(57)【要約】【課題】ガラス基板のエッチング時における遮光膜の断面形状の劣化を抑える。【解決手段】波長２００ｎｍ以下の露光光用のハーフトーン型位相シフトマスクを製造するためのマスクブランク１０であって、透光性のガラス基板１２と、ハーフトーン膜１４と、遮光膜１６とを備え、ハーフトーン膜１４は、露光波長における透過率が１０％以上４０％以下、かつ透過光の位相シフト量が１４０°以下となる膜厚の、金属と珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主たる構成要素とする膜であり、遮光膜１６は、窒素及びクロムを含む層を少なくとも有し、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程において、光透過部２２の透過光と、半透光部２４の透過光との位相差が略１８０°となるように、ガラス基板１２において光透過部２２となる部分はエッチングされる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光を透過させる光透過部と、露光光の一部を透過させると同時に透過光の位相を所定量シフトさせる半透光部と、遮光部とを備える、波長２００ｎｍ以下の露光光用のハーフトーン型位相シフトマスクを製造するためのマスクブランクであって、
透光性のガラス基板と、
前記ガラス基板上に形成されたハーフトーン膜と、
前記ハーフトーン膜上に形成された遮光膜と
を備え、
前記ハーフトーン膜は、露光波長における透過率が１０％以上４０％以下、かつ透過光の位相シフト量が１４０°以下となる膜厚の、金属と珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主たる構成要素とする膜であり、
前記遮光膜は、窒素及びクロムを含む層を少なくとも有し、
前記ハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程において、
前記遮光部は、前記遮光膜をパターニングすることにより形成され、
前記半透光部は、前記ハーフトーン膜をパターニングすることにより形成され、
前記光透過部は、前記ハーフトーン膜及び前記遮光膜を除去することにより形成され、
前記光透過部の透過光と、前記半透光部の透過光との位相差が略１８０°となるように、前記ガラス基板において前記光透過部となる部分はエッチングされることを特徴とするマスクブランク。
【請求項２】
前記ハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程において、
前記ハーフトーン膜及び前記ガラス基板は、パターニングされた前記遮光膜をエッチングマスクとして、フッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングによりエッチングされることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク。
【請求項３】
前記ハーフトーン膜は、金属を２〜１０原子％、珪素を２５〜４５原子％、窒素を４５〜７０原子％含む材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク。
【請求項４】
前記金属は、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランクを用いて製造されたハーフトーン型位相シフトマスクであって、
前記遮光膜をパターニングすることにより形成された遮光部と、
前記ハーフトーン膜をパターニングすることにより形成された半透光部と、
前記ハーフトーン膜及び前記遮光膜が除去された領域において、前記ガラス基板をエッチングして形成された光透過部と
を備えることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス基板を所定量掘り込んでハーフトーン型位相シフトマスクを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。特許文献１、２において、ハーフトーン膜の材料としては、ガラス基板とのエッチング選択比が確保しやすいクロム系の材料が用いられている。また、従来、ＭｏＳｉＯＮ膜でハーフトーン膜を形成し、更にガラス基板を所定量掘り込んでハーフトーン型位相シフトマスクを形成する方法が知られている（例えば、特許文献３参照）。また、近年、更なる高解像性の要求から、ハーフトーン膜の透過率を例えば１０％以上４０％以下等に高めることが求められている。ハーフトーン膜の透過率を高めた構成は、例えば特許文献４に開示されている。
【特許文献１】特開平４−１３６８５４号公報
【特許文献２】特開平７−１５２１４２号公報
【特許文献３】米国特許ＵＳＰ５７８９１１６号公報
【特許文献４】特開２００３−２８０１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、ＬＳＩパターンの微細化に伴い、露光光源の波長（露光光波長）は、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（１５７ｎｍ）等へと短波長化が進んでいる。そのため、短波長化した露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を満足するようなハーフトーン膜材料の選択の幅が狭まってきている。特に、透過率を１０％以上４０％以下とする場合、ハーフトーン膜材料の選択が更に難しくなる。
【０００４】
そこで、本発明は、上記の課題を解決できる、マスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願発明者は、波長２００ｎｍ以下の露光光用のハーフトーン型位相シフトマスクを製造するためのマスクブランクのハーフトーン膜について、透過率を１０％以上４０％以下とするのに適した膜材料の鋭意研究を行った。本願発明者は、まず、例えば透過率６％程度の従来のハーフトーン膜と比べ、ハーフトーン膜の膜厚を薄くすることにより透過率を１０％以上４０％以下とすることを考えた。しかし、この場合、ハーフトーン膜のみでは、位相シフト量を略１８０°とすることは困難になる。そこで、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造時に光透過部となる部分のガラス基板を所定量掘り込むことにより、全体での位相シフト量を略１８０°とすることを考えた。
【０００６】
しかし、例えば位相シフト量の調整程度にガラス基板を掘り込む場合と異なり、上記の場合には、ガラス基板を掘り込む量が大きくなる。そのため、エッチング量の増大に伴う新たな課題が生じ得る。例えば、トライトーンタイプのハーフトーン型位相シフトマスク用のマスクブランク等において、ハーフトーン膜上に遮光膜が形成されている場合、ガラス基板のエッチング時間の増大により、遮光膜の断面形状の劣化や、光学特性（反射率等）の変化が生じるおそれがある。特に、ハーフトーン膜とガラス基板を連続してエッチングする場合、ハーフトーン膜のエッチングに時間がかかると、遮光膜の断面形状が劣化や、光学特性（反射率等）の変化するおそれが増大するおそれがある。
【０００７】
更には、ハーフトーン膜及びガラス基板のエッチングは、パターニングされた遮光膜をエッチングマスクにして行われる場合がある。この場合、ハーフトーン膜及びガラス基板のエッチング時に、ハーフトーン膜、ガラス基板のエッチャントにより遮光膜表面にダメージが発生し、光学特性（反射率等）が変化する。これにより、マスクパターンの検査や、パターン転写に影響を与え、パターン転写特性が悪化する場合がある。
【０００８】
そこで、本願発明者は、更に鋭意研究を行い、上記のような遮光膜の断面形状の劣化や、遮光膜の光学特性の変動を抑え得る構成を見出した。本発明は、以下の構成を有する。
【０００９】
（構成１）露光光を透過させる光透過部と、露光光の一部を透過させると同時に透過光の位相を所定量シフトさせる半透光部と、遮光部とを備える、波長２００ｎｍ以下の露光光用のハーフトーン型位相シフトマスクを製造するためのマスクブランクであって、透光性のガラス基板と、ガラス基板上に形成されたハーフトーン膜と、ハーフトーン膜上に形成された遮光膜とを備え、ハーフトーン膜は、露光波長における透過率が１０％以上４０％以下、かつ透過光の位相シフト量が１４０°以下となる膜厚の、金属と珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主たる構成要素とする膜であり、遮光膜は、窒素及びクロムを含む層を少なくとも有し、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程において、遮光部は、遮光膜をパターニングすることにより形成され、半透光部は、ハーフトーン膜をパターニングすることにより形成され、光透過部は、ハーフトーン膜及び遮光膜を除去することにより形成され、光透過部の透過光と、半透光部の透過光との位相差が略１８０°となるように、ガラス基板において光透過部となる部分はエッチングされる。
【００１０】
光透過部の透過光と、半透光部の透過光との位相差とは、例えば、露光光がハーフトーン型位相シフトマスク全体を透過した時点での位相差である。位相差が略１８０°となるとは、実用上、例えば、１８０°±５°の範囲に入ることである。このガラス基板は、例えば合成石英のガラス基板である。ハーフトーン膜及びガラス基板は、例えばフッ素系のエッチングガスを用いてドライエッチングされる。
【００１１】
金属と珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主たる構成要素とする膜（以下、金属シリサイド窒化系膜と称す）は、例えば耐薬品性や、所望の位相差を得るための膜厚を薄膜化できる点等について、ハーフトーン膜として好ましい特性を有している。また、波長２００ｎｍ以下の露光光に対しても透光性を有しており、１０％以上４０％以下の透過率を確保する膜厚であっても、高品質で成膜しやすい。更には、金属シリサイド窒化系膜は、窒素及びクロムを含む層を含む遮光膜とのエッチング選択比も確保しやすい。そのため、遮光膜のパターニングを適切に行うことができる。
【００１２】
また、例えばフッ素系のエッチングガスを用いる場合、金属シリサイド窒化系膜（ＭｏＳｉＮ膜等）は、例えば酸素が２０原子％以上含まれる金属シリサイド系の膜（ＭｏＳｉＯ膜、ＭｏＳｉＯＮ膜等）と比べ、エッチング速度が速い。そのため、ハーフトーン膜及びガラス基板のエッチングに必要な時間を短縮できる。従って、このように構成すれば、ガラス基板のエッチング時における遮光膜の断面形状の劣化を抑えることができる。更には、窒素及びクロムを含む層は、ガラス基板をエッチングするためのエッチングガスに対する耐性が強い。そのため、このように構成すれば、遮光膜の断面形状の劣化や、光学特性（反射率等）の変動を更に適切に抑えることができる。
【００１３】
（構成２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程において、ハーフトーン膜及びガラス基板は、パターニングされた遮光膜をエッチングマスクとして、フッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングによりエッチングされる。このように構成すれば、ハーフトーン膜及びガラス基板を高い精度で適切にパターニングできる。尚、ハーフトーン膜及びガラス基板のエッチングの後、遮光膜は、例えば、更にパターニングされて、トライトーンタイプのハーフトーン型位相シフトマスクの遮光部になる。
【００１４】
（構成３）ハーフトーン膜は、金属を２〜１０原子％、珪素を２５〜４５原子％、窒素を４５〜７０原子％含む材料からなる。このように構成すれば、金属シリサイド窒化系膜のハーフトーン膜を適切に形成できる。ハーフトーン膜は、実質的に金属、珪素、及び窒素からなる膜であれば、その他の元素を微量含んでいてもよい。ハーフトーン膜における金属、珪素、及び窒素以外の元素の含有量は、例えば３原子％以下であることが好ましい。
【００１５】
金属の含有量が２原子％未満の場合、又は珪素の含有量が４５原子％超の場合、ガラス基板とのエッチング選択性が悪くなるので好ましくない。珪素の含有量が２５原子％未満の場合、又は金属の含有量が１０原子％超の場合、露光波長における透過率として１０％以上４０％以下の高透過率が得られにくくなる。透過率を高めるのは、膜厚を薄くしなければならないが、この場合、位相差が小さくなるので、ハーフトーン型位相シフトマスクを作成する際に、ガラス基板を深く掘り込むことが必要となる。ガラス基板を深く掘り込むには、エッチング時間が増大するので、ガラス基板のエッチャントによる遮光膜表面のダメージによる光学特性の変化をまねくこととなり、好ましくない。窒素の含有量が７０原子％超の場合、エッチング速度が極端に速くなり、パターン線幅制御が難しくなるので好ましくない。窒素の含有量が４５％未満の場合、ハーフトーン膜における位相差が小さくなるので、ハーフトーン型位相シフトマスクを作成する際に、ガラス基板を深く掘り込むことが必要となる。ガラス基板を深く掘り込むには、エッチング時間が増大するので、ガラス基板のエッチャントによる遮光膜表面のダメージによる光学特性の変化をまねくこととなり、好ましくない。
【００１６】
（構成４）上記金属は、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一つを含む。このように構成すれば、光透過部の透過光と、半透光部の透過光との位相差を、適切に略１８０°にできる。
【００１７】
（構成５）構成１から４のいずれかに記載のマスクブランクを用いて製造されたハーフトーン型位相シフトマスクであって、遮光膜をパターニングすることにより形成された遮光部と、ハーフトーン膜をパターニングして形成された半透光部と、ハーフトーン膜及び遮光膜が除去された領域において、ガラス基板をエッチングすることで形成された光透過部とを備える。このように構成すれば、構成１〜４と同様の効果を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ガラス基板のエッチング時における遮光膜の断面形状の劣化や、遮光膜の光学特性の変動を適切に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るマスクブランク１０の構成の一例を示す。マスクブランク１０は、トライトーンタイプのハーフトーン型位相シフトマスク用のマスクブランクである。また、マスクブランク１０は、波長２００ｎｍ以下（例えば、例えば１４０〜２００ｎｍ）の露光光用のハーフトーン型位相シフトマスクを製造するために用いられる。波長２００ｎｍ以下の露光光とは、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）や、Ｆ２エキシマレーザ（１５７ｎｍ）等の露光光である。マスクブランク１０は、ガラス基板１２、ハーフトーン膜１４、遮光膜１６、及びレジスト膜１８を備える。ガラス基板１２は、透光性であり、例えば合成石英で形成される。
【００２０】
ハーフトーン膜１４は、金属シリサイド窒化系膜であり、例えば、金属（Ｍｏ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉのうちの少なくとも一つ）を２〜１０原子％程度、珪素（Ｓｉ）を２５〜４５原子％程度、窒素（Ｎ）を４５〜７０原子％程度含む材料からなる。また、ハーフトーン膜１４は、透過率が１０％以上４０％以下、かつ透過光の位相シフト量が１４０°以下となる膜厚に成膜される。ハーフトーン膜１４の膜厚は、例えば１５０〜６００オングストローム程度である。ハーフトーン膜１４の膜厚が薄いと、欠陥検査精度が低下する傾向にあり、また、ハーフトーン膜１４の膜厚が厚いと、エッチング時間が増大する傾向にあり、遮光膜の光学特性の変動をまねくおそれがあるので、より好ましくは、２５０〜４５０オングストローム程度である。
【００２１】
尚、ハーフトーン膜１４中の各元素の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱分析（ＲＢＳ）法で測定した値である。ハーフトーン膜１４の位相シフト量は、例えば１５〜１４０°、より好ましくは３０〜１４０°である。
【００２２】
遮光膜１６は、窒素及びクロムを含む層を少なくとも有するクロム系の膜であり、例えば、窒化クロム層（ＣｒＮ層）、炭窒化クロム層（ＣｒＣＮ層）、及び酸窒化クロム層（ＣｒＯＮ層）がこの順でハーフトーン膜１４上に形成された構成を有する。この場合、例えば、窒化クロム層は、ハーフトーン膜に対する密着性を高める。炭窒化クロム層は、遮光膜の遮光性を高める。酸窒化クロム層は、反射防止機能を有する。遮光膜１６の膜厚は、ハーフトーン膜１４との組み合わせにおいて、光学濃度で３以上となる膜厚に設定され、例えば４００〜１２００オングストローム程度、より好ましくは、５００〜８００オングストローム程度である。遮光膜１６を構成する各層は、組成傾斜膜であってよい。また、レジスト膜１８は、遮光膜１６上に形成されており、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程において、遮光膜１６をパターニングするためのエッチングマスクとなる。
【００２３】
図２は、マスクブランク１０を用いてハーフトーン型位相シフトマスク２０を製造する製造方法の一例を示す。この製造方法においては、最初に、図２（ａ）に示すように、マスクブランク１０を準備する。そして、図２（ｂ）に示すように、例えば電子ビーム露光法を用いてレジスト膜１８のパターニングを行い、図２（ｃ）に示すように、このレジスト膜をエッチングマスクとして遮光膜１６をドライエッチングして、遮光膜１６のパターニングを行う。遮光膜１６は、例えば、塩素系のエッチングガスを用いたドライエッチングによりパターニングされる。塩素系のエッチングガスとは、例えば、Ｃｌ２、ＢＣＬ３、ＨＣＬ、これらの混合ガス、又はこれらに添加ガスとしてＯ２、希ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ）を含むもの等である。
【００２４】
次に、図２（ｄ）に示すように、レジスト膜１８を剥離・除去した後、パターニングされた遮光膜１６をエッチングマスクとして、ハーフトーン膜１４及びガラス基板１２を、フッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングにより続けてエッチングする。フッ素系のエッチングガスとは、例えば、ＣｘＦ（ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８等）、ＣＨＦ３、ＳＦ６、これらの混合ガス、又はこれらに添加ガスとしてＯ２、希ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ）を含むもの等である。尚、このエッチング時において、レジスト膜１８は、除去されていてもよい。
【００２５】
ここで、このエッチングの工程において、ガラス基板１２のエッチング量は、ハーフトーン膜１４の位相シフト量に応じて適宜設定する。例えば、ハーフトーン膜１４の位相シフト量が１００°の場合、ハーフトーン膜１４が形成されていないガラス基板１２を位相シフト量で８０°に相当する量エッチングで除去する。このようにすれば、ハーフトーン型位相シフトマスク２０において、光透過部の透過光と、半透光部の透過光との位相差を、適切に略１８０°にできる。
【００２６】
そして、ハーフトーン膜１４及びガラス基板１２のエッチングの後、レジスト膜１８の再塗布、及びパターニングを行って（図示せず）、図２(ｅ）に示すように、遮光膜１６を更にパターニングする。以上の工程により、遮光膜１６及びハーフトーン膜１４が除去された部分は、トライトーンタイプのハーフトーン型位相シフトマスクの光透過部２２になる。また、遮光膜１６が除去され、かつパターニングされたハーフトーン膜１４が残った部分は、半透光部２４になる。パターニングされた遮光膜１６が残る部分は、遮光部２６になる。遮光部２６は、例えば、光透過部２２と半透光部２４との境界近傍を除く領域に形成される。これにより、光透過部２２、半透光部２４、及び遮光部２６を備えるハーフトーン型位相シフトマスク２０を適切に製造できる。
【００２７】
（実施例１）
本実施例では、本発明におけるハーフトーン型位相シフトマスクのうち、ＡｒＦエキシマレーザ露光（波長１９３ｎｍ）に対応した場合の作製方法を示す。合成石英のガラス基板上に、ＭｏＳｉターゲットを用い、Ａｒ及びＮ２をスパッタリングガスとして、ＭｏＳｉＮ膜のハーフトーン膜を３８４オングストローム形成した。ラザフォード後方散乱分析（ＲＢＳ）法で測定したハーフトーン膜の組成は、モリブデンを４．２原子％、珪素を３５．８原子％、窒素を６０原子％含む組成であった。また、露光光（波長１９３ｎｍ）に対するハーフトーン膜の透過率は２０％、位相シフト量は１００°であった。ハーフトーン膜の透過率と位相シフト量は、位相シフト量測定装置（ＭＰＭ１９３：レーザーテック社製）にて測定した。
【００２８】
次に、Ｃｒターゲットを用い、まずＡｒガスとＮ２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＮ層を２５０オングストローム、次いでＡｒガス、ＣＨ４ガス、及びＮ２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＣＮ層を３３０オングストローム、次いでＡｒガスとＮＯガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯＮ層を１５０オングストローム連続成膜した。遮光膜表面の波長１９３ｎｍにおける表面反射率は１９％であった。表面反射率は、分光光度計（Ｕ−４１００：日立製作所社製）で測定した。
【００２９】
遮光膜上にレジスト膜を形成してマスクブランクを製造した後、図２を用いて説明した方法により、ハーフトーン型位相シフトマスクを製造した。尚、遮光膜をエッチングするためのエッチングガスとしては、Ｃｌ２＋Ｏ２を用いた。また、ハーフトーン膜をエッチングするためのエッチングガスとしてはＣＦ４、基板をエッチングするためのエッチングガスとしては、ＣＦ４＋Ｏ２を用いた。また、ガラス基板１２のエッチング量は、位相シフト量で８０°に相当する量となるようにした。
【００３０】
実施例１においては、ガラス基板のエッチング時において、問題となる遮光膜の断面形状の劣化は生じなかった。そのため、波長２００ｎｍ以下の露光光用のマスクブランクに要求される品質を満たすハーフトーン型位相シフトマスクを適切に製造できた。また、遮光膜表面の波長１９３ｎｍにおける表面反射率も、マスクブランクの状態と比べて、ほとんど変化は認められなかった。
【００３１】
（比較例１）
ハーフトーン膜をＭｏＳｉＯＮ膜（Ｏ２：２０原子％以上含む）で形成した以外は実施例１と同様にして、比較例１に係るハーフトーン型位相シフトマスクを製造した。ＭｏＳｉＯＮ膜の膜厚は、透過率が実施例１と同様に２０％となる膜厚とした。
【００３２】
比較例１においては、酸素が含まれるＭｏＳｉ系の膜をハーフトーン膜に用いたため、ハーフトーン膜のエッチングに必要な時間が実施例１と比べて長くなった。その結果、ガラス基板のエッチング時に遮光膜がエッチングガスに曝される時間が長くなり、実施例１と比べて遮光膜の断面形状が劣化した。また、遮光膜表面の波長１９３ｎｍにおける表面反射率は、マスクブランクの状態と比べて若干の変化が認められた。そのため、比較例１においては、波長２００ｎｍ以下の露光光用のマスクブランクに要求される品質を満たすハーフトーン型位相シフトマスクを適切に製造できないおそれが生じた。
【００３３】
（比較例２）
遮光膜を金属クロムと酸化クロムの積層膜で形成した以外は実施例１と同様にして、比較例２に係るハーフトーン型位相シフトマスクを製造した。
【００３４】
比較例２においては、基板をエッチングするためのエッチングガスに対する遮光膜の耐性が実施例１と比べて弱くなり、実施例１と比べて遮光膜の断面形状が劣化した。また、遮光膜表面の波長１９３ｎｍにおける表面反射率は、マスクブランクの状態と比べて数％の変化が認められた。そのため、比較例２においては、波長２００ｎｍ以下の露光光用のマスクブランクに要求される品質を満たすハーフトーン型位相シフトマスクを適切に製造できないおそれが生じた。
【００３５】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、例えばマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク等に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態に係るマスクブランク１０の構成の一例を示す図である。
【図２】マスクブランク１０を用いてハーフトーン型位相シフトマスク２０を製造する製造方法の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０・・・マスクブランク、１２・・・ガラス基板、１４・・・ハーフトーン膜、１６・・・遮光膜、１８・・・レジスト膜、２０・・・ハーフトーン型位相シフトマスク、２２・・・光透過部、２４・・・半透光部、２６・・・遮光部
【図１】
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【図２】
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