(57)【要約】【課題】  低コストでありながら、オフセット電圧の経時変化を抑制することが可能なセンサ装置を提供すること。【解決手段】  磁気センサ１は、磁気の変化に応じて磁気抵抗素子３１〜３４の各々の電気抵抗値が変化することに基づいて磁気の変化を検出する。磁気センサ１は、外部から付与される熱を磁気抵抗素子３１〜３４の各々に伝導する金属膜１５を備えている。金属膜１５は、磁気抵抗素子３１〜３４の全てに対して重なり合うように設けられている。そして、金属膜１５に対応して、保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）には、外部から熱が付与されて溶融される被熱処理部７０が設けられている。そして、被熱処理部７０に対してレーザが照射されると、被熱処理部７０に熱が付与されて同被熱処理部７０が溶融される。その結果、被熱処理部７０に溶融部８０が形成される。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理変化に応じて複数のセンサエレメントの各々の電気信号が変化することに基づいて物理変化を検出するセンサ装置において、
外部から付与される熱を複数のセンサエレメントの各々に伝導する熱伝導部材を備えていることを特徴とするセンサ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサ装置において、
複数のセンサエレメントの全てに対して重なり合うように熱伝導部材が設けられていることを特徴とするセンサ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のセンサ装置において、
センサエレメントと熱伝導部材との間には、センサエレメントと熱伝導部材との間に必要な絶縁レベルを確保するための絶縁層が介在されていることを特徴とするセンサ装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のセンサ装置において、
熱伝導部材に対応して、外部から熱が付与される被熱処理部が設けられていることを特徴とするセンサ装置。
【請求項５】
請求項４に記載のセンサ装置において、
センサエレメントに対して重なり合わない位置に被熱処理部が設けられていることを特徴とするセンサ装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載のセンサ装置において、
複数のセンサエレメントの各々からの距離が互いに等しい位置に被熱処理部が設けられていることを特徴とするセンサ装置。
【請求項７】
請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載のセンサ装置において、
被熱処理部に対して外部から熱が付与されて同被熱処理部が溶融されることで被熱処理部に溶融部が形成されていることを特徴とするセンサ装置。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のセンサ装置において、
センサエレメントは、物理変化に応じて電気抵抗値が変化するものであることを特徴とするセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理変化を検出するセンサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、自動車においては、ステアリングホイールの回転角度を検出するステアリングアングルセンサとして磁気センサが用いられている。
図３に示すように、磁気センサ１は、４つの磁気抵抗素子３１〜３４によりホイートストーンブリッジが構成されたものである。そして、磁気センサ１に対して磁界の方向が所定方向の時、磁気抵抗素子３１，３２間のノードＮ１と、磁気抵抗素子３３，３４間のノードＮ２との間の電圧（ブリッジの各中点電位Ｅ１，Ｅ２の差であるオフセット電圧Ｅ１２）が０Ｖに近いもの程、磁気センサ１として高性能であることが知られている。即ち、磁気抵抗素子３１の電気抵抗値をＲ１、磁気抵抗素子３２の電気抵抗値をＲ２、磁気抵抗素子３３の電気抵抗値をＲ３、磁気抵抗素子３４の電気抵抗値をＲ４としたとき、「Ｒ１×Ｒ４＝Ｒ２×Ｒ３」の関係式が成り立つことが最も好ましい。
【０００３】
ここで、磁気センサ１は、オフセット電圧Ｅ１２を０Ｖに近づけるために、つまり前記関係式を成り立たせるために、磁気抵抗素子３１〜３４の各々において、電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の各々が互いに等しくなるような所要のパターンが予め設定されている。しかしながら、磁気抵抗素子３１〜３４の個々が有する電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４のバラツキは、成膜精度やパターンのエッチング精度に起因しているが、それらの精度の向上だけでは前記関係式を成り立たせることは困難である。
【０００４】
そこで、磁気センサ１を製造するのに際して、磁気抵抗素子３１〜３４の一部を切断することで電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４を微調整するトリミングの手法が提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開平０５−０３４２２４号公報（段落番号００１９〜００２３、図４、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、前記関係式を成り立たせる目的でトリミングを施しても、磁気抵抗素子３１〜３４の各々において、電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の各々が、トリミング直後のものから互いに異なる度合で経時変化する。このため、ホイートストーンブリッジの平衡が時間の経過に伴って維持されなくなって、オフセット電圧Ｅ１２がレーザトリミング直後の０Ｖから、やがて磁気センサ１の性能を決定する上で無視できない程のレベルにまで達する。
【０００６】
そこで、トリミングに先立って、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対してレーザを照射して熱を付与することで同磁気抵抗素子３１〜３４の各々を物理的に安定化させることが考えられる。しかしながら、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対して別々に熱を付与するのでは所要時間が長くなって製造コストが高騰する。また、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対して別々に、しかも均一に熱を付与しようとしたとき、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対するレーザの照射量が互いに同等となるようにレーザの照射量を厳密に管理する必要が生じて製造コストが高騰する。
【０００７】
本発明は、このような問題点に着目してなされたものであって、その目的は、低コストでありながら、オフセット電圧の経時変化を抑制することが可能なセンサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明では、物理変化に応じて複数のセンサエレメントの各々の電気信号が変化することに基づいて物理変化を検出するセンサ装置において、外部から付与される熱を複数のセンサエレメントの各々に伝導する熱伝導部材を備えていることを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のセンサ装置において、複数のセンサエレメントの全てに対して重なり合うように熱伝導部材が設けられていることを特徴とする。
請求項３に記載の発明では、請求項１又は請求項２に記載のセンサ装置において、センサエレメントと熱伝導部材との間には、センサエレメントと熱伝導部材との間に必要な絶縁レベルを確保するための絶縁層が介在されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のセンサ装置において、熱伝導部材に対応して、外部から熱が付与される被熱処理部が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に記載の発明では、請求項４に記載のセンサ装置において、センサエレメントに対して重なり合わない位置に被熱処理部が設けられていることを特徴とする。
請求項６に記載の発明では、請求項４又は請求項５に記載のセンサ装置において、複数のセンサエレメントの各々からの距離が互いに等しい位置に被熱処理部が設けられていることを特徴とする。
【００１２】
請求項７に記載の発明では、請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載のセンサ装置において、被熱処理部に対して外部から熱が付与されて同被熱処理部が溶融されることで被熱処理部に溶融部が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項８に記載の発明では、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のセンサ装置において、センサエレメントは、物理変化に応じて電気抵抗値が変化するものであることを特徴とする。
【００１４】
以下、本発明の「作用」について説明する。
請求項１に記載の発明によると、外部から付与される熱は、熱伝導部材から複数のセンサエレメントの各々に伝導される。そして、熱エネルギーによりセンサエレメントが物理的に安定化される。このため、センサエレメントの電気信号の経時変化が抑制される。言い換えると、オフセット電圧の経時変化が抑制される。ここに、熱伝導部材を介して複数のセンサエレメントの各々に対して一斉に熱が付与される。つまり、複数のセンサエレメントの各々に対して別々に熱を付与する必要がない。このため、短時間のうちに工程が完了することから、製造コストが低廉なものとなる。従って、低コストでありながら、オフセット電圧の経時変化を抑制することができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明によると、複数のセンサエレメントの全てに対して重なり合うように熱伝導部材が設けられている。このため、外部から付与される熱は、熱伝導部材から複数のセンサエレメントの各々に確実に伝導される。従って、熱エネルギーによりセンサエレメントを確実に安定化させることができる。
【００１６】
請求項３に記載の発明によると、絶縁層の存在によりセンサエレメントと熱伝導部材との間に必要な絶縁レベルが確保される。従って、センサ装置としての機能を大いに発揮させることができる。
【００１７】
請求項４に記載の発明によると、被熱処理部に対して外部から熱が付与されると、その熱の少なくとも一部が熱伝導部材からセンサエレメントに伝導される。従って、熱エネルギーによりセンサエレメントを安定化させることができる。
【００１８】
請求項５に記載の発明によると、センサエレメントに対して重なり合わない位置に被熱処理部が設けられている。このため、過大な熱エネルギーがセンサエレメントに作用することが回避される。従って、センサエレメントを好適に安定化させることができる。
【００１９】
請求項６に記載の発明によると、複数のセンサエレメントの各々からの距離が互いに等しい位置に被熱処理部が設けられている。このため、被熱処理部に対して外部から付与された熱の少なくとも一部が熱伝導部材からセンサエレメントに伝導されるのに際して、複数のセンサエレメントの各々に対して均一に熱が伝導される。従って、複数のセンサエレメントの各々を同じレベルで安定化させることができる。
【００２０】
請求項７に記載の発明によると、被熱処理部に対して外部から所要の熱が付与されると、被熱処理部が溶融される。その結果、被熱処理部に溶融部が形成される。ここで、溶融に供された熱が熱伝導部材からセンサエレメントに伝導される。従って、熱エネルギーによりセンサエレメントを安定化させることができる。
【００２１】
請求項８に記載の発明によると、熱エネルギーによりセンサエレメントが物理的に安定化されることで、センサエレメントの電気抵抗値の経時変化を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、以上のように構成されているため、次のような効果を奏する。
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の発明によれば、低コストでありながら、オフセット電圧の経時変化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を自動車のステアリングアングルセンサとして用いられる磁気センサに具体化した一実施形態を説明する。
図１及び図２に示すように、磁気センサ１は、基板１０を備えている。基板１０は、半導体（本実施形態ではシリコン）により構成されている。基板１０の上面には、金属膜１５を介して絶縁膜２０が設けられている。絶縁膜２０は、金属膜１５とともに基板１０の上面の略全体を覆うように設けられている。絶縁膜２０は、酸化膜（本実施形態では二酸化珪素）により構成されている。絶縁膜２０の上面には、磁気抵抗素子３１〜３４が設けられている。磁気抵抗素子３１〜３４の各々は、薄膜により所要のパターンに形成されている。磁気抵抗素子３１〜３４の各々は、ニッケルコバルトにより構成されている。ニッケルコバルトは、負の磁気特性を有する強磁性体である。
【００２４】
絶縁膜２０の上面には、層間絶縁膜４０が設けられている。層間絶縁膜４０は、絶縁膜２０の上面の略全体を覆うように設けられている。層間絶縁膜４０は、磁気抵抗素子３１〜３４の全体を覆うように設けられている。層間絶縁膜４０は、窒化膜（本実施形態では窒化珪素）により構成されている。層間絶縁膜４０の上面には、金属パッド５０が設けられている。金属パッド５０の下面は、磁気抵抗素子３１〜３４の各々の始端及び終端に対して電気的に接続されている。金属パッド５０の上面の一部は、露出されている。金属パッド５０は、アルミニウムにより構成されている。
【００２５】
層間絶縁膜４０の上面には、パッシベーション膜６０が設けられている。パッシベーション膜６０は、層間絶縁膜４０の上面の略全体を覆うように設けられている。パッシベーション膜６０は、金属パッド５０の略全体を覆うように設けられている。パッシベーション膜６０は、窒化膜（本実施形態では窒化珪素）により構成されている。
【００２６】
次に、磁気センサ１を構成する基板１０、金属膜１５、絶縁膜２０、磁気抵抗素子３１〜３４、層間絶縁膜４０、金属パッド５０、パッシベーション膜６０が果たす役目について説明する。
【００２７】
基板１０は、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を設けるための土台としての役目を果たす。金属膜１５は、絶縁膜２０とともに、基板１０上に磁気抵抗素子３１〜３４の各々を設ける際の下地としての役目を果たす。絶縁膜２０は、金属膜１５と磁気抵抗素子３１〜３４の各々との間に必要な絶縁レベルを確保するための絶縁層としての役目を果たす。
【００２８】
磁気抵抗素子３１〜３４は、磁気センサ１により磁気の変化を検出するべく、磁気の変化に応じて電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が変化するセンサエレメントとしての役目を果たす。層間絶縁膜４０は、パッシベーション膜６０とともに、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を外乱から保護するための保護膜としての役目を果たす。金属パッド５０は、図３に示す態様で磁気抵抗素子３１〜３４間をワイヤーボンディングにより電気的に接続するための媒体としての役目を果たす。
【００２９】
次に、磁気センサ１の特徴的な構成について説明する。
さて、金属膜１５は、磁気抵抗素子３１〜３４の全てを含む領域に亘って設けられている。つまり、金属膜１５は、磁気抵抗素子３１〜３４の全てに対して重なり合うように設けられている。そして、金属膜１５に対応して、保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）には、外部から熱が付与されて溶融される被熱処理部７０が設けられている。被熱処理部７０は、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対して孤立するように設けられている。つまり、被熱処理部７０は、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対して重なり合わない位置に設けられている。詳述すると、被熱処理部７０は、磁気抵抗素子３１〜３４の各々からの距離が互いに等しい位置に設けられている。言い換えると、被熱処理部７０は、磁気抵抗素子３１〜３４の各々をまとめて１つのグループとして扱ったとき、そのグループの中心に位置するように設けられている。
【００３０】
次に、磁気センサ１の製造方法について説明する。
磁気センサ１は、可能な限りトリミングを施すことなくオフセット電圧Ｅ１２を０Ｖに近づけるために（「Ｒ１×Ｒ４＝Ｒ２×Ｒ３」の関係式を成り立たせるために）、磁気抵抗素子３１〜３４の各々において、電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の各々が互いに等しくなるような所要のパターンが予め設定されている。そして、基板１０の上面に金属膜１５及び絶縁膜２０が設けられた後、絶縁膜２０の上面に磁気抵抗素子３１〜３４が該パターンに対応してスパッタ成膜される（成膜工程）。
【００３１】
そして、成膜工程とフォトリソグラフィー工程とが繰り返されて層間絶縁膜４０、金属パッド５０、パッシベーション膜６０が設けられた後、熱処理工程に入る。熱処理工程は、トリミング工程に先立って行われる。熱処理工程では、被熱処理部７０に対してレーザが照射される。そして、これにより、被熱処理部７０に熱が付与されて同被熱処理部７０が溶融される。そして、保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）において、レーザによる熱が付与されて溶融された部分が、結果として切断される。その結果、被熱処理部７０に溶融部８０が形成される。
【００３２】
ここで、溶融に供された熱が金属膜１５から磁気抵抗素子３１〜３４の各々に伝導される。つまり、金属膜１５は、上記したように下地としての役目を果たすが、それに加えて、外部から付与される熱を磁気抵抗素子３１〜３４の各々に伝導する熱伝導層としての役目を果たす。
【００３３】
そして、熱処理工程が完了すると、必要に応じてトリミング工程に入る。トリミング工程は、磁気抵抗素子３１〜３４の一部をレーザで切断することで電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４を微調整するために行われる。トリミング工程では、４つの磁気抵抗素子３１〜３４のうち、いずれか１つの磁気抵抗素子の一部がレーザで切断される。この理由は、該切断により１つの磁気抵抗素子の電気抵抗値さえ増大させれば、上記した「Ｒ１×Ｒ４＝Ｒ２×Ｒ３」の関係式が成り立つことになるからである。そして、トリミング工程が完了すると、オフセット電圧Ｅ１２が略０Ｖに設定された好適な磁気センサ１が得られる。
【００３４】
以上、詳述したように本実施形態によれば、次のような作用、効果を得ることができる。
（１）外部から付与される熱は、金属膜１５から磁気抵抗素子３１〜３４の各々に伝導される。そして、熱エネルギーにより磁気抵抗素子３１〜３４の各々が物理的に安定化される。このため、磁気抵抗素子３１〜３４の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の経時変化が抑制される。言い換えると、オフセット電圧Ｅ１２の経時変化が抑制される。ここに、金属膜１５を介して磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対して一斉に熱が付与される。つまり、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対して別々に熱を付与する必要がない。このため、短時間のうちに熱処理工程が完了することから、製造コストが低廉なものとなる。従って、低コストでありながら、オフセット電圧Ｅ１２の経時変化を抑制することができる。
【００３５】
（２）磁気抵抗素子３１〜３４の全てに対して重なり合うように金属膜１５が設けられている。このため、外部から付与される熱は、金属膜１５から磁気抵抗素子３１〜３４の各々に確実に伝導される。従って、熱エネルギーにより磁気抵抗素子３１〜３４の各々を確実に安定化させることができる。
【００３６】
（３）絶縁膜２０の存在により磁気抵抗素子３１〜３４の各々と金属膜１５との間に必要な絶縁レベルが確保される。従って、磁気センサ１としての機能を大いに発揮させることができる。
【００３７】
（４）被熱処理部７０に対して外部から熱が付与されると、その熱の少なくとも一部が金属膜１５から磁気抵抗素子３１〜３４の各々に伝導される。従って、熱エネルギーにより磁気抵抗素子３１〜３４の各々を安定化させることができる。
【００３８】
（５）磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対して重なり合わない位置に被熱処理部７０が設けられている。このため、過大な熱エネルギーが磁気抵抗素子３１〜３４の各々に作用することが回避される。従って、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を好適に安定化させることができる。
【００３９】
（６）磁気抵抗素子３１〜３４の各々からの距離が互いに等しい位置に被熱処理部７０が設けられている。このため、被熱処理部７０に対して外部から付与された熱の少なくとも一部が金属膜１５から磁気抵抗素子３１〜３４の各々に伝導されるのに際して、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対して均一に熱が伝導される。従って、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を同じレベルで安定化させることができる。
【００４０】
（７）被熱処理部７０に対して外部から所要の熱が付与されると、被熱処理部７０が溶融される。その結果、被熱処理部７０に溶融部８０が形成される。ここで、溶融に供された熱が金属膜１５から磁気抵抗素子３１〜３４の各々に伝導される。従って、熱エネルギーにより磁気抵抗素子３１〜３４の各々を安定化させることができる。
【００４１】
（８）熱エネルギーにより磁気抵抗素子３１〜３４の各々が物理的に安定化されることで、磁気抵抗素子３１〜３４の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の経時変化を抑制することができる。
【００４２】
（９）磁気抵抗素子３１〜３４の各々をまとめて１つのグループとして扱ったとき、そのグループの中心に位置する被熱処理部７０に対して１箇所だけ熱を付与することで熱エネルギーにより磁気抵抗素子３１〜３４の各々を同じレベルで安定化させることができる。このため、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対して均一に熱を付与するのに際して、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対するレーザの照射量が互いに同等となるようにレーザの照射量を厳密に管理する必要がない。従って、製造コストを低廉なものにできる。
【００４３】
尚、前記実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・磁気抵抗素子３１〜３４の各々をまとめて１つのグループとして扱ったとき、被熱処理部７０は、必ずしもグループの中心に位置していなくてもよい。つまり、被熱処理部７０は、グループの中心から磁気抵抗素子３１〜３４のいずれかに向かって偏倚された位置に設けられていてもよい。
【００４４】
・被熱処理部７０は、磁気抵抗素子３１〜３４のいずれかに対して重なり合う位置に設けられていてもよい。
・被熱処理部７０の数は１つに限定されない。つまり、複数の被熱処理部７０が設けられていてもよい。
【００４５】
・被熱処理部７０に対してレーザが照射されることでパッシベーション膜６０のみが溶融される構成を採用してもよい。この場合、パッシベーション膜６０の上面から層間絶縁膜４０の上面に達する深さで溶融部８０が形成される構成を採用してもよい。或いは、パッシベーション膜６０の上面から層間絶縁膜４０の上面に達しない深さで溶融部８０が形成される構成（パッシベーション膜６０が途中まで溶融される構成）を採用してもよい。
【００４６】
・被熱処理部７０に対してレーザが照射されることでパッシベーション膜６０及び層間絶縁膜４０が溶融される構成を採用してもよい。この場合、パッシベーション膜６０の上面から絶縁膜２０の上面に達する深さで溶融部８０が形成される構成を採用してもよい。或いは、パッシベーション膜６０の上面から絶縁膜２０の上面に達しない深さで溶融部８０が形成される構成（層間絶縁膜４０が途中まで溶融される構成）を採用してもよい。
【００４７】
・被熱処理部７０に対してレーザが照射されることでパッシベーション膜６０及び層間絶縁膜４０に加えて絶縁膜２０が溶融される構成を採用してもよい。この場合、パッシベーション膜６０の上面から金属膜１５の上面に達する深さで溶融部８０が形成される構成を採用してもよい。或いは、パッシベーション膜６０の上面から金属膜１５の上面に達しない深さで溶融部８０が形成される構成（絶縁膜２０が途中まで溶融される構成）を採用してもよい。
【００４８】
・被熱処理部７０に対してレーザが照射されることでパッシベーション膜６０、層間絶縁膜４０及び絶縁膜２０に加えて金属膜１５が溶融される構成を採用してもよい。この場合、パッシベーション膜６０の上面から基板１０の上面に達する深さで溶融部８０が形成される構成を採用してもよい。或いは、パッシベーション膜６０の上面から基板１０の上面に達しない深さで溶融部８０が形成される構成（金属膜１５が途中まで溶融される構成）を採用してもよい。
【００４９】
・被熱処理部７０に対して熱が付与されて、その熱の少なくとも一部が金属膜１５から磁気抵抗素子３１〜３４の各々に伝導され、その結果、熱エネルギーにより磁気抵抗素子３１〜３４の各々が物理的に安定化されるのであれば、溶融部８０は必ずしも形成されなくてもよい。つまり、被熱処理部７０が溶融されない態様で同被熱処理部７０に熱が付与されることに基づいて金属膜１５から磁気抵抗素子３１〜３４の各々に熱が伝導される構成も本発明の範囲に含まれる。
【００５０】
・磁気抵抗素子３１〜３４の各々を構成する材料は、ニッケルコバルトに限定されない。即ち、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を構成する材料として、パーマロイ等の負の磁気特性を有する強磁性体を採用してもよい。
【００５１】
・磁気抵抗素子３１〜３４の各々を構成する材料は、負の磁気特性を有する強磁性体に限定されない。即ち、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を構成する材料として、正の磁気特性を有する半導体を採用してもよい。このように正の磁気特性を有する半導体としては、インジウムアンチモン、ガリウムヒ素等が挙げられる。
【００５２】
・絶縁膜２０を窒化膜（例えば、窒化珪素）により構成してもよい。
・層間絶縁膜４０を酸化膜（例えば、二酸化珪素）により構成してもよい。
・パッシベーション膜６０を酸化膜（例えば、二酸化珪素）により構成してもよい。
【００５３】
・層間絶縁膜４０とパッシベーション膜６０とを互いに異なる材料により構成してもよい。例えば、層間絶縁膜４０を窒化膜により構成する一方でパッシベーション膜６０を酸化膜により構成してもよい。
【００５４】
・外部から付与される熱を磁気抵抗素子３１〜３４の各々に伝導できるのであれば、金属以外の材料からなる熱伝導部材を用いてもよい。そして、絶縁性の材料よりなる熱伝導部材を用いるのであれば、絶縁膜２０を割愛しても差し支えない。
【００５５】
・磁気センサ以外のセンサ装置に具体化してもよい。例えば、磁気以外に、光、熱、圧力、静電容量、電圧等の変化（物理変化）に応じて電気信号が変化するセンサエレメントを有するセンサ装置に具体化してもよい。
【００５６】
・センサエレメントは、物理変化に応じて電気抵抗値が変化するものに限定されない。つまり、センサエレメントは、物理変化に応じて電流や電圧等の電気信号が変化するものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本実施形態の磁気センサの平面図。
【図２】本実施形態の磁気センサの要部断面図。
【図３】磁気センサの電気回路図。
【符号の説明】
【００５８】
１…磁気センサ（センサ装置）、１５…金属膜（熱伝導部材）、２０…絶縁膜（絶縁層）、３１〜３４…磁気抵抗素子（センサエレメント）、７０…被熱処理部、８０…溶融部、Ｒ１〜Ｒ４…電気抵抗値（電気信号）。
【図１】
2007078480.tif 000003
【図２】
2007078480.tif 000004
【図３】
2007078480.tif 000005