(57)【要約】【課題】外部環境から露光装置光路空間内へのコンタミ物質の流入を低減することによって、光路空間内のミラー表面のカーボン被膜や酸化膜の成長を低減し、光学特性の劣化を抑え、オーバホールまでの寿命を長くした露光装置を提供する。【解決手段】本発明による露光装置は、接続用密閉空間（１０３）を介して外部環境（１０５）と接続されている。本発明による露光装置は、外部環境と接続用密閉空間とが連絡した際に、外部環境から接続用密閉空間に進入するコンタミ物質を低減するように、接続用密閉空間またはその周囲に清浄なガスを供給する装置（１２１）を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続用密閉空間を介して外部環境と接続された露光装置であって、外部環境と接続用密閉空間とが連絡した際に、外部環境から接続用密閉空間に進入するコンタミ物質を低減するように、接続用密閉空間またはその周囲に清浄なガスを供給する装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
外部環境と接続用密閉空間とが連絡した際に、接続用密閉空間の圧力が外部環境の圧力よりも常に高く維持されるように接続用密閉空間に清浄なガスを供給する装置を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記清浄なガスの供給源と接続用密閉空間との間にバッファタンクを有することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
接続用密閉空間の圧力を検出して当該圧力に基づいて、前記清浄なガスの供給源から接続用密閉空間に供給される前記清浄なガスの流量を制御する装置を有することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
外部環境と接続用密閉空間との差圧を検出して当該差圧に基づいて、前記清浄なガスの供給源から接続用密閉空間に供給される前記清浄なガスの流量を制御する装置を有することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項６】
外部環境と接続用密閉空間との間のバルブが閉状態でなくなったことを検出して、前記清浄なガスの供給源から接続用密閉空間に供給される前記清浄なガスの流量を制御する装置を有することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項７】
外部環境と接続用密閉空間とが連絡した際に、外部環境と接続用密閉空間との境界に清浄なガスを噴出して、前記清浄なガスのカーテンを形成する装置を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項８】
前記清浄なガスのカーテンを形成する装置が、外部環境の方向により多くの前記清浄なガスを噴出させるように構成されたことを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の露光装置を使用して、マスクに形成された遮光パターンを感応基板上に露光転写することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光方法を用いて、マスクに形成された遮光パターンを感応基板上に露光転写する工程を有することを特徴とする微細パターンを有するデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線を露光光源として用いる、露光装置、露光方法及びこれらを使用した、半導体デバイスなど微細パターンを有するデバイスの製造方法に関するものである。特に、極端紫外線または軟X線（本明細書及び特許請求の範囲においては、波長が100nm以下の光を意味し、「ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光」と言うことがある）を露光光源として用いる、露光装置、露光方法及びこれらを使用した微細パターンを有するデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子又は液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、マスク(本明細書および特許請求の範囲においてはレチクルを含む)に形成されたパターン像を、投影光学系を介して感光材（レジスト）が塗布されたウエハ上の各投影（ショット）領域に縮小して投影する縮小投影露光装置が使用されている。半導体素子、液晶表示素子等の回路は、上記投影露光装置でウエハやガラス上に回路パターンを露光することにより転写され、後処理によって形成される。
【０００３】
近年、集積回路の高密度集積化、すなわち、回路パターンの微細化が進められてきた。これに対応するため、投影露光装置における投影光も短波長化される傾向にある。すなわち、これまで主流だった水銀ランプの輝線に代わって、KrFエキシマレーザ（248 nm）が用いられるようになり、さらに短波長のArFエキシマレーザ（193 nm）を用いた投影露光装置が実用化されている。また、更なる高密度集積化をめざしてＦ２レーザ（157 nm）を使用する露光装置や液浸機構を有する光露光装置の開発も進められている。
【０００４】
さらに、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（11乃至14 nm）のＥＵＶ光を使用した投影リソグラフィが開発されている（例えば、非特許文献１）。この技術は、ＥＵＶリソグラフィと呼ばれており、従来の光リソグラフィでは実現不可能な45nm以下の解像力を得られる技術として期待されている。
【０００５】
図８は、このような、ＥＵＶ光を使用した露光装置の投影光学系の概要を示す。光源３１から放出されたＥＵＶ光は、コリメータミラーとして作用する凹面反射鏡３４を介してほぼ平行光束となり、一対のフライアイミラー３５ａおよび３５ｂからなるオプティカルインテグレータ３５に入射する。
【０００６】
こうして、フライアイミラー３５ａの反射面の近傍、すなわちオプティカルインテグレータ３５の射出面の近傍には、所定の形状を有する実質的な面光源が形成される。実質的な面光源からの光は平面反射鏡３６により反射された後、マスクＭ上に細長い円弧状の照明領域を形成する。ここで、円弧状の照明領域を形成するための開口板は、図示していない。マスクＭの表面で反射された光は、その後、投影光学系３７のミラーＭ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６で順に反射されて、露光光１として、マスクＭの表面に形成されたパターンの像を、ウエハ２上に塗布されたレジスト３上に形成する。レジスト３を塗布したウエハ２を感応基板とも呼ぶ。ここで、ミラー（反射鏡）は、屈折率の異なる２種類の物質を積層した多層膜から構成される。また、多層膜表面の耐酸化性を向上させ、カーボン被膜の形成を低減するために、キャッピングレイヤを多層膜表面に成膜してもよい。
【０００７】
一般に、ＥＵＶ光はあらゆる物質で吸光されるので空気中を透過しない。このため、ＥＵＶ光を用いた露光装置では、露光光をウエハ面上に十分な照度で到達させるためには、露光光路上の吸光物質を低減もしくは排除し、光路空間を高真空に保つ必要がある。このためには、放出ガスが極力少ない物質を用いて露光装置光路空間を構成する必要がある。投影光学系３７を含む露光装置光路空間は、図８に図示しない真空チャンバに収納してもよい。このように、ＥＵＶ光を用いた露光装置では、より微細な遮光パターンの転写が可能な一方で、吸光物質を排除する必要がある（吸光物質の放出する部材の利用が限られる）など設計が容易でない。
【０００８】
一般に、真空チャンバを構成する有機物部材からの放出ガスや、ポンプから逆流によって、また、非有機物構成部材表面に付着した物質の脱離によって、真空チャンバ内には有機物物質やＨ２Ｏ分子が存在する。また、レジストは有機物やＨ２Ｏ分子を包含とした物質であり、これらコンタミ物質が大量に放出される。さらに、レジストへの光照射によって絶鎖された比較的軽量で蒸気圧の高い有機物物質がより大量に放出される。露光装置光路空間中のコンタミ物質は、光学素子を含む真空装置構成部材に吸着する。コンタミ物質が光学素子表面に吸着すると、露光光との光化学反応によって、多層膜表面にカーボン被膜や酸化膜が形成される。このカーボン被膜や酸化膜は、いずれも吸光物質によって構成されているので、ミラー反射率低下の原因となる。概ね、ミラーの表面に1nmのカーボン被膜が積層されるとミラーの反射率が約1%低下する。また、ミラー表面のカーボン被膜や酸化膜によって収差が発生し、照度ムラの原因となるなどミラーの光学特性が劣化する。この結果、露光装置のスループットの低下により生産性が低下し、装置寿命が短くなるといった問題も生じる。
【０００９】
その一方で、上記のとおり、極端紫外光を用いた露光装置では、従来型光露光装置と異なり、光路空間に不活性ガスが充填されていないので、不活性ガスの気流制御によるコンタミ物質の排除が容易でない。また、多層膜表面に吸着したコンタミ物質と光化学反応の反応性を低減するのは容易でない。そこで、ミラーの光学特性を劣化させないために、コンタミ物質が露光装置の光路空間内に侵入する量を低減することが重要である。
【００１０】
露光装置にはコータ・ディベロッパなどの装置が併設されることがある。図７は、コータ・ディベロッパ１０５を併設した従来の露光装置１０１の構成を示す図である。コータ・ディベロッパ１０５においてウエハにレジストが塗布され、露光装置１０１に搬送される。コータ・ディベロッパ１０５は、接続用密閉空間である、一対のゲートバルブ１１１および１１３を有するロードロック（LL）室１０３を介して、高真空に保持された露光装置１０１の光路空間と接続されている。最初に、ゲートバルブ１１３が開いてコータ・ディベロッパ１０５とロードロック室１０３が連絡し、ウエハがロードロック室１０３に搬送される。その後、ゲートバルブ１１３が閉じて、ロードロック室１０３が真空に引かれる。その後、ゲートバルブ１１１が開いてロードロック室１０３と露光装置１０１が連絡し、ウエハが露光装置１０１に搬送される。
【００１１】
コータ・ディベロッパ１０５では、レジストを塗布する作業が行われるので、レジストから放出される有機物やＨ２Ｏ分子が大量に存在している。また、露光装置１０１とは異なり、コータ・ディベロッパ１０５では光学特性を劣化させる物質を低減させる対応が十分ではないので、レジストに起因しない有機物やＨ２Ｏ分子も大量に存在する。コンタミ物質が、レジスト搬送の際に接続用密閉空間（ロードロック室）を介して露光装置に流れ込むと、多層膜ミラーの反射率劣化など光学特性劣化の原因となる。このため、コータ・ディベロッパなど外部環境から露光装置に流入するコンタミ物質は十分に低減する必要がある。
【００１２】
【非特許文献１】D.Tichenor, et al. SPIE 2437 (1995) 292
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
このように、コータ・ディベロッパなど外部環境から露光装置光路空間内へのコンタミ物質の流入を低減することによって、光路空間内のミラー表面のカーボン被膜や酸化膜の成長を低減し、光学特性の劣化を抑え、オーバホールまでの寿命を長くしたＥＵＶ露光装置に対するニーズがある。さらに、当該露光装置を使用した露光方法、およびこの露光方法を使用した、微細パターンを有するデバイスの製造方法に対するニーズがある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明による露光装置は、接続用密閉空間を介して外部環境と接続されている。本発明による露光装置は、外部環境と接続用密閉空間とが連絡した際に、外部環境から接続用密閉空間に進入するコンタミ物質を低減するように、接続用密閉空間またはその周囲に清浄なガスを供給する装置を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明による露光装置においては、清浄なガスを使用して外部環境から露光装置光路空間内へのコンタミ物質の流入を低減することによって、露光装置の投影光学系の反射鏡へのコンタミ物質の付着をできるだけ少なくして、反射鏡の光学特性の劣化を抑えて、オーバホールまでの寿命を長くすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、外部環境から露光装置光路空間内へのコンタミ物質の流入を低減することによって、露光装置の投影光学系の反射鏡へのコンタミ物質の付着をできるだけ少なくして、反射鏡の光学特性の劣化を抑えて、オーバホールまでの寿命を長くしたＥＵＶ光露光装置、露光方法、およびこの露光方法を使用した微細パターンを有するデバイスの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。第１の実施形態による露光装置は、清浄なガス（有機物とＨ２Ｏが少ないガス）が、供給源１２１からロードロック室１０３に供給できるように構成されている点で、図７に示した従来の極端紫外光露光装置と異なる。ロードロック室１０３を清浄なガスで満たして大気圧よりも高い圧力に保持する。ここで、清浄なガスとは、アルゴンなどの希ガスや窒素を含む不活性気体を含む。また、空気でもよい。これらの気体は、フィルタなどを通過させて清浄度を高めておくのが好ましい。
【００１８】
ゲートバルブ１１３を開いてコータ・ディベロッパ１０５と連絡した場合にもロードロック室１０３の圧力をコータ・ディベロッパ１０５の圧力よりも常に高く保持していれば、コータ・ディベロッパ１０５からのコンタミ物質の流入を防止することができる。しかし、清浄なガスの供給源１２１とロードロック室１０３とは配管で接続されている。配管長に対して配管径が十分でない場合には、ゲートバルブ１１３を開いてコータ・ディベロッパ１０５と連絡した際に、ロードロック室１０３からコータ・ディベロッパ１０５へ清浄なガスが流れ出す一方、供給源１２１からの清浄なガスの供給が追いつかないのでロードロック室１０３の圧力が低下する。ロードロック室１０３の圧力がコータ・ディベロッパ１０５の圧力まで低下しても、清浄なガスは、慣性によりコータ・ディベロッパ１０５へ流れ続ける。このため、清浄なガスの流れが停止した際には、コータ・ディベロッパ１０５の圧力がロードロック室１０３の圧力よりも高くなっている。この結果、コータ・ディベロッパ１０５のコンタミ物質がロードロック室１０３に流れ込む。
【００１９】
ゲートバルブ１１３を開いてコータ・ディベロッパ１０５と連絡した場合にもロードロック室１０３の圧力をコータ・ディベロッパ１０５の圧力よりも常に高く保持するには、清浄なガスの供給源のキャパシティを大きくするとともに圧力を高めに設定し、配管長に対して配管径を十分に大きくすればよい。しかし、コストや設備スペースの点から上記のような設計を行うことはできない場合もある。
【００２０】
図２は、本発明の第２の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。本実施形態の露光装置は、ロードロック室１０３の近くに清浄なガスのバッファタンク１２３を備えている。ゲートバルブ１１３を開いてコータ・ディベロッパ１０５と連絡した際に、ロードロック室１０３からコータ・ディベロッパ１０５へ清浄なガスが流れ出すと、バッファタンク１２３からロードロック室１０３へ清浄なガスが供給されロードロック室１０３の圧力が維持される。バッファタンク１２３の容量は、ロードロック室１０３がコータ・ディベロッパ１０５と連絡している間に、ロードロック室１０３の圧力をコータ・ディベロッパ１０５の圧力よりも常に高く保持するのに十分な程度とする。バッファタンク１２３を設けることにより、バッファタンク１２３よりも上流の配管長および配管径に対する要求は緩和される。
【００２１】
図３は、本発明の第３の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。本実施形態の露光装置は、ロードロック室１０３の圧力を一定に制御する圧力制御系を備える。圧力制御系は、ロードロック室１０３の圧力を検出する圧力計１３５、検出された圧力値に基づいて供給される清浄なガスの流量の目標値を定める調節計１３１およびガスの流量が目標値となるように調節弁の弁開度などを操作するアクチュエータ１３３からなる。調節計１３１はたとえば比例・積分制御機能を有するフィードバック調節計でもよい。アクチュエータ１３３は、調節計１３１からガス流量の目標値を受け取り、当該目標値に基づいて、図示しない流量制御系によって流量を制御するように構成してもよい。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）を用いてもよい。
【００２２】
ロードロック室１０３が密閉されている状態では、ロードロック室１０３内の圧力は高いので、調節弁の弁開度などの操作量は小さくなり、ガスの流量は絞られる。ロードロック室１０３がコータ・ディベロッパ１０５と連絡し、ロードロック室１０３からコータ・ディベロッパ１０５へ清浄なガスが流れ出して、ロードロック室１０３の圧力が低下すると調節弁の弁開度などの操作量が大きくなり、ガスの流量が増加される。したがって、ガスの配管径を十分に大きくしておき、必要な場合にのみ多量のガスを供給するようにしてもよい。また、本実施形態の圧力制御系は、第２の実施形態におけるバッファ１２３の下流に設置してもよい。圧力制御系を設けることにより、清浄なガスの供給量が必要最小限となり、清浄なガスのコストを低減することができる。
【００２３】
図４は、本発明の第４の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。本実施形態の露光装置は、ロードロック室１０３の圧力とコータ・ディベロッパ１０５の圧力との差圧を一定に制御する差圧制御系を備える。差圧制御系は、ロードロック室１０３の圧力とコータ・ディベロッパ１０５の圧力との差圧を検出する差圧計１３７、検出された差圧値に基づいて供給される清浄なガスの流量の目標値を定める調節計１３１およびガスの流量が目標値となるように調節弁の弁開度などを操作するアクチュエータ１３３からなる。調節計１３１はたとえば比例・積分制御機能を有するフィードバック調節計でもよい。アクチュエータ１３３は、調節計１３１からガス流量の目標値を受け取り、当該目標値に基づいて、図示しない流量制御系によって流量を制御するように構成してもよい。
【００２４】
ロードロック室１０３が密閉されている状態では、ロードロック室１０３の圧力とコータ・ディベロッパ１０５の圧力との差圧は大きいので、調節弁の弁開度などの操作量は小さくなり、ガスの流量は絞られる。ロードロック室１０３がコータ・ディベロッパ１０５と連絡し、ロードロック室１０３からコータ・ディベロッパ１０５へ清浄なガスが流れ出して、ロードロック室１０３の圧力とコータ・ディベロッパ１０５の圧力との差圧が低下すると調節弁の弁開度などの操作量が大きくなり、ガスの流量が増加される。したがって、ガスの配管径を十分に大きくしておき、必要な場合にのみ多量のガスを供給するようにしてもよい。また、本実施形態の圧力制御系は、第２の実施形態におけるバッファ１２３の下流に設置してもよい。圧力制御系を設けることにより、清浄なガスの供給量が必要最小限となり、清浄なガスのコストを低減することができる。
【００２５】
第５の実施形態として、第３の実施形態における圧力計１３５によって圧力を検出し、または第４の実施形態における差圧計１３７によって差圧を検出する代わりに、ゲートバルブ１１３が閉状態から開状態に移行開始したことなどを検出した信号を発生し、当該信号に基づいて調節計１３１によってアクチュエータ１３３を操作するようにしてもよい。この場合に、調節計１３１は、あらかじめ定められた弁開度目標値や流量目標値をアクチュエータ１３３に設定する、フィードフォワード調節計であってもよい。
【００２６】
本実施形態の制御系によれば、ゲートバルブ１１３が開状態となり、ロードロック室１０３の圧力が低下する前に、調節計１３１によって弁開度目標値や流量目標値を増加させることができる。したがって、配管による制御系の遅れがある場合にも、圧力低下前にガス供給量を増加させることにより、ロードロック室１０３の圧力低下を防止することができる。
【００２７】
図５は、本発明の第６の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。本実施形態の露光装置は、清浄なガス（有機物とＨ２Ｏが少ないガス）が、供給源１２１からロードロック室１０３とコータ・ディベロッパ１０５との境界に供給できるように構成されている。図５において、ガスの噴出口はロードロック室１０３の外側に、ゲートバルブ１１３と隣接して配置されているが、ロードロック室１０３の内側に、ゲートバルブ１１３と隣接して配置してもよい。ガスの噴出口の断面形状を平たくし、または、噴出口を分岐するなどして、ガスをカーテン状に噴出させてガスによる隔壁を形成するようにする。この結果、ゲートバルブ１１３が開いてロードロック室１０３がコータ・ディベロッパ１０５と連絡した場合にも、コータ・ディベロッパ１０５からロードロック室１０３へのコンタミ物質の流入が防止できる。互いに対向する二つの位置などに複数の噴出口を設けると、コンタミ物質の流入がより効率的に防止できる。ゲートバルブ１１３が閉状態から開状態に移行開始したことなどを検出した信号に基づいて、ゲートバルブ１１３が開状態の間のみ、ガスをカーテン状に噴出させてガスによる隔壁を形成するようにしてもよい。
【００２８】
図６は、本発明の第７の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。本実施形態の露光装置は、コータ・ディベロッパ１０５の方向に向けてより多くのガスが流れるように噴出口が構成されている点のみが、本発明の第６の実施形態による露光装置と異なる。配管の先端をコータ・ディベロッパ１０５の方向に配置して、コータ・ディベロッパ１０５の方向に向けてより多くのガスが流れるようにしてもよい。コータ・ディベロッパ１０５の方向に向けてより多くのガスが流れるようにすることにより、コータ・ディベロッパ１０５からロードロック室１０３へのコンタミ物質の流入がより効率的に防止できる。
【００２９】
ガスによる隔壁が十分に機能する場合には、ゲートバルブ１１３の構造・機能を簡略化しまた省略してもよい。ゲートバルブ１１３の動作時間を短縮することにより、露光装置のスループットが向上する。
【００３０】
なお、清浄なガスの供給源１２１からのガス噴出口は、露光装置１０１に配置してもよい。
【００３１】
以下、本発明に係わる半導体デバイスの製造方法の実施の形態の例を説明する。図９は、本発明の半導体デバイス製造方法の実施形態の一例を示すフローチャートである。この例の製造工程は以下の各工程を含む。
【００３２】
（１）ウエハを製造するウエハ製造工程(またはウエハを準備するウエハ準備工程)
（２）露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程(または、マスクを準備するマスク準備工程)
（３）ウエハに必要な露光処理を行うウエハプロセッシング工程
（４）ウエハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
（５）できたチップを検査するチップ検査工程
なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程からなっている。
【００３３】
これらの主工程の中で、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウエハプロセッシング工程である。この工程では、設計された回路パターンをウエハ上に順次積層し、ＣＰＵやメモリとして動作するチップを多数形成する。このウエハプロセッシング工程は、以下の各工程を含む。
【００３４】
（１）絶縁層となる誘電体膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜などを形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリングなどを用いる）
（２）この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程
（３）薄膜層やウエハ基板などを選択的に加工するためにマスク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィ工程
（４）レジストパターンにしたがって薄膜層や基板を加工するエッチング工程（たとえばドライエッチング技術を用いる）
（５）イオン・不純物注入拡散工程
（６）レジスト剥離工程
（７）さらに加工されたウエハを検査する検査工程
なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
【００３５】
本実施形態においては、上記リソグラフィ工程において、上述のＥＵＶ光露光装置を使用している。このため、外部環境から露光装置光路空間内へのコンタミ物質の流入を低減することにより、反射鏡の光学特性の劣化を抑え、また、メンテナンスの周期を長くすることにより露光装置を長期間にわたって連続運転することが可能となる。したがって、微細パターンを有するデバイスをスループットよく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。
【図２】本発明の第２の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。
【図３】本発明の第３の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。
【図４】本発明の第４の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。
【図５】本発明の第６の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。
【図６】本発明の第７の実施形態による露光装置の構造を示す概要図である。
【図７】コータ・ディベロッパを併設した従来の露光装置の構成を示す図である。
【図８】ＥＵＶ光を使用した露光装置の投影光学系の概要を示す。
【図９】本発明の半導体デバイス製造方法の実施形態の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３７】
１…露光光、２…ウエハ、３…レジスト、３７…投影光学系、１０１…露光装置、１０３…ロードロック室、１０５…コータ・ディベロッパ、１１１、１１３…ゲートバルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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