(57)【要約】【課題】    発光効率が改善され、出力特性が改善された半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】  第１導電型の第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上に設けられた量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層の上に設けられた第２導電型のオーバーフロー防止層と、前記オーバーフロー防止層の上に設けられた第２導電型の第２クラッド層と、を備え、前記活性層のうちで前記オーバーフロー防止層に最も近い井戸層と前記オーバーフロー防止層との間において不純物濃度が３×１０１７ｃｍ−３以上の領域の厚みが３０ナノメータ以下であることを特徴とする半導体レーザ装置を提供する。【選択図】    図１
2007019399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上に設けられた量子井戸構造を有する活性層と、
前記活性層の上に設けられた第２導電型のオーバーフロー防止層と、
前記オーバーフロー防止層の上に設けられた第２導電型の第２クラッド層と、
を備え、
前記活性層のうちで前記オーバーフロー防止層に最も近い井戸層と前記オーバーフロー防止層との間において不純物濃度が３×１０１７ｃｍ−３以上の領域の厚みが３０ナノメータ以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層は、ＡｌｓＧａ１−ｓＮ層（０＜ｓ≦０．３）とＧａＮ層との超格子積層、またはＡｌｓＧａ１−ｓＮ層（０＜ｓ≦０．３）によりそれぞれ構成され、
前記活性層に含まれる前記量子井戸構造は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層（０．０５≦ｘ≦１．０）とＩｎｙＧａ１−ｙＮ層（０≦ｙ≦１．０、ｘ＞ｙ）とで構成された単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、
前記オーバーフロー防止層は、ＡｌｔＧａ１−ｔＮ（１≧ｔ＞ｓ）層で構成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記オーバーフロー防止層は、前記第２導電型の不純物としてマグネシウムを含み、前記マグネシウムの濃度は５×１０１８ｃｍ−３以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記活性層のうちで前記オーバーフロー防止層に最も近い井戸層と前記オーバーフロー防止層との間に、
前記オーバーフロー防止層に最も近い前記井戸層に隣接して設けられた上側障壁層と、
前記上側障壁層と前記オーバーフロー防止層との間に設けられＧａＮまたはＡｌｕＧａ１−ｕＮ（０≦ｕ≦１）からなる拡散防止層と、
が設けられたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記活性層の前記量子井戸構造に含まれる井戸層の不純物濃度は、３×１０１７ｃｍ―３以下であることを特徴とした半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特にリッジ導波路を有する半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）は、ハイビジョン映像の長時間記録や、コンピュータ用大容量記録のために、開発が進んでいる。従来のＤＶＤの４倍以上の記録容量を得るために、半導体レーザ装置の波長は、従来の６５０ナノメータではなく、４００ナノメータ帯であることが必要である。このためには、窒化ガリウム系材料が使われる。
【０００３】
６５０ナノメータ帯のＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ装置、および４００ナノメータ帯のＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザ装置のいずれにおいても、リッジ導波路型構造がよく用いられる。これは、発光層を含むダブルへテロ接合の上部に設けられたクラッド層に、導波路となるリッジ部を形成し、水平横モードを閉じ込める構造である。
【０００４】
次世代ＤＶＤにおいては、大容量記録のために高出力を有する窒化ガリウム系半導体レーザ装置が必要である。一般に、窒化ガリウム系材料は、ｐ型の導電型を形成するための不純物としては、マグネシウム（Ｍｇ）が用いられる。ところが、マグネシウムは窒化ガリウム系材料内において、深い準位を形成しやすい。活性層近くにこのような深い準位が形成されると、電子とホールとの非発光再結合を促進する（特許文献１）。この結果、半導体レーザ装置における発光効率の低下を生じるので、１００ｍＷ以上の光出力が必要な次世代ＤＶＤの要求を満たすことが困難となる。
【特許文献１】特開２００２−１１１０５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、発光効率が改善され、出力特性の改善された半導体レーザ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
第１導電型の第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上に設けられた量子井戸構造を有する活性層と、
前記活性層の上に設けられた第２導電型のオーバーフロー防止層と、
前記オーバーフロー防止層の上に設けられた第２導電型の第２クラッド層と、
を備え、
前記活性層のうちで前記オーバーフロー防止層に最も近い井戸層と前記オーバーフロー防止層との間において不純物濃度が３×１０１７ｃｍ−３以上の領域の厚みが３０ナノメータ以下であることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明により、発光効率が改善され、出力特性の改善されたリッジ導波路型半導体レーザ装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態につき説明する。  
図１は、本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置の模式断面図である。  
ｎ型ＧａＮ基板２０の上に、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層２２（厚み：０．５〜２．０マイクロメータ）、ｎ型ＧａＮ光ガイド層２４（厚み：０．０１〜０．１マイクロメータ）、Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ／Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ  ＱＷ（ Quantum Well：量子井戸）活性層２６が積層されている。
【０００９】
さらに、活性層２６の上には、ｐ＋型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎオーバーフロー防止層２８（厚み：５〜２０ナノメータ）、ｐ型ＧａＮ光ガイド層３０（厚み：０．０１〜０．１マイクロメータ）、ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３２（厚み：０．５〜2.0マイクロメータ）、ｐ+型ＧａＮコンタクト層（厚み：０．０２〜０．２マイクロメータ）が順次成長されている。
【００１０】
これら半導体積層膜は、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いて、成長することができる。ｎ型不純物としてはシリコンが、ｐ型不純物としてはマグネシウムが一般的に用いられる。
【００１１】
また、本明細書において「窒化ガリウム系半導体」とは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比及びｙをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半導体を含むものとする。
【００１２】
図１に例示した構造は、リッジ導波路型とも呼ばれる屈折率導波構造に属する。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３２は、リッジ部４２（破線で表す）、及び非リッジ部４０（破線で表す）により構成されている。リッジ部４２の上部のｐ＋型ＧａＮコンタクト層も、同時にパターニングされている。パターニングされたｐ＋型ＧａＮコンタクト層３４側面及びリッジ部４２のリッジ側面４４には、絶縁膜３６が形成されている。絶縁膜３６の材料としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）などを用いることができる。
【００１３】
また、ｐ＋型ＧａＮコンタクト層３４は、例えば、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ａｕなどの単層、積層、または合金からなるｐ側電極５０と接続される。またｎ型ＧａＮ基板２０は、Ｔｉ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｌなどの単層、積層、または合金からなるｎ側電極５２と接続されている。
【００１４】
リッジ部４２のリッジ側面４４には、絶縁膜３６が設けられているので、リッジ部４２を構成するｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３２と、絶縁膜３６との屈折率に差が生じている。一般に、リッジ部４２の屈折率は、絶縁膜３６より高いので、基本水平横モードは、光軸（Ｚ軸に平行）に直交する断面内において、活性層２６に対して水平方向（Ｘ軸）に閉じ込められる。本具体例においては、リッジ部４２の幅Ｗは、１〜３マイクロメータとすることにより、高次モードを抑制できている。
【００１５】
次に、積層構造の作用につき、より詳細に説明する。  
図２は、本具体例における活性層２６、ｐ＋型オーバーフロー防止層２８、上側障壁層２７の位置におけるおおよそのバンドギャップエネルギーを表す模式図である。窒化ガリウム系半導体であるために、約３．２ｅＶと広いバンドギャップエネルギーである。
【００１６】
図３は、積層構造のより詳細な構成を表すバンド図である。  
ｐ＋型オーバーフロー防止層２８は、ｎ型ＧａＮ基板２０側から注入された矢印で表す電子Ｔが、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮクラッド層３２へ漏れることによる動作電流の不必要な増大を抑制する。破線は擬フェルミレベル６６である。
【００１７】
すなわち、ｐ＋型ＡｌｔＧａ１−ｔＮオーバーフロー防止層２８のアルミニウム組成比ｔを大きくすると、活性層２６とのバンドギャップ差が大きくなり、ｎ側から注入された電子Ｔが活性層２６からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３２への漏れることを低減できる。さらに、ｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８のｐ型濃度を高くすることにより、活性層２６との伝導帯側へテロ障壁を大きくできるために、電子Ｔの漏れをより低減できる。
【００１８】
次に、積層構造の構成要素に関する補足説明をする。ｐ型クラッド層３２及びｎ型クラッド層２２は、Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎなる組成および上記膜厚に限定されることはない。例えば、ＡｌｓＧａ１−ｓＮ層（０＜ｓ≦０．３）の範囲でアルミニウム組成比を変えることが出来る。または、厚みが１〜５ナノメータのＡｌｓＧａ１−ｓＮ層（０＜ｓ≦０．３）とＧａＮ層との超格子層とを交互に積層した超格子層とすることができる。この場合、アルミニウム組成比は、例えば０．１６とすることができる。超格子層にすると、格子不整合などによるストレスが緩和され（すなわちクラック防止などに効果がある）、また、動作電圧を低減できる。一方、ｐ＋型オーバーフロー防止層２８は、アルミニウム組成比が０．２に限定されることなく、ＡｌｔＧａ１−ｔＮ（１．０≧ｔ＞ｓ）なる組成範囲内で選択することができる。
【００１９】
さらに、活性層２６は、単一量子井戸には限定されない。ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０．０５≦ｘ≦１．０）とＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１．０、ｘ＞ｙ）からなるＭＱＷ（Multiple Quantum Well：多重量子井戸）構造であっても良い。  
図４は、本具体例における多重量子井戸構造近傍におけるバンド図である。  
ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ  ＭＱＷである活性層２６は、井戸層６２（図４では３層）、障壁層６４（図４では２層）、下側障壁層２５、及び上側障壁層２７とから構成されている。例えば、Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５ｎ／Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ構造とし、井戸層厚みＭを２〜５ナノメータ、井戸数２〜４、障壁層厚みＮを３〜１０ナノメータとすることができる。上側障壁層２７および下側障壁層２５の厚みは、それぞれ２０から１００ナノメータの範囲で選択するのが望ましい。
【００２０】
次に、活性層２６近傍、特に活性層２６の一部を構成する上側障壁層２７において、非発光再結合を生じると発光効率が低下することを説明する。  
図５は、上側障壁層２７内の領域に、ｐ型領域を生じたときの光出力−電流特性を表すシミュレーション結果のグラフ図である。なお、ここで周囲温度は８０℃である。  
ｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８と、これに一番近接した井戸層との間である幅Ｌである上側障壁層２７内に、３×１０１７ｃｍ-３の不純物濃度を有するｐ型領域が、幅１０ナノメータ、２０ナノメータ、３０ナノメータを有して存在する場合について、それぞれ光出力−電流特性が表されている。
【００２１】
３×１０１７ｃｍ-３の不純物濃度領域の幅が小さいほど、光出力が大きい。言い換えると、発光効率が大きい。３×１０１７ｃｍ−３以上の不純物濃度領域の幅が３０ナノメータ以上においては、光出力が２０ｍＷ以下となるので、次世代ＤＶＤの書き換えのみならず再生用途においても不十分である。
【００２２】
図６は、不純物濃度が３×１０１７ｃｍ−３、５×１０１７ｃｍ−３、７×１０１７ｃｍ-３であり、かつ領域幅がいずれも２０ナノメータであるときの光出力−電流特性を表すシミュレーション結果のグラフ図である（周囲温度は８０℃）。  
５×１０１７ｃｍ−３の不純物濃度の場合においては、領域幅が２０ナノメータにおいて、光出力は１０ｍＷまで低下するので、次世代ＤＶＤの書き換え用途のみならず再生用途においても不十分な特性である。
【００２３】
このシミュレーションにおける諸元に付き補足する。下側障壁層２５がＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ（厚み：２０ナノメータ）、井戸層がＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ（厚み：３ナノメータ、３層）、障壁層が（Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ（厚み：１０ナノメータ、２層）、上側障壁層２７がＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ（厚み：１００ナノメータ）、ｐ＋型オーバーフロー防止層２８がＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ（厚み：１０ナノメータ）、そしてｐ型クラッド層３２がＡｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ（厚み：０．６マイクロメータ）である。
【００２４】
図５および図６に例示されるような光出力の低下の原因につき、以下考察をする。ｐ＋型オーバーフロー防止層２８は、マグネシウムのようなｐ型不純物が高濃度にドープされる。結晶成長時のドーピングのタイミングや、後のプロセスにおける温度上昇による不純物拡散などにより、上側障壁層２７にもｐ型不純物がドープされる場合を生じる。
【００２５】
この上側障壁層２７は、電流注入により電子が過剰となるために、不純物に起因する深い準位が存在すると、図３に矢印で例示されるように電子とホールとの間に非発光再結合Ｒを生じる。窒化ガリウム系材料は、特にマグネシウムなどによる深い準位を形成するために、非発光再結合Ｒを生じやすい。このような非発光再結合Ｒにより発光に寄与しない無効な電流が生じることになる。上記シミュレーションにおいては、非発光再結合現象が考慮されているので、上側障壁層におけるｐ型濃度上昇領域が発光効率を低下させる現象をよく説明できる。
【００２６】
以上の結果から、本具体例においては、幅がＬである上側障壁層２７において、不純物濃度３×１０１７ｃｍ−３以上の領域幅が３０ナノメータ以下であることが望ましいことが理解できる。以下に、プロファイル測定値を参照しつつ、説明をする。  
図７は、本具体例にＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometer）による分析したマグネシウム濃度およびアルミニウム２次イオン相対強度を表すグラフ図である。横軸は、ＳＩＭＳ分析におけるスパッタ深さであり、表面をゼロとした深さ方向距離（ｎｍ）に対応している。破線で表したアルミニウム２次イオン相対強度は、積層構造をモニターするためである。
【００２７】
破線で表されるアルミニウム２次イオン相対強度及び実線で表されるマグネシウム濃度分布から、ｐ型クラッド層３２厚みＨ（０．６マイクロメータ）、ｐ型ＧａＮ光ガイド層３０厚み（３０ナノメータ）、ｐ＋型オーバーフロー防止層２８（１０ナノメータ）など、はシミュレーション設定値とよく一致していることが理解できる。なお、マグネシウムはすべて活性化される訳ではないので、一般に実効アクセプタ濃度はマグネシウム濃度より低下する。
【００２８】
図８は、図７におけるｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８と活性層２６との界面領域を拡大したグラフ図である。  
ＳＩＭＳ分析においては、分析サンプルの表面の凹凸あるいはスパッタ条件により、界面の情報が不正確となることがあり、その場合急峻性の評価が困難となる。本明細書においては、ＳＩＭＳ分析でよく用いられるように、プロファイルの最大値の１／２となる位置を界面と定義する。
【００２９】
図８において、アルミニウム２次イオンのプロファイルの最大値の１／２となる位置をｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８と活性層２６との界面とすると、マグネシウムのプロファイルが最大値の１／２となる位置とよく一致する。従って、この位置を界面と考えることができる。
【００３０】
実際の結晶成長において、一般に、マグネシウムは「メモリー効果」によってドーピングのタイミングと成長膜におけるプロファイルとの間に「ずれ」を生じる。本具体例においては、ｐ＋型オーバーフロー防止層２８におけるマグネシウムのドーピングが遅れると電子のオーバーフローを防止するのに必要なマグネシウム濃度が充分でない領域を生じる。これを防止するためには、積層膜の成長を継続しながら、早めにドーピングガスであるＣｐ２Ｍｇ及び材料ガスをそれぞれ適正なタイミングで供給する。この結果、図８に例示されるようにｐ＋型オーバーフロー防止層２８内にマグネシウム濃度が９×１０１８ｃｍ−３でドープすることができる。また、図８は、マグネシウムがこの界面において大きな拡散を生じないことを示している。
【００３１】
しかしながら、界面位置から離れた活性層２６に近い領域をより詳細に分析すると、マグネシウムのプロファイルの傾斜はより緩やかとなっていることが理解できる。アルミニウム２次イオンプロファイルより緩やかな傾斜は、マグネシウムがこの領域において、拡散を生じていることを示している。このマグネシウムの拡散は、主としてドーピング濃度に依存すると考えられる。
【００３２】
図８から、ｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８のマグネシウムドーピング量が９×１０１８ｃｍ−３のときに、約１×１０１７ｃｍ−３程度のマグネシウム拡散が、界面から１０ナノメータ強の領域内に生じていることが理解できる。また、シミュレーションから判明した発光効率を低下させる３×１０１７ｃｍ−３程度のマグネシウム拡散は、１０ナノメータ弱の領域Ｄ内で生じていることが理解できる。
【００３３】
図９は、マグネシウム拡散深さのｐ＋型オーバーフロー防止層２８におけるマグネシウム濃度依存性実側値を表したグラフ図である。その縦軸は、拡散領域においてマグネシウム濃度が３×１０１７ｃｍ−３となる深さ（ｎｍ）を表す。また、横軸は、ｐ＋型オーバーフロー防止層２８におけるマグネシウム濃度である。  
シミュレーション結果で判明した発光効率を大きく低下させないマグネシウム拡散量（３×１０１７ｃｍ-３の領域幅が３０ナノメータ以下）を維持するには、ｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８のマグネシウム濃度を、例えば８×１０１９ｃｍ−３以下とすればよいことが理解できる。
【００３４】
また、マグネシウム濃度の下限は、５×１０１８ｃｍ-３とすることが望ましい。これ以下のｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層濃度であると、ホールに対して障壁層を生じるために、動作電流の上昇を生じる。
【００３５】
図１０は、本具体例および比較例におけるＣＷ光出力−動作電流特性実測値を表すグラフ図である（Ｔａ＝８０℃）。  
ここで、本発明の具体例におけるｐ＋型ＡｌＧａＮクラッド層２８のマグネシウム濃度は９×１０１８ｃｍ−３と設定されている。また、比較例におけるｐ＋型ＡｌＧａＮクラッド層２８のマグネシウム濃度は１．５×１０２０ｃｍ−３と、本具体例より高く設定されている。周囲温度Ｔａ＝８０℃のときに、本具体例においては、動作電流が２００ｍＡのときにＣＷ光出力が約１００ｍＷが得られている、一方、比較例においては、ｐ＋型ＡｌＧａＮクラッド層２８のマグネシウム濃度が高いために、非発光再結合が増加し、発光効率が低下している。この結果、ＣＷ光出力が２０ｍＷと低下するので、次世代ＤＶＤの書き換え用途の仕様を満たすことができない。
【００３６】
図１１は、本具体例の変形例にかかる半導体レーザ装置の模式断面図である。  
また、図１２は、本変形例の半導体レーザ装置のバンド図である。  
本具体例においては、上側障壁層２７とｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８との間に、ｐ＋型オーバーフロー防止層２８よりアルミニウム組成比の小さいＡｌＧａＮ、またはＧａＮからなる拡散防止層２９を設ける。拡散防止層２９の厚みは、１０ナノメータ以上、０．１マイクロメータ以下とすることが望ましい。上側障壁層２７は、通常１０００℃未満で成長するのに対して、ｐ型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８は１０００℃以上で成長するために、マグネシウムは上側障壁層２７に拡散されやすい。しかし、拡散防止層２９を、１０００℃以上で成長することにより上側障壁層２７へのマグネシウム拡散を抑制できる。
【００３７】
本具体例及び変形例において、ｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８からのマグネシウム拡散を抑制することにより、上側障壁層２７において、マグネシウム濃度が３×１０１７ｃｍ−３以上となる領域幅を３０ナノメータ以下とすることができる。この結果、上側障壁層２７内に深い準位が形成されることを抑制できて、非発光再結合を低減できる。従って、発光効率の低下を防止できるので、次世代ＤＶＤの書き換え用途を可能とする発光効率の改善された半導体レーザ装置が可能となる。
【００３８】
上記具体例においては、ｎ型ＧａＮ基板２０を用いた場合につき説明した。しかし、これに限定されることなく、例えば、サファイヤ基板上にＥＬＯＧ（Epitaxial Lateral Over Growth）などで半導体積層膜を形成しても良い。
【００３９】
また、以上では窒化ガリウム系半導体レーザ装置について説明した。しかし、これに限定されることなく、例えばＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓなどの他の化合物半導体レーザ装置であっても良い。
【００４０】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態を説明した。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、リッジ部を導波路とする半導体レーザ装置を構成する各要素の、サイズ、材質、配置関係などに関して、当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいては本発明の範囲に包含される。 
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置の模式断面図である。
【図２】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置における活性層近傍のバンドギャップエネルギーを表す模式図である。
【図３】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置におけるバンド図である。
【図４】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置における量子井戸構造近傍のバンド図である。
【図５】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置の光出力−電流特性のシミュレーション結果を表すグラフ図である。
【図６】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置の光出力−電流特性のシミュレーション結果をあらわすグラフ図である。
【図７】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置におけるプロファイルを表すＳＩＭＳ分析データである。
【図８】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置におけるマグネシウム濃度プロファイルを表すＳＩＭＳ分析データである。
【図９】マグネシウム拡散深さのマグネシウム濃度依存性を表すグラフ図である。
【図１０】本具体例および比較例における光出力−電流特性を表すグラフ図である。
【図１１】本発明の本具体例の変形例にかかる半導体レーザ装置の模式断面図である。
【図１２】本発明の具体例の変形例にかかる半導体レーザ装置におけるバンド図である。
【符号の説明】
【００４２】
２０  ｎ型ＧａＮ基板
２２  ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
２４  ｎ型ＧａＮ光ガイド層
２５  下側障壁層
２６  活性層
２７  上側障壁層
２８  ｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層
２９  拡散防止層
３０  ｐ型ＧａＮ光ガイド層
３２  ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
３４  ｐ＋型ＧａＮコンタクト層
３６  絶縁膜
４０  非リッジ部
４２  リッジ部
４４  リッジ側面
５０  ｐ側電極
５２  ｎ側電極
６２  井戸層
６４  障壁層
６６  擬フェルミレベル
【図１】
2007019399.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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