(57)【要約】      （修正有）【課題】加熱温調を必要とすることなく、結露を防止して測定精度を向上するとともに、装置の検出可能な濃度レンジを超えた高濃度の測定対象成分であっても測定することができるようにする。【解決手段】サンプルガスＳＧを流通させる流通管２と、前記流通管２に設けられ、前記サンプルガスＳＧ中の測定対象成分を測定するための測定セル３と、前記測定セル３に光Ｌを照射し、その測定セル３を透過した光Ｌを検出して、その光強度信号から前記測定対象成分の分析を行う分析部４と、前記流通管２内及び前記測定セル３内の圧力を調節する調圧機構５と、前記調圧機構５を制御して前記流通管２内及び前記測定セル３内の圧力を調節することにより、前記サンプルガスＳＧ中の測定対象成分の分圧を、その測定対象成分の蒸気圧ＰＭＡＸ以下に減圧させる調圧機構制御部７５を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルガスを流通させる流通管と、
前記流通管に設けられ、前記サンプルガス中の測定対象成分を測定するための測定セルと、
前記測定セルに光を照射し、その測定セルを透過した光を検出して、その光強度信号から前記測定対象成分の分析を行う分析部と、
前記流通管内及び前記測定セル内の圧力を調節する調圧機構と、
前記調圧機構を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置が、前記調圧機構を制御して前記流通管内及び前記測定セル内の圧力を調節することにより、前記サンプルガス中の測定対象成分の分圧を、その測定対象成分の蒸気圧以下に減圧させる調圧機構制御部を有しているガス分析計。
【請求項２】
前記制御装置が、前記測定対象成分の蒸気圧曲線を示す蒸気圧曲線データを格納する蒸気圧曲線格納部と、前記蒸気圧曲線データから所定温度における前記測定対象成分の蒸気圧を算出する蒸気圧算出部と、をさらに有しており、
前記調圧機構制御部が、前記蒸気圧算出部から蒸気圧算出データを受け付けて、前記測定対象成分の分圧が、その蒸気圧以下となるように、前記流通管内及び前記測定セル内の圧力を調整するものである請求項１記載のガス分析計。
【請求項３】
前記制御装置が、サンプルガス中の測定対象成分を設定する測定成分設定信号を受け付ける測定成分受付部と、前記流通管内及び前記測定セル内の温度を設定する測定温度設定信号を受け付ける設定温度受付部と、をさらに備え、
前記蒸気圧算出部が、前記測定成分受付部からの測定成分設定信号に関する蒸気圧曲線データを取得し、前記設定温度受付部からの設定温度データに基づいて、前記測定対象成分の蒸気圧を算出して、その蒸気圧算出データを前記調圧機構制御部に出力するものである請求項２記載のガス分析計。
【請求項４】
前記流通管内及び前記測定セル内の温度を調節するための温調機構をさらに備え、
前記制御装置が、前記温調機構を制御する温調機構制御部を有している請求項３記載のガス分析計。
【請求項５】
前記温調機構制御部が、前記設定温度受付部から設定温度データを取得して、前記流通管内及び前記測定セル内の温度が、その設定温度となるように、前記温調機構を制御するものである請求項４記載のガス分析計。
【請求項６】
前記流通管、前記測定セル、前記分析部及び前記調圧機構を一体に有したインライン型のものである請求項１、２、３、４又は５記載のガス分析計。
【請求項７】
前記流通管内及び前記測定セル内の温度を調節するための温調機構をさらに一体に有するものである請求項６記載のガス分析計。
【請求項８】
サンプルガスを流通させる流通管と、前記流通管に設けられ、前記サンプルガス中の測定対象成分を測定するための測定セルと、前記測定セルに光を照射し、その測定セルを透過した光を検出して、その光強度信号から前記測定対象成分の分析を行う分析部と、前記流通管内及び前記測定セル内の圧力を調節する調圧機構と、を備えたガス分析計を用いたガス分析方法であって、
前記調圧機構により、前記流通管内及び前記測定セル内の圧力を調節することにより、前記サンプルガス中の測定対象成分の分圧を、その測定対象成分の蒸気圧以下に減圧させることを特徴とするガス分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、サンプルガスに含まれる測定対象成分の濃度等を分析するガス分析計及びガス分析方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に示すような赤外線吸収を利用したガス分析計では、測定時の圧力の変動によって指示値に影響がある。そのため、圧力計を使って圧力をモニタして補正をするか、圧力変動による誤差を含めた精度内での測定に甘んじている。
【０００３】
また、分析計の分析可能な濃度レンジを超える高濃度のサンプルガスを測定する場合には、不活性な希釈ガス（例えばＮ２）を用いてサンプルガスを希釈して、測定する方法が一般的である。
【０００４】
しかしながら、この方法では、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）等で、サンプルガス及び希釈ガスそれぞれの流量を制御する必要があり、装置の構造が複雑化してしまう。
【０００５】
さらに、サンプルガスが高濃度の低蒸気圧材料の場合には、サンプルガスが配管に結露する畏れがあるため、配管を加熱する必要がある。
【０００６】
しかしながら、加熱するとなると、圧力計やマスフローコントローラ（ＭＦＣ）等の必要な機器を含む全てのガスラインを加熱温調する必要がある。そうすると、加熱温度が高くなるとＭＦＣ等の周辺機器の温度が、その使用上限温度を超えてしまい、故障する等の問題が生じる。
【特許文献１】特開平１０−１８５８１６号公報
【特許文献２】特開２００３−１７２７００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで本発明は、結露を防止するための加熱温調を必要とすることなく、測定精度を向上するとともに、装置の検出可能な濃度レンジを超えた高濃度の測定対象成分であっても測定することができるようにすることをその主たる所期課題としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち本発明に係るガス分析計は、サンプルガスを流通させる流通管と、前記流通管に設けられ、前記サンプルガス中の測定対象成分を測定するための測定セルと、前記測定セルに光を照射し、その測定セルを透過した光を検出して、その光強度信号から前記測定対象成分の分析を行う分析部と、前記流通管内及び前記測定セル内の圧力を調節する調圧機構と、前記調圧機構を制御する制御装置とを備え、前記制御装置が、前記調圧機構を制御して、前記流通管内及び前記測定セル内の圧力を調節することにより、前記サンプルガス中の測定対象成分の分圧を、その測定対象成分の所定温度における蒸気圧以下に減圧させる調圧機構制御部を有していることを特徴とする。
【０００９】
また本発明に係るガス分析方法は、サンプルガスを流通させる流通管と、前記流通管に設けられ、前記サンプルガス中の測定対象成分を測定するための測定セルと、前記測定セルに光を照射し、その測定セルを透過した光を検出して、その光強度信号から前記測定対象成分の分析を行う分析部と、前記流通管内及び前記測定セル内の圧力を調節する調圧機構と、を備えたガス分析計を用いたガス分析方法であって、前記調圧機構により、前記流通管内及び前記測定セル内の圧力を調節することにより、前記サンプルガス中の測定対象成分の分圧を、その測定対象成分の所定温度における蒸気圧以下に減圧させることを特徴とする。
【００１０】
このようなものであれば、結露を防止することができる。また、調圧することによって、測定セル内の圧力の圧力変動を無くすることができ、測定精度を向上することができる。また、装置の濃度レンジを超えた高濃度の測定対象成分であっても、減圧して分圧を低下させることにより光強度信号が低下し、レンジ内に収まることで、測定できるようになる。
【００１１】
結露発生を自動で防止するための具体的な実施の態様としては、前記制御装置が、前記測定対象成分の蒸気圧曲線を示す蒸気圧曲線データを格納する蒸気圧曲線格納部と、前記蒸気圧曲線データから所定温度（例えば、２０℃〜３５℃）における前記測定対象成分の蒸気圧を算出する蒸気圧算出部と、をさらに有しており、前記調圧機構制御部が、前記蒸気圧算出部から蒸気圧算出データを受け付けて、前記測定対象成分の分圧が、その蒸気圧以下となるように、前記流通管内及び前記測定セル内の圧力を調節するものであることが望ましい。
【００１２】
オペレータが測定温度を適宜設定できるようにして、所望の測定対象成分を結露発生させることなく測定できるようにするためには、前記制御装置が、サンプルガス中の測定対象成分を設定する測定成分設定信号を受け付ける測定成分受付部と、前記流通管内及び前記測定セル内の温度を設定する測定温度設定信号を受け付ける設定温度受付部と、をさらに備え、前記蒸気圧算出部が、前記測定成分受付部からの測定成分設定信号に関する蒸気圧曲線データを取得し、前記設定温度受付部からの設定温度データに基づいて、前記測定対象成分の蒸気圧を算出して、その蒸気圧算出データを前記調圧機構制御部に出力するものであることが望ましい。
【００１３】
このようなものであれば、設定温度を測定セル内の温度にすれば、測定成分の分圧を、その設定温度における蒸気圧以下に減圧するため、結露防止のための加熱温調を必要とすることなく測定精度を向上できる。
【００１４】
外部の周辺温度の変動による測定誤差を可及的に防止し、サンプルガスを一定温度及び一定圧力で流通させ、安定した測定を可能にするためには、前記流通管内及び前記測定セル内の温度を調節するための温調機構をさらに備え、前記制御装置が、前記温調機構を制御するための温調機構制御部と、を有していることが望ましい。
【００１５】
測定対象成分の測定精度をさらに向上させるためには、前記温調機構制御部が、前記設定温度受付部から設定温度データを取得して、前記流通管内及び前記測定セル内の温度が当該設定温度となるように、前記温調機構を制御するものであることが望ましい。
【００１６】
特に、前記流通管、前記測定セル、前記光吸収測定部及び前記調圧機構を一体に有したインライン型のものが好ましい。これならば、半導体プロセス装置へ組み込むことが可能となり、インライン測定により測定対象成分の微妙な変化に瞬時に対応することができるようになる。
【００１７】
外部の周辺温度の変動による測定誤差を可及的に防止するためには、前記流通管内及び前記測定セル内の温度を調節するための温調機構をさらに一体に有するものであることが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】
以上に説明したように、本発明によれば、結露防止のための加熱温調を必要とすることなく、また、圧力変動を無くすることができるので、測定精度を向上することができる。また、装置の検出可能な濃度レンジを超えた高濃度の測定対象成分であっても測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態に係るガス分析計について、図面を参照しつつ説明する。
【００２０】
本実施形態に係るガス分析計１は、クリーンルームで用いられ、半導体製造プロセスに使用されるウエハ洗浄装置の乾燥処理槽１１内の測定対象成分であるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の濃度を測定するものである。その具体的な構成は、サンプルガスＳＧを流通させる流通管２と、前記流通管２に設けられ、前記サンプルガスＳＧ中の測定対象成分を測定するための測定セル３と、前記測定セル３に光を照射し、その測定セル３を透過した光を検出して、その光強度信号から前記測定対象成分の分析を行う分析部４と、前記流通管２内及び前記測定セル３内の圧力を調節する調圧機構５と、前記流通管２内及び前記測定セル３内の温度を調節する温調機構６と、調圧機構５及び温調機構６を制御等する制御装置７とを備えている。
【００２１】
流通管２は、乾燥処理槽１１内からサンプルガスＳＧを吸引して、そのサンプルガスＳＧを測定セル３に供給するとともに、測定セル３からそのサンプルガスＳＧを外部に排気する管である。そのサンプルガス入口側は、サンプリング量を制御するための流量制御弁８を介して、乾燥処理槽１１の接続管１１１に接続されている。そのサンプルガス出口側に乾燥処理槽１１内のガスを吸引してサンプリングするための吸引（真空）ポンプ５２を設けるようにしている。
【００２２】
本実施形態の流量制御弁８は、小さなオリフィスとなった流路を針状あるいは棒状のニードルで開度調整し、その流路抵抗変化により、流量を制御するニードルバルブであり、サンプリング量は例えば毎分１リットルである。
【００２３】
測定セル３は、両端を開口させた円筒状をなすフロータイプのものであり、測定対象成分であるＩＰＡを含んだサンプルガスＳＧを一端開口部から導入し、他端開口部から導出して、サンプルガスＳＧがこのセル１内を軸方向に流れていくように構成してある。なお、一端部開口部及び他端部開口部には、流通管２が接続されている。つまり、サンプルガスＳＧの流通路上に測定セル３を設けるようにしている。この測定セル３は、非透明金属で形成してある。また、壁体の対向する部位には、サファイアなどの赤外透過光学結晶などで封止した光導入窓３１及び光導出窓３２がそれぞれ設けてあり、これら窓３１、３２を介して軸方向（ガスの流れ方向）と直交する方向に、セル外部から光Ｌを透過させ得るように構成してある。
【００２４】
分析部４は、非分散型赤外吸収法（ＮＤＩＲ法）を用いて測定対象成分の分析を行うものであり、光源４１、光学フィルタ４２及び一対の光検出器４３１、４３２及び演算装置（図示しない）を備えている。
【００２５】
光源４１は、例えばフィラメントを熱して発光させる白熱タイプのものである。光源４１は単一であり、測定対象成分であるＩＰＡに照射されると減衰する測定光Ｌ１及び前記測定対象物質に照射されても実質的に減衰しないリファレンス光Ｌ２を含むブロードな帯域の光Ｌを照射する。なお、ここでの測定光Ｌ１は波長約３．４μｍ、リファレンス光Ｌ２は、波長約３．８μｍの赤外線である。
【００２６】
光学フィルタ４２は、薄板状をなすもので、その半分の領域を占め測定光Ｌ１のみを通過させる第１フィルタ４２１（図２に示す）と、残りの領域を占め前記リファレンス光Ｌ２のみを透過させる第２フィルタ４２２（図２に示す）とからなる。
【００２７】
一対の光検出器４３１、４３２には、熱型赤外線センサである焦電効果を利用したパイロセンサを用いている。一方の光検出器４３１は前記第１フィルタ４２１に、また他方の光検出器４３２は前記第２フィルタ４２２に臨んで設けられており、各フィルタ４２１、４２２を通過した測定光Ｌ１及びリファレンス光Ｌ２を、各光検出器４３１、４３２がそれぞれ受光して、その受光光量に応じた値の電気信号（光強度信号）を制御装置７に出力する。
【００２８】
演算装置は、光検出器４３１、４３２からの光強度信号を受け付けて、測定光Ｌ１の減衰率を算出し、その減衰率に基づいて、サンプルガスＳＧ中のＩＰＡの濃度等を算出するものである。
【００２９】
調圧機構５は、流通管２内及び測定セル３内の圧力を調節するものであり、流通管２上において、流量制御弁８の下流側に設けられ、流通管２内及び測定セル３内の圧力を調節する圧力制御弁５１と、当該圧力制御弁５１の下流側に設けた吸引（真空）ポンプ５２とを備えている。この圧力制御弁５１は、後述する制御装置７からの制御信号に基づいて、圧力制御弁５１の開度が制御されることによって、圧力を調節する。
【００３０】
温調機構６は、外部の周辺温度からの温度変動による影響を受けないようにするために、流通管２内及び測定セル３内の温度を調節するものであり、本実施形態では、流通管２、測定セル３、調圧機構５及び吸引ポンプ９を収容するケーシング６１と、そのケーシング６１内に設けられ、一定温度（例えば約３５℃）の例えば不活性ガス（Ｎ２）を供給注入する温度調節部６２とを有している。ケーシング６１は、断熱材で形成されている。このように、断熱効果を有するケーシング６１内に一定温度のＮ２ガスを充填させているので、外部からの温度変動による影響を可及的に小さくすることができ、分析部４の温度ドリフトを防ぐことができるとともに、ＩＰＡの測定に必要な安全面への配慮として、万一のリーク時における爆発を防止することができる。
【００３１】
制御装置７は、調圧機構５及び温調機構６の制御を行うものである。その機器構成は、図３に示すように、ＣＰＵ７０１、内部メモリ７０２、入出力インタフェース７０３、ＡＤ変換器７０４等からなる汎用又は専用のコンピュータであり、前記内部メモリ７０２の所定領域に格納してあるプログラムに基づいてＣＰＵ７０１やその周辺機器等が作動することにより、図４に示すように、測定成分受付部７１、設定温度受付部７２、温調機構制御部７３、蒸気圧曲線格納部Ｄ１、蒸気圧算出部７４、調圧機構制御部７５等として機能する。もちろん、これら各機能を発揮させるために、コンピュータによることなくバッファや増幅器、比較器等を用いたディスクリートアナログ回路を用いて構成しても構わない。
【００３２】
以下に各部７１〜７５、Ｄ１について説明する。
【００３３】
測定成分受付部７１は、オペレータが入力手段１０によって入力した測定対象成分の種類を示す測定成分データを受け付けて、蒸気圧算出部７４に出力するものである。
【００３４】
設定温度受付部７２は、測定時における流通管２内及び測定セル３内の温度を所望の温度にすべく、オペレータが入力手段１０によって入力した設定温度データを受け付けて、温調機構制御部７３及び蒸気圧算出部７４に出力するものである。
【００３５】
温調機構制御部７３は、設定温度受付部７２から設定温度データを、流通管２内又は測定セル３内に設けた温度センサ（図１、図２において図示しない）から温度検出信号を受け付けて、流通管２内及び測定セル３内の温度を設定温度Ｔにすべく温調機構６を制御するものである。具体的に本実施形態では、前述した温度調節部６２が、設定温度ＴのＮ２ガスをケーシング６１内に注入するように制御する。
【００３６】
蒸気圧曲線格納部Ｄ１は、測定対象成分毎の蒸気圧曲線を示す蒸気圧曲線データを格納しているものである。これらのデータは予め入力手段１０等によって格納させておく。なお、蒸気圧曲線とは、横軸に温度ｔ［℃］、縦軸に蒸気圧ＰＭＡＸ［Ｔｏｒｒ］としたときに、蒸気圧ＰＭＡＸと温度ｔとの関係を示すグラフである。
【００３７】
蒸気圧算出部７４は、蒸気圧曲線データから所定温度ｔにおける測定対象成分の蒸気圧ＰＭＡＸを算出するものである。具体的には、測定成分受付部７１から測定成分データを、設定温度受付部７２から設定温度データを、蒸気圧曲線格納部Ｄ１から蒸気圧曲線データを取得して、その蒸気圧曲線から設定温度Ｔにおける蒸気圧ＰＭＡＸを算出する。そして、その蒸気圧算出データを調圧機構制御部７５に出力する。
【００３８】
調圧機構制御部７５は、蒸気圧算出部７４から蒸気圧算出データを、流通管２内又は測定セル３内に設けた圧力センサ（図１、図２において図示しない）から圧力検出信号を受け付けて、ＩＰＡの分圧を算出した蒸気圧ＰＭＡＸ以下とすべく、調圧機構５を制御して、流通管２内及び測定セル３内の全圧を調節するものである。
【００３９】
このように、調圧機構制御部７５が全圧を調節することより、ＩＰＡの分圧は具体的に以下のようになる。
【００４０】
乾燥処理槽１１内のＩＰＡ濃度は最大３０％であり、その温度が４０℃〜６０℃であるとする。槽１１内の全圧が大気圧（７６０［Ｔｏｒｒ］）程度であるとする。このとき、濃度３０％のＩＰＡの分圧は、２２８（＝７６０×３／１０）［Ｔｏｒｒ］となり、これは約５５℃における蒸気圧ＰＭＡＸに相当する。したがって、結露を防止するためには、測定セル３までの流通管２及び測定セル３の温度を５５℃以上に加熱する必要がある。ところが、流通管２内及び測定セル３内の全圧を大気圧以下に減圧する、具体的には、大気圧の６分の１である１２６．７［Ｔｏｒｒ］にすることで、ＩＰＡの分圧が３８（＝１２６．７×３／１０）［Ｔｏｒｒ］となる。これは、約２３℃における蒸気圧ＰＭＡＸに相当する。したがって、室温（例えば３０℃）においても、流通管２等を加熱することなく、結露を防止することができる。室温における測定対象成分の分圧を蒸気圧以下に減圧することで、結露を防止するための加熱温調を省くことができる。
【００４１】
なお、全圧が６分の１に減圧すると、サンプルガスＳＧに含まれるＩＰＡの分圧は６分の１になる。したがって、濃度レンジを変更することなく、例えば濃度レンジ５％の分析計で、セル長を変更せずに、３０％の濃度のＩＰＡを測定することができる。
【００４２】
次に、このように構成したガス分析計１による測定対象成分（ＩＰＡ）の濃度測定の手順概要を、図５のフローチャートを参照して説明する。
【００４３】
先ず、オペレータが入力手段１０により測定対象成分（ＩＰＡ）を設定する。このとき、測定成分受付部７１が、入力手段１０から測定成分データを受け付ける（ステップＳ１）。また、オペレータが測定する際の温度Ｔ（例えば室温）を設定する。このとき、設定温度受付部７２が、入力手段１０から設定温度データを受け付ける（ステップＳ２）。
【００４４】
次に、温調機構６が、温度センサ（図示しない）からの温度検出信号を受信しつつ、流通管２内及び測定セル３内の温度を設定温度Ｔに調節する（ステップＳ３）。具体的には、ケーシング内に温度ＴのＮ２ガスを供給して充填する。
【００４５】
そして、蒸気圧算出部７４が、測定成分受付部７１から測定成分データを、設定温度受付部７２から設定温度データを、蒸気圧曲線格納部Ｄ１から蒸気圧曲線データを取得して、その蒸気圧曲線から設定温度Ｔにおける蒸気圧ＰＭＡＸを算出する（ステップＳ４）。そして、その蒸気圧算出データを調圧機構制御部７５に出力する。
【００４６】
その蒸気圧算出データを受け付けた調圧機構制御部７５は、圧力センサ（図示しない）からの圧力検出信号を受信しつつ、流通管２内及び測定セル３内の圧力を蒸気圧ＰＭＡＸに調圧する（ステップＳ５）。
【００４７】
このようにして、流通管２内及び測定セル３内の温度が設定温度Ｔに調節され、その圧力が設定温度Ｔにおける蒸気圧ＰＭＡＸに調節された後、分析部４が、ＩＰＡの濃度を算出する（ステップＳ６）。
【００４８】
以上のように構成した本実施形態に係るガス分析計１によれば、槽１１内のガスが、一定温度Ｔ及び一定圧力ＰＭＡＸでガス分析計１にサンプリングされるので、乾燥処理槽１１内の変動の影響を受けずに、安定した測定が可能となる。
【００４９】
また、蒸気圧ＰＭＡＸ以下（本実施形態ではＰＭＡＸ）に圧力制御しているので、ＩＰＡ等の低蒸気圧材料であっても、流通管２内及び測定セル３内で結露することが無く、高温に加熱する必要が無くなる。したがって、結露を防止するための加熱機構を必要とせず、装置１の簡略化を可能にすることができる。さらに、高濃度ガスの分圧を小さくすることができ、検出可能な濃度レンジ上限を超える高濃度ガスを、レンジ変更することなく測定することができる。
【００５０】
さらに、流通管２内の圧力を減圧することで、測定セル内のガスの置換時間が短くなり、その結果、分析計１の応答速度を速くすることができる。
【００５１】
加えて、特にＩＰＡに関して言うと、加熱すると爆発しやすいという特性を持つことから、本実施形態のように、断熱ケーシング内にＮ２ガスを充填することで、安全性を担保することができる。
【００５２】
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００５３】
例えば、前記実施形態では、分析部が非分散型赤外吸収法（ＮＤＩＲ法）を用いたものであったが、その他にもフーリエ変換赤外吸収法（ＦＴＩＲ法）を用いたものであっても良い。
【００５４】
また、前記実施形態では、半導体製造装置のうち、洗浄装置における乾燥処理槽中のＩＰＡ濃度を分析するものであったが、その他にも、ウエハ洗浄液の気化ガス、エッチング液の気化ガスの成分濃度、有機剥離液中の水分の気化ガス、成分濃度、レジスト濃度等を分析するようにしても良い。
【００５５】
また、前記実施形態では、調圧機構を測定セルに対して下流側に設けたものであったが、測定セルの上流側に設けるようにしても良い。
【００５６】
加えて、制御装置は、設定温度を入力するだけで蒸気圧を算出し、自動で温調及び調圧を行うようにしているが、この他に、予め蒸気圧を計算して、その蒸気圧を制御装置に入力するようにしても良い。
【００５７】
上記に加えて、前記実施形態では、温調機構を用いて外部の温度変動による影響を可及的に防止するようにしているが、温調機構を用いないものであっても良い。
【００５８】
さらに、前記実施形態のガス分析計の動作において、温調機構が流通管内等の温度を設定温度に温調した後に、蒸気圧を算出するものであったが、蒸気圧を算出した後に、流通管内等の温度を設定温度に温調すると同時に、その圧力を蒸気圧に調圧するようにすることも考えられる。
【００５９】
加えて、前記実施形態では、分析部が、ダブルビーム式赤外線検出方式であったが、シングルビーム式赤外線検出方式であっても良い。
【００６０】
また、設定温度を固定値にしておいて、測定対象成分の種類に応じてその蒸気圧を固定値に基づいて算出するようにしても良い。
【００６１】
さらに変形実施形態として、ガス分析計をインライン型としても良い。このとき図６に示すように、測定セル３、分析部４、温調機構６及び調圧機構５を一体に有するものとすることができる。このようなものであれば、半導体プロセス装置へ組み込むことが可能となり、インライン測定により測定対象成分の微妙な変化に瞬時に対応することができるようになる。
【００６２】
その他、前記実施形態を含む前記した各構成を適宜組み合わせるようにしてもよく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の一実施形態に係るガス分析計の構成を概略的に示す全体概略図。
【図２】同実施形態における分析部を示す概略構成図。
【図３】同実施形態における制御装置の機器構成図。
【図４】同実施形態における制御装置の機能構成図。
【図５】同実施形態におけるガス分析計の動作を示すフローチャート。
【図６】その他の変形実施形態に係るガス分析計の構成を概略的に示す全体概略図。
【符号の説明】
【００６４】
１  ・・・ガス分析計
２  ・・・流通管
３  ・・・測定セル
Ｌ  ・・・光
４  ・・・分析部
ＰＭＡＸ・・・蒸気圧
５  ・・・調圧機構
６  ・・・温調機構
７  ・・・制御装置
７５・・・調圧機構制御部
Ｄ１・・・蒸気圧曲線格納部
７４・・・蒸気圧算出部
７１・・・測定成分受付部
７２・・・設定温度受付部
７３・・・温調機構制御部
【図１】
2007248369.tif 000003
【図２】
2007248369.tif 000004
【図３】
2007248369.tif 000005
【図４】
2007248369.tif 000006
【図５】
2007248369.tif 000007
【図６】
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