(57)【要約】【課題】  ＭＲハイトおよびネックハイトの双方を高精度に決定することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  複数の薄膜磁気ヘッド前駆体１１０と、複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００と、複数の記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００とを含むように複数の薄膜磁気ヘッドバー６００を形成する。再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（副抵抗膜パターン２０１Ａ）を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００をプレ研磨し、引き続き再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（副抵抗膜パターン２０１Ａ）および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００（副抵抗膜パターン３０１Ａ）の双方を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きを検出・調整したのち、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（主抵抗膜パターン２０１Ｂ）を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００を仕上研磨することにより、エアベアリング面を形成する。【選択図】    図１５
2007058968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の一面に、
互いに積層された再生ヘッド部および記録ヘッド部を含むと共にエアベアリング面を有する複数の薄膜磁気ヘッドを形成するための前準備体として、それらの再生ヘッド部および記録ヘッド部を含む複数の薄膜磁気ヘッド前駆体と、
前記再生ヘッド部と同一階層に配置され、前記薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨して前記エアベアリング面を形成することにより前記薄膜磁気ヘッドを形成する際に、前記再生ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンと、
前記記録ヘッド部と同一階層に配置され、前記薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨して前記エアベアリング面を形成することにより前記薄膜磁気ヘッドを形成する際に、前記記録ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンと、を備え、
前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンの双方が研磨開始面に近い側に位置する第１の抵抗膜パターンを含み、少なくとも一方が研磨開始面から遠い側に位置する第２の抵抗膜パターンを含んでいる
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項２】
前記第１の抵抗膜パターンおよび前記第２の抵抗膜パターンが、部分的に隣り合うように配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項３】
前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンが、前記第１の抵抗膜パターンおよび前記第２の抵抗膜パターンの双方を含んでいる
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項４】
前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンが、前記第１の抵抗膜パターンおよび前記第２の抵抗膜パターンの双方を含み、
前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンが、前記第１の抵抗膜パターンのみを含んでいる
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項５】
前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンが、前記第１の抵抗膜パターンのみを含み、
前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンが、前記第１の抵抗膜パターンおよび前記第２の抵抗膜パターンの双方を含んでいる
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項６】
前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンが、研磨量に応じた電気抵抗の変化に基づいて、それぞれ前記再生ヘッド部の研磨量および前記記録ヘッド部の研磨量を把握するために使用される
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項７】
前記複数の薄膜磁気ヘッド前駆体が、複数列に渡って配列され、
前記複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび前記複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンが、前記複数の薄膜磁気ヘッド前駆体の配列方向に対応して複数列に渡って配列されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項８】
前記薄膜磁気ヘッド前駆体が、第１の領域に配置されており、
前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンが、前記第１の領域とは異なる第２の領域に配置されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項９】
前記再生ヘッド部が再生処理を実行する磁気抵抗効果素子を含む積層構造を有し、前記記録ヘッド部が記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分において記録処理を実行する磁極層を含む積層構造を有しており、
前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンが、それぞれ前記磁気抵抗効果素子および前記磁極層と同一階層に配置されている
ことを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項１０】
前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンが、それぞれ前記磁気抵抗効果素子の寸法および前記トラック幅規定部分の寸法が所定の寸法となるように前記再生ヘッド部の研磨量および前記記録ヘッド部の研磨量を把握するために使用される
ことを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項１１】
前記磁極層が、垂直記録方式の記録処理を実行するものである
ことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッド構造体。
【請求項１２】
基体の一面に、
互いに積層された再生ヘッド部および記録ヘッド部を含むと共にエアベアリング面を有する複数の薄膜磁気ヘッドを形成するための前準備体として、それらの再生ヘッド部および記録ヘッド部を含むように複数の薄膜磁気ヘッド前駆体を形成する第１の工程と、
前記再生ヘッド部と同一階層に、前記薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨して前記エアベアリング面を形成することにより前記薄膜磁気ヘッドを形成する際に、前記再生ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御可能となるように複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンを形成する第２の工程と、
前記記録ヘッド部と同一階層に、前記薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨して前記エアベアリング面を形成することにより前記薄膜磁気ヘッドを形成する際に、前記記録ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御可能となるように複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンを形成する第３の工程と、を含み、
前記第２の工程および前記第３の工程において、双方が研磨開始面に近い側に位置する第１の抵抗膜パターンを含むと共に少なくとも一方が研磨開始面から遠い側に位置する第２の抵抗膜パターンを含むように前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンを形成する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の工程において、前記再生ヘッド部が再生処理を実行する磁気抵抗効果素子を含む積層構造を有すると共に前記記録ヘッド部が記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分において記録処理を実行する磁極層を含む積層構造を有するように前記薄膜磁気ヘッド前駆体を形成し、
前記第２の工程において、前記磁気抵抗効果素子と同一階層に配置されるように前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンを形成し、
前記第３の工程において、前記磁極層と同一階層に配置されるように前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の工程において、前記磁気抵抗効果素子と並列的に前記再生ヘッド部用抵抗膜パターンを形成し、
前記第３の工程において、前記磁極層と並列的に前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法。
【請求項１５】
前記第３の工程が、
めっき膜を成長させるためのシード層を形成する工程と、
前記シード層上に選択的にめっき膜を成長させることにより、前記磁極層をパターン形成すると共に前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンを形成するためのダミーパターンを形成する工程と、
前記磁極層および前記ダミーパターンをマスクとして前記シード層を選択的にエッチングして除去することにより、前記磁極層および前記ダミーパターンのパターン形状に対応する領域のみに前記シード層を残存させる工程と、
前記ダミーパターンを除去することにより、前記シード層のうちの残存部分を前記記録ヘッド部用抵抗膜パターンとする工程と
を含むことを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載した薄膜磁気ヘッド構造体を使用して、互いに積層された再生ヘッド部および記録ヘッド部を含むと共にエアベアリング面を有する複数の薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
複数の薄膜磁気ヘッド前駆体の配列方向に沿って前記薄膜磁気ヘッド構造体を切断することにより、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体と、前記再生ヘッド部と同一階層に配置され、その再生ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンと、前記記録ヘッド部と同一階層に配置され、その記録ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンとを含むように複数の薄膜磁気ヘッドバーを形成する第１の工程と、
各再生ヘッド部用抵抗膜パターンまたは各記録ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの研磨開始面に近い側に位置する第１の抵抗膜パターン間または研磨開始面から遠い側に位置する第２の抵抗膜パターン間における第１の電気抵抗と、各再生ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの前記第１の抵抗膜パターンと各記録ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの前記第１の抵抗膜パターンとの間における第２の電気抵抗とを検出し、それらの第１の電気抵抗および第２の電気抵抗に基づいて研磨処理の進行度を制御しながら、前記薄膜磁気ヘッドバーのうちの前記薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨して前記エアベリング面を形成することにより、前記複数の薄膜磁気ヘッドを形成する第２の工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記第２の工程において、研磨量に応じた前記第１の電気抵抗および前記第２の電気抵抗の変化に基づき、その研磨量を把握しながら前記薄膜磁気ヘッドバーを研磨する
ことを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
研磨量に対する前記第１の電気抵抗および前記第２の電気抵抗の変化率が研磨過程において相対的に小さな第１の変化率から相対的に大きな第２の変化率に変化する前記第１の抵抗膜パターンおよび前記第２の抵抗膜パターンを使用し、
前記第１の電気抵抗および前記第２の電気抵抗の変化率が前記第２の変化率となる研磨状態において、それらの第１の電気抵抗および第２の電気抵抗を検出する
ことを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記第１の工程において、前記再生ヘッド部が再生処理を実行する磁気抵抗効果素子を含む積層構造を有すると共に前記記録ヘッド部が記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分において記録処理を実行する磁極層を含む積層構造を有する前記薄膜磁気ヘッド前駆体を使用し、
前記第２の工程において、前記第１の電気抵抗および前記第２の電気抵抗に基づいて、前記磁気抵抗効果素子の寸法が所定の寸法となるように前記再生ヘッド部を研磨すると共に前記磁極層のうちの前記トラック幅規定部分の寸法が所定の寸法となるように前記記録ヘッド部を研磨する
ことを特徴とする請求項１６ないし請求項１８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記第２の工程が、
各第１の抵抗膜パターン間における前記第１の電気抵抗に基づいて、前記磁気抵抗効果素子の寸法が目標寸法よりも大きなプレ寸法となるまで前記薄膜磁気ヘッドバーをプレ研磨する工程と、
前記第２の電気抵抗に基づいて、前記プレ寸法を維持したまま前記薄膜磁気ヘッドバーの研磨面の傾きを調整する工程と、
各第２の抵抗膜パターン間における前記第１の電気抵抗に基づいて、前記磁気抵抗効果素子の寸法が前記プレ寸法から前記目標寸法となるまで前記薄膜磁気ヘッドバーを仕上研磨する工程と
を含むことを特徴とする請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドを製造するために使用される薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッド構造体を使用した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）の面記録密度の向上に伴い、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ；Hard Disk Drive ）などの磁気記録装置に搭載される薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）に設定する長手記録方式や、信号磁界の向きを記録媒体の面と直交する方向に設定する垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、記録媒体の面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では、高い線記録密度を確保可能な上、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
【０００３】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、主に、磁束を発生させる薄膜コイルと、エアベアリング面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出することにより記録処理を実行する磁極層とを備えている。この磁極層は、記録トラック幅を規定する幅（一定幅）を有するトラック幅規定部分を含んでいる。このトラック幅規定部分の高さ、すなわち前端（エアベアリング面に露出した端縁）から後端（いわゆるフレアポイント）に至る寸法は、薄膜磁気ヘッドの記録性能に寄与する重要な因子であるネックハイトである。この垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルが通電されることにより記録用の磁束が発生すると、磁極層のうちのトラック幅規定部分の先端から磁束が放出されることにより記録用の磁界（垂直磁界）が発生するため、その垂直磁界により記録媒体の表面が磁化される。これにより、記録媒体に情報が磁気的に記録される。
【０００４】
この薄膜磁気ヘッドとして、最近では、記録媒体に対して記録処理を施す（記録媒体に情報を磁気的に記録する）機能だけでなく、その記録媒体に対して再生処理を施す（記録媒体に記録されている情報を磁気的に読み出す）機能も併せて備えた複合型の薄膜磁気ヘッド（以下、単に「複合型薄膜磁気ヘッド」という。）が普及している。この複合型薄膜磁気ヘッドは、例えば、上記した垂直記録方式の記録処理を実行する記録ヘッド部と共に、磁気抵抗効果（ＭＲ；Magneto-Resistive effect）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部を併せて備えている。この再生ヘッド部は、再生処理の実行主体として、エアベアリング面から後方に向かって延在するＭＲ素子を含んで構成されている。このＭＲ素子の高さ、すなわちＭＲ素子の前端（エアベアリング面に露出した端縁）から後端（エアベアリング面から遠い側の端縁）に至る寸法は、薄膜磁気ヘッドの再生性能に寄与する重要な因子であるＭＲハイトである。
【０００５】
複合型薄膜磁気ヘッドは、一般に、複数の複合型薄膜磁気ヘッドを一括して製造することを目的として、ウェハ上に複数の薄膜磁気ヘッド前駆体が設けられた構成を有する薄膜磁気ヘッド構造体を使用して製造されている。この薄膜磁気ヘッド前駆体は、薄膜磁気ヘッドを形成するための前準備体であり、ウェハ上に複数列に渡って配列されている。特に、薄膜磁気ヘッド前駆体は、エアベアリング面が未だ形成されていない点を除き、再生ヘッド部および記録ヘッド部の双方を含む完成後の複合型薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。
【０００６】
この複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程では、薄膜磁気ヘッド前駆体の配列方向に沿って薄膜磁気ヘッド構造体を切断することにより複数の薄膜磁気ヘッドバーを形成したのち、再生ヘッド部および記録ヘッド部の研磨後寸法が所定の寸法となるまで、より具体的には再生ヘッド部のＭＲハイトが所定の寸法になると共に記録ヘッド部のネックハイトが所定の寸法になるまで、薄膜磁気ヘッドバーのうちの一端面（薄膜磁気ヘッド構造体を切断した際の切断面）を研磨してエアベアリング面を形成することにより、薄膜磁気ヘッドを完成させている。こののち、エアベアリング面が形成された薄膜磁気ヘッドバーは、各薄膜磁気ヘッドごとに切断されることにより、複数の磁気ヘッドスライダとなる。
【０００７】
この複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程に関しては、エアベアリング面を形成するための研磨工程において研磨処理の進行度を制御するために、既にいくつかの技術が提案されている。具体的には、薄膜磁気ヘッド前駆体の形成工程において、その薄膜磁気ヘッド前駆体中にモニタリング用のダミーセンサを形成しておくことにより、そのダミーセンサを使用してＭＲハイトを計測しながら研磨処理を実行する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。また、ＭＲハイトを計測する代わりに、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体のうちの各ＭＲ素子の電気抵抗を測定し、その電気抵抗の平均値を算出しながら研磨処理を実行する技術が知られている（例えば、特許文献２参照。）。これらの技術によれば、いずれの場合においてもＭＲハイトが所定の寸法となるように研磨量を制御することが可能である。
【特許文献１】特開平１１−０００８６３号公報
【特許文献２】特開平０２−０９５５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、複合型薄膜磁気ヘッドの作動性能を確保するためには、記録性能に寄与するネックハイトおよび再生性能に寄与するＭＲハイトの双方を高精度に決定する必要がある。しかしながら、従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法では、薄膜磁気ヘッドバーを研磨する際に、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体間においてＭＲハイトを所定の寸法となるように決定するために研磨処理の進行度を制御しているものの、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体間においてネックハイトを所定の寸法となるように決定するために研磨処理の進行度を制御していないため、ＭＲハイトおよびネックハイトの双方を高精度に決定する観点において未だ改善の余地がある。したがって、エアベアリング面を形成するための研磨工程においてＭＲハイトおよびネックハイトの双方を高精度に決定することが可能な複合型薄膜磁気ヘッドの製造技術の確立が望まれるところである。この場合には、特に、上記した複合型薄膜磁気ヘッドの製造技術を確立するために、その製造技術に利用する薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法を確立することも重要である。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、ＭＲハイトおよびネックハイトの双方の高精度決定に寄与することが可能な薄膜磁気ヘッド構造体およびそその製造方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の第２の目的は、ＭＲハイトおよびネックハイトの双方を高精度に決定することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド構造体は、基体の一面に、互いに積層された再生ヘッド部および記録ヘッド部を含むと共にエアベアリング面を有する複数の薄膜磁気ヘッドを形成するための前準備体として、それらの再生ヘッド部および記録ヘッド部を含む複数の薄膜磁気ヘッド前駆体と、再生ヘッド部と同一階層に配置され、薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨してエアベアリング面を形成することにより薄膜磁気ヘッドを形成する際に、再生ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンと、記録ヘッド部と同一階層に配置され、薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨してエアベアリング面を形成することにより薄膜磁気ヘッドを形成する際に、記録ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンとを備え、再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび記録ヘッド部用抵抗膜パターンの双方が研磨開始面に近い側に位置する第１の抵抗膜パターンを含み、少なくとも一方が研磨開始面から遠い側に位置する第２の抵抗膜パターンを含んでいるものである。
【００１２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法は、基体の一面に、互いに積層された再生ヘッド部および記録ヘッド部を含むと共にエアベアリング面を有する複数の薄膜磁気ヘッドを形成するための前準備体として、それらの再生ヘッド部および記録ヘッド部を含むように複数の薄膜磁気ヘッド前駆体を形成する第１の工程と、再生ヘッド部と同一階層に、薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨してエアベアリング面を形成することにより薄膜磁気ヘッドを形成する際に、再生ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御可能となるように複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンを形成する第２の工程と、記録ヘッド部と同一階層に、薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨してエアベアリング面を形成することにより薄膜磁気ヘッドを形成する際に、記録ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御可能となるように複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンを形成する第３の工程とを含み、第２の工程および第３の工程において、双方が研磨開始面に近い側に位置する第１の抵抗膜パターンを含むと共に少なくとも一方が研磨開始面から遠い側に位置する第２の抵抗膜パターンを含むように再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび記録ヘッド部用抵抗膜パターンを形成するものである。
【００１３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド構造体またはその製造方法では、再生ヘッド部と同一階層に配置された複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび記録ヘッド部と同一階層に配置された複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンのうち、双方が研磨開始面に近い側に位置する第１の抵抗膜パターンを含み、少なくとも一方が研磨開始面から遠い側に位置する第２の抵抗膜パターンを含む。
【００１４】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記した薄膜磁気ヘッド構造体を使用して互いに積層された再生ヘッド部および記録ヘッド部を含むと共にエアベアリング面を有する複数の薄膜磁気ヘッドを製造する方法であり、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体の配列方向に沿って薄膜磁気ヘッド構造体を切断することにより、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体と、再生ヘッド部と同一階層に配置され、その再生ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンと、記録ヘッド部と同一階層に配置され、その記録ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンとを含むように複数の薄膜磁気ヘッドバーを形成する第１の工程と、各再生ヘッド部用抵抗膜パターンまたは各記録ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの研磨開始面に近い側に位置する第１の抵抗膜パターン間または研磨開始面から遠い側に位置する第２の抵抗膜パターン間における第１の電気抵抗と、各再生ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの第１の抵抗膜パターンと各記録ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの第１の抵抗膜パターンとの間における第２の電気抵抗とを検出し、それらの第１の電気抵抗および第２の電気抵抗に基づいて研磨処理の進行度を制御しながら薄膜磁気ヘッドバーのうちの薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨してエアベリング面を形成することにより、複数の薄膜磁気ヘッドを形成する第２の工程とを含むものである。
【００１５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体の配列方向に沿って薄膜磁気ヘッド構造体が切断されることにより、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体と、再生ヘッド部と同一階層に配置された複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンと、記録ヘッド部と同一階層に配置された複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンとを含むように複数の薄膜磁気ヘッドバーが形成される。こののち、各再生ヘッド部用抵抗膜パターンまたは各記録ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの第１の抵抗膜パターン間または第２の抵抗膜パターン間における第１の電気抵抗と、各再生ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの第１の抵抗膜パターンと各記録ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの第１の抵抗膜パターンとの間における第２の電気抵抗とが検出され、それらの第１の電気抵抗および第２の電気抵抗に基づいて研磨処理の進行度が制御されながら、薄膜磁気ヘッド前駆体が研磨開始面から研磨されてエアベアリング面が形成されることにより、複数の薄膜磁気ヘッドが形成される。この場合には、研磨処理を経てエアベアリング面が形成される過程において、再生ヘッド部および記録ヘッド部のそれぞれに対する研磨処理の進行度が適正に制御されるため、再生ヘッド部のＭＲハイトが目標寸法に到達すると共に記録ヘッド部のネックハイトが目標寸法に到達する。
【００１６】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド構造体では、第１の抵抗膜パターンおよび第２の抵抗膜パターンが部分的に隣り合うように配置されているのが好ましい。この場合には、再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび記録ヘッド部用抵抗膜パターンが第１の抵抗膜パターンおよび第２の抵抗膜パターンの双方を含んでいてもよいし、再生ヘッド部用抵抗膜パターンが第１の抵抗膜パターンおよび第２の抵抗膜パターンの双方を含み、記録ヘッド部用抵抗膜パターンが第１の抵抗膜パターンのみを含んでいてもよいし、あるいは再生ヘッド部用抵抗膜パターンが第１の抵抗膜パターンのみを含み、記録ヘッド部用抵抗膜パターンが第１の抵抗膜パターンおよび第２の抵抗膜パターンの双方を含んでいてもよい。これらの再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび記録ヘッド部用抵抗膜パターンは、研磨量に応じた電気抵抗の変化に基づいて、それぞれ再生ヘッド部の研磨量および記録ヘッド部の研磨量を把握するために使用される。
【００１７】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッド構造体では、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体が複数列に渡って配列されており、複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンが複数の薄膜磁気ヘッド前駆体の配列方向に対応して複数列に渡って配列されているのが好ましい。この場合には、薄膜磁気ヘッド前駆体が第１の領域に配置され、再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび記録ヘッド部用抵抗膜パターンが第１の領域とは異なる第２の領域に配置されていてもよい。
【００１８】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッド構造体では、再生ヘッド部が再生処理を実行する磁気抵抗効果素子を含む積層構造を有し、記録ヘッド部が記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分において記録処理を実行する磁極層を含む積層構造を有しており、再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび記録ヘッド部用抵抗膜パターンがそれぞれ磁気抵抗効果素子および磁極層と同一階層に配置されていてもよい。この場合には、再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび記録ヘッド部用抵抗膜パターンがそれぞれ磁気抵抗効果素子の寸法およびトラック幅規定部分の寸法が所定の寸法となるように再生ヘッド部の研磨量および記録ヘッド部の研磨量を把握するために使用される。
【００１９】
なお、本発明に係る薄膜磁気ヘッド構造体では、磁極層が垂直記録方式の記録処理を実行するものであってもよい。
【００２０】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法では、第１の工程において、再生ヘッド部が再生処理を実行する磁気抵抗効果素子を含む積層構造を有すると共に記録ヘッド部が記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分において記録処理を実行する磁極層を含む積層構造を有するように薄膜磁気ヘッド前駆体を形成し、第２の工程において、磁気抵抗効果素子と同一階層に配置されるように再生ヘッド部用抵抗膜パターンを形成し、第３の工程において、磁極層と同一階層に配置されるように記録ヘッド部用抵抗膜パターンを形成してもよい。この場合には、第２の工程において、磁気抵抗効果素子と並列的に再生ヘッド部用抵抗膜パターンを形成し、第３の工程において、磁極層と並列的に記録ヘッド部用抵抗膜パターンを形成するのが好ましい。特に、第３の工程は、めっき膜を成長させるためのシード層を形成する工程と、シード層上に選択的にめっき膜を成長させることにより、磁極層をパターン形成すると共に記録ヘッド部用抵抗膜パターンを形成するためのダミーパターンを形成する工程と、磁極層およびダミーパターンをマスクとしてシード層を選択的にエッチングして除去することにより、磁極層およびダミーパターンのパターン形状に対応する領域のみにシード層を残存させる工程と、ダミーパターンを除去することにより、シード層のうちの残存部分を記録ヘッド部用抵抗膜パターンとする工程とを含むようにしてもよい。
【００２１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の工程において、研磨量に応じた第１の電気抵抗および第２の電気抵抗の変化に基づき、その研磨量を把握しながら薄膜磁気ヘッドバーを研磨する。この場合には、研磨量に対する第１の電気抵抗および第２の電気抵抗の変化率が研磨過程において相対的に小さな第１の変化率から相対的に大きな第２の変化率に変化する第１の抵抗膜パターンおよび第２の抵抗膜パターンを使用し、第１の電気抵抗および第２の電気抵抗の変化率が第２の変化率となる研磨状態において、それらの第１の電気抵抗および第２の電気抵抗を検出するのが好ましい。
【００２２】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の工程において、再生ヘッド部が再生処理を実行する磁気抵抗効果素子を含む積層構造を有すると共に記録ヘッド部が記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分において記録処理を実行する磁極層を含む積層構造を有する薄膜磁気ヘッド前駆体を使用し、第２の工程において、第１の電気抵抗および第２の電気抵抗に基づいて磁気抵抗効果素子の寸法が所定の寸法となるように再生ヘッド部を研磨すると共に磁極層のうちのトラック幅規定部分の寸法が所定の寸法となるように記録ヘッド部を研磨する。この場合には、第２の工程が、各第１の抵抗膜パターン間における第１の電気抵抗に基づいて、磁気抵抗効果素子の寸法が目標寸法よりも大きなプレ寸法となるまで薄膜磁気ヘッドバーをプレ研磨する工程と、第２の電気抵抗に基づいて、プレ寸法を維持したまま薄膜磁気ヘッドバーの研磨面の傾きを調整する工程と、各第２の抵抗膜パターン間における第１の電気抵抗に基づいて、磁気抵抗効果素子の寸法がプレ寸法から目標寸法となるまで薄膜磁気ヘッドバーを仕上研磨する工程とを含むのが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド構造体またはその製造方法によれば、再生ヘッド部と同一階層に配置された複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンおよび記録ヘッド部と同一階層に配置された複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンのうち、双方が研磨開始面に近い側に位置する第１の抵抗膜パターンを含み、少なくとも一方が研磨開始面から遠い側に位置する第２の抵抗膜パターンを含んでいるので、この薄膜磁気ヘッド構造体を使用して薄膜磁気ヘッドを製造することにより、ＭＲハイトおよびネックハイトの双方の高精度決定に寄与することができる。
【００２４】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体の配列方向に沿って薄膜磁気ヘッド構造体を切断することにより、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体と、再生ヘッド部と同一階層に配置された複数の再生ヘッド部用抵抗膜パターンと、記録ヘッド部と同一階層に配置された複数の記録ヘッド部用抵抗膜パターンとを含むように複数の薄膜磁気ヘッドバーを形成したのち、各第１の抵抗膜パターン間または各第２の抵抗膜パターン間における第１の電気抵抗と、各再生ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの第１の抵抗膜パターンと各記録ヘッド部用抵抗膜パターンのうちの第１の抵抗膜パターンとの間における第２の電気抵抗とを検出し、それらの第１の電気抵抗および第２の電気抵抗に基づいて研磨処理の進行度を制御しながら薄膜磁気ヘッド前駆体を研磨開始面から研磨してエアベリング面を形成することにより薄膜磁気ヘッドを形成するようにしたので、第１の電気抵抗および第２の電気抵抗が高精度に検出される。したがって、再生ヘッド部および記録ヘッド部に対する研磨処理の進行度が適正に制御されるため、ＭＲハイトおよびネックハイトの双方を高精度に決定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】
まず、図１を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド構造体の構成について説明する。図１は、薄膜磁気ヘッド構造体１００の平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を表している。
【００２７】
以下の説明では、図１に示したＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「高さまたは長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さ」とそれぞれ表記する。また、Ｙ軸方向のうちの後述するエアベアリング面に近い側（厳密にはエアベアリング面となる側に近い側）を「前方」、その反対側（エアベアリング面となる側から遠い側）を「後方」とそれぞれ表記する。これらの表記内容は、後述する図２以降においても同様とする。
【００２８】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド構造体１００は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ；Hard Disk Drive ）などの磁気記録装置に搭載される薄膜磁気ヘッドを製造するために使用されるものであり、より具体的には互いに積層された再生ヘッド部および記録ヘッド部を含むと共にエアベアリング面を有する複数の複合型薄膜磁気ヘッド（以下、単に「薄膜磁気ヘッド」という。）を製造するために使用されるものである。
【００２９】
この薄膜磁気ヘッド構造体１００は、例えば、図１に示したように、ウェハ１０１の一面（素子形成面１０１Ｍ）に、薄膜磁気ヘッドを形成するための前準備体として、再生ヘッド部および記録ヘッド部を含む複数の薄膜磁気ヘッド前駆体１１０と、後述する２種類のＲＬＧ（Resistance Lapping Guide）センサ（再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００，記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００；図２参照）と、同様に後述するＭセンサ４００（図３参照）とを備えている。なお、図１では、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体１１０を簡略化することにより模式的に示している。
【００３０】
ウェハ１０１は、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体１１０を支持するための基体であり、例えば、アルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成されている。このウェハ１０１は、例えば、外周の一部に方向確認用の直線部（オリフラ１０１Ｅ）が設けられた略円盤状構造を有している。
【００３１】
薄膜磁気ヘッド前駆体１１０は、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍに複数列に渡って配列されている。より具体的には、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０は、例えば、後述する薄膜磁気ヘッドの製造方法においてウェハ１０１を切断する際（図１５参照）に、そのウェハ１０１のうちの薄膜磁気ヘッド前駆体１１０が設けられている部分を効率よく分離切断可能とするために、オリフラ１０１Ｅに沿ってマトリクス状に配列されている。なお、図１では、例えば、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体１１０が１２行×２０列の配列構成となるように配列されている場合を示している。この「列」とは、横方向（Ｘ軸方向）に沿った薄膜磁気ヘッド前駆体１１０の配列構成をいい、「行」とは、縦方向（Ｙ軸方向）に沿った薄膜磁気ヘッド前駆体１１０の配列構成をいう。確認までに説明しておくと、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０の配列構成は必ずしも１２行×２０列に限られず、自由に変更可能である。
【００３２】
次に、図１〜図４を参照して、薄膜磁気ヘッド構造体１００の詳細な構成について説明する。図２〜図４は薄膜磁気ヘッド構造体１００の詳細な平面構成を表しており、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００のうちの一部領域（領域Ｒ）を拡大して示し、図３は図２に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００のうちの他の一部領域（領域Ｒ２Ａのみ）を抜粋して模式的に示し、図４は図２に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００のうちの主要部（再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００，記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００）を拡大して示している。特に、図４では、（Ａ）が再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を示し、（Ｂ）が記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を示し、（Ｃ）が研磨量と電気抵抗との間の相関（横軸：研磨量Ｐ（ｎｍ），縦軸：電気抵抗Ｒ（Ω））を示している。図２に示した一点鎖線は、薄膜磁気ヘッド構造体１００を使用して薄膜磁気ヘッドを製造する際にウェハ１０１が切断される箇所を表す仮想線（切断線Ｃ）を示している。なお、図２では、切断線Ｃのうち、横方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する線分を切断線Ｃ１と示し、縦方向（Ｙ軸方向）に沿って延在する線分を切断線Ｃ２と示している。
【００３３】
図１に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００のうちの領域Ｒでは、例えば、図２に示したように、一方の列（ここでは上側の列）において４つの薄膜磁気ヘッド前駆体１１０がＸ軸方向に沿って配列されていると共に、他方の列（ここでは下側の列）においても同様に４つの薄膜磁気ヘッド前駆体１１０がＸ軸方向に沿って配列されている。具体的には、上記した２つの列において、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０は、Ｘ軸方向において所定の間隔（領域Ｒ２）を隔てながら繰り返し設けられた領域Ｒ１（第１の領域）に配置されている。
【００３４】
隣り合う２つの薄膜磁気ヘッド前駆体１１０間の領域（隣り合う２つの領域Ｒ１間に設けられた領域Ｒ２；第２の領域）には、例えば、図２に示したように、薄膜磁気ヘッド構造体１００を使用して薄膜磁気ヘッドを形成する際（ウェハ１０１と共に薄膜磁気ヘッド前駆体１１０を併せて研磨してエアベアリング面を形成することにより薄膜磁気ヘッドを形成する際）に、研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および複数の記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００が設けられている。これらの再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００は、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０の配列方向に対応して複数列に渡って配列されており、すなわち薄膜磁気ヘッド前駆体１１０と同様にＸ軸方向に沿って繰り返し配置されている。より具体的には、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００は、例えば、領域Ｒ２に交互に配置されており、すなわち領域Ｒ２のうち、１つおきに設けられた領域Ｒ２Ａに再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００が配置されていると共に、その領域Ｒ２Ａを除いて１つおきに設けられた領域Ｒ２Ｂに記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００が配置されている。
【００３５】
再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００が設けられている一連の領域Ｒ２Ａのうち、所定数の領域Ｒ２Ａおきに設定された特定の領域Ｒ２Ａには、例えば、図３に示したように、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０のうちの主要部（後述するＭＲ素子６；図５〜図７参照）の電気抵抗を把握するために使用されるＭセンサ４００が設けられている。すなわち、一連の領域Ｒ２Ａに設けられた複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のうちの一部がＭセンサ４００に置き換えられている。図３では、例えば、一連の領域Ｒ２Ａのうち、３つの領域Ｒ２Ａおきに設定された特定の領域Ｒ２ＡにＭセンサ４００が配置されており、すなわち後述する３つの副抵抗膜パターン２０１Ａ（２０１Ａ１，２０１Ａ２，２０１Ａ３）およびＭセンサ４００の組み合わせが領域Ｒ２Ａに繰り返し設けられている場合を示している。
【００３６】
なお、図２に示した領域Ｒ１，Ｒ２（Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂ）以外の領域（薄膜磁気ヘッド前駆体１１０、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００、記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００およびＭセンサ４００のいずれもが配置されていない領域Ｒ３）は、薄膜磁気ヘッドの製造工程においてウェハ１０１が切断線Ｃ１に沿って切断された際に、余剰部分として廃棄されることとなる余剰スペースである。
【００３７】
薄膜磁気ヘッド前駆体１１０は、例えば、図２に示したように、実質的な薄膜磁気ヘッドの前準備構造体である積層構造体１１１と、この積層構造体１１１に配線パターン１１２を介して電気的に接続された電極パッド１１３とを含んで構成されている。図２では、例えば、積層構造体１１１に４本の配線パターン１１２を介して４つの電極パッド１１３が接続されている場合を示している。確認までに説明しておくと、配線パターン１１２の本数、電極パッド１１３の個数、ならびに配線パターン１１２および電極パッド１１３の配置構成（例えば位置や形状等）は、必ずしも上記した配置構成に限られず、自由に変更可能である。この薄膜磁気ヘッド前駆体１１０では、薄膜磁気ヘッドの製造工程においてウェハ１０１が切断線Ｃ１に沿って切断された際に、その切断面（後述する切断面１０１Ｋ１（研磨開始面）；図１５参照）に積層構造体１１１のうちの主要部（後述するＭＲ素子６および磁極層２０；図５〜図７参照）が露出されるように、領域Ｒ１内において上記した主要部が領域Ｒ３に隣接するように積層構造体１１１が位置合わせされている。
【００３８】
再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００は、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０のうちの後述する再生ヘッド部１１１Ａと同一階層に配置されており、薄膜磁気ヘッド構造体１００を使用して薄膜磁気ヘッドを形成する際に、再生ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御するために使用されるものである。特に、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００は、例えば、上記したように薄膜磁気ヘッド前駆体１１０に研磨開始面から研磨処理を施すことにより薄膜磁気ヘッドを形成する際に、その研磨処理の進行度を制御する上で、後述するように研磨面の傾きを調整するための補助的なセンサとして使用される記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００とは異なり、実質的に研磨量を調整するための主要なセンサとして使用されるものである。
【００３９】
この再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００は、例えば、図２に示したように、実質的なセンサ部分である抵抗膜パターン２０１を含んで構成されている。なお、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００は、例えば、上記した抵抗膜パターン２０１と共に、その抵抗膜パターン２０１に配線パターン（図示せず）を介して電気的に接続された電極パッド（図示せず）も併せて含んでいる。この抵抗膜パターン２０１は、研磨量（研磨処理に伴う抵抗膜パターン２０１の寸法変化）に応じた電気抵抗の変化に基づいて再生ヘッド部の研磨量を把握するために使用される再生ヘッド部用抵抗膜パターンである。特に、抵抗膜パターン２０１は、例えば、互いに同様の材質、寸法および形状（ここでは矩形状）を有する２種類の抵抗膜パターンを含んでおり、すなわち研磨開始面（切断面１０１Ｋ１）に近い側に位置する副抵抗膜パターン２０１Ａ（第１の抵抗膜パターン）と、その研磨開始面から遠い側に位置する主抵抗膜パターン２０１Ｂ（第２の抵抗膜パターン）とを含んでいる。この再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００では、例えば、図４（Ａ）に示したように、副抵抗膜パターン２０１Ａおよび主抵抗膜パターン２０１ＢがＸ軸方向において部分的に隣り合うように配置されており、すなわち主抵抗膜パターン２０１ＢがＹ軸方向において副抵抗膜パターン２０１Ａよりも後退している。この副抵抗膜パターン２０１Ａに対する主抵抗膜パターン２０１Ｂの後退距離Ｄ２０１は、それらの副抵抗膜パターン２０１Ａおよび主抵抗膜パターン２０１Ｂの寸法に応じて自由に設定可能である。一例を挙げれば、副抵抗膜パターン２０１Ａおよび主抵抗膜パターン２０１Ｂのそれぞれの幅Ｗ２０１＝約２０μｍ，長さＬ２０１＝約２０μｍの場合には、後退距離Ｄ２０１＝約３μｍ〜５μｍである。なお、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００では、薄膜磁気ヘッドの製造工程においてウェハ１０１が切断線Ｃ１に沿って切断された際に、その切断面に抵抗膜パターン２０１（副抵抗膜パターン２０１Ａ）が露出されるように、領域Ｒ２Ａ内において一端が領域Ｒ３に隣接する（切断線Ｃ１に沿う）ように副抵抗膜パターン２０１Ａが位置合わせされている。
【００４０】
記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００は、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０のうちの後述する記録ヘッド部１１１Ｂと同一階層に配置されており、薄膜磁気ヘッド構造体１００を使用して薄膜磁気ヘッドを形成する際に、記録ヘッド部に対する研磨処理の進行度を制御するために使用されるものである。特に、記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００は、例えば、上記したように薄膜磁気ヘッド前駆体１１０に研磨開始面から研磨処理を施すことにより薄膜磁気ヘッドを形成する際に、その研磨処理の進行度を制御する上で、後述するように研磨面の傾きを調整するための補助的なセンサとして使用されるものである。
【００４１】
この記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００は、例えば、図２に示したように、上記した再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００と同様の構成を有しており、すなわち実質的なセンサ部分である抵抗膜パターン３０１を含んで構成されている。この抵抗膜パターン３０１は、研磨量（研磨処理に伴う抵抗膜パターン３０１の寸法変化）に応じた電気抵抗の変化に基づいて記録ヘッド部の研磨量を把握するために使用される記録ヘッド部用抵抗膜パターンである。特に、抵抗膜パターン３０１は、例えば、上記した抵抗膜パターン２０１と同様の構成を有しており、すなわち研磨開始面（切断面１０１Ｋ１）に近い側に位置する副抵抗膜パターン３０１Ａ（第１の抵抗膜パターン）と、その研磨開始面から遠い側に位置する主抵抗膜パターン３０１Ｂ（第２の抵抗膜パターン）とを含んでいる。この記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００では、例えば、図４（Ｂ）に示したように、上記した再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００と同様に、副抵抗膜パターン３０１Ａおよび主抵抗膜パターン３０１ＢがＸ軸方向において部分的に隣り合うように配置されている。一例を挙げれば、副抵抗膜パターン３０１Ａおよび主抵抗膜パターン３０１Ｂのそれぞれの幅Ｗ３０１＝約２０μｍ，長さＬ３０１＝約２０μｍの場合には、後退距離Ｄ３０１＝約３μｍ〜５μｍである。なお、記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００では、やはり再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００と同様に、薄膜磁気ヘッドの製造工程においてウェハ１０１が切断線Ｃ１に沿って切断された際に、その切断面に抵抗膜パターン３０１（副抵抗膜パターン３０１Ａ）が露出されるように、領域Ｒ２Ｂ内において一端が領域Ｒ３に隣接する（切断線Ｃ１に沿う）ように副抵抗膜パターン３０１Ａが位置合わせされている。
【００４２】
特に、抵抗膜パターン２０１（副抵抗膜パターン２０１Ａ，主抵抗膜パターン２０１Ｂ）と抵抗膜パターン３０１（副抵抗膜パターン３０１Ａ，主抵抗膜パターン３０１Ｂ）との間の配置関係は、互いに一致している。すなわち、研磨方向（Ｙ軸方向）において、副抵抗膜パターン２０１Ａの位置と副抵抗膜パターン３０１Ａの位置とは互いに一致しており、主抵抗膜パターン２０１Ｂの位置と主抵抗膜パターン３０１Ｂの位置とは互いに一致している。
【００４３】
薄膜磁気ヘッド構造体１００を使用して薄膜磁気ヘッドを形成する際に研磨処理の進行度を制御するために使用される４つの抵抗膜パターン（副抵抗膜パターン２０１Ａ，３０１Ａおよび主抵抗膜パターン２０１Ｂ，３０１Ｂ）は、例えば、図４（Ｃ）に示した電気的特性を有している。すなわち、副抵抗膜パターン２０１Ａ，３０１Ａおよび主抵抗膜パターン２０１Ｂ，３０１Ｂの電気抵抗Ｒは、研磨量Ｐが大きくなる（研磨処理が進行する）にしたがって次第に大きくなる。この場合には、特に、研磨量Ｐに対する電気抵抗Ｒの変化率Ｖ（＝ΔＲ／ΔＰ）は、研磨過程において相対的に小さな変化率Ｖ１（第１の変化率）から相対的に大きな変化率Ｖ２（Ｖ２＞Ｖ１；第２の変化率）に変化する。すなわち、研磨量Ｐの範囲には、相対的に小さな変化率Ｖ１が得られる範囲（範囲Ｔ１）と、相対的に大きな変化率Ｖ２が得られる範囲（範囲Ｔ２）とがある。この変化率Ｖ１は、例えば、電気抵抗Ｒの変化勾配の変化率がほぼ一定となる範囲の変化率であり、より具体的には電気抵抗Ｒを約１０Ωだけ変化させるために約１００ｎｍ〜４００ｎｍの研磨量Ｐを要する変化率である。一方、変化率Ｖ２は、例えば、電気抵抗Ｒの変化勾配の変化率が連続的に増加する範囲の変化率であり、より具体的には電気抵抗Ｒを約１０Ωだけ変化させるために約１０ｎｍ以下の研磨量Ｐを要する変化率である。薄膜磁気ヘッド構造体１００を使用して薄膜磁気ヘッドを形成する際には、後述するように、上記した４つの抵抗膜パターンを使用しながら範囲Ｔ２において電気抵抗を測定することにより、研磨処理が進行される。
【００４４】
Ｍセンサ４００の幅ＷＭおよび高さＨＭは、上記したＭＲ素子６の寸法と同様の寸法となるように設定されている。ここで、３つの副抵抗膜パターン２０１Ａ１，２０１Ａ２，２０１Ａ３の寸法例を挙げると、副抵抗膜パターン２０１Ａ１の幅Ｗ１＝２０μｍ，高さＨ１＝２０μｍ、副抵抗膜パターン２０１Ａ２の幅Ｗ２（＝Ｗ１）＝２０μｍ，高さＨ２（＝Ｈ１−１０μｍ）＝１０μｍ、副抵抗膜パターン２０１Ａ３の幅Ｗ３（＝Ｗ１＋１０μｍ）＝３０μｍ，高さＨ３（Ｈ１−１０μｍ）＝１０μｍである。なお、図３に示したように、副抵抗膜パターン２０１Ａ１〜２０１Ａ３およびＭセンサ４００では、薄膜磁気ヘッドの製造工程においてエアベアリング面が形成される側と反対側の端縁（図３に示した上端）がＸ軸に平行な仮想線（基準線Ｊ）に沿うように位置合わせされている。
【００４５】
次に、図１〜図７を参照して、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０のうちの積層構造体１１１の詳細な構成について説明する。図５〜図７は積層構造体１１１の構成を表しており、図５は断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を示し、図６は他の断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を示し、図７は平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を示している。図６では、（Ａ）が図２に示したＶＩＡ−ＶＩＡ線に沿った断面を示し、（Ｂ）が図２に示したＶＩＢ−ＶＩＢ線に沿った断面を示し、（Ｃ）が図２に示したＶＩＣ−ＶＩＣ線に沿った断面を示している。なお、図５および図６に示した上向きの矢印Ｍは、後述する薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示せず）が相対的に移動する方向（媒体進行方向Ｍ）を示している。
【００４６】
積層構造体１１１は、薄膜磁気ヘッドの製造工程において研磨処理を経てエアベアリング面が形成されることにより実質的に薄膜磁気ヘッドとなるものであり、図２に示したように、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍのうちの領域Ｒ１に配置されている。この積層構造体１１１は、例えば、図５および図６（Ａ）に示したように、ウェハ１０１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Magneto-Resistive effect）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１１１Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層７と、垂直記録方式の記録処理を実行するシールド型の記録ヘッド部１１１Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層１８とがこの順に積層された積層構造を有している。
【００４７】
再生ヘッド部１１１Ａは、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とがこの順に積層された積層構造を有している。このシールドギャップ膜４には、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００４８】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、いずれもＭＲ素子６を周囲から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面となる側（図５中の左側、あるいは図７中の下側）から後方に向かって延在している。これらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００４９】
シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００５０】
ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Giant Magneto-Resistive effect）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-Resistive effect）などを利用して磁気的処理（再生処理）を実行するものであり、エアベアリング面となる側から後方に向かって延在している。
【００５１】
記録ヘッド部１１１Ｂは、例えば、絶縁層９，１２により周囲を埋設された磁極層２０と、磁気連結用の開口（バックギャップ１３ＢＧ）が設けられたギャップ層１３と、絶縁層１６により埋設された薄膜コイル１５と、ライトシールド層３０とがこの順に積層された積層構造を有している。
【００５２】
磁極層２０は、薄膜コイル１５において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出することにより磁気的処理（記録処理）を実行するものであり、エアベアリング面となる側から後方に向かって延在し、具体的にはギャップ層１３に設けられたバックギャップ１３ＢＧまで延在している。この磁極層２０は、例えば、磁束の放出部分として機能する主磁極層１１と、この主磁極層１１の磁気ボリューム（磁束収容量）を確保するために磁束の収容部分として機能する補助磁極層８と、これらの主磁極層１１と補助磁極層８との間に挟まれたシード層１０とが積層された３層構造を有している。なお、絶縁層９，１２は、それぞれ補助磁極層８および主磁極層１１を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、いずれもアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００５３】
補助磁極層８は、主磁極層１１のリーディング側においてその主磁極層１１よりも後退した位置から後方に向かって延在し、具体的にはバックギャップ１３ＢＧまで延在しており、その主磁極層１１にシード層１０を介して磁気的に連結されている。この補助磁極層８は、例えば、主磁極層１１の構成材料と同様の材料により構成されており、例えば、図７に示したように、幅Ｗ２を有する矩形型の平面形状を有している。なお、「リーディング側」とは、図５および図６に示した媒体進行方向Ｍに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流入する側（媒体進行方向Ｍ側と反対側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における下側をいう。これに対して、流れの流出する側（媒体進行方向Ｍ側）は「トレーリング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における上側をいう。
【００５４】
主磁極層１１は、補助磁極層８のトレーリング側においてエアベアリング面となる側から後方に向かって延在し、具体的には補助磁極層８と同様にバックギャップ１３ＢＧまで延在しており、例えば、パーマロイまたは鉄コバルト系合金などの磁性材料により構成されている。この「鉄コバルト系合金」としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）や鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。特に、主磁極層１１は、例えば、上記した鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されているのが好ましい。この主磁極層１１は、例えば、図７に示したように、エアベアリング面となる側から順に、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１（例えばＷ１＝約０．１５μｍ）を有し、その記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分として機能する先端部１１Ａと、この先端部１１Ａの幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部１１Ｂとが連結された構成を有している。後端部１１Ｂの幅は、例えば、後方において一定（幅Ｗ２）であり、前方において先端部１１Ａに近づくにしたがって幅Ｗ１となるように次第に狭まっている。この主磁極層１１の幅が先端部１１Ａ（幅Ｗ１）から後端部１１Ｂ（幅Ｗ２）へ拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「フレアポイントＦＰ」である。
【００５５】
シード層１０は、例えば、めっき膜を成長させるための電極膜として使用されるものであり、より具体的にはめっき処理を使用して主磁極層１１を形成するために使用されるものである。このシード層１０は、例えば、主磁極層１１の構成材料と同様の磁性材料や、あるいは主磁極層１１の構成材料とは異なる非磁性材料により構成されており、その主磁極層１１の平面形状に対応したパターン形状を有している。上記した「非磁性材料」としては、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）やチタン（Ｔｉ）などが挙げられる。なお、図７では、シード層１０の図示を省略している。
【００５６】
ギャップ層１３は、磁極層２０とライトシールド層３０とを互いに磁気的に分離させるためのギャップ（磁気的ギャップ）を構成するものである。このギャップ層１３は、例えば、アルミナなどの非磁性材料により構成されており、その厚さは約０．２μｍ以下である。
【００５７】
薄膜コイル１５は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されている。この薄膜コイル１５は、例えば、図５および図７に示したように、バックギャップ１３ＢＧを中心として巻回された巻線構造（スパイラル構造）を有している。なお、図５および図７では、薄膜コイル１５を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
【００５８】
絶縁層１６は、薄膜コイル１５を覆って周囲から電気的に分離するものであり、バックギャップ１３ＢＧを塞がないようにギャップ層１３上に配置されている。この絶縁層１６は、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ；Spin On Glass ）などの非磁性絶縁材料により構成されており、その絶縁層１６の端縁近傍部分は、丸みを帯びた斜面を構成している。この絶縁層１６の最前端の位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの他の１つである「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」である。
【００５９】
ライトシールド層３０は、磁極層２０から放出された磁束の広がり成分を取り込むことにより、記録磁界（垂直磁界）の磁界勾配を増加させるものである。なお、ライトシールド層３０は、例えば、上記したように磁束の広がりを防止する機能と共に、磁極層２０から記録媒体へ向けて磁束が放出された際に、その記録媒体を経由した（記録処理に利用された）磁束を回収することにより磁極層２０へ再供給することにより、薄膜磁気ヘッドと記録媒体との間で磁束を循環させる機能を担っている。このライトシールド層３０は、磁極層２０のトレーリング側においてエアベアリング面となる側から後方に向かって延在することにより、前方においてギャップ層１３により磁極層２０から隔てられると共に後方においてバックギャップ１３ＢＧを通じて磁極層２０に連結されている。
【００６０】
特に、ライトシールド層３０は、例えば、ギャップ層１３に隣接しながらエアベアリング面となる側から後方に延在し、具体的にはエアベアリング面となる位置とバックギャップ１３ＢＧとの間の位置まで延在するＴＨ規定層１４と、このＴＨ規定層１４のトレーリング側においてエアベアリング面となる側から後方に延在し、具体的にはバックギャップ１３ＢＧまで延在するヨーク層１７とが連結された構成を有しており、すなわちＴＨ規定層１４上にヨーク層１７が積層された２層構造を有している。
【００６１】
ＴＨ規定層１４は、主要な磁束の取り込み口として機能するものである。このＴＨ規定層１４は、例えば、パーマロイ、鉄ニッケル合金（ＦｅＮｉ）または鉄コバルト系合金などの磁性材料により構成されており、例えば、図７に示したように、主磁極層１１の幅Ｗ２よりも大きな幅Ｗ３（Ｗ３＞Ｗ２）を有する矩形型の平面形状を有している。このＴＨ規定層１４には、薄膜コイル１５を埋設している絶縁層１６が隣接しており、すなわちＴＨ規定層１４は、絶縁層１６の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）を規定する役割を担っている。
【００６２】
ヨーク層１７は、ＴＨ規定層１４から取り込まれた磁束の流路として機能するものである。このヨーク層１７は、例えば、エアベアリング面となる側からバックギャップ１３ＢＧまで延在することにより、前方においてＴＨ規定層１４に部分的に乗り上げていると共に後方においてバックギャップ１３ＢＧを通じて磁極層２０に連結されている。このヨーク層１７は、例えば、ＴＨ規定層１４の構成材料と同様の磁性材料により構成されており、例えば、図７に示したように、幅Ｗ３を有する矩形型の平面形状を有している。
【００６３】
なお、図２に示したウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍのうちの領域Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂには、例えば、図６（Ｂ），（Ｃ）に示したように、領域Ｒ１に設けられている積層構造体１１１とほぼ同様の積層構造を有する積層構造体が設けられている。
【００６４】
具体的には、領域Ｒ２Ａには、図６（Ｂ）に示したように、例えば、ＭＲ素子６に代えて抵抗膜パターン２０１（副抵抗膜パターン２０１Ａ，主抵抗膜パターン２０１Ｂ）を含んでいると共に磁極層２０、薄膜コイル１５およびライトシールド層３０を含んでいない点を除いて、積層構造体１１１と同様の構造を有する積層構造体が設けられている。すなわち、領域Ｒ２Ａに設けられている抵抗膜パターン２０１は、領域Ｒ１に設けられている再生ヘッド部１１１ＡのうちのＭＲ素子６と同一階層に配置されている。この抵抗膜パターン２０１は、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍに薄膜磁気ヘッド前駆体１１０が形成される過程において、ＭＲ素子６と並列的に形成されたものである。なお、領域Ｒ２Ａに設けられたＭセンサ４００は、例えば、上記したようにＭＲ素子６の電気抵抗を把握するために、そのＭＲ素子６と同様の寸法となるように並列的に形成されたものである。
【００６５】
一方、領域Ｒ２Ｂには、図６（Ｃ）に示したように、例えば、磁極層２０に代えて抵抗膜パターン３０１（副抵抗膜パターン３０１Ａ，主抵抗膜パターン３０１Ｂ）を含んでいると共にＭＲ素子６、薄膜コイル１５およびライトシールド層３０を含んでいない点を除いて、積層構造体１１１と同様の構造を有する積層構造体が設けられている。すなわち、領域Ｒ２Ｂに設けられている抵抗膜パターン３０１は、領域Ｒ１に設けられている記録ヘッド部１１１Ｂのうちの磁極層２０と同一階層に配置されている。この抵抗膜パターン３０１は、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍに薄膜磁気ヘッド前駆体１１０が形成される過程において、磁極層２０と並列的に形成されたものである。なお、図６（Ｃ）では、例えば、抵抗膜パターン３０１が磁極層２０のうちのシード層１０と同一階層に配置されており、その抵抗膜パターン３０１がシード層１０と並列的に形成された場合を示している。
【００６６】
ここで、図５〜図７を参照して、図２に示した再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００の機能に関してより具体的に説明しておくと、以下の通りである。すなわち、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のうちの抵抗膜パターン２０１（副抵抗膜パターン２０１Ａ，主抵抗膜パターン２０１Ｂ）は、薄膜磁気ヘッドの製造工程においてＭＲ素子６の寸法が所定の寸法となるように、再生ヘッド部１１１Ａの研磨量を把握するために使用されるものである。上記した「ＭＲ素子６の寸法」とは、エアベアリング面が形成された完成後の薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子６の前端（エアベアリング面に露出した端縁）から後端（エアベアリング面から遠い側の端縁）に至る高さであり、薄膜磁気ヘッドの再生性能に寄与する重要な因子であるＭＲハイトである。また、記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００のうちの抵抗膜パターン３０１（副抵抗膜パターン３０１Ａ，主抵抗膜パターン３０１Ｂ）は、薄膜磁気ヘッドの製造工程において磁極層２０のうちの先端部１１Ａの寸法が所定の寸法となるように、記録ヘッド部１１１Ｂの研磨量を把握するために使用されるものである。上記した「先端部１１Ａの寸法」とは、エアベアリング面が形成された完成後の薄膜磁気ヘッドにおいて、先端部１１Ａの前端（エアベアリング面に露出した端縁）から後端（フレアポイントＦＰ）に至る高さであり、薄膜磁気ヘッドの記録性能に寄与する重要な因子であるネックハイトである。ただし、抵抗膜パターン３０１の高さとネックハイト（先端部１１Ａの高さ）との間には、例えば、適切なオフセットが設けられる場合がある。なお、上記したＭＲハイトおよびネックハイトは、後述する図２１および図２２において「ＭＲハイトＭＨ」および「ネックハイトＮＨ」として具体的に示されている。
【００６７】
次に、図１〜図１３を参照して、図１〜図７に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００の製造方法について説明する。図８〜図１３は、薄膜磁気ヘッド構造体１００の製造方法として、その薄膜磁気ヘッド構造体１００のうちの主要部（磁極層２０および抵抗膜パターン３０１）の形成工程を説明するためのものであり、（Ａ）は図２に示した領域Ｒ１のうちの一部を拡大して示し、（Ｂ）は図２に示した領域Ｒ２Ｂのうちの一部を拡大して示している。以下では、まず、図１〜図７を参照して薄膜磁気ヘッド構造体１００（薄膜磁気ヘッド前駆体１１０，再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００，記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００）の製造工程の概略について説明したのち、図１〜図１３を参照して積層構造体１１１および抵抗膜パターン２０１，３０１の形成工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッド構造体１００を構成する一連の構成要素の材質、寸法ならびに構造的特徴に関しては既に詳述したので、それらの説明を随時省略するものとする。
【００６８】
この薄膜磁気ヘッド構造体１００は、主に、めっき処理またはスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ処理などのパターニング技術、ならびにドライエッチングまたはウェットエッチングなどのエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。
【００６９】
すなわち、薄膜磁気ヘッド構造体１００を製造する際には、図１〜図７に示したように、ウェハ１０１を準備したのち、まず、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍのうち、領域Ｒ１に積層構造体１１１を複数列に渡って配列されるように形成すると共に、同様に領域Ｒ２に抵抗膜パターン２０１（副抵抗膜パターン２０１Ａ，主抵抗膜パターン２０１Ｂ），３０１（副抵抗膜パターン３０１Ａ，主抵抗膜パターン３０１Ｂ）およびＭセンサ４００を積層構造体１１１の配列方向に対応して複数列に渡って配列されるように併せて形成する。この場合には、例えば、領域Ｒ２のうちの一部の領域Ｒ２Ａに抵抗膜パターン２０１を配置させると共に、残りの領域Ｒ２Ｂに抵抗膜パターン３０１を配置させることにより、領域Ｒ２（Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂ）において抵抗膜パターン２０１，３０１を交互に配置させるようにし、特に、抵抗膜パターン２０１のうちの一部をＭセンサ４００に置き換えるようにする。なお、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍに積層構造体１１１および抵抗膜パターン２０１，３０１を形成する際には、例えば、図２に示したように、領域Ｒ１，Ｒ２（Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂ）以外に余剰部分として領域Ｒ３が確保されるようにする。
【００７０】
続いて、領域Ｒ１に、積層構造体１１１から導出されるように配線パターン１１２を形成したのち、その配線パターン１１２を介して積層構造体１１１と電気的に接続されるように電極パッド１１３を形成することにより、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０を形成する。なお、図示はしてないが、上記した配線パターン１１２および電極パッド１１３を形成する際には、例えば、抵抗膜パターン２０１，３０１にそれぞれ配線パターンを介して電極パッドを接続させることにより、領域Ｒ２Ａに、抵抗膜パターン２０１に配線パターンを介して電極パッドが電気的に接続された構造を有するように再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を形成すると共に、同様に領域Ｒ２Ｂに、抵抗膜パターン３０１に配線パターンを介して電極パッドが電気的に接続された構造を有するように記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を形成する。これにより、図１〜図７に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００が完成する。
【００７１】
なお、上記した薄膜磁気ヘッド構造体１００の製造工程では、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０を形成する際に、配線パターン１１２を積層構造体１１１とは別個に形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、配線パターン１１２を積層構造体１１１と並列的に形成するようにしてもよい。
【００７２】
積層構造体１１１および抵抗膜パターン２０１，３０１を形成する際には、図２、図５および図６（Ａ）に示したように、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍのうちの領域Ｒ１に絶縁層２を形成したのち、まず、絶縁層２上に、下部リードシールド層３と、ＭＲ素子６が埋設されたシールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とをこの順に積層させることにより、下部リードシールド層３から上部リードシールド層５に至る積層構造を有するように再生ヘッド部１１１Ａを形成する。この場合には、図６（Ｂ），（Ｃ）に示したように、領域Ｒ１と共に領域Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂにも同様に絶縁層２、下部リードシールド層３、シールドギャップ膜４および上部リードシールド層５を並列的に形成することにより積層させる。
【００７３】
特に、領域Ｒ１にＭＲ素子６を形成する際には、図２、図４および図６（Ｂ）に示したように、領域Ｒ１にＭＲ素子６をパターン形成すると共に、そのＭＲ素子６の形成工程を流用して領域Ｒ２ＡにＭＲ素子６と同様のパターン膜を形成することにより、そのＭＲ素子６と並列的に抵抗膜パターン２０１およびＭセンサ４００を形成する。この場合には、例えば、図３に示したように、互いに異なるパターン寸法を有する３種類の副抵抗膜パターン２０１Ａ１〜２０１Ａ３を含むようにすると共に、Ｍセンサ４００がＭＲ素子６のパターン寸法と同様のパターン寸法を有するようにする。このＭＲ素子６と並列的に形成される副抵抗膜パターン２０１Ａ（２０１Ａ１〜２０１Ａ３）およびＭセンサ４００は、当然ながら、ＭＲ素子６の形成材料と同一の材料を含むように形成される。なお、抵抗膜パターン２０１およびＭセンサ４００をパターン形成するためには、フォトリソグラフィ処理を利用したパターン形成技術を使用するが、そのパターン形成技術の詳細に関しては後述する。
【００７４】
続いて、図２、図５および図６（Ａ）に示したように、領域Ｒ１において再生ヘッド部１１１Ａ上に分離層７を形成したのち、この分離層７上に、絶縁層９，１２により周囲を埋設された磁極層２０を形成する。この磁極層２０を形成する際には、絶縁層９により周囲を埋設されるように補助磁極層８を形成したのち、それらの絶縁層９および補助磁極層８上に、絶縁層１２により周囲を埋設されるようにシード層１０および主磁極層１１を形成することにより、補助磁極層８、シード層１０および主磁極層１１がこの順に積層された３層構造を有するようにする。この場合には、図６（Ｂ），（Ｃ）に示したように、領域Ｒ１と共に領域Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂにも同様に絶縁層９，１２を並列的に形成することにより積層させる。
【００７５】
特に、領域Ｒ１に磁極層２０を形成する際には、例えば、以下の手順を経ることにより、図２および図６（Ｃ）に示したように、領域Ｒ１に磁極層２０を形成すると共に、その磁極層２０の形成工程を流用して領域Ｒ２Ｂに磁極層２０と同様のパターン膜を形成することにより、その磁極層２０と並列的に抵抗膜パターン３０１を形成する。
【００７６】
すなわち、磁極層２０と並列的に抵抗膜パターン３０１を形成する際には、まず、図８（Ａ），（Ｂ）に示したように、例えばスパッタリング法を使用して、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍのうちの領域Ｒ１，Ｒ２Ｂの双方を覆うように、シード層１０を形成する。このシード層１０の形成材料としては、例えば、後工程において形成される主磁極層１１の形成材料と同様の材料、具体的にはパーマロイ（ＮｉＦｅ）や鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などの導電性磁性材料を使用してもよいし、あるいは主磁極層１１の形成材料とは異なる材料、具体的にはルテニウム（Ｒｕ）やチタン（Ｔｉ）などの導電性非磁性材料を使用してもよい。
【００７７】
続いて、シード層１０の表面にフォトレジストを塗布することによりフォトレジスト膜を形成したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニング（現像，露光）することにより、図９（Ａ），（Ｂ）に示したように、フォトレジストパターン５０１を形成する。このフォトレジストパターン５０１を形成する際には、領域Ｒ１，Ｒ２Ｂ間においてパターニング形状を異ならせることにより、図８（Ａ）に示したように、領域Ｒ１において、後工程において形成される主磁極層１１の平面形状に対応した開口パターンを有するように開口５０１Ｋ１を形成すると共に、図８（Ｂ）に示したように、領域Ｒ２Ｂにおいて、後工程において形成される抵抗膜パターン３０１（副抵抗膜パターン３０１Ａ，主抵抗膜パターン３０１Ｂ）の平面形状（例えば矩形状）に対応した開口パターンを有するように２つの開口５０１Ｋ２を形成する。この場合には、開口５０１Ｋ１の開口パターンに基づいてフレアポイントＦＰが実質的に決定されることを考慮して、そのフレアポイントＦＰが所望の位置となるように開口５０１Ｋ１を位置合わせすると共に、後工程において形成される抵抗膜パターン３０１のうちの後端（エアベアリング面となる側と反対側の端縁）の位置がフレアポイントＦＰに一致するように開口５０１Ｋ２を位置合わせする。ただし、必ずしも抵抗膜パターン３０１のうちの後端の位置がフレアポイントＦＰに一致するように開口５０１Ｋ２を位置合わせしなければならないわけではなく、例えば、抵抗膜パターン３０１のうちの後端の位置とフレアポイントＦＰとの間に適切なオフセットＳ（例えば０μｍ＜Ｓ≦１．０μｍ）が設けられるように開口５０１Ｋ２を位置合わせする場合もある。
【００７８】
続いて、フォトレジストパターン５０１を使用して、シード層１０を電極膜として開口５０１Ｋ１，５０１Ｋ２内にめっき膜を選択的に成長させることにより、図１０（Ａ）に示したように、領域Ｒ１において、フォトレジストパターン５０１のうちの開口５０１Ｋ１に主磁極層１１をパターン形成すると共に、図１０（Ｂ）に示したように、領域Ｒ２Ｂにおいて、フォトレジストパターン５０１のうちの開口５０１Ｋ２にダミーパターン１１ＤＰを形成する。このダミーパターン１１ＤＰは、後工程においてシード層１０をエッチングするためにマスクとして使用されるものである。
【００７９】
続いて、フォトレジストパターン５０１を除去することにより、図１１（Ａ），（Ｂ）に示したように、領域Ｒ１，Ｒ２Ｂにおいて、主磁極層１１およびダミーパターン１１ＤＰのそれぞれの周辺にシード層１０を露出させる。
【００８０】
続いて、主磁極層１１およびダミーパターン１１ＤＰの双方をマスクとして、例えばイオンミリングを使用してシード層１０を選択的にエッチングすることにより、図１２（Ａ），（Ｂ）に示したように、シード層１０のうち、主磁極層１１およびダミーパターン１１ＤＰのそれぞれの周辺部分を選択的に除去する。このエッチング処理により、図１２（Ａ）に示したように、領域Ｒ１において、主磁極層１１のパターン形状に対応する領域のみに、その主磁極層１１の平面形状に対応したパターン形状を有するようにシード層１０が残存すると共に、図１２（Ｂ）に示したように、領域Ｒ２Ｂにおいて、ダミーパターン１１ＤＰのパターン形状に対応する領域のみに、そのダミーパターン１１ＤＰの平面形状に対応したパターン形状を有するようにシード層１０が残存する。
【００８１】
最後に、図１３（Ａ），（Ｂ）に示したように、領域Ｒ１において、主磁極層１１を維持したまま、領域Ｒ２Ｂにおいて、シード層１０を残存させながらダミーパターン１１ＤＰを選択的に除去する。これにより、図１３（Ａ）に示したように、領域Ｒ１において、シード層１０および主磁極層１１が形成されるため、図５に示したように、補助磁極層８、シード層１０および主磁極層１１がこの順に積層された３層構造を有するように磁極層２０が形成されると共に、図１３（Ｂ）に示したように、領域Ｒ２Ｂにおいて、シード層１０の残存部分として抵抗膜パターン３０１（副抵抗膜パターン３０１Ａ，主抵抗膜パターン３０１Ｂ）が形成される。
【００８２】
引き続き、積層構造体１１１および抵抗膜パターン２０１，３０１の形成工程について説明する。磁極層２０および抵抗膜パターン３０１を形成したのち、図２、図５および図６（Ａ）に示したように、領域Ｒ１において主磁極層１１および絶縁層１２上に、バックギャップ１３ＢＧが設けられたギャップ層１３と、薄膜コイル１５が埋設された絶縁層１６と、ライトシールド層３０（ＴＨ規定層１３，ヨーク層１７）とをこの順に積層させることにより、絶縁層９，１２および磁極層２０からライトシールド層３０に至る積層構造を有するように記録ヘッド部１１１Ｂを形成する。この場合には、図６（Ｂ），（Ｃ）に示したように、領域Ｒ１と共に領域Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂにも同様にギャップ層１３および絶縁層１６を並列的に形成することにより積層させる。
【００８３】
最後に、図２、図５および図６（Ａ）に示したように、領域Ｒ１において、例えばスパッタリングを使用して、記録ヘッド部１１１Ｂを覆うようにオーバーコート層１８を形成する。この場合には、図６（Ｂ），（Ｃ）に示したように、領域Ｒ１と共に領域Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂにも同様にオーバーコート層１８を並列的に形成することにより積層させる。これにより、記録ヘッド部１１１Ａおよび再生ヘッド部１１１Ｂを含むように積層構造体１１１が形成されるため、積層構造体１１１および抵抗膜パターン２０１，３０１が完成する。
【００８４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法では、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍに、薄膜磁気ヘッドを形成するための前準備体としての複数の薄膜磁気ヘッド前駆体１１０と、再生ヘッド部１１１Ａと同一階層に配置された複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００と、記録ヘッド部１１１Ｂと同一階層に配置された複数の記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００とを備えるようにしたので、この薄膜磁気ヘッド構造体１００を使用して後述する薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用しながら薄膜磁気ヘッドを製造することにより、ＭＲハイトおよびネックハイトの双方の高精度決定に寄与することができる。
【００８５】
詳細には、本実施の形態では、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のうちの抵抗膜パターン２０１と記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００のうちの抵抗膜パターン３０１とが互いに異なる階層に設けられており、より具体的には再生ヘッド部１１１ＡのうちのＭＲ素子６と同一階層に抵抗膜パターン２０１が配置されていると共に記録ヘッド部１１１Ｂのうちの磁極層２０（シード層１０）と同一階層に抵抗膜パターン３０１が配置されている。この場合には、薄膜磁気ヘッド構造体１００にエアベアリング面を形成するための研磨処理を施す際に、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を使用して再生ヘッド部１１１Ａに対する研磨処理の進行度および記録ヘッド部１１１Ｂに対する研磨処理の進行度の双方を個別に把握可能となる。したがって、最終的にＭＲハイトおよびネックハイトの双方が目標寸法に到達するように研磨処理を実施可能なため、ＭＲハイトおよびネックハイトの双方の高精度決定に寄与することができるのである。
【００８６】
特に、本実施の形態では、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍのうちの領域Ｒ１にＭＲ素子６を形成する際に、そのＭＲ素子６の形成工程を流用することにより、領域Ｒ２ＡにＭＲ素子６と並列的に抵抗膜パターン２０１を形成するようにしたので、単一の工程においてＭＲ素子６および抵抗膜パターン２０１が形成される。この場合には、ＭＲ素子６の形成工程を流用せず、すなわちＭＲ素子６の形成工程とは別個の形成工程において抵抗膜パターン２０１を形成することにより２工程を要する場合とは異なり、それらのＭＲ素子６および抵抗膜パターン２０１を形成するために１工程しか要しないため、薄膜磁気ヘッド構造体１００を製造するために要する製造工程数が減少する。したがって、薄膜磁気ヘッド構造体１００を容易に製造することができる。
【００８７】
また、本実施の形態では、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍのうちの領域Ｒ１に磁極層２０を形成する際に、その磁極層２０の形成工程を流用することにより、領域Ｒ２Ｂに磁極層２０（シード層１０）と並列的に抵抗膜パターン３０１を形成するようにしたので、単一の工程において磁極層２０および抵抗膜パターン３０１が形成される。したがって、抵抗膜パターン３０１を形成する上で、磁極層２０の形成工程以外に新規な工程を要する場合とは異なり、その抵抗膜パターン３０１を形成するために新規な工程を要しないため、ＭＲ素子６の形成工程を流用して抵抗膜パターン２０１を形成した場合と同様に、薄膜磁気ヘッド構造体１００を製造するために要する製造工程数が減少する。したがって、この観点においても、やはり薄膜磁気ヘッド構造体１００を容易に製造することができる。
【００８８】
なお、本実施の形態では、図２および図３に示したように、ウェハ１０１の素子形成面１０１Ｍのうちの領域Ｒ２において、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を交互に設け、具体的には領域Ｒ２Ａに再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を配置させると共に領域Ｒ２Ｂに記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を配置させるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００の配置態様（配置パターンや配置個数等）は自由に変更可能である。具体的な一例を挙げれば、領域Ｒ２に再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を交互に設ける代わりに、各領域Ｒ２に再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００の双方を設けるようにしてもよい。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８９】
以上をもって、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法についての説明を終了する。
【００９０】
次に、図１〜図２４を参照して、本発明の薄膜磁気ヘッド構造体を利用した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図１４〜図２４は薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するためのものであり、図１４は薄膜磁気ヘッドの製造工程の流れを説明し、図１５〜図２３は薄膜磁気ヘッドの具体的な製造手順を説明し、図２４は薄膜磁気ヘッドの製造過程における研磨量と電気抵抗との間の相関（図４（Ｃ）に対応する相関）を説明している。なお、図１５、図２０および図２３は図２に対応する平面構成を示し、図２１は図５に対応する断面構成を示し、図２２は図７に対応する平面構成を示している。また、図２４では、（Ａ）が再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（副抵抗膜パターン２０１Ａ，主抵抗膜パターン２０１Ｂ）に関する相関を示し、（Ｂ）が記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００（副抵抗膜パターン３０１Ａ，主抵抗膜パターン３０１Ｂ）に関する相関をそれぞれ示している。図２４（Ａ）に示した電気抵抗Ｒの変化曲線（２０１Ａ，２０１Ｂ）間のずれはオフセット量（すなわち後退距離Ｄ２０１）に相当しており、図２４（Ｂ）に示した電気抵抗Ｒの変化曲線（３０１Ａ，３０１Ｂ）間のずれはやはりオフセット量（すなわち後退距離Ｄ３０１）に相当している。
【００９１】
薄膜磁気ヘッドを製造する際には、図１〜図７に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００を準備したのち、まず、図２に示した切断線Ｃ１に沿って薄膜磁気ヘッド構造体１００を切断することにより、図１５に示したように、複数の薄膜磁気ヘッドバー６００を形成する（図１４；ステップＳ１０１）。この薄膜磁気ヘッドバー６００は、薄膜磁気ヘッド構造体１００が切断線Ｃ１に沿って複数に分割されることにより形成されたバー状構造体である。各薄膜磁気ヘッドバー６００は、一連の領域Ｒ１に設けられ、後工程において研磨処理を経ることにより後述する薄膜磁気ヘッド１１０Ｈ（図２０参照）となる複数の薄膜磁気ヘッド前駆体１１０と、一連の領域Ｒ２Ａに設けられ、再生ヘッド部１１１Ａ（図５参照）に対する研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（抵抗膜パターン２０１）と、一連の領域Ｒ２Ｂに設けられ、記録ヘッド部１１１Ｂ（図５参照）に対する研磨処理の進行度を制御するために使用される複数の記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００（抵抗膜パターン３０１）とを含むように形成される。なお、図１５には示していないが、各薄膜磁気ヘッドバー６００は、例えば、上記した薄膜磁気ヘッド前駆体１１０、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００と共に、一部の領域Ｒ２Ａに再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００に代えて設けられたＭセンサ４００（図３参照）も併せて含むように形成される。
【００９２】
薄膜磁気ヘッドバー６００を形成した際に、その薄膜磁気ヘッドバー６００に形成された２つの面（切断面）のうち、積層構造体１１１および抵抗膜パターン２０１，３０１が露出している一方の面は、後工程において研磨処理が施されることによりエアベアリング面となる切断面１０１Ｋ１であり、積層構造体１１１および抵抗膜パターン２０１，３０１が露出していない他方の面は、後工程において薄膜磁気ヘッドバー６００を固定するために使用される切断面１０１Ｋ２である。なお、各薄膜磁気ヘッドバー６００間に形成される部分（領域Ｒ３；余剰バー６０１）は、後工程において使用されない不要部分であるため、必要に応じて廃棄される。
【００９３】
続いて、薄膜磁気ヘッドバー６００に研磨処理を施すことによりエアベアリング面を形成するために、固定用の治具を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００を固定する。具体的には、例えば、図１６に示したように、固定治具７００の一面（被固定面７００Ｍ）に、接着剤８００を介して薄膜磁気ヘッドバー６００の切断面１０１Ｋ２を接着させることにより、その固定治具７００に薄膜磁気ヘッドバー６００を固定させる。図１６は、固定治具７００に薄膜磁気ヘッドバー６００を固定させた場合の側面構成を示しており、後述する図１７〜図１９でも同様に、図１６に対応する側面構成を示している。この固定治具７００は、研磨処理を実施する際に薄膜磁気ヘッドバー６００を固定させるために使用される治具であり、例えば、図示しない角度調整用の螺子を備えており、その螺子が操作されることにより回転軸（Ｘ軸に平行な軸）Ｓを中心として回転可能になっている。この固定治具７００に薄膜磁気ヘッドバー６００を固定させる際には、例えば、接着剤８００として両面テープを使用する。なお、図１６では、例えば、固定治具７００に接着剤８００を介して薄膜磁気ヘッドバー６００を接着させた際に、その薄膜磁気ヘッドバー６００の切断面１０１Ｋ１が人為的要因に起因して固定治具７００の被固定面７００Ｍに対して角度（傾き角度）θだけ意図せずに傾いた場合を示している。
【００９４】
続いて、図１８〜図２０に示したように、薄膜磁気ヘッドバー６００に設けられている複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および複数の記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を使用して、各抵抗膜パターン２０１間または各抵抗膜パターン３０１間における電気抵抗Ｒ１（第１の電気抵抗）、ならびに各抵抗膜パターン２０１と各抵抗膜パターン３０１との間における電気抵抗Ｒ２（第２の電気抵抗）を検出し、それらの電気抵抗Ｒ１，Ｒ２に基づいて研磨処理の進行度を制御しながら、薄膜磁気ヘッドバー６００のうちのウェハ１０１と共に薄膜磁気ヘッド前駆体１１０を併せて研磨してエアベアリング面４０を形成することにより、薄膜磁気ヘッド１１０Ｈを形成する。具体的には、研磨量に応じた電気抵抗Ｒ１，Ｒ２の変化に基づき、その研磨量を把握しながら薄膜磁気ヘッドバー６００を研磨する。すなわち、図５を参照すると、電気抵抗Ｒ１，Ｒ２に基づいて、ＭＲ素子６の寸法（いわゆるＭＲハイト）が所定の寸法となるように再生ヘッド部１１１Ａを研磨すると共に、磁極層２０のうちの先端部１１Ａの寸法（いわゆるネックハイト）が所定の寸法となるように記録ヘッド部１１１Ｂを研磨する。なお、上記した電気抵抗Ｒ１，Ｒ２の検出作業は、例えば、コンピュータの演算処理を利用して実施される。この研磨処理の詳細な手順は、以下の通りである。
【００９５】
すなわち、まず、例えば、複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（抵抗膜パターン２０１）のうちの切断面１０１Ｋ１に近い側に位置する副抵抗膜パターン２０１Ａを使用して、電気抵抗Ｒ１として各副抵抗膜パターン２０１Ａ間における電気抵抗を検出しながら、図１７に示したように、薄膜磁気ヘッドバー６００をプレ研磨する（図１４；ステップＳ１０２）。より具体的には、薄膜磁気ヘッドバー６００の切断面１０１Ｋ１に研磨処理を施すことにより、ウェハ１０１と共に、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０のうちの積層構造体１１１および副抵抗膜パターン２０１Ａを併せて研磨する。もちろん、薄膜磁気ヘッドバー６００の切断面１０１Ｋ１に研磨処理を施すことにより、上記した副抵抗膜パターン２０１Ａと共に、Ｍセンサ４００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００（抵抗膜パターン３０１）のうちの副抵抗膜パター３０１Ａも併せて研磨される。この「プレ研磨」とは、最終的にエアベアリング面４０を形成するための精細研磨（後述する仕上研磨）とは異なり、その精細研磨を実施するための前準備として実施される粗研磨である。なお、図２４中の横軸に示した「Ｓ」は、プレ研磨のスタート時点を示している。
【００９６】
薄膜磁気ヘッドバー６００をプレ研磨する際には、例えば、一連の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を使用して、薄膜磁気ヘッドバー６００の各位置（各再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００の設置位置）における電気抵抗Ｒ１（各副抵抗膜パターン２０１Ａ間における電気抵抗）を検出することにより、各副抵抗膜パターン２０１Ａの電気抵抗が均一化されるように研磨処理の進行度を制御する。詳細には、副抵抗膜パターン２０１が研磨されて寸法が変化した際に、その寸法変化に応じて副抵抗膜パターン２０１の電気抵抗が変化する現象を利用することにより、複数の薄膜磁気ヘッド前駆体１１０の配列方向において、各副抵抗膜パターン２０１Ａの電気抵抗が互いに等しくなるように研磨量を調整する。このプレ研磨では、図４（Ｃ）に示した研磨量Ｐと電気抵抗Ｒとの間の相関を反映して、例えば、図２４（Ａ），（Ｂ）に示したように、研磨処理が進行する（薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨量Ｐが大きくなる）にしたがって副抵抗膜パターン２０１Ａの電気抵抗Ｒが次第に大きくなると共に、同様に副抵抗膜パターン３０１Ａの電気抵抗Ｒも次第に大きくなる。この場合には、特に、副抵抗膜パターン２０１Ａの変化率Ｖが変化率Ｖ２となる研磨状態（範囲Ｔ２）において電気抵抗Ｒ１を検出する。
【００９７】
このプレ研磨処理では、例えば、最終的に製造される薄膜磁気ヘッド１１０Ｈにおいて、再生ヘッド部１１１ＡのＭＲハイトＭＨの目標寸法をＨＭ１としたとき、各副抵抗膜パターン２０１Ａの電気抵抗に基づいて、ＭＲハイトＭＨが目標寸法ＨＭ１よりも大きなプレ寸法ＨＭ０（ＨＭ０＞ＨＭ１）となるまで薄膜磁気ヘッドバー６００に研磨処理を施すようにする。なお、上記したように、副抵抗膜パターン２０１Ａが研磨される場合には副抵抗膜パターン３０１Ａも併せて研磨されることから、その副抵抗膜パターン２０１Ａが研磨された研磨量と同等の研磨量だけ副抵抗膜パターン３０１Ａが研磨されたと仮定すれば、最終的に製造される薄膜磁気ヘッド１１０Ｈにおいて、記録ヘッド部１１１ＢのネックハイトＮＨの目標寸法をＨＮ１としたとき、そのネックハイトＮＨが目標寸法ＨＮ１よりも大きなプレ寸法ＨＮ０（ＨＮ０＞ＨＮ１）となっているはずである。このプレ研磨処理では、各薄膜磁気ヘッド前駆体１１０間において、再生ヘッド部１１１Ａに対する研磨量がばらつくことが抑制される。
【００９８】
ここで、図３を参照して、複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を使用した具体的な研磨手順について簡単に説明する。すなわち、図３に示したように、副抵抗膜パターン２０１Ａ１の抵抗Ｒ１，幅Ｗ１，高さＨ１、副抵抗膜パターン２０１Ａ２の抵抗Ｒ２，幅Ｗ２＝Ｗ１，高さＨ２＝Ｈ１−１０（μｍ）、副抵抗膜パターン２０１Ａ３の抵抗Ｒ３，幅Ｗ３＝Ｗ１＋１０（μｍ），高さＨ３＝Ｈ１−１０（μｍ）のとき、リード抵抗ＲＬ，クラウディング抵抗Ｃ，シート抵抗ＲＳとすると、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれＲ１＝ＲＬ＋（Ｃ＋Ｓ×Ｗ１）／Ｈ１，Ｒ２＝ＲＬ＋（Ｃ＋Ｓ×Ｗ１）（Ｈ１−１０），Ｒ３＝ＲＬ＋（Ｃ＋Ｓ×Ｗ１＋Ｓ×１０）（Ｈ１−１０）と表される。この場合には、上記した抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に関する三元連立方程式を解くと、リード抵抗ＲＬ，シート抵抗Ｓ，仮想抵抗ＲＶ（＝Ｃ＋Ｓ×Ｗ１）に関してそれぞれＲＬ＝Ｒ１＋（Ｈ１−１０）（Ｒ１−Ｒ２）／１０，Ｓ＝（Ｈ１−１０）（Ｒ３−Ｒ２）／１０，ＲＶ（＝Ｃ＋Ｓ×Ｗ１）＝−Ｈ１（Ｈ１−１０）（Ｒ１−Ｒ２）／１０の関係が導き出されるため、リード抵抗ＲＬ，シート抵抗Ｓ，仮想抵抗ＲＶが研磨処理前に既知となる。したがって、複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を使用して検出される電気抵抗Ｒ１とリード抵抗ＲＬ、仮想抵抗ＲＶおよびＭＲハイトＭＨとの間に一般的にＲ１＝ＲＬ＋ＲＶ／ＭＨの関係があることから、この関係を利用すれば、リード抵抗ＲＬおよび仮想抵抗ＲＶが既知である場合に電気抵抗Ｒ１を検出することにより、ＭＲハイトＭＨを算出することが可能となる。これにより、研磨処理時において所定の時間間隔ごとに電気抵抗Ｒ１を検出することによりＭＲハイトＭＨを算出すれば、研磨途中においてＭＲハイトＭＨを把握しながら研磨処理を実施することが可能となるため、所定の研磨量となるまで研磨処理を実施することが可能となる。なお、ＭＲハイトＭＨの算出処理は、上記したように、コンピュータの演算処理を利用して実施される。
【００９９】
引き続き、薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。薄膜磁気ヘッドバー６００をプレ研磨したのち、複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（抵抗膜パターン２０１）のうちの切断面１０１Ｋに近い側に位置する副抵抗膜パターン２０１Ａと、複数の記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００（抵抗膜パターン３０１）のうちの切断面１０１Ｋ１に近い側に位置する副抵抗膜パターン３０１Ａとを使用して、電気抵抗Ｒ２として副抵抗膜パターン２０１Ａと副抵抗膜パターン３０１Ａとの間における電気抵抗を検出することにより、薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きを検出する（図１４；ステップＳ１０３）。この「薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾き」とは、図１６に示した傾き角度θに起因した薄膜磁気ヘッドバー６００の傾き（基準面（切断面１０１Ｋ２）に対する研磨面（切断面１０１Ｋ１）の傾き）であり、ネックハイトＮＨのずれ量（プレ寸法ＨＮ０に対するずれ量）の発生要因となるものである。この薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きを検出する際には、図２４（Ａ），（Ｂ）に示したように、副抵抗膜パターン２０１Ａが変化率Ｖ２を示す研磨状態（範囲Ｔ２）において電気抵抗Ｒ１を検出すると共に、同様に副抵抗膜パターン３０１Ａが変化率Ｖ２を示す研磨状態（範囲Ｔ２）において、電気抵抗Ｒ２を検出する。
【０１００】
薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きを検出する際には、例えば、一連の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を使用して、各副抵抗膜パターン２０１Ａと各副抵抗膜パターン３０１Ａとの間における電気抵抗Ｒ２を検出することにより、その電気抵抗Ｒ２に基づいて薄膜磁気ヘッドバー６００の姿勢の傾き状態を検出する。詳細には、電気抵抗Ｒ２に基づいて再生ヘッド部１１１Ａの研磨量と記録ヘッド部１１１Ｂの研磨量との間の差異を算出することにより、その差異に基づいて薄膜磁気ヘッドバー６００の傾き角度θを特定する。なお、例えば、図１６に示したように、薄膜磁気ヘッドバー６００が傾き角度θだけ傾いた状態において、図１７に示したように、薄膜磁気ヘッドバー６００をプレ研磨した場合には、積層構造体１１１に対する研磨量がリーディング側（再生ヘッド部１１１Ａ側）よりもトレーリング側（記録ヘッド部１１１Ｂ側）において過剰となるため、再生ヘッド部１１１Ａの研磨量よりも記録ヘッド部１１１Ｂの研磨量が大きくなる。
【０１０１】
続いて、傾き角度θに基づいて薄膜磁気ヘッドバー６００の姿勢を調整することにより、その薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きを調整する（図１４；ステップＳ１０４）。
【０１０２】
薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きを調整する際には、後工程において薄膜磁気ヘッドバー６００に引き続き研磨処理を施した場合に、最終的に再生ヘッド部１１１ＡのＭＲハイトＭＨが目標寸法ＨＭ１に到達すると共に記録ヘッド部１１１ＢのネックハイトＮＨが目標寸法ＨＮ１に到達することとなるように、回転軸Ｓを中心として固定治具７００を回転させることにより、薄膜磁気ヘッドバー６００の姿勢を変更する。ここでは、例えば、図１７に示したように、薄膜磁気ヘッドバー６００の切断面１０１Ｋ１が切断面１０１Ｋ２に対して傾き角度θだけ傾いていたため、その傾き角度θが解消されるように固定治具７００を角度θだけ右回りに回転させることにより、図１８に示したように、切断面１０１Ｋ１が固定治具７００の被固定面７００Ｍに対して角度θだけ逆方向（図１６に示した傾き方向に対して逆の傾き方向）に傾くように、薄膜磁気ヘッドバー６００を意図的に傾かせる。なお、傾き角度θとしては、例えば、±２°程度を矯正可能である。さらに、±０．５°程度であれば、薄膜磁気ヘッドバー６００の姿勢を高精度に制御可能である。
【０１０３】
最後に、例えば、複数の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（抵抗膜パターン２０１）のうちの切断面１０１Ｋ１から遠い側に位置する主抵抗膜パターン２０１Ｂを使用して、電気抵抗Ｒ１として各主抵抗膜パターン２０１Ｂ間における電気抵抗を検出しながら、図１９に示したように、薄膜磁気ヘッドバー６００を仕上研磨することにより、エアベアリング面４０を形成する（図１４；ステップＳ１０５）。より具体的には、薄膜磁気ヘッドバー６００の切断面１０１Ｋ１に引き続き研磨処理を施すことにより、ウェハ１０１と共に、薄膜磁気ヘッド前駆体１１０のうちの積層構造体１１１および主抵抗膜パターン２０１Ｂを併せて研磨する。もちろん、薄膜磁気ヘッドバー６００の切断面１０１Ｋ１に研磨処理を施すことにより、上記した主抵抗膜パターン２０１Ｂと共に、Ｍセンサ４００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００（抵抗膜パターン３０１）のうちの主抵抗膜パターン３０１Ｂも併せて研磨される。この「仕上研磨」とは、最終的にエアベアリング面４０を形成するための精細研磨である。
【０１０４】
薄膜磁気ヘッドバー６００を仕上研磨する際には、例えば、薄膜磁気ヘッドバー６００をプレ研磨した場合と同様に、一連の再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を使用して各主抵抗膜パターン２０１Ｂ間の電気抵抗を検出することにより、各主抵抗膜パターン２０１Ｂの電気抵抗が均一化されるように研磨処理の進行度を制御する。この仕上研磨では、やはり図４（Ｃ）に示した研磨量Ｐと電気抵抗Ｒとの間の相関を反映して、例えば、図２４に示したように、研磨処理が進行する（研磨量Ｐが大きくなる）にしたがって主抵抗膜パターン２０１Ｂの電気抵抗Ｒが次第に大きくなると共に、同様に主抵抗膜パターン３０１Ｂの電気抵抗Ｒも併せて次第に大きくなる。この場合には、特に、例えば、主抵抗膜パターン２０１Ｂの変化率Ｖが変化率Ｖ２となる研磨状態（範囲Ｔ２）において電気抵抗Ｒ１を検出する。
【０１０５】
この仕上研磨処理では、例えば、各主抵抗膜パターン２０１Ｂの電気抵抗に基づいて、再生ヘッド部１１１ＡのＭＲハイトＭＨが目標寸法ＨＭ１となるまで薄膜磁気ヘッドバー６００に研磨処理を施すようにする。この場合には、上記したように、薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きが調整された状態において、再生ヘッド部１１１Ａと共に記録ヘッド部１１１Ｂも併せて研磨されるため、再生ヘッド部１１１ＡのＭＲハイトＭＨが目標寸法ＨＭ１に到達した時点において、記録ヘッド部１１１ＢのネックハイトＮＨも目標寸法ＨＮ１に到達する。すなわち、仕上研磨処理では、各薄膜磁気ヘッド前駆体１１０間において再生ヘッド部１１１Ａに対する研磨量がばらつくことが抑制されると共に、各薄膜磁気ヘッド前駆体１１０間において再生ヘッド部１１１Ａと記録ヘッド部１１１Ｂとの間で研磨量がばらつくことが抑制される。この仕上研磨処理により、薄膜磁気ヘッドバー６００の切断面１０１Ｋ１がエアベアリング面４０となるため、図２０に示したように、エアベアリング面４０が形成された薄膜磁気ヘッド前駆体１１０として、再生ヘッド部１１１Ａおよび記録ヘッド部１１１Ｂを含むように薄膜磁気ヘッド１１０Ｈが完成する。なお、薄膜磁気ヘッド１１０Ｈの断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）および平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）は、それぞれ図２１および図２２に示した通りである。
【０１０６】
なお、薄膜磁気ヘッド１１０Ｈを完成させたのちには、図２０に示した切断線Ｃ２に沿って薄膜磁気ヘッドバー６００を切断することにより、図２３に示したように、複数の磁気ヘッドスライダ９００を形成する（図１４；ステップＳ１０６）。この磁気ヘッドスライダ９００は、磁気的な再生処理および記録処理を実行可能な磁気デバイスとして、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものである。この薄膜磁気ヘッドバー６００を切断することにより複数の磁気ヘッドスライダ９００を形成した場合に、その磁気ヘッドスライダ９００から分離された使用済みの再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００は、必要に応じて廃棄される。
【０１０７】
この薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッド構造体１００を切断することにより薄膜磁気ヘッドバー６００を形成したのち、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を使用して電気抵抗Ｒ１，Ｒ２を検出しながら薄膜磁気ヘッドバー６００に研磨処理を施してエアベアリング面４０を形成することにより、再生ヘッド部１１１Ａおよび記録ヘッド部１１１Ｂの双方を含むように薄膜磁気ヘッド１１０Ｈを製造している。詳細には、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のうちの副抵抗膜パターン２０１Ａを使用して電気抵抗Ｒ１を検出しながら薄膜磁気ヘッドバー６００をプレ研磨し、引き続き再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のうちの副抵抗膜パターン２０１Ａおよび記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００のうちの副抵抗膜パターン３０１Ａを使用して電気抵抗Ｒ２を検出することにより薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きを調整したのち、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のうちの主抵抗膜パターン２０１Ｂを使用して電気抵抗Ｒ１を検出しながら薄膜磁気ヘッドバー６００を仕上研磨している。特に、副抵抗膜パターン２０１Ａ，３０１Ａおよび主抵抗膜パターン３０１Ｂの変化率Ｖが変化率Ｖ２となる研磨状態において電気抵抗Ｒ１，Ｒ２を検出している。
【０１０８】
この場合には、副抵抗膜パターン２０１Ａおよび副抵抗膜パターン３０１Ａの変化率Ｖが変化率Ｖ１となる研磨状態において電気抵抗Ｒ１，Ｒ２を検出する場合と比較して、それらの電気抵抗Ｒ１，Ｒ２が高精度に検出される。なぜなら、図４（Ｃ）に示した研磨量Ｐと電気抵抗Ｒとの間の相関から明らかなように、変化率Ｖ２の研磨状態では、変化率Ｖ１の研磨状態と比較して、研磨量Ｐの変化量に対する電気抵抗Ｒの変化量が大きくなり、すなわち電気抵抗Ｒの検出精度（検出感度）が向上するからである。これにより、研磨処理を経てエアベアリング面４０が形成される過程において、再生ヘッド部１１１Ａおよび記録ヘッド部１１１Ｂに対する研磨処理の進行度が適正に制御されることにより、プレ研磨および仕上研磨の研磨量が高精度に検出されると共に研磨面の傾きが高精度に検出かつ矯正されるため、再生ヘッド部１１１ＡのＭＲハイトＭＨが目標寸法ＨＭ１に到達すると共に記録ヘッド部１１１ＢのネックハイトＮＨが目標寸法ＨＮ１に到達する。したがって、エアベアリング面４０を形成することにより薄膜磁気ヘッド１１０Ｈを製造した場合に、ＭＲハイトＭＨを目標寸法ＨＭ１となるように決定可能であると共に、ネックハイトＮＨを目標寸法ＨＮ１となるように決定可能であるため、ＭＲハイトＭＨおよびネックハイトＮＨの双方を高精度に決定することができる。
【０１０９】
ここで、上記した薄膜磁気ヘッドの製造方法に基づいて得られる効果を具体的に説明すると、以下の通りである。図２５は、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に基づく利点を説明するためのものであり、（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に基づく利点を示し、（Ｂ），（Ｃ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法に起因する問題点を示している。また、図２６および図２７は、比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する研磨量Ｐと電気抵抗Ｒとの間の相関を表しており、図２４に対応する相関を示している。この比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００の双方を使用している本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法とは異なり、記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を使用せずに再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のみを使用している点を除き、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法と同様の工程を経るものである。図２５では、本発明および比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関して、「薄膜磁気ヘッドの製造状態」として薄膜磁気ヘッドの側面構成（図２１に示した断面構成を模式的に表した側面構成）を示し、「磁極層の形成状態」として磁極層の平面構成（図２２に示した平面構成を模式的に表した平面構成）を示し、「ＭＨ，ＮＨ」として薄膜磁気ヘッドのＭＲハイトＭＨおよびネックハイトＮＨを示している。なお、「薄膜磁気ヘッドの製造状態」および「磁極層の形成状態」に関して図２５（Ａ）〜（Ｃ）に示した一点鎖線は、目標としたエアベアリング面４０の形成位置を示している。
【０１１０】
再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のみを使用する比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法（図２５（Ｂ），（Ｃ）参照）では、その再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を使用して研磨処理の進行度を制御しながら薄膜磁気ヘッドバー６００を研磨して薄膜磁気ヘッド１１０Ｈを製造することにより、ＭＲハイトＭＨをほぼ目標寸法ＨＭ１となるように決定することはできるが、ネックハイトＮＨを目標寸法ＨＮ１となるように決定することは困難である。なぜなら、図１６および図１７を参照して一例を説明したように、固定治具７００に固定させる際に薄膜磁気ヘッドバー６００が傾いていると、その薄膜磁気ヘッドバー６００の傾きに起因して研磨面が傾くため、ＭＲハイトＭＨが目標寸法ＨＭ１となるように薄膜磁気ヘッドバー６００を研磨しても、ネックハイトＮＨが目標寸法ＨＮ１とならないからである。具体的には、例えば、ＭＲハイトＭＨが目標寸法ＨＭ１となるように再生ヘッド部１１１Ａを研磨した状態において、記録ヘッド部１１１Ｂが過剰に研磨されていると、図２５（Ｂ）および図２６に示したように、再生ヘッド部１１１Ａよりも記録ヘッド部１１１Ｂが後退するようにエアベアリング面４０が傾くことに起因して磁極層１１の形成長さが意図せずに短くなる（再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のうちの抵抗膜パターン２０１よりも記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００のうちの抵抗膜パターン３０１が過剰に研磨される）ため、ＭＲハイトＭＨがほぼ目標寸法ＨＭ１となる一方で（ＭＨ≒ＨＭ１）、ネックハイトＮＨが目標寸法ＨＮ１よりも短くなってしまう（ＮＨ＜ＨＮ１）。また、例えば、ＭＲハイトＭＨが目標寸法ＨＭ１となるように再生ヘッド部１１１Ａを研磨した状態において、記録ヘッド部１１１Ｂに対する研磨量が足りないと、図２５（Ｃ）および図２７に示したように、再生ヘッド部１１１Ａよりも記録ヘッド部１１Ｂが突出するようにエアベアリング面４０が傾くことに起因して磁極層１１の形成長さが意図せずに長くなる（記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００のうちの抵抗膜パターン３０１よりも再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のうちの抵抗膜パターン２０１が過剰に研磨される）ため、ＭＲハイトＭＨがほぼ目標寸法ＨＭ１となる一方で（ＭＨ≒ＨＭ１）、ネックハイトＮＨが目標寸法ＨＮ１よりも長くなってしまう（ＮＨ＞ＨＮ１）。
【０１１１】
これに対して、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００の双方を使用する本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法（図２５（Ａ）参照）では、それらの再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を使用して研磨処理の進行度を制御しながら薄膜磁気ヘッドバー６００を研磨して薄膜磁気ヘッド１１０Ｈを製造することにより、ＭＲハイトＭＨを目標寸法ＨＭ１となるように決定可能であると共に、ネックハイトＮＨも目標寸法ＨＮ１となるように決定可能である。なぜなら、固定治具７００に固定させる際に薄膜磁気ヘッドバー６００が傾いていたとしても、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００の双方を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きが検出され、その薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きが研磨途中（プレ研磨処理と仕上研磨処理との間）において矯正されるからである。より具体的には、例えば、ＭＲハイトＭＨが目標寸法ＨＭ１となるように再生ヘッド部１１１Ａを研磨した状態において、記録ヘッド部１１１ＢのネックハイトＮＨも目標寸法ＨＮ１となるように研磨される結果、図２４および図２５（Ａ）に示したように、エアベアリング面４０が適正に形成されることに基づいて磁極層１１の形成長さが適正に決定される。すなわち、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００のうちの抵抗膜パターン２０１および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００のうちの抵抗膜パターン３０１が同程度に研磨されるため、ＭＲハイトＭＨが目標寸法ＨＭ１となるように決定されると共に（ＭＨ＝ＨＭ１）、ネックハイトＮＨも目標寸法ＨＮ１となるように決定される（ＮＨ＝ＨＮ１）。したがって、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ＭＲハイトＭＨおよびネックハイトＮＨの双方を高精度に決定することができるのである。
【０１１２】
特に、上記した薄膜磁気ヘッドの製造方法では、切断面１０１Ｋ１に近い側に位置する副抵抗膜パターン２０１Ａと、その切断面１０１Ｋ１から遠い側に位置すると共に副抵抗膜パターン２０１Ａに部分的に隣り合う主抵抗膜パターン２０１Ｂとを含むように再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（抵抗膜パターン２０１）を構成し、プレ研磨時および研磨面の傾き調整時において副抵抗膜パターン２０１Ａを使用すると共に、仕上研磨時において主抵抗膜パターン２０１Ｂを使用するようにしたので、図２４（Ａ）に示したように、副抵抗膜パターン２０１Ａおよび主抵抗膜パターン２０１Ｂの変化率Ｖが変化率Ｖ２となる研磨状態（範囲Ｔ２）において電気抵抗Ｒ１，Ｒ２が検出される。したがって、副抵抗膜パターン２０１Ａに対応する１つの抵抗膜パターンのみを含むように再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を構成し、プレ研磨時、研磨面の傾き調整時および仕上研磨時において共通の抵抗膜パターンを使用する場合と比較して、電気抵抗Ｒ１，Ｒ２の双方の検出感度が向上する。なぜなら、図２４（Ａ）に示した相関から明らかなように、上記した範囲Ｔ２（変化率Ｖが変化率Ｖ２となる研磨量Ｐの範囲）は極めて狭いため、プレ研磨時、研磨面の傾き調整時および仕上研磨時の全てにおいて共通の抵抗膜パターンを使用する場合には、仕上研磨時に研磨量Ｐが範囲Ｔ２に到達するように研磨条件を設定すると、プレ研磨時および研磨面の傾き調整時に研磨量Ｐが範囲Ｔ２から外れてしまい、一方、プレ研磨時および研磨面の傾き調整時に研磨量Ｐが範囲Ｔ２に到達するように研磨条件を設定すると、仕上研磨時の研磨量Ｐが範囲Ｔ２から外れてしまうからである。したがって、この観点においてもＭＲハイトＭＨおよびネックハイトＮＨの双方の高精度決定に寄与することができる。
【０１１３】
特に、上記したように１つの抵抗膜パターンのみを使用する場合には、プレ研磨時および研磨面の傾き調整時に研磨量Ｐが範囲Ｔ２に到達するように研磨条件を設定すると、適正な抵抗値となった状態（抵抗の検出感度が適正となった状態）において電気抵抗Ｒ１，Ｒ２が検出されるため、それらの電気抵抗Ｒ１，Ｒ２を高精度に検出することが可能な一方で、抵抗値が無限大に大きくなった状態（抵抗の検出感度が過剰に大きくなった状態）において電気抵抗Ｒ１が検出されるため、その電気抵抗Ｒ１を検出すること自体が困難である。これにより、電気抵抗Ｒ１に基づいて仕上げ研磨を実施することが困難になると共に、その仕上げ研磨処理の終点を検出することも困難になってしまう。一方、仕上げ研磨時に研磨量Ｐが範囲Ｔ２に到達するように研磨条件を設定すると、抵抗変化量が著しく小さくなった状態（抵抗の検出感度が極端に小さくなった状態、すなわち範囲Ｔ１）において電気抵抗Ｒ１を検出せざるを得ないため、その電気抵抗Ｒ１の検出精度が低くなってしまう。
【０１１４】
確認までに、上記した薄膜磁気ヘッドの製造方法の技術的意義に関して説明しておく。すなわち、例えば、再生ヘッド部１１１Ａ（ＭＲ素子６）と記録ヘッド部１１１Ｂ（シード層１０）との間の間隔が６μｍの場合に、最終的にネックハイトＮＨを目標値±０．０３μｍとなるように設定するためには、研磨面の傾き角度を目標値±０．３°に設定する必要がある。この傾き角度は、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を使用して抵抗値変化に基づいて検出される抵抗膜パターン２０１，３０１の寸法変化（高さ変化）から算出されるため、その傾き角度の算出精度は、抵抗膜パターン２０１，３０１の寸法検出精度に依存する。しかも、上記した抵抗値は、通常プローバーを使用して測定されるため、その抵抗測定方法に基づく抵抗値の測定精度向上には、自ずと限界がある。したがって、抵抗膜パターン２０１，３０１の寸法検出精度を向上させるためには、図４（Ｃ）および図２４（Ａ），（Ｂ）に示したように、変化率Ｖが変化率Ｖ１よりも大きな変化率Ｖ２となる範囲Ｔ２において、抵抗膜パターン２０１，３０１の電気抵抗Ｒを測定することが効果的なのである。
【０１１５】
また、薄膜磁気ヘッドの製造方法では、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００をプレ研磨（粗研磨）し、引き続き再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００の双方を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００の研磨面の傾きを調整したのち、再び再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００を仕上研磨（精細研磨）するようにしたので、粗研磨処理を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００が相対的に大きな研磨量となるように短時間で研磨されると共に、仕上研磨処理を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００が相対的に小さな研磨量となるように高精度に研磨される。したがって、薄膜磁気ヘッドバー６００を研磨してエアベアリング面４０を形成することにより薄膜磁気ヘッド１１０Ｈを製造する際に、その薄膜磁気ヘッド６００を短時間で高精度に製造することができる。
【０１１６】
なお、上記した薄膜磁気ヘッドの製造方法では、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００をプレ研磨すると共に、再び再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００を使用して薄膜磁気ヘッドバー６００を仕上研磨するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、ＭＲハイトＭＨおよびネックハイトＮＨの双方が高精度に決定されるように薄膜磁気ヘッド１１０Ｈを形成可能な限り、プレ研磨処理および仕上研磨処理を実施する際に使用するＲＬＧセンサの種類は自由に変更可能である。具体的には、例えば、プレ研磨処理や仕上研磨処理を実施する場合に、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００に代えて、記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を使用してもよいし、あるいは再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００の双方を使用してもよい。
【０１１７】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態では、本発明をシールド型ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、単磁極型ヘッドに適用してもよい。もちろん、本発明を、再生ヘッド部および記録ヘッド部の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。
【０１１８】
特に、上記実施の形態では、図１および図２に示したように、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（抵抗膜パターン２０１）が副抵抗膜パターン２０１Ａおよび主抵抗膜パターン２０１Ｂの双方を含むと共に、記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００（抵抗膜パターン３０１）が副抵抗膜パターン３０１Ａおよび主抵抗膜パターン３０１Ｂの双方を含むように薄膜磁気ヘッド構造体１００を構成したが、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、図２に対応する図２８に示したように、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００が副抵抗膜パターン２０１Ａおよび主抵抗膜パターン２０１Ｂの双方を含むと共に、記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００が副抵抗膜パターン３０１Ａのみを含むようにしたり、あるいは図２に対応する図２９に示したように、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００が副抵抗膜パターン２０１Ａのみを含むと共に、記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００が副抵抗膜パターン３０１Ａおよび主抵抗膜パターン３０１Ｂの双方を含むように薄膜磁気ヘッド構造体１００を構成してもよい。図２８に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００を使用する場合には、図１および図２に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００を使用する場合と同様に、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（副抵抗膜パターン２０１Ａ）を使用してプレ研磨し、引き続き再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（副抵抗膜パターン２０１Ａ）および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００（副抵抗膜パターン３０１Ａ）を使用して研磨面の傾きを調整したのち、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（主抵抗膜パターン２０１Ｂ）を使用して仕上研磨することが可能である。一方、図２９に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００を使用する場合には、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（副抵抗膜パターン２０１Ａ）を使用してプレ研磨し、引き続き再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００（副抵抗膜パターン２０１Ａ）および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００（副抵抗膜パターン３０１Ａ）を使用して研磨面の傾きを調整したのち、記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００（主抵抗膜パターン３０１Ｂ）を使用して仕上研磨することが可能である。これらの場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、図２８および図２９に示した薄膜磁気ヘッド構造体１００に関する上記以外の構成は、図２に示した場合と同様である。
【０１１９】
また、上記実施の形態では、図２に示したように、それぞれエアベアリング面となる側（切断線Ｃ１に近い側）から順に後退した２つの抵抗膜パターン（副抵抗膜パターン２０１Ａ，３０１Ａまたは主抵抗膜パターン２０１Ｂ，３０１Ｂ）を含むように再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００を構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、上記したようにエアベリング面となる側から順に後退する配置関係が維持される限り、再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ２００および記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ３００に含まれる抵抗膜パターンの数や配置関係は、自由に変更可能である。
【０１２０】
また、上記実施の形態では、本発明を垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明を長手記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法は、例えば、ハードディスクに情報を磁気的に記録するハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載される薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド構造体の平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を表す平面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッド構造体のうちの一部領域の平面構成を拡大して表す平面図である。
【図３】図２に示した薄膜磁気ヘッド構造体のうちの一部領域の平面構成を抜粋して模式的に表す平面図である。
【図４】図２に示した薄膜磁気ヘッド構造体のうちの主要部の平面構成を拡大して表す平面図である。
【図５】図１に示した薄膜磁気ヘッド構造体のうちの積層構造体の断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図６】図１に示した積層構造体の他の断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図７】図１に示した積層構造体の平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を表す平面図である。
【図８】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法として、その薄膜磁気ヘッド構造体のうちの主要部の形成工程を説明するための平面図である。
【図９】図８に示した工程に続く工程を説明するための平面図である。
【図１０】図９に示した工程に続く工程を説明するための平面図である。
【図１１】図１０に示した工程に続く工程を説明するための平面図である。
【図１２】図１１に示した工程に続く工程を説明するための平面図である。
【図１３】図１２に示した工程に続く工程を説明するための平面図である。
【図１４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の流れを説明するための流れ図である。
【図１５】薄膜磁気ヘッドの具体的な製造手順を説明するための平面図である。
【図１６】図１５に示した手順に続く製造手順を説明するための側面図である。
【図１７】図１６に示した手順に続く製造手順を説明するための側面図である。
【図１８】図１７に示した手順に続く製造手順を説明するための側面図である。
【図１９】図１８に示した手順に続く製造手順を説明するための側面図である。
【図２０】図１９に示した側面構成に対応する平面図である。
【図２１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドの断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図２２】図２１に示した薄膜磁気ヘッドの平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を表す平面図である。
【図２３】図２０に示した手順に続く製造手順を説明するための平面図である。
【図２４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する研磨量と電気抵抗との間の相関を表す図である。
【図２５】本発明および比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に基づく利点を説明するための図である。
【図２６】比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する研磨量と電気抵抗との間の相関を表す図である。
【図２７】他の比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する研磨量と電気抵抗との間の相関を表す図である。
【図２８】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド構造体の構成に関する変形例を表す平面図である。
【図２９】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド構造体の構成に関する他の変形例を表す平面図である。
【符号の説明】
【０１２３】
２，９，１２，１６…絶縁層、３…下部リードシールド層、４…シールドギャップ膜、５…上部リードシールド層、６…ＭＲ素子、７…分離層、８…補助磁極層、１０…シード層、１１…主磁極層、１１ＤＰ…ダミーパターン、１３…ギャップ層、１３ＢＧ…バックギャップ、１４…ＴＨ規定層、１５…薄膜コイル、１７…ヨーク層、１８…オーバーコート層、２０…磁極層、３０…ライトシールド層、４０…エアベアリング面、１００…薄膜磁気ヘッド構造体、１０１…ウェハ、１０１Ｋ１，１０１Ｋ２…切断面、１０１Ｍ…素子形成面、１０１Ｅ…オリフラ、１１０…薄膜磁気ヘッド前駆体、１１１…積層構造体、１１１Ａ…再生ヘッド部、１１１Ｂ…記録ヘッド部、１１２…配線パターン、１１３…電極パッド、２００…再生ヘッド部用ＲＬＧセンサ、２０１，３０１…抵抗膜パターン、２０１Ａ，３０１Ａ…副抵抗膜パターン、２０１Ｂ，３０１Ｂ…主抵抗膜パターン、３００…記録ヘッド部用ＲＬＧセンサ、４００…Ｍセンサ、５０１…フォトレジストパターン、５０１Ｋ１，５０１Ｋ２…開口、６００…薄膜磁気ヘッドバー、６０１…余剰バー、７００…固定治具、７００Ｍ…被固定面、８００…接着剤、Ｃ（Ｃ１，Ｃ２）…切断線、Ｊ…基準線、ＦＰ…フレアポイント、Ｍ…媒体進行方向、ＭＨ…ＭＲハイト、ＮＨ…ネックハイト、Ｒ，Ｒ１，Ｒ２（Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂ），Ｒ３…領域、Ｓ…回転軸、ＴＨ…スロートハイト、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置、θ…傾き角度。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図２５】
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