(57)【要約】【課題】ＥＡ変調器の結晶多層構造において、アンドープ層へＺｎ拡散を抑制する。【解決手段】アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側ガイド層１０４とｐ型ＩｎＰクラッド層１０５との間に、ＩｎＧａＡｌＡｓ層２０１を３０ｎｍ程度導入する。【選択図】図２
2007201072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰ基板上に、Ａｌを含有するアンドープの活性層と、亜鉛を含有する化合物半導体層とを有する化合物半導体積層体からなる半導体光素子であって、
前記Ａｌを含有するアンドープの活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間にＩｎＧａＡｌＡｓ層が積層されている
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記ＩｎＰ基板は、ｎ型、もしくは半絶縁型のＩｎＰ基板である
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項３】
請求項１において、
前記ＩｎＧａＡｌＡｓ層は、ｐ型にドーピングされている
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体光素子であって、
半導体電界吸収型変調器、半導体マッハツェンダー型変調器、又はこれらのいずれかを集積したものである
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体光素子を搭載した半導体素子モジュール。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体素子モジュールを搭載した光送信用モジュール、または光送受信モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の、光送信用モジュール、または光送受信モジュールを搭載した、光伝送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝送速度が２．５Ｇｂｉｔ／ｓ以上である基幹系光伝送の主要部品の一つである半導体光素子に関わり、特にその特性実現のために半導体結晶へのドーピング濃度制御が主要な設計パラメータである光変調器に関する技術である。その技術分野は光変調器を搭載した光通信用半導体レーザモジュール、光送信モジュール、光伝送装置および光通信システムに及ぶ。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術について、２ｋｍ光伝送用の伝送速度４０Ｇｂｉｔ／ｓ波長１．５５μｍ帯リッジ導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザの例を用いて説明する。
【０００３】
４０Ｇｂｉｔ／ｓ半導体電界吸収型変調器集積レーザ（以下、ＥＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）変調器集積レーザ）は、一定電流により駆動させるＤＦＢレーザ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ｆｅｅｄｂａｃｋ  ｌａｓｅｒ）部と、変調電圧により動作させるＥＡ変調器部により構成されている。ＥＡ変調器とは、ＥＡ変調器部に電圧を印加することにより生じる量子閉じ込めシュタルク効果を利用して、ＥＡ変調器部活性層吸収端をシフトさせることにより、ＤＦＢレーザの光をオン・オフするＥＡ変調器である（非特許文献１参照）。
【０００４】
このＥＡ変調器集積レーザの作製方法について以下に説明する。このＥＡ変調器は、例えば、「Ｎ．Ｓａｓａｄａ，  ｅｔ．ａｌ．，  “１．５５−μｍ  ４０−Ｇｂｉｔ／ｓ  ｅｌｅｃｔｒｏ−ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ＤＦＢ  ｌａｓｅｒ  ｍｏｄｕｌｅｓ  ｆｏｒ  ｖｅｒｙ  ｓｈｏｒｔ  ｒｅａｃｈ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ”，  ＯＥＣＣ  ２００５，  ６Ｆ２−１．」に代表されるような、ＥＡ変調器集積レーザである。
【０００５】
図１２は、かかる電界吸収型変調器集積レーザの上面図である。図１３は、リッジ型光導波路光軸方向（図１２のａ−ａ’）断面図である。図１４は、ＥＡ変調器部メサ垂直方向（図１２のｂ−ｂ’）断面図である。
【０００６】
図１２に示すように、ｎ−ＩｎＰ半導体基板１００上にＥＡ変調器部分の結晶成長として、有機金属気相法を用いた公知の選択成長法によりｎ型ＩｎＰバッファ層１０１、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層１０２、活性層であるＩｎＧａＡｓＰ井戸層と障壁層からなるアンドープ歪多重量子井戸層１０３、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層１０４、及び４×１０１７ｃｍ−３程度のｐ型ＩｎＰキャップ層１０５を形成する。
【０００７】
次にプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を形成したのち、ＥＡ変調器部となる領域にＳＩｎ膜にパターニングを施し、このＳｉＮ膜をマスクとして、ドライエッチング、及びウェットエッチングにて、ＥＡ変調器部となる領域以外のＥＡ変調器多層構造を除去する。
【０００８】
次に第二回目の結晶成長として、ＥＡ変調器領域以外に有機金属気相法を用いて、レーザの多層成長である、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層１０６、ＩｎＧａＡｓＰ井戸層と障壁層からなる量子井戸活性層１０７、ＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層１０８、ＩｎＰスペーサ層１０９、及び回折格子層１１０を順次形成する。このとき、ＥＡ変調器とレーザ部は公知のバットジョイント技術により光学的に接続されている。
【０００９】
さらに、ＥＡ変調器領域以外のＥＡ変調器多層を除去した手順と同様のプロセスにて、ＥＡ変調器領域とレーザ領域との間に、パッシブな光導波路部となるＩｎＧａＡｓＰ層１１１を結晶成長する。この時も、ＥＡ変調器とパッシブ導波路、及びレーザ部は公知のバットジョイント技術により光学的に接続されている。
【００１０】
次に、レーザ部となる領域の回折格子層１１０に、フォトリソグラフを用いた干渉露光法により、半導体回折格子層に回折格子を形成し、さらに、ＥＡ変調器とパッシブ導波路、及びレーザ部上に、クラッド層となる６×１０１７ｃｍ−３程度のｐ型ＩｎＰクラッド層１１２、コンタクト層であるｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層１１３とｐ型ＩｎＧａＡｓ層１１４、及びｐ型ＩｎＰキャップ層を結晶成長する。このｐ型ＩｎＰキャップ層は途中工程で除去されるものであり、最終構造には残らない。ここで、ｐ型のドーパントには、Ｚｎを用いている。このｐ−ＩｎＰクラッド層にドーピングされたＺｎは、結晶成長時の熱の影響等により、ＥＡ変調器領域において、その下のアンドープ層であるＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層に拡散する。このことは、ＳＩＭＳ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｉｏｎ  ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析にて判明している。
【００１１】
その後、ＥＡ変調器からパッシブ導波路、及びレーザ部に渡って、リッジ型光導波路を、ウェットエッチングにて作製し、パッシベーション膜形成１１５、ポリイミド樹脂１１６塗布、及びエッチバックにより、光導波路の脇をポリイミドにて埋めこみ、スルーホール工程にて、ｐ側電極１１７をＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）蒸着法、及びイオンミリングにより形成する。そして、裏面研磨工程にて、ｎ型ＩｎＰ基板を約１００μｍ程度まで研磨し、ｎ側電極を形成１１８、電極アロイ処理を施し、ウエハ工程が完了する。
【００１２】
続いてウエハを分割して、素子前端面に無反射コート、後端面に高反射率コートを施す。こうして電界吸収型変調器集積レーザが作成される。
【００１３】
４０Ｇｂｉｔ／ｓにて動作する光変調器においては、その高速動作のためｆ３ｄＢ帯域を少なくとも３５ＧＨｚ以上確保する必要があり、１０Ｇｂｉｔ／ｓのＥＡ変調器の寄生容量が約０．５ｐＦであるのに対し、０．１〜０．２ｐＦ程度に容量を低減しなければならない。このため、ここで示した４０Ｇｂｉｔ／ｓのＥＡ変調器は、変調器長を１００μｍと１０Ｇｂｉｔ／ｓＥＡ変調器より短く設計し、ｐ型ドーパントの光導波路横方向への拡散を防ぐため、１０Ｇｂｉｔ／ｓ  のＥＡ変調器では良く用いられているＦｅドープＩｎＰ半導体による埋めこみを行わず、樹脂による導波路埋めこむリッジ導波路構造を採用し、低容量化を実現している。
【００１４】
さらに、ＥＡ変調器部の容量は、その多層構造におけるアンドープ層厚に反比例することが知られており、アンドープ層厚を厚くするほど、ＥＡ変調器の容量が低減可能となる。本例において具体的には、アンドープ層である活性層、及びＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層の厚さの合計から、クラッド層からＺｎが拡散してｐ型になった厚さを差し引いた値がアンドープ層の厚さとなる。ただし、アンドープ層である活性層、あるいは上側ガイド層を厚くすると、ｆ３ｄＢ特性は向上するものの、アンドープ層にかかる電界強度が低下するため、変調器活性層内のホールが量子井戸内から掃き出されない、いわゆるパイルアップ現象が発生したり、光ファイバ伝送時の重量なパラメータである消光特性、及びチャープ特性が悪化する。
【００１５】
このため、アンドープ層厚を十分に確保しつつ、活性層を含むアンドープ層に十分な電界を印加させることが必要となり、理想的には、アンドープ層から急激に８×１０１７ｃｍ−３程度のｐドーピング層となる構造が望ましい。
【００１６】
ところが、アンドープ層に十分な電界を印加するために添加したＩｎＰクラッド層におけるＺｎが、アンドープ層の活性層方向に拡散する、という現象が生じ、アンドープ層をｐ型に変えてしまうだけでなく、ドーピングプロファイルも、本来電界強度確保のために目標とする急峻なものから、除々にｐ型に変化するプロファイルとなる。こういった事情から、従来の技術では、アンドープ層への過剰なＺｎの拡散を抑制するため、アンドープ層直上のｐ−ＩｎＰ層濃度は４〜６×１０１７ｃｍ−３に抑えている。
【００１７】
【非特許文献１】Ｍ．Ａｏｋｉ，  ｅｔ．ａｌ．  ，”Ｈｉｇｈ−ｓｐｅｅｄ（１０Ｇｂｉｔ／ｓ）  ａｎｄ  ｌｏｗ−ｄｒｉｖｅ−ｖｏｌｔａｇｅ（１Ｖ  ｐｅａｋ  ｔｏ  ｐｅａｋ）  ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ  ＭＱＷ  ｅｌｅｃｔｒｏ−ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ＤＦＢ  ｌａｓｅｒ  ｗｉｔｈ  ｓｅｍｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｂｕｒｉｅｄ  ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，”  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．  Ｌｅｔｔ．，  ｖｏｌ．２８，  ｐｐ．  １１５７−１１５８，  １９９２．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
従来の技術で説明したように、ＥＡ変調器の低容量化設計を行っているが、歩留、及びＦＥＣ（ｆｏｒｗａｒｄ  ｅｒｒｏｒ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）対応のビットレートである４３Ｇｂｉｔ／ｓ動作を考えた場合等の、さらなるｆ３ｄＢ帯域を含めた特性の改善が必要である。
【００１９】
一方、ＥＡ変調器上に結晶成長されたｐ型ＩｎＰ層クラッド層はドーパントにＺｎを使用しており、結晶成長時の熱の影響により、このｐ−ＩｎＰクラッド層にドーピングされたＺｎは、その下のアンドープ層であるＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層に拡散することが、ＳＩＭＳ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｉｏｎ  ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析にて判明している。
【００２０】
この拡散があるため、帯域特性を決めるアンドープ層厚確保のため、アンドープ層直上のｐ−ＩｎＰ層濃度を４×１０１７ｃｍ−３程度に抑えている。
【００２１】
一方、パイルアップ耐力、消光特性、及びチャープ特性確保のためには、アンドープ層直上のｐ−ＩｎＰ層は６×１０１７〜１×１０１８ｃｍ−３程度のドーピングとし、アンドープ層から急激にドーピング濃度が上がるプロファイルが望ましい。
【００２２】
したがって、このアンドープ層へのＺｎ拡散が、ＥＡ変調器の主要特性であるｆ３ｄＢ帯域、及び消光特性に大きく影響するため、このＺｎ拡散量の制御が本デバイスの帯域向上も含めた特性改善の課題となっている。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
ｐ型クラッド層からアンドープ上側ガイド層へのＺｎ拡散を抑制、制御することができれば、前述の課題であるｆ３ｄＢ帯域、及び消光特性の安定化が可能となる。Ｚｎ拡散を抑制するためには、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側ガイド層とｐ型ＩｎＰクラッド層との間に、ＩｎＧａＡｌＡｓ層を導入することで可能となる。発明者らは、ＥＡ変調器集積レーザの試作において、ｐ型クラッド層濃度、及び多重量子井戸層が同じで、ＩｎＧａＡｌＡｓ層がある場合と無い場合について特性を比較した結果、ＩｎＧａＡｌＡｓ層がある場合の方が、ＥＡ変調器の容量が小さく、ｆ３ｄＢ帯域が大きく且つ、消光比特性が小さいという結果を得た。
【００２４】
これは、ＩｎＧａＡｌＡｓ層がある構造の場合、ｐ型クラッド層からアンドープ上側ガイド層へのＺｎ拡散が、ＩｎＧａＡｌＡｓ層により抑制されていることを示す。さらに、ＳＩＭＳ分析により、結晶積層方向のＺｎ濃度プロファイルを評価した結果においても、ｐ型クラッド層からアンドープ上側ガイド層へのＺｎ拡散を比較した結果、ＩｎＧａＡｌＡｓ層ある場合は、ＩｎＧａＡｌＡｓ層なしの場合と比較して、１×１０１７ｃｍ−３以上のＺｎ濃度で比較した場合、約２０ｎｍ程度ＺｎがアンドープＩｎＧａＡｓＰ上側ガイド層方向へ拡散が小さく抑制されていることが確認された。これは、化合物半導体中においては飽和濃度が高い順にＺｎの拡散速度が遅いため、ＩｎＰよりＩｎＧａＡｌＡｓの方がＺｎの拡散速度が遅いという性質に起因する。
【００２５】
したがって、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側ガイド層とｐ型ＩｎＰクラッド層との間に、ＩｎＧａＡｌＡｓ層を導入することでアンドープ層へのＺｎ拡散抑制が可能となり、ｆ３ｄＢ帯域、及び消光特性の安定化等の特性向上が可能となる。
【００２６】
なお、ＩｎＧａＡｌＡｓ層は、キャリヤ濃度１〜１０×１０１７ｃｍ−３、組成波長０．９２〜１．４μｍ、厚さ１０〜５０ｎｍとするのが望ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明により、ＥＡ変調器部の結晶多層構造におけるアンドープ層へのＺｎ拡散抑制性を向上することが可能となり、ＥＡ変調器の広帯域化、及び主要特性の安定化の実現が可能となる。つまり、本発明を適用した光素子を用いることにより、光通信の主要部品である半導体レーザモジュール、及び光送信モジュールの広帯域化、高速化が低コストで実現可能となり、大容量光ネットワークの構築が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
＜実施例１＞
実施例について、従来の技術と同様に２ｋｍ光伝送用の伝送速度４０Ｇｂｉｔ／ｓ波長１．５５μｍ帯リッジ導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザの例を用いて説明する。
【００２９】
図１〜３は、本実施形態の４０Ｇｂｉｔ／ｓ  ＥＡ変調器集積レーザを示す。図１は素子上面図、図２は素子光軸方向断面（図１のｃ−ｃ’断面）、図３は、ＥＡ変調器部メサ垂直方向断面図（図１のｄ−ｄ’断面図）を示している。
【００３０】
まず、このＥＡ変調器集積レーザの作製方法について以下に説明する。
【００３１】
ｎ−ＩｎＰ半導体基板１００上に、ＥＡ変調器部分の結晶成長として、有機金属気相法を用いた公知の選択成長法によりＩｎＰバッファ層１０１、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層１０２、活性層であるＩｎＧａＡｌＡｓ井戸層と障壁層からなるアンドープ量子井戸層１０３、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層１０４、ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層２０１、及び６×１０１７ｃｍ−３のｐ型ＩｎＰキャップ層１０５を形成する。
【００３２】
ここで、従来の技術と異なり、６×１０１７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｌＡｓ層２０１を３０ｎｍ成長することにより、これ以降の工程で結晶成長を行う、ｐ−ＩｎＰクラッド層１１１からの拡散を防止する。
【００３３】
これ以降は、従来技術での説明と同様に、レーザ多層、及びパッシブ導波路の集積化をバットジョイント技術により行い、レーザ部となる領域の半導体に、フォトリソグラフを用いた干渉露光法により、半導体回折格子層に回折格子を形成する。
【００３４】
さらに、ＥＡ変調器とパッシブ導波路、及びレーザ部上に同時に、８×１０１７ｃｍ−３のｐ型ＩｎＰクラッド層１１１、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層１１２、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１３、及びｐ型ＩｎＰキャップ層を結晶成長する。
【００３５】
ここで、ｐ型のドーパントには、Ｚｎを用いている。このｐ−ＩｎＰキャップ層１０５、及びｐ−ＩｎＰクラッド層１１１にドーピングされたＺｎは、成長時の熱の影響があるのも関わらず、その下の拡散防止層であるＩｎＧａＡｌＡｓ層２０１にて拡散が抑制され、その下のアンドープ上側光ガイド層へのＺｎ拡散が抑制されている。このことは、ＳＩＭＳ分析にて確認された。
【００３６】
その後は、従来の技術と同様の工程を経て、４０Ｇｂｉｔ／ｓ  ＥＡ変調器集積レーザが完成した。
【００３７】
本実施例の４０Ｇｂｉｔ／ｓ  ＥＡ変調器集積レーザにおいては、ＥＡ変調器部分の導波路にＺｎ拡散を防止するためのＩｎＧａＡｌＡｓ層３０ｎｍを挿入しているため、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側ガイド層へのＺｎ拡散が抑制される。このため、アンドープ層厚をロット毎にばらつきことなく、所望の厚さに制御が可能となり、ＥＡ変調器部の容量が低減可能となる。
【００３８】
本実施例のようにＩｎＧａＡｌＡｓ層を挿入した場合、挿入しないロットと比較して、ＥＡ変調器容量が約０．０５ｐＦ程度の低減が確認されており、ｆ３ｄＢ帯域を４０−４５ＧＨｚ得ることが可能である。
【００３９】
さらに、消光費特性においても、ＩｎＧａＡｌＡｓ層挿入により、ｐ型ＩｎＰキャップ層１０５及びｐ型ＩｎＰクラッド層１１１の濃度をそれぞれ６×１０１７ｃｍ−３及び８×１０１７ｃｍ−３としているため、従来より活性層にかかる電界強度が強くなり、消光特性、チャープ特性、及びパイルアップ耐力特性を向上することが可能である。
【００４０】
本実施例はＩｎＧａＡｌＡｓ層の厚さを３０ｎｍとしたが、これに限定されない。ｐ−ＩｎＰクラッド層からの拡散が抑制することができれば、３０ｎｍよりも薄い厚さでも同様の効果が得られる。ただし、薄すぎると量子効果の原因になるし、厚すぎるとホールが溜まりやすくなるので、１０〜５０ｎｍの範囲であるのが望ましい。
【００４１】
＜実施例２＞
実施例１は、ＥＡ変調器とＤＦＢレーザが同一ＩｎＰ基板上に集積された構造で説明したが、本願発明は、ＥＡ変調器単体の場合にも適用することができる。
【００４２】
図４に、その構成を示す。図４（Ａ）は、上面図である。図４（Ｂ）は、ｅ−ｅ’断面図である。
【００４３】
実施例１で述べたように、ＥＡ変調器単体においても、本発明の要点であるＩｎＧａＡｌＡｓ層挿入の効果は同様に得ることができる。
【００４４】
＜実施例３＞
本実施例について、１０Ｇｂｉｔ／ｓ光伝送用波長１．５５μｍ帯リッジ導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザの例を用いて説明する。
【００４５】
図５は、本実施例における電界吸収型変調器集積レーザのＥＡ変調器メサ垂直断面図である。なお、上面図は実施例１の図１と同等であるため省略する。
【００４６】
本実施例は、文献「Ｓ．  Ｍａｋｉｎｏ，  “Ｗｉｄｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｒａｎｇｅ  （０  ｔｏ  ８５  °Ｃ），  ４０−ｋｍ  ＳＭＦ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｏｆ  ａ  １．５５−ｍｍ，  １０Ｇｂｉｔ／ｓ  ＩｎＧａＡｌＡｓ  Ｅｌｅｃｔｒｏａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ＤＦＢ  Ｌａｓｅｒ，”  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｆｉｂｅｒ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  （ＯＦＣ’０５），  ２００５，  Ｐｏｓｔｄｅａｄｌｉｎｅ−ｐａｐｅｒ，  ＰＤＰ１４．」で示すような、広温度範囲にて動作するＥＡ変調器における例である。
【００４７】
ｎ−ＩｎＰ半導体基板３００上にＥＡ変調器部分の結晶成長として、有機金属気相法を用いた公知の選択成長法によりｎ型ＩｎＰバッファ層３０１、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層３０２、ＩｎＧａＡｌＡｓ井戸層と障壁層からなるアンドープ量子井戸活性層３０３、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層３０４、６×１０１７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍのｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層３０５、及び６×１０１７ｃｍ−３にドーピングしたｐ型ＩｎＰキャップ層３０６を形成する。
【００４８】
ここでも、６×１０１７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｌＡｓ層を３０ｎｍ成長することにより、これ以降の工程で結晶成長を行う、ｐ−ＩｎＰクラッド層３０７からの拡散を防止する。
【００４９】
次にプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を形成したのち、ＥＡ変調器部となる領域にＳｉＮ膜にパターニングを施し、このＳｉＮ膜をマスクとして、ウェットエッチング等にて、ＥＡ変調器部となる領域以外のＥＡ変調器多層構造を除去する。
【００５０】
このエッチング方法は、ドライエッチングであっても、本発明の効果を損なうものではない。これ以降は、実施例１と同様に、レーザ多層、及びパッシブ導波路の集積化をバットジョイント技術により行い、レーザ部となる領域の半導体に、フォトリソグラフを用いた干渉露光法により、半導体回折格子層に回折格子を形成する。
【００５１】
これ以降も実施例１と同様に、ＥＡ変調器とパッシブ導波路、及びレーザ部上に同時に、８×１０１７ｃｍ−３のｐ型ＩｎＰクラッド層３０７、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３０８、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３０９、及びｐ型ＩｎＰキャップ層を結晶成長を行い、リッジ導波路形成、電極形成等を施す。
【００５２】
ここで、ｐ型ＩｎＰキャップ層３０６、及びｐ−ＩｎＰクラッド層３０７にドーピングされたＺｎは、その下の拡散防止層であるＩｎＧａＡｌＡｓ層３０５にて拡散が抑制され、その下のアンドープ上側光ガイド層へのＺｎ拡散が抑制されている。
【００５３】
このため、アンドープ層厚をロット毎にばらつきことなく、所望の厚さに制御が可能となり、ＥＡ変調器部の容量が低減可能となる。
【００５４】
本実施例のようにＩｎＧａＡｌＡｓ層を挿入した場合、挿入しないロットと比較して、ＥＡ変調器容量が約０．０５ｐＦ程度の低減が確認されており、ｆ３ｄＢ帯域もＩｎＧａＡｌＡｓ層を適用したロットにおいては、１５−１８ＧＨｚと良好であった。さらに、、アンドープ層上のｐドーピング濃度を従来より上げることができるため、活性層にかかる電界強度が強くなり、消光特性、チャープ特性、及びパイルアップ耐力特性を向上することが可能である。
【００５５】
本デバイスを用いた場合、レーザ温度が０〜８０℃の範囲において良好な４０ｋｍの光ファイバ伝送結果が確認された。
【００５６】
本実施例においても、ＥＡ変調器とＤＦＢレーザが集積された光源の例にて説明しているが、ＥＡ変調器単体の場合においても、本発明の効果が得られることは言うまでも無い。
【００５７】
＜実施例４＞
本実施例について、１０Ｇｂｉｔ／ｓ光伝送用波長１．５５μｍ帯Ｆｅ埋込み導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザの例を用いて説明する。
【００５８】
図６は、Ｆｅ埋め込み導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザのＥＡ変調器メサ垂直方向の断面図である。なお、上面図は実施例１の図１とほぼ同等であるため省略する。
【００５９】
まず、このＥＡ変調器集積レーザの作製方法について以下に説明する。実施例１と同様にｎ−ＩｎＰ半導体基板１００上にＥＡ変調器部分の結晶成長として、有機金属気相法を用いた公知の選択成長法によりＩｎＰバッファ層４００、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層４０１、ＩｎＧａＡｌＡｓ井戸層と障壁層からなるアンドープ量子井戸活性層４０２、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層４０３、６×１０１７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍ  ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層４０４  ３０ｎｍ、及び６×１０１７ｃｍ−３のｐ型ＩｎＰキャップ層４０５を形成する。
【００６０】
これ以降も、実施例１と同様に、レーザ多層、及びパッシブ導波路の集積化をバットジョイント技術により行い、レーザ部となる領域の半導体に、フォトリソグラフを用いた干渉露光法により、半導体回折格子層に回折格子を形成する。
【００６１】
さらに、ＥＡ変調器とパッシブ導波路、及びレーザ部上に同時に、８〜１０×１０１７ｃｍ−３のｐ型ＩｎＰクラッド層４０６、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０７、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４０８、及びｐ型ＩｎＰキャップ層を結晶成長する。
【００６２】
その後、ＥＡ変調器からパッシブ導波路、及びレーザ部に渡って、メサストライプ状ＳｉＯ２膜パターンを形成し、このＳｉＯ２膜をマスクとしてメサストライプ状の光導波路を、ＩＣＰエッチャー等を用いたドライエッチング、及びウェットエッチングにて形成する。
【００６３】
さらに、ＳｉＯ２膜マスクを利用して、ＦｅドープＩｎＰ結晶にて埋め込み成長を、ＭＯＣＶＤ法にて行いメサストライプ状光導波路の両脇にＦｅ−ＩｎＰ埋め込み層４０９を形成する。このとき、光導波路の半導体として、酸化しやすいＩｎＧａＡｌＡｓ層を具備しているため、光導波路のエッチング、及びＦｅ−ＩｎＰの再成長時にＡｌ酸化膜を除去するような処理、例えばＦｅ−ＩｎＰ埋め込み成長前の塩素添加処理等が、素子信頼性確保のために必要である。
【００６４】
続いて、パッシベーション膜４１０を形成し、これ以降は従来の技術と同様の作製工程を経て、Ｆｅ埋め込み導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザが得られる。
【００６５】
ここで、ｐ−ＩｎＰクラッド層にドーピングされたＺｎは、その下の拡散防止層であるＩｎＧａＡｌＡｓ層４０４にて拡散が抑制され、その下のアンドープ上側光ガイド層へのＺｎ拡散が抑制されている。このため、アンドープ層厚をロット毎にばらつきことなく、所望の厚さに制御が可能となり、ＥＡ変調器部の容量が低減可能となる。
【００６６】
本実施例は、Ａｌ系材料をメサストライプにて形成しているため、Ｆｅ−ＩｎＰにて埋め込み成長するまでのプロセスが、実施例１、あるいは２より技術を要するが、Ｆｅ−ＩｎＰ層にて光導波路を埋め込み保護することにより、光導波路が物理的に強くなる為、信頼性の点で利点となりうる可能性がある。
【００６７】
一般にＦｅ−ＩｎＰ埋め込み再成長は、５００−６００℃程度の温度にて、数十分以上の成長を行うため、ｐ−ＩｎＰクラッド層からアンドープ上側光ガイド層へのＺｎ拡散が多く生じる。しかしながら、本発明のＩｎＧａＡｌＡｓ層導入により、このようにＺｎ拡散が生じ易い条件においても、ＩｎＧａＡｌＡｓ層がない場合と比較して、Ｚｎ拡散を抑制することが可能となる。
【００６８】
＜実施例５＞
本発明を半導体光素子モジュールに適用した例について、図７を用いて説明する。
【００６９】
実施例１で述べた、４０Ｇｂｉｔ／  ｓ光伝送用ＥＡ変調器集積レーザ５０１において、終端抵抗が付いて高周波設計がなされたチップキャリア５０２に搭載する。
【００７０】
続いて、ペルチェ基板５０３、レンズ５０４、モニタフォトダイオード５０５、サーミスタ５０６、アイソレータ５０７、及び光ファイバ５０８を同一パッケージに実装する。
【００７１】
半導体光素子モジュールの重要な特性であるｆ３ｄＢ帯域については、本モジュールの高周波設計が良好であることから、ＥＡ変調器集積レーザのｆ３ｄＢ帯域が、ほぼそのまま素子モジュールのｆ３ｄＢ帯域となる。
【００７２】
本発明を適用して作製したＥＡ変調器集積レーザを用いた場合、ＩｎＧａＡｌＡｓ層導入による、上側ガイド層等のアンドープ層にｐ型のドーパンとであるＺｎが拡散することなく、低容量な変調器を安定して作製することができる。
【００７３】
このためこれを搭載した素子モジュールでは、４０−４５ＧＨｚのｆ３ｄＢ帯域特性がえられた。このため、光波形もＩＴＵ−Ｔ規格のマスクに対するマージンが大きい良好なアイパターンとなった。
【００７４】
本実施例のような部品構成ではなく、例えば温度調整機能を有しないＣＡＮ型のパッケージに実装した場合においても、ｆ３ｄＢ、消光比特性が得られ、同様の効果が得られる。
【００７５】
＜実施例６＞
実施例５で示した、本発明を適用した光送信モジュールを、光伝送装置、もしくはルータ等に組み込むことにより、特性の安定した信頼度の高い光伝送装置が実現できる。
【００７６】
＜実施例７＞
本発明を、１０Ｇｂｉｔ／ｓ光伝送用波長１．５５μｍ帯マッハツェンダー型光変調器に応用した場合について、図８を用いて説明する。
【００７７】
図８（Ａ）は、上面図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のｆ−ｆ’方向断面図である。
【００７８】
本デバイスは、例えば文献「Ｈ．Ｓａｎｏ，  “Ｈｉｇｈ−ｓｐｅｅｄ  ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ  ＭＱＷ  Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ−ｔｙｐｅ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ”，  ＯＦＣ／ＩＯＯＣ  ’９３，  ＴｈＫ５，  Ｓａｎ  Ｊｏｓｅ，  ＣＡ，  Ｆｅｂ．  １９９３．」に代表されるものである。
【００７９】
ｎ−ＩｎＰ基板７００に５×１０１８ｃｍ−３にｎドープしたＩｎＡｌＡｓ層７０１を結晶成長し、続いて、６ｎｍのアンドープＩｎＧａＡｓ井戸層と６ｎｍのアンドープＩｎＡｌＡｓ障壁層の２０周期からなる多重量子井戸層７０２を作製する。
【００８０】
次に、６×１０１７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍのｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層７０３を３０ｎｍ積層し、８×１０１７ｃｍ−３にＺｎにてｐドープされたＩｎＡｌＡｓクラッド層７０４を１．５μｍ、及びｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７０５を結晶成長する。
【００８１】
その後、シリコン酸化膜をマスクに用いたドライエッチング等で、図８に示すマッハツェンダー型変調器の光導波路７０６を加工し、パッシベーション膜７０７、ポリイミド樹脂７０８による埋め込み、及び電極形成を行い、素子が完成する。
【００８２】
本変調器においても、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層７０３の効果により、１０Ｇ光伝送に十分な帯域を確保することが可能となる。
【００８３】
＜実施例８＞
本発明を、１０Ｇｂｉｔ／ｓ光伝送用波長１．５５μｍ帯方向性結合器に応用した場合について、図９を用いて説明する。
【００８４】
図９（Ａ）は、上面図である。図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のｇ−ｇ’方向断面図である。
【００８５】
本デバイスは、例えば文献「Ｊ．Ｅ．Ｚｕｃｋｅｒ，  “Ｃｏｍｐａｃｔ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ  ｃｏｕｐｌｅｒ  ｓｗｉｔｃｈｅｓ  ｕｓｉｎｇ  ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｒｅｆｒａｃｔｔｉｏｎ”．  ＡＰＰｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  ５５  （２２），  ２７  Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  １９８９」「Ｓｈｉｇｅｒｕ  Ｎａｋａｇａｗａ，  “Ｃｏｍｐａｃｔ  １０Ｇｂｐｓ  ＩｎＰ−Ｂａｓｅｄ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ  ”，ＩＱＥＣ  ａｎｄ  ＣＬＥＯ／ＰＲ  ２００５，  ＣＷＪ１−５−ＩＮＶ，  Ｊａｐａｎ，    Ｊｕｌ．  ２００５．」などを基本構造とし、ｎ−ＩｎＰ基板上にＡｌ系ＭＱＷを用いた光素子の例である。
【００８６】
ｎ−ＩｎＰ基板８００に５×１０１８ｃｍ−３にｎドープしたＩｎＰ層８０１を結晶成長し、続いて、アンドープＩｎＧａＡｌＡｓを用いた１０周期からなる多重量子井戸層８０２を作製する。次に、６×１０１７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍのｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層８０３を３０ｎｍ積層し、８×１０１７ｃｍ−３にＺｎにてｐドープされたＩｎＰクラッド層８０４を１．５μｍ、及びｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層８０５を結晶成長する。
【００８７】
その後、シリコン酸化膜をマスクに用いたドライエッチング等で、図９に示す方向性結合器の光導波路８０６を加工し、パッシベーション膜８０７、ポリイミド樹脂８０８による埋め込み、及び電極形成を行い、素子が完成する。
【００８８】
この方向性結合器においても、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層８０３の効果により、ｐ−ＩｎＰクラッド層からアンドープの多重量子井戸層へのＺｎ拡散が抑制できる。このため、アンドープ層に十分な電界強度をかけることができ、１０Ｇ光伝送に十分な消光特性、及び帯域を確保することが可能となる。
【００８９】
本実施例では、ｎ−ＩｎＰ基板を用いた例で説明したが、例えばＦｅをドープした半絶縁性の基板にて、デバイスを作製した場合においても、多重量子井戸層より上の構造が同等である場合は、同様の効果が得られる。
【００９０】
＜実施例９＞
本実施例について、光伝送用の伝送速度４０Ｇｂｉｔ／ｓ半導体インピーダンス制御型電極構造を用いた電界吸収型変調器の例を用いて説明する。
【００９１】
図１０（Ａ）は、上面図である。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のａ−ａ’断面図である。
【００９２】
４０Ｇｂｉｔ／ｓ半導体電界吸収型変調器（以下、ＥＡ（ｅｌｅｃｔｒｏ−ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）変調器）は、従来の技術１で述べたＥＡ変調器と光をオン・オフする原理は同一である。
【００９３】
本実施例は、変調器への高周波電界を印加する方式が異なり、例えば、「Ｍ．ｓｈｉｒａｉ，  ｅｔ．ａｌ．  Ｐｒｏｃ．  ２８ｔｈ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ    Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ    ｏｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ    Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  （ＥＣＯＣ２００２），  ９．５．４      ，“ＩＭＰＥＤＡＮＣＥ−ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＤ−ＥＬＥＣＴＲＯＤＥ（ＩＣＥ）  ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ  ＭＯＤＵＲＡＴＯＲＳ  ＦＯＲ  １．３−μｍ−４０−Ｇｂｉｔ／ｓ  ＴＲＡＮＣＥＩＶＥＲＳ  ”．」に代表されるような、インピーダンス制御型電極構造を用いた、ＥＡ変調器である。
【００９４】
インピーダンス制御型電極構造とは、マイクロ波の進行方向を、光の進行方向とを一致させることにより、変調器全体のＣＲ時定数が動作周波数を制限しなくなるため、より高速動作を実現するものである。
【００９５】
本素子は、ＦｅドープＩｎＰ半導体基板９０１上に有機金属気相法を用いて、ｎ−ＩｎＰバッファ層９０２を形成し、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層９０３、ＩｎＧａＡｌＡｓ井戸層と障壁層からなるアンドープ量子井戸活性層９０４、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層９０５、６×１０１７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍ  ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層９０６  ３０ｎｍ、及び６×１０１７ｃｍ−３のｐ型ＩｎＰキャップ層９０７を形成する。
【００９６】
続いて、ＥＡ変調器光導波路９０８となる領域にマスクを形成して、これ以外の領域の活性層を、ドライエッチングで除去する。
【００９７】
その後、洗浄処理等を施し、ＥＡ変調器導波路前後にパッシブ光導波路９０９を形成するため、有機金属気相法にて、ＩｎＧａＡｓＰ層を含むパッシブ光導波路層９１０を形成し、ＥＡ変調器部活性層９０４と光学的に連続となるようにバットジョイント接続を行う。
【００９８】
次にｐ−ＩｎＰクラッド層９１１、及びコンタクト層９１２を結晶成長工程にて形成し、ハイインピーダンス線路部９１３における半導体結晶をｎ−ＩｎＰバッファ層９０２までエッチングにて完全に除去し、Ｆｅ−ＩｎＰ基板を露出させる。続いてＥＡ変調器部光導波路９０８とパッシブ光導波路９０９で構成された２μｍ幅の光導波路をドライエッチングにて形成する。さらに、本デバイスではｐ型、及びｎ型電極の両方を素子表面からとる構造であるため、ｎ電極９１４形成領域におけるＦｅ−ＩｎＰ埋め込み層をドライエッチングで除去し、ｎ−ＩｎＰバッファ層を露出させる。
【００９９】
その後、パッシベーション膜９１５形成、スルーホール形成、及びハイインピーダンス線路部９１３とＥＡ変調器部光導波路９０８直上部からなるｐ型電極９１６、及びｎ型電極９１４形成を経て、図１０に示すような、インピーダンス制御型ＥＡ変調器が得られる。
【０１００】
ここで、ハイインピーダンス線路部９１３は、ドライバＩＣとのインピーダンス整合を考慮して、導波路幅、及びグランドであるｎ型電極までの距離が最適化されている。
【０１０１】
図１１に示すように、上記素子９２０を高周波設計がなされたチップキャリア９２１に搭載し、終端抵抗含む高周波基板９２２、ペルチェ９２３、レンズ９２４、及び入出力光ファイバ９２５を同一パッケージに実装することにより、半導体素子モジュールが構成される。
【０１０２】
また、このモジュールには、ＥＡ変調器を駆動するためのドライバＩＣ９２６も内蔵されている。これは、ドライバＩＣからＥＡ変調器までの距離を短くすることで、ドライバＩＣ出力振幅を極力減衰させることなくＥＡ変調器に伝えるためである。しかし、ドライバＩＣ出力振幅が十分であれば、ドライバＩＣを内蔵する必要は無く、同様の効果が期待される。
【０１０３】
このＥＡ変調器モジュールに搭載された、ＥＡ変調器は、ＥＡ変調器部分の導波路にＺｎ拡散を防止するためのＩｎＧａＡｌＡｓ層３０ｎｍを挿入しているため、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側ガイド層へのＺｎ拡散が抑制される。このため、アンドープ層厚をロット毎にばらつきことなく、所望の厚さに制御が可能となり、ＥＡ変調器部の容量が低減可能となり、実施例１に示すような効果が得られる。
【０１０４】
本実施例では、ＥＡ変調器単体について記載したが、ＤＦＢレーザと集積した、インピーダンス制御型ＥＡ変調器集積レーザにおいても、同様の効果が得られる。
このＥＡ変調器と、ペルチェ、レンズ、光ファイバ、及び変調器駆動用ドライバＩＣを同一パッケージに実装することにより、ＥＡ変調器光素子モジュールが構成される。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明による実施例１を説明した素子上面図
【図２】本発明による実施例１を説明した素子光軸方向断面図
【図３】本発明による実施例１を説明したＥＡ変調器部メサ垂直方向断面図
【図４】本発明による実施例２を説明した素子上面図、及びＥＡ変調器部メサ垂直方向断面図
【図５】本発明による実施例３を説明したＥＡ変調器部メサ垂直方向断面図
【図６】本発明による実施例４を説明したＥＡ変調器部メサ垂直方向断面図
【図７】本発明による実施例５を説明した素子断面図
【図８】本発明による実施例７を説明した素子断面図
【図９】本発明による実施例８を説明した素子断面図
【図１０】本発明による実施例９を説明した素子断面図、及び上面図
【図１１】本発明による実施例９を説明した半導体素子モジュール図
【図１２】従来の技術を説明した素子上面図
【図１３】従来の技術を説明した素子リッジ型光導波路光軸方向断面図
【図１４】従来の技術を説明したＥＡ変調器部メサ垂直方向断面図
【符号の説明】
【０１０６】
１００…ｎ−ＩｎＰ基板、１０１…ｎ型ＩｎＰバッファ層、１０２…ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層、１０３…量子井戸活性層、１０４…ＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層、１０５…ｐ型ＩｎＰキャップ層、１０６…レーザ部ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層、１０７…レーザ部量子井戸層、１０８…レーザ部ＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層、１０９…ＩｎＰスペーサ層、１１０…回折格子層、１１１…光導波路部ＩｎＧａＡｓＰ層、１１２…ｐ型ＩｎＰクラッド層、１１３…ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、１１４…ＩｎＧａＡｓコンタクト層、１１５…パッシベーション膜、１１６…ポリイミド樹脂、１１７…ｐ側電極、１１８…ｎ側電極、
２０１…ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層、
３０１…ｎ型ＩｎＰバッファ層、３０２…ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層、３０３…アンドープ量子井戸活性層、３０４…ＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層、３０５…ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層、３０６…ｐ型ＩｎＰキャップ層、３０７…ｐ型ＩｎＰクラッド層、３０８…ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、３０９…ＩｎＧａＡｓコンタクト層、３１０…パッシベーション膜、３１１…ポリイミド樹脂、３１２…ｐ側電極、３１３…ｎ側電極、
４００…ｎ型ＩｎＰバッファ層、４０１…ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層、４０２…アンドープ量子井戸活性層、４０３…ＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層、４０４…ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層、４０５…ｐ型ＩｎＰキャップ層、４０６…ｐ型ＩｎＰクラッド層、４０７…ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、４０８…ＩｎＧａＡｓコンタクト層、４０９…Ｆｅ−ＩｎＰ埋め込み層、４１０…パッシベーション膜、４１１…ｐ側電極、３１２…ｎ側電極、
５０２…チップキャリア、５０３…ペルチェ基板、５０４…レンズ、５０５…モニタフォトダイオード、５０６…サーミスタ、５０７…アイソレータ、５０８…光ファイバ
７００…ｎ−ＩｎＰ基板、７０１…ｎドープＩｎＡｌＡｓ層、７０２…多重量子井戸層、７０３…ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層、７０４…ｐドープＩｎＡｌＡｓクラッド層、７０５…ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、７０６…マッハツェンダー型変調器の光導波路、７０７…パッシベーション膜、７０８…ポリイミド樹脂、７０９…ｐ側電極、７１０…ｎ側電極
９０１…ＦｅドープＩｎＰ半導体基板、９０２…ｎ−ＩｎＰバッファ層、９０３…ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層、９０４…アンドープ量子井戸活性層、９０５…アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層、９０６…ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層、９０７…ｐ型ＩｎＰキャップ層、９０８…ＥＡ変調器光導波路、９０９…パッシブ光導波路、９１０…パッシブ光導波路層、９１１…ｐ−ＩｎＰクラッド層、９１２…及びコンタクト層、９１３…ハイインピーダンス線路部、９１４…ｎ電極、９１５…パッシベーション膜、９１６…ｐ型電極、９２０…本実施例のＥＡ変調器
９２１…チップキャリア、９２２…高周波基板、９２３…ペルチェ、９２４…レンズ、９２５…入出力光ファイバ、９２６…ドライバＩＣ
【図１】
2007201072.tif 000003
【図２】
2007201072.tif 000004
【図３】
2007201072.tif 000005
【図４】
2007201072.tif 000006
【図５】
2007201072.tif 000007
【図６】
2007201072.tif 000008
【図７】
2007201072.tif 000009
【図８】
2007201072.tif 000010
【図９】
2007201072.tif 000011
【図１０】
2007201072.tif 000012
【図１１】
2007201072.tif 000013
【図１２】
2007201072.tif 000014
【図１３】
2007201072.tif 000015
【図１４】
2007201072.tif 000016