(57)【要約】      （修正有）【課題】比較的簡単な方法で、コレクタ汚染物を除去可能なリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】照射源から照射線を受け取り、その照射線を照明系に伝送するように構成されたコレクタを備えるリソグラフィ装置を提供する。コレクタには、少なくとも一つの流体ダクトが設けられている。リソグラフィ装置は、コレクタの流体ダクトを使用してコレクタを熱調整する温度調整器を有する。温度調整器は、第１期間の間に第１流体を流体ダクトに供給し、少なくとも第２期間の間、第２流体を流体ダクトに供給するように構成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射源から照射を受け取り照射を照明系に伝送するように構成され、少なくとも一つの流体ダクトが設けられたコレクタと、
前記コレクタの流体ダクトを使用して該コレクタの熱調整をする温度調整器であって、第１期間の間は第１流体を前記流体ダクトに供給し、少なくとも第２期間の間は第２流体を前記流体ダクトに供給するように構成された温度調整器と、
を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記第２流体が実質的にガスまたはガス混合物であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記流体が実質的に液体であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記温度調整器は、第１期間の間は約１００℃未満の温度を有する第１流体を前記流体ダクトに供給し、第２期間の少なくとも一部の間は少なくとも約１００℃の温度を有する第２流体を前記流体ダクトに供給するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記温度調整器は、第２期間の少なくとも一部の間は約１３０℃から約２００℃の範囲の温度を有する第２流体を前記流体ダクトに供給するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記温度調整器は、第２期間の少なくとも一部の間は約１５０℃の温度を有する第２流体を前記流体ダクトに供給するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記温度調整器は、前記第２期間のうち予め定められた第一部分の間、第１温度からより高い第２温度へと徐々に上昇する温度を有する第２流体を提供することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記第２流体が圧縮空気であるか、または圧縮空気を含むことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記温度調整器は流体流量制御システムを備えるかまたは流体流量制御システムと動作可能に接続され、該流体流量制御システムは、第１流体および第２流体のいずれを前記コレクタの流体ダクトに供給するかを制御するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記コレクタの流体ダクトの下流部分が、第１流体を受ける第１流体受け器と第２流体を受ける第２流体受け器とに接続されているかまたは接続可能であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記コレクタは、第１期間の間は前記照射源からの照射を受け、第２期間の間は前記照射源からの照射を実質的に受けないことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記温度調整器と前記流体ダクトとが、異なる量の第２流体を前記コレクタの別々の部分に供給するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記温度調整器と前記流体ダクトとが、前記コレクタの温度を実質的に均一に調整するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
洗浄流体または洗浄流体の混合物を前記コレクタに供給する洗浄流体供給器を備えることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
照射ビームを調整するように構成された照明系と、
ビームの断面にパターンを付与しパターン付与されたビームを形成するように作用するパターニング用デバイスを支持するように構成された支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付与されたビームを前記基板の目標部分に投影する投影系と、
照射源から照射を受け取り照射を前記照明系に伝送するよう構成されたコレクタと、
第１期間の間は前記コレクタに液体を供給して該コレクタを冷却し、少なくとも第２期間中の間は前記コレクタにガスまたはガス混合物を供給して該コレクタを加熱するように構成された温度調整器と、
を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１６】
第１期間の間は、同一の流体ダクトを用いて前記コレクタを通しておよび／または前記コレクタに沿って液体を供給し、第２期間の間は、前記コレクタを通しておよび／または前記コレクタに沿ってガスまたはガス混合物を供給するように構成された請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
基板を準備し、
照射源を準備し、
前記照射源からの照射をコレクタを介して照明系に伝送し、
前記照明系を用いて照射ビームを提供し、
ビームに断面パターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成し、
パターン付与された照射ビームを前記基板の目標部分に投影することを含み、
前記照射源から照射を受ける場合には、少なくとも第１期間の間第１流体を用いて前記コレクタが熱調整され、前記照射源からの照射を受けない場合には、第２期間の間第２流体を用いて前記コレクタが加熱されることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１８】
第２流体がガスまたはガス混合物であることを特徴とする請求項１７に記載のデバイス製造方法。
【請求項１９】
前記コレクタが第１期間の間第１流体で冷却されることを特徴とする請求項１７に記載のデバイス製造方法。
【請求項２０】
第２期間の少なくとも一部の間、一つ以上の洗浄用流体が前記コレクタに供給されることを特徴とする請求項１７に記載のデバイス製造方法。
【請求項２１】
第１流体と第２流体が異なる比熱容量を有していることを特徴とする請求項１７に記載のデバイス製造方法。
【請求項２２】
リソグラフィ装置で使用される照射コレクタであって、少なくとも一つの流体ダクトを備え、第１期間の間、第１流体を前記流体ダクトに供給して当該コレクタから熱が除去され、少なくとも第２期間の間、第２流体を当該コレクタの流体ダクトに供給して当該コレクタに熱が供給されることを特徴とする照射コレクタ。
【請求項２３】
当該コレクタは、第１期間の間は照射源から照射を受け、第２期間の間は照射源からの照射を実質的に受けないことを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項２４】
当該コレクタから汚染物を除去するために第２流体によって加熱されることを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項２５】
第２流体が実質的にガスまたはガス混合物であることを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項２６】
第１流体が水であることを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項２７】
第２流体によって少なくとも約１３０℃まで加熱されることを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項２８】
第２流体によって約１３０℃から約２００℃の範囲の温度まで少なくとも加熱されることを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項２９】
それぞれの第２期間の間、第２流体の温度を徐々に上昇および／または低下させることを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項３０】
当該コレクタの少なくとも一つの適切な流体ダクトを介して、当該コレクタの様々な部分に第２流体が供給されることを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項３１】
第２流体が圧縮空気であるかまたは圧縮空気を含むことを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項３２】
第２流体と第１流体が当該コレクタの下流で別々の流体受け器に排出されることを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項３３】
異なる量の第２流体を当該コレクタの別々の部分に供給して当該コレクタの温度を実質的に均一になるように熱調整することを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項３４】
汚染物が錫汚染および／または酸化錫汚染であることを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【請求項３５】
第２期間のうち少なくとも一部の間、一つ以上の洗浄用流体が当該コレクタに供給されることを特徴とする請求項２２に記載の照射コレクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ装置に関する。本発明はさらに、デバイスの製造方法および照コレクタに関する。また、本発明は照射コレクタから汚染を除去する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板の目標部分に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。この場合、マスク、レチクルとも呼ばれるパターニング用デバイスを用いて、ＩＣの個々のレイヤ上に形成される回路パターンを生成することができる。基板（例えば、シリコンウェハ）上の目標部分（例えば、一つまたは複数のダイの部分からなる）にこのパターンを転写することができる。パターンの転写は、通常、基板に施された照射感受性材料（レジスト）の層にイメージングを介してなされる。一般に、単一の基板は、連続してパターン付与される隣接する目標部分のネットワークを有する。既知のリソグラフィ装置には、いわゆるステッパといわゆるスキャナとがある。ステッパでは、各目標部分にパターンの全体を一度に露光することによって、各目標部分が照射される。スキャナでは、所与の方向（「走査」方向）に照射ビームを用いてパターンを走査する一方、この方向と平行にまたは逆平行に基板を同期させて走査することによって、各目標部分が照射される。パターンを基板上に刻み込むことによって、パターニング用デバイスから基板にパターンを転写することができる。
【０００３】
既知の装置は、照射源から照射線を集めるためのコレクタを備えてもよい。このコレクタは、集めた照射線を照明系に伝送するように構成することができる。このような照明系は、照射の投影ビームを供給するように構成することができ、投影ビームを使用して所望のパターンを基板の目標部分に転写することができる。コレクタは、例えば、適当な照射線反射ミラーシェルで構成できる。特に、照射源から入射する照射を小さな焦点領域または焦点に合焦させるようにコレクタを構成してもよい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
使用中に、コレクタは様々な物質で汚染される。例えば、照射源が錫である場合、コレクタ表面は錫および／または酸化錫（ＳｎＯｘ）で汚染される。このような汚染はコレクタの性能に悪影響を及ぼしうる。上述の錫の照射源では、通常、錫原子を加熱してプラズマを発生させる。コレクタから汚染物を除去するための種々の方法が知られている。しかしながら、既知の方法は比較的複雑で高価であり、しかも比較的効率が低い。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態は、比較的簡単な方法でコレクタ汚染物を除去可能なリソグラフィ装置を含む。
【０００６】
本発明の一実施形態によると、照射源から照射を受け取り照射を照明系に伝送するように構成され、少なくとも一つの流体ダクトが設けられたコレクタと、コレクタの流体ダクトを使用して該コレクタの熱調整をする温度調整器であって、第１期間の間は第１流体を流体ダクトに供給し、少なくとも第２期間の間は第２流体を流体ダクトに供給するように構成された温度調整器と、を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【０００７】
本発明の一実施形態によると、リソグラフィ装置は、照射ビームを提供するように構成された照明系と、ビームの断面にパターンを付与しパターン付与されたビームを形成するように作用するパターニング用デバイスを支持するように構成された支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターン付与されたビームを基板の目標部分に投影する投影系と、照射源から照射を受け取り照射を照明系に伝送するよう構成されたコレクタと、第１期間の間はコレクタに液体を供給して該コレクタを冷却し、少なくとも第２期間中の間はコレクタにガスまたはガス混合物を供給して該コレクタを加熱するように構成された温度調整器と、を備える。
【０００８】
一実施形態では、基板を準備し、照射源を準備し、照射源からの照射をコレクタを介して照明系に伝送し、照明系を用いて照射ビームを提供し、ビームに断面パターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成し、パターン付与された照射ビームを基板の目標部分に投影することを含み、照射源から照射を受ける場合には少なくとも第１期間の間第１流体を用いてコレクタが熱調整され、照射源からの照射を受けない場合には第２期間の間第２流体を用いてコレクタが加熱される、デバイス製造方法が提供される。
【０００９】
また、本発明の一実施形態は照射コレクタの使用を提供する。照射コレクタは少なくとも一つの流体ダクトを備え、第１期間の間、第１流体を流体ダクトに供給して当該コレクタから熱が除去され、少なくとも第２期間の間、第２流体を当該コレクタの流体ダクトに供給して当該コレクタに熱が供給される。
【００１０】
さらに、一実施形態では、デバイス製造方法は、照射源からの照射をコレクタを通して照明系に伝送し、コレクタの少なくとも一つの流体ダクトに第１流体を供給することで該コレクタを特定の動作温度または特定の動作温度範囲に維持し、照射ビームを基板の目標部分に投影することを含む。この方法は少なくとも一つの汚染除去期間を含み、この汚染除去期間の間、コレクタの少なくとも一つの流体ダクトに第２流体が供給され該コレクタを加熱する。
【００１１】
また、本発明の一実施形態は、照射コレクタの反射面から汚染を除去する方法を提供する。加熱された空気が吹き出されてコレクタと熱接触し、少なくとも汚染の一部がコレクタから除去される温度にまでコレクタを加熱する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して、例示のみを目的として本発明の実施形態を以下に説明する。
【００１３】
図１は、リソグラフィ装置の一実施形態を模式的に示したものである。この装置は、以下の構成要素を含む。
【００１４】
照射ビームＢ（例えば、紫外線照射、極紫外線照射、またはその他の種類の照射）を調整するように構成された照明系（照射器）ＩＬ。
【００１５】
パターニング用デバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ。支持構造ＭＴは、特定のパラメータにしたがってパターニング用デバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続される。
【００１６】
基板（例えば、レジストコートされたウェハ）Ｗを保持するように構築された基板テーブル（例えば、ウェハテーブル）ＷＴ。基板テーブルＷＴは、特定のパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続される。
【００１７】
基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つまたは複数のダイからなる）に、パターニング用デバイスＭＡによって照射ビームＢに与えられたパターンを投影するように構成された投影系（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳ。
【００１８】
照明系は様々な種類の光学部品で構成されており、例えば屈折光学部品、反射光学部品、磁気光学部品、電磁光学部品、静電光学部品または他のタイプの光学部品、またはこれらの任意の組み合わせからなる。これら部品は、照射の進行方向を決め、照射を成形し、または照射の制御をする。
【００１９】
支持構造は、パターニング用デバイスを支持、すなわちその重量を支える。支持構造は、パターニング用デバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、例えばパターニング用デバイスが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニング用デバイスを保持する。支持構造は、機械的、真空、静電気、または他の固定技術を使用して、パターニング用デバイスを保持することができる。支持構造は、フレーム状またはテーブル状であってもよく、必要に応じて固定されていても移動可能でもよい。支持構造により、例えば投影系に対してパターニング用デバイスを確実に所望の位置に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「パターニング用デバイス」と同義であるとみなしてよい。
【００２０】
本明細書で使用される「パターニング用デバイス」という用語は、照射ビームの断面にパターンを与え、基板の目標部分にパターンを形成するために使用可能である任意のデバイスを参照するものとして、広く解釈されるべきである。例えば、パターンが位相シフト特徴やいわゆるアシスト特徴を備える場合には、照射ビームに与えられるパターンが、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに注意する。通常、照射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、目標部分に作成されるデバイス内の特定の機能層と対応している。
【００２１】
パターニング用デバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニング用デバイスの例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、プログラム可能なＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィ分野では周知であり、バイナリマスク、交互位相シフト（alternating phase-shift）マスク、ハーフトーン型位相シフト（attenuated phase-shift）マスク、および様々なハイブリッド型マスクタイプなどのマスクタイプがある。プログラム可能なミラーアレイの例では、小型ミラーがそれぞれ個別に傾斜して入射する照射ビームを異なる方向に反射させることが可能な、小型ミラーのマトリックス配列を使用する。傾斜したミラーによって、ミラーマトリックスにより反射される照射ビームにパターンが与えられる。
【００２２】
本明細書で使用される「投影系」という用語は、使用中の露光照射に適した、あるいは液浸の使用または真空の使用といった他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁光学系、および静電光学系、またはこれらの組み合わせた光学系を含むあらゆるタイプの投影系を包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「投影系」と同義であるとみなしてよい。
【００２３】
図示するリソグラフィ装置は、反射型（例えば、反射型マスクを使用）である。代替的に、リソグラフィ装置は透過型（例えば、透過型マスクを使用）であってもよい。
【００２４】
リソグラフィ装置は、二つの基板テーブルを有するタイプ（デュアルステージ）であっても、より多数の基板テーブル（および／または二つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってもよい。このような「マルチステージ」の装置では、追加のテーブルを並列して使用してもよいし、または、一以上のテーブルに対して準備ステップを実行する一方、一以上の他のテーブルを露光用として使用してもよい。
【００２５】
リソグラフィ装置は、投影系と基板の間の空間を満たすように、比較的屈折率の高い液体（例えば、水）によって基板の少なくとも一部が覆われているタイプの装置であってもよい。リソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影系の間にも液浸を適用してもよい。液浸技術は、投影系の開口数を増やす技術として周知である。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板などの構造が液体に浸漬されていなければならないことを意味するわけではなく、露光中に投影系と基板との間に液体が存在していることを意味するに過ぎない。
【００２６】
図１を参照すると、照明器ＩＬは照射源ＳＯから例えばコレクタＫを介して照射ビームを受け取る。例えば照射源がエキシマレーザである場合、照射源とリソグラフィ装置は別個のものであってもよい。この場合、照射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、例えば適切な配向ミラー（directing mirror）および／またはビーム・エキスパンダ、および／またはコレクタＫを備えるビーム伝送系Ｋを用いて、照射源ＳＯから照明器ＩＬに照射ビームが渡される。他の場合、例えば照射源が水銀灯である場合、照射源はリソグラフィ装置と一体的な部品であってもよい。照射源ＳＯと照明器ＩＬ、必要であればビーム伝送系Ｋを合わせて、照射系と称してもよい。一実施形態では、照射源は錫（Ｓｎ）プラズマＥＵＶ照射源である。例えば、このような照射源では、低出力レーザを使用して錫原子を（例えば電気的に）加熱する。ＥＵＶ照射源は、例えばリチウム（Ｌｉ）またはキセノン（Ｘｅ）「燃焼」プラズマ照射源などの別の照射源であってもよい。
【００２７】
照明器ＩＬは、照射ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節器ＡＤを備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における強度分布の外径範囲および／または内径範囲（一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれる）を少なくとも調節することができる。加えて、照明器ＩＬは、例えばインテグレータＩＮおよび集光器ＣＯ等の様々な他の構成要素を備えてもよい。照明器を使用して照射ビームを調節し、その断面において所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
【００２８】
照射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニング用デバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニング用デバイスによってパターンが付与される。マスクＭＡ上で反射されると、照射ビームＢは投影系ＰＳを通過し、そこでビームが基板Ｗの目標部分Ｃに合焦される。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを正確に移動して、例えば異なる目標部分Ｃを照射ビームＢの経路に配置することができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的復帰の後にまたは走査中に、照射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に配置することができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成する長ストロークモジュール（粗い位置決め）と短ストロークモジュール（微細な位置決め）を用いて達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成する長ストロークモジュールと短ストロークモジュールを用いて達成することができる。ステッパの場合には、スキャナとは対照的に、マスクテーブルＭＴが短ストロークのアクチュエータにのみ接続されていてもよいし、または固定されていてもよい。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを用いて、マスクＭＡと基板Ｗを位置合わせしてもよい。図示の基板アライメントマークは専用の目標部分を占めているが、基板アライメントマークは目標部分と目標部分の間の空間にあってもよい（これらはスクライブレーン（scribe-lane）・アライメントマークとして公知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイが設けられている場合には、マスクアライメントマークがダイとダイの間にあってもよい。
図示する装置は、以下のモードのうち少なくとも一つのモードで使用することができる。
【００２９】
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴと、基板テーブルＷＴとが本質的に静止状態を保つ一方、照射ビームに与えられたパターン全体が目標部分Ｃ上に一度に投影される（つまり、単一の静的露光）。続いて、基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動して、異なる目標部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光領域の最大サイズにより、単一の静的露光で像が与えられる目標部分Ｃのサイズが制限される。
【００３０】
２．走査モードでは、マスクテーブルＭＴと、基板テーブルＷＴとが同期して走査される一方、照射ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＳの倍率（縮小）および像反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一の動的露光における目標部分の（非走査方向における）幅を制限するのに対して、走査移動の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
【００３１】
３．他のモードでは、マスクテーブルＭＴが、プログラム可能なパターニング用デバイスを本質的に静的に保持し続ける。基板テーブルＷＴが移動すなわち走査する一方、照射ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影される。このモードでは、通常、パルス照射源が使用され、基板テーブルＷＴの毎回の移動後に、または走査中の連続する照射パルスの間に、プログラム可能なパターニング用デバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したようなプログラマブルミラーアレイなどのプログラム可能なパターニング用デバイスを利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００３２】
上述の使用モードの組み合わせおよび／または変形や、または全く異なる使用モードも利用することができる。
【００３３】
図２および図３は、図１で示したリソグラフィ装置のコレクタＫ（または「ビーム伝送システム」）をより詳細に示したものである。コレクタＫは、照射線Ｒを合焦させるためのミラー１１を備える。この照射線は、リソグラフィ装置の特定の動作期間中にコレクタＫが照射源ＳＯから受け取るものである。照射源ＳＯは図１には示されているが、図２および図３には示されていない。
【００３４】
コレクタＫは、欧州特許第１２２５４８１号で開示されているコレクタに少なくとも部分的にしたがう方法で配置してもよいし、別の態様で配置してもよい。例えば、コレクタＫは、１９３ｎｍ以下、好ましくは１２６ｎｍ以下のＥＵＶ波長を有する照明系に適していてもよい。別の実施形態では、コレクタは、回転対称のミラーシェルの形態をした複数の反射要素１１を備える。反射要素は、共通の回転軸Ｚ（図３を参照）の周りに互いに配置されている。コレクタシェル１１は、図３に示すように、例えばカップリング部材１２（例えば、スポークまたはスポーク状の要素または他の適切なカップリング部材）によって、互いに取り付けることができる。これらカップリング部材１２図２に示されていない。また、例えば、コレクタＫを保持および／または支持するための適当なホルダまたは支持構造１９をコレクタＫに設けることができる。このようなコレクタホルダまたは支持構造１９は、多様に構成することができ、図３に模式的に示されている。図２および図３に示されているように、各反射要素１１は、照射線Ｒを反射するための反射内面１３と、反射面１３と離れて対面する裏側である外面１４を備えてもよい。各反射要素１１は、それ自体で比較的良好な熱伝導性を有しており、このために、使用中の要素１１には比較的良好な熱均一性が付与される。例えば、各反射要素は、比較的高い熱伝導率を有する一つ以上の材料で実質的に構成することができる。例えば、当業者ならば理解するように、一つ以上の適切な金属および／または合金で構成することができる。コレクタ部品は、種々の方法を使用して組み立ておよび／または形成することができる。例えば、適当なエレクトロフォーミングプロセスを利用してもよいし、および／または別の方法でもよい。例えば、コレクタ要素１１のエレクトロフォーミングプロセスでは、マンドリル（例えば、アルミニウム固体物）が生成される。このマンドリルの上に、例えば、Ｃｕ層またはＮｉ層、または別の層を徐々に堆積させて、コレクタ要素１１を形成することができる。マンドリルを急速に冷やすことで、要素１１が単体として分離される。最後に、コレクタ要素１１に反射コーティングを付与することができる。
【００３５】
入射する照射線Ｒをある焦点で合焦させるようにコレクタＫを構成することができる。焦点は、例えば、小さな焦点領域であってもよい。この焦点を、例えば、リソグラフィ装置の照明器ＩＬの前方に配置してもよい。
【００３６】
デバイス製造方法においてリソグラフィ装置を使用している間、入射する照射線ＲでコレクタＫを加熱することができる。コレクタＫを熱的に調整するために、例えばコレクタＫからの熱の少なくとも一部を取り除くために、本実施形態のコレクタＫには多数の流体ダクト２０が設けられている。図２には、これらの多数の流体ダクトの断面部分が示されている。流体ダクトを使用して、加熱されたコレクタ部品に沿っておよび／またはコレクタ部品を通って適切な第１流体（例えば、冷却用流体）が流れるように、流体の方向を定めたりまたは誘導することができる。例えば、コレクタ反射要素１１、コレクタカップリング部材１２、コレクタホルダまたは支持構造１９、および／または他のコレクタ部品に沿っておよび／または通って流体を流す。
【００３７】
コレクタＫの流体ダクト２０の配置および構成は多様である。例えば、コレクタＫに一つだけ流体ダクトを設け、その流体ダクトをコレクタＫに沿った適切な経路および／またはコレクタＫを通過する適切な経路に延ばすことで、コレクタＫに沿っておよび／またはコレクタＫを通過して流体を流すことができる。また、流体ダクトが複数のサブ流体ダクトを備えていてもよい。例えば、コレクタＫに流体ダクト２０のネットワークまたはシステムを設けてもよい。流体を用いて熱的に調整する必要があるコレクタＫの特定部分に流体が届くような適切な態様で、流体ダクト２０を分岐させてもよい。例えばコレクタＫの反射要素１１のそれぞれに沿っておよび／またはそれぞれを流体が通過するように、一つ以上の流体ダクト２０をらせん状に取り付けてもよい、例えば、コレクタＫの共通の回転軸Ｚと一致するらせん軸を有するようにする。同様に、流体ダクトの一つ以上の部分が、コレクタＫの共通の回転軸Ｚの周りの円に沿って延びてもよい。一つ以上の流体ダクト２０またはその部分が、例えばコレクタの長手方向におよび／またはさらに別の方向などの他の方向に延びるようにしてもよい。コレクタ、特に少なくともコレクタの反射要素１１、好ましくはコレクタ支持部分１９およびカップリング部材１２などの他のコレクタ部品を比較的同質に熱調整できるように、一つ以上の流体ダクト２０を配置し構成することが好ましい。
【００３８】
コレクタの各流体ダクト２０の形状、設置の方法、および構成材料は多様である。例えば、流体ダクト２０は、少なくとも一つのチャネル、コンジット、チューブ、パイプ、貫通穴、その他の流体を導く適切な手段で構成でき、またはそれ自体であってもよい。例えば、流体ダクト２０は、図２に示すように実質的に円形の断面であってもよいし、および／または正方形、長方形、六角形またはその他の適切な形状といった他の断面であってもよい。各流体ダクト２０は各コレクタ部分と良好に熱接触しており、その流体ダクト２０を通して流体を流すことで各コレクタ部分が熱的に調整されることが好ましい。例えば、流体ダクト２０をコレクタと一体的な部分として構成してもよい。例えば、反射要素１１の内部に、一つ以上の流体ダクト２０を形成する一つ以上のチャネルを設けてもよい。流体ダクト２０は、例えばコレクタと一体的に形成された複数の比較的小さいチューブを備えてもよい。また、実質的に反射要素１１および／または他のコレクタ部品１２、１９に、例えば（図２に示したように）反射要素１１の外面１４の上および／または中に、一つ以上の流体ダクトを設置してもよい。流体ダクト２０は、例えば、使用される材料の例に応じて、溶接法、接着剤、融解法、エレクトロフォーミング、または適切な結合方法、リベット締め、クランプおよび／または他の適切な方法で、コレクタＫに設置または結合される。例えば、コレクタ部品１１、１２、１９の組み立ておよび／または形成中に、一つ以上のコレクタ部品１１、１２、１９に一つ以上のダクト２０を取り付けてもよい。さらに、少なくとも一つの流体ダクト２０の一つ以上の部品を、それぞれのコレクタ部分に一体的に形成してもよいし、少なくとも一つの流体ダクト２０の一つ以上の部品をそれぞれのコレクタ部分に実質的に設置または結合させてもよい。
【００３９】
例えば、上述のコレクタ流体ダクト２０は、１種類以上のプラスチック、金属、合金、および／またはこれらの材料または他の材料の組み合わせで作ることができる。また、流体ダクト２０を流れる流体は、それぞれのコレクタ部分と熱的に良好に接触してその部分を流体で熱調整することができる。このような熱的に良好な接触を実現可能な方法は、当業者の理解できるところである。例えば、それぞれの流体ダクト２０を高い熱伝導率を有する材料を使って構成したり、および／または良好な熱的接触につながるような方法を用いて流体ダクト２０を設置したり、または流体ダクトをそれぞれのコレクタ部分と一体的に形成するなどである。
【００４０】
上流側では、一つ以上の流体ダクト２０は、流体を流体ダクト２０に供給する流体供給ラインｓｌに接続される。流体供給ラインｓｌは部分的に図３に図示されている。流体供給ラインｓｌは、図１にも模式的に示されている。下流側では、流体ダクト２０は、コレクタＫの流体ダクト２０から流体を取り除く流体排出ラインｅｌに接続される。排出ラインｅｌは、部分的に図３に図示されているが、図１にも模式的に示されている。一実施形態では、１本のみの外部流体供給ラインｓｌと、１本のみの外部流体排出ラインｅｌが設けられるが、１本以上の外部流体供給ラインｓｌおよび／または１本以上の外部流体排出ラインｅｌを設けてもよい。各供給ラインｓｌ、排出ラインｅｌは種々の方法で設けることができ、例えば、一つ以上の適切な流体チャネル、チューブ、コンジットおよび／または他のデバイスなどがある。
【００４１】
リソグラフィ装置には、第１期間の間、第１流体をコレクタの流体ダクトに供給するように構成された温度調整器が設けられている。ここで第１期間とは、例えば、照射源ＳＯの照射線でコレクタが加熱される期間である。このような温度調整器の形状と配置は多様である。温度調整器または調整システムは、図１に模式的に示されている。例えば、熱調整器を流量制御システム４、６、９で構成してもよいし、または熱調整器を流量制御システム４、６、９と動作可能に接続してもよい。流量制御システム４、６、９は、コレクタＫの流体ダクトに供給する流体を制御するように構成されている。温度調整器は、特定の比較的低温の第１流体を供給してコレクタを冷却するように構成されていることが好ましい。また、例えば、温度調整器が第１流体の温度を制御するように構成されていてもよい。
【００４２】
例えば、温度調整器には、適切な第１流体を供給するための第１流体供給器２が設けられている。流体供給器２の構成は、例えば第１流体の種類に応じて多様なものとなる。第１流体供給器は、コレクタＫが照射源ＳＯからの照射線を受けたときに、所望の流体温度を有する第１流体を供給して所望の動作温度までコレクタＫを冷却するか、所望の動作温度にコレクタＫを維持するか、または所望の動作温度範囲内にコレクタＫを維持するように構成することができる。例えば、第１流体を冷却するための冷却システムを流体供給器に装着してもよい。また、例えば、使用する第１流体を保持するために、第１流体供給器を適当な水槽または容器で構成してもよく、または第１流体供給器を水槽または容器に接続してもよい。流体供給器を別の構成としてもよい。つまり、第１流体供給器２を供給ラインｓｌに接続するか接続可能な構成として、コレクタの一つ以上の流体ダクト２０に流体を供給してもよい。例えば、温度調整器に第１流量レギュレータ４を設けてもよい。この第１流量レギュレータにより、第１流体供給器２と供給ラインｓｌとを連通させるか、および／または流体供給器から供給ラインｓｌへの流量を調整できるようにしてもよい。このような第１流量レギュレータ４の構成は多様であり、例えば、一つ以上の適切なバルブまたはその他の流量制御器を備えてもよい。
【００４３】
また、一実施形態では、温度調整器にコントローラ１を設けてもよい。コントローラ１は、例えば、第１流体の流量を制御するように構成してもよい。一例として、第１流体供給器２および／または流量レギュレータ４と連携して、供給ラインｓｌおよびコレクタの一つ以上の流体ダクト２０を通過する第１流体の流れを制御するように、コントローラ１を構成してもよい。
【００４４】
また、リソグラフィ装置に一つ以上の流体受け器７、８（本実施形態では２個）を設けて、コレクタの少なくとも一つの流体ダクト２０の下流部分から流体を受けるようにしてもよい。各流体受け器は多様に構成することができ（このことは当業者には明らかである）、例えば、水槽、ドレーン、下水管、および／またはその他の受け器を備えることができる。また、使用する流体にもよるが、上述の一つ以上の流体受け器７、８を上述の一つ以上の流体供給器２、３に組み込むことができ、この場合、例えばフィードバック型またはクローズドループ型の流体回路が形成される。
【００４５】
一実施例では、コレクタ流体ダクト２０の下流部分は、流体受け器７、８に接続されるかまたは接続可能であってもよい。図１の実施形態では、第２流量レギュレータ６が設けられる。第２流量レギュレータは、排出ラインｅｌを流体受け器７、８のうち一つ、または他方の流体受け器８、７と流体接続するように制御することができる。流量レギュレータ６の構成は多様であり、例えば、一つ以上のバルブまたはその他の流量コントローラを備えてもよい。また、熱調整器のコントローラ１は、第２流量レギュレータ６と連携して、排出ラインｅｌと流体接続する流体受け器を制御するように構成されてもよい。
【００４６】
また、熱調整器には、流体を吸い上げてコレクタ流体ダクト２０に流すための一つ以上の流体ポンプ９（そのうちの一つだけが図示されている）を設けてもよい。各ポンプ９の構成は、吸い上げる流体の種類によって多様に構成できる。例えば、一つ以上の流体ポンプを図１のようにコレクタＫの下流側に配置してもよいし、および／またはコレクタＫに対して上流側に配置してもよいし、および／またはコレクタＫ内に設けてもよい。
【００４７】
本実施形態では、温度調整器は、第２期間中にコレクタＫの流体ダクト２０に第２流体を供給するように構成されている。例えば、適切な第２流体を供給するための第２流体供給器３を温度調整器に設けてもよい。第２流体供給器３は、例えば第２流体の種類に応じて多様に構成することができる。第２流体供給器３を、コレクタＫを所望の温度に加熱するために所望の流体温度を有する第２流体を供給するように構成してもよい。例えば、第２流体供給器３に、第２流体を適切な温度または所望の温度に加熱するための加熱システムを設けてもよい。また、一例として、使用する第２流体を保持するために、第２流体供給器３は適切な水槽または容器を備えてもよく、または第２流体供給器３を水槽または容器に接続してもよい。
【００４８】
本実施形態では、特に、第１流体供給器２と第２流体供給器３とは異なる流体供給器である。例えば、好ましい実施形態では、第１流体と第２流体は異なっており、以下に説明するように第１流体が液体であるのに対して第２流体はガスである。例えば、第１流体の比熱容量（Ｊ．ｋｇ−１.Ｋ−１）は第２流体とは異なる。例えば、第１流体の比熱容量のほうが第２流体より高い。代替的に、例えば、上述の第１期間の第１流体として使用される第１流体が、上述の第２期間中に第２流体としても使用される使用される場合には、第１流体供給器２と第２流体供給器３とが互いに一体化していてもよい。
【００４９】
第２流体供給器３は、第２流体をコレクタの一つ以上の流体ダクト２０に供給するために、供給ラインｓｌに接続されるかまたは接続可能であってもよい。例えば、上述の第１流量レギュレータ４（図１）、または他の流量レギュレータを、第２流体供給器３と供給ラインｓｌと流体連通させるように構成してもよい。また、このようなレギュレータ４は、第２流体供給器３から供給ラインｓｌに向けて流れる流量を調整できる。温度調整器のコントローラ１は、例えば、コントローラ１が第２流体供給器３および／または流量レギュレータ４と連係動作できる場合、第２流体の流量を制御できる。
【００５０】
温度調整器のコントローラ１の構成は多様である。一例として、コントローラ１に、一つ以上のコンピュータ、マイクロコントローラ、マイクロエレクトロニクス機器および／または他の制御手段を設けることができる。また、コントローラ１の少なくとも一部はハードウェア制御、一部はソフトウェア制御としてもよい。さらに、コントローラ１に自動制御および／または手動制御を設けてもよい。
【００５１】
コントローラ１は、第１流体と第２流体のいずれをコレクタ流体ダクト２０に供給するかを制御可能であることが好ましい。例えば、コレクタＫが照射源ＳＯから照射線Ｒを受ける第１期間の間、上述の第１流体をコレクタＫのダクト２０に供給するように、コントローラ１を構成することができる。また、コレクタＫが照射源ＳＯから照射線Ｒを受けていない第２期間の間、または第２期間のうち一部の間、上述の第２流体をコレクタＫのダクト２０に供給するように、コントローラ１を構成することができる。ここで、上述の第２期間は、例えば、装置の保守期間、装置のアイドルタイムの期間、汚染の除去期間、洗浄期間、または他の期間である。さらに、それぞれの期間の間、コレクタＫに供給される第１流体および／または第２流体の温度を、例えば、コントローラ１のような温度調整器で制御できることが好ましい。
【００５２】
リソグラフィ装置には、コレクタＫの特定の状態を測定するための一つ以上のセンサ２１、２２を設けることができる。例えば、コレクタＫには、コレクタＫの少なくとも一部の温度を測定する一つ以上の温度センサ２１を設けてもよい。このようなセンサ２１の構成は多様であり、例えば一つ以上の熱伝対、温度依存性の材料または他のセンサが含まれる。また、リソグラフィ装置は、コレクタＫの少なくとも一つ以上の部品の温度を、例えば以下のパラメータを使用して推定または算出するように構成されていてもよい。パラメータには、照射源の照射束、コレクタに供給される第１流体または第２流体の量、コレクタに入る前の第１流体または第２流体の温度、コレクタから排出された後の第１流体または第２流体の温度、コレクタの構造、コレクタの環境の温度および圧力、および／または他の適切なパラメータが含まれ、これらは当業者であれば理解されよう。一実施形態ではそのような推定および／または算出を実行するように、温度調整器の上述のコントローラ１を構成することができる。
【００５３】
また、リソグラフィ装置には、コレクタの汚染を検出するための一つ以上の検出器２２、２３を設けてもよい。このような検出器２２、２３は、例えば、コレクタＫに入る照射線とコレクタＫから出る照射線との間で起こる照射強度の損失を測定するように構成することができる。このような汚染検出器２２、２３は、例えば、測定用の照射ビームＭＢをコレクタＫに発する照射線エミッタ２２と、上述の測定用の照射ビームＭＢがコレクタＫにより反射された後にそのビームＭＢを検出する照射線センサ２３と、を含んでもよい（図２を参照）。照射線センサ２３を使用して検出された測定用ビームＭＢの照射強度の損失は、コレクタ表面１３での汚染を知る良好な指標となりうる。また、汚染検出器は異なる構成であってもよい。例えば、コレクタＫの質量を正確に測定したり、コレクタＫの反射面の反射率を測定したり、および／または他のものを測定するように、汚染検出器を構成してもよい。
【００５４】
一実施形態では、コレクタ温度調整器は、上述のコレクタ温度センサ２１および／または汚染検出器２２、２３と連携して動作するように構成される。一例として、温度センサ２１および／または汚染検出器２２、２３を、コレクタ温度調整システムの一部としてもよい。また、別の実施形態では、温度調整器のコントローラ１をコレクタ温度センサおよび／または汚染検出器２２、２３と連携させて、上述の第１期間および／または第２期間中にコレクタの熱調整をすることができる。
【００５５】
一実施形態では、上述の第１流体は液体である。適切な液体は、例えば水である。別の液体も使用可能である。
【００５６】
一実施形態では、第２流体は実質的にガスまたはガス混合物である。例えば、第２流体は単に空気でもよい。空気を使うことで、コレクタ部分を良好な状態で比較的速く、徐々に加熱し任意に冷却をすることができる。さらに、例えば蒸気や高温の加熱液体に比べて、空気は安価でありかつ比較的安全に使用できる。第２流体として圧縮空気を使用すると良好な結果が得られる。圧縮空気は、例えば約１バール以上の空気、例えば少なくとも約５バールの空気、例えば約６バールの空気、または他の圧力の空気である。第２流体は実質的に水分を含んでいないことが好ましい。例えば、第２流体は乾燥空気であってもよい。
【００５７】
一実施形態では、上述の温度調整器を、上述の第２期間の少なくとも一部の間、約１３０℃、例えば少なくとも１３０℃の温度である第２流体を供給するように構成してもよい。温度調整器を、約１３０℃から約２００℃の範囲の温度を有する第２流体を供給するように構成してもよい。また、例えば、温度調整器を、約１５０℃の温度の第２流体を供給するように構成してもよい。上述の第２期間またはその一部の期間の間、上記温度の流体を使用することで、例えば錫または酸化錫による汚染をコレクタから比較的良好に除去できることが分かった。この汚染は、上述の照射源ＳＯとして錫プラズマＥＵＶ源を適用した結果生じうるものである。この汚染の除去には、例えば汚染の種類に応じて、熱で誘発された脱着プロセス、熱で誘発された化学プロセス、および／または他のプロセスを利用できる。例えば、一つ以上の洗浄用流体をコレクタに供給するようにしてもよい。一つ以上の洗浄用流体を用いて汚染を除去することができる。例えば汚染の種類に応じて、例えば熱で誘発されたおよび／または洗浄用流体で誘発された脱着プロセス、熱で誘発されたおよび／または洗浄用流体で誘発された化学プロセス、および／または他のプロセスを用いて、汚染を除去することができる。例えば、洗浄用流体を使用して汚染物を分解し、洗浄プロセスを早めたり促進したりしてもよい。
【００５８】
また、例えば、上述の温度調整器を、第２期間の所定の第一部分の間に第１温度からより高い第２温度へと温度が徐々に上昇する第２流体を供給するように構成してもよい。また、温度調整器を、第２期間の所定の第２部分の間に、第２流体の温度を第２温度に維持するように構成してもよい。さらに、温度調整器を、第２期間の所定の第２部分の終了後に、第２流体の温度を徐々に低下させるように構成してもよい。このように、コレクタの使用中に、コレクタの少なくとも一部の温度（この一部に対して、少なくとも一つのダクト２０により第２流体が供給されている）を徐々に変化させて、コレクタに機械的張力が熱で誘発されることを避けることができる。一例として、第２流体の温度を第１温度から第２温度まで上昇させるのに必要な時間は、約１０分から２０分の範囲であってもよい。または、例えばコレクタの構造、使用する第２流体の種類、第２流体の流速、および／または第２流体の圧力に応じて、個の時間が異なっていてもよい。
【００５９】
さらに別の実施形態では、温度調整器と流体ダクト２０が、異なる量の第２流体をコレクタの別々の部分に供給するように構成されていてもよい。例えば、温度調整器と少なくとも一つの流体ダクト２０は、コレクタＫの温度を均一に調整するように構成されていてもよい。例えば、（外側コレクタシェル１１のように）比較的大きな質量のコレクタ部品に対して比較的流速の大きい第２流体を供給するように、温度調整器を構成してもよい。例えば、そのようなコレクタ部品の流体ダクトまたはダクト部品の内径を、比較的大きくすることができる。さらに、そのようなコレクタ部品に比較的多数の流体ダクト２０を設けてもよい。
【００６０】
また、例えば、（内側コレクタシェル１１のように）比較的小さな質量のコレクタ部品に対して、上記比較的大きい流速と比べて比較的流速の小さい第２流体を供給するように、温度調整器を構成してもよい。例えば、このようなコレクタ部品の流体ダクトまたはダクト部品の内径を、上述の比較的大きなダクト内径と比べて小さくすることができる。さらに、このような比較的軽量のコレクタ部品に、比較的少数の流体ダクト２０を設けるようにしてもよい。また、異なる温度を有する異なる第２流体を別々のコレクタ部品に供給してコレクタＫを比較的均一に温度調整するように、温度調整期を構成してもよい。
【００６１】
また、好ましい実施形態では、リソグラフィ装置には、洗浄流体ｇをコレクタＫに供給する洗浄流体供給器ＧＳ（図１に模式的に示されている）が設けられている。このような洗浄流体ｇの流れは、図２に矢印ｇで模式的に示している。洗浄流体として、例えば、除去しようとする汚染物と反応可能である適切な洗浄ガスおよび／または適切な洗浄液体がある。洗浄流体供給器ＧＳは、洗浄流体をコレクタＫの反射面および／またはその他のコレクタ領域に供給するように構成されてもよい。洗浄流体ｇの種類は、除去しようとする汚染により異なるが、多様な種類の洗浄流体ｇが使える。例えば、洗浄流体は、水素分子、水素含有物質、ハロゲン、ハロゲン間化合物、ハロゲン含有物質、フッ素、臭素、ヨウ素、塩素、ハロゲン化水素酸、アンモニア、および／または、これらの洗浄流体および／または他の洗浄流体の組み合わせである。洗浄流体は、実質的に透明であってもよい。洗浄流体は、除去しようとする汚染物と化学的に反応するガスおよび／または液体であってもよいし、汚染物の脱着を誘発し触媒の作用をしまたは改善するガスおよび／または液体であってもよいし、または別の洗浄流体でもよい。例えば、別の実施形態では、第２流体を用いたそれぞれのコレクタ部品の加熱と、コレクタ部品への適切な洗浄流体（または、流体混合物）の供給との組み合わせにより、汚染を除去してもよい。洗浄流体供給器ＧＳの構成は多様であり、例えば、洗浄流体（または流体混合物）の流れをコレクタＫの方向に向ける流体シャワーまたは流体供給ラインを備えていてもよい。または、この洗浄流体供給器を別の構成としてもよい。
【００６２】
上で述べたように、図１から図３に図示した実施形態は、デバイスを製造する方法として用いることができる。この方法は、基板Ｗを準備し、照射源ＳＯを準備し、照射源からコレクタＫを介して照明系に照射線Ｒを伝送し、照明系を用いて照射ビームを供給し、ビームに断面パターンを与えてパターン付与された照射ビームを形成し、パターン付与された照射ビームを基板Ｗの目標部分に照射することを含む。
【００６３】
この場合、少なくとも上述の第１期間の間、特にコレクタＫが照射源ＳＯから照射線Ｒを受けるときに、温度調整器は上述の第１流体を用いてコレクタＫを冷却することができる。レギュレータ４および流体供給ラインｓｌを介して、それぞれの供給器２からコレクタＫの流体ダクト２０に第１流体が供給される。下流では、排出ラインｅｌおよび排出レギュレータ６を介してそれぞれの流体受け器６に第１流体が排出される。コレクタＫを冷却するために（すなわち、コレクタＫから熱を取り去るために）、コレクタＫに供給される第１流体は、比較的一定で比較的低温に、例えば室温または別の低温のような約１００℃未満の低温に、保持されてもよい。一実施形態では、第１流体の流量および／または温度は、温度調整器のコントローラ１により制御されている。一実施形態では、第１流体をコレクタＫの少なくとも一つの流体ダクト２０に供給することで、コレクタＫの温度は実質的に一定の平均動作温度に、または所望の温度範囲に維持されている。これは、例えばコレクタＫが照射源ＳＯから受ける照射の量や種類、および他の要因によって異なってもよい。
【００６４】
代替的に、第１流体の温度を約１００℃より上に維持してもよい。例えば、第１流体を使用して、コレクタＫの温度を比較的一定の動作温度に、例えば１００℃を上回る動作温度に維持することができる。例えば、第１流体を使用して、コレクタの加熱によるコレクタの熱変動を減らすことができる。この方法は、例えば、出願人の名義で２００４年１月２６日に出願された米国特許出願公開第２００５／１５７２８４（Moors et al.）に開示されており、この米国特許出願は参照によりその全体が本出願に援用される。
【００６５】
コレクタＫは、例えば照射源ＳＯの特定期間の動作後に汚染される可能性がある。必要に応じて、このような汚染は例えば汚染検出器アセンブリ２２、２３によって検出または測定される。他方、汚染の量は、コントローラ１によりおよび／または別の方法で推定または算出可能である。この汚染は、照射源ＳＯの構造および種類に応じて、少なくとも部分的に照射源ＳＯから発生しうる。例えば、汚染には錫汚染および／または酸化錫汚染が含まれる。
【００６６】
少なくとも一つの第２期間、例えば上述の第１期間の前後の汚染除去期間または洗浄期間では、コレクタＫは、上述の第２流体を用いて加熱されている。第２流体は、第１期間の間第１流体を通すのに用いられていたのと同一のダクト２０に供給される。特に、第２期間の間、第２流体はコレクタダクト２０内の第１流体に取って代わる。第２流体を使用してコレクタＫを加熱することにより、汚染物の少なくとも一部をコレクタＫから除去できる。第２期間の間、コレクタＫは照射源ＳＯからの照射を受けないことが好ましい。
【００６７】
第２期間の開始は、例えば温度調整器のコントローラ１によって決めることができる。また、第２期間はリソグラフィ装置のアイドルモードやメンテナンス期間の間であってもよく、洗浄工程の一部であってもよく、および／または、第２期間は、例えば温度調整器のコントローラ１により決定される異なる要素に左右されてもよい。例えば、コントローラ１の影響の下、第２期間を自動的におよび／または手動で開始してもよい。例えば、コントローラ１は、上述の汚染検出器２２、２３によって検出されるかおよび／または計算または推定されるコレクタ汚染が特定のしきい値を越えた場合に、第２期間を開始してもよい。また、コントローラ１は、所定の時刻に第２期間を開始するためのタイマを備えていてもよい。さらに、コントローラ１は、特定のアイドルモードまたはリソグラフィ装置のメンテナンス期間の間に、第２期間を開始するように構成されてもよい。
【００６８】
上述したように、第２期間の間、上述の第２流体を使用してコレクタＫを加熱してもよい。このコレクタＫの加熱を上述のコントローラ１で制御することが好ましい。一実施形態では、コントローラ１は、コレクタＫの一つ以上の温度センサ２１と連携してコレクタＫの所望の加熱、好ましくは段階的な加熱を実現する。また、第２期間の間、適切な洗浄流体ｇ（または洗浄流体の混合物ｇ）をコレクタに、例えばコレクタ要素１１に、特にコレクタ要素１１の反射面に供給する。例えば、洗浄流体の供給はコントローラ１の制御の下に行われてもよい。
【００６９】
それぞれの供給器３からレギュレータ４および供給ラインｓｌを介してコレクタＫの流体ダクト２０に第２流体を供給してもよい。下流では、排出ラインｅｌおよび排出レギュレータ６を介してそれぞれの第２流体受け器７に第２流体を排出してもよい。例えば、第２流体の流量を温度調整器のコントローラ１で制御してもよい。コントローラ１は、上述のポンプ９と流量レギュレータ４、６とを制御して、第１流体および第２流体のダクト２０への供給を切り替え、また流体の流速を制御することができる。
【００７０】
上述したように、第２流体はガスまたはガスの混合物、例えば圧縮空気であってもよい。圧縮空気は、大気と比べて比較的大きな熱容量を有する。したがって、圧縮空気は比較的大量の熱をコレクタＫに供給して、コレクタＫまたはその部品を加熱することができる。また、使用中に、例えば第２期間の開始時に、流れる第２流体の温度は、例えば第２期間の所定の第一部分の間に第１温度からより高い第２温度へと徐々に上昇してもよい。例えば、第１温度は、第１流体がコレクタＫに入る前の上述の第１流体の温度と実質的に等しい。また、例えば、第２流体の温度上昇は、何よりもコレクタＫのサイズと構造に左右されてもよい。一実施形態では、第２流体の温度変化によって、コレクタ部品の熱応力および／またはコレクタ部品内の熱応力が回避されまたは減少する。さらに、上述したように、使用中に、例えば異なる第１温度または第２温度を有する別々の第２流体を供給してもよい。
【００７１】
上述したように、例えば、第１温度は約１００℃を下回ってもよい。一例として、上述の第１温度は、室温（約２０℃）または異なる温度であってもよい。
【００７２】
第２流体の上述の第２温度は、例えば少なくとも約１００℃、または少なくとも約１３０℃であってもよい。例えば、第２温度は約１３０℃から約２００℃の範囲でもよい。また、例えば第２温度は約１５０℃でもよい。このようにして、上述のダクト２０を通って流れる第２流体によって、コレクタが約１３０℃まで少なくとも加熱されればよい。例えば、第２流体によって約１３０℃から約２００℃の範囲の温度までコレクタを少なくとも加熱してもよい。
【００７３】
代替的に、第２流体の温度を約１００℃、またはそれ以下にしてもよい。
【００７４】
上述したように、異なる量の第２流体をコレクタＫの別々の部分に供給して、コレクタＫの温度を実質的に均一の熱状態にすることが好ましい。例えば、より少量の第２流体を用いて、より大きな外側コレクタシェル１１よりも内側コレクタシェル１１を熱調整してもよい。
【００７５】
使用中に、第２期間のうち所定の第２部分の間、第２流体の温度を第２温度に維持してもよい。第２期間の所定の第２部分を十分長くして、コレクタ汚染の所望の汚染除去を達成することが好ましい。上述したように、使用中に、例えば汚染の種類に応じて、熱で誘発された脱着プロセス、熱で誘発された化学プロセス、コレクタＫに供給可能な一つ以上の洗浄用流体ｇ（例えば、一つ以上の洗浄用ガスまたは洗浄用液体）を使用するプロセス、および／または他のプロセスを使用して、汚染を除去することができる。
【００７６】
その後、第２流体の温度を下げてもよく、例えば徐々に上述の第１温度にまたは他の温度に下げていってもよい。第２流体の温度を低下させている間、第２流体は、例えばコレクタＫの少なくとも一部の温度を上述の第１温度または他の温度まで徐々に低下させる役割を果たしてもよい。
【００７７】
その後、例えば別の第１期間が開始され、リソグラフィ装置を使用してデバイスを製造するリソグラフィプロセスを実行することができる。
【００７８】
コレクタＫを通してまたはコレクタＫに沿って第１流体を供給するために（異なる期間、つまり上述の第１期間の間に）使用されたコレクタダクトを通過する流体を利用して、コレクタＫを所望の第２温度まで加熱することで、同一のコレクタダクト２０を利用して、簡単で低コストでかつ効率的な態様で、コレクタＫを冷却および加熱することができる。本発明の進歩は、リソグラフィ装置を過度に複雑にすることなしに容易に実現可能であり、その一方、人間に対する安全規則が問題になることもなく、問題になる場合でも比較的些細な問題ですむ。
【００７９】
さらに、様々なコレクタ部分を所望の温度に（好ましくは徐々に）加熱するために、上述の第２流体を使用してもよい。これら様々なコレクタ部品は、例えば、複数の好ましくは全ての反射要素、上述のコレクタカップリング部材、コレクタホルダ、支持構造１９、および／または他のコレクタ部品でであってもよい。
【００８０】
上述したように、特定の洗浄シーケンスの間または終了後に、高温または低温の流体（好ましくはガス）を用いて照射コレクタＫを加熱しまた冷却してもよい。一実施形態では、上述の照射源は錫ＥＵＶ源であり、コレクタＫは、照射源ＳＯが燃焼するときに錫および酸化錫で次第に覆われていく。このような堆積が起こると、反射コレクタ表面の反射率が大きく低下する。本実施形態では、本来の反射率を取り戻すための化学洗浄シーケンスの適用を回避するか、またはその適用を減らすことができる。また、特にガス状の第２流体を利用する場合に、コレクタへの電気加熱装置の取り付け、光学吸収の使用、温水や高温オイルの使用といった比較的実行不可能な加熱方法の適用を避けることができる。例えば、光の損失、高電流、ホットスポットすなわち「低温」エリアの出現、機械の安全に関する問題、例えば高温の液体やオイルを使用する場合の人間の安全性に関する定期検査の必要性などのために、加熱方法が実行不可能なものとなりうる。
【００８１】
例えば、一実施形態では、照射コレクタＫを水冷とともに提供してもよい。上述のダクト２０は、例えばエレクトロフォーミングプロセスの間、コレクタシェル１１の周りに組み込まれた小さなチューブを備えていてもよい。上述の第１期間の間、照射源ＳＯの動作中のコレクタＫの熱変動を防止または低減するために、これらのチューブに例えば冷却水を流してもよい。一実施形態では、上述の汚染除去の期間の間、このような比較的小さなチューブを使用してコレクタＫを加熱したり光学的に冷却したりすることができる。
【００８２】
例えば、最初に冷却水をチューブから吹き出させ、続いてチューブ２０内に高温の空気を注入してコレクタＫを加熱してもよい。一実施形態では、各チューブ２０とそれぞれのコレクタシェル１１との間に優れた熱接触があり、好ましくはシェル１１それ自体に良好な熱伝導性がある。この結果、シェル１１の迅速で均一な加熱が実現できる。この洗浄シーケンスの後、再び水を利用できる程度にコレクタシェル１１が十分に冷えるまで、コレクタシェル１１を「低温の」空気で徐々に冷却してもよい。熱応力を防止するために、上述したような制御された段階的な態様でコレクタＫの加熱と冷却を実行することが好ましい。この場合、コレクタの機械的な損傷を防止することができる。
【００８３】
本発明の一実施形態にしたがった本発明の装置では、温度調整器および／またはそれぞれのコレクタＫの実装が容易である。例えば、コレクタＫの加熱または冷却は、市販の部品を用いて実施可能である。過渡温度をしっかりと制御して、コレクタＫの熱応力を防止することができる。例えば、高温または低温の液体または蒸気の代わりに高温または低温の空気を使用することで、蒸気に関する規格「stoomwezen」の要件を満たすための追加の対策が実質的に不要となる。例えば、第２流体は、通常のクリーンな乾燥空気（ＣＤＡ：clean, dry air）であってもよい。例えば、第２流体は実質的に水を含まない。他のガスも第２流体として使用可能である。
【００８４】
ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について本文書において特に言及をしてきたが、本明細書で述べたリソグラフィ装置は、他の応用形態も有していることを理解すべきである。例えば、集積された光学システム、磁気領域メモリ用の誘導および検出パターン（guidance and detection pattern）、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった応用である。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、本明細書における「ウェハ」または「ダイ」という用語のいかなる使用も、それぞれより一般的な用語である「基板」または「目標部分」と同義とみなすことができることを認められよう。本明細書で参照された基板は、例えばトラック（通常、レジスト層を基板に付加し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツールおよび／または検査ツールで露光の前後に加工されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示は、そのような基板処理工具または他の工具に対しても適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために二回以上基板が加工されてもよく、その結果、本明細書で使用された基板という用語は、複数回処理された層を既に含む基板のことも指してもよい。
【００８５】
光リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について特に言及してきたが、文脈が許す限り、光リソグラフィに限定されない、例えばインプリントリソグラフィなどの他の応用形態でも、本発明を使用できることを認められよう。インプリントリソグラフィでは、パターニング用デバイスにおけるトポグラフィが基板に形成されるパターンを定義する。パターニング用デバイスのトポグラフィが、基板に供給されるレジスト層に押し付けられると、電磁気照射、熱、圧力、またはこれらの組み合わせを与えることによってレジストが硬化される。レジストが硬化した後、パターンを残してパターニング用デバイスがレジストから取り除かれる。
【００８６】
本明細書で使用される「照射」および「ビーム」という用語は、あらゆるタイプの電磁気照射、例えば、紫外線（ＵＶ）照射（例えば、約３６５、２４８、１９３、１５７、１２６ｎｍの波長を有する）、極紫外線（ＥＵＶ）照射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子線を包含する。
【００８７】
「レンズ」という用語は、文脈が許す場合、種々のタイプの光学部品、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気の光学部品のうち任意のものまたはその組み合わせを指してもよい。
【００８８】
本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、上記以外にも実施可能であることはいうまでもない。例えば、本発明は、上述したような方法を記述した、機械により読み取り可能な一つ以上の命令シーケンスを収容するコンピュータプログラムの形態をとってもよく、あるいは、そのようなコンピュータプログラムを内部に記憶するデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク）の形態をとってもよい。
【００８９】
上述の説明は例示を意図しており、限定を意図していない。したがって、特許請求の範囲から逸脱することなく、上述した本発明に対して修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】リソグラフィ装置の一実施形態を示す図である。
【図２】コレクタの一実施形態の一部の長手方向断面を模式的に示す図である。
【図３】図２の実施形態のＸ方向における正面図を模式的に示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【外国語明細書】
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