(57)【要約】【課題】  下部電極が上部電極との間で絶縁不良が発生した際に生じる下部電極の不良を回避し、製品化を実現可能とした画像表示装置を提供する。【解決手段】  下部電極１１と上部電極１３及び下部電極１１と上部電極１３との間に挟持される電子加速層を有し、下部電極１１と上部電極１３との間に電圧を印加することにより電子加速層と積層した領域で上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板１０と、薄膜型電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体を有する蛍光面基板１００とを備え、薄膜型電子源は、電子加速層の領域内で下部電極１１を多角形状に形成し、この多角形の少なくとも一辺に下部電極１１の電極膜からなる給電部を設けることにより、絶縁不良発生時にこの給電部の電気的接合を切断する修正を実施することで絶縁不良が生じた薄膜型電子源のみを下部電極１１から独立した形状に画素分離することができる。【選択図】      図１
2007095373.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と上部電極及び前記下部電極と上部電極との間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することにより前記電子加速層と積層した領域で前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板と、前記薄膜型電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体を有する蛍光面基板とを備えた画像表示装置であって、
前記薄膜型電子源は、前記電子加速層の前記領域内で前記下部電極が多角形状に形成され、前記多角形の少なくとも一辺に前記下部電極の電極膜からなる給電部が形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記薄膜型電子源は、前記多角形の四辺に給電部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記薄膜型電子源は、前記多角形の三辺に給電部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記薄膜型電子源は、前記多角形の二辺に給電部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記薄膜型電子源は、前記多角形の一辺に給電部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記給電部の長さは、前記多角形の一辺の長さよりも短いことを特徴する請求項１乃至請求項５の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記蛍光面基板に有する蛍光体層は、赤、緑、青の３色から構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記蛍光面基板に有する蛍光体層は、赤、緑、青の３色から構成され、各蛍光体層は遮光層で区画されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光型フラットパネル型画像表示装置に係わり、特に電子放出部に薄膜型電子源を用いた画像表示装置に関し、特に薄膜型電子源の電極構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜型電子源アレイを用いた自発光型フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の一つとして微少で集積可能な冷陰極を利用するＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）が知られている。このＦＥＤの冷陰極は、電界放出型電子源とホットエレクトロン型電子源に分類される。前者には、スピント型電子源、表面伝導型電子源またはカーボンナノチューブ型電子源などが属し、後者には、金属−絶縁体−金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属−絶縁体−半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型または金属−絶縁体−半導体−金属型等の薄膜型電子源などが属する。
【０００３】
ＭＩＭ型電子源については、例えば下記特許文献１に開示されている。このＭＩＭ型電子源の構成及びその動作は、上部電極と下部電極との間に絶縁層を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することにより、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層の伝導帯へ注入されてホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極に仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。
【０００４】
このようなＭＩＭ型電子源を複数の行（例えば水平方向）と複数の列（例えば垂直方向）とに並べてマトリクスを形成し、各電子源対応に配列した複数色の蛍光体を真空中に配置して画像表示装置を構成することができる。
【０００５】
自発光型フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）は、上記のような薄膜型電子源を備えた背面パネルと、蛍光体層とこの蛍光体層に薄膜型電子源から放出される電子を射突させるための加速電圧を形成する陽極を備えた前面パネルと、両パネルの対向する内部空間を所定の真空状態に封止する封止枠とで構成される表示パネルを構成している。この表示パネルに駆動回路を組み合わせて構成される。
【０００６】
背面パネルは、背面基板（陰極基板とも称する）上に形成された上記の薄膜型電子源を有し、前面パネルは、前面基板（蛍光体基板とも称する）上に形成された蛍光体と、薄膜型電子源から放出された電子を蛍光体に射突させる電界を形成するための加速電圧を形成する陽極とを有している。この表示パネルに駆動回路を組み合わせて構成される。
【０００７】
個々の薄膜型電子源は、対応する蛍光体と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。
【０００８】
背面パネルは、絶縁性の背面基板を有し、この背面基板上には一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線が形成されている。また、この背面基板上には、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差するように前記一方向に並設された複数の画像信号配線が形成される。走査信号配線と画像信号配線との各交差部付近には前記薄膜型電子源が設けられ、走査信号配線と薄膜型電子源とは給電電極で接続され、走査信号配線から薄膜型電子源に走査信号が供給される。
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−１５３９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、このように構成された画像表示装置は、画像信号配線となる下部電極上に直接的に薄膜型電子源が形成されている構造となっているので、製造工程中において、この下部電極の上方に配設される走査信号配線となる上部電極との間に電気的な絶縁不良が発生した場合、対応する下部電極の全てが不良となり、結果的に製品化が不可能となるという課題があった。
【００１１】
また、この絶縁不良が発生した下部電極を切断して除去すると、データ信号が給電されなくなることから、この下部電極上に配列された薄膜型電子源の全てが消灯してしまい、画面上で線欠陥として表示され、結果的に製品化が不可能となる。
【００１２】
したがって、本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、下部電極と上部電極との間で絶縁不良が発生した際に生じる下部電極の不良を回避し、製品化を実現可能とした画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的を達成するために本発明による画像表示装置は、下部電極と上部電極及び下部電極と上部電極との間に挟持される電子加速層を有し、下部電極と上部電極との間に電圧を印加することにより電子加速層と積層した領域で上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板と、薄膜型電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体を有する蛍光面基板とを備え、薄膜型電子源は、電子加速層の領域内で多角形状に形成され、この多角形の少なくとも一辺に下部電極の電極膜からなる給電部を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、薄膜電子源が多角形状の少なくとも一辺に給電部を設けたことにより、絶縁不良発生時にこの給電部の電気的接合を切断する修正を実施することで絶縁不良が生じた薄膜型電子源のみを下部電極から独立した形状に画素分離することができるので、一画素中の一セルのみ電子線が発生しない表示パネルとすることで、画像表示装置として製品化が可能となり、歩留まりを大幅に向上させることができるという極めて優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
先ず、本発明による画像表示装置を、ＭＩＭ型電子源を用いた画像表示装置を例として説明する。しかし、本発明は、ＭＩＭ型電子源に限るものではなく、背景技術の欄で説明した各種の電子放出源を用いた画像表示装置にも同様に適用できる。特に触媒活性のある白金族や薄いＡｕ等の貴金属電極を電子放出部の表面に用いるホットエレクトロン型や貴金属や貴金属酸化物の微粒子を用いる表面伝導型電子源に有効である。
【実施例１】
【００１７】
図１は、本発明による画像表示装置の実施例１の構造を説明するＭＩＭ型薄膜電子源を用いた画像表示装置を例とした模式平面図である。この画像表示装置は、陰極基板１０と蛍光面基板１００とを貼り合わせた表示パネルで構成される。図１では、蛍光面基板１００は煩雑になるのを回避するため、その一部のみを示し、内面に形成される蛍光面の構成部材の一部を陰極基板１０の上に図示した。蛍光面は、コントラストを向上させるブラックマトリクス１２０で区画された赤色蛍光体１１１と、緑色蛍光体１１２と、青色蛍光体１１３とから構成されている。なお、陽極は図示を省略してある。
【００１８】
蛍光面を構成する蛍光体としては、例えば、赤色蛍光体としてＹ2Ｏ2Ｓ:Ｅｕ(Ｐ２２−Ｒ)を、緑色蛍光体としてＺｎＳ:Ｃｕ，Ａｌ(Ｐ２２−Ｇ)を、青色蛍光体としてＺｎＳ:Ａｇ、Ｃｌ(Ｐ２２−Ｂ)をそれぞれ用いることができる。ブラックマトリクス１２０は上記各色の蛍光体の周囲を囲んで隣接する蛍光体を区画する蛍光面基板１００の内面に形成されている。
【００１９】
陰極基板１０と蛍光面基板１００とは、表示パネルを大気圧から支持する高強度のスペーサ３０を介して貼り合わせられて両基板間を所定の間隔に保持され、表示領域の外周に図示しない封止枠を介在させて封着した後、内部が真空封止される。スペーサ３０は、板状のガラスまたはセラミックスに帯電を防止する導電性を付与したものである。また、このスペーサ３０は、陰極基板１０の上部バス電極２０を構成する金属膜上層１８上に配置し、蛍光面基板１００のブラックマトリクス１２０の下に隠れるように配置する。下部電極１１は、ピクセルにデータ信号（表示信号）を供給する信号線駆動回路５０へ接続され、金属膜下層１６と金属膜上層１８との積層膜からなる上部バス電極２０は、ピクセルに走査信号（選択信号）を供給する走査線駆動回路６０に接続される。なお、図中、１４は下部電極１１上に形成された保護絶縁層（フィールド絶縁層）である。
【００２０】
なお、薄膜型電子源（電子放出部、電子源）は、上部バス電極２０に接続し、絶縁層を介して下部電極１１上に積層する上部電極１３で形成され、絶縁層の薄層部分で形成される絶縁層（トンネル絶縁層）１２の部分から電子が放出される。この薄膜型電子源は、下部電極１１上の所定領域に平面形状で略田の字状に電極膜が形成されていない略枠形状を形成するように開口部を有し、この開口部で囲まれた四辺の上下左右方向からデータ信号を給電する電極膜からなる給電部が形成された給電構造が構成されている。
【００２１】
図２は、ＭＩＭ型電子源の原理を説明する図である。この電子源は、上部電極１３と下部電極１１との間に駆動電圧Ｖｄを印加してトンネル絶縁層１２内の電界を１〜１０ＭＶ／ｃｍ程度にすると、下部電極１１中のフェルミ準位近傍の電子はトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層１２の伝導帯へ注入され、ホットエレクトロンとなり、上部電極１３の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極１３の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極１３の表面に達したものが真空中２３に放出される。
【００２２】
図１に示したＭＩＭ型電子源は、陰極基板１０上にデータ電極となる下部電極１１，トンネル絶縁層１２及び上部電極１３が積層されて電子放出部を形成し、トンネル絶縁層１２以外の部分はフィールド絶縁層１４及び層間絶縁層１５で上部バス電極２０と電気的に分離されている。上部電極１３は、上部バス電極２０と配線の片側で接続されており、反対側で金属膜下層１６のアンダーカットにより分離されている。これにより、各上部バス電極２０を電気的に分離（走査方向に隣接画素の分離）することが可能である。
【００２３】
次に、ＭＩＭ型電子源を例にした本発明の実施例１を図３〜図１１を用いて詳細に説明する。図３〜図１１は、本発明による画像表示装置の実施例１における１画素を構成するＭＩＭ型電子源の製造工程の説明図であり、図２〜図１１にしたがって工程を順に示す。各図における（ａ）は１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'線に沿って切断した断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿って切断した断面図である。なお、ここで言う１画素（ピクセルとも称する）とは、カラー表示の単位画素であり、各１画素は異なる原色を表示する複数のサブ画素（以下では、サブピクセルとも称する）で構成される。本実施例では赤、緑、青の３原色のサブ画素とする。ここでは、層間絶縁層を用いた場合の例を示す。
【００２４】
先ず、図３に示したように、ガラス材などの絶縁性の陰極基板１０上に下部電極１１となる金属膜を成膜する。下部電極１１の材料としてはアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金（Ａｌ合金）などを用いる。ここで、ＡｌまたはＡｌ合金を用いるのは、陽極酸化により良質の絶縁膜が形成できることに起因している。ここでは、ネオジム（Ｎｄ）を約２原子量％ドープしたＡｌ−Ｎｄ合金を用いた。この下部電極１１の成膜には、例えば、スパッタリング法を用いる。その膜厚は約３００ｎｍとした。
【００２５】
成膜後は、図４に示すようにパターニング工程とエッチング工程とにより、ストライプ形状の下部電極１１及びこの下部電極１１の電子放出部を形成する所定の領域にＬ字状パターンと逆Ｌ字パターンとを組み合わせた略田の字状に電極膜の形成されない略枠形状の開口部１１ａを同時に形成する。これによって下部電極１１上の電子放出部の形状は、四辺の上下左右方向からデータ信号を給電する電極膜からなる給電部を有する給電構造が形成される。
【００２６】
なお、この下部電極１１の電極幅は、画像表示装置の画面サイズや解像度などにより異なるが、そのサブピクセルの配列ピッチ程度（約１００μｍ〜２００μｍ）とする。エッチングは、例えば、燐酸，酢酸及び硝酸などの混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。この下部電極１１は、幅の広い簡易なストライプ構造のため、電極加工用のレジストのパターニングは安価な印刷法を用いることができ、ここでは、スクリーン印刷法を用いた。勿論、プロキシミティ露光などの比較的安価なホトエッチング工程を用いることもでき、ステッパやプロジェクションアライナなどを用いた露光よりも低コスト化を実現できる。
【００２７】
次に、電子放出部を制限し、下部電極１１のエッジ部への電界集中を防止する保護絶縁層（フィールド絶縁層とも称する）１４と絶縁層（トンネル絶縁層とも称する）１２とを形成する。まず、図５に示すように下部電極１１上の電子放出部となる部分にレジスト膜２５を塗布し、このレジスト膜２５でマスクする。レジスト膜２５でマスクされない部分を選択的に厚く陽極酸化し、保護絶縁層１４とする。本工程で用いるレジスト膜２５は電子加速層の形状となるため、下部電極１１と比較して加工精度が高い方が望ましい。このため、本実施例では、印刷法ではなく、プロキシミティ露光を用いたホトリソグラフィー工程でパターニングする。陽極酸化は、化成電圧を約１００Ｖとすれば、厚さ約１３６ｎｍの保護絶縁層１４が形成される。
【００２８】
その後、図６に示すようにレジスト膜２５を除去して残りの下部電極１１の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を約６Ｖとすれば、下部電極１１上に厚さ約１０ｎｍの絶縁層（トンネル絶縁層）１２が形成され、下部電極１１に形成されている開口部１１ａが露出する。
【００２９】
次に、図７に示すように層間絶縁層１５を形成し、この層間絶縁層１５上に上部電極１３への給電線である上部バス電極２０となる金属層と、スペーサ３０を配置するためのスペーサ電極となる金属層とを例えばスパッタリング法等で成膜する。層間絶縁層１５としては、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコンなどを用いることができる。ここでは、アルカリ金属の析出防止能力の高いシリコン窒化物を用い、層厚は約１００ｎｍとした。この層間絶縁層１５は、陽極酸化で形成する保護絶縁層１４にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極１１と上部バス電極２０との間の絶縁を保つ役割も果たす。
【００３０】
上部バス電極２０となる金属層は、金属膜下層１６と金属膜上層１８との積層構造とし、金属膜下層１６としては例えばＡｌ−Ｎｄ合金を用い、金属膜上層１８としては例えば銅（Ｃｕ）やクロム（Ｃｒ）などの各種の金属材料を用いることができる。ここでは、金属膜下層１６にＡｌ−Ｎｄ合金を用い、その層厚を約１００ｎｍとし、金属膜上層１８にＣｕを用い、その層厚を約１００ｎｍとした。なお、金属膜下層１６と金属膜上層１８との間に例えば配線抵抗を低減させる例えば純粋なＡｌ膜からなる膜厚約４μｍ程度の厚膜の金属中間層を介在させる場合もある。
【００３１】
続いて、図８に示すようにスクリーン印刷によるレジストのパターニングとエッチング工程とにより金属膜上層１８を下部電極１１と交差するストライプ形状に加工する。金属膜上層１８のＣｕのエッチングは、例えば燐酸、酢酸、消散の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。この場合、金属膜上層１８の電極幅は金属膜下層１６の電極幅より狭くし、金属膜上層１８が庇状にならないようにする。この金属膜上層１８のストライプ電極は１ピクセル中で１本形成する。また、金属膜上層１８で示されるストライプ電極に隣接する他のストライプ電極は図示していない。
【００３２】
続いて、図９に示すようにスクリーン印刷によるパターニングとエッチング工程とにより金属膜下層１６を下部電極１１と交差するストライプ形状に加工する。この金属膜下層１６のストライプ電極も１ピクセル中で１本形成する。パターニングは、下部電極１１上の電子放出部となる部分にレジスト膜２６でマスクし、エッチングは、例えば硝酸アンモニウムセリウム水溶液でのウェットエッチングで行う。その際、金属膜下層１６の片側（電子源形成側）は金属膜上層１８より張り出させて後の工程で上部電極１３との接続を確保するコンタクト部１９とし、金属膜下層１６の反対側（電子源形成側と反対側）では金属膜上層１８をマスクとしてアンダーカットを形成し、後の工程で上部電極１３を分離する庇としての後退部１９ａを形成する。
【００３３】
これにより、上部電極１３を自己整合的に分離し、かつ給電を行なう上部バス電極（金属膜下層１６と金属膜上層１８との積層膜）２０を形成することができる。なお、金属膜下層１６と金属膜上層１８とで形成する走査電極の電極幅は、画像表示装置のサイズや解像度により異なるが、低抵抗化のために可能な限り幅広とし、走査線ピッチの半分以上、例えば略３００μｍ〜４００μｍ程度とする。
【００３４】
続いて、図１０に示すようにエッチング工程により、層間絶縁層１５を加工して電子放出部を開口する。電子放出部は、ピクセル内の１本の下部電極１１と、この下部電極１１と交差する２本のストライプ形状の上部バス電極（上部バス電極と図示していない隣接する上部バス電極）とに挟まれた空間の交差部の一部に形成する。この際のレジストのパターニングは、孔パターンのため、プロキシミティ露光を用いて行なった。また、エッチング加工は、例えばＣＦ4やＳＦ6を主成分とするエッチングガスを用いたドライエッチングによって行うことができる。
【００３５】
最後に、図１１に示すように上部電極１３膜の成膜を行う。この成膜法としては種々の方法を採用できるが、ここでは層間絶縁層１５の上方からのスパッタ法によるスパッタ成膜を用いる。上部電極１３としては、酸化触媒作用を持つ遷移金属や貴金属電極が有効である。特にＰｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ膜またはその積層膜、合金膜や平均膜厚あるいは平均粒径が約４ｎｍ以下であるＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ膜またはその積層膜、合金膜上にＡｕを積層した積層膜などが有効である。ここでは、例えばＩｒ、Ｐｔ、Ａｕの積層膜を用い、膜厚比を１：２：３とし、膜厚は例えば約６ｎｍとした。なお、この膜厚はこれに限定されない。
【００３６】
このとき、上部電極１３は、隣接するストライプ形状の上部バス電極の一方側（図１０の右側）で金属膜上層１８の庇として形成された後退部１９ａにより切断されて成膜され、各ピクセル毎に分離される。一方、ストライプ形状の上部バス電極の他方側（図１０の左側）では、金属膜下層１６のコンタクト部１９により上部電極１３は断線を起すことなく、層間絶縁層１５及び絶縁層１２を覆って連続成膜され、電子源への給電構造が構成される。
【００３７】
このような構成によれば、信号線（データ線）を構成する下部電極１１の電子放出部を形成する所定領域に略田の字状に電極膜が存在しない開口部１１ａを設けたことにより、電子放出部の平面形状が四辺から給電される給電構造となるので、その後のプロセスにおいて、電子放出部が上部電極１３との電気的絶縁不良が発生した場合、この開口部１１ａに囲まれた四辺の給電部分の電極膜に例えばＹＡＧレーザ光を照射して電子放出部の電気的接合を切断除去する修正を実施することにより、絶縁不良が生じた電子放出部のみを下部電極１１の電極膜から独立した形状に分離し、その部位の１画素中の１セルのみ発光しない黒点として不点灯とすることができる。
【００３８】
これによって多数の電子放出部がマトリクス状に配列された下部電極１１を不良とすることが皆無となる。なお、この不点灯とする黒点は、１本の下部電極１１に対して精々２〜３個程度の範囲であれば、視認上、殆んど認識されず、表示不良などの問題が全く生じない。
【００３９】
また、このような構成によれば、電子放出部の不良除去が容易であり、レーザ照射による加工が短時間で可能になる。また、レーザ照射による電子放出部の除去面積が現状の現行の四角形状から大幅に少なくなるので、加工時に発生する電極膜のスプラッシュによる正常な電子放出部の不良発生または二次不良などの発生が少なくなる。
【実施例２】
【００４０】
図１２は、本発明による画像表示装置の他の実施例における１画素を構成するＭＩＭ電子源を用いた画像表示装置の模式平面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１２において、図１１と異なる点は、電子放出部の形状が上下方向の二辺、右方向の一辺の合計三辺の給電部分の電極膜から画像信号が給電される給電構造で形成されている。
【００４１】
このような構成においては、上部電極１３との電気的絶縁不良が発生した場合、開口部１１ａに囲まれた三辺の給電部分の電極膜にＹＡＧレーザ光を照射して電子放出部の電気的接合を切断除去する修正を実施することにより、絶縁不良が生じた電子放出部を下部電極１１の電極膜から独立した形状に分離し、その部位の１画素中の１セルのみ発光しない黒点として不点灯とすることができる。上記実施例１とは、レーザ光の照射が１箇所少ない３箇所の照射で実現できる。
【００４２】
図１３は、本発明による画像表示装置のさらに他の実施例における１画素を構成するＭＩＭ電子源を用いた画像表示装置の模式平面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１３において、図１１と異なる点は、電子放出部の形状が上下方向の二辺の給電部分の電極膜から画像信号が給電される給電構造で形成されている。
【００４３】
このような構成においては、上部電極１３との電気的絶縁不良が発生した場合、開口部１１ａに囲まれた上下方向の二辺の給電部分の電極膜にＹＡＧレーザ光を照射して電子放出部の電気的接合を切断除去する修正を実施することにより、絶縁不良が生じた電子放出部を下部電極１１の電極膜から独立した形状に分離し、その部位の１画素中の１セルのみ発光しない黒点として不点灯とすることができる。上記実施例１とは、レーザ光の照射が２箇所少ない２箇所の照射で実現できる。
【００４４】
図１４は、本発明による画像表示装置の他の実施例における１画素を構成するＭＩＭ電子源を用いた画像表示装置の模式平面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１４において、図１１と異なる点は、電子放出部の形状が右方向の一辺の給電部分の電極膜から画像信号が給電される給電構造で形成されている。
【００４５】
このような構成においては、上部電極１３との電気的絶縁不良が発生した場合、開口部１１ａに囲まれた右方向の一辺の給電部分の電極膜にＹＡＧレーザ光を照射して電子放出部の電気的接合を切断除去する修正を実施することにより、絶縁不良が生じた電子放出部を下部電極１１の電極膜から独立した形状に分離し、その部位の１画素中の１セルのみ発光しない黒点として不点灯とすることができる。上記実施例１とは、レーザ光の照射が３箇所少ない１箇所のみの照射で実現できる。
【００４６】
図１５は、本発明の構成を適用した画像表示装置の等価回路例の説明図である。図１５中に破線で示した領域は表示領域であり、この表示領域ＡＲにデータ信号配線ｄ（ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６，ｄ７，・・・ｄｎ）と走査信号配線ｓ（ｓ１，ｓ２，ｓ３，ｓ４，・・・ｓｍ）とが互いに交差して配置されてｎ×ｍのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素を構成し、図中の“Ｒ”，“Ｇ”，“Ｂ”の１グループでカラー１画素を構成する。なお、電子源の構成は図示を省いた。データ信号配線ｄはデータ線駆動回路ＤＤＲに接続され、走査信号配線ｓは走査線駆動回路ＳＤＲに接続されている。データ線駆動回路ＤＤＲには外部信号源からデータ信号ｄｓが入力され、走査線駆動回路ＳＤＲには同様に走査信号ｓｓが入力される。
【００４７】
これにより、順次選択される走査信号配線ｓに接続する副画素にデータ信号配線ｄからデータ信号を供給することにより、二次元のフルカラー画像を表示することができる。本構成例の表示装置により、比較的低電圧で高効率のフラットパネル型の表示装置が実現される。
【００４８】
図１６は、平板型画像表示装置を構成する表示パネルの全体の構造を示す斜視図、図１７はその断面図を示す。背面パネルＰＮＬ１は前記した実施例で説明したように、陰極基板ＳＵＢ１の内面に、データ信号配線ｄ１，ｄ２，ｄ３，・・・・・ｄｎと、走査信号配線ｓ１，ｓ２，ｓ３，・・・ｓｍのマトリクスで構成された薄膜型電子源構造を有する。一方、前面パネルＰＮＬ２としては、蛍光体基板ＳＵＢ２として透明ガラス基板を用い、その内面に陽極ＡＤと蛍光体層ＰＨとが成膜されている。陽極ＡＤはアルミニウム層を用いた。
【００４９】
この前面パネルＰＮＬ２と背面パネルＰＮＬ１とを対向させ、対向間を所定の間隔を保つために幅約８０μｍ，高さ約２．５ｍｍのリブ状の隔壁ＳＰＣを走査信号配線の上、かつ走査信号配線の延在方向に沿って介在させて固定した。この際、両パネルの周辺部にはガラスからなる封止枠ＭＦＬを設置し、両パネルに挟まれた内部空間が外部と隔絶された構造となるように図示しないフリットガラスを用いて固定した。
【００５０】
フリットガラスを用いた隔壁の固着の際には、約４００℃での加熱を行なった。その後、装置内部を約１μＰａまで排気管３０３を通して排気した後に封じ切った。動作の際には、前面パネルＰＮＬ２上の陽極ＡＤに約１０ｋＶの電圧を印加した。
【００５１】
以上の実施例では、電子源にＭＩＭ型を用いた構造を例としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、前記した各種の電子源を用いた自発光型ＦＰＤに対しても同様に適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施例１の画像表示装置の構成を説明する模式平面図である。
【図２】ＭＩＭ型電子源の構造及び動作原理を説明する図である。
【図３】本発明による画像表示装置の実施例１における１画素を構成するＭＩＭ型電子源の製造工程の説明図である。
【図４】本発明による画像表示装置の実施例１における１画素を構成するＭＩＭ型電子源の図３に続く製造工程の説明図である。
【図５】本発明による画像表示装置の実施例１における１画素を構成するＭＩＭ型電子源の図４に続く製造工程の説明図である。
【図６】本発明による画像表示装置の実施例１における１画素を構成するＭＩＭ型電子源の図５に続く製造工程の説明図である。
【図７】本発明による画像表示装置の実施例１における１画素を構成するＭＩＭ型電子源の図６に続く製造工程の説明図である。
【図８】本発明による画像表示装置の実施例１における１画素を構成するＭＩＭ型電子源の図７に続く製造工程の説明図である。
【図９】本発明による画像表示装置の実施例１における１画素を構成するＭＩＭ型電子源の図８に続く製造工程の説明図である。
【図１０】本発明による画像表示装置の実施例１における１画素を構成するＭＩＭ型電子源の図９に続く製造工程の説明図である。
【図１１】本発明による画像表示装置の実施例１における１画素を構成するＭＩＭ型電子源の図１０に続く製造工程の説明図である。
【図１２】本発明による画像表示装置の他の実施例における１画素を構成するＭＩＭ電子源を用いた画像表示装置の模式平面図である。
【図１３】本発明による画像表示装置のさらに他の実施例における１画素を構成するＭＩＭ電子源を用いた画像表示装置の模式平面図である。
【図１４】本発明による画像表示装置の他の実施例における１画素を構成するＭＩＭ電子源を用いた画像表示装置の模式平面図である。
【図１５】本発明の構成を適用した画像表示装置の等価回路例の説明図である。
【図１６】平板型画像表示装置を構成する表示パネルの全体の構造を示す斜視図である。
【図１７】図１６の断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０・・・陰極基板、１１・・・下部電極、１１ａ・・・開口部、１２・・・絶縁層、１３・・・上部電極、１４・・・保護絶縁膜、１５・・・層間膜、１６・・・金属膜下層、１８・・・金属膜上層、１９・・・コンタクト部、１９ａ・・・後退部、２０・・・上部バス電極、２３・・・真空中、２５・・・レジスト膜、２６・・・レジスト膜、３０・・・スペーサ、５０・・・信号線駆動回路、６０・・・走査線駆動回路、１００・・・蛍光面基板、１１１・・・赤色蛍光体、１１２・・・緑色蛍光体、１１３・・・青色蛍光体、１２０・・・ブラックマトリクス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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