(57)【要約】【課題】基板上面を任意に再配線可能にして、上部ICとの接続を容易にした両面電極パッケージを薄くかつ低コストで製造可能にする。【解決手段】本発明は、多層配線した多層有機基板により構成されるパッケージ基板に凹部を形成して、該凹部内にＬＳＩチップを収納する。この多層配線と接続したＬＳＩチップを封止した樹脂の上面に配線し、かつ、この配線を、パッケージ基板のおもて面において多層配線に接続された端子用配線、及び樹脂上面の外部接続用のおもて面バンプ電極と接続する。パッケージ基板の裏面側において、多層配線と接続される外部接続用の裏面バンプ電極を形成する。【選択図】図１
2007294634.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線した多層有機基板により構成されるパッケージ基板に凹部を形成して、該凹部内にＬＳＩチップを収納し、
前記多層配線と接続したＬＳＩチップを封止した樹脂の上面に配線し、かつ、この配線を、前記パッケージ基板のおもて面において前記多層配線に接続された端子用配線、及び樹脂上面の外部接続用のおもて面バンプ電極と接続し、
前記パッケージ基板の裏面側において、前記多層配線と接続される外部接続用の裏面バンプ電極を形成した、
ことから成る両面電極構造の半導体装置。
【請求項２】
前記パッケージ基板の凹部には、段差部を形成して、この段差部に前記多層配線に接続される端子用配線を形成し、該端子用配線をボンディングワイヤ接続電極として、ＬＳＩチップの上面に形成されている電極と接続した請求項１に記載の両面電極構造の半導体装置。
【請求項３】
前記パッケージ基板の凹部底部の最上層に、前記多層配線に接続される金属パッド部を形成し、この金属パッド部を下向き配置したＬＳＩチップの上面電極とフリップチップ接続した請求項１に記載の両面電極構造の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂の封止は、前記パッケージ基板の凹部内に装着したＬＳＩチップの周囲及び上面に、該樹脂封止面とパッケージ上面が同一平面になるように、パッケージ基板の最上面と同じ高さにまで樹脂を注入することにより行われる請求項１に記載の両面電極構造の半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂上面の配線は、金属ナノ粒子を用いたインクジェット方式或いはスクリーン印刷により行われる請求項１に記載の両面電極構造の半導体装置。
【請求項６】
前記金属ナノ粒子は、銅粒子であり、かつ、原子状水素を用いた還元が実施される請求項５に記載の両面電極構造の半導体装置。
【請求項７】
多層配線した多層有機基板により構成されるパッケージ基板に凹部を形成して、該凹部内にＬＳＩチップを収納し、
前記パッケージ基板のおもて面及び裏面においてそれぞれ前記多層配線に接続される端子用配線を備え、
前記多層配線と接続したＬＳＩチップを樹脂により封止し、
前記パッケージ基板のおもて面の端子用配線と接続する配線を前記樹脂の上面に形成し、かつ、この配線の先端に、外部接続用のおもて面バンプ電極を形成し、
前記パッケージ基板の裏面の前記端子用配線と接続される外部接続用の裏面バンプ電極を形成した、
ことから成る両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記パッケージ基板の凹部には、段差部を形成して、この段差部に前記多層配線に接続される端子用配線を形成し、該端子用配線をボンディングワイヤ接続電極として、ＬＳＩチップの上面に形成されている電極と接続した請求項７に記載の両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記パッケージ基板の凹部底部の最上層に、前記多層配線に接続される金属パッド部を形成し、この金属パッド部を下向き配置したＬＳＩチップの上面電極とフリップチップ接続した請求項７に記載の両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂の封止は、前記パッケージ基板の凹部内に装着したＬＳＩチップの周囲及び上面に、該樹脂封止面とパッケージ上面が同一平面になるように、パッケージ基板の最上面と同じ高さにまで樹脂を注入することにより行われる請求項７に記載の両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂上面の配線は、金属ナノ粒子を用いたインクジェット方式或いはスクリーン印刷により行われる請求項７に記載の両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記金属ナノ粒子は、銅粒子であり、かつ、原子状水素を用いた還元が実施される請求項１１に記載の両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、デジカメ等の小型電子機器や小型ロボット、小型センサに用いることのできる両面電極構造の半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩチップの高集積化に伴い、パッケージサイズの縮小化も強く要求されており、様々な実装パッケージ構造が提案されている。近年、半導体ベアチップに貫通電極を形成して積層しようとする開発が盛んに行われている。一方、リアルサイズの両面電極パッケージもこれから製品化される可能性が高い。いずれの技術においても、従来の両面電極パッケージは貫通電極構造を必要としているが（特許文献１参照）、現在の貫通孔の絶縁方法は、高温で処理されるため半導体の実装プロセスへの適用は困難であった。このように、半導体基板への貫通孔の形成とその絶縁方法にはまだ課題が残されていて、貫通電極を必要とせずに配線することが望まれる。
【０００３】
特許文献２は、リードフレーム型の両面電極パッケージにおいて、リードフレームで上下に貫通させているが、下面と上面の電極配置は同じであり、上下接続の融通性は無い。
【０００４】
特許文献３は、BGAタイプの両面電極パッケージにおいて、基板を貫通する電極を設けて両面電極構造を形成している。しかし上面の電極配置部は貫通部そのものであり、上部接続ICとの接続パターンに融通性がない。
【特許文献１】特開２００２−１５８３１２号公報
【特許文献２】特開２００３−２４９６０４号公報
【特許文献３】特開２００５−２３５８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、係る問題点を解決して、基板上面を任意に再配線可能にして、上部ICとの接続を容易にした両面電極パッケージを薄くかつ低コストで製造可能にすることを目的としている。
【０００６】
また、本発明は、１つの基板に複数チップを簡単に内蔵できるだけでなく、任意の数だけ基板上部及び下部の任意の箇所に配線を取り出して、上部接続ICとの接続パターンに融通性を持たせることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の両面電極構造の半導体装置は、多層配線した多層有機基板により構成されるパッケージ基板に凹部を形成して、該凹部内にＬＳＩチップを収納する。この多層配線と接続したＬＳＩチップを封止した樹脂の上面に配線し、かつ、この配線を、パッケージ基板のおもて面において多層配線に接続された端子用配線、及び樹脂上面の外部接続用のおもて面バンプ電極と接続する。パッケージ基板の裏面側において、多層配線と接続される外部接続用の裏面バンプ電極を形成する。
【０００８】
パッケージ基板の凹部には、段差部を形成して、この段差部に前記多層配線に接続される端子用配線を形成し、該端子用配線をボンディングワイヤ接続電極として、ＬＳＩチップの上面に形成されている電極と接続する。パッケージ基板の凹部底部の最上層に、多層配線に接続される金属パッド部を形成し、この金属パッド部を下向き配置したＬＳＩチップの上面電極とフリップチップ接続する。樹脂の封止は、パッケージ基板の凹部内に装着したＬＳＩチップの周囲及び上面に、該樹脂封止面とパッケージ上面が同一平面になるように、パッケージ基板の最上面と同じ高さにまで樹脂を注入することにより行われる。樹脂上面の配線は、金属ナノ粒子を用いたインクジェット方式或いはスクリーン印刷により行われる。金属ナノ粒子として、銅粒子を用いることができ、この場合、原子状水素を用いた還元が実施される。
【０００９】
また、本発明の両面電極構造の半導体装置の製造方法は、多層配線した多層有機基板により構成されるパッケージ基板に凹部を形成して、該凹部内にＬＳＩチップを収納する。パッケージ基板のおもて面及び裏面においてそれぞれ多層配線に接続される端子用配線を備え、多層配線と接続したＬＳＩチップを樹脂により封止し、パッケージ基板のおもて面の端子用配線と接続する配線を樹脂の上面に形成する。この配線の先端に、外部接続用のおもて面バンプ電極を形成し、かつ、パッケージ基板の裏面の端子用配線と接続される外部接続用の裏面バンプ電極を形成する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、側面配線でもなく内部接続でもなく、パッケージ基板を工夫して容易に高密度の両面電極パッケージを、薄くかつ低コストで製造することができる。
【００１１】
また、本発明によれば、１つの基板に複数チップを簡単に内蔵できるだけでなく、任意の数だけ基板上部及び下部の任意の箇所に配線を取り出して、基板上面を任意に再配線可能にし、上部接続ICとの接続パターンに融通性を持たせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、例示に基づき、本発明を説明する。図１は、本発明の両面電極構造の半導体装置（有機基板型両面電極パッケージ）を例示する図であり、（Ａ）は、パッケージ基板内にＬＳＩチップを収容してワイヤボンドした後の状態を示す上方からの斜視図であり、（Ｂ）は、樹脂封止後再配線し、さらに、外部接続用のバンプを形成して完成させた状態で示す上方からの斜視図である。
【００１３】
多層配線した多層有機基板により構成されるパッケージ基板は、図１（Ａ）に示すように、部分的にＬＳＩチップを収納するための凹部、及び凹部周囲に段差部を形成している。多層有機基板の配線層は、裏面側及びおもて面側に加えて、凹部底面及び段差部とそれぞれ同一面に備えている。図中、おもて面側の配線層を、端子用配線と表示している。同様に、端子用配線は、多層有機基板の裏面側、凹部底面（フリップチップ接続用）、及び段差部（ワイヤボンド用）にも設けられている。多層有機基板の配線層に接続されている段差部上面の金属パッド部（端子用配線）は、ボンディングワイヤ接続電極として、ＬＳＩチップの上面に形成されている電極とＡｕワイヤーにより接続される。あるいは、ＬＳＩチップは、その下向き配置した上面電極を、凹部底部の最上層の金属パッド部（端子用配線）とフリップチップ接続してもよい。なお、ワイヤボンド接続の場合、凹部底部の配線層は必ずしも必要としないが、ダイボンド部に配線があっても、その上に絶縁層を塗布したり、あるいは絶縁性のダイボンド材を使うことにより、ダイボンドに支障は無い。
【００１４】
図１（Ｂ）に示すように、ワイヤボンド後、外界からの応力、汚染から守るために、エポキシ樹脂により封止される。この樹脂封止は、多層有機基板の凹部内に装着したＬＳＩチップの周囲及び上面（キャビティ部）に、該樹脂封止面とパッケージ上面がフラット（同一平面）になるように、パッケージ基板の最上面と同じ高さにまで樹脂を注入することにより行われる。その後、モールドおもて面において、パッケージ基板の最上面に形成されている端子用配線にまで接続する配線が行われる（再配線）。パッケージ基板上面から延びるこの配線は、金属ナノ粒子（特に銅ナノ粒子）を用いたインクジェット方式或いはスクリーン印刷により、樹脂面まで延長される。この樹脂面まで延長した配線の先端に外部接続用端子としてのバンプ電極（接続突起）を形成する。このバンプ電極は、おもて面だけでなく、裏面にも形成する。なお、図１（Ｂ）に示すように、バンプ電極配置を等間隔にする目的で、再配線を樹脂面まで延長することなく、パッケージ基板内で延長し、その延長端にバンプ電極を形成することもできる。さらに、上下接続強度保持のために、どこにも接続されない余分なバンプ電極を設けることもできる。
【００１５】
次に、上述した両面電極構造の半導体装置（有機基板型両面電極パッケージ）の製造工程の詳細を、図２〜図８を参照してさらに説明する。まず、本発明の半導体装置に用いられるパッケージ基板について、説明する。図２は、パッケージ基板の断面図（Ａ）、及び斜視図（Ｂ）である。パッケージ基板は、多層配線した多層有機基板により構成され、部分的にＬＳＩチップを収納するための凹部と、この凹部周囲の段差部を形成している。多層有機基板は、純粋な金属(銅)導体にて回路が形成されているため電気抵抗が小さく、また有機樹脂にて絶縁層が形成されているため誘電率が小さく、且つ軽量化に優れているなどの特徴を有している。多層有機基板の配線層（端子用配線を含む）は、裏面側及びおもて面側に加えて、凹部底面及び段差部とそれぞれ同一面に備えている。図２（Ｂ）の端子用配線は、おもて面側配線層を示している。ＬＳＩチップと配線接続するための端子用配線を設けた段差部は、矩形凹部の内周４辺の全てに備えるものとして例示しているが、必ずしも４辺全てに設ける必要はない。なお、図示の有機基板型両面電極パッケージにおいて、半導体チップを収容する凹部形成側をおもて面、その反対側を裏面と称している。
【００１６】
多層有機基板は、複数層から成る基板の各層に、それぞれ配線パターンを形成し、必要に応じて各層の配線パターンを接続するためのビアホールを形成したものである。このビアホールの内部には導体層が形成され、この導体層が下面側に形成された端面電極部であるランドと接続されている。さらに、このランドには、ハンダ材料を付着させて、外部接続用のバンプ電極を形成する。
【００１７】
次に、上述したパッケージ基板の製造の一例を、図３を参照して説明する。まず、図３（Ａ）において、ガラスエポキシにより形成した有機樹脂絶縁層（基板）の上下両面に、金属導体を形成する銅箔が成膜される。この銅箔は、例えば、化学めっき法にて形成できる。
【００１８】
図３（Ｂ）において、レーザを用いて選択的に孔（ビアホール）開け加工を行なって、絶縁層の3次元接続を行うべき部分、即ち後の工程（Ｄ）で形成される上下両面の配線パターンを相互に接続するビア部を形成する。
【００１９】
図３（Ｃ）において、ビアホール内の残渣除去（デスミア）をした後、ビアホール内を銅メッキにより充填する。
【００２０】
図３（Ｄ）において、上下両面の銅箔に対して、配線パターンを形成する。これは、例えば、絶縁層上の銅箔に対して、ホトレジストを塗布しマスク露光でパターンを転写し、現像、エッチング、レジスト除去等の工程を経て形成される。
【００２１】
図３（Ｅ）において、上下それぞれに、有機樹脂絶縁層（ガラスエポキシ）をラミネート（層状加工）し、さらに、それぞれの上に銅箔を形成する。
【００２２】
図３（Ｆ）において、新たに形成した有機樹脂絶縁層（ガラスエポキシ）の２層に対して、さらにビア部となる孔（ビアホール）開けを、レーザを用いて行う。
【００２３】
図３（Ｇ）において、ビアホール内の残渣除去（デスミア）をした後、ビアホール内を銅メッキにより充填する。そして、上下２層の銅箔に対して、配線パターンを形成して、４層（配線層）基板を完成する。
【００２４】
次に、図４に示すように、ＬＳＩチップを接着する（チップダイボンド）。ＬＳＩチップは、多層有機基板に形成された凹部底面に絶縁性のダイボンド材により接着される。１個のＬＳＩチップを例示したが、図９（Ｂ）を参照して後述するように、複数のチップを内蔵することも可能である。
【００２５】
次に、図５に示すように、多層有機基板とＬＳＩチップをワイヤボンドする。多層有機基板の凹部側壁部の段差部上面に金属パッド部（端子用配線）が形成されており、この金属パッド部は、多層配線層に接続されている。このボンディングワイヤ接続電極となる金属パッド部と、ＬＳＩチップの上面に形成されている電極がＡｕワイヤーにより接続される。このワイヤボンド後の状態は、また、図１（Ａ）を参照して前述したものに相当する。
【００２６】
或いは、異方性導電性樹脂接着等により、凹部底部の最上層の金属パッド部と、フリップチップ接続することもできる。フリップチップ接続の場合はチップダイボンドと電極接続が同時に形成される。フリップチップ接続の場合はＬＳＩ形成面を下向きにして接続することにより、下向きＬＳＩチップの上面電極は、多層有機基板の凹部底部の最上層の金属パッド部を含む配線パターンを通して接続される。なお、フリップチップ接続の場合、パッケージ基板の段差部、及びこの段差部に設ける配線層は、必ずしも必要ではない。
【００２７】
図６は、キャビティ部を樹脂で封止した状態の断面図（Ａ）及び斜視図（Ｂ）である。ワイヤボンド後、外界からの応力、汚染から守るために、エポキシ樹脂により封止される。この樹脂封止は、多層有機基板の凹部内に装着したＬＳＩチップの周囲及び上面（キャビティ部）に、該樹脂封止面とパッケージ上面がフラット（同一平面）になるように、パッケージ基板の最上面と同じ高さにまで樹脂を注入（モールド）することにより行われる。
【００２８】
次に、図７に示すように、樹脂を注入したモールドおもて面において、パッケージ基板の最上面に形成されている金属パッド部（端子用配線）にまで接続する配線が行われる（再配線）。パッケージ上面から延びるこの配線は、金属ナノ粒子（特に銅ナノ粒子）を用いたインクジェット方式或いはスクリーン印刷により、樹脂面まで延長される。上面の配線を銅ナノ粒子で施した場合は、原子状水素を用いた還元を実施して、銅配線の有機溶媒による汚れや酸化物を除去するが、この詳細は後述する。
【００２９】
図８は、バンプ電極を接続した状態で示す図である。上述の樹脂面まで延長した配線の先端に外部接続用端子としてのバンプ電極（接続突起）を形成する。このバンプ電極は、おもて面だけでなく、裏面にも形成する。おもて面のバンプ電極の形成は、再配線後にソルダーレジストを塗布（絶縁膜形成）し、その後、バンプ部を開口して、その位置に形成することもできる。以上の工程によって、有機基板型両面電極パッケージとしての製造は完成する。
【００３０】
図９（Ａ）（Ｂ）は、それぞれ、図１（Ｂ）とは異なる配線パターンを例示する平面図である。図９（Ａ）は、１つのパッケージ基板内に１個のＬＳＩチップを収容した例を示し、また、図９（Ｂ）は、１つのパッケージ基板内に２個のＬＳＩチップを収容した例を示している。
【００３１】
以上、１個のみの両面電極パッケージの製造を例示して説明したが、実際には、多数個が縦横に接続された状態で製造され、図８に示すように表裏バンプ電極形成工程後に、両面電極パッケージは個片化するために切断される。
【００３２】
上述したように、上面の配線が銅ナノ粒子で施した場合は、原子状水素を用いた還元を実施して、銅配線の有機溶媒による汚れや酸化物を室温以上200℃以下の低温で除去するが、以下、これについて、説明する。
【００３３】
(1)インクジェット法で銅配線を形成する。
有機溶媒中にナノ銅金属粒子が含有されており、それをプリンターで実用されているインクジェット法で所望のパターンを描く。その後、有機溶剤を蒸発させた熱処理が行われる。
【００３４】
本発明は、このように形成された銅配線に対して、有機溶媒による汚れや酸化物を除去する。有機溶剤を蒸発させる熱処理を行った場合、銅の表面酸化によって酸化銅が形成されてしまうが、これも後の原子状水素処理によって除去ができる。或いは、本発明は、有機溶剤を蒸発させる熱処理を行わない場合にも適用できる。熱処理を行わない場合は、有機溶剤を含有した状態になるが、後に行う原子状水素処理によって有機溶媒の除去も可能となる。
【００３５】
(2)次に、銅配線洗浄装置中で原子状水素もしくはアンモニア分解種で銅酸化物および有機溶媒汚染物を除去する。
【００３６】
図１０は、銅配線洗浄装置として用いた処理装置の断面の概略図である。反応室の上面のガス流入口からは、原子状水素もしくはアンモニア分解種の原料として、水素、アンモニア、ヒドラジン等の水素を含んだ原料を、クリーニングガス供給機構を通して送り込む。
【００３７】
反応室外の直下部にはヒータ等の基板加熱機構を設置し、この加熱機構直上の反応室内の試料ステージ上に、試料（基板）が、被着面を上に向けて設置される。ガス流入口からのガスを拡散させるシャワーヘッドと、試料の中間に、例えばタングステン線からなる触媒体を設置し、該触媒体を触媒体加熱機構により高温に加熱して流入したガスを分解する。これによって、原子状水素もしくはアンモニア分解種が、加熱触媒による接触分解反応により生成される。銅配線の酸化物は原子状水素の還元により取り除かれ、有機汚染物は原子状水素と炭素の反応により炭化水素が形成されることで除去できる。
【００３８】
原子状水素もしくはアンモニア分解種の原料である上述の水素を含む化合物として、窒素も含む化合物、例えば、アンモニア、ヒドラジンを用いることができる。この場合、該化合物気体を加熱された触媒体に接触させることにより原子状水素と同時に原子状窒素が発生し、原子状水素による金属表面酸化膜の還元、及び又は、有機物の除去とともに、原子状窒素により金属表面の窒化処理を行うことができる。
【００３９】
触媒体材料としては、上述のタングステン以外にも、タンタル、モリブデン、バナジウム、レニウム、白金、トリウム、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、シリコン、炭素のいずれか１つの材料、これら材料の単体の酸化物、これら材料の単体の窒化物、これら材料（炭素を除く）の単体の炭化物、これらの材料から選択された２種類以上からなる混晶または化合物の酸化物、これらの材料から選択された２種類以上からなる混晶または化合物の窒化物、又は、これらの材料（炭素を除く）から選択された２種類以上からなる混晶または化合物の炭化物の何れか１つを用いることができる。また、触媒体の温度は、例えば、タングステン触媒体の場合は、1000℃から2200℃の温度範囲が適当である。
【００４０】
なお、図１０中の原料供給機構は、必要に応じて、例えば、SiN系膜を堆積するために用いられるヘキサメチルジシラザンやシラン等を供給するためのものである。また、真空系は、反応残余ガスを排出するためのものである。
【００４１】
このような銅配線洗浄装置を用いて、試料（基板）として、ナノ銅金属粒子を用いたパターニング配線を形成したウエハ（複数個のパッケージを縦横に接続した状態）、或いは個片化したパッケージ基板を、試料ステージに設置する。そして、ナノ銅金属粒子を用いた配線による汚染を除去するため、水素ガスを流量30sccmで10分間流入し、この処理により、汚染の除去を行う。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の両面電極構造の半導体装置（有機基板型両面電極パッケージ）を例示する図である。
【図２】パッケージ基板の断面図（Ａ）、及び斜視図（Ｂ）である。
【図３】パッケージ基板の製造の一例を説明する図である。
【図４】ＬＳＩチップを接着するチップダイボンドを説明する図である。
【図５】多層有機基板とＬＳＩチップのワイヤボンドを説明する図である。
【図６】キャビティ部を樹脂で封止した状態の断面図（Ａ）及び斜視図（Ｂ）である。
【図７】モールドおもて面における再配線を説明する図である。
【図８】バンプ電極の接続を説明する図である。
【図９】図１（Ｂ）とは異なる配線パターンを例示する平面図である。
【図１０】銅配線洗浄装置として用いた処理装置の断面の概略図である。
【図１】
2007294634.tif 000003
【図２】
2007294634.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007294634.tif 000009
【図８】
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【図９】
2007294634.tif 000011
【図１０】
2007294634.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月23日(2006.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線した多層有機基板により構成されるパッケージ基板に凹部を形成して、該凹部内にＬＳＩチップを収納し、
前記パッケージ基板の凹部内に装着して前記多層配線と接続したＬＳＩチップの周囲及び上面に、パッケージ基板の最上面と同じ高さにまで樹脂を注入して封止し、
この封止した樹脂の上面に配線し、かつ、この配線を、前記パッケージ基板のおもて面において前記多層配線に接続された端子用配線、及び樹脂上面の外部接続用のおもて面バンプ電極と接続し、
前記パッケージ基板の裏面側において、前記多層配線と接続される外部接続用の裏面バンプ電極を形成した、
ことから成る両面電極構造の半導体装置。
【請求項２】
前記パッケージ基板の凹部には、段差部を形成して、この段差部に前記多層配線に接続される端子用配線を形成し、該端子用配線をボンディングワイヤ接続電極として、ＬＳＩチップの上面に形成されている電極と接続した請求項１に記載の両面電極構造の半導体装置。
【請求項３】
前記パッケージ基板の凹部底部の最上層に、前記多層配線に接続される金属パッド部を形成し、この金属パッド部を下向き配置したＬＳＩチップの上面電極とフリップチップ接続した請求項１に記載の両面電極構造の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂上面の配線は、有機溶媒中に含有させた金属粒子を用いたインクジェット方式或いはスクリーン印刷により行われる請求項１に記載の両面電極構造の半導体装置。
【請求項５】
前記金属粒子は、銅粒子であり、かつ、原子状水素を用いた還元が実施される請求項４に記載の両面電極構造の半導体装置。
【請求項６】
多層配線した多層有機基板により構成されるパッケージ基板に凹部を形成して、該凹部内にＬＳＩチップを収納し、
前記パッケージ基板のおもて面及び裏面においてそれぞれ前記多層配線に接続される端子用配線を備え、
前記パッケージ基板の凹部内に装着して前記多層配線と接続したＬＳＩチップの周囲及び上面に、パッケージ基板の最上面と同じ高さにまで樹脂を注入して封止し、
前記パッケージ基板のおもて面の端子用配線と接続する配線を前記樹脂の上面に形成し、かつ、この配線の先端に、外部接続用のおもて面バンプ電極を形成し、
前記パッケージ基板の裏面の前記端子用配線と接続される外部接続用の裏面バンプ電極を形成した、
ことから成る両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記パッケージ基板の凹部には、段差部を形成して、この段差部に前記多層配線に接続される端子用配線を形成し、該端子用配線をボンディングワイヤ接続電極として、ＬＳＩチップの上面に形成されている電極と接続した請求項６に記載の両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記パッケージ基板の凹部底部の最上層に、前記多層配線に接続される金属パッド部を形成し、この金属パッド部を下向き配置したＬＳＩチップの上面電極とフリップチップ接続した請求項６に記載の両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂上面の配線は、有機溶媒中に含有させた金属粒子を用いたインクジェット方式或いはスクリーン印刷により行われる請求項６に記載の両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記金属粒子は、銅粒子であり、かつ、原子状水素を用いた還元が実施される請求項９に記載の両面電極構造の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
多層有機基板に多層配線すると共に、該基板のおもて面及び裏面において前記多層配線にそれぞれ端子用配線を接続することにより構成されるパッケージ基板に凹部を形成して、該凹部内にＬＳＩチップを収納し、
前記パッケージ基板の凹部内に装着して前記多層配線と接続したＬＳＩチップの周囲及び上面に、パッケージ基板の最上面と同じ高さにまで樹脂を注入して封止し、
前記パッケージ基板のおもて面の端子用配線と接続する配線を前記樹脂の上面に形成し、かつ、この配線の先端に、外部接続用のおもて面バンプ電極を形成し、
前記パッケージ基板の裏面の前記端子用配線と接続される外部接続用の裏面バンプ電極を形成した、
ことから成る両面電極構造の半導体装置の製造方法。