(57)【要約】【課題】  所定領域内における膜厚分布の均一性が良好なパターン配線、およびその形成方法、並びに、当該パターン配線を備える電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】  下層バンク１０で区画された区画領域内に、機能液５０を充填し、乾燥工程を経て成膜を行う。主配線部領域４０と電極部領域４１との接続領域４２は、電極部領域４１の幅よりも狭く形成されており、この接続領域４２における毛細管現象によって、電極部領域４１内における機能液５０の液位が均一化される。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域と前記第１領域と接続する第２領域とを含んでなるパターンで、バンクで区画された区画領域内に形成されたパターン配線であって、
前記第１領域と前記第２領域との接続領域が、当該第２領域よりも実質的に狭い幅とされていることを特徴とするパターン配線。
【請求項２】
前記第２領域を挟んで前記接続領域と対向する位置に、前記接続領域と略同幅の付加領域を有することを特徴とする請求項１に記載のパターン配線。
【請求項３】
請求項１または２に記載のパターン配線を備える電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置を備える電子機器。
【請求項５】
第１領域と前記第１領域と接続する第２領域とを含んでなるパターンを有するパターン配線の形成方法であって、
前記パターンに対応する区画領域をバンクで形成する区画工程と、
前記区画領域内に機能液を充填する充填工程と、
前記区画領域内に充填された機能液を膜化させる膜化工程と、を有し、
前記区画工程において、前記第１領域と前記第２領域との接続領域に係る区画領域が、前記第２領域よりも実質的に狭い幅とされていることを特徴とするパターン配線の形成方法。
【請求項６】
前記充填工程は、液滴吐出法により行われることを特徴とする請求項５に記載のパターン配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン配線およびその形成方法、並びに電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気回路におけるパターン配線の形成において、液滴吐出法（インクジェット法）を用いた成膜技術が利用されるようになってきている。この成膜技術は、機能性材料を含んだ液状体（機能液）をインクジェットプリンタのような描画装置を用いて基板上にパターン配置し、当該配置された機能液を乾燥等させて膜化するものであり、プロセスが簡単であるなど大変有効であるとされている。例えば、特許文献１には、ＴＦＴアレイのパターン配線について、液滴吐出法を用いて形成する例が開示されている。
【０００３】
特許文献１では、主配線部と電極部とを含むパターン配線（ゲート配線）の形成にあたり、図１３に示すように、バンク３０１（ハッチング領域で図示）で区画領域３０２，３０３をあらかじめ形成しておき、液滴吐出法を用いて当該区画領域３０２，３０３内に機能液の充填を行うという方法を採用している。この方法によれば、描画装置だけではパターニング制御が困難な微細な配線であっても、高精度にパターニングを行うことが可能である。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１２１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の方法でパターン配線を形成する場合、電極部内における膜厚分布を均一化することが困難である。これは、機能液を充填する工程において、電極部に係る区画領域３０２内で、図のＹ軸方向に沿って液位の勾配が生じてしまうことが原因の一つとなっている。
【０００６】
このような機能液の勾配を生じさせる原因は、電極部に係る区画領域３０２の非対称性によるものと考えられる。すなわち、当該区画領域３０２は、一端側の領域３０２ａが開いた状態に、他端側の領域３０２ｂがバンク３０１で閉じられた状態になっているため、バンク内壁３０１ａとの濡れの作用に関して当該領域３０２内でアンバランスが生じ、液位の勾配が発生するものである。
【０００７】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、所定領域内における膜厚分布の均一性が良好なパターン配線、およびその形成方法、並びに、当該パターン配線を備える電気光学装置、電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、第１領域と前記第１領域と接続する第２領域とを含んでなるパターンで、バンクで区画された区画領域内に形成されたパターン配線であって、前記第１領域と前記第２領域との接続領域が、当該第２領域よりも実質的に狭い幅とされていることを特徴とする。
【０００９】
この発明のパターン配線は、第１領域と第２領域との接続領域が第２領域よりも狭い幅となるように形成されている。このような接続領域に係る区画領域は、第１領域と第２領域に係る区画領域を接続する流路としての役割を果たしながら、毛細管現象により濡れの作用に関して擬似的に区画の境界と同様の働きをなす。これにより、当該区画領域内における濡れの作用のバランスが均一化され、当該区画領域内に機能液を充填して成膜を行う場合において、第２領域内における膜厚分布が好適に均一化される。
【００１０】
また好ましくは、前記機能性膜において、前記第２領域を挟んで前記接続領域と対向する位置に、前記接続領域と略同幅の付加領域を有することを特徴とする。
この発明のパターン配線は、第２領域の他端側に一端側の接続領域と略同幅の付加領域を備えているため、第２領域に係る区画領域の形状の対称性が良い。このため、当該区画領域内に機能液を充填して成膜を行う場合において、第２領域内における膜厚分布が好適に均一化される。
【００１１】
本発明の電気光学装置は、前記パターン配線を備えることを特徴とする。
この発明の電気光学装置は、第２領域における膜厚分布の均一性が良好な上記パターン配線を備えているので、高品質である。
【００１２】
本発明の電子機器は、前記電気光学装置を備えることを特徴とする。
この発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えているので、高品質である。
【００１３】
本発明は、第１領域と前記第１領域と接続する第２領域とを含んでなるパターンを有するパターン配線の形成方法であって、前記パターンに対応する区画領域をバンクで形成する区画工程と、前記区画領域内に機能液を充填する充填工程と、前記区画領域内に充填された機能液を膜化させる膜化工程と、を有し、前記区画工程において、前記第１領域と前記第２領域との接続領域に係る区画領域が、前記第２領域よりも実質的に狭い幅とされていることを特徴とする。
【００１４】
この発明のパターン配線の形成方法では、第１領域と第２領域との接続領域に係る区画領域が、第２領域よりも実質的に狭い幅で形成されている。このような接続領域に係る区画領域は、第１領域と第２領域に係る区画領域を接続する流路としての役割を果たしながら、毛細管現象により濡れの作用に関して擬似的に区画の境界と同様の働きをなす。これにより、当該区画領域内における濡れの作用のバランスが均一化され、当該区画領域内に機能液を充填して成膜を行うことで、第２領域内において膜厚分布のムラが少ないパターン配線を形成することができる。
【００１５】
また好ましくは、前記成膜方法において、前記充填工程は、液滴吐出法により行われることを特徴とする。
この発明のパターン配線の形成方法によれば、液滴吐出法を用いて、簡単なプロセスで上記パターン配線を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。また、以下の説明で参照する図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものとは異なるように表している。
【００１７】
（電気光学装置）
まずは、図１、図２、図３を参照して、本発明に係る電気光学装置について、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬとする）表示装置を例に説明する。図１は、有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す断面図である。図２は、駆動回路部の要部構成を示す平面図である。図３は、ＴＦＴ素子およびその周辺構造を示す図２のＡ−Ａ断面図である。
【００１８】
図１に示すように、電気光学装置１００は、素子基板２と、素子基板２上に形成された駆動回路部１０１と、駆動回路部１０１上に形成された発光素子部１０２と、素子基板２と対向して駆動回路部１０１および発光素子部１０２を封止するための封止基板１０３と、を備えている。素子基板２には、透過性を有するガラス基板が好適に用いられる。また、封止基板１０３によって封止された封止空間１０４には、不活性ガスが充填されている。
【００１９】
発光素子部１０２は、バンク１２０で区画された複数の区画領域を有しており、当該区画領域内に形成された発光素子１２１の個々が、画像を形成するための階調要素を構成している。バンク１２０は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などを用いて形成された区画構造体であり、基板面法線方向（図の上下方向）から見たときに、上記区画領域が所定の配列をなすようにパターン形成されている。また、バンク１２０と駆動回路部１０１との間には、階調要素間の干渉を防ぐための遮光膜１２５が、クロムやその酸化物等で形成されている。
【００２０】
発光素子１２１は、駆動回路部１０１の出力端子であるセグメント電極（陽極）７と、共通電極（陰極）１２４との間に、正孔輸送膜１２２と有機ＥＬ膜１２３とが積層されて構成されている。
【００２１】
セグメント電極７には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの光透過性の導電材料が、共通電極１２４には、カルシウム金属層とそれを保護する銀−マグネシウム合金層の三層膜などが用いられている。正孔輸送膜１２２は、有機ＥＬ膜１２３に正孔を注入するための役割を果たしており、ポリチオフェン誘導体のドーピング体（以下、ＰＥＤＯＴとする）などの高分子導電体で形成されている。有機ＥＬ膜１２３には、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の有機ＥＬ材料、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体などが用いられている。
【００２２】
上述の構成において、駆動回路部１０１を介した駆動制御によりセグメント電極７と共通電極１２４との間に電圧が印加されると、正孔輸送膜１２２から有機ＥＬ膜１２３に正孔が注入され、当該正孔が共通電極１２４側からの電子と結合して発光する。この発光は正孔輸送膜１２２と有機ＥＬ膜１２３の界面付近で発生する。
【００２３】
尚、図１に示す発光素子１２１の構成に加えて、有機ＥＬ膜１２３とセグメント電極７との間に、オキサジアゾール誘導体等から成る電子輸送膜を備えるようにしてもよい。この電子輸送膜は、有機ＥＬ膜１２３に電子を注入するためのものである。
【００２４】
図２に示すように、駆動回路部１０１は、平面構造的には、素子基板２（図１参照）上にマトリクス状に配されたパターン配線としてのゲート配線３およびソース配線４と、両配線３，４の交差領域付近に形成されたＴＦＴ素子１と、を備えている。
【００２５】
ゲート配線３は、Ｘ軸方向に伸長する第１領域としての主配線部３ａと、主配線部３ａと直交して袋小路に形成された第２領域としてのゲート電極部３ｂと、を備えている。主配線部３ａは、ソース配線４と交差する領域がくびれて形成されており、これは、当該交差領域に発生する配線間容量を小さく抑えるための措置である。また、主配線部３ａとゲート電極部３ｂとの接続領域３ｃは、ゲート電極部３ｂよりも狭い幅とされている。
【００２６】
ソース配線４は、ゲート配線３と直交してＹ軸方向に伸長する主配線部４ａと、主配線部４ａと直交して袋小路状に形成されたソース電極部４ｂと、を備えている。主配線部４ａは、ゲート配線３と交差する領域がくびれて形成されており、これは、当該交差領域に発生する配線間容量を小さく抑えるための措置である。
【００２７】
ＴＦＴ素子１は、シリコン膜５と、ゲート電極部３ｂと、ソース電極部４ｂと、ドレイン電極６とを備えている。ドレイン電極６は、スルーホール１７（図３参照）を介して上述したセグメント電極７と接続されており、この構成において、ゲート配線３に走査信号が、ソース配線４に階調信号が供給されて、セグメント電極７についての供給電圧制御が行われる。
【００２８】
図３に示すように、駆動回路部１０１は、断面構造的には、素子基板２の表面に形成された下層バンク１０と、下層バンク１０で区画された区画領域内に形成されたゲート配線３と、ゲート配線３を被覆する絶縁層１１と、を備えている。下層バンク１０は、上述したバンク１２０（図１参照）と同様の手法で形成される。また、絶縁層１１は、ＣＶＤ法などを用いて窒化シリコン等で形成されている。
【００２９】
ゲート配線３は、図示するように三層膜となっており、最下層がＭｎ、中間層がＡｇ、最上層がＮｉで形成されている。ここで、最下層（Ｍｎ層）は素子基板２の表面との密着性向上のための下地層としての、中間層（Ａｇ層）は導電層としての、最上層（Ｎｉ層）は、絶縁層１１との界面拡散を抑えるためのバリア層としての役割を、それぞれ担うものである。これらの各層は、液滴吐出法を用いて下層から順番に形成される。
【００３０】
駆動回路部１０１は、絶縁層１１上に、上層バンク１６と、ソース配線４と、ドレイン電極６と、絶縁層１１を介してゲート電極部３ｂと対向するシリコン膜５と、ソース配線４およびドレイン電極６を被覆する絶縁層１５と、ドレイン電極６から絶縁層１５の上面までを貫通するスルーホール１７と、を備えている。
【００３１】
シリコン膜５は、アモルファスシリコンからなるチャネル層１２と、平面視方向において所定の間隙を介して対向するｎ＋型アモルファスシリコンからなる接合層１３，１３と、を備えている。そして、接合層１３，１３には、ソース電極部４ｂ、ドレイン電極６がそれぞれ接続されている。
【００３２】
ソース配線４およびドレイン電極６は、図示するように三層膜となっており、最下層および最上層がＮｉ、中間層がＡｇで形成されている。ここで、中間層（Ａｇ層）は導電層としての、最下層ないし最上層（Ｎｉ層）は絶縁層１１，１５との界面拡散を抑えるためのバリア層としての役割を、それぞれ担うものである。
【００３３】
シリコン膜５は、絶縁層１１上に、ＣＶＤ法とフォトリソグラフィ法を用いて形成される。ソース配線４およびドレイン電極６は、上層バンク１６およびチャネルバンク１４で区画された区画領域内に、液滴吐出法を用いて形成される。尚、チャネルバンク１４は、接合層１３，１３間の間隙領域に一時的に形成されるバンクであって、後に除去される。
【００３４】
（液滴吐出装置）
次に、図４を参照して、液滴吐出法において用いる液滴吐出装置について説明する。図４は、液滴吐出装置の構成の一例を示す模式図である。
【００３５】
図４において、液滴吐出装置２００は、一面に複数のノズル２１２を配した吐出ヘッド２０１と、吐出ヘッド２０１と対向する位置に基板２０２を載置するための載置台２０３とを備えている。また、吐出ヘッド２０１を、基板２０２との距離を保ったまま縦横に移動（走査）させる走査手段２０４と、吐出ヘッド２０１に機能液を供給する機能液供給手段２０５と、吐出ヘッド２０１の吐出制御を行う吐出制御手段２０６と、を備えている。
【００３６】
吐出ヘッド２０１には、複数に枝分かれした微細な流路が形成されており、当該流路の端部は、圧力室（キャビティ）２１１、ノズル２１２となっている。圧力室２１１の外郭の一面は、圧電素子２１０によって変形可能となっており、吐出制御手段２０６からの駆動信号によって圧力室２１１内に圧力を発生させることで、ノズル２１２から液滴２１３が吐出される。尚、吐出技術としては、この例のような電気機械方式の他に、電気信号を熱に変換して圧力を発生させるいわゆるサーマル方式などもある。
【００３７】
上述の構成において、吐出ヘッド２０１の走査と同期したノズル２１２毎の吐出制御を行うことにより、基板２０２上に所望のパターンで機能液を配置することが可能となっている。尚、液滴吐出装置２００は、一走査中において複数種の機能液を吐出可能なように構成することもできる。
【００３８】
（ゲート配線の形成方法）
次に、図３、図５、図６、図７、図８を参照してゲート配線の形成方法について説明する。図５は、ゲート配線の形成工程を示すフローチャートである。図６は、ゲート配線の形成工程の一過程を示す平面図である。図７は、ゲート配線の形成工程の一過程を示す平面図である。図８は、図７（ｄ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００３９】
まずは、ゲート配線３を形成するための機能液として、導電性材料を微粒子化して分散媒中に分散させたもの、本実施形態では、ゲート配線３の各層に対応して、Ｍｎ，Ａｇ，Ｎｉの各分散液が用意される。これらの材料の微粒子は、分散性を向上させるためその表面に有機物（クエン酸など）をコーティングして用いることもできる。
【００４０】
機能液を構成する分散媒は、上述の微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。具体的には、水の他に、メタノール、エタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、トルエンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル系化合物、更にプロピレンカーボネート、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの極性化合物を挙げることができる。これらは、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用することができる。
【００４１】
また、機能液は、液滴吐出装置２００（図４参照）における吐出特性や目詰まり性、分散の安定性、吐出後における基板上での動的特性や乾燥速度などに鑑みて、分散媒の蒸気圧、分散質濃度、表面張力、粘度、比重などについて適切な調整がされている。このため、機能液には、界面活性剤や保湿剤、粘度調整剤などを添加することができる。
【００４２】
ゲート配線３は、素子基板２上に下層バンク１０を形成して所定の区画領域を設け（図５の区画工程Ｓ１〜Ｓ４）、当該区画領域内への機能液を充填（図５の工程Ｓ５，Ｓ７，Ｓ９）し、乾燥（焼成）により当該機能液を膜化させて（図５の工程Ｓ６，Ｓ８，Ｓ１０）得られる。以下、それぞれの工程について詳細に説明する。
【００４３】
工程Ｓ１では、下層バンク１０の基礎となるレジスト層を、スピンコート法等を用いて素子基板２上の全面に形成し、所定のパターンのマスクを用いて露光処理を行う。
【００４４】
工程Ｓ２では、上記レジスト層の表面に対して、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）プラズマ処理などにより撥液化処理を行う。この処理により、レジスト層の表面にフッ素基が導入され、当該表面は撥液性を有するようになる。
【００４５】
工程Ｓ３では、エッチングによりレジスト層の所定領域（上記露光処理におけるマスクパターンに対応する領域）を除去し、図６（ａ）に示すような下層バンク１０（ハッチング領域で図示）を形成する。下層バンク１０によって区画された区画領域は、図示するように、主配線部３ａ（図２参照）に対応する主配線部領域４０と、ゲート電極部３ｂ（図２参照）に対応する電極部領域４１と、主配線部領域４０と電極部領域４１との接続領域４２とから構成されている。また、主配線部領域４０は、比較的幅の広い幅広領域４０ａと、ソース配線４（図２参照）との交差領域において幅が狭められた幅狭領域４０ｂとから構成されている。
【００４６】
本実施形態においては、幅広領域４０ａは幅２５μｍの矩形領域、電極部領域４１は幅１０μｍの矩形領域とされている。また、接続領域４２は、幅５μｍ×長さ５μｍの正方領域とされている。
【００４７】
工程Ｓ４では、素子基板２（図２参照）の上面側に対して、紫外線照射処理や酸素プラズマ処理などによる清浄化処理を行う。この清浄化処理によって、工程Ｓ３で除去できなかったレジスト層の残渣が除去され、区画領域内において露出された基板表面や下層バンク１０の内壁面が親液化される。
【００４８】
充填工程Ｓ５では、図６（ｂ）に示すように、液滴吐出法により、幅広領域４０ａに液滴状態の機能液５０を所定間隔で滴下する。このとき、区画領域を外れて下層バンク１０の上面に滴下された機能液５０は、当該上面の撥液性によって区画領域内に誘導される。また、幅広領域４０ａに滴下された機能液５０は、図７（ｃ）に示すように、幅狭領域４０ｂ、接続領域４２、電極部領域４１の各領域に濡れ広がり、さらに図７（ｄ）に示すように区画領域全体に充填される。
【００４９】
図８に示すように、電極部領域４１内における機能液５０の液面５１は、接続領域４２付近における一端側領域４１ａや、バンク内壁面１０ａとの境界における他端側領域４１ｂにおいて、やや高くなっている。他端側領域４１ｂにおいて液面５１が高くなっているのは、バンク内壁面１０ａとの濡れによるためであり、また、一端側領域４１ａにおいて液面５１が高くなっているのは、バンク内壁面１０ｂ，１０ｃとの濡れによるためである。
【００５０】
図８に仮想線で示すのは、従来技術に係る機能液５０の液面の状態である。接続領域４２の幅が電極部領域４１と同幅とされている従来技術においては、バンク内壁面との濡れの影響が接続領域４２近傍において十分に及ばず、図示するような傾いた液面の状態となる。
【００５１】
上述の説明からわかるように、本実施形態にあっては、バンク内壁面１０ｂ，１０ｃとの濡れ現象（毛細管現象）によって、接続領域４２が擬似的に区画の境界と同様の働きをなし、一端側領域４１ａから他端側領域４１ｂにかけての液面５１の液位バランスが好適に平衡化される。かくして、次の工程Ｓ６を経て、電極部領域４１内で膜厚が好適に均一化された膜を得ることができる。
【００５２】
膜化工程Ｓ６では、乾燥処理により機能液５０中の揮発成分を除去し、区画領域内の機能液５０を膜化させる。乾燥処理は、ホットプレート等による加熱処理や、減圧乾燥処理によるものの他、ランプアニールよっても行うことができる。
【００５３】
充填工程Ｓ７、膜化工程Ｓ８によるゲート配線３の中間層（Ａｇ層）の形成、充填工程Ｓ９、膜化工程Ｓ１０によるゲート配線３の最上層（Ｎｉ層）の形成は、上述した充填工程Ｓ５、膜化工程Ｓ６と同様の手順で行われる。尚、膜化工程Ｓ１０は、Ｍｎ，Ａｇ，Ｎｉの各微粒子間の電気的接触を良くするために残留する揮発成分を完全に除去する必要があるため、高温での焼成処理によって行われる。
【００５４】
かくして、上述の工程Ｓ１〜Ｓ１０を経て形成されたゲート配線３は、ゲート電極部３ｂに係る膜厚の均一性が良好であり、また、このようなゲート配線３を備えるＴＦＴ素子１は、優れた動作特性を示す。さらに、このようなＴＦＴ素子１を備える電気光学装置１００（図１参照）は、優れた表示特性を示す。
【００５５】
（電子機器）
次に、図９を参照して、電子機器の具体例を説明する。図９は、電子機器の一例を示す概略斜視図である。
【００５６】
図９に示す電子機器としての携帯型情報処理装置７００は、キーボード７０１と、本体部７０３と、表示部７０２と、を備えている。このような携帯型情報処理装置７００のより具体的な例は、ワープロ、パソコンである。この携帯型情報処理装置７００は、表示部７０２として上記の電気光学装置１００（図１参照）を備えており、高性能である。
【００５７】
（変形例１）
次に、図１０を参照して、本発明の変形例１について、先の実施形態との相違点を中心に説明する。図１０は、変形例１に係る区画領域を示す平面図である。
【００５８】
変形例１におけるゲート配線に係る区画領域は、主配線部領域４０と、電極部領域４１と、接続領域４２と、付加領域４３と、から構成されている。付加領域４３は、電極部領域４１を挟んで接続領域４２と対向する位置に形成された、当該接続領域４２と同幅の区画領域である。このような付加領域４３を設けることにより、電極部領域４１に係る区画領域形状の対称性が良くなるので、機能液が充填された際の液位の均一性をさらに向上させることができる。
【００５９】
（変形例２）
次に、図１１を参照して、本発明の変形例２について、先の実施形態との相違点を中心に説明する。図１１は、変形例２に係る区画領域を示す平面図である。
図示するように、変形例２に係る接続領域４４は、平面視方向でＬ字状に屈曲して形成されており、電極部領域４１の長辺側において接続されている。
【００６０】
（変形例３）
次に、図１２を参照して、本発明の変形例３について、先の実施形態との相違点を中心に説明する。図１２は、変形例３に係る区画領域を示す平面図である。
図示するように、変形例３に係る接続領域４５は幅が一様ではなく、平面視方向でＶ字状にされたバンク内壁を有している。
【００６１】
変形例２や変形例３のように、接続領域に係る形状や位置は、本発明の趣旨を変えない範囲で自由な変更が可能である。
【００６２】
本発明は上述の実施形態に限定されない。
例えば、ソース配線４について、主配線部４ａとソース電極部４ｂとの接続領域をソース電極部４ｂよりも実質的に狭い幅とすることで、上述のゲート配線３の場合と同様の効果を得ることができる。
また、各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略したり、図示しない他の構成と組み合わせたりすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す断面図。
【図２】駆動回路部の要部構成を示す平面図。
【図３】ＴＦＴ素子およびその周辺構造を示す図２のＡ−Ａ断面図。
【図４】液滴吐出装置の構成の一例を示す模式図。
【図５】ゲート配線の形成工程を示すフローチャート。
【図６】ゲート配線の形成工程の一過程を示す平面図。
【図７】ゲート配線の形成工程の一過程を示す平面図。
【図８】図７（ｄ）のＢ−Ｂ断面図。
【図９】電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図１０】変形例１に係る区画領域を示す平面図。
【図１１】変形例２に係る区画領域を示す平面図。
【図１２】変形例３に係る区画領域を示す平面図。
【図１３】従来技術におけるパターン配線の区画領域を示す平面図。
【符号の説明】
【００６４】
１…ＴＦＴ素子、２…素子基板、３…パターン配線としてのゲート配線、３ａ…第１領域としての主配線部、３ｂ…第２領域としてのゲート電極部、３ｃ…接続領域、４…パターン配線としてのソース配線、４ａ…主配線部、４ｂ…ソース電極部、５…シリコン膜、６…ドレイン電極、７…セグメント電極、１０…下層バンク、１０ａ〜１０ｃ…バンク内壁面、１１…絶縁層、１２…チャネル層、１３…接合層、１４…チャネルバンク、１５…絶縁層、１６…上層バンク、１７…スルーホール、４０…主配線部領域、４０ａ…幅広領域、４０ｂ…幅狭領域、４１…電極部領域、４１ａ…一端側領域、４１ｂ…他端側領域、４２…接続領域、４３…付加領域、４４…接続領域、４５…接続領域、５０…機能液、５１…液面、１００…電気光学装置、１０１…駆動回路部、１０２…発光素子部、１０３…封止基板、１０４…封止空間、１２０…バンク、１２１…発光素子、１２２…正孔輸送膜、１２３…有機ＥＬ膜、１２４…共通電極、１２５…遮光膜、７００…携帯型情報処理装置、７０１…キーボード、７０２…表示部、７０３…本体部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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