(57)【要約】【課題】高調波の抑制効果が良好なストラップリングを有するマグネトロンを提供すること。【解決手段】高周波を発生する発振部本体を構成する円筒状陽極と、この円筒状陽極の内側に設けた陰極部と、円筒状陽極から陰極部に向って放射状に配置した複数のベインと、この複数のベインどうしを電気的に接続するストラップリングとを具備したマグネトロンにおいて、ストラップリングの一部にチョーク構造１２を設けている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波を発生する発振部本体を構成する円筒状陽極と、この円筒状陽極の内側に設けた陰極部と、前記円筒状陽極から前記陰極部に向って放射状に配置した複数のベインと、この複数のベインどうしを電気的に接続するストラップリングとを具備したマグネトロンにおいて、前記ストラップリングの一部にチョーク構造を設けたことを特徴とするマグネトロン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高調波を抑制するマグネトロンに関する。
【背景技術】
【０００２】
マグネトロンは高周波を発生する電子管で、たとえば食品の調理や解凍などを行う電子レンジ用の加熱源に使用されている。
【０００３】
ここで、従来のマグネトロンについて図３を参照して説明する。
【０００４】
高周波を発生する発振部本体３０は円筒状陽極３１などから構成されている。円筒状陽極３１の図示上下の開口部分に、発振部本体３０の作用空間に磁界を供給する漏斗状のポールピース３２ａ、３２ｂが配置されている。円筒状陽極３１内側の中心、たとえば管軸ｍ上に陰極部３３が配置されている。陰極部３３を構成するらせん状フィラメント３３ａの図示上端は第１リード線３４ａに接続され、フィラメント３３ａの図示下端は第２リード線３４ｂに接続されている。第１リード線３４ａおよび第２リード線３４ｂは、第１管状容器３５などの内側を通って図示下方へと延び、第１管状容器３５などとともに入力部を構成している。
【０００５】
また、円筒状陽極３１と陰極部３３の間に複数のベイン３６が放射状に配置されている。複数のベイン３６は一端が円筒状陽極３１の内面に固定され、他端は陰極部３３の方向に延びている。複数のベイン３６の１つに、発振部本体３０で発生した高周波を外部に取り出すアンテナ３７が接続されている。アンテナ３７は、第２管状容器３８などの内側を通って図示上方へと延び、第２管状容器３８などとともに出力部を構成している。
【０００６】
複数のベイン３６は円筒状陽極３１の円周方向に等間隔に設けられている。複数のベイン３６は、たとえばそれぞれの上辺および下辺に切り欠き３６ａ、３６ｂが設けられている。そして、複数のベイン３６それぞれの切り欠き３６ａ、３６ｂ部分を通るように、直径の大きさが相違するたとえば２つのストラップリングａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２が配置されている。
【０００７】
図示上方の切り欠き３６ａを通る一方のストラップリング、たとえば径の大きいストラップリングａ１は、ある１つのベインから数えて１つおきの奇数番目のベイン３６どうしを互いに電気的に接続している。径の小さいストラップリングａ２は、偶数番目のベイン３６どうしを互いに電気的に接続している。
【０００８】
逆に、図示下方の切り欠き３６ｂを通る一方のストラップリング、たとえば径の大きいストラップリングｂ１は偶数番目のベイン３６どうしを互いに電気的に接続し、径の小さいストラップリングｂ２は奇数番目のベイン３６どうしを互いに電気的に接続している。
【０００９】
次に、ストラップリングとベインの配置関係について図４を参照して説明する。図４は、図３に対応する部分に同じ符号を付し、重複する説明を一部省略する。図４は図３のＡ部を拡大した図で、たとえば奇数番目のベイン３６を示している。この場合、径の大きいストラップリングａ１がベイン３６と接触して電気的に接続している。また、径の小さいストラップリングａ２はベイン３６から離れ、ベイン３６とは電気的に接続していない。
【００１０】
次に、ストラップリングの構造について図５の断面図を参照して説明する。図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）の線分ａ−ａにおける断面図である。ストラップリング５１は、たとえば帯状の金属板を用い、予め設定した直径の無端の円形に形成されている。
【００１１】
上記したマグネトロンは特許資料１などに開示されている。
【特許文献１】特開昭６３−９１９３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来のマグネトロンは、動作時、発振部本体から所定周波数の高周波が発生する。発生した高周波はアンテナなどの出力部を通して外部に取り出される。このとき、所望の高周波と同時に不要な高調波が発生する。
【００１３】
従来のマグネトロンは、たとえば出力部にチョーク構造を設け、不要な高調波が外部に放出しないようにしている。また、発振部本体では、ストラップリングの直径、あるいはストラップリングを形成する金属板の幅などの寸法を調整し、不要な高調波を抑制している。
【００１４】
しかし、ストラップリングは金属板を環状に形成した構造であるため、単に、ストラップリングの直径などの寸法を調整しても、十分な高調波の抑制効果が得られないという問題がある。
【００１５】
本発明は、上記した欠点を解決し、高調波の抑制効果が良好なストラップリングを有するマグネトロンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、高周波を発生する発振部本体を構成する円筒状陽極と、この円筒状陽極の内側に設けた陰極部と、前記円筒状陽極から前記陰極部に向って放射状に配置した複数のベインと、この複数のベインどうしを電気的に接続するストラップリングとを具備したマグネトロンにおいて、前記ストラップリングの一部にチョーク構造を設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ストラップリングの一部にチョーク構造を設けている。そのため、部品を追加することなしに、高調波の抑制効果が良好なマグネトロンを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施形態について、ストラップリング部分を抜き出した図１を参照して説明する。図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の線分ａ−ａにおける断面図である。
【００１９】
ストラップリング１１は、図１（ｂ）に示すように、たとえばマグネトロンの管軸と平行に位置し、図示の上下方向に延びる第１板部１１ａ、および、この第１板部１１ａのたとえば図示上端から第１板部１１ａに対し垂直方向に内側に延びる第２板部１１ｂ、そして、第２板部１１ｂの内端から第１板部１１ａと平行に図示下方に延び、第１板部１１ａよりも短い第３板部１１ｃなどから構成されている。そして、図１（ａ）に示すように、全体が予め設定された直径をもつ無端の円形に形成されている。
【００２０】
上記した構造によれば、第１板部１１ａおよび第３板部１１ｃの平行部分と第２板部１１ｂとで囲まれた環状のチョーク構造１２が形成される。したがって、マグネトロンの動作時に発生する高調波をそのチョーク構造１２によって抑制できる。
【００２１】
なお、第１板部１１ａと第３板部１１ｃは平行になっている。しかし、第１板部１１ａと第３板部１１ｃが同じ方向に延びて、第１板部１１ａと第３板部１１ｃで挟まれた一方の側に開口をもち、他方の側が第２板部１１ｂなどで封止された構造であれば、高調波の抑制効果があるため、第１板部１１ａと第３板部１１ｃは必ずしも平行である必要はない。
【００２２】
上記の構成において、第１板部１１ａの幅ａおよび第２板部１１ｂの幅ｂ、第３板部１１ｃの幅ｃのいずれかの寸法を変更すれば、高調波の抑制特性が変化する。したがって、第１〜第３板部１１ａ、１１ｂ、１１ｃの幅ａ〜ｃを調整することにより、所定の高調波を抑制できるチョーク構造が得られる。
【００２３】
次に、上記した構成のストラップリングとベインの配置関係について図２を参照して説明する。図２は、マグネトロンを構成する円筒状陽極の内側に設けられる複数のベインの中から、１つのベインの一部を抜き出した図である。
【００２４】
ベイン２１の一部に切り欠き２２が形成されている。切り欠き２２には段部２３が設けられ、たとえば内側端部２４の高さＨａが外側端部２５の高さＨｂよりも小さくなっている。そして、切り欠き２２の部分を直径が相違する２つのストラップリング２６、２７が通っている。
【００２５】
直径の大きいストラップリング２６は、たとえば図１（ｂ）に示した第１板部１１ａの下端がたとえば段部２３に載り、また、第１板部１１ａの外面が切り欠き２２の内側端部２４に接合し、ベイン２１と電気的に接続している。
【００２６】
また、直径の小さいストラップリング２７は、切り欠き２２部分に浮いた形になり、ベイン２１と電気的に接続していない。
【００２７】
図示していないが、ベイン２１の隣に位置するベインでは、直径の大きいストラップリング２６が切り欠き２２部分に浮いた形になる。そして、直径の小さいストラップリング２７がベインと接合し、電気的に接続される。
【００２８】
上記した構成によればストラップリングの一部にチョーク構造が形成される。したがって、部品を追加することなしに所望の高調波を確実に抑制できるマグネトロンが実現する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係るストラップリングを説明する概略の構造図である。
【図２】本発明に係るストラップリングとベインの配置関係を説明する概略の構造図である。
【図３】従来のマグネトロンを説明する概略の構造図である。
【図４】従来のマグネトロンに係るストラップリングとベインの配置関係を説明する概略の構造図である。
【図５】従来のマグネトロンに係るストラップリングとベインの配置関係を説明する概略の構造図である。
【符号の説明】
【００３０】
１１…ストラップリング
１１ａ…ストラップリングの第１板部
１１ｂ…ストラップリングの第２板部
１１ｃ…ストラップリングの第３板部
１２…チョーク構造
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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