(57)【要約】【課題】  部品点数の低減可能な半導体レーザモジュールと、光軸調整の煩雑を低減することのできる半導体レーザモジュールの製造方法とを提供する。【解決手段】  一つの基板１０６上に送信用半導体レーザ１０１および受信用受光素子１０３およびハーフミラー１０４を配設させることにより、ユニット数および集光レンズ数を低減することができるので、部品点数を削減することができ、また、集光レンズ１３０がひとつになるので、従来なら二回必要であった光軸調整が一回で済む。【選択図】  図１
2007019304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザから出射された第一のレーザ光が光ファイバ端に出力され、前記光ファイバ端から入射した第二のレーザ光が受信用受光素子に入力される半導体レーザモジュールであって、
第一のレーザ光を透過させ、かつ第二のレーザ光を反射して前記受光素子に到達させるためのハーフミラーが、前記半導体レーザおよび前記受光素子が組み付けられた基板上に配され、当該基板がパッケージ内に封入され、
前記光ファイバ端と前記ハーフミラーとの間に、第一のレーザ光を前記光ファイバ端に集光させると共に第二のレーザ光を前記受光部に集光させるレンズが配されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記半導体レーザのレーザ光出射端および前記受光素子のレーザ光入射端から集光レンズにかけて第一のレーザ光および第二のレーザ光の光路が横切る基板主面部位に窪み部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記半導体レーザは、前記出射端が前記窪み部に張り出すように前記基板主面に配されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記受光素子は、前記入射端が前記窪み部に張り出すように前記基板主面に配されていることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記パッケージは、それに封入された各素子とパッケージ外部とを電気的に導通する複数の棒状電極端子を備えており、
前記電極端子は、二極構造を有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
送信用半導体レーザと、受信用受光素子と、ハーフミラーとを準備する工程と、
前記半導体レーザ、前記受光素子および前記ハーフミラーを同一基板に配設する工程と、
前記基板をパッケージ内に封入する工程と、
前記基板の封入されたパッケージをマウントに接続する工程と、
駆動状態を想定したとき、前記基板と光ファイバとの間を結ぶレーザ光の光路に集光レンズが介在するように前記集光レンズを配する工程と、
前記光路が前記半導体レーザもしくは前記受光素子と前記光ファイバとを結ぶように、かつレーザ光集光位置が光ファイバ端および受光用受光素子入力端から外れないように光軸調整を行うとともに光ファイバを前記マウントに固定する工程とを含む半導体レーザモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信用半導体レーザモジュールに関し、特にその製造方法の改良技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信では、信号光として１．３［μｍ］帯、又は１．５５［μｍ］帯の波長を有するレーザ光が広く用いられており、これら２種の、互いに波長の異なるレーザ光を送受信用信号光に使用して、双方向の光通信が実現されている。
上記２種類の、波長が異なるレーザ光を送受信用信号光として用いる双方向光通信用装置として、半導体レーザモジュールが広く用いられている。
１−１．半導体レーザモジュールの構成
従来の双方向光通信用半導体レーザモジュールを図５に示す（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
従来の双方向光通信用半導体レーザモジュールでは、分岐マウント７２４に発信用ユニット５１０と受信用ユニット６１０とがパッケージとして接合された状態となっている。
１−１−１．分岐マウント７２４の構成
分岐マウント７２４では、光ファイバ７２１がフェルール７２２に固定され、そしてフェルール７２２がフェルールフォルダ７２３に例えばレーザ溶接により固定されていて、フェルールフォルダ７２３が分岐マウント７２４の壁面に例えばレーザ溶接により接合され、また、ハーフミラー８０４が分岐マウント７２４に内包され、固定されている。
【０００４】
ハーフミラー８０４は、特許文献１に示された「分波フィルタ」および特許文献２に示された「光分離フィルタ」に相当するものであり、一方の主面は光を反射し、他方の主面は光を透過する機能を備えている。
ハーフミラー８０４は、光信号の送受信が行われている状態を想定したときに、光ファイバ７２１から入力されたレーザ光を反射して受信用ユニット６１０に導入し、また、発信用ユニット５１０から出力されたレーザ光を透過して光ファイバ７２１に導入することができるような角度を持って、分岐マウント７２４内で固定されている。
１−１−２．発信用ユニット５１０の構成
発信用ユニット５１０は、第１のレンズマウント５０８が、半導体レーザ５０１およびモニタ用受光素子５０２を内包しながら、第１のチップキャリア５０７と例えば溶接により接合されてなる。
【０００５】
第１のチップキャリア５０７の基板台座部５０９には、Ｓｉ製の基板５０６が固定され、その主面に、例えば１．５５［μｍ］帯の波長のレーザ光を出射する半導体レーザ５０１と、半導体レーザ５０１の光出力を検知するためのモニタ用受光素子５０２とが設けられている。
第１のチップキャリア５０７には、図示しない電極リード端子が例えば４本配され、半導体レーザ５０１ならびにモニタ用受光素子５０２の電極を外部に取り出せるように配されている。
【０００６】
第１のレンズマウント５０８には、半導体レーザ５０１からレーザ光が出射されたと想定した場合に、出射されたレーザ光の光軸９４０の経路上に配されるように、第１のレンズ５３０が例えば圧着により固定されている。
１−１−３．受信用ユニット６１０の構成
受信用ユニット６１０は、第２のレンズマウント６０８が、受信用受光素子６０３およびプリアンプ６０５を内包しながら、第２のチップキャリア６０７と例えば溶接により接合されてなる。
【０００７】
第２のチップキャリア６０７の台座部６０９には、受信用受光素子６０３と、受信用受光素子６０３の出力電流を増幅するためのプリアンプ６０５とが設けられている。
第２のチップキャリア６０７には、図示しない電極リード端子が例えば４本配され、受信用受光素子６０３ならびにプリアンプ６０５の電極を外部に取り出せるように配されている。
【０００８】
第２のレンズマウント６０８には、光ファイバ７２１から入射されたレーザ光９４０が分岐マウント７２４のハーフミラー８０４に反射されたと想定した場合に、反射されたレーザ光９４０の光軸経路上に配されるように、第２のレンズ６３０が例えば圧着により固定されている。
上記構成を採用することにより、図５に示す従来の双方向光通信用半導体レーザモジュールは、半導体レーザ５０１より出力されたレーザ光が、第一のレンズ５３０により集光されて光ファイバ７２１に導入され、光ファイバ７２１より入射されたレーザ光が、ハーフミラー８０４により反射されて受信用受光素子６０３に入力されるようになっている。
１−２．半導体レーザモジュールの製造方法
以下、従来の双方向光通信用半導体レーザモジュールの製造方法について説明する。
【０００９】
あらかじめ、上記構成を備えた発信用ユニット５１０および受信用ユニット６１０を準備しておく（図示せず）。
１−２−１．分岐マウント７２４への接合および光軸調整―その１−
従来の双方向光通信用半導体レーザモジュールの製造方法を図６（ａ）ないし（ｄ）に示す。
図６（ａ）に示すように、ハーフミラー８０４が内部で固定された分岐マウント７２４に発信用ユニット６１０を接合する。
【００１０】
そして、図６（ｂ）に示すように、半導体レーザ５０１から出射されたレーザ光が光ファイバ７２１へ出力されるように、光ファイバ７２１の光軸調整を行った上で、例えばレーザ溶接によってフェルール７２２とフェルールフォルダ７２３とを、そしてフェルールフォルダ７２３と分岐マウント７２４とを互いに固定する。
１−２−２．分岐マウント７２４への接合および光軸調整―その２−
図６（ｃ）に示すように、光ファイバ７２１から入射されたレーザ光が受信用受光素子６０３に入力されるように、受信用ユニット６１０の光軸調整を行った上で、受信用ユニット６１０を分岐マウント７２４に例えば溶接により接合する。
【特許文献１】特開２０００−３０４９８５号公報
【特許文献２】特開平１０−２０６６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記従来の双方向光通信用半導体レーザモジュールでは、発信用ユニット５１０と受信用ユニット６１０の二つのユニットが備えられていることから、部品点数が多くなるという問題がある。
また、組立工程において、時間のかかる光軸調整が二度も必要になることから組立工程が煩雑になるという問題がある。
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされてものであり、部品点数が少なく、かつ組立て容易な半導体レーザモジュール並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の半導体レーザモジュールでは、半導体レーザから出射された第一のレーザ光が光ファイバの端に出力され、上記光ファイバ端から入射された第二のレーザ光が受信用受光素子に入力される半導体レーザモジュールに対し、第一のレーザ光を透過させ、かつ第ニのレーザ光を反射して上記受光素子に到達させるためのハーフミラーを、上記半導体レーザおよび上記受光素子が組み付けられた基板上に配し、当該基板をパッケージに封入させ、上記光ファイバ端と上記ハーフミラーとの間に、第一のレーザ光を上記光ファイバ端に集光させるとともに第二のレーザ光を上記受光部に集光させるレンズを、配させた。
【００１４】
また、本発明の半導体レーザモジュールの製造方法では、送信用半導体レーザと、受信用受光素子と、ハーフミラーとを準備する工程と、上記半導体レーザ、上記受光素子および上記ハーフミラーを同一基板に配設する工程と、封止パッケージに上記基板を内包する工程と、上記基板の内包された封止パッケージをマウントに接続する工程と、駆動状態を想定したとき、上記基板と光ファイバとの間を結ぶレーザ光の光路に集光レンズが介在するように当該集光レンズを配する工程と、上記光路が上記半導体レーザもしくは受信用受光素子と光ファイバとを結ぶように、かつレーザ光集光位置が光ファイバ端部および受信用受光素子入力端部から外れないように光軸調整を行うとともに光ファイバーを上記マウントに固定する工程とを含ませた。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明の半導体レーザモジュールでは、信号入出力状態において、第一のレーザ光および第二のレーザ光を、一つのレンズによって集光させているので、従来の半導体レーザモジュールに比べ、部品点数を削減することができる。
また、半導体レーザモジュールの製造時において、従来の半導体レーザモジュールではレンズを２つ用いているために二回の光軸調整が必要となる構成であったのに対し、当該モジュールでは、第一のレーザ光および第二のレーザ光を一つのレンズで集光するので、一回の光軸調整で済ませることが可能となる。
【００１６】
したがって、従来の半導体レーザモジュールに比べて組立て工程数を削減可能な構成とすることができるので、組み立て容易な半導体レーザモジュールとすることができる。
さらに、当該半導体レーザモジュールでは、以下のようにすることが好ましい。
上記半導体レーザのレーザ光出射端および上記受光素子のレーザ光入射端から集光レンズにかけて第一のレーザ光および第二のレーザ光の光路が横切る基板主面部位に窪み部を形成させた場合、第一のレーザ光および第二のレーザ光が基板で遮光されることを抑制することができる。
【００１７】
したがって、レーザ光が基板に反射されて、封止パッケージの内部にてレーザ光が乱反射し、同一封止パッケージに内包されている受信用受光素子にノイズを与えるという弊害を防止することができ、また、レーザ光が基板に吸収されて、レーザ光が光ファイバもしくは受信用受光素子に到達する前にその強度が弱められるという弊害を防止することができるので、好ましい。
【００１８】
上記出射端が上記窪み部に張り出すように、上記半導体レーザが上記基板主面に配された場合、半導体レーザから出射された第一のレーザ光が基板に反射もしくは吸収される危険性をよりいっそう抑制することができるので、好ましい。
特に製造誤差を想定した場合には、歩留まり向上が期待でき、好ましい。
上記入射端が上記窪み部に張り出すように、上記受光素子が上記基板主面に配された場合、光ファイバから入射された第二のレーザ光が基板に反射もしくは吸収される危険性をよりいっそう抑制することができるので、好ましい。
【００１９】
特に製造誤差を想定した場合には、歩留まり向上が期待でき、好ましい。
上記パッケージにおいて、それに封入された各素子とパッケージ外部とを電気的に導通する複数の棒状電極端子が備えられており、当該電極端子が、二極構造を有する場合、同一パッケージに半導体レーザおよび受信用受光素子が封入されていても、電極端子を設けるためにパッケージの体積増加を招くことなく、信号の送受信に必要な電気接点を当該パッケージに設けることができ、好ましい。
【００２０】
本発明の半導体レーザモジュールの製造方法では、上記半導体レーザ、上記受光素子および上記ハーフミラーを同一基板に配設して、当該基板を同一パッケージに封入する工程を含んでいるので、上記集光レンズ配設工程において、ひとつの集光レンズを配するのみで足りる。
したがって、当該製造方法では、上記光軸調整が一回で済む。
【００２１】
よって、当該製造方法では、半導体レーザモジュールの組立を容易に行うことができる。
また、当該製造方法では、半導体レーザモジュールの組立工程において光軸調整の余地が残されているため、半導体レーザモジュールの歩留まり向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態における半導体レーザモジュールの構成を示す概略断面図である。
図１に示すように、半導体レーザモジュールは、光ファイバ１２１の固定されたマウント１２４と、レーザ光を送受信するユニット１１０とが接合されてなっている。
１−１．マウント１２４の構成
筒状マウント１２４には、一方の端部に光ファイバ１２１を固定するためのフェルールフォルダ１２３が例えばレーザ溶接により接合され、かつ他方の端部にユニット１１０が接合されている。
【００２３】
例えば、フェルールフォルダ１２３には、フェルール１２２がレーザ溶接により固定され、フェルール１２２に、レーザ光を入出力するための光ファイバ１２１が固定されている。
１−２．ユニット１１０の構成
ユニット１１０は、半導体レーザ１０１、受講素子１０２，１０３ハーフミラー１０４などが装着された基板１０６と、基板１０６を支持する基板台座部１０８を備えた略皿状のチップキャリア１０７と、レンズ１３０を保持する筒状のレンズマウント１０９とからなる。
【００２４】
レンズマウント１０９は、基板１０６および基板台座部１０８を覆うようにチップキャリア１０７と例えば溶接により接合されている。
基板台座部１０８の主面には、基板１０６が固定されており、レンズマウント１０９とチップキャリア１０７とが、接合されたことによって当該基板１０６を封止するパッケージとなっている。
１−２−１．チップキャリア１０７の構成
チップキャリア１０７では、レンズマウント１０９に覆われる側の主面に基板台座部１０８が設けられており、基板台座部１０８主面に、基板１０６が例えばハンダにより固定されている。
【００２５】
図示しないが、チップキャリア１０７には、これと電気的に絶縁されながらこれを貫通するポールが設けられており、当該ポールは、ユニット１１０の内外を電気的に導通する機能を有する。
１−２−１−１．基板１０６の構成
基板１０６の主面には、半導体レーザ１０１、モニタ用受光素子１０２、受信用受光素子１０３、プリアンプ１０５、ハーフミラー１０４が設けられている。
【００２６】
半導体レーザ１０１は、例えば、１．５５［μｍ］帯の波長のレーザ光を出射するように設定されており、モニタ用受光素子１０２は側面入射方型であって、半導体レーザ１０１の光出力を検知するために設けられている。
図示はしないが、受信用受光素子１０３とプリアンプ１０５とは電気的に結線されており、プリアンプ１０５は受信用受光素子１０３から出力された電流を増幅する機能を有する。
【００２７】
ハーフミラー１０４は、光信号の送受信が行われている状態を想定したときに、半導体レーザ１０１から出射されたレーザ光の光路と同一の光路を辿り、かつ当該レーザ光の進行方向とは反対の方向から入射されたレーザ光を反射して受信用受光素子１０３に入力し、また、半導体レーザ１０１から出射されたレーザ光を透過することができるような角度を持って、基板１０６上に固定されている。
【００２８】
レンズ１３０はレンズマウント１０９に例えば圧着により固定されており、レンズマウント１０９は基板１０６を内包するようにチップキャリア１０７に溶接されている。
レンズ１３０の固定位置は、これに限定されず、半導体レーザ１０１と光ファイバ１２１との間ならびに受信用受光素子１０３と光ファイバ１２１との間であって、入射レーザ光ならびに出射レーザ光を集光可能な位置であればよい。
【００２９】
上記構成を採用することによって、当該モジュールでは、光信号の送受信が行われている状態を想定したとき、光ファイバ１２１より入射されたレーザ光は、レンズ１３０によって集光された後ハーフミラー１０４によって反射され、受信用受光素子１０３に入力される。一方、半導体レーザ１０１より出射されたレーザ光は、ハーフミラー１０４を透過した後にレンズ１３０によって集光され、その後、光ファイバ１２１へ出力されることとなる。
【００３０】
図２（ａ）はチップキャリアに固定予定の基板の概略構成図であり、（ｂ）は、（ａ）で示したＡ方向から見た概略矢視図、（ｃ）は、（ａ）で示したＢ方向から見た概略矢視図、（ｄ）は、基板に設けられた窪み部を含む部分の概略構成図である。
図２（ａ）に示す通り、基板１０６の一方の主面には半導体レーザ１０１、モニタ用受光素子１０２、受信用受光素子１０３、ハーフミラー１０４、プリアンプ１０５が固定されている。
【００３１】
当該各素子が固定された基板１０６主面において、半導体レーザ１０１のレーザ光出射端部に対応する位置および受信用受光素子１０３のレーザ光入射端部に対応する位置から基板１０６の端部にかけて、窪み部ｈが例えばエッチングにより設けられている。
そして、図２（ｂ）に示すように半導体レーザ１０１からレーザ光２０１が出射されているとき、レーザ光２０１が基板１０６に遮光されないように基板１０６の厚みが設定されている。
【００３２】
そのため、レーザ光２０１出射状態において、レーザ光２０１は、基板１０６に吸収もしくは反射されることなく、図１で示したレンズ１３０に到達することができる。
また、窪み部ｈの存在によって、図２（ｃ）に示すように受光素子１０３にレーザ光２０２が入射されている状態を想定するとき、レーザ光２０２は、基板１０６に吸収もしくは反射されることなく、ハーフミラー１０４に反射されて受光素子１０３に到達することができる。
【００３３】
したがって、上記構成を採用した基板１０６では、レーザ光の入出力状態において、図２（ｄ）に示すように、入力レーザ光２０２および出力レーザ光２０１が基板１０６に遮光されることがない。
本実施の形態では、図２（ｂ）に示す通り、半導体レーザ１０１が窪み部ｈに張り出すように基板１０６に固定されているので、半導体レーザ１０１から出射されたレーザ光２０１を、基板１０６に反射もしくは吸収させなくすることがより確実になる。
【００３４】
本実施の形態では、図２（ｃ）に示すように、受信用受光素子１０３のレーザ光入射端面が窪み部ｈの壁面と同一面を形成するように配されているが、これに限らず、当該入射端面が窪み部ｈに張り出すように基板１０６に固定されていてもよい。
上記位置関係で受信用受光素子１０３が基板１０６に固定されると、入射レーザ光２０２が基板１０６に遮光される危険を抑制することが確実となって好ましい。
１−２−１−２．ポール４００の構成
図３（ａ）は、第１の実施の形態における半導体レーザモジュールのチップキャリアの構成を示す概略構成図であり、（ｂ）は、当該チップキャリアに備えられたポールの要部構成図である。
【００３５】
図３（ａ）に示すように、チップキャリア１０７は、４つのポール４００を有する。ポール４００はそれぞれチップキャリア１０７を貫通している。また、ポール４００は、チップキャリア１０７とは絶縁体４１０によって電気的に絶縁されている。
図３（ｂ）に示すように、ポール４００は、その外側に第一の電極４０１を有し、内側に第二の電極４０２を有する。第一の電極４０１と第二の電極４０２とは電気的に絶縁されている。
【００３６】
ポール４００が上記構成を備えていることによって、本実施の形態では、図３（ａ）に示すように、基板１０６主面に設けられた各素子に必要とされる二極の端子を一つにすることが可能となる。
《第１の実施の形態における効果》
本実施の形態では、同一基板１０６主面に半導体レーザ１０１および受信用受光素子１０３ならびにこれらに付随する各素子が配されているため、従来の半導体レーザモジュールと比べると、２つ必要だったユニットが一つで済み、また、集光レンズ１３０も同様に一つで済む。
【００３７】
したがって、従来の半導体レーザモジュールと比べて、本実施の形態における半導体レーザモジュールでは部品点数を削減することができる。
また、従来の半導体レーザモジュールでは、集光レンズが２つあったので、当該モジュール製造時において面倒で時間のかかる光軸調整が２回必要な構成であったのに対し、本実施の形態における半導体レーザモジュールでは、集光レンズ１３０がひとつで済むことから、当該モジュール製造時において光軸調整が一回で済む構成となっている。
【００３８】
したがって、従来の半導体レーザモジュールと比べて、本実施の形態における半導体レーザモジュールは、組み立て容易な構成とすることができる。
さらに、本実施の形態では、上記各素子が配された基板１０６主面に、窪み部ｈが形成され、かつ当該窪み部ｈの形成領域における基板１０６の厚みが、信号入出力状態において出力レーザ光２０１および入力レーザ光２０２を遮光しないように設定されているため、出力レーザ光２０１または入力レーザ光２０２が基板１０６に吸収もしくは反射されることを抑制することができる。
【００３９】
したがって、レーザ光２０１，２０２が基板１０６に反射されて、ユニット１１０の内部にてレーザ光２０１，２０２が乱反射し、同一ユニット１１０に内包されている受信用受光素子１０３にノイズを与えるという弊害を防止することができ、また、レーザ光２０１，２０２が基板１０６に吸収されて、レーザ光２０１，２０２が光ファイバ１２１もしくは受信用受光素子１０３に到達する前にその強度が弱められるという弊害を防止することができる。
【００４０】
本実施の形態では、半導体レーザ１０１が窪み部ｈに張り出すように基板１０６主面に配されているので、上記ノイズの弊害ならびに上記光強度低下の弊害を抑制する効果が確実になる。
さらに、当該モジュール製造時を想定したとき、製造誤差によって半導体レーザ１０１の配設位置が、希望の位置からずれることがあるものの、あらかじめ製造誤差を見越して半導体レーザ１０１を窪み部ｈに張り出すように配設しておけば、当該モジュールの歩留まりの向上が期待できる。
【００４１】
そのうえ、ユニット１１０の内外を電気的に導通するポール４００が、外側に第１の電極、内側に第２の電極を備えて当該電極間を絶縁していることから、各素子に必要な二極端子を一本のポール４００で賄うことができる。
すると、単純に半導体レーザ１０１および受信用受光素子１０３を同一ユニット１１０に内包したのみでは、ユニット１１０内外を導通する電極端子が都合、８本必要となって、ユニット１１０の寸法増大を招いてしまうのに対し、本実施の形態では、ポール４００が上記構成を備えているため、同一ユニット１１０に半導体レーザ１０１および受信用受光素子１０３を内包しても、ユニット１１０の寸法増大、具体的にはチップキャリア１０７主面の沿面方向寸法の増大を抑制することができる。
（第２の実施の形態）
以下、本実施の形態における半導体レーザモジュールの製造方法を説明する。
【００４２】
まず、基板１０６の一方の主面において、固定予定の半導体レーザ１０１のレーザ光出射端部および受信用受光素子１０３のレーザ光入射端部に対応する位置から基板１０６端部にかけてエッチングを行うことにによって、窪み部ｈを形成する。
それから、窪み部ｈが形成された基板１０６主面に半導体レーザ１０１、モニタ用受光素子１０２、受信用受光素子１０３、ハーフミラー１０４、プリアンプ１０５を固定した後、基板１０６をチップキャリア１０７の基板台座部１０８に固定して、基板１０６を封止したパッケージ１１０を準備しておく。
【００４３】
図４は、第２の実施の形態における半導体レーザモジュールの製造方法を示した概略工程図である。以下、図４を用いて当該製造方法を説明する。
図４（ａ）に示すように、例えばレーザ溶接によって封止パッケージ１１０をマウント１２４に接合する。
次に図４（ｂ）に示すように、半導体レーザ１０１から出射されたレーザ光が光ファイバ１２１に入る様に光軸調整を行い、その後、例えばレーザ溶接によってフェルール１２２とフェルールフォルダ１２３とを、そしてフェルールフォルダ１２３とマウント１２４とを互いに固定する。
《第２の実施の形態における効果》
本実施の形態では、半導体レーザ１０１、受信用受光素子１０３およびハーフミラー１０４を同一基板１０６に配設して、同一ユニット１１０に基板１０６を内包するので、集光レンズ１３０配設工程において、ひとつの集光レンズ１３０を配するのみで足りる。
【００４４】
したがって、当該製造方法では、集光レンズ１３０がひとつゆえに、上記光軸調整が一回で済む。
よって、当該製造方法では、半導体レーザモジュールの組立を容易に行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明にかかる半導体レーザモジュールおよびその製造方法を採用すれば、部品点数が従来に比べて少なく、かつ組み立て容易な半導体レーザモジュールとすることができる。
したがって、光映像伝送装置や光波長多重伝送装置に代表される光通信用装置など、映像機器産業、宣伝機器産業、産業機器やその他の産業分野に利用することができ、その産業上の利用可能性は非常に広く且つ大きい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体レーザモジュールの概略構成図である。
【図２】（ａ）は、第１の実施の形態における半導体レーザモジュールに内包された基板の概略構成図であり、（ｂ）は、（ａ）で示したＡ方向から見た概略矢視図であり、（ｃ）は、（ａ）で示したＢ方向から見た概略矢視図、（ｄ）は、（ａ）で示した窪み部ｈを含む部分の概略構成図である。
【図３】（ａ）は、第１の実施の形態における半導体レーザモジュールを構成するチップキャリアの概略構成図、（ｂ）は、（ａ）で示されたポールの要部構成図である。
【図４】第２の実施の形態における半導体レーザモジュールの製造方法を示した概略工程図である。
【図５】従来の半導体レーザモジュールの概略構成図である。
【図６】従来の半導体レーザモジュールの製造方法を示した概略工程図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０１      半導体レーザ
１０２      モニタ用受光素子
１０３      受信用受光素子
１０４      ハーフミラー
１０５      プリアンプ
１０６      基板
１０７      チップキャリア
１０８      台座部
１０９      レンズフォルダ
１１０      ユニット
１２１      光ファイバ
１２２      フェルール
１２３      フェルールフォルダ
１２４      マウント
１３０      レンズ
１４０      光軸
２０１      出力レーザ光
２０２      入力レーザ光
４００      ポール
４０１      第一の電極
４０２      第二の電極
４１０      絶縁体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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