(57)【要約】【課題】ウエハ面内での高い均一性をもってポリシリコン膜をウエットエッチングできるエッチング装置およびエッチング方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたポリシリコン膜をエッチングするためのフッ硝酸溶液を吐出するフッ硝酸溶液供給部６と、フッ硝酸溶液にＮＯ2ガスを混合するＮＯ2ガス供給部７とを備える。フッ硝酸溶液にＮＯ2ガスを混合し、次にＮＯ2ガスが混合されたフッ硝酸溶液を用いてポリシリコン膜をエッチングする。薬液吐出部においてもＮＯ2が充分に供給されて、ウエハ面全体においてＮＯ2による酸化反応が均一化され、ウエハ面内におけるポリシリコン膜のウエットエッチングの均一性が改善される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたポリシリコン膜をウエットエッチングするための装置であって、
前記ポリシリコン膜をエッチングするための薬液を吐出するフッ硝酸溶液供給部と、
前記フッ硝酸溶液にＮＯ2ガスを混合するＮＯ2ガス供給部とを備えたウエットエッチング装置。
【請求項２】
前記ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、
前記ＮＯ2ガス供給部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液吐出ノズル内で前記ＮＯ2ガスを前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されている請求項１に記載のウエットエッチング装置。
【請求項３】
前記ウェットエッチング装置はバッチ式エッチング装置として構成され、
前記ＮＯ2ガス供給部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液供給ライン内で前記ＮＯ2ガスを前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されている請求項１に記載のウエットエッチング装置。
【請求項４】
前記ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、
前記ＮＯ2ガス供給部は、前記ＮＯ2ガスと前記フッ硝酸溶液供給部から前記基板に向けて吐出された前記フッ硝酸とを、前記基板上において混合するように設置されている請求項１に記載のウエットエッチング装置。
【請求項５】
前記ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、
前記ＮＯ2ガス供給部は、エッチングチャンバー内で前記ＮＯ2ガスを前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されている請求項１に記載のウエットエッチング装置。
【請求項６】
前記ウェットエッチング装置はバッチ式エッチング装置として構成され、
前記ＮＯ2ガス供給部は、エッチング槽内で前記ＮＯ2ガスを前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されている請求項１に記載のウエットエッチング装置。
【請求項７】
前記ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置またはバッチ式エッチング装置として構成され、
前記ＮＯ2ガス供給部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液タンク内で前記ＮＯ2ガスを前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されている請求項１に記載のウエットエッチング装置。
【請求項８】
基板上に形成されたポリシリコン膜をウエットエッチングするための装置であって、
前記ポリシリコン膜をエッチングするための薬液を吐出するフッ硝酸溶液供給部と、
前記フッ硝酸溶液に金属粉末を混合する金属粉末供給部とを備えたウエットエッチング装置。
【請求項９】
前記ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、
前記金属粉末供給部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液吐出ノズル内で前記金属粉末を前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されている請求項８に記載のウエットエッチング装置。
【請求項１０】
前記ウェットエッチング装置はバッチ式エッチング装置として構成され、
前記金属粉末供給部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液供給ライン内で前記金属粉末を前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されている請求項８に記載のウエットエッチング装置。
【請求項１１】
前記金属粉末が、Ｓｉ粉末またはＡｌ粉末である請求項８〜１０のいずれか１項に記載のウエットエッチング装置。
【請求項１２】
基板上に形成されたポリシリコン膜をウエットエッチングするための装置であって、
前記ポリシリコン膜をエッチングするための薬液を吐出するフッ硝酸溶液供給部と、
前記フッ硝酸溶液に紫外線を照射する紫外線照射部とを備えたウエットエッチング装置。
【請求項１３】
前記ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、
前記紫外線照射部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液吐出ノズル内を通過する前記フッ硝酸溶液に対して前記紫外線を照射するように設置されている請求項１２に記載のウエットエッチング装置。
【請求項１４】
前記ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、
前記紫外線照射部は、エッチングチャンバー内に載置された前記基板に向けて前記紫外線を照射するように設置されている請求項１２に記載のウエットエッチング装置。
【請求項１５】
前記ウェットエッチング装置はバッチ式エッチング装置として構成され、
前記紫外線照射部は、エッチング槽内に載置された前記基板に向けて前記紫外線を照射するように設置されている請求項１２に記載のウエットエッチング装置。
【請求項１６】
基板上に形成されたポリシリコン膜をウエットエッチングするための方法であって、
前記ポリシリコン膜をエッチングするためのフッ硝酸溶液にＮＯ2ガスを混合する工程と、
前記ＮＯ2ガスが混合された前記フッ硝酸溶液を用いて前記ポリシリコン膜をエッチングする工程とを備えたウエットエッチング方法。
【請求項１７】
前記ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、
前記ＮＯ2ガスを、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液吐出ノズル内で前記フッ硝酸溶液と混合する請求項１６に記載のウエットエッチング方法。
【請求項１８】
前記ウェットエッチング方法はバッチ式によりエッチングを行い、
前記ＮＯ2ガスを、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液供給ライン内で前記フッ硝酸溶液と混合する請求項１６に記載のウエットエッチング方法。
【請求項１９】
前記ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、
前記ＮＯ2ガスを、前記基板に向けて吐出された前記フッ硝酸と前記基板上において混合する請求項１６に記載のウエットエッチング方法。
【請求項２０】
前記ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、
前記ＮＯ2ガスを、エッチングチャンバー内で前記フッ硝酸溶液と混合する請求項１６に記載のウエットエッチング方法。
【請求項２１】
前記ウェットエッチング方法はバッチ式によりエッチングを行い、
前記ＮＯ2ガスを、エッチング槽内で前記フッ硝酸溶液と混合する請求項１６に記載のウエットエッチング方法。
【請求項２２】
前記ウェットエッチング方法は枚葉式またはバッチ式によりエッチングを行い、
前記ＮＯ2ガスを、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液タンク内で前記フッ硝酸溶液と混合する請求項１６に記載のウエットエッチング方法。
【請求項２３】
基板上に形成されたポリシリコン膜をウエットエッチングするための方法であって、
前記ポリシリコン膜をエッチングするためのフッ硝酸溶液に金属粉末を混合する工程と、
前記金属粉末が混合された前記フッ硝酸溶液を用いて前記ポリシリコン膜をエッチングする工程とを備えたウエットエッチング方法。
【請求項２４】
前記ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、
前記金属粉末を、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液吐出ノズル内で前記フッ硝酸溶液と混合する請求項２３に記載のウエットエッチング方法。
【請求項２５】
前記ウェットエッチング方法はバッチ式によりエッチングを行い、
前記金属粉末を、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液供給ライン内で前記フッ硝酸溶液と混合する請求項２３に記載のウエットエッチング方法。
【請求項２６】
前記金属粉末が、Ｓｉ粉末またはＡｌ粉末である請求項２３〜２５のいずれか１項に記載のウエットエッチング方法。
【請求項２７】
基板上に形成されたポリシリコン膜をウエットエッチングするための方法であって、
前記ポリシリコン膜をエッチングするためのフッ硝酸溶液に紫外線を照射する工程と、
前記紫外線が照射された前記フッ硝酸溶液を用いて前記ポリシリコン膜をエッチングする工程とを備えたウエットエッチング方法。
【請求項２８】
前記ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、
前記紫外線照射を、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液吐出ノズル内を通過する前記フッ硝酸溶液に対して行う請求項２７に記載のウエットエッチング方法。
【請求項２９】
前記ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、
前記紫外線照射を、エッチングチャンバー内に載置された前記基板に向けて行う請求項２７に記載のウエットエッチング方法。
【請求項３０】
前記ウェットエッチング方法はバッチ式によりエッチングを行い、
前記紫外線照射を、エッチング槽内に載置された前記基板に向けて行う請求項２７に記載のウエットエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ上に形成されたポリシリコン膜を均一にウエットエッチングするためのエッチング装置、およびそれを用いたポリシリコン膜のエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高集積化、高性能化に伴い、素子の微細化、ウエハの大口径化が進んでいる。特に、大口径のウエハに微細パターンを精度よく形成するためには、加工工程においてウエハ面内を均一にエッチングすることが重要である。例えば、特許文献１には、ウエハ面内を均一にエッチングするための方法の一例が記載されている。
【０００３】
以下、従来のポリシリコン膜のエッチング方法を示す一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、シリコン基板１上に半導体装置の要素であるゲート電極を形成するための製造方法の第一段階を示す各工程の断面図である。
【０００４】
まず、図１（ａ）に示すように、例えばシリコン基板１の表面に熱酸化膜２を成長させ、続いてポリシリコン３を堆積させる。次に、図１（ｂ）に示すように、裏面に成長したポリシリコン３をウエットエッチングにより除去する。
【０００５】
この裏面ポリシリコン除去工程は、例えば図３０に示すような枚葉式エッチング装置を利用し、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）を用いて３０秒間ウエットエッチングを行うことにより行われる。図３０において、ウエットエッチングが施されるウエハ４は、ウエハ保持台５上に保持される。ウエハ保持台５の上方に薬液ノズル３８が配置され、ウエハ４に対してエッチング液を吐出することによりウエットエッチングが行われる。
【特許文献１】特開２００２−１３４４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のポリシリコンのウエットエッチング工程では、図１（ｂ）に示した裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３が均一にエッチングされ難い。
【０００７】
具体的には、ポリシリコンのウエットエッチングは、硝酸によるシリコンの酸化とフッ酸によるシリコン酸化膜のエッチングの競争反応により行なわれる。このとき、硝酸とシリコンの酸化反応で、副生成物として生成された二酸化窒素もシリコンを酸化させる。このように２通りのシリコンの酸化反応が行なわれると、硝酸の酸化力より二酸化窒素の酸化力が大きいために、薬液吐出部以外でエッチングが加速して、ポリシリコン膜のエッチングのウエハ面内での均一性が低いという課題が発生する。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ウエハ面内での高い均一性をもってポリシリコン膜をウエットエッチングできるエッチング装置、およびエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のウエットエッチング装置は、基板上に形成されたポリシリコン膜をウエットエッチングするための装置である。
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の第１の構成のウエットエッチング装置は、前記ポリシリコン膜をエッチングするための薬液を吐出するフッ硝酸溶液供給部と、前記フッ硝酸溶液にＮＯ2ガスを混合するＮＯ2ガス供給部とを備える。
【００１１】
本発明の第２の構成のウエットエッチング装置は、前記ポリシリコン膜をエッチングするための薬液を吐出するフッ硝酸溶液供給部と、前記フッ硝酸溶液に金属粉末を混合する金属粉末供給部とを備える。
【００１２】
本発明の第３の構成のウエットエッチング装置は、前記ポリシリコン膜をエッチングするための薬液を吐出するフッ硝酸溶液供給部と、前記フッ硝酸溶液に紫外線を照射する紫外線照射部とを備える。
【００１３】
本発明のウエットエッチング方法は、基板上に形成されたポリシリコン膜をウエットエッチングするための方法である。
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の構成のウエットエッチング方法は、前記ポリシリコン膜をエッチングするためのフッ硝酸溶液にＮＯ2ガスを混合する工程と、前記ＮＯ2ガスが混合された前記フッ硝酸溶液を用いて前記ポリシリコン膜をエッチングする工程とを備える。
【００１５】
本発明の第２の構成のウエットエッチング方法は、前記ポリシリコン膜をエッチングするためのフッ硝酸溶液に金属粉末を混合する工程と、前記金属粉末が混合された前記フッ硝酸溶液を用いて前記ポリシリコン膜をエッチングする工程とを備える。
【００１６】
本発明の第３の構成のウエットエッチング方法は、前記ポリシリコン膜をエッチングするためのフッ硝酸溶液に紫外線を照射する工程と、前記紫外線が照射された前記フッ硝酸溶液を用いて前記ポリシリコン膜をエッチングする工程とを備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のエッチング装置およびエッチング方法によれば、薬液吐出部においてもＮＯ2が充分に供給されることになり、ウエハ面全体においてＮＯ2による酸化反応が均一化される。その結果、ウエハ面内におけるポリシリコン膜のウエットエッチングの均一性が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
上記本発明の第１の構成のウェットエッチング装置において、本ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、前記ＮＯ2ガス供給部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液吐出ノズル内で前記ＮＯ2ガスを前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されることができる。
【００１９】
また、本ウェットエッチング装置はバッチ式エッチング装置として構成され、前記ＮＯ2ガス供給部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液供給ライン内で前記ＮＯ2ガスを前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されることができる。
【００２０】
また、本ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、前記ＮＯ2ガス供給部は、前記ＮＯ2ガスと前記フッ硝酸溶液供給部から前記基板に向けて吐出された前記フッ硝酸とを、前記基板上において混合するように設置されることができる。
【００２１】
また、本ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、前記ＮＯ2ガス供給部は、エッチングチャンバー内で前記ＮＯ2ガスを前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されることができる。
【００２２】
また、本ウェットエッチング装置はバッチ式エッチング装置として構成され、前記ＮＯ2ガス供給部は、エッチング槽内で前記ＮＯ2ガスを前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されることができる。
【００２３】
また、本ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置またはバッチ式エッチング装置として構成され、前記ＮＯ2ガス供給部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液タンク内で前記ＮＯ2ガスを前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されることができる。
【００２４】
上記本発明の第２の構成のウェットエッチング装置において、本ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、前記金属粉末供給部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液吐出ノズル内で前記金属粉末を前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されることができる。
【００２５】
また、本ウェットエッチング装置はバッチ式エッチング装置として構成され、前記金属粉末供給部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液供給ライン内で前記金属粉末を前記フッ硝酸溶液と混合するように設置されることができる。
【００２６】
また、前記金属粉末は、Ｓｉ粉末またはＡｌ粉末とすることができる。
【００２７】
上記本発明の第３の構成のウェットエッチング装置において、本ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、前記紫外線照射部は、前記フッ硝酸溶液供給部における薬液吐出ノズル内を通過する前記フッ硝酸溶液に対して前記紫外線を照射するように設置されることができる。
【００２８】
また、本ウェットエッチング装置は枚葉式エッチング装置として構成され、前記紫外線照射部は、エッチングチャンバー内に載置された前記基板に向けて前記紫外線を照射するように設置されることができる。
【００２９】
また、本ウェットエッチング装置はバッチ式エッチング装置として構成され、前記紫外線照射部は、エッチング槽内に載置された前記基板に向けて前記紫外線を照射するように設置されることができる。
【００３０】
上記本発明の第１の構成のウェットエッチング方法において、本ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、前記ＮＯ2ガスを、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液吐出ノズル内で前記フッ硝酸溶液と混合することができる。
【００３１】
また、本ウェットエッチング方法はバッチ式によりエッチングを行い、前記ＮＯ2ガスを、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液供給ライン内で前記フッ硝酸溶液と混合することができる。
【００３２】
また、本ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、前記ＮＯ2ガスを、前記基板に向けて吐出された前記フッ硝酸と前記基板上において混合することができる。
【００３３】
また、本ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、前記ＮＯ2ガスを、エッチングチャンバー内で前記フッ硝酸溶液と混合することができる。
【００３４】
また、本ウェットエッチング方法はバッチ式によりエッチングを行い、前記ＮＯ2ガスを、エッチング槽内で前記フッ硝酸溶液と混合することができる。
【００３５】
また、本ウェットエッチング方法は枚葉式またはバッチ式によりエッチングを行い、前記ＮＯ2ガスを、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液タンク内で前記フッ硝酸溶液と混合することができる。
【００３６】
上記本発明の第２の構成のウェットエッチング方法において、本ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、前記金属粉末を、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液吐出ノズル内で前記フッ硝酸溶液と混合することができる。
【００３７】
また、本ウェットエッチング方法はバッチ式によりエッチングを行い、前記金属粉末を、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液供給ライン内で前記フッ硝酸溶液と混合することができる。
【００３８】
また、前記金属粉末が、Ｓｉ粉末またはＡｌ粉末であることができる。
【００３９】
上記本発明の第３の構成のウェットエッチング方法において、本ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、前記紫外線照射を、前記フッ硝酸溶液を供給する薬液吐出ノズル内を通過する前記フッ硝酸溶液に対して行うことができる。
【００４０】
また、本ウェットエッチング方法は枚葉式によりエッチングを行い、前記紫外線照射を、エッチングチャンバー内に載置された前記基板に向けて行うことができる。
【００４１】
また、本ウェットエッチング方法はバッチ式によりエッチングを行い、前記紫外線照射を、エッチング槽内に載置された前記基板に向けて行うことができる。
【００４２】
以下に、本発明の各実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図面を参照しながら説明する。各実施形態におけるエッチングの適用例である半導体装置の製造方法における工程は、図１に示した断面図を用いて説明する。
【００４３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図２を参照して説明する。
【００４４】
図２は、本実施形態に用いられる枚葉式エッチング装置を示し、ウエハ４は、ウエハ支持台５により支持される。ウエハ支持台５の中央部上方に薬液ノズル６が配置され、ウエハ４に対してエッチング液を吐出することによりウエットエッチングが行われる。薬液ノズル６の射出端部には、ＮＯ2供給ライン７が結合されている。
【００４５】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、ＮＯ2を添加したフッ硝酸により除去する。すなわち、図２に示すように薬液ノズル６にＮＯ2供給ライン７を併設して、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）の流量１(ｌ/ｍｉｎ)に対して、ＮＯ2を流量３０（ｌ／ｍｉｎ）で混合してから吐出し、３０秒間ウエットエッチングを行う。ＮＯ2供給ライン７を併設することにより、フッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなり、ウエハ４中央部のエッチングが促進され、ウエハ４面内が均一にエッチングされる。
【００４６】
以下、フッ硝酸にＮＯ2を混合することでウエハ中央部のエッチングが促進できる理由について説明する。フッ硝酸によるシリコンのエッチングメカニズムは、化学式（１）および（２）で示される。化学式（１）で示されるようにＨＮＯ3がＳｉを酸化し、化学式（２）で示されるようにＨＦがＳｉＯ2をエッチングする。
【００４７】
Ｓｉ＋４ＨＮＯ3  →  ＳｉＯ2＋４ＮＯ2＋２Ｈ2Ｏ    （１）
ＳｉＯ2＋６ＨＦ  →  Ｈ2ＳｉＦ6＋２Ｈ2Ｏ          （２）
【００４８】
ここで、化学式（１）の反応で副生成物としてＮＯ2が発生する。そして、硝酸の酸化還元電位が１．０Ｖに対して、ＮＯ2は１．６Ｖであり、非常に酸化力が強い。
【００４９】
ＮＯ2を混合しない従来のエッチング方法では、ウエハ中央部に薬液を吐出すると、ウエハ中央部では硝酸の酸化が律速してシリコンのエッチングがほとんど進行しないが、中央部以外（周辺部）ではＮＯ2の酸化によりエッチングが進行する。この結果、ウエハ中央部はシリコンエッチングが遅く、周辺部ではシリコンエッチングが早くなり、ウエハ内でのエッチングの均一性が悪くなる。
【００５０】
これに対して本実施形態のように、薬液吐出前にＮＯ2濃度を高くしておけば、ウエハ中央部にもＮＯ2が充分に供給され、ウエハ内のどの部分においてもＮＯ2が酸化反応し、ウエハ面内が均一に酸化され、その結果、ウエハ面内が均一にエッチングできるものと考えられる。
【００５１】
図３は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、ＮＯ2を添加しない場合はウエハ中央部のエッチングが不十分で面内均一性が２７．４％からであるのに対して、ＮＯ2を添加するとウエハ中央部のエッチングが促進され、面内均一性が２．８％まで向上することがわかる。
【００５２】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図４を参照して説明する。
【００５３】
図４は、本実施形態に用いられるバッチ式エッチング装置を示し、エッチング槽８内において、ウエハ９がウエハ支持台１０により支持される。ウエハ支持台１０の下方に薬液ノズル１１が配置され、ウエハ９に対してエッチング液を吐出することによりウエットエッチングが行われる。薬液ノズル１１には、ＮＯ2供給ライン１２が結合されている。
【００５４】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、ＮＯ2を添加したフッ硝酸で除去する。すなわち、図４に示すように薬液ノズル１１にＮＯ2供給ライン１２を併設して、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）の流量２０(ｌ/ｍｉｎ)に対して、ＮＯ2を流量３０（ｌ／ｍｉｎ）で混合してから吐出し、３０秒間ウエットエッチングを行う。ＮＯ2供給ライン１２を併設することにより、フッ硝酸中のＮＯ2濃度が薬液ノズル全体にわたって高くなり、ウエハ９面内が均一にエッチングされる。なお、ここでＮＯ2を混合する効果は、第１の実施形態の場合と同じ理由に基づく。
【００５５】
図５は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、ＮＯ2を添加しない場合は面内均一性が４４．１％と悪いが、ＮＯ2を添加すると面内均一性が２．６％まで向上することがわかる。
【００５６】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図６を参照して説明する。
【００５７】
図６は、本実施形態に用いられる枚葉式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、薬液ノズル１３にＮＯ2供給ライン１４を並列に並べ、ウエハ４にＮＯ2を直接吹きつけるように構成される。
【００５８】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、ＮＯ2を添加したフッ硝酸で除去する。すなわち、図６に示すように薬液ノズル１３にＮＯ2供給ライン１４を並列に並べ、ウエハにＮＯ2を流量３０（ｌ／ｍｉｎ）で直接吹きつけながら、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）を流量１(ｌ/ｍｉｎ)で吐出し、３０秒間ウエットエッチングを行う。ウエハ４にＮＯ2を直接吹きつけることにより、フッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなり、ウエハ４中央部のエッチングが促進され、ウエハ４面内が均一にエッチングされる。
【００５９】
ＮＯ2を混合する効果は、第１の実施形態の場合と同じ理由に基づく。本実施形態ではフッ硝酸中に直接ＮＯ2を混合するわけではないが、フッ硝酸とＮＯ2を並列してウエハに向けて放出することで、気相中で両者が混合されることになる。
【００６０】
図７は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、ＮＯ2を添加しない場合はウエハ中央部のエッチングが不十分で面内均一性が２７．４％であるのに対して、ＮＯ2を添加するとウエハ中央部のエッチングが促進され、面内均一性が４．０％まで向上することがわかる。
【００６１】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図８を参照して説明する。
【００６２】
図８は、本実施形態に用いられる枚葉式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、薬液ノズル１５に薬液を供給する薬液タンク１６に、ＮＯ2供給ライン１７が併設される。ＮＯ2供給ライン１７から、薬液タンク１６中のフッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）にＮＯ2を溶け込ませて、飽和状態にする。
【００６３】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、ＮＯ2を添加したフッ硝酸で除去する。すなわち、図８に示すように、薬液タンク１６にＮＯ2供給ライン８５を併設して、ＮＯ2を飽和状態に溶け込ませたフッ硝酸を流量１(ｌ/ｍｉｎ)で薬液ノズル１５から吐出し、３０秒間ウエットエッチングを行なう。ＮＯ2を飽和状態に溶け込ませたフッ硝酸を用いることにより、フッ硝酸中のＮＯ2濃度が薬液ノズル全体にわたって高くなり、ウエハ４面内が均一にエッチングされる。なお、ＮＯ2を混合する効果は、第１の実施形態の場合と同じ理由に基づく。
【００６４】
図９は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。
このグラフより、ＮＯ2を添加しない場合はウエハ中央部のエッチングが不十分で面内均一性が２７．４％であるのに対して、ＮＯ2を添加するとウエハ中央部のエッチングが促進され、面内均一性が２．８％まで向上することがわかる。
（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図１０を参照して説明する。
【００６５】
図１０は、本実施形態に用いられるバッチ式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、薬液ノズル１８に薬液を供給する薬液タンク１９に、ＮＯ2供給ライン２０が併設される。
【００６６】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、ＮＯ2を添加したフッ硝酸で除去する。すなわち、図１０に示すように、ＮＯ2供給ライン２０からフッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）にＮＯ2を溶け込ませて、飽和状態にする。このＮＯ2を飽和状態に溶け込ませたフッ硝酸を流量２０(ｌ/ｍｉｎ)で薬液ノズル１８から吐出し、３０秒間ウエットエッチングを行なう。これにより、フッ硝酸中のＮＯ2濃度が薬液ノズル１８全体にわたって高くなり、ウエハ９面内が均一にエッチングされる。ＮＯ2を混合する効果は、第１の実施形態の場合と同じ理由に基づく。
【００６７】
図１１は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、ＮＯ2を添加しない状態では面内均一性が４４．１％と悪いが、ＮＯ2を添加すると面内均一性が２．６％まで向上することがわかる。
【００６８】
（第６の実施形態）
本発明の第６の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図１２を参照して説明する。
【００６９】
図１２は、本実施形態に用いられる枚葉式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、エッチングチャンバー２１に、薬液ノズル２２とＮＯ2供給ライン２３が併設される。
【００７０】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、フッ硝酸で除去する。これ自体は従来技術と同様であるが、本実施形態においてはさらに、ＮＯ2供給ライン２３により、エッチングチャンバー２１内をＮＯ2雰囲気にする。このＮＯ2雰囲気の中で、ポリシリコン３の裏面を、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）を流量１(ｌ/ｍｉｎ)で用いて３０秒間ウエットエッチングを行う。これにより、エッチングチャンバー２１内のＮＯ2濃度が高くなり、ウエハ４面内が均一にエッチングされる。
【００７１】
ＮＯ2を混合する効果は、第１の実施形態の場合と同じ理由に基づく。本実施形態ではフッ硝酸中に直接ＮＯ2を混合するわけではないが、フッ硝酸をＮＯ2雰囲気下でウエハに向けて吐出することで、気相中で両者が混合されることになる。
【００７２】
図１３は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、ＮＯ2を添加しない場合はウエハ中央部のエッチングが不十分で面内均一性が２７．４％であるのに対して、ＮＯ2を添加するとウエハ中央部のエッチングが促進され、面内均一性が２．８％まで向上することがわかる。
【００７３】
（第７の実施形態）
本発明の第７の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図１４を参照して説明する。
【００７４】
図１４は、本実施形態に用いられるバッチ式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、エッチング槽８に、薬液ノズル１８とＮＯ2供給ライン２４が併設される。
【００７５】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、ＮＯ2を添加したフッ硝酸で除去する。すなわち、ＮＯ2供給ライン２４から薬液中にＮＯ2ガスを供給し、３０秒間ウエットエッチングを行なう。これにより薬液中のＮＯ2濃度がエッチング槽８全体にわたって高くなり、ウエハ９面内が均一にエッチングされる。ＮＯ2を混合する効果は、第１の実施形態の場合と同じ理由に基づく。
【００７６】
図１５は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、ＮＯ2を添加しない状態では面内均一性が４４．１％と悪いが、ＮＯ2を添加すると面内均一性が２．６％まで向上することがわかる。
【００７７】
（第８の実施形態）
本発明の第８の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図１６を参照して説明する。
【００７８】
図１６は、本実施形態に用いられる枚葉式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、薬液ノズル２５にＳｉ粉末供給ライン２６が併設される。
【００７９】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、Ｓｉ粉末を混合したフッ硝酸で除去する。すなわち、薬液ノズル２５にＳｉ粉末供給ライン２６を併設することにより、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）を流量１(ｌ/ｍｉｎ)でＳｉ粉末を混合してから吐出し、３０秒間ウエットエッチングを行う。これにより、結果的にフッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなり、ウエハ４中央部のエッチングが促進され、ウエハ面内が均一にエッチングされる。
【００８０】
以下、フッ硝酸にＳｉ粉末を混合することでウエハ中央部のエッチングが促進できる理由を説明する。フッ硝酸にＳｉ粉末を混合することにより、まずフッ硝酸がＳｉ粉末をエッチングする。この反応過程で上記化学式（１）に示すように、ＮＯ2が副生成物として生成され、これによりフッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなる。以降のエッチングメカニズムは第１の実施形態について説明したとおりであり、ウエハ面内が均一にエッチングされることになる。
【００８１】
図１７は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、Ｓｉ粉末を混合しない場合はウエハ中央部のエッチングが不十分で面内均一性が２７．４％であるのに対して、Ｓｉ粉末を混合するとウエハ中央部のエッチングが促進され、面内均一性が４．０％まで向上することがわかる。
【００８２】
（第９の実施形態）
本発明の第９の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図１８を参照して説明する。
【００８３】
図１８は、本実施形態に用いられる枚葉式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、薬液ノズル２７にエッチング液を供給する薬液ライン２８に、Ａｌ粉末供給ライン２９が併設される。
【００８４】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、Ａｌ粉末を混合したフッ硝酸で除去する。すなわち、薬液ライン２８にＡｌ粉末供給ライン２９を併設することにより、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）を流量１(ｌ/ｍｉｎ)でＡｌ粉末を混合してから吐出し、３０秒間ウエットエッチングを行う。これにより、結果的にフッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなり、ウエハ４中央部のエッチングが促進され、ウエハ４面内が均一にエッチングされる。
【００８５】
以下、フッ硝酸にＡｌ粉末を混合することでウエハ中央部のエッチングが促進できる理由を説明する。フッ硝酸にＡｌ粉末を混合することにより、まずＡｌと硝酸が以下の化学式（３）の反応をする。
【００８６】
２Ａｌ＋２ＨＮＯ3→Ａｌ2Ｏ3＋Ｈ2Ｏ＋ＮＯ2        （３）
【００８７】
化学式（３）の反応によりＮＯ2が生成され、これによりフッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなる。以降のエッチングメカニズムは第１の実施形態において説明したとおりであり、ウエハ面内が均一にエッチングされることになる。
【００８８】
図１９は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、Ａｌ粉末を混合しない場合はウエハ中央部のエッチングが不十分で面内均一性が２７．４％であるのに対して、Ａｌ粉末を混合するとウエハ中央部のエッチングが促進され、面内均一性が４．０％まで向上することがわかる。
【００８９】
（第１０の実施形態）
本発明の第１０の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図２０を参照して説明する。
【００９０】
図２０は、本実施形態に用いられるバッチ式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、薬液ノズル３０への薬液供給ラインにＳｉ粉末供給ライン３１が併設される。
【００９１】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、Ｓｉ粉末を混合したフッ硝酸で除去する。すなわち、薬液供給ラインにＳｉ粉末供給ライン３１を併設して、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）を流量２０(ｌ/ｍｉｎ)でＳｉ粉末を混合してから吐出し、３０秒間ウエットエッチングを行う。これにより、結果的にフッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなり、ウエハ９面内が均一にエッチングされる。Ｓｉ粉末を混合する効果は、第８の実施形態の場合と同じ理由に基づく。
【００９２】
図２１は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、Ｓｉ粉末を混合しない状態では面内均一性が４４．１％と悪いが、Ｓｉ粉末を混合すると面内均一性が２．５％まで向上することがわかる。
【００９３】
（第１１の実施形態）
本発明の第１１の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図２２を参照して説明する。
【００９４】
図２２は、本実施形態に用いられるバッチ式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、薬液ノズル３２への薬液供給ラインにＡｌ粉末供給ライン３３が併設される。
【００９５】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面を、Ａｌ粉末を混合したフッ硝酸で除去する。すなわち、薬液ラインにＡｌ粉末供給ライン３３を併設して、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）を流量２０(ｌ/ｍｉｎ)でＡｌ粉末を混合してから吐出し、３０秒間ウエットエッチングを行う。これにより、結果的にフッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなり、ウエハ９面内が均一にエッチングされる。Ａｌ粉末を混合する効果は、第９の実施形態の場合と同じ理由に基づく。
【００９６】
図２３は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、Ａｌ粉末を混合しない状態では面内均一性が４４．１％と悪いが、Ａｌ粉末を混合すると面内均一性が２．５％まで向上することがわかる。
【００９７】
（第１２の実施形態）
本発明の第１２の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図２４を参照して説明する。
【００９８】
図２４は、本実施形態に用いられる枚葉式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、薬液ノズル３４に紫外線照射装置３５が併設される。
【００９９】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面をフッ硝酸で除去するが、その際にフッ硝酸に紫外線を照射する。すなわち、紫外線照射装置３５により、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：８０）を流量１(ｌ/ｍｉｎ)で波長２２０ｎｍの紫外線をさせてから吐出する。これにより、フッ硝酸中の硝酸が光分解し、ＮＯ2が発生して、結果的にフッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなり、ウエハ４中央部のエッチングが促進され、ウエハ面内が均一にエッチングされる。
【０１００】
図２５は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、紫外線を照射しない場合はウエハ中央部のエッチングが不十分で面内均一性が２７．４％であるのに対して、紫外線を照射するとウエハ中央部のエッチングが促進され、面内均一性が２．８％まで向上することがわかる。
【０１０１】
（第１３の実施形態）
本発明の第１３の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図２６を参照して説明する。
【０１０２】
図２６は、本実施形態に用いられる枚葉式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、エッチングチャンバー２１に紫外線照射装置３６が設置される。
【０１０３】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面をフッ硝酸で除去するが、その際にウエハに紫外線を照射する。すなわち、紫外線照射装置３６からウエハ４に波長２２０ｎｍの紫外線を照射させながら、薬液ノズル２２からフッ硝酸を流量１(ｌ/ｍｉｎ)で吐出する。これにより、フッ硝酸中の硝酸が光分解し、ＮＯ2が発生して、結果的にフッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなり、ウエハ４中央部のエッチングが促進され、ウエハ面内が均一にエッチングされる。
【０１０４】
図２７は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、紫外線を照射しない場合はウエハ中央部のエッチングが不十分で面内均一性が２７．４％であるのに対して、紫外線を照射するとウエハ中央部のエッチングが促進され、面内均一性が２．８％まで向上することがわかる。
【０１０５】
（第１４の実施形態）
本発明の第１４の実施形態におけるウエットエッチング装置、及びポリシリコンのウエットエッチング方法について、図２８を参照して説明する。
【０１０６】
図２８は、本実施形態に用いられるバッチ式エッチング装置を示す。上述の装置と同様の要素については同一の参照番号を付して、説明の重複を省略する。本実施形態では、エッチング槽８に紫外線照射装置３７が設置される。
【０１０７】
上記構成のエッチング装置により、図１（ｂ）に示す裏面ポリシリコン除去工程において、ポリシリコン３の裏面をフッ硝酸で除去するが、その際にウエハに紫外線を照射する。すなわち、紫外線照射装置３７からウエハ９に波長２２０ｎｍの紫外線を照射させながら、薬液ノズル１８からフッ硝酸を流量２０(ｌ/ｍｉｎ)で吐出する。これにより、フッ硝酸中の硝酸が光分解し、ＮＯ2が発生して、結果的にフッ硝酸中のＮＯ2濃度が高くなり、ウエハ９中央部のエッチングが促進され、ウエハ面内が均一にエッチングされる。
【０１０８】
図２９は、フッ硝酸でシリコンをエッチングしたときの面内均一性を示すグラフである。このグラフより、紫外線を照射しない状態では面内均一性が４４．１％と悪いが、紫外線を照射すると面内均一性が２．６％まで向上することがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明のエッチング装置およびエッチング方法は、ウエハ面内においてポリシリコン膜を均一にウエットエッチングすることを可能とするものであり、特に、ウエハ裏面上に形成されたポリシリコン膜のウエットエッチング等に有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、ポリシリコンのエッチング例を示す各工程の断面図
【図２】第１の実施形態における枚葉式エッチング装置の模式断面図
【図３】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図４】第２の実施形態におけるバッチ式エッチング装置の模式断面図
【図５】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図６】第３の実施形態における枚葉式エッチング装置の模式断面図
【図７】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図８】第４の実施形態における枚葉式エッチング装置の模式断面図
【図９】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図１０】第５の実施形態におけるバッチ式エッチング装置の模式断面図
【図１１】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図１２】第６の実施形態における枚葉式エッチング装置の模式断面図
【図１３】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図１４】第７の実施形態におけるバッチ式エッチング装置の模式断面図
【図１５】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図１６】第８の実施形態における枚葉式エッチング装置の模式断面図
【図１７】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図１８】第９の実施形態における枚葉式エッチング装置の模式断面図
【図１９】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図２０】第１０の実施形態におけるバッチ式エッチング装置の模式断面図
【図２１】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図２２】第１１の実施形態におけるバッチ式エッチング装置の模式断面図
【図２３】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図２４】第１２の実施形態における枚葉式エッチング装置の模式断面図
【図２５】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図２６】第１３の実施形態における枚葉式エッチング装置の模式断面図
【図２７】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図２８】第１４の実施形態におけるバッチ式エッチング装置の模式断面図
【図２９】ポリシリコンエッチング量の面内分布を示すグラフ
【図３０】従来技術における枚葉式エッチング装置の模式断面図
【符号の説明】
【０１１１】
１  シリコン基板
２  熱酸化膜
３  ポリシリコン
４、９  ウエハ
５、１０  ウエハ保持台
６、１１、１３、１５、１８、２２、２５、２７、３０、３２、３４、３８  薬液ノズル
７、１２、１４、２３、２４  ＮＯ2供給ライン
８  エッチング槽
２１  エッチングチャンバー
１７、２０  ＮＯ2供給ノズル
１６、１９  薬液タンク
２６、３１  Ｓｉ粉末供給ライン
２８  薬液供給ライン
２９、３３  Ａｌ粉末供給ライン
３５、３６、３７  紫外線照射装置
【図１】
2007201014.tif 000003
【図２】
2007201014.tif 000004
【図３】
2007201014.tif 000005
【図４】
2007201014.tif 000006
【図５】
2007201014.tif 000007
【図６】
2007201014.tif 000008
【図７】
2007201014.tif 000009
【図８】
2007201014.tif 000010
【図９】
2007201014.tif 000011
【図１０】
2007201014.tif 000012
【図１１】
2007201014.tif 000013
【図１２】
2007201014.tif 000014
【図１３】
2007201014.tif 000015
【図１４】
2007201014.tif 000016
【図１５】
2007201014.tif 000017
【図１６】
2007201014.tif 000018
【図１７】
2007201014.tif 000019
【図１８】
2007201014.tif 000020
【図１９】
2007201014.tif 000021
【図２０】
2007201014.tif 000022
【図２１】
2007201014.tif 000023
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
2007201014.tif 000026
【図２５】
2007201014.tif 000027
【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
2007201014.tif 000031
【図３０】
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