(57)【要約】【課題】下地電極の剥離、付着、融着、バリの発生、下地電極からのＡｇの消失、積層体の厚みムラの発生を防止し得る積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】シート積層体１１０の表面に下地電極１２を印刷形成し、個々の積層チップ１１に切断し、積層チップ１１の切断面１１ｃの角部１１ｄ１，１１ｄ２にＲ１４，１５を形成した後、脱バインダー処理して、焼成し、側面電極１７を形成する積層セラミック電子部品の製造方法において、前記シート積層体１１０の表面に印刷形成された下地電極１２を焼成により消失するバインダーシート１３で被覆するので、下地電極１２は、切断工程・Ｒ付け工程を経て脱バインダー・焼成工程まで露出が抑制される。【選択図】図２
2007200955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート積層体の表面に下地電極を印刷形成し、個々の積層チップに切断し、前記積層チップの切断面の角部にＲ付けした後、積層チップを、脱バインダー処理して、焼成し、側面電極付けする積層セラミック電子部品の製造方法において、
前記シート積層体の表面に印刷形成された前記下地電極を焼成により消失する保護層で被覆し、前記下地電極が前記保護層で被覆された状態の個々の積層チップに切断し、前記保護層から前記下地電極の端面が露出する前記積層チップの切断面の角部にＲ付けした後、前記下地電極が前記保護層で被覆された状態の積層チップを、脱バインダー処理して、焼成することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記焼成により消失する保護層が、有機物を主成分とするバインダーで構成されたシートからなることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記焼成により消失する保護層が、有機物を主成分とするバインダーで構成され、前記積層体の表面の選択された領域に形成された膜からなることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記焼成により消失する保護層が、前記下地電極上の全面に形成された膜からなることを特徴とする請求項３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記焼成により消失する保護層が、前記下地電極上の選択された領域に形成された膜からなることを特徴とする請求項３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記Ｒ付けをバレル研磨により行うことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記Ｒ付けをサンドブラスト処理により行うことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記焼成により消失する保護層が、セラミックの粒子を含有することを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記セラミックの粒子がＺｒＯ2からなるセラミック粒子であることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の導体パターンと複数の絶縁体層とを交互に積層してなる積層チップインダクタのような積層セラミック電子部品の製造方法、特に、シート積層体の表面に外部電極を印刷形成する積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルミナ、ガラス、またはこれらの混合物等を主成分とする絶縁体からなるグリーンシートに導体を印刷等により形成し、このグリーンシートを順次積層し切断・焼成と言った所望の工程を経ることで、内部に１つ以上のコイルが内蔵された積層チップインダクタを得ることができる。
このとき、内蔵されたコイルの両端をそれぞれ引出し導体によってチップ表面両端の外部電極に接続するようにし、コイル軸方向が上下方向を向いている積層インダクタを製造する方法において、端子電極を印刷形成した上、チップ端面に外部電極をディップ処理で付着させ、４側面の外部電極長さが同一でない、浮遊容量の低減と基板への接着性を両立させた積層インダクタの製造方法および構造が知られている（特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開２００２−０６４０１６号公報
【特許文献２】特開２００３−３０９０２１号公報
【０００３】
上記のような積層チップインダクタを製造する場合に、従来技術では以下のような問題があった。
（ａ）ディップで外部電極を形成する際に、直方体チップの角部のＲ付けが為されないと電極切れが起き、電気的な不都合（特に導通不良）および実装時の不都合（特に半田付け時の接着強度の劣化）を起こす。よって角部のＲ付けが必要であるが、Ｒ付け時のメディア等による物理研磨を行うと、印刷によって形成された下地電極が剥離してしまったり、下地電極の表面が荒れてしまったり、他のチップやメディアに下地電極が付着してしまう。
【０００４】
（ｂ）印刷によって形成された下地電極は、例えばＺｒＯ2コートされたセラミック台板上で脱バインダーおよび焼成を行うと、台板に融着してしまう。
【０００５】
（ｃ）印刷・積層されたワークは、切断することでチップに分割されるが、その際に印刷によって形成された下地電極が切断の応力（衝撃）により部分的な剥がれやバリを生じたり、水等を使用した切断方法の場合、水に不純物として含まれる残留塩素（Ｃｌ）が付着すると焼成時に下地電極のＡｇが消失してしまう。
【０００６】
（ｄ）印刷によって形成された下地電極の存在により積層体の厚み方向に厚みムラが生じ圧着時に均一な圧力を付加することができず成形体に密度差が生じる。これにより焼成時のクラック発生や特性差が生じてしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記のような従来技術の問題を解決しようとするものであり、下地電極の剥離、付着、融着、バリの発生、下地電極からのＡｇの消失、積層体の厚みムラの発生を防止し得る積層セラミック電子部品の製造方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明においては、上記の課題を解決するために、以下の手段を採用する。
（１）シート積層体の表面に下地電極を印刷形成し、個々の積層チップに切断し、前記積層チップの切断面の角部にＲ付けした後、積層チップを、脱バインダー処理して、焼成し、側面電極付けする積層セラミック電子部品の製造方法において、前記シート積層体の表面に印刷形成された前記下地電極を焼成により消失する保護層で被覆し、前記下地電極が保護層で被覆された状態の個々の積層チップに切断し、前記保護層から前記下地電極の端面が露出する前記積層チップの切断面の角部にＲ付けした後、前記下地電極が前記保護層で被覆された状態の積層チップを、脱バインダー処理して、焼成することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法である。
（２）前記焼成により消失する保護層が、有機物を主成分とするバインダーで構成されたシート（以下、「バインダーシート」という）からなることを特徴とする前記（１）の積層セラミック電子部品の製造方法である。
（３）前記焼成により消失する保護層が、有機物を主成分とするバインダーで構成され、前記積層体の表面の選択された領域に形成された膜（以下、「バインダー膜」という）からなることを特徴とする前記（１）の積層セラミック電子部品の製造方法である。
（４）前記焼成により消失する保護層が、前記下地電極上の全面に形成された膜からなることを特徴とする前記（３）の積層セラミック電子部品の製造方法である。
（５）前記焼成により消失する保護層が、前記下地電極上の選択された領域に形成された膜からなることを特徴とする前記（３）の積層セラミック電子部品の製造方法である。
（６）前記Ｒ付けをバレル研磨により行うことを特徴とする前記（１）の積層セラミック電子部品の製造方法である。
（７）前記Ｒ付けをサンドブラスト処理により行うことを特徴とする前記（１）の積層セラミック電子部品の製造方法である。
（８）前記焼成により消失する保護層が、セラミックの粒子を含有することを特徴とする前記（２）〜（５）のいずれか一項の積層セラミック電子部品の製造方法である。
（９）前記セラミックの粒子がＺｒＯ2からなるセラミックの粒子であることを特徴とする前記（８）の積層セラミック電子部品の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
印刷により形成する下地電極を持つ、積層インダクタ等のセラミック電子部品を量産化する際に、下地電極を焼成により消失するバインダーシート等の保護層で被覆し、下地電極が保護層で被覆された状態の個々のチップに切断し、保護層から下地電極の端面が露出するチップの切断面の角部にＲ付けした後、チップに脱バインダー処理を行い、焼成し、側面電極付けすることで上記の課題が解決され、容易に量産することが可能となった。
具体的には、以下のような効果を奏する。
【００１０】
（ａ）Ｒ付け時の下地電極の剥離、下地電極表面の荒れ、および他チップ・メディアへの電極付着
バインダーシート、バインダー膜等の保護層が介在することで、下地電極の露出を抑制しつつすること無くＲ付けができる。
【００１１】
（ｂ）脱バインダー・焼成時の台板への融着
バインダーシート、バインダー膜等の保護層が介在することで、下地電極と台板が直接触れ合うことが抑制されるため、台板への融着を抑えることができる。
【００１２】
（ｃ）切断時の下地電極の剥がれ＆バリ、塩素付着による下地Ａｇ消失
下地電極の露出が抑制されるため、バインダーシート、バインダー膜等が保護部材として機能するので剥がれ＆バリの発生を抑える。また、水等を使用した切断方法でも、塩素付着を抑制し、焼成時のＡｇの消失を防ぐ。
【００１３】
（ｄ）圧着時の密度ムラ
バインダーシートが介在すると、バインダーシートは加熱により軟化するので、熱圧着を行なうことで、下地電極の厚みムラを吸収した圧着ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の積層インダクタの製造方法の第１実施形態について図１乃至図６を参照して説明する。
図１はシート積層体１１０から個々の積層チップ１１を得るプロセスを示す概念図、図２は得られた積層チップ１１から積層インダクタ１０を得るプロセスを示す概念図である。まず、図１（i）に示すように、シート積層体１１０（１１０ｅは内部電極）の表面のうち一方の主面１１０Ａに、下地電極１２を印刷形成した絶縁体シート１１１を重ね、さらに下地電極１２をバインダーシート１３で被覆する。得られたシート積層体１１０から、図１（ii）に示す一点鎖線Ｌ１に沿って個々の積層チップ１１，１１に切断し、図１（iii）に示すように下地電極１２の表面がバインダーシート１３で被覆された複数の積層チップ１１，１１（１１ｅは内部電極）を得る。
上記絶縁体シートとしては、アルミナ、ガラス、またはこれらの混合物を主成分とするものが好適であり、アルミナ、ガラス、またはこれらの混合物等の粉末を有機バインダー・溶剤と混合し、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等からなるキャリアフィルム上にドクターブレード法、グラビア印刷法等公知の手段により塗工し、乾燥して得られる。
【００１５】
続いて、前記切断により下地電極１２の端面がバインダーシート１３から露出した図２（i）に示す積層チップ１１の切断面１１ｃの角部１１ｄ１，１１ｄ２に、図２（ii）に示すように、バレル研磨等によりＲ１４、１５を形成する。得られた積層チップ１１は、前記Ｒ付けされた部分１４を除いて、下地電極１２がバインダーシート１３で被覆された状態にある。
【００１６】
次に、前記積層チップ１１に脱バインダー処理を行った後、焼成して、図２（iii）に示すように、バインダーシート１３が消失された積層チップ１６を得る。得られた積層チップ１６は、前記角部１１ｄ１，１１ｄ２のうち、下地電極がバインダーシートで覆われた状態でＲ付けされた部分１４は、角部が露出された状態でＲ付けされた部分１５に比べてＲの付き方が小さくなっているとともに、下地電極１２の剥がれや下地電極表面の荒れが防止されている。
【００１７】
次に、図２（iv）に示すように、積層チップ１６に側面電極１７をローラー転写法等により形成して、積層インダクタ１０とする。このとき、積層チップ１６は、前記角部１１ｄ１，１１ｄ２のうち、下地電極がバインダーシートで覆われた状態でＲ付けされた部分１４は、角部が露出された状態でＲ付けされた部分１５に比べてＲの付き方が小さくなっているので、側面電極１７の端面から隣接する周面への回りこみ寸法が小さい場合でも下地電極１２との接続が確保され、電極切れの虞れのない積層インダクタが得られる。
【００１８】
本発明は、上記のように印刷・積層して得られたシート積層体１１０において、印刷で形成された下地電極１２がある面１１０Ａをバインダーシート１３で覆い、下地電極１２が保護層としてのバインダーシート１３で覆われた状態でＲ付けし、焼成により、バインダーシート１３を消失させる点に特徴がある。
つまり、下地電極は、切断工程・Ｒ付け工程を経て脱バインダー・焼成工程まで露出が抑制されるということである。
【００１９】
バインダーシート１３としては、７００℃以下で熱分解するような有機物で構成された厚み０．１〜５０μｍのシートが好ましい。
有機物としては、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリ酢酸セルロース、ポリアクリル酸エステル、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、ポリビニルアセタール、エチルセルロース、カーボン等を使用することができる。
【００２０】
また、バインダーシート中にＺｒＯ2等からなるセラミックの粒子を添加することが好ましい。粒子の大きさは、バインダーシートの厚みにより調整する必要があるが、０．１〜５０μｍの範囲とすることができる。添加量は、０．１〜３０．０ｗｔ％とすることが好ましい。
セラミックの粒子の存在により、脱バインダー・焼成時の台板への融着に対する改善効果が更に向上する。
【実施例１】
【００２１】
シート積層体１１０の下面がチップ下面となるような積層順序とした積層インダクタ１０の製造例を図３〜図５により説明する。説明の都合上、積層インダクタ１０の１個分に相当する領域を図示した。
まず、アルミナ、ガラスの混合物粉末と有機バインダー、溶剤を混合し、ドクターブレード法にてグリーンシートを形成し、所定の寸法に切断して複数の絶縁体シート１１１を準備した。
次に、アンダーシート１１７（切断時には剥がす）の上にバインダーシート１３を置き、その上に、前記絶縁体シート裏に下地電極１２を形成した下地電極シート１１１ｈを積層した。
続いて、前記絶縁体シートに電極を形成しないダミーシート１１１ｇ、１１１ｆを置き、前記絶縁体シート裏に電極１１０ｅ３を形成した引出しシート１１１ｅ、前記絶縁体シート裏に電極１１０ｅ２を形成した周回シート１１１ｄ、前記絶縁体シート裏に電極１１０ｅ１を形成した引出しシート１１１ｃの順に積層した後、ダミーシート１１１ｂを置き、シート裏にマーカー１１０ｆを形成した上マーカーシート１１１ａを積層してシート積層体１１０とした。
バインダーシート１３としては、有機物であるポリビニルブチラールで構成された厚み３μｍのシートを用いた。
【００２２】
上記のシート積層体１１０を個々の積層チップ１１に切断し、図４に示すようにバレル研磨機ＧＢを用いてＲ付けした後、５００℃で脱バインダーを行い、９００℃で焼成して、バインダーシート１３を消失させ、さらに、焼成後の積層チップ１６に側面電極１７を形成して図５（Ａ）に示すような積層インダクタ１０を得た。
上記で得られた２０個の積層インダクタ１０について、チップ長さ方向に沿って各層と直交する断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いてスケール表示付き写真撮影を行い、上記のＲ付けで得られたＲ付けされた部分１４及び１５の曲率半径ｒをそれぞれ測定し、ｎ＝２０個の相加平均を算出した結果、電極１２がバインダーシート１３で被覆された状態でＲ付けが行われた側のＲ付けされた部分１４の曲率半径ｒの平均値は１０μｍであったのに対し、電極１２の反対側の主面のＲ付けされた部分１５の曲率半径ｒの平均値は２０μｍであった。また、得られた積層インダクタ１０の電極１２は剥がれや表面の荒れ等は見られなかった。
下地電極シート１１１ｈのシート裏に形成した下地電極１２は、バインダーシート１３で被覆されており、切断工程・Ｒ付け工程を経て脱バインダー・焼成工程まで露出が抑制された状態にあり、上記（ａ）〜（ｄ）のような効果を奏することが確認された。
【００２３】
尚、上記実施例１において、下地電極をシート積層体の一方の主面１１０Ａのみに形成したが、本発明はこれに限定するものではなく、シート積層体の一方の主面及び他方の主面にそれぞれ下地電極を印刷形成してもよい。この場合には、図示省略したが、前記一方及び他方の主面に印刷形成した下地電極を第１及び第２のバインダーシートでそれぞれ被覆し、一方及び他方の主面の下地電極がそれぞれバインダーシートで被覆された状態の個々の積層チップに切断し、バインダーシートから下地電極の端面が露出する積層チップの切断面の角部にＲ付けした後、チップに脱バインダー処理を行い、焼成して得られた積層チップ１６'の側面に、側面電極１７'を形成することで、図５（Ｂ）に示すような積層インダクタ１０'を得ることができ、この場合にも、上記と同様の効果を奏する。
【実施例２】
【００２４】
次に、本発明の第１実施形態の実施例２として、シート積層体１１０’の下面がチップ上面となるような積層順序とした積層インダクタの製造例を図６により説明する。
まず、アンダーシート１１７’（切断時には剥がす）の上にカバーシート１１１ａ’を置き、その上に、シート裏にマーカー１１０ｆ’を形成したマーカーシート１１１ｂ’を積層した。
続いて、ダミーシート１１１ｃ’を置き、シート裏に電極１１０ｅ１’を形成した引出しシート１１１ｄ’、シート裏に電極１１０ｅ２’を形成した周回シート１１１ｅ’、シート裏に電極１１０ｅ３’を形成した引出しシート１１１ｆ’の順に積層した。
次に、ダミーシート１１１ｇ’，１１１ｈ’を置き、シート裏に下地電極１２’を形成したバインダーシート１３’を積層してシート積層体１１０’とした。
バインダーシート１３’としては、有機物であるポリビニルブチラールで構成された厚み５μｍのシートを用いた。
【００２５】
上記のシート積層体１１０’を個々の積層チップに切断し、Ｒ付けした後、５００℃で脱バインダーを行い、９００℃で焼成して、バインダーシート１３’を消失させ、側面電極付けをして上記実施例１と同様に図５（Ａ）に示すような積層インダクタを得た。
バインダーシート１３’のシート裏に形成した下地電極１２’は、バインダーシート１３’で被覆されており、切断工程、Ｒ付け工程を経て脱バインダー・焼成工程まで露出が抑制された状態にあり、上記（ａ）〜（ｄ）のような効果を奏することが確認された。
【実施例３】
【００２６】
バインダーシート１３’として、有機物であるポリビニルブチラールにＺｒＯ2からなる１〜５μｍのセラミック粒子を５ｗｔ％添加混合して構成された厚み１０μｍのシートを用いた以外は、実施例２と同様にして積層インダクタを得た。
セラミックの粒子の存在により、脱バインダー・焼成時の台板への融着に対する改善効果が確認された。
【００２７】
次に、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法の第２実施形態について図７〜９を用いて説明する。
まず、前記と同様にダミーシート、引き出し電極を形成した引出しシート、コイル導体を形成した周回シート、引き出し電極を形成した引き出しシート、ダミーシート、下地電極を形成した下地電極シート等を積層して、図７（i）に示されるように表面２１０Ａに下地電極２２が形成されたシート積層体２１０（２１０ｅは内部電極）を準備し、該シート積層体２１０の下地電極２２が形成された表面２１０Ａに、図７（ii）に示すように、前記下地電極２２の外形線を囲む選択された領域を被覆するようにバインダー膜２３，２３を印刷形成する。
次に、図７（ii）に示す一点鎖線Ｌ２，Ｌ２に添って個々の積層チップ２１，２１に切断し、図７（iii）に示すように下地電極２２の表面がバインダー膜２３で被覆された複数の積層チップ２１，２１（２１ｅは内部電極）を得る。
【００２８】
続いて、前記切断により下地電極の端面がバインダー膜２３から露出した図８（i）に示す積層チップ２１の切断面２１ｃの角部２１ｄ１，２１ｄ２に、それぞれ図９に示すように、サンドブラスト処理装置ＳＢ１を用いてメディア（砥粒）Ｍを噴射して衝突させ、図８（ii）に示すようにＲ２４、２５を形成する。サンドブラスト処理装置ＳＢ１は、切断面のバリを効率的に除去するために、前記積層チップの切断面に対して斜め前方から角度をもってメディア（砥粒）Ｍを噴射することが好ましく、このようなサンドブラスト処理が施されると、積層チップ２１の表面に衝突したメディア（砥粒）Ｍは下地電極２２を剥がすように作用する。一方、積層チップの切断面に対して斜め後方から角度をもってメディアを噴射すると、切断面２１ｃからの下地電極２２の剥がれは生じにくくなるが、露出した下地電極の表面に衝突したメディア（砥粒）Ｍは、電極表面を荒らすように作用する。
【００２９】
本実施形態においては、下地電極２２がバインダー膜２３で被覆された状態にあるため、下地電極２２の表面が得られた積層チップ２１は、前記Ｒ付けされた部分２４を除いて、下地電極２２がバインダー膜２３で被覆された状態にあり、前記のように下地電極の剥がれ、および下地電極表面の荒れのいずれの発生も防止することができる。
【００３０】
次に、前記積層チップ２１に脱バインダー処理を行った後、焼成して、図８（iii）に示すように、バインダー膜２３が消失された積層チップ２６を得る。次に、図８（iv）に示すように、積層チップ２６に側面電極２７を形成して、積層インダクタ２０とする。
【００３１】
本実施形態は、上記のように印刷・積層して得られたシート積層体２１０において、印刷で形成された下地電極２２の外形線を囲む所定の領域をバインダー膜２３で覆い、下地電極２２がバインダー膜２３で覆われた状態でＲ付けし、脱バインダー・焼成工程により、バインダー膜２３を消失させる点に特徴がある。
つまり、下地電極２２は、切断工程・Ｒ付け工程を経て脱バインダー・焼成工程まで露出が抑制されるということである。
【００３２】
バインダー膜２３としては、７００℃以下で熱分解するような有機物で構成された厚み１〜５０μｍの塗膜であることが好ましい。
有機物としては、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリ酢酸セルロース、ポリアクリル酸エステル、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、ポリビニルアセタール、エチルセルロース、ニトロセルロース、エポキシ樹脂、等を使用することができる。
【００３３】
また、バインダー膜中にＺｒＯ2等からなるセラミックの粒子を添加することが好ましい。粒子の大きさは、バインダー膜の厚みにより調整する必要があるが、０．１〜５０μｍの範囲とすることができる。添加量は、０．１〜３０ｗｔ％とすることが好ましい。
セラミックの粒子の存在により、脱バインダー・焼成時の台板への融着に対する改善効果が更に向上する。
【００３４】
次に、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法の第３実施形態について図１０を用いて説明する。
まず、前記と同様にダミーシート、引き出し電極を形成した引出しシート、コイル導体を形成した周回シート、引き出し電極を形成した引き出しシート、ダミーシート、下地電極を形成した下地電極シート等を積層して、図１０（i）に示されるように表面３１０Ａに下地電極３２が形成されたシート積層体３１０（３１０ｅは内部電極）を準備し、図１０（ii）に示すように該シート積層体３１０の下地電極３２の表面の選択された領域（具体的には、図１０（ii）に一点鎖線Ｌ３で示すように後に切断されるラインに隣接する領域）を被覆するようにバインダー膜３３，３３を印刷形成する。
次に、印刷形成された前記バインダー膜３３，３３の間隙を位置決めの目安として図１０（ii）に示す一点鎖線Ｌ３に添って個々の積層チップ３１，３１に切断し、図１０（iii）に示すように下地電極３２の表面の積層チップの端面３１ｃ寄りの選択された領域がバインダー膜３３，３３で被覆された複数の積層チップ３１，３１（３１ｅは内部電極）を得る。
【００３５】
続いて、下地電極３２，３２の端面がバインダー膜３３、３３から露出した図１０（iii）に示す積層チップ３１，３１の切断面３１ｃの角部３１ｄ１，３１ｄ２に、図１０（iv）に示すように、前記切断面３１ｃに隣接する領域にサンドブラスト処理装置ＳＢ２を用いてメディア（砥粒）Ｍを噴射して衝突させ、前記実施形態２と同様にＲを形成（図示省略）する。サンドブラスト処理装置ＳＢ２は、前記実施形態のサンドブラスト装置ＳＢ１に比べて、メディア（砥粒）Ｍの噴射範囲をより正確にコントロールできるものであるため、切断面３１ｃに隣接する領域のみにバインダー膜３３を有することで、前記実施形態と同様の作用・効果が得られる。得られた積層チップ３１は、前記下地電極３２の前記Ｒ付けされた部分に隣接する領域の表面がバインダー膜３３で被覆された状態（図示省略）にある。
【００３６】
次に、前記積層チップ３１に脱バインダー処理を行った後、焼成して、前記第２実施形態の図８（iii）に示すのと同様に、バインダー膜３３が消失された積層チップ３６を得る。
次に、前記第２実施形態の図８（iv）に示すのと同様に、積層チップ３６に側面電極３７を形成して、積層インダクタ３０（図示省略）とする。
【００３７】
本実施形態は、上記のように印刷・積層して得られたシート積層体３１０において、印刷で形成された下地電極３２の表面の選択された領域（具体的には、後に切断されるラインに隣接する領域）をバインダー膜３３で覆い、下地電極３２表面の前記選択された領域がバインダー膜（３３）で覆われた状態でＲ付けし、脱バインダー・焼成工程により、バインダー膜３３を消失させる点に特徴がある。
つまり、下地電極の表面の前記選択された領域は、切断工程・Ｒ付け工程を経て脱バインダー・焼成工程まで露出が抑制されるということである。
【００３８】
バインダー膜３３としては、７００℃以下で熱分解するような有機物で構成された厚み１〜５０μｍの塗膜であることが好ましい。
有機物としては、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリ酢酸セルロース、ポリアクリル酸エステル、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、ポリビニルアセタール、エチルセルロース、ニトロセルロース、エポキシ樹脂、等を使用することができる。
【００３９】
また、バインダー膜中にＺｒＯ2等からなるセラミックの粒子を添加することが好ましい。粒子の大きさは、バインダー膜の厚みにより調整する必要があるが、０．１〜５０μｍの範囲とすることができる。添加量は、０．１〜３０ｗｔ％とすることが好ましい。
セラミックの粒子の存在により、脱バインダー・焼成時の台板への融着に対する改善効果が更に向上する。
【００４０】
また、本第３実施形態は、上記第２実施形態の効果に加えて、下地電極３２の表面のマスキングが必要な選択された領域のみをバインダー膜３３で被覆するので、保護膜として使用するバインダー量を削減して、脱バインダー・焼成工程で発生するＣＯ2量を極力少なくすることができる。また、切断・Ｒ付けにより除去される領域のバインダー膜には予め間隙を設けているので、切断及びＲ付けのための処理時間の短縮をかはることができ、シート積層体３１０の選択された領域のみにサンドブラスト処理を施してＲ付けする場合において特に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法（シート積層体から個々の積層チップを得るプロセス）の第１実施形態を示す概略図である。
【図２】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法（積層チップから積層インダクタを得るプロセス）の第１実施形態を示す概略図である。
【図３】本発明の第１実施形態の実施例１の積層インダクタのシート積層体の積層順序（積層体の下面＝チップ下面）を示す概略図である。
【図４】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法の第１実施形態のＲ付け工程の一例を示す概略図である。
【図５】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法の第１実施形態で得られた積層インダクタ、およびその変形例を示す斜視図である。
【図６】本発明の第１実施形態の実施例２の積層インダクタのシート積層体の積層順序（積層体の下面＝チップ上面）を示す概略図である。
【図７】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法（シート積層体から個々の積層チップを得るプロセス）の第２実施形態を示す概略図である。
【図８】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法（積層チップから積層インダクタを得るプロセス）の第２実施形態を示す概略図である。
【図９】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法の第２実施形態のＲ付け工程の一例を示す概略図である。
【図１０】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法（シート積層体から個々の積層チップを得るプロセス）の第３実施形態を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０，２０，３０  積層インダクタ
１１，２１，３１  積層チップ
１１０，２１０，３１０  シート積層体
１２，２２，３２  下地電極
１３，２３，３３  バインダーシート
１４、２４  チップ切断面の角部のＲ
１５，２５  チップ切断面の角部のＲ
１６，２６，３６  焼成後の積層チップ
１７，２７，３７  側面電極
【図１】
2007200955.tif 000003
【図２】
2007200955.tif 000004
【図３】
2007200955.tif 000005
【図４】
2007200955.tif 000006
【図５】
2007200955.tif 000007
【図６】
2007200955.tif 000008
【図７】
2007200955.tif 000009
【図８】
2007200955.tif 000010
【図９】
2007200955.tif 000011
【図１０】
2007200955.tif 000012