(57)【要約】【課題】高価な装置を用いることなく、基本波、高調波、およびスプリアスの電力の検査を行うことができる半導体集積回路の検査装置などの提供。【解決手段】この発明は、第１〜第３のブロックＡ、Ｂ、Ｃを備えている。第１ブロックＡは、半導体集積回路１の出力信号の基本波の電力を測定するものであり、通過帯域フィルタ４１、交流−直流変換回路６１、および電圧計７１などからなる。第２ブロックＢは、半導体集積回路１の出力信号の所定の高調波の電力を測定するものであり、阻止帯域フィルタ４２、交流−直流変換回路６２、および電圧計７２などからなる。第３ブロックＣは、半導体集積回路１の出力信号に含まれるスプリアスの電力を測定するものであり、阻止帯域フィルタ４３、通過帯域フィルタ８１、交流−直流変換回路６３、および電圧計７３などからなる。【選択図】  図１
2007333478.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路からの被測定信号の周波数帯域を制限する帯域制限手段と、
前記帯域制限手段で周波数帯域が制限された被測定信号を直流信号に変換する交流−直流変換手段と、
前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定する電圧測定手段と、
を備えたことを特徴とする半導体集積回路の検査装置。
【請求項２】
前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波を通過させる通過帯域フィルタからなり、
前記交流−直流変換手段は、前記通過帯域フィルタからの出力信号を直流信号に変換するようになっており、
前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、
その測定に基づいて前記被測定信号の基本波の電力を検査することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。
【請求項３】
前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波及び該基本波に係るスプリアスの通過を阻止させる阻止帯域フィルタからなり、
前記交流−直流変換手段は、前記阻止帯域フィルタからの出力信号を直流信号に変換するようになっており、
前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、
その測定に基づいて前記被測定信号の高調波の電力を検査することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。
【請求項４】
前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波の通過を阻止させる阻止帯域フィルタと、前記阻止帯域フィルタの出力信号のスプリアスを通過させる通過帯域フィルタとを有し、
前記交流−直流変換手段は、前記通過帯域フィルタの出力信号を直流信号に変換するようになっており、
前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、
その測定に基づいて前記被測定信号のスプリアスの電力を検査することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。
【請求項５】
前記帯域制限手段は、
前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波を通過させる第１通過帯域フィルタと、
前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波及び該基本波に係るスプリアスの通過を阻止させる第１阻止帯域フィルタと、
前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波の通過を阻止させる第２阻止帯域フィルタと、
前記第２阻止帯域フィルタの出力信号のスプリアスを通過させる第２通過帯域フィルタとを有し、
前記交流−直流変換手段は、前記第１通過帯域フィルタ、前記第１阻止帯域フィルタ、および前記第２通過帯域フィルタの出力信号をそれぞれ直流信号に変換する第１〜第３の交流−直流変換手段を有し、
前記電圧測定手段は、
前記第１の交流−直流変換手段の出力信号の電圧レベルを測定する第１電圧計と、
前記第２の交流−直流変換手段の出力号の電圧レベルを測定する第２電圧計と、
前記第３の交流−直流変換手段の出力信号の電圧レベルを測定する第３電圧計と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。
【請求項６】
半導体集積回路からの被測定信号に基づいて所定の検査を行う半導体集積回路の検査方法であって、
前記半導体集積回路からの被測定信号の所定の周波数帯域を制限する第１ステップと、
前記第１ステップで周波数帯域が制限された被測定信号を直流信号に変換する第２ステップと、
前記第２ステップで変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号に係る所定の測定量を検査する第３ステップと、
からなることを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
【請求項７】
前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号から基本波を抽出し、
前記第２ステップでは、その抽出した基本波に係る信号を直流信号に変換し、
前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号の基本波の電力を検査することを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路の検査方法。
【請求項８】
前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号から所定の高調波を抽出し、
前記第２ステップでは、その抽出した高調波に係る信号を直流信号に変換し、
前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号の高調波の電力を検査することを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路の検査方法。
【請求項９】
前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号に係る所定のスプリアスを抽出し、
前記第２ステップでは、その抽出したスプリアスに係る信号を直流信号に変換し、
前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを測定し、この測定に基づいて前記被測定信号のスプリアスの電力を検査することを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路の検査方法。
【請求項１０】
前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号に基づき、その被測定信号の基本波、所定の高調波、および所定のスプリアスをそれぞれ抽出し、
前記第２ステップでは、前記第１ステップで抽出された基本波、高調波、およびスプリアスに係る各信号を直流信号にそれぞれ変換し、
前記第３ステップでは、その変換された各直流信号の電圧レベルを電圧計でそれぞれ測定し、この各測定に基づいて前記被測定信号の基本波、所定の高調波、および所定のスプリアスの各電力の検査をすることを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の検査装置、およびその検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、被測定対象物である半導体集積回路に試験信号を入力し、その半導体集積回路からの出力信号に対して、基本波、高調波（ＴＨＤ）、およびスプリアスの電力（パワー）の検査を実施する場合には、スペクトラムアナライザまたはデジタイザ等の高価な装置を用いていた（例えば、特許文献１参照）。
図６は、半導体集積回路１に基準信号発生器２からの試験信号を入力し、その半導体集積回路１の出力信号に基づいてスペクトルアナライザ２００で各種の検査を行う場合である。また、図７は、半導体集積回路１に基準信号発生器２からの試験信号を入力し、その半導体集積回路１の出力信号に基づいてデジタイザ３００で各種の検査を行う場合である。
【特許文献１】特開平７−２０９３５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、スペクトラムアナライザまたはデジタイザ等の装置は高価であり、測定に時間を要するという問題がある。
本発明の目的は、スペクトラムアナライザまたはデジタイザ等の高価な装置を用いることなく、基本波、高調波、およびスプリアスの電力の検査を行うことができる半導体集積回路の検査装置およびその検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、本発明は以下のような構成からなる。
すなわち、第１の発明は、半導体集積回路からの被測定信号の周波数帯域を制限する帯域制限手段と、前記帯域制限手段で周波数帯域が制限された被測定信号を直流信号に変換する交流−直流変換手段と、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定する電圧測定手段と、を備えている。
【０００５】
第２の発明は、第１の発明において、前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波を通過させる通過帯域フィルタからなり、前記交流−直流変換手段は、前記通過帯域フィルタからの出力信号を直流信号に変換するようになっており、前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、その測定に基づいて前記被測定信号の基本波の電力を検査するようにした。
【０００６】
第３の発明は、第１の発明において、前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波及び該基本波に係るスプリアスの通過を阻止させる阻止帯域フィルタからなり、前記交流−直流変換手段は、前記阻止帯域フィルタからの出力信号を直流信号に変換するようになっており、前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、その測定に基づいて前記被測定信号の高調波の電力を検査するようにした。
【０００７】
第４の発明は、第１の発明において、前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波の通過を阻止させる阻止帯域フィルタと、前記阻止帯域フィルタの出力信号のスプリアスを通過させる通過帯域フィルタとを有し、前記交流−直流変換手段は、前記通過帯域フィルタの出力信号を直流信号に変換するようになっており、前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、その測定に基づいて前記被測定信号のスプリアスの電力を検査するようにした。
【０００８】
第５の発明は、第１の発明において、前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波を通過させる第１通過帯域フィルタと、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波及び該基本波に係るスプリアスの通過を阻止させる第１阻止帯域フィルタと、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波の通過を阻止させる第２阻止帯域フィルタと、前記第２阻止帯域フィルタの出力信号のスプリアスを通過させる第２通過帯域フィルタとを有し、前記交流−直流変換手段は、前記第１通過帯域フィルタ、前記第１阻止帯域フィルタ、および前記第２通過帯域フィルタの出力信号をそれぞれ直流信号に変換する第１〜第３の交流−直流変換手段を有し、前記電圧測定手段は、前記第１の交流−直流変換手段の出力信号の電圧レベルを測定する第１電圧計と、前記第２の交流−直流変換手段の出力号の電圧レベルを測定する第２電圧計と、前記第３の交流−直流変換手段の出力信号の電圧レベルを測定する第３電圧計と、を有している。
【０００９】
第６の発明は、半導体集積回路からの被測定信号に基づいて所定の検査を行う半導体集積回路の検査方法であって、前記半導体集積回路からの被測定信号の所定の周波数帯域を制限する第１ステップと、前記第１ステップで周波数帯域が制限された被測定信号を直流信号に変換する第２ステップと、前記第２ステップで変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号に係る所定の測定量を検査する第３ステップと、からなる。
【００１０】
第７の発明は、第６の発明において、前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号から基本波を抽出し、前記第２ステップでは、その抽出した基本波に係る信号を直流信号に変換し、前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号の基本波の電力を検査するようにした。
【００１１】
第８の発明は、第６の発明において、前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号から所定の高調波を抽出し、前記第２ステップでは、その抽出した高調波に係る信号を直流信号に変換し、前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号の高調波の電力を検査するようにした。
【００１２】
第９の発明は、第６の発明において、前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号に係る所定のスプリアスを抽出し、前記第２ステップでは、その抽出したスプリアスに係る信号を直流信号に変換し、前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを測定し、この測定に基づいて前記被測定信号のスプリアスの電力を検査するようにした。
【００１３】
第１０の発明は、第６の発明において、前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号に基づき、その被測定信号の基本波、所定の高調波、および所定のスプリアスをそれぞれ抽出し、前記第２ステップでは、前記第１ステップで抽出された基本波、高調波、およびスプリアスに係る各信号を直流信号にそれぞれ変換し、前記第３ステップでは、その変換された各直流信号の電圧レベルを電圧計でそれぞれ測定し、この各測定に基づいて前記被測定信号の基本波、所定の高調波、および所定のスプリアスの各電力の検査をするようにした。
【発明の効果】
【００１４】
このように、本発明では、半導体集積回路からの被測定信号の周波数帯域を制限し、この帯域制限された被測定信号を直流信号に変換するようにしたので、この変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて各種の測定量を容易に検査できる。このため、従来のようにスペクトラムアナライザまたはデジタイザ等を使用する場合に比べ、その被測定信号の基本波、高調波、およびスプリアスの電力（パワー）測定が容易になる。
さらに、本発明によれば、電圧計は、スペクトラムアナライザまたはデジタイザ等の装置に対して測定が短時間でできるので、検査に要する全体の時間を短縮ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の半導体集積回路の検査装置、およびその検査方法の実施形態を説明する図である。
この実施形態に係る検査装置および検査方法は、図１に示すように、半導体集積回路１を被検査対象とするものであり、半導体集積回路１からの被測定信号（以下、出力信号という）について各種の検査を行う。
ここで、半導体集積回路１は、その入力端子側に基準信号発生器２から所定の試験信号（テスト信号）が供給され、その出力端子側からその試験信号に応じた出力信号が取り出されるようになっている。
【００１６】
（検査装置の構成の概要）
このために、この実施形態に係る検査装置は、図１に示すように、半導体集積回路１からの出力信号に基づき、所定の３種類の検査（テスト）を行うために第１〜第３のブロックＡ、Ｂ、Ｃを備えている。
第１ブロックＡは、半導体集積回路１の出力信号の基本波（基本波成分）の電力を測定するものであり、アンプ（増幅器）３と、通過帯域フィルタ４１と、アンプ５１と、交流−直流変換回路６１と、電圧計７１とを備えている。
第２ブロックＢは、半導体集積回路１の出力信号の所定の高調波（高調波成分）の電力を測定するものであり、アンプ３と、阻止帯域フィルタ４２と、アンプ５２と、交流−直流変換回路６２と、電圧計７２とを備えている。
【００１７】
第３ブロックＣは、半導体集積回路１の出力信号に含まれるスプリアス（スプリアス成分）の電力を測定するものであり、アンプ３と、阻止帯域フィルタ４３と、アンプ５３と、通過帯域フィルタ８１と、アンプ９１と、交流−直流変換回路６３と、電圧計７３とを備えている。
なお、これらのブロックＡ〜Ｃは、小型化などを図るために、１つのモジュール１０内に納めるようにしても良い。この場合には、アンプ３には半導体集積回路１の出力信号を入力する入力端子を設け、交流−直流変換回路６１〜６３には電圧計７１〜７３とそれぞれ接続する出力端子を設ければ、両者の接続が容易になる。
【００１８】
アンプ３は、半導体集積回路１の出力電力を増幅するものであり、ブロックＡ〜Ｃに共通に使用されるようになっている。
フィルタ４１〜４３およびフィルタ８１は、ブロックＡ〜Ｃにおいて、測定対象とする信号の周波数帯域をそれぞれ制限するものである。これらのフィルタとしては、通過帯域フィルタおよび阻止帯域フィルタを使用するが、いずれも中心周波数、減衰量を測定目的に合わせて調整しやすいＬＣフィルタを用いることが好ましい。ＬＣフィルタは、インダクタとキャパシタを組み合わせて構成するフィルタである。
【００１９】
その他のフィルタとして、弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）またはＯＰアンプやトランジスタなどの能動素子と、抵抗、コンデンサ、コイルを組み合わせることによって構成するアクティブフィルタを用いても構わない。
アンプ５１〜５３、およびアンプ９１は、ブロックＡ〜Ｃにおける信号の損失を補うためにフィルタ４１〜４３などからの出力信号を増幅し、交流−直流変換回路６１〜６３での交流から直流変換後の直流信号の出力レベルを調節するためのものである。
【００２０】
交流−直流変換回路６１〜６３は、ブロックＡ〜Ｃにおいて、交流信号を直流信号に変換するものである。この交流−直流変換回路６１〜６３には、モジュールを小型化するためにショットキーバリアダイオードを用いた検波回路が好ましい。また、ＲＭＳ−ＤＣコンバータ等を用いても構わない。
電圧計７１〜７３は、プロックＡ〜Ｃにおいて、交流−直流変換回路６１〜６３の各出力である直流信号の電圧レベルを測定するものである。
なお、アンプ３は、図示のように設けても良いが、省略することも可能である。半導体集積回路１とアンプ３との間は、ＳＭＡコネクタ等の高周波用のコネクタと同軸ケーブルとで結線されている。
【００２１】
（各ブロックの構成の詳細）
次に、第１ブロックＡ、第２ブロックＢ、および第３ブロックの各構成要素について、さらに具体的にその構成などを説明する。
まず、第１ブロックＡの構成要素について、図面を参照して説明する。
通過帯域フィルタ４１は、アンプ３の出力信号の基本波（基本波成分）のみを通過させるフィルタであり、その周波数の通過帯域幅は基本波の周波数に応じて任意に設定可能であり、例えば基本波の周波数の１．５％程度とする。
【００２２】
ここで、アンプ３の出力信号の周波数スペクトルの一例を示すと、図２（Ａ）に示すようになる。同図によれば、出力信号の成分は、基本波１００、その基本波１００の２倍の周波数からなる２次高調波１０１、その基本波１００の３倍の周波数からなる３次高調波１０２、および基本波１００の近傍の表れる不要な成分であるスプリアス１０３などからなる。
【００２３】
そして、通過帯域フィルタ４１の出力信号の周波数スペクトルは、図２（Ｂ）に示すようになる。同図によれば、アンプ３の出力信号からその基本波１００のみが抽出されることがわかる。
アンプ５１は、通過帯域フィルタ４１の出力信号を増幅するものである。これにより、通過帯域フィルタ４１からの出力信号のレベルが微小な場合でも、最終的に出力される直流信号レベル（ＤＣレベル）は測定に充分なものが得られ、その最終出力に基づいて電力の測定ができる。
【００２４】
ここで、アンプ３とアンプ５１を直列に接続する構成が考えられる。しかし、この実施形態では、図１に示すように、アンプの発振を防止する目的で、アンプ３とアンプ５１との間に通過帯域フィルタ４１を挿入するようにした。
交流−直流変換回路６１は、通過帯域フィルタ４１及びアンプ５１を通過した後の信号の振幅レベルに依存した直流電圧を出力する。この直流電圧の一例を示すと、例えば図３にようになる。
【００２５】
電圧計７１は、交流−直流変換回路６１の出力電圧を測定するようになっている。そして、その測定電圧の大小に基づき、半導体集積回路１の出力信号の基本波１００の電力の検査を行う。
すなわち、交流−直流変換回路６１の出力電圧（電圧計７１の測定電圧）と、そのときの基本波１００の電力の値とは、例えば図３に示すような関係にある。そこで、電圧計７１の測定電圧に基づき、例えば、検査者がその関係を用いて半導体集積回路１の出力信号の基本波１００の電力の検査を行う。
【００２６】
なお、電圧計７１を以下のように構成するようにしても良い。すなわち、電圧計７１が、その測定電圧とその電力値に対応するテーブルを有し、交流−直流変換回路６１の出力電圧を測定すると、テーブルを参照してその測定電圧に対応する電力値を読み出し、この読み出した電力値を表示するようにしても良い。
ここで、良品、不良品の判定をする閾値（電圧値）をテストプログラムに反映させることにより自動的に良品、不良品を振り分けることができ、効率的に検査が可能となる。図３のグラフを用いると、半導体集積回路の保証している電力値から保証している電力値に相当する電圧値を決めることができ、その電圧値を良品、不良品の判定をする閾値（電圧値）とする。
【００２７】
次に、第２ブロックＢの構成要素について、図面を参照して説明する。
阻止帯域フィルタ４２は、アンプ３からの出力信号の基本波およびスプリアスの通過を阻止するフィルタであり、阻止帯域幅は基本波の周波数に応じて任意に設定可能であり、例えば基本波の周波数の１．５％程度とする。
阻止帯域フィルタ４２の出力信号の周波数スペクトルの一例を、図２（Ｃ）に示す。同図によれば、アンプ３からの出力信号からその基本波１００およびスプリアス１０３が除去され、２次高調波１０１および３次高調波１０２が抽出される。
【００２８】
アンプ５２は、帯域阻止フィルタ４２の出力信号を増幅するものである。これにより、帯域阻止フィルタ４２からの出力信号のレベルが微小な場合でも、最終的に出力されるＤＣレベルは測定に充分なものが得られ、その最終出力に基づいて電力の測定ができる。
ここで、アンプ３とアンプ５２を直列に接続する構成が考えられる。しかし、この実施形態では、図１に示すように、アンプの発振を防止する目的で、アンプ３とアンプ５２との間に帯域阻止フィルタ４２を挿入するようにした。
【００２９】
交流−直流変換回路６２は、阻止帯域フィルタ４２及びアンプ５２を通過した後の信号、すなわち、図４に示すように２次高調波１０１と３次高調波１０２との合成波の振幅レベルに依存した直流電圧を出力する。
電圧計７２は、その直流電圧を測定するようになっている。そして、その測定電圧の大小に基づき、半導体集積回路１の出力信号に含まれる２次高調波１０１と３次高調波の電力の検査を行う。
【００３０】
すなわち、交流−直流変換回路６２の出力電圧（電圧計７２の測定電圧）と、そのときの高調波の電力の値とは、上記の場合と同様に一定の相関関係がある。そこで、電圧計７２の測定電圧に基づき、例えば、検査者がその関係を用いて半導体集積回路１の出力信号に含まれる２次高調波１０１と３次高調波の電力の検査を行う。
なお、電圧計７２を以下のように構成するようにしても良い。すなわち、電圧計７２が、例えばその測定電圧とその高周波の電力値に対応するテーブルを有し、交流−直流変換回路６２の出力電圧を測定すると、そのテーブルを参照してその測定電圧に対応する電力値を読み出し、この読み出した高周波の電力値を表示するようにしても良い。
【００３１】
次に、第３ブロックＣの構成要素について、図面を参照して説明する。
阻止帯域フィルタ４３は、アンプ３の出力信号から基本波のみの通過を阻止するフィルタであり、阻止帯域幅は基本波の周波数に応じて任意に設定可能であるが、例えば基本波の周波数の０．５％程度とした。
阻止帯域フィルタ４３の出力信号の周波数スペクトルの一例を、図２（Ｄ）に示す。同図によれば、アンプ３からの出力信号からその基本波１００のみが除去され、２次高調波１０１、３次高調波１０２、およびスプリアス１０３が抽出される。
【００３２】
アンプ５３は、阻止帯域フィルタ４３の出力信号を増幅するものである。
通過帯域フィルタ８１は、アンプ５３の出力信号から２次高調波以上の周波数成分を除去するためのものである。通過帯域フィルタ８１の出力信号の周波数スペクトルの一例を、図２（Ｅ）に示す。同図によれば、アンプ５３の出力信号から２次高調波１０１、３次高調波１０２が除去され、スプリアス１０３のみとなる。これにより、２次高調波未満の未知の周波数成分が検出できる。
【００３３】
アンプ９１は、阻止帯域フィルタ４３の出力信号を増幅するものである。
ここで、アンプ３とアンプ５３を直列に接続する構成が考えられる。しかし、この実施形態では、図１に示すように、アンプの発振を防止する目的で、アンプ３とアンプ５３の間に阻止帯域フィルタ４３を挿入する構成とした。また、アンプ５３とアンプ９１間にも上述と同様の理由で通過帯域フィルタ８１を挿入した。
【００３４】
交流−直流変換回路６３は、通過帯域フィルタ８１及びアンプ９１を通過した後の信号、すなわち、図２（Ｅ）に示すスプリアス１０３の振幅レベルに依存した直流電圧を出力する。この直流電圧の一例を示すと、例えば図５に示すようになる。
電圧計７３は、交流−直流変換回路６３の出力電圧を測定するようになっている。そして、その測定電圧の大小に基づき、半導体集積回路１の出力信号に係るスプリアスの有無の検査を行う。
【００３５】
すなわち、交流−直流変換回路６３の出力電圧（電圧計７３の測定電圧）と、そのときのスプリアス１０３の電力の値とは、例えば図５に示すような関係にある。そこで、電圧計７３の測定電圧に基づき、例えば、検査者がその関係を用いて半導体集積回路１の出力信号に係るスプリアスの有無の検査を行う。
なお、電圧計７３を以下のように構成するようにしても良い。すなわち、電圧計７３は、例えばその測定電圧とその電力値に対応するテーブルを有し、交流−直流変換回路６３の出力電圧を測定すると、そのテーブルを参照してその測定電圧に対応する電力値を読み出し、この読み出した電力値を表示するようにしても良い。
【００３６】
（検査方法）
次に、本発明の半導体集積回路の検査方法について、図１に示す検査装置を使用した場合を例に、図１〜図５を参照して説明する。
この検査方法では、図１に示すように、被検査対象である半導体集積回路１の入力端子には、基準信号発生器２からの所定の試験信号が供給され、半導体集積回路１の出力端子からはその試験信号に応じた出力信号が出力され、この出力信号はアンプ３で電力増幅される。
【００３７】
アンプ３の出力信号の周波数スペクトルの一例を示すと、図２（Ａ）に示すようになる。同図によれば、その出力信号の成分は、基本波１００、その基本波１００の２倍の周波数からなる２次高調波１０１、その基本波１００の３倍の周波数からなる３次高調波１０２、および基本波１００の近傍の表れる不要な成分であるスプリアス１０３からなる。
アンプ３の出力信号は、ブロックＡ〜Ｃの各フィルタ４１〜４３に供給され、それぞれ測定量に応じて周波数の帯域制限を受ける。
【００３８】
すなわち、通過帯域フィルタ４１では、アンプ３の出力信号から基本波のみが通過し、他の成分は通過が阻止される。このため、通過帯域フィルタ４１の出力信号の周波数スペクトルは、図２（Ｂ）に示すようになる。同図によれば、アンプ３の出力信号からその基本波１００のみが抽出されることがわかる。
また、阻止帯域フィルタ４２では、アンプ３からの出力信号の基本波およびスプリアスの通過が阻止される。このため、阻止帯域フィルタ４２の出力信号の周波数スペクトルは、図２（Ｃ）に示すようになる。同図によれば、アンプ３からの出力信号からその基本波１００およびスプリアス１０３が除去され、２次高調波１０１、および３次高調波１０２が抽出されることがわかる。
【００３９】
さらに、阻止帯域フィルタ４３では、アンプ３の出力信号から基本波のみの通過が阻止される。このため、阻止帯域フィルタ４３の出力信号の周波数スペクトルは、図２（Ｄ）に示すようになる。同図によれば、アンプ３からの出力信号からその基本波１００のみが除去され、２次高調波１０１、３次高調波１０２、およびスプリアス１０３が抽出されることがわかる。
【００４０】
このように、各フィルタ４１〜４３で周波数の帯域制限を受けた信号は、アンプ５１〜５３にそれぞれ供給されて増幅され、交流−直流変換回路６１、６２および通過帯域フィルタ８１にそれぞれ供給される。
交流−直流変換回路６１では、アンプ５１の出力信号（交流信号）が直流信号に変換され、その直流信号の振幅レベルに応じた直流電圧が出力される。
【００４１】
電圧計７１では、交流−直流変換回路６１からの直流電圧が検出（測定）される。そして、その測定された直流電圧に基づき、半導体集積回路１の出力信号の基本波１００の電力の検査が実施される。
すなわち、交流−直流変換回路６１の出力電圧（電圧計７１の測定電圧）と、そのときの基本波１００の電力の値とは、例えば図３に示すような関係にある。
【００４２】
そこで、例えば、その測定電圧とその電力値に対応する表などを予め用意しておき、交流−直流変換回路６１の出力電圧が測定された場合に、検査者が、その表などを参照してその測定電圧に対応する電力値を求める。
また、交流−直流変換回路６２では、アンプ５２の出力信号（交流信号）が直流信号に変換され、その直流信号の振幅レベルに応じた直流電圧が出力される。
【００４３】
電圧計７２では、その直流電圧が検出（測定）される。そして、その測定した直流電圧の測定値に基づき、半導体集積回路１の出力信号に含まれる２次高調波１０１と３次高調波の電力の検査が実施される。
すなわち、交流−直流変換回路６２の出力電圧（電圧計７２の測定電圧）と、そのときの高調波の電力の値とは、一定の相関関係がある。
【００４４】
そこで、例えば、その測定電圧とその電力値に対応する表などを予め用意しておき、交流−直流変換回路６２の出力電圧が測定された場合に、検査者が、その表などを参照してその測定電圧に対応する電力値を求める。
さらに、通過帯域フィルタ８１では、アンプ５３の出力信号から２次高調波以上の周波数成分が除去される。このため、通過帯域フィルタ８１の出力信号の周波数スペクトルは、図２（Ｅ）に示すようになる。同図によれば、アンプ５３の出力信号から２次高調波１０１、３次高調波１０２が除去され、スプリアス１０３のみが抽出されることがかわる。
【００４５】
このように抽出されたスプリアス１０３に係る信号は、アンプ９１で増幅されて交流−直流変換回路６３に供給される。
交流−直流変換回路６３では、アンプ９１の出力信号（交流信号）が直流信号に変換され、その直流信号の振幅レベルに応じた直流電圧が出力される。
電圧計７３では、その直流電圧が測定される。そして、この測定した直流電圧の測定値に基づき、半導体集積回路１の出力信号に係るスプリアスの有無の検査が実施される。
【００４６】
すなわち、交流−直流変換回路６３の出力電圧（電圧計７３の測定電圧）と、そのときのスプリアスの電力の値とは、例えば図５に示すような関係にある。
そこで、例えば、その測定電圧とその電力値に対応する表などを予め用意しておき、交流−直流変換回路６３の出力電圧が測定された場合に、検査者が、その表などを参照してその測定電圧に対応する電力値を求める。
【００４７】
以上述べたように、この実施形態によれば、半導体集積回路からの出力信号の周波数帯域を制限し、この帯域制限された被測定信号を直流信号に変換するようにしたので、この変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて各種の測定量を容易に検査できる。
このため、従来のようにスペクトラムアナライザまたはデジタイザ等を使用する場合に比べ、その被測定信号の基本波、高調波、およびスプリアスの電力（パワー）測定が容易になる。
また、この実施形態によれば、電圧計は、スペクトラムアナライザまたはデジタイザ等の装置に対して測定が短時間でできるので、検査に要する全体の時間を短縮ができる。
【００４８】
（その他の実施形態）
上記の実施形態では、第１〜第３ブロックＡ〜Ｃを並列に接続し、３種類の測定を同時に並行して行うようにしたので、並行して検査ができ好ましい。
しかし、第１〜第３ブロックＡ〜Ｃを選択的に使用するように、例えアンプ３の入力側またはその出力側にそれらを選択または切り替えるためのリレーまたはスイッチを設けるようにしても良い。
なお、上記の実施形態では、ブロック（測定経路）Ａ〜Ｃを３つ設ける場合について説明したが、本発明はその３つを並列に設ける必要はなく、測定目的に応じて少なくともいずれか１つ以上を設ければ良い。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態を説明する図である。
【図２】図１の各部の周波数スペクトルの例を示す図である。
【図３】第１ブロックにおける出力直流電圧と基本波電力との依存関係を表す図である。
【図４】第２ブロックにおける２次高調波、３次高調波、およびそれらの合成波を説明する図である。
【図５】第３ブロックにおける出力直流電圧とスプリアス電力との依存性を表す図である。
【図６】従来のスペクトラムアナライザでの測定方法を説明する図である。
【図７】従来のデジタイザでの測定方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００５０】
Ａ  第１ブロック
Ｂ  第２ブロック
Ｃ  第３ブロック
１  半導体集積回路（被測定対象）
２  基準信号発生器
３  アンプ
１０  モジュール
４１、８１  通過帯域フィルタ
４２、４３  阻止帯域フィルタ
５１〜５３  アンプ
６１〜６３  交流−直流変換回路
７１〜７３  電圧計
９１  アンプ
１００  基本波
１０１  ２次高調波
１０２  ３次高調波
１０３  スプリアス
【図１】
2007333478.tif 000003
【図２】
2007333478.tif 000004
【図３】
2007333478.tif 000005
【図４】
2007333478.tif 000006
【図５】
2007333478.tif 000007
【図６】
2007333478.tif 000008
【図７】
2007333478.tif 000009