(57)【要約】【課題】固体撮像素子の検査精度を向上させることが可能な固体撮像素子チップを提供する。【解決手段】固体撮像素子チップ１００は、ＣＣＤ型の固体撮像素子１０と固体撮像素子検査用素子２０とを備える。固体撮像素子検査用素子２０は、固体撮像素子１０に含まれる電荷転送部（多数のＶＣＣＤ２）の一部と同じ構成のダミーの電荷転送部２と、ダミーの電荷転送部２に含まれる１つの電荷転送チャネル２８の一端に接続して形成された電荷転送チャネル２８よりも不純物濃度の高い第一の不純物領域２１と、その他端に接続して形成された電荷転送チャネル２８よりも不純物濃度の高い第二の不純物領域２２と、第一の不純物領域２１、第二の不純物領域２２、及び電荷転送チャネル２８上方の複数の垂直転送電極３，４の各々と検査機器とを電気的に接続するための端子２３，２４，２５とを備える。【選択図】図３
2007201268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された多数の光電変換素子と、前記半導体基板に形成された多数の電荷転送チャネル及び前記多数の電荷転送チャネル上方に形成された多数の電極から構成され、前記多数の光電変換素子の各々から読み出された電荷を所定方向に転送する電荷転送部とを含むＣＣＤ型の固体撮像素子を検査するための固体撮像素子検査用素子であって、
前記半導体基板に形成された、前記電荷転送部の一部と同じ構成のダミーの電荷転送部であって、少なくとも１つの前記電荷転送チャネルと、当該電荷転送チャネル上方に形成された複数の前記電極とを含むダミーの電荷転送部と、
前記ダミーの電荷転送部に含まれる１つの前記電荷転送チャネルの一端に接続される前記電荷転送チャネルよりも不純物濃度の高い第一の不純物領域と、
前記１つの電荷転送チャネルの他端に接続される前記電荷転送チャネルよりも不純物濃度の高い第二の不純物領域と、
前記第一の不純物領域、前記第二の不純物領域、及び前記１つの電荷転送チャネル上方にある前記複数の電極の各々と検査機器とを電気的に接続するための端子とを備える固体撮像素子検査用素子。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子検査用素子であって、
前記端子が、前記第一の不純物領域に接続される第一の端子と、前記第二の不純物領域に接続される第二の端子と、前記複数の電極のいずれかに接続される第三の端子とを含み、
前記第一の端子は、前記第三の端子が接続される電極下方の前記電荷転送チャネルと前記第一の不純物領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がある場合、当該電極にも接続され、
前記第二の端子は、前記第三の端子が接続される電極下方の前記電荷転送チャネルと前記第二の不純物領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がある場合、当該電極にも接続されている固体撮像素子検査用素子。
【請求項３】
請求項１記載の固体撮像素子検査用素子であって、
前記端子が、前記第一の不純物領域に接続される第一の端子と、前記第二の不純物領域に接続される第二の端子と、前記複数の電極の各々に１つずつ接続された複数の第三の端子とを含む固体撮像素子検査用素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか記載の固体撮像素子検査用素子であって、
前記半導体基板がチップ化されたものである固体撮像素子検査用素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか記載の固体撮像素子検査用素子と、
前記固体撮像素子とを備える固体撮像素子チップ。
【請求項６】
半導体基板に形成された多数の光電変換素子と、前記半導体基板に形成された多数の電荷転送チャネル及び前記多数の電荷転送チャネル上方に形成された多数の電極から構成され、前記多数の光電変換素子の各々から読み出された電荷を所定方向に転送する電荷転送部とを含むＣＣＤ型の固体撮像素子を検査する固体撮像素子検査方法であって、
前記半導体基板に形成された、前記電荷転送部の一部と同じ構成のダミーの電荷転送部であって、少なくとも１つの前記電荷転送チャネルと、当該電荷転送チャネル上方に形成された複数の前記電極とを含むダミーの電荷転送部と、前記ダミーの電荷転送部に含まれる１つの前記電荷転送チャネルの一端に接続される前記電荷転送チャネルよりも不純物濃度の高い第一の不純物領域と、前記１つの電荷転送チャネルの他端に接続される前記電荷転送チャネルよりも不純物濃度の高い第二の不純物領域と、前記第一の不純物領域、前記第二の不純物領域、及び前記１つの電荷転送チャネル上方にある前記複数の電極の各々と検査機器とを電気的に接続するための端子とを備える固体撮像素子検査用素子の前記端子を介して、
前記第一の不純物領域と前記電荷転送チャネルの検査対象となる領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がある場合、当該電極と前記第一の不純物領域とに定電圧を印加し、前記第一の不純物領域と前記電荷転送チャネルの検査対象となる領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がない場合、前記第一の不純物領域にのみ定電圧を印加する工程と、
前記第二の不純物領域と前記電荷転送チャネルの検査対象となる領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がある場合、当該電極と前記第二の不純物領域とに定電流を印加し、前記第二の不純物領域と前記電荷転送チャネルの検査対象となる領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がない場合、前記第二の不純物領域にのみ定電流を印加する工程と、
前記電荷転送チャネルの検査対象となる領域上方の前記電極にスイープ電圧を印加する工程と、
前記定電圧、前記定電流、及び前記スイープ電圧を印加した状態で、前記第二の不純物領域の電圧を測定する工程とを含む固体撮像素子検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤ型の固体撮像素子を検査するための固体撮像素子検査用素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ型の固体撮像素子は、光電変換素子で発生した電荷を読み出して転送するための電荷転送部を備える。図６は、電荷転送部の断面の概略構成を模式的に示す図である。ｎ型シリコン基板５１上にはｐウェル層５２が形成され、ｐウェル層５２内の表面付近にｎ型不純物を注入して形成された電荷転送チャネル５３が形成されている。電荷転送チャネル５３上方には図示しないゲート絶縁膜を介して電極５４が電荷転送方向に多数配列して形成されており、電荷転送チャネル５３と電極５４とにより、電荷転送部（ＣＣＤ（Charge Coupled Device））が構成される。本明細書では、シリコン基板５１とｐウェル層５２を合わせて半導体基板という。
【０００３】
ＣＣＤ型の固体撮像素子に特有の検査として、ＣＣＤの特性の検査が挙げられる。固体撮像素子に含まれるＣＣＤの特性の検査は、固体撮像素子を半導体基板に作りこむ際に、ＣＣＤの特性を検査するためのＣＣＤ検査用素子を同一の半導体基板に併せて作りこんでおき、このＣＣＤ検査用素子を用いて行うのが一般的である。
【０００４】
ＣＣＤの特性としては電荷転送チャネルのポテンシャルが挙げられる。従来、このポテンシャルを測定するための検査用素子として、１つのＭＯＳトランジスタを用いている。図７は、従来のＣＣＤ検査用素子として利用されるＭＯＳトランジスタの断面の概略構成を模式的に示した図である。図７は、固体撮像素子の電荷転送部が図６のような構成であり、図６に示す電荷転送チャネル５３のうち、いずれか１つの電極５４の下方にある領域を、検査対象領域Ｘとした場合の構成例である。
【０００５】
ｎ型シリコン基板５１上にはｐウェル層５２が形成され、ｐウェル層５２内の表面付近に、電荷転送チャネル５３の検査対象領域Ｘと同じ不純物構成となるようにｎ型不純物を注入して形成されたｎ領域５３’が形成されている。ｎ領域５３’の一端にはｎ領域５３’よりもｎ型不純物濃度の高いソース領域５５が形成され、ｎ領域５３’の他端にはｎ領域５３’よりもｎ型不純物濃度の高いドレイン領域５６が形成されている。ｎ領域５３’上方には、検査対象領域Ｘ上方にある電極５４と同じ構成の１つの電極５４’が形成されている。ソース領域５５には端子５７が接続され、電極５４’には端子５８が接続され、ドレイン領域５６には端子５９が接続されている。
【０００６】
検査対象領域Ｘの検査を行う際には、検査機器によって端子５７に定電圧を印加し、端子５９に定電流を印加し、端子５８にスイープ電圧（周波数を段階的に変化させた電圧）を印加して、端子５９の電圧を測定することで、ｎ領域５３’のポテンシャルを測定する。そして、このｎ領域５３’のポテンシャルを、検査対象領域Ｘのポテンシャルの近似値とする。この近似値により、ＣＣＤの検査を行っている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図７に示すＣＣＤ検査用素子は、固体撮像素子が形成される位置とは全く別の位置に形成されるために、ｎ領域５３’の近傍にはそれほど多くの素子が存在していない。このため、ｎ領域５３’のポテンシャルは、ｎ領域５３’の周囲の素子による拡散の影響をあまりうけない。一方、実際の固体撮像素子は、図６に示すように、検査対象領域Ｘの周りに電荷転送チャネル５３や電極５４、また、図示していないが光電変換素子等が存在している。このため、検査対象領域Ｘのポテンシャルは、検査対象領域Ｘ周辺の素子による拡散の影響によって若干変化してしまう。しかも、近年では固体撮像素子の微細化が進んでおり、この拡散の影響が無視できなくなってきている。ＣＣＤ型の固体撮像素子には、垂直ＣＣＤと水平ＣＣＤが含まれるが、この拡散の影響は、周囲に素子が多く存在する垂直ＣＣＤにおいて問題となる。図７に示すＣＣＤ検査用素子では、その構造上、上記拡散の影響を考慮することができず、微細化が進んだ固体撮像素子ではその検査を精度良く行なうことができない。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、固体撮像素子の検査精度を向上させることが可能な固体撮像素子検査用素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の固体撮像素子検査用素子は、半導体基板に形成された多数の光電変換素子と、前記半導体基板に形成された多数の電荷転送チャネル及び前記多数の電荷転送チャネル上方に形成された多数の電極から構成され、前記多数の光電変換素子の各々から読み出された電荷を所定方向に転送する電荷転送部とを含むＣＣＤ型の固体撮像素子を検査するための固体撮像素子検査用素子であって、前記半導体基板に形成された、前記電荷転送部の一部と同じ構成のダミーの電荷転送部であって、少なくとも１つの前記電荷転送チャネルと、当該電荷転送チャネル上方に形成された複数の前記電極とを含むダミーの電荷転送部と、前記ダミーの電荷転送部に含まれる１つの前記電荷転送チャネルの一端に接続される前記電荷転送チャネルよりも不純物濃度の高い第一の不純物領域と、前記１つの電荷転送チャネルの他端に接続される前記電荷転送チャネルよりも不純物濃度の高い第二の不純物領域と、前記第一の不純物領域、前記第二の不純物領域、及び前記１つの電荷転送チャネル上方にある前記複数の電極の各々と検査機器とを電気的に接続するための端子とを備える。
【００１０】
本発明の固体撮像素子検査用素子は、前記端子が、前記第一の不純物領域に接続される第一の端子と、前記第二の不純物領域に接続される第二の端子と、前記複数の電極のいずれかに接続される第三の端子とを含み、前記第一の端子は、前記第三の端子が接続される電極下方の前記電荷転送チャネルと前記第一の不純物領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がある場合、当該電極にも接続され、前記第二の端子は、前記第三の端子が接続される電極下方の前記電荷転送チャネルと前記第二の不純物領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がある場合、当該電極にも接続されている。
【００１１】
本発明の固体撮像素子検査用素子は、前記端子が、前記第一の不純物領域に接続される第一の端子と、前記第二の不純物領域に接続される第二の端子と、前記複数の電極の各々に１つずつ接続された複数の第三の端子とを含む。
【００１２】
本発明の固体撮像素子検査用素子は、前記半導体基板がチップ化されたものである。
【００１３】
本発明の固体撮像素子チップは、前記固体撮像素子検査用素子と、前記固体撮像素子とを備える。
【００１４】
本発明の固体撮像素子検査方法は、半導体基板に形成された多数の光電変換素子と、前記半導体基板に形成された多数の電荷転送チャネル及び前記多数の電荷転送チャネル上方に形成された多数の電極から構成され、前記多数の光電変換素子の各々から読み出された電荷を所定方向に転送する電荷転送部とを含むＣＣＤ型の固体撮像素子を検査する固体撮像素子検査方法であって、前記半導体基板に形成された、前記電荷転送部の一部と同じ構成のダミーの電荷転送部であって、少なくとも１つの前記電荷転送チャネルと、当該電荷転送チャネル上方に形成された複数の前記電極とを含むダミーの電荷転送部と、前記ダミーの電荷転送部に含まれる１つの前記電荷転送チャネルの一端に接続される前記電荷転送チャネルよりも不純物濃度の高い第一の不純物領域と、前記１つの電荷転送チャネルの他端に接続される前記電荷転送チャネルよりも不純物濃度の高い第二の不純物領域と、前記第一の不純物領域、前記第二の不純物領域、及び前記１つの電荷転送チャネル上方にある前記複数の電極の各々と検査機器とを電気的に接続するための端子とを備える固体撮像素子検査用素子の前記端子を介して、前記第一の不純物領域と前記電荷転送チャネルの検査対象となる領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がある場合、当該電極と前記第一の不純物領域とに定電圧を印加し、前記第一の不純物領域と前記電荷転送チャネルの検査対象となる領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がない場合、前記第一の不純物領域にのみ定電圧を印加する工程と、前記第二の不純物領域と前記電荷転送チャネルの検査対象となる領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がある場合、当該電極と前記第二の不純物領域とに定電流を印加し、前記第二の不純物領域と前記電荷転送チャネルの検査対象となる領域との間の前記電荷転送チャネル上方に前記電極がない場合、前記第二の不純物領域にのみ定電流を印加する工程と、前記電荷転送チャネルの検査対象となる領域上方の前記電極にスイープ電圧を印加する工程と、前記定電圧、前記定電流、及び前記スイープ電圧を印加した状態で、前記第二の不純物領域の電圧を測定する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、固体撮像素子の検査精度を向上させることが可能な固体撮像素子検査用素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子チップの概略構成を示す平面模式図である。固体撮像素子チップとは、ウェハ上に多数の固体撮像素子を形成した後、そのウェハを各固体撮像素子を分離するようにダイシングして得られた１チップのことである。図１に示す固体撮像素子チップ１００は、ＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、固体撮像素子１０の検査を行うための固体撮像素子検査用素子２０とが、１チップ化された同一のｎ型シリコン基板２６上に形成された構成である。
【００１８】
図２は、図１に示す固体撮像素子１０の概略構成を模式的に示す平面図である。
図２に示す固体撮像素子１０は、ｎ型シリコン基板２６とこの上に形成されたｐウェル層とからなる半導体基板に形成された多数の光電変換素子１と、多数の光電変換素子１の各々で発生して蓄積された信号電荷を列方向に転送する多数の垂直電荷転送部（ＶＣＣＤ）２（図では一部にのみ符号を付してある）と、多数のＶＣＣＤ２を転送されてきた信号電荷を、列方向に直交する行方向に転送する水平電荷転送部（ＨＣＣＤ）５と、ＨＣＣＤ５を転送されてきた信号電荷に応じた信号を出力する出力アンプ６とを備える。
【００１９】
多数の光電変換素子１は、半導体基板の行方向及びこれに直交する列方向に二次元状に配列されており、行方向に配列された多数の光電変換素子１からなる行を光電変換素子行とし、この光電変換素子行を列方向に多数配列した配置、又は、列方向に配列された多数の光電変換素子１からなる列を光電変換素子列とし、この光電変換素子列を行方向に多数配列した配置となっている。そして、多数の光電変換素子１は、奇数番目の光電変換素子行が、偶数番目の光電変換素子行に対して、光電変換素子１の行方向配列ピッチの１／２だけ行方向にずれており、奇数番目の光電変換素子列が、偶数番目の光電変換素子列に対して、光電変換素子１の列方向配列ピッチの１／２だけ列方向にずれた、いわゆるハニカム配列となっている。
【００２０】
半導体基板上方には、各光電変換素子行に対応して垂直転送電極３と垂直転送電極４が形成されている。垂直転送電極３，４は、各光電変換素子行の間を、光電変換素子１を避けるように行方向に蛇行して形成されている。垂直転送電極３と垂直転送電極４は、列方向に交互に配列されている。半導体基板（ｐウェル層）には、各光電変換素子列に対応して図示しない電荷転送チャネルが形成されている。電荷転送チャネルは、各光電変換素子列の間を、光電変換素子１を避けるように列方向に蛇行して形成されている。この電荷転送チャネルと、この上に設けられた多数の垂直転送電極３，４とで、ＶＣＣＤ２が構成される。
【００２１】
ＨＣＣＤ５も、ＶＣＣＤ２とほぼ同様の構成であり、半導体基板（ｐウェル層）に形成された電荷転送チャネルと、その上方に設けられた多数の水平転送電極とで構成される。
【００２２】
固体撮像素子１０の構成についての詳細は、例えば特開２００４−５５７８６号公報を参照されたい。
【００２３】
図３は、図１に示す固体撮像素子検査用素子２０の概略構成を模式的に示す平面図である。図３において図２と同じ構成には同一符号を付してある。図４は、図３に示すＡ−Ａ線の断面模式図である。
ｎ型シリコン基板２６と、その上に形成されたｐウェル層２７とからなる半導体基板には、図２に示す固体撮像素子１０のＨＣＣＤ５及び出力アンプ６を除いた部分の一部と全く同じような構成で、１２個の光電変換素子１と６個のＶＣＣＤ２が形成されている。固体撮像素子検査用素子２０に含まれる光電変換素子１とＶＣＣＤ２は、固体撮像素子１０のそれと区別するために、以下では、ダミーの光電変換素子１、ダミーのＶＣＣＤ２と呼ぶことにする。ダミーの光電変換素子１及びダミーのＶＣＣＤ２は、固体撮像素子１０の光電変換素子１及びＶＣＣＤ２を形成する際に同時に形成することができる。
【００２４】
ｐウェル層２７表面には、ダミーのＶＣＣＤ２に含まれる電荷転送チャネル２８よりもｎ型不純物濃度が高い第一の不純物領域２１と、電荷転送チャネル２８よりもｎ型不純物濃度が高い第二の不純物領域２２とが形成されている。第一の不純物領域２１は、６つのダミーのＶＣＣＤ２のいずれか１つに含まれる電荷転送チャネル２８の一端に接続されており、第二の不純物領域２２は、その電荷転送チャネル２８の他端に接続されている。
【００２５】
半導体基板には、第一の不純物領域２１、第二の不純物領域２２、及び第一の不純物領域２１と第二の不純物領域２２が接続される電荷転送チャネル２８上方の計１０個の垂直転送電極３，４の各々と、固体撮像素子１０を検査するための検査機器とを電気的に接続するための３つの端子２３，２４，２５が形成されている。
【００２６】
端子２３は、第一の不純物領域２１と第二の不純物領域２２が接続される電荷転送チャネル２８上方の計１０個の垂直転送電極３，４のいずれか１つに接続されている。
【００２７】
端子２４は、端子２３が接続される垂直転送電極４を除く９つの垂直転送電極３，４のうち、端子２３が接続される垂直転送電極４下方の電荷転送チャネル２８の領域と第一の不純物領域２１との間の電荷転送チャネル２８の領域上方にある垂直転送電極３，４と、第一の不純物領域２１とに接続されている。尚、図４の一番左側にある垂直転送電極３に端子２３が接続された構成のとき、つまり、端子２３が接続される垂直転送電極下方の電荷転送チャネル２８の領域と第一の不純物領域２１との間の電荷転送チャネル２８の領域上方に垂直転送電極がない場合、端子２４は第一の不純物領域２１にのみ接続される。
【００２８】
端子２５は、端子２３が接続される垂直転送電極４を除く９つの垂直転送電極３，４のうち、端子２３が接続される垂直転送電極４下方の電荷転送チャネル２８の領域と第二の不純物領域２２との間の電荷転送チャネル２８の領域上方にある垂直転送電極３，４と、第二の不純物領域２２とに接続されている。尚、図４の一番右側にある垂直転送電極４に端子２３が接続された構成のとき、つまり、端子２３が接続される垂直転送電極下方の電荷転送チャネル２８の領域と第二の不純物領域２２との間の電荷転送チャネル２８の領域上方に垂直転送電極がない場合、端子２５は第二の不純物領域２２にのみ接続される。
【００２９】
以上のように、固体撮像素子検査用素子２０は、ダミーの光電変換素子１と、ダミーのＶＣＣＤ２と、第一の不純物領域２１と、第二の不純物領域２２と、端子２３，２４，２５とを備える構成である。
【００３０】
以上のように構成された固体撮像素子検査用素子２０は、図７に示したような単一のＭＯＳトランジスタと実質的に同じような機能を有するため、従来と同じような方法で、端子２３に接続される垂直転送電極４下方の電荷転送チャネル２８の領域（ここが固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域となる）のポテンシャルを測定することができる。具体的には、固体撮像素子検査用素子２０と検査機器を接続し、端子２４には定電圧を印加し、端子２５には定電流を印加し、端子２３にはスイープ電圧（周波数が可変の電圧）を印加する。そして、端子２３に印加する電圧の周波数を段階的に変えていったときの端子２５の電圧を測定することにより、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域のポテンシャルを測定する。
【００３１】
固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域は、固体撮像素子１０の１つの垂直転送電極４下方の電荷転送チャネルの領域（以下、素子検査領域という）と同じ構成である。素子検査領域の周囲には、ＶＣＣＤ２や光電変換素子１が存在する。このため、上述したように、素子検査領域のポテンシャルは、周囲の素子からの拡散による影響を受ける。これに対し、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域は、固体撮像素子１０の一部と同じ構成のダミーのＶＣＣＤ２の電荷転送チャネルの一部の領域であり、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域の周囲には、ダミーのＶＣＣＤ２やダミーの光電変換素子１が存在する。このため、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域のポテンシャルも、周囲の素子からの拡散による影響を受ける。素子検査領域の周囲の素子構造と、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域の周囲の素子構造とは全く同じであるため、これら拡散による影響もほぼ同じとなり、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域のポテンシャルと素子検査領域のポテンシャルはほぼ一致する。したがって、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域のポテンシャルを用いることで、固体撮像素子１０の検査を精度良く行うことができる。
【００３２】
尚、固体撮像素子検査用素子２０には、固体撮像素子１０の光電変換素子１及びＶＣＣＤ２周辺には存在しない第一の不純物領域２１と第二の不純物領域２２が存在する。第一の不純物領域２１と第二の不純物領域２２が固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域の近くにあると、この領域のポテンシャルがこれらの影響を受けてしまい、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域のポテンシャルと素子検査領域のポテンシャルとのずれが大きくなる。このため、このずれをなくせるよう、第一の不純物領域２１と第二の不純物領域２２との間の距離は２０μｍ以上にすることが好ましい。又、同様の理由から、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域の位置（即ち、端子２３が接続される垂直転送電極の位置）も、第一の不純物領域２１と第二の不純物領域２２からなるべく離れた位置にすることが好ましく、例えば、電荷転送チャネル２８上方の１０個の垂直転送電極のうち、第一の不純物領域２１と第二の不純物領域２２のそれぞれから最も離れた位置にあるものに端子２３を接続することが好ましい。
【００３３】
又、以上の説明では、固体撮像素子検査用素子２０に６つのダミーのＶＣＣＤ２が含まれているが、ダミーのＶＣＣＤ２は少なくとも１つあれば、周辺素子による拡散の影響を十分に考慮したポテンシャル値を得ることが可能である。勿論、ダミーのＶＣＣＤ２が多ければ多い程、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域のポテンシャルと素子検査領域のポテンシャルとの差を小さくすることができる。ダミーの光電変換素子１の数やダミーのＶＣＣＤ２の数は、固体撮像素子チップ１００のサイズと検査精度とを考慮して最適な数を設定すれば良い。又、ダミーの光電変換素子１を省略しても、周辺素子による拡散の影響をある程度は考慮することができる。
【００３４】
又、ダミーのＶＣＣＤ２には、少なくとも複数の垂直転送電極が含まれている必要がある。１つの垂直転送電極しか含んでいない場合は、固体撮像素子検査用素子２０の構成が図７に示したものと同様になってしまい、課題が解決できないためである。
【００３５】
又、以上の説明では、固体撮像素子検査用素子２０に端子を３つしか設けていないが、図５に示すように、端子２４は第一の不純物領域２１のみに接続し、端子２５は第二の不純物領域２２のみに接続し、電荷転送チャネル２８上方の１０個の垂直転送電極３，４の各々には、１つずつ端子２３を接続した構成としても良い。このような構成にした場合には、次のように検査を行う。
【００３６】
まず、固体撮像素子検査用素子２０と検査機器を接続する。次に、図５に示す１０個の垂直転送電極３，４のうちのいずれかを選択し、選択した垂直転送電極下方の電荷転送チャネル２８の領域を検査対象領域とする。
【００３７】
次に、検査対象領域と第一の不純物領域２１との間の電荷転送チャネル２８上方に垂直転送電極がある場合、検査対象領域と第一の不純物領域２１との間の電荷転送チャネル２８上方の垂直転送電極に接続される端子２３と、端子２４とに同じ定電圧を印加する。一方、検査対象領域と第一の不純物領域２１との間の電荷転送チャネル２８上方に垂直転送電極がない場合、つまり、上記選択した垂直転送電極が図５の一番左にある垂直転送電極３であった場合、端子２４にのみ定電圧を印加する。
【００３８】
次に、検査対象領域と第二の不純物領域２２との間の電荷転送チャネル２８上方に垂直転送電極がある場合、検査対象領域と第二の不純物領域２２との間の電荷転送チャネル２８上方の垂直転送電極に接続される端子２３と、端子２５とに同じ定電流を印加する。一方、検査対象領域と第二の不純物領域２２との間の電荷転送チャネル２８上方に垂直転送電極がない場合、つまり、上記選択した垂直転送電極が図５の一番右にある垂直転送電極４であった場合、端子２５にのみ定電流を印加する。
【００３９】
次に、上記選択した垂直転送電極に接続された端子２３にスイープ電圧を印加する。そして、上記選択した垂直転送電極に接続された端子２３に印加する電圧の周波数を段階的に変えていったときの端子２５の電圧を測定することにより、固体撮像素子検査用素子２０の検査対象領域のポテンシャルを測定する。
【００４０】
このように、固体撮像素子検査用素子が図４のような構成になっていなくても、検査機器側で各端子の接続関係を変えることで、図４に示す構成の固体撮像素子検査用素子と同様に、検査対象領域のポテンシャルを測定することができる。図５のような構成にした場合には、検査対象領域を自由に設定することができる利点がある。又、図４のような構成にした場合には、端子数を減らすことができる利点がある。
【００４１】
又、以上の説明では、固体撮像素子１０と固体撮像素子検査用素子２０が、チップ化された半導体基板に形成されているものとしたが、固体撮像素子検査用素子２０は、１つの固体撮像素子チップ１００に１つ設けておく必要はない。例えば、固体撮像素子チップ１００をチップ化する前の１つのウェハに対して、そのウェハに固体撮像素子検査用素子２０を１つ形成しておくだけでも、そのウェハから得られる多数の固体撮像素子チップ１００の各々の検査をすることは可能である。
【００４２】
又、以上の説明では、固体撮像素子１０が、光電変換素子１をハニカム配列にしたものとしたが、光電変換素子１の配列はこれに限らず、公知のものを採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子チップの概略構成を示す平面模式図
【図２】図１に示す固体撮像素子の概略構成を模式的に示す平面図
【図３】図１に示す固体撮像素子検査用素子の概略構成を模式的に示す平面図
【図４】図３に示すＡ−Ａ線の断面模式図
【図５】図３に示す固体撮像素子検査用素子の変形例を示す図
【図６】従来の電荷転送部の断面の概略構成を模式的に示す図
【図７】従来のＣＣＤ検査用素子として利用されるＭＯＳトランジスタの断面の概略構成を模式的に示した図
【符号の説明】
【００４４】
１００  固体撮像素子チップ
１０  ＣＣＤ型固体撮像素子
２０  固体撮像素子検査用素子
１  光電変換素子
２  垂直電荷転送部
垂直転送電極
５  水平電荷転送部
６  出力アンプ
２１  第一の不純物領域
２２  第二の不純物領域
２３，２４，２５  端子
２６  ｎ型シリコン基板
２７  ｐウェル層
２８  電荷転送チャネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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