(57)【要約】【課題】ＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法において、リードフレームのうちモールド樹脂から露出する端子部となる部位を、より強く下型に押しつけた状態で樹脂封止を行えるようにする。【解決手段】樹脂封止を行う金型２００として、上型２１０のうちリードフレーム１０を挟む部位が、当該部位におけるキャビティ２３０との境界部が頂部となるように下型２２０側へ突出した凸部２１１を構成しているものを用い、リードフレーム１０の他端部側を上型２１０と下型２２０とで挟むときに、上型２１０の凸部２１１によって、キャビティ２３０内に位置するリードフレーム１０のうち上下型２１０、２２０で挟まれる部位に隣り合う部位を、当該挟まれる部位よりも下型２２０側に曲げて下型２２０に押しつけるようにした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子（２０）と一端部側が前記半導体素子（２０）に接続されたリードフレーム（１０）とを有するワーク（１１０）と、
上型（２１０）と下型（２２０）とを合致させることで内部にキャビティ（２３０）が形成される金型（２００）とを、用意する工程と、
前記リードフレーム（１０）の他端部側を前記上型（２１０）と前記下型（２２０）とで挟むとともに、前記半導体素子（２０）および前記リードフレーム（１０）の一端部側を前記キャビティ（２３０）内に位置させた状態で、前記キャビティ（２３０）にモールド樹脂（４０）を充填して前記半導体素子（２０）および前記リードフレーム（１０）の一端部側を封止する工程とを備え、
前記モールド樹脂による封止工程では、前記キャビティ（２３０）内に位置する前記リードフレーム（１０）のうち前記上型（２１０）と前記下型（２２０）とで挟まれる部位に隣り合う部位を、前記下型（２２０）に押しつけた状態で、前記モールド樹脂（４０）の充填を行うことにより、当該押しつけられた部位を前記モールド樹脂（４０）から露出させるようにした半導体装置の製造方法において、
前記金型（２００）として、前記上型（２１０）のうち前記リードフレーム（１０）を挟む部位が、当該部位における前記キャビティ（２３０）との境界部が頂部となるように前記下型（２２０）側へ突出した凸部（２１１）を構成しているものを用い、
前記リードフレーム（１０）の他端部側を前記上型（２１０）と前記下型（２２０）とで挟むときに、前記上型（２１０）の前記凸部（２１１）によって、前記キャビティ（２３０）内に位置する前記リードフレーム（１０）のうち前記上型（２１０）と前記下型（２２０）とで挟まれる部位に隣り合う部位を、当該上型（２１０）と下型（２２０）とで挟まれる部位よりも前記下型（２２０）側に曲げて前記下型（２２０）に押しつけるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金型（２００）として、前記下型（２２０）のうち前記リードフレーム（１０）を挟む部位が、前記上型（２１０）の前記凸部（２１１）に倣った凹み形状の凹部（２２１）となっているものを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームを用いたＱＦＮパッケージ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置として、アイランド部およびアイランド部の周囲に位置する端子部を有するリードフレームと、アイランド部に搭載された半導体素子と、半導体素子、アイランド部および端子部を封止するモールド樹脂とを備え、リードフレームの端子部の下面をモールド樹脂の下面から露出させた構成を有するものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
このようなＱＦＮパッケージでは、リードフレームの端子部をハーフモールドすることにより、ＳＯＰ（スモールアウトラインパッケージ）やＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）などガルウイング形状のアウターリード部を無くして、パッケージの小型化に有利な構造となっている。
【０００４】
そして、このようなＱＦＮパッケージ構造は、プレス、エッチング加工などにより端子部やアイランド部を有するリードフレームを作製し、その後、アイランド部に半導体素子を搭載し、ワイヤボンディングなどにより半導体素子と端子部とを電気的に接続することでワークを形成し、続いて、このワークをモールド樹脂によって封止し、リードカットすることにより製造される。
【特許文献１】特許３４２４１８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、本発明者が、上記した従来のＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置について、試作検討を行ったところ、その製造方法について、次のような問題が生じることがわかった。
【０００６】
図１０は、本発明者が試作的に行った半導体装置の製造方法におけるモールド樹脂の封止工程を説明する図であり、金型Ｊ２００およびワーク１１０の概略断面図である。また、図１１は、図１０に示される製造方法によって製造された試作品としての半導体装置の概略断面図である。
【０００７】
図１０では、ワーク１１０が、モールド樹脂４０の封止を行う金型Ｊ２００内に設置された状態が示されている。ワーク１１０においては、半導体素子２０がリードフレーム１０のアイランド部１１に搭載されており、この半導体素子２０と、リードフレーム１０において端子部１２となる一端部側とが、ボンディングワイヤ３０によって結線され電気的に接続されている。
【０００８】
また、金型Ｊ２００は、通常のトランスファーモールド法によるこの種の半導体装置の樹脂成形に用いられるものであり、上型Ｊ２１０と下型Ｊ２２０とを合致させることによって構成され、その内部にモールド樹脂４０の外形となるキャビティＪ２３０が形成されるものである。
【０００９】
そして、この金型Ｊ２００においては、リードフレーム１０の上記一端部とは反対側の他端部側の部位を、上型Ｊ２１０と下型Ｊ２２０とで挟むことによって、ワーク１１０を金型Ｊ２００に固定するようにしている。それとともに、ワーク１１０における半導体素子２０およびリードフレーム１０の一端部側を、キャビティＪ２３０内に位置させた状態としている。
【００１０】
そして、この状態とした後で、キャビティＪ２３０にモールド樹脂４０を充填して半導体素子２０およびリードフレーム１０の一端部側を封止する。このとき、リードフレーム１０のうちキャビティＪ２３０内に位置する部位であって上型Ｊ２１０と下型Ｊ２２０とで挟まれる部位に隣り合う部位、すなわち端子部１２が下型Ｊ２２０に押しつけられた状態で、モールド樹脂４０が充填される。
【００１１】
そのため、モールド樹脂４０の後においては、当該押しつけられた部位すなわち端子部１２の下面は、図１１に示されるように、モールド樹脂４０から露出した状態となる。なお、この試作品においては、アイランド部１１も下型Ｊ２２０に押しつけられるため、アイランド部１１の下面もモールド樹脂４０の下面から露出する。
【００１２】
ここで、リードフレーム１０の端子部１２における樹脂バリの発生を防止するために、図１０に示されるように、金型Ｊ２００内にシート３００を敷き詰め、下型Ｊ２２０と端子部１２との隙間を無くす方法を採用する。
【００１３】
しかしながら、従来の金型Ｊ２００を用いた製造方法では、上型Ｊ２１０によるリードフレーム１０の端子部１２の押さえが弱いため、図１０に示されるように、端子部１２の下面が下型Ｊ２２０から浮き上がり、シート３００から離れた状態となりやすい。そのため、図１１に示されるように、端子部１２の下面に樹脂バリＫが発生しやすくなるという問題がある。
【００１４】
さらに、その端子部１２の下型Ｊ２２０からの浮き上がりによって、図１１に示されるように、半導体装置における端子部１２の下面が、モールド樹脂４０の外周に近い部分では大きく突き出し、中央部分はほとんど突き出さないような傾いた構造となる。このことにより、端子部１２において、ソケットピンによる電気チェックの不具合やはんだ実装の不具合などの問題も発生する。
【００１５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、リードフレームを用いたＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法において、リードフレームのうちモールド樹脂から露出する端子部となる部位を、より強く下型に押しつけた状態で樹脂封止を行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明は、樹脂封止を行う金型（２００）として、上型（２１０）のうちリードフレーム（１０）を挟む部位が、当該部位におけるキャビティ（２３０）との境界部が頂部となるように下型（２２０）側へ突出した凸部（２１１）を構成しているものを用い、リードフレーム（１０）の他端部側を上型（２１０）と下型（２２０）とで挟むときに、上型（２１０）の凸部（２１１）によって、キャビティ（２３０）内に位置するリードフレーム（１０）のうち上下型（２１０、２２０）で挟まれる部位に隣り合う部位を、当該挟まれる部位よりも下型（２２０）側に曲げて下型（２２０）に押しつけるようにしたことを特徴とする。
【００１７】
それによれば、金型（２００）において、上型（２１０）のうちリードフレーム（１０）を挟む部位に、上記したような凸部（２１１）を設けているため、リードフレーム（１０）のうちモールド樹脂（４０）から露出する端子部（１２）となる部位を、従来よりも強く下型（２２０）に押しつけた状態で樹脂封止を行える。
【００１８】
その結果として、本発明によれば、リードフレーム（１０）の端子部（１２）の樹脂バリを防止したり、当該端子部（１２）の露出面の傾きを抑制することができる。
【００１９】
また、上記製造方法において、金型（２００）として、下型（２２０）のうちリードフレーム（１０）を挟む部位が、上型（２１０）の凸部（２１１）に倣った凹み形状の凹部（２２１）となっているものを用いれば、キャビティ（２３０）内に位置するリードフレーム（１０）のうち上下型（２１０、２２０）で挟まれる部位に隣り合う部位を、下型（２２０）側に曲げやすくなる。
【００２０】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２２】
図１は、本発明の実施形態に係るＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置１００の概略断面構成を示す図であり、図２は、この半導体装置１００に用いられるリードフレーム１０のカット前の状態においてアイランド部１１に半導体素子２０を搭載した状態を示す平面図である。
【００２３】
なお、図２では、図１中のモールド樹脂４０の外形線および後述するリードフレーム１０の曲げ部１４、１５さらに半導体素子２０を、破線１４、１５、２０、４０にて示してある。そして、後述する半導体装置１００の製造方法において、モールド樹脂４０による封止後には、破線４０に沿ってリードフレーム１０をカットすることで、リードフレーム１０のうち破線４０の外側の部位が除去されるものである。ここで、破線１５と４０とは実質的に同じ位置にあるものである。
【００２４】
本半導体装置１００におけるリードフレーム１０は、アイランド部１１とアイランド１１の周囲に位置する端子部１２とを備えている。このリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、プレス加工やエッチング加工などにより形成することができる。
【００２５】
ここで、本例では、アイランド部１１は、矩形板状のものであり、端子部１２は、アイランド部１１の４辺の外周において複数個のものが配列されている。また、アイランド部１１の上面１１ａには、半導体素子２０が搭載されている。
【００２６】
この半導体素子２０は、特に限定されるものではないが、本例では半導体プロセスにより形成されたＩＣチップである。ここでは、半導体素子２０は、図示しないダイボンド材を介してアイランド部１１に接着固定されている。
【００２７】
また、端子部１２は、モールド樹脂４０内にてアイランド部１１とは分離されているが、本実施形態のリードフレーム１０においては、さらに、図２に示されるように、モールド樹脂４０内にて、アイランド部１１と一体に連結されている吊りリード１３が設けられている。
【００２８】
この吊りリード１３は、通常のリードフレームに備えられるものであり、ここでは、吊りリード１３は、矩形板状のアイランド部１１の４隅部から、矩形板状のモールド樹脂４０の４隅部に向かって延びている。
【００２９】
このような吊りリード１３は、リードフレーム１０の単体の状態において、アイランド部１１をフレーム部１０ａ（図２参照）に連結しておくためのものであり、モールド樹脂４０による封止後には、モールド樹脂４０の外側において上記フレーム部１０ａから切り離されるものである。
【００３０】
そして、図１に示されるように、モールド樹脂４０内にて、半導体素子２０の上面と各端子部１２の上面１２ａとは、ボンディングワイヤ３０により結線され電気的に接続されている。このボンディングワイヤ３０は、Ａｕやアルミニウムなどからなるもので、通常のワイヤボンディング法により形成可能である。
【００３１】
そして、モールド樹脂４０は、これらアイランド部１１、端子部１２、吊りリード１３、半導体素子２０およびボンディングワイヤ３０を包み込むように封止している。このモールド樹脂４０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法などにより形成できるものである。
【００３２】
ここで、図１に示されるように、本実施形態の半導体装置１００においては、アイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面１２ｂが、モールド樹脂４０の下面から露出している。
【００３３】
これらモールド樹脂４０の下面から露出するアイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面１２ｂは、例えばプリント基板やセラミック基板などの図示しない基板などとはんだ付けされる部位である。
【００３４】
図１に示される例では、モールド樹脂４０の下面から露出する端子部１２の下面１２ｂは、アイランド部１１の４辺の各辺に沿って設けられた平面短冊状をなすものである。また、アイランド部１１の下面１１ｂは、アイランド部１１の平面形状そのままの矩形状をなしている。
【００３５】
また、ここでは、図１に示されるように、アイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面１２ｂは、モールド樹脂４０の下面よりも段差を持って突出している。この段差はいわゆるスタンドオフと呼ばれるものである。
【００３６】
なお、このスタンドオフは無いものであってもよい。つまり、アイランド部１１および端子部１２の両下面１１ｂ、１２ｂが、モールド樹脂４０の下面と実質的に同一平面にて露出していてもよい。
【００３７】
次に、このリードフレーム１０を用いたＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置１００の製造方法について、述べる。
【００３８】
まず、上記図２に示されるようなリードフレーム１０を用意する。このリードフレーム１０は、プレス加工やエッチング加工などによって、アイランド部１１、端子部１２および吊りリード１３を形成する。ここで、リードフレーム１０において、アイランド部１１は、その外周に位置するフレーム部１０ａに対して吊りリード１３を介して連結され、端子部１２と一体化されている。
【００３９】
次に、このリードフレーム１０において、アイランド部１１の上面１１ａに半導体素子２０を、ダイマウント材などを介して搭載固定する。ここまでの状態のリードフレーム１０が図２相当のものである。
【００４０】
そして、このリードフレーム１０において、半導体素子２０と端子部１２との間でワイヤボンディングを行い、これら両者１２、２０の間を上記ボンディングワイヤ３０で結線し、電気的に接続する。
【００４１】
次に、ここまでの工程に供されたワークを、トランスファーモールド成形によってモールド樹脂４０による封止を行う。それにより、アイランド部１１、端子部１２、吊りリード１３、半導体素子２０、およびボンディングワイヤ３０がモールド樹脂４０により封止される。
【００４２】
このモールド樹脂４０による封止工程について、本実施形態では、従来とは異なる独自の金型を用いた方法を採用している。
【００４３】
図３は、この封止工程に用いるワーク１１０、および、このワーク１１０がセットされた状態の樹脂成型用の金型２００を示す概略断面図である。なお、この封止工程に供されるワーク１１０の平面構成は、上記図２において半導体素子２０と端子部１２とをワイヤボンディング３０で接続したものに相当する。
【００４４】
図３に示されるように、ワーク１１０においては、リードフレーム１０のアイランド部１１の上面１１ａに搭載された半導体素子２０と、リードフレーム１０の一端部側すなわち端子部１２の上面１２ａとがボンディングワイヤ３０によって結線され、電気的に接続されている。
【００４５】
また、金型２００は、上型２１０と下型２２０とを合致させることで、その内部にキャビティ２３０が形成されるものである。このキャビティ２３０はモールド樹脂４０の外形となるものである。
【００４６】
そして、この金型２００においては、リードフレーム１０のうち一端部側とは反対の他端部側の部分、すなわち、端子部１２におけるボンディングワイヤ３０との接続部とは反対側の部位およびフレーム部１０ａ（図２参照）を、締結などにより上型２１０と下型２２０とで挟みつける。それにより、ワーク１１０を金型２００に固定している。
【００４７】
また、このワーク１１０の金型２００への設置状態においては、ワーク１１０においてモールド樹脂４０により封止されるべき部位、すなわち、半導体素子２０、ボンディングワイヤ３０およびリードフレーム１０の一端部側が、キャビティ２３０内に位置した状態としている。
【００４８】
この上下型２１０、２２０によって挟まれるリードフレーム１０について、図２を参照して述べると、リードフレーム１０のうち当該図２中に示される矩形の破線１５、４０の外側に位置する部位が、上下型２１０、２２０で挟み付けられる部分であり、当該破線１５、４０の内周に位置する部位が、キャビティ２３０に位置する部分である。
【００４９】
また、図３に示されるように、キャビティ２３０内に位置するリードフレーム１０のうち上型２１０と下型２２０とで挟まれる部位に隣り合う部位は、半導体素子２０と電気的に接続されたリードフレーム１０の一端部側であり、すなわち端子部１２におけるボンディングワイヤ３０との接続部である。
【００５０】
そして、この設置状態においては、この端子部１２の下面１２ｂが下型２２０に押しつけられた状態となっている。また、本実施形態では、アイランド部１１の下面１１ｂも下型２２０に押しつけられた状態となっている。
【００５１】
ここで、本実施形態では、キャビティ２３０において下型２２０の内面には、ポリイミドテープなどよりなる耐熱性の樹脂シート３００が敷き詰められており、アイランド部１１および端子部１２の下面１１ｂ、１２ｂは、この樹脂シート３００に食い込んだ形となっている。
【００５２】
この状態で、キャビティ２３０内にモールド樹脂４０を充填することにより、下型２２０に押しつけられ樹脂シート３００に食い込んでいるアイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面１２ｂは、モールド樹脂４０で覆われることなく、上記スタンドオフを持ってモールド樹脂４０から露出することになる。
【００５３】
ここで、本実施形態の製造方法においては、リードフレーム１０のうちモールド樹脂４０から露出する端子部１２となる部位を、より強く下型２２０に押しつけた状態で樹脂封止を行う目的で、金型２００に次のような工夫を施している。
【００５４】
すなわち、本実施形態では、図３に示されるように、金型２００として、上型２１０のうちリードフレーム１０を挟む部位が、下型２２０側へ突出した凸部２１１を構成したものを用いる。
【００５５】
ここで、この凸部２１１は、リードフレーム１０を挟む部位におけるキャビティ２３０との境界部が頂部となるような凸形状となっている。つまり、凸部２１１においては、キャビティ２３０との境界部が最も下型２２０側へ突出した形状となっている。例えば、この凸部２１１は、図３中に示される角度θが数度〜数十度程度のものとする。
【００５６】
また、本実施形態では、金型２００として、下型２２０においてもリードフレーム１０を挟む部位が、上型２１０の凸部２１１に倣った凹み形状の凹部２２１となっているものを用いる。このような金型２００は、プレス加工や切削加工などにより形成することができる。
【００５７】
図４は、本実施形態の封止工程において、この金型２００に対するワーク１１０の設置およびそれに続く樹脂充填の様子を示す封止工程の工程図である。
【００５８】
まず、図４（ａ）に示されるように、下型２２０の内面上にワーク１１０を搭載する。このとき、下型２２０の内面には上記した樹脂シート３００を敷き詰めている。この状態では、下型２２０の内面に形成された凹部２２１のために、リードフレーム１０のうちアイランド部１１および端子部１２は、樹脂シート３００から離れて浮いた状態となっている。
【００５９】
次に、図４（ｂ）に示されるように、上型２１０と下型２２０とを合致させることにより金型２００を閉じる。具体的には、下型２２０の上から上型２１０を下型２２０に向けて押しつけていく。このとき、リードフレーム１０の他端部側を上型２１０と下型２２０とで挟むようにする。
【００６０】
すると、上型２１０の凸部２１１がリードフレーム１０に当たり、凸部２１１からリードフレーム１０に対して、端子部１２を下型２２０側へ向かって折り曲げるような力が働く。なお、このとき、端子部１２上にはワイヤボンドが施されているが、端子部１２には下向きの力しか働かないため、ダメージが及ぶ心配はない。
【００６１】
そして、図４（ｂ）に示される状態から、さらに、上型２１０を押しつけていく。すると、キャビティ２３０内に位置するリードフレーム１０のうち上下型２１０、２２０で挟まれる部位に隣り合う部位、すなわち端子部１２が、凸部２１１によって、上下型２１０、２２０で挟まれるリードフレーム１０の部位よりも下型２２０側に曲げられる。そして、端子部１２は下型２２０に押しつけられる。
【００６２】
こうして、金型２００を完全にクランプした状態が、上記図３に示される。このとき、図３に示されるリードフレーム１０においては、上型２１０の凸部２１１に対応して、外周側の曲げ部１４、内周側の曲げ部１５が形成される。なお、これら曲げ部１４、１５の平面的な位置は、上記図２に破線１４、１５として示されており、内周側の曲げ部１５は、モールド樹脂４０の外形線と実質的に一致している。
【００６３】
つまり、この凸部２１１の頂部の平面パターンは、上記図２中の内周側の曲げ部１５に実質的に一致しており、当該凸部２１１の裾野の部分は外周側の曲げ部１４に一致している。
【００６４】
そして、図３に示されるように、端子部１２の下面１２ｂおよびアイランド部１１の下面１１ｂが、下型２２０に押しつけられ樹脂テープ３００に食い込んで密着した状態として、モールド樹脂４０の充填を行う。
【００６５】
この樹脂充填の様子は、図４（ｃ）に示される。こうしてモールド樹脂４０の充填を行うことにより、樹脂封止が行われ、封止後においては、上記スタンドオフを有した露出形態となる。その後は、リードフレーム１０のカットなどを行うことにより、本実施形態の半導体装置１００ができあがる。
【００６６】
以上のように、本実施形態の製造方法は、半導体素子２０と一端部側が半導体素子２０に接続されたリードフレーム１０とを有するワーク１１０と、上下型２１０、２２０を合致させることで内部にキャビティ２３０が形成される金型２００とを、用意する工程、リードフレーム１０の他端部側を上下型２１０、２２０で挟むとともに、キャビティ２３０にモールド樹脂４０を充填して半導体素子２０およびリードフレーム１０の一端部側を封止する工程とを備えている。
【００６７】
そして、モールド樹脂による封止工程では、キャビティ２３０内に位置するリードフレーム１０のうち上下型２１０、２２０で挟まれる部位に隣り合う部位を、下型２２０に押しつけた状態でモールド樹脂４０の充填を行うことにより、当該押しつけられた部位をモールド樹脂４０から露出させるようにしている。
【００６８】
そして、本実施形態では、このような製造方法において、金型２００として、上型２１０のうちリードフレーム１０を挟む部位が、当該部位におけるキャビティ２３０との境界部が頂部となるように下型２２０側へ突出した凸部２１１を構成しているものを用い、リードフレーム１０を上下型２１０、２２０で挟むときに、凸部２１１によって、キャビティ２３０内に位置するリードフレーム１０のうち上下型で挟まれる部位に隣り合う部位、すなわち端子部１２を、当該上下型２１０、２２０で挟まれる部位よりも下型２２０側に曲げて下型２２０に押しつけるようにしている。
【００６９】
それによれば、金型２００において、上型２１０のうちリードフレーム１０を挟む部位に、上記したような凸部２１１を設けているため、リードフレーム１０の端子部１２を、従来よりも強く下型２２０に押しつけた状態で樹脂封止を行える。その結果として、上記製造方法によれば、端子部１２の樹脂バリを防止したり、端子部１２の露出面すなわち下面１２ｂの傾きを抑制することができる。
【００７０】
また、上記製造方法では、下型２２０のうちリードフレーム１０を挟む部位が、上型２１０の凸部２１１に倣った凹み形状の凹部２２１となっているため、キャビティ２３０内に位置するリードフレーム１０のうち上下型２１０、２２０で挟まれる部位に隣り合う部位を、下型２２０側に曲げやすくなる。
【００７１】
（他の実施形態）
次に、本発明の他の実施形態として種々の例を述べる。図５は、第１の例としてのワーク１１０および金型２００を示す図であり、ワーク１１０およびワーク１１０がセットされた状態の金型２００を示す概略断面図である。
【００７２】
図５に示される例では、金型２００において上型２１０のうちリードフレーム１０を挟む部位には、上記同様に凸部２１１を構成しているが、下型２２０には上記凹部２２１を設けず、従来同様の平坦な形状としている。この場合も、上記実施形態と同様に、凸部２１１による押さえ効果が得られるとともに、下型２２０は通常のものでよいため、金型２００の作製が容易となるという利点もある。
【００７３】
図６は、第２の例としてのワーク１１０および金型２００を示す図であり、ワーク１１０およびワーク１１０がセットされた状態の金型２００を示す概略断面図である。
【００７４】
上記実施形態では、樹脂封止工程において、リードフレーム１０のアイランド部１１および端子部１２を樹脂シート３００に食い込ませ、樹脂バリの防止を図るとともに上記スタンドオフの形成を図っていた。
【００７５】
それに対して、図６に示されるように、樹脂シートを省略した状態で樹脂封止を行ってもよい。上記実施形態に述べたように、上型２１０の凸部２１１によって、端子部１２には大きな下向きの力を加えて樹脂封止を行えるため、樹脂シートを無くしても樹脂バリを防止できる。ただし、この例は、スタンドオフの形成が不要な場合に限られる。
【００７６】
また、図７は、第３の例としてのワーク１１０および金型２００を示す図であり、ワーク１１０およびワーク１１０がセットされた状態の金型２００を示す概略断面図である。この図７に示されるように、本発明は、端子部１２が多列タイプのＱＦＮパッケージ構造にも使用できる。
【００７７】
また、図８は、第４の例として上記実施形態の製造方法に適用可能なリードフレーム１０を示す概略平面図であり、図９は、第５の例として上記実施形態の製造方法に適用可能なリードフレーム１０を示す概略平面図である。
【００７８】
なお、これら図８、図９においても、上記図２と同様に、カット前の状態においてアイランド部１１に半導体素子２０を搭載した状態を示し、モールド樹脂４０の外形線、および上記外周側の曲げ部１４、内周側の曲げ部１５を破線にて示してある。
【００７９】
図８、図９に示される例では、上記製造方法において金型２００によってリードフレーム１０を折り曲げやすくできるようにしている。特に、リードフレーム１０において面積の大きいフレーム部１０ａを曲げやすくするために、フレーム部１０ａの面積を小さくしている。
【００８０】
具体的に、図８に示される例では、カット前の端子部１２の部分を、元来のフレーム部１０ａの領域まで延ばした形としている。一方、図９に示される例では、吊りリード１３にスリットを設け、折り曲げやすいようにしている。
【００８１】
また、上記実施形態では、アイランド部１１の上面１１ａに搭載された半導体素子２０と端子部１２とはボンディングワイヤ３０を介して電気的に接続されていたが、これら両者１２、２０はボンディングワイヤでなくても、例えばバンプなどで電気的に接続されていてもよい。
【００８２】
また、半導体素子としては、上記ＩＣチップ以外にも、フリップチップや半導体センサなど各種の電子部品を採用することができる。
【００８３】
また、上記実施形態に示した半導体装置において、モールド樹脂４０の下面にて露出するアイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面の形状、配置パターンは、上記図示例に限定されるものではない。
【００８４】
さらに、半導体装置としては、少なくともリードフレーム１０の端子部１２の下面１２ｂが、モールド樹脂４０の下面から露出していればよい。つまり、アイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面１２ｂの両方が、モールド樹脂４０の下面から露出するものでなくてもよく、モールド樹脂４０の下面からは端子部１２の下面１２ｂのみが露出していてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【図２】図１中の半導体素子を搭載したリードフレームのカット前の状態を示す概略平面図である。
【図３】実施形態の封止工程に用いるワークおよび金型を示す概略断面図である。
【図４】実施形態の封止工程の工程図である。
【図５】他の実施形態の第１の例としてのワークおよび金型を示す概略断面図である。
【図６】他の実施形態の第２の例としてのワークおよび金型を示す概略断面図である。
【図７】他の実施形態の第３の例としてのワークおよび金型を示す概略断面図である。
【図８】他の実施形態の第４の例としてのリードフレームを示す概略平面図である。
【図９】他の実施形態の第５の例としてのリードフレームを示す概略平面図である。
【図１０】本発明者が試作的に行った半導体装置の製造方法におけるモールド樹脂の封止工程を説明する図である。
【図１１】図１０に示される製造方法によって製造された試作品としての半導体装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０…リードフレーム、２０…半導体素子、４０…モールド樹脂、
２００…金型、２１０…金型の上型、２１１…上型の凸部、
２２０…金型の下型、２２１…下型の凹部、２３０…キャビティ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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