(57)【要約】      （修正有）【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリコン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。【解決手段】キャパシタ孔の深さが３μｍ以上であり、かつ前記キャパシタ孔のアスペクト比が３０以上であるキャパシタ構造を備えた半導体シリコン基板の製造方法であって、  温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二酸化炭素の存在下に、被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して洗浄を行なう洗浄工程と、  温度１００〜３５０℃および圧力７．２〜１２ＭＰａの条件下、超臨界状態の二酸化炭素の存在下に、前記被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して金属薄膜を形成するキャパシタ電極用金属薄膜形成工程と、を少なくとも有することを特徴とする、半導体シリコン基板の製造方法。【選択図】図４
2007095863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャパシタ孔の深さが３μｍ以上であり、かつ前記キャパシタ孔のアスペクト比が３０
以上であるキャパシタ構造を備えた半導体シリコン基板の製造方法であって、
温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二酸化炭素の
存在下に、被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して洗浄を行なう洗浄工程と、
温度１００〜３５０℃および圧力７．２〜１２ＭＰａの条件下、超臨界状態の二酸化炭
素の存在下に、前記被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して金属薄膜を形成するキ
ャパシタ電極用金属薄膜形成工程と、
を少なくとも有することを特徴とする、半導体シリコン基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属薄膜は、単一元素からなる金属薄膜、導電性窒化膜および導電性酸化膜からな
る群より選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の半導体シリコ
ン基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属薄膜は、その厚みが２０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２
のいずれかに記載の半導体シリコン基板の製造方法。
【請求項４】
前記各工程は、前記被処理基板を同一の容器内部に保持したまま実施することを特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載の半導体シリコン基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法により得られた半導体シリコン基板を含むこ
とを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体シリコン基板の製造方法に関し、さらに詳しくは、超臨界状態の二酸化
炭素の存在下にキャパシタ構造形成工程を行なう半導体シリコン基板の製造方法に関する
。
【背景技術】
【０００２】
超臨界状態の二酸化炭素は液体と気体との双方の性質を兼ね備えた性質を有することか
ら、前記超臨界状態の二酸化炭素を半導体関連分野に活用することが近年提案されている
。
具体的には前記超臨界状態の二酸化炭素を被処理基板に供給して、前記被処理基板上に
銅拡散防止膜の形成および銅膜の形成の双方を行なう方法が提案されている（特許文献１
）。
この方法によれば、非常に微細なパターンにおいても銅拡散防止膜の形成および銅膜の
埋め込みが可能とされる。
【特許文献１】特開２００４−２２８５２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記特許文献１に示された方法により得られた配線は、特にその配線パ
ターンが高アスペクト比であり微細になればなるほど、前記配線の抵抗値が期待される値
よりも大きくなったり、断線したりする等、その信頼性が低下する場合があった。
本発明の目的は、超臨界状態の二酸化炭素を使用する半導体シリコン基板の製造方法の
中でも、信頼性の高いキャパシタ構造を備えた半導体シリコン基板を与えることのできる
半導体シリコン基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者は、キャパシタ孔の深さが３μｍ以上であり、かつ前記キャパシタ孔のアスペ
クト比が３０以上の前記キャパシタ構造を製造する場合、超臨界状態にある二酸化炭素を
単に使用するだけでは信頼性の高い半導体シリコン基板を製造することができないことを
見出した。
そして鋭意検討を重ねた結果、温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａという
、特定の範囲の超臨界状態にある二酸化炭素の存在下に、前記被処理基板に対して洗浄を
行なう洗浄工程と、
温度１００〜３５０℃および圧力７．２〜１２ＭＰａという、特定の範囲の超臨界状態
にある二酸化炭素の存在下に、前記被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して金属薄
膜を形成するキャパシタ電極用金属薄膜形成工程と、
を少なくとも有する半導体シリコン基板の製造方法が、本発明の目的に適うことを見出
し、本発明を完成するに至った。
【０００５】
即ち本発明は、
［１］キャパシタ孔の深さが３μｍ以上であり、かつ前記キャパシタ孔のアスペクト比が
３０以上であるキャパシタ構造を備えた半導体シリコン基板の製造方法であって、
温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二酸化炭素の
存在下に、被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して洗浄を行なう洗浄工程と、
温度１００〜３５０℃および圧力７．２〜１２ＭＰａの条件下、超臨界状態の二酸化炭
素の存在下に、前記被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して金属薄膜を形成するキ
ャパシタ電極用金属薄膜形成工程と、
を少なくとも有することを特徴とする、半導体シリコン基板の製造方法を提供するもの
であり、
［２］前記金属薄膜は、単一元素からなる金属薄膜、導電性窒化膜および導電性酸化膜か
らなる群より選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする上記［１］に記載の半導体
シリコン基板の製造方法を提供するものであり、
［３］前記金属薄膜は、その厚みが２０ｎｍ以下であることを特徴とする、上記［１］ま
たは［２］のいずれかに記載の半導体シリコン基板の製造方法を提供するものであり、
［４］前記各工程は、前記被処理基板を同一の容器内部に保持したまま実施することを特
徴とする上記［１］〜［３］のいずれかに記載の半導体シリコン基板の製造方法を提供す
るものであり、
［５］上記［１］〜［４］のいずれかに記載の製造方法により得られた半導体シリコン基
板を含むことを特徴とする半導体装置を提供するものである。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、超臨界状態の二酸化炭素を使用する半導体シリコン基板の製造方法の
中でも、信頼性の高いキャパシタ構造を備えた半導体シリコン基板を与えることのできる
半導体シリコン基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の製造方法は、被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して洗浄を行なう洗浄
工程と、前記被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して金属薄膜を形成するキャパシ
タ電極用金属薄膜形成工程とを少なくとも有するものであるが、最初に本発明に使用する
被処理基板について説明する。
【０００８】
前記被処理基板としては、例えば、前記洗浄工程と前記キャパシタ電極用金属薄膜形成
工程とを行なう前の半導体シリコンウエハ等を挙げることができる。
かかる半導体シリコンウエハとしては、例えば、エピタキシャル層形成工程、アイソレ
ーション形成工程、ウエル形成工程、ゲート絶縁膜形成工程、ゲート電極形成工程、スペ
ーサ形成工程、ソース／ドレイン形成工程等の前工程に代表される一つの工程もしくは二
以上の工程を施したもの等を挙げることができる。
【０００９】
本発明に使用する前記被処理基板は、キャパシタ孔を備えるものである。
ここで図１は、前記被処理基板１にキャパシタ孔２が形成されている様子を例示した模
式要部断面図である。
【００１０】
前記キャパシタ孔２は、その深さが３μｍ以上であり、かつ前記キャパシタ孔のアスペ
クト比が３０以上のものである。
前記キャパシタ孔２は、その深さの範囲が３μｍ以上のものが好ましく、３．５μｍ以
上のものがより好ましく、４μｍ以上のものがさらに好ましい。
なお、キャパシタ孔２の深さは５μｍ以下のものであればさらに好ましい。
本発明の半導体シリコン基板の製造方法は、かかる高アスペクト比を持つ微細構造の前
記キャパシタ電極用金属薄膜形成工程に特に適するものである。
前記キャパシタ孔のアスペクト比は３０以上のものが好ましく、３５以上のものがより
好ましく、４０以上の範囲のものがさらに好ましい。
なお、前記アスペクト比は５０以下のものであればさらに好ましい。
【００１１】
次に本発明における洗浄工程について説明する。
本発明における洗浄工程は、前記被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して洗浄を
行なうものである。
【００１２】
前記洗浄工程は、超臨界状態の二酸化炭素の存在下に実施されることが必要である。
ここで前記超臨界状態の二酸化炭素とは、温度３１℃、圧力７．３８ＭＰａの二酸化炭
素の臨界点を超えた、温度および／または圧力の条件下にある二酸化炭素をいい、液体と
気体との双方の性質を兼ね備えたものである。
【００１３】
本発明における前記洗浄工程は、上記超臨界状態の中でも、温度３１〜１００℃および
圧力１８〜４０ＭＰａの条件下に実施されるものである。
前記温度が３１℃未満の場合には、前記二酸化炭素は超臨界状態を保つことができず、
洗浄試薬の前記キャパシタ孔内部への拡散および脱離した汚染物質のキャパシタ孔外部へ
の拡散が遅くなるため、洗浄効率は著しく低下する。
【００１４】
また前記温度が１００℃を超える場合には、超臨界二酸化炭素は、ガス状態のように低
密度になるため、汚染物質に対する十分な溶解度が得られない。
前記温度は３５〜９０℃の範囲が好ましく、４０〜８０℃の範囲であればさらに好まし
い。
【００１５】
さらに前記圧力が圧力１８ＭＰａ未満の場合も同様に、汚染物質に対する十分な溶解度
が得られず、ウエハの洗浄効率が低下する。
また前記圧力が４０ＭＰａを超える場合には、本発明の製造装置を構成するリアクター
、ポンプ、高圧バルブなどの使用に対して安全性を確保することが困難になる。また、４
０ＭＰａ以上では、圧力に対する密度の上昇が無視できるほど小さくなり、前記圧力以上
の領域での溶解度の上昇は小さい。したがって、４０ＭＰａを超える二酸化炭素圧力の使
用は、前記の観点からプロセス上効率的とはいえない。
【００１６】
前記圧力は、１８〜３５ＭＰａの範囲が好ましく、２０〜３０ＭＰａの範囲であればさ
らに好ましい。
【００１７】
本発明における洗浄工程には、洗浄試薬を使用することができる。
前記洗浄試薬としては、例えば、具体的に、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、ア
セチルアセトン、アセト酢酸エチル、マレイン酸ジメチル、１，１，１−トリフルオロペ
ンタン−２，４−ジオン、２，６−ジメチルペンタンジオン−３，５−ジオン、２，２，
７−トリメチルオクタン−２，４−ジオン、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３
，５−ジオン、エチレンジアミン四酢酸等のキレート剤、
ギ酸、酢酸、シュウ酸、マレイン酸、ニトリロ三酢酸等の有機酸、
塩化水素、フッ化水素、リン酸等の無機酸、
アンモニア、エタノールアミン等の含窒素化合物、
エタノールなどのアルコール類
パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）等の界面活性剤等を挙げることができる。
【００１８】
前記洗浄試薬は一種もしくは二種以上を併用して使用することができる。
【００１９】
次に本発明におけるキャパシタ電極用金属薄膜形成工程について説明する。
図２は、前記キャパシタ孔２の表面に、前記金属薄膜３が形成されている様子を例示し
た模式要部断面図である。
【００２０】
本発明における前記キャパシタ電極用金属薄膜形成工程は、例えば、具体的には前記被処理基板１に設けられた前記キャパシタ孔２に対して金属薄膜３を形成するものである。
【００２１】
前記キャパシタ電極用金属薄膜形成工程は、超臨界状態の二酸化炭素の存在下に実施さ
れることが必要である。
本発明における前記キャパシタ電極用金属薄膜形成工程は、上記超臨界状態の中でも、
温度１００〜３５０℃および圧力７．２〜１２ＭＰａの条件下に実施されるものである。
前記温度が１００℃未満の場合には、前記金属薄膜の成膜反応のための十分な反応熱が
得られないため、成膜速度が著しく遅くなる。３５０℃を超える場合は、逆反応（例えば、形成した膜が再び前駆体に戻る反応）が無視できなくなる、あるいは、前駆体の前
記超臨界二酸化炭素への溶解度が低下することによって、成膜速度が低下する。
前記温度は１２０〜３００℃の範囲が好ましく、１５０〜２５０℃の範囲であればさらに好ましい。
【００２２】
さらに前記圧力が７．２ＭＰａ未満の場合には、前記二酸化炭素密度が十分でないため
に、成膜前駆体の溶解が困難になる。前記圧力が１２ＭＰａを超える場合には、前記二酸
化炭素の粘度が高くなり、前記キャパシタ孔への前駆体の進入が困難になり、結果として
前記キャパシタ孔底部での成膜効率が低下する。
前記圧力は、７．５〜１２ＭＰａの範囲が好ましく、８〜１１ＭＰａの範囲であればさ
らに好ましい。
【００２３】
前記金属薄膜としては、例えば、イリジウム、白金、ルテニウム等の単一元素からなる
金属薄膜、チタンナイトライド、タンタルナイトライド等の導電性窒化膜、酸化イリジウ
ム、酸化ルテニウム等の導電性酸化膜等を挙げることができる。
【００２４】
前記金属薄膜は、一種もしくは二種以上を使用することができる。
【００２５】
前記キャパシタ電極用金属薄膜形成工程は、金属薄膜前駆体試薬を前記被処理基板に設
けられた前記キャパシタ孔に作用させる方法、前記超臨界状態の二酸化炭素に成膜前駆体
を前もって溶解させておいて、かかる溶解物を前記被処理基板に設けられた前記キャパシ
タ孔に作用させる方法、前記超臨界二酸化炭素に溶解した成膜前駆体と反応試薬（酸素、
オゾン、水素、窒素、アンモニア、水など）を前記被処理基板上で反応させる方法等により実施することができる。
【００２６】
前記キャパシタ孔の表面に前記金属薄膜を形成する際には、例えば、前記超臨界状態の
二酸化炭素の存在下に、前記金属薄膜前駆体試薬を前記被処理基板に設けられた前記キャ
パシタ孔に作用させる等の方法により前記金属薄膜を形成することができる。
【００２７】
前記金属薄膜を形成する工程は、温度１５０〜２５０℃および圧力８〜１１ＭＰａの条
件下に実施することが好ましい。
【００２８】
前記金属薄膜前駆体試薬としては、例えば、具体的には、ビス（エチルシクロペンタジ
エニル）ルテニウム、トリス（２，４−オクタジオナト）ルテニウム、ペンタキス（ジメ
チルアミノ）タンタル、ペンタエトキシタンタル、テトラ−ｔ−ブトキシチタニウム、テ
トラキス（Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ）チタニウム、イリジウムアセチルアセトン、
プラチナムアセチルアセトン等を挙げることができる。
【００２９】
例えば、前記イリジウムアセチルアセトンを前記金属薄膜前駆体試薬として使用し、これと水素とを前記被処理基板上で反応させた場合であれば、前記被処理基板上にはイリジウムが堆積する。
これにより前記キャパシタ孔の表面にイリジウム膜を形成することができる。
【００３０】
例えば、前記プラチナムアセチルアセトンを前記金属薄膜前駆体試薬として使用し、これと水素とを前記被処理基板上で反応させた場合であれば、前記被処理基板上には白金が堆積する。
これにより前記キャパシタ孔の表面に白金膜を形成することができる。
【００３１】
例えば、前記ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムおよび／またはトリス（
２，４−オクタジオナト）ルテニウムを前記金属薄膜前駆体試薬として使用し、これと水素とを前記被処理基板上で反応させた場合であれば、前記被処理基板上にはルテニウムが堆積する。
これにより前記キャパシタ孔の表面にルテニウム膜を形成することができる。
【００３２】
例えば、前記ペンタキス（ジメチルアミノ）タンタルを前記バリア膜前駆体試薬として
使用し、これとアンモニアとを前記被処理基板上で反応させた場合であれば、前記被処理基板上にはタンタルナイトライドが堆積する。
前記ペンタエトキシタンタルおよびアンモニアを使用した場合も同様である。
これにより前記キャパシタ孔の表面にタンタルナイトライド膜を形成することができる。
【００３３】
例えば、前記テトラ−ｔ−ブトキシチタニウムを前記電極膜前駆体試薬として使用し、
これとアンモニアとを前記被処理基板上で反応させた場合には、前記被処理基板上にはチタニウムナイトライドが堆積する。
前記テトラキス（Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ）チタニウムおよびアンモニアを使用
した場合も同様である。
これにより前記キャパシタ孔の表面にチタニウムナイトライド膜を形成することができ
る。
【００３４】
例えば、前記イリジウムアセチルアセトンを前記金属薄膜前駆体試薬として使用し、これと酸素とを前記被処理基板上で反応させた場合であれば、前記被処理基板上には酸化イリジウムが堆積する。
これにより前記キャパシタ孔の表面に酸化イリジウム膜を形成することができる。
【００３５】
例えば、前記ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムおよび／またはトリス（
２，４−オクタジオナト）ルテニウムを前記金属薄膜前駆体試薬として使用し、これと酸素と前記被処理基板上で反応させた場合であれば、前記被処理基板上には酸化ルテニウムが堆積する。
これにより前記キャパシタ孔表面に酸化ルテニウム膜を形成することができる。
【００３６】
前記金属薄膜前駆体試薬は一種もしくは二種以上を使用することができる。
【００３７】
前記キャパシタ電極用金属薄膜形成工程により、前記キャパシタ孔表面に前記金属薄膜
を形成することができるが、この金属薄膜の厚さは２０ｎｍ以下であることが好ましい。
前記金属薄膜の厚さは、１５ｎｍ以下であることがより好ましく、１０ｎｍ以下であれ
ばさらに好ましい。
また、前記金属薄膜の厚さは、５ｎｍ以上であればさらに好ましい。
【００３８】
前記キャパシタ電極用金属薄膜形成工程終了後、必要に応じて、前記金属薄膜が形成さ
れた前記キャパシタ孔に対して、前記洗浄工程をさらに実施することができる。
【００３９】
本発明の製造方法は、上記に説明した工程を一つの製造装置内部で連続して実施するこ
とができる。
【００４０】
上記に説明した工程を経て、半導体シリコン基板を得ることができる。
そして前記半導体シリコン基板を使用して、ＤＲＡＭ等の半導体装置を得ることができ
る。
【００４１】
次に実施例により、本発明の製造方法および製造装置についてさらに詳細に説明する。
なお、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【実施例１】
【００４２】
図３は本発明の製造方法を実施するための製造装置の構成の一態様を示した概略図であ
る。
また図４は、本発明の製造方法を説明するためのプロセスフローを示した図である。
本発明の製造方法について、図３および図４を参照しつつ説明する。
【００４３】
まず、前記被処理基板１を前記容器４内部の前記基板設置台５に保持する。
この被処理基板１は、半導体シリコンウエハを用いて前記後工程の内、エピタキシャル
層形成工程、アイソレーション形成工程、ウエル形成工程、ゲート絶縁膜形成工程、ゲー
ト電極形成工程、スペーサ形成工程、ソース／ドレイン形成工程の各工程を経て得られた
ものである。
【００４４】
前記被処理基板には、図１に示した様にキャパシタ孔２が設けられている。このキャパ
シタ孔２の深さが３μｍ以上であり、そのアスペクト比は３０以上であった。
【００４５】
本発明の製造方法の洗浄工程を実施する際は、図３に示した様に、前記容器４内部の温
度を３１〜１００℃の範囲に加熱し、二酸化炭素を前記容器４内部に二酸化炭素ボンベ６
、前記二酸化炭素供給用高圧ポンプ７および高圧バルブ２６、８および９を通して導入し
て、前記容器４内部の圧力を１８ＭＰａ以上の範囲に調整する必要がある。
【００４６】
最初に前記被処理基板の温度を５０℃、前記容器１内部の圧力を２０ＭＰａとして、試
薬容器１０から、試薬添加用ポンプ１１、試薬添加用逆止弁１２、高圧バルブ１３および
９を通して、前記容器４内部に洗浄用試薬を導入し、前記キャパシタ孔表面に付着したエ
ッチング後の残渣、有機系汚染物質等を除去する洗浄工程を実施した。
【００４７】
かかる残渣、有機系汚染物質等としては、例えば、反応性イオンエッチング、ウエット
エッチング、ドライエッチング、プラズマエッチング等のエッチング工程や化学機械研磨
（ＣＭＰ）等の工程後に残留する固体または液体の残留物等が挙げられる。
【００４８】
本実施例では、前記洗浄用試薬としてエタノールを使用したが、前記洗浄工程は洗浄試
薬の使用を省略することも可能である。
【００４９】
前記洗浄工程終了後、前記容器４内部への前記洗浄用試薬の導入を中止し、二酸化炭素
を前記容器４内部に前記二酸化炭素ボンベ６、前記二酸化炭素供給用高圧ポンプ７、前記
高圧バルブ２６、８および９を通じて導入する一方、背圧調整器１４から前記容器４内部
の洗浄試薬等を系外へ排出するパージング工程を実施した。
【００５０】
この工程により前記容器４内部は純粋な二酸化炭素に置換された。
【００５１】
前記被処理基板１の温度を２００℃、前記容器４内部の圧力を１０ＭＰａとして、前記
試薬容器１０から、前記試薬添加用ポンプ１１、前記試薬添加用逆止弁１２、バルブ１３
および９を通して、前記容器４内部にビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムを
導入した。また、水素ボンベ１６から、フローコントローラー１７、逆止弁１８および高
圧バルブ１９を通して水素を導入した。使用する各種試薬は、二酸化炭素と効率的に混合
するために設けられた混合ループ２２を経て、前記容器４内部に導入された。なお、この
混合ループ２２には混合ループ内部の二酸化炭素を超臨界状態に変換するための加熱手段
が設けられている（図３の点線部）。
【００５２】
本実施例の場合には前記混合ループを使用したが、本発明の実施態様においては、前記
混合ループに替えてもしくは前記混合ループと共に別途混合槽を設けることができる（図
示せず。）。前記混合槽にはメカニカルスターラー等の撹拌手段を設けることができる。
上記操作により、前記キャパシタ孔表面にルテニウム膜を形成した。
【００５３】
なお、使用する試薬が固体の場合には、固体試薬溶解用チャンバ２３にて前記試薬を超
臨界状態の二酸化炭素に溶解してから、前記溶解物を高圧バルブ２５および９を通じて前
記容器４内部に導入することにより、前記キャパシタ孔２表面に前記金属薄膜３を形成す
ることができる。
【００５４】
前記ルテニウム膜を形成する前記キャパシタ電極用金属薄膜形成工程の終了後、前記容
器４内部への前記ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムおよび前記水素の導入
を中止し、先の場合と同様に二酸化炭素を前記容器４内部に導入する一方、前記背圧調整
器１４から前記容器４内部の前記成膜前駆体および反応副生成物を系外へ排出するパージ
ング工程を実施した。
この工程により前記容器４内部は純粋な二酸化炭素に置換された。
【００５５】
続いて先の洗浄工程と全く同様の工程を実施した。
その後前記基板設置台５の加熱を中止し、前記容器４を冷却した上で、前記容器４内部
の圧力を常圧に戻してから半導体シリコン基板を得た。
【００５６】
なお、本実施例ではキャパシタ孔に対して金属薄膜を形成するキャパシタ電極用金属薄
膜形成工程について説明したが、例えば、この工程により得られる下部電極に加えて、前記下部電極の上に容量絶縁膜を形成した後の上部電極についても、本実施例により説明したキャパシタ電極用金属薄膜形成工程と全く同様の条件により形成することができる。
【００５７】
上記に説明した通り、洗浄工程、キャパシタ電極用金属薄膜形成工程および洗浄工程に
より被処理基板を連続して処理する方法により、前記半導体シリコン基板を得ることがで
きる。
【００５８】
前記半導体シリコン基板を使用して得られたＤＲＡＭの半導体装置は正常に作動し、信
頼性に優れるものであった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】被処理基板にキャパシタ孔が形成されている様子を例示した模式要部断面図である。
【図２】キャパシタ孔の表面に、金属薄膜が形成されている様子を例示した模式要部断面図である。
【図３】発明の製造方法を実施するための製造装置の構成の一態様を示した概略図である。
【図４】本発明の製造方法の一態様を説明するためのプロセスフローを示した図である。
【符号の説明】
【００６０】
１    被処理基板
２    キャパシタ孔
３    金属薄膜
４    容器
５    基板設置台
６    二酸化炭素ボンベ
７    二酸化炭素供給用高圧ポンプ
８、９、１３、１９、２４、２５、２６    高圧バルブ
１０  試薬容器
１１  試薬添加用ポンプ
１２  試薬添加用逆止弁
１４  背圧調整器
１５  試薬回収チャンバ
１６  水素ボンベ
１７  フローコントローラー
１８  逆止弁
２０  温度制御器
２１  熱電対
２２  混合用ループ
２３  固体試薬溶解用チャンバ
２７  冷却水循環器
２８  冷却管
【図１】
2007095863.tif 000003
【図２】
2007095863.tif 000004
【図３】
2007095863.tif 000005
【図４】
2007095863.tif 000006