(57)【要約】【課題】ＰＳＬ感度等の輝尽発光特性の良好な放射線像変換パネルを提供する。【解決手段】気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成した後の冷却を、酸素分圧が０％＜Ｏ2＜２５％、真空度が１Ｐａ〜大気圧の雰囲気下で行なうことにより、前記課題を解決する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、
前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成を終了した後、酸素分圧が０％＜Ｏ2＜２５％、真空度が１Ｐａ〜大気圧の雰囲気下で、前記輝尽性蛍光体層の冷却を行なうことを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
０．５〜１０℃／ｍｉｎの平均冷却速度で前記輝尽性蛍光体層の冷却を行なう請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記輝尽性蛍光体層が１５０℃以下となった後に、前記雰囲気の系内から放射線像変換パネルを取り出す請求項１または２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
前記輝尽性蛍光体層の形成を、真空度が０．１〜３Ｐａの真空蒸着で行なう請求項１〜３のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法に関し、詳しくは、ＰＳＬ感度等の輝尽発光特性の良好な放射線像変換パネルを得ることができる放射線像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
一例として、この輝尽性蛍光体の層（輝尽性蛍光体層  以下、蛍光体層とする）を有する放射線像変換パネル（以下、変換パネルとする（輝尽性蛍光体パネル（シート）とも呼ばれている））を利用する、放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography)等として実用化されている。
このシステムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、変換パネル（蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、変換パネルを励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
【０００４】
変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作成される。
これに対し、特許文献１や特許文献２に示されるように、真空蒸着やスパッタリング等の気相堆積法（真空成膜法）によって、基板に蛍光体層を形成してなる蛍光体パネルも知られている。気相堆積法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１０７４９６号公報
【特許文献２】特開２００４−１２３９６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、気相堆積法で蛍光体層を形成すると、蛍光体層の形成条件（成膜条件）にもよるが、蛍光体層の形成を終了した時点では、蛍光体層は、２００℃程度の高温となる。そのため、蛍光体層の亀裂等の無い適正な変換パネルを得るためには、蛍光体層を形成した後の蛍光体層（および基板）の冷却を、適正に行なう必要がある。
これに対して、前記特許文献１には、蛍光体層の形成（成膜）中に基板を加熱する加熱器を利用して、形成後、加熱器の出力を段階的に下げて基板（すなわち蛍光体層）を徐冷、好ましくは、１〜２０℃／ｍｉｎの冷却速度で徐冷することにより、基板との密着性が良好で、かつ、亀裂等の無い良好な蛍光体層を有する変換パネルを製造することが開示されている。
【０００７】
特許文献１に開示される方法によれば、基板との密着性が良好で、亀裂の無い蛍光体層を有する高品位な変換パネルを製造することができる。
しかしながら、変換パネルには、蛍光体層の良好な密着性や性状のみならず、良好なＰＳＬ感度等の輝尽発光特性を有することも要求される。
【０００８】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、輝尽性蛍光体層を形成した後の冷却を適正に行なうことにより、ＰＳＬ感度等の輝尽発光特性が良好な輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、基板の表面に気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成を終了した後、酸素分圧が０％＜Ｏ2＜２５％、真空度が１Ｐａ〜大気圧の雰囲気下で、前記輝尽性蛍光体層の冷却を行なうことを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供する。
【００１０】
このような本発明の輝尽性蛍光体パネルの製造方法において、０．５〜１０℃／ｍｉｎの平均冷却速度で前記輝尽性蛍光体層の冷却を行なうのが好ましく、また、前記輝尽性蛍光体層が１５０℃以下となった後に、前記雰囲気の系内から放射線像変換パネルを取り出すのが好ましく、さらに、前記輝尽性蛍光体層の形成を、真空度が０．１〜３Ｐａの真空蒸着で行なうのが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
上記構成を有する本発明によれば、気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、輝尽性蛍光体層を形成した後の冷却時の雰囲気を適正にコントロールすることにより、ＰＳＬ感度等の輝尽発光特性に優れた輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の放射線像変換パネルの製造方法について詳細に説明する。
本発明は、基板の表面に、気相堆積法によって輝尽性蛍光体からなる層（膜）である輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層とする）を形成（成膜）する、放射線像変換パネル（以下、変換パネルとする）の製造方法である。
【００１３】
本発明の変換パネルの製造方法において、蛍光体層を形成する基板には、特に限定はなく、各種の変換パネルで用いられている各種のものが利用可能である。
一例として、セルロースアセテート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどから形成されるプラスチック板やプラスチックシート（フィルム）；  石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス（パイレックスTM等）などから形成されるガラス板やガラスシート；  アルミニウム、鉄、銅、クロムなどの金属類から形成される金属板や金属シート；  このような金属板等の表面に金属酸化物層等の被覆層を形成してなる板やシート；  等が例示される。
また、本発明の製造方法に用いられる基板は、このような板材やシート材の表面に、反射層、保護層、酸化防止層、密着層等の各種の層（膜）を有するものであってもよく、さらに、これらの層を複数有するものであってもよい。
【００１４】
基板１２の大きさ（面積）や厚さにも特に限定はなく、変換パネル１０の用途等に応じて、適宜、決定すればよい。
【００１５】
本発明の変換パネルの製造方法は、このような基板の表面に、気相堆積法によって蛍光体層を形成するものである。
【００１６】
本発明の製造方法において、蛍光体層となる輝尽性蛍光体には、特に限定はなく、公知の各種の輝尽性蛍光体が利用可能であるが、一例として、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
【００１７】
米国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ」、「ＴｈＯ2 ：Ｅｒ」、および、「Ｌａ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ」。
【００１８】
特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ2 Ｏ3 ：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「ＭIIＯ・ｘＳｉＯ2 ：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）
【００１９】
特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００２０】
特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ1-x ，Ｍ2+x ）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ2+は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）
【００２１】
特開昭５９−３８２７８号公報に開示される、一般式「ｘＭ3 （ＰＯ4 ）2 ・ＮＸ2 ：ｙＡ」または「Ｍ3 （ＰＯ4 ）2 ・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体；
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）
【００２２】
一般式「ｎＲｅＸ3 ・ｍＡＸ’2 ：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ3 ・ｍＡＸ’2 ：ｘＥｕ，ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体；
（上記式において、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０-4＜ｘ＜３×１０-1であり、１×１０-4＜ｙ＜１×１０-1であり、さらに、１×１０-3＜ｎ／ｍ＜７×１０-1である。）
【００２３】
特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭI Ｘ・ａＭIIＸ’2 ・ｂＭIII Ｘ''3 ：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIII は、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。）
【００２４】
特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ1-X ，ＭIIX ）Ｆ2 ・ａＢａＸ2 ：ｙＥｕ，ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０-6≦ｙ≦２×１０-1であり、０＜ｚ≦１×１０-2である。）
【００２５】
特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「ＭIII ＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIII は、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００２６】
特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ1-x Ｍa Ｌa ＦＸ：ｙＥｕ2+」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０-2≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。）
【００２７】
特開昭５９−７５２００号公報に開示される、一般式「ＭIIＦＸ・ａＭI Ｘ’・ｂＭ’IIＸ''2 ・ｃＭIII Ｘ3 ・ｘＡ：ｙＥｕ2+」で示される輝尽性蛍光体。（上記式においてＭIIは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’IIは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、ＭIII は、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，およびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０-2であり、０≦ｃ≦１×１０-2であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０-6であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）
【００２８】
中でも、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭６１−７２０８７号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、ＭI が、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００２９】
本発明の変換パネルの製造方法において、このような輝尽性蛍光体からなる蛍光体層は、前述のような基板の表面に、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)等の各種の気相堆積法（気相成膜法／真空成膜法）によって形成する。
中でも、生産性や形成速度等の点で真空蒸着が好適に利用される。特に、蛍光体成分の材料と、付活剤（賦活剤：activator)成分の材料とを別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着により蛍光体層を形成するのが好ましい。例えば、前記「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」からなる蛍光体層であれば、蛍光体成分の材料として臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤成分の材料として臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒx （ｘは、通常、２〜３））を用い、それぞれを別々に加熱蒸発させる真空蒸着により、蛍光体層を形成するのが好ましい。
真空蒸着における加熱方法にも、特に限定はなく、例えば、電子銃等を用いる電子線加熱、または、抵抗加熱で形成すればよい。さらに、多元の真空蒸着による形成する場合には、全ての材料を同様の同じ加熱手段（例えば、電子線加熱）で加熱蒸発してもよく、あるいは、蛍光体成分の材料は電子線加熱で、微量である付活剤成分の材料は抵抗加熱で、それぞれ加熱蒸発して形成してもよい。
【００３０】
蛍光体層の形成条件（成膜条件）にも、特に限定はなく、用いる気相堆積法の種類、使用する成膜材料、加熱手段等に応じて、適宜、決定すればよい。
また、蛍光体層の形成中に、基板の加熱等によって、基板および形成した蛍光体層を３００℃以下、好ましくは２００℃以下で加熱してもよい。なお、基板の加熱は、一例として、真空蒸着装置等の蛍光体層の形成装置において、基板を保持する基板ホルダに加熱手段を設ける手段等、公知の方法によればよい。
【００３１】
ここで、本発明の変換パネルの製造方法においては、前述した各種の輝尽性蛍光体、特にアルカリハライド系輝尽性蛍光体、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を真空蒸着によって形成する場合には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスや窒素ガス等を系内に導入して、０．０１〜３Ｐａ程度の中真空度とし、この中真空下で抵抗加熱等によって成膜材料を加熱する、中注真空での真空蒸着を行うのが好ましい。
ＣｓＢｒ：Ｅｕ等のアルカリハライド系の蛍光体層は、柱状結晶構造を有するが、このような中真空での真空蒸着で得られる蛍光体層は、特に良好な柱状の結晶構造を有し、輝尽発光特性や画像の鮮鋭性等の点で好ましい。
また、このような中真空下での真空蒸着で形成したアルカリハライド系の蛍光体層、特にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層は、後述する本発明に特有の冷却方法による輝尽発光特性の向上効果が大きく、この点でも、好ましい。
【００３２】
蛍光体層の成膜速度には、特に限定はなく、輝尽性蛍光体の種類、成膜方法、成膜装置の性能等に応じて、適宜、決定すればよい。
さらに、蛍光体層の厚さにも、特に限定はなく、変換パネルの用途や輝尽性蛍光体の種類等に応じて、充分な輝尽発光特性を得られる層厚を、適宜、決定すればよいが、好ましくは、５０〜１５００μｍ、特に２００〜１０００μｍ程度である。
【００３３】
前述のように、このような気相堆積法で蛍光体層を形成した直後には、蛍光体層は２００℃前後の高温となっている。
本発明の蛍光体シートの製造方法においては、このようにして基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成した後に、酸素分圧が０％＜Ｏ2＜２５％で、かつ、真空度が１Ｐａ〜大気圧の雰囲気下で蛍光体層（基板）を冷却する。
【００３４】
前述の特許文献１には、蛍光体層を形成した後に、基板（すなわち蛍光体層）を徐々に冷却することにより、基板との密着性が高く、亀裂等の無い好適な蛍光体層を有する変換パネルを製造することが開示されている。
しかしながら、本発明者は、検討の結果、気相堆積法によって蛍光体層を形成した後の冷却は、蛍光体層の密着性や亀裂等の性状のみならず、ＰＳＬ感度などの輝尽発光特性にも影響を与えることを見いだした。また、この点について、さらに検討を重ねた結果、冷却中の雰囲気が輝尽発光特性に大きな影響を与え、酸素の存在下にて冷却を行なうことにより、ＰＳＬ感度等の輝尽発光特性が良好な蛍光体層を有する変換パネルが得られることを見いだした。
【００３５】
一般的に考えると、２００℃前後の高温にある状態で活性の高い酸素と蛍光体層とが接触すれば、蛍光体層がダメージを受けてしまい、そればかりか、さらに、ルツボに残った成膜材料や成膜装置もダメージを受けてしまう可能性が高い。従って、気相堆積法、特に輻射熱の大きな真空蒸着によって蛍光体層を形成した後は、窒素やアルゴン等の不活性ガスを成膜系内に導入して、不活性な雰囲気の中で蛍光体層の冷却を行なうのが好ましいと考えるのが、通常である。
ところが、本発明者の検討によれば、蛍光体層を形成した後の冷却を、酸素の存在下で、かつ、真空度が１Ｐａ〜大気圧（１．０１３３×１０5Ｐａ＝１ａｔｍ）の雰囲気で行なうことにより、酸素の存在量が微量でも、付活剤の付活状況など、蛍光体層に好適な影響を与え、ＰＳＬ感度等の輝尽発光特性が向上する。
【００３６】
冷却時には、上記真空度中であれば、酸素が少量でも存在すれば、不活性雰囲気などの全く酸素が無い状態に比して、より好適な輝尽発光特性を得ることができる。他方、冷却時における酸素分圧が２５％超では、逆に、酸素が蛍光体層に悪影響を与える可能性があり、また、成膜後の高温の成膜系内に多量の酸素を導入することとなり、装置耐久性、安全性の点でも好ましく無い。
また、真空度が１Ｐａ以下では、好適な輝尽発光特性を蛍光体層にもたらすのに充分な酸素を供給できず、逆に真空度（ガス圧）を大気圧以上とするのは、安全性や生産性等の点で好ましくない。
より良好な輝尽発光特性が得られる等の点で、酸素分圧は、１０％≦Ｏ2＜２５％が好ましく、特に、１５％＜Ｏ2≦２１％が好ましい。また、同様の理由で、真空度は１０Ｐａ〜大気圧が好ましい。
【００３７】
なお、蛍光体層の形成後、系内をこのような雰囲気にする方法としては、蛍光体層の形成を終了した真空チャンバ内に空気を導入し、目的とする真空度あるいはさらに大気圧まで戻す（大気開放）する方法、同真空チャンバ内に上記酸素分圧となるように窒素やヘリウムなどの不活性ガスと酸素とを混合した混合気を導入する方法等が例示される。
【００３８】
本発明の変換パネルの製造方法において、蛍光体層を形成した後冷却速度には、特に限定はないが、好ましくは、平均速度で０．５〜１０℃／ｍｉｎ（℃／分）である。
後述するが、変換パネルの製造では、より好適な輝尽発光特性を得るために、蛍光体層が冷却した後に、加熱処理を行なう。ここで、冷却速度が冷却速度が０．５℃／ｍｉｎ未満になると、蛍光体層が高温となっている時間が長すぎて、不適正に加熱処理された状態（過加熱状態）になって、ＰＳＬ感度等の輝尽発光特性が低下してしまう可能性がある。
また、冷却時間が冗長になり、生産性や作業性の点でも、不利である。逆に、冷却速度が１０℃／ｍｉｎを超えると、冷却速度が早すぎ、熱膨張した蛍光体層と基板との収縮速度の差等に応じて、基板と蛍光体層との密着力の低下、蛍光体層に亀裂が生じる等の可能性が高くなってしまい、好ましく無い。
【００３９】
このような点を考慮すると、冷却速度は、０．５〜５℃／ｍｉｎとするのが、より好ましい。
また、冷却速度のコントロールは、冷却手段／加熱手段を用いる方法、基板を保持する基板ホルダの熱容量を選択する方法、基板ホルダが加熱手段を有する場合には基板ホルダ（あるいは、基板ホルダに設けられた基板への熱伝導手段）と基板との密着力を調整する方法（好ましくは、蛍光体層の形成後に調整）等、装置構成等に応じて、各種の公知の方法で行なえばよい。
【００４０】
また、成膜系内から変換パネルを取り出す温度、すなわち、冷却を終了する温度にも、特に限定は無いが、好ましくは、蛍光体層（すなわち基板）の温度が１５０℃以下となったら、冷却を終了したとして、成膜系内から変換パネルを取り出すのが好ましい。
蛍光体層の温度が１５０℃超の状態で蛍光体パネルと取り出すと、系内から取り出した後の大気中における冷却速度が早く、先の冷却速度が１０℃／ｍｉｎを超えた場合と同様の理由で好ましくなく、また、安全性や基板の耐久性等の点でも、不利である。
このような点を考慮すると、蛍光体層が１００℃以下となった後に、成膜系内から変換パネルを取り出すのが、より好ましい。
【００４１】
本発明において、このような蛍光体層の冷却は、蛍光体層を形成した後、そのまま成膜装置から基板（すなわち変換パネル）から取り出すことなく、真空蒸着装置の真空チャンバ内等、蛍光体層の形成系内（成膜系内）で行なうのが好ましい。
しかしながら、本発明は、これに限定はされず、蛍光体層の後、系内から蛍光体層を形成した変換パネルを取り出し、別途設けた冷却系内で、同様の冷却を行なってもよい。
【００４２】
このようにして気相堆積法によって蛍光体層を形成し、冷却を終了したら、良好な輝尽発光特性を発現させるために、加熱処理（アニール）を施すのが好ましい。
蛍光体層の加熱処理条件には、特に限定はないが、一例として、窒素雰囲気等の不活性雰囲気下で、５０〜６００℃、特に１００〜３００℃で、１／６〜１０時間、特に０．５〜３時間の加熱処理を行うのが好ましい。
【００４３】
さらに、本発明の変換パネルの製造方法においては、蛍光体層を形成し、冷却、加熱処理を行なった後、蛍光体層の吸湿を防止するために、蛍光体層を防湿性の保護膜で覆って、封止してもよい。
【００４４】
以上、本発明の放射線像変換パネルの製造方法について詳細に説明したが、本発明は上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。
【００４６】
［実施例１］
付活剤成分の材料（付活剤成分の成膜材料）として臭化ユーロピウムを、蛍光体成分の材料（蛍光体成分の成膜材料）として臭化セシウムを、それぞれ用いる二元の真空蒸着によって、基板の表面にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる（輝尽性）蛍光体層を形成した。なお、両材料共に、加熱は、タンタル製のルツボと出力６ｋＷのＤＣ電源とを用いる抵抗加熱装置で行った。
真空蒸着装置の基板ホルダに、面積４５０×４５０ｍｍのアルミニウム製の基板１２をセットし、また、所定位置に各材料をセットし、さらに、成膜領域が基板１２の中央の４３０×４３０ｍｍとなるように基板の表面をマスキングした。ここで、基板ホルダは、加熱ヒータ、および加熱ヒータの熱を伝導する熱伝導シートを有するものであり、基板は、裏面（蛍光体層の非形成面）を全面的に熱伝導シートに密着（押圧）して、固定される。
【００４７】
基板を基板ホルダにセットした後、真空チャンバを閉塞し、排気を開始した。排気は、ディフュージョンポンプおよびクライオコイルを用いた。
真空度が８×１０-4Ｐａとなった時点で、真空チャンバ内にアルゴンガスを導入して真空度を０．５Ｐａとし、次いで、ＤＣ電源を駆動してルツボに通電して、基板の表面に蛍光体層の形成を開始した。なお、蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が０．００１：１で、かつ、成膜速度が８μｍ／ｍｉｎとなるように、両ルツボのＤＣ電源の出力を調整した。また、前記加熱ヒータによって、蛍光体層蒸着開始前の基板表面温度が１５０℃となるように加熱した。
【００４８】
蛍光体層の層厚が約７１０μｍとなった時点で、ＤＣ電源を停止してルツボへの通電、および基板を加熱する加熱ヒータへの通電を停止し、蛍光体層の形成を終了した。
次いで、真空チャンバ（成膜系）内が大気圧（１．０１３３×１０5Ｐａ）となるまで乾燥した空気（酸素分圧２１％）を導入し、大気開放状態で状態で放置して、蛍光体層の冷却を行なった。蛍光体層の形成終了時（蒸着終了時）の基板すなわち蛍光体層の温度は、２００℃であった。
基板の温度が１００℃となった時点で、蛍光体層の冷却が終了したとして、基板（変換パネル）を基板ホルダから取り外し、真空チャンバから取り出した。蛍光体層の平均冷却速度は、１．７℃／ｍｉｎであった。
【００４９】
次いで、冷却を終了した基板に、窒素雰囲気下で、温度２００℃で２時間の加熱処理を行い、（放射線像）変換パネルを作製した。
【００５０】
［比較例１および２］
蛍光体層の形成終了後の空気の導入を、真空チャンバ内の真空度が０．５Ｐａまでとして、その真空度を保って冷却した以外（比較例１）、および、蛍光体層の形成終了後に真空チャンバ内が大気圧となるまで窒素ガス（酸素分圧０％）を導入し、その状態を保って冷却した以外（比較例２）は、前記実施例１と全く同様にして、変換パネルを作製した。
【００５１】
［実施例２および３］
蛍光体層の形成終了後の空気の導入を、真空チャンバ内の真空度が１Ｐａとなるまでとして、その真空度を保って冷却を行なった以外（実施例２）、および、同空気の導入を、真空チャンバ内の真空度が１０Ｐａとなるまでとして、その真空度を保って冷却を行なった以外（実施例３）は、前記実施例１と全く同様にして、変換パネルを作製した。
なお、実施例２の平均冷却速度は０．８℃／ｍｉｎ、実施例３の平均冷却速度は１．３℃／ｍｉｎであった。
【００５２】
［実施例４および５］
蛍光体層の形成終了後に真空チャンバ内に導入する空気を酸素分圧を５％まで減らしたものとした以外（実施例４）、および、同空気を酸素分圧を１０％まで減らしたものとした以外（実施例５）は、前記実施例１と全く同様にして、変換パネルを作製した。
【００５３】
［実施例６〜８］
基板ホルダからの基板の取り外し温度（蛍光体層の冷却終了温度）を、それぞれ、５０℃（実施例６）、１５０℃（実施例７）、および、１６０℃（実施例８）とした以外は、前記実施例１と全く同様にして、変換パネルを作製した。
【００５４】
［実施例９〜１２］
蛍光体層の形成終了後の蛍光体層（基板）の平均冷却速度を、それぞれ、０．５℃／ｍｉｎ（実施例９）、０．７℃／ｍｉｎ（実施例１０）、３．３℃／ｍｉｎ（実施例１１）、および、１２℃／ｍｉｎ（実施例１２）とした以外は、前記実施例１と全く同様にして、変換パネルを作製した。
なお、平均冷却速度は、真空チャンバ内の真空度を大気圧とした後に、前記基板ホルダの熱伝導シートと基板との密着力を調整することで行なった。
【００５５】
以上の実施例１〜１２、ならびに、比較例１および２の基板（蛍光体層）の冷却条件、および冷却雰囲気を、下記表にまとめて示す。
【００５６】
このようにして作製した各変換パネルについて、ＰＳＬ感度（輝尽発光量(Photostimulated Luminescence)）、および、蛍光体層の密着性（膜密着）を評価した。なお、評価方法は、以下のとおりである。
【００５７】
［ＰＳＬ感度］
変換パネルを遮光性のカセッテに収容して、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を約１ｍＲ照射した。
Ｘ線照射後、暗室でカセッテから変換パネルを取り出し、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（波長６３３ｎｍ：１０ｍＷ）を励起光として蛍光体層に照射し、蛍光体層が発する輝尽発光光を測定した。なお、輝尽発光光の測定は、励起光カットフィルタ（ＨＯＹＡ（株）製  Ｂ４１０）を通して励起光と輝尽発光光とを分離して、光電子増倍管を用いて輝尽発光光を測定することで行なった。
ＰＳＬの評価は、実施例１の結果を１００として、
９０以上を◎；
８０以上９０未満を○；
６０以上８０未満を△；
６０未満を×：
とする相対評価で行なった。
【００５８】
［膜密着］
形成した蛍光体層に剥離が認められるものを×；
蛍光体層に剥離は認められないが、蛍光体層に３ｃｍ四方の「井」の字を書いた時に剥離が発生するものを△；
蛍光体層に３ｃｍ四方の「井」の字を書いても剥離は認められないが、この「井」の字にセロハンテープを貼着して、垂直方向に引っ張った際に剥離したものを○；
以上の全てで蛍光体層が剥離しないものを◎；
と評価した。
結果を下記表に示す。
【００５９】
2007126534.tif 000002
【００６０】
上記表に示されるように、蛍光体層の形成後、真空度が低すぎる雰囲気で蛍光体層の冷却を行なった比較例１や、酸素が存在しない雰囲気で蛍光体層の冷却を行なった比較例２では、ＰＳＬ感度が低く、好適な変換パネルと言うことは出来ない。
これに対し、蛍光体層を形成した後、酸素分圧が０％＜Ｏ2＜２５％、真空度が１Ｐａ〜大気圧の雰囲気下で蛍光体層を冷却する本発明の製造方法によれば、ＰＳＬ感度および膜剥離、共に、好適な変換パネルが得られる。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。