(57)【要約】      （修正有）【課題】露光装備の解像限界を超えてコンタクトホールを形成する際に、ウェハ上の位置に関係なくコンタクトホールの大きさが均一になるパターン形成方法を提供する。【解決手段】半導体素子の微細コンタクトホールを形成する際に、１）半導体基板に形成された被食刻層の上部に化学増幅型のフォトレジスト膜を形成したあと、フォトリソグラフィ工程により第１フォトレジストパターンを形成する段階と、２）前記第１フォトレジストパターンを露光マスクが取り除かれた状態で全面露光したあとベークする段階と、３）前記第１フォトレジストパターンにレジストをフロー工程に適用し、第２フォトレジストパターンを得る。【選択図】図１ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１）半導体基板に形成された被食刻層の上部に、化学増幅型フォトレジスト膜を形成したあとフォトリソグラフィ工程により第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
２）前記第１フォトレジストパターンを露光マスクが取り除かれた状態で全面露光を行ってからベークする段階と、
３）前記第１フォトレジストパターンにレジストフロー工程を適用し、第２フォトレジストパターンを得る段階とを含む半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項２】
段階（２）の露光源は、ＫｒＦ、ＡｒＦ及びＶＵＶからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項３】
段階（２）のベークは、フォトレジストのガラス転移温度未満で行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【請求項４】
段階（３）のレジストフロー工程は、フォトレジストのガラス転移温度以上で行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子の微細パターンの形成方法に関し、より詳しくは露光装備の解像限界を超えて微細フォトレジストパターンを形成することができる半導体素子の微細パターンの形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、露光装備の解像限界を超えてコンタクトホールを形成するためには、コンタクトホールのパターン形成のあとフォトレジストのガラス転移温度以上に加熱し、パターンにフローが生じるようにすることにより本来より小さい大きさのコンタクトホールを形成することになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、この方法を用いる場合、ウェハの中央部分のコンタクトホールの大きさが他の部分に比べ、相対的に小さくなる場合が発生することになる。このように中央部分のコンタクトホールの大きさが他の部分より小さくなれば、結局素子の収率が低くなり生産費用が増加することになるという問題点がある。
【０００４】
本発明は、前記のような従来の半導体素子の製造方法上の問題点を解決するため案出されたものであり、露光装備の解像限界以下の微細パターンを形成するためにパターンをフローさせるとき、ベーク工程の以前にＤＵＶ（Deep Ultraviolet）で露光する段階をさらに実施することにより、ウェハの中央部分のパターンの大きさが他の部分に比べ、小さくなる現象を防ぐことができる方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、
１）半導体基板に形成された被食刻層の上部に、化学増幅型フォトレジスト膜を形成したあとフォトリソグラフィ工程により第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
２）前記第１フォトレジストパターンを露光マスクが取り除かれた状態で全面露光を行ってからベークする段階と、
３）前記第１フォトレジストパターンにレジストフロー工程を適用し、第２フォトレジストパターンを得る段階とを含む半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。
【０００６】
前記で、段階（２）の露光源としては４００ｎｍ以下の波長を有する全ての光源、具体的にはＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）、ＶＵＶ（Vacuum Ultra Violet、１５７ｎｍ）、Ｅ−ビーム、Ｘ−線またはイオンビームなどの光源が用いられることができ、１〜１００ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギーで行われるのが好ましい。この中で、露光源としてはＡｒＦ、ＫｒＦまたはＶＵＶを用いるのが好ましく、ＡｒＦを用いるのがさらに好ましい。さらに、１次ベークはフォトレジストのフローが生じないよう、フォトレジストのガラス転移温度未満で所定時間の間行う。
【０００７】
このとき、ベーク時間は露光によりカルボン酸末端を有することになったフォトレジストのフロー物性が良くなるほどの時間で適宜選択され得る。これは、フォトレジストのベーク温度により変化することがあり、例えば、ガラス転移温度が１５０℃のフォトレジストの場合、１次ベークは１００〜１４９℃で３０〜１２０秒、好ましくは１２０℃の温度で９０秒間行う。このとき、通常の化学増幅型ＡｒＦフォトレジストの場合には酸脱離基を有しており、酸脱離によりカルボン酸末端を有することになる一般的な化学増幅型のフォトレジスト物質であれば何れも使用可能である。好ましくは、開環された無水マレイン酸（ROMA; Ring-Opened Maleic Anhydride）を含んでいる重合体を含むＲＯＭＡ型のフォトレジストを用いるか、メタクリレートまたはアクリレート系重合体を含むフォトレジストを用いることができ、これらと共に環状オレフィン（cycloolefin）と無水マレイン酸の共重合体（ＣＯＭＡ）と前記重合体が混合された形態（hybrid type）のフォトレジストを用いることもできる。前記混合された形態の共重合体には環状オレフィン系の共重合体がさらに含まれていても構わない。本発明の好ましい実施例では、ＲＯＭＡ型のＡｒＦフォトレジストであるＡ５２Ｔ３フォトレジスト（錦湖石油化学社製）を用いた。
【０００８】
前記のようにＤＵＶ光源で第１フォトレジストパターンを再露光したあと加熱することになれば、フォトレジストパターン内の化学増幅型のポジティブフォトレジスト樹脂に含まれている酸に敏感な保護基が脱離し、樹脂内にカルボン酸の成分が非常に多くなることにより、フォトレジストが疎水性から親水性に変化することになる。このように、カルボン酸の量が増加することになればフロー物性が良好になりウェハ全体に亘ってパターンの幅が均一に縮小し、このとき、パターンの均一度の向上はコンタクトホールのパターン形成時にさらに著しくなる。
【０００９】
段階（３）において、レジストフロー工程はフォトレジストのガラス転移温度以上の温度で行われる。例えば、前記化学増幅型ＡｒＦフォトレジストのガラス転移温度が１５０℃の場合、１５０〜１７０℃、好ましくは１５４℃の温度で３０〜１２０秒、好ましくは６０秒間行われる。３０秒以下で行う場合にはフロー量が小さいので大きさが縮小する程度が十分でなく、１２０秒以上行う場合には時間が長すぎて生産性が落ちる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の方法を利用すればフォトレジスト膜の物性を改善させ、フロー工程時ウェハ上の位置に関係なくパターンがフローされる程度を一定に維持させることができるので半導体素子の収率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、実施例により本発明を詳しく説明する。但し、下記の実施例は本発明を例示するためのものだけであり、本発明の内容が下記の実施例により限定されるものではない。
【００１２】
＜参考例＞第１コンタクトホールのパターン形成
図１ａに示すように、半導体基板１１０の上部に、ＡｒＦフォトレジストのＡ５２Ｔ３フォトレジスト（錦湖石油化学社製、ガラス転移温度：１４１℃）を２５０ｎｍの厚さにコーティングしたあと、１１０℃で９０秒間ソフトベークを行った。ソフトベークのあと、ＡｒＦ露光装備であるＸＴ：１４００Ｅ（ＡＳＭＬ社製）を用いて露光したあと、再度１１０℃で９０秒間ポストベークを行った。ポストベークのあと、２.３５％ＴＭＡＨ（Tetramethyl Ammonium Hydroxide）現像液で現像して第１コンタクトホールパターン１２０を得た。得られたコンタクトホールの大きさをウェハの左側部分から右側部分に移動しながら９ポイントを測定した結果、コンタクトホールは１００〜１０５ｎｍ範囲の大きさを見せた（図３の●）。
【００１３】
＜実施例＞再露光の後、第２コンタクトホールのパターン形成
図２ａ，図２ｂに示すように、前記参考例から得られた第１コンタクトホールのパターン２２０を、ＡｒＦ露光装備を用いて別途の露光マスクなく全領域を再露光したあと、１２０℃で９０秒間ベークした。前記ウェハを再び１５４℃で６０秒間ベークしてコンタクトホールのパターンをフローさせることにより、第２コンタクトホールのパターン２２０’を得た。得られたコンタクトホールの大きさをウェハの左側部分から右側部分に移動しながら９ポイントを測定した結果、第２コンタクトホールの大きさは６４〜６８ｎｍ範囲であった（図３の■）。即ち、前記参考例の第１コンタクトホールに比べ、平均的に約４０ｎｍ程の小さいコンタクトホールのパターンを得ており、このとき、ウェハ上の位置に関係なく均一な大きさを表わした。
【００１４】
＜比較例＞再露光なく第２’コンタクトホールのパターン形成
図１ｂに示すように、前記参考例から得られた第１コンタクトホールのパターン１２０を別途の再露光工程なく１５４℃で６０秒間ベークし、コンタクトホールのパターンをフローさせることにより第２’コンタクトホールのパターン１２０’を得た。得られたコンタクトホールの大きさをウェハの左側部分から右側部分に移動しながら９ポイントを測定した結果、第２’コンタクトホールの大きさは４９〜６１ｎｍ範囲であった（図３の▲）。しかし、前記実施例の場合とは異なり、ウェハの中央部位の場合、コンタクトホールの大きさが４９ｎｍに表われ、他の８箇所の部位より約１０ｎｍ以上小さく形成されることを確認した。
【００１５】
なお、本発明について、好ましい実施の形態を基に説明したが、これらの実施の形態は、例示を目的として開示したものであり、当業者であれば本発明に係る技術思想の範囲内で多様な改良、変更、付加等が可能である。このような改良、変更等も、特許請求の範囲に記載した本発明の技術的範囲に属することは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１ａ】レジストフロー工程を行う前の第１フォトレジストパターンのコンタクトホールの大きさを示す断面図である。
【図１ｂ】第１フォトレジストパターンの再露光なくレジストフロー工程を行った後のコンタクトホールの大きさの変化を示す断面図である。
【図２ａ】レジストフロー工程を行う前の第１フォトレジストパターンのコンタクトホールの大きさを示す断面図である。
【図２ｂ】第１フォトレジストパターンの再露光後、レジストフロー工程を行った後のコンタクトホールの大きさの変化を示す断面図である。
【図３】レジストパターンフロー前後のコンタクトホールの大きさの変化を見せているグラフである。
【符号の説明】
【００１７】
１１０、２１０  半導体基板
１２０、２２０  第１フォトレジストパターン
１２０’、２２０’  第２フォトレジストパターン
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３】
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