(57)【要約】  【課題】チップをキャビティ内に固定する為の接着樹脂を加熱硬化するとき、チップが接着樹脂から受ける応力を減少させることで、チップ破壊を削減し、且つ安定した動作が可能な電子部品を提供する。  【解決手段】セラミック基板4に設けられたキャビティ3のキャビティ側面18と、キャビティ3内に配置されたチップ10のチップ側面19との間に形成される側面空間16a〜16d内ならびに角部空間32a〜32d内に、チップ10をキャビティ3に固定する為の接着樹脂14と、接着樹脂14が設けられていない空隙13とを設けることを特徴とする。  【選択図】  図1
2007142210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティを有する基板と、
前記キャビティ内に収容されたチップと、
前記キャビティは、キャビティ底面とキャビティ側面とを有し、
前記チップは、前記キャビティ底面と対向する一方主面と、前記一方主面と対向する他方主面と、前記キャビティ側面と対向するチップ側面とを有し、
前記チップ側面と前記キャビティ側面との間に形成される側面空間内に、前記チップを前記キャビティに固定する為の樹脂部と、前記樹脂部が設けられていない空隙部とが配置されることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記チップの一方主面と前記側面空間と前記キャビティ底面との間に形成される底部空間と、
前記底部空間内に配置され、前記チップと前記基板とを電気的に接続する為の導体突起とをさらに有し、
前記側面空間内に配置された前記空隙部と前記底部空間とは互いに連結されることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
【請求項３】
前記キャビティと前記チップとは矩形状に形成され、
前記側面空間は、前記キャビティ側面と前記チップ側面との間に形成される第1〜第4の側面空間と、前記第1〜第4の側面空間に挟まれる第1〜第4の角部空間とで形成され、
前記第1の側面空間と前記第2の側面空間とは互いに対向して配置され、
前記第3の側面空間と前記第4の側面空間とは互いに対向して配置され、
前記第1の角部空間と前記第2の角部空間とは互いに対向して配置され、
前記第3の角部空間と前記第4の角部空間とは互いに対向して配置され、
前記樹脂部は、少なくとも一対の前記第1の角部空間と前記第2の角部空間内に形成され、
前記空隙部は、前記第1〜第4の側面空間内に形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子部品
【請求項４】
前記キャビティと前記チップとは矩形状に形成され、
前記側面空間は、前記キャビティ側面と前記チップ側面との間に形成される第1〜第4の側面空間と、前記第1〜第4の側面空間に挟まれる第1〜第4の角部空間とで形成され、
前記第1の側面空間と前記第2の側面空間とは互いに対向して配置され、
前記第3の側面空間と前記第4の側面空間とは互いに対向して配置され、
前記第1の角部空間と前記第2の角部空間とは互いに対向して配置され、
前記第3の角部空間と前記第4の角部空間とは互いに対向して配置され、
前記樹脂部は、一対の前記第1の側面空間と前記第2の側面空間内の少なくとも一部に形成され、
前記空隙部は、前記第1〜第4の角部空間内に形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子部品
【請求項５】
前記樹脂部は、前記一対の第1の側面空間と第2の側面空間内全体に形成されることを特徴とする請求項4記載の電子部品
【請求項６】
前記キャビティは、上段キャビティと下段キャビティとを有する2段キャビティで形成され、
前記下段キャビティの開口部は、前記チップの一方主面よりも小さく形成されることを特徴とする請求項1ないし請求項5記載の電子部品
【請求項７】
前記樹脂部は、前記チップの他方主面よりも低い位置に形成されることを特徴とする請求項1ないし請求項6記載の電子部品
【請求項８】
前記基板は、前記キャビティが形成される第1の主面と、前記第1の主面と対向する第2の主面とで形成され、
外部接続端子は、前記第1の主面の前記キャビティが形成されていない第1の主面上に配置され、
表面実装部品は、前記第2の主面上に配置されることを特徴とする請求項1ないし請求項7記載の電子部品
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に設けられたキャビティ内にチップを配置した電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
容器の底面に形成した矩形状のキャビティ内に、はんだバンプを介して発振用ICチップやMMIC（Monolithic Microwave Integrated Circuit）などのチップを配置し、チップとキャビティとの間に形成された間隙に樹脂を充填した電子部品、例えば特許文献1や特許文献2に記載のものが知られている。
【０００３】
例えば、特許文献1には、図10に示すように、セラミック層101a、101b、101cに囲まれたキャビティ102と、キャビティ102内にAuバンプ103、電極パッド104を介して配置されている発振用ICチップ105とを有する電子部品100が開示されている。発振用ICチップ105は、発振用ICチップ105以外のキャビティ102内の間隙に、アンダーフィルするための熱硬化性樹脂106を充填・加熱し、硬化することにより固定されている。
【０００４】
また、特許文献2には、図11に示すように、キャビティ108を有する基板109内に、はんだバンプ110を介して配置されているMMIC111を有する電子部品107が開示されている。MMIC111は、樹脂112が、キャビティ底面113と対向するMMIC111の一方主面111aと非接触の状態で、MMIC111およびキャビティ108を覆うことで、基板109に固定されている。
【特許文献１】特開2002-50652号公報
【特許文献２】特開2005-166973号公報  上記のような、チップをキャビティに固定する方法では、樹脂の加熱・硬化工程における樹脂の収縮により、チップに不要な応力がかかり、最悪の場合にはチップが破壊されてしまうという問題があった。その結果、電子部品の動作が不安定になったり、動作しなくなったりという異常が起こることがあった。
【０００５】
さらに、アンダーフィル工法を使用した場合、樹脂内に形成されるボイドの発生を抑える為、はんだバンプの直径に対してキャビティ側面とそのキャビティ側面と対向するチップ側面との間の距離を十分大きくする必要があり、電子部品を小さくすることが難しかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述の問題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、チップが樹脂から受ける応力を減少させると共に、チップをキャビティに安定的に固定させることにより、チップ破壊を削減し、かつ安定した動作が可能な電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の課題を解決するため、第1の発明に係る電子部品は、
キャビティを有する基板と、
キャビティ内に収容されたチップと、
キャビティは、キャビティ底面とキャビティ側面とを有し、
チップは、キャビティ底面と対向する一方主面と、一方主面と対向する他方主面と、キャビティ側面と対向するチップ側面とを有し、
チップ側面とキャビティ側面との間に形成される側面空間内に、チップをキャビティに固定する為の樹脂部と、樹脂部が設けられていない空隙部とが配置されることを特徴とする。
第2の発明に係る電子部品は、チップの一方主面と、側面空間と、キャビティ底面との間に形成される底部空間と、
底部空間内に配置され、チップと基板とを電気的に接続する為の導体突起とをさらに有し、側面空間内に配置された空隙部と底部空間とは互いに連結されることを特徴とする。
第3の発明に係る電子部品は、キャビティとチップとは矩形状に形成され、
側面空間は、キャビティ側面とチップ側面との間に形成される第1〜第4の側面空間と、第1〜第4の側面空間に挟まれる第1〜第4の角部空間とで形成され、
第1の側面空間と第2の側面空間とは互いに対向して配置され、
第3の側面空間と第4の側面空間とは互いに対向して配置され、
第1の角部空間と第2の角部空間とは互いに対向して配置され、
第3の角部空間と第4の角部空間とは互いに対向して配置され、
樹脂部は、少なくとも一対の第1の角部空間と第2の角部空間内に形成され、
空隙部は、第1〜第4の側面空間内に形成されることを特徴とする。
第4の発明に係る電子部品は、キャビティとチップとは矩形状に形成され、
側面空間は、キャビティ側面とチップ側面との間に形成される第1〜第4の側面空間と、第1〜第4の側面空間に挟まれる第1〜第4の角部空間とで形成され、
第1の側面空間と第2の側面空間とは互いに対向して配置され、
第3の側面空間と第4の側面空間とは互いに対向して配置され、
第1の角部空間と第2の角部空間とは互いに対向して配置され、
第3の角部空間と第4の角部空間とは互いに対向して配置され、
樹脂部は、一対の第1の側面空間と第2の側面空間内の少なくとも一部に形成され、
空隙部は、第1〜第4の角部空間内に形成されることを特徴とする。
第5の発明に係る電子部品は、樹脂部は、一対の第1の側面空間と第2の側面空間内全体に形成されることを特徴とする。
第6の発明に係る電子部品は、キャビティは、上段キャビティと下段キャビティとを有する2段キャビティで形成され、下段キャビティの開口部は、チップの一方主面よりも小さく形成されることを特徴とする。
第7の発明に係る電子部品は、樹脂部は、チップの他方主面よりも低い位置に形成されることを特徴とする。
第8の発明に係る電子部品は、基板は、キャビティが形成される第1の主面と、第1の主面と対向する第2の主面とで形成され、
外部接続端子は、第1の主面のキャビティが形成されていない第1の主面上に配置され、
表面実装部品は、第2の主面上に配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
第1の発明に係る電子部品によれば、樹脂を加熱・硬化するときに発生する応力を空隙部で吸収することが出来るので、チップに不要な応力が伝わらないようにすることが出来る。さらに、樹脂部によりチップがキャビティに安定的に固定され、不要な振動によりチップがキャビティから外れるのを防止することが出来る。
【０００９】
さらに、導体突起の周辺は接着樹脂のないオープンなスペースとなるので、ハンダフラッシュによるショートの発生を抑えることが出来る。
【００１０】
第3の発明に係る電子部品によれば、少ない樹脂量でチップをキャビティに固定することが出来るので、製造コスト削減が可能となる。
【００１１】
第4および第5の発明に係る電子部品によれば、安定的にチップをキャビティに固定することが出来るので、振動等によるチップの破壊を抑えることが出来る。
【００１２】
第6の発明に係る電子部品によれば、側面空間内と角部空間内とに形成される接着樹脂が、導体突起が配置されている下部キャビティ内へ流動することを確実に防止することが出来る。
【００１３】
第7の発明に係る電子部品によれば、チップ他方主面上に接着樹脂が形成されていないので、チップ他方主面上により多くの表面実装部品を形成することが出来る。
【００１４】
第8の発明に係る電子部品によれば、基板上に多くの表面実装部品を配置することが出来、且つ、電子部品をマザー基板上に効果的に配置することが出来るので、省スペース化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施形態を図面とともに説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付している。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。
【００１６】
（実施の形態1）
図1は、本発明の実施の形態1における図示しないマザー基板に実装した電子部品の断面図、図2（A）は電子部品を裏面から見たときの斜視図、図2（B）は図2（A）を裏面から見たときの平面図、図2（C）は図2（A）のA-A線に沿って切断したときの断面図である。
【００１７】
本実施の形態の電子部品1は、裏面2に矩形状のキャビティ3を有するセラミック多層基板4と、セラミック多層基板4の上面5上に配置された抵抗6、コンデンサ7、LGAタイプのＳＡＷフィルタ8等の表面実装部品と、表面実装部品を覆い、且つ、上面5上に配置された金属ケース9と、裏面2上のキャビティ3が形成されていない部分に図示しないマザー基板と電気的に接続する為の外部接続端子23と、キャビティ3内に配置された高周波デバイスであるMMIC、発振用IC、FCIC（Flip Chip Integrated Circuit）などの矩形状のチップ10と、キャビティ底面15と対向するチップ一方主面11との間に配置されたはんだバンプやスタッドバンプなどの導体突起12と、導体突起12を介して、チップ10とセラミック多層基板4とを電気的に接続する為の、チップ一方主面11ならびにキャビティ底面15に配置された図示しない電極パットと、を有している。
【００１８】
また、キャビティ側面18と、キャビティ側面18と対向するチップ側面19との間に形成される側面空間16a、16b、16c、16d（図2（B）参照）内と、各側面空間により挟まれた角部空間32a、32b、32c、32d（図2（B）参照）内には、空隙13（図2（B）、図2（C）参照）と、チップ10をキャビティ3に固定する為の接着樹脂14が設けられている。接着樹脂14は、例えば粘度100〜350Pa・Sのエポキシ系やシリコン系のものが用いられる。なお、側面空間16a、16b、16c、16dは、図2（B）手前側から時計回りに形成され、角部空間32a、32b、32c、32dは、図2（B）手前右側から形成されている。
【００１９】
接着樹脂14を側面空間16a〜16d内と、角部空間32a、32b、32c、32d内のみに充填する場合、チップ一方主面11と、側面空間16a、16b、16c、16dと、キャビティ底面15との間に形成される底部空間17の、すなわち導体突起12が形成されている空間の、チップ一方主面11とキャビティ底面15との間の距離Xと、キャビティ側面18とチップ側面19との間の距離Wとの関係をX＞Wとすることが望ましい。前記関係にするのは、接着樹脂14が毛細管現象によって底部空間17内に流れ出るのを防ぐ為である。なお、本実施の形態1では、接着樹脂14がチップ一方主面11より低くなるように充填されている。これにより、接着樹脂14が底部空間17内に確実に入り込まないようにすることが出来る。
【００２０】
なお、本実施の形態1のキャビティ3ならびにチップ10は矩形状であるが、この形状に限られず、円柱形状や三角形状等でも同様の効果を得ることが出来る。また、チップ10がキャビティ3内に複数配置されても同様の効果を得ることが出来る。
【００２１】
裏面2に形成されたキャビティ3以外の部分には、図示しないマザー基板と電気的に接続する為の外部接続端子23が複数形成されている。外部接続端子23は、例えば裏面2の縦方向の側面に合計6個、横方向の側面に合計2個配置されている。なお、外部接続端子23は、図示しないマザー基板と接続する為に適宜配置すれば良く、本実施の形態の配置位置、数量に限定されるものではない。
【００２２】
接着樹脂14は、角部空間32a〜32d内に形成された接着樹脂14aと、側面空間16a〜16d内のそれぞれ一部に形成された接着樹脂14bより形成されている。また、接着樹脂14aと接着樹脂14bとは連続して形成されている。接着樹脂14a、14bが形成されていない部分には、空隙13が形成されている。これにより、接着樹脂14a、14bが加熱・硬化する時に、接着樹脂14からチップ10に伝わる熱量を最小限に抑えることが出来るとともに、接着樹脂14の硬化時に発生する応力がチップ10に伝わることを抑えることが出来るので、チップ10の破損による電子部品1の不良品の発生を減らすことが出来る。さらに、角部空間32a〜32d内と、側面空間16a〜16d内のそれぞれ一部に接着樹脂14aならびに14bを充填するので、チップが安定的に固定される。
【００２３】
なお、チップ他方主面20の各辺と平行な方向において、接着樹脂14bとチップ10とが接触する接触部25の長さの合計と、接触していない非接触部26の長さの合計とを比較した場合、接触部25の長さの方が、非接触部26の長さよりも短くなっている。これにより、少ない接着樹脂14の量で効率良くチップ10をキャビティ3内に配置・固定することが出来る。
【００２４】
本実施の形態1における空隙13は、側面空間16a〜16d内の、非接触部26とキャビティ側面18とで挟まれた空間全体に形成されている。よって、本実施の形態1のように、底部空間17に接着樹脂14が充填されていない場合は、空隙13と底部空間17とは互いに連結されることになる。また、裏面2側から、空隙13を介してキャビティ底面15の一部と、キャビティ側面18とチップ側面19とを見ることが出来る。
【００２５】
図3は本実施の形態1の変形例である。本実施の形態1では、角部空間32a〜32d内と、側面空間16a〜16d内の一部とに接着樹脂14aならびに14bを充填したが、本変形例では、対向する一対の角部空間32a、32cと、その一対の角部空間32a、32cとそれぞれ接する側面空間16 a〜16dの一部に、接着樹脂14aならびに14bを形成している。電子部品1を安定した場所で使用する場合は、上記部分に接着樹脂14aならびに14bを配置するだけで良い。
【００２６】
本実施の形態1ならびに実施の形態1の変形例の電子部品1は、接着樹脂14を底部空間17内に充填しないので、アンダーフィル工法使用時に接着樹脂内に形成される空隙、すなわちボイドの発生を抑えることが出来る。また、導体突起12を接着樹脂14で覆わないので、導体突起12からのハンダフラッシュによるショートの発生をなくすことが出来る。さらに、接着樹脂14を底部空間17全体に行き渡らせる必要がないので、キャビティ側面18とチップ側面19との距離を、チップ一方主面11とキャビティ底面15との距離より十分大きくする必要がなく、キャビティ3を小さくすることが出来る。よって、省スペース化、製品サイズの小型化を実現できる。さらに、キャビティ3を小さくすることで、セラミック多層基板4の裏面2に形成されるキャビティ3以外の部分を実質的に広くすることが出来る。これにより、外部接続端子23の形成数を増やすことが出来ると共に、電子部品の機械強度に対する耐性を向上させることが出来る。
【００２７】
（実施の形態2）
図4（A）、図4（B）は、本発明の実施の形態2における電子部品1を示す裏面平面図、断面図である。なお、本実施の形態2において、接着樹脂14の充填位置以外は、本実施の形態1と同一である。
【００２８】
本発明の実施の形態2における電子部品1は、互いに対向する一対の側面空間16a、16c全体に接着樹脂14を充填している。また、側面空間16b、16d内ならびに角部空間32a〜32d内全体に、空隙13が形成されている。この為、裏面2側から、空隙13を介してキャビティ底面15の一部を見ることが出来る。
【００２９】
なお、本発明の実施の形態2における側面空間16a、16cには、接着樹脂14が全体にわたって形成されているが、当該側面空間の一部のみに接着樹脂を形成しても良い。
図4（B）は、図4（A）の電子部品1をB-B線に沿って切断した断面図である。側面空間16a、16c内のほぼ全体に接着樹脂14を形成しているが、底面空間17内に接着樹脂14は充填されていない。
【００３０】
本発明の実施の形態2における電子部品1は、互いに対向する一対の側面空間16a、16cのほぼ全体に接着樹脂14を形成するので、キャビティ寸法を小さくすることが出来、製品サイズを小さくすることが出来る。
【００３１】
なお、図示しないが、本実施の形態2における空隙13と底部空間17とは互いに連結されている。
【００３２】
図5（A）、図5（B）は、実施の形態2の変形例である。上記実施の形態2では、側面空間16a、16c内全体に接着樹脂14を形成しているが、本変形例では、側面空間16a、16b、16d内のほぼ全体に接着樹脂14が形成され、側面空間16cならびに角部空間32a〜32d全体に空隙13が形成されている。
【００３３】
図5（B）は、図5（A）の電子部品1をC-C線に沿って切断した断面図である。側面空間16a内に接着樹脂14が形成され、側面空間16c内に空隙13が形成されている。また空隙13と底部空間17とは、互いに連結されている。これにより、キャビティ寸法を小さくすることが出来るので、製品サイズを小さくすることが出来る。
【００３４】
（実施の形態3）
図6は、本発明の実施の形態3における電子部品1を示す裏面平面図である。なお、本実施の形態3において、接着樹脂14の充填位置以外は、本実施の形態1または本実施の形態2と同一である。本実施の形態3における接着樹脂14は、側面空間16a〜16dにおけるチップ（またはキャビティ）の横方向中心線30上と、縦方向中心線31上と、且つ横方向中心線30ならびに縦方向中心線31の近傍に形成されている。接着樹脂14は側面空間16a、16b、16c、16d内の一部、具体的には各側面空間内における接着樹脂14の占める割合が20％〜30％になるように配置されており、残りの部分には、空隙13が配置されている。これにより樹脂量を少なくすることが出来、コストを削減することが出来る。
【００３５】
（実施の形態4）
図7（A）〜図7（D）は、本発明の実施の形態4における電子部品1を示す裏面平面図ならびに断面図である。なお、本実施の形態4において、接着樹脂14の充填位置以外は、本実施の形態1〜3と同一である。本実施の形態4における接着樹脂14は、側面空間16a、16b、16c内、ならびに、角部空間32a〜32d内全体と、側面空間16dの一部に形成されている。よって、側面空間16d内には、接着樹脂14と空隙13とが形成されることになる。
図7（B）は、図7（A）のD-D線に沿って切断した断面図である。側面空間16b内全体に接着樹脂14が形成され、側面空間16d内に空隙13が形成されている。なお、底部空間17内に接着樹脂14は充填されていないので、空隙13と底部空間17とは互いに連結されることになる。
【００３６】
図7（C）は、図7（A）のE-E線に沿って切断した断面図である。側面空間16a、16c内のほぼ全体に接着樹脂14が形成されている。
【００３７】
図7（D）は、底部空間17内に接着樹脂14を充填した場合のD-D線断面図である。この場合、空隙13を介して、電子部品1の裏面2側から接着樹脂14の表面の一部を見ることが出来る。
【００３８】
（実施の形態5）
図8は本発明の実施の形態5における電子部品1を示す断面図である。本実施の形態5では、セラミック多層基板40内に形成され、チップ10と導体突起12とを収納するためのキャビティが、上段キャビティ41ならびに下段キャビティ42の2段構造で形成されている。また、下段キャビティの開口部45はチップ一方主面11よりも小さく形成されている。なお、キャビティが2段構成になっている以外の接着樹脂14と空隙13との配置対応は、上記実施の形態1〜4と同一である。
【００３９】
下段キャビティ42は、チップ10とセラミック多層基板40とを電気的に接続する為の導体突起12が収納可能になっている。また、チップが、導体突起12を介して上段キャビティ41内に配置されたとき、下段キャビティ高さJは、上段キャビティ底面43の一部とチップ一方主面11との一部が接触、もしくは幾らかのクリアランスを介して対向可能となるように決定される。具体的には、チップ一方主面11と下段キャビティ底面44との距離Kと下段キャビティ高さJとの関係が、K≧Jとなるように、下段キャビティ高さJが決定される。なお、距離Kは、導体突起12の高さを基準に決定される。これにより、接着樹脂14が下段キャビティ42内に流動するのを確実に防止することが出来る。
【００４０】
（実施の形態6）
前記発明の実施の形態1〜5では、チップ10と、セラミック多層基板4または40とは、導体突起12を介して電気的に接続されているが、ワイヤボンディングにより、チップ10とセラミック多層基板4または40とを接続しても良い。
【００４１】
図9（A）、図9（B）は、本発明の実施の形態6における電子部品1を示す裏面平面図ならびに断面図である。なお、図9（B）は、図9（A）上のF-F線に沿って切断した断面図である。
【００４２】
電子部品1を構成するセラミック多層基板50の裏面2には、上段キャビティ51と、下段キャビティ52とを有する2段キャビティが形成されている。下段キャビティ52内には、チップ10が配置されている。チップ10上のボンディング端子53と上段キャビティ底面56上のボンディング電極54とは、ワイヤ55を介して電気的に接続されている。
【００４３】
空隙13と接着樹脂14は、側面空間16a〜16d内の一部と、角部空間32a〜32d内全体とに形成され、空隙13は、接着樹脂14が形成されていないその他の部分に形成されている。
【００４４】
これにより電子部品1の裏面側から、空隙13を介して下段キャビティ底面57の一部または、図示しないが下段キャビティ底面57上に形成されているシールド電極の一部を見ることが出来る。なお、本実施の形態6では、接着樹脂14を側面空間16a〜16d内の一部と、角部空間32a〜32d全体とに形成したが、これに限定されず、上記実施の形態1〜5に開示した内容をそのまま適用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態1における電子部品を示す断面図である。
【図２−Ａ】図1の電子部品における裏面から見た斜視図
【図２−Ｂ】図1の電子部品における裏面平面図である。
【図２−Ｃ】図2Aの電子部品におけるA-A断面図である。
【図３】本発明の実施の形態1における電子部品の変形例の裏面平面図である。
【図４−Ａ】本発明の実施の形態2における電子部品の裏面平面図である。
【図４−Ｂ】図4Aの電子部品におけるB-B断面図である。
【図５−Ａ】本発明の実施の形態2における電子部品の変形例の裏面平面図である。
【図５−Ｂ】図5Aの電子部品におけるC-C断面図である。
【図６】本発明の実施の形態3における電子部品の裏面平面図である。
【図７−Ａ】本発明の実施の形態4における電子部品の裏面平面図である。
【図７−Ｂ】図7Aの電子部品におけるD-D断面図である。
【図７−Ｃ】図7Aの電子部品におけるE-E断面図である。
【図７−Ｄ】本発明の実施の形態4における電子部品の変形例のD-D断面図である。
【図８】本発明の実施の形態5における電子部品の断面図である。
【図９−Ａ】本発明の実施の形態6における電子部品の正面図である。
【図９−Ｂ】図9Aの電子部品におけるF-F断面図である。
【図１０】従来の電子部品の断面図である。
【図１１】別の従来の電子部品の断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
1…電子部品
2…裏面
3…キャビティ
4…セラミック多層基板
10…チップ
11…チップ一方主面
13…空隙
14、14a、14b…接着樹脂
16a、16b、16c、16d…側面空間
18…キャビティ側面
19…チップ側面
32a、32b、32c、32d…角部空間
【図１】
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【図２−Ａ】
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【図２−Ｂ】
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【図２−Ｃ】
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【図３】
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【図４−Ａ】
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【図４−Ｂ】
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【図５−Ａ】
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【図５−Ｂ】
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【図６】
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【図７−Ａ】
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【図７−Ｂ】
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【図７−Ｃ】
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【図７−Ｄ】
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【図８】
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【図９−Ａ】
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【図９−Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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