(57)【要約】【課題】  高精度な面形状を有する多層膜反射鏡を提供する。【解決手段】  基板４表面にＭｏを含む層とＳｉを含む層を交互に周期的に成膜した構造を有する多層膜６ａ，６ｂを備え、面内で除去量に分布を生じさせて前記多層膜６ａ，６ｂの表面近傍に設けられた低応力構造部分の多層膜６ｃを除去した多層膜反射鏡２において、前記低応力構造部分の多層膜６ｃが５０ＭＰａ以下の応力絶対値を有する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面にＭｏを含む層とＳｉを含む層を交互に周期的に成膜した構造を有する多層膜を備え、面内で除去量に分布を生じさせて前記多層膜の表面近傍に設けられた低応力構造部分の多層膜を除去した多層膜反射鏡において、
前記低応力構造部分の多層膜が５０ＭＰａ以下の応力絶対値を有することを特徴とする多層膜反射鏡。
【請求項２】
前記低応力構造部分の多層膜の成膜層数が１０ペア層以下であることを特徴とする請求項１記載の多層膜反射鏡。
【請求項３】
前記低応力構造部分の多層膜のΓ値が０．４５〜０．５５であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の多層膜反射鏡。
【請求項４】
前記低応力構造部分の多層膜の成膜構造がＭｏ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｓｉであることを特徴とする請求項１記載の多層膜反射鏡。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の多層膜反射鏡を光学系の少なくとも一部に備えることを特徴とする縮小投影露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板表面に多層膜を形成した多層膜反射鏡及び該多層膜反射鏡を備える縮小投影露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化の進展に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えて、これより短い波長（例えば１１〜１４ｎｍ程度）の極端紫外線を使用した投影露光装置が開発されている。（特許文献1参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３‐１４８９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の極端紫外線を使用した投影露光装置（ＥＵＶ露光装置）においては、極端紫外線が透過する物質が存在しないため、光学系は反射鏡によって構成される必要があるが、この波長域では物質の屈折率が１よりも僅かに小さいことによる全反射を利用した斜入射ミラーや、界面での微弱な反射光の位相を合わせて多数重畳させて、全体として高い反射率を得る多層膜ミラーなどが使用される。
【０００５】
ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射鏡は、波面収差に対して、形状誤差が小さく、高精度な面形状に形成される必要があるが、その加工は容易でない。ここで、多層膜反射鏡の表面を一層ずつ削り取ることによって、実質的にサブｎｍの形状誤差を補正する技術が開発されている（国際公開第０１／４１１５５号パンフレット参照）が、多層膜の層を削り取ることにより多層膜の内部応力が変化し、この多層膜の内部応力の変化は多層膜反射鏡の基板の形状を変形させる要因となる。
【０００６】
この発明の課題は、高精度な面形状を有する多層膜反射鏡及び該多層膜反射鏡を備えた縮小投影露光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の多層膜反射鏡（２）は、基板（４）表面にＭｏを含む層とＳｉを含む層を交互に周期的に成膜した構造を有する多層膜（６ａ，６ｂ）を備え、面内で除去量に分布を生じさせて前記多層膜（６ａ，６ｂ）の表面近傍に設けられた低応力構造部分の多層膜（６ｃ）を除去した多層膜反射鏡（２）において、前記低応力構造部分の多層膜（６ｃ）が５０ＭＰａ以下の応力絶対値を有することを特徴とする。
【０００８】
また、この発明の縮小投影露光装置は、この発明の多層膜反射鏡（２）を光学系（３０６〜３０９）の少なくとも一部に備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の多層膜反射鏡によれば、５０ＭＰａ以下の応力絶対値を有する低応力構造部分の多層膜を除去しているため、多層膜反射鏡の表面の形状誤差の発生要因となる多層膜の内部応力の発生を防止しつつ、多層膜反射鏡の所望の波面形状に対する誤差の補正を良好に行なうことができる。
【００１０】
また、この発明の縮小投影露光装置によれば、光学系の少なくとも一部に形状誤差の少ない多層膜反射鏡を備えているため、波面形状の補正を良好に行なうことができ、良好な露光を行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図面を参照して、この発明の第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡について説明する。多層膜反射鏡は、例えば極端紫外光（ＥＵＶ光）を露光光とするＥＵＶ露光装置等に用いられる。図１は第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡２の構成図、図２は多層膜反射鏡２のＡ−Ａ断面図である。図１及び図２に示すように、多層膜反射鏡２は、高精度な形状に研磨された低熱膨張ガラス基板４の表面にモリブデン（Ｍｏ）を含む層とシリコン（Ｓｉ）を含む層を交互に周期的にマグネトロンスパッタ成膜装置により成膜された構造を有する多層膜６（６ａ〜６ｄ）を備えている。
【００１２】
図３は、マグネトロンスパッタ成膜装置の構成を示す図である。図３に示すように、マグネトロンスパッタ成膜装置は、真空排気された真空チャンバ１０内に収容されている基板ホルダ１２を備えている。基板ホルダ１２は、低熱膨張ガラス基板４を保持しており、図示しない回転駆動機構により低熱膨張ガラス基板４を保持したまま回転軸ＡＸを軸として回転可能に構成されている。
【００１３】
また、マグネトロンスパッタ成膜装置は、真空チャンバ１０内に収容されている膜厚分布補正板１４を備えている。膜厚分布補正板１４は、低熱膨張ガラス基板４の近傍に配置されており、補正板駆動機構１６により図中矢印方向に移動可能に構成されている。膜厚分布補正板１４を図中矢印方向に移動させて低熱膨張ガラス基板４上に到達する成膜粒子の量を調整することにより、低熱膨張ガラス基板４上に成膜される膜の膜厚を制御することができる。
【００１４】
また、マグネトロンスパッタ成膜装置は、カソード１８、ターゲット材としてのモリブデン板２０、ターゲットシャッタ２２を備えている。真空チャンバ１０内に動作ガスを導入し、カソード１８に電圧が印加されることにより、モリブデン板２０の近傍にプラズマが発生する。このプラズマによって、モリブデン板２０がスパッタされ、スパッタされた成膜粒子としてのモリブデン（Ｍｏ）がガラス基板４上に堆積する。なお、ターゲットシャッタ２２は、モリブデンの成膜を行なう際には開放されており、後述するシリコンの成膜を行なう際には閉じられている。
【００１５】
また、マグネトロンスパッタ成膜装置は、カソード２４、ターゲット材としてのシリコン板２６、ターゲットシャッタ２８を備えている。真空チャンバ１０内に動作ガスを導入し、カソード２４に電圧が印加されることにより、シリコン板２６の近傍にプラズマが発生する。このプラズマによって、シリコン板２６がスパッタされ、スパッタされた成膜粒子としてのシリコン（Ｓｉ）がガラス基板４上に堆積する。なお、ターゲットシャッタ２８は、シリコンの成膜を行なう際には開放されており、モリブデンの成膜を行なう際には閉じられている。
【００１６】
この実施の形態においては、図３に示すマグネトロンスパッタ成膜装置により、ガラス基板４の反射面（表面）にＭｏ層４．１４ｎｍ，Ｓｉ層２．７６ｎｍの５０層対の多層膜６ａを成膜する。また、マグネトロンスパッタ成膜装置により、多層膜６ａ上にＭｏ層２．７６ｎｍ，Ｓｉ層４．１４ｎｍの５０層対の多層膜６ｂを成膜する。さらに、多層膜６ｂ上にＭｏ層３．４８ｎｍ，Ｓｉ層３．４８ｎｍの５層対の低応力構造部分の多層膜６ｃを成膜し、多層膜６ｃ上にＳｉ層２ｎｍのシリコン単層膜６ｄを成膜する。
【００１７】
通常、ＥＵＶ露光装置を構成する反射光学系に複数の反射鏡を用いる場合、その反射光学系の波面収差（ＷＦＥ）に対して各反射鏡に許容される形状誤差（ＦＥ）は、（１）式で与えられる。
【００１８】
ＦＥ＝ＷＦＥ／２／√ｎ（ＲＭＳ）・・・（１）
ここで、ｎは、光学系を構成する反射鏡の数である。反射光学系においては入射光と反射光の両方がそれぞれ形状誤差の影響を受けるため、波面収差には形状誤差の２倍の誤差が乗ることから、（１）式に示すように、２で割る必要がある。即ち、各反射鏡に許容される形状誤差（ＦＥ）は、波長λと反射鏡の数ｎに対して、（２）式で与えられる。
【００１９】
ＦＥ＝λ／２８／√ｎ（ＲＭＳ）・・・（２）
例えば、波長１３ｎｍで、４つの反射鏡で構成される反射光学系の場合には各反射鏡に許容される形状誤差は０．２３ｎｍＲＭＳ、６つの反射鏡で構成される反射光学系の場合には各反射鏡に許容される形状誤差は０．１９ｎｍＲＭＳとなる。この実施の形態にかかる多層膜反射鏡２をＥＵＶ露光装置に用いる場合についても、許容される形状誤差は同様である。しかしながら、このような高精度の球面形状の反射面を有するガラス基板を製造することは非常に困難である。また、高精度に研磨されたガラス基板であっても、多層膜を成膜することにより、反射波面が所望の波面形状に対して誤差を有する場合がある。
【００２０】
ここで、多層膜反射鏡の表面を一層ずつ削り取ることにより、実質的にサブｎｍの形状誤差を補正することができる技術が開示されている（国際公開第０１／４１１５５号パンフレット参照）。例えば、図４に示すようなＡ，Ｂの２種類の物質を一定の周期長ｄで交互に積層した多層膜の表面から、図５に示すように一層対を除去する場合を考える。図４に示す多層膜表面に対して垂直方向に進行する光線に対する、厚さｄの多層膜一層対の光路長ＯＰは、ＯＰ＝ｎＡｄＡ＋ｎＢｄＢである。ここで、ｄＡ、ｄＢは各層の厚さを表し、ｄＡ＋ｄＢ＝ｄである。また、ｎＡ、ｎＢは物質Ａ、Ｂそれぞれの屈折率である。
【００２１】
図５に示す最表面の多層膜一層対を除去した厚さｄの部分の光路長ＯＰ´は、ＯＰ´＝ｎｄで与えられる。ここで、ｎは真空の屈折率を表し、ｎ＝１である。即ち、多層膜の最上層を除去することにより、そこを通過する光線の光学的距離が変化する。これは、実質的にその変化分だけ面形状を修正したことと光学的に等価である。光路長の変化（即ち、面形状の変化）Δは、Δ＝ＯＰ´−ＯＰで与えられる。
【００２２】
極端紫外線の波長域においては物質の屈折率が１に近いため、Δは小さな量となり、多層膜反射鏡の表面を一層ずつ削り取る方法により面形状の補正を精密に行なうことができる。例えば、波長１３．４ｎｍでＭｏ／Ｓｉ多層膜を用いた場合について説明する。直入射で使用するために、一層対の厚さｄを６．８ｎｍ、モリブデン層の厚さｄMoを２．３ｎｍ、シリコン層の厚さｄSiを４．５ｎｍとする。波長１３．４ｎｍにおけるモリブデンの屈折率ｎMoは０．９２、シリコンの屈折率ｎSiは０．９９８である。これらの数値を用いて光路長の変化を計算する。多層膜反射鏡の表面を削り取る前の光路長ＯＰは６．６ｎｍ、一層対削り取った後の光路長ＯＰ´は６．８ｎｍ、光路長の変化Δ＝ＯＰ´−ＯＰ＝０．２ｎｍとなる。
【００２３】
一層対削り取ることにより、０．２ｎｍ相当の面形状の補正を行うことができる。なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の場合、Ｓｉ層の屈折率は１に近いため、光路長の変化Δは主としてＭｏ層の有無に依存するものであり、Ｓｉ層の有無に殆ど依存しない。従って、多層膜の層を除去する際に、Ｓｉ層の厚さを正確に制御する必要はない。上述の例によれば、Ｓｉ層の厚さは４．５ｎｍであり、Ｓｉ層の途中で除去加工を停止すればよい。即ち、数ｎｍの精度の除去加工を施すことにより０．２ｎｍ単位の面形状の補正を行うことができる。
【００２４】
実際には、多層膜の成膜を行った後に反射波面を測定し、その結果に基づいて部分的な多層膜除去加工量を決定し、実際の除去加工を行う。なお、多層膜の反射率は積層数とともに増加して一定の層数を越えると飽和して一定になる。予め反射率が飽和するのに充分な層数を積層することにより、多層膜の表面から多層膜の一部を除去した場合においても多層膜の反射率の変化は生じない。
【００２５】
また、一般的に多層膜は内部応力を有しており、ＥＵＶ露光装置に用いられるＭｏ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜も例外ではなく、多層膜の種類、膜厚等により圧縮応力または引っ張り応力を有する。ＥＵＶリソグラフィにおいては、この多層膜の内部応力は多層膜が成膜される基板表面の形状に無視できない影響を与える。上述のとおり、ＥＵＶ露光装置に用いられる投影光学系用の反射鏡に求められる形状精度は０．２３〜０．１９ｎｍＲＭＳ以下である。例えば投影光学系用の基板の表面をこの形状精度で加工できたとしても、基板にＭｏ／Ｓｉ多層膜やＭｏ／Ｂｅ多層膜を成膜した場合、多層膜の内部応力によって基板形状は変化する。基板形状の変化量は基板の形状によって異なるが、ＥＵＶ露光装置に用いられる投影光学系用の反射鏡に求められる形状精度を上回る変形が生ずる可能性がある。
【００２６】
例えば、φ２００ｍｍ、厚さ４０ｍｍの石英基板の片面に、-４００ＭＰａの圧縮応力を有するＭｏ／Ｓｉ多層膜（周期長７．０ｎｍ、Γ＝０．３５、５０層対）を成膜した場合、石英基板の変形量は１０ｎｍを越える。ここで、Γは単位層構造の分割比であり、周期長に占める吸収率の大きい物質の厚さの割合を示している。即ち、周期長７．０ｎｍに対して吸収率の大きい物質であるＭｏ層の厚さが占める割合である。
【００２７】
基板の変形のうち基板の曲率半径の変化に寄与する成分の影響に対しては、反射鏡間の距離を調整することにより、結像性能への影響を小さく保ったまま対処することができる。しかしながら、反射鏡間の距離の調整では対処することができない基板変形の成分も１ｎｍ相当以上存在し、ＥＵＶリソグラフィにおいては重大な影響を与える。特に、基板の形状が完全に回転対称でない場合には、多層膜の応力の絶対値を１０ＭＰａの精度で制御する必要がある。
【００２８】
ここで、ＥＵＶ露光装置の光学系に用いられるMo/Si多層膜は一般に−３００ＭＰａ〜−４００ＭＰａ程度の応力（圧縮応力）を有しているため、多層膜の除去加工を行なった場合、多層膜総膜厚の変化により全応力（応力×膜厚：膜が基板を変形させる力に相当）が変化し、全応力が変化すると基板に変形が生じる。反射波面形状を非常に高い精度で制御することが必要なＥＵＶ露光装置の光学系においては、反射波面形状に影響を与える基板変形が生じないようにする必要がある。
【００２９】
そこで、この実施の形態にかかる多層膜反射鏡においては、多層膜６ａを＋３５０ＭＰａの引っ張り応力を有するように構成し、多層膜６ｂを−３５０ＭＰａの圧縮応力を有するように構成している。従って、これらを成膜した状態では、多層膜全体の全応力はゼロとなり、応力による基板変形は生じない。また、多層膜６ｃはΓ＝０．５のＭｏ／Ｓｉ多層膜であり、図６のグラフに示すように、Γ＝０．５のＭｏ／Ｓｉ多層膜の応力絶対値は０ＭＰａであることから、応力による基板変形は生じない。
【００３０】
次に、多層膜反射鏡の反射波面の補正について説明する。まず、多層膜６ａ〜６ｃ及びシリコン単層膜６ｄが成膜された多層膜反射鏡２のＥＵＶ光反射波面を測定する。例えば、測定した結果、反射波面が所望の波面形状に対して誤差を有しており、図７に示す領域Ｃで位相を０．９ｎｍ、領域Ｄで位相を０．６ｎｍ遅らせる必要があるとする。
【００３１】
この場合には、まず、シリコン単層膜６ｄをイオンビーム照射により除去する。そして、イオンビーム照射により多層膜６ｃの一部を図８に示すように除去する。照射したイオンビームは７００ｅＶに加速したアルゴンイオンビームであり、ビームの拡がりは２ｃｍ（１σ）である。イオンの照射時間を制御することにより多層膜６ｃの除去量を制御する。領域Ｃにおいてはモリブデン層とシリコン層を３層対、領域Ｄにおいてはモリブデン層とシリコン層を２層対除去する。
【００３２】
多層膜６ｃの1層対中のモリブデン層の厚さが３．４８ｎｍであるので、多層膜６ｃの１層対が除去されることにより反射波面の位相は０．３ｎｍ遅れる。よって、領域Ｃ，Ｄではそれぞれ反射波面の位相が０．９ｎｍ，０．６ｎｍ遅れ、所望の反射波面を得ることができる。多層膜６ｃの除去加工を行なった後に、図９に示すように、多層膜６ｃ上に厚さ２ｎｍのシリコン単層膜６ｄを再び成膜する。シリコン単層膜６ｄは、除去加工により露出したモリブデン層の酸化を防止する機能を有する。
【００３３】
上述したように、除去した多層膜６ｃはΓ＝０．５のＭｏ／Ｓｉ多層膜であり、１層対単位での応力絶対値は０ＭＰａであるため、一層対単位での除去加工により全応力に変化は生じない。また、シリコン単層膜６ｄが除去加工後に再び成膜されているため、全応力に変化は生じない。なお、多層膜６ｃの応力絶対値が５０ＭＰａ以下であれば、多層膜除去加工を行なった場合においても、全応力の変化を小さく抑えることができ、ガラス基板４の変形を抑制することができる。
【００３４】
また、高反射率を有するΓ＝０．４の多層膜６ｂ上にΓ＝０．５の多層膜６ｃを成膜しているため、Γ＝０．４のみの多層膜の反射率と比較した場合、多層膜反射鏡２の反射率は低いが、多層膜６ｃは５層対と少ないため、図１０のグラフに示すように、反射率低下量は１％以内に抑えられる。図１０の実線はΓ＝０．４のみの多層膜の反射率、破線は多層膜反射鏡２（Γ＝０．４とΓ＝０．５の多層膜）の反射率を示している。なお、多層膜反射鏡２の反射率の低下が許容できる範囲内であれば、多層膜６ｃの成膜層数を５ペア層より多くしてもよいが、１０ペア層以下にするのが望ましい。また、この実施の形態にかかる多層膜６ｃのΓ値は０．５であるが、多層膜６ｃのΓ値は０．４５〜０．５５であればよい。
【００３５】
この第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡２によれば、応力絶対値が０ＭＰａの低応力構造部分の多層膜６ｃを除去しているため、多層膜反射鏡２の表面の形状誤差の発生要因となる多層膜の内部応力の発生を防止しつつ、多層膜反射鏡２の所望の波面形状に対する誤差の補正を良好に行なうことができる。
【００３６】
なお、第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡の多層膜は、モリブデン及びシリコンにより構成されているが、モリブデン及びシリコン以外の物質により構成してもよい。また、酸化防止膜として最表面にシリコン単層膜を成膜しているが、例えばＳｉＯ２、ＳｉＣ等のシリコン化合物等の他の物質を成膜してもよい。但し、吸収が小さく、ＥＵＶ波長域における屈折率が１に近い物質を用いるのが望ましい。
【００３７】
また、第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡においては、Ｍｏ層、Ｓｉ層により構成される多層膜を備えているが、高反射率を有し、かつ全応力を小さくすることができる複数の物質層を組み合わせて構成される多層膜を備えるようにしてもよい。
【００３８】
また、第１の実施の形態においては、イオンビーム照射により多層膜の除去加工を行なっているが、イオンビーム照射以外、例えば径の小さいポリッシャと砥粒を用いて多層膜の除去加工を行なってもよい。
【００３９】
また、第１の実施の形態においては、低応力の多層膜としてΓ値が０．５の多層膜６ｃをガラス基板の表面近傍に成膜しているが、多層膜６ｃの代わりに、応力が小さく、成膜後の全体の反射率の低下が小さい多層膜をガラス基板の表面近傍に成膜してもよい。例えば、Ｍｏ／Ｒｕ（ルテニウム）／Ｍｏ／Ｓｉの構造を有する多層膜を低応力構造部分の多層膜として成膜してもよい。この場合には、それぞれの膜厚をＭｏ層０．７５ｎｍ／Ｒｕ層１．０ｎｍ／Ｍｏ層０．７５ｎｍ／Ｓｉ層４．７５ｎｍとするのが望ましい。
【００４０】
次に、図面を参照して、この発明の第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光装置について説明する。図１１は、第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光装置（縮小投影露光装置）の概略構成を示す図である。図１１に示すＥＵＶ露光装置においては、光路上はすべて真空に保たれている。ＥＵＶ露光装置は、光源を含む照明光学系ＩＬを備えている。照明光学系ＩＬから射出されたＥＵＶ光（一般的には波長５〜２０ｎｍを指し、具体的には波長１３ｎｍ、１１ｎｍが用いられる。）は、折り返しミラー３０１により反射され、パターンが形成されているレチクル３０２上を照射する。
【００４１】
レチクル３０２は、反射型のレチクルであり、レチクルステージ３０３に固定されたチャック３０３ａに保持されている。レチクルステージ３０３は、走査方向に１００ｍｍ以上移動可能に構成されており、走査方向と直交する方向及び光軸方向に微小移動可能に構成されている。レチクルステージ３０３の走査方向及び走査方向に直交する方向の位置は図示しないレーザ干渉計により高精度に制御され、光軸方向の位置はレチクルフォーカス送光系３０４とレチクルフォーカス受光系３０５からなるレチクルフォーカスセンサにより制御されている。
【００４２】
レチクル３０２にはＥＵＶ光を反射する多層膜（例えば、モリブデン（Ｍｏ）／シリコン（Ｓｉ）やモリブデン（Ｍｏ）／ベリリウム（Ｂｅ））が成膜されており、この多層膜の上の吸収層（例えば、ニッケル（Ｎｉ）やアルミニウム（Ａｌ））によりパターニングされている。レチクル３０２により反射されたＥＵＶ光は、光学鏡筒３１４内に入射する。
【００４３】
光学鏡筒３１４内には、複数（この実施の形態においては４つ）のミラー３０６，３０７，３０８，３０９が設置されている。これらのミラー３０６〜３０９の少なくとも１つは、第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡により構成されている。なお、この実施の形態においては、投影光学系として４つのミラーを備えているが、６つまたは８つのミラーを備えるようにしてもよい。この場合には、開口数（ＮＡ）をより大きくすることができる。
【００４４】
光学鏡筒３１４内に入射したＥＵＶ光は、ミラー３０６により反射された後、ミラー３０７、ミラー３０８、ミラー３０９により順次反射され、光学鏡筒３１４内から射出して、ウエハ３１０に入射する。なお、ミラー３０６〜３０９等により構成される投影光学系の縮小倍率は、例えば１／４または１／５である。また、光学鏡筒３１４の近傍には、ウエハ３１０のアライメントを行なうオフアクシス顕微鏡３１５が設置されている。
【００４５】
ウエハ３１０は、ウエハステージ３１１に固定されたチャック３１１ａ上に保持されている。ウエハステージ３１１は、光軸と直交する面内に設置されており、光軸と直交する面内に例えば３００〜４００ｍｍ移動可能に構成されている。また、ウエハステージ３１１は、光軸方向にも微小移動可能に構成されている。ウエハステージ３１１の光軸方向の位置は、ウエハオートフォーカス送光系３１２とウエハオートフォーカス受光系３１３からなるウエハオートフォーカスセンサにより制御されている。ウエハステージ３１１の光軸と直交する面内における位置は、図示しないレーザ干渉計により高精度に制御されている。
【００４６】
露光時には、レチクルステージ３０３とウエハステージ３１１は、投影光学系の縮小倍率と同一の速度比、例えば、（レチクルステージ３０３の移動速度）：（ウエハステージ３１１の移動速度）＝４：１または５：１で同期走査する。
【００４７】
この第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光装置によれば、投影光学系を構成するミラーの少なくとも１つが第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡により構成されているため、波面形状の補正を良好に行なうことができ、良好な露光を行なうことができる。
【００４８】
なお、第２の実施の形態においては、ミラー３０６〜３０９の少なくとも１つが第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡により構成されているが、照明光学系ＩＬに含まれるミラー、折り返しミラー３０１、レチクル３０２等が第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡により構成されるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡の構成を示す図である。
【図２】第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡の断面図である。
【図３】第１の実施の形態にかかるマグネトロンスパッタ成膜装置の構成を示す図である。
【図４】多層膜反射鏡の形状誤差の補正を説明するための図である。
【図５】多層膜反射鏡の形状誤差の補正を説明するための図である。
【図６】Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の応力とΓ値の関係を示すグラフである。
【図７】所望の波面形状に対する誤差を補正する方法について説明するための図である。
【図８】所望の波面形状に対する誤差を補正する方法について説明するための図である。
【図９】所望の波面形状に対する誤差を補正する方法について説明するための図である。
【図１０】第１の実施の形態にかかる多層膜反射鏡の反射率と、Γ値が０．４のみの多層膜により構成されている多層膜反射鏡の反射率を比較するためのグラフである。
【図１１】第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
２…多層膜反射鏡、４…ガラス基板、６ａ〜６ｃ…Ｍｏ／Ｓｉ多層膜、６ｄ…シリコン単層膜、１２…基板ホルダ、１４…膜厚分布補正板、１８，２４…カソード、２０…モリブデン板、２２，２８…ターゲットシャッタ、２６…シリコン板、ＩＬ…照明光学系、３０２…レチクル、３０３…レチクルステージ、３０６〜３０９…ミラー、３１０…ウエハ、３１１…ウエハステージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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