(57)【要約】【課題】研磨パッドの表面形状測定から、研磨パッドの表面形状が所望の平坦性の精度を得るまでの時間と労力とを軽減することができる研磨パッド形状修正装置を提供すること。【解決手段】半導体ウェハ２ａの表面に研磨液を供給しながら化学的機械的研磨を行う研磨パッド３の表面形状を測定する測定端子１２と、研磨パッド３の表面形状を修正するバイト１３と、測定端子１２とバイト１３とを共通の原点で移動可能に支持する支持部材３０および支持部材を先端に固定したスライダ１９と、測定端子１２による表面形状測定処理およびバイト１３による表面形状修正処理を、前記原点をもとに処理し制御する制御部Ｃと、を備える。【選択図】        図１
2007019434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの表面に研磨液を供給しながら化学的機械的研磨を行う研磨パッドの表面形状を測定する表面形状測定手段と、
前記研磨パッドの表面形状を修正する表面形状修正手段と、
前記表面形状測定手段と前記表面形状修正手段とを一体に支持する支持手段と、
前記表面形状測定手段による表面形状測定処理および前記表面形状修正手段による表面形状修正処理を、前記支持手段の位置をもとに処理し制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする研磨パッド形状修正装置。
【請求項２】
前記表面形状測定手段は、前記表面形状を測定する測定端子と、前記測定端子を前記研磨パッドの表面に対してほぼ垂直に移動させる測定端子移動手段と、を備え、
前記表面形状修正手段は、前記表面形状を修正するバイト研削手段と、前記バイト研削手段を前記研磨パッドの表面に対してほぼ垂直に移動させるバイト移動手段と、を備え、
前記表面形状測定手段および前記表面形状修正手段は、前記支持手段を前記研磨パッドの径方向に移動するスライダによって支持されることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド形状修正装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記バイト研削手段を前記研磨パッドの表面から退避し、かつ前記測定端子を前記研磨パッドの表面に接触した状態にした後、前記研磨パッドが回転する状態で該研磨パッドの径方向に移動させる表面形状測定処理を行い、前記表面形状測定処理の結果に基づいて前記バイト研削手段を前記研磨パッドの表面に接触させ、かつ前記測定端子を前記研磨パッドの表面から退避した状態にした後、前記研磨パッドが回転する状態で該研磨パッドの径方向に移動させる表面形状修正処理を行うことを特徴とする請求項２に記載の研磨パッド形状修正装置。
【請求項４】
前記制御手段は、表面形状測定処理と前記表面形状修正処理とを前記研磨パッドの径方向に対する往復によって行わせることを特徴とする請求項３に記載の研磨パッド形状修正装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記表面形状修正処理時に前記測定端子を前記研磨パッドの表面に接触させて表面形状を測定させることを特徴とする請求項３または４に記載の研磨パッド形状修正装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記研磨パッドによって前記半導体ウェハの研磨処理が行われている場合、前記表面形状測定手段および前記表面形状修正手段を前記研磨パッドの表面から退避させ、前記研磨パッドによって前記半導体ウェハの研磨処理が行われていない場合、前記表面形状測定手段および前記表面形状修正手段を前記研磨パッドの表面に移動させることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の研磨パッド形状修正装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一つに記載の研磨パッド形状修正装置と、
前記半導体ウェハの表面を前記研磨パッドの表面に対峙させて保持する保持手段と、
前記研磨パッドを設置する定盤と、
前記半導体ウェハの表面と前記研磨パッドの表面との間に研磨液を供給する研磨液供給手段と、
を備えたことを特徴とする研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウェハの表面の研磨に用いる研磨パッドの表面の形状測定および形状修正を行う研磨パッド形状修正装置および研磨装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体デバイス製造プロセスでは、半導体ウェハ表面に導電膜を形成し、フォトリソグラフィやエッチングなどによって配線層を形成する工程や、この配線層上に層間絶縁膜を形成する工程などが含まれ、これらの工程によって半導体ウェハ表面に、金属などの導電体や絶縁体からなる凹凸が生じる。
【０００３】
一方、近年では、半導体集積回路の高密度化を目的として配線の微細化や多層配線化が進み、これに伴って、半導体ウェハ表面の凹凸を平坦化する技術が多用されている。この平坦化する技術の一つに、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）法がある。なお、ＣＭＰ法は、半導体ウェハの裏面を研削した後に、加工面に発生した加工変質層を除去する際にも用いることができる。
【０００４】
このＣＭＰは、半導体ウェハの被研磨面を、研磨パッドの研磨面に押し付けた状態で、砥粒が分散されたスラリー状の研磨材を半導体ウェハの被研磨面と研磨パッドの研磨面との間に供給し、半導体ウェハの被研磨面と研磨パッドの研磨面とを相対的に回転させながら、半導体ウェハの被研磨面を平坦化する技術である。このＣＭＰは、半導体ウェハの被研磨面の凹凸部に加わる研磨パッドの圧力差、すなわち凸部には凹部に比べて大きな圧力がかかって研磨レートが大きくなるという研磨レート差、によって研磨レートの選択性を生じさせ、所定時間経過後には凹凸部をなだらかにすることができるものである。
【０００５】
したがって、研磨パッドの表面の平坦性が、半導体ウェハの被研磨面の平坦性の品質を左右することになる。この研磨パッドは、製造上の限界や生産コストの抑制のため、製品として供給されたものをそのまま定盤に載せて使用できる程度に、表面の凹凸が小さくなく、平坦の精度が悪い。このため、研磨パッドの交換時に、研磨パッドの表面を平坦な形状に加工する必要がある。
【０００６】
ここで、この研磨パッドの表面を平坦な形状に加工する際、この研磨パッドの表面形状を測定する必要がある。この表面形状の測定は、たとえば、研磨パッドに接触させて垂直応力を加える変位測定手段を用い、研磨パッドと変位測定手段とを相対的に回転させながら、研磨パッドの表面全体を測定することによって実現できる（特許文献１参照）。
【０００７】
その後、この研磨パッドの表面全体の凹凸状態の結果をもとに、ダイヤモンドなどの砥粒が電着された円盤状のドレッサーを保持したドレッシング装置によって、研磨パッドの表面全体の凹凸を修正する処理が行われる（特許文献２，３参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２０２６３０号公報
【特許文献２】特開２００３−１５１９３４号公報
【特許文献３】特開２００２−１８７０５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した研磨パッド表面形状測定装置と研磨パッド表面形状修正装置とは、別体の装置であり、まず研磨パッド表面形状測定装置によって測定した表面形状結果をもとに、別の装置である研磨パッド表面形状修正装置を用いて研磨パッドの表面形状を修正することになるので、研磨パッド表面形状測定装置による測定結果の測定原点位置と、研磨パッド表面形状修正装置による修正の処置原点位置とを正確に一致させることが困難になり、研磨パッド表面形状測定装置による表面測定結果を有効に利用することができず、研磨パッドが所望の精度の平坦性を有するまでに測定と修正とを何度も繰り返さなければならず、時間と労力とがかかるという問題点があった。
【００１０】
この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、研磨パッドの表面形状測定から、研磨パッドの表面形状が所望の平坦性の精度を得るまでの時間と労力とを軽減することができる研磨パッド形状修正装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項１にかかる研磨パッド形状修正装置は、半導体ウェハの表面に研磨液を供給しながら化学的機械的研磨を行う研磨パッドの表面形状を測定する表面形状測定手段と、前記研磨パッドの表面形状を修正する表面形状修正手段と、前記表面形状測定手段と前記表面形状修正手段とを一体に支持する支持手段と、前記表面形状測定手段による表面形状測定処理および前記表面形状修正手段による表面形状修正処理を、前記支持手段の位置をもとに処理し制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項２にかかる研磨パッド形状修正装置は、上記の発明において、前記表面形状測定手段は、前記表面形状を測定する測定端子と、前記測定端子を前記研磨パッドの表面に対してほぼ垂直に移動させる測定端子移動手段と、を備え、前記表面形状修正手段は、前記表面形状を修正するバイト研削手段と、前記バイト研削手段を前記研磨パッドの表面に対してほぼ垂直に移動させるバイト移動手段と、を備え、前記表面形状測定手段および前記表面形状修正手段は、前記支持手段を前記研磨パッドの径方向に移動するスライダによって支持されることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項３にかかる研磨パッド形状修正装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記バイト研削手段を前記研磨パッドの表面から退避し、かつ前記測定端子を前記研磨パッドの表面に接触した状態にした後、前記研磨パッドが回転する状態で該研磨パッドの径方向に移動させる表面形状測定処理を行い、前記表面形状測定処理の結果に基づいて前記バイト研削手段を前記研磨パッドの表面に接触させ、かつ前記測定端子を前記研磨パッドの表面から退避した状態にした後、前記研磨パッドが回転する状態で該研磨パッドの径方向に移動させる表面形状修正処理を行うことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項４にかかる研磨パッド形状修正装置は、上記の発明において、前記制御手段は、表面形状測定処理と前記表面形状修正処理とを前記研磨パッドの径方向に対する往復によって行わせることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項５にかかる研磨パッド形状修正装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記表面形状修正処理時に前記測定端子を前記研磨パッドの表面に接触させて表面形状を測定させることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項６にかかる研磨パッド形状修正装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記研磨パッドによって前記半導体ウェハの研磨処理が行われている場合、前記表面形状測定手段および前記表面形状修正手段を前記研磨パッドの表面から退避させ、前記研磨パッドによって前記半導体ウェハの研磨処理が行われていない場合、前記表面形状測定手段および前記表面形状修正手段を前記研磨パッドの表面に移動させることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項７にかかる研磨装置は、上記の発明のいずれか一つに記載の研磨パッド形状修正装置と、前記半導体ウェハの表面を前記研磨パッドの表面に対峙させて保持する保持手段と、前記研磨パッドを設置する定盤と、前記半導体ウェハの表面と前記研磨パッドの表面との間に研磨液を供給する研磨液供給手段と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
この発明にかかる研磨パッド形状修正装置および研磨装置では、半導体ウェハの表面に研磨液を供給しながら化学的機械的研磨を行う研磨パッドの表面形状を測定する表面形状測定手段と、前記研磨パッドの表面形状を修正する表面形状修正手段とを共通の原点で移動可能に支持し、制御手段が、前記表面形状測定手段による表面形状測定処理および前記表面形状修正手段による表面形状修正処理を、前記原点をもとに処理し制御するようにしているので、前記表面形状測定時における研磨パッド上の表面位置と表面形状修正処理時における研磨パッド上の表面位置とが一致することから、研磨パッドの表面形状測定から、研磨パッドの表面形状が所望の平坦性の精度を得るまでの時間と労力とを軽減することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、この発明を実施するための最良の形態である研磨パッド形状修正装置および研磨装置について図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は、この発明の実施の形態である研磨パッド形状修正装置が含まれた研磨装置の概要構成を示す斜視図である。この研磨装置１は、被研磨対象である半導体ウェハ２ａの被研磨表面を研磨パッド３表面側に向けて保持するとともに回転可能な保持手段としての研磨ヘッド２と、研磨パッド３を配置し、図示しない回転手段によって回転される定盤４と、研磨ヘッド２が保持する半導体ウェハ２ａの被研磨表面と研磨パッド３との間に移動可能なノズル２１から研磨液を供給する研磨液供給装置２０と、研磨パッド３の表面形状を測定するとともにこの測定結果をもとに研磨パッド３の表面形状を修正する研磨パッド形状修正装置１０とを有する。
【００２１】
研磨パッド形状修正装置１０は、基部１８のガイド孔に沿い、矢印Ａ１で示すように研磨パッド３の径方向に水平移動するスライダ１９を有し、このスライダ１９の先端部に、測定端子１２を有する表面形状測定手段とバイト１３を有する表面形状修正手段とが共通に並列配置される支持部材３０を有する。表面形状測定手段はモータｍ２の回転によって測定端子１２を上下方向、すなわち研磨パッド３の表面に対して直交する方向に移動させることができ、表面形状修正手段はモータｍ１の回転によってバイト１３を上下方向、すなわち研磨パッド３の表面に対して直交する方向に移動させることができる。研磨パッド形状修正部１１は、上述した表面形状測定手段および表面形状修正手段、支持部材３０、スライダ１９、および基部１８を有する。
【００２２】
駆動部１４は、スライダ１９の径方向への移動を駆動する。制御部Ｃは、駆動部１４の駆動制御を行うとともに、モータｍ１，ｍ２の駆動を制御することによる測定端子１２およびバイト１３の上下方向の移動を制御する。さらに制御部Ｃは、研磨ヘッド２の移動および回転、定盤の回転、研磨液供給装置２０などの研磨装置全体の制御を行う。入力部１５は、キーボードやマウスなどのポインティングデバイスによって実現され、各種の情報を制御部Ｃに対して入力する。出力部１６は、液晶ディスプレイなどのモニタやプリンタなどによって実現され、研磨パッド３の表面形状測定結果や修正形状測定結果を出力することができる。記憶部１７は、半導体記憶メモリやハードディスク装置などによって実現され、各種プログラムやデータを記憶し、着脱可能であってもよい。
【００２３】
ここで、図２および図３を参照して、図１に示した研磨パッド形状修正部１１の詳細構成について説明する。図２は、研磨パッド形状修正部１１の拡大斜視図であり、図３は、表面形状測定手段および表面形状修正手段が支持部材３０に搭載された状態を示す研磨パッド形状修正部１１の右側面図である。
【００２４】
表面形状測定手段は、支持部材３０に固定されたモータｍ２を有し、このモータｍ２の回転によってボールねじ３２が回転すると、このボールねじ３２に螺合する支持部３４が、支持部材３０に固定されたガイドＧ２に沿いＡ３方向に移動し、支持部３４の先端に設けられた測定端子１２が、研磨パッド３の表面に対して上下動する。この上下動によって測定端子１２を研磨パッド３表面に接触させることができる。このとき、支持部３４が停止した状態で、ダイヤルゲージ３５は、測定端子１２の上下方向の変位を測定する。なお、ダイヤルゲージ３５に替えてマイクロゲージを変位センサとして用いてもよい。要は、微小な変位を検出できるものであればよい。
【００２５】
表面形状測定は、研磨パッド３が回転する状態で行われ、測定端子１２と研磨パッド３との相対速度が、たとえば３０ｍ／ｍｉｎ〜２００ｍ／ｍｉｎとなるように定盤４が回転制御される。なお、研磨パッド３の径は、６０ｃｍ程度である。この研磨パッド３が回転した状態で、スライダ１９を研磨パッド３の径方向に移動させることによって測定端子１２を研磨パッド３の径方向に移動させ、研磨パッド３全面における変位を測定する。この際、制御部Ｃは、研磨パッド３が配置される定盤４の回転速度と測定端子１２の径方向位置とをもとに、研磨パッド３上の表面位置を特定し、この研磨パッド３上の表面位置とその表面位置の変位データとを取得する。なお、測定端子１２の径方向の移動速度は、１０ｍｍ／ｍｉｎ〜１００ｍｍ／ｍｉｎである。
【００２６】
一方、表面形状修正手段は、支持部材３０に固定されたモータｍ１を有し、このモータｍ１の回転によってボールねじ３１が回転すると、このボールねじ３１に螺合する支持部３３が、支持部材３０に固定されたガイドＧ１に沿いＡ２方向に移動し、支持部３３の先端に設けられたバイト１３が、研磨パッド３の表面に対して上下動する。この上下動によってバイト１３を研磨パッド３表面近傍に位置させることができ、研磨パッド３が回転することによって研磨パッド３の表面を研削する。ここで、バイト１３と測定端子１２との間の回転方向の水平距離は一定である。なお、バイト１３は、先端が鋭角状に形成され、たとえば超鋼バイトやダイヤモンドバイトである。
【００２７】
表面形状修正は、研磨パッド３が回転する状態で行われ、バイト１３と研磨パッド３との相対速度が、たとえば３０ｍ／ｍｉｎ〜２００ｍ／ｍｉｎとなるように定盤４が回転制御される。この研磨パッド３が回転した状態で、スライダ１９を研磨パッド３の径方向に移動させることによってバイト１３を研磨パッド３の径方向に移動させ、研磨パッド３全面を研削する。バイト１３は、研磨パッド３の表面から約１００μｍ程度、切り込まれる。これは、一般に研磨パッド３の表面の凹凸が１００μｍ以内であるからである。しかし、表面形状測定結果をもとにこのバイト１３の切り込み量を調整することができる。なお、バイト１３の径方向の幅は、１００〜２００μｍ程度であり、研削する深さによって、刃先による研削幅が１ｍｍ程度まで大きくなる。また、このバイト１３の修正による平坦精度は、±１０μｍ以内であり、円板ドレスに比して高い精度で仕上げることができる。この際、制御部Ｃは、研磨パッド３が配置される定盤４の回転速度とバイト１３の径方向位置とをもとに、研磨パッド３上の表面位置を特定することができ、この表面位置は、表面形状測定結果の位置に一致させることができる。なお、バイト１３の径方向の移動速度は、１０ｍｍ／ｍｉｎであり、上述した定盤４の回転速度との関係では、研磨パッド３が１回転したとき、少なくともバイト１３がほぼ同じ表面位置になるような速度である。また、バイト１３による研削時に、このバイト１３の近傍に研磨液供給装置２０のノズル２１が近接され、研磨液に替えて純水が供給される。この純水の流量は、１リットル／ｍｉｎ以上に設定される。
【００２８】
ここで、図４を参照して、研磨装置１の制御処理手順について説明する。図４は、研磨装置１の制御処理手順を示すフローチャートである。図４において、まず、制御部Ｃは、研磨パッド３の交換指示があったか否かを判断する（ステップＳ１０１）。研磨パッド３の交換指示でない場合（ステップＳ１０１，Ｎｏ）には、そのまま研磨処理を続けて行う（ステップＳ１０２）。すなわち、スライダ１９を研磨パッド３の外径方向に移動させ、表面形状測定手段および表面形状修正手段が配置される支持部材３０を、研磨パッド３の表面上から退避させた状態にし、半導体ウェハ２ａが保持された研磨ヘッド２を回転する研磨パッド３表面に接触させ回転押圧させつつ、研磨液供給装置２０から研磨液を半導体ウェハ２ａと研磨ヘッド３との間に供給し、研磨パッド３を回転することによってＣＭＰ研磨を行い、ステップＳ１０５に移行する。
【００２９】
一方、研磨パッド３の交換指示があった場合（ステップＳ１０１，Ｙｅｓ）には、研磨液供給装置２０を研磨パッド３の表面上から退避させた状態で、研磨パッド形状修正装置１０を研磨パッド３の表面上に配置し、さらにバイト１３を研磨パッド３の表面から離隔させることによって退避させ、研磨パッド３が回転する状態で、測定端子１２を研磨パッド３の表面に接触させ、測定端子１２を径方向に移動し、研磨パッド３の表面全体の凹凸状態を測定し、その研磨パッド３上の位置と測定データとを関連づけて記憶部１７に記憶する表面形状測定処理を行う（ステップＳ１０３）。
【００３０】
さらに、制御部Ｃは、表面形状測定処理によって得られた研磨パッド３上の位置と測定データとをもとに、表面形状修正処理を行う（ステップＳ１０４）。すなわち、研磨ヘッド２が研磨パッド３の表面から退避された状態であって、かつ測定端子１２を研磨パッド３の表面から離隔した状態で、研磨パッド３を回転させた状態でバイト１３を研磨パッド３表面に切り込ませ、バイト１３を研磨パッド３の径方向に移動させることによって研磨パッド３の表面全体を研削し、研磨パッド３の表面を平坦にする。この場合、表面形状測定の位置と表面形状修正の位置とは一致しているため、この表面形状修正処理は、１回の表面形状修正処理によって所望の精度の平坦性を得ることができる。
【００３１】
その後、全ての処理を終了する指示があったか否かを判断し（ステップＳ１０５）、終了指示がなかった場合（ステップＳ１０５，Ｎｏ）、ステップＳ１０１に移行し、上述した処理を繰り返し、終了指示があった場合（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）、本処理を終了する。
【００３２】
なお、表面形状測定処理（Ｓ１０３）を研磨パッド３の外径端から内径端方向に移動させて行った場合、表面形状修正処理（Ｓ１０４）を研磨パッドの内径端から外径端方向に移動させて往復処理を行うようにすると、研磨パッド形状修正全体のスループットを向上させることができる。逆に、表面形状測定処理を研磨パッド３の内径端から外径端方向に移動させて行う場合、表面形状修正処理を研磨パッドの外径端から内径端方向に移動させる往復処理を行うようにすればよい。
【００３３】
表面形状修正処理（Ｓ１０４）を行う場合、さらにバイト１３の近傍であってバイト１３による研磨が終了した表面に測定端子１２を接触させ、バイト１３による表面形状修正処理によって所望の平坦性が得られているか否かを測定してもよい。この場合、ほぼリアルタイムでバイト１３による表面形状修正状態を確認することができるので、無駄な表面形状修正処理の続行を防止することができる。なお、バイト１３による表面形状修正状態を、バイト１３による研磨パッド３の全表面に対する処理が終了した後に確認する場合であっても、再度、表面形状測定処理を行う時間を省くことができるので効率的な研磨パッド形状修正を行うことができる。
【００３４】
ここで、表面形状修正処理前および表面形状修正処理後の表面形状の測定結果について説明する。この測定結果は、出力部１６に表示出力されたものである。図５は、表面形状修正処理前における研磨パッド３の表面形状を示す等高線図であり、図６は、表面形状修正処理前における研磨パッド３の表面形状の鳥瞰図であり、図７は、表面形状修正処理前における研磨パッド３の表面形状の断面図であり、図８は、表面形状修正処理前における研磨パッド３の表面形状の円周方向のうねりを示す円周方向断面図である。この場合、測定結果として、図５および図６をデータとして得た後、二次的なデータとして、断面方向を任意の３方向からみた図７と、円周方向を任意の３地点からみた図８とを得ている。また、図９は、表面形状修正処理後における研磨パッド３の表面形状を示す等高線図であり、図１０は、表面形状修正処理後における研磨パッド３の表面形状の鳥瞰図であり、図１１は、表面形状修正処理後における研磨パッド３の表面形状の断面図であり、図１２は、表面形状修正処理後における研磨パッド３の表面形状の円周方向のうねりを示す円周方向断面図である。この場合、測定結果として、図９および図１０をデータとして得た後、二次的なデータとして、断面方向を任意の３方向からみた図１１と、円周方向を任意の３地点からみた図１２とを得ている。
【００３５】
なお、ステップＳ１０１では、研磨パッド３を交換するか否かを判断するようにしていたが、これに限らず、制御部Ｃが、半導体ウェハ２ａの研磨処理を行うか、研磨パッド形状修正処理を行うかを判断するようにしてもよい。このような判断を行うようにすれば、研磨パッド３を交換せずに連続して研磨処理を行っている場合であっても、研磨パッド３の表面形状を測定し、さらに研磨パッド形状修正処理を行うことができるので、研磨処理中であっても平坦な研磨パッドを使用しているか否かの確認を行うことができる。
【００３６】
図７および図８に示すように、表面形状修正処理前では、表面形状の凹凸差が１００μｍ程度であったのが、図１１および図１２に示すように、表面形状修正処理後では、表面形状の凹凸差が１０μｍ以下になっており、高い精度の平坦性を１回の表面形状修正処理によって得られている。制御部Ｃは、表面形状測定結果をもとに最低値を求め、この最低値から１〜２μｍの位置を表面形状修正位置に設定し、バイト１３をその位置に移動して研削させる。なお、ここでは、バイト１３の切り込み量は、５２２０μｍの位置に設定されている。
【００３７】
なお、上述した研磨パッド形状修正装置１０は、研磨装置１に内蔵される構成としてもよいし、研磨装置１の外付可能な装置としてもよい。また、研磨パッド形状修正装置１０による表面形状測定処理は、研磨パッド取付時の表面形状修正処理時に限らず、研磨処理が行われる状況に応じて適宜、行うようにしてもよい。これによって、研磨処理に伴う表面形状の劣化を知ることができ、その結果に応じて表面形状修正処理を行ったり、研磨パッド３を交換したりして、常に所望の平坦性をもった研磨パッド３に維持することができる。
【００３８】
この実施の形態では、研磨パッド３に対する測定端子１２およびバイト１３の位置が共通の支持部材３０および基部１８に固定され、共通の原点位置を共有しているため、表面形状測定と表面形状修正との位置関係を正確に一致させることができるため、精度の高い平坦性をもつ修正を短時間に行うことができる。すなわち、測定端子１２とバイト１３とが共通の移動手段上に配置されているため、測定端子１２およびバイト１３からみた研磨パッドの径方向の位置関係が異なることもなく、測定端子１２およびバイト１３からみた研磨パッド３に対する垂直方向の位置関係が異なることもないので、精度の高い平坦性をもつ修正を短時間に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】この発明の実施の形態である研磨パッド形状修正装置が含まれた研磨装置の概要構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示した研磨パッド形状修正部の拡大斜視図である。
【図３】図１に示した研磨パッド形状修正部の右側面図である。
【図４】図１に示した研磨装置の制御処理手順を示すフローチャートである。
【図５】表面形状修正処理前における研磨パッドの表面形状を示す等高線図である。
【図６】表面形状修正処理前における研磨パッドの表面形状の鳥瞰図である。
【図７】表面形状修正処理前における研磨パッドの表面形状の断面図である。
【図８】表面形状修正処理前における研磨パッドの表面形状の円周方向のうねりを示す円周方向断面図である。
【図９】表面形状修正処理後における研磨パッドの表面形状を示す等高線図である。
【図１０】表面形状修正処理後における研磨パッドの表面形状の鳥瞰図である。
【図１１】表面形状修正処理後における研磨パッドの表面形状の断面図である。
【図１２】表面形状修正処理後における研磨パッドの表面形状の円周方向のうねりを示す円周方向断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  研磨装置
２  研磨ヘッド
２ａ  半導体ウェハ
３  研磨パッド
４  定盤
１０  研磨パッド形状修正装置
１１  研磨パッド形状修正部
１２  測定端子
１３  バイト
１４  駆動部
１５  入力部
１６  出力部
１７  記憶部
１８  基部
１９  スライダ
２０  研磨液供給装置
２１  ノズル
２２  研磨液供給部
３０  支持部材
３１，３２  ボールねじ
３３，３４  支持部
３５  ダイヤルゲージ
Ｃ  制御部
ｍ１，ｍ２  モータ
Ｇ１，Ｇ２  ガイド
【図１】
2007019434.tif 000003
【図２】
2007019434.tif 000004
【図３】
2007019434.tif 000005
【図４】
2007019434.tif 000006
【図５】
2007019434.tif 000007
【図６】
2007019434.tif 000008
【図７】
2007019434.tif 000009
【図８】
2007019434.tif 000010
【図９】
2007019434.tif 000011
【図１０】
2007019434.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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