(57)【要約】  【課題】複数の導体配線の配線間隔が互いに異なる複数の配線群を形成している状態において、導体配線上に形成された突起電極の高さの不揃いが軽減された配線基板を提供する。  【解決手段】絶縁性基材１と、絶縁性基材上に整列して設けられた複数本の導体配線２ａ、２ｂと、各導体配線にめっきにより形成された突起電極３ａ、３ｃを備え、突起電極は、導体配線の長手方向を横切って導体配線の両側の絶縁基材上の領域に亘り形成され、突起電極の導体配線の幅方向の断面形状は、中央部が両側よりも高い。複数の導体配線は、突起電極が形成された先端部を含む領域における導体配線の配線間隔が互いに異なる複数の配線群Ａ、Ｂを形成し、突起電極が形成された先端部における導体配線の配線幅は、配線間隔の広狭に対応して設定され、配線間隔の広い方の配線群Ａにおける配線幅Ｗａは、配線間隔の狭い方の配線群Ｂにおける配線幅Ｗｂよりも細い。【選択図】図１
2007019271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に整列して設けられた複数本の導体配線と、
前記各導体配線にめっきにより形成された突起電極を備え、
前記突起電極は、前記導体配線の長手方向を横切って前記導体配線の両側の前記絶縁基材上の領域に亘り形成され、
前記突起電極の前記導体配線の幅方向の断面形状は、中央部が両側よりも高くなっている配線基板において、
前記複数の導体配線は、前記突起電極が形成された先端部を含む領域における前記導体配線の配線間隔が互いに異なる複数の配線群を形成し、
前記突起電極が形成された先端部における前記導体配線の配線幅は、前記配線間隔の広狭に対応して設定され、前記配線間隔の広い方の配線群における前記配線幅は、前記配線間隔の狭い方の配線群における前記配線幅よりも細いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線間隔の広い方の配線群に属する前記導体配線は、前記突起電極が形成された先端部の配線幅が他の領域の配線幅より細い請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に整列して設けられた複数本の導体配線と、
前記各導体配線にめっきにより形成された突起電極を備え、
前記突起電極は、前記導体配線の長手方向を横切って前記導体配線の両側の前記絶縁基材上の領域に亘り形成され、
前記突起電極の前記導体配線の幅方向の断面形状は、中央部が両側よりも高くなっている配線基板において、
前記複数の導体配線は、前記突起電極が形成された先端部を含む領域における前記導体配線の配線間隔が互いに異なる複数の配線群を形成し、
前記突起電極が前記導体配線の上面に接する面積が、前記配線間隔の広い方の配線群では前記配線間隔の狭い方の配線群と比べて大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記導体配線は、配線方向における前記突起電極の長さが、前記配線間隔の広い方の配線群では前記配線間隔の狭い方の配線群と比べて長く形成されている請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に整列して設けられた複数本の導体配線と、
前記各導体配線にめっきにより形成された突起電極を備え、
前記突起電極は、前記導体配線の長手方向を横切って前記導体配線の両側の前記絶縁基材上の領域に亘り形成され、
前記突起電極の前記導体配線の幅方向の断面形状は、中央部が両側よりも高くなっている配線基板において、
前記複数の導体配線は、前記突起電極が形成された先端部を含む領域における前記導体配線の配線間隔が互いに異なる複数の配線群を形成し、
前記配線間隔の広い方の配線群を、各々複数本の前記導体配線を含む複数の副配線群により形成し、同一の前記副配線群に属する各導体配線の相互間の間隔は、隣接する他の前記副配線群との間に設けられた間隔よりも狭いことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
複数本の導体配線を絶縁性基材上に整列して設ける工程と、
前記絶縁性基材の前記導体配線が設けられた面にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストに、前記導体配線を横切って前記導体配線の両側の領域に広がる開口部を形成して、前記開口部中に前記導体配線の一部を露出させる工程と、
前記露出した前記導体配線の一部に電解めっきにより金属めっきを施して突起電極を形成する工程とを備えた配線基板の製造方法において、
前記導体配線を、前記突起電極を形成すべき先端部を含む領域における配線間隔が互いに異なる複数の配線群に分けた配置により形成し、
前記突起電極を形成すべき領域の前記導体配線の配線幅を、前記配線間隔の広狭に対応させて、前記配線間隔の広い方の配線群における前記配線幅を、前記配線間隔の狭い方の配線群における前記配線幅よりも細くすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記配線間隔の広い方の配線群における前記導体配線を、前記突起電極が形成された領域の配線幅が他の領域の配線幅より細くなるように形成する請求項６記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
複数本の導体配線を絶縁性基材上に整列して設ける工程と、
前記絶縁性基材の前記導体配線が設けられた面にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストに、前記導体配線を横切って前記導体配線の両側の領域に広がる開口部を形成して、前記開口部中に前記導体配線の一部を露出させる工程と、
前記露出した前記導体配線の一部に電解めっきにより金属めっきを施して突起電極を形成する工程とを備えた配線基板の製造方法において、
前記導体配線を、前記突起電極を形成すべき先端部を含む領域における配線間隔が互いに異なる複数の配線群に分けた配置により形成し、
前記フォトレジストに前記開口部を形成して前記導体配線の一部を露出させる工程において、前記開口部中に露出する各前記導体配線の上面面積を、前記配線間隔の広い方の配線群では前記配線間隔の狭い方の配線群と比べて大きくすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記導体配線の配線方向における前記フォトレジストの開口部の長さを、前記配線間隔の広い方の配線群では前記配線間隔の狭い方の配線群と比べて長くする請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
複数本の導体配線を絶縁性基材上に整列して設ける工程と、
前記絶縁性基材の前記導体配線が設けられた面にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストに、前記導体配線を横切って前記導体配線の両側の領域に広がる開口部を形成して、前記開口部中に前記導体配線の一部を露出させる工程と、
前記露出した前記導体配線の一部に電解めっきにより金属めっきを施して突起電極を形成する工程とを備えた配線基板の製造方法において、
前記導体配線を、前記突起電極を形成すべき先端部を含む領域における配線間隔が互いに異なる複数の配線群に分けた配置により形成し、
前記配線間隔の広い方の配線群を、各々複数本の前記導体配線を含む複数の副配線群により形成し、同一の前記副配線群に属する各導体配線の相互間の間隔を、隣接する他の前記副配線群との間に設けられた間隔よりも狭くすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばテープキャリア基板のような、柔軟な絶縁性の基材上に導体配線を設け、その導体配線上に接続用の突起電極を形成した構成を有する配線基板、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
テープキャリア基板を使用したパッケージモジュールの一種として、ＣＯＦ（Chip On Film）が知られている。ＣＯＦは、テープキャリア基板上に半導体素子を搭載し、樹脂で封止することにより搭載部を保護した構造を有する。ＣＯＦに用いられるテープキャリア基板は、絶縁性のフィルム基材と、その面上に形成された多数本の導体配線から構成される。フィルム基材としては一般的にポリイミドが、導体配線としては銅が使用される。必要に応じて導体配線上には、金属めっき被膜および絶縁樹脂であるソルダーレジストの層が形成される。テープキャリア基板上の導体配線と半導体素子の電極パッドは、突起電極を介して接続される。特許文献１には、この突起電極をあらかじめ導体配線上に形成したテープキャリア基板が開示されている。
【０００３】
特許文献１に記載されたテープキャリア基板の構造について、図５を参照して説明する。図５（ａ）は、テープキャリア基板の一部を示す斜視図である。フィルム基材１の上に、複数本の導体配線２が整列して設けられ、各導体配線２上に突起電極３ａ、３ｂが形成されている。突起電極３ａ、３ｂの平面形状は、導体配線２を横切って導体配線２の両側の領域に亘っている。図５（ｂ）は、図５（ａ）における突起電極３ａ、３ｂの位置において、導体配線２を横切る方向における断面図である。導体配線２の幅方向における突起電極３ａ、３ｂの断面形状は、導体配線２の上面および両側面に接合され、中央部が両側よりも高くなった中高形状である。また突起電極３ａ、３ｂは、導体配線２の両側部でフィルム基材１の面に接するように形成されている。
【０００４】
突起電極３ａ、３ｂを上述のような形状とすることにより、突起電極３ａ、３ｂは、実用的に十分な強さで導体配線２上に保持される。すなわち、突起電極３ａ、３ｂは、導体配線２の上面だけではなく両側面にも接合されているので、横方向に加わる力に対して十分な安定性が得られる。
【０００５】
また、突起電極３ａ、３ｂの上面が平坦ではなく中高であることにより、半導体素子の電極パッドとの接続に好適である。すなわち、突起電極３ａ、３ｂと電極パッドとの位置合わせにずれがあっても、上面が平坦である場合と比べて、突起電極３ａ、３ｂは隣接する不適当な電極パッドと接続され難い。また、電極パッドとの接続に際して、電極パッドの表面に形成された酸化膜を、突起電極３ａ、３ｂの凸状の上面により容易に破砕することができ、酸化されていない内部と良好な電気的接続が得られる。
【０００６】
次に、図６を参照して、特許文献１に記載された、上記構成のテープキャリア基板の製造方法について説明する。図６（ａ１）〜（ｆ１）は、テープキャリア基板における突起電極を形成する製造工程を示し、半導体素子搭載部の平面図である。図６（ａ２）〜（ｆ２）は各々、図６（ａ１）〜（ｆ１）の拡大断面図である。各断面図は、図６（ａ１）におけるＸ−Ｘに相当する位置での断面を示す。
【０００７】
まず、図６（ａ１）に示すように、複数の導体配線２が表面に整列して形成されたフィルム基材１を用意する。このフィルム基材１の全面に、図６（ｂ１）に示すように、フォトレジスト４を形成する。次に図３（ｃ１）に示すように、フィルム基材１に形成されたフォトレジスト４の上部に、突起電極形成用の露光マスク５を対向させる。露光マスク５の光透過領域５ａは、複数の導体配線２の整列方向に、複数の導体配線２を横切るように連続した長孔形状を有する。
【０００８】
露光マスク５の光透過領域５ａを通して露光し、現像することにより、図６（ｄ１）に示すように、フォトレジスト４に、導体配線２を横切る長孔状パターン４ａが開口される。それにより長孔状パターン４ａ中に、導体配線２の一部が露出する。次に、フォトレジスト４の長孔状パターン４ａを通して、導体配線２の露出した部分に金属めっきを施して、図６（ｅ１）に示すように突起電極３を形成する。次に、フォトレジスト４を除去すれば、図６（ｆ１）に示すように、導体配線２に突起電極３が形成されたテープキャリア基板６が得られる。
【０００９】
このように、フォトレジスト４に形成された長孔状パターン４ａを通して導体配線２の露出した部分に金属めっきを施すことにより、図５（ａ）に示したような形状の突起電極３を、容易に形成することができる。これは、図６（ｅ１）の工程で、導体配線２の上面のみでなく側面も露出しており、導体配線２の露出面全体に亘ってめっきが形成されるからである。
【００１０】
ところで、テープキャリア基板は、例えば、液晶パネル等の表示パネル駆動用半導体素子の実装に用いられる。半導体素子上の電極パッドは、突起電極を介してテープキャリア基板上の各導体配線と接続される。半導体素子内での配線密度は、入力側と出力側で大きく相違すること等に起因して、半導体素子上の電極パッドの間隔は必ずしも一様ではない。従って、テープキャリア基板上の各導体配線の間隔も、広狭を有する配置にせざるを得ない。また、各導体配線の半導体素子が実装される側の反対側端部においても、接続先の状況に応じて導体配線の間隔に広狭を持たせる必要がある場合がある。
【００１１】
このように、テープキャリア基板上の導体配線を、少なくとも突起電極が形成された先端部を含む領域における配線間隔が互いに異なる複数の配線群を形成する場合、図５（ａ）、（ｂ）に示すような問題を生じることが判った。図５（ａ）、（ｂ）に示す配線群Ｂは、配線群Ａよりも配線間隔が広く配置されている。この場合、図５（ｂ）に示すように、配線群Ｂの導体配線２上の突起電極３ｂは、配線群Ａの導体配線２の突起電極３ａよりも高く形成される。このように突起電極３ａ、３ｂの高さに不揃いがあると、半導体素子の実装に際して、電極パッドと突起電極間の接続に不良が発生するおそれがある。
【００１２】
これに対して特許文献２には、多層配線基板の各層を接続するための、絶縁基板に設けた多数のブラインドビア中に形成されるめっきバンプの高さの不揃いを解消する方法が記載されている。めっきバンプは、絶縁基板の一方の面に形成された導電薄膜上にブラインドビアを通して形成されるが、多数のブラインドビアの配置に粗密がある場合に、めっきバンプの高さの不揃いが発生する。そのため、ブラインドビアの配置場所によってビア径を異ならせることにより、めっきバンプの高さの不揃いを軽減する。
【特許文献１】特開２００４−３２７９３６号公報
【特許文献２】特開２００１−２３７５１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来、導体配線上に突起電極を形成したタイプの配線基板の構造については、先行例が少なく、複数の導体配線上に設ける突起電極について、上述のような高さのばらつきを解消することについては、配慮されていなかった。特許文献２に記載の方法は、突起電極を形成する対象の構造が全く相違するため、上述のような配線基板に適用できる技術とは言えなかった。
【００１４】
本発明は、複数の導体配線の配線間隔が互いに異なる複数の配線群を形成している状態において、導体配線上に形成された突起電極の高さの不揃いが軽減された配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の配線基板に共通する基本構成は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に整列して設けられた複数本の導体配線と、前記各導体配線にめっきにより形成された突起電極を備え、前記突起電極は、前記導体配線の長手方向を横切って前記導体配線の両側の前記絶縁基材上の領域に亘り形成され、前記突起電極の前記導体配線の幅方向の断面形状は、中央部が両側よりも高くなっている。
【００１６】
本発明の第１の構成の配線基板は、前記複数の導体配線は、前記突起電極が形成された先端部を含む領域における前記導体配線の配線間隔が互いに異なる複数の配線群を形成し、前記突起電極が形成された先端部における前記導体配線の配線幅は、前記配線間隔の広狭に対応して設定され、前記配線間隔の広い方の配線群における前記配線幅は、前記配線間隔の狭い方の配線群における前記配線幅よりも細いことを特徴とする。
【００１７】
本発明の第２の構成の配線基板は、前記複数の導体配線は、前記突起電極が形成された先端部を含む領域における前記導体配線の配線間隔が互いに異なる複数の配線群を形成し、前記突起電極が前記導体配線の上面に接する面積が、前記配線間隔の広い方の配線群では前記配線間隔の狭い方の配線群と比べて大きいことを特徴とする。
【００１８】
本発明の第３の構成の配線基板は、前記複数の導体配線は、前記突起電極が形成された先端部を含む領域における前記導体配線の配線間隔が互いに異なる複数の配線群を形成し、前記配線間隔の広い方の配線群を、各々複数本の前記導体配線を含む複数の副配線群により形成し、同一の前記副配線群に属する各導体配線の相互間の間隔は、隣接する他の前記副配線群との間に設けられた間隔よりも狭いことを特徴とする。
【００１９】
本発明の配線基板の製造方法に共通する基本構成は、複数本の導体配線を絶縁性基材上に整列して設ける工程と、前記絶縁性基材の前記導体配線が設けられた面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに、前記導体配線を横切って前記導体配線の両側の領域に広がる開口部を形成して、前記開口部中に前記導体配線の一部を露出させる工程と、前記露出した前記導体配線の一部に電解めっきにより金属めっきを施して突起電極を形成する工程とを備える。
【００２０】
本発明の第１の構成の配線基板の製造方法は、前記導体配線を、前記突起電極を形成すべき先端部を含む領域における配線間隔が互いに異なる複数の配線群に分けた配置により形成し、前記突起電極を形成すべき領域の前記導体配線の配線幅を、前記配線間隔の広狭に対応させて、前記配線間隔の広い方の配線群における前記配線幅を、前記配線間隔の狭い方の配線群における前記配線幅よりも細くすることを特徴とする。
【００２１】
本発明の第２の構成の配線基板の製造方法は、前記導体配線を、前記突起電極を形成すべき先端部を含む領域における配線間隔が互いに異なる複数の配線群に分けた配置により形成し、前記フォトレジストに前記開口部を形成して前記導体配線の一部を露出させる工程において、前記開口部中に露出する各前記導体配線の上面面積を、前記配線間隔の広い方の配線群では前記配線間隔の狭い方の配線群と比べて大きくすることを特徴とする。
【００２２】
本発明の第３の構成の配線基板の製造方法は、前記導体配線を、前記突起電極を形成すべき先端部を含む領域における配線間隔が互いに異なる複数の配線群に分けた配置により形成し、前記配線間隔の広い方の配線群を、各々複数本の前記導体配線を含む複数の副配線群により形成し、同一の前記副配線群に属する各導体配線の相互間の間隔を、隣接する他の前記副配線群との間に設けられた間隔よりも狭くすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
上記構成によれば、突起電極を形成する電解めっきを施すために導体配線に流す電流について、配線間隔の広狭に起因する電流密度の差異が相殺される。その結果、形成された突起電極の高さの不揃いが軽減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の第１の構成の配線基板において、前記配線間隔の広い方の配線群に属する前記導体配線は、前記突起電極が形成された先端部の配線幅が他の領域の配線幅より細い構成とすることができる。
【００２５】
本発明の第２の構成の配線基板において、前記導体配線は、配線方向における前記突起電極の長さが、前記配線間隔の広い方の配線群では前記配線間隔の狭い方の配線群と比べて長く形成されている構成とすることができる。
【００２６】
本発明の第１の構成の配線基板の製造方法において、前記配線間隔の広い方の配線群における前記導体配線を、前記突起電極が形成された領域の配線幅が他の領域の配線幅より細くなるように形成することができる。
【００２７】
本発明の第２の構成の配線基板の製造方法において、前記導体配線の配線方向における前記フォトレジストの開口部の長さを、前記配線間隔の広い方の配線群では前記配線間隔の狭い方の配線群と比べて長くすることができる。
【００２８】
以下に、本発明の実施の形態における配線基板であるテープキャリア基板について、図面を参照して説明する。各実施の形態におけるテープキャリア基板の基本的な構造は、上述の従来例と同様であり、同様の要素については同一の参照符号を付して説明を簡略化する。
【００２９】
（実施の形態１）
図１を参照して、実施の形態１におけるテープキャリア基板の構造について説明する。図１（ａ）は、テープキャリア基板の一部を示す斜視図、図１（ｂ）は断面図である。
【００３０】
図１に示すように、絶縁性のフィルム基材１の上には、複数本の導体配線２ａ、２ｂが整列して設けられ、各導体配線２ａ、２ｂの先端部に各々、突起電極３ａ、３ｃが電解めっきにより形成されている。従来例と同様に、突起電極３ａ、３ｃは、導体配線２ａ、２ｂの長手方向を横切って導体配線２ａ、２ｂの両側のフィルム基材１上の領域に亘り形成されている。突起電極３ａ、３ｃの導体配線２ａ、２ｂの幅方向における断面形状は、中央部が両側よりも高くなっている。
【００３１】
導体配線２ａは、配線間隔が狭い配線群Ａを形成し、導体配線２ｂは、導体配線２ａよりも配線間隔が広い配線群Ｂを形成している。配線間隔の広い方の配線群Ｂにおける導体配線２ｂの配線幅Ｗｂは、配線間隔の狭い方の配線群Ａにおける導体配線２ａの配線幅Ｗａよりも細い。すなわち、突起電極３ａ、３ｃが形成された先端部における導体配線２ａ、２ｂの各配線幅Ｗａ、Ｗｂは、上述のとおり配線間隔の広狭に対応して設定されている。配線幅Ｗａ、Ｗｂをこのように設定することにより、電解めっきにより形成された突起電極３ａ、３ｃの高さの差が小さくなる。その理由は、以下のとおりである。
【００３２】
突起電極３ａ、３ｃは、図６に示した従来例と同様の製造方法により形成される。その際、配線幅Ｗａよりも配線幅Ｗｂが細いことにより、電解めっきを施すために導体配線２ａ、２ｂを通して流れる電流値の差が小さくなる。すなわち、配線間隔の狭い方の配線群における導体配線２ａと比べて、配線間隔の広い方の配線群における導体配線２ｂを流れる電流密度は大きくなるが、配線幅Ｗｂが配線幅Ｗａよりも細いことにより電流密度による差が相殺されて、導体配線２ａ、２ｂを通して流れる電流値は近接するからである。その結果、形成された突起電極３ａ、３ｃの高さの差が小さくなり、実装に際して突起電極３ａ、３ｃを介した接続状態の不良の発生を抑制することができる。
【００３３】
フィルム基材１としては、一般的な材料であるポリイミドを用いることができる。他の条件に応じて、ＰＥＴ、ＰＥＩ等の絶縁フィルム材料を用いても良い。導体配線２ａ、２ｂは、通常、厚みが３〜２０μｍの範囲で、銅を用いて形成する。必要に応じて、フィルム基材１と導体配線２ａ、２ｂの間に、エポキシ系の接着剤を介在させてもよい。
【００３４】
突起電極３ａ、３ｃの厚みは通常、３〜２０μｍの範囲である。突起電極３ａ、３ｃの材料としては、例えば銅を用いることができる。銅を用いる場合、突起電極３ａ、３ｃと導体配線２ａ、２ｂに金属めっきを施すことが望ましい。
【００３５】
（実施の形態２）
実施の形態２におけるテープキャリア基板の構造について、図２を参照して説明する。図２は、テープキャリア基板の一部を示す斜視図である。
【００３６】
本実施の形態においても、配線間隔が狭い配線群Ａと、配線群Ａよりも配線間隔が広い配線群Ｂが形成されている。配線間隔の広い方の配線群Ｂに属する導体配線２ｃは、突起電極３ｃが形成された先端部２ｃｂと、本体部２ｃａとを含む。先端部２ｃｂの配線幅は、本体部２ｃａの配線幅より細く形成されている。配線間隔が狭い方の配線群Ａに属する導体配線２ａの配線幅と、配線群Ｂに属する導体配線２ｃの本体部２ｃａの配線幅は同等である。
【００３７】
従って、導体配線２ａの突起電極３ａが形成された先端部における配線幅に比べて、導体配線２ｃの突起電極３ｃが形成された先端部２ｃｂの配線幅は細くなっている。導体配線２ｃの先端部２ｃｂを細くすることにより、実施の形態１と同様、突起電極３ａ、３ｃを形成する電解めっきを施すための電流値の差が小さくなる。その結果、形成された突起電極３ａ、３ｃの高さの差が小さくなり、実装に際して突起電極３ａ、３ｃを介した接続状態の不良の発生を抑制することができる。
【００３８】
また、導体配線２ｃの本体部２ｃａは導体配線２ａと同等の配線幅であるため、テープキャリア基板の折り曲げ強度を維持したまま、上述の効果が得られる。
【００３９】
（実施の形態３）
実施の形態３におけるテープキャリア基板の構造について、図３を参照して説明する。図３（ａ）は、テープキャリア基板の一部を示す平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）における突起電極部分の断面図である。
【００４０】
本実施の形態においては、配線間隔が狭い配線群Ａに属する導体配線２と、配線間隔が広い配線群Ｂに属する導体配線２とは、配線幅が同一である。一方、本実施の形態においては、配線群Ａに属する導体配線２に形成された突起電極３ａと、配線群Ｂに属する導体配線２に形成された突起電極３ｄとは、突起電極３ａ、３ｄが導体配線２の上面に接する面積が相違する。すなわち、突起電極３ａが導体配線２の上面に接する面積に比べて、突起電極３ｄが導体配線２の上面に接する面積の方が大きくなるように設定される。
【００４１】
具体的な構造としては、図３（ａ）に示すように、配線群Ａにおける突起電極３ａの配線方向における長さＬ１に比べて、配線群Ｂにおける突起電極３ｄの配線方向における長さＬ２の方が長くなるように設定される。
【００４２】
突起電極３ａが導体配線２の上面に接する面積に比べて、突起電極３ｄが導体配線２の上面に接する面積の方が大きくなるように設定することにより、以下に説明するとおり、突起電極３ａ、３ｄを形成する電解めっきを施すための、各々の電流値の差が小さくなる。
【００４３】
すなわち、突起電極３ａ、３ｄを形成する際には、従来例の図６（ｄ１）および図６（ｅ１）に示したように、フォトレジストのパターンを通して、導体配線２の露出した部分に金属めっきを施す。本実施の形態によれば、電解めっき用のフォトレジストのパターンにおいて、突起電極３ａを形成するための開口に比べて、突起電極３ｄを形成するための開口の配線方向における長さを長くすることになる。従って、電解めっきのための電流が流れる導体配線２の表面積が、突起電極３ｄが形成される導体配線２において、突起電極３ａが形成される導体配線２よりも広くなる。
【００４４】
それにより、配線間隔の広狭に起因する電流密度の差異が、電流が流れる導体配線２の表面積の差異により相殺され、突起電極３ａ、３ｄを形成する電解めっきを施すための、各々の電流値の差が小さくなる。その結果、図３（ｂ）に示すように、形成された突起電極３ａ、３ｄの高さの不揃いが軽減され、実装に際して突起電極３ａ、３ｄを介した接続状態の不良の発生を抑制することができる。
【００４５】
（実施の形態４）
実施の形態４におけるテープキャリア基板の構造について、図４を参照して説明する。図４は、テープキャリア基板の一部を示す平面図である。
【００４６】
本実施の形態においては、配線間隔が狭い配線群Ａに属する導体配線２と、配線間隔が広い配線群Ｂに属する導体配線２とは、配線幅が同一である。一方、本実施の形態においては、配線間隔の広い方の配線群Ｂを、各々複数本の導体配線２を含む複数の副配線群Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３により形成する。同一の各副配線群Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３に属する各導体配線２の相互間の間隔Ｄ１は、隣接する他の副配線群との間に設けられた間隔Ｄ２よりも狭くなるように設定される。
【００４７】
それにより、各副配線群Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３内においては、導体配線２相互の間隔を、配線群Ａに属する導体配線２相互の間隔と同等にすることができる。従って、突起電極３ａ、３ｆを形成する電解めっきを施すための、各々の電流値の差が小さくなる。その結果、形成された突起電極３ａ、３ｆの高さの不揃いが軽減される。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の配線基板は、多数の導体配線に形成された突起電極の高さの不揃いが軽減され、ＣＯＦ等に用いるテープキャリア基板として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態１におけるテープキャリア基板を示す斜視図、（ｂ）はその断面図
【図２】本発明の実施の形態２におけるテープキャリア基板を示す斜視図
【図３】（ａ）は本発明の実施の形態３におけるテープキャリア基板を示す平面図、（ｂ）はその断面図
【図４】本発明の実施の形態４におけるテープキャリア基板を示す平面図
【図５】（ａ）は従来例のテープキャリア基板を示す斜視図、（ｂ）はその断面図
【図６】従来例のテープキャリア基板の製造方法の工程を示し、（ａ１）〜（ｆ１）は、突起電極を形成する製造工程における、フィルム基材上の半導体素子搭載部の平面図、（ａ２）〜（ｆ２）は各々、（ａ１）〜（ｆ１）の拡大断面図
【符号の説明】
【００５０】
１  フィルム基材
２、２ａ、２ｂ  導体配線
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｆ  突起電極
４  フォトレジスト
４ａ  長孔状パターン
５  露光マスク
５ａ  光透過領域
６  テープキャリア基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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