(57)【要約】【課題】本発明は、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関し、金属残留物による汚染を減少させて、薄膜トランジスタの特性を確保することを課題とする。【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成し、前記ゲート線上にゲート絶縁膜、半導体層、及びオーミックコンタクト層を順次形成し、前記オーミックコンタクト層上にデータ層を形成し、前記データ層上に感光膜パターンを形成し、前記データ層をエッチングして、ソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向するドレイン電極を形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の側面を覆うように前記感光膜パターンをリフローし、前記リフローされた感光膜パターンをマスクにして前記オーミックコンタクト層をエッチングすることを特徴とする。【選択図】図２
2007142388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート線を形成し、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜、半導体層、及びオーミックコンタクト層を順次形成し、
前記オーミックコンタクト層上にデータ層を形成し、
前記データ層上に感光膜パターンを形成し、
前記データ層をエッチングして、ソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向するドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の側面を覆うように前記感光膜パターンをリフローし、
前記リフローされた感光膜パターンをマスクにして前記オーミックコンタクト層をエッチングすることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２】
前記データ層は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項３】
前記感光膜パターンのリフローは、１３０乃至１６０℃で行うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項４】
前記感光膜パターンの形成は、前記感光膜パターンをリフローする温度より低い温度で行うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項５】
前記感光膜パターンの形成は、
感光膜を塗布し、
前記感光膜を露光し、
前記露光された感光膜を現像することを含み、
前記感光膜の現像と前記データ線及びドレイン電極の形成との間には熱処理を行わないことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項６】
前記オーミックコンタクト層のエッチングは、塩素を含む気体を供給して行うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項７】
前記感光膜パターンは、
アルカリ可溶性樹脂と、
化学式（Ｉ）のバラスト構造
【化１】
2007142388.tif 000009
（ここで、Ｒ１及びＲ２はアルキル基であり、Ｒ１及びＲ２は互いに同一であっても異なってもよい）を有する感光性化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項８】
前記感光性化合物は、ジアジド系化合物であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項９】
前記感光性化合物は、２，２´−メチレンビス[６−[（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル]−４−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩]を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１０】
前記感光膜パターンは、耐熱性調整添加剤をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１１】
前記耐熱性調整添加剤は、
化学式（ＩＩ）の第１化合物
【化２】
2007142388.tif 000010
（ここで、Ｒはメチル基、エチル基、プロピル基である）及び
化学式（ＩＩＩ）の第２化合物
【化３】
2007142388.tif 000011
（ここで、Ｒ１はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である）のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１２】
前記耐熱性調整添加剤は、平均分子量が２００乃至４００であることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１３】
前記感光膜パターンは、５乃至３０重量％のアルカリ可溶性樹脂、２乃至１０重量％の感光性化合物、０．５乃至３重量％の耐熱性調整添加剤、及び残量の溶剤を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１４】
前記アルカリ可溶性樹脂は、メタ−クレゾール及びパラ−クレゾールを含み、平均分子量が２，０００乃至５，０００のノボラック樹脂であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１５】
前記感光膜パターンの形成は、第１部分及び前記第１部分より厚さが薄い第２部分を含むように形成することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１６】
前記感光膜パターンの形成の後に、
前記感光膜パターンをマスクにして前記データ層をエッチングし、
前記エッチングされたデータ層をマスクにして前記半導体層をエッチングし、
前記感光膜パターンを所定の厚さだけ除去することを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１７】
前記データ層の形成は、モリブデンを含む第１データ層を形成し、銅を含む第２データ層を形成することを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１８】
前記第１データ層の形成は、モリブデンに窒素を含む気体を供給しながら行うことを特徴とする請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１９】
基板上にゲート線を形成し、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜、半導体層、及びオーミックコンタクト層を順次形成し、
前記オーミックコンタクト層上にデータ層を形成し、
前記データ層上に第１部分及び前記第１部分より厚さが薄い第２部分を含む感光膜パターンを形成し、
前記感光膜パターンをマスクにして前記データ層をエッチングして、複数のデータ部材を形成し、
前記感光膜パターンを１次リフローし、
前記１次リフローされた感光膜パターンをマスクにして前記オーミックコンタクト層及び前記半導体層をエッチングし、
前記感光膜パターンの第２部分を除去して、データ部材の一部を露出し、
前記露出されたデータ部材をエッチングして、ソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向するドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の側面を覆うように前記感光膜パターンを２次リフローし、
前記２次リフローされた感光膜パターンをマスクにして前記オーミックコンタクト層をエッチングすることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２０】
基板と、
前記基板上に絶縁されて交差して形成されている第１及び第２信号線と、
前記第１信号線に接続されているゲート電極と、
前記ゲート電極と重畳する半導体と、
前記第２信号線に接続されているソース電極と、
前記半導体を中心にして前記ソース電極と第１間隔をおいて対向するドレイン電極、
前記ドレイン電極に接続されている画素電極と、
前記半導体及び前記ソース電極の間、そして前記半導体及び前記ドレイン電極の間に形成されていて、前記第１間隔より狭い第２間隔をおいて対向する一対のオーミックコンタクト部材とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２１】
前記半導体は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間の露出された部分を除いては、前記第２信号線と実質的に同一な平面形状からなり、前記第２信号線より幅が広いことを特徴とする請求項２０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２２】
基板と、
前記基板上に交差して形成されている第１及び第２信号線と、
前記第１信号線に接続されているゲート電極と、
前記第２信号線に接続されているソース電極と、
前記ソース電極と対向するドレイン電極と、
前記ドレイン電極に接続されている画素電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間で露出された部分を含む半導体と、
前記半導体上に形成されていて、前記ソース電極及び前記ドレイン電極で覆われない突出部を含むオーミックコンタクト部材を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２３】
前記半導体は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間の露出された部分を除いては、前記第２信号線と実質的に同一な平面形状からなり、前記第２信号線より幅が広いことを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２４】
前記半導体は、
前記第２信号線及び前記ドレイン電極が覆っている第１部分と
前記第２信号線及び前記ドレイン電極が覆っていない第２部分とを含み、
前記第２部分は、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置する第３部分と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間を除く領域に位置する第４部分とを含むことを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ  ｄｉｓｐｌａｙ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ）などの平板表示装置は、複数対の電場（電界）生成電極、及びその間の電気光学（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃａｌ）活性層を含む。液晶表示装置の場合、電気光学活性層として液晶層を含み、有機発光表示装置の場合、電気光学活性層として有機発光層を含む。
【０００３】
通常、一対の電場生成電極のうちの一つは、スイッチング素子に接続されて電気信号の印加を受け、電気光学活性層は、この電気信号を光学信号に変換することによって画像を表示する。
【０００４】
平板表示装置では、スイッチング素子として三端子素子である薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を使用し、この薄膜トランジスタを制御するための走査信号を伝達するゲート線（ｇａｔｅ  ｌｉｎｅ）、及び画素電極に印加される信号を伝達するデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）が平板表示板（以下、薄膜トランジスタ表示板とする）に形成される。
【０００５】
一方、液晶表示装置または有機発光表示装置などの表示装置の面積が次第に大型化されるのにつれて、ゲート線及びデータ線も長くなり、それによって配線の抵抗も増加する。このような抵抗の増加によって発生する信号遅延などの問題を解決するためには、ゲート線及びデータ線を比抵抗の低い材料で形成する必要がある。
【０００６】
しかし、比抵抗の低い材料は、一般に耐久性及び耐薬品性が弱く、外部からの刺激または化学物質によって残留物が容易に発生することがある。特に、半導体と接しているソース電極及びドレイン電極から発生した金属残留物がチャンネル部に残って、薄膜トランジスタの特性に影響を与えることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が目的とする技術的課題は、このような問題を解決するためのものであって、金属残留物による汚染を減少させて、薄膜トランジスタの特性を確保することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成し、前記ゲート線上にゲート絶縁膜、半導体層、及びオーミックコンタクト層を順次形成し、前記オーミックコンタクト層上にデータ層を形成し、前記データ層上に感光膜パターンを形成し、前記データ層をエッチングして、ソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向するドレイン電極を形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の側面を覆うように前記感光膜パターンをリフローし、前記リフローされた感光膜パターンをマスクにして前記オーミックコンタクト層をエッチングすることを特徴とする。
【０００９】
前記データ層は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金のうちの少なくとも一つを含むのが好ましい。
【００１０】
前記感光膜パターンのリフローは、１３０乃至１６０℃で行うのが好ましい。
【００１１】
前記感光膜パターンの形成は、前記感光膜パターンをリフローする温度より低い温度で行うのが好ましい。
【００１２】
前記感光膜パターンの形成は、感光膜を塗布し、前記感光膜を露光し、そして前記露光された感光膜を現像し、前記露光された感光膜の現像と、前記データ線及びドレイン電極の形成との間には熱処理を行わないのが好ましい。
【００１３】
前記オーミックコンタクト層のエッチングは、塩素を含む気体を供給して行うのが好ましい。
【００１４】
前記感光膜パターンは、アルカリ可溶性樹脂と、化学式（Ｉ）のバラスト（ｂａｌａｓｔ）構造
【化４】
2007142388.tif 000003
（ここで、Ｒ１及びＲ２はアルキル基であり、Ｒ１及びＲ２は互いに同一であっても異なってもよい）を有する感光性化合物を含むのが好ましい。
【００１５】
前記感光性化合物は、ジアジド系化合物であるのが好ましい。
【００１６】
前記感光性化合物は、２，２´−メチレンビス[６−[（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル]−４−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩]（２，２´−ｍｅｔｈｙｌｅｎｅｂｉｓ[６−[（２−ｈｙｄｒｏｘｙ−５−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ]−４−ｍｅｔｈｙｌ−１，２−ｎａｐｈｔｏｑｕｉｎｏｎｅｄｉａｚｉｄｅ−５−ｓｕｌｆｏｎａｔｅ]）を含むのが好ましい。
【００１７】
前記感光膜パターンは、耐熱性調整添加剤をさらに含むのが好ましい。
【００１８】
前記耐熱性調整添加剤は、化学式（ＩＩ）の第１化合物
【化５】
2007142388.tif 000004
（ここで、Ｒはメチル基、エチル基、プロピル基である）及び化学式（ＩＩＩ）の第２化合物
【化６】
2007142388.tif 000005
（ここで、Ｒ１はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基であり、Ｒ２は水素（Ｈ）またはメチル基である）のうちの少なくとも一つを含むのが好ましい。
【００１９】
前記耐熱性調整添加剤は、平均分子量が２００乃至４００であるのが好ましい。
【００２０】
前記感光膜パターンは、５乃至３０重量％のアルカリ可溶性樹脂、２乃至１０重量％の感光性化合物、０．５乃至３重量％の耐熱性調整添加剤、及び残量の溶剤を含むのが好ましい。
【００２１】
前記アルカリ可溶性樹脂は、メタ（ｍ）−クレゾール及びパラ（ｐ）−クレゾールを含み、平均分子量が２，０００乃至５，０００のノボラック樹脂であるのが好ましい。
【００２２】
前記感光膜パターンの形成は、第１部分と、前記第１部分より厚さが薄い第２部分とを含むように形成するのが好ましい。
【００２３】
前記感光膜パターンの形成の後に、前記感光膜パターンをマスクにして前記データ層をエッチングし、前記エッチングされたデータ層をマスクにして前記半導体層をエッチングし、前記感光膜パターンを所定の厚さだけ除去することが好ましい。
【００２４】
前記データ層の形成は、モリブデン（Ｍｏ）を含む第１データ層を形成し、銅（Ｃｕ）を含む第２データ層を形成するのが好ましい。
【００２５】
前記第１データ層の形成は、モリブデンに窒素を含む気体を供給しながら行うのが好ましい。
【００２６】
本発明の他の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成し、前記ゲート線上にゲート絶縁膜、半導体層、及びオーミックコンタクト層を順次形成し、前記オーミックコンタクト層上にデータ層を形成し、前記データ層上に第１部分及び前記第１部分より厚さが薄い第２部分を含む感光膜パターンを形成し、前記感光膜パターンをマスクにして前記データ層をエッチングして、複数のデータ部材を形成し、前記感光膜パターンを１次リフローし、前記１次リフローされた感光膜パターンをマスクにして前記オーミックコンタクト層及び前記半導体層をエッチングし、前記感光膜パターンの第２部分を除去して、データ部材の一部を露出し、前記露出されたデータ部材をエッチングして、ソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向するドレイン電極を形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の側面を覆うように前記感光膜パターンを２次リフローし、そして前記２次リフローされた感光膜パターンをマスクにして前記オーミックコンタクト層をエッチングすることを特徴とする。
【００２７】
本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板は、基板と、前記基板上に絶縁されて交差して形成されている第１及び第２信号線と、前記第１信号線に接続されているゲート電極と、前記ゲート電極と重畳する半導体と、前記第２信号線に接続されているソース電極と、前記半導体を中心にして前記ソース電極と第１間隔をおいて対向するドレイン電極と、前記ドレイン電極に接続されている画素電極と、そして前記半導体及び前記ソース電極の間、そして前記半導体及び前記ドレイン電極の間に形成されていて、前記第１間隔より狭い第２間隔をおいて対向する一対のオーミックコンタクト部材とを含むことを特徴とする。
【００２８】
前記半導体は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間の露出された部分を除いては、前記第２信号線と実質的に同一な平面形状からなり、前記第２信号線より幅が広いのが好ましい。
【００２９】
本発明の他の一実施例による薄膜トランジスタ表示板は、基板と、前記基板上に交差して形成されている第１及び第２信号線と、前記第１信号線に接続されているゲート電極と、前記第２信号線に接続されているソース電極と、前記ソース電極と対向するドレイン電極と、前記ドレイン電極に接続されている画素電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間で露出された部分を含む半導体と、前記半導体上に形成されていて、前記ソース電極及び前記ドレイン電極で覆われない突出部を含むオーミックコンタクト部材とを含むことを特徴とする。
【００３０】
前記半導体は、前記第２信号線及び前記ドレイン電極が覆っている第１部分と、前記第２信号線及び前記ドレイン電極が覆っていない第２部分とを含み、前記第２部分は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置する第３部分と、そして前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間を除く領域に位置する第４部分とを含むのが好ましい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、耐熱性が低い感光膜をリフローして低抵抗配線を覆うことによって、低抵抗配線が後続工程によって物理的、化学的な損傷を受けるのを防止することができ、それによってリーク電流の増加のような薄膜トランジスタの特性に与える影響を減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例ついて、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異した形態で実現でき、ここで説明する実施例に限定されない。
【００３３】
図面では、各層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体を通して類似した部分については、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとする時、これは他の部分の「真上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も意味する。
【００３４】
まず、図１乃至図３を参照して、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。
【００３５】
図１は本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２及び図３は各々図１の薄膜トランジスタ表示板のＩＩ−ＩＩ線及びＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【００３６】
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線（ｇａｔｅ  ｌｉｎｅ）１２１及び複数の蓄積電極線（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｌｉｎｅ）１３１が形成されている。
【００３７】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向にのびている。各ゲート線１２１は、下に突出した複数のゲート電極（ｇａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４、及び他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｉｌｍ）（図示せず）上に搭載されたり、基板１１０上に直接搭載されたり、基板１１０上に集積される。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１がのびてこれに直接接続される。
【００３８】
蓄積電極線１３１は、所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ平行にのびた幹線、及びこれから分かれた複数対の蓄積電極１３３ａ、１３３ｂを含む。蓄積電極線１３１の各々は、隣接する二つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は二つのゲート線１２１のうちの下側に近く形成される。蓄積電極１３３ａ、１３３ｂの各々は、幹線に接続されている固定端、及びその反対側の自由端を含む。ここで、蓄積電極１３３ａの固定端は面積が広く、自由端は直線部分及び曲線部分の二部分に分かれる。しかし、蓄積電極線１３１の形状及び配置は、多様に変更することができる。
【００３９】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属などの低抵抗性導電体から構成されてもよい。しかし、これらは、物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造から構成されてもよい。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少させることができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えばアルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性が優れている物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。これらの組み合わせの好ましい例としては、モリブデンの下部膜及び銅（合金）の上部膜や、アルミニウム（合金）の下部膜及びモリブデン（合金）の上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１は、その他にも多様な金属または導電体からなることがのぞましい。
【００４０】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１の側面は、基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は３０乃至８０度程度である。
【００４１】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などからなるゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。
【００４２】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化アモルファスシリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ
ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）（アモルファスシリコンは、略してａ−Ｓｉとする）などからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に縦方向にのびていて、ゲート電極１２４に向かって突出した複数の突出部（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）１５４を含む。線状半導体１５１は、ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１付近で幅が広くなって、これらを幅広く覆っている。半導体１５１上には、複数の線状及び島型オーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６１、１６５が形成されている。オーミックコンタクト部材１６１、１６５は、リン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化アモルファスシリコンなどからなるシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）からなることができる。線状オーミックコンタクト部材１６１は、複数の突出部１６３を含み、この突出部１６３及び島型オーミックコンタクト部材１６５は、対をなして半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。
【００４３】
半導体１５１及びオーミックコンタクト部材１６１、１６５の側面も、基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は３０乃至８０度程度である。
【００４４】
オーミックコンタクト部材１６１、１６５上には、複数のデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１及び複数のドレイン電極（ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が形成されている。
【００４５】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向にのびて、ゲート線１２１と交差している。各データ線１７１は、また、蓄積電極線１３１と交差して、隣接する蓄積電極１３３ａ、１３３ｂの集合の間に形成される。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かってのびた複数のソース電極（ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３、及び他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０上に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１がのびてこれに直接接続される。
【００４６】
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、ゲート電極１２４を中心にしてソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は、面積が広い一側端部及び棒形状の他側端部を含む。面積が広い端部は蓄積電極線１３１と重畳し、棒形状の端部は曲がったソース電極１７３で一部が囲まれている。
【００４７】
ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間には、半導体１５１の突出部１５４、オーミックコンタクト部材１６１の突出部１６３、及び島型オーミックコンタクト部材１６５が露出されている。
【００４８】
データ線１７１及びドレイン電極１７５下には、線状半導体１５１及びオーミックコンタクト部材１６１、１６５が形成されていて、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間を除いては、これらは実質的に同一な平面形状からなる。しかし、半導体１５１及びオーミックコンタクト部材１６１、１６５は、データ線１７１及びドレイン電極１７５より幅が広く、線状半導体１５１及びオーミックコンタクト部材１６１、１６５の端部は、データ線１７１及びドレイン電極１７５によって覆われずに露出されている。
【００４９】
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。データ線１７１及びドレイン電極１７５は、下部膜及び上部膜を含む。下部膜は、モリブデンまたはモリブデン合金などの接着性（ａｄｈｅｓｉｏｎ）が優れている導電体からなることができ、上部膜は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金などの低抵抗性導電体からなることができる。下部膜の厚さは約２００乃至１０００Åであり、上部膜の厚さは約１５００乃至３０００Åである。
【００５０】
図２及び図３で、ソース電極１７３及び端部１７９を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５に対して、下部膜はアルファベットのｐ、上部膜はアルファベットのｑを図面符号に付け加えて表した。
【００５１】
データ線１７１及びドレイン電極１７５の側面も、基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は３０乃至８０度程度である。
【００５２】
オーミックコンタクト部材１６１、１６５は、その下の半導体１５１及びその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間に位置して、これらの間のコンタクト抵抗を低くし、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間に一部突出した部分を含む。
【００５３】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出された半導体１５４部分上には、保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。
【００５４】
保護膜１８０は、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物、有機絶縁物、低誘電率絶縁物などからなる。有機絶縁物及び低誘電率絶縁物の比誘電率は４．０以下であるのが好ましく、低誘電率絶縁物の例としては、プラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどがある。有機絶縁物のうちの感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有するもので保護膜１８０を形成することができ、保護膜１８０の表面は平坦である。しかし、保護膜１８０は、有機絶縁物の優れた絶縁特性を生かしつつ、露出された半導体１５１部分に影響を及ぼさないように、下部無機膜及び上部有機膜の二重膜構造からなることもできる。
【００５５】
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９及びドレイン電極１７５を各々露出する複数のコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出する複数のコンタクトホール１８１、蓄積電極１３３ａ、１３３ｂの固定端付近または自由端の蓄積電極線１３１の一部を露出する複数のコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂが形成されている。
【００５６】
保護膜１８０上には、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１、複数の連結橋（ｏｖｅｒｐａｓｓ）８３、及び複数のコンタクト補助部材（ｃｏｎｔａｃｔ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）８１、８２が形成されている。これらは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体や、アルミニウム、銀、またはその合金などの反射性金属からなることができる。
【００５７】
画素電極１９１は、コンタクトホール１８５を通じてドレイン電極１７５に物理的、電気的に接続されていて、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧の印加を受けた画素電極１９１は、共通電圧（ｃｏｍｍｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）の印加を受ける他の表示板（図示せず）の共通電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）（図示せず）と共に電場を生成することによって、二つの電極の間の液晶層（図示せず）の液晶分子の配向方向を決定する。画素電極１９１及び共通電極は、キャパシタ[以下、液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）とする]を構成して、薄膜トランジスタがターンオフ（ｔｕｒｎ−ｏｆｆ）された後にも印加された電圧を維持する。
【００５８】
画素電極１９１は、蓄積電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする蓄積電極線１３１と重畳する。画素電極１９１及びこれに電気的に接続されたドレイン電極１７１が蓄積電極線１３１と重畳して構成するキャパシタをストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）といい、ストレージキャパシタは、液晶キャパシタの電圧を維持する能力を強化する。
【００５９】
コンタクト補助部材８１、８２は、各々コンタクトホール１８１、１８２を通じてゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。コンタクト補助部材８１、８２は、データ線１７１の端部１７９及びゲート線１２１の端部１２９と外部装置との接着性を補完して、これらを保護する。
【００６０】
連結橋８３は、ゲート線１２１を横切って、ゲート線１２１を間において反対側に位置する一対のコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂを通じて蓄積電極線１３１の露出された部分及び蓄積電極１３３ｂの自由端の露出された端部に接続されている。蓄積電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする蓄積電極線１３１は、連結橋８３と共にゲート線１２１やデータ線１７１または薄膜トランジスタの欠陥を修理するのに使用することができる。
【００６１】
以下、図１乃至図３に示した薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について、図４乃至図２２を参照して詳細に説明する。
【００６２】
図４、図２１、及び図２４は本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図であり、図５及び図６は図４の薄膜トランジスタ表示板のＶ−Ｖ線及びＶＩ−ＶＩ線による断面図であり、図７乃至図２０は本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図であり、図２２及び図２３は図２１の薄膜トランジスタ表示板のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線及びＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線による断面図であり、図２５及び図２６は図２４の薄膜トランジスタ表示板のＸＸＶ−ＸＸＶ線及びＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線による断面図である。
【００６３】
まず、図４乃至図６に示したように、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、銅からなる導電層を形成した後、ウェットエッチング（ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）して、ゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１及び蓄積電極１３３ａ、１３３ｂを含む複数の蓄積電極線１３１を形成する。
【００６４】
次に、図７及び図８に示したように、ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１上に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０、不純物がドーピングされていない真性アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層１５０、及び不純物がドーピングされたアモルファスシリコン（ｎ+ａ−Ｓｉ）層１６０を化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）方法で形成する。真性アモルファスシリコン層１５０は、水素化アモルファスシリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）などで形成し、不純物がドーピングされたアモルファスシリコン層１６０は、リン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされたアモルファスシリコンまたはシリサイドで形成する。
【００６５】
連続的に、不純物がドーピングされたアモルファスシリコン層１６０上に、窒化モリブデン（ＭｏＮ）からなる下部導電層１７０ｐ及び銅（Ｃｕ）からなる上部導電層１７０ｑを含むデータ層１７０を形成する。下部導電層１７０ｐ及び上部導電層１７０ｑは、スパッタリングで形成し、このうちの下部導電層１７０ｐは、モリブデンの形成時に窒素気体（Ｎ２）などの窒素を含む気体を供給しながら形成する。窒化モリブデンは、モリブデン及び銅の間に窒化膜を形成して、銅がモリブデンに拡散するのを防止することができる。
【００６６】
次に、データ層１７０上に、感光膜を形成する。
【００６７】
感光膜は、耐熱性が低く、流動性が優れている感光性組成物からなる。このような感光性組成物について説明する。
【００６８】
本実施例に適用される感光性組成物は、アルカリ可溶性樹脂及びバラスト（ｂａｌａｓｔ）構造を有する感光性化合物を含む。
【００６９】
アルカリ可溶性樹脂としては、代表的にノボラック樹脂（ｎｏｖｏｌａｃ  ｒｅｓｉｎ）がある。
【００７０】
ノボラック樹脂は、一般に、酸触媒（ａｃｉｄ  ｃａｔａｌｙｓｔ）の存在下でフェノール単量体（ｐｈｅｎｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｒ）及びアルデヒド（ａｌｄｅｈｙｄｅ）化合物を反応させて製造された高分子重合体である。
【００７１】
ここで、フェノール単量体としては、メタ（ｍ）−クレゾール及びパラ（ｐ）−クレゾールを特定の比率で合成して使用することができる。
【００７２】
アルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒド、ｐ−ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒドなどから選択される１種または２種以上を混合して使用することができる。また、前記フェノール単量体及びアルデヒド化合物の反応時に添加される酸触媒（ａｃｉｄｉｃ  ｃａｔａｌｙｓｔ）は、例えば塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、またはシュウ酸などから選択される。
【００７３】
本実施例に適用されるノボラック樹脂の重量平均分子量は、約２，０００乃至５，０００である。重量平均分子量が２，０００より低い場合には、感度が低下して微細パターンを形成するのが難しく、５，０００を超える場合には、感光膜のリフロー特性が低下して他の膜との接着性が弱くなることがある。
【００７４】
アルカリ可溶性樹脂は、感光性組成物の総含量に対して５乃至３０重量％で含まれているのが好ましい。
【００７５】
感光性化合物は、露光時に光に反応して光化学反応（ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ｒｅａｃｔｉｏｎ）を起こす化合物である。
【００７６】
本実施例では、光化学反応と共に感光膜のリフロー特性を向上させることができる感光性化合物として、化学式（Ｉ）のバラスト（ｂａｌｌａｓｔ）構造
【化７】
2007142388.tif 000006
（ここで、Ｒ１及びＲ２はアルキル基であり、Ｒ１及びＲ２は互いに同一であっても異なってもよい）を有する化合物を使用する。
【００７７】
バラスト構造は、前記構造式のように、複数のベンゼン環の間にアルキル基（ａｌｋｙｌ  ｇｒｏｕｐ）が接続されているため、化合物に柔軟性を付与して、感光性組成物の流動性を向上させることができる。
【００７８】
また、前記バラスト構造のヒドロキシ基（ｈｙｄｒｏｘｙ  ｇｒｏｕｐ、−ＯＨ）に、例えばキノンジアジド（ｑｕｉｎｏｎｅ  ｄｉａｚｉｄｅ）のようなジアジド系化合物を結合させて、感光特性を実現することができる。
【００７９】
バラスト構造にジアジド化合物が結合されている化合物としては、例えば２，２´−メチレンビス[６−[（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル]−４−メチル−１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩]（２，２´−ｍｅｔｈｙｌｅｎｅｂｉｓ[６−[（２−ｈｙｄｒｏｘｙ−５−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ]−４−ｍｅｔｈｙｌ−１，２−ｎａｐｈｔｏｑｕｉｎｏｎｅｄｉａｚｉｄｅ−５−ｓｕｌｆｏｎａｔｅ]）がある。
【００８０】
感光性化合物は、感光性組成物の総含量に対して２乃至１０重量％で含まれているのが好ましい。感光性化合物が２重量％未満で含まれている場合には、露光時の感応速度が低下し、１０重量％を超えて含まれている場合には、感応速度が急激に増加して良好なプロファイルに形成されない。
【００８１】
また、本発明は、感光膜の耐熱性を減少させるために、耐熱性調整添加剤を含むことができる。
【００８２】
耐熱性調整添加剤とは、感光性組成物の耐熱性を減少させて、元来のリフロー温度より低い温度でリフローされるようにするために添加される化合物である。
【００８３】
耐熱性調整添加剤としては、化学式（ＩＩ）で示される第１ビスフェノール（ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ）系化合物
【化８】
2007142388.tif 000007
（ここで、Ｒはメチル基、エチル基、プロピル基である）、または化学式（ＩＩＩ）で示される第２ビスフェノール系化合物
【化９】
2007142388.tif 000008
（ここで、Ｒ１はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基であり、Ｒ２は水素（Ｈ）またはメチル基である）がある。
【００８４】
耐熱性調整添加剤は、感光性組成物の総含量に対して０．５乃至３重量％で含まれているのが好ましい。
【００８５】
感光性組成物は、前記成分の他に、必要に応じて可塑剤（ｐｌａｓｔｉｃｉｚｅｒｓ）、安定剤（ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒｓ）、または界面活性剤（ｓｕｒｆａｃｔａｎｔ）のような他の添加剤をさらに含むこともできる。
【００８６】
アルカリ可溶性樹脂、感光性化合物、及び各種添加剤は、有機溶媒に溶解された溶液の形態で使用される。有機溶媒としては、例えば酢酸エチル（ｅｔｈｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、ブチルアセテート（ｂｕｔｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ジエチレングリコールジメチルエチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、メチルメトキシプロピオン酸（ｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈｏｘｙ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）、エチルエトキシプロピオン酸（ｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｏｘｙ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）、乳酸エチル（ｅｔｈｙｌ  ｌａｃｔａｔｅ）、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ａｃｅｔａｔｅ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、プロピレングリコールプロピルエーテル（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｐｒｏｐｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、メチルセロソルブアセテート（ｍｅｔｈｙｌ  ｃｅｌｌｏｓｏｌｖｅ  ａｃｅｔａｔｅ）、エチルセロソルブアセテート（ｅｔｈｙｌ  ｃｅｌｌｏｓｏｌｖｅ  ａｃｅｔａｔｅ）、ジエチレングリコールメチルアセテート（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｅｔｈｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、ジエチレングリコールエチルアセテート（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｅｔｈｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、アセトン（ａｃｅｔｏｎｅ）、メチルイソブチルケトン（ｍｅｔｈｙｌ  ｉｓｏｂｕｔｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）、シクロヘキサノン（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）、ジメチルホルムアミド（ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（Ｎ，Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ａｃｅｔａｍｉｄｅ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ−ｍｅｔｈｙｌ−２−ｐｙｒｏｌｉｄｏｎｅ）、γ−ブチロラクトン（γ−ｂｕｔｙｒｏｌａｃｔｏｎｅ）、ジエチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、エチレングリコールジメチルエーテル（ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ジグライム（ｄｉｇｌｙｍｅ）、テトラハイドロフラン（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎｅ）、メタノール（ｍｅｔｈａｎｏｌ）、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）、プロパノール（ｐｒｏｐａｎｏｌ）、イソプロパノール（ｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ）、メチルセロソルブ（ｍｅｔｈｙｌ  ｃｅｌｌｏｓｏｌｖｅ）、エチルセロソルブ（ｅｔｈｙｌ  ｃｅｌｌｏｓｏｌｖｅ）、ジエチレングリコールメチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ジエチレングリコールエチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ジプロピレングリコールメチルエーテル（ｄｉｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）、ヘキサン（ｈｅｘａｎｅ）、ヘプタン（ｈｅｐｔａｎｅ）、オクタン（ｏｃｔａｎｅ）などから選択されることがのぞましい。
【００８７】
溶媒は、感光性組成物の総含量に対してアルカリ可溶性樹脂、感光性化合物、及び各種添加剤を除く残量で含まれていて、好ましくは６０乃至９０重量％で含まれている。
【００８８】
次に、図９及び図１０に示したように、前記感光性組成物からなる感光膜を露光及び現像して、第１感光膜パターン５２及び第１感光膜パターン５２より厚さが薄い第２感光膜パターン５４を形成する。
【００８９】
この時、感光膜を現像した後に、別途の熱処理（ｐｏｓｔ  ｂａｋｅ）は行わず、感光膜のリフロー温度より低い温度で熱処理を行う。一般に、この段階で行う熱処理は、現像液によってパターニングされた感光膜を基板上に確実に固定するために行う。しかし、前記のような耐熱性の低い感光膜を高い温度で熱処理する場合、感光膜のリフローを誘発して、初期に形成された感光性パターンのプロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を破壊する。この場合、チャンネル領域に形成された感光膜のプロファイル及び傾斜角が変化して、後続のエッチングを不良にし、場合によっては短絡（ｓｈｏｒｔ）のように薄膜トランジスタの特性に影響を与えることがある。
【００９０】
そのため、感光膜を現像した後に、別途の熱処理は行わず、リフロー温度より低い温度で熱処理を行った後、直ちにエッチングを行う。
【００９１】
ここで、説明の便宜上、配線が形成される部分のデータ層１７０、不純物がドーピングされたアモルファスシリコン層１６０、真性アモルファスシリコン層１５０を配線部分（Ａ）とし、ゲート電極１２４上にチャンネルが形成される部分をチャンネル部分（Ｂ）とし、配線部分（Ａ）及びチャンネル部分（Ｂ）を除く領域を残りの部分（Ｃ）とする。
【００９２】
感光膜パターン５２、５４のうちの配線部分（Ａ）に位置した第１感光膜パターン５２は、チャンネル部分（Ｂ）に位置した第２感光膜パターン５４より厚さを厚く形成し、残りの部分（Ｃ）の感光膜は全て除去する。この時、第１感光膜パターン５２の厚さ及び第２感光膜パターン５４の厚さの比は下記のエッチング工程での工程条件によって異なるようにしなければならないが、第２感光膜パターン５４の厚さを第１感光膜パターン５２の厚さの１/２以下にするのが好ましい。
【００９３】
このように、位置によって感光膜の厚さを異なるように形成する方法は多様であるが、一例として、露光マスクに透明領域（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｒｅａ）及び遮光領域（ｌｉｇｈｔｂｌｏｃｋｉｎｇ  ａｒｅａ）だけでなく、半透明領域（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｒｅａ）を形成する方法がある。半透明領域には、スリット（ｓｌｉｔ）パターン、格子パターン（ｌａｔｔｉｃｅ  ｐａｔｔｅｒｎ）、または透過率が中間、厚さが中間である薄膜が形成される。スリットパターンを形成する時には、スリットの幅やスリットの間の間隔が写真工程に使用する露光器の分解能（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）より小さいのが好ましい。
【００９４】
次に、図１１及び図１２に示したように、第１感光膜パターン５２を使用して残りの部分（Ｃ）に露出されているデータ層１７０をウェットエッチングで除去して、複数のデータパターン１７１、１７４、１７９を形成する。
【００９５】
次に、図１３及び図１４に示したように、感光膜パターン５２、５４を約１３０乃至１６０度で熱処理して、１次リフローする。
【００９６】
前記感光性組成物は、バラスト構造の感光性化合物及び耐熱性調整添加剤を含むため、前記温度範囲で容易にリフローすることができる。この時、リフローされた感光膜パターン５２ａ、５４ａは、データパターン１７１、１７４、１７９を完全に覆う。
【００９７】
その次に、図１５及び図１６に示したように、リフローされた感光膜パターン５２ａ、５４ａをマスクにして残りの部分（Ｃ）に残っている不純物がドーピングされたアモルファスシリコン層１６０及び真性アモルファスシリコン層１５０をドライエッチング（ｄｒｙ  ｅｔｃｈｉｎｇ）して、半導体１５１、１５４及びオーミックコンタクトパターン１６４を形成する。
【００９８】
次に、図１７及び図１８に示したように、エッチバック（ｅｔｃｈ  ｂａｃｋ）工程を行ってリフローされた第２感光膜パターン５４ａを除去する。この時、リフローされた第１感光膜パターン５２ａも第２感光膜パターン５４ａの厚さだけ除去されるため、薄くなる。また、リフローされた第１感光膜パターン５２ａの側面もある程度除去されるため、その下に形成されているデータパターン１７１、１７４、１７９の両端を露出する。
【００９９】
次に、リフローされた第１感光膜パターン５２ａをマスクにしてデータパターン１７４をエッチングして、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５に分離し、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間のチャンネル領域に不純物がドーピングされたオーミックコンタクトパターン１６４を露出する。
【０１００】
次に、図１９及び図２０に示したように、リフローされた第１感光膜パターン５２ａを約１３０乃至１６０℃で熱処理して、２次リフローする。リフローされた第１感光膜パターン５２ｂは、ソース電極１７３を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５の両端を完全に覆う。特に、チャンネル領域を中心にして互いに対向するソース電極１７３及びドレイン電極１７５の側面を完全に覆うので、銅のように耐久性及び耐薬品性が低い金属が露出されない。
【０１０１】
次に、図１７乃至図１９に示したように、不純物がドーピングされたオーミックコンタクトパターン１６４の露出部分をドライエッチングする。この時、ドライエッチングは、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４、ＳｉＣｌ２Ｈ２などの塩素を含む気体を使用して行う。
【０１０２】
このように、耐熱性が低い感光膜パターンをリフローして、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の側面を完全に覆うことによって、不純物がドーピングされたオーミックコンタクトパターン１６４のエッチング時に、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５を構成する銅が損傷されて、その一部が半導体層に拡散するのを防止することができる。また、不純物がドーピングされたオーミックコンタクトパターン１６４のエッチング時に供給される塩素を含む気体によって銅が腐食されるのを防止することができる。したがって、銅のような低抵抗配線を使用する場合にも、感光膜のリフローによってソース電極及びドレイン電極の側面を覆うことによって、後続工程で物理的、化学的な損傷を防止することができ、そのために半導体層に金属残留物が残るのを防止して、リーク電流の増加など薄膜トランジスタの特性に与える影響を減少させることができる。
【０１０３】
次に、剥離材を使用してリフローされた第１感光膜パターン５２ｂを除去する。剥離は、約５０乃至８０度の温度で約６０乃至３００秒間リフローされた第１感光膜パターン５２ｂ上に剥離材を噴霧する方式で行われる。その次に、図２０乃至図２２に示したように、データ線１７１及びドレイン電極１７５によって識別されない半導体の突出部１５４を覆うように保護膜１８０を形成する。
【０１０４】
次に、保護膜１８０を写真工程でエッチングして、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５を形成する。
【０１０５】
最後に、図１乃至図３に示したように、保護膜１８０上にＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体をスパッタリングで蒸着した後、パターニングして、画素電極１９１、コンタクト補助部材８１、８２、及び連結橋８３を形成する。
【０１０６】
以上で、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】図１の薄膜トランジスタ表示板のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３】図１の薄膜トランジスタ表示板のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【図４】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図である。
【図５】図４の薄膜トランジスタ表示板のＶ−Ｖ線による断面図である。
【図６】図４の薄膜トランジスタ表示板のＶＩ−ＶＩ線による断面図である。
【図７】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図８】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図９】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１０】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１５】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１６】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１７】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１８】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１９】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図２０】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図２１】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図である。
【図２２】図２１の薄膜トランジスタ表示板のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線による断面図である。
【図２３】図２１の薄膜トランジスタ表示板のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線による断面図である。
【図２４】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図である。
【図２５】図２４の薄膜トランジスタ表示板のＸＸＶ−ＸＸＶ線による断面図である。
【図２６】図２４の薄膜トランジスタ表示板のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線による断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
５２、５４  感光膜パターン
８３  連結橋
１１０  絶縁基板
１２１  ゲート線
１２４  ゲート電極
１３１  蓄積電極線
１３３ａ、１３３ｂ  蓄積電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５０  真性アモルファスシリコン層
１５４  半導体層
１６０  不純物アモルファスシリコン層
１７０  データ層
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１８０  保護膜
１９１  画素電極
８１、８２  コンタクト補助部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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