(57)【要約】【課題】  金属製電荷転送電極を有する固体撮像素子において、金属製電荷転送電極表面の酸化を防止しつつ、良好な膜質の電極間絶縁膜で金属製電荷転送電極を被覆する製造方法を提供する。【解決手段】  光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する、電荷転送電極３を備えた電荷転送部４０とを有する固体撮像素子の製造方法であって、前記電荷転送電極３の形成工程は、ゲート絶縁膜２の形成された半導体基板表面に、金属膜を含む第１層導電性膜３ａのパターンを形成して第１の電極３ａを形成する工程と、前記第１の電極３ａを被覆するように前記シリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜を酸化して酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第１の電極３ａ及び前記酸化シリコン膜の形成された前記半導体基板表面に第２の電極３ｂを構成する第２層導電性膜３ｂを形成する工程と、前記第２層導電性膜３ｂの形成後、前記第２層導電性膜３ｂのパターンを形成し、第２の電極３ｂを形成する工程とを含む。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する、電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する固体撮像素子の製造方法であって、
前記電荷転送電極の形成工程は、
ゲート絶縁膜の形成された半導体基板表面に、金属膜を含む第１層導電性膜のパターンを形成して第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極を被覆するように前記シリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン膜を酸化して酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第１の電極及び前記酸化シリコン膜の形成された前記半導体基板表面に第２の電極を構成する第２層導電性膜を形成する工程と、
前記第２層導電性膜の形成後、前記第２層導電性膜のパターンを形成し、第２の電極を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第２層導電性膜形成後、前記第１の電極上に重畳する領域を残して前記第２層導電性膜のパターンを形成する工程を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記シリコン膜を形成する工程は、アモルファスシリコン膜を形成する工程である固体撮像素子製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記アモルファスシリコン膜を形成する工程は、ドープトアモルファスシリコン膜を形成する工程である固体撮像素子製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記シリコン膜を形成する工程は、ＣＶＤ法による成膜工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記シリコン膜を形成する工程は、減圧ＣＶＤ法による成膜工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記酸化シリコン膜を形成する工程は、プラズマ酸化工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
少なくとも前記第１層導電性膜が、アルミニウム膜である固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する、電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する固体撮像素子であって、
前記電荷転送部が、金属膜を含む第１層導電性膜からなる第１の電極と、前記第１の電極を被覆する電極間絶縁膜を介して当接された、第２層導電性膜からなる第２の電極とを有する電荷転送電極で構成される固体撮像素子であって、
前記電極間絶縁膜がプラズマ酸化で形成された酸化シリコン膜である固体撮像素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の固体撮像素子であって、
少なくとも前記第１の電極は、アルミニウムで構成される固体撮像素子。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の固体撮像素子であって、
少なくとも前記第１の電極は、タングステン、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、コバルト、白金あるいはこれらのシリサイドで構成される固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法にかかり、特に高速電荷転送電極に関する。
【背景技術】
【０００２】
エリアセンサ等に用いられるＣＣＤを用いた固体撮像素子は、光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。
【０００３】
固体撮像素子においては、撮像画素数の増加が進んでいる。画素数の増加に伴い、信号電荷の高速転送、すなわち電荷転送電極の高速パルスによる駆動が必要となるため、電荷転送電極の低抵抗化が求められている。また、縦横方向シュリングに伴う、配線断面積の縮小により配線抵抗の増加が問題になっている。そこで、低抵抗化の方法として、金属を含む電荷転送電極が用いられている。（例えば、下記特許文献１参照）金属製の電荷転送電極は、ポリシリコン製の電荷転送電極に比べ低抵抗であるため、高速駆動が可能である。
【０００４】
ところで、ＣＣＤ固体撮像素子の電荷転送電極として金属電極を用いる場合、通常のポリシリコン製の電荷転送電極と異なり、プラズマ酸化による酸化シリコン膜等の電極間絶縁膜を形成することはできない。そのため、金属電極の上層に酸化シリコン膜を形成する必要がある。ただし、金属電極の上層に酸化シリコン膜を形成する場合、金属電極の表面が酸化されやすい。金属電極の表面が酸化されると、配線断面積の縮小により抵抗が増大し、電荷の転送速度に影響を及ぼす。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１１９７９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、金属製電荷転送電極を有する固体撮像素子において、金属製電荷転送電極表面の酸化を防止しつつ、良好な膜質の電極間絶縁膜で金属製電荷転送電極を被覆する製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の上記目的は、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する、電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する固体撮像素子の製造方法であって、前記電荷転送電極の形成工程は、ゲート絶縁膜の形成された半導体基板表面に、金属膜を含む第１層導電性膜のパターンを形成して第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極を被覆するように前記シリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜を酸化して酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第１の電極及び前記酸化シリコン膜の形成された前記半導体基板表面に第２の電極を構成する第２層導電性膜を形成する工程と、前記第２層導電性膜の形成後、前記第２層導電性膜のパターンを形成し、第２の電極を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法によって達成される。
【０００８】
本発明に係る固体撮像素子の製造方法では、金属膜を含む第1層導電性膜からなる第１の電極の上層にシリコン膜を形成し、シリコン膜が第１の電極を被覆するようにシリコン膜を形成した後、シリコン膜を選択的に酸化する。したがって、シリコン膜を酸化することで、第１の電極を酸化するのではなく、第1の電極表面に電極間絶縁膜である酸化シリコン膜を形成することができる。これにより、第１の電極の形状は維持され、第１の電極が電荷を転送する速度に影響はない。
【０００９】
また、上記固体撮像素子の製造方法は、前記第２層導電性膜形成後、前記第１の電極上に重畳する領域を残して前記第２層導電性膜のパターンを形成する工程を含むことが好ましい。こうすることで、高速で電荷を転送することができる、２層電極構造の電荷転送電極を形成することができる。
【００１０】
また、上記固体撮像素子の製造方法は、前記シリコン膜を形成する工程が、アモルファスシリコン膜を形成する工程であることが好ましい。アモルファスシリコンは粒界が顕著ではないため、アモルファスシリコン膜を均一に酸化することができる。つまり、アモルファスシリコン膜を酸化して形成する酸化シリコン膜は、膜厚を制御よく形成することができる。
【００１１】
また、上記固体撮像素子の製造方法は、前記アモルファスシリコン膜を形成する工程が、ドープトアモルファスシリコン膜を形成する工程であることが好ましい。ドープトアモルファスシリコンは真性のアモルファスシリコンに比べて酸化速度が速く、粒界もないため、ドープトアモルファスシリコン膜を酸化して形成する酸化シリコン膜は、被覆する第１の電極の表面を酸化させることなく、膜質の優れた膜を形成することができる。
【００１２】
また、上記固体撮像素子の製造方法は、前記シリコン膜を形成する工程が、ＣＶＤ法による成膜工程であることが好ましい。こうすることで、第１の電極上に緻密で信頼性の高いシリコン膜を制御よく形成することができる。
【００１３】
また、上記固体撮像素子の製造方法は、前記シリコン膜を形成する工程が、減圧ＣＶＤ法による成膜工程であることが好ましい。こうすることで、第１の電極上に被覆性が良好なシリコン膜を形成することができる。
【００１４】
また、上記固体撮像素子の製造方法は、前記酸化シリコン膜を形成する工程が、プラズマ酸化工程であることが好ましい。本発明に係る固体撮像素子の製造方法では、第１の電極を被覆するシリコン膜をプラズマ酸化することで、緻密で信頼性の高い酸化シリコン膜を制御よく形成することができる。これにより、膜質の高い電極間絶縁膜を得ることができる。
【００１５】
また、上記固体撮像素子の製造方法は、少なくとも前記第１層導電性膜が、アルミニウム膜であることが好ましい。アルミニウムは安価で比抵抗が小さく、微細加工が容易である。
【００１６】
さらに、本発明の上記目的は、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する、電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する固体撮像素子であって、前記電荷転送部が、金属膜を含む第１層導電性膜からなる第１の電極と、前記第１の電極を被覆する電極間絶縁膜を介して当接された、第２層導電性膜からなる第２の電極とを有する電荷転送電極で構成される固体撮像素子であって、前記電極間絶縁膜がプラズマ酸化で形成された酸化シリコン膜である固体撮像素子によって達成される。
【００１７】
上記構成によれば、第１の電極は酸化されることなく、形状は維持される。第１の電極の形状は維持されるため、第１の電極が電荷を転送する速度に影響はない。
【００１８】
また、上記固体撮像素子は、前記第１層導電性膜又は前記第２層導電性膜が、アルミニウムで構成されることが好ましい。アルミニウムは電気伝導性に優れており、高速で電荷を転送することができる。
【００１９】
また、上記固体撮像素子は、前記第１層導電性膜又は前記第２層導電性膜が、タングステン、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、コバルト、白金あるいはこれらのシリサイドであることが好ましい。タングステンなどは特に酸化により高抵抗化を招くことが多いが、本発明の電極間絶縁膜を用いることにより、低抵抗で高耐圧の固体撮像素子を提供することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、金属製電荷転送電極を有する固体撮像素子において、金属製電荷転送電極表面の酸化を防止しつつ、良好な膜質の電極間絶縁膜で金属製電荷転送電極を被覆する製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
【００２２】
（第一実施形態）
図１は、本発明の第一実施形態を説明するための固体撮像素子の平面模式図である。図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
図１、図２に示す固体撮像素子は、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する、電荷転送電極３を備えた電荷転送部４０とを有する固体撮像素子であって、電荷転送部４０が、金属膜を含む第１層導電性膜３ａからなる第１の電極３ａと、第１の電極３ａを被覆する電極間絶縁膜５を介して当接された、第２層導電性膜３ｂからなる第２の電極３ｂとを有する電荷転送電極３で構成される固体撮像素子であって、電極間絶縁膜５がプラズマ酸化で形成された酸化シリコン膜であることを特徴とする。
【００２３】
ｎ型シリコン基板１表面部には、光電変換部であるフォトダイオード３０が多数形成され、各フォトダイオード３０で発生した信号電荷を列方向（図２中Ｙ方向）に転送するための電荷転送部４０が、列方向に配設された複数のフォトダイオード３０からなる複数のフォトダイオード列の間を蛇行して形成される。
【００２４】
電荷転送部４０は、複数のフォトダイオード列の各々に対応してシリコン基板１表面部の列方向に形成された複数本の電荷転送チャネル３３と、電荷転送チャネル３３の上層に形成された２層電極構造の電荷転送電極３（第１の電極３ａ、第２の電極３ｂ）と、フォトダイオード３０で発生した電荷を電荷転送チャネル３３に読み出すための電荷読み出し領域３４とを含む。電荷転送電極３は、行方向に配設された複数のフォトダイオード３０からなる複数のフォトダイオード行の間を全体として行方向（図２中のＸ方向）に延在する蛇行形状となっている。
【００２５】
図２に示すように、シリコン基板１の表面部にはｐウェル層９が形成され、ｐウェル層９の表面部にはｐ領域３０ａが形成され、ｐ領域３０ａの下にはｎ領域３０ｂが形成され、ｐ領域３０ａとｎ領域３０ｂがフォトダイオード３０を構成し、フォトダイオード３０で発生した信号電荷は、ｎ型領域３０ｂに蓄積される。
【００２６】
図２に関してｐ領域３０ａの右側には、少し離間してｎ領域からなる電荷転送チャネル３３が形成される。ｎ領域３０ｂと電荷転送チャネル３３の間のｐウェル層９には電荷読み出し領域３４が形成される。また、電荷転送チャネル３３に隣接してｐ＋領域からなるチャネルストップ３２が設けられ、隣接するフォトダイオード３０との分離が図られる。
【００２７】
シリコン基板１表面にはゲート絶縁膜２が形成され、電荷読み出し領域３４と電荷転送チャネル３３の上には、ゲート絶縁膜２を介して、２層電極構造の第１の電極３ａと第２の電極３ｂが形成される。第１の電極を構成する材料として、ここではアルミニウムを用いる。アルミニウムは電気伝導性に優れており、電荷転送電極として用いることで電荷の高速転送が可能となる。その他にも、タングステン、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、白金あるいはこれらのシリサイド等を用いてもよい。
【００２８】
第１の電極３ａと第２の電極３ｂの間は電極間絶縁膜５としてプラズマ酸化で形成された酸化シリコン膜によって絶縁され、第１の電極３ａの上に第２の電極３ｂの一部が重畳している。かかる構成によれば、第１の電極３ａは酸化されることなく、形状が維持される。そのため、第１の電極３ａが電荷を転送する速度に影響はない。
【００２９】
フォトダイオード３０の上部と、電荷転送電極３の側壁を被覆する反射防止膜８が形成され、電荷転送電極３の周囲には酸化シリコン膜６が形成される。更にその上に中間層７０が形成される。中間層７０のうち、７１は遮光膜、７２はＢＰＳＧ（borophospho silicate glass）からなる絶縁膜、７３はＰ−ＳｉＮからなる絶縁膜（パッシベーション膜）、７４は透明樹脂膜からなる平坦化層である。遮光膜７１は、フォトダイオード３０の開口部分を除いて設けられる。中間層７０の上方には、カラーフィルタ５０とマイクロレンズ６０が設けられる。カラーフィルタ５０とマイクロレンズ６０との間には、絶縁性の透明樹脂等からなる平坦化層６１が充填される。
【００３０】
本実施形態の固体撮像素子は、フォトダイオード３０で発生した信号電荷がｎ領域３０ｂに蓄積され、ここに蓄積された信号電荷が、電荷転送チャネル３３によって列方向に転送され、転送された信号電荷が図示しないアンプから出力される構成である。
【００３１】
次に、上述した固体撮像素子の製造工程について説明する。ここでは、電荷転送電極３の形成工程について図３から図５を参照して詳細に説明する。電荷転送電極３の形成工程以外の製造工程は、従来の固体撮像素子と同様である。
【００３２】
まず、ｎ型のシリコン基板１表面に、酸化シリコン膜と、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜とをこの順に積層した３層構造のゲート絶縁膜２を形成する。続いて、このゲート絶縁膜２上に、第１の電極を構成する第１層導電性膜３ａを形成する。第１層導電性膜３ａはアルミニウム膜を用いている。アルミニウムは安価で比抵抗が小さく、微細加工が可能である。その他にも、タングステン、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、白金あるいはこれらのシリサイド等を用いてもよい。所望のマスクパターンを用い、ゲート絶縁膜２の窒化シリコン膜をエッチングストッパとして第１層導電性膜３ａを選択的にエッチング除去し、第１の電極３ａ及び周辺回路（図示せず）の配線のパターニングを行う。ここでは、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴：Electron Cycrotoron Resonance）方式あるいはＩＣＰ（誘電結合：Inductively Coupled Plasma）方式などのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【００３３】
次に、図３（ａ）に示すように、第１の電極３ａの上層にシリコン膜５を形成する。シリコン膜５は、ＣＶＤ法により形成されることで、緻密で信頼性の高い膜となる。ここで、第１の電極３ａはアルミニウム膜で構成されており、この場合、シリコン膜５は低温ＣＶＤ法による成膜が好ましい。温度条件は、４５０℃〜５００℃とする。この工程により、酸化しやすいアルミニウム膜で構成される第１の電極３ａの表面の酸化を防止しつつ、第１の電極３ａ上にシリコン膜５を形成することができる。また、減圧ＣＶＤ法で第１の電極３ａ上にシリコン膜５を形成してもよく、こうすることで被覆性の良好なシリコン膜５を形成する。
【００３４】
第１の電極３ａの上層にシリコン膜５を形成後、図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、レジストパターン４を形成する。
【００３５】
次に、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン４をマスクとし、ゲート絶縁膜２をエッチングストッパとしてシリコン膜５を選択的にエッチング除去する。シリコン膜５のエッチング除去は、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）装置を用いて行う。その後、電極パターンを形成した後、レジストパターン４を剥離除去する。（図４（ｄ））
【００３６】
続いて、図４（ｅ）に示すように、第１の電極３ａを被覆するシリコン膜５をプラズマ酸化し、第１の電極３ａの周囲に酸化シリコン膜で構成される電極間絶縁膜５を形成する。ここではプラズマ酸化の温度は４００℃程度とする。オゾン酸化なら、２００℃でも可能である。
【００３７】
電極間絶縁膜５を形成後、図４（ｆ）に示すように、第２層導電性膜３ｂを形成する。第２層導電性膜３ｂとしては、アルミニウム膜が好ましいが、タングステン、チタン、モリブデン、ニッケル、コバルト、白金あるいはこれらのシリサイドで構成される膜でもよい。また、シリコン系導電性膜であってもよい。
【００３８】
次に、図５（ｇ）に示すように、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、第２層導電性膜の上層にレジストパターン７を形成する。
【００３９】
レジストパターン７をマスクパターンとし、ゲート絶縁膜２及び電極間絶縁膜５をエッチングストッパとして第２層導電性膜３ｂを選択的にエッチング除去し第２の電極３ｂを形成する。図５（ｈ）に示すように、第２の電極３ｂは第１の電極上に重畳する領域を残して形成される。
【００４０】
第２の電極３ｂを形成した後、レジストパターン７を剥離除去する。ここでは、ＥＣＲあるいはＩＣＰ等のエッチング装置を用いるのが好ましい。（図５（ｉ））このようにして、第２の電極３ｂを形成し、プラズマ酸化により第２の電極３ｂの周りに酸化シリコン膜６を形成して２層電極構造の電荷転送電極３が形成される。そしてこの上層に遮光膜のパターン７１、ＢＰＳＧ膜７２を形成し、リフローし、平坦化する。そしてＰ−ＳｉＮからなる絶縁膜（パッシベーション膜）７３、透明樹脂膜からなる平坦化層７４を形成する。この後、カラーフィルタ５０、平坦化層６１、マイクロレンズ６０などを形成して、図１及び図２に示すような固体撮像素子を得る。
【００４１】
以上の製造方法によれば、第１の電極３ａの上層にシリコン膜を形成し、シリコン膜が第１の電極３ａを被覆するようにシリコン膜を形成した後、シリコン膜を酸化する。こうすれば、第１の電極３ａにシリコン膜を被覆した後、シリコン膜を酸化することになり、第１の電極３ａの表面を酸化することなく電極間絶縁膜５である酸化シリコン膜を形成することができる。これにより、第１の電極３ａの形状は維持され、電荷の高速転送を可能にする第１の電極３ａの電荷転送速度に影響はない。
【００４２】
なお、電極間絶縁膜５としてシリコン膜をプラズマ酸化して形成する酸化シリコン膜を用いたが、膜厚に関しては８５０Å〜１２００Åが望ましい。すなわち、電極間絶縁膜５の膜厚は、電極間絶縁膜５自身の成膜工程で第１の電極３ａの表面が酸化されず、かつ電極間絶縁膜５が第１の電極３ａと第２の電極３ｂを絶縁する役割を果たす程度の膜厚とすることが望ましい。
【００４３】
また、本実施形態において、電極間絶縁膜５として機能する酸化シリコン膜は、シリコン膜をプラズマ酸化して形成したが、アモルファスシリコン膜またはドープトアモルファスシリコン膜等のシリコン系導電性膜をプラズマ酸化して形成してもよい。アモルファスシリコン膜は、均一に酸化することができるため、アモルファスシリコン膜を酸化して形成する酸化シリコン膜は、膜厚を制御よく形成することができる。また、ドープトアモルファスシリコン膜は、真性のアモルファスシリコン膜に比べて酸化速度が速く、ドープトアモルファスシリコン膜を酸化して形成する酸化シリコン膜は、被覆する第１の電極の表面を酸化させることなく、膜質の優れた膜を形成することができる。
【００４４】
（第二実施形態）
本実施形態の固体撮像素子は、図２に示した固体撮像素子において、電荷転送電極３の電極構造を単層電極構造とした点のみが異なる。本実施形態の固体撮像素子の平面模式図は図１と同様である。
【００４５】
図６は、本発明の第二実施形態を説明するための固体撮像素子の断面模式図であり、図１のＡ−Ａ線断面図である。図６において、図２と同様の構成には同一符号を付してある。図６に示す固体撮像素子の電荷転送電極３は、第１の電極３ａと第２の電極３ｂが電極間絶縁膜５を介して隣接している点は図６に示す固体撮像素子に示す固体撮像素子と同じだが、第１の電極３ａ上に第２の電極３ｂの一部が重畳していない点で異なる。
【００４６】
以下、図６に示す固体撮像素子の製造方法のうち、電荷転送電極の形成工程について説明する。電荷転送電極３の形成工程以外の製造工程は従来の固体撮像素子と同様である。
まず、図２に示す固体撮像素子と同様に、図３（ａ）から図４（ｆ）に示す工程を行う。次に、減圧ＣＶＤ法等により、第２層導電性膜３ｂを形成する。第２層導電性膜３ｂとしては、アルミニウム膜、あるいはタングステン、チタン、モリブデン、ニッケル、コバルト、白金あるいはこれらのシリサイドで構成される金属膜を用いることができる。また、アモルファスシリコン膜やドープトアモルファスシリコン膜等、他のシリコン系導電性膜も用いることができる。
【００４７】
第２層導電性膜３ｂの膜厚は、第１の電極３ａとその上層の電極間絶縁膜５との合計膜厚と同程度かそれよりも厚くなるように形成する必要がある。そして、レジストを塗布し、このレジストと第２層導電性膜３ｂのエッチング速度がほぼ同一となる条件で、全面エッチングを行って第１の電極３ａ上方の第２層導電性膜３ｂを除去し、第２層導電性膜３ｂの平坦化を行う。この後、アクティブ領域及び周辺回路形成のためのレジストパターン７を形成する。ここでは、固体撮像素子形成部及び周辺回路部の一部を覆うようにレジストパターン７を形成する。そして、このレジストパターン７をマスクとして、フォトダイオード３０上の第２層導電性膜３ｂをエッチング除去するとともに周辺回路の他のパターンを残留させる。そして、例えばアッシングによりレジスト除去を行うことにより、固体撮像素子形成部及び周辺回路部の一部を覆うように第２の電極３ｂが形成される。
【００４８】
このようにして、第２の電極３ｂを形成し、プラズマ酸化により第２の電極３ｂの周りに酸化シリコン膜６を形成して単層電極構造の電荷転送電極３が形成される。そしてこの上層に遮光膜のパターン７１、ＢＰＳＧ膜７２を形成し、リフローし、平坦化する。そしてＰ−ＳｉＮからなる絶縁膜（パッシベーション膜）７３、透明樹脂膜からなる平坦化層７４を形成する。この後、カラーフィルタ５０、平坦化層６１、マイクロレンズ６０などを形成して、図１及び図６に示すような固体撮像素子を得る。
【００４９】
なお、本実施形態の固体撮像素子の電荷転送電極は単層電極構造であるため、図３（ｃ）の工程で第１の電極３ａの表面全てに絶縁膜５を形成する必要はなく、第１の電極３ａの側壁のみ絶縁膜５を形成すれば十分である。
【００５０】
また、第一実施形態及び第二実施形態では、奇数行に配列された光電変換部と偶数行に配列された光電変換部とが、各行の光電変換部配列ピッチの略１／２行方向にずれたいわゆるハニカム構造の固体撮像素子を例示したが、光電変換部が正方格子状に配列された固体撮像素子にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上、説明したように本発明の固体撮像素子は、電荷転送電極の低抵抗化が可能であり、高速で信頼性が高いことから、高画素数のデジタルカメラ等の搭載に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の平面模式図
【図２】本発明の第一実施形態に係る固体撮像素子の断面模式図
【図３】本発明の第一実施形態及び第二実施形態に係る固体撮像素子の製造工程を説明する図
【図４】本発明の第一実施形態及び第二実施形態の固体撮像素子の製造工程を説明する図
【図５】本発明の第一実施形態に係る固体撮像素子の製造工程を説明する図
【図６】本発明の第二実施形態に係る固体撮像素子の断面模式図
【符号の説明】
【００５３】
１    ｎ型シリコン基板
２    ゲート絶縁膜
３ａ  第１層導電性膜
３ｂ  第２層導電性膜
５    電極間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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