(57)【要約】【課題】周波数温度特性を改善し得るだけでなく、製造工程の簡略化を果たすことができ、かつコストを低減することが可能な弾性表面波フィルタ装置の製造方法を提供する。【解決手段】圧電基板２上にＩＤＴ電極７ｂ及び第１の配線パターン１１を形成し、ＩＤＴ電極７ｂ及び第１の配線パターン１１を覆うように絶縁膜１０を形成し、ＩＤＴ電極７ｂが形成されている部分上及び第１の配線パターン１１の一部上に絶縁膜が残るように絶縁膜１０をエッチングし、さらに第１の配線パターン１１上に絶縁膜１０が残存している部分において、第１の配線パターン１１と接触しないように、第１の配線パターン１１と異なる電位に接続される第２の配線パターン１２を形成する各工程を備える弾性表面波装置の製造方法。【選択図】図４
2007142491.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上にＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを形成する工程と、
前記ＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを覆うように前記圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記ＩＤＴ電極が形成されている部分上及び前記第１の配線パターンの一部上に絶縁膜が残るように絶縁膜をエッチングする工程と、
前記第１の配線パターン上に絶縁膜が残存している部分において、前記第１の配線パターンと接触しないように、第１の配線パターンと異なる電位に接続される第２の配線パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】
前記圧電基板上に、第３，第４の配線パターンを形成する工程と、前記絶縁膜を部分的エッチングして第４の配線パターンが部分的に露出している開口を形成する工程と、
前記開口において前記第４の配線パターンが露出している部分に、電気的に接続されるように、かつ第３の配線パターンと前記絶縁膜を介して立体交差するように該絶縁膜上に至るように、第５の配線パターンを形成する工程とをさらに備える、請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜がＳｉＯ２膜である、請求項１または２に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜が周波数温度特性改善用の膜であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された少なくとも１つのＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている第１の配線パターンと、
前記ＩＤＴ電極を覆うように、かつ前記第１の配線パターンの少なくとも一部を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上において前記第１の配線パターンと立体交差するように設けられた第２の配線パターンとを備えることを特徴とする、弾性表面波装置。
【請求項６】
前記圧電基板上に形成された第３，第４の配線パターンをさらに備え、前記絶縁膜に開口が形成されており、開口内において第４の配線パターンが部分的に露出しており、露出している第４の配線パターン部分に電気的に接続されるように、かつ前記絶縁膜を介して下方に配置された第３の配線パターンと立体交差するように、該絶縁膜上に至っている第５の配線パターンをさらに備える、請求項５に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
前記絶縁膜がＳｉＯ２膜であり、請求項４または５に記載の弾性表面波装置。
【請求項８】
前記絶縁膜が周波数温度特性改善用の膜であることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板上にＩＤＴ電極及び温度特性改善用のＳｉＯ２膜が形成されている弾性表面波装置及びその製造方法に関し、より詳細には、圧電基板上における配線パターンの形成工程及び配線パターンの構造が改良された弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機では、送信側周波数帯と、受信側周波数帯とが近接している。他方、携帯電話のＲＦ段の帯域フィルタとして弾性表面波フィルタが広く用いられている。送信側周波数帯と受信側周波数帯とが近接しているため、このような用途に用いられる弾性表面波フィルタでは、周波数温度特性が良好であること、特に温度による周波数特性の変化が小さいことが強く求められる。
【０００３】
そこで、例えば、下記の特許文献１には、ＳｉＯ２からなる周波数温度特性改善膜を圧電基板上に形成した構造が開示されている。図７（ａ）に平面図で、及び図７（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である図７（ｂ）に示すように、弾性表面波フィルタ１０１では、圧電基板１０２上に、ＩＤＴ電極１０３及び反射器１０４，１０５が形成されている。そして、ＩＤＴ電極１０３、反射器１０４，１０５を覆うようにＳｉＯ２からなる膜１０６が形成されている。
【０００４】
実際には、ＩＤＴ電極１０３を外部と電気的に接続するために、ＳｉＯ２膜の一部に開口を設け、開口において露出している電極部分をボンディングワイヤーなどにより外部と電気的に接続する必要がある。
【０００５】
他方、近年、弾性表面波フィルタ装置においても、回路構成が複雑化してきている。すなわち、減衰量の拡大を図ったり、平衡−不平衡変換機能を実現したりするために、複数の弾性表面波フィルタを接続したり、弾性表面波フィルタに弾性表面波共振子を接続したりした構成などが広く用いられている。
【０００６】
例えば、特許文献２には、図８に示す回路構成を有する弾性表面波フィルタ装置が開示されている。図８に示すように、弾性表面波フィルタ装置１１１では、不平衡端子１１２に並列に第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１３，１１４が接続されている。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１３は、一端子対弾性表面波共振子１１５を介して平衡端子１１７に接続されている。他方、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１４は、一端子対弾性表面波共振子１１６を介して第２の平衡端子１１８に接続されている。
【０００７】
このような回路構成を実現する際に、特許文献２では、図９に模式的平面図で示す配線パターンが形成されている。すなわち、圧電基板１２１上に、上記不平衡端子１１２、第１，第２の平衡端子１１７，１１８、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１３，１１４及び一端子対弾性表面波共振子１１５，１１６が形成されており、これらが配線パターンにより接続されている。
【０００８】
ところで、配線パターンによる接続部分において、異なる電位に接続する配線パターン同士が交差する部分が存在する。例えば、図９において、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１３と一端子対弾性表面波共振子１１５とを電気的に接続している配線パターン１２２は、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１３の中央のＩＤＴをグラウンド電位に接続する配線パターン１２３と交差しているが、配線パターン１２２，１２３間の短絡を防止するために、感光樹脂からなる絶縁層１２４が形成されている。
【０００９】
同様に、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１４と一端子対弾性表面波共振子１１６とを接続している配線パターン１２５と、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの中央のＩＤＴをアース電位に接続している配線パターン１２６も、感光樹脂よりなる絶縁層１２７を介して立体交差されている。
【００１０】
図１０は、この立体交差部分を示す図９のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【００１１】
図９から明らかなように、弾性表面波フィルタ装置１１１では、上記のように、アース電位に接続される配線パターン１２３，１２６や、弾性表面波フィルタと弾性表面波共振子とを電気的に接続する配線パターン１２２，１２５、不平衡端子や第１，第２の平衡端子と他の電極部分とを接続する配線パターンなどが存在し、圧電基板１２１上における配線パターンの構成が複雑化している。そのため、上記のような立体交差部分がいくつかの位置に設けられることになる。
【特許文献１】特開２００４−２５４２９１号公報
【特許文献２】特開２００４−２８２７０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述のように、特許文献１に記載の弾性表面波フィルタでは、周波数温度特性を改善するために、圧電基板上においてＩＤＴ電極を覆うようにＳｉＯ２膜１０６が形成されていた。
【００１３】
これに対して、特許文献２に記載の弾性表面波フィルタ装置１１１では、圧電基板上の配線パターンが交差する部分、特に異なる電位に接続される配線パターンが交差する部分において、両者の短絡を防止するために絶縁層として、感光性樹脂からなる絶縁層１２４，１２７がフォトリソグラフィー法を用いて形成されていた。
【００１４】
従って、携帯電話機のＲＦ段等に用いられる弾性表面波フィルタ装置では、周波数温度特性を改善するためにＳｉＯ２膜を形成しなければならず、かつ配線パターンが複雑化してきた場合には、ＳｉＯ２膜とは別に、感光樹脂をパターニングすることにより、配線パターン間の短絡を防止するための絶縁層を形成しなければならなかった。そのため、弾性表面波装置の製造工程が煩雑となり、コストが高くつかざるを得なくなってきている。
【００１５】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、パターン間の短絡を防止するための絶縁層が形成されている弾性表面波装置を比較的簡単な工程で容易に得ることを可能とする製造方法、並びにそのような弾性表面波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明によれば、圧電基板上にＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを形成する工程と、前記ＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを覆うように前記圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記ＩＤＴ電極が形成されている部分上及び前記第１の配線パターンの一部上に絶縁膜が残るように絶縁膜をエッチングする工程と、前記第１の配線パターン上に絶縁膜が残存している部分において、前記第１の配線パターンと接触しないように、第１の配線パターンと異なる電位に接続される第２の配線パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明に係る製造方法の他の特定の局面では、前記圧電基板上に、第３，第４の配線パターンを形成する工程と、前記絶縁膜を部分的エッチングして第４の配線パターンが部分的に露出している開口を形成する工程と、前記開口において前記第４の配線パターンが露出している部分に、電気的に接続されるように、かつ第３の配線パターンと前記絶縁膜を介して立体交差するように該絶縁膜上に至る第５の配線パターンを形成する工程がさらに備えられている。
【００１８】
本発明の製造方法では、好ましくは、上記絶縁膜としてＳｉＯ２膜が用いられる。
【００１９】
本発明に係る製造方法の他の特定の局面では、前記絶縁膜が周波数温度特性改善用の膜である。
【００２０】
本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された少なくとも１つのＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている第１の配線パターンと、前記ＩＤＴ電極を覆うように、かつ前記第１の配線パターンの少なくとも一部を覆うように形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上において前記第１の配線パターンと立体交差するように設けられた第２の配線パターンとを備えることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、前記圧電基板上に形成された第３，第４の配線パターンをさらに備え、前記絶縁膜に開口が形成されており、開口内において第４の配線パターンが部分的に露出しており、露出している第４の配線パターン部分に電気的に接続されるように、かつ前記絶縁膜を介して下方に配置された第３の配線パターンと立体交差するように、該絶縁膜上に至っている第５の配線パターンがさらに備えられている。
【００２２】
本発明の弾性表面波装置では、好ましくは、上記絶縁膜としてＳｉＯ２膜が用いられる。
【００２３】
本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、前記絶縁膜が周波数温度特性改善用の膜である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを形成した後に、ＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを覆うように絶縁膜が形成され、絶縁膜が、ＩＤＴ電極が形成されている部分上及び第１の配線パターンの一部上に残るようにエッチングされる。そして、第１の配線パターン上に絶縁膜が残存している部分において、第１の配線パターンと接触しないように、第１の配線パターンと異なる電位に接続される第２の配線パターンが形成される。
【００２５】
従って、絶縁膜により周波数温度特性が改善され得るだけでなく、周波数温度特性を改善するための絶縁膜より、第１の配線パターンと第２の配線パターンとの接触が防止され、短絡等を確実に防止することができる。しかも、上記第１，第２の配線パターン間を絶縁するために、絶縁膜が形成され、絶縁膜としての絶縁膜を形成する同一工程において、上記第１，第２の配線パターン間の短絡を防止する絶縁層が形成されることになるため、感光樹脂などを用いた絶縁層を形成するための煩雑な工程を省略することができる。よって、製造工程の簡略化及び弾性表面波装置のコストの低減を図ることができる。
【００２６】
加えて、立体交差により配線パターンの構造を簡略することができるので、使用する圧電基板を小さくすることができ、従って、小型の弾性表面波装置を提供することが可能となる。
【００２７】
絶縁膜が部分エッチングにより形成された開口を有し、開口において第４の配線パターンが露出しており、第４の配線パターンが露出している部分に電気的に接続されるようにかつ絶縁膜上に至るように第５の配線パターンが形成されている場合には、第４の配線パターンを第５の配線パターンにより外部に引き出すことができる。また、第３の配線パターンと第５の配線パターンとの短絡を防止することができる。
【００２８】
上記絶縁膜は、種々の絶縁性材料から形成され得るが、ＳｉＯ２膜を好適に用いることができる。ＳｉＯ２膜を用いる場合、圧電基板が負の周波数温度係数を有する材料からなる場合、ＳｉＯ２膜は正の周波数温度係数を有するため、周波数温度特性を改善することができる。
【００２９】
絶縁膜が周波数温度特性改善用の膜である場合には、上記絶縁膜を用いて、弾性表面波装置の周波数温度特性を改善することができる。
【００３０】
本発明に係る弾性表面波装置では、圧電基板上にＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極に電気的に接続されている第１の配線パターンと、ＩＤＴ電極を覆うようにかつ第１の配線パターンの少なくとも一部を覆うように形成された絶縁膜と、絶縁膜上において第１の配線パターンと立体交差するように設けられた第２の配線パターンとを備える場合には、絶縁膜により周波数温度特性が改善され得るだけでなく、第１，第２の配線パターン間が絶縁膜により遮断されるため、第１，第２の配線パターン間の短絡を確実に防止することができる。そして、絶縁膜とは別に、第１，第２の配線パターン間の接触を防止する絶縁層を必要としないので、製造工程の簡略化及びコストの低減を果たすことができる。
【００３１】
絶縁膜に開口が形成されており、開口内において第４の配線パターンが部分的に露出しており、露出している第４の配線パターンに電気的に接続されるように、かつ絶縁膜上に至っている第５の配線パターンがさらに備えられている場合には、第５の配線パターンにより、ＩＤＴ電極に接続されている第１の配線パターンを外部に引き出すことができる。また、第３の配線パターンと第５の配線パターンとの短絡を防止することができる。
【００３２】
上記絶縁膜は、種々の絶縁性材料から形成され得るが、ＳｉＯ２膜を好適に用いることができる。ＳｉＯ２膜を用いる場合、圧電基板が負の周波数温度係数を有する材料からなる場合、ＳｉＯ２膜は正の周波数温度係数を有するため、周波数温度特性を改善することができる。
【００３３】
絶縁膜が周波数温度特性改善用の膜である場合には、上記絶縁膜を用いて、弾性表面波装置の周波数温度特性を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３５】
図１は本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。弾性表面波フィルタ装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２としては、本実施形態では、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶基板が用いられている。もっとも、圧電基板２は、圧電セラミックスにより構成されていてもよい。
【００３６】
しかしながら、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３は負の周波数温度特性を有するため、後述のＳｉＯ２膜は正の周波数温度特性を有し、ＳｉＯ２膜の形成により、周波数温度特性を改善し得るため、本実施形態では、好ましくは、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３が圧電基板２を構成する材料として用いられる。
【００３７】
圧電基板２上には、不平衡端子３を構成する電極パッドと、第１，第２の平衡端子４，５を構成する電極パッドとが形成されている。
【００３８】
不平衡端子３に並列に、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６，７が接続されている。
【００３９】
第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６は、一端子対弾性表面波共振子８を介して第１の平衡端子４に電気的に接続されている。他方、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ７は、一端子対弾性表面波共振子９を介して第２の平衡端子５に電気的に接続されている。
【００４０】
縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６と、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ７とは、位相が１８０°逆転されており、従って、弾性表面波フィルタ装置１は、平衡−不平衡変換機能を有する。
【００４１】
また、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１では、圧電基板２上の大部分の領域がＳｉＯ２膜１０で被覆されている。ＳｉＯ２膜１０は、エッチングにより形成された開口１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈを有する。
【００４２】
ＳｉＯ２膜１０は正の周波数温度特性を示す。従って、ＳｉＯ２膜１０を縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６，７のＩＤＴ電極６ａ〜６ｃ，７ａ〜７ｃ及び弾性表面波共振子８，９のＩＤＴ電極８ａ，９ａを覆うように形成することにより、周波数温度特性を改善することができる。また、ＳｉＯ２膜は温度特性改善用ではなく、周波数調整に用いる膜でもよい。
【００４３】
ところで、この種の弾性表面波フィルタ装置では、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６，７が複数のＩＤＴ電極６ａ〜６ｃ，７ａ〜７ｃを有し、他方、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６，７は、弾性表面波共振子８，９に電気的に接続されている。従って、図示のように、複雑な電気的接続のための複数の配線パターンが形成されている。また、異なる電位に接続される一方の配線パターンと他方の配線パターンとは電気的に絶縁されねばならない。本実施形態の特徴は、この電気的絶縁が、上記ＳｉＯ２膜１０、すなわち周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ２膜１０を用いて行われていることにある。これを、図１の矢印Ｃ及びＤで示す立体交差部分を代表して説明することにより明らかにする。
【００４４】
図２（ａ）は、矢印Ｃ，Ｄで示されている部分を取り出して示す部分拡大平面図であり、（ｂ）は、図２（ａ）の矢印Ｅ，Ｅ線に沿う断面図である。
【００４５】
縦結合共振子型弾性表面波フィルタ７の中央のＩＤＴ電極７ｂの一端に第１の配線パターンとしての配線パターン１１が電気的に接続されている。この配線パターン１１は、図１に示されている電極パッド１３に電気的に接続されている。電極パッド１３はグラウンド電位に接続される電極パターンである。
【００４６】
他方、図１に示すように、ＩＤＴ電極７ａ，７ｃの各一端が配線パターン１２により共通接続されて、一端子対弾性表面波共振子９に電気的に接続されている。この配線パターン１２が、第２の配線パターンに相当する。第２の配線パターン１２は、ＳｉＯ２膜１０上に形成されている。他方、第１の配線パターンとしての配線パターン１１は、図２（ｂ）から明らかなように、ＩＤＴ電極７ｂと同一高さ位置に、すなわちＳｉＯ２膜１０の下方に形成されている。従って、異なる電位に接続される第１，第２の配線パターン１１，１２が、周波数温度特性を改善する機能を発現するＳｉＯ２膜１０を間に介在されることにより、絶縁されている。
【００４７】
ＩＤＴ電極７ｂの他方側の端部においては、ＳｉＯ２膜１０に後述するエッチングにより開口１０ｂが形成されている。ＩＤＴ電極７ｂの端部に接続されている配線パターン１５、すなわち第４の配線パターンとしての配線パターン１５は、開口１０ｂに露出している。他方、開口１０ｂにおいては、上記第４の配線パターン１５が露出しているが、この配線パターン１５が露出されている部分に電気的に接続されるように、配線パターン１６が形成されている。配線パターン１６は、本発明における第５の配線パターンに相当し、開口１０ｂ内から、ＳｉＯ２膜１０上に至るように設けられている。また、ＳｉＯ２膜１０を介して、第５の配線パターンとしての配線パターン１６は、ＳｉＯ２膜１０の下方に配置されている第３の配線パターン１７と立体交差し、かつ絶縁されている。なお、配線パターン１６をはわせるＳｉＯ２膜部分の断面形状１８は、配線パターン１６の断線を防ぐために、テーパー形状とされていることが好ましい。第３の配線パターン１７は、ＩＤＴ電極７ａ，７ｃを共通接続し、グラウンド電位に電気的に接続するために設けられている。他方、第５の配線パターン１６は、不平衡端子３にＩＤＴ電極７ｂの一端を電気的に接続する。従って、第５の配線パターン１６と、第３の配線パターン１７とは、異なる電位に接続される配線パターンであり、両者の間は、ＳｉＯ２膜により電気的に絶縁されている。
【００４８】
また、上記のように、ＳｉＯ２膜１０を用いて、異なる電位に接続される配線パターン間が電気的に絶縁されているので、本実施形態では、電気的絶縁のための感光性樹脂層などを別途形成する必要がない。よって、製造工程の簡略化及びコストの低減を果たし得る。これを、具体的な製造方法の実施形態を説明することにより明らかにする。
【００４９】
この製造工程では、図２（ａ），（ｂ）に示した部分を代表して図３及び図４を参照しつつ説明することとする。
【００５０】
まず、図３（ａ）に示すように、圧電基板２上に１層目の電極として、ＩＤＴ電極７ｂ及び配線パターン１１，１５，１７を形成する。ＩＤＴ電極７ｂ及び配線パターン１１，１５，１７を含む電極を構成する電極材料は特に限定されず、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕまたはこれらの金属の合金などを用いることができる。また、電極は、単一の金属層により形成される必要は必ずしもなく、これらの金属からなる金属層に、さらに密着性等を高めるために、Ｔｉ層やＮｉＣｒ層などを積層した積層金属膜により各電極を形成してもよい。
【００５１】
さらに、後述する２層目以降の配線パターン等を構成する電極についても、上記第１層目の電極と同じ電極材料を用いて形成することができる。
【００５２】
図３（ａ）に示すＩＤＴ電極７ｂ及び配線パターン１１，１５，１７は、上記のような金属材料を全面に成膜した後、フォトリソグラフィー法などによりパターニングすることにより形成される。もっとも、電極形成方法は特に限定されるものではない。
【００５３】
次に、図３（ｂ）に示すように、圧電基板２上にＳｉＯ２膜１０を全面に成膜する。ＳｉＯ２膜の成膜は、蒸着またはスパッタリングなどの適宜の薄膜形成方法により行い得る。
【００５４】
次に、図３（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２膜１０上に、ポジ型のフォトレジスト層２１を全面に形成する。しかる後、上記開口１０ｂが形成される部分が開口部とされているマスクを用い、露光し、露光されたフォトレジスト層２１を現像する。これによって、図３（ｄ）に示すように、開口１０ｂを形成する。しかる後、ドライエッチングプロセスにより、開口１０ｂに露出しているＳｉＯ２膜部分を除去する。このようにして、図３（ｅ）に示すように、開口１０ｂ内に配線パターン１５の一部が露出されることになる。
【００５５】
次に、図４（ａ）に示すように、フォトレジスト層２１を除去する。しかる後、図４（ｂ）に示すように、ネガ型のフォトレジスト層２２を全面に形成する。そして、電極を形成したい部分が遮蔽部とされているフォトマスクを用いて露光し、露光されていないレジスト部分を除去する。このようにして、図４（ｃ）に示すように、電極を形成したい部分上において、フォトレジスト層２２が除去される。
【００５６】
しかる後、図４（ｄ）に示すように、２層目の電極を構成する電極材料を成膜する。この電極材料による成膜は、１層目の電極と同様に、蒸着またはスパッタリングなどの適宜の薄膜形成方法により行われ得る。そして、図４（ｅ）に示すように、ネガ型のフォトレジスト層２２を、その上面に形成されている電極材料とともにリフトオフする。その結果、上記弾性表面波装置１を得ることができる。
【００５７】
図３（ａ）〜（ｅ）及び図４（ａ）〜（ｅ）から明らかなように、本実施形態の製造方法では、フォトリソグラフィー法を用い、各種電極や配線パターンの形成以外の工程として、ＳｉＯ２膜を形成しパターニングするだけでよい。すなわち、配線パターン間の電気的絶縁を図るために、別途、感光性樹脂層を成膜し、パターニングするといった煩雑な工程を省略することができる。
【００５８】
図５（ａ）〜（ｆ）及び図６（ａ）〜（ｆ）は、上記実施形態と同様の構造を従来法に従って得る工程を説明するための各部分正面断面図である。ここでは、理解を容易とするために、図３及び図４に示した上記実施形態の製造方法における各部分を示す参照番号に相当する部分については、上記参照番号に２００を加えた参照番号で示すこととする。
【００５９】
まず、図５（ａ）に示すように、圧電基板２０２上に１層目の電極としてＩＤＴ電極２０７ｂ及び配線パターン２１１，２１５，２１７を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜２１０を形成し、図５（ｃ）に示すように、上面にフォトレジスト層２２１を形成する。ここまでは、上記実施形態と同様である。
【００６０】
次に、図５（ｄ）に示すように、フォトレジスト層２２１に露光し、現像することにより、フォトレジスト層２２１をパターニングする。すなわち、フォトレジスト層２２１Ａと、フォトレジスト層が設けられていない領域が形成されることになる。次に、図５（ｅ）に示すように、露出しているＳｉＯ２膜２１０を除去し、さらに、図５（ｆ）に示すように、フォトレジスト層２２１Ａを除去する。ここまでは、上記実施形態とほぼ同様である。
【００６１】
次に、図６（ａ）に示すように、感光性樹脂層２３１を全面に形成し、図６（ｂ）に示すように、感光性樹脂層２３１Ａを残す部分を除いて、感光性樹脂層２３１をフォトリソグラフィー法により除去する。この場合、図６（ａ）から（ｂ）に示す状態に至るまでに、感光及び現像処理をする必要がある。
【００６２】
しかる後、図６（ｃ）に示すように、またフォトレジスト層２２２を全面に形成した後、図６（ｄ）に示すようにパターニングし、さらに２層目の電極材料を図６（ｅ）に示すように全面に付与する。そして、リフトオフすることにより、図６（ｆ）に示すように、配線パターン２１２，２１６が形成され、従来例の弾性表面波装置が得られる。ここでは、ＳｉＯ２膜をパターニングするだけでなく、上記感光性樹脂層２３１を形成しパターニングする必要がある。従って、製造工程が煩雑にならざるを得ない。また、感光性樹脂層２３１を現像する際、そのための現像液を必要とする必要がある。この種の感光性樹脂は、通常現像に際し、アルカリ現像液を用いて現像する必要がある。従って、電極材料としてＣｕなどを用いた場合、電極の腐食が生じるおそれがある。
【００６３】
これに対して、上記実施形態では、上記のような感光性樹脂層の形成を必要としないため、電極をＣｕにより形成した場合であっても、すなわち腐食しやすい金属により電極を形成した場合であっても、電極の腐食が生じ難い。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の要部を示す部分拡大平面図及び（ａ）中のＥ−Ｅ線に沿う断面図。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の製造方法の各工程を示す部分正面断面図。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の製造方法の各工程を示す部分正面断面図。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、比較例としての従来法による弾性表面波フィルタ装置の製造方法を説明するための各正面断面図。
【図６】（ａ）〜（ｆ）は、比較例としての従来法による弾性表面波フィルタ装置の製造方法を説明するための各正面断面図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、従来の弾性表面波フィルタの一例を説明するための平面図及び（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図８】従来の弾性表面波フィルタ装置の回路構成を示す模式的回路図。
【図９】従来の弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図。
【図１０】図９に示したＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【符号の説明】
【００６５】
１…弾性表面波フィルタ装置
２…圧電基板
３…不平衡端子
４，５…第１，第２の平衡端子
６…第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
７…第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
７ａ〜７ｃ…ＩＤＴ電極
８，９…一端子対弾性表面波共振子
１０…ＳｉＯ２膜
１０ａ〜１０ｈ…開口
１１…配線パターン
１２…配線パターン
１５…配線パターン
１６…配線パターン
１７…配線パターン
２１…フォトレジスト層
２２…フォトレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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