(57)【要約】  【課題】準ミリ波帯以上の高周波回路装置の、伝送線路と導波管の変換部分またはアンテナ部分と導波管の変換部分を用いずに、気密性を損なうことなく低損失で広帯域の高周波信号を導波管に取り出す。【解決手段】接地用金属筐体と、該金属筐体の内側に接する、少なくとも１層以上の誘電体基板と電極との伝送線路と、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子を含む半導体と、金属蓋体とを有する高周波回路装置において、前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去して導波管と同一寸法の空洞を設け、前記空洞と導波管とを接続し、前記空洞に接する面直上の前記伝送線路の前記接地用電極を、導波管と同一寸法の形状または導波管の寸法に前記誘電体基板の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法の形状に除去する構造とする。【選択図】図１
2007006198.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地用金属筐体と、該接地用金属筐体の内側に接する、少なくとも１層以上の誘電体基板と電極との伝送線路と、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子を含む半導体と、金属蓋体とを有する高周波回路装置において、前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去して導波管と同一寸法の空洞を設け、前記空洞に導波管を接続し、前記空洞に接する面直上の前記伝送線路の前記接地用電極を、導波管と同一寸法の形状または、導波管の寸法に前記誘電体基板の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法
の形状に、除去したことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項２】
接地用金属筐体と、該接地用金属筐体の内側に接する、少なくとも２層以上の誘電体基板と電極との伝送線路と、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子を含む半導体と、金属蓋体とを有する高周波回路装置において、前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去して導波管と同一寸法の空洞を設け、前記空洞に導波管を接続し、前記空洞に接する面直上の前記伝送線路の前記接地用電極と、少なくとも最下層から１層以上の誘電体基板の一部と、を除去し導波管と同一寸法の形状に空洞を設けたことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項３】
接地用金属筐体と、該接地用金属筐体の内側に接する、少なくとも１層以上の誘電体基板と電極との伝送線路と、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子を含む半導体と、金属蓋体とを有し、前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去して空洞を設け、前記空洞に導波管を接続し、前記空洞に接する面直上の前記伝送線路の前記接地用電極を除去した高周波回路装置において、
前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去した空洞すべての内側に前記誘電体基板より比誘電率の低い誘電体材料を充填して密閉して気密構造とし、
前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去した空洞の寸法と前記空洞に接する面直上の前記伝送線路の前記接地用電極を除去した寸法とを、導波管の寸法に前記比誘電率の低い誘電体材料の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法としたことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項４】
接地用金属筐体と、該接地用金属筐体の内側に接する、少なくとも２層以上の誘電体基板と電極との伝送線路と、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子を含む半導体と、金属蓋体とを有し、前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去して空洞を設け、前記空洞に導波管を接続し、前記空洞に接する面直上の前記伝送線路の前記接地用電極と少なくとも最下層から１層以上の誘電体基板の一部とを除去した高周波回路装置において、
前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去した空洞すべての内側と、少なくとも最下層から１層以上の誘電体基板の一部を除去した空洞すべての内側と、に前記誘電体基板より比誘電率の低い誘電体材料を充填して密閉して気密構造とし、
前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去した空洞の寸法と、前記空洞に接する面直上の前記伝送線路の前記接地用電極を除去した寸法と、少なくとも最下層から１層以上の誘電体基板の一部を除去した空洞の寸法とを、導波管の寸法に前記比誘電率の低い誘電体材料の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法としたことを特徴とする高周波回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、準ミリ波帯以上の移動無線端末や映像伝送等に用いられる高周波回路装置の低損失化と広帯域化と小型化とを両立する構造に関する技術である。
【背景技術】
【０００２】
準ミリ波帯以上の移動無線端末や画像伝送等に用いられる高周波回路装置で、金属筐体と単層の誘電体基板を用いた高周波回路モジュールの一例の文献を紹介してから、他の従来の技術を図９から図１２を用いて下記に説明する。
【０００３】
２０００年１２月発行のＭｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ＭＷＥ２０００（ＷＳ５−３）「Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  ｆｏｒ  Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−ｗａｖｅ  Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｍｏｄｕｌｅ」（非特許文献１）では、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子と、半導体と、高周波信号を取り出す伝送線路と、を形成した単層の誘電体基板を接地用金属筐体の同一面上に配置している。この例では、金属蓋体で密閉する高周波回路モジュール構造としており、金属蓋体に角穴を設けて高周波信号を外部に取り出し、金属蓋体の角穴は誘電体で密閉されている。この構造は、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子と、半導体と、高周波信号を取り出す伝送線路と、を接地用金属筐体の同一面上に形成することにより小型化する利点が有る。
【０００４】
また、多層の誘電体基板を用いた高周波回路モジュールの一例としては、２０００年１２月発行のＭｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ＭＷＥ２０００（ＷＳ５−２）「Ｌｏｗ  Ｃｏｓｔ  Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−Ｗａｖｅ  ＭＭＩＣ  Ａｓｓｅｍｂｌｉｎｇ  ａｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ」（非特許文献２）に示すように、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子と、半導体と、伝送線路と、を誘電体基板の同一面上に形成し、他の誘電体基板で密閉する高周波回路モジュール構造としている。この例では，誘電体基板の表面に設けたアンテナの電極を伝送線路により接続し、高周波信号は誘電体基板の表面に設けたアンテナの電極により外部に取り出している。この構造は抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子と、半導体と、伝送線路と、さらには、アンテナを誘電体基板の同一面上に形成することにより小型化する利点が有る。
【０００５】
図９は、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子を含む半導体と、高周波信号を取り出す単層の誘電体基板と電極との伝送線路と、を接地用金属筐体の同一面上に配置し、角穴を設けた金属蓋体で密閉した高周波回路装置の一般的な断面概略図である。接地用金属筐体１、半導体２、高周波信号を取り出す伝送線路を形成する単層の誘電体基板３と電極１４と接地用金属電極１７、半導体２に電源と信号を印加する気密ピン４、半導体２と気密ピン４とを接続するワイヤ５、半導体２と電極１４とを接続するワイヤ６、角穴を設けた金属蓋体７、密閉するための誘電体１３から構成されている。
【０００６】
図１０は、図９の高周波回路装置の一般的な平面概略図である。接地用金属筐体１、半導体２、高周波信号を取り出す伝送線路を形成する単層の誘電体基板３と電極１４、半導体２に電源と信号を印加する気密ピン４、半導体２と気密ピン４とを接続するワイヤ５、半導体２と電極１４とを接続するワイヤ６、角穴を設けた金属蓋体７の位置７ｂ、密閉するための誘電体１３の位置１３ｂから構成されている。
【０００７】
図１１は、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子を含む半導体と、高周波信号を取り出す単層の誘電体基板と電極との伝送線路と、を接地用金属筐体の同一面上に配置し、接地用金属筐体から同軸で高周波信号を取り出す高周波回路装置の一般的な断面概略図である。接地用金属筐体１、半導体２、高周波信号を取り出す伝送線路を形成する単層の誘電体基板３と電極１４と接地用金属電極１７、半導体２に電源と信号を印加する気密ピン４、半導体２と気密ピン４とを接続するワイヤ５、半導体２と電極１４とを接続するワイヤ６、密閉するための金属蓋体７、高周波信号を取り出すための同軸コネクタ１５、電極１４と同軸コネクタ１５を接続するための配線１６から構成されている。
【０００８】
図１２は、図１１の高周波回路装置の一般的な平面概略図である。接地用金属筐体１、半導体２、高周波信号を取り出す伝送線路を形成する単層の誘電体基板３と電極１４、半導体２に電源と信号を印加する気密ピン４、半導体２と気密ピン４とを接続するワイヤ５、半導体２と電極１４とを接続するワイヤ６、半導体２と電極１４とを接続するワイヤ６、密閉するための金属蓋体７の位置７ｂ、配線１６の位置１６ｂから構成されている。
【０００９】
さらに、図示しないが、高周波信号を取り出すための誘電体基板と電極との伝送線路が前記前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体に導波管より細いスリットを設けて細いスリットに導波管を接続し、伝送線路から細いスリットでインピーダンスを変換して共振する高周波信号を低損失で導波管に取り出す方法も考案された。
【００１０】
また、図示しないが、導波管内に接地のない伝送線路を設けた場合は、変換部分が不要で、低損失で高周波信号を導波管に取り出すことができることは、知られている。
【非特許文献１】Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ＭＷＥ２０００（ＷＳ５−３）「Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  ｆｏｒ  Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−ｗａｖｅ  Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｍｏｄｕｌｅ」２０００年１２月
【非特許文献２】Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ＭＷＥ２０００（ＷＳ５−２）「Ｌｏｗ  Ｃｏｓｔ  Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−Ｗａｖｅ  ＭＭＩＣ  Ａｓｓｅｍｂｌｉｎｇ  ａｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ」２０００年１２月
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記の従来技術で示した第１の例では、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子と、半導体と、高周波信号を取り出す伝送線路と、を接地用金属筐体の同一面上に形成し、密閉するための金属蓋体に角穴を設けている。このため、導波管により高周波信号を取り出すには構造上の制限があり、伝送線路と導波管の変換部分が必要となり、高周波信号の損失が増加する。
【００１２】
また、第２の例では、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子と、半導体と、伝送線路と、アンテナの電極と、を誘電体基板の同一面上に形成し、他の誘電体基板で密閉している。このため、導波管により高周波信号を取り出すには構造上の制限があり、アンテナ部分と導波管の変換部分が必要となり、高周波信号の損失が増加する。
【００１３】
他の従来技術では、図９、図１０から明らかなように、図示しない導波管により高周波信号を取り出すには構造上の制限があり、角穴を設けた金属蓋体部分と導波管の変換部分が必要となり、高周波信号の損失が増加する。また、図１１、図１２から明らかなように、図示しない導波管により高周波信号を取り出すには同軸と導波管の変換部分が必要となり、高周波信号の損失が増加する。いずれの例も、小型化は可能であるが高周波信号を低損失で、導波管に取り出すことはできない。
【００１４】
さらに、図示しない、高周波信号を取り出すための電極の伝送線路が前記誘電体基板を介して接する面直下の接地用金属筐体に導波管より細いスリットを設けて細いスリットに導波管を接続し、伝送線路から細いスリットでにインピーダンスを変換して共振する高周波信号を低損失で導波管に取り出す方法では、共振を用いるため狭帯域となってしまう。
【００１５】
本発明は、準ミリ波帯以上の移動無線端末や画像伝送等に用いられる高周波回路装置の気密構造を保ったままで、低損失化と広帯域化と小型化とを両立するために、伝送線路と導波管の変換部分またはアンテナ部分と導波管の変換部分を不要にする事を目的とする。
【００１６】
また、誘電体の損失と誘電体による不要モードの発生を低減する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、上記目的を達成するため、接地用金属筐体と、該金属筐体の内側に接する、少なくとも１層以上の誘電体基板と電極との伝送線路と、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子を含む半導体と、金属蓋体とを有する高周波回路装置において、前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去して導波管と同一寸法の空洞を設け、前記空洞に導波管を接続し、前記空洞に接する面直上の前記伝送線路の前記接地用電極を、導波管と同一寸法の形状または導波管の寸法に前記誘電体基板の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法の形状に、除去した構造としたものである。
【００１８】
また、接地用金属筐体と、該金属筐体の内側に接する、少なくとも２層以上の誘電体基板と電極との伝送線路と、抵抗と容量とインダクタとの集中定数素子を含む半導体と、金属蓋体とを有する高周波回路装置において、前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去して導波管と同一寸法の空洞を設け、前記空洞に導波管を接続し、前記空洞に接する面直上の前記伝送線路の前記接地用電極と、少なくとも最下層から１層以上の誘電体基板の一部と、を除去し導波管と同一寸法の形状に空洞を設けた構造構造としたものである。
【００１９】
これにより、同軸と導波管の変換部あるいはアンテナと導波管の変換部を用いずに、気密構造でありながら前記誘電体基板上に形成した電極の伝送線路により、広帯域の高周波信号を低損失で導波管に取り出すことができる。
【００２０】
さらに、前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去した空洞すべての内側に前記誘電体基板より比誘電率の低い誘電体材料を充填して密閉して気密構造とし、前記伝送線路の接地用電極に接する面直下の接地用金属筐体の一部を除去した空洞空洞の寸法と前記空洞に接する面直上の前記伝送線路の前記接地用電極を除去した寸法とを、導波管の寸法に前記比誘電率の低い誘電体材料の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法とするものである。
【００２１】
最下層から１層以上の誘電体基板の一部を除去した空洞すべての内側に前記誘電体基板より比誘電率の低い誘電体材料を充填して密閉して気密構造とした場合は、前記最下層から１層以上の誘電体基板の一部を除去した空洞の寸法を、導波管の寸法に前記比誘電率の低い誘電体材料の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法とするものである。
【００２２】
これにより、広帯域の高周波信号を低損失で導波管に取り出す構造で、気密構造とすることが容易となる。
前記電極は電気抵抗が低い固体で金属が主に用いられる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、導波管内に接地のない伝送線路を設けた場合と同様に低損失で高周波信号を導波管に取り出すことができ、気密性も損なうことがない。
伝送線路に誘電体基板を介して接する金属蓋体に導波管より細いスリットを設けて細いスリットに導波管を接続し、伝送線路から細いスリットでインピーダンスを変換して、共振周波数を低損失で高周波信号を導波管に取り出す方法と異なり、広帯域な高周波信号を導波管に取り出すことができる。そのため、広帯域な周波数で、共通の構造とする事ができ、広帯域な周波数で機構部品が標準化でき、低価格化できる。
【００２４】
さらに、金属蓋体や金属電極や誘電体基板の下層を除去した空洞の内側に比誘電率の低い誘電体材料を充填して密閉することより、広帯域の高周波信号を低損失で導波管に取り出す構造で、気密構造とすることが容易となる。また、高周波信号を導波管に取り出す誘電体基板が薄くなったり、誘電率の低い誘電体材料に置き換わるため、誘電体基板による損失と不要モードの発生を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の第一の実施例について詳細に説明する。図１は本発明を適用した高周波回路装置の断面概略図である。図１において、接地用の金属筐体１の上に、半導体２と誘電体基板３と金属電極８と接地用金属電極１７の伝送線路を設け、金属蓋体７により密閉する。半導体２にワイヤ５により接地用金属筐体１の側面に設けた気密ピン４を接続し外部から電源と信号とを印加する。半導体２にワイヤ６により金属電極８を接続し、伝送線路の接地用電極１７に接する金属電極８面直下の金属筐体１に設けた導波管１８と同一寸法の角穴９から角穴９と接続する導波管１８に高周波信号を取り出す。角穴９面直上の誘電体基板３に形成した接地用金属電極１７を、導波管１８と同一寸法の形状または導波管１８の寸法に前記誘電体基板の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法の形状に除去する。
【００２６】
図２は、本発明を適用した高周波回路装置の第一の実施例である図１の平面概略図である。図２において、図１同様に、接地用の金属筐体１の上に、半導体２と誘電体基板３と金属電極８と接地用金属電極１７の伝送線路を設け、金属蓋体７により密閉する。半導体２にワイヤ５により気密ピン４を接続し外部から電源と信号とを印加する。半導体２にワイヤ６により金属電極８を接続し、伝送線路の接地用電極１７に接する金属電極８面直下の金属筐体１に設けた導波管１８と同一寸法の角穴９から角穴９と接続する導波管１８に高周波信号を取り出す。言い換えれば、金属電極８は、導波管１８と接続する角穴９に相当する位置９ｂの直上部に形成する。
【００２７】
本発明の第一の実施例の気密ピン４では、信号を取り扱う気密ピンと、電源を印加する気密ピンとを共用する場合もあり、気密ピンの数も特に限定するものではない。
本発明の第一の実施例では、低損失で高周波信号を導波管に取り出すことができ、気密性も損なうことがない。また、広帯域な高周波信号を導波管に取り出すことができる。そのため、広帯域な周波数で、共通の構造とする事ができ、広帯域な周波数で機構部品が標準化でき、低価格化できる。
【００２８】
図３は、本発明を適用した高周波回路装置の第二の実施例である。図３において、接地用の金属筐体１の上に、半導体２と誘電体基板３と金属電極８と接地用金属電極１７の伝送線路を設け、金属蓋体７により密閉する。半導体２にワイヤ５により接地用金属筐体１の側面に設けた気密ピン４を接続し外部から電源と信号とを印加する。半導体２にワイヤ６により金属電極８を接続し、伝送線路の接地用電極１７に接する金属電極８面直下の金属筐体１に設けた導波管１８と同一寸法の角穴９から角穴９と接続する導波管１８に高周波信号を取り出す。導波管１８と接続する角穴９には誘電体基板３より低い比誘電率の誘電体１０を充填する。角穴９の寸法と角穴９面直上の誘電体基板に形成した接地用電極を除去した寸法とを、導波管１８の寸法に前記誘電体基板の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法とする。
【００２９】
図４は、本発明を適用した高周波回路装置の第二の実施例である図３の平面概略図である。図４において、図３同様に、接地用の金属筐体１の上に、半導体２と誘電体基板３と金属電極８と接地用金属電極１７の伝送線路を設け、金属蓋体７により密閉する。半導体２にワイヤ５により接地用金属筐体１の側面に設けた気密ピン４を接続し外部から電源と信号とを印加する。半導体２にワイヤ６により金属電極８を接続し、伝送線路の接地用電極１７に接する金属電極８面直下の金属筐体１に設けた導波管１８と同一寸法の角穴９から角穴９と接続する導波管１８に高周波信号を取り出す。導波管１８と接続する角穴９には誘電体基板３より低い比誘電率の誘電体１０を充填する。角穴９の寸法と角穴９面直上の誘電体基板に形成した接地用金属電極１７を除去した寸法とを、導波管１８の寸法に誘電体１０の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法とする。言い換えれば、金属電極８は、誘電体１０で充填された角穴９に相当する位置９ｂの上部に形成する。
本発明の第二の実施例では第一の実施例と同様、気密ピン４では、信号を取り扱う気密ピンと、電源を印加する気密ピンとを共用する場合もあり、気密ピンの数も特に限定するものではない。
【００３０】
本発明の第二の実施例では、広帯域の高周波信号を低損失で導波管に取り出す構造で、気密構造とすることが容易となる。
図５は、本発明を適用した高周波回路装置の第三の実施例である。図５において、接地用の金属筐体１の上に、半導体２と２層以上の誘電体基板３と金属電極８と接地用金属電極１７の伝送線路を設け、金属蓋体７により密閉する。半導体２にワイヤ５により接地用金属筐体１の側面に設けた気密ピン４を接続し外部から電源と信号とを印加する。半導体２にワイヤ６により金属電極８を接続し、伝送線路の接地用電極１７に接する金属電極８面直下の金属筐体１に設けた導波管１８と同一寸法の角穴９から角穴９と接続する導波管１８に高周波信号を取り出す。角穴９面直上の誘電体基板３に形成した接地用金属電極１７と誘電体基板3の下層を導波管と同一寸法の形状に除去する。
【００３１】
図６は、本発明を適用した高周波回路装置の第三の実施例である図５の平面概略図である。図６において、図５同様に、接地用の金属筐体１の上に、半導体２と２層以上の誘電体基板３と金属電極８と接地用金属電極１７の伝送線路を設け、金属蓋体７により密閉する。半導体２にワイヤ５により接地用金属筐体１の側面に設けた気密ピン４を接続し外部から電源と信号とを印加する。半導体２にワイヤ６により金属電極８を接続し、伝送線路の接地用電極１７に接する金属電極８面直下の金属筐体１に設けた導波管１８と同一寸法の角穴９から角穴９と接続する導波管１８に高周波信号を取り出す。角穴９面直上の誘電体基板３に形成した接地用金属電極１７と誘電体基板３の下層を導波管１８と同一寸法の形状に除去する。言い換えれば、金属電極８は、導波管１８と接続する角穴９に相当する位置９ｂの上部に形成する。
【００３２】
本発明の第三の実施例では第一の実施例と同様、気密ピン４では、信号を取り扱う気密ピンと、電源を印加する気密ピンとを共用する場合もあり、気密ピンの数も特に限定するものではない。
【００３３】
本発明の第三の実施例では、低損失で高周波信号を導波管に取り出すことができ、気密性も損なうことがない。また、広帯域な高周波信号を導波管に取り出すことができる。そのため、広帯域な周波数で、共通の構造とする事ができ、広帯域な周波数で機構部品が標準化でき、低価格化できる。また、高周波信号を導波管に取り出す誘電体基板が薄くなるため、誘電体基板による損失と不要モードの発生を低減できる。
【００３４】
図７は、本発明を適用した高周波回路装置の第四の実施例である。図７において、接地用の金属筐体１の上に、半導体２と２層以上の誘電体基板３と金属電極８と接地用金属電極１７の伝送線路を設け、金属蓋体７により密閉する。半導体２にワイヤ５により接地用金属筐体１の側面に設けた気密ピン４を接続し外部から電源と信号とを印加する。半導体２にワイヤ６により金属電極８を接続し、伝送線路の接地用電極１７に接する金属電極８面直下の金属筐体１に設けた導波管１８と同一寸法の角穴９から角穴９と接続する導波管１８に高周波信号を取り出す。角穴９面直上の誘電体基板３に形成した接地用金属電極１７と誘電体基板3の下層を四角に除去し空洞１１を設ける。角穴９と空洞１１とのすべての内面を誘電体基板３より低い比誘電率の誘電体１２で充填する。角穴９の寸法と空洞１１の寸法は、導波管１８の寸法に誘電体１２の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法とする。
【００３５】
図８は、本発明を適用した高周波回路装置の第四の実施例である図７の平面概略図である。図８において、図７同様に、接地用の金属筐体１の上に、半導体２と２層以上の誘電体基板３と金属電極８と接地用金属電極１７の伝送線路を設け、金属蓋体７により密閉する。半導体２にワイヤ５により接地用金属筐体１の側面に設けた気密ピン４を接続し外部から電源と信号とを印加する。半導体２にワイヤ６により金属電極８を接続し、伝送線路の接地用電極１７に接する金属電極８面直下の金属筐体１に設けた導波管１８と同一寸法の角穴９から角穴９と接続する導波管１８に高周波信号を取り出す。角穴９面直上の誘電体基板３に形成した接地用金属電極１７と誘電体基板３の下層を四角に除去し空洞１１を設ける。角穴９と空洞１１とのすべての内面を誘電体基板３より低い比誘電率の誘電体１２で充填する。角穴９の寸法と空洞１１の寸法は、導波管１８の寸法に誘電体１２の比誘電率の平方根の逆数を掛けた寸法とする。金属電極８は、誘電体１２で充填した角穴９に相当する位置９ｂの上部に形成する。
【００３６】
本発明の第四の実施例では第一の実施例と同様、気密ピン４では、信号を取り扱う気密ピンと、電源を印加する気密ピンとを共用する場合もあり、気密ピンの数も特に限定するものではない。
【００３７】
本発明の第四の実施例では、広帯域の高周波信号を低損失で導波管に取り出す構造で、気密構造とすることが容易となる。また、高周波信号を導波管に取り出す誘電体基板が誘電率の低い誘電体材料に置き換わるため、誘電体基板による損失と不要モードの発生を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の高周波回路装置の第一の実施例の構造を示す断面概略図である。
【図２】本発明の高周波回路装置の第一の実施例の構造を示す平面概略図である。
【図３】本発明の高周波回路装置の第二の実施例の構造を示す断面概略図である。
【図４】本発明の高周波回路装置の第二の実施例の構造を示す平面概略図である。
【図５】本発明の高周波回路装置の第三の実施例の構造を示す断面概略図である
【図６】本発明の高周波回路装置の第三の実施例の構造を示す平面概略図である。
【図７】本発明の高周波回路装置の第四の実施例の構造を示す断面概略図である
【図８】本発明の高周波回路装置の第四の実施例の構造を示す平面概略図である。
【図９】従来技術の高周波回路装置の第一の例の構造を示す断面概略図である。
【図１０】従来技術の高周波回路装置の第一の例の構造を示す平面概略図である。
【図１１】従来技術の高周波回路装置の第二の例の構造を示す断面概略図である。
【図１２】従来技術の高周波回路装置の第二の例の構造を示す平面概略図である。
【符号の説明】
【００３９】
１：金属筐体          ２：半導体          ３：誘電体基板      
４：気密ピン      ５，６：ワイヤ          ７：金属蓋体    
８：金属電極          ９：金属筐体の空洞  
１０，１２：比誘電率の低い誘電体        １１：誘電体基板の空洞  
１３：誘電体        １４：金属電極      １５：同軸コネクタ  
１６：配線          １７：金属電極      １８：導波管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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