(57)【要約】【課題】ＣｏＺｒ金属間化合物薄板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のＣｏＺｒ金属間化合物薄板の製造方法は，Ｚｒ：４９〜５０．５ａｔ％を含有し，残部がＣｏ及び不可避不純物からなるＣｏＺｒ鋳塊に対して均質化熱処理を施した後，１１７３〜１３２３Ｋで第１熱間圧延し，７７３〜１０７３Ｋで第２熱間圧延し，９７３〜１３２３Ｋで再結晶熱処理し，その後，冷間圧延をする工程を備える。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｚｒ：４９〜５０．５ａｔ％を含有し，残部がＣｏ及び不可避不純物からなるＣｏＺｒ鋳塊に対して均質化熱処理を施した後，
１１７３〜１３２３Ｋで第１熱間圧延し，７７３〜１０７３Ｋで第２熱間圧延し，
９７３〜１３２３Ｋで再結晶熱処理し，その後，冷間圧延をする工程を備えるＣｏＺｒ金属間化合物薄板の製造方法。
【請求項２】
冷間圧延の後，９７３〜１３２３Ｋでの再結晶熱処理と冷間圧延を１回以上行う工程をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１熱間圧延及び第２熱間圧延は，それぞれ圧下率４０％以上で行う請求項１に記載の方法。
【請求項４】
冷間圧延は，圧下率４０％以上で行う請求項１に記載の方法。
【請求項５】
Ｚｒ：４９〜５０．５ａｔ％を含有し，残部がＣｏ及び不可避不純物からなり，厚さが０．５ｍｍ以下であるＣｏＺｒ金属間化合物薄板。
【請求項６】
Ｚｒ：４９〜５０．５ａｔ％を含有し，残部がＣｏ及び不可避不純物からなり，厚さが０．５ｍｍ以下である水素透過フィルター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，ＣｏＺｒ金属間化合物薄板，その製造方法及び水素透過フィルターに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣｏＺｒ金属間化合物は，体心立方構造を基本とするＢ２型結晶構造の金属間化合物である。ＣｏＺｒ金属間化合物の特性は，非特許文献１〜４等において，これまで調べられてきた。
ＣｏＺｒ金属間化合物は，延性が非常に乏しく，塑性加工性に劣っていると考えられてきた。従って，圧延などによって，ＣｏＺｒ金属間化合物からなる薄板を製造することは極めて困難なことであると考えられてきた。
【非特許文献１】M. Yoshida and T. Takasugi, Phil. Mag. A 68, 401 (1993).
【非特許文献２】M. Nakamura and Y. Sakka, J. Mater. Sci. 23, 4041 (1988).
【非特許文献３】Armelle Francois and Patrick Veyssiere, Intermetallics 2,9(1994).
【非特許文献４】T. Yamaguchi, Y. Kaneno and T. Takasugi, Scripta Materialia 52,39(2005).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし，ＣｏＺｒ金属間化合物は，水素吸蔵特性を有するため，ＣｏＺｒ金属間化合物薄板を製造することができれば，新規な水素透過フィルターとしての用途が考えられる。また，ＣｏＺｒ金属間化合物薄板は，構造材料や磁性材料としての用途も期待される。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり，ＣｏＺｒ金属間化合物薄板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００５】
本発明のＣｏＺｒ金属間化合物薄板の製造方法は，Ｚｒ：４９〜５０．５ａｔ％を含有し，残部がＣｏ及び不可避不純物からなるＣｏＺｒ鋳塊に対して均質化熱処理を施した後，１１７３〜１３２３Ｋで第１熱間圧延し，７７３〜１０７３Ｋで第２熱間圧延し，９７３〜１３２３Ｋで再結晶熱処理し，その後，冷間圧延をする工程を備える。
【０００６】
ＣｏＺｒ金属間化合物は，極めて塑性加工性が悪いと考えられていたが，本発明者らは，ＣｏＺｒの鋳塊に対して，上記条件の熱間圧延，再結晶熱処理及び冷間圧延を行うことにより鋳塊に割れを生じさせることなく，ＣｏＺｒ金属間化合物薄板が得られることを見出し，本発明の完成に到った。
また，本発明の方法では，再結晶熱処理後に冷間圧延を行うが，この冷間圧延は，上記条件の熱間圧延及び再結晶熱処理によって初めて可能になったものである。冷間加工性が極めて悪いと考えられているＣｏＺｒ金属間化合物に対して，冷間圧延を行うことが可能になったということは，それ自体が驚くべきことである。そして，冷間圧延を行うことによって，寸法精度が高いＣｏＺｒ金属間化合物薄板が得られる。また，冷間圧延による加工硬化によって強度の高いＣｏＺｒ金属間化合物薄板が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明のＣｏＺｒ金属間化合物薄板の製造方法は，Ｚｒ：４９〜５０．５ａｔ％を含有し，残部がＣｏ及び不可避不純物からなるＣｏＺｒ鋳塊に対して均質化熱処理を施した後，１１７３〜１３２３Ｋで第１熱間圧延し，７７３〜１０７３Ｋで第２熱間圧延し，９７３〜１３２３Ｋで再結晶熱処理し，その後，冷間圧延をする工程を備える。
【０００８】
１．ＣｏＺｒ鋳塊作製工程
本発明の対象であるＣｏＺｒ鋳塊は，Ｚｒ：４９〜５０．５ａｔ％を含有し，残部がＣｏ及び不可避不純物からなる。この鋳塊は，大部分が，ＣｏＺｒ相であり，Ｚｒの含有量に応じて少量のＣｏ2Ｚｒ相又はＣｏＺｒ2相を含む。具体的には，Ｚｒの含有量を減らすと，Ｃｏ2Ｚｒ相の含有量が増え，Ｚｒの含有量を増やすと，ＣｏＺｒ2相の含有量が増える。後に示す具体例で示すように，Ｃｏ2Ｚｒ相又はＣｏＺｒ2相の含有量を減らすとＣｏＺｒ鋳塊の加工性が向上する。Ｚｒの含有量を４９〜５０．５ａｔ％とした根拠は，この範囲であれば，Ｃｏ2Ｚｒ相又はＣｏＺｒ2相の含有量が多くなりすぎず，ＣｏＺｒ鋳塊の加工性が十分に良いことである。
【０００９】
Ｚｒの具体的な含有量は，例えば，４９．０ａｔ％，４９．２５ａｔ％，４９．５ａｔ％，４９．７５ａｔ％，５０．０ａｔ％，５０．２５ａｔ％又は５０．５ａｔ％である。Ｚｒの含有量の範囲は，上記具体的な含有量として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。
【００１０】
ＣｏＺｒ鋳塊の具体的な組成としては，例えば，５１．０Ｃｏ−４９．０Ｚｒ（Ｃｏ：５１．０ａｔ％，Ｚｒ：４９．０ａｔ％を意味する。），５０．７５Ｃｏ−４９．２５Ｚｒ，５０．５Ｃｏ−４９．５Ｚｒ，５０．２５Ｃｏ−４９．７５Ｚｒ，５０．０Ｃｏ−５０．０Ｚｒ，４９．７５Ｃｏ−５０．２５Ｚｒ，４９．５Ｃｏ−５０．５Ｚｒが挙げられる。
【００１１】
ＣｏＺｒ鋳塊は，原料金属（Ｃｏ及びＺｒ）をアーク溶解炉で溶解し，これを鋳造することによって作製することがコスト等の面から好ましいが，これ以外の方法で作製してもよい。
【００１２】
２．均質化熱処理工程
次に，作製した鋳塊に対して均質化熱処理を施す。これによって，鋳塊全体の組成が均質化される。均質化熱処理は，できるだけ高い温度で行うことが好ましく，できるだけ長い時間行うことが好ましい。より高い温度で行うと，均質化が起こりやすく，より長時間行うと，均質度が向上するからである。
均質化熱処理は，ＣｏＺｒ鋳塊がＣｏＺｒ相とＣｏ2Ｚｒ相を含む場合には，ＣｏＺｒとＣｏ2Ｚｒ相の共晶温度である１５８５Ｋより低い温度で行うことが好ましく，ＣｏＺｒ鋳塊がＣｏＺｒ相とＣｏＺｒ2相を含む場合には，ＣｏＺｒとＣｏＺｒ2相の共晶温度である１３３４Ｋより低い温度で行うことが好ましい（共晶温度については図２の状態図を参照。）。均質化熱処理の温度の下限は，特にないが，均質化熱処理の温度は，１１２３Ｋ以上が好ましい。これよりも低い温度では，均質化に時間がかかり過ぎるからである。
均質化熱処理の具体的な温度は，ＣｏＺｒ鋳塊がＣｏＺｒ相とＣｏ2Ｚｒ相を含む場合には，１１２３Ｋ，１１４８Ｋ，１１７３Ｋ，１１９８Ｋ，１２２３Ｋ，１２４８Ｋ，１２７３Ｋ，１２９８Ｋ，１３２３Ｋ，１３４８Ｋ，１３７３Ｋ，１３９８Ｋ，１４２３Ｋ，１４４８Ｋ，１４７３Ｋ，１４９８Ｋ，１５２３Ｋ，１５４８Ｋ又は１５７３Ｋであり，ＣｏＺｒ鋳塊がＣｏＺｒ相とＣｏＺｒ2相を含む場合には，例えば，１１２３Ｋ，１１４８Ｋ，１１７３Ｋ，１１９８Ｋ，１２２３Ｋ，１２４８Ｋ，１２７３Ｋ，１２９８Ｋ又は１３２３Ｋである。均質化熱処理の温度の範囲は，上記具体的な温度として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。
均質化熱処理を行う時間は，特に限定されず，鋳塊全体の組成を均質化するのに必要な時間だけ行えばよい。均質化熱処理を行う時間は，例えば，４８時間であるが，これよりも短くても長くてもよい。
【００１３】
３．第１及び第２熱間圧延工程
次に，鋳塊に均質化熱処理を施した試料に対して，１１７３〜１３２３Ｋで第１熱間圧延し，７７３〜１０７３Ｋで第２熱間圧延する。
【００１４】
鋳塊に均質化熱処理を施した試料は，一般に，結晶粒が大きく，又，引け巣等の鋳造欠陥が残存しており加工性が悪い。そこで，加工性を確保するために，第１熱間圧延は，１１７３〜１３２３Ｋという比較的高い温度で行う。しかし，このような高い温度で熱間圧延を行うと，圧延によって結晶組織が破壊されると共に破壊された結晶組織の再結晶が起こり，再結晶粒が大きく成長する。従って，前記温度での熱処理では，結晶粒をある程度小さくすることができるもののそれ以上に小さくすることは難しい。「熱間圧延」には，所定温度に加熱した試料を圧延する場合と，試料を所定温度に加熱しながら圧延を行う場合の何れもが含まれる。後者の場合，例えば，圧延は，ヒーターを内蔵したローラーを用いて行う。なお，いずれの圧延方法においても，圧延中の試料温度の低下を抑制するために，ステンレス等の金属で試料を包んで圧延する（このような圧延は，一般にシース圧延と称される。）ことが好ましい。シース圧延によれば，圧延中の試料割れが防止でき，圧延性を向上させることができる。試料を包むための金属の種類は，限定されないが，熱間圧延温度で酸化せず，かつ試料と反応しないものが好ましい。
【００１５】
上記温度範囲の下限の根拠は，１１７３Ｋより低い温度では，十分に加工性が良くなく，第１熱間圧延が難しいことである。上記温度範囲の上限の根拠は，１３２３Ｋよりも高い温度では，再結晶組織の結晶粒の成長が進みすぎるか，試料が溶融することである。第１熱間圧延は，例えば，圧下量が小さい（例えば，１パスの圧下量０．１ｍｍ）圧延を複数回繰り返すことによって行うことができる。第１熱間圧延での圧下率は，特に限定されないが，圧下率が４０％以上になるまで行うことが好ましい。この程度まで第１熱間圧延を行えば，試料中の結晶粒が第２熱間圧延に適する程度に小さくなるからである。圧下率の上限は，特にないが，割れを生じさせない程度であることが好ましい。「圧下率」とは，「｛（圧延前の厚さ−圧延後の厚さ）／圧延前の厚さ｝×１００（％）」を意味している。
第１熱間圧延の具体的な温度は，例えば，１１７３Ｋ，１１９８Ｋ，１２２３Ｋ，１２４８Ｋ，１２７３Ｋ，１２９８Ｋ又は１３２３Ｋである。第１熱間圧延の温度の範囲は，上記具体的な温度として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。
第１熱間圧延の具体的な圧下率は，例えば，４０％，４５％，５０％，５５％，６０％，６５％，７０％，７５％又は８０％である。第１熱間圧延の圧下率の範囲は，上記具体的な圧下率として例示した数値の何れか２つの間であってもよく，例示した数値の何れか以上であってもよい。
【００１６】
結晶粒をさらに微細化し，加工性のよい試料を得るために，７７３〜１０７３Ｋで第２熱間圧延を行う。第１熱間圧延によって試料がある程度微細化され，試料の加工性が向上しているので，第２熱間圧延は，比較的低い温度で行うことができる。比較的低い温度で熱間圧延を行うと，格子欠陥密度が比較的高い加工組織が残存するか，もしくは再結晶粒の成長があまり進まず，第１熱間圧延よりも，結晶粒を小さくすることができる。
【００１７】
上記温度範囲の下限の根拠は，７７３Ｋより低い温度では，十分に加工性が良くなく，第２熱間圧延が難しいことである。上記温度範囲の上限の根拠は，１０７３Ｋよりも高い温度では，再結晶組織の結晶粒の成長が進みすぎることである。第２熱間圧延は，例えば，圧下量が小さい（例えば，１パスの圧下量０．１ｍｍ）圧延を複数回繰り返すことによって行うことができる。第２熱間圧延での圧下率は，特に限定されないが，圧下率が４０％以上になるまで行うことが好ましい。この程度まで第２熱間圧延を行えば，試料中の結晶粒が十分に小さくなるからである。圧下率の上限は，特にないが，割れを生じさせない程度であることが好ましい。
第２熱間圧延の具体的な温度は，例えば，７７３Ｋ，７９８Ｋ，８２３Ｋ，８４８Ｋ，８７３Ｋ，８９８Ｋ，９２３Ｋ，９４８Ｋ，９７３Ｋ，９９８Ｋ，１０２３Ｋ，１０４８Ｋ又は１０７３Ｋである。第２熱間圧延の温度の範囲は，上記具体的な温度として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。
第２熱間圧延の具体的な圧下率は，例えば，４０％，４５％，５０％，５５％，６０％，６５％，７０％，７５％又は８０％である。第２熱間圧延の圧下率の範囲は，上記具体的な圧下率として例示した数値の何れか２つの間であってもよく，例示した数値の何れか以上であってもよい。
【００１８】
第１熱間圧延と第２熱間圧延の温度の組合せは，例えば，１１７３Ｋと７７３Ｋ，１１７３Ｋと８２３Ｋ，１１７３Ｋと８７３Ｋ，１１７３Ｋと９２３Ｋ，１１７３Ｋと９７３Ｋ，１１７３Ｋと１０２３Ｋ，１１７３Ｋと１０７３Ｋ，１２２３Ｋと７７３Ｋ，１２２３Ｋと８２３Ｋ，１２２３Ｋと８７３Ｋ，１２２３Ｋと９２３Ｋ，１２２３Ｋと９７３Ｋ，１２２３Ｋと１０２３Ｋ，１２２３Ｋと１０７３Ｋ，１２７３Ｋと７７３Ｋ，１２７３Ｋと８２３Ｋ，１２７３Ｋと８７３Ｋ，１２７３Ｋと９２３Ｋ，１２７３Ｋと９７３Ｋ，１２７３Ｋと１０２３Ｋ，１２７３Ｋと１０７３Ｋ，１３２３Ｋと７７３Ｋ，１３２３Ｋと８２３Ｋ，１３２３Ｋと８７３Ｋ，１３２３Ｋと９２３Ｋ，１３２３Ｋと９７３Ｋ，１３２３Ｋと１０２３Ｋ又は１３２３Ｋと１０７３Ｋである。
【００１９】
第１熱間圧延と第２熱間圧延の圧下率の組合せは，例えば，４０％と４０％，４０％と５０％，４０％と６０％，４０％と７０％，４０％と８０％，５０％と４０％，５０％と５０％，５０％と６０％，５０％と７０％，５０％と８０％，６０％と４０％，６０％と５０％，６０％と６０％，６０％と７０％，６０％と８０％，７０％と４０％，７０％と５０％，７０％と６０％，７０％と７０％，７０％と８０％，８０％と４０％，８０％と５０％，８０％と６０％，８０％と７０％又は８０％と８０％である。
【００２０】
４．再結晶熱処理工程
次に，第２熱間圧延後の試料に対して，９７３〜１３２３Ｋで再結晶熱処理を行う。このような温度で熱処理を行うことによって，第２熱間圧延によって破壊された結晶組織が再生され，加工硬化が除去され，加工性が向上するからである。上記温度範囲の下限の根拠は，９７３Ｋより低い温度では，再結晶が十分に起こらないことである。上記温度範囲の上限の根拠は，１３２３Ｋよりも高い温度では，試料が溶融するか，再結晶組織の結晶粒の成長が進みすぎることである。
再結晶熱処理の具体的な温度は，例えば，９７３Ｋ，９９８Ｋ，１０２３Ｋ，１０４８Ｋ，１０７３Ｋ，１０９８Ｋ，１１２３Ｋ，１１４８Ｋ，１１７３Ｋ，１１９８Ｋ，１２２３Ｋ，１２４８Ｋ，１２７３Ｋ，１２９８Ｋ又は１３２３Ｋである。再結晶熱処理の温度の範囲は，上記具体的な温度として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。
【００２１】
再結晶熱処理を行う時間は，特に限定されず，必要な加工性が得られる程度に再結晶が起こる程度の時間であればよい。この時間は，熱処理後にビッカース硬さを測定する等によって適宜決定することができる。一般に，熱処理の温度が高ければ，再結晶に必要な時間は短くなり，温度が低ければ，再結晶に必要な時間は長くなる。再結晶熱処理を行う具体的な時間は，例えば，０．５ｈ，１ｈ，１．５ｈ，２ｈ，２．５ｈ又は３ｈであるが，これより長くても短くてもよい。再結晶熱処理を行う時間の範囲は，上記具体的な時間として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。
【００２２】
第２熱間圧延の温度と再結晶熱処理の温度の組合せは，例えば，７７３Ｋと９７３Ｋ，７７３Ｋと１０２３Ｋ，７７３Ｋと１０７３Ｋ，７７３Ｋと１１２３Ｋ，７７３Ｋと１１７３Ｋ，７７３Ｋと１２２３Ｋ，７７３Ｋと１２７３Ｋ，７７３Ｋと１３２３Ｋ，８２３Ｋと９７３Ｋ，８２３Ｋと１０２３Ｋ，８２３Ｋと１０７３Ｋ，８２３Ｋと１１２３Ｋ，８２３Ｋと１１７３Ｋ，８２３Ｋと１２２３Ｋ，８２３Ｋと１２７３Ｋ，８２３Ｋと１３２３Ｋ，８７３Ｋと９７３Ｋ，８７３Ｋと１０２３Ｋ，８７３Ｋと１０７３Ｋ，８７３Ｋと１１２３Ｋ，８７３Ｋと１１７３Ｋ，８７３Ｋと１２２３Ｋ，８７３Ｋと１２７３Ｋ，８７３Ｋと１３２３Ｋ，９２３Ｋと９７３Ｋ，９２３Ｋと１０２３Ｋ，９２３Ｋと１０７３Ｋ，９２３Ｋと１１２３Ｋ，９２３Ｋと１１７３Ｋ，９２３Ｋと１２２３Ｋ，９２３Ｋと１２７３Ｋ，９２３Ｋと１３２３Ｋ，９７３Ｋと１０２３Ｋ，９７３Ｋと１０７３Ｋ，９７３Ｋと１１２３Ｋ，９７３Ｋと１１７３Ｋ，９７３Ｋと１２２３Ｋ，９７３Ｋと１２７３Ｋ，９７３Ｋと１３２３Ｋ，１０２３Ｋと９７３Ｋ，１０２３Ｋと１０２３Ｋ，１０２３Ｋと１０７３Ｋ，１０２３Ｋと１１２３Ｋ，１０２３Ｋと１１７３Ｋ，１０２３Ｋと１２２３Ｋ，１０２３Ｋと１２７３Ｋ，１０２３Ｋと１３２３Ｋ，１０７３Ｋと９７３Ｋ，１０７３Ｋと１０２３Ｋ，１０７３Ｋと１０７３Ｋ，１０７３Ｋと１１２３Ｋ，１０７３Ｋと１１７３Ｋ，１０７３Ｋと１２２３Ｋ，１０７３Ｋと１２７３Ｋ又は１０７３Ｋと１３２３Ｋである。
【００２３】
再結晶熱処理の温度と時間の組合せは，例えば，９７３Ｋ−０．５ｈ，９７３Ｋ−１ｈ，９７３Ｋ−１．５ｈ，９７３Ｋ−２ｈ，９７３Ｋ−２．５ｈ，９７３Ｋ−３ｈ，１０２３Ｋ−０．５ｈ，１０２３Ｋ−１ｈ，１０２３Ｋ−１．５ｈ，１０２３Ｋ−２ｈ，１０２３Ｋ−２．５ｈ，１０２３Ｋ−３ｈ，１０７３Ｋ−０．５ｈ，１０７３Ｋ−１ｈ，１０７３Ｋ−１．５ｈ，１０７３Ｋ−２ｈ，１０７３Ｋ−２．５ｈ，１０７３Ｋ−３ｈ，１１２３Ｋ−０．５ｈ，１１２３Ｋ−１ｈ，１１２３Ｋ−１．５ｈ，１１２３Ｋ−２ｈ，１１２３Ｋ−２．５ｈ，１１２３Ｋ−３ｈ，１１７３Ｋ−０．５ｈ，１１７３Ｋ−１ｈ，１１７３Ｋ−１．５ｈ，１１７３Ｋ−２ｈ，１１７３Ｋ−２．５ｈ，１１７３Ｋ−３ｈ，１２２３Ｋ−０．５ｈ，１２２３Ｋ−１ｈ，１２２３Ｋ−１．５ｈ，１２２３Ｋ−２ｈ，１２２３Ｋ−２．５ｈ，１２２３Ｋ−３ｈ，１２７３Ｋ−０．５ｈ，１２７３Ｋ−１ｈ，１２７３Ｋ−１．５ｈ，１２７３Ｋ−２ｈ，１２７３Ｋ−２．５ｈ，１２７３Ｋ−３ｈ，１３２３Ｋ−０．５ｈ，１３２３Ｋ−１ｈ，１３２３Ｋ−１．５ｈ，１３２３Ｋ−２ｈ，１３２３Ｋ−２．５ｈ又は１３２３Ｋ−３ｈである。
【００２４】
５．冷間圧延工程
次に，再結晶熱処理後の試料に対して，冷間圧延を行い，ＣｏＺｒ金属間化合物薄板の製造を完了する。本明細書の「冷間圧延」という用語は，試料を実質的に加熱せずに行う圧延という意味であり，試料を加熱せずに行う圧延のみならず，圧延加工性や寸法精度に実質的に影響を与えない程度に試料を僅かに加熱して行う圧延も，その意味に含んでいる。なぜなら，この程度に加熱して行う圧延は，加熱せずに行う圧延と実質的に異ならないからである。一般には，３９８Ｋ程度までの加熱であれば，圧延加工性や寸法精度は実質的に変化しないので，この程度の温度にまで加熱して行う圧延は，「冷間圧延」という用語の意味に含まれる。僅かに加熱して行う圧延の具体的温度は，例えば，３０８Ｋ，３１８Ｋ，３２８Ｋ，３３８Ｋ，３４８Ｋ，３５８Ｋ，３６８Ｋ，３７８Ｋ，３８８Ｋ又は３９８Ｋである。僅かに加熱して行う圧延の温度は，上記具体的な温度として例示した数値の何れか以下であってもよい。
冷間圧延は，圧下率が４０％以上になるように行うことが好ましい。圧下率の上限は，特にないが，割れを生じさせない程度であることが好ましい。
冷間圧延の具体的な圧下率は，例えば，４０％，４５％，５０％，５５％，６０％，６５％，７０％，７５％，８０％，８５％又は９０％である。冷間圧延の圧下率の範囲は，上記具体的な圧下率として例示した数値の何れか２つの間であってもよく，例示した数値の何れか以上であってもよい。
【００２５】
ＣｏＺｒ金属間化合物の冷間圧延を行うことは，一般に，極めて困難であるが，上記の熱間圧延及び再結晶熱処理を行うことによって，試料の加工性が向上し，冷間圧延が可能になった。冷間加工性が極めて悪いと考えられていたＣｏＺｒ金属間化合物において，冷間圧延が可能になったということは，それ自体が驚くべきことである。そして，冷間圧延を行うことによって，寸法精度が極めて高い表面性状の良いＣｏＺｒ金属間化合物薄板が得られる。また，冷間圧延による加工硬化によって強度の高いＣｏＺｒ金属間化合物薄板が得られる。
冷間圧延によって得られる薄板の厚さは，０．５ｍｍ以下が好ましい。薄板の厚さの下限は，特に無い。冷間圧延によって得られる薄板の具体的な厚さは，例えば，０．５０ｍｍ，０．４８ｍｍ，０．４６ｍｍ，０．４４ｍｍ，０．４２ｍｍ，０．４０ｍｍ，０．３８ｍｍ，０．３６ｍｍ，０．３４ｍｍ，０．３２ｍｍ，０．３０ｍｍ，０．２８ｍｍ，０．２６ｍｍ，０．２４ｍｍ，０．２２ｍｍ，０．２０ｍｍ，０．１８ｍｍ，０．１６ｍｍ，０．１４ｍｍ，０．１２ｍｍ又は０．１０ｍｍである。薄板の厚さの範囲は，上記具体的な厚さとして例示した数値の何れか２つの間であってもよく，例示した数値の何れか以下であってもよい。
【００２６】
６．再結晶熱処理及び冷間圧延工程
冷間圧延を行った試料に対して，再結晶熱処理を行う工程をさらに備えてもよい。この再結晶熱処理は，「４．再結晶熱処理工程」で示したような条件で行うことができる。熱間圧延後の再結晶熱処理と，冷間圧延後の再結晶熱処理は，同一又は異なる条件で行うことができる。冷間圧延後に，再結晶熱処理を行うことによって，結晶粒径が極めて小さく，従って延性が高いＣｏＺｒ金属間化合物薄板が得られると考えられる。また，再結晶熱処理の条件を調節することによって，強度と延性の両方に優れたＣｏＺｒ金属間化合物薄板が得られると考えられる。
冷間圧延を行った試料に対して，９７３〜１３２３Ｋでの再結晶熱処理と冷間圧延工程を１回以上行う工程をさらに備えてもよい。再結晶熱処理及び冷間圧延は，それぞれ，「４．再結晶熱処理工程」，「５．冷間圧延工程」で示したような条件で行うことができる。再結晶熱処理を行うと，冷間圧延によって破壊された結晶組織が再生され，加工硬化が除去されるので，再度の冷間圧延が可能になる。従って，冷間圧延を行った試料に対して，再結晶熱処理と冷間圧延工程を１回以上行うことによって，試料をさらに薄くすることができる。
再結晶熱処理と冷間圧延を行う具体的な回数は，例えば，１，２，３，４，５，６，７，８，９又は１０回である。再結晶熱処理と冷間圧延を行う回数の範囲は，上記具体的な厚さとして例示した数値の何れか２つの間であってもよく，例示した数値の何れか以上であってもよい。
【実施例】
【００２７】
以下，本発明の具体例について説明する。
１．ＣｏＺｒ鋳塊作製工程
表１に示す５種類の合金組成になるようにＣｏとＺｒを秤量し，アーク溶解炉で溶解し，鋳造により，厚さ約１０ｍｍのＣｏＺｒ鋳塊からなる試料を作製した。５種類の試料の呼称を，表１の１列目に示した。Ｃｏ，Ｚｒは，それぞれ，純度９９．９ｗｔ％の電解コバルトを，９９．６ｗｔ％以上のスポンジ塊状ジルコニウムを用いた。
【００２８】
アーク溶解炉の雰囲気は，まず，溶解室内を真空排気し，その後不活性ガス（アルゴンガス）に置換した。電極は，非消耗タングステン電極を用い，鋳型には水冷式銅ハースを使用した。
【表１】
2007247029.tif 000003
【００２９】
２．均質化熱処理工程
次に，上記工程で得られた試料に対して均質化熱処理を行った。均質化熱処理は，真空中で１２２３Ｋ−４８ｈの条件で行った。
【００３０】
次に，均質化熱処理後の試料のＸＲＤ分析を行った。この分析によって得られたＸＲＤプロファイルを図１（ａ）〜（ｅ）に示す。図１（ａ）〜（ｅ）は，それぞれ，（ａ）Ｃｏ−４９．０Ｚｒ試料，（ｂ）Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，（ｃ）Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，（ｄ）Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料，（ｅ）Ｃｏ−５１．０Ｚｒ試料についてのＸＲＤプロファイルである。
【００３１】
図１（ａ）〜（ｃ）では，ＣｏＺｒ相（Ｂ２型）とＣｏ2Ｚｒ相（Ｃ１５型）の存在を示すピークが観察され，図１（ｄ），（ｅ）では，ＣｏＺｒ相とＣｏＺｒ2相（Ｃ１６型）の存在を示すピークが観察された。この結果から，Ｚｒの含有量が５０．０ａｔ％以下の試料では，ＣｏＺｒ相とＣｏ2Ｚｒ相が存在しており，Ｚｒの含有量が５０．５ａｔ％以上の試料では，ＣｏＺｒ相とＣｏＺｒ2相が存在していることが分かった。
【００３２】
参考に，図２に，Ｃｏ−Ｚｒ２相合金の状態図（出典は，Massalski TB, Murray JL, Bennett LH, Baker H. Binary Alloy Phase Diagram. Metals Park, OH: American Society for Metals 1986. p.818.）を示す。この状態図によると，ＣｏＺｒ単相は，ＣｏとＺｒの割合がちょうど１：１のときにのみ存在し，それよりもＺｒの含有量が減少するとＣｏ2Ｚｒ相が現れ，Ｚｒの含有量が増加するとＣｏＺｒ2相が現れることが分かる。上記ＸＲＤプロファイルの結果は，この状態図の内容にほぼ整合しているが，上記ＸＲＤプロファイルでは，Ｚｒの含有量が５０．０ａｔ％のときにもわずかではあるがＣｏ2Ｚｒ相が現れた。
【００３３】
３．第１及び第２熱間圧延工程
次に，均質化熱処理後の試料に対して，第１及び第２熱間圧延を行った。第１及び第２熱間圧延は，図３に示すプロセスに従って実施した。第１及び第２熱間圧延とも圧延中の試料温度の低下を防ぎ，圧延割れを抑制するために市販のステンレスパイプに試料を入れて行った。具体的には，第１熱間圧延は，１１７３Ｋ，４０パス（１パス当りの圧下量は，約０．１５ｍｍ）で行った。第１熱間圧延の全圧下率（４０パスでの圧下率の合計）は，６０％になった。第２熱間圧延後の試料の厚さは，約４ｍｍであった。
第２熱間圧延は，９７３Ｋ，２０パス（１パス当りの圧下率は，約０．１２ｍｍ）で行った。第２熱間圧延の全圧下率（２０パスでの圧下率の合計）は，６０％になった。第２熱間圧延後の試料の厚さは，約１．６ｍｍであった。
【００３４】
第２熱間圧延後の試料の外観を図４（ａ）〜（ｅ）に示す。図４（ａ）〜（ｅ），それぞれ，（ａ）Ｃｏ−４９．０Ｚｒ試料，（ｂ）Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，（ｃ）Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，（ｄ）Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料，（ｅ）Ｃｏ−５１．０Ｚｒ試料についての外観写真である。図４（ａ）〜（ｅ）に示すように，Ｚｒの含有量が５０．５ａｔ％以下の試料では圧延による割れが実質的に発生しなかった。これは，Ｚｒの含有量が５０．５ａｔ％以下の試料では第１及び第２熱間圧延の温度での延性が十分に高かったためであると考えられる。図４（ｄ）の写真の試料では，１箇所に切れ目があるが，これは，繰り返しの圧延作業を行っている間に偶然引き裂いてしまったものであり，延性不足によって生じた割れではない。
【００３５】
第２熱間圧延後に，熱間圧延の際に生じた試料表面の酸化層を除去するため，試料表面の研磨を行った。研磨後に試料の厚さは，約０．８７ｍｍになった。
【００３６】
４．再結晶熱処理工程
次に，熱間圧延後の試料に対して，熱処理を施した。熱処理は，７７３Ｋ−１ｈ，８７３Ｋ−１ｈ，９７３Ｋ−１ｈ，１１７３Ｋ−１ｈ，１２７３Ｋ−１ｈの５つの条件で行った。
【００３７】
４−１．ビッカース硬さ測定
次に，それぞれの条件で熱処理を行った試料について，ビッカース硬さ測定を行った。その結果を図５に示す。図５は，Ｃｏ−４９．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料，及びＣｏ−５１．０Ｚｒ試料についての，熱処理温度と，熱処理後のビッカース硬さとの関係を示すグラフである。図５の２７３Ｋの位置には，熱処理を行わなかった試料についてビッカース硬さ測定を行った結果を示す。
【００３８】
図５によると，８７３Ｋ以下の温度で熱処理を行った試料のビッカース硬さは，熱処理を行わなかったものと大きくは違わず，熱処理によってほとんど再結晶が起こらなかったことが分かる。一方，９７３Ｋ以上の温度で熱処理を行った試料のビッカース硬さは，熱処理を行わなかったものよりもかなり小さくなっている。この結果は，９７３Ｋ以上の温度での熱処理によって，熱間圧延によって破壊された結晶組織を再結晶化させることができたことが分かる。図５には，それぞれ，組成の異なる５種類の試料についての結果を示したが，何れの試料も，９７３Ｋ以上の温度での熱処理によってビッカース硬さが大きく低下した。
【００３９】
図６は，図５のグラフの熱処理なし（図５の２７３Ｋの位置に表示），８７３Ｋ，１２７３Ｋでの結果について，Ｚｒ含有量を横軸にして表示をしたグラフである。図６によると，熱処理なしの場合も，８７３Ｋ又は１２７３Ｋで熱処理を行った場合も，Ｚｒ含有量が５０．０ａｔ％の場合に，ビッカース硬さが最も低くなったことが分かる。これは，Ｚｒ含有量が５０．０ａｔ％からずれることによって，Ｃｏ2Ｚｒ相又はＣｏＺｒ2相の含有量が増加するためであると考えられる。
【００４０】
４−２．ＳＥＭ組織観察
次に，１２７３Ｋ−１ｈの熱処理を施した試料について，ＳＥＭ組織観察を行った。その結果を図７（ａ）〜（ｅ）に示す。図７（ａ）〜（ｅ）は，それぞれ，（ａ）Ｃｏ−４９．０Ｚｒ試料，（ｂ）Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，（ｃ）Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，（ｄ）Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料，（ｅ）Ｃｏ−５１．０Ｚｒ試料についてのＳＥＭ−ＢＥ像である。
【００４１】
図７（ａ）〜（ｃ）によると，以下のことが分かる。Ｚｒの含有量が５０．０ａｔ％以下の試料では，Ｃｏ2Ｚｒ相が，ＣｏＺｒ相からなるマトリックス中に粒状になって分散していた。Ｃｏ2Ｚｒ相は，主にマトリックスの旧粒界付近に存在していた。Ｃｏ2Ｚｒ相の粒子径は，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料では，０．３μｍ以下であった。そして，Ｚｒの含有量が減少するのに伴って，Ｃｏ2Ｚｒ相の粒子径は大きくなり，Ｃｏ2Ｚｒ相の含有量も増加した。
【００４２】
図７（ｄ），（ｅ）によると，以下のことが分かる。Ｚｒの含有量が５０．５ａｔ％以上の試料では，ＣｏＺｒ2相が，ＣｏＺｒ相からなるマトリックス中に球状の粒子になって分散していた。ＣｏＺｒ2相は，主にマトリックスの粒内に存在していた。ＣｏＺｒ2相の粒の粒径は，Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料では，２〜５μｍであった。Ｃｏ−５１．０Ｚｒ試料では，ＣｏＺｒ2相は，球状のものと，球状のＣｏＺｒ2相が繋がって棒状になったものとが存在し，その大きさは，２〜２０μｍであった。
【００４３】
４−３．引張試験
次に，１２７３Ｋ−１ｈの熱処理を施した，Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料について，引張試験を行った。引張試験は，室温，５７３Ｋ，６７３Ｋ，７７３Ｋ，８７３Ｋ，９７３Ｋ，１０７３Ｋで行った。引張試験は，真空中，歪み速度１．６６×１０-4ｓ-1で行った。
【００４４】
まず，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料についての，室温，５７３Ｋ，６７３Ｋ，７７３Ｋ，８７３Ｋ，９７３Ｋ，１０７３Ｋでの応力−歪み曲線のグラフを図８に示す。図８によると，何れの温度でも，降伏点は１００ＭＰａ前後であり，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料は，加工硬化が大きかったことが分かる。また，室温〜６７３Ｋまではネッキングを起こさずに破断しているが，ＤＢＴ（ductile brittle transition）が起こる７７３Ｋからはネッキングを起こして破断したことが分かる。
【００４５】
次に，Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料についての，温度と伸びの関係を示すグラフを図９に示す。図９によると，全ての試料が，室温で７％以上の伸びを示し，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料は，室温で約１８％の伸びを示したことが分かる。また，３つの試料全てにおいて，７７３Ｋから伸びが急激に大きくなり，９７３Ｋで伸びが最も大きくなったことが分かる。特に，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料は，９７３Ｋで，約７８％という極めて大きな伸びを示した。図９は，７７３〜１０７３Ｋでは，何れも試料でも伸びが比較的大きかったことを示しており，この結果は，第２熱間圧延を７７３〜１０７３Ｋで行うことが好ましいことを示唆している。
【００４６】
ところで，同じＩＶａ−ＶＩＩＩ型Ｂ２金属間化合物で本プロセスと同様に作製された等比組成のＣｏＴｉの室温での塑性伸びは２％である（Y. Kaneno, T. Takasugi, and S. Hanada, Mater. Sci. Eng. A302, 215 (2001).）ことが知られている。ＣｏＴｉとＣｏＺｒは，結晶構造が類似しているにも関わらず，ＣｏＺｒの室温伸びが７％以上（Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料では伸びは１８％）であったことは，驚きの結果である。
【００４７】
次に，Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料についての，温度と降伏応力の関係を示すグラフ，及び温度と最大引張強度の関係を示すグラフをそれぞれ，図１０及び図１１に示す。図１０によると，室温での降伏応力はＣｏ−４９．５Ｚｒ試料とＣｏ−５０．５Ｚｒ試料は，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料に比べ高い値を示しており，第２相分散物（Ｃｏ2Ｚｒ相又はＣｏＺｒ2相）による分散強化がなされたと考えられる。図１１によると，３つの試料全てにおいて，最大引張強度は，温度を上げるにつれて大きくなり，６７３Ｋで最大になり，さらに温度を上げると小さくなったことが分かる。図１０及び図１１は，３つの試料の全てが逆温度依存性を有したことを示している。
【００４８】
図１２は，図９及び図１０のグラフの室温での結果について，Ｚｒ含有量を横軸にして表示をしたグラフである。図１２によると，室温での降伏応力は，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料が最も小さく，室温での伸びは，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料が最も大きかったことが分かる。
【００４９】
次に，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料についての，室温，６７３Ｋ及び９７３Ｋでの引張試験後の試料破面のＳＥＭ像を図１３（ａ）〜（ｃ）に示す。図１３（ａ）〜（ｃ）は，それぞれ，（ａ）室温，（ｂ）６７３Ｋ，（ｃ）９７３Ｋでの引張試験後の試料に対応している。室温における破面では，図１３（ａ）に示すように，一部ｄｉｍｐｌｅ模様を示す粒内延性破壊様式が観察された。また，最も高い降伏応力を示した６７３Ｋでは，図１３（ｂ）に示すように，粒内延性破壊と粒界破壊が混在した破面となっており，割合としては粒界破壊の方が多く目立った。そして，最も大きな伸びを示した９７３Ｋでは，図１３（ｃ）に示すように，chisel edge状模様が観察され，絞りは，ほぼ１００％となっていた。
【００５０】
５．冷間圧延工程
次に，１２７３Ｋ−１ｈの再結晶熱処理したＣｏ−５０．０Ｚｒ試料に対して，室温で冷間圧延を行った。冷間圧延は，０．８７ｍｍの厚さの試料が，０．２７ｍｍになるまで行った。従って，圧下率６８％の冷間圧延に成功した。冷間圧延は，１０パス（１パス当りの圧下率は，約０．０６ｍｍ）で行った。
【００５１】
冷間圧延前後の試料の外観を図１４（ａ），（ｂ）に示す。図１４（ａ），（ｂ）は，それぞれ，冷間圧延前，冷間圧延後の試料に対応している。図１４（ｂ）に示すように，冷間圧延後の試料には，割れは見られなかった。
【００５２】
次に，冷間圧延前後の試料のＸＲＤ分析を行った。この分析によって得られたＸＲＤプロファイルを図１５（ａ），（ｂ）に示す。図１５（ａ），（ｂ）は，それぞれ，冷間圧延前，冷間圧延後の試料に対応している。図１５（ａ），（ｂ）によれば，冷間圧延前後で構成相は変化しなかったことが分かる（言い換えると，冷間圧延前後とも，ＣｏＺｒ相とＣｏ2Ｚｒ相のみが存在していたことが分かる。）。
【００５３】
６．用途
冷間圧延までの工程によって，厚さ０．２７ｍｍのＣｏＺｒ金属間化合物薄板が得られた。この薄板は，水素透過フィルターとして利用可能であると考えられる。水素透過フィルターとは，水素ガスと不純物ガスとを含む混合ガスがこのフィルターに吹き付けられると，水素ガスのみを透過させるという機能をもったフィルターである。このようなフィルターを用いると，高純度の水素ガスを高速かつ大量に生産することが可能になる。
【００５４】
ＣｏＺｒ金属間化合物薄板が水素透過フィルターとして利用可能であると考えられる理由について，図１６を用いてさらに詳しく説明する。
図１６には，説明のために，ＣｏＺｒ金属間化合物薄板に含まれる結晶格子を１つだけ抜き出した表示した。実際には，このような結晶格子が３次元的に連続的に配置されている。ＣｏＺｒ金属間化合物薄板に含まれるＺｒ原子は，水素と親和性が高いので（すなわち化合物を形成しやすいので），ＣｏＺｒ金属間化合物薄板への水素の固溶量は大きくなると考えられる。また，ＣｏＺｒ金属間化合物薄板は，Ｂ２型結晶構造なので，原子の充填率が低く，水素ガスが結晶格子内を比較的速く透過すると考えられる。これら２つの点から，ＣｏＺｒ金属間化合物薄板は，高純度の水素ガスを高速かつ大量に生産することが可能な水素透過フィルターとして利用可能であると考えられる。
【００５５】
ＣｏＺｒ金属間化合物薄板からなる水素透過フィルター（以下，「ＣｏＺｒ水素透過フィルター」）は，Ｃｏ及びＺｒといった比較的安価な金属からなるので，Ｐｄなどの比較的高価な金属からなる水素透過フィルターと比較して安価に製造可能であると考えられる。また，ＣｏＺｒ水素透過フィルターは，図１０及び図１１に示すように，逆温度依存性を有しているので，比較的温度が高い環境下でもその強度が維持されるため，高い水素透過量をもたらす高温運転が可能となり，結果として高生産性という利点を有することになる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は，それぞれ，本発明の具体例に係る，（ａ）Ｃｏ−４９．０Ｚｒ試料，（ｂ）Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，（ｃ）Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，（ｄ）Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料，（ｅ）Ｃｏ−５１．０Ｚｒ試料の均質化熱処理後の試料についてのＸＲＤプロファイルを示す。
【図２】参考図である，Ｃｏ−Ｚｒ２元系合金の状態図（出典：Massalski TB, Murray JL, Bennett LH, Baker H. Binary Alloy Phase Diagram. Metals Park, OH: American Society for Metals 1986. p.818.）である。
【図３】本発明の具体例での熱間圧延プロセスの概略図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は，それぞれ，本発明の具体例に係る，（ａ）Ｃｏ−４９．０Ｚｒ試料，（ｂ）Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，（ｃ）Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，（ｄ）Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料，（ｅ）Ｃｏ−５１．０Ｚｒ試料の熱間圧延後の試料の外観写真である。
【図５】本発明の具体例に係る，Ｃｏ−４９．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料，及びＣｏ−５１．０Ｚｒ試料の熱間圧延後の試料についての，熱処理温度と，熱処理後のビッカース硬さとの関係を示すグラフである。２７３Ｋの位置に，熱処理なしの場合のビッカース硬さを示す。
【図６】本発明の具体例に係る，熱処理なしの試料（熱間圧延後の試料），８７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料，１２７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料についての，Ｚｒ含有量とビッカース硬さとの関係を示すグラフである。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は，それぞれ，本発明の具体例に係る，（ａ）Ｃｏ−４９．０Ｚｒ試料，（ｂ）Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，（ｃ）Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，（ｄ）Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料，（ｅ）Ｃｏ−５１．０Ｚｒ試料の１２７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料のＳＥＭ−ＢＥ像である。
【図８】本発明の具体例に係る，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料の１２７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料についての，応力―歪み曲線を示すグラフである。
【図９】本発明の具体例に係る，Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料の，１２７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料についての，温度と伸びの関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の具体例に係る，Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料の，１２７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料についての，温度と降伏応力の関係を示すグラフである。
【図１１】本発明の具体例に係る，Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料の，１２７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料についての，温度と引張強度の関係を示すグラフである。
【図１２】本発明の具体例に係る，Ｃｏ−４９．５Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料，Ｃｏ−５０．５Ｚｒ試料の，１２７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料についての，室温での，Ｚｒ含有量と，降伏応力又は伸びとの関係を示すグラフである。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は，それぞれ，本発明の具体例に係る，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料の１２７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料を，（ａ）室温，（ｂ）６７３Ｋ，（ｃ）９７３Ｋで引張変形させたときの破面を示すＳＥＭ像である。
【図１４】（ａ），（ｂ）は，それぞれ，本発明の具体例に係る，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料の１２７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料の（ａ）冷間圧延前，（ｂ）冷間圧延後の外観を示す。
【図１５】（ａ），（ｂ）は，それぞれ，本発明の具体例に係る，Ｃｏ−５０．０Ｚｒ試料の１２７３Ｋ−１ｈ熱処理後の試料の（ａ）冷間圧延前，（ｂ）冷間圧延後のＸＲＤプロファイルを示す。
【図１６】本発明のＣｏＺｒ金属間化合物薄板が水素透過フィルターとして利用可能であると考えられる理由を説明するための図である。
【図１】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１５】
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【図１６】
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【図２】
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【図４】
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【図７】
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【図１３】
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【図１４】
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