(57)【要約】【課題】原材料として従来の銅張積層板を使わないで、薄型のプリント基板を製造することができ、従来のプリント基板製造方法で発生した問題点を解決することができる高密度に好適なプリント基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】プリント基板は、一定厚さを有する第１絶縁層３５、及び前記第１絶縁層３５の両側にそれぞれ付着される一対の第１回路層３４ａ、３４ｂを含んでなることを特徴とする。【選択図】図２
2007142403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定厚さを有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の両側にそれぞれ埋められている一対の第１回路層と、
を含んでなることを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記一対の第１回路層の両側に一定の厚さで形成される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の両側にそれぞれ埋められている一対の第２回路層と、
を含んでなることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記第１絶縁層及び第２絶縁層はプリプレグであることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記プリント基板の両側にそれぞれ形成されるソルダレジストをさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載のプリント基板。
【請求項５】
銅ホイルが各一側に形成された一対のキャリアフィルムを準備する第１段階と、
前記それぞれのキャリアフィルムの各銅ホイル上に、回路パターンに対応するパターンを有する鍍金レジストをそれぞれ形成した後、回路パターンを有する鍍金層を形成する第２段階と、
前記鍍金レジストを除去した後、前記一対のキャリアフィルム間に接着材を介在させて各々の鍍金層を向かい合わせ、前記鍍金層を接着材の両側に埋め込むようにして付着させる第３段階と、
前記両側のキャリアフィルムを除去した後、ビアホールを形成し、シード層を形成した後、ビアホールの部分を露出させるようにして鍍金レジストを形成する第４段階と、
鍍金後、鍍金レジストを剥離し、エッチング工程によって前記接着材両側のシード層を除去する第５段階と、
を含んでなるプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２段階は、
前記それぞれのキャリアフィルムの銅ホイル上に鍍金レジストを形成する第２−１段階と、
前記鍍金レジストに回路パターンに対応するパターンを形成する第２−２段階と、
前記銅ホイルを鍍金引込線として電解鍍金を施して回路パターンを有する鍍金層を形成する第２−３段階と、
を含んでなることを特徴とする請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記第３段階は、
前記鍍金レジストを除去した後、前記一対のキャリアフィルム間に接着材を介在させる第３−１段階と、
前記接着材が介在した状態で、鍍金層を対向するように付着させる第３−２段階と、
を含んでなることを特徴とする請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記第４段階は、
前記両側のキャリアフィルムを除去する第４−１段階と、
ドリリング工程によって前記ビアホールを形成する第４−２段階と、
前記シード層を形成した後、鍍金レジストを形成し、ビアホールの部分を露出させる第４−３段階と、
を含んでなることを特徴とする請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記第５段階は、
鍍金後、鍍金レジストを剥離する第５−１段階と、
エッチング工程によってシード層を除去する第５−２段階と、
を含んでなることを特徴とする請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２段階において、鍍金レジストに回路パターンに対応するパターンを形成する時、ビアホールが形成される部分が露出されるように、一側の鍍金レジストに環状リングの形状を形成し、
前記第４段階は、
前記両側のキャリアフィルムを除去する第４−１段階と、
前記銅ホイルをエッチング工程で除去して、ビアホールの形成部分を露出させる第４−２段階と、
レーザードリリング工程によって前記ビアホールを形成する第４−３段階と、
前記シード層を形成した後、鍍金レジストを形成し、ビアホールの部分を露出させる第４−４段階と、
を含んでなることを特徴とする請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント基板及びその製造方法に関するもので、より詳しくは、原材料として従来の銅張積層板（ＣＣＬ）を使わないで、薄型のプリント基板を製造することができ、従来のプリント基板の製造方法で発生した問題点を解決することができる特に高密度用として好適なプリント基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の発達につれて、電子部品の高機能化、小型化の要求が増加しており、特に携帯端末機の厚さを減らすために、搭載される部品の厚さを減少しなければならないという要求が増加している状況にある。
【０００３】
このような状況のため、携帯電話の部品の中で、パッケージ（ＰＫＧ）の高さを減少させることも重要な問題の一つになっている。
【０００４】
移動通信部門の多様なサービスが増えるにしたがい、携帯電話に搭載される部品も増えることになった。しかし、携帯電話の面積の低減が最終使用者の重要な要求事項の一つであるから、究極的には一つの中間媒介体（Ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）上に色々のチップを実装させる傾向が高まってきている。
【０００５】
特に、ＩＣの中間媒介体として使用されるチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）が携帯電話に広く採用されてきていて、最近では、殆どのＰＫＧがＣＳＰを使っており、殆どのＩＣがこのようなＣＳＰにスタックされている。
【０００６】
しかし、より多くのＩＣをスタックするためには、ＰＫＧ全体の高さが決まっているから、その高さを維持しながらＩＣを実装するために、２通りの方法が求められている。
【０００７】
この２通りの方法には、一つはＩＣそのものの厚さを減少させる方法、もう一つは中間媒介体（Ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）の厚さを減らす方法が含まれる。
【０００８】
ＩＣの厚さは現在５０μｍ〜７５μｍまでは可能であり、実装業界での相当な水準の技術力を確保している。しかし、ＩＣをそれ以下の厚さにする研究が探求されているもの、現状況下の技術では、その限界にきていると考えられている。
【０００９】
中間媒介体の厚さもかなり薄くなってきているが、中間媒介体の厚さを更に減じることは、現状況下の技術では、限界にきているとも考えられている。そこで、中間媒介体の厚さをもっと薄くするために、中間媒介体を構成する複数の部材の各部材厚を各部材の下限値近くまで低減する技術が追求されてきている。
【００１０】
一方、従来のプリント基板の製作工程において、回路形成のための方法は、テンティング（Ｔｅｎｔｉｎｇ）法（エッチング法）とアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法に分けられる。
【００１１】
テンティング法は、銅張積層板に一定の厚さに形成されている銅箔上にエッチングレジストパターンを形成し、基板をエッチング液に浸すことで、回路ではない部分を食刻して回路パターンを形成する方法である。
【００１２】
近年、広く使われるアディティブ法は、銅張積層板に鍍金レジストパターンを形成し、回路となる部分のみ鍍金を形成した後、鍍金レジストを除去して回路パターンを具現する方法である。
【００１３】
テンティング法は、製造費用が低いが、微細回路パターン（ｆｉｎｅ  ｐａｔｔｅｒｎ）を形成するのにその限界があり、その限界を解決するための方法として登場した方法がアディティブ法である。
【００１４】
図１Ａ〜図１Ｄは従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法を示す。
【００１５】
図１Ａにおいて、補強基材１１と銅箔１２とからなる銅張積層板（ＣＣＬ）の銅箔１２表面に鍍金レジスト１３を塗布し現像することで、鍍金レジストパターンを形成する。
【００１６】
通常に使われる銅張積層板の銅箔１２の厚さは０．５μｍ〜３μｍ程度である。鍍金レジスト１３としては、一般的に感光性ドライフィルムが使われる。
【００１７】
図１Ｂにおいて、電解鍍金によって鍍金層１４を形成する。鍍金の際、銅箔１２はシードレイヤー（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）の役目をすることになる。しかし、この際、鍍金によって形成される鍍金層１４の厚さは、鍍金時に発生する偏差によって、全面にわたって一定の厚さを有することができない。
【００１８】
図１Ｃにおいて、鍍金の完了後に残っている鍍金レジスト１３を剥離する。
【００１９】
この際、鍍金レジスト１３を剥離する時は、基板を剥離液に浸して除去することになる。この際、鍍金レジスト１３が完全に除去されず、鍍金層１４の側壁に残存物が残る問題点がある。
【００２０】
その後、図１Ｄにおいて、銅箔１２のうち、回路パターンにならない部分をソフトエッチングで除去して所望回路パターンのみを残せば、回路パターンが形成される。
【００２１】
しかし、このようなアディティブ法を使用するとしても、薄形化に当たって依然として所望の厚さを得ることができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本発明は、原材料として従来の銅張積層板を使わないプリント基板の製造方法を提供することを一つの目的とする。
【００２３】
また、本発明は、より薄型のプリント基板を製造することができるプリント基板の製造方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
前記目的を達成するため、本発明によるプリント基板は、一定厚さを有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層の両側にそれぞれ埋められている一対の第１回路層とを含んでなる。
【００２５】
また、本発明によるプリント基板の製造方法は、銅ホイルが各一側に形成された一対のキャリアフィルムを準備する第１段階と、前記それぞれのキャリアフィルムの各銅ホイル上に、回路パターンに対応するパターンを有する鍍金レジストをそれぞれ形成した後、回路パターンを有する鍍金層を形成する第２段階と、前記鍍金レジストを除去した後、前記一対のキャリアフィルム間に接着材を介在させて各々の鍍金層を向かい合わせ、前記鍍金層を接着材の両側に埋め込むようにして付着させる第３段階と、前記両側のキャリアフィルムを除去した後、ビアホールを形成し、シード層を形成した後、ビアホールの部分を露出させるようにして鍍金レジストを形成する第４段階と、鍍金後、鍍金レジストを剥離し、エッチング工程によって前記接着材両側のシード層を除去する第５段階とを含んでなる。
【発明の効果】
【００２６】
前記のような本発明によれば、プリント基板としての中間媒介体の全厚さを６０μｍ〜１１０μｍ程度の厚さに減少させることができる効果がある。
【００２７】
また、本発明によれば、シード層を使用して回路を形成することにより微細パターンになる。この際、回路の密着力が増加し、以後の工程進行時に密着力不足による不良発生がなく、断線不良もない。
【００２８】
また、本発明によれば、シード層を除去するので、除去された部分が平坦度の基準になるので、パターンの平坦度が従来の工程より良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付図面に基づいて本発明をより詳細に説明する。
【００３０】
図２は本発明の一実施例によるプリント基板の断面図である。
【００３１】
同図に示されているように、本発明の一実施例によるプリント基板は、所望の一定厚さを有する平板状或いはフィルム状のエポキシ樹脂層２１の両側若しくは両面に、例えば銅鍍金回路層からなる所望の回路パターンを有する一対の回路層２２がそれぞれ埋められている。ここで、回路層２２の厚さが１５〜２５μｍである場合、プリント基板の全厚は、従来の技術に比べて、約３０〜５０μｍ減少させることができる。また、ソルダレジスト２４の厚さにおいても、塗布前の表面が平らであるから、実装に問題にならない厚さまで塗布することが可能であるので、厚さの減少に重要な役目を果たすことができる。このように本発明のプリント基板は高密度プリント基板として適用可能である。
【００３２】
また、一対の回路層２２を相互に接続するための層間導電層２３は、エポキシ樹脂層２１を貫通して形成された後述のビアホールを充填する例えば銅鍍金によって形成することができる。ソルダレジスト２４をマスクとして露出された回路層表面には、例えば金鍍金層或いは有機表面保護層（ＯＳＰ）を使用した表面処理層２５が形成されている。
【００３３】
前記エポキシ樹脂層２１は、接着材としての役割及び一対の回路層間を絶縁する絶縁層としての役割を有する。図２に示された一実施例のプリント基板はそれ自体で２層配線形のプリント基板として使用可能である。そして、前記プリント基板の例えば両側に、これと同様なプリント基板を重ね合わせて一体化することによって、多層配線プリント基板を構成することも可能である。このような多層配線構造の場合は、最初のプリント基板のエポキシ樹脂層を第１絶縁層と、同回路層を第１回路層と称し、これに重ね合わされるプリント基板のエポキシ樹脂層を第２絶縁層と、同回路層を第２回路層と称することができる。
【００３４】
図３Ａ〜図３Ｇは本発明の一実施例による高密度プリント基板の製造方法を示す。図３Ａ〜図３Ｇを参照して、本発明の一実施例による高密度プリント基板の製造方法を説明する。
【００３５】
まず、図３Ａに示すように、薄い銅ホイル３２がキャリアフィルム３１に付着されている構造物（或いは基材）を２つ用意して工程を開始する。
【００３６】
この際、使用される資材としては、プリント基板に一般的に使用される銅ホイル及びキャリヤフィルムのような材料が用いられる。ここで、銅ホイル３２の厚さは、望ましくは３μｍが適切である。そして、キャリアフィルム３１の厚さは１５〜１００μｍが適切である。また、金属には、銅、アルミニウム等が使用でき、キャリヤフィルム３１の素材としてエポキシ樹脂が使用可能である。
【００３７】
また、薄い銅ホイル３２とキャリアフィルム３１は無機物または有機物で接合されており、高温、高圧の工程後に容易に除去することができるようになされている。
【００３８】
その後、図３Ｂ及び図３Ｃに示すように、銅ホイル３２ａがキャリヤフィルム３１ａに付着された一方の構造物（図３Ｂ）の両面にエッチングレジスト（鍍金レジスト）３３ａを積層し、銅ホイル３２ｂがキャリヤフィルム３１ｂに付着された他方の構造物（図３Ｃ）の両面にエッチングレジスト（鍍金レジスト）３３ｂを積層する。
【００３９】
そして、前記各構造物の銅ホイル３２ａ、３２ｂ側の一面に露光現像工程を利用して、銅ホイル側のエッチングレジスト３３ａ、３３ｂに所望の回路パターンに相当する部分が除去されたエッチングパターンを形成する。従って、前記各構造物の銅ホイル３２ａ、３２ｂは、前記エッチングパターンから露出されていて、その露出されたパターンは所望の回路パターンに相当する。
【００４０】
このようなエッチングレジスト３３ａ、３３ｂを形成する方法は、フォトグラフィック法とスクリーン印刷法に分けることができる。そして、フォトグラフィック法は、エッチングレジストとしてドライフィルムを使用するＤ／Ｆ法と、液体状態の感光材を使用する液状感光材法とに区分される。
【００４１】
そして、前記一方の構造物及び他方の構造物にそれぞれ対応する図３Ｄ及び図３Ｅに示すように、銅ホイル３２ａ、３２ｂを鍍金引込線として利用して電解銅鍍金を行うことで、エッチングレジスト３３ａまたは３３ｂの残存パターンと相補的な回路パターンとなる銅鍍金回路層３４ａ、３４ｂを形成した後、エッチングレジスト３３ａ、３３ｂを除去する。
【００４２】
このようにして、前記各構造物は回路パターンを構成した銅鍍金回路層３４ａ、３４ｂをそれぞれ有する２つの基板として構成される。エッチングレジスト３３ａ、３３ｂに対する銅鍍金としては電解銅鍍金が使われる。電解銅鍍金は厚い鍍金被膜を形成しやすく、膜の物性も無電解銅鍍金に比べて優秀である。なお、図３Ｂ、図３Ｃ段階で各構造物の他面（下面）全面に残されていたエッチングレジスト材料層は、図３Ｄ、図３Ｅの段階では除去されている。なお、銅鍍金回路層３４ａと３４ｂとは、ここでは回路パターンが互いに異なっているが、必要に応じて同一パターンにすることも可能である。
【００４３】
ついで、図３Ｆに示すように、所望に一定厚さを有するフィルム状または平板状の絶縁性の接着材３５を介在して、即ち接着材３５の両面から挟むようにして、各基材の銅鍍金回路層３４ａと３４ｂとを向かい合わせて配置し、前記各基材を高温、高圧の工程で付着させる。
【００４４】
この際、銅鍍金回路層３４ａ、３４ｂの表面には、接着材３５との接着力を増加させるための表面処理を行う。その表面処理は黒化処理またはブラウン黒化処理などが望ましい。
【００４５】
接着材３５としては、多層プリント基板の製造時の層間絶縁用であって、熱を加えると適切な接着力を有するプリプレグを使用することが望ましい。
【００４６】
プリプレグはガラス纎維素材に接着剤を含浸させた材質で、回路パターンが形成された銅鍍金回路層３４ａ、３４ｂ間に挿入されて銅鍍金回路層間の絶縁の役割をすると同時に層間接着層の役割もすることになる。
【００４７】
接着材３５を図３Ｆのように配置した後、上下側から加熱、加圧すれば、図３Ｇのように、接着材３５の両面が銅鍍金回路層３４ａ、３４ｂに押し込まれ、銅鍍金回路層３４ａ、３４ｂが接着材３５を挟んで付着される。前記銅鍍金回路層３４ａ及び３４ｂは、図３Ｇの断面でみると、矩形パルス状になっていて、接着材３５の両面にそれぞれ食い込んだ状態となっている。
【００４８】
その後、図３Ｈに示すように、キャリア３１ａ、３１ｂを除去する。この際、手によるマニュアリーな除去が可能である。
【００４９】
ついで、図３Ｉに示すように、ドリリング工程によって、前記銅鍍金回路層３４ａを構成する第１層（上側）と前記銅鍍金回路層３４ｂを構成する第２層（下側）の信号連結のためのビアホール３６を形成する。
【００５０】
この時のドリリング工程は、銅鍍金回路層３４ａ、３４ｂと接着剤３５をドリリングしなければならないため、ＣＮＣドリルを利用する機械的ドリリングが望ましい。
【００５１】
その後、図３Ｊにおいて、基板全体を無電解銅鍍金することによって、約１．０μｍ〜３．０μｍ厚さのシード層３７を形成する。前記シード層３７は、銅ホイル３２ａ、３２ｂ上に鍍金され一体化されるので、図３Ｊ以降の工程図では引用符号３２ａ、３２ｂは記載省略されている。
【００５２】
ホール内壁に対する銅鍍金は、無電解銅鍍金と電解銅鍍金の順に進む。これは、ドリリングされたホールの内壁が絶縁体のエポキシからなっているため、電気分解による電解銅鍍金を実施することができないからである。したがって、無電解銅鍍金を先に実施し、続いて電解銅鍍金を実施することで、ホールの内壁を完全に銅で鍍金する。
【００５３】
無電解鍍金は、樹脂、セラミック、ガラスなどの不導体の表面に導電性を付与するための唯一の鍍金方法である。
【００５４】
無電解銅鍍金を行ってホール３６の内壁に導電性を付与したので、電気分解による電解銅鍍金が可能である。この際、ビア部分のみを銅鍍金するために、ビア部分を除いた部分に鍍金レジスト３８を形成する。すなわち、鍍金レジスト３８を塗布した後、露光、現像工程によってビア部分のみを露出させる。
【００５５】
その後、電解銅鍍金によってビア部分のみを鍍金して銅鍍金層３９を形成する。この際、電解銅鍍金は厚い鍍金被膜を形成しやすく、膜の物性も無電解銅鍍金に比べて優秀である。
【００５６】
銅鍍金層３９がビアホール３６の内壁を鍍金するとともにビアホール３６の内部を充填することになる。このようにして銅鍍金層３９は、ビアホール３６の部分で接着材３５を貫通して一対の銅鍍金回路層３４ａと３４ｂとを相互に接続するための層間導電層を構成する。
【００５７】
ついで、図３Ｋに示すように、銅鍍金層３９を形成した後、鍍金レジスト３８を除去してシード層３７の全面を露出させる。
【００５８】
そして、図３Ｌに示すように、エッチング工程によって表面のシード層３７と銅ホイル３２ａ、３２ｂを除去する。この際、接着材３５が露出されるまでエッチング工程を進める。
【００５９】
すなわち、鍍金の後、表面エッチングによってシード層３７と銅ホイル３２ａ、３２ｂの表面をエッチングすることにより、接着材３５のパターンが外部に露出されるようにする。このような工程によって、以後に４層プリント基板を形成する時のために、前記銅鍍金回路層３４ａ及び３４ｂにそれぞれ対応する第１層及び第２層回路パターンが上下面に形成されたコア層（中心層）が構成される。
【００６０】
もちろん、図３Ｍに示すように、ソルダレジスト４０を塗布し、露光現像によって表面処理（金鍍金または有機表面保護（ＯＳＰ）処理など）されるべき部分を形成した後、表面処理を行って中間媒介体の製作を完了する。
【００６１】
前記コア層（中心層）及び中間媒介体は、いずれもそれ自体を２層配線タイプのプリント基板として使用することが可能である。これらを単位体として、適宜、複数単位体を重ね合わせ或いは積層して一体化することによって多層配線タイプのプリント基板を構成することもできる。
【００６２】
図４Ａ〜図４Ｈは、本発明の一実施例による高密度プリント基板の製造方法において、レーザードリルを使ってビアホールを形成する工程を示す工程図である。そこで、前述の図３Ｃ以前の段階は前記同様であるので説明を省略し、図３Ｄに相当する段階以降の製造工程について図４Ａ〜図４Ｈを参照して説明する。
【００６３】
まず、図４Ａを参照すれば、２つの銅鍍金回路層４４ａ、４４ｂのうち、上部銅鍍金回路層４４ａのビアホールが形成される部分のパターンは環状リング４４ａ１の形状に作る。
【００６４】
そして、接着材４５を挟んで、上部銅鍍金回路層４４ａのビアが形成される部分に環状リング４４ａ１が形成された上部銅鍍金回路層４４ａ及び下部銅鍍金回路層４４ｂがそれぞれ形成されている上下２つの基板を、高温、高圧の工程で付着させる。
【００６５】
この際、銅鍍金回路層４４ａ、４４ｂの表面には、接着材４５との接着力を増加させるための表面処理を行う。その表面処理としては、黒化処理またはブラウン黒化処理などが望ましい。
【００６６】
接着材４５は多層プリント基板製造の際の層間絶縁用であって、加熱すると適切な接着力を有するプリプレグを使用することが望ましい。
【００６７】
接着材４５を図４Ａのように配置した後、上下側から加熱、加圧すれば、接着材４５の両面部が銅鍍金回路層４４ａ、４４ｂに押し込まれることにより、銅鍍金回路層４４ａ、４４ｂが接着材４５を挟んで付着される。
【００６８】
その後、図４Ｂに示すように、キャリアフィルム４１ａ、４１ｂを除去することになる。この際、手によって除去することが可能である。
【００６９】
ついで、図４Ｃに示すように、図４Ｂの工程まで残存している銅ホイル４２ａ、４２ｂをエッチング工程で除去する。
【００７０】
ついで、図４Ｄに示すように、レーザードリリング工程によって、前記銅鍍金回路層４４ａを構成する第１層（上側）と前記銅鍍金回路層４４ｂを構成する第２層（下側）の信号連結のためのビアホール４６を形成する。ビアホール４６の深さは下部銅鍍金回路層４４ｂの表面を露出させる深さとされている。この際、レーザードリルを使用することは、下部銅鍍金回路層４４ｂに影響を与えないためである。そして、すでに上部銅鍍金回路層４４ａに環状リング４４ａ１が形成され、ビアホール４６が形成される部分で銅鍍金回路層４４ａが除去されているので、その部分の接着材を除去すればよく、銅鍍金回路層４４ａを除去する工程が必要ではない。
【００７１】
その後、図４Ｅに示すように、ビアホール４６が形成された基板全体に対して無電解銅鍍金を施して、約１．０μｍ〜３．０μｍ厚さのシード層４７を形成する。
【００７２】
ホールの内壁に対する銅鍍金は、無電解銅鍍金と電解銅鍍金の順に進む。これは、ドリリングされたホールの内壁が絶縁体のエポキシ樹脂からなって、電気分解による電解銅鍍金を実施することができないからである。したがって、無電解銅鍍金を先に実施し、続いて電解銅鍍金を実施することで、ホールの内壁を完全に銅で鍍金する。
【００７３】
この際、ビア部分のみを銅鍍金するために、ビア部分を除いた部分に鍍金レジスト４８を形成する。すなわち、鍍金レジスト４８を塗布した後、露光、現像工程によってビア部分のみを露出させる。
【００７４】
その後、図４Ｆに示すように、ビア部分のみを電解銅鍍金して、層間導電層としての銅鍍金層４９を形成する。この際、電解銅鍍金は厚い鍍金被膜を形成しやすく、膜の物性も無電解銅鍍金に比べて優秀である。
【００７５】
銅鍍金層４９がビアホール４６の内壁を鍍金するとともにビアホール４６の内部を充填することになる。
【００７６】
ついで、図４Ｇに示すように、銅鍍金層４９を形成した後、鍍金レジスト４８を除去してシード層４７を露出させる。
【００７７】
そして、エッチング工程によって表面のシード層４７と銅ホイル４２ａ、４２ｂ（図４Ａ参照）を除去する。この際、接着材４５が露出されるまでエッチング工程を進める。
【００７８】
すなわち、鍍金後、表面エッチングによってシード層４７と銅ホイル４２ａ、４２ｂの表面をエッチングすることによって、接着材４５のパターンを外部へ露出させる。このような工程によって、以後に４層プリント基板を形成する時のために、第１層及び第２層回路パターンが上下面に形成されたコア層（中心層）が形成される。
【００７９】
もちろん、図４Ｈに示すように、ソルダレジスト５０を塗布し、露光現像によって表面処理（金鍍金またはＯＳＰ処理など）されるべき部分を形成した後、表面処理を行って中間媒介体の製作を完了する。
【００８０】
以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、以上の説明した実施例は一例に過ぎないもので、本発明の範囲は特許請求範囲によって決まり、当業者であれば、本発明の範囲に属する範囲内で前記実施例に多様な変形を加えることができ、これらはすべて本発明の範囲に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、原材料として従来の銅張積層板を使わないで、より薄型のプリント基板を製造することができるプリント基板の製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１Ａ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｂ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｃ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｄ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるプリント基板の断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｆ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｇ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｈ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｉ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｊ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｋ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｌ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｍ】本発明の一実施例による両面高密度プリント基板の製造方法を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施例による高密度基板の製造方法において、レーザードリルを使ってビーアールを形成する過程を示す工程断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施例による高密度基板の製造方法において、レーザードリルを使ってビーアールを形成する過程を示す工程断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施例による高密度基板の製造方法において、レーザードリルを使ってビーアールを形成する過程を示す工程断面図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施例による高密度基板の製造方法において、レーザードリルを使ってビーアールを形成する過程を示す工程断面図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施例による高密度基板の製造方法において、レーザードリルを使ってビーアールを形成する過程を示す工程断面図である。
【図４Ｆ】本発明の一実施例による高密度基板の製造方法において、レーザードリルを使ってビーアールを形成する過程を示す工程断面図である。
【図４Ｇ】本発明の一実施例による高密度基板の製造方法において、レーザードリルを使ってビーアールを形成する過程を示す工程断面図である。
【図４Ｈ】本発明の一実施例による高密度基板の製造方法において、レーザードリルを使ってビーアールを形成する過程を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
３１、３１ａ、３１ｂ、４１ａ、４１ｂ    キャリアフィルム
３２、３２ａ、３２ｂ、４２ａ、４２ｂ    銅ホイル
３３ａ、３３ｂ    エッチングレジスト（鍍金レジスト）
３４ａ、３４ｂ、４４ａ、４４ｂ    銅鍍金回路層
３５、４５    接着材（絶縁層）
３６、４６    ビアホール
３７、４７    シード層
３８、４８    鍍金レジスト
３９、４９    銅鍍金層
４０、５０    ソルダレジスト
【図１Ａ】
2007142403.tif 000003
【図１Ｂ】
2007142403.tif 000004
【図１Ｃ】
2007142403.tif 000005
【図１Ｄ】
2007142403.tif 000006
【図２】
2007142403.tif 000007
【図３Ａ】
2007142403.tif 000008
【図３Ｂ】
2007142403.tif 000009
【図３Ｃ】
2007142403.tif 000010
【図３Ｄ】
2007142403.tif 000011
【図３Ｅ】
2007142403.tif 000012
【図３Ｆ】
2007142403.tif 000013
【図３Ｇ】
2007142403.tif 000014
【図３Ｈ】
2007142403.tif 000015
【図３Ｉ】
2007142403.tif 000016
【図３Ｊ】
2007142403.tif 000017
【図３Ｋ】
2007142403.tif 000018
【図３Ｌ】
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【図３Ｍ】
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【図４Ａ】
2007142403.tif 000021
【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
2007142403.tif 000024
【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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