(57)【要約】【課題】非破壊でコイルのワニス含浸状態を判定することができるワニス含浸状態判定方法及び装置、並びに電機子の製造方法を提供する。【解決手段】ワニス含浸前のコイルにインパルス信号を印加したときの応答波形である含浸前インパルス波形Ｐｂと、ワニス含浸後のコイルにインパルス信号を印加したときの応答波形である含浸後インパルス波形Ｐａとを比較し、含浸前インパルス波形Ｐｂに対する含浸後インパルス波形Ｐａの位相遅れ量Ｄｎ（ｎは自然数）に基づいてコイルのワニス含浸状態を判定する。【選択図】図５
2007274870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定方法であって、
ワニス含浸前の前記コイルにインパルス信号を印加したときの応答波形である含浸前インパルス波形と、ワニス含浸後の前記コイルに前記インパルス信号を印加したときの応答波形である含浸後インパルス波形とを比較し、前記含浸前インパルス波形に対する前記含浸後インパルス波形の位相遅れ量に基づいて前記コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定方法。
【請求項２】
コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定方法であって、
ワニス含浸前の前記コイルにインパルス信号を印加したときの応答波形である含浸前インパルス波形を取得する含浸前インパルス波形取得工程と、
ワニス含浸後の前記コイルに前記インパルス信号を印加したときの応答波形である含浸後インパルス波形を取得する含浸後インパルス波形取得工程と、
前記含浸前インパルス波形と前記含浸後インパルス波形とを比較し、前記含浸前インパルス波形に対する前記含浸後インパルス波形の位相遅れ量を取得する位相遅れ量取得工程と、
前記位相遅れ量に基づいて前記コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定工程と、
を備えるワニス含浸状態判定方法。
【請求項３】
前記コイルのワニス含浸状態は、前記コイルのワニス含浸率と前記位相遅れ量との関係を規定した関係テーブルを用いて、前記コイルのワニス含浸率として判定する請求項１又は２に記載のワニス含浸状態判定方法。
【請求項４】
前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形のゼロクロス時間に対する前記含浸後インパルス波形のゼロクロス時間の遅れ量である請求項１から３のいずれか一項に記載のワニス含浸状態判定方法。
【請求項５】
前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形と前記含浸後インパルス波形との波形差面積に応じた量である請求項１から３のいずれか一項に記載のワニス含浸状態判定方法。
【請求項６】
コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定装置であって、
前記コイルにインパルス信号を印加したときの応答波形を取得する応答波形取得手段と、
ワニス含浸前の前記コイルに前記インパルス信号を印加したときの応答波形である含浸前インパルス波形と、ワニス含浸後の前記コイルに前記インパルス信号を印加したときの応答波形である含浸後インパルス波形とを比較し、前記含浸前インパルス波形に対する前記含浸後インパルス波形の位相遅れ量を取得する位相遅れ量取得手段と、
前記位相遅れ量に基づいて、前記コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定手段と、
を備えるワニス含浸状態判定装置。
【請求項７】
ワニス含浸状態判定手段は、前記コイルのワニス含浸率と前記位相遅れ量との関係を規定した関係テーブルを備え、この関係テーブルに基づいて前記コイルのワニス含浸率を判定する請求項６に記載のワニス含浸状態判定装置。
【請求項８】
前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形のゼロクロス時間に対する前記含浸後インパルス波形のゼロクロス時間の遅れ量である請求項６又は７に記載のワニス含浸状態判定装置。
【請求項９】
前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形と前記含浸後インパルス波形との波形差面積に応じた量である請求項６又は７に記載のワニス含浸状態判定装置。
【請求項１０】
回転電機の電機子の製造方法であって、
電機子鉄心にコイルを組み付ける巻線工程と、
この巻線工程後ワニス含浸前の前記コイルにインパルス信号を印加したときの応答波形である含浸前インパルス波形を取得する含浸前インパルス波形取得工程と、
前記コイルにワニスを含浸させるワニス含浸工程と、
ワニス含浸後の前記コイルに前記インパルス信号を印加したときの応答波形である含浸後インパルス波形を取得する含浸後インパルス波形取得工程と、
前記含浸前インパルス波形と前記含浸後インパルス波形とを比較し、前記含浸前インパルス波形に対する前記含浸後インパルス波形の位相遅れ量を取得する位相遅れ量取得工程と、
前記位相遅れ量に基づいて、前記コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定工程と、
前記ワニス含浸状態を所定の閾値と比較して良否を判定する良否判定工程と、
を備える電機子の製造方法。
【請求項１１】
前記コイルのワニス含浸状態は、前記コイルのワニス含浸率と前記位相遅れ量との関係を規定した関係テーブルを用いて、前記コイルのワニス含浸率として判定する請求項１０に記載の電機子の製造方法。
【請求項１２】
前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形のゼロクロス時間に対する前記含浸後インパルス波形のゼロクロス時間の遅れ量である請求項１０又は１１に記載の電機子の製造方法。
【請求項１３】
前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形と前記含浸後インパルス波形との波形差面積に応じた量である請求項１０又は１１に記載の電機子の製造方法。
【請求項１４】
前記含浸前インパルス波形を、所定の基準インパルス波形と比較して前記コイルの絶縁状態を判定する絶縁状態判定工程を更に備える請求項１０から１３のいずれか一項に記載の電機子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定方法及びワニス含浸状態判定装置、並びにワニス含浸状態判定方法を用いた電機子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電動機又は発電機として機能する回転電機の電機子では、コイルの絶縁性、耐振性、放熱性等を向上させるため、電機子鉄心に組み付けられたコイルにワニスを含浸させる処理を行っている。このようなワニス含浸処理としては、電機子全体をワニス液中に沈めてから引き上げる方法や、ノズル等を用いて電機子鉄心の軸方向端部付近からスロット内のコイルにワニスを滴下する方法がある（例えば、特許文献１参照）。これらのワニス含浸方法では、ワニスは、電機子鉄心の軸方向端部付近から毛細管現象によりコイルを構成する導線間の隙間を伝わってスロット内の軸方向中央部まで浸透する。
【０００３】
一方、電機子のコイルの品質を検査する技術に関して、コイルにインパルス電圧を印加したときの電圧波形を取得し、その電圧波形を用いてコイルの絶縁不良を検出する技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。すなわち、被検査コイルにインパルス電圧を印加したときの電圧波形と、予め求めておいた正常なコイルにインパルス電圧を印加したときの電圧波形とを対比することにより、コイルの絶縁不良の有無を検出する。ここで、電圧波形の対比は、電圧波形の面積差や振動波形の周期等に基づいて行う。このようなコイルの絶縁不良を検出する検査は、コイル自体の絶縁状態を知るためにワニスの含浸前にのみ行われていた。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−３１１０８号公報（第２頁、第１−３図）
【特許文献２】特開２００１−２１５２５３号公報（第２−３頁、第１−４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、コイルにワニスを含浸させる際には、ワニスの滴下パターンや滴下量等を管理して含浸状態を良好に保つ工夫がなされているが、季節変動等によってコイルの温度やワニスの液温等が変化すると含浸状態が変化する可能性がある。しかし、これまでは、上記のようにコイルの絶縁不良を検出する技術は知られていたが、非破壊でコイルのワニス含浸状態を判定する技術は存在しなかった。すなわち、これまでは、コイルのワニス含浸状態を知るためには、ワニス含浸後の電機子を切断して断面を観察する方法しかなかった。そのため、回転電機の製造ライン等におけるワニス含浸状態の検査は、全数検査とすることができず、一定数毎に製造ラインから抜き取った電機子を検査する抜き取り検査が行われていた。したがって、製造される全ての電機子のワニス含浸状態を保証することができないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、非破壊でコイルのワニス含浸状態を判定することができるワニス含浸状態判定方法及び装置、並びに電機子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための本発明に係る、コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定方法の特徴構成は、ワニス含浸前の前記コイルにインパルス信号を印加したときの応答波形である含浸前インパルス波形と、ワニス含浸後の前記コイルに前記インパルス信号を印加したときの応答波形である含浸後インパルス波形とを比較し、前記含浸前インパルス波形に対する前記含浸後インパルス波形の位相遅れ量に基づいて前記コイルのワニス含浸状態を判定する点にある。
【０００８】
この特徴構成によれば、非破壊でコイルのワニス含浸状態を判定することができる。すなわち、コイルにインパルス信号を印加すると、コイルに電磁振動が発生し、減衰振動する応答波形が観測できる。この電磁振動は、コイルに生じる磁束による磁気エネルギーとコイルの浮遊容量に蓄えられる電荷による電気エネルギーとの間でエネルギーが交互に変換されることにより発生する。
ところで、本願の発明者は、ワニス含浸の前後でコイルにインパルス信号を印加したときの応答波形を比較すると、ワニス含浸後のコイルの応答波形には位相の遅れが生じ、その位相遅れ量は、ワニス含浸状態に応じて変化することを発見した。これは、コイルにワニスを含浸させることにより、コイルを含む回路の静電容量が増加し、更にその増加量がコイルの含浸状態に応じて変化することによるものであると考えられる。
したがって、本特徴構成により含浸前インパルス波形に対する含浸後インパルス波形の位相遅れ量に基づいて、非破壊でコイルのワニス含浸状態を判定することができる。
【０００９】
より詳細には、本発明に係る、コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定方法の特徴構成は、ワニス含浸前の前記コイルにインパルス信号を印加したときの応答波形である含浸前インパルス波形を取得する含浸前インパルス波形取得工程と、ワニス含浸後の前記コイルに前記インパルス信号を印加したときの応答波形である含浸後インパルス波形を取得する含浸後インパルス波形取得工程と、前記含浸前インパルス波形と前記含浸後インパルス波形とを比較し、前記含浸前インパルス波形に対する前記含浸後インパルス波形の位相遅れ量を取得する位相遅れ量取得工程と、前記位相遅れ量に基づいて前記コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定工程と、を備える点にある。
【００１０】
ここで、前記コイルのワニス含浸状態は、前記コイルのワニス含浸率と前記位相遅れ量との関係を規定した関係テーブルを用いて、前記コイルのワニス含浸率として判定することができる。
この場合、前記関係テーブルは、被検査コイルと同じ構造のコイルについてワニス含浸率を様々に変更して前記位相遅れ量を予め測定しておくことにより規定することができる。
【００１１】
また、前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形のゼロクロス時間に対する前記含浸後インパルス波形のゼロクロス時間の遅れ量である構成とすると好適である。
このように構成すれば、簡易な方法で含浸前インパルス波形に対する含浸後インパルス波形の位相遅れ量を導出することができる。
【００１２】
また、前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形と前記含浸後インパルス波形との波形差面積に応じた量である構成としても好適である。
このように構成すれば、ノイズ等による波形の凹凸の影響を押えつつ、含浸前インパルス波形に対する含浸後インパルス波形の位相遅れ量を導出することができる。
【００１３】
本発明に係る、コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定装置の特徴構成は、前記コイルにインパルス信号を印加したときの応答波形を取得する応答波形取得手段と、ワニス含浸前の前記コイルに前記インパルス信号を印加したときの応答波形である含浸前インパルス波形と、ワニス含浸後の前記コイルに前記インパルス信号を印加したときの応答波形である含浸後インパルス波形とを比較し、前記含浸前インパルス波形に対する前記含浸後インパルス波形の位相遅れ量を取得する位相遅れ量取得手段と、前記位相遅れ量に基づいて、前記コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定手段と、を備える点にある。
【００１４】
この特徴構成によれば、上記のとおり、含浸前インパルス波形に対する含浸後インパルス波形の位相遅れ量に基づいて、非破壊でコイルのワニス含浸状態を判定することが可能な装置を実現できる。
【００１５】
ここで、ワニス含浸状態判定手段は、前記コイルのワニス含浸率と前記位相遅れ量との関係を規定した関係テーブルを備え、この関係テーブルに基づいて前記コイルのワニス含浸率を判定することができる。
この場合、前記関係テーブルは、被検査コイルと同じ構造のコイルについてワニス含浸率を様々に変更して前記位相遅れ量を予め測定しておくことにより規定することができる。
【００１６】
また、前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形のゼロクロス時間に対する前記含浸後インパルス波形のゼロクロス時間の遅れ量である構成とすると好適である。
このように構成すれば、位相遅れ量取得手段において、簡易な方法で含浸前インパルス波形に対する含浸後インパルス波形の位相遅れ量を導出することができる。
【００１７】
また、前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形と前記含浸後インパルス波形との波形差面積に応じた量である構成としても好適である。
このように構成すれば、位相遅れ量取得手段において、ノイズ等による波形の凹凸の影響を押えつつ、含浸前インパルス波形に対する含浸後インパルス波形の位相遅れ量を導出することができる。
【００１８】
本発明に係る回転電機の電機子の製造方法の特徴構成は、電機子鉄心にコイルを組み付ける巻線工程と、この巻線工程後ワニス含浸前の前記コイルにインパルス信号を印加したときの応答波形である含浸前インパルス波形を取得する含浸前インパルス波形取得工程と、前記コイルにワニスを含浸させるワニス含浸工程と、ワニス含浸後の前記コイルに前記インパルス信号を印加したときの応答波形である含浸後インパルス波形を取得する含浸後インパルス波形取得工程と、前記含浸前インパルス波形と前記含浸後インパルス波形とを比較し、前記含浸前インパルス波形に対する前記含浸後インパルス波形の位相遅れ量を取得する位相遅れ量取得工程と、前記位相遅れ量に基づいて、前記コイルのワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定工程と、前記ワニス含浸状態を所定の閾値と比較して良否を判定する良否判定工程と、を備える点にある。
【００１９】
この特徴構成によれば、上記のとおり、非破壊でコイルのワニス含浸状態の良否を判定することができるので、電機子の全数検査を行うことが可能となり、ワニス含浸状態に関する電機子の品質を安定的に保証することができる。
【００２０】
ここで、ワニス含浸状態判定手段は、前記コイルのワニス含浸率と前記位相遅れ量との関係を規定した関係テーブルを備え、この関係テーブルに基づいて前記コイルのワニス含浸率を判定することができる。
この場合、前記関係テーブルは、被検査コイルと同じ構造のコイルについてワニス含浸率を様々に変更して前記位相遅れ量を予め測定しておくことにより規定することができる。
【００２１】
また、前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形のゼロクロス時間に対する前記含浸後インパルス波形のゼロクロス時間の遅れ量である構成とすると好適である。
このように構成すれば、位相遅れ量取得手段において、簡易な方法で含浸前インパルス波形に対する含浸後インパルス波形の位相遅れ量を導出することができる。
【００２２】
また、前記位相遅れ量は、前記含浸前インパルス波形と前記含浸後インパルス波形との波形差面積に応じた量である構成としても好適である。
このように構成すれば、位相遅れ量取得手段において、ノイズ等による波形の凹凸の影響を押えつつ、含浸前インパルス波形に対する含浸後インパルス波形の位相遅れ量を導出することができる。
【００２３】
また、前記含浸前インパルス波形を、所定の基準インパルス波形と比較して前記コイルの絶縁状態を判定する絶縁状態判定工程を更に備える構成としても好適である。
【００２４】
このように構成すれば、共通する構成の検査装置を用いて、コイルの絶縁状態の判定も行うことができる。したがって、検査装置に関するコストを抑えつつ、コイルの絶縁状態に関する電機子の品質をも保証することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
〔第一の実施形態〕
本発明の第一の実施形態について図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態に係るワニス含浸状態判定装置１のシステム構成を示すブロック図である。図２は、コイル３とインパルス試験機６との間の電気的接続を示す図である。また、図３は、図１に示される電機子２のスロット２１内におけるコイル３及びワニス４の配置状態を示す断面図である。これらの図に示すように、本実施形態では、電動機又は発電機として機能する回転電機のステータとなる電機子２における、Ｕ相、Ｖ相及びＷ相の３相の電機子巻線を構成するコイル３を対象とする。そして、ワニス含浸状態判定装置１は、ワニス４の含浸前と含浸後のコイル３に対してとしてインパルス電圧（インパルス信号の一例）を印加し、その電圧波形（応答波形の一例）を取得することにより、電機子２のスロット２１内に配置されたコイル３に対するワニス４の含浸状態の判定を行う。
【００２６】
１．ワニス含浸状態判定装置１
まず、本実施形態に係るワニス含浸状態判定装置１のシステム構成について説明する。図１に示すように、このワニス含浸状態判定装置１は、切替器５、インパルス試験機６、演算処理装置７、制御部８、入力操作部１１、及び出力部１２を備えている。
【００２７】
本例では、判定対象の電機子２は、Ｕ相、Ｖ相及びＷ相の３相交流の入出力を行う回転電機に用いられるものである。そのため、電機子２は、図２に示すように、Ｕ相コイル３Ｕ、Ｖ相コイル３Ｖ、及びＷ相コイル３Ｗの３相分のコイル３を有している。ここでは、３相のコイル３はＹ結線で接続されている。したがって、図１に示すように、電機子２は、Ｕ相、Ｖ相及びＷ相の各コイル３の始端につながる３個の端子を備えている。そして、このワニス含浸状態判定装置１は、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間、及びＷ−Ｕ間のいずれかにインパルス電圧を印加して、その電圧波形を取得する。
【００２８】
電機子２の電機子鉄心２２は、複数枚の電磁鋼板を積層して構成されており、図１に示すように、略円筒形状に形成されている。また、電機子鉄心２２の内周面には、図３に示すように、その軸方向に延びるスロット２１が所定の周方向間隔で複数設けられている。各スロット２１は同じ断面形状であって、所定の幅及び深さを有している。そして、スロット２１内には、コイル３を構成する複数本の導線３１が配置される。これらスロット２１内の導線３１の束は、その周囲を絶縁シート９により囲まれている。これにより、導線３１が直接的にスロット２１の内壁面に接することが防止されている。ここで、絶縁シート９は、スロット２１内の底面（図３における下側の面）及び両側面を覆う断面コの字状のスロット紙９ａと、スロット２１の開口部を塞ぐように配置されるウェッジ紙９ｂとにより構成されている。そして、ワニス４は、絶縁シート９内における導線３１同士の隙間に流し込まれてコイル３に含浸する。この際、ワニス４が流れ込まない箇所があると、空隙Ｓが形成される。この空隙Ｓが大きいほど、後述するようにワニス含浸率は低下する。なお、本例では、スロット２１の内壁面と絶縁シート９の外周面との隙間にもワニス４が流し込まれている。
【００２９】
図１及び図２に示すように、切替器５は、制御部８からの制御命令に従って動作するスイッチ等を備えて構成され、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間、及びＷ−Ｕ間のいずれか一つを選択するための回路の切り替えを行う。図２は、この切替器５によりＵ−Ｖ間が選択された状態を示している。この図に示すように、Ｕ−Ｖ間が選択された場合には、インパルス試験機６により、直列接続されたＵ相コイル３Ｕ及びＶ相コイル３Ｖにインパルス電圧が印加されたときの電圧波形が取得される。同様に、Ｖ−Ｗ間が選択された場合には、直列接続されたＶ相コイル３Ｖ及びＷ相コイル３Ｗの電圧波形が取得され、Ｗ−Ｕ間が選択された場合には、直列接続されたＷ相コイル３Ｗ及びＵ相コイル３Ｕの電圧波形が取得される。
【００３０】
インパルス試験機６は、インパルス信号印加部６１及び応答波形取得部６３を備えている。インパルス信号印加部６１は、コイル３にインパルス電圧を印加した後、コイル３の両端を開放する動作を行う。本例では、インパルス信号印加部６１は、図２に示すように、高電圧を充電可能なコンデンサＣ及びトリガースイッチとして機能するサイリスタＳＣＲを有して構成される。そして、制御部８からの制御信号によりサイリスタＳＣＲがオンされると、コンデンサＣに充電された高電圧のインパルス電圧がコイル３に印加される。その後、サイリスタＳＣＲを流れる電流が一定値以下になるとサイリスタＳＣＲがオフされる。これにより、コイル３側では、コイル３に生じる磁束による磁気エネルギーとコイル３の浮遊容量に蓄えられる電荷による電気エネルギーとの間でのエネルギー交換による電磁振動が生じる。応答波形取得部６３は、このように生じた電磁振動の電圧波形であるインパルス波形を取得する。
【００３１】
そして、インパルス試験機６は、判定対象の電機子２のＵ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間、及びＷ−Ｕ間のそれぞれについて、コイル３のワニス含浸の前後のインパルス波形を取得する。ここでは、ワニス含浸前のコイル３にインパルス電圧を印加したときの電圧波形を含浸前インパルス波形Ｐｂとし、ワニス含浸後のコイル３にインパルス電圧を印加したときの電圧波形を含浸後インパルス波形Ｐａとする。図４及び図５に、このインパルス試験機６の応答波形取得部６３により取得されたインパルス波形の一例を示す。これらの図においては、縦軸を電圧（単位：Ｖ）、横軸を時間（単位：μｓ）として電圧値の時間による変化の波形（電圧波形）を表している。図４は、判定対象の電機子２のＵ−Ｖ間の含浸前インパルス波形Ｐｂを示している。また、図５は、この含浸前インパルス波形Ｐｂ（実線で表示）と、同じＵ−Ｖ間の含浸後インパルス波形Ｐａ（破線で表示）とを重ねて示している。また、図示は省略するが、インパルス試験機６は、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間についても同様にして含浸前インパルス波形Ｐｂ及び含浸後インパルス波形Ｐａを取得する。このようにして応答波形取得部６３により取得されたＵ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間、及びＷ−Ｕ間のそれぞれについての含浸前インパルス波形Ｐｂ及び含浸後インパルス波形Ｐａの情報は、演算処理装置７へ送られる。したがって、本実施形態においては、応答波形取得部６３が本発明における「電圧波形取得手段」として機能する。
【００３２】
演算処理装置７は、絶縁状態判定部７１、位相遅れ量取得部７２、ワニス含浸状態判定部７３、及び良否判定部７４を備えている。これらの各機能部は、ＣＰＵ等の演算処理装置を中核部材として、入力されたデータに対して種々の処理を行うためのハードウェア又はソフトウェア（プログラム）或いはその両方により実装されて構成される。本例では、演算処理装置７は、インパルス試験機６と通信可能に接続された図示しないコンピュータにより構成され、上記各機能部は、当該コンピュータにより実行可能に実装されたソフトウェアにより構成されている。なお、本例では、制御部８及び出力部１２も当該コンピュータにより実行可能に実装されたソフトウェアにより構成されている。また、入力操作部１１は当該コンピュータのキーボード及びマウス等により構成され、表示部１３は、当該コンピュータのモニタにより構成される。
【００３３】
絶縁状態判定部７１は、ワニス４（図３参照）の含浸前のコイル３にインパルス電圧を印加したときの電圧波形である含浸前インパルス波形Ｐｂを、所定の基準インパルス波形と比較してコイル３の絶縁状態を判定する処理を行う。ここで、基準インパルス波形は、絶縁が正常に確保されているコイルにインパルス電圧を印加したときの電圧波形であって、予め実験的に求めておいたものを用いることができる。含浸前インパルス波形と基準インパルス波形との対比は、電圧波形の面積差や振動波形の周期等に基づいて行う。このような絶縁状態の判定方法は既に公知であるので、ここでは詳細な説明は省略する。
【００３４】
位相遅れ量取得部７２は、応答波形取得部６３により取得された含浸前インパルス波形Ｐｂと含浸後インパルス波形Ｐａとを比較し、含浸前インパルス波形Ｐｂに対する含浸後インパルス波形Ｐａの位相遅れ量を取得する処理を行う。本実施形態においては、位相遅れ量として、含浸前インパルス波形Ｐｂのゼロクロス時間に対する含浸後インパルス波形Ｐａのゼロクロス時間の遅れ量を取得する。なお、ゼロクロス時間とは、インパルス波形の電圧値がゼロになる時間である。このゼロクロス時間は、一つのインパルス波形の中に複数存在する。そこで、本例では図４及び図５に示すように、複数のゼロクロス時間を時間経過の順にそれぞれ、含浸前インパルス波形Ｐｂについては含浸前ｎ次ゼロクロス時間Ｔｂｎ（ｎは自然数）、含浸後インパルス波形Ｐａについては含浸後ｎ次ゼロクロス時間Ｔａｎ（ｎは自然数）とする。また、含浸前ｎ次ゼロクロス時間Ｔｂｎに対する含浸後ｎ次ゼロクロス時間Ｔａｎの遅れ量を、ｎ次ゼロクロス位相差Ｄｎ（ｎは自然数）とする。
【００３５】
すなわち、位相遅れ量取得部７２は、前記位相遅れ量としてｎ次ゼロクロス位相差Ｄｎの情報を取得する。本例では、具体的には、位相遅れ量取得部７２は、応答波形取得部６３で取得されたインパルス波形の情報に基づいて、図５に示すように、含浸前インパルス波形Ｐｂと含浸後インパルス波形Ｐａとを比較し、２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５の情報を取得する。この際、１次ゼロクロス位相差Ｄ１についてはワニス含浸状態の判定に適さないため取得しない。これは、含浸前１次ゼロクロス時間Ｔｂ１と含浸後１次ゼロクロス時間Ｔａ１との差が小さく、更にノイズの影響による波形の凹凸が大きいため、１次ゼロクロス位相差Ｄ１の絶対値に占める誤差の割合が大きいことによるものである。なお、ここでは５次ゼロクロス位相差Ｄ５までの情報を取得することとしているが、６次以降のゼロクロス位相差（図示せず）の情報を取得する構成としてもよい。また、ここでは図５に基づいてＵ−Ｖ間の２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５の情報を取得しているが、位相遅れ量取得部７２は、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間についても同様にして２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５の情報を取得する。以上より、本実施形態においては、位相遅れ量取得部７２が本発明における「位相遅れ量取得手段」として機能する。
【００３６】
ワニス含浸状態判定部７３は、ｎ次ゼロクロス位相差Ｄｎ、具体的には２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５の情報に基づいて、コイル３のワニス含浸状態を判定する処理を行う。本例では、ワニス含浸状態判定部７３は、ワニス含浸状態を代表する値としてワニス含浸率を判定する。そのため、このワニス含浸状態判定部７３は、コイル３のワニス含浸率とｎ次ゼロクロス位相差Ｄｎとの関係を規定した関係テーブル７３ａを備えている。
【００３７】
ここで、ワニス含浸率は、一つのスロット２１のみについて見れば、図３に示すように、絶縁シート９の内周側における複数本の導線３１の断面を除く空間断面積の中に占めるワニス４の断面積で表される。そして、電機子２の全体としてのワニス含浸率は、電機子２の軸方向中央部（図１の電機子２の上下方向中央部）の断面に現れる、全てのスロット２１についての断面積の合計値を用いて導出する。具体的には、ワニス含浸率は、下記の式（１）により求められる。
ワニス含浸率＝ワニス４領域の断面積／（絶縁シート９内周側の断面積−導線３１の合計断面積）・・・（１）
ここで電機子２の軸方向中央部の断面を用いるのは、電機子２の軸方向両端部付近からスロット２１内にワニスを滴下する場合に、この部分のワニス含浸率が電機子２の中で最も低くなる傾向があることから、ワニス含浸率の最低値を保証できるようにするためである。すなわち、電機子２の軸方向中央部の断面について求めたワニス含浸率が、例えば８０〔％〕であった場合、電機子２の軸方向の両側部はそれより高いワニス含浸率を示すはずであるから、電機子２の全体としてのワニス含浸率が８０％以上であることを保証できる。
【００３８】
図６は、この関係テーブル７３ａを構成するテーブルの一例であって、Ｕ−Ｖ間の２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５のそれぞれについて、ワニス含浸率とゼロクロス位相差の値との関係を規定したテーブルを示す図である。この図においては、縦軸をゼロクロス位相差の値（時間値、単位：μｓ）、横軸をワニス含浸率（単位：％）としている。また、ゼロクロス位相差は、時間の遅れ量であることからここでは負の値としており、図における下側へ向かうほどゼロクロス位相差の値は大きくなっている。なお、図示は省略するが、ワニス含浸状態判定部７３は、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間についても図６と同様のテーブルを関係テーブル７３ａとして備えている。この関係テーブル７３ａを構成するＵ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間の各テーブルは、予め実験的に求めたワニス含浸率とゼロクロス位相差の値との関係により規定される。具体的には、図６に示すテーブルを規定するに際しては、実際に単一の構造の電機子２について、ワニス含浸率が６５〔％〕から８５〔％〕までの間で５〔％〕ずつ異なる電機子２のサンプルを作り、ワニス含浸前の電機子２とともに、Ｕ−Ｖ間にインパルス電圧を印加したときのインパルス波形を実際に測定した。そして、それぞれのワニス含浸率の電機子２についての含浸後インパルス波形Ｐａを、含浸前インパルス波形Ｐｂと比較して２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５の値を求めてプロットし、図６に示すように、２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５のワニス含浸率による変化を示す２次〜５次関係線Ｌ２〜Ｌ５を規定している。
【００３９】
図６の２次〜５次関係線Ｌ２〜Ｌ５に示されるように、２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５のいずれについても、ワニス含浸率が高いほど、ゼロクロス位相差の値が大きくなる傾向を示している。したがって、ワニス含浸状態判定部７３は、関係テーブル７３ａに従って、２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５のそれぞれに対応するワニス含浸率を求めることができる。具体的には、例えば、Ｕ−Ｖ間の５次ゼロクロス位相差の値が−０.２０〔μｓ〕であった場合、図６の５次関係線Ｌ５に従い、ワニス含浸率は８０〔％〕と求められる。同様にして、Ｕ−Ｖ間の２次〜４次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ４についてもワニス含浸率を求める。そして、ワニス含浸状態判定部７３は、例えば、これらの２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５のそれぞれの値について求められたワニス含浸率の平均値、又は求められたワニス含浸率の最低値をＵ−Ｖ間のワニス含浸率として判定する。また、ワニス含浸状態判定部７３は、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間についても同様に、ワニス含浸率を判定する。そして、このワニス含浸状態判定部７３による判定結果は、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のワニス含浸率の情報として出力部１２へ送られる。
【００４０】
なお、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれのワニス含浸率に基づいて、電機子２の全体としてのワニス含浸率を求め、その情報を出力部１２へ送る構成とすることも好適な実施形態の一つである。この場合、例えば、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれのワニス含浸率の平均値、又はそれらのワニス含浸率の最低値を電機子２の全体のワニス含浸率として判定する。また、必ずしも２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５のそれぞれについてのワニス含浸率を全て用いる必要はなく、２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５のいずれか一つ又は二つ以上についてのワニス含浸率に基づいてＵ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のワニス含浸率を判定することも好適な実施形態の一つである。以上より、本実施形態においては、ワニス含浸状態判定部７３が本発明における「ワニス含浸状態判定手段」として機能する。
【００４１】
良否判定部７４は、ワニス含浸状態を代表するワニス含浸率を、所定の閾値と比較して電機子２のワニス含浸状態の良否を判定する処理を行う。具体的には、良否判定部７４は、判定対象の電機子２のＵ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間の全てのワニス含浸率が所定の閾値以上である場合には、その電機子２を良品と判定する。一方、良否判定部７４は、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のいずれかのワニス含浸率が所定の閾値未満である場合には、その電機子２を不良品と判定する。ここで、所定の閾値としては、コイル３の絶縁性、耐振性、放熱性等の性能を満たすために最低限必要なワニス含浸率の値に基づいて設定する。具体的には、例えば、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間の全てのワニス含浸率が８０〔％〕以上で、コイル３の絶縁性、耐振性、放熱性等の性能が確実に保証される場合には、所定の閾値は８０〔％〕に設定すると好適である。この良否判定部７４による判定結果は、出力部１２へ送られる。
【００４２】
出力部１２は、ワニス含浸状態判定部７３による判定結果及び良否判定部７４による判定結果を、表示装置１３、音声出力装置１４及び信号灯１５等を用いて、電機子２の製造ラインの作業者に報知するための出力の処理を行う。本例では、この出力部１２は、演算処理装置７を構成するコンピュータにより実行可能に実装されたソフトウェアにより構成されている。ところで、実際の製造ラインでは、良否判定部７４により、電機子２が不良品であると判定された場合に作業者への報知を行うこととすると好適である。このような良否判定部７４による判定結果の報知は、例えば、表示装置１３を用いる場合には、検査した電機子２が不良品である旨のメッセージや図形等を表示させる。また、音声出力装置１４を用いる場合には、検査した電機子２が不良品である旨のメッセージや警報音を出力させる。また、信号灯１５を用いる場合には、検査した電機子２が不良品であることを示す信号灯を点灯又は点滅させる。出力部１２は、これらのいずれか一つ以上を用いて、良否判定部７４による判定結果の報知を行う。また、この際、表示装置１３を用いて、ワニス含浸状態判定部７３による判定結果の報知も行うと好適である。この報知は、例えば、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれのワニス含浸率の中の上記所定の閾値以下の部分のワニス含浸率のみを表示することとしてもよい。また、検査した電機子２が不良品であるか否かに関わらずＵ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれのワニス含浸率を常に表示することも好適な実施形態の一つである。
【００４３】
入力操作部１１は、検査の開始、動作条件の設定、判定条件の設定等、ワニス含浸状態判定装置１の動作や設定等を、作業者が入力できるようにするための装置である。本例では、この入力操作部１１は、演算処理装置７を構成するコンピュータのキーボード及びマウス等により構成している。
制御部８は、以上のようなワニス含浸状態判定装置１の各部の動作を統括的に制御するための装置である。本例では、この制御部８は、演算処理装置７を構成するコンピュータにより実行可能に実装されたソフトウェアにより構成されている。
【００４４】
２．回転電機の電機子の製造方法
次に、本実施形態に係るワニス含浸状態判定装置１を用いたワニス含浸状態判定方法を含む、回転電機の電機子２の製造方法について説明する。図７は、この電機子２の製造方法の具体例を示すフローチャートである。この図に示すように、この電機子２の製造方法では、まず、電機子鉄心２２にコイル３を組み付ける巻線工程を行う（ステップ＃０１）。本例では、Ｕ相コイル３Ｕ、Ｖ相コイル３Ｖ、及びＷ相コイル３Ｗの３相分のコイル３が電機子鉄心２２に組み付けられる。この工程により、電機子鉄心２２の内周面に設けられた複数のスロット２１内にコイル３を構成する複数本の導線３１が配置される。次に、巻線工程後の電機子２を、図１に示すようにワニス含浸状態判定装置１に接続し、インパルス試験機６により、含浸前インパルス波形Ｐｂを取得する含浸前インパルス波形取得工程を行う（ステップ＃０２）。この工程では、切替器５の切り替えを行うことにより、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間、及びＷ−Ｕ間のそれぞれについて含浸前インパルス波形Ｐｂを取得する。そして、絶縁状態判定部７１により、ステップ＃０２で取得された含浸前インパルス波形Ｐｂを、所定の基準インパルス波形と比較してコイル３の絶縁状態を判定する絶縁状態判定工程を行う（ステップ＃０３）。
【００４５】
次に、コイル３にワニス４を含浸させるワニス含浸工程を行う（ステップ＃０４）。この工程により、ワニス４は、電機子鉄心２２の各スロット２１内における、絶縁シート９内の導線３１同士の隙間に流し込まれてコイル３に含浸する。その後、インパルス試験機６により、含浸後インパルス波形Ｐａを取得する含浸後インパルス波形取得工程を行う（ステップ＃０５）。この工程では、ステップ＃０２と同様に、切替器５の切り替えを行うことにより、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間、及びＷ−Ｕ間のそれぞれについて含浸前インパルス波形Ｐｂを取得する。そして、位相遅れ量取得部７２により、含浸前インパルス波形Ｐｂと含浸後インパルス波形Ｐａとを比較し、含浸前インパルス波形Ｐｂに対する含浸後インパルス波形Ｐａの位相遅れ量を取得する位相遅れ量取得工程を行う（ステップ＃０６）。本実施形態においては、上記のとおり、位相遅れ量として、含浸前インパルス波形Ｐｂのゼロクロス時間に対する含浸後インパルス波形Ｐａのゼロクロス時間の遅れ量であるｎ次ゼロクロス位相差Ｄｎ（より具体的には、２次〜５次ゼロクロス位相差Ｄ２〜Ｄ５）の情報を取得する。またこの工程では、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間、及びＷ−Ｕ間のそれぞれについてｎ次ゼロクロス位相差Ｄｎの情報を取得する。
【００４６】
次に、ワニス含浸状態判定部７３により、位相遅れ量としてのｎ次ゼロクロス位相差Ｄｎに基づいて、コイル３のワニス含浸状態を判定するワニス含浸状態判定工程を行う（ステップ＃０７）。具体的には、ワニス含浸状態判定部７３は、コイル３のワニス含浸率とｎ次ゼロクロス位相差Ｄｎとの関係を規定した関係テーブル７３ａを備えており、この関係テーブル７３ａを用いて、コイル３のワニス含浸率を判定する。この工程では、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間、及びＷ−Ｕ間のそれぞれについてワニス含浸率を判定する。ワニス含浸率については既に説明したので、ここでは説明は省略する。そして、良否判定部７４により、ステップ＃０７の判定結果に基づいて、ワニス含浸率を、所定の閾値と比較して電機子２のワニス含浸状態の良否を判定する良否判定工程を行う（ステップ＃０８）。そして、このステップ＃０８において、判定対象の電機子２のＵ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間の全てのワニス含浸率が所定の閾値以上である場合には、その電機子２を良品と判定する（ステップ＃０９：ＹＥＳ）。このように良品と判定された電機子２は、次工程へ搬送される（ステップ＃１０）。一方、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のいずれかのワニス含浸率が所定の閾値未満である場合には、その電機子２を不良品と判定する（ステップ＃０９：ＮＯ）。このように不良品と判定された電機子２は廃棄される（ステップ＃１１）。以上で、回転電機の電機子の製造方法の処理は終了する。
【００４７】
〔第二の実施形態〕
次に、本発明の第二の実施形態について説明する。本実施形態に係るワニス含浸状態判定装置１は、上記第一の実施形態と比較して、演算処理装置７の位相遅れ量取得部７２及びワニス含浸状態判定部７３の構成が一部異なっている。すなわち、本実施形態においては、位相遅れ量取得部７２は、位相遅れ量として、含浸前インパルス波形Ｐｂと含浸後インパルス波形Ｐａとの波形差面積に応じた量である波形差面積率を取得する。また、ワニス含浸状態判定部７３は、コイル３のワニス含浸率と波形差面積率との関係を規定した関係テーブル７３ａ（図１０参照）を備えおり、この関係テーブル７３ａを用いてコイル３のワニス含浸率を判定する。その他の構成については、上記第一の実施形態と同様である。以下、本実施形態における上記第一の実施形態との相違点について説明する。
【００４８】
位相遅れ量取得部７２は、応答波形取得部６３により取得された含浸前インパルス波形Ｐｂと含浸後インパルス波形Ｐａとを比較し、含浸前インパルス波形Ｐｂに対する含浸後インパルス波形Ｐａの位相遅れ量として、波形差面積率を取得する処理を行う。ここで、波形差面積率とは、含浸前インパルス波形Ｐｂと含浸後インパルス波形Ｐａとの波形差面積に応じた量であり、下記の式（２）に示すように、波形差面積Ａを波形面積Ｂにより除した値として求められる。
波形差面積率＝波形差面積Ａ／波形面積Ｂ・・・（２）
この位相遅れ量取得部７２は、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれについて、波形差面積率の情報を取得する。
【００４９】
ここで、図８は波形差面積Ａの求め方を示す説明図であり、図９は波形面積Ｂの求め方を示す説明図である。波形差面積Ａは、図８おいてハッチングを付して示すように、予め定めた判定区間Ｚ内における、含浸前インパルス波形Ｐｂと含浸後インパルス波形Ｐａとにより囲まれた領域の面積である。また、波形面積Ｂは、図９おいてハッチングを付して示すように、予め定めた判定区間Ｚ内における、含浸後インパルス波形Ｐａと電圧値がゼロである横軸とにより囲まれた領域の面積である。ここで、判定区間Ｚは、含浸前インパルス波形Ｐｂに対する含浸後インパルス波形Ｐａの位相遅れの影響が大きく反映されるように、ある程度減衰が進んだ区間に設定することが望ましい。本例では、含浸後インパルス波形Ｐａの２次プラスピーク時間Ｔｐ２から３次プラスピーク時間Ｔｐ３までの間の区間に設定している。
【００５０】
なお、波形面積Ｂは、予め定めた判定区間Ｚ内における、含浸前インパルス波形Ｐｂと電圧値がゼロである横軸とにより囲まれた領域の面積とすることも可能である。この場合、判定区間Ｚは、含浸前インパルス波形Ｐｂの２次プラスピーク時間から３次プラスピーク時間までの間の区間等に設定すると好適である。
以上のとおり、本実施形態においても、位相遅れ量取得部７２が本発明における「位相遅れ量取得手段」として機能する。
【００５１】
また、ワニス含浸状態判定部７３は、コイル３のワニス含浸率と波形差面積率との関係を規定した関係テーブル７３ａを備えおり、この関係テーブル７３ａを用いてコイル３のワニス含浸率を判定する。図１０は、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれについて、ワニス含浸率と波形差面積率との関係を規定した関係テーブル７３ａを示す図である。この図においては、縦軸を波形差面積率（単位：％）、横軸をワニス含浸率（単位：％）としている。この関係テーブル７３ａに規定されているＵ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間の関係線Ｌ（Ｕ−Ｖ）、Ｌ（Ｖ−Ｗ）、及びＬ（Ｗ−Ｕ）は、それぞれ予め実験的に求めたワニス含浸率と波形差面積率との関係により規定される。具体的には、図１０に示すテーブルを規定するに際しては、上記第一の実施形態に係る図６に示されるテーブルの場合と同様に、実際に単一の構造の電機子２について、ワニス含浸率が６５〔％〕から８５〔％〕までの間で５〔％〕ずつ異なる電機子２のサンプルを作り、ワニス含浸前の電機子２とともに、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれにインパルス電圧を印加したときのインパルス波形を実際に測定した。そして、それぞれのワニス含浸率の電機子２についての含浸前インパルス波形Ｐｂ及び含浸後インパルス波形Ｐａに基づいて波形差面積率を求めてプロットし、図１０に示すように、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれの波形差面積率についてのワニス含浸率による変化を示す関係線Ｌ（Ｕ−Ｖ）、Ｌ（Ｖ−Ｗ）、及びＬ（Ｗ−Ｕ）を規定している。
【００５２】
図１０の関係線Ｌ（Ｕ−Ｖ）、Ｌ（Ｖ−Ｗ）、及びＬ（Ｗ−Ｕ）に示されるように、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のいずれについても、ワニス含浸率が高いほど波形差面積率も高くなる傾向を示している。したがって、ワニス含浸状態判定部７３は、関係テーブル７３ａに従って、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれについてのワニス含浸率を判定することができる。具体的には、例えば、Ｕ−Ｖ間の波形差面積率が２０〔％〕であった場合、図１０のＵ−Ｖ間の関係線Ｌ（Ｕ−Ｖ）に従い、ワニス含浸率は８２〔％〕と判定する。同様にして、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間についてもワニス含浸率を判定する。そして、このワニス含浸状態判定部７３による判定結果は、上記第一の実施形態と同様に、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のワニス含浸率の情報として出力部１２へ送られる。以上より、本実施形態においても、ワニス含浸状態判定部７３が本発明における「ワニス含浸状態判定手段」として機能する。
【００５３】
なお、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれのワニス含浸率に基づいて、電機子２の全体としてのワニス含浸率を求め、その情報を出力部１２へ送る構成とすることも好適な実施形態の一つである。この場合、例えば、Ｕ−Ｖ間、Ｖ−Ｗ間及びＷ−Ｕ間のそれぞれのワニス含浸率の平均値、又はそれらのワニス含浸率の最低値を電機子２の全体のワニス含浸率として判定する。
【００５４】
〔その他の実施形態〕
（１）上記の実施形態では、コイル３がＹ結線である場合について説明したが、デルタ結線である場合についても同様に本発明を適用することができる。この場合、インパルス試験機６の応答波形取得部６３は、Ｕ相コイル３Ｕ、Ｖ相コイル３Ｖ、又はＷ相コイル３Ｗのいずれか単独のコイル３についての応答波形である、含浸前インパルス波形Ｐｂ及び含浸後インパルス波形Ｐａを取得する。
【００５５】
（２）上記の実施形態では、ワニス含浸状態を代表する値として上記のような断面積を用いたワニス含浸率を判定する場合について説明したが、ワニス含浸状態として判定される対象はこれに限定されない。例えば、導線３１の体積を除くスロット２１内の全体の容積の中に占めるワニス４の体積で表されるワニス含浸率を判定する構成とすることも好適な実施形態の一つである。
【００５６】
（３）上記の実施形態では、演算処理装置７が絶縁状態判定部７１を備え、インパルス試験機６により取得された含浸前インパルス波形Ｐｂを用いてコイル３の絶縁状態を判定する処理を行う場合について説明した。しかし、本発明に係るワニス含浸状態判定装置１は、このような絶縁状態判定部７１を備えている必要はない。また、その場合、回転電機の電機子２の製造方法においても、含浸前インパルス波形Ｐｂを用いてコイル３の絶縁状態を判定する絶縁状態判定工程は行わない構成とされる。
【００５７】
（４）上記の実施形態では、コイル３に対してインパルス信号としてインパルス電圧を印加し、その応答波形として電圧波形を取得する場合について説明した。しかし、本発明に係るインパルス信号及びその応答波形はこれに限定されない。例えば、インパルス信号としてインパルス電流を用い、その応答波形として電流波形を取得する構成とすることも好適な実施形態の一つである。
【００５８】
（５）上記の実施形態では、回転電機のステータとなる電機子２における、Ｕ相、Ｖ相及びＷ相の３相の電機子巻線を構成するコイル３についてのワニス含浸状態の判定を行う場合について説明した。しかし、本発明の適用範囲はこれに限定されない。例えば、直流電動機のステータ、各種の回転電機のロータ、単なる電磁石等、コイル３にワニス４を含浸する構成を有する様々な用途に適用され得る。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明によれば、非破壊でコイルのワニス含浸状態を判定することができるので、例えば、直流電動機のステータ、各種の回転電機のロータ、単なる電磁石等、コイル３にワニス４を含浸する構成を有する様々な用途に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態に係るワニス含浸状態判定装置のシステム構成を示すブロック図
【図２】コイルとインパルス試験機との間の電気的接続を示す図
【図３】電機子のスロット内におけるコイル及びワニスの配置状態を示す断面図
【図４】判定対象の電機子のＵ−Ｖ間の含浸前インパルス波形を示す図
【図５】Ｕ−Ｖ間の含浸前インパルス波形と含浸後インパルス波形とを重ねて示す図
【図６】ワニス含浸率とゼロクロス位相差の値との関係を規定したテーブルを示す図
【図７】本発明の実施形態に係る電機子の製造方法の具体例を示すフローチャート
【図８】波形差面積の求め方を示す説明図
【図９】波形面積の求め方を示す説明図
【図１０】ワニス含浸率と波形差面積率との関係を規定した関係テーブルを示す図
【符号の説明】
【００６１】
１：ワニス含浸状態判定装置
２：電機子
３：コイル
４：ワニス
６３：応答波形取得部（応答波形取得手段）
７２：位相遅れ量取得部（位相遅れ量取得手段）
７３：ワニス含浸状態判定部（ワニス含浸状態判定手段）
Ｐｂ：含浸前インパルス波形
Ｐａ：含浸後インパルス波形
Ｔｂｎ：含浸前ｎ次ゼロクロス時間
Ｔａｎ：含浸後ｎ次ゼロクロス時間
Ｄｎ：ｎ次ゼロクロス位相差（位相遅れ量）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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