(57)【要約】【課題】ウェハーの表裏両面について同時に、かつ容易に検査可能な外観検査装置および外観検査方法の提供。【解決手段】外観検査装置１は、ウェハー２の表面側に配置され当該ウェハー２の表面を撮像する第１カメラ４１と、ウェハーの裏面側に配置され当該ウェハーの裏面を撮像する第２カメラ４２とを備え、第１カメラ４１と第２カメラ４２とは、それぞれの光軸がウェハーの表面および裏面に略直交しかつ互いに同軸Ｓとされている。これらのカメラ４１，４２で略同時に撮像を行い、ウェハー２の表面および裏面両方の検査を同時に行うことにより、ウェハー２の表裏両面検査に要する検査時間を短縮できる。また、第１、第２カメラ４１，４２が同軸Ｓに配置されていることから、外観検査装置１のコンパクト化を図れるとともに、第１、第２カメラ４１，４２の駆動制御を容易にできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハーの表面側に配置され当該ウェハーの表面を撮像する第１撮像手段と、
ウェハーの裏面側に配置され当該ウェハーの裏面を撮像する第２撮像手段とを備え、
前記第１撮像手段と前記第２撮像手段とは、それぞれの光軸がウェハーの表面および裏面に略直交しかつ互いに同軸となるように配置されている
ことを特徴とするウェハーの外観検査装置。
【請求項２】
ウェハーの表面側にそれぞれ配置される第１撮像手段および第１照明手段と、
ウェハーの裏面側にそれぞれ配置される第２撮像手段および第２照明手段とを備え、
前記第１撮像手段は、前記第２照明手段による前記ウェハーの表面における透過像を撮像するとともに、
前記第２撮像手段は、前記第１照明手段による前記ウェハーの裏面における透過像を撮像する
ことを特徴とするウェハーの外観検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載のウェハーの外観検査装置において、
前記第１撮像手段と前記第２撮像手段とは、それぞれの光軸がウェハーの表面および裏面に略直交しかつ互いに同軸となるように配置されている
ことを特徴とするウェハーの外観検査装置。
【請求項４】
ウェハーの表面側および裏面側にそれぞれ、ウェハーの表面および裏面に光軸が略直交しかつ互いに同軸となるように第１撮像手段および第２撮像手段を配置し、
前記第１撮像手段および前記第２撮像手段により、ウェハーの表面および裏面を略同時に撮像する
ことを特徴とするウェハーの外観検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハー等の外観検査装置および外観検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路が実装され多数のＩＣ（Integrated Circuit）チップに個片化される半導体ウェハーの外観検査においては、ＣＣＤ（charge-coupled device）カメラなどでウェハーの各部を撮像し、撮像された各検査画像について画像処理を実施している。
このようなウェハーの外観検査に際し、ウェハーの表裏両面の検査が必要となる場合があるが、半導体ウェハーの表裏両面を検査可能な装置はまだ実用化されていない。
一方、半導体ウェハーの形成に用いられるマスク基板の外観検査については、マスク基板の表面側および裏面側にそれぞれテレビカメラと投光器とを配置し、マスク基板の表裏両面を２台のテレビカメラで同時に撮像して検査することが提案されている（特許文献１）。
【０００３】
この特許文献１におけるマスク基板の検査装置は、マスク基板の表裏にそれぞれ配置され基板面に対して斜め方向から照明する一対の投光器と、各投光器の光束がウェハー平面で反射されたスポット光に対向する一対のテレビカメラとを備えている。ここでは、各投光器はマスク基板平面のそれぞれ異なる位置に配置され、各テレビカメラもまた、マスク基板平面のそれぞれ異なる位置に配置されている。そして、基板平面における乱反射による輝度の違いなどに基いて、異物やキズの検査が行われる。
【０００４】
【特許文献１】特開昭５８−１５４２２９号公報（第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、半導体ウェハーなどの表裏両面の検査が必要となる場合、まず、ウェハーの表面を検査した後、裏返して裏面側を検査することが考えられるが、これでは、ウェハーの搬送等に起因して異物の付着、キズ、および汚れなどが発生しやすい。また、表裏両面を検査した場合は、片面だけの検査と比べて少なくとも２倍の検査時間がかかるという問題がある。
【０００６】
一方、特許文献１のように、ウェハーの表裏両面それぞれについて検査画像を取得する構成であっても、この場合の検査対象は、異物やキズに限られ、輝度差がさほど表れないパターンの形状および汚れの検査は困難である。また、ウェハーには、エッチングなどで貫通孔が形成される場合があるが、このような貫通孔の形状に関するエッチング精度の評価や、貫通孔内の異物存在などの検査は困難である。
【０００７】
以上のような問題に鑑みて、本発明の目的は、ウェハーの表裏両面について同時に、かつ容易に検査可能な外観検査装置および外観検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のウェハーの外観検査装置は、ウェハーの表面側に配置され当該ウェハーの表面を撮像する第１撮像手段と、ウェハーの裏面側に配置され当該ウェハーの裏面を撮像する第２撮像手段とを備え、前記第１撮像手段と前記第２撮像手段とは、それぞれの光軸がウェハーの表面および裏面に略直交しかつ互いに同軸となるように配置されていることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、ウェハーの表裏両面側にそれぞれ撮像手段を備えるので、ウェハーの表裏両面の検査を同時に行うことが可能であって、これにより、ウェハーの表裏両面検査に要する検査時間を短縮できる。また、ウェハーを裏返すことなく表裏面を検査可能であるため、ウェハーの搬送時などに異物の付着、キズ、汚れが生じるおそれを無くすことができる。
なお、第１、第２撮像手段による撮像に際して適宜、ウェハーの表裏両面それぞれに対する斜め照明、同軸落射照明、透過照明などを使用できる。これにより、例えば斜め照明および同軸落射照明の場合では、ウェハーの被撮像面における反射光の輝度レベルなどに応じて、異物存在、キズなどを検査でき、また、透過照明の場合では、透過像に基いてパターン形状、汚れの検査なども含めたウェハーの外観検査を実施できる。
【００１０】
加えて、本発明では第１、第２撮像手段がウェハーの両面側で互いに同軸に配置されていることから、これら第１、第２撮像手段がウェハー平面の相異なる位置に配置されている場合に比べて装置が平面方向に大型化せず、外観検査装置のコンパクト化が図れる。
また、このように同軸とされた第１、第２撮像手段を同様の座標において同時に走査させる制御が可能となり、各撮像手段をウェハーの両面側で別々に駆動して走査させなくてもよいから、第１、第２撮像手段の駆動制御を容易にできる。
【００１１】
本発明のウェハーの外観検査装置は、ウェハーの表面側にそれぞれ配置される第１撮像手段および第１照明手段と、ウェハーの裏面側にそれぞれ配置される第２撮像手段および第２照明手段とを備え、前記第１撮像手段は、前記第２照明手段による前記ウェハーの表面における透過像を撮像するとともに、前記第２撮像手段は、前記第１照明手段による前記ウェハーの裏面における透過像を撮像することを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、第１、第２撮像手段はそれぞれ、当該撮像手段が配置された側とは反対側の照明手段による透過照明によって透過像を撮像するので、この透過像に基き、パターン形状や汚れの検査なども含めたウェハーの外観検査を良好に実施できる。
ここで、この発明により、貫通孔や切欠などが形成されたウェハーについても、その貫通孔や切欠などのウェハーの表裏両面側における形状を容易に検査可能となる。すなわち、ウェハーの表裏両側から孔等の周縁部（エッジ）の形状を正確に把握できるので、エッチングの検査精度を向上させることができる。また、各照明手段の光束がこの孔等を透過するか否かにより、孔等への異物存在も検査可能となる。
このような孔や切欠の形状等を特別の検査手段を用いることなく、異物、キズ、汚れ、パターン形状等に関する通常の外観検査と同じ工程で検査することが可能となるから、孔や切欠等が形成された孔明きウェハーに要する検査時間を短縮でき、搬送時における異物付着、キズ、汚れの発生を防止できる。また、本発明の検査装置により、孔等の形状寸法を測定する三次元測定機等を不要にできるので、装置コストの面でも有利となる。
【００１３】
なお、第１、第２撮像手段によりウェハーの表裏両面を同時に撮像して検査することが可能であり、これにより、検査時間をより短縮できる。
【００１４】
また、本発明においても、前述の発明同様、前記第１撮像手段と前記第２撮像手段とは、それぞれの光軸がウェハーの表面および裏面に略直交しかつ互いに同軸となるように配置されていることが好ましい。
このようにすれば、装置をコンパクトにできるとともに、第１、第２撮像手段の駆動制御を容易にできる。
【００１５】
本発明のウェハーの外観検査方法は、ウェハーの表面側および裏面側にそれぞれ、ウェハーの表面および裏面に光軸が略直交しかつ互いに同軸となるように第１撮像手段および第２撮像手段を配置し、前記第１撮像手段および前記第２撮像手段により、ウェハーの表面および裏面を略同時に撮像することを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、２つの撮像手段により、ウェハーの表裏両側から略同時に撮像するので、ウェハーの表裏両面の検査に要する検査時間を短縮できる。また、ウェハーを裏返すことなく表裏面を検査可能であるため、ウェハーの搬送時などに異物の付着、キズ、汚れが生じるおそれを無くすことができる。
なお、第１、第２撮像手段の撮像に際して適宜、ウェハーの表裏両面それぞれに対する斜め照明、同軸落射照明、透過照明などを使用できる。これにより、例えば斜め照明および同軸落射照明の場合では、ウェハーの被撮像面における反射光の輝度レベルなどに応じて、異物存在、キズなどを検査でき、また、透過照明の場合では、透過像によりパターン形状、汚れの検査なども含めたウェハーの外観検査を実施できる。
【００１７】
加えて、本発明では第１、第２撮像手段を互いに同軸に配置することから、これら第１、第２撮像手段がウェハー平面の相異なる位置に配置されている場合よりも装置が平面方向に大型化せず、外観検査装置のコンパクト化が図れる。
また、このように同軸とされた第１、第２撮像手段を同様の座標において同時に走査させることができるので、第１、第２撮像手段の駆動制御を容易にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
［１．外観検査装置の構成］
図１は、本実施形態における外観検査装置１の構成外略図である。
外観検査装置１は、大略、ウェハー２を載置するテーブル３と、ウェハー２の表面２Ａ側および裏面２Ｂ側にそれぞれ配置される撮像手段としての第１、第２カメラ４１，４２と、これらの第１、第２カメラ４１，４２を駆動する駆動装置４０と、各カメラ４１，４２の筐体にそれぞれ設けられる第１、第２照明手段５１，５２と、各カメラ４１，４２の撮像画像をそれぞれ処理する画像処理装置６１，６２と、各画像処理装置６１，６２を制御するメイン制御装置（例えば、パーソナルコンピュータ）６３とを備えている。外観検査装置１による検査結果は、メイン制御装置６３に設けられたモニタ６３Ａに表示される。
なお、テーブル３には、図示しない搬送機によってウェハー２が順次搬送される。
【００１９】
テーブル３は、Ｘ方向に移動可能なＸテーブル３１と、Ｙ方向に移動可能なＹテーブル３２と、ＸＹ面内で回転可能なθテーブル３３とを有し、これらのテーブル３１〜３３は、ウェハー２の周縁部に沿って設けられている。つまり、これらのテーブル３１〜３３に載置された状態で、ウェハー２の表裏両面がそれぞれ第１、第２カメラ４１，４２に対向する。
また、これらのテーブル３１〜３３は、メイン制御装置６３に接続されたＸテーブルコントローラ３１１、Ｙテーブルコントローラ３２１、およびθテーブルコントローラ３３１によってそれぞれ駆動制御される。
【００２０】
第１、第２カメラ４１，４２は、カラーＣＣＤカメラであり、それぞれの光軸がウェハー２の平面と略直交し、かつそれぞれの光軸が互いに同軸Ｓとなるように配置されている。
駆動装置４０は、第１、第２カメラ４１，４２をそれぞれ駆動する駆動部４１０，４２０を有する。これらの駆動部４１０，４２０は、第１、第２カメラ４１，４２を互いに同軸Ｓとなる位置にそれぞれ駆動する。
【００２１】
駆動部４１０は、Ｘ方向駆動部４１０Ａ、Ｙ方向駆動部４１０Ｂ，およびＺ方向駆動部４１０Ｃにより構成され、これらの駆動部４１０Ａ〜４１０Ｃは、メイン制御装置６３に接続された各コントローラ４１５Ａ〜４１５Ｃによりそれぞれ駆動制御される。
また、駆動部４２０も駆動部４１０と同様に、Ｘ方向駆動部４２０Ａ、Ｙ方向駆動部４２０Ｂ，およびＺ方向駆動部４２０Ｃにより構成され、これらの駆動部４２０Ａ〜４２０Ｃは、メイン制御装置６３に接続された各コントローラ４２５Ａ〜４２５Ｃによりそれぞれ駆動制御される。
【００２２】
第１、第２照明手段５１，５２は、本実施形態では第１、第２カメラ４１，４２の光軸方向に沿って照明光束を射出する同軸照明として構成されている。これらの第１、第２照明手段５１，５２はそれぞれ、電源５１１，５２１に接続されている。
【００２３】
メイン制御装置６３は、第１、第２カメラ４１，４２、駆動装置４０、テーブル３、および画像処理装置６１，６２それぞれを、これらの間で同期をとりつつ制御する。例えばウェハー２の検査画像を撮像する際には、メイン制御装置６３は、駆動装置４０により、テーブル３上のウェハー２に対して第１、第２カメラ４１，４２をＸ方向およびＹ方向に適宜移動させながら、第１、第２カメラ４１，４２により、ウェハー２の各部を順次撮像する。なお、本実施形態に限らず、テーブル３をカメラ４１，４２に対して移動させることにより、ウェハー２の各部をそれぞれ撮像してもよい。
【００２４】
［２．ウェハーの構成］
図２に、外観検査装置１によって検査されるウェハー（基板）の一例として、平面略円形状の半導体ウェハー２の平面模式図を示す。
ウェハー２は、集積回路を構成する半導体パターン等がエッチングやプリントなどによってウェハー２の表面２Ａに形成された後、ダイシング、スライシングなどによって多数のチップ２０に個片化される。なお、本実施形態のウェハー２は、ガラスなどの透光性を有する材料により形成されている。
【００２５】
図２に１つのチップ２０を拡大して示したように、ウェハー２の表面２Ａには、複数の微細な半導体パターン２１が形成されている。
また、図３に示すように、ウェハー２には、エッチングにより厚み方向に貫通形成された貫通孔２２，２３および切欠２４がそれぞれ形成されている。これらの貫通孔２２，２３および切欠２４は、本実施形態では、ウェハー２の表面２Ａおよび裏面２Ｂにの両方に対してエッチングを施すことによって形成されている。
なお、本実施形態では、これらの貫通孔２２，２３および切欠２４には、図示しないマイクロマシンなどが設置される。
【００２６】
［３．外観検査装置による検査］
次に、外観検査装置１によるウェハー２の外観検査について説明する。この外観検査に際しては、テーブル３を駆動するなどしてウェハー２を所定の基準位置にアライメントするとともに、各カメラ４１，４２をウェハー２の表面２Ａおよび裏面２Ｂにそれぞれ合焦しておく。
この外観検査は、同軸Ｓに設けられた２台の第１、第２カメラ４１，４２（図１）により、ウェハー２の表面２Ａおよび裏面２Ｂの両方を略同時に検査することに一つの特徴を有する。
【００２７】
ここで、ウェハー２の表裏両面側にそれぞれ、第１、第２カメラ４１，４２および第１、第２照明手段５１，５２が設けられていることから、各カメラ４１，４２により撮像される画像は、ウェハー２の反対側に配置された照明手段の照明による透過像となる。
すなわち、第１カメラ４１は、第２照明手段５２によるウェハー２の表面２Ａにおける透過像を撮像するとともに、第２カメラ４２は、第１照明手段５１によるウェハー２の裏面２Ａにおける透過像を撮像することになる。
【００２８】
図４〜図８に、第１、第２カメラ４１，４２によるウェハー２各部の撮像を通じて得られた欠陥の態様を例示した。
図４および図５に示したウェハー２の表面２Ａには、異物９１が付着し、キズ９２が付いている。これらの異物９１およびキズ９２は、第２照明手段５２による透過照明により、第１カメラ４１で撮像される透過像に基いて検出される。図５に、第２照明手段５２による照明光束Ｌ２を示すとともに、第１カメラ４１による撮像方向Ｃ１を示した。
なお、このような異物９１やキズ９２は、ウェハー２の表面２Ａに突出あるいは窪んでいるため、第１カメラ４１の撮像画像には、第１照明手段５１の照明光束Ｌ１による異物９１、キズ９２での乱反射が写り、その輝度レベルに基いてこれら異物９１およびキズ９２を検出することも可能である。
【００２９】
次に、図６および図７は、半導体パターン２１の形状欠陥、および汚れ欠陥のあるウェハー２を示し、このウェハー２の表面２Ａに形成されたパターン２１には欠け９３が有るとともに、パターン２１とパターン２１との間には、汚れ９４が存在する。
このような欠け９３および汚れ９４についても、第２照明手段５２による透過照明により、第１カメラ４１で撮像される透過像に基いて検出される。これらの欠け９３や汚れ９４については、異物９１やキズ９２等と比べてウェハー２平面からの突出あるいは窪みの程度が小さく、輝度レベルが異物９１およびキズ９２とは相違するため、これら欠け９３・汚れ９４と異物９１・キズ９２とを区別できる。
【００３０】
さらに、図８は、貫通孔２２，２３および切欠２４の形状欠陥、および貫通孔２３への異物９９存在の欠陥を示す。すなわち、ウェハー２の表面２Ａ側における貫通孔２２および切欠２４の形状寸法と、ウェハー２の裏面２Ｂ側における貫通孔２２および切欠２４の形状寸法とが相違し、エッチングの精度を欠く。
このような貫通孔２２および切欠２４の形状検査は、第１カメラ４１および第２カメラ４２により撮像方向Ｃ１，Ｃ２からそれぞれ撮像した各検査画像を比較することによって検出できる。すなわち、第２照明手段５２の照明光束Ｌ２による透過像を第１カメラ４１で撮像方向Ｃ１から撮像すると、貫通孔２２および切欠２４のウェハー２表面２Ａ側のエッジ２２１，２４１の形状が得られる。一方、第１照明手段５１の照明光束Ｌ１による透過像を第２カメラ４２で撮像方向Ｃ２から撮像すると、貫通孔２２および切欠２４のウェハー２裏面２Ｂ側のエッジ２２２，２４２の形状が得られる。これらエッジ２２１，２２２の形状、およびエッジ２４１，２４２の形状の差分をとることなどで、エッチング欠陥を検出できる。
【００３１】
なお、第１、第２カメラ４１，４２による検査画像の撮像に際しては、第１、第２照明手段５１，５２の照明光量が適宜調整される。
また、欠陥の検出には、輝度レベルを使用するほか、良品パターンや隣接パターンとの比較によるパターンマッチング法なども使用できる。
【００３２】
［４．本実施形態による効果］
以上述べた本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
（１）外観検査装置１は、ウェハー２の表裏両面側それぞれに第１、第２カメラ４１，４２を備え、これらのカメラ４１，４２でウェハー２の表面２Ａおよび裏面２Ｂを略同時に撮像する。これにより、ウェハー２の表裏両面の検査に要する検査時間を短縮できる。また、ウェハー２を裏返すことなく表面２Ａおよび裏面２Ｂを検査可能であるため、ウェハー２の搬送時などに異物の付着、キズ、汚れが生じるおそれを無くすことができる。なお、ウェハー２を裏返さなくて済むため、裏面側への冶具の接触が許容されないウェハーなどについても外観検査可能となる。
【００３３】
（２）加えて、第１、第２カメラ４１，４２が互いに同軸Ｓに配置されていることから、これら第１、第２カメラ４１，４２がウェハー２平面の相異なる位置に配置されている場合に比べて装置が平面方向に大型化しない。よって、コンパクトな外観検査装置１を実現できる。
【００３４】
（３）また、同軸Ｓとされた第１、第２カメラ４１，４２は駆動装置４０によって同時に走査されるので、第１、第２カメラ４１，４２の駆動制御を容易にできる。
【００３５】
（４）第１、第２カメラ４１，４２はそれぞれ、当該カメラ４１，４２が配置された側とは反対側の照明手段５１，５２による透過照明によって透過像を撮像するので、この透過像に基き、パターン２１の欠け９３や汚れ９４の検査なども含めたウェハー２の外観検査を良好に実施できる。
【００３６】
（５）透過像の使用により、貫通孔２２，２３や切欠２４などが形成されたウェハー２についても、その貫通孔２２，２３や切欠２４などのウェハー２の表裏両面側における形状を容易に検査可能となる。これにより、ウェハー２の表裏両面側から貫通孔２２，２３および切欠２４等の形状を正確に把握できるので、エッチングの検査精度を向上させることができる。また、各照明手段５１，５２の光束が貫通孔２２を透過するか否かにより、貫通孔２２への異物９９の存在も検査可能となる。
【００３７】
（６）ウェハー２における貫通孔２２，２３や切欠２４の形状等を特別の検査手段を用いることなく、異物９１、キズ９２、パターン２１の欠け９３、汚れ９４等に関する通常の外観検査と同じ工程で検査することが可能となるから、孔明きウェハー２に要する検査時間を短縮でき、搬送時における異物付着、キズ、汚れの発生を防止できる。三次元測定機などで孔２２等の形状を直接検査する必要がないから、装置コストが高騰しない。
【００３８】
以上の実施形態において、本発明を具体的に説明したが、本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形、改良が可能である。
【００３９】
例えば、前記実施形態では、ウェハー２の表面２Ａのみについて、異物９１、キズ９２、パターンの欠け９３、および汚れ９４を検査していたが、これに限らず、ウェハー２の表裏両面について検査を実施してもよい。パターン２１は、ウェハー２の裏面２Ｂにも形成される場合があり、異物９１、キズ９２、汚れ９４も、ウェハー２の両面について問題となる場合がある。本発明の第１、第２撮像手段によるウェハの表裏両面の撮像により、ウェハの表裏両面を効率よく検査できる。
【００４０】
前記実施形態では、第１、第２カメラ４１，４２それぞれに設けられた同軸落射照明を第１、第２照明手段５１，５２としたが、第１、第２照明手段の態様はこれに限定されない。第１、第２照明手段は、第１、第２撮像手段と一体でも別体でも構わない。
また、前記実施形態のように、外観検査に使用する主照明は透過照明としつつ、これに斜め照明などの他の照明手段を付加して、欠陥検出を補助することも検討できる。照明手段は、ウェハの透光性などを考慮して適宜決めればよい。
さらに、前記実施形態では第１、第２撮像手段としてＣＣＤカメラ４１，４２を使用したが、これに限らず、他の撮像手段も使用できる。
【００４１】
そして、前記実施形態では、孔明きウェハー２を検査したが、これに限らず、貫通孔２２，２３や切欠２４が形成されていない通常のウェハー、基板についても、同様に検査可能であって、前述と同様の効果を得られる。
また、前記実施形態では半導体ウェハ−２を検査したが、半導体ウェハー以外に、マスク基板などの外観検査にも、本発明の外観検査装置および外観検査方法を適用可能である。
【００４２】
本発明を実施するための最良の構成、方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態におけるウェハーの外観検査装置の構成外略図。
【図２】前記実施形態における半導体ウェハーの平面図。
【図３】前記実施形態における半導体ウェハーの側断面図。
【図４】前記実施形態におけるウェハーの異物欠陥およびキズ欠陥を示す平面図。
【図５】図４に示すウェハーの断面図。
【図６】前記実施形態におけるウェハーのパターン形状欠陥および汚れ欠陥を示す図。
【図７】図６に示すウェハーの断面図。
【図８】前記実施形態におけるウェハーの貫通孔および切欠のエッチング欠陥および異物欠陥を示す図。
【符号の説明】
【００４４】
１・・・外観検査装置、２・・・ウェハー、２Ａ・・・表面、２Ｂ・・・裏面、２２，２３・・・貫通孔、２４・・・切欠、４１・・・第１カメラ（第１撮像手段）、４２・・・第２カメラ（第２撮像手段）、５１・・・第１照明手段、５２・・・第２照明手段、９１・・・異物、９２・・・キズ、９３・・・欠け、９４・・・汚れ、９９・・・異物、Ｃ１・・・撮像方向、Ｃ２・・・撮像方向、Ｌ１・・・照明光束、Ｌ２・・・照明光束、Ｓ・・・同軸。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2007333672.tif 000005
【図４】
2007333672.tif 000006
【図５】
2007333672.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007333672.tif 000009
【図８】
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