(57)【要約】      （修正有）【課題】液浸リソグラフィにおける汚染を低減させる。【解決手段】半導体ウェーハ１０４を自体の支持面上に保持するように構成されたウェーハ・チャック２０２を有するウェーハ・チャック・アセンブリ２００を含む。このウェーハ・チャック２０２はその内部にギャップ１０８を有し、このギャップ１０８はウェーハ１０４の外縁に隣接して位置し、このギャップ１０４は、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含む。ギャップ内の液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって液浸リソグラフィ液のメニスカスを、半導体ウェーハ１０４の上面に対する選択された高さに維持するように、ウェーハ・チャック２０２内に液体循環経路が形成される。【選択図】図２
2007201452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置であって、
半導体ウェーハを自体の支持面上に保持するように構成されたウェーハ・チャックを含むウェーハ・チャック・アセンブリ
を含み、
前記ウェーハ・チャックがその内部にギャップを有し、前記ギャップが前記ウェーハの外縁に隣接して位置し、前記ギャップが、液浸リソグラフィ液をその中に含み、
さらに、
前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって前記液浸リソグラフィ液のメニスカスを、前記半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、前記ウェーハ・チャック内に形成された液体循環経路
を含む装置。
【請求項２】
前記液体循環経路がさらに、
加圧された液体がそこを通して導入される、前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液と連絡した流入経路と、
前記ギャップの余分な液浸リソグラフィ液がそこから除去される戻り経路と
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記チャックがさらに、
前記ギャップに隣接したリップと、
前記リップに隣接した外溝と
を含み、
前記ギャップが前記流入経路と連絡しており、前記外溝が前記戻り経路と連絡しており、
前記ギャップ内の余分な液浸リソグラフィ液が、前記ギャップから前記リップを越えて前記外溝内へ、半径方向外側に移動する、
請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記リップ内に形成された１つまたは複数の溝をさらに含み、前記１つまたは複数の溝が、前記ギャップと前記外溝の間を前記液浸リソグラフィ液が移動することを許すように構成された、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記チャックがさらに、
前記ギャップの下方に配置された、前記流入経路と前記戻り経路との間のリップと、
前記液体循環経路と連絡した圧力センサと
を含み、
前記ギャップ内の余分な液浸リソグラフィ液が、前記ギャップから前記リップを越えて前記戻り経路内へ、半径方向外側に移動する、
請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記圧力センサが、前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の能動制御を提供するように構成された、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記チャックがさらに、
前記ギャップによって画定された第１のカラムと、
前記第１のカラムに対して半径方向外側に配置された第２のカラムと
を含み、
前記第２のカラムが、その中を通る前記流入経路および前記戻り経路を含み、
さらに、
前記第１のカラムと前記第２のカラムを接続するように構成された通路
を含み、
前記液浸リソグラフィ液の前記メニスカスが、前記第２のカラム内の液位の制御によって受動制御される、
請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記チャックがさらに、
前記第２のカラム内に配置された、前記流入経路と前記戻り経路とを分離するリップ
を含み、
前記第１のカラム内の余分な液浸リソグラフィ液が、前記ギャップから前記通路を通り、前記第２のカラム内の前記リップを越えて前記戻り経路内へ、半径方向外側に移動する、
請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ギャップと前記流入経路の間にベンチュリ管接続をさらに含み、前記チャックを通る前記液浸リソグラフィ液の循環を容易にするため、前記ベンチュリ管接続が、前記ギャップの前記液浸リソグラフィ液を前記流入経路内へ引き込むように構成された、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ウェーハの前記外縁の下方に配置されたシーリング・リングをさらに含み、前記シーリング・リングが、前記ウェーハの底面と前記チャックの前記支持面との間に液浸リソグラフィ液が入り込むことを防ぐように構成された、請求項２に記載の装置。
【請求項１１】
前記シーリング・リングが、三角形、Ｏ字形、Ｘ字形および四角形のうちの１つまたは複数の形状を含む断面形状を有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記シーリング・リングが、ニトリル、ブナ（ｂｕｎａ）、シリコーン、フルオロシリコーン、水素化ニトリル、フルオロカーボン、ネオプレン、エチレンプロピレン、ブチル、ポリウレタン、エチレンアクリル、ポリアクリレートおよびテトラフルオロエチレン−プロピレンのうちの１つまたは複数を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記シーリング・リングが、前記チャックのウェーハ縁支持体に関して半径方向内側に配置された、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
半導体ウェーハを自体の支持面上に保持するように構成された第１のチャック・セクションと、
前記第１のチャック・セクションに取外し可能に取り付けられた第２のチャック・セクションと
を含み、
前記第１のチャック・セクションがその内部にギャップを有し、前記ギャップが前記ウェーハの外縁に隣接して位置し、前記ギャップが、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含み、
さらに、
前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって前記液浸リソグラフィ液のメニスカスを、前記半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、前記第１のチャック・セクション内に形成された液体循環経路
を含むウェーハ・チャック・アセンブリ。
【請求項１５】
液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための方法であって、
ウェーハ・チャックの支持面上に半導体ウェーハを保持するステップであって、前記ウェーハ・チャックがその内部にギャップを有し、前記ギャップが前記ウェーハの外縁に隣接して位置し、前記ギャップが、ある体積の液浸リソグラフィ液体をその中に含むステップと、
前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって前記液浸リソグラフィ液体のメニスカスを、前記半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、前記ウェーハ・チャック内に液体循環経路を提供するステップと
を含む方法。
【請求項１６】
前記液体循環経路に含まれる流入経路を通して加圧された液体を導入するステップであって、前記流入経路が前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液と連絡しているステップと、
前記ギャップの余分な液浸リソグラフィ液を、前記液体循環経路に含まれる戻り経路を通して除去するステップと
を含む、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に半導体デバイスの製造に関し、詳細には、液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィは、半導体製造において利用される最も重要な技法の１つであり、特に、例えば配線層をパターン形成するプロセス、被ドープ領域を画定するプロセスなどで使用されるパターンなどのパターンを画定するために使用される。リソグラフィ・プロセスは一般に露光ステップと現像ステップとを含み、露光ステップは光源を利用して、フォトレジスト層に直接に、またはフォトマスクを通して光を当て、露光部分に化学反応を生じさせる。現像ステップは、ポジ型レジストの露光部分（またはネガ型レジストの非露光部分）を除去し、フォトレジスト・パターンを形成し、それによってレジスト材料へのフォトマスク・パターンまたは虚像パターンの転写を完了させるために実施される。
【０００３】
液浸リソグラフィ（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：ＩＬ）は、従来の１９３ｎｍ露光源を使用してサブ１００ｎｍフォトレジスト構造をプリントするための選択の技法として、急速に脚光を浴びている。露光ツールの最後のレンズ要素とレジストが塗布された基板との間の媒質の屈折率を増大させることによって、リソグラフィ・システムの開口数は増大し、それによって露光波長に対するプリント可能な最小フィーチャ（構造）・サイズを、よく知られたレイリーの式に従って低減させることができる。したがって、液相環境で既存の液浸リソグラフィ・プロセスが実行され、液浸リソグラフィ液（例えば超純水）の屈折率は空気の屈折率よりも大きい（約１．４７対１．０）ため、それにより、より高い解像度が達成される。したがって、液浸リソグラフィ技法を使用することによって、形成されるＩＣデバイスの寸法をさらにスケーリングすることができる。
【０００４】
しかし、液浸リソグラフィに関連した１つの欠点は、液浸リソグラフィ液とレジスト材料との間の物理的な接触に起因し、このような接触は潜在的に、像の完全性を部分的に失わせ、レジストの内部または下に汚染物質を入り込ませることにつながる。具体的には、露光中にシャワーヘッドの後縁のレジストの表面から液浸リソグラフィ液が蒸発し、それによって痕跡汚染物質が濃縮し、この濃縮した汚染物質が、後続の処理ステップ中に移転され、最終的に、デバイスの歩留りおよび性能に深刻な影響を及ぼす可能性がある。例えば、液浸リソグラフィ液の蒸発が確認された領域で、液浸リソグラフィ液中に存在する痕跡量のコロイド・シリカが濃縮されていることがある。
【０００５】
さらに、シャワーヘッドが含む（液浸リソグラフィ液としての）水のプールの後縁は、特定の走査条件下で、その後に液浸リソグラフィ液層を残しやすく、または最終的にこの層は、不定のサイズの小液滴に分解される。例えば、５００〜１０００ｍｍ／秒程度である一般的なウェーハ・ステージ速度において、走査面上に存在する任意の不連続部は液浸リソグラフィ液のプールの機械的安定性に影響を及ぼし、小液滴を形成させる。同様に、液浸リソグラフィ液と走査面との間の小さな接触角は、液浸リソグラフィ液の後縁の形状およびサイズを増大させ、これによって残留液層が形成される可能性を増大させる。残留液層の存在も小液滴の存在も欠陥の形成に容易につながる。トップコートまたはレジスト層の抽出可能成分（例えばオリゴマー材料、光酸発生剤、光生成された酸、塩基失活剤）は液浸リソグラフィ液によって抽出される可能性があり、液浸リソグラフィ液の乾燥時にマイクロマスキング（ｍｉｃｒｏｍａｓｋｉｎｇ）またはウォーターマークのような欠陥を残す可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、液浸リソグラフィによって後に残される汚染を低減させ、または完全に排除することができることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上に論じた従来技術の欠点および欠陥は、液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置によって解決されまたは緩和される。例示的な一実施形態では、この装置が、半導体ウェーハを自体の支持面上に保持するように構成されたウェーハ・チャックを含むウェーハ・チャック・アセンブリを含む。このウェーハ・チャックはその内部にギャップを有し、このギャップはウェーハの外縁に隣接して位置し、このギャップは、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含む。ギャップ内の液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって液浸リソグラフィ液のメニスカスを、半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、ウェーハ・チャック内に液体循環経路が形成される。
【０００８】
他の実施形態では、ウェーハ・チャック・アセンブリが、半導体ウェーハを自体の支持面上に保持するように構成された第１のチャック・セクションと、第１のチャック・セクションに取外し可能に取り付けられた第２のチャック・セクションとを含む。第１のチャック・セクションはその内部にギャップを有し、このギャップはウェーハの外縁に隣接して位置し、このギャップは、ある体積の液浸リソグラフィ液体をその中に含む。ギャップ内の液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって液浸リソグラフィ液のメニスカスを、半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、第１のチャック・セクション内に液体循環経路が形成される。
【０００９】
他の実施形態では、液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための方法が、ウェーハ・チャックの支持面上に半導体ウェーハを保持するステップを含み、このウェーハ・チャックはその内部にギャップを有し、このギャップはウェーハの外縁に隣接して位置し、このギャップは、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含む。ギャップ内の液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって液浸リソグラフィ液のメニスカスを、半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、ウェーハ・チャック内に液体循環経路が提供される。
【００１０】
添付の例示のための図面では、同様の要素に同様の符号が付けられている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本明細書には、液浸リソグラフィに関連した汚染を低減させるための装置および方法が開示される。一般的に言って、ウェーハの汚染はウェーハの縁の近くに残され、このような汚染は、ウェーハの縁とチャックの間のトポグラフィ（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ、相対的配置関係に基づく形状）と液浸リソグラフィ液との間の相互作用の結果として生み出される。最近のシミュレーションによれば、ツールのシャワーヘッドによって覆われる表面のトポグラフィを低減させることは、メニスカス（ｍｅｎｉｓｃｕｓ）を維持し、気泡の形成を防ぐのに役立つ。したがって、ウェーハとチャックの移行部ができるだけ平らになり、急な移行部が生じないように、ウェーハの表面を人為的に広げると有利である。
【００１２】
後に詳述するが、本明細書の例示的な実施形態は、ウェーハとチャック間のトポグラフィ・ギャップ（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ  ｇａｐ、相対的配置関係に基づく形状によるギャップ）内の液体メニスカスの完全性を、チャック内に内部液体循環経路を導入することによって維持する。この循環経路はギャップ自体を含み、それにより（ウェーハの外縁とチャックの間の）ギャップ内の液浸リソグラフィ液を半径方向外側へ流し、ウェーハの表面と同じ高さに液浸リソグラフィ液としての例えば水の水位を維持する。さらに、水位は、液体循環経路の能動または受動制御によってウェーハの表面と同じ高さに維持することができる。リソグラフィ・プロセスの浸液と光学的に調和し、ウェーハの表面を傷つけない限りにおいて、チャック内の液体循環経路に対して適当な任意の液体を使用することができることに留意されたい。
【００１３】
最初に図１を参照すると、例えば液浸リソグラフィ液とともに使用することができるチャック・アセンブリ１００の一部分の部分断面図が示されている。図示のとおり、ウェーハ・チャック１０２は、薄いフォトレジスト材料層１０６が表面に形成された半導体ウェーハ１０４を保持する。チャック１０２、ウェーハ１０４およびレジスト層１０６の相対寸法は正確ではなく、単に例示目的でそのように描かれているにすぎないことに留意されたい。しかし、図１に示されているように、ウェーハ１０４の外縁には、チャック１０２内に形成されたエア・ギャップ１０８の結果として、かなりのトポグラフィ（単純でない形状）が存在する。
【００１４】
図２は、液浸リソグラフィ用に構成された本発明の例示的な一実施形態に基づくチャック・アセンブリ２００の部分断面図である。図示のとおり、ウェーハ・チャック２０２は、液浸リソグラフィ液供給管路２１０および外溝２０４を含むように変更されており、外溝２０４は、ギャップ１０８内の液浸リソグラフィ液が外側へ流れ、したがってウェーハ１０４の上面の縁からウェーハ・チャック２０２の表面に延びる液面を形成し、それによって追加された液体がエア・ギャップ１０８を満たすことを容易にする。チャック２０２の最も外側の部分２０６の高さは、ウェーハ１０４の高さにほぼ対応し、ギャップ１０８と外溝２０４の間のチャックの中間部分（リップ（ｌｉｐ））２０８の高さは、最も外側の部分２０６およびウェーハ１０４の上面よりも低いことに留意されたい。このことは、リップ２０８の上面を越えて液体が移動することを可能にし、このことは、スプラッシング（ｓｐｌａｓｈｉｎｇ、飛び散り）の低減、したがって汚染の低減につながる。
【００１５】
外溝２０４に加えて、チャック２０２内にはさらに液体循環経路が形成されている。具体的には、流入経路２１０は、加圧された液体源がギャップ１０８の底に流入することを可能にし、負圧戻り経路２１２は、外溝２０４内に形成された側壁を起点とする。ウェーハ１０４がチャック２０２と接触する側のウェーハ１０４の表面の下に光学液体が入ることを防ぐために、ウェーハ１０４の底面とギャップ１０８の底面の間にシール２１４（例えばＯリング）が配置される。後に詳細に論じるが、さまざまな形状および材料のシールを使用することができる。
【００１６】
図３に、チャックが移動するときの波を排除するために図２のチャック・アセンブリ２００内に導入することができる任意選択のフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）を示す。より具体的には、チャック２０２のリップ２０８に（一定の間隔で）複数の側溝２１６が形成される。光学液体は、リップ２０８の上面を越えて流れるだけでなく、それぞれの側溝２１６の中を流れることができるので、それによって液位制御の追加のレベルが達成される。図４は、リップ２０８に形成された溝２１６の１つを詳細に示す、図３の線４−４に沿って切った部分側断面図である。
【００１７】
次に図５を参照すると、液浸リソグラフィ用に構成された本発明の代替実施形態に基づくチャック・アセンブリ５００の部分断面図が示されている。図示のとおり、ウェーハ・チャック５０２は、内部液体循環経路を含むように変更されている。しかし、図２から４の実施形態とは対照的に、図５のチャック５０２の内部液体循環経路は、既存のギャップ１０８の下方に直接に形成されている。そのため、ギャップ１０８内の液浸リソグラフィ液が加速されると、液浸リソグラフィ液は、加圧された流入経路５１０の方向から、ギャップ１０８の下方のリップ５０８を越えて、戻り経路５１２に流入する。さらに、図５の実施形態の液位は、経路内の液圧を感知するためにチャック５０２内に圧力センサ５０４を配置する能動制御法によって維持される。このようにすると、ギャップ１０８内の液浸リソグラフィ液の圧力変化に合わせて、流入経路５１０の正圧と戻り経路５１２の負圧を独立に制御することができ、それによって（液浸リソグラフィ液が水の場合）水位（メニスカス）１１０および通過する浸液のメニスカスの完全性を維持することができる。
【００１８】
図５の実施形態に関連した１つの利点は、チャック５０２内の液体の流れがより単純なことである。図２と同様に、液浸リソグラフィ液がウェーハ１０４の底面とチャック５０２の間に入り込むことを防ぐため、チャック５０２はさらにシーリング・リング５１４を含む。
【００１９】
能動制御だけでなく、液浸リソグラフィ・チャック・アセンブリ内の液位は、受動制御手段によっても維持することができる。例えば、図６は、液浸リソグラフィ用に構成された本発明の他の実施形態に基づくチャック・アセンブリ６００の部分断面図である。図示のとおり、この受動制御実施形態は、第１のカラム（すなわち既存のギャップ１０８）と、チャック６０２の半径方向外側に形成された第２のカラム６０４とを含む変更されたウェーハ・チャック６０２を提供する。以前の実施形態と同様に、液体（液浸リソグラフィ液）のメニスカス１１０の完全性を維持するためにチャック６０２内にはやはり液体循環経路が提供される。
【００２０】
第２のカラム６０４内には、流入経路６１０および戻り経路６１２を含む液体循環経路が導かれ、液体循環経路はさらに越流リップ６０８を含む。したがって、外側へ移動する液体（液浸リソグラフィ液）は、リップ６０８を越えて第２のカラム６０４の戻り経路６１２に流入する。ギャップ１０８は、チャック６０２内に形成された通路６０６によって第２のカラム６０４に接続されているため、第２のカラム６０４の制御によって、ギャップ１０８内の液位（メニスカス１１０）の受動制御が達成される。さらに、ギャップ１０８の底には、ギャップ１０８を流入経路６１０に接続し、したがってギャップ１０８内にも液体が循環することを可能にするベンチュリ管６０７が形成されている。図２および５の実施形態と同様に、液浸リソグラフィ液がウェーハ１０４の底面とチャック６０２の間に入り込むことを防ぐため、チャック６０２はさらにシーリング・リング６１４を含む。
【００２１】
したがって、受動制御チャック・アセンブリ６００の動作では、液体が第１のカラム（すなわちギャップ１０８）およびベンチュリ管６０７を通り過ぎ、ベンチュリ管６０７がギャップ１０８の液体（液浸リソグラフィ液）を吸い出す。それによって、ギャップ１０８の上方のメニスカス１１０から上に残された余分な液体がギャップ１０８から除去される。その後、この余分な液体は流入経路６１０に合流し、次いでリップ６０８を越えて排液路（すなわち戻り経路６１２）に流入し、それによって液位をチャック６０２の上面に維持する。２つのカラム（ギャップ１０８、第２のカラム６０４）は（例えば通過６０６によって）、等しい高さの等圧帯において接続されているので、ギャップ１０８内の液体は、第２のカラム６０４内に存在する液体と同じ高さに維持される。チャック６０２内のこの液体の流れは連続している必要はなく、チャック６０２の周囲の選択されたいくつかの位置で生じるようにしてもよい。
【００２２】
このように構成すると、受動制御チャック・アセンブリ６００は、メニスカス１１０が横切るトポグラフィ（形状）を安定な方法で最小化することによって、ウェーハ１０４に隣接した液位を非常に迅速に制御することを可能にする。ベンチュリ管６０７がチャック・ギャップ１０８内の浸液の循環を提供するため、液体の汚染は蓄積しにくく、その結果、ウェーハ１０４の表面に汚染粒子が付着する確率はより小さくなる。一定の間隔で一連のベンチュリ管６０７および接続通路６０６を配置する第２の利点は、これらが、チャックの加速中にギャップ１０８内の液圧が過度に増大することを防ぐ方法を提供することである。
【００２３】
他の例として、図７は、図６に示した受動制御型のチャック・アセンブリ７００の断面図であり、この図は、２片構成の受動制御型チャック・アセンブリの例示的な一実施形態を示している。図示のとおり、第１のチャック・セクション７０２ａは、チャックの内部配管およびウェーハ１０４が保持された表面を含む。具体的には、第１のチャック・セクション７０２ａは、前述の液体流入経路６１０および戻り経路６１２を含み、ギャップ１０８の底にベンチュリ管６０７を含む。第１のチャック・セクション７０２ａ内に栓７０４を挿入して、チャックの外側に液体が漏れることを防ぐことができる。
【００２４】
さらに、第１のチャック・セクション７０２ａは、第２のチャック・セクション７０２ｂに（例えばボルト７０６によって）取外し可能に取り付けられている。取り付けられた後は第２のチャック・セクション７０２ｂも、第１のカラム（ギャップ１０８）と第２のカラム６０４の間の受動液位制御用の障壁を画定する役目を果たす。図示のとおり、第２のチャック・セクション７０２ｂはさらに、第１のカラムと第２のカラムを互いに連絡させ、ギャップ１０８内の液体（液浸リソグラフィ液）の受動制御を達成するための内部通路６０６を含む。図７に示されているように、第１のチャック・セクション７０２ａと第２のチャック・セクション７０２ｂを一体にシールするために、Ｏリング７０８を使用してもよい。図７の詳細な例示的な実施形態には、ウェーハ１０４の底面と第１のチャック・セクション７０２ａの間に液体が入り込むことを防ぐシーリング・リングが示されていないことに留意されたい。
【００２５】
図８は、図７のチャック・アセンブリ７００の上面図である。例示的な１つの液体（液浸リソグラフィ液）分配経路を示す他に、図８はさらに、液体流入および戻り経路６１０、６１２に関する第２のカラム６０４内の流入および流出口の相対的な数および配置の可能な一例を示している。ギャップ１０８内のベンチュリ管６０７の例示的な分布も示されているが、それとは異なる数および配置のベンチュリ管を使用することもできることを理解されたい。
【００２６】
前述のとおり、どの特定のチャック・アセンブリ実施形態を利用するのかにかかわらず、ウェーハ１０４の下、ウェーハ１０４の底面とチャック（特に７０２ａ）の表面の間に、液浸リソグラフィ液（例えば水）が入り込むことを防ぐことが望ましい。より具体的には、真空によってウェーハを保持しているため、液浸リソグラフィ液はこの低い圧力に向かって漏れやすい。そのため、（例えば）ウェーハ支持体の外縁にシーリング・リングを配置することによってこの経路を遮断すると有利である。この目的のためには、いくつかのタイプおよび形状、ならびにさまざまな材料のシーリング・リングが使用可能である。
【００２７】
例えば図９から１２は、先に論じたシーリング・リングの可能なさまざまな断面形状を示す。具体的にはシーリング・リングは、図９に示すような三角形、図１０に示すようなＸ字形、図１１に示すようなＯ字形、図１２に示すような四角形とすることができる。しかし他の断面形状も企図される。また、シーリング・リングは、ニトリル、（ブナ（ｂｕｎａ））、シリコーン、フルオロシリコーン、水素化ニトリル、フルオロカーボン（例えばデュポン（ＤｕＰｏｎｔ）社のＶｉｔｏｎ（Ｒ））、ネオプレン、エチレンプロピレン、ブチル、ポリウレタン、エチレンアクリル樹脂（例えばデュポン社のＶａｍａｃ（Ｒ））、ポリアクリレートおよびテトラフルオロエチレン−プロピレン（例えば旭硝子のＡｆｌａｓ（Ｒ））を含む適当な任意の材料から製作することができる。ただし適当な材料はこれらに限定されるわけではない。
【００２８】
最後に、図１３は、チャック・アセンブリのウェーハ縁支持部９０４に対するシーリング・リング９０２の代替位置を示す。前述の実施形態では、シーリング・リングがウェーハ縁支持体９０４の（ウェーハの中心に関して）外側に配置されているが、図１３のシーリング・リング９０２はウェーハ縁支持体９０４の内側に配置されている。シーリング・リング９０２がウェーハ縁支持体の外側に位置する場合、ウェーハに（正の外部シール圧力による）小さな力がかかり、この力が場合によってはウェーハを上方へ曲げ、ウェーハの縁の近くで焦点ずれエラーを生じさせる可能性がある。この状態は、ウェーハの縁とウェーハ縁支持体の間のオーバーラップ距離が小さい場合には起こりそうもないが、シーリング・リング９０２をウェーハ縁支持体９０４に関して内側に配置すると、このような曲がりは排除されるであろう。
【００２９】
好ましい１つまたは複数の実施形態に関して本発明を説明してきたが、本発明の範囲から逸脱することなくさまざまな変更を加えることができ、その要素にかわって等価物を使用することができることを当業者は理解されたい。さらに、特定の状況または材料を本発明の教示に適合させるために、本発明の本質的な範囲から逸脱することなく多くの修正を加えることができる。したがって本発明は、本発明を実施するための最良の形態として開示された特定の実施形態には限定されず、添付の請求項の範囲に含まれる全ての実施形態を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】液浸リソグラフィとともに使用することができる従来のチャック・アセンブリの一部分の部分断面図である。
【図２】液浸リソグラフィ用に構成された本発明の例示的な一実施形態に基づくチャック・アセンブリの部分断面図である。
【図３】図２のチャック・アセンブリ内に導入することができる任意選択の溝フィーチャを示す図である。
【図４】図３の線４−４に沿って切った任意選択の溝フィーチャ（形状）の部分側断面図である。
【図５】液浸リソグラフィ用に構成された本発明の代替実施形態に基づくチャック・アセンブリの部分断面図である。
【図６】液浸リソグラフィ用に構成された本発明の他の実施形態に基づくチャック・アセンブリの部分断面図である。
【図７】図６に示した受動制御型のチャック・アセンブリの断面図であって、２片構成の受動制御型チャック・アセンブリの例示的な一実施形態を示す図である。
【図８】図７のチャック・アセンブリの上面図である。
【図９】チャック・アセンブリ実施形態において使用されるシーリング・リングの可能な１つの断面形状を示す図である。
【図１０】チャック・アセンブリ実施形態において使用されるシーリング・リングの可能な１つの断面形状を示す図である。
【図１１】チャック・アセンブリ実施形態において使用されるシーリング・リングの可能な１つの断面形状を示す図である。
【図１２】チャック・アセンブリ実施形態において使用されるシーリング・リングの可能な１つの断面形状を示す図である。
【図１３】チャック・アセンブリのウェーハ縁支持部に対するシーリング・リングの代替位置を示す図である。
【符号の説明】
【００３１】
１００  ウェーハ・チャック・アセンブリ
１０２  ウェーハ・チャック
１０４  半導体ウェーハ
１０６  フォトレジスト層
１０８  ギャップ
１１０  液位（メニスカス）
２００  ウェーハ・チャック・アセンブリ
２０２  ウェーハ・チャック
２０４  外溝
２０６  チャックの最も外側の部分
２０８  リップ
２１０  浸液供給管路
２１２  戻り経路
２１４  シール
２１６  側溝
５００  ウェーハ・チャック・アセンブリ
５０２  ウェーハ・チャック
５０４  圧力センサ
５０８  リップ
５１０  流入経路
５１２  戻り経路
５１４  シーリング・リング
６００  ウェーハ・チャック・アセンブリ
６０２  ウェーハ・チャック
６０４  第２のカラム
６０６  通路
６０７  ベンチュリ管
６０８  リップ
６１０  流入経路
６１２  戻り経路
６１４  シーリング・リング
７００  ウェーハ・チャック・アセンブリ
７０２ａ  第１のチャック・セクション
７０２ｂ  第２のチャック・セクション
７０４  栓
７０６  ボルト
７０８  Ｏリング
９０２  シーリング・リング
９０４  ウェーハ縁支持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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