(57)【要約】【課題】電解メッキと電解研磨を均一に行うことが可能な多数個取り配線基板及びその電解処理方法を提供する。【解決手段】多数個取り配線基板１ａは、セラミック焼結体からなる略矩形平板状の絶縁体の中央部に略矩形状の配線基板領域２が縦横２列ずつ一体的に配列形成され、その周囲に略矩形状に外側配線３ａ，３ｂ及び内側配線４ａ,４ｂが配設されるとともに、外側配線３ａ，３ｂ及び内側配線４ａ，４ｂと配線基板領域２とを導通させる複数の補助配線１０と、外側配線３ａの中央部５ａに設けられる端子接続部６ａと、中央部５ｂに関して対称となる外側配線３ｂ上の２箇所に設けられる端子接続部６ｂ，６ｂとを備え、内側配線４ａ，４ｂは端部がそれぞれ外側配線３ａ，３ｂの中央部５ａ，５ｂに導通され、端子接続部６ａ，６ｂには端子用配線８を介して端子部９ａ,９ｂが接続されている。【選択図】図１
2007142122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体配線パターンを有する配線基板領域が中央部に縦横複数列ずつ形成された多数個取り配線基板において、前記配線基板領域を囲むように略矩形状に配設される外側配線と、この外側配線の各辺に端部が接続されて前記外側配線によって囲まれる領域を縦横複数の区画に仕切る内側配線と、前記外側配線の隣接しない２辺の対向する箇所に対をなすようにそれぞれ設置される第１の端子接続部と、前記外側配線又は前記内側配線と前記配線基板領域とを電気的に接続する複数の補助配線とを備え、前記外側配線及び前記内側配線の一部は前記第１の端子接続部のうち対向する箇所に設置された一対を最短距離で接続する第１の電流路を形成し、この第１の電流路は、前記外側配線を少なくとも一部含んで形成され前記一対の第１の端子接続部間を接続する第２の電流路よりも電気抵抗が小さくなるように断面積または長さが設定されることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記外側配線のうち前記第１の端子接続部が設置されない２辺の対向する箇所に対をなすように第２の端子接続部がそれぞれ設置されることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記外側配線及び前記内側配線の一部は、前記第２の端子接続部のうち対向する箇所に設置された一対を最短距離で接続する第３の電流路を形成し、この第３の電流路は、前記外側配線を少なくとも一部含んで形成され前記一対の第２の端子接続部間を接続する第４の電流路と電気抵抗が略等しくなるように断面積または長さが設定されることを特徴とする請求項２記載の多数個取り配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の多数個取り配線基板の第１の端子接続部に外部電源の陰極を接続して、この多数個取り配線基板に電解メッキを施すことを特徴とする電解処理方法。
【請求項５】
請求項２又は請求項３に記載の多数個取り配線基板の第２の端子接続部に外部電源の陽極を接続して、この多数個取り配線基板に電解研磨を施すことを特徴とする電解処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の配線基板領域が形成された多数個取り配線基板を電解処理する方法に係り、特に、電解メッキと電解研磨を均一に行うことが可能な多数個取り配線基板及びその電解処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの電子機器に使用されるセラミック製の配線基板は、例えばアルミナ等の焼結体からなる絶縁層が複数積層され半導体素子や水晶振動子等の電子部品を収容するための凹部が上面に設けられた絶縁基体に、タングステン材料によって枠状の封止用メタライズ層が凹部を取り囲むように被着され、メタライズ配線導体が凹部底面から絶縁層及び外周辺を介して下面に導出された構造となっている。そして、封止用メタライズ層とメタライズ配線導体には電解メッキ法によりニッケルメッキが施され、封止用メタライズ層は、さらに、金属リングが銀ろう付けされ、電解研磨等によって余分な金属が除去された後、電解メッキ法によりニッケルメッキと金メッキが順次被着される。
ところで、近年の電子機器の小型化に伴い、配線基板の大きさも数ｍｍ角程度と極めて小さくなっている。そこで、通常、配線基板は多数個取り配線基板の形態で製造されることが多い。なお、多数個取り配線基板とは、処理後の個片分割により配線基板となり得る複数の配線基板領域が一枚の母基板上に配列形成されたものをいう。
このような多数個取り配線基板に効率よく電解処理を施すために、電解処理の対象となるすべての封止用メタライズ層やメタライズ配線導体に対して共通して導通をとる技術が開発されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、「多数個取り配線基板」という名称で、多数の配線基板領域が配列形成されたセラミック母基板において、各配線導体に電解メッキ法によって均一にメッキ層を被着させることが可能な多数個取り配線基板に関する発明が開示されている。
【０００４】
以下、図６を参照しながら、特許文献１に開示された発明について説明する。
図６（ａ）は従来技術に係る多数個取り配線基板の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、従来技術に係る発明である多数個取り配線基板は、上面に配線導体５３を有する多数の配線基板領域５２が中央部に配列形成されるとともに、セラミック母基板５１の外周部に配設されるめっき用共通導体枠５４と、このめっき用共通導体枠５４からセラミック母基板５１の外周縁にかけて設けられるめっき用端子部５５と、めっき用共通導体枠５４から並びの外周に位置する配線導体５３にかけて分割溝５８と交差しないように配設される複数のめっき導通用導体５６と、各配線基板領域５２の配線導体５３同士を電気的に接続するための貫通導体５７と、金属蓋体が銀ろう付けされる封止用メタライズ層５９と備えるものである。そして、めっき導通用導体５６のうち、めっき用共通導体枠５４との接続位置がめっき用端子部５５に近いものほど、その長さを長く、またはその幅を狭く、またはその厚みを薄くしたことを特徴とする。
上記構造の「多数個取り配線基板」においては、めっき用端子部５５からの距離に影響されることなく各配線基板領域５２の配線導体５３に均一にめっき用電流を供給することができるため、セラミック母基板５１の各配線導体５３に均一にめっき層を被着させることが可能である。また、めっき導通用導体５６と分割溝５８が交差しないため、分割溝５８の深さに関して設計上の制限を受けることが少ない。
【０００５】
また、特許文献２には「多数個取り配線基板」という名称で、母基板上に配列される配線基板領域における配線導体同士の間隔が狭い場合でも、電解メッキ法によって各配線導体にメッキ金属層を良好に被着させることが可能な多数個取り配線基板に関する発明が開示されている。
特許文献２に開示された発明は、分割線で区切られた略四角形状の多数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成された略四角平板状の絶縁基板からなる母基板において、各配線基板領域の中央部からその外周辺の一つに向かって複数の配線導体が導出されるとともに、配線導体が導出された外周辺に隣接する別の外周辺に複数の引き出し配線が導出され、この引き出し配線同士を分割線を横切って配置される接続導体によって互いに電気的に接続することを特徴としている。
上記構造の「多数個取り配線基板」においては、隣接する外周辺において引き出し配線の間隔を広く取ることができるため、各引き出し配線間の導通が容易である。従って、各配線導体を引き出し配線及び接続導体を用いて共通に導通させ、電解メッキによって各配線導体にメッキ金属層を良好に被着させることができる。
【０００６】
さらに、特許文献３には「多数個取り配線基板」という名称で、配線基板領域の境界線を横断するように設置されるメッキ導通用接続導体を用いることなく、メタライズ配線導体間を電気的に接続し、メタライズ配線導体等に電解メッキ法によりメッキ金属層を被着させることが可能な多数個取り配線基板に関する発明が開示されている。
特許文献３に開示された「多数個取り配線基板」は、上面に電子部品を収容するための凹部を有する多数の配線基板領域が母基板の中央部に配列形成されるとともに、凹部底面から外周の各角部に導出されるメタライズ配線導体と、凹部を取り囲むように被着される封止用メタライズ層と、各配線基板領域を区切る境界線の交点上に形成される貫通孔とを備えるものである。なお、貫通孔の内壁には全周にわたってメタライズ配線導体と電気的に接続された外部接続用メタライズ層が被着されている。
上記構造の「多数個取り配線基板」においては、各配線基板領域の対角に位置する貫通孔の内壁に被着された外部接続用メタライズ層同士が封止用メタライズ層を介して斜めに連続して電気的に接続されるため、最外周の貫通孔内の外部接続用メタライズ層に電荷を供給して電解メッキを行なうことによって全ての外部接続用メタライズ層、メタライズ配線導体及び封止用メタライズ層にメッキ金属層を被着させることが可能である。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１０３８１１号公報
【特許文献２】特開２００３−２５８３９１号公報
【特許文献３】特開２００３−３０３９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述の従来技術である特許文献１に開示された発明においては、各配線基板領域の配線導体に均一にめっき用電流が供給されるものの、中央部に比べて電流密度が高くなるセラミック母基板の周辺部に位置する配線基板領域においてメッキ層が厚く形成されてしまうという課題があった。
【０００９】
また、特許文献２に開示された発明においては、隣接する外周辺において引き出し配線の間隔を広く取ることができるものの、電解メッキ時に母基板の周辺部と中央部において発生するメッキ電流の密度を適正化する構造となっていないため、各配線基板領域に対してメッキ層が均一に形成されないという課題があった。また、本発明の配線導体や接続導体の配置は電解研磨を想定したものではないため、電解研磨を均一に行うことができないという課題があった。
【００１０】
さらに、特許文献３に開示された発明においては、メタライズ配線導体間を導通させるために配線基板領域の境界線を横断するように設置されるメッキ導通用接続導体を必要とはしないものの、電解メッキや電解研磨の際に各配線基板領域において発生するメッキ電流の密度を適正化する構造となっていないため、電解メッキや電解研磨が均一になされないという課題があった。
【００１１】
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたものであり、電解メッキと電解研磨を均一に行うことが可能な多数個取り配線基板及びその電解処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明である多数個取り配線基板は、導体配線パターンを有する配線基板領域が中央部に縦横複数列ずつ形成された多数個取り配線基板において、配線基板領域を囲むように略矩形状に配設される外側配線と、この外側配線の各辺に端部が接続されて外側配線によって囲まれる領域を縦横複数の区画に仕切る内側配線と、外側配線の隣接しない２辺の対向する箇所に対をなすようにそれぞれ設置される第１の端子接続部と、外側配線又は内側配線と配線基板領域とを電気的に接続する複数の補助配線とを備え、外側配線及び内側配線の一部は第１の端子接続部のうち対向する箇所に設置された一対を最短距離で接続する第１の電流路を形成し、この第１の電流路は、外側配線を少なくとも一部含んで形成され一対の第１の端子接続部間を接続する第２の電流路よりも電気抵抗が小さくなるように断面積または長さが設定されることを特徴とするものである。
このような構造の多数個取り配線基板においては、電解処理のために第１の端子接続部に外部電源などによって電圧が加えられた場合、第１の電流路は第２の電流路よりも多い量の電荷を配線基板領域に供給するように作用する。
【００１３】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の多数個取り配線基板において、外側配線のうち第１の端子接続部が設置されない２辺の対向する箇所に対をなすように第２の端子接続部がそれぞれ設置されることを特徴とするものである。
このような構造の多数個取り配線基板においては、第１の端子接続部を用いる電解処理とは異なる電解処理を行う場合に、第２の端子接続部は外部電源などから供給される電荷を外側配線に導くように作用する。また、第１の端子接続部と第２の端子接続部とが矩形状に配設された外側配線の各辺に対し、互いに９０度ずれて対向する２辺に対をなすように設置されているため、電解処理用の導電性ラックなどに一方の端子接続部を掛着する際に他方の端子接続部がその掛着を妨げることがない。通常、電解処理用の導電性ラックには上下一対あるいは左右一対の端子接続部を掛着し、その際には他方の端子接続部が左右あるいは上下に存在するためである。
【００１４】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の多数個取り配線基板において、外側配線及び内側配線の一部は、第２の端子接続部のうち対向する箇所に設置された一対を最短距離で接続する第３の電流路を形成し、この第３の電流路は、外側配線を少なくとも一部含んで形成され一対の第２の端子接続部間を接続する第４の電流路と電気抵抗が略等しくなるように断面積または長さが設定されることを特徴とするものである。
このような構造の多数個取り配線基板においては、電解処理のために第２の端子接続部に外部電源などによって電圧が加えられた場合、第３の電流路は第４の電流路と略等しい量の電荷を配線基板領域に供給するように作用する。
【００１５】
請求項４記載の発明である電解処理方法は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の多数個取り配線基板の第１の端子接続部に外部電源の陰極を接続して、この多数個取り配線基板に電解メッキを施すことを特徴とするものである。
このような電解処理方法によれば、電解メッキ処理の際に多数個取り配線基板の中央部の電流密度は、その周辺部よりも高くなる。
【００１６】
請求項５記載の発明である電解処理方法は、請求項２又は請求項３に記載の多数個取り配線基板の第２の端子接続部に外部電源の陽極を接続して、この多数個取り配線基板に電解研磨を施すことを特徴とするものである。
このような電解処理方法によれば、電解研磨処理の際に多数個取り配線基板の中央部と周辺部とで電流密度が均一になる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明の請求項１に記載の多数個取り配線基板においては、第１の端子接続部に電解メッキ用の電圧を印加した場合、中央部の電流密度が周辺部の電流密度よりも高くなるように構成されているため、配線基板領域に対して均一に電解メッキを施すことができる。
【００１８】
本発明の請求項２に記載の多数個取り配線基板においては、電解処理時の作業性が良い。
【００１９】
本発明の請求項３に記載の多数個取り配線基板においては、第２の端子接続部に電解研磨用の電圧を印加した場合、中央部と周辺部とで電流密度が略等しくなるように構成されているため、配線基板領域に対して均一に電解研磨を行うことが可能である。
【００２０】
本発明の請求項４に記載の電解処理方法によれば、多数個取り配線基板に配列形成されたすべての配線基板領域に対して均一に電解メッキ層を被着させることができる。
【００２１】
本発明の請求項５に記載の電解処理方法によれば、多数個取り配線基板に配列形成されたすべての配線基板領域に対して均一に電解研磨を行うことが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明の最良の実施の形態に係る多数個取り配線基板及びその電解処理方法の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２３】
実施例１の多数個取り配線基板の構造について図１を用いて説明する（特に請求項１及び請求項２に対応）。
図１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の実施の形態に係る多数個取り配線基板の実施例１の上面図及び模式図である。
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施例の多数個取り配線基板１ａは、アルミナ等の焼結体からなる複数の絶縁層が積層された略矩形状の平板であり、その中央部には略矩形状の配線基板領域２が縦横２列ずつ一体的に配列形成されている。配線基板領域２は、それぞれが電子機器用の小型の配線基板となる領域であり、上面中央部に半導体素子や水晶振動子等の電子部品を収容するための凹部（図示せず）を有している。そして、凹部を取り囲むように枠状の封止用メタライズ層（図示せず）が被着されるとともに、絶縁層及び外周辺を介して凹部底面からメタライズ配線導体（図示せず）が下面に導出されている。封止用メタライズ層やメタライズ配線導体はタングステンやモリブデン、銅、銀等の金属粉末メタライズから形成され、酸化防止のため、電解メッキ法などによってニッケルメッキが施される。また、封止用メタライズ層には電子部品を凹部内に気密に封止するための金属リングが銀ろう付けされる。そして、封止用メタライズ層と金属リングとの接合強度及び導通性を高めるため、銀ろう付け時の余分な金属が電解研磨などによって除去された後、電解メッキ法などによりニッケルメッキ及び金メッキが順次施される。
配線基板領域２の周囲には外側配線３ａ，３ｂが略矩形状に、内側配線４ａ,４ｂがこの略矩形状の領域を４つの区画に仕切るように略十字状に配設され、外側配線３ａの中央部５ａには端子接続部６ａが設けられ、外側配線３ｂには中央部５ｂに関して対称となる２つの箇所にそれぞれ端子接続部６ｂ，６ｂが設けられている。内側配線４ａ，４ｂはそれぞれの中央部となる交点１１で互いに電気的に接続されるとともに、端部がそれぞれ外側配線３ａ，３ｂの中央部５ａ，５ｂに導通されており、端子接続部６ａ，６ｂには端子用配線８を介して端子部９ａ,９ｂが接続されている。また、外側配線３ａ，３ｂ及び内側配線４ａ，４ｂは複数の補助配線１０を介して配線基板領域２と電気的に接続されている。なお、外側配線３ａ，３ｂ、内側配線４ａ，４ｂ及び補助配線１０は、タングステンやモリブデン、銅、銀等のメタライズペーストを所定のパターンに印刷塗布することにより形成され、外側配線３ａ，３ｂ及び内側配線４ａ，４ｂは、電気抵抗の大きさが略同一に設定されている。
このような構造の多数個取り配線基板１ａにおいては、端子接続部９ａ又は端子部９ｂに外部電源の端子を接続すると、外側配線３ａ，３ｂ、内側配線４ａ,４ｂ及び補助配線１０が配線基板領域２のメタライズ配線導体及び封止用メタライズ層に電荷を供給するための電流路として作用する。
【００２４】
次に、多数個取り配線基板１ａの電解処理時における外側配線３ａ，３ｂ及び内側配線４ａ,４ｂの電流密度を求める方法について、図２を用いて説明する。
図２は実施例１の多数個取り配線基板の電解処理時における外側配線及び内側配線の電流密度を求める方法を説明するための図である。なお、図１に示した構成要素と同じものについては、同一の符号を付してその説明を省略する。また、図２は電解処理時の外側配線３ａ，３ｂ及び内側配線４ａ，４ｂにおける電流密度を求めるために、外部電源の陽極及び陰極を端子部９ｃ，９ｄにそれぞれ接続して、対向する外側配線３ａ，３ａに設置された端子接続部６ａ，６ａ間に電圧を加えた状態を仮定している。
図２に示すように、多数個取り配線基板１ｂは多数個取り配線基板１ａにおいて、外側配線３ａに端子接続部６ａを２箇所設けたものであり、端子接続部６ａには端子用配線８を介してそれぞれ端子部９ｃ，９ｄが接続されている。
外側配線３ａ，３ｂ及び内側配線４ａ,４ｂの電気抵抗をともに２Ｒとし、端子接続部６ａと中央部５ａの間及び角部７と端子接続部６ａの間の電気抵抗をそれぞれＲ１及びＲ２とし、Ｒ１はＲ２のＸ倍であるとすると、次の式が成り立つ。なお、配線の電気抵抗はその長さに比例し、その断面積に反比例するため、端子接続部６ａと中央部５ａの間及び角部７と端子接続部６ａの間の距離や断面積を調節することにより、Ｘは所望の値に設定される。
【００２５】
【数１】
2007142122.tif 000003
【００２６】
【数２】
2007142122.tif 000004
【００２７】
また、端子接続部６ａから中央部５ａに向かう電流の量をＩ１、端子接続部６ａから角部７を経て中央部５ｂに向かう電流の量をＩ２、中央部５ｂから交点１１に向かう電流の量をＩ３、中央部５ｂから角部７を経て端子接続部６ａに向かう電流の量をＩ４とすると、中央部５ａから交点１１に向かう電流の量は２Ｉ１、交点１１から中央部５ａに向かう電流の量は２（Ｉ１＋Ｉ３）、中央部５ａから端子接続部６ａに向かう電流の量は（Ｉ１＋Ｉ３）となる。なお、Ｉ２〜Ｉ４の間には次の式が成り立つ。
【００２８】
【数３】
2007142122.tif 000005
【００２９】
端子接続部６ａから角部７、中央部５ｂ、交点１１及び中央部５ａを経て端子接続部６ａに戻る閉回路について、キルヒホッフの法則を適用すると、次の式を得る。
【００３０】
【数４】
2007142122.tif 000006
【００３１】
また、中央部５ｂから角部７、端子接続部６ａ、中央部５ａ及び交点１１を経て中央部５ｂに戻る閉回路について、キルヒホッフの法則を適用すると、次の式を得る。
【００３２】
【数５】
2007142122.tif 000007
【００３３】
式（１）〜式（５）を連立させて解くと、Ｉ１〜Ｉ４は次の式で表される。
【００３４】
【数６】
2007142122.tif 000008
【００３５】
【数７】
2007142122.tif 000009
【００３６】
【数８】
2007142122.tif 000010
【００３７】
一方、電流密度は単位面積あたりの電流量で表されるので、式（６）及び式（７）より内側配線４ａの電流密度は外側配線３ｂの電流密度の２Ｉ１／Ｉ２倍、すなわち、２（Ｘ＋２）／（３Ｘ＋２）倍となる。これは、Ｘの値が２のとき、内側配線４ａの電流密度と外側配線３ｂの電流密度が等しくなることを示している。なお、式（８）より中央部５ｂと交点１１の間の電流密度は０となる。
【００３８】
本実施例の多数個取り配線基板１ａにおいては、電解メッキ時に使用する端子接続部６ａが外側配線３ａの中央部５ａに設けられており、これは多数個取り配線基板１ｂで端子部９ｃ，９ｄを端子部９ａとし、Ｘの値を０にした場合に相当する。従って、電解メッキ時における多数個取り配線基板１ａの内側配線４ａの電流密度は外側配線３ａ，３ｂの電流密度の２倍となる。なお、多数個取り配線基板１ａにおいて電解メッキ時の内側配線４ａの電流密度を外側配線３ｂの電流密度より高くするためには、Ｘを２よりも小さい値に設定することが必要である。
電解研磨時における多数個取り配線基板１ａの内側配線４ｂと外側配線３ａの電流密度については、多数個取り配線基板１ｂを９０度回転して考えれば良い。多数個取り配線基板１ａの端子接続部６ｂは、端子接続部６ｂと中央部５ｂとの間の電気抵抗が角部７と端子接続部６ｂとの間の電気抵抗の２倍になるように外側配線３ｂに設置されている。これは多数個取り配線基板１ｂでＸの値を２にした場合に相当する。従って、電解研磨時における多数個取り配線基板１ａの内側配線４ｂの電流密度は外側配線３ｂの一区間である端子接続部６ｂと角部７との間及び外側配線３ａの電流密度と等しい。
【００３９】
電解処理の際に多数個取り配線基板１ａに形成される電流路について、図３及び図４を用いて説明する（特に請求項３に対応）。なお、図１及び図２に示した構成要素と同じものについては、同一の符号を付してその説明を省略する。
図３及び図４は、それぞれ実施例１の多数個取り配線基板において電解メッキ時及び電解研磨時に形成される電流路を説明するための図である。
図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、電解メッキ時には多数個取り配線基板１ａの端子接続部６ａ，６ａ間に内側配線４ａによる電流路１２ａと、外側配線３ａ，３ｂによる電流路１２ｂが形成される。このとき、既に説明したとおり、内側配線４ａの電流密度は外側配線３ａ，３ｂの電流密度の２倍となる。従って、電流路１２ａの電流密度も電流路１２ｂの電流密度の２倍となる。
一方、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、電解研磨時には多数個取り配線基板１ａの端子接続部６ｂ，６ｂ間に外側配線３ｂの一部と内側配線４ｂによる電流路１２ｃと、外側配線３ｂの一部と外側配線３ａによる電流路１２ｄが形成される。前述のとおり、内側配線４ｂの電流密度は外側配線３ｂの一区間である端子接続部６ｂと角部７との間及び外側配線３ａの電流密度と等しい。すなわち、電流路１２ｃの電流密度は電流路１２ｄの電流密度と略同一となる。
【００４０】
以上説明したように、本実施例の多数個取り配線基板１ａにおいては、電解メッキ時に中央部の電流密度が周辺部の電流密度よりも高くなるように構成されているため、配線基板領域２に均一な厚さのメッキ層を形成することができる。また、電解研磨時に中央部と周辺部とで電流密度が略同一となるように構成されているため、配線基板領域２に対して均一に電解研磨を行うことが可能である。さらに、電解メッキ用の端子部９ａと電解研磨用の端子部９ｂが矩形状に配設された外側配線３ａ，３ｂの各辺に対し、互いに９０度ずれて対向する２辺に対をなすように設置されているため、一方の端子部を導電性ラックなどに掛着する際に他方の端子部が邪魔になることがない。従って、電解処理時の作業性が良い。
【００４１】
本実施例の多数個取り配線基板１ａにおいては、端子接続部６ｂを外側配線３ｂに対して２箇所設けているが、端子接続部６ｂの数や設置箇所はこれに限定されるものではない。すなわち、端子接続部６ｂを、外側配線３ｂの中央部５ｂの位置に設けても良い。ただし、その場合には、電流路１２ｃと電流路１２ｄとで電流密度が略同一になるように、内側配線４ｂの断面積を外側配線３ａ，３ｂの断面積よりも小さくするなどして、内側配線４ｂの電気抵抗を大きくすることが必要である。なお、本実施例では外側配線３ａ，３ｂ及び内側配線４ａ,４ｂは電気抵抗の大きさがすべて同一となるようにその長さや断面積が設定されているが、適宜変更可能である。
さらに、配線基板領域２も本実施例で示した配置に限定されるものではなく、種々変更可能である。例えば、縦横の少なくとも一方を３列以上としても良い。この場合には、上述の変形例に示した外側配線３ａ，３ｂに対して端子接続部６ａ，６ｂを１箇所あるいは２箇所設置する方法と本実施例に示した方法とを適宜組み合わせて適用することにより、対応することができる。
【００４２】
次に、多数個取り配線基板１ａに対して電解メッキを行う方法について説明する（特に請求項４に対応）。
まず、アノード電極を備えるメッキ槽内に満たされたニッケルイオンを含むメッキ液中に、導電性ラックに掛着させた状態の多数個取り配線基板１ａを浸漬する。このとき、多数個取り配線基板１ａの端子部９ａは、導電性ラックの端子に電気的に接続されており、メッキ槽の外部に設置された電圧印加装置により、導電性ラックに電圧を印加すると、アノード電極は正電荷に、端子部９ａは負電荷に帯電する。そして、メッキ槽内に発生する電流に伴い、メッキ液中の正電荷に帯電したニッケルイオンが負電荷に帯電した多数個取り配線基板１ａへと引き寄せられて電子を接受し、配線基板領域２の封止用メタライズ層やメタライズ配線導体の表面にメッキ層として析出する。
このような方法で電解メッキを行う場合、一般には、基板の中央部よりも周辺部においてメッキ層が厚く形成され易い。しかし、前述のとおり、本実施例の多数個取り配線基板１ａにおいては、電解メッキの際に中央部の電流密度が周辺部の電流密度よりも高くなるように構成されているため、すべての配線基板領域２に対して均一にメッキ層が被着される。
【００４３】
さらに、多数個取り配線基板１ａに電解研磨を行う方法について説明する（特に請求項５に対応）。
前述のとおり、金属リングが銀ろう付けされた多数個取り配線基板１ａは、封止用メタライズ層に被着された銀ろう付け時の余分な金属を除去するために電解研磨を行う必要がある。本実施例の多数個取り配線基板１ａにおいては、次のようにして電解研磨を容易に行うことができる。
まず、カソード電極を備える研磨液槽内に満たされた研磨液中に、多数個取り配線基板１ａを導電性ラックに掛着させた状態で浸漬し、端子部９ｂを導電性ラックの端子に電気的に接続する。その後、外部に設置された電圧印加装置によって導電性ラックに電圧を印加して、カソード電極を負電荷に、端子部９ｂを正電荷に帯電させる。これにより、封止用メタライズ層に被着された余分な金属がイオンとして、研磨液中に溶出する。本実施例の多数個取り配線基板１ａでは、同一の外側配線３ｂに設けられた端子部９ｂ，９ｂ間の距離が同一の外側配線３ａに設けられた端子部９ａ,９ａ間の距離と等しく設定されているため、電解メッキ時に使用する導電性ラックを電解研磨においても使用することができる。また、メッキ槽内のメッキ液を研磨液に交換し、電圧印加装置の接続状態を変更することによれば、メッキ槽を研磨液槽として使用することが可能である。
なお、電解研磨においては基板に発生する電流の密度を均一にする必要があるが、本実施例の多数個取り配線基板１ａにおいては、電解研磨の際に中央部と周辺部とで電流密度が略同一となるように構成されているため、電界研磨を均一に行うことが可能である。
【実施例２】
【００４４】
実施例２について図５を用いて説明する。
図５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の実施の形態に係る多数個取り配線基板の実施例２の上面図及び模式図である。なお、図１乃至図４の構成要素と同じものについては、同一の符号を付してその説明を省略する。
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施例の多数個取り配線基板１ｃは、実施例１の多数個取り配線基板１ａにおいて、同一の外側配線３ａに対して端子接続部６ａが各２箇所設けられるとともに、端子接続部６ａと中央部５ａとの間の電気抵抗が角部７と端子接続部６ａとの間の電気抵抗のＸ１倍であり、端子接続部６ｂと中央部５ｂとの間の電気抵抗が角部７と端子接続部６ｂとの間の電気抵抗のＸ２倍であることを特徴とするものである。ただし、Ｘ２は２に略等しく、Ｘ１はＸ２より小さいものとする。
このような構造の多数個取り配線基板１ｃにおいては、電解メッキ時には端子接続部６ａ，６ａ間に外側配線３ａの一部と内側配線４ａによる電流路１２ａと、外側配線３ａの一部と外側配線３ｂによる電流路１２ｂが形成され、端子接続部６ｂ，６ｂ間に外側配線３ｂの一部と内側配線４ｂによる電流路１２ｃと、外側配線３ｂの一部と外側配線３ａによる電流路１２ｄが形成される。なお、式（６）のＸをそれぞれＸ１あるいはＸ２と置き換えて考えることにより、電流路１２ａの電流密度は電流路１２ｂの電流密度より高く、電流路１２ｃの電流密度は電流路１２ｄの電流密度と略同一であることがわかる。
【００４５】
以上説明したように、本実施例の多数個取り配線基板１ｃにおいては、Ｘ１及びＸ２を調節することによって、配線基板領域２に対して、均一な厚さのメッキ層を形成するとともに、均一に電解研磨を行うことが可能である。なお、外側配線３ａ，３ｂの断面積を一定として、端子接続部６ａ，６ｂの配置によってＸ１及びＸ２を調節することによれば、外側配線３ａ，３ｂ及び内側配線４ａ,４ｂの配設状態を電解メッキと電解研磨とで同一にすることができるため、設計が容易となる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
以上説明したように、請求項１乃至請求項５に記載された発明は、電解メッキと電解研磨を行う必要があるあらゆる基板に対して適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の実施の形態に係る多数個取り配線基板の実施例１の上面図及び模式図である。
【図２】実施例１の多数個取り配線基板の電解処理時における外側配線及び内側配線の電流密度を求める方法を説明するための図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は実施例１の多数個取り配線基板において電解メッキ時に形成される電流路を説明するための図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は実施例１の多数個取り配線基板において電解研磨時に形成される電流路を説明するための図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の実施の形態に係る多数個取り配線基板の実施例２の上面図及び模式図である。
【図６】（ａ）は従来技術に係る多数個取り配線基板の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１ａ〜１ｃ…多数個取り配線基板  ２…配線基板領域  ３ａ，３ｂ…外側配線  ４ａ，４ｂ…内側配線  ５ａ，５ｂ…中央部  ６ａ，６ｂ…端子接続部  ７…角部  ８…端子用配線  ９ａ〜９ｄ…端子部  １０…補助配線  １１…交点  １２ａ〜１２ｄ…電流路  ５１…セラミック母基板  ５２…配線基板領域  ５３…配線導体  ５４…めっき用共通導体枠  ５５…めっき用端子部  ５６…めっき導通用導体  ５７…貫通導体  ５８…分割溝  ５９…封止用メタライズ層
【図１】
2007142122.tif 000011
【図２】
2007142122.tif 000012
【図３】
2007142122.tif 000013
【図４】
2007142122.tif 000014
【図５】
2007142122.tif 000015
【図６】
2007142122.tif 000016