(57)【要約】【課題】  記録層がＳｂとＳｂ以外の一つの元素を主成分とする記録材料で構成され、保存特性及び変調度の優れた相変化型光記録媒体の提供。【解決手段】  基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、反射層をこの順に或いは逆順に有し、電磁波の照射により記録層に結晶相と非晶相の可逆的な相変化を生じ、その光学的な変化を利用して少なくとも情報の記録、再生が行われる相変化型光記録媒体において、記録層がＳｂとＳｂ以外の一つの元素を主成分とする記録材料で構成され、次の条件を満足することを特徴とする相変化型光記録媒体。（条件）  初期化後の多結晶状態は、ＣｕＫα線をＸ線源とするＸ線回折法において、回折角２θの２７°〜３１°に回折ピークが存在し、立方晶の相を主体に構成されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、反射層をこの順に或いは逆順に有し、電磁波の照射により記録層に結晶相と非晶相の可逆的な相変化を生じ、その光学的な変化を利用して少なくとも情報の記録、再生が行われる相変化型光記録媒体において、記録層がＳｂとＳｂ以外の一つの元素を主成分とする記録材料で構成され、次の条件を満足することを特徴とする相変化型光記録媒体。
（条件）
初期化後の多結晶状態は、ＣｕＫα線をＸ線源とするＸ線回折法において、回折角２θの２７°〜３１°に回折ピークが存在し、立方晶の相を主体に構成されている。
【請求項２】
Ｓｂ以外の一つの元素は、原子の電子状態における５ｐ軌道の電子数が３以下であり、第５周期よりも小さい周期に属することを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】
Ｓｂ以外の一つの元素が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎの何れかであることを特徴とする請求項２記載の相変化型光記録媒体。
【請求項４】
Ｓｂ以外の一つの元素が、Ｉｎであり、ＩｎとＳｂの組成比が次の条件を満足することを特徴とする請求項３記載の相変化型光記録媒体。
０．１＜Ｉｎ／Ｓｂ＜０．３５
【請求項５】
Ｓｂ以外の一つの元素が水素と結合していることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項６】
記録材料が、その赤外吸収スペクトルにおいて、次の条件を満足することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
（条件）
光記録媒体の記録層の作製と同じ条件で、膜厚のみ１０００Åに変えて、Ｓｉ基板上に記録材料の非晶相を形成したとき、そのＳｉ基板上の記録材料から、赤外吸収スペクトル測定のＡＴＲ法でＧＡＴＲ（サーモエレクトロン株式会社）アクセサリを使用した測定において１５００〜１６００ｃｍ−１に吸収ピークが観測される。
【請求項７】
スパッタリングガスとしてＡｒガスと水素ガスの混合ガスを用い、そのガス圧比が次の式を満足する条件下で形成された記録層を有することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
０．０４≦水素ガス圧／Ａｒガス圧≦０．１２
【請求項８】
スパッタリングガスとしてＡｒガスと水素ガスの混合ガスを用い、そのガス圧比が次の式を満足する条件下で記録層を形成することを特徴とする請求項７記載の相変化型光記録媒体の製造方法。
０．０４≦水素ガス圧／Ａｒガス圧≦０．１２
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ビームを照射して相変化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさせることにより、少なくとも情報の記録と再生を行う書換え可能な相変化型光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の相変化型光記録媒体の各層はスパッタリングで作製されることが多く、スパッタリングガスとしては、各層での不要な反応を避ける為、Ａｒガスなどの希ガスが用いられることが多い。これにより比較的安定に、また安価に光記録媒体を作製する事ができる。しかし、この方法では、光記録媒体の感度が低かったり、保存特性が悪くて光記録媒体が著しく劣化してしまう等の問題がある。
これらの問題に対して、特許文献１には、スパッタリングガスであるＡｒに窒素を添加して光記録媒体を作製することが、特許文献２には、記録層を作製する際のスパッタリングガス（Ａｒ）に水素を添加することが、それぞれ提案されている。
【０００３】
前者の場合、スパッタリングガスに窒素を添加することにより、結晶化転移温度が高くなり熱的安定性が確保され保存特性が向上するし、記録層に使用する主成分（Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ）の膜厚を適切に設定することにより、結晶部と非結晶部の光学的な変化率を大きくして感度を向上させることが出来るとしている。但し、この方法では、ＳｂとＴｅの組成比が大きいＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅで構成される記録材料には適しているが、ＩｎとＳｂを主成分とする（ＩｎとＳｂの組成比が他の構成元素よりも大きい）記録材料には適していない。
後者の場合、スパッタリングガスに水素を添加することにより、非晶相からの結晶化が容易に行われるようになり、かつ長期保存特性の向上が可能であり、記録層の膜厚を適切に設定することにより、繰返しオーバーライトによる記録特性の劣化を抑制し、ジッタを小さくすることが可能であるとしている。但し、上記の効果が得られる最も有効な記録材料はＰｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金となっており、ＩｎとＳｂを主成分とする（ＩｎとＳｂの組成比が他の構成元素よりも大きい）記録材料を用いた場合については記載も示唆もされていない。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−９２９５３公報
【特許文献２】特開２００２−１８２２８６公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、記録層がＳｂとＳｂ以外の一つの元素を主成分とする記録材料で構成され、保存特性及び変調度の優れた相変化型光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、次の１）〜８）の発明によって解決される。
１）  基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、反射層をこの順に或いは逆順に有し、電磁波の照射により記録層に結晶相と非晶相の可逆的な相変化を生じ、その光学的な変化を利用して少なくとも情報の記録、再生が行われる相変化型光記録媒体において、記録層がＳｂとＳｂ以外の一つの元素を主成分とする記録材料で構成され、次の条件を満足することを特徴とする相変化型光記録媒体。
（条件）
初期化後の多結晶状態は、ＣｕＫα線をＸ線源とするＸ線回折法において、回折角２θの２７°〜３１°に回折ピークが存在し、立方晶の相を主体に構成されている。
２）  Ｓｂ以外の一つの元素は、原子の電子状態における５ｐ軌道の電子数が３以下であり、第５周期よりも小さい周期に属することを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体。
３）  Ｓｂ以外の一つの元素が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎの何れかであることを特徴とする２）記載の相変化型光記録媒体。
４）  Ｓｂ以外の一つの元素が、Ｉｎであり、ＩｎとＳｂの組成比が次の条件を満足することを特徴とする３）記載の相変化型光記録媒体。
０．１＜Ｉｎ／Ｓｂ＜０．３５
５）  Ｓｂ以外の一つの元素が水素と結合していることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
６）  記録材料が、その赤外吸収スペクトルにおいて、次の条件を満足することを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
（条件）
光記録媒体の記録層の作製と同じ条件で、膜厚のみ１０００Åに変えて、Ｓｉ基板上に記録材料の非晶相を形成したとき、そのＳｉ基板上の記録材料から、赤外吸収スペクトル測定のＡＴＲ法でＧＡＴＲ（サーモエレクトロン株式会社）アクセサリを使用した測定において１５００〜１６００ｃｍ−１に吸収ピークが観測される。
７）  スパッタリングガスとしてＡｒガスと水素ガスの混合ガスを用い、そのガス圧比が次の式を満足する条件下で形成された記録層を有することを特徴とする１）〜６）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
０．０４≦水素ガス圧／Ａｒガス圧≦０．１２
８）  スパッタリングガスとしてＡｒガスと水素ガスの混合ガスを用い、そのガス圧比が次の式を満足する条件下で記録層を形成することを特徴とする７）記載の相変化型光記録媒体の製造方法。
０．０４≦水素ガス圧／Ａｒガス圧≦０．１２
【０００７】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
前述したように、スパッタリングガスとして希ガスに他のガスを添加して特性を向上させることは知られているが、ＩｎとＳｂを主成分とする（ＩｎとＳｂの組成比が他の構成元素よりも大きい）記録材料に関する文献はない。そこで、本発明者等は種々検討を重ねた結果、スパッタリングガスとしてＡｒガスと水素ガスの混合ガスを用いることにより、媒体特性を向上させることに成功した。
好ましいガス圧比は次のとおりであり、水素ガスの組成比を制御することによって、最適な量のＩｎ−Ｈの結合を記録層中に形成することができる。
０．０４≦水素ガス圧／Ａｒガス圧≦０．１２
Ｉｎに水素が結合すると、次の（１）（２）のような作用が生じる。
【０００８】
（１）長期保存における十分な変調度と保存信頼性の確保。
例えばＩｎ原子とＳｂ原子では、Ｓｂ原子の方が電子数が多いため結合手が多くなっている。従って、結合手の少ないＩｎ原子と結合手の多いＳｂ原子の結合では、全体的に釣合いが取れなくなり、不安定な状態で存在することになる。この不安定な状態は、結晶相及び非晶相の電子状態にも反映し、結晶相の非晶化、非晶相の結晶化等が生じ、記録部と未記録部の反射率の差が少なくなり、これが変調度に影響する。また、不安定な状態であるため、保存試験のように熱的なエネルギーが印加されると非晶構造及び結晶構造が変化し、記録媒体の保存信頼性に影響する。
これらの問題は、電子供与性を有し還元作用のある水素原子を、Ｓｂと共に記録材料の主成分となるＩｎなどのＳｂ以外の原子と結合させて、電子数の少ないＳｂ以外の原子の電子を補い、Ｓｂ原子とＳｂ以外の原子の電子状態を近づけ、結合数の釣合いを保つことにより、電子状態を安定化させ、構造を安定化させれば解決できる。
【０００９】
また、上記の効果は初期化後の多結晶状態が立方晶を主体として構成されているときに現れる。
Ｘ線回折から、ＮａＣｌ型のような立方晶を形成している一つの原子の周りには、６つの原子が存在していることが分かる。Ｓｂ原子は、５ｐ軌道に３つの電子を有するため、ｐｘ，ｙ，ｚで結合できるが、Ｉｎ原子は５ｐ軌道に１つの電子しか有しないため、５ｐ軌道の電子を補うことによって、構造の安定性が向上する。
即ち、Ｓｂ原子とＳｂ以外の原子の電子状態を近づけ、結合数の釣合いを保つためには、Ｓｂ以外の原子の５ｐ軌道の電子数がＳｂの５ｐ軌道の電子数よりも小さい必要があり、またその５ｐ軌道のエネルギーがＳｂより低いものを選択する必要がある。従って、上記のような効果のある元素は、５ｐ軌道の電子数が３以下であり、Ｓｂより周期の小さいものに限られる。周期がＳｂ元素より大きくなると、５ｐ軌道のエネルギー準位が上がるため結合に適さない。
Ｉｎ以外で水素との結合効果がある元素としては、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎが挙げられる。
【００１０】
（２）結晶部と非結晶部の光学的な変化率を大きくすることによる感度向上。
記録層にＩｎとＳｂを主成分とする記録材料を用いた場合、ＩｎとＳｂの組成比は次の範囲とすることが好ましい。これは、水素の効果がＩｎの量にも依存する為である。
０．１＜Ｉｎ／Ｓｂ＜０．３５
０．１以下では、Ｉｎが少なくなるため、Ｉｎ−Ｈ結合の効果が少なくなり、０．３５以上では、高温保存試験において、Ｉｎ／Ｓｂ＝１：１のＺｎＳ型の結晶構造が析出してしまうため好ましくない。
これにより結晶部と非結晶部の光学的な変化率を大きくすることが可能となり、再生信号のＣＮ比をより大きくすることができる。また、ＩｎＳｂ系材料に特有な高感度記録が効果的に実現できる。
【００１１】
次に、本発明の光記録媒体の構成を図面に基づいて説明する。
図１は本発明の相変化型光記録媒体の構成例を示す図であり、基板１上に第１保護層２、記録層３、第２保護層４、第３保護層５、反射層６が設けられている。
記録層は、ＩｎとＳｂの組成比が他の構成元素よりも大きい材料が好ましいが、ＧａとＳｂ、ＧｅとＳｂ、ＳｎとＳｂの組成比が他の構成元素よりも大きい材料を用いることもできる。
記録層の膜厚は、６〜２２ｎｍ、好ましくは８〜１８ｎｍとする。この範囲を外れると記録感度の低下や繰り返し特性の低下を招くので好ましくない。
【００１２】
第１、第２保護層としては、ＳｉＯｘ，ＺｎＯ，ＳｎＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＺｒＯ２，Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物；Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮなどの窒化物；ＺｎＳ，ＴａＳ４等の硫化物；ＳｉＣ，ＴａＣ，Ｂ４Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で用いても混合物として用いてもよい。例えば、混合物の例としては、ＺｎＳとＳｉＯｘ、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯｘが挙げられる。これらの材料を第１、第２保護層として用いる際に考慮すべき材料物性としては、熱伝導率、比熱、熱膨張係数、屈折率、及び、基板材料又は記録層材料との密着性等があり、融点が高く、熱膨張係数が小さく、密着性がよいといったことが要求される。
第２保護層は、記録時にレーザー光照射による記録層に加わった熱を篭らせて蓄熱する一方で、反射層に伝熱し、熱を逃がす役割を担うものであり、繰り返しオーバーライト特性を左右する。本発明者らの知見によると、第２保護層にはＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を用いるのが好ましい。
【００１３】
第１保護層の厚さは、５０〜２５０ｎｍ、好ましくは７５〜２００ｎｍとする。５０ｎｍより薄くなると、耐環境性保護機能や耐熱性が低下するため好ましくない。２５０ｎｍより厚くなると、スパッタ法等による製膜過程において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが生じたり、記録時の感度の低下をもたらすので好ましくない。
第２保護層の厚さは、４〜１００ｎｍ、好ましくは４〜５０ｎｍ、更に好ましくは４〜３０ｎｍとする。４ｎｍより薄くなると、基本的に耐熱性が低下するため好ましくない。１００ｎｍを越えると、記録感度の低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下により繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。
【００１４】
本発明において反射層は光反射層としての役割を果たす一方で、記録時にレーザー光照射により記録層に加わった熱を逃がす放熱層としての役割も担っている。非晶質マークの形成は、放熱による冷却速度により大きく左右されるため、反射層の選択は高線速対応媒体では特に重要である。
反射層にはＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、及びこれらを主成分とする合金を用いるのが好ましいが、中でも、熱伝導率の非常に大きいＡｇ又はＡｇを主成分とする合金とすることがより好ましい。これにより、冷却速度を高め記録感度の向上を図ることができる。
反射層の膜厚は１００〜３００ｎｍが望ましい。反射層の放熱能力は基本的には層の厚さに比例するので、１００ｎｍ未満では、冷却速度が低下するため好ましくない。また、３００ｎｍを超えると、材料コストの増大を招く。
【００１５】
Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金からなる反射層を第２保護層に接して設ける場合において、第２保護層が硫黄を含む材料からなる場合には、Ａｇの硫化によるピンホール発生を避けるため、反射層と第２保護層との間に、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＧｅＮ、ＺｒＯ２など、硫黄を含まない第３保護層をバリア層として設けることが好ましい。この中でもＳｉとＳｉＣとが、硫黄をバリアする効果が高い点で特に好ましい。
第３保護層の膜厚は、２〜２０ｎｍ、好ましくは２〜１０ｎｍとする。２ｎｍ未満ではバリア層として機能しなくなり、２０ｎｍを超えると記録感度の低下を招く。
【発明の効果】
【００１６】
本発明１〜８によれば、保存特性が優れ、変調度の良好な相変化型光記録媒体とその製造方法を提供できる。
【実施例】
【００１７】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により何ら限定されるものではなく、製造条件も適宜変更可能である。
【００１８】
実施例１
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍのグルーブ付きポリカーボネートディスク基板を高温で脱水処理した後、スパッタにより第１保護層、記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順次成膜した。
第１保護層は、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚６５ｎｍとした。
記録層は、Ｉｎ２２Ｓｂ７８の組成を有する合金ターゲットを用いて、アルゴンガス圧３×１０−３Ｔｏｒｒ、水素ガス圧０．２４×１０−３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタし、膜厚１６ｎｍとした。
第２保護層は、第１保護層と同様、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚７ｎｍとした。
第３保護層は、ＳｉＣターゲットを用い、膜厚４ｎｍとした。
反射層は、純銀ターゲットを用い、膜厚１２０ｎｍとした。
次いで、反射層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなる有機保護膜をスピナーによって厚さ５〜１０μｍ塗布したのち紫外線硬化させ、その上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを接着シートにより貼り合わせ、大口径ＬＤビーム照射により記録層を初期結晶化して相変化光記録媒体とした。
【００１９】
実施例２
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍのグルーブ付きポリカーボネートディスク基板を高温で脱水処理した後、スパッタにより第１保護層、記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順次成膜した。
第１保護層は、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚６５ｎｍとした。
記録層は、Ｉｎ１０Ｓｂ９０の組成を有する合金ターゲットを用いて、アルゴンガス圧３×１０−３Ｔｏｒｒ、水素ガス圧０．２４×１０−３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタし、膜厚１６ｎｍとした。
第２保護層は、第１保護層と同様、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚７ｎｍとした。
第３保護層は、ＳｉＣターゲットを用い、膜厚４ｎｍとした。
反射層は、純銀ターゲットを用い、膜厚１２０ｎｍとした。
次いで、反射層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなる有機保護膜をスピナーによって厚さ５〜１０μｍ塗布したのち紫外線硬化させ、その上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを接着シートにより貼り合わせ、大口径ＬＤビーム照射により記録層を初期結晶化して相変化光記録媒体とした。
【００２０】
実施例３
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍのグルーブ付きポリカーボネートディスク基板を高温で脱水処理した後、スパッタにより第１保護層、記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順次成膜した。
第１保護層は、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚６５ｎｍとした。
記録層は、Ｉｎ２２Ｓｂ７８の組成を有する合金ターゲットを用いて、アルゴンガス圧３×１０−３Ｔｏｒｒ、水素ガス圧０．０９×１０−３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタし、膜厚１６ｎｍとした。
第２保護層は、第１保護層と同様、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚７ｎｍとした。
第３保護層は、ＳｉＣターゲットを用い、膜厚４ｎｍとした。
反射層は、純銀ターゲットを用い、膜厚１２０ｎｍとした。
次いで、反射層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなる有機保護膜をスピナーによって厚さ５〜１０μｍ塗布したのち紫外線硬化させ、その上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを接着シートにより貼り合わせ、大口径ＬＤビーム照射により記録層を初期結晶化して相変化光記録媒体とした。
【００２１】
実施例４
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍのグルーブ付きポリカーボネートディスク基板を高温で脱水処理した後、スパッタにより第１保護層、記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順次成膜した。
第１保護層は、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚６５ｎｍとした。
記録層は、Ｉｎ４０Ｓｂ６０の組成を有する合金ターゲットを用いて、アルゴンガス圧３×１０−３Ｔｏｒｒ、水素ガス圧０．４５×１０−３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタし、膜厚１６ｎｍとした。
第２保護層は、第１保護層と同様、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚７ｎｍとした。
第３保護層は、ＳｉＣターゲットを用い、膜厚４ｎｍとした。
反射層は、純銀ターゲットを用い、膜厚１２０ｎｍとした。
次いで、反射層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなる有機保護膜をスピナーによって厚さ５〜１０μｍ塗布したのち紫外線硬化させ、その上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを接着シートにより貼り合わせ、大口径ＬＤビーム照射により記録層を初期結晶化して相変化光記録媒体とした。
【００２２】
比較例１
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍのグルーブ付きポリカーボネートディスク基板を高温で脱水処理した後、スパッタにより第１保護層、記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順次成膜した。
第１保護層は、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚６５ｎｍとした。
記録層は、Ｉｎ２２Ｓｂ７８の組成を有する合金ターゲットを用いて、アルゴンガス圧３×１０−３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタし、膜厚１６ｎｍとした。
第２保護層は、第１保護層と同様、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚７ｎｍとした。
第３保護層は、ＳｉＣターゲットを用い、膜厚４ｎｍとした。
反射層は、純銀ターゲットを用い、膜厚１２０ｎｍとした。
次いで、反射層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなる有機保護膜をスピナーによって厚さ５〜１０μｍ塗布したのち紫外線硬化させ、その上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを接着シートにより貼り合わせ、大口径ＬＤビーム照射により記録層を初期結晶化して相変化光記録媒体とした。
【００２３】
上記実施例及び比較例の光記録媒体について赤外吸収スペクトルとＸ線回折スペクトルを測定すると共に、変調度と保存特性の評価を行った。結果を表１に示す。
【００２４】
＜赤外吸収スペクトルの測定方法＞
記録層を作成するのと同じ条件で、膜厚だけを１０００Åに変更し、Ｓｉ基板上に非晶質の記録材料層を形成した試料を用いた。なお、装置の試料室は、水蒸気や二酸化炭素の影響を極力なくす為に乾燥窒素によるパージを行った。
装置はＦＴ−ＩＲ  Ａｖａｔａｒ３７０（サーモエレクトロン株式会社）を用いた。
―測定条件―
・測定方法  ：ＡＴＲ法
・アクセサリ：ＧＡＴＲ（１回反射ＡＴＲ，Ｇｅ，超薄膜用）
・検出器    ：ＭＣＴ−Ａ
・分解能    ：４ｃｍ−１
・雰囲気    ：Ｎ２
・波数範囲  ：５０００〜８００ｃｍ−１
・積算回数  ：２５６回
・試料膜厚  ：１０００Å
＜Ｉｎ−Ｈの赤外吸収ピークの有無＞
赤外吸収スペクトルの測定結果の一例として図２に実施例１と比較例１の場合を示す。図２から実施例１には非常に幅広く弱いが１５００〜１６００ｃｍ−１に吸収ピークが在ることが判る。ピークの幅が広く弱いのは、非晶質中なので様々なＩｎ−Ｈ結合が存在しているためと考えられる。比較例１にはこのようなピークはない。なお１３００ｃｍ−１より低波数側のピークはＳｉ基板による吸収である。
Ｉｎ−Ｈの結合による赤外吸収の位置は、文献Ｈ．Ｈｉｍｍｅｌ  ｅｔ  ａｌ；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（２００２），１２４，４４４８−４４５７を参照した。
【００２５】
＜Ｘ線回折スペクトルの測定方法＞
実施例に記載した膜厚で各層を作成し初期化した相変化光記録媒体から、第２、第３保護層付近を境に剥がし、ポリカーボネート基板に残った記録層を測定試料として用いた。Ｘ線回折計はＰｈｉｌｉｐｓ製のＸ’ｐｅｒｔ  ＭＲＤを用いた。管電圧４５ｋＶ、管電流４０ｍＡを印加し、Ｃｕのターゲットを有する管球からＣｕのＫα線を発生させ、入射光学系に反射ミラーを用いて、平行Ｘ線を試料面に対し０．５°の角度で入射した。試料から回折されたＸ線は、０．２７°コリメーターを通り、検出器に入射される。検出器側を２θで走査し、平行ビームを用いた非対称反射法（薄膜Ｘ線回折法）で測定を行った。
＜初期化状態の結晶＞
実施例１と実施例２のＸ線回折スペクトルの測定結果を図３に示す。
実施例１は、ＮａＣｌ型の立方晶であるが、実施例２は、実施例１と回折パターンが全く異なっており、六方晶となっている。
【００２６】
＜変調度の評価＞
高密度、高線速記録への対応を見るために、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで、記録線速及び記録パワーをそれぞれ３．５ｍ／ｓ（１５ｍＷ）、１７ｍ／ｓ（２０ｍＷ）、３５ｍ／ｓ（２８ｍＷ）、５６ｍ／ｓ（３８ｍＷ）とし、記録用レーザー波長を６５０ｎｍとして、ＥＦＭランダムパターンでオーバーライトの繰り返しを行い、再生信号特性の評価として１４Ｔ信号の変調度を調べた。
変調度が６０％以上のものを◎、５０〜６０％のものを○、５０％以下のものを△とした。
＜保存試験の評価＞
保存信頼性について、各光記録媒体を８０℃、８５ＲＨ％の温湿度下で１００時間保持した後の、オーバーライト１回目の３Ｔ信号のジッタ値で評価した。
ジッタ値の低下が、０〜３％のものを◎、３〜８％のものを○、８％以上のものを×とした。
【００２７】
その結果、赤外吸収にＩｎと水素の伸縮振動の吸収ピークが見られる実施例１、３、４の保存特性は良好であり、中でも実施例１は特に良好であった。実施例２は、結晶構造が六方晶であるために、水素がＩｎに結合することによって生じる効果が薄れてしまい、変調度に関して実施例１、３、４よりも悪かった。
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の相変化型光記録媒体の構成例を示す図。
【図２】実施例１と比較例１の赤外吸収スペクトルを示す図。
【図３】実施例１と実施例２のＸ線回折スペクトルを示す図。
【符号の説明】
【００２９】
１  基板
２  第１保護層
３  記録層
４  第２保護層
５  第３保護層
６  反射層
【図１】
2007076309.tif 000004
【図２】
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【図３】
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