(57)【要約】【課題】  コストを低減し、小型化された光モジュールおよびその密閉封止方法を提供する。【解決手段】  本発明にかかる光モジュール１００は、第１の基板１１および配線部を有する配線基板１０と、第２の基板２９と、当該第２の基板の前記第１の基板側の面に設けられた光素子とを有し、前記配線部と接続されている光チップ２０と、前記第１の基板と前記第２の基板との間の内部空間３８を密閉するように、少なくとも平面視において前記第２の基板の周囲を取り囲むように設けられた不透湿部材３３と、を含む。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板および配線部を有する配線基板と、
第２の基板と、当該第２の基板の前記第１の基板側の面に設けられた光素子とを有し、前記配線部と接続されている光チップと、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の内部空間を密閉するように、少なくとも平面視において前記第２の基板の周囲を取り囲むように設けられた不透湿部材と、
を含む、光モジュール。
【請求項２】
請求項１において、
前記不透湿部材は、
前記第１の基板との間に前記光チップを挟むようにして設けられているカバー部材と、
前記カバー部材の端部と前記第１の基板との間に設けられているシール部材と、
を含む、光モジュール。
【請求項３】
請求項２において、
前記カバー部材は、前記第１の基板上において当該カバー部材を支持する支持部を有する、光モジュール。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記カバー部材は、前記光チップを覆うように形成された凹部を有し、
前記シール部材は、前記凹部の周縁に設けられている、光モジュール。
【請求項５】
請求項１において、
前記不透湿部材は、
前記第２の基板の周囲を取り囲むようにして形成され、かつ前記第２の基板の側面と前記配線基板の上面との双方に密着しているシール部材からなる、光モジュール。
【請求項６】
請求項１において、
前記不透湿部材は、
前記第２の基板の周囲を取り囲むようにして形成され、かつ前記第２基板の側面と前記配線基板との双方に密着しているシール部材と、
前記第２の基板の周囲を取り囲むようにして形成され、かつ前記配線基板との間に前記シール部材を挟むようにして設けられているカバー部材と、
を有する、光モジュール。
【請求項７】
請求項２ないし６のいずれかにおいて、
前記配線部は、前記第１の基板上に形成されたシード層と、前記シード層上に形成されたメッキ層とを有し、
前記シール部材の下方において、前記メッキ層は、平面視において前記シード層の形成領域の内側にのみ形成されている、光モジュール。
【請求項８】
請求項７において、
前記メッキ層は、第１導電型の電極として機能する複数の第１のメッキ層と、第２導電型の電極として機能する複数の第２のメッキ層とを有し、
前記シード層は、前記複数の第１のメッキ層の下方に形成されている第１のシード層と、前記複数の第２のメッキ層の下方に形成されている第２のシード層とを有し、
前記第１のシード層は、連続的に形成され、
前記第２のシード層は、平面視において前記複数の第２のメッキ層の間で断線している、光モジュール。
【請求項９】
請求項２ないし８のいずれかにおいて、
前記シール部材は、熱可塑性の絶縁性材料からなる、光モジュール。
【請求項１０】
請求項９において、
前記シール部材は、低融点ガラスからなる、光モジュール。
【請求項１１】
請求項２ないし１０のいずれかにおいて、
カバー部材は、金属材料を含む、光モジュール。
【請求項１２】
請求項２ないし７のいずれかにおいて、
前記メッキ層は、第１導電型の電極として機能する複数の第１のメッキ層と、第２導電型の電極として機能する複数の第２のメッキ層とを有し、
前記シード層は、前記複数の第１のメッキ層の下方に形成されている第１のシード層と、前記複数の第２のメッキ層の下方に形成されている第２のシード層とを有し、
前記第１のシード層は、連続的に形成され、
前記第２のシード層は、平面視において前記複数の第２のメッキ層の間で断線し、
前記シール部材は、第１のシール部材と、第２のシール部材とを有し、
前記第１のシール部材は、前記第１のメッキ層の上面に設けられ、
前記第２のシール部材は、前記第２のメッキ層の上面に設けられている、光モジュール。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第１のシール部材は、金属材料からなり、
前記第２のシール部材は、低融点ガラスからなる、光モジュール。
【請求項１４】
光チップを配線基板に密閉封止する密閉封止方法であって、
（ａ）前記光チップを取り囲む形状に形成されたシール部材を前記配線基板上に配置する工程と、
（ｂ）前記シール部材と、当該シール部材の内側に配置された前記光チップとを、前記配線基板との間に挟むようにカバー部材を配置する工程と、
（ｃ）前記カバー部材を前記配線基板方向に押圧しながら、前記シール部材を熱処理する工程と、
を含む、密閉封止方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記シール部材は、低融点ガラスであり、
前記工程（ａ）において、配線基板上に配置されるシール部材は、プリフォームである、密閉封止方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記プリフォームは、前記光チップを取り囲む平面形状を有し、
前記工程（ｂ）では、前記カバー部材の周縁が前記プリフォームの上面に接するように前記カバー部材を配置し、
前記工程（ｃ）では、前記プリフォームを熱処理することにより、前記カバー部材の周縁と前記配線基板の上面とに密着した前記シール部材を形成する、密閉封止方法。
【請求項１７】
請求項１４において、
前記工程（ａ）は、金属材料からなる第１のシール部材を前記配線基板上に形成する工程と、絶縁性材料からなる第２のシール部材を前記配線基板上に配置する工程とを含み、
前記工程（ｂ）では、少なくとも前記第１のシール部材の上方にカバー部材を配置し、
前記工程（ｃ）は、前記第１のシール部材を加熱して前記カバー部材と前記配線基板とを接合する工程と、前記第２のシール部材を加熱して、当該第２のシール部材と、前記カバー部材および前記配線基板とを密着させる工程とを含む、密閉封止方法。
【請求項１８】
光チップを配線基板に密閉封止する密閉封止方法であって、
（ａ）前記光チップを取り囲む形状に形成された低融点ガラスからなるシール部材を前記配線基板上に配置する工程と、
（ｂ）前記シール部材を熱処理することにより、前記シール部材を前記光チップおよび前記配線基板に密着させる工程と、
を含む、密閉封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールおよび密閉封止方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子や受光素子のような光素子は、ほこりや湿気等の外部環境によってダメージを受けることにより、性能が劣化する。このような性能劣化を防止するために、光素子を密閉封止する方法が開発されている。たとえば、特許文献１は、基板上の光子装置を覆うように接着剤層と金属層とを形成する密閉封止方法を開示している。
【特許文献１】特表２００２−５３４８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、コストを低減し、小型化された光モジュールおよびその密閉封止方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明にかかる光モジュールは、
第１の基板および配線部を有する配線基板と、
第２の基板と、当該第２の基板の前記第１の基板側の面に設けられた光素子とを有し、前記配線部と接続されている光チップと、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の内部空間を密閉するように、少なくとも平面視において前記第２の基板の周囲を取り囲むように設けられた不透湿部材と、
を含む。
【０００５】
本発明にかかる光モジュールによれば、通常の缶パッケージ用の封止部材と比べて、少ない部材で密閉封止することができるため、コストを低減し、小型化を図ることができる。
【０００６】
本発明にかかる光モジュールにおいて、
前記不透湿部材は、
前記第１の基板との間に前記光チップを挟むようにして設けられているカバー部材と、
前記カバー部材の端部と前記第１の基板との間に設けられているシール部材と、
を含むことができる。
【０００７】
本発明にかかる光モジュールにおいて、
前記カバー部材は、前記第１の基板上において当該カバー部材を支持する支持部を有することができる。
【０００８】
本発明にかかる光モジュールにおいて、
前記カバー部材は、前記光チップを覆うように形成された凹部を有し、
前記シール部材は、前記凹部の周縁に設けられていることができる。
【０００９】
本発明にかかる光モジュールにおいて、
前記不透湿部材は、
前記第２の基板の周囲を取り囲むようにして形成され、かつ前記第２の基板の側面と前記配線基板の上面との双方に密着しているシール部材からなることができる。
【００１０】
本発明にかかる光モジュールにおいて、
前記不透湿部材は、
前記第２の基板の周囲を取り囲むようにして形成され、かつ前記第２基板の側面と前記配線基板との双方に密着しているシール部材と、
前記第２の基板の周囲を取り囲むようにして形成され、かつ前記配線基板との間に前記シール部材を挟むようにして設けられているカバー部材と、
を有することができる。
【００１１】
本発明にかかる光モジュールにおいて、
前記配線部は、前記第１の基板上に形成されたシード層と、前記シード層上に形成されたメッキ層とを有し、
前記シール部材の下方において、前記メッキ層は、平面視において前記シード層の形成領域の内側にのみ形成されていることができる。
【００１２】
本発明にかかる光モジュールにおいて、
前記メッキ層は、第１導電型の電極として機能する複数の第１のメッキ層と、第２導電型の電極として機能する複数の第２のメッキ層とを有し、
前記シード層は、前記複数の第１のメッキ層の下方に形成されている第１のシード層と、前記複数の第２のメッキ層の下方に形成されている第２のシード層とを有し、
前記第１のシード層は、連続的に形成され、
前記第２のシード層は、平面視において前記複数の第２のメッキ層の間で断線していることができる。
【００１３】
本発明にかかる光モジュールにおいて、
前記シール部材は、熱可塑性の絶縁性材料からなることができる。
【００１４】
本発明にかかる光モジュールにおいて、
前記シール部材は、低融点ガラスからなることができる。
【００１５】
本発明にかかる光モジュールにおいて、
カバー部材は、金属材料を含むことができる。
【００１６】
第２の形態にかかる光モジュールは、
前記メッキ層は、第１導電型の電極として機能する複数の第１のメッキ層と、第２導電型の電極として機能する複数の第２のメッキ層とを有し、
前記シード層は、前記複数の第１のメッキ層の下方に形成されている第１のシード層と、前記複数の第２のメッキ層の下方に形成されている第２のシード層とを有し、
前記第１のシード層は、連続的に形成され、
前記第２のシード層は、平面視において前記複数の第２のメッキ層の間で断線し、
前記シール部材は、第１のシール部材と、第２のシール部材とを有し、
前記第１のシール部材は、前記第１のメッキ層の上面に設けられ、
前記第２のシール部材は、前記第２のメッキ層の上面に設けられている。
【００１７】
第２の形態にかかる光モジュールにおいて、
前記第１のシール部材は、金属材料からなり、
前記第２のシール部材は、低融点ガラスからなることができる。
【００１８】
本発明にかかる密閉封止方法は、
光チップを配線基板に密閉封止する密閉封止方法であって、
（ａ）前記光チップを取り囲む形状に形成されたシール部材を前記配線基板上に配置する工程と、
（ｂ）前記シール部材と、当該シール部材の内側に配置された前記光チップとを、前記配線基板との間に挟むようにカバー部材を配置する工程と、
（ｃ）前記カバー部材を前記配線基板方向に押圧しながら、前記シール部材を熱処理する工程と、
を含む。
【００１９】
本発明にかかる密閉封止方法において、
前記シール部材は、低融点ガラスであり、
前記工程（ａ）において、配線基板上に配置されるシール部材は、プリフォームであることができる。
【００２０】
本発明にかかる密閉封止方法において、
前記プリフォームは、前記光チップを取り囲む平面形状を有し、
前記工程（ｂ）では、前記カバー部材の周縁が前記プリフォームの上面に接するように前記カバー部材を配置し、
前記工程（ｃ）では、前記プリフォームを熱処理することにより、前記カバー部材の周縁と前記配線基板の上面とに密着した前記シール部材を形成することができる。
【００２１】
本発明にかかる密閉封止方法において、
前記工程（ａ）は、金属材料からなる第１のシール部材を前記配線基板上に形成する工程と、絶縁性材料からなる第２のシール部材を前記配線基板上に配置する工程とを含み、
前記工程（ｂ）では、少なくとも前記第１のシール部材の上方にカバー部材を配置し、
前記工程（ｃ）は、前記第１のシール部材を加熱して前記カバー部材と前記配線基板とを接合する工程と、前記第２のシール部材を加熱して、当該第２のシール部材と、前記カバー部材および前記配線基板とを密着させる工程とを含むことができる。
【００２２】
本発明にかかる密閉封止方法は、
光チップを配線基板に密閉封止する密閉封止方法であって、
（ａ）前記光チップを取り囲む形状に形成された低融点ガラスからなるシール部材を前記配線基板上に配置する工程と、
（ｂ）前記シール部材を熱処理することにより、前記シール部材を前記光チップおよび前記配線基板に密着させる工程と、
を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２４】
１．光モジュールの構成
まず、本実施の形態にかかる光モジュール１００の構成について説明する。
【００２５】
図１は、本実施の形態にかかる光モジュール１００を模式的に示す平面図である。図２および図３は、本実施の形態にかかる光モジュール１００を模式的に示す断面図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ断面を示し、図３は、図１におけるＢ−Ｂ断面を示す。
【００２６】
光モジュール１００は、配線基板１０と光チップ２０とを含む。光チップ２０は、第２の基板２９において、配線基板１０側の面に発光素子または受光素子を有する。光チップ２０は、たとえばフリップチップ接合により配線基板１０上に接合されている。本実施の形態にかかる光チップ２０は、発光素子を有し、出射面２２が配線基板１０側に設けられている。
【００２７】
配線基板１０は、配線部と第１の基板１１とを有する。第１の基板１１は、光チップ２０から出射する光または受光する光を透過する透明基板からなる。配線部は、第１導電型の電極の一例としてのカソード電極１４と、第２導電型の電極の一例としてのアノード電極１２と、第１のシード層１６と、第２のシード層１８とを有する。アノード電極１２は、第１のシード層１６上に形成され、カソード電極１４は、第２のシード層１８上に形成されている。アノード電極１２およびカソード電極１４は、それぞれ複数であっても単数であってもよい。配線基板１０がアノード電極１２およびカソード電極１４をそれぞれ複数有する場合には、第１のシード層１６および第２のシード層１８のうち、少なくとも一方は断線している。本実施の形態では、図１に示すように、第１のシード層１６は、平面視において複数の第２のメッキ層１５の間で断線している。即ち、複数の第２のメッキ層１５の下方に、複数の第１のシード層１６が形成されている。
【００２８】
光モジュール１００は、さらに配線基板１０と光チップ２０との間の内部空間３８を密閉するように、第２の基板２９の周囲を取り囲み、かつ光チップ２０の上方を覆う平面形状の不透湿部材３３をさらに含む。不透湿部材３３は、湿気を透過しない材質からなり、たとえば低融点ガラスや金属からなることができる。
【００２９】
本実施の形態にかかる不透湿部材３３は、シール部材３２とカバー部材３４とを有する。カバー部材３４は、図２に示すように、第１の基板１１との間に光チップ２０を挟むようにして設けられている。カバー部材３４は、たとえば合金からなる金属板をプレスによって箱形状に加工したものである。即ち、カバー部材３４は、中央部に光チップ２０を覆うように形成された凹部と、凹部の周縁のエッジ部とを有する。またカバー部材３４は、平面視において矩形状を有し、凹部の周縁は、矩形の枠状の平面形状を有する。またカバー部材３４は、エッジ部に複数の支持部３６を有する。支持部３６は、図３に示すように、第１の基板１１方向に突起し、配線基板１０上のカバー部材３４を支持する。カバー部材３４は、複数の支持部３６が第１の基板１１に接することで、第１の基板１１上に安定に配置されている。
【００３０】
シール部材３２は、図２に示すように、カバー部材３４と配線基板１０の上面に密着し、カバー部材３４のエッジ部と第１の基板１１との間の空間を埋める機能を有する。この空間は、カバー部材３４に支持部３６が設けられているために形成される空間である。シール部材３２は、熱可塑性の絶縁性材料からなり、たとえば低融点ガラスからなる。シール部材３２の平面形状は、カバー部材３４のエッジ部と第１の基板１１との間の空間を埋めることができる形状であれば特に限定されないが、たとえばカバー部材３４のエッジ部と同様の矩形の枠状の平面形状を有することができる。
【００３１】
このように、シール部材３２は、カバー部材３４と配線基板１０との間に形成されることにより、カバー部材３４がアノード電極１２およびカソード電極１４に接触することによりショートするのを防止することができる。
【００３２】
２．光モジュールの製造方法
２．１．密閉封止方法
次に光チップ２０の密閉封止方法を説明する。
【００３３】
図４および図５は、本実施の形態にかかる密閉封止方法を説明するための断面図である。図４および図５は、図２に対応する断面を示す。
【００３４】
まず、光チップ２０を備えた配線基板１０上にシール部材３２のプリフォーム３２ａを準備する。プリフォーム３２ａとしては、矩形の枠状のものを用いる。プリフォーム３２ａの形状は、カバー部材３４のエッジ部の形状および大きさに応じて選択され、たとえばリング形状であってもよい。
【００３５】
次に、図４に示すように、プリフォーム３２ａを配線基板１０上に配置する。平面視において、プリフォーム３２ａは、光チップ２０を取り囲むように配置される。
【００３６】
次に、図５に示すように、プレスにより成形されたカバー部材３４を配線基板１０上に配置し、第１の基板１１方向に押圧しながら、プリフォーム３２ａを加熱する。たとえば、プリフォーム３２ａに下方からレーザ光を照射することにより加熱することができる。
【００３７】
以上の工程により、光チップを密閉封止することができる。
【００３８】
２．２．配線基板
２．２．１．配線基板の電極構造
次に配線基板１０の電極構造について説明する。
【００３９】
図６は、本実施の形態にかかる配線基板１０上のアノード電極１２を模式的に示す断面図である。なお、図６は、図３の配線基板１０の断面の拡大図である。なお、図７は、従来例にかかる配線基板上の電極を模式的に示す断面図である。
【００４０】
アノード電極１２は、図６に示すように、第１のシード層１６と、第１のメッキ層１５とを有する。第１のシード層１６は、第１の基板１１上に形成されている。第１のメッキ層１５は、第１のシード層１６上に形成されている。シール部材３２の下方において、第１のメッキ層１５は、平面視において第１のシード層１６の形成されている領域の内側に形成されている。言い換えれば、第１のシード層１６の端部は、第１のメッキ層１５の端部より突出して形成されている。
【００４１】
ここで本実施の形態と比較するために、比較例にかかる配線基板の形成工程としてセミアディティブ法を用いた場合について説明する。たとえばシード層１１６に銅が含まれ、メッキ層１１５に金が含まれる場合、最終工程でメッキ層１１５の形成領域以外のシード層１１６を除去するとき、シード層１１６のエッチングの選択比がメッキ層１１５の選択比より大きいため、図７に示すようにアンダカット部１３３が形成されることがあった。アンダカット部１３３が形成されると、シール部材１３２がアンダカット部１３３に入り込まずに空間ができてしまい、密閉性が悪くなることがある。
【００４２】
そこで、本実施の形態にかかる配線基板１０は、第１のメッキ層１５が第１のシード層１６の形成されている領域の内側に形成されており、シール部材３２が入り込めない空間ができるのを防止するため、密閉性を向上させることができる。
【００４３】
カソード電極１４についても、アノード電極１２と同様のことがいえる。即ち、シール部材３２の下方において、第２のメッキ層１７は、平面視において第２のシード層１８の形成されている領域の内側に形成されている。図８は、本実施の形態にかかる配線基板１０上のカソード電極１４を模式的に示す断面図であり、図３の拡大図である。
【００４４】
カソード電極１４は、第２のメッキ層１７と第２のシード層１８とを有する。第２のシード層１８は、第１の基板１１上に形成されている。第２のメッキ層１７は、第２のシード層１８上に形成されている。なお第２のシード層１８上には、複数の第２のメッキ層１７が形成されていてもよい。
【００４５】
シール部材３２の下方では、第２のメッキ層１７は、平面視において第２のシード層１８の形成されている領域の内側に形成されている。言い換えれば、第２のシード層１８の端部は、断面形状において第２のメッキ層１７の端部より突出して形成されている。
【００４６】
これにより、本実施の形態にかかる配線基板１０は、第２のメッキ層１７が第２のシード層１８の形成されている領域の内側に形成されており、シール部材３２が入り込めない空間ができるのを防止するため、密閉性を向上させることができる。
【００４７】
２．２．２．配線基板の形成方法
次に配線基板１０の形成方法の一例について説明する。
【００４８】
図９〜図１１は、配線基板１０の形成方法の一例を示す断面図であり、図６に対応している。
【００４９】
まず、第１の基板１１上の全面に第１のシード層１６ａを形成する。第１の基板１１は、たとえばガラス基板のような絶縁性基板からなる場合、第１のシード層１６ａは、たとえばスパッタ法や無電解メッキにより形成される。第１のシード層１６ａは、たとえばクロムと銅の積層膜からなることができる。
【００５０】
次に、図９に示すように公知のフォトリソグラフィ技術によりレジスト層Ｒ１を所定の領域に形成する。ついで、図１０に示すように、レジスト層Ｒ１が形成されていない領域に、電解メッキにより第１のメッキ層１５を形成する。第１のメッキ層１５は、たとえば銅、ニッケル、金、金錫の積層膜からなることができる。
【００５１】
次に、第１のシード層１６ａをパターニングして第１のシード層１６を形成する（図６参照）。まず第１のメッキ層１５および第１のシード層１６ａ上に公知のフォトリソグラフィ技術によりレジスト層Ｒ２を所定の領域に形成する。その後、レジスト層Ｒ２をマスクとして第１のシード層１６ａをエッチングする。
【００５２】
このとき、レジスト層Ｒ２は、図１１に示すように、第１のメッキ層１５の上面のみならず第１のメッキ層１５の側面を覆うように形成する。これにより、第１のメッキ層１５は第１のシード層１６の形成されている内側にのみ形成されるため、第１のメッキ層１５の下方にアンダカット部が形成されるのを防止して、光モジュール１００の密閉性を向上させることができる。
【００５３】
２．３．光チップ
次に本実施の形態にかかる光チップの一例について説明する。
【００５４】
図１２は、本実施の形態にかかる光チップ２０を模式的に示す平面図である。図１３は、本実施の形態にかかる光チップ２０を模式的に示す断面図であり、図１２のＣ−Ｃ断面を示す。
【００５５】
光チップ２０は、第２の基板２９上に形成された共振器５０と、第１電極２４と、第２電極２６とを有する。共振器５０は、下部ミラー５２と、活性層５３と、上部ミラー５４と、上部ミラー５４中に形成された電流狭窄層５５とを有する。第１電極２４は、下部ミラー５２上に形成されている。第２電極２６は、共振器５０上に形成され、共振器５０上において開口部を有する。第２電極２６の開口部は、出射面２２を形成している。また第２電極２６と下部ミラー５２との間には絶縁層２８が形成されている。第１電極２４および第２電極２６は、たとえば加熱加圧法や導電性接着剤等により、上述した配線基板１０のアノード電極１２およびカソード電極１４とそれぞれ接続されている。
【００５６】
３．変形例
３．１．第１の変形例
次に第１の変形例にかかる光モジュール２００について説明する。光モジュール２００のカバー部材２３４は、平坦な形状である点で、上述した光モジュール１００における箱形状のカバー部材３４と異なる。
【００５７】
図１４は、第１の変形例にかかる光モジュール２００を模式的に示す断面図である。光モジュール２００のシール部材２３２の断面形状は、図１４に示すように、第１の基板１１から光チップ２０の上端部までの厚さより大きい厚さを有する。シール部材２３２の平面形状は、上述したシール部材３２と同様であるので説明を省略する。
【００５８】
第１の変形例にかかる光モジュール２００によれば、カバー部材２３４は平坦な形状を有するため、形状加工の困難な部材であってもカバー部材２３４として用いることができる。カバー部材２３４としては、上述したように不透湿部材であれば特に限定されないが、たとえば、金属、ガラス、セラミックス等を用いることができる。
【００５９】
上記以外の光モジュール２００の構成および製造工程については、上述した光モジュール１００の構成および製造工程と同様であるので説明を省略する。
【００６０】
３．２．第２の変形例
次に第２の変形例にかかる光モジュール３００について説明する。光モジュール３００は、第１のシール部材３４２と第２のシール部材３３２とを用いて密閉封止している点で、シール部材３２のみを用いて密閉封止している光モジュール１００と異なる。
【００６１】
図１５は、第２の変形例にかかる光モジュール３００を模式的に示す平面図である。図１６は、第２の変形例にかかる光モジュール３００を模式的に示す断面図であり、図１５のＤ−Ｄ断面を示す。
【００６２】
光モジュール３００は、第１のシール部材３４２と、第２のシール部材３３２と、カバー部材３３４を用いて密閉封止されている。第１のシール部材３４２は、カソード電極３１４の上方に設けられ、第２のシール部材３３２は、アノード電極３１２の上方に設けられている。また、第２のメッキ層３１７は、突起部３４０を有する。第１のシール部材３４２は、突起部３４０上に形成されている。突起部３４０は、図１５に示すようにコの字型の平面形状を有する。
【００６３】
第１のシール部材３４２は、導電性材料であってもよいし、絶縁性材料であってもよい。第１のシール部材３４２は、たとえば錫や金錫の合金等の半田からなることができ、半田付けによってカバー部材３３４と接合される。第１のシール部材３４２は、突起部３４０と同様にコの字型の平面形状を有し、カバー部材３３４の３辺を密閉封止することができる。
【００６４】
第２のメッキ層３１７および第２のシード層３１８は、第１のシール部材３４２の下方に形成されている。第２のシール部材３３２は、図１５に示すように矩形の平面形状を有し、カバー部材３３４の他の一辺を封止することができる。カバー部材３３４の他の一辺とは、第１のメッキ層３１５および第１のシード層３１６が形成されている領域である。第２のシール部材３３２は、絶縁性材料からなり、たとえば低融点ガラスからなることができる。第２のシール部材３３２が絶縁性材料からなることにより、カバー部材３３４および第１のシール部材３４２が金属材料からなる場合であっても、アノード電極１２とカソード電極１４とがショートするのを防止することができる。
【００６５】
このように、第２のシール部材３３２を用いる領域を狭くすることによって、低融点ガラスからなる第２のシール部材３３２を接合するための熱処理が光チップ２０に与える悪影響を抑制することができる。
【００６６】
次に、光モジュール３００の密閉封止方法について説明する。
【００６７】
まず、第１のシール部材３４２を突起部３４０上に形成する。また第２のシール部材３３２を形成するためのプリフォームを準備する。次に、カバー部材３３４を周縁の３辺が第１のシール部材３４２の上方にくるように配置する。
【００６８】
次に、半田付けによりカバー部材３３４を配線基板３１０に接合してカバー部材３３４の３辺を封止し、その後プリフォームをカバー部材３３４の側面に押圧しながら加熱してカバー部材３３４の他の１辺を封止する。
【００６９】
上記以外の光モジュール３００の構成および製造工程については、上述した光モジュール１００の構成および製造工程と同様であるので説明を省略する。
【００７０】
３．３．第３の変形例
次に第３の変形例にかかる光モジュール４００について説明する。光モジュール４００は、カバー部材を用いていない点で光モジュール１００と異なる。
【００７１】
図１７は、第３の変形例にかかる光モジュール４００を模式的に示す平面図である。図１８は、第３の変形例にかかる光モジュール４００を模式的に示す断面図であり、図１７のＥ−Ｅ断面を示す。
【００７２】
シール部材４３２の平面形状は、図１７に示すように、光チップ２０を取り囲む枠状であり、その内側が第２の基板２９の側面に接している。シール部材４３２の断面形状は、第２の基板２９の側面と配線基板４１０の上面に密着している形状であれば特に限定されないが、たとえば図１８に示すように３角形であることができる。シール部材４３２は、枠状のプリフォームを、光チップ２０を取り囲むように配置して、加熱することにより第２の基板２９の側面と配線基板４１０の上面に密着させることができる。
【００７３】
なお、上述した光モジュール１００と同様に、シール部材４３２の下方において、第１のメッキ層４１５は、平面視において第１のシード層４１６の形成されている領域の内側に形成されている。また、第２のメッキ層４１７は、第２のシード層４１８の形成されている領域の内側に形成されている。
【００７４】
上記以外の光モジュール４００の構成および製造工程については、上述した光モジュール１００の構成および製造工程と同様であるので説明を省略する。
【００７５】
３．４．第４の変形例
次に第４の変形例にかかる光モジュール５００について説明する。光モジュール５００は、カバー部材が光チップ２０の周囲を取り囲む形状である点で、カバー部材３４が光チップ２０を覆う形状である光モジュール１００と異なる。
【００７６】
図１９は、第４の変形例にかかる光モジュール５００を模式的に示す平面図である。図２０は、第４の変形例にかかる光モジュール５００を模式的に示す断面図であり、図１９のＦ−Ｆ断面を示す。
【００７７】
シール部材５３２の平面形状は、図１９に示すように、光チップ２０を取り囲む枠状であり、その内側が第２の基板２９の側面に接している。シール部材５３２の断面形状は、第２の基板２９の側面と配線基板５１０の上面に密着している形状であれば特に限定されない。カバー部材５３４の平面形状は、図１９に示すように、光チップ２０を取り囲む枠状であり、その内側がシール部材５３２の外側に接している。即ちカバー部材５３４は、シール部材５３２を取り囲むように形成されている。
【００７８】
光モジュール５００は、シール部材５３２の枠状のプリフォームを、光チップ２０を取り囲むように配置して、さらにその上にカバー部材５３４をかぶせるように配置し、加熱することにより、シール部材５３２と配線基板５１０の上面およびシール部材５３２と第２の基板２９の側面を密着させることができる。
【００７９】
なお、上述した光モジュール１００と同様に、シール部材５３２の下方において、第１のメッキ層５１５は、平面視において第１のシード層５１６の形成されている領域の内側に形成されている。また、第２のメッキ層５１７は、第２のシード層５１８の形成されている領域の内側に形成されている。
【００８０】
第４の変形例にかかる光モジュール５００によれば、シール部材５３２がカバー部材５３４に押圧されることにより厚さが薄くなるため、応力が緩和される。
【００８１】
上記以外の光モジュール５００の構成および製造工程については、上述した光モジュール１００の構成および製造工程と同様であるので説明を省略する。
【００８２】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本実施の形態にかかる光モジュールを模式的に示す平面図。
【図２】本実施の形態にかかる光モジュールを模式的に示す断面図。
【図３】本実施の形態にかかる光モジュールを模式的に示す断面図。
【図４】本実施の形態にかかる密閉封止方法を説明するための断面図。
【図５】本実施の形態にかかる密閉封止方法を説明するための断面図。
【図６】本実施の形態にかかる配線基板の電極を模式的に示す断面図。
【図７】比較例にかかる配線基板の電極を模式的に示す断面図。
【図８】本実施の形態にかかる配線基板の電極を模式的に示す断面図。
【図９】本実施の形態にかかる配線基板の形成方法を説明するための断面図。
【図１０】本実施の形態にかかる配線基板の形成方法を説明するための断面図。
【図１１】本実施の形態にかかる配線基板の形成方法を説明するための断面図。
【図１２】本実施の形態にかかる光チップを模式的に示す平面図。
【図１３】本実施の形態にかかる光チップを模式的に示す断面図。
【図１４】第１の変形例にかかる光モジュールを模式的に示す断面図。
【図１５】第２の変形例にかかる光モジュールを模式的に示す平面図。
【図１６】第２の変形例にかかる光モジュールを模式的に示す断面図。
【図１７】第３の変形例にかかる光モジュールを模式的に示す平面図。
【図１８】第３の変形例にかかる光モジュールを模式的に示す断面図。
【図１９】第４の変形例にかかる光モジュールを模式的に示す平面図。
【図２０】第４の変形例にかかる光モジュールを模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００８４】
１０  配線基板、１１  第１の基板、１２  アノード電極、１４  カソード電極、１５  第１のメッキ層、１６  第１のシード層、１７  第２のメッキ層、１８  第２のシード層、２０  光チップ、２２  出射面、２４  第１電極、２６  第２電極、２８  絶縁層、３２  シール部材、３４  カバー部材、３６  支持部、３８  内部空間、５０  共振器、５２  下部ミラー、５３  活性層、５４  上部ミラー、５５  電流狭窄層、１００、２００、３００、４００、５００  光モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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