(57)【要約】【課題】  簡単且つ少ない工程数で形成することが可能な凸状体の製造方法を提供する。【解決手段】  基板の表面にレジスト膜を形成する第１の工程と、前記レジスト膜と露光マスクとの間の相対距離を変化させながら前記露光マスクを通して前記レジスト膜の表面に露光を行う第２の工程と、前記レジスト膜を現像し、前記レジスト膜を部分的に除去することにより所定形状の凸状体を形成する第３の工程と、により凸状体を製造する。【選択図】図５
2007123479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト膜を用いて凸状体を製造する方法であって、
基板の表面にレジスト膜を形成する第１の工程と、
前記レジスト膜と露光マスクとの間の相対距離を変化させながら前記露光マスクを通して前記レジスト膜の表面に露光を行う第２の工程と、
前記レジスト膜を現像し、前記レジスト膜を部分的に除去することにより所定形状の凸状体を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする凸状体の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程において、前記前記露光マスクを前記レジスト膜から連続的に遠ざけるようにしたことを特徴とする請求項１記載の凸状体の製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程において、前記レジスト膜に面対向する前記露光マスクの下面に光散乱層を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の凸状体の製造方法。
【請求項４】
前記露光マスクは円形の光不透過部を有しており、前記レジスト膜がポジ型の感光性材料で形成されており、前記光不透過部が前記凸状体を形成すべき位置に対向して設けられることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の凸状体の製造方法。
【請求項５】
レジスト膜を用いて凸状体を製造する方法であって、
基板の表面にレジスト膜を形成する第１の工程と、
前記レジスト膜に対し、それぞれ直径寸法が異なる貫通穴を有する複数の露光マスクを交換しながらその都度露光を行う第２の工程と、
前記レジスト膜を現像し、前記レジスト膜を部分的に除去することにより所定形状の凸状体を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする凸状体の製造方法。
【請求項６】
前記請求項１ないし５のいずれか一項に記載の製造方法を用いて凸状体を形成する工程と、
前記凸状体の表面に導電部を形成する工程と、
前記凸状体を除去する工程と、
を有することを特徴とする導電層の製造方法。
【請求項７】
基板の表面に下部導電線をパターン形成する第１の工程と、
前記請求項１ないし５のいずれか一項に記載の製造方法を用いることにより、下部導電線上に凸状体を形成する工程と、
上部導電線を基板の表面と前記凸状体の表面にパターン形成する工程と、
を有することを特徴とする立体配線パターンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス製造用補助部材として用いられる凸状体の製造方法係わり、特に感光材料を所定の凸状体に成形する製造方法及び導電層の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願発明に関する感光材料の露光方法の先行技術としては、例えば以下の特許文献１などが存在する。
【０００３】
特許文献１では、３階調を有するマスクを平面Ｘ方向およびＹ方向に１階調幅の１／３ずつ移動させるものであり、露光を各移動の停止後に３段階に分けて分割して行うことにより、結果として四角錐（ピラミッド）型の構造を有するレジストパターンが製造される。
【特許文献１】特開２００２−１０７９４２号公報（第７項、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載された露光方法では、Ｘ方向に移動させた後、マスクを元の位置に戻し、９０°回転させた後に直交するＹ方向に移動させること、すなわち２方向に移動させることが必要である。
【０００５】
しかも、各方向に１／３ずつ移動させること、および露光を３段階に分けるとともに１回当たりの露光量も所定の露光量の１／３としなければならいなど、工程が煩雑であるという問題がある。
【０００６】
また露光は３階調を有するマスクの移動を停止した後に行われるため、どうしてもレジストパターンが階段状とならざるをえない。
【０００７】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、簡単且つ少ない工程数で形成することが可能な凸状体の製造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
また前記凸状体を用いた導電層の製造方法及び立体配線パターンの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、レジスト膜を用いて凸状体を製造する方法であって、
基板の表面にレジスト膜を形成する第１の工程と、
前記レジスト膜と露光マスクとの間の相対距離を変化させながら前記露光マスクを通して前記レジスト膜の表面に露光を行う第２の工程と、
前記レジスト膜を現像し、前記レジスト膜を部分的に除去することにより所定形状の凸状体を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１０】
本発明では、１枚の露光マスクを用いることにより、三次元構造を有する凸状体をフォトレジストで形成することができる。
【００１１】
前記第２の工程において、前記前記露光マスクを前記レジスト膜から連続的に遠ざけるようにしたことが好ましい。
【００１２】
上記手段では、従来のように露光マスクを２方向に移動させる必要はなく、１方向にのみ移動させるだけでよいため、製造工程を簡単とすることができる。また段差の少ない連続な傾斜面または円弧面を形成することができる。
【００１３】
また、前記第２の工程において、前記レジスト膜に面対向する前記露光マスクの下面に光散乱層を設けることが好ましい。
【００１４】
上記手段では、通常では光が届かないマスクの影となる部分にも積極的に導くことができる。
【００１５】
例えば、前記露光マスクは円形の光不透過部を有しており、前記レジスト膜がポジ型の感光性材料で形成されており、前記光不透過部が前記凸状体を形成すべき位置に対向して設けられるものとして構成できる。
上記手段では、ポジ型の感光性材料を用いて凸状体を形成することができる。
【００１６】
また本発明は、レジスト膜を用いて凸状体を製造する方法であって、
基板の表面にレジスト膜を形成する第１の工程と、
前記レジスト膜に対し、それぞれ直径寸法が異なる貫通穴を有する複数の露光マスクを交換しながらその都度露光を行う第２の工程と、
前記レジスト膜を現像し、前記レジスト膜を部分的に除去することにより所定形状の凸状体を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１７】
本発明によっても、複数の露光マスクを用いることはなるが、三次元構造を有する凸状体をフォトレジストで形成することが可能である。
【００１８】
また本発明の導電部の製造方法は、上記いずれかに記載の製造方法を用いて凸状体を形成する工程と、
前記凸状体の表面に導電部を形成する工程と、
前記凸状体を除去する工程と、
を有することを特徴とするものである。
上記発明では、例えば弾性接点やスパイラル接触子などを製造することが可能となる。
【００１９】
さらに本発明の立体配線パターンの製造方法は、
基板の表面に下部導電線をパターン形成する第１の工程と、
上記いずれかに記載の製造方法を用いることにより、下部導電線上に凸状体を形成する工程と、
上部導電線を基板の表面と前記凸状体の表面にパターン形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
上記発明では同一基板における立体配線を簡単な工程で実現することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、露光中に露光マスクを１方向（高さ方向）に移動させるだけという簡単、且つ少ない工程数で凸状体を製造することができる。
【００２１】
また凸状体を用いることにより、例えば立体配線パターン、弾性接点、あるいはスパイラル接触子などを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は本発明で製造される凸状体を有する基板の一例を示す斜視図、図２は凸状体の一例として円錐状の凸状体を示す断面図、図３は凸状体の他の一例として円墳状の凸状体を示す断面図である。
【００２３】
本発明では複数の凸状体１が、例えば図１に示すように基板１０上にマトリックス状（碁盤の目状、格子状ともいう）に、あるいは基板１０上の任意の位置に形成されるような場合を想定している。
【００２４】
前記凸状体１は図２に示すような円錐形又は略円錐形状、あるいは図３に示すような円墳状に形成され、頂点２と裾野３との間が連続的な傾斜面４ａまたは連続的な略円弧面４ｂなどで形成されているものが好ましい。ただし、前記頂点２と裾野３との間が段差を有する場合を排除するものではない。
【００２５】
図４ないし図６は、本発明の凸状体の製造方法の第１の実施の形態を示す工程図であり、図４は第１の実施の形態における第１の工程を示す工程図、図５は第１の実施の形態における第２の工程を示す工程図、図６は第１の実施の形態における第３の工程を示す工程図、図７は第１の実施の形態におけるレジスト膜内の露光エネルギー総和を示すグラフである。なお、図７では横軸が座標位置を、縦軸が露光エネルギーを示している。
【００２６】
図４Ａ，Ｂに示すように、第１の工程では、用意した基板１０の表面にレジスト膜１１を形成する。すなわち、基板１０の表面に、液状の感光性樹脂材料を塗布機(コータ)で薄く塗布することにより均一なレジスト膜１１を形成する。なお、前記レジスト膜１１は、光が照射された部分のパターンが残るネガ型タイプと、照射された部分が後の現像処理によって除去されるポジ型タイプとが存在するが、本発明では、ポジ型タイプを用いる。
【００２７】
図５Ａに示すように、第２の工程では、レジスト膜１１の表面に露光マスク１２Ａを載置した状態で、露光マスク１２Ａの上部（Ｚ１側）に設けられた光源９から光（紫外線）を照射する。
【００２８】
前記露光マスク１２Ａは所定の位置に光不透過部１２ａと光透過部１２ｂとを有しており、前記光不透過部１２ａは前記凸状体１を形成したい位置に対向して形成されている。
【００２９】
図５Ａないし図５Ｄに示すように、第２の工程の露光中に、前記レジスト膜１１と露光マスク１２Ａとの間の相対距離Ｌを徐々に大きくする。すなわち、光源９と前記レジスト膜１１との距離は一定に維持しながら、露光マスク１２Ａのみを、前記レジスト膜１１の表面から遠ざかる方向（光源９に近づくＺ１方向）に連続的に等速移動させるようにする。
【００３０】
図５Ａに示す相対距離Ｌ＝０の位置（露光マスク１２Ａが前記レジスト膜１１に密着している状態）では、前記レジスト膜１１のうち、前記光透過部１２ｂに対向する領域は露光されるが、前記光不透過部１２ａに対向する領域は影となって露光されない。ただし、前記レジスト膜１１の図示Ｚ２方向の底面付近では、幾分かの光は回り込んで前記光不透過部１２ａに対向する領域に達している。
【００３１】
図５Ｂ、図５Ｃ及び図５Ｄに示すように、露光マスク１２Ａを前記相対距離ＬがＬ＝Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３（０＜Ｌ１＜Ｌ２＜Ｌ３）と徐々に移動させると、これに伴い前記レジスト膜１１内における光の回り込み量が徐々に多くなる。
【００３２】
すなわち、図５Ａから図５Ｄに示すように、露光マスク１２Ａを徐々に遠ざけていくと、前記レジスト膜１１内で露光を受けない領域１１ａが徐々に減少していくが、図５Ｄに示す相対距離Ｌ＝Ｌ３の位置に達すると前記レジスト膜１１全体が露光されるようになる。
【００３３】
そして、前記図５Ｄに状態、すなわち露光マスク１２Ａと前記レジスト膜１１の相対距離ＬがＬ＝Ｌ３に達したときに前記露光は停止させられる。
【００３４】
次に、第３の工程では、図６Ａに示すように、前記レジスト膜１１を有する基板１０全体を現像液１３に浸すことによる現像処理が行われる。前記レジスト膜１１はポジ型の感光性樹脂材料で形成されているため、前記現像処理では露光エネルギーの総和が多い部分の順にフォトレジストが除去され、露光エネルギーの総和が少ないほど残留する。
【００３５】
ここで、前記露光エネルギーの総和は光強度と露光時間の積で決定されるが、上記図５Ａないし図５Ｄに従う露光を行った場合における前記レジスト膜１１に対する露光エネルギーの総和は図７に示す山なりの曲線のようになる。すなわち、露光エネルギーの総和の最少部分は、前記レジスト膜１１の表面で、且つ前記光不透過部１２ａと対向する頂点Ａである。そして、前記頂点Ａの近傍では、頂点Ａから周囲に広がるに連れて徐々に露光エネルギーの総和が少なくなるとともに、前記レジスト膜１１の表面から底面に向かうほど露光エネルギーの総和は少なくなる傾向がある。
【００３６】
なお、前記光不透過部１２ａから充分離れた前記光透過部１２ｂと対向する領域は常に露光されているため、レジスト膜１１の表面であるか底面であるかに拘らず前記露光エネルギーの総和は最大である。
【００３７】
このため、前記第３の工程において不要なフォトレジストを除去することにより、図６Ｂに示すような凸状体１を基板１０上に形成することができる。
【００３８】
なお、前記露光マスク１２Ａの下面にシート状の光拡散部材を設けておくと、光透過部１２ｂを通過した光を拡散させることができ、拡散光で前記レジスト膜１１を露光することができる点で好ましい。前記拡散光を用いると、光の回り込み量を多くすることができるため、通常は光不透過部１２ａの影となって光が届かない領域にも拡散光を導くことができる。よって、光不透過部１２ａの影となる領域に対しても、より積極的な露光を行うことが可能である。よって、光拡散部材の利用の仕方によっては、上記のような円錐状、あるいは円墳形状からなる凸状体１を形成することが可能となる。
【００３９】
前記光拡散部材としては、例えばガラスシートや、プラスチックシートをすりガラスのような粗面で形成することにより光拡散機能を持たせたもの、あるいはプラスチック、アクリル又はポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの光透過性に優れた樹脂に乳白色の顔料を含有させたシート状の乳白色の合成樹脂で形成することが可能である。
【００４０】
次に、本発明の第２の実施の形態としての凸状体の製造方法を説明する。
第２の実施の形態に示す凸状体の製造方法は、複数の露光マスクを用いる点で上記第１の実施の形態とは異なっている。
【００４１】
図８は第２の実施の形態に用いる露光マスクのそれぞれに形成されている光透過部（貫通穴）を示す平面図、図９は凸状体の製造方法としての第２の実施の形態における第２の工程を示す工程図、図１０は第２の実施の形態で形成される凸状体を拡大して示す断面図ある。第２の実施の形態に示すものでは、露光マスク２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７および２８が用意され、各露光マスク２１〜２８には、直径Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８からなるピンホール状の光透過部（貫通穴）１２ｂがそれぞれ形成されている。前記光透過部１２ｂの直径Ｒ１〜Ｒ８の大きさは、Ｒ１＜Ｒ２＜Ｒ３＜Ｒ４＜Ｒ５＜Ｒ６＜Ｒ７＜Ｒ８の順である。
【００４２】
第１の工程は、上記第１及の実施の形態と同様であり、用意した基板１０の表面にレジスト膜１１が形成される（図４参照）。ただし、以下の説明においてはレジスト膜１１を形成する感光性樹脂材料は光が照射された部分のパターンが除去されるポジ型タイプとする。
【００４３】
図９Ａないし図９Ｄに示すように、第２の工程では、前記レジスト膜１１の表面に露光マスク２１ないし２８をこの順番で交換するとともに、交換するたびに露光を行う。ただし、露光マスクの枚数をｎ（本実施の形態ではｎ＝８）とすると、１回当たりの露光エネルギーは全ての露光を１度に完了する場合に比較して１／ｎである。
【００４４】
第２の工程では、図９Ａに示すように最も直径Ｒ１の小さな露光マスク２１をレジスト膜１１上の所定の位置に位置決めして１／８の露光エネルギーで露光を行う。次に、前記露光マスク２１を取り外すとともに、図９Ｂでは次に直径Ｒ１の小さな露光マスク２２をレジスト膜１１上の所定の位置に位置決めし、１／８の露光エネルギーで露光を行う。同様に図９Ｃでは前記露光マスク２２を外すとともに、新たな露光マスク２３を載置し、１／８の露光エネルギーで露光を行う。そして、このような処理が図９Ｄに示す最大直径Ｒ８を有する露光マスク２８になるまで繰り返し行われる。
【００４５】
上記第２の工程における露光エネルギー総和の変化状態の概略を図示すると、図９Ａ〜図９Ｄのレジスト膜１１内に示すものとして表すことができる。なお、図９Ａ〜図９Ｄでは、縦軸上方が露光エネルギーの総和が最も高く、縦軸下方が最も低い状態を示している。
【００４６】
よって、第３の工程として、基板１０全体を現像液１３に浸すと、露光エネルギーの総和の少ない部分が除去されるため、基板１０上に階段状の凸状体１を形成することができる（図１０参照）。
【００４７】
上記第３の工程においては、各露光マスクに形成する光不透過部１２ａの径寸法、露光時間、レジスト膜１１の肉厚寸法などを適度なものに調整することにより、様々な大きさからなる凸状体１を形成することが可能である。また露光マスク上における光透不過部１２ａの形成位置を適宜選択することにより、基板１０上の任意の位置に凸状体１を形成することが可能である。
【００４８】
次に、上記各製造方法で形成された凸状体の使用例について説明する。
図１１は凸状体を用いて形成した立体配線を示す斜視図、図１２は凸状体を用いて形成した弾性接点の斜視図である。
【００４９】
図１１に示す立体配線３０は、縦（Ｙ）方向に配線された下部導電線３１と横（Ｘ）方向に配線された上部導電線３２との間に凸状体１を設けたものである。前記下部導電線３１は前記凸状体１の底面を通り、前記上部導電線３２は前記凸状体１の上部側（頂点を有する側）を通るように設定されているため、前記下部導電線３１と前記上部導電線３２との短絡を防止することが可能とされている。このような立体配線３０からなる配線構造とすると、同一平面上に配線された多数の導電線どうしを立体交差させることができるため、導電線の経路長を短くすることができる。しかも、積層基板を用いなくも立体配線３０とすることができるため、製造コストを低減することができるとともに、基板全体の板厚寸法を薄型化することができる。
【００５０】
上記のような立体配線３０とするには、まず、基板１０上の下部導電線３１をパターン形成する。次に、上記第１又は第２の実施の形態の製造方法を用いることにより、前記下部導電線３１と立体交差させたい部分に凸状体１を形成する。そして、最後に前記上部導電線３２が前記凸状体１上を通るようにパターン形成する。なお、配線パターニングは、スクリーン印刷で行うものであってもよいし、メッキとエッジング処理で行うものであってもよい。
【００５１】
以上の製造方法を用いることにより、前記下部導電線３１と前記上部導電線３２とを同一基板平面上で立体配線３０とすることができる。
【００５２】
また図１２に示すように、上記において前記立体配線させた後に前記凸状体１を所定の薬品を用いて除去することにより、前記上部導電線３２を空中配線させるようにしてもよい。このとき、前記上部導電線３２に弾性を備えさせておくと、前記上部導電線３２を弾性接点として利用することが可能である。すなわち、前記凸状体１を除去すると、前記下部導電線３１と弾性変形可能な上部導電線３２とが所定の距離（空間）を隔てて対向配置されることになる。この状態で前記上部導電線３２を押圧すると、図１２に一点鎖線で示すように上部導電線３２が変形して前記下部導電線３１と接触する導通状態とすることができる。また図１２に実線で示すように前記押圧を解除すると上部導電線３２が元の状態の復元するため、接触が解除された非導通状態とすることができる。すなわち、弾性接点として利用することが可能となる。
【００５３】
なお、例えば弾性変形しやすいニッケルなどを下地層としてパターン形成し、その表面に金、銀または銅などの導電性金属をメッキ等することにより、弾性を有する上部導電線３２とすることが可能である。
【００５４】
次に、凸状体を用いた弾性接触子の製造方法に関して説明する。
図１３は凸状部を用いて形成されるスパイラル接触子を示す斜視図、図１４ないし図２０は凸状部を用いて形成されるスパイラル接触子の製造工程の第１の実施形態を示している。
【００５５】
なお、以下の製造方法で形成される弾性接触子は、例えば図１３に示すように基部４０ｂから螺旋状に延びる弾性腕４０ａを備えたスパイラル接触子４０である
まず、図１４に示す工程では、凸状部１の表面にシード層４１をスパッタにより形成する。前記シード層４１としては例えばＴｉ（５０μｍ）／Ｃｕ（１００ｎｍ）などを用いることができる。
【００５６】
次に図１５に示す工程では、前記シード層４１の上にレジスト層４２をスピンコート等で塗布する。
【００５７】
次の図１６に示す工程では、前記レジスト層４２にスパイラル接触子４０を構成する螺旋形状パターン５１を図示しないマスクを用いて露光し、且つ現像処理を施すことにより形成する。これにより前記螺旋形状パターン５１内から前記シード層４１の表面が露出する。
【００５８】
次に図１７に示す工程では、前記螺旋形状パターン５１内から露出したシード層４１の上に、前記スパイラル接触子４０の弾性腕４０ａを形成する金属層４４をメッキ形成する。例えば、前記シード層４１の上に、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕのいずれかからなるメッキ層を形成し、その上にＮｉメッキ層をメッキ形成し、さらにその上にＡｕ、Ａｇ又はＣｕのいずれかからなるメッキ層をメッキ形成する。すなわちＮｉメッキ層を弾性腕４０ａの芯材としてその上下をＡｕ、Ａｇ又はＣｕのいずれかからなるメッキ層で覆うことでスパイラル接触子４０を形成する。
【００５９】
次に図１８に示す工程では、アルカリ水溶液を用いて前記レジスト層４２を除去する。
そして図１９の工程では、前記Ｔｉ／Ｃｕで形成されたシード層４１をエッチングにより除去する。
【００６０】
最後の図２０の工程では、凸状体１をアルカリ水溶液を用いて除去することにより、上記図１３に示すようなスパイラル接触子４０を取り出すことができる。
【００６１】
次に、凸状体を用いた弾性接触子の別の製造方法に関して説明する。
図２１ないし図２５は凸状部を用いて形成されるスパイラル接触子の製造工程の第２の実施形態を示している。
【００６２】
まず、凸状部１の表面にＴｉ／Ｃｕからなるシード層４１をスパッタにより形成し、次に前記シード層４１の上にレジスト液をスピンコート等して塗布することによりレジスト層４２を形成するが、これらの工程は上記第１の実施形態に図１４及び図１５として示す工程と同じである。
【００６３】
次の工程では、図２１に示すように、前記レジスト層４２にスパイラル接触子５０を構成する螺旋形状パターンを図示しないマスクを用いて露光し、且つ現像処理を施すことにより螺旋形状のパターン溝６２を形成する。なお、第１の製造方法とは凹凸が逆の関係にある。これにより前記パターン溝６２内から前記シード層４１を露出させることができる。
【００６４】
次の図２２に示す工程では、前記パターン溝６２内に露出しているシード層４１を除去し、凸状体１を部分的に露出させる。
【００６５】
図２３に示す工程では、前記レジスト層４２を全て除去し、凸状体１の表面に螺旋形状に形成されたシード層４１のみを残す。
【００６６】
図２４に示す工程では、前記螺旋形状からなるシード層４１の上に、スパイラル接触子４０を形成する金属層４４をメッキ形成する。ここでの金属層４４も、上記第１の製造方法同様に、弾性変形しやすいＮｉメッキ層を弾性腕４０ａの芯材とし、その上下が導電特性に優れたＡｕ、Ａｇ又はＣｕのいずれかで覆う。
【００６７】
前記メッキは、Ｔｉ／Ｃｕからなるシード層４１の表面にのみ析出され、レジスト膜１１から形成された凸状体１の表面には析出され難い。このため、前記メッキを成長させると、例えば図２４に示すように断面茸傘状の金属層４４、すなわち弾性腕４０ａを形成することができる。
【００６８】
そして、最後の図２５Ａに示す工程では、上記同様に凸状体１をアルカリ水溶液を用いて除去することにより、上記図１３に示すようなスパイラル接触子４０を形成することができる。
【００６９】
なお、図２５Ｂに示すように、前記シード層４１の幅寸法を狭く形成しておくと、メッキ成長した弾性腕４０ａの断面形状を全体的に丸型とすることが可能となる。
【００７０】
なお、前記図２４の工程と図２５Ａ又は図２５Ｂの工程との間に、スパイラル接触子４０の基部４０ｂどうしを例えばポリイミドなど絶縁性を有する接着シートを用いて互いに接合する工程を設けることが好ましい。このような接着シートを用いて各スパイラル接触子４０を固定しておくと、前記図２５Ａ又は図２５Ｂの工程後において複数のスパイラル接触子４０がばらばらになることを防止することができる。
【００７１】
以上のように、第１または第２の実施形態に示す製造方法を用いることにより、スパイラル接触子４０を形成することができる。
【００７２】
なお、上記においては、凸状体１が導電線の立対配線用、弾性接点およびスパイラル接触子などに利用できる点について説明したが、凸状体１の利用分野は上記実施形態に限られるものではなく、様々な分野において利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明で製造される凸状体を有する基板の一例を示す斜視図、
【図２】凸状体の一例として円錐状の凸状体を示す断面図、
【図３】凸状体の他の一例として円墳状の凸状体を示す断面図、
【図４】凸状体の製造方法としての第１の実施の形態における第１の工程を示す工程図、
【図５】第１の実施の形態における第２の工程を示す工程図、
【図６】第１の実施の形態における第３の工程を示す工程図、
【図７】第１の実施の形態におけるレジスト膜内の露光エネルギー総和を示すグラフ、
【図８】第３２実施の形態に用いる露光マスクのそれぞれに形成されている光透過部（貫通穴）を示す平面図、
【図９】凸状体の製造方法としての第３の実施の形態における第２の工程を示す工程図、
【図１０】第３の実施の形態で形成される凸状体を拡大して示す断面図、
【図１１】凸状体を用いて形成した立体配線を示す斜視図、
【図１２】凸状体を用いて形成した弾性接点の斜視図、
【図１３】凸状部を用いて形成されるスパイラル接触子を示す斜視図、
【図１４】凸状部を用いて形成するスパイラル接触子の製造工程の第１の実施形態の一工程図、
【図１５】図１４の次に行われる一工程図、
【図１６】図１５の次に行われる一工程図、
【図１７】図１６の次に行われる一工程図、
【図１８】図１７の次に行われる一工程図、
【図１９】図１８の次に行われる一工程図、
【図２０】図１９の次に行われる一工程図、
【図２１】凸状部を用いて形成するスパイラル接触子の製造工程の第２の実施形態の一工程図であり、図１４及び図１５の次に行われる一工程図、
【図２２】図２１の次に行われる一工程図、
【図２３】図２２の次に行われる一工程図、
【図２４】図２３の次に行われる一工程図、
【図２５】Ａは図２３の次に行われる一工程図、Ｂは図２３の次に行われる他の一工程図、
【符号の説明】
【００７４】
１  凸状体
９  光源
１０  基板
１１  レジスト膜
１２Ａ，１２Ｂ  露光マスク
１２ａ  光不透過部
１２ｂ  光透過部（貫通穴）
１３  現像液
２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８  露光マスク
３０  立体配線
３１  下部導電線
３２  上部導電線
４０  スパイラル接触子
４０ａ  弾性腕
４０ｂ  基部
４１  シード層
４２  レジスト層
４４  金属層
【図１】
2007123479.tif 000003
【図２】
2007123479.tif 000004
【図３】
2007123479.tif 000005
【図４】
2007123479.tif 000006
【図５】
2007123479.tif 000007
【図６】
2007123479.tif 000008
【図７】
2007123479.tif 000009
【図８】
2007123479.tif 000010
【図９】
2007123479.tif 000011
【図１０】
2007123479.tif 000012
【図１１】
2007123479.tif 000013
【図１２】
2007123479.tif 000014
【図１３】
2007123479.tif 000015
【図１４】
2007123479.tif 000016
【図１５】
2007123479.tif 000017
【図１６】
2007123479.tif 000018
【図１７】
2007123479.tif 000019
【図１８】
2007123479.tif 000020
【図１９】
2007123479.tif 000021
【図２０】
2007123479.tif 000022
【図２１】
2007123479.tif 000023
【図２２】
2007123479.tif 000024
【図２３】
2007123479.tif 000025
【図２４】
2007123479.tif 000026
【図２５】
2007123479.tif 000027