(57)【要約】【課題】小型化することができ、且つ生産性に優れた高周波回路モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板上に並設される第１、第２の電子部品３、４と、第１、第２の電子部品３、４を被覆する樹脂材６とを備える高周波回路モジュールにおいて、樹脂材６は、第１の電子部品３と第２の電子部品４との間に、両者を隔てる溝部１４を有しており、溝部内にはシールド部材５が埋設されている。【選択図】図２
2007294829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に並設される第１、第２の電子部品と、前記第１、第２の電子部品を被覆する樹脂材とを備える高周波回路モジュールにおいて、
前記第１の電子部品と前記第２の電子部品との間には、両者を隔てる溝部が設けられており、該溝部内にはシールド部材が埋設されていることを特徴とする高周波回路モジュール。
【請求項２】
前記配線基板には、グランド電位に保持されるグランド導体が前記溝部の内壁に露出するようにして設けられ、前記シールド部材が前記グランド導体の露出部に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波回路モジュール。
【請求項３】
前記樹脂材の上面に、前記シールド部材と電気的に接続されるシールド層を設けたことを特徴とする請求項２に記載の高周波回路モジュール。
【請求項４】
前記第１の電子部品がＲＦＩＣであり、前記第２の電子部品がベースバンドＩＣであることを特徴とする請求項２に記載の高周波回路モジュール。
【請求項５】
前記ＲＦＩＣと電気的に接続されるＲＦ用受動部品をさらに含み、前記溝部に埋設されるシールド部材によって区切られる２つの領域のうち、前記ＲＦＩＣが配される側の領域に前記ＲＦ用受動部品が配されていることを特徴とする請求項４に記載の高周波回路モジュール。
【請求項６】
前記溝部の底面が前記配線基板内に位置するとともに、前記ＲＦ用受動部品が前記配線基板に内蔵されていることを特徴とする請求項５に記載の高周波回路モジュール。
【請求項７】
複数の基板領域を有するマスター基板の各基板領域に第１、第２の電子部品を並設する工程Ａと、
前記第１、第２の電子部品及び基板領域の上面を被覆する樹脂材を形成する工程Ｂと、
前記第１の電子部品と前記第２の電子部品との間に介在される前記樹脂材に、前記第１、第２の電子部品を隔てる溝部を形成する工程Ｃと、
前記溝部内に導電ペーストを充填し、硬化することによりシールド部材を形成する工程Ｄと、を含む高周波回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記工程Ａにおいて、各基板領域の前記溝部が形成される直下位置に、グランド電位に保持されるグランド導体を形成するとともに、前記工程Ｃにおいて、前記溝部を、前記グランド導体が露出するようにして形成することを特徴とする請求項７に記載の高周波回路モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記工程Ｄにおいて、前記導電ペーストを前記樹脂材の上面に塗布し、硬化することによりシールド層を形成することを特徴とする請求項７に記載の高周波回路モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記工程Ａにおいて、前記基板領域がＸ方向、Ｙ方向のマトリクス状に配列されるとともに、前記第１、第２の電子部品が前記Ｘ方向に沿って配列され、前記工程Ｃにおいて、前記溝部が、前記Ｙ方向に沿って隣接する基板領域間で連結されるように形成されることを特徴とする請求項７に記載の高周波回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として移動体通信機器に使用される高周波回路モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、配線基板上に半導体素子および受動素子を含む複数の電子部品を搭載してなる高周波回路モジュールが急速に普及してきている。これらの高周波回路モジュールは、例えば、携帯電話等に使用され高周波信号を処理するとともに、高密度に実装される高周波回路モジュールである。このような環境下で使用される高周波回路モジュールは、外部からの電磁波により誤作動を起こす可能性があり、また高周波回路モジュールより発生する電磁波が周囲の他の電子部品に影響を及ぼす可能性があることから、金属カバーを用いて配線基板上の電子部品を覆うようにしている。
【０００３】
また、近年の高周波化に伴い、外部との電磁遮蔽のみならず、配線基板上に載置される電子部品間において電磁波を遮蔽する必要性が生じてきた。例えば、パワーアンプが搭載されている場合、パワーアンプから発生する不要な電磁波が配線基板上の他の電子部品に悪影響を及ぼすことがある。そこで、パワーアンプから発生する電磁波を遮蔽するために、パワーアンプと他の電子部品との間にシールド板を配設する構造が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
図８に、前記シールド板を配設するようにした従来の高周波回路モジュールの断面図を示す。かかる従来の高周波モジュールは、配線基板１０１上にパワーアンプ等の半導体素子１０２ａ及びその他の電子部品１０２ｂが並設されており、これらを金属カバー１０３で覆っている。半導体素子１０２ａと他の電子部品１０２ｂとの間には、両者を隔てるように金属製のシールド板１０５が形成されている。このシールド板１０５は、その上端が金属カバー１０３の天井面に接続され、下端が配線基板上に設けたグランド電極に接続されるようになっており、これによって半導体素子１０２ａからの不要な電磁波を有効に遮蔽することができる。
【特許文献１】特開２００２−１８５３３８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら上述した従来の高周波回路モジュールは、金属カバー１０３を用いているため、配線基板１０１に金属カバー１０３を載置・固定するためのスペースを設けなければならず、高周波回路モジュールの小型化に支障をきたす構造となっていた。
【０００６】
また、金属カバー１０３を配線基板１０１に載置する際などに、金属カバー１０３に接続されているシールド板１０５が電子部品に接触し、シールド板１０５，あるいは電子部品が破損することがある。特にシールド板１０５が破損した場合には、電磁波の遮蔽機能が低下してしまう。
【０００７】
さらには、金属カバー１０３の寸法や半導体素子１０２ａの寸法に合わせて、最適化された寸法のシールド板１０５を用意する必要があり高周波回路モジュールの生産性が低いという問題もあった。特に、複数の基板領域を有する集合基板を用いて高周波回路モジュールを製造する場合には、個々の基板領域に対して、金属カバー１０３の取り付け作業を行う必要があり、尚且つ金属カバー１０３の個数分だけシールド板１０５を用意しなければならず、高周波回路モジュールの生産性を向上する上で大きな障害となっていた。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑み案出されたものであり、その主たる目的は、小型化することができ、且つ生産性に優れた高周波回路モジュール及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の高周波回路モジュールは、配線基板上に並設される第１、第２の電子部品と、前記第１、第２の電子部品を被覆する樹脂材とを備える高周波回路モジュールにおいて、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品との間には、両者を隔てる溝部が設けられており、該溝部内にはシールド部材が埋設されていることを特徴とするものである。
【００１０】
また本発明の高周波回路モジュールは、前記配線基板には、グランド電位に保持されるグランド導体が前記溝部の内壁に露出するようにして設けられ、前記シールド部材が前記グランド導体の露出部に接続されていることを特徴とするものである。
【００１１】
また本発明の高周波回路モジュールは、前記樹脂材の上面に、前記シールド部材と接続されるシールド層を設けたことを特徴とするものである。
【００１２】
また本発明の高周波回路モジュールは、前記第１の電子部品がＲＦＩＣからなり、前記第２の電子部品がベースバンドＩＣからなることを特徴とするものである。
【００１３】
また本発明の高周波回路モジュールは、前記ＲＦＩＣと電気的に接続されるＲＦ用受動部品をさらに含み、前記溝部に埋設されるシールド部材によって区切られる２つの領域のうち、前記ＲＦＩＣが配される側の領域に前記ＲＦ用受動部品が配されていることを特徴とするものである。
【００１４】
また本発明の高周波回路モジュールは、前記溝部の底面が前記配線基板内に位置するとともに、前記ＲＦ用受動部品が前記配線基板に内蔵されていることを特徴とするものである。
【００１５】
また本発明の高周波回路モジュールの製造方法は、複数の基板領域を有するマスター基板の各基板領域に第１、第２の電子部品を並設する工程Ａと、前記第１、第２の電子部品及び基板領域の上面を被覆する樹脂材を形成する工程Ｂと、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品との間に介在される前記樹脂材に、前記第１、第２の電子部品を隔てる溝部を形成する工程Ｃと、前記溝部に導電ペーストを充填し、硬化することによりシールド部材を形成する工程Ｄと、を含むことを特徴とするものである。
【００１６】
また本発明の高周波回路モジュールの製造方法は、前記工程Ａにおいて、各基板領域の前記溝部が形成される直下位置に、グランド電位に保持されるグランド導体を形成するとともに、前記工程Ｃにおいて、前記溝部を、前記グランド導体が露出するようにして形成することを特徴とするものである。
【００１７】
また本発明の高周波回路モジュールの製造方法は、前記工程Ｄにおいて、前記導電ペーストを前記樹脂材の上面に塗布し、硬化することによりシールド層を形成することを特徴とするものである。
【００１８】
また本発明の高周波回路モジュールの製造方法は、前記工程Ａにおいて、前記基板領域がＸ方向、Ｙ方向のマトリクス状に配列されるとともに、前記第１、第２の電子部品が前記Ｘ方向に沿って配列され、前記工程Ｃにおいて、前記溝部が、前記Ｙ方向に沿って隣接する基板領域間で連結されるように形成されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の高周波回路モジュールは、第１の電子部品と第２の電子部品との間に、両者を隔てる溝部が形成されるように樹脂材を充填するとともに、前記溝部内に導電性のシールド部材を設ける構造としたことから、金属カバーを用いることなく電子部品間に両者を隔てるシールド部材を形成することができ、高周波回路モジュールの小型化に供することができる。
【００２０】
また配線基板に、前記溝部の内壁に露出されるグランド導体を設け、前記シールド部材を前記グランド導体に接続するようにしておけば、第１の電子部品と第２の電子部品との間で、電磁波を有効に遮蔽することができる。
【００２１】
また前記樹脂材の上面に、前記シールド部材と接続されるシールド層を設けることにより、外部からの不要な電磁波を遮蔽し高周波回路モジュールの動作を安定化させることができる。
【００２２】
本発明の高周波回路モジュールは、前記第１の電子部品がＲＦＩＣからなり、前記第２の電子部品がベースバンドＩＣからなる場合に特に有効である。
【００２３】
また、前記ＲＦＩＣと電気的に接続されるＲＦ用受動部品を含む場合には、前記溝部に埋設されるシールド部材によって区切られる２つの領域のうち、前記ＲＦＩＣが配される側の領域に前記ＲＦ用受動部品を配しておくことが好ましい。これによって、ＲＦＩＣとベースバンドＩＣとの間における電磁波の遮蔽のみならず、ＲＦ用受動部品とベースバンドＩＣ間においても電磁波を遮蔽することができる。
【００２４】
また前記溝部の底面が前記配線基板内に位置するようにし、前記ＲＦ用受動部品が前記配線基板に内蔵されている構造とすることで、高周波回路モジュールをより小型化することができる。
【００２５】
また本発明の高周波回路モジュールの製造方法によれば、第１、第２の電子部品を隔てるようにして設けられた溝部に、導電ペーストを充填するだけで、シールド部材を形成することができ、簡単且つより確実に電磁遮蔽機能を有するシールド部材を第１、第２の電子部品を隔てる位置に形成することができる。
【００２６】
また、各基板領域の前記溝部が形成される直下位置に、グランド電位に保持されるグランド導体を形成するとともに、前記溝部を、前記グランド導体が露出するようにして形成すれば、前記シールド部材を簡単且つ確実にグランド電位に保持させることが可能となる。
【００２７】
また、導電ペーストを前記樹脂材の上面に塗布し、硬化することにより、グランド電位に保持されるシールド層を簡単且つ確実に形成することができる。
【００２８】
また、前記基板領域をＸ方向、Ｙ方向のマトリクス状に配列させ、前記第１、第２の電子部品をＸ方向に沿って配列し、前記溝部を、Ｙ方向に沿って隣接する基板領域間で連結されるように形成しておけば、溝部の形成を複数の基板領域に対し一括的に行うことができ、高周波回路モジュールの生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の高周波回路モジュールを図面に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
なお、本実施形態においては、第１の電子部品としてＲＦＩＣ、第２の電子部品としてベースバンドＩＣ（ＢＢＩＣ）を用いた無線通信機器に使用される高周波回路モジュールについて説明する。
【００３１】
図１は本発明の実施形態に係る高周波回路モジュールの外観斜視図、図２は図１に示す高周波回路モジュールの断面図であり、図３は図１に示す高周波回路モジュールの上面図である。
【００３２】
同図に示す高周波回路モジュール１は、配線基板２，第１の電子部品３、第２の電子部品４，第１、第２の電子部品を被覆する樹脂材６、並びに第１の電子部品３と第２の電子部品４との間で両者を隔てるシールド部材５とから主に構成されている。
【００３３】
配線基板２は、例えば、７ｍｍ×５ｍｍ×０．４ｍｍの概略直方体形状であり、ガラス−セラミックス、アルミナ、ムライト等のセラミック材料を主成分とする絶縁体層を複数個積層することにより形成されている。特に高周波回路モジュールを高周波用の無線通信機器に使用する場合、配線基板２には、ガラス−セラミック材料を用いることが望ましい。ガラス−セラミック材料を用いることにより、低温焼成が可能となり、配線として低抵抗導体であるＣｕやＡｇが使用しやすくなる。このような配線基板２は、ガラス−セラミックス材料等のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に回路配線や接続パッドとなる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等で塗布するとともに、これを複数個積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。
【００３４】
配線基板２の内部には、内部配線７やビアホール導体８等が形成されるとともに、下面には外部端子９が形成されている。また、上面には各種電子部品を実装するための電極パッド１０やグランド導体１１が形成されている。上述の内部配線７や外部端子９、電極パッド１０等は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ及びＭｏ等の金属を主成分とする材料から成り、例えば，Ａｇ系粉末、ホウ珪酸系低融点ガラスフリット、エチルセルロース等の有機バインダー、有機溶剤等を含有してなる導体ペーストを、配線基板２を構成する各絶縁体層となるセラミックグリーンシート上に、従来周知のスクリーン印刷等によって塗布し、焼成することによって形成される。
【００３５】
配線基板２に搭載される第１の電子部品３は、ＲＦＩＣであり、アンテナ（ＡＮＴ）で受信した信号を増幅、周波数変換してＢＢＩＣに復調信号を出力するＲＦ受信回路と、ＢＢＩＣからの信号を、周波数変換してアンテナに出力するＲＦ送信回路を備えている。このＲＦＩＣとしての第１の電子部品３はパワーアンプを内蔵しており、不要な電磁波の発生源となる半導体素子である。第１の半導体素子３はフリップチップ型のＩＣであり、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体素子基板の表面に、Ａｌ等の回路配線を形成した構造を有しており、Ａｕなどによるバンプ１２にて電極パッド１０と電気的、機械的に接続される。
【００３６】
第２の電子部品４は、ＢＢＩＣであり、例えば音声信号やＲＦ信号を復変調する機能を有している。この第２の電子部品４は第１の電子部品３と同様に、フリップチップ型のＩＣであり、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体素子基板の表面に、Ａｌ等の回路配線を形成した構造を有しており、Ａｕなどによるバンプ１２にて電極パッド１０と電気的、機械的に接続される。
【００３７】
配線基板１の上面には、第１、第２の電子部品以外にも各種電子部品１３が搭載されている。これらの電子部品１３は、例えば、水晶発振器、ＳＡＷフィルタ、コンデンサ、抵抗、インダクタ等であり、ＢＢＩＣと電気的に接続される制御系の電子部品と、ＲＦＩＣと電気的に接続されるＲＦ系の電子部品とに分けられる。これらの各種電子部品１３は、チップ部品であり、それぞれの外部端子と電極パターンとを半田等の導電性接合材により、電気的・機械的に接続する。また配線基板１の内部には、コンデンサ、バラン、フィルタ等のＲＦ用受動部品１６が内蔵されている。このようにＲＦ用受動部品１６を配線基板２に内蔵することにより配線基板２を小さくすることができ、ひいては高周波回路モジュールの全体構造を小型化することができる。
【００３８】
これら第１、第２の電子部品３、４、及び各種電子部品１３は、絶縁性の樹脂材６により被覆されている。この樹脂材６は、フェノール樹脂やエポキシ樹脂などの樹脂材料から成り、第１及び第２の電子部品３、４、並びに各種電子部品１３を覆うことによって、第１及び第２の電子部品３、４、並びに各種電子部品１３を保護するとともに、高周波回路モジュール自体の機械的強度を高めることで信頼性性能を確保している。この樹脂材６は、従来周知のスクリーン印刷法等によって、樹脂材６の前駆体を第１、第２の電子部品３、４、並びに各種電子部品１３を覆うように配線基板２の上面側から塗布、その後、例えば、１５０℃、３０分程度の加熱し硬化することにより形成される。このとき、第１の電子部品３と第２の電子部品４との間にも、樹脂材６が形成されるとともに、第１の電子部品３と第２の電子部品４との間に形成された樹脂材６には、第１の電子部品３と第２の電子部品４とを隔てる溝部１４が形成されている。ここで溝部１４とは、樹脂材５を貫通してその底面が配線基板２まで到達していてもよく、樹脂材５及び配線基板２を合わせた厚み方向の断面形状が凹状になっているものをいう。
【００３９】
樹脂材６に設けられた溝部１４には、シールド部材５が形成されている。このシールド部材５によって、第１の電子部品３と第２の電子部品４とが導電性の部材により隔てられた構造となり、第１の電子部品３と第２の電子部品４との間における不要な電磁波の伝播を抑制することができる。これによって、例えば、第２の電子部品４が第１の電子部品３に内蔵されているパワーアンプから発生する不要な電磁波に直接晒されることがなくなり、高周波回路モジュールの動作を安定化させることができる。また、図３に示す如く、第１、第２の電子部品３、４以外の各種電子部品１３のうち、ＲＦ系の電子部品は、ＲＦＩＣが配されている側の領域Ａに、制御系の電子部品は、ＢＢＩＣが配されている側の領域Ｂにそれぞれ配置することが好ましい。これにより、ＲＦＩＣを含むＲＦ系の電子部品とＢＢＩＣを含む制御系の電子部品との間における信号の干渉を抑制し、高周波回路モジュールをより安定して動作させることができる。
【００４０】
また、シールド部材５は配線基板２上のグランド導体１１と接続されている。グランド導体１１は、配線基板２の下面に設けたグランド用の外部端子９に接続されており、高周波回路モジュールの使用時にグランド電位に保持されるようになっており、かかるグランド導体１１に接続される導電性のシールド部材５もグランド電位に保持されることとなる。このように、グランド電位に保持されるグランド導体１１を設け、シールド部材５をグランド導体１１に接続するようにしておくことで、第１の電子部品３と第２の電子部品４との間における電磁波の遮蔽効果を高めることができる。このシールド部材５とグランド導体１１との接続にあたっては、接着剤や半田等を使用せず直接接合にて行うことにより、フィレット形成のための余分なスペースを必要とすることなく、高周波回路モジュールの小型化が実現できるとともに、確実で信頼性に優れた接続が可能となる。
【００４１】
シールド部材５は、従来周知の導電性樹脂材や蒸着、めっきによる金属膜などが例示できるが、生産性の観点から、Ａｇなどの焼結金属粒子のみからなる金属焼結層により形成することが好ましく、高周波回路モジュール１を８００ＭＨｚ以上の周波数を扱う無線通信機器に組み込むときは、金属焼結層が特に有効である。金属焼結層としては、バインダー等の樹脂成分を殆ど含有せず、金属の微粒子同士が焼結したものが好ましい。この金属焼結層は、平均粒径１ｎｍ〜１００ｎｍ、より好適には、平均粒径１０ｎｍ〜５０ｎｍの金属ナノ粒子を、トルエン、テルピネオール、キシレン、テトラデカン等の有機系の分散溶媒中に分散させ、ペースト状にした後、第１の電子部品３と第２の電子部品４との間に設けた溝部１４に充填し、これを１３０〜３００℃、より好ましくは１５０℃〜２５０℃で加熱処理する。このとき、分散溶剤が蒸発するとともに金属粒子同士が焼結されることによりシールド部材５が形成される。このように上記ナノオーダーの金属粒子を用いることにより、緻密な金属層が形成され、第１の電子部品３からの電磁的なノイズを有効に遮蔽することができる。また、ナノオーダーの金属粒子は、１３０〜３００℃の比較的低温度で焼結するため、樹脂材６、及び第１、第２の電子部品３、４等に高温加熱による劣化が発生するのを抑えることができる。金属焼結層の主成分として、Ａｇ以外の金属であっても良く、ＣｕやＮｉ等であっても良い。また、金属焼結層によるシールド部材５の厚みは、例えば、２０μｍ〜１００μｍに設定することができ、金属からなる板状の部材に比べ薄く形成することが可能であるため、高周波回路モジュールの小型化にも有利である。
【００４２】
また、シールド部材５を配線基板２上のグランド導体１１と接触するように塗布、充填し上述の加熱処理を行い焼結させることで、シールド部材５とグランド導体１１の表面との間で直接接触による焼結が起き、その結果、シールド部材５とグランド導体１１とが強固に接合されることとなる。
【００４３】
上述した高周波回路モジュールによれば、第１の電子部品３と第２の電子部品４との間に、両者を隔てる溝部１４が形成されるように樹脂材６を充填するとともに、溝部１４内に導電性のシールド部材５を設ける構造としたことから、金属カバーを用いることなく第１、第２の電子部品間に両者を隔てるシールド部材５を形成することができ、高周波回路モジュールの小型化に供することができる。また、配線基板上面に搭載した第１、第２の電子部品３、４や各種電子部品１３は樹脂材６により覆われ、シールド部材５は、樹脂材６に設けた溝部１４に埋設される構造となっているので、各電子部品やシールド部材５の破損を招くことなく、第１の電子部品３と第２の電子部品４とを遮蔽するシールド部材５を良好な状態で形成することができる。また、従来の金属カバーのようにシールド板を保持させておくための天井板を設ける必要もない。さらに、ＲＦ系の電子部品と制御系の電子部品とを仕切るシールド部材５が縦方向に設けられていることによって、配線基板２の内部で横方向に広がるベタのグランドパターンを設ける場合に比し、配線基板２の内部を配線の引き回しや内蔵部品の形成領域として有効利用でき、設計自由度が高くなるとともに、高周波回路モジュールを低背化できるという利点もある。
【００４４】
図４は、本発明の他の実施形態を示す高周波回路モジュールの断面図である。同図に示す高周波回路モジュールの特徴的なことは、樹脂材６の上面にシールド部材５と接続されるシールド層１５を設けたことである。このような構造とすることにより、樹脂材６の上面が全体にわたってグランド電位に保持されるシールド層１５で覆われた状態となり、外部からの不要な電磁波を遮蔽し高周波回路モジュールの動作を安定化させることができる。また、第１の電子部品３から放射される不要な電磁波が高周波回路モジュール１の外部へ漏れ出るのを防止することもできる。
【００４５】
シールド層１５は、シールド部材５と同様の材料により形成することが好ましく、具体的には、平均粒径１ｎｍ〜１００ｎｍ、より好適には、平均粒径１０ｎｍ〜５０ｎｍの金属ナノ粒子を、トルエン、テルピネオール、キシレン、テトラデカン等の有機系の分散溶媒中に分散させ、ペースト状にした後、樹脂材６の上面に塗布し、これを１３０〜３００℃、より好ましくは１５０℃〜２５０℃で加熱処理することにより形成される。
【００４６】
このようにシールド層１５をシールド部材５と同様の材料を用いて形成することにより、シールド層１５とシールド部材５との接続を確実に行うことができるとともに、両者を同工程で形成することができるため生産効率が非常に良い。なお、シールド層１５の厚みは、例えば、５〜１０μｍに設定される。
【００４７】
図５は、本発明のさらに別の実施形態を示す高周波回路モジュールの断面図である。同図に示す高周波回路モジュールの特徴的なことは、溝部１４の底面が配線基板内に位置している点である。これにより、シールド部材５により区切られる２つの領域Ａ，Ｂがそれぞれ配線基板内部まで広がることとなる。そして、ＲＦ用受動部品１６を配線基板に内蔵し、且つ領域Ａに配置することによって、ＲＦ系の部品と制御系の部品と間における信号の干渉より少なくすることができ、高周波回路モジュールの動作を安定化させることができる。また、ＲＦ系の部品と制御系の部品とを仕切るシールド部材５が縦方向に設けられていることによって、配線基板２の内部を配線の引き回しや内蔵部品の形成領域として有効利用でき、設計の自由度が高くという利点もある。
【００４８】
次に本発明の高周波回路モジュールの製造方法について図６を用いて説明する。
【００４９】
（工程Ａ）
まず、図６（ａ）に示すように、複数の基板領域５０を有するマスター基板５１の各基板領域に第１、第２の電子部品３、４、並びにコンデンサなどの各種電子部品１３を並設する。なお、隣接する基板領域５０の境界を便宜点線で示している。
【００５０】
マスター基板５１は、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料からなるグリーンシートを積層して構成され、各基板領域５０の表面や内部には電極パッド、内部配線、ビアホール導体、外部端子などが形成されている。
【００５１】
このようなマスター基板５１は、例えば、アルミナセラミックス等から成るセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に電極パッドや外部端子となる導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。
【００５２】
各基板領域５０には電極パッド１０が設けられており、電極パッド１０には、第１、第２の電子部品３、４及び各種電子部品１３が半田等の導電性接合材を介して実装されている。また、各基板領域５０には電極パッド１０の他にグランド電位に保持されるグランド導体１１が形成されている（図示せず）。
【００５３】
（工程Ｂ）
次に、図６（ｂ）に示すように、第１、第２の電子部品３、４、及び各種電子部品１３を被覆する樹脂材６を形成する。
【００５４】
樹脂材６は、エポキシ樹脂などのペースト状の樹脂をメタルマスクを用いた従来周知のスクリーン印刷法等によって印刷する。この際、チャンバー内に集合基板５０を載置し、真空状態で樹脂の印刷を行えば、気泡の発生を抑え、良好な状態で樹脂を充填することができる。したがって、樹脂の印刷工程は真空中で行うことが好ましい。この後、例えば１５０℃、１時間の加熱により、樹脂を硬化させることにより樹脂材５が形成される。
【００５５】
（工程Ｃ）
次に、図６（ｃ）に示すように、第１の電子部品３と第２の電子部品４との間に介在される樹脂材６に、第１、第２の電子部品３、４を隔てる溝部１４を形成する。
【００５６】
溝部１４は、レーザ光を用いたレーザスクライブ等により形成することができるが、適正な出力・波長のレーザ光を選択することにより、樹脂材６の上面から配線基板２の表面までスクライブすることが可能で、配線基板２の上面に設けたグランド導体１１を露出させることができる。
【００５７】
前記工程Ａで予め基板領域５０をＸ方向、Ｙ方向のマトリクス状に配列するとともに、第１、第２の電子部品３、４をＸ方向に沿って配列しておき、この工程Ｃにおいて、溝部１４を、Ｙ方向に沿って隣接する基板領域間で連結されるように形成しておけば、後述するシールド部材５の形成を複数の基板領域５０に対し一括的に行うことができ、高周波回路モジュールの生産性を向上させることができる。
【００５８】
（工程Ｄ）
次に、図６（ｄ）に示すように、溝部１４に導電ペーストを充填し、硬化することによりシールド部材５を形成する。
【００５９】
前記導電ペーストは、平均粒子径１ｎｍ〜１００ｎｍの金属ナノ粒子を塗布・充填し、その後１３０℃〜３００℃の低温にて焼結することにより形成される。より具体的には、平均粒径１ｎｍ〜１００ｎｍのＡｇ粒子をトルエン、テルピネオール、キシレン、テトラデカン等の有機系の分散溶媒中に分散させ、ペースト状にした後、溝部１４内に充填する。この導電ペーストを溝部１４に充填するには、従来周知の真空印刷法を適用することができる。その後、オーブンやリフロー炉にて１３０℃〜２５０℃といった低温での加熱処理を施すことで、金属ナノ粒子を焼結する。
【００６０】
この工程Ｄにおいては、溝部１４内に導電ペーストを充填するのと同時に、樹脂材６の上面にも導電ペーストを塗布し、硬化するようにしてもよい。これにより、グランド電位に保持されるシールド層を簡単且つ確実に形成することができる。
【００６１】
その後、図６（ｅ）に示すように、ダイシングテープ５２に貼り付けたマスター基板５１をダイシング装置５３を用いて切断する。この時、個々の部品を搭載した配線基板２間の境界線に沿って、縦横マトリクス状に切断することで、個々の高周波回路モジュールが得られる。
【００６２】
上述した本発明の高周波回路モジュールの製造方法によれば、第１、第２の電子部品３、４を隔てるようにして設けられた溝部１４に、導電ペーストを充填するだけで、シールド部材５を形成することができ、簡単且つより確実に電磁遮蔽機能を有するシールド部材５を第１、第２の電子部品３、４を隔てる位置に形成することができる。
【００６３】
また、溝部１４を、グランド導体１１が露出するようにしておくだけで、グランド電位に導通されるシールド部材５を形成することができ、生産効率がよい。
【００６４】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良が可能である。
【００６５】
上述した実施形態においては、第１、第２の電子部品３、４がともにＩＣからなる例を示したが、本発明は、電磁的なノイズを発生し得る電子部品を含む複数個の電子部品を配線基板に並設させてなる高周波回路モジュールに適用可能であり、例えば、図７に示すように、第２の電子部品４が水晶発振器、ＳＡＷフィルタであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施形態に係る高周波回路モジュールの外観斜視図である。
【図２】図１に示す高周波回路モジュールの断面図である。
【図３】図１に示す高周波回路モジュールの平面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る高周波回路モジュールの断面図である。
【図５】本発明の更に別の実施形態に係る高周波回路モジュールの断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る高周波回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図７】図１に示す高周波回路モジュールの変形例を示す断面図である。
【図８】従来の高周波回路モジュールの断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
２・・・配線基板
３・・・第１の電子部品
４・・・第２の電子部品
５・・・シールド部材
６・・・樹脂材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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