(57)【要約】【課題】測定抵抗の態様を選ばず、短時間で抵抗値を測定することができる抵抗値測定システムを提供する。【解決手段】測定抵抗ＲＳに対して並列接続され、測定抵抗ＲＳとともに並列回路を構成するバイパス抵抗ＲＡと、前記並列回路に対して接続される電源Ｖと、前記並列回路に掛かる電圧を変化させる電圧変化手段と、電圧変化手段による前記並列回路に掛かる電圧の変化前後において前記並列回路の所定箇所を流れる電流の電流値を測定する電流計Ａと、電流計Ａにより測定される電流値に基づいて前記測定抵抗ＲＳの抵抗値を判断する判断手段と、を含むことを特徴とする。【選択図】図２
2007093575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定抵抗に対して並列接続され、前記測定抵抗とともに並列回路を構成するバイパス抵抗と、
前記並列回路に接続される電源と、
前記並列回路に掛かる電圧を変化させる電圧変化手段と、
前記電圧変化手段による前記並列回路に掛かる電圧の変化前後において前記並列回路の所定箇所を流れる電流の電流値を測定する測定器と、
前記測定器により測定される電流値に基づいて前記測定抵抗の抵抗値を判断する判断手段と、
を含むことを特徴とする抵抗値測定システム。
【請求項２】
請求項１に記載の抵抗値測定システムにおいて、
前記所定箇所は前記バイパス抵抗である、
ことを特徴とする抵抗値測定システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の抵抗値測定システムにおいて、
前記電圧変化手段は、前記並列回路及び前記電源を含む測定用回路のパラメータを変化させることにより、前記並列回路に掛かる電圧を変化させ、
前記判断手段は、変化前後における前記パラメータ及び前記測定器により測定される電流値に基づいて前記測定抵抗の抵抗値を判断する、
ことを特徴とする抵抗値測定システム。
【請求項４】
請求項３に記載の抵抗値測定システムにおいて、
前記電圧変化手段は、前記バイパス抵抗の抵抗値を変化させることにより、前記並列回路に掛かる電圧を変化させる、
ことを特徴とする抵抗値測定システム。
【請求項５】
請求項３に記載の抵抗値測定システムにおいて、
前記電圧変化手段は、前記電源の電圧又は電流を変化させることにより、前記並列回路に掛かる電圧を変化させる、
ことを特徴とする抵抗値測定システム。
【請求項６】
請求項３に記載の抵抗値測定システムにおいて、
前記並列回路に対して直列に接続される直列抵抗をさらに含み、
前記電圧変化手段は、前記直列抵抗の抵抗値を変化させることにより、前記並列回路に掛かる電圧を変化させる、
ことを特徴とする抵抗値測定システム。
【請求項７】
請求項６に記載の抵抗値測定システムにおいて、
前記直列抵抗の抵抗値は、前記測定抵抗の抵抗値及び前記バイパス抵抗の抵抗値よりも大きい、
ことを特徴とする抵抗値測定システム。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の抵抗値測定システムにおいて、
前記判断手段は、
前記測定抵抗の抵抗値毎に、前記並列回路に掛かる電圧の変化前後における前記並列回路の前記所定箇所を流れる電流の電流値の変化パターンを記憶する変化パターン記憶手段を含み、
前記測定器により測定される、前記並列回路に掛かる電圧の変化前後における前記並列回路の前記所定箇所を流れる電流の電流値の変化パターンを前記変化パターン記憶手段に記憶される各変化パターンと照査することにより、前記測定抵抗の抵抗値を判断する、
ことを特徴とする抵抗値測定システム。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載の抵抗値測定システムにおいて、
前記判断手段は、
前記測定抵抗の抵抗値、前記並列回路に掛かる電圧の変化前後における、前記並列回路に掛かる電圧を変化させるためのパラメータ並びに前記並列回路の前記所定箇所を流れる電流の電流値の関係式に、前記電圧変化手段による前記並列回路に掛かる電圧の変化前後における、前記パラメータ並びに前記測定器により測定される電流値を代入することにより、前記測定抵抗の抵抗値を判断する、
ことを特徴とする抵抗値測定システム。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の抵抗値測定システムを備える電気的接続箇所の検査システムであって、
前記測定抵抗は、検査対象である電気的接続箇所を含み、
前記推定手段により推定される前記測定抵抗の抵抗値に基づき、前記電気的接続箇所が接続不良を生じているか否かを判定する、
ことを特徴とする電気的接続箇所の検査システム。
【請求項１１】
測定抵抗に対してバイパス抵抗を並列接続し、並列回路を構成する手順と、
前記並列回路に電源を接続する手順と、
前記並列回路に掛かる電圧を変化させる手順と、
前記並列回路に掛かる電圧の変化前後において前記並列回路の所定箇所を流れる電流の電流値を測定する手順と、
前記測定器により測定される電流値に基づいて前記測定抵抗の抵抗値を判断する手順と、
を含むことを特徴とする抵抗値測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は抵抗値測定システム、それを用いた電気的箇所の検査システム及び抵抗値測定方法に関し、特に、低抵抗の測定に関する。
【背景技術】
【０００２】
微少抵抗値の測定法として、ホイートストンブリッジ法や４端子法が知られている。ホイートストンブリッジ法は、３つの既知抵抗と１つの未知抵抗とで４辺形を作り、対向する接続点間に電圧を掛けておき、他の接続点間の電位差が零となるように、既知抵抗の抵抗値を変化させるというものである。一方、４端子法は、未知抵抗の両端に電圧を掛けるとともに、中途部にさらに電極対を設け、その間の電位差を計測するというものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、ホイートストンブリッジ法では、既知抵抗の抵抗値を変化させ、所定の接続点間の電位差が零となるようにするのに時間が掛かるという問題がある。また、４端子法では、テストピースを用いるのであればともかく、実使用に近い状態では、寄生する接触抵抗などの影響で、計測が実質上不可能である。
【０００４】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、測定抵抗の態様を選ばず、短時間で抵抗値を測定することができる抵抗値測定システム及び抵抗値測定方法を提供することにある。また、他の目的は、短時間で正確に電気的接続箇所の検査を実施できる電気的接続箇所の検査システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明に係る抵抗値測定システムは、測定抵抗に対して並列接続され、前記測定抵抗とともに並列回路を構成するバイパス抵抗と、前記並列回路に接続される電源と、前記並列回路に掛かる電圧を変化させる電圧変化手段と、前記電圧変化手段による前記並列回路に掛かる電圧の変化前後において前記並列回路の所定箇所を流れる電流の電流値を測定する測定器と、前記測定器により測定される電流値に基づいて前記測定抵抗の抵抗値を判断する判断手段と、を含むことを特徴とする。
【０００６】
また、本発明に係る抵抗値測定方法は、測定抵抗に対してバイパス抵抗を並列接続し、並列回路を構成する手順と、前記並列回路に電源を接続する手順と、前記並列回路に掛かる電圧を変化させる手順と、前記並列回路に掛かる電圧の変化前後において前記並列回路の所定箇所を流れる電流の電流値を測定する手順と、前記測定器により測定される電流値に基づいて前記測定抵抗の抵抗値を判断する手順と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、測定抵抗とバイパス抵抗とからなる並列回路に電流を流し、その所定箇所を流れる電流の電流値を測定する。このため、測定抵抗に大電流が流れにくいようにでき、低抵抗（微少抵抗）を測定しやすくできる。また、並列回路に掛かる電圧を変化させて並列回路の所定箇所を流れる電流の電流値を測定すれば、その評価をコンピュータ等の各種演算手段により行うことで、短時間に測定抵抗の抵抗値を得ることができる。
【０００８】
なお、電流値を測定する前記所定箇所は例えばバイパス抵抗であってもよい。或いは測定抵抗であってもよい。
【０００９】
また、本発明の一態様では、前記電圧変化手段は、前記並列回路及び前記電源を含む測定用回路のパラメータを変化させることにより、前記並列回路に掛かる電圧を変化させ、前記判断手段は、変化前後における前記パラメータ及び前記測定器により測定される電流値に基づいて前記測定抵抗の抵抗値を判断する。
【００１０】
この場合、前記電圧変化手段は、前記バイパス抵抗の抵抗値を変化させることにより、前記並列回路に掛かる電圧を変化させてもよい。
【００１１】
また、前記電圧変化手段は、前記電源の電圧又は電流を変化させることにより、前記並列回路に掛かる電圧を変化させてもよい。
【００１２】
また、前記並列回路に対して直列に接続される直列抵抗をさらに含んでもよく、前記電圧変化手段は、前記直列抵抗の抵抗値を変化させることにより、前記並列回路に掛かる電圧を変化させてもよい。この場合、前記直列抵抗の抵抗値は、前記測定抵抗の抵抗値及び前記バイパス抵抗の抵抗値よりも大きいと好適である。こうすれば、抵抗値を変化させる際の誤差が測定結果に与える影響を小さくできる。
【００１３】
また、本発明の一態様では、前記判断手段は、前記測定抵抗の抵抗値毎に、前記並列回路に掛かる電圧の変化前後における前記並列回路の前記所定箇所を流れる電流の電流値の変化パターンを記憶する変化パターン記憶手段を含み、前記測定器により測定される、前記並列回路に掛かる電圧の変化前後における前記並列回路の前記所定箇所を流れる電流の電流値の変化パターンを前記変化パターン記憶手段に記憶される各変化パターンと照査することにより、前記測定抵抗の抵抗値を判断する。こうすれば、電流値の変化パターンを実際の測定抵抗の実装状況に即したものとしておくことで、精度よい測定抵抗の抵抗値を得ることができる。
【００１４】
また、本発明の一態様では、前記判断手段は、前記測定抵抗の抵抗値、前記並列回路に掛かる電圧の変化前後における、前記並列回路に掛かる電圧を変化させるためのパラメータ並びに前記並列回路の前記所定箇所を流れる電流の電流値の関係式に、前記電圧変化手段による前記並列回路に掛かる電圧の変化前後における、前記パラメータ並びに前記測定器により測定される電流値を代入することにより、前記測定抵抗の抵抗値を判断する。こうしても、短時間に測定抵抗の抵抗値を得ることができる。
【００１５】
また、本発明に掛かる電気的接続箇所の検査システムは、上記いずれかの抵抗値測定システムを備える電気的接続箇所の検査システムであって、前記測定抵抗は、検査対象である電気的接続箇所を含み、前記推定手段により推定される前記測定抵抗の抵抗値に基づき、前記電気的接続箇所が接続不良を生じているか否かを判定することを特徴とする。本発明によれば、半田やスポット溶接等の電気接続箇所に対して、バイパス抵抗を並列接続するとともに、電気接続箇所とバイパス抵抗とからなる並列回路に掛かる電圧を変化させつつ、該並列回路の所定箇所を流れる電流の電流値を計測することで、迅速に精度のよい接続不良の評価を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面に基づき詳細に説明する。
[実施形態１]
【００１７】
図１は、本発明の実施形態１に係る抵抗値測定システムの構成を示す図である。同図に示すように、この抵抗値測定システム１０は、電流計測回路１２及び評価用コンピュータ１４から構成されている。図２は、電流計測回路１２の回路構成を示しており、同図に示すように、電流計測回路１２は、直流電源Ｖ、基礎抵抗Ｒ０、可変抵抗器等の抵抗値を指定値に変化させることができるバイパス抵抗ＲＡ、電流計Ａが、この順で直列に接続されてなる回路であり、バイパス抵抗ＲＡの上流側には測定用端子Ｔ１が、電流計Ａの下流側には測定用端子Ｔ２が設けられており、これらが測定抵抗（抵抗値の測定対象である抵抗）ＲＳの両端に接触するようになっている。こうして、測定抵抗ＲＳに対してバイパス抵抗ＲＡ及び電流計Ａが並列に接続されるようになっている。電流計Ａは、例えば導線の近傍磁場を測定し、そこから電流値を決定する形式であってよい。
【００１８】
図３は、この抵抗値測定システム１０により測定抵抗ＲＳの抵抗値を測定する手順を示すフロー図である。同図に示すように、測定抵抗ＲＳの抵抗値を測定する場合、まず測定用端子Ｔ１，Ｔ２を測定抵抗ＲＳの両端に接触させる（Ｓ１０１）。次に、電流計Ａの値を取得し、その値、すなわちバイパス抵抗ＲＡを流れる電流の電流値を評価用コンピュータ１４に送り、記憶しておく（Ｓ１０２）。次に、バイパス抵抗ＲＡの抵抗値を既知の別の値に変化させ（Ｓ１０３）、再度、電流計Ａの値を取得する（Ｓ１０４）。この値も、評価用コンピュータ１４に送り、記憶しておく。その後、評価用コンピュータ１４では、こうして記憶された、２つの異なる抵抗値のバイパス抵抗ＲＡを流れる電流の電流値を用いて、測定抵抗ＲＳの抵抗値を判断する処理を実行し、その結果を出力する（Ｓ１０５）。なお、さらに多くの抵抗値をバイパス抵抗ＲＡに設定し、それら抵抗値での電流値を測定して、測定抵抗ＲＳの抵抗値を判断するのに用いてよい。
【００１９】
ここで、測定原理について説明する。図４に示すように、電流計測回路１２の基礎抵抗Ｒ０を流れる電流をＩ０とし、定電流と考えると、バイパス抵抗ＲＡを流れる電流ＩＲＡは次式（１）で求められる。但し、バイパス抵抗ＲＡの値には、電流計Ａの内部抵抗やシステム側の接触抵抗が含まれているものとする。
【００２０】
【数１】
2007093575.tif 000003
【００２１】
ここで、ＲＳの値を固定して、ＲＡを変化させた場合のＩＲＡの値は、図５に示すようになる。同図では、ＲＳの値を１０ｍΩ〜６０ｍΩまで、１０ｍΩ刻みで設定し、それらＲＳの値毎に、ＲＡとＩＲＡの関係を示している。そこで、未知のＲＳに対して、ＲＡとＩＲＡとの関係を計測して、図５のＲＡ−ＩＲＡ特性曲線のどれと一致又は近似するかを判定することにより、その曲線に対応するＲＳの値を測定抵抗ＲＳの抵抗値と判断することができる。この判定（パターンマッチング）は、各種の方法により実現できるが、ここではＭＴ（マハラノビス＝タグチ）法を用いる。
【００２２】
ここで、一例として、１１ｍΩ〜２０ｍΩの範囲で測定抵抗ＲＳの抵抗値をＭＴ法により判定する方法を説明する。まず、測定抵抗ＲＳを、ＲＳ＝１１，１２，…，２０ｍΩ±０．５ｍΩの抵抗値にて３０個作成し、その３０個を用いて、３種類のバイパス抵抗ＲＡの値、ＲＡ１〜ＲＡ３に対してＩＲＡを測定する。そして、その結果から、測定抵抗ＲＳの抵抗値毎のＭＴシステムの単位空間を作成し、データベースを構築する。
【００２３】
次に、未知の抵抗（測定抵抗ＲＳ）でＲＡ１〜ＲＡ３のバイパス抵抗ＲＡに対する各電流値ＩＲＡを測定して、上記データベースを用いて、ＲＳの値毎のＭＴ距離を求める。そして、このＭＴ距離が最小となるデータベースのＲＳが、未知の抵抗（測定抵抗ＲＳ）の抵抗値となる。下記表には、測定抵抗ＲＳとして１５ｍΩの抵抗器を用いた場合に、各データベースについて算出されるＭＴ距離が示されている。同表によれば、確かに１５ｍΩが最小のＭＴ距離に対応することが示されている。
【００２４】
【表１】
2007093575.tif 000004
【００２５】
このように、測定抵抗ＲＳの抵抗値毎に、予めバイパス抵抗ＲＡとそれを流れる電流の電流値ＩＲＡの関係を測定しておき、未知の測定抵抗ＲＳが与えられたとき、２以上の抵抗値のバイパス抵抗ＲＡ及びそれを流れる電流の電流値ＩＲＡを測定することにより、そのＲＡとＩＲＡとの関係が、どの測定抵抗ＲＳの抵抗値に対応するものかを判断できる。
【００２６】
なお、パターンマッチングによらず、複数の抵抗値のバイパス抵抗ＲＡ及びそれを流れる電流の電流値ＩＲＡから、直接測定抵抗ＲＳの値を算出してもよい。図６に示すように、システム側の接触抵抗をＲＣとおくと、バイパス抵抗ＲＡの抵抗値がＲＡ１であり、接触抵抗ＲＣが既知であり、測定抵抗がＲＳである時にバイパス抵抗ＲＡを流れる電流の電流値ＩＲＡがＩＲＡ１であるとすると、図７に示すように、ＩＲＡ１から横軸（ＲＳの値を示す）方向に延ばした直線がＲＡ＝ＲＡ１＋ＲＣのときのＲＳ−ＩＲＡ特性曲線と交わる点から縦軸（ＩＲＡの値を示す）方向に下ろした位置が、測定抵抗ＲＳの実際の値を示す。この関係は次式（２）により示される。
【００２７】
【数２】
2007093575.tif 000005
【００２８】
ところが、ＲＣの値は未知であるため、ＲＡ＝ＲＡ１＋ＲＣのＲＳ−ＩＲＡ特性曲線は特定できない。そこで、新たに、ＲＡ＝ＲＡ２＋ＲＣを用いて、ＲＳに対するＩＲＡを測定してＩＲＡ２を得たとすると、図８に示すように、ＩＲＡとＩＲＡ２より横軸方向に延ばした直線が、それぞれＲＡ１＋ＲＣの曲線、ＲＡ２＋ＲＣの曲線に交わる点から縦軸方向に下ろした位置は一致することから、下記式（３）が成立する。
【００２９】
【数３】
2007093575.tif 000006
【００３０】
従って、これを解いて下記式（４）を得て、これを上記式（２）に代入することにより、測定抵抗ＲＳの値が求まる。
【００３１】
【数４】
2007093575.tif 000007
【００３２】
Ｉ０＝１００ｍＡとし、３種類の測定抵抗ＲＳについて、ＲＡ１＝１０ｍΩ、ＲＡ２＝３０ｍΩを用いてＩＲＡを測定するとともに、そこからＲＣ及びＲＳの値を算出すると、下記表のようになる。
【００３３】
【表２】
2007093575.tif 000008
【００３４】
なお、上記関係はＲＳとＲＡを置換しても成り立つ。そこで、上記関係を用いて、測定抵抗ＲＳ側の接触抵抗を推定することもできる。今、予め値が明らかなＲＳ１とＲＳ２があれば、それを用いてＩＲＡを測定し、その値をＩＲＡ１、ＩＲＡ２とすると、次式（５）が成立する。
【００３５】
【数５】
2007093575.tif 000009
【００３６】
従って、次式（６）のようにして、測定抵抗ＲＳ側の接触抵抗ＲＣを求めることができる。
【００３７】
【数６】
2007093575.tif 000010
【００３８】
例えば、Ｉ０＝１００ｍＡ、ＲＳ１＝１５ｍΩ、ＲＳ２＝２０ｍΩのとき、ＩＲＡ１及びＩＲＡ２の測定値に対する、測定抵抗ＲＳ側の接触抵抗ＲＣは下記表のようになる。
【００３９】
【表３】
2007093575.tif 000011
【００４０】
以上のように、本実施形態１によれば、測定抵抗ＲＳに対して、並列にバイパス抵抗ＲＡを接続して、その抵抗値を変化させつつ、該バイパス抵抗ＲＡを流れる電流の値を計測する。そして、それらの値を用いて測定抵抗ＲＳの値を決定するので、測定抵抗ＲＳの抵抗値が極めて低い場合にも、そこに大電流を流さなくとも適切にその抵抗値を求めることができる。
【００４１】
さらに、上記抵抗値測定システム１０は、電気的接続箇所の検査システムとして用いることができる。この場合、測定用端子Ｔ１，Ｔ２を電気的接続箇所に接触させ、その間の抵抗値が一定値以上であれば評価用コンピュータ１４にて接続不良と判断し、その旨を出力するようにすれば好適である。すなわち、図９に示すように、基板２２に配線パターン２４が形成されており、そこに開設された孔２８に金属線（導線）２０（例えば回路素子の端子）が挿通され、頭部が配線パターン２４と半田２６により固定されている場合に、矢印Ａにより指示される金属線２０の中途部に測定用端子Ｔ１を接触させるとともに、矢印Ｂにより指示される配線パターン２４側に測定用端子Ｔ２を接触させて、その間の抵抗値を測定し、その値の大きさによって半田２６による接続不良を検査するようにしてもよい。
【００４２】
なお、以上の説明では、説明の簡単のためにＩ０を定電流としたが、実際に電流計Ａ（計測回路）に掛かる電圧を分圧計算により求めるのは容易であり、その値を用いて測定抵抗ＲＳの抵抗値の判断を行ってよいのはもちろんである。
[実施形態２]
【００４３】
上記実施形態１において、実際には測定抵抗ＲＳ側にも接触抵抗が存在する。従って、測定抵抗ＲＳ及びバイパス抵抗ＲＡに付随する接触抵抗の影響を補正する手法が必要となる。そこで、実施形態２に掛かる抵抗値測定システムでは、まず測定抵抗ＲＳ及びバイパス抵抗ＲＡをシステムに接続するのに、同型式のロック式ＩＣソケットを用いている。
【００４４】
図１０に示すように、バイパス抵抗ＲＡ側の接触抵抗はバイパス抵抗ＲＡに直列接続された抵抗ＲＣ２と表すことができ、同様に測定抵抗ＲＳ側の接触抵抗は測定抵抗ＲＳに直列接続された抵抗ＲＣ１と表すことができる。
【００４５】
これら接触抵抗ＲＣ１及びＲＣ２の値が等しいと仮定し、その値をＲＣと記すと、バイパス抵抗ＲＡを流れる電流ＩＲＡの値は次式（７）のように表すことができる。
【００４６】
【数７】
2007093575.tif 000012
【００４７】
そこで、既知の抵抗値の測定抵抗ＲＳを複数用意して、それらを順にシステムに接続して、電流ＩＲＡを測定すると（電流Ｉ０及びバイパス抵抗ＲＳは既知とする）、測定抵抗ＲＳ（既知）及び電流ＩＲＡの関係を、図１１の四角印ようにしてプロットすることができる。一方、測定抵抗ＲＳ及び電流ＩＲＡの関係は、理論的には上式（７）のように表されるから、ＲＣを任意の値に設定し、これを図１１に追記すると同図菱形印のようになる。ここで、ＲＣの値を変化させると、この菱形印の線（理論線）は四角印の線（実測線）に近づく。そして、両線をほぼ一致させるＲＣの値が接触抵抗ＲＣ１及びＲＣ２の推定値となる。
【００４８】
こうして推定される接触抵抗ＲＣ２の値を用いて、実施形態１と同様にして、測定抵抗ＲＳの推定を行う。この際、既知のバイパス抵抗ＲＡの値に接触抵抗ＲＣ２の値を加えたものを用いて、上記表１と同様のデータベースを作成する。なお、既知のバイパス抵抗ＲＡ及び既知の測定抵抗ＲＳを用いたＲＡ−ＩＲＡ特性曲線と、既知のバイパス抵抗ＲＡ及び未知の測定抵抗ＲＳを用いたＲＡ−ＩＲＡ特性曲線と、のパターンマッチングには、どのような手法を用いてもよいが、ここではＭＴシステムの一種であるＴ法と呼ばれる手法を用いる。
【００４９】
以下、実施形態２に係る方法により、接触抵抗ＲＣ１、ＲＣ２、測定抵抗ＲＳを推定する実施例を説明する。
【００５０】
まず、バイパス抵抗ＲＡの値として３０ｍΩを用い、測定抵抗ＲＳの値として、１〜９ｍΩ（１ｍΩおき）を順に用い、バイパス抵抗ＲＡを流れる電流ＩＲＡを測定する。この測定結果は、図１２の丸印で示されている。同図には、上式（７）に、ＲＡ＝３０ｍΩ、ＲＳ＝１〜９ｍΩ、Ｉ０＝１０３．１ｍΩ（実測値）、ＲＣ＝０，３，６，９ｍΩを順に代入して得られるＲＳ及びＩＲＡの関係も示されている。同図により、実測値に基づくＲＳ及びＩＲＡの関係に最も近いのは、ＲＣ＝９とした場合の上式（７）に基づくＲＳ及びＩＲＡの関係であり、ここではＲＣは約９ｍΩと推定する。
【００５１】
次に、１００ｍΩ及び１１０ｍΩのバイパス抵抗ＲＡを用いて、測定抵抗ＲＳの推定を行う。Ｔ法のデータベースを作成する際には、上述のようにして推定された接触抵抗ＲＣ２（＝ＲＣ）の値である９ｍΩを実際のバイパス抵抗ＲＡの値（＝１００ｍΩ，１１０ｍΩ）に加えたものを用いる。図１３は、既知の測定抵抗ＲＳの値及びその推定値の関係を示している。同図において、四角印は既知の測定抵抗ＲＳの値とその推定値の理想的関係（両者が一致する関係）を示しており、菱形印は既知の測定値ＲＳの値とその推定値の実際の関係を示している。同図に示すように、理想的関係と実際の関係には約９．５ｍΩの差が生じている。この差は測定抵抗ＲＳ側の接触抵抗ＲＣ１であると考えられる。
【００５２】
そこで、ＲＳの値に接触抵抗ＲＣ１（上述のようにして推定されたＲＣ＝約９ｍΩ）を加算して、Ｔ法のデータベースを作成する。この場合、図１４に示すように、既知の測定値ＲＳの値とその推定値の実際の関係は、理想的関係にほぼ一致する。
【００５３】
すなわち、接触抵抗ＲＣ１及び接触抵抗ＲＣ２の値をＲＣ（共通）と仮定して、ＲＳ及びＩＲＡの関係を測定するとともに、上式（７）がその関係（実測）と近似する関係（理論）を与えるＲＣの値をパターンマッチングにより決定すると、この値を接触抵抗ＲＣ１及びＲＣ２の値として用いることができる。そして、これらの値に基づいてＴ法におけるデータベースを構築しておくことで、測定抵抗ＲＳの値を好適に推定することができる。
【００５４】
なお、測定抵抗ＲＳの値の範囲が広くなると、図１５に示すように真値と推定値とのズレが大きくなる。そこで、測定抵抗ＲＳの値の範囲を複数に分割して、範囲ごとに推定用のデータベースを作成することが望ましい。
[実施形態３]
【００５５】
実施形態１及び２では、バイパス抵抗ＲＡと該バイパス抵抗ＲＡを流れる電流ＩＲＡの関係を測定抵抗ＲＳの値毎に予め保持しておき、実際にバイパス抵抗ＲＡの値を変化させ、その際の電流ＩＲＡの値から測定抵抗ＲＳの推定を行った。しかしながら、測定抵抗ＲＳに係る電圧、すなわち測定抵抗ＲＳ及びバイパス抵抗ＲＡからなる並列回路に掛かる電圧（端子Ｔ１及び端子Ｔ２の間の電圧）を変化させるのであれば、その方法はバイパス抵抗ＲＡを変化させるものに限らない。
【００５６】
図１６はバイパス抵抗ＲＡを可変とせずに、測定抵抗ＲＳの推定を行うための電流計測回路を示している。実施形態３では、バイパス抵抗ＲＡを変化させる代わりに、電流Ｉ０を変化させることにより、測定抵抗ＲＳ及びバイパス抵抗ＲＡからなる並列回路に掛かる電圧を変化させ、この際の電流ＩＲＡの値から測定抵抗ＲＳの推定を行う。電流Ｉ０を変化させるのに、電源Ｖを制御してもよいし、抵抗Ｒ０を変化させてもよい。測定精度を確保するために、バイパス抵抗ＲＡには測定抵抗ＲＳと同程度の電流を流す必要があることから、バイパス抵抗ＲＡの抵抗値は測定抵抗ＲＳと同程度の微少なものとせざるをえない。このため、バイパス抵抗ＲＡに付随する接触抵抗ＲＣ２が測定結果に与える影響は大である。ところが、本実施形態３によれば、バイパス抵抗ＲＡの値を固定にできることから、それに付随する接触抵抗ＲＣ２の値を極めて小さくすることができる。
【００５７】
実施形態３では、図１７に示すように、測定抵抗ＲＳの値毎に、電流Ｉ０と電流ＩＲＡの関係を予め推定用データベースに保持しておく（同図の関係はＲＡ＝１００ｍΩの場合のものである）。そして、実際に抵抗Ｒ０を変化させたり、電源Ｖを制御したりして、電流Ｉ０を変化させ、その際の電流ＩＲＡを電流計Ａにより計測することで、電流Ｉ０と電流ＩＲＡの実際の関係を取得する。その後、この関係を予め推定用データベースに保持している複数の関係と照査し、最も近いものに対応する測定抵抗ＲＳの値を測定結果として出力する。
【００５８】
この際、測定抵抗ＲＳが広範囲にわたることに備えて、ＲＳの値の範囲を分割して、範囲毎に推定用データベースを作成することが望ましい。ここでは、５ｍΩ〜１５ｍΩ、１５ｍΩ〜２５ｍΩ、２５ｍΩ〜３５ｍΩ、３５ｍΩ〜４５ｍΩ、４５ｍΩ〜５５ｍΩ、５５ｍΩ〜６５ｍΩ、６５ｍΩ〜７５ｍΩ、７５ｍΩ〜８５ｍΩ、８５ｍΩ〜９５ｍΩ、９５ｍΩ〜１０５ｍΩの合計１０の範囲について、それぞれ推定用データベースＤ１〜Ｄ１０を作成する。図１８は、実施形態３に係る測定抵抗ＲＳの推定方法を示す図である。同図に示すように、実施形態３に係る方法では、まず推定用データベースＤ１を用いて測定抵抗ＲＳの推定を行う（Ｓ２０１）。そして、Ｓ２０１で推定されたＲＳの値が１５ｍΩ以下であれば（Ｓ２０２）、推定結果を出力する（Ｓ２０３）。一方、Ｓ２０１で推定されたＲＳの値が１５ｍΩよりも大きい場合（Ｓ２０２）、次に推定用データベースＤ２を用いて測定抵抗ＲＳの推定を再度行う（Ｓ２０４）。そして、Ｓ２０４で推定されたＲＳの値が２５ｍΩ以下であれば（Ｓ２０５）、推定結果を出力する（Ｓ２０３）。一方、Ｓ２０４で推定されたＲＳの値が２５ｍΩよりも大きい場合（Ｓ２０５）、次に推定用データベースＤ３を用いて測定抵抗ＲＳの推定を再度行う。こうして、推定用データベースＤ１〜Ｄ１０を用いて測定抵抗ＲＳの推定を順に行い、当該推定用データベースに対応する測定範囲内の推定値が得られれば、その値を推定結果として出力する（Ｓ２０３）。一方、対応する測定範囲内の推定値が得られなければ、次の推定用データベースを用いて測定抵抗ＲＳを再度推定する。そして、推定用データベースＤ１０を用いて測定抵抗ＲＳの推定を行った場合に（Ｓ２２２）、推定されたＲＳの値が１０５ｍΩよりも大きければ（Ｓ２２３）、測定不能として処理を終了する（Ｓ２２４）。
【００５９】
以下、実施形態３に係る方法により、測定抵抗ＲＳを推定する実施例を説明する。実測する測定抵抗ＲＳとして５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５，３０，４０，８０，９０ｍΩ（全部で１５）を用意した。また、バイパス抵抗は１５０ｍΩに固定した。また、電流Ｉ０は１００ｍＡ及び５０ｍＡに変化させた。推定用データベースには、測定抵抗ＲＳの値毎に、電流Ｉ０と電流ＩＲＡの理論的な（計算上の）関係を保持させた。図１９〜図２１は、この条件で２回の推定を行った結果を示している。図１９は、１回目の推定結果を示しており、５〜９０ｍΩの範囲の真値と推定値との関係を示している。図２０は、１回目の推定結果を示しており、５〜１５ｍΩの範囲の真値と推定値との関係を示している。図２１は、２回目の推定結果を示しており、５〜１５ｍΩの範囲の真値と推定値との関係を示している。
【００６０】
各図においてグラフと縦軸との交点は測定抵抗ＲＳに付随する接触抵抗ＲＣ１の値を示しており、図２０の交点及び図２１の交点の差は、接触抵抗ＲＣ１のばらつきを示すものと評価できる。これらの図によれば、接触抵抗ＲＣ１は９ｍΩ〜９．５ｍΩと推定されるが、これは実施形態２の結果とよく一致している。
【００６１】
なお、データベースは実測値から作成してもよい。図２２〜図２３は、実測値から作成したデータベースを使用して測定抵抗ＲＳを推定した結果を示しており、これらの図によれば、いずれもグラフが縦軸の原点近傍と交わっており、測定抵抗ＲＳに付随する接触抵抗ＲＣ１の推定無しに、測定抵抗ＲＳの推定結果が得られることが分かる。
【００６２】
以上説明した実施形態によれば、測定抵抗ＲＳとバイパス抵抗ＲＡとからなる並列回路に電流を流し、バイパス抵抗ＲＡを流れる電流ＩＲＡの電流値を測定するので、測定抵抗ＲＳに大電流が流れにくいようにでき、低抵抗（微少抵抗）を測定しやすくできる。また、並列回路に掛かる電圧を変化させてバイパス電流ＲＡを流れる電流ＩＲＡの電流値を測定して、その評価をコンピュータ等の各種演算手段により行うことで、短時間に測定抵抗の抵抗値を得ることができる。
【００６３】
なお、実施形態２や実施形態３に係る方法を適用して、実施形態１と同様に電気的接続箇所の検査を行ってよいのはもちろんである。また、並列回路に掛かる電圧を変化させた際に計測する電流は、バイパス抵抗ＲＡを流れる電流ＩＲＡに限らず、測定抵抗ＲＳを流れる電流であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施形態１に係る抵抗値測定システムの構成図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る電流計測回路を示す図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る抵抗値の測定手順を示すフロー図である。
【図４】抵抗値評価の方法を説明する図である。
【図５】バイパス抵抗の抵抗値と、バイパス抵抗を流れる電流の電流値と、の関係を測定抵抗の値毎に示すグラフである。
【図６】抵抗値評価の他の方法を説明する図である。
【図７】抵抗値評価の他の方法を説明する図である。
【図８】抵抗値評価の他の方法を説明する図である。
【図９】電気的接続箇所の検査方法を説明する図である。
【図１０】測定抵抗にも接触抵抗が伴うことを考慮して推定を行う方法を説明する図である。
【図１１】接触抵抗の推定方法を説明する図である。
【図１２】接触抵抗の推定方法の実施例を示す図である。
【図１３】測定抵抗側の接触抵抗に関する補正を行わない場合の推定結果を示す図である。
【図１４】測定抵抗側の接触抵抗に関する補正を行った場合の推定結果を示す図である。
【図１５】広い範囲の測定抵抗に対して測定抵抗の推定を行った結果を示す図である。
【図１６】本発明の実施形態３に係る電流計測回路を示す図である。
【図１７】測定抵抗の値毎の電流Ｉ０と電流ＩＲＡとの関係を示す図である。
【図１８】本発明の実施形態３に係る抵抗値の推定方法を示すフロー図である。
【図１９】推定用データベースを計算式から生成した場合における、５ｍΩ〜９０ｍΩの範囲の測定抵抗の推定結果（１回目）を示す図である。
【図２０】推定用データベースを計算式から生成した場合における、５ｍΩ〜１５ｍΩの範囲の測定抵抗の推定結果（１回目）を示す図である。
【図２１】推定用データベースを計算式から生成した場合における、５ｍΩ〜１５ｍΩの範囲の測定抵抗の推定結果（２回目）を示す図である。
【図２２】推定用データベースを実測値から生成した場合における、５ｍΩ〜１５ｍΩの範囲の測定抵抗の推定結果（１回目）を示す図である。
【図２３】推定用データベースを実測値から生成した場合における、５ｍΩ〜１５ｍΩの測定抵抗の推定結果（２回目）を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０  抵抗値測定システム、１２  電流計測回路、１４  評価用コンピュータ、２０  金属線（導線）、２２  基板、２４  配線パターン、２８  孔、２６  半田。
【図１】
2007093575.tif 000013
【図２】
2007093575.tif 000014
【図３】
2007093575.tif 000015
【図４】
2007093575.tif 000016
【図５】
2007093575.tif 000017
【図６】
2007093575.tif 000018
【図７】
2007093575.tif 000019
【図８】
2007093575.tif 000020
【図９】
2007093575.tif 000021
【図１０】
2007093575.tif 000022
【図１１】
2007093575.tif 000023
【図１２】
2007093575.tif 000024
【図１３】
2007093575.tif 000025
【図１４】
2007093575.tif 000026
【図１５】
2007093575.tif 000027
【図１６】
2007093575.tif 000028
【図１７】
2007093575.tif 000029
【図１８】
2007093575.tif 000030
【図１９】
2007093575.tif 000031
【図２０】
2007093575.tif 000032
【図２１】
2007093575.tif 000033
【図２２】
2007093575.tif 000034
【図２３】
2007093575.tif 000035