(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造等で使用するＩＰＡを用いた乾燥において、簡単な構成でＩＰＡを再利用可能にする。【解決手段】  ＩＰＡ乾燥装置の処理槽２の乾燥領域の下方に、傾斜流路を設けた上方受け部１０と、蒸発用流路２１を有する下方受け部２０とを設ける。乾燥処理後のＩＰＡと水との混合液は、上方受け部１０の傾斜流路を流れ、下方受け部２０の蒸発用流路２１に落下する。蒸発用流路２１では、落下した混合液が流れる間に、水と分離してＩＰＡが蒸発する。蒸発したＩＰＡは、上方受け部１０に設けた開口部を通って、上方の乾燥領域で再利用される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イソプロピルアルコールによる乾燥工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記乾燥工程では、乾燥処理後の水を含んだイソプロピルアルコールの混合液が蒸発用流路の端側に落ちるように誘導され、前記蒸発用流路に落とされた前記混合液のイソプロピルアルコールは前記蒸発用流路を流れる間に蒸発して、前記乾燥工程で再利用されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体ウエハのイソプロピルアルコールによる乾燥工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記乾燥工程では、乾燥処理後の水を含んだイソプロピルアルコールの混合液が、上方受け部の傾斜流路上に落ちて傾斜下端に誘導され、
前記傾斜下端に誘導された前記混合液は、下方受け部に設けた蒸発用流路の端側に落とされ、
前記蒸発用流路を流れる間に前記イソプロピルアルコールは蒸発して、前記上方受け部に設けた開口部から乾燥領域に戻されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体ウエハのイソプロピルアルコールによる乾燥工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記乾燥工程では、乾燥処理後の水を含んだイソプロピルアルコールの混合液が、上方受け部の複数の傾斜流路に落とされて傾斜下端に誘導され、
前記傾斜下端に誘導された前記混合液は、温度調節手段を設けた下方受け部上の蒸発用流路の端側に落とされ、
前記蒸発用流路を流れる間に前記イソプロピルアルコールは、前記温度調節手段により水と分離されて蒸発し、前記上方受け部に設けた開口部から乾燥領域に戻されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体ウエハをイソプロピルアルコールで乾燥する半導体製造装置であって、
乾燥領域の下方に設けられ、下方受け部より上方に設けられた上方受け部と、
前記上方受け部に設けられた傾斜流路と、
前記上方受け部に設けられた開口部と、
前記下方受け部に設けられた蒸発用流路とを有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
半導体ウエハをイソプロピルアルコールで乾燥する半導体製造装置であって、
前記半導体ウエハの乾燥処理後の水を含んだイソプロピルアルコールの混合液を傾斜下端に誘導する傾斜流路を設けた上方受け部と、
前記傾斜下端で前記混合液を蒸発用流路の端側で受ける下方受け部と、
前記上方受け部に設けられ、前記蒸発用流路を流れる間に蒸発したイソプロピルアルコールを通過させる開口部とを有することを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置等のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）による乾燥技術であって、特に簡易なシステムでＩＰＡの再利用を図るのに適用して有効な技術である。
【背景技術】
【０００２】
以下に説明する技術は、本発明を完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
半導体ウエハの乾燥には、ＩＰＡが用いられている。ＩＰＡは、半導体ウエハに付着した水と置換し、ウオーターマークを残すことなく半導体ウエハの乾燥が行える。ＩＰＡの蒸気の中に、半導体ウエハを置くことでその処理を行っている。
【０００４】
一方、置換された水はＩＰＡと混ざり混合液となって廃棄される。このような中、ＩＰＡの再利用を図ったものが考えられている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、ＩＰＡ−水の混液を一度下方受け部で受けた後に、ＩＰＡの再生処理を行うことが開示されている。ＩＰＡ再生装置は、廃液タンク、サブタンク、有機物分離用半透膜モジュール等から構成し、ＩＰＡ−水の混液は、バルブの開閉操作により、廃液タンク、サブタンクに送られる。半導体ウエハを洗浄槽内に装着してから十数秒の間は、発生した混液を廃液タンクに流し、その後はサブタンクに流す。このようにして水分の多い混液はそのまま廃棄し、水分含量の少ない混液から、有機物分離用半透膜モジュールによって水分が除去される構成である。
【０００６】
また、特許文献２には、下方からのＩＰＡの蒸気の通過を許し、一方上方からの洗浄後のＩＰＡの捕集をも行うという構成の半導体の乾燥装置治具の記載がある。かかる構成では、それまで石英製の一枚で構成されていた下方受け部を、複数枚の略Ｌ形部材で構成し、かかる略Ｌ形部材を４５度傾けてそれぞれ間隔を設けて配置するようにしている。また、複数枚のＬ形部材を斜めに配置して側板側に捕集したものをそのまま廃棄するという構成である。
【０００７】
かかる構成では、略Ｌ形部材の裏面には、蒸気透過膜モジュールが設けられ、これにより捕集されたイソプロピルアルコール中の水分除去が行われる。併せて、下方からのイソプロピルアルコールの蒸気は、略Ｌ形部材の各隙間から上方に行くことができる。
【０００８】
また、特許文献３にはアルコール含有溶液を有機溶剤の沸点前後の温度に加熱して水分と有機溶剤とを分離する記載が、特許文献４にはＩＰＡと水分を含んだ気体を吸着槽で水分を吸着しＩＰＡを回収する記載がある。
【特許文献１】特開平６−２０４２０２号公報
【特許文献２】特開平６−１２０１９８号公報
【特許文献３】特開２００３−４７８０２号公報
【特許文献４】特開平７−２２８５４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが上記ＩＰＡ乾燥技術におけるＩＰＡの再生技術では、以下の課題があることを本発明者は見出した。
【００１０】
すなわち、上記ＩＰＡの再生技術では、有機物分離用半透膜モジュールや蒸気透過膜モジュール等が使われ、それに伴う装置構成は複雑あるいは大がかりになる。有機物分離用半透膜モジュールを有する構成では、ＩＰＡ中の水分を除去するため、膜透過側は真空ポンプにより水分の蒸気圧以下に減圧されるように常に管理する必要がある。一方、蒸気透過膜モジュールは、複数枚ある略Ｌ形部材の裏面に一枚ずつ貼ることが求められる。
【００１１】
このような複雑な機構を用いることなく、簡単な構成でＩＰＡの再生が行えないかと、本発明者は考えた。ＩＰＡの沸点は８３℃で、水の沸点は１００℃であるが、かかる沸点の差を利用してＩＰＡと水との混合液から、ＩＰＡを効率よく分離することができないかと考えた。
【００１２】
本発明の目的は、半導体装置の製造等で使用するＩＰＡを用いた乾燥において、簡単な構成でＩＰＡを再利用可能にすることにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１５】
乾燥処理後の水を含んだＩＰＡの混合液を上方受け部に受け、上方受け部から下方受け部に設けた蒸発用流路の端側に落とし、蒸発用流路を流れる間にＩＰＡを蒸気として回収し、その蒸気は上方受け部の開口部から上方に戻し、再度ＩＰＡを乾燥に利用する。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１７】
下方受け部に蒸発用流路を形成し、その蒸発用流路の端側にＩＰＡ−水の混合液を落とすように誘導することで、蒸発用流路内を流れる間にＩＰＡの蒸発を行わせることができる。この蒸発したＩＰＡは、下方受け部上に設けた上方受け部の開口部から上方に戻して乾燥に再利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００１９】
本発明は、半導体ウエハ等の乾燥にＩＰＡを使用する乾燥技術に関するものである。簡単な構成で、乾燥処理後のＩＰＡと水との混合液から、ＩＰＡを効率的に分離蒸発させて、再度乾燥に利用するものである。
【００２０】
（実施の形態１）
先ず、本発明に係る半導体製造装置としてのＩＰＡ乾燥装置について説明する。
【００２１】
図１は、乾燥装置の概略構成を示した説明図である。図２（ａ）は乾燥装置の本発明に関わる主要部を模式的に示した説明図であり、（ｂ）は下方受け部の蒸発用流路の様子を示した平面図である。図３（ａ）はそれまでの乾燥装置の主要部を模式的に示した説明図であり、（ｂ）は下方受け部の様子を示した平面図である。図４（ａ）は本発明における上方受け部の様子を示す斜視図であり、（ｂ）はその平面図であり、（ｃ）はその断面図である。
【００２２】
ＩＰＡ乾燥装置Ａは、ステンレス槽１内に処理槽２が設けられた２層構造に構成されている。処理槽２の底面側にはヒータ３が設けられ、ヒータ３により処理槽２内の底面側に貯留したＩＰＡを温めることができるようになっている。ＩＰＡはヒータ３により温められて、その蒸気が処理槽２内の乾燥領域に充満するようになっている。
【００２３】
また、処理槽２の槽内内側上方には、周囲の槽壁に沿ってらせん状に形成された冷却管４が設けられ、冷却管４に流した冷却水によりＩＰＡの蒸気が冷やされるようになっている。また、ステンレス槽１にも冷却管（図示省略）が設けられ、ステンレス槽１の外周側が、必要以上の温度にならないように保護されている。
【００２４】
処理槽２内の底面側には温度センサ５が設けられ、底面側に貯留されたＩＰＡの温度が監視されている。併せて、ヒータ３にも、温度センサ６が設けられ温度の監視が行われている。蒸発したＩＰＡ蒸気の温度は、処理槽２内の乾燥領域に設けた温度センサ７で温度監視がなされ、さらに冷却管４の近傍でも温度センサ８により温度監視がなされている。
【００２５】
一方、処理槽２の乾燥領域の下方には、乾燥処理後のＩＰＡと水の混合液を受ける上方受け部１０が、中央部分が高く周辺部分が低く設けられている。さらに、上方受け部１０の下方には、上方受け部１０よりも大きく皿状に周辺部分が高く中央部分が低く形成された下方受け部２０が設けられ、ＩＰＡ回収タンク３１に配管接続されている。また、ステンレス槽１は、液受けタンク３２に配管接続されている。ＩＰＡ回収タンク３１、液受けタンク３２にそれぞれ回収された廃液は、三方弁３３を通ってポンプ３４により排出されるようになっている。
【００２６】
かかる構成のＩＰＡ乾燥装置Ａでは、図２（ａ）に示すように、キャリア４０に収納した状態で半導体ウエハＷを処理槽２内の乾燥領域内に置く。この状態でＩＰＡの蒸気が乾燥領域内に満たされて、半導体ウエハＷの表面に付着している水がＩＰＡと置換されるようになっている。
【００２７】
洗浄に使用されたＩＰＡは、半導体ウエハＷの表面に付着した水と置換して、水との混合液となり上方受け部１０上に落下する。上方受け部１０は、例えば、石英製で、図４（ａ）に示すように、切り妻状の屋根のように形成され、その勾配に沿って傾斜流路１１が複数本形成されている。上方受け部１０上に落ちた混合液は、傾斜流路１１上を、傾斜下端１２側に向けて流れ落ちる。
【００２８】
一方、上方受け部１０の下方に位置する下方受け部２０は、例えば、石英製で、図２（ａ）に示すように、傾斜下端１２側に相対する部分は上方受け部１０より大きく構成されており、傾斜下端１２側から落ちる混合液を漏らさず下方受け部２０で受けることができるようになっている。下方受け部２０には、傾斜下端１２側に相対する部分から下方受け部２０の内側中央部に向けて、内側中央部が低くなるような勾配が設けられ、かかる勾配部分に蒸発用流路２１が設けられている。蒸発用流路２１は、勾配部を内側中央部に向けて、図２（ｂ）に示すようにジグザグに形成され、最も低い内側中央部で廃液用流路２２としての廃液管２２ａに接続している。
【００２９】
上方受け部１０の傾斜下端１２側から落ちた混合液は、例えば混合液の液滴をＢとすると、液滴Ｂは、図２（ｂ）に示すように、蒸発用流路２１に沿って流れ廃液用流路２２に向かうこととなる。蒸発用流路２１は勾配部にジグザグに形成されているので、液滴Ｂの流路を通過する時間が長くなり、その間にＩＰＡが水と十分に分離して蒸発することができるようになっている。
【００３０】
これまでの構成では、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、洗浄後のＩＰＡ−水の混合液を直接に下方受け部２０ａの全面で受け、そのまま廃液管２２ａに流す構成であった。すなわち、勾配部にジグザグに形成され蒸発用流路２１は設けられておらず、単に廃液管２２ａに繋がる勾配が設けられているだけであった。そのため、混合液は、下方受け部２０ａに落下すると一気に廃液管２２ａに流れ込み、混合液から水と分離したＩＰＡが蒸発する時間が十分にとれず、混合液からのＩＰＡの回収は事実上不可能であった。混合液は、廃液として処理されていた。
【００３１】
一方、上方受け部１０には複数本の傾斜流路１１が形成され、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、各々が流路方向に沿って傾斜させられていると共に、流路方向に交差する方向にも所定の角度で傾斜させられている。かかる傾斜流路１１では、図４（ｃ）に示すように、流路方向に交差する方向では、傾斜した下端側の端辺１３が少し上に曲げられて流路溝１１ａが形成されている。また、端辺１３側は、隣接する傾斜流路１１の端辺１４の真下位置よりさらに流路溝１１ａ側に入り込み、傾斜流路１１との間にスリット状の開口部１５が形成されている。
【００３２】
すなわち、端辺１３側は、隣接する傾斜流路１１の端辺１４より流路溝１１ａ側に少し入り込んでオーバーラップしている。そのため、上方受け部１０上に落下した混合液は、端辺１４側から開口部１５を通って下方受け部２０に直接落下することがない。混合液は流路溝１１ａを通って傾斜下端１２側に流れるように誘導されるため、下方受け部２０の蒸発用流路２１の端側に落ち、廃液用流路２２まで流れる間に水と分離してＩＰＡが十分に蒸発できる流路長がとれるように落下する。
【００３３】
また、複数本形成した傾斜流路１１の内、一端側に形成された傾斜流路１１では、図４（ｃ）に示すように、端辺１３は上方受け部１０の切片１６の下側に潜り込み、開口部１５が形成されている。そのため、上方受け部１０に落ちる混合液が切片１６から、直接に開口部１５を通って下方受け部２０に落下しないようになっている。
【００３４】
このように上方受け部１０に落下する混合液は、開口部１５を通って下方受け部２０に設けた蒸発用流路２１の途中に落ちないように配慮されている。混合液は、傾斜流路１１の傾斜下端１２を通って下方受け部２０の蒸発用流路２１の端側に落ち、長く設定された蒸発用流路２１の流路長を辿るように構成されている。
【００３５】
一方、このようにして蒸発用流路２１に落ちた混合液は、長い蒸発用流路２１を流れる間に、水の沸点１００℃とＩＰＡの沸点８３℃との差で水と分離してＩＰＡが蒸発する。蒸発したＩＰＡは、上方受け部１０に設けた開口部１５を通って上方の乾燥領域に戻ることができる。
【００３６】
次に、かかる構成のＩＰＡ乾燥装置Ａを用いて半導体ウエハを洗浄する半導体装置の製造方法について説明する。
【００３７】
半導体ウエハのＩＰＡ乾燥工程は、フォトレジスト膜除去、ウエットエッチング等の所要の工程が済んで、半導体装置が漸次作り込まれていく過程で設けられている。すなわち、図５に示すように、上記所要の工程が済んだ半導体ウエハは、ステップＳ１００の薬液によるウエット洗浄工程に送られ、前記所要工程で付着した異物等が薬液により洗浄される。
【００３８】
その後、ステップＳ２００の純水リンス工程に移される。純水リンス工程では、ウエット洗浄工程で用いられた薬液を、純水により半導体ウエハの表面を清浄に濯ぐ工程である。このようにして純水リンス工程が終了した段階で、ステップＳ３００のＩＰＡ乾燥工程に移る。
【００３９】
ＩＰＡ乾燥工程では、例えば、図１のＩＰＡ乾燥装置Ａの処理槽２内に、図２（ａ）に示すように、キャリア４０に収納された状態で、純水リンス工程が終了した状態の半導体ウエハＷが乾燥領域に吊るされ、保持される。その後、ＩＰＡ乾燥装置Ａの蓋９が閉じられる。
【００４０】
このように半導体ウエハＷは乾燥領域に吊るされた状態で、乾燥領域にはＩＰＡのガスが充満させられる。ＩＰＡは、処理槽２の底面側に蓄えられ、ヒータ３により加熱されて沸点８３℃で蒸発させられる。蒸発したＩＰＡは、乾燥領域と蓄えられたＩＰＡとの間に設けられている下方受け部２０を包み込むようにして上方に上昇し、乾燥領域にまで達する。
【００４１】
乾燥領域に達したＩＰＡの蒸気は、純水リンス工程で半導体ウエハＷの表面に付着した水と置換し、水との混合液となって半導体ウエハＷから下に落ちる。乾燥領域の下方には、上方受け部１０が設けられているため、下方に落ちる混合液は、その上方受け部１０で一旦受けられることとなる。
【００４２】
上方受け部１０により受けられた混合液は、上方受け部１０の傾斜流路１１に沿って、傾斜下端１２側に流れ落ちる。傾斜下端１２側に流れ下った混合液は、さらに下方受け部２０に落下する。下方受け部２０では、混合液は、蒸発用流路２１の端側に落ちる。蒸発用流路２１の端側に落ちた混合液は、蒸発用流路２１内を廃液用流路２２に向けて進む。蒸発用流路２１内を流れる際に、下方受け部２０の近傍の雰囲気温度により、水とＩＰＡとの沸点の差に基づき、ＩＰＡが水から分離して蒸発する。
【００４３】
蒸発したＩＰＡは、上方受け部１０のスリット状の開口部１５から、再度乾燥領域に戻っていく。このようにして、半導体ウエハＷの乾燥後の使用済みのＩＰＡ−水との混合液から、本発明ではＩＰＡを分離蒸発させることで、再利用が図られている。
【００４４】
一方、蒸発用流路２１を廃液用流路２２である廃液管２２ａまで流れた混合液は、ＩＰＡ回収タンク３１に回収される。このように水分の多いＩＰＡは、ＩＰＡ回収タンク３１に回収されて排出される。
【００４５】
ＩＰＡ乾燥装置Ａの乾燥領域に半導体ウエハＷが置かれて乾燥させられている間、始終、ＩＰＡ蒸気の水との置換、混合液の上方受け部１０、蒸発用流路２１を設けた下方受け部２０への落下、下方受け部２０の蒸発用流路２１からの上方受け部１０の開口部１５を通過しての乾燥領域へのＩＰＡの蒸気の戻りが、それぞれ繰り返し行われることとなる。
【００４６】
このようにしてＩＰＡによる半導体ウエハＷの乾燥処理が行われる。ＩＰＡ乾燥処理後は、ステップＳ４００の次工程に移され、半導体ウエハＷにさらなる所要の工程が施されて、最終の半導体装置の製造が行われる。
【００４７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、前記実施の形態とは異なり、下方受け部２０に温度調節手段５０が設けられている。
【００４８】
上方受け部１０から蒸発用流路２１の端側に落とされたＩＰＡと水の混合液は、前記実施の形態１で述べたように、蒸発用流路２１を流れる間に水と分離されて蒸発し、ＩＰＡの再利用が図られる。
【００４９】
かかるＩＰＡの蒸発に際して、下方受け部２０の温度がＩＰＡの沸点８３℃より低い場合には、ＩＰＡの蒸発は行われない。そこで、かかる場合には、下方受け部２０に設けた温度調節手段５０により温度を沸点８３℃以上に上げることが必要である。温度調節手段５０としては、例えは、図６（ａ）に示すように、下方受け部２０の下面に面ヒータ５１ａ等のヒータ５１を設ければよい。あるいは、全面に面ヒータ５１ａを設けずに、断続的に設けてより調節がこまかくできるようにしても構わない。
【００５０】
一方、ＩＰＡ乾燥装置Ａによっては、下方受け部２０の蒸発用流路２１近辺の雰囲気温度が水の沸点温度１００℃近く、あるいはそれ以上に達している場合も想定される。かかる場合には、温度調節手段５０により、雰囲気温度を水の沸点１００℃未満、ＩＰＡの沸点８３℃以上の間に、より好ましくは８３℃近傍に設定することで、水とＩＰＡとの分離を図ることが必要となる。
【００５１】
温度調節手段５０としては、図６（ｂ）に示すように、内部に水等の冷媒を流した冷却管５２等による冷却が考えられる。あるいは、図６（ｃ）に示すように、断熱材５３で下方受け部２０の下面側等を被覆することにより、処理槽２の底面側に貯留されたＩＰＡの蒸発に要する加熱雰囲気を遮断するようにしても構わない。
【００５２】
要は、温度調節手段５０を設けることで、ＩＰＡの水との分離蒸発が促進されるように雰囲気温度を調節すればよい。
【００５３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、前記実施の形態１とは異なり、図７（ａ）に示すように、上方受け部１０の構成が片側にのみ傾斜した片屋根勾配状に形成されている。片屋根勾配状に形成されている点を除いては、傾斜流路１１、開口部１５等は、前記実施の形態１で述べたと同様に形成されている。
【００５４】
一方、下方受け部２０も、図７（ｂ）に示すように、それに合わせて上方受け部１０とは逆片勾配を持たせられている。かかる構成では、図７（ｃ）に示すように、下方受け部２０に形成する蒸発用流路２１の長さを、実施の形態１で示す中央の低い側に傾斜勾配を持たせた勾配部に形成する場合よりも、廃液管２２ａに至るまでの蒸発用流路２１長を長く設定することができる。その分、水との分離蒸発が促進される。
【００５５】
また、これまでの傾斜流路１１は、上方受け部１０の勾配に沿った方向に傾斜させていたが、図８（ａ）に示すように、上方受け部１０の勾配に交差する方向に複数本の傾斜流路１１を設けても構わない。複数本の傾斜流路１１は、それぞれの傾斜下端１２側で、上方受け部１０の勾配に沿った方向に傾斜した流路１７に接続されている。
【００５６】
尚、傾斜流路１１の傾斜方向が上方受け部１０の勾配に交差する方向に設け、且つ傾斜下端１２側で流路１７に接続されている以外は、傾斜流路１１、開口部１５等の構成は変わらない。
【００５７】
かかる構成では、各傾斜流路１１では洗浄に使用されたＩＰＡと水の混合液が傾斜下端１２側に流れ、その混合液は流路１７に入る。流路１７に入った混合液は、上方受け部１０の傾斜勾配に沿って流れる。この流路１７の下端側１８から、下方受け部２０の蒸発用流路２１に落下する。
【００５８】
下方受け部２０では、図８（ｂ）に示すように、蒸発用流路２１の起点２１ａに落下し、混合液の全てが蒸発用流路２１の同一地点からスタートする。実施の形態１に記載の構成の場合には、複数本の傾斜流路１１を流れた混合液は蒸発用流路２１の端側に落ちるが、しかし、傾斜流路１１毎に蒸発用流路２１でのスタート地点が異なっている。
【００５９】
勿論、前記実施の形態１で、各々の傾斜流路１１を傾斜した流路で接続して、傾斜流路１１を流れる混合液を全て蒸発用流路２１の同一地点に落とすこともできる。また、逆に、図８（ａ）に示す構成を、流路１７の構成を省くことで、各傾斜流路１１を流れる混合液を蒸発用流路２１の端側の異なる地点に落下させることもできる。
【００６０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６１】
例えば、前記実施の形態では、上方受け部、下方受け部とが２段に構成された場合を示したが、下方受け部を複数段に設けてＩＰＡの蒸発を促進するようにしても構わない。かかる構成では、下方受け部には蒸発用流路と共に蒸発したＩＰＡが通過する開口を形成しておけばよい。
【００６２】
上方受け部は、前記実施の形態では勾配を設けた構成になっているが、必ずしも上方受け部自体には勾配を設けなくてもよく、混合液の流路さえ勾配が付けられていればよい。
【００６３】
前記実施の形態では、傾斜流路は上方受け部に複数設けられていたが、複数設けることなく、上方受け部全面で受けた混合液を一つの傾斜した流路で下方受け部の端側に落とすように構成しても構わない。
【００６４】
前記実施の形態では、温度調節手段を下方受け部の裏面に設ける構成を示したが、裏面以外の個所に設けても構わない。また、温度調節手段は、加熱および冷却の双方ができるように構成しても構わない。
【００６５】
また、前記実施の形態では、本発明のＩＰＡの再生技術を半導体ウエハの例を挙げて説明しているが、液晶等の電子機器分野でも、さらには工業製品一般でもその対象とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、半導体装置の製造等の工業製品におけるＩＰＡを用いた乾燥に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の一実施の形態であるＩＰＡ乾燥装置の概略構成の一例を模式的に示す説明図である。
【図２】（ａ）は本発明の一実施の形態であるＩＰＡによる乾燥領域の主要部を模式的に示す説明図であり、（ｂ）は蒸発用流路を設けた下方受け部の様子を模式的に示す平面図である。
【図３】（ａ）はこれまでのＩＰＡによる乾燥手段の主要部を模式的に示す説明図であり、（ｂ）は下方受け部の様子を模式的に示す平面図である。
【図４】（ａ）は本発明の一実施の形態の上方受け部の様子を示す斜視図であり、（ｂ）はその平面図であり、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ線での切断状況を示す断面図である。
【図５】ＩＰＡ乾燥工程を含む半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、各々下方受け部の変形例を示した要部断面図である。
【図７】（ａ）は上方受け部の変形例を示す斜視図であり、（ｂ）上方受け部と下方受け部との勾配関係を模式的に示す説明図であり、（ｃ）はそれに対応した下方受け部の変形例を模式的に示す説明図である。
【図８】（ａ）は上方受け部の変形例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）はそれに対応した下方受け部を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１      ステンレス槽
２      処理槽
３      ヒータ
４      冷却管
５      温度センサ
６      温度センサ
７      温度センサ
８      温度センサ
９      蓋
１０    上方受け部
１１    傾斜流路
１１ａ  流路溝
１２    傾斜下端
１３    端辺
１４    端辺
１５    開口部
１６    切片
１７    流路
１８    下端側
２０    下方受け部
２０ａ  下方受け部
２１    蒸発用流路
２１ａ  起点
２２    廃液用流路
２２ａ  廃液管
３１    ＩＰＡ回収タンク
３２    液受けタンク
３３    三方弁
３４    ポンプ
４０    キャリア
５０    温度調節手段
５１    ヒータ
５１ａ  面ヒータ
５２    冷却管
Ａ      ＩＰＡ乾燥装置
Ｂ      液滴
Ｓ１００  ステップ
Ｓ２００  ステップ
Ｓ３００  ステップ
Ｓ４００  ステップ
Ｗ      半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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