(57)【要約】【課題】ガラスなどの封止部材を用いて封止のなされた発光装置などの封止体におけるクラックの発生を抑制し、高精度で信頼性の高い封止体を提供する。【解決手段】基板母材（マザーガラスＧＭ）上の複数領域に、複数の発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子１１０）で構成される発光素子列と、薄膜トランジスタ１３０とを形成する工程と、複数領域の各領域に対し、少なくとも薄膜トランジスタ１３０の一部を覆うように接着剤６３を供給する工程と、各領域にそれぞれ所定の封止部材（封止ガラス６４）を接着する工程と、接着剤６３の供給された領域で基板母材を、おのおのが発光素子列および薄膜トランジスタ１３０を含む複数の基板に分割する工程とを含む。【選択図】図１８
2007294944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板母材上の複数領域に回路パターンを形成する工程と、
前記複数領域の各領域に対し、少なくとも前記回路パターンの一部を覆うように接着剤を供給する工程と、
前記各領域にそれぞれ所定の封止部材を接着する工程と、
前記接着剤の供給された領域で前記基板母材を、複数の基板に分割する工程と、
を含む封止体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の封止体の製造方法であって、
前記接着剤を前記回路パターンの外縁に沿った前記各領域に供給する封止体の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の封止体の製造方法であって、
前記封止部材の外縁が前記接着剤の供給された領域の外縁に一致するように接着するようにした封止体の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の封止体の製造方法であって、
前記分割する工程は、分割に先立ち、前記基板母材にあらかじめ形成されたダイシング用の溝部を形成する工程を含む封止体の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の封止体の製造方法であって、
前記接着剤を供給する工程は、前記溝部に沿って接着剤を供給する工程である封止体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の封止体の製造方法であって、
前記接着剤を供給する工程は、前記溝部に一部が接するように接着剤を供給する工程である封止体の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の封止体の製造方法であって、
前記基板母材および前記封止部材はガラスである封止体の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の封止体の製造方法であって、
前記回路パターンは薄膜トランジスタ回路を構成するものである封止体の製造方法。
【請求項９】
基板母材上の複数領域に、複数の発光素子で構成される発光素子列と、各発光素子を駆動する駆動回路とを形成する工程と、
前記複数領域の各領域に対し、少なくとも前記駆動回路の一部を覆うように接着剤を供給する工程と、
前記各領域にそれぞれ所定の封止部材を接着する工程と、
前記接着剤の供給された領域で前記基板母材を、おのおのが前記発光素子列および回路を含む複数の基板に分割する工程と、
を含む発光装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の発光装置の製造方法であって、
前記駆動回路は、前記発光素子列に沿って設けられ個々の発光素子のＯＮ／ＯＦＦを行うピクセル回路と、このピクセル回路に沿って設けられ、前記ピクセル回路を制御する周辺回路から構成され、前記接着剤を少なくとも前記周辺回路の一部を覆うように供給する発光装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置の製造方法であって、
前記接着剤を、前記周辺回路の外縁に沿って供給するようにした発光装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の発光装置の製造方法であって、
前記発光素子を有機エレクトロルミネッセンス素子とした発光装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の発光装置の製造方法であって、
前記接着剤として熱硬化樹脂を用いるようにした発光装置の製造方法。
【請求項１４】
基板母材上の複数領域に、複数の発光素子で構成される発光素子列と、前記発光素子の出射する光の光量を検出する光検出素子と、この光検出素子の出力を処理する処理回路を形成する工程と、
前記複数領域の各領域に対し、少なくとも前記処理回路の一部を覆うように接着剤を供給する工程と、
前記各領域にそれぞれ所定の封止部材を接着する工程と、
前記接着剤の供給された領域で、前記基板母材を、おのおのが前記発光素子列および処理回路を含む複数の基板に分離する工程と、
を含む発光装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の発光装置の製造方法であって、
前記処理回路を形成する工程は、前記光検出素子で構成されるセンサ列に沿って設けられた、個々の光検出素子の出力を選択する選択回路を形成する工程を含み、
前記接着剤を供給する工程は、少なくとも前記選択回路の一部を覆うように前記接着剤を供給する工程を含む発光装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の発光装置の製造方法であって、
前記処理回路を形成する工程は、光検出素子を、前記個々の発光素子に対応して形成する工程を含む発光装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の発光装置の製造方法であって、
前記処理回路を形成する工程は、薄膜トランジスタで形成する工程を含む発光装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１乃至８のいずれかに記載の封止体の製造方法で製造され、
基板と、
前記基板上に回路パターンを形成してなる回路部と、
前記基板上の前記回路部の少なくとも一部を封止部材で封止した封止体であって、
前記回路部の少なくとも一部が、前記基板の端部の辺に沿って供給された接着剤で被覆
され、
前記接着剤を介して前記封止部材が固着された封止体。
【請求項１９】
請求項１８に記載の封止体であって、
前記基板および封止部材がガラスで構成され、
前記回路部が、半導体薄膜に形成された半導体素子を含み、
前記半導体素子の少なくとも一部が前記接着剤で覆われた封止体。
【請求項２０】
基板と、
前記基板上に、
発光素子と、
前記発光素子から出力される光を検出する光量検出回路とを具備し、
前記光量検出回路が、光検出素子と、前記光検出素子に並列接続された容量素子と、前記容量素子に接続され、前記容量素子の読み出しを制御するスイッチング用の薄膜トランジスタとを備え、前記発光素子の光量を検出するように構成されており、
前記光検出回路の一部が前記素子列よりも、前記基板の端面側に形成され、前記素子列よりも前記基板の端面側に位置する光検出回路が、接着剤で被覆され、
前記接着剤を介して前記封止部材が固着された発光装置。
【請求項２１】
請求項９乃至１７のいずれかに記載の発光装置の製造方法で製造された発光装置を具備した露光装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の露光装置を搭載した画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止体の製造方法、これを用いた発光装置の製造方法、封止体、発光装置、露光装置およびこれを用いた画像形成装置に係り、特に封止体の形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真プロセスを応用した画像形成装置に用いられる露光装置として、レーザダイオードを光源とした光ビームをポリゴンミラーと呼称される回転多面鏡を介して感光体上を走査して静電潜像を形成する方式と、発光ダイオード（以降ＬＥＤと呼称する）や有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて構成した発光素子をライン状に配置した発光素子列を用いて各発光部を個別に点灯（ＯＮ／ＯＦＦ）制御して感光体上に静電潜像を形成する方式が知られている。
【０００３】
特に発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した露光装置は、ガラスなどの基板上に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以降ＴＦＴと呼称する）から成るスイッチング素子で構成される駆動回路と有機エレクトロルミネッセンス素子を一体として形成できるため、構造、製造工程がシンプルであり、発光素子としてＬＥＤを搭載した露光装置と比較して更なる小型化、低コスト化を実現できる可能性がある。
【０００４】
しかしその一方で有機エレクトロルミネッセンス素子はその駆動に伴って発光輝度が徐々に低下する、いわゆる光量劣化が発生することが知られている。また、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子間において、発光輝度のばらつき発生を防止することは困難であるため、素子間における光量のばらつきを防ぐ光量補正も必要となる。
このように様々な要因により、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子から出射される光量を補正する光量補正が必要となる。
【０００５】
さて光量補正に関して、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子を応用した露光装置を搭載した画像形成装置では、例えば特許文献１に開示される構成が知られている。特許文献１における露光装置は有機エレクトロルミネッセンス素子を形成したガラス基板上に光検出素子を配置し、各有機エレクトロルミネッセンス素子の発光光量をこの光検出素子で検出するという構成を有している。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−０８２３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のような構成を有する画像形成装置の光ヘッド（発光装置）においては、空気中の水分の浸入防止と素子の保護のために、水分やガスなどに対してバリア性の高い、たとえばガラスなどの封止部材を用いて素子の形成されたガラス基板を封止するという方法がとられている。しかしながら、ガラス基板上に種々の素子を形成したり、チップ部品を搭載した上で封止部材を用いて封止を行った場合、ダイシングによりマザーガラスから個々の基板に分割する際、ガラスなどの硬度が高い材料で構成された封止部材あるいは基板のいずれの側にもクラックが生じ易いという問題がある。
また、使用時においても、使用環境の温度変化により、基板にクラックが発生し易いという問題があるが、素子部にクラックが生じると、クラックから水分が浸入したりあるいは、素子部を構成する薄膜あるいは厚膜の剥離が生じたり、素子特性の低下の原因になることがある。
【０００８】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、ガラスなどの封止部材を用いて封止のなされた発光装置などの封止体におけるクラックの発生を抑制し、高精度で信頼性の高い封止体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで本発明の封止体の製造方法は、基板母材上の複数領域に回路パターンを形成する工程と、前記複数領域の各領域に対し、少なくとも前記回路パターンの一部を覆うように接着剤を供給する工程と、前記各領域にそれぞれ所定の封止部材を接着する工程と、前記接着剤の供給された領域で前記基板母材を、複数の基板に分割する工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の方法によれば、少なくとも回路パターンの一部を覆うように接着剤を供給し、各領域にそれぞれ所定の封止部材を接着したのち、接着剤の供給された領域で基板母材を、複数の基板に分割するようにしているため、接着剤の存在により、クラックの進行は、抑制され、回路部の保護を図ることが可能となる。
また本発明の発光装置では、光検出回路を構成する薄膜トランジスタが接着剤で被覆さ
れ、封止部材で保護されているため、高精度で信頼性の高い光量検出が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
【００１２】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１に係る露光装置を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子およびその周辺の平面図、図２（ａ）は本発明の実施の形態１における光検出素子１２０の近傍の構成を示す断面図、（ｂ）は本発明の実施の形態１における容量素子１４０の近傍の構成を示す断面図、（ｃ）は本発明の実施の形態１における選択トランジスタ１３０の近傍の構成を示す断面図である。
なお、図２（ａ）および図２（ｃ）は図１のＡ−Ａ断面を示し、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面を示している。また、図２（ａ）の部位Ｐの延長線上に図２（ｃ）の部位Ｑが設けられている。
【００１３】
詳細は実施の形態５において説明するが、図１７は図１のA-A断面説明図、図１８はこの光ヘッドの製造工程を示す図、図１９はこの光ヘッド本体の製造工程におけるダイシング前を示す図である。
この光ヘッド本体部の製造に際しては、マザーガラスGMと呼ばれるガラス母材（ガラス基板１００）上に、長辺上にスイッチング用の薄膜トランジスタを含む光量検出回路を配置し、この薄膜トランジスタを被覆するとともに、ガラス基板の端縁を覆うように接着剤層６３を形成し、カバーガラス６４を固着した後、この接着剤層に当接するようにダイシングラインＤＬに沿ってダイシングを行うことによって、複数の長尺の光ヘッド本体を形成することを特徴とするものである。
【００１４】
ダイシング工程において、ガラス基板１００にクラックが生じると、薄膜トランジスタを構成する多結晶シリコンからなる半導体層の剥離や劣化が生じ、素子特性の低下を招き易いが、この構成により、接着剤層が、下層の半導体層を確実に保護し、ダイシング時におけるクラックの発生を阻止するため、信頼性の向上をはかることができる。
このようにして得られた光ヘッド本体部は、図１および２に示すように、ガラス基板１００と、このガラス基板１００上に、光検出素子１２０を含む光検出回路（ピクセル回路）Cと、発光素子としてのエレクトロルミネッセンス素子１１０とを集積化して形成されており、光検出回路の一部であるスイッチング用の薄膜トランジスタ１３０が発光素子列よりも、ガラス基板１００の端面側に形成され、上層を接着剤層６３で被覆され、この接着剤層６３を介して封止ガラス６４が固着されている。
【００１５】
製造に際しては、実施の形態５で詳述する。
以降上述の工程で形成された、図１、図２（ａ），（ｂ），（ｃ）を用いて実施の形態１の露光装置を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子およびその近傍の構成について詳細に説明する。
露光装置には露光光源が形成されたガラス基板１００が設けられている。
露光装置を構成するガラス基板１００上には、複数の発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子１１０）から構成される発光素子列が形成されている。この発光素子列に沿って（図１では有機エレクトロルミネッセンス素子１１０と光検出素子１２０を重畳して形成した状態を示している）、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０から出力される光を検出する光検出素子１２０が設けられている。更にガラス基板１００には、後述するように光検出素子１２０を選択して、その出力を取り出すスイッチング素子としての選択トランジスタ１３０が設けられ、このスイッチング素子としての選択トランジスタ１３０と光検出素子１２０の間には、遮光部を構成する容量素子１４０が設けられている。
【００１６】
遮光部を構成する容量素子１４０は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０と選択トランジスタ１３０との間に位置し、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０から出射された光が選択トランジスタ１３０に入射することを防ぎ、選択トランジスタ１３０の誤動作や、動作が不安定になるのを有効に防止する。
図示するように、遮光部である容量素子１４０、およびスイッチング素子である選択トランジスタ１３０は、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光領域（光出射領域として、後に詳細に説明する）の外に、かつ発光素子列に沿って設けられており、容量素子１４０と選択トランジスタ１３０が占める面積は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０よりも大きく構成される。
【００１７】
露光装置の場合は、表示装置などと比較して発光素子列の数が少なくて済むため、このように発光素子列の配列方向と直交する領域には空きスペースが存在し、ここに容量素子１４０や選択トランジスタ１３０を、余裕をもって配置することができる。このため、即ち、例えば静電容量の生成を回避することもでき、電気的特性を犠牲にすることなく配置することができる。
【００１８】
以降、上述の構成を、より詳細に説明する。
露光装置を構成するガラス基板１００上には、発光素子として複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０からなる素子列（以降、「発光素子列」と呼称する）を主走査方向に配列するとともに、この有機エレクトロルミネッセンス素子１１０から出力される光を検出するフォトダイオードで構成された光検出素子１２０と、この光検出素子１２０の出力に接続され、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の出力を処理する光量検出部（以降、光量検出回路Ｃと呼称する）と、光量検出回路Ｃの出力に基づいて光量を算出する光量演算回路１５０と、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動制御を行う駆動回路（駆動部）１６０とが設けられている。
【００１９】
なお、実施の形態１において、光量検出回路ＣにはＴＦＴからなる選択トランジスタ１３０が含まれ、ＴＦＴ回路６２ａを構成する。また駆動回路１６０もＴＦＴで形成され、ＴＦＴ回路６２を構成する。更に光検出素子１２０もＴＦＴによって形成されている。
光量検出回路Ｃは、少なくとも光検出素子１２０に並列接続された容量素子１４０と、容量素子１４０に接続され容量素子１４０の読み出しを制御するスイッチング用の選択トランジスタ１３０とで構成されている。ここで、選択トランジスタ１３０と光検出素子１２０は、容量素子１４０を挟んで離間して配置されている。また、選択トランジスタ１３０と容量素子１４０と光検出素子１２０は、発光素子列とは直交する方向（副走査方向）に順次配列されている。この選択トランジスタ１３０は光量演算回路１５０（以降、チャージアンプ１５０と呼称する）を含む処理回路部５９に接続される。
【００２０】
選択トランジスタ１３０によって選択された光量検出回路Ｃの出力は、チャージアンプ１５０を含む処理回路部５９に入力され、ここで光量計測データに変換される。
また有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動部を構成する駆動回路１６０は、多結晶シリコン層からなるスイッチング用のＴＦＴで構成され、図示しない駆動用ＩＣチップ（後に説明するソースドライバ６１）によって設定された駆動電流値に基づいて有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する。
【００２１】
また図２（ａ）に示すように、光検出素子１２０は、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の、光検出素子１２０側に位置する第１の電極（陽極１１１）をゲート電極としたＴＦＴを構成している。また、光検出素子１２０は、光量検出回路Ｃの光量読み出しを選択するタイミングを選択するスイッチング用の選択トランジスタ１３０（図２（ｃ）参照）と同一工程で形成される多結晶シリコン層で構成される。このように同一層で形成され、光量を検出するためのＴＦＴ（光検出素子１２０）と、信号選択を行うためのスイッチング用のＴＦＴ（選択トランジスタ１３０）とが、同時に作業性よく形成されるが、選択トランジスタ１３０は容量素子１４０の配置スペース分だけ光検出素子１２０と離間して配置されており、スイッチング用のＴＦＴ（選択トランジスタ１３０）への光の入射による閾値の変動に起因するよる誤動作を防止することが可能となる。また容量素子１４０は、図２（ｂ）に示すように、第１乃至第３の電極１４１，１４２，１４３からなる３層の電極を層間絶縁膜である第１及び第２の絶縁膜１２２，１２３を介して２層ずつ向かい合うように形成してなるものであるため、遮光性が高く確実に迷光を防止可能であることから、誤動作を防ぐことができ、微小な電流である光電流を効率よく検出し高精度で信頼性の高い光量検出が可能となる。
【００２２】
よりマクロな視点において、図１に示す構成は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０からなる発光素子列を挟んで、光量検出回路Ｃと駆動回路１６０とを異なる領域に分離して配置したものということができる。この構成を用いることにより、微小電流を扱う光量検出回路Ｃが、比較的大電流をあつかう駆動回路１６０と分離して配置されることになり、ノイズの影響を回避し、高精度の光量検出を行うことが可能となる。
【００２３】
即ち、一般に集積化の程度があがるに従い、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する駆動回路１６０における電位の変動により、光検出素子１２０の出力電流にばらつきが生じ、光量の検出精度を上げることが困難となるが、上述の構成とすることで、光量検出の際のＳ／Ｎ比を十分確保することが可能となる。
【００２４】
上述のように光量検出回路Ｃは、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が構成する発光素子列を挟んで、駆動回路１６０と分離して形成するのが望ましく、この際に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する駆動信号線と、光検出素子１２０の出力を引出す出力信号線を、発光素子列を挟んで互いに異なる側に引き出すことが望ましい。ここで耐ノイズの観点では、駆動信号線と出力信号線を、発光素子列から離れる方向に引出すようにするのが更に望ましい。
【００２５】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の具体構成を考慮すると、上述の構成は、第１の電極（陽極１１１）と第２の電極（陰極１１３）とで発光層１１２を挟むように形成された発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子１１０と、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０から出力される光を検出する光電変換層を備えた光検出素子１２０とが重畳して配置され、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の第１または第２の電極に接続される駆動トランジスタを含む駆動部（駆動回路１６０）と、光検出素子１２０の出力に接続された光量検出部（光量検出回路Ｃ）とを、発光素子列を挟んで互いに異なる側に配置したものということができる。
【００２６】
なお、本実施の形態１の露光装置は、図２（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に断面図を示すしたように、表面に平坦化のためのベースコート層１０１を形成したガラス基板１００上に形成されており、このベースコート層１０１上に、光検出素子１２０と、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０とを順次積層するとともに、光検出素子１２０の出力に応じて、駆動電流または駆動時間を補正しつつ有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動するための駆動回路１６０としてのＴＦＴ（スイッチングトランジスタ）を備える。更にガラス基板１００上には、この駆動回路１６０に接続されたチップＩＣとして図示しないソースドライバ６１（図９参照）が搭載されている。
光検出素子１２０はベースコート層１０１表面に形成された多結晶シリコン層からなる島領域ＡRを帯状のｉ層からなるチャネル領域１２１ｉを隔てて所望の濃度にドープすることによりソース領域１２１Ｓ、ドレイン領域１２１Ｄを形成し、この上層に形成される酸化シリコン膜からなる第１の絶縁膜１２２、第２の絶縁膜１２３を貫通するようにスルーホールを介して形成されたソースおよびドレイン電極１２５Ｓ，１２５Ｄで構成される。また、この上層に保護膜１２４としての窒化シリコン膜を介して、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が形成されており、保護膜１２４、第１の電極としての陽極となるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）１１１、光出射領域ＡＬＥを規制する画素規制部１１４、発光層１１２、第２の電極としての陰極１１３の順に各層が積層形成されている。
【００２７】
また容量素子１４０は、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、多結晶シリコン層で構成された第１層電極１４１と、選択トランジスタ１３０のゲート電極１３３と同一工程で形成される第２層電極１４２とで前述した第１の絶縁膜１２２を挟むとともに、第２層電極と第３層電極とによって第２の絶縁膜１２３を挟むことによって形成されたコンデンサで構成される。
容量素子１４０は、この第１層電極１４１、第２層電極１４２、第３層電極１４３の３層の導電性材料と絶縁膜とで構成される。これら３層の電極は重なった状態で形成されるため、金属などの遮光材料で形成すれば、３重構造の遮光膜として作用する。またこれらの各層は、選択トランジスタ１３０を構成するＴＦＴのソース・ドレイン領域、ゲート電極のいずれかと同一工程で形成することができるため、工程も簡略化可能である。また、所望の遮光性を有する導電性材料を用い、選択トランジスタとは別の工程で形成するようにしてもよい。
【００２８】
更に、選択トランジスタ１３０と光検出素子１２０を構成する各層も同一の製造工程で形成される。すなわちチャネル領域１３２Ｃを挟んでソース領域１３２Ｓ、ドレイン領域１３２Ｄが、光検出素子１２０の半導体島と同一工程で形成され、これにコンタクトするソース・ドレイン電極１３４Ｓ，１３４Ｄが積層され、ゲート電極１３３とで選択トランジスタ１３０としてのＴＦＴを構成している。
これら各層は、ＣＶＤ法による半導体薄膜の形成、フォトリソグラフィによるパターニング、不純物イオンの注入、絶縁膜の形成、など通例の半導体プロセスを経て形成される。
【００２９】
ここで、ガラス基板１００は無色透明なガラスの一枚板である。ガラス基板１００としては、例えば透明または半透明のソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の無機酸化物ガラス、無機フッ化物ガラス等の無機ガラスを用いることができる。
【００３０】
その他の材料をガラス基板１００の代用品として採用することも可能であり、例えば透明または半透明のポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂ポリシロキサン、ポリシラン等のポリマー材料を用いた高分子フィルム等、あるいは透明または半透明のＡｓ2Ｓ3、Ａｓ40Ｓ10、Ｓ40Ｇｅ10等のカルコゲノイドガラス、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、ＨｆＯ2、ＴｉＯ2等の金属酸化物および窒化物等の材料、或いは発光領域から出射される光を基板を介さずに取り出す場合には、不透明のシリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体材料、或いは顔料等を含んだ前述の透明基板材料、表面に絶縁処理を施した金属材料等から適宜選択して用いることができ、複数の基板材料を積層した積層基板を用いることもできる。あるいは、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒあるいはこれらの合金などの金属からなる導電性基板の表面にＳｉＯ２、ＳｉＮ、などの無機絶縁材料や樹脂コーティングなどの有機絶縁材料による絶縁膜を形成するなど表面を絶縁化処理して形成された基板を用いることもできる。
【００３１】
またガラス基板１００などの基板の表面あるいは基板内部には、後述するように有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動するための抵抗・コンデンサ・インダクタ・ダイオード・トランジスタ等からなる回路を集積化して形成しても良い。
【００３２】
さらに用途によっては特定波長のみを透過する材料、光−光変換機能をもった特定の波長の光へ変換する材料などであってもよい。また基板は絶縁性であることが望ましいが、特に限定されるものではなく、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動を妨げない範囲或いは用途によって導電性を有していても良い。
【００３３】
ガラス基板１００の上には、ベースコート層１０１が形成される。ベースコート層１０１は、例えばＳｉＮから成る第１の層と、ＳｉＯ２から成る第２の層の２つから構成される。ＳｉＮ、ＳｉＯ２の各層は蒸着法等によっても形成できるが、スパッタ法により形成することが望ましい。
【００３４】
ベースコート層１０１の上には、同一工程で形成される多結晶シリコン層を用いて上述の選択トランジスタ１３０、及び光検出素子１２０が形成される。有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動回路１６０は、抵抗・コンデンサ・インダクタ・ダイオード・トランジスタ等の回路素子から構成されるが、露光装置の小型化を考慮するとＴＦＴを用いることが望ましい。実施の形態１において光検出素子１２０は、図２（ｂ）から明らかなように発光層１１２を含む有機エレクトロルミネッセンス素子１１０と、光の出力面となるガラス基板１００の中間に位置しており、且つ光検出素子１２０の島状に構成された素子領域ＡＲ（以降半導体島領域ＡＲと呼称する）は光出射領域ＡＬＥよりも大きい。また光出射領域ＡＬＥは、光検出素子１２０の内側に存在するため、光を透過しない材料を光検出素子１２０に用いることはできない。したがって、発光層１１２から出力された光を妨げないようにするため、光検出素子１２０には透光性を有した材料を用いなければならない。透光性を有した光検出素子１２０の材料としては、例えば多結晶シリコンを選択することが望ましい。
【００３５】
実施の形態１では、ベースコート層１０１の上に一様な半導体層を形成した後、半導体層に対してエッチング加工を施すことにより、選択トランジスタ１３０及び光検出素子１２０を同一工程で形成した半導体層から形成している。電極を構成する金属層などの導体層も同様であり、同一の金属層から島状に独立した選択トランジスタ１３０及び光検出素子１２０の金属層を一括で形成する加工は、製造工数の削減と製造コストの抑制に有利である。なお光検出素子１２０において、光出射領域ＡＬＥから出力される光を受光する半導体島領域ＡＲは光検出素子１２０となる島状に構成された多結晶シリコンまたは非晶質シリコンの表面である。
【００３６】
有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光層１１２に電界をかけるための駆動回路（駆動トランジスタ）１６０及び光検出素子１２０の上には、例えば酸化シリコン膜からなる第１の絶縁膜１２２、第２の絶縁膜１２３と保護膜１２４とが設けられているが、光検出素子１２０にとっては、これらの絶縁膜や保護膜１２４は、陽極１１１をゲート電極とみなしたときのゲート絶縁膜として作用し、この膜厚による電圧降下によって陽極１１１の電位からの降下幅が決定される。このゲート絶縁膜を構成する第１の絶縁膜１２２、第２の絶縁膜１２３と保護膜１２４は、例えばＳｉＯ２等から成り、蒸着法、スパッタ法等により形成される。
【００３７】
また、選択トランジスタ１３０の真上にあるゲート絶縁膜としての第１の絶縁膜１２２の表面にはゲート電極１３３が形成される。ゲート電極１３３の材料としては、例えばＣｒ、Ａｌ等の金属材料が用いられる。あるいは、ゲート電極１３３に透明性が必要な場合は、ＩＴＯや薄膜金属とＩＴＯの積層構造が用いられる。ゲート電極１３３は、蒸着法、スパッタ法等により形成される。
【００３８】
ゲート電極１３３が形成された基板表面に、第２の絶縁膜１２３が形成される。第２の絶縁膜１２３は、これまで形成してきた積層体の全表面に渡って形成される。第２の絶縁膜１２３は、例えばＳｉＮ等から成り、蒸着法、スパッタ法等により形成される。
【００３９】
第２の絶縁膜１２３の上には、光検出素子出力電極としてのドレイン電極１２５Ｄ、光検出素子接地電極としてのソース電極１２５Ｓ、および選択トランジスタ１３０のソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄが形成される。ドレイン電極１２５Ｄ及びソース電極１２５Ｓは、それぞれ光検出素子１２０のソース・ドレイン領域１２１Ｓ，１２１Ｄに接続されており、光検出素子１２０から出力される電気信号の伝達と光検出素子１２０の接地を行う。
【００４０】
一方、ソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄは、選択トランジスタ１３０のソース・ドレイン領域１３２Ｓ，１３２Ｄに接続されており、ソース電極１３４Ｓとドレイン電極１３４Ｄの間に所定の電位差を付与した状態で先述したゲート電極１３３に所定の電位を付与することで、チャネル領域１３２Ｃに電界が印加され、選択トランジスタ１３０はスイッチング素子としての機能を有するようになる。
【００４１】
ドレイン電極１２５Ｄ、ソース電極１２５Ｓ、ソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄの材料としては、例えばＣｒ等の金属が用いられる。図２（ａ）に示すように、光検出素子出力電極としてのドレイン電極１２５Ｄ及び光検出素子接地電極としてのソース電極１２５Ｓは第１の絶縁膜１２２及び第２の絶縁膜１２３を貫通して光検出素子１２０の端部と接続されており、一方、図２（ｃ）に示すように、選択トランジスタ１３０のソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄも同様に第１の絶縁膜１２２及び第２の絶縁膜１２３を貫通して選択トランジスタ１３０の端部に接続されている。したがって、ドレイン電極１２５Ｄ、ソース電極１２５Ｓ、ソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄの形成に先立ち、第１の絶縁膜１２２及び第２の絶縁膜１２３に対して、ドレイン電極１２５Ｄ及びソース電極１２５Ｓと光検出素子１２０を接続するためのスルーホール、ソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄと選択トランジスタ１３０を接続するためのスルーホールを設ける必要がある。このスルーホールは光検出素子１２０の表面と選択トランジスタ１３０の表面、即ち光検出素子１２０とドレイン電極１２５Ｄ及びソース電極１２５Ｓの接触面と、選択トランジスタ１３０とソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄの接触面が露出するまでの深さを持ったものであり、光検出素子１２０及び選択トランジスタ１３０の端部の真上にエッチング加工等により設けられる。エッチングにはハロゲン系のエッチングガスを用いる。フォトリソグラフィにより、開口を形成したレジストパターンで表面を被覆した状態でエッチングガスを導入し、パターニングすることにより、第１の絶縁膜１２２及び第２の絶縁膜１２３のスルーホールを開口する。このとき、エッチングガスには光検出素子１２０及び選択トランジスタ１３０を構成する材料と化学反応を生じないものを選択する。ドレイン電極１２５Ｄ及びソース電極１２５Ｓと光検出素子１２０の接触面、ソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄと選択トランジスタ１３０の接触面を露出させる加工が終了した後、ドレイン電極１２５Ｄ、ソース電極１２５Ｓ、ソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄを形成する。ソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄは、センサ電極となる金属層を第２の絶縁膜１２３の表面、先述したスルーホールの表面及び両センサ電極、光検出素子１２０の表面及び選択トランジスタ１３０の接触面の表面に一様に形成した後、この金属層に対してエッチングを施し、一様の金属層をドレイン電極１２５Ｄ、ソース電極１２５Ｓ、ソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄに分割することにより得られる。
【００４２】
光検出素子出力電極としてのドレイン電極１２５Ｄ、光検出素子接地電極としてのソース電極１２５Ｓ、ソース電極１３４Ｓ及びドレイン電極１３４Ｄが形成された後に、保護膜１２４が形成される。保護膜１２４は、例えばＳｉＮ等から成り、蒸着法、スパッタ法等により形成される。
【００４３】
保護膜１２４の上には、陽極１１１が形成される。陽極１１１は、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）から成る。陽極１１１の構成材料としてはＩＴＯの他にＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎＯ2）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等を用いることができる。陽極１１１は図２（ａ）のように、光検出素子１２０に対して真上にあたる保護膜１２４の表面に形成される。陽極１１１は保護膜１２４を貫通して駆動回路１６０（より正しくは符号を付与していない駆動回路１６０のドレイン電極）と接続されている。したがって陽極１１１の形成の前には、保護膜１２４にスルーホールを設ける必要がある。このスルーホールはエッチング加工等により設けられる。このエッチング加工が施された後、陽極１１１の層が形成される。陽極１１１は蒸着法等によっても形成できるがスパッタ法により形成することが望ましい。
【００４４】
陽極１１１が形成された後、窒化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜、酸窒化シリコン、酸化チタン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等の無機絶縁材料あるいはポリイミドやポリエチレン等の有機絶縁材料を用いて画素規制部１１４が形成される。画素規制部１１４の材料としては上述のように絶縁性が高く、絶縁破壊に対して強く、かつ製膜性が良くパターニング性が高いものが望ましい。画素規制部１１４とは、光出射領域を規制する部材であり、第１の電極または第２の電極と発光層との間に介在せしめられた絶縁膜に形成された開口で規定するようにしたものである。
実施の形態１では画素規制部１１４としての窒化シリコン膜を構成する材料として、窒化シリコン、窒化アルミニウムを用いている。画素規制部１１４は、後述する発光層１１２と陽極１１１との間に設けられ、光出射領域ＡＬＥの領域外にある発光層１１２を陽極１１１から絶縁し、発光層１１２の発光する箇所を規制している。したがって、画素規制部１１４に重なる発光層１１２の領域は非発光領域となり、画素規制部１１４に重ならない領域が光出射領域ＡＬＥとなる。画素規制部１１４は、発光層１１２の光出射領域ＡＬＥが光検出素子１２０の半導体島領域ＡＲよりも面積的に小さくなるように規制し、且つ光出射領域ＡＬＥを光検出素子１２０の半導体島領域ＡＲの内側に配置するように構成される。
【００４５】
画素規制部１１４が形成された後、発光層１１２が形成される。発光層１１２は無機発光材料、若しくは以降詳細に説明する高分子系、あるいは低分子系の有機発光材料から形成される。
発光層１１２を形成する無機発光材料としては、チタン・リン酸カリウム、バリウム・ホウ素酸化物、リチウム・ホウ素酸化物等を用いることができる。
発光層１１２を無機発光材料で構成した無機エレクトロルミネッセンス素子は、スクリーン印刷で製造が可能であるため生産時の欠陥が少なく、且つクリーンルーム等の設備も必要としないので、高い量産性を持つ。したがって製造コスト的に優れた露光装置を提供することが可能となる。
発光層１１２を構成する高分子系の有機発光材料としては、可視領域で蛍光または燐光特性を有しかつ製膜性の良いものが望ましく、例えばポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン等のポリマー発光材料等を用いることができる。
高分子系の発光層１１２として、例えばデンドリマ等の樹木状多分岐構造をもつ有機化合物を用いてもよい。この有機化合物は、発光性の構造単位を３次元的に複数の外部構造単位が取り巻いた樹木状多分岐高分子構造または樹木状多分岐低分子構造を有するため、発光性の構造単位が３次元的に孤立した状態となり、有機化合物自体が微粒子状の形態をとる。このため、薄膜状に形成したとき、この有機化合物の集合体は、外部構造単位の存在によって、隣り合う発光性の構造単位が近接することが阻害され、その結果、発光性の構造単位が薄膜内に均一に分布し、高強度で、長寿命の発光を維持することができる。
発光層１１２を構成する低分子系の有機発光材料としては、Ａｌｑ3やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）の他に、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４'−ビス（５，７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４'−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，５−ビス（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４'−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、２，２'−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤や、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等の金属キレート化オキシノイド化合物や、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン等のスチリルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジン等のジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体等が用いられる。さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等も用いられる。あるいは、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等の燐光発光材料を用いることもできる。
高分子系材料、低分子系材料から成る発光層１１２は、材料をトルエン、キシレン等の溶媒に溶解したものをスピンコート法やインクジェット法、あるいはギャップコーティング法、印刷工法に代表される湿式成膜法で層状に成形し、溶解液中の溶媒を揮発させることで得られ、低分子系材料から成る発光層１１２は、材料を真空蒸着法、あるいは、蒸着重合法やＣＶＤ法などにより積層することで得られることが一般的であるが、発光材料の特性に合わせていずれかの工法を取ることで形成することができる。
【００４６】
また実施の形態１では、発光層１１２を便宜上単一の層として記述しているが、発光層１１２を陽極１１１の側から順に正孔輸送層／電子ブロック層／上述した有機発光材料層（ともに図示せず）の三層構造としてもよいし、発光層１１２を陰極１１３の側から順に電子輸送層／有機発光材料層（ともに図示せず）の二層構造、あるいは陽極１１１の側から順に正孔輸送層／有機発光材料層の２層構造（ともに図示せず）、あるいは陰極１１３の側から順に正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロック層／有機発光材料層／正孔ブロック層／電子輸送層／電子注入層のごとく７層構造（ともに図示せず）としてもよい。またはより単純に発光層１１２が上述した有機発光材料のみからなる単層構造であってもよい。このように実施の形態１において発光層１１２と呼称する場合は、発光層１１２が正孔輸送層、電子ブロック層、電子輸送層などの機能層を有する多層構造である場合も含んでいる。後に説明する他の実施の形態についても同様である。
【００４７】
上述した機能層における正孔輸送層としては、正孔移動度が高く、透明で製膜性の良いものが望ましくＴＰＤの他に、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物や、１，１−ビス｛４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４，４'，４''−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４，４'−ビス（ジメチルアミノ）−２−２'−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−４，４'−ジアミノビフェニル、Ｎ、Ｎ'−ジフェニル−Ｎ、Ｎ'−ジ−ｍ−トリル−４、４'−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾ−ル等の芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルアミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４'−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オキサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリアリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニールアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキサゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オリゴマーや、スチリルアミン化合物や、芳香族ジメチリディン系化合物や、ポリ−３，４エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、テトラジヘクシルフルオレニルビフェニル（ＴＦＢ）あるいはポリ３−メチルチオフェン（ＰＭｅＴ）といったポリチオフェン誘導体等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させた、高分子分散系の正孔輸送層も用いられる。
またＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ等の無機酸化物を用いてもよい。正孔輸送層として、特にＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５等の遷移金属酸化物を用いると、非常に高効率で長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することが可能となる。またこれらの正孔輸送材料は電子ブロック材料として用いることもできる。
【００４８】
上述した機能層における電子輸送層としては、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料等、あるいは、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−（パラ−フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、バソフプロイン（ＢＣＰ）等が用いられる。またこれらの電子輸送層を構成可能な材料は正孔ブロック材料として用いることもできる。
【００４９】
発光層１１２が形成された後、陰極１１３が形成される。陰極１１３は、例えばＡｌ等の金属を蒸着法等によって層状に形成することにより得られる。有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の陰極１１３としては仕事関数の低い金属もしくは合金、例えばＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｔｉ等の金属や、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金等のＭｇ合金や、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−Ｂａ合金等のＡｌ合金等が用いられる。あるいは、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃｓ等の金属、あるいは、ＬｉＦ、ＣａＯといったこれら金属のフッ化物や酸化物からなる有機物層に当接する第１の電極層と、その上に形成されるＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属材料からなる第２の電極とからなる金属の積層構造を用いることもできる。
【００５０】
実施の形態１の露光装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０から出射され、ガラス基板１００を透過した光を利用する方式を採用しており、このような有機エレクトロルミネッセンス素子の構造をボトムエミッションという。
ボトムエミッション構造は、ガラス基板１００の側から光を取り出すため、既に述べたように光検出素子１２０は透明度の高い材料、例えば多結晶シリコン（ポリシリコン）で構成される必要がある。多結晶シリコンで構成された光検出素子１２０は非晶質シリコン（アモルファスシリコン）で構成したものと比較して光電流の生起能力が低いという問題があるが、例えばコンデンサ（図示せず）を有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の近傍に設け、光検出素子１２０から出力された電流に基づく電荷をコンデンサに所定期間蓄積するか、あるいは、逆に所定の電荷を蓄積しておき、この電荷をディスチャージし、その後に電圧変換を行なうような処理回路を設けることで解決することができる。ボトムエミッション構造の場合は、光を取り出す側の電極（陽極）の透明化が容易なため、製造が簡単になる利点がある。
【００５１】
図１に示すように実施の形態１の露光装置は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を主走査方向（発光素子列の方向）に配置して構成されており、１つの発光領域（光出射領域）に対して、１つの光検出素子１２０を対応させて配置している。このような構造とすることで、光検出素子１２０によって各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光光量を独立して計測できる。また光検出素子１２０と有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は薄膜（第１の絶縁膜１２２、第２の絶縁膜１２３および保護膜１２４）で隔てられており、平面方向の光の漏れは極めて小さいため、光学的なクロストークの影響も殆ど無視できる。これによって同時に複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測することが可能となり、計測時間を大幅に短縮できる。
【００５２】
図２（ａ）では、光検出素子１２０、光検出素子出力電極としてのドレイン電極１２５Ｄ、光検出素子接地電極としてのソース電極１２５Ｓ、光出射領域ＡＬＥ、光検出素子１２０の素子領域としての半導体島領域ＡＲ、発光層１１２の陽極となるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）１１１、コンタクトホールＨＢ及び駆動回路１６０のドレイン電極の相互関係が示されている。光検出素子１２０は、ドレイン電極１２５Ｄ及びソース電極１２５Ｓと接続されている。光検出素子出力電極としてのドレイン電極１２５Ｄは、光検出素子１２０が出力する電気信号を図２（ｃ）に示す選択トランジスタ１３０を介して処理回路部５９に伝達する電極である。
この光検出素子１２０から出力される電気信号を基に、処理回路部５９では光量計測データが生成され、図示しない光量補正部によってフィードバック信号が決定される。このフィードバック信号を基に光量の補正に必要な処理が行われる。
実施の形態１ではこのフィードバック信号に基づいて各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光光量を補正するようにしており、図示しないソースドライバ６１（図９参照）によって各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する電流値を制御している。このように実施の形態１では光検出素子１２０の出力に基づいて発光光量を制御しているが、フィードバック信号に基づいて各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動時間を制御する、いわゆるＰＷＭ制御を行なうように構成してもよい。ＰＷＭ制御を採用した場合は、制御をフルディジタルの回路構成で実現できるというメリットがある。
【００５３】
光検出素子接地電極としてのソース電極１２５Ｓは、光検出素子１２０の接地を行う電極である。発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の陽極１１１であるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）は、駆動回路（駆動トランジスタ）１６０のドレイン電極と接続されており、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は、このドレイン電極を介して駆動回路１６０で制御されている。
【００５４】
図１に示したように、実施の形態１の露光装置は、島状に形成された多結晶シリコン（ポリシリコン）から構成される光検出素子１２０を主走査方向に列状に配置し、各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０においては画素規制部１１４としての窒化シリコン膜により光出射領域ＡＬＥが制限された発光層１１２の下部に光出射領域ＡＬＥよりも大きな半導体島領域ＡＲを有した光検出素子１２０を配置して構成される。光出射領域ＡＬＥよりも光検出素子１２０の半導体島領域ＡＲ（島状に形成された多結晶シリコンの島状部分）を大きくすることで、光出射領域ＡＬＥが形成される部位から、ソース電極１２５Ｓ、ドレイン電極１２５Ｄといった段差を有する構造物を排除している。従って、少なくとも光出射領域ＡＬＥは光検出素子１２０の平坦部上に形成されることとなる。これによって特に発光層１１２を上述した湿式法によって形成した場合であっても発光層１１２の局所的な層厚の変化を抑えることができ、発光層１１２を流れる電流の偏りを抑えることができる。したがって、均一な発光分布と寿命の向上を実現した露光装置を製造することができる。
【００５５】
さらに、実施の形態１の露光装置に搭載される島状に構成された光検出素子１２０の半導体島領域ＡＲは発光領域すなわち光出射領域ＡＬＥに比べて大きいため、発光層１１２からの出力光を光の補正に用いる電気信号へと効率的に変換することができる。
【００５６】
図３は本発明の実施の形態１に係る露光装置に搭載された光量検出回路Ｃ、処理回路部５９の回路図である。
以降図３を用いて本発明の露光装置で用いられる光量検出回路Ｃ及びその出力を処理する処理回路部５９について詳細に説明する。なお、以降の説明において、光量検出回路Ｃ及びその出力を処理する処理回路部５９を一括して光量計測部２４１と呼称する。
光量計測部２４１は、図３に示すように、オペアンプ１５１等から構成されたチャージアンプ等を備えた駆動用ＩＣである処理回路部５９と、この処理回路部５９の入力端子に接続されるように前述したガラス基板１００に集積化して形成された光量検出回路Ｃとで構成され、この光量検出回路Ｃは前述した選択トランジスタ１３０と、光検出素子１２０に並列接続され、光検出素子１２０の出力電流（光電流）によってディスチャージされる容量素子（コンデンサ）１４０とで構成される。
以降図１および図２（ａ），（ｂ）を併用して説明する。
この容量素子１４０は図１および図２（ｂ）から把握されるように、光検出素子１２０のソース電極１２５Ｓ、ドレイン電極１２５Ｄにそれぞれ接続されるようにこれらと同一工程で形成された導電性膜で、第１の絶縁膜１２２を挟むことによって形成されている。
【００５７】
ここで光検出素子１２０は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０からの光によって多結晶シリコンによって構成されるチャネル領域１２１ｉで光電変換が行われ、ソース領域１２１Ｓからドレイン領域１２１Ｄに流れる電流を光電流として取り出すことにより、光量を検出するものである。
しかしながら、容量素子１４０に蓄積されている電荷を計測する際に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が点灯している場合は、前述したように、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の陽極１１１には所定の電圧が印加されている。このため光検出素子１２０にとっては、陽極１１１がゲート電極として機能することになる。
このゲート電極（陽極１１１）の電位によって光検出素子１２０のチャネル領域１２１ｉである多結晶シリコン層に電界がかかり、これにより、ドレイン電流ＩＤが流れることになる。このドレイン電流ＩＤが光電変換電流に付加されることになるため、ドレイン電極１２５Ｄからセンサ出力として光量検出回路Ｃに出力される光電変換電流は実際の光電変換電流にドレイン電流ＩＤを加えたものとなる。このため光量検出精度が低下するという問題がある。
図４は本発明の実施の形態１における光検出素子１２０のゲート電圧Ｖｇとドレイン電流ＩＤの関係を示す説明図である。
ゲート電圧Ｖｇとドレイン電流ＩＤとの関係を測定した結果を図４に実線で示す。高い光量検出精度を確保するためには、ゲート電圧Ｖｇの変化によるドレイン電流ＩＤの変化が小さいことが望ましいため、この図から明らかなように、このＴＦＴのドレイン電流ＩＤが０である領域すなわち、トランジスタの動作がオフとなる領域（ＯＦＦ領域）で使用するのが望ましい。
【００５８】
ゲート電圧Ｖｇとドレイン電流ＩＤの関係において、Ｖｇ＞０の領域において電流ＩＤが流れる領域があり、ゲート電圧Ｖｇの変化に伴ったドレイン電流ＩＤの変化が生じるため、望ましくは、図４に破線で示すように、ゲート電位をマイナス方向にシフトさせるようにすることにより、ＴＦＴをＯＦＦ領域で使用することができ、暗電流をほとんど皆無とすることができる。本発明では、光検出素子１２０の出力を高精度に検出することは極めて重要であるため、光検出素子１２０を構成するＴＦＴをＯＦＦ領域で光を検出することが重要である。
光検出素子１２０は、これを構成するＴＦＴのチャネル領域１２１ｉとなる多結晶シリコン層に印加される電界により、ドレイン電流ＩＤおよび光電変換電流の電流量が決定される構成であるため、例えば、ＴＦＴのチャネル領域１２１ｉの一部が陽極１１１に覆われていない場合、陽極１１１に覆われていない部分の電界を制御することは難しく、表面電位や外部電界などにより生じる不定の電界が印加され、即ち外乱によって光量検出精度が低下するという問題がある。したがって、ＴＦＴのチャネル領域１２１ｉとなる多結晶シリコン層全体が有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の陽極１１１で完全に覆われている構成が、ゲート電界によってチャネルを制御するのにより有効である。
【００５９】
図５は本発明の実施の形態１における光量検出のタイミングを示すタイミングチャートである。
以降図５に図３を併用して説明する。
図５（ａ）は、チャージアンプ１５０におけるスイッチングトランジスタ１５３のＯＮ／ＯＦＦ状態を示すものである。スイッチングトランジスタ１５３は、容量素子１５２の蓄積電荷をリセットする機能を有しており、スイッチングトランジスタ１５３のＯＮ／ＯＦＦによって、光量検出回路Ｃにおける容量素子１４０のチャージ期間（より正確には、後に説明するようにディスチャージ期間である）が規定される。
図５（ｂ）は、選択トランジスタ１３０の動作タイミングを示すものである。なお選択トランジスタ１３０は、信号ＳＥＬｘに基づいてＯＮ／ＯＦＦ制御され、信号ＳＥＬｘがハイレベルのときに選択トランジスタ１３０はＯＮとなる。
図５（ｃ）は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯タイミングを示すものである。なお図５（ｃ）において、信号ＥＬＯＮがハイレベルのときに有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は発光する。
図５（ｄ）は、光量検出回路Ｃにおける容量素子１４０の両端（即ち図２（ａ）に示すソース電極１２５Ｓとドレイン電極１２５Ｄ間）の電位変化を示すものである。
図５（ｅ）は、オペアンプ１５１の出力電圧を示している。
図５（ｆ）はオペアンプ１５１の出力Ｖｒ０をサンプルホールドするタイミングを示すものである。
図５（ｇ）はサンプルホールドされたアナログ信号がＡＤコンバータ２４０（図３参照）によってＡＤ変換（アナログ信号からディジタル信号に変換）され、ディジタル化されたデータを出力するタイミングを示すものである。
光検出素子１２０の出力は図５（ａ）乃至（ｅ）にタイミングチャートを示すように選択トランジスタ１３０のスイッチングにより、容量素子１４０に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の所望の回数の点灯時間分チャージされた電流を取り出すことにより、高精度の光量検出が可能となる。
以降、光量検出動作における動作タイミングを詳細に説明する。
まず、選択トランジスタ１３０が信号ＳＥＬｘに基づきＯＮとなり、チャージアンプ１５０によって、容量素子１４０に初期電圧Ｖｒｅｆがチャージされる（Ｓ１：リセットステップ）。
【００６０】
そして、この選択トランジスタ１３０を信号ＳＥＬｘに基づきＯＦＦにし、信号ＥＬＯＮを制御して有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を点灯すると、これを受光した光検出素子１２０のチャネル領域１２１ｉ（図２（ａ）参照）は光量に比例した導電性を発現する。この際に光検出素子１２０を流れる光電流により、リセットステップＳ１で容量素子１４０にチャージされた電荷は減少する。即ち容量素子１４０は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光光量の強弱に応じてディスチャージされていく。（Ｓ２：点灯ステップ）。
【００６１】
次にチャージアンプ１５０を構成するスイッチングトランジスタ１５３を信号ＣＨＧに基づいてＯＦＦし、チャージアンプ１５０を容量素子１４０に蓄積されている電荷を測定可能な状態とする（Ｓ３：測定開始ステップ）。
【００６２】
そして、選択トランジスタ１３０を信号ＳＥＬｘに基づいてＯＮとすると、この時点で光量検出回路Ｃに設けられた容量素子１４０に蓄積されている電荷は、チャージアンプ１５０を構成する容量素子１５２に受け渡される。その結果チャージアンプ１５０を構成するオペアンプ１５１の出力電圧Ｖｒ０は上昇する。この期間も光検出素子１２０の光電流は流れＶｒ０は上昇するが、短期間の微小電流であるため影響はほとんど無視できる（Ｓ４：電荷転送ステップ）。
【００６３】
最後に選択トランジスタ１３０を信号ＳＥＬｘに基づいてＯＦＦとしＶｒ０が確定する。このときのオペアンプ１５１の出力電圧Ｖｒ０をＡＤコンバータ２４０に取り込み、光量検出動作が終了し、ＡＤコンバータ２４０の出力Ｄ０が確定する（Ｓ５：リードステップ）。
【００６４】
このようにして得られた光量計測部２４１の出力Ｄ０（既に述べたようにディジタル化されている）は、例えばマイクロコンピュータ等の演算部、処理プログラムを格納したＲＯＭ等の不揮発性メモリ、演算に使用するワーク領域等を提供するＲＡＭ等の書き換え可能メモリ、更にこれらを相互に接続するバス等で構成された公知の組み込みコンピュータシステム（以降、光量補正部と呼称する）によって処理され、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動条件である発光光量や、発光時間が決定される。
有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動条件のうち発光光量を補正する場合には、光量補正部は、露光装置を構成する個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対して、新たな駆動電流（あるいは駆動電圧、あるいは駆動時間）を算出し、この算出結果に基づく駆動パラメータを、図示しない駆動条件設定部に設定する。これによって駆動回路１６０（図２（ａ）参照）をＯＮにした場合の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動条件が制御される。
このようにして得られた光量検出回路Ｃの出力電圧に基づいて、光量演算回路としてのチャージアンプ１５０で補正電圧を算出し、駆動回路１６０を介して発光素子の陽極１１１と陰極１１３とに印加する電圧が制御され、これらの間に形成された発光層１１２に電圧が印加され、発光素子の光量のばらつきや経時変化に伴う光量の変動を補償し、均一な露光が維持されるように構成される。
なお、実施の形態１では、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０と、光検出素子１２０とは重畳するように形成したが、重ね合わせることなく配置されていてもよい。この構造は、即ち、光検出素子１２０が形成される層と、発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子１１０）が形成される層が異なっており、かつ、光検出素子１２０と有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が平面図（トップビュー）として見た時に十分離間して配置され、かつ、光検出素子１２０の下層が平坦になっているような場合に該当する。
また、ドーピング等によって１つの半導体領域を絶縁領域と活性領域に分割し、この活性領域に複数の光検出素子１２０を形成するようにした場合は、光検出素子１２０を構成する半導体領域は島状にはならないため、上面から見た場合に光検出素子１２０と有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を部分的に重畳するように構成することも可能である。
【００６５】
（実施の形態２）
次に実施の形態２として上記実施の形態１で説明した露光装置を用いた画像形成装置について説明する。
図６は、本発明の実施の形態２の画像形成装置の構成図である。
図６には、上記露光装置をイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各色用として形成した露光装置１３Ｙ〜１３Ｋとを用いた画像形成装置１が示されている。
この画像形成装置１は、図６に示すように、装置内にイエロー現像ステーション２Ｙ、マゼンタ現像ステーション２Ｍ、シアン現像ステーション２Ｃ、ブラック現像ステーション２Ｋの４色分の現像ステーションを縦方向に階段状に配列し、その上方には記録紙３が収容される給紙トレイ４を配設すると共に、各現像ステーション２Ｙ〜２Ｋに対応した箇所には給紙トレイ４から供給された記録紙３の搬送路となる記録紙搬送路５を上方から下方の縦方向に構成したものである。
【００６６】
現像ステーション２Ｙ〜２Ｋは記録紙搬送路５の上流側から順に、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのトナー像を形成するものであり、イエロー現像ステーション２Ｙは感光体８Ｙ、マゼンタ現像ステーション２Ｍには感光体８Ｍ、シアン現像ステーション２Ｃには感光体８Ｃ、ブラック現像ステーション２Ｋには感光体８Ｋが含まれ、更に各現像ステーション２Ｙ〜２Ｋには後に説明する現像スリーブ、帯電器など、一連の電子写真方式における現像プロセスを実現する部材が含まれている。
【００６７】
更に各現像ステーション２Ｙ〜２Ｋの下部には感光体８Ｙ〜８Ｋの表面を露光して静電潜像を形成するための露光装置１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋが配置されている。
【００６８】
現像ステーション２Ｙ〜２Ｋは充填された現像剤の色が異なっているが、構成は現像色に関わらず同一であるため、以降の説明を簡単にするため特に明示する必要がある場合を除いて現像ステーション２、感光体８、露光装置１３のごとく特定の色を明示せずに説明する。
【００６９】
図７は本発明の実施の形態２の画像形成装置１における現像ステーション２の周辺を示す構成図である。
図７において、現像ステーション２の内部にはキャリアとトナーの混合物である現像剤６が充填されている。７ａ、７ｂは現像剤６を攪拌する攪拌パドルであり、攪拌パドル７ａと７ｂの回転によって現像剤６中のトナーはキャリアとの摩擦によって所定の電位に帯電されると共に、トナーとキャリアは現像ステーション２の内部を巡回することで十分に攪拌混合される。感光体８は図示しない駆動源によって方向Ｄ３に回転する。９は帯電器であり感光体８の表面を所定の電位に帯電する。１０は現像スリーブ、１１は薄層化ブレードである。現像スリーブ１０は内部に複数の磁極が形成されたマグネットロール１２を有している。薄層化ブレード１１によって現像スリーブ１０の表面に供給される現像剤６の層厚が規制されると共に、現像スリーブ１０は図示しない駆動源によって方向Ｄ４に回転し、この回転およびマグネットロール１２の磁極の作用によって現像剤６は現像スリーブ１０の表面に供給され、後述する露光装置１３によって感光体８に形成された静電潜像を現像するとともに、感光体８に転写されなかった現像剤６は現像ステーション２の内部に回収される。
【００７０】
１３は露光装置である。露光装置１３は露光光源としての有機エレクトロルミネッセンス素子を６００ｄｐｉ（dot／inch）の解像度で列状に配置した発光素子列を有しており
、帯電器９によって所定の電位に帯電した感光体８に対し、画像データに応じて選択的に有機エレクトロルミネッセンス素子をＯＮ／ＯＦＦすることで、最大Ａ４サイズの静電潜像を形成する。現像スリーブ１０に所定の電位（現像バイアス）を印加すると、この静電潜像部分と現像スリーブ１０の間に電位勾配が生じる。そして、現像スリーブ１０の表面に供給され、所定の電位に帯電している現像剤６中のトナーにクーロン力が作用し、感光体８には現像剤６のうちトナーのみが付着し、静電潜像が顕画化される。
【００７１】
後に詳細に説明するように露光装置１３には、有機エレクトロルミネッセンス素子の光量を計測する光量計測手段として、実施の形態１で詳細に説明した光検出素子１２０が設けられている。
【００７２】
１６は転写ローラである。転写ローラ１６は感光体８に対し記録紙搬送路５と対向する位置に設けられており、図示しない駆動源により方向Ｄ５に回転する。転写ローラ１６には所定の転写バイアスが印加されており、感光体８上に形成されたトナー像を、記録紙搬送路５を搬送されてきた記録紙３に転写する。
【００７３】
以降図６に戻って説明を続ける。
【００７４】
１７はトナーボトルであり、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのトナーが格納されている。トナーボトル１７から各現像ステーション２Ｙ〜２Ｋには図示しないトナー搬送用のパイプが配設され、各現像ステーション２Ｙ〜２Ｋにトナーを供給している。
【００７５】
１８は給紙ローラであり、図示しない電磁クラッチを制御することで方向Ｄ１に回転し、給紙トレイ４に装填された記録紙３を記録紙搬送路５に送り出す。
【００７６】
給紙ローラ１８と最上流のイエロー現像ステーション２Ｙの転写部位との間に位置する記録紙搬送路５には、入口側のニップ搬送手段としてレジストローラ１９、ピンチローラ２０対が設けられている。レジストローラ１９、ピンチローラ２０対は、給紙ローラ１８により搬送された記録紙３を一時的に停止させ、所定のタイミングでイエロー現像ステーション２Ｙの方向に搬送する。この一時停止によって記録紙３の先端がレジストローラ１９、ピンチローラ２０対の軸方向と平行に規制され、記録紙３の斜行を防止する。
【００７７】
２１は記録紙通過検出センサである。記録紙通過検出センサ２１は反射型センサ（フォトリフレクタ）によって構成され、反射光の有無で記録紙３の先端および後端を検出する。
【００７８】
さて図示しない電磁クラッチによって動力伝達を制御しレジストローラ１９の回転を開始すると記録紙３は記録紙搬送路５に沿ってイエロー現像ステーション２Ｙの方向に搬送されるが、レジストローラ１９の回転開始のタイミングを起点として、各現像ステーション２Ｙ〜２Ｋの近傍に配置された露光装置１３Ｙ〜１３Ｋによる静電潜像の書込みタイミング、現像バイアスのＯＮ／ＯＦＦ、転写バイアスのＯＮ／ＯＦＦなどがそれぞれ独立して制御される。
【００７９】
以降図７を用いて説明を続ける。
【００８０】
図７に示す露光装置１３から現像領域（感光体８と現像スリーブ１０の間隔が最も狭い部位の近傍）までの距離は設計事項であるから、例えば露光装置１３による露光を開始して感光体８上に形成された潜像が現像領域に到達する時間も設計事項である。
【００８１】
実施の形態２ではレジストローラ１９の回転開始のタイミングを起点として、後に説明するように複数ページを連続して印字する際に、記録紙搬送路５を搬送される記録紙と記録紙の間（即ち紙間）において露光装置１３を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の光量を設定して点灯させるとともに、感光体８上に形成された潜像位置に対して現像バイアスをＯＦＦにするような制御を行なっている。
【００８２】
以降図６に戻って説明を続ける。
【００８３】
最下流のブラック現像ステーション２Ｋの更に下流側に位置する記録紙搬送路５には出口側のニップ搬送手段として定着器２３が設けられている。定着器２３は加熱ローラ２４と加圧ローラ２５から構成されている。
【００８４】
２７は加熱ローラ２４の温度を検出するための温度センサである。温度センサ２７は金属酸化物を主原料とし、高温で焼結して得られるセラミック半導体であり、温度に応じて負荷抵抗が変化することを応用して接触した対象物の温度を計測することができる。温度センサ２７の出力は後述するエンジン制御部４２に入力され、エンジン制御部４２は温度センサ２７の出力に基づいて加熱ローラ２４に内蔵された熱源（図示せず）に供給する電力を制御し、加熱ローラ２４の表面温度が約１７０℃となるように制御する。
【００８５】
この温度制御がなされた加熱ローラ２４と加圧ローラ２５によって形成されるニップ部にトナー像が形成された記録紙３が通紙されると、記録紙３上のトナー像は加熱ローラ２４と加圧ローラ２５によって加熱および加圧され、トナー像が記録紙３上に定着される。
【００８６】
２８は記録紙後端検出センサであり、記録紙３の排出状況を監視するものである。３２はトナー像検出センサである。トナー像検出センサ３２は発光スペクトルの異なる複数の発光素子（共に可視光）と単一の受光素子を用いた反射型センサユニットであり、記録紙３の地肌と画像形成部分とで、画像色に応じて吸収スペクトルが異なることを利用して画像濃度を検出するものである。またトナー像検出センサ３２は画像濃度のみならず画像形成位置も検出できるため、実施の形態２における画像形成装置１ではトナー像検出センサ３２を画像形成装置１の幅方向に２ヶ所設け、記録紙３上に形成した画像位置ずれ量検出パターンの検出位置に基づき画像形成タイミングを制御している。
【００８７】
３３は記録紙搬送ドラムである。記録紙搬送ドラム３３は表面を２００μｍ程度の厚さのゴムで被覆した金属製ローラであり、定着後の記録紙３は記録紙搬送ドラム３３に沿って方向Ｄ２に搬送される。このとき記録紙３は記録紙搬送ドラム３３によって冷却されると共に、画像形成面と逆方向に曲げられて搬送される。これによって記録紙全面に高濃度の画像を形成した場合などに発生するカールを大幅に軽減することができる。その後、記録紙３は蹴り出しローラ３５によって方向Ｄ６に搬送され、排紙トレイ３９に排出される。
【００８８】
３４はフェイスダウン排紙部である。フェイスダウン排紙部３４は支持部材３６を中心に回動可能に構成され、フェイスダウン排紙部３４を開放状態にすると、記録紙３は方向Ｄ７に排紙される。このフェイスダウン排紙部３４は閉状態では記録紙搬送ドラム３３と共に記録紙３の搬送をガイドするように、背面に搬送経路に沿ったリブ３７が形成されている。
【００８９】
３８は駆動源であり、実施の形態２ではステッピングモータを採用している。駆動源３８によって給紙ローラ１８、レジストローラ１９、ピンチローラ２０、感光体８Ｙ〜８Ｋ、および転写ローラ１６（図７参照）を含む各現像ステーション２Ｙ〜２Ｋの周辺部、定着器２３、記録紙搬送ドラム３３、蹴り出しローラ３５の駆動を行っている。
【００９０】
４１はコントローラであり外部のネットワークを介して図示しないコンピュータなどからの画像データを受信し、プリント可能な画像データを展開、生成する。後に詳細に説明するように、コントローラ４１に搭載されたコントローラＣＰＵ（図示せず）は露光装置１３Ｙ〜１３Ｋから発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子の光量の計測データを受け取り光量補正データの生成を行なう光量補正手段であるとともに、この光量補正データに基づき有機エレクトロルミネッセンス素子の光量を設定する光量設定手段でもある。
【００９１】
４２はエンジン制御部である。エンジン制御部４２は画像形成装置１のハードウェアやメカニズムを制御し、コントローラ４１から転送された画像データおよび光量補正データに基づいて記録紙３にカラー画像を形成すると共に、上述した定着器２３の加熱ローラ２４の温度制御を含む画像形成装置１の制御全般を行っている。
【００９２】
４３は電源部である。電源部４３は、露光装置１３Ｙ〜１３Ｋ、駆動源３８、コントローラ４１、エンジン制御部４２へ所定電圧の電力供給を行なうと共に、定着器２３の加熱ローラ２４への電力供給を行っている。また感光体８の表面を帯電するための帯電電位、現像スリーブ（図７参照）に印加する現像バイアス、転写ローラ１６に印加する転写バイアスなどのいわゆる高圧電源系もこの電源部に含まれている。エンジン制御部４２は電源部４３を制御することで、高圧電源のＯＮ／ＯＦＦのみならず出力電圧値や出力電流値を調整している。
【００９３】
また電源部４３には電源監視部４４が含まれ、少なくともエンジン制御部４２に供給される電源電圧、および電源部４３の出力電圧をモニタできるようになっている。このモニタ信号はエンジン制御部４２において検出され、電源スイッチのオフや停電などの際に発生する電源電圧の低下や、特に高圧電源の出力異常を検出している。
【００９４】
以上のように構成された画像形成装置１について、図６と図７を用いてその動作について説明する。
【００９５】
なお以降の説明において、画像形成装置１の構成および動作全般に関わる説明については主に図６を用い、現像ステーション２Ｙ〜２Ｋ、感光体８Ｙ〜８Ｋ、露光装置１３Ｙ〜１３Ｋのように色を区別して説明するが、露光や現像過程など単色に関わる説明については主に図７を用い、簡単のために現像ステーション２、感光体８、露光装置１３のように色を区別せずに説明する。
【００９６】
＜初期化動作＞
まず画像形成装置１に電源が投入された際の初期化動作について説明する。
【００９７】
電源が投入されるとエンジン制御部４２に搭載されたエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は画像形成装置１を構成する電気的リソース、即ち書込み／読出しが可能なレジスタ、メモリなどのエラーチェックを実行する。このエラーチェックが完了するとエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は駆動源３８の回転を開始する。上述したように駆動源３８によって給紙ローラ１８、レジストローラ１９、ピンチローラ２０、感光体８Ｙ〜８Ｋ、および転写ローラ１６を含む各現像ステーション２Ｙ〜２Ｋの周辺部、定着器２３、記録紙搬送ドラム３３、蹴り出しローラ３５が駆動される。ただし電源投入直後は記録紙３の搬送にかかわる給紙ローラ１８およびレジストローラ１９は、これらに駆動力を伝達する電磁クラッチ（図示せず）は直ちにＯＦＦに設定され、記録紙３を搬送することがないように制御されている。
【００９８】
以降図７を中心に説明を続ける。
【００９９】
駆動源３８（図６参照）の回転に伴って現像ステーション２の攪拌パドル７ａ、７ｂおよび現像スリーブ１０も回転を始め、これによって現像ステーション２に充填されたトナーとキャリアからなる現像剤６は現像ステーション２内を周回するとともに、トナーとキャリアの相互の摩擦によってトナーはマイナス電荷を付与される。
【０１００】
エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は駆動源３８（図６参照）の回転を開始して所定時間経過後に、電源部４３（図６参照）を制御して帯電器９をＯＮにする。帯電器９によって感光体８の表面は例えば−７００Ｖの電位に帯電される。感光体８は方向Ｄ３に回転しており、エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は帯電領域が現像領域、即ち感光体８と現像スリーブ１０の最近接位置に到達した後に、電源部４３（図６参照）を制御して現像スリーブ１０に例えば−４００Ｖの現像バイアスを印加する。このとき感光体８の表面電位は−７００Ｖであり、現像スリーブ１０に印加された現像バイアスは−４００Ｖであるから、電気力線は現像スリーブ１０から感光体８の方向を向き、マイナス電荷を有するトナーに作用するクーロン力は感光体８から現像スリーブ１０の方向となる。よってトナーは感光体８に付着することはない。
【０１０１】
既に述べたように電源部４３（図６参照）には高圧電源の出力異常（例えばリークなど）をモニタする機能があり、エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は帯電器９や現像スリーブ１０に高電圧を印加した際の異常をチェックすることができる。
【０１０２】
これら一連の初期化動作の最後にエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は、露光装置１３の光量補正を実行する。エンジン制御部４２（図６参照）に搭載されたエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）はコントローラ４１（図６参照）に対して光量補正用のダミーイメージ情報の作成要求を出力する。この作成要求に基づきコントローラ４１（図６参照）は光量補正用のダミーイメージ情報を生成し、これに基づいて露光装置１３を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子は初期化の時点で実際に点灯制御される。実施の形態２では、このときに上述した露光装置１３に設けられた光検出素子１２０で有機エレクトロルミネッセンス素子１１０（いずれも、図９（ａ）等を参照）の光量を計測し、この光量の検出結果に基づいて個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量が略等しくなるように光量の補正を行なっている。光量の計測は上述したように画像形成装置１の感光体８や現像ステーション２Ｙ〜２Ｋなどの作像に係るユニットが駆動している状態で実行される。これは感光体８の回転を停止した状態で光量を計測すると感光体８の同一部分が継続的に露光され、いわゆる光暴露の状態となって感光体８の特性が局所的に劣化するためである。よって光量の計測は少なくとも感光体８を回転駆動させると共に、感光体８へのトナー付着を防止するために帯電器９で感光体８を帯電させた状態で行なう。
【０１０３】
＜画像形成動作＞
次に画像形成装置１の画像形成時の動作について引き続き図６および図７を参照して説明する。
【０１０４】
コントローラ４１に外部からイメージ情報が転送されると、コントローラ４１はイメージ情報を印字可能な例えば２値画像データとしてイメージメモリ（図示せず）に展開する。イメージ情報の展開が完了するとコントローラ４１に搭載されたコントローラＣＰＵ（図示せず）はエンジン制御部４２に対して起動要求を発する。この起動要求はエンジン制御部４２に搭載されたエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）によって受信され、起動要求を受信したエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は直ちに駆動源３８を回転させて画像形成の準備を開始する。
【０１０５】
この過程は電気的リソースに関するエラーチェックを除き、既に説明した＜初期化動作＞と同様であり、エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）はこの時点でも上述の光量を計測することが可能である。ただし後述するように光量の計測には１０秒程度の時間を要することからファーストプリント時間（最初の一枚目を印字するのに要する時間）に影響を与える。従ってこの起動時の光量補正は、図示しない操作パネルあるいは画像形成装置１の外部（例えばコンピュータ）からの指示によってユーザが実行の有無を選択可能としている。
【０１０６】
上述した過程を経て画像形成の準備が完了すると、エンジン制御部４２に搭載されたエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は、電磁クラッチ（図示せず）を制御して給紙ローラ１８を回転させ記録紙３の搬送を開始する。給紙ローラ１８は例えば全周の一部を欠いた半月ローラであって、記録紙３をレジストローラ１９の方向に搬送するとともに、一回転するとその回転を停止する。エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は搬送された記録紙３の先端が記録紙通過検出センサ２１で検出すると、所定のディレイ期間を設けた上で電磁クラッチ（図示せず）を制御してレジストローラ１９を回転させる。このレジストローラ１９の回転に伴って記録紙３は記録紙搬送路５に供給される。
【０１０７】
エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は、このレジストローラ１９の回転を開始のタイミングを起点として、各露光装置１３Ｙ〜１３Ｋによる静電潜像の書込みタイミングをそれぞれ独立に制御する。静電潜像の書込みタイミングは画像形成装置１における色ずれなどに直接的に影響するため、この書込みタイミングはエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）が直接発生させることはない。具体的にはエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は、図示しないハードウェアであるタイマなどに各露光装置１３による静電潜像の書込みタイミングを予め設定しておき、上述したレジストローラ１９の回転を起点として各露光装置１３Ｙ〜１３Ｋに対応するタイマの動作を同時に開始する。各タイマは予め設定された時間が経過すると、コントローラ４１に対して画像データ転送要求を出力する。
【０１０８】
画像データ転送要求を受信したコントローラ４１のコントローラＣＰＵ（図示せず）は、コントローラ４１のタイミング生成部（図示せず）で生成されたタイミング信号（クロック信号、ライン同期信号など）に同期して２値画像データを各露光装置１３Ｙ〜１３Ｋに独立して転送する。このようにして２値画像データが露光装置１３Ｙ〜１３Ｋに送られ、この２値画像データに基づき露光装置１３Ｙ〜１３Ｋを構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の点灯／消灯が制御され各色に対応した感光体８Ｙ〜８Ｋが露光される。
【０１０９】
露光によって形成された潜像は、図７に示すように現像スリーブ１０上に供給された現像剤６に含まれるトナーによって顕画化される。顕画化された各色のトナー像は記録紙搬送路５を搬送されてきた記録紙３に順次転写される。４色のトナー像の転写を完了した記録紙３は定着器２３に搬送され、定着器２３を構成する過熱ローラ２４と加圧ローラ２５によって挟持搬送され、この熱と圧力によってトナー像は記録紙３に定着される。
【０１１０】
形成されるべき画像が複数ページの場合は、エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は１ページ目の記録紙３の後端を記録紙通過検出センサ２１で検出した後、レジストローラ１９の回転を一旦停止し、所定の時間経過後に給紙ローラ１８を回転させて次の記録紙３の搬送を開始し、更に所定時間経過後に再度レジストローラ１９の回転を開始して、次のページの記録紙３を記録紙搬送路５に供給する。このようにレジストローラ１９の回転ＯＮ／ＯＦＦのタイミング制御によって、複数のページにわたって画像を形成する場合に記録紙３の間の紙間を設定することができる。この紙間による時間（以降紙間時間と呼称する）は画像形成装置１の仕様によっても異なるが、一般に５００ｍｓ程度を設定することが多い。もちろんこの紙間の期間には通常の画像形成動作（即ち露光装置１３による感光体８に対する露光動作）が行われることはない。
【０１１１】
本発明に係る画像形成装置１は、このように複数ページの画像形成を行なう際に、各ページ間に相当する期間（紙間時間）に露光装置１３を構成する発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）を発光させ、その光量を計測するようにしている。この際の光量は＜初期化動作＞で説明したように、通常の画像形成時よりも低く制御され、現像に寄与しない光量が設定される。
【０１１２】
さて上述したように実施の形態２における紙間時間は５００ｍｓ程度である。後に詳細に説明するが＜初期化動作＞の説明でも触れたように、実施の形態２では全ての有機エレクトロルミネッセンス素子に対して光量を計測するのに必要な時間は約１０秒程度であり、一回の紙間時間の中で全ての有機エレクトロルミネッセンス素子の光量を計測することはできない。よって実施の形態２では各ページ間に相当する期間に有機エレクトロルミネッセンス素子の光量を計測するに際し、露光装置１３を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子のうち一部の有機エレクトロルミネッセンス素子の光量を計測するようにしている。
【０１１３】
紙間時間は５００ｍｓであり、光量の計測期間は１０秒程度であることから、単純計算によれば、紙間が約２０回発生すれば露光装置１３を構成する全ての有機エレクトロルミネッセンス素子の光量を計測できることになる。もちろん一連の印刷ジョブにおけるページ数はそれ以下であることも多いが、このような場合は印刷ジョブが完了した後に（画像形成装置１が印字指令待ちの待機状態に移行する際に）光量を計測するようにしてもよい。
【０１１４】
図８は本発明の実施の形態２の画像形成装置１における露光装置１３の構成図である。
以降露光装置１３の構造について図８を用いて詳細に説明する。図８において１００は無色透明なガラス基板である。
【０１１５】
ガラス基板１００の面Ａには発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子が図面と垂直な方向（主走査方向）に６００ｄｐｉ（dot／inch）の解像度で形成されている。
５１はプラスティックまたはガラスで構成される棒レンズ（図示せず）を列状に配置したレンズアレイであり、ガラス基板１００の面Ａに形成された有機エレクトロルミネッセンス素子の出射光を正立等倍の像として感光体８の表面に導く。
【０１１６】
５２は例えばガラスエポキシ基板の上に電子回路を構成した中継基板である。５３ａはコネクタＡ、５３ｂはコネクタＢであり、中継基板５２には少なくともコネクタＡ５３ａおよびコネクタＢ５３ｂが実装されている。中継基板５２は例えばフレキシブルフラットケーブルなどのケーブル５６によって露光装置１３に外部から供給される画像データや光量補正データ、およびその他の制御信号をコネクタＢ５３ｂを介して一旦中継し、これらの信号をガラス基板１００に渡す。
【０１１７】
ガラス基板１００の表面にコネクタを直接実装することは接合強度や多様な環境における信頼性を考慮すると困難であるため、実施の形態２では中継基板５２のコネクタＡ５３ａとガラス基板１００との接続手段としてＦＰＣ（Flexible Printed Circuit；フレキシブルプリント回路）を採用し（図示せず）、ガラス基板１００とＦＰＣの接合は例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film；異方性導電フィルム）を用いて、予めガラス基板１００上に形成された回路パターン例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；錫ドープ酸化インジウム）などの電極に形成された電極パッドに直接接続する構成としている。
【０１１８】
一方コネクタＢ５３ｂは、露光装置１３を外部と接続するためのコネクタである。一般的にＡＣＦなどによる接続は接合強度が問題となる場合が多いが、このように中継基板５２上にユーザが露光装置１３を接続するためのコネクタＢ５３ｂを設けることで、ユーザが直接アクセスするインタフェースに十分な強度を確保することができる。
【０１１９】
５４ａは筐体Ａであり金属板を例えば折り曲げ加工により成型したものである。筐体Ａ５４ａの感光体８に対向する側にはＬ字状部位５５が形成されており、Ｌ字状部位５５に沿ってガラス基板１００およびレンズアレイ５１が配設されている。筐体Ａ５４ａの感光体８側の端面とレンズアレイ５１の端面を同一面に合わせ、更に筐体Ａ５４ａによってガラス基板１００の一端部を支持する構造とすることで、Ｌ字状部位５５の成型精度を確保すれば、ガラス基板１００とレンズアレイ５１の成す位置関係を精度よく合わせ込むことが可能となる。このように筐体Ａ５４ａは寸法精度を要求されるため、金属にて構成することが望ましい。また筐体Ａ５４ａを金属製とすることで、ガラス基板１００上に形成される制御回路およびガラス基板１００上に表面実装されるＩＣチップなどの電子部品へのノイズの影響を抑制することが可能である。
【０１２０】
５４ｂは樹脂を成型して得られる筐体Ｂである。筐体Ｂ５４ｂのコネクタＢ５３ｂの近傍には切欠き部（図示せず）が設けられており、ユーザはこの切欠き部からコネクタＢ５３ｂにアクセスが可能となっている。コネクタＢ５３ｂに接続されたケーブル５６を介して既に説明したコントローラ４１（図６参照）から露光装置１３に画像データ、光量補正データ、クロック信号やライン同期信号などの制御信号、制御回路の駆動電源、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源などが供給される。
【０１２１】
図９（ａ）は本発明の実施の形態２の画像形成装置１における露光装置１３に係るガラス基板１００の上面図であり、図９（ｂ）は同要部拡大図である。
以降図９に図８を併用して実施の形態２におけるガラス基板１００の構成について詳細に説明する。
【０１２２】
図９においてガラス基板１００は厚みが約０．７ｍｍの、少なくとも長辺と短辺を有する長方形形状の基板であり、その長辺方向（主走査方向）には発光素子である複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が列状に形成されている。実施の形態２ではガラス基板１００の長辺方向には少なくともＡ４サイズ（２１０ｍｍ）の露光に必要な有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が配置され、ガラス基板１００の長辺方向は後述する駆動制御部５８の配置スペースを含め２５０ｍｍとしている。また実施の形態２では簡単のためにガラス基板１００を長方形として説明するが、ガラス基板１００を筐体Ａ５４ａに取り付ける際の位置決め用などのために、ガラス基板１００の一部に切り欠きを設けるような変形を伴っていてもよい。
【０１２３】
５８はガラス基板１００の外部から供給される２値画像データ、光量補正データおよびクロック信号やライン同期信号などの制御信号を受け取り、これらの信号に基づいて有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動を制御する駆動制御部であり、これらの信号をガラス基板１００の外部から受け取るインタフェース手段とインタフェース手段を介して受け取った制御信号に基づき有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動を制御するＩＣチップ（ソースドライバ６１）を含んでいる。
【０１２４】
６０は中継基板５２のコネクタＡ５３ａとガラス基板１００とを接続するインタフェース手段としてのＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）であり、コネクタなどを介さずガラス基板１００に設けられた図示しない回路パターンに直接接続されている。既に説明したように露光装置１３に外部から供給された、２値画像データ、光量補正データおよびクロック信号やライン同期信号などの制御信号、制御回路の駆動電源、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動電源は、図８に示す中継基板５２を一旦経由した後にＦＰＣ６０を介してガラス基板１００に供給される。
【０１２５】
１１０は有機エレクトロルミネッセンス素子であり、露光装置１３における露光光源である。実施の形態２では有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は主走査方向に６００ｄｐｉの解像度で５１２０個が列状に形成されており、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０はそれぞれ独立に後述のＴＦＴ回路によって点灯／消灯を制御される。
【０１２６】
６１は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動を制御するＩＣチップとして供給されるソースドライバであり、ガラス基板１００上にフリップチップ実装されている。ガラス面へ表面実装を行なうことを考慮しソースドライバ６１はベアチップ品を採用している。ソースドライバ６１には露光装置１３の外部からＦＰＣ６０を介して電源、クロック信号、ライン同期信号などの制御関連信号および８ｂｉｔの光量補正データが供給される。ソースドライバ６１は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対する駆動電流設定手段である。より具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量補正手段であり光量設定手段でもある、コントローラ４１（図６参照）に搭載されたコントローラＣＰＵ（図示せず）によって生成された光量補正データに基づいて、ソースドライバ６１は個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動するための駆動電流を設定する。光量補正データに基づくソースドライバ６１の動作については後に詳細に説明する。
【０１２７】
ガラス基板１００においてＦＰＣ６０の接合部とソースドライバ６１は、例えば表面にメタルを形成したＩＴＯの回路パターン（図示せず）を介して接続されており、駆動電流設定手段たるソースドライバ６１にはＦＰＣ６０を介して光量補正データ、クロック信号、ライン同期信号などの制御信号が入力される。このようにインタフェース手段としてのＦＰＣ６０および駆動パラメータ設定手段としてのソースドライバ６１は駆動制御部５８を構成している。
【０１２８】
６２はガラス基板１００上に形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路である。ＴＦＴ回路６２はシフトレジスタ、データラッチ部など、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯／消灯のタイミングを制御するゲートコントローラ（図示せず）、および個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に駆動電流を供給する駆動回路１６０を含んでいる（図１参照）。なお、この駆動回路１６０はピクセル回路６９（図１３参照。後述する）に含まれている。ピクセル回路は各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対して１つずつ設けられ、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が形成する発光素子列と並列に設けられている。駆動パラメータ設定手段であるソースドライバ６１によって、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動するための駆動電流値がこのピクセル回路に設定される。
【０１２９】
ＴＦＴ回路６２を構成するゲートコントローラ（図示せず）には露光装置１３の外部からＦＰＣ６０を介して電源、クロック信号、ライン同期信号などの制御信号および２値画像データが供給され、ゲートコントローラ（図示せず）はこれらの電源および信号に基づいて個々の発光素子の点灯／消灯タイミングを制御する。ゲートコントローラおよびピクセル回路（ともに図示せず）の動作については後に図面を用いて詳細に説明する。
６２ａもまた、ガラス基板１００に形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路である。ＴＦＴ回路６２ａは、実施の形態１で詳細に説明した選択トランジスタ１３０（図１参照）の集合を含んでいる。
【０１３０】
６４は封止ガラスである。有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は水分の影響を受けると発光領域の経時的な収縮（シュリンキング）や、発光領域内に非発光部位（ダークスポット）が生じるなどして発光特性が極端に劣化するため、水分を遮断するための封止が必要である。実施の形態２ではガラス基板１００に接着剤を介して封止ガラス６４を貼り付けるベタ封止法を採用しているが、封止領域は一般に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が構成する発光素子列から副走査方向に２０００μｍ程度が必要とされており、実施の形態２でも封止しろとして２０００μｍを確保している。
図９に示すように、封止ガラス６４は接着剤６３によってガラス基板１００に接着されている。封止ガラス６４は選択トランジスタ１３０の集合を含むＴＦＴ回路６２ａを完全に被覆し、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動回路の集合を含むＴＦＴ回路６２の一部を被覆する。もちろん封止ガラス６４によってＴＦＴ回路６２の全てを被覆するようにしても構わない。接着剤６３および封止ガラス６４によってＴＦＴ回路６２ａを完全に被覆することで、露光装置の量産工程において、ガラス基板１００をマザーガラスから切り出す（ダイシング）際に、ＴＦＴ回路６２ａにクラック等が入ることが防止され、歩留まりの向上を図ることができる。なお封止およびダイシングについては後述する。
【０１３１】
ガラス基板１００には実施の形態１で詳細に説明した光検出素子１２０が、ガラス基板１００の長辺に沿って主走査方向に配置されている。５９は少なくともチャージアンプ１５０およびＡＤコンバータ２４０（共に図３参照）を含む処理回路部である。この光検出素子１２０によって個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量が計測される。計測に際しては原則的には有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を一つ一つ個別に点灯して光量を計測する必要があるが、計測の対象となる有機エレクトロルミネッセンス素子１１０から離間した光検出素子１２０には、その発光の影響が殆どないことから、実施の形態２では光検出素子１２０を個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対応して設け、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を同時に計測することを可能としている。
【０１３２】
複数の光検出素子１２０の出力は図示しない配線によって処理回路部５９に入力される。処理回路部５９はアナログ／ディジタル混載のＩＣチップである。光検出素子１２０の出力は、処理回路部５９において電荷蓄積法による電圧変換を施され、更に所定の増幅率で増幅された後にアナログ−ディジタル変換され、このディジタル変換後のディジタルデータ（以降、光量計測データと呼称する）が、ＦＰＣ６０、中継基板５２、ケーブル５６（ともに図８参照）を介して露光装置１３の外部に出力される。後に詳細に説明するように光量計測データはコントローラ４１（図６参照）に搭載されたコントローラＣＰＵ（図示せず）にて受信、処理されて８ｂｉｔの光量補正データが生成される。
【０１３３】
図１０は本発明の実施の形態２の画像形成装置１におけるコントローラ４１の構成を示すブロック構成図である。
以降図１０を用いてコントローラ４１の動作を説明するとともに、光量補正について更に詳細に説明する。
【０１３４】
図１０において８０はコンピュータである。コンピュータ８０はネットワーク８１に接続され、ネットワーク８１を経由してコントローラ４１にイメージ情報や印字枚数や印字モード（例えばカラー／モノクロ）などのプリントジョブ情報を転送する。８２はネットワークインタフェースである。コントローラ４１はネットワークインタフェース８２を介してコンピュータ８０から転送されたイメージ情報やプリントジョブ情報を受信し、イメージ情報を印字可能な２値画像データに展開するとともに、逆に画像形成装置側で検出されたエラー情報などをいわゆるステータス情報としてネットワーク８１経由でコンピュータ８０に送信する。
【０１３５】
８３はコントローラＣＰＵであり、ＲＯＭ８４に格納されたプログラムに基づきコントローラ４１の動作を制御する。８５はＲＡＭでありコントローラＣＰＵ８３のワークエリアとして使用されるとともに、ネットワークインタフェース８２を介して受信したイメージ情報やプリントジョブ情報などが一時的に記憶される。
【０１３６】
８６は画像処理部である。画像処理部８６ではコンピュータ８０から転送されたイメージ情報とプリントジョブ情報に基づき、ページ単位に画像処理（例えばプリンタ言語に基づくイメージ展開処理、色補正、エッジ補正、スクリーン生成など）を行って印字可能な２値画像データを生成し、これをページ単位にイメージメモリ６５に格納する。
【０１３７】
６６は例えばＥＥＰＲＯＭなど書き換え可能な不揮発性メモリによって構成された光量補正データメモリである。
【０１３８】
図１１は本発明の実施の形態２の画像形成装置１における光量補正データメモリの内容を示す説明図である。
【０１３９】
以降図１１を用いて光量補正データメモリにおけるデータ構造およびデータの内容について説明する。
【０１４０】
図１１に示すように光量補正データメモリ６６は第１エリアから第３エリアの三つの領域を有している。それぞれの領域は露光装置１３（図８参照）を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０（図９参照）の個数と等しい５１２０個の８ｂｉｔのデータを含み、合計１５３６０バイトを占有している。
【０１４１】
まず第１エリアに格納されているデータＤＤ［０］〜ＤＤ［５１１９］について図１１に図８と図９を併用して説明する。
【０１４２】
既に説明した露光装置１３（図８参照）は、その製造工程において露光装置１３を構成する個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０（図９参照）の光量を調整する工程を含んでいる。この工程において露光装置１３は所定の治具（図示せず）に取り付けられ、露光装置１３の外部から供給される制御信号に基づいて、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が個別に点灯制御される。
【０１４３】
更に治具（図示せず）に設けられたＣＣＤカメラによって、感光体８（図８参照）の像面位置における個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の二次元の光量分布が計測される。治具（図示せず）はこの光量分布に基づき感光体８上に形成される潜像の電位分布を計算し、更に実際の現像条件（現像バイアス値）に基づいてトナー付着量との相関が高い潜像断面積を計算する。治具（図示せず）では有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動するための駆動電流値を変化させ｛既に説明したようにソースドライバ６１（図９参照）を介してＴＦＴ回路６２（図９参照）を構成するピクセル回路にアナログ値をプログラムすることで有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する電流値を設定することができる。｝個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積のどれもが略等しくなるような駆動電流値、即ちピクセル回路への設定値（制御する観点からはソースドライバ６１への設定データ）を抽出する。
【０１４４】
さて有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光面積および発光面内における発光光量分布が等しく、かつ通常の現像条件を想定した場合、上述の潜像断面積は光量とほぼ比例する。更に「露光時間を一定としたときの発光光量」と「露光量」は同義であり、また一般的に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光光量と駆動電流値（即ちピクセル回路への設定値）は比例するから、全てのピクセル回路への駆動電流設定を同一とした上で個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光光量を一度計測することで、各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０による潜像断面積を一定にするピクセル回路への設定値（前述のごとくソースドライバ６１への設定データ）を計算によって求めることも可能である。
【０１４５】
光量補正データメモリ６６の第１エリアには、このようにして求めたソースドライバ６１への設定データが格納されている。その個数は前述のごとく露光装置１３を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の個数と等しい（即ちピクセル回路の個数とも等しい）５１２０個である。このように光量補正データメモリ６６の第１エリアには「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくするためのソースドライバ６１の設定値」が格納されている。
【０１４６】
次に第２エリアに格納されているデータＩＤ［０］〜ＩＤ［５１１９］について図１１に図８と図９を併用して説明する。
【０１４７】
治具は第１エリアに格納されるデータを取得するのと同時に、露光装置１３の処理回路部５９（図９参照）を介して光検出素子１２０（図９参照）の出力に基づく８ｂｉｔの光量計測データを取得する。これによって「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくした際の光量計測データ」を取得できる。第２エリアにはこの８ｂｉｔの光量計測データＩＤ［ｎ］が格納されている。
【０１４８】
さて治具によってＩＤ［ｎ］を取得する際の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動条件は、光量計測時と同等にしておく必要があり、実施の形態２では後述するように画像形成装置１の１ライン期間（ラスタ期間）である３５０μｓを複数回適用して総計約３０ｍｓの点灯期間を付与している。
【０１４９】
このようにして露光装置１３の製造工程において第１エリアおよび第２エリアに格納されるデータが取得され、これらのデータは図示しない電気的な通信手段によって治具から光量補正データメモリ６６に書き込まれる。
【０１５０】
次に第３エリアに格納されているデータＮＤ［０］〜ＮＤ［５１１９］について図１１に図８と図９および図１０を併用して説明する。
【０１５１】
本発明の実施の形態２に係る画像形成装置１は、光量計測手段としての光検出素子１２０による計測結果に基づき、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の各々の光量を略等しく補正する光量補正手段｛コントローラＣＰＵ８３（図１０参照）｝を有し、この光量補正手段の出力に基づいて、光量設定手段（同じくコントローラＣＰＵ８３）は画像形成を行なう際の各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を設定する。第３エリアには光量補正手段たるコントローラＣＰＵ８３によって画像形成を行なう際の各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量の設定値、即ち光量補正データが書き込まれる。
【０１５２】
実施の形態２の画像形成装置１では、画像形成装置１の初期化動作、画像形成動作の起動時、紙間、画像形成動作の完了時などにおいて、露光装置１３を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測することは既に述べたとおりである。コントローラＣＰＵ８３はこれらの時点で計測された光量計測データと、露光装置１３の製造工程において第１エリアに格納された「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくするためのソースドライバ６１の設定値」と、同じく露光装置１３の製造工程において第２エリアに格納された「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくした際の光量計測データ」とに基づいて光量補正データを生成する。
【０１５３】
以降コントローラＣＰＵ８３による光量補正データの計算内容について説明するが、本発明のポイントを明確にするため、まず光量計測時の光量を画像形成時と等しくしたと想定して説明する。
【０１５４】
第１エリアに格納された「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくするためのソースドライバ６１の設定値」をＤＤ［ｎ］（ｎは主走査方向における個々の有機エレクトロルミネッセンス素子番号、以下同じ）、第２エリアに格納された「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくした際の光量計測データ」をＩＤ［ｎ］、初期化動作などにおいて新たに計測された光量計測データをＰＤ［ｎ］とするとき、第３のエリアに書き込まれる新たな光量補正データＮＤ［ｎ］は（数１）に基づきコントローラＣＰＵ８３によって生成される。
【０１５５】
（数１）
ＮＤ[ｎ]＝ＤＤ[ｎ]×ＩＤ[ｎ]／ＰＤ[ｎ]  
（ただしｎは主走査方向における個々の有機エレクトロルミネッセンス素子番号）
【０１５６】
さて（数１）に示す計算式は光量補正データ算出にあたっての原則的な計算式であり、上述のごとく画像形成時と光量計測時の光量が等しい場合に適用されるべきものである。実施の形態２では光量補正に係る光量計測の際の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を画像形成の際の光量よりも小さく設定する。これを実現するためには光量の計測をする際は、露光装置１３に送出する光量補正データとしてＤＤ［ｎ］に１より小さい定数ｋを乗じ、これに基づいて有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を点灯させればよい。例えばｋを０．５し、これを乗じた光量補正データＤＤ［ｎ］を前述したようにソースドライバ６１（図９参照）を介して図示しないピクセル回路にプログラムすることで、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を、画像形成時と比較して０．５倍の光量（単位はｃｄ／ｍ２）で発光させることができる。そしてこのときの新たな光量補正データＮＤ［ｎ］は（数２）に基づいて生成すればよい。
【０１５７】
（数２）
ＮＤ[ｎ]＝ＤＤ[ｎ]×（ＩＤ[ｎ]／ｋ）／ＰＤ[ｎ]  
（ただしｎは主走査方向における個々の有機エレクトロルミネッセンス素子番号、ｋは１より小さい定数）
【０１５８】
このようにして生成された光量補正データＮＤ［ｎ］は一旦光量補正データメモリ６６（図１０参照）のエリア３に書き込まれる。以降画像形成に先立って光量補正データＮＤ［ｎ］は光量補正データメモリ６６からイメージメモリ６５（図１０参照）の所定の領域にコピーされる。画像を形成するにあたってイメージメモリ６５にコピーされた光量補正データＮＤ［ｎ］は、２値画像データとともに後述するバッファメモリ８８（図１０参照）に一時的に蓄積され、プリンタインタフェース８７（図１０参照）を介してエンジン制御部４２（図１０参照）に出力される。
【０１５９】
光量計測データは前述した処理回路部５９（図９参照）において電荷蓄積法による電圧変換を施される。電荷蓄積法はＳＮ比を向上させるために有効であるが、光検出素子１２０（図９参照）の出力（電流値）は微小であるため、電荷蓄積にはある程度の蓄積時間を必要とする。実施の形態２では蓄積時間を３０ｍｓ程度とすることで光量計測におけるＳＮ比＝４８ｄＢを確保している。しかし蓄積時間を３０ｍｓとすると光量の計測には長時間を要する。５１２０個の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０（図９参照）に対して一つずつ光量を計測すると５１２０×３０ｍｓ＝１５４秒となってしまい、実用に耐えられるものではない。よって実施の形態２では光検出素子１２０をガラス基板１００上に集積化して形成した多結晶シリコンセンサとし、これを１６群に分け群単位で同時に電荷蓄積を行ない、電荷蓄積後の光検出素子１２０の端子電圧を計測することで、隣接する光検出素子１２０間のクロストークを抑えた上で処理の高速化を実現している。これによって光量の計測は１５４／１６＝９．６秒で行なうことが可能となった。
【０１６０】
以降図１０に戻って説明を続ける。
【０１６１】
８８はバッファメモリであり、イメージメモリ６５に格納された２値画像データおよび前述の光量補正データは、エンジン制御部４２への転送にあたって一旦バッファメモリ８８に蓄積される。バッファメモリ８８はイメージメモリ６５からバッファメモリ８８への転送速度と、バッファメモリ８８からエンジン制御部４２へのデータ転送速度の差を吸収するため、いわゆるデュアルポートＲＡＭによって構成されている。
【０１６２】
８７はプリンタインタフェースである。イメージメモリ６５に格納されたページ単位の２値画像データおよび光量補正データは、タイミング生成部６７が生成するクロック信号やライン同期信号と同期してプリンタインタフェース８７を介してエンジン制御部４２に転送される。
【０１６３】
図１２は本発明の実施の形態２の画像形成装置１におけるエンジン制御部４２の構成を示すブロック構成図である。
以降図１２に図６を併用してエンジン制御部４２の動作を詳細に説明する。
【０１６４】
図１２において９０はコントローラインタフェースである。コントローラインタフェース９０は、コントローラ４１から転送される光量補正データ、ページ単位の２値画像データなどを受信する。
【０１６５】
９１はエンジン制御ＣＰＵであり、ＲＯＭ９２に格納されたプログラムに基づき画像形成装置１における画像形成動作を制御している。９３はＲＡＭでありエンジン制御ＣＰＵ９１が動作する際のワークエリアとして使用される。９４はＥＥＰＲＯＭなどのいわゆる書き換え可能な不揮発性メモリである。不揮発性メモリ９４には例えば画像形成装置１の感光体８の回転時間、定着器２３（図６参照）の動作時間など、構成要素の寿命に関する情報が格納されている。
【０１６６】
９５はシリアルインタフェースである。記録紙通過検出センサ２１（図６参照）や記録紙後端検出センサ２８（図６参照）などのセンサ群からの情報や電源監視部４４（図６参照）の出力は、図示しないシリアル変換手段によって所定の周期のシリアル信号に変換され、シリアルインタフェース９５で受信される。シリアルインタフェース９５で受信されたシリアル信号はパラレル信号に変換された後にバス９９を介してエンジン制御ＣＰＵ９１に読取られる。
【０１６７】
一方給紙ローラ１８や駆動源３８（ともに図６参照）の起動・停止、給紙ローラ１８（図６参照）に対する駆動力伝達を制御する電磁クラッチ（図示せず）などのアクチュエータ群９６に対する制御信号や、現像バイアス、転写バイアス、帯電電位などの電位設定を管理する高圧電源制御部９７に対する制御信号などは、パラレル信号としてシリアルインタフェース９５に送られる。シリアルインタフェース９５ではパラレル信号をシリアル信号に変換してアクチュエータ群９６、高圧電源制御部９７に出力する。このように実施の形態２では高速に検出する必要のないセンサ入力やアクチュエータ制御信号の出力は全てシリアルインタフェース９５を介して行っている。一方ある程度の高速性が要求される例えばレジストローラ１９を駆動／停止させるための制御信号はエンジン制御ＣＰＵ９１の出力端子に直接接続されている。
【０１６８】
９８はシリアルインタフェース９５に接続された操作パネルである。ユーザが操作パネル９８に対して行なった指示はシリアルインタフェース９５を介してエンジン制御ＣＰＵ９１によって認識される。実施の形態２ではユーザの指示を入力する指示入力手段としての操作パネル９８を有し、この操作パネル９８への入力に基づいて、露光装置１３を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測し、光量を補正するようにしている。この指示は外部のコンピュータなどからコントローラ４１を経由して与えることももちろん可能である。具体的な使用態様としては、例えば大量の印字を行なった際にユーザが印字面に濃度ムラを発見したような場合に、ユーザが光量の補正を強制的に行なって画質確保を図るような場合が想定される。画像形成装置１が待機中であればユーザはいつでも強制的な光量補正の実行を指示することが可能であるし、画像形成時であっても画像形成装置１をオフラインに遷移させ画像形成を一時的に保留することで、ユーザは光量補正の実行を指示することができる。
【０１６９】
いずれにしても指示手段としての操作パネル９８などから光量の補正要求が入力されると、エンジン制御ＣＰＵ９１は＜初期化動作＞で説明したように、画像形成装置１の構成要素の駆動を開始し、コントローラ４１に対して光量補正用のダミーイメージ情報の作成要求を出力する。この要求に基づきコントローラ４１に搭載されたコントローラＣＰＵ８３は光量補正用のダミーイメージ情報を生成し、これに基づいて露光装置１３を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は点灯制御される。このときに上述した露光装置１３に設けられた光検出素子１２０で、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を検出し、この光量の検出結果に基づいて個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量が略等しくなるように光量の補正を行なう。
【０１７０】
次に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測する際の動作について、図１２に図６、図１０および図１１を併用して詳細に説明する。
【０１７１】
既に述べたように光量の補正は画像形成装置１の起動直後の初期化動作、印字開始前、紙間、印字開始後、操作パネル９８などによるユーザ指定時のタイミングで行なわれるが、簡単のために画像形成装置１の初期化動作時点で光量の計測を実行する場合について説明する。また実施の形態２の画像形成装置１はフルカラー画像を形成可能に構成されたものであり、既に説明したように４色に対応した露光装置１３Ｙ〜１３Ｋ（図６参照）を有しているが、これも簡単のために１色に対する動作のみを説明し、露光装置１３のように記載する。また以下に示す状況において例えば駆動源３８（図６参照）や現像ステーション２（図７参照）などは、＜初期化動作＞にて既に詳細を示したように既に起動されているものとする。
【０１７２】
画像形成装置１において画像形成動作を管理しているのはエンジン制御部４２であるため、光量の補正シーケンスはエンジン制御部４２のエンジン制御ＣＰＵ９１によって起動される。まずエンジン制御ＣＰＵ９１はコントローラ４１に対して、画像形成に係る正規の２値画像データとは異なるダミーイメージ情報の作成要求を出力する。
【０１７３】
エンジン制御部４２とコントローラ４１は双方向のシリアルインタフェース（図示せず）で接続されており、リクエストコマンド（要求）およびこれに対するアクノリッジ（応答情報）を相互にやり取りすることができる。エンジン制御ＣＰＵ９１が発するダミーイメージ情報の作成要求は、この双方向のシリアルインタフェース（図示せず）を用いてバス９９を経由しコントローラインタフェース９０からコントローラ４１に出力される。
この要求に基づいてコントローラ４１に搭載されたコントローラＣＰＵ８３はダミーイメージ情報、即ち光量の計測に用いる２値画像データをイメージメモリ６５に直接的に作成する。更にコントローラＣＰＵ８３は光量補正データメモリ６６の第１エリア（図６参照）に格納された「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくするためのソースドライバ６１の設定値」ＤＤ［ｎ］（ｎ：０〜５１１９）を読出し、これに１より小さい定数ｋ（例えば０．５）を乗じて、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を通常の画像形成時よりも低く設定する。そしてこの値をイメージメモリ６５の所定領域に書き込む。これらの処理を完了するとコントローラＣＰＵ８３はプリンタインタフェース８７を介して応答情報をエンジン制御部４２に出力する。
【０１７４】
さて上述の応答情報を受信したエンジン制御部４２のエンジン制御ＣＰＵ９１は、直ちに露光装置１３に対して書込みタイミングを設定する。即ちエンジン制御ＣＰＵ９１は図示しないハードウェアであるタイマなどに露光装置１３による静電潜像の書込みタイミングを設定し、応答情報を受信したら直ちにタイマの動作を開始する（この機能はもともと複数の露光装置１３の色毎の起動タイミングを定めるためのものである。光量の計測においてはこのような厳密なタイミング設定は不要であり、例えばタイマに０を設定してもよい）。各タイマは予め設定された時間が経過すると、コントローラ４１に対して画像データ転送要求を出力する。画像データ転送要求を受信したコントローラ４１はコントローラインタフェース９０を介してタイミング生成部６７で生成されたタイミング信号（クロック信号、ライン同期信号など）に同期して２値画像データを露光装置１３に転送する。これと同時に既にイメージメモリ６５に書き込まれた「通常の画像形成時よりも低く設定された光量の設定値」も上述のタイミング信号に同期して露光装置１３に転送される。なお光量計測時ではなく通常の画像形成時は、「通常の画像形成時よりも低く設定された光量の設定値」の代わりに光量補正データ（既に説明したＮＤ［ｎ］）が同じ転送経路によって露光装置１３に供給されることになる。
【０１７５】
このようにタイミング信号に同期して転送された２値画像データは露光装置１３のＴＦＴ回路６２に入力され、同時に光量の設定値は露光装置１３のソースドライバ６１に入力される。露光装置１３では入力された２値画像データ、即ちＯＮ／ＯＦＦ情報に基づいて該当する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯と消灯が制御される。そしてこのときの有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量は、光量の設定値に基づくものとなり通常の画像形成時に対する光量より低い光量で発光する。そしてこのときの個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量は光検出素子１２０で計測される。
【０１７６】
計測に際しては、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯がクロストークを防止するように制御され、その光量が光検出素子１２０によって計測される。光検出素子１２０の出力（アナログ電流値）は処理回路部５９において電荷蓄積法によって電圧に変換され、所定の増幅率で増幅された後、アナログ−ディジタル変換を施されて８ｂｉｔの光量計測データ（ディジタルデータ）として処理回路部５９から出力される。
【０１７７】
処理回路部５９から出力された光量計測データはコントローラインタフェース９０を経由してエンジン制御部４２からコントローラ４１に転送され、コントローラ４１のコントローラＣＰＵ８３によって受信される。コントローラＣＰＵ８３では、図１０、図１１を用いて説明したように、これを（数２）のＰＤ［ｎ］として光量補正データＮＤ［ｎ］を生成する。
【０１７８】
図１３は本発明の実施の形態２の画像形成装置１における露光装置１３の回路図である。
以降図１３を用いてＴＦＴ回路６２およびソースドライバ６１による点灯制御についてより詳細に説明する。
【０１７９】
ＴＦＴ回路６２はピクセル回路６９とゲートコントローラ６８とに大別されている。ピクセル回路６９は個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対して一つずつ設けられており、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０のＭ画素分を一つのグループとしてガラス基板１００上にＮグループ設けられている。
【０１８０】
実施の形態２においては一つのグループを８画素（即ちＭ＝８）とし、このグループを６４０個としている。従って全画素数は８×６４０＝５１２０画素となる。各ピクセル回路６９は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に電流を供給して駆動するドライバ部７０と、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を点灯制御するにあたってドライバが供給する電流値（即ち有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動電流値）を内部に含むコンデンサに記憶させる、いわゆる電流プログラム部７１を有しており、予め所定のタイミングでプログラムされた駆動電流値に従って有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を定電流駆動することができる。
【０１８１】
ゲートコントローラ６８は入力された２値画像データを順次シフトするシフトレジスタと、シフトレジスタと並列に設けられシフトレジスタに所定の画素数の入力が完了した後にこれらを一括して保持するラッチ部と、これらの動作タイミングを制御する制御部からなる（共に図示せず）。ゲートコントローラ６８はコントローラ４１から２値画像データ（画像形成時はコントローラ４１によって変換されたイメージ情報、光量計測時はコントローラ４１によって変換されたダミーイメージ情報）を渡され、この２値画像データ即ちＯＮ／ＯＦＦ情報に基づいてＳＣＡＮ＿ＡおよびＳＣＡＮ＿Ｂ信号を出力し、これによってピクセル回路６９に接続された有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯／消灯を行なう期間および、駆動電流を設定する電流プログラム期間のタイミングを制御する。
【０１８２】
一方ソースドライバ６１は内部に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０のグループ数Ｎに相当する数（実施の形態２では６４０個）のＤ／Ａコンバータ７２を有している。ソースドライバ６１はＦＰＣ６０を介して供給された８ｂｉｔの光量補正データ（画像形成時は図１１に示すＮＤ［ｎ］、光量計測時は図１１に示すＤＤ［ｎ］に１より小さい定数ｋを乗じた値）に基づいて、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対する駆動電流を設定する。この構成によって画像形成時においては既に述べた光量補正データＮＤ［ｎ］によって個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量が均一に制御され、光量計測時においては通常の画像形成時の光量よりも低い光量で有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量が制御される。
【０１８３】
図１４は本発明の実施の形態２の画像形成装置１における露光装置１３に係る電流プログラム期間と有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯期間を示す説明図である。
以降図１４に図１３を併用して実施の形態２の点灯制御について更に詳細に説明する。以降説明を簡単にするために８画素から成る一つの画素グループ（例えば図１４の「主走査方向における画素番号」＝１〜８）について説明を行なう。
【０１８４】
実施の形態２では露光装置１３の１ライン期間（ラスタ期間）は３５０μｓに設定されており、この１ライン期間のうち１／８（４３．７５μｓ）を電流プログラム部７１に形成されたコンデンサに対し駆動電流値を設定するプログラム期間として当てている。
【０１８５】
まずゲートコントローラ６８（図１３参照）は画素番号＝１の画素に対してＳＣＡＮ＿Ａ信号をＯＮに、ＳＣＡＮ＿Ｂ信号をＯＦＦにしてプログラム期間を設定する。プログラム期間にソースドライバ６１（図１３参照）に内蔵されたＤ／Ａコンバータ７２には８ｂｉｔの光量補正データが供給されており、この供給された光量補正データをＤ／Ａ変換したアナログレベル信号によって電流プログラム部７１（図１３参照）のコンデンサが充電される。このプログラム期間はゲートコントローラ６８に入力される２値画像データのＯＮ／ＯＦＦに係らず実行される。これによって電流プログラム部７１に形成されたコンデンサには、８ｂｉｔの光量補正データ（画像形成時は図１１に示すＮＤ［ｎ］、光量計測時は図１１に示すＤＤ［ｎ］に１より小さい定数ｋを乗じた値）に基づくアナログ値が１ライン期間の都度、毎回書き込まれる。即ち電流プログラム部７１に形成されたコンデンサの蓄積電荷は常にリフレッシュされ、これに基づき決定される有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動電流は常に一定に保たれるのである。
【０１８６】
プログラム期間が完了するとゲートコントローラ６８（図１３参照）は直ちにＳＣＡＮ＿Ａ信号をＯＦＦに、ＳＣＡＮ＿Ｂ信号をＯＮに切り替えて点灯期間を設定する。既に説明したようにゲートコントローラ６８（図１３参照）には画像形成時、光量計測時に応じて２値画像データが供給されており、点灯期間であっても画像データがＯＦＦの場合、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は点灯しない。一方画像データがＯＮの場合、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は残りの３０６．２５μｓ（３５０μｓ−４３．７５μｓ）の期間、点灯を継続する（実際は制御信号の切り替わり時間が存在するため発光時間は若干短くなる）。既に述べたように実施の形態２では有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測する際は３０ｍｓの計測期間を想定しているため、光量計測時の点灯回数は例えば１００回（即ち１００ライン）となるように、コントローラ４１でダミーイメージ情報が生成されることとなる。
【０１８７】
一方、図１４に示す画素番号＝１のピクセル回路６９（図１３参照）に対するプログラム期間が終了すると、ゲートコントローラ６８（図１３参照）は直ちに画素番号＝８のピクセル回路６９（図１３参照）に対する電流プログラム期間を設定する。以降、画素番号１のピクセル回路に対する手順と同様に、画素番号８のピクセル回路に対するプログラム期間が完了すると直ちに当該画素番号の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０（図１３参照）の点灯期間に移行する。
【０１８８】
このようにしてゲートコントローラ６８（図１３参照）は主走査方向における画素番号＝「１→８→２→７→３→６→４→５→１．．．．」の順にプログラム期間と点灯期間を設定していく。このような点灯順序とすることで、隣接する画素グループ間において最も近い画素の点灯タイミングが時間的に近接するため、１ライン形成時の画像段差を目立たなくすることができる。
【０１８９】
さて実施の形態２においては露光装置１３を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯時間を一定とし、電流値を変化させることで、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を制御する構成を前提として説明してきたが、本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０などの発光素子の駆動電流値を固定的に設定し、点灯時間を変化させて発光素子の光量を制御する、いわゆるＰＷＭ方式においても容易に適用できる。この場合は図１１を用いて説明した第１エリアの内容を「潜像断面積を等しくするための駆動時間の設定値」と置き換えればよい。
【０１９０】
また露光装置によっては有機エレクトロルミネッセンス素子などによって構成された発光素子列を複数列有し、感光体の回転方向に対して略同じ位置に複数回の露光を行なうことで、潜像を形成するものも知られている。このような露光装置であっても複数回の露光によって形成される潜像が現像に寄与しないように光量やＰＷＭ時間を設定することで、本発明の技術的思想を適用することが可能となる。このような露光装置では単一の発光素子列では現像に寄与する潜像は形成されないから、例えば紙間において列単位で光量を計測するようなシーケンスが考えられる。
【０１９１】
また実施の形態２では露光装置１３のガラス基板１００に配置した光検出素子１２０を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測しているが、本発明の技術的思想はこれに限定されるものではない。ＴＦＴ回路６２を構成可能な例えば低温ポリシリコンの光透過率は比較的高いため、実施の形態２で説明したガラス基板１００側から露光光を取り出すいわゆるボトムエミッション構成であっても、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の内部に各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対応する光検出素子１２０を埋設することができる。この場合の光検出素子１２０は例えば個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光面の直下全面に形成してもよいし、その一部に対応して形成してもよい。
また、露光装置１３のガラス基板１００の端面に、例えばアモルファスシリコンから構成された複数のセンサ部をフィルム状に配列したセンサユニット（図示せず）を貼り付け、このセンサユニットによってガラス基板１００内部を伝播する反射光を計測するようにしてもよい。このような構成においても、本発明の技術思想をそのまま適用することが可能である。
【０１９２】
以上述べてきたように、実施の形態２では電子写真法を応用した画像形成装置について説明したが、本発明は電子写真法に限られるものではない。有機エレクトロルミネッセンス素子によってＲＧＢ光源は容易に実現できるため、例えば露光光源としてＲ光源、Ｇ光源、Ｂ光源をそれぞれ有する複数の露光装置を配置し、ＲＧＢ各色の画像データに基づいて印画紙を直接的に露光する画像形成装置に対しても容易に応用が可能であることは言うまでもない。
【０１９３】
（実施の形態３）
図１５（ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態３に係る露光装置における素子配列の例を説明する説明図である。
以降、本発明の実施の形態３として、素子配列の変形例について説明する。
前記実施の形態１では図１５（ａ）に模式図を示すように、選択トランジスタ１３０と容量素子１４０と光検出素子１２０とは、発光素子列とはほぼ直交する方向に直線上に並ぶように配列した（図１参照）が、図１５（ｂ）に模式図を示すように、容量素子１４０が、選択トランジスタ１３０および光検出素子１２０からずれて、千鳥状をなすように配列されていてもよい。ここで１１０は有機エレクトロルミネッセンス素子を示す。
【０１９４】
なお、前記実施の形態では、ＴＦＴからなる光検出素子１２０を用いた例について説明したが、光検出素子１２０としてはＴＦＴに限定されることなく、アモルファスシリコンや多結晶シリコンなどを一対の電極で挟んだいわゆるサンドイッチ構造のイメージセンサなど、他の構造の光検出素子にもて起用可能である。
（実施の形態４）
図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の実施の形態４に係る露光装置における素子配列の例を説明する説明図である。
これまで説明した実施の形態では、図１６（ａ）に構成を模式的に示すように、光検出素子１２０は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対して１対１に対応するように形成しており、個々の素子のデータを的確に把握することができるという特徴を有するが、これに代えて、２対１対応のものあるいはｎ対１対応のものも有効である。
変形例として、図１６（ｂ）に構成を模式的に示すように、光検出素子１２０は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対して２対１に対応するように形成してもよい。この構成によれば、２つの光出射領域に対して、１つの光検出素子を対応させて配置することで、光検出回路数を半分にすることができる。ただ、この場合は光検出素子と有機エレクトロルミネッセンス素子との切り替えの同期に十分に注意を払う必要がある。
さらにまた他の変形例として、図１６（ｃ）に構成を模式的に示すように、光検出素子１２０は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対してｎ対１（ｎは３個以上）対応するように形成してもよい。この構成では、ｎ個の光出射領域に対して、１つの光検出素子を対応させて配置することで、光検出回路数を大幅に少なくすることができる。ただ、この場合は光検出素子に不良が生じた場合、ｎ個分の有機エレクトロルミネッセンス素子の光量補正が不適切なものとなり、光量のばらつきが拡大されることに十分に注意を払う必要がある。
なお、以上の実施の形態において、光検出素子１２０は露光装置において発光素子が出射する光を検出するものとして説明したが、本発明に係る技術思想は、例えばスキャナなどに用いられるイメージセンサにも適用することができる。即ち、複数の光検出素子からなる光検出素子列と、光検出素子の各々に並列接続された容量素子と、この容量素子に接続され容量素子に蓄積された電荷の読み出しを制御するスイッチング用の選択トランジスタとを備え、選択トランジスタと光検出素子を、容量素子を挟んで離間して配置する構成とすればよい。イメージセンサとしての実施態様においても、容量素子分だけ光検出素子と選択トランジスタが離間することになり、また容量素子は電極を２層以上、層間絶縁膜を介して向かい合うように形成してなるものであるため、遮光性が高く、確実に迷光を防止可能であることから、誤動作を防ぐことが可能である。
（実施の形態５）
図１７は本発明の実施の形態５に係る露光装置の要部断面図である。
なお図１７は図９におけるＦ−Ｆ断面を示している。
以降図１７に図９を併用して封止ガラス６４によって封止される部分の構成について詳細に説明する。
なお、以降の説明において、露光装置を構成するガラス基板１００上に、露光に必要な様々な機能要素を形成したものを、便宜的に「光ヘッド本体部」と呼称する。
この光ヘッド本体部は、図９および図１７に示すように、ガラス基板１００と、このガラス基板１００上に、光検出素子１２０、光量検出回路Ｃ（平面図として図１参照）と、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子１１０、その駆動回路１６０とを集積化して形成したもので、光量検出回路Ｃの一部であるスイッチング用の選択トランジスタ１３０が発光素子列よりも、ガラス基板１００の端面側に形成されている。なお、実施の形態５では、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０と光検出素子１２０は重畳して形成されている。
そして、少なくとも、最もガラス基板１００の端部に形成された選択トランジスタ１３０が接着剤６３で被覆され、この接着剤６３を介して封止ガラス６４が固着されている。もちろん、図示するように光量検出回路Ｃも含めて接着剤６３で被覆するようにしてもよい。
【０１９５】
上述した光ヘッド本体部（露光装置）の製造に際しては、多数の露光装置を大判のマザーガラスＧＭ（後述する）に集積して複数形成し、実装後個々の光ヘッド本体部を切り出すダイシング工程において、ガラス基板１００にクラックが生じると、ＴＦＴを構成する多結晶シリコンからなる半導体層の剥離や劣化が生じ、素子特性の低下を招き易いが、この構成により、接着剤６３が、下層の半導体層を確実に保護し、信頼性の向上をはかることができる。
【０１９６】
図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の実施の形態５に係る露光装置の製造工程を説明する説明図である。
以降図９、図１７、および図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて露光装置の製造工程、特にガラス基板１００をマザーガラスＧＭから個々に切り出す（ダイシング）過程について説明する。
製造に際しては、図１８（ａ）に示すように、マザーガラスＧＭと呼ばれるガラス母材上に、多結晶シリコン層を成膜し、パターニング工程および必要に応じてドーピング工程を経て、さらに絶縁膜、金属膜などの導電性膜を形成し、選択トランジスタ１３０を含む光量検出回路Ｃおよび、光検出素子１２０、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０、駆動回路１６０などの素子部を形成する。
【０１９７】
この後、図１８（ｂ）に示すように、選択トランジスタ１３０を含む光量検出回路Ｃの領域に接着剤６３を塗布する。なお、この接着剤６３の塗布領域は、ダイシング時にダイシングソーの歯と触れないようダイシング用の溝部としてのダイシングラインＤＬから０．５ｍｍ程度離間させて塗布するのが望ましい。更に図９に示すように、光ヘッド本体部の周囲を囲うように接着剤６３が塗布される。そして、図１８（ｃ）に示すように、この上に封止ガラス６４を装着する。
封止ガラス６４を装着した後、マザーガラスＧＭはダイシングラインＤＬの位置で複数の光ヘッド本体部に分割される。
【０１９８】
図１９は本発明の実施の形態５におけるマザーガラスの平面図である。
マザーガラスは、例えば３２０ｍｍ×４００ｍｍのサイズを有する一枚ガラスである。
図１９に示すように、ダイシングラインＤＬに沿ってダイシングを行い、図９に示した個々の光ヘッド本体部に分割する。なお図１９では、図面が複雑になるのを避けるためにダイシングラインＤＬを一本のみ描いているが、実際の工程では図示する全ての光ヘッド本体部が分割される。また当然に光ヘッド本体部の長手方向（図１９において２５０ｍｍと記載した方向。図９における主走査方向と同じ。）は、例えば２５０ｍｍの幅となるように副走査方向（図９参照）に図示しないダイシングラインＤＬが設けられる。
【０１９９】
ダイシング時にかかる応力によってダイシングラインＤＬの部分にはクラックが入り易いが、選択トランジスタ１３０を含む光量検出回路Ｃは接着剤６３で被覆されているため、仮にクラックが発生したとしても、接着剤６３が塗布された領域でクラックの進行を抑制することができると共に、光量検出回路Ｃそのものも接着剤層で保護され、信頼性の向上を図ることが可能となる。また、封止ガラス６４の装着に際しても、光量検出回路Ｃは接着剤６３で覆われているため、封止ガラス６４装着時の応力も緩和され、クラックの発生は防止される。
【０２００】
なお、ダイシングを行う段階で、接着剤６３は完全に固化している必要はない。むしろ封止ガラス６４がマザーガラス上に完全に固着する前にダイシングする方が、応力を分散させるのに有効であり、特に電極等の配線部分にクラックが発生するのを防止することができる。
【０２０１】
図２０は本発明の実施の形態５におけるマザーガラスの平面図である。
また前記実施の形態では、封止ガラス６４を装着した後、ダイシングを行うことにより、個々の光ヘッド本体部に分割したが、図２０に示すように、ダイシング時点では封止ガラス６４を装着せず、分割後に封止ガラスを装着するようにしてもよい。この場合は、熱溶融性の樹脂材料を接着剤６３として使用し、接着剤６３を塗布した後、ダイシングを行い、接着剤６３上に封止ガラス６４を載せた状態で熱圧着するようにしてもよい。
【０２０２】
ダイシングの時点において、接着剤６３が完全に液状であると、クラック防止の機能を十分果たすことはできない。よって図２０に示す状態でマザーガラスを分割する場合は、予め接着剤６３を半硬化状態（即ち、マザーガラスに加わる応力に対してある程度対抗でき、かつ後の封止ガラス６４の接着を可能とする粘度）まで固化させ、この状態でダイシングすればよい。
【０２０３】
また、接着剤６３を二度塗りするようにしてもよい。即ちこの場合は、ダイシングに際して第１の接着剤を塗布して、これを半固化あるいは完全に固化させた後にダイシングを行い、その後に再度接着剤を塗布して封止ガラス６４を接着すればよい。このようにすれば、ダイシング時と封止ガラス６４の接着のそれぞれに最適な特性を有する接着剤を利用できるので、結果的に製造歩留まりが向上する。
【０２０４】
また、異なる特性を有する複数の種類の接着剤（例えば一方がＵＶ硬化型、他方が熱硬化型）を同時に塗布し（例えば図９に示す接着剤６３の塗布領域において、外側をＵＶ硬化型とし、内側を熱硬化型とする。工程の上で、最初に硬化させる接着剤が、接着剤６３の塗布領域の外側に塗布されていればよい）、ＵＶ照射を行ってＵＶ硬化型の接着剤６３を固化させて回路部分を保護した後にダイシングを行い、次に封止ガラス６４を重ねて熱を加えて完全に硬化させるようにしてもよい。
【０２０５】
いずれにせよ、ガラス基板１００の端部、即ち光量検出回路Ｃの配置領域は接着剤６３で覆われているため、ダイシング時のクラックの進行は抑制される。また、この場合も封止ガラス６４の装着に際しても選択トランジスタ１３０を含む光量検出回路Ｃは接着剤６３で覆われているため、封止ガラス６４装着時の応力も緩和され、クラックの発生は防止される。
【０２０６】
また上述の説明では、接着剤６３はライン状に形成したが、接着剤６３を封止ガラス６４の全領域に対応するように塗布してもよいし（ベタ封止）、封止ガラス６４を用いずに、例えば金属、樹脂の積層体で構成されるラミネートフィルムによって封止してもよい（薄膜封止）。
【０２０７】
また、ダイシング時の応力緩和のためには、接着剤６３はガラス基板１００の端面から０．５ｍｍ以上離間してなるのが望ましく、これにより、接着剤６３で被覆されていない端部の領域が、応力緩和領域となり、ダイシング時の応力発生を抑制することができる。また、この領域にクラックが入ったとしても、接着剤６３でクラックの進行が阻止され、信頼性の向上を図ることが可能となる。
【０２０８】
なお、本発明においては以下のような態様も有効である。
本発明の封止体は、基板と、前記基板上に半導体素子を形成してなる素子部と、前記基板上の前記素子部の少なくとも一部を封止部材で封止した封止体であって、前記素子部の少なくとも一部が、前記基板の端部の辺に沿って供給された接着剤で被覆され、前記接着剤を介して前記封止部材が固着される。
この構成によれば、使用環境に温度変化がある場合にも、接着剤の存在により、クラックの進行は、抑制され、素子部の保護を図ることが可能となる。
【０２０９】
また、本発明は、上記封止体において、前記基板および封止部材がガラスで構成され、前記素子部が、半導体薄膜に形成された半導体素子を含み、前記半導体素子の少なくとも一部が前記接着剤で覆われたものを含む。
この構成により、クラックの進行により、破壊されると極めて深刻なダメージとなる半導体素子が接着剤で被覆され、接着剤がクラックの進行を抑制するという効果をもつ。すなわち、接着剤が半導体素子の保護層として作用する。また、接着剤に、固着される封止部材がさらに補強効果をもち、使用時のみならず、製造時においても補強効果を有する。また製造時においては封止部材を固着する封止工程だけでなく、マザーガラスから個々に分割するダイシング工程においても半導体素子を保護し、信頼性の高い封止体を形成することが可能となる。
【０２１０】
また、本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に形成された発光素子と、前記発光素子から出力される光を検出する光量検出回路とを具備し、前記光量検出回路が、光検出素子と、前記光検出素子に並列接続された容量素子と、前記容量素子に接続され、前記容量素子の読み出しを制御するスイッチング用の薄膜トランジスタとを備え、前記発光素子の光量を検出するように構成されており、前記光検出回路の一部が前記素子列よりも、前記基板の端面側に形成され、前記素子列よりも前記基板の端面側に位置する光検出回路が、接着剤で被覆され、前記接着剤を介して前記封止部材が固着されたことを特徴とする。
この構成により、光検出回路の、例えばスイッチング素子として用いられる薄膜トランジスタ列上に接着剤を形成することにより、薄膜トランジスタはこの接着剤で保護される。
【０２１１】
また、本発明は、上記発光装置において、前記基板および封止部がガラスで構成された
ものを含む。
この構成により、基板および封止部がクラックを生じやすいガラスで構成されている場
合にも、接着剤の存在により、素子が保護され、信頼性が向上する。
【０２１２】
また、本発明は、上記発光装置において、前記素子列よりも前記基板の端面側に、前記
スイッチング用の薄膜トランジスタが配列されており、前記選択トランジスタの列は前記
接着剤で被覆されたものを含む。
基板にクラックが生じると、選択トランジスタを構成するアモルファスシリコンあるい
は多結晶シリコンなどの半導体層の剥離や劣化が生じ、素子特性の低下を招き易いが、こ
の構成により、接着剤が、下層の半導体層を確実に保護し、信頼性の向上をはかることが
できる。
【０２１３】
また、本発明は、上記発光装置において、前記接着剤は前記基板の端面から所定の間隔
を隔てた位置にライン状に形成されたものを含む。
この構成により、ライン状の接着剤が下地であるガラス基板上の半導体素子を保護し、
微細な領域で確実にガラス基板上の半導体素子をクラックから保護することが可能となる
。
【０２１４】
また、本発明は、上記発光装置において、前記接着剤は前記基板の端面から所定の間隔
を隔てた位置を含むようにコの字状に形成されたものを含む。
この構成により、より確実に基板を保護すると共にガラス封止を確実にすることが可能
となる。なお、基板端面以外の領域では、適宜接着剤を形成し、必要な領域が封止領域と
なるように構成する。
【０２１５】
また、本発明は、上記発光装置において、前記接着剤は前記基板の端面から１ｍｍ以上
離間してなるものを含む。
この構成により、ダイシング時の応力緩和のためには、接着剤は前記基板の端面から１
ｍｍ以上離間してなるのが望ましく、これにより、接着剤で被覆されていない端部の領域
が、応力緩和領域となり、ダイシング時の応力発生を抑制している。また、この領域にク
ラックが入ったとしても、接着剤でクラックの進行が阻止され、信頼性の向上を図ること
が可能となる。このように、極めて微細な領域を残して接着剤を形成することにより、ダ
イシング時にガラス基板にわずかなクラックが入った場合にも接着剤でクラックの進行を
阻止することが可能となる。
【０２１６】
また、本発明は、上記発光装置において、前記接着剤は前記基板の端面と一致するよう
に形成されたものを含む。
この構成により、ダイシング箇所に接着剤が形成されているため、クラックの発生を阻
止することが可能となる。
【０２１７】
また、本発明は、上記発光装置において、前記基板は前記素子列の両端に、前記封止部
材から露呈する領域を具備し、前記領域に検査用端子が配設されたものを含む。
この構成により、封止後に検査用端子を介して簡単に検査を行うことが可能となる。
【０２１８】
また、本発明は、上記発光装置において、前記素子列は前記素子列の両端側からジャン
パー線を介して給電されるように構成されたものを含む。
この構成により、長尺基板である場合にも、電圧降下をなくし信頼性の良好な光ヘッド
を形成することが可能となる。
【０２１９】
また、本発明は、上記発光装置において、前記封止部材は前記基板の前記一辺側に偏在
するように配されたものを含む。
この構成により、封止領域が基板上に偏在している場合、クラックの発生は生じやすい
が、本発明によれば、クラックの進行を抑制し、信頼性の向上をはかることが可能となる
。
【０２２０】
また、本発明は、上記発光装置において、前記一辺に相対向する一辺側の前記封止部材
から露呈する領域に、前記発光素子を駆動するための駆動用ＩＣチップが搭載されたもの
を含む。
【０２２１】
また、本発明は、上記発光装置において、前記基板上に第１の電極と第２の電極とで発
光層を挟むように形成された光源としてのエレクトロルミネッセンス素子と、前記エレク
トロルミネッセンス素子から出力される光を検出する光電変換層を備えた光検出素子とが
積層配置され、前記エレクトロルミネッセンス素子の第１または第２の電極に接続される
駆動トランジスタを含む駆動回路と、前記光検出素子の出力に接続された光量検出回路と
を備え、前記エレクトロルミネッセンス素子および光検出素子が前記封止部材で封止され
たものを含む。
この構成により、光検出素子とエレクトロルミネッセンス素子とが積層構造で構成され
ているため、エレクトロルミネッセンス素子の発光を光検出素子で直接検出することがで
き、小型化を図ることが可能となる。
【０２２２】
また、本発明は、上記発光装置において、前記光検出素子、前記発光素子、前記光検出
回路の容量素子、スイッチング用の薄膜トランジスタ、前記駆動回路の駆動トランジスタ
は、同一基板上に集積化された回路素子であり、これらが封止部材で封止され、前記スイ
ッチング用の薄膜トランジスタが、前記接着剤下に配置されたものを含む。
【０２２３】
また本発明は、上記発光装置において、前記光検出素子、前記発光素子、前記光検出回
路の容量素子、スイッチング用の薄膜トランジスタ、前記駆動回路の駆動トランジスタは
、同一基板上に集積化された回路素子であるものを含む。
【０２２４】
そこで本発明は、上記発光装置において、前記光検出素子が、前記エレクトロルミネッ
センス素子の光出射領域ごとに１個配置されたものを含む。
この構成では、発光装置は複数の光出射領域を列状に配置して構成される。１つの光出
射領域に対して、１つの光検出素子を対応させて配置することで、複数の光出射領域から
出力される光を同時に計測することが可能となり、発光装置全体の光量の測定を高速に行
うことが可能となる。
【０２２５】
また本発明は前記発光装置において、光源として有機エレクトロルミネッセンス素子を
用いたものを含む。有機エレクトロルミネッセンス素子は、低電力で高い輝度を得ること
ができるため消費電力の点で優れた発光装置を提供することが可能となる。
【０２２６】
また本発明は前記発光装置において、光源として無機エレクトロルミネッセンス素子を
用いたものを含む。無機エレクトロルミネッセンス素子は、スクリーン印刷で製造が可能
であるため生産時の欠陥が少なく、且つクリーンルーム等の設備も必要としないので、高
い量産性を持つ。したがって製造コスト的に優れた発光装置を提供することが可能となる
。
【０２２７】
また本発明は前記発光装置において、光量補正用の検出素子を配置したものを含む。光
量の補正を目的とした光検出素子を配置すれば、前記光検出素子から光量の補正に適格な
電気信号をエレクトロルミネッセンス素子にフィードバックすることができるため、光量
の制御を適切に行うことが可能となる。
【０２２８】
また本発明は前記発光装置において、光の発光時間の補正を目的とした光検出素子を配
置したものを含む。光の発光時間の補正を目的とした光検出素子を配置すれば、前記光検
出素子から光の発光時間の補正に適格な電気信号をエレクトロルミネッセンス素子にフィ
ードバックすることができるため、発光時間の制御を適切に行うことが可能となる。
【０２２９】
また本発明は前記発光装置において、光検出素子が、エレクトロルミネッセンス素子の
駆動回路となる薄膜トランジスタと同じ層から形成されたものを含む。薄膜トランジスタ
と光検出素子をエッチング等の加工方法を用いて同じ層から形成することで、発光装置の
製造工程が簡素化し、製造に要するコストを低減させることが可能になる。特にガラス基
板上への多結晶シリコン層の形成工程は、高温プロセスを経ることになるが、１回の調整
で極めて制御性よく信頼性の高い特性を得ることが可能となる。
【０２３０】
また本発明は、上述した発光装置を備えたことを特徴とする画像形成装置である。発光
分布が均一な発光装置を搭載することで、耐久性、画質の点で優れた画像形成装置が得ら
れる。
ここでエレクトロルミネッセンス素子の光検出素子側に形成される第1の電極は通常陽
極であり、透光性を有する電極材料で構成される。
【０２３１】
また本発明の封止体は、基板と、この基板上に半導体素子を形成してなる素子部と、こ
の素子部に塗布された接着剤と、この接着剤を介して前記基板上の前記素子部の少なくと
も一部を封止する封止部材とを備える。
この構成によれば、封止部材と素子部の間に接着剤があると外部応力に対して強いため
、ダイシング時および使用時におけるクラックの発生を抑制することが可能となる。
【０２３２】
そこで本発明は、回路パターンの形成された基板の、少なくとも１つの辺に沿って、接
着剤が供給され、この接着剤を介して封止部材で前記基板の少なくとも一部を封止してな
る封止体の製造方法であって、基板母材上に所望の回路パターンを形成し、素子部を形成
する工程と、所望の回路パターンの形成された基板母材上に、接着剤を供給する工程と、
前記接着剤上に外端が来るように複数の封止部材を固着する工程と、前記接着剤の供給さ
れた領域で前記基板母材を、複数に分割するダイシング工程とを含む。
この構成により、基板母材上に接着剤を供給し、ガラス封止を行った後に、接着剤にダ
イシングラインが当接するように、ダイシングを行うため、この接着剤が、基板母材に入
ろうとするクラックを阻止するとともに、ダイシング時にかかる応力を接着剤が緩和する
ことが可能となる。また、接着剤に固着される封止部材がさらに補強効果をもち、封止部
材を固着する封止工程だけでなく、マザーガラスから個々に分割するダイシング工程にお
いても半導体素子を保護し、信頼性の高い封止体を形成することが可能となる。
【０２３３】
また本発明は、上記封止体の製造方法において、前記素子部を形成する工程が、基板上
に、配列形成された複数の発光素子からなる素子列と、前記発光素子から出力される光を
検出する光検出素子と、前記光検出素子に並列接続された容量素子とを具備し、前記発光
素子の光量を検出する光量検出回路と、これらに接続される配線パターンとを形成する光
ヘッド部を形成する工程であり、前記接着剤を供給する工程は、前記辺上の前記回路パタ
ーンの外方の端縁を覆うように接着剤を供給する工程であるものを含む。
この構成により、接着剤が回路パターンを保護すると共に、クラックの発生および進行
を阻止するため、製造歩留まりの向上を図ることが可能となる。なおここでは回路パター
ンを接着剤が覆うようにしたが、接着剤が素子部を覆うようにしてもよい。
【０２３４】
また本発明は、上記封止体の製造方法において、前記ダイシング工程は、ダイシングに
先立ち、前記基板母材にあらかじめ形成されたダイシング用の溝部を形成する工程を含む
。
この構成により、溝部に沿ってダイシングを行えばよく、位置決めが容易となる上、溝
部が接着剤の液溜の役割を果たすことになる。
【０２３５】
また本発明は、上記封止体の製造方法において、前記接着剤を供給する工程は、前記溝
部に沿って接着剤を供給する工程であるものを含む。
この構成により、接着剤の形成における位置決めが容易となる。
【０２３６】
また本発明は、上記封止体の製造方法において、前記接着剤を供給する工程は、前記溝
部に一部が接するように接着剤を供給する工程であるものを含む。
この構成により、接着剤の外端は、ダイシングによって切除されるため、接着剤を高精
度に位置規制することなく、外観の優れた封止体を形成することが可能となる。
【０２３７】
また本発明は、上記封止体の製造方法において、前記封止部材を固着する工程は、前記
封止体の長辺に沿って封止部材の１辺が当接するように、前記封止部材を固着する工程で
ある含む。
切断線が長い部分ではクラックが生じやすいが、この構成により、接着剤で保護した状
態で切断することができ、歩留まりが向上する。
【０２３８】
また本発明は、上記封止体の製造方法で形成された封止体を含む。
この構成により、使用時においても、外端が接着剤で保護されているため、クラックの
発生はなく、長寿命で信頼性の高い封止体を形成することが可能となる。
【０２３９】
また本発明は、上記封止体において、基板上に、配列形成された複数の発光素子からな
る素子列と、前記発光素子から出力される光を検出する光検出素子と、前記光検出素子に
並列接続された容量素子とを具備し、前記発光素子の光量を検出する光量検出回路と、こ
れらに接続される配線パターンとを備え、前記回路パターンは、前記基板の一辺上では、
前記接着剤で完全に被覆されたものを含む。
この構成により、確実に回路パターンが保護され被覆されるため、保護性が向上する。
また、クラックの進行により、破壊されると極めて深刻なダメージとなる回路パターンあ
るいは半導体素子が接着剤で被覆され、接着剤がクラックの進行を抑制するという効果を
もつ。
【０２４０】
また本発明は、上記封止体において、前記封止部材は前記基板の前記一辺側に偏在する
ように配されたものを含む。
封止部材が基板の一辺側に偏在するように配された場合、ダイシング時にクラックが発
生し易いが、この構成により、端部が接着剤で覆われているため、信頼性の向上をはかる
ことができる。
【０２４１】
また本発明は、上記封止体において、前記一辺に相対向する一辺側に、前記発光素子を
駆動するための駆動用ＩＣチップが搭載されたものを含む。
【０２４２】
また本発明は、上記封止体の製造方法において、前記基板上に第１の電極と第２の電極
とで発光層を挟むように形成された光源としてのエレクトロルミネッセンス素子と、前記
エレクトロルミネッセンス素子から出力される光を検出する光電変換層を備えた光検出素
子とが積層配置され、前記エレクトロルミネッセンス素子の第１または第２の電極に接続
される駆動トランジスタを含む駆動回路と、前記光検出素子の出力に接続された光量検出
回路とを備え、前記エレクトロルミネッセンス素子および光検出素子が前記封止部材で封
止されたものを含む。
【０２４３】
また本発明は、上記封止体の製造方法において、前記光検出素子、前記発光素子、前記
光検出回路の容量素子、スイッチング用の選択トランジスタ、前記駆動回路の駆動トラン
ジスタは、同一基板上に集積化された回路素子であり、これらが封止部材で封止され、前
記スイッチング用の選択トランジスタが、前記接着剤下に配置されたものを含む。
基板にクラックが生じると、選択トランジスタを構成するアモルファスシリコンあるい
は多結晶シリコンなどの半導体層の剥離や劣化が生じ、素子特性の低下を招き易いが、こ
の構成により、接着剤が、下層の半導体層を確実に保護し、信頼性の向上をはかることが
できる。
【０２４４】
また、本発明は、上記発光装置において、前記基板上に第１の電極と第２の電極とで発
光層を挟むように形成された光源としてのエレクトロルミネッセンス素子と、前記エレク
トロルミネッセンス素子から出力される光を検出する光電変換層を備えた光検出素子とが
積層配置され、前記エレクトロルミネッセンス素子の第１または第２の電極に接続される
駆動トランジスタを含む駆動回路と、前記光検出素子の出力に接続された光量検出回路と
を備え、前記エレクトロルミネッセンス素子および光検出素子が前記封止部材で封止され
たものを含む。
この構成により、光検出素子とエレクトロルミネッセンス素子とが積層構造で構成され
ているため、エレクトロルミネッセンス素子の発光を光検出素子で直接検出することがで
き、小型化を図ることが可能となる。
【０２４５】
また、本発明は、上記発光装置において、前記光検出素子、前記発光素子、前記光検出
回路の容量素子、スイッチング用の薄膜トランジスタ、前記駆動回路の駆動トランジスタ
は、同一基板上に集積化された回路素子であり、これらが封止部材で封止され、前記スイ
ッチング用の薄膜トランジスタが、前記接着剤下に配置されたものを含む。
【０２４６】
また本発明は、上記発光装置において、前記光検出素子、前記発光素子、前記光検出回
路の容量素子、スイッチング用の薄膜トランジスタ、前記駆動回路の駆動トランジスタは
、同一基板上に集積化された回路素子であるものを含む。
【０２４７】
そこで本発明は、上記発光装置において、前記光検出素子が、前記エレクトロルミネッ
センス素子の光出射領域ごとに1個配置されたものを含む。
この構成では、発光装置は複数の光出射領域を列状に配置して構成される。１つの光出
射領域に対して、１つの光検出素子を対応させて配置することで、複数の光出射領域から
出力される光を同時に計測することが可能となり、発光装置全体の光量の測定を高速に行
うことが可能となる。
【０２４８】
また本発明は前記発光装置において、光源として有機エレクトロルミネッセンス素子を
用いたものを含む。有機エレクトロルミネッセンス素子は、低電力で高い輝度を得ること
ができるため消費電力の点で優れた発光装置を提供することが可能となる。
【０２４９】
また本発明は前記発光装置において、光源として無機エレクトロルミネッセンス素子を
用いたものを含む。無機エレクトロルミネッセンス素子は、スクリーン印刷で製造が可能
であるため生産時の欠陥が少なく、且つクリーンルーム等の設備も必要としないので、高
い量産性を持つ。したがって製造コスト的に優れた発光装置を提供することが可能となる
。
【０２５０】
また本発明は前記発光装置において、光量補正用の検出素子を配置したものを含む。光
量の補正を目的とした光検出素子を配置すれば、前記光検出素子から光量の補正に適格な
電気信号をエレクトロルミネッセンス素子にフィードバックすることができるため、光量
の制御を適切に行うことが可能となる。
【０２５１】
また本発明は前記発光装置において、光の発光時間の補正を目的とした光検出素子を配
置したものを含む。光の発光時間の補正を目的とした光検出素子を配置すれば、前記光検
出素子から光の発光時間の補正に適格な電気信号をエレクトロルミネッセンス素子にフィ
ードバックすることができるため、発光時間の制御を適切に行うことが可能となる。
【０２５２】
また本発明は前記発光装置において、光検出素子が、エレクトロルミネッセンス素子の
駆動回路となる薄膜トランジスタと同じ層から形成されたものを含む。薄膜トランジスタ
と光検出素子をエッチング等の加工方法を用いて同じ層から形成することで、発光装置の
製造工程が簡素化し、製造に要するコストを低減させることが可能になる。特にガラス基
板上への多結晶シリコン層の形成工程は、高温プロセスを経ることになるが、１回の調整
で極めて制御性よく信頼性の高い特性を得ることが可能となる。
【０２５３】
また本発明は、上述した発光装置を備えたことを特徴とする画像形成装置である。発光
分布が均一な発光装置を搭載することで、耐久性、画質の点で優れた画像形成装置が得ら
れる。
ここでエレクトロルミネッセンス素子の光検出素子側に形成される第1の電極は通常陽
極であり、透光性を有する電極材料で構成される。
【０２５４】
以上、本発明の各種実施の形態を説明したが、本発明は前記実施の形態において示された事項に限定されず、明細書の記載、並びに周知の技術に基づいて、当業者がその変更・応用することも本発明の予定するところであり、保護を求める範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２５５】
以上のように本発明にかかる露光装置およびこれを用いた画像形成装置は、例えばプリンタ、複写機、ファクシミリ装置、フォトプリンタなどへの利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２５６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る露光装置を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子およびその周辺の平面図
【図２】（ａ）は本発明の実施の形態１における光検出素子の近傍の構成を示す断面図、（ｂ）は本発明の実施の形態１における容量素子の近傍の構成を示す断面図、（ｃ）は本発明の実施の形態１における選択トランジスタの近傍の構成を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態１に係る露光装置に搭載された光量検出回路、処理回路部の回路図
【図４】本発明の実施の形態１における光検出素子のゲート電圧とドレイン電流の関係を示す説明図
【図５】本発明の実施の形態１における光量検出のタイミングを示すタイミングチャート
【図６】本発明の実施の形態２の画像形成装置の構成図
【図７】本発明の実施の形態２の画像形成装置における現像ステーションの周辺を示す構成図
【図８】本発明の実施の形態２の画像形成装置における露光装置の構成図
【図９】（ａ）は本発明の実施の形態２の画像形成装置における露光装置に係るガラス基板の上面図、（ｂ）は同要部拡大図
【図１０】本発明の実施の形態２の画像形成装置におけるコントローラの構成を示すブロック構成図
【図１１】本発明の実施の形態２の画像形成装置における光量補正データメモリの内容を示す説明図
【図１２】本発明の実施の形態２の画像形成装置におけるエンジン制御部の構成を示すブロック構成図
【図１３】本発明の実施の形態２の画像形成装置における露光装置の回路図
【図１４】本発明の実施の形態２の画像形成装置における露光装置に係る電流プログラム期間と有機エレクトロルミネッセンス素子の点灯期間を示す説明図
【図１５】（ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態３に係る露光装置における素子配列の例を説明する説明図
【図１６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の実施の形態４に係る露光装置における素子配列の例を説明する説明図
【図１７】本発明の実施の形態５に係る露光装置の要部断面図
【図１８】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の実施の形態５に係る露光装置の製造工程を説明する説明図
【図１９】本発明の実施の形態５におけるマザーガラスの平面図
【図２０】本発明の実施の形態５におけるマザーガラスの平面図
【符号の説明】
【０２５７】
１    画像形成装置
２，２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋ    現像ステーション
３    記録紙
４    給紙トレイ
５    記録紙搬送路
６    現像剤
８，８Ｙ，８Ｍ，８Ｃ，８Ｋ    感光体
１０    現像スリーブ
１３，１３Ｙ，１３Ｍ，１３Ｃ，１３Ｋ    露光装置
１９    レジストローラ
２０    ピンチローラ
２１    記録紙通過検出センサ
４１    コントローラ
４２    エンジン制御部
４３    電源部
５１    レンズアレイ
５９    処理回路部
６１    ソースドライバ
６２，６２ａ    ＴＦＴ回路
６３    接着剤
６４    封止ガラス
６５    イメージメモリ
６６    光量補正データメモリ
６７    タイミング生成部
６８    ゲートコントローラ
６９    ピクセル回路
７０    ドライバ部
７１    電流プログラム部
７２    Ｄ／Ａコンバータ
８０    コンピュータ
８３    コントローラＣＰＵ
８７    プリンタインタフェース
９０    コントローラインタフェース
９１    エンジン制御ＣＰＵ
９８    操作パネル
１００    ガラス基板
１０１    ベースコート層
１１０    有機エレクトロルミネッセンス素子
１１１    陽極
１１２    発光層
１１３    陰極
１１４    画素規制部
１２０    光検出素子
１２１Ｄ    ドレイン領域
１２１ｉ    チャネル領域
１２１Ｓ    ソース領域
１２２    第１の絶縁膜
１２３    第２の絶縁膜
１２４    保護膜
１３０    選択トランジスタ
１３２Ｃ    チャネル領域
１３２Ｄ    ドレイン領域
１３２Ｓ    ソース領域
１３３    ゲート電極
１３４Ｄ    ドレイン電極
１３４Ｓ    ソース電極
１４０    容量素子
１４１    第１層電極
１４２    第２層電極
１４３    第３層電極
１５０    光量演算回路（チャージアンプ）
１５１    オペアンプ
１５２    容量素子
１５３    スイッチングトランジスタ
１６０    駆動回路
２４０    ＡＤコンバータ
２４１    光量計測部
Ｃ    光量検出回路
ＧＭ    マザーガラス
ＨＢ    コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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