(57)【要約】【課題】  規制板にＩＣチップを用いた変位検出装置で、組立て作業中や使用中に不完全な欠けの部分からシリコン片が脱落し、変位検出装置の性能に悪影響を及ぼすことがある。不完全な欠けのないＩＣチップを得る。【解決手段】  ＩＣウェファーの裏面研削方向とＩＣチップ稜線からの垂線とが成す角Θを、４５度未満とする。より好ましくは１０度以上４５度未満とする。Θを規定することで、ＩＣチップの稜部に発生する不完全な欠けを含む欠けを少なくすることができる。規制板に稜部に不完全な欠けを持つＩＣチップを使うことが無くなり、信頼性の高い変位検出装置を提供することができた。 【選択図】      図１
2007078641.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外力により変位する可動部を有し、可動部の変位を検出信号として取出す変位検出チッ
プと、変位検出チップからの検出信号を電気的に処理する回路を有するＩＣチップが、保
護ケース内に収納され、変位検出チップの主面とＩＣチップの裏面とが所定の間隔を置い
て対向配置され、ＩＣチップは変位検出チップの可動部の過度の動きを機械的に規制する
機能も有する変位検出装置であって、ＩＣチップ裏面の研削方向がＩＣチップ稜線から引
いた垂線に対し、４５度未満であることを特徴とする変位検出装置。
【請求項２】
外力により変位する可動部を有し、可動部の変位を検出信号として取出す変位検出チッ
プと、変位検出チップからの検出信号を電気的に処理する回路を有するＩＣチップが、保
護ケース内に収納され、変位検出チップの主面とＩＣチップの裏面とが所定の間隔を置い
て対向配置され、ＩＣチップは変位検出チップの可動部の過度の動きを機械的に規制する
機能も有する変位検出装置であって、ＩＣチップ裏面の研削方向がＩＣチップ稜線から引
いた垂線に対し、１０度以上４５度未満であることを特徴とする変位検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可動部を有する変位検出チップとＩＣチップを備えた変位検出装置で、半導
体製造技術を用いた小型で高精度な、加速度センサーや圧力センサー、ジャイロセンサー
等に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセス技術に機械加工技術や材料技術などを組み合わせて、半導体基板上
に機械的機能と電気的機能を併せ持つ立体的な微細構造を形成するＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ
−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｓｙｓｔｅｍ）技術は、広範な分野で用いら
れている。特に小型で高精度な加速度センサーや圧力センサー、ジャイロセンサー等のセ
ンサー分野への適用が進められている。これらのセンサーはＭＥＭＳ技術で可動部を作製
し、可動部の変位をピエゾ抵抗素子等で電気信号に変え、電気信号で変位量を測定するも
のである。可動部の構造や動き方はそれぞれ僅か異なるが、可動部の変位を電気信号に変
換する点では同じであるので、可動部に変位を与える力で例えば加速度センサーや圧力セ
ンサーと称されている。
【０００３】
可動部の変位を電気的信号に変換する方法として、ピエゾ抵抗素子式や静電容量式、圧
電素子式等がある。いずれの方式を用いても、その出力電圧は数ｍＶから数１０ｍＶと小
さいものである。そのため、自動車や航空機、携帯端末機器、玩具等の幅広い応用分野に
対応するには、出力電圧を増幅する回路を組み込むことが必要となる。特許文献１には、
基板７１に加速度センサー１０と増幅回路等を有するＩＣ７３を組み込んだ加速度センサ
ー装置７５が記載されており、その加速度センサー装置７５の斜視外観を図５に示す。し
かし、この様な構造では加速度センサー装置の小型化を図ることが難しいものである。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２８８９１号  公報
【０００５】
ＭＥＭＳ技術でシリコン基板に形成された可動部の形状で、感度や耐衝撃性が変わって
くる。一般に、可動部を厚くすれば衝撃に対する破壊耐量は向上するが感度が低下し、逆
に可動を薄くすれば感度は向上するが破壊耐量は低下する。感度と破壊耐量との両立は難
しく、所望する感度を得るため可動部の厚みを薄くすると破壊耐量が不足してしまう。過
度な力が可動部に加わったとき、可動部が所定量以上変形しないように可動部の動きを規
制する規制板を設けた加速度センサーが、特許文献２と３に記載されている。
【０００６】
【特許文献２】特開平４−２７４００５号
【特許文献３】特開平８−２３３８５１号
【０００７】
図６に、規制板を設けた加速度センサーを示す。加速度センサー素子２０は、可動部１
１と錘部１２、枠部１３がシリコンで構成されている。可動部１１には図示していないが
ピエゾ抵抗素子が設けられている。加速度センサー素子２０が加速度を受けると錘部１２
が上下左右し、可動部１１が変形（変位）しピエゾ抵抗素子の抵抗が変化し、その抵抗変
化を電気信号に変換して出力としている。枠部１３の上下に規制板１４，１５が接着剤１
６，１７で固着されている。加速度センサー素子２０の上面と規制板１４の下面の間隔ｇ
１、錘部１２の下面と規制板１５の上面との間隔ｇ２が、可動部の変形量を規制するもの
である。過度の外力が加わったとき、加速度センサーの上面もしくは錘部の下面が規制板
と接触し、ｇ１及びｇ２以上の変形量を可動部１１に与えず、可動部の損傷を防ぎ加速度
センサー素子の破壊耐量を得るものである。
【０００８】
規制板をシリコンやガラスではなくＩＣチップを用いて、より小型化を図ったのが特許
文献４に記載されている。特許文献４の図１、図２には加速度センサー素子上面と対向す
る規制板をＩＣチップにしたものが記載されている。これは図６の規制板１４をＩＣチッ
プに置き換えたものである。規制板をＩＣチップとすることで、部品点数の削減や小型化
が図れるものである。また、ＩＣチップが加速度センサー素子の近くにある点を活かして
、ピエゾ抵抗素子の温度補償回路等をＩＣチップに組み込むことで、より高精度の加速度
センサーが実現できるものである。
【０００９】
また、特許文献４の図１０には、圧力センサーの規制板にＩＣチップを用いたものが記
載されており、その概略構造を図７に示す。可動部２１と固定部２２で構成された圧力容
器の切り欠き部２５から矢印で示したように圧力が加わると、可動部２１が膨らむ様に変
位する。可動部２１に設けられたピエゾ抵抗素子等の検知部（図示せず）で、変位を電気
信号に変換するものである。過度の圧力が可動部に加わったとき、可動部２１の上面とＩ
Ｃチップ２４の下面が接触し、ｇ１以上の変形量を可動部２１に与えず、可動部の損傷を
防ぎ圧力センサー素子の破壊耐量を得るものである。可動部２１の上面とＩＣチップ２４
の下面との間隔ｇ１は、スペーサ−を含む接着剤２３で形成されている。
【００１０】
【特許文献４】特開２００５−１６９５４１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
可動部の変位量を規制する規制板を設けることで破壊耐量を上げることができ、規制板
をＩＣチップとすることで、小型で高精度な変位検出装置がえられた。しかし、数多くの
変位検出装置を製造するなかで、ＩＣチップから発生したと見られるシリコン片が原因で
動作不良を起こす変位検出装置が、非常に低い発生頻度であるが出てきた。動作不良を起
こした変位検出装置を分解して調査したところ、シリコン片が可動部とＩＣチップの隙間
に入り込み、可動部の動きを阻害したことがわかった。隙間に入り込んだシリコン片とＩ
Ｃチップ稜部の欠けた部分を照合することで、シリコン片はＩＣチップから発生している
ことが確認されている。
【００１２】
ＩＣウェファーを切断してＩＣチップを得るが、ＩＣ回路に影響を及ぼさない限り、Ｉ
Ｃチップの稜部に発生する欠けは特に問題としていなかった。また、欠けたシリコン片が
完全にＩＣチップから除去されていれば、欠けたシリコン片が可動部とＩＣチップの隙間
に入り込み、可動部の動きを阻害することもない。問題とする欠けは、損傷を受けた部位
にシリコン片が残っている不完全な欠けであり、変位検出装置の組立て作業中や使用中に
、不完全な欠けの部分からシリコン片が脱落し、変位検出装置の性能に悪影響を及ぼすも
のである。
【００１３】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、変位検出装置の可動部の変
位量を規制する規制板に用いる、不完全な欠けのないＩＣチップを提供することを目的と
する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の変位検出装置は、外力により変位する可動部を有し、可動部の変位を検出信号
として取出す変位検出チップと、変位検出チップからの検出信号を電気的に処理する回路
を有するＩＣチップが保護ケース内に収納され、変位検出チップの主面とＩＣチップの裏
面とが所定の間隔を置いて対向配置され、ＩＣチップは変位検出チップの可動部の過度の
動きを機械的に規制する機能も有しており、ＩＣチップ裏面の研削方向がＩＣチップ稜線
から引いた垂線に対し、４５度未満であることが好ましい。
【００１５】
ＩＣチップ裏面の研削方向は、ＩＣチップに残された研削痕から求めることができ、Ｉ
Ｃチップの稜部（稜線）から引いた垂線と研削痕の成す角度である。角度４５度とは、垂
線に対しプラスとマイナス方向に４５度の角度を有することである。言い換えると、稜線
に対し研削痕は４５度から１３５度の角度を有するものである。研削方向（研削痕）と稜
線からの垂線が成す角が前記角度内であることで、稜部に発生する不完全な欠けを含む欠
けを最小限にすることができる。
【００１６】
ＩＣを作るシリコンウェファーの厚みは、５２５μｍと６２５μｍが主に用いられてお
り、シリコンウェファーの表面は鏡面研磨、裏面は真空吸着ができる程度の研磨面となっ
ている。ＩＣチップを、変位検出装置の可動部の変位量を規制する規制板に用いる場合は
、５００μｍ以上の厚みでは厚すぎるためＩＣ回路作製後、裏面を研削して１００から３
００μｍ程度の厚さにしている。ＩＣ回路が形成された面に防水性のシートを貼りＩＣ回
路を保護し、研削液をかけながらダイアモンド砥石で裏面を研削する。研削の面粗さはＲ
ｍａｘで０．１から０．２μｍ程度としている。ＩＣチップに切断した時のＩＣウェファ
ーの裏面の面粗さと稜部の欠けの発生頻度には関係あることが経験的に判っており、面粗
さが大きい程稜部に発生する欠けは多くなる。欠けを少なくするため裏面を研磨すること
が考えられるが、研磨は作業時間が掛かるだけでなく、研磨中の温度上昇でＩＣ回路の機
能を損する可能性があるため、研磨ではなく研削を採用しているものである。また、薄く
したＩＣウェファーを真空チャックすることは殆どないため、取り扱いの面からは研磨面
は必要なく研削面で充分である。
【００１７】
本発明の変位検出装置は、外力により変位する可動部を有し、可動部の変位を検出信号
として取出す変位検出チップと、変位検出チップからの検出信号を電気的に処理する回路
を有するＩＣチップが、保護ケース内に収納され、変位検出チップの主面とＩＣチップの
裏面とが所定の間隔を置いて対向配置され、ＩＣチップは変位検出チップの可動部の過度
の動きを機械的に規制する機能も有しており、ＩＣチップ裏面の研削方向がＩＣチップ稜
線から引いた垂線に対し、１０度以上４５度未満であることが好ましい。
【００１８】
ＩＣチップの稜部（稜線）から引いた垂線と研削痕の成す角度が、１０度以上で４５度
以下とすることで、より稜部に発生する不完全な欠けを含む欠けを大幅に減らすことがで
きる。垂線から１０度未満での欠け発生頻度は、４５度以上に比べ１／２０程度である。
裏面の面粗さがＲｍａｘで０．０１μｍ以下の研磨面程度まで上がると、４５度以上の角
度であっても欠けの発生頻度は低くなるが、裏面の面粗さＲｍａｘ０．０５から０．２μ
ｍではほとんど変わらない。そのため、裏面が研削面のＩＣウェファーを、ＩＣチップに
切断するとき、研削方向と切断方向の成す角度を規定するで、稜部に発生する不完全な欠
けを含む欠けを減らすことができるものである。
【００１９】
ＩＣ回路のパターンを無視してＩＣチップに切断することはできないので、切断する方
向に対し研削方向が所定の角度になるように、研削機にＩＣウェファーをセッティングす
る。ロータリー式研削機を使用する場合、ＩＣウェファーを同一方向にセッティングする
と、テーブルの外周位置と内周位置で研削方向が変わってくる。そのため、周方向の位置
によりＩＣウェファーを回転させて、研削痕が所定の角度になるようにすることが良い。
【発明の効果】
【００２０】
ＩＣウェファーの裏面研削方向とＩＣチップ切断方向の成す角度を規定することで、Ｉ
Ｃチップの稜部に発生する不完全な欠けを含む欠けを少なくすることができる。規制板に
稜部に不完全な欠けを持つＩＣチップを使うことが無くなり、信頼性の高い変位検出装置
を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施例について、図を用いて詳細に説明する。説明を判り易くするため
、同じ部品、部位には同一の符号を用いている。
【実施例１】
【００２２】
ＩＣウェファーの研削方向と切断方向と欠けの発生頻度の関係について説明する。まず
、データー採取に用いた研削と切断の方法、条件等に付いて説明する。シリコン厚５２５
μｍのＩＣウェファーを、研削でシリコンの厚みを２５０μｍまで薄くした後、切断砥石
でＩＣチップ（２．６ｍｍ×２．２ｍｍ）に切断した。ＩＣ回路面には防水性のシートを
貼り、研削時に使用する研削液からＩＣ回路を保護した。研削にはロータリー研削盤を用
い、＃２０００のダイアモンド砥石を約６０００ｒｐｍで回転させ研削を行った。研削面
の面粗さは、Ｒｍａｘが０．１３μｍ、Ｒａが０．０１４μｍであった。Ｒｍａｘ、Ｒａ
の測定は、ＪＩＳＢ０６０１に従った。ＩＣ回路部分の厚みが約５μｍ程度であるので、
切断する厚みは約２５５μｍとなる。ＩＣウェファーを粘着シートに貼り、粘着シートの
厚み方向の半分程度まで切り込みＩＣウェファーを切断した。切断にはダイサーを用い＃
３０００のダイアモンド砥石を、３〜４万ｒｐｍの高速で回転させ切断した。切断時は研
削液を用いた。
【００２３】
図１に、研削痕と垂線の成す角、欠けの形態等を示す。ロータリー研削盤のテーブルの
内周から外周までＩＣウェファーを並べて研削したので、ダイサー切断した後のＩＣチッ
プの稜線からの垂線に対し研削痕５０は、０度から９０度まで得ることができた。また、
ＩＣチップは方形に切断しているので、一つのＩＣチップで２種類の研削方向と切断方向
の成す角と欠けの関係が得られた。例えば、稜線Ａ５３からの垂線５５に対し６０度の角
度Θａを有する研削痕５０は、稜線Ａ５３と直交する稜線Ｂ５４からの垂線５６に対して
は角度Θｂは３０度の研削痕となる。約１０万個のＩＣチップの稜線に対する垂線と研削
痕の成す角度と欠けを調査した。欠けの調査対象となる稜線は、ＩＣチップ数の４倍の約
４０万稜線となる。稜線に対する垂線と研削痕の成す角度は、０〜５、６〜１０、・・・
、８５〜９０度と５度間隔でグループ化してデーター処理した。
【００２４】
欠けはシリコン基板５１側のみを対象としＩＣ回路５２側は無視した。シリコン基板の
稜線と直角方向（シリコン基板の面方向と厚さ方向）で、３μｍ以上の欠損幅を持つもの
を欠けとし、欠けが稜線に有るか無いかを調査した。稜線に発生した不完全な欠け６１お
よび完全な欠け６０の欠損幅はＷｅａ，Ｗｅｂで表しており、これらの値が３μｍ以上は
欠けとしている。角部の欠け６２も同様に、Ｗｃａ，Ｗｃｂで表している。Ｗｃａが３μ
ｍ以上でＷｃｂが３μｍ未満であるときは、稜線Ａ５３に欠け６２が有り稜線Ｂ５４には
欠けは無いとしている。Ｗｃｂも３μｍ以上の場合は、稜線Ａ５３および稜線Ｂ５４に欠
けが発生しているとした。研削方向と切断方向の成す角と欠けの関係をとるため、稜線方
向の欠けの長さや稜線当たりの欠けの個数は求めていない。しかし、不完全な欠けと完全
な欠けは区別する必要があるため、一つの稜線に不完全な欠けと完全な欠けが混在してい
る場合は、不完全な欠けと完全な欠けの各々にカウントした。
【００２５】
図２に、垂線と研削痕の成す角Θと欠け発生率の関係を示す。Ｘ軸はΘが０〜５度未満
は５度、５度以上１０度未満は１０度と、８５度以上９０度は９０度と表している。Ｙ軸
の欠け発生率は、欠けの有った稜線数を検査稜線数で除し百分率で表している。欠け発生
率は完全な欠け（白抜き）と不完全な欠け（斜線描け）に区分している。図２を見て判る
ように、Θが０度以上１０度未満では、約５％の欠けが発生している。Θが１０度以上４
５度未満では、欠けの発生率は０％であった。Θが４５度以上になると欠けが発生し始め
、５５度以上６０度未満で発生率は最も高くなり５３％を示した。Θに欠けが発生し難い
領域があることが判った。不完全な欠けと完全な欠けの比は、Θと関係なく概略１：８で
あった。
【００２６】
これらの結果から、Θは１０度以上４５度未満とすることが最も好ましいことが判る。
Θが０度以上１０度未満では欠け発生率が５％程度と、４５度以上の欠け発生率に比べ非
常に小さい。従来のΘを気にせず使用していた変位検出装置に比べ、０度以上４５度未満
の範囲を使用しても、非常に信頼性の高い変位検出装置が得られるものである。
【００２７】
変位検出装置として問題としなければならない欠けは、損傷を受けた部位にシリコン片
が残っている不完全な欠けである。不完全な欠けは変位検出装置の組立て作業中や使用中
に、シリコン片が脱落して変位検出装置の性能に悪影響を及ぼすものである。本実施例の
結果から、従来のΘが０度から９０度全て使用していた時の不完全な欠け総数に比べ、Θ
を４５度未満とすることで不完全な欠け総数は約１／２０となり、Θを１０度以上４５度
未満とすると不完全な欠けは０となる。言い換えると、Θを４５度未満とすることで不具
合発生率が１／２０に、更に１０度以上４５度未満とすることで不具合発生率は０になる
と言える。
【実施例２】
【００２８】
不完全な欠けを持つＩＣチップを使って、加速度センサーを組立てた。組立てた加速度
センサーの展開斜視図を図３に示す。図３において加速度センサー素子２０は電気的にワ
イヤー４でＩＣチップ２４に接続され、ＩＣチップ２４からワイヤー４’で保護ケース２
の端子５に接続され外部端子６に接続される。保護ケース蓋３が保護ケース２に固着密封
され加速度センサー１０が構成されている。加速度センサー素子２０のピエゾ抵抗素子の
図示は省略している。図４に図３のｋ−ｋ’断面を示す。加速度センサー素子２０は、錘
部１２と枠部１３、可動部１１から成っている。可動部１１のワイヤー４’接続面にはピ
エゾ抵抗素子（図示せず）が形成されている。加速度センサー素子２０に間隔ｇ１を設け
て、可動部の過度な動きを規制するＩＣチップ２４を付加している。ＩＣチップ２４には
ピエゾ抵抗素子からの信号が入力され、信号処理を行いワイヤー４’で保護ケース２の端
子５に接続している。保護ケース２に枠部１３および保護ケース蓋３が接着剤７および８
により固着されている。加速度センサー素子２０に外力が加わると、可動部１１に吊り下
げられた錘部１２が動き可動部１１を撓ませ、その撓み量をピエゾ抵抗素子で感知し電圧
として出力するものである。
【００２９】
ＩＣチップの不完全な欠けは、図１のＷｅｂで表されているもので、３μｍから６３μ
ｍのものを用いた。不完全な欠けの長さは１９μｍから３６７μｍまで分布している。不
完全な欠けを持つＩＣチップ３００個を用いて加速度センサー（試料Ａ）を組立てた。比
較のため不完全な欠けのないＩＣチップを用いた加速度センサー（試料Ｂ）も同数組立て
て供試した。
【００３０】
加振器に加速度センサーを取り付け２０Ｇの加速度を加え出力を測定した。異常な出力
を示した加速度センサーを除き、厚さ１００ｍｍの板に高さ１ｍから加速度センサーを５
回自然落下させた後、２０Ｇの加速度を加え出力を測定し、異常な出力を示す加速度セン
サーの数を調べた。加速度センサーを前述高さから落下させると、約１５００から２００
０Ｇの衝撃が加速度センサーに加わり、加速度センサー素子の可動部はＩＣチップの裏面
にぶつかっている。
【００３１】
加速度センサーを自然落下させる前の測定で、異常な出力を示したのは試料Ａで３個、
試料Ｂで１個であった。これらの加速度センサーを分解して調べたところ、試料Ａの２個
は加速度線センサー素子の錘部下面と保護ケース内底間に、シリコン片が挟まっていた。
このシリコン片が、ＩＣチップの不完全な欠けの部分から脱落したものであることは、形
状を照合することで確認できた。加速度センサーに過度の衝撃は与えていないので、シリ
コン片は組立て作業中に何らかの原因で脱落したものと思われる。試料Ａの残りの１個と
試料Ｂの１個は、組立て作業中に可動部に損傷を与えたのが原因と見られ、ＩＣチップの
不完全な欠けが原因ではない。
【００３２】
初期の不具合品を除いた試料Ａ２９７個、試料Ｂ２９９個に落下衝撃を加えた後、異常
な出力を示したのは試料Ａで１個、試料Ｂは０個であった。異常な出力を示した加速度セ
ンサーを分解して調べたところ、ＩＣチップからシリコン片が脱落し、可動部上面とＩＣ
チップ下面の間に挟まっていた。挟まっていたシリコン片の大きさは、２０×１８×１７
０μｍであった。可動部上面とＩＣチップ下面の隙間ｇ１は１５μｍで組立てている。衝
撃が加わり錘部が下方向に動きｇ１が大きくなったとき、シリコン片が挟まり取れなくな
ったものと考えられる。シリコン片の脱落が衝撃時に可動部との衝突したためか、それと
も衝撃だけで起こったかは調べても判らなかった。本結果から、ＩＣチップの不完全な欠
けは、加速度センサー使用時に発生する不具合の原因の一つであることが確認できた。
【００３３】
実施例１と実施例２の結果から製品出荷後で、ＩＣチップの不完全な欠けの脱落による
不具合の発生数を推定する。１０万個のＩＣチップで稜部に欠けが発生しているのは１２
．４％である。欠けの内不完全な欠けは１１．１％、不完全な欠けが加速度センサー使用
中に脱落し不具合を発生させる率は、１／２９７＝０．３３％である。１０万個×１２．
４％×１１．１％×０．３３％＝４．５個となる。研削方向と切断方向に注視していない
ＩＣチップを用いた従来の加速度センサーでは、１０万個当たり４．５個の不具合が発生
する危険性があったことになる。ＩＣチップの研削方向と切断方向を規定した本願のＩＣ
チップを用いると、不完全な欠けにより発生する使用中の不具合を略ゼロにすることがで
き、より信頼性の高い加速度センサーを供給することができるものである。同様に、圧力
センサー、ジャイロセンサーでも検討を行ったが、加速度センサーの結果と殆ど同じであ
ったので、個別の説明は省略する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の研削痕と垂線の成す角や欠けの形態等を示す図である。
【図２】本発明の垂線と研削痕の成す角Θと欠け発生率の関係を示す図である。
【図３】実施例２の加速度センサーの展開斜視図である。
【図４】実施例２の加速度センサーの断面図である。
【図５】基板に加速度センサーとＩＣを組み込んだ加速度センサー装置の斜視外観図である。
【図６】従来例の規制板を設けた加速度センサーの断面図である。
【図７】従来例のＩＣチップを規制板に用いた圧力センサーの概略構造を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
２  保護ケース、３  保護ケース蓋、
４，４’ワイヤー、５  端子、
６  外部端子、１０  加速度センサー、
１１  可動部、１２  錘部、
１３  枠部、１４，１５  規制板、
１６，１７  接着剤、２０  加速度センサー素子、
２１可動部、２２  固定部、
２３  接着剤、２４  ＩＣチップ、
２５  切り欠き部、５０  研削痕、
５１  シリコン基板、５２  ＩＣ回路、
５３  稜線Ａ、５４  稜線Ｂ、
５５，５６  垂線、６０  完全な欠け、
６１  不完全な欠け、６２  角部の欠け、
７１  基板、７３  ＩＣ、
７５  加速度センサー装置。
【図１】
2007078641.tif 000003
【図２】
2007078641.tif 000004
【図３】
2007078641.tif 000005
【図４】
2007078641.tif 000006
【図５】
2007078641.tif 000007
【図６】
2007078641.tif 000008
【図７】
2007078641.tif 000009