(57)【要約】      （修正有）【課題】パーティクルの原因となる基板端部の不要な膜を、他所に影響を及ぼすことなく効率的に除去する基板処理装置を提供する。【解決手段】基板９の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理装置を、真空チャンバー１と、真空チャンバー１内に配置された回転可能な基板設置台３と、エッチングガスを導入して内部でプラズマを発生する放電管４と、放電管４に結合する電界を発生させるマイクロ波電源６および導波管７とを備え、放電管４は、基板設置台３上に設置される基板９の端部に放出口１１が近接するように配置された構造とする。これによれば、基板９を回転させながらその端部に近接した放電管４の放出口１１からマイクロ波プラズマＰを照射することで、基板端部に残留した不要なバリア膜５６ａを確実にエッチングすることができ、基板端部からのパーティクルを抑制できる。【選択図】図１
2007019118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理装置であって、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置された回転可能な基板設置台と、エッチングガスを導入して内部でプラズマを発生する放電管と、前記放電管に結合する電界を発生させるマイクロ波電源とを備え、前記放電管は、前記基板設置台上に設置される半導体基板の端部に放出口が近接するように配置されている基板処理装置。
【請求項２】
半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理装置であって、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置された回転可能な基板設置台と、エッチングガスを導入して内部でプラズマを発生する放電管と、前記放電管に結合する電界および磁界をそれぞれ発生させる高周波電源および磁場発生装置とを備え、前記放電管は、前記基板設置台上に設置される半導体基板の端部に放出口が近接するように配置され、前記半導体基板の厚み方向に移動自在である基板処理装置。
【請求項３】
半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理装置であって、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置された基板設置台と、エッチングガスを導入して内部でプラズマを発生する放電管と、前記放電管に結合する電界を発生させるマイクロ波電源とを備え、前記放電管は、前記基板設置台上に設置される半導体基板への対向部位に前記半導体基板の端部を収容可能なプラズマ拡散部を有し、前記半導体基板に接近離間自在である基板処理装置。
【請求項４】
半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理装置であって、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置された基板設置台と、エッチングガスを導入して内部でプラズマを発生する放電管と、前記放電管に結合する電界を発生させる高周波電源とを備え、前記放電管は、前記基板設置台上に設置される半導体基板への対向部位が前記半導体基板の端部を収容可能に形成され、前記半導体基板に接近離間自在である基板処理装置。
【請求項５】
半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理方法であって、真空チャンバー内の基板設置台に半導体基板を設置して回転させるとともに、前記基板設置台上の半導体基板の端部に放出口が近接するように配置された放電管にエッチングガスを導入し、前記放電管に結合する電界を発生させるマイクロ波電力を印加することにより、前記放電管内でプラズマを発生させ、前記放電管の放出口から放出されるプラズマによって、前記回転している半導体基板の端部の不要な膜をエッチングする基板処理方法。
【請求項６】
半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理方法であって、真空チャンバー内の基板設置台に半導体基板を設置して回転させるとともに、前記基板設置台上の半導体基板の端部に放出口が近接するように配置された放電管にエッチングガスを導入し、前記放電管に結合する電界を発生させる高周波電力を印加することにより、前記放電管内でプラズマを発生させる状態において、前記放電管に結合する磁界を作用させ、前記放電管を半導体基板の厚み方向に移動させることにより、前記放電管内で発生したプラズマを収束させつつ半導体基板の厚み方向に移動させ、前記放電管の放出口から放出されるプラズマによって、前記回転している半導体基板の端部の不要な膜をエッチングする基板処理方法。
【請求項７】
半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理方法であって、真空チャンバー内の基板設置台に半導体基板を設置し、前記基板設置台上の半導体基板の端部を放電管に形成されたプラズマ拡散部に収容し、前記放電管にエッチングガスを導入し、前記放電管に結合する電界を発生させるマイクロ波電力を印加することにより、前記放電管内でプラズマを発生させ、前記放電管のプラズマ拡散部に充満したプラズマによって、前記半導体基板の端部の不要な膜をエッチングする基板処理方法。
【請求項８】
半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理方法であって、真空チャンバー内の基板設置台に半導体基板を設置し、前記基板設置台上の半導体基板の端部を放電管内に収容し、前記放電管にエッチングガスを導入し、前記放電管に結合する電界を発生させる高周波電力を印加することにより、前記放電管内でプラズマを発生させ、前記放電管内のプラズマによって、前記半導体基板の端部の不要な膜をエッチングする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細な半導体デバイスの製造工程を図８に示す。シリコン基板５１を包み込むように熱酸化膜などの第１の絶縁膜５２を形成し（図８（ａ）（ｂ））、第１の絶縁膜５２上にＴＥＯＳ膜やＬｏｗＫ膜などの第２の絶縁膜５３を形成し（図８（ｃ））、第２の絶縁膜５３上にレジストパターン５４を形成し（図８（ｄ））、これを用いるドライエッチングによって第２の絶縁膜５３に溝５５を形成した後にレジストパターン５４を除去し（図８（ｅ））、溝５５内を含む第２の絶縁膜５３上にバリア膜５６を介して導電膜５７を形成し（図８（ｆ））、溝５５外の導電膜５７およびバリア膜５６をＣＭＰ法により除去して、溝５５内に配線５７ａなどの導電部を残す（図８（ｇ））。
【０００３】
０.１３μｍ以降の微細な半導体デバイスでは、基板の端部（ベベル部）に形成された不要なＴａ，ＴａＮ，Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗなどのバリア膜や金属膜のはがれによるパーティクルがデバイス特性に影響を及ぼすことがわかってきた。図８（ｈ）に示すように基板５１の端部に残るバリア膜５６ａが、下地の第１の絶縁膜５２および第２の絶縁膜５３との密着性が弱いため、基板５１が基板カセットに納められるときに擦れて剥がれて、基板５１の膜面に付着したり、次工程での処理中に剥がれることがあり、パーティクルの問題を引き起こすのである。
【０００４】
パーティクルを抑制するために３つの方法が提案されている（たとえば特許文献１、特許文献２参照）。
第１は、成膜済みの基板５１の上にレジストを塗布し、エッジカット処理を行うことにより、図９に示すように、基板５１の端部約３ｍｍを残してレジスト膜５８を形成し、レジスト膜５８で覆われていない端部のバリア膜５６ａをドライエッチングやウエットエッチによって除去する方法である。
【０００５】
第２は、図１０（ａ）に示すように、基板５１の端部にバリア膜除去液５９を垂らしてバリア膜５６を除去する方法である。
第３は、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、バリア膜５６ａが残った基板５１の端部を研磨装置６０によって削る方法である。
【特許文献１】特開２００１−０２３９６６公報
【特許文献２】特開２００３−０８０４２１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、パーティクルを抑制する第１の方法では、レジスト膜５８を形成する工程が増え、製造コストが高くなる。この製造コストの問題は、配線層数が増えれば増えるほど大きくなる。
【０００７】
第２の方法では、基板５１の端部に垂らしたバリア膜除去液５９が図１０（ｂ）に示すように基板中心方向に広がり、図１０（ｃ）に示すように、溝５５内のバリア膜５６がエッチングされてしまうことがある。バリア膜５６の消失は、配線５７ａなどの導電部の導電成分の第１の絶縁膜５２中への染み出しを引き起こし、ショート不良の原因となる。
【０００８】
第３の方法では、基板５１の端部が削り取られるので、配線層数が増えれば増えるほど基板直径が小さくなり、有効チップ数が減少するだけでなく、図１１（ｂ）に示したように、研磨された基板断面にばりが生じた場合にはパーティクルの問題も発生する。
【０００９】
本発明は上記問題を解決するもので、パーティクルの原因となる基板端部の不要な膜を、他所に影響を及ぼすことなく効率的に除去することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明は、半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理装置を、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置された回転可能な基板設置台と、エッチングガスを導入して内部でプラズマを発生する放電管と、前記放電管に結合する電界を発生させるマイクロ波電源とを備え、前記放電管は、前記基板設置台上に設置される半導体基板の端部に放出口が近接するように配置された構造としたことを特徴とする。
【００１１】
真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置された回転可能な基板設置台と、エッチングガスを導入して内部でプラズマを発生する放電管と、前記放電管に結合する電界および磁界をそれぞれ発生させる高周波電源および磁場発生装置とを備え、前記放電管は、前記基板設置台上に設置される半導体基板の端部に放出口が近接するように配置され、前記半導体基板の厚み方向に移動自在な構造としたことを特徴とする。
【００１２】
真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置された基板設置台と、エッチングガスを導入して内部でプラズマを発生する放電管と、前記放電管に結合する電界を発生させるマイクロ波電源とを備え、前記放電管は、前記基板設置台上に設置される半導体基板への対向部位に前記半導体基板の端部を収容可能なプラズマ拡散部を有し、前記半導体基板に接近離間自在な構造としたことを特徴とする。
【００１３】
真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置された基板設置台と、エッチングガスを導入して内部でプラズマを発生する放電管と、前記放電管に結合する電界を発生させる高周波電源とを備え、前記放電管は、前記基板設置台上に設置される半導体基板への対向部位が前記半導体基板の端部を収容可能に形成され、前記半導体基板に接近離間自在な構造としたことを特徴とする。
【００１４】
また本発明は、半導体基板の端部に形成された不要な膜を除去する際に、真空チャンバー内の基板設置台に半導体基板を設置して回転させるとともに、前記基板設置台上の半導体基板の端部に放出口が近接するように配置された放電管にエッチングガスを導入し、前記放電管に結合する電界を発生させるマイクロ波電力を印加することにより、前記放電管内でプラズマを発生させ、前記放電管の放出口から放出されるプラズマによって、前記回転している半導体基板の端部の不要な膜をエッチングすることを特徴とする。
【００１５】
真空チャンバー内の基板設置台に半導体基板を設置して回転させるとともに、前記基板設置台上の半導体基板の端部に放出口が近接するように配置された放電管にエッチングガスを導入し、前記放電管に結合する電界を発生させる高周波電力を印加することにより、前記放電管内でプラズマを発生させる状態において、前記放電管に結合する磁界を作用させ、前記放電管を半導体基板の厚み方向に移動させることにより、前記放電管内で発生したプラズマを収束させつつ半導体基板の厚み方向に移動させ、前記放電管の放出口から放出されるプラズマによって、前記回転している半導体基板の端部の不要な膜をエッチングすることを特徴とする。
【００１６】
真空チャンバー内の基板設置台に半導体基板を設置し、前記基板設置台上の半導体基板の端部を放電管に形成されたプラズマ拡散部に収容し、前記放電管にエッチングガスを導入し、前記放電管に結合する電界を発生させるマイクロ波電力を印加することにより、前記放電管内でプラズマを発生させ、前記放電管のプラズマ拡散部に充満したプラズマによって、前記半導体基板の端部の不要な膜をエッチングすることを特徴とする。
【００１７】
真空チャンバー内の基板設置台に半導体基板を設置し、前記基板設置台上の半導体基板の端部を放電管内に収容し、前記放電管にエッチングガスを導入し、前記放電管に結合する電界を発生させる高周波電力を印加することにより、前記放電管内でプラズマを発生させ、前記放電管内のプラズマによって、前記半導体基板の端部の不要な膜をエッチングすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の基板処理装置および基板処理方法によれば、半導体基板の端部の不要な膜を確実に、精度よく、効率よく除去することができ、基板端部からのパーティクルを抑制できるとともに、製造コストを低減できる。また対象外の箇所はエッチング、研削されないので、ショート不良や有効チップ数の減少を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態における基板処理装置の断面図、図１（ｂ）は同基板処理装置の上面図であり、図２は処理対象の基板の断面図である。
【００２０】
図１（ａ）（ｂ）において、１はチャンバー、２はチャンバー内を排気する真空ポンプ、３はチャンバー内に配置された基板設置台、４はプラズマを発生する放電管、５は放電管４のガス導入口、６，７はそれぞれ放電管４に結合する電界を発生させるマイクロ波電源および導波管、８はチャンバー１内を放電管４によるプラズマ領域１ａと非プラズマ領域１ｂとに分ける隔壁であり、９は処理対象の基板である。
【００２１】
基板設置台３は回転機構を有し、非プラズマ領域１ｂ内にあり、隔壁８は基板設置台３に設置された基板９の端部がプラズマ領域１ａに入り込む開口１０を有し、放電管４の放出口１１は、開口１０からプラズマ領域１ａに入り込んだ基板９の端部に近接する位置に配置され、真空ポンプ２はプラズマ領域１ａ且つ放電管４の下方に連通している。
【００２２】
基板９は、前述したようにして成膜されたものを用いるものとして説明する（図８（ａ）〜（ｇ）参照）。すなわち、図２（ａ）に拡大図示するように、基板５１を包み込むように第１の絶縁膜５２を形成し、第１の絶縁膜５２上に第２の絶縁膜５３を形成し、第２の絶縁膜５３にドライエッチングによって溝５５を形成し、溝５５内を含む第２の絶縁膜５３上にバリア膜５６を介して導電膜５７を形成した後に、溝５５外の導電膜５７およびバリア膜５６をＣＭＰ法によって除去することで、溝５５内に配線５７ａなどの導電部を残している。基板９の端部（ベベル部）には不要なバリア膜５６ａが残っている。このバリア膜５６ａを除去することがここでの処理目的である。
【００２３】
この基板処理装置による基板処理方法を再び図１（ａ）（ｂ）を参照して説明する。
チャンバー１内を真空ポンプ２により所定の真空度まで排気し、基板９を図示しない搬送手段によってチャンバー１内に挿入して基板設置台３上に設置する。次に基板設置台３によって基板９を軸心廻りに回転させるとともに、ガス導入口５から放電管４内にＣＦ４などのフルオロカーボンガスを導入し、所定の真空度に維持しながら、マイクロ波電源６からのマイクロ波電力を導波管７を通じて放電管４に印加することにより、放電管４内のガスを電離させ、プラズマを発生させる。この際にはたとえばマイクロ波放電２.４５GHzを用いる。
【００２４】
このことにより、回転している基板９の端部の各部位が順次にプラズマ領域１ａに入り込んで、放電管４の放出口１１からのプラズマＰに曝されることになり、図２（ｂ）に示すように、基板９の端部の不要なバリア膜５６ａはエッチングされて全て除去される。下地の第１の絶縁膜５２および第２の絶縁膜５３はバリア膜５６ａとの選択比が大きいのでほとんどエッチングされない。
【００２５】
つまり以上の方法は、基板９を回転させながら、その端部に近接した放電管４の放出口１１から、主に放電管４内部で発生したマイクロ波プラズマＰを拡散させて照射（一点照射）してエッチングするもので、基板端部に残留した不要なバリア膜５６ａを確実に除去することができ、基板端部からのパーティクルを抑制できる。
【００２６】
放電管４の下方に真空ポンプ２を配置し、且つ隔壁８を設けているため、プラズマＰが隔壁８よりも基板中心側に漏れることはなく、従来のように基板端部以外の領域を覆うレジスト膜を形成しなくともその領域をエッチングすることはないので、処理工程が簡素であり、製造コストを抑えることができる。
【００２７】
基板９の端部の不要なバリア膜５６ａを下地膜に対して選択的にエッチングできるので、また基板９の裏面をプラズマＰに暴露しないので、裏面の親水性を保持することができ、裏面パーティクルの洗浄除去性能も維持できる。
（第２の実施形態）
図３（ａ）は本発明の第２の実施形態における基板処理装置の断面図、図３（ｂ）は同基板処理装置の上面図である。
【００２８】
この基板処理装置が第１の実施形態の基板処理装置と相違するのは、第１の実施形態で用いたマイクロ波電源６、導波管７に代えて、高周波電源６Ａ、放電管４を取り巻くアンテナ７Ａを用いる点である。また磁場を発生させるコイル１２を放電管４の周りに設け、放電管４を基板厚み方向に移動させる放電管設置台１３を設けている点である。
【００２９】
この基板処理装置によって基板９を処理する際には、チャンバー１内を真空ポンプ２により所定の真空度まで排気し、基板９を図示しない搬送手段によってチャンバー１内に挿入して基板設置台３上に設置する。次に基板設置台３によって基板９を軸心廻りに回転させるとともに、ガス導入口５から放電管４内にＣＦ４などのフルオロカーボンガスを導入し、所定の真空度に維持しながら、高周波電源６Ａからの高周波電力をアンテナ７Ａに印加することにより、放電管４内のガスを電離させ、プラズマＰを発生させる。またこの状態において、コイル１２による磁界を放電管４に作用させるとともに、放電管設置台１３によって放電管４を基板９の厚み方向に移動させることにより、放電管４内で発生したプラズマＰを絞りつつ基板９の厚み方向に移動させる。この際にはたとえば高周波放電１３.５６MHzを用いる。
【００３０】
このことにより、回転している基板９の端部の各部位が順次にプラズマ領域１ａに入り込んで、放電管４の放出口１１から放出されるビーム状のプラズマＰに曝されることになり、上述した図２（ｂ）に示すように、基板９の端部の不要なバリア膜５６ａはエッチングされて全て除去される。下地の第１の絶縁膜５２および第２の絶縁膜５３はバリア膜５６ａとの選択比が大きいのでほとんどエッチングされない。
【００３１】
つまり以上の方法は、基板９を回転させながら、その端部に近接した放電管４の放出口１１からヘリコン波プラズマＰを照射（一点照射）して、またそのプラズマＰを磁場によりビーム状に絞りながら基板厚み方向に移動させてエッチングするもので、換言するとエッチャントを拡散＋電磁波で基板端部に移動させてエッチングするもので、基板端部に残留した不要なバリア膜５６ａを精度よく確実に除去することができ、基板端部からのパーティクルを抑制できる。実施の形態１に較べて、プラズマＰは高密度となり、かつ絞れることから精密にベベル部に照射可能なので、高速エッチングが可能である。
【００３２】
第１の実施形態と同様に、放電管４の下方に真空ポンプ２を配置し、且つ隔壁８を設けているため、プラズマＰが隔壁８よりも基板中心側に漏れることはなく、従来のように基板端部以外の領域を覆うレジスト膜を形成しなくともその領域をエッチングすることはないので、製造コストを抑えることができる。
【００３３】
基板９の端部の不要なバリア膜５６ａを下地膜に対して選択的にエッチングできるので、また基板９の裏面をプラズマＰに暴露しないので、裏面の親水性を保持することができ、裏面パーティクルの洗浄除去性能も維持できる。
（第３の実施形態）
図４（ａ）は本発明の第３の実施形態における基板処理装置の上面図、図４（ｂ）は同基板処理装置の図４（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図４（ｃ）は同基板処理装置の一部拡大断面図である。
【００３４】
図４（ａ）（ｂ）（ｃ）において、１はチャンバー、２はチャンバー内を排気する真空ポンプ、３はチャンバー内に配置された基板設置台、４はプラズマを発生する放電管、５は放電管４のガス導入口、６，７はそれぞれ放電管４に結合する電界を発生させるマイクロ波電源および導波管であり、９は処理対象の基板である。
【００３５】
放電管４は、図示しない移動手段（たとえば移動可能な放電管設置台）により基板９の径方向に沿って出退自在であり、基板設置台３上に設置される基板９への対向部位に、基板９の端部が入り込む大きさの開口１４が形成された拡散管１５が接合されている。
【００３６】
拡散管１５は、基板９とほぼ同等の曲率半径を有する円弧状に形成され、基板設置台３に設置された基板９の全周を囲み得るように複数個、ここでは４個配置されている。各拡散管１５は、その周方向に沿う中央部において上記放電管４に接合され、外周部の両端に排気口１６が形成されており、放電管４の出退に伴われて基板９の端部に接近離間する。
【００３７】
この基板処理装置で基板９を処理する際には、チャンバー１内を真空ポンプ２により所定の真空度まで排気し、基板９を図示しない搬送手段によってチャンバー１内に挿入して基板設置台３上に設置する。次に、図５（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、放電管４を基板９に向かって移動させて、その端部の拡散管１５内に開口１４を通じて基板９の端部を収容する。次に、ガス導入口５から放電管４内にＣＦ４などのフルオロカーボンガスを導入し、所定の真空度に維持しながら、マイクロ波電源６からのマイクロ波電力を導波管７を通して放電管４に印加することにより、放電管４内のガスを電離させ、プラズマＰを発生させる。この際にはたとえばマイクロ波放電２.４５GHzを用いる。
【００３８】
このことにより、放電管４内で発生したプラズマＰが拡散管１５に充満し、拡散管１５内に入り込んだ基板９の端部がプラズマＰに曝されることになり、上述した図２（ｂ）に示すように、基板９の端部の不要なバリア膜５６ａはエッチングされて全て除去される。下地の第１の絶縁膜５２および第２の絶縁膜５３はバリア膜５６ａとの選択比が大きいのでほとんどエッチングされない。
【００３９】
バリア膜５６ａの除去が終了したら、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す初期状態に戻す。
つまり以上の方法は、拡散管１５により基板９の端部を覆って、主に放電管４内部で発生したマイクロ波プラズマＰをそのまま照射（全周照射）してエッチングするもので、基板９の端部の不要なバリア膜５６ａを確実に除去することができ、基板端部からのパーティクルを抑制できる。
【００４０】
拡散管１５の内周部で基板９の端部を覆い、拡散管１５の外周部の排気口１６から排気するので、プラズマＰが基板中心側に漏れることはなく、従来のように基板端部以外の領域を覆うレジスト膜を形成しなくともその領域をエッチングすることはないので、製造コストを抑えることができる。
【００４１】
第１および第２の実施形態と同様に、基板９の端部の不要なバリア膜５６ａを下地膜に対して選択的にエッチングできるので、また基板９の裏面をプラズマＰに暴露しないので、裏面の親水性を保持することができ、裏面パーティクルの洗浄除去性能も維持できる。
（第４の実施形態）
図６（ａ）は本発明の第４の実施形態における基板処理装置の上面図、図６（ｂ）は同基板処理装置の図６（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図６（ｃ）は同基板処理装置の一部拡大断面図である。
【００４２】
この基板処理装置が第３の実施形態の基板処理装置と相違するのは、第３の実施形態で用いたマイクロ波電源６、導波管７に代えて、高周波電源６Ａ、放電管４を取り巻くアンテナ７Ａを用いる点である。また、放電管４自体の基板９への対向部位が基板９とほぼ同等の曲率半径を有する円弧状に形成され、この円弧状部１７の内周部に基板９の端部が入り込む大きさの開口１４が形成され、外周部の両端に排気口１６が形成されている点である。
【００４３】
この基板処理装置で基板９を処理する際には、チャンバー１内を真空ポンプ２により所定の真空度まで排気し、基板９を図示しない搬送手段によってチャンバー１内に挿入して基板設置台３上に設置する。次に、図７（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、放電管４を基板９に向かって移動させて、その円弧状部１７内に開口１４を通じて基板９の端部を収容する。次に、ガス導入口５から放電管４内にＣＦ４などのフルオロカーボンガスを導入し、所定の真空度に維持しながら、高周波電源６Ａからの高周波電力をアンテナ７Ａを通して放電管４に印加することにより、放電管４内のガスを電離させ、プラズマＰを発生させる。この際にはたとえば高周波放電１３.５６MHzを用いる。
【００４４】
このことにより、放電管４内で発生したプラズマＰに、放電管４内に入り込んだ基板９の端部が曝されることになり、上述した図２（ｂ）に示すように、基板９の端部の不要なバリア膜５６ａはエッチングされて全て除去される。下地の第１の絶縁膜５２および第２の絶縁膜５３はバリア膜５６ａとの選択比が大きいのでほとんどエッチングされない。
【００４５】
バリア膜５６ａの除去が終了したら、図６（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す初期状態に戻す。
つまり以上の方法は、放電管４の円弧状部１７により基板９の端部を覆って、誘導結合プラズマＰをそのまま照射（全周照射）してエッチングするもので、基板９の端部の不要なバリア膜５６ａを確実に除去することができ、基板端部からのパーティクルを抑制できる。実施の形態３に較べて、放電管４にアンテナ７Ａを巻いて放電するので、放電管４内のプラズマ密度が均一になる。
【００４６】
放電管４の円弧状部１７の内周部で基板９の端部を覆い、円弧状部１７の外周部の排気口１６から排気するので、プラズマＰが基板中心側に漏れることはなく、従来のように基板端部以外の領域を覆うレジスト膜を形成しなくともその領域をエッチングすることはないので、製造コストを抑えることができる。
【００４７】
第１から第３の実施形態と同様に、基板９の端部の不要なバリア膜５６ａを下地膜に対して選択的にエッチングできるので、また基板９の裏面をプラズマＰに暴露しないので、裏面の親水性を保持することができ、裏面パーティクルの洗浄除去性能も維持できる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の基板処理装置および基板処理方法は、半導体基板の端部（ベベル部）に形成された不要な膜を確実に、精度よく、効率よく除去できるので、微細な半導体デバイスの製造に特に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１の実施形態における基板処理装置の構成図
【図２】処理対象の基板の断面図
【図３】本発明の第２の実施形態における基板処理装置の構成図
【図４】本発明の第３の実施形態における基板処理装置の構成図
【図５】図４の基板処理装置の動作図
【図６】本発明の第４の実施形態における基板処理装置の構成図
【図７】図６の基板処理装置の動作図
【図８】従来の半導体デバイスの製造方法を説明する工程断面図
【図９】図８の半導体デバイスの基板端部を処理する従来の基板処理方法を説明する断面図
【図１０】図８の半導体デバイスの基板端部を処理する従来の他の基板処理方法を説明する断面図
【図１１】図８の半導体デバイスの基板端部を処理する従来のさらに他の基板処理方法を説明する断面図
【符号の説明】
【００５０】
１    チャンバー
２    真空ポンプ
３    基板設置台
４    放電管
５    ガス導入口
６    マイクロ波電源
6A    高周波電源
７    導波管
7A    アンテナ
９    基板
11    放出口
12    コイル
13    放電管設置台
14    開口
15    拡散管
16    排気口
17    円弧状部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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