(57)【要約】【課題】本発明は、歩留まりが良い電子部品およびその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】セラミック基体１と、このセラミック基体１の表面にめっきによって形成され、かつＹＡＧレーザを用いて機能調整された金属皮膜２とを備え、前記金属皮膜２の表面を粗化したもので、この構成によれば、金属皮膜がめっきで形成されていても、機能調整するために金属皮膜の表面にＹＡＧレーザを照射したときレーザが金属皮膜の表面で反射されにくくなるため、レーザで金属皮膜を十分切削することができ、これにより、金属皮膜がその後の工程において切断されたり過負荷を印加したときに溶断したりしないため、抵抗値等の機能は変動することはほとんどなく、歩留まりが良くなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基体と、このセラミック基体の表面にめっきによって形成され、かつＹＡＧレーザを用いて機能調整された金属皮膜とを備え、前記金属皮膜の表面を粗化した電子部品。
【請求項２】
金属皮膜の表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以上にした請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
金属皮膜として銅または銅合金を用いるようにした請求項１記載の電子部品。
【請求項４】
セラミック基体の表面にめっきによって金属皮膜を形成する工程と、前記金属皮膜の表面を平均粒径１０μｍ以上のエメリーを用いて研磨を行いその表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以上とする工程と、前記金属皮膜をＹＡＧレーザを用いて機能調整する工程とを備えた電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の電子部品は、セラミック基体の表面に形成された金属酸化物からなる皮膜にレーザを照射して切削し、抵抗値調整（機能調整）をしていた。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平８−２６４３０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記した従来の電子部品においては、皮膜を金属めっきで形成する場合、この金属皮膜の表面には光沢があるため、機能調整をするためにレーザを照射するとレーザは金属皮膜の表面で反射され、これにより、金属皮膜を十分に切削できない箇所（金属皮膜がわずかに残っている箇所）が生じるため、歩留まりが悪いという課題を有していた。
【０００４】
すなわち、機能調整時には所定の機能（抵抗値等）が得られても、金属皮膜の十分に切削されなかった箇所がその後の工程において切削されたり、過負荷を印加したときに溶断したりして、機能が変動してしまうからである。
【０００５】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、歩留まりの良い電子部品およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明は、以下の構成を有するものである。
本発明の請求項１に記載の発明は、セラミック基体と、このセラミック基体の表面にめっきによって形成され、かつＹＡＧレーザを用いて機能調整された金属皮膜とを備え、前記金属皮膜の表面を粗化したもので、この構成によれば、金属皮膜がめっきで形成されていても、機能調整するために金属皮膜の表面にＹＡＧレーザを照射したときレーザが金属皮膜の表面で反射されにくくなるため、レーザで金属皮膜を十分切削することができ、これにより、金属皮膜がその後の工程において切断されたり過負荷を印加したときに溶断したりしないため、抵抗値等の機能は変動することはほとんどなく、歩留まりが良くなるという作用効果が得られるものである。
【０００７】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、金属皮膜の表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以上にしたもので、この構成によれば、機能調整するために金属皮膜の表面にＹＡＧレーザを照射しても、レーザが金属皮膜の表面では反射されないため、レーザで金属皮膜を十分切削することができるという作用効果が得られるものである。
【０００８】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、金属皮膜として銅または銅合金を用いるようにしたもので、この構成によれば、導電性の良い金属皮膜を用いることによって、低抵抗値の電子部品が得られるという作用効果が得られるものである。
【０００９】
本発明の請求項４に記載の発明は、セラミック基体の表面にめっきによって金属皮膜を形成する工程と、前記金属皮膜の表面を平均粒径１０μｍ以上のエメリーを用いて研磨を行いその表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以上とする工程と、前記金属皮膜をＹＡＧレーザを用いて機能調整する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、金属皮膜がめっきで形成されていても、機能調整するために金属皮膜の表面にＹＡＧレーザを照射したときレーザが金属皮膜の表面で反射されにくくなるため、レーザで金属皮膜を十分切削することができ、これにより、金属皮膜がその後の工程において切断されたり過負荷を印加したときに溶断したりしないため、抵抗値等の機能は変動することはほとんどなく、歩留まりが良くなるという作用効果が得られるものである。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように本発明の電子部品は、セラミック基体と、このセラミック基体の表面にめっきによって形成され、かつＹＡＧレーザを用いて機能調整された金属皮膜とを備え、前記金属皮膜の表面を粗化しているため、金属皮膜がめっきで形成されていても、機能調整するために金属皮膜の表面にＹＡＧレーザを照射したときレーザが金属皮膜の表面で反射されにくくなり、これにより、レーザで金属皮膜を十分切削することができるため、金属皮膜がその後の工程で切断されたり、過負荷を印加したときに溶断したりすることはなく、これにより、抵抗値等の機能が変動することはほとんどなく、歩留まりが良くなるという優れた効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施の形態における電子部品について、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の一実施の形態における電子部品の断面図である。
【００１２】
本発明の一実施の形態における電子部品は、図１に示すように、セラミック基体１と、このセラミック基体１の表面にめっきによって形成されかつＹＡＧレーザーを用いて機能調整（抵抗値調整）された金属皮膜２とを備え、前記金属皮膜２の表面を粗化している。
【００１３】
上記構成において、前記セラミック基体１は、円柱状または角柱状で、アルミナ、ムライト等のセラミックからなり、絶縁性を有している。
また、前記金属皮膜２は、めっきによってセラミック基体１の表面に形成され、銅や銅合金，ニッケル等の金属からなる。なお、金属皮膜２は、リンを０．１％〜１０％含有させてもよいし、多層構造にしてもよい。さらに、金属皮膜２として導電性の良い銅または銅合金を用いるようにすれば、低抵抗値の電子部品が得られるため、電子部品をインダクタ等として使用することができる。
【００１４】
そして、金属皮膜２の表面は粗化され、表面粗さ（Ｒａ）は０．１μｍ以上となっている。
さらに、金属皮膜２は、ＹＡＧレーザを用いて機能調整されている。すなわち、金属皮膜２にＹＡＧレーザを照射することによって金属皮膜２を螺旋状に切削することにより、電子部品の機能としての抵抗値やインダクタンス値が調整される。
【００１５】
ここで、（表１）に、金属皮膜２の表面粗さ（Ｒａ）と上記レーザ照射時のレーザ切削性および抵抗器特性との関係を示す。
【００１６】
【表１】
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このとき、試料として、セラミック１の表面の銅めっきをＹＡＧレーザによって螺旋状に切削して抵抗値を調整した抵抗器を用いた。
【００１７】
また、レーザ切削性は、レーザ照射後の切削部を外観により確認することにより判断し、未切削部分があるときは「×」、なければ「○」とした。
さらに、抵抗器特性としては抵抗値ばらつきおよび過負荷特性を測定した。抵抗値ばらつきとしては抵抗値調整後の検査工程におけるＣｐｋ値（工程能力指数）を測定し、１．６以下のときは「×」、１．６より大きいときは「○」とした。過負荷特性としては定格電力の４倍の負荷を短時間だけ印加した後の抵抗値変化率を測定し、抵抗値変化率が１％以上のときは「×」、１％より小さいときは「○」とした。
【００１８】
なお、抵抗値ばらつきおよび過負荷特性は、図２（ａ），図２（ｂ）にそれぞれ示す。
（表１）から明らかなように、表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以上とすれば、レーザ切削性、抵抗器特性にも良いことがわかる。
【００１９】
なお、表面粗さ（Ｒａ）の上限は、要望される機能（抵抗値、インダクタンス値等）や生産性によって規定すればよい。
さらに、金属皮膜２が形成されたセラミック基体１の両端には、すずめっきされたステンレス製の金属キャップ３が圧入されている。また、この金属キャップ３にはリード線４が溶接され、さらに、金属皮膜２の全体を覆うように保護膜５が設けられている。
【００２０】
なお、金属キャップ３、リード線４を形成せずに、金属皮膜２の両端部にめっき層を形成して電子部品を直接に面実装するようにしてもよい。
次に、本発明の一実施の形態における電子部品の製造方法について説明する。
【００２１】
図１において、まず、円柱状または角柱状のセラミック基体１の表面に、めっきにより、銅や銅合金，ニッケル等の金属からなる金属皮膜２を形成する。
次に、金属皮膜２の表面をエメリーを用いて研磨を行い、金属皮膜２の表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以上とする。なお、このとき使用するエメリーの平均粒径は１０μｍ以上とする。
【００２２】
ここで、図３にエメリーの平均粒径と、表面粗さ（Ｒａ）との関係を示す。
図３から明らかなように、エメリーの平均粒径が１０μｍ以上とすれば、表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以上にすることができ、これにより、上述したようにレーザ切削性、抵抗器特性ともによいものが得られる。
【００２３】
なお、エメリーの平均粒径の上限は、要望される機能（抵抗値、インダクタンス値等）や生産性によって規定すればよい。
次に、金属皮膜２が形成されたセラミック基体１の両端に、すずめっきされたステンレス製の金属キャップ３を圧入した後、金属キャップ３にリード線４を溶接する。なお、リード線４の溶接はＹＡＧレーザ照射後に行ってもよい。
【００２４】
次に、金属皮膜２にＹＡＧレーザを照射し機能調整する。このとき、金属皮膜２を螺旋状に切削する。
次に、金属キャップ３にリード線４を溶接し、金属皮膜２の全体を覆うように保護膜５を形成する。
【００２５】
最後に、検査工程として抵抗値、インダクタンス値等や、過負荷特性、抵抗値ばらつき等を測定する。
上記した本発明の一実施の形態においては、金属皮膜２の表面を粗化しているため、金属皮膜２がめっきで形成されていても、機能調整するために金属皮膜２の表面にＹＡＧレーザを照射したときレーザが金属皮膜２の表面で反射されにくくなり、これにより、レーザで金属皮膜２を十分切削することができるため、金属皮膜２がその後の工程において切断されたり、過負荷を印加したとき溶断したりせず、これにより、抵抗値等の機能が変動することはほとんどなく、歩留まりが良くなるという効果が得られるものである。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明に係る電子部品は、歩留まりが良いものであり、各種電子機器等に使用される電子部品において有用となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施の形態における電子部品の断面図
【図２】（ａ）同電子部品における抵抗値ばらつきを示す図、（ｂ）同電子部品における過負荷特性を示す図
【図３】同電子部品におけるエメリーの平均粒径と表面粗さ（Ｒａ）との関係を示す図
【符号の説明】
【００２８】
１  セラミック基体
２  金属皮膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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