(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップをフェイスダウン実装するための多層配線板における絶縁層と導体回路の密着性を向上させ、加工工程中の導体回路と絶縁層の剥離を低減し、微細配線を形成きる多層配線板の製造方法を提供する。【解決手段】導体回路が形成された絶縁基板からなる回路基板の表面へ、多孔質無機フィラーを含む絶縁層を形成する工程、該絶縁層を酸化性粗化液により絶縁層表面に前記多孔質無機フィラーを露出させる工程を有する多層配線板の製造方法。【選択図】  図２
2007189216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体回路が形成された絶縁基板からなる回路基板の表面へ、多孔質無機フィラーを含む絶縁層を形成する工程、
該絶縁層を酸化性粗化液により絶縁層表面に前記多孔質無機フィラーを露出させる工程を有することを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項２】
導体回路が形成された絶縁基板からなる回路基板の表面へ、多孔質無機フィラーを含む絶縁層を形成する工程、
絶縁層へビアホールを形成する工程、
酸化性粗化液により絶縁層表面およびビアホール内壁へ前記多孔質無機フィラーを露出させる工程、
絶縁層表面およびビアホール内壁へ無電解銅めっき層を形成する工程、
無電解銅めっき層表面へめっきレジストを形成する工程、
非めっきレジスト形成面へ電解銅めっきにより銅厚付けする工程、
めっきレジストを除去し、めっきレジスト形成部の無電解銅めっき層を除去する工程、
をこの順に繰り返すことを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項３】
前記酸化性粗化液により絶縁層表面およびビアホール内壁へ絶縁層の多孔質無機フィラーを露出させた表面の表面粗さ（Ｒａ）が、０．４μｍ以下である請求項１または２記載の多層配線板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層が、シアネート樹脂および＼またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、並びに実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路基板上へ絶縁層と導体層とを交互に積み重ねていくビルドアップ法による多層配線板が配線密度を向上できるために注目されており、回路基板上に絶縁層として粗化剤に可溶な球形無機フィラーを含んだエポキシ樹脂組成物を塗布し、加熱硬化後、粗化剤により絶縁層表面に凹凸を形成し、導体層をめっきにより形成する多層配線板の製造方法がある（例えば、特許文献１参照）。また、微細配線を形成する手法としてセミアディティブ法が広く知られている。セミアディティブ法は、絶縁基板に層間接続用のビアホールを形成した後、絶縁層表面の粗化処理に続き、下地となる無電解めっき処理を施し、めっきレジストにより非回路形成部を保護する。次いで、回路形成部へ電気めっきして回路を形成し、レジスト除去した後、ソフトエッチングにより非回路形成部の無電解めっき層を除去して、絶縁層上に導体回路を形成する方法である。セミアディティブ法は、非回路形成部の無電解めっき層をソフトエッチングすることにより導体回路を形成するため、絶縁層の表面粗さが小さいほど微細配線化に有利である。
【特許文献１】特開平７−３０４９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
現在、半導体チップをフェイスダウン実装するための多層配線板では、高周波特性向上、導体回路のさらなる微細配線化、絶縁層の低線膨張率化が求められている。さらに絶縁層には無機材料を混合することが必須となっている。しかし、絶縁層へ粗化剤に可溶な球形無機フィラーを混合した場合、絶縁層と導体回路の密着性は得られるものの、粗化剤により絶縁層表面の凹凸が局所的に大きくなる場所が生じる。この局所的に凹凸が大きくなった場所に微細配線の導体層が形成されることによりパターン間のショートや、また、その場所への局所的なエッチングの進行により、導体回路の欠損がおこる。
一方、粗化剤に不溶な球形無機フィラーを混合した場合では、微細配線形成時に粗化剤により絶縁層表面に露出した球形無機フィラー上へ導体回路を形成するため、十分なアンカー効果が得られず、絶縁層と導体回路の密着不良により、加工工程中の導体回路と絶縁層が剥離するといった問題があった。
【０００４】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、半導体チップをフェイスダウン実装するための多層配線板の導体回路と絶縁層の密着性を向上させ、加工工程中の導体回路と絶縁層の剥離を低減し、微細配線を形成できる多層配線板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記［１］〜［４］に記載の本発明により達成される。
［１］導体回路が形成された絶縁基板からなる回路基板の表面へ、多孔質無機フィラーを含む絶縁層を形成する工程、
該絶縁層を酸化性粗化液により絶縁層表面に前記多孔質無機フィラーを露出させる工程を有することを特徴とする多層配線板の製造方法。
［２］導体回路が形成された絶縁基板からなる回路基板の表面へ、多孔質無機フィラーを含む絶縁層を形成する工程、
絶縁層へビアホールを形成する工程、
酸化性粗化液により絶縁層表面およびビアホール内壁へ前記多孔質無機フィラーを露出さ
せる工程、
絶縁層表面およびビアホール内壁へ無電解銅めっき層を形成する工程、
無電解銅めっき層表面へめっきレジストを形成する工程、
非めっきレジスト形成面へ電解銅めっきにより銅厚付けする工程、
めっきレジストを除去し、めっきレジスト形成部の無電解銅めっき層を除去する工程、
をこの順に繰り返すことを特徴とする多層配線板の製造方法。
［３］前記酸化性粗化液により絶縁層表面およびビアホール内壁へ絶縁層の多孔質無機フィラーを露出させた表面の表面粗さ（Ｒａ）が、０．４μｍ以下である上記［１］または［２］項に記載の多層配線板の製造方法。
［４］前記絶縁層が、シアネート樹脂および＼またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、並びに実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂を含むことを特徴とする上記［１］乃至［３］のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の多層配線板の製造方法により、絶縁層表面の凹凸の大きさが従来よりも小さくでき、導体回路と絶縁層の密着強度に優れ、微細配線を形成できる多層配線板を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下図１を用いて本発明を実施するための最良の形態を説明する。
まず、絶縁基板１００（図１（１））上に、導体回路１０１が形成された回路基板１０２上に絶縁層１０３を形成する（図１（２））。本発明で用いられる回路基板としては、プリント配線板の基板として使用できるものであればよく、特に制限はない。例えば、ガラスクロスなどの基材に熱硬化性樹脂を含浸させた銅張積層板の両面を公知のサブトラクティブ法により、導体回路を形成したものが挙げられる。
【０００８】
前記絶縁層１０３は、樹脂、多孔質無機フィラーを含む樹脂組成物である。
樹脂脂組成物の多孔質無機フィラーとしては、無機微粒子を凝集させたもの、無機材料粉末を焼結したものを用いることができる。無機微粒子としては、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ゼオライト、酸化チタン（ＴｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、ほう酸アルミニウム、ボロンナイト、炭酸カルシウム、酸化鉛、酸化すず、酸化セリウム、酸化カルシウム、四酸化三マンガン、酸化マグネシウム、セリウムジルコネイト、カルシウムシリケート、ジルコニウムシリケート、ＩＴＯ、チタンシリケート、多孔質ガラスなどが挙げられ、無機材料粉末としては、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などが挙げられ、単独または組み合わせて使用できる。これらの中でも、電子デバイス分野におけるフィラーへの使用実績が豊富なシリカを用いたものが好ましい。また、上記多孔質無機フィラーは、酸化性粗化液に対して不溶である。
【０００９】
また、多孔質無機フィラーが絶縁層表面に露出したときの絶縁層の表面粗さ（Ｒａ）が０．４μｍ以下となるためには、多孔質無機フィラーは、無機微粒子の凝集体であり、平均粒径が１００ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。平均粒径が１００ｎｍ以下であると、多孔質無機フィラー表面の凹凸へ無電解銅めっきの侵入深度が浅く、無電解銅めっきとの密着性の向上が見られない。平均粒径が５μｍ以上であると、多孔質無機フィラーが絶縁層表面より脱落したときにＲａは０．４μｍ以上となる。非回路形成部の無電解銅めっき層をソフトエッチングして導体回路を形成するセミアディティブ法では、表面粗さが粗いと、ソフトエッチング量が多くなり、無電解銅めっき層が導体回路よりもエッチ
ングされやすくなり、絶縁層との密着面積の低下が生じ、製造工程での配線の剥がれにつながるため、微細配線形成が困難となる。
多孔質無機フィラーの含有量は、絶縁層の線膨張率を低くするとともに弾性率を高くするために、絶縁層に用いる樹脂組成物に対して、好ましくは４０重量％以上、より好ましくは６０重量％以上である。
【００１０】
シリカは、シランカップリング剤による表面処理がされたものを用いても良い。シランカップリング剤としては、エポキシシラン、アミノシラン、ビニルシランなど、種々のものを用いることができる。このような表面処理シリカを用いることで、多孔質無機フィラーと、樹脂マトリックスとの界面密着性を調整することが出来る。
【００１１】
絶縁層１０３の形成方法としては、液状の樹脂組成物をロールコール、カーテンコートなどの方法で塗布する方法、フィルム化してラミネートで貼り合わせる方法や、鏡板に挟んで加圧積層プレスする方法などが挙げられる。絶縁層１０３に用いる樹脂組成物としては、耐めっき液性、耐熱性および絶縁性を備えている他、絶縁層表面に凹凸を形成するために多孔質無機フィラーを露出させる必要がある。
【００１２】
このような絶縁層１０３を形成できる樹脂としてポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリメチルペンテン、ポリアセタール、ポリカーボネート、アクリロニトリルブタジエンサルファイド、スチレンブタジエン共重合体、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルケトン、エポキシ樹脂、シアネート樹脂および＼またはそのプレポリマー、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、など用いることができ、硬化触媒を配合してもよい。硬化触媒としては、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルトなどの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドルキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、フェノール樹脂および有機酸などが挙げられる。これらを単独またはこれらの混合物として用いることができる。
【００１３】
前記樹脂組成物の中でもシアネート樹脂および＼またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂、および多孔質無機フィラーを含むものが好ましい。
シアネート樹脂および＼またはそのプレポリマーを含有することにより、難燃性を向上させることができる。シアネート樹脂および＼またはそのプレポリマーの入手方法としては特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
シアネート樹脂の種類としては特に限定されないが、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でも、ノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度の増加により耐熱性を向上させることができるとともに、難燃性をさらに
向上させることができる。ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。なお、ノボラック型シアネート樹脂は、例えばノボラック型フェノール樹脂と、塩化シアン、臭化シアンなどの化合物とを反応させることにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
ここでノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（１）で示されるものを用いることができる。
【００１４】
【化１】
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【００１５】
上記一般式（１）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが上記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下し、加熱時に低量体が脱離、揮発する場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが上記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、成形性が低下する場合がある。
【００１６】
上記一般式（１）で示されるノボラック型シアネート樹脂の重量平均分子量としては、特に限定されないが、５００〜４，５００とすることができ、好ましくは６００〜３，０００である。重量平均分子量が、小さすぎると得られる樹脂の機械的強度が低下する場合がある一方で、大きすぎると樹脂組成物の硬化速度が大きくなるため保存性が低下する場合あるところ、重量平均分子量を上記の範囲とすることで、得られる樹脂組成物は両者のバランスに優れたものとなる。
【００１７】
なお、上記シアネート樹脂としては、これをプレポリマー化したものも用いることができる。すなわち、シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。ここでプレポリマーとは、通常、上記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。ここでプレポリマーとしては特に限定されないが、例えば、３量化率が２０〜５０重量％であるものを用いることができる。この３量化率は、例えば赤外分光分析装置を用いて求めることができる。
【００１８】
上記シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、シアネート樹脂が有する上記特性を効果的に発現させるという観点からは、樹脂組成物全体の５〜５０重量％とすることができ、好ましくは１０〜４０重量％である。ここで、シアネート樹脂の含有量が小さすぎるとシアネート樹脂による高耐熱性化する効果が低下する場合がある一方で、大きすぎると架橋密度が高くなり自由体積が増えるため、耐湿性が低下する場合があるところ、シアネート樹脂の含有量を上記の範囲とすることで、シアネート樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
さらに、本発明で用いられる樹脂組成物では、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂を含有することにより、ガラス転移温度以上の高温化であってもハロゲン原子による回路腐食がなく、信頼性が向上する。
【００１９】
前記実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂としては特に限定されないが、例え
ば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、アリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、難燃性、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。ここで、アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂を指し、例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば下記一般式（２）で示されるものを用いることができる。
【００２０】
【化２】
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【００２１】
上記一般式（２）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂のｎは、１〜１０とすることができ、好ましくは２〜５である。ｎが小さすぎると、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。一方で、大きすぎると樹脂の流動性が低下し、成形不良などの原因となる場合がある。ｎを上記の範囲とすることで、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の使用による効果は、両者のバランスに優れるものとなる。
【００２２】
上記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、４，０００以下であることが好ましい。さらに好ましくは５００〜４，０００であり、特に好ましくは８００〜３，０００である。エポキシ樹脂の重量平均分子量が小さすぎると、得られる樹脂組成物を用いて形成される樹脂付き金属箔や基材付き絶縁シートにタック性が生じる場合がある。一方で、大きすぎると半田耐熱性が低下する場合がある。重量平均分子量を上記の範囲とすることで、エポキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
【００２３】
上記エポキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の５〜５０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは１０〜４０重量％である。エポキシ樹脂の含有量が小さすぎると、エポキシ樹脂による吸湿半田耐熱性、密着性を向上させる効果が低下する場合がある。一方で、大きすぎると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、得られる樹脂組成物の低熱膨張性が低下する場合がある。エポキシ樹脂の含有量を上記の範囲とすることで、エポキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
【００２４】
さらに、本発明で用いられる樹脂組成物では、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂を含有することにより、当該ソルダー樹脂組成物を導体回路が設けられた絶縁層に加熱圧着した際に密着性が向上し、前記絶縁層の層間接続用のビアホールを設ける際にレーザにより開口し、樹脂残渣（スミア）を除去するがその際に、フェノキシ樹脂を含有することで樹脂残渣を除去しやすくなる。
【００２５】
上記実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂としては特に限定されないが、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂
などが挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造を有するフェノキシ樹脂を用いることもできる。これらの中でも、ビフェニル骨格と、ビスフェノールＳ骨格とを有するものを用いることができる。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができる。
また、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するものを用いることができる。これにより、多層配線板の製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。また、上記ビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するものと、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するものとを、併用することができる。これにより、これらの特性をバランスよく発現させることができる。上記ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するもの（ａ）と、上記ビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するもの（ｂ）とを併用する場合、その併用比率としては特に限定されないが、例えば、（ａ）：（ｂ）＝２：８〜９：１とすることができる。
【００２６】
フェノキシ樹脂の分子量としては特に限定されないが、重量平均分子量が５０００〜７００００であるものを用いることができ、５０００〜５００００であることが好ましい。さらに好ましくは１００００〜４００００である。フェノキシ樹脂の重量平均分子量が小さすぎると、フェノキシ樹脂による製膜性を向上させる効果が低下する場合がある。一方で、大きすぎると、フェノキシ樹脂の溶解性が低下する場合がある。フェノキシ樹脂の重量平均分子量を上記の範囲とすることで、フェノキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
【００２７】
フェノキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜４０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは５〜３０重量％である。フェノキシ樹脂の含有量が小さすぎると、フェノキシ樹脂による製膜性を向上させる効果が低下する場合がある。一方で、大きすぎると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、低熱膨張性を付与する効果が低下する場合がある。フェノキシ樹脂の含有量を上記の範囲とすることで、フェノキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
【００２８】
本発明で用いられる樹脂組成物では、硬化剤としてイミダゾール化合物を含有しても良い。これにより、樹脂組成物の絶縁性を低下させることなく、シアネート樹脂やエポキシ樹脂の反応を促進することができる。イミダゾール化合物としては特に限定されないが、例えば、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドルキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールなどを挙げることができる。これらの中でも、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヒドロキシアルキル基、および、シアノアルキル基の中から選ばれる官能基を２個以上有しているイミダゾール化合物が好ましく、特に２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。このようなイミダゾール化合物の使用により、樹脂組成物の耐熱性を向上させることができるとともに、この樹脂組成物で形成される樹脂層に低熱膨張性、低吸水性を付与することができる。
上記イミダゾール化合物の含有量としては特に限定されないが、上記シアネート樹脂とエポキシ樹脂との合計に対して、０．０５〜５重量％とすることができ、好ましくは０．１〜５重量％、さらに好ましくは０．１〜３重量％である。これにより、特に樹脂組成物の耐熱性を向上させることができる。
【００２９】
さらに前記樹脂組成物に、ゴム成分、アミノ樹脂などを加えることも可能である。ゴム成分としては、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性ポリブタジエンゴム、カルボキシ基を
有するアクリロニトリルブタジエンゴム、カルボキシ基を有するメタクリロニトリルブタジエンゴム、アクリルゴム分散型エポキシ樹脂などが挙げられ、アミノ樹脂としては、メラミン樹脂、グアナミン樹脂、尿素樹脂などのアミノ樹脂またはこれらアミノ樹脂をアルキルエーテル化したものなどが挙げられる。また、ゴム成分とアミノ樹脂は、酸化性粗化液に対して分解または溶解可能であるものが好ましい。
【００３０】
次に、絶縁層１０３へビアホール１０５を形成し、さらに絶縁層とその表面に形成する導体回路との密着性を向上させるために、酸化性粗化液により、絶縁層１０３の表面および、ビアホール１０５内壁に多孔質無機フィラーを露出させ、多層配線板製造途中の回路基板１０６を形成する（図１（３））。ビアホール１０５の形成方法としては、ＵＶ−ＹＡＧレーザ加工、ＣＯ２レーザ加工などが挙げられる。前記酸化性粗化液とは、酸化剤を含有した粗化剤であればよく、特に限定されるものではない。例えば、過マンガン酸塩、重クロム酸塩、過酸化水素・硫酸混合液、硝酸などの酸化剤を含有した混合液などが挙げられる。
【００３１】
ここで、多孔質無機フィラーを絶縁層表面へ露出させるための方法は、多層配線板製造途中の回路基板１０６を酸化性粗化液へ浸漬し、処理条件（浸漬時間、処理温度）を調整することで可能である。
また、絶縁層表面およびビアホール内壁の表面粗さを０．４μｍ以下とするためには、酸化性粗化液により、硬化した樹脂成分が分解または溶解可能であれば、絶縁層１０３の硬化度を硬化温度により調整することで、目的の表面粗さにすることができる。
絶縁層の表面粗さを０．４μｍ以下とすることで、絶縁層とその上の回路との密着強度が優れるため、微細配線の形成が可能であり、絶縁層と表面の回路層との密着強度に優れた多層配線板を得ることが出来る。
【００３２】
次に、絶縁層１０３の表面および、ビアホール１０５内壁に無電解銅めっき層１０７を形成し、多層配線板製造途中の回路基板１０８を得る（図１（４））。無電解銅めっき層１０７の厚みは、０．３〜２μｍ程度である。
【００３３】
次に、無電解銅めっき層１０７上へ、めっきレジスト１０９を選択的に形成し、多層配線板製造途中の回路基板１１０を得る（図２（５））。めっきレジストの形成方法は、感光性樹脂を多層配線板製造途中の回路基板１０８へ形成し、露光、現像することで、パターンニングしためっきレジストを得ることが出来る。感光性樹脂としては、ドライフィルムタイプのものが挙げられ、形成方法としては、ラミネートが挙げられる。
【００３４】
次に、電解銅めっき層１１１をめっきレジスト１０９の非形成部である無電解銅めっき層１０７上に電解銅めっきにより所望の厚さになるまで析出させ多層配線板製造途中の回路基板１１２を得る（図２（６））。
次に多層配線板製造途中の回路基板１１２からめっきレジスト１０９をアルカリ性溶液により、剥離し、多層配線板製造途中の回路基板１１３を得（図２（７））、次いで、めっきレジスト１０９剥離により露出している部分の無電解銅めっき層をソフトエッチングにより除去し、多層配線板１１４を得る（図２（８））。
多層配線板１１４へ前述の絶縁層を形成する工程以下を繰り返すことで、導体回路の絶縁層との密着性に優れ、微細配線形成が可能な多層配線板を得ることが出来る。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明を実施例および比較例を用いて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本実施例では、多孔質無機フィラーの作製および多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムの形成をまず説明し、その後でそれらを用いた多層配線板の製造方法を説明する。
【００３６】
［実施例１］
＜多孔質無機フィラーの作製および多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムの作製＞
まず、無機微粒子として、平均粒径１２ｎｍのシリカ粒子を水溶液に分散させたシリカゾル（日産化学工業（株）製  スノーテック３０）を使用し、ビーカーに水を５０ｃｃ、シリカゾルを１１ｇ、孔形成剤として、ＫＢｒを１０ｇ、シリカゾルのゲル化防止のために硝酸をＰＨ４．０程度になるように順に加え攪拌した。次に攪拌した試料をシャーレに移し、ホットプレートを用いて１００〜１２０℃で乾燥した。乾燥した試料を粉砕し、７０〜３００メッシュの粒度に分級を行った。分級後の試料を焼成皿に載せ、全自動開閉式管状路（ＩＳＵＺＵ製  ＥＫＲＯ−２３）にて２０℃から６００℃まで、３℃／ｍｉｎの速さで昇温し、６００℃で２時間保持したあと、５℃／ｍｉｎで冷却した。焼成した試料を８０℃の熱水中で湯洗し、焼成体中のＫＢｒを溶解除去した。その後、真空乾燥し、平均粒径１００μｍのＳｉＯ２骨格の多孔質無機フィラーを得た。
次に、絶縁層を作製するための樹脂組成物の調製として、ノボラック型シアネート樹脂ＰＴ−６０（ロンザ（株）製、数平均分子量５６０）３３重量部、ノボラック型シアネート樹脂ＰＴ−３０（ロンザ（株）製、数平均分子量３８０）１０重量部、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂エピコート４０１０Ｐ（ＪＥＲ（株）製、数平均分子量６，０００）１５重量部、ノボラック型フェノール樹脂ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）２重量部をメチルエチルケトンに溶解し１０分間攪拌した。
攪拌後、更に、前記ＳｉＯ２骨格の多孔質無機フィラーを４０重量部および界面活性剤としてエポキシシランカップリング剤Ａ−１８７（日本ユニカー（株）製）を前記ＳｉＯ２骨格の多孔質無機フィラーに対して０．５重量部添加して、樹脂組成物を調合した。
この樹脂組成物を３本ロールで、ギャップ５０μｍ、ついで１０μｍにて粉砕、混練し、平均粒径５μｍの多孔質無機フィラーを含む樹脂組成物を得た。この樹脂組成物をＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚みが６０μｍとなるようにコンマコーターで塗工し、多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを作製した。
【００３７】
＜多層配線板および密着強度評価用基板の製造＞
厚さ１２μｍの銅箔を両面に有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（住友ベークライト（株）製、ＥＬＣ−４７８５ＧＳ）にサブトラクティブ法により回路基板を形成した。この回路基板の上に、多孔質無機フィラーが含有した前記絶縁層フィルムを真空プレス（（株）名機製作所製  ＭＶＬＰ−５００／６００−IIＡ）にて、１回目が、温度８０℃、圧力０．５ＭＰａ、２回目が１００℃、１．０ＭＰａの条件で、絶縁層を両面に形成し、ＰＥＴフィルムを剥がしたのち、１７０℃４５分間加熱した。
次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザ加工機（三菱電機（株）製）でビアホールを形成し、絶縁層表面に多孔質フィラーを露出させるために、絶縁層の表面洗浄、活性化のため、主成分がモノエチルブチルアルコールの溶液（（株）ロームアンドハース電子材料製、ＭＬＢコンディショナー）に液温８０℃、１０分間浸漬し、ついで、酸化性粗化液である過マンガン酸カリウムを主成分とする溶液（（株）ロームアンドハース電子材料製、ＭＬＢプロモーター）に液温８０℃、２０分間浸漬し、ついで、マンガン残渣洗浄のため、硫酸溶液（（株）ロームアンドハース電子材料製、ＭＬＢニュートライザー）で、液温４０℃、５分間浸漬し、さらに水洗および湯洗を行った。
続いて、無電解銅めっき液（（株）アトテック製  プリントガントＭＳＫ−ＤＫシリーズ）を用いて、厚さ１．０μｍの無電解銅めっき層を両面に形成し、感光性ドライフィルム（東京応化工業（株）製  ＡＲ−３２０）を無電解めっき層上に両面にラミネータで形成し、露光、現像して、めっきレジストを形成し、めっきレジストの非形成部へ電解銅めっきにより、厚み１４μｍの電解銅めっき層を両面に形成した。
その後、めっきレジストを剥離し露出した無電解銅めっき層を、ソフトエッチング液（（株）荏原電産製  ＳＡＣ）で除去して、最小のＬ／Ｓが１０μｍ／１０μｍである微細
配線１００本を有する導体回路を両面に形成し、多層配線板とした。
次に、密着強度の評価用基板の作製として、厚さ１２μｍの銅箔を両面に有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（住友ベークライト（株）製、ＥＬＣ−４７８５ＧＳ）の片面に、多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを前述と同様に形成し、絶縁層の表面へ、無電解銅めっき層を１．０μｍ、電解銅めっき層を３４μｍの計３５μｍの導体層を形成した。
以下の方法により、評価を行い、評価結果を表１に示す。
【００３８】
＜評価方法＞
１．微細配線形成検査：上記多層配線板の両面に形成された微細配線（計２００本）を測長顕微鏡により観察し、剥離や形成不良部分があった本数を数えた。
２．表面粗さの測定：上記多層配線板の絶縁層の表面に多孔質無機フィラーを露出させた後に絶縁層の表面をレーザ顕微鏡（（株）キーエンス製  ＶＫ−８０００）で表面粗さＲａを測定した（単位：μｍ）。 
３．密着強度の測定：密着強度の試験方法は、前記密着強度評価用基板を用いて、ＪＩＳ
Ｃ ６４８１「プリント配線板用銅張積層板試験方法」に準拠して行った。
【００３９】
［実施例２］
＜多孔質無機フィラーおよび多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムの作製、並びに多層配線板および密着強度評価用基板の製造＞  絶縁層に用いる多孔質無機フィラーの含有量を６０重量部にした以外、実施例１と同様に絶縁層フィルム、多層配線板、および密着強度評価用基板を作製し、評価した。
【００４０】
［実施例３］
＜多孔質無機フィラーおよび多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムの作製、並びに多層配線板および密着強度評価用基板の製造＞
絶縁層を作製するための樹脂組成物の調製として、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン（株）製、プリマセットＰＴ−３０、重量平均分子量約７００）２５重量部、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２０００）２４．７重量部、フェノキシ樹脂／ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−８１００Ｈ３０、重量平均分子量３００００）１０重量部、イミダゾール化合物（四国化成工業（株）製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール））０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させ、実施例１と同様に作製した多孔質無機フィラー４０重量部とカップリング剤としてエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン（株）製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、１０分間攪拌して、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を３本ロールで、ギャップ５０μｍ、ついで１０μｍにて粉砕、混練し、平均粒径５μｍの多孔質無機フィラーを含む樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて実施例１と同様に多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを作製した。
以下、実施例１と同様に多層配線板および密着強度評価用基板を作製し、評価した。
【００４１】
［比較例１］
実施例１で使用した多孔質無機フィラーの代わりに球形無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを作製した。
＜球形無機フィラーを含有した絶縁層フィルムの作製＞
ノボラック型シアネート樹脂ＰＴ−６０（ロンザ（株）製、数平均分子量５６０）３３重量部、ノボラック型シアネート樹脂ＰＴ−３０（ロンザ（株）製、数平均分子量３８０）１０重量部、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂エピコート４０１０Ｐ（ＪＥＲ（株）製、数平均分子量６，０００）１５重量部、ノボラック型フェノール樹脂ＨＦ−３（住友
ベークライト（株）製）２重量部をメチルエチルケトンに溶解した。球形無機フィラーとして球状溶融シリカＳＯ−２５Ｈ（アドマテックス（株）製、平均粒径０．５μｍ）４０重量部および界面活性剤としてエポキシシランカップリング剤Ａ−１８７（日本ユニカー（株）製）を、球形無機フィラーに対して０．５重量部添加して、高速攪拌機を用いて１０分間攪拌して固形分６０重量％の樹脂組成物を得た。この樹脂組成物をＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚みが６０μｍとなるようにコンマコーターで塗工し、球形無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを作製した。
【００４２】
＜多層配線板および密着強度評価用基板の製造＞
多孔質無機フィラーの代わりに球形無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを使用した以外、実施例１と同様に多層配線板および密着強度評価用基板を作製し、実施例１と同様に評価した。
【００４３】
［比較例２］
実施例１において、絶縁層の表面に多孔質フィラーを露出させる工程を省き、多孔質無機フィラーが露出しない構造とした以外は、実施例１と同様に多層配線板および密着強度評価用基板を作製し、実施例１と同様に評価した。
【００４４】
【表１】
2007189216.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の多層配線板の製造方法により、絶縁層表面の凹凸の大きさが従来よりも小さくでき、導体回路と絶縁層の密着強度に優れ、微細配線を形成できる多層配線板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態による多層配線板の製造方法の例を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施形態による多層配線板の製造方法の例を説明するための断面図である（図１の続き）。
【符号の説明】
【００４７】
１００  絶縁基板
１０１  導体回路
１０２  回路基板
１０３  絶縁層
１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１３、多層配線板製造途中の回路基板
１０５  ビアホール
１０７  無電解銅めっき層
１０９  めっきレジスト
１１１  電解銅めっき層
１１４  多層配線板
【図１】
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【図２】
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