(57)【要約】【課題】インクジェットプリンティングの工程マージンが向上した表示装置を提供する。【解決手段】本発明による表示装置は、絶縁基板と；絶縁基板上に形成されており、相互に離隔配置されてチャンネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極と；チャンネル領域と、ソース電極の一部及びドレイン電極の一部を露出させた開口を有する隔壁と；開口の内部に形成されている有機半導体層とを含み、開口は前記チャンネル領域を露出させるチャンネル部と、チャンネル部から外側方向に延長されたインク案内部とを含むことを特徴とする。【選択図】図３
2007142435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と；
前記絶縁基板上に形成されており、相互に離隔配置されてチャンネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極と；
前記チャンネル領域と、前記ソース電極の一部及び前記ドレイン電極の一部とを露出させた開口を有する隔壁と；
前記開口の内部に形成されている有機半導体層とを含み、
前記開口は前記チャンネル領域を露出させたチャンネル部と、前記チャンネル部から外側方向に延長されたインク案内部とを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、ＩＴＯ及びＩＺＯ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ及びＡｌＮｄのうちのいずれか一つを含んでなる請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記有機半導体層は、テトラセン又はペンタセンの置換基を含む誘導体；チオフェン環の２、５位置を通じて４〜８個が連結されたオリゴチオフェン；ペリレンテトラカルボン酸二無水物又はそのイミド誘導体；ナフタレンテトラカルボン酸二無水物又はそのイミド誘導体；金属化プタロシアニン又はそのハロゲン化誘導体、ペリレン又はコロネンとその置換基を含む誘導体；チエニレン及びビニレンのコオリゴマ又はコポリマ；チオフェン；ペリレン又はコロネンとこれらの置換基を含む誘導体；又は前記物質の芳香族又はヘテロ芳香族環に炭素数１〜３０個のハイドロカーボン鎖を１つ以上含む誘導体；より選択された１種以上を含んでなる請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記有機半導体層は、インクジェット方式によって形成される請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁基板上に設けられており、相互に絶縁交差して画素を定義するゲート配線及びデータ配線をさらに含み、前記画素は画像が形成されるアクティブ領域と画像が形成されない非アクティブ領域とに区分され、
前記隔壁は前記アクティブ領域と前記非アクティブ領域とにわたって位置している請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記チャンネル部は、前記アクティブ領域と前記非アクティブ領域とのうちの少なくとも一つと少なくとも一部分が重なっている請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記インク案内部は、前記アクティブ領域と前記非アクティブ領域とのうちの少なくとも一つと少なくとも一部分が重なっている請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記隔壁は、前記ゲート配線と前記データ配線のうちの少なくとも一つと少なくとも一部が重なる重畳領域を有するように配置されている請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記インク案内部の少なくとも一部は、前記ゲート配線及び前記データ配線のうちの少なくとも一つと少なくとも一部が重なるように配置されている請求項５に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記隔壁は、前記ゲート配線と前記データ配線の交差領域に設けられている請求項５に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記インク案内部は前記チャンネル部から放射状に延長される複数のサブ案内部を含み、前記サブ案内部のうちの少なくとも一つは前記重畳領域に延長される請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記インク案内部は、前記チャンネル部から延長された第１サブ案内部と、前記第１サブ案内部と交差する第２サブ案内部とを含み、
前記第１及び第２サブ案内部のうちの少なくとも一つは前記重畳領域に延長されている請求項８に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記絶縁基板と前記ソース電極の間及び前記絶縁基板と前記ドレイン電極の間に位置するデータ配線と；
前記データ配線を覆うバッファ膜と；
前記バッファ膜上の前記有機半導体層に対応する領域に設けられたゲート電極を含むゲート配線と；
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜とをさらに含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記有機半導体層を覆う保護膜をさらに含む請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記ゲート絶縁膜は下部層と上部層を含み、
前記下部層は無機物質を含む無機膜であり、上部層は有機物質を含む有機膜である請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１６】
絶縁基板上に相互に離隔配置されてチャンネル領域を定義するソース電極とドレイン電極を形成する工程と；
前記チャンネル領域と、前記ソース電極の一部及び前記ドレイン電極の一部を露出する開口を有する隔壁を形成する工程と；
前記開口の内部に有機半導体溶液をジェッティングして有機半導体層を形成する工程とを含み、
前記開口は、前記チャンネル領域を露出させるチャンネル部と、前記チャンネル部から外側方向に延長されたインク案内部とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ソース電極と前記ドレイン電極の形成前に、前記絶縁基板上に相互に絶縁交差して画素を定義するゲート配線とデータ配線を形成する工程をさらに含み、前記画素は画像の形成されるアクティブ領域と画像の形成されない非アクティブ領域とに区分され、
前記隔壁は前記アクティブ領域と前記非アクティブ領域にわたって位置するように形成される請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記有機半導体溶液は前記非アクティブ領域にジェッティングされる請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記インク案内部は前記アクティブ領域と前記非アクティブ領域のうちの少なくとも一つと少なくとも一部分が重なるように形成される請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記有機半導体溶液は前記インク案内部にジェッティングされて前記チャンネル部に流入する請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、有機半導体層を含む表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、表示装置のうち、小型、軽量化の長所を有する平板表示装置（ｆｌａｔ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）が脚光を浴びている。このような平板表示装置は液晶表示装置（ＬＣＤ）と有機電気発光装置（ＯＬＥＤ）を含む。
一般に、液晶表示装置は薄膜トランジスタが設けられた薄膜トランジスタ基板と、カラーフィルターが設けられたカラーフィルター基板、及び両基板の間に液晶層が位置する液晶パネルを含む。ここで、薄膜トランジスタ基板は各ピクセルの動作を制御及び駆動するスイッチング及び駆動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む。ここで、薄膜トランジスタは半導体層を含み、半導体層は非晶質シリコンやポリシリコンが使用されるが、最近有機半導体の適用が進められている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
有機半導体（ＯＳＣ）は常温、常圧で形成され得るため工程単価を低くすることができ、熱に弱いプラスチック基板に適用することができるという長所がある。
このような有機半導体はコーティング、露光、及び現像などの工程を経ることなく簡単なインクジェットプリンティング方式で形成されることができる。有機半導体をインクジェットプリンティング方式で形成するために有機半導体が位置する領域を囲む隔壁を形成し、前記隔壁によって形成された閉空間に有機半導体溶液をジェッティングした後、溶剤除去過程を経て有機半導体層を形成する。
【０００４】
しかし、有機半導体層を含む薄膜トランジスタは非常に小さい素子であるため有機半導体溶液がジェッティングされるノズルを前記閉空間に対応するように正確に制御することが難しい。これによって、有機半導体層が所望の形状にパターニングされなかったり、有機半導体層の厚さが各画素ごとに異なって有機薄膜トランジスタの特性が均一に現れないという問題点がある。
【特許文献１】韓国特許出願公開第２００４−７４６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的は、インクジェットプリンティングの工程マージンが向上した表示装置を提供することである。
本発明の他の目的は、インクジェットプリンティングの工程マージンを向上させることができる表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的は、本発明によって、絶縁基板と；絶縁基板上に形成されており、相互に離隔配置されてチャンネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極と；チャンネル領域と、ソース電極の一部、及びドレイン電極の一部を露出させている開口を有する隔壁と；開口の内部に形成されている有機半導体層とを含み、開口は前記チャンネル領域を露出させるチャンネル部と、チャンネル部から外側方向に延長されたインク案内部とを含むことを特徴とする表示装置によって達成される。
【０００７】
ここで、ソース電極及びドレイン電極は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの１種以上を含んでなることができる。
そして、有機半導体層は、テトラセン又はペンタセンの置換基を含む誘導体；チオフェン環の２、５位置を通じて４〜８個が連結されたオリゴチオフェン；ペリレンテトラカルボン酸二無水物又はそのイミド誘導体；ナフタレンテトラカルボン酸二無水物又はそのイミド誘導体；金属化プタロシアニン又はそのハロゲン化誘導体、ペリレン又はコロネンとその置換基を含む誘導体；チエニレン及びビニレンのコオリゴマ又はコポリマ；チオフェン；ペリレン又はコロネンとこれらの置換基を含む誘導体；又は前記物質の芳香族又はヘテロ芳香族環に炭素数１〜３０個のハイドロカーボン鎖を１つ以上含む誘導体；より選択された1種以上を含んでなることができる。
【０００８】
有機半導体層は、インクジェット方式によって形成することができる。
ここで、絶縁基板上に設けられており、相互に絶縁交差して画素を定義するゲート配線及びデータ配線をさらに含み、画素は画像が形成されるアクティブ領域と画像が形成されない非アクティブ領域とに区分され、隔壁はアクティブ領域と非アクティブ領域にわたって位置することが好ましい。
そして、チャンネル部は、アクティブ領域と非アクティブ領域のうちの少なくとも一つと少なくとも一部分が重なっていることが好ましい。
また、インク案内部は、アクティブ領域と非アクティブ領域のうちの少なくとも一つと少なくとも一部分が重なっていることが好ましい。
【０００９】
ここで、隔壁は、ゲート配線とデータ配線のうちの少なくとも一つと少なくとも一部が重なる重畳領域を有するように配置されていることが好ましい。
そして、インク案内部の少なくとも一部は、ゲート配線及びデータ配線のうちの少なくとも一つと少なくとも一部が重なるように配置されていることが好ましい。
また、隔壁は、ゲート配線とデータ配線の交差領域に設けられていることが好ましい。
【００１０】
ここで、インク案内部はチャンネル部から放射状に延長される複数のサブ案内部を含み、サブ案内部のうちの少なくとも一つは重畳領域に延長されることが好ましい。
そして、インク案内部は、チャンネル部から延長された第１サブ案内部と、第１サブ案内部と交差する第２サブ案内部とを含み、第１及び第２サブ案内部のうちの少なくとも一つは重畳領域に延長されていることが好ましい。
【００１１】
ここで、絶縁基板とソース電極の間及び絶縁基板とドレイン電極の間に位置するデータ配線と；データ配線を覆っているバッファ膜と；バッファ膜上の有機半導体層に対応する領域に設けられたゲート電極を含むゲート配線と；ゲート配線を覆っているゲート絶縁膜とをさらに含むことができる。
そして、有機半導体層を覆っている保護膜をさらに含むことができる。
また、ゲート絶縁膜は下部層と上部層を含み、下部層は無機物質を含む無機膜であり、上部層は有機物質を含む有機膜であることが好ましい。
【００１２】
本発明の他の目的は、絶縁基板上に相互に離隔配置されてチャンネル領域を定義するソース電極とドレイン電極を形成する工程と；チャンネル領域と、ソース電極の一部、及びドレイン電極の一部を露出させている開口を有する隔壁を形成する工程と；開口の内部に有機半導体溶液をジェッティングして有機半導体層を形成する工程とを含み、開口は、チャンネル領域を露出させるチャンネル部と、チャンネル部から外側方向に延長されたインク案内部とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法によって達成される。
【００１３】
ここで、ソース電極とドレイン電極の形成前に、絶縁基板上に相互に絶縁交差して画素を定義するゲート配線とデータ配線を形成する工程をさらに含み、画素は画像の形成されるアクティブ領域と画像の形成されない非アクティブ領域とに区分され、隔壁はアクティブ領域と非アクティブ領域にわたって位置するように形成することができる。
そして、有機半導体溶液は非アクティブ領域にジェッティングすることができる。
また、インク案内部はアクティブ領域と非アクティブ領域のうちの少なくとも一つと少なくとも一部分が重なるように形成することができる。
そして、有機半導体溶液はインク案内部にジェッティングされてチャンネル部に流入させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、インクジェットプリンティングの工程マージンが向上した表示装置が提供される。
また、インクジェットプリンティングの工程マージンを向上させることができる表示装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。以下で、ある膜（層）が他の膜（層）の‘上に’形成されて（設けられて）いるということは、二つの膜（層）が接している場合だけでなく、二つの膜（層）の間に他の膜（層）が存在する場合も含む。
図１は本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の配置図を概略的に示したものであり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図であり、図３は第１実施形態による隔壁を説明するための図面である。
【００１６】
本発明による薄膜トランジスタ基板１００は、絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０上に形成されているデータ配線１２１、１２２、１２３と、データ配線１２１、１２２、１２３上に順次に形成されているバッファ膜１３０と、バッファ膜１３０上に形成されているゲート配線１４１、１４２、１４３と、ゲート配線１４１、１４２、１４３上に順次に形成されているゲート絶縁膜１５０と、ゲート絶縁膜１５０上に形成されている透明電極層１６１、１６３、１６５と、ソース電極１６１とドレイン電極１６３によって形成されたチャンネル領域Ｃを露出させる開口１７１、１７２を有する隔壁１７０と、開口１７１、１７２の内部に形成されている有機半導体層１８０及び有機半導体層１８０上に順に形成された保護膜１９１を含む。
【００１７】
絶縁基板１１０はガラス又はプラスチックで作ることができる。絶縁基板１１０をプラスチックで作る場合、薄膜トランジスタ基板１００に柔軟性を付与できるという長所があるが、絶縁基板１１０が熱に弱いという短所がある。本発明のように有機半導体層１８０を使用すれば、半導体層の形成は常温、常圧で行うことができるため、プラスチック素材の絶縁基板１１０を使用するのが容易であるという長所がある。ここで、プラスチック種類としては、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等が使用可能である。
【００１８】
データ配線１２１、１２２、１２３は前記絶縁基板１１０上に形成されている。データ配線１２１、１２２、１２３は、絶縁基板１１０上に一方向に延長されているデータ線１２１と、前記データ線１２１の端部に設けられ、外部から駆動又は制御信号の伝達を受けるデータパッド１２２及び後述するゲート電極１４２と対応する所に形成され、有機半導体層１８０を覆う光遮断膜１２３を含む。ここで、ゲート電極１４２は光遮断膜１２３の役割を果たすことができるので、光遮断膜１２３は省略可能である。そして、データパッド１２２は外部から駆動及び制御信号の伝達を受けてデータ線１２１に駆動及び制御信号を印加する。データ配線１２１、１２２、１２３の材料としては、安価で伝導率が良いＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄのうちの少なくともいずれか一つを含むことができる。そして、データ配線１２１、１２２、１２３は前記材料のうちの少なくともいずれか一つを含む単一層又は複数の層で設けることができる。
【００１９】
本発明では、データ配線１２１、１２２、１２３の形成過程で使用される化学物質から第１及び第２ゲート絶縁膜１５０、１５５と有機半導体層１８０を保護して有機半導体層１８０の特性が劣化することを防止するために、データ配線１２１、１２２、１２３を先に形成し、データ配線１２１、１２２、１２３上にバッファ膜１３０を形成する構造を選択している。
【００２０】
絶縁基板１１０上ではバッファ膜１３０がデータ配線１２１、１２２、１２３を覆っている。バッファ膜１３０はデータ配線１２１、１２２、１２３とゲート配線１４１、１４２、１４３、１４４、１４５間の電気的絶縁のための層であって、工程性に優れた窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等のような無機物質からなる無機膜又は有機物質からなる有機膜とすることができる。バッファ膜１３０に使用される有機物質にはアクリル系樹脂、ポリビニルアルコール、ベンゾシクロブテン、ポリビニルフェノール系樹脂、フッ素系高分子及びポリスチレン樹脂のうちの少なくともいずれか一つを含むことができる。そして、他の実施形態として、バッファ膜１３０は無機膜と有機膜からなる複層構造で形成してもよい。バッファ膜１３０には、データ線１２１とデータパッド１２２を露出させるバッファ膜接触孔１３１、１３２が形成されている。
【００２１】
バッファ膜１３０は、データ配線１２１、１２２、１２３の形成時に使用される化学物質又はプラズマが残存して、後述するバッファ膜接触孔１３１、１３２と絶縁膜接触孔１５１、１５２、１５３の隙間又は界面間に流入して耐化学性及び耐プラズマ性にぜい弱な後述する有機半導体層１８０の損傷を最少化するためのものである。そして、光遮断膜１２３がフローティング電極として作用することを防止する役割も果たす。
【００２２】
前記バッファ膜１３０上にはゲート配線１４１、１４２、１４３が形成されている。ゲート配線１４１、１４２、１４３は、前述したデータ線１２１と絶縁交差して画素を定義するゲート線１４１と、前記ゲート線１４１の端部に設けられ、外部から駆動又は制御信号の印加を受けるゲートパッド１４３及びゲート線１４１の分枝であり、後述する有機半導体層１８０と対応する所に形成されているゲート電極１４２を含む。ゲートパッド１４３は外部から薄膜トランジスタをオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）させるための駆動及び制御信号の印加を受けて、ゲート線１４１を通じてゲート電極１４２に伝達する。ゲート配線１４１、１４２、１４３もデータ配線１２０のようにＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄのうちの少なくともいずれか一つを含むことができ、単一層又は複数の層で設けられることができる。
【００２３】
ゲート配線１４１、１４２、１４３上にはゲート絶縁膜１５０が形成されている。ゲート絶縁膜１５０はデータ配線１２１、１２２、１２３とゲート配線１４１、１４２、１４３を相互に絶縁させる役割を果たすと同時に、耐化学性及び耐プラズマ性がぜい弱な有機半導体層１８０に不純物が流入することを防止する。ゲート絶縁膜１５０は、耐久性に優れた酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）及び窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）のうちの少なくともいずれか一つを含むことができる。また、ゲート絶縁膜１５０は有機物質からなる有機膜とすることができ、無機膜と有機膜からなる複層構造とすることもできる。
そして、ゲート絶縁膜１５０には、ゲートパッド１４３を露出させる絶縁膜接触孔１５３と、連結部材１４４、１４５を露出させる絶縁膜接触孔１５１、１５２が形成されている。
【００２４】
ゲート絶縁膜１５０上には透明電極層１６１、１６３、１６５、１６７、１６９が形成されている。透明電極層１６１、１６３、１６５、１６７、１６９は、絶縁膜接触孔１５１を通じてデータ線１２１と接続されており、有機半導体層１８０と少なくとも一部が接するソース電極１６１と、有機半導体層１８０を介してソース電極１６１と分離されているドレイン電極１６３及びドレイン電極１６３と接続されて画素領域に形成されている画素電極１６５を含む。そして、絶縁膜接触孔１５２によって露出されたデータパッド１２２を覆うデータパッド接触部材１６７と、絶縁膜接触孔１５３によって露出されたゲートパッド１４３を覆うゲートパッド接触部材１６９をさらに含む。透明電極層１６１、１６３、１６５、１６７、１６９はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質で形成される。一方、他の実施形態として、仕事関数の高いＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくともいずれか一つを利用してソース電極１６１とドレイン電極１６３を形成することができる。ソース電極１６１は絶縁膜接触孔１５１を通じてデータ線１２１と物理的・電気的に接続されて画像信号の伝達を受ける。そして、ゲート電極１４３を介してソース電極１６１と離隔してチャンネル領域Ｃを定義するドレイン電極１６３は、ソース電極１６１と共に薄膜トランジスタを形成し、各画素電極１６５の動作を制御及び駆動するスイッチング及び駆動素子として作動する。
【００２５】
隔壁１７０は、図３に示されているように、チャンネル領域Ｃと、ソース電極１６１の少なくとも一部及びドレイン電極１６３の少なくとも一部を露出させる開口１７１、１７２を有している。ここで、画素は画像の形成されるアクティブ領域と画像の形成されない非アクティブ領域とに区分され、本発明による隔壁１７０はアクティブ領域と非アクティブ領域にわたって位置している。他の実施形態として、隔壁１７０はデータ配線１２１、１２２、１２３及びゲート配線１４１、１４２、１４３のうちの少なくとも一つと少なくとも一部が重なる重畳領域を有するように配置することができる。より詳しくは、データ配線１２１、１２２、１２３とゲート配線１４１、１４２、１４３の交差領域に設けられることができる。このような隔壁１７０は有機半導体溶液のインクジェットプリンティング時に滴下された有機半導体溶液が他のところに流れることを防ぐ役割を果たす。ジェッティングされる有機半導体溶液は有機薄膜トランジスタを形成するために開口１７１、１７２に位置しなければならず、開口１７１、１７２にジェッティングされた有機半導体溶液は溶剤除去過程を経て有機半導体層１８０として形成される。
【００２６】
しかし、隔壁１７０の開口１７１、１７２は非常に小さい領域であるため、有機半導体溶液がジェッティングされるノズルを前記開口１７１、１７２に対応するように正確に制御し難い。つまり、インクジェットプリンティングの工程マージンが低いため、ジェッティングされる有機半導体溶液が開口１７１、１７２内に位置せず、隔壁１７０上に位置したり画素に位置することができる。これによって、有機半導体層１８０が所望の形状にパターニングされなかったり、有機半導体層１８０の厚さが各画素ごとに異なって有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）の特性が均一に現れないという問題点がある。
【００２７】
このような問題点を最少化するために、隔壁１７０上にジェッティングされた有機半導体溶液が開口１７１、１７２に容易に流入され、自己パターニング（ｓｅｌｆ  ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）されるように隔壁１７０の表面を処理した。つまり、隔壁１７０の表面がジェッティングされる有機半導体溶液に対して撥水性と撥油性を有するようにして、隔壁１７０上にジェッティングされた有機半導体溶液が開口１７１、１７２に流入されるようにプラズマ表面処理をした。ここで、プラズマ処理はＣＦ4／Ｏ2プラズマ処理を含む。隔壁１７０はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性、耐溶媒性を有する感光物質やＳｉＯ2、ＴｉＯ2のような無機材料から形成することができ、有機層と無機層の２層構造も可能である。また、隔壁１７０はフッ素系高分子を含むことができ、この場合、材料の特性上撥水性及び撥油性を有するようになる。
【００２８】
このように、撥水性と撥油性を有する隔壁１７０上にジェッティングされた有機半導体溶液は少なくとも一部が開口１７１、１７２にかけられており、乾燥しながら開口１７１、１７２の内部に容易に流入されて自己パターニングされる。しかし、開口１７１、１７２にかけられていない有機半導体溶液は開口１７１、１７２の内部に流入されないことがあり、特にノズルの微細な制御が難しい現時点でこのような問題点の発生可能性が高い。
【００２９】
これによって、本発明では、有機半導体溶液の少なくとも一部が開口１７１、１７２にかけられていれば容易に自己パターニングされる現象を利用して、チャンネル領域Ｃを露出させる開口のチャンネル部１７１から外側方向に延長されたインク案内部１７２を設けることによりインクジェットプリンティングの工程マージンを向上させた。図３に示されているように、本発明による隔壁１７０は、チャンネル領域Ｃを露出させるチャンネル部１７１と、チャンネル部１７１から外側方向に延長されたインク案内部１７２とからなる開口１７１、１７２を有するように隔壁１７０を形成する。ここで、チャンネル部１７１とインク案内部１７２はアクティブ領域と非アクティブ領域のうちの少なくとも一つと少なくとも一部分が重なっていてもよい。より詳しくは、チャンネル部１７１はアクティブ領域に偏って位置することができ、インク案内部１７２は非アクティブ領域に偏って位置することができる。本発明ではインクジェット工程のマージンを向上させるために、隔壁１７０をデータ配線１２１、１２２、１２３及びゲート配線１４１、１４２、１４３のうちの少なくとも一つと少なくとも一部が重なる重畳領域を有するように隔壁１７０の大きさを拡大し、インク案内部１７２が前記重畳領域に延長されるように設けられる。本発明の第１実施形態によるインク案内部１７２は、チャンネル部１７１から外側方向に延長された第１サブ案内部１７２ａと、前記第１サブ案内部１７２ａと交差する第２サブ案内部１７２ｂとを含む。そして、第１及び第２サブ案内部１７２ａ、１７２ｂの少なくとも一部がデータ配線１２１、１２２、１２３及びゲート配線１４１、１４２、１４３のうちの少なくとも一つと少なくとも一部が重なっているように製作する。このような構成によって、隔壁１７０の大きさが大きくなったのでインクジェットプリンティングの工程マージンが向上されており、特に、隔壁１７０はデータ配線１２１、１２２、１２３及びゲート配線１４１、１４２、１４３と重なるように大きさが大きくなったので、隔壁１７０の大きさが大きくなることによる開口率の減少もない。そして、拡大された隔壁１７０にはインク案内部１７２が設けられていて、ジェッティングされる有機半導体溶液が開口１７１、１７２にかけられて位置する確率が向上し、自己パターニングがさらに容易になり、インクジェットプリンティングの工程マージンが向上する。
【００３０】
開口１７１、１７２には有機半導体層１８０が形成されている。有機半導体層１８０はチャンネル領域Ｃを覆っていながら、ソース電極１６１及びドレイン電極１６３と少なくとも一部が接している。このような有機半導体層１８０は、テトラセン又はペンタセンの置換基を含む誘導体；チオフェン環の２、５位置を通じて４〜８個が連結されたオリゴチオフェン；ペリレンテトラカルボン酸二無水物又はそのイミド誘導体；ナフタレンテトラカルボン酸二無水物又はそのイミド誘導体；金属化プタロシアニン又はそのハロゲン化誘導体、ペリレン又はコロネンとその置換基を含む誘導体；チエニレン及びビニレンのコオリゴマ又はコポリマ；チオフェン；ペリレン又はコロネンとこれらの置換基を含む誘導体；又は前記物質の芳香族又はヘテロ芳香族環に炭素数１〜３０個のハイドロカーボン鎖を１つ以上含む誘導体；より選択された１種以上を含んで形成することができる。この他にも一般に使用される公知の有機半導体物質を使用することもできる。このような有機半導体層１８０は有機半導体溶液を前記開口１７１、１７２にジェッティングした後、溶剤除去工程を経て形成することができる。
【００３１】
有機半導体層１８０上には保護膜１９１が形成されている。ここで、保護膜１９１は単一層で設けることができ、図示されているものと異なり、二重の複層構造で形成することもできる。保護膜１９１は有機半導体層１８０の特性が劣化することを防止するための層であって、フッ素系高分子又はＰＶＡ（ポリビニルアルコール）等のような物質を使用することができる。
【００３２】
以下、図４〜６を参照して本発明の第２〜４実施形態について説明する。第２〜第４実施形態では第１実施形態と異なる特徴的な部分のみを抜粋して説明し、説明が省略された部分は前記第１実施形態による。
図４は本発明の第２実施形態による隔壁を説明するための図面であって、隔壁を概略的に示したものである。図４に示されているように、第２実施形態による隔壁２７０は、チャンネル領域、ソース電極の少なくとも一部及びドレイン電極の少なくとも一部を露出させるチャンネル部２７１と、前記チャンネル部２７１から放射状に延長されたインク案内部２７２、２７３、２７４、２７５を含む。図４に示されているように、インク案内部２７２、２７３、２７４、２７５は、第１サブ案内部２７２、第２サブ案内部２７３、第３サブ案内部２７４及び第４サブ案内部２７５からなる。そして、第１、第２、第３及び第４のサブ案内部２７２、２７３、２７４、２７５のうちの少なくとも一つは隔壁２７０とゲート配線及びデータ配線間の重畳領域に延長している。インク案内部２７２、２７３、２７４、２７５が別途に設けられゲート配線とデータ配線が位置する方向に隔壁２７０の大きさが大きくなることによって、インクジェットプリンティングの工程マージンが向上し、開口率の減少もない。
【００３３】
図５は本発明の第３実施形態による隔壁を説明するための図面であって、隔壁を概略的に示したものである。図５に示されているように、隔壁３７０に形成された開口３７１、３７２は、チャンネル領域、ソース電極の少なくとも一部、及びドレイン電極の少なくとも一部を露出させるチャンネル部３７１と、前記チャンネル部３７１から外側方向に延長されたインク案内部３７２とを含む。図６は本発明の第４実施形態による隔壁を説明するための図面であって、隔壁を概略的に示したものである。図６に示されているように、隔壁４７０に形成された開口４７１、４７２、４７３は、隔壁４７０の一側の角部に偏って位置するチャンネル部４７１と、隔壁４７０の他側の角部に位置するインク案内部４７２、４７３を含む。インク案内部４７２、４７３は、チャンネル部４７１と連結されている第１サブ案内部４７２と、前記第１サブ案内部４７２と交差する第２サブ案内部４７３とを含む。
前述の第１〜第４実施形態は一実施形態を示したものに過ぎず、前述の実施形態に限定されず、他の形状に変形適用可能である。
【００３４】
本発明による隔壁は液晶表示装置又は有機電気発光装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏ  ｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｉｎｄｉｃａｔｉｏｎ  ｄｉｓｐｌａｙ）等の表示装置に用いることができる。
有機電気発光装置は電気的な信号を受けて発光する有機物を利用した自発光型素子である。有機電気発光装置には陰極層（画素電極）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陽極層（対向電極）が積層されている。本発明による薄膜トランジスタ基板のドレイン電極は陰極層と電気的に接続されてデータ信号を印加することができる。
【００３５】
電気泳動表示装置は電子本に使用されている平板表示装置の中の一つであって、第１電極及び薄膜トランジスタが形成されている第１基板と、第２電極が形成されている第２基板及び両基板の間に位置する流体と流体に分散されている荷電粒子を含む。荷電粒子は陽性（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）又は陰性（ｎｅｇａｔｉｖｅ）を帯びており、黒色と白色のうちのいずれか一つの色を有している。このような電気泳動表示装置の対向する両電極に電圧を印加して第１及び第２電極の両端に電位差（＋、−）を形成すると、荷電粒子は反対極性の電極に上下移動される。これによって、観察者は外部から入射されて荷電粒子で反射された光を認識するようになる。荷電粒子が観察者に近く上部に移動すると、観察者は荷電粒子の色を強く認識し、荷電粒子が下部に移動すると、観察者は荷電粒子の色を弱く認識する原理を利用して画像を表示する。
【００３６】
以下では本発明による表示装置の製造方法を図７ａと図７ｂを参照して簡略に説明する。以下の説明では本発明による特徴的な部分のみを抜粋して説明し、説明が省略された部分は公知の製造方法による。
【００３７】
まず、公知の方法によって、絶縁基板上に相互に絶縁交差して画素を定義するデータ配線とゲート配線を形成する。ここで、画素は画像の形成されるアクティブ領域と画像の形成されない非アクティブ領域とに区分され、データ配線とゲート配線の間にはバッファ膜が介在している。その後、ゲート配線上にはゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上に相互に離隔配置されてチャンネル領域を定義するソース電極とドレイン電極を形成する。その後、前記チャンネル領域と、前記ソース電極の一部及び前記ドレイン電極の一部を露出させている開口５７１、５７２、５７３を有する隔壁５７０を形成する。隔壁５７０はアクティブ領域と非アクティブ領域にわたって位置するように形成する。開口５７１、５７２、５７３は、チャンネル領域を露出させるチャンネル部５７１と、前記チャンネル部５７１から外側方向に延長されたインク案内部５７２、５７３を含み、マスクを利用した露光及び現像工程によって図３〜図６に示されているように多様なデザインに製作可能である。その後、隔壁５７０の表面が有機半導体溶液に対する撥水性と撥油性を有するようにＯ2／ＣＦ4プラズマ処理を行う。そして、ノズルを利用して開口５７１、５７２、５７３の内部に有機半導体溶液５６０をジェッティングする。そして、ジェッティングされる有機半導体溶液５６０がアクティブ領域に飛び散ることを最少化するために非アクティブ領域の開口５７１、５７２、５７３に有機半導体溶液５６０をジェッティングする。
【００３８】
有機半導体溶液はチャンネルが形成されるチャンネル部５７１にジェッティングされることが望ましいが、ノズルの位置制御が難しくチャンネル部５７１の大きさが小さくて、図７ａに示されているように、チャンネル部７５１以外の隔壁５７０上にジェッティングしてもよい。しかし、チャンネル部５７１以外の隔壁５７０にはインク案内部５７２、５７３が設けられていて、有機半導体溶液５６０がチャンネル部５７１以外の領域にジェッティングされてもインク案内部５７２、５７３にかけられた形態に位置するようになる。特に、本発明での隔壁５７０はゲート配線及びデータ配線と一部が重なるように大きさを大きく製作し、重なる領域までインク案内部５７２、５７３が延長するように設けたので、ジェッティングされる有機半導体溶液５６０はチャンネル部５７１及びインク案内部５７２、５７３にジェッティングされる確率が高くなる。そして、図７ｂに示されているように、インク案内部５７２、５７３にかけられるようにジェッティングされた有機半導体溶液５６０は隔壁５７０の表面が撥水性及び撥油性を有することによって容易に自己パターニングされ、インク案内部５７２、５７３に沿ってチャンネル部５７１に流入するようになる。その後、溶剤除去過程を経て有機半導体層が設けられる。これによって、インクジェットプリンティングの工程マージンが向上した表示装置の製造方法が提供される。
【００３９】
本発明のいくつかの実施形態が図示されて説明されたが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から外れずに本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による隔壁を説明するための図面である。
【図４】本発明の第２実施形態による隔壁を説明するための図面である。
【図５】本発明の第３実施形態による隔壁を説明するための図面である。
【図６】本発明の第４実施形態による隔壁を説明するための図面である。
【図７ａ】本発明による表示装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図７ｂ】本発明による表示装置の製造方法を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１００      薄膜トランジスタ基板
１１０      絶縁基板
１２１      データ線
１２２      データパッド
１２３      光遮断膜
１３０      バッファ膜
１４１      ゲート線
１４２      ゲート電極
１４３      ゲートパッド
１５０      ゲート絶縁膜
１６１      ソース電極
１６３      ドレイン電極
１６５      画素電極
１７０      隔壁
１７１      チャンネル部
１７２      インク案内部
１８０      有機半導体層
１９１      保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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