(57)【要約】【課題】高周波増幅用トランジスタの温度補償効果を持つバイアス回路のバイアス電圧を高周波的に安定させることで、高周波電力増幅器の線形性、効率を改善することのできる高周波電力増幅器を提供する。【解決手段】バイアス供給用トランジスタ４１のベースと基準電位との間にキャパシタ６１を接続する。これにより、特に高周波電力増幅器が高出力の状態において、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動を抑制し、高周波電力増幅器の線形性を改善する。【選択図】図１
2007306543.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波増幅用トランジスタのベースにバイアスを供給するバイアス供給用トランジスタを備える高周波電力増幅器であって、
前記バイアス供給用トランジスタのベースに温度補償されたバイアス電流を供給するバイアス回路と、
前記バイアス供給用トランジスタのベース電位を高周波的に安定化する第１の安定化素子とを備えることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項２】
請求項１記載の高周波電力増幅器であって、
前記バイアス回路は、コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのコレクタに接続され、エミッタが第１の抵抗を介して接地され、ベースが前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続される第１の温度補償用トランジスタと、
コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続され、ベースが前記第１の温度補償用トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが接地される第２の温度補償用トランジスタとを備え、
前記第１の安定化素子は、前記バイアス供給用トランジスタのベースと接地間に接続されることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項３】
請求項１記載の高周波電力増幅器であって、
前記バイアス回路は、コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのコレクタに接続され、エミッタが第１の抵抗を介して接地され、ベースが第２の抵抗を介して前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続される第１の温度補償用トランジスタと、
コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続され、ベースが前記第１の温度補償用トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが接地される第２の温度補償用トランジスタとを備え、
前記第１の安定化素子は、前記バイアス供給用トランジスタのベースと接地間に接続されることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項４】
請求項１記載の高周波電力増幅器であって、
前記バイアス回路は、コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのコレクタに接続され、エミッタが第１の抵抗を介して接地され、ベースが第２の抵抗を介して前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続される第１の温度補償用トランジスタと、
コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続され、ベースが前記第１の温度補償用トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが接地される第２の温度補償用トランジスタとを備え、
前記第１の安定化素子は、前記第１の温度補償用トランジスタのベースと接地間に接続されることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項５】
請求項３記載の高周波電力増幅器であって、
前記第１の温度補償用トランジスタのベースと接地間に接続される第２の安定化素子を備えることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項６】
請求項５記載の高周波電力増幅器であって、
前記バイアス供給用トランジスタのコレクタと接地間に接続される第３の安定化素子を備えることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項７】
請求項５記載の高周波電力増幅器であって、
前記第２の温度補償用トランジスタのベースと接地間に接続される第３の安定化素子を備えることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項記載の高周波電力増幅器であって、
前記安定化素子は、キャパシタであることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか一項記載の高周波電力増幅器であって、
前記安定化素子は、直列に接続されるインダクタとキャパシタであることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項１０】
請求項１ないし７のいずれか一項記載の高周波電力増幅器であって、
前記安定化素子は、アノードが接地されるダイオードであることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項１１】
請求項１ないし７のいずれか一項記載の高周波電力増幅器であって、
前記安定化素子は、並列に接続されるダイオードとキャパシタであり、前記ダイオードのアノードが接地されることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項１２】
請求項１記載の高周波電力増幅器であって、
前記バイアス回路は、コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのコレクタに接続され、エミッタが第１の抵抗を介して接地され、ベースが第２の抵抗を介して前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続される第１の温度補償用トランジスタと、
コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続され、ベースが前記第１の温度補償用トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが接地される第２の温度補償用トランジスタとを備え、
前記第１の安定化素子は、一端が前記第１の温度補償用トランジスタのベースに接続される第１のキャパシタと、
一端が前記第２の温度補償用トランジスタのコレクタに接続される第２のキャパシタと、
一端が接地される第３のキャパシタとを備え、
前記第１、第２および第３のキャパシタの他端がともに接続されることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項１３】
請求項１記載の高周波電力増幅器であって、
前記バイアス回路は、コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのコレクタに接続され、エミッタが第１の抵抗を介して接地され、ベースが第２の抵抗を介して前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続される第１の温度補償用トランジスタと、
コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続され、ベースが前記第１の温度補償用トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが接地される第２の温度補償用トランジスタとを備え、
前記第１の安定化素子は、カソードが前記第１の温度補償用トランジスタのベースに接続される第１のダイオードと、
カソードが前記第２の温度補償用トランジスタのコレクタに接続される第２のダイオードと、
一端が接地されるキャパシタとを備え、
前記第１および第２のダイオードのカソードと前記キャパシタの他端がともに接続されることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項１４】
請求項１記載の高周波電力増幅器であって、
前記バイアス回路は、コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのコレクタに接続され、エミッタが第１の抵抗を介して接地され、ベースが第２の抵抗を介して前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続される第１の温度補償用トランジスタと、
コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続され、ベースが前記第１の温度補償用トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが接地される第２の温度補償用トランジスタとを備え、
前記第１の安定化素子は、一端が前記第１の温度補償用トランジスタのベースに接続される第１のキャパシタと、
一端が前記第２の温度補償用トランジスタのコレクタに接続される第２のキャパシタと、
アノードが接地されるダイオードとを備え、
前記第１および第２のキャパシタの他端と前記ダイオードのカソードがともに接続されることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項１５】
請求項１記載の高周波電力増幅器であって、
前記バイアス回路は、コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのコレクタに接続され、エミッタが第１の抵抗を介して接地され、ベースが第２の抵抗を介して前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続される第１の温度補償用トランジスタと、
コレクタが前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続され、ベースが前記第１の温度補償用トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが接地される第２の温度補償用トランジスタとを備え、
前記第１の安定化素子は、カソードが前記第１の温度補償用トランジスタのベースに接続される第１のダイオードと、
カソードが前記第２の温度補償用トランジスタのコレクタに接続される第２のダイオードと、
アノードが接地される第３のダイオードとを備え、
前記第１および第２のダイオードのアノードと前記第３のダイオードのカソードがともに接続されることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれか一項記載の高周波増幅用トランジスタを、整合回路を介して多段に接続し、
各々の高周波増幅用トランジスタのベースにバイアスを供給する複数のバイアス供給用トランジスタのベースを共通に接続し、
前記バイアス回路は、前記複数のバイアス供給用トランジスタのベースに温度補償されたバイアス電流を供給することを特徴とする多段高周波電力増幅器。
【請求項１７】
請求項１ないし１５のいずれか一項記載の高周波電力増幅器を、整合回路を介して多段に接続したことを特徴とする多段高周波電力増幅器。
【請求項１８】
請求項１ないし１７のいずれか一項記載の高周波電力増幅器を含むことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波電力増幅器に関し、特に無線ＬＡＮ端末や、移動体携帯端末における高周波電力増幅器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波特性に優れるデバイスとして、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（以下、ＨＢＴと略す）などが高周波電力増幅器に用いられる。近年、無線ＬＡＮ用端末や移動携帯端末においては、小型化の観点から、上記ＨＢＴなどを用いた高周波電力増幅器を、ＭＭＩＣ（Microwave Monolithic IC）等に代表されるように集積化し、高周波増幅用トランジスタ、バイアス回路等を1チップに内蔵する技術が求めれている。バイアス回路を含めた高周波電力増幅器の特性の改善を考案している例としては、特許文献１に記載される高周波電力増幅器があり、図３３にその構造を示す。
【０００３】
図３３の回路は、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースに、バイアス供給用トランジスタ４１が接続され、さらにバイアス供給用トランジスタ４１のベースには、抵抗５１、５２から成るバイアス電圧を供給するためのバイアス回路が接続されている。さらに、このバイアス供給用トランジスタ４１とバイアス回路の接続点と基準電位との間には、キャパシタ６１が接続されている。また、高周波電力増幅器の入力端子０１と高周波電力増幅用トランジスタ３１との間、及び出力端子０２と高周波電力増幅用トランジスタ３１の間には、整合回路１１、１２がそれぞれ挿入されている。
【０００４】
この回路構成において、高出力動作時には高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなるため、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。すなわち、高周波増幅用トランジスタの高周波信号が、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位に影響を与える。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース−エミッタ間の電圧が低下し、高周波増幅用トランジスタ３１への電流供給が減少する傾向になる。
【０００５】
この結果、高周波増幅用トランジスタ３１の出力振幅が増大しようとすればするほど、動作点の低下が同時に起こるため、高出力時には利得圧縮の傾向に陥るが、図３３の回路ではキャパシタ６１が電流のチャージ、ディスチャージにより瞬間的にバイアス供給用トランジスタ４１のベースに電流を供給し、高周波電力増幅器３１のベースに印加される高周波的な電圧降下を軽減することで動作点を維持し、利得圧縮に関しても効果を成しているといえる。
【０００６】
しかしながら、高周波増幅用トランジスタ３１やバイアス供給用トランジスタ４１は動作時の発熱による温度上昇等により、最適動作のためのベース−エミッタ電圧が変動するため、図３３のような単純な抵抗分圧によるバイアス回路ではこれを補償できず、温度変化により特性が大きく変動してしまうという問題がある。
【０００７】
温度補償を備えたバイアス回路としては、特許文献２に記載される高周波電力増幅器があり、図３４にその構造を示す。図３４では、高周波増幅用トランジスタ３１と、前記高周波増幅用トランジスタ３１にバイアス電圧供給端子への印加電圧に応じた電流を流す第１の温度補償用トランジスタ４２と、第１の温度補償用トランジスタに流れる電流に応じてバイアス供給用トランジスタ４１から高周波増幅用トランジスタ３１に供給されるバイアス電流を補正する第２の温度補償用トランジスタ４３を備えている。抵抗５１、５２、５４はバイアス電流調整用、０１は高周波増幅器の入力端子、０２は高周波電力増幅器の出力端子、２１は電源端子、２２は外部から制御信号が供給される制御入力端子である。
【０００８】
この回路構成においては、図３３の抵抗５１、５２により構成されるバイアス回路の代わりに、温度補償用トランジスタの４２および４３、加えてバイアス調整用の抵抗５２、５４により構成されたバイアス回路が接続されており、入力電圧の変動に対する増幅器のバイアス電流の変動を抑えることが出来る。
【０００９】
【特許文献１】特許第３３７７６７５号明細書（第６頁、第４図）
【特許文献２】特開２００２−９５５８号公報（第１０頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
電源に供給される電圧は通常、レギュレータにより安定化された電圧が与えられるので、電圧の変化幅としては比較的小さい。例えば、２．８Ｖの電圧が供給され、レギュレータの電圧変動が５％であるならば、２．６６Ｖから２．９４Ｖと約０．３Ｖの電圧幅である。
【００１１】
しかしながら、何らかの理由によりレギュレータにより安定化された電圧が与えられない場合、あるいは、機器内にレギュレートされた電圧が供給されない場合は、電源である電池から直結することとなる。そのため、電圧の変化幅は大きくなってしまう。従来の図３３の回路においては、電源電圧の変動に対する安定性が確保されていないため、高出力動作時には電流低下による線形性の劣化という問題が顕著に起きる。
【００１２】
また、従来の図３４の回路においては、高出力動作時は電力増幅器３１からバイアス供給用トランジスタ４１への高周波信号の漏れにより、前記バイアス供給用トランジスタのベースが高周波的に振られるため、線形性の劣化という問題が起きる。
【００１３】
さらにいえば、高周波増幅用トランジスタが多段で構成される場合、図３５に示すように、バイアス供給用トランジスタ４１と同様のバイアス供給用トランジスタが、温度補償用トランジスタ４２、及び４３により決定されるバイアス電圧を基準に、多段に設置される構成となる。
【００１４】
図３５において高周波増幅用トランジスタ３１、３２、３３で、高周波増幅用トランジスタ３１、３２、３３の各々に対応してバイアス供給用トランジスタ４１、４４、４７が設置されており、バイアス供給用トランジスタは全てバイアス回路のバイアス電圧を基準としている。
【００１５】
こうした構成において、全回路動作の基準電圧、すなわちバイアス電圧を決定する温度補償用トランジスタ４２のベースが高周波的に振られると、全バイアス供給用トランジスタ、及び全高周波増幅用トランジスタに影響を及ぼすこととなる。
【００１６】
本発明は、上記従来の事情に鑑みてなされたものであって、電源電圧の変動に対する安定性を確保しつつ、温度補償用トランジスタのベースが高周波的に振られるのを防ぐことにより高出力時の線形性を改善することができる高周波電力増幅器および通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる高周波電力増幅器は、増幅用トランジスタと、増幅用トランジスタにバイアス電圧供給端子への印加電圧に応じたバイアス電流を供給するバイアス供給用トランジスタと、バイアス電圧供給端子への印加電圧に応じた電流を流す第１の温度補償用トランジスタと、第１の温度補償用トランジスタに供給されるバイアス電流を補正することにより、バイアス供給用トランジスタのベース電圧の温度特性を補償する第２の温度補償用トランジスタとを備えることにより、電源電圧が変動しても、増幅用トランジスタのコレクタ電流をほぼ一定保つように、バイアス供給用トランジスタのバイアス電流が制御されている。
【００１８】
また、高出力時においては、高周波増幅用トランジスタからバイアス供給用トランジスタへの高周波信号の漏れに対して、バイアス供給用トランジスタのベースと接地間にキャパシタを追加することにより、高出力時の線形性を改善することが出来る。
【００１９】
さらに、電源電圧の変動に対する安定性を改善するために、バイアス供給用トランジスタのベースと第１の温度補償用トランジスタのベース間に抵抗を備える。この回路において、バイアス供給用トランジスタのベースと基準電位との間にキャパシタを追加することにより、高出力時の線形性を改善することが出来る。
【００２０】
上記において、抵抗を追加した場合、抵抗を介して高周波信号が漏れるため、第２の温度補償用トランジスタのベースと基準電位との間にキャパシタを追加した場合も、高出力時の線形性を改善することが出来る。
【００２１】
また、バイアス供給用トランジスタのベースと抵抗を介して接続する第１の温度補償用トランジスタを備えた回路において、第１の温度補償用トランジスタのコレクタと基準電位との間にキャパシタを追加することにより、線形性を改善することが出来る。
【００２２】
さらに、キャパシタ接続の代わりにインダクタとキャパシタの直列接続、ダイオード接続、ダイオードとキャパシタの並列接続でも同等の効果が得られる。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明にかかる高周波電力増幅器および通信装置によれば、高周波増幅用トランジスタの温度補償効果をもつバイアス回路のバイアス電圧を高周波的に安定させることができ、特に高出力時における高周波電力増幅器および通信装置の線形性を大幅に改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２５】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態における高周波電力増幅器の回路を示すものである。０１は高周波電力増幅器の入力端子、０２は出力端子である。３１は高周波増幅用トランジスタであり、この高周波増幅用トランジスタ３１と高周波電力増幅器の入力端子０１及び出力端子０２との間にはそれぞれ入力側の整合回路１１と出力側の整合回路１２が接続されている。
【００２６】
４１はバイアス供給用トランジスタであり、高周波増幅用トランジスタ３１のベースに抵抗５１を介して接続されている。抵抗５１は熱暴走抑制用である。バイアス回路は、温度補償用トランジスタ４２、４３、及び抵抗５２、５４から構成される。
【００２７】
第１の温度補償用トランジスタ４２は、バイアス電圧供給端子２２への供給電圧に応じた電流を流す。第２の温度補償用トランジスタ４３は、第１の温度補償用トランジスタ４２に流れる電流に応じてバイアス供給用電流トランジスタ４１から高周波増幅用トランジスタ３１に供給されるバイアス電流を補正することにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の温度特性を補償する。
【００２８】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００２９】
そこで、第１の実施の形態に示すキャパシタ６１は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用直流増幅トランジスタ４１の高周波的なベース電流変動がバイアス回路にまで回りこみ、温度補償用トランジスタ４２のベース電圧に影響を与える場合においても、このキャパシタ６１の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。
【００３０】
その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。図２に、第１の実施の形態における入出力特性（実線で示す）を示したが、従来例（破線で示す）と比べて高出力時の線形性が大幅に改善している。
【００３１】
（第２の実施の形態）
図３に、本発明の第２の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図３の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００３２】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００３３】
そこで、第２の実施の形態に示すキャパシタ６１は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用トランジスタ４１の高周波的なベース電流変動が生じるが、このキャパシタ６１の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００３４】
（第３の実施の形態）
図４に、本発明の第３の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図４の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００３５】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００３６】
そこで、第３の実施の形態に示すキャパシタ６２は、高出力時の第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用トランジスタ４２の高周波的なベース電流変動が生じるが、このキャパシタ６２の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００３７】
（第４の実施の形態）
図５に、本発明の第４の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図５の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００３８】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００３９】
そこで、第４の実施の形態に示すキャパシタ６１および６２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、キャパシタ６１および６２の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００４０】
（第５の実施の形態）
図６に、本発明の第５の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図６の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００４１】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００４２】
そこで、第５の実施の形態に示すキャパシタ６１および６２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、キャパシタ６３は、第１の温度補償用のトランジスタ４２のコレクタ電位とバイアス供給用トランジスタ４１のコレクタ電位を高周波的に安定化するものとする。
【００４３】
これにより、キャパシタ６１および６２および６３の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。キャパシタを３段にすることで更に線形性が改善される。
【００４４】
（第６の実施の形態）
図７に、本発明の第６の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図７の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００４５】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００４６】
そこで、第６の実施の形態に示すキャパシタ６１および６２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、キャパシタ６４は、第２の温度補償用のトランジスタ４３のベース電位を高周波的に安定化するものとする。
【００４７】
これにより、キャパシタ６１および６２および６４の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。キャパシタを３段にすることで更に線形性が改善される。
【００４８】
（第７の実施の形態）
図８は、本発明の第１の実施の形態における高周波電力増幅器の回路を示すものである。０１は高周波電力増幅器の入力端子、０２は出力端子である。３１は高周波増幅用トランジスタであり、この高周波増幅用トランジスタ３１と高周波電力増幅器の入力端子０１及び出力端子０２との間にはそれぞれ入力側の整合回路１１と出力側の整合回路１２が接続されている。
【００４９】
４１はバイアス供給用トランジスタであり、高周波増幅用トランジスタ３１のベースに抵抗５１を介して接続されている。抵抗５１は熱暴走抑制用である。バイアス回路は、温度補償用トランジスタ４２、４３、及び抵抗５２、５４から構成される。
【００５０】
第１の温度補償用トランジスタ４２は、バイアス電圧供給端子２２への供給電圧に応じた電流を流す。第２の温度補償用トランジスタ４３は、第１の温度補償用トランジスタ４２に流れる電流に応じてバイアス供給用電流トランジスタ４１から高周波増幅用トランジスタ３１に供給されるバイアス電流を補正することにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の温度特性を補償する。
【００５１】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００５２】
そこで、第７の実施の形態に示すインダクタ７１とキャパシタ６１は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用直流増幅トランジスタ４１の高周波的なベース電流変動がバイアス回路にまで回りこみ、温度補償用トランジスタ４２のベース電圧に影響を与える場合においても、このインダクタ７１とキャパシタ６１の直列共振による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００５３】
（第８の実施の形態）
図９に、本発明の第２の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図９の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００５４】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００５５】
そこで、第８の実施の形態に示すインダクタ７１とキャパシタ６１は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用トランジスタ４１の高周波的なベース電流変動が生じるが、このインダクタ７１とキャパシタ６１の直列共振による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００５６】
（第９の実施の形態）
図１０に、本発明の第９の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図１０の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００５７】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００５８】
そこで、第９の実施の形態に示すインダクタ７２とキャパシタ６２は、高出力時の第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用トランジスタ４２の高周波的なベース電流変動が生じるが、このインダクタ７２とキャパシタ６２の直列共振による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００５９】
（第１０の実施の形態）
図１１に、本発明の第１０の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図１１の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００６０】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００６１】
そこで、第１０の実施の形態に示すインダクタ７１および７２、キャパシタ６１および６２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、インダクタ７１とキャパシタ６１、およびインダクタ７２とキャパシタ６２の直列共振による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００６２】
（第１１の実施の形態）
図１２に、本発明の第１１の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図１２の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００６３】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００６４】
そこで、第１１の実施の形態に示すインダクタ７１および７２、キャパシタ６１および６２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、インダクタ７３およびキャパシタ６３は、第１の温度補償用のトランジスタ４２のコレクタ電位とバイアス供給用トランジスタ４１のコレクタ電位を高周波的に安定化するものとする。
【００６５】
これより、インダクタ７１とキャパシタ６１、およびインダクタ７２とキャパシタ６２、およびインダクタ７３およびキャパシタ６３の直列共振による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００６６】
（第１２の実施の形態）
図１３に、本発明の第１２の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図１３の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００６７】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００６８】
そこで、第１２の実施の形態に示すインダクタ７１および７２、キャパシタ６１および６２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、インダクタ７４およびキャパシタ６４は、第２の温度補償用のトランジスタ４３のベース電位を高周波的に安定化するものとする。
【００６９】
これより、インダクタ７１とキャパシタ６１、およびインダクタ７２とキャパシタ６２、およびインダクタ７４およびキャパシタ６４の直列共振による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００７０】
（第１３の実施の形態）
図１４は、本発明の第１３の実施の形態における高周波電力増幅器の回路を示すものである。０１は高周波電力増幅器の入力端子、０２は出力端子である。３１は高周波増幅用トランジスタであり、この高周波増幅用トランジスタ３１と高周波電力増幅器の入力端子０１及び出力端子０２との間にはそれぞれ入力側の整合回路１１と出力側の整合回路１２が接続されている。
【００７１】
４１はバイアス供給用トランジスタであり、高周波増幅用トランジスタ３１のベースに抵抗５１を介して接続されている。抵抗５１は熱暴走抑制用である。バイアス回路は、温度補償用トランジスタ４２、４３、及び抵抗５２、５４から構成される。
【００７２】
第１の温度補償用トランジスタ４２は、バイアス電圧供給端子２２への供給電圧に応じた電流を流す。第２の温度補償用トランジスタ４３は、第１の温度補償用トランジスタ４２に流れる電流に応じてバイアス供給用電流トランジスタ４１から高周波増幅用トランジスタ３１に供給されるバイアス電流を補正することにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の温度特性を補償する。
【００７３】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００７４】
そこで、第１３の実施の形態に示すダイオード８１は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用トランジスタ４１の高周波的なベース電流変動が生じるが、このダイオード８１の接合容量による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００７５】
（第１４の実施の形態）
図１５に、本発明の第１４の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図１５の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００７６】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００７７】
そこで、第１４の実施の形態に示すダイオード８１は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１のベース電位を高周波的に安定するものとする。これより、バイアス供給用トランジスタ４１の高周波的なベース電流変動が生じるが、このダイオード８１の接合容量電荷によるチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００７８】
（第１５の実施の形態）
図１６に、本発明の第１５の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図１６の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００７９】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００８０】
そこで、第１５の実施の形態に示すダイオード８２は、高出力時の第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用トランジスタ４２の高周波的なベース電流変動が生じるが、このダイオード８２の電荷の接合容量によるチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００８１】
（第１６の実施の形態）
図１７に、本発明の第１６の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図１７の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００８２】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００８３】
そこで、第１６の実施の形態に示すダイオード８１および８２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、ダイオード８１および８２の接合容量による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００８４】
（第１７の実施の形態）
図１８に、本発明の第１７の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図１８の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００８５】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００８６】
そこで、第１７の実施の形態に示すダイオード８１および８２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、ダイオード８３は、第１の温度補償用のトランジスタ４２のコレクタ電位とバイアス供給用トランジスタ４１のコレクタ電位を高周波的に安定化するものとする。
【００８７】
これにより、ダイオード８１および８２および８３の接合容量による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００８８】
（第１８の実施の形態）
図１９に、本発明の第１８の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図１９の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００８９】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００９０】
そこで、第１８の実施の形態に示すダイオード８１および８２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用トランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、第２の温度補償用のトランジスタ４３のベース電位が不安定であると、コレクタの電流振幅が不安定となるが、ダイオード８４を追加することによりベース電位が高周波的に安定化する。
【００９１】
これにより、ダイオード８１および８２および８４の接合容量による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００９２】
（第１９の実施の形態）
図２０は、本発明の第１９の実施の形態における高周波電力増幅器の回路を示すものである。０１は高周波電力増幅器の入力端子、０２は出力端子である。３１は高周波増幅用トランジスタであり、この高周波増幅用トランジスタ３１と高周波電力増幅器の入力端子０１及び出力端子０２との間にはそれぞれ入力側の整合回路１１と出力側の整合回路１２が接続されている。
【００９３】
４１はバイアス供給用トランジスタであり、高周波増幅用トランジスタ３１のベースに抵抗５１を介して接続されている。抵抗５１は熱暴走抑制用である。バイアス回路は、温度補償用トランジスタ４２、４３、及び抵抗５２、５４から構成される。
【００９４】
第１の温度補償用トランジスタ４２は、バイアス電圧供給端子２２への供給電圧に応じた電流を流す。第２の温度補償用トランジスタ４３は、第１の温度補償用トランジスタ４２に流れる電流に応じてバイアス供給用電流トランジスタ４１から高周波増幅用トランジスタ３１に供給されるバイアス電流を補正することにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の温度特性を補償する。
【００９５】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００９６】
そこで、第１９の実施の形態に示すダイオード８１およびキャパシタ６１は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用トランジスタ４１の高周波的なベース電流変動が生じるが、このダイオード８１およびキャパシタ６１による電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【００９７】
（第２０の実施の形態）
図２１に、本発明の第２０の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図２１の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【００９８】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【００９９】
そこで、第２０の実施の形態に示すダイオード８１およびキャパシタ６１は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用トランジスタ４１の高周波的なベース電流変動が生じるが、このダイオード８１およびキャパシタ６１の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１００】
（第２１の実施の形態）
図２２に、本発明の第２１の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図２２の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【０１０１】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１０２】
そこで、第２１の実施の形態に示すダイオード８２およびキャパシタ６２は、高出力時の第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、バイアス供給用トランジスタ４２の高周波的なベース電流変動が生じるが、このダイオード８２およびキャパシタ６２の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１０３】
（第２２の実施の形態）
図２３に、本発明の第２２の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図２３の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【０１０４】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１０５】
そこで、第２２の実施の形態に示すダイオード８１および８２、キャパシタ６１および６２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、ダイオード８１および８２、キャパシタ６１および６２の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１０６】
（第２３の実施の形態）
図２４に、本発明の第２３の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図２４の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【０１０７】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１０８】
そこで、第２３の実施の形態に示すダイオード８１および８２、キャパシタ６１および６２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、ダイオード８３およびキャパシタ６３は、第１の温度補償用のトランジスタ４２のコレクタ電位とバイアス供給用トランジスタ４１のコレクタ電位を高周波的に安定化するものとする。
【０１０９】
これにより、ダイオード８１および８２および８３、キャパシタ６１および６２および６３の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１１０】
（第２４の実施の形態）
図２５に、本発明の第２４の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図２５の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【０１１１】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１１２】
そこで、第２４の実施の形態に示すダイオード８１および８２、キャパシタ６１および６２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用トランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、第２の温度補償用のトランジスタ４３のベース電位が不安定であると、コレクタの電流振幅が不安定となるが、ダイオード８４およびキャパシタ６４を追加することによりベース電位が高周波的に安定化する。
【０１１３】
これにより、ダイオード８１および８２および８４、キャパシタ６１および６２および６４の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。なお、逆回復時間の短いダイオードを追加することにより、さらなる整流効果を発揮する。その結果、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１１４】
（第２５の実施の形態）
図２６に、本発明の第２５の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図２６の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【０１１５】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１１６】
そこで、第２５の実施の形態に示すキャパシタ６１’および６２’および６９は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、キャパシタ６１’および６２’および６９の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。
【０１１７】
その中でも、キャパシタ６９は、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと基準電位、第１の温度補償用トランジスタ４２のベースと基準電位との間に必要なキャパシタを共用化することによりチップ面積の小型化を実現することが出来る。さらに、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１１８】
（第２６の実施の形態）
図２７に、本発明の第２６の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図２７の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【０１１９】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１２０】
そこで、第２６の実施の形態に示すキャパシタ６９、ダイオード８１および８２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、キャパシタ６９、ダイオード８１および８２の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。
【０１２１】
その中でも、キャパシタ６９は、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと基準電位、第１の温度補償用トランジスタ４２のベースと基準電位との間に必要なリアクタンス素子を共用化することによりチップ面積の小型化を実現することが出来る。さらに、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１２２】
（第２７の実施の形態）
図２８に、本発明の第２７の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図２８の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【０１２３】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１２４】
そこで、第２７の実施の形態に示すキャパシタ６１’および６２’、ダイオード８５は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、キャパシタ６１’および６２’、ダイオード８５の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。
【０１２５】
その中でも、ダイオード８５は、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと基準電位、第１の温度補償用トランジスタ４２のベースと基準電位との間に必要なリアクタンス素子を共用化することによりチップ面積の小型化を実現することが出来る。さらに、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１２６】
（第２８の実施の形態）
図２９に、本発明の第２８の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図２９の高周波電力増幅器では、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと第１の温度補償用のトランジスタのベースの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【０１２７】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。しかし、高出力動作時においては、高周波電力増幅用トランジスタ３１のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１を介して、バイアス供給用トランジスタ４１のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１２８】
そこで、第２８の実施の形態に示すダイオード８１および８２および８５は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および第１の温度補償用のトランジスタ４２のベース電位を高周波的に安定化するものとする。これより、ダイオード８１および８２および８５の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。
【０１２９】
その中でも、ダイオード８５は、バイアス供給用トランジスタ４１のベースと基準電位、第１の温度補償用トランジスタ４２のベースと基準電位との間に必要なリアクタンス素子を共用化することによりチップ面積の小型化を実現することが出来る。さらに、高出力時の高周波トランジスタ３１の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１３０】
（第２９の実施の形態）
図３０に、本発明の第２９の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図３０の高周波電力増幅器は３段で構成されている。バイアス回路は、前記第１の温度補償用トランジスタ４２と前記第２の温度補償用トランジスタ４３を共通化する構成となっており、各段にバイアス供給用トランジスタ４１，４４，４７を備える構成となっている。バイアス供給用トランジスタ４１および４４および４７のベースと第１の温度補償用トランジスタ４２のベースとの間に抵抗５３を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【０１３１】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が前段の高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１３を介して中段の高周波増幅用トランジスタ３２へ信号が入力される。その信号は、整合回路１４を介して後段の高周波増幅用トランジスタ３３へ信号が入力される。後段の高周波増幅用トランジスタ３３で増幅された信号が整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。
【０１３２】
しかし、高出力動作時においては、特に後段の高周波電力増幅用トランジスタ３３のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５９を介して、バイアス供給用トランジスタ４７のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４７のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１３３】
また、前段、中段においても同様に、前段の高周波電力増幅用トランジスタ３１および３２のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５１および５５を介して、バイアス供給用トランジスタ４１および４４のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４１および４４のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１３４】
そこで、第２９の実施の形態に示すキャパシタ６１および６２は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および４４および４７のベース電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、キャパシタ６３は、第１の温度補償用のトランジスタ４２のコレクタ電位とバイアス供給用トランジスタ４１および４４および４７のコレクタ電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、キャパシタ６４は、第２の温度補償用のトランジスタ４３のベース電位を高周波的に安定化するものとする。
【０１３５】
これより、キャパシタ６１、６２、６３、６４の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１および５５および５９の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１および４４および４７のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。これにより高出力時の高周波トランジスタ３１および３２および３３の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１３６】
本実施の形態においては、第５と第６の実施の形態のバイアス回路を例に説明したが、第１から第２８の実施の形態に示したバイアス回路を適用してもよい。さらに、本実施の形態では３段構成の高周波増幅器を例に説明したが、２段構成あるいは４段構成以上の高周波電力増幅器とすることも可能である。本発明にかかる第１から第２８の実施の形態のバイアス回路を多段構成の高周波電力増幅器に用いることで、高出力時の線形性が改善される。
【０１３７】
（第３０の実施の形態）
図３１に、本発明の第３０の実施の形態における高周波電力増幅器の回路図を示す。図３１の高周波電力増幅器は２段で構成されている。バイアス回路は、前記第１の温度補償用トランジスタ４２，４５と前記第２の温度補償用トランジスタ４３，４６を各段に備える構成となっており、バイアス供給用トランジスタ４１，４４も各段に備える構成となっている。バイアス供給用トランジスタ４１および４４のベースと第１の温度補償用トランジスタ４２および４５のベースとの間に抵抗５３および５７を接続し、電源電圧の変動を抑える構成となっている。
【０１３８】
このバイアス回路において、入力信号端子０１から入力された信号が前段の高周波増幅用トランジスタ３１で信号増幅され、整合回路１３を介して後段の高周波増幅用トランジスタ３２へ信号が入力される。後段の高周波増幅用トランジスタ３２で増幅された信号が整合回路１２を介して信号端子０２へ出力される。
【０１３９】
しかし、高出力動作時においては、特に後段の高周波電力増幅用トランジスタ３２のベースの電力振幅が大きくなり、抵抗５５を介して、バイアス供給用トランジスタ４４のベースへと信号の漏れが発生する。それにより、バイアス供給用トランジスタ４４のベース電位が高周波的に不安定となる。
【０１４０】
そこで、第３０の実施の形態に示すキャパシタ６１、６２、６５、６６は、高出力時のバイアス供給用トランジスタ４１および４４のベース電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、キャパシタ６３および６７は、第１の温度補償用のトランジスタ４２および４５のコレクタ電位とバイアス供給用トランジスタ４１および４４のコレクタ電位を高周波的に安定化するものとする。さらに、キャパシタ６４および６８は、第２の温度補償用のトランジスタ４３および４６のベース電位を高周波的に安定化するものとする。
【０１４１】
これより、キャパシタ６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８の電荷のチャージ、ディスチャージにより電流変動を吸収することで、抵抗５１および５５の高周波的な電圧降下を抑制し、バイアス供給用トランジスタ４１および４４のベース電圧の変動によるバイアス電圧の変動を抑制することができる。これにより高出力時の高周波トランジスタ３１および３２の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。
【０１４２】
本実施の形態においては、第５と第６の実施の形態のバイアス回路を例に説明したが、第１から第２８の実施の形態に示したバイアス回路を適用してもよい。さらに、本実施の形態では２段構成の高周波増幅器を例に説明したが、３段構成以上の高周波電力増幅器とすることも可能である。本発明にかかる第１から第２８の実施の形態のバイアス回路を多段構成の高周波電力増幅器に用いることで、高出力時の線形性が改善される。
【０１４３】
（第３１の実施の形態）
図３２に、本発明の第３１の実施の形態における通信装置の構成を示すブロック図を示す。この高周波電力増幅器９１は、例えば第３０の実施の形態の高周波増幅用トランジスタ３１および高周波増幅用トランジスタ３２を用いた２段構成の高周波電力増幅器で構成される。
【０１４４】
図３２において、９１は高周波電力増幅器、９２は高周波電力増幅器９１の出力に接続されるアイソレータ、９３はアイソレータ９２、アンテナ９４およびフロントエンドＩＣ９５に接続したデュープレクサである。また、９６は送信・受信部に備えられたバンドパスフィルタ、９７はＶＣＯ、９８はＰＬＬ、９９はＴＣＸＯ、１００はアップコンバータ、１０１は中間周波数信号を処理するＩＦ回路である。
【０１４５】
前記第３０の実施の形態で説明した効果により、高周波増幅用トランジスタ３１および３２の動作点低下を抑制し、利得圧縮による線形性の劣化を改善することができる。これにより、図３２に示す高周波電力増幅器９１の線形性が改善し、通信装置の性能が改善する。
【０１４６】
本発明の実施形態にかかる高周波電力増幅器および高周波電力増幅装置によれば、高周波増幅用トランジスタ３１の温度補償効果をもつバイアス回路のバイアス電圧を高周波的に安定させることができ、特に高出力時における高周波電力増幅器および通信装置の線形性を大幅に改善することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明は、高周波増幅用トランジスタの高周波的な容量変動を補償し、さらに温度補償効果を持つバイアス回路のバイアス電圧を高周波的に安定させることで、高周波電力増幅器の線形性を改善するという効果を有し、W-LAN端末や、移動体携帯端末における高周波電力増幅器等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】本発明の第１の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２】本発明の第１の実施の形態における電力増幅器の入出力特性依存性を示す図
【図３】本発明の第２の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図４】本発明の第３の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図５】本発明の第４の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図６】本発明の第５の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図７】本発明の第６の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図８】本発明の第７の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図９】本発明の第８の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図１０】本発明の第９の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図１１】本発明の第１０の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図１２】本発明の第１１の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図１３】本発明の第１２の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図１４】本発明の第１３の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図１５】本発明の第１４の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図１６】本発明の第１５の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図１７】本発明の第１６の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図１８】本発明の第１７の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図１９】本発明の第１８の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２０】本発明の第１９の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２１】本発明の第２０の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２２】本発明の第２１の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２３】本発明の第２２の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２４】本発明の第２３の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２５】本発明の第２４の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２６】本発明の第２５の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２７】本発明の第２６の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２８】本発明の第２７の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図２９】本発明の第２８の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図３０】本発明の第２９の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図３１】本発明の第３０の実施の形態における高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図３２】本発明の第３１の実施の形態における通信装置の構成を示すブロック図
【図３３】従来の高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図３４】従来の高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【図３５】従来の高周波電力増幅器の構成を示す回路図
【符号の説明】
【０１４９】
０１  高周波電力増幅器の入力端子
０２  高周波電力増幅器の出力端子
１１  入力整合回路
１２  出力整合回路
１３，１４  段間整合回路
２１  電源端子
２２  制御入力端子
３１，３２，３３  高周波増幅用トランジスタ
４１，４４，４７  バイアス供給用直流増幅トランジスタ
４２，４５  第１の温度補償用トランジスタ
４３，４６  第２の温度補償用トランジスタ
５１，５２，５３，５４，５５，５６，５７，５８，５９  抵抗器
６１，６２，６３，６４，６５，６６，６７，６８，６９  コンデンサ
７１，７１，７３，７４  インダクタ
８１，８２，８３，８４，８５  ダイオード
９１  高周波電力増幅器
９２  アイソレータ
９３  デュープレクサ
９４  アンテナ
９５  フロントエンドＩＣ
９６  バンドパスフィルタ
９７  ＶＣＯ
９８  ＰＬＬ
９９  ＴＣＸＯ
１００  アップコンバータ
１０１  ＩＦ回路
【図１】
2007306543.tif 000003
【図２】
2007306543.tif 000004
【図３】
2007306543.tif 000005
【図４】
2007306543.tif 000006
【図５】
2007306543.tif 000007
【図６】
2007306543.tif 000008
【図７】
2007306543.tif 000009
【図８】
2007306543.tif 000010
【図９】
2007306543.tif 000011
【図１０】
2007306543.tif 000012
【図１１】
2007306543.tif 000013
【図１２】
2007306543.tif 000014
【図１３】
2007306543.tif 000015
【図１４】
2007306543.tif 000016
【図１５】
2007306543.tif 000017
【図１６】
2007306543.tif 000018
【図１７】
2007306543.tif 000019
【図１８】
2007306543.tif 000020
【図１９】
2007306543.tif 000021
【図２０】
2007306543.tif 000022
【図２１】
2007306543.tif 000023
【図２２】
2007306543.tif 000024
【図２３】
2007306543.tif 000025
【図２４】
2007306543.tif 000026
【図２５】
2007306543.tif 000027
【図２６】
2007306543.tif 000028
【図２７】
2007306543.tif 000029
【図２８】
2007306543.tif 000030
【図２９】
2007306543.tif 000031
【図３０】
2007306543.tif 000032
【図３１】
2007306543.tif 000033
【図３２】
2007306543.tif 000034
【図３３】
2007306543.tif 000035
【図３４】
2007306543.tif 000036
【図３５】
2007306543.tif 000037