(57)【要約】【課題】透過率向上層１６に水素化シリコン膜を用い、前記透過率向上層１６を厚くすることなく第１情報記録層Ｌ０に高い透過率を持たせることで、高速記録再生にも対応可能で、かつ生産性に優れた光記録媒体５０を提供する。【解決手段】第１基板１１の一面側からレーザー光を照射して情報の記録再生が行われる光記録媒体において、前記第１基板１１は第１誘電体膜１２と記録膜と第２誘電体膜１４と半透明反射膜１５と透過率向上層１６とを有する第１情報記録層Ｌ０を有し、前記第２基板２３はその一面側に第２情報記録層Ｌ１を有し、前記第１基板１１と前記第２基板２３とは、前記第１情報記録層Ｌ０と前記第２情報記録層Ｌ１とが相対するように、樹脂中間層３１を介して貼り合わされてなり、前記透過率向上層１６は水素化シリコン膜とされることを特徴とする。【選択図】図１
2007200382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とが貼り合わされ、前記第１基板の一面側からレーザー光を照射して情報の記録再生が行われる光記録媒体において、
前記第１基板は、前記レーザー光を透過すると共に、その他面側に、第１誘電体膜と記録膜と第２誘電体膜と半透明反射膜と透過率向上層とを有する第１情報記録層を有し、
前記第２基板は、その一面側に第２情報記録層を有し、
前記第１基板と前記第２基板とは、前記第１情報記録層と前記第２情報記録層とが相対するように、前記レーザー光を透過する樹脂中間層を介して貼り合わされてなり、
前記透過率向上層は、水素化シリコン膜とされることを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザー光を利用して情報の記録、再生を行う書き換え可能な情報記録層を複数有する光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＣＤ、ＤＶＤに代表される光記録媒体は、記録容量、ランダムアクセス性、可搬性、価格等の面から産業用から民生用まで広く普及している。これら光記録媒体には再生専用型、書き換え可能型、１回だけ記録が可能な追記型に大きく分けられ、この内、書き換え型光記録媒体にはＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ等のように相変化型の記録膜を有するものが知られている。相変化型光記録媒体の記録膜は、照射されるレーザー光のパワーを吸収して、光学特性の異なる非晶質相か結晶相かのいずれかの相をとることができ、かつ、これら２つの相は再度所定の強度のレーザー光を照射することで可逆的に相転移させることが可能である。
【０００３】
近年、例えば映像の高解像度化などにより、情報記録媒体に記録される情報量は年々増加傾向にあり、それに伴い情報記録媒体にもより高容量化が求められている。相変化型光記録媒体の高容量化の１つの手法としては光記録媒体の情報記録層を複数積層するというものがあり、例えば片面からのレーザー照射で２層の情報記録層に対し記録・再生を行なうことができる片面入射型２層光記録媒体が知られている。
【０００４】
また、近年の光記録媒体には高容量化に加え、情報信号の高速書き込み、高速読み出しといった高速記録再生に対する要求も高く、この要求に対応するためには、通常速度の記録再生時よりも高いパワーの記録再生レーザーが必要となり、仮に同一構成の光記録媒体に通常速度の２倍で記録を行うためには、通常速度で使用される記録レーザーパワーのほぼ２倍のパワーが必要となる。
【０００５】
しかしながら、片面入射型２層光記録媒体等の情報記録層を複数有する光記録媒体においては、記録再生光入射側から見て奥側の第２情報記録層に記録再生を行うレーザー光は、必ず記録再生光入射側から見て手前側の第１情報記録層を透過しなければならず、その透過の際に前記レーザー光は前記第１情報記録層により、ある程度反射、吸収されてしまう。このため、第２情報記録層に記録再生を行うレーザー光は、予め前記第１情報記録層が反射、吸収分だけ強いパワーでレーザーの照射を行う必要があり、特に、高速記録再生に対応するために高いレーザーパワーを要する場合には、この反射、吸収分のレーザーパワーも大きく、電力の消費量が大きくなる他、レーザー発生機構や光記録媒体自体への負荷も大きくなり好ましいものではない。そこで、第１情報記録層の反射、吸収を小さくする、即ち第１情報記録層に高い透過率を持たせる事が重要となる。
【０００６】
尚、現在のレーザー出力等のシステムの性能面から、例えば片面入射型２層光記録媒体の第２情報記録層へ良好な記録再生を行えるようなレーザーのパワーを得るためには、第１情報記録層の透過率は通常速度の記録再生であれば４０％以上有すれば良いが、２倍速、４倍速等の高速記録再生に対応するためには少なくとも５０％以上の透過率が必要となる。
【０００７】
第１情報記録層の透過率を向上させるためには、前記第１情報記録層を構成している記録膜及び半透明反射膜を薄くすることが有効であると一般に知られているが、前記第１情報記録層に十分な記録再生特性を確保するためには、前記記録膜及び半透明反射膜の膜厚はある程度の厚みが必要であり、前記記録膜及び半透明反射膜を単純に薄くするという手法のみでは、前記第１情報記録層に良好な記録再生特性と高い透過率とを両立させることは困難である。図４に示す下記[特許文献１]の発明では、この課題に対し第１情報記録層Ｌ０に透過率向上層１６を設けることで、記録膜（本発明における第１記録膜１３）及び反射膜（本発明における半透明反射膜１５）を薄くすること無しに第１情報記録層Ｌ０の透過率を向上させる方法が開示されている。尚、前記[特許文献１]に係わる図４の符号は、本発明と同様の機能を有するものに関しては、本発明と同一の符号を用いて示してある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２４３６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
一般に第１情報記録層に高い透過率を持たせるための透過率向上層の材料には高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋとが必要とされ、前記[特許文献１]には透過率向上層１６にＳｉ、ＴｉＯ２、ＳｉＣ等の金属、金属酸化物及び、金属窒化物を用いる例が記載されている。しかしながら、前記金属酸化物や金属窒化物は、波長６５０ｎｍの光に対する消衰係数ｋは０．１以下と小さいものの、屈折率ｎは２．０〜２．５程度有しており、本発明者が前記[特許文献１]に記載されているＴｉＯ２（屈折率ｎ＝２．５、消衰係数ｋ＝０．０５）を膜厚４５ｎｍの透過率向上層１６として第１情報記録層Ｌ０に用いたところ、前記第１情報記録層Ｌ０の透過率は通常速度の記録再生時において必要な４０％は超えていたものの、高速記録再生時において必要な５０％以上の値は得られず、高速記録再生にも対応可能な透過率を得るためには、前記透過率向上層１６の膜厚を上記の２倍〜３倍程度にする必要があった。また、前記[特許文献１]に記載されているＳｉ（屈折率ｎ＝４、消衰係数ｋ＝０．４）を透過率向上層１６として用いたところ、消衰係数ｋが大きすぎ第１情報記録層Ｌ０の透過率に大きな向上効果は認められなかった。これらのことから、前記[特許文献１]に記載されている材料を用いた従来の透過率向上層１６では、第１情報記録層Ｌ０への透過率向上効果が認められない材料が存在する他、透過率向上効果が認められる材料を用いたとしても、高速記録再生に対応するためには極めて厚い膜厚の透過率向上層１６が必要なるため、前記透過率向上層１６の成膜に長い時間を要し生産性が低下するという課題がある。また更に、前記透過率向上層１６の長時間の成膜や膜厚の増加により生産コストが上昇するという課題がある。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、透過率向上層に水素化シリコン膜を用い、前記透過率向上層を厚くすることなく第１情報記録層に高い透過率を持たせることで、高速記録再生にも対応可能で、かつ生産性に優れた光記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、第１基板１１と第２基板２３とが貼り合わされ、前記第１基板１１の一面側からレーザー光を照射して情報の記録再生が行われる光記録媒体において、
前記第１基板１１は、前記レーザー光を透過すると共に、その他面側に、第１誘電体膜１２と記録膜と第２誘電体膜１４と半透明反射膜１５と透過率向上層１６とを有する第１情報記録層Ｌ０を有し、
前記第２基板２３は、その一面側に第２情報記録層Ｌ１を有し、
前記第１基板１１と前記第２基板２３とは、前記第１情報記録層Ｌ０と前記第２情報記録層Ｌ１とが相対するように、前記レーザー光を透過する樹脂中間層３１を介して貼り合わされてなり、
前記透過率向上層１６は、水素化シリコン膜とされることを特徴とする光記録媒体５０を提供することにより、上記課題を解決する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る光記録媒体は、上記のような構成のため、
（１）透過率向上層に水素化シリコン膜を用いることで、前記透過率向上層を厚くすることなく、光記録媒体の第１情報記録層に高速記録再生にも対応可能な高い透過率を持たせることが可能となる。
（２）透過率向上層に水素化シリコン膜を用いることで、前記透過率向上層を厚くすることなく、光記録媒体の第１情報記録層に高い透過率を持たせることができるため、前記透過率向上層の成膜に長い時間を要さず、よって生産性の低下を抑えることが可能となる。
（３）透過率向上層に水素化シリコン膜を用いることで、前記透過率向上層を厚くすることなく、光記録媒体の第１情報記録層に高い透過率を持たせることができるため、長時間の成膜や膜厚の増加が不要で、これにより生産コストを抑えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に係る光記録媒体の実施の形態について図面に基づいて説明する。
【００１４】
図１は本発明に係る光記録媒体の模式断面図である。図２は本発明に係るＳｉＨ膜の成膜時の水素ガス流量と消衰係数ｋの関係を示す図である。図３は本発明に係るＳｉＨ膜の成膜時の水素ガス流量と屈折率ｎの関係を示す図である。
【００１５】
図１に示される光記録媒体５０は、第１基板１１と第２基板２３とが貼り合わされ、前記第１基板１１の一面側からレーザー光を照射して情報の記録再生が行われる光記録媒体において、
前記第１基板１１は、前記レーザー光を透過すると共に、その他面側に、第１誘電体膜１２と第１記録膜１３と第２誘電体膜１４と半透明反射膜１５と透過率向上層１６とを有する第１情報記録層Ｌ０を有し、
前記第２基板２３は、その一面側に、第３誘電体膜１９と第２記録膜２０と第４誘電体膜２１と反射膜２２とを有する第２情報記録層Ｌ１を有し、
前記第１基板１１と前記第２基板２３とは、前記第１情報記録層Ｌ０と前記第２情報記録層Ｌ１とが相対するように、前記レーザー光を透過する樹脂中間層３１を介して貼り合わされてなり、
前記透過率向上層１６は、水素化シリコン膜とされることを特徴とする。
【００１６】
前記光記録媒体５０を構成する第１基板１１及び、第２基板２３の材料としては、ポリカーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテン等の各種熱可塑性樹脂や熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂及び可視光硬化樹脂を含む各種放射線硬化樹脂等の合成樹脂もしくは、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等のセラミックスが挙げられるが、成形が容易であることから特にポリカーボネートが多く用いられる。また、前記第１基板１１及び、前記第２基板２３には、合成樹脂基板の場合には主に射出成形によって、セラミック基板の場合には主にフォトポリマー法によって、案内溝等が凹凸形状として同心円状又は螺旋状に形成される。前記第１基板１１及び、前記第２基板２３の厚みは光記録媒体５０の全厚に制限がないのであれば０．２ｍｍ〜３．０ｍｍの範囲にあれば良いが、好ましくは０．３ｍｍ〜１．０ｍｍの範囲を、更に好ましくは０．６ｍｍの基板を２枚接合して全厚を１．２ｍｍとしている一般のＤＶＤディスクとの互換性を考慮に入れ、前記光記録媒体５０の全厚が１．２ｍｍになるように前記第１基板１１及び、前記第２基板２３の厚みを選択すると良い。
【００１７】
前記光記録媒体５０の情報記録層を構成する、第１誘電体膜１２、第２誘電体膜１４、第３誘電体膜１９、第４誘電体膜２１は、レーザー照射により発生する熱によって第１記録膜１３、第２記録膜２０や前記第１基板１１、第２基板２３等が変形することを防止すると共に、光学信号のコントラストの改善、半透明反射膜１５もしくは反射膜２２が隣接している場合には前記第１記録膜１３、第２記録膜２０で発生した熱を適切に前記半透明反射膜１５もしくは前記反射膜２２に伝導し放冷するなどの機能を有している。一般的な誘電体層の材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＭｇＯ等の酸化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣ等の炭化物等の単体もしくはこれらの混合物が挙げられ、中でも記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ比、消去率等の劣化が起こりにくいＺｎＳとＳｉＯ２との混合膜の使用が特に好ましい。また、誘電体層の厚さは情報記録層の層構成、記録膜、反射膜及び半透明反射膜の組成、膜厚などにより変化するが、およそ５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲をとる。
【００１８】
前記光記録媒体５０の情報記録層を構成する第１記録膜１３及び、第２記録膜２０は、照射されるレーザーのパワーにより、結晶相と非晶質相との間を可逆的に相転移する相変化材料で構成されており、その材料としてはＴｅ、Ｓｂ等のカルコゲンを主成分としたＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＣｕＡｌＴｅＳｂ等の合金等が挙げられる。また、環境特性など各種の特性を向上させるため、前記材料にＴｉ、Ｉｎ等を添加しても良い。前記第１記録膜１３の厚さは、薄すぎると良好な記録再生特性が得られず、また厚すぎると第１情報記録層Ｌ０の透過率が低下することから３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。また、前記第２記録膜２０の厚さは、第１記録膜１３同様、薄すぎると良好な記録再生特性が得られず、また厚すぎると記録時に大きなレーザーパワーが必要となるため１０ｎｍ〜２５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
【００１９】
前記光記録媒体５０の情報記録層を構成する半透明反射膜１５及び反射膜２２は、前記光記録媒体５０の再生時に照射されるレーザー光を記録再生光学機器に反射すると共に、前記光記録媒体５０に情報信号を記録する際には、レーザー光の照射により前記第１記録膜１３もしくは、前記第２記録膜２０で発生する熱を適切に放熱し冷却を行う効果も有している。前記半透明反射膜１５及び、前記反射膜２２の材料としてはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｐｄ等の金属、又は前記金属と前記金属を含む１種類以上の金属とからなる合金、又は前記金属もしくは前記合金と、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物、金属フッ化物等の金属化合物を混合したものなどが挙げられるが、中でも高い反射率と熱伝導率を兼ね備えているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属もしくは合金が多く用いられる。前記半透明反射膜１５及び前記反射膜２２の膜厚は使用する材料により適宜設定する必要があり、特に半透明反射膜１５は透過率と反射率との兼ね合いから、最適な膜厚に設定することが必要である。
【００２０】
前記光記録媒体５０の第１情報記録層Ｌ０を構成する透過率向上層１６は、前記半透明反射膜１５に隣接して形成され、前記第１情報記録層Ｌ０の透過率を向上させる効果を有している。前記透過率向上層１６の材料としては高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを有するＳｉＨ膜が用いられる。
【００２１】
前記第１情報記録層Ｌ０及び前記第２情報記録層Ｌ１を構成している各膜の形成方法としてはスパッタリング法が多く用いられる。特に前記透過率向上層１６の形成には、ターゲットにＳｉを用い、かつ真空容器内にＡｒと水素の混合ガスを導入した状態で成膜することにより、Ｓｉに水素を含有させたＳｉＨ膜を得ることができる。尚、Ａｒと水素の混合ガス中の水素の濃度を変えることでＳｉＨ膜の屈折率ｎ及び、消衰係数ｋ等の光学特性の調整が可能で、これとスパッタ電源出力、スパッタ時間等による膜厚の増減により、高い透過率向上効果が得られるように前記透過率向上層１６の光学特性と膜厚とを調整、最適化することができるのである。
【００２２】
前記光記録媒体５０の作製手順としては、前述のスパッタリング装置を使用して第１基板１１上に、第１誘電体膜１２、第１記録膜１３、第２誘電体膜１４、半透明反射膜１５、透過率向上層１６を順次成膜することで第１情報記録層Ｌ０を形成し、これとは別に、第２基板２３上に、反射膜２２、第４誘電体膜２１、第２記録膜２０、第３誘電体膜１９を順次成膜することで第２情報記録層Ｌ１を形成し、第１情報記録層Ｌ０が形成された前記第１基板１１と、第２情報記録層Ｌ１が形成された前記第２基板２３とを、紫外線硬化樹脂や接着剤が塗布されたポリカーボネートのシートを用いて、両基板上の情報記録層同士が相対するように接合することにより行うことが一般的である。この場合、接合に用いられる紫外線硬化樹脂やポリカーボネートのシートが樹脂中間層３１となる。尚、前記第１情報記録層Ｌ０の保護のため、前記透過率向上層１６上に誘電体膜と同等の材料で透明保護層を必要に応じて設けても良い。
【００２３】
上記手順で作製された前記光記録媒体５０の第１記録膜１３及び、第２記録膜２０は現段階では全て非晶質相であり、これを全て結晶相に相変化させるための初期化が必要となる。初期化は一般にレーザー光の照射により前記第１記録膜１３及び、前記第２記録膜２０を結晶化温度以上融点以下の温度に加熱することで行われる。
【００２４】
前記光記録媒体５０への情報信号の記録は次のように行われる。前記光記録媒体５０を構成する情報記録層の第１記録膜１３もしくは第２記録膜２０に、前記第１記録膜１３もしくは前記第２記録膜２０に使用されている相変化材料を融点以上の温度に加熱するパワーのレーザー光を照射すると、前記第１記録膜１３もしくは前記第２記録膜２０のレーザー照射部分は溶融液相化することとなり、この溶融部分はレーザー光の通過後、前記第１記録膜１３の場合は第２誘電体膜１４を介して半透明反射膜１５にて、前記第２記録膜２０の場合は第４誘電体膜２１を介して反射膜２２にて急冷され、非晶質相の記録マーク即ちピットを形成する。前記ピットは前記第１記録膜１３もしくは前記第２記録膜２０に使用されている相変化材料を結晶化温度以上融点以下の温度に加熱するパワーのレーザー光を再度照射されることにより、結晶相に可逆的に相転移することができる。つまり、レーザー照射時に前記第１記録膜１３もしくは前記第２記録膜２０が達する温度によって、レーザー照射部は結晶相もしくは非晶質相のどちらかの状態をとるのである。前記光記録媒体５０はこの特性を利用し、レーザーのパワーを使い分けることで、前記第１記録膜１３もしくは前記第２記録膜２０に結晶相の部分と非晶質相の部分を、記録する情報信号に応じて選択、形成し、情報信号の記録を行うのである。
【００２５】
前記光記録媒体５０からの情報信号の再生は次のように行われる。まず、前記第１記録膜１３もしくは前記第２記録膜２０の再生したい層に焦点が合うように、前記第１記録膜１３もしくは前記第２記録膜２０が結晶化温度まで達しないような低いパワーのレーザー光を照射する。このレーザー光は前記第１記録膜１３もしくは前記第２記録膜２０の照射部が結晶相である場合は前記半透明反射膜１５もしくは前記反射層２２にて反射され、また、前記第１記録膜１３もしくは前記第２記録膜２０の照射部が非晶質相のピットである場合はこのピットにてレーザー光は反射され、記録再生光学機器に検出される。前記第１記録膜１３、前記第２記録膜２０が結晶相である場合と非晶質相のピットである場合とではレーザー光の反射率が異なるため、前記記録再生光学機器はこのレーザーの反射光の差を検出して、光記録媒体５０に記録された情報信号を再生するのである。
【００２６】
尚、前述のように第２情報記録層Ｌ１に記録再生を行うレーザー光は、第１報記録層Ｌ０を透過する際の反射、吸収分だけ予め強いパワーでレーザーの照射を行う必要があり、前記第２情報記録層Ｌ１への記録再生を行うレーザーパワーの低減のためには、前記第１情報記録層Ｌ０の透過率を向上させる事が重要となる。本発明の光記録媒体５０おいては、前記第１情報記録層Ｌ０を構成する半透明反射膜１５に隣接して高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを有するＳｉＨ膜を用いた透過率向上層１６を設けることにより、前記第１情報記録層Ｌ０の透過率向上を図っている。
【００２７】
ここで、ＳｉＨ膜の屈折率ｎと消衰係数ｋを測定するために、ＲＦスパッタリング装置にＳｉターゲットを用いて、真空容器内に流量２０ｓｃｃｍのＡｒガスと、流量を４ｓｃｃｍ〜９ｓｃｃｍの間で変化させた水素ガスとを導入しつつ、スパッタリング出力３００Ｗの条件で、ガラス基板上に厚み１００ｎｍのＳｉＨ膜を形成した。このＳｉＨ膜中のＨ（水素）の組成率を分析したところ、３０〜５０ａｔｏｍ％であった。また、自動波長走査型エリプソメーターを用いて前記ＳｉＨ膜の屈折率ｎ及び、消衰係数ｋの測定を行った。更に、比較のため水素ガスを導入しない他は同等の条件で成膜したＳｉ膜に関しても同様の測定を行った。尚、ここでの流量の単位ｓｃｃｍとはｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｃ／ｍｉｎの略で１ａｔｍ、０℃の条件下での流量ｃｃ／ｍｉｎを表している。
【００２８】
図２にＳｉＨ膜の成膜時の水素ガス流量と消衰係数ｋの関係を示す。また、図３にＳｉＨ膜の成膜時の水素ガス流量と屈折率ｎの関係を示す。図２より、水素ガスを導入せずに形成されたＳｉ膜の消衰係数ｋは約０．４と高い値を示しているのに対し、水素ガスを流量４ｓｃｃｍ〜９ｓｃｃｍで導入しつつ形成したＳｉＨ膜の消衰係数ｋは約０．１以下と低い値をとっており、水素ガスを導入することで消衰係数ｋはＳｉ膜の約１／４と大幅に減少することがわかる。また、図３より、水素ガスを流量４ｓｃｃｍ〜９ｓｃｃｍで導入しつつ形成したＳｉＨ膜の屈折率ｎは、Ｓｉ膜に比べ水素ガス流量の増加に伴いわずかに減少傾向を示すものの、水素ガス流量９ｓｃｃｍの条件で形成したＳｉＨ膜においても、その屈折率ｎはＴｉＯ２の屈折率ｎ＝２．５よりも高いｎ＝２．９６であり、依然高い屈折率ｎを有していることがわかる。これらのことから、ＳｉＨ膜は高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを兼ね備えており、ＳｉＨ膜を透過率向上層１６として用いることで、高い透過率向上効果を有する透過率向上層１６を得ることができるのである。
【実施例１】
【００２９】
射出成型によりトラックピッチが０．７４μｍ、深さ３０ｎｍの案内溝が螺旋状に形成されている直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製の第１基板１１をスパッタリング装置の真空容器内に設置し、前記第１基板１１上に第１誘電体膜１２として厚み６６ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を、前記第１誘電体膜１２上に第１記録膜１３として厚み６ｎｍのＧｅＳｂＴｅ膜を、前記第１記録膜１３上に第２誘電体膜１４として厚み７ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を、前記第２誘電体膜１４上に半透明反射膜１５として厚み９ｎｍのＡｇＰｄＣｕ膜を順次連続して成膜した。
【００３０】
次に、ターゲットにＳｉを用い真空容器内に流量２０ｓｃｃｍのＡｒガスと流量７ｓｃｃｍの水素ガスを導入しつつ、前記半透明反射膜１５上に透過率向上層１６として厚み３３ｎｍのＳｉＨ膜を成膜した。尚、この成膜条件で形成された前記ＳｉＨ膜の屈折率ｎはｎ＝３．３、消衰係数ｋはｋ＝０．０５９であった。次に前記透過率向上層１６上に透明保護層として厚み６０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を成膜することで第１情報記録層Ｌ０を形成した。
【００３１】
次に、トラックピッチが０．７４μｍ、深さ２８ｎｍの案内溝が螺旋状に形成されている直径１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製の第２基板２３をスパッタリング装置の真空容器内に設置し、前記第２基板２３上に反射膜２２として厚み２００ｎｍのＡｇＰｄＣｕ膜を、前記反射膜２２上に第４誘電体膜２１として厚み２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を、前記第４誘電体膜２１上に第２記録膜２０として厚み１４ｎｍのＧｅＳｂＴｅ膜を、前記第２記録膜２０上に第３誘電体膜１９として厚み８５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を順次連続して成膜することで第２情報記録層Ｌ１を形成した。
【００３２】
次に、第１情報記録層Ｌ０が形成された前記第１基板１１と、第２情報記録層Ｌ１が形成された前記第２基板２３の情報記録層側にアクリル系紫外線硬化樹脂を塗布した後、前記第１情報記録層Ｌ０と前記第２情報記録層Ｌ１とが向かい合うように密着し、これに紫外線を照射することで前記紫外線硬化樹脂を硬化させるとともに、前記第１基板１１と前記第２基板２３とを接合し、総厚が１．２ｍｍの光記録媒体５０を作製した。尚、この場合、硬化した前記紫外線硬化樹脂が樹脂中間層３１となる。
【００３３】
最後に、接合された前記第１基板１１と前記第２基板２３の第１記録膜１３及び、第２記録膜２０に、レーザー光を照射し結晶化温度以上融点以下の温度に加熱することで初期化処理を行った。
【実施例２】
【００３４】
実施例１において、透過率向上層１６であるＳｉＨ膜の形成条件を流量２０ｓｃｃｍのＡｒガスと流量９ｓｃｃｍの水素ガスに変更し、かつ前記透過率向上層１６の膜厚を３８ｎｍに変更した他は実施例１と同様にして光記録媒体５０を作製し、初期化を行った。尚、この成膜条件で形成された前記ＳｉＨ膜の屈折率ｎはｎ＝２．９６、消衰係数ｋはｋ＝０．０３３であった。
【００３５】
（比較例）
実施例１において、透過率向上層１６に厚み４５ｎｍのＴｉＯ２膜を用いた他は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。尚、比較例の透過率向上層１６として用いられているＴｉＯ２膜の屈折率ｎはｎ＝２．５、消衰係数ｋはｋ＝０．０５であった。
【００３６】
ここで、表１に前記実施例１、実施例２、及び比較例の第１情報記録層Ｌ０の透過率を示す。尚、透過率の測定は、前記実施例１、実施例２、及び比較例と同等の条件で第１情報記録層Ｌ０のみを形成した透過率測定用ディスクの、波長λ＝６５０ｎｍにおける透過率を分光光度計を用いて行い、その結果から前記実施例１、実施例２、及び比較例の第１情報記録層Ｌ０の透過率を求めた。
【００３７】
【表１】
2007200382.tif 000003
表１より、透過率向上層１６にＴｉＯ２膜を用いた比較例の第１情報記録層Ｌ０の透過率は４９．４％と高速記録再生に対応可能な透過率５０％に満たず、ＴｉＯ２膜を用いた透過率向上層１６による透過率向上効果は高速記録再生には不十分であることがわかる。これに対し、ＳｉＨ膜を透過率向上層１６として用いた前記実施例１、実施例２の第１情報記録層Ｌ０の透過率は各々５３．２％と５３．８％と高速記録再生に対応可能な５０％以上の高い値を有しており、このことからＳｉＨ膜を透過率向上層１６に用いることで、高い透過率向上効果が得られ、前記光記録媒体５０を構成する第１情報記録層Ｌ０の透過率が高速記録再生に対応可能な値へと大幅に向上していることがわかる。
【００３８】
更に、比較例のＴｉＯ２膜を用いた透過率向上層１６の膜厚は４５ｎｍであり、更なる透過率向上効果を得るためには、これ以上の膜厚が必要となるが、ＳｉＨ膜を用いた前記実施例１、実施例２の透過率向上層１６の膜厚は、各々３３ｎｍと３８ｎｍと比較例よりも薄く、このことから、ＳｉＨ膜を透過率向上層１６に用いることで、前記透過率向上層１６の膜厚が薄くとも高速記録再生に対応可能な高い透過率向上効果を得られることがわかる。
【００３９】
以上のことから、本発明の光記録媒体５０は第１情報記録層Ｌ０の透過率向上層１６に高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを兼ね備えたＳｉＨ膜を用いることで、前記透過率向上層１６の膜厚が薄くとも高速記録再生に対応できるような高い透過率をもつ第１情報記録層Ｌ０が得られ、これにより第２情報記録層Ｌ１への記録再生時のレーザー光の照射パワーを低く抑えることができるとともに、前記透過率向上層１６の成膜に長い時間を要することがないため生産性が低下することがなく、また、長時間の成膜や膜厚の増加がないために生産コストをも抑えることが可能となるのである。
【００４０】
尚、前記実施例１、実施例２では透過率向上層１６成膜時の水素ガスの流量を各々７ｓｃｃｍ、９ｓｃｃｍと比較的高い流量での例を用いたが、図２に示されるように水素ガス流量４ｓｃｃｍ〜９ｓｃｃｍの範囲内においてはＳｉＨ膜の消衰係数ｋはｋ＝０．１前後で推移し大きな差異はないことに加え、図３に示されるようにＳｉＨ膜の屈折率ｎは水素ガス流量が減少する程増加し、透過率向上効果を向上させる方向に進むため、よって、透過率向上層１６成膜時の水素ガスの流量は７ｓｃｃｍ、９ｓｃｃｍのみならず、水素ガス流量４ｓｃｃｍ〜９ｓｃｃｍの範囲内の成膜条件で得られるＳｉＨ膜を透過率向上層１６に用いても、前記実施例１、実施例２同様、高い透過率向上効果を有する透過率向上層１６を得ることができるのである。
【００４１】
尚、前述の形態では情報記録層が２層である相変化型記録媒体に関し記述したが、情報記録層が２層以上の場合でも本発明は適用が可能である。また、前述の層構成に加え、熱拡散層、界面層、拡散防止層、光学調整層などを必要に応じて有しても良い他、本発明は本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明に係る光記録媒体の模式断面図である。
【図２】本発明に係るＳｉＨ膜の成膜時の水素ガス流量と消衰係数ｋの関係を示す図である。
【図３】本発明に係るＳｉＨ膜の成膜時の水素ガス流量と屈折率ｎの関係を示す図である。
【図４】従来の光記録媒体の模式断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１１    第１基板
１２    第１誘電体膜
１３    第１記録膜
１４    第２誘電体膜
１５    半透明反射膜
１６    透過率向上層
１９    第３誘電体膜
２０    第２記録膜
２１    第４誘電体膜
２２    反射膜
２３    第２基板
３１    樹脂中間層
５０    光記録媒体
Ｌ０    第１情報記録層
Ｌ１    第２情報記録層
【図１】
2007200382.tif 000004
【図２】
2007200382.tif 000005
【図３】
2007200382.tif 000006
【図４】
2007200382.tif 000007