(57)【要約】【課題】  高濃度タングステンをウェットエッチングする工程を有する、高濃度タングステンの薄膜を備えた基板の製造方法、および該高濃度タングステンを第２素子電極に有する非線形抵抗素子を備えた電気光学装置の製造方法を提供すること。また、上記基板、上記電気光学装置、および上記電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】  電気光学装置の製造方法が、基体上に第１素子電極５１を形成する工程と、第１素子電極５１に重ねて絶縁層５２を形成する工程と、絶縁層５２に重ねて、タングステンの濃度が６０原子％より高い金属の薄膜を形成する工程と、前記金属の薄膜を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることにより第２素子電極５３の形状にパターニングする工程とを含む。ここで前記水溶液は、燐酸濃度が２５％以上４０％以下、硝酸濃度が５％以上１５％以下、温度が５５℃以上６５℃以下の水溶液である。【選択図】      図５
2007093844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、タングステンの濃度が６０原子％より高いモリブデン・タングステン合金を成膜する工程と、
前記モリブデン・タングステン合金を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることによりパターニングする工程と
を有し、
前記水溶液は、前記燐酸の重量パーセント濃度が２５％以上かつ４０％以下であり、前記硝酸の重量パーセント濃度が５％以上かつ１５％以下であり、温度が５５℃以上かつ６５℃以下であることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
基体上に、タングステンの濃度が略１００原子％である金属を成膜する工程と、
前記金属を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることによりパターニングする工程と
を有し、
前記水溶液は、前記燐酸の重量パーセント濃度が２５％以上かつ４０％以下であり、前記硝酸の重量パーセント濃度が５％以上かつ１５％以下であり、温度が５５℃以上かつ６５℃以下であることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項３】
第１素子電極、絶縁層および第２素子電極を含む非線形抵抗素子と、画素電極とを備えた電気光学装置の製造方法であって、
基体上に前記第１素子電極を形成する工程と、
前記第１素子電極に重ねて前記絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に重ねて、前記第２素子電極を形成する工程と、
基体上に、前記第２素子電極に電気的に接続された状態で前記画素電極を形成する工程と
を有し、
前記第２素子電極を形成する工程は、
前記絶縁層に重ねて、タングステンの濃度が６０原子％より高いモリブデン・タングステン合金を成膜する工程と、
前記モリブデン・タングステン合金の薄膜を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることにより前記第２素子電極の形状にパターニングする工程と
をさらに含み、
前記水溶液は、前記燐酸の重量パーセント濃度が２５％以上かつ４０％以下であり、前記硝酸の重量パーセント濃度が５％以上かつ１５％以下であり、温度が５５℃以上かつ６５℃以下であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
第１素子電極、絶縁層および第２素子電極を含む非線形抵抗素子と、画素電極とを備えた電気光学装置の製造方法であって、
基体上に前記第１素子電極を形成する工程と、
前記第１素子電極に重ねて前記絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に重ねて、前記第２素子電極を形成する工程と、
基体上に、前記第２素子電極に電気的に接続された状態で前記画素電極を形成する工程と
を有し、
前記第２素子電極を形成する工程は、
前記絶縁層に重ねて、タングステンの濃度が略１００原子％である金属を成膜する工程と、
前記金属の薄膜を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることにより前記第２素子電極の形状にパターニングする工程と
をさらに含み、
前記水溶液は、前記燐酸の重量パーセント濃度が２５％以上かつ４０％以下であり、前記硝酸の重量パーセント濃度が５％以上かつ１５％以下であり、温度が５５℃以上かつ６５℃以下であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
基体と、
前記基体の表面にパターニングされたモリブデン・タングステン合金の薄膜と
を備えた基板であって、
前記モリブデン・タングステン合金におけるタングステンの濃度が６０原子％より高いことを特徴とする基板。
【請求項６】
基体と、
前記基体の表面にパターニングされた、タングステンの濃度が略１００原子％である金属の薄膜と
を備えたことを特徴とする基板。
【請求項７】
基体と、
前記基体上に形成され、第１素子電極と、前記第１素子電極に重ねて形成された絶縁層と、前記絶縁層に重ねて形成されたモリブデン・タングステン合金の第２素子電極とを有する非線形抵抗素子と、
前記基体上に形成され、前記非線形抵抗素子に電気的に接続された画素電極と
を備え、
前記モリブデン・タングステン合金におけるタングステンの濃度が６０原子％より高いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
基体と、
前記基体上に形成され、第１素子電極と、前記第１素子電極に重ねて形成された絶縁層と、前記絶縁層に重ねて形成された金属の第２素子電極とを有する非線形抵抗素子と、
前記基体上に形成され、前記非線形抵抗素子に電気的に接続された画素電極と
を備え、
前記金属におけるタングステンの濃度が略１００原子％であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の電気光学装置であって、
前記基体を含む基板に対向して配置された対向基板と、
前記基板および前記対向基板に挟持された電気光学物質と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に金属の配線を有する基板の製造方法、および液晶装置、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置、プラズマディスプレイ装置等といった電気光学装置の製造方法に関する。また、本発明は、上記基板、上記電気光学装置、および該電気光学装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一つとして、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等の非線形抵抗素子をスイッチング素子とするアクティブマトリクス方式の電気光学装置が知られている。ＴＦＤ素子は、金属の第１素子電極（Metal）−絶縁層（Insulator）−金属の第２素子電極（Metal）の積層構造、いわゆるＭＩＭ構造を有し、電圧−電流特性が非線形な素子である。ＴＦＤ素子の上記電極は、その製造過程において、ウェットエッチングによってパターニングされるのが一般的である。これは、ウェットエッチング耐性に優れたフォトレジストが豊富なことや、安価で加工精度が得られやすい等の理由による。
【０００３】
従来、ＴＦＤ素子の第２素子電極にはクロムが用いられてきたが、環境問題の観点から好ましくないと考えられるおそれもあるため、クロムを、モリブデンを主成分とするモリブデン・タングステン合金等に置き換える試みがなされている（特許文献１参照）。ただし、こうした合金には、電気的な腐蝕（以下「電蝕」という）が起こりやすいという問題点がある。この問題点を解決する方法の一つは、上記合金において、タングステンの濃度を高めることである。タングステン濃度の高い合金は、電蝕に強いからである。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１９１３６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、タングステンの濃度が６０原子％を超えるようなモリブデン・タングステン合金等の合金、もしくは純粋なタングステン（以下ではこれらをまとめて「高濃度タングステン」とも呼ぶ）は、上記モリブデンを主成分とする合金のエッチングに用いられるようなエッチング液に対してエッチングレートが低く、実質的にウェットエッチングができないという問題点があった。一方で、弗酸系のエッチング液を用いればウェットエッチングが可能であるが、この場合はガラス基板も同時にエッチングされてしまう。こうした事情から、高濃度タングステンを適切にウェットエッチングする手法の開発が望まれていた。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、高濃度タングステンをウェットエッチングする工程を有する、電蝕に強い高濃度タングステンの薄膜を備えた基板の製造方法、および該高濃度タングステンを第２素子電極に有する非線形抵抗素子を備えた電気光学装置の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の課題は、上記基板、上記電気光学装置、および上記電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の基板の製造方法は、基体上に、タングステンの濃度が６０原子％より高いモリブデン・タングステン合金を成膜する工程と、前記モリブデン・タングステン合金を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることによりパターニングする工程とを有し、前記水溶液は、前記燐酸の重量パーセント濃度が２５％以上かつ４０％以下であり、前記硝酸の重量パーセント濃度が５％以上かつ１５％以下であり、温度が５５℃以上かつ６５℃以下であることを特徴とする。
【０００８】
燐酸の重量パーセント濃度、硝酸の重量パーセント濃度、および温度が上記の範囲内である水溶液をエッチング液とすれば、タングステンの濃度が６０原子％より高い金属の薄膜、すなわち高濃度タングステンの薄膜をエッチングすることができる。より好ましくは、上記水溶液における燐酸の重量パーセント濃度を３０％、硝酸の重量パーセント濃度を１０％、温度を６０℃とする。この条件を満たすエッチング液によれば、高いエッチングレートで高濃度タングステンの薄膜をエッチングすることができる。該エッチングに際して、あらかじめ上記水溶液に耐性を有するフォトレジストを高濃度タングステンの薄膜の表面に所望のパターンで形成しておけば、高濃度タングステンの薄膜を所望の形状にパターニングすることができる。以上から、上記基板の製造方法によれば、電蝕に強い高濃度タングステンの薄膜を備えた基板を、ウェットエッチングを用いて製造することができる。また、こうして得られた基板はクロムを含まないので、その生産から流通、廃棄までの過程を通して、環境に悪影響を与える可能性が少ない。
【０００９】
本発明の基板の製造方法は、基体上に、タングステンの濃度が略１００原子％である金属を成膜する工程と、前記金属を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることによりパターニングする工程とを有し、前記水溶液は、前記燐酸の重量パーセント濃度が２５％以上かつ４０％以下であり、前記硝酸の重量パーセント濃度が５％以上かつ１５％以下であり、温度が５５℃以上かつ６５℃以下であることを特徴とする。
【００１０】
タングステンの濃度が略１００原子％である金属は、特に電蝕に強く、高い信頼性を有する。よって、上記基板の製造方法によれば、特に電蝕に強く、高い信頼性を有する高濃度タングステンの薄膜を備えた基板を、ウェットエッチングを用いて製造することができる。
【００１１】
本発明の電気光学装置の製造方法は、第１素子電極、絶縁層および第２素子電極を含む非線形抵抗素子と、画素電極とを備えた電気光学装置の製造方法であって、基体上に前記第１素子電極を形成する工程と、前記第１素子電極に重ねて前記絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に重ねて、前記第２素子電極を形成する工程と、基体上に、前記第２素子電極に電気的に接続された状態で前記画素電極を形成する工程とを有し、前記第２素子電極を形成する工程は、前記絶縁層に重ねて、タングステンの濃度が６０原子％より高いモリブデン・タングステン合金を成膜する工程と、前記モリブデン・タングステン合金を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることにより前記第２素子電極の形状にパターニングする工程とをさらに含み、前記水溶液は、前記燐酸の重量パーセント濃度が２５％以上かつ４０％以下であり、前記硝酸の重量パーセント濃度が５％以上かつ１５％以下であり、温度が５５℃以上かつ６５℃以下であることを特徴とする。
【００１２】
上記電気光学装置の製造方法によれば、第１素子電極を形成する工程、絶縁層を形成する工程、および第２素子電極を形成する工程によって、基体上に非線形抵抗素子が形成される。ここで、第２素子電極の形成工程は、高濃度タングステンの薄膜を形成する工程と、これを上述の水溶液によってエッチングする工程とを含んでいるため、第２素子電極は電蝕に強い高濃度タングステンからなる。よって、上記電気光学装置の製造方法によれば、クロムを用いることなく、非線形抵抗素子をスイッチング素子とする電気光学装置を製造することができる。また、電蝕に強い高濃度タングステンを第２素子電極に有する非線形抵抗素子ウェットエッチングを用いて形成することができ、ひいては信頼性の高い電気光学装置を製造することができる。さらに、上記非線形抵抗素子は、保持電圧を印加した際の抵抗値が高く、高温においても高抵抗を維持して高いスイッチング性能を有する。このため、上記方法によれば、広い温度範囲で高品位な表示を行うことが可能な電気光学装置を製造することができる。また、こうして得られた電気光学装置はクロムを含まないので、その生産から流通、廃棄までの過程を通して、環境に悪影響を与える可能性が少ない。
【００１３】
本発明の電気光学装置の製造方法は、第１素子電極、絶縁層および第２素子電極を含む非線形抵抗素子と、画素電極とを備えた電気光学装置の製造方法であって、基体上に前記第１素子電極を形成する工程と、前記第１素子電極に重ねて前記絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に重ねて、前記第２素子電極を形成する工程と、基体上に、前記第２素子電極に電気的に接続された状態で前記画素電極を形成する工程とを有し、前記第２素子電極を形成する工程は、前記絶縁層に重ねて、タングステンの濃度が略１００原子％である金属を成膜する工程と、前記金属の薄膜を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることにより前記第２素子電極の形状にパターニングする工程とをさらに含み、前記水溶液は、前記燐酸の重量パーセント濃度が２５％以上かつ４０％以下であり、前記硝酸の重量パーセント濃度が５％以上かつ１５％以下であり、温度が５５℃以上かつ６５℃以下であることを特徴とする。
【００１４】
この製造方法によれば、基体上には、タングステンの濃度が略１００原子％の金属からなる第２素子電極を有する非線形抵抗素子が形成される。タングステンの濃度が略１００原子％である金属の薄膜は、特に電蝕に強く、高い信頼性を有する。よって、上記電気光学装置の製造方法によれば、クロムを用いることなく、特に電蝕に強い非線形抵抗素子をウェットエッチングによって形成することができ、ひいては信頼性の高い電気光学装置を製造することができる。
【００１５】
本発明による基板は、基体と、前記基体の表面にパターニングされたモリブデン・タングステン合金の薄膜とを備えた基板であって、前記モリブデン・タングステン合金におけるタングステンの濃度が６０原子％より高いことを特徴とする。こうした構成の基板は、高濃度タングステンのパターンを表面に備えているため、電蝕に強く、高い信頼性を有する配線基板等として用いることができる。また、当該基板はクロムを含まないので、その生産から流通、廃棄までの過程を通して、環境に悪影響を与える可能性が少ない。
【００１６】
本発明による基板は、基体と、前記基体の表面にパターニングされた、タングステンの濃度が略１００原子％である金属の薄膜とを備えたことを特徴とする。この構成の基板は、特に電蝕に強く、高い信頼性を有する配線基板等として用いることができる。
【００１７】
本発明による電気光学装置は、基体と、前記基体上に形成され、第１素子電極と、前記第１素子電極に重ねて形成された絶縁層と、前記絶縁層に重ねて形成されたモリブデン・タングステン合金の第２素子電極とを有する非線形抵抗素子と、前記基体上に形成され、前記非線形抵抗素子に電気的に接続された画素電極とを備え、前記モリブデン・タングステン合金におけるタングステンの濃度が６０原子％より高いことを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、非線形抵抗素子をスイッチング素子とした、クロムを含まない電気光学装置を実現することができる。また、上記非線形抵抗素子は、電蝕に強い高濃度タングステンを第２素子電極に有するため、上記構成の電気光学装置は、高い信頼性を有する。さらに、上記非線形抵抗素子は、保持電圧を印加した際の抵抗値が高く、高温においても高抵抗を維持して高いスイッチング性能を有する。このため、上記構成の電気光学装置は、広い温度範囲で高品位な表示を行うことができる。また、上記構成の電気光学装置はクロムを含まないので、その生産から流通、廃棄までの過程を通して、環境に悪影響を与える可能性が少ない。
【００１９】
本発明による電気光学装置は、基体と、前記基体上に形成され、第１素子電極と、前記第１素子電極に重ねて形成された絶縁層と、前記絶縁層に重ねて形成された金属の第２素子電極とを有する非線形抵抗素子と、前記基体上に形成され、前記非線形抵抗素子に電気的に接続された画素電極とを備え、前記金属におけるタングステンの濃度が略１００原子％であることを特徴とする。
【００２０】
こうした構成の電気光学装置における非線形抵抗素子は、タングステンの濃度が略１００原子％の金属からなる第２素子電極を含む。ここで、タングステンの濃度が略１００原子％である金属の薄膜は、特に電蝕に強く、高い信頼性を有する。よって、上記構成の電気光学装置は、特に高い信頼性を有する。
【００２１】
上記電気光学装置は、前記基体を含む基板に対向して配置された対向基板と、前記基板および前記対向基板に挟持された電気光学物質とを備えていてもよい。こうした構成によれば、電蝕に強い高濃度タングステンを第２素子電極に有する非線形抵抗素子を備えた、クロムを含まない電気光学装置を実現することができる。
【００２２】
本発明による電子機器は、上記電気光学装置を備えることを特徴とする。こうした構成の電子機器は、信頼性が高くかつクロムを含まない電気光学装置によって、広い温度範囲で高品位な表示を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２４】
（Ａ．液晶装置の機構）
図１は、本発明の実施形態に係る「電気光学装置」としての液晶装置１の斜視図である。液晶装置１は、「基板」としての素子基板１１、対向基板１２、シール剤３５、Ｘドライバ４１、２つのＹドライバ４２を有している。素子基板１１および対向基板１２は、それぞれ、「基体」としてのガラス基板１１１およびガラス基板１２１を含む。素子基板１１および対向基板１２は、シール剤３５を介して互いに対向して貼り合わされている。観察者は、素子基板１１の側から表示を観察する。素子基板１１、対向基板１２、およびシール剤３５によって囲まれる空間には、「電気光学物質」としての液晶３３が封入されている（図３参照）。ここで、素子基板１１は対向基板１２よりも大きいので、素子基板１１の一部は対向基板１２と貼り合わされた際に対向基板１２と対向しない。この、素子基板１１の一部であって対向基板１２と対向しない部位を、以下では「実装基部」とも呼ぶ。実装基部には、Ｘドライバ４１と２つのＹドライバ４２が実装されている。また、素子基板１１および対向基板１２の対向面には各種電極が配置されている（図２および３参照）。Ｘドライバ４１およびＹドライバ４２は、これらの電極に対して、液晶３３を駆動するために必要な電圧信号を送信する。
【００２５】
本実施形態では、Ｚ軸は素子基板１１の面の法線に平行であるとし、素子基板１１から対向基板１２に向かう方向をＺ軸の正方向とする。また、Ｘドライバ４１および２つのＹドライバ４２が並ぶ方向にＸ軸をとり、これと直交する方向にＹ軸をとる。
【００２６】
図２は、素子基板１１上および対向基板１２上の電極および配線の配置を示した平面図である。素子基板１１上および対向基板１２上の電極および配線はすべて、素子基板１１の対向基板１２に対向する面、または対向基板１２の素子基板１１に対向する面に形成されている。図２においては、説明の便宜上、これらの電極および配線はすべて実線で表されている。
【００２７】
素子基板１１の対向基板１２に対向する面には、データ線２７、引き回し配線２２、画素電極２４、Ｘドライバ４１に対応する入力線２５、Ｙドライバ４２に対応する入力線２６が形成されており、対向基板１２の素子基板１１に対向する面には、走査電極２３が形成されている。
【００２８】
データ線２７は、高濃度タングステンの金属薄膜からなる（図５参照）。ここで、高濃度タングステンとは、タングステンの濃度が６０原子％を超えるような合金、もしくは純粋なタングステン、すなわち濃度１００原子％のタングステンを指すが、本実施形態では純粋なタングステンが用いられている。データ線２７は、Ｘドライバ４１の近傍領域を除いてＹ軸に平行に配置されており、一方の端部でＸドライバ４１の出力端子と電気的に接続されている。引き回し配線２２は、データ線２７と同様の３層構造を有する配線であり、素子基板１１のＹ軸に平行な２辺の近傍に配置され、一方の端部でＹドライバ４２の出力端子と電気的に接続されている。引き回し配線２２の他方の端部には、対向基板１２上の走査電極２３と導通をとるための部位が設けられており、この部位は、その他の部位に比べて幅が広くなっている。画素電極２４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極であり、一つの画素電極２４が一つの画素領域を規定する。画素電極２４は、データ線２７と、後述する「非線形抵抗素子」としてのＴＦＤ素子５０を介して接続されている。Ｘドライバ４１に対応する入力線２５およびＹドライバ４２に対応する入力線２６は、ともに上述の３層構造を有する電極であり、それぞれＸドライバ４１の入力端子およびＹドライバ４２の入力端子と電気的に接続されている。これらの入力線２５，２６は、制御回路、電圧生成回路等（不図示）からの電圧信号をＸドライバ４１およびＹドライバ４２の入力端子に伝達する。
【００２９】
対向基板１２の表面に配置された走査電極２３は、Ｘ軸に平行に帯状に配置されたＩＴＯからなる透明電極である。走査電極２３とデータ線２７とはＺ軸方向から見て直交している。また、上述した画素電極２４は走査電極２３とデータ線２７との交差に対応してマトリクスを形成するように配置されており、画素電極２４のそれぞれはＺ軸方向から見て走査電極２３と重なっている。以下では、画素電極２４の作るマトリクスが規定する領域を「表示領域」とも呼ぶ。
【００３０】
走査電極２３の一方の端部には、素子基板１１上の引き回し配線２２と導通をとるための部位が設けられており、この部位は、その他の領域に比べて幅が広くなっている。以下では、走査電極２３の、引き回し配線２２と導通をとるための部位、および上述した引き回し配線２２の、走査電極２３と導通をとるための部位を「上下導通領域」とも呼ぶ。また、上下導通領域において引き回し配線２２と走査電極２３の間で電気的な導通をとることを「上下導通」とも呼ぶ。走査電極２３および引き回し配線２２のそれぞれは一対一に対応しており、Ｚ軸方向から見て、上述した上下導通領域において一部が重なっている。
【００３１】
素子基板１１と対向基板１２とは、対向面の外縁部近傍に配置されたシール剤３５によって固着されている。シール剤３５は、導通粒子３６と呼ばれる導電性を有する粒子を含有する。シール剤３５は、上下導通領域にも一部重なって配置されており、上下導通領域に配置されたシール剤３５に含まれる導通粒子３６が上下導通に寄与する。
【００３２】
図３を用いて、上下導通を実現するための機構、およびガラス基板１１１上並びにガラス基板１２１上に積層された液晶装置１の構成要素について説明する。図３は、図２中のＡ−Ａ線で液晶装置１を切断したときの側断面図である。この図に示すように、引き回し配線２２および走査電極２３は、シール剤３５に内包された球状の導通粒子３６によって電気的に接続されている。導通粒子３６は、周囲を絶縁層で覆われた導電性物質であって、引き回し配線２２と走査電極２３との間隔より大きな直径を有している。導通粒子３６は、両ガラス基板を貼り合わせる際に潰され、引き回し配線２２側の接点と走査電極２３側の接点において前記絶縁層が破れて両接点間を電気的に接続する一方で、当該両接点間以外の方向については依然として絶縁された状態を保持する。この機能により、導通粒子３６は、引き回し配線２２と走査電極２３とを電気的に接続することが可能である。また、導通粒子３６は、ＸＹ平面上で導通粒子３６同士が隣接して連結しても大きな塊となって隣り合う走査電極２３間を短絡させることのない密度で散在している。
【００３３】
この他に、図３には素子基板１１に含まれるガラス基板１１１上、および対向基板１２に含まれるガラス基板１２１上に積層された液晶装置１の構成要素が示されている。ガラス基板１２１上には、赤色カラーフィルタ３１Ｒ、緑色カラーフィルタ３１Ｇ、青色カラーフィルタ３１Ｂが、同一面内に排他的に配置されて一つの層を形成している。カラーフィルタ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、入射した光のうちの特定の波長成分を吸収することによって透過光を着色する樹脂である。また、カラーフィルタ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを覆って積層されたオーバーコート３２は、カラーフィルタ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの保護を目的とした、透光性を有する樹脂である。上述した走査電極２３は、オーバーコート３２に積層して配置されている。
【００３４】
一方、ガラス基板１１１上には、柱状のフォトスペーサ３４が配置されている。フォトスペーサ３４は、フォトリソグラフィによってパターニングされた一定の高さを有する樹脂であり、素子基板１１と対向基板１２とが一定の間隔を保つように両基板を支える役割を果たす。フォトスペーサ３４は、表示の妨げとならないよう、画素領域を避けて配置されている。具体的には、データ線２７上であって走査電極２３の配置されていない位置に設けられている。
【００３５】
素子基板１１および対向基板１２と、シール剤３５とによって囲まれてできた空間には、液晶３３が封入されている。なお、素子基板１１上および対向基板１２上にはさらに配向膜等が積層されているが、図示を省略した。
【００３６】
（Ｂ．液晶装置の電気的構成）
次に、図４の模式図を用いて液晶装置１の電気的な構成について説明する。Ｘドライバ４１およびＹドライバ４２は、制御回路、電圧生成回路等（不図示）から入力端子に入力された制御信号、クロック信号等をもとに、出力端子から液晶装置１の駆動に必要な電圧信号を出力する。Ｙドライバ４２は、出力端子に接続された引き回し配線２２に対して走査電圧を供給する。Ｘドライバ４１は、出力端子に接続されたデータ線２７に対してデータ電圧を供給する。
【００３７】
引き回し配線２２は、上述した上下導通粒子３６を介して走査電極２３に接続されており、走査電極２３とデータ線２７は、表示領域において交差している。Ｙドライバ４２は左右に一つずつ配置されており、それぞれのＹドライバ４２に接続される走査電極２３は、互い違いに入り込む形で向かい合わされた櫛歯状に配置されている。走査電極２３とデータ線２７の交差には、「非線形抵抗素子」としてのＴＦＤ素子５０と液晶容量３３Ｃが直列に配置されている。ＴＦＤ素子５０はデータ線２７と、液晶容量３３Ｃは走査電極２３と、それぞれ接続されている。なお、この図には示されていないが、画素電極２４の配置位置は、ＴＦＤ素子５０と液晶容量３３Ｃとの間に相当する。以下では、ＴＦＤ素子５０、液晶容量３３Ｃ（液晶３３）、画素電極２４を含む表示の最小単位を「画素」と呼ぶ。
【００３８】
ここで、図５を用いてＴＦＤ素子５０について説明する。図５は、データ線２７と画素電極２４とがＴＦＤ素子５０を介して接続されている部位を拡大して示した斜視図である。この図に示すように、ＴＦＤ素子５０は、第１ＴＦＤ要素５０ａと、第２ＴＦＤ要素５０ｂとからなる。第１ＴＦＤ要素５０ａ、および第２ＴＦＤ要素５０ｂのそれぞれは、ＴａＷからなる第１素子電極５１と、第１素子電極５１を陽極酸化することにより形成されたタンタル酸化膜からなる絶縁層５２と、絶縁層５２に重ねて形成された高濃度タングステンからなる第２素子電極５３との３層構造を有する。ここで、高濃度タングステンとは、上述したようにタングステンの濃度が６０原子％を超えるような合金、もしくは純粋なタングステンを指すが、本実施形態では純粋なタングステンが用いられている。第２素子電極５３は、上述したデータ線２７と同一の材料、同一の製造プロセスで形成される。
【００３９】
このようなＭＩＭ構造を有するＴＦＤ素子５０は、電圧に対して非線形に応答する素子である。より詳細には、印加電圧がある一定値以下のときにはほとんど電流が流れないが、印加電圧が当該一定値を越えれば印加電圧に応じて電流が流れるという性質を有する。このため、ＴＦＤ素子５０はスイッチング素子として機能する。以下では、非線形抵抗素子の、印加電圧に対する電流特性を「素子特性」とも呼ぶ。
【００４０】
第１ＴＦＤ要素５０ａの第２素子電極５３は、データ線２７から延設されている。また、第２ＴＦＤ要素５０ｂの第２素子電極５３の先端に重なるように、画素電極２４が形成される。データ線２７から画素電極２４へ向けて電気信号が流れることを考えれば、その電流方向に従って、第１ＴＦＤ要素５０ａでは第２素子電極５３→絶縁層５２→第１素子電極５１の順に電気信号が流れ、一方、第２ＴＦＤ要素５０ｂでは第１素子電極５１→絶縁層５２→第２素子電極５３の順に電気信号が流れる。
【００４１】
つまり、第１ＴＦＤ要素５０ａと第２ＴＦＤ要素５０ｂとの間では電気的に逆向きの一対のＴＦＤ要素が互いに直列に接続されている。このような構造は、一般に、バック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれており、この構造のＴＦＤ素子は、ＴＦＤ素子を１個のＴＦＤ要素だけによって構成する場合に比べて、安定した素子特性を得られることが知られている。なお、ＴＦＤ素子の安定化がそれ程に必要でない場合には、１つのＴＦＤ要素のみでＴＦＤ素子を構成しても良い。
【００４２】
再び図４に戻り、ＴＦＤ素子５０に印加される駆動電圧と、ＴＦＤ素子５０および液晶容量３３Ｃの作用について説明する。ＴＦＤ素子５０には、走査電極２３およびデータ線２７から供給された電圧信号によって決まる駆動電圧が印加される。具体的には、Ｙドライバ４２から出力され、引き回し配線２２、上下導通粒子３６、および走査電極２３を介して伝達される走査電圧と、Ｘドライバ４１から出力され、データ線２７を介して伝達されるデータ電圧とによって定まる駆動電圧が、ＴＦＤ素子５０および液晶容量３３Ｃに印加される。ＴＦＤ素子５０には駆動電圧に応じた電流が流れ、この電流に対応した電荷が液晶容量３３Ｃに保持される。
【００４３】
液晶容量３３Ｃを有する液晶３３は、液晶容量３３Ｃに保持された電荷の量によって配向状態が決まり、その配向状態に応じて透過する光の偏光状態を変えることが可能な電気光学物質である。したがって、駆動電圧を適当に設定することにより液晶３３を透過する光の偏光状態を操作することができる。液晶装置１は、この透過光を偏光板等の光学フィルタを通して取り出すことによって所望の輝度の表示を行う。駆動電圧を画素ごとに変化させれば、液晶３３の配向状態、ひいては画素領域を透過する光の偏光状態を画素ごとに異ならせることが可能である。液晶装置１はこうした画素の集合によって所望の輝度分布をもった表示を行うことができる。液晶装置１においては、液晶容量３３Ｃに保持される電荷が小さいときには透過率が高くなり、また大きいときには透過率が低くなるように、前述の光学フィルタが設定されている。換言すれば、液晶装置１は、ＴＦＤ素子５０に流れる電流が少なくなるような駆動電圧で駆動すれば表示の輝度が高くなり、逆に電流が多くなるような駆動電圧で駆動すれば表示の輝度が低くなる。このような表示モードをノーマリホワイトモードと呼ぶ。
【００４４】
さらに各画素領域の透過光は、上述したカラーフィルタ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂによって着色される。図３に示したように、画素電極２４が規定する各画素領域は、カラーフィルタ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂのいずれか一つに対応しているので、各画素は、赤、緑、青のいずれかの色を表示する。互いに隣接するこれら３色の画素各１つずつから構成される表示単位をピクセルと呼ぶ。１つのピクセルは、これを構成する各画素が上述の方法で輝度を個別にプログラムされた赤、緑、青各色の表示を行うことにより、様々な色相、輝度の表示を行うことができる。液晶装置１は、マトリクス状に配置された多数のピクセルの表示の集合によって所望の表示を行う表示装置である。
【００４５】
（Ｃ．ＴＦＤ素子の特性）
ここで、本発明の特徴部分であるＴＦＤ素子５０の組成および特性について、図６から図１０を参照しながら詳述する。
【００４６】
上述したように、ＴＦＤ素子５０に含まれる第２素子電極５３には、タングステンの濃度が６０原子％より高い、高濃度タングステンが用いられており、本実施形態の第２素子電極５３は純粋なタングステンからなる。
【００４７】
（Ｃ−１．耐電蝕特性）
高濃度タングステンは、電蝕、すなわち電気的な腐蝕に強いという特性を有している。こうした特性を、図６のグラフに示す。図６は、モリブデン・タングステン（ＭｏＷ）合金におけるタングステンの濃度に対する極大電蝕電流をプロットしたグラフである。
【００４８】
ここで、極大電蝕電流は、以下の測定条件で計測される電流である。すなわち、まず、図７に示すように、純水中において、Ｌ１×Ｌ２＝３０μｍ×５０μｍの寸法を有する２つのモリブデン・タングステン合金の電極を、距離Ｔ＝１０μｍ離した位置に対峙させる。そして、対峙させた電極間に電圧を印加したときの最大貫通電流を計測し、これを極大電蝕電流とする。電蝕は、両電極間に電流が流れて電極表面の金属原子がイオン化し、溶出する現象である。よって、極大電蝕電流は、値が小さいほど電蝕が起こり難いことを示す特性値であると言える。図６から、タングステンの濃度が６０原子％を超える合金においてはほとんど極大電蝕電流が流れず、電蝕に非常に強いことが分かる。
【００４９】
なお、上述したように、データ線２７も高濃度タングステンからなり、電蝕に対して強い耐性を有する。同様に、引き回し配線２２、入力線２５，２６も高濃度タングステンからなるため、高い耐電蝕特性を有する配線である。
【００５０】
（Ｃ−２．素子特性）
ＴＦＤ素子５０のような２端子型の非線形抵抗素子の素子特性を表すものとして、保持特性を表す抵抗値Ｒ４および書込み特性を表す抵抗値Ｒ１０がある。抵抗値Ｒ４は、素子に保持電圧として４ボルト（Ｖ）を印加したときの抵抗値である。また、抵抗値Ｒ１０は、素子に書込み電圧として１０Ｖを印加したときの抵抗値である。第２素子電極としてクロムを用いたＴＦＤ素子についての抵抗値Ｒ４および抵抗値Ｒ１０は、室温で
Ｒ４＝１×１０11Ω
Ｒ１０＝１×１０9Ω
であり、このことをグラフによって表すと図８に示すようになる。なお、図８に示す素子特性線図において、実線で示す特性が第２素子電極としてクロムを用いたＴＦＤ素子の素子特性である。また、図８の特性は、バック・ツー・バックの構造を有するＴＦＤ素子に関するものである。
【００５１】
クロムの代替金属を考えるとき、素子特性はクロムと同等又はそれ以上であることが望ましい。ここで、第２素子電極がクロムであるＴＦＤ素子において、Ｒ４＝１×１０11Ω、Ｒ１０＝１×１０9Ωであることを考えれば、代替金属として望ましいのは、保持特性を良好に維持する観点から、
Ｒ４≧１×１０11Ω  ……（１）
であり、書込み特性を良好に維持する観点から、
Ｒ１≦１×１０9Ω  ……（２）
である。上記の（１）式及び（２）式を図８のグラフに示せば、斜線で示す領域が素子特性として良好な領域である。したがって、鎖線Ａで示す直線のように第２素子電極としてクロムを用いたＴＦＤ素子の特性直線よりも傾きの大きい直線で表される特性を実現できることが望ましい。
【００５２】
本実施形態のように、第２素子電極５３として高濃度タングステンを用いたＴＦＤ素子５０は、特に抵抗値Ｒ４がクロムに比べて高い（すなわち、上記（１）式を満たす）。このことは、液晶装置１の表示品位を、高温環境下においても良好な状態に維持可能であることを示している。すなわち、一般に、ＴＦＤ素子の温度が高くなると抵抗値Ｒ４が室温時に比べて低下し、保持特性が得られなくなって表示のコントラストが悪化することが知られている。このことを表したのが図９のグラフである。これに対して、第２素子電極５３に高濃度タングステンを用いたＴＦＤ素子５０は、常温において高い抵抗値Ｒ４を示すので、高温時においても一定の保持特性を確保可能である。このため、液晶装置１は、高温環境下においても高い表示コントラスト、ひいては高い表示品位を維持することができる。
【００５３】
（Ｃ−３．比抵抗）
図１０は、モリブデン・タングステン合金におけるタングステンの濃度に対する比抵抗をプロットしたものである。一方、クロムの比抵抗は、約２０μΩｃｍである。この図から、タングステンの濃度が１００原子％に近い領域において、比抵抗は約１６μΩｃｍであり、クロムとほぼ同程度の比抵抗となることがわかる。
【００５４】
以上のように、高濃度タングステンを第２素子電極５３に有するＴＦＤ素子５０は、クロムを第２素子電極とするＴＦＤ素子に比べて電蝕に強く、かつ素子特性に優れる。よって、高濃度タングステンは、クロムの代替材料としてＴＦＤ素子５０の第２素子電極５３に適用可能である。また、こうしたＴＦＤ素子５０を備えた液晶装置１は、高い信頼性を有するとともに、特に高温環境下で高品位の表示を行うことができる。また、当該液晶装置１はクロムを含まないので、その生産から流通、廃棄までの過程を通して、環境に悪影響を与える可能性が少ない。
【００５５】
（Ｄ−１．高濃度タングステンのエッチング方法）
続いて、液晶装置１の製造方法について説明する。まず、液晶装置１の製造方法全体の説明に先立って、本発明の特徴部分である、高濃度タングステンをウェットエッチングする方法について図１１および図１２を用いて説明する。
【００５６】
従来、高濃度タングステンをウェットエッチングするのは困難とされていたが、本発明の発明者は、次のような水溶液をエッチング液に用いることによって高濃度タングステンをウェットエッチングすることが可能であることを見出した。その水溶液とは、燐酸および硝酸を含む水溶液であって、燐酸の重量パーセント濃度が２５％以上かつ４０％以下であり、硝酸の重量パーセント濃度が５％以上かつ１５％以下であり、温度が５５℃以上かつ６５℃以下である水溶液である。
【００５７】
図１１（ａ）は、高濃度タングステンとしてのモリブデン・タングステン合金をエッチングする際の、エッチング液の燐酸濃度に対するエッチレートを測定してプロットしたグラフである。ここで、エッチング液の温度は６０℃、エッチング液の硝酸の重量パーセント濃度は１０％に固定されている。この図から分かるように、燐酸濃度がおよそ２５％以上かつ４０％以下であるときに、高いエッチレートを示している。また、燐酸濃度が３０％であるときに、もっとも高いエッチレートが得られることが分かる。
【００５８】
同様に、図１１（ｂ）は、高濃度タングステンとしてのモリブデン・タングステン合金をエッチングする際の、エッチング液の硝酸濃度に対するエッチレートを測定してプロットしたグラフである。ここで、エッチング液の温度は６０℃、エッチング液の燐酸の重量パーセント濃度は３０％に固定されている。この図から分かるように、硝酸濃度がおよそ５％以上かつ１５％以下であるときに、高いエッチレートを示している。また、硝酸濃度が１０％であるときに、もっとも高いエッチレートが得られることが分かる。
【００５９】
また、図１２は、燐酸の重量パーセント濃度が３０％、硝酸の重量パーセント濃度が１０％である水溶液をエッチング液とし、エッチング液の温度を変えてモリブデン・タングステン合金をエッチングした際のエッチレートをプロットしたものである。この図から、どのようなタングステン濃度を有するモリブデン・タングステン合金に対しても、エッチング液の温度が６０℃の時に最も高いエッチレートが得られることがわかる。６０℃のエッチング液によれば、純粋なタングステンに対しても、約２Å／ｓｅｃという高いエッチレートでエッチングが可能である。なお、温度が６０℃を超えると、レジストが剥がれる不具合が起こりやすくなる。
【００６０】
以上から、燐酸の重量パーセント濃度が２５％以上かつ４０％以下であり、硝酸の重量パーセント濃度が５％以上かつ１５％以下であり、温度が５５℃以上かつ６５℃以下である水溶液とすることによって、タングステンの濃度が６０原子％より高い高濃度タングステンとしてのモリブデン・タングステン合金をウェットエッチングすることができる。特に、燐酸の重量パーセント濃度が３０％、硝酸の重量パーセント濃度が１０％、温度が６０℃である水溶液が、モリブデン・タングステン合金のウェットエッチングには最も好適である。以上のエッチング方法は、タングステンの濃度が略１００原子％である金属に対しても適用することができる。
【００６１】
（Ｄ−２．液晶装置の製造方法）
続いて、図１３および図１４を参照しながら、上記高濃度タングステンのエッチング方法を用いた液晶装置１の製造方法について説明する。図１３は、液晶装置１の製造方法を示す工程図である。図１３において、工程Ｐ１２および工程Ｐ１３は複合素子基板を製造するための工程であり、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３は複合対向基板を製造するための工程である。工程Ｐ３１から工程Ｐ３５は、複合素子基板および複合対向基板を組み合わせて液晶装置１を製造するための工程である。工程Ｐ１２および工程Ｐ１３と、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３とは、それぞれ独立に行われる。
【００６２】
ここで、複合素子基板は、ガラス基板１１１上に複数の液晶装置１に対応する構成要素をマトリクス状に形成したものであり、複数の素子基板１１を内包する。同様に、複合対向基板は、ガラス基板１２１上に複数の液晶装置１に対応する構成要素をマトリクス状に形成したものであり、複数の対向基板１２を内包する。個々の液晶装置１は、複合素子基板および複合対向基板を貼り合わせて複合基板を形成した後に、これを行方向に１次ブレイク（切断）して一つの行からなる短冊状の複合基板を取り出し、さらに当該短冊状の複合基板を個々の液晶装置１に対応する形状に２次ブレイクする工程を経て製造される。
【００６３】
まず、工程Ｐ１２では、ガラス基板１１１に、データ線２７、引き回し配線２２、画素電極２４、入力線２５，２６、ＴＦＤ素子５０を形成する。この工程は、図１４に示す工程Ｓ１から工程Ｓ１１をさらに含んでいる。以下、図１４を用いて工程Ｐ１２について詳述する。なお、以下ではデータ線２７、引き回し配線２２、入力線２５，２６をまとめて「配線」とも呼ぶ。
【００６４】
図１４は、ＴＦＤ素子５０、配線および画素電極２４の形成工程を示す工程図である。この工程は、大きく分けて、下地層形成工程Ｑ１、第１素子電極５１等を形成する工程Ｑ２、絶縁層５２等を形成する工程Ｑ３、第２素子電極５３等を形成する工程Ｑ４、そして画素電極２４を形成する工程Ｑ５からなる。なお、本稿の各図面においては、下地層形成工程Ｑ１によって形成される下地層の図示は省略されている。
【００６５】
まず、工程Ｓ１において、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）をスパッタ処理によって成膜して下地層を形成する。次に、工程Ｓ２において、タンタル・タングステン（ＴａＷ）をスパッタ処理によって一様な厚さで成膜する。次に、工程Ｓ３において、フォトエッチング処理（すなわち、フォトリソグラフィ処理、エッチング処理及びレジスト剥離処理）により、図５の第１素子電極５１を素子ごとに分割されていない一体の状態（以下、単に一体状態という）に形成する。エッチング後のレジスト剥離処理は硫酸（Ｈ2ＳＯ4）溶液を用いて行われる。
【００６６】
一体状態の第１素子電極５１とは、島状でない連続した状態の第１素子電極５１をいう。なお、島状に独立した第１素子電極５１は、図５に示されている。第１素子電極形成工程Ｑ２では、島状の第１素子電極５１をいきなり形成するのではなく、複数の島状の第１素子電極５１が互いに連続する状態で第１素子電極５１が形成される。このとき、互いに連続して線状に延びる第１素子電極５１を一体状態の第１素子電極５１という。
【００６７】
次に、工程Ｓ４において、クエン酸水溶液中で１０Ｖの電圧で陽極酸化処理を行い、上記第１素子電極５１の表面に、層厚約２００Åの酸化タンタルからなる絶縁層５２を形成する（図５参照）。
【００６８】
次に、工程Ｓ５において、温度３２０℃で第１回目のアニール処理、すなわちアニールＡを実行する。このアニールＡは、絶縁層５２の膜質を整えるために行われる。
【００６９】
次に、工程Ｓ６において、フォトエッチング処理を用いて不要な部分の絶縁層５２及び第１素子電極５１をドライエッチング除去して、島状の第１素子電極５１及び絶縁層５２を形成する。
【００７０】
次に、工程Ｓ７において、第２素子電極５３および配線の材料である高濃度タングステンをスパッタ処理によって膜厚約０．２μｍに形成する。本実施形態では、純粋なタングステンの薄膜を形成する。次に、工程Ｓ８において、高濃度タングステンに対してフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を施すことにより、高濃度タングステンを第２素子電極５３、配線の所定の形状にパターニングする。工程Ｓ８におけるエッチング処理は、上述した高濃度タングステンのエッチング方法を用いて行われる。
【００７１】
次に、電極形成工程Ｑ５において、図５のＴＦＤ素子５０の第２ＴＦＤ要素５０ｂの第２素子電極５３に接触するように、画素電極２４を形成する。具体的には、工程Ｓ９において、ａ（アモルファス）−ＩＴＯをスパッタ処理によって一様な膜厚で形成する。例えば、Ａｒ（アルゴン）流量１００ＳＣＣＭ、Ｏ2流量０．４ＳＣＣＭ、トータル圧力０．８パスカルの混入ガスの下、２３℃の室温で５００Åのａ−ＩＴＯを成膜する。ａ−ＩＴＯは、アモルファス組成でないＩＴＯをスパッタ処理するときに比べて、スパッタ温度を低く（本実施形態では２３℃に）設定することによって実現できる。
【００７２】
次に、工程Ｓ１０において、ａ−ＩＴＯの層膜に対してフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を施すことにより、ａ−ＩＴＯを希望する画素電極形状にパターニングする。このときのエッチング処理は、エッチング液として蓚酸（（ＣＯＯＨ）2）、例えば関東化学社製のＩＴＯ―０６Ｎを用いて、４０℃で４０秒間行う。レジスト剥離処理は、有機系の剥離液を用いて行う。
【００７３】
次に、工程Ｓ１１において、第２素子電極５３の化学的構造を安定化させるために、第２回目のアニール処理であるアニールＢを実行する。具体的には、２５０℃で６０分のアニール処理を行う。工程Ｓ１１のアニール処理を行うにあたって、アニール温度条件及びアニール時間が変化すると、ＴＦＤ素子５０における上記抵抗値Ｒ４、Ｒ１０が変化する。本実施形態において、工程Ｓ１１のアニールＢは、ＴＦＤ素子５０の素子特性が
Ｒ４  ＝１×１０12Ω
Ｒ１０＝１×１０9Ω
となることを目指して行われる。なお、工程Ｓ１１のアニールＢを行うことにより、同時にａ−ＩＴＯは多結晶ＩＴＯに変わる。これにより、ＩＴＯの透明性が確保される。
【００７４】
以上の工程Ｓ１からＳ１１（すなわち図１３における工程Ｐ１２）を経て、ガラス基板１１１上に、データ線２７、引き回し配線２２、画素電極２４、入力線２５，２６、ＴＦＤ素子５０が形成される。
【００７５】
図１３に戻り、工程Ｐ１３では、フォトスペーサ３４を形成する。フォトスペーサ３４は、一定の厚さを有する樹脂をフォトリソグラフィ処理によって配置して形成される。なお、工程Ｐ１３に続いて、配向膜の塗付やラビング処理が行われるが、図示を省略した。工程Ｐ１２および工程Ｐ１３を経て、ガラス基板１１１を基体とする複合素子基板が完成する。
【００７６】
工程Ｐ２１では、ガラス基板１２１上にカラーフィルタ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ、およびオーバーコート３２を形成する。カラーフィルタ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ、およびオーバーコート３２は、この順に樹脂材料の塗付とフォトリソグラフィ処理によるパターニングを繰り返して形成される。
【００７７】
工程Ｐ２２では、オーバーコート３２に積層してＩＴＯからなる走査電極２３を形成する。走査電極２３の形成は、例えば、スパッタ処理とフォトリソグラフィ処理によって行われる。なお、工程Ｐ２２に続いて、配向膜の塗付やラビング処理が行われるが、図示を省略した。
【００７８】
工程Ｐ２３では、ガラス基板１２１の所定の位置にシール剤３５を形成する。シール剤３５には、あらかじめ導通粒子３６が混入されている。シール剤３５は、例えば、スクリーン印刷によって形成される。工程Ｐ２１から工程Ｐ２３を経て、ガラス基板１２１を基体とする複合対向基板が完成する。
【００７９】
工程Ｐ３１では、複合素子基板と複合対向基板とを貼り合せて複合基板を形成する。貼り合わせは、複合素子基板と複合対向基板との間でアライメント（位置合わせ）をした後、シール剤３５を介して接触、圧着して行われる。
【００８０】
工程Ｐ３２では、工程Ｐ３１で得られた複合基板に対して１次ブレイクを行う。１次ブレイクは、複合基板の表面にスクライブ溝を行方向に形成し、当該スクライブ溝の位置に外力を印加して切断することによって行われる。これにより、液晶装置１に対応する構成要素が一行に並んだ短冊状の複合基板が得られる。この複合基板の一つの端面には、それぞれの液晶装置１に対応する液晶注入口が露出している。
【００８１】
工程Ｐ３３では、工程Ｐ３２で得られた短冊状の複合基板に注入口から液晶を注入し、注入口を封止する。液晶の注入は、真空下で注入口に液晶を浸し、素子基板１１、対向基板１２、シール剤３５によって囲まれた領域に毛細管現象によって液晶を導入して行う。封止は、注入口に紫外線硬化性樹脂を塗布した後に紫外線を照射し、当該樹脂を硬化させて行う。なお、封止工程の後には基板の洗浄が行われるが、図示を省略した。
【００８２】
工程Ｐ３４では、液晶注入および封止が完了した短冊状の複合基板に対して２次ブレイクを行う。２次ブレイクは、短冊状の複合基板の表面にスクライブ溝を形成し、当該スクライブ溝の位置に外力を印加して切断することによって行われる。これにより、単一の素子基板１１および対向基板１２を有する、個々の液晶装置１に対応する形状（パネル状）の複合基板が得られる。得られた複合基板は、それぞれが実装基部を有する。
【００８３】
工程Ｐ３５では、工程Ｐ３４で得られたパネル状の複合基板の実装基部にＸドライバ４１、Ｙドライバ４２を実装する。この後さらに複合基板の表面に偏光板の貼り付けを行うが、図示を省略した。
【００８４】
上記の工程を経て、高濃度タングステンを第２素子電極５３に有するＴＦＤ素子５０を備えた液晶装置１が得られる。
【００８５】
上記実施形態は、「基体」としてのガラス基板１１１、および該ガラス基板１１１上にパターニングされた高濃度タングステンの薄膜を含むデータ線２７、引き回し配線２２、入力線２５，２６に着目した場合は、本発明における「基板」および「基板の製造方法」の実施形態にも相当する。
【００８６】
（Ｅ．電子機器への搭載例）
続いて、液晶装置１を搭載した電子機器について説明する。図１５は、液晶装置１を搭載した「電子機器」としての携帯電話機５００の斜視図である。携帯電話機５００は、表示部５１０および操作ボタン５２０を有している。表示部５１０は、内部に組み込まれた液晶装置１によって、操作ボタン５２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報を表示することができる。携帯電話機５００は、信頼性が高くかつ高濃度タングステンの金属薄膜からなるＴＦＤ素子５０と配線を有する液晶装置１によって、表示部５１０において、広い温度範囲で高品位な表示を行うことができる。
【００８７】
なお、本発明を適用した液晶装置１は、上記携帯電話機５００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、プロジェクタなどの各種電子機器に用いることができる。
【００８８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００８９】
（変形例１）
上記実施形態では、ＴＦＤ素子５０の第２素子電極５３や、配線に、高濃度タングステンとして純粋な（すなわち濃度１００原子％の）タングステンを用いたが、これに代えて、タングステン濃度が６０原子％より高い合金とすることもできる。こうした合金としては、モリブデン・タングステン合金などをあげることができ、これも上述のエッチング方法によってウェットエッチングすることができる。このような合金も高い耐電蝕性を有し、また、ＴＦＤ素子５０の第２素子電極５３に用いた場合には、良好な素子特性が得られる。よって、高濃度タングステンとしてこうした合金を用いた液晶装置も、信頼性が高く、広い温度範囲で高品位な表示を行うことができる。
【００９０】
（変形例２）
上記実施形態を本発明の「基板」および「基板の製造方法」と見たとき、当該基板は電気光学装置の素子基板に限られず、この他にも、配線基板等の、表面に高濃度タングステンがパターニングされた種々の基板を含む。
【００９１】
（変形例３）
上記実施形態において、画素電極２４の形成はａ−ＩＴＯの形成工程を含むが、これに代えて以下のような製造方法によって製造することもできる。すなわち、画素電極２４の形成過程において、図１４の工程Ｓ９ではアモルファス組成でないＩＴＯをスパッタし、工程Ｓ１０では王水系エッチング液（硝酸：塩酸：水＝１：１０：１０）を用いてＩＴＯをエッチング処理してもよい。こうした製造方法によっても上記液晶装置１を製造することができる。
【００９２】
（変形例４）
上記実施形態では、電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明はこれに限定する趣旨ではなく、この他にも有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ等、非線形抵抗素子をスイッチング素子とする種々のアクティブマトリクス方式の電気光学装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の斜視図。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶装置の電極の配置を示す平面図。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶装置の側断面図。
【図４】本発明の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す模式図。
【図５】ＴＦＤ素子の構成を示す斜視図。
【図６】タングステン濃度に対する極大電蝕電流の大きさを示すグラフ。
【図７】極大電蝕電流の測定装置を示す模式図。
【図８】ＴＦＤ素子の素子特性を示すグラフ。
【図９】抵抗値Ｒ４に対する高温環境下のコントラストを示すグラフ。
【図１０】モリブデン・タングステン合金におけるタングステン濃度に対する比抵抗を示すグラフ。
【図１１】（ａ）は、高濃度タングステンのエッチング液における燐酸濃度に対するエッチレートを示すグラフ、（ｂ）は、高濃度タングステンのエッチング液における硝酸濃度に対するエッチレートを示すグラフ。
【図１２】高濃度タングステンのエッチングに際し、エッチング液の温度を変化させたときのエッチレートを示すグラフ。
【図１３】液晶装置の製造方法を示す工程図。
【図１４】ＴＦＤ素子、配線、電極の形成方法を示す工程図。
【図１５】本発明の実施形態に係る携帯電話機の斜視図。
【符号の説明】
【００９４】
１…「電気光学装置」としての液晶装置、１１…「基板」としての素子基板、１１１…「基体」としてのガラス基板、１２…対向基板、１２１…ガラス基板、２２…引き回し配線、２３…走査電極、２４…画素電極、２５，２６…入力線、２７…データ線、３３…「電気光学物質」としての液晶、５０…ＴＦＤ素子、５１…第１素子電極、５２…絶縁層、５３…第２素子電極、５００…携帯電話機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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