(57)【要約】【課題】電気スパークを防ぐことができ、また、フレームをより薄く形成し、さらに、低コストで自由度の高い製造工程を有するマイクロアクチュエータを設計すること。【解決手段】２つのサイドアームを有する金属フレームと、２つのサイドアームを連結する少なくとも１つ支持アームと、を備えており、２つのサイドアームは、平行に、かつ、支持アーム上に搭載される磁気ヘッドスライダを相互間に保持可能なよう間隔をあけて配置されている。また、独立層が、金属フレームの各サイドアームに装備されており、圧電素子が、この独立層に接合されている。【選択図】図１
2007095275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのサイドアームを有する金属フレームと、前記２つのサイドアームを連結する少なくとも１つ支持アームと、を備え、
前記２つのサイドアームは、平行に、かつ、前記支持アーム上に搭載される磁気ヘッドスライダを相互間に保持可能なよう間隔をあけて配置されており、
前記金属フレームの各サイドアームに装備された独立層と、
当該独立層に接合された圧電素子と、
を備えたことを特徴とするマイクロアクチュエータ。
【請求項２】
前記独立層は、前記金属フレームの各サイドアーム上に積層された絶縁層である、ことを特徴とする請求項１記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項３】
前記絶縁層は、高分子化合物にて形成されている、ことを特徴とする請求項２記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項４】
前記独立層は、前記金属フレームの各サイドアームに前記圧電素子を搭載するため、及び、前記各サイドアームと前記圧電素子との間に所定の間隔を保つため、に用いられるスペーサを有するエポキシ層である、ことを特徴とする請求項１，２又は３記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項５】
前記スペーサは、ガラスあるいはＳｉＯ２にて形成されている、ことを特徴とする請求項４記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項６】
前記独立層は、前記圧電素子に形成された下地層である、ことを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項７】
前記下地層は、セラミックあるいはシリコンにて形成されている、ことを特徴とする請求項６記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項８】
前記独立層は、多層構造である前記圧電素子の底層であり、極性を有しない不活性層である、ことを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６又は７記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項９】
電気スパーク防止構造を有するマイクロアクチュエータの製造方法であって、
２つのサイドアームと、これら２つのサイドアームを連結する少なくとも１つの支持アームと、を有し、前記２つのサイドアームが平行にかつ前記支持アーム上に搭載される磁気ヘッドスライダを相互間に保持可能なよう間隔をあけて配置された金属フレームを設ける工程と、
前記金属フレームの各サイドアームに装備される独立層を形成する工程と、
前記独立層に圧電素子を接合して設ける工程と、
を有することを特徴とするマイクロアクチュエータの製造方法。
【請求項１０】
前記独立層は、前記金属フレームの各サイドアーム上に絶縁層を積層されることによって形成される、ことを特徴とする請求項９記載のマイクロアクチュエータの製造方法。
【請求項１１】
前記独立層は、前記金属フレームの各サイドアームに前記圧電素子を搭載するためにスペーサを有するエポキシを用いることによって形成される、ことを特徴とする請求項９又は１０記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項１２】
前記独立層は、前記金属フレームの各サイドアームに接合される前記圧電素子の表面に形成された下地層を設けることによって形成される、ことを特徴とする請求項９，１０又は１１記載のマイクロアクチュエータの製造方法。
【請求項１３】
前記独立層は、前記金属フレームの各サイドアームに接合される多層構造の前記圧電素子の底層に不活性層を設けることによって形成され、
前記圧電素子を、前記金属フレームに対面させた前記不活性層に接合する工程を有する、
ことを特徴とする請求項９，１０，１１又は１２記載のマイクロアクチュエータの製造方法。
【請求項１４】
磁気ヘッドスライダと、
マイクロアクチュエータと、
前記磁気ヘッドスライダ及び前記マイクロアクチュエータを支持するサスペンションと、を備え、
前記マイクロアクチュエータは、２つのサイドアームを有する金属フレームと、前記２つのサイドアームを連結する少なくとも１つ支持アームと、を備えると共に、前記２つのサイドアームは平行にかつ前記支持アーム上に搭載される磁気ヘッドスライダを相互間に保持可能なよう間隔をあけて配置されており、さらに、前記金属フレームの各サイドアームに装備された独立層と、当該独立層に接合された圧電素子と、を備えた、
ことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１５】
前記独立層は、前記金属フレームの各サイドアーム上に積層された絶縁層である、ことを特徴とする請求項１４記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１６】
前記絶縁層は、高分子化合物にて形成されている、ことを特徴とする請求項１５記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１７】
前記独立層は、前記金属フレームの各サイドアームに前記圧電素子を搭載するため、及び、前記各サイドアームと前記圧電素子との間に所定の間隔を保つため、に用いられるスペーサを有するエポキシ層である、ことを特徴とする請求項１４，１５又は１６記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１８】
前記スペーサは、ガラスあるいはＳｉＯ２にて形成されている、ことを特徴とする請求項１７記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１９】
前記独立層は、前記圧電素子に形成された下地層である、ことを特徴とする請求項１４，１５，１６，１７又は１８記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２０】
前記下地層は、セラミックあるいはシリコンにて形成されている、ことを特徴とする請求項１９記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２１】
前記独立層は、多層構造である前記圧電素子の底層であり、極性を有しない不活性層である、ことを特徴とする請求項１４，１５，１６，１７，１８，１９又は２０記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２２】
マイクロアクチュエータと、磁気ヘッドスライダと、前記マイクロアクチュエータ及び磁気ヘッドスライダを支持するサスペンションと、を備えたヘッドジンバルアセンブリと、
前記ヘッドジンバルアセンブリに連結されるドライブアームと、
ディスクと、
前記ディスクを回転駆動するスピンドルモータと、を備え、
前記マイクロアクチュエータは、２つのサイドアームを有する金属フレームと、前記２つのサイドアームを連結する少なくとも１つ支持アームと、を備えると共に、前記２つのサイドアームは平行にかつ前記支持アーム上に搭載される磁気ヘッドスライダを相互間に保持可能なよう間隔をあけて配置されており、さらに、前記金属フレームの各サイドアームに装備された独立層と、当該独立層に接合された圧電素子と、を備えた、
ことを特徴とするディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ記録可能なディスク装置にかかり、特に、電気的スパーク防止構造を備えたディスク装置に装備されるマイクロアクチュエータに関する。また、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスク装置は、データを記憶するための磁気ディスクを用いた情報記憶装置である。そして、従来例におけるディスク装置は、図１０に示すように構成されている。まず、従来例のディスク装置は、各表面上に磁気コーティングによって同心円上に複数のトラック（図示せず）が形成された複数枚の円形ディスク７０２を収容するケーシング７０１を備えている。そして、ディスク７０２は、当該ディスク７０２を選択的に回転させるスピンドルモータ７０３に搭載されている。また、ケーシング７０１内には、ドライブアーム７０４が装備されており、このドライブアーム７０４は、ボイスコイルモータ７０７（ＶＣＭ）によってディスク７０２に対してヘッドジンバルアセンブリ７０５（ＨＧＡ）を駆動するために制御される。そして、磁気ヘッドスライダを装備したマイクロアクチュエータは、ＨＧＡ７０５によって移動された場所にて、ディスクに対してデータの記録再生を行うためにディスク７０２の表面上のトラック間を磁気ヘッドスライダが横切るよう可動させる。
【０００３】
しかしながら、ＶＣＭ７０７の大きな慣性力によって、ディスク装置の追従性能に限界が生じ、磁気ヘッドスライダの迅速かつ微小な位置決め制御を実現することが困難と成っている。そして、このことは、ハードディスク装置の記録容量の増大化に影響を及ぼす。
【０００４】
上記問題を解決するため、磁気ヘッドスライダの位置ずれ（オフトラック）を修正すべく、圧電素子（ＰＺＴ）を備えたマイクロアクチュエータが用いられている。このＰＺＴマイクロアクチュエータは、ＶＣＭよりも高周波数の構成要素を備えており、ＶＣＭによって生じる誤差を補正するよう、磁気ヘッドスライダの位置ずれを補正する。そして、ＰＺＴマイクロアクチュエータは、磁気ヘッドスライダを記録トラックの幅よりも小さい範囲で可動させることが可能であり、これによって、ディスクドライブの記録密度を表すＴＰＩ（トラック−パー−インチ）を５０％も増大する。従って、ディスク表面の記録密度及びディスクドライブの駆動性能が向上し、これにより、例えば、ヘッドシーキングタイム、及び、セトリングタイムも減少する。
【０００５】
ここで、図１１に、従来例におけるＨＧＡ２７７を示す。このＨＧＡ２７７は、磁気ヘッドスライダ２０３が搭載されたＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５を支持するサスペンション２１３を備えている。このサスペンション２１３は、導電トレース２１０ａ，２１０ｂを備えており、これらは、磁気ヘッドスライダ２０３とＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５にそれぞれ接続されている。
【０００６】
次に、図１２に、金属フレーム２３０を備えたＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５を示す。金属フレーム２３０は、２つのサイドアーム２１１，２１２と、これら２つのサイドアーム２１１，２１２を両端側でそれぞれ接続するトップ支持アーム２１５及びボトム支持アーム２１６と、を備えている。また、２つのサイドアーム２１１，２１２は、それらの間に磁気ヘッドスライダ２０３をトップ支持アーム２１５上に搭載して保持できるよう適切な間隔をあけて平行に配置されている。そして、トップ支持アーム２１５とボトム支持アーム２１６とは、相互に平行に配置されており、トップ支持アーム２１５は、磁気ヘッドスライダの表面に対して平行となっている。また、２つのＰＺＴ素子２０７，２０８は、２つのサイドアームの外側の表面に、それぞれ例えばエポキシなどによって駆動用に搭載されている。また、図１４を参照すると、２つのＰＺＴ素子２０７，２０８は、圧電部材層２２５と２つの電極２２３，２２４とが相互に積層された多層構造にてそれぞれ形成されている。そして、２つの電気接続端子２２０，２２１が、各電極２２３，２２４にそれぞれ接合されて設けられている。
【０００７】
そして、図１３に示すように、ＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５は、ボトム支持アーム２１６が、ＨＧＡ２７７のサスペンション２１３のタング面（符号なし）に、エポキシやレーザ溶接によって接合されている。そして、各ＰＺＴ素子２０７，２０８の一方面（外表面）側で、例えば、金ボールボンディング（ＧＢＢ）や半田ボールボンディング（ＳＢＢ）に用いる多数の電気接合ボール２０９ａが、マイクロアクチュエータ２０５のサイドアーム２１１，２１２上に積層されたＰＺＴ素子２０７，２０８の電気接続端子２２０，２２１と、導電トレース２１０ａとを接続している。さらに、ＧＢＢやＳＢＢにて用いされる金属ボール２０９ｂが、磁気ヘッドスライダ２０３と、記録再生素子の電気接続用の導電トレース２１０ｂと、を電気的に接続している。そして、駆動電力が導電トレース２１０ａを介してＰＺＴ素子２０７，２０８供給されると、サイドアーム２１１，２１２上のＰＺＴ素子２０７，２０８は伸縮し、サイドアーム２１１，２１２に同一の横方向の屈曲変形を生じさせる。この屈曲変形は、金属フレーム２３０のせん断変形を引き起こし、長方形状の金属フレーム２３０は、略平行四辺形に変形しうる。すると、磁気ヘッドスライダ２０３は、平行四辺形の変形側であるトップ支持アーム２１５に装着されているため、磁気ヘッドスライダ２０３は、横方向に移動される。こうして、微小ヘッド位置決めを実現できる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１３３８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図１５に示すように、マイクロアクチュエータ２０５を作動させるために電圧が印加されるときには、ＰＺＴ素子２０７，２０８の底面が作動電圧のかかる電極であり、また、接合エポキシが非常に薄い（５μｍ以下）上に金属フレーム２３０が共通のグラウンドであるため、電気スパーク３０３が生じうる。
【００１０】
以上のように、マイクロアクチュエータが作動中に周囲の状況が変化すると、金属フレーム２３０とＰＺＴ素子２０７，２０８との間に電気スパークの問題が生じる。従って、電気スパークを防ぐことができるディスクドライブのマイクロアクチュエータ、及び、その製造方法が望まれている。
【００１１】
加えて、浮上中の磁気ヘッドスライダを支持するために十分な剛性を得るためには、フレームが十分な厚みを有することが必要であるが、これにより、例えば、エッチングやモールド成型によるフレームの製造及び成型が困難となる。また、厚いフレーム材料は、製造工程が難しく、また、コストが高くかかる。
【００１２】
このため、本発明では、従来例と同等の性能を維持しつつ、電気スパークを防ぐことができ、また、フレームをより薄く形成し、さらに、低コストで自由度の高い製造工程を有するマイクロアクチュエータを設計することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の主な形態は、ディスクドライブに搭載されたマイクロアクチュエータの作動時に、当該マイクロアクチュエータの電気スパークを防止する方法及び構造に関する。また、本発明の別の形態は、電気スパークを防止する構造を有するマイクロアクチュエータに関する。さらには、上記電気スパーク防止構造を有するマイクロアクチュエータを装備したヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、ディスク装置に関する。
【００１４】
そして、本発明におけるマイクロアクチュエータは、２つのサイドアームを有する金属フレームと、２つのサイドアームを連結する少なくとも１つ支持アームと、を備えており、２つのサイドアームは、平行に、かつ、支持アーム上に搭載される磁気ヘッドスライダを相互間に保持可能なよう間隔をあけて配置されている。また、独立層が、金属フレームの各サイドアームに装備されており、圧電素子が、この独立層に接合されている。従って、マイクロアクチュエータを駆動させる電圧が印加されたときに、金属フレームは圧電素子から離されて装備されているため、電気スパークの発生を防止することができる。
【００１５】
また、本発明では、独立層は、金属フレームの各サイドアーム上に積層された絶縁層（例えば、高分子化合物）である。また、本発明では、独立層は、金属フレームの各サイドアームに圧電素子を搭載するため、及び、各サイドアームと圧電素子との間に所定の間隔を保つため、に用いられるスペーサ（例えば、ガラスあるいはＳｉＯ２）を有するエポキシ層である。また、本発明では、独立層は、圧電素子に形成された下地層（例えば、セラミックあるいはシリコン）である。また、本発明では、独立層は、多層構造である圧電素子の底層であり、極性を有しない不活性層である。
【００１６】
さらに、マイクロアクチュエータの主要部を形成するために金属プレートを用いているため、マイクロアクチュエータはその形状やサイズを改善することができる。従って、十分なストロークを有するマイクロアクチュエータを設計することができる。さらに、金属プレートは容易かつ正確に加工することができるため、低コストかつ自由度の高い製造工程を実現できる。
【００１７】
さらに、本発明の他の形態である電気スパーク防止構造を有するマイクロアクチュエータの製造方法は、２つのサイドアームと、これら２つのサイドアームを連結する少なくとも１つの支持アームと、を有し、２つのサイドアームが平行にかつ支持アーム上に搭載される磁気ヘッドスライダを相互間に保持可能なよう間隔をあけて配置された金属フレームを設ける工程と、金属フレームの各サイドアームに装備される独立層を形成する工程と、独立層に圧電素子を接合して設ける工程と、を有する。
【００１８】
そして、本発明では、独立層は、金属フレームの各サイドアーム上に絶縁層を積層されることによって形成される。また、独立層は、金属フレームの各サイドアームに圧電素子を搭載するためにスペーサを有するエポキシを用いることによって形成される。さらには、独立層は、金属フレームの各サイドアームに接合される圧電素子の表面に形成された下地層を設けることによって形成される。また、独立層は、金属フレームの各サイドアームに接合される多層構造の圧電素子の底層に不活性層を設けることによって形成され、圧電素子を、金属フレームに対面させた不活性層に接合する工程を有してもよい。
【００１９】
また、本発明の他の形態であるヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）は、磁気ヘッドスライダと、マイクロアクチュエータと、磁気ヘッドスライダ及びマイクロアクチュエータを支持するサスペンションと、を備え、マイクロアクチュエータは、２つのサイドアームを有する金属フレームと、２つのサイドアームを連結する少なくとも１つ支持アームと、を備えると共に、２つのサイドアームは平行にかつ支持アーム上に搭載される磁気ヘッドスライダを相互間に保持可能なよう間隔をあけて配置されており、さらに、金属フレームの各サイドアームに装備された独立層と、当該独立層に接合された圧電素子と、を備えている。
【００２０】
さらに、本発明の他の形態であるディスク装置は、マイクロアクチュエータと、磁気ヘッドスライダと、マイクロアクチュエータ及び磁気ヘッドスライダを支持するサスペンションと、を備えたヘッドジンバルアセンブリと、
ヘッドジンバルアセンブリに連結されるドライブアームと、
ディスクと、
ディスクを回転駆動するスピンドルモータと、を備え、
マイクロアクチュエータは、２つのサイドアームを有する金属フレームと、２つのサイドアームを連結する少なくとも１つ支持アームと、を備えると共に、２つのサイドアームは平行にかつ支持アーム上に搭載される磁気ヘッドスライダを相互間に保持可能なよう間隔をあけて配置されており、さらに、金属フレームの各サイドアームに装備された独立層と、当該独立層に接合された圧電素子と、を備えている。
【発明の効果】
【００２１】
以上より、本発明を従来例と比較すると、従来装置は金属フレームに圧電素子を直接搭載していたため、電気スパークの問題が生じやすかったが、本発明では、独立層が圧電素子と金属フレームの間に形成されているため、上述した電気スパークの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の特徴及び利点、さらには、本発明の本質の一部を、後述する実施例にて、図示した図面等を参照して説明する。
【実施例１】
【００２３】
本発明の第１の実施例におけるＰＺＴマイクロアクチュエータは、図１乃至図２に示すように構成されており、磁気ヘッドスライダがＰＺＴマイクロアクチュエータに搭載されている。そして、ＰＺＴマイクロアクチュエータは、符号２０５ａに示されており、また、磁気ヘッドスライダは、上述した従来技術である図１２と同様に、同一の符号２０３に示されている。ここで、従来技術と類似するが異なる構成や部材を区別するために、同一の符号の語尾に”ａ”を付して示すこととし、一方で、本発明の第１の実施例と従来技術と両方で同一の構成や部材を示す際には、同一の符号を用いることとする。
【００２４】
本実施例におけるＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５ａは、２つのサイドアーム２１１，２１２を有する金属フレーム２３０と、これら２つのサイドアーム２１１，２１２の両端部付近をそれぞれ連結するトップ支持アーム２１５及びボトム支持アーム２１６と、を備えている。そして、２つのサイドアーム２１１，２１２は、平行に、かつ、トップ支持アーム２１５上の搭載された磁気ヘッドスライダをそれらの間に保持可能なよう相互に間隔をあけて配置されている。また、トップ支持アーム２１５とボトム支持アーム２１６は、相互に平行であり、トップアーム２１５は、磁気ヘッドスライダ２０３の表面に平行に配置されている。そして、例えば、高分子化合物である絶縁層３０７が、金属フレーム２３０の外表面、具体的には、各サイドアーム２１１，２１２の外表面に、積層されて装備されている。このとき、２つの圧電（ＰＺＴ）素子２０７，２０８が、各サイドアーム２１１，２１２の絶縁層３０７上に、エポキシ３０８によって、それぞれ搭載されている。
【００２５】
また、図２（ａ）には、組み立てられたマイクロアクチュエータ２０５ａを示すが、この図のＡ−Ａ線断面図である図２（ｂ）を参照すると、絶縁層３０７は、サイドアーム２１１，２１２とＰＺＴ素子２０７，２０８との間に挟まれており、エポキシ３０８によって接着されている。そして、各ＰＺＴ素子２０７，２０８は、圧電部材層２２５と２つの電極２２３，２２４とが交互に積層された多層構造を有しており、２つの電気接続端子２２０，２２１が、各電極２２３，２２４にそれぞれ接続されて設けられている（図１を参照）。
【００２６】
以上のように、本実施例では、ＰＺＴ素子２０７，２０８と金属フレーム２３０との間に絶縁層３０７があるため、金属フレーム２３０（グラウンド側）はＰＺＴ素子２０７，２０８（電圧印加側）から絶縁された状態にある。従って、ＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５ａを駆動するための電圧が印加されたときでも、電気スパークが発生しない。
【００２７】
加えて、機械的に高強度をもたらすマイクロアクチュエータの主要部に、金属プレートを用いているため、ＨＧＡを組み立てる最中にマイクロアクチュエータの扱いが非常に容易となる。また、マイクロアクチュエータの主要部を形成するために金属プレートを用いることによって、マイクロアクチュエータは、その外形、かつ／あるいは、そのサイズにおいて改善されうる。従って、十分なストロークを有するマイクロアクチュエータを設計することが可能となる。さらに、金属プレートは機械加工が容易であり、また、精度がよいことから、低コストにて、自由度の高い製造工程を実現できる。
【実施例２】
【００２８】
図３乃至図４を参照すると、本発明の第２の実施例におけるＰＺＴマイクロアクチュエータは、符号２０５ｂに示すように構成されている。そして、本実施例におけるＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５ｂは、上記実施例１における図１乃至図２に示した符号２０５ａのＰＺＴマイクロアクチュエータを改良したものであり、同一の構成も有するが、以下の点で異なる。
【００２９】
本実施例におけるマイクロアクチュエータ２０５ｂは、実施例１では各サイドアーム２１１，２１２の外表面に積層されていた絶縁層２０７が設けられていない。その代わりに、例えば、ガラスやＳｉＯ２（二酸化珪素）などのスペーサ４０６を有するエポキシ４０３が、ＰＺＴ素子２０７，２０８を２つのサイドアーム２１１，２１２に搭載するために用いられている。上記スペーサ４０６によって、ＰＺＴ素子２０７，２０８と金属フレーム２３０（グラウンド側）との間に所定の間隔が形成されて維持されるため、電気スパークの発生を防止することができる。
【００３０】
また、図４（ａ）には、組み立てられたマイクロアクチュエータ２０５ｂを示すが、この図のＢ−Ｂ線断面図である図４（ｂ）に参照すると、スペーサ４０６を有するエポキシ４０３が、金属フレーム２３０のサイドアーム２１１，２１２上に、ＰＺＴ素子２０７，２０８を載せた状態になっている。従って、ＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５ｂを駆動するための電圧が印加されたときでも、電気スパーク問題が生じない。
【実施例３】
【００３１】
図５乃至図６を参照すると、本発明の第３の実施例におけるＰＺＴマイクロアクチュエータは、符号２０５ｃに示すように構成されている。そして、本実施例におけるＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５ｃは、上記実施例１における図１乃至図２に示した符号２０５ａのＰＺＴマイクロアクチュエータを改良したものであり、同一の構成も有するが、以下の点で異なる。
【００３２】
本実施例におけるマイクロアクチュエータ２０５ｃは、実施例１では各サイドアーム２１１，２１２の外表面に積層されていた絶縁層２０７が設けられていない。その代わりに、ＰＺＴ素子２０７，２０８には、例えば、セラミックやシリコンなどの下地層（絶縁層）５０４が形成されており、金属フレーム２３０のサイドアーム２１１，２１２の外表面に、エポキシ３０９によって搭載されている。
【００３３】
また、図６（ａ）には、組み立てられたマイクロアクチュエータ２０５ｃを示すが、この図のＣ−Ｃ線断面図である図６（ｂ）を参照すると、下地層５０４が、ＰＺＴ素子２０７，２０８とサイドアーム２１１，２１２（共通グラウンド側）との間に位置している。これにより、マイクロアクチュエータ２０５ｃの作動時における電気スパークの発生を有効に防止することができ、その効果が増大しうる。
【実施例４】
【００３４】
図７（ｂ）を参照すると、本発明の第４の実施例におけるＰＺＴマイクロアクチュエータは、符号２０５ｄに示すように構成されている。そして、本実施例におけるＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５ｄは、上記実施例１における図１乃至図２に示した符号２０５ａのＰＺＴマイクロアクチュエータを改良したものであり、同一の構成も有するが、以下の点で異なる。
【００３５】
本実施例におけるマイクロアクチュエータ２０５ｃは、実施例１では各サイドアーム２１１，２１２の外表面に積層されていた絶縁層２０７が設けられていない。その代わりに、第１の実施例におけるＰＺＴ素子２０７，２０８とは多少異なる構成のＰＺＴ素子２０７ａ，２０８ａが備えられている。この本実施例におけるＰＺＴ素子２０７ａ，２０８ａは、図７（ａ）に示すように、ＰＺＴ部材層６０７と２つの電極６０４，６０５とが交互に積層された多層構造を有しており、その底層（最下層）には極性がない不活性層が形成されていて、それ自体が不活性に維持されている。そして、ＰＺＴ素子２０７ａ，２０８ａは、金属フレーム２３０のサイドアーム２１１，２１２の外表面上に搭載された際には、圧電部材はセラミックであるので、ＰＺＴ素子２０７ａ，２０８ａとサイドアーム（共通グラウンド）２１１，２１２との間に電気が通電することが防止される。これにより、マイクロアクチュエータ２０５ｄの作動時における電気スパークの発生を有効に防止することができ、その効果が増大しうる。
【００３６】
なお、本発明では、金属フレーム２３０の構造は図示する構造に限定されず、例えば、２つのサイドアーム２１１，２１２を連結する１つの支持アームのみを有して構成されていたり、あるいは、トップ支持アーム２１５とボトム支持アーム２１６とが、他の構造、形状にて形成されていてもよい。
【実施例５】
【００３７】
本発明の第５の実施例は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）３００であり、図８に示すように、磁気ヘッドスライダ２０３とＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５ａとを支持するサスペンション３０１を備えている。そして、ＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５ａは、サスペンション３０１に物理的及び電気的に搭載可能である。但し、本実施例におけるＨＧＡは、上記実施例１に開示したＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５ａに替えて、実施例２，３，４に開示したＰＺＴマイクロアクチュエータ２０５ｂ，２０５ｃ，２０５ｄを備えてもよい。
【００３８】
そして、本実施例では、サスペンション３０１は、ベースプレートと、ヒンジと、一体的に組み立てられるフレキシャ及びロードビームと、を備えている。また、当然のことながら、サスペンションは、本発明においてＰＺＴマイクロアクチュエータに搭載可能なよう構成されている。
【実施例６】
【００３９】
本発明の第６の実施例は、図９に示すように、ディスク装置である。このディスク装置は、ハウジング１０８と、ディスク１０１と、スピンドルモータ１０２と、上記実施例５に開示したＨＧＡ３００を装備したＶＣＭ１０７と、が組み立てられることによって構成される。なお、上記ディスク装置の構成や組み立て工程は、当業者にとって公知であり、さらなる詳細な説明は省略する。
【００４０】
本発明は、上述した実施例を参照して説明したが、かかる内容に限定されず、本発明の思想の範囲に含まれる種々の改良や同等の変形例も含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明のマイクロアクチュエータは、ディスク装置に搭載されるヘッドジンバルアセンブリに装備して利用することができ、産業上の利用可能性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施例１における磁気ヘッドスライダを装備した組み立て前のマイクロアクチュエータの構成を示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、図１に開示したマイクロアクチュエータを組み立てたときの構成を示す斜視図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、サイドアーム及び圧電素子の内部構成を示す図である。
【図３】実施例２における磁気ヘッドスライダを装備した組み立て前のマイクロアクチュエータの構成を示す斜視図である。
【図４】図４（ａ）は、図３に開示したマイクロアクチュエータを組み立てたときの構成を示す斜視図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ線断面図であり、サイドアーム及び圧電素子の内部構成を示す図である。
【図５】実施例３における磁気ヘッドスライダを装備した組み立て前のマイクロアクチュエータの構成を示す斜視図である。
【図６】図６（ａ）は、図５に開示したマイクロアクチュエータを組み立てたときの構成を示す斜視図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＣ−Ｃ線断面図であり、サイドアーム及び圧電素子の内部構成を示す図である。
【図７】図７（ａ）は、実施例４におけるマイクロアクチュエータの圧電素子の構成を示す断面図である。図７（ｂ）は、実施例４における磁気ヘッドスライダを装備した組み立て前のマイクロアクチュエータの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明におけるマイクロアクチュエータを装備したＨＧＡの構成を示す斜視図である。
【図９】図８に開示したＨＧＡを搭載したディスク装置の構成を示す斜視図である。
【図１０】従来例におけるディスク装置の構成を示す図である。
【図１１】従来例におけるＨＧＡの構成を示す図である。
【図１２】従来例におけるＰＺＴマイクロアクチュエータの構成を示す図である。
【図１３】従来例におけるＨＧＡのタング面付近の拡大図である。
【図１４】従来例におけるマイクロアクチュエータのＰＺＴ素子の断面図である。
【図１５】従来例におけるマイクロアクチュエータにおける電気スパークの問題を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０１  ディスク
１０２  スピンドルモータ
１０７  ＶＣＭ
１０８  ハウジング
２０３  磁気ヘッドスライダ
２０５ａ，２０５ｂ，２０５ｃ，２０５ｄ  ＰＺＴマイクロアクチュエータ
２０７，２０８，２０７ａ，２０８ａ  圧電素子
２１１，２１２  サイドアーム
２１５  トップ支持アーム
２１６  ボトム支持アーム
２２０，２２１  電気接続端子
２２３，２２４，６０４，６０５  電極
２２５，６０７  圧電部材層
２３０  金属フレーム
３００  ＨＧＡ
３０１  サスペンション
３０７  絶縁層
３０８，３０９，４０３  エポキシ
４０６  スペーサ
５０４  下地層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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