(57)【要約】【課題】短波長のレーザービームを用いた時に、光磁気記録媒体上で記録トラックのトラックピッチを狭めて超高密度で記録再生する。【解決手段】レーザービームＬＢが入射する光透過性基板１１の一方の面１１ａと対向する他方の面１１ｂ上に、第１記録トラック用となる凸状の第１ランド１１ｂ１と、第２記録トラック用となる凸状の第２ランド１１ｂ２とを異なるトラック幅で並列に形成し、且つ、凹状のグルーブ１１ｂ３を第１，第２ランドの各側方に沿って形成した上で、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層１３，１５，１６を少なくとも３層積層する際に、レーザービームが入射する側の第１磁性層１３と、この第１磁性層１３の上層に位置する第２磁性層１５との間で、凹状のグルーブ１１ｂ２と対応する部位のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層１４を成膜した光磁気記録媒体１０を提供する。【選択図】図２
2007200483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザービームが入射する一方の面と対向する他方の面上に、第１記録トラック用として第１トラック幅を有する凸状の第１ランドと、第２記録トラック用として前記第１トラック幅よりも幅狭い第２トラック幅を有する凸状の第２ランドとが並列して形成され、且つ、前記第１トラック幅よりも幅狭く且つ前記第２トラック幅よりも幅広い第３トラック幅を有する凹状のグルーブが前記第１，第２ランドの各側方に沿って形成された光透過性基板と、
前記光透過性基板の前記他方の面上に、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すために垂直磁気異方性を有して少なくとも３層積層された磁性層と、
前記レーザービームが入射する側の第１磁性層と、この第１磁性層の上層に位置する第２磁性層との間で、前記凹状のグルーブと対応する部位のみに面内磁気異方性を有して成膜された面内磁気異方性層と、
を備えたことを特徴する光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記面内磁気異方性層は、Ｆｅ、Ｃｏ単体、希土類金属とＦｅの合金、希土類金属とＣｏの合金のいずれかの薄膜であることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザービームを照射することにより磁壁移動を生じさせながら情報信号の記録再生を超高密度で行うことができる光磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光磁気記録方式は、フェリ磁性薄膜を局部的にキュリー点または補償点近傍にまで昇温して、この部分の保磁力を減少させ、記録すべき情報信号に対して外部からの印加記録磁界の方向に磁化の向きを反転させることを基本原理とするものである。磁化の反転した部分すなわち情報ビットは磁区を形成し、それを磁気カー効果によって読み出す光磁気記録再生においては、記録密度の向上のために、記録ビット長（記録マーク長）の短縮化すなわち情報信号に応じた記録マークを磁区の形態で記録した場合に磁区の微小化を図ることが必要となる。
【０００３】
この際、少なくとも第１〜第３磁性層が室温において交換結合して順次積層されており、第１磁性層は第３磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さな磁性膜からなり、第２磁性層は第１磁性層及び第３磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなる光磁気記録媒体を用いて、再生磁界を印加しつつ波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームによる光磁気記録媒体への加熱によって良好な高密度記録信号が得られる磁壁移動検出型の再生方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一方、光磁気記録方式において、磁区（記録マーク）の再生分解能は、ほとんど再生光学系のレーザー光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数２ＮＡ／λが再生限界となる。そこで、光磁気記録媒体への記録密度を上げるためにレーザー光源の波長λを短くすることや、高ＮＡの対物レンズを用いて再生装置側のレーザービームのスポット径を小さくすることが考えられる。この際、最近、波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを出射する青色半導体レーザーが開発されているので、この青色半導体レーザーと、開口数ＮＡが０．７以上の対物レンズとを用いて、情報信号を超高密度に記録再生ができる光磁気記録媒体が開発されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１１−８６３７２号公報
【特許文献２】特開２００３−５１１４３号公報
【０００５】
図９は従来例１において、第１〜第３磁性層を有する光磁気記録媒体の信号再生方法を説明するために模式的に示した図であり、（ａ）は光磁気記録媒体を示し、（ｂ）は媒体温度分布を示し、（ｃ）は磁壁移動を起こす力を示した図、
図１０は従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームの移動方向前方側でのフロントプロセスを説明するために模式的に示した図、
図１１は従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームの移動方向後方側でのリヤプロセスを説明するために模式的に示した図である。
【０００６】
まず、図９〜図１１に示した従来例１は、上記した特許文献１（特開平１１−８６３７２号公報）に開示された光磁気記録媒体（磁性記録媒体）の信号再生方法による技術的思想を踏まえており、ここでは特許文献１を参考にしながら説明する。
【０００７】
図９（ａ）に示した如く、従来例１の光磁気記録媒体１００は、第１磁性層１０１と、第２磁性層１０２と、第３磁性層１０３とが室温において交換結合して順次積層されており、波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームを照射する側に設けられて磁壁移動層となる第１磁性層１０１は、記録層となる第３磁性層１０３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さな磁性膜からなり、交換結合力制御層となる第２磁性層１０２は、第１磁性層１０１及び第３磁性層１０３よりもキュリー温度の低い磁性膜からなっている。
【０００８】
より具体的には、上記した第１〜第３磁性層１０１〜１０３は、例えば、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０原子％と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が９０〜６０原子％とで構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成されている。また、耐食性向上などのために、これらの合金にＣｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｉｎなどの元素を少量添加しても良いと記載されている。
【０００９】
上記のように構成した従来例１の光磁気記録媒体１００において、記録時には波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームを第１磁性層１０１側からスポット状に照射しながら図示しない磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを第３磁性層１０３に記録することで、矢印向きの磁化反転領域（以下、磁区と記す）として保存され、更に、記録後でレーザービームの非照射時には、第３磁性層１０３に記録した磁区が第２磁性層１０２を介して第１磁性層１０１に交換結合されている。この際、第１〜第３磁性層１０１〜１０３中の縦矢印は情報信号に応じた記録マークの“０" と“１" に対応した原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境界部には磁壁１１０が形成されている。
【００１０】
ここで、従来例１の光磁気記録媒体１００を再生する場合には、この光磁気記録媒体１００を不図示のスピンドルモータを介して回転させて、矢印方向の媒体移動方向に向かって光磁気記録媒体１００を移動させ、一方、波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームを光磁気記録媒体１００上にスポット状に照射させているが、仮に、光磁気記録媒体１００側を固定したとすると、赤色レーザービームは二点鎖線で図示した方向に移動することと等価になる。
【００１１】
この再生時に、波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームを第１磁性層１０１側からスポット状に照射すると、図９（ｂ）に示したように、光磁気記録媒体１００上ではレーザービームの移動方向前方側の温度勾配特性が、レーザービームの移動方向後方側の温度勾配特性より急峻な傾き分布を持つと共に、レーザービームに対して図示の位置ｘ１と位置ｘ２との間で媒体温度が第２磁性層１０２のキュリー温度Ｔｓ以上に達する。これに伴って、位置ｘ１と位置ｘ２と間の領域では、第２磁性層１０２がキュリー温度Ｔｓ以上に昇温されているために第２磁性層１０２の磁化が消失されて、第１磁性層１０１と第３磁性層１０３との間の交換結合が切断されており、この領域を結合切断領域Ｓという。
【００１２】
そして、結合切断領域Ｓに相当する区間内で第１磁性層１０１中に存在する磁壁１１０が侵入すると、この磁壁１１０が第１磁性層１０１中で矢印Ａに示すように温度のピークに向かって移動するので磁壁移動１１１Ａが発生し、この磁壁移動１１１Ａに伴って第１磁性層１０１内で交換結合した磁区が再生用のレーザービームによって再生マークとして拡大して読み出される。
【００１３】
一方、記録層となる第３磁性層１０３は保磁力（磁壁抗磁力）が十分に大きいので、第３磁性層１０３中の磁壁は移動することなく記録状態を保ったままとなる。これにより、通常の再生分解能では再生不可能な微小な磁区を拡大して再生を行うことで、記録密度の飛躍的な向上を図ることができる。
【００１４】
この際、再生用のレーザービームの移動方向前方側での温度勾配特性によって磁壁移動１１１Ａが発生する動作をフロントプロセスと呼称すると、このフロントプロセスによる磁壁移動１１１Ａを起こす力Ｆ（ｘ）は下記の数１で表される。
【数１】
2007200483.tif 000003
【００１５】
この際、σは磁壁エネルギー、ｘはレーザービームの移動方向を正とするトラック方向の距離を表すものである。
【００１６】
一方、特定の記録マーク長の場合、再生用のレーザービームの移動方向後方側での温度勾配特性によっても矢印Ｂで示す様な磁壁移動１１１Ｂが起こり、これをリヤプロセスと呼称すると、このリヤプロセスによる磁壁移動１１１Ｂを起こす力Ｆ（ｘ）は下記の数２で表される。
【数２】
2007200483.tif 000004
【００１７】
更に、上記したフロントプロセスとリヤプロセスの両方が起こり得る記録マーク長は、６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームを使用した場合に０．２５μｍ以上と考えられるが、０．２５μｍ以上の記録マークの再生信号は、両プロセスによる磁壁移動検出が一定の遅延時間をもって重畳された波形として検出されることになる。とくに、不必要なリヤプロセスでの磁壁移動を含んだ重畳信号検出波形は、通常の信号再生処理に於いて、不都合な状態を引き起こすことになる。
【００１８】
そこで、上記した特許文献１によれば、再生時に光磁気記録媒体１００の面上で再生磁界を印加しつつ赤色レーザービームをスポット状に照射し、第２磁性層１０２のキュリー温度Ｔｓ以上の温度領域を有する温度分布を形成し、この温度分布を光磁気記録媒体１００に対して相対的に移動させ、再生用のレーザービームの移動方向前方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させて磁壁移動１１１Ａを生じさせる一方、再生用のレーザービームの移動方向後方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させずに磁壁移動１１１Ｂを生じさせないように改善を図っている。
【００１９】
即ち、光磁気記録媒体１００の面上に、再生磁界を与えることで、いかなる長さの記録マークを再生する場合にも、リヤプロセスにおける磁壁移動１１１Ｂを抑制するというものである。
【００２０】
上述のごとく、結合切断領域Ｓの区間内でのレーザービームの温度勾配特性は、（フロントプロセスで利用する温度勾配特性）＞（リヤプロセスで利用する温度勾配特性）であるため、この動作は可能になる。
【００２１】
より具体的に説明すると、図１０に一部拡大して示したフロントプロセスにおいて、矢印Ｆ１は再生用のレーザービームの移動方向前方側での温度勾配特性による磁壁駆動力であり、上述した数１によって表される。一方、同図中の矢印Ｆ２は再生磁界Ｆｒによって発生するゼーマンエネルギーによる磁壁駆動力である。
【００２２】
また、図１１に一部拡大して示したリヤプロセスにおいて、矢印Ｆ４は再生用のレーザービームの移動方向後方側での温度勾配特性による磁壁駆動力であり、上述した数２によって表される。一方、同図中の矢印Ｆ３は再生磁界Ｆｒによって発生するゼーマンエネルギーによる磁壁駆動力である。
【００２３】
さて、上述の温度勾配特性の差、
（フロントプロセスで利用する温度勾配特性）＞（リヤプロセスで利用する温度勾配特性）から、Ｆ１＞Ｆ２且つＦ３＞Ｆ４を満たす再生磁界強度が存在すると言える。従って、Ｆ１＞Ｆ２且つＦ３＞Ｆ４を満たすような再生磁界強度を選ぶことによって、リヤプロセスの磁壁移動１１１Ｂを抑制し、フロントプロセスの磁壁移動１１１Ａのみを引き起こすことが実現可能となるものである。
【００２４】
次に、従来例２の光磁気記録媒体について図１２を用いて説明する。
【００２５】
図１２は従来例２の光磁気記録媒体を示した構成図である。
【００２６】
図１２に示した従来例２の光磁気記録媒体２００は、上記した特許文献２（特開２００３−５１１４３号公報）に開示されたものであり、ここでは記録再生時に波長が４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青色レーザービームを使用することで、光磁気記録媒体２００への超高密度化が図られている。
【００２７】
即ち、従来例２の光磁気記録媒体２００では、光透過性基板２０１上に、第１誘電体層２０２と、第１〜第３磁性層２０３〜２０５による記録層Ｒと、第２誘電体層２０６と、金属熱拡散層２０７と、保護層２０８とが順次積層され、且つ、金属熱拡散層２０７をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕの何れか１つからなる単層に構成し、また、第２誘電体層２０６の膜厚を３〜１０ｎｍに設定することにより、記録層Ｒにおける熱拡散が十分に行われるために記録層Ｒの温度上昇が無く、カー回転角の低下が抑えられて安定で良好なＣ／Ｎが得られ、更に、熱拡散の効果により再生時のパワーマージンが広くなる効果が得られ、この結果、記録／再生動作マージンが拡張し、広いシステムマージンを実現できる旨が示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
ところで、従来例１において、第１〜第３磁性層１０１〜１０３を有する光磁気記録媒体１００の信号再生方法では、前述したように、波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームを適用した場合に、再生時に光磁気記録媒体１００の面上で再生磁界Ｆｒを印加しつつ赤色レーザービームをスポット状に照射することで、再生用のレーザービームの移動方向前方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させて磁壁移動１１１Ａを生じさせる一方、再生用のレーザービームの移動方向後方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させずに磁壁移動１１１Ｂを生じさせないように改善を図ることができるものの、赤色レーザービームより波長が短い４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを用いて光磁気記録媒体上で情報信号を超高密度に記録再生したい場合には、上記した再生磁界Ｆｒの印加だけによるリヤプロセスへの改善対策では下記する理由により不十分である。
【００２９】
ここで、図１３は光磁気記録媒体を再生する際に、光磁気記録媒体上に照射した赤色レーザービームと、光磁気記録媒体上に照射した青色レーザービームとの温度勾配特性を比較した図である。
【００３０】
尚、図１３において、横軸は赤色レーザービーム及び青色レーザービームを線速度３．０ｍ／ｓｅｃで移動させた場合に、各ビームの中心をゼロとし、各ビームの進行方向を正としたビーム位置を示しており、且つ、縦軸は各ビームの温度（Ｋ）を示している。
【００３１】
前記したように、磁壁移動による磁区拡大再生技術は、レーザービーム内の温度分布すなわち温度勾配特性を利用して磁壁を移動させ、短い記録マークを拡大して再生可能とするものであるが、トラック方向の記録密度向上のためにレーザービームの波長を短波長化し、レーザービームのスポットサイズを小さくすると、再生時にレーザービーム内の温度勾配特性が変化するために、磁壁移動再生に最適な交換結合膜を作製することが困難となる。
【００３２】
言い換えると、温度勾配特性の変化は、レーザービームの波長に依存するエネルギー密度の変化によるもので、波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームの場合と、波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームの場合とでは、図１３に示したようにその温度勾配特性は大きく変化し、短波長の青色レーザービームのその位置に対する温度勾配特性はビーム径の違いとエネルギー密度の違いにより長波長の赤色レーザービームのその位置に対する温度勾配特性と比較してかなり急峻になっている。
【００３３】
この際、移動する磁壁の磁壁エネルギーの温度勾配特性による差を利用して磁壁移動検出を行う場合に、青色レーザービーム内の温度勾配特性が急峻になることは磁壁駆動力を大きくすることになる。この状況は、磁壁移動検出にとって有利に働く面と不利に働く面をつくりだす。有利な面は、フロントプロセスの磁壁移動が俊敏なものとなり、再生信号のジッターの時間軸上のズレを小さくでき、再生信号品質が向上することである。他方、不利な面は、前述の不必要なリヤプロセスでの磁壁移動が起こり易くなることである。
【００３４】
従って、再生時に青色レーザービームを光磁気記録媒体上に照射した場合には、前記した不必要なリヤプロセスの磁壁移動を抑制することが困難となり、短波長化によるトラック密度の向上に際し、問題となる。
【００３５】
一方、従来例２の光磁気記録媒体２００では、４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青色レーザービームを用いて記録再生する際に、第２誘電体層２０６と保護層２０８との間に、熱伝導率が高いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕの何れか１層からなる金属拡散層２０７を成膜することで記録層Ｒにおける熱拡散が十分に行われるために記録層Ｒの温度上昇が無くなるものの、これらの熱伝導率が高いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕは、前記したリヤプロセスへの改善対策を施すための金属ではない。
【００３６】
更に、従来例２の光磁気記録媒体２００では、基板上に形成した記録トラックのトラックピッチが最近開発されて青色レーザービームを用いるＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのトラックピッチ３２０ｎｍ程度に設定されて超高密度化が図られているものの、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃよりも更に一層超高密度化を図るためにトラックピッチをＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのトラックピッチ３２０ｎｍの半分程度（例えば１６０ｎｍ程度）に設定した場合に青色レーザービームによるスポットが隣り合うトラックに干渉してしまうために良好な記録再生ができないことが判明した。
【００３７】
そこで、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層が少なくとも３層以上積層された光磁気記録媒体において、光磁気記録媒体の基板上に形成した記録トラックのトラックピッチをＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのトラックピッチの半分程度に設定し、波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを光磁気記録媒体上に照射しても良好な記録再生特性が得られることができる光磁気記録媒体が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００３８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、請求項１記載の発明は、レーザービームが入射する一方の面と対向する他方の面上に、第１記録トラック用として第１トラック幅を有する凸状の第１ランドと、第２記録トラック用として前記第１トラック幅よりも幅狭い第２トラック幅を有する凸状の第２ランドとが並列して形成され、且つ、前記第１トラック幅よりも幅狭く且つ前記第２トラック幅よりも幅広い第３トラック幅を有する凹状のグルーブが前記第１，第２ランドの各側方に沿って形成された光透過性基板と、
前記光透過性基板の前記他方の面上に、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すために垂直磁気異方性を有して少なくとも３層積層された磁性層と、
前記レーザービームが入射する側の第１磁性層と、この第１磁性層の上層に位置する第２磁性層との間で、前記凹状のグルーブと対応する部位のみに面内磁気異方性を有して成膜された面内磁気異方性層と、
を備えたことを特徴する光磁気記録媒体である。
【００３９】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の光磁気記録媒体において、
前記面内磁気異方性層は、Ｆｅ、Ｃｏ単体、希土類金属とＦｅの合金、希土類金属とＣｏの合金のいずれかの薄膜であることを特徴とするである。
【発明の効果】
【００４０】
本発明に係る光磁気記録媒体によると、とくに、レーザービームが入射する光透過性基板の一方の面と対向する他方の面上に、第１記録トラック用として第１トラック幅を有する凸状の第１ランドと、第２記録トラック用として第１トラック幅よりも幅狭い第２トラック幅を有する凸状の第２ランドとが並列して形成され、且つ、第１トラック幅よりも幅狭く且つ第２トラック幅よりも幅広い第３トラック幅を有する凹状のグルーブが第１，第２ランドの各側方に沿って形成された上で、光透過性基板の他方の面上に磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層を少なくとも３層積層する際に、レーザービームが入射する側の第１磁性層と、この第１磁性層の上層に位置する第２磁性層との間で、凹状のグルーブと対応する部位のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層を成膜したため、記録又は再生時に第１記録トラックに対しては凸状の第１ランドに沿ってランドトラッキング制御が可能となる一方、第２記録トラックに対しては凹状のグルーブに沿ってグルーブトラッキング制御が可能となり、且つ、再生時に第１，第２記録トラックのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、狭トラック記録にもかかわらずジッター量が小さいので再生信号が良好に得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下に本発明に係る光磁気記録媒体の一実施例について図１〜図８を参照して実施例１，実施例２の順に詳細に説明する。
【実施例１】
【００４２】
図１（ａ），（ｂ）は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体に適用される光透過性基板を説明するための縦断面図，上面図、
図２は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図、
図３は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を製造する際に、第１磁性層上に成膜した面内磁気異方性層に対してイオンミリング処理を施す工程を摸式的に示した縦断面図であり、（ａ）はイオンミリング開始状態を示し、（ｂ）はイオンミリング終了状態を示した図、
図４は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図であり、（ａ）は第１トラックを再生する場合を示し、（ｂ）は第２トラックを再生する場合を示した図である。
【００４３】
本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を説明する前に、この実施例１で適用される光透過性基板について図１（ａ），（ｂ）を用いて説明する。
【００４４】
図１（ａ），（ｂ）に示した如く、実施例１の光磁気記録媒体１０（図２）に適用される光透過性基板１１は、ポリカーボネイトなどの透明な樹脂材を用いて外径１２０ｍｍ，中心孔の孔径１５ｍｍで円盤状に形成されており、この光透過性基板１１を回転自在な不図示のスピンドルモータの軸に取り付けた不図示のターンテーブル上に搭載した時に、波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームＬＢが一方の面１１ａから入射されるようになっている。この際、光透過性基板１１の厚みは、青色レーザービームＬＢを使用する場合に略０．１〜０．２ｍｍ程度に設定されている。
【００４５】
また、光透過性基板１１は、青色レーザービームＬＢが入射する一方の面１１ａと対向する他方の面１１ｂ上に、第１記録トラックＴ１用として第１トラック幅Ｗ１を有する凸状の第１ランド１１ｂ１と、第２記録トラックＴ２用として第１トラック幅Ｗ１よりも幅狭い第２トラック幅Ｗ２を有する凸状の第２ランド１１ｂ２とが並列して螺旋状に形成され、且つ、第１トラック幅Ｗ１よりも幅狭く且つ第２トラック幅Ｗ２よりも幅広い第３トラック幅Ｗ３を有する凹状のグルーブ１１ｂ３が第１，第ランド１１ｂ１，１１ｂ２の各側方に沿って形成されているので、凸状の第１ランド１１ｂ１と凹状のグルーブ１１ｂ３と凸状の第２ランド１１ｂ２と凹状のグルーブ１１ｂ３とが光透過性基板１１の径方向に沿って繰り返されている。
【００４６】
この際、青色レーザービームＬＢを使用する場合に、第１記録トラックＴ１用となる凸状の第１ランド１１ｂ１の第１トラック幅Ｗ１は１４０〜１６０ｎｍに設定され、且つ、第２記録トラックＴ２用となる凸状の第２ランド１１ｂ２の第２トラック幅Ｗ２は５０ｎｍに設定され、且つ、凹状のグルーブ１１ｂ３の第３トラック幅Ｗ３は６５〜８５ｎｍに設定されているので、第１記録トラックＴ１と第２記録トラックＴ２との間のトラックピッチは１６０ｎｍ〜１９０ｎｍになり、狭トラック化が図られている。
【００４７】
尚、実施例１とは異なって、波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームを用いることも可能であり、この場合には、光透過性基板１１の厚みを略０．６ｍｍ程度に設定し、且つ、赤色レーザービームに対応して上記した第１，第２，第３トラック幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３を適宜な寸法でＷ１＞Ｗ３＞Ｗ２になるように設定すれば良い。
【００４８】
ここで、光透過性基板１１の一方の面１１ａから青色レーザービームＬＢを入射した時に、この青色レーザービームＬＢは不図示の対物レンズにより他方の面１１ｂ上にスポット状に集光されるが、第１記録トラックＴ１用となる凸状の第１ランド１１ｂ１の第１トラック幅Ｗ１（＝１４０〜１６０ｎｍ）は青色レーザービームＬＢのスポット径と同じ程度に幅広く設定されているために、第１記録トラックＴ１に対して不図示の対物レンズをこの第１記録トラックＴ１と対応した凸状の第１ランド１１ｂ１に沿うように不図示のトラッキング制御部でランドトラッキングをかけることができるようになっている。
【００４９】
一方、第２記録トラックＴ２用となる凸状の第２ランド１１ｂ２の第２トラック幅Ｗ２（＝５０ｎｍ）は青色レーザービームＬＢのスポット径よりもかなり幅狭いためにこの第２ランド１１ｂ２の両側に配置された凹状のグルーブ１１ｂ３，１１ｂ３を含んでしまうので、第２記録トラックＴ２に対して不図示の対物レンズをこの第２記録トラックＴ２の両側に位置する凹状のグルーブ１１ｂ３，１１ｂ３に沿うように不図示のトラッキング制御部でグルーブトラッキングをかけることができるようになっている。
【００５０】
この際、上記したランドトラッキングとグルーブトラッキングは、不図示の光ピックアップ内に設けた光検出器からの検出信号を基に演算して得られたトラッキングエラー信号の極性により、一方が＋極性であるならば他方が−極性になることから両者を判定できる。
【００５１】
そして、情報信号を記録又は再生する時には、下記する第１の方法又は第２の方法があり、いずれか一方を採用すれば良い。まず、第１の方法は、第１記録トラックＴ１に対して内周から外周に向かってランドトラッキング制御を行って第１記録トラックＴ１への走査が終了した後に、第２記録トラックＴ２に対して内周から外周に向かってグルーブトラッキング制御を行えば良い。一方、第２の方法は、不図示のスピンドルモータから出力された１回転パルスごとに第１記録トラックＴ１と第２記録トラックとを交互に切り換えてランドトラッキング制御とグルーブトラッキング制御とを交互に行えば良い。
【００５２】
次に、図２に示した如く、本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体１０は、光透過性基板１１の他方の面１１ｂ上に、第１誘電体層１２と、第１磁性層１３と、凸状の第１，第２ランド１１ｂ１，１１ｂ２と対応した第１，第２記録トラックＴ１，Ｔ２の両側で凹状のグルーブ１１ｂ３と対応する部位のみに配置される面内磁気異方性層１４と、第２磁性層１５と、第３磁性層１６と、第２誘電体層１７と、保護層１８とがこの順で順次成膜されて、光透過性基板１１の一方の面１１ａから青色レーザービームＬＢが第１，第２記録トラックＴ１，Ｔ２に向かって照射され、且つ、不図示の磁気ヘッドによって再生磁界Ｆｒが印加されるように構成されている。
【００５３】
ここで、上記した各層について成膜順に説明すると、まず、光透過性基板１１上に最初に成膜される第１誘電体層１２は、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されている。この際、第１誘電体層１２は、光透過性基板１１上に形成された凸状の第１，第２ランド１１ｂ１，１１ｂ２及び凹状のグルーブ１１ｂ３にならって成膜されている。
【００５４】
次に、第１誘電体層１２上に成膜される第１磁性層１３は、青色レーザービームＬＢの入射側に位置して光透過性基板１１上に形成された凸状の第１，第２ランド１１ｂ１，１１ｂ２及び凹状のグルーブ１１ｂ３にならって成膜されており、青色レーザービームＬＢの照射によって作られた温度勾配特性により磁壁の移動を容易にするために磁気異方性の小さい膜であり、磁壁移動層として機能している。
【００５５】
上記した第１磁性層１３は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｇｄ−Ｆｅ膜又はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加することで、第１磁性層１３のキュリー温度Ｔｃ１３を調節しながら成膜している。尚、上述の磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性の調節を行う際、希土類（Ｇｄ）と鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ）間の交換エネルギーを小さくする効果を持つ元素を添加することは有効で、その場合の添加元素としては、ＢｉやＳｎなどが適用可能である。
【００５６】
次に、第１磁性層１３上に成膜される面内磁気異方性層１４は、後述するイオンミリング処理によって、光透過性基板１１上に形成された凸状の第１，第２ランド１１ｂ１，１１ｂ２と対応する部位には成膜されてなく、光透過性基板１１上に形成された凹状のグルーブ２１ｂ３と対応する部位のみに成膜されている。
【００５７】
上記した面内磁気異方性層１４は、周知の磁気テープの長手方向に磁化されて成膜される磁性層と同様であり、Ｆｅ、Ｃｏ単体、希土類金属とＦｅの合金、希土類金属とＣｏの合金のいずれかが薄膜に成膜されている。
【００５８】
ここで、第１磁性層１３上に成膜した面内磁気異方性層１４に対してイオンミリング処理を図３（ａ），（ｂ）に示したように行っている。
【００５９】
まず、図３（ａ）に示した如く、光透過性基板１１の他方の面１１ｂ上に形成された凸状の第１，第２ランド１１ｂ１，１１ｂ２及び凹状のグルーブ１１ｂ３にならって第１誘電体層１２と第１磁性層１３と面内磁気異方性層１４とをこの順で成膜した後に、不図示のイオンミリング装置内に挿入し、面内磁気異方性層１４の上方から加速したキセノンイオンビームをこの面内磁気異方性層１４上に照射し、このキセノンイオンビームによって凸状の第１，第２ランド１１ｂ１，１１ｂ２にならって凸状に成膜された面内磁気異方性層部位が第１磁性層１３に到達するまで除去されるものの、凹状のグルーブ１１ｂ３にならって凹状に成膜された面内磁気異方性層部位は凸状に成膜された面内磁気異方性層部位よりも低いのでそのまま残る。
【００６０】
そして、イオンミリング処理が終了すると、図３（ｂ）に示したように、光透過性基板１１上に形成された凸状の第１，第２ランド１１ｂ１，１１ｂ２と対応する部位は第１，第２記録トラックＴ１，Ｔ２と対応した第１磁性層１３が露出し、且つ、この左右で光透過性基板１１上に形成された凹状のグルーブ１１ｂ３と対応する各部位は面内磁気異方性層１４が残り、且つ、露出した第１磁性層１３とこの左右の面内磁気異方性層１４は略同じ高さの平坦面となる。
【００６１】
図２に戻り、イオンミリング処理が終了した後、第１，第２記録トラックＴ１，Ｔ２と対応した第１磁性層１３及びこの第１磁性層１３の左右に位置するに面内磁気異方性層１４上に平坦に成膜される第２磁性層１５は、後述する第３磁性層１６から第１磁性層１３に磁区（記録マーク）を転写する時の交換結合力を制御する交換結合力制御層として機能している。この第２磁性層１５も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ膜又はＤｙ−Ｆｅ膜をベースとする材料を用いて希土類金属優勢（ＲＥ−ｒｉｃｈ）で、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第２磁性層１５のキュリー温度Ｔｃ１５を調節しながら成膜している。
【００６２】
次に、第２磁性層１５上に成膜される第３磁性層１６は、記録時に青色レーザービームＬＢを照射しながら図示しない磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った膜面に磁区（磁化反転領域）の形態で記録した後に、室温において記録した磁区を安定に保持するために充分な保磁力を有し、且つ、情報信号を記録するために適したキュリー温度Ｔｃ１６を持つ膜であることが必要であり、記録層（メモリ層）として機能している。
【００６３】
この第３磁性層１６は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜又はＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、更に、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第３磁性層１６のキュリー温度Ｔｃ１６を調節しながら成膜している。
【００６４】
次に、第３磁性層１６上に成膜される第２誘電体層１７は、透明な第１誘電体層１２と同様に、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されている。
【００６５】
次に、透明な第２誘電体層１７上に成膜される保護層１８は、ＵＶ硬化樹脂材料などを用いて第２誘電体層１７側を保護するために必要に応じて成膜されている。
【００６６】
そして、上記のように構成した第１，第２，第３磁性層１３，１５，１６に対して青色レーザービームＬＢに依る記録および再生時の昇温状態を考慮して、第１，第２，第３磁性層１３，１５，１６の各キュリー温度Ｔｃ１３，Ｔｃ１５，Ｔｃ１６は、約４８０Ｋ，約４２０Ｋ，約５９０Ｋ近傍に設定することが望ましい。
【００６７】
ここで、第１，第２，第３磁性層１３，１５，１６の各キュリー温度Ｔｃ１３，Ｔｃ１５，Ｔｃ１６は、各磁性層中でのＣｏの添加量を増加することでキュリー温度を上昇させることができ、一方、各磁性層の磁性特性を大きく変化させることのないＡｌやＣｒなどの非磁性元素の添加量を増加することでキュリー温度を低下させることができるので、各磁性層に対してＣｏや非磁性元素の添加量を調節して、第１，第２，第３磁性層１３，１５，１６の各キュリー温度Ｔｃ１３，Ｔｃ１５，Ｔｃ１６をＴｃ１６＞Ｔｃ１３＞Ｔｃ１５になるように設定している。
【００６８】
また、第１，第２，第３磁性層１３，１５，１６の各膜厚ｔ１３，ｔ１５，ｔ１６は、それぞれ約３０ｎｍ，約１０ｎｍ，約８０ｎｍ近傍に設定することが望ましい。
【００６９】
そして、上記のように構成した実施例１の光磁気記録媒体１０上に波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを用いて情報信号を超高密度に記録再生する場合に、図２及び図４（ａ），（ｂ）に示した如く、記録時に青色レーザービームＬＢを光透過性基板１１の一方の面１１ａから照射しながら不図示の磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った第３磁性層１６に磁区の形態で記録した後に磁区が第２磁性層１５を介して第１磁性層１３に交換結合され、再生時に不図示の磁気ヘッドからの再生磁界Ｆｒを印加しつつ青色レーザービームＬＢの照射による昇温で第２磁性層１５の磁化が消失されて第１磁性層１３内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得ている。
【００７０】
この実施例１ではとくに、図４（ａ）に拡大して示した如く、第１トラック幅Ｗ１（＝１４０〜１６０ｎｍ）が幅広い第１記録トラックＴ１を再生する場合には、前述したように、第１記録トラックＴ１に対して不図示の対物レンズをこの第１記録トラックＴ１と対応した凸状の第１ランド１１ｂ１（図２）に沿うように不図示のトラッキング制御部でランドトラッキングをかけており、この場合に、青色レーザービームＬＢが入射する側の第１磁性層１３と、この第１磁性層１３の上層｛図４（ａ）では下層｝に位置する第２磁性層１５との間で、光透過性基板１１の凹状のグルーブ１１ｂ３（図２）と対応する部位のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層１４を形成したために、再生時に第１記録トラックＴ１のマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶ。
【００７１】
この際、面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層１４が第１記録トラックＴ１の両側にのみ存在しており、各磁性層１３，１５，１６の磁化方向を矢印で示した時に、この第１記録トラックＴ１の両側に設けた面内磁気異方性層１４と交換結合し且つ面内磁気異方性層１４の下方｛図４（ａ）では上方｝に位置する第１磁性層１３は、図４（ａ）に示すごとく磁気スピンが面内方向を向いた面内磁化膜となっているため、第３磁性層１６から第２磁性層１５を介して第１磁性層１３に転写された記録マークの記録トラックＴの両側の境界は、面内から垂直へスピン回転する領域いわゆる９０°磁壁となっている。
【００７２】
従って、この９０°磁壁に蓄えられる磁壁エネルギーは、トラック方向に存在する垂直磁化膜内の１８０°磁壁（磁気スピンが１８０°回転する領域）に蓄えられるエネルギーより小さいので、レーザービーム照射によって作り出された温度勾配の下、よりエネルギー的に安定な低温側へ移動することが容易となり、効率良く半径方向に拡大でき、且つ、面内磁気異方性層１４の領域では完全な記録状態で存在する必要もなく、第１記録トラックＴ１の第１トラック幅Ｗ１が維持されていれば十分である。これに伴って、記録の際、面内磁気異方性層１４の直下の領域がクロスイレーズされても、記録情報の維持及び拡大再生には何等の支障も生じないものである。
【００７３】
また、図４（ｂ）に拡大して示した如く、第２トラック幅Ｗ２（＝５０ｎｍ）が幅狭い第２記録トラックＴ２を再生する場合には、第２記録トラックＴ２に対して不図示の対物レンズをこの第２記録トラックＴ２の両側に位置するは両側の凹状のグルーブ１１ｂ３，１１ｂ３（図２）に沿って不図示のトラッキング制御部でグルーブトラッキングをかけており、この場合にも、図４（ａ）に示した場合と同様に、青色レーザービームＬＢが入射する側の第１磁性層１３と、この第１磁性層１３の上層｛図４（ｂ）では下層｝に位置する第２磁性層１５との間で、光透過性基板１１の凹状のグルーブ１１ｂ３（図２）と対応する部位のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層１４を形成したために、再生時に第２記録トラックＴ２のマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶ。
【００７４】
ここで、下記の表１に、比較例としてトラックピッチを例えば４００ｎｍに設定して面内磁気異方性層を設けない場合と、実施例１のように第１記録トラックＴ１と第２記録トラックＴ２との間のトラックピッチを例えば１６０ｎｍに設定して面内磁気異方性層１４を設けた場合について、再生マーク長（ｎｍ）に対する再生信号の規格化ジッター（％）量を比較した。
【表１】
2007200483.tif 000005
【００７５】
この表１から明らかなように、比較例に比べて実施例１では、比較例よりも極めて狭いトラックピッチにもかかわらず、比較例と比べて規格化ジッター（％）量が同等もしくは小さいので、再生信号がジッターなく良好に得られることが確認できた。
【実施例２】
【００７６】
図５（ａ），（ｂ）は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体に適用される光透過性基板を説明するための縦断面図，上面図、
図６は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図、
図７は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を製造する際に、第１磁性層上に成膜した面内磁気異方性層に対してイオンミリング処理を施す工程を摸式的に示した縦断面図であり、（ａ）はイオンミリング開始状態を示し、（ｂ）はイオンミリング終了状態を示した図、
図８は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図であり、（ａ）は第１トラックを再生する場合を示し、（ｂ）は第２トラックを再生する場合を示した図である。
【００７７】
本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を説明する前に、この実施例２で適用される光透過性基板について図５（ａ），（ｂ）を用いて説明する。
【００７８】
図５（ａ），（ｂ）に示した如く、実施例２の光磁気記録媒体２０（図６）に適用される光透過性基板２１は、実施例１と同様に、ポリカーボネイトなどの透明な樹脂材を用いて外径１２０ｍｍ，中心孔の孔径１５ｍｍで円盤状に形成されており、この光透過性基板２１を回転自在な不図示のスピンドルモータの軸に取り付けた不図示のターンテーブル上に搭載した時に、波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームＬＢが一方の面２１ａから入射されるようになっている。この際、光透過性基板２１の厚みは、青色レーザービームＬＢを使用する場合に略０．１〜０．２ｍｍ程度に設定されている。
【００７９】
また、光透過性基板２１は、青色レーザービームＬＢが入射する一方の面２１ａと対向する他方の面２１ｂ上に、第１記録トラックＴ１用として第１トラック幅Ｗ１を有する凸状の第１ランド２１ｂ１と、第２記録トラックＴ２用として第１トラック幅Ｗ１よりも幅狭い第２トラック幅Ｗ２を有する凸状の第２ランド２１ｂ２とが並列して螺旋状に形成され、且つ、第１トラック幅Ｗ１よりも幅狭く且つ第２トラック幅Ｗ２よりも幅広い第３トラック幅Ｗ３を有する凹状のグルーブ２１ｂ３が第１，第ランド２１ｂ１，２１ｂ２の各側方に沿って形成されているので、凸状の第１ランド２１ｂ１と凹状のグルーブ２１ｂ３と凸状の第２ランド２１ｂ２と凹状のグルーブ２１ｂ３とが光透過性基板２１の径方向に沿って繰り返されている。
【００８０】
この際、青色レーザービームＬＢを使用する場合に、実施例１と同様に、第１記録トラックＴ１用となる凸状の第１ランド２１ｂ１の第１トラック幅Ｗ１は１４０〜１６０ｎｍに設定され、且つ、第２記録トラックＴ２用となる凸状の第２ランド２１ｂ２の第２トラック幅Ｗ２は５０ｎｍに設定され、且つ、凹状のグルーブ２１ｂ３の第３トラック幅Ｗ３は６５〜８５ｎｍに設定されているので、第１記録トラックＴ１と第２記録トラックＴ２との間のトラックピッチは１６０ｎｍ〜１９０ｎｍになり、狭トラック化が図られている。
【００８１】
尚、実施例２とは異なって、波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームを用いることも可能であり、この場合には、光透過性基板２１の厚みを略０．６ｍｍ程度に設定し、且つ、赤色レーザービームに対応して上記した第１，第２，第３トラック幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３を適宜な寸法でＷ１＞Ｗ３＞Ｗ２になるように設定すれば良い。
【００８２】
ここで、光透過性基板２１の一方の面２１ａから青色レーザービームＬＢを入射した時に、この青色レーザービームＬＢは不図示の対物レンズにより他方の面２１ｂ上にスポット状に集光されるが、第１記録トラックＴ１用となる凸状の第１ランド２１ｂ１の第１トラック幅Ｗ１（＝１４０〜１６０ｎｍ）は青色レーザービームＬＢのスポット径と同じ程度に幅広く設定されているために、第１記録トラックＴ１に対して不図示の対物レンズをこの第１記録トラックＴ１と対応した凸状の第１ランド２１ｂ１に沿うように不図示のトラッキング制御部でランドトラッキングをかけることができるようになっている。
【００８３】
一方、第２記録トラックＴ２用となる凸状の第２ランド２１ｂ２の第２トラック幅Ｗ２（＝５０ｎｍ）は青色レーザービームＬＢのスポット径よりもかなり幅狭いためにこの第２ランド２１ｂ２の両側に配置された凹状のグルーブ２１ｂ３，２１ｂ３を含んでしまうので、第２記録トラックＴ２に対して不図示の対物レンズをこの第２記録トラックＴ２の両側に位置するは両側の凹状のグルーブ２１ｂ３，２１ｂ３に沿って不図示のトラッキング制御部でグルーブトラッキングをかけることができるようになっている。
【００８４】
従って、この実施例２でも、第１記録トラックＴ１に対するランドトラッキング制御と、第２記録トラックＴ２に対するグルーブトラッキング制御とを、実施例１と同様な方法により行えば良い。
【００８５】
次に、図２に示した如く、本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体２０は、光透過性基板２１の他方の面２１ｂ上に、第１誘電体層２２と、第１磁性層２３と、凸状の第１，第２ランド２１ｂ１，２１ｂ２と対応した第１，第２記録トラックＴ１，Ｔ２の両側で凹状のグルーブ２１ｂ３と対応する部位のみに配置される面内磁気異方性層２４と、第２磁性層２５と、第３磁性層２６と、第４磁性層２７と、第２誘電体層２８と、保護層２９とがこの順で順次成膜されて、光透過性基板２１の一方の面２１ａから青色レーザービームＬＢが第１，第２記録トラックＴ１，Ｔ２に向かって照射されるように構成されている。
【００８６】
ここで、上記した各層について成膜順に説明すると、まず、光透過性基板２１上に最初に成膜される第１誘電体層２２は、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されている。この際、第１誘電体層２２は、光透過性基板２１上に形成された凸状の第１，第２ランド２１ｂ１，２１ｂ２及び凹状のグルーブ２１ｂ３にならって成膜されている。
【００８７】
次に、第１誘電体層２２上に成膜される第１磁性層２３は、青色レーザービームＬＢの入射側に位置して光透過性基板２１上に形成された凸状の第１，第２ランド２１ｂ１，２１ｂ２及び凹状のグルーブ２１ｂ３にならって成膜されており、青色レーザービームＬＢの照射によって作られた温度勾配特性により磁壁の移動を容易にするために磁気異方性の小さい膜であり、磁壁移動層として機能している。
【００８８】
上記した第１磁性層２３は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｇｄ−Ｆｅ膜又はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加することで、第１磁性層２３のキュリー温度Ｔｃ２３を調節しながら成膜している。尚、上述の磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性の調節を行う際、希土類（Ｇｄ）と鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ）間の交換エネルギーを小さくする効果を持つ元素を添加することは有効で、その場合の添加元素としては、ＢｉやＳｎなどが適用可能である。
【００８９】
次に、第１磁性層２３上に成膜される面内磁気異方性層２４は、後述するイオンミリング処理によって、光透過性基板２１上に形成された凸状の第１，第２ランド２１ｂ１，２１ｂ２と対応する部位には成膜されてなく、光透過性基板２１上に形成された凹状のグルーブ２１ｂ３と対応する部位のみに成膜されている。
【００９０】
上記した面内磁気異方性層２４は、周知の磁気テープの長手方向に磁化されて成膜される磁性層と同様であり、Ｆｅ、Ｃｏ単体、希土類金属とＦｅの合金、希土類金属とＣｏの合金のいずれかが薄膜に成膜されている。
【００９１】
ここで、第１磁性層２３上に成膜した面内磁気異方性層２４に対してイオンミリング処理を図７（ａ），（ｂ）に示したように行っている。
【００９２】
まず、図７（ａ）に示した如く、光透過性基板２１の他方の面２１ｂ上に形成された凸状の第１，第２ランド２１ｂ１，２１ｂ２及び凹状のグルーブ２１ｂ３にならって第１誘電体層２２と第１磁性層２３と面内磁気異方性層２４とをこの順で成膜した後に、不図示のイオンミリング装置内に挿入し、面内磁気異方性層２４の上方から加速したキセノンイオンビームをこの面内磁気異方性層２４上に照射し、このキセノンイオンビームによって凸状の第１，第２ランド２１ｂ１，２１２ｂにならって凸状に成膜された面内磁気異方性層部位が第１磁性層２３に到達するまで除去されるものの、凹状のグルーブ２１ｂ３にならって凹状に成膜された面内磁気異方性層部位は凸状に成膜された面内磁気異方性層部位よりも低いのでそのまま残る。
【００９３】
そして、イオンミリング処理が終了すると、図７（ｂ）に示したように、光透過性基板２１上に形成された凸状の第１，第２ランド２１ｂ１，２１ｂ２と対応する部位は第１，第２記録トラックＴ１，Ｔ２と対応した第１磁性層２３が露出し、且つ、この左右で光透過性基板２１上に形成された凹状のグルーブ２１ｂ３と対応する各部位は面内磁気異方性層２４が残り、且つ、露出した第１磁性層２３とこの左右の面内磁気異方性層２４は略同じ高さの平坦面となる。
【００９４】
図６に戻り、イオンミリング処理が終了した後、第１，第２記録トラックＴ１，Ｔ２と対応した第１磁性層２３及びこの第１磁性層２３の左右に位置するように面内磁気異方性層２４上に平坦に成膜される第２磁性層２５及びこの第２磁性層２５上に成膜される第３磁性層２６は、前述した実施例１の光磁気記録媒体１０（図２）に成膜した第２磁性層１５とは異なって２層に成膜されており、第２，第３磁性層２５，２６のうちで第２磁性層２５を極めて薄膜に成膜することで、この第２磁性層２５は磁壁移動可能な温度領域（約４３０Ｋ〜約４９０Ｋ）のレーザービームＬＢの移動方向前方からの磁壁移動性能を向上させる機能を備えているので、実施例２では再生磁界Ｆｒの印加を省略できる。
【００９５】
また、第２，第３磁性層２５，２６のうちで少なくとも第３磁性層２６は、後述する第４磁性層２７から第１磁性層２３に磁区（記録マーク）を転写する時の交換結合力を制御する交換結合力制御層として機能している。この第２，第３磁性層２５，２６も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ膜又はＤｙ−Ｆｅ膜をベースとする材料を用いて希土類金属優勢（ＲＥ−ｒｉｃｈ）で、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第２，第３磁性層２５，２６のキュリー温度Ｔｃ２５，Ｔｃ２６をそれぞれ調節しながら成膜している。
【００９６】
次に、第３磁性層２６上に成膜される第４磁性層２７は、記録時に青色レーザービームＬＢを照射しながら図示しない磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った膜面に磁区（磁化反転領域）の形態で記録した後に、室温において記録した磁区を安定に保持するために充分な保磁力を有し、且つ、情報信号を記録するために適したキュリー温度Ｔｃ２７を持つ膜であることが必要であり、記録層（メモリ層）として機能している。
【００９７】
この第４磁性層２７は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜又はＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、更に、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第４磁性層２７のキュリー温度Ｔｃ２７を調節しながら成膜している。
【００９８】
次に、第４磁性層２７上に成膜される第２誘電体層２８は、透明な第１誘電体層２２と同様に、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されている。
【００９９】
次に、透明な第２誘電体層２８上に成膜される保護層２９は、ＵＶ硬化樹脂材料などを用いて第２誘電体層２８側を保護するために必要に応じて成膜されている。
【０１００】
そして、上記のように構成した第１，第２，第３，第４磁性層２３，２５，２６，２７に対して青色レーザービームＬＢに依る記録および再生時の昇温状態を考慮して、第１，第２，第３，第４磁性層２３，２５，２６，２７の各キュリー温度Ｔｃ２３，Ｔｃ２５，Ｔｃ２６，Ｔｃ２７は、約４８０Ｋ，約４３０Ｋ，約４２０Ｋ，約５９０Ｋ近傍に設定することが望ましい。
【０１０１】
ここで、第１，第２，第３，第４磁性層２３，２５，２６，２７の各キュリー温度Ｔｃ２３，Ｔｃ２５，Ｔｃ２６，Ｔｃ２７は、各磁性層中でのＣｏの添加量を増加することでキュリー温度を上昇させることができ、一方、各磁性層の磁性特性を大きく変化させることのないＡｌやＣｒなどの非磁性元素の添加量を増加することでキュリー温度を低下させることができるので、各磁性層に対してＣｏや非磁性元素の添加量を調節して、第１，第２，第３，第４磁性層２３，２５，２６，２７の各キュリー温度Ｔｃ２３，Ｔｃ２５，Ｔｃ２６，Ｔｃ２７をＴｃ２７＞Ｔｃ２３＞Ｔｃ２５＞Ｔｃ２６になるように設定している。
【０１０２】
また、第１，第２，第３，第４磁性層２３，２５，２６，２７の各膜厚ｔ２３，ｔ２５，ｔ２６，ｔ２７は、それぞれ約３０ｎｍ，約５ｎｍ，約１０ｎｍ，約８０ｎｍ近傍に設定することが望ましい。
【０１０３】
そして、上記のように構成した実施例２の光磁気記録媒体２０上に波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを用いて情報信号を超高密度に記録再生する場合に、図６及び図８（ａ），（ｂ）に示した如く、記録時に青色レーザービームＬＢを光透過性基板２１の一方の面２１ａから照射しながら不図示の磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った第４磁性層２７に磁区の形態で記録した後に磁区が第２，第３磁性層２５，２４を介して第１磁性層２３に交換結合され、再生時に青色レーザービームＬＢの照射による昇温で少なくとも第３磁性層２６の磁化が消失されて第１磁性層２３内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得ている。
【０１０４】
この実施例２ではとくに、図８（ａ）に拡大して示した如く、第１トラック幅Ｗ１（＝１４０〜１６０ｎｍ）が幅広い第１記録トラックＴ１を再生する場合には、前述したように、第１記録トラックＴ１に対して不図示の対物レンズをこの第１記録トラックＴ１と対応した凸状の第１ランド２１ｂ１（図６）に沿うように不図示のトラッキング制御部でランドトラッキングをかけており、この場合に、青色レーザービームＬＢが入射する側の第１磁性層２３と、この第１磁性層２３の上層｛図８（ａ）では下層｝に位置する第２磁性層２５との間で、光透過性基板２１の凹状のグルーブ２１ｂ３（図６）と対応する部位のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層２４を形成したために、再生時に第１記録トラックＴ１のマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶ。
【０１０５】
この際、面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層２４が第１記録トラックＴ１の両側にのみ存在しており、各磁性層２３，２５，２６，２７の磁化方向を矢印で示した時に、この第１記録トラックＴ１の両側に設けた面内磁気異方性層２４と交換結合し且つ面内磁気異方性層２４の下方｛図８（ａ）では上方｝に位置する第１磁性層２３は、図８（ａ）に示すごとく磁気スピンが面内方向を向いた面内磁化膜となっているため、第４磁性層２７から第３，第２磁性層２６，２５を介して第１磁性層２３に転写された記録マークの記録トラックＴの両側の境界は、面内から垂直へスピン回転する領域いわゆる９０°磁壁となっている。
【０１０６】
従って、この９０°磁壁に蓄えられる磁壁エネルギーは、トラック方向に存在する垂直磁化膜内の１８０°磁壁（磁気スピンが１８０°回転する領域）に蓄えられるエネルギーより小さいので、レーザービーム照射によって作り出された温度勾配の下、よりエネルギー的に安定な低温側へ移動することが容易となり、効率良く半径方向に拡大でき、且つ、面内磁気異方性層２４の領域では完全な記録状態で存在する必要もなく、第１記録トラックＴ１の第１トラック幅Ｗ１が維持されていれば十分である。これに伴って、記録の際、面内磁気異方性層２４の直下の領域がクロスイレーズされても、記録情報の維持及び拡大再生には何等の支障も生じないものである。
【０１０７】
また、図８（ｂ）に拡大して示した如く、第２トラック幅Ｗ２（＝５０ｎｍ）が幅狭い第２記録トラックＴ２を再生する場合には、第２記録トラックＴ２に対して不図示の対物レンズをこの第２記録トラックＴ２の両側に位置するは両側の凹状のグルーブ２１ｂ３，２１ｂ３（図６）に沿って不図示のトラッキング制御部でグルーブトラッキングをかけており、この場合にも、図８（ａ）に示した場合と同様に、青色レーザービームＬＢが入射する側の第１磁性層２３と、この第１磁性層２３の上層｛図８（ｂ）では下層｝に位置する第２磁性層２５との間で、光透過性基板２１の凹状のグルーブ２１ｂ３（図６）と対応する部位のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層２４を形成したために、再生時に第２記録トラックＴ２のマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶ。
【０１０８】
従って、実施例２でも、実施例１と同様に、再生時に第１，第２記録トラックＴ１，Ｔ２のマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、狭トラック記録にもかかわらず再生信号がジッターなく良好に得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体に適用される光透過性基板を説明するための縦断面図，上面図である。
【図２】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図である。
【図３】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を製造する際に、第１磁性層上に成膜した面内磁気異方性層に対してイオンミリング処理を施す工程を摸式的に示した縦断面図であり、（ａ）はイオンミリング開始状態を示し、（ｂ）はイオンミリング終了状態を示した図である。
【図４】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図であり、（ａ）は第１トラックを再生する場合を示し、（ｂ）は第２トラックを再生する場合を示した図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体に適用される光透過性基板を説明するための縦断面図，上面図である。
【図６】本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図である。
【図７】本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を製造する際に、第１磁性層上に成膜した面内磁気異方性層に対してイオンミリング処理を施す工程を摸式的に示した縦断面図であり、（ａ）はイオンミリング開始状態を示し、（ｂ）はイオンミリング終了状態を示した図である。
【図８】本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図であり、（ａ）は第１トラックを再生する場合を示し、（ｂ）は第２トラックを再生する場合を示した図である。
【図９】従来例１において、第１〜第３磁性層を有する光磁気記録媒体の信号再生方法を説明するために模式的に示した図であり、（ａ）は光磁気記録媒体を示し、（ｂ）は媒体温度分布を示し、（ｃ）は磁壁移動を起こす力を示した図である。
【図１０】従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームの移動方向前方側でのフロントプロセスを説明するために模式的に示した図である。
【図１１】従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームの移動方向後方側でのリヤプロセスを説明するために模式的に示した図である。
【図１２】従来例２の光磁気記録媒体を示した構成図である。
【図１３】光磁気記録媒体を再生する際に、光磁気記録媒体上に照射した赤色レーザービームと、光磁気記録媒体上に照射した青色レーザービームとの温度勾配特性を比較した図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１０…実施例１の光磁気記録媒体、
１１…光透過性基板、１１ａ…一方の面、１１ｂ…他方の面、
１１ｂ１…凸状の第１ランド、１１ｂ２…凸状の第２ランド、
１１ｂ３…凹状のグルーブ、
１２…第１誘電体層、１３…第１磁性層、１４…面内磁気異方性層、
１５…第２磁性層、１６…第３磁性層、１７…第２誘電体層、１８…保護層、
２０…実施例２の光磁気記録媒体、
２１…光透過性基板、２１ａ…一方の面、２１ｂ…他方の面、
２１ｂ１…凸状の第１ランド、２１ｂ２…凸状の第２ランド、
２１ｂ３…凹状のグルーブ、
２２…第１誘電体層、２３…第１磁性層、２４…面内磁気異方性層、
２５…第２磁性層、２６…第３磁性層、２７…第４磁性層、
２８…第２誘電体層、２９…保護層、
Ｔ１…第１記録トラック、Ｔ２…第２記録トラック、
Ｗ１…凸状の第１ランドの第１トラック幅、
Ｗ２…凸状の第２ランドの第２トラック幅、
Ｗ３…凹状のグルーブの第３トラック幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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