(57)【要約】【課題】シリコン基板を用いたウエハレベルでパッケージされたフィルタや共用器などの電子部品において、妨害波による相互変調歪特性が劣化するなどの課題があった。【解決手段】機能素子１２０は、圧電体層１２１とそれを挟むように形成された上部電極１２２、下部電極１２３とからなり、機能部の機械振動を阻害しないように備えられた空洞１１３が形成された基板１１０に、絶縁膜（図示せず）等を介して形成される。基板１１０には、端子電極１１２と、端子電極１１２と機能部の配線電極とを接続するビアホール１１１が形成され、蓋部１３０には、機能部１２０の振動領域に空洞部１３１が、外側には磁性体薄膜１４０が形成される。蓋部１３０に形成した磁性体薄層の磁界により非線形歪レベルが改善できる。【選択図】図１
2007235304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の少なくとも一方主面に形成された機能部とからなる機能素子と、
前記機能部が形成された前記基板の一方主面側に配置された蓋部と、
前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に、外部との電気接続を図るための配線電極とを備え、
前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に磁性材料層を備えたことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
基板と、
前記基板の少なくとも一方主面に形成された機能部とからなる機能素子と、
前記機能部が形成された前記基板の一方主面側に配置された蓋部と、
前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に、外部との電気接続を図るための配線電極とを備え、
前記配線電極が、前記基板もしくは前記蓋部に形成されたビアホールを含み、前記ビアホールの側壁部の少なくとも一部に磁性材料層を備えたことを特徴とする電子部品。
【請求項３】
基板と、
前記基板の少なくとも一方主面に形成された機能部とからなる機能素子と、
前記機能部が形成された前記基板の一方主面側に配置された蓋部と、
前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に、外部との電気接続を図るための配線電極とを備え、前記配線電極が、前記基板もしくは前記蓋部に形成されたビアホールを含み、前記ビアホールが磁性材料により充填されたことを特徴とする電子部品。
【請求項４】
前記磁性材料が導電性材料であることを特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記磁性材料が、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、マンガン（Ｍｎ）から選ばれる元素を少なくとも含むことを特徴とする請求項１から３に記載の電子部品。
【請求項６】
前記充填材が、絶縁性材料により被覆された磁性体材料であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
前記充填材が、磁性材料を担持した有機材料であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
前記機能素子が受動部品であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
前記機能素子が弾性振動を利用したフィルタまたはメカニカルスイッチであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１０】
基板に機能部を形成する工程と、
機能部と蓋部とを接合する工程と、
前記基板もしくは前記蓋部の一部に磁性材料層を形成する工程とを少なくとも備えた電子部品の製造方法。
【請求項１１】
基板に機能部を形成する工程と、
機能部と蓋部とを接合する工程と、
前記基板もしくは前記蓋部の一部にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールの側壁部の少なくとも一部に磁性材料層を形成する工程とを少なくとも備えた電子部品の製造方法。
【請求項１２】
基板に機能部を形成する工程と、
機能部と蓋部とを接合する工程と、
前記基板もしくは前記蓋部の一部にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールに磁性材料を充填する工程とを少なくとも備えた電子部品の製造方法。
【請求項１３】
アンテナ、送信回路および受信回路を備えた通信機器であって、
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品を、前記アンテナと前記送信回路または前記受信回路との接続部、もしくは、前記送信回路および前記受信回路の少なくともいずれか一方に備えた通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話に代表される携帯型電子機器に用いられ、弾性表面波デバイスや圧電バルク波デバイス、メカニカルスイッチなどの電子部品とその製造方法およびそれを用いた通信機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯型電子機器に内蔵される部品は、高性能を維持しつつ、より小型化、軽量化されることが要求されている。例えば、携帯電話に使われている高周波信号を選別するフィルタや共用器では、小型であり、挿入損失が小さいことが要求される。これらの要求を満たすフィルタの１つとして、圧電振動を利用した弾性表面波（ＳＡＷ；Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）デバイスや、薄膜バルク波共振器（ＦＢＡＲ；Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）デバイスが知られている。
【０００３】
図１１は、電子部品の一例として、従来の薄膜バルク波共振器デバイスの断面図を示したものである。ここで、６１０は第１の基板、６１１は空洞部、６２０は圧電体層６２１と上下電極６２２、６２３とからなる薄膜バルク波共振器（機能部）であり、前記第１の基板６１０上に形成される。また、６３０は蓋部であり、外部端子６３１、ビアホール６３２、空洞部６３３を備える。さらに、６４０は第１の基板の空洞部を封止する第２の基板である。
【０００４】
シリコンからなる第１の基板上には、窒化アルミニウムなどの圧電体層６２１と、それを挟むように形成された上下電極６２２、６２３からなる複数の薄膜バルク波共振器６２０が形成され、前記複数の共振器を電気的に接続することによりフィルタ特性を得ることができる。前記薄膜バルク波共振器６２０の機械的な振動を阻害しないよう、第１の基板６１０、蓋部６３０には空洞６１１、６３３が形成されている。さらに、蓋部６３０には、複数のビアホール６３２が形成され金属で充填することにより、外部端子６３１と、機能部の配線電極との電気的導通が図られる。第２の基板６４０は、第１の基板６１０の空洞部６１１を封止するため、同じくシリコンからなる第２の基板をガラスフリットなどを用いて接合される。
【０００５】
これにより、従来のピックアンドプレイス式機械で容易に取り扱え、気密的にパッケージされた電子部品を得ることができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
さらに、図１２に示すように、弾性表面波デバイスの周波数調整に適したパッケージ構造が知られている。図１２において、７１０はベース基板、７１２は外部端子、７１４は接合部材、７１５は導電部材、７２１、７２３は電極、７２２は絶縁部材、７３０は弾性表面波共振子である。
【０００７】
絶縁部材７１４には、コンデンサやコイルが形成されており、これらのキャパシタンスやインダクタンスをパターン切断により調整し、弾性表面波共振子の周波数を調整する。弾性表面波共振子７３０を構成する基板と、ベース基板７１０との熱膨張係数差に起因する熱応力は、絶縁部材７２２と接合部材７１４により緩和され、弾性表面波共振子７３０の特性に影響を与えない。
【０００８】
これにより、弾性表面波共振子を実装した後に、周波数調整を容易かつ正確に行え、応力変化等に起因する周波数シフトのない信頼性の高い電子部品を得ることができる（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
以上により、従来用いられていたメタル製やセラミック製多層の箱型パッケージを用いることなく、また、ワイヤボンディングを不要とした電子部品のパッケージングを行うことで、ウエハレベルでパッケージが可能で、小型低背、高信頼性の電子部品を得ることができる。さらに、補助的な基板を使用することで、回路基板への実装が容易な電子部品を得ることができる。さらに、周波数調整機能を備えることにより、電気特性に優れた電子部品を得ることができる。
【特許文献１】特表２００４−５０３１６４号公報
【特許文献２】特開２００４−３６４１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図１１や図１２に示す従来の構成では、ウエハレベルパッケージ構造を用いたデバイスの小型化により、電子部品の相互変調歪特性が劣化するという新たな課題があった。具体的には、高周波フィルタや共用器、高周波メカニカルスイッチなどにおいて、送信信号と、アンテナなど外部から到来する妨害波とにより、受信帯域において相互変調歪特性が劣化するという課題があった。
【００１１】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、電子部品のサイズを大型化することなく、相互変調歪特性が良好な電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の電子部品は、基板と、前記基板の少なくとも一方主面に形成された機能部とからなる機能素子と、前記機能部が形成された前記基板の一方主面側に配置された蓋部と、前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に、外部との電気接続を図るための配線電極とを備え、前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に磁性材料層を備えたことを特徴としている。
【００１３】
さらに、本発明の電子部品は、基板と、前記基板の少なくとも一方主面に形成された機能部とからなる機能素子と、前記機能部が形成された前記基板の一方主面側に配置された蓋部と、前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に、外部との電気接続を図るための配線電極とを備え、前記配線電極が、前記基板もしくは前記蓋部に形成されたビアホールを含み、前記ビアホールの側壁部の少なくとも一部に磁性材料層を備えたことを特徴としている。
【００１４】
さらに、本発明の電子部品は、基板と、前記基板の少なくとも一方主面に形成された機能部とからなる機能素子と、前記機能部が形成された前記基板の一方主面側に配置された蓋部と、前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に、外部との電気接続を図るための配線電極とを備え、前記配線電極が、前記基板もしくは前記蓋部に形成されたビアホールを含み、前記ビアホールが磁性材料により充填されたことを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の電子部品の製造方法は、少なくとも、基板に機能部を形成する工程と、機能部と蓋部とを接合する工程と、前記基板もしくは前記蓋部の一部に磁性材料層を形成する工程とを備えている。
【００１６】
さらに、本発明の電子部品の製造方法は、少なくとも、基板に機能部を形成する工程と、機能部と蓋部とを接合する工程と、前記基板もしくは前記蓋部の一部にビアホールを形成する工程と、前記ビアホールの側壁部の少なくとも一部に磁性材料層を形成する工程とを備えている。
【００１７】
さらに、本発明の電子部品の製造方法は、少なくとも、基板に機能部を形成する工程と、機能部と蓋部とを接合する工程と、前記基板もしくは前記蓋部の一部にビアホールを形成する工程と、前記ビアホーに磁性材料を充填する工程とを備えている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の電子部品によれば、従来の構造を大きく変更することなく、信頼性が高く、相互変調歪特性など高周波特性に優れた電子部品を得ることができる。
【００１９】
さらに、本発明の電子部品の製造方法によれば、煩雑な工程を付加することなく、低廉で小型の、相互変調歪特性など高周波特性に優れた電子部品を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における電子部品の構造を模式的に示した断面図である。図１において、１１０は基板、１１１はビアホール、１１２は外部端子、１１３は空洞、１２０は機能素子、１２１は圧電体層、１２２は上部電極、１２３は下部電極、１３０は蓋部、１３１は空洞、１４０は磁性体層である。
【００２２】
本実施の形態では、電子部品として圧電薄膜を利用した薄膜バルク波共振器デバイスを用いている。機能素子１２０は、圧電体層１２１とそれを挟むように形成された上部電極１２２、下部電極１２３とからなり、圧電体層１２１として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いた。窒化アルミニウム以外に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）やチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）など、他の圧電薄膜を用いてもよい。また、電極１２２、１２３としてモリブデン（Ｍｏ）を用いたが、これに限るものではない。
【００２３】
前記機能部１２０は、機能部の機械振動を阻害しないように備えられた空洞１１３が形成されたシリコンからなる基板１１０に、犠牲層エッチングなどの従来のプロセスを用いて、絶縁膜（図示せず）等を介して形成される。基板としては、他にサファイア基板やガラス基板などを用いてもよい。前記基板には、端子電極１１２と、端子電極１１２と機能部の配線電極とを接続するビアホール１１１が形成されている。
【００２４】
蓋部１３０は、基板１１０と同様シリコンからなり、機能部１２０の振動領域には空洞部１３１が形成されている。基板１１０と蓋部１３０は、その周囲をガラスフリットや、金属層などを用いること、表面活性による共有結合、あるいは、有機接着剤を用いることにより接合することができるが、接合方法に何ら制約はない。さらに、蓋部１０３には、Ｆｅ−Ｎｉ系の磁性体薄膜１４０を形成した。磁性体薄膜としては、他にコバルトやマンガン、クロムなどを含む安価な磁性体膜を形成することができる。さらに、磁性金属を担持した有機材料などを用いてもよい。また、前記磁性体薄膜は、多層膜でもよく、磁性体薄膜に酸化ケイ素や窒化珪素などの保護膜をさらに形成してもよい。
【００２５】
本実施の形態では、圧電薄膜とそれを挟むように形成された薄膜バルク波共振器デバイスを示している。
【００２６】
ここで、図２（ａ）は梯子型回路の構成例である。入力端子２０１ａと出力端子２０１ｂの間に、直列共振器２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃが直列に接続されている。また、直列共振器２０２ａと２０２ｂの間に並列に並列共振器２０３ａの一方の端子が接続され、もう一方の端子がインダクタ２０５ａを介して接地されている。また、直列共振器２０２ｂと２０２ｃの間に並列に並列共振器２０３ｂの一方の端子が接続され、もう一方の端子がインダクタ２０５ｂを介して接地されている。
【００２７】
一方、図２（ｂ）は格子型回路の構成例である。入力端子２０１ａと出力端子２０１ｂの間に、直列共振器２０２が接続されている。入力端子２０１ａと直列共振器２０２の間に並列に並列共振器２０３ａの一方の端子が接続され、もう一方の端子がインダクタ２０５ａを介して接地されている。また、出力端子２０１ｂと直列共振器２０２の間に並列に並列共振器２０３ｂの一方の端子が接続され、もう一方の端子がインダクタ２０５ｂを介して接地されている。さらに、インダクタ２０５ａ、２０５ｂの接地されていない方の端子はバイパス共振器２０４を介して接続されている。
【００２８】
このように、互いに異なる適当な共振周波数を有する直列共振器２０２、２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、並列共振器２０３ａ、２０３ｂ、バイパス共振器２０４を、梯子型（図２（ａ））または格子型（図２（ｂ））に接続することにより、バンドパスフィルタを構成することができる。なお、バンドパスフィルタの回路構成は、図２に示した構成に限るものではない。
【００２９】
図３は、互いに通過周波数帯域の異なる２つのフィルタを備えた共用器の構造を模式的に示した断面図である。図３において、１１０は基板、１２０ａは例えば送信用フィルタ、１２０ｂは例えば受信用フィルタ、１３０は蓋部、１４０は磁性体層である。
【００３０】
また、図４は前記共用器のブロック図を示したものであり、送受端子３０１、３０２と、アンテナ端子３０３、送受フィルタ３０４、３０６、移相回路３０５（図３では図示せず）から構成されている。共用器を構成する場合には、図１に示す別々の薄膜バルク波共振器デバイスを、マザー基板などの別基板上で複数個接続して構成しても良いが、同一の基板１１０に形成するほうが好ましい。これにより、より小型の電子部品を得ることができる。
【００３１】
次に、この共用器を用いて相互変調歪特性について説明する。
【００３２】
図５は、携帯電話などの同時送受信をする無線通信機器の無線部を簡単に示したブロック図である。図５において、５０１は送信端子、５０２は受信端子、５０３はベースバンド（ＢＢ）部、５０４はパワーアンプ（ＰＡ）、５０７は送信フィルタ５０５、受信フィルタ５０６とからなる共用器、５０８はローノイズアンプ（ＬＮＡ）、５０９はアンテナである。
【００３３】
送信端子５０１から入った信号は、ベースバンド部５０３で変調され、パワーアンプ５０４で信号が増幅される。そして、送信フィルタ５０５を通りフィルタリングされ、送信帯域の信号がアンテナ５０９から電波が送信される。この際、受信フィルタ５０６へ送信信号が回り込まないように共用器は設計される。アンテナ５０９から受信した信号は、送信フィルタに回り込むことなく、受信フィルタ５０６を通りフィルタリングされ、ＬＮＡ５０８により増幅され、ベースバンド５０３により復調され、受信端子５０２に伝達される。
【００３４】
様々な無線周波数利用した複数のチャンネル、システムが混在している状況では、アンテナ５０９から複数の周波数成分の信号（妨害波）が受信される。例えば、自端末の送信信号と、アンテナからの妨害波信号が共用器など各構成要素の非線形性により歪み、この信号が受信帯域に入ると受信レベルの悪化などの障害が起こる。例えば、ｆａとｆｂの異なる周波数の信号が入力されると、電子部品の非線形性により、ｆａＸ２、ｆｂＸ２という２次の高調波が発生する。この高調波と基本波ｆ１、ｆ２により、３次の相互変調歪（ＩＭ３）として（２ｆａ−ｆｂ）や（２ｆｂ−ｆａ）などの信号が発生する。
【００３５】
従来、金属性のパッケージや、大型のセラミックパッケージなどを用いた共用器等では問題とならなかったレベルの信号であるが、電子部品の小型化が急速に進み、機能素子自体の耐湿性などの信頼性が向上したため、樹脂モールドされた共用器が用いられてくると、無視できないレベルになり、無線機の通話品質を劣化させる一因となっている。
【００３６】
図６は、相互変調歪特性の測定系の一例を示したものである。図６において、４０１、４１１は信号発生器（ＳＧ）、４０２はパワーアンプ（ＰＡ）、４０７は送信フィルタ４０５、受信フィルタ４０６からなる共用器、４０９はスペクトラムアナライザ（ＳＡ）である。
【００３７】
本実施の形態では、北米ＰＣＳシステムを想定し、送信信号として、信号発生器４０１より１８５０ＭＨｚ、１９１０ＭＨｚの信号を発生させ、パワーアンプ４０２、アイソレータ４０３、１８５０〜１９１０ＭＨｚの通過帯域を有する、送信フィルタを経て、共用器４０７のアンテナ端で２０ｄＢｍとなるように制御した。
【００３８】
次に、妨害波として、同じく信号発生器４１１より、送信周波数をＴｘ、受信周波数をＲｘとしたとき、（Ｒｘ−Ｔｘ）＝８０ＭＨｚ、（Ｒｘ＋Ｔｘ）＝１７７０ＭＨｚ〜１８３０ＭＨｚ、（２Ｔｘ−Ｒｘ）＝３７８０ＭＨｚ〜３９００ＭＨｚ、（２Ｔｘ＋Ｒｘ）＝５６３０ＭＨｚ〜５８１０ＭＨｚとなる周波数を発生させた。ここで発生した信号は、１９３０〜１９９０ＭＨｚの通過帯域を持つ受信フィルタ４０６を経て、スペクトラムアナライザ４０９で歪レベルを計測した。なお、妨害波の信号レベルは、０〜５ｄＢｍとして受信レベルを計測し、−１５ｄＢｍ入力時の歪を外装により求め、従来の電子部品と本発明の電子部品との比較を行った。
【００３９】
先ず、妨害波を（Ｒｘ−Ｔｘ）とした場合、従来の共用器の場合、送信信号が１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚの場合、歪は−７０ｄＢｍ〜−８０ｄＢｍ程度であるのに対して、本発明の構造による共用器を用いた場合には、全帯域にわたって歪が−１２０ｄＢｍ以下であり、大きく改善されていることが確認できた。
【００４０】
また、妨害波を（Ｒｘ＋Ｔｘ）とした場合、従来構成では−８０ｄＢｍ程度であるのに対して、本発明の構成では−１１０ｄＢｍ以下となった。同様に、妨害波が（２Ｔｘ−Ｒｘ）の場合に、従来構成では−７０〜−９５ｄＢｍに対し、本発明の構成では−１２０ｄＢｍ以下であった。さらに、妨害波を（２Ｔｘ＋Ｒｘ）とした場合、従来構成ではおよそ−１００ｄＢｍであるのに対し、本発明の構成では−１２０ｄＢｍ以下を確保することができた。
【００４１】
以上のように、様々な妨害波に対して、蓋部に形成された磁性体層の磁界により、非線形歪レベルを大幅に改善することができ、電気特性に優れた電子部品を得ることができる。また、本発明の電子部品を用いることにより、通話品質に優れた通信機器を実現することができる。
【００４２】
なお、相互変調歪の計測に関しては、本発明で用いた測定系に限るものではない。また、測定系の保護のため、必要に応じてアイソレータやバンドパスフィルタを使用することが好ましい。また、共用器についての実施の効果について説明したが、バンドパスフィルタの計測の場合には、信号波と妨害波の２波を入力端子より入力することで、同様に評価ができる。
【００４３】
本発明の電子部品は、従来構造の電子部品に対して、何らその大きさに変更を加えるものではなく、従来同様の小型の電子部品を損なうことなく、電気特性を改善することができる。また、煩雑な工程を付加することなく、低廉で電気特性に優れた電子部品を得ることができる。
【００４４】
また、図７に示すように、基板１１０に形成されたビアホール１１１の側壁の一部に磁性体層１４０を形成した場合でも同様の効果が得られる。この場合、ビアホールの側壁に少なくともリング状に磁性体層を形成することが好ましい。また、外部端子１１２の一部を磁性体層としても良い。磁性体層をその側壁に形成したビアホールには、銀や銅などの導電体材料により充填され、機能部の配線パターンと、外部端子とを接続することにより、導体損失が小さく、かつ、歪特性などの高周波特性に優れた電子部品を得ることができる。なお、ビアホール１１１全域を導電性の磁性体材料１４０で充填しても同様の効果が得られる（図８）。
【００４５】
また、図９に示すように、従来の電子部品の構造（図１１）と同様、蓋部１３０にビアホール１１１を配し、外部端子１１２との接続を図ってもよい。この場合、磁性体層１４０は基板裏面に配することが好ましいが、蓋部において外部端子が形成されていない部分に磁性体層を形成してもよい。外部端子間に絶縁性の磁性体層を形成した場合には、端子間のアイソレーションが良好で、帯域外減衰量に優れ、かつ、歪特性などの高周波特性に優れた電子部品を提供することができる。
【００４６】
本実施の形態では、電子部品として薄膜バルク波共振器デバイスを用いたが、圧電体表面を伝搬する弾性波を利用した弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスなどの他の高周波フィルタでも同様の効果が得られる。また、本実施の形態では、共用器について説明したが、フィルタ単体においても同様の効果が得られた。
【００４７】
また、図１０に示すように、同様な無線回路に使用されるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）などのメカニカルスイッチにおいても同様の効果が得られる。図１０において、５０１は送信端子、５０２は受信端子、５０３はベースバンド（ＢＢ）部、５０４はパワーアンプ（ＰＡ）、５０５は送信フィルタ、５０６は受信フィルタ、５０８はローノイズアンプ（ＬＮＡ）、５０９はアンテナ、５１１は送受信号を切り替える高周波スイッチである。
【００４８】
送信時には、送信端子５０１から入った信号は、ベースバンド部５０３で変調され、パワーアンプ５０４で信号が増幅される。そして、送信フィルタ５０５を通りフィルタリングされ、送信帯域の信号がアンテナ５０９から電波が送信される。また、受信時には、アンテナ５０９から受信した信号は、送信フィルタに回り込むことなく、受信フィルタ５０６を通りフィルタリングされ、ＬＮＡ５０８により増幅され、ベースバンド５０３により復調され、受信端子５０２に伝達される。このように、スイッチは送受信を時分割で行う場合に用いられるもので、ＭＥＭＳ技術を用いたメカニカルスイッチが使用できる。
【００４９】
このようなシステムにおいても、前記共用器の場合と同様に、メカニカルスイッチをシリコン基板上に形成し、磁性体層を構造体に配することで、磁性体層がない場合に比べて、様々な妨害波に対して２０〜５０ｄＢｍの改善効果を得ることができた。
【００５０】
以上のように、基板と、前記基板の少なくとも一方主面に形成された機能部とからなる機能素子と、前記機能部が形成された前記基板の一方主面側に配置された蓋部と、前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に、外部との電気接続を図るための配線電極とを備え、前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に磁性材料層を備えたことにより、相互変調歪が小さく高周波特性に優れた電子部品を得ることができる。
【００５１】
また、基板と、前記基板の少なくとも一方主面に形成された機能部とからなる機能素子と、前記機能部が形成された前記基板の一方主面側に配置された蓋部と、前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に、外部との電気接続を図るための配線電極とを備え、前記配線電極が、前記基板もしくは前記蓋部に形成されたビアホールを含み、前記ビアホールの側壁部の少なくとも一部に磁性材料層を備えた電子部品、もしくは、基板と、前記基板の少なくとも一方主面に形成された機能部とからなる機能素子と、前記機能部が形成された前記基板の一方主面側に配置された蓋部と、前記基板もしくは前記蓋部の少なくとも一方に、外部との電気接続を図るための配線電極とを備え、前記配線電極が、前記基板もしくは前記蓋部に形成されたビアホールを含み、前記ビアホールが磁性材料により充填されたこと電子部品により、通過損失が小さく、歪特性などの高周波特性に優れた電子部品を得ることができる。
【００５２】
また、前記磁性体材料が導電性材料の場合には、前記磁性材料を絶縁性材料により被覆することにより、配線パターン間の短絡が起きることなく磁性体層を形成することができ、材料自体の磁気特性劣化がないため、経時変化がなく信頼性の高い電子部品を得ることができる。
【００５３】
また、前記充填材が、鉄（Ｆｅ）などの磁性金属を担持した有機材料とすることにより、回路基板に複数の電子部品を実装し、一括で樹脂封止する際など、封止材料の一般的母材であるエポキシ系樹脂などの樹脂との親和性が高く、長期信頼性に優れた電子部品を得ることができる。
【００５４】
さらに、前記電子部品を得るために、基板に機能部を形成する工程と、機能部と蓋部とを接合する工程と、前記基板もしくは前記蓋部の一部に磁性材料層を形成する工程とを少なくとも備える、もしくは、基板に機能部を形成する工程と、機能部と蓋部とを接合する工程と、前記基板もしくは前記蓋部の一部にビアホールを形成する工程と、前記ビアホールの側壁部の少なくとも一部に磁性材料層を形成する工程とを少なくとも備える、もしくは、基板に機能部を形成する工程と、機能部と蓋部とを接合する工程と、前記基板もしくは前記蓋部の一部にビアホールを形成する工程と、前記ビアホールに磁性材料を充填する工程とを少なくとも備えることにより、高周波特性、信頼性に優れた電子部品の製造方法を提供することができる。
【００５５】
さらに、アンテナ、送信回路および受信回路を備えた通信機器であって、バンドパスフィルタ、共用器、スイッチなどの前記電子部品を、前記アンテナと前記送信回路または前記受信回路との接続部、もしくは、前記送信回路および前記受信回路の少なくともいずれか一方に備えることにより、相互変調歪特性が良好で通話品質に優れた通信機器を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明にかかる電子部品は、小型低背の形状に影響を与えることなく、また、簡略化された工程で低廉に実現でき、相互変調歪や帯域外減衰量、アイソレーションなどの高周波特性に優れ、さらには信頼性に優れた電子部品を提供することが可能である。
【００５７】
前記電子部品を利用することで、低損失で小型な圧電振動デバイスや、フィルタ、共用器、アクチュエータ、メカニカルスイッチなどの機能デバイスを実現することが可能であり、これらを用いることにより、妨害波に強く通話品質に優れた無線通信機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態１における電子部品の構造を示す断面模式図
【図２】本発明の実施の形態１におけるフィルタの構成を示すブロック図
【図３】本発明の実施の形態１における共用器の構造を示す断面模式図
【図４】本発明の実施の形態１における共用器の構成を示すブロック図
【図５】本発明の実施の形態１における通信機器のブロック図
【図６】本発明の実施の形態１における測定系を示すブロック図
【図７】本発明の実施の形態１における通信機器のブロック図
【図８】本発明の実施の形態１における他の電子部品の構造を示す断面模式図
【図９】本発明の実施の形態１における他の電子部品の構造を示す断面模式図
【図１０】本発明の実施の形態１における他の電子部品の構造を示す断面模式図
【図１１】従来の電子部品の構造を示す断面模式図
【図１２】従来の他の電子部品の構造を示す断面模式図
【符号の説明】
【００５９】
１１０    基板
１１１    ビアホール
１１２    外部端子
１１３    空洞
１２０    機能素子
１２１    圧電体層
１２２    上部電極
１２３    下部電極
１３０    蓋部
１３１    空洞
１４０    磁性体層
２０１ａ    入力端子
２０１ｂ    出力端子
２０２，２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ    直列共振器
２０３ａ，２０３ｂ    並列共振器
２０４    バイパス共振器
２０５    インダクタ
３０１    送信端子
３０２    受信端子
３０３    アンテナ端子
３０４    送信フィルタ
３０５    移相回路
３０６    受信フィルタ
３０７    共用器
４０１    信号発生器
４０２    パワーアンプ
４０５    送信フィルタ
４０６    受信フィルタ
４０７    共用器
４０９    スペクトラムアナライザ
４１１    信号発生器
５０１    送信端子
５０２    受信端子
５０３    ベースバンド部
５０４    パワーアンプ
５０５    送信フィルタ
５０６    受信フィルタ
５０７    共用器
５０８    ＬＮＡ
５０９    アンテナ
５１０    通信機器
５１１    スイッチ
６１０    第１の基板
６１１    空洞部
６２０    機能部
６２１    圧電体層
６２２    上部電極
６２３    下部電極
６３０    蓋部
６３１    外部端子
６３２    ビアホール
６３３    空洞部
６４０    第２の基板
７１０    ベース基板
７１２    外部端子
７１４    接合部材
７１５    導電部材
７２１    電極
７２３    電極
７２２    絶縁部材
７３０    弾性表面波共振子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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