(57)【要約】【課題】ボンディングワイヤーの寄生成分に起因するインピーダンスのずれを簡単に補正することが可能な高周波モジュールを提供する。【解決手段】信号用電極２１及びマッチング用電極２２を有する実装基板と、一端が信号用電極２１に接続されたキャパシタ２４と、実装基板に搭載され、ボンディングパッド２０ａを有する能動素子２０とを備える。能動素子２０のボンディングパッド２０ａは、第１のボンディングワイヤー２３ａを介して信号用電極２１に接続されるとともに、第２のボンディングワイヤー２３ｂを介してマッチング用電極２２に接続される。これにより、第２のボンディングワイヤー２３ｂが有する寄生成分によって第１のボンディングワイヤー２３ａの寄生成分の一部が打ち消されるため、インピーダンスの補正を実質的にキャパシタ２４のみで行うことが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号用電極及びマッチング用電極を有する実装基板と、一端が前記信号用電極に接続されたキャパシタと、前記実装基板に搭載され、ボンディングパッドを有する能動素子とを備え、
前記能動素子の前記ボンディングパッドは、第１のボンディングワイヤーを介して前記信号用電極に接続されるとともに、第２のボンディングワイヤーを介して前記マッチング用電極に接続されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記キャパシタは、前記信号用電極を構成する導体パターンによって前記一端が構成され、前記信号用電極と対向する他の導体パターンによって他端が構成されることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記マッチング用電極は、少なくとも使用する周波数帯域においてオープン状態であることを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記マッチング用電極に接続されたバイアス供給線路をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記バイアス供給線路は、一端が前記マッチング用電極に接続された１／４波長伝送線路と、一端が前記１／４波長伝送線路の他端に接続され、他端が開放された１／４波長先端開放スタブとを含むことを特徴とする請求項４に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波モジュールに関し、特に、実装基板に設けられた信号用電極と能動素子に設けられたボンディングパッドとが、ボンディングワイヤーによって接続された高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波モジュールを構成する実装基板には、種々の電子部品が搭載されている。実装基板に搭載される電子部品の中には、コンデンサなどの受動素子や半導体チップなどの能動素子が含まれるが、このうち、半導体チップなどの能動素子は、ボンディングワイヤーによって実装基板上の信号用電極に接続されることが多い。
【０００３】
ボンディングワイヤーは、その性質上所定の長さを有していることから、必然的にインダクタンス成分やキャパシタンス成分を有しており、これが原因となって、信号用電極から能動素子側を見た入力インピーダンスが５０Ωからずれることがある。このようなインピーダンスの不整合を解消するためには、実装基板上に１／４波長伝送線路などからなるインピーダンスマッチング回路を形成する必要がある。
【０００４】
また、能動素子にバイアス電圧を供給する必要がある場合には、バイアス供給線路を接続する必要があるが、この場合、信号線路上においては、直流カット用のキャパシタをインピーダンスマッチング回路とは別に設ける必要もあった。
【０００５】
図９は、従来の高周波モジュールの主要部を示す回路図である。
【０００６】
図９に示す高周波モジュールは、能動素子の一種であるダイオード１０に設けられたボンディングパッド１０ａと、実装基板に設けられた信号用電極１１とがボンディングワイヤー１２によって接続された構成を有している。ダイオード１０の他端は、図示しない種々の回路を回路して５０Ωで終端されている。
【０００７】
上述の通り、ボンディングワイヤー１２はある程度のインダクタンス成分やキャパシタンス成分を有しており、これによって、信号用電極１１から見たダイオード１０の入力インピーダンスが５０Ωからずれることがある。このずれを補償するため、図９に示す高周波モジュールでは、信号用電極１１と信号用電極１６との間に、伝送線路１３，１４からなるインピーダンスマッチング回路が追加されている。
【０００８】
さらに、図９に示す高周波モジュールは、ダイオード１０にバイアス電圧を供給するためのバイアス供給線路を備えている。バイアス供給線路は、バイアス供給端子１９と節点ｂとの間に接続された伝送線路１７と、一端が伝送線路１７に接続され、他端が開放された先端開放スタブ１８によって構成されている。バイアス供給端子１９は、ダイオード１０をスイッチングさせるためのバイアス電圧が印加される端子であり、バイアス供給端子１９より供給される直流電圧が信号用電極１６に印加されないよう、バイアス供給線路とは別に、直流カット用のキャパシタ１５が設けられている。
【０００９】
図１０は、図９に示す回路における各部のインピーダンスを示すスミスチャートである。
【００１０】
図１０に示すように、ダイオード１０の終端が５０Ωであるとき、信号用電極１１のインピーダンスは理想的には５０Ωであるが、ボンディングワイヤー１２が有する寄生成分によって、信号用電極１１のインピーダンスはスミスチャート上のＡ点に移動してしまう。より詳細には、ボンディングワイヤー１２が有するインダクタンス成分によって、インピーダンスがＡ１点に移動し、さらに、ボンディングワイヤー１２が有するキャパシタンス成分によってインピーダンスがＡ点に移動する。このように、信号用電極１１のインピーダンスは、実部が５０Ωを超える値に変化するとともに、虚部が正方向に振れてしまう。
【００１１】
これを補正するため、まず、伝送線路１３によってスミスチャート上のＢ点に移動させる。これによって、インピーダンスの虚部が消えるものの、実部はさらに増大し、例えば２００Ω程度まで上昇してしまう。
【００１２】
さらにこれを補正するため、伝送線路１４によってスミスチャート上のＣ点（５０Ω）に移動させる。これによって、インピーダンスマッチングが完了する。
【特許文献１】特開平１１−２６１３１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
このように、実装基板に設けられた信号用電極と、能動素子に設けられたボンディングパッドとを単純にボンディングワイヤーによって接続すると、ボンディングワイヤーが有する寄生成分によって、信号用電極１１のインピーダンスが５０Ωから大きくずれ、これを補正するのに複雑なマッチング操作が必要であった。しかも、能動素子にバイアス電圧を供給する場合、直流カット用のキャパシタを設ける必要もあった。これらはいずれも、高周波モジュール全体を小型化する妨げとなっていた。
【００１４】
本発明はこのような問題点に基づきなされたものであって、ボンディングワイヤーの寄生成分に起因するインピーダンスのずれを簡単に補正することが可能な高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明による高周波モジュールは、信号用電極及びマッチング用電極を有する実装基板と、一端が前記信号用電極に接続されたキャパシタと、前記実装基板に搭載され、ボンディングパッドを有する能動素子とを備え、前記能動素子の前記ボンディングパッドは、第１のボンディングワイヤーを介して前記信号用電極に接続されるとともに、第２のボンディングワイヤーを介して前記マッチング用電極に接続されていることを特徴とする。
【００１６】
このように、本発明では、能動素子上の一つのボンディングパッドに第１及び第２のボンディングワイヤーを共通接続し、これらを信号用電極及びマッチング用電極にそれぞれ接続している。その結果、第２のボンディングワイヤーが有する寄生成分によって第１のボンディングワイヤーの寄生成分の一部が打ち消されるため、インピーダンスの補正を実質的にキャパシタのみで行うことが可能となる。
【００１７】
本発明において、キャパシタは、信号用電極を構成する導体パターンによって一端が構成され、信号用電極と対向する他の導体パターンによって他端が構成されることが好ましい。これによれば、配線の引き回しによるインピーダンスのずれなどが生じないことから、より正確にインピーダンスマッチングを行うことができるとともに、インピーダンスマッチングに必要な占有面積をより低減することが可能となる。
【００１８】
本発明による高周波モジュールは、キャパシタの他端に接続されたアンテナ素子をさらに備えることが好ましい。通常、アンテナ素子との接続においては、直流成分をカットする必要があるものの、本発明では、インピーダンスマッチング用にキャパシタを用いていることから、直流カット用のキャパシタを別途追加する必要がない。
【００１９】
本発明において、マッチング用電極は、少なくとも使用する周波数帯域においてオープン状態であることが好ましい。これによれば、第２のボンディングワイヤーが容量性となり、第１のボンディングワイヤーが有する直列キャパシタンス成分を効果的に打ち消すことが可能となる。
【００２０】
本発明による高周波モジュールは、前記マッチング用電極に接続されたバイアス供給線路をさらに備えることが好ましい。これによれば、バイアス電圧によって能動素子をスイッチングさせることが可能となる。この場合、バイアス供給線路は、一端が前記マッチング用電極に接続された１／４波長伝送線路と、一端が１／４波長伝送線路の他端に接続され、他端が開放された１／４波長先端開放スタブとを含むバイアス供給線路をさらに備えることが好ましい。これによれば、使用する周波数帯域においてバイアス供給線路をオープン状態とすることが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
このように、本発明によれば、インピーダンスの補正を実質的にキャパシタのみで行うことができることから、インピーダンスマッチングに必要な占有面積を低減することが可能となる。また、能動素子にバイアス電圧を供給する場合であっても、直流カット用のキャパシタを別途設ける必要がないことから、部品点数を削減することも可能となる。これらにより、本発明によれば、高周波モジュール全体を小型化することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明の好ましい実施形態による高周波モジュールの回路構成を示す図である。
【００２４】
図１に示すように、本実施形態による高周波モジュールは、能動素子の一種であるダイオード２０と、ダイオード２０に設けられたボンディングパッド２０ａと、実装基板に設けられた信号用電極２１及びマッチング用電極２２とを備えており、ボンディングパッド２０ａと信号用電極２１は、第１のボンディングワイヤー２３ａによって接続され、ボンディングパッド２０ａとマッチング用電極２２は、第２のボンディングワイヤー２３ｂによって接続されている。つまり、２つのボンディングワイヤーが一つのボンディングパッドに共通接続されている。ダイオード２０の他端は、図示しない種々の回路を回路して５０Ωで終端されている。
【００２５】
信号用電極２１は、キャパシタ２４を介して信号用電極２５に接続されており、マッチング用電極２２は、バイアス供給線路を介してバイアス印加用電極２８に接続されている。バイアス供給線路は、一端がマッチング用電極２２に接続され、他端がバイアス印加用電極２８に接続された１／４波長伝送線路２６と、一端がバイアス印加用電極２８（１／４波長伝送線路２６の他端）に接続され、他端が開放された１／４波長先端開放スタブ２７によって構成されている。
【００２６】
１／４波長伝送線路２６は、使用する周波数帯域における電気長が１／４波長である伝送線路であり、１／４波長先端開放スタブ２７は、使用する周波数帯域における電気長が１／４波長である扇形のスタブである。これにより、１／４波長伝送線路２６及び１／４波長先端開放スタブ２７からなるバイアス供給線路は、マッチング用電極から見ると、使用する周波数帯域においてオープン状態となる。その結果、第２のボンディングワイヤー２３ｂは、使用する周波数帯域において容量性となる。
【００２７】
図２は、図１に示す回路における各部のインピーダンスを示すスミスチャートである。
【００２８】
図２に示すように、ダイオード２０の終端が５０Ωであるとき、信号用電極２１のインピーダンスは理想的には５０Ωであるが、第１のボンディングワイヤー２３ａ及び第２のボンディングワイヤー２３ｂが有する寄生成分によって、信号用電極２１のインピーダンスはスミスチャート上のＤ点に移動する。Ｄ点とは、実部がほぼ５０Ωに保たれたまま、虚部が正方向に振れた点である。ここで、実部がほぼ５０Ωに保たれているのは、オープン状態であるマッチング用電極２２に第２のボンディングワイヤー２３ｂが接続されているためである。
【００２９】
つまり、本実施形態では、第２のボンディングワイヤー２３ｂが有するキャパシタンス成分によって、Ｄ１点に移動し、第１のボンディングワイヤー２３ａが有するインダクタンス成分によってＤ２点に移動する。さらに、第１のボンディングワイヤー２３ａが有するキャパシタンス成分によってＤ点に移動する。このように、本実施形態では、第２のボンディングワイヤー２３ｂが有する並列なキャパシタンス成分が重畳されることから、信号用電極２１のインピーダンスは、実部を５０Ω近傍に保つことが可能となる。
【００３０】
これを補正するためには、キャパシタを直列接続すれば足りる。つまり、信号用電極２１と信号用電極２５との間に接続されたキャパシタ２４によって、スミスチャート上のＣ点に移動させ、虚部を消去することができる。このように、本実施形態では、信号用電極２１と信号用電極２５との間に接続すべき回路は、キャパシタ２４だけであり、回路構成を大幅に簡素化することが可能となる。
【００３１】
しかも、キャパシタ２４は、インピーダンスマッチングの役割だけでなく、バイアス供給線路を介して供給される直流電圧をカットする役割を兼ねることができる。したがって、図３に示すように、信号用電極２５にアンテナ素子２９をそのまま接続することが可能となる。
【００３２】
図４は、本実施形態による高周波モジュールの主要部の構造を模式的に示す図であり、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＸ−Ｘ線に沿った略断面図である。
【００３３】
図４（ａ）に示すように、ボンディングパッド２０ａが信号用電極２１及びマッチング用電極２２の近傍に位置するよう、ダイオード２０を実装基板３０に搭載すれば、これらを第１及び第２のボンディングワイヤー２３ａ，２３ｂによって接続することができる。
【００３４】
また、図４（ｂ）に示すように、信号用電極２１を実装基板３０の表面に形成するとともに、実装基板３０の内部に信号用電極２１と対向する他の導体パターン３１を形成すれば、これら２つの導体パターンがキャパシタ２４として機能する。つまり、信号用電極２１を構成する導体パターンがキャパシタ２４の一端となり、信号用電極２１と対向する他の導体パターン３１がキャパシタ２４の他端となる。このような構成とすれば、配線の引き回しによるインピーダンスのずれなどが生じないことから、より正確にインピーダンスマッチングを行うことができる。しかも、インピーダンスマッチングに必要な占有面積をより低減することも可能となる。
【００３５】
一方、マッチング用電極２２の平面形状は、第２のボンディングワイヤー２３ｂのキャパシタンス成分を変化させる。このため、信号用電極２１のインピーダンスであるＤ点ができるだけ５０Ωに近くなるよう、シミュレーションなどを用いた設計を行うことにより、より正確なインピーダンスマッチングを行うことが可能となる。
【００３６】
このように、本実施形態による高周波モジュールは、ダイオード２０上の一つのボンディングパッド２０ａに２つのボンディングワイヤー２３ａ，２３ｂを共通接続し、これらをそれぞれ信号用電極２１及びマッチング用電極２２に接続していることから、第２のボンディングワイヤー２３ｂが有する寄生成分によって第１のボンディングワイヤー２３ｂの寄生成分の一部を打ち消すことができる。このため、インピーダンスの補正を実質的にキャパシタ２４のみで行うことが可能となり、回路の小型化を実現することが可能となる。しかも、インピーダンス補正に用いるキャパシタ２４は、直流カット用のキャパシタを兼用することもできる。
【００３７】
また、従来の回路とは異なり、バイアス供給線路をダイオード２０に直結していることから、動作周波数の広帯域化を図ることもできる。これは、図５に示すように、従来の高周波モジュールでは、スミスチャート上の入力インピーダンスの軌跡Ｔ１が比較的大きいのに対し、本実施形態による高周波モジュールでは、スミスチャート上の入力インピーダンスの軌跡Ｔ２が小さくなり、その結果、動作周波数範囲に対して入力インピーダンスの変位が小さくなるからである。
【００３８】
次に、本実施形態による高周波モジュールをレーダー装置に応用した例について説明する。
【００３９】
図６は、本実施形態による高周波モジュールを用いたレーダー装置の回路図である。
【００４０】
図６に示すレーダー装置は、自律的に無線信号の送信を行ってその反射信号を受信し、受信した反射信号を復調することにより、障害物との距離を計測するための装置である。
【００４１】
送信すべき高周波信号は、発振回路１０４によって生成されるキャリア信号１０４ａに、制御回路１０３からのパルス信号１０３ａを重畳させることによって生成される。かかる重畳動作は出力回路１０５によって行われ、出力回路１０５に含まれるパワーアンプによって増幅された後、送信アンテナ１０６へと供給される。
【００４２】
一方、受信すべき高周波信号は、２つの受信アンテナ２９−１，２９−２によって受信する。受信アンテナ２９−１，２９−２は、図３に示したアンテナ素子２９に対応する要素である。受信アンテナ２９−１，２９−２の放射パターンは図７に示すとおりであり、一部が重なる放射パターンを有している。図７に示すように、受信アンテナ２９−１，２９−２によって得られる受信信号の利得は、計測対象物の方位がゼロ度である場合に一致し、計測対象物の方位がゼロ度からずれるにしたがって利得差が増大する。
【００４３】
受信アンテナ２９−１，２９−２によって得られた受信信号は、信号用電極２５−１，２５−２、キャパシタ２４−１，２４−２、ボンディングワイヤー２３ａ−１，２３ａ−２を介して、スイッチング回路である半導体チップ１００の入力端子２０ａ−１，２０ａ−２にそれぞれ供給される。信号用電極２５−１，２５−２は、図３に示した信号用電極２５に対応する要素であり、キャパシタ２４−１，２４−２は、図３に示したキャパシタ２４に対応する要素である。また、ボンディングワイヤー２３ａ−１，２３ａ−２は、図３に示した第１のボンディングワイヤー２３ａに対応する要素であり、入力端子２０ａ−１，２０ａ−２は、図３に示したボンディングパッド２０ａに対応する要素である。
【００４４】
半導体チップ１００は、４つのダイオード２０−１，２０−２，Ｄ１，Ｄ２を含んでおり、このうち、ダイオード２０−１は、入力端子２０ａ−１と出力端子１００ａとの間に接続され、ダイオード２０−２は、入力端子２０ａ−２と出力端子１００ａとの間に接続されている。ダイオード２０−１，２０−２は、図３に示したダイオード２０に対応する要素である。一方、ダイオードＤ１は入力端子２０ａ−１とグランド間に接続されており、ダイオードＤ２は入力端子２０ａ−２とグランド間に接続されている。
【００４５】
半導体チップ１００の出力端子１００ａからの出力は、直流カット用のキャパシタＣ３を介してＬＮＡ（ローノイズアンプ）１０１に供給され、ＬＮＡ１０１によって増幅された後、ミキサ回路１０２によって復調される。復調された信号は、制御回路１０３に供給され、出力回路に供給したパルス信号１０３ａとの比較により、障害物との距離が算出される。算出結果は、図示しない外部回路へと供給される。また、出力端子１００ａには、インダクタ及びキャパシタなどからなるバイアス供給線路ＢＣも接続されている。
【００４６】
さらに、制御回路１０３はバイアス信号Ｂ１，Ｂ２を生成する。バイアス信号Ｂ１は、バイアス印加用電極２８−１を介して、インダクタＬ１及びキャパシタＣ１からなるバイアス供給線路に供給される。一方、バイアス信号Ｂ２は、バイアス印加用電極２８−２を介して、インダクタＬ２及びキャパシタＣ２からなるバイアス供給線路に供給される。インダクタＬ１及びキャパシタＣ１、並びに、インダクタＬ２及びキャパシタＣ２は、図３に示した１／４波長伝送線路２６及び１／４波長先端開放スタブ２７によるインダクタンス成分及びキャパシタンス成分である。また、上記２つのバイアス供給線路には、それぞれ電流制御用の抵抗Ｒ１，Ｒ２が直列に接続されている。
【００４７】
インダクタＬ１及びキャパシタＣ１からなるバイアス供給線路は、ボンディングワイヤー２３ｂ−１を介して、半導体チップ１００の入力端子２０ａ−１に接続される。また、インダクタＬ２及びキャパシタＣ２からなるバイアス供給線路は、ボンディングワイヤー２３ｂ−２を介して、半導体チップ１００の入力端子２０ａ−２に接続される。ボンディングワイヤー２３ｂ−１，２３ｂ−２は、図３に示した第２のボンディングワイヤー２３ｂに対応する要素である。
【００４８】
制御回路１０３により生成されるバイアス信号Ｂ１，Ｂ２は、アクティブ状態においてローレベル（マイナス電位）とされ、非アクティブ状態においてハイレベル（プラス電位）とされる。例えば、受信アンテナ２９−１を選択する場合は、バイアス信号Ｂ１がマイナス電位とされ、バイアス信号Ｂ２がプラス電位とされる。これにより、半導体チップ１００に含まれるダイオード２０−１，Ｄ２がオン状態となる一方、ダイオード２０−２，Ｄ１がオフ状態となることから、受信アンテナ２９−１がＬＮＡ１０１に接続されることになる。これに対し、ダイオードＤ２のオンによって入力端子２０ａ−２が接地されることから、受信アンテナ２９−２はＬＮＡ１０１と非接続状態となる。したがって、制御回路１０３は、バイアス信号Ｂ１，Ｂ２を交互に切り替えることにより、受信アンテナ２９−１，２９−２からの信号を時分割的に受信することが可能となる。
【００４９】
制御回路１０３は、受信アンテナ２９−１，２９−２からの受信信号の和信号Σ及び差信号Δを生成する。図８は、和信号Σ及び差信号Δの利得を示すグラフであり、計測対象物の方位がゼロ度である場合に、和信号Σの利得は最大となり、且つ、差信号Δの利得はゼロとなる。そして、計測対象物の方位がゼロ度からプラス方向にずれると、これに応じて差信号Δの利得は正の値をとり、計測対象物の方位がゼロ度からマイナス方向にずれると、これに応じて差信号Δの利得は負の値をとる。これに基づき、制御回路１０３は、計測対象物の方位を検出することができる。検出結果は、図示しない外部回路へと供給される。
【００５０】
特に限定されるものではないが、このようなレーダー装置は、車載用のショートレンジレーダー装置としての利用が好適である。本実施形態によるアンテナ装置を車載用のショートレンジレーダー装置として利用すれば、自車と先行車両との距離を正確に検出することが可能となることから、ドライバーに注意を促したり、さらには、避けられない衝突が迫っていることを検知してシートベルトを締め付けるなどのプレクラッシュ制御を行うことが可能となる。
【００５１】
このように、本実施形態による高周波モジュールは、受信アンテナの切り替え制御を行うレーダー装置に適用することが可能である。
【００５２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００５３】
例えば、上記実施形態による高周波モジュールでは、マッチング用電極２２にバイアス供給線路を接続しているが、このような回路を接続することは必須でなく、第２のボンディングワイヤーが有する並列なキャパシタンス成分を、第１のボンディングワイヤーに重畳可能である限り、マッチング用電極２２にはどのような回路を接続しても構わないし、さらには、完全にオープン状態としても構わない。マッチング用電極２２は、使用する周波数帯域においてオープン状態であれば、並列なキャパシタンス成分を効果的に重畳することが可能である。
【００５４】
また、上記実施形態による高周波モジュールでは、ボンディングパッド２０ａに２つのボンディングワイヤーを共通接続しているが、３つ以上のボンディングワイヤーを共通接続しても構わない。この場合、マッチング用電極を複数設け、ボンディングパッドと各マッチング用電極間をそれぞれ第２のボンディングワイヤーによって接続すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の好ましい実施形態による高周波モジュールの回路構成を示す図である。
【図２】図１に示す回路における各部のインピーダンスを示すスミスチャートである。
【図３】図１に示す高周波モジュールにアンテナ素子２９を接続した例を示す回路図である。
【図４】図１に示す高周波モジュールの主要部の構造を模式的に示す図であり、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＸ−Ｘ線に沿った略断面図である。
【図５】入力インピーダンスの軌跡を示すスミスチャートである。
【図６】本発明の好ましい実施形態による高周波モジュールを用いたレーダー装置の回路図である。
【図７】受信アンテナ２９−１，２９−２の放射パターンを示すグラフである。
【図８】和信号Σ及び差信号Δの利得を示すグラフである。
【図９】従来の高周波モジュールの主要部を示す回路図である。
【図１０】図９に示す回路における各部のインピーダンスを示すスミスチャートである。
【符号の説明】
【００５６】
２０，２０−１，２０−２    ダイオード
２０ａ    ボンディングパッド
２０ａ−１，２０ａ−２    入力端子
２１      信号用電極
２２      マッチング用電極
２３ａ，２３ａ−１，２３ａ−２    第１のボンディングワイヤー
２３ｂ，２３ｂ−１，２３ｂ−２    第２のボンディングワイヤー
２４，２４−１，２４−２    キャパシタ
２５，２５−１，２５−２    信号用電極
２６      １／４波長伝送線路
２７      １／４波長先端開放スタブ
２８，２８−１，２８−２    バイアス印加用電極
２９      アンテナ素子
２９−１，２９−２    受信アンテナ
３０      実装基板
３１      導体パターン
１００    半導体チップ
１００ａ  出力端子
１０１    ＬＮＡ
１０２    ミキサ回路
１０３    制御回路
１０３ａ  パルス信号
１０４    発振回路
１０４ａ  キャリア信号
１０５    出力回路
１０６    送信アンテナ
ＢＣ      バイアス供給線路
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３    キャパシタ
Ｄ１，Ｄ２    ダイオード
Ｌ１，Ｌ１    インダクタ
Ｒ１，Ｒ２    抵抗
【図１】
2007095838.tif 000003
【図２】
2007095838.tif 000004
【図３】
2007095838.tif 000005
【図４】
2007095838.tif 000006
【図５】
2007095838.tif 000007
【図６】
2007095838.tif 000008
【図７】
2007095838.tif 000009
【図８】
2007095838.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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