(57)【要約】【課題】  高分子材料（モノマー）の未重合が発生しない構成の表示装置を提供する。【解決手段】  完成第１基板１と完成第２基板１１との間隙に高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６により封止して、高分子分散型液晶材料２５を封止した領域に表示領域Ｍと周辺領域Ｎを有する表示装置において、完成第２基板１１の周辺領域Ｎの少なくとも一部分に遮光性を有する配線電極１９を設けており、前記配線電極１９を設けた周辺領域には紫外線を透過する紫外線透過部１９ａを設ける。そして、紫外線透過部１９ａを設けた基板側から紫外線を照射して周辺領域Ｎのモノマーをポリマー化する。紫外線透過部は複数の小孔などから構成し、小孔は均一な間隔に分散して配設する。【選択図】    図２
2007248685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する電極を有する一対の基板間に高分子分散型液晶材料をシール部材により封止して成り、前記高分子分散型液晶材料を封止した領域に表示領域と該表示領域の外側に位置する周辺領域を有する表示装置において、
前記一対の基板の一方の基板の前記周辺領域の少なくとも一部分に遮光性を有する導電性の配線電極を設けており、
前記配線電極を設けた周辺領域には紫外線を透過する紫外線透過部を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記紫外線透過部は前記配線電極に部分的に設けた複数の第１の小孔からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の小孔は均一な間隔に分散していることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記紫外線透過部は前記表示領域と前記配線電極との間に設けた所要の隙間からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記配線電極を設けた基板と対向する他方の基板の周辺領域には見切り機能を有する遮光部材が設けられており、前記紫外線透過部を有する部位の対向する基板の部位には前記遮光部材が有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記配線電極の上面には透明電極を設けてあることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記配線電極は前記周辺領域一周に渡って設けてあることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記遮光部材には紫外線を透過する透過手段を有することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記透過手段は前記遮光部材に部分的に設けた複数の第２の小孔からなることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２の小孔は前記配線電極に設けた前記第１の小孔と位置がずれており、重なっていないことを特徴とする請求項２又は９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記透過手段は紫外線光を透過する特性を有する光波長選択透過部材からなることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記光波長選択透過部材は誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
対向する電極を有する一対の基板間に高分子分散型液晶材料をシール部材により封止して成り、前記高分子分散型液晶材料を封止した領域に表示領域と該表示領域の外側に位置する周辺領域を有する表示装置において、
前記一対の基板の一方の基板には反射膜を設けており、
前記反射膜は前記周辺領域に紫外線を透過する紫外線透過部を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
対向する電極を有する一対の基板間に高分子分散型液晶材料をシール部材により封止して成り、前記高分子分散型液晶材料を封止した領域に表示領域と該表示領域の外側に位置する周辺領域を有する表示装置の製造方法において、
前記一対の基板の一方の基板の前記周辺領域に紫外線を透過する透過手段を有して見切り機能をなす遮光部材を設ける工程、
前記遮光部材を設けた基板と対向する他方の基板の前記周辺領域の少なくとも一部分に遮光性を有する導電性の配線電極を設けると共に、前記配線電極を設けた周辺領域に紫外線を透過する紫外線透過部を設ける工程、
前記遮光部材を設けた基板と前記配線電極を設けた基板の間に高分子分散型液晶材料をシール部材により封止する工程、
紫外線照射装置と反射板との間に前記基板の間に前記高分子分散型液晶材料を前記シール部材により封止した部材を配置して前記紫外線照射装置から前記部材に向けて紫外線を照射して、前記紫外線照射装置から入射する紫外線の直接入射光と前記反射板から反射される紫外線の反射光により前記高分子分散型液晶材料のモノマーをポリマー化する工程、
と有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記紫外線透過部は前記配線電極に部分的に設けた複数の第１の小孔からなることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の小孔は均一な間隔に分散していることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記紫外線透過部は前記表示領域と前記配線電極との間に設けた所要の隙間からなることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記配線電極の上面には透明電極を設けてあることを特徴とする請求項１４乃至１７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記遮光部材の透過手段は前記遮光部材に部分的に設けた複数の第２の小孔からなることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２の小孔は前記配線電極に設けた前記第１の小孔と位置がずれており、重なっていないことを特徴とする請求項１５、１６、１９のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記遮光部材の透過手段は紫外線光を透過する特性を有する光波長選択透過部材からなることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記光波長選択透過部材は誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に高分子分散型液晶を用いた表示装置とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高分子分散型液晶を用いた液晶表示装置は偏光板を用いないことから表示画像が明るいと云う特徴を持つ。このため、多くの機器や装置類の表示装置に用いられてきている。この高分子分散型液晶表示装置は高分子材料（以降、モノマーと呼ぶ）に紫外線照射して光重合させて架橋反応させ、ポリマー化させて使用する。また、このような高分子分散型液晶を用いたアクティブマトリックス型の表示装置においては、遮光膜や配線電極や反射層を基板上に配設して画像表示を行っている。ブラックマトリックスの遮光膜や反射性の配線電極や反射膜はモノマーに紫外線を照射するときに紫外線を遮断してしまうため、モノマーに未重合が生じる問題がある。
【０００３】
モノマーの未重合の発生をなくすための従来の技術として、下記の特許文献１に開示された技術が挙げられる。
【０００４】
特許文献１に記載された技術の一つは、ＴＦＴ素子と信号線を設けたアレイ基板と対向する対向基板上に、ＴＦＴ素子を遮光すると共に信号線と画素電極との間隙に対応する対向基板上の部位を遮光するように信号線に平行に遮光層を設けた構成にし、遮光層による遮光面積を小さくして紫外線がモノマーに均一に照射可能としたものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１０１４０５号公報
【特許文献２】特開２００３−１７７４２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶表示装置は、一般に、画像が表示される表示領域の外側の周辺領域に見切り枠と云われる枠状の遮光部を設けて不要光線の漏れや、額縁状の不要な光の漏れを防ぎ、良好な表示が得られ様な構成が行われている。上記の特許文献１に記載された技術は表示領域におけるモノマーの未重合をなくす構成に関するもので、見切り枠と云われる遮光部の所に関しての言及はない。
【０００７】
見切り枠と云われる枠状の遮光部を設けた液晶表示装置にあっては、遮光部の所は紫外線が遮光されてしまうので、遮光部の所のモノマーに未重合部分が発生する。そして、図１７に示すような品質現象が現れる。図１７は従来技術における液晶表示装置の品質現象を示す平面図を示していて、遮光部２０２の所の未重合のモノマーが長い時間の中で表示領域２０１に浸み出してきて浸み出し部２０３が現れるようになり、これが表示画像の表示ムラとなって現れてくる。そして、表示品質を悪くすると云う問題を有する。
【０００８】
液晶表示装置を製造する方法の中で、表示画像の視認側から紫外線を照射する方法や視認側の反対側、即ち、液晶表示装置の裏面側から紫外線を照射する方法などを取ることができる。しかしながら、見切り枠と云われる遮光部を設けた基板と対向する反対側の基板に遮光性のある反射膜や配線電極などを設けたものについては、液晶表示装置の裏面側から紫外線を照射する方法を行っても反射膜や配線電極などが邪魔をして紫外線が均一にモ
ノマーに当たらないと云う問題を有する。そして、紫外線が当たらなかった部分のモノマーは未重合のまま残り、時間と共にその未重合の材料が浸み出してきて前述の図１７に示すような現象が現れてくる。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みて成されたもので、液晶表示装置の表示画像の視認側、或いは反対の裏面側から紫外線を照射しても、表示領域と遮光部領域の両方の領域のモノマーを十分に光重合させてポリマー化できる液晶表示装置の構成を得ることを目的とするものである。そして更には、一回の紫外線照射で表示領域と遮光部領域の両方の領域のモノマーをポリマー化させる製造方法を得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明の第１の手段は、対向する電極を有する一対の基板間に高分子分散型液晶材料をシール部材により封止して成り、前記高分子分散型液晶材料を封止した領域に表示領域と該表示領域の外側に位置する周辺領域を有する表示装置において、前記一対の基板の一方の基板の前記周辺領域の少なくとも一部分に遮光性を有する導電性の配線電極を設けており、前記配線電極を設けた前記周辺領域には紫外線を透過する紫外線透過部を有することを特徴とする。
【００１１】
上記課題を解決するために本発明の第２の手段は、本発明の第１の手段において、前記紫外線透過部は前記配線電極に部分的に設けた複数の第１の小孔からなることを特徴とする。
【００１２】
上記課題を解決するために本発明の第３の手段は、本発明の第２の手段において、前記第１の小孔は均一な間隔に分散していることを特徴とする。
【００１３】
上記課題を解決するために本発明の第４の手段は、本発明の第１の手段において前記紫外線透過部は前記表示領域と前記配線電極との間に設けた所要の隙間からなることを特徴とする。
【００１４】
上記課題を解決するために本発明の第５の手段は、本発明の第１乃至４のいずれか一に記載の手段において前記配線電極を設けた基板と対向する他方の基板の周辺領域には見切り機能を有する遮光部材が設けられており、前記紫外線透過部を有する部位の対向する基板の部位には前記遮光部材が有することを特徴とする。
【００１５】
上記課題を解決するために本発明の第６の手段は、本発明の第１乃至５のいずれか一に記載の手段において前記配線電極の上面には透明電極を設けてあることを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決するために本発明の第７の手段は、本発明の第１乃至６のいずれか一に記載の手段において前記配線電極は前記周辺領域一周に渡って設けてあることを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決するために本発明の第８の手段は、本発明の第５の手段において前記遮光部材には紫外線を透過する透過手段を有することを特徴とする。
【００１８】
上記課題を解決するために本発明の第９の手段は、本発明の第８の手段において前記透過手段は前記遮光部材に部分的に設けた複数の第２の小孔からなることを特徴とする。
【００１９】
上記課題を解決するために本発明の第１０の手段は、本発明の第２または第９の手段において前記第２の小孔は前記配線電極に設けた前記第１の小孔と位置がずれており、重な
っていないことを特徴とする。
【００２０】
上記課題を解決するために本発明の第１１の手段は、本発明の第８の手段において前記透過手段は紫外線光を透過する特性を有する光波長選択透過部材からなることを特徴とする。
【００２１】
上記課題を解決するために本発明の第１２の手段は、本発明の第１１の手段において前記光波長選択透過部材は誘電体多層膜からなることを特徴とする。
【００２２】
上記課題を解決するために本発明の第１３の手段は、対向する電極を有する一対の基板間に高分子分散型液晶材料をシール部材により封止して成り、前記高分子分散型液晶材料を封止した領域に表示領域と該表示領域の外側に位置する周辺領域を有する表示装置において、前記一対の基板の一方の基板には反射膜を設けており、前記反射膜は前記周辺領域に紫外線を透過する紫外線透過部を有することを特徴とする。
【００２３】
上記課題を解決するために本発明の第１４の手段は、対向する電極を有する一対の基板間に高分子分散型液晶材料をシール部材により封止して成り、前記高分子分散型液晶材料を封止した領域に表示領域と該表示領域の外側に位置する周辺領域を有する表示装置の製造方法において、前記一対の基板の一方の基板の前記周辺領域に紫外線を透過する透過手段を有して見切り機能をなす遮光部材を設ける工程、前記遮光部材を設けた基板と対向する他方の基板の前記周辺領域の少なくとも一部分に遮光性を有する導電性の配線電極を設けると共に、前記配線電極を設けた周辺領域に紫外線を透過する紫外線透過部を設ける工程、前記遮光部材を設けた基板と前記配線電極を設けた基板の間に高分子分散型液晶材料をシール部材により封止する工程、紫外線照射装置と反射板との間に前記基板の間に前記高分子分散型液晶材料を前記シール部材により封止した部材を配置して前記紫外線照射装置から前記部材に向けて紫外線を照射して、前記紫外線照射装置から入射する紫外線の直接入射光と前記反射板から反射される紫外線の反射光により前記高分子分散型液晶材料のモノマーをポリマー化する工程、と有することを特徴とする表示装置の製造方法である。
【００２４】
上記課題を解決するために本発明の第１５の手段は、本発明の第１４の手段において前記紫外線透過部は前記配線電極に部分的に設けた複数の第１の小孔からなることを特徴とする。
【００２５】
上記課題を解決するために本発明の第１６の手段は、本発明の第１５の手段において前記第１の小孔は均一な間隔に分散していることを特徴とする。
【００２６】
上記課題を解決するために本発明の第１７の手段は、本発明の第１４の手段において前記紫外線透過部は前記表示領域と前記配線電極との間に設けた所要の隙間からなることを特徴とする。
【００２７】
上記課題を解決するために本発明の第１８の手段は、本発明の第１４乃至１７のいずれか一に記載の手段において前記配線電極の上面には透明電極を設けてあることを特徴とする。
【００２８】
上記課題を解決するために本発明の第１９の手段は、本発明の第１４の手段において前記遮光部材の透過手段は前記遮光部材に部分的に設けた複数の第２の小孔からなることを特徴とする。
【００２９】
上記課題を解決するために本発明の第２０の手段は、本発明の第１５または第１６または第１９の手段において前記第２の小孔は前記配線電極に設けた前記第１の小孔と位置が
ずれており、重なっていないことを特徴とする。
【００３０】
上記課題を解決するために本発明の第２１の手段は、本発明の第１４の手段において前記遮光部材の透過手段は紫外線光を透過する特性を有する光波長選択透過部材からなることを特徴とする。
【００３１】
上記課題を解決するために本発明の第２２の手段は、本発明の第２１の手段において前記光波長選択透過部材は誘電体多層膜からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
発明の効果として、本発明の表示装置においては、高分子分散型液晶材料を封止した表示装置の一方の基板の周辺領域の一部分に遮光性を有する導電性の配線電極を設けている。そして、その配線電極を設けた周辺領域には紫外線を透過する紫外線透過部を有している。配線電極を設けた周辺領域に紫外線透過部を有することで、配線電極を設けた基板側から紫外線を照射して、紫外線透過部を透過させて高分子分散型液晶材料の高分子材料（以降、モノマーと呼ぶ）に紫外線光を当てることができる。そして、周辺領域部分のモノマーをポリマー化できる。
【００３３】
ここで、紫外線透過部を配線電極に部分的に設けた複数の第１の小孔で構成する。小孔が分散して複数あることで周辺領域のモノマー全体に紫外線光を照射できる。また、この小孔は均一な間隔に分散しているとモノマーへの紫外線照射光が均一になり、モノマーの未重合の部分が発生せず、全部をポリマー化できる。
【００３４】
また、紫外線透過部を表示領域と配線電極との間に設けた所要の隙間で構成する。周辺領域のモノマーを少なくとも所要の隙間分ポリマー化領域を形成できる。しかも、表示領域に近接してポリマー化領域を設けることができる。
【００３５】
また、本発明においては、配線電極を設けた基板と対向する基板の周辺領域には見切り機能を有する遮光部材を設ける。この遮光部材により紫外線透過部が見えなくなる。外観品質を悪くすることなく周辺領域のモノマーをポリマー化できる。
【００３６】
また、本発明においては、配線電極の上面に透明電極を設ける。配線電極に小孔を設けると電気抵抗値が上がるので、この上がる抵抗値を下げる効果がある。透明電極を設けることで抵抗値を小さくしている。
【００３７】
また、配線電極を周辺領域一周に渡って設けることで、静電気が配線電極を介して逃げていくので静電気対策効果を得る。
【００３８】
更に、本発明においては、遮光部材には紫外線を透過する透過手段を有する。透過手段を有した遮光部材であると、遮光部材を設けた基板側から紫外線を照射して遮光部材形成領域のモノマーをポリマー化できる。
【００３９】
ここで、透過手段として複数の第２の小孔を選択する。目に見えない小孔であると外観品質は悪くならない。また、配線電極に設けた第１の小孔と位置をずらして重ならない構成にすると第２の小孔から漏れる光は人の目に見える前に遮光される。
【００４０】
また、透過手段として紫外線光を透過する特性の光波長選択透過部材を選択する。紫外線を透過して可視光を反射する光波長選択透過部材を用いることにより紫外線を透過させることができる。この光波長選択透過部材を遮光部材として用いても良く、また、遮光部
材に部分的に設けても良い。また、この光波長選択透過部材として誘電体多層膜を用いる。
【００４１】
また、本発明においては、高分子分散型液晶材料を封止した表示装置の一方の基板に反射膜を設けており、その反射膜は周辺領域に紫外線を透過する紫外線透過部を有している。
反射膜を設けた基板の周辺領域に紫外線透過部を有することで、反射膜を設けた基板側から高分子材料に紫外線を照射して周辺領域部分のモノマーをポリマー化する。
【００４２】
また、本発明の表示装置の製造方法においては、一方の基板の周辺領域に紫外線の透過手段を有する遮光部材を設け、他方の基板の周辺領域の一部分に配線電極を設けると共に紫外線を透過する紫外線透過部を設け、そして、その双方の基板の間に高分子分散型液晶材料を封止して表示装置を形成し、この表示装置を紫外線照射装置と反射板の間に配置して紫外線を表示装置に向けて照射する製造方法を取る。表示装置の周辺領域は透過手段を有する遮光部材や紫外線透過部を有することから、紫外線照射装置から照射される紫外線光は表示装置のモノマーに照射されると共に、一部の紫外線光は表示装置を透過して反射板に入射し、その反射板から反射される。
そして、その反射光は再び表示装置に入射してモノマーを照射する。モノマーは両面側から紫外線光をあびるのでポリマー化が早く進み、且つ、モノマー全域がポリマー化できて均一な品質のポリマーが得られる。また、表示装置の片方からの１回の紫外線照射でポリマー化が達成できるので作業短縮などの効果を得る。また、紫外線出力パワーの小さい照射装置でもポリマー化することができるので設備コストを小さくできる効果も得る。
このように、高分子材料に紫外線を照射して周辺領域部分のモノマーをポリマー化する。
【００４３】
尚、本発明の製造方法において、紫外線透過部を複数の第１の小孔で構成することによる効果、この第１の小孔を均一な間隔に分散して設ける効果、また、紫外線透過部を表示領域と配線電極との間の所要の隙間で構成することによる効果、配線電極上に透明電極を設けることによる効果、遮光部材の透過手段を複数の第２の小孔で形成することによる効果、及び、この第２の小孔を配線電極に設けた第１の小孔と位置をずらして重ならないようにしたことによる効果、また、遮光部材の透過手段に紫外線を透過する特性を持つ光波長選択透過部材で形成することによる効果、光波長選択透過部材に誘電体多層膜を用いることによる効果、などについては既に述べた通りであるのでここでの説明は省略する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
上記課題を解決するために本発明は、対向する電極を有する一対の基板間（１，１１）に高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６により封止して成り、前記高分子分散型液晶材料を封止した領域に表示領域Ｍと該表示領域の外側に位置する周辺領域Ｎを有する表示装置において、前記一対の基板の一方の基板（１１）の前記周辺領域Ｎの少なくとも一部分に遮光性を有する導電性の配線電極１９を設けており、前記配線電極１９を設けた前記周辺領域Ｎには紫外線を透過する紫外線透過部１９ａを有することを特徴とし、この前記紫外線透過部１９ａは前記配線電極１９に部分的に設けた複数の小孔（円、四角、三角、多角形、星形などの形状であっても良い）またはスリット（長方形、楕円などの形状であっても良い）または切欠き（配線電極の側部を切り欠いても良く、配線電極１９の中央あるいは中央近傍を切り欠いても良い）きからなる構成を有すること特徴とする表示装置３０である。（図１を参照。）
【００４５】
また、上記課題を解決するために本発明の表示装置の製造方法は、対向する電極を有する一対の基板間（５１，６１）に高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６により封止
して成り、前記高分子分散型液晶材料２５を封止した領域に表示領域Ｍと該表示領域の外側に位置する周辺領域Ｎを有する表示装置の製造方法において、前記一対の基板（５１，６１）の一方の基板（５１）の前記周辺領域Ｎに紫外線を透過する透過手段（５９ａ）を有して見切り機能をなす遮光部材５９を設ける工程、前記遮光部材５９を設けた基板と対向する他方の基板６１の前記周辺領域Ｎの少なくとも一部分に遮光性を有する導電性の配線電極６９を設けると共に、前記配線電極６９を設けた周辺領域Ｎに紫外線を透過する紫外線透過部６９ａを設ける工程、前記遮光部材５９を設けた基板５１と前記配線電極を設けた基板６１の間に高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６により封止する工程、紫外線照射装置３００と反射板３１０との間に前記基板（５１，６１）の間隙に前記高分子分散型液晶材料２５を前記シール部材２６により封止した部材（完成していない未完成表示装置（例えば、８０−１））を配置して前記紫外線照射装置３００から前記部材（８０−１）に向けて紫外線を照射して、前記紫外線照射装置３００から入射する紫外線の直接入射光と前記反射板３１０から反射される紫外線の反射光により前記高分子分散型液晶材料２５のモノマーをポリマー化する工程、と有することを特徴とする表示装置８０の製造方法である。この時、前記紫外線透過部６９ａは前記配線電極６９に部分的に設けた複数の孔が形成される。この紫外線透過部６９ａは、前記配線電極６９に部分的に設けた複数の小孔（円、四角、三角、多角形、星形などの形状であっても良い）またはスリット（長方形、楕円などの形状であっても良い）または切欠き（前記配線電極６９の側部を切り欠いても良く、また前記配線電極６９の側部を部分的に切欠いても良く、また前記配線電極６９の中央あるいは中央近傍を部分的に切欠いても良い）からなる開口６９ａあるいは孔６９ａを形成して得られる。
さらに、前記基板５１の前記周辺領域Ｎに紫外線を透過する透過手段（５９ａ）を有して見切り機能をなす遮光部材５９が設けられている。この透過手段５９ａは、前記遮光部材５９に部分的に設けた複数の小孔（円、四角、三角、多角形、星形などの形状であっても良い）またはスリット（長方形、楕円などの形状であっても良い）または切欠き（前記遮光部材５９の側部を切り欠いても良く、また前記遮光部材５９の側部を部分的に切欠いても良く、また前記遮光部材５９の中央あるいは中央近傍を部分的に切欠いても良い）からなる開口５９ａあるいは孔５９ａあるいは切欠き５９ａを形成して得られる。ただし、遮光部材５９に開口部を設けたときに、不要な光漏れが生じないように、開口の大きさ、複数の開口の密集度、密集具合を適切に設定する必要がある。このとき、遮光部材５９と対向する完成第２基板６１の上の遮光性配線電極６９の配置及び他の遮光部材を適切に配置するとの、完成第１基板５１の遮光部材５９の機能を補助させる手段を用いても良い。（図９を参照。）（図１２を参照。）
【００４６】
（第１実施形態）
以下、本発明を実施するための実施の形態として、最初に、第１実施形態について図１〜図５を順次用いながら説明する。ここで、図１は本発明の第１実施形態に係る表示装置の平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ断面図、図３は図２における完成第１基板の平面図、図４は図２における完成第２基板の平面図、図５は図４のＢ部における画素電極部の拡大平面図と断面図を示しており、図５の（ａ）は拡大平面図、図５の（ｂ）は図５の（ａ）におけるＣ−Ｃ断面図を示している。
【００４７】
本発明の第１実施形態に係る表示装置３０は、液晶を用いた表示装置で、図２に示すように、完成第１基板１と完成第２基板１１とを対向して配置した隙間の間に高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６で封止した構成をなしている。また、完成第２基板１１は、図１に示すように、その一辺に延設部１２ａを持っていて完成第１基板１より大きめに出来ており、その延設部１２ａ上に液晶の駆動ＩＣ２７、ＦＰＣからなる回路基板２８を設けた構成をなしている。また、この表示装置３０はアクティブマトリックス型の表示構成をなしている。尚、図２に図示はしていないが、完成第１基板１と完成第２基板１１との間に所要の間隙（ギャップ）量を確保するためにシリカ粒子やプラスチック粒子などの
透明なスペーサが分散して配設されている。
【００４８】
図１、図２において、Ｍが表示領域を示しており、表示画像が見える領域、即ち、表示画像を表示する領域になっている。この表示領域Ｍには格子状のブラックマトリックス４が設けられている。Ｎは周辺領域を示しており、表示領域Ｍの外側で、しかも、表示領域Ｍと隣接している領域が周辺領域Ｎとなっている。また、完成第１基板１が表示画像の視認側に来て、周辺領域Ｎは完成第１基板１の表示領域Ｍを除く部分の外周領域を周辺領域としている。この完成第１基板１の周辺領域Ｎには見切り機能を持たせるために一周に渡って遮光部材９を配設している。遮光部材９を配設することによって不要な光の漏れが無くなり、表示画像の輪郭などがはっきり視認されるようになる。
【００４９】
ここで、完成第１基板１は、図２、図３に示すように、透明なガラスなどからなる第１基板２の下面の表示領域Ｍにブラックマトリックス４を格子状に設け、周辺領域Ｎには遮光部材９を設け、その上に絶縁と平坦化の機能を持たせての平坦化膜５を設け、その平坦化膜５上にＩＴＯ膜からなる第１透明電極３を配設した構成をなしている。格子状に設けたブラックマトリックス４は後述する完成第２基板１１を構成するところのゲート電極線と信号電極線、ＴＦＴ素子に対向する部位に設けている。
【００５０】
また、完成第２基板１１は透明なガラスなどからなる第２基板１２を用いて構成しており、完成第１基板１の第１基板２より大きめの基板を用いている。第２基板１２は、図４に示すように、その外辺１２ｅ側において一点鎖線Ｓより左側の部分が延設部１２ａになっており、この延設部１２ａの部分だけが完成第１基板１の第１基板２より大きくなっている。この延設部１２ａ上に駆動ＩＣ（駆動集積回路）２７を取付ける取付け部２７ａ（図４の中で鎖線で示した部分）を設けている。完成第２基板１１は第２基板１２の上面の表示領域Ｍに格子状の複数の画素電極部１３を配設している。そして、この画素電極部１３を配設した部分が表示領域Ｍになっている。また、表示領域Ｍと隣り合って第２基板１２の外辺１２ｄ側と外辺１２ｅ側の周辺領域Ｎには各画素電極部１３に通じて駆動ＩＣ２７の取付け部１２ａの所に集合するゲート電極線１４と信号電極線１５の引き回し配線パターンを配設している。《ここの挿入文を最後に持っていく》また、外辺１２ｂ側と外辺１２ｃ側の周辺領域には配線電極１９を配設している。この配線電極１９は後述するシール部材２６に混ぜ合わせた導電粒子を介して完成第１基板１の第１透明電極３と接続され、電気的導通が図られて第１透明電極３に電圧を供給する構成をなしている。また、駆動ＩＣ２７とＦＰＣなる回路基板２８との電気的導通を図るために外辺１２ｅと取付け部２７ａとの間に接続電極パターン２１を配設した構成をなしている。尚、図４においては、ゲート電極線１４、信号電極線１５の引き回し配線パターン、及び接続電極パターン２１はその一部を示し、残りは省略してある。また、配線電極１９はアルミ（Ａｌ）金属膜から形成しており、遮光性を有することから複数の第１の小孔からなる紫外線透過部１９ａを均一な間隔で分散して設けている。この紫外線透過部１９ａを設けた配線電極１９上には、図２に示すように、ＩＴＯ膜からなる透明電極２２を配設した構成をなしている。そして、表示領域Ｍの各画素電極部１３上や周辺領域Ｎに設けた配線パターン上、透明電極２２上に透明な樹脂からなる保護絶縁膜２３を配設している。
【００５１】
画素電極部１３はＴＦＴ素子１７を用いた画素電極からなっている。画素電極部１３は、図５の（ａ）に示すように、ＴＦＴ素子１７を制御するために設けるゲート電極線１４と、ＴＦＴ素子１７に外部信号を印加するために設ける信号電極線１５と、ゲート電極線１４と信号電極線１５が交差するコーナ領域に設けたＴＦＴ素子１７と、そのＴＦＴ素子１７に接続して設けた画素電極１６とから構成している。また、ＴＦＴ素子１７は、図５の（ｂ）に示すように、タンタル（Ｔａ）膜から形成したゲート電極線１４の一部分に横に張り出したゲート電極１４ａを設け、そのゲート電極１４ａ上にゲート電極１４ａの陽極酸化膜である酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）からなる絶縁膜１７ｆを設け、その上及びそ
の周囲にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層１７ｃを設けている。更に、半導体層１７ｃ上にアモルファスシリコンに不純物を添加したＮ型アモルファスシリコン（Ｎ型ａ−Ｓｉ）１７ｄをゲート電極１４ａと一部重なるように設け、このＮ型アモルファスシリコン１７ｄ上には信号電極線１５と接続してモリブデン（Ｍｏ）からなるソース電極１７ａと、画素電極１６と接続してモリブデン（Ｍｏ）からなるドレィン電極１７ｂを設けている。また、半導体層１７ｃの特性劣化防止などを兼ねた保護絶縁膜２３を画素電極１６上に設けている。
【００５２】
完成第１基板１に設けるブラックマトリックス４は、完成第２基板１１の画素電極１６の間の隙間から光の漏れを防止する遮光目的と、ＴＦＴ素子１７の光リーク電流の発生防止の遮光目的で設けている。このブラックマトリックス４はゲート電極線１４、信号電極線１５と対向する部位、及びＴＦＴ素子１７と対向する部位に設けている。
【００５３】
本発明の表示装置３０の高分子分散型液晶材料２５はＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードの液晶材料を使用する。このＰＮＬＣモードの液晶材料は、高分子材料（以降、モノマーと呼ぶ）と液晶材料（例えば、ネマティック液晶材料など）との混合材料で、紫外線照射によってモノマーが光重合してポリマー化し、３次元網目状のポリマーネットワークを形成する。
高分子材料に紫外線を照射して周辺領域部分のモノマーをポリマー化する。
そして、そのポリマーネットワークの中に液晶材料が分散した形を取ったものである。完成第１基板１の第１透明電極３と完成第２基板１１の画素電極１６に電圧が印加されると、その間に挟まれた液晶分子はその印加電圧の電界強度によりその長軸が電極と垂直な方向に配向し、液晶分子の屈折率とポリマーネットワーク状の樹脂の屈折率とが同じになり、透明状態になって光が透過する。これに対して、電圧が印加されない部分においては、液晶分子の長軸がランダムな方向に配向し、巨視的にみると不規則な方向に配向しているのと同じような状態になっている。このため、液晶分子の屈折率とポリマーネットワーク状の樹脂の屈折率とが異なってきて光の散乱が発生する。従って、電圧が印加されていない部分においては光の散乱状態が現れて白濁した色調が現れる。そして、透明になった部位と白濁した部位とでもって画像表示を行う。高分子分散型液晶材料を用いた表示装置は偏光板を用いないことから光透過率を高くすることができ、表示画像を明るく出来ると云う特性を持っている。また、偏光板などを用いないことから表示装置を薄型に出来ると云う効果も得られる。
【００５４】
高分子分散型液晶材料は電界の有無によって光透過の状態（透明）と光散乱の状態（白濁）を示すが、このような分散型液晶としてはＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＮＣＡＰ（Ｎｅｍａｔｉｃ  Ｃｕｒｖｉｌｉｎｅａｒ  Ａｌｉｎｅｄ  Ｐｈａｓｅ）モード、ＰＳＣＴ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｔａｂｉｌｉｓｅｄ  Ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ  Ｔｅｘｔｕｒｅ）モードの液晶などが知られている。第１実施形態においては、低電圧で駆動できるＰＮＬＣモードの液晶材料を用いている。消費電力が少なくて済み、バッテリーなどの寿命を長持ちさせることができて経済的である。
【００５５】
以上の構成からなる表示装置の主要構成部品の仕様は次のような仕様をなしている。完成第１基板１を構成する第１基板２及び完成第２基板１１を構成する第２基板１２は透明なガラスから形成している。ガラスとしてはソーダガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、普通板ガラスなどのガラスが使用され、０．３〜１．１ｍｍの厚みのものが使用される。しかしながら、この第１基板２、第２基板１２はガラスに限らずプラスチック板などを使用することも可能である。
【００５６】
完成第１基板１のブラックマトリックス４、及び遮光部材９は、第１実施形態においては、酸化クロム（ＣｒＯ）金属膜とクロム（Ｃｒ）金属膜の２層の金属膜から形成している。これらの金属膜は真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの乾式メッキ法で形成することができる。例えば、真空蒸着法で行う場合は、チャンバー内の載品台に被着物（透明基板）を載置し、真空蒸着機のチャンバー内の蒸着時の圧力を、１×１０のマイナス６乗〜５×１０のマイナス５乗ｔｏｒｒ（１．３３×１０のマイナス４乗〜６．６５×１０のマイナス３乗Ｐａ）に設定して真空蒸着を行う。蒸着時間によって厚みが決まるので所要の厚みに至るまで蒸着を行えば良い。そして、２層の金属膜を形成した後にホトマスク、ホトエッチング方法によって所要の形状に形成する。尚、ブラックマトリックス４、遮光部材９は必ずしも酸化クロム（ＣｒＯ）金属膜とクロム（Ｃｒ）金属膜の２層の金属膜に限るものではなく、クロム金属膜の１層で構成しても良く、また、黒色インクを用いての印刷方法などで形成しても構わない。
【００５７】
また、完成第１基板１の平坦化膜５は、その上に設ける第１透明電極３との絶縁と平坦性を得るために設けるもので、透明なエポキシ樹脂やアクリル樹脂、ウレタン樹脂などを用いてスクリーン印刷法、ロールコータ法、スピンナー塗布法などで形成する。
【００５８】
また完成第１基板１の第１透明電極３、完成第２基板１１の画素電極１６は錫をドープした酸化インジウムのＩＴＯ膜で形成している。このＩＴＯ膜は真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などで形成する。尚、完成第１基板１の第１透明電極３は、本実施形態においては、第１基板２のほぼ全面に形成しており、完成第２基板１１の画素電極１６は所要の大きさ形状をもって形成している。
【００５９】
次に、配線電極１９はアルミ（Ａｌ）金属膜でもって形成している。この配線電極１９は第１透明電極３への電気の抵抗値を小さくするために設けており、後述する封止部材２６に混ぜ合わせた導電粒子を介して完成第１基板１の第１透明電極３に導通させるトランスファー構造をなす。この配線電極１９には紫外線光を透過させるために複数の第１の小孔からなる紫外線透過部１９ａを設けている。この紫外線透過部１９ａは配線電極１９を設けた完成第２基板１１側（完成第２基板１１の外側）から紫外線を照射して完成第１基板１の遮光部材９の部位にあるモノマーをポリマー化させるために設けている。また、この配線電極１９上の外周領域はシール部材２６が設けられる場所でもあるので、シール部材２６を設ける領域を除く領域に紫外線透過部１９ａを形成している。本実施形態においては、この紫外線透過部１９ａは複数の丸い円形の小孔で形成している。この小孔は同じ大きさで均一な間隔に形成するのが好ましく、同じ大きさで均一な間隔であると紫外線光の透過光量も均一になり、モノマーに均一な光量の紫外線光が照射される。そして、早くポリマー化ができる。
【００６０】
また、第１の小孔の形状は特に限定するものではなく、円形や長円形、楕円形、方形、多角形などの形状をなしても良い。また、第１の小孔の大きさも特に制限するものではなく、電気抵抗値が著しく高くならない程度に適宜、小孔の大きさと、第１の小孔の総面積を設定するようにする。本実施形態では、この第１の小孔の総面積を示す開口率（ここでの小孔の開口率は小孔を形成する領域の面積に対しての小孔の総面積の割合を云う）を３０〜４０％の範囲で設けている。各種実験の結果から、第１の小孔の開口率は３０％あれば十分なるポリマー化ができることが確認されている。
【００６１】
配線電極１９及び配線電極１９に設ける複数の紫外線透過部１９ａの形成方法は次のようにして形成する。完成第２基板１１の第２基板１２上にアルミ金属を用いて真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などの方法でアルミ金属膜を形成する。例えば真空蒸着法で形成する場合には、真空蒸着機のチャンバー内の蒸着時の圧力を、１×１０のマイナス６乗〜５×１０のマイナス５乗ｔｏｒｒ（１．３３×１０のマイナス４乗
〜６．６５×１０のマイナス３乗Ｐａ）に設定して真空蒸着を行う。蒸着時間によって厚みが決まるので所要の厚みに至るまで蒸着を行えば良い。次に、アルミ金属膜上にレジスト膜をスクリーン印刷などの方法で形成する。次に、紫外線による露光処理を行う。露光処理は複数の紫外線透過部１９ａを持った配線電極１９の形状を描いたポジ写真フィルムをレジスト膜上に載置し、上方から紫外線を照射して露光を行う。露光により、配線電極１９の形状部分のレジスト膜は硬化し、紫外線透過部１９ａの部分のレジスト膜は紫外線が当たらないので硬化せずに柔らかい状態でそのまま残る。次に、紫外線透過部１９ａの部分の柔らかいレジスト膜を溶解液で溶解して除去する。これによって、紫外線透過部１９ａの部分のアルミ金属膜が露出する。一方の配線電極１９形成部分の硬化したレジスト膜はそのまま残る。次に、露出した紫外線透過部１９ａ部分のアルミ金属膜をエッチング液でもってエッチングして除去する。これによって、紫外線透過部１９ａが形成される。次に、配線電極１９形成部分の硬化したレジスト膜を剥離液でもって剥離する。これによって、紫外線透過部１９ａの設けられた配線電極１９が出来上がる。この方法はホトマスク、ホトエッチング法と云われている方法で、５μｍ程度の非常に小さな小孔まで形成することができる。また、所望の形状の小孔も形成することができる。尚、第２基板１２上に既に画素電極部１３などの他の構成部品が設けられている場合は、他の構成部品上にマスキングを施して他の構成部品に影響を与えない状態にして配線電極１９を形成するようにする。
【００６２】
第１の小孔からなる紫外線透過部１９ａを設けた配線電極１９上にはＩＴＯ膜からなる透明電極２２を設けている。この透明電極２２は、開口部による紫外線透過部１９ａを設けたことで配線電極１９の抵抗値が上がるの抑え抵抗値を下げるために設けるもので、配線電極１９の面上のみならず紫外線透過部１９ａの部分にも設けている。
【００６３】
次に、接続電極パターン２１は、第１実施形態においては、ＩＴＯ膜でもって形成している。真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などの乾式メッキ法でＩＴＯ膜を形成した後にホトマスク、ホトエッチング法で所要の形状に形成する。
【００６４】
次に、シール部材２６は導電粒子（導電粒子と絶縁粒子を混合したものを用いることもある）をエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に混ぜ合わせたもので構成している。導電粒子の大きさは完成第１基板１と完成第２基板１１との隙間に配設するスペーサ（図示していない）と同じ大きさのものを使用する。（但し、粒径を同じにしなくとも良く、適宜設定することができる。）
この導電粒子はシリカ粒子やプラスチック粒子などの表面に導電性金属被膜を設けたものである。シール部材２６に導電粒子を配合することで、完成第１基板１と完成第２基板１１を貼合わせると完成第１基板１の第１透明電極３と完成第２基板１１の配線電極１９とに導通が得られる。そして、配線電極１９を介して第１透明電極３に電圧を印加する。
【００６５】
以上の構成からなる表示装置３０は次の様にして製作する。最初に、完成第１基板１または完成第２基板１１の何れか一方の基板にシール部材２６をスクリーン印刷などの方法で印刷する。この時、高分子分散型液晶材料２５の注入口となる開口部を１箇所設けておく。その後、８０°Ｃ前後の温度で半硬化させ、半硬化状態で基板上に散布装置を用いてスペーサを散布する。散布方法は湿式散布、乾式散布何れの方法を取っても良い。次に、完成第１基板１と完成第２基板１１とを対向して配置し、エアーバックなどの加圧装置での加圧の下で焼成炉で加熱して封止部材２６を硬化させ、完成第１基板１と完成第２基板１１とを貼合わせる。この時、完成第１基板１と完成第２基板１１とのギャップ（隙間）はスペーサの粒径によって設定されるが、概ね４〜１５μｍの範囲が選ばれる。加圧、加熱の条件としては加圧力２００ｇ〜１ｋｇ／平方ｃｍ、加熱温度１５０〜１８０°Ｃで３０〜９０分の範囲の中で適宜に設定して行う。
【００６６】
次に、シール部材２６の注入口から高分子分散型液晶材料２５を真空注入装置を用いて注入する。注入後は、注入口を封口する。２枚の平滑板に挟んで加圧するのはギャップ量を均一にするためで、液晶材料を真空注入すると中央部が太鼓状に少し膨らんでギャップ量にバラツキが現れる。そして、ギャップ量にバラツキがあると白濁状態にムラが現れてくる。この白濁のムラの発生を防止するために２枚の平滑板で加圧してギャップ量を均一にしている。
【００６７】
次に、モノマーをポリマー化するために紫外線を照射する。第１実施形態においては、画素電極１６はＩＴＯ膜で構成しているので紫外線を透過する。また、配線電極１９には複数の第１の小孔からなる紫外線透過部１９ａを設けている。このことから、第１実施形態においては、紫外線照射は図２に示す矢印Ｐの方向、即ち、完成第２基板１１側から紫外線を照射している。Ｐの方向からの紫外線照射で表示領域及び周辺領域のモノマーを十分に光重合させポリマー化することができ、ポリマーネットワークを形成することができる。紫外線照射は、強度２０〜８０ｍＷ／平方ｃｍ、時間３０〜１２０秒、温度１５〜４０°Ｃの範囲の中で信頼性と表示特性を考慮して適宜に設定して行うと良い。
【００６８】
尚、第１実施形態においては、画素電極１６を透明なＩＴＯ膜で構成したことで、紫外線照射を完成第２基板側１１からだけで済ませることができる。画素電極１６を金属膜で構成することも可能で、金属膜で構成した場合には完成第２基板１１側からと完成第１基板１側（完成第１基板１の外側）からの両方から紫外線照射を行うようにする。画素電極１６が金属膜である場合は、表示領域Ｍのモノマーを完成第１基板１側から紫外線を照射してポリマー化し、周辺領域Ｎのモノマーを完成第２基板１１側から紫外線照射してポリマー化する方法を取る。
【００６９】
このように、課題を解決するために本発明は、対向する電極を有する一対の基板間（１，１１）に高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６により封止して成り、前記高分子分散型液晶材料を封止した領域に表示領域Ｍと該表示領域の外側に位置する周辺領域Ｎを有する表示装置において、前記一対の基板の一方の基板（１１）の前記周辺領域Ｎの少なくとも一部分に遮光性を有する導電性の配線電極１９を設けており、前記配線電極１９を設けた前記周辺領域Ｎには紫外線を透過する紫外線透過部１９ａを有することを特徴とし、この前記紫外線透過部１９ａは前記配線電極１９に部分的に設けた複数の小孔（円、四角、三角、多角形、星形などの形状であっても良い）またはスリット（長方形、楕円などの形状であっても良い）または切欠き（配線電極の側部を切り欠いても良く、配線電極１９の中央あるいは中央近傍を切り欠いても良い）きからなる構成を有すること特徴とする表示装置３０である。（図１を参照。）
【００７０】
次に、完成第２基板１１上の駆動ＩＣ２７の取付け部２７ａの所に異方性導電接着剤を用いて駆動ＩＣ２７を実装し、更に、完成第２基板１１上の接続電極パターン２１の所に異方性導電接着剤を用いて回路基板２８を実装する。そして、駆動ＩＣ２７の取付け部分や回路基板２８の取付け部分、露出している電極線のパターン部分に保護膜２９を塗布して表示装置３０を得る。保護膜２９は電極線パターンの電蝕防止などの目的で設けるもので、シリコン樹脂やエポキシ樹脂などで形成する。
【００７１】
第１実施形態の表示装置３０は、完成第１基板１の周辺領域Ｎに配設される遮光部材９と完成第２基板１１の周辺領域Ｎに配設される配線電極１９との間に挟まれたモノマーは、配線電極１９に複数の第１小孔からなる紫外線透過部１９ａを設け、その紫外線透過部１９ａから紫外線をモノマーに照射することによってポリマー化する構成をなす。このような構成をなすことによって、高分子分散型液晶材料２５のモノマーを未重合の部分を発生させることなくポリマー化できる。
【００７２】
尚、本実施形態においては、スイッチング素子にＴＦＴ素子１７を用いたが、２端子系の非線形素子なるスイッチング素子を用いたものであっても同様に適用できる。また、カラーフィルターを用いた表示装置であっても本発明の構成は適用できる。
【００７３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る表示装置について図６〜図８を用いて説明する。ここで、図６は第２実施形態に係る表示装置５０の要部断面図を示しており、図７は図６における完成第２基板の平面図、図８は図７におけるＤ部の拡大平面図と断面図を示していて、図８の（ａ）は拡大平面図、図８の（ｂ）は図８の（ａ）におけるＣ−Ｃ断面図を示している。尚、前述の第１実施形態のものと同じ仕様をなす構成部品は同一符号を付して説明する。
【００７４】
第２実施形態に係る表示装置５０は、図６に示すように、完成第１基板１と完成第２基板３１とを対向して配置した隙間の間にＰＮＬＣモードの高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６で封止した構成をなしている。尚、図６に図示はしていないが、完成第１基板１と完成第２基板３１との間に所要の間隙（ギャップ）量を確保するためにシリカ粒子やプラスチック粒子などの透明なスペーサが分散して配設されている。ここで、前述の第１実施形態での表示装置の構成と対比すると、完成第２基板３１の構成のみが前述の第１実施形態の完成第２基板の構成と異なっている。そして、その完成第２基板３１は完成第２基板３１を構成するところの画素電極３６と配線電極３９のみが前述の第１実施形態のものと仕様が異なっている。以下、構成の異なっているところの完成第２基板３１を主体的に説明し、同一構成をなすところの構成部品の説明は必要限度の説明に留めることにする。
【００７５】
図６において、Ｍが表示領域を示しており、表示画像が見える領域、即ち、表示画像を表示する領域になっていて、完成第２基板３１の画素電極部３３を設けている領域が表示領域Ｍになっている。この表示領域Ｍにおいては、完成第１基板１には格子状のブラックマトリックス４が設けられており、完成第２基板３１には画素電極部３３が設けられている。Ｎは周辺領域を示しており、表示領域Ｍの外側で、しかも、表示領域Ｍと隣接している領域が周辺領域Ｎとなっている。また、完成第１基板１が表示画像の視認側に来て、この完成第１基板１の周辺領域Ｎに見切り機能を持った遮光部材９を一周に渡って配設してある。遮光部材９を設けることにより不要な光の漏れが無くなり、表示画像の輪郭などがはっきり視認されるようになる。
【００７６】
ここで、完成第１基板１は、図６に示すように、前述の第１実施形態の完成第１基板と同じ構成をなしている。即ち、透明なガラスなどからなる第１基板２の下面の表示領域Ｍにブラックマトリックス４を格子状に配設し、周辺領域Ｎには遮光部材９を配設している。また、ブラックマトリックス４や遮光部材９の上に絶縁と平坦化の機能を持たせての平坦化膜５を配設し、その平坦化膜５上にＩＴＯ膜からなる第１透明電極３を配設した構成をなしている。格子状に配設するブラックマトリックス４は後述する完成第２基板３１のゲート電極線や信号電極線、ＴＦＴ素子と対向する部位に設けている。
【００７７】
完成第２基板３１は透明なガラスなどからなる第２基板１２を用いて構成しており、図７の如く完成第１基板１の第２基板２より大きめの基板を用いている。第２基板１２は、図７に示すように、外辺１２ｅ側において一点鎖線Ｓより左側の部分に延設部１２ａを設けており、この延設部１２ａ上に駆動ＩＣを取付ける取付け部２７ａ（図７の中で鎖線で示した部分）を設けている。また、この延設部１２ａの部分だけが完成第１基板１の第１基板２より大きくなっている。完成第２基板３１は第２基板１２の上面の表示領域Ｍに格子状の複数の画素電極部３３を配設している。そして、この画素電極部３３を配設した部分が表示領域Ｍになっている。また、表示領域Ｍと隣り合って第２基板１２の外辺１２ｄ
側と外辺１２ｅ側の周辺領域Ｎには各画素電極部３３に通じて駆動ＩＣの取付け部２７ａの所に集合するゲート電極線１４と信号電極線１５の引き回し配線パターンを配設している。《ここの挿入文は最後にもっていく》また、外辺１２ｂ側と外辺１２ｃ側の周辺領域には配線電極３９を配設している。また、駆動ＩＣとＦＰＣなる回路基板との電気的導通を図るために外辺１２ｅと取付け部２７ａとの間に接続電極パターン２１を配設した構成をなしている。尚、図７においては、ゲート電極線１４、信号電極線１５の引き回し配線パターン、及び接続電極パターン２１はその一部を示し、残りは省略してある。また、配線電極３９上には、図７に示すように、配線電極３９からオーバラップしたＩＴＯ膜からなる透明電極４２を配設した構成をなしている。そして、図６に示すように、表示領域Ｍの各画素電極部３３上や周辺領域Ｎに設けた配線パターン上、透明電極４２上に透明な樹脂からなる保護絶縁膜２３を配設している。
【００７８】
第２実施形態における配線電極３９はアルミ（Ａｌ）金属膜で形成しており、図６に示すように、表示領域Ｍから所要の隙間Ｌを設けて配設している。この隙間Ｌは紫外線透過部をなしており、この隙間Ｌから紫外線光を遮光部材９の領域にあるモノマーに照射する。また、配線電極３９上に配設する透明電極４２は配線電極３９からオーバラップして隙間Ｌの領域部分に入り込んで設けてある。この配線電極３９はシール部材２６に混ぜ合わせた導電粒子を介して完成第１基板１の第１透明電極３に接続しており、配線電極３９から第１透明電極３に導通するようになっている。配線電極３９は第１透明電極３への配線抵抗を小さくするために設けており、アルミ（Ａｌ）金属膜でもって形成している。
また、配線電極３９上に設けるＩＴＯ膜からなる透明電極４２は、間隙Ｌを設けたことのよる配線電極３９の抵抗値上昇を抑え、抵抗値を下げるために設けている。
【００７９】
隙間Ｌから紫外線光を照射して遮光部材９の領域にあるモノマーをポリマー化する。この隙間Ｌは、隙間Ｌが狭いとモノマーに紫外線光が十分照射されない領域の部分が現れて未重合の部分が多く発生する。そして、その未重合のモノマーの表示領域Ｍへの浸み出しが早まって表示品質を悪くする。また、隙間Ｌを広く取ると、モノマーへの紫外線照射光が十分に得られてポリマー化が得られるが、反面、配線電極３９の抵抗値が高くなくなるので、印加電圧を高くする必要が生まれる。このようなことから、隙間Ｌはモノマーの未重合の発生度合いと配線電極３９の抵抗値の兼ね合いなどを考慮して適宜な値に設定する必要がある。例えば、未重合の部分が表示領域からかなり離れたシール部材２６の内側近傍に発生した場合は、その未重合のモノマーが表示領域に浸み出して来るまでには相当な期間がかかる。その期間が許容できる期間範囲であれば十分に使用することができる。このようにして、未重合のモノマーが表示領域に浸み出して来るまでの期間などを考慮して適宜に隙間量を設定するようにすると良い。
【００８０】
画素電極部３３はＴＦＴ素子１７を用いた画素電極からなっている。画素電極部３３は、図８の（ａ）に示すように、ＴＦＴ素子１７を制御するために設けるゲート電極線１４と、ＴＦＴ素子１７に外部信号を印加するために設ける信号電極線１５と、ゲート電極線１４と信号電極線１５が交差するコーナ領域に設けたＴＦＴ素子１７と、そのＴＦＴ素子１７に接続して設けた金（Ａｕ）金属膜からなる画素電極３６とから構成している。また、ＴＦＴ素子１７は、図８の（ｂ）に示すように、タンタル（Ｔａ）膜から形成したゲート電極線１４の一部分に横に張り出したゲート電極１４ａを設け、そのゲート電極１４ａ上にゲート電極１４ａの陽極酸化膜である酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）からなる絶縁膜１７ｆを設け、その上及びその周囲にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層１７ｃを設けている。更に、半導体層１７ｃ上にアモルファスシリコンに不純物を添加したＮ型アモルファスシリコン（Ｎ型ａ−Ｓｉ）１７ｄをゲート電極１４ａと一部重なるように設け、このＮ型アモルファスシリコン１７ｄ上には信号電極線１５と接続してモリブデン（Ｍｏ）からなるソース電極１７ａと、画素電極３６と接続してモリブデン（Ｍｏ）からなるドレィン電極１７ｂを設けた構成をなしている。尚、このＴＦＴ１７の構成は前
述の第１実施形態のＴＦＴと同じ構成をなしている。そして、この画素電極部３３上には半導体層１７ｃの特性劣化防止などの保護も兼ねた保護絶縁膜２３を設けている。
【００８１】
第２実施形態における画素電極３６は金（Ａｕ）金属膜から形成している。真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などの方法で金金属膜を形成し、その後にホトマスク、ホトエッチング法などの方法で所要の形状に仕上げることによって形成できる。この画素電極３６は金金属膜で形成していることから光沢のある金金属色調を呈する。
【００８２】
次に、第２実施形態における高分子分散型液晶材料２５は、前述の第１実施形態で用いた液晶材料と同じ材料であるＰＮＬＣモードの液晶材料を使用している。そして、高分子材料、即ち、モノマーを紫外線照射によってポリマー化して使用する。ＰＮＬＣモードの液晶材料を用いると、完成第１基板１の第１透明電極３と完成第２基板３１の画素電極３６に挟まれた部分の液晶分子は双方の電極の間に電圧が印加されると透明状態になり、電圧が印加されていないときは白濁状態を示す。第２実施形態においては、画素電極３６を金金属膜で形成していることから、液晶分子が透明状態になると画素電極３６の金金属膜の色調が視認される。そして、表示画像は光沢のある金金属色と白濁色でもって表示される。白濁色と光沢ある金色とでの表示画像はコントラストが高いので鮮明で明るい表示画像が得られる。
【００８３】
以上の構成をなす表示装置５０は封入した高分子分散型液晶材料のモノマーをポリマー化するために、図６に示すように、完成第１基板１の外側である矢印Ｑの方向からと完成第２基板３１の外側である矢印Ｐの方向からの両方向から紫外線を照射してポリマー化する。尚、第２実施形態においては、最初にＱの方向からの紫外線照射で表示領域Ｍの所のモノマーをポリマー化し、次にＰの方向からの紫外線照射で周辺領域Ｎの所のモノマーをポリマー化している。紫外線照射は強度２０〜８０ｍＷ／平方ｃｍ、時間３０〜１２０秒、温度１５〜４０°Ｃの範囲の中で信頼性と表示特性を考慮して適宜に設定して行う。一度に両方から紫外線照射ができる装置を用いれば１回の照射で製作することができるが、装置費用が高くなる。しかしながら、このように２回に分けて行うと出力パワーの小さい装置で表示装置を製作することができるので経済的である。しかも、照射時間が短いので２回に分けても製作コストアップは小さい。
【００８４】
第２実施形態の表示装置５０は、完成第２基板３１の周辺領域Ｎに設ける配線電極３９と画素電極部３３を設けている表示領域Ｍとの間に所要の隙間Ｌを設けていることから、完成第２基板３１側からその隙間Ｌを介して紫外線光をモノマーに照射できる。そして、モノマーをポリマー化して満足する画像表示品質を得ることができる。
【００８５】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る表示装置について図９〜図１２を用いて説明する。尚、図９は本発明の第３実施形態に係る表示装置の要部断面図、図１０は図９における完成第１基板の平面図、図１１は図９における完成第２基板の平面図、図１２は図９における表示装置の紫外線照射状態を模式的に示した説明図を示している。尚、前述の第１実施形態の表示装置の構成部品と同じ仕様を取る構成部品は同一符号を付して説明する。
【００８６】
第３実施形態の表示装置８０は、図９に示すように、完成第１基板５１と完成第２基板６１とを対向して配置した隙間の間にＰＮＬＣモードの高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６で封止した構成をなす。尚、図９に図示はしていないが、完成第１基板５１と完成第２基板６１との間に所要の間隙（ギャップ）量を確保するためにシリカ粒子やプラスチック粒子などの透明なスペーサが分散して配設されている。ここで、第３実施形態の表示装置８０を前述の第１実施形態での表示装置の構成と対比すると、完成第１基板５１
の周辺領域Ｎに配設している遮光部材５９の形状に開口部、孔があるので前述の第１実施形態のものと異なっているが、同じとしても良い。完成第２基板６１の周辺領域Ｎに配設した配線電極６９の紫外線透過部６９ａとして設けた第１の小孔の大きさや位置関係などが前述の第１実施形態のものと異なっている。以下、構成の異なっているところの遮光部材５９と配線電極６９を重点にして説明する。
【００８７】
図９において、Ｍは表示領域で、表示画像を表示する領域を示している。Ｎは周辺領域で、表示領域Ｍの外側で、表示領域Ｍと隣接している領域が周辺領域Ｎとなっている。また、完成第１基板５１が表示画像の視認側に来て、この完成第１基板５１の周辺領域Ｎに見切り機能を持った遮光部材５９を一周に渡って配設してある。
【００８８】
ここで、完成第１基板５１は、図９、図１０に示すように、透明なガラスなどからなる第１基板２の下面側の表示領域Ｍにブラックマトリックス４を格子状に配設し、周辺領域Ｎには遮光部材５９を配設している。また、このブラックマトリックス４や遮光部材５９の上に絶縁と平坦化の機能を持たせての透明な平坦化膜５を配設し、その平坦化膜５上にＩＴＯ膜からなる第１透明電極３を配設した構成をなしている。
【００８９】
遮光部材５９は複数の第２の小孔５９ａからなる紫外線を透過する透過手段を設けている。この第２の小孔５９ａは、第３実施形態においては、２０〜３０μｍの大きさに形成しており、周辺領域Ｎの一周に渡って設けている。図１０においては、第２の小孔５９ａは周辺領域Ｎの一部分にしか描いておらず、残りは省略してある。また、この第２の小孔５９ａは均一な間隔に分散して設けるようにする。第２の小孔５９ａの２０〜３０μｍの大きさは目には視認しにくい大きさで、各種の実験の結果、目に視認できる大きさの限界は３０μｍ位が限度で、更に、周りに強い反射光があると６０〜７０μｍ位の大きさでも視認できないことが確認されている。均一な間隔に分散した第２の小孔５９ａの総面積は、第３実施形態においては、開口率（ここでの開口率は小孔を形成する領域の面積に対しての小孔の総面積の割合を云う）を３０〜４０％の範囲に設定している。各種実験の結果から、小孔の開口率は３０％あれば十分なるポリマー化ができることが確認されている。小孔は大きさが小さくても塊になって設けられていると目に視認されてくる。小孔の大きさを３０μｍ以下にして均一な間隔に分散し、そして、開口率を５０％（５０％より大きくすると遮光部材の方が逆に見えなくなってくる）より小さく設定するようにすると良い。尚、第２の小孔５９ａは、第３実施形態においては、円形状で形成しているが、円形状に限らず楕円形や長円形、方形、多角形などの形状を選択しても何ら支障はない。
【００９０】
遮光部材５９は、第３実施形態においてはブラックマトリックス４と同様に、酸化クロム（ＣｒＯ）金属膜とクロム（Ｃｒ）金属膜の２層の金属膜から形成している。複数の第２の小孔５９ａを設けた遮光部材５９はブラックマトリックス４と同じ材料で形成していることから、小孔５９ａを設けた遮光部材５９とブラックマトリックス４は同時に形成する。この第２の小孔５９ａを設けた遮光部材５９とブラックマトリックス４の形成方法は次のようにして行う。最初に、完成第１基板５１の第２基板２上の全面に酸化クロム（ＣｒＯ）金属でもって真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの方法で酸化クロム（ＣｒＯ）金属膜を所要の厚みに形成する。次に、酸化クロム（ＣｒＯ）金属膜上に同じ方法でクロム（Ｃｒ）金属膜を形成する。例えば、真空蒸着法で行う場合は、真空蒸着機のチャンバー内の蒸着時の圧力を、１×１０のマイナス６乗〜５×１０のマイナス５乗ｔｏｒｒ（１．３３×１０のマイナス４乗〜６．６５×１０のマイナス３乗Ｐａ）に設定して真空蒸着を行う。蒸着時間によって厚みが決まるので所要の厚みに至るまで蒸着を行う。これによって、酸化クロム（ＣｒＯ）金属膜とクロム（Ｃｒ）金属膜の２層の金属膜が得られる。次に、次に、酸化クロム（ＣｒＯ）金属膜とクロム（Ｃｒ）金属膜との２層の金属膜上にレジスト膜をスクリーン印刷などの方法で形成する。次に、紫外線による露光処理を行う。露光処理は第２の小孔５９ａを設けた遮光部材５９とブラック
マトリックス４の形状を描いたポジ写真フィルムをレジスト膜上に載置し、上方から紫外線を照射して露光を行う。露光により、遮光部材５９とブラックマトリックス４上のレジスト膜は硬化し、遮光部材５９とブラックマトリックス４以外の部分、即ち、第２の小孔５９ａの部分とブラックマトリックス４の格子の部分のレジスト膜は紫外線が当たらないので硬化せずに柔らかい状態でそのまま残る。次に、紫外線透過部１９ａの部分の柔らかいレジスト膜を溶解液で溶解して除去する。これによって、第２の小孔５９ａの部分と格子の部分の２層の金属膜が露出する。一方、遮光部材５９上とブラックマトリックス４上の硬化したレジスト膜はそのまま残る。次に、露出した２層の金属膜をエッチング液でもってエッチングして除去する。これによって、第２の小孔５９ａの部分と格子の部分が形成される。次に、遮光部材５９上の硬化したレジスト膜とブラックマトリックス４上の硬化したレジスト膜を剥離液でもって剥離する。これによって、第２の小孔５９ａが設けられた遮光部材５９とブラックマトリックス４が出来上がる。以上の方法で形成すると５μｍ近くの小さい小孔まで形成することができる。
【００９１】
完成第２基板６１は、図１１に示すように、透明なガラスなどからなる第２基板１２を用いて構成しており、第２基板１２の外辺１２ｅ側において延設部１２ａ（一点鎖線Ｓより左側の部分）を設けており、この延設部１２ａの部分だけ完成第１基板５１の第１基板２より大きくなっている。この延設部１２ａ上には駆動ＩＣを取付ける取付け部２７ａ（図１１の中で鎖線で示した部分）を設けている。完成第２基板６１は第２基板１２の上面の表示領域Ｍに格子状の複数の画素電極部１３を配設している。そして、この画素電極部１３を配設した部分が表示領域Ｍになっている。また、表示領域Ｍと隣り合って第２基板１２の外辺１２ｄ側と外辺１２ｅ側の周辺領域Ｎには各画素電極部１３に通じて駆動ＩＣの取付け部２７ａの所に集合するゲート電極線１４と信号電極線１５の引き回し配線パターンを配設している。《ここの挿入文は最後にもっていく》また、第２基板１２の外辺１２ｂ側と外辺１２ｃ側の周辺領域には配線電極６９を配設している。この完成第２基板６１の配線電極６９はシール部材２６に混ぜ合わせた導電粒子を介して完成第１基板５１の第１透明電極３と接続して導通が図られるトランスファー配線構造をなしている。また、駆動ＩＣとＦＰＣなる回路基板との電気的導通を図るために外辺１２ｅと取付け部２７ａとの間に接続電極パターン２１を配設した構成をなしている。また、配線電極６９は複数の第１の小孔からなる紫外線透過部６９ａを均一な間隔で分散して設けており、この紫外線透過部６９ａを設けた配線電極６９上には、図９に示すように、ＩＴＯ膜からなる透明電極２２を配設した構成をなしている。この第１の小孔からなる紫外線透過部６９ａは完成第１基板５１の遮光部材５９に設けた第２の小孔５９ａと重ならないようにして第２の小孔５９ａの位置とずれた位置に設けている。尚、上記の構成をなす完成第２基板６１は、前述の第１実施形態での完成第２基板とは、配線電極６９の紫外線透過部６９ａである第１の小孔の大きさや小孔の位置関係の所のみが異なっている。第１実施形態における配線電極の第１の小孔は大きさに特に制限するものではないが、第３実施形態の配線電極６９の第１の小孔は大きさを制限しており、完成第１基板５１の遮光部材５９に設けた第２の小孔５９ａと同じ大きさ、即ち、２０〜３０μｍの大きさに形成している。そして、第２の小孔５９ａと重ならない位置に設けている。また、図９に示すように、表示領域Ｍの各画素電極部１３上や周辺領域Ｎに設けた配線パターン上、透明電極２２上に透明な樹脂からなる保護絶縁膜２３を配設している。
【００９２】
第３実施形態の配線電極６９はアルミ（Ａｌ）金属膜でもって形成している。この配線電極６９は第１透明電極３への電気的配線の電気抵抗値を小さくするために設けており、この配線電極６１を経由しシール部材２６に混ぜ合わせた導電粒子を介して完成第２基板６１から完成第１基板５１の第１透明電極３に導通が図られる。また、配線電極６９は遮光性を有することから紫外線光を透過させるために複数の第１の小孔からなる紫外線透過部６９ａを設けている。この紫外線透過部６９ａは配線電極６９を設けた完成第２基板６１側から紫外線を照射して周辺領域にあるモノマーをポリマー化させるために設けている
。この紫外線透過部６９ａは完成第１基板５１の遮光部材５９に設けた第２の小孔５９ａと同一大きさ、同一形状で同じ開口率を持って形成していて、目に視認出来ない大きさになっている。
一方、この紫外線透過部６９ａは完成第１基板５１の遮光部材５９に設けた第２の小孔５９ａと同一大きさ、同一形状で同じ開口率を持って形成してしなくても良いが、目に視認出来ない大きさが良い。あるいは、表示装置の下からの透過した光がになっている、上方の視認側に漏れた光として見えることがないような、紫外線透過部６９ａと完成第１基板５１の遮光部材５９に設けた第２の小孔５９ａと大きさ関係を適宜設定するのがよい。
また、この紫外線透過部６９ａは均一な間隔に分散して設けており、更に、完成第１基板５１の遮光部材５９に設けた第２の小孔５９ａと重ならないようにして第２の小孔５９ａの位置とずれた位置に設けている。従って、紫外線透過部６９ａに対向する完成第１基板５１の部位には遮光部材５９が存在する。
【００９３】
この紫外線透過部６９ａを設けた配線電極６９は前述の第１実施形態で説明した製造方法と同じ方法で製造する。即ち、完成第２基板６１の第２基板１２上にアルミ金属を用いて真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などの方法でアルミ金属膜を形成する。例えば真空蒸着法で形成する場合には、真空蒸着機のチャンバー内の蒸着時の圧力を、１×１０のマイナス６乗〜５×１０のマイナス５乗ｔｏｒｒ（１．３３×１０のマイナス４乗〜６．６５×１０のマイナス３乗Ｐａ）に設定して真空蒸着を行う。蒸着時間によって厚みが決まるので所要の厚みに至るまで蒸着を行えば良い。次に、アルミ金属膜上にレジスト膜をスクリーン印刷などの方法で形成する。次に、紫外線による露光処理を行う。露光処理は複数の紫外線透過部６９ａを持った配線電極６９の形状を描いたポジ写真フィルムをレジスト膜上に載置し、上方から紫外線を照射して露光を行う。露光により、配線電極６９の形状部分のレジスト膜は硬化し、紫外線透過部６９ａの部分のレジスト膜は紫外線が当たらないので硬化せずに柔らかい状態でそのまま残る。次に、紫外線透過部６９ａの部分の柔らかいレジスト膜を溶解液で溶解して除去する。これによって、紫外線透過部６９ａの部分のアルミ金属膜が露出する。一方の配線電極６９形成部分の硬化したレジスト膜はそのまま残る。次に、露出した紫外線透過部６９ａ部分のアルミ金属膜をエッチング液でもってエッチングして除去する。これによって、紫外線透過部６９ａが形成される。次に、配線電極６９形成部分の硬化したレジスト膜を剥離液でもって剥離する。これによって、紫外線透過部６９ａの設けられた配線電極６９が出来上がる。この方法で紫外線透過部を形成すると５μｍ程度の非常に小さな小孔まで形成することができる。第３実施形態では紫外線透過部６９を２０〜３０μｍの大きさに形成する。
【００９４】
完成第２基板６１に配設する画素電極部１３はＴＦＴ素子を用いた画素電極部になっており、画素電極はＩＴＯ膜からなる透明電極でもって構成している。この画素電極部１３の構成は前述の第１実施形態の画素電極部と同じ構成をなしているので、ここでの説明は省略する。
【００９５】
次に、第３実施形態における高分子分散型液晶材料２５は、前述の第１実施形態で用いた液晶材料と同じ材料であるＰＮＬＣモードの液晶材料を使用している。そして、高分子材料、即ち、モノマーを紫外線照射によってポリマー化して使用する。ＰＮＬＣモードの液晶材料を用いると、完成第１基板１の第１透明電極３と完成第２基板３１の画素電極３６に挟まれた部分の液晶分子は双方の電極に電圧が印加されると透明状態になり、電圧が印加されていないときは白濁状態を示す。従って、白濁状態と透明状態を利用しての表示画像が形成される。
【００９６】
シール部材２６は導電粒子をエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に混ぜ合わせたもので構成していて、前述の第１実施形態のものと同じ仕様のものを用いている。導電粒子の大きさは完成第１基板５１と完成第２基板６１との隙間に配設するスペーサ（図示していない
）と同じ大きさのものを使用する。また、導電粒子はシリカ粒子やプラスチック粒子などの表面に導電性金属被膜を設けたものを用いている。シール部材２６に導電粒子を配合することで、完成第１基板５１と完成第２基板６１を貼合わせると完成第１基板５１の第１透明電極３と完成第２基板６１の配線電極６９とに導通が得られる。そして、配線電極６９を介して完成第１基板５１上の第１透明電極３に電気的導通が得られる。
【００９７】
以上の構成からなる表示装置８０は次の様にして製造する。完成第１基板５１または完成第２基板６１の何れか一方の基板（両方の基板に設けても良い）にシール部材２６をスクリーン印刷などの方法で印刷する。この時、高分子分散型液晶材料２５の注入口となる開口部を１箇所設けておく。その後、８０°Ｃ前後の温度で半硬化させ、半硬化状態で基板上に散布装置を用いてスペーサを散布する。散布方法は湿式散布、乾式散布何れの方法を取っても良い。次に、完成第１基板５１と完成第２基板６１とを対向して配置し、エアーバックなどの加圧装置での加圧の下で焼成炉で加熱してシール部材２６を硬化させ、完成第１基板５１と完成第２基板６１とを貼合わせる。この時、完成第１基板５１と完成第２基板６１とのギャップ（隙間）はスペーサの粒径によって設定されるが、概ね４〜１５μｍの範囲が選ばれる。加圧、加熱の条件としては加圧力２００ｇ〜１ｋｇ／平方ｃｍ、加熱温度１５０〜１８０°Ｃで３０〜９０分の範囲の中で適宜に設定して行う。
【００９８】
次に、シール部材２６の注入口から高分子分散型液晶材料２５を真空注入装置を用いて注入する。注入後は、２枚の平滑板の間に表示装置を挟み、加圧状態下で注入口に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射して注入口を封口する。２枚の平滑板に挟んで加圧するのはギャップ量を均一にするためで、液晶材料を真空注入すると中央部が太鼓状に少し膨らんでギャップ量にバラツキが現れる。そして、ギャップ量にバラツキがあると白濁状態にムラが現れてくる。この白濁のムラの発生を防止するために２枚の平滑板で加圧してギャップ量を均一にする。これによって、高分子分散型液晶材料２５を封入した表示装置８０−１が得られる。この表示装置８０−１は高分子分散型液晶材料２５がモノマーの状態を表している。
【００９９】
次に、モノマーをポリマー化するために紫外線を照射する。紫外線の照射方法は図１２に示す方法で行う。図１２より、水銀灯などを設けた紫外線照射装置３００と反射板３１０との間に高分子分散型液晶材料２５を封入した表示装置８０−１を配置する。表示装置８０−１は完成第２基板６１側が紫外線照射装置３００に向けた状態で配置する。そして、紫外線照射装置３００により矢印のＰ方向から紫外線を照射する。Ｐ１〜Ｐ６は紫外線光の進光路を示したものである。図１２から、紫外線の光は完成第２基板６１の周辺領域Ｎにあるゲート電極線１４の引き回しパターンの隙間を透過して高分子分散型液晶材料２５に入射する。
更に、紫外線光（Ｐ１）は、完成第１基板５１の周辺領域Ｎにある遮光部材５９の第２の小孔５９ａを透過して反射板３１０で反射され、再び、完成第１基板５１の遮光部材５９の第２の小孔５９ａを透過して高分子分散型液晶材料２５に入射する。
また、紫外線光（Ｐ３、Ｐ５）は、完成第２基板６１の表示領域Ｍの画素電極部１３を透過して高分子分散型液晶材料２５に入射し、更に、完成第１基板５１の表示領域Ｍを透過して反射板３１０で反射され、再び、完成第１基板５１の周辺領域Ｎの遮光部材５９の第２の小孔５９ａを透過して高分子分散型液晶材料２５に入射する。
また、紫外線光（Ｐ４）は、完成第２基板６１の表示領域Ｍの画素電極部１３を透過して高分子分散型液晶材料２５に入射し、更に、完成第１基板５１の表示領域Ｍを透過して反射板３１０で反射され、再び、完成第１基板５１の表示領域Ｍを透過して高分子分散型液晶材料２５に入射する。
また、紫外線光（Ｐ６）は、完成第２基板６１の周辺領域Ｎにある配線電極６９の紫外線透過部６９ａを透過して高分子分散型液晶材料２５に入射し、そして、完成第１基板５１の遮光部材５９で反射される、などの進光路を示す紫外線光が現れる。
【０１００】
完成第１基板５１の遮光部材５９に光透過手段としての第２の小孔５９ａを設けることによって、反射板からの反射光が第２の小孔５９ａを透過して周辺領域Ｎのモノマーに照射する。配線電極６９に設けた紫外線透過部６９ａから入射する紫外線光ばかりでなく反射板３１０からの反射光線も入射することから周辺領域Ｎのモノマーは未重合を起こすことなくポリマー化してポリマーネットワークを形成する。また、画素電極部１３のＴＦＴ素子上にあるモノマーには紫外線照射装置３００から照射される直接紫外線光は当たらないが、反射板３１０からの反射光が当たるようになり、モノマーのポリマー化が確実に、しかも、均一な状態で行われるようになる。
【０１０１】
以上の方法で紫外線照射してモノマーをポリマー化した表示装置は、次に、前述の第１実施形態で説明した製造方法と同じ方法で、駆動ＩＣや回路基板などを完成第２基板６１に配設して表示装置８０を得る。
【０１０２】
尚、第３実施形態での紫外線照射は完成第２基板６１側の方から行っているが、反射板３１０を完成第２基板６１側に置き、紫外線照射装置３００を完成第１基板５１側の方に配置して、完成第１基板５１側から照射することも可能である。このように、遮光部材５９に第２の小孔５９ａなる透過手段を設け、また、配線電極６９に第１の小孔なる紫外線透過部６９ａを設けることで反射板を利用した紫外線照射方法でモノマーのポリマー化を効果的に行うことができる。
【０１０３】
また、遮光部材５９に設ける第２の小孔５９ａは目に視認できないほどに小さいため、外観的な違和感は全く現れない。
【０１０４】
また、第３実施形態での遮光部材５９での紫外線透過手段として第２の小孔を用いたが、この透過手段としては小孔に限るものではなく、紫外線光の波長を透過する光波長選択透過部材を用いることもできる。このようなものとしては誘電体多層膜が挙げられる。この誘電体多層膜としは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２：屈折率ｎ１＝１．４５）やフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２：屈折率ｎ１＝１．３７）などの低屈折誘電体層と二酸化チタン（ＴｉＯ２：屈折率ｎ１＝２．５２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２：屈折率２．００）や酸化ジルコニウム（ＺｒＯ：屈折率ｎ１＝２．４）などの高屈折誘電体層を交互に２０〜４０層の範囲で積層して形成したものである。
【０１０５】
この誘電体多層膜を遮光部材として用いることにより紫外線を透過して周辺領域Ｎのモノマーをポリマー化することができる。
【０１０６】
このように、課題を解決するために本発明の表示装置の製造方法は、対向する電極を有する一対の基板間（５１，６１）に高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６により封止して成り、前記高分子分散型液晶材料２５を封止した領域に表示領域Ｍと該表示領域の外側に位置する周辺領域Ｎを有する表示装置の製造方法において、前記一対の基板（５１，６１）の一方の基板（５１）の前記周辺領域Ｎに紫外線を透過する透過手段（５９ａ）を有して見切り機能をなす遮光部材５９を設ける工程、前記遮光部材５９を設けた基板と対向する他方の基板６１の前記周辺領域Ｎの少なくとも一部分に遮光性を有する導電性の配線電極６９を設けると共に、前記配線電極６９を設けた周辺領域Ｎに紫外線を透過する紫外線透過部６９ａを設ける工程、前記遮光部材５９を設けた基板５１と前記配線電極を設けた基板６１の間に高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６により封止する工程、紫外線照射装置３００と反射板３１０との間に前記基板（５１，６１）の間隙に前記高分子分散型液晶材料２５を前記シール部材２６により封止した部材（完成していない未完成表示装置（例えば、８０−１））を配置して前記紫外線照射装置３００から前記部材（８０−１）に向けて紫外線を照射して、前記紫外線照射装置３００から入射する紫外線の直
接入射光と前記反射板３１０から反射される紫外線の反射光により前記高分子分散型液晶材料２５のモノマーをポリマー化する工程、と有することを特徴とする表示装置８０の製造方法である。この時、前記紫外線透過部６９ａは前記配線電極６９に部分的に設けた複数の孔が形成される。この紫外線透過部６９ａは、前記配線電極６９に部分的に設けた複数の小孔（円、四角、三角、多角形、星形などの形状であっても良い）またはスリット（長方形、楕円などの形状であっても良い）または切欠き（前記配線電極６９の側部を切り欠いても良く、また前記配線電極６９の側部を部分的に切欠いても良く、また前記配線電極６９の中央あるいは中央近傍を部分的に切欠いても良い）からなる開口６９ａあるいは孔６９ａを形成して得られる。
さらに、前記基板５１の前記周辺領域Ｎに紫外線を透過する透過手段（５９ａ）を有して見切り機能をなす遮光部材５９が設けられている。この透過手段５９ａは、前記遮光部材５９に部分的に設けた複数の小孔（円、四角、三角、多角形、星形などの形状であっても良い）またはスリット（長方形、楕円などの形状であっても良い）または切欠き（前記遮光部材５９の側部を切り欠いても良く、また前記遮光部材５９の側部を部分的に切欠いても良く、また前記遮光部材５９の中央あるいは中央近傍を部分的に切欠いても良い）からなる開口５９ａあるいは孔５９ａあるいは切欠き５９ａを形成して得られる。ただし、遮光部材５９に開口部を設けたときに、不要な光漏れが生じないように、開口の大きさ、複数の開口の密集度、密集具合を適切に設定する必要がある。このとき、遮光部材５９と対向する完成第２基板６１の上の遮光性配線電極６９の配置及び他の遮光部材を適切に配置するとの、完成第１基板５１の遮光部材５９の機能を補助させる手段を用いても良い。（図９を参照。）（図１２を参照。）
【０１０７】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係る表示装置について図１３、図１４を用いて説明する。ここで、図１３は本発明の第４実施形態に係る表示装置の要部断面図、図１４は図１３における完成第２基板の平面図を示している。尚、前述の第１実施形態の表示装置の構成部品と同じ仕様をなす構成部品は同一符号を付して説明する。
【０１０８】
第４実施形態の表示装置１００は、図１３に示すように、完成第１基板１と完成第２基板８１とを対向して配置した隙間の間にＰＮＬＣモードの高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６で封止した構成をなす。尚、図１３に図示はしていないが、完成第１基板１と完成第２基板８１との間に所要の間隙（ギャップ）量を確保するためにシリカ粒子やプラスチック粒子などの透明なスペーサが分散して配設されている。ここでの完成第１基板１は前述の第１実施形態での完成第１基板と同じ構成をなしている。また、完成第２基板８１においては、周辺領域に配設する配線電極８９とその配線電極８９上に配設する透明電極９２の形状のみが前述の第１実施形態のものと異なっている。
【０１０９】
図１３において、Ｍは表示領域で、表示画像を表示する領域を示している。Ｎは周辺領域で、表示領域Ｍの外側で、表示領域Ｍと隣接している領域が周辺領域Ｎとなっている。また、完成第１基板１が表示画像の視認側に来て、この完成第１基板１の周辺領域Ｎに見切り機能を持った遮光部材９を一周に渡って配設してある。
【０１１０】
完成第１基板１は前述の第１実施形態の完成第１基板と同じ構成をなしている。即ち、図１３に示すように、透明なガラスなどからなる第１基板２の下面の表示領域Ｍにブラックマトリックス４を格子状に配設し、周辺領域Ｎには遮光部材９を配設している。また、このブラックマトリックス４や遮光部材９の上に絶縁と平坦化の機能を持たせての透明な平坦化膜５を配設し、その平坦化膜５上にＩＴＯ膜からなる第１透明電極３を配設した構成をなしている。
【０１１１】
完成第２基板８１は、図１４に示すように、透明なガラスなどからなる第２基板１２を
用いて構成しており、第２基板１２の外辺１２ｅ側において延設部１２ａ（一点鎖線Ｓより左側の部分）を設けており、この延設部１２ａの部分だけ完成第１基板１の第１基板２より大きくなっている。この延設部１２ａ上には駆動ＩＣを取付ける取付け部２７ａ（図１４の中で鎖線で示した部分）を設けている。完成第２基板８１は第２基板１２の上面の表示領域Ｍに格子状の複数の画素電極部１３を配設している。そして、この画素電極部１３を配設した部分が表示領域Ｍになっている。また、表示領域Ｍと隣り合って第２基板１２の外辺１２ｄ側と外辺１２ｅ側の周辺領域Ｎには各画素電極部１３を通り駆動ＩＣの取付け部２７ａの所に集合するゲート電極線１４と信号電極線１５のそれぞれに接続される引き回し用の配線パターンを配設している。《ここの挿入文は最後にもっていく》また、完成第２基板８１の外辺１２ｄ側の周辺領域Ｎにはゲート電極線１４の配線パターンの外側に配線電極８９を配設している。また、外辺１２ｅ側の周辺領域Ｎにも配線電極８９を配設している。外辺１２ｅ側の周辺領域Ｎは駆動ＩＣの取付け部２７ａに向かってゲート電極線１４と信号電極線１５の配線パターンが配設されるので、これらの配線パターンと配線電極８９との重畳交差による接触を避けるために前記配線パターンと配線電極８９との間に絶縁膜（図示はしていない）を配設している。また、第２基板１２の外辺１２ｂ側と外辺１２ｃ側の周辺領域には配線電極８９を配設している。第４実施形態における配線電極８９は周辺領域Ｎにおいて一周に渡って配線された電極になっている。この配線電極８９はシール部材２６に混ぜ合わせた導電粒子を介して完成第１基板１の第１透明電極３と接続して導通が図られ、第１透明電極３に電圧を供給する構成をなしている。また、駆動ＩＣとＦＰＣなる回路基板との電気的導通を図るために外辺１２ｅと取付け部２７ａとの間に接続電極パターン２１を配設した構成をなしている。また、配線電極８９は、外辺１２ｂ側と外辺１２ｃ側、外辺１２ｄ側の配線電極８９に複数の第１の小孔からなる紫外線透過部８９ａを分散して配設している。また、この紫外線透過部８９ａを設けた配線電極８９上には、図１３に示すように、ＩＴＯ膜からなる透明電極９２を配設した構成をなしている。また、完成第２基板８１には表示領域Ｍの各画素電極部１３上や周辺領域Ｎに設けた配線パターン上、透明電極９２上に透明な樹脂からなる保護絶縁膜２３を配設している。
【０１１２】
第４実施形態の完成第２基板８１上の配線電極８９はアルミ（Ａｌ）金属膜でもって形成している。この配線電極８９は完成第１基板１上の第１透明電極３へ導電する電気抵抗値を小さくするために設けており、シール部材２６に混ぜ合わせた導電粒子を介して完成第１基板１の第１透明電極３に接続して配線電極８９への導通がとられる。また、この配線電極８９は遮光性を有するために、配線電極８９に紫外線光を透過する複数の第１の小孔からなる紫外線透過部８９ａを設けている。この紫外線透過部８９ａは配線電極８９を設けた完成第２基板８１側から紫外線を照射して周辺領域にあるモノマーをポリマー化させるために設けている。この紫外線透過部８９ａは外辺１２ｂ側の配線電極８９、外辺１２ｃ側の配線電極８９、外辺１２ｄ側の配線電極８９に設けており、同一大きさで均一な間隔に分散して設けている。同一大きさで均一な間隔に分散することによりモノマーへの紫外線照射光量が均一になりポリマー化が周辺に均一に行われる。第４実施形態の紫外線透過部８９ａは丸い円形状で形成したが、形状は円形状に限らず、楕円形状や方形形状、多角形状などを選択することができる。また、配線電極８９は視認側から見えない位置に配設されるので大きさと開口率（ここでの開口率は小孔を形成する領域の面積に対しての小孔の総面積の割合を云う）は電気抵抗値を大きくするので、許容できる範囲で適宜に設定するのが好ましい。
【０１１３】
この紫外線透過部８９ａを設け配線電極８９は前述の第１実施形での配線電極と同じ形成方法で形成する。即ち、配線電極８９及び配線電極８９に設ける複数の紫外線透過部８９ａの形成方法は次のようにして形成する。完成第２基板８１の第２基板１２上にアルミ金属を用いて真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などの方法でアルミ金属膜を形成する。例えば真空蒸着法で形成する場合には、真空蒸着機のチャンバー内
の蒸着時の圧力を、１×１０のマイナス６乗〜５×１０のマイナス５乗ｔｏｒｒ（１．３３×１０のマイナス４乗〜６．６５×１０のマイナス３乗Ｐａ）に設定して真空蒸着を行う。蒸着時間によって厚みが決まるので所要の厚みに至るまで蒸着を行えば良い。次に、アルミ金属膜上にレジスト膜をスクリーン印刷などの方法で形成する。次に、紫外線による露光処理を行う。露光処理は複数の紫外線透過部８９ａを持った配線電極８９の形状を描いたポジ写真フィルムをレジスト膜上に載置し、上方から紫外線を照射して露光を行う。露光により、配線電極８９の形状部分のレジスト膜は硬化し、紫外線透過部８９ａの部分のレジスト膜は紫外線が当たらないので硬化せずに柔らかい状態でそのまま残る。次に、紫外線透過部８９ａの部分の柔らかいレジスト膜を溶解液で溶解して除去する。これによって、紫外線透過部８９ａの部分のアルミ金属膜が露出する。一方の配線電極８９形成部分の硬化したレジスト膜はそのまま残る。次に、露出した紫外線透過部８９ａ部分のアルミ金属膜をエッチング液でもってエッチングして除去する。これによって、紫外線透過部８９ａが形成される。次に、配線電極８９形成部分の硬化したレジスト膜を剥離液でもって剥離する。これによって、紫外線透過部８９ａの設けられた配線電極１９が出来上がる。
【０１１４】
配線電極８９上に配設する透明電極９２は配線電極８９の抵抗値を小さくするために設けている。この透明電極９２はＩＴＯ膜から形成する。
【０１１５】
完成第２基板８１に配設する画素電極部１３はＴＦＴ素子を用いた画素電極部になっており、画素電極はＩＴＯ膜で形成している。この画素電極部１３の構成は前述の第１実施形態の画素電極部と同じ構成をなしている。
【０１１６】
次に、高分子分散型液晶材料２５は、前述の第１実施形態で用いた液晶材料と同じ材料であるＰＮＬＣモードの液晶材料を使用している。そして、高分子材料、即ち、モノマーを紫外線照射によってポリマー化して使用する。
【０１１７】
第４実施形態においては、紫外線の照射方向を矢印で示したＰの方向、即ち、完成第２基板８１側から行っている。完成第２基板８１の画素電極部１３の画素電極を透明なＩＴＯ膜から形成しており、また、配線電極８９に紫外線透過部８９ａを設けているので完成第２基板８１側からの紫外線照射で表示領域Ｍと周辺領域Ｎのモノマーを一回の照射でポリマー化できる。
【０１１８】
また、第４実施形態では、配線電極８９を周辺領域Ｎである表示領域Ｍの周囲の全周に渡って配設している。このような構成にすることにより静電気が帯電することなく配線電極８９に伝わって逃げていく。これにより、液晶への静電気影響がなくなって誤動作のない良好な表示が得られる。
【０１１９】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態に係る表示装置について図１５、図１６を用いて説明する。図１５は本発明の第５実施形態に係る表示装置の要部断面図を示しており、図１６は図１５における完成第２基板の平面図を示している。尚、前述の第１実施形態の表示装置の構成部品と同じ仕様をなす構成部品は同一符号を付している。
【０１２０】
第５実施形態の表示装置１２０は、図１５に示すように、完成第１基板１と完成第２基板１０１とを対向して配置した隙間の間にＰＮＬＣモードの高分子分散型液晶材料２５をシール部材２６で封止した構成をなす。尚、図１５に図示はしていないが、完成第１基板１と完成第２基板１０１との間に所要の間隙（ギャップ）量を確保するためにシリカ粒子やプラスチック粒子などの透明なスペーサが分散して配設されている。ここでの完成第１基板１は前述の第１実施形態での完成第１基板と同じ構成をなしている。また、高分子分
散型液晶材料２５、シール部材２６は前述の第１実施形態で用いた高分子分散型液晶材料、シール部材２６の仕様と同じ仕様のものを用いている。
【０１２１】
図１５において、Ｍは表示領域で、表示画像を表示する領域を示している。Ｎは周辺領域で、表示領域Ｍの外側で、表示領域Ｍと隣接している領域が周辺領域Ｎとなっている。また、完成第１基板１が表示画像の視認側に来て、この完成第１基板１の周辺領域Ｎに見切り機能を持った遮光部材９を表示領域Ｍの周囲の全てに渡って配設してある。
【０１２２】
完成第１基板１は前述の第１実施形態の完成第１基板と同じ構成をなしている。即ち、図１５に示すように、透明なガラスなどからなる第１基板２の下面の表示領域Ｍにブラックマトリックス４を格子状に配設し、周辺領域Ｎには遮光部材９を配設している。また、このブラックマトリックス４や遮光部材９の上に絶縁と平坦化の機能を持たせての透明な平坦化膜５を配設し、その平坦化膜５上にＩＴＯ膜からなる第１透明電極３を配設した構成をなしている。
【０１２３】
完成第２基板１０１は、図１６に示すように、透明なガラスなどからなる第２基板１２を用いて構成しており、第２基板１２の外辺１２ｅ側において延設部１２ａ（一点鎖線Ｓより左側の部分）を設けており、この延設部１２ａの部分だけ完成第１基板１の第１基板２より大きくなっている。この延設部１２ａ上には駆動ＩＣを取付ける取付け部２７ａ（図１６の中で鎖線で示した部分）を設けている。完成第２基板１０１は第２基板１２の上面に反射膜１０３を配設している。この反射膜１０３は周辺領域Ｎの中に配設し、且つ、表示領域Ｍの外側の周囲の全周に渡って紫外線を透過する紫外線透過部１０３ａを設けている。そして、紫外線透過部１０３ａを含めた反射膜１０３上に絶縁膜１０４を配設している。また、この絶縁膜１０４上の表示領域Ｍに格子状の複数の画素電極部１３を配設している。そして、この画素電極部１３を配設した部分が表示領域Ｍになっている。また、表示領域Ｍと隣り合って第２基板１２の外辺１２ｄ側と外辺１２ｅ側の周辺領域Ｎには各画素電極部１３に通じて駆動ＩＣの取付け部２７ａの所に集合するゲート電極線１４と信号電極線１５の引き回し用の配線パターンを配設している。《ここの挿入文は最後にもっていく》また、反射膜１０３の紫外線透過部１０３ａとこの紫外線透過部１０３ａの外側に設けられている反射膜１０３の上に配設されている絶縁膜１０４の上にＩＴＯ膜からなる配線用の透明電極１０９を配設した構成をなしている。この配線用の透明電極１０９は第２基板１２の外辺１２ｂ側と１２ｃ側に配設しており、シール部材２６に混ぜ合わせた導電粒子を介して完成第１基板１の第１透明電極３と接続して導通が図られる構造をなしている。この配線電極用の透明電極１０９は駆動ＩＣの取付け部２７ａまで引き回しされている。また、図１５に示すように、表示領域Ｍの各画素電極部１３上や周辺領域Ｎに設けた配線パターン上、配線電極用の透明電極１０９上に透明な樹脂からなる保護絶縁膜２３を配設している。
【０１２４】
反射膜１０３はアルミ（Ａｌ）金属膜から形成していて、真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などの方法でアルミ金属膜を形成し、その後にホトマスク、ホトエッチング法などの方法でエッチングを行って紫外線透過部１０３ａを形成する。また、反射膜１０３上に配設する絶縁膜１０４は透明なエポキシ樹脂やアクリル樹脂、ウレタン樹脂などを用いてスクリーン印刷法やロールコーター法、スピンナー塗布法などの方法で形成する。
【０１２５】
画素電極部１３はＴＦＴ素子と画素電極を有しており、画素電極はＩＴＯ膜で形成している。この画素電極部１３の構成は前述の第１実施形態の画素電極部と同じ構成をなしている。
【０１２６】
高分子分散型液晶材料２５は、前述の第１実施形態で用いた液晶材料と同じ材料である
ＰＮＬＣモードの液晶材料を使用している。そして、高分子材料、即ち、モノマーを紫外線照射によってポリマー化して使用する。
【０１２７】
シール部材２６は導電粒子をエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に混ぜ合わせたもので構成していて、前述の第１実施形態のものと同じ仕様のものを用いている。導電粒子の大きさは完成第１基板１と完成第２基板１０１との隙間に配設するスペーサ（図示していない）と同じ大きさのものを使用する。また、導電粒子はシリカ粒子やプラスチック粒子などの表面に導電性金属被膜を設けたものを用いている。シール部材２６に導電粒子を配合することで、完成第１基板１の第１透明電極３と完成第２基板１０１の配線電極用の透明電極１０９とに導通を図り、配線電極用の透明電極１０９を介して第１透明電極３に電圧を印加する。このシール部材２６はスクリーン印刷法などで形成する。
【０１２８】
以上の構成をなした表示装置への紫外線照射は、図１５に示すように、矢印Ｐ方向と矢印Ｑ方向の両方向から行う。矢印Ｐ方向からの紫外線照射で、反射膜１０４の紫外線透過部１０３ａの部分を透過させて周辺領域Ｎのモノマーに紫外線を照射してポリマー化し、矢印Ｑ方向からの紫外線照射で、表示領域のモノマーに紫外線を照射してポリマー化する。矢印Ｐ方向からと矢印Ｑ方向からの紫外線照射を同時に行うことでも良い。この時には作業工数が少なく、作業費用は安くなるが、装置の設備費用は高くなる。片側から２回に分けて紫外線を照射する方法を取れば設備費用も安くできる。どちらの方法を採用するかは、作業工数及びその費用と装置費用を考慮して決めるのが良い。
【０１２９】
第５実施形態の表示装置１２０はアルミ金属膜からなる反射膜１０３を配設した構成をなす。このことにより、表示画像は白濁色と光沢のあるアルミ金属色とでの画像表示色が得られる。
【０１３０】
また、反射膜を配設した構成の表示装置であっても、反射膜に紫外線透過部を設けることによって紫外線透過部から紫外線を照射できるので、モノマーをポリマー化できる。そして、品質の安定を図ることができる。尚、第５実施形態においては、紫外線透過部は表示領域の外側全周に渡って隙間を設けた構成にしたが、紫外線透過部は隙間に限られるものではなく、例えば、複数の小孔を均一な間隔に形成して紫外線透過部にしても良い。また、全周とせずに、適宜所定の箇所、部位に紫外線透過部を配設するようにしても良い。
【０１３１】
以上、本発明の表示装置に関し、第１実施形態から第５実施形態まで詳細に説明した。本発明の表示装置はカラーフィルターを用いた表示装置に対しても適用できる。また、当然ながらＬＥＤなどの光源を用いた照明装置付きの表示装置に対しても適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【図３】図２における完成第１基板の平面図である。
【図４】図２における完成第２基板の平面図である。
【図５】図４のＢ部における画素電極部の拡大平面図と断面図で、図５の（ａ）は拡大平面図、図５の（ｂ）は図５の（ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る表示装置の要部断面図である。
【図７】図６における完成第２基板の平面図である。
【図８】図７におけるＤ部の拡大平面図と断面図で、図８の（ａ）は拡大平面図、図８の（ｂ）は図８の（ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る表示装置の要部断面図である。
【図１０】図９における完成第１基板の平面図である。
【図１１】図９における完成第２基板の平面図である。
【図１２】図９における表示装置の紫外線照射状態を模式的に示した説明図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る表示装置の要部断面図である。
【図１４】図１３における完成第２基板の平面図である。
【図１５】本発明の第５実施形態に係る表示装置の要部断面図である。
【図１６】図１５における完成第２基板の平面図である。
【図１７】従来技術における液晶表示装置の品質現象を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１３３】
１、５１    完成第１基板
２    第１基板
３    第１透明電極
４    ブラックマトリックス
５    平坦化膜
９、５９    遮光部材
１１、３１、６１、８１、１０１    完成第２基板
１２      第２基板
１２ａ    延設部
１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ    外辺
１３、３３    画素電極部
１４    ゲート電極線
１４ａ    ゲート電極
１５    信号電極線
１６、３６    画素電極
１７    ＴＦＴ素子
１７ａ    ソース電極
１７ｂ    ゲイン電極
１７ｃ    半導体層
１７ｄ    Ｎ型アモルファスシリコン
１７ｆ、１０４    絶縁膜
１９、３９、６９、８９    配線電極
１９ａ、６９ａ、８９ａ、１０３ａ    紫外線透過部
２２、４２、９２、    透明電極
２３    保護絶縁膜
２５    高分子分散型液晶材料
２６    シール部材
２７    駆動ＩＣ
２８    回路基板
２９    保護膜
３０、５０、８０、１００、１２０    表示装置
５９ａ    第２の小孔
１０３    反射膜
１０９  配線電極用の透明電極
３００    紫外線照射装置
３１０    反射板
Ｍ    表示領域
Ｎ    周辺領域
【図１】
2007248685.tif 000003
【図２】
2007248685.tif 000004
【図３】
2007248685.tif 000005
【図４】
2007248685.tif 000006
【図５】
2007248685.tif 000007
【図６】
2007248685.tif 000008
【図７】
2007248685.tif 000009
【図８】
2007248685.tif 000010
【図９】
2007248685.tif 000011
【図１０】
2007248685.tif 000012
【図１１】
2007248685.tif 000013
【図１２】
2007248685.tif 000014
【図１３】
2007248685.tif 000015
【図１４】
2007248685.tif 000016
【図１５】
2007248685.tif 000017
【図１６】
2007248685.tif 000018
【図１７】
2007248685.tif 000019