(57)【要約】      （修正有）【課題】動作温度のバラツキの狭い温度ヒューズを提供する。【解決手段】基板１に可溶合金片接続電極２を設け、これらの電極間に非共晶組成の可溶合金片３を接続し、該可溶合金片にフラックス４を塗布してなり、外部温度の昇温により可溶合金片を溶融させ、この溶融合金を前記の各電極にはみ出しなく濡れ拡がらせて分断させる温度ヒューズにおいて、前記の各電極に前記の溶融合金の濡れ拡がりを規制するための濡れ拡がりストッパー５１，５２を設けた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に可溶合金片接続用電極を設け、これらの電極間に非共晶組成の可溶合金片を接続し、該可溶合金片にフラックスを塗布してなり、外部温度の昇温により可溶合金片を溶融させ、この溶融合金を前記の各電極にはみ出しなく濡れ拡がらせて分断させる温度ヒューズにおいて、前記の各電極に前記の溶融合金の濡れ拡がりを規制するための濡れ拡がりストッパーを設けたことを特徴とする保護素子。
【請求項２】
基板に複数の電極を設け、これらの電極に非共晶組成の可溶合金片と抵抗体を接続し、可溶合金片にフラックスを塗布してなり、異常時に前記抵抗体を通電発熱させその発熱で前記可溶合金片を溶融させ、可溶合金片接続電極にこの溶融合金をはみ出しなく濡れ拡がらせて分断させる抵抗体付き温度ヒューズにおいて、前記の可溶合金片接続電極に前記の溶融合金の濡れ拡がりを規制するための濡れ拡がりストッパーを設けたことを特徴とする保護素子。
【請求項３】
非共晶組成の可溶合金片がＢｉ−Ｉｎ−Ｓｎ系合金片であることを特徴とする請求項１または２記載の保護素子。
【請求項４】
可溶合金片接続端部の両側または三方の可溶合金片接続電極箇所にスロットまたはガラス焼付け帯を設けることにより濡れ拡がりストッパーを形成したことを特徴とする請求項１〜３何れか記載の保護素子。
【請求項５】
可溶合金片接続端部の両側または三方の可溶合金片接続電極箇所に電極よりも濡れ難い表面部分を設けることにより濡れ拡がりストッパーを形成したことを特徴とする請求項１〜３何れか記載の保護素子。
【請求項６】
可溶合金片接続電極がＡｇ系導電ペーストの印刷・焼付けにより設けられていることを特徴とする請求項１〜５何れか記載の保護素子。
【請求項７】
帯状リード導体の少なくとも先端部がＡｇまたはＳｎで被覆されて可溶合金片接続電極とされていることを特徴とする請求項１〜５何れか記載の保護素子。
【請求項８】
基板に可溶合金片接続電極を設け、これらの電極間に非共晶組成の可溶合金片を接続し、該可溶合金片にフラックスを塗布してなる温度ヒューズを、外部温度の昇温により可溶合金片を溶融させ、この溶融合金を前記の各電極にはみ出しなく濡れ拡がらせて分断させることにより動作させる方法において、可溶合金片接続電極における前記溶融合金の濡れ拡がり率を０．６〜０．９に規制することを特徴とする保護素子の動作方法。  
【請求項９】
基板に複数の電極を設け、これらの電極に非共晶組成の可溶合金片と抵抗体を接続し、可溶合金片にフラックスを塗布してなる抵抗体付き温度ヒューズを、異常時に前記抵抗体を通電発熱させその発熱で前記可溶合金片を溶融させ、可溶合金片接続電極にこの溶融合金をはみ出しなく濡れ拡がらせて分断させるることにより動作させる方法において、可溶合金片接続電極における前記溶融合金の濡れ拡がり率を０．６〜０．９に規制することを特徴とする保護素子の動作方法。
【請求項１０】
リード導体間に非共晶組成の可溶合金片を接続し、該可溶合金片にフラックスを塗布し、該フラックス塗布可溶合金片を筒状ケースで包囲してなる温度ヒューズを、外部温度の昇温により可溶合金片を溶融させ、この溶融合金を前記のリード導体端部に濡れ拡がらせて分断させることにより動作させる方法において、可溶合金片接続電極における前記溶融合金の濡れ拡がり率を０．６〜０．９に規制することを特徴とする保護素子の動作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は温度ヒューズや抵抗体付き温度ヒューズに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子・電気機の熱的な保護素子として温度ヒューズが知られている。
温度ヒューズは、所定融点の可溶合金片にフラックスを塗布したものをヒューズエレメントとしている。使用にあたり保護対象である電子・電気機器に熱的に接触して取付けられ、電子・電気機器が過電流により異常に過熱されるとヒューズエレメントが溶融され、この溶融物が溶融活性化フラックスのバックアップを受けつつリード導体端部若しくは電極への濡れ拡がりにより分断され、電子・電気機器への給電が遮断される。
【０００３】
前記可溶合金片は、通常可溶合金の線引き加工により製造される。温度ヒューズの製造においては、この線引き線材が所定の長さに切断され、電極間やリード導体間に通常溶接により接続される。
温度ヒューズのヒューズエレメントに要求される特性は、求められる動作温度に適合する溶融特性である。
共晶系合金においては、共晶組成であれば、固相線温度と液相線温度とが一致し、共晶合金片をヒューズエレメントとして使用することにより、ヒューズエレメントが融点に達すると、温度ヒューズが動作される。
しかしながら、要求される動作温度によっては、ヒューズエレメントに共晶合金組成を使用できないことが多い。
前記ヒューズエレメントにおいては、動作温度以外に比抵抗が低いこと、所定の機械的強度を有すること、電極やリード導体との溶接性に優れていること等が要求される。
すなわち、ヒューズエレメントの抵抗値が高いと、ヒューズエレメントが平時の通電電流で自己発熱し、外部温度の上昇値が予定値に達していなくても、ヒューズエレメントが融点にまで加熱されて設定動作温度よりも低い温度で温度ヒューズが動作してしまう。従って、比抵抗の低い合金組成のヒューズエレメントを使用することが要求される。
更に、前記線引き加工の外、温度ヒューズ使用中のヒートサイクルによりヒューズエレメントが受ける熱応力に耐え得るように、充分な機械的強度が要求される。
更に、ヒューズエレメント端部と電極若しくはリード導体端部との溶接界面には、前記ヒートサイクル時に熱応力が作用するから、この熱応力に耐え得る溶接強度を付与する必要があり、その強度が溶接界面に形成される合金層に大きく左右されるから、所定の溶接強度を得るようにヒューズエレメントの合金組成を選択する必要がある。
温度ヒューズのヒューズエレメントの合金組成は、上記諸点の兼ね合いから設定され、通常、非共晶合金組成が使用されている。
【０００４】
この非共晶合金組成では、共晶組成から外れているために固相線温度と液相線温度とは一致せず、固相線温度で融解し始め、液相線温度に達すると完全に融解し、固相線温度と液相線温度の間の温度では、固液共存状態となる。
例えば、図６に示すＩｎ−Ｓｎ合金の状態図において、非共晶組成ｙ（Ｓｎ７４％，Ｉｎ２６％）では、固相線温度１２０℃で融解し始め、液相線温度１５６℃に達すると完全に融解し、固相線温度と液相線温度の間の温度では、固液共存状態となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の温度ヒューズにおいては、ヒューズエレメントの合金の固相線温度をＴｓ、液相線温度をＴLとすると、Ｔｓ〜ＴLの範囲に属する不確定な温度でヒューズエレメントが分断し、その分断温度のバラツキをＴｓ〜ＴLとして動作温度を設定している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２５４０２号公報
【０００６】
しかしながら、本発明者の鋭意検討結果によれば、この設定指針には問題がある。
本発明者において、基板上のＡｇペースト印刷焼成電極間に、Ｉｎ−Ｂｉ−Ｓｎ系合金（Ｉｎ４８．０％，Ｓｎ４５．０％，Ｂｉ７．０％、固相線温度１０６℃、液相線温度１２２℃）のヒューズエレメントを溶接した試料を、昇温速度１℃／１分で加熱してヒューズエレメントの分断温度を測定したところ、液相線温度以上で分断するものを多く確認した。
【０００７】
この事実には、温度ヒューズの動作温度についての前記設定指針に整合しないところがある。その原因は次のように推察できる。
ヒューズエレメント温度が固相線温度を越えると、ヒューズエレメントが融解し始め、液相と粒状固相とが混在した状態となり、液相の濡れ拡がりに較べ粒状固相が濡れ拡がり難いために、粒状固相がヒューズエレメント中央部側に留まろうとする。而して、ヒューズエレメントの融解が進行し液相の濡れ拡がりが進んでヒューズエレメント中央部が細くなっていくに従い、その中央部がＳｎリッチの組成となっていく。而るに、ある時点におけるヒューズエレメント中央部の組成が図６のＩｎ−Ｓｎ状態図において、点ｙにあるとする。この中央部は更なる温度上昇で融解されていくが、その状態での固相体粒子の組成がＳｎリッチのｙａで、量比がｂｏ／ａｂであり、この組成ｙａの液相線温度ＴaLが初期の組成の液相線温度に較べて高く、温度が上昇するにつれて残存するＳｎリッチ固相の量比が少なくなっていっても、ヒューズエレメント中央部が液相線温度の高い組成で占められる結果、分断直前のヒューズエレメント中央部の液相線温度がヒューズエレメント初期組成の液相線温度よりも高くなり、この高い液相線温度のもとでヒューズエレメントの分断が行われるためであると推察できる。
【０００８】
この推察を検証するために、分断直前のヒューズエレメント中央部の液相線温度とヒューズエレメントの電極上濡れ拡がり縁部分の液相線温度をＤＳＣ（基準試料と測定試料をＮ2ガス容器に納め、容器ヒータに電力を供給して両試料を速度１０℃／分で昇温させ、測定試料の状態変化に伴う熱エネルギー入力量の変化を示差熱電対により検出して分析する）により測定したところ、前者は後者よりもほぼ２０℃高いことを確認した。
【０００９】
本発明の目的は、上記の知見に基づき、動作温度のバラツキの狭い温度ヒューズを提供すること、温度ヒューズを狭い動作温度のバラツキで動作させる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に係る保護素子は、基板に可溶合金片接続電極を設け、これらの電極間に非共晶組成の可溶合金片を接続し、該可溶合金片にフラックスを塗布してなり、外部温度の昇温により可溶合金片を溶融させ、この溶融合金を前記の各電極にはみ出しなく濡れ拡がらせて分断させる温度ヒューズにおいて、前記の各電極に前記の溶融合金の濡れ拡がりを規制するための濡れ拡がりストッパーを設けたことを特徴とする。
請求項２に係る保護素子は、基板に複数の電極を設け、これらの電極に非共晶組成の可溶合金片と抵抗体を接続し、可溶合金片にフラックスを塗布してなり、異常時に前記抵抗体を通電発熱させその発熱で前記可溶合金片を溶融させ、可溶合金片接続電極にこの溶融合金をはみ出しなく濡れ拡がらせて分断させる抵抗体付き温度ヒューズにおいて、前記の可溶合金片接続電極に前記の溶融合金の濡れ拡がりを規制するための濡れ拡がりストッパーを設けたことを特徴とする。
請求項３に係る保護素子は、請求項１または２の保護素子において、非共晶組成の可溶合金片がＢｉ−Ｉｎ−Ｓｎ系合金片であることを特徴とする。
請求項４に係る保護素子は、請求項１〜３何れかの保護素子において、可溶合金片接続端部の両側または三方の可溶合金片接続電極箇所にスロットまたはガラス帯を設けることにより濡れ拡がりストッパーが形成されていることを特徴とする。
請求項５に係る保護素子は、請求項１〜３何れかの保護素子において、可溶合金片接続端部の両側または三方の可溶合金片接続電極箇所に電極よりも濡れ難い部分を設けることにより濡れ拡がりストッパーが形成されていることを特徴とする。
請求項６に係る保護素子は、請求項１〜５何れかの保護素子において、可溶合金片接続電極がＡｇ系導電ペーストの印刷・焼付けにより設けられていることを特徴とする。
請求項７に係る保護素子は、請求項１〜５何れかの保護素子において、帯状リード導体の少なくとも先端部がＡｇまたはＳｎで被覆されて可溶合金片接続電極とされていることを特徴とする。
請求項８に係る保護素子の動作方法は、基板に可溶合金片接続電極を設け、これらの電極間に非共晶組成の可溶合金片を接続し、該可溶合金片にフラックスを塗布してなる温度ヒューズを、外部温度の昇温により可溶合金片を溶融させ、この溶融合金を前記の各電極にはみ出しなく濡れ拡がらせて分断させることにより動作させる方法において、可溶合金片接続電極における前記溶融合金の濡れ拡がり率を０．６〜０．９に規制することを特徴とする。
請求項９に係る保護素子の動作方法は、基板に複数の電極を設け、これらの電極に非共晶組成の可溶合金片と抵抗体を接続し、可溶合金片にフラックスを塗布してなる抵抗体付き温度ヒューズを、異常時に前記抵抗体を通電発熱させその発熱で前記可溶合金片を溶融させ、可溶合金片接続電極にこの溶融合金をはみ出しなく濡れ拡がらせて分断させるることにより動作させる方法において、可溶合金片接続電極における前記溶融合金の濡れ拡がり率を０．６〜０．９に規制することを特徴とする。
請求項１０に係る保護素子の動作方法は、リード導体間に非共晶組成の可溶合金片を接続し、該可溶合金片にフラックスを塗布し、該フラックス塗布可溶合金片を筒状ケースで包囲してなる温度ヒューズを、外部温度の昇温により可溶合金片を溶融させ、この溶融合金を前記のリード導体端部に濡れ拡がらせて分断させることにより動作させる方法において、可溶合金片接続電極における前記溶融合金の濡れ拡がり率を０．６〜０．９に規制することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
ヒューズエレメントに非共晶組成の合金を使用しているために、ヒューズエレメントの溶融状態が固液共存状態となるが、溶融合金の濡れ拡がりを規制しているので、ヒューズエレメント中央部側に固相分が留まってヒューズエレメント端部側に液相分が流れる状態、すなわち固相と液相との分離をよく抑制でき、液相分組成が除かれて偏った合金組成、即ち当初の組成とは異なった組成での分断（高温分断）を充分に排除でき、動作温度のバラツキを狭くできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図１の（イ）は本発明の一実施例を示す一部切欠き上面図、図１の（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
図１において、１は良熱伝導性の絶縁基板であり、硬質基板例えばセラミックス板を使用できる。２，２は絶縁基板１に設けた電極であり、銀系導電ペーストの印刷・焼付けにより形成できる。銀系導電ペーストとしては、Ａｇペースト、Ａｇ：Ｐｄの重量比が８０〜７０：２０〜３０のＡｇＰｄペースト、Ａｇ：Ｐｔの重量比が９９〜９８：１〜２のＡｇＰｔペースト等を使用できる。
３は電極２，２間に溶接した非共晶組成のヒューズエレメントであり、その合金組成は温度ヒューズの使用条件に対し要求される動作温度、機械的強度、電極との溶接強度、抵抗値等の諸点の兼ね合いから設定される。例えば、Ｂｉ−Ｉｎ−Ｓｎ系合金が使用される。５１，５１は電極２上のヒューズエレメント溶接端部３０を挾んで設けたスロット、５２は同上ヒューズエレメント溶接端部３０の背後に設けたスロット(孔や溝)であり、電極印刷時に設けることができる。或いは、電極２の印刷後にレーザ切削で設けることもできる。スロット５１，５１と５２とは枠を形成するように連ねることが好ましい。
４はヒューズエレメント３に塗布したフラックスである。
６，６は電極２，２に溶接したリード導体、７は基板１を納めたケースであり、リード導体引出し切り欠きを有し、ケース７内にはエポキシ樹脂等の封止材８を充填してある。
【００１３】
上記非共晶組成のヒューズエレメントには、例えば、Ｉｎ：４６．０〜５０．０％，Ｓｎ：４３．０〜４７．０％，Ｂｉ：残部のＢｉ−Ｉｎ−Ｓｎ系合金を使用できる。特に、作動温度約１１０℃を対象としてＩｎ：４８．０％，Ｓｎ：４５．０％，Ｂｉ：７．０％の合金組成を使用できる。この合金組成の固相線温度は１０６℃、液相線温度は１２２℃であり、外部温度の上昇でヒューズエレメントが固相線温度を越えて加熱されるとヒューズエレメントの融解が開始され、液相に粒状固相体が混在した状態となる。この固液共存体が電極上を濡れ拡がっていく間、液相の濡れ拡がりに較べ粒状固相が濡れ拡がり難いために、固液分離が生じて粒状固相が中央側に留められようとするが、ヒューズエレメント端部の二方または三方にスロット等の濡れ拡がりストッパーが設けられているため、このストッパーを越えての濡れ拡がりが阻止され、液相分の濡れ拡がりが抑制されて粒状固相分と液相分との分離がよく軽減される。固相分の組成と液相分の組成とは異なり、前記合金組成の場合、固相分がＳｎリッチ、液相分がＩｎリッチとなるが、本発明に係る温度ヒューズでは、両者の分離をよく防止してヒューズエレメントの融解中、ヒューズエレメント全体の合金組成を当初の組成のままによく維持できるから、固液共存巾の広いＳｎリッチ側の分断となるのを排除して分断温度のバラツキを狭くできる。
【００１４】
前記のスロットに代え、溶融合金が濡れ難く、かつヒューズエレメントよりも高融点の材質、例えばガラスを帯状に印刷焼き付けることもできる。スロットと帯状ガラス層とを混在させてもよい。
溶融ヒューズエレメント合金は濡れ拡がりストッパーで囲まれたスペースのほぼ全体に拡がる。これらの濡れ拡がりストッパーは、濡れ拡がり率（ストッパー有りの場合の濡れ拡がり面積をｓ、ストッパーなしの場合の濡れ拡がり面積をＳとすると、濡れ拡がり率はｓ／Ｓ）を０．６〜０．９、好ましくは０．６〜０．８に抑えるように設定することが有効である。０．６未満では分断時間が長くなって温度ヒューズの満足な動作速度を保証し難く、０．９を越えると本発明の効果を満足に達成し難くなる。
【００１５】
図１に示した温度ヒューズの絶縁基板の裏面に、図２に示すように抵抗接続用電極２０，２０、２０，２０を設け、この電極２０，２０間に抵抗体３０を接続し、保護する電子・電気機器の異常時に抵抗体３０を通電発熱させ、その発生熱でヒューズエレメントを分断させる抵抗体付き温度ヒューズの形態で実施することもできる。
前記抵抗体３０には、抵抗ペースト、例えば酸化ルテニュムペーストを印刷焼成して設ける膜抵抗を用いることができる。
前記ヒューズエレメントと抵抗体とは、平時はヒューズエレメントのみに回路電流が流れ、抵抗体には異常時のみに電流が流され、その電流による抵抗体の発熱でヒューズエレメントが分断されるようにＩＣ制御回路を介して接続される。この接続を行うためのヒューズエレメントと抵抗体との結線は、基板を貫通する導電部、例えばスルホールにより行うことできる。このスルホールに代え、抵抗接続用電極にリード導体を接続しておき、このリード導体と可溶合金片接続電極のリード導体を介して結線を行うこともできる。
【００１６】
本発明に係る温度ヒューズは、例えば図３−１や図３−２に示すようなテープタイプの形態で実施することもできる。
図３−１に示す実施例では、厚み１００〜３００μｍのプラスチックベースフィルム１に厚み１００〜２００μｍの帯状リード導体２，２を固着し、例えば接着剤または融着により固着し、帯状リード導体の先端部間に線径２５０〜５００μｍφの非共晶組成合金のヒューズエレメント３を溶接により接続し、このヒューズエレメント３にフラックス４を塗布し、このフラックス塗布ヒューズエレメントを厚み１００〜３００μｍのプラスチックカバーフィルム７の固着、例えば接着剤または超音波融着による固着で封止してある。
帯状リード導体２例えば帯状銅導体の少なくとも先端部にはＳｎ、Ｃｕ溶解ＳｎやＡｇ層を鍍金により被覆してあり、これらの被覆層が濡れ性に優れ、前記と同様に溶融ヒューズエレメントにおける固相・液相分離の問題が生じるので、ヒューズエレメント端部の両側とヒューズエレメント端部の背後にスロットや焼付けガラス帯等の抜け拡がりストッパー５１〜５２を設けてある。
【００１７】
図３−２に示す実施例では、厚み１００〜３００μｍのプラスチックベースフィルム１の片面に厚み１００〜２００μｍの帯状リード導体２，２を固着し、例えば接着剤または融着により固着すると共に各帯状リード導体２の前方部２０をベースフィルム１の他面に露出させ、これらのリード導体露出部２０，２０間に線径２５０〜５００μｍφの非共晶組成合金のヒューズエレメント３を溶接により接続し、このヒューズエレメント３にフラックス４を塗布し、このフラックス塗布ヒューズエレメントを厚み１００〜３００μｍのプラスチックカバーフィルム７の固着、例えば接着剤または超音波融着による固着で封止してある。
帯状リード導体２例えば帯状銅導体の少なくとも露出前方部２０にはＳｎ、Ｃｕ溶解ＳｎやＡｇ層を鍍金により被覆してあり、これらの被覆層が濡れ性に優れ、前記と同様に溶融ヒューズエレメントにおける固相・液相分離の問題が生じるので、ヒューズエレメント端部の両側とヒューズエレメント端部の背後にスロットや焼付けガラス帯等の抜け拡がりストッパー５１〜５２を設けてある。
【００１８】
図４の（イ）は本発明に係る温度ヒューズの別実施例を、図４の（ロ）は図４の（イ）における点線枠内の拡大図をそれぞれ示している。
図４において、２，２は銅リード導体であり、先端に鍔２０を設け、鍔前面を凹曲面２１として鍔縁端の外回り角θを２７０°以上としてある。３はリード導体２，２の鍔前面２１，２１間に溶接した非共晶組成合金のヒューズエレメントであり、例えば前記と同様にＢｉ−Ｉｎ−Ｓｎ系合金が使用される。４はヒューズエレメントに塗布したフラックスである。７はフラックス塗布ヒューズエレメント上に挿通した筒状絶縁ケース、例えば筒状セラミックスケース、８は各ケース端と各リード導体との間を封止した封止材、例えばエポキシ樹脂である。
【００１９】
上記非共晶組成のヒューズエレメントには、例えば、Ｉｎ：４８．０％，Ｓｎ：４５．０％，Ｂｉ：７．０％の合金組成を使用できる。この合金組成の固相線温度は１０６℃、液相線温度は１２２℃であり、外部温度の上昇でヒューズエレメントが固相線温度を越えて加熱されるとヒューズエレメントの融解が開始され、液相に粒状固相体が混在した状態となる。この固液共存体が鍔前面を濡れ拡がっていく間、液相の濡れ拡がりに較べ粒状固相が濡れ拡がり難いために、固液分離が生じて粒状固相が鍔前面中央側に留められようとし、その留り量は溶融合金の濡れ拡がりが大きくなるほど増加するが、本発明に係る温度ヒューズでは、ヒューズエレメント端が溶接されたリード導体先端鍔の鍔縁端の外回り角が２７０°以上の大きな角度とされているから、その鍔縁端を越えての濡れ拡がりをよく阻止でき、その固液分離を充分に防止できる。而して、鍔無しで角の外回り角が２７０°の場合の濡れ拡がりに対して０．６〜０．９、好ましくは０．６〜０．８の濡れ拡がり率とするように、鍔径及び前記外回り角を設定することにより、即述した本発明の効果を期待できる。
【実施例】
【００２０】
使用した温度ヒューズは図１に示す構成であり、基板１にセラミックス板を使用し、電極２，２はＡｇペーストの印刷焼付けにより設け、電極間間隔は２ｍｍとした。この各電極に前端から０．８ｍｍの位置に長さ１．２ｍｍ、巾０．３ｍｍの横向きスロット５２を形成し、横間隔１．２ｍｍで巾０．３ｍｍ、長さ１．２ｍｍの２本の縦向きガラス焼付け帯５１，５１を設け、合金組成Ｉｎ：４８．０％，Ｓｎ：４５．０％，Ｂｉ：７．０％の５００μｍφヒューズエレメント３を溶接により接続した。ケース７にはセラミックスケースを使用し、充填材８には常温硬化エポキシ樹脂を使用した。
【００２１】
〔比較例１〕
実施例に対し横向きスロット５２及び２本の縦向きガラス焼付け帯５１，５１を省略した以外実施例に同じとした。
〔比較例２〕
実施例に対し２本の縦向きガラス焼付け帯５１，５１を省略した以外実施例に同じとした。
【００２２】
これらの実施例及び比較例につき各試料数ｎ＝６０として、外部温度を１℃／１分の速度で上昇させてヒューズエレメントが分断するときの外部温度を測定したところ、比較例１では５℃のバラツキであり、比較例２では３℃のバラツキであったが、実施例品では１．５℃以下のバラツキに減少できた。  また、実施例及び比較例１において、分断直前のヒューズエレメント中央部を取り出し、ＤＳＣ分析したところ、実施例のもののＤＳＣでは前記合金組成Ｉｎ：４８．０％，Ｓｎ：４５．０％，Ｂｉ：７．０％（Ａ合金）のＤＳＣとの差が僅小であったが、図４に示すとおり、比較例１のＤＳＣは大きく変化し（点線曲線が比較例のＤＳＣ、実線曲線がＡ合金のＤＳＣ）、固相線温度が６．１℃上昇し、液相線温度が３５℃上昇していた。また、実施例及び比較例１〜２において、分断後の電極上の合金濡れ面積を測定したところ、比較例２は比較例１の９２％(平均値)、実施例は比較例１の７０％(平均値)であった。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る保護素子の一実施例を示す図面である。
【図２】本発明に係る保護素子の上記とは別の実施例を示す図面である。
【図３−１】本発明に係る保護素子の上記とは別の実施例を示す図面である。
【図３−２】本発明に係る保護素子の上記とは別の実施例を示す図面である。
【図４】本発明に係る保護素子の上記とは別の実施例を示す図面である。
【図５】Ｉｎ−Ｓｎ合金の状態図である。
【図６】比較例でのヒューズエレメントの溶融中の固液分離による組成の変化を示すＤＳＣ図である。
【符号の説明】
【００２４】
１          基板
２          電極
３          ヒューズエレメント
４          フラックス
５１〜５２  濡れ拡がりストッパー
【図１】
2007294117.tif 000003
【図２】
2007294117.tif 000004
【図３−１】
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【図３−２】
2007294117.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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