(57)【要約】【課題】レーザ光を当てない隣接部位の記録層の色素が熱変化を起さない、かつ生産効率の上がる光ディスクを提供する。【解決手段】少なくとも、透明基板と、前記透明基板の上に設けられる記録層と、前記記録層の上に設けられる金属反射層とを有する光記録ディスク基板において、前記金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を前記透明基板の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗と同じか、それより大きくした。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、透明基板と、前記透明基板の上に設けられる記録層と、前記記録層の上に設けられる金属反射層とを有する光記録ディスク基板において、
前記金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を前記透明基板の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗と同じか、それより大きくしたことを特徴とする光記録ディスク基板。
【請求項２】
前記金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗が約１．２５×１０8［Ｋ／Ｗ］以上であることを特徴とする請求項１記載の光記録ディスク基板。
【請求項３】
前記金属反射層の素材が、Ａｇ、Ａｇ含有量９０％以上のＡｇ合金、Ａｌ、Ａｌ含有量９０％以上のＡｌ合金のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録層に色素を含む材料を用いた追記型の光記録媒体であるＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒディスク（以下、光記録ディスク）に関し、特に、その反射層に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明が対象とする光記録媒体は、記録層に色素を含む材料を用いた追記型の光記録媒体で、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等がその代表例で、その層構成は、例えば図７に示すようなものがある。
図において、７０は光記録ディスクで、下から透明基板７１と、その上に色素からなる記録層７２と、その上に金属反射層７３とを有し、更にその上に樹脂を主成分とする保護層７４を１層以上形成して成るものである。
透明基板７１は、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリイミド等の透明樹脂又は透明ガラスで構成されている。
記録層は、例えばフタロシアニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素等の有機色素を材料として含み、必要に応じてクエンチャーや他の添加物を含有している。記録層の形成は、例えば、溶剤に色素を溶解してスピンコート法等により塗布し、乾燥して行なう。膜厚としては、５０〜３００ｎｍである。
【０００３】
保護層は、金属反射層上に１層以上構成される。下部保護層は紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その後紫外線を照射して硬化することによって作成される。  下部保護層の厚さは記録可能領域での最小値が２μｍ以上である。
また、下部保護層の上にスクリーン印刷等により上部保護層等が形成される。
【０００４】
金属反射層は、Ａｇ又はＡｇを含む金属をスパッタ成膜したものであり、Ａｇを８０〜１００原子％含む層である。スパッタガスとしては、Ａｒを主成分とするガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタにより形成する。膜厚としては、１００ｎｍ以上で２００ｎｍ以下である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２８５５１８号公報
【０００５】
このように特許文献１を含めすべての従来技術において、金属反射層の膜厚は、反射率を稼ぐために１００ｎｍ〜２００ｎｍのものが使用されていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、金属反射層をこのように１００ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚みに製膜すると、金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗が小さくなり、熱拡散が良くなるので、レーザ光の当たった部位の熱が金属反射層を水平方向に伝わって、レーザ光の当たっていない水平方向の隣接部位の色素を熱変化させてしまい、ピット形状が悪化することがあった。また、層厚になるまでスパってリングを行うので生産効率が落ちるという問題もあった。
そこで、本発明は、これらの欠点を解決するためになされたもので、反射層の厚みを従来の厚み（１００ｎｍ〜２００ｎｍ）よりも薄くすることによって、金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を大きくし、レーザ光の当たった部位の熱が金属反射層の水平方向に伝わり難くして、レーザ光を当てない隣接部位の色素を熱変化させないようにし、かつ生産効率を上げる光ディスクを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は光記録ディスクに係り、少なくとも、透明基板と、前記透明基板の上に設けられる記録層と、前記記録層の上に設けられる金属反射層とを有する光記録ディスク基板において、前記金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を前記透明基板の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗より大きくしたことを特徴としている。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の光記録ディスクにおいて、前記金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗が約１．２５×１０8［Ｋ／Ｗ］以上であることを特徴としている。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の光記録ディスクにおいて、前記金属反射層の素材が、Ａｇ、Ａｇ含有量９０％以上のＡｇ合金、Ａｌ、Ａｌ含有量９０％以上のＡｌ合金のいずれかであることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
以上のような構成により、金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を大きくし、レーザ光の当たった部位の熱が金属反射層を伝導して水平方向に伝わり難くしたので、レーザ光を当てない隣接部位の色素が熱変化を起さなくなり、しかも従来と変わらない記録部位の色素変質ができ、かつ生産効率の上がる光ディスクが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は本発明に係る反射層製膜を有する光記録ディスクを示す断面図である。
図において、１０は光記録ディスクで、下から透明基板１１と、その上に色素からなる記録層１２と、その上に金属反射層１３とを有し、更に保護層１４を１層以上形成して成るものである。
透明基板１１は、従来製品と同じく、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリイミド等の透明樹脂又は透明ガラスで構成されている。
記録層は、従来製品と全く異なり、本発明によれば、オキソノール色素を含むものである。この色素はレーザ光で変質し易い新規な色素（後述）である。
記録層の形成は、例えば、溶剤に色素を溶解してスピンコート法等により塗布し、乾燥して行なう。そしてその膜厚は、従来よりも薄くて、４０前後ｎｍで構成されている。
【００１０】
保護層は、金属反射層上に１層以上構成される。下部保護層は紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その後紫外線を照射して硬化することによって作成される。  下部保護層の厚さは記録可能領域での最小値が２μｍ以上である。
また、下部保護層の上にスクリーン印刷等により上部保護層等が形成される。
【００１１】
金属反射層は、Ａｇ又はＡｇを含む金属をスパッタ成膜したものであり、Ａｇを８０〜１００原子％含む層である。スパッタガスとしては、Ａｒを主成分とするガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタにより形成する。膜厚は、本発明により薄くしてあり、７０ｎｍ以下（、特に、４０ｎｍか、それ以下〜３０ｎｍ）となっている。
【００１２】
金属反射層を薄くする目安は、金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗が、透明基板および記録層、接着層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗と同じか、それ以下となる値である。
透明基板、記録層、接着層は有機材料であるので、それらの固有の熱抵抗は大体同じオーダーに属している。例えば、ポリカーボネートの固有の熱抵抗は略５（ｍ・Ｋ）／Ｗ（注：熱伝導率＝０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。そして、ポリカーボネートで作られた実際の透明基板の抵抗値は、その厚さ、横幅、長さ方向で決まるので、この製品の場合、透明基板の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗は、実測したところ、１．２５×１０8［Ｋ／Ｗ］となっていた。
一方、金属反射層はＡｇ、Ａｇ含有量９０％以上のＡｇ合金、Ａｌ、Ａｌ含有量９０％以上のＡｌ合金のいずれかであるので、それらの固有の熱抵抗は有機材料のそれとはオーダー的に３桁小さくなっている。例えば、Ａｇの固有の熱抵抗は０．００５（ｍ・Ｋ）／Ｗ（注：熱伝導率＝２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
そして、Ａｇの透明基板の従来製品の実際の抵抗値を測定したところ、水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗は、０．０４２×１０8［Ｋ／Ｗ］となっていた。
そこで、この金属反射層の厚みを従来製品よりもさらに薄くして、金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を約１．２５×１０8［Ｋ／Ｗ］か、それ以上になるまでにしたのが本発明である。そして、この熱抵抗を満足するときの金属反射層の厚みは約４０ｎｍとなった。
【００１３】
図２は、金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を透明基板の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗と同じか、それ以上にするとよい理由を説明する図である。
図において、（ａ）は従来製品、（ｂ）は本発明製品で、１１は透明基板、１２は記録層、１３は金属反射層である。
透明基板１１は厚く、金属反射層１３は薄層なので、透明基板１１の厚みと金属反射層１３の厚みとを正確に描くと、図では金属反射層１３の厚みは視認できる程度には描けないので、ここでは金属反射層１３の厚みは実際より大きめに描いている。Ｒの矢印は平面方向の単位長さ当たりの熱抵抗の大きさを表しており、Ｒａは厚い金属反射膜１３ａの熱抵抗値、Ｒｂは薄い金属反射膜１３ｂの熱抵抗値、Ｒｔは透明基板の熱抵抗値で、矢印の長さは抵抗値の大きさに比例して描いている。
従来製品は、（ａ）のように、金属反射膜１３ａの熱抵抗値が小さいので記録層１２の部位Ｋに記録されたレーザ光の熱は金属反射膜１３ａを伝導して隣接記録部位Ｍを加熱し、そこの色素も変質させることがおきている。
ところが、本発明製品は、（ｂ）のように、金属反射膜１３ｂの熱抵抗値は大きいので記録層１２の部位Ｋに記録されたレーザ光の熱は、金属反射膜１３ｂを水平方向に伝導するよりも、熱抵抗値の小さい透明基板１１の側に伝わることになり、したがって金属反射膜１３ｂを伝導して隣接記録部位Ｍの色素を変質させることはない。
【００１４】
そして、金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を透明基板の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗より大きくするためには、金属反射層の膜厚を４０ｎｍ以下とすることになるが、しかし金属反射層をこのように薄くすると、レーザ光の一部が金属反射層を透過してしまい、反射率が落ちてしまうという欠点が生じる。
【００１５】
本発明では、記録層の色素として、以下に説明するオキソノール色素を使用することによって、反射率が７０％程度のレーザ光の場合でも確実に変質できるようにしている。
そこで、本発明で使用するオキソノール色素について説明する。
オキソノール色素の具体例としては、Ｆ．Ｍ．Ｈａｒｍｅｒ著、Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ−Ｃｙａｎｉｎｅ  Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ、Ｊｏｈｎ＆Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ、Ｌｏｎｄｏｎ、１９６４年刊に記載のもの等が挙げられる。
このようなオキソノール色素の中でも、下記一般式（１）で表される構造ものが好ましい。
【００１６】
【化１】
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【００１７】
一般式（１）中、Ｚａ1及びＺａ2は各々独立に酸性核を形成する原子群を表わす。Ｚａ1及びＺａ2の具体例は、「Ｊａｍｅｓ編、Ｔｈｅ  Ｔｈｅｏｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓ、第４版、マクミラン社、１９７７年、第１９８頁」により定義される。
【００１８】
具体的には、ピラゾール−５−オン、ピラゾリジン−３，５−ジオン、イミダゾリン−５−オン、ヒダントイン、２または４−チオヒダントイン、２−イミノオキサゾリジン−４−オン、２−オキサゾリン−５−オン、２−チオオキサゾリン−２，４−ジオン、イソローダニン、ローダニン、５，６員の炭素環（例えばインダン−１，３−ジオン）、チオフェン−３−オン、チオフェン−３−オン−１，１−ジオキシド、インドリン−２−オン、インドリン−３−オン、２−オキソインダゾリウム、５，７−ジオキソ−６，７−ジヒドロチアゾロ〔３，２−ａ〕ピリミジン、３，４−ジヒドロイソキノリン−４−オン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン（例えば、メルドラム酸）、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、クマリンー２，４−ジオン、インダゾリン−２−オン、ピリド［１，２−ａ］ピリミジン−１，３−ジオン、ピラゾロ〔１，５−ｂ〕キナゾロン、ピラゾロピリドン、３−ジシアノメチリデニル−３−フェニルプロピオニトリル、メルドラム酸などの核が挙げられ、好ましくは、ピラゾール−５−オン、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、１，３−ジオキサン−４，６−ジオンである。
【００１９】
Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3は各々独立に、置換または無置換のメチン基を表わす。Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3を置換する置換基は、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換または無置換のスルホニルアミノ基、置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、置換または無置換のアルキルスルホニル基、置換または無置換のアリールスルホニル基、置換または無置換のスルフィニル基および置換または無置換のスルファモイル基を表す。
【００２０】
上記置換基として好ましくは、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換または無置換の炭素数２〜２０のヘテロ環基、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数６〜２０のアリール基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜１０ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、最も好ましくは無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子である。
【００２１】
Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3は、より好ましくは、無置換のメチン基、または無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子で置換されたメチン基である。
【００２２】
ｋａは０から３までの整数を表わし、より好ましくは１または２の整数を表す。ｋａが２以上のとき、複数存在するＭａ1、Ｍａ2は同じでも異なってもよい。
【００２３】
一般式（１）中のＱは電荷を中和するイオンを表わし、ｙは電荷の中和に必要なＱの数を表わす。
【００２４】
ある化合物が陽イオン、陰イオンであるか、あるいは正味のイオン電荷を有するか否かは、その化合物の置換基に依存する。一般式（１）においてＱで表されるイオンは、対する色素分子の電荷に応じて、陽イオンを表す場合と、陰イオンを表す場合があり、また、色素分子が無電荷の場合には、Ｑは存在しない。Ｑとして表されるイオンには特に制限は無く、無機化合物よりなるイオンであっても、有機化合物よりなるイオンであっても構わない。また、Ｑとして表されるイオンの電荷は１価であっても多価であっても構わない。
【００２５】
Ｑで表される陽イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオンのような金属イオン、４級アンモニウムイオン、オキソニウムイオン、スルホニウムイオン、ホスホニウムイオン、セレノニウムイオン、ヨードニウムイオンなどのオニウムイオンが挙げられる。
【００２６】
一方、Ｑで表される陰イオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオンのようなハロゲン陰イオン、硫酸イオン、リン酸イオン、リン酸水素イオンなどのヘテロポリ酸イオン、琥珀酸イオン、マレイン酸イオン、フマル酸イオン、芳香族ジスルホン酸イオンのような有機多価陰イオン、四フッ化ホウ酸イオン、六フッ化リン酸イオンが挙げられる。
【００２７】
Ｑで表される陽イオンとして好ましくは、オニウムイオンであり、更に好ましくは４級アンモニウムイオンである。４級アンモニウムイオンの中でも特に好ましくは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４’−ビピリジニウム陽イオンおよび特開２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４’−ビピリジニウム陽イオンである。
【００２８】
一般式（１）で表される色素の中でも、Ｑで表されるイオンは下記一般式（２）で表される構造であるものが好ましい。
【００２９】
【化２】
2007095203.tif 000004
【００３０】
一般式（２）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、各々独立に水素原子または、１価の置換基を表す。Ｒ13、Ｒ18は、各々独立に、１価の置換基を表す。
【００３１】
１価の置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられる。
【００３２】
さらに詳しくは、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、各々独立に、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。これらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、
【００３３】
アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。これらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、
【００３４】
アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、
【００３５】
カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【００３６】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、
【００３７】
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
【００３８】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、
【００３９】
スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、
【００４０】
アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、
【００４１】
アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表す。
【００４２】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【００４３】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、好ましくは、全て水素原子である。Ｒ13、Ｒ18はそれぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のヘテロ環基が好ましい。その中でも、置換または無置換のアリール基がより好ましい。更には、置換アリール基が好ましい。Ｒ13、Ｒ18が置換アリール基である場合の置換基は、ヒドロキシル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアルキル基、ハロゲン原子が好ましい。
【００４４】
オキソノール色素の最も好ましい構造は、下記一般式（３）で表される構造である。
【００４５】
【化３】
2007095203.tif 000005
【００４６】
一般式（３）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、各々独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のヘテロ環基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4 は、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００４７】
また、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30は、各々独立に、水素原子または、置換基をあらわす。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30のうち、隣接する２つの置換基が、互いに結合し、環構造を形成してもよい。
【００４８】
置換基の例は、前述の一般式（２）のＲ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20で述べたものを挙げることができる。
【００４９】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基、ハロゲン原子、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアルキル基が好ましい。
【００５０】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30の好ましい例は、Ｒ23、Ｒ28 がヒドロキシル基で、かつ、Ｒ22、Ｒ27が置換または無置換のフェニル基であり、より好ましい例は更にその他が水素原子であるものである。
【００５１】
以上の色素を用いることで、上記問題は解消する。
このようにして、ピット形状の悪化しない、生産効率の上がる光ディスクが得られることとなる。
【００５２】
図３は本発明に係る光記憶ディスクの金属反射層が薄くても、従来製品と変わらない記録ができる根拠を説明する図である。
図において、（Ａ）は金属反射層の厚みと反射率を説明する図で、（Ａ１）は厚みの厚い場合、（Ａ２）は厚みの薄い場合をそれぞれ示している。
Ａ１の４３ａは従来の厚い膜厚（１００ｎｍ〜２００ｎｍ）の金属反射層であり、Ａ２の４３ｂは本発明で使用する薄厚（７０ｎｍ以下）の金属反射層である。
Ａ１において、レーザ光Ｌ１が金属反射層４３ａに対して入射すると、金属反射層４３ａは厚膜であるので、入射光Ｌ１はそこを透過できず全て反射することとなり、反射光Ｌ１となる（ここで、理解を簡単にするため、吸収はゼロとする）。
これに対して、Ａ２において、レーザ光Ｌ１が金属反射層４３ｂに対して入射すると、金属反射層４３ｂは薄膜であるので、入射光Ｌ１の一部はそこを透過して透過光Ｌ３となり、したがって残りが反射光Ｌ２となる（ここでも、理解を簡単にするため、吸収はゼロとする）。
【００５３】
次の（Ｂ）は記録層の厚みと透過率を説明する図で、（Ｂ１）は厚膜の場合、（Ｂ２）は薄膜の場合をそれぞれ示している。
Ｂ１の４２ａは従来の厚膜（５０ｎｍ〜３００ｎｍ）記録層であり、Ｂ２の４２ｂは薄膜（３０ｎｍ以下）の記録層で、色素は上述の従来公知のものを使用している。
Ｂ１において、レーザ光Ｌ１が記録層４２ａに対して入射すると、記録層４２ａは厚膜であるので、入射光Ｌ１はそこを透過するうちに吸収されて熱に変わることで、その透過部分Ｋに存在していた色素だけ他の非透過部分Ｍと比べて大きく変質する。
これに対して、Ｂ２においては、レーザ光Ｌ１が記録層４２ｂに対して入射すると、記録層４２ｂは薄膜であるので、入射光Ｌ１はそこを直ぐに透過してしまい、熱を充分吸収することができず、したがって、その透過部分Ｋに存在していた色素は他の非透過部分Ｍと比べてそれほど目立った変質はしていない。
したがって、このような記録層をレーザ光で読み出そうとしても、記録部分と非記録部分との変質（反射率）の差がないため、光の濃淡に差がでなくなり、記録層としてはこのような薄膜のものは使用していなかった。
そこで、従来製品は、Ａ１の金属反射層＋Ｂ１の記録層を使用しており、それ以外の組み合わせ（Ａ１の金属反射層＋Ｂ２の記録層。Ａ２の金属反射層＋Ｂ１の記録層。Ａ２の金属反射層＋Ｂ２の記録層）は考えられなかった。
【００５４】
図３の（Ｃ）は本発明が使用する金属反射層で、（Ｄ）は本発明が使用する記録層である。（Ｃ）は薄厚（７０ｎｍ以下）の金属反射層４３ｂで、（Ａ２）で説明した金属反射層と同じものである。（Ｄ）において、４２ｃは薄厚（３０ｎｍ前後）の記録層で、色素は本発明に係る色素を使用している。色素の材料については後述するが、この色素の特徴は、この色素を使った記録層は薄膜であっても、そこを透過するレーザ光で十分に変質可能となることである。
【００５５】
そこで、（Ｄ）において、レーザ光Ｌ１が記録層４２ｃに対して入射すると、記録層４２ｃは薄膜であるので入射光Ｌ１はそこを透過して透過光Ｌ１として出射し、金属反射層（Ｃの４３ｂ）に向かい、レーザ光Ｌ１が金属反射層４３ｂに入射すると、金属反射層４３ｂは薄膜であるので、入射光Ｌ１の一部はそこを透過して透過光Ｌ３となるが、残りの７０％は反射光Ｌ２となり、戻る。
そして、実用上、入射光Ｌ１の７０％が反射光Ｌ２であれば、記録層の色素が変質できるので、光記録ディスクとしては問題ない。
【００５６】
以上のように、本発明によれば、金属反射層を３０ｎｍ〜７０ｎｍと従来製品よりも大幅に薄くすることによって、レーザ光の熱を水平方向に伝導させず、透明基板側に放熱させるので、所望のドットが得られ、きれいな記録ができる。同じく、生産効率を上げることができる。
しかも、記録層の色素として、化学式が前記一般式（１）で表される反射率が低くても変質するオキソノール色素を用いているので、薄層であってもそこを透過するレーザ光で色素が充分変質できるため、従来製品と変わらない読み出しが可能となる。
【００５７】
ここで、反射層の製膜を薄くする方法に１例について説明する。
図４は光磁気ディスクの製造に係る反射層製膜のためのスパッタリング装置を示している。４０はスパッタリング装置で、このスパッタリング装置４０は密閉可能なスパッタ室４１を備えており、スパッタ室４１の中にマグネトロンスパッタソース４２が収納され、スパッタソース４２は、反射層を形成せしめるターゲットＴ（例えば、Ａｇ）を支持すると共に外部電源４３と電気的に接続されている。
スパッタ室４１は、下部に回転自在の基板ホルダー４４を備え、基板ホルダー４４は電動機４５に連結されている。基板ホルダー４４はスパッタリング中、スパッタリングの対象の基板Ｓをその反射層形成側をタ−ゲット物質Ｔ側に向けて把持している。
また、スパッタ室４１の壁部には、窒素ガス導入口４６、アルゴンガス導入口４７、並びに排気口４８が設けられている。
【００５８】
スパッタリングを開始する前に、スパッタ室４１を所定の負圧になるまで排気口４８から排気し、その後、スパッタ室４１の中にスパッタリングに必要な反応ガスである窒素ガスＮ２を窒素ガス導入口４６からおよびアルゴンガスＡｒをアルゴンガス導入口４７から供給してガス圧を１Ｐａ以上にし、電動機４５により基板ホルダー４４を回転させながら、スパッタソース４２に電源４３から３６０Ｖ前後の高圧を印加して、ターゲット材Ｔを放電させて、ターゲット材Ｔのスパッタリングを光記録ディスクＳ上に行ない、光記録ディスクＳの表面に所定の厚さの反射層が形成されるまでスパッタリングを続ける。
そこで、スパッタリングの時間を制御することで、光記録ディスクＳの表面に形成される金属反射層を７０ｎｍ以下の厚さに形成することができる。
【００５９】
図５はＪｉｔｔｅｒ対反射層厚みの線図である。
縦軸がＪｉｔｔｅｒ、横軸が反射層厚み（ｎｍ）である。図から判るように、厚みが７０ｎｍ〜１００ｎｍを境にして、１００ｎｍより厚くなるとＪｉｔｔｅｒが上がり、７０ｎｍより薄くなるとＪｉｔｔｅｒが急速に下がる、ということである。したがって、金属反射層の厚みが７０ｍ以下、特に３０ｎｍ以下だときれいな形の円板をした良好な光記録ディスクが得られることが判る。
【００６０】
図６はＰＩ対反射層厚みの線図である。
縦軸がＰＩ値、横軸が反射層厚み（ｎｍ）である。図から判るように、厚みが１００ｎｍより厚くなるとＰＩ値が上がり、７０ｎｍより薄くなるとＰＩ値が急速に下がる、ということである。したがって、金属反射層の厚みが７０ｍ以下、特に３０ｎｍ以下だと見やすさの良好な光記録ディスクが得られることが判る。
【００６１】
以上のような構成により、金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を大きくし、レーザ光の当たった部位の熱が金属反射層を伝導して水平方向に伝わり難くしたので、レーザ光を当てない隣接部位の色素が熱変化を起さなくなり、しかも従来と変わらない記録部位の色素変質ができ、かつ生産効率の上がる光ディスクが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明に係る光記憶ディスクの構成例を示す模式縦断面図である。
【図２】金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を透明基板の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗以下にするとよい理由を説明する図である。
【図３】レーザ光と、金属反射層および記録層の膜厚の関係を説明する図である。
【図４】光磁気ディスクの製造に係る反射層製膜のためのスパッタリング装置の概念図である。
【図５】Ｊｉｔｔｅｒ対反射膜厚みの線図である。
【図６】ＰＩ対反射膜厚みの線図である。
【図７】従来の光記録媒体の構成例を示す模式縦断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  本発明に係る光記録ディスク
１１  透明基板
１２  記録層
１３  金属反射層
１４  保護層
４０  反射層製膜用スパッタリング装置
４１  スパッタ室
４２  マグネトロンスパッタソース
４３  外部電源
４４  基板ホルダー
４５  電動機
４６  窒素ガス導入口
４７  アルゴンガス導入口
４８  排気口
Ｓ  光記録ディスク
Ｔ  ターゲット（例えば、Ａｇ）
【図１】
2007095203.tif 000006
【図２】
2007095203.tif 000007
【図３】
2007095203.tif 000008
【図４】
2007095203.tif 000009
【図５】
2007095203.tif 000010
【図６】
2007095203.tif 000011
【図７】
2007095203.tif 000012