(57)【要約】【解決手段】粉末冶金法により製造され、少なくともそのスパッタに供する面に表面研削処理が施こされたスパッタリング用ターゲット材を、３時間以上水に浸漬し、次いで少なくともそのスパッタに供する面に、水を噴射することにより該ターゲット材を洗浄する、洗浄工程を有する。【効果】スパッタリング用ターゲット材表面に付着した研削屑、とくにブラスト処理により生じ、該ターゲット材表面に固着した研削屑およびブラストショット材などを簡便な操作で効率よく除去でき、スパッタリング初期のアーキング発生を抑制して、その発生回数を低減し、スパッタリングターゲットの品質を向上できる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末冶金法により製造され、少なくともそのスパッタに供する面に表面研削処理が施こされたスパッタリング用ターゲット材を、３時間以上水に浸漬し、次いで少なくともそのスパッタに供する面に、水を噴射することにより該ターゲット材を洗浄する、洗浄工程を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項２】
前記表面研削処理が、平面研削、ロータリー研磨、ビーズブラスト、サンドブラストよりなる群から選ばれる少なくとも１種の処理であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項３】
前記水の噴射圧力が０．５〜１５ＭＰａであることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項４】
前記浸漬に使用する水ならびに噴射する水がともに純水であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項５】
前記スパッタリング用ターゲット材がセラミックスからなることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項６】
前記スパッタリング用ターゲット材が、酸化インジウムおよび酸化スズの少なくとも一方を含む酸化物からなることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項７】
前記スパッタリング用ターゲット材を水に浸漬する前に、バッキングプレートと接合することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】
前記請求項１〜７のいずれかに記載された洗浄工程を経て製造されたことを特徴とするスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲットおよびその製造方法に関する。より詳しくは、スパッタリングターゲットの製造において、特定の洗浄工程を製造工程の一部として有するスパッタリングターゲットの製造方法および該洗浄工程を経て製造されたスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜形成法の１つとしてスパッタリング法が知られている。
このスパッタリング法に用いられるスパッタリングターゲットのターゲット材は、形成しようとする薄膜に応じた組成を有し、該組成にしたがって、原料を溶融して型に流し込む鋳造法や、原料粉末を使用して、成形体を作製した後あるいは型内で成形すると同時に焼成し、焼結体を得る粉末冶金法などによって製造される。
【０００３】
スパッタリング法で形成される薄膜としては、たとえば、酸化インジウムおよび酸化スズを主成分とする酸化物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）の薄膜が挙げられる。このＩＴＯ薄膜は、高い導電性と可視光透過性という特徴を併せ持つため、フラットパネルディスプレイ用透明電極、窓ガラス用結露防止発熱膜など、様々な用途に広く用いられている。
【０００４】
ＩＴＯスパッタリングターゲットのターゲット材は、粉末冶金法によって製造された後、所望の大きさに切り出され、砥石を用いた平面研削やロータリー研磨、各種ブラストショット材を用いたブラストなどの表面研削処理によって、ターゲット材の厚さ調整やその少なくともスパッタに供する面（スパッタ面）が平滑化あるいは粗面化される。さらに、該スパッタ面とは逆の面が接合剤によってバッキングプレートと接合され、最終的なＩＴＯスパッタリングターゲットが完成する。したがって、ターゲット材の表面には、通常は研削屑などが付着しており、特に該表面にブラスト処理などを施した場合には、研削屑やブラストショット材が固着していると考えられる。
【０００５】
このようなＩＴＯスパッタリングターゲットのスパッタリングにおいては、新しいスパッタリングターゲットをスパッタリング装置にセットし、スパッタリングを開始してから暫くの間、アーキングと呼ばれる異常放電が発生することが知られている（以下、初期アーキングともいう）。このアーキングはスパッタリングにより形成される薄膜の不良原因となるため、アーキングが収束しなければ、薄膜の工業的な生産はできない。
【０００６】
さらに、該スパッタリングを連続的に行っていくと、ターゲット材表面にノジュールと呼ばれる黒色の付着物やパーティクルと呼ばれる付着粒子が生じることも知られている。このノジュールは、それ自体がアーキング発生の原因となったり、新たなパーティクルの発生源となったりするといわれており、スパッタリングにより形成される薄膜の欠陥を防止するためには、定期的なノジュール除去が必要であり、連続スパッタリング時間が短くなって生産性が低下するという問題があった。また、パーティクルについても、剥離、飛散して基板や薄膜に付着し、ピンホールなどの欠陥を生じさせる原因となることから、同様に定期的な除去作業が必要であった。
【０００７】
従来、初期アーキングの発生は、ターゲット材表面を研磨して平滑にすればするほど低減するといわれていたが、平滑に研磨するには時間と労力がかかり、生産性が低下するという問題があった。
【０００８】
また、これとは逆にブラスト処理などにより、ターゲット材のスパッタ面を粗面化する
ことによって、パーティクルの剥離や飛散を抑制して連続スパッタリング時間を長くしようとする試みや、ノジュールの発生を抑制しようとする試みも既に提案されている。
【０００９】
たとえば、特許文献１には、ガラスビーズブラストなどにより、ターゲット材あるいはバッキングプレートを粗面化することにより、それらの表面に付着したパーティクルを捕捉し、剥離や飛散を抑制して、連続スパッタリング時間を長くしようとする試みが開示されている。また、特許文献２にはガラスビーズブラストなどにより、ターゲット材の表面粗さを調整することで、ノジュールの発生を抑制し、それによって異常放電やパーティクルの発生を抑えようとする試みが開示されている。さらに、特許文献３には、ターゲット材の形状を特定なものとした上で、ジルコニアビーズブラストなどによりターゲット材の表面粗さを調整することで、ノジュールとパーティクルの発生を抑制しようとする試みが開示されている。しかしながら、上述したように、ブラスト処理をターゲット材表面に施した場合には、ブラスト処理により生じた研削屑やブラストショット材などがターゲット材表面に固着し、初期アーキングを引き起こす要因の１つとなることが懸念される。
【００１０】
また、スパッタリングターゲットの洗浄工程を新たに設けることで、余分な接合剤や、研削屑、パーティクルなどを除去しようとする試みも既に提案されている。
たとえば、特許文献４には、ターゲット部材とバッキングプレートとを接合剤により接合した後、接合層周囲などにあふれ出た接合剤を２００〜７００ｋｇｆ/ｃｍ2の高圧水を吹き付けて除去することで、スパッタリング時のパーティクルの発生を抑制しようとする試みが開示されている。しかしながら、この方法は、余分な接合剤の除去を目的としており、初期アーキングの抑制に関しては何ら検討されていない。
【００１１】
特許文献５には、ターゲット材のスパッタ面を多重発振超音波洗浄するか、またはスパッタ面に粘着テープを貼り付けた後、テープを引き剥がし、スパッタ面に付着している粒子を除去し、ノジュールの発生を抑制し、異常放電やパーティクルが生じ難いＩＴＯスパッタリングターゲットを提供しようとする試みが開示されている。しかしながら、この方法による効果は、ノジュールの発生抑制に関して確認されているのみで、初期アーキングの発生抑制については確認されていない。さらに、多重発振超音波洗浄の場合には、ターゲット材表面に固着した研削屑を除去する効果が小さく、粘着テープを使用する場合には、ターゲット材表面に固着した微細な研削屑を充分に除去できない上、粘着剤がターゲット材表面に付着する恐れがあり、また、作業効率の点から大面積化の傾向にあるＩＴＯターゲット材の洗浄には不適当である。
【００１２】
特許文献６には、初期アーキングの発生回数を低減し、スパッタリングターゲットの初期安定性を向上させることを目的として、表面研削工程を経たターゲットに、水を１〜２５０ＭＰａの圧力で噴射し、研磨加工などで生じるマイクロクラックや研削粉などを除去しようとする試みが開示されている。同様に、特許文献７には、初期アーキングの発生回数を低減し、スパッタリングターゲットの初期安定性を向上させることを目的として、表面研削工程を経たターゲットに、ドライアイス粒をガス媒体と共に、所定の圧力で噴射して、研磨加工などで生じるマイクロクラックや研削粉などを除去しようとする試みが開示されている。しかしながら、これらの方法では、ブラスト処理をターゲット材表面に施した場合にターゲット材表面に固着する、ブラスト処理により生じた研削屑やブラストショット材などを充分に除去できない。
【００１３】
さらに、特許文献８および９には、所定のパルス幅やエネルギーのレーザーを用いて、ターゲット材表面に固着した研削屑などを昇華等することによって除去しようとする試みが開示されている。しかしながら、これらの方法では、レーザー自体が高価であることや、レーザーまたはターゲット材を正確に動かす機構が必要となることから、設備投資が大きくなりすぎるという欠点がある。
【特許文献１】特開平４−３０１０７４号公報
【特許文献２】特開平９−１０４９７３号公報
【特許文献３】特開２００２−３０２７６２号公報
【特許文献４】特開２００２−５３９５３号公報
【特許文献５】特開平１１−１１７０６２号公報
【特許文献６】特開２００５−４２１６９号公報
【特許文献７】特開２００５−２３６４号公報
【特許文献８】特許第３３９８３６９号公報
【特許文献９】特許第３３９８３７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、スパッタリング用ターゲット材の表面に付着した研削屑、とくにブラスト処理により固着した研削屑やブラストショット材を効率的に除去することにより、初期アーキングの発生を抑制し、初期安定性を向上させた高品質のスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、スパッタリング用ターゲット材を特定時間以上水に浸漬することにより、該ターゲット材の表面に存在する研削屑やブラストショット材などの固着エネルギーを低下させることができ、さらにその状態で水を噴射することにより、これらを洗い流し、効率的に除去できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１６】
すなわち、本発明は以下の事項に関する。
本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、粉末冶金法により製造され、少なくともそのスパッタに供する面に表面研削処理が施こされたスパッタリング用ターゲット材を、３時間以上水に浸漬し、次いで少なくともそのスパッタに供する面に、水を噴射することにより該ターゲット材を洗浄する、洗浄工程を有することを特徴としている。
【００１７】
さらに、前記表面研削処理は、平面研削、ロータリー研磨、ビーズブラスト、サンドブラストよりなる群から選ばれる少なくとも１種の処理であることが望ましい。
前記水の噴射圧力は、０．５〜１５ＭＰａであることが好ましい。
【００１８】
また、前記浸漬に使用する水ならびに噴射する水はともに純水であることが好ましい。
本発明の製造方法を適用することのできるスパッタリング用ターゲット材としては、セラミックスからなるターゲット材が好ましく、酸化インジウムおよび酸化スズの少なくとも一方を含む酸化物からなるターゲット材がより好ましい。
【００１９】
さらに、前記製造方法では、前記スパッタリング用ターゲット材を水に浸漬する前に、バッキングプレートと接合してもよい。
また、本発明に係るスパッタリングターゲットは、前記洗浄工程を経て製造されたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、スパッタリング用ターゲット材表面に付着した研削屑、とくにブラスト処理により生じ、該ターゲット材表面に固着した研削屑およびブラストショット材などを簡便な操作で効率よく除去でき、スパッタリング初期のアーキング発生を抑制して、その発生回数を低減し、スパッタリングターゲットの品質を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、粉末冶金法により製造され、少なくともそのスパッタに供する面に表面研削処理が施こされたスパッタリング用ターゲット材を、３時間以上水に浸漬し、次いで少なくともそのスパッタに供する面に、水を噴射することにより該ターゲット材を洗浄する、洗浄工程を有する。
【００２２】
該製造方法を適用することのできるターゲット材としては、粉末冶金法により製造することのできるものであればよく、特に限定されない。
該ターゲット材の種類としては、たとえば、酸化インジウムおよび酸化スズを主成分とする酸化物（ＩＴＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ、ＳｎＯ2−Ｓｂ2Ｏ3などの酸化インジウムお
よび酸化スズの少なくとも一方を含む酸化物やＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3などのセラミックス焼結体ターゲット材；Ｗ系、Ｍｏ系、Ａｌ系、Ｔｉ系などの金属ターゲット材が挙げられる。これらのうちでは、研削屑やブラストショット材の固着が起こりやすいセラミックス焼結体ターゲット材が、本発明の効果をより明確に発揮しうる点から好ましく挙げられ、なかでも酸化インジウムおよび酸化スズの少なくとも一方を含む酸化物からなるターゲット材がより好ましく、ＩＴＯターゲット材がさらに好ましく挙げられる。なお、本明細書中、ＩＴＯターゲットとは、通常、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）に１〜３５重量％の酸化スズ（ＳｎＯ2）を添加して得られた材料を意味する。
【００２３】
以下に、セラミックス焼結体ターゲット材を例に挙げて、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法を説明する。
該セラミックス焼結体ターゲット材の製造工程において、原料粉末を使用して、成形体を作製した後あるいは型内で成形すると同時に焼成し、焼結体を得るまでの工程は、通常行われている公知の手段および条件によって行うことができる。
【００２４】
具体的には、原料粉末はターゲット材の成分組成に従った割合で混合されるが、その前に必要に応じて該原料粉末に仮焼、分級処理を施してもよく、その後の原料粉末の混合は、たとえば、ボールミルなどで行うことができる。
【００２５】
その後、混合した原料粉末を成形型に充填して圧縮成形し、一旦、成形体を作製し、該成形体を大気雰囲気下または酸素雰囲気下で必要に応じて脱脂した後、焼成して焼結体を得てもよく、混合した原料粉末を成形型内で焼成して焼結体を得てもよい。あるいは、特開平１１-２８６００２号公報に記載の濾過式成形法のように、セラミックス原料スラリ
ーから水分を減圧排水して成形体を得るための非水溶性材料からなる濾過式成形型に、混合した原料粉末、イオン交換水、有機添加剤からなるスラリーを注入し、スラリー中の水分を減圧排水して成形体を作製し、この成形体を乾燥脱脂した後、焼成して焼結体を得てもよい。
【００２６】
各方法において、焼成温度は、ターゲット材の組成に応じて適宜決定すればよく、たとえば、ＩＴＯターゲット材の場合には、通常１３００〜１６００℃である。
次いで、得られた焼結体であるターゲット材の少なくともスパッタ面に表面研削処理を施こす。
【００２７】
前記表面研削処理は、平面研削、ロータリー研磨、ビーズブラスト、サンドブラストよりなる群から選ばれる少なくとも１種の処理であることが望ましく、とくにビーズブラストやサンドブラストなどのブラスト処理を行った場合には、他の表面研削処理と比較して、処理を施した部分に研削屑やブラストショット材が付着しやすく、さらには強く固着するため、本発明の効果が顕著に表れる。したがって、少なくともビーズブラストあるいはサンドブラストのいずれかのブラスト処理を施したターゲット材が好ましい。
【００２８】
これらの平面研削、ロータリー研磨、ビーズブラスト、サンドブラストは、公知の手段および条件にしたがって行うことができ、とくに限定されない。なお、ビーズブラストに用いられるブラストショット材としては、たとえば、ガラスビーズ、アルミナビーズ、ジルコニアビーズなどが挙げられる。
【００２９】
該表面研削処理は、ターゲット材の少なくともスパッタ面に施せばよいが、その他の面についても、バッキングプレートとの接合に供される面を除いて施してもよい。また、該スパッタ面の全面に表面研削処理を行ってもよく、スパッタ面のうち、スパッタリングにより侵食されない部分（以下、非エロージョン部分という）などの一部分に対して行ってもよい。
【００３０】
次いで、少なくともそのスパッタ面に表面研削処理が施こされたスパッタリング用ターゲット材を、３時間以上水に浸漬する。
このように表面研削処理後のターゲット材を水中に浸漬することで、該ターゲット材の表面に存在する研削屑やブラストショット材などの固着エネルギーを低下させることができる。
【００３１】
ターゲット材の水への浸漬時間は、通常は３時間以上、好ましくは３〜２４時間、より好ましくは５〜１２時間である。浸漬時間が３時間未満であると、ターゲット材表面に存在する研削屑やブラストショット材などの固着エネルギーの低下作用が充分でなく、洗浄効果が小さくなる恐れがある。その一方、浸漬時間が２４時間を超えても、これらの固着エネルギーの低下作用の向上は見られない。
【００３２】
ここで、浸漬に使用する水としては、実質的に不純物が混入しておらず、かつ不純物が溶解していないものを用いることが好ましく、脱イオン水、蒸留水などの、いわゆる純水が好ましい。
【００３３】
次いで、水中浸漬後のターゲット材の少なくともスパッタ面に、水を噴射することにより該ターゲット材を洗浄する。
上述したように水中に浸漬することにより、ターゲット材の表面に存在する研削屑やブラストショット材などの固着エネルギーが低下しているため、この状態でターゲット材の少なくともスパッタ面に水を噴射することにより、洗浄効果が大きくなり、これらの除去能の向上が見込まれる。
【００３４】
前記水の噴射圧力は、０．５〜１５ＭＰａであることが好ましい。噴射圧力が０．５ＭＰａ未満であると、洗浄効果が充分でない場合があり、１５ＭＰａを超えると、噴射する水の向きを制御するのが困難となり、設備費が高くなったり、ターゲット材にクラックが入ったり、割れが生じる場合がある。
【００３５】
また、水を噴射する方法はとくに限定されず、たとえば、所定の圧力で噴出するノズルなどを用いた方法が挙げられ、水を噴射する際に、ガス媒体を同時に噴射するようにしてもよい。
【００３６】
噴射に用いられる水としては、上述した浸漬に使用する水と同様に純水が好ましく挙げられる。水の噴射は、ターゲット材の少なくともスパッタ面に施せばよいが、その他の面についても適宜施してもよい。
【００３７】
さらに、前記製造方法では、前記スパッタリング用ターゲット材を水に浸漬する前に、バッキングプレートと接合してもよい。バッキングプレートとしては、無酸素銅あるいは
銅系合金などからなるものが挙げられ、接合の方法としては公知の方法が挙げられる。例えば、ＩＴＯターゲット材と無酸素銅製バッキングプレートとを接合する場合には、インジウム半田を接合剤として用いて、これを介した状態で、インジウム半田の融点以上の温度に加熱し、加圧するなどの通常の方法および条件によって両者を接合することができる。
【００３８】
このようにして、ターゲット材をバッキングプレートと接合して、バッキングプレート付きターゲット材を得てから、バッキングプレート付きターゲット材を水に浸漬し、その後、該ターゲット材のスパッタ面に水を噴射して洗浄すると、ターゲット材とバッキングプレートとの接合作業の際に塵、ゴミ、手脂などが付着したとしても、噴射した水により洗浄、除去できるという利点がある。この場合には、水は、ターゲット材のスパッタ面のみならず、バッキングプレートの各面にも適宜噴射してよい。
【００３９】
なお、ターゲット材とバッキングプレートとの接合は、上記表面研削処理の前に行ってもよい。
本発明のスパッタリングターゲットは、前記洗浄工程を経て製造されたことを特徴としており、ターゲット材表面から研削屑およびブラストショット材などを除去しているため、スパッタリング初期のアーキング発生が抑制され、その品質が向上されている。したがって、初期アーキングの収束までの時間が短くなることが期待される。
【００４０】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００４１】
［実施例１］
密度が７．１０ｇ/ｃｍ2のＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3：ＳｎＯ2＝９０：１０重量％）焼結体を
作製し、この焼結体を直径１００ｍｍ×厚さ５ｍｍの大きさに切り出し、ターゲット材を作製した。平面研削盤に＃１７０のダイヤ砥石を装着し、該ターゲット材に表面研削処理を施した。得られたターゲット材を無酸素銅製バッキングプレートにインジウム半田を用いて接合し、バッキングプレート付きターゲット材を得た。
【００４２】
このターゲット材のスパッタ面のうち、非エロージョン部分にアルミナビーズ（アランダムＡＦ６０）を用いたビーズブラスト処理を行い粗面化した。
その後、該バッキングプレート付きターゲット材を１２時間純水に浸漬した後、そのスパッタ面に、高圧水洗浄機を用いて２ＭＰａの水圧で純水を噴射した。なお、このとき、高圧水洗浄機のノズルは、直進型ではなく、大面積に一度に噴射できる拡散型のノズルを用いた。
【００４３】
噴射処理後、エアブローにより乾燥し、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットを用いて、以下の評価方法に従い、洗浄効果および初期アーキング抑制効果を評価した。
【００４４】
これらの結果を表１にまとめて示す。
（（洗浄効果の評価））
得られたスパッタリングターゲットを、エアブローによる乾燥直後に、ターゲット材のスパッタ面を、トルエンを染み込ませた白布で拭き、白布に付着した汚れを目視で確認し、以下の基準に従い評価した。
【００４５】
洗浄効果の評価基準
〇；汚れがなく、洗浄効果が大きい
△；汚れが認められ、洗浄効果が中程度である
×；汚れがひどく、洗浄効果が小さい
（（初期アーキング抑制効果））
得られたスパッタリングターゲットを、サイドデポジション方式のスパッタリング装置にセットし、以下のスパッタリング条件で１０分間スパッタリングし、その間に発生したアーキングの積算回数をアークカウンター（ランドマーク社製）にて測定した。
【００４６】
カソード磁場；水平磁場＝1000 Gauss（ターゲット表面の垂直＝0 Gaussにおける）
到達圧力；1E−04 Pa
Ar圧力；5E−01 Pa
O2圧力；5E−03 Pa
Power；200 W（2.55 W/cm2）
放電時間；10分
［実施例２］
純水への浸漬時間を３時間としたほかは、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、実施例１と同様に評価した。
【００４７】
その結果を表１に示す。
［実施例３］
純水への浸漬時間を５時間としたほかは、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、実施例１と同様に評価した。
【００４８】
その結果を表１に示す。
［実施例４］
純水への浸漬時間を２４時間としたほかは、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、実施例１と同様に評価した。
【００４９】
その結果を表１に示す。
［実施例５］
純水の噴射圧力を１５ＭＰａとしたほかは、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、実施例１と同様に評価した。
【００５０】
その結果を表１に示す。
［実施例６］
純水の噴射圧力を０．５ＭＰａとしたほかは、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、実施例１と同様に評価した。
【００５１】
その結果を表１に示す。
［比較例１］
純水への浸漬時間を１時間としたほかは、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、実施例１と同様に評価した。
【００５２】
その結果を表１に示す。
［比較例２］
純水に浸漬しなかったほかは、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、実施例１と同様に評価した。
【００５３】
その結果を表１に示す。
［比較例３］
純水に１２時間浸漬する代わりに、純水中で１５分間超音波洗浄したほかは、実施例１
と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、実施例１と同様に評価した。
【００５４】
その結果を表１に示す。
［比較例４］
純水に１２時間浸漬する代わりに、純水中で１５分間超音波洗浄し、純水の噴射をしなかったほかは、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、実施例１と同様に評価した。
【００５５】
その結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
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【００５７】
表１より、洗浄工程において、浸漬過程を経ていないか、あるいは浸漬時間が短い場合
には、洗浄効果が小さく、ブラスト処理により固着した研削屑やブラストショット材が除去しきれておらず、初期アーキングの発生が抑制されていないことがわかる。
【００５８】
これに対して、実施例１〜６では、これらの固着物を除去しており、初期アーキングの発生を有効に抑制していることが明らかである。