(57)【要約】      （修正有）【課題】配線層の接続部において安定した部品実装を可能にする。【解決手段】基板Ｐに複数層に渡って絶縁層および配線層が形成されており、最表部の絶縁層２上に配線３が形成され、さらに配線３にメッキで形成された接続部４が形成される。接続部４は、第１メッキ膜Ｎ１、Ｎ２と、第１メッキ膜とはメッキ応力の向きが異なる第２メッキ膜Ｇ１、Ｇ２とが交互にそれぞれ複数層に亘って積層され、超音波圧着加工を施しても超音波振動を十分に伝えることができ、効果的に圧着することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に配線が形成され、前記配線にメッキで形成された接続部が接続される配線基板であって、
前記接続部は、第１メッキ膜と、該第１メッキ膜とはメッキ応力の向きが異なる第２メッキ膜とが交互にそれぞれ複数層に亘って積層されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板において、
前記配線は、液相法により形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１または２記載の配線基板において、
前記配線は、絶縁層上に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項３記載の配線基板において、
前記配線と隣接する前記第１メッキ膜は、前記絶縁層と前記配線との接合特性に基づく厚さで成膜されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項４記載の配線基板において、
前記第２メッキ膜上に成膜される前記第１メッキ膜の厚さは、前記配線と隣接する前記第１メッキ膜の厚さよりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の配線基板において、
前記第１メッキ膜及び前記第２メッキ膜が無電解メッキで形成されることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の配線基板において、
前記接続部の外周部を覆い、且つ該外周部の内側に開口部を有する第２絶縁層が設けられることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項７記載の配線基板において、
前記第２絶縁層が液相法により形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１から８いずれかに記載の配線基板に半導体素子が設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記半導体素子が前記基板に埋設されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１から８のいずれかに記載の配線基板と、請求項９または１０記載の半導体装置との少なくとも一方を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
基板に配線を形成する工程と、前記配線にメッキにより接続部を形成する工程とを有する配線基板の製造方法であって、
前記接続部を、第１メッキ膜と、該第１メッキ膜とはメッキ応力の方向が異なる第２メッキ膜とを交互にそれぞれ複数層に亘って積層して形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の配線基板の製造方法において、
前記配線を液相法で形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板とその製造方法、及び半導体装置並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板における各金属配線の形成においては、例えば、特許文献１に示されるように、ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた工程を複数回繰り返す手法が用いられている。
ところが、この技術では、ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた処理を複数回行っているので、材料費や管理費がかさみやすく、また歩留まりも上げにくいという問題がある。
【０００３】
そこで、近年、電子装置の製造過程に用いられる塗布技術として、液体吐出方式の利用が拡大する傾向にある。液体吐出方式による塗布技術は、一般に、基板と液体吐出ヘッドとを相対的に移動させながら、液体吐出ヘッドに設けられた複数のノズルから液状体を液滴として吐出し、その液滴を基板上に繰り返し付着させて塗布膜を形成するものであり、液状体の消費に無駄が少なく、任意のパターンをフォトリソグラフィーなどの手段を用いず直接塗布することが出来るといった利点を有する。
例えば、特許文献２、特許文献３などには、パターン形成用材料を含んだ機能液を液滴吐出ヘッドから基板上に吐出することにより、パターン形成面に材料を配置（塗布）して半導体集積回路などの微細な配線パターンを形成する技術が開示されている。
【特許文献１】特許第３２６１６９９号公報
【特許文献２】特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献３】特開２０００−２１６３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
基板上に絶縁膜と導電膜とを積層し、最表層にチップ部品等を実装する際には、絶縁層上に形成された配線層の接続部に、例えば無電解Ｎｉ／Ａｕのメッキ層を形成し、超音波ワイヤーボンディング等を用いてこのメッキ層とチップ部品等とを接続している。
【０００５】
ところが、超音波振動が有効に作用するためには、一定の厚さ以上のＮｉメッキ層が必要になるが、配線層と絶縁層との密着性が低い場合にはメッキ応力により配線層と絶縁層との界面で剥離が生じてしまい、安定した部品実装ができないという問題が生じる。
そこで、Ｎｉメッキ層を薄く形成するということも考えられるが、上述したように、Ｎｉメッキ層が薄いと超音波振動が充分に伝わらず、チップ部品の実装に悪影響を及ぼす虞がある。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、配線層の接続部において安定した部品実装を可能にする配線基板とその製造方法、及び半導体装置並びに電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の配線基板は、基板に配線が形成され、前記配線にメッキで形成された接続部が接続部が接続される配線基板であって、前記接続部は、第１メッキ膜と、該第１メッキ膜とはメッキ応力の向きが異なる第２メッキ膜とが交互にそれぞれ複数層に亘って積層されてなることを特徴とするものである。
【０００８】
従って、本発明の配線基板では、第１メッキ膜と第２メッキ膜でメッキ応力が相殺されるため、配線に加わるメッキ応力を低減できる。この場合、第１、第２メッキ膜の（に加わる）応力は、方向が同一で向きが逆方向であることが、効果的に応力を相殺できることから好ましい。また、本発明では、配線に加わるメッキ応力が所定値よりも小さくなる厚さで、配線と隣接する第１メッキ膜を成膜することにより、配線が絶縁層から剥離することを防止できるとともに、複数層に亘る第１メッキ膜の総厚を大きくすることにより、超音波ワイヤーボンディング等の圧着加工を施しても超音波振動を充分に伝えることができ、効果的に圧着することができる。
そのため、本発明では、配線が剥離することなく、安定した部品実装を実現することができる。
【０００９】
前記配線としては、液相法により形成されている構成を採用できる。
これにより、本発明では、液滴吐出方式等の液相法で形成されて、配線の緻密性が低く、下地との密着性が劣る場合であっても、配線が剥離することなく、安定した部品実装を実現することができる。
【００１０】
この場合の下地としては、絶縁層とすることができる。
従って、本発明では、配線が絶縁層上に成膜された場合であっても、配線が絶縁層から剥離することなく、安定した部品実装を実現することができる。
【００１１】
前記配線と隣接する前記第１メッキ膜としては、前記絶縁層と前記配線との接合特性に基づく厚さで成膜されていることが好ましい。
これにより、本発明では、前記絶縁層と前記配線とが密着性の劣る接合特性で接合している場合であっても、剥離が生じない程度のメッキ応力で第１メッキ膜を形成することができ、安定した部品実装を実現することができる。
【００１２】
また、上記の構成では、前記第２メッキ膜上に成膜される前記第１メッキ膜の厚さが、前記配線と隣接する前記第１メッキ膜の厚さよりも大きい構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、超音波ワイヤーボンディング等の圧着加工を施す場合であっても、第１メッキ膜を超音波振動が充分に伝わる総厚で成膜することができる。
【００１３】
また、本発明では、前記第１メッキ膜及び前記第２メッキ膜が無電解メッキで形成される構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、電解メッキ用配線が不要になり、製造コストを低減できるとともに、高密度の配線を実現することが可能になる。
【００１４】
また、本発明では、前記接続部の外周部を覆い、且つ該外周部の内側に開口部を有する第２絶縁層が設けられる構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、開口部を介して第１、第２メッキ膜を成膜できるとともに、外周部を第２絶縁層で覆うことにより、接続部の密着力を向上させることが可能になる。
また本発明では、液相法を用いることにより、マスク製作や工程の長いフォトリソ等の方法を用いることなく、容易に第２絶縁層を形成することができる。
【００１５】
一方、本発明の半導体装置は、先に記載の配線基板に半導体素子が設けられたことを特徴とするものである。
従って、本発明では、配線が剥離することなく、安定した部品実装を実現する半導体装置を得ることができる。
【００１６】
この構成では、前記半導体素子が前記基板に埋設される構成を好適に採用できる。
従って、本発明では、半導体素子が基板に埋め込まれるため、埋め込んだ深さ分、薄い基板、すなわち薄い半導体装置を製造することが可能となり、薄型化・高密度化を実現することができる。
【００１７】
そして、本発明の電気光学装置は、先に記載の配線基板と、先に記載の半導体装置との少なくとも一方を備えることを特徴とするものである。
また、本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を備えることを特徴とするものである。
従って、本発明では、部品が安定して実装された高品質な電気光学装置及び電子機器を得ることができる。
【００１８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、基板に配線を形成する工程と、前記配線にメッキにより接続部を形成する工程とを有する配線基板の製造方法であって、前記接続部を、第１メッキ膜と、該第１メッキ膜とはメッキ応力の方向が異なる第２メッキ膜とを交互にそれぞれ複数層に亘って積層して形成することを特徴とするものである。
従って、本発明では、第１メッキ膜と第２メッキ膜でメッキ応力が相殺されるため、配線に加わるメッキ応力を低減できる。また、本発明では、配線に加わるメッキ応力が所定値よりも小さくなる厚さで、配線と隣接する第１メッキ膜を成膜することにより、配線が絶縁層から剥離することを防止できるとともに、複数層に亘る第１メッキ膜の総厚を大きくすることにより、超音波ワイヤーボンディング等の圧着加工を施しても超音波振動を充分に伝えることができ、効果的に圧着することができる。
そのため、本発明では、配線が剥離することなく、安定した部品実装を実現することができる。
【００１９】
また、本発明では、前記配線を液相法で形成する工程を有する構成を採用できる。
これにより、本発明では、液滴吐出方式等の液相法で形成されて、配線の緻密性が低く、下地との密着性が劣る場合であっても、配線が剥離することなく、安定した部品実装を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の配線基板とその製造方法、及び半導体装置並びに電子機器の実施の形態を、図１ないし図４を参照して説明する。
（配線基板；第１実施形態）
図１は、本実施形態の配線基板１の部分断面図である。
この配線基板１は、基板Ｐ上に複数層に亘って絶縁層及び配線層が適宜形成されたものであり、最表部の絶縁層２上には配線３が形成されている。
【００２１】
絶縁層２を形成する材料としては、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ＢＣＢ（benzocyclobutene）及びＰＢＯ（polybenzoxazole）等や酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等の無機絶縁材料が用いられる。
また、配線３としては、ここでは液相法により銀（Ａｇ）配線を形成している。
なお、図１では、最表部の配線３以外の配線については図示を省略している。
【００２２】
配線３の端部には、回路基板やコントローラＩＣ、コネクタ、受信ＩＣ、水晶、受動素子（抵抗素子、キャパシタ）等の外部素子Ｃと電気的に接続するための接続パッド（接続部）４が設けられて（接続されて）いる。
接続パッド４は、いずれもメッキで形成され、メッキ応力が伸張する向きに作用するニッケルメッキ膜（第１メッキ膜）Ｎ１、Ｎ２と、メッキ応力が収縮する向きに作用する金メッキ膜（第２メッキ膜）Ｇ１、Ｇ２とが交互にそれぞれ複数層（ここでは、それぞれ２層）に亘って積層された構成となっている。
【００２３】
配線３に隣接するニッケルメッキ膜Ｎ１は、配線３と絶縁層２との接合特性に基づき、具体的には配線３に作用するメッキ応力により配線３と絶縁層２とが界面で剥離しない厚さで成膜されている。また、ニッケルメッキ膜Ｎ２は、ニッケルメッキ膜Ｎ１との総厚が、例えば超音波ワイヤーボンディングを用いて外部素子Ｃと接続パッド４とを圧着接続する際にも、超音波振動が接続パッド４に充分に伝わる厚さとなるように、ニッケルメッキ膜Ｎ１よりも厚く成膜されている。
【００２４】
金メッキ膜Ｇ１、Ｇ２は、互いに略同一の厚さで、且つニッケルメッキ膜Ｎ１と同程度の厚さに成膜されている。
【００２５】
（配線基板の製造方法）
上記の配線基板１を製造する際は、基板Ｐ上に配線及び絶縁層を順次形成した後に、絶縁層２を形成する。
これら絶縁層及び配線の形成方法は、最表部にある絶縁層２及び配線３と同様であるため、ここでは最表部の絶縁層２及び配線３について説明する。
【００２６】
絶縁層２は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート、液滴吐出法等の所定の方法で、上述した絶縁層形成材料を塗布した後に、硬化させることにより形成される。
【００２７】
続いて、配線３を形成する際には、図示しない液滴吐出装置を用いて、絶縁層２上の所定位置に上述した導電性材料を含む液滴を吐出して、液相法により配線３を形成する。このとき、配線形成領域の周囲に隔壁を設け、この隔壁間の溝に配線形成材料を含む液滴を吐出して配線３を形成する方法や、配線形成材料を含む液滴に対して、配線形成領域に親液性を付与し、非配線形成領域に撥液性を付与し、配線形成領域に液滴を塗布する方法を採用できる。
【００２８】
液滴として吐出される溶液（分散液）に含まれる導電性微粒子としては、本実施形態では銀を用いているが、その他に例えば、金、銅、錫、鉛等の金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２９】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００３０】
導電性微粒子の分散液の表面張力は、例えば０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３１】
分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００３２】
基板Ｐに配線用液滴を吐出した後には、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理、焼成処理を行う。このような乾燥・焼成処理により、導電性微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。
乾燥処理としては、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理によって行うことができる。例えば１８０℃加熱を６０分間程度行う。
焼成処理及の処理温度としては、分散媒の沸点（蒸気圧）、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するために、約２５０℃で焼成することが必要である。
【００３３】
このように、絶縁層２及び配線３が形成されると、当該絶縁層２及び配線３を覆うメッキレジスト（図示せず）を塗布し、このメッキレジストをフォトリソ等によりパターニングすることで、形成すべき膜パターンに応じた、ここでは接続パッド４に対応する開口部を有するマスク層としてのメッキレジストパターンを形成する。
【００３４】
次に、例えば８０〜９０℃に加温した無電解Ｎｉメッキ浴中に、基板Ｐを浸漬し、レジストパターンをマスクとして、開口部から露出する配線３上にニッケルメッキ膜Ｎ１を微小厚さでメッキ形成した。
このとき、ニッケルメッキ膜Ｎ１は、配線３に作用するメッキ応力により配線３と絶縁層２とが界面で剥離しない程度に薄い膜厚で形成する。
なお、Ｎｉメッキとしては、次亜リン酸浴を用いたため、Ｎｉ中にリン（Ｐ）が析出する。
【００３５】
さらに、例えば６０〜８０℃に加温したＡｕメッキ浴中に、基板Ｐを１０〜３０分浸漬しニッケルメッキ膜Ｎ１上に金メッキ膜Ｇ１を積層する。さらに、この金メッキ膜Ｇ１上に、上記のニッケルメッキを施してニッケルメッキ膜Ｎ２を形成する。このニッケルメッキ膜Ｎ２の膜厚は、ニッケルメッキ膜Ｎ１の膜厚との総厚が、例えば超音波ワイヤーボンディングを用いる際にも超音波振動が接続パッド４に充分に伝わる大きさに形成される。この後、ニッケルメッキ膜Ｎ２上に、上記の金メッキを施して金メッキ膜Ｇ２を成膜する。これにより、配線３上にメッキで形成された接続パッド４が成膜される。
なお、上記Ａｕメッキには、亜硫酸浴を用いた。また、上記の化学処理と化学処理との間では、純水による洗浄を３〜５分間行っている。
【００３６】
上記の配線基板１においては、メッキ応力が互いに逆方向のニッケルメッキ膜Ｎ１、Ｎ２と、金メッキ膜Ｇ１、Ｇ２とを交互に積層しているので、隣り合うメッキ膜間でメッキ応力が相殺され、配線３に加わる応力を低減できる。また、本実施形態では、この配線３に隣接するニッケルメッキ膜Ｎ１が、配線３と絶縁層２との接合特性に基づいて、両者が界面で剥離しない程度の応力しか加わらない薄さで成膜されているため、配線３が剥離してしまって部品実装に支障を来すことなく、チップ部品等を安定して実装することが可能になる。特に、本実施形態では配線３を液相法により形成しているため、配線３の緻密性が低く絶縁層２との密着性が劣る場合であっても、配線３が剥離することなく安定した部品実装を実現することができる。
【００３７】
また、本実施形態では、ニッケルメッキ膜Ｎ１、Ｎ２が総厚では超音波振動を伴う加工に対して充分振動が伝わる強度（厚さ）を有しているため、チップ部品等を安定して圧着して実装することが可能である。
さらに、本実施形態では、ニッケルメッキ膜Ｎ１、Ｎ２、金メッキ膜Ｇ１、Ｇ２が無電解メッキで形成されているため、電解メッキ用配線が不要になり、製造コストを低減できるとともに、高密度の配線を実現することが可能になる。
【００３８】
（配線基板；第２実施形態）
続いて、配線基板の第２実施形態について図２乃至図４を参照して説明する。
なお、これらの図において、図１に示す第１の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３９】
本実施形態の配線基板１では、図２に示すように、絶縁層２上に形成された配線３の端部に接続パッド４が設けられており、これら絶縁層２、配線３及び接続パッド４を覆うように第２絶縁層３２が設けられている。
第２絶縁層３２は、接続パッド４に対しては、外周部を覆い、且つ当該外周部の内側に開口部３３を形成して設けられている。そして、接続パッド４上には、開口部３３を介して、図２（ｂ）に示すように、上述したニッケルメッキ膜Ｎ１、Ｎ２、金メッキ膜Ｇ１、Ｇ２が積層されたメッキ層Ｍが形成されている。
【００４０】
この配線基板１を製造する手順としては、図３に示すように、まず絶縁層２上に上述した液滴吐出装置を用いた液相法により配線３及び接続パッド４を形成する。
次に、絶縁層形成材料（例えばポリイミド樹脂）を含む液状体の液滴を絶縁層２、配線３及び接続パッド４上に塗布して、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、第２絶縁層３２を形成する。このとき、第２絶縁層３２は、接続パッド４の外周部を覆い、且つ外周部の内側に開口部３３が形成されるように、液滴を塗布する。
この後、上記第１実施形態と同様の手順により、開口部３３を介して接続パッド４上にニッケルメッキ膜Ｎ１、金メッキ膜Ｇ１、ニッケルメッキ膜Ｎ２、金メッキ膜Ｇ２が順次積層されたメッキ層Ｍを成膜する（図２参照）。
本実施形態の配線基板１では、上記第１実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、接続パッド４の外周部が第２絶縁層３２で覆われているため、絶縁層２と接続パッド４との密着性を高めることが可能になる。
【００４１】
（半導体装置）
続いて、本実施形態の半導体装置について、図５及び図６を参照して説明する。
ここでは、半導体素子が配線基板１に埋設された半導体装置を製造する手順について説明する。
図５において、符号５は樹脂シートで形成された基板、符号４０は半導体素子、符号４１、４２はチップ部品（電子部品）である。
【００４２】
樹脂基板５としては、ポリイミドやエポキシ系の樹脂が半硬化状態で用いられる。なお、本発明における半硬化状態とは、加熱やＵＶ等の光照射によるエネルギ付与で硬化する樹脂に対してエネルギを付与する前の状態を示している。
チップ部品４１、４２としては、チップインダクタ、チップ抵抗器、チップサーミスタ、ダイオード、バリスタ、ＬＳＩベアチップ、ＬＳＩパッケージ等を用いることができる。各チップ部品４１、４２は、外部接続電極である電極４１ａ、４２ａをそれぞれ有している。
【００４３】
同様に、半導体素子４０は、外部接続電極である電極４０ａを有している。
この電極４０ａは、Ａｌ電極部４０ｂに対して無電解Ｎｉ／Ａｕメッキなどで形成された金属バンプとして設けられている。
【００４４】
上記の半導体素子４０、チップ部品４１、４２を樹脂基板５に搭載する際には、まず、図５（ａ）に示すように、マウンタ等を用いて半導体素子４０、チップ部品４１、４２を樹脂基板５の上方の所定位置に配置する。このとき、半導体素子４０、チップ部品４１、４２は電極４０ａ〜４２ａが上側を向くように配置される。また、樹脂基板５は、半硬化状態のものがセットされており、半導体素子４０、チップ部品４１、４２は予め樹脂基板５の硬化温度以下に加熱される。
本実施形態では、約１６０℃で硬化が始まる樹脂基板５に対して、半導体素子４０、チップ部品４１、４２を約１００℃に加熱している。
【００４５】
次に、加熱した半導体素子４０、チップ部品４１、４２を樹脂基板５の上面に当接させる。これにより、樹脂基板５は硬化することなく軟化する。そして、半導体素子４０、チップ部品４１、４２を押し込むことにより、図５（ｂ）に示すように、樹脂基板５に埋め込む。このとき、電極４０ａ〜４２ａが樹脂基板５の上面から突出する深さで半導体素子４０、チップ部品４１、４２をそれぞれ埋め込む。
【００４６】
続いて、上述した液滴吐出装置を用いて、図５（ｃ）に示すように、導電性材料を含む液滴を電極４０ａ〜４２ａ上にそれぞれ吐出する。そして、これらの液滴を乾燥・焼成することにより、それぞれ導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐを形成する。このとき、頂部の高さが略同一となるように導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐを形成する。
本実施形態の導電性材料としては、上記配線３と同じ材料が用いられ、平均粒径が１０ｎｍ程度の銀粒子と、分散媒と、を含む。そして導電性材料において、銀粒子は分散媒中に安定して分散されている。なお、銀粒子はコーティング剤で被覆されていてもよい。ここで、コーティング剤は、銀原子に配位可能な化合物である。
【００４７】
次に、液滴吐出装置を用いて、図５（ｄ）に示すように、導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐの頂部が露出するように絶縁層形成材料を含む液滴を樹脂基板５上に吐出して、絶縁層１０を形成する。
絶縁層形成工程により絶縁層１０を形成する際には、得られる絶縁層１０の表面がほぼ平坦になるとともに、絶縁層１０が電極４０ａ〜４２ａの側面を囲むように、樹脂基板５へ吐出する液滴の総数と、液滴を着弾させる位置と、液滴を着弾させる位置の間隔とを調整する。さらに、本実施形態では、絶縁層１０の厚さが、電極４０ａ〜４２ａの厚さを超えないように、吐出する液滴の総数または液滴を着弾させる位置の間隔を調整する。
なお、本実施形態の絶縁層形成材料としては、例えば感光性の樹脂材料を含んでいる。具体的には、絶縁層形成材料は、光重合開始剤と、アクリル酸のモノマーおよび／またはオリゴマ−とを含んでいる。
【００４８】
続いて、液滴吐出装置を用いて、絶縁層１０上の所定位置に導電性材料を含む液滴を吐出して、図５（ｅ）に示すように、導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐに接続される配線パターン２３を形成する。配線パターン２３を形成するための導電性材料としては、導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐと同様のものを用いることができる。
【００４９】
この後、半硬化状態の樹脂基板５を絶縁層１０及び配線パターン２３とともに、硬化温度以上の温度に加熱することにより、樹脂基板５に半導体素子４０、チップ部品４１、４２が搭載された電子基板１１を製造することができる。
【００５０】
続いて、図５に示した工程で製造された電子基板１１に対して、絶縁層形成、導電ポスト形成及び配線パターン形成等、上記実施形態と同様の工程を繰り返すことにより図６に示す構造の多層構造基板（半導体装置）１Ａを製造する。
具体的には、図６の多層構造基板１Ａにおいて、絶縁層１０上には、絶縁層１２〜１５及び上述した最表部の絶縁層２がこの順番で積層されている。そして、半導体素子４３が絶縁層１３、１４によって多層構造基板１に埋め込まれるとともに、最表部に半導体素子４４及びチップ部品４５が配置・搭載されている。各絶縁層１２〜１５、２においては、図５に示した導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐと同様に配線パターンが形成されるとともに、各絶縁層を貫通するように導電ポストが所定位置に形成される。
そして、この半導体素子４４は、上述した最表部の配線３に設けられた接続パッド４で電気的に接続されている。
【００５１】
この多層構造基板１においては、抵抗体形成材料を含む液滴（抵抗体インク）、高誘電体形成材料を含む液滴（高誘電体インク）等を用いて、抵抗、コンデンサ（キャパシタ）、インダクタ等の電子素子を形成されている。
例えば、図６に示す絶縁層１２上に形成された配線パターンである電極２０Ａ上に液滴吐出方式により誘電体層ＤＩを形成する。そして、絶縁層１３を形成した後に、液滴吐出方式により、誘電体層ＤＩ上に配線パターンとしての電極２０Ｂを形成する。ここで、誘電体層ＤＩと、電極２０Ａ、２０Ｂとは、電子素子であるキャパシタ４２を構成することになる。
なお、液滴吐出工程で誘電体層ＤＩを形成するために吐出される液状材料は、基本的に絶縁層形成材料と同じである。
【００５２】
本実施形態の半導体装置では、上記実施形態の配線基板１を含むので、上述したものと同様の効果を奏することに加えて、半導体素子４０、チップ部品４１、４２を基板５に埋設しているので、埋め込んだ深さ分、薄い基板、すなわち薄い半導体装置を製造することが可能となり、薄型化・高密度化を実現することができる。
【００５３】
なお、上記の多層構造基板１においては、樹脂シート５に半導体素子４０、チップ部品４１、４２を押し込むことにより埋め込む手順としたが、この手順の他に、例えば図７（ａ）に示すように、基板Ｐ上にチップ部品４１（半導体素子であってもよい）を載置すべき高さとなる厚さで樹脂層５ａをポリイミドやエポキシ系の樹脂を含む液滴を吐出して成膜した後にチップ部品４１を載置し、さらに図７（ｂ）に示すように、樹脂層５ａ上に同じ樹脂を含む液滴を吐出してチップ部品４２（半導体素子であってもよい）を載置すべき高さになる厚さで樹脂層５ｂを成膜してチップ部品４２を載置し、そしてチップ部品４１、４２の上面が露出する厚さで樹脂層５ｂ上に同じ樹脂を含む液滴を吐出して樹脂層５ｃを成膜することにより、チップ部品４１、４２が埋め込まれた樹脂基板５を形成する手順としてもよい。
この手順では、樹脂基板５に埋め込むときの荷重（負荷）がチップ部品４１、４２に加わらないため、チップ部品４１、４２に不具合が生じづらくなり、高品質の多層構造基板１を製造することが可能になる。
【００５４】
（電子機器）
続いて、電子機器について説明する。
図８は、上記多層構造基板１を有する本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話（電子機器）１３００は、液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されており、筺体Ｋの内部に上述した多層構造基板１が接着して収容されている。
本実施形態の携帯電話１３００は、上記の電子機器の製造方法を用いて製造されるため、薄型で高密度化・高機能化が実現された高品質な電子機器を得ることができる。
【００５５】
上記実施の形態の電子機器としては、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等に適用することができ、いずれの電子機器に対しても薄型で高密度化・高機能化を実現することができる。
【００５６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００５７】
例えば、上記実施形態では、ニッケルメッキ膜及び金メッキ膜をそれぞれ二層ずつ交互に積層する構成としたが、これに限定されるものではなく、それぞれ三層ずつ積層する構成としてもよい。
また、上記実施形態では、第１メッキ膜としてニッケル膜を成膜し、第２メッキ膜として金膜を成膜する構成としたが、メッキ応力が異なる他の材料を用いてもよい。例えば、金膜の代わりに、金とメッキ応力の向きが同じ銅を用い、ニッケルメッキ膜と銅メッキ膜とを交互に複数層に亘って積層する構成としてもよい。
【００５８】
また、上記実施形態では、配線３を液相法である液滴吐出方式で形成する構成としたが、スパッタリングやメッキ等により成膜してもよい。本発明は、このような方法で配線が成膜された配線基板に対しても適用可能である。
さらに、上記実施形態では、ニッケルメッキ膜及び金メッキ膜をそれぞれ無電解メッキで形成する構成としたが、電解メッキにより形成する構成としてもよい。
【００５９】
また、上記実施形態で説明した半導体装置においては、必ずしも半導体素子が基板に埋設される必要はなく、基板上に載置した状態で実装される構成としてもよい。
また、上記第１実施形態では、本発明に係る接続部としての接続パッド４が配線３の端部に設けられる構成としたが、これに限定されるものではなく、第２実施形態に示したように、配線３から引き出されて配置される構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１実施形態の配線基板の部分断面図である。
【図２】第２実施形態に係る配線基板の平面図及び部分断面図である。
【図３】図２の配線基板の製造手順を示す図である。
【図４】図２の配線基板の製造手順を示す図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図６】多層構造基板の断面図である。
【図７】多層構造基板の別の製造手順を示す図である。
【図８】電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６１】
Ｇ１、Ｇ２…金メッキ膜（第２メッキ膜）、  Ｎ１、Ｎ２…ニッケルメッキ膜（第１メッキ膜）、  Ｐ、５…基板、  １…配線基板、  １Ａ…多層構造基板（半導体装置）、  ２…絶縁層、  ３…配線、  ４…接続パッド（接続部）、  １１…電子基板（半導体装置）、  ３２…第２絶縁層、  ３３…開口部、  ４０、４３…半導体素子、  １３００…携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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