(57)【要約】【課題】鉛を含有しない封止材を用いて電子装置の基体と蓋体を接合する際に、反りの発生しやすい大型のパッケージにおいても、安定して高い耐熱性の電子装置となし、電子装置を外部電気回路基板に実装する際に250〜260℃の熱履歴が加わっても電子装置の気密性を保持できる電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供すること。【解決手段】上面に電子部品８の搭載部５を取り囲む枠状の金属層７が形成された絶縁基体６と、搭載部５を覆うように金属層７の上面に錫を含む封止材３を介して接合される蓋体１とを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、封止材３にニッケル−コバルト合金粒子４を分散させた。【選択図】図１
2007123465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に電子部品の搭載部を取り囲む枠状の金属層が形成された絶縁基体と、前記搭載部を覆うように前記金属層の上面に錫を含む封止材を介して接合される蓋体とを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、前記封止材にニッケル−コバルト合金粒子を分散させたことを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項２】
前記ニッケル−コバルト合金粒子の表面にニッケル層を被着させたことを特徴とする請求項１記載の電子部品収納用パッケージ。
【請求項３】
上面に電子部品の搭載部を取り囲む枠状の金属層が形成された絶縁基体と、前記搭載部に搭載された電子部品と、前記電子部品を覆うように前記金属層の上面に封止材を介して接合された蓋体とを具備した電子装置において、前記封止材は、錫、錫−ニッケル合金および錫−コバルト合金を含むとともに、ニッケル−コバルト合金粒子が分散されていることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項３記載の電子装置の製造方法であって、前記絶縁基体に電子部品を搭載する工程と、前記金属層の上面に、ニッケル−コバルト合金粒子が分散された錫を含む封止材を介して前記蓋体を載置する工程と、前記封止材を加熱して該封止材中に錫−ニッケル合金および錫−コバルト合金を生成させるとともに前記蓋体と前記金属層とを接合する工程とを具備していることを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子や圧電振動子等の電子部品を気密に収納するための、封止材を介して蓋体と基体を接合する電子部品収納用パッケージ、およびこれを用いた電子装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を収容するための電子部品収納用パッケージ（以下、パッケージとも言う）は、例えば酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面の中央付近に電子部品を収容するための凹部および凹部の内側から下面にかけて導出されたタングステンやモリブデン等の高融点金属から成る複数個のメタライズ配線層を有し、上面の外周部に蓋体との接合用のメタライズ金属層が被着された基体を具備している。そして、基体の凹部底面に半導体素子等の電子部品を接着剤等を介して接着するとともに、電子部品の各電極をボンディングワイヤ等を介してメタライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、基体のメタライズ金属層に、蓋体を半田などの封止材で接合させ、基体と蓋体とから成る気密な容器を構成することによって最終製品としての電子装置としていた。
【０００３】
なお、このような従来の電子装置においては、基体と蓋体とを接合する接合材として、金を80質量％含む金−錫合金からなる封止材もしくは鉛を主成分とする合金からなる封止材が使用されていた。
【０００４】
しかしながら、金を80質量％含む金−錫合金からなる封止材を使った場合は、製品の価格が高くなるため、使用される製品が限られるという問題点がある。
【０００５】
また、鉛を主成分とする合金からなる封止材は、封止材に含有される鉛が環境汚染物質に指定されており、鉛を含有する封止材を使用した電子装置が屋外に廃棄もしくは放置され風雨に曝された場合、環境中に鉛が溶け出し環境を汚染するという問題点がある。
【０００６】
このため、近年、地球環境保護運動の高まりの中で鉛を含有しない接合材が要求されるようになってきた。
【０００７】
そこで、人体に対して有害である鉛を用いない接合方法が開発され提案されており、例えば錫−銀または錫−銀−銅合金を主成分とする各種封止材を、ニッケル−コバルト合金と接触させ、融点以上の温度に加熱し接合して、熱拡散させて封止材中に錫−ニッケル、錫−コバルト合金を生成させることで封止材の耐熱性が錫−銀または錫−銀−銅合金よりも高くなることを利用した接合方法が採用されてきている。ここで、封止材中の錫と合金を作り封止材の耐熱性を高くするためのニッケルや、コバルトは蓋体表面の金属膜や電子部品収納用パッケージ上面の外周部の蓋体との接合用の金属層から拡散させる方法をとっていた。
【０００８】
また、電子装置は、小型、薄型化が進む大きな流れと、多数の電子装置を一つのパッケージ内に納めた電子モジュールや、コンピュータ等で使用するＭＰＵ（Micro Processor Unit）等の半導体素子のように多量の処理を一つの素子で処理する大型化の流れがある。
【特許文献１】特開２００５−１０１３３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、錫−銀または錫−銀−銅合金を主成分とする各種封止材を、ニッケル−コバルト合金と接触させ加熱することで、封止材中にニッケル−コバルト合金を熱拡散させ電子装置のパッケージと蓋体とを封止材で耐熱性良く接合しようとする場合は、以下の問題がある。つまり、封止材中に錫−ニッケル、錫−コバルト合金を生成させることで封止材の耐熱性を高くしているため、大型のパッケージになった場合には、パッケージ寸法が大型になるほど、反りの割合が同じであっても寸法が大となることで反りの絶対値が大きくなりやすく、反りが大きい部分は接合後に封止材の厚みが厚く残りやすい。接合後の封止材の厚みが厚くなると、封止材中の錫と合金を作り封止材の耐熱性を高くするためのニッケルや、コバルトを蓋体表面の金属膜や電子部品収納用パッケージ上面の外周部の蓋体との接合用の金属層から拡散させるためには、長時間熱を加える必要があるので、生産性が低下しやすい傾向がある。
【００１０】
また、接合荷重を強くすることによって、封止材厚みを薄くすることで、封止材中にニッケルやコバルトを拡散しやすくさせることができ、耐熱性を早く高めることも可能だが、接合荷重を強くすることは、接合後に封止材に残留応力が残りやすく、長期の信頼性が低下しやすい傾向がある。
【００１１】
従って、本発明はこのような大型のパッケージの耐熱性向上の要求に鑑み完成されたもので、その目的は、鉛を含有しない封止材を用いて電子装置の基体と蓋体を接合する際に、反りの発生しやすい大型のパッケージにおいても、安定して高い耐熱性の電子装置となし、電子装置を外部電気回路基板に実装する際に250〜260℃の熱履歴が加わっても封止材が再溶融して流出したりせず、電子装置の気密性を保持できる電子部品収納用パッケージおよび電子装置および製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の電子部品収納用パッケージは、上面に電子部品の搭載部を取り囲む枠状の金属層が形成された絶縁基体と、前記搭載部を覆うように前記金属層の上面に錫を含む封止材を介して接合される蓋体とを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、前記封止材にニッケル−コバルト合金粒子を分散させたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の電子部品収納用パッケージは、前記ニッケル−コバルト合金粒子の表面にニッケル層を被着させたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の電子装置は、上面に電子部品の搭載部を取り囲む枠状の金属層が形成された絶縁基体と、前記搭載部に搭載された電子部品と、前記電子部品を覆うように前記金属層の上面に封止材を介して接合された蓋体とを具備した電子装置において、前記封止材は、錫、錫−ニッケル合金および錫−コバルト合金を含むとともに、ニッケル−コバルト合金粒子が分散されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の電子装置の製造方法は、前記絶縁基体に電子部品を搭載する工程と、前記金属層の上面に、ニッケル−コバルト合金粒子が分散された錫を含む封止材を介して前記蓋体を載置する工程と、前記封止材を加熱して該封止材中に錫−ニッケル合金および錫−コバルト合金を生成させるとともに前記蓋体と前記金属層とを接合する工程とを具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子部品収納用パッケージにおける絶縁基体と蓋体との錫を含む封止材を介しての接合において、封止材にニッケル−コバルト合金粒子を分散させたことによって、封止材の厚みが厚くなった場合でも、封止材中に分散しているニッケル−コバルト合金が錫を含む封止材中の隅々まで拡散する。それによって、融点が500℃を超える錫−ニッケル、錫−コバルトの耐熱性の高い合金が封止材全体に分散して生成する。そして、封止材自体の融点は例え220℃程度であったとしても、封止材中にニッケル−コバルト粒子に加え、500℃以上の融点を持つ錫−ニッケル、錫−コバルト合金の核が多数生成することで、封止材が融点以上の温度に加熱されても形状を保持するようになる。それによって250〜260℃の熱履歴が封止材に加わってもニッケル−コバルト合金を分散した封止材はその形状を保持するので、気密性を保持できる。
【００１７】
本発明の電子部品収納用パッケージは、ニッケル−コバルト合金粒子の表面にニッケル層を被着させたことによって、封止材自体が溶融してもニッケル層が封止材中に拡散し難いため、すぐにはニッケル−コバルト合金が封止材中に拡散開始せず、溶融の初期には封止材の流動性が高く、封止材が細部まで濡れ広がることから、高い接合強度で封止できる。他方、封止工程の途中からはニッケル層が拡散して素地のニッケル−コバルト合金が封止材中に拡散することから、500℃以上の融点を持つ錫−ニッケル、錫−コバルトの耐熱性の高い合金を封止材全体に安定して形成でき、250〜260℃の熱履歴が加わって封止材自体が再溶融しても、その形状が保持されることから気密性を保持できる。
【００１８】
本発明の電子装置における絶縁基体と蓋体との錫を含む封止材を介しての接合において、封止材は、錫、錫−ニッケル合金および錫−コバルト合金を含むとともに、ニッケル−コバルト合金粒子が分散されている。封止材中に500℃以上の融点を有する錫−ニッケル合金および錫−コバルト合金という耐熱性の高い合金を含むことで、封止材の耐熱性が上昇し粘度が高くなる。それによって、封止材中に微量に含まれるボイドが固定されることから、封止在中のボイドがはじけて封止材が飛び散ることがなくなり、電子素子表面に付着しなくなるので、電子装置を使用中に封止材粒子によって素子にショートが起きることもない。
【００１９】
本発明の電子装置の製造方法は、封止材を加熱して封止材中に錫−ニッケル合金および錫−コバルト合金を生成させるとともに蓋体と金属層とを接合する工程とを具備していることによって、大型の電子部品収納用パッケージの反りやうねり等によって封止時の封止材の厚みが場所によって異なったとしても、封止材中に分散しているニッケル−コバルト合金粒子の含有率は、ほぼ等しくなる。それによって、ニッケル−コバルト合金粒子中のニッケル原子やコバルト原子の封止材中への拡散濃度が封止材厚みによって変わらず、封止材中に錫−ニッケル合金および錫−コバルト合金という耐熱が500℃を超える耐熱性の高い合金が封止厚みの大小にかかわらず一定の比率で形成され、耐熱性を高めている。ゆえに、封止材の組成が封止厚みによって変わらないので封止材組成が均一に近くなり、部分的な組成の違いによる熱膨張係数や、硬度等の違いによる封止材中の歪の発生が抑えられるので、長期の信頼性に優れ250〜260℃の熱履歴が加わってもニッケル−コバルト合金を分散した封止材は、その形状が保持されることから電子装置の気密性を安定して保持できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子装置並びにその製造方法を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の電子部品収納用パッケージを使用した電子装置の実施の形態の一例を示す断面図であり、図２はその要部拡大図である。１は蓋体、２は金属膜、３は錫を含む封止材、４はニッケル−コバルト合金粒子、５は電子部品８が搭載される搭載部、６は搭載部５が形成された基体、７は基体６の上面の外周部に全周にわたって形成された金属層である。そして、８は基体６の搭載部５に搭載された電子部品、９は電子部品８と基体６のメタライズ配線層（図示せず）とを接続するボンディングワイヤ、10は凹部である。
【００２２】
蓋体は、蓋体１と金属膜２から構成されている。蓋体１は、例えば42アロイのような鉄−ニッケル合金や、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属からなる。また、蓋体１の下面の外周部に、全周にわたって金属膜２が形成されているのが好ましい。これにより、封止材３を金属膜２を介して蓋体に良好に接合することができ、接合強度を高めることができる。このような蓋体は、例えば、以下のようにして作製される。
【００２３】
まず、金属製の母材を圧延加工等を施すことにより必要な厚みまで薄板加工し、適宜な寸法の板材とする。そして、板材を蓋体１に加工した場合に下面の外周部になる部分に金属膜２を例えばめっきで形成する。板材のめっきが不要な部分にめっきレジスト層を従来周知のスクリーン印刷法や、フォトリゾグラフィー技術等で形成した後、これに例えば電解ニッケルめっきを施すことにより、ニッケルめっきからなる金属膜２を形成する。なお、この電解ニッケルめっきの代わりに、従来周知の電解ニッケルめっき溶液に適量のコバルトイオンを添加しためっき溶液を使用することで電解ニッケル−コバルトめっきとしても良い。そして、めっき加工を行なった後に、レジスト層を剥離する。その後蓋体１に対応した形状を有する打ち抜き金型等で、下面の外周部にめっきが形成されるように位置合わせを行なって打ち抜くことによって蓋体が製作される。
【００２４】
なお、金属膜２はニッケルもしくはニッケル−コバルトから成るものに限らず、他の金属であってもよい。また、金属膜２がニッケルもしくはニッケル−コバルトからなる場合、金属膜２は、その作製方法等により金属膜２に他の成分が含まれる場合があるが、ニッケルとコバルトの合計の質量が金属膜２の90質量％以上を占めているのが良く、実質的にニッケルもしくはニッケル−コバルト合金とみなされるものから成るのが好ましい。これにより、応力が集中しやすい封止材３と蓋体１との界面付近に、封止材３中の錫と金属膜２中のニッケルやコバルトとの合金を特に良好に形成でき、接合部の耐熱性をより向上させることができる。
【００２５】
また、基体６の凹部10の内面から基体６の外側面や底面にかけて、複数のメタライズ配線層(図示せず)が被着形成されており、このメタライズ配線層の基体６の凹部の内面に位置する一端には電子部品８の各電極がボンディングワイヤ９を介して電気的に接続され、また、メタライズ配線層の基体６の外側面や底面に導出された部位には外部電気回路基板（図示せず）が電気的に接続される。
【００２６】
基体６は、酸化アルミニウムやムライト，窒化アルミニウム，炭化珪素，ガラスセラミックス等を主成分とする焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合は、先ず、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２），カルシア（ＣａＯ），マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状と成し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用してシート状に成形してセラミックグリーンシートを得、その後、セラミックグリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに複数枚積層し、約1600℃の温度で焼成することにより製作される。
【００２７】
また、基体６の上面の凹部10の周囲に全周にわたって形成された枠状の金属層７およびメタライズ配線層は、タングステンやモリブデン，マンガン等の高融点金属から成り、これらの粉末に有機溶剤，溶媒を添加混合した金属ペーストをそれぞれセラミックグリーンシートの所定位置に従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに被着形成させておき、セラミックグリーンシートと同時に焼成することにより形成される。なお、枠状の金属層７には、その表面にニッケルやニッケル−コバルト合金、金等をめっき法等により被着させておくと良い。これにより、封止時の耐熱性向上と金属層７の酸化防止層とすることができる。
【００２８】
封止材３は錫−銀合金や、錫−銀−銅合金等の錫を主成分とする半田等が挙げられ、例えば、錫−銀共晶半田（錫96.5質量％、および銀3.5質量％の組成である）であれば、例えば以下のようにして作製する。
【００２９】
まず、るつぼで、錫と銀を96.5：3.5の質量比率で配合し加熱して溶融半田とする。次に溶融した半田を窒素雰囲気中に霧状にスプレーすることにより、酸化されていない微小な半田粒子を作製する。これを、適宜な寸法のメッシュを通過させることで、一定範囲の粒径毎にそろえる。そして用途に応じて、適切な粒径の半田粒子を、松脂やチクソ剤、溶剤等を混ぜたフラックスと混合することでクリーム半田を作製する。
【００３０】
また、ニッケル−コバルト合金を溶融し窒素雰囲気中に霧状にスプレーすることにより、酸化されていない微小なニッケル−コバルト合金粒子４を作成し、クリーム半田に加え、十分に混合する。
【００３１】
さらに、このニッケル−コバルト合金粒子４の入ったクリーム半田を、金属膜２の表面に全周にわたってスクリーン印刷法で印刷し、その後窒素中で加熱しリフローし、最後に、フラックスを溶剤等で洗浄することによって、ニッケル−コバルト合金粒子４の入った封止材３を形成する。
【００３２】
なお、錫を含む封止材３とは、錫の含有率が３０質量％以上であることをいう。錫が
３０質量％以上であれば、ニッケル−コバルト合金粒子に含まれるニッケルやコバルトと錫との合金形成により、耐熱性を向上できる。好ましくは、封止材３は錫を主成分とするのがよい。これにより、封止材３の全体において万遍なく耐熱性を向上でき、蓋体１と基体６との接合強度をきわめて高くすることができる。なお、ここで主成分とは、錫の含有率が60質量％以上であることをいう。このような封止材３としては、上記錫−銀共晶半田以外に例えば錫−銀−銅半田（錫95.75質量％、銀3.5質量％、銅0.75質量％）や、錫−銀−銅−ビスマス半田（錫94.95質量％、銀3.5質量％、銅0.75質量％、ビスマス0.8質量％）等があり、通常、アンチモン、鉛等の不可避不純物が微量含まれている。
【００３３】
そして、基体６の上面の凹部10の周囲に形成された金属層７上に、蓋体に接合させたニッケル−コバルト合金粒子４を分散させた封止材３を金属層７に当接させて載置され、加熱により封止材３が溶融することにより、蓋体と基体６とが接合される。
【００３４】
そして、接合する際に封止材３は溶融し、分散しているニッケル−コバルト合金粒子４が封止材３に拡散することで封止材３に含まれる錫とニッケルおよび錫とコバルトが耐熱性の高い合金となるので、封止材３の厚みが厚くなった場合でも封止材３全体に安定して耐熱性のある合金を形成させることから、後工程でリフロー実装の２５０〜２６０℃の温度が加わって封止材３自体が再溶融しても、保型性を維持できることから気密性が破れることはない。
【００３５】
また、封止材３と封止材３中に分散させたニッケル−コバルト合金粒子４の比率は、封止材３が100質量部に対してニッケル−コバルト合金粒子４が１〜15質量部含まれているのが好ましく、その場合に生産性と接合強度共に優れたものになる。封止材３に対してニッケル−コバルト合金粒子４が１質量部未満しか含まれない場合は、ニッケル−コバルト合金粒子の比率が少ないことから、封止材３へのニッケル、コバルトの拡散が遅くなるので拡散を高めるために加熱時間を延長させることになり、生産性が低下する傾向がある。封止材３に対してニッケル−コバルト合金粒子４が15質量部を超えて含まれる場合は、封止材３が溶融して濡れ広がるよりもニッケル、コバルトの拡散が早くなる。そのため、封止材３の粘度上昇が早くなり、封止材３が十分に濡れ広がり難く、接合強度が低下する傾向がある。
【００３６】
また、封止材３に分散させたニッケル−コバルト合金粒子４のニッケルとコバルトの比率は、ニッケル100質量部に対してコバルトが２〜15質量部含まれているのが好ましく、その場合に生産性と接合強度共に優れたものになる。ニッケルに対してコバルトが２質量部未満しか含まれない場合は、拡散しやすいコバルトの含有率が少ないために合金全体の拡散が遅くなるので、拡散を高めるために加熱時間を延長させることになり、生産性が低下する傾向がある。コバルトがニッケルに対して15質量部を超えて含まれる場合は、拡散しやすいコバルトの含有率が多いためにニッケルは、コバルトに促進されることで拡散が早くなる。そのため、封止材３の粘度上昇が早くなり、封止材３が十分に濡れ広がり難く、接合強度が低下する傾向がある。
【００３７】
また、封止材３に分散させたニッケル−コバルト合金粒子４の粒径は平均直径が１０μｍ〜５０μｍであることが好ましく、その場合に耐熱性と接合強度共に優れたものになる。平均粒径が１０μｍ未満の場合は、ニッケル−コバルト合金粒子の表面積が大きくなることで拡散が早くなる。そのため、封止材３の粘度上昇が早くなるので、封止材３が十分に濡れ広がり難く、接合強度が低下する傾向がある。平均粒径が５０μｍを超える場合は、ニッケル−コバルト合金粒子の表面積が小さくなることで封止材３へのニッケル、コバルトの拡散が遅くなるため、拡散を高めるために加熱溶融時間を延長させることになり生産性が低下する傾向がある。
【００３８】
また、ニッケル−コバルト合金粒子４の表面に例えばめっき法によって、純ニッケル層を被着させると、純ニッケル層はコバルトを含有しないのでニッケル−コバルト合金より錫を含む封止材３へ拡散が遅くなる。そのため、純ニッケル層がニッケル−コバルト合金粒子４の表面を覆っている間は封止材３の流動性が高く、封止材３が接合細部まで濡れ広がることで、より高い接合強度で封止できる。また、封止工程の後半は、純ニッケル層が拡散してなくなり、ニッケル、コバルトが封止材３中に拡散する。その結果、封止材３全体に安定して耐熱性のある合金を形成させることから、後工程でリフロー実装の２５０〜２６０℃の温度が加わって封止材３自体が再溶融しても型崩れせず、気密性を保持できる。
【００３９】
ニッケル−コバルト合金粒子４表面に被着させる純ニッケル層の厚みは、0.01μｍ〜0.1μｍとするのが良い。0.01μｍ未満では、純ニッケル層がニッケル−コバルト合金粒子４の表面を覆いきれずに純ニッケル層を被着させた効果が十分に出ず、流動性が低下する傾向がある。他方、0.1μｍを超えると、純ニッケル層の下のニッケル−コバルト合金粒子４が拡散開始して耐熱性が上昇するまでの時間が長くなるため、生産性が低下する傾向がある。
【００４０】
以上の様にして作成した電子装置は、錫、錫−ニッケル合金および錫−コバルト合金を含むとともに、ニッケル−コバルト合金粒子４が分散されていることによって、封止材の耐熱性が上昇するため、封止材中に微量に含まれるボイドが固定されることで、封止材３中のボイドがはじけて封止材３が飛び散ることがなくなり、封止材３が電子素子表面に付着しなくなるので、電子装置を使用中に封止材粒子によって素子にショートが起きることがなくなることから、製造歩留まりが高く、信頼性の高い電子装置となる。
【００４１】
また、以上の様にして作成する電子装置の製造方法は、絶縁基体６に電子部品８を搭載する工程と、金属層７の上面に、ニッケル−コバルト合金粒子４が分散された錫を含む封止材３を介して蓋体を載置する工程と、封止材３を加熱して封止材３中に錫−ニッケル合金および錫−コバルト合金を生成させるとともに蓋体と金属層７とを接合する工程とを具備している。このことから、半導体素子収納用パッケージの反りやうねり等によって封止時の封止材３の厚みが場所によって異なったとしても、封止材３中に分散しているニッケル−コバルト合金粒子４の拡散によって封止材３の耐熱性を高めていることで、封止材３の厚みによって耐熱性が大きく変わることは無い。ゆえに、封止材の組成が封止厚みによって変わらないので、部分的な組成の違いによる熱膨張係数や、硬度等の違いによる封止材中の歪の発生が抑えられる。それによって、長期の気密信頼性に優れた電子装置となる。
【００４２】
また、本実施の形態では、蓋体１は42アロイのような鉄−ニッケル合金や、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属からなるが、基体６の熱膨張係数と極端に熱膨張係数が異ならず、表面に金属膜２を形成できる物質であれば、金属である必要はない。例えば、アルミナセラミックス等のセラミックスであっても良い。その場合は、アルミナセラミックスに封止材を接合させるために、金属ペースト層を用いてメタライズ層を形成し、その上にニッケルめっきを行い、その後封止材を形成すれば良い。
【００４３】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を行なうことは何等差し支えない。
【００４４】
例えば、上述の実施の形態では、金属膜２の形成方法として、めっき法を使用したが、真空中で金属原子を蒸発させる蒸着法や、機械的圧力によって蓋体１と金属箔とを加圧接合するクラッド加工法等で形成しても良い。
【００４５】
また、封止材３の形成方法として、クリーム半田を用いてのプリント、リフロー法を使用したが、予め半田を溶融させた槽に超音波をかけながらニッケル−コバルト合金粒子４を混合し、合金化した後に冷間圧延することで、シート状とし、クラッド加工することで表面に封止材を形成させるクラッド法等で形成しても良い。
【００４６】
また、例えば、上述の実施の形態では、基体６に凹部10を形成し、平板状の蓋体を封着した電子装置としたが、平板状の基体６と、下面の搭載部５に対向する部位に凹部を設けた蓋体とを封着した形態としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の電子部品収納用パッケージを使用した電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１：蓋体
３：封止材
４：ニッケル−コバルト合金粒子
５：搭載部
６：基体
７：金属層
８：電子部品
１０：凹部
【図１】
2007123465.tif 000003
【図２】
2007123465.tif 000004