(57)【要約】【課題】  ソルダーレジスト層にクラック等が発生しにくく、ヒゲ状物が形成されず、不良製品となりにくい半導体装置を提供すること。【解決手段】  第１の面にボンディングパッドが形成され、前記第１の面に対向する第２の面にソルダーレジスト層とハンダバンプとが形成された基板と、接着層を介して前記基板に接着された半導体チップと、前記半導体チップに形成されたパッド部と前記基板に形成されたボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、前記半導体チップ及び前記ワイヤを封止する樹脂パッケージ部とを備えた半導体装置であって、前記基板の第２の面の周縁部分には、前記ソルダーレジスト層非形成部が存在することを特徴とする半導体装置。【選択図】    図１
2007019275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１の面に半導体チップを搭載した半導体装置であって、
前記基板の第１の面に対向する第２の面に、周縁部を除いてソルダーレジスト層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の面にボンディングパッドが形成され、前記第１の面に対向する第２の面にソルダーレジスト層とハンダバンプとが形成された基板と、
接着層を介して前記基板の第１の面に接着された半導体チップと、
前記半導体チップに形成されたパッド部と前記基板に形成されたボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、
前記半導体チップ及び前記ワイヤを封止する樹脂パッケージ部とを備えた半導体装置であって、
前記基板の第２の面の周縁部分には、前記ソルダーレジスト層非形成部が存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の面にボンディングパッドが形成され、前記第１の面に対向する第２の面にソルダーレジスト層とハンダバンプ用パッドとが形成された基板であって、
前記第２の面の周縁部分には、前記ソルダーレジスト層非形成部が存在することを特徴とする基板。
【請求項４】
複数の半導体装置が大判状の基板及び該大判状の基板上に形成された樹脂パッケージ部を介して連続的に繋がった状態の半導体装置集合体を製造した後、ダイサーにより個々の半導体装置に切断、分割することにより請求項２記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記大判状の基板の製造過程において、第２の面にソルダーレジスト層を形成する際、個々の半導体装置を構成する基板の境界部分に、切断の際に使用するダイサーの幅よりも広い幅のソルダーレジスト層非形成部を形成するソルダーレジスト層形成工程と、
前記ダイサーにより個々の半導体装置に切断、分割する際、両側に前記ソルダーレジスト層非形成部が残るように、前記ダイサーを用いて切断を行い、個々の半導体装置に分割する分割工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置、基板及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線板等に半導体装置を実装する技術として、プリント配線板等に半導体装置を直接ハンダ付けする表面実装技術が広く用いられており、半導体装置やプリント配線板等の小型化、実装密度の向上等が図られている。
【０００３】
表面実装技術に用いられる半導体装置としては、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＢＧＡ（Ball Grid array）、ＬＧＡ（Land grid array）等の半導体装置が採用されているが、なかでも、ＢＧＡ型半導体装置やＬＧＡ型半導体装置によれば、半導体装置の表面に多数の外部端子（ランドや半田バンプ等）を配置することができるため、半導体装置やプリント配線板等のさらなる小型化、実装密度の向上等が可能になる。
【０００４】
図４は、このようなＢＧＡ型の半導体装置を模式的に示す断面図である。
この半導体装置１００は、上面にボンディングパッド１２が形成され、下面にソルダーレジスト層３３とハンダバンプ１４とが形成された基板３１と、接着層１５を介して基板３１に接着された半導体チップ１６と、半導体チップ１６に形成されたパッド部１６ａと基板３１に形成されたボンディングパッド１２とを電気的に接続するワイヤ１７と、半導体チップ１６及びワイヤ１７を封止する樹脂パッケージ部１８とを備えている。
【０００５】
この半導体装置１００をさらに詳しく説明すると、基板３１を構成する絶縁性基板１１ｚは、ガラスクロス等で補強された樹脂製の絶縁性基板１１ｚが主に用いられており、その両面に、導体として銅等を用いた回路１１ａ、１１ｂが形成されている。また、絶縁性基板１１ｚの回路１１ａ、１１ｂが形成された部分には、ビアホール１１ｃが形成され、両面に形成された回路１１ａ、１１ｂ間の導通が図られている。
【０００６】
上面の回路１１ａを含む部分は、樹脂層１９により被覆されるとともに、その一部は露出し、露出部には、ワイヤボンディングのためのボンディングパッド１２が形成されている。また、下面の回路１１ｂは、ソルダーレジスト層３３により被覆されるとともに、その一部は露出し、露出部分にパッド部１４ａが形成され、このパット部１４ａ上にハンダバンプ１４が形成されている。
【０００７】
基板３１の中央部分には、樹脂又はハンダにより形成された接着層１５を介して半導体チップ１６が接着されており、上述のように、半導体チップ１６に形成されたパッド部１６ａと基板１１に形成されたボンディングパッド１２とがワイヤ１７により電気的に接続されている。
【０００８】
そして、これら半導体チップ１６、ワイヤ１７等を封止するために、基板３１の上面全体に、所定の厚さの樹脂パッケージ部１８が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
図５（ａ）〜（ｅ）は、このような半導体装置を製造する工程を模式的に示した断面図である。
このような半導体装置を製造する際には、上面にワイヤボンディングのためのボンディングパッド１２が形成され、下面にハンダバンプ用のパッド部１４ａが形成された大判基板３１０（基板の集合体）の複数の箇所に、接着用樹脂からなる接着用ペースト層を形成し、半導体チップ１６を、接着用ペースト層上に載置し、硬化させることにより、接着層１５を介して半導体チップ１６を大判状基板３１０に接着した後、ワイヤを用いてワイヤボンディングを行い、樹脂による封止を行うことにより、図５（ａ）に示すように、複数の半導体装置１００が大判状基板３１０及び大判状基板３１０上に形成された樹脂パッケージ部１８０を介して連続的に繋がった状態の半導体装置集合体２００を製造する。
【００１０】
なお、大判状基板３１０は、大判状絶縁基板１１０ｚに回路１１ａ、１１ｂ及びビアホール１１ｃを形成し、続いて樹脂層１９、ソルダーレジスト層３３を形成し、回路を一部露出させてボンディングパッド１２やパッド部１４ａを形成することにより製造するが、通常、樹脂層１９、ソルダーレジスト層３３は、上面、下面とも、大判状基板３１０の全面に連続的に形成する。
【００１１】
次に、図５（ｂ）に示すように、ハンダバンプ用のパッド部１４ａが形成された側が上になるように、この半導体装置集合体２００を反転し、ハンダボールをハンダバンプ用のパッド部１４ａに載置し、リフローすることにより、ハンダバンプ１４を形成する。
【００１２】
次に、図５（ｃ）に示すように、分割後の各半導体装置２００がばらばらにならないように、半導体装置集合体２００の下側に、粘着テープ３５を貼着する。
この後、図５（ｄ）に示すように、ダイサー２２を用いて各半導体装置１００に切断し、図５（ｅ）に示すように、吸着装置２３等を用い、個々の半導体装置１００に分割し、種々の試験等を行った後、製品とする。
【００１３】
【特許文献１】特開平１１−２０４５４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、図５（ｄ）に示したダイサー２２を用いた切断処理により、半導体装置集合体２００を分割する際、ソルダーレジスト層３３の切断部分から外側に伸びるヒゲ状物３２が形成されてしまうという問題があった。ヒゲ状物３２が形成されてしまうとパーティクル等が発生しやすく、このヒゲ状物３２を加工処理等を施すことより取り除こうとすると、加工費用がかかってしまうという問題があった。
【００１５】
また、ソルダーレジスト層３３を切断しようとする際、ソルダーレジスト層３３が下の層から剥がれたり、ソルダーレジスト層３３にクラックが入り易いという問題もあった。
【００１６】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ソルダーレジスト層にクラック等が発生しにくく、ヒゲ状物が形成されず、不良製品となりにくい半導体装置、基板、及び、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上述した課題を解決するために、本発明は、以下のようなものを提供する。
（１）基板の第１の面に半導体チップを搭載した半導体装置であって、
前記基板の第１の面に対向する第２の面に、周縁部を除いてソルダーレジスト層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【００１８】
（１）の発明に係る半導体装置によれば、上記基板の第２の面の周縁部分には、ソルダーレジスト層が形成されていないソルダーレジスト層非形成部が存在するため、半導体装置製造時に、半導体装置集合体をダイサーにより機械的に切断し、個々の半導体装置に分割しても、ソルダーレジスト層を切断することはない。従って、ソルダーレジスト層にヒゲ状物が発生したり、ソルダーレジスト層に剥がれやクラックが発生しにくく、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１９】
また、本発明は、以下のようなものを提供する。
（２）第１の面にボンディングパッドが形成され、上記第１の面に対向する第２の面にソルダーレジスト層とハンダバンプとが形成された基板と、接着層を介して上記基板に接着された半導体チップと、上記半導体チップに形成されたパッド部と上記基板に形成されたボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、上記半導体チップ及びワイヤを封止する樹脂パッケージ部とを備えた半導体装置であって、
上記基板の第２の面の周縁部分には、上記ソルダーレジスト層非形成部が存在することを特徴とする半導体装置。
【００２０】
（２）の発明に係る半導体装置によれば、上記基板の第２の面の周縁部分には、上記ソルダーレジスト層非形成部が存在するため、半導体装置製造時に、半導体装置集合体をダイサーにより機械的に切断し、個々の半導体装置に分割しても、ソルダーレジスト層を切断することはない。従って、ソルダーレジスト層にヒゲ状物が発生したり、ソルダーレジスト層に剥がれやクラックが発生しにくく、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００２１】
また、本発明は、以下のようなものを提供する。
（３）第１の面にボンディングパッドが形成され、上記第１の面に対向する第２の面にソルダーレジスト層とハンダバンプ用パッドとが形成された基板であって、
上記第２の面の周縁部分には、上記ソルダーレジスト層非形成部が存在することを特徴とする基板。
【００２２】
（３）の発明に係る基板よれば、上記基板の第２の面の周縁部分には、上記ソルダーレジスト層非形成部が存在するため、半導体装置製造時に、半導体装置集合体をダイサーにより機械的に切断し、個々の半導体装置に分割しても、ソルダーレジスト層を切断することはない。従って、ソルダーレジスト層にヒゲ状物が発生したり、ソルダーレジスト層に剥がれやクラックが発生しにくく、本発明の基板を用いた半導体装置は、信頼性の高い半導体装置となる。
【００２３】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（４）複数の半導体装置が大判状の基板及び該大判状の基板上に形成された樹脂パッケージ部を介して連続的に繋がった状態の半導体装置集合体を製造した後、ダイサーにより個々の半導体装置に切断、分割することにより上記（２）記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
上記大判状の基板の製造過程において、第２の面にソルダーレジスト層を形成する際、個々の半導体装置を構成する基板の境界部分に、切断の際に使用するダイサーの幅よりも広い幅のソルダーレジスト層非形成部を形成するソルダーレジスト層形成工程と、
上記ダイサーにより個々の半導体装置に切断、分割する際、両側に上記ソルダーレジスト層非形成部が残るように、上記ダイサーを用いて切断を行い、個々の半導体装置に分割する分割工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２４】
（４）の発明によれば、ソルダーレジスト層形成工程において、個々の半導体装置を構成する基板の境界部分に、切断の際に使用するダイサーの幅よりも広い幅のソルダーレジスト層非形成部を形成するので、ダイサーにより個々の半導体装置に切断、分離しても、ソルダーレジスト層を切断することはなく、ソルダーレジストの切断に伴なうクラック等が発生しにくく、また、ソルダーレジストの切断によるヒゲ状物も形成されない。従って、クラック等の発生に伴なう不良製品の発生や、ヒゲ状物の形成に伴なうパーティクルの発生等を防止することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体装置及び基板によれば、上記基板の第２の面の周縁部分には、上記ソルダーレジスト層非形成部が存在し、これによりソルダーレジスト層の端面は、ダイサーにより機械的に切断されることはない。従って、ソルダーレジスト層に剥がれやクラックが発生しにくく、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、ダイサーにより個々の半導体装置に切断、分離しても、ソルダーレジスト層を切断することはなく、ソルダーレジストの切断に伴うクラック等が発生しにくく、また、ソルダーレジストの切断によるヒゲ状物も形成されない。従って、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
まず、（１）の発明に係る半導体装置について説明する。
（１）の発明に係る半導体装置は、基板の第１の面に半導体チップを搭載した半導体装置であって、
前記基板の第１の面に対向する第２の面に、周縁部を除いてソルダーレジスト層が形成されていることを特徴とする。
【００２７】
（１）の発明に係る半導体装置は、基板の第１の面に半導体チップが搭載され、上記基板の第２の面にソルダーレジスト層が形成された半導体装置であれば、特に限定されるものではなく、下記する（２）の発明に係る半導体装置であってもよく、フリップチップボンディング等、ワイヤボンディング以外の方法で半導体チップと基板上の回路との接続がなされているものであってもよい。また、基板は、ガラス繊維を含浸した樹脂基板の両側に一段又は多段に回路を形成したものであってよく、金属基板に樹脂等を用いて絶縁層を形成したものであってもよい。
【００２８】
（１）の発明に係る半導体装置は、基板の集合体である大判状基板に複数の半導体チップを搭載し、種々の処理を施すことにより半導体装置集合体を製造した後、ダイサーを用いて切断することにより製造されたものであることが望ましい。
【００２９】
上記半導体装置では、上記基板の第２の面の周縁部分に、ソルダーレジスト層が形成されていないソルダーレジスト層非形成部が存在するため、上記方法により半導体装置を製造する際、半導体装置集合体をダイサーにより機械的に切断し、個々の半導体装置に分割しても、ソルダーレジスト層を切断することはない。従って、ソルダーレジスト層にヒゲ状物が発生したり、ソルダーレジスト層に剥がれやクラックが発生しにくく、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００３０】
次に、（２）の発明に係る半導体装置の一例について図面を用いて説明する。
図１（ａ）は、（２）の発明に係る半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【００３１】
この半導体装置１０は、上面（第１の面）にボンディングパッド１２が形成され、上面（第１の面）に対向する面である下面（第２の面）にソルダーレジスト層１３とハンダバンプ１４とが形成された基板１１と、接着層１５を介して基板１１に接着された半導体チップ１６と、半導体チップ１６に形成されたパッド部１６ａと基板１１に形成されたボンディングパッド１２とを電気的に接続するワイヤ１７と、半導体チップ１６及びワイヤ１７を封止する樹脂パッケージ部１８とを備えており、基板１１の下面の周縁部分には、ソルダーレジスト層非形成部２１が存在している。
【００３２】
ソルダーレジスト層非形成部２１の幅は、特に限定されるものではなく、少しでもソルダーレジスト層非形成部２１が存在すれば、ソルダーレジスト層がダイサーにより切断されていない半導体装置となるが、切断時の誤差等を考慮すると、ソルダーレジスト層非形成部２１の幅は、ダイサーの幅の０．５〜１０倍が望ましい。
ダイサーで切断する際、ダイサーの幅の部分は、切削加工により切削されてしまうと考えると、切断時の大判状基板に形成すべきソルダーレジスト層非形成部２１０の幅は、上記の場合、ダイサーの幅の２〜２１倍となるが、そのような幅に設定することが望ましい。
【００３３】
大判状基板に形成すべきソルダーレジスト層非形成部の幅を上記範囲に設定しておけば、後述するように、半導体装置集合体をダイサーにより機械的に切断する際、誤差が発生することを考えても、ソルダーレジスト層を切断することなく、半導体装置集合体を分割することができる。従って、ソルダーレジスト層にヒゲ状物が発生したり、ソルダーレジスト層に剥がれやクラックが発生することはない。
【００３４】
基板１１を構成する絶縁性基板１１ｚは、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂からなるものである。なお、絶縁性基板としては、絶縁性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、これらの樹脂にガラス繊維等の補強材を含浸したもの、セラミック等からなる基板を挙げることができる。
【００３５】
この絶縁性基板１１ｚの両面には、導体として銅等を用いた回路１１ａ、１１ｂが形成されている。また、回路１１ａ、１１ｂが形成された部分には、ビアホール１１ｃが形成され、両面に形成された回路１１ａ、１１ｂ間の導通が図られている。ビアホール１１ｃは、絶縁性基板１１ｚに穿設された貫通孔の壁面に無電解メッキや電解メッキ等によって金属薄膜が形成され、さらに該貫通孔に充填材が充填されたものである。
上記充填材としては、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂充填材等の絶縁性充填材であってもよく、金属充填材等の導電性充填材であってもよい。
【００３６】
上面の回路１１ａは、樹脂層１９により被覆されるとともに、その一部は露出し、露出部には、メッキ等が施され、ワイヤボンディングのためのボンディングパッド１２となっている。下面の回路１１ｂは、ソルダーレジスト層１３により被覆されるとともに、その一部は露出し、露出部にハンダバンプ１４のためのパッド部１４ａが形成され、パット部１４ａにハンダバンプ１４が形成されている。なお、樹脂層１９は、ソルダーレジスト層であってもよい。
基板１１の下面の周縁部分には、ソルダーレジスト層非形成部（ソルダーレジスト層が形成されていない部分）２１が存在している。
【００３７】
本実施形態では、予めパット部１４ａに半田バンプ１４が形成されている場合について説明したが、本発明はこの例に限定されず、例えば、実装時に半田ボールや半田ペースト等を用いて直接、プリント基板に実装することとしてもよい。
【００３８】
基板１１の中央部分には、樹脂又はハンダにより形成された接着層１５を介して半導体チップ１６が接着されており、上述のように、半導体チップ１６に形成されたパッド部１６ａと基板１１に形成されたボンディングパッド１２とがワイヤ１７により接続されている。
なお、ハンダにより接着層１５を形成する際には、半導体チップ１６搭載部分の下の絶縁性基板１１にベタの回路を形成して樹脂層１９より露出させ、このベタの回路にハンダからなる接着層を形成し、半導体チップ１６を接着させることが望ましい。
【００３９】
そして、これら半導体チップ１６、ワイヤ１７等を封止するために、基板１１の上面全体に、所定の厚さの樹脂パッケージ部１８が形成されている。樹脂パッケージ部１８は、例えば、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物からなるものである
【００４０】
（２）の発明に係る半導体装置１０によれば、基板１１の第２の面の周縁部分には、ソルダーレジスト層非形成部２１が存在するため、半導体装置製造時に、半導体装置集合体をダイサーにより機械的に切断し、個々の半導体装置に分割しても、ソルダーレジスト層を切断することはない。従って、ソルダーレジスト層にヒゲ状物が発生することはなく、ソルダーレジスト層に剥がれやクラックが発生しにくく、信頼性の高い半導体装置となる。
なお、上記半導体装置では、基板は、絶縁性基板を用いたものであるが、金属性基板を用い、必要な部分に樹脂やソルダーレジストで絶縁したものであってもよい。
【００４１】
次に、本発明の基板について説明する。
本発明の基板は、第１の面にボンディングパッドが形成され、上記第１の面に対向する第２の面にソルダーレジスト層とハンダバンプ用パッドとが形成された基板であって、
上記第２の面の周縁部分には、上記ソルダーレジスト層非形成部が存在することを特徴とする基板である。
【００４２】
本発明の基板は、上述した（２）の発明に係る半導体装置を構成する基板と同様に構成されており、上記（２）の発明に係る半導体装置で半導体装置を構成する基板に関し、詳しく説明を行った。従って、ここでは、基板の詳しい説明を省略することとする。なお、この基板は、後述する半導体装置集合体をダイサーを用いて分割することにより作製されるものである。
【００４３】
本発明の基板は、上述のように構成されているので、半導体装置製造時に、半導体装置集合体をダイサーにより機械的に切断し、個々の半導体装置に分割しても、ソルダーレジスト層を切断することはない。従って、基板を厚生するソルダーレジスト層にヒゲ状物が発生することはなく、ソルダーレジスト層に剥がれやクラックが発生しにくく、本発明の基板を用いた半導体装置は、信頼性の高い半導体装置となる。
【００４４】
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体装置が大判状の基板及び該大判状の基板上に形成された樹脂パッケージ部を介して連続的に繋がった状態の半導体装置集合体を製造した後、ダイサーにより個々の半導体装置に切断、分割することにより（２）の発明に係る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
上記大判状の基板の製造過程において、第２の面にソルダーレジスト層を形成する際、個々の半導体装置を構成する基板の境界部分に、切断の際に使用するダイサーの幅よりも広い幅のソルダーレジスト層非形成部を形成するソルダーレジスト層形成工程と、
上記ダイサーにより個々の半導体装置に切断、分割する際、両側に上記ソルダーレジスト層非形成部が残るように、上記ダイサーを用いて切断を行い、個々の半導体装置に分割する分割工程を有することを特徴とする。
【００４５】
図２（ａ）〜（ｅ）は、このような半導体装置を製造する工程を模式的に示した断面図である。
なお、上記図面では、基板の製造工程は、省略しているが、以下においても、基板の製造工程についても説明することとする。
（Ａ）大判状絶縁性基板１１０ｚを出発材料とし、まず、大判状絶縁性基板１１０ｚの両面に、回路１１ａ、１１ｂを形成する。回路１１ａ、１１ｂは、大判状絶縁基板１１０ｚの両面に無電解メッキを施し、さらに電解メッキを施してベタの金属層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。また、銅張基板にエッチング処理を施すことにより形成してもよい。
【００４６】
なお、大判状絶縁基板１１０ｚとは、絶縁性基板１１ｚの集合体であり、例えば、縦に１０枚、横に５枚の絶縁性基板１１ｚが配置された大面積のものである。なお、大判状絶縁基板１１０ｚを構成する絶縁性基板１１ｚの枚数は、特に限定されるものではなく、生産状況に応じて適宜選択することができる。
本発明では、この大判状絶縁基板１１０ｚを用いて大判状基板１１０を製造し、この後、一度に上述した処理や下記する処理を施すことにより半導体装置集合体２０を製造し、得られた半導体装置集合体２０を分割することにより、半導体装置１０を製造する。従って、一度に多量の半導体装置１０を製造することができる。上記理由から、本発明では、このような大判状基板１１０を用いている。
【００４７】
（Ｂ）次に、大判状絶縁基板１１０ｚの所定の位置に、ドリルやレーザ等により貫通孔を穿設する。続いて、無電解メッキを施し、さらに電解メッキを施すことにより、上記貫通孔の壁面に金属薄膜を形成し、該貫通孔に充填材を充填することにより、ビアホール１１ｃを形成する。上記充填材としては、例えば、樹脂充填材や金属充填材等を挙げることができる。また、ビアホール１１ｃには、蓋メッキを施してもよい。
【００４８】
（Ｃ）次に、大判状絶縁基板１１０ｚの上面に、未硬化の感光性樹脂組成物等をロールコータやカーテンコータ等により塗布したり、フィルム状に成形した感光性樹脂組成物を圧着することにより、樹脂層となる層を形成する。また、大判状絶縁基板１１０ｚの下面にも、未硬化のソルダーレジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着することにより、ソルダーレジスト層となる層を形成する。なお、上面の樹脂層となる層は、ソルダーレジスト層となる層であってもよい。
【００４９】
続いて、上面に関し、樹脂層となる層の所定箇所にレーザ処理や露光現像処理により開口を形成し、露出した箇所にＮｉメッキやＡｕメッキを行うことにより、ボンディングパッド１２を形成し、硬化処理等を施すことにより樹脂層１９とする。また、下面のソルダーレジスト層となる層に対しても同様の処理を行い、パッド部１４ａを形成した後、硬化処理等を施すことにより、最終的なソルダーレジスト層１３とする。
【００５０】
下面にソルダーレジスト層１３を形成する際、レーザ処理や露光現像処理等を施すことにより、大判状基板１１０における個々の基板１１の境界となる部分の両側に、切断の際に使用するダイサーの幅よりも広い幅のソルダーレジスト層非形成部２１０を形成する。すなわち、その部分においては、ソルダーレジスト層１３となる部分を上記方法等により除去し、大判状絶縁性基板１１０が露出するようにする。
このソルダーレジスト層非形成部２１０の幅は、ダイサーの幅の２〜２１倍が望ましい。切断時に誤差等が生じた場合であっても、ソルダーレジスト層１３を切断するおそれがないからである。
上記（Ａ）〜（Ｃ）の工程を経ることにより、図２（ａ）に示す大判状基板１１０を製造する。
【００５１】
（Ｄ）次に、大判状基板１１０の複数の所定の箇所に、例えば接着用樹脂からなる接着用ペースト層を形成し、半導体チップ１６を、接着用ペースト層上に載置し、硬化させることにより、接着層１５を介して半導体チップ１６を大判状基板１１０に接着する。
ハンダを使用した場合には、ハンダペーストを塗布した後、半導体チップ１６を載置し、リフローさせることによりハンダ層からなる接着層１５を介して半導体チップ１６を接着する。
【００５２】
（Ｅ）続いて、半導体チップ１６の上面に設けられたパッド部１６ａと、ボンディングパッド１２とをワイヤ１７を用いてワイヤボンディングする。次に、大判状基板１１０の上面全体を覆うように、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物で樹脂パッケージ部１８０を形成し、図２（ａ）に示す半導体装置集合体２０を製造する。
【００５３】
次に、図２（ａ）で得られた半導体装置集合体２０の上下を逆転させ、パッド部１４ａ上に半田ボールを載置し、上記半田ボールをリフローすることにより、パッド部１４ａ上に半田バンプ１４を形成する（図２（ｂ）参照）。
【００５４】
次に、半導体装置集合体２０がばらばらにならないように、樹脂パッケージ部１８０に粘着テープ３５を貼着し（図２（ｃ）参照）、その状態で、ダイサー２２によるダイシングを行うことにより、個々の半導体装置１０に分割する（図２（ｄ）、図３参照）。
この際、図３に示すように、ダイサーで分割する部分には、ソルダーレジスト層非形成部２１０となっており、ソルダーレジスト層１３は存在しないので、ソルダーレジスト層１３にヒゲ状物等が形成されることはない。
【００５５】
次に、吸着装置２３等を用い、分割された個々の半導体装置１０に分けることにより半導体装置１０を製造する（図２（ｅ）参照）。実際には、この後、種々の試験等を行い、試験等に合格したものを製品とする。
【００５６】
上記半導体装置の製造方法によれば、ソルダーレジスト層形成工程において、個々の半導体装置１０を構成する基板１１の境界部分に、切断の際に使用するダイサーの幅よりも広い幅のソルダーレジスト層非形成部２１０を形成するので、ダイサーにより個々の半導体装置１０に切断、分離しても、ソルダーレジスト層１３を切断することはなく、ソルダーレジスト層１３の切断に伴なうクラック等が発生しにくく、また、ソルダーレジストの切断によるヒゲ状物も形成されない。従って、クラック等の発生に伴なう不良製品の発生や、ヒゲ状物の形成に伴なうパーティクルの発生等を防止することができ、信頼性の高い半導体装置１０を提供することができる。
なお、上記半導体装置の製造方法では、基板として、絶縁性基板を用いたものを使用していたが、金属性基板の必要な部分に樹脂やソルダーレジストで絶縁したものを用いてもよい。
【００５７】
以上、本発明の実施形態に係る半導体装置、基板及び半導体装置製造用基板について説明したが、本発明は、この例に限定されるものではない。
本実施形態においては、絶縁性基板が１層からなるものである場合について説明したが、本発明において、上記絶縁性基板は、複数の板状体が積層されたものであってもよい。また、本実施形態では、半導体装置のパッケージ方式がＢＧＡである場合について説明したが、本発明はこの例に限定されず、例えば、ＬＧＡであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に係る半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の半導体装置の製造方法に係る各工程の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法に係る半導体装置集合体の切断、分割工程の一例を模式的に示す工程図である。
【図４】従来の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、従来の半導体装置の製造方法に係る各工程の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０  半導体装置
１１ｚ    絶縁性基板
１１ａ、１１ｂ  回路
１１ｃ  ビアホール
１２  ボンディングパッド
１３  ソルダーレジスト層
１４  ハンダバンプ
１５  接着層
１６  半導体チップ
１６ａ  パッド部
１７  ワイヤ
１８、１８０  樹脂パッケージ部
２０  半導体装置集合体
２１、２１０  ソルダーレジスト非形成部
２２  ダイサー
２３  吸着装置
１１０ｚ  大判状絶縁性基板
１１０  大判状基板
【図１】
2007019275.tif 000003
【図２】
2007019275.tif 000004
【図３】
2007019275.tif 000005
【図４】
2007019275.tif 000006
【図５】
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