(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザ光を使用して可視画像を記録することができる画像記録層を有する光ディスクにおいて、画像記録層に視認性が良好な可視画像を記録可能な光ディスクを提供する。【解決手段】基板上に、レーザ光の照射により可視画像を記録可能な画像記録層をこの順に有する光ディスクであって、前記基板側から反射率を測定した場合に、前記画像記録層に前記可視画像を記録する前における前記画像記録層の波長５００〜６００ｎｍの領域の反射率の積分値Ａと、前記可視画像を記録した後における前記画像記録層の波長５００〜６００ｎｍの領域の反射率の積分値Ｂとが下記式（Ｍ１）の関係を満たすことを特徴とする光ディスクである。      Ａ＜Ｂ    …式（Ｍ１）【選択図】図３２
2007095274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも、レーザ光の照射により可視画像を記録可能な画像記録層をこの順に有する積層体を含む光ディスクであって、
前記基板側から反射率を測定した場合に、前記画像記録層に前記可視画像を記録する前における前記画像記録層の波長５００〜６００ｎｍの領域の反射率の積分値Ａと、前記可視画像を記録した後における前記画像記録層の波長５００〜６００ｎｍの領域の反射率の積分値Ｂとが下記式（Ｍ１）の関係を満たすことを特徴とする光ディスク。
Ａ＜Ｂ    …式（Ｍ１）
【請求項２】
請求項１記載の光ディスクにおいて、
前記積層体と、別の基板上に少なくとも情報記録層及び反射層がこの順に有する別の積層体とを貼り合わせてなることを特徴とする光ディスク。
【請求項３】
請求項１又は２記載の光ディスクにおいて、
前記画像記録層が、色素化合物を含有することを特徴とする光ディスク。
【請求項４】
請求項３記載の光ディスクにおいて、
前記画像記録層が、色素化合物を含有する塗布液を用いて形成されたものであることを特徴とする光ディスク。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光ディスクにおいて、
前記画像記録層が形成される前記基板が、溝を有しない基板であることを特徴とする光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに関し、特に、可視画像を記録可能な画像記録層を有する光ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーザ光により１回限りの情報の記録が可能な光記録媒体（光ディスク）が知られている。この光ディスクは、追記型ＣＤ（所謂ＣＤ−Ｒ）とも称され、その代表的な構造は、透明な円盤状基板上に有機色素からなる記録層、金等の金属からなる光反射層、さらに樹脂製の保護層がこの順に積層状態で設けられている。そしてこのＣＤ−Ｒへの情報の記録は、近赤外域のレーザ光（通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザ光）をＣＤ−Ｒに照射することにより行われ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録される。一方、情報の読み取り（再生）もまた記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報が再生される。
【０００３】
近年、記録密度のより高い光記録媒体が求められている。このような要望に対して、追記型デジタル・ヴァサタイル・ディスク（所謂ＤＶＤ−Ｒ）と称される光ディスクが提案されている。このＤＶＤ−Ｒは、照射されるレーザ光のトラッキングのための案内溝（プレグルーブ）がＣＤ−Ｒに比べて半分以下（０．７４〜０．８μｍ）と狭く形成された透明な円盤状基板上に、色素からなる記録層、そして通常は該記録層の上に光反射層、そしてさらに必要により保護層を設けてなるディスクを二枚、あるいは該ディスクと同じ形状の円盤状保護基板とを該記録層を内側にして接着剤で貼り合わせた構造を有している。ＤＶＤ−Ｒへの情報の記録再生は、可視レーザ光（通常は、６３０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲の波長のレーザ光）を照射することにより行われ、ＣＤ−Ｒより高密度の記録が可能であるとされている。
【０００４】
ところで、前記光ディスクには、音楽データ等が記録される記録面とは反対側の面に、記録面に記録した音楽データの楽曲タイトルや、記録したデータを識別するためのタイトル等の可視情報を印刷したラベルを貼付したものが知られている。このような光ディスクは、プリンタ等によって円形のラベルシート上にタイトル等を予め印刷し、当該ラベルシートを光ディスクの記録面とは反対側の面に貼付することにより作製される。
【０００５】
しかし、上述のようにタイトル等の所望の可視画像をレーベル面に記録した光ディスクを作製する場合には、光ディスクドライブとは別にプリンタが必要となる。従って、光ディスクドライブを用いて、ある光ディスクの記録面に記録を行った後、該光ディスクを光ディスクドライブから取り出して、別に用意したプリンターによって印刷されたラベルシートを貼付する等といった煩雑な作業を行う必要がある。
【０００６】
そこで、前記記録面と反対側の面にレーザマーカを使用して表面と背景のコントラストを変化させて表示をさせることができる光記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このような方法を採用することで、プリンタ等を別途用意することなく、光ディスクドライブによって光ディスクのレーベル面に所望の画像記録を行うことができる。しかしながら、この方法では、感度が低く、炭酸ガスレーザ等の高パワーのガスレーザを使用せざるを得ず、前述のようなレーザ光により形成された可視画像は、コントラストが低く視認性に劣っていた。
【０００７】
また別の例として、異なる特性のレーザ光が照射された場合に、異なる色に発色する発色層を有する光記録媒体が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。しかし、この光記録媒体は、層構成や記録装置が複雑である上、細かい階調がつけられないという問題があった。
【０００８】
一方、主情報の再生（記録）に用いるレーザ光と同じレーザ光を用い、レーザ光の照射部分と非照射部分との反射率の違いに起因するコントラストにより可視情報を記録し得る可視情報記録層を有する光情報記録媒体が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。しかし、従来においては、可視情報の視認性の向上についての追究はなされておらず改善の余地が残されていた。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−６６６１７号公報
【特許文献２】特開２００３−２７２２４０号公報
【特許文献３】特開２００４−１０３１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、以上の従来の問題点に鑑みなされたものであり、レーザ光を使用して可視画像を記録することができる画像記録層を有する光ディスクにおいて、画像記録層に視認性が良好な可視画像を記録可能な光ディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、鋭意検討した結果、５００〜６００ｎｍの領域の光反射率を特定の範囲とすることで、十分な視認性が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
＜１＞  本発明に係る光ディスクは、基板上に、少なくとも、レーザ光の照射により可視画像を記録可能な画像記録層をこの順に有する積層体を含む光ディスクであって、前記基板側から反射率を測定した場合に、前記画像記録層に前記可視画像を記録する前における前記画像記録層の波長５００〜６００ｎｍの領域の反射率の積分値Ａと、前記可視画像を記録した後における前記画像記録層の波長５００〜６００ｎｍの領域の反射率の積分値Ｂとが下記式（Ｍ１）の関係を満たすことを特徴とする光ディスクである。
Ａ＜Ｂ    …式（Ｍ１）
【００１３】
＜２＞  前記積層体と、別の基板上に少なくとも情報記録層及び反射層がこの順に有する別の積層体とを貼り合わせてなることを特徴とする前記＜１＞に記載の光ディスクである。
【００１４】
＜３＞  前記画像記録層が、色素化合物を含有することを特徴とする前記＜１＞又は＜２＞に記載の光ディスクである。
【００１５】
＜４＞  前記画像記録層が、色素化合物を含有する塗布液を用いて形成されたものであることを特徴とする前記＜３＞に記載の光ディスクである。
【００１６】
＜５＞  前記画像記録層が形成される前記基板が、溝を有しない基板であることを特徴とする前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の光ディスクである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、レーザ光を使用して可視画像を記録することができる画像記録層を有する光ディスクにおいて、画像記録層に視認性が良好な可視画像を記録可能な光ディスクを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の光ディスクは、基板上に、少なくとも、レーザ光の照射により可視画像を記録可能な画像記録層と、反射層とをこの順に有する積層体を含む光ディスクであって、前記基板側から反射率を測定した場合に、前記画像記録層に前記可視画像を記録する前における前記画像記録層の波長５００〜６００ｎｍの領域の反射率の積分値Ａと、前記可視画像を記録した後における前記画像記録層の波長５００〜６００ｎｍの領域の反射率の積分値Ｂとが下記式（Ｍ１）の関係を満たすことを特徴としている。
Ａ＜Ｂ    …式（Ｍ１）
以下、本実施の形態に係る光ディスクについて説明する。
【００１９】
本実施の形態に係る光ディスクの種類としては、読出し専用型、追記型、書換え可能型等のいずれでもよいが、追記型であることが好ましい。また、記録形式としては、相変化型、光磁気型、色素型等、特に制限されないが、色素型であることが好ましい。
【００２０】
本実施の形態に係る光ディスクの層構成としては、例えば、以下の構成が挙げられる。
（１）基板、情報記録層、反射層、接着層、画像記録層、基板
（２）基板、情報記録層、反射層、保護層、接着層、画像記録層、基板
（３）基板、情報記録層、反射層、保護層、接着層、保護層、画像記録層、基板
（４）基板、情報記録層、反射層、保護層、接着層、保護層、反射層、画像記録層、基板
（５）基板、情報記録層、反射層、接着層、反射層、画像記録層、基板
（６）カバー層、接着層、情報記録層、反射層、基板、反射層、画像記録層、保護層
（７）カバー層、情報記録層、反射層、基板、反射層、画像記録層、保護層
（８）カバー層、接着層、情報記録層、反射層、基板、反射層、画像記録層、誘電体層、保護層
（９）カバー層、情報記録層、反射層、基板、反射層、画像記録層、誘電体層、保護層
（１０）基板、情報記録層、反射層、保護層、反射層、画像記録層、保護層
（１１）基板、情報記録層、反射層、保護層、反射層、画像記録層、誘電体層、保護層
【００２１】
なお、上記（１）〜（１１）の層構成は単なる例示であり、当該層構成は上述の順番のみでなく、一部を入れ替えてもよい。また、一部を省略してもかまわない。さらに、各層は１層で構成されても複数層で構成されてもよい。
【００２２】
また、上記（１）〜（５）の構成は、基板上に、少なくとも、画像記録層をこの順に有する積層体と、別の基板上に少なくとも情報記録層及び反射層をこの順に有する別の積層体とを貼り合わせてなる光ディスクである。
【００２３】
以下、基板及び各層について説明する。
【００２４】
［情報記録層］
情報記録層は、デジタル情報等の符号情報（コード化情報）が記録される層であり、色素型、追記型、相変化型、光磁気型等が挙げられ、特に制限はないが、色素型であることが好ましい。
【００２５】
色素型の情報記録層に含有される色素の具体例としては、シアニン色素、オキソノール色素、金属錯体系色素、アゾ色素、フタロシアニン色素等が挙げられる。
【００２６】
また、特開平４−７４６９０号公報、特開平８−１２７１７４号公報、同１１−５３７５８号公報、同１１−３３４２０４号公報、同１１−３３４２０５号公報、同１１−３３４２０６号公報、同１１−３３４２０７号公報、特開２０００−４３４２３号公報、同２０００−１０８５１３号公報、及び同２０００−１５８８１８号公報等に記載されている色素が好適に用いられる。
【００２７】
さらに、記録物質は色素には限定されず、トリアゾール化合物、トリアジン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、アミノブタジエン化合物、フタロシアニン化合物、桂皮酸化合物、ビオロゲン化合物、アゾ化合物、オキソノール化合物、ベンゾオキサゾール化合物、ベンゾトリアゾール化合物等の有機化合物も好適に用いられる。これらの化合物の中では、シアニン化合物、アミノブタジエン化合物、オキソノール化合物、ベンゾトリアゾール化合物、フタロシアニン化合物が特に好ましい。
【００２８】
記録層の色素として、後述する画像記録層に用いる色素又は色素の組合せを用いることが好ましい。
【００２９】
情報記録層は、色素等の記録物質を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成される。塗布液中の記録物質の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。
【００３０】
情報記録層の形成は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、又は溶剤塗布等の方法によって行うことができるが、溶剤塗布が好ましい。
【００３１】
塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００３２】
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等、各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【００３３】
結合剤を使用する場合、該結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質；及びポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物等の合成有機高分子を挙げることができる。
【００３４】
情報記録層の材料として結合剤を併用する場合、結合剤の使用量は、一般に色素の質量の０．０１倍量〜５０倍量の範囲にあり、好ましくは０．１倍量〜５倍量の範囲にある。
【００３５】
前記溶剤塗布の塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。情報記録層は単層でも重層でもよい。情報記録層の層厚は一般に１０〜５００ｎｍの範囲にあり、好ましくは１５〜３００ｎｍの範囲にあり、より好ましくは２０〜１５０ｎｍの範囲にある。
【００３６】
情報記録層には、該情報記録層の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては、一般的に、一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号、同５９−３１１９４号、同６０−１８３８７号、同６０−１９５８６号、同６０−１９５８７号、同６０−３５０５４号、同６０−３６１９０号、同６０−３６１９１号、同６０−４４５５４号、同６０−４４５５５号、同６０−４４３８９号、同６０−４４３９０号、同６０−５４８９２号、同６０−４７０６９号、同６８−２０９９９５号、特開平４−２５４９２号、特公平１−３８６８０号、及び同６−２６０２８号等の各公報、ドイツ特許第３５０３９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁等に記載のものを挙げることができる。
【００３７】
前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、通常、色素の質量の０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、更に好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。
【００３８】
相変化型の情報記録層を構成する材料の具体例としては、Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、等が挙げられる。なかでも、多数回の書き換えが可能であることから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が好ましい。
【００３９】
相変化型の情報記録層の層厚としては、１０〜５０ｎｍとすることが好ましく、１５〜３０ｎｍとすることがより好ましい
【００４０】
以上の相変化型の情報記録層は、スパッタ法、真空蒸着法等の気相薄膜堆積法、等によって形成することができる。
【００４１】
［基板］
本発明の光ディスクの基板は、情報記録層及び画像記録層のいずれの側の基板においても、従来の光ディスクの基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。
【００４２】
基板材料としては、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、三酢酸セルロース（ＴＡＣ）、アモルファスポリオレフィン及びポリエステル等を挙げることができ、所望によりそれらを併用してもよい。
【００４３】
なお、これらの材料はフィルム状として又は剛性のある基板として使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び価格等の点からポリカーボネートが好ましい。
【００４４】
基板の厚さは、５〜１２００μｍとすることが好ましく、１０〜６００μｍとすることがより好ましい。また、情報記録層が設けられる側の基板は、情報記録又は再生に波長６６０ｎｍ近辺のレーザ光を用いる場合には、トラックピッチ：７００〜８００ｎｍ、グルーブ深さ：１００〜２００ｎｍ、溝幅：２５０〜４００ｎｍ、グルーブ傾斜角：３０〜７０度であることが好ましい。また、情報記録又は再生に波長４０５ｎｍ近辺のレーザ光を用いる場合には、トラックピッチ：３００〜４００ｎｍ、グルーブ深さ：２０〜１００ｎｍ、溝幅：１００〜２００ｎｍ、グルーブ傾斜角：３０〜７０度であることが好ましい。また、情報記録又は再生に波長７８０ｎｍ近辺のレーザ光を用いる場合には、トラックピッチ：１．５〜１．７μｍ、グルーブ深さ：１００〜２２０ｎｍ、溝幅：４００〜８００ｎｍ、グルーブ傾斜角：３０〜７０度であることが好ましい。
【００４５】
情報記録層が設けられる側の基板表面側（グルーブが形成された面側）には、平面性の改善、接着力の向上及び情報記録層の変質防止の目的で、下塗層が設けられてもよい。
【００４６】
下塗層の材料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；及びシランカップリング剤等の表面改質剤等を挙げることができる。下塗層は、上記物質を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。
【００４７】
下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【００４８】
また、画像記録層に高精彩な画像を記録するには、画像記録層が設けられる側の基板にも、トラッキング用のグルーブ（溝）を設けてもよい。この場合、第１の態様では、波長６６０ｎｍ近辺のレーザ光を用いる場合においては、グルーブのトラックピッチは、０．７〜２００μｍの範囲にとすることが好ましく、１〜１００μｍの範囲とすることがより好ましく、１．５〜５０μｍの範囲とすることがさらに好ましい。また、画像記録時にトラッキングをかけて、かつ、レーザ光を入射する側の基板厚さが０．６ｍｍの場合の溝の深さは、５０〜３００ｎｍとすることが好ましく、８０〜２５０ｎｍとすることがより好ましく、１００〜２００ｎｍとすることがさらに好ましい。溝の幅は、１００〜５００ｎｍとすることが好ましく、２００〜４００ｎｍとすることがより好ましく、２５０〜３５０ｎｍとすることがさらに好ましい。グルーブの傾斜角は３０〜７０度とすることが好ましい。
【００４９】
一方、波長７８０ｎｍ近辺のレーザ光を用いる場合においては、グルーブのトラックピッチは、１〜２００μｍの範囲にとすることが好ましく、１．６〜１００μｍの範囲とすることがより好ましく、３〜５０μｍの範囲とすることがさらに好ましい。また、画像記録時にトラッキングをかけて、かつ、レーザ光を入射する側の基板厚さが０．６ｍｍの場合の溝の深さは、１００〜３００ｎｍとすることが好ましく、１３０〜２５０ｎｍとすることがより好ましく、１５０〜２００ｎｍとすることがさらに好ましい。溝の幅は、１００〜１０００ｎｍとすることが好ましく、２００〜７００ｎｍとすることがより好ましく、３００〜６００ｎｍとすることがさらに好ましい。グルーブの傾斜角は３０〜７０度とすることが好ましい。
【００５０】
なお、溝形状は、レーザ光の波長、ＮＡ、基板厚等でその最適範囲が異なることがある。
【００５１】
［反射層］
情報の再生時における反射率の向上の目的で、情報記録層に隣接して反射層が設けられることある。反射層の材料である光反射性物質はレーザ光に対する反射率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで、又は合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ金属、Ａｇ金属、Ａｌ金属あるいはこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｇ金属、Ａｌ金属あるいはそれらの合金である。反射層は、例えば、上記光反射性物質を蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより基板もしくは情報記録層の上に形成することができる。反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、５０〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【００５２】
［接着層］
接着層は、情報記録層側の反射層又は保護層と、画像記録層側の基板又は保護層との密着性を向上させるために形成される任意の層である。
【００５３】
接着層を構成する材料としては、光硬化性樹脂が好ましく、なかでもディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製の「ＳＤ−６４０」、「ＳＤ−３４７」等のＵＶ硬化性樹脂（ＵＶ硬化性接着剤）を挙げることができる。また、接着層の厚さは、弾力性を持たせるため、１〜１０００μｍの範囲が好ましく、５〜５００μｍの範囲がより好ましく、１０〜１００μｍの範囲が特に好ましい。
【００５４】
［画像記録層］
画像記録層には、文字、図形、絵柄等、ユーザーが所望する可視画像（可視情報）が記録される。可視画像としては、例えば、ディスクのタイトル、内容情報、内容のサムネール、関連した絵柄、デザイン的な絵柄、著作権情報、記録日時、記録方法、記録フォーマット、バーコード等が挙げられる。
【００５５】
画像記録層に記録される可視画像とは、視覚的に認識可能な画像を意味し、文字（列）、絵柄、図形等あらゆる視認可能な情報を含む。また、文字情報としては、使用可能者指定情報、使用期間指定情報、使用可能回数指定情報、レンタル情報、分解能指定情報、レイヤー指定情報、ユーザ指定情報、著作権者情報、著作権番号情報、製造者情報、製造日情報、販売日情報、販売店又は販売者情報、使用セット番号情報、地域指定情報、言語指定情報、用途指定情報、製品使用者情報、使用番号情報等が挙げられる。
【００５６】
画像記録層は、レーザ光の照射により、文字、画像、絵柄等の画像情報を視認可能に記録できればよく、その構成材料としては、既述の情報記録層において説明した色素を好適に用いることができる。
【００５７】
本発明においては、既述のように、画像記録層は、基板側から反射率を測定した場合に、前記画像記録層に前記可視画像を記録する前における前記画像記録層の波長５００〜６００ｎｍの領域の反射率の積分値Ａと、前記可視画像を記録した後における前記画像記録層の波長５００〜６００ｎｍの領域の反射率の積分値Ｂとが下記式（Ｍ１）の関係を満たす。
Ａ＜Ｂ    …式（Ｍ１）
【００５８】
上記式（Ｍ１）を満たすことにより、記録した可視画像の視認性が良好な画像記録層が得られる。上記効果が得られる得られる理由は定かではないが、人間は５００〜６００ｎｍの領域の光について感度が高く、その位置で反射率が増加すると十分な視認性が得られる。本発明では、上記構成により十分な色の変化が生じたと考えられる。
【００５９】
上記式（Ｍ１）において、１．２×Ａ＜Ｂであることが好ましく、１．５×Ａ＜Ｂであることがより好ましい。
【００６０】
以上のように、画像記録前後において上記の通り上記式（Ｍ１）を満たす画像記録層を設定するには、例えば、画像記録層に用いる色素を適宜選択することにより実現することができる。そして、それらの色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより画像記録層が形成される。塗布液中の記録物質の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。
【００６１】
色素の具体例としては、シアニン色素、イミダゾキノキサリン系色素、ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、スクワリリウム系色素、アゾ色素、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属錯塩系色素（フタロシアニン色素、アゾ金属キレート色素、ピロメテン金属キレート色素）、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系色素、トリフェニルメタン系色素、メロシアニン系色素、オキソノール系色素、アミニウム系色素、紫外線吸収剤が挙げられ、中でも特に、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素（金属キレート色素を含む）、メロシアニン系色素、オキソノール系色素、紫外線吸収剤が好適に用いられる。
【００６２】
色素の組み合わせとしては、それぞれ、オキソノール色素とシアニン色素；オキソノール色素とアゾ色素；オキソノール色素と別のオキソノール色素；オキソノール色素とフタロシアニン色素；オキソノール色素とピロメテン色素；シアニン色素と別のシアニン色素；シアニン色素とアゾ色素；シアニン色素とフタロシアニン色素；シアニン色素とピロメテン色素；アゾ色素とフタロシアニン色素；アゾ色素とピロメテン色素；フタロシアニン色素とピロメテン色素を好適に挙げることができる。
【００６３】
上述した色素中でも、シアニン色素又はフタロシアニン色素が好ましく、更には、その両者の併用が好ましい。特に、シアニン色素とフタロシアニン色素とを混合して用いる場合に本発明の第1の態様の要件を満足する光ディスクが得られる。
【００６４】
なお、画像記録層は、色素の種類を適宜選択することにより情報記録層にもなり得る。
【００６５】
色素の組合せの場合、色素同士の含有比（質量比）は、９９：１〜１：９９が好ましく、８０：２０〜２０：８０がより好ましく、７０：３０〜３０：７０がさらに好ましい。
【００６６】
以上の色素について、シアニン、フタロシアニン、オキソノール色素について順に詳述する。
【００６７】
−シアニン色素−
一般的なシアニン色素については、ヘテロサイクル化合物の化学（Ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）シリーズの、シアニン色素とその周辺化合物（Ｃｙａｎｉｎｅ  Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ．  Ｊｏｈｎ  Ｗｊｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ．  Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ，Ｌｏｎｄｏｎ，１９６４年発売）に記載されている。
【００６８】
本発明において、シアニン色素としては、下記一般式（１）で表されるシアニン色素であることが好ましい。
【００６９】
【化１】
2007095274.tif 000003
【００７０】
一般式（１）中、Ｚａ21及びＺａ22は各々独立にヘテロ環を形成する原子群を表わす。Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23は各々独立に、置換又は無置換のメチン基を表わす。ｋａ２は０から３までの整数を表わし、ｋａ２が２以上の時、複数存在するＭａ21、Ｍａ22は同じでも異なってもよい。Ｒ101、Ｒ102は、各々独立に、置換基を表す。Ｑ２は電荷を中和するイオンを表わし、ｙ２は電荷の中和に必要な数を表わす。
【００７１】
一般式（１）中、Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23は、各々独立に、置換又は無置換のメチン基を表わす。置換基を有する場合の置換基としては、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、置換もしくは無置換のアルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のシリルオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、置換もしくは無置換のアシルオキシ基、置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルオキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ、置換もしくは無置換のアミノ基（アニリノ基を含む）、置換もしくは無置換のアシルアミノ基、置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルホニルアミノ基、置換もしくは無置換のメルカプト基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換又は無置換のヘテロ環チオ基、置換又は無置換のスルファモイル基、スルホ基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルフィニル基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルホニル基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換又は無置換のカルバモイル基、置換又は無置換のアリール及びヘテロ環アゾ基、置換もしくは無置換のイミド基、置換もしくは無置換のホスフィノ基、置換もしくは無置換のホスフィニル基、置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、又は置換もしくは無置換のシリル基が例として挙げられる。
【００７２】
更に詳しくは、置換基は、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造等も包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ-メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、p-クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ'−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバ��イル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。
【００７３】
Ｍ21、Ｍ22、Ｍ23が置換されている場合の置換基は、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、及び置換又は無置換のヘテロ環基が好ましい。置換又は無置換のアルキル基としては、炭素数が１〜２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、プチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−アミル、シクロプロピル、シクロへキシル、ベンジル、フェネチル）が挙げられる。また、アルキル基を表す場合には、それらが互いに連結して炭素環（例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロへキシル、２−メチルシクロへキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル等）又は複素環（例えばピペリジル、クロマニル、モルホリル等）を形成していてもよい。置換基がアルキル基の場合、好ましくは、炭素数１〜８の、鎖状アルキル基又は環状アルキル基であり、最も好ましくは炭素数１〜５の鎖状（直鎖状又は分岐鎖状）アルキル基、又は、該アルキル基が互いに結合して環をなした炭素数１〜８の環状アルキル基（好ましくはシクロへキシル環）、炭素数１〜２０の置換アルキル基（例えば、ベンジル、フェネチル）である。
【００７４】
Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23は、置換されているよりも、無置換の方が好ましい。
【００７５】
一般式（１）中、Ｒ101、Ｒ102は、各々独立に、置換基を表すが、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、又は置換もしくは無置換のヘテロ環基が好ましい。これらの基は、更に置換されていてもよく、置換する置換基としては、上述のＭａ21、Ｍａ22、Ｍａ23の置換されている場合の置換基が例として挙げられる。
【００７６】
前記Ｒ101、Ｒ102は好ましくは、置換又は無置換のアルキル基であり、更には、炭素数１〜８の置換又は無置換のアルキル基であり、更には、炭素数１−８の無置換のアルキル基である。Ｒ101、Ｒ102は互いに異なっていても同じでも良いが、同じであることが好ましい。
【００７７】
Ｑ２は電荷を中和するイオンを表わし、ｙ２は電荷の中和に必要な数を表わす。Ｑ２で表されるイオンは、対する色素分子の電荷に応じて陰イオンを表し、Ｑ２として表されるイオンには特に制限は無く、無機化合物よりなるイオンであっても、有機化合物よりなるイオンであっても構わない。また、Ｑ２として表されるイオンの電荷は１価であっても多価であっても構わない。Ｑ２として表される陰イオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオンのようなハロゲン陰イオン、硫酸イオン、リン酸イオン、リン酸水素イオン等のヘテロポリ酸イオン、琥珀酸イオン、マレイン酸イオン、フマル酸イオン、芳香族ジスルホン酸イオンのような有機多価陰イオン、四フッ化ホウ酸イオン、六フッ化リン酸イオンが挙げられる。
【００７８】
一般式（１）中、ｙ２は電荷の中和に必要な数を表わす。Ｑ２が２価の陰イオンである場合、ｙ２が１／２であれば、Ｑ２ｙ２全体で一価の陰イオンとして考えられる。ｋａ２は、０から３までの整数を表わし、ｋａ２が２以上の時、複数存在するＭａ21、Ｍａ22は同じでも異なってもよい。
【００７９】
前記一般式（１）で表されるシアニン色素の中でも、下記一般式（２）で表されるシアニン色素が好ましい。
【００８０】
【化２】
2007095274.tif 000004
【００８１】
一般式（２）中、Ｚａ31、Ｚａ32は、各々独立に、炭素環、ヘテロ環を形成する原子団を表す。Ｒ1a、Ｒ2aは、各々独立に置換基を表す。Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123、Ｒ124、Ｒ125、Ｒ126、Ｒ127は、各々独立に水素原子又は、置換基を表す。ｋａ３は０から３までの整数を表わし、ｋａ３が２以上の時、複数存在するＲ121、Ｒ122は同じでも異なってもよい。Ｑ３は電荷を中和するイオンを表わし、ｙ３は電荷の中和に必要な数を表わす。
【００８２】
一般式（２）中、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123は、水素原子又は置換基であり、該置換基は一般式（１）のＭａ21、Ｍａ22、Ｍａ23を置換する置換基と同義であり、好ましい例も同様である。Ｒ124、Ｒ125、Ｒ126、Ｒ127は、水素原子又は置換基であり、該置換基は上述のＭ21、Ｍ22、Ｍ23が置換されている場合の置換基と同義であり、好ましい例も同様である。Ｒ1a、Ｒ2aは、一般式（１）におけるＲ101、Ｒ102と同義であり、好ましい例も同様である。ｋａ３は、一般式（１）のｋａ２と同義であり、好ましい例も同様である。
【００８３】
一般式（２）中、Ｑ３は電荷を中和するイオンを表わし、ｙ３は電荷の中和に必要な数を表わす。Ｑ３で表されるイオンは、対する色素分子の電荷に応じて陰イオンを表し、Ｑ３として表されるイオンには特に制限は無く、無機化合物よりなるイオンであっても、有機化合物よりなるイオンであっても構わない。また、Ｑ３として表されるイオンの電荷は１価であっても多価であっても構わない。Ｑ３として表される陰イオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオンのようなハロゲン陰イオン、硫酸イオン、リン酸イオン、リン酸水素イオン等のヘテロポリ酸イオン、琥珀酸イオン、マレイン酸イオン、フマル酸イオン、芳香族ジスルホン酸イオンのような有機多価陰イオン、四フッ化ホウ酸イオン、六フッ化リン酸イオンが挙げられる。
【００８４】
ｙ３は電荷の中和に必要な数を表わす。Ｑ３が２価の陰イオンである場合、ｙ３が１／２であれば、Ｑ３ｙ３全体で一価の陰イオンとして考えられる。
【００８５】
本実施の形態に使用する上記一般式（１）で示されるシアニン色素は、Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23が無置換のメチン基であることが好ましく、またＲ101、Ｒ102が各々独立に炭素数１〜８の無置換のアルキル基であることが好ましく、Ｚａ21、Ｚａ22は、各々独立に、インドレニン環を形成するものが好ましく、Ｋａ２は、１又は２であり、Ｑ２は一価の陰イオンであり、Ｙ２は１である。
【００８６】
また一般式（２）で表されるシアニン色素では、Ｒ124、Ｒ125、Ｒ126、Ｒ127は各々独立に置換もしくは無置換のアルキル基であり、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123は、水素原子が好ましく、Ｚａ31、Ｚａ32は、各々独立に、ベンゼン環、又は、ナフタレン環を形成するものが好ましい。Ｋａ３は１又は２であることが好ましく、またＱ３は無機及び有機の陰イオンであることが好ましく、ｙ３は１であるものが好ましい。
【００８７】
以下に、一般式（１）で表される構造のシアニン化合物の具体例を挙げる。本発明は、この具体例によって、制限されるものではない。
【００８８】
【化３】
2007095274.tif 000005
【００８９】
【化４】
2007095274.tif 000006
【００９０】
【化５】
2007095274.tif 000007
【００９１】
【化６】
2007095274.tif 000008
【００９２】
【化７】
2007095274.tif 000009
【００９３】
【化８】
2007095274.tif 000010
【００９４】
本実施の形態に係わるシアニン色素（好ましくは上記一般式（２）で示される色素化合物）は、アモルファス膜の光学特性上、記録レーザ波長における複素屈折率の係数ｎ（実部：屈性率）、ｋ（虚部：消衰係数）が、好ましくは、１．５０≦ｎ≦３．０、  ０．９≦ｋ≦３．００である。更に好ましくは、１．５０≦ｎ≦２．００、  ０．９０≦ｋ≦２．００である。最も好ましくは、１．６０≦ｎ≦１．９０、１．２０≦ｋ≦１．５０である。熱分解温度が１００℃〜３５０℃の範囲にあるものが好ましい。更には、１５０℃〜３００℃の範囲にあるものが好ましい。更には、２００℃から３００℃の範囲にあるものが好ましい。
【００９５】
−フタロシアニン色素−
次に、フタロシアニン色素について説明する。フタロシアニン色素としては、下記一般式（３）で表されるフタロシアニン色素であることが好ましい。
【００９６】
【化９】
2007095274.tif 000011
【００９７】
一般式（３）中、Ｒα1〜Ｒα8及びＲβ1〜Ｒβ8は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ホルミル基、カルボキシル基、スルホ基、炭素原子数１乃至２０のアルキル基、炭素原子数６乃至１４のアリール基、炭素原子数１乃至１０のヘテロ環基、炭素原子数１乃至２０のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１４のアリールオキシ基、炭素原子数２乃至２１のアシル基、炭素原子数１乃至２０アルキルスルホニル基、炭素原子数６乃至２０アリールスルホニル基、炭素原子数１乃至２５のカルバモイル基、炭素原子数０乃至３２のスルファモイル基、炭素原子数２乃至２１のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７乃至１５のアリールオキシカルボニル基、炭素原子数２乃至２１のアシルアミノ基、炭素原子数１乃至２０のスルホニルアミノ基、炭素原子数０乃至３６のアミノ基を表し、Ｍは２個の水素原子、金属、金属酸化物又は配位子を有する金属を表す。
【００９８】
一般式（３）中、Ｒα1〜Ｒα8及びＲβ1〜Ｒβ8は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ホルミル基、カルボキシル基、スルホ基、炭素原子数１乃至２０のアルキル基、炭素原子数６乃至１４のアリール基、炭素原子数１乃至１０のヘテロ環基、炭素原子数１乃至２０のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１４のアリールオキシ基、炭素原子数２乃至２１のアシル基、炭素原子数１乃至２０アルキルスルホニル基、炭素原子数６乃至２０アリールスルホニル基、炭素原子数１乃至２５のカルバモイル基、炭素原子数０乃至３２のスルファモイル基、炭素原子数２乃至２１のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７乃至１５のアリールオキシカルボニル基、炭素原子数２乃至２１のアシルアミノ基、炭素原子数１乃至２０のスルホニルアミノ基、炭素原子数０乃至３６のアミノ基を表し、Ｍは２個の水素原子、金属、金属酸化物又は配位子を有する金属を表す。
【００９９】
一般式（３）中、Ｒα1〜Ｒα8のすべてが同時に水素原子ではないことが好ましく、更に、Ｒα1及びＲα2のいずれか一方、Ｒα3及びＲα4のいずれか一方、Ｒα5及びＲα6のいずれか一方、Ｒα7及びＲα8のいずれか一方の計４つの置換基が同時に水素原子ではないことが好ましく、特にこのとき、Ｒβ1〜Ｒβ8のすべてが同時に水素原子であることが好ましい。
【０１００】
一般式（３）において、Ｒα1〜Ｒα8及びＲβ1〜Ｒβ8の好ましい例としては、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホ基、炭素数１乃至１６のアルキル基、炭素原子数６乃至１０のアリール基、炭素原子数１乃至１６のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１０のアリールオキシ基、炭素原子数１乃至１６のアルキルスルホニル基、炭素原子数６乃至１６のアリールスルホニル基、炭素原子数２乃至２０のスルファモイル基、炭素原子数２乃至１７のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７乃至１１のアリールオキシカルボニル基、炭素原子数２乃至１８のアシルアミノ基、炭素原子数１乃至１８のスルホニルアミノ基を挙げることができるが、より好ましいものは、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホ基、炭素原子数１乃至１６のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１０のアリールオキシ基、炭素原子数１乃至１４のアルキルスルホニル基、炭素原子数６乃至１４のアリールスルホニル基、炭素原子数２乃至１６のスルファモイル基、炭素原子数２乃至１３のアルコキシカルボニル基、炭素原子数２乃至１４のアシルアミノ基、炭素原子数１乃至１４のスルホニルアミノ基であり、さらに好ましくは、Ｒα1〜Ｒα8が水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、炭素原子数８乃至１６のアルコキシ基、炭素原子数１乃至１２のスルホニル基、炭素原子数１乃至１２のスルファモイル基、炭素原子数２乃至１２のアシルアミノ基、炭素原子数１乃至１２のスルホニルアミノ基、Ｒβ1〜Ｒβ8が水素原子又はハロゲン原子であり、特に好ましくは、Ｒα1〜Ｒα8の少なくとも１つが、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルホニル基、炭素数６乃至１４のアリールスルホニル基、炭素原子数１乃至１０のスルファモイル基、Ｒβ1〜Ｒβ8が水素原子である。
【０１０１】
一般式（３）において、Ｒα1〜Ｒα8及びＲβ1〜Ｒβ8はさらに置換基を有していてもよく、該置換基の例としては、以下に記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜２０の鎖状又は環状のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基）、炭素原子数６〜１８のアリール基（例えば、フェニル基、クロロフェニル基、２，４−ジ−ｔ−アミルフェニル基、１−ナフチル基）、炭素原子数２〜２０のアルケニル基（例えば、ビニル基、２−メチルビニル基）、炭素原子数２〜２０のアルキニル基（例えば、エチニル基、２−メチルエチニル基、２−フェニルエチニル基）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素原子数２〜２０のアシル基（例えば、アセチル基、ベンゾイル基、サリチロイル基、ピバロイル基）、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基）、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、１−ナフトキシ基、トルオイル基）、炭素原子数１〜２０のアルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、ブチルチオ基、ベンジルチオ基、３−メトキシプロピルチオ基）、炭素原子数６〜２０のアリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、４−クロロフェニルチオ基）、炭素原子数１〜２０のアルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、ブタンスルホニル基）、炭素原子数６〜２０のアリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル基、パラトルエンスルホニル基）、炭素原子数１〜１７のカルバモイル基（例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ｎ−ブチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基）、炭素原子数１〜１６のアミド基（例えば、アセトアミド基、ベンズアミド基）、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基（例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基）、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基）、５もしくは６員のヘテロ環基（例えば、ピリジル基、チエニル基、フリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基等の芳香族ヘテロ環基；ピロリジン環基、ピペリジン環基、モルホリン環基、ピラン環基、チオピラン環基、ジオキサン環基、ジチオラン環基等のヘテロ環基）。
【０１０２】
一般式（３）において、Ｒα1〜Ｒα8及びＲβ1〜Ｒβ8の置換基として好ましいものは、炭素原子数１〜１６の鎖状又は環状のアルキル基、炭素原子数６〜１４のアリール基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、ハロゲン原子、炭素原子数２〜１７のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、炭素数１〜１０のアミド基であり、中でも好ましいものは、炭素原子数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素原子数７〜１３のアラルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１０のアリールオキシ基、塩素原子、炭素原子数２〜１１のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１〜７のカルバモイル基、炭素数１〜８のアミド基であり、特に好ましいものは、炭素原子数１〜８の鎖状分岐又は環状のアルキル基、炭素原子数７〜１１のアラルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数３〜９のアルコキシカルボニル基、フェニル基及び塩素原子であり、さらに優れて好ましいものは炭素原子数１〜６のアルコキシ基である。
【０１０３】
一般式（３）において、Ｍは金属であることが好ましく、なかでも、亜鉛、マグネシウム、銅、ニッケル又はパラジウムが好ましく、さらに銅、亜鉛又はマグネシウムが好ましく、特に銅が好ましい。フタロシアニン色素の分子内に、置換されてもよい、フェロセニル基を有しても良い。
【０１０４】
フタロシアニン色素の具体例を下記に示す。
【０１０５】
【表１】
2007095274.tif 000012
【０１０６】
【表２】
2007095274.tif 000013
【０１０７】
【表３】
2007095274.tif 000014
【０１０８】
【表４】
2007095274.tif 000015
【０１０９】
【化１０】
2007095274.tif 000016
【０１１０】
本実施の形態に用いられるフタロシアニン誘導体は、例えば白井−小林共著、（株）アイピーシー発行「フタロシアニン−化学と機能−」（ｐ．１〜６２）、Ｃ．Ｃ．Ｌｅｚｎｏｆｆ−Ａ．Ｂ．Ｐ．Ｌｅｖｅｒ共著、ＶＣＨ発行'Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｓ−Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ'（ｐ．１〜５４）等に記載、引用もしくはこれらに類似の方法により合成することができる。
【０１１１】
−オキソノール色素−
次に、オキソノール色素について説明する。該オキソノール色素としては、下記一般式（Ａ）で表される化合物であり、好ましくはメチン数が１ないし７である鎖状酸性核もしくは環状酸性核を有する色素である。一般式（Ａ）中、ｎは１〜４の整数が好ましい。Ｒ同士は環を形成しうる。より好ましくは前記一般式（ＩＩ）で表されるオキソノール色素であり、より好ましくは一般式（Ｉ）で表される色素であり、更に好ましくは一般式（ＩＩＩ）で表される色素である。また、一般式（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＩＩ’）、（１）で表される色素も用いられる。
【０１１２】
【化１１】
2007095274.tif 000017
【０１１３】
【化１２】
2007095274.tif 000018
【０１１４】
【化１３】
2007095274.tif 000019
【０１１５】
一般式（１）で表される化合物には、後述の一般式(ＩＩＩ）で表される化合物例も含まれる。
【０１１６】
【化１４】
2007095274.tif 000020
【０１１７】
一般式（１）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、及び置換又は無置換のヘテロ環基のいずれかを表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換又は無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換又は無置換のアシル基、置換又は無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ基、置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、置換又は無置換のカルバモイルアミノ基、置換又は無置換のアルキルスルホニル基、置換又は無置換のアリールスホニル基、置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、置換又は無置換のアリールスルフィニル基及び置換又は無置換のスルファモイル基のいずれかを表す。ｍは０以上の整数を表し、ｍが２以上の場合は複数のＲ3は同じでも異なってもよい。Ｚx+は陽イオンを表し、ｘは１以上の整数を表す。
【０１１８】
一般式（１）のＲ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、及び置換又は無置換のヘテロ環基のいずれかを表す。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表される置換又は無置換のアルキル基としては、炭素数が１〜２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、プチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−アミル、シクロプロピル、シクロへキシル、ベンジル、フェネチル）が挙げられる。また、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14が各々アルキル基を表す場合には、それらが互いに連結して炭素環（例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロへキシル、２−メチルシクロへキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル等）又は複素環（例えばピペリジル、クロマニル、モルホリル等）を形成していてもよい。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表されるアルキル基として好ましくは、炭素数１〜８の、鎖状アルキル基又は環状アルキル基であり、最も好ましくは炭素数１〜５の鎖状（直鎖状又は分岐鎖状）アルキル基、Ｒ11とＲ12及びＲ13とＲ14がそれぞれ結合して環をなした炭素数１〜８の環状アルキル基（好ましくはシクロへキシル環）、炭素数１〜２０の置換アルキル基（例えば、ベンジル、フェネチル）である。
【０１１９】
一般式（１）のＲ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表される置換又は無置換のアリール基としては、炭素数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル、ナフチル）が挙げられる。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表されるアリール基として好ましくは、炭素数６〜１０のアリール基である。
【０１２０】
一般式（１）のＲ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表される置換又は無置換のヘテロ環基は炭素原子、窒素原子、酸素原子、あるいは硫黄原子から構成される５〜６員環の飽和又は不飽和のヘテロ環基であり、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピペリジル基、トリアジル基、ピロリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基等が挙げられる。またこれらがベンゾ縮環したもの（例えばキノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾキサゾリル基等）でもよい。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表される置換又は無置換のヘテロ環基として好ましくは、炭素数６〜１０の置換又は無置換のヘテロ環基である。
【０１２１】
一般式（１）のＲ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表される置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、及び置換又は無置換のヘテロ環基の置換基としては後述の置換基群Ｓが挙げられる。
【０１２２】
Ｓで示される置換基としては、炭素数１〜２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、カルボキシメチル、エトキシカルボニルメチル）、炭素数７〜２０のアラルキル基（例えば、ベンジル、フェネチル）、炭素数１〜８のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ）、炭素数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル、ナフチル）、炭素数６〜２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ、ナフトキシ）、ヘテロ環基（例えば、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサゾリル、２−ピロリジノン−１−イル、２−ピペリドン−１−イル、２，４−ジオキシイミダゾリジン−３−イル、２，４−ジオキシオキサゾリジン−３−イル、スクシンイミド、フタルイミド、マレイミド）、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、沃素）、カルボキシル基、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル）、シアノ基、炭素数２〜１０のアシル基（例えば、アセチル、ピバロイル）、炭素数１〜１０のカルバモイル（例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、モルホリノカルバモイル）、アミノ基、炭素数１〜２０の置換アミノ基（例えば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ビス（メチルスルホニルエチル）アミノ、Ｎ−エチル−Ｎ'−スルホエチルアミノ）、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、炭素数１〜１０のアルキルスルホニルアミノ基（例えば、メチルスルホニルアミノ）、炭素数１〜１０のカルバモイルアミノ基（例えば、カルバモイルアミノ、メチルカルバモイルアミノ）、炭素数１〜１０のスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、エタンスルホニル）、炭素数１〜１０のスルフィニル基（例えば、メタンスルフィニル）、及び炭素数０〜１０のスルファモイル基（例えば、スルファモイル、メタンスルファモイル）が含まれる。カルボキシル基及びスルホ基の場合にはそれらは塩の状態であってもよい。
【０１２３】
一般式（１）のＲ21、Ｒ22、Ｒ3はそれぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換又は無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換又は無置換のアシル基、置換又は無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ基、置換又は無置換のカルバモイルアミノ基、置換又は無置換のアルキルスルホニル基、置換又は無置換のアリールスルホニル基、置換又は無置換のスルフィニル基及び置換又は無置換のスルファモイル基のいずれかを表す。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3として好ましくは、水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換又は無置換の炭素数２〜２０のヘテロ環基、置換又は無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換又は無置換の炭素数６〜２０のアリール基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは、水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換又は無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換又は無置換の炭素数２〜１０ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、最も好ましくは水素原子、無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換又は無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基及びハロゲン原子のいずれかである。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3は更に置換基を有しても良く、置換基としては前述の置換基群Ｓが挙げられる。
【０１２４】
ｍが０であり、Ｒ21、Ｒ22が両方とも水素原子であることが好ましい。また、ｍが１であり、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3がいずれも水素原子であることが好ましい。
【０１２５】
一般式（１）のｍは０以上の整数を表し、好ましくは０〜５（０以上５以下）の整数であり、更に好ましくは０〜３の整数であり、特に好ましくは０〜２の整数である。
【０１２６】
一般式（１）において、上記ｍが２以上の場合、複数のＲ3は同じでも異なってもよく、それぞれ独立に水素原子又は前記の置換基を表す。
【０１２７】
一般式（１）においてＺx+は陽イオンを表し、ｘは１以上の整数を表す。
【０１２８】
Ｚx+で表される陽イオンとして好ましくは、第４級アンモニウムイオンであり、更に好ましくは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４'−ビピリジニウム陽イオン及び特２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４'−ビピリジニウム陽イオンである。一般式（１）においてｘは１又は２が好ましい。
【０１２９】
以下に、前記一般式（１）で表される化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１３０】
【化１５】
2007095274.tif 000021
【０１３１】
【化１６】
2007095274.tif 000022
【０１３２】
【化１７】
2007095274.tif 000023
【０１３３】
【化１８】
2007095274.tif 000024
【０１３４】
【化１９】
2007095274.tif 000025
【０１３５】
【化２０】
2007095274.tif 000026
【０１３６】
【化２１】
2007095274.tif 000027
【０１３７】
【化２２】
2007095274.tif 000028
【０１３８】
【化２３】
2007095274.tif 000029
【０１３９】
【化２４】
2007095274.tif 000030
【０１４０】
【化２５】
2007095274.tif 000031
【０１４１】
【化２６】
2007095274.tif 000032
【０１４２】
【化２７】
2007095274.tif 000033
【０１４３】
【化２８】
2007095274.tif 000034
【０１４４】
【化２９】
2007095274.tif 000035
【０１４５】
【化３０】
2007095274.tif 000036
【０１４６】
【化３１】
2007095274.tif 000037
【０１４７】
【化３２】
2007095274.tif 000038
【０１４８】
【化３３】
2007095274.tif 000039
【０１４９】
【化３４】
2007095274.tif 000040
【０１５０】
【化３５】
2007095274.tif 000041
【０１５１】
【化３６】
2007095274.tif 000042
【０１５２】
オキソノール色素の場合、一般式（ＩＩ）で表される化合物が好ましい。
【０１５３】
次に、一般式（ＩＩ）について、詳細に説明する。式（ＩＩ）中、Ｚａ25、Ｚａ26は、各々独立に、酸性核を形成する原子群である。酸性核は、一般式（Ｉ）のＺａ21、Ｚａ22、Ｚａ23、Ｚａ24、が形成するものと同義であり、その具体例も同様である。Ｚａ25、Ｚａ26が形成する酸性核は、好ましくは、インダンジオン、ピラゾロン、ピラゾリンジオン、ベンゾチオフェンオンジオキシドである。その中でも、ピラゾロンが最も好ましい。
【０１５４】
Ｍａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、各々独立に、置換又は無置換のメチン基であり、一般式（Ｉ）のＭａ21、Ｍａ22、Ｍａ23、Ｍａ24、Ｍａ25、Ｍａ26と同義であり、具体例も、好ましい例も同様である。Ｍａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、無置換のメチン基が好ましい。
【０１５５】
Ｋａ23は、０から３までの整数を表す。一般式（Ｉ）のＫａ21、Ｋａ22、と同義である。Ｋａ23は、共に２であるものが好ましい。Ｑは、電荷を中和する一価の陽イオンを表す。
【０１５６】
Ｋａ23が複数であるとき、複数存在するＭａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、同じでも異なっていてもよい。
【０１５７】
一般式（ＩＩ）で表される構造の色素は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）で表されるものが好ましい。
【０１５８】
【化３７】
2007095274.tif 000043
【０１５９】
一般式（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44は各々独立に、水素原子又は置換基である。Ｍａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、各々独立に、置換又は無置換のメチン基である。Ｋａ23は、０から３までの整数を表す。Ｑは、電荷を中和する一価の陽イオンを表す。Ｋａ21、Ｋａ22が複数であるとき、複数存在するＭａ27、Ｍａ28は、同じでも異なっていてもよい。
【０１６０】
一般式（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ32、Ｒ33（以上を「Ｒ」と表示することあり）は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、置換もしくは無置換のアルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のシリルオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、置換もしくは無置換のアシルオキシ基、置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルオキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ、置換もしくは無置換のアミノ基（アニリノ基を含む）、置換もしくは無置換のアシルアミノ基、置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルホニルアミノ基、置換もしくは無置換のメルカプト基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換又は無置換のヘテロ環チオ基、置換又は無置換のスルファモイル基、スルホ基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルフィニル基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルホニル基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換又は無置換のカルバモイル基、置換又は無置換のアリール及びヘテロ環アゾ基、置換もしくは無置換のイミド基、置換もしくは無置換のホスフィノ基、置換もしくは無置換のホスフィニル基、置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、又は置換もしくは無置換のシリル基が例として挙げられる。
【０１６１】
更に詳しくは、Ｒは、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造等も包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、N-メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、p-クロロフェノキシカルボニルアミノ、m-ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ'−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基��好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。
【０１６２】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28は、水素原子が最も好ましい。
【０１６３】
Ｒ31、Ｒ34、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44は、置換基としては前記Ｒと同じものが挙げられるが、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。その中でも、置換又は無置換のアリール基が更に好ましい。
Ｍａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、各々独立に、置換又は無置換のメチン基である。一般式（ＩＩ）のＭａ27、Ｍａ28、Ｍａ29と同義であり、その具体例及び好ましいものも同様である。Ｋａ23は、各々独立に、０から３までの整数を表す。Ｋａ23は好ましくは２である。Ｑは、電荷を中和する一価の陽イオンを表す。Ｋａ23が複数であるとき、複数存在するＭａ27、Ｍａ28は、同じでも異なっていても良い。
【０１６４】
一般式（ＩＩ）で表される構造の色素は、下記の一般式（ＶＩＩＩ）で表される構造の色素が好ましい。
【０１６５】
【化３８】
2007095274.tif 000044
【０１６６】
一般式（ＶＩＩＩ）で表される色素について詳しく説明する。
【０１６７】
一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ51、Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59、Ｒ60は、各々独立に、水素原子又は、置換基を表す。置換基の場合は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のカルバモイル基、又は置換もしくは無置換のアシルアミノ基が好ましい。その中でも、全てが水素原子であるもの、及び、Ｒ51、Ｒ53、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ58、Ｒ60がハロゲン原子で置換され、かつＲ52、Ｒ54、Ｒ57、Ｒ59が水素原子であるものが好ましい。Ｒ61、Ｒ67は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、シアノ基、置換もしくは無置換のカルバモイル基、置換もしくは無置換のアルコシキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、又は置換もしくは無置換のアシルアミノ基を表しす。その中での、置換又は無置換のアルコキシカルボニル基が好ましく、無置換のアルコキシカルボニル基が最も好ましい。
【０１６８】
Ｒ62、Ｒ63、Ｒ64、Ｒ65、Ｒ66は、各々独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアシルアミノ基、又は置換もしくは無置換のヘテロ環基を表す。Ｒ62、Ｒ63、Ｒ65、Ｒ66は、全て水素原子が好ましい。Ｒ64は、水素原子、又は置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。
【０１６９】
Ｒ71、Ｒ72、Ｒ73、Ｒ74、Ｒ75、Ｒ76、Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79、Ｒ80、Ｒ81、Ｒ82、Ｒ83、Ｒ84、Ｒ85、Ｒ86、Ｒ87、Ｒ88は、各々独立に、水素原子又は、置換基を表す。置換基であるときは、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、ヒドロキシル基、又は置換もしくは無置換のアシルアミノ基が好ましい。Ｒ71、Ｒ72、Ｒ75、Ｒ76、Ｒ77、Ｒ80は、全て水素原子が好ましい。Ｒ73、Ｒ78は、各々ヒドロキシル基が好ましい。Ｒ74、Ｒ79は、各々フェニル基が好ましい。
【０１７０】
Ｒ81、Ｒ82、Ｒ83、Ｒ84、Ｒ85、Ｒ86、Ｒ87、Ｒ88は、全て水素原子が好ましい。
【０１７１】
一般式（Ｉ）で表される構造の色素について、詳しく説明する。式（Ｉ）中、Ｚａ21、Ｚａ22、Ｚａ23、Ｚａ24は、各々独立に、酸性核を形成する原子群であり、その例としては、Ｊａｍｅｓ  編、Ｔｈｅ  Ｔｈｅｏｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓ、第４版、マクミラン社、１９７７年、第１９８頁に記載されている。具体的には、各々、置換されてもいてもよいピラゾール−５−オン、ピラゾリジン−３，５−ジオン、イミダゾリン−５−オン、ヒダントイン、２又は４−チオヒダントイン、２−イミノオキサゾリジン−４−オン、２−オキサゾリン−５−オン、２−チオオキサゾリン−２，４−ジオン、イソローダニン、ローダニン、チオフェン−３−オン、チオフェン−３−オン−１，１−ジオキシド、３，３−ジオキソ［１，３］オキサチオラン−５−オン、インドリン−２−オン、インドリン−３−オン、２−オキソインダゾリウム、５，７−ジオキソ−６，７−ジヒドロチアゾロ〔３，２−ａ〕ピリミジン、３，４−ジヒドロイソキノリン−４−オン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン（例えば、メルドラム酸等）、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、クマリンー２，４−ジオン、インダゾリン−２−オン、ピリド［１，２−ａ］ピリミジン−１，３−ジオン、ピラゾロ〔１，５−ｂ〕キナゾロン、ピラゾロピリドン、５又は６員の炭素環（例えば、ヘキサン-１，３-ジオン、ペンタン-１，３-ジオン、インダン-１，３-ジオン）等の核が挙げられ、好ましくは、ピラゾール-５-オン、ピラゾリジン-３，５-ジオン、バルビツール酸、２-チオバルビツール酸、１，３-ジオキサン-４，６-ジオン、又は３，３−ジオキソ［１，３］オキサチオラン−５−オンである。
【０１７２】
Ｚａ21、Ｚａ22、Ｚａ23、Ｚａ24は、各々、置換されていてもよい１，３−ジオキサン−４，６−ジオンが最も好ましい。
【０１７３】
酸性核を置換する置換基は、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、又はシリル基が例として挙げられる。その中でも、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアルキル基、又は炭素数６から２０の置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。
【０１７４】
酸性核は、無置換又は、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたもの、炭素数６から２０の置換もしくは無置換のアリール基で置換されたものが好ましい。
【０１７５】
Ｚａ21、Ｚａ22、Ｚａ23、Ｚａ24が形成する酸性核は、好ましくは、インダンジオン、ピラゾロン、ピラゾリンジオン、ベンゾチオフェンオンジオキシドである。その中でも、ピラゾロンが最も好ましい。
【０１７６】
Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23、Ｍａ24、Ｍａ25、Ｍａ26は、各々独立に、置換又は無置換のメチン基である。置換基として好ましくは、炭素数１から２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル）、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素）、炭素数１から２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ）、炭素数６から２６のアリール基（例えば、フェニル、２−ナフチル）、炭素数０から２０のヘテロ環基（例えば、２−ピリジル、３−ピリジル）、炭素数６から２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ、1-ナフトキシ、2-ナフトキシ）、炭素数１から２０のアシルアミノ基（例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ）、炭素数１から２０のカルバモイル基（例えばＮ，Ｎ-ジメチルカルバモイル）、スルホ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１から２０のアルキルチオ基（例えばメチルチオ）、シアノ基等が挙げられる。また、他のメチン基と結合して環構造を形成してもよく、Ｚａ21からＺａ24で表される原子団と結合して環構造を形成してもよい。
【０１７７】
Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23、Ｍａ24、Ｍａ25、Ｍａ26は、各々独立に、好ましくは無置換、エチル基、メチル基、フェニル基で置換されたメチン基のいずれかである。最も好ましくは、無置換のメチン基である。
【０１７８】
Ｌは、２つの結合とともにπ共役系を形成しない２価の連結基である。２価の連結基については、それらが結合したクロモフォア間でπ共役系を形成しない以外に特に限定は無いが、好ましくはアルキレン基（炭素数１から２０、例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン）、アリーレン基（炭素数６から２６、例えばフェニレン、ナフチレン）、アルケニレン基（炭素数２から２０、例えばエテニレン、プロペニレン）、アルキニンレン基（炭素数２から２０、例えばエチニレン、プロピニレン）、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ101）−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ2−Ｎ（Ｒ102）−、−ＳＯ2−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ103）−ＣＯ−Ｎ（Ｒ104）−、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ105）−、ヘテリレン基（炭素数１から２６、例えば６−クロロ−１，３，５−トリアジル−２，４−ジイル基、ピリミジン−２，４−ジイル基）を１つ又はそれ以上組み合わせて構成される炭素数０以上１００以下、好ましくは１以上２０以下の連結基を表す。上記、Ｒ101、Ｒ102、Ｒ103、Ｒ104、Ｒ105は、各々独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、及び置換又は無置換のアリール基のいずれかを表す。また、Ｌで表される連結基は、それらが連結する２つのクロモフォア間で１つ以上複数個存在していてもよく、複数個（好ましくは２つ）が結合して環を形成してもよい。
【０１７９】
Ｌとして、各々好ましくは２つのアルキレン基（好ましくは、エチレン）が結合して環を形成したものである。その中でも、５又は６員環（好ましくはシクロヘキシル環）を形成した場合が更に好ましい。
【０１８０】
一般式（Ｉ）において、Ｋａ21、Ｋａ22は、各々独立に、０から３までの整数を表す。
【０１８１】
Ｋａ21、Ｋａ22が複数であるとき、複数存在するＭａ21、Ｍａ22、Ｍａ25、Ｍａ26は、同じでも異なっていてもよい。
【０１８２】
Ｋａ21、Ｋａ22は、共に２であるものが好ましい。
【０１８３】
Ｑは、電荷を中和する一価の陽イオンを表す。従って、２Ｑで、２価の陽イオンを表す。Ｑで表されるイオンには特に制限は無く、無機化合物よりなるイオンであっても、有機化合物よりなるイオンであっても構わない。Ｑとして表される陽イオンとしては、例えばナトリウムイオン、カリウムイオンのような金属イオン、４級アンモニウムイオン、オキソニウムイオン、スルホニウムイオン、ホスホニウムイオン、セレノニウムイオン、ヨードニウムイオン等のオニウムイオンが挙げられる。
【０１８４】
Ｑで表される陽イオンは、オニウムイオンが好ましく、更に好ましくは４級アンモニウムイオンである。４級アンモニウムイオンの中でも特に好ましくは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４’−ビピリジニウム陽イオン及び特開２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４’−ビピリジニウム陽イオンである。４，４’−ビピリジニウム陽イオンの様にジカチオン化合物の場合には、Ｑは１／２（ジカチオン化合物）に相当する。
【０１８５】
一般式（Ｉ）は好ましくは、Ｚａ21、Ｚａ22、Ｚａ23、Ｚａ24が形成する酸性核が、各々独立に、無置換又は、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアルキル基で置換された、又は、炭素数６から２０の置換もしくは無置換のアリール基で置換されたピラゾール-５-オン、ピラゾリジン-３，５-ジオン、バルビツール酸、２-チオバルビツール酸、１，３-ジオキサン-４，６-ジオン、３，３−ジオキソ［１，３］オキサチオラン−５−オンであり、Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23、Ｍａ24、Ｍａ25、Ｍａ26は、各々独立に、無置換、又は、エチル基、メチル基、もしくはフェニル基で置換されたメチン基のいずれかであり、Ｌは、２つのアルキレン基（好ましくは、エチレン）が結合して５又は６員環を形成したものであり、Ｋａ21、Ｋａ22は、共に２であり、かつ２Ｑで表される陽イオンは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４'−ビピリジニウム陽イオン及び特開２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４'−ビピリジニウム陽イオンである場合である。一般式（I）で表される色素のうち、一般式（ＩＩＩ）で表される色素が好ましい。
【０１８６】
【化３９】
2007095274.tif 000045
【０１８７】
式（ＩＩＩ）中、Ｒ1、Ｒ2は、各々独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は、各々独立に、水素原子又は置換基である。Ｒ1とＲ2は互いに結合して環構造を形成してもよい。Ｒ6は、各々独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基である。Ｌ1は、２価の連結基である。２つのＲ6が結合して２価の連結基を形成してもよい。ｎ、ｍは、各々独立に、０から２までの整数を表す。Ｑは、電荷を中和する一価の陽イオンを表す。ｎ、ｍが複数であるとき、複数存在するＲ3、Ｒ4は、同じでも異なっていてもよい。
【０１８８】
式（ＩＩＩ）について、詳細に説明する。Ｒ1、Ｒ2は、各々独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ｒ1とＲ2は互いに結合して環構造を形成しても良い。Ｒ1、Ｒ2は、好ましくは、各々独立に、又は置換もしくは無置換のアルキル基である。更に好ましくは、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ異なった炭素数１から６の無置換アルキル基である。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は、各々独立に、水素原子又は置換基である。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は、好ましくは、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、又は置換もしくは無置換のヘテロ環基である。更に好ましくは、水素原子、エチル基、メチル基、又はフェニル基である。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は、全て水素原子であることが最も好ましい。Ｒ6は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基である。その中でも２つのＲ6が結合して２価の連結基を形成したものが好ましい。Ｌ1は、２価の連結基である。好ましくは、Ｌ1は、置換又は無置換のアルキレン基である。Ｌ1、Ｒ6は、Ｌ1と２つのＲ6で環構造を形成したものが最も好ましい。その場合の環構造は、５又は６員環（より好ましくは６員環）が好ましい。ｎ、ｍは、各々独立に、０から２までの整数を表す。ｎ、ｍは共に２が好ましい。Ｑは、電荷を中和する一価の陽イオンを表す。従って、２Ｑで、２価の陽イオンを表す。ｎ、ｍが複数であるとき、複数存在するＲ3、Ｒ4は、同じでも異なっていてもよい。
【０１８９】
以下に、本発明の一般式（Ｉ）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１９０】
【化４０】
2007095274.tif 000046
【０１９１】
【化４１】
2007095274.tif 000047
【０１９２】
【化４２】
2007095274.tif 000048
【０１９３】
【化４３】
2007095274.tif 000049
【０１９４】
【化４４】
2007095274.tif 000050
【０１９５】
【化４５】
2007095274.tif 000051
【０１９６】
【化４６】
2007095274.tif 000052
【０１９７】
【化４７】
2007095274.tif 000053
【０１９８】
【化４８】
2007095274.tif 000054
【０１９９】
【化４９】
2007095274.tif 000055
【０２００】
【化５０】
2007095274.tif 000056
【０２０１】
【化５１】
2007095274.tif 000057
【０２０２】
【化５２】
2007095274.tif 000058
【０２０３】
【化５３】
2007095274.tif 000059
【０２０４】
【化５４】
2007095274.tif 000060
【０２０５】
【化５５】
2007095274.tif 000061
【０２０６】
一般的なオキソノール色素は、該当する活性メチレン化合物とメチン源（メチン染料にメチン基を導入するために用いられる化合物）との縮合反応によって合成することができる。この種の化合物についての詳細は、特公昭３９−２２０６９号、同４３−３５０４号、同５２−３８０５６号、同５４−３８１２９号、同５５−１００５９号、同５８−３５５４４号、特開昭４９−９９６２０号、同５２−９２７１６号、同５９−１６８３４号、同６３−３１６８５３号、同６４−４０８２７号各公報、ならびに英国特許第１１３３９８６号、米国特許第３２４７１２７号、同４０４２３９７号、同４１８１２２５号、同５２１３９５６号、同５２６０１７９号各明細書を参照することができる。特開昭６３−２０９９９５号、特開平１０−３０９８７１号、特開２００２−２４９６７４号にも記載されている。
【０２０７】
ビス型オキソノール色素の合成法は、欧州特許ＥＰ１４２４６９１Ａ２に開示されている。
【０２０８】
また、ロイコ系の染料も使用することができる。具体的には、クリスタルバイオレットラクトン；３，３−ビス（１−エチル２−メチルインドール−３−イル）フタリド、３−（４−ジエチルアミノ−２−エトキシフェニル）−３−（１−エチル２−メチルインドール−３−イル）−４−アザフタリド等のフタリド化合物；３−シクロヘキシルメチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、２−（２−クロロアニリノ）−６−ジブチルアミノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−キシリジノフルオラン、２−（２−クロロアニリノ）−６−ジエチルアミノフルオラン、２−アニリノ−３−メチル−６（Ｎ−エチルイソペンチルアミノ）フルオラン、３−ジエチルアミノ−６−クロロ−７−アニリノフルオラン、３−ベンジルエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−メチルプロピルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン等のフルオラン化合物；等が好ましい。
【０２０９】
また、本発明の光ディスクにおいては、既述の情報記録層の構成成分（色素又は相変化記録材料）と画像記録層の構成成分とを同じとしても異ならせてもよいが、情報記録層と画像記録層とでそれぞれ要求される特性が相違するため、構成成分は異ならせることが好ましい。具体的には、情報記録層の構成成分は記録・再生特性に優れるものとし、画像記録層の構成成分は記録画像のコントラストが高くなるものとすることが好ましい。特に、色素を用いる場合、画像記録層には、記録画像のコントラスト向上の観点から、既述の色素の中でも特に、シアニン色素、フタロシアニン色素、アゾ色素、アゾ金属錯体、オキソノール色素を用いることが好ましい。
【０２１０】
画像記録層は、前述の色素を溶剤に溶解して塗布液を調製し、該塗布液を塗布することによって形成することができる。溶剤としては既述の情報記録層の塗布液の調製に使用する溶剤と同じ溶剤を使用することができる。その他の添加剤、塗布方法等は、既述の情報記録層と同様である。
【０２１１】
画像記録層の層厚としては、０．０１〜２００μｍとすることが好ましく、０．０５〜２０μｍとすることがより好ましく、０．１〜５μｍとすることがさらに好ましい。
【０２１２】
以下に、他の層について説明する。
【０２１３】
（保護層）
反射層や情報記録層等を物理的及び化学的に保護する目的で保護層が設けられることある。
【０２１４】
なお、ＤＶＤ−Ｒ型の光ディスクの製造の場合と同様の形態、すなわち二枚の基板を情報記録層、画像記録層を内側にして貼り合わせる構成をとる場合は、必ずしも保護層の付設は必要ではない。
【０２１５】
保護層に用いられる材料の例としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して反射層上にラミネートすることにより形成することができる。あるいは真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
【０２１６】
また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある。
【０２１７】
また、その他の構成として、例えば、基板上に、反射層、情報記録層、カバー層が順次形成された構成としてもよい。前記カバー層は、接着層を介して情報記録層上に形成されていることが好ましい。この場合、カバー層以外の構成については、既述の通りである。
【０２１８】
（カバー層）
カバー層は、光ディスク内部を衝撃等から防ぐために形成され、透明な材質であれば特に限定されないが、好ましくはポリカーボネート、三酢酸セルロース等であり、より好ましくは、２３℃５０％ＲＨでの吸湿率が５％以下の材料である。
【０２１９】
なお、「透明」とは、記録光及び再生光の光に対して、該光を透過する（透過率：９０％以上）ほどに透明であることを意味する。
【０２２０】
カバー層は、接着層を構成する光硬化性樹脂を適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を所定温度で情報記録層上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜上に、例えばプラスチックの押出加工で得られた三酢酸セルロースフィルム（ＴＡＣフィルム）をラミネートし、ラミネートしたＴＡＣフィルムの上から光を照射して塗布膜を硬化させて形成される。前記ＴＡＣフィルムとしては、紫外線吸収剤を含むものが好ましい。カバー層の厚さは、０．０１〜０．２ｍｍの範囲であり、好ましくは０．０３〜０．１ｍｍの範囲、より好ましくは０．０５〜０．０９５ｍｍの範囲である。
【０２２１】
また、カバーシートとして、ポリカーボネートシート等を使用することもできる。
【０２２２】
なお、カバー層として、ポリカーボネートシート等を使用することもできる。透明シートの貼り合わせ面に粘着剤が付与されている場合は、上記接着剤は必要ない。
【０２２３】
また、カバー層の代わりに、紫外線硬化樹脂等からなる光透過層を形成してもよい。
【０２２４】
また、カバー層の上にハードコート層を形成してもよい。ハードコート層は、基板上に、反射層、情報記録層等を形成し、その上にカバー層を形成した後、当該カバー層上に塗布等の手段により形成することができる。また、カバー層が透明シートの場合、透明シートを情報記録層上に貼り合わせる前に、当該透明シート上にハードコート層を形成し、ハードコート層が最表面になるようにして、透明シー卜を情報記録層上に貼り合わせて、本実施の形態に係る光ディスクを作製してもよい。
【０２２５】
また、本実施の形態に係る光ディスクは、レーザ光により再生可能な情報が記録された記録部（ピット）を有する、いわゆる再生専用型の光ディスクに適用することができるのは既述の通りである。
【０２２６】
［画像記録方法］
本実施の形態に係る光ディスクの画像記録層への画像記録は、本実施の形態に係る光ディスクと、少なくとも該光ディスクの画像記録層への画像情報の記録が可能な記録装置とを用いて行う。
【０２２７】
以下、先ず、本発明の光ディスクへの記録に用いられる記録装置について説明する。
【０２２８】
（光ディスク記録装置）
本発明の光ディスクにおいて、画像記録層への画像の記録、及び情報記録層への光情報の記録は、例えば、両層への記録機能を有する１つの光ディスクドライブ（記録装置）で行うことができる。このように１つの光ディスクドライブを使用する場合、画像記録層及び情報記録層のいずれか一方の層への記録を行った後、裏返して他方の層に記録を行うことができる。
【０２２９】
上述した本発明の光ディスクは、以下のような装置及び方法に対して特に好適に使用することができる。
【０２３０】
例えば、上述した本発明の光ディスクが好適に使用される光ディスク記録装置は、
（１）光ディスクの記録面（例えば、色素記録層（記録層））に対してレーザ光を照射して情報記録を行う光ディスク記録装置であって、光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップと、前記光ピックアップによる前記光ディスクに対するレーザ光の照射位置を調整する照射位置調整手段と、一方の面に前記記録面が他方の面に画像記録層が形成された光ディスクが、当該画像記録層が前記光ピックアップと対向するようにセットされた場合に、画像情報に対応する可視画像が前記光ディスクの前記画像記録層に形成されるよう前記光ピックアップ及び前記照射位置調整手段を制御する画像形成制御手段と、前記可視画像を形成する際に前記画像記録層に対して前記光ピックアップが照射するレーザ光のビームスポット径が、情報記録を行う際に前記記録面に対して前記光ピックアップが照射するレーザ光のビームスポット径よりも大きくなるように前記光ピックアップを制御するビームスポット制御手段とを具備することを特徴としている。
【０２３１】
この構成によれば、画像データに応じてレーザ光を光ディスクの画像記録層に照射することによって、該画像記録層の吸光度変化に伴い反射率が画像様に変化し、画像データに対応する可視画像を形成することができる。このような可視画像形成の際に、光ディスクの画像記録層に照射するレーザ光のビームスポット径を大きくすることにより、光ディスクが１回転させられている間により大きい領域に対してレーザ光を照射することができ、可視画像形成のために要する時間を短縮することができる。また、上述した本発明の光ディスクはこのような方法でも良好な可視画像を記録することができる。
【０２３２】
また、別態様の光ディスク記録装置は、
（２）光ディスクの記録面に対してレーザ光を照射して情報記録を行う光ディスク記録装置であって、光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップと、前記光ピックアップによる前記光ディスクに対するレーザ光の照射位置を調整する照射位置調整手段と、一方の面に前記記録面が他方の面に画像記録層が形成された光ディスクが、当該画像記録層が前記光ピックアップと対向するようにセットされた場合に、画像情報に対応する可視画像が前記光ディスクの前記画像記録層に形成されるよう前記光ピックアップ及び前記照射位置調整手段を制御する手段であって、前記光ピックアップが前記画像記録層に対して照射するレーザ光の強度が、前記画像情報に基づいて前記画像記録層がほとんど変化しない第１の強度、もしくは該第１の強度よりも大きく前記画像記録層が変化する第２の強度のいずれかとなるよう制御する画像形成制御手段と、前記光ディスクに対して前記光ピックアップによって照射されるレーザ光に関する情報を検出し、当該検出結果に基づいて、所望のレーザ光が照射されるよう前記光ピックアップを制御するサーボ手段とを具備し、前記画像形成制御手段は、前記画像情報に基づく制御に従って前記光ピックアップが照射するレーザ光の強度が連続して第２の強度となっている時間が一定の時間を超えた場合に当該画像情報の内容に関わらず、前記光ピックアップから照射されるレーザ光の強度が所定の時間だけ第１の強度となるよう制御し、前記サーボ手段は、前記第１の強度で照射されたレーザ光に関する情報の検出結果に基づいて前記光ピックアップを制御することを特徴としている。
【０２３３】
この構成によれば、画像データに応じてレーザ光を光ディスクの画像記録層に照射することによって、該画像記録層の吸光度変化に伴い反射率が画像様に変化し、画像データに対応する可視画像を形成することができる。このような可視画像形成の際に、画像データに応じたレーザ光の強度が画像記録層を変化させる第２の強度である時間が長く続いた場合にも、その画像データに拘わらず、レーザ光制御のために画像記録層がほとんど変化しない第１の強度のレーザ光を照射するようにしたので、その照射結果に基づいたレーザ光制御を行うことができる。また、上述した本発明の光ディスクはこのような方法でも良好な可視画像を記録することができる。
【０２３４】
また、別態様の光ディスク記録装置は、
（３）光ディスクの記録面に対してレーザ光を照射して情報記録を行う光ディスク記録装置であって、光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップと、前記光ピックアップによる前記光ディスクに対するレーザ光の照射位置を調整する照射位置調整手段と、一方の面に前記記録面が他方の面に画像記録層が形成された光ディスクが、当該画像記録層が前記光ピックアップと対向するようにセットされた場合に、画像情報に対応する可視画像が前記光ディスクの前記画像記録層に形成されるよう前記光ピックアップ及び前記照射位置調整手段を制御する画像形成制御手段と、前記光ディスクが当該光ディスク記録装置にセットされた際に、前記光ディスクにおける前記光ピックアップと対向する面が前記画像記録層であるか前記記録面であるかに基づいて、前記光ディスクの前記光ピックアップと対向する面と前記光ピックアップとの相対位置関係を調整する相対位置調整手段とを具備することを特徴としている。
【０２３５】
この構成によれば、画像データに応じてレーザ光を光ディスクの画像記録層に照射することによって、該画像記録層の吸光度変化に伴い反射率が画像様に変化し、画像データに対応する可視画像を形成することができる。そして、光ディスクがセットされた場合、画像記録層もしくは記録面のいずれが光ピックアップと対向するようにセットされたかに応じて光ピックアップと、これに対向する面との間の位置関係を調整することができる。従って、記録面を光ピックアップに対向するようにセットした場合と、画像記録層を光ピックアップに対向するようにセットした場合とで光ピックアップとこれに対向する面との距離が異なる場合であっても、その距離の差に起因して種々の制御、例えばフォーカス制御等ができなくなってしまうといった問題を抑制できる。また、上述した本発明の光ディスクはこのような方法でも良好な可視画像を記録することができる。
【０２３６】
また、別態様の光ディスク記録装置は、
（４）光ディスクの記録面に対してレーザ光を照射して情報記録を行う光ディスク記録装置であって、光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップと、前記光ピックアップによる前記光ディスクに対するレーザ光の照射位置を調整する照射位置調整手段と、一方の面に前記記録面が他方の面に画像記録層が形成された光ディスクであって、前記記録面に案内溝が螺旋状に形成された光ディスクが、当該画像記録層が前記光ピックアップと対向するようにセットされた場合に、前記光ピックアップが照射したレーザ光の前記光ディスクからの反射光に基づいて前記案内溝に沿ってレーザ光が照射されるよう前記照射位置調整手段を制御するサーボ手段と、前記サーボ手段によって前記案内溝に沿って前記レーザ光の照射位置が移動させられている間に、画像情報に対応する可視画像が前記光ディスクの前記画像記録層に形成されるよう前記光ピックアップから照射されるレーザ光を制御する画像形成制御手段とを具備することを特徴としている。また、上述した本発明の光ディスクはこのような方法でも良好な可視画像を記録することができる。
【０２３７】
この構成によれば、画像データに応じてレーザ光を光ディスクの画像記録層に照射することによって、該画像記録層の吸光度変化に伴い反射率が画像様に変化し、画像データに対応する可視画像を形成することができる。この際、記録面に形成された案内溝を検出し、該検出した案内溝に沿ってレーザ光照射位置を移動させるといった記録面に対して記録を実施するときと比して複雑なレーザ光照射位置制御を行うことなく、可視画像形成を行うことができる。
【０２３８】
また、別態様の光ディスク記録装置は、
（５）光ディスクの記録面に対してレーザ光を照射して情報記録を行う光ディスク記録装置であって、光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップと、前記光ディスクを回転させる回転駆動手段と、前記回転駆動手段による前記光ディスクの回転速度に応じた周波数のクロック信号を出力するクロック信号出力手段と、一方の面に前記記録面が他方の面に画像記録層が形成された光ディスクが、当該画像記録層が前記光ピックアップと対向するようにセットされた場合に、画像情報に対応する可視画像が前記光ディスクの前記画像記録層に形成されるよう前記光ピックアップを制御する手段であって、前記信号出力手段によってクロック信号の周期毎に前記画像情報に基づいて前記光ピックアップから照射されるレーザ光を制御する画像形成制御手段と、前記回転駆動手段によって前記光ディスクが所定の基準位置から１回転させられたことを検出する回転検出手段と、前記可視画像を前記光ディスクの前記画像記録層に形成するために前記光ピックアップによってレーザ光が照射された状態で前記光ディスクが前記所定の基準位置から１回転させられたことが前記回転検出手段によって検出された場合に、前記光ピックアップによるレーザ光の照射位置を当該光ディスク記録装置にセットされた前記光ディスクの所定の径方向に所定量移動させる照射位置調整手段とを具備することを特徴としている。
【０２３９】
この構成によれば、画像データに応じてレーザ光を光ディスクの画像記録層に照射することによって、該画像記録層の吸光度変化に伴い反射率が画像様に変化し、画像データに対応する可視画像を形成することができる。この可視画像形成の際に、光ディスクの回転速度に応じた周波数のクロック信号の周期毎、つまり光ディスクが一定角度回転する毎に可視画像形成のためのレーザ光照射制御を行っているので、光ディスクの一定の角度毎の位置に画像データに応じた内容（例えば、濃度）の可視画像を形成することができる。また、上述した本発明の光ディスクはこのような方法でも良好な可視画像を記録することができる。
【０２４０】
また、別態様の光ディスク記録装置は、
（６）光ディスクの記録面に対してレーザ光を照射して情報記録を行う光ディスク記録装置であって、光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップと、前記光ディスクを回転させる回転駆動手段と、前記回転駆動手段によって前記光ディスクが所定の基準位置から１回転させられたことを検出する回転検出手段と、一方の面に前記記録面が他方の面に画像記録層が形成された光ディスクが、当該画像記録層が前記光ピックアップと対向するようにセットされた場合に、画像情報に対応する可視画像が前記光ディスクの前記画像記録層に形成されるよう前記光ピックアップを制御する画像形成制御手段と、前記可視画像を前記光ディスクの前記画像記録層に形成するために前記光ピックアップによってレーザ光が照射された状態で前記光ディスクが前記所定の基準位置から１回転させられたことが前記回転検出手段によって検出された場合に、前記光ピックアップによるレーザ光の照射位置を当該光ディスク記録装置にセットされた前記光ディスクの所定の径方向に所定量移動させる照射位置調整手段とを具備しており、前記画像形成制御手段は、前記回転駆動手段によって回転させられる前記光ディスクの前記画像記録層の前記所定の基準位置から前記可視画像を形成するために前記光ピックアップにレーザ光を照射させる一方で、当該レーザ光の照射位置が前記光ディスクの前記所定の基準位置に達するよりも所定量だけ前方の位置から前記所定の基準の位置までの領域に対して前記可視画像形成のためのレーザ光が照射されないよう前記光ピックアップを制御することを特徴としている。
【０２４１】
この構成によれば、画像データに応じてレーザ光を光ディスクの画像記録層に照射することによって、該画像記録層の吸光度変化に伴い反射率が画像様に変化し、画像データに対応する可視画像を形成することができる。このような可視画像形成の際に、光ディスクを回転させながら、当該光ディスクの基準位置からレーザ光を照射して可視画像を形成し、レーザ光照射位置がその基準位置に戻る直前の領域に対しては可視画像形成のためのレーザ光照射を行わないようにしている。従って、光ディスクの回転が不安定になる等の何らかの理由でレーザ光照射位置制御が乱れ、基準位置からレーザ光を照射し続けて光ディスクが１回転させられ、その照射位置が再度基準位置を通過する、つまり後に既にレーザ光を照射した位置とに重なる位置にレーザ光の照射位置が移動するといったことがあった場合にも、その位置に可視画像形成のためのレーザ光が照射されることを抑制でき、この結果形成される可視画像の品位が劣化することを防止できる。
【０２４２】
また、別態様の光ディスク記録装置は、
（７）光ディスクの記録面に対してレーザ光を照射して情報記録を行う光ディスク記録装置であって、光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップと、前記光ピックアップによる前記光ディスクに対するレーザ光の照射位置を調整する照射位置調整手段と、当該光ディスク記録装置にセットされた光ディスクの種類を識別するためのディスク識別情報を取得するディスク識別手段と、一方の面に前記記録面が他方の面に画像記録層が形成された光ディスクが、当該画像記録層が前記光ピックアップと対向するようにセットされた場合に、画像情報に対応する可視画像が前記光ディスクの前記画像記録層に形成されるよう前記光ピックアップ及び前記照射位置調整手段を制御する手段であって、前記ディスク識別手段によって識別された光ディスクの種類に応じて前記光ピックアップ及び前記照射位置調整手段を制御する画像形成制御手段とを具備することを特徴としている。
【０２４３】
この構成によれば、画像データに応じてレーザ光を光ディスクの画像記録層に照射することによって、該画像記録層の吸光度変化に伴い反射率が画像様に変化し、画像データに対応する可視画像を形成することができる。このような可視画像形成の際に、セットされたディスクの種類に応じた可視画像形成のための制御を行うことができる。
【０２４４】
また、別態様の光ディスク記録装置は、
（８）光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップと、外部から供給される情報を変調する変調手段と、前記変調手段から供給される情報に応じて前記光ピックアップから照射されるレーザ光を制御するレーザ光制御手段とを備えた光ディスク記録装置において、一方の面に前記記録面が他方の面に画像記録層が形成された光ディスクの前記画像記録層に対して可視画像を形成する場合に、外部から供給される画像情報に対する前記変調手段による変調を禁止する禁止手段と、前記光ディスクの前記画像記録層が前記光ピックアップと対向するようにセットされた場合に、前記変調手段から供給される変調がなされていない画像情報に対応する可視画像が前記光ディスクの前記画像記録層に形成されるよう前記レーザ光制御手段を制御する画像形成制御手段とを具備することを特徴としている。
【０２４５】
この構成によれば、画像データに応じてレーザ光を光ディスクの画像記録層に照射することによって、該画像記録層の吸光度変化に伴い反射率が画像様に変化し、画像データに対応する可視画像を形成することができる。このような可視画像形成の際には、記録面に対して情報を記録する時に記録データに対して変調を施す変調手段による変調を禁止しているので、画像データが変調されることがない。従って、当該画像データに応じた可視画像を形成するために特別のデータ転送構成を設けることなく、記録面に対して情報記録をする際のデータ転送構成を併用することができる。
【０２４６】
別態様の光ディスク記録装置は、
（９）光ディスクの記録面に対してレーザ光を照射して情報記録を行う光ディスク記録装置であって、光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップと、前記光ピックアップによる前記光ディスクに対するレーザ光の照射位置を調整する照射位置調整手段と、一方の面に前記記録面が他方の面に画像記録層が形成された光ディスクが、当該画像記録層が前記光ピックアップと対向するようにセットされた場合に、画像情報に対応する可視画像が前記光ディスクの前記画像記録層に形成されるよう前記光ピックアップ及び前記照射位置調整手段を制御する画像形成制御手段とを具備しており、前記画像形成制御手段は、前記画像情報に示される階調度合いに応じて前記光ピックアップから照射されるレーザ光を制御することを特徴としている。
【０２４７】
この構成によれば、画像データに応じてレーザ光を光ディスクの画像記録層に照射することによって、該画像記録層の吸光度変化に伴い反射率が画像様に変化し、画像データに対応する可視画像を形成することができる。このような可視画像形成の際に、画像データに示される画像記録層上の各位置（座標）の階調度に応じたレーザ光制御を行うことができ、階調表現がなされた可視画像を形成することができる。
【０２４８】
別態様の光ディスク記録装置は、
（１０）光ディスクの記録面に対してレーザ光を照射して情報記録を行う光ディスク記録装置であって、光ディスクを回転させる回転手段と、前記回転手段により回転する光ディスクに対し、前記一方の面からレーザ光を照射するとともに、当該光ディスクの略半径方向に移動可能な光ピックアップと、画像記録層に可視画像を形成する際に前記光ピックアップから出射されるレーザ光のレベルを調整する手段であって、形成すべき可視画像を表す画像データに基づいて、前記光ディスクの前記記録層及び前記画像記録層をほとんど変化させない第１の強度、あるいは、前記記録層をほとんど変化させないとともに前記画像記録層の発色を変化させる第２の強度のいずれかになるように前記光ピックアップから出射されるレーザ光のレベルを調整するレーザ光レベル制御手段とを有することを特徴とする。
【０２４９】
この装置によれば、上記本発明の光ディスクに対して、従来と同様にして記録層に対してレーザ光を照射して情報記録をすることができるとともに、画像記録層に対して可視画像の形成をすることができる。さらに、情報記録も、可視画像の形成も、光ディスクの同一面からレーザ光を照射することにより実行することが可能であることから、ユーザは光ディスクを裏返して再セットする等の煩わしい作業をする必要がない。
【０２５０】
また、本発明の光ディスクの画像記録層への画像形成方法は、光ディスクの記録面に対してレーザ光を照射して情報記録を行う光ピックアップを有する光ディスク記録装置を用い、光ディスクにおける前記記録面と反対側の面に形成された画像記録層に対して可視画像を形成する方法であって、前記光ピックアップによるレーザ光の照射位置を前記画像記録層に所定の螺旋状もしくは同心円周状の経路に沿って移動させながら、画像情報に対応する可視画像が前記光ディスクの前記画像記録層に形成されるよう前記光ピックアップが照射するレーザ光を制御し、当該レーザ光の制御では、前記光ディスクを複数に分割した扇形部分の各々に属する隣接する所定数（複数）の前記経路を含む領域を単位領域とし、前記可視画像における当該単位領域の濃淡が表現されるように当該単位領域に属する前記経路の各々に照射するレーザ光の照射タイミングを制御することを特徴としている。
【０２５１】
この方法によれば、画像データに応じてレーザ光を光ディスクの画像記録層に照射することによって、該画像記録層の吸光度変化に伴い反射率が画像様に変化し、画像データに対応する可視画像を形成することができる。このような可視画像形成の際に、画像データに示される画像記録層上の各位置（座標）の階調度に応じたレーザ光照射タイミング制御を行うことができ、階調表現がなされた可視画像を形成することができる。
【０２５２】
Ａ．上記光ディスク記録装置の具体的構成
前記光ディスク記録装置は、光ディスクの記録面に対してレーザ光を照射して情報を記録する光ディスク記録装置であり、このような記録面に対する情報記録だけではなく、記録面と反対側の面に画像記録層が形成された光ディスクの当該画像記録層にレーザ光を照射することにより画像データに対応する可視画像を形成する機能を有している。なお、かかる装置では、所定の色素を使用する光ディスクに対しては、画像記録層のみならず、通常のデジタルデータを記録する記録層に対しても可視画像を記録できる。
【０２５３】
−光ディスク記録装置の構成−
図１は、光ディスク記録装置１００の構成を示すブロック図である。同図に示すように、この光ディスク記録装置１００は、ホストパーソナルコンピュータ（ＰＣ）１１０に接続されており、光ピックアップ１０と、スピンドルモータ１１と、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）アンプ１２と、サーボ回路１３と、デコーダ１５と、制御部１６と、エンコーダ１７と、ストラテジ回路１８と、レーザドライバ１９と、レーザパワー制御回路２０と、周波数発生器２１と、ステッピングモータ３０と、モータドライバ３１と、モータコントローラ３２と、ＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ）回路３３と、ＦＩＦＯ（Ｆｉｒｓｔ  Ｉｎ  ＦｉｒｓｔＯｕｔ）メモリ３４と、駆動パルス生成部３５と、バッファメモリ３６とを備えている。
【０２５４】
スピンドルモータ１１は、データを記録する対象となる光ディスクＤを回転駆動するモータであり、サーボ回路１３によりその回転数が制御される。本実施の形態における光ディスク記録装置１００では、ＣＡＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式で記録等を実施するようになっているので、スピンドルモータ１１は制御部１６等からの指示で設定された一定の角速度で回転するようになっている。
【０２５５】
光ピックアップ１０は、スピンドルモータ１１によって回転させられる光ディスクＤに対してレーザ光を照射するユニットであり、その構成を図２に示す。図２に示すように、光ピックアップ１０はレーザビームＢを出射するレーザダイオード５３と、回折格子５８と、レーザビームＢを光ディスクＤの面に集光する光学系５５と、反射光を受光する受光素子５６とを備えている。
【０２５６】
光ピックアップ１０において、レーザダイオード５３は、レーザドライバ１９（図１参照）から駆動電流が供給されることにより該駆動電流に応じた強度のレーザビームＢを出射する。光ピックアップ１０は、レーザダイオード５３より出射されたレーザビームＢを回折格子５８により主ビームと先行ビームと後行ビームに分離し、この３つのレーザビームを偏光ビームスプリッタ５９、コリメータレンズ６０、１／４波長板６１、対物レンズ６２を経て、光ディスクＤの面に集光させる。そして、光ディスクＤの面で反射された３つのレーザビームを、再び対物レンズ６２、１／４波長板６１、コリメータレンズ６０を透過させて、偏光ビームスプリッタ５９で反射させ、シリンドリカルレンズ６３を経て、受光素子５６に入射させるようになっている。受光素子５６は受光した信号をＲＦアンプ１２（図１参照）に出力し、該受光信号がＲＦアンプ１２を介して制御部１６やサーボ回路１３に供給されるようになっている。
【０２５７】
対物レンズ６２は、フォーカスアクチュエータ６４及びトラッキングアクチュエータ６５に保持されて、レーザビームＢの光軸方向及び光ディスクＤの径方向に移動できるようになっている。フォーカスアクチュエータ６４及びトラッキングアクチュエータ６５の各々は、サーボ回路１３（図１参照）から供給されるフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号に応じて対物レンズ６２を光軸方向及び径方向に移動させる。なお、サーボ回路１３は、受光素子５６及びＲＦアンプ１２を介して供給される受光信号に基づいてフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を生成し、上記のように対物レンズ６２を移動させることでフォーカス制御及びトラッキング制御を行う。
【０２５８】
また、光ピックアップ１０には、図示しないフロントモニターダイオードを有しており、レーザダイオード５３がレーザ光を出射しているときに、当該出射光を受光したフロントモニタダイオードに電流が生じ、当該電流が光ピックアップ１０から図１に示すレーザパワー制御回路２０に供給されるようになっている。
【０２５９】
ＲＦアンプ１２は光ピックアップ１０から供給されたＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ  ｔｏ  Ｆｏｕｒｔｅｅｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）変調されたＲＦ信号を増幅し、増幅後のＲＦ信号をサーボ回路１３及びデコーダ１５にＲＦ信号を出力する。デコーダ１５は、再生時にはＲＦアンプ１２から供給されるＥＦＭ変調されたＲＦ信号をＥＦＭ復調して再生データを生成する。
【０２６０】
サーボ回路１３には、制御部１６からの指示信号、周波数発生器２１から供給されるスピンドルモータ１１の回転数に応じた周波数のＦＧパルス信号、及びＲＦアンプ１２からのＲＦ信号が供給される。サーボ回路１３は、これらの供給される信号に基づいて、スピンドルモータ１１の回転制御及び光ピックアップ１０のフォーカス制御、トラッキング制御を行う。光ディスクＤの記録面に情報を記録する時や、光ディスクＤの画像記録層に可視画像を形成する場合のスピンドルモータ１１の駆動方式としては、光ディスクＤを角速度一定で駆動する方式（ＣＡＶ：Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）や、一定の記録線速度となるように光ディスクＤを回転駆動する方式（ＣＬＶ：Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）のいずれを用いるようにしてもよく、図１以降において説明する光ディスク記録装置１００では、ＣＡＶ方式を採用しており、サーボ回路１３はスピンドルモータ１１を制御部１６によって指示された一定の角速度で回転駆動させる。
【０２６１】
バッファメモリ３６は、ホストＰＣ１１０から供給される、光ディスクＤの記録面に記録すべき情報（以下、記録データという）及び光ディスクＤの画像記録層に形成すべき可視画像に対応した情報（以下、画像データ）を蓄積する。そして、バッファメモリ３６に蓄積された記録データをエンコーダ１７に出力され、画像データは制御部１６に出力される。
【０２６２】
エンコーダ１７は、バッファメモリ３６から供給される記録データをＥＦＭ変調し、ストラテジ回路１８に出力する。ストラテジ回路１８は、エンコーダ１７から供給されたＥＦＭ信号に対して時間軸補正処理等を行い、レーザドライバ１９に出力する。
【０２６３】
レーザドライバ１９は、ストラテジ回路１８から供給される記録データに応じて変調された信号と、レーザパワー制御回路２０の制御に従って光ピックアップ１０のレーザダイオード５３（図２参照）を駆動する。
【０２６４】
レーザパワー制御回路２０は、光ピックアップ１０のレーザダイオード５３（図２参照）から照射されるレーザパワーを制御するものである。具体的には、レーザパワー制御回路２０は、制御部１６によって指示される最適なレーザパワーの目標値と一致する値のレーザ光が光ピックアップ１０から照射されるようにレーザドライバ１９を制御する。ここで行われるレーザパワー制御回路２０によるレーザパワー制御は、光ピックアップ１０のフロントモニタダイオードから供給される電流値を用い、目標となる強度のレーザ光が光ピックアップ１０から照射されるように制御するフィードバック制御である。
【０２６５】
ＦＩＦＯメモリ３４には、ホストＰＣ１１０から供給されバッファメモリ３６に蓄積された画像データが制御部１６を介して供給され順次蓄積される。ここで、ＦＩＦＯメモリ３４に蓄積される画像データ、すなわちホストＰＣ１１０から当該光ディスク記録装置１００に供給される画像データは以下のような情報を含んでいる。この画像データは、円盤状の光ディスクＤの面上に可視画像を形成するためのデータであり、図３に示すように、光ディスクＤの中心Ｏを中心とした多数の同心円上のｎ個の各座標（図中黒点で示す）毎にその階調度（濃淡）を示す情報が記述されている。当該画像データは、これらの各座標の階調度を示す情報が最内周側の円に属する座標点Ｐ１１、Ｐ１２・・・・Ｐ１ｎ、その１つ外周側の円に属する座標Ｐ２１、Ｐ２２・・・・Ｐ２ｎ、さらにその１つ外周側の円に属する座標といった順序で最外周の円の座標Ｐｍｎまでの各々座標点の階調度を示す情報が記述されたデータであり、ＦＩＦＯメモリ３４にはこのような極座標上の各座標の階調度を示す情報が上記のような順序で供給されることになる。なお、図３は各座標の位置関係を明瞭に示すために模式的に示す図であり、実際の各座標は図示したものよりも密に配置されることになる。また、ホストＰＣ１１０において、一般的に使用されるビットマップ形式等で光ディスクＤの感光面に形成する画像データを作成した場合には、当該ビットマップデータを上記のような極座標形式のデータに変換し、変換後の画像データをホストＰＣ１１０から光ディスク記録装置１００に送信するようにすればよい。
【０２６６】
上記のように供給される画像データに基づいて、光ディスクＤの画像記録層に対して可視画像を形成する際、ＦＩＦＯメモリ３４には、ＰＬＬ回路３３から画像記録用のクロック信号が供給されるようになっている。ＦＩＦＯメモリ３４は、この画像記録用のクロック信号のクロックパルスが供給される毎に、最も先に蓄積された一つの座標の階調度を示す情報を駆動パルス生成部３５に出力するようになっている。
【０２６７】
駆動パルス生成部３５は、光ピックアップ１０から照射するレーザ光の照射タイミング等を制御する駆動パルスを生成する。ここで、駆動パルス生成部３５は、ＦＩＦＯメモリ３４から供給される各座標毎の階調度を示す情報に応じたパルス幅の駆動パルスを生成する。例えば、ある座標の階調度が比較的大きい場合（濃度が大きい場合）には、図４上段に示すようにライトレベル（第２の強度）のパルス幅を大きくした駆動パルスを生成し、一方階調度が比較的小さい座標については図４下段に示すようにライトレベルのパルス幅を小さくした駆動パルスを生成する。ここで、ライトレベルとは、そのレベルのレーザパワーを光ディスクＤの画像記録層に照射した際に画像記録層に変化が生じ、反射率が明らかに変化するパワーレベルであり、上記のような駆動パルスがレーザドライバ１９に供給された場合、そのパルス幅に応じた時間だけライトレベルのレーザ光が光ピックアップ１０から照射される。従って、階調度が大きい場合にはより長くライトレベルのレーザ光が照射され、光ディスクＤの画像記録層の単位領域中のより大きな領域において反射率が変化することになり、この結果ユーザ等はこの領域が濃度の濃い領域であると視覚的に認識することになる。本実施の形態では、このように単位領域（単位長さ）あたりの反射率変化させる領域の長さを可変することにより、画像データに示される階調度を表現するようにしているのである。なお、サーボレベル（第１の強度）とは、そのレベルのレーザパワーを光ディスクＤの画像記録層に照射した際に画像記録層がほとんど変化しないパワーレベルであり、反射率を変化させる必要がない領域に対してはライトレベルのレーザ光を照射せずに当該サーボレベルのレーザ光を照射すればよい。
【０２６８】
また、駆動パルス生成部３５は、上記のような各座標毎の階調度を示す情報にしたがった駆動パルスを生成するとともに、レーザパワー制御回路２０によるレーザパワー制御や、サーボ回路１３によるフォーカス制御及びトラッキング制御を実施するために必要がある場合には、各々上記階調度を示す情報に拘わらず、非常に短い期間のライトレベルのパルスを挿入したり、サーボレベルのパルスを挿入する。例えば、図５上段に示すように、画像データ中のある座標の階調度に従って可視画像を表現するために、時間Ｔ１の期間ライトレベルのレーザ光を照射する必要がある場合であって、該時間Ｔ１がレーザパワーを制御するための所定のサーボ周期ＳＴよりも長い場合には、ライトレベルのパルスを生成した時点からサーボ周期ＳＴが経過した時点で非常に短い時間ｔのサーボ用オフパルス（ＳＳＰ１）を挿入する。一方、図５下段に示すように、画像データ中のある座標の階調度に従って可視画像を表現するためにサーボ周期ＳＴ以上の期間サーボレベルのレーザ光を照射する必要がある場合には、サーボレベルのパルスが生成されてからサーボ周期ＳＴ経過後にサーボ用オンパルス（ＳＳＰ２）を挿入する。
【０２６９】
上述したようにレーザパワー制御回路２０によるレーザパワー制御は、光ピックアップ１０のレーザダイオード５３（図２参照）から照射されるレーザ光を受光したフロントモニターダイオードから供給される電流（照射レーザ光の強度に応じた値の電流）に基づいて実施されることになる。より具体的には、図６に示すように、レーザパワー制御回路２０は、上記のようなフロントモニターダイオード５３ａによって受光される照射レーザ光の強度に応じた値をサンプルホールドする（Ｓ２０１、Ｓ２０２）。そして、ライトレベルを目標値として照射しているとき、すなわちライトレベルの駆動パルス（図４，図５参照）が生成されているときにサンプルホールドした結果に基づいて、制御部１６から供給されるライトレベル目標値のレーザ光が照射されるようレーザパワー制御を行う（Ｓ２０３）。また、サーボレベルを目標値として照射しているとき、すなわちサーボレベルの駆動パルス（図４，図５参照）が生成されているときにサンプルホールドした結果に基づいて、制御部１６から供給される目標サーボレベル値のレーザ光が照射されるようレーザパワー制御を行う（Ｓ２０４）。従って、ライトレベルもしくはサーボレベルのパルスが所定のサーボ周期ＳＴ（サンプル周期）より長い時間継続して出力されない場合には、画像データの内容に拘わらず上記のようにサーボ用オフパルスＳＳＰ１、サーボ用オンパルスＳＳＰ２を強制的に挿入し、上記のような各々のレベル毎にレーザパワー制御ができるようにしているのである。
【０２７０】
また、上述したようにサーボ用オフパルスＳＳＰ１を挿入するのは、レーザパワーを制御するためだけではなく、サーボ回路１３によるフォーカス制御やトラッキング制御を行うためにも実施されている。すなわち、トラッキング制御及びフォーカス制御は、光ピックアップ１０の受光素子５６（図２参照）によって受光されたＲＦ信号、つまりレーザダイオード５３が出射したレーザ光の光ディスクＤからの戻り光（反射光）に基づいて行われる。ここで、図７にレーザ光を照射した時に受光素子５６によって受光される信号の一例を示す。同図に示すように、ライトレベルのレーザ光を照射した時の反射光は、レーザ光立ち上がり時のピーク部分Ｋ１、その後レベルが一定になる肩部分Ｋ２の要素を含んでおり、図中斜線で示す部分が画像記録層の画像形成のために用いられたエネルギーであると考えられる。そして、このような画像記録層の画像形成に用いられるエネルギーは常に安定した値となるとは限らず、種々の状況に応じて変動することが考えられる。従って、図中斜線部分の形状はその都度変動することが考えられ、つまりライトレベルのレーザ光の反射光はノイズ等が多く安定した反射光が得られるとは限らず、この反射光を用いると、正確なフォーカス制御及びトラッキング制御の妨げとなってしまうおそれがある。従って、上述したようにライトレベルのレーザ光が継続して長時間照射された場合には、サーボレベルのレーザ光の反射光を得ることができず、正確なフォーカス制御及びトラッキング制御が行えなくなってしまう。
【０２７１】
そこで、上述したようにサーボ用オフパルスＳＳＰ１を挿入することにより、サーボレベルのレーザ光の反射光を周期的に取得できるようにし、該取得した反射光に基づいてフォーカス制御及びトラッキング制御を実行しているのである。光ディスクＤの画像記録層に可視画像を形成する際には、記録面に対して記録する際と異なり、予め形成されたプリグルーブ（案内溝）等に沿ってトレースするといった必要がない。従って、本実施の形態では、トラッキング制御の目標値は固定値（一定のオフセット電圧を設定しておく）としている。なお、このような制御方法は、画像記録層に画像情報を形成する場合のみならず、記録面に画像情報を形成する場合にも適用できる。すなわち、レーザ光を照射したときに反射率だけでなく発色も変化する材質を記録面（記録層）に用いれば、画像記録層と同様、記録面にも画像を形成させることが可能である。このように記録面に可視画像を形成させると、可視画像を形成した部分には当然ながら本来のデータ記録はできなくなるので、データ記録をする領域と可視画像を形成させる領域とを予め分けておくのが好ましい。
【０２７２】
なお、上記のようにサーボ用オフパルスＳＳＰ１やサーボ用オフパルスＳＳＰ２を挿入する時間は、レーザパワー制御、トラッキング制御及びフォーカス制御といった各種サーボの実行に支障をきたさない範囲で最小の時間とすることが好ましく、挿入時間を非常に短くすることで、形成される可視画像にほとんど影響を与えることなく、上記のような各種サーボを行うことができる。
【０２７３】
図２に戻り、ＰＬＬ回路（信号出力手段）３３は、周波数発生器２１から供給されるスピンドルモータ１１の回転速度に応じた周波数のＦＧパルス信号を逓倍し、後述する可視画像形成のために用いられるクロック信号を出力する。周波数発生器２１は、スピンドルモータ１１のモータドライバにより得られる逆起電流を利用してスピンドル回転数に応じた周波数のＦＧパルス信号を出力する。例えば、図８上段に示すように、周波数発生器２１がスピンドルモータ１１が１回転、すなわち光ディスクＤが１回転している間に８個のＦＧパルスを生成するものである場合に、図８下段に示すように、ＰＬＬ回路３３は当該ＦＧパルスを逓倍したクロック信号（例えばＦＧパルス信号５倍の周波数、光ディスクＤが１回転中にＨレベルのパルスが４０個）を出力する、つまりスピンドルモータ１１によって回転させられる光ディスクＤの回転速度に応じた周波数のクロック信号を出力する。このようにＦＧパルス信号を逓倍したクロック信号がＰＬＬ回路３３からＦＩＦＯメモリ３４に出力され、該クロック信号に１周期毎、つまりある一定角度分ディスクＤが回転する毎に１つの座標の階調度を示すデータがＦＩＦＯメモリ３４から駆動パルス生成部３５に出力されるのである。なお、上記のようにＰＬＬ回路３３を用いてＦＧパルスを逓倍したクロック信号を生成するようにしてもよいが、スピンドルモータ１１として、回転駆動能力が十分に安定しているモータを用いた場合には、ＰＬＬ回路３３に代えて水晶発振器を設け、上記のようなＦＧパルスを逓倍したクロック信号、すなわち光ディスクＤの回転速度に応じた周波数のクロック信号を生成するようにしてもよい。
【０２７４】
ステッピングモータ３０は、光ピックアップ１０を当該光ディスクＤにセットされた光ディスクＤの径方向に移動させるためのモータである。モータドライバ３１は、モータコントローラ３２から供給されるパルス信号に応じた量だけステッピングモータ３０を回転駆動する。モータコントローラ３２は、制御部１６から指示される光ピックアップ１０の径方向への移動方向及び移動量を含む移動開始指示に従って、移動量や移動方向に応じたパルス信号を生成し、モータドライバ３１に出力する。ステッピングモータ３０が光ピックアップ１０を光ディスクＤの径方向に移動させること、及び光ディスクＤをスピンドルモータ１１が光ディスクＤを回転させることにより、光ピックアップ１０のレーザ光照射位置を光ディスクＤの様々な位置に移動させることができ、これらの構成要素が照射位置調整手段を構成しているのである。
【０２７５】
制御部１６は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等から構成されており、ＲＯＭに格納されたプログラムに従って当該光ディスク記録装置１００の装置各部を制御し、光ディスクＤの記録面に対する記録処理及び光ディスクＤの画像記録層に対する画像形成処理を中枢的に制御するように構成されている。以上説明したのが本実施の形態に係る光ディスク記録装置１００の構成である。
【０２７６】
Ｂ．光ディスク記録装置の動作
次に、上記構成の光ディスク記録装置１００の動作について説明する。上述したようにこの光ディスク記録装置１００は、光ディスクＤの記録面に対してホストＰＣ１１０から供給された音楽データ等の情報を記録することが可能であるとともに、光ディスクＤの画像記録層に対してホストＰＣ１１０から供給される画像データに対応した可視画像を形成することができるように構成されている。以下、情報記録及び可視画像形成といった処理を行うことが可能な光ディスク記録装置１００の動作について図９及び図１０を参照しながら説明する。
【０２７７】
まず、当該光ディスク記録装置１００に光ディスクＤがセットされると、制御部１６は光ピックアップ１０等を制御し、セットされた光ディスクＤの光ピックアップ１０と対向する面がどのようなフォーマットの光ディスクであるかを検出する。例えば、ＤＶＤ−Ｒの場合は、ランドプリピット信号や、プリレコード信号、ＤＶＤ＋Ｒの場合は、ＡＤＩＰ（Ａｄｄｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｒｅｇｒｏｏｖｅ）の有無を検出する。これらの情報が記録されていない場合には光ディスクとして認識されない。
【０２７８】
ここで、セットされた光ディスクＤから、例えば、ＤＶＤ−Ｒの場合は、ランドプリピット信号やプリコード信号、ＤＶＤ＋Ｒの場合はＡＤＩＰが検出された場合には、記録面が光ピックアップ１０と対向するように光ディスクＤがセットされていると判断し、制御部１６は記録面に対してホストＰＣ１１０から供給される記録データを記録するための制御を行う（ステップＳａ２）。ここで行われる記録データを記録するための制御は、従来の光ディスク記録装置（ＤＶＤ−ＲやＤＶＤ＋Ｒドライブ装置）と同様であるため、その説明を省略する。
【０２７９】
一方、セットされた光ディスクＤから描画可能な光ディスクであることを示すプリピット信号が検出された場合には、画像記録層が光ピックアップ１０と対向するように光ディスクＤがセットされていると判断し、制御部１６はセットされた光ディスクＤのディスクＩＤを取得することができるか否かを判断する（ステップＳａ３）。なお、光ディスクＤのディスクＩＤは、プリピット信号の中に搭載することができる。また、例えば図１２に示すように、ディスクＩＤをコード化した情報に対応する可視画像を光ディスクＤの画像記録層側の最外周部分の円周に沿って記述しておく。図１２では、図示のように、最外周部分の円周に沿って上記コードに応じた長さの反射領域３０１ａと非反射領域３０１ｂとを形成することによりディスクＩＤを光ディスクＤの画像記録層に記述している。制御部１６は光ディスクＤの最外周の円周に沿って光ピックアップ１０のレーザ光の照射位置をトレースすることにより、その反射光からディスクＩＤを取得する。
【０２８０】
従って、画像記録層の最外周部分に上記のようなディスクＩＤに対応する反射領域３０１ａ及び非反射領域３０１ｂが形成されていない場合には、当該光ディスクＤは画像記録層を有しない一般的な光ディスク（ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等）であると判別することができる。このようにディスクＩＤを取得できない場合は、制御部１６は可視画像の形成が不可能な光ディスクＤであると判断し（ステップＳａ４）、その旨をユーザに通知等するための処理を行う。
【０２８１】
一方、光ディスクＤからディスクＩＤを取得することができた場合には、ホストＰＣ１１０から画像データを含む画像形成指示があるまで待機し（ステップＳａ５）、画像形成指示があった場合には制御部１６は光ディスクＤの画像記録層に可視画像を形成するための初期化制御を行う（ステップＳａ６）。より具体的には、制御部１６は、所定の角速度でスピンドルモータ１１が回転させられるようサーボ回路１３を制御したり、光ピックアップ１０を光ディスクＤの径方向の最内周側の初期位置に移動させるための指示をモータコントローラ３２に送出し、ステッピングモータ３０を駆動させたりする。
【０２８２】
また、画像形成のための初期化制御において制御部１６は、記録面に対して情報記録を行う時よりも、大きいビームスポット径のレーザ光が光ディスクＤの画像記録層に照射されるようなフォーカス制御の目標値をサーボ回路１３に対して指示することもできる。
【０２８３】
上記のような目標値を指示した際のフォーカス制御内容をより具体的に説明すると、次の通りである。上述したようにサーボ回路１３によるフォーカス制御は、光ピックアップ１０の受光素子５６から出力される信号に基づいて行われる。光ディスクＤの記録面に対する情報記録時には、図１２に示す受光素子５６の４つのエリア５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５６ｄの中心に円形の戻り光（図のＡ）が受光されるようサーボ回路１３がフォーカスアクチュエータ６４（図２参照）を駆動する。すなわち、エリア５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５６ｄの各々の受光量をａ，ｂ，ｃ，ｄとした場合に、（ａ＋ｃ）−（ｂ＋ｄ）＝０となるようにフォーカスアクチュエータ６４を駆動するのである。
【０２８４】
一方、光ディスクＤの画像記録層に対して可視画像を形成する場合には、上述したように記録面に対する情報記録時よりも径の大きいレーザ光が画像記録層に照射されるようフォーカス制御が行われる。図１２に示す受光素子５６に受光される戻り光の形状が楕円形状（図のＢやＣ）である場合には、そのレーザ光のスポットサイズは上記円形Ａの場合よりも大きいので、サーボ回路１３はこのような楕円形状の戻り光が受光素子５６に受光されるようフォーカスアクチュエータ６４を駆動する。すなわち、（ａ＋ｃ）−（ｂ＋ｄ）＝α（αは０ではない）を満たすようにフォーカスアクチュエータ６４を駆動するのである。従って、本実施の形態において、制御部１６、サーボ回路１３はビームスポット制御手段を構成している。
【０２８５】
以上のように上述した可視画像形成のための初期化制御において制御部１６がα（０ではない）をサーボ回路１３に指示設定することで、記録面に対する情報記録時よりも大きいスポット径のレーザ光を光ディスクＤの画像記録層に照射することができる。このように光ディスクＤの画像記録層に対する可視画像を形成するときに、記録面に対する情報記録時よりも大きいスポット径のレーザ光を照射することで以下のような効果を得ることができる。すなわち、本実施の形態では、可視画像を形成する際にも、記録面に情報記録を行う際と同様、光ディスクＤを回転させながらレーザ光を照射することとしている。従って、レーザ光のビームスポット径を大きくすることで、より短時間で光ディスクＤの画像記録層の全領域に対して可視画像を形成することができる。この理由について、図１３を参照しながら説明する。同図に模式的に示すように、照射するレーザ光のビームスポット径ＢＳが大きい場合と小さい場合とを比較すると、光ディスクＤを１回転させたときに画像形成の対象となる領域の面積がビームスポット径ＢＳが大きい時の方が大きくなる。このため、ビームスポット径ＢＳが小さい場合には全領域を画像形成の対象とするためにより多く光ディスクＤを回転させなければならず（図示の例では、大きい場合は４回転、小さい場合は６回転）、画像形成のために多くの時間を要してしまう。以上のような理由から、この光ディスク記録装置１００では、可視画像を形成する際に情報記録時よりも大きいスポット径のレーザ光が照射されるようにしているのである。
【０２８６】
また、画像形成のための初期化制御において制御部１６は、取得したディスクＩＤに応じたライトレベル及びサーボレベルのレーザ光が光ピックアップ１０から照射されるよう、各々のレベルの目標値をレーザパワー制御回路２０に指示する。すなわち、制御部１６のＲＯＭには、複数種類のディスクＩＤ毎に、ライトレベル及びサーボレベルとして設定すべき目標値が記憶されており、制御部１６は取得されたディスクＩＤに対応するライトレベル及びサーボレベルの目標値を読み出し、これらの目標値をレーザパワー制御回路２０に指示するのである。
【０２８７】
このようにディスクＩＤに応じてパワーの目標値を設定するのは以下のような理由に基づくものである。すなわち、光ディスクＤの種類によって画像記録層の色素の特性が異なることが考えられ、特性が異なる場合、どの程度のパワーのレーザ光を照射すれば反射率が変化するといった特性も当然変化することになる。このため、ある光ディスクＤの画像記録層に対してはあるライトレベルのレーザ光を照射することにより、その照射領域の反射率を十分変化させることができた場合にも、他の光ディスクＤの画像記録層に対して同じライトレベルのレーザ光を照射させた場合にその照射領域の反射率を変化させることができるとは限らない。従って、本実施の形態では、上記のように種々のディスクＩＤ毎に対応する光ディスク毎に、予め正確な画像形成が行えるようなライトレベル及びサーボレベルの目標値を実験により求めておく。そして、求めた目標値を各々のディスクＩＤに対応付けてＲＯＭに格納しておくことにより、上記のような種々の光ディスクＤの画像記録層の特性に応じて最適なパワー制御を行うことができるようにしている。
【０２８８】
以上説明したような初期化制御が制御部１６によって行われると、実際に光ディスクＤの画像記録層に可視画像を形成するための処理が行われることになる。図１０に示すように、まず制御部１６は、ホストＰＣ１１０からバッファメモリ３６を介して供給された画像データをＦＩＦＯメモリ３４に転送する（ステップＳａ７）。そして、制御部１６は、周波数発生器２１から供給されるＦＧパルス信号から、スピンドルモータ１１によって回転させられる光ディスクＤの所定の基準位置が、光ピックアップ１０のレーザ光照射位置を通過したか否かを判断する（ステップＳａ８）。
【０２８９】
ここで、図１４及び図１５を参照しながら所定の基準位置、及びレーザ光照射位置がその位置を通過したか否かの検出方法について説明する。図１４に示すように、周波数発生器２１は、スピンドルモータ１１が１回転する間、つまり光ディスクＤが１回転する間に所定個（図示の例では８個）のＦＧパルスを出力する。従って、制御部１６は、周波数発生器２１から供給されるＦＧパルスのいずれか１つを基準パルスと立ち上がりタイミングを同期させて基準位置検出用パルスを出力し、その後は基準位置検出パルスから１回転分の個数目（図示の例では８個目）のパルスの立ち上がりタイミングと同期させて基準位置検出用パルスを出力する基準位置検出用パルス信号を生成する。このような基準位置検出用パルスを生成することで、当該パルスが生成された時が光ディスクＤの基準位置を光ピックアップ１０のレーザ光照射位置が通過したタイミングであると検出できるのである。すなわち、図１５に示すように、最初の基準位置検出用パルスを生成したタイミングにおける光ピックアップ１０のレーザ光照射位置が図中太線（光ピックアップ１０は径方向に移動可能であるため、照射位置が取り得る位置は線で表される）で示す位置であるとすると、その１回転後に生成される基準位置検出用パルスの生成した時にも当然光ピックアップ１０のレーザ光照射位置は図中太線で示す位置にある。このように最初に基準位置検出用パルスを生成したタイミングにレーザ光の照射位置が属する径方向の線を基準位置となり、制御部１６は、上記のように光ディスクＤが１回転する毎に生成される基準位置検出用パルス信号に基づいて、レーザ光の照射位置が光ディスクＤの基準位置を通過したことを検出することができるのである。なお、図中一点鎖線は、ある基準位置検出用パルスが生成されてから、次の基準位置検出用パルスが生成されるまでにレーザ光の照射位置の移動軌跡の一例を示す。
【０２９０】
ホストＰＣ１１０から画像形成指示を受けた後、以上のような手法で光ディスクＤの基準位置がレーザ光の照射位置を通過したことを検出すると、制御部１６は、回転数を示す変数Ｒに１をインクリメントした後（ステップＳａ９）、Ｒが奇数であるか否かを判別する（ステップＳａ１０）。
【０２９１】
ここで、画像形成指示を受けた後、最初に基準位置を通過したことを検出した際には、Ｒ＝０（初期値）＋１＝１であり、この場合、ステップＳａ１０においてＲは奇数であると判別されることになる。このようにＲが奇数であると判別した場合、制御部１６は、光ピックアップ１０から光ディスクＤの画像記録層にレーザ光を照射して可視画像を形成するための制御を行う（ステップＳａ１１）。より具体的には、制御部１６は、上記の基準位置検出用パルスを受け取った時点から、ＰＬＬ回路３３から出力されるクロック信号に同期してＦＩＦＯメモリ３４から画像データを順次出力するよう各部を制御する。この制御により、図１６に示すように、ＦＩＦＯメモリ３４は、ＰＬＬ回路３３からクロックパルスが供給される毎に、１つの座標の階調度を示す情報を駆動パルス生成部３５に出力し、駆動パルス生成部３５は当該情報に示される階調度にしたがったパルス幅の駆動パルスを生成してレーザドライバ１９に出力する。この結果、光ピックアップ１０は、各座標の階調度に応じた時間だけライトレベルでレーザ光を光ディスクＤの画像記録層に照射し、その照射領域の反射率が変化することにより、図１７に示すような可視画像を形成することができる。
【０２９２】
同図に模式的に示すように、光ディスクＤはスピンドルモータ１１によって回転させられているので、光ピックアップ１０のレーザ光の照射位置はクロック信号の１周期（パルスの立ち上がりタイミングから次のパルスの立ち上がりタイミングまでの期間）中に図中Ｃで示す領域分だけ円周に沿って移動することになる。この領域Ｃをレーザ光照射位置が通過する間にライトレベルでレーザ光を照射すべき時間を上記のように階調度に応じて変化させることで、図示のように領域Ｃ毎に異なる階調度に応じて異なる面積の反射率を変化させることができる。このように各座標の階調度に応じて各々の領域Ｃを通過するときのライトレベルのレーザ光の照射時間を制御することにより、画像データに応じた可視画像を光ディスクＤの画像記録層に形成することができるのである。
【０２９３】
以上のように画像データに応じて制御されるレーザ光照射によって可視画像の形成を実行するための制御を実行すると、制御部１６の処理はステップＳａ７に戻り、バッファメモリ３６から供給された画像データをＦＩＦＯメモリ３４に転送する。そして、光ディスクＤの基準位置を光ピックアップ１０のレーザ光照射位置が通過したか否かを検出し、基準位置を通過したことが検出された場合、Ｒに１をインクリメントする。この結果、Ｒが偶数となった場合には、制御部１６は上記のようなレーザ光照射制御による可視画像形成を停止させるよう装置各部を制御する（ステップＳａ１２）。より具体的には、ＦＩＦＯメモリ３４に対して、ＰＬＬ回路３３から供給されるクロック信号に同期して各座標の階調度を示す情報を駆動パルス生成部３５に出力しないよう制御する。つまり、制御部１６は、光ディスクＤの画像記録層に対してライトレベルのレーザ光を照射して可視画像を形成した後、次に光ディスクＤが１回転している間は画像記録層の反射率を変化させるためのレーザ光の照射を行わないように制御しているのである。
【０２９４】
このように可視画像形成のためのレーザ光照射を停止させると、制御部１６は、モータコントローラ３２に対して所定量だけ光ピックアップ１０を径方向の外周側に移動させるよう指示し（ステップＳａ１３）、該指示に応じてモータコントローラ３２がモータドライバ３１を介してステッピングモータ３０を駆動し、これにより光ピックアップ１０が所定量だけ外周側に移動させられる。
【０２９５】
ここで、光ピックアップ１０を光ディスクＤの径方向に移動させる所定量は、上述したように光ピックアップ１０から照射されるビームスポット径ＢＳ（図１３参照）に応じて適宜決定すればよい。すなわち、円盤状の光ディスクＤの画像記録層に可視画像を形成する際には、光ピックアップ１０のレーザ光照射位置を光ディスクＤの面上ほぼ隙間なく移動させることが、より高品位の画像形成を実現するために必要となる。従って、上記のような径方向への光ピックアップ１０の単位移動量を、光ディスクＤに対する照射レーザ光のビームスポット径ＢＳとほぼ同じ長さとすれば、光ディスクＤの面上にほぼ隙間なくレーザ光を照射することができ、より高品位な画像形成が可能となる。なお、画像記録層の性質等の種々の要因によって照射したビームスポット径よりも大きい領域が発色するケースもあり、このようなケースでは、その発色領域の幅を考慮し、隣り合う発色領域が重ならないよう単位移動量を決めるようにすればよい。本実施の形態では、ビームスポット径ＢＳを記録面に対する記録時より大きくしているので（例えば、２０μｍ程度）、制御部１６は、このビームスポット径ＢＳとほぼ同じ長さ分だけ光ピックアップ１０を径方向に移動させるようモータコントローラ３２を制御し、ステッピングモータ３０を駆動させている。なお、近年のステッピングモータ３０は、μステップ技術を利用することで、１０μｍ単位でその移動量を制御することが可能であり、上記のようにステッピングモータ３０を用いて光ピックアップ１０を２０μｍ単位で径方向に移動させることは十分に実現可能である。
【０２９６】
上記のように光ピックアップ１０を径方向に所定量だけ移動させる制御を行うと、制御部１６は、目標となるレーザ光のライトレベル値を変更するべく、ライトレベルでレーザ光を照射する際に目標とすべき変更後のライトレベル値をレーザパワー制御回路２０に対して指示する（ステップＳａ１４）。本実施の形態では、可視画像を形成する際の方式として光ディスクＤを角速度を一定に維持して回転させながらレーザ光を照射するＣＡＶ方式を採用しており、上記のように光ピックアップ１０が外周側に移動させられると、線速度が大きくなる。従って、レーザ光をこのように光ピックアップ１０を径方向（外周側）に移動させた時には、上記のようにライトレベルの目標値をその時点までよりも大きくなるように変更し、これにより線速度が変化しても光ディスクＤの画像記録層の反射率が十分に変化できる強度のレーザパワーを照射できるようにしているのである。
【０２９７】
以上のように光ピックアップ１０の径方向への移動制御及びライトレベルの目標値を変更する制御を実行すると、制御部１６は可視画像形成のために未処理の画像データ、つまり駆動パルス生成部３５に供給されていない画像データがあるか否かを判別し、当該画像データがない場合には処理を終了する。
【０２９８】
一方、モータコントローラ３２に供給されていない未処理の画像データがある場合には、ステップＳａ７に戻り、可視画像形成のための処理を続行する。すなわち、制御部１６からＦＩＦＯメモリ３４に画像データを転送し（ステップＳａ７）、レーザ光の照射位置が光ディスクＤの基準位置を通過したか否かを判別する（ステップＳａ８）。そして、基準位置を通過した際には、回転数を示す変数Ｒに１をインクリメントし（ステップＳａ９）、インクリメント後のＲが奇数であるか否かを判別する（ステップＳａ１０）。ここで、Ｒが奇数である場合には、制御部１６は上記のような可視画像を形成するためのレーザ光照射がなされるよう装置各部を制御し、Ｒが偶数である場合には可視画像を形成するためのレーザ光照射を停止し（サーボレベルのレーザ光は照射する）、上記のような光ピックアップ１０の径方向への移動制御や、ライトレベルの目標値変更といった制御を行う。すなわち、制御部１６は、ある周回中に光ディスクＤに対して画像形成のためのレーザ光照射（ライトレベルを含む）を行った場合、その次の周回中には画像形成のためのレーザ光照射が行われないよう制御し、その周回中に光ピックアップ１０の径方向への移動制御等を実施するようにしている。このように画像形成を行わない周回中に光ピックアップ１０を移動させる制御やライトレベル目標値の変更制御等を実施することで、当該制御に伴って照射位置や照射されるレーザ光のパワー値等が変動している間に画像形成されることがなく、照射位置やレーザ光の強度が安定してから画像形成のためのレーザ光照射を実行することができる。従って、上記のような光ピックアップ１０の径方向の移動制御等に起因して形成される可視画像の品位が低下してしまうことを抑制できる。
【０２９９】
以上説明したのが、光ディスク記録装置１００の主要な動作であり、光ディスク記録装置１００によれば、新たに印刷手段等を搭載することなく、記録面に対して情報記録を行うために用いられる光ピックアップ１０等の装置各部を可能な限り利用し、画像記録層が形成された光ディスクＤの当該画像記録層に対してレーザ光を照射して画像データに対応した可視画像を形成することができる。
【０３００】
また、本実施の形態では、スピンドルモータ１１の回転に応じて生成されるＦＧパルスを用いて生成したクロック信号、すなわち光ディスクＤの回転量に応じて生成されるクロック信号に基づいてレーザ光照射タイミングを制御しているので、光ディスクＤ側から位置情報等を取得することなく、光ディスク記録装置１００においてレーザ光照射位置を把握することができる。従って、光ディスク記録装置１００によれば、画像記録層にプリグルーブ（案内溝）を形成するといった特別な加工等を施した光ディスクＤを用いなくてはならないといった制限はなく、プリグルーブや位置情報等が予め形成されていない画像記録層に対しても、画像データに対応する可視画像を形成することができる。
【０３０１】
Ｃ．変形例
なお、本発明は、上述した形態に限定されるものではなく、以下に例示するような種々の変形が可能である。
【０３０２】
（変形例１）
上述した実施の形態では、ホストＰＣ１１０から供給される可視画像に対応した画像データに含まれる各座標毎の階調度に応じて、レーザ光の照射時間を制御することにより光ディスクＤの画像記録層に形成される可視画像の濃淡を表現するようにしていたが、各座標毎の階調度を示す情報に従って照射するレーザパワーのライトレベルを変更し、可視画像の濃淡を表現するようにしてもよい。例えば、図１８に示すように、光ディスクＤの画像記録層が加えられるエネルギーの量に応じて反射率変化の度合いが緩やかに変化する特性を有しているものであれば、エネルギーＥ１、Ｅ２、Ｅ３といったように異なるエネルギーを加えることにより、画像記録層の反射率変化の度合いもＤ１，Ｄ２，Ｄ３といったように変化することになる。従って、上記のような特性を有する画像記録層が形成された光ディスクＤに対しては、画像データに示される各座標毎の階調度に応じて照射するレーザ光のライトレベル値を変更することにより、光ディスクＤにおける各々座標位置を、その階調度に応じて変化させることができ、これにより濃淡を表現することができる。
【０３０３】
また、上記のようにライトレベル値を階調度に応じて変更する方法以外にも、以下のような隣接する複数の座標を階調度を表現するための１つの単位領域として捉え、当該単位領域に含まれる複数の各座標に対するレーザ光の照射時間を違いに関連付けて制御することで、光ディスクＤの画像記録層に形成される可視画像の濃淡を表現するようにしてもよい。より具体的には、図１９に模式的に示すように、光ディスク記録装置１００では、光ピックアップ１０のレーザ光照射位置を図示のような円周経路ＴＲ（図中一点鎖線）に沿って複数周相対移動させ、その移動中に照射するレーザ光のパワー値を画像データに応じてライトレベルとサーボレベルとに適宜切り換えることにより可視画像形成が実施される。
【０３０４】
この変形例では、光ディスクＤを複数に分割した扇形部分の各々に属する隣接する所定数（図示の例では、３つ）の円周経路ＴＲを含む扇型の領域を単位領域ＴＡ（図中太線で示す）とし、可視画像における当該単位領域ＴＡ毎に濃淡が表現されるように当該単位領域ＴＡに属する３つの円周経路ＴＲの各々に照射するレーザ光の照射タイミングを制御する。
【０３０５】
例えば、ある単位領域ＴＡの濃度を非常に薄く表現した画像（濃度が０ではない）を形成する場合には、図２０上段に示すように、当該単位領域ＴＡに属する３つの円周経路ＴＲを全ての反射率を変化（変色部分は図中黒色で示す）させるようにレーザ光の照射時間を制御する、つまり図２０下段に示すような駆動パルスが駆動パルス生成部３５によって生成されるような画像データを作成しておき、当該単位領域ＴＡに属する３つの円周経路ＴＲをレーザ光照射位置が通過している時間中、ライトレベルのレーザ光を照射し続けるといった制御を行う。
【０３０６】
一方、単位領域ＴＡの濃度を濃く表現した画像を形成する場合には、図２１上段に示すように、当該単位領域ＴＡに属する３つの円周経路ＴＲのうち、最内周側の円周経路ＴＲの僅かな部分の反射率だけ変化させるようにレーザ光の照射時間を制御する、つまり図２１下段に示すように、内周側の円周経路ＴＲをレーザ光照射位置が通過する時間中の一部の時間のみにライトレベルのレーザ光が照射されるような駆動パルスが駆動パルス生成部３５によって生成されるような画像データを作成しておくのである。
【０３０７】
また、単位領域ＴＡの濃度を中間程度の濃さにする場合には、図２２上段に示すように、当該単位領域ＴＡに属する３つの円周経路ＴＲのうち、最内周側の円周経路ＴＲの全ての部分の反射率が変化し、中間の円周経路ＴＲの半分が変色するようにレーザ光の照射時間を制御する。つまり、図２２下段に示すように、円周経路ＴＲのうち内周側の円周経路ＴＲをレーザ光の照射位置が通過している時間及び中間の円周経路ＴＲをレーザ光照射位置が通過している時間の一部の時間だけライトレベルのレーザ光が照射されるような駆動パルスが駆動パルス生成部３５によって生成されるような画像データを生成しておくのである。
【０３０８】
予めホストＰＣ１１０において、上記のような単位領域ＴＡ毎の階調表現がなされるような画像データを生成しておき、当該画像データを光ディスク記録装置１００に供給することにより、上記のような単位領域ＴＡ毎の階調表現がなされた可視画像を光ディスクＤの画像記録層に形成することができる。
【０３０９】
（変形例２）
また、上述した実施の形態では、光ディスクＤを基準位置から１回転させている間にレーザ光を照射して可視画像を形成すると、光ピックアップ１０を径方向の外周側に所定量だけ移動させるといったフィード制御を行うことにより、光ディスクＤの全面に隙間がほとんどできないようにレーザ光照射位置を移動させるようにしていた。しかしながら、径方向へ光ピックアップ１０を駆動する機構が２０μｍといった単位で駆動量を制御できない場合もある。このような駆動機構を搭載した光ディスク記録装置では、光ディスクＤにおけるレーザ光が照射できない隙間の領域が大きくなり、この結果、光ディスクＤの画像記録層に形成される可視画像の品位が低下してしまうことになる。
【０３１０】
そこで、光ピックアップ１０を径方向に移動させる駆動手段の分解能が低い場合には、当該駆動手段による径方向への光ピックアップ１０の移動制御と、光ピックアップ１０のトラッキング制御とを併用することにより、より微小な単位、例えば２０μｍといった単位でレーザ光の径方向の照射位置を制御できるようにしてもよい。より具体的には、図２３に示すように、まずステッピングモータ等の径方向駆動手段によって光ピックアップ１０を位置Ａに移動させる。そして、この位置Ａに光ピックアップ１０を固定した状態で、レーザ光の径方向の照射位置がＡ１となるようトラッキング制御を行う。このように照射位置をＡ１にした状態で光ディスクＤを１回転させながらレーザ光を制御して可視画像の形成を行う。照射位置をＡ１にした状態での可視画像の形成が終了すると、光ピックアップ１０は位置Ａに固定したまま、トラッキング制御によってレーザ光の照射位置を距離ａだけ外周側に移動させて照射位置を位置Ａ２にする。そして、この状態で光ディスクＤを１回転させながらレーザ光を照射することで可視画像形成を行う。以降も同様に、光ピックアップ１０は位置Ａに固定したまま、トラッキング制御によりレーザ光の照射位置をＡ３，Ａ４，Ａ５といった順序で移動させながら画像形成を行う。
【０３１１】
そして、レーザ光の照射位置をＡ５にした状態で画像形成が終了すると、駆動手段によって光ピックアップ１０を距離Ａだけ外周側に移動させ光ピックアップ１０を位置Ｂに移動させる。そして、この位置Ｂに光ピックアップ１０を固定した状態でトラッキング制御を行うことにより、レーザ光の照射位置を位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５といったように外周側に順次距離ａずつ移動させながら画像形成を行う。このようにステッピングモータ等による光ピックアップ１０の径方向への移動制御とトラッキング制御とを併用することで、径方向への光ピックアップ１０の駆動手段の駆動制御の分解能が低い場合にも、レーザ光の照射位置をより微小な距離単位で移動させることができる。
【０３１２】
（変形例３）
また、上述した実施の形態に係る光ディスク記録装置１００では、光ディスクＤを一定の角速度で回転させながらレーザ光を照射して可視画像を形成するＣＡＶ方式を採用するようにしていたが、線速度が一定となるＣＬＶ方式を採用するようにしてもよい。上述したようにＣＡＶ方式を採用する場合には、高品位の可視画像を形成するために、レーザ光の照射位置が光ディスクＤの外周側に移動するに伴って照射するレーザ光のライトレベル値を大きくする必要があるが、ＣＬＶ方式の場合にはライトレベル値を変更する必要がない。従って、目標レーザパワー値の変動に起因して、光ディスクＤの画像記録層に形成される画像の画質が劣化するといったことが生じない。
【０３１３】
（変形例４）
また、上述した実施の形態では、レーザパワー制御回路２０は、光ピックアップ１０のフロントモニターダイオード５３ａの受光結果に基づいて、ライトレベル目標値もしくはサーボレベル目標値のレーザ光が照射されるようレーザパワー制御を行うようになっていた（図６参照）。そして、上記実施の形態においては、レーザダイオード５３から照射されるレーザ光の強度がライトレベル目標値と一致するように制御するために、ライトレベルを目標としてレーザダイオード５３が出射した時のフロントモニターダイオード５３ａの受光結果を用いている。また、レーザダイオード５３から照射されるレーザ光の強度がサーボレベル目標値と一致するように制御するために、サーボレベルを目標としてレーザダイオード５３が出射した時のフロントモニターダイオード５３ａの受光結果を用いていた。
【０３１４】
このようにライトレベル及びサーボレベルの各々のレベルを目標値としてレーザパワー制御を行う際に、各々のレベルを目標値として照射したレーザ光の受光結果を用いる以外にも、サーボレベルを目標値として照射したレーザ光の受光結果から、サーボレベルだけではなくライトレベルを目標値とするレーザパワー制御をレーザパワーを行うようにしてもよい。より具体的には、レーザパワー制御回路２０は、サーボレベルを目標値として出射したレーザ光の受光結果（電流値）から、図２４上段に示すようにサーボレベル目標値ＳＭの強度のレーザ光をレーザダイオード５３から出射するためにレーザダイオード５３に供給すべき電流値ＳＩを求める。このようにサーボレベル目標値ＳＭのレーザ光を出射するために供給すべき電流値ＳＩを求めると、該電流値ＳＩと予め実験等により求められた供給電流値と出射レーザパワーとの関係を一次関数で表すための傾きαとから、図２４下段に示すように、当該レーザダイオード５３に関して供給電流値と出射レーザパワーとの関係（一次関数）を導出する。次に、レーザパワー制御回路２０は、導出した両者の関係と、制御部１６によって設定されたライトレベル目標値ＷＭとから、ライトレベルのレーザ光を出射するためにレーザダイオード５３に供給すべき電流値ＷＩを求める。そして、ライトレベルのレーザ光を照射する際には、レーザパワー制御回路２０は上記のように求めた電流値ＷＩをレーザダイオード５３に供給するようレーザドライバ１９を制御する。このようにしてライトレベルを目標値として出射したレーザ光の受光結果を用いることなく、ライトレベルのレーザ光を出射するための制御を行うことができる。
【０３１５】
なお、上述した実施の形態及び当該変形例においては、可視画像形成のためにレーザ光を照射している時にフロントモニターダイオード５３ａの受光結果に基づいてレーザパワーのフィードバック制御を行うようにしているが、可視画像形成時にはフィードバック制御を行わず、可視画像形成前にレーザ光のテスト照射を実施し、該テスト照射した時のフロントモニターダイオード５３ａの受光結果に基づいて電流値をレーザダイオード５３に供給するといったレーザパワー制御を行うようにしてもよい。画像形成のために必要となる時間が短い場合には、光ピックアップ１０や、その周囲の環境（温度）等の変動が少なく、上記のようにフィードバック制御を行わなくても、十分に正確なレーザパワー制御が行える場合もある。従って、短時間で画像形成を行える光ディスク記録装置においては、上記のようにフィードバック制御を行わないレーザパワー制御を採用することも可能である。
【０３１６】
（変形例５）
また、上述した実施の形態では、光ディスクＤの画像記録層の最外周部分等に記録されたディスクＩＤを読み取ることにより、光ディスク記録装置１００にセットされたディスクの種類を識別し、識別したディスク種類に応じたレーザパワー制御等を行うようにしていたが（図１１参照）、光ディスクＤの記録面のリードインに記録されたディスクＩＤを読み取り、当該光ディスクＤの画像記録層に対する可視画像形成時に読み取ったディスクＩＤによって識別されるディスク種類に応じたレーザパワー制御等を行うようにしてもよい。このように記録面のリードインに記録されたディスクＩＤを取得するために、ユーザはまず光ディスクＤを記録面が光ピックアップ１０と対向するようにセットし、光ディスク記録装置１００がセットされた光ディスクＤのリードイン領域からディスクＩＤを読み取る。そして、光ディスク記録装置１００は、ディスクを裏返して再挿入するようユーザに促し、画像記録層が光ピックアップ１０と対向するように光ディスクＤがセットされると、当該光ディスクＤの画像記録層に対して、リードイン領域から読み取ったディスクＩＤに応じたレーザパワー制御を行って可視画像を形成するようにすればよい。
【０３１７】
（変形例６）
上述した実施の形態で説明したように光ディスク記録装置１００は、記録面に対して情報記録を実施するための光ピックアップ１０等の装置各部を利用し、記録面と反対側の面に形成された画像記録層に対して可視画像を形成することができるようにしている。ところで、ＣＤ−Ｒの場合には、記録層の上層に設けられる保護層の厚みは１．２ｍｍであるのに対し、反対側の面に設けられる保護層の厚みは非常に小さい。従って、図２５に示すように、光ディスクＤのレーザ光の照射すべき層の位置と、光ピックアップ１０の位置との間の距離ｄ１，ｄ２（相対的な位置関係）は、記録面と画像記録層のいずれを光ピックアップ１０と対向するように光ディスクＤをセットするかによって約１．２ｍｍ程度異なることになる。
【０３１８】
光ディスクＤの記録面との距離ｄ１が焦点距離となることを前提として設計されている光ピックアップ１０のフォーカスアクチュエータ６４（図２参照）では、光ピックアップ１０と照射対象面との距離がｄ２となった場合に十分なフォーカス制御ができなくなる場合もある。そこで、光ディスクＤが画像記録層を光ピックアップ１０と対向するようにセットされた場合に、その画像記録層と光ピックアップ１０との間の距離がｄ１とほぼ一致するように約１．２ｍｍ分だけ光ピックアップ１０から離間する方向に移動させた位置で光ディスクＤを保持するような機構を設けるようにしてもよい。
【０３１９】
このような機構としては、図２６に示すように、光ディスクＤ中央のチャッキング部２７０に装着可能なアダプタ（相対位置調整手段）２７１を用いるようにし、上記のように光ディスクＤの画像記録層が光ピックアップ１０に対向するように当該光ディスクＤを光ディスク記録装置１００にセットする際には、上記アダプタ２７１を光ディスクＤに装着するようにすればよい。
【０３２０】
また、光ディスク記録装置１００の光ディスクＤをセットする部位近傍と、該部位から離間した位置との間で移動可能な機構であって、上記のように光ディスクＤの保持位置を変更するための機構を光ディスク記録装置１００に設けるようにし、光ディスクＤの画像記録層が光ピックアップ１０と対向するようにセットされた場合にのみ上記セットする近傍に上記機構を移動させて光ディスクＤの保持位置を調整するようにしてもよい。
【０３２１】
また、上記のようなアダプタ２７１等を用いることにより光ディスクＤの保持位置を光ピックアップ１０から離間する位置に移動させる以外にも、図２７に示すように、画像記録層が光ピックアップ１０と対向するように光ディスクＤがセットされた場合に、画像記録層と光ピックアップ１０との距離がｄ１となるように光ピックアップ１０の位置を光ディスクＤから離間する位置に移動させる駆動機構（相対位置調整手段）２８０を設けるようにしてもよい。
【０３２２】
（変形例７）
また、上述した実施の形態では、光ピックアップ１０の受光素子５６（図２参照）が受光した光ディスクＤからの戻り光に応じてフォーカス制御を行い、このフォーカス制御においては記録面に対して記録を行う時よりもスポット径が大きいレーザ光が光ディスクＤの画像記録層に照射されるようにしていた。そして、上記実施の形態においては、スポット径を大きくするために、受光素子５６の受光結果が図１２に示す楕円形状Ｂ、Ｃとなるようフォーカスアクチュエータ６４を駆動するようにしていた。このような楕円形状Ｂ、Ｃが受光結果として得られる場合のスポット径よりも大きいスポット径のレーザ光を光ディスクＤの画像記録層に照射するために、受光素子５６の４つのエリア５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５６ｄの各々受光量に応じたフォーカス制御ではなく、受光素子５６の全てのエリアの総受光量に応じたフォーカス制御を行うようにしてもよい。すなわち、光ディスクＤの画像記録層に照射するレーザ光のスポット径を大きくすると、その戻り光の全てを受光素子５６で受光することができず、図２８中円形Ｚで示すように受光素子５６の受光エリアよりも大きいエリアの戻り光が得られることになる。すなわち、受光素子５６の総受光量が少なくなるのである。従って、サーボ回路１３が受光素子５６の総受光量が図１２に示す円形Ａ、楕円形Ｂ、Ｃのような受光結果が得られる場合の総受光量よりも少なくなるようにフォーカスアクチュエータ６４を駆動することで、より大きなスポット径のレーザ光を光ディスクＤの画像記録層に照射することができる。
【０３２３】
（変形例８）
また、光ディスクＤの画像記録層として透明度の高いものを利用すると、画像記録層と光ピックアップ１０とが対向するように光ディスクＤをセットした場合にも、光ディスク記録装置１００では、光ディスクＤからの戻り光（反射光）から、光ディスクＤの記録面に形成されたプリグルーブ（案内溝）を検出することができる。より具体的には、記録面に対してレーザ光を照射している場合とは逆に、プリグルーブにレーザ光を照射している時の戻り光レベルが大きく、ランド部分を照射しているときの戻り光が小さい。従って、戻り光のレベルを検出することによってプリグルーブを検出することができ、この結果該プリグルーブに沿ってトラッキング制御を行うことも可能となる。
【０３２４】
以上のように画像記録層を光ピックアップ１０と対向するように光ディスクＤをセットした時に、反対側の記録面に形成されたプリグルーブに沿ったトラッキング制御が可能である場合には、当該プリグルーブに沿ってレーザ光照射位置を移動させながら、可視画像形成のためのレーザ光照射制御を行うようにしてもよい。このように画像記録層の反対側の記録面に形成されたプリグルーブを検出し、該プリグルーブに沿ってレーザ光照射位置が移動するようトラッキング制御を行う場合には、スピンドルモータ１１の回転方向を記録面に対する記録時とは逆方向にし、光ディスクＤを逆方向に回転させる。このように逆回転させる理由について図２９を参照しながら説明する。同図上段に示すように、光ディスクＤの記録面に記録面側から見て時計回りの螺旋状のプリグルーブＰＢが形成されている場合に、図２９下段に示すように、そのプリグルーブＰＢは反対側の面である画像記録層側からは反時計回りの螺旋状に形成されているように見えることになる。従って、プリグルーブＰＢに沿った位置の最内周の位置ＰＢＳから、記録時と同じ回転方向に光ディスクＤを回転させた場合には、レーザ光の照射位置をプリグルーブＰＢに沿って移動させることができない。従って、光ディスクＤの画像記録層に対してレーザ光を照射して可視画像を形成する際に、プリグルーブＰＢに沿ってレーザ光照射位置を移動させる場合には、記録面に対して記録を実行する時と逆方向に光ディスクＤを回転させているのである。
【０３２５】
従って、プリグルーブＰＢに沿ってレーザ光の照射位置を移動させながら、画像データに応じてレーザ光の照射タイミング及びパワーを制御することにより、上記実施の形態と同様の可視画像形成を行う場合には、制御部１６はスピンドルモータ１１を記録面に対する記録時と逆方向に回転させるようにサーボ回路１３に指示すればよい。
【０３２６】
また、上記のように記録面に形成されたプリグルーブＰＢに沿ってレーザ光照射位置を移動させながら画像記録層に対して可視画像形成を行う場合、レーザ光の照射開始位置をプリグルーブＰＢの最も外周側の位置ＰＢＥとすれば、光ディスクＤの回転方向が記録時と同一方向であってもプリグルーブＰＢに沿ってレーザ光照射位置を移動させることができる。
【０３２７】
（変形例９）
また、上述した実施の形態において、制御部１６が、図３０に示す光ディスクＤの画像記録層における所定の禁止領域ＫＡに対して、画像形成のためのレーザ光（ライトレベルのレーザ光）の照射を行わないよう制御するようにしてもよい。同図に示すように、禁止領域ＫＡは、上述した基準位置（図１５参照）から時計回りにレーザ光照射位置が移動させられる場合には、基準位置からその反時計回りの方向に所定角度θの扇形の領域である。すなわち、光ディスクＤを回転させることにより、基準位置からレーザ光照射位置を移動させながら可視画像形成のためのレーザ光照射を行った際に、その基準位置にレーザ光の照射位置が戻る直前にレーザ光照射位置が通過する領域が禁止領域ＫＡである。
【０３２８】
このような禁止領域ＫＡに対する可視画像の形成を禁止するための制御としては、制御部１６がホストＰＣ１１０から供給された画像データ中の当該禁止領域ＫＡに属する座標の階調度を「０」に変更するといったデータ変換を行うようにすればよい。このようなデータ変換を行えば、そのデータに従って駆動パルス生成部３５が忠実に駆動パルスを生成したとしても、レーザ光照射位置が禁止領域ＫＡを通過するときにはライトレベルのレーザ光は照射されず、この結果、禁止領域ＫＡには可視画像が形成されなくなる。
【０３２９】
以上のように禁止領域ＫＡに対して可視画像形成のためのレーザ光照射を行わないようにすることで、以下のような効果が得られる。すなわち、上述したようにＰＬＬ回路３３から供給されるクロック信号に同期して画像形成を行った場合にも、スピンドルモータ１１が１回転する間の回転速度が微妙に揺れ、これに伴ってＰＬＬ回路３３から出力されるクロック信号の周期が揺れることがある。このように画像形成のための同期信号となるクロック信号が揺れることに起因し、図３０に示すように基準位置ＫＫから可視画像形成のためのレーザ光を照射を開始してからほぼレーザ光照射位置の軌跡（図中一点鎖線で示す）が１回転し、本来その基準位置の直前の位置ＫＣの画像を表現するために照射されるレーザ光が基準位置を通過した位置ＫＴに照射されるといったことが起こりうる。つまり、本来その基準位置の直前の位置ＫＣの画像を表現するために照射されるレーザ光が、既に可視画像形成のためにレーザ光が照射されている領域中の位置ＫＴに照射されるといった重なるレーザ光照射が行われ、この結果形成される可視画像に不具合が生じてしまうこともあり得るのである。そこで、ＰＬＬ回路３３によって生成されるクロック信号に揺れ等があった場合にも、上記のような禁止領域ＫＡが設定されるよう画像データを変換することで、同じ位置に２度可視画像形成のためのレーザ光が照射されるといった不具合を未然に防止することができる。
【０３３０】
（変形例１０）
また、上述した実施の形態に係る光ディスク記録装置１００に代えて、図３０に示すような構成の光ディスク記録装置１００'を用いるようにしてもよい。同図に示すように、この光ディスク記録装置１００'と、上記実施の形態における光ディスク記録装置１００との相違点は、ＦＩＦＯメモリ３４及び駆動パルス生成部３５を有しておらず、エンコーダ１７に代えてエンコーダ３２０を備えている点である。
【０３３１】
エンコーダ３２０は、図２に示したエンコーダ１７と同様、供給されるデータに対してＥＦＭ変調やＣＩＲＣ（Ｃｒｏｓｓ  Ｉｎｔｅｒｌｅａｖｅ  Ｒｅｅｄ−ＳｏｌｏｍｏｎＣｏｄｅ）変換等を施す回路であり、供給されたデータを一時的にメモリに蓄積し、該蓄積したデータに対して上記のような変調処理等を施してストラテジ回路１８'に出力する。また、エンコーダ３２０は、制御部１６から供給される変調オン／オフ信号に基づいて、バッファメモリ３６から供給されたデータに対し、ＥＦＭ変調等の処理を施して出力するか、ＥＦＭ変調等を施さないでデータを出力するかを切り換えることができるよう構成されている。そして、制御部１６から変調オンを示す信号が供給された場合、エンコーダ３２０はバッファメモリ３６から供給されるデータに対してＥＦＭ変調等を施してストラテジ回路１８に出力する。一方、制御部１６から変調オフ信号が供給された場合、エンコーダ３２０はバッファメモリ３６から供給されたデータに対して変調等は行わず、ＰＬＬ回路３３から供給されるクロック信号に同期してデータを出力する。
【０３３２】
制御部１６は、図示せぬユーザインターフェース等を介して入力されるユーザからの指示に従ってエンコーダ３２０に対して変調オン／オフ信号を出力する。より具体的には、ユーザから画像記録層に対して可視画像形成を行う旨の指示を受けた場合には、変調オフ信号を出力し、ユーザから記録面に対して情報記録を行う旨の指示を受けた場合には、変調オン信号を出力する。なお、上記のようにユーザからの指示に従って制御部１６が変調オン／オフ信号を出力するようにしてもよいが、光ディスクＤがいずれの面を光ピックアップ１０と対向するようにセットされたかに応じて変調オン／オフ信号を出力するようにしてもよい。この場合、画像記録層が光ピックアップ１０と対向するように光ディスクＤがセットされた時には変調オフ信号を出力し、記録面が光ピックアップ１０と対向するように光ディスクＤにセットされた時には変調オン信号を出力するようにすればよい。
【０３３３】
上記構成の下、ユーザから記録面に対して情報記録を行う旨が指示された場合、制御部１６は変調オン信号をエンコーダ３２０に出力する。そして、ホストＰＣ１１０から光ディスクＤの記録面に対して記録すべき記録データがバッファメモリ３６に供給され、バッファメモリ３６からエンコーダ３２０に転送される。変調オン信号を受けたエンコーダ３２０は、バッファメモリ３６から供給される記録データに対してＥＦＭ変調等を施してストラテジ回路１８に出力する。ストラテジ回路１８'は、ＥＦＭ変調されたデータの時間軸補正等を行い、レーザドライバ１９を駆動するための駆動パルスを生成し、レーザドライバ１９に出力する。この駆動パルスに応じてレーザドライバ１９が光ピックアップ１０のレーザダイオード５３（図２参照）に駆動電流を供給することにより光ピックアップ１０からレーザ光が照射され、光ディスクＤの記録面に対して、ホストＰＣ１１０から供給された記録データの記録が行われる。
【０３３４】
一方、ユーザから画像記録層に対して可視画像形成を行う旨が指示された場合、制御部１６は変調オフ信号をエンコーダ３２０に出力する。そして、ホストＰＣ１１０から光ディスクＤの画像記録層に対して形成すべき可視画像に対応した画像データがバッファメモリ３６に供給され、バッファメモリ３６からエンコーダ３２０に内蔵されるメモリに転送される。変調オフ信号を受けたエンコーダ３２０は、バッファメモリ３６から転送された画像データに対して変調等の処理は行わず、ＰＬＬ回路３３から供給されるクロック信号に同期して、各座標毎のデータ（階調度を示す情報）を順次ストラテジ回路１８に出力する。ストラテジ回路１８'は、上述した実施の形態における駆動パルス生成部３５と同様、順次供給される各座標毎の階調度を示すデータに基づいて駆動パルスを生成し、生成した駆動パルスをレーザドライバ１９に出力する。この駆動パルスに応じてレーザドライバ１９が光ピックアップ１０のレーザダイオード５３（図２参照）に駆動電流を供給することにより光ピックアップ１０からレーザ光が照射され、光ディスクＤの画像記録層に対して、ホストＰＣ１１０から供給された画像データに対応する可視画像形成が実施される。
【０３３５】
以上説明したように可視画像を形成する場合と情報記録を行う場合とでエンコーダ３２０が変調を行うか否かを切り換えることができるようにすることで、可視画像形成のためだけに用いられるＦＩＦＯメモリ３４や駆動パルス生成部３５といった構成を省略することができ、より簡易な構成でありながら、光ディスク記録装置１００'に可視画像形成機能及び情報記録機能を持たせることができる。
【０３３６】
（変形例１１）
可視画像を形成するために記録すべきデータ（画像データ）を、光ディスク記録装置１００のメモリ（図示せず）に予め格納しておいてもよい。たとえば、光ディスクＤ上に、数字０〜９を可視画像として形成するために記録すべきデータをメモリに用意しておく。そして、ユーザが光ディスクＤ上に形成する数字を指定すると、指定された数字に関わる記録データをメモリから読み出し、これを光ディスクＤに記録して可視画像の形成をするようにしてもよい。また、ディスク内周から外周にかけて本来のデータ記録をしていき、データ記録を終了した後、ユーザの指示によることなく、記録時の日時や時刻に関わるタイムスタンプ情報を可視画像として自動形成するようにしてもよい。タイムスタンプ情報は、外部装置（ホストＰＣ１１０）から光ディスク記録装置１００に供給すればよい。また、本来のデータ記録を終了した後、ユーザ名や記録データの内容を示すシグニチュア情報を可視画像として形成するようにしてもよい。シグニチュア情報は、ユーザがホストＰＣ１１０を操作して光ディスク記録装置１００に供給すればよい。あるいは、ユーザが直接光ディスク記録装置１００を操作して、シグニチュア情報を入力（登録）できるようにしてもよい。
【０３３７】
次いで、情報記録層への情報（デジタル情報）の記録について説明する。情報記録層が色素型の場合、まず、未記録の前述の光ディスクを所定の記録線速度にて回転させながら、レーザピックアップからレーザ光を照射する。この照射光により、情報記録層の色素がその光を吸収して局所的に温度上昇し、所望のピットが生成してその光学特性が変わることにより情報が記録される。
【０３３８】
レーザ光の記録波形は、１つのピットの形成する際には、パルス列でも１パルスでもかまわない。実際に記録しようとする長さ（ピットの長さ）に対する割合が重要である。
【０３３９】
レーザ光のパルス幅としては、実際に記録しようとする長さに対して２０〜９５％の範囲が好ましく、３０〜９０％の範囲がより好ましく、３５〜８５％の範囲が更に好ましい。ここで、記録波形がパルス列の場合には、その和が上記の範囲にあることを指す。
【０３４０】
レーザ光のパワーとしては、記録線速度によって異なるが、記録線速度が３．５ｍ／ｓの場合、１〜１００ｍＷの範囲が好ましく、３〜５０ｍＷの範囲がより好ましく、５〜４５ｍＷの範囲が更に好ましい。また、記録線速度が２倍になった場合には、レーザ光のパワーの好ましい範囲は、それぞれ２1/2倍か、あるいはそれよりやや大きくなる。
【０３４１】
また、記録密度を高めるために、ピックアップに使用される対物レンズのＮＡは０．５５以上が好ましく、０．６０以上がより好ましい。
【０３４２】
本実施の形態においては、記録光として３５０〜８５０ｎｍの範囲の発振波長を有する半導体レーザを用いることができる。
【０３４３】
一方、情報記録層が相変化型の場合について説明する。相変化型の場合は、前述の材質から構成され、レーザ光の照射によって結晶相と非晶相との相変化を繰り返すことができる。
【０３４４】
情報記録時は、集中したレーザ光パルスを短時間照射し、相変化記録層を部分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷され、固化し、非晶状態の記録マークが形成される。また、消去時には、記録マーク部分にレーザ光を照射し、情報記録層の融点以下、結晶化温度以上の温度に加熱し、かつ除冷することによって、非晶状態の記録マークを結晶化し、もとの未記録状態に戻す。
【実施例１】
【０３４５】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０３４６】
［実施例１］
本実施例は、２枚のディスクを貼り合わせてなるＤＶＤ−Ｒ型の光ディスクである。以下に、該光ディスクの作製方法を説明する。
【０３４７】
射出成形にて、ポリカーボネート樹脂から、スパイラル状（螺旋状）のグルーブ（深さ：１３０ｎｍ、幅３００ｎｍ、トラックピッチ：０．７４μｍ）を有する厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板を成形した。下記色素（１）１．４ｇを２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１００ｍｌに溶解して塗布液（１）を調製し、この塗布液（１）をスピンコート法により上記基板のグルーブが形成された面上に塗布し、情報記録層を形成した。次に、情報記録層上に銀をスパッタして膜厚１２０ｎｍの反射層を形成した後、紫外線硬化樹脂（ＳＤ３１８（大日本インキ化学工業（株）製）をスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して硬化し、層厚１０μｍの保護層を形成した。以上の工程により、第１のディスクを作製した。
【０３４８】
【化５６】
2007095274.tif 000062
【０３４９】
次に、画像記録層を形成するため、下記色素Ａ（シアニン色素）０．９ｇと下記色素Ｂ（フタロシアニン色素）２．１ｇとを（混合比（質量比）３０：７０）、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１００ｍｌに溶解した塗布液（２）を調製し、この塗布液（２）を溝のない基板上にスピンコートにて形成した。次に、画像記録層上に銀をスパッタして膜厚１２０ｎｍの反射層を形成した後、紫外線硬化樹脂（ＳＤ３１８（大日本インキ化学工業（株）製）をスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して硬化し、層厚１０μｍの保護層を形成した。以上の工程により、第２のディスクを作製した。なお、画像記録層の厚さの指標となる光学濃度（ＯＤ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｅｎｓｉｔｙ）は０．３６であった。
【０３５０】
【化５７】
2007095274.tif 000063
【０３５１】
次いで、前記第１のディスクと前記第２のディスクとを貼り合せて、１枚のディスクとして完成させるため、次のような工程を経た。まず、両方のディスクの保護層上に遅効性カチオン重合型接着剤（ソニーケミカル（株）社製、ＳＤＫ７０００）をスクリーン印刷によって印刷した。このとき、スクリーン印刷の印刷版のメッシュサイズは３００メッシュのものを使用した。次に、メタルハライドランプを使用し紫外線照射した直後、第１のディスクと第２のディスクとをそれぞれの保護層側から貼り合わせ、両面から押圧し５分間放置し、実施例１の光ディスクを作製した。実施例１の光ディスクは前記式（Ｍ１）を満たすものであった。なお、実施例１の画像記録前後の反射率スペクトラムを図３２に示す。
【０３５２】
［実施例２］
実施例１の画像記録層の形成に使用した色素を、前記色素Ａ（シアニン色素）と前記色素Ｂ（フタロシアニン色素）とを３０：７０の混合比（質量比）で混合したものに変更したこと、及び画像記録層の厚さの指標となる光学濃度（ＯＤ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｅｎｓｉｔｙ）を０．４０としたこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の光ディスクを作製した。実施例２の光ディスクは前記式（Ｍ１）を満たすものであった。なお、実施例２の画像記録前後の反射率スペクトラムを図３３に示す。
【０３５３】
［実施例３］
実施例１の画像記録層の形成に使用した色素を、下記色素Ｃ（オキソノール色素）と下記色素Ｄ（オキソノール色素）とを７０：３０の混合比（質量比）で混合したものに変更したこと以外は実施例１と同様にして光ディスクを作製した。実施例３の光ディスクは前記式（Ｍ１）を満たすものであった。
【０３５４】
【化５８】
2007095274.tif 000064
【０３５５】
［実施例４］
実施例１の画像記録層の形成に使用した色素を、前記色素Ｃ（オキソノール色素）と前記色素Ｄ（オキソノール色素）とを３０：７０の混合比（質量比）で混合したものに変更したこと以外は実施例１と同様にして光ディスクを作製した。実施例４の光ディスクは前記式（Ｍ１）を満たすものであった。
【０３５６】
［実施例５］
実施例１の画像記録層の形成に使用した色素を、前記色素Ｃ（オキソノール色素）と前記色素Ｄ（オキソノール色素）とを５０：５０の混合比（質量比）で混合したものに変更したこと以外は実施例１と同様にして光ディスクを作製した。実施例５の光ディスクは前記式（Ｍ１）を満たすものであった。
【０３５７】
［実施例６］
実施例１の画像記録層の形成に使用した色素を、以下の色素Ｅ（オキソノール色素）と前記色素Ｄ（オキソノール色素）とを５０：５０の混合比（質量比）で混合したものに変更したこと以外は実施例１と同様にして光ディスクを作製した。実施例６の光ディスクは前記式（Ｍ１）を満たすものであった。
【０３５８】
【化５９】
2007095274.tif 000065
【０３５９】
［実施例７］
実施例１の画像記録層の形成に使用した色素を、以下の色素Ｆ（オキソノール色素）と前記色素Ｄ（オキソノール色素）とを５０：５０の混合比（質量比）で混合したものに変更したこと以外は実施例１と同様にして光ディスクを作製した。実施例７の光ディスクは前記式（Ｍ１）を満たすものであった。
【０３６０】
【化６０】
2007095274.tif 000066
【０３６１】
［実施例８］
実施例１の画像記録層の形成に使用した色素を、以下の色素Ｇ（オキソノール色素）と前記色素Ｄ（オキソノール色素）とを５０：５０の混合比（質量比）で混合したものに変更したこと以外は実施例１と同様にして光ディスクを作製した。実施例８の光ディスクは前記式（Ｍ１）を満たすものであった。
【０３６２】
【化６１】
2007095274.tif 000067
【０３６３】
［比較例１］
実施例１の第２のディスク作製において、塗布液（２）の色素Ａ及び色素Ｂを下記構造の色素（４）０．９ｇに変更したこと以外は実施例１と同様にして比較例１の光ディスクを作製した。
【０３６４】
【化６２】
2007095274.tif 000068
【０３６５】
［評価］
作製した実施例の光ディスクの吸光度を測定した。測定結果を図３４にグラフで示す。グラフで示すように、実施例の光ディスクは、十分なコントラストを示し、視認性も十分であった。
【０３６６】
コントラストは、下記以下の式（Ｍ２）で表されるＳｖを描画後のコントラストの評価指標として用いた。
【０３６７】
【数１】
2007095274.tif 000069
【０３６８】
さらに、前記式（Ｍ２）にて求めたＳｖの値から、５段階の評価基準を設けた。評価基準は下記表５のとおりである。実施例１〜８は、いずれも評価「３」以上であった。
【０３６９】
【表５】
2007095274.tif 000070
【０３７０】
なお、本発明に係る光ディスクは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０３７１】
【図１】本実施の形態に係る光ディスクを取り扱うことができる光ディスク記録装置の一例の構成を示すブロック図である。
【図２】光ディスク記録装置の構成要素である光ピックアップの構成を示す図である。
【図３】光ディスク記録装置による光ディスクの画像記録層に対して可視画像を形成するために用いられる画像データの内容を説明するための図である。
【図４】光ディスク記録装置が本実施の形態に係る光ディスクの画像記録層に対して可視画像を形成する際に、画像の濃淡を表現するためのレーザ光の照射制御内容を説明するための図である。
【図５】光ディスク記録装置が光ディスクの画像記録層に対して可視画像を形成する際のレーザ光の制御方法を説明するための図である。
【図６】光ディスク記録装置の構成要素であるレーザパワー制御回路によるレーザパワー制御内容を説明するための図である。
【図７】光ディスク記録装置の光ピックアップから光ディスクの画像記録層に照射したレーザ光の戻り光を示す図である。
【図８】光ディスク記録装置の構成要素である周波数発生器２１によってスピンドルモータの回転量に応じて生成されるＦＧパルス及び当該ＦＧパルスに基づいて生成されるクロック信号を示す図である。
【図９】光ディスク記録装置の動作を説明するためのフローチャート（その１）である。
【図１０】光ディスク記録装置の動作を説明するためのフローチャート（その２）である。
【図１１】光ディスクの画像記録層に記録されたディスクＩＤを示す図である。
【図１２】光ディスク記録装置の光ピックアップの受光素子によって受光されるレーザ光の戻り光の形状を示す図である。
【図１３】光ディスク記録装置の光ピックアップが光ディスクの画像記録層に照射するレーザ光のビームスポット径のサイズを説明するための図である。
【図１４】光ディスク記録装置のレーザ光照射位置が光ディスクの基準位置を通過したことを検出する方法を説明するための図である。
【図１５】光ディスク記録装置のレーザ光照射位置が光ディスクの基準位置を通過したことを検出する方法を説明するための図である。
【図１６】光ディスクの画像記録層にレーザ光を照射して可視画像を形成する時の光ディスク記録装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図１７】光ディスク記録装置によってレーザ光が照射された光ディスクの画像記録層を示す図である。
【図１８】光ディスク記録装置によって光ディスクの画像記録層に形成される可視画像の濃淡を表現する方法を説明するための図である。
【図１９】光ディスク記録装置によって光ディスクの画像記録層に形成される可視画像の濃淡を表現する方法を説明するための図である。
【図２０】光ディスク記録装置によって光ディスクの画像記録層に形成される可視画像の濃淡を表現する方法を説明するための図である。
【図２１】光ディスク記録装置によって光ディスクの画像記録層に形成される可視画像の濃淡を表現する方法を説明するための図である。
【図２２】光ディスク記録装置によって光ディスクの画像記録層に形成される可視画像の濃淡を表現する方法を説明するための図である。
【図２３】光ディスク記録装置によって光ディスクの画像記録層に可視画像を形成する際に、レーザ光の照射位置を光ディスクの径方向に移動させる方法を説明するための図である。
【図２４】光ディスク記録装置によって実施されるレーザパワー制御内容を説明するための図である。
【図２５】光ディスク記録装置に画像記録層が光ピックアップと対向するように光ディスクをセットした場合と、画像記録層と反対側の面が光ピックアップと対向するように光ディスクをセットした場合の、光ディスクと光ピックアップとの位置関係を示す図である。
【図２６】光ディスクと光ピックアップとの位置関係を調整するためのアダプタを示す外観図である。
【図２７】光ディスクと光ピックアップとの位置関係を調整する機能を備えた光ディスク記録装置の概略構成を示す図である。
【図２８】光ディスクの画像記録層に照射するレーザ光のビームスポット径を大きくするための方法を説明するための図である。
【図２９】光ディスクの画像記録層と反対側の面に形成された記録面上のプリグルーブに沿ってレーザ光の照射位置を移動させて可視画像形成を行う方法を説明するための図である。
【図３０】光ディスク記録装置による可視画像形成のためのレーザ光照射が禁止される光ディスクの禁止領域を説明するための図である。
【図３１】光ディスク記録装置の変形例の構成を示すブロック図である。
【図３２】実施例１における、画像記録前後の反射率スペクトラムをグラフで示す図である。
【図３３】実施例２における、画像記録前後の反射率スペクトラムをグラフで示す図である。
【図３４】実施例の光ディスクの画像記録層の波長に対する吸光度変化をグラフで示す図である。
【符号の説明】
【０３７２】
１０…光ピックアップ
１１…スピンドルモータ（回転駆動手段）  １２…ＲＦアンプ
１３…サーボ回路                        １６…制御部
１７…エンコーダ                        １８…ストラテジ回路
１９…レーザドライバ                    ２０…レーザパワー制御回路
２１…周波数発生器                      ３０…ステッピングモータ
３１…モータドライバ                    ３２…モータコントローラ
３３…ＰＬＬ回路                        ３４…ＦＩＦＯメモリ
３５…駆動パルス生成部                  ３６…バッファメモリ
５３…レーザダイオード
５３ａ…フロントモニターダイオード      ５６…受光素子
６４…フォーカスアクチュエータ          ６５…トラッキングアクチュエータ
１００…光ディスク記録装置              ２７０…チャッキング部
２７１…アダプタ                        ２８０…駆動機構
３２０…エンコーダ                      Ｄ…光ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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