(57)【要約】【課題】装置の上下左右表裏を簡単に識別可能にする。【解決手段】  第１の基板上に形成された枠状のシール材によって区画された電気光学物質充填領域に電気光学物質を滴下する滴下封入方式によって、前記第１の基板と第２の基板との間に液晶が介在されて構成される電気光学装置１であって、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方の所定位置に設けられる識別手段５５を具備したことを特徴とする。【選択図】      図１
2007093674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に形成された枠状のシール材によって区画された電気光学物質充填領域に電気光学物質を滴下する滴下封入方式によって、前記第１の基板と第２の基板との間に液晶が介在されて構成される電気光学装置であって、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方の所定位置に設けられる識別手段を具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記識別手段は、所定形状の識別表示であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記識別表示は、前記第１及び第２の基板の４隅部の１箇所に設けられることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記識別表示は、左右非対称又は上下非対象の形状を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記識別表示は、左右及び上下非対称の形状を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記識別表示は、前記第１又は第２の基板に形成される遮光膜と同一材料によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記識別手段は、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方の基板の外形を変形させることで得られる所定形状の識別部であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記識別手段は、前記第１の基板と第２の基板とで異なる外形の部分によってことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
第１の基板上に識別表示を形成する工程と、
前記第１の基板又は第２の基板に電気光学物質充填領域を区画する枠状のシール材を形成する工程と、
前記電気光学物質充填領域に電気光学物質を滴下する工程と、
前記第１の基板と第２の基板とを前記電気光学物質を介在させて貼り合わせる工程と、
を具備したことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記請求項１乃至請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置を具備したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、滴下封入方式を採用した大板組立方式に好適な電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置においては、一対の基板のうちの一方は、縦横に夫々配列された多数の走査線（ゲート線）及びデータ線（ソース線）の各交点に対応して、画素電極及びスイッチング素子が配列されたアクティブマトリクス基板であり、他方は、共通電極が形成された対向基板である。
【０００３】
ＴＦＴ素子等のスイッチング素子は、ゲート線に供給されるオン信号によってオンとなり、ソース線を介して供給される画像信号を画素電極（透明電極（ＩＴＯ））に書込む。これにより、画素電極と共通電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。こうして、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。
【０００５】
次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させるのである。
【０００６】
ところで、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶を封入する方式として、滴下封入方式が採用されることがある。滴下封入方式においては、例えばＴＦＴ基板上の周縁に、接着剤となるシール材を枠状に形成した後、このシール材の内側の基板上の領域（以下、液晶充填領域という）に、規定量の液晶を滴下する。
【０００７】
次に、真空下において、ＴＦＴ基板に対向基板を対向配置して、シール材を介して貼り合わせる。そして、ＴＦＴ基板と対向基板とを圧着硬化させると共に、大気開放する。このような滴下封入方式については、特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００５−９１４９３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、このような液晶装置の製造方法として、生産性に優れたアレイ製造方式が採用されることがある。アレイ製造方式においては、１枚のマザーガラス基板（素子マザー基板）から複数のＴＦＴ基板（アクティブマトリクス基板）を切り出す。更に、高い生産性を得るために、貼り合せの方式として、多数の素子基板を形成した素子マザー基板と多数の対向基板を形成した対向マザー基板同士を貼り合せる方法がある。この場合には、滴下封入方式を採用することで、生産性を更に一層向上させることができる。
【０００９】
組立工程終了後のマザー基板を分断することで、単体の液晶基板を得ることができる。この場合、分断工程を簡単にするためには、貼り合わされた素子基板と対向基板とを同一寸法に切り出すことが望ましい。例えば、素子基板の端子部が形成される１辺を除く他の３辺については、対向基板の対応する３辺と同一寸法に形成されることが多い。
【００１０】
しかしながら、３辺において素子基板と対向基板との寸法が同一であることから、組立工程以降の製造工程中において、素子基板と対向基板との見分けが付きにくく、また、向きも分かりにくく、作業性が悪化するという問題点があった。
【００１１】
なお、近年、基板の小型化が促進されており、端子部が形成される１辺においても、素子基板と対向基板との寸法差は僅かであり、基板の向きや種類の判別は一層困難となっている。
【００１２】
本発明は、パネルの上下左右表裏の向きや種類を簡単に判別可能にすることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る電気光学装置は、第１の基板上に形成された枠状のシール材によって区画された電気光学物質充填領域に電気光学物質を滴下する滴下封入方式によって、前記第１の基板と第２の基板との間に液晶が介在されて構成される電気光学装置であって、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方の所定位置に設けられる識別手段を具備したことを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、識別手段は、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方の所定位置に形成される。識別手段の位置が特定されれば、観察時の識別手段の第１，第２の基板に対する位置から、第１，第２の基板の上下左右表裏を判断することができる。これにより、組立工程後の工程における作業性を向上させることができる。
【００１５】
また、前記識別手段は、所定形状の識別表示であることを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、視認可能な識別表示によって、基板の上下左右表裏を判断することができる。
【００１７】
また、前記識別表示は、前記第１及び第２の基板の４隅部の１箇所に設けられることを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、第１及び第２の基板の特定の角部に識別表示が形成されるので、識別表示を視認することで、容易に第１，第２の基板の上下左右表裏を把握することができる。
【００１９】
また、前記識別表示は、左右非対称又は上下非対象の形状を有することを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、視認した識別表示の形状によって、第１，第２の基板の上下左右表裏を把握することができる。
【００２１】
また、前記識別表示は、左右及び上下非対称の形状を有することを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、第１及び第２の基板の表面及び裏面のいずれの面側から識別表示を視認した場合でも、識別表示の見え方によって、容易に第１，第２の基板の上下左右表裏を把握することができる。
【００２３】
前記識別表示は、前記第１又は第２の基板に形成される遮光膜と同一材料によって形成されることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、遮光膜と同時に識別表示を形成することができ、製造工程が増加することはない。
【００２５】
また、前記識別手段は、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方の基板の外形を変形させることで得られる所定形状の識別部であることを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、外形を観察することで、第１及び第２の基板の上下左右表裏を判断することができる。
【００２７】
また、前記識別手段は、前記第１の基板と第２の基板とで異なる外形の部分によってことを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、第１及び第２の基板の表面及び裏面のいずれの面側から識別部を視認した場合でも、識別部の見え方によって、容易に第１，第２の基板の上下左右表裏を把握することができる。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、第１の基板上に識別表示を形成する工程と、前記第１の基板又は第２の基板に電気光学物質充填領域を区画する枠状のシール材を形成する工程と、前記電気光学物質充填領域に電気光学物質を滴下する工程と、前記第１の基板と第２の基板とを前記電気光学物質を介在させて貼り合わせる工程と、を具備したことを特徴とする。
【００３０】
このような構成によれば、第１の基板上に識別表示が形成される。第１の基板又は第２の基板には枠状のシール材が形成され、このシール材によって区画された電気光学物質充填領域に電気光学物質が滴下される。この電気光学物質を介在させた状態で、第１の基板と第２の基板とが貼り合わされる。第１の基板には、識別表示が形成されており、識別表示によって、組立工程後の第１及び第２の基板の上下左右表裏を用意に認識することができる。
【００３１】
本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を具備したことを特徴とする。
【００３２】
このような構成によれば、電気光学装置の製造に際して作業性が向上しており、製造時に誤りのない装置が得られやすい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置を示す平面図である。本実施の形態は電気光学装置として液晶装置に適用したものである。図２は図１のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図であり、素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を示している。また、図３は識別マークを説明するための斜視図であり、図４は識別マークの形成方法を説明するためのフローチャートである。
【００３４】
液晶装置１は、図１及び図２に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた素子基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。対向配置された素子基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３５】
図１及び図２に示すように、素子基板１０及び対向基板２０の平面形状は、相互に略同一サイズの長方形状である。素子基板１０の１辺には、端子部１０２が設けられている。対向基板２０はこの端子部１０２が形成された部分を露出させるように、端子部１０２に相当する部分だけ素子基板１０よりも小さいサイズに構成されている。即ち、素子基板１０と対向基板２０とは、端子部１０２が形成された辺を除く３辺は同一寸法に形成されて、この３辺では側面同士は面一に形成される。
【００３６】
シール材５２は対向基板２０の縁辺部に形成されている。液晶装置１の中央には、画素領域１０ａが設けられる。
【００３７】
素子基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。また、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。素子基板１０の画素電極９ａ上には、液晶５０に接して、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられている。一方、対向基板２０側においても、液晶５０に接して、全面に渡って、ラビング処理が施された配向膜２２が設けられている。各配向膜１６，２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３８】
素子基板１０上には、画素領域１０ａにおいて、複数本の図示しない走査線とデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線の各交差部分に対応して図示しないスイッチング素子が設けられ、このスイッチング素子に画素電極９ａが接続される。
【００３９】
走査線にＯＮ信号を供給することで、スイッチング素子はオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号がスイッチング素子を介して画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。こうして、画像信号に応じて液晶５０が駆動され、各画素毎に光の透過率が変化して、画像表示が行われる。
【００４０】
また、図１及び図２に示すように、対向基板２０には画素領域１０ａを区画する額縁としての遮光膜５３が設けられている。また、対向基板２０上には、画素領域１０ａにおいて、素子基板１０側のデータ線及び走査線に対応して、遮光膜５４が形成されている。
【００４１】
本実施の形態においては、対向基板２０の画素領域１０ａ以外の領域であって、対向基板２０の左右方向の中央又は上下方向の中央を除く所定位置に、識別表示としての識別マーク５５が設けられている。図１の例では、識別マーク５５は、対向基板２０の１角部に設けられている。図１の例では識別マーク５５は、四角形状を有しているが、いずれの形状で構成してもよく、例えば文字であってもよい。
【００４２】
本実施の形態においては、識別マーク５５は、遮光膜５３，５４と同層に、遮光膜５３，５４と同一材料によって形成されている。
【００４３】
また、素子基板１０には、画素領域１０ａ以外の領域において、走査線及びデータ線を駆動する図示しないドライバが形成されており、ドライバには端子部１０２を介して信号が供給されるようになっている。また、素子基板１０と対向基板２０とは図示しない上下導通材によって電気的な導通がとられている。
【００４４】
次に、図３及び図４を参照して対向基板の製造方法について説明する。
【００４５】
先ず、図４のステップＳ１１において、ガラス基板等が用意される。次に、ガラス基板上に、遮光膜材料が形成される（ステップＳ２２）。遮光膜材料は、例えば、金属クロムをスパッタリングすることによって得ることができる。次に、成膜した遮光膜材料をフォトリソグラフィ及びエッチング工程においてパターニングする。
【００４６】
本実施の形態においては、このパターンニング時に、遮光膜５３，５４を形成すると共に、識別マーク５５も形成するようになっている（ステップＳ２３）。なお、これらの遮光膜５３，５４及び識別マーク５５は、導電性を有する必要はなく、Ｃｒ、Ｎｉ、ＡＬ等の金属材料のほか、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラック等の材料から形成してもよい。
【００４７】
次に、ステップＳ２４において、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。さらに、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２を形成する（ステップＳ２５）。
【００４８】
こうして製造された対向基板２０を、組立工程において、素子基板１０とシール材５２により貼り合わせる。図３は貼り合わせ前の基板１０，２０を示している。図３に示すように、対向基板２０の素子基板１０側の面（貼り合わせ面）に、遮光膜５３及び識別マーク５５が形成されている。対向基板２０は透明基板であり、図３の矢印Ａ方向から基板２０を観察することで、対向基板２０の表面側から貼り合わせ面側に形成された識別マーク５５を視認することが可能である。また、識別マーク５５は画素領域１０ａを区画する遮光膜５３の外側の領域に形成されており、表示を阻害することはない。
【００４９】
識別マーク５５は対向基板２０の４隅部の１箇所に形成されており、識別マーク５５の位置を確認することで、組立後の液晶装置１の向きを判断することができる。例えば、組立終了後の液晶装置１については、識別マーク５５が視認可能な面を観察者側に向けて、且つ、識別マーク５５が基板の左上の隅に位置するように液晶装置１を配置することで、液晶装置１が図１と同様の状態に配置されていることが認識可能である。
【００５０】
従って、本実施の形態のように、素子基板１０と対向基板２０とが略同一寸法で、いずれの基板が素子基板であるか対向基板であるかの識別が困難な場合でも、識別マーク５５の位置を確認することで、いずれの基板が素子基板又は対向基板であるかを認識すると共に、装置の上下方向及び左右方向についても確実に認識することが可能である。
【００５１】
ところで、液晶装置において、液晶注入方式によって液晶を封止する場合には、シール材に注入口が設けられており、この注入口を利用して装置の向きを判別可能である。しかし、液晶を滴下封入方式によって封入する場合には、シール材には注入口が設けられていないことから、このような識別マークの有用性は高い。
【００５２】
図５は滴下封入方式を採用した場合における組立工程を説明するための斜視図であり、図６は組立工程のフローチャートである。なお、図１乃至図３の液晶装置は図５及び図６の滴下封入方式によって製造可能である。
【００５３】
図５はアレイ製造方式によって製造した素子マザー基板７４及び対向マザー基板７５を示している。アレイ製造方式においては、製造時に投入したマザー基板を分断することなく成膜及びフォトリソグラフィ工程を繰返して、複数の液晶基板を構成する各素子をマザー基板上に同時に形成する。そして、マザー基板を分断することで、各液晶基板を得る。
【００５４】
また、図５では、貼り合せの方式として、多数の素子基板を形成したマザー基板と多数の対向基板を形成したマザー基板同士を貼り合せる方式（以下、大板組立方式という）を採用する。
【００５５】
本実施の形態においては、対向マザー基板７５については、各対向基板７７の例えば角部に相当する位置に識別マーク７８が形成されている。識別マーク７８としては、例えば、図４のステップＳ２３と同様の工程において形成した識別マーク５５（図１参照）と同様のものであってもよい。即ち、この場合には、識別マーク７８は遮光材料によって形成される。
【００５６】
図６のステップＳ１において、素子がアレイ状に形成されている素子マザー基板７４が投入される。一方、ステップＳ６では、対向基板が複数形成された対向マザー基板７５が投入される。素子マザー基板７４上には図２及び図３に示す素子基板１０と同様の素子基板が、組立工程の前工程である素子基板工程において複数形成されている。
【００５７】
これらの素子マザー基板７４及び対向マザー基板７５には、夫々全面に配向膜が形成され（ステップＳ２，Ｓ７）、ラビング処理が施される（ステップＳ３，Ｓ８）。ステップＳ４，Ｓ９の洗浄工程は、素子基板のラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。
【００５８】
素子マザー基板７４には、ステップＳ５において、各素子基板の領域毎にシール材が形成される。滴下封入方式では、シール材は、連続的且つ枠状に形成される。各シール材によって囲まれた領域が液晶充填領域となる。
【００５９】
次のステップＳ１０では、液晶充填領域への液晶の滴下が行われる。次に、真空チャンバ等の真空雰囲気下で、素子マザー基板７４と対向マザー基板７５との貼り合わせが行われる。素子マザー基板７４と対向マザー基板７５とは、アライメントを施しながら、貼り合わされる（ステップＳ１１，Ｓ１２）。この場合には、素子マザー基板７４と対向マザー基板７５とを相互に加圧して圧着させる。この加圧量は、ギャップ長を所定値に維持するように設定される。
【００６０】
次に、真空チャンバを大気開放して、貼り合わた基板７４，７５に大気圧を加える。そして、シール材を硬化させる。最後に、ステップＳ１３において、パネルを分断して、各液晶装置を得る。
【００６１】
図５に示すように、基板７４，７５には、各素子毎に分断するためのスクライブラインＬｓが形成されている。このスクライブラインＬｓに沿って、図示しないブレイクバーを配置し、基板表面から印圧する。そうすると、ブレイクバーによる静圧又は衝撃によって、ブレイクバー下方に形成されたスクライブラインＬｓを起点として、素子マザー基板７４及び対向マザー基板７５の双方に亀裂が入り、スクライブラインＬｓに沿って素子マザー基板７４及び対向マザー基板７５の双方が分断される。
【００６２】
なお、素子基板に対して対向基板が若干小さいので、図５の例では、対向基板側に設けたスクライブラインＬｓを用いて、分断された液晶装置から更に対向基板の一辺をスクライブする。
【００６３】
滴下封入方式によって組み立てられ液晶装置については、上述したように、封入口が設けられていない。しかし、識別マーク７８を視認することで、装置の上下左右表裏を認識可能である。
【００６４】
このように、本実施の形態においては、滴下封入方式で製造された液晶装置であっても、基板の所定位置に設けられた敵別マークの位置を確認することで、容易に装置の上下左右及び表裏を把握することができる。これにより、組立工程以降の製造工程における作業性を著しく向上させることができる。
【００６５】
なお、上記実施の形態においては、識別マークを、遮光膜と同層で、遮光膜と同一材料によって形成した例について説明した。しかし、識別マークは、基板表面（又は裏面）側から視認可能なものであればよく、必ずしも遮光材料を用いる必要はなく、また、遮光膜と同一工程で形成しなくてもよい。例えば、識別マーク形成のための単独の工程を追加してもよく、また、遮光材料以外の視認性を有する材料を用いた工程と同一工程で形成してもよい。
【００６６】
また、上記実施の形態においては、対向基板に識別マークを形成する例を示したが、素子基板側に形成してもよい。例えば、素子基板側には、アルミニウム材料等による配線層が形成されており、この配線層と同一工程で、識別マークをパターニングしてもよい。この場合でも、識別マークを画素領域以外の領域で、上下又は左右方向の中央以外の位置に設けることで、同様の効果を得ることができる。また、対向基板と素子基板の両方に識別マークを形成してもよいことは明らかである。
【００６７】
更に、識別マークとして液晶装置の種別毎に異なる形状、模様のマークを採用することで、液晶装置の種別の認識も可能である。
【００６８】
ところで、第１の実施の形態においては、識別マーク５５とシール材５２とは平面的には重なる領域に形成されている。また、素子基板１０には縁辺部において図示しない配線も形成されており、素子基板１０側からの識別マーク５５の視認性は不良であり、識別マーク５５を容易に視認することができるか否かによって、素子基板１０側から観察しているか対向基板２０側から観察しているかを把握することができる。
【００６９】
これに対し、素子基板の構成によっては、対向基板側に形成した識別マークを素子基板側から容易に視認することができる場合もある。この場合には、識別マークを素子基板側から観察しているか対向基板側から観察しているかを認識可能とする識別マークを選択する必要がある。
【００７０】
図７は第２の実施の形態に係り、このように表裏いずれの方向からでも識別マークを視認することができる場合でも、装置の上下左右表裏を認識可能にした電気光学装置を示す平面図である。図７において図１と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００７１】
本実施の形態は識別マーク５５に代えて識別マーク６５を採用した点が第１の実施の形態と異なる。識別マーク６５は、平面形状のみが識別マーク５５と異なる。識別マーク６５は、左右及び上下に非対称な形状を有する。図７の例ではこのような識別マーク６５として、文字「Ｆ」を用いている。
【００７２】
このように構成された実施の形態においては、識別マーク６５の見え方によって装置の上下左右表裏を把握することができる。例えば、図７の例では、識別マーク６５を、通常の向きの文字「Ｆ」として視認した場合に、対向基板２０側から観察していること及び端子部１０２を下方に向けた状態であることを認識することができる。
【００７３】
なお、識別マークの形状だけでなく、識別マークの配置位置を規定することによって、左右非対称又は上下非対称の形状であっても、装置の上下左右表裏を把握可能である。例えば、図７の「Ｆ」に代えて「Ｃ」の文字を用いた場合であっても、装置の左上に「Ｃ」の文字を観察することができるか否かによって、装置の上下左右表裏を認識することができる。
【００７４】
なお、上記各実施の形態はマイクロレンズを採用した対向基板にも適用可能である。図８はこの場合の例を示しており、図２に対応したものである。図８においては、対向基板２０’は、レンズ形状を有するガラス基板６７のレンズ形状部分に樹脂層６８を配置し、カバーガラス６９を設けて構成される。この場合においても、対向基板２０’の１縁辺近傍に識別マーク７０を配置している。
【００７５】
図９は本発明の第３の実施の形態を示す斜視図である。
【００７６】
素子基板８１と対向基板８２とは、図示しない液晶を介在させて、貼り合わされている。素子基板８１及び対向基板８２の構成は、識別マークを除き第１の実施の形態における素子基板１０及び対向基板２０と同様である。
【００７７】
本実施の形態においては、第１の実施の形態の識別マークに代えて、識別部８３が形成されている。識別部８３は基板８１，８２の４隅部の１つを斜めに切り落として形成される。なお、識別部８３は、第１の実施の形態と同様に、画素領域以外の部分に設けられる。また、識別部８３は、基板８１，８２の表示面（観察面）の左右方向の中央又は上下方向の中央を除く部位に設ければよい。
【００７８】
このような構成によれば、識別部８３の位置を規定すれば、観察時に識別部８３が装置のいずれの位置に位置するかによって、装置の上下左右表裏を認識することができる。
【００７９】
ところで、図９の実施の形態においては、基板８１，８２の平面形状が長方形である場合を示した。仮に、基板の平面形状が正方形である場合には、図９の識別部８３だけでは、上下左右表裏を判定することができないことがある。
【００８０】
図１０はこの場合を考慮した変形例を示す斜視図である。図１０において素子基板８５及び対向基板８６の構成は、識別部を除き図９の素子基板８１及び対向基板８２と同様である。
【００８１】
図１０の例では、素子基板８５及び対向基板８６は、相互に端部の形状が異なる。即ち、端部に設けられた識別部８７は、基板８５，８６のうち、一方の基板８５の４隅部の１つを斜めに切り落として形成される。なお、図１０の例では素子基板８５の一隅部を切り欠いた例を示したか、対向基板８６側を切り欠いてもよいことは明らかである。
【００８２】
このような構成によれば、識別部８７を構成する切り欠きの位置を規定すれば、観察時に識別部８７を構成する切り欠きの位置が装置のいずれに位置するかによって、装置の上下左右表裏を認識することができる。
【００８３】
なお、図９及び図１０の実施の形態においては、切り欠きの形状は限定されるものではないことは明らかである。
【００８４】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１１は、投射型カラー表示装置の説明図である。
【００８５】
図１１において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトパルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【００８６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。電気光学装置としては、電気泳動装置やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置等に適用できる。
【００８７】
また、本発明の電気光学装置は、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルだけでなく、アクティブマトリクス型の液晶パネル（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル）にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）（別名ＤＭＤ：Digital Micromirror Device）等の各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【００８８】
また、本発明は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等にも適用可能である。
【００８９】
ＬＣＯＳでは素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置を示す平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図３】識別マークを説明するための斜視図。
【図４】識別マークの形成方法を説明するためのフローチャート。
【図５】滴下封入方式を採用した場合における組立工程を説明するための斜視図。
【図６】組立工程のフローチャート。
【図７】第２の実施の形態に係る電気光学装置を示す平面図。
【図８】第２の実施の形態の変形例を示す断面図。
【図９】本発明の第３の実施の形態を示す斜視図。
【図１０】第２の実施の形態の変形例を示す斜視図。
【図１１】投射型カラー表示装置の説明図。
【符号の説明】
【００９１】
１…液晶装置、１０…素子基板、１０ａ…画素領域、２０…対向基板、５２…シール材、５３…遮光膜、５５…識別マーク。  
【図１】
2007093674.tif 000003
【図２】
2007093674.tif 000004
【図３】
2007093674.tif 000005
【図４】
2007093674.tif 000006
【図５】
2007093674.tif 000007
【図６】
2007093674.tif 000008
【図７】
2007093674.tif 000009
【図８】
2007093674.tif 000010
【図９】
2007093674.tif 000011
【図１０】
2007093674.tif 000012
【図１１】
2007093674.tif 000013