(57)【要約】【課題】光感度が得られる逆バイアスの範囲を広げて、正確な外光の検出を可能にする。【解決手段】  表示部１４と、前記表示部の周囲の外光の照度を検出するものであって、多結晶シリコンによって受光層が構成される複数のダイオード２９，３０を有し、前記複数のダイオードを直列接続して受光素子が構成される光センサと、を具備したことを特徴とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶シリコンによって受光層が構成される複数のダイオードを有し、同一の光を受光する前記複数のダイオードは直列接続され、前記直列接続された複数のダイオードは同一のバイアスが与えられて受光素子を構成したことを特徴とする光センサ。
【請求項２】
前記ダイオードは、前記多結晶シリコンに不純物を導入して前記多結晶シリコンに設けられるＰ型領域、真性半導体又は低濃度不純物領域及びＮ型領域によって構成されることを特徴とする請求項１に記載の光センサ。
【請求項３】
表示部と、
前記表示部の周囲の外光の照度を検出するものであって、多結晶シリコンによって受光層が構成される複数のダイオードを有し、同一の光を受光する前記複数のダイオードを直列接続し、前記直列接続した複数のダイオードに同一のバイアスを与えて受光素子を構成する光センサと、
を具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記ダイオードは、前記多結晶シリコンに不純物を導入して前記多結晶シリコンに設けられるＰ型領域、真性半導体又は低濃度不純物領域及びＮ型領域によって構成されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記ダイオードは、前記真性半導体又は低濃度不純物領域と前記Ｎ型領域との間に、前記Ｎ型領域よりも低濃度のＮ-領域を有することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記光センサは、隣接するダイオードの前記Ｎ型領域と前記Ｐ型領域との境界上を跨いで設けられたコンタクトホールによって直列接続されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記光センサは、前記ダイオードに逆バイアスを印加して使用することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項８】
表示部と、
前記表示部の周囲の外光の照度を検出するものであって、多結晶シリコンによって受光層が構成される複数の第１のダイオードを有し、第１の光を受光する前記複数の第１のダイオードを直列接続し、前記直列接続した複数の第１のダイオードに第１のバイアスを与えて受光素子を構成する第１の光センサと、
多結晶シリコンによって受光層が構成される複数の第２のダイオードを有し、第２の光を受光する前記複数の第２のダイオードを直列接続し、前記直列接続した複数の第２のダイオードに第２のバイアスを与えて受光素子を構成する第２の光センサと、
前記第２の光センサへの光の入射を阻止する遮光手段と、
を具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記表示部は、第１及び第２の基板間に液晶が封入された液晶パネルによって構成されており、
前記光センサは、前記第１の基板上に形成された薄膜ダイオードによって構成されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１つに記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示輝度の制御を行う表示装置に好適な光センサ、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルは、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。各基板には電極を設け、画像信号を電極に供給する。各基板の電極相互間の液晶は、画像信号に応じて光学特性が変化する。即ち、各基板の電極相互間の液晶に画像信号に基づく電圧を印加することで、液晶分子の配列を変化させるのである。これにより、各画素における光の透過率が画像信号に応じて変化することになり、画像信号に応じた画像表示が行われる。
【０００３】
このような液晶パネルにおいて高輝度の表示を行うために、一般的には、液晶パネルの背面にはバックライトが設けられている。このようなバックライトとして、導光板を用いて、照明の均一性を向上させる装置も開発されている。バックライトによって液晶パネルの表示領域を照明することで、十分な輝度で表示領域上の表示を観察することができる。
【０００４】
ところで、液晶パネルの表示の見易さは、周囲の明るさに応じて変化する。例えば、周囲光が明るいほど、表示領域の照明を明るくした方が、表示は見やすい。逆に、周囲光が十分に暗い場合には、表示領域を必要以上に明るくする必要はない。
【０００５】
そこで、周囲の明るさに拘わらず見やすい表示を提供するために、周囲の光を検知してそのフィードバック情報によりバックライトの輝度を制御する技術も提案されている。
【特許文献１】特開２００５−１９６３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、周囲光（外光）を検出する光センサとして、ディスクリート部品を採用することが考えられる。しかしこの場合には、光センサをフレキシブルプリント基板上に実装する必要があり、工数及びコスト増を招来する。
【０００７】
そこで、液晶パネル等の表示パネルを構成する基板上に、光センサを形成することが考えられる。低温ポリシリコン技術によって製造する液晶パネル上に形成する受光素子として、ＰＩＮ型のダイオードが考えられる。このようなダイオードのオフ特性は、逆バイアス印加時において流れる電流が増加するという、所謂跳ね上がり特性を有する。この跳ね上がり特性によって、逆バイアス印加時の光感度が低下するという欠点がある。
【０００８】
これに対し、特開２００５−１９６３６号公報では、ダイオードにＬＤＤ構造を採用することで、オフ電流を抑制する技術が開示されている。
【０００９】
しかし、跳ね上がり特性は、ＬＤＤを構成するＮ-領域の精度によって変化する。ところが、Ｎ-領域は、マスク精度及び濃度のばらつきに起因して、十分な精度で構成することができない。このため、オフ電流の跳ね上がり特性、即ちオフ電流の変化の傾きがばらつくと共にオフ電流の最小値もばらついてしまう。このように、低温ポリシリコン技術では、跳ね上がり特性によって、十分な精度の光センサを得ることができないという問題があった。
【００１０】
本発明は、高精度に外光を検出することができる光センサ、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る光センサは、多結晶シリコンによって受光層が構成される複数のダイオードを有し、同一の光を受光する前記複数のダイオードは直列接続され、前記直列接続された複数のダイオードは同一のバイアスが与えられて受光素子を構成したことを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、多結晶シリコンによって受光層が構成されるダイオードは、光感度を有する逆バイアスの領域が比較的狭い。しかし、ダイオードを直列接続することにより、光感度を有する逆バイアスの範囲を拡大することができる。これにより、高い電圧をダイオードに印加しても光感度を得ることができ、高い電圧によってセンサ出力の振幅を大きくすることができる。特に、多結晶ポリシリコンを用いた電気光学装置においては、比較的高い電圧で駆動されることが多く、この場合においても、直列接続されたダイオードを高い電圧で駆動して、確実に光の照度検出が可能である。
【００１３】
また、前記ダイオードは、前記多結晶シリコンに不純物を導入して前記多結晶シリコンに設けられるＰ型領域、真性半導体又は低濃度不純物領域及びＮ型領域によって構成されることを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、ダイオードは、多結晶シリコンに設けられるＰ型領域、真性半導体又は低濃度不純物領域及びＮ型領域によって構成されており、十分な光感度を有する。
【００１５】
また、本発明に係る電気光学装置は、表示部と、前記表示部の周囲の外光の照度を検出するものであって、多結晶シリコンによって受光層が構成される複数のダイオードを有し、同一の光を受光する前記複数のダイオードを直列接続し、前記直列接続した複数のダイオードに同一のバイアスを与えて受光素子を構成する光センサと、を具備したことを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、直列接続されたダイオードは、多結晶シリコンによって受光層が構成されていても、光感度を有する逆バイアスの範囲が広い。表示部は、比較的高い電圧で駆動されることが多く、ダイオードにも比較的高い電圧が印加される。この場合でも、直列接続されたダイオードは、逆バイアスの広い電圧範囲で光感度を有しており、確実に光の照度検出が可能である。しかも、高い電圧をダイオードに印加することで、センサ出力の振幅を大きくすることができ、光の検出精度を向上させることができる。
【００１７】
また、前記ダイオードは、前記多結晶シリコンに不純物を導入して前記多結晶シリコンに設けられるＰ型領域、真性半導体又は低濃度不純物領域及びＮ型領域によって構成されることを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、ダイオードは、多結晶シリコンに設けられるＰ型領域、真性半導体又は低濃度不純物領域及びＮ型領域によって構成されており、十分な光感度を有する。
【００１９】
また、前記ダイオードは、前記真性半導体又は低濃度不純物領域と前記Ｎ型領域との間に、前記Ｎ型領域よりも低濃度のＮ-領域を有することを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、光感度を有する逆バイアスの範囲を一層広げることができ、光の検出精度を更に向上させることができる。
【００２１】
また、前記光センサは、隣接するダイオードの前記Ｎ型領域と前記Ｐ型領域との境界上を跨いで設けられたコンタクトホールによって直列接続されることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、隣接するダイオードはコンタクトホールによって接続されるので、配線を設ける必要がなく、装置を小型化することができる。
【００２３】
また、前記光センサは、前記ダイオードに逆バイアスを印加して使用することを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、光感度を有する逆バイアスの範囲において、光の検出動作が行われる。ダイオードは直列接続されており、光感度を有する逆バイアスの範囲は広い。これにより、比較的高い電圧をダイオードに印加しても光の検出が可能であり、十分な振幅のセンサ出力を出力することができる。
【００２５】
また、本発明に係る電気光学装置は、表示部と、前記表示部の周囲の外光の照度を検出するものであって、多結晶シリコンによって受光層が構成される複数の第１のダイオードを有し、第１の光を受光する前記複数の第１のダイオードを直列接続し、前記直列接続した複数の第１のダイオードに第１のバイアスを与えて受光素子を構成する第１の光センサと、多結晶シリコンによって受光層が構成される複数の第２のダイオードを有し、第２の光を受光する前記複数の第２のダイオードを直列接続し、前記直列接続した複数の第２のダイオードに第２のバイアスを与えて受光素子を構成する第２の光センサと、前記第２の光センサへの光の入射を阻止する遮光手段と、を具備したことを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、第１の光センサは外光の照度を検出する。また、第２の光センサは例えば暗電流を検出する。第１及び第２の光センサの出力を用いることで、暗電流成分を除去したセンサ出力を得ることができる。これにより、外光を高精度に検出することができる。
【００２７】
また、前記表示部は、第１及び第２の基板間に液晶が封入された液晶パネルによって構成されており、前記光センサは、前記第１の基板上に形成された薄膜ダイオードによって構成されることを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、光センサは、外光を高精度に検出することができる。これにより、例えば、外光の明るさに応じた、液晶パネルのバックライトの明るさ制御等が可能である。
【００２９】
また、本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を用いたことを特徴とする。
【００３０】
このような構成によれば、外光を正確に検出して、表示輝度を制御することができ、表示の視認性を向上させると共に、消費電力を削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の概要を示す平面図である。図２は図１の電気光学装置として液晶パネルを採用した場合において、液晶パネルをケースに収納した状態の断面構造の概略を説明するための説明図である。図３は図１の電気光学装置に採用される表示パネルの平面パターンを模式的に示す説明図である。また、図４は図３中の受光素子２９及び受光素子３０の具体的な構成例を示す等価回路図である。図５は横軸に電圧をとり縦軸に電流をとって、低温ポリシリコン技術を用いて構成したＰＩＮダイオードのオフ特性を示すグラフである。図６は図３のＡ−Ａ’線の模式的断面図である。
【００３２】
＜第１の実施の形態＞
図１において、電気光学装置１１は、２枚の基板を貼り合わせて構成された表示パネルによって構成されている。表示パネルとして液晶パネルを採用する場合には、図２に示すように、電気光学装置１１は表示パネル２１と照明装置２２とを備える。なお、電気光学装置として自発光型の表示パネルを採用することもでき、この場合には、照明装置は不要である。
【００３３】
図２に示すように、表示パネル２１は光を透過する素子基板２３及び対向基板２４相互間に、液晶２５を封入して構成される。対向配置された素子基板２３と対向基板２４とは、図示しないシール材によって貼り合わされている。表示パネル２１には、例えば水平方向に延在して設けられた図示しない複数の走査線と、垂直方向に延在して設けられた図示しない複数のデータ線とを有し、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して画素が構成される。
【００３４】
素子基板２３上には、画素を構成する図示しない画素電極（ＩＴＯ）が配置される。また、対向基板２４側にも図示しない対向電極（共通電極（ＩＴＯ））が設けられる。素子基板２３の画素電極上には、液晶２５に接して、ラビング処理が施された図示しない配向膜が設けられている。一方、対向基板２４側においても、液晶２５に接して、ラビング処理が施された図示しない配向膜が設けられている。各配向膜は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。また、対向基板２４にはデータ線及び走査線に沿って、図示しない遮光膜が形成されている。
【００３５】
なお、図２では図示を省略しているが、対向基板２４の観察面側及び素子基板２３の素子形成面の反対側の面には、夫々偏光板が設けられている。これらの偏光板は、素子基板２３及び対向基板２４に形成された配向膜のラビング方向に対応した偏光軸に設定される。
【００３６】
バックライトとして機能する照明装置２２は表示パネル２１の素子基板２３の下方から光を出射する。照明装置２２は、例えば、光源を構成する複数の発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）と導光板とによって構成される。ＬＥＤからの光は導光板内に導かれ、導光板の底面及び側面の反射層によって反射、散乱し、導光板の上面から出射される。こうして、照明装置２２の上方に配置された表示パネル２１にバックライト光が入射されるようになっている。
【００３７】
照明装置２２と表示パネル２１とは積層された状態で、ケース２６内に収納される。ケース２６は上面が開口しており、この開口部２７に表示パネル２１の表示画面１３が臨むように、表示パネル２１がケース２６内に固定されている。
【００３８】
表示パネル２１は、ケース２６の開口部２７によって規定された表示画面１３内の中央に、有効表示領域１４が設けられている。有効表示領域１４は、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して画素が構成される。
【００３９】
表示パネル２１においては、データ線には画像信号が供給され、走査線には走査信号が供給される。こうして、各画素は画像信号に基づいて駆動されて光の透過率が変化する。照明装置２２から表示パネル２１に入射した光は、表示パネル２１の有効表示領域１４において変調される。これにより、ケース２６の開口部２７側から有効表示領域１４を観察することで、画像を視認することができる。なお、対向基板２４には対向基板２４の周辺部を遮光するための遮光膜２８（図１の斜線部）が形成されている。有効表示領域１４は、この遮光膜２８によって形状、サイズが規定される。
【００４０】
表示画面１３内の有効表示領域１４の周辺には、非表示領域１５が設けられている。この非表示領域１５内に、照度を検出するための受光素子２９，３０を夫々配置する受光素子配置領域１６，１７が設けられている。また、受光素子配置領域１６，１７は、対向基板２４上の遮光膜２８が形成されていない開口領域１９内に設けられており、対向基板２４の上面（観察面）側からの光を基板内に透過させる領域である。
【００４１】
受光素子配置領域１６内には、受光素子２９が配置され、受光素子配置領域１７内には、受光素子３０が配置される。受光素子２９，３０には、対向基板２４の観察面側から外光が入射するようになっており、受光素子２９，３０は外光の照度検出が可能である。
【００４２】
図１の例では、表示パネル２１は、平面形状が略長方形である。表示パネル２１の一方の長辺に沿って、Ｙドライバ３１が配置されている。また、表示パネル２１の一方の短辺に沿って、Ｘドライバ３２が配置されている。
【００４３】
図３に示すように、Ｙドライバ３１からは有効表示領域１４に向かって、複数の走査線３３が延設され、Ｘドライバ３２からは有効表示領域１４に向かって、複数のデータ線３４が延設されている。走査線３３とデータ線３４の交差に対応して、スイッチング素子３５が設けられている。スイッチング素子３５は、Ｙドライバ３１から走査線３３に供給される走査信号によってオン，オフ制御される。オンとなったスイッチング素子３５は、Ｘドライバ３２からデータ線３４に供給される画像信号を画素電極３６に供給する。
【００４４】
なお、図３は表示パネル２１がＴＦＴ液晶パネルである例について示しているが、有効表示領域の画素がドライバによって駆動されるものであれば、他のアクティブマトリクス表示パネルやパッシブマトリクス表示パネルであっても同様に構成することができる。
【００４５】
近傍にＸドライバ３２が配置された表示パネル２１の一短辺には、端子部３７が設けられている。Ｙドライバ３１及びＸドライバ３２と端子部３７とは図示しない配線によって接続されている。
【００４６】
図３に示すように、受光素子配置領域１６には、複数の受光素子２９が有効表示領域１４の長辺に沿って配列されている。また、受光素子配置領域１７には、複数の受光素子３０が有効表示領域１４の長辺に沿って配列されている。図３に示すように、受光素子２９，３０は、ＰＩＮダイオード等の受光ダイオードによって構成されている。
【００４７】
受光素子２９，３０は、細長の受光素子配置領域１６，１７を利用することで、表示パネル２１の長手方向に、十分な数だけ配列される。配列する受光素子２９，３０の個数は、受光素子配置領域１６，１７の長手方向の長さと、各受光素子２９，３０の幅によって決まる。
【００４８】
本実施の形態においては、受光素子２９を構成する各ダイオードのカソードと受光素子３０を構成する各ダイオードのアノード同士は、配線４２を介して直列接続されている。受光素子２９を構成する各ダイオードのアノードは配線４１に共通接続され、受光素子３０を構成する各ダイオードのカソードは配線４４に共通接続されている。
【００４９】
図４はこのような受光素子２９，３０によって構成される光センサの等価回路図である。また、図５はある適当な大きさの受光ダイオードの特性を示している。
【００５０】
図５は破線によって光が入射した場合の特性を示し、実線によって光が入射しない場合の特性を示している。特性Ａ〜Ｃは、夫々、１個のダイオードによる特性、２個のダイオードを直列接続した場合の特性、及び３個のダイオードを直列接続した場合の特性を示している。
【００５１】
各特性Ａ〜Ｃは、逆バイアスにおける特性を示しており、順バイアス領域については図示を省略している。逆バイアスの印加電圧を増加させると、図５に示すように、いずれの特性Ａ〜Ｃにおいても、逆方向の電流がしだいに増加する跳ね上がり特性を有する。
【００５２】
そして、各特性Ａ〜Ｃはいずれも、比較的逆バイアス電圧が小さい領域では、破線にて示す光入射時の電流量が実線にて示す暗時の電流量よりも大きい。即ち、ダイオードはこの破線の領域において光感度を有する。
【００５３】
ところが、各特性Ａ〜Ｃにおける破線と実線との比較から明らかなように、逆バイアス電圧が比較的大きくなると、光入射時の電流量と暗時の電流量とは一致し、この領域においてダイオードは光感度を有していないことと等価となる。
【００５４】
従って、ダイオードを受光素子として用いるためには、破線と実線とに差がある逆バイアス電圧が比較的低い領域で使用する必要がある。ところが、低温ポリシリコン技術を用いた回路においては、それを構成するトランジスタの性能がウェハー上に作られたトランジスタの性能より低いために、比較的高い電圧、例えば５Ｖ以上の電圧を必要とする。ところが、図５に示すように、１個のダイオードを単独で用いた場合には、このような高い電圧では十分な光感度が得られない。
【００５５】
そこで、本実施の形態においては、ダイオードを２個以上直列に接続することで、跳ね上がり特性による電流増加が開始される電圧を十分に高い電圧にして、十分な光感度を得られる領域での使用を可能にしている。なお、図３ではダイオードを２個直列に接続した例を示している。
【００５６】
図４において、光センサは、受光素子２９及び受光素子３０を夫々構成するＰＩＮダイオード等のダイオードＤ１，Ｄ２及びコンデンサＣ１の並列回路による等価回路によって示すことができる。
【００５７】
電源４５からの電圧をスイッチ４６を介してコンデンサＣ１に印加する。コンデンサＣ１の両端に＋５Ｖを印加した後、スイッチ４６をオフにする。そうすると、逆バイアス状態のダイオードＤ１，Ｄ２は、光の入射によって発生した光発生電荷によって逆方向電流を流す。これにより、コンデンサＣ１の端子電圧が低下する。電圧の低下量がアンプ４７を介してセンサ出力として出力端子４８に出力される。
【００５８】
図５に示すように、ダイオードを２個直列に接続した場合には、−２Ｖ〜−５Ｖの電圧範囲において確実に光感度を有する。従って、図４の回路においては、確実な光検出出力を出力することができる。
【００５９】
なお、この場合において絶対値として比較的高い電圧範囲である２Ｖ〜５Ｖの変化が得られるので、検出回路としてのアンプ４７も低温ポリシリコン技術により作製が可能である。
【００６０】
また、図５の破線に示すように、逆バイアスに対して流れる電流量は、フラットな特性を有していることから、単位時間当たりにダイオードＤ１，Ｄ２に流れる電流量は一定である。この場合には、受光素子２９，３０からは、光強度と出力との関係がリニアに変化するセンサ出力が出力される。
【００６１】
このようにして受光素子２９，３０によって得られた外光の光強度は、例えば、照明装置２２の明るさ制御に用いることができる。即ち、受光素子２９，３０によって構成される光センサの出力を、照明装置２２の明るさを制御する図示しないコントローラに与えるのである。コントローラは、センサ出力に基づいて、照明装置２２の明るさを制御するための制御信号を発生して照明装置２２に出力する。
【００６２】
例えば、コントローラは、センサ出力によって、外光が比較的明るいことが示された場合には、外光の明るさに応じて照明装置２２の明るさを明るくすることも可能である。また、コントローラは、外光が所定の閾値よりも明るいことが示された場合には、照明装置２２を消灯させて、表示パネル２１を反射型として利用するようにしてもよい。照明装置２２は制御信号に基づく明るさで発光する。
【００６３】
図６は受光素子２９，３０の断面構造の一例を示している。図６は図３のＡ−Ａ’線における断面構造である。
【００６４】
図６において、石英基板又はガラス基板等の透明な基板２３上には、下地絶縁膜７１が形成されている。下地絶縁膜７１上には、有効表示領域１４を含む画素を形成する領域において、スイッチング素子であるＴＦＴを構成する半導体層７３が形成されている。半導体層７３は、多結晶半導体としてのポリシリコンにて構成されている。例えば、このポリシリコンは、非単結晶半導体である非晶質半導体としてのアモルファスシリコンのレーザアニールにより結晶化されて形成されている。なお、ポリシリコンは、高温ポリシリコンプロセスによって形成してもよい。
【００６５】
半導体層７３の両端には、不純物が導入されてソース領域７２及びドレイン領域７３が形成されている。半導体層７３上には酸化膜７５を介してゲート電極７６が形成されている。ゲート電極７６は、下層がモリブデン、上層がアルミニウムの２層構造であり、走査線３３に接続されている。酸化膜７５上には層間絶縁膜７７が形成されており、層間絶縁膜７７には、ソース領域７２及びドレイン領域７３上に夫々コンタクトホール７８ａ，７８ｂが形成されている。ソース領域７２はコンタクトホール７８ａを介してデータ線３４に接続されている。
【００６６】
データ線３４が形成される配線層上及び層間絶縁膜７７上には層間絶縁膜７９が形成される。層間絶縁膜７９にはコンタクトホール８０が形成されており、ドレイン領域７４は、コンタクトホール７８ｂ，８０を介して、層間絶縁膜７９上に形成された画素電極３６に接続されている。
【００６７】
なお、層間絶縁膜７９上には、各画素の開口領域の一部において、反射膜８１が形成されている。画素電極３６は層間絶縁膜７９及び反射膜８１上に形成されるようになっている。
【００６８】
一方、下地絶縁膜７１上には、受光素子配置領域１６，１７において、ＰＩＮ型の受光素子２９，３０が形成されている。受光素子２９，３０は、有効表示領域１４内のＴＦＴと同一の製造工程によって形成されている。
【００６９】
即ち、受光素子２９は、半導体層７３と同一層で形成された半導体層に、Ｐ型不純物を導入したＰ型領域５１、Ｎ型不純物を導入したＮ型領域５３、及び、真性半導体又は微量に不純物を導入したＩ型領域５２を有している。同様に、受光素子３０は、半導体層７３と同一層で形成された半導体層に、Ｐ型不純物を導入したＰ型領域５４、Ｎ型不純物を導入したＮ型領域５６、及び、真性半導体又は微量に不純物を導入したＩ型領域５５を有している。これらの領域５１〜５６上には、酸化膜７５が形成されている。
【００７０】
なお、図６の例では示してないが、受光素子２９，３０をＴＦＴと同一の製造工程で形成するので、受光素子２９上の酸化膜７５上に、ゲート電極７６と同一材料のゲート電極と同様の形状の膜を形成してもよい。この場合でも、入射光は半導体層に入射可能である。
【００７１】
層間絶縁膜７７には、Ｐ型領域５１、Ｎ型領域５３、Ｐ型領域５４及びＮ型領域５６上においてコンタクトホール７８ｃ〜７８ｆが開孔されている。層間絶縁膜７７上にはデータ線３４と同層で、配線４１，４２，４４が形成されており、各領域５１，５３，５４，５６は夫々コンタクトホール７８ｃ〜７８ｆを介して配線４１，４２，４４に接続される。配線４１，４２，４４は、例えば、チタン、アルミニウム、チタンが積層された３層構造を有する。
【００７２】
層間絶縁膜７７上の配線層及び層間絶縁膜７７上には、層間絶縁膜７９が形成されている。画素電極３６及び層間絶縁膜７９上には、液晶２５に接して、配向膜８４が形成されている。配向膜８４は所定の方向にラビング処理されている。
【００７３】
一方、対向基板２４には、有効表示領域１４を区画すると共に、開口領域１９（図１参照）を区画する遮光膜２８が形成されている。遮光膜２８上及び対向基板２４上には、配向膜８５が形成されている。配向膜８５は所定の方向にラビング処理されている。
【００７４】
このような構成によれば、対向基板２４の観察面側から入射した光は、開口領域１９を介して素子基板２３側に進行する。受光素子２９，３０は領域５１〜５３，５４〜５６に生じた空乏層を介して光発生電荷に応じた検出電流が流れる。この検出電流が、領域５１，５３，５４，５６に接続された配線４１，４２，４４を介して外部に出力される。こうして、外光の照度を検出することができる。
【００７５】
受光素子２９，３０は直列接続されており、図５の特性Ｂに示すように、比較的大きい電圧を用いた場合でも、十分な光感度を有する。受光素子２９，３０に高い電圧を印加することによって、センサ出力として十分に振幅が大きい出力を得ることができる。従って、高精度の外光検出が可能である。
【００７６】
これらの受光素子２９，３０の検出結果を用いることで、例えば、外光の明るさに応じて照明装置２２の明るさ制御が可能である。例えば、外光が明るいことが検出された場合には、外光の明るさに応じて照明装置２２の明るさを明るくする。これにより、表示の視認性を向上させることも可能であり、消費電力を削減することもできる。
【００７７】
このように本実施の形態においては、受光素子を構成するダイオードを直列に接続して使用する。これにより、光感度が得られる逆バイアスの範囲を広げることができ、十分に高い電圧の逆バイアスを用いることができる。これにより、低温ポリシリコン技術を用いて製作した表示パネルのように比較的高い駆動電圧を使用する装置においても、十分な光感度を有する電圧範囲での使用が可能とである。また、逆バイアスとして十分に高い電圧を印加するので、センサ出力として十分に振幅が大きい出力を得ることができる。
【００７８】
図７は本実施の形態の変形例を示す模式的断面図である。上記各図においては、２つのダイオードを直列接続した例について説明したが、直列接続するダイオードの数は特に限定されるものではない。図７は３つのダイオードを直列接続した例を示している。
【００７９】
下地絶縁膜９１上には、半導体層が形成される。この半導体層には、近接した３箇所の受光素子配置領域において、ＰＩＮ型の３つの受光素子を構成するＰ型領域９２、Ｎ型領域９４、及び、真性半導体又は微量に不純物を導入したＩ型領域９３を有している。これらの領域９２〜９４上には、酸化膜９５が形成されている。
【００８０】
酸化膜９５上には、ＴＦＴを構成するゲート電極と同様の膜９７を形成してもよい。酸化膜９５上には層間絶縁膜９６が形成される。
【００８１】
層間絶縁膜７７には、Ｐ型領域９２及びＮ型領域９４上においてコンタクトホール９８が開孔されている。隣接する受光素子のＰ型領域９２とＮ型領域９４とに接続されるコンタクトホール９８同士は、配線９９によって相互に接続される。これにより、直列接続された３つの受光素子が得られる。
【００８２】
このような３つ直列接続された受光素子は、図５の特性Ｃに示すように、光感度を有する逆バイアスの範囲を更に一層拡大することができる。
【００８３】
＜第２の実施の形態＞
図８乃至図１０は本発明の第２の実施の形態に係り、図８は第２の実施の形態の電気光学装置に採用される表示パネルの平面パターンを模式的に示す説明図である。また、図９は図８中の受光素子２９ａ，２９ｂ及び受光素子３０ａ，３０ｂの具体的な構成例を示す等価回路図である。図１０は図８のＡ−Ａ’線の模式的断面図である。
【００８４】
受光素子として、ポリシリコン型薄膜トランジスタ、好適な約６００℃以下のプロセス作製される低温ポリシコン型薄膜トランジスタのプロセスによって形成される薄膜ダイオードを採用した場合には、十分な精度が得られないことがある。そこで、本実施の形態においては、暗電流を検出することで、外光の照度検出精度を向上させたものである。なお、暗電流に代えて照度を高精度に制御可能な照明装置の照度を検出し、照明装置の照度を基準として外光を検出することで、外光の照度検出精度を向上させるようにしてもよい。
【００８５】
本実施の形態においては、非表示領域１５（図１参照）内の受光素子配置領域１６及び受光素子配置領域１７に、夫々直列接続された受光素子２９ａ，２９ｂ及び３０ａ，３０ｂを設ける。そして、図１の遮光膜２８に代えて受光素子配置領域１６まで遮光するようにした遮光膜２８’を採用する。即ち、受光素子配置領域１６は、対向基板２４上に遮光膜２８’が形成されており、この遮光膜２８’の形成領域において、外光が素子基板２３側に入射することが阻止されるようになっている。
【００８６】
なお、受光素子２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂは、素子基板２３上に、いわゆるポリシリコン型薄膜トランジスタ、好適な約６００℃以下のプロセス作製される低温ポリシコン型薄膜トランジスタのプロセスによって形成されている。受光素子２９ａ，２９ｂの上方には遮光膜２８’が形成されており、遮光膜２８’によって対向基板２４の観察面側からの外光が受光素子２９ａ，２９ｂに入射することが阻止される。また、バックライトの光が当たらない位置に設けられている。これにより、受光素子２９ａ，２９ｂは、暗電流を検出することができる。
【００８７】
なお、受光素子２９ａ，２９ｂに、素子基板２３を透過する照明装置２２からの光を入射させて、照明装置２２からの光の照度を検出させるようにすることも可能である。また、受光素子配置領域１７に設けられた受光素子３０ａ，３０ｂには、対向基板２４の観察面側からの外光が入射するようになっている。
【００８８】
本実施の形態においては、受光素子２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂは、相互に近接した位置においていわゆる低温ポリシリコン型薄膜トランジスタのプロセスにより形成されており、相互に略同一特性を有する。例えば、受光素子２９ａ，２９ｂは暗電流を検出することができ、受光素子２９ａ，２９ｂの出力を用いることで、受光素子３０ａ，３０ｂの出力を校正して、高精度の外光検出が可能である。
【００８９】
また、高精度に照度が制御された照明装置２２からの既知の照度を受光素子２９ａ，２９ｂで検出し、検出結果に基づいて受光素子３０ａ，３０ｂの出力から外光の照度を相対的に求めることで、外光の検出精度を向上させることも可能である。なお、照明装置２２は、例えばＬＥＤを含む構成であり、比較的高精度に照度を制御することができるようになっている。
【００９０】
図９はこのような受光素子２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂによって構成される光センサの等価回路図である。
【００９１】
光センサは、受光素子２９ａ，２９ｂを構成するＰＩＮダイオード等のダイオードＤ１１，Ｄ１２、受光素子３０ａ，３０ｂを構成するＰＩＮダイオード等のダイオードＤ１３，Ｄ１４及びコンデンサＣ１１の並列回路による等価回路によって示すことができる。
【００９２】
電源４５，４５'を介してダイオードＤ１１〜Ｄ１４に電圧を印加する。逆バイアス状態のダイオードＤ１３，Ｄ１４は、光の入射によって発生した光発生電荷によって逆方向電流を流す。また、逆バイアス状態のダイオードＤ１１，Ｄ１２は、光の入射が阻止されて、暗電流に基づく逆方向電流を流す。ダイオードＤ１３と１４に光の入射がある場合には、ダイオードＤ１３、Ｄ１４に流れる電流と、ダイオードＤ１１、Ｄ１２に流れる電流とに差が生じ、その差分の電流がコンデンサＣ１１に供給されて、コンデンサＣ１１の両端の電圧を変化させる。この回路によれば温度による電流上昇分やノイズ電流分をキャンセルして、外光に応じて上昇した分だけの電流を得ることができる。
【００９３】
コンデンサＣ１１の両端の電圧をスイッチ４６をオンにして０にする。次に、スイッチ４６をオフにすると、ダイオードＤ１２，Ｄ１３同士の接続点に流れる電流によって、コンデンサＣ１１の両端の電圧が上昇する。一定時間経過後のコンデンサＣ１１の両端の電圧は、外光に応じた電圧値となる。この電圧をアンプ４７を介して出力端子４８からセンサ出力として出力する。
【００９４】
図９の回路においては、遮光されるダイオードＤ１１，Ｄ１２及び外光が照射されるダイオードＤ１３，Ｄ１４には、比較的高い電圧（図９の例では１０Ｖ）が印加される。高い電圧を印加することで、上述したように、入射光に対するセンサ出力の変化を大きくすることができ、高感度の装置を得ることができる。この場合でも、遮光されるダイオードＤ１１，Ｄ１２と外光が照射されるダイオードＤ１３，Ｄ１４とを夫々２直列に接続することにより、光感度が得られる逆バイアスの範囲を拡大することができる。これより、バイアス点の変化に拘わらず光感度が得られる領域で使用されることになり、外光を高精度に検出することが可能である。
【００９５】
図１０は受光素子２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂの断面構造の一例を示している。図１０は図８のＡ−Ａ’線における断面構造である。図１０において図６と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００９６】
図１０においては、受光素子２９，３０に代えて、受光素子２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂを採用すると共に、受光素子２９ａ，２９ｂを遮光するための遮光膜２８’，８２，５８を採用した点が図６と異なる。
【００９７】
即ち、下地絶縁膜７１上には、受光素子配置領域１６において、ＰＩＮ型の受光素子２９ａ，２９ｂが形成され、受光素子配置領域１７において、ＰＩＮ型の受光素子３０ａ，３０ｂが形成されている。受光素子２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂは、有効表示領域１４内のＴＦＴと同一の製造工程によって形成されている。
【００９８】
即ち、受光素子２９ａ，３０ａは、半導体層７３と同一層で形成された半導体層に、Ｐ型不純物を導入したＰ型領域５１、Ｎ型不純物を導入したＮ型領域５３、及び、真性半導体又は微量に不純物を導入したＩ型領域５２を有している。同様に、受光素子２９ｂ，３０ｂは、半導体層７３と同一層で形成された半導体層に、Ｐ型不純物を導入したＰ型領域５４、Ｎ型不純物を導入したＮ型領域５６、及び、真性半導体又は微量に不純物を導入したＩ型領域５５を有している。
【００９９】
これらの領域５１〜５６上には、酸化膜７５が形成されている。本実施の形態においては、受光素子２９ａ，２９ｂ上の酸化膜７５上には、遮光膜５８が形成されている。遮光膜５８はＴＦＴのゲート電極７６と同一工程で形成されており、下層がモリブデン、上層がアルミニウムの２層構造である。
【０１００】
層間絶縁膜７７には、Ｐ型領域５１、Ｎ型領域５３、Ｐ型領域５４及びＮ型領域５６上においてコンタクトホール７８ｃ〜７８ｆが開孔されている。層間絶縁膜７７上にはデータ線３４と同層で、配線４１，４２ａ，９５，９６，４２ｂ，４４が形成されている。受光素子２９ａ，２９ｂを構成する各領域５１，５３，５４，５６は夫々コンタクトホール７８ｃ〜７８ｆを介して配線４１，４２ａ，４２ａ，９５に接続される。また、受光素子３０ａ，３０ｂを構成する各領域５１，５３，５４，５６は夫々コンタクトホール７８ｃ〜７８ｆを介して配線９６，４２ｂ，４２ｂ，４４に接続される。配線４１，４２ａ，９５，９６，４２ｂ，４４は、例えば、チタン、アルミニウム、チタンが積層された３層構造を有する。なお、配線９５，９６は一体的に形成されており、電気的に接続された例を示している。
【０１０１】
層間絶縁膜７７上の配線層及び層間絶縁膜７７上には、層間絶縁膜７９が形成されている。本実施の形態においては、層間絶縁膜７９上には、受光素子２９ａ，２９ｂの形成領域に対応して遮光膜８２が形成されている。遮光膜８２は、有効表示領域１４に形成された反射層８１と同一工程で形成されており、例えば、アルミニウム材料が用いられている。
【０１０２】
一方、対向基板２４には、有効表示領域１４を区画すると共に、開口領域１９（図１参照）を区画する遮光膜２８’（図８参照）が形成されている。遮光膜２８’上及び対向基板２４上には、配向膜８５が形成されている。配向膜８５は所定の方向にラビング処理されている。
【０１０３】
このような構成によれば、対向基板２４の観察面側から入射した光は、開口領域１９を介して素子基板２３側に進行する。受光素子３０ａ，３０ｂは領域５１〜５６に生じた空乏層を介して光発生電荷に応じた検出電流が流れる。
【０１０４】
一方、受光素子２９ａ，２９ｂは、遮光膜２８'，８２，５８によって外光の入射が阻止されており、暗電流の検出が可能である。
【０１０５】
上述したように、受光素子２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂの検出結果を用いることで、例えば、外光の明るさに応じて照明装置２２の明るさ制御が可能である。例えば、外光が明るいことが検出された場合には、外光の明るさに応じて照明装置２２の明るさを明るくする。これにより、表示の視認性を向上させることも可能である。
【０１０６】
なお、本実施の形態においては、遮光膜２８’，８２，５８を設けたが、これらの遮光膜のうちの少なくとも１層の遮光膜を有していれば、外光の入射は阻止可能である。本実施の形態では、３層の遮光膜を設けたことから、外光の直接光だけでなく、パネル内部での反射光が受光素子２９ａ，２９ｂに入射することも防止することができ、遮光性能に優れている。
【０１０７】
このように本実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。更に、本実施の形態においては、外光の入射が阻止される受光素子を採用しており、外光の検出精度を一層向上させることができる。
【０１０８】
＜第３の実施の形態＞
図１１は本発明の第３の実施の形態を示す模式的断面図である。本実施の形態は受光素子の構成が異なるのみであり、受光素子を直列接続して使用する点は上記各実施の形態と同様である。
【０１０９】
図１１は直列接続される２つの受光素子を示している。
【０１１０】
下地絶縁膜９１上には、半導体層が形成される。この半導体層には、近接した２箇所の受光素子配置領域において、ＰＩＮ型の２つの受光素子を構成するＰ型領域９２、Ｎ型領域９４、及び、真性半導体又は微量に不純物を導入したＩ型領域９３を有している。更に、Ｉ型領域９３とＮ型領域９４との間には、Ｎ-領域１０１が設けられている。Ｎ-領域１０１は、Ｎ型領域９４に比して低い濃度のＮ型領域であり、跳ね上がり特性を低減させる効果を有する。これらの領域９２〜９４，１０１上には、酸化膜９５が形成されている。
【０１１１】
酸化膜９５上には、ＴＦＴを構成するゲート電極と同様の膜９７を形成してもよい。酸化膜９５上には層間絶縁膜９６が形成される。層間絶縁膜７７には、Ｐ型領域９２及びＮ型領域９４上においてコンタクトホール９８が開孔されている。隣接する受光素子のＰ型領域９２とＮ型領域９４とに接続されるコンタクトホール９８同士は、配線９９によって相互に接続される。これにより、直列接続された２つの受光素子が得られる。
【０１１２】
このような構成によれば、直列接続による効果及びＮ-領域を設けた効果によって、光感度を有する逆バイアスの範囲を更に一層拡大することができる。
【０１１３】
＜第４の実施の形態＞
図１２は本発明の第４の実施の形態を示す平面図である。図１２は図６に対応したものであり、図１２において図６と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１１４】
本実施の形態は受光素子２９，３０同士の一部を共通化した受光素子１２１，１２２を採用した点が第１の実施の形態と異なるのみである。
【０１１５】
図１２に示すように、受光素子１２１，１２２は、１つの半導体層内に不純物を注入することで形成されている。１つの半導体層中に、Ｐ型領域５１、Ｉ型領域５２、Ｎ型領域１１１、Ｐ型領域１１２、Ｉ型領域５５、Ｎ型領域５６が形成されている。図１２に示すように、Ｐ型領域５１、Ｉ型領域５２、Ｎ型領域１１１によって受光素子１２１が構成され、Ｐ型領域１１２、Ｉ型領域５５、Ｎ型領域５６によって受光素子１２２が構成される。
【０１１６】
受光素子１２１を構成する各ダイオードのアノードは、配線４１に共通接続されており、カソードはコンタクトホール７８ｇを介して配線１０５に共通接続されている。また、受光素子１２２を構成する各ダイオードのアノードは、コンタクトホール７８ｇを介して配線１０５に共通接続されており、カソードは配線４４に共通接続されている。
【０１１７】
受光素子１２１，１２２は入射光の照度に基づく出力を出力する。配線４１，４４間からは全受光素子１２１，１２２の出力の和を取り出すことができる。受光素子１２１，１２２と各配線４１，１０５，４４との接続は、コンタクトホール７８ｃ，７８ｇ，７８ｆを介して行われる。
【０１１８】
他の構成、作用及び効果は第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、コンタクトホール７８ｇによって２つのダイオードが直列接続されており、装置を小型化することができる。
【０１１９】
＜第５の実施の形態＞
図１３は本発明の第５の実施の形態に係る電気光学装置としてＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルを採用した場合の断面構造を示す断面図である。
【０１２０】
基板１７１上には低温ポリシリコン層１７３が形成される。基板１７１と基板１７２とは、有機ＥＬ層１７４を介在させて対向配置される。有機ＥＬ層１７４は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素を構成する。基板１７２には遮光膜１７５が形成されている。
【０１２１】
本実施の形態においては、有機ＥＬ層１７４のＲ，Ｇ，Ｂ画素のいずれかに、又は夫々に１つずつに対向して、基板１７３上に受光素子配置領域１７６が設けられている。受光素子配置領域１７６には例えば２直列接続された受光素子が形成されている。受光素子配置領域１７６に対向する基板１７２には、遮光膜１７７が形成されている。これにより、受光素子配置領域１７６内の受光素子は、外光の入射が阻止され、暗電流の検出、又は、有機ＥＬ層１７４の各画素の発光強度を検出することができるようになっている。
【０１２２】
また、基板１７１の端部には、受光素子配置領域１７８が設けられている。受光素子配置領域１７８には例えば２直列接続された受光素子が形成されている。受光素子配置領域１７８内の各受光素子は外光を検出することができるようになっている。
【０１２３】
これらの受光素子配置領域１７６，１７８内の各受光素子は、上述したように、夫々２直列接続されて構成されており、光感度が得られる逆バイアス電圧の範囲が十分に広い。これにより、各受光素子は、十分に高い印加電圧によって駆動される場合でも、確実に外光の検出が可能である。
【０１２４】
このように本実施の形態は、有機ＥＬ層を有する自発光素子に適用可能である。
【０１２５】
本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記各実施の形態においては、２端子のダイオードの例について説明したが、３端子の薄膜トランジスタのゲートとドレインとを短絡して得られるダイオード構造に適用してもよい。
【０１２６】
また、上述の電気光学装置を用いた電子機器も本発明に含まれる。図１４は電子機器の例を示す斜視図であり、携帯電話の外観を示している。図１４に示すように、電子機器として携帯電話２００の表示部２０１に、上述した電気光学装置、例えば液晶表示装置が用いられる。
【０１２７】
他にも、電子機器としては、例えば、光源と該光源から出射された光を変調するライトバルブと、該ライトバルブにより変調された光を投射するための光学系を備えた、投射型表示装置である。さらに、電子機器としては、他にも、テレビジョンや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない。
【０１２８】
また、本発明の電気光学装置は、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルだけでなく、アクティブマトリクス型の液晶パネル（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル）にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）（別名ＤＭＤ：Digital Micromirror Device）等の各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の概要を示す平面図。
【図２】図１の電気光学装置として液晶パネルを採用した場合において、液晶パネルをケースに収納した状態の断面構造の概略を説明するための説明図。
【図３】図１の電気光学装置に採用される表示パネルの平面パターンを模式的に示す説明図。
【図４】図３中の受光素子２９及び受光素子３０の具体的な構成例を示す等価回路図。
【図５】横軸に電圧をとり縦軸に電流をとって、低温ポリシリコン技術を用いて構成したＰＩＮダイオードのオフ特性を示すグラフ。
【図６】図３のＡ−Ａ’線の模式的断面図。
【図７】第１の実施の形態の変形例を示す模式的断面図。
【図８】第２の実施の形態の電気光学装置に採用される表示パネルの平面パターンを模式的に示す説明図。
【図９】図８中の受光素子２９ａ，２９ｂ及び受光素子３０ａ，３０ｂの具体的な構成例を示す等価回路図。
【図１０】図８のＡ−Ａ’線の模式的断面図。
【図１１】本発明の第３の実施の形態を示す模式的断面図。
【図１２】本発明の第４の実施の形態を示す平面図。
【図１３】本発明の第５の実施の形態に係る電気光学装置としてＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルを採用した場合の断面構造を示す断面図。
【図１４】電子機器の例を示す斜視図。
【符号の説明】
【０１３０】
１１…電気光学装置、１６，１７…受光素子配置領域、２９，３０…受光素子。  
【図１】
2007095878.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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