(57)【要約】【課題】基板領域よりも低温の放電用電極部への処理ガス成分の付着量を低減する。【解決手段】複数の基板をそれぞれ間隔を開けて積層した状態で収容する処理室２０１と、処理室外に設けられ処理室内に収容される複数の基板を加熱する加熱手段と、処理室２０１内に設けられたバッファ室２５７と、バッファ室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、バッファ室２５７外からバッファ室内に挿入されて、バッファ室内に供給された処理ガスを励起する放電用電極２７０と、バッファ室２５７に設けられ複数の基板に向けてガスプラズマを噴出する複数のガス噴出口２４８ａとを備える。バッファ室２５７を加熱手段による加熱が及ぶ処理室２０１内の加熱領域２０１Ａに設けて、バッファ室２５７外からバッファ室内に挿入される放電用電極２７０のうちの加熱手段による加熱が及ばない放電用電極部をバッファ室外に出す。【選択図】  図１
2007142120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板をそれぞれ間隔を開けて積層した状態で収容する処理室と、
前記処理室外に設けられ前記処理室内に収容される前記複数の基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室内に設けられたバッファ室と、
前記バッファ室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記バッファ室外からバッファ室内に挿入されて、前記バッファ室内に供給された前記処理ガスを励起する放電用電極と、
前記バッファ室に設けられ前記複数の基板に向けて前記ガスプラズマを噴出する複数のガス噴出口と、
を備え、
前記バッファ室を前記加熱手段による加熱が及ぶ前記処理室内の加熱領域に設けて、前記バッファ室外からバッファ室内に挿入される上記放電用電極のうちの前記加熱手段による加熱が及ばない放電用電極部をバッファ室外に出したことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に係り、特に放電用電極を用いてガスプラズマを生成して基板を処理するものに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、放電用電極を用いてガスプラズマを生成し、このガスプラズマにより基板を処理する基板処理装置が知られている（例えば特許文献１参照）。図７に、そのような従来の基板処理装置を示す。反応管２０３内にバッファ室２４７が設けられ、このバッファ室２４７内に電極保護管２７５に保護された放電用電極２７０が挿入されている。処理室２０１内にボート２１７に積載した複数のウェハ２００が挿入され、ヒータ２０７で加熱される。処理ガスがバッファ室２４７に供給されると、放電用電極２７０により放電が起こり、ガスプラズマが生成される。このガスプラズマがバッファ室２４７に設けたガス噴出口からウェハに向かって噴出されてウェハ２００を処理する。このような処理例として、ＰＨ3ガスをプラズマ励起してウェハにリン（Ｐ）を拡散させるプロセスがある。
【０００３】
この装置では、放電をバッファ室２４７内に限定させるため、放電用電極２７０が、反応管２０３内に挿入されたところからバッファ室２５７内部に入っている構造を採用している。
【特許文献１】特開２００２−２８０３７８号公報（図６、図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記バッファ室のガス噴出口は小さく絞られているため、バッファ室内部は、ウェハが存在する処理室よりも高圧になっており、ＰＨ3などの処理ガスの分解が激しく起こる。このため、従来のように、反応管内に挿入されたところから放電用電極がバッファ室内部に入っている構造では、バッファ室下部で次のような問題が生じていた。
バッファ室の下部は、加熱手段による加熱が及ばない領域に存在するので温度が低い。またバッファ室の下部にはガス噴出口が開けられていないことから、処理ガスが淀みやすくなっている。これらの理由から、バッファ室の下部に配置される放電用電極部には、リン化合物などの処理ガス成分が多く付着してパーティクル源となっていた。
また、ＮＦ3ガスなどによるガスクリーニングで、放電用電極部に付着した処理ガス成分を除去しようとしても、放電用電極部は低温であるため、付着した処理ガス成分を有効に除去することが困難であった。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、低温の放電用電極への処理ガス成分の付着を低減することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１の発明は、複数の基板をそれぞれ間隔を開けて積層した状態で収容する処理室と、前記処理室外に設けられ前記処理室内に収容される前記複数の基板を加熱する加熱手段と、前記処理室内に設けられたバッファ室と、前記バッファ室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記バッファ室外からバッファ室内に挿入されて、前記バッファ室内に供給された前記処理ガスを励起する放電用電極と、前記バッファ室に設けられ、前記複数の基板に向けて前記ガスプラズマを噴出する複数のガス噴出口と、を備え、前記バッファ室を前記加熱手段による加熱が及ぶ前記処理室内の加熱領域に設けて、前記バッファ室外からバッファ室内に挿入される上記放電用電極のうちの前記加熱手段による加熱が及ばない放電用電極部をバッファ室外に出した基板処理装置である。
加熱領域外に存在する放電用電極部は低温であるため、当該放電用電極部が処理室内よりも高圧のバッファ室内に存在すると、当該放電用電極部への処理ガス成分が付着しやすくなるが、本発明によれば、処理室内の加熱領域外に存在する低温の放電用電極部をバッファ室外に出したので、当該放電用電極部はバッファ室内の高圧のガスプラズマにさらされることがなく、当該放電用電極部へのガス成分化合物の付着量を低減することができる。
【０００６】
第２の発明は、第１の発明において、前記バッファ室に、前記加熱領域外に存在する前記放電用電極部を囲む遮蔽板を設けた基板処理装置である。
基板処理を行う場合に、特にバッファ室外に出ている放電用電極部での放電領域が広がり、複数の基板のうち、一部の基板に処理の不均一が生じるという問題が生じやすいが、本発明によれば、放電用電極部を囲む遮蔽板を設けたことにより放電領域が抑制されるので、このような問題を解決できる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、低温の放電用電極への処理ガス成分の付着を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程の一工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。図６は、本発明に適用される処理装置の斜透視図として示されている。
【０００９】
図６に示されているように、シリコン等からなるウェハ（基板）２００を収納したウェハキャリアとしてのカセット１１０が使用されている本発明の処理装置１０１は、筐体１１１を備えている。筐体１１１内側にはカセットステージ（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。カセット１１０はカセットステージ１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、カセットステージ１１４上から搬出されるようになっている。
【００１０】
カセットステージ１１４は、工程内搬送装置によって、カセット１１０内のウェハ２００が垂直姿勢となり、カセット１１０のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体１１１後方に右回り縦方向９０°回転し、カセット１１０内のウェハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウェハ出し入れ口が筐体１１１後方を向くように動作可能となるよう構成されている。
【００１１】
筐体１１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、カセット棚１０５は複数段複数列にて複数個のカセット１１０を保管するように構成されている。カセット棚１０５にはウェハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。
また、カセットステージ１１４の上方には予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にカセット１１０を保管するように構成されている。
【００１２】
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、カセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連続動作により、カセットステージ１１４、カセット棚１０５、予備カセット棚１０７との間で、カセット１１０を搬送するように構成されている。
【００１３】
カセット棚１０５の後方には、ウェハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウェハ移載機構１２５は、ウェハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウェハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ、およびウェハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウェハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂで構成されている。ウェハ移載装置エレベータ１２５ｂは、筐体１１１の右側端部に設置されている。これら、ウェハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウェハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウェハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウェハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウェハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１４】
筐体１１１の後部上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
処理炉２０２の下方にはボート２１７を処理炉２０２に昇降させる昇降機構としてのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設けられ、ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は複数本の支柱を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウェハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００１５】
図６に模式的に示されているように、ウェハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびボートエレベータ１１５側と反対側である筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４ｂが設置されており、クリーンユニット１３４ｂから吹き出されたクリーンエアは、ウェハ移載装置１２５ａ、ボート２１７を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気されるようになっている。
【００１６】
次に、本発明の処理装置の動作について説明する。
カセット１１０は、カセットステージ１１４の上にウェハ２００が垂直姿勢であって、カセット１１０のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、カセット１１０内のウェハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウェハ出し入れ口が筐体１１１後方を向けるように、筐体１１１後方に右周り縦方向９０°回転させられる。
【００１７】
次に、カセット１１０は、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へカセット搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７からカセット搬送装置１１８によって移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。
【００１８】
カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、ウェハ２００はカセット１１０からウェハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウェハ出し入れ口を通じてピックアップされ、移載室１２４の後方にあるボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウェハ２００を受け渡したウェハ移載装置１２５ａはカセット１１０に戻り、次のウェハ２００をボート２１７に装填する。
【００１９】
予め指定された枚数のウェハ２００がボート２１７にそれぞれ間隔を開けて積層した状態で装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、複数のウェハ２００をそれぞれ間隔を開けて積層したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
【００２０】
ローディング後は、処理炉２０２にてウェハ２００に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理が実施される。処理後は、上述の逆の手順で、ウェハ２００およびカセット１１０は筐体１１１の外部へ払い出される。
【００２１】
次に、図１及び図２を用いて上述した処理炉２０２の第１の実施の形態の構成を説明する。図１は縦型の処理炉２０２の概略縦断面図、図２は図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【００２２】
処理炉２０２は、上下に長い縦型の反応管２０３と、加熱手段としてのヒータ２０７とから構成される。
反応管２０３は、その下端開口が蓋体としてのシールキャップ２１９により気密に閉塞され、内部に処理室２０１が形成されるようになっている。処理室２０１内には複数の基板としてのウェハ２００が収容される。
【００２３】
ヒータ２０７は、反応管２０３の外周に設けられ、処理室２０１内の複数のウェハ２００を所定温度に加熱するようになっている。ヒータ２０７は、断熱材２０７ｂと、加熱源としてのヒータ素線２０７ａとから構成される。ヒータ素線２０７ａは、ウェハ２００が占有する処理室２０１内の基板領域に対応した反応管２０３の外周部に設けられる。ヒータ素線２０７ａにより加熱が及ぶ領域を加熱領域２０１Ａという。ヒータ素線２０７ａにより加熱が及ばない領域を加熱領域外２０１Ｂという。
【００２４】
シールキャップ２１９の上には、保温・断熱キャップ２１８を介して基板保持手段としてのボート２１７が立設され、保温・断熱キャップ２１８はボート２１７を保持する保持体となっている。ボート２１７は処理室２０１内に挿入される。ボート２１７には、バッチ処理される複数のウェハ２００がそれぞれ水平姿勢で管軸方向に間隔を開けて積層される。ボート２１７は上記の加熱領域２０１Ａに設けられ、保温・断熱キャップ２１８は上記の加熱領域外２０１Ｂに設けられる。
【００２５】
処理室２０１内にバッファ室２５７が設けられる。バッファ室２５７は、反応管２０３の内壁と、ボート２１７に積層されたウェハ２００に沿って設けられた隔壁２３７との間に断面セグメント状に設けられる。隔壁２３７は複数のウェハ２００と対向する凹面状の隔壁前部２３７ａと、隔壁前部２３７ａに連なり反応管２０３の内壁と接続される隔壁側部２３７ｂ、バッファ室２５７の上部を塞ぐ隔壁上部２３７ｃ、及びバッファ室２５７の下部を塞ぐ隔壁下部２３７ｄとから構成される。隔壁２３７のうち、複数のウェハ２００と対向する凹面状の隔壁前部２３７ａには、複数のウェハ２００に対応した複数のガス噴出口２４８ａが設けられる。
【００２６】
バッファ室２５７に処理ガスを供給するガス供給手段が設けられる。このガス供給手段は、バッファ室２５７内にガスを分散させるガスノズル２３３と、ガスノズル２３３に接続されるガス供給管２３２ａとから構成される。
【００２７】
バッファ室２５７内には、バッファ室２５７内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成手段が設けられる。このプラズマ生成手段は、一対の放電用電極２７０と、これらをそれぞれ保護する一対の電極保護管２７５とから構成される。
【００２８】
電極保護管２７５は、反応管２０３外から反応管２０３内に挿入されている。反応管２０３内に挿入された電極保護管２７５は、さらにバッファ室２５７外からバッファ室２５７内に挿入されている。この電極保護管２７５はバッファ室２５７によって完全に囲まれている電極保護管上部２７５ａと、バッファ室２５７に囲まれていない電極保護管下部２７５ｂとから構成される。電極保護管上部２７５ａは、バッファ室２５７内に上方に向かって直線状に設けられている。電極保護管下部２７５ｂは、電極保護管上部２７５ａに対して鈍角に折り曲げられて反応管２０３の下方から外部に傾斜して取り出されている。
【００２９】
上述した電極保護管２７５内に、長尺な放電用電極２７０がそれぞれ挿入されている。電極保護管上部２７５ａと電極保護管下部２７５ｂとの結合角度を鈍角にすることによって、長尺な放電用電極２７０の電極保護管２７５内への挿入を容易にしている。放電用電極２７０は、電極保護管上部２７５ａ、及び電極保護管下部２７５ｂに対応して放電用電極上部２７０ａ、及び放電用電極下部２７０ｂから構成される。放電用電極２７０に高周波電源が接続され、放電用電極２７０間での放電により電極保護管２７５間でプラズマＰが生成される。
【００３０】
このプラズマＰにより処理ガスを励起状態にして活性化し、これによって活性種を生成させ、生成された活性種をガス噴出口２４８ａから複数のウェハ２００に向けて噴出させる。少なくとも上述したバッファ室２５７、一対の放電用電極２７０、及び一対の電極保護管２７５から活性種を形成する活性化手段が構成される。
【００３１】
反応管２０３は、その下部に排気口２３５が設けられる。排気口２３５は、ガスを排気する排気管としてのガス排気管２３１を介して排気手段としての真空ポンプ２４６に接続され、処理室２０１内を真空排気されるようになっている。
【００３２】
上述した処理炉２０２において、本実施の形態では、電極保護管下部２７５ｂへの処理ガス成分の付着を防止するために、バッファ室２５７の下部（隔壁下部２３７ｄ）位置を上方にずらしている。この場合、バッファ室２５７の下部をヒータ素線２０７ａによる加熱が及ぶ処理室２０１内の加熱領域２０１Ａ内に移動することによって、バッファ室２５７の下部を上方にずらしている。上方にずらす位置は、例えば、バッファ室２５７の下部位置をヒータ素線２０７ａの下端部位置よりも上側に配置するのが好ましい。なお、バッファ室２５７の上部（隔壁上部２３７ｃ）は、下部と比べて余裕があるので、従来例と同じ位置とし、特にずらしていない。
【００３３】
このように、バッファ室２５７は、下部を含めた全体がヒータ２０７による加熱が及ぶ加熱領域２０１Ａ内に設けられる。これにより、バッファ室２５７外からバッファ室２５７内に導入される放電用電極２７０のうち、バッファ室２５７内に入る放電用電極上部２７０ａは、ヒータ２０７による加熱が及ぶ処理室２０１内の加熱領域２０１Ａに存在することになる。また、バッファ室２５７外に出ている放電用電極下部２７０ｂのみが、ヒータ２０７による加熱が及ばない処理室２０１内の加熱領域外２０１Ｂに存在することになる。
【００３４】
上記の反応管２０３、バッファ室２５７、電極保護管２７５は例えば石英で構成される。また、ボート２１７、保温・断熱キャップ２１８は例えば石英やＳｉＣで構成される。また、シールキャップ２１９は例えばステンレスやアルミニウムで構成される。
【００３５】
次に上述した処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程においてＭＯＳトランジスタのゲート電極や、抵抗、配線材料として用いられるシリコン膜の成膜後に、ｎ型不純物であるリン（Ｐ）を拡散して、比抵抗あるいはシート抵抗の制御を行う一工程を説明する。ここでは、ＰＨ3ガスをプラズマ励起してウェハ上のシリコン膜中にリン（Ｐ）を拡散させるプロセスを説明する。
【００３６】
複数のウェハ２００をそれぞれ間隔を開けて積層したボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されると、処理室２０１はガス排気管２３１に接続された真空ポンプ２４６によって所定の圧力以下に排気される。ヒータ２０７への供給電力が供給されることにより、処理室２０１の温度が所定の温度に上昇する。
【００３７】
処理室２０１の温度が予め設定された値、例えば６００〜７５０℃に達して安定した後に、所定のガスが処理室２０１内に供給され、圧力が予め設定された値、例えば１０００〜４０００Ｐａに達すると、一対の放電用電極２７０間には高周波電力が印加される。ＰＨ3ガスは、ガス供給手段であるガス供給管２３２ａからガスノズル２３３に供給され、ガスノズル２３３からバッファ室２５７内に導入される。このとき、キャリアガスとしてＡｒを同時に供給してもよい。ＰＨ3ガスがバッファ室２５７内に導入されると、放電用電極２７０間で放電が起こり、ＰＨ3プラズマがバッファ室２５７内で発生する。これにより励起したリン（Ｐ）を含む分子又はリン原子（以下、ＰＨ3ガスプラズマ）が、バッファ室２５７の各ガス噴出口２４８ａから処理室２０１内のボート２１７に積層した状態で収容されているウェハ２００に向かってそれぞれ噴出する。
【００３８】
ＰＨ3ガスプラズマは各ガス噴出口２４８ａからそれぞれ噴出することにより、それぞれが対向するウェハ２００間に流れ込んで各ウェハ２００上のシリコン膜中に拡散して導入される。このときのＰＨ3ガス流量は１０００〜５０００ｓｃｃｍ、ドーピング時間は２０〜５０ｍｉｎである。ウェハ２００に導入されなかったＰＨ3ガスプラズマを含むガスは反応管２０３の下部の排気口２３５より真空ポンプ２４６で引かれてガス排気管２３１から排出される。
【００３９】
上述したように第１の実施の形態では、バッファ室２５７の下部位置を上方にずらして、放電用電極下部２７０ｂを、バッファ室２５７内よりは低圧で、ガスが流れる処理室２０１内のバッファ室２５７外に存在するようにしている。したがって、放電用電極下部２７０ｂは高圧のバッファ室２５７内のＰＨ3の激しい分解反応下に曝されこともなく、放電用電極下部２７０ｂにガスの淀みも生じないので、放電用電極下部２７０ｂの温度が低くても、電極保護管下部２７５ｂにおけるリン化合物の付着量を大幅に低減することができ、電極保護管下部２７５ｂがパーティクル源となることを有効に防止できる。
【００４０】
ところで、バッファ室２５７の下部を上方にずらすと、放電用電極２７０間で起こる放電がバッファ室２４７内に限定されなくなるため、放電用電極下部２７０ｂのあるバッファ室２４７外でも放電が起こる。このため処理室２０１内における放電領域が広がり、放電用電極下部２７０ｂ近傍のボート２１７下部に装填されているウェハ２００の膜厚均一性に影響を与えることがある。
【００４１】
図５は、このようなバッファ室下部を上方にずらしたことによる影響を示す説明図で、（ａ）は膜厚（Thickness）特性図、（ｂ）はウェハ上の測定点（Measuring point）を示す。図において、ＴＯＰはボートに積載されたウェハのうちの最上部のウェハ膜データ、ＢＴＭはボートに積載されたウェハのうちの最下部のウェハ膜データである。ウェハ上の測定点＃１〜＃９のうち、＃１、＃４、＃６、＃９がウェハの外周測定点を示す。面内均一性はＴＯＰデータが１．６％であるのに対し、ＢＴＭでは６．９％である。ＴＯＰデータでは問題がないのに、ＢＴＭデータでは外周点＃１、＃６、＃９の膜厚が厚くなっているのがわかる。
【００４２】
そこで、バッファ室２５７下部を上方にずらした構成の処理炉を用いてＰＨ3プラズマドーピングを行う場合に、上述した実施の形態のボート下部領域のウェハの膜厚均一性を改善する必要が生じる。
【００４３】
図３及び図４はそのような改善を施した第２の実施の形態を示し、図３は処理炉の概略縦断面、図４は図３のＢ−Ｂ’線断面である。
【００４４】
第２の実施の形態では、バッファ室２５７に、加熱領域外２０１Ｂに存在する放電用電極下部２７０ｂを囲む遮蔽板２６０を設けている。遮蔽板２６０は、ウェハ２００と対向する凹面状の隔壁前部２３７ａ及び隔壁前部２３７ａに連なる隔壁側部２３７ｂの一部を、そのまま下方に延在させることにより構成されている。遮蔽板２６０で囲まれた空間は処理室２０１内に開いた空間であり、バッファ室２５７のように閉じた空間ではない。
【００４５】
遮蔽板２６０は、放電用電極下部２７０ｂによる処理室２１０内における放電領域の広がりを抑制することが可能な位置まで延在させる。遮蔽板２６０の下端は、例えば、放電用電極下部２７０ｂが反応管２０３外部に取り出される部位よりも下方であって、ガス排気管２３１が接続される排気口２３５よりも上方である。上記の遮蔽板２６０は、例えば石英やＳｉＣで構成される。
【００４６】
ウェハ２００にＰＨ3プラズマドーピングを行う場合に、放電用電極下部２７０ｂがバッファ室２５７外に出ていると、放電領域が広がり、積層した状態で処理室２０１内に収容されている複数のウェハ２００のうち、ＢＴＭを含む近傍にあるウェハ２００に処理の不均一が生じるという問題が生じるが、上述した第２の実施の形態によれば、放電領域の広がりを確実に抑制する遮蔽板２６０を設けたのでこのような問題を解決できる。
特に、隔壁前部２３７ａのみならず、隔壁前部２３７ａに連なる隔壁側部２３７ｂの一部も延在して、放電用電極下部２７０ｂを立体的に取り囲むようにしたので、単に隔壁前部２３７ａで平面的に覆うものと比べて、放電用電極下部２７０ｂでの放電領域をより確実に抑制することができる。
【００４７】
なお、上述した実施の形態では、一対の放電用電極をもつ場合について説明したが、本発明は、二対以上の放電用電極をもつ場合にも適用できる。また、一対の放電用電極のうち、２つとも放電用電極が処理室２０１内に配置されている場合について説明したが、一対の放電用電極のうち少なくとも１つの放電用電極が処理室内に配置されている場合にも適用できる。また、プラズマ生成手段の放電用電極などの主要部を反応管内部に設けた場合について説明したが、プラズマ生成手段を反応管外面に沿うように設けた場合でも、一対の放電用電極のうち少なくとも１つの放電用電極が処理室２０１内に配置されている場合には適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１の実施の形態における縦型の処理炉の概略縦断面である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】第２の実施の形態における縦型の処理炉の概略縦断面である。
【図４】図３のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図５】第１の実施の形態における処理炉を用いた膜厚特性図である。
【図６】実施の形態における処理装置の斜透視図である。
【図７】従来例の縦型の処理炉の概略縦断面である。
【符号の説明】
【００４９】
２００    ウェハ（基板）
２０１    処理室
２０７    ヒータ（加熱手段）
２４８ａ  ガス噴出口
２５７    バッファ室
２３２ａ  ガス供給管（ガス供給手段）
２３３    ガスノズル（ガス供給手段）
２７０    放電用電極
２７０ｂ    放電用電極下部（放電用電極部）
２０１Ａ  加熱領域
２０１Ｂ  加熱領域外
２７５ｂ  電極保護管下部
Ｐ      プラズマ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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