料が用いられている請求項１から４の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
他方の基板における前記放電空間側の主面には、前記電極対に対し交差する方向に配されたデータ電極と、当該データ電極の前記放電空間側を覆うように第２誘電体層と蛍光体層とが順に積層形成されており、
前記第２誘電体層は、前記誘電体層に対し大きい比誘電率を有し、
前記データ電極上における蛍光体層の単位面積あたりの静電容量は、１．５８μＦ／ｍ２以上である請求項１から５の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記電極対と前記データ電極とが立体交差する各領域が放電セルに相当し、
前記蛍光体層は、前記各放電セルごとに少なくとも緑色を含む複数の発光色の領域に区分けされて形成されており、
前記蛍光体層における前記緑色の領域は、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎと（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂとが混合されてなる蛍光体材料が用いられている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記蛍光体層は、前記各放電セルの中心において、その厚みが１４μｍ以下である請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記データ電極は、前記電極対を構成する２電極の少なくとも一方との立体交差領域において、残余の部分に比べて幅が広い請求項６から８の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記立体交差領域における前記データ電極の幅は、前記残余の部分に比べて１．２倍以上２．０倍以下の範囲にある請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記第２誘電体層は、その厚み方向における前記データ電極の前記放電空間側の部分に、残余の部分に比べて比誘電率が高い領域を有する請求項６から１０の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記第２誘電体層は、前記データ電極の周囲を取り囲む部分に、残余の部分に比べて比誘電率が高い領域を有する請求項６から１０の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記放電空間における前記放電ガスの全圧は、１．５０×１０４Ｐａ以上６．６６×１０４Ｐａ以下の範囲にある請求項１から１２の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
請求項１から１３の何れかのプラズマディスプレイパネルと、当該プラズマディスプレイパネルの前記電極対を構成する各電極に対して、入力された画像信号に基づき電圧パルスを印加する駆動部とを有するプラズマディスプレイパネル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネル装置に関し、特に、電極から放電空間露出面までの部分における単位面積あたりの静電容量に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面型表示装置の一種としてのプラズマディスプレイパネル装置（以下では、「ＰＤＰ装置」と記載する。）が広く普及してきている。ＰＤＰ装置の中でも、高い技術的ポテンシャルを有し、且つ、寿命特性などの観点で優位な面放電交流型ＰＤＰ装置（以下では、単に「ＰＤＰ装置」と記載する。）が主流となっている。
ＰＤＰ装置は、画像表示を行うパネル部と、入力信号に基づきパネル部の駆動を行う駆動部などから構成されている。このうちパネル部は、前面パネルと背面パネルとが互いの間に間隙をあけて対向配置された構成を有する。前面パネルは、前面基板の一方の主面に表示電極として、ストライプ状のスキャン電極、サスティン電極が交互に配され、この上を誘電体層および誘電体保護層で被覆された構成となっている。
【０００３】
背面パネルは、背面基板の一方の主面にストライプ状のデータ電極が配され、この上が誘電体層で被覆され、さらにその上にストライプ状あるいは井桁状などの隔壁が突設されている。また、背面パネルには、誘電体層の表面および隔壁の側面により形成される凹部に蛍光体層が形成されている。ＰＤＰ装置では、隔壁により仕切られる凹部ごとに色分けされて蛍光体層が形成されている。
【０００４】
前面パネルと背面パネルとは、誘電体保護層と蛍光体層とが向き合い、且つ、スキャン電極およびサスティン電極とデータ電極とが互いに交差する方向に配されている。また、前面パネルと背面パネルとの間に設けられ、両パネルの外周部で封止されることで密閉された内方空間には、キセノン（Ｘｅ）／ネオン（Ｎｅ）やキセノン（Ｘｅ）／ネオン（Ｎｅ）／ヘリウム（Ｈｅ）などの混合ガスが充填されている。このように構成されたパネル部では、スキャン電極とサスティン電極とからなる表示電極対と、背面パネルに形成されたデータ電極とが立体交差する各領域が、発光の最小単位となる発光セルに相当する。
【０００５】
ＰＤＰ装置の駆動部は、パネル部のスキャン電極、サスティン電極およびデータ電極に各々に接続されており、各電極に対して独立して電圧パルスを印加できるように構成されている。駆動部が実行するパネル部の駆動は、所謂、フィールド内時分割階調表示方式が用いられている。この方式を用いた駆動では、１ＴＶフィールドを複数のサブフィールドに分割し、入力されてきた映像信号に基づいて各サブフィールドの点灯／非点灯を制御し、１ＴＶフィールドあたりでの点灯の合計回数により階調表示制御が実行される。
【０００６】
ところで、ＰＤＰ装置では、その維持放電の放電効率が４〜８［％］と非常に低く、消費電力の低減などの観点から維持放電での放電効率の改善が求められている。このような要望に対し、様々なアプローチがなされているが、その一つの方策として、放電ガス中に占めるＸｅの成分比率を高めるという研究開発がなされている（例えば、特許文献１）。また、維持放電時の放電電流を低減するために、比誘電率の低い材料を用いて前面パネルの誘電体層を形成するという試みもなされている（例えば、特許文献２）。
【特許文献１】特開２００２−８３５４３号公報
【特許文献２】特開平０８−７７９３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１で提案の技術のように、放電ガス中におけるＸｅが占める比率を従来のＰＤＰ装置よりも高くしていった場合には、放電効率の向上という効果を得ることはできるものの、放電空間を臨む誘電体保護層が維持放電時におけるスパッタリングにより削り取られていくという問題を生じることになる。維持放電時における誘電体保護層の削れ量は、放電ガス中に占めるＸｅの比率（全圧に対するＸｅ分圧の比率）を、５［％］から１０［％］、さらに３０［％］と高くすればするほど増加する傾向にある。
【０００８】
また、放電ガス中に占めるＸｅの比率が高くなるにつれ、書込み放電時における放電遅れが大きくなり、維持放電が不安定になるという問題も生じる。さらには、維持電圧が急激に上昇してしまうという問題も生じる。
ところで、ＰＤＰ装置の前面パネルにおける誘電体保護層は、表示電極対を被覆する誘電体層の保護という役割だけでなく、駆動時における２次電子放出による駆動電圧の低減、放電遅れの制御および壁電荷の保持といった非常に重要な役割も担う部位である。このため、上記のように、放電ガス中におけるＸｅの占める比率を高めたＰＤＰ装置では、放電効率の向上というメリットと引き換えに、電圧上昇、寿命および信頼性の低下といったデメリットを有することとなってしまう。
【０００９】
さらに、上記特許文献２で提案の技術のように、前面パネルにおける表示電極対を被覆するよう誘電体層の形成に比誘電率の小さな材料を用いた場合には、放電電流の低減という効果を得ることはできるものの、放電電流が低減する分だけ輝度が低下するという問題、また、維持電圧が上昇するという問題、また、書き込み期間などで蓄積された壁電荷を維持期間まで保持することができず途中で消失してしまうという問題（所謂、「電荷抜け」という現象）を有することになる。
【００１０】
本発明は、上記種々の問題を解決しようとなされたものであって、高い放電効率を実現するとともに、高い安定性と高い信頼性とを兼ね備えるプラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネル装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明に係るＰＤＰは、放電空間を挟み対向配置された一対の基板（前面基板と背面基板）を有し、一方の基板に放電空間側主面に、複数の電極対と当該電極対の前記放電空間側を覆うように誘電体層および誘電体保護層が順に積層形成されてなるものであって、放電空間には、キセノンガスを含む放電ガスが充填されており、キセノンガスは、分圧が７．２×１０３［Ｐａ］以上４０．０×１０３［Ｐａ］以下であって、且つ、放電ガスの全圧に対する分圧比が２０［％］以下または６０［％］以上の範囲にあり、誘電体層の厚み方向において、電極対を構成する各電極上での誘電体層と誘電体保護層とを足し合わせた積層体の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下であるという構造を採用することとした。
【００１２】
また、本発明に係るＰＤＰ装置は、上記本発明に係るＰＤＰを表示デバイスとして備え、当該ＰＤＰの電極対（表示電極対）を構成する各電極（スキャン電極とサスティン電極）に対して、入力された画像信号に基づき電圧パルスを印加する駆動部とを有するという項増を採用することとした。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るＰＤＰでは、上記一方の基板に形成された電極対を構成する各電極上での積層体の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下の範囲とし、且つ、放電ガスに含まれるＸｅの分圧を７．２×１０３［Ｐａ］（５４［Ｔｏｒｒ］）以上であって、４０．０×１０３［Ｐａ］（３００［Ｔｏｒｒ］）以下の範囲としているので、高い発光効率（高い放電効率）を得ることが可能となる。即ち、放電ガスに含まれるＸｅ分圧を７．２×１０３［Ｐａ］以上４０．０×１０３［Ｐａ］以下の範囲とすることによって、ある程度高い発光効率を得ることはできるが、放電電流が大きくなるためにトータルでの発光効率は其れほど高くすることはできない。これは、上記特許文献２に係る提案技術のように比誘電率の低い材料を用いて誘電体層を形成する場合にも同様である。
【００１４】
これに対して、本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、上記積層体の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下の範囲にすることで、放電電流の上昇を抑制しながら発光輝度の向上を図り、トータルで高い発光効率を得ることができる。
また、本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比を２０［％］以下または６０［％］以上の範囲としているので、上述のように高い発光効率を得ながらも維持放電時における誘電体保護層の削れを効果的に抑制することができる。即ち、従来のＰＤＰにおいて、発光効率を向上させるべく放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比を、例えば３０［％］程度まで高くするという方策を採用する場合には、高い放電効率という優位性と引き換えに、維持放電時における誘電体保護層の削れという問題を生じていた。これに対して、本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置の創出にあっては、誘電体保護層のスパッタリングレートに対するＸｅ分圧比への依存性という観点から検討を行い、放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比を２０［％］以下または６０［％］以上の範囲とすることで、上記のように高い発光効率を維持したまま誘電体保護層の削れを効果的に抑制できることを見出した。
【００１５】
従って、本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、高い発光効率（放電効率）を実現するとともに、高い安定性と高い信頼性とを兼ね備える。
上記本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置は、以下のようなバリエーションを採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、積層体の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを、１．５５［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下の範囲に設定し、且つ、誘電体層の厚みを、３０［μｍ］以上とすることが望ましい。これは、積層体の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを１．５５［μＦ／ｍ２］よりも小さくすると、従来のＰＤＰに比べて高い発光効率を得ることはできるものの、小さくすればするほど発光効率が低下するという傾向がある。また、積層体の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを小さくすればするほど、放電電圧が増加することから、積層体の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓの下限値を１．５５［μＦ／ｍ２］とすることが望ましい。
【００１６】
また、誘電体層の厚みに関しては、実際のパネルにおける絶縁耐圧の観点から、あまり薄くすることは現実的ではなく、３０［μｍ］以上とすることが望ましい。
また、上記本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、放電ガスの全圧に対するＸｅガスの分圧比を、１２［％］以上２０［％］以下の範囲または６０［％］以上の範囲とすることが望ましい。これは、上記範囲に積層体の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓをした場合には、放電電流の現象に伴い輝度の低下を生じる。このため、Ｘｅ分圧比（放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧の比率）を１２［％］以上とすることで、積層体の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを上記範囲に設定した場合にあっても、従来のＰＤＰに対し同等以上の発光輝度を確保することができる。
【００１７】
また、上記本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、誘電体層が、鉛およびビスマスを含まない低融点ガラスからなる単層構造体または積層構造体であり、低融点ガラスの比誘電率εが、５．０以上９．０以下の範囲であるという構成を採用することができる。誘電体層の構成材料の具体例としては、次のようなものをあげることができる。
・Ｎａ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系
・Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系
・Ｐ２Ｏ５−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系
また、上記本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、誘電体保護層を、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主成分とし、アルミニウム（Ａｌ）およびシリコン（Ｓｉ）の少なくとも一方が添加されてなる材料から形成することができる。
【００１８】
また、上記本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、一対の基板の内のもう一方の基板における放電空間側主面に対し、上記電極対に対し交差する方向に配されたデータ電極と、当該データ電極の放電空間側を覆うように第２誘電体層と蛍光体層とを順に積層形成されてなる構成を採用し、第２誘電体層が上記誘電体層に対し大きい比誘電率εを有し、データ電極上における蛍光体層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓは、１．５８［μＦ／ｍ２］以上であるという構成を採用することができる。このように蛍光体層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを１．５８［μＦ／ｍ２］以上とすることで、書き込み期間における電荷抜けの発生を効果的に抑制できる。特に、緑色の蛍光体層の単位面積あたりの静電容量を１．５８［μＦ／ｍ２］以上とすることが望ましい。これは、次のような理由によるものである。
【００１９】
ＰＤＰにおける緑色蛍光体層を構成する蛍光体材料としては、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎと（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂとが混合されてなる蛍光体材料が用いられることがあり、赤色蛍光体層および青色蛍光体層に比べて、単位面積あたりの静電容量が小さい。このため、従来のＰＤＰでは、緑色蛍光体層を備える放電セルでの電荷抜けが発生しやすい。これに対して、本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、緑色蛍光体層の単位面積あたりの静電容量を１．５８［μＦ／ｍ２］以上としているので、従来のＰＤＰで生じていたような電荷抜けを生じ難い。
【００２０】
上記蛍光体層の単位面積あたりの静電容量を上記範囲とするための方策としては、例えば、各放電セルの中心における蛍光体層の厚みを１４［μｍ］以下とするという方法を採用することができる。
また、上記本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、データ電極を、電極対を構成する２電極の少なくとも一方との立体交差領域において、残余の部分に比べて幅が広いという構成を採用することができる。このような構成を採用することにより、本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、書き込み放電時における無効電力の低減をすることができ、さらに、効果的に電荷抜けの抑制をすることができる。ここで、電極対とデータ電極との立体交差領域におけるデータ電極の幅を、残余の部分に比べて１．２倍以上２．０倍以下とすることが望ましい。これは、幅比率を１．２倍よりも小さくすると、電荷抜けを抑制するという効果を実質的に得ることができず、逆に、幅比率を２．０倍よりも大きくすると、製造過程において、隣り合うデータ電極の間において、幅を広げた箇所どうしがオーバーラップしてしまう危険性が増大し、また、その他の部分に断線を生じる危険性も増大するからである。
【００２１】
また、上記本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、第２誘電体層を、その厚み方向におけるデータ電極の放電空間側に接する部分に、残余の部分に比べて比誘電率εが高い領域を有するという構成を採用したり、あるいは、第２誘電体層を、データ電極の周囲を取り囲む部分に、残余の部分に比べて比誘電率εが高い領域を有するという構成を採用することができる。このような構成を採用することで、本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、書き込み放電時における無効電力の低減と、電荷抜けの抑制という両観点から有効である。
【００２２】
なお、上記無効電力の低減と電荷抜けの抑制という優位性を得るためには、上記構成に限らず、第２誘電体層において、データ電極と電極対のスキャン電極との立体交差部分における領域での比誘電率が他の領域に比べて高くしておけばよい。
上記本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置では、放電空間に前記放電ガスの全圧を、１．５０×１０４［Ｐａ］以上６．６６×１０４［Ｐａ］以下の範囲としておくことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下では、本発明を実施するための最良の形態について、一例を以って説明する。なお、以下の説明で用いる実施の形態は、あくまでも一例であって、本発明は、その本質的特徴とする部分以外これに何らの限定を受けるものではない。
（実施の形態１）
１．ＰＤＰ装置１の全体構成
本実施の形態に係るＰＤＰ装置１の構成について、図１を用い説明する。図１は、ＰＤＰ装置１の全体構成を模式的に示すブロック構成図である。なお、図１では、パネル部１０の構成についてスキャン電極Ｓｃｎ、サスティン電極Ｓｕｓおよびデータ電極Ｄａｔの配列のみを模式的に表している。
【００２４】
図１に示すように、パネル部１０とその電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓ、Ｄａｔの各々に所要のタイミングおよび波形を以って電圧パルスを印加する表示駆動部２０とから構成されている。パネル部１０の詳しい構成については後述するが、パネル部１０には、スキャン電極Ｓｃｎおよびサスティン電極Ｓｕｓが交互にｎ［本］づつ配設され、これと交差する方向に向けｍ［本］のデータ電極Ｄａｔが配設されている。パネル部１０では、スキャン電極Ｓｃｎ（ｋ）とサスティン電極Ｓｕｓ（ｋ）との対と、データ電極Ｄａｔ（ｌ）との各交差部分が放電セルに相当し、パネル部１０全体としては、（ｍ×ｎ）個の放電セルが形成されていることになる。
【００２５】
一方、表示駆動部２０は、パネル部１０における各電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓ、Ｄａｔに接続されたドライバ２１、２２、２３を有する。そして、ドライバ２１、２２、２３には、タイミング発生部２１、Ａ／Ｄ変換部２５、走査数変換部２６、サブフィールド変換部２７およびＡＰＬ（平均ピクチャーレベル）検出部２８などが設けられている。また、その図示を省略しているが、表示駆動部２０には、電源回路も接続されている。
【００２６】
映像信号ＶＤは、Ａ／Ｄ変換部２５に入力され、また、水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖは、タイミング発生部２４、Ａ／Ｄ変換部２５、走査数変換部２６およびサブフィールド変換部２７に入力される。
Ａ／Ｄ変換部２５は、上記入力された映像信号をディジタル信号の画像データへと変換し、また、変換された後の画像データを走査数変換部２６およびＡＰＬ検出部２８へと出力する。Ａ／Ｄ変換部２５かた画像データの入力を受けたＡＰＬ検出部２８は、１画面毎の各放電セルにおける各階調値を示す画面データに基づき、当該１画面の合計の階調値を計算し、これを全放電セルで割った値を求める。そして、ＡＰＬ検出部２８は、上記で求められた値より最大階調値（例えば、２５６階調）に対する百分率を算出してＡＰＬ（平均ピクチャーレベル）を求め、その値をタイミング発生部２４へと出力する。
【００２７】
ここで、ＰＤＰ装置１では、算出されたＡＰＬの値が高ければ高いほど白っぽい画面を表示し、逆に、ＡＰＬが低ければ低いほど黒っぽい画面を表示することになる。
走査数変換部２６は、Ａ／Ｄ変換部２５からの画像データを受付け、これをパネル部１０の画素数に応じた画像データへと変換し、当該変換後の値をサブフィールド変換部２７へと出力する。サブフィールド変換部２７では、走査数変換部２６から送られてくる画像データを、パネル部１０で階調表示するために各サブフィールドでの放電セルの点灯／非点灯を示す２値データの集合であるサブフィールドデータへと変換する。そして、サブフィールド変換部２７は、上記サブフィールドデータを、備えているサブフィールドメモリ（不図示）に一旦格納し、タイミング発生部２４からのタイミング信号に基づいてサブフィールドメモリに格納したサブフィールドデータをデータドライバ２１へと出力する。
【００２８】
データドライバ２１は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄａｔ（１）〜Ｄａｔ（ｍ）に対応する信号に変換し、各データ電極Ｄａｔ（１）〜Ｄａｔ（ｍ）に対し電圧パルスを印加する。なお、データドライバ２１は、公知のドライバＩＣで構成されている。
タイミング発生部２４は、入力された水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖに基づき、タイミング信号を生成し、これを各ドライバ２１〜２３へと出力する。
【００２９】
スキャンドライバ２２は、タイミング発生部２４に基づき、スキャン電極Ｓｃｎ（１）〜Ｓｃｎ（ｎ）に対し電圧パルスを印加する。スキャンドライバ２２についても、上記データドライバ２１と同様、公知のドライバＩＣで構成されている。
サスティンドライバ２３は、タイミング発生部２４から送られてくるタイミング信号に基づき、サスティン電極Ｓｕｓ（１）〜Ｓｕｓ（ｎ）に対し電圧パルスを印加する。このサスティンドライバ２３についても、上記データドライバ２１およびスキャンドライバ２２などと同様、公知のドライバＩＣで構成されている。
【００３０】
２．パネル部１０の構成
ＰＤＰ装置１のパネル部１０の構成について、図２および図３を用い説明する。図２は、パネル部１０の構成の一部を抜き出して示す要部斜視図であり、図３は、その内の前面パネル１１の構成のみを模式的に示す模式断面図である。
図２に示すように、パネル部１０は、前面パネル１１と背面パネル１２とが放電空間１３を挟んで対向配置された構成を有する。
【００３１】
２−１．前面パネル１１の構成
図２に示すように、前面パネル１１は、前面基板１１１をベースに構成されており、その一方の主面（図２では、下向きの主面）にスキャン電極Ｓｃｎおよびサスティン電極Ｓｕｓからなる表示電極対１１２が互いに並行するように複数配設され、この表示電極対１１２を被覆する状態に、誘電体層１１３および誘電体保護層１１４が順に積層形成されている。
【００３２】
前面基板１１１は、例えば、高歪点ガラスあるいはソーダライムガラス等を用い形成されている。また、表示電極対１１２を構成するスキャン電極Ｓｃｎおよびサスティン電極Ｓｕｓの各々は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどからなる透明電極部１１２１、１１２２と、Ａｇなどの金属材料からなるバス電極部１１２３、１１２４との積層構造を以って構成されている。
【００３３】
本実施の形態においては、前面パネル１１の誘電体層１１３は比誘電率εが”７”の低融点ガラスを用い形成されており、厚さｔが約４０［μｍ］に設定されている。また、誘電体保護層１１４は、アルミニウム（Ａｌ）やシリコン（Ｓｉ）が微量添加されてなる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用い形成されている。なお、誘電体保護層１１４におけるＭｇＯに対するＡｌやＳｉの添加量は、例えば、０．０１［％］以上０．１［％］以下である。
【００３４】
なお、前面基板１１１における放電空間１３側の主面において、隣り合う表示電極対１１２間に、隣り合う放電セル間での光の漏れ出しを防止するためブラックストライプが設けられることもある。
本実施の形態では、誘電体層１１３と誘電体保護層１１４とを合わせて考えるときの絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを、１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下の範囲内、例えば、約１．５５［μＦ／ｍ２］に設定している。ここで、前面パネル１１における上記”単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓ”とは、表示電極対１１２におけるスキャン電極Ｓｃｎおよびサスティン電極Ｓｕｓから放電空間１３の側に向けての投影領域での、誘電体層１１３および誘電体保護層１１４が足し合わせてなる絶縁被覆層の静電容量Ｃを電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓの投影面積Ｓで割った値を示すものである。絶縁被覆層の静電容量Ｃとは、図３に示す静電容量Ｃであり、これを電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓの投影面積Ｓで割った値が単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓということになる。
【００３５】
２−２．背面パネル１２の構成
背面パネル１２は、背面基板１２１における上記前面パネル１１と対向する側の主面（図２では、上向きの主面）に、データ電極Ｄａｔが互いに並行に複数本配設されている。データ電極Ｄａｔは、前面パネル１１の表示電極対１１２に対して交差する方向を以って配設されている。
【００３６】
背面基板１２１の主面は、データ電極Ｄａｔを被覆する状態に誘電体層１２２が形成されている。背面パネル１２における誘電体層１２２は、比誘電率εが”１３”の材料を用い、厚みが約１０［μｍ］に形成されている。
誘電体層１２２の主面上には、衝立状の隔壁１２３が立設されている。隔壁１２３は、隣り合うデータ電極Ｄａｔ間に延設された主隔壁１２３１とこれに交差する方向に延設された補助隔壁１２３２とからなり、主隔壁１２３１の高さ（Ｚ軸方向の高さ）に比べて補助隔壁１２３２の高さが低く設定されており、そのギャップｇは、例えば約２０［μｍ］程度である。
【００３７】
誘電体層１２２と隔壁１２３とで形成される各凹部は、その内壁面に蛍光体層１２４が形成されている。蛍光体層１２４は、各凹部毎に赤色（Ｒ）蛍光体層１２４Ｒ、緑色（Ｇ）蛍光体層１２４Ｇ、青色（Ｂ）蛍光体層１２４Ｂとそれぞれ色分けされて形成されている。
背面パネル１２における背面基板１２１は、上記前面パネル１１における前面基板１１１と同様、高歪点ガラス材料やソーダライムガラス材料を用い形成されている。また、データ電極Ｄａｔは、アルミニウム（Ａｌ）合金や銀（Ａｇ）などといった金属材料から形成されている。
【００３８】
誘電体層１２２は、上述のように、比誘電率ε＝１３の材料を用い、厚み約１０［μｍ］で形成されているが、具体的な構成材料としては、酸化シリコンや、非鉛系の低融点ガラス材料を用いることが可能であり、また、そこに酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や酸化チタン（ＴｉＯ２）などを添加することもできる。隔壁１２３は、ガラス材料を用い形成されている。
【００３９】
各蛍光体層１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂは、例えば、次のような蛍光体材料を用い、それらを単独で用いたり、あるいは混合して使用したりすることで形成されている。
・Ｒ蛍光体；（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、ＹＶＯ３：Ｅｕなど材料
・Ｇ蛍光体；Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂ、ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎなどの材料
・Ｂ蛍光体；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６：Ｅｕなどの材料
２−３．前面パネル１１と背面パネル１２との配置
図２に示すように、パネル部１０は、前面パネル１１と背面パネル１２とが、背面パネル１２の隔壁１２３をギャップ材として間に挟み、且つ、表示電極対１１２とデータ電極Ｄａｔとが略直交する方向になるように配され、互いの外周部どうしが封止された構成となっている。そして、パネル部１０は、前面パネル１１と背面パネル１２とによって、内方に放電空間１３が形成されてなる密閉容器とみることができる。放電空間１３は、隔壁１１２３により放電セル毎に仕切られている。
【００４０】
本実施の形態に係るＰＤＰ装置１のパネル部１０の放電空間１３内には、キセノン（Ｘｅ）ガス、若しくは、Ｘｅガスと他のガス（例えば、ネオン（Ｎｅ）ガス）との混合ガスからなる放電ガスが封入されている。放電空間１３に対する放電ガスの封入圧力は、１．５０×１０４［Ｐａ］以上６．６６×１０４［Ｐａ］以下の範囲に設定されている。
また、本実施の形態に係るパネル部１０では、放電ガスにおけるＸｅガスの分圧が、７．２×１０３［Ｐａ］以上４０．０×１０３［Ｐａ］以下の範囲であって、且つ、放電ガスの全圧に対するＸｅガスの分圧比が、２０［％］以下または６０［％］以上の何れかとなるように設定されている。
【００４１】
３．ＰＤＰ装置１の駆動方法
次に、上記構成を有する本実施の形態に係るＰＤＰ装置１の駆動方法について、図４を用い説明する。図４は、フィールド内時分割階調表示方式（サブフィールド方式）を用いてＰＤＰ装置１の駆動を実行する際に、各電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓ、Ｄａｔに対し印加される電圧パルスの波形を示す波形図である。
【００４２】
図４に示すように、ＰＤＰ装置１の表示駆動においては、一例として、２５６階調を表現するために１ＴＶフィールドを８サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に分割し、それぞれのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に初期化期間Ｔ１、書き込み期間Ｔ２および維持期間Ｔ３の３つの期間を設定し、サスティン電極Ｓｕｓ（１）〜Ｓｕｓ（ｎ）に対し電圧パルス２００１を、スキャン電極Ｓｃｎ（１）〜Ｓｃｎ（ｎ）に対し電圧パルス２００２を、データ電極Ｄａｔ（１）〜Ｄａｔ（ｍ）に対し電圧パルス２００３を各々印加する。なお、上述のように、各電極Ｓｕｓ、Ｓｃｎ、Ｄａｔの各々に対する電圧パルス２００１、２００２、２００３の印加は、タイミング発生部２４からのタイミング信号に基づいて実行される。
【００４３】
図４の下部分に示すように、各サブフィールドＳＦにおける初期化期間Ｔ１では、パネル部１０の全ての放電セルにおいて弱放電である初期化放電を生じさせ、当該放電により先行するサブフィールドにおける放電の有無による影響の除去や、放電特性によるバラツキ等を吸収する初期化が実施される。初期化期間Ｔ１では、スキャン電極Ｓｃｎ（１）〜Ｓｃｎ（ｎ）に対し、緩やかな電圧−時間の傾きを以って上りおよび下り方向に変化するランプ波形電圧パルスを印加し、この傾斜部分の印加の際に定常的に放電電流を流す。初期化期間Ｔ１では、スキャン電極Ｓｃｎ（１）〜Ｓｃｎ（ｎ）への印加電圧パルスにおける上り傾斜部分と下り傾斜部分とで各々１回づつ弱放電たる初期化放電が発生する。
【００４４】
上記初期化期間Ｔ１に続く書き込み期間Ｔ２では、サブフィールド変換部２７からのサブフィールドデータに基づいてスキャン電極Ｓｃｎ（１）〜Ｓｃｎ（ｎ）を１ラインごとに順次スキャンして行き、当該サブフィールドで維持放電を生じさせたい放電セルに対し、スキャン電極Ｓｃｎとデータ電極Ｄａｔとの間で書き込み放電を生じさせ、当該放電の発生によって前面パネル１１の保護層１１４表面に壁電荷を蓄積する。
【００４５】
図４に示すように、維持期間Ｔ３では、パネル部１０の全てのサスティン電極Ｓｕｓ（１）〜Ｓｕｓ（ｎ）とスキャン電極Ｓｃｎ（１）〜Ｓｃｎ（ｎ）に対し、極性が交互に変わるように維持パルスが印加される。維持期間Ｔ３において、サスティン電極Ｓｕｓ（１）〜Ｓｕｓ（ｎ）に印加される電圧パルスの波形とスキャン電極Ｓｃｎ（１）〜Ｓｃｎ（ｎ）に印加される電圧パルスの波形とは、同一周期（例えば、λ＝６μｓｅｃ．）であり、互いに半周期ずらした状態になっている。なお、各維持パルスの高さ、即ち、電圧値は、例えば、２００（Ｖ）に設定されている。
【００４６】
維持期間Ｔ３においては、上記全てのサスティン電極Ｓｕｓ（１）〜Ｓｕｓ（ｎ）およびスキャン電極Ｓｃｎ（１）〜Ｓｃｎ（ｎ）への維持パルスの印加により、直前の書き込み期間Ｔ２で壁電荷の蓄積がなされた放電セルで維持放電が発生する。維持放電は、サスティン電極Ｓｕｓとスキャン電極Ｓｃｎとの極性が反転するごとに発生する。そして、サブフィールドＳＦごとにおける維持放電の発生回数は、そのサブフィールドに割り当てられた輝度重みに基づき設定される。
【００４７】
上述のように、維持期間Ｔ３において維持放電が発生した放電セルでは、放電空間１３に充填された放電ガス中の励起Ｘｅ原子から波長１４７［ｎｍ］の共鳴線が放射され、励起Ｘｅ分子から波長１７３［ｎｍ］の分子線が放射される。そして、これら励起Ｘｅ原子および励起Ｘｅ分子から放射された共鳴線および分子線が背面パネル１２における各放電セルの蛍光体層１２４で可視光に変換されて、前面パネル１１側より出射される。
【００４８】
このようにして、本実施の形態に係るＰＤＰ装置１では、入力映像信号ＶＤ等に基づく画像表示がなされる。
４．ＰＤＰ装置１が有する優位性
本実施の形態に係るＰＤＰ装置１では、前面パネル１１における表示電極対１１２を構成する各電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓ上での絶縁被覆層（誘電体層１１３と誘電体保護層１１４とを合わせたもの）の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下の範囲とし、且つ、放電ガスに含まれるＸｅガスの分圧を７．２×１０３［Ｐａ］（５４［Ｔｏｒｒ］）以上であって、４０．０×１０３［Ｐａ］（３００［Ｔｏｒｒ］）以下の範囲としているので、高い発光効率（高い放電効率）を得ることが可能となる。
【００４９】
本実施の形態に係るＰＤＰ装置１において上記効果を得ることができるのは、次のような理由によるものである。即ち、上記特許文献２に係る提案技術のように比誘電率の低い材料を用いて誘電体層を形成する場合であっても、放電ガスに含まれるＸｅ分圧を７．２×１０３［Ｐａ］以上４０．０×１０３［Ｐａ］以下の範囲とするだけでは必ずしも高い発光効率を得ることはできない。これに対して、本実施の形態に係るＰＤＰ装置１では、上記絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下の範囲にすることで、装置１駆動時における放電電流の上昇を抑制しながら発光輝度の向上を図ることができ、トータルで高い発光効率を得ることができる。
【００５０】
また、本実施の形態に係るＰＤＰ装置１では、放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比を２０［％］以下または６０［％］以上の範囲としているので、高い発光効率を得ながらも維持放電時における誘電体保護層１１４の削れ（スパッタリング）を効果的に抑制することができる。即ち、従来のＰＤＰ装置において、発光効率を向上させるべく放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比を、例えば３０［％］程度まで高くするという方策を採用する場合には、高い放電効率という優位性と引き換えに、維持放電時における誘電体保護層１１４の削れという問題を生じていた。これに対して、本実施の形態に係るＰＤＰ装置１では、誘電体保護層１１４のスパッタリングレートとＸｅ分圧比との関係に着目し、放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比を２０［％］以下または６０［％］以上（１００［％］以下）の範囲とすることで、上記のように高い発光効率を維持したまま誘電体保護層の削れを効果的に抑制できる。
【００５１】
従って、本発明に係るＰＤＰ装置１では、高い発光効率（放電効率）を実現するとともに、高い安定性と高い信頼性とを兼ね備える。
なお、Ｘｅ分圧比については、１２［％］以上２０［％］以下、あるいは、６０［％］以上１００［％］以下とすることで、高い発光輝度と誘電体保護層１１４の削れ防止という両観点からより効果的となる。
【００５２】
５．優位性の確認
５−１．絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓと発光効率
上記のような本実施の形態に係るＰＤＰ装置１が有する優位性についての確認実験を行った。先ず、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓと発光効率との関係について実験を行い、その結果を図５に示す。なお、「絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓ」とは、上記の通り、スキャン電極Ｓｃｎあるいはサスティン電極Ｓｕｓの放電空間１３側表面上の誘電体層１１３と誘電体保護層１１４とを合わせた積層体（絶縁被覆層）の単位面積あたりの静電容量Ｃを電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓの面積で割った値Ｃ／Ｓを示すものである。
【００５３】
本確認において用いたサンプルを次表に示す。
【００５４】
【表１】
2007294360.tif 000003
上記表１における実施例１〜３および比較例における誘電体層１１３の厚みを５［μｍ］〜６０［μｍ］の範囲で変化させ、これにより絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが互いに異なる複数種のＰＤＰサンプルを作製した。なお、比較例に係るＰＤＰサンプルにおいては、単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを２［μＦ／ｍ２］よりも小さくしようとすると、誘電体層１１３の厚みが厚くなり過ぎ、実際に放電を生じ得ない。このため、比較例では、単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを２［μＦ／ｍ２］としてサンプルを作製した。
【００５５】
本確認においては、上記複数種のＰＤＰサンプルを書き込み期間Ｔ２で選択された放電セルに対し周波数２００［ｋＨｚ］の維持パルスを印加して点灯させて、その各々の発光効率を算出した。
図５に示すように、比較例に係るＰＤＰサンプル（図中符号：□）では、単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが小さくなればなるほど発光効率が高くなった。比較例に係るＰＤＰサンプルでは、発光効率が単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓに対し直線的に変化していることが分かる。なお、比較例に係るＰＤＰサンプルでは、単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓの減少に伴い発光効率（放電効率）が若干向上するものの、単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを小さくする場合には、発光輝度が大きく低下してしまい、暗い表示しかできなくなってしまう。このため、比較例に係るＰＤＰサンプルでは、発光効率の向上を図るために絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを小さくして行くと、表示品質の低下を招いてしまう。
【００５６】
一方、図５に示すように、実施例１〜３に係るＰＤＰサンプルでは、単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが同じ比較例に係るＰＤＰサンプルに対し、高い発光効率を有する。また、実施例に係るＰＤＰサンプルでは、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが２．４［μＦ／ｍ２］よりも高い場合には、比較例に係るＰＤＰサンプルと同様の傾きをもって発光効率が変化するが、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが２．４［μＦ／ｍ２］以下の場合には、非常に高い発光効率を得ることができる。より具体的には、実施例１〜３に係るＰＤＰサンプルでは、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが２．４［μＦ／ｍ２］以下の場合に、発光効率が上に凸の２次曲線状に向上する。
【００５７】
なお、図５においては、実施例１〜３に係るＰＤＰサンプルも絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓの下限を１．０［μＦ／ｍ２］としているが、これは、これよりも静電容量Ｃ／Ｓを低くしようと誘電体層１１３の厚みを厚くすると放電が生じ得ず、実際のＰＤＰとして機能しなくなるためである。
以上の結果より、Ｘｅ分圧が高い高Ｘｅ型ＰＤＰでは、特に、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下の範囲にあるとき、その発光効率（放電効率）の向上が図れる。また、この場合においては、十分高い発光輝度が得られるので、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを小さくすることによる発光輝度の低下はその程度が軽く、大きな問題となることはない。むしろ、発光輝度が高すぎると、特に低い階調域での階調性が低下することから考え、発光輝度をあまり高くしないほうがよい場合もある。
【００５８】
なお、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓについては、１．５５［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下の範囲に設定し、且つ、誘電体層１１３の厚みを３０［μｍ］以上に設定しておくことがより望ましい。これは、図５に示すように、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが１．５５［μＦ／ｍ２］よりも小さい範囲では、従来の（比較例の）ＰＤＰ装置よりは発光効率が高いものの、単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが小さくなればなるほど発光効率が低下する傾向にあるためである。また、単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが小さくなればなるほど放電電圧が増加する。このような理由から、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを、１．５５［μＦ／ｍ２］以上にしておくことが望ましい。
【００５９】
また、誘電体層１１３の厚みに関しては、薄ければ薄いほど単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを高くすることができるものの、絶縁耐圧という観点からは３０［μｍ］以上とするのが望ましい。
また、実施例１〜３は、相互に誘電体層１１３の比誘電率εが異なるが、図５に示すように、比誘電率εが異なっても単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓと発光効率との関係は略同一である。よって、異なる比誘電率εで絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを同じにしようとするときには、比誘電率εが小さいほど誘電体層１１３の厚みを薄くなるため、維持電圧を低くできることから望ましい。ただし、絶縁耐圧という観点から、あまり誘電体層１１３の厚みを薄くすることはできないので、誘電体層１１３を構成する材料の比誘電率εの範囲としては、５〜９が望ましい。
【００６０】
現有の製造設備を用いＰＤＰを製造するということを前提とすれば、即ち、厚膜法を用い誘電体層１１３を形成するということを前提とするときには、上記範囲の比誘電率εを有する材料として鉛およびビスマスを含まない低融点ガラス材料を用いることが望ましい。例えば、次のような組成の低融点ガラス材料を用いることができる。
・Ｎａ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系
・Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系
・Ｐ２Ｏ５−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系
なお、上記組成の低融点ガラス材料を用い誘電体層１１３を形成する場合には、単層構造としてもよいし積層構造としてもよい。
【００６１】
５−２．表示電極対１１２における各電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓの幅を変化させた場合における絶縁被覆層の静電容量と発光効率との関係
絶縁被覆層の静電容量Ｃに関しては、誘電体層１１３の構成材料の比誘電率εやその厚みだけでなく、表示電極対１１２の電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓの面積Ｓによっても変化する。そこで、以下では、表示電極対１１２における電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓの各面積を変化させ、発光効率の絶縁被覆層の静電容量Ｃに対する依存性について評価した。本評価に用いたサンプルを、次表に示す。
【００６２】
【表２】
2007294360.tif 000004
なお、表２に示す実施例および比較例の各々に係るＰＤＰサンプルでは、絶縁被覆層における単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓは、それぞれ２．４［μＦ／ｍ２］、２．８［μＦ／ｍ２］である。
【００６３】
また、本評価においては、表２の実施例および比較例の各々に係るＰＤＰサンプルにおいて、透明電極部１１２１、１１２２の幅（図２のＸ軸方向幅）を１３３［μｍ］〜２１０［μｍ］の範囲で変化させて複数種のＰＤＰサンプルを作製した。そして、各ＰＤＰサンプルにおける発光効率の測定を行い、その結果を図６に示す。
図６に示すように、誘電体層１１３の比誘電率εおよび厚みを一定に維持し、これによって絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓをそれぞれ上記の値に維持した上で、電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓの面積だけを変化させた場合には、ＰＤＰサンプルの発光効率が静電容量Ｃの変化によってはほとんど変化しない。また、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを２．４［μＦ／ｍ２］とした実施例に係るＰＤＰサンプルでは、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを２．８［μＦ／ｍ２］とした比較例に係るＰＤＰサンプルに比べて、発光効率は１７［％］も高くなった。
【００６４】
以上の結果より、ＰＤＰの発光効率を向上させるには、単に絶縁被覆層（誘電体層１１３と誘電体保護層１１４とを合わせた積層体）の静電容量Ｃを低減するのではなく、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを低く抑えることが重要であることが分かる。言換えると、ＰＤＰにおいては、単に放電電流の低減を図るという考え方では発光効率を向上することはできず、電流密度や電界分布を制御するという考え方を導入することによって発光効率の向上を図ることができる。なお、放電ガス中におけるＸｅ分圧が高いほど、発光効率の向上には、上記ファクターの制御が重要となる。
【００６５】
５−３．Ｘｅ分圧（比）と発光効率との関係
次に、ＰＤＰにおけるＸｅ分圧と発光効率との関係についての評価を行い、その結果を図７に示す。本評価には、次表に示す実施例および比較例の各々に係るＰＤＰサンプルを用いた。
【００６６】
【表３】
2007294360.tif 000005
なお、表３に示す実施例および比較例の各々に係るＰＤＰサンプルでは、絶縁被覆層における単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓは、それぞれ１．８［μＦ／ｍ２］、２．８［μＦ／ｍ２］である。また、Ｘｅのみからなる放電ガスを採用するＰＤＰサンプルは、放電ガスの充填圧力を３０［ｋＰａ］と４０［ｋＰａ］との２種類としている。これは、Ｘｅのみからなる放電ガスを採用する場合に、Ｘｅ／Ｎｅの２元系混合ガスを採用する場合と同様の６０［ｋＰａ］という充填圧力を採用すると、放電電圧が非常に高圧（３００［Ｖ］以上の高圧）となってしまい、放電が不安定となるため充填圧力の上限を４０［ｋＰａ］とするものである。
【００６７】
図７に示すように、Ｘｅ分圧が３［ｋＰａ］〜１８［ｋＰａ］の間では、実施例および比較例の双方で、Ｘｅ分圧の上昇に伴い発光効率が向上している。ただし、実施例に係るＰＤＰサンプルでは、比較例に係るＰＤＰサンプルに比べてＸｅ分圧の上昇に伴う発光効率の向上の傾きが大きくなっている。図７に示すように、Ｘｅ分圧を３０［ｋＰａ］〜４０［ｋＰａ］としたＰＤＰサンプルの発光効率は、Ｘｅ分圧を１８［ｋＰａ］としたときの発光効率と略同一の値となる。これについては、実施例および比較例ともに同じ傾向である。
【００６８】
また、図７に示すように、Ｘｅ分圧が７．２［ｋＰａ］以上の範囲では、実施例に係るＰＤＰサンプルと比較例に係るＰＤＰサンプルとの間の発光効率の差異が明確となっている。即ち、
Ｘｅ分圧を７．２［ｋＰａ］以上とすることで確実に発光効率の向上を図ることができる。そして、Ｘｅ分圧の上限としては、放電の安定性という観点から、４０［ｋＰａ］以下が採用できる。
【００６９】
次に、放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比と発光効率との関係についても評価を実施し、その結果を図８に示す。本評価には、次表に示す実施例および比較例の各々に係るＰＤＰサンプルを用いた。
【００７０】
【表４】
2007294360.tif 000006
図８に示すように、発光効率は、全圧に対するＸｅ分圧比を大きくすればするほど向上する。実施例に係るＰＤＰサンプルと比較例に係るＰＤＰサンプルとの比較においては、全圧に対するＸｅ分圧比を１２［％］以上としたサンプル各間での差異が大きくなった。即ち、放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比が１２［％］以上１００［％］以下の範囲で、従来のＰＤＰに比べて明確な差異を以って発光効率の向上という効果を得ることができる。
【００７１】
ここで、本確認においては、１００［％］ＸｅおよびＸｅ／Ｎｅの２元系混合ガスを用い、発光効率の測定を行ったが、Ｘｅ／アルゴン（Ａｒ）、Ｘｅ／ヘリウム（Ｈｅ）などの２元系混合ガスや、Ｘｅ／Ｎｅ／Ｈｅ、Ｘｅ／Ａｒ／Ｈｅ、Ｘｅ／Ｎｅ／Ａｒなどの３元系混合ガスにおいても、同様の傾向となる。
５−４．Ｘｅ分圧比とスパッタリングレートとの関係
次に、ＰＤＰ装置１の駆動時における誘電体保護層１１４のスパッタリングレートと放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比との関係について評価を行い、その結果を図９に示す。なお、本評価においては、放電ガスとして１００［％］ＸｅおよびＸｅ／Ｎｅの２元系混合ガスとを用い、全圧に対するＸｅ分圧比を１０［％］〜１００［％］の間で変化させて、各々における誘電体保護層１１４のスパッタリングレートを測定した。また、１００［％］Ｘｅの放電ガスを採用する場合には、放電ガスの全圧を４０［ｋＰａ］とし、Ｘｅ／Ｎｅの２元系混合ガスを採用する場合には、放電ガスの全圧を６０［ｋＰａ］としている。これは、上記の通りである。さらに、図９における線図は、イオンの数、エネルギおよび放電モードの変化を考慮して求めた計算値である。
【００７２】
図９に示すように、誘電体保護層１１４のスパッタリングレートは、Ｘｅ分圧比が約５０［％］までの範囲において、比例して高くなり、Ｘｅ分圧比が約５０［％］を越えると低下して行く。
ＰＤＰ装置１の誘電体保護層１１４の寿命を６００００［時間］確保しようとするときには、スパッタリングレートを”２０”以下とすることが必要であり、これより、誘電体保護層１１４の保護という観点からは、全圧に対するＸｅ分圧比を２０［％］以下、もしくは６０［％］以上とすることが望ましい。
【００７３】
ＰＤＰ装置の駆動においては、全圧に対するＸｅ分圧比が高いほど誘電体保護層１１４に衝突するイオン量が多くなるが、Ｘｅ分圧比が５０［％］を越えるパネルでは、放電モードが変化し誘電体保護層１１４に対するイオンの入射角が変化する。具体的には、全圧に対するＸｅ分圧比を５０［％］以上としたＰＤＰでは、放電が電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓの近傍領域に局在化するようになり、誘電体保護層１１４へのイオンの入射角が変化する。このように誘電体保護層１１４へのイオンの入射角が変化したＰＤＰでは、スパッタリングレートが低下する現象が発生する。
【００７４】
なお、本評価においても、１００［％］ＸｅあるいはＸｅ／Ｎｅの２元系混合ガスを用いているが、これに限らずＸｅ／Ａｒ、Ｘｅ／Ｈｅ、Ｘｅ／Ｎｅ／Ｈｅ、Ｘｅ／Ａｒ／Ｈｅ、Ｘｅ／Ｎｅ／Ａｒなどを用いても同様の関係が成立する。
５−５．考察
以上の（５−１）〜（５−４）結果を総合して考えると、ＰＤＰ装置１では、放電空間１３におけるＸｅ分圧を、７．２×１０３［Ｐａ］以上４０．０×１０３［Ｐａ］以下であって、且つ、放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比が２０［％］以下または６０［％］以上の範囲にあり、誘電体層１１３の厚み方向において、表示電極対１１２を構成する各電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓ上での誘電体層１１３と誘電体保護層１１４とを足し合わせた絶縁被覆層（積層体）の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下の範囲とすることが、高い発光効率（放電効率）を実現しながら高い安定性と高い信頼性とをえるために重要となる。
（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係るＰＤＰ装置の構成について、図１０を用い説明する。図１０では、本実施の形態に係るＰＤＰ装置の構成中で、上記実施の形態１に係るＰＤＰ装置１とは構造的に相違する前面パネル３１の一部を抜き出して描いている。なお、前面パネル３１以外の各構成については、上記実施の形態１に係るＰＤＰ装置１と変わるところがないので図示および説明を省略する。
【００７５】
図１０に示すように、本実施の形態に係るＰＤＰ装置の前面パネル３１では、表示電極対１１２を構成するスキャン電極Ｓｃｎとサスティン電極Ｓｕｓとの間における領域３１ａで誘電体層３１３の厚みが他の領域３１ｂよりも薄くなっている。そして、スキャン電極Ｓｃｎとサスティン電極Ｓｕｓとの間に相当する領域３１ａでは、誘電体層３１３と誘電体保護層３１４とを合わせた絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが、上記実施の形態１と同様に、１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下となるように、誘電体層３１３の厚みが設定されている。
【００７６】
本実施の形態に係るＰＤＰ装置ではｍ、前面パネル３１に上記構成を採用することにより、前面パネル３１全体での平均静電容量Ｃ／ＳＡＶＥ．を小さくしながら、放電開始に対し寄与度合いの高い放電間隙の領域３１ａの誘電体層３１３の厚みを薄くすることで、放電電圧を低く抑えることができる。また、各電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓのバス電極部１１２３、１１２４の上の誘電体層３１３の厚みを厚く形成しているので、絶縁耐圧を高く維持するという観点からも優れる。
【００７７】
なお、本実施の形態に係る前面パネル３１の誘電体層３１３については、スクリーン印刷法や感光性材料を用いたフォトリソグラフィ法、サンドブラスト法などを用い形成される。
（実施の形態３）
次に、実施の形態３に係るＰＤＰ装置の構成の内、特徴を有する前面パネル３２の構成について、図１１を用い説明する。
【００７８】
図１１に示すように、本実施の形態に係るＰＤＰ装置では、前面パネル３２におけるスキャン電極Ｓｃｎとサスティン電極Ｓｕｓとの間の放電間隙領域３２ａの誘電体層３２３が、他の領域３２ｂよりも厚みが厚くなっている。そして、領域３２ａにおける誘電体層３２３と誘電体保護層３２４とを合わせた絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓは、１．０［μＦ／ｍ２］以上２．４［μＦ／ｍ２］以下に設定されている。それ以外の領域３２ｂでは、絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが領域３２ａよりも大きくなっている。
【００７９】
本実施の形態に係るＰＤＰ装置は、上記特徴の内面側形状を有する前面パネル３２を有するので、高い発光効率を維持しながら、放電電流量を増加させることができ、高い発光輝度が実現される。
また、本実施の形態に係るＰＤＰ装置では、表示電極対１１２の電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓ間における放電間隙付近の領域３２ａでの電界集中を緩和することができ、放電空間１３において放電がより広がりやすくなるという優位性も有する。この点に関しても、本実施の形態に係る前面パネル３２の構成を採用することは望ましい。
【００８０】
なお、本実施の形態に係る前面パネル３２についても、上記実施の形態２に係る前面パネル３１と同様に、スクリーン印刷法や感光性材料を用いたフォトリソグラフィ法、サンドブラスト法などを用い形成される。
（実施の形態４）
次に、実施の形態４に係るＰＤＰ装置が備える背面パネル３３の構成について、図１２を用い説明する。なお、本実施の形態に係るＰＤＰ装置では、図１２に示す背面パネル３３以外の各構成部分が上記実施の形態１に係るＰＤＰ装置１と同一構成となっているので、その図示および説明を省略する。
【００８１】
図１２に示すように、本実施の形態に係る背面パネル３３では、井桁状に形成された隔壁３３３において、データ電極Ｄａｔと並行する主隔壁３３３１とこれに交差する補助隔壁３３３２との高さ方向のギャップｇが、７［μｍ］〜１５［μｍ］の範囲に設定されている（右下の拡大部分を参照）。また、本実施の形態に係る背面パネル３３の蛍光体層３３４では、放電セルの略中心（左下の拡大部分を参照。）における厚みｔ１が、１４［μｍ］以下に設定されている。その他の構成要素については、上記実施の形態１〜３の何れかの構成を採用することができる。
【００８２】
本実施の形態に係るＰＤＰ装置の背面パネルでは、主隔壁３３３１と補助隔壁３３３２とのギャップｇを７［μｍ］〜１５［μｍ］の範囲に設定し、且つ、蛍光体層３３４の厚みｔ１を１４［μｍ］以下に設定しているので、上記実施の形態１〜３のように前面パネル１１、３１〜３２での絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを従来よりも小さくしても、書き込み期間Ｔ２から維持期間Ｔ３に至るまでの間に（図４を参照。）、書き込み放電により蓄積された壁電荷が消失してしまう（電荷抜け）という現象を発生し難い。即ち、上記実施の形態１〜３のように、前面パネル１１、３１〜３２における絶縁被覆層の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを従来のＰＤＰよりも小さく設定した場合には、上記優位性を有する反面、書き込み期間Ｔ２において他のライン書き込みがなされている間に、既に書き込みがなされた放電セルに蓄積された壁電荷が消失してしまうという問題が発生しやすくなってしまう。このような問題は、放電ガスのＸｅ分圧が高いほど顕著となる。
【００８３】
これに対して、本実施の形態に係るＰＤＰ装置では、背面パネル３３における主隔壁３３３１と補助隔壁３３３２とのギャップｇを、従来のＰＤＰ（ギャップが２０［μｍ］程度であった。）よりも小さい７［μｍ］〜１５［μｍ］としているので、ギャップ部分を介しての壁電荷の消失を抑制することができる。
また、本実施の形態に係るＰＤＰ装置では、蛍光体層３３４の厚みｔ１を１４［μｍ］以下としているので、電荷抜けの発生を抑制することができる。これは、本発明者等が検討の結果見出した、蛍光体層３３４の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓに関してもスキャン電圧に対して影響を与えるという電荷抜けのメカニズムに基づくものである。従来のＰＤＰでは、蛍光体層の厚み（放電セルの中心部での厚み）が１７［μｍ］程度に設定されているが、これを１４［μｍ］以下とすることで電荷抜けを抑制するのに有効となる。
【００８４】
なお、本実施の形態に係るＰＤＰ装置では、赤色蛍光体層３３４Ｒ、緑色蛍光体層３３４Ｇおよび青色蛍光体層３３４Ｂの全ての厚みｔを１４［μｍ］以下とする必要はなく、その蛍光体材料における比誘電率との関係において、最も単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓが小さな蛍光体層３３４の厚みｔ１を１４［μｍ］以下とし、単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを１．５８［μＦ／ｍ２］以上にすることで効果を奏する。具体的には、３色の蛍光体層３３４Ｒ、３３４Ｇ、３３４Ｂの中で、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎと（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂとが混合されてなる蛍光体材料が用いられる構成の緑色蛍光体層３３４Ｇの厚みｔ１（Ｇ）を１４［μｍ］以下とすることが有効である。
【００８５】
さらに、本実施の形態に係るＰＤＰ装置では、背面パネル３３における誘電体層３３２が、比誘電率εが１３の低融点ガラス材料を用い、厚みｔ２が１０［μｍ］になっている。ここで、誘電体層３３２の厚みｔ２については、上記蛍光体層３３４の厚みｔ１と同様に、放電セルの中心での値である（図１２の左下拡大部分を参照）。本実施の形態に係るＰＤＰ装置では、背面パネル３３における蛍光体層３３４の厚みｔ１を１４［μｍ］以下とし、且つ、誘電体層３３２の厚みｔ２を１０［μｍ］とすることによって、これらを合わせた積層体の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを１．３８［μＦ／ｍ２］以下とすることができ、電荷抜けの抑制という観点から優位である。
【００８６】
なお、蛍光体層３３４の単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを適性な値に調整する方法としては、上述のような蛍光体層３３４の厚みｔ１を制御する方法の他に、蛍光体層３３４の誘電率を制御する方法を用いることもできる。具体的には、蛍光体層３３４の空隙率が非常に高いことを利用し、蛍光体粒子の大きさを調整することで空隙率を制御し、これによって蛍光体層３３４の誘電率を制御できる。このような方法を用いることにより、同じ蛍光体材料を用いた場合にあっても、層内における空隙率の制御をもって誘電率の調整がなし得、単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓを所望の１．３８［μＦ／ｍ２］以下とすることができる。例えば、蛍光体材料における平均粒径を５［μｍ］以下に制御することで、蛍光体層３３４における空隙率の低下が図れ、同一の蛍光体材料を用いた場合にあっても空隙率の調整だけで蛍光体層３３４の誘電率を３０［％］程度増加させることが可能である。
（実施の形態５）
次に、実施の形態５に係るＰＤＰ装置の構成について、図１３（ａ）を用い説明する。図１３（ａ）は、本実施意の形態に係るＰＤＰ装置において最も特徴的な部分となる背面パネル３４のデータ電極Ｄａｔ２の形状を示す模式図である。なお、図１３（ａ）では、その図示にあたり便宜的に誘電体層および蛍光体層を省略している。また、前面パネルおよび放電ガスの構成などについては、上記実施の形態１〜３などと同じであり、その説明は省略する。
【００８７】
図１３（ａ）に示すように、本実施の形態に係る背面パネル３４では、データ電極Ｄａｔ２が、各放電セルにおけるスキャン電極Ｓｃｎおよびサスティン電極Ｓｕｓと立体的な重なりをもつ領域で幅広となっている（拡幅部分Ｄａｔ２ａ）。データ電極Ｄａｔ２における拡幅部分Ｄａｔ２ａは、他の部分に比べて略１．２倍〜２倍の幅を有している。例えば、他の部分の幅８０［μｍ］に対して、拡幅部分Ｄａｔ２ａの幅は、９６［μｍ］〜１６０［μｍ］になっている。
【００８８】
本実施の形態に係るＰＤＰ装置では、上記データ電極Ｄａｔ２以外の構成要素として上記実施の形態１〜３の何れかの構成を採用することができる。
本実施の形態に係るＰＤＰ装置では、上記のような構成のデータ電極Ｄａｔ２を採用することによって、書き込み期間Ｔ２における書き込み放電の際の無効電力の低減を図りながら、電荷抜けの抑制に効果を有する。なお、データ電極Ｄａｔ２における拡幅部分Ｄａｔ２ａの幅を他の部分に対して１．２倍〜２倍の範囲としているのは、拡幅部分Ｄａｔ２ａの幅を他の部分に対して１．２倍よりも小さくした場合には電荷抜けを抑制するという効果を得難く、逆に拡幅部分Ｄａｔ２ａの幅を他の部分に対して２．０倍よりも大きくした場合には製造工程上のバラツキなどで、隣り合う拡幅部分Ｄａｔ２ａどうしや隔壁１２３とオーバーラップする危険性が増し、また、製造時の歪などによりデータ電極Ｄａｔ２のその他の部分などでの断線の危険性などが増すためである。
【００８９】
図１３（ｂ）には、上記実施の形態５の変形例としての背面パネル３５を模式的に図示している。
図１３（ｂ）に示すように、本変形例に係る背面パネル３５では、上記背面パネル３４と相違し、データ電極Ｄａｔ３の拡幅部分Ｄａｔ３ａが各放電セルにおけるスキャン電極Ｓｃｎとの立体交差部分にだけ形成されている点にある。上述の通り、データ電極Ｄａｔ２、Ｄａｔ３に拡幅部分Ｄａｔ２ａ、Ｄａｔ３ａを設けるのは、書き込み期間Ｔ２における書き込み放電時の無効電力の低減と電荷抜けの抑制にあることから、少なくともスキャン電極Ｓｃｎとの立体交差部分（立体的に重なりをもつ部分）にだけ拡幅部分Ｄａｔ３ａを設ける本変形例に係るＰＤＰ装置においても、書き込み放電時の無効電力の低減と電荷抜けの抑制とを十分になし得る。
（実施の形態６）
次に、図１４（ａ）を用い実施の形態６に係るＰＤＰ装置の構成について説明する。図１４（ａ）では、本実施の形態に係るＰＤＰ装置の構成に内、背面パネル３６の一部だけを断面図として示す。本実施の形態に係るＰＤＰ装置のその他の構成については、上記実施の形態１〜３の何れかの構成を採用することができる。
【００９０】
図１４（ａ）に示すように、本実施の形態に係る背面パネル３６では、誘電体層３６２が２つの領域３６２１、３６２２から構成されている。このうち領域３６２１は、各放電セルにおいてデータ電極Ｄａｔの放電空間１３側の表面に積層された状態で配置されている。誘電体層３６２における領域３６２１と領域３６２２との相違は、誘電率の違いにあり、領域３６２２の方が領域３６２１よりも高い誘電率を有するよう形成されている。例えば、領域３６２２の比誘電率は、１６程度であり、領域３６２１の比誘電率１３に対して１２３［％］程度になっている。
【００９１】
上記のように、領域３６２１、３６２２ごとに誘電率に差異を設ける方法としては、例えば、互いに比誘電率の異なる誘電体材料を用いたり、その空隙率などを調整する方法などを採用することでなし得る。
以上のような構成の背面パネル３６を採用する本実施の形態に係るＰＤＰ装置においても、書き込み放電時における無効電力の低減を図りながら、電荷抜けの抑制という効果を得ることができる。
【００９２】
上記誘電体層３６２の形成方法の一例としては、背面基板１２１上にデータ電極Ｄａｔを形成した後、領域３６２２を形成するための誘電体材料を含有する感光性ペーストまたは感光性シートを用いてデータ電極Ｄａｔ上に積層し、これを背面基板１２１の裏面側から露光する。このようにして露光を行うことで、データ電極Ｄａｔがフォトマスク代わりとなって、データ電極Ｄａｔの上にデータ電極Ｄａｔと同一パターンの誘電体パターンを形成することができる。そして、この後に、領域３６２１を形成するための誘電体材料を印刷法などを用いて形成することで誘電体層３６２の形成ができる。
【００９３】
なお、図１４（ａ）では、データ電極Ｄａｔの延伸方向について示していないが、誘電率の高い領域３６２２を形成する箇所については、必ずしもデータ電極Ｄａｔの放電空間１３側の主面上全体である必要はなく、スキャン電極Ｓｃｎとデータ電極Ｄａｔとが立体交差する部分にだけ誘電率の高い領域３６２２を形成することとしても、書き込み放電時の無効電力の低減と電荷抜けの抑制という効果を十分に得ることができる。
【００９４】
また、誘電体層３６２の形成には、上記方法の他に、スクリーン印刷法やパターン印刷法や転写シートを用いる方法などを用いることができる。
図１４（ｂ）には、上記実施の形態６の変形例としての背面パネル３７を模式的に図示している。
図１４（ｂ）に示すように、本変形例に係る背面パネル３７では、誘電体層３７２が異なる誘電率の２つの領域３７２１、３７２２で区分けされて形成されている。具体的には、各放電セルにおけるデータ電極Ｄａｔを取り囲むように誘電体層３７２の領域３７２２が形成されており、その他の部分には、領域３７２２よりも誘電率が低い領域３７２１が形成されている。領域３７２１と領域３７２２との誘電率の関係は、上記実施の形態６に係る背面パネル３６における領域３６２１と領域３６２２との関係と同様である。
【００９５】
なお、図１４（ｂ）においても、データ電極Ｄａｔの延伸方向、即ち、紙面に垂直な方向については示していないが、領域３７２２はデータ電極Ｄａｔをその延伸方向の全領域にわたって取り囲むように形成されていることとしてもよいし、スキャン電極Ｓｃｎとデータ電極Ｄａｔとの立体的に重なる部分だけに形成することとしてもよい。
本変形例に係る背面パネル３７を有するＰＤＰ装置においても、書き込み放電時における無効電力の低減を図りながら、電荷抜けの抑制という効果を得ることができる。
【００９６】
図１４（ｂ）に示す背面パネル３７の製造方法では、誘電体層３７２を形成するのにスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などを用いることができる。
（その他の事項）
上記実施の形態１〜６および各変形例では、本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置の構成およびそこから得られる効果を説明するために一例として採用したものであり、本発明は、本質的特徴とする部分以外に何らこれらの構成などに限定を受けるものではない。例えば、上記実施の形態１〜６および各変形例では、放電ガスとして１００［％］ＸｅやＸｅ／Ｎｅの２元系混合ガスを用いることとしているが、他の２元系混合ガスや３元系混合ガスを用いることもできるし、また、それらのガスに対して微量（例えば、数［％］の分圧比）の水素（Ｈ２）ガス成分を添加することとしてもよい。
【００９７】
また、上記実施の形態１〜６および各変形例では、ＰＤＰ装置におけるパネル部の構成の一例として、前面パネルと背面パネルとが対向配置されてなる構成を採用しているが、本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ装置の本質的特徴は、放電ガスの組成と電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓ、Ｄａｔ上における単位面積あたりの静電容量Ｃ／Ｓであることから、パネルの構造については種々のバリエーションを採用することができる。例えば、ＳＩＤ’０４−Ｓｅｓｓｉｏｎ１８．４：”Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ＡＣ  Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙｓ  Ｕｓｉｎｇ  Ｐｌａｓｍａ−Ｓｐｈｅｒｅｓ”（ＳＩＤ−Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒ,Ｍａｙ  ２００４，Ｖｏｌｕｍｅ３５，Ｉｓｓｕｅ１，ｐｐ．８１５−８１７，Ｃａｒｏｌ  Ａ．  Ｗｅｄｄｉｎｇ  ｅｔ  ａｌ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｔｏｌｅｄｏ，ＯＨ）で紹介されている”複数の中空球状セルの集合体を以って構成された表示装置”や、あるいは、特開２０００−３１５４６０号公報で提案されている”複数の中空柱状体を集合させて構成された表示装置”などに対しても適用することが可能である。
【００９８】
また、上記実施の形態１〜６および各変形例では、表示電極対１１２の各電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓの各構成を、透明電極部１１２１、１１２２とバス電極部１１２３、１１２４との積層構造としたが、これ以外にもＣｕ−Ｃｒ−Ｃｕの積層構造体やＡｌ−ＮｄなどのＡｇ以外の金属材料をバス電極部１１２３、１１２４の構成材料として用いることも可能であり、また、これらの金属材料を透明電極部１１２１、１１２２を用いることなしに単体で用いることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明は、高い発光効率を維持しながら、駆動の長短にかかわらず安定して高い表示品質を有する、特に大型高精細のテレビジョンあるいは大型表示装置等を実現するのに有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】実施の形態１に係るＰＤＰ装置１の全体構成を示す模式ブロック構成図である。
【図２】ＰＤＰ装置１の構成の内、パネル部１０の構成の一部を示す要部斜視図である。
【図３】パネル部１０の構成の内、前面パネル１１の構成を模式的に示す模式断面図である。
【図４】ＰＤＰ装置１の駆動時において、各電極Ｓｃｎ、Ｓｕｓ、Ｄａｔに印加される電圧パルスの波形を示す波形図である。
【図５】ＰＤＰ装置における発光効率の単位面積あたりの静電容量依存性についての確認データを示す特性図である。
【図６】ＰＤＰ装置における発光効率の単位面積あたりの静電容量依存性についての確認データを示す特性図である。
【図７】ＰＤＰ装置における発光効率のＸｅ分圧依存性についての確認データを示す特性図である。
【図８】ＰＤＰ装置における発光効率のＸｅ分圧比依存性についての確認データを示す特性図である。
【図９】ＰＤＰ装置における誘電体保護層のスパッタリングレートのＸｅガス分圧比依存性を示す特性図である。
【図１０】実施の形態２に係るＰＤＰ装置の構成の内、前面パネル３１の構成を模式的に示す要部斜視図である。
【図１１】実施の形態３に係るＰＤＰ装置の構成の内、前面パネル３２の構成を模式的に示す要部斜視図である。
【図１２】実施の形態４に係るＰＤＰ装置の構成の内、背面パネル３３の構成の一部を示す要部斜視図である。
【図１３】実施の形態５およびその変形例に係るＰＤＰ装置の構成の内、背面パネル３４、３５の構成の一部を示す模式平面図である。
【図１４】実施の形態６およびその変形例に係るＰＤＰ装置の構成の内、背面パネル３６、３７の構成の一部を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１．ＰＤＰ装置
１０．パネル部
１１、３１、３２．前面パネル
１２、３３、３４、３５、３６、３７．背面パネル
２０．表示駆動部
２１．データドライバ
２２．スキャンドライバ
２３．サスティンドライバ
２４．タイミング発生部
２５．Ａ／Ｄ変換部
２６．走査数変換部
２７．サブフィールド変換部
２８．ＡＰＬ検出部
１１１．前面基板
１１２．表示電極対
１１３、３１３、３２３．誘電体層
１１４、３１４、３２４．誘電体保護層
１２１．背面基板
１２２、３３２、３６２、３７２．誘電体層
１２３、３３３．隔壁
１２４、３３４．蛍光体層
１２４Ｒ、３３４Ｒ．赤色蛍光体層
１２４Ｇ、３３４Ｇ．緑色蛍光体層
１２４Ｂ、３３４Ｂ．青色蛍光体層
１１２１、１１２２．透明電極部
１１２３、１１２４．バス電極部
１２３１、３３３１．主隔壁
１２３２、３３３２．補助隔壁
２００１、２００２、２００３．電圧パルス
Ｓｃｎ．スキャン電極
Ｓｕｓ．サスティン電極
Ｄａｔ、Ｄａｔ２、Ｄａｔ３．データ電極
Ｄａｔ２ａ、Ｄａｔ３ａ．幅広部
【図１】
2007294360.tif 000007
【図２】
2007294360.tif 000008
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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