(57)【要約】      （修正有）【課題】高誘電率、低誘電正接かつ絶縁性に優れた誘電体ペースト、高誘電率かつ低誘電正接のキャパシタおよびこれを有する基板を提供する。【解決手段】高誘電率、低誘電正接かつ絶縁性に優れた誘電体ペーストは高誘電率充填材、エポキシ樹脂、硬化剤および希釈剤を必須成分として、その高誘電率充填材の平均粒径および含有量ならびに希釈剤の含有量、沸点および蒸気圧を規定することにより達成される。前記誘電体ペーストよりなる誘電体と、導体より構成されるキャパシタ。また、前記キャパシタを内蔵する基板。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、高誘電率充填材（Ｃ）、および希釈剤（Ｄ）を必須成分として含む誘電体ペーストにおいて、高誘電率充填材（Ｃ）が誘電体ペースト硬化物中に２０重量％以上９５重量％以下となるように含有されており、かつ高誘電率充填材の平均粒径が５０ｎｍ以上２５μｍ以下であり、かつ希釈剤（Ｄ）の配合量が誘電体ペースト全重量に対して５重量％以上３０重量％未満であることを特徴とする誘電体ペースト。
【請求項２】
硬化剤（Ｂ）が、フェノール樹脂である請求項１に記載の誘電体ペースト。
【請求項３】
沸点が１２０℃以上である希釈剤（Ｄ）を一種類以上含む請求項１又は２に記載の誘電体ペースト。
【請求項４】
蒸気圧が１ｋＰａ以下である希釈剤（Ｄ）を一種類以上含む請求項１乃至３のいずれか１項に記載の誘電体ペースト。
【請求項５】
前記誘電体ペーストの粘度が、１Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の誘電体ペースト。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の誘電体ペーストよりなる誘電体と導体により形成されたことを特徴とするキャパシタ。
【請求項７】
請求項６に記載のキャパシタを内蔵することを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体ペースト、キャパシタおよび基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化や回路の高速化に対応するため、従来、電子基板に搭載されていたキャパシタは、高性能化され、電子基板に内蔵される構造となってきている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
キャパシタを電子基板に内蔵する方法としては、例えば、基板の電極上に高誘電率充填材を含有した誘電体ペーストを印刷し、その上にもう１つの電極を形成して内蔵する構造を得る方法がある。
【０００４】
前記ペーストには高誘電率充填材としてセラミックを用いられるのが、一般的であり、これをできるだけ多く含有させることにより非常に誘電率の高い誘電体ペーストを得ることができる（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
しかしながら、キャパシタの構成要素である前記誘電体ペーストにおいて、その厚みに対して、前記誘電体ペーストに必要以上に粒径の小さい高誘電率充填材を含有した場合には、該充填材同士の間に、誘電率の低い充填材以外の樹脂成分が介在する点が多くなり、高誘電率の連続体が少なくなって、前記誘電体ペーストにおいて、高誘電率充填材の効果が発現されずに誘電率が低下する。逆に、誘電体ペーストの厚みに対して、必要以上に粒径の大きい充填材を含有させた場合には、充填材による凹凸が、誘電体ペーストの表面に影響を与えてしまい、表面平滑性が低下する。
【０００６】
また、誘電率の高い誘電体ペーストを得るために高誘電率充填材を高充填するが、含有量が多すぎると、誘電体ペーストの表面平滑性、ペーストの印刷性、誘電体ペースト層と下部電極との密着性が低下する。逆に、高誘電体フィラーの含有量が少なすぎると、誘電体ペーストの誘電率が低下する。
【０００７】
また、高誘電率充填材を高充填した場合、誘電体ペーストの誘電率の増加に伴い誘電正接の増加が問題となる。そのため高誘電体充填材を高充填するのには限界がある。
【０００８】
また、印刷性を向上させるために高沸点かつ揮発性の低い希釈剤を添加するが、誘電体ペーストを硬化した際に硬化物中に希釈剤成分が残存してしまい十分に高い誘電率を得ることができない。逆に揮発性の高い希釈剤を多量に添加すると印刷形成時にペーストが乾燥してしまい印刷が出来なくなってしまう。
以上のように、高誘電率充填材と樹脂成分とを用いて高誘電率かつ印刷性に優れた誘電体ペーストを形成することは事実上困難であった。
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−３６７８５８号公報
【特許文献２】特開平８−１２５３０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、従来の上述のような問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは、高誘電率かつ印刷性に優れた誘電体ペーストを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、下記［１］〜［７］により達成される。
［１］  エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、高誘電率充填材（Ｃ）、および希釈剤（Ｄ）を必須成分として含む誘電体ペーストにおいて、高誘電率充填材（Ｃ）が誘電体ペースト硬化物中に２０重量％以上９０重量％以下となるように含有されており、かつ高誘電率充填材の平均粒径が５０ｎｍ以上２５μｍ以下であり、かつ希釈剤（Ｄ）の配合量が誘電体ペースト全重量に対して５重量％以上３０重量％未満であることを特徴とする誘電体ペースト。
［２］  硬化剤（Ｂ）が、フェノール樹脂である第［１］に記載の誘電体ペースト。
［３］  沸点が１２０℃以上である希釈剤（Ｄ）を一種類以上含む第［１］乃至［２］項のいずれか１項に記載の誘電体ペースト。
［４］  蒸気圧が１ｋＰａ以下である希釈剤（Ｄ）を一種類以上含む第［１］乃至［３］項のいずれか１項に記載の誘電体ペースト。
［５］  前記誘電体ペーストの粘度が、１Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下である第［１］乃至［４］項のいずれか１項に記載の誘電体ペースト。
［６］  第［１］乃至［５］項のいずれか１項に記載の誘電体ペーストよりなる誘電体と導体により形成されたことを特徴とするキャパシタ。
［７］  第［６］項に記載のキャパシタを内蔵することを特徴とする基板。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の目的は、高誘電率かつ印刷性に優れた誘電体ペーストを提供することである。  また、本発明の目的は、高誘電率かつ表面平滑性に優れたキャパシタを提供することである。  また、本発明の目的は、高誘電率かつ低誘電正接の基板を提供することである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、エポキシ樹脂と硬化剤と高誘電率充填材と希釈剤とを含有してなる誘電体ペーストである。高誘電率充填材の含有量および平均粒径ならびに希釈剤の添加量、沸点および蒸気圧を制御することによって、高誘電率かつ印刷性に優れた誘電体ペーストが得られるものである。このような誘電体ペーストを用いて得られるキャパシタは、高誘電率かつ優れた表面平滑性を有するものである。
【００１４】
本発明の誘電体ペーストに用いるエポキシ樹脂（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡエポキシ樹脂およびビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂およびクレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジフェニルエーテル型エポキシ樹脂、ならびにビスフェノールＡ−エピクロルヒドリン型エポキシ樹脂、等が挙げられる。
エポキシ樹脂を用いることにより比較的低温でキャパシタを形成することが可能である。
【００１５】
本発明の誘電体ペーストに用いる硬化剤（Ｂ）としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、ポリアミン系硬化剤、ポリカルボン酸系硬化剤等を使用することができる。具体的には、フェノール樹脂系硬化剤としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂、ポリｐ−ビニルフェノール等が挙げられ、ポリアミン系硬化剤としてはジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジシアンジアミド、ポリアミドアミン（ポリアミド樹脂）、ケチミン化合物、イソホロンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ-アミノエチルピペラジン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等が挙げられ、ポリカルボン酸系硬化剤としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、３，６−エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサクロルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチル−３，６−エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸が挙げられる。
これらの中でもフェノール樹脂系硬化剤を使用することが好ましい。これにより誘電率および誘電損失特性の良いキャパシタを得ることができる。
【００１６】
前記硬化剤の配合量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂の官能基１当量に対して硬化剤の活性水素を有する官能基が０．３当量以上１．５当量以下の範囲であるのが好ましく、特に０．５当量以上１．２当量以下の範囲であるのが好ましい。
配合量が前記範囲内であると、特に熱硬化後、誘電率と誘電損失特性に優れたキャパシタを得ることができる。また、熱硬化後の電極との密着性が向上する。
【００１７】
本発明の誘電体ペーストに用いる高誘電率充填材（Ｃ）としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸亜鉛、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ビスマス、チタン酸マグネシウム、チタン酸ネオジウムおよびチタン酸カルシウム等の金属酸化物粉末や、金、銀、銅、錫、白金、パラジウム、ルテニウム、鉄、ニッケル、コバルト、ゲルマニウム、シリコン、亜鉛、チタン、マグネシウムおよびアルミニウム等の金属粉末や、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、カーボンブラック、人造黒鉛、天然黒鉛およびフラーレンなどの炭素材料粉末等を挙げることができる。
また、誘電体セラミックスと呼ばれる金属酸化物を高温で焼き固めた形成体を高誘電率充填材として用いることも有効である。誘電体セラミックスとしては、例えば、チタン酸バリウム系セラミック、チタン酸鉛系セラミック、チタン酸カルシウム系セラミック、チタン酸マグネシウム系セラミック、チタン酸ビスマス系セラミックおよびチタン酸ストロンチウム系セラミックなどのチタン酸金属系セラミック、ジルコン酸鉛系セラミックおよびジルコン酸バリウム系セラミックなどのジルコン酸金属系セラミック、さらには鉛複合酸化物系セラミックなどが挙げられる。
これらの中でも、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム系セラミックが好ましい。これにより、高い誘電率と低い誘電正接を有するキャパシタを得ることができる。
また、上記高誘電率充填材の平均粒径は、５０ｎｍ以上２５μｍ以下であることが好ましく、特に０．５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。平均粒径が上記範囲内であると、キャパシタの製造におけるペースト印刷後の誘電層の表面平滑性、印刷性および電気絶縁性に優れる。
【００１８】
前記高誘電率充填材の含有量は、特に限定されないが、前記誘電体ペースト硬化後の２０重量％以上９５重量％以下が好ましく、特に４０重量％以上８０重量％以下が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に熱硬化後の電極との密着性および硬化物の誘電率が向上する。
【００１９】
本発明の誘電体ペーストに用いる希釈剤（Ｄ）としては、例えば、シクロヘキサノン（沸点１５５．７℃、蒸気圧０．４５ｋＰａ）などのケトン類、キシレン（沸点１３９．１℃、蒸気圧０．８２ｋＰａ）などの芳香族炭化水素類、シクロヘキサノール（沸点１６１．１℃、蒸気圧０．１１ｋＰａ）などのアルコール類、石油エーテルおよび石油ナフサなどの石油系溶剤、セロソルブ（沸点１３４．８℃、蒸気圧０．５ｋＰａ）およびブチルセロソルブ（沸点１７１．２℃、蒸気圧０．１ｋＰａ）などのセロソルブ類、カルビトール（沸点２０１．９℃、蒸気圧０．０６ｋＰａ）、メチルカルビトール（沸点１９４．２℃、蒸気圧０．０２ｋＰａ）およびブチルカルビトール（沸点２３０．４℃、蒸気圧０．０１ｋＰａ）などのカルビトール類、セロソルブアセテート（沸点１５６．３℃、蒸気圧０．４ｋＰａ）、ブチルセロソルブアセテート（沸点１９１．５℃）、カルビトールアセテート（沸点２１５℃、蒸気圧０．００７ｋＰａ）およびブチルカルビトールアセテート（沸点２４７℃、蒸気圧０．００１ｋＰａ）などの酢酸エステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（沸点１６５℃、蒸気圧０．１７３ｋＰａ）などの沸点１２０℃以上、蒸気圧１ｋＰａ以下の希釈剤を挙げることができ、より好ましくは、沸点１５０℃以上、蒸気圧０．５ｋＰａ以下である。
希釈剤の沸点および蒸気圧が上記範囲内であると本発明の誘電体ペーストの印刷性および硬化後の誘電率が向上する。
これらの中でも、カルビトール類、酢酸エステル類の中から選ばれる１種以上が好ましい。これにより、誘電体ペーストの印刷性とキャパシタの表面平滑性を向上することができる。
【００２０】
また上記以外の希釈剤、例えば、メチルエチルケトン（沸点７９．６℃、蒸気圧９．５ｋＰａ）、トルエン（沸点１１０．６℃、蒸気圧２．９ｋＰａ）、メタノール（沸点６４．５℃、蒸気圧１３．３ｋＰａ）、イソプロパノール（沸点８２．３℃、蒸気圧４．３ｋＰａ）、シクロヘキサン（沸点８０．７℃、蒸気圧２７ｋＰａ）、メチルシクロヘキサン（沸点１０１℃、蒸気圧５．７３ｋＰａ）などの脂環式炭化水素、酢酸エチル（沸点７７℃、蒸気圧９．７ｋＰａ）、酢酸ブチル（沸点１２６．３℃、蒸気圧１．３ｋＰａ）などの揮発性の高い希釈剤を併用してもよい。
【００２１】
前記希釈剤の配合量は、特に限定されないが、前記誘電体ペーストの５重量％以上３０重量％以下が好ましく、特に１０重量％以上２０重量％以下が好ましい。配合量が前記範囲内であると、特に印刷性に優れた誘電体ペースト、表面平滑性に優れたキャパシタを得ることができる。
【００２２】
本発明の誘電体ペーストには上記成分以外に、前記エポキシ樹脂の硬化促進剤を添加することができる。
【００２３】
前記硬化促進剤としては、例えば、エポキシ樹脂を用いる場合、１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの三級アミン類；２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール類；トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール・テトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリン・テトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などを挙げることができる。
【００２４】
前記硬化促進剤の配合量は、特に限定されないが、前記誘電体ペーストの０．０１重量％以上５重量％以下が好ましく、特に０．１重量％以上２重量％以下が好ましい。配合量が前記範囲内であると、硬化後の樹脂強度および耐電圧特性に優れたキャパシタを得ることができる。
【００２５】
本発明の誘電体ペーストには、さらに、キャパシタを作製した際の表面平滑性を向上させるために種々レベリング剤や高誘電率充填材の分散性を向上させるための種々分散剤や硬化後の可とう性をあげるための種々エラストマーなどの添加剤を添加してもよい。
【００２６】
本発明の誘電体ペーストの製造方法としては、例えば高誘電率充填材以外の各種成分を混合容器に入れ均一なワニスになるまで十分にかき混ぜて、次いで、高誘電率充填材を加えて、これを混合し誘電体ペーストとして、該誘電体ペーストを３本ロールなどの混練機を用いて混練して得る方法が挙げられるが、この方法に限定されない。前記混練方法において、その他の混練機としては、ボールミル、振動ミル、ブレード高速回転式ミキサーおよび多軸回転式ミキサーなどの高せん断力を有する混練機が挙げられる。
【００２７】
ここで得られる誘電体ペーストとしては、粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、これにより、誘電体層を作製する際に、種々の方法を用いることができる。本発明における粘度としては、Ｅ型粘度計で測定する、通常のズリ粘度で測定することができる。
【００２８】
本発明のキャパシタとしては、前記誘電体ペーストよりなる誘電体と、導体より構成されるものであり、例えば、上記で得た誘電体ペーストよりなる誘電体層を、１対の導体層で挟持した構造を有するものが挙げられる（図１（ｃ））。
【００２９】
キャパシタの製造方法としては、例えば、まず、基板１０４に形成された下部銅電極１０１上に本発明の誘電体ペーストを印刷形成し、その後１６０℃で３時間硬化させ誘電体層１０２を形成させる（図１（ａ）、（ｂ））。誘電体層の形成方法としては、例えば、スクリーンおよびステンシルなどにより印刷する方法、スピンコート、インクジェットおよびスプレーなどにより塗布する方法、バーコートなどにより製膜する方法などを挙げることができる。
上記の誘電体層は、薄い方がキャパシタの電気容量が向上するため単層が好ましいが、キャパシタのその他の特性を向上させるために、複数層重ねることが可能である。例えば、誘電体層の中にピンホールが存在すると、電極形成時にピンホール中に導電物質が入り両電極間でショートがおこる場合があり、キャパシタとしての特性が発現しなくなる。また、前記ピンホールが気泡となって誘電体層の中に残ると、気泡の部分の誘電率は１であるためキャパシタ特性に著しく悪影響を及ぼす場合があり、誘電体層を複数層重ねることにより、これらの現象を防止することが容易になる。
【００３０】
次に、上記で形成した誘電体層１０２の上に、上部電極として導体層１０３を形成して本発明のキャパシタを得ることができる（図１（ｃ））。導体層の形成方法としては、例えば、銀ペーストなどの導電性ペーストを印刷して形成する方法、金および銅などの金属を蒸着して形成する方法、銅などの金属をメッキにより形成する方法などが挙げられる。
以上のようにして、高誘電率充填材を含む誘電層の両側に導電層を有する本発明のキャパシタが作製できる。
【００３１】
上記で得た本発明のキャパシタについて、誘電層中の高誘電率充填材がどの程度分散されているかどうかについては、キャパシタの断面を走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡の測定で得られた画像を処理することにより、それぞれの体積比およびフィラー間の距離を定量化することが可能である。また、キャパシタの電気容量の測定はＬＣＲメーターで測定することができる。
【００３２】
次に、本発明のキャパシタを内蔵した多層配線板の製造方法について説明する。図２は、本発明の実施形態である多層配線板の製造方法の一例を説明するための図で、図２（ｅ）は得られる多層配線板の構造を示す断面図である。
【００３３】
まず、コア基板として、ＦＲ−４の両面金属箔（銅箔）付き絶縁基板２０３にドリル機で開孔して開孔部２０２を設けた後、無電解めっきにより、開孔部２０２にめっきを行い、前記絶縁基板の両面にある金属箔間の導通を図り、次いで、前記金属箔をエッチングすることにより導体回路層２０１を形成する（図２（ａ））。導体回路層２０１の材質としては、この製造方法に適するものであれば、どのようなものでも良いが、導体回路の形成においてエッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましく、前記エッチングにおいては、これに使用される薬液などに耐性を有するものが好ましい。そのような導体回路層２０１の材質としては、例えば、銅、銅合金、４２合金およびニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板および銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、導体回路層２０１として使用するのに好ましい。
【００３４】
次に、導体回路層に形成された電極上に上記誘電体ペーストを印刷し誘電体層２０４を形成する（図２（ｂ））。誘電体層の形成方法としては、スクリーン、ステンシルなどの印刷方法やディスペンサー、インクジェット、スプレーなどの塗布方法などが挙げられる。
【００３５】
次に、導体回路層２０１上に、絶縁層用樹脂組成物を用いて、絶縁層２０５を形成する（図２（ｃ））。絶縁層２０５を形成する方法としては、塗布法やフィルム積層法などが挙げられ、前記塗布法としては、例えば、カーテンコータ、バーコータ、コンマコータ、ナイフコータ、グラビアコータ、ダイコータ、スピンコータ、印刷機、真空印刷機およびディスペンサーなどの装置を用いて、上記樹脂組成物の絶縁層を形成する面に塗布して、塗膜を形成し、該塗膜を、乾燥機、窒素乾燥機、真空乾燥機などを用いて、乾燥、硬化して、絶縁層を形成する方法が挙げられる。前記フィルム積層方法としては、上記樹脂組成物を用いてポリエステルフィルムなどの基材の上に、上記同様にして塗膜を形成し、これを、乾燥して支持基材付きフィルム（絶縁膜）を作製し、これを、絶縁層を形成する面に、真空プレス、常圧ラミネーター、真空ラミネータ−およびベクレル式積層装置等を用いてフィルムを積層して絶縁層を形成する方法が挙げられ、また、ポリエステルフィルムなどの樹脂基材に替えて、金属基材の上に、上記同様にして絶縁膜を形成し、金属層付きフィルム（絶縁膜）を作製し、これを積層して絶縁層を形成する方法などが挙げられる。前記金属層付きフィルムにおいては、該金属層を導体回路として加工することができる。
前記絶縁層用樹脂組成物としては、配線板の絶縁層に用いられものであればよく、例えば、環状オレフィン系樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの絶縁樹脂を含むものが挙げられ、要求される特性に応じて適宜選択されるが、例えば、耐熱性、誘電率などの特性を要求される場合、ノルボルネン系樹脂の付加（共）重合体が好ましい。
【００３６】
上記絶縁層は加熱硬化するが、その温度は、１５０℃以上３００℃以下の範囲が好ましい。特に、１５０℃以上２５０℃以下が好ましい。また、一層目の絶縁層を加熱、半硬化させ、前記絶縁層上に、一層ないし複数の絶縁層を形成し半硬化の絶縁層を実用上問題ない程度に再度加熱硬化させることにより絶縁層間および絶縁層と導体回路間の密着力を向上させることができる。この場合の半硬化の温度は、１５０℃以上２５０℃以下が好ましく、１５０℃以上２００℃以下がより好ましい。
また、前記絶縁層を形成後に、絶縁層の表面にプラズマ処理を施すことで絶縁層間および絶縁層と導体回路間の密着力を向上させることができる。プラズマ処理のガスとして、酸素、アルゴン、フッ素、フッ化炭素、窒素などを一種もしくは複数種混合して用いることができる。また、プラズマ処理は複数回実施しても良い。
【００３７】
次に、絶縁層２０５に、レーザーを照射して、ビアホール２０６を形成する（図２（ｄ））。前記レーザーとしては、エキシマレーザー、ＵＶレーザーおよび炭酸ガスレーザーなどが使用でき、前記レーザーによるビアホールの開孔においては、絶縁層の材質が感光性および非感光性に関係なく、微細なビアホールを容易に形成することができるので、微細加工が必要とされる場合に、特に好ましい。また、ビアホール２０６の形成方法としては、上記レーザーを照射する方法以外にレーザーおよびプラズマなどによるドライエッチング、ケミカルエッチング等を用いることができる。また、絶縁層２０５を感光性の樹脂により作製した場合には、絶縁層２０５を選択的に感光し、現像することでビアホール２０６を形成することもできる。
【００３８】
次に、第二の導体回路層２０７を形成する（図２（ｅ））。第二の導体回路層２０７の形成方法としては、公知の方法であるセミアディティブ法などで形成することができる。これらの方法により、多層配線板を製造することができる。
【００３９】
本発明のキャパシタは電子基板上に作製することが可能であり、例えば、該電子基板を作製するビルドアップ工程の中で、内層基板に、本発明のキャパシタを作製することにより電子基板内に埋め込むことも可能である。
【００４０】
（実施例）
以下、本発明を実施例および比較例に基づき詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでは無い。
【実施例１】
【００４１】
１．誘電体ペーストの作製  
ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂（ＥＰＩＣＬＯＮ  ８３０−Ｓ  大日本インキ工業（株）製  エポキシ当量１７３）７．４６ｇ、フェノール樹脂硬化剤（スミライトレジン  ＰＲ−ＨＦ−３  住友ベークライト（株）製  水酸基当量１０５）４．５２ｇ、希釈剤としてメチルカルビトール３．８５ｇとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３．８５ｇ、レベリング剤（ＢＹＫ−３６１  ビックケミー・ジャパン（株）製）０．２６ｇ、分散剤（プレンアクト  ＫＲ４６Ｂ  味の素ファインテクノ（株）製）０．３８ｇ、疎水化二酸化ケイ素（ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ８０５  日本アエロジル（株）製）１．５４ｇ、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ  四国化成工業（株）製）０．３７４ｇを容器に入れ溶解し、均一な溶液とした。
次に高誘電率充填材として平均粒径８μｍのチタン酸バリウム（ＨＰＢＴ−１Ｄ  富士チタン工業（株）製）２６．３ｇ（硬化物において６４．４重量％）を加え、スパチュラで十分に攪拌した。
攪拌終了後、３本ロールミルにて十分に混練を行い、目的とする高誘電率充填材を含む誘電体ペーストを得た。
【００４２】
得られた誘電体ペーストについて、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
・粘度の測定：Ｅ型粘度計を用いて回転数０．５ｒｐｍの条件で測定を行った。
【００４３】
２．キャパシタの作製
ＦＲ−４（ＥＬＣ４７６５、住友ベークライト（株）製）に感光性レジストフィルム（ＡＵＳ３０８、太陽インク製造（株）製）をラミネートし、測定のための端子および電極を形成したマスクをかけ、露光機により露光した。
露光後現像し、余分なレジストを取り除いた。その後、エッチングにより銅を取り除き、更にレジストを取り除くことにより、測定のための端子および電極（４ｃｍ角）を形成した基板を得た。
【００４４】
上記誘電体ペーストをスクリーン印刷機で上記基板の電極と一致するように印刷し、１６０℃で３時間加熱することにより誘電体ペーストを硬化し、誘電体層の片側に導電体層がある誘電体付き基板を得た。このとき、誘電率を後から算出できるように誘電体層の厚みを厚み計で測定した。本実施例の場合、厚みは３０μｍであった。
【００４５】
上記誘電体付き基板の上に、スクリーン印刷機で誘電体層と測定のための端子に重なるように銀ペーストを印刷し、１５０℃で１時間硬化させた。
このようにして、基板上に本発明のキャパシタを作製した。このキャパシタは平行に配置された１対の電極間に誘電体ペーストを挟み込んだ平行モデルである。
【００４６】
得られたキャパシタについて、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
・キャパシタの電気容量：プレシジョンＬＣＲメーター  ４２８４Ａ（ヒューレット・パッカード社製）を用いて測定周波数１ＭＨｚにおいて電気容量を測定した。
【００４７】
・キャパシタのｔａｎδ：プレシジョンＬＣＲメーター  ４２８４Ａ（ヒューレット・パッカード社製）を用いて測定周波数１ＭＨｚにおいてｔａｎδを測定した。
【００４８】
・キャパシタの誘電率：プレシジョンＬＣＲメーター  ４２８４Ａ（ヒューレット・パッカード社製）を用いて測定周波数１ＭＨｚで電気容量を測定し、エッチングで作製した電極の面積（１１．３３ｃｍ２）、誘電体層の厚みを併用して誘電率を算出した。
【００４９】
・表面粗さの測定：前記キャパシタ作製工程中の、上部電極を形成する前の誘電体層が露出しているサンプルを用いて、誘電体層の表面粗さを測定した。測定には、表面粗さ測定装置（ＡＣＣＲＥＴＥＣＨ社製  ＳＵＲＦＣＯＭ１４００Ｄ）を用いて、算術平均粗さＲａを測定した。
【００５０】
・密着性の測定：銅箔との密着性に関しては、１２μｍ厚みの銅箔粗化面に、誘電体ペーストを３０μｍ厚みで塗布し、１８０℃３時間、加熱して硬化後、１ｃｍ×１０ｃｍの短冊状の誘電体付き銅箔を作成し、銅箔引き剥がし強度を測定した。
【実施例２】
【００５１】
平均粒径２５μｍのチタン酸バリウム（富士チタン（株）製）を高誘電率充填材として用いた以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【実施例３】
【００５２】
平均粒径５０ｎｍのチタン酸バリウム（日本化学工業（株）製）を高誘電率充填材として用いた以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【実施例４】
【００５３】
誘電体ペーストの硬化物においてチタン酸バリウムの含有量が９５重量％になるように誘電体ペーストを調合した以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【実施例５】
【００５４】
誘電体ペーストの硬化物においてチタン酸バリウムの含有量が２０重量％になるように誘電体ペーストを調合した以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【実施例６】
【００５５】
誘電体ペーストおいて希釈剤であるメチルカルビトールとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの配合量を２９重量％になるように調合した以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【実施例７】
【００５６】
誘電体ペーストおいて希釈剤であるメチルカルビトールとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの配合量を５重量％になるように調合した以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【００５７】
（比較例１）平均粒径３０μｍのチタン酸バリウム（富士チタン（株）製）を高誘電率充填材として用いた以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【００５８】
（比較例２）平均粒径３０ｎｍのチタン酸バリウム（日本化学工業（株）製）を高誘電率充填材として用いた以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【００５９】
（比較例３）誘電体ペーストの硬化物においてチタン酸バリウムの重量％が９７重量％になるように誘電体ペーストを調合した以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【００６０】
（比較例４）誘電体ペーストの硬化物においてチタン酸バリウムの重量％が１７重量％になるように誘電体ペーストを調合した以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【００６１】
（比較例５）誘電体ペーストおいて希釈剤であるメチルカルビトールとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの配合量を３５重量％になるように調合した以外は、実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【００６２】
（比較例６）誘電体ペーストおいて希釈剤であるメチルカルビトールとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの配合量を３重量％になるように調合した以外は実施例１と同様に誘電体ペーストおよびキャパシタを作製し、評価した。
【００６３】
【表１】
2007123550.tif 000002
【００６４】
【表２】
2007123550.tif 000003
【００６５】
表１から明らかなように、実施例１〜７は、高い電気容量と誘電率を示し、キャパシタとして高い性能を示した。
また、実施例１〜７は、低いｔａｎδを示し、キャパシタとして高い信頼性を示した。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明のキャパシタを模式的に示す断面図である。
【００６７】
【図２】本発明のキャパシタを内蔵した多層配線板を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０１      下部電極
１０２      誘電体層
１０３      上部導体層
１０４      基板
２０１      導体回路層
２０２      開孔部
２０３      絶縁基板
２０４      誘電体層
２０５      絶縁層
２０６      ビアホール
２０７      第二の導体回路層
２０８      配線形成両面基板
【図１】
2007123550.tif 000004
【図２】
2007123550.tif 000005