(57)【要約】【課題】ＵＨＦを使ってデータ交換をするＲＦＩＤインレットのコスト低減を図る。また、広い周波数帯域で効率よくデータ交換を行うことのできるＲＦＩＤインレットを提供する。【解決手段】ＲＦＩＤ用インレット１は、薄いＡｌ箔からなるアンテナ２と、このアンテナ２に実装された半導体チップ３とによって構成されている。アンテナ２の一部には、半導体チップ３を囲むようにして一対のスリット５ａ、５ｂが形成されている。スリット５ａ、５ｂのそれぞれは、アンテナ２の整合回路部を構成している。アンテナ２に二つの整合回路を設けてそれらを並列に接続することにより、アンテナのインピーダンスの抵抗成分が小さくなり、アンテナ２のインピーダンスと半導体チップ３のインピーダンスを良好に整合させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体箔からなるアンテナと、前記アンテナのチップ搭載部に実装されて前記アンテナに電気的に接続された半導体チップとによって構成され、
前記チップ搭載部の近傍の前記導体箔には、それぞれが前記アンテナの整合回路を構成する第１および第２のスリットが形成されていることを特徴とするＲＦＩＤ用インレット。
【請求項２】
前記第１および第２のスリットは、前記二つの整合回路が互いに並列に接続されるようにレイアウトされていることを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤ用インレット。
【請求項３】
前記導体箔は、アルミニウム箔であることを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤ用インレット。
【請求項４】
極超短波によってデータを非接触で読み書きするＲＦＩＤに使用されることを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤ用インレット。
【請求項５】
前記半導体チップの主面には、前記半導体チップに形成された回路の電源端子を構成する第１のバンプ電極と、前記回路のＧＮＤ端子を構成する第２のバンプ電極とが形成され、
前記チップ搭載部の前記導体箔は、その一部に形成された第３のスリットによって２分割され、
前記半導体チップは、前記２分割された導体箔の一方と前記第１のバンプ電極とが電気的に接続され、前記２分割された導体箔の他方と前記第２のバンプ電極とが電気的に接続されるようにフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤ用インレット。
【請求項６】
前記第１および第２のバンプ電極は、前記半導体チップの第１の辺の近傍に形成され、
前記半導体チップの前記第１の辺に対向する第２の辺の近傍には、前記半導体チップに形成された回路に電気的に接続されていない第１および第２のダミーのバンプ電極が形成され、
前記第１および第２のダミーのバンプ電極は、前記チップ搭載部の前記導体箔と電気的に接続されていることを特徴とする請求項５記載のＲＦＩＤ用インレット。
【請求項７】
前記半導体チップの主面において、前記第１のダミーのバンプ電極と前記第２のダミーのバンプ電極との距離は、前記第１のバンプ電極と前記第２のバンプ電極との距離よりも大きいことを特徴とする請求項６記載のＲＦＩＤ用インレット。
【請求項８】
前記半導体チップの主面には、前記半導体チップに形成された回路に電気的に接続されたテスト用のバンプ電極が形成され、
前記テスト用のバンプ電極に対向する領域とその近傍の領域の前記導体箔には、第４のスリットが形成されていることを特徴とする請求項５記載のＲＦＩＤ用インレット。
【請求項９】
前記導体箔からなるアンテナの平面形状は長方形であり、前記半導体チップは、その主面に形成された前記第１のバンプ電極と前記第２のバンプ電極とが、前記アンテナの一方の短辺の中心と他方の短辺の中心とを結ぶ中心線上に位置するように実装されていることを特徴とする請求項５記載のＲＦＩＤ用インレット。
【請求項１０】
導体箔からなるアンテナに半導体チップを実装し、前記半導体チップの近傍の前記導体箔に、前記アンテナの整合回路を構成するスリットを形成するＲＦＩＤ用インレットの製造方法であって、
（ａ）前記アンテナを構成する前記導体箔よりも大面積の導体箔を用意する工程と、
（ｂ）前記大面積の導体箔の一部を第１のプレス金型で打ち抜くことによって、前記大面積の導体箔に複数のチップ搭載部を形成する工程と、
（ｃ）前記大面積の導体箔に形成された前記複数のチップ搭載部のそれぞれに半導体チップをフリップチップ実装することによって、前記半導体チップのそれぞれと前記導体箔とを電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記複数のチップ搭載部のそれぞれに実装された前記半導体チップの主面をポッティング樹脂により封止する工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記大面積の導体箔の一部を第２のプレス金型で打ち抜くことによって、前記複数のチップ搭載部のそれぞれの近傍に、前記アンテナの整合回路を構成するスリットを形成する工程と、
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記大面積の導体箔の一部を第３のプレス金型で打ち抜くことによって、前記アンテナを形成する工程とを含むことを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項１１】
前記スリットは、第１のスリットおよび第２のスリットからなり、前記第１および第２のスリットによって、互いに並列に接続された二つの整合回路が形成されることを特徴とする請求項１０記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項１２】
前記導体箔は、アルミニウム箔であることを特徴とする請求項１０記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項１３】
前記半導体チップと前記導体箔との電気的な接続は、前記半導体チップの主面に形成されたＡｕバンプと、前記アルミニウム箔とを超音波圧着によって行われることを特徴とする請求項１２記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項１４】
導体箔からなるアンテナに半導体チップを実装し、前記半導体チップの近傍の前記導体箔に、前記アンテナの整合回路を構成するスリットを形成するＲＦＩＤ用インレットの製造方法であって、
（ａ）チップ搭載部を有する導体箔を準備する工程と、
（ｂ）主面と、前記主面上に形成された回路と、前記回路の電源端子を構成する第１のバンプ電極と、前記回路のＧＮＤ端子を構成する第２のバンプ電極とを有する半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）前記チップ搭載部の一部に第１のスリットを形成する工程と、
（ｄ）前記第１のバンプ電極と前記第２のバンプ電極の間に前記第１のスリットが配置されるように、前記半導体チップを前記第１のバンプ電極および前記第２のバンプ電極を介して前記チップ搭載部上に実装する工程と、
（ｅ）前記半導体チップの主面と、前記第１のバンプ電極と、前記第２のバンプ電極および前記チップ搭載部の一部を封止する工程と、
（ｆ）前記チップ搭載部の周囲に前記アンテナの前記整合回路を構成する第２のスリットを形成する工程と、
（ｇ）前記導体箔から前記ＲＦＩＤ用インレットを分離する工程とを含むことを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項１５】
前記アンテナの前記整合回路を構成する前記第２のスリットは、前記チップ搭載部の周囲に複数個形成され、前記複数個の前記２のスリットは前記第１のスリットを介して互いに連通されるように形成されていることを特徴とする請求項１４記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項１６】
前記第１のスリットおよび前記第２のスリットは、プレス金型で打ち抜くことによって形成されていることを特徴とする請求項１４記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項１７】
前記導体箔は、アルミニウム箔であることを特徴とする請求項１４記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項１８】
前記ＲＦＩＤ用インレットは、極超短波によってデータを非接触で読み書きするＲＦＩＤに使用されることを特徴とする請求項１４記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項１９】
前記第１のバンプ電極および前記第２のバンプ電極は、超音波圧着法により電気的に接続されることを特徴とする請求項１４記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項２０】
前記第１および第２のバンプ電極は、前記半導体チップの第１の辺の近傍に形成され、
前記半導体チップの前記第１の辺に対向する第２の辺の近傍には、前記半導体チップに形成された回路に電気的に接続されていない第１および第２のダミーのバンプ電極が形成され、
前記第１および第２のダミーのバンプ電極は、前記チップ搭載部の前記導体箔と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１４記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項２１】
前記半導体チップは、テスト用バンプ電極を有し、前記半導体チップを前記チップ搭載部上に実装した際、前記テスト用バンプ電極の直下に位置する導体箔に第３のスリットが形成されていることを特徴とする請求項１４記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【請求項２２】
前記第２のスリットは、第４のスリットと第５のスリットを有し、前記第４および第５のスリットによって、互いに並列に接続された二つの整合回路が形成されることを特徴とする請求項１４記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦＩＤ(Radio Frequency Identification)用インレットに関し、特に、ＵＨＦ（極超短波）帯の電波を使用してデータを非接触で読み書きするＲＦＩＤ用インレットに適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＲＦＩＤとは、半導体チップを実装したアンテナを主体として構成されるインレットを何らかの外装に組み込んだＲＦＩＤタグを物品に取り付けておき、このＲＦＩＤタグとリーダライタ（データの読み書きのための装置）との間でデータ交換を行うことにより物品の自動認識を行う技術である。
【０００３】
上記ＲＦＩＤは、半導体チップ内のメモリ回路にデータを記憶させるため、バーコードを利用したタグなどに比べて大容量のデータを記憶できる利点がある。また、メモリ回路に記憶させたデータは、バーコードに記憶させたデータに比べて不正な改竄が困難であるという利点もある。他方、ＲＦＩＤタグは、バーコードを利用したタグなどに比べてインレットの構造が複雑であることから、その製造コストが高く、これがＲＦＩＤの普及を妨げる一因となっている。
【０００４】
インレットの代表的な構造は、例えば特開２００４−３５５４６９号公報（特許文献１）に記載されているように、ポリイミド樹脂などからなる長方形の絶縁フィルムの一面にＣｕ（銅）箔からなるアンテナを形成し、このアンテナに半導体チップを実装したものである。このインレットを製造するには、長尺の絶縁フィルムの一面に接着したＣｕ箔をエッチングして多数のアンテナを形成した後、それぞれのアンテナに半導体チップを実装してポッティング樹脂で封止を行う。その後、絶縁フィルムを裁断して多数のアンテナを個片化するとインレットが得られる。
【特許文献１】特開２００４−３５５４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のＲＦＩＤは、２．４５ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用するものや、１３．５６ＭＨｚ帯の短波を使用する電磁誘導方式のものが一般的であった。しかし、これらのＲＦＩＤは、ＲＦタグとリーダライタとの通信距離が短いため、適用分野が限られていた。
【０００６】
最近、比較的長距離（約３メートル〜８メートル）の通信が可能で、しかも多くのタグを一度に読み取ることができるＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤが認可されたことから、物流管理などの用途に向けた需要増大が期待されている。
【０００７】
しかし、ＲＦＩＤを普及させるためには、インレットのコスト低減が重要な課題となる。特に、ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤ用インレットは、２．４５ＧＨｚ帯のマイクロ波や１３．５６ＭＨｚ帯の短波を使用するＲＦＩＤ用インレットに比べてアンテナの寸法が大きいことから、その分、材料費が高くなってしまう。
【０００８】
また、ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤは、各国の利用可能な周波数帯域の中から特定の周波数が各国で割り当てており、例えば日本では９５０ＭＨｚ、欧州では８６０ＭＨｚ、米国では９１５ＭＨｚの周波数をそれぞれ割り当てている。
【０００９】
このように、ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤは、国毎に異なる周波数の電波を使用するので、例えばＡ国でＲＦＩＤタグを取り付けた物品をＢ国に輸出した場合、Ａ国で使用する電波の周波数とＢ国で使用する電波の周波数の差が大きいと、Ｂ国では通信距離が大幅に短くなったり、データの読み取りが困難になったりする。従って、ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤでは、広い周波数帯域で効率よくデータ交換を行うことのできるインレットの開発が重要な課題となる。
【００１０】
本発明の目的は、ＲＦＩＤ用インレットのコスト低減を図る技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、広い周波数帯域で効率よくデータ交換を行うことのできるＲＦＩＤ用インレットを提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
本発明のＲＦＩＤ用インレットは、導体箔からなるアンテナと、前記アンテナのチップ搭載部に実装されて前記アンテナに電気的に接続された半導体チップとによって構成され、前記チップ搭載部の近傍の前記導体箔には、それぞれが前記アンテナの整合回路を構成する第１および第２のスリットが形成されているものである。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１６】
ＲＦＩＤ用インレットを導体箔からなるアンテナとこのアンテナに実装された半導体チップのみで構成することにより、ＲＦＩＤ用インレットの部品点数が少なくなり、そのコスト低減を図ることができる。
【００１７】
ＲＦＩＤ用インレットのアンテナに二つの整合回路を設けることにより、アンテナのインピーダンスと半導体チップのインピーダンスを良好に整合させることができるので、広い周波数帯域で効率よくデータ交換を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
本実施の形態のＲＦＩＤ用インレットは、８６０ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ帯のＵＨＦ（極超短波）を使ってデータを非接触で読み書きするＲＦＩＤに使用されるものである。一般に、ＲＦＩＤは、ＲＦタグとリーダライタとで構成され、ＲＦタグは、ＲＦＩＤ用インレットとこれを物品に取り付ける媒体（ラベル、カードなど）とで構成される。ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤは、２．４５ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用するＲＦＩＤや、１３．５６ＭＨｚ帯の短波を使用する電磁誘導方式のＲＦＩＤなどに比べて長距離の通信が可能であり、しかも多くのＲＦタグを同時に読み取ることができるという利点があるので、特に物流管理などの用途に好適なＲＦＩＤである。
【００２０】
図１は、本実施の形態のＲＦＩＤ用インレットを示す全体平面図、図２は、図１の一部（チップ搭載部と整合回路部）を拡大して示す平面図、図３は、図２の一部（チップ搭載部の近傍）をさらに拡大して示す平面図、図４は、図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００２１】
本実施の形態のＲＦＩＤ用インレット１は、長方形の薄い金属箔からなるアンテナ２と、このアンテナ２の中心部付近に実装された半導体チップ３とによって構成されている。半導体チップ３は、その主面（集積回路形成面）がポッティング樹脂４によって被覆されている。ポッティング樹脂４は、半導体チップ３の主面に形成された集積回路や、半導体チップ３とアンテナ２との接続部などを保護するための絶縁層である。図示は省略するが、半導体チップ３の主面に形成された集積回路は、ＥＥＰＲＯＭ(Electrically Erasable Programmable ROM)などのメモリ回路、このメモリ回路を制御する制御回路、および送受信回路などによって構成されている。メモリ回路には、ＲＦＩＤ用インレット１が取り付けられる物品に関する各種データが書き込まれる。また、メモリ回路に書き込まれたデータを必要に応じて消去し、新たなデータを再書き込みすることもできる。
【００２２】
アンテナ２は、厚さが４０μｍ〜５０μｍ程度、長さが１４８ｍｍ、幅が１０ｍｍの外形寸法を有するＡｌ（アルミニウム）箔によって構成されている。アンテナ２の長さは、周波数が９５０ＭＨｚ（９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚ）のＵＨＦを最も効率よく受信できるように最適化されている。また、Ａｌは、Ｃｕ（銅）やＡｕ（金）のような他の金属箔材料に比べて原価が安いので、アンテナ２を薄いＡｌ箔で構成することにより、ＲＦＩＤ用インレット１の製造コストを低減することができる。さらに、本実施の形態のＲＦＩＤ用インレット１は、Ａｌ箔からなるアンテナ２と、このアンテナ２に実装された半導体チップ３のみによって構成され、アンテナ２を支持する樹脂フィルムなどの媒体を使用していないので、材料原価が極めて低廉であるという特徴がある。
【００２３】
上記アンテナ２の中央部には、半導体チップ３を囲むようにして、一対のスリット５ａ、５ｂが形成されている。図２は、スリット５ａ、５ｂの平面形状を見易くするために、アンテナ２のＡｌ箔部分をハッチングで示している。スリット５ａ、５ｂのそれぞれは、チップ搭載部の近傍が細くくびれた略長方形の平面形状を有しており、形状および寸法は、互いに同一である。これらのスリット５ａ、５ｂは、主としてアンテナ２の整合回路部を構成している。すなわち、アンテナ２は、その中央部が半導体チップ３を実装するチップ搭載部となっており、このチップ搭載部の周囲のスリット５ａ、５ｂが形成された領域が主としてアンテナ２の整合回路部として機能している。また、アンテナ２のその他の領域が主としてＵＨＦを受信する受信部として機能している。後述するように、スリット５ａ、５ｂは、アンテナ２を構成するＡｌ箔の一部をプレス金型で打ち抜きすることによって形成される。さらには、アンテナの整合回路を構成するスリット（開口部）５ａ、５ｂは、チップ搭載部の周囲に複数個形成され、複数個のスリット（開口部）５ａ、５ｂはスリット（開口部）９を介して互いに連通されるように形成される。
【００２４】
ＲＦＩＤ用インレット１に実装されたデータを読み出すには、まず、リーダライタのアンテナからＲＦＩＤ用インレット１に９５０ＭＨｚの電波を送信する。すると、この電波がＲＦＩＤ用インレット１のアンテナ２によって受信され、整合回路部で整流されることによって、アンテナ２に電力が発生する。そして、この電力によって半導体チップ３の集積回路が動作し、メモリ回路に書き込まれたデータが半導体チップ３からアンテナ２に出力される。次に、このデータがアンテナ２から電波に乗ってリーダライタに送信されると、リーダライタは、そのアンテナを通じてこの電波を受信し、メモリ回路に書き込まれたデータを読み取る。
【００２５】
上記したＲＦＩＤの動作において、ＲＦＩＤ用インレット１のアンテナ２が受信した電波から効率よく電力を発生させるためには、アンテナ２のインピーダンスを半導体チップ３のインピーダンスと良好に整合させる必要がある。アンテナ２のインピーダンスは、アンテナ２の整合回路部を構成するスリット５ａ、５ｂの長さや幅、あるいはアンテナ２の幅といったパラメータによって制御されるので、アンテナ２と半導体チップ３の良好なインピーダンス整合を図るためには、スリット５ａ、５ｂの形状や寸法の最適化が重要な課題となる。
【００２６】
本発明者は、ＲＦＩＤ用インレットのアンテナに一つのスリット（整合回路）を設け、このスリットの形状や寸法を変えることによって、アンテナと半導体チップのインピーダンスを整合させようとしたところ、アンテナのインピーダンスの抵抗成分が大きいために、アンテナのインピーダンスと半導体チップのインピーダンスを良好に整合させることが困難であることを見いだした。
【００２７】
その対策として、本実施の形態では、半導体チップ３の周囲のアンテナ２に二つのスリット５ａ、５ｂを並べて配置する。これは、アンテナ２に二つの整合回路を並列に接続したことと等価である。この結果、整合回路が一つしかないアンテナに比べてインピーダンスの抵抗成分が小さくなるので、アンテナ２のインピーダンスと半導体チップ３のインピーダンスを良好に整合させることができた。
【００２８】
図５は、前記図１〜図４に示すＲＦＩＤ用インレット１のアンテナ２について、電圧定在波比(Voltage Standing Wave Ratio：ＶＳＷＲ)特性の周波数依存性を測定した結果を示すグラフである。グラフの横軸は、ＵＨＦのうち、ＲＦＩＤでの利用が認められている周波数帯域（８６０ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ）を示している。各国には、この周波数帯域の中から自国で利用することのできる周波数が割り当てられており、例えば日本には９５０ＭＨｚ（９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚ）、欧州には８６０ＭＨｚ、米国には９１５ＭＨｚの周波数がそれぞれ割り当てられている。ここで、ＶＳＷＲは１．０が最良値であり、これはアンテナのインピーダンス整合が周波数帯に対して最適化されていることを意味している。他方、アンテナのインピーダンス整合が周波数帯に対してずれていくと、ＶＳＷＲは、１．０から離れて次第に大きくなるが、ＶＳＷＲが２．０以下のアンテナであれば、実用上は良好な通信特性を得ることが出来るとされている。
【００２９】
グラフに示すように、９５０ＭＨｚの電波を使用することを前提に設計された本実施の形態のアンテナ２は、９５０ＭＨｚにおけるＶＳＷＲがほぼ１．０に近くなっている。しかし、電波の周波数が９５０ＭＨｚから次第に離れてもＶＳＷＲの増加は少なく、８６０ＭＨｚから９６０ＭＨｚにわたる広い周波数帯域で２．０以下の安定したＶＳＷＲを示した。これにより、本実施の形態のアンテナ２は、ＲＦＩＤが利用できる周波数帯域（８６０ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ）の全域において使用可能であることが判明した。従って、例えばある物品にそのデータを書き込んだＲＦＩＤ用インレット１を取り付けて日本から欧州に輸出した場合、欧州に割り当てられた周波数（８６０ＭＨｚ）での使用を前提に作製されたリーダライタを使用してこの物品に関するデータを読み取ることが可能となる。このように、本実施の形態のＲＦＩＤ用インレット１は、特定の国の国内で流通する物品だけでなく、海外に輸出する物品にも適用することができる。なお、前述したように、アンテナ２のインピーダンスは、整合回路部を構成するスリット５ａ、５ｂの長さや幅、あるいはアンテナ２の幅などが変わることによって変動する。従って、スリット５ａ、５ｂの最適な形状や寸法は、図１〜図３に示した形状や寸法に限定されるものではない。
【００３０】
図６は、アンテナ２の中央部に搭載された半導体チップ３の主面を拡大して示す平面図である。半導体チップ３は単結晶シリコンからなり、その外形寸法は、一辺が１．２ｍｍの正方形である。この半導体チップ３の主面には、半導体チップ３内の集積回路に電気的に接続された２個のＡｕバンプ６ａ、６ｂが形成されている。これらのＡｕバンプ６ａ、６ｂは、半導体チップ３の一辺の近傍に配置され、かつこの一辺に沿って並んで配置されている。Ａｕバンプ６ａ、６ｂは、半導体チップ３の外部端子であり、その一方（Ａｕバンプ６ａ）が電源端子を構成し、他方（Ａｕバンプ６ｂ）がＧＮＤ端子を構成している。Ａｕバンプ６ａ、６ｂは、例えば周知の電解メッキ法を用いて形成されたもので、その高さは、例えば１５μｍ程度である。
【００３１】
上記Ａｕバンプ６ａ、６ｂが配置された一辺に対向する辺の近傍には、半導体チップ３内の集積回路とは電気的に接続されていないダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂが配置されている。ダミーのＡｕバンプ７ａとダミーのＡｕバンプ７ｂとは、上記対向する辺に沿って並んで配置されている。ダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂの径および高さは、前記Ａｕバンプ６ａ、６ｂの径および高さと同じである。後述するように、アンテナ２とＡｕバンプ６ａ、６ｂは、超音波圧着法によって電気的に接続されるが、このとき、ダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂも同時にアンテナ２に接続される。Ａｕバンプ６ａ、６ｂは、半導体チップ３の一辺に沿って並んで配置されているので、アンテナ２とＡｕバンプ６ａ、６ｂとを電気的に接続する際、半導体チップ３がアンテナ２に対して傾いた状態で接続され易く、これがアンテナ２とＡｕバンプ６ａ、６ｂとの接続信頼性を低下させる原因となる。そこで、Ａｕバンプ６ａ、６ｂが配置された一辺に対向する辺の近傍にダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂを設け、Ａｕバンプ６ａ、６ｂとダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂとを同時にアンテナ２に接続すると、半導体チップ３の傾きが防止されるので、アンテナ２とＡｕバンプ６ａ、６ｂとの接続信頼性が向上する。このように、ダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂは、アンテナ２とＡｕバンプ６ａ、６ｂとを確実に接続させるために設けられる。
【００３２】
また、図に示すように、半導体チップ３の電源端子を構成するＡｕバンプ６ａとＧＮＤ端子を構成するＡｕバンプ６ｂは、比較的近接して配置されている。これは、Ａｕバンプ６ａとＡｕバンプ６ｂとの距離を離すと、両者の間に容量が形成されて電気抵抗が大きくなるので、集積回路の特性が低下するためである。このような場合、ダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂは、できるだけ離して配置することが望ましい。このようにすると、近接して配置された２個のＡｕバンプ６ａ、６ｂと、ダミーのＡｕバンプ７ａと、ダミーのＡｕバンプ７ｂとを結ぶ４本の直線が三角形に近い形状（実際は台形）となるので、ダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂを近接して配置した場合に比べて、Ａｕバンプ６ａ、６ｂおよびダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂとアンテナ２との接続信頼性が向上する。
【００３３】
半導体チップの第３の辺の近傍には、Ａｕバンプ６ａ、６ｂやダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂに比べて径および高さが小さいテスト用のＡｕバンプ（テスト用バンプ電極）８が配置されている。テスト用のＡｕバンプ８は、この第３の辺に沿って一列に配置されており、その数は、例えば８個である。テスト用のＡｕバンプ８は、半導体チップ３内の集積回路に電気的に接続されているが、半導体チップ３の外部出力端子ではない。すなわち、テスト用のＡｕバンプ８は、いわゆるウエハプロセスの最終工程（プローブ検査工程）において、集積回路の良否を判定するために用いるプローブ検査用の端子であり、半導体ウエハをダイシングして半導体チップ３に個片化した後には使用されない。
【００３４】
図３には、半導体チップ３に形成されたＡｕバンプ６ａ、６ｂおよびダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂとアンテナ２との接続部が示されている。実際の半導体チップ３は、その主面を下に向けた状態でアンテナ２に接続されるので、Ａｕバンプ６ａ、６ｂやダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂは、同図に示す半導体チップ３の裏面側に形成されている。この図に示すように、半導体チップ３の電源端子を構成するＡｕバンプ６ａとＧＮＤ端子を構成するＡｕバンプ６ｂとの間の領域のアンテナ２には、Ａｕバンプ６ａとＡｕバンプ６ｂとを分離する細いスリット（開口部）９が形成されている。また、半導体チップ３に形成されたテスト用のＡｕバンプ８とアンテナ２との電気的接触を防ぐため、Ａｕバンプ８の直下（半導体チップをチップ搭載部上に実装した際、テスト用バンプ電極の直下の位置）およびその近傍のアンテナ２にもスリット（開口部）１０が形成されている。後述するように、スリット９、１０は、アンテナ２を構成するＡｌ箔の一部をプレス金型で打ち抜きすることによって形成される。また、半導体チップ３をアンテナ２に実装する際には、２個のＡｕバンプ６ａ、６ｂを結ぶ直線とアンテナ２の中心線（Ｃ）とが重なるように半導体チップ３を配置することによって、ＲＦＩＤ用インレット１の特性を向上させることができる。
【００３５】
上記ＲＦＩＤ用インレット１を製造するには、まず、図７に示すようなロール状に巻かれた長尺のＡｌ箔１２を用意する。そして、上型と下型とからなる第１のプレス金型１５を用いてＡｌ箔１２を打ち抜くことにより、Ａｌ箔１２に所定の間隔を置いて複数のスリット９、１０を形成する。
【００３６】
次に、図８に示すように、Ａｌ箔１２のスリット９、１０が形成された箇所（チップ搭載部）に半導体チップ３を実装した後、樹脂塗布用ノズル１６などを用いて半導体チップ３上にポッティング樹脂４を滴下し、続いて加熱または紫外線照射などによってポッティング樹脂４を硬化させることにより、半導体チップ３の主面をポッティング樹脂４で封止する。半導体チップ３をＡｌ箔１２のチップ搭載領域に実装する際は、まず半導体チップ３の主面を下に向け、この状態で半導体チップ３をスリット９、１０の上に位置決めする。このとき、半導体チップ３とスリット９、１０の位置関係は、前記図３に示したようになる。次に、超音波圧着法を用い、Ａｕバンプ６ａ、６ｂとＡｌ箔１２およびダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂとＡｌ箔１２とをＡｕ−Ａｌ接合によって電気的に接続する。
【００３７】
次に、図９に示すように、上型と下型とからなる第２のプレス金型１６を用いてチップ搭載領域の周囲のＡｌ箔１２を打ち抜くことにより、スリット５ａ、５ｂ（整合回路）を形成する。プレス金型１６を用いたスリット５ａ、５ｂの形成は、半導体チップ３をＡｌ箔１２のチップ搭載領域に実装した後に行う。これは、半導体チップ３をＡｌ箔１２に実装する工程に先立って、チップ搭載部の周囲のＡｌ箔１２にスリット５ａ、５ｂ（整合回路）を形成すると、チップ搭載部を支えるＡｌ箔１２の面積が小さくなり、チップ搭載部が動き易くなるので、超音波圧着法によってＡｕバンプ６ａ、６ｂとＡｌ箔１２とを接続する際、両者の接続信頼性が低下するためである。
【００３８】
次に、図１０に示すように、上型と下型とからなる第３のプレス金型１７を用いてＡｌ箔１２を打ち抜くことにより、アンテナ２を形成する。ここまでの工程により、アンテナ２とそのチップ搭載部に実装された半導体チップ３とからなるＲＦＩＤ用インレット１が完成する。
【００３９】
図１１に示すように、完成したＲＦＩＤ用インレット１は、出荷に先立って粘着テープ１８に貼り付けられる。この粘着テープ１８には、あらかじめ穴開け加工治具１９などを使ってチップ挿入穴２０を形成しておき、ＲＦＩＤ用インレット１を粘着テープ１８に貼り付ける際、アンテナ２に実装された半導体チップ３を粘着テープ１８のチップ挿入穴２０の内部に位置決めする。このようにすると、多数のＲＦＩＤ用インレット１が接着された粘着テープ１８をロール状に巻き取った際、半導体チップ３に過大な応力が加わるのを防ぐことができる。
【００４０】
次に、多数のＲＦＩＤ用インレット１が貼り付けられた粘着テープ１８をロール状に巻き取り（図１２）、この粘着テープ１８を出荷箱２１などに入れて出荷する（図１３）。
【００４１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４２】
前記実施の形態では、ＵＨＦを使ってデータを読み書きするＲＦＩＤ用インレットに適用した場合について説明したが、例えば２．４５ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用するＲＦＩＤ用インレットや、１３．５６ＭＨｚ帯の短波を使用する電磁誘導方式のＲＦＩＤ用インレットなどに適用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明のＲＦＩＤ用インレットの製造方法は、例えばＲＦＩＤ用インレットにおけるアンテナの製造工程に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤ用インレットを示す全体平面図である。
【図２】図１の一部（チップ搭載部と整合回路部）を拡大して示す平面図である。
【図３】図２の一部（チップ搭載部の近傍）をさらに拡大して示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤ用インレットのアンテナについて、電圧定在波比特性の周波数依存性を測定した結果を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤ用インレットに実装された半導体チップの主面を拡大して示す平面図である。
【図７】本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤ用インレットの製造方法を示す斜視図である。
【図８】図７に続くＲＦＩＤ用インレットの製造方法を示す斜視図である。
【図９】図８に続くＲＦＩＤ用インレットの製造方法を示す斜視図である。
【図１０】図９に続くＲＦＩＤ用インレットの製造方法を示す斜視図である。
【図１１】図１０に続くＲＦＩＤ用インレットの製造方法を示す斜視図である。
【図１２】図１１に続くＲＦＩＤ用インレットの製造方法を示す斜視図である。
【図１３】図１２に続くＲＦＩＤ用インレットの製造方法を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  ＲＦＩＤ用インレット
２  アンテナ
３  半導体チップ
４  ポッティング樹脂
５ａ、５ｂ  スリット
６ａ、６ｂ  Ａｕバンプ
７ａ、７ｂ  ダミーのＡｕバンプ
８  テスト用のＡｕバンプ
９、１０  スリット
１２  Ａｌ箔
１５〜１７  プレス金型
１６  樹脂塗布用ノズル
１８  粘着テープ
１９  穴開け加工治具
２０  チップ挿入穴
２１  出荷箱
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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