(57)【要約】【課題】順バイアス及び逆バイアス電圧の両方の電圧によって動作する発光素子に好適な発光駆動方法及びこれを用いた有機ＥＬ装置を提供する【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間に位置する発光層と、を有し、上記第１の電極から上記第２の電極へ第１の極性の電荷が移動することで上記発光層が第１の輝度で発光し、上記第２の電極から上記第１の電極へ上記第１の極性と同一の極性の電荷が移動することで上記発光層が上記第１の輝度より大きい第２の輝度で発光する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置する発光層と、を有し、
前記第１の電極から前記第２の電極へ第１の極性の電荷が移動することで前記発光層が第１の輝度で発光し、
前記第２の電極から前記第１の電極へ前記第１の極性と同一の極性の電荷が移動することで前記発光層が前記第１の輝度より大きい第２の輝度で発光することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の輝度で発光する時間を第１の期間、前記第２の輝度で発光する時間を第２の期間とし、前記第１の期間と前記第２の期間との合計を１フレームとするとき、
前記１フレームにおいて、前記第１の期間における前記発光層の発光の有無と、前記第２の期間における前記発光層の発光の有無との組み合わせにより、少なくとも４階調の輝度を表現することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２の輝度が前記第１の輝度の２倍であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第１の電極に接続するトランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極に電圧を印加する走査線と、を有し、
前記走査線が前記ゲート電極に正の電圧と負の電圧を交互に印加することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第２の電極に接続するトランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極に電位を与える走査線と、を有し、
前記走査線が前記ゲート電極に正の電圧と負の電圧を交互に印加することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記正の電圧の印加時間と、前記正の電圧の直前または直後に印加された前記負の電圧の印加時間とが等しいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記第１の電極と前記発光層との間に第１のバッファ層が形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記第２の電極と前記発光層との間に第２のバッファ層が形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
第１の電極から、前記第１の電極と対向する第２の電極へ電荷を移動させる第１の期間において、前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置する発光層を第１の輝度で発光させて第１の階調を表現し、
前記第２の電極から前記第１の電極へ前記電荷を移動させる第２の期間において、前記発光層を前記第１の輝度とは異なる第２の輝度で発光させて第２の階調を表現することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の駆動方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の期間と前記第２の期間の合計を１フレームとしたとき、
前記１フレーム内において４階調を示し、
前記１フレームを複数分割して時間軸上に順次に配置してなるサブフレーム列が１：１：４：４の時間比率であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置）は、陽極と陰極間に有機発光材料を薄膜形成した発光素子を含む構造となっている。両電極から注入された電子と正孔とが発光層内で再結合し、励起したエネルギが発光として放出される。この発光素子の発光寿命及び輝度の低下の原因の一つとして内部に存在する不純物イオンの拡散や蓄積がある。
【０００３】
そこで、例えば、特開平９−２９３５８８号公報、特開２００４−１１４５０６号公報に開示されているように、有機ＥＬ装置を交流駆動することが試みられている。交流駆動することで有機化合物層に極性の異なる電圧が交互に印加され、発光素子内部における電荷及び不純物イオンの蓄積や不純物イオンにより発生した内部電界が緩和されるために、発光寿命及び輝度の低下を抑えることができるというものである。
【特許文献１】特開平９−２９３５８８号公報
【特許文献２】特開２００４−１１４５０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、交流駆動により有機ＥＬ装置を駆動する場合において、発光素子は、通常、陽極、発光層及び陰極からなる一方向性の積層構造を有しているため、陽極側から正の電圧が印加され、陰極側に負の電圧が印加されたとき、すなわち、順バイアス時のみ発光が得られる。従って、交流駆動を用いて逆バイアスが印加されたときには発光素子は発光しないので、実効的な発光時間が短くなるという問題が生じていた。
【０００５】
そこで、出願人は、後述するように、陽極層と発光層との間及び発光層と陰極層との間にそれぞれバッファ層を介在させた有機ＥＬ構造を採用することで順バイアス及び逆バイアスのいずれのバイアスにおいても常に発光の得られる発光素子を開発した。
【０００６】
しかしながら、このような発光素子の陽極を透明電極とし、反射膜を兼ねる材料で陰極を構成した場合、積層界面の仕事関数が異なるため、順バイアス電圧印加時と逆バイアス印加時とでは発光素子の輝度特性が異なる。
【０００７】
よって、本発明は、順バイアス及び逆バイアス電圧の両方の電圧によって動作する発光素子に好適な発光駆動方法及びこれを用いた有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置する発光層と、を有し、前記第１の電極から前記第２の電極へ第１の極性の電荷が移動することで前記発光層が第１の輝度で発光し、前記第２の電極から前記第１の電極へ前記第１の極性と同一の極性の電荷が移動することで前記発光層が前記第１の輝度より大きい第２の輝度で発光することを特徴とする。
このように順バイアスと逆バイアスといずれにおいても発光することで、たとえば順バイアスのみの発光と比べ、１フレームを構成する複数のサブフレームの選択時間を長く設定することが可能となる。
【０００９】
また、前記第１の輝度で発光する時間を第１の期間、前記第２の輝度で発光する時間を第２の期間とし、前記第１の期間と前記第２の期間との合計を１フレームとするとき、前記１フレームにおいて、前記第１の期間における前記発光層の発光の有無と、前記第２の期間における前記発光層の発光の有無との組み合わせにより、少なくとも４階調の輝度を表現することが好ましい。この１フレームが、複数の第１の期間と、複数の第２の期間との合計からなる、４階調以上の複数階調をもつよう設定されていてもよい。いずれにせよ、順バイアスのみの駆動と比較すると、サブフレームの選択時間は長くなる。
【００１０】
また、前記第２の輝度が前記第１の輝度の２倍であることが好ましい。これによれば、発光階調における発光輝度の変化が線形に近づくため、階調表現が向上する。
【００１１】
また、前記第１の電極に接続するトランジスタと、前記トランジスタのゲート電極に電圧を印加する走査線と、を有し、前記走査線が前記ゲート電極に正の電圧と負の電圧を交互に印加するものであってもよい。これによれば、第１の電極を陰極とした有機エレクトロルミネッセンス装置を適用することができる。この場合、有機エレクトロルミネッセンス装置はトップエミッション型でもボトムエミッション型でもいずれの形態でもよい。
【００１２】
また、前記第２の電極に接続するトランジスタと、前記トランジスタのゲート電極に電位を与える走査線と、を有し、前記走査線が前記ゲート電極に正の電圧と負の電圧を交互に印加するものであってもよい。これによれば、第２の電極を陰極とした有機エレクトロルミネッセンス装置を適用することができる。この場合、有機エレクトロルミネッセンス装置はトップエミッション型でもボトムエミッション型でもいずれの形態でもよい。
【００１３】
また、前記正の電圧の印加時間と、前記正の電圧の直前または直後に印加された前記負の電圧の印加時間とが等しいものであってもよい。
【００１４】
また、前記第１の電極と前記発光層との間に第１のバッファ層が形成されるものであってもよい。
【００１５】
また、前記第２の電極と前記発光層との間に第２のバッファ層が形成されるものであってもよい。
【００１６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の駆動方法は、第１の電極から、前記第１の電極と対向する第２の電極へ電荷を移動させる第１の期間において、前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置する発光層を第１の輝度で発光させ、第１の階調を表現し、前記第２の電極から前記第１の電極へ前記電荷を移動させる第２の期間において、前記発光層を前記第１の輝度とは異なる第２の輝度で発光させて第２の階調を表現することを特徴とする。
【００１７】
また、前記第１の期間と前記第２の期間の合計を１フレームとしたとき、前記１フレーム内において４階調を示し、前記１フレームを複数分割して時間軸上に順次に配置してなるサブフレーム列が１：１：４：４の時間比率であってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。
【００１９】
（有機ＥＬ装置）
まず、本発明が適用されるの有機ＥＬ装置について説明する。
【００２０】
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置を示す模式図であり、同図に示されるように、有機ＥＬ装置１はスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス方式のものであり、概略、発光部１００、データドライバ２００、スキャンドライバ３００、電源制御回路４００、制御回路５００等を備えている。
【００２１】
発光部１００は複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有する。走査線１０１と信号線１０２との各交点付近に発光素子を含む画素回路が形成され、当該画素回路がマトリクス状に配置されている。
【００２２】
データドライバ２００は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチ等を備え、各信号線１０２にデータ信号を供給する。
【００２３】
スキャンドライバ３００は、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備え、各走査線１０１に走査信号を供給する。
【００２４】
電源制御回路４００は、正負のパルス電圧を発生し、各電源線１０３に供給する。
【００２５】
制御回路５００は、データドライバの信号供給と電源制御回路４００のパルス電圧供給との同期を図っている。
【００２６】
（発光素子）
図２は、発光素子１２４の構成例を示している。この発光素子１２４は、順バイアス電圧及び逆バイアス電圧の両電圧に対して発光する特性を持っている。
【００２７】
発光素子１２４は、透明な基板１２４ａ上に、第１の電極（陽極）１２４ｂと、第１のバッファ層１２４ｃと、有機半導体材料を含む発光層１２４ｄと、第２のバッファ層１２４ｅ、第２の電極（陰極）１２４ｆとが順に形成されている。発光素子１２４は、順バイアス電圧の印加時には、第１のバッファ層１２４ｃから注入された正孔と、第２のバッファ層１２４ｅから注入された電子とが発光層１２４ｄで結合することにより、所定色で発光する。また、逆バイアス電圧の印加時には、第１のバッファ層１２４ｃから注入された電子と、第２のバッファ層１２４ｅから注入された正孔とが発光層１２４ｄで結合することにより、所定色で発光する。
【００２８】
第１の電極１２４ｂは、本例ではボトムエミッション型であることから透明導電材料によって形成されている。透明導電材料としてはＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide ：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。また、トップエミッション型である場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、例えばＩＴＯの下層側にＡｌ等を設けて反射層として用いることもできる。
【００２９】
第１のバッファ層１２４ｃの形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水やイソプロピルアルコール等の極性溶媒に溶解させたものが好適に用いられる。
【００３０】
発光層１２４ｄの形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００３１】
なお、「高分子」とは、分子量が数百程度の所謂「低分子」よりも分子量の大きい重合体を意味し、上述の高分子材料には、一般に高分子と呼ばれる分子量１００００以上の重合体の他に、分子量が１００００以下のオリゴマーと呼ばれる低重合体が含まれる。
【００３２】
第２のバッファ層１２４ｅの構成材料としては、第１のバッファ層７０と同様、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水やイソプロピルアルコール等の極性溶媒に溶解させたものが好適に用いられる。
【００３３】
第２の電極１２４ｆは化学的に安定な導電性材料であれば特に限定されることなく、任意のもの、例えば金属や合金などが使用可能である。具体的にはＡｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｃｕ（銅）などが好適に用いられる。また、特にトップエミッション型の有機ＥＬ装置とする場合には、十分に薄い第２の電極１２４ｆを形成してこれに透光性を持たせることが可能であり、あるいは透光性を有するＩＴＯ等の導電性材料を用いて第２の電極１２４ｆを形成することも可能である。
【００３４】
このような構成からなる発光素子１２４にあっては、第１のバッファ層及び第２のバッファ層によって、極性の異なる電圧が交互に印加された場合のいずれにおいても常に発光が得られる。したがって、電荷の蓄積による寿命及び発光の低下を抑制し、実効的な発光時間を短くすることなく表示を行うことが可能となる。
【００３５】
図３は、上述した順逆のバイアス電圧に発光する双方向性の発光素子１２４の発光特性例を説明する図である。同図（Ａ）は、発光素子１２４のバイアス電圧対発光輝度の特性例を示すグラフである。同図（Ｂ）は、発光素子１２４に印加されるバイアス電圧の例を示しており、正負のパルス電圧が交互に発生している。
【００３６】
図３（Ａ）に示されるように、発光素子１２４の両電極の材料が異なる等の場合には、仕事関数などに起因して順バイアス時と逆バイアス時とでは輝度特性が異なる。同じ電圧レベル（絶対値）を印加した場合であっても、逆バイアス時の方が輝度特性が相対的に悪い（レベルが低い）。
【００３７】
因みに、図４は、一方向性の発光素子のバイアス電圧対輝度特性（同図（Ａ））とその直流バイアス電圧（同図（Ｂ））の例を示している。
【００３８】
（双方向性有機ＥＬ素子の駆動方法）
以下、図５乃至図９を参照して、双方向性発光素子の駆動方法について説明する。
【００３９】
本発明の実施例では、上記双方向性発光素子の特性（図３（Ａ））を利用して時分割階調レベル変調によって双方向性発光素子の発光レベル及び発光時間を制御して視覚的な輝度を設定する。
【００４０】
図５は、時分割階調レベル変調を説明する説明図である。発光素子への印加電圧と駆動ＴＦＴのオン時間によって視覚的な輝度（積分値）を設定する。
【００４１】
まず、同図（Ａ）に示すように、発光素子１２４に印加されるバイアス電圧（電源線電圧）をＶ１（＞０）及びＶ２（＜０）の２つのレベルとする。
【００４２】
図３（Ａ）に示すように、バイアス電圧Ｖ２による輝度を「Ｌ０」としたとき、バイアス電圧Ｖ１による輝度が「２Ｌ０」となるように正負のパルス電圧のレベル（ピーク値）が選定される。また、パルス電圧列は、後述の最小サブフレーム周期のパルス信号であり、サブフレームに同期するように制御回路５００等によって調整されている。
【００４３】
サブレームは、画素表示によって１画面を形成するのに要する期間ｔである１フレームをｎ分割した期間である。後述するように、１画素の輝度を４ビットデータで表示している場合、通常、時間比率を１：２：４：８とした４つのサブレームが１フレームに割り当てられる。実施例では、時間比率を１：１：４：４とした各サブレームが割り当てられる。ここで、時間比率が１であるサブフレーム最小サブフレームである。
【００４４】
図５（Ｂ）乃至同（Ｅ）は、発光素子１２４を駆動する駆動用ＴＦＴ１２３のゲートに印加されるサブレームにおける信号電圧の例であり、駆動用ＴＦＴのスイッチング動作に対応している。図５（Ｂ）に示す例では、駆動用ＴＦＴ１２３がサブレーム全部でオフであるので発光素子１２４の輝度は「０」である。図５（Ｃ）に示す例では、駆動用ＴＦＴ１２３がサブフレームの前半でオンであり、この期間のバイアス電圧はＶ２であるので有機ＥＬ素子１２４の輝度は「Ｌ０」である。図５（Ｄ）に示す例では、駆動用ＴＦＴ１２３がサブフレームの後半でオンであり、この期間のバイアス電圧はＶ１であるので有機ＥＬ素子１２４の輝度は「２Ｌ０」である。図５（Ｅ）に示す例では、駆動用ＴＦＴ１２３がサブフレームの全部でオンであり、この期間の前半のバイアス電圧はＶ２、後半のバイアス電圧はＶ１であるので有機ＥＬ素子１２４の輝度は合わせて「３Ｌ０」である。
【００４５】
このように、逆バイアスで輝度Ｌ０を順バイアスで輝度２Ｌ０を得ることにより、発光素子の逆バイアス時と順バイアス時、それぞれにおける発光あるいは非発光を組み合わせることにより、２ビット（４段階）の階調表示をすることが可能となる。
【００４６】
因みに、図６に示すように、発光素子１２４の電源が直流バイアス電圧Ｖ１のみであるの場合（同図（Ａ））、同図（Ｂ）及び同図（Ｃ）に示すように、得られる輝度レベルは、輝度「０」と輝度「４Ｌ0」である。
【００４７】
図７は、１画素が４ビットで表される輝度データに対する階調表現に本発明を適用した例を示している。１フレームｔに第１〜第４のサブフレームが割り当てられている。各サブフレームの時間割り当ては、１：１：４：４の比率となっている。
【００４８】
図７（Ａ）は、バイアス電圧の例を示している。前述したように、電圧Ｖ１では発光素子の輝度が２Ｌ0、電圧Ｖ２では同輝度がＬ0である。図示のバイアス電圧の変化例では、視覚的な輝度（輝度×時間）は、第１サブフレームではＬ0ｔ0、第２サブフレームでは２Ｌ0ｔ0、第３サブフレームでは４Ｌ0ｔ0、第４サブフレームでは８Ｌ0ｔ0となる。１２３の動作例を示している。この例では、第２及び４サブフレームでオンとなっているので、輝度は２Ｌ0と８Ｌ0との和である１０Ｌ0である。
【００４９】
図８は、バイアス電圧Ｖ１のみを用いる比較例とバイアス電圧Ｖ１及びＶ２を用いる実施例とを１フレーム（４ビット、１６階調）で比較した説明図である。
【００５０】
図８（Ａ）に示すように、バイアス電圧がＶ１のみの例では、第１〜第４サブフレームには、１フレーム時間ｔが１：２：４：８の比率で割り当てられる。第１〜第４サブフレームの期間は、それぞれ、（１／１５）ｔ、（２／１５）ｔ、（４／１５）ｔ、（８／１５）ｔである。バイアス電圧Ｖ１による輝度が２Ｌ0とすると、第１〜第４サブフレームの輝度はそれぞれ（１／１５）ｔ・２Ｌ０、（２／１５）ｔ・２Ｌ0、（４／１５）ｔ・２Ｌ0、（８／１５）ｔ・２Ｌ0であるから、（２／１５）Ｌ0ｔ、（４／１５）Ｌ0ｔ、（８／１５）Ｌ0ｔ、（１６／１５）Ｌ0ｔと表される。
【００５１】
図８（Ｂ）に示すように、バイアス電圧がＶ１とＶ２のパルス電圧の例では、第１〜第４サブフレームには、１フレーム時間ｔが１：１：４：４の比率で割り当てられる。第１〜第４サブフレームの期間は、それぞれ、（１／１０）ｔ、（１／１０）ｔ、（４／１０）ｔ、（４／１０）ｔである。バイアス電圧Ｖ１、Ｖ２による輝度が図７（Ａ）に示すように、２Ｌ0、Ｌ0とすると、第１〜第４サブフレームの輝度はそれぞれ（１／１０）ｔ・Ｌ0、（１／１０）ｔ・２Ｌ0、（４／１０）ｔ・２Ｌ0、（４／１０）ｔ・２Ｌ0であるから、それぞれ（１／１０）Ｌ0ｔ、（１／５）Ｌ0ｔ、（２／５）Ｌ0ｔ、（４／５）Ｌ0ｔと表される。
【００５２】
ここで、第１サブフレーム同士を比較すると、比較例では第１サブフレームの期間はｔ／１５であるのに対し、実施例ではｔ／１０である。すなわち、１．５倍の選択時間を当てることができる。これにより、画面表示器の高精細化（高画素数）に伴う選択時間の不足を低減することが可能となって具合がよい。尤も、実施例の輝度は比較例（（２／１５）Ｌ0ｔ）に比べて２５％減少する（（１／１０）Ｌ0ｔ）が、これは発光素子１２４への印加電圧を増加することにより、比較例と同輝度を確保可能である。
【００５３】
なお、本実施例は、走査線の順次選択方式は勿論のこと非順次選択方式にも使用することができる。図９は、非順次選択方式におけるフレームの選択のタイミングチャートの例を示している。上述した実施例と同様に第１サブフレームの選択に１．５倍の選択時間を割り当てることができる。
【００５４】
また、実施例では、画素データが４ビット（１６階調）の例で説明したが、画素データが８ビット（２５６階調）などの場合にも適用可能である。
【００５５】
（電子機器）
図１０は、電子機器の具体例を説明する図である。図１０（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話１０００は上述した有機ＥＬ装置１を用いて構成される表示部１００１を備えている。図１０（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ１１００は上述した有機ＥＬ装置１を用いて構成される表示部１１０１を備えている。図１０（Ｃ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン１２００は上述した有機ＥＬ装置１を用いて構成される表示部１２０１備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る有機ＥＬ装置を適用し得る。
【００５６】
以上説明したように、本発明の実施例によれば、交流駆動によって有機化合物層に極性の異なる電圧が交互に印加されることにより、素子の内部における電荷及び不純物イオンの蓄積や、不純物イオンにより発生した内部電界が緩和されるため、発光寿命及び輝度の低下を抑制することが可能となる。
【００５７】
また、逆バイアスで輝度Ｌ0を、順バイアスで輝度２Ｌ0を得ることにより、逆バイアス時と順バイアス時、それぞれの点灯（発光）、非点灯の組み合わせにより、２ビット（４階調）の階調表示をすることが可能となる。
【００５８】
時分割方式との組み合わせにより、最小サブフレームの選択時間を少なくとも１．５倍にすることが可能となる。これにより、低輝度の階調を出すために１．５倍の選択時間を当てることが可能となる。画面の高精細化に伴う選択時間不足を低減することも可能となる。
【００５９】
時分割階調方式において、走査線の非順次選択方式と組み合わせることが可能であり、同様に最小サブレームの選択時間を少なくとも、１．５倍にすることが可能となる。
【００６０】
尚、本発明の有機ＥＬ装置の駆動方法は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】有機ＥＬ装置の全体構成を説明する説明図である。
【図２】双方向性発光素子の構造例を説明する説明図である。
【図３】双方向性発光素子のバイアス電圧対輝度特性を説明するグラフである。
【図４】一方向性発光素子のバイアス電圧対輝度特性を説明するグラフである。
【図５】正負のパルス電圧による時間階調変調の例を説明する説明図である。
【図６】直流バイアス電源の階調変調の例を説明する説明図である。
【図７】時間階調レベル変調の例を説明する説明図である。
【図８】実施例と比較例とにおける第１サブフレームの割り当て時間を比較する説明図である。
【図９】走査線の非順次選択への適用例を説明する説明図である。
【図１０】本発明に係る有機ＥＬ装置を表示部に使用した電子機器の例を接類する説明図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  有機ＥＬ装置、１００  発光部、２００  データドライバ、３００  スキャンドライバ、４００  電源制御回路、５００  制御回路
【図１】
2007142214.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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