(57)【要約】【課題】セルフ・サーボ・ライトにおけるピッチ変動を防止する。【解決手段】本発明の一実施形態において、磁気ディスク１１の外周側領域２１２は外部磁界でイレーズされ、内周側領域２１１はヘッドによってセルフ・イレーズされる。内周側領域と外周側領域とは、パターンを書き込む前における下地の磁化状態が異なる。このため、内周側領域と外周側領域とにおいて、同一ピッチのラディアル・パターン１１７を読み出しても、異なるＡＰＣが測定される。本形態のＳＳＷは、内周側領域と外周側領域とにおいて、異なる基準ＡＰＣを使用する。これによって、ピッチ変動を防止する。【選択図】図９
2007294050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半径方向における位置が異なるリード素子とライト素子とを有するヘッドを使用して、回転する磁気記録面にパターンを書き込む方法であって、
前記磁気記録面の第１の領域において、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置のパターンを前記リード素子で読み出した値から算出される値が第１の基準に従うように、前記ライト素子が書き込んだパターンを前記リード素子で順次読み出して位置決めしながら前記ライト素子により新たなパターンを順次書き込み、
前記第１の領域と下地磁化状態が異なる第２領域において、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置のパターンを前記リード素子で読み出した値から算出される値が前記第１の基準と異なる第２の基準に従うように、前記ライト素子が書き込んだパターンを前記リード素子で読み出して位置決めしながら前記ライト素子により新たなパターンを順次書き込む、方法。
【請求項２】
前記第１領域は前記ライト素子によってイレーズされ、前記第２領域は外部磁界によってイレーズされている、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２領域において、前記ライト素子によって半径位置の異なる複数のパターンを書き込み、その複数パターンを位置決めされた前記リード素子で読み出した値を使用して、前記第１の基準から前記第２の基準を算出する、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の領域内における前記算出される値に対する、前記第２の領域内における前記算出される値の変化量に基づいて下地磁化状態の良否判定を行う、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の領域において、同一の半径位置における複数の前記算出される値のばらつきに基づいて下地磁化状態の良否判定を行う、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の領域において、異なる半径位置における複数の前記算出される値のばらつきに基づいて下地磁化状態の良否判定を行う、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
半径方向における位置が異なるリード素子とライト素子とを有するヘッドを使用して、回転する磁気記録面にパターンを書き込む方法であって、
第１の領域において、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを、第１半径位置の前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して算出される値と前記第１半径位置に対応する第１基準とに基づいてターゲットを決定し、
前記ライト素子が書き込んだパターンを前記リード素子で読み出して前記ターゲットに前記ヘッドを位置決めし、位置決めした状態において前記ライト素子により新たなパターンを書き込み、
第２の領域において、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを、第２半径位置の前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して算出される値に基づいて前記第１基準から第２基準を算出し、その第２基準に従って新たなターゲットを決定し、
前記ライト素子が書き込んだパターンを前記リード素子で読み出して前記新たなターゲットに前記ヘッドを位置決めし、位置決めした状態において前記ライト素子により新たなパターンを書き込む、方法。
【請求項８】
前記第１の領域内における前記算出される値に対する、前記第２の領域内における前記算出される値の変化量に基づいてエラー判定を行う、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の領域において、同一の半径位置における複数の前記算出される値のばらつきに基づいてエラー判定する、
請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の領域において、異なる半径位置における複数の前記算出される値のばらつきに基づいてエラー判定する、
請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
磁気記録面における磁化消去状態を判定する方法であって、
前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを位置決めされた前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して第１比較値を算出し、
前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを位置決めされた前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して第２比較値を算出し、
前記第１比較値と第２比較値との間の差分に基づいて消去状態の良否を判定する、方法。
【請求項１２】
異なる複数の半径位置のそれぞれにおいて、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを位置決めされた前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して比較値を算出し、
前記複数の異なる半径位置における比較値のばらつきに基づいて消去状態の良否を判定する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
同一半径位置における異なる複数の円周方向位置において、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを位置決めされた前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して比較値を算出し、
算出した前記同一半径位置における複数の比較値のばらつきに基づいて消去状態の良否を判定する、
請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録面へのパターン書き込み方法及び磁気記録面における磁化消去状態の判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスク・ドライブ装置として、光ディスク、光磁気ディスクあるいはフレキシブル磁気ディスクなどの様々な態様の記録ディスクを使用する装置が知られている。その中で、ハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）は、コンピュータの記憶装置として広く普及し、現在のコンピュータ・システムにおいて欠かすことができない記憶装置の一つとなっている。さらに、コンピュータ・システムにとどまらず、動画像記録再生装置、カーナビゲーション・システム、携帯電話、あるいはデジタル・カメラなどで使用されるリムーバブルメモリなど、ＨＤＤの用途は、その優れた特性により益々拡大している。
【０００３】
ＨＤＤは、磁気ディスクと、磁気ディスクを回転駆動するためのスピンドル・モータ（ＳＰＭ）と、磁気ディスクに対してデータの書き込み、読み取りを実行するためのヘッド素子部と、ヘッド素子部を支持しヘッド素子部を所望位置に移動するアクチュエータ等を備える。ＨＤＤは、構成部品を収容する筐体を備えている。筐体は、一般に、開口部を有するベースと、ベースの開口部を覆う板状のトップ・カバーとを有している。
【０００４】
構成部品をベース内に組み付けた後に、トップ・カバーでベースの開口部を覆って組み付けが終了する。組み付けが終了した後に、磁気ディスクにサーボ・パターンを書き込む。サーボ・パターンの書き込みが終了したＨＤＤは、製品出荷のための種々のテストに供される。サーボ・パターンの書き込み自体が不良と認定された場合、サーボ・パターンのイレーズが必要となる。さらに、製品出荷のためのテストにおいてもテスト・データが書き込まれており、不良品となったＨＤＤについては、そのテスト・データのイレーズも必要となる。
【０００５】
磁気ディスクのイレーズに関して、特許文献１は、磁気ディスクがＨＤＤに装着された状態でイレーズを行う方法を開示している。この手法は、磁気ディスクの外周側を、永久磁石で生成された外部磁界によってイレーズし、内周側をＨＤＤのヘッド素子部によって消去する。
【０００６】
さらに、特許文献１は、ヘッド素子部を使用して消去した領域と外部磁界によって消去した領域との境界に、磁気段差が生ずることを指摘している。特許文献１によれば、この磁気段差がセルフ・サーボ・ライト（ＳＳＷ）工程に影響し、磁気段差部分におけるサーボ・データのトラック・ピッチが変化する。そこで、この手法は、ＳＳＷにおいてトラック・ピッチをモニタし、磁気段差によるピッチ変動を検出した場合には、記録面の全ての領域をヘッド素子部によってイレーズする。
【特許文献１】特開２００５−３１７１２５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＳＳＷは、ＨＤＤ本体の機械機構のみを使い、外部回路からＨＤＤ内のスピンドル・モータとアクチュエータを駆動するボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）とをコントロールし、外部回路を用いてプロダクト・サーボ・パターンを書き込む。これによって、サーボ・ライタのコスト削減を図っている。
【０００８】
ＳＳＷは、ヘッド素子部のリード素子とライト素子の半径方向位置が異なる（本明細書においてリード・ライト・オフセットと呼ぶ）ことを利用して、内周側もしくは外周側にすでに書き込まれたパターンをリード素子が読み取りながらヘッド素子部の位置決めを行い、ライト素子が、リード・ライト・オフセット離れた所望のトラックに新たなパターンを書きこむ。ＳＳＷは、プロダクト・サーボ・パターンに加え、それ以外のパターンを記録面に書き込み、それらを使用してヘッド位置制御やタイミング制御を実行する。
【０００９】
ＳＳＷは、外部位置決め機構を使用しないため、サーボ・ライト・トラック間の距離を決定する際、半径方向に重なる位置にある隣接複数トラックのパターンを読み出し、その値（本明細書においてＡＰＣと呼ぶ）を使用する。ＡＰＣは、記録面の初期状態に大きな影響を受け、初期状態（下地磁化状態）によって、各パターンが物理的に同じ間隔にあっても異なる値を示すことがわかった。
【００１０】
特許文献１に開示されるように、磁気ディスクの外周側を永久磁石で生成された外部磁界によってイレーズし、内周側をＨＤＤのヘッド素子部によって消去する場合、各領域における下地の磁化状態（消磁状態）が異なるものとある。このため、これらの領域において、同じ間隔のパターンが、異なるＡＰＣを示すことになる。ＳＳＷは、その途中で書き込んだパターンのＡＰＣを測定し、その値が予め設定されている基準ＡＰＣに沿うように、ヘッドを順次送っていく。このため、外周側と内周側とにおいて同一の基準ＡＰＣを使用すると、トラック・ピッチに変動が生じることがわかった。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、半径方向における位置が異なるリード素子とライト素子とを有するヘッドを使用して、回転する磁気記録面にパターンを書き込む方法である。この方法は、前記磁気記録面の第１の領域において、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置のパターンを前記リード素子で読み出した値から算出される値が第１の基準に従うように、前記ライト素子が書き込んだパターンを前記リード素子で順次読み出して位置決めしながら前記ライト素子により新たなパターンを順次書き込む。さらに、前記第１の領域と下地磁化状態が異なる第２領域において、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置のパターンを前記リード素子で読み出した値から算出される値が前記第１の基準と異なる第２の基準に従うように、前記ライト素子が書き込んだパターンを前記リード素子で読み出して位置決めしながら前記ライト素子により新たなパターンを順次書き込む。二つの領域で異なる基準を使用することで、下地磁化状態に応じて正確にヘッド制御することができる。
前記第１領域は前記ライト素子によってイレーズされ、前記第２領域は外部磁界によってイレーズされている場合、本発明は特に有効である。
【００１２】
前記第２領域において、前記ライト素子によって半径位置の異なる複数のパターンを書き込み、その複数パターンを位置決めされた前記リード素子で読み出した値を使用して、前記第１の基準から前記第２の基準を算出することが好ましい。これによって、容易かつ正確に第２の基準を得ることができる。
【００１３】
前記第１の領域内における前記算出される値に対する、前記第２の領域内における前記算出される値の変化量に基づいて下地磁化状態の良否判定を行うことが好ましい。あるいは、前記第２の領域において、同一の半径位置における複数の前記算出される値のばらつきに基づいて下地磁化状態の良否判定を行うことが好ましい。あるいは、前記第２の領域において、異なる半径位置における複数の前記算出される値のばらつきに基づいて下地磁化状態の良否判定を行うことが好ましい。良否判定を行うことで、誤った第２基準の算出によるパターン書き込みを防ぐことができる。
【００１４】
本発明の他の態様は、半径方向における位置が異なるリード素子とライト素子とを有するヘッドを使用して、回転する磁気記録面にパターンを書き込む方法である。この方法は、第１の領域において、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを、第１半径位置の前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して算出される値と前記第１半径位置に対応する第１基準とに基づいてターゲットを決定する。さらに、前記ライト素子が書き込んだパターンを前記リード素子で読み出して前記ターゲットに前記ヘッドを位置決めし、位置決めした状態において前記ライト素子により新たなパターンを書き込む。そして、第２の領域において、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを、第２半径位置の前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して算出される値に基づいて前記第１基準から第２基準を算出し、その第２基準に従って新たなターゲットを決定する。さらに、前記ライト素子が書き込んだパターンを前記リード素子で読み出して前記新たなターゲットに前記ヘッドを位置決めし、位置決めした状態において前記ライト素子により新たなパターンを書き込む。二つの領域で異なる基準を使用することで、領域に応じて正確にヘッド制御することができる。
【００１５】
本発明の他の態様は、磁気記録面における磁化消去状態を判定する方法である。この方法は、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを位置決めされた前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して第１比較値を算出する。さらに、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを位置決めされた前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して第２比較値を算出する。そして、前記第１比較値と第２比較値との間の差分に基づいて消去状態の良否を判定する。
【００１６】
異なる複数の半径位置のそれぞれにおいて、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを位置決めされた前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して比較値を算出し、前記複数の異なる半径位置における比較値のばらつきに基づいて消去状態の良否を判定することができる。
【００１７】
同一半径位置における異なる複数の円周方向位置において、前記ライト素子が書き込んだ異なる半径位置の複数パターンを位置決めされた前記リード素子で読み出し、その読み出した値を使用して比較値を算出し、算出した前記同一半径位置における複数の比較値のばらつきに基づいて消去状態の良否を判定することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、磁化状態の異なる複数の領域において所望ピッチのパターンを書き込むことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態を説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。以下においては、磁気ディスク・ドライブ装置の一例であるハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）のサーボ・ライトを例として、本発明の好ましい態様を説明する。本形態は、サーボ・ライトにおいて、下地磁化状態の異なる領域にパターンを書き込むときにおける手法に、その特徴を有している。
【００２０】
本形態のＨＤＤの製造は、まず、外部磁界によってヘッド・ディスク・アセンブリ（ＨＤＡ）内に実装されている磁気ディスクの外周側領域をイレーズする。その後、ＨＤＡ内の内部機構を制御して、ＨＤＡ内の磁気ディスクにパターンを書き込む。まず、外部磁界によるイレーズについて説明する。図１は、外部磁界によるディスク・イレーズの方法を模式的に示す図である。外部磁界生成装置９が磁界を生成し、ＨＤＡ１に実装された磁気ディスク１１の記録面をイレーズする。説明のため、図１は、トップ・カバーが外されたＨＤＡ１を示しているが、ＨＤＡ１にトップ・カバーをはめた状態において、ディスク・イレーズを行うことができる。図１においては、ベース１０内に実装された磁気ディスク１１とアクチュエータ１６とが例示されている。
【００２１】
外部磁界生成装置９は、永久磁石９１、９２及び永久磁石９１、９２を支持する磁石支持部９３有している。永久磁石９１、９２は、互いに離間し、対向して配置されている。この永久磁石９１、９２の間の空間において、永久磁石９１、９２による磁界が生成されている。この空間内にＨＤＡ１の一部を挿入し、その状態で磁気ディスク１１をスピンドル・モータ（ＳＰＭ：不図示）によって回転することで、磁気ディスク１１の外周側領域がイレーズされる。永久磁石９１、９２によって形成される磁界の磁力は、磁気ディスク１１の保持力よりも強い。このため、この外部磁界が、磁気ディスク１１に記録されたデータを消去することができる。外部磁界を使用することで、迅速に磁気ディスク１１のイレーズを行うことができる。
【００２２】
永久磁石９１、９１の間で生成される磁界の方向は、回転する磁気ディスク１１の記録面に対して垂直もしくは平行となる。外部磁界の方向は、ＨＤＡに実装される磁気ディスク１１の記録方式によって変更することができる。外部磁界によるＳＰＭへの影響を避けるため、外部磁界内には、磁気ディスク１１の外周側の一部領域のみが挿入される。このため、磁気ディスク１１の内周側の領域は、十分にイレーズされない。このため、本形態においては、磁気ディスク１１へのサーボ・ライトにおいて、内周側領域をＨＤＡ１のヘッド素子部によってイレーズする。
【００２３】
続いて、本形態におけるサーボ・ライトについて以下に説明する。図２は、ＨＤＡ１及びＨＤＡ１のサーボ・ライトを制御するサーボ・ライト制御装置２の論理構成を模式的に示すブロック図である。ＨＤＡ１は、ＨＤＤの構成要素であって、ベース及びベースの上部開口を塞ぐトップ・カバーを有する筐体１０を有している。ＨＤＡ１は、この筐体内に、その中に収容された磁気ディスク１１、ヘッド・スライダ１２、回路素子の一例であるプリアンプＩＣ１３、ボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）１５及びアクチュエータ１６を有している。アクチュエータ１６は、先端部においてヘッド・スライダ１２を支持している。また、プリアンプＩＣ１３は回路基板（不図示）を介してアクチュエータ１６に固定され、具体的には、その回動軸１６１の近くに固定されている。
【００２４】
ＨＤＤは、ＨＤＡ１に加えて、筐体１０の外側に固定された回路基板を備える。回路基板上には、信号処理及び制御処理を実行するＩＣが実装される。本形態のサーボ・ライトはこの制御回路基板上の回路を使用せず、サーボ・ライト制御装置２が、サーボ・ライトを制御する。本形態のサーボ・ライトは、ＨＤＡ１の内部機構を直接に制御して磁気ディスク１１にサーボ・データ（サーボ・パターン）を書き込む。磁気ディスク１１は、磁性層が磁化されることによってデータを記憶する不揮発性の記憶ディスクである。
【００２５】
このようなサーボ・ライトを、セルフ・サーボ・ライト（ＳＳＷ）と呼ぶ。ＳＳＷは、筐体１０内の各構成要素を使用して、磁気ディスク１１にユーザ・データの書き込み及び読み取りにおいて使用するサーボ・データを書き込む。以下において、このサーボ・データをプロダクト・サーボ・パターンと呼ぶ。なお、ＨＤＤに実装される制御回路を使用して本形態のサーボ・ライトを実行することも可能である。
【００２６】
サーボ・ライト制御装置２は、本形態のＳＳＷを制御、実行する。サーボ・ライト制御装置２は、ＳＳＷコントローラ２２を有する。このＳＳＷコントローラ２２は、ＳＳＷ全体を制御する。ＳＳＷコントローラ２２は、ヘッド・スライダ１２の位置決め制御及びパターン生成の制御などを実行する。ＳＳＷコントローラ２２は、予め記憶されたマイクロ・コードに従って動作するプロセッサによって構成することができる。ＳＳＷコントローラ２２は、外部の情報処理装置からの要求に応じて制御処理を実行し、エラー情報などの必要な情報を情報処理装置に送信する。
【００２７】
磁気ディスク１１へのパターンの書き込みにおいて、ＳＳＷコントローラ２２がパターン生成器２１に指示を行い、パターン生成器２１が所定のパターンを生成する。リード・ライト・インターフェース２３が、パターン生成器２１が生成したパターンの変換処理を行い、パターン信号をプリアンプＩＣ１３に転送する。プリアンプＩＣ１３は信号を増幅してヘッド・スライダ１２に転送し、ヘッド・スライダ１２が磁気ディスク１１にパターンを書き込む。
【００２８】
ＳＳＷコントローラ２２は、ヘッド・スライダ１２が読み取った信号を使用してアクチュエータ１６を制御し、ヘッド・スライダ１２の移動及び位置決めを行う。具体的には、ヘッド・スライダ１２が読み取った信号は、ＲＷインターフェース２３を介して、振幅復調器２７に入力される。振幅復調器２７が復調処理した読み取り信号は、ＡＤコンバータ２６によってＡＤ変換され、ＳＳＷコントローラ２２に入力される。ＳＳＷコントローラ２２は、得られたデジタル信号を分析し、数値制御信号を計算する。
【００２９】
ＳＳＷコントローラ２２は、その値をＤＡコンバータ２５に送る。ＤＡコンバータ２５は、取得したデータをＤＡ変換し、制御信号をＶＣＭドライバ２４に与える。ＶＣＭドライバ２４は制御信号に基づき制御電流をＶＣＭ１５に供給し、ヘッド・スライダ１２を移動及び位置決めする。本明細書において、サーボ・ライト制御装置２及びＨＤＡ１の磁気ディスク１１以外の構成要素を含む装置を、セルフ・サーボ・トラック・ライタ（ＳＳＴＷ）と呼ぶ。つまり、ＳＳＴＷが、磁気ディスク１１の記録面にサーボ・パターンを書き込む。
【００３０】
図３に示すように、本形態のＨＤＡ１は、複数の磁気ディスク１１ａ−１１ｃを有し、各磁気ディスク１１ａ−１１ｃは、スピンドル・モータ（ＳＰＭ）１４の回転軸に固定されている。ＳＰＭ１４は、そこに固定されている磁気ディスク１１ａ−１１ｃを、所定の角速度で回転する。また、各磁気ディスク１１ａ−１１ｃの両面が記録面であり、ＨＤＡ１は各記録面に対応した複数のヘッド・スライダ１２ａ−１２ｆを有している。
【００３１】
各ヘッド・スライダ１２ａ−１２ｆは、アクチュエータ１６に固定されている。具体的には、アクチュエータ・アーム１６２ａがヘッド・スライダ１２ａを支持し、アクチュエータ・アーム１６２ｂがヘッド・スライダ１２ｂ、ｃを支持し、アクチュエータ・アーム１６２ｃがヘッド・スライダ１２ｄ、ｅを支持し、アクチュエータ・アーム１６２ｄがヘッド・スライダ１２ｆを支持する。
【００３２】
アクチュエータ１６はＶＣＭ１５に連結され、回動軸１６１を中心に回動することによって、各ヘッド・スライダ１２ａ−１２ｆを磁気ディスク１１ａ−１１ｃの各記録面上において半径方向に移動する。各ヘッド・スライダ１２ａ−１２ｆは、スライダとそこに形成された薄膜素子としてのヘッド素子部（不図示）とを有している。ヘッド素子部は、ライト・データに応じて電気信号を磁界に変換するライト素子及び磁気ディスク１１からの磁界を電気信号に変換するリード素子を備えている。
【００３３】
プリアンプＩＣ１３は、複数のヘッド・スライダ１２ａ−１２ｆの中からデータを読み取る１つのヘッド・スライダを選択し、選択されたヘッド・スライダにより再生される再生信号を一定のゲインで増幅（プリアンプ）し、サーボ・ライト制御装置２に出力する。また、プリアンプＩＣ１３は、サーボ・ライト制御装置２からの信号を増幅して、選択されたヘッド・スライダに出力する。プロダクト・サーボ・パターンの書き込みにおいては、全ヘッド・スライダ１２ａ−１２ｆが同時に選択される。
【００３４】
図２に戻って、ＳＳＷによって、磁気ディスク１１の記録面には、磁気ディスク１１の中心から半径方向に放射状に延び、所定の角度毎に形成された複数のサーボ領域１１１が形成される。図２は、７つのサーボ領域を例示している。各サーボ領域１１１は、ユーザ・データの読み取り／書き込みにおいてヘッド・スライダの位置決め制御を行うためのプロダクト・サーボ・パターンが記録される。隣り合う２つのサーボ領域１１１の間の領域がデータ領域１１２であって、そこにユーザ・データが記録される。サーボ領域１１１とデータ領域１１２は、所定の角度で交互に設けられる。
【００３５】
図４は、１サーボ・セクタのプロダクト・サーボ・パターン１１５のデータ・フォーマットを示している。１サーボ領域１１１において、円周方向において一サーボ・セクタのプロダクト・サーボ・パターン１１５が形成され、半径方向に複数サーボ・セクタのプロダクト・サーボ・パターン１１５が形成されている。プロダクト・サーボ・パターン１１５は、プリアンブル（PREAMBLE）、サーボ・アドレス・マーク（SAM）、グレイ・コードからなるトラックＩＤ（GRAY）、サーボ・セクタ・ナンバ（PHSN）（オプショナル）及びバースト・パターン（BURST）から構成されている。ＳＡＭは、トラックＩＤ等の実際の情報が始まることを示す部分で、通常ＳＡＭが見つかったときに出てくるタイミング信号であるＳＡＭ信号が磁気ディスク１１上に書き込まれた位置と正確な相関をもっている。
【００３６】
また、バースト・パターン（BURST）は、トラックＩＤで示されるサーボ・トラックの更に精密な位置を示す信号である。バースト・パターンは、典型的には、サーボ・トラックごとに周回上に位置を少し違えたところに千鳥状に書かれたＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの4つの振幅信号を備える（図５参照）。これらの各バーストはプリアンブル（PREAMBLE）と同じ周期の単一周波数信号である。
【００３７】
図５は、本形態のＳＳＴＷが記録面上に書き込むパターン及びその書き込み方法を模式的に示している。図５は、１サーボ・セクタに対応するパターンを示している。ＳＳＴＷは、プロダクト・サーボ・パターン１１５の他に、タイミング・パターン１１６とラディアル・パターン１１７とを書き込む。タイミング・パターン１１６はパルス状のパターンであり、ラディアル・パターン１１７は所定周波数のバーストである。従って、本形態のＳＳＷにおける一つのセクタは、プロダクト・サーボ・パターン１１５を書き込む領域１５１、１スロットのタイミング・パターン１１６を書き込む領域１６１及び１スロットのラディアル・パターン１１７を書き込む領域１７１を有している。タイミング・パターン１１６及びラディアル・パターン１１７は、ユーザ・データを記憶するデータ領域１１２に書き込まれる。
【００３８】
ＳＳＴＷは、自分で磁気ディスク１１に書き込んだパターンを参照し、その信号から得られる時間的、空間的情報を使用して、ヘッド素子部１２０の時間的（周方向におけるタイミング制御）、空間的（半径方向における位置制御）な制御を行いながら、リード・ライト・オフセットだけ半径方向にずれた位置に、次のパターンを書き込む。
【００３９】
リード・ライト・オフセット（RWO）は、ヘッド素子部１２０における、ライト素子１２１とリード素子との間の半径方向における間隔であり、具体的には、リード素子１２２とライト素子１２１の各センター間の、磁気ディスク１１の半径方向における距離である。リード・ライト・オフセットは、磁気ディスク１１上の半径位置によって変化する。なお、ライト素子１２１とリード素子１２２とは円周方向においても位置がずれており、この方向における間隔をリード・ライト・セパレーションと呼ぶ。
【００４０】
本形態のＳＳＴＷは、複数のヘッド素子部１２０から一つを選択し（例えば図３におけるヘッド・スライダ１２ｂのヘッド素子部）、その選択したヘッド素子部１２０によって記録面上のパターンを読み取る。このヘッド素子部１２０を、本明細書においてプロパゲーション・ヘッドと呼ぶ。そして、ＳＳＴＷは、プロパゲーション・ヘッドが読み取った信号を使用してアクチュエータ１６を制御し、全ヘッド・スライダ１２ａ−１２ｆによって各記録面に同時に各パターンを書き込む。
【００４１】
本形態においては、図５に示すように、リード素子１２２がライト素子１２１よりも磁気ディスク１１の内周（ＩＤ）側に配置されている。パターンは、内周側から外周側に書き進められる。内周側からパターンを書き込むことによって、ライト素子１２１により先に書き込まれたパターンをリード素子１２２が読み取ることができる。これによって、リード素子１２２が読み取ったパターンによってヘッド素子部１２０の位置合わせを行いながら、ライト素子１２１は新たなパターンの書き込みを行うことができる。尚、ライト素子１２１、リード１２２の位置を変更することによって、磁気ディスク１１の外側からＳＳＷを開始することも可能である。
【００４２】
具体的には、ＳＳＴＷは、ラディアル・パターン１１７を使用してヘッド素子部１２０の位置決めを行い、タイミング・パターン１１６を基準として、パターン書き込みのタイミングを測定する。プロパゲーション・ヘッドのリード素子１２２がタイミング・パターンを読み取ったタイミングから予め定められた時間経過後に、各ヘッド素子部１２０のライト素子１２１が、プロダクト・サーボ・パターン１１５（の一部）を書き込む。また、次のセクタのタイミング・パターン１１６は、一つ前のセクタのタイミング・パターン１１６の読み取りを基準にして書き込まれる。
【００４３】
図５に示すように、ライト素子１２１は、各プロダクト・サーボ・パターン１１５を、半径方向において一部が重なるように書き込む。つまり、各プロダクト・サーボ・パターンの形成において、各パターンの一部は外周側のパターンに上書きされる。図５においては、３つのすでに書き込まれたプロダクト・サーボ・パターン１１５が示されており、ライト素子１２１は内周側から４つ目のプロダクト・サーボ・パターンを形成している途中である。
【００４４】
ライト素子１２１は磁気ディスク１周でプロダクト・サーボ・パターンの半分を書き込む。本明細書において、このプロダクト・サーボ・パターンの半分に相当するトラックを、サーボ・ライト・トラックと呼ぶ。１サーボ・ライト・トラックのプロダクト・サーボ・パターンが、１１５で指示されている。また、プロダクト・サーボ・パターンのトラックをサーボ・トラックと呼ぶ。サーボ・ライト・トラックのトラック・ピッチは、サーボ・トラック・ピッチの半分となる。図５の例においては、７サーボ・ライト・トラックが既に書き込まれており、ライト素子１２１は、内周側から８つ目のサーボ・ライト・トラックを書き込んでいる途中である。
【００４５】
同一のセクタにおけるタイミング・パターン１１７は、円周方向における実質的に同一の位置に形成される。一方、各ラディアル・パターン１１７は、半径方向において隣接するラディアル・パターン１１７と、異なる円周方向位置に形成される。つまり、各隣接するラディアル・パターン１１７は、円周方向位置がずれている。また、半径方向において、各隣接するラディアル・パターン１１７は重なるように形成される。なお、図５において、各ラディアル・パターン１１７が外周方向に向かうにつれて図の右側に順次ずれていくが、さらに外周側のトラックにおいて、図の左側にずれた位置に書き込まれる。
【００４６】
ＳＳＷコントローラ２２は、ラディアル・パターン１１７の読み取り信号を使用してヘッド・ポジショニングを行う。具体的に、図６を参照して、リード素子１２２を、ターゲット位置１１８に位置決めする例を説明する。図６におけるリード素子１２２の半径方向の寸法がリード幅、ライト素子１２１の寸法がライト幅に相当する。磁気ディスク１１は図の右から左に回転し、リード素子１２２は図の左から右に向かって移動する。ライト素子１２１は、ターゲット位置１１９において対応するサーボ・ライト・トラックを書き込む。
【００４７】
ライト素子１２１をターゲット位置１１９に位置決めするために、ＳＳＷコントローラ２２は、ターゲット位置１１９からリード・ライト・オフセット（RWO）内周側のターゲット位置１１８にリード素子１２２を位置決めする。リード素子１２２は、ラディアル・パターン１１７ａ、１１７ｂ及び１１７ｃを読み取る。ＳＳＷコントローラ２２は、各ラディアル・パターン１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃの振幅（Ａ、Ｂ及びＣとする）の関数値（本明細書においてＰＥＳ値と呼ぶ）を求め、その値がターゲット値となるようにリード素子１２２を位置決めする。
【００４８】
リード素子１２２がターゲット位置１１８に位置決めされた状態で、ライト素子１２２はラディアル・パターン１１７ｄを書き込む。なお、各パターンを書き込む工程において、典型的には、リード素子１２２のターゲット位置は各ラディアル・パターン１１７の中心に一致せず、半径方向においてずれている。
【００４９】
このように、ＳＳＴＷは、内周側から順次、各サーボ・ライト・トラックにパターンを書き込んでいく。図１を参照して説明したように、磁気ディスク１１記録面の外周側領域は、外部磁界によってイレーズ処理されているが、内周側領域は、外部磁界によって十分にイレーズ処理がなされていない。そこで、図７に示すように、本形態のＳＳＴＷは、各記録面の内周側領域２１１においては、各ヘッド素子部１２０によるセルフ・イレーズを行う。外周側領域２１２においては、ＳＳＴＷはセルフ・イレーズを行うことなく、パターンを各記録面に書き込む。
【００５０】
内周側領域２１１におけるパターンの書き込み方法について、図８を参照して説明する。内周側領域２１１において、イレーズ工程を含むサーボ・パターン書き込みシーケンスは、ターゲット・サーボ・ライト・トラックにおけるプロダクト・サーボ・パターン１１５を含むパターンの書き込み工程（以下、サーボ・パターン書き込み工程）と、パターンを書き込んだ位置から数サーボ・ライト・トラック先におけるイレーズ工程とを繰り返す。
【００５１】
具体的には、図８を参照して、まず、ライト素子位置１２１ｂにあるライト素子１２１が、ターゲット・トラックにおいてプロダクト・サーボ・パターンを含むパターンを書き込む。続いて、ライト素子１２１は、外周側の数トラック先へのライト素子位置１２１ｃへ移動する[１]。ライト素子１２１は、移動先のサーボ・ライト・トラックにおいて、イレーズを行い、イレーズ・トラックを生成する。イレーズ工程は、ＤＣイレーズ・パターンもしくはＡＣイレーズ・パターンを書き込む。
【００５２】
磁気ディスク１１が１回転し、移動先トラックにおけるイレーズが終了すると、ライト素子１２１は、直前にパターンを書き込んだサーボ・ライト・トラック（ライト素子位置１２１ｂ）に戻る[２]。さらに、ライト素子１２１は、次のプロダクト・サーボ・パターン１１５を含むパターンの書き込みのため、一つ外側のサーボ・ライト・トラックに移動し[３]、そのライト素子位置１２１ａにおいて各パターンを書き込む。このときのリード素子位置が１２２ａで示されている。
【００５３】
以降、内周側領域２１１におけるサーボ・パターン書き込みシーケンスは、イレーズするサーボ・ライト・トラックへのシーク工程、シーク先におけるイレーズ工程、シーク前位置に戻るシーク工程、一つ外周側のサーボ・ライト・トラックへのシーク工程及びシーク先におけるサーボ・パターン書き込み工程を繰り返す。
【００５４】
外周側領域２１２におけるサーボ・パターン書き込みシーケンスは、内周側領域２１１におけるサーボ・パターン書き込みシーケンスから、イレーズのための各工程を除いたものとなる。具体的には、図８の例において、ライト素子１２１は、ライト素子位置１２１ｂにおいて、プロダクト・サーボ・パターン１１５を含むパターンを書き込む。その後、ライト素子１２１は外周側の隣接サーボ・ライト・トラックにシークし[３]、シーク先のライト素子１２１ａにおいて各パターンを書き込む。以後、一つ外周側のサーボ・ライト・トラックへのシーク工程と、シーク先でのサーボ・パターン書き込み工程とを繰り返す。
【００５５】
本形態のＳＳＷコントローラ２２は、ＡＰＣと呼ぶ値が予め定められた規定値に一致するようにヘッド・スライダ１２ａ−１２ｆを順次移動する。これによって、所望のピッチのプロダクト・サーボ・パターンを書き込む。ＳＳＴＷは、ＡＰＣが規定値に一致するように（近づくように）、ターゲットＰＥＳ値を決定し、そのターゲット位置にプロパゲーション・ヘッドを位置決めした状態で、各サーボ・ライト・トラックにおいてパターンを書き込む。
【００５６】
ＡＰＣは、半径方向において隣接する３つのサーボ・ライト・トラックのラディアル・パターン１１７の読み取り振幅Ａ、Ｂ及びＣから算出される。具他的には、プロパゲーション・ヘッドを一つのラディアル・パターン１１７の中心に位置決めした状態において、各ラディアル・パターン１１７の読み取り振幅Ａ、Ｂ及びＣを取得する。ＡＰＣは、（Ａ＋Ｃ／Ｂ）によって算出される。
【００５７】
図６に示すように、３つの隣接するラディアル・パターンは、半径方向及び円周方向において隣接する。また、中央のラディアル・パターンに対して、半径方向において隣接する各ラディアル・パターンの一部が、半径方向において重なっている。円周方向において、各ラディアル・パターンは重なっていない。
【００５８】
本形態のＳＳＷにおいて特徴的な点の一つは、内周側領域２１１と外周側領域２１２とにおいて、異なる基準ＡＰＣを使用するということである。セルフ・イレーズされる内周側領域２１１と、外部磁界によってイレーズされる外周側領域２１２とは、パターンを書き込む前における下地の磁化状態が異なる。リード素子１２２がラディアル・パターン１１７を読み出してＡＰＣを測定する場合、リード素子１２２は、ラディアル・パターン１１７の他に、下地部分の磁化も読み出す。このため、磁化消去状態が異なる内周側領域２１１と外周側領域２１２とにおいて、同一ピッチのラディアル・パターン１１７を読み出しても、異なるＡＰＣが測定される。
【００５９】
そこで、外周側領域２１２におけるパターン書き込みにおいて、内周側領域２１１において使用した基準ＡＰＣを変更し、新たな基準ＡＰＣを設定する。図９は、本形態における基準ＡＰＣカーブの一例を示している。内周側領域２１１においてはＡＰＣカーブ８１を使用し、外周側領域２１２においてはＡＰＣカーブ８２を使用する。ＡＰＣカーブ８１とＡＰＣカーブ８２との間には段差、つまり、オフセットが存在する。図９の例においては、外周側領域２１２のＡＰＣカーブ８２が内周側領域２１１のＡＰＣカーブ８１に対して増加する方向にずれているが、この逆の関係になることもある。
【００６０】
この基準ＡＰＣをターゲットとして各サーボ・ライト・トラックのパターンを書き込むことで、サーボ・ライト・トラック・ピッチが所望の値となるようにコントロールする。なお、基準ＡＰＣは、開発段階において予め決定される。具体的には、ロータリ・ポジショナを使用して理想的なパターンを同一設計のＨＤＡにおいて書き込み、そのパターンのＡＰＣを計測することで決定することができる。
【００６１】
本形態のＳＳＴＷには、ＳＳＷを開始する前に、内周側領域２１１及び外周側領域２１１の各サーボ・ライト・トラックに対応する基準ＡＰＣカーブが予め設定される。つまり。ＳＳＷの開始時において、各領域の基準ＡＰＣカーブは同一である。ＳＳＴＷは、ＡＰＣキャリブレーション・シーケンス内において、予め設定されている基準ＡＰＣカーブを補正し、外周側領域２１２のＡＰＣカーブ８２を設定する。まず、このＡＰＣキャリブレーション・シーケンスについて説明する。
【００６２】
本形態のＳＳＷは、所定サーボ・ライト・トラック数のパターンを書き込むと、ＡＰＣキャリブレーションを実行する。つまり、本形態のＳＳＷは複数のシーケンスを有しており、記録面の各サーボ・ライト・トラックにパターンを順次書き込んでいくパターン書き込みシーケンスと、各パターン書き込みシーケンスの間に実行されるＡＰＣキャリブレーション・シーケンスを有する。
【００６３】
ＡＰＣキャリブレーション・シーケンスは、設計に従ったピッチでパターンを書き込むため、書き込んだパターンのＡＰＣを測定すると共に、以降のパターン書き込みにおけるターゲットとなるＰＥＳ値を決定する。このＡＰＣキャリブレーション・シーケンスは、数百サーボ・ライト・トラック毎に１回行われる。
【００６４】
本形態のＳＳＷコントローラ２２は、ＡＰＣが規定値となるように、ヘッド素子部１２０を順次移動していく。しかし、次のサーボ・ライト・トラックへの各移動においてＡＰＣを測定することは、多大な時間を必要とし、イールドに大きく影響する。そのため、本形態のＳＳＷは、数百サーボ・ライト・トラック毎にＡＰＣを測定し、その測定値に従って、次の工程のターゲットＰＥＳを決定する。
【００６５】
ＡＰＣキャリブレーション・シーケンスは、図１０に示すように、最後にパターンを書き込んだターゲット位置１１８ａから内周側にリード素子１２２を移動し、複数サーボ・ライト・トラックについて、ＡＰＣを測定する。図１０の例においては、リード素子１２２は、最後にパターン書き込みをした位置から４サーボ・ライト・トラック内側に移動し、そのリード素子位置１２２ｃからリード素子位置１２２ｆまで順次移動しながら、各ラディアル・パターンを読み取る。図１０の例は、サーボ・ライト・トラックのＡＰＣを測定する。複数サーボ・ライト・トラックのＡＰＣを測定することで、測定誤差による誤ったＡＰＣを測定することを防止する。ＡＰＣの測定は、シークとラディアル・パターンの読み取りの工程から構成され、上述の例は、ディスク４回転のシーク（リード）と、ディスク４回転のラディアル・パターン読み取り（リード）とを実行する。
【００６６】
ＳＳＴＷは、予め定められた半径位置におけるＡＰＣキャリブレーション・シーケンスにおいて、外周側領域２１２のＡＰＣカーブ８２を設定する。典型的には、外周側領域２１２における最内周側のＡＣＰキャリブレーション位置において、ＳＳＴＷは、基準ＡＰＣカーブの再設定を行う。例えば、４９００サーボ・ライト・トラック位置に領域境界が存在し、ＳＳＴＷが４８００サーボ・ライト・トラック位置と、５０００サーボ・ライト・トラック位置とでＡＣＰキャリブレーションを行う場合を考える。この場合、ＳＳＴＷは、この５０００サーボ・ライト・トラック位置におけるＡＣＰキャリブレーションにおいて、基準ＡＰＣカーブの再設定を行う。
【００６７】
具体的には、ＳＳＷコントローラ２２は、外周側領域２１２における最内周側のＡＰＣキャリブレーションにおいて、複数のサーボ・ライト・トラック（上述の例において４サーボ・ライト・トラック）におけるＡＰＣの平均値を算出する。つまり、各サーボ・ライト・トラックのＡＰＣ平均値を加算し、それをサーボ・ライト・トラック数で割った値である。ＳＳＷコントローラ２２は、この値を使用して、予め設定されている基準ＡＰＣカーブを補正（校正）する。
【００６８】
典型的には、基準ＡＰＣカーブは、サーボ・ライト・トラック位置に対する三次もしくは五次の関数として設定される。ＳＳＷコントローラ２２は、この初期設定された関数が表すキャリブレーション位置のＡＰＣと、実際に測定したＡＰＣを比較する。そして、これらの値の差分を算出し、その差分をオフセットとして関数に加算する。この新たな関数が、外周側領域２１２における基準ＡＰＣカーブを表す関数となる。
【００６９】
このように、外周側領域２１２において実際に測定されたＡＰＣを使用して、内周側領域２１１において使用した基準ＡＰＣカーブを表す関数を補正することで、外周側領域２１２の下地磁化状態に適した基準ＡＰＣカーブを得ることができ、サーボ・データのトラック・ピッチ変動を抑制することができる。
【００７０】
正確なＡＰＣ測定値を得るためには、上述のように、複数のＡＰＣを測定し、それらの値から算出した値を使用することが好ましい。また、上述のように複数サーボ・ライト・トラックのＡＰＣを測定して、それらの平均値を使用することが好ましいが、１サーボ・ライト・トラックにおいて測定される複数ＡＰＣ値の平均値を使用することもできる。あるいは、１サーボ・ライト・トラックもしくは複数サーボ・ライト・トラックにおける一部のＡＰＣ測定値を使用してもよい。
【００７１】
このように、基準ＡＰＣカーブの補正は、実際に外周側領域２１２においてＡＰＣを測定することによって行われる。従って、このＡＰＣの測定が正確に行われることが必要となる。しかし、外周側領域２１２を外部磁界でイレーズする場合、内周側領域２１１に近い領域が、完全にイレーズされていない場合がある。このように、消磁不良状態にある領域においてＡＰＣ測定を行うと、測定したＡＰＣ値にノイズが含まれ、正確にＡＰＣが測定される、トラック・ピッチが変動してしまう。
【００７２】
そのため、基準ＡＰＣ補正のために測定を行う領域の消磁の良否を判定することが要求される。本形態のＳＳＴＷは、ＡＰＣキャリブレーションにおいて、比較値の一例であるＡＰＣ測定値を使用してその領域における下地磁化状態を測定し、消磁状態の良否判定を行う。消磁状態が良好な場合、ＳＳＴＷは新たに設定した基準ＡＰＣに従って、外周側領域２１２におけるパターンの書き込みを続けて行う。
【００７３】
消磁状態が不良であると判定すると、ＳＳＴＷはサーボ・ライトを停止する。例えば、そのＨＤＡ１はサーボ・ライト制御装置から外され、再度、外部磁界によるイレーズ工程に回される。あるいは、ＳＳＴＷはヘッド素子部１２０を使用して、消磁不良の領域を含む領域をセルフ・イレーズする。例えば、ＳＳＴＷは、ヘッド素子部１２０を使用して記録面の全面をイレーズする、あるいは、境界近傍の所定領域をヘッド素子部１２０でセルフ・イレーズする。その後、ＳＳＴＷはパターンの書き込みを再開する。
【００７４】
消磁状態の判定方法について説明する。好ましい消磁良否判定基準の一つは、ＡＰＣの変化量である。ＡＰＣ測定値は、トラック位置によってある程度変動するが、それが大きく変動することはない。従って、測定ＡＰＣ値が一定量を超えて変化する場合、正しくない基準ＡＰＣが設定されようとしていると判定することができる。
【００７５】
具体的には、ＳＳＷコントローラ２２は、内周側領域２１１における測定ＡＰＣ値を基準とし、基準ＡＰＣ再設定において外周側領域２１２で測定したＡＰＣ値と比較する。これら比較値の変化量が基準となる許容範囲を超えている場合、ＳＳＷコントローラ２２は消磁不良と判定する。
【００７６】
上述の例に従えば、４８００トラックにおけるＡＰＣキャリブレーションにおいて得たＡＰＣ平均値を、ＳＳＷコントローラ２２は保存しておく。そして、５０００トラックにおけるＡＰＣキャリブレーションにおいて取得したＡＰＣ平均値と、保存していたＡＰＣ平均値とを比較する。これらの差分が基準範囲内にあれば、ＳＳＷコントローラ２２は、消磁状態について良判定を行う。なお、判定に使用するＡＰＣ値は、このように複数ＡＰＣ値の平均値であることが好ましい。
【００７７】
しかし、上述の基準ＡＰＣの再設定の説明において言及したのと同様に、１サーボ・ライト・トラックにおける平均値など、他のＡＰＣ値を使用してもよい。また、複数ＡＰＣ値の平均値を使用することは、その複数ＡＰＣ値の和を使用することと、実質的に同一である。この点は、以下の説明において同様である。
【００７８】
他の好ましい判定基準は、ＡＰＣ値のばらつきを使用する。具体的な手法の一つは、外周側領域２１２において、ＡＰＣキャリブレーションにおける、複数サーボ・ライト・トラックにおけるＡＰＣ値のばらつきに基づいて判定を行う。好ましい一例は、各サーボ・ライト・トラックのＡＰＣ平均値についての分散を使用する。図１０を参照して説明した例においては、ＳＳＷコントローラ２２は、４つのサーボ・ライト・トラックにおいて円周方向において離間した各セクタのＡＰＣ値を測定する。
【００７９】
ＳＳＷコントローラ２２は、一つのサーボ・ライト・トラックにおける各セクタにおけるＡＰＣ値から、そのサーボ・ライト・トラックのＡＰＣ平均値を算出する。ＳＳＷコントローラ２２は、他のサーボ・ライト・トラックについても同様に、各ＡＰＣ平均値を算出する。ＳＳＷコントローラ２２は、さらに、各サーボ・ライト・トラックのＡＰＣ平均値を使用して、それらの値のばらつきを表す分散を算出する。
【００８０】
ＳＳＷコントローラ２２は予め設定された基準範囲を有しており、この基準範囲と得られた分散とを比較する。分散が基準範囲内にあるとき、ＳＳＷコントローラ２２は消磁状態に問題がない（良状態）と判定する。一方、分散が基準範囲外にある場合、ＳＳＷコントローラ２２は消磁不良を判定する。なお、正確な測定のためには、より多くのサーボ・ライト・トラックから分散を算出することが好ましい。
【００８１】
ＡＰＣ値のばらつきを使用する他の好ましい手法は、１サーボ・ライト・トラック内における各セクタのＡＰＣ値のばらつきを使用する。外周側領域２１２におけるＡＰＣキャリブレーションにおいて、ＳＳＷコントローラ２２は、選択したサーボ・ライト・トラックにおける各セクタのＡＰＣ値を測定する。ＳＳＷコントローラ２２は、さらに、各セクタのＡＰＣ値について分散を計算する。
【００８２】
ＳＳＷコントローラ２２は予め設定された基準範囲を有しており、この基準範囲と得られた分散とを比較する。分散が基準範囲内にあるとき、ＳＳＷコントローラ２２は消磁状態に問題がない（良状態）と判定する。一方、分散が基準範囲外にある場合、ＳＳＷコントローラ２２は消磁不良を判定する。なお、ＳＳＷコントローラ２２は、複数のサーボ・ライト・トラックについて分散を算出し、それら複数の分散を使用して消磁状態の良否判定を行ってもよい。
【００８３】
以上、３つの判定基準を説明したが、好ましくは、ＳＳＷコントローラ２２は、これらの全ての基準について判定を行う。そして、そのうちの少なくとも一つの判定基準を満たさない場合、ＳＳＷ２２コントローラは、下地の磁化状態が不良であると判定する。なお、ＳＳＷコントローラ２２は、３つの判定基準を全て使用することなく、一つもしくは二つの判定基準を使用してもよい。あるいは、ＳＳＷコントローラ２２は、二つもしくは三つの判定基準が満足しない場合に、消磁状態を不良と判定してもよい。
【００８４】
上述の説明においては、半径方向におけるＡＰＣ値の分散（複数サーボ・ライト・トラックにおけるＡＰＣの分散）と、円周方向におけるＡＰＣ値の分散（１サーボ・トラック内にけるＡＰＣの分散）とを別々に使用するが、これらを併せて使用することできる。つまり、ＳＳＷコントローラ２２は、複数サーボ・ライト・トラックの各セクタのＡＰＣ値を測定し、その測定したＡＰＣ値の分散を算出する。この分散を使用して、消磁状態を不良と判定してもよい。なお、ＡＰＣ値のばらつきを表す値として、分散以外の関数を使用してもよい。
【００８５】
以上、本発明を好ましい実施形態を例として説明したが、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。例えば、ＨＤＤの制御回路にサーボ・ライト制御機能を組み込むことも可能である。下地消磁状態の判定は、ＳＳＷに限らず、ＨＤＤの開発段階などにおいて、セルフ・イレーズする領域を決定するために使用してもよい。基準ＡＰＣの再設定及び下地消磁状態の判定は、ＡＰＣキャリブレーション内において行わなくともよく、別の独立シーケンスとして実行してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本実施形態において、ＨＤＡ内の磁気ディスク記録面を外部磁界でイレーズする手法を模式的に示す図である。
【図２】本実施形態において、ＨＤＡ及びＨＤＡのサーボ・ライトを制御するサーボ・ライト制御装置の論理構成を模式的に示す図である。
【図３】本実施形態において、ＨＤＡの内部機構を模式的に示す図である。
【図４】本実施形態において、１サーボ・セクタのプロダクト・サーボ・パターンのデータ・フォーマットを示している。
【図５】本実施形態において、ＳＳＴＷが記録面上に書き込むパターン及びその書き込み方法を模式的に示している。
【図６】本実施形態において、リード素子をターゲット位置に位置決めし、ライト素子でパターンを書き込む例を模式的に示している。
【図７】本実施形態において、ヘッド素子部によるセルフ・イレーズを行う内周側領域と、外部磁界によってイレーズを行う外周側領域を模式的に示す図である。
【図８】本実施形態において、内周側領域におけるイレーズ工程を含むサーボ・パターン書き込みシーケンスを模式的に示す図である。
【図９】本実施形態において、キャリブレーション・シーケンスを実行した直後のパターン書き込みにおけるトラック・ピッチ変化を模式的に示す図である。
【図１０】本実施形態において、ＡＰＣキャリブレーション・シーケンスにけるリード素子の移動方法を模式的に示している。
【符号の説明】
【００８７】
１  ヘッド・ディスク・アセンブリ、２  サーボ・ライト制御装置、１０  筐体
１１  磁気ディスク、１２  ヘッド・スライダ、１３  プリアンプＩＣ
１４  スピンドル・モータ、１５  ボイス・コイル・モータ、１６  アクチュエータ
２１  パターン生成器、２２  ＳＳＷコントローラ
２３  リード・ライト・インターフェース、２４  ＶＣＭドライバ
２５  ＤＡコンバータ、２６  ＡＤコンバータ、２７  振幅復調器
１１１  サーボ領域、１１２  データ領域、１１５  プロダクト・サーボ・パターン
１１６  タイミング・パターン、１１７  ラディアル・パターン、
１１８  リード素子のターゲット位置、１１９  ライト素子のターゲット位置
１２１  ライト素子、１２２  リード素子、１６２  アーム、１６５  回動軸、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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