(57)【要約】【課題】多孔質材などの被処理材に被膜をコーティングする場合であっても、簡易的に被膜のコンタミネーションの付着を低減することができるコーティング装置を提供する。【解決手段】このコーティング装置１は、被処理材ＰＷを保持する保持台１０を備え、該保持台１０に保持した被処理材ＰＷの表面に、被覆材料にイオンを衝突させて得られた被覆材料の粒子を、被覆処理するためのコーティング装置１であって、前記保持台１０は、被処理材が接触する保持面１１ｂに開口部１１ｂを形成してなる。【選択図】図１
2007211304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理材を保持する保持台を備え、該保持台に保持した被処理材の表面に、被覆材料にイオンを衝突させて得られた被覆材料の粒子を、被覆処理するためのコーティング装置であって、
前記保持台は、被処理材が接触する保持面に開口部を形成していることを特徴とするコーティング装置。
【請求項２】
前記保持台は、前記開口部を挟んで前記被覆材料が配置される側と反対側における少なくとも前記開口部と向い合う位置に、前記イオン及び前記粒子を遮る遮蔽部材を配設していることを特徴とする請求項１に記載のコーティング装置。
【請求項３】
前記遮蔽部材は、前記開口部を通過する前記イオンの衝突によって生成された遮蔽部材の粒子が、前記被処理材に付着することが回避可能な位置に、配設されていることを特徴とする請求項２に記載のコーティング装置。
【請求項４】
前記遮蔽部材は、前記被処理材を保持したときに前記反対側に閉空間が形成されるように、前記開口部を覆っていることを特徴とする請求項２または３に記載のコーティング装置。
【請求項５】
前記保持台は中空の多角柱状の本体を備え、前記開口部は前記本体の各側面に形成されており、前記遮蔽部材は、前記本体の中空空間を前記開口部を含む空間ごとに区画する仕切り板を有することを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載のコーティング装置。
【請求項６】
前記遮蔽部材は、不導体材料からなることを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載のコーティング装置。
【請求項７】
前記請求項１〜６のいずれかに記載のコーティング装置を用いて、前記被処理材として多孔質材の両面のコーティング方法であって、
前記多孔質材の一方の面が被覆材料に対向し他方の面が前記開口部を覆う位置に、前記多孔質材を配置する工程と、
配置した多孔質材の一方の面に前記被覆材料の粒子をコーティングする工程と、
多孔質材の他方の面が被覆材料に対向し前記被覆された一方の面が前記開口部を覆う位置に、前記多孔質材を配置する工程と、
前記配置した多孔質材の前記他方の面に前記被覆材料の粒子をコーティングする工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする多孔質部材のコーティング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理材の表面に、スパッタリングなどの物理気相成長法（ＰＶＤ）により、表面をコーティングするコーティング装置及びコーティング方法に係り、特に、被処理材の表面にコーティングされた被膜へのコンタミネーションの付着を低減することができるコーティング装置及びコーティング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの物理気相成長法（ＰＶＤ）と呼ばれる方法で、硬質炭素などの被膜を被処理材の表面にコーティングすることがある。このようなコーティングに用いられる装置の一例として、図５に示すようなスパッタリング装置７０がある。このような装置７０を用いてコーティングを行う場合には、まず、被覆材料（ターゲット）Ｔに対向するように保持台５０に被処理材Ｗを保持し、このターゲットＴと保持台５０との間にスパッタ電源からのスパッタ電圧５１を作用させてアルゴンイオンを含むプラズマ空間ＰＳを生成し、このアルゴンイオンをターゲットＴに衝突させて、ターゲットＴのスパッタ粒子を生成する。そして、このスパッタ粒子にバイアス電源５２からのバイアス電圧を作用させることにより、被処理材Ｗの表面に向って（図の白抜き矢印の方向に）このスパッタ粒子を移動させて、スパッタ粒子を堆積させて、被処理材Ｗの表面の被覆処理（コーティング）を行っている。このようなコーティングを行う際に、アルゴンイオンが、ターゲットＴだけでなく、被処理材Ｗ及び保持台５０に向うことがあり、この保持台５０の表面に衝突するアルゴンイオンにより生成されるスパッタ粒子がコンタミネーションとなって被処理材Ｗに付着することによって、被処理材Ｗの表面が汚染され、所望の被膜特性を得られないことがあった。
【０００３】
このように、被処理材Ｗの表面が、イオンの衝突による保持台などのコンタミネーション（被処理材Ｗ以外の材料）により汚染される現象を回避するために、例えば、この保持台の一例として、被処理材Ｗとしての基板を保持する基板保持具であって、基板を保持する表面に、基板の表面処理を行う元素と同じ元素を含む被膜層を形成した基板保持具が提案されている。このような元素成分の被膜層を設けることにより、たとえ、イオンが基板保持具に衝突してスパッタ粒子となりこれが基板に付着したとしても、このスパッタ粒子は、基板の表面処理を行う元素と同元素であるので、基板表面は汚染されることはない（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平０６−４９６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、近年、このような被処理材Ｗは多様化しており、例えば被処理材Ｗが多孔質材などの空孔率の高い被処理材ＰＷである場合には、図６に示すように、コーティング時におけるアルゴンイオンが、被処理材ＰＷを通過して、この被処理材ＰＷに接触した保持台５０の表面に衝突することがある。この衝突の結果、保持台５０の一部がスパッタ粒子（コンタミネーション）ｐとなって、保持台５０の表面に接触した被処理材ＰＷの非処理面及び成膜中の被膜に付着することがある。
【０００６】
特に、このような被処理材ＰＷの両面にコーティングを行う場合には、被処理材ＰＷの一方の面をコーティングし、この被処理材ＰＷを反転させて、コーティングした面（一方の面）を保持台５０に接触させて他方の面のコーティングを行うことになるが、この他方の面をコーティングする場合には、すでにコーティングした一方の面の被膜に、スパッタ粒子ｐが付着されることとなり、このスパッタ粒子ｐがコンタミネーションとなって被膜特性を著しく悪化させることがある。
【０００７】
そして、上記の如き基板保持具（保持台）を用いた場合には、被膜層をターゲットと同じ材質にするので、被膜の汚染は低減することができるが、コーティングされるターゲットの材料にあわせた被膜層を準備せねばならず、製造コストが高くなってしまう。また、被処理材の被膜を、厚さ方向に成分を変化させる場合には、この成分変化にあわせて、保持台に被膜層を設けることは難しい。
【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは多孔質材などの被処理材に被膜をコーティングする場合であっても、簡易的に被膜へのコンタミネーションの付着を低減し、被覆材料の成分に近い純度の高い被膜を形成することができるコーティング装置及びコーティング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、イオン及び粒子が貫通し易い被処理材の表面をコーティングする場合には、この貫通したイオンにより生成されたコンタミネーションとなるスパッタ粒子が付着しないように、保持時に被処理材を可能な限り保持台表面に接触させないことが重要であるとの知見を得た。
【００１０】
本発明は、本発明者らが得た上記の新たな知見に基づくものであり、本発明に係るコーティング装置は、被処理材を保持する保持台を備え、該保持台に保持した被処理材の表面に、被覆材料にイオンを衝突させて得られた被覆材料の粒子を、被覆処理するためのコーティング装置であって、前記保持台は、被処理材が接触する保持面に開口部を形成していること特徴としている。
【００１１】
本発明の如く、被処理材が接触する保持面に開口部を設けることにより、多孔質材などイオンが貫通するような被処理材であっても、このイオンは開口部を通過するので、イオンの衝突によって保持台の一部がスパッタ粒子となり被処理材の非処理面（裏面）に付着することを低減することができる。特に、被処理材の両面のコーティングを行う場合には、この粒子が被膜に付着及び混入されることが無いので、被処理材に被覆材料に近い純度の高い被膜を形成することが可能となる。
【００１２】
また、このようなコーティング装置は、前記保持台が、前記開口部を挟んで前記被覆材料が配置される側と反対側における少なくとも前記開口部と向い合う位置に、前記イオン及び前記粒子を遮る遮蔽部材を配設していることがより好ましい。
【００１３】
このような遮蔽部材を設けることにより、遮蔽部材が、開口部を通過したイオン及び粒子を遮ると共に、反対側に回り込んだイオンにより発生するスパッタ粒子（コンタミネーション）が非処理面に付着することを低減することができ、その処理表面に不純成分の少ない純度の高い被膜をコーティングすることができる。
【００１４】
さらに、この遮蔽部材は、前記開口部を通過する前記イオンの衝突によって生成された遮蔽部材の粒子が、前記被処理材に付着することが回避可能な位置に、配設されていることがより好ましい。ここで、本発明に係る「開口部を通過する前記イオンの衝突によって生成された遮蔽部材の粒子」とは、コーティング時に用いられるイオンの一部が開口部を通過し、遮蔽部材に衝突することにより生成された遮蔽部材の材料成分からなるスパッタ粒子のことであり、さらに、この粒子が「前記被処理材に付着することが回避可能な位置」とは、この開口部を挟んで前記被覆材料が配置される側と反対側から（被覆材料の粒子の進行方向と反対方向から）、開口部を介して、この粒子が被処理材の非処理面に付着しないような位置であって、このような位置は、実際のコーティング条件に合わせた実験を行うことにより特定することができる。このようにして、遮蔽部材の一部が、反対側から被処理材の非処理面にスパッタ粒子として付着することをさらに低減することができる。
【００１５】
さらに好ましい態様としては、この遮蔽部材は、前記被処理材を保持したときに前記反対側に閉空間が形成されるように、前記開口部を覆っている。このように、保持台に被処理材を保持したときに閉空間が形成されるので、開口部を挟んで前記被覆材料が配置される側の反対側に回り込んだイオンにより発生するスパッタ粒子が、反対側から被処理材の非処理面に付着することがない。
【００１６】
さらにこのようなコーティング装置の一態様として、前記保持台が中空の多角柱状の本体を備え、前記開口部は前記本体の各側面に形成されており、前記遮蔽部材は、前記本体の中空空間を前記開口部を含む空間ごとに区画する仕切り板を有することが好ましい。このような多角柱状本体の各側面に開口部を設けることにより、一度に複数の被処理材のコーティングを行うことができる。さらに、各開口部を含む空間ごとに区画する仕切り板を設けることにより、コーティング時に、被処理材を貫通して開口部を通過した粒子が、他の多角柱体の側面に保持された被処理材に付着することを防止することができる。
【００１７】
さらに、このコーティング装置は、先に示した遮蔽部材が、不導体材料からなることがより好ましい。この不導体材料とは、いわゆる電気的に絶縁可能な材料であり、例えば、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂，アクリル樹脂などの絶縁性樹脂、セラミックスなどが挙げられる。このように遮蔽部材に不導体材料を用いることにより、この不導体材料にイオンが衝突したとしてもスパッタ粒子が生成され難く、被処理材の被膜へのコンタミネーションを低減することができる。また、上記に示すような閉空間にホロカソード放電がするような場合には、遮蔽部材を不導体材料にすることにより、この放電を回避することができる。
【００１８】
さらに、前記に示した如きコーティング装置を用いて、前記被処理材として多孔質材の両面のコーティングを行うより好ましい方法としては、前記多孔質材の一方の面が被覆材料に対向し他方の面が前記開口部を覆う位置に、前記多孔質材を配置する工程と、配置した多孔質材の一方の面に前記被覆材料の粒子をコーティングする工程と、多孔質材の他方の面が被覆材料に対向し前記被覆された一方の面が前記開口部を覆う位置に、前記多孔質材を配置する工程と、前記配置した多孔質材の前記他方の面に前記被覆材料の粒子をコーティングする工程と、を少なくとも含むような方法である。このようなコーティング装置を用いて、多孔質体の両面をコーティングするので、コーティングされた被膜への被覆材料以外のコンタミネーションの付着を抑制することができ、両面ともに純度の高い被膜を被処理材にコーティングすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の如きコーティング装置及びコーティング方法は、多孔質材などの被処理材に被膜をコーティングする場合であっても、簡易的に被膜へのコンタミネーションの付着を低減することができる。また、被処理材の両面にコーティングを行う場合には、両面に形成された被膜が同質に近く、共に純度の高い被膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下の本発明に係る物理気相成長法（ＰＶＤ）よるコーティング装置の一例としてのスパッタリング装置のいくつかの実施形態を図面に基づき説明する。図１は、多孔質材などの粒子が貫通しやすい被処理材（たとえば多孔質材）にスパッタリングを行うに好適な第一実施形態に係るスパッタリング装置１の保持台１０を模式的に示した斜視図を示しており、図２は、図１のII−II矢視図である。なお、本実施形態に係るスパッタリング装置は、先に示したスパッタリング装置７０（図５参照）の保持台の構成のみが相違するので、スパッタリング装置に配置された被覆材料（ターゲット（図示せず））の粒子の移動方向のみを示し（白抜き矢印）、他の構成に関する詳細の説明は省略する。
【００２１】
図１に示すように、第一実施形態に係るスパッタリング装置１の保持台１０は、導体材料からなる板状の本体１１と遮蔽部材１２とを備えており、この保持台１０の板状の本体１１は、被処理材ＰＷが接触する保持面１１ａに開口部１１ｂを形成している。さらに、この遮蔽部材１２は、コーティング時におけるイオン及び粒子を遮るためのものであり、開口部１１ｂを挟んで被覆材料が配置される側Ｃと反対側Ｄにおける開口部１１ｂと向い合う位置で、板状の本体１１に当接配設されている。
【００２２】
また、この遮蔽部材１２は、スパッタリング時に、被処理材ＰＷを貫通し、さらに開口部１１ｂを通過するイオンの衝突によって生成された遮蔽部材１２のスパッタ粒子が、多孔質材ＰＷに付着することが回避可能な位置に配設されている。具体的には、図１に示すような保持台１０の場合には、多孔質材ＰＷのコーティング条件と同じ条件で実験的に、多孔質材ＰＷのコーティングを行って、遮蔽部材１２のスパッタ粒子が多孔質材ＰＷの非処理面ｎｆに付着しないような多孔質ＰＷの位置となるように、板状の本体１１の厚さｔが決定されている。さらに、遮蔽部材１２は、多孔質材ＰＷを開口部１１ｂの全体上に保持したときに閉空間ＣＳが形成されるように、開口部１１ｂを覆っている。
【００２３】
このように構成されたスパッタリング装置１を用いて、保持台１０に多孔質材ＰＷを保持し、ターゲット（図示せず）にイオンを衝突させて得られた被覆材料の粒子を、図中矢印の方向から、多孔質材ＰＷの処理面ｃｆにコーティングする。この際に、このスパッタリング装置１の保持台１０に開口部１１ｂを設けたことにより、このイオンが開口部１１ｂを通過するので、イオンの衝突によって保持台１０の一部がスパッタ粒子（コンタミネーション）となり、この粒子が多孔質材ＰＷの非処理面ｎｆに付着することを低減することができる。
【００２４】
さらに、このような厚さｔとなるような板状の本体１１を設けたことにより、コーティング時に用いられるイオンの一部が開口部１１ｂを通過し、遮蔽部材１２への衝突により生成されるスパッタ粒子が、反対側Ｄから開口部１１ｂを介して、多孔質材ＰＷの非処理面ｎｆに付着することがない。
【００２５】
さらに、この保持台１０に遮蔽部材１２を設け、保持台１０に多孔質材ＰＷを保持したときに閉空間ＣＳが形成されるので、反対側Ｄに回り込んだイオンにより発生する多孔質材ＰＷの非処理面ｎｆへのさらなるスパッタ粒子の付着も低減することができる。このようにして、多孔質材ＰＷに被膜をコーティングする場合であっても、このコーティング装置１によりコーティングを行うと、被処理材へのコンタミネーションの付着を低減することができる。
【００２６】
なお、保持台１０の反対側Ｄに、このスパッタリングによるイオン、粒子等が衝突してもコーティングに影響を受けない程度の広い空間を確保できる場合には、この遮蔽部材１２は、なくてもよい。
【００２７】
さらに、このコーティング装置を用いて、多孔質材の両面のコーティングする場合には、多孔質材ＰＷの一方の面がターゲットに対向し、他方の面が開口部１１ｂを覆う位置に多孔質材ＰＷを配置し、この多孔質材ＰＷの一方の面にターゲット粒子のコーティングし、次に、多孔質材ＰＷの他方の面がターゲットに対向し、被覆された一方の面が開口部１１ｂを覆う位置に多孔質材ＰＷを配置し、配置した多孔質材ＰＷの他方の面にターゲットの粒子のコーティングを行うとよい。この結果、イオンの衝突によって保持台の一部がスパッタ粒子となり多孔質材の表面に付着することを低減することができ、多孔質材の両面に被覆材料の成分に近い純度の高い被膜を形成することが可能となる。
【００２８】
なお、本実施形態では、この遮蔽部材１２は、導体材料からなるが、この材料を四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）のような不導体材料を用いた場合には、不導体材料にイオンが衝突したとしてもスパッタ粒子が生成され難く、閉空間ＣＳにもホロカソード放電が発生し難いのでより好適である。
【００２９】
図３は、多孔質材にスパッタリングを行うに好適な第二実施形態に係るスパッタリング装置の保持台を模式的に示した斜視図を示している。なお、本実施形態に係るスパッタリング装置は、第一実施形態に係るスパッタリング装置を保持台のみが相違するので、被覆材料（ターゲット）の粒子の移動方向のみを示し（白抜き矢印）のみを示し、他の構成に関する詳細な説明は省略する。
【００３０】
図３に示すように、本実施形態に係るスパッタリング装置２の保持台２０は、中空の四角柱状の本体２１を備え、該保持台２０は、被処理材ＰＷを保持時に、被処理材ＰＷの処理面ｃｆがスパッタリング装置２に配置されたターゲット（図示せず）に対向するように配置されている。また、この本体２１のうち多孔質材ＰＷが接触する保持面、すなわち本体２１の各側面ａ〜ｄには、開口部２１ａが形成されている。さらに、第一実施形態に示す如き遮蔽部材の一部として、前記四角柱状の本体２１の内部の中空空間を、各側面ａ〜ｄに形成された開口部２１ａを含む空間ごとに、区画する仕切り板２２ａを備えており、この仕切り板２２ａは、四角柱状の本体２１の中心軸ＣＬから各頂点に向って延在している。この結果、図３に示す如く、仕切り板２２ａは、開口部２１ａを挟んで前記被覆材料が配置される側Ｃと反対側Ｄにおける各開口部２１ａと向い合う位置に、配設されることになる。また、この中空の四角柱状の本体２１は、この仕切り板２２ａを配設した際に、開口部２１ａを通過するイオンの衝突によって生成された仕切り板２２ａの粒子が、多孔質材ＰＷに付着することが回避可能となるような寸法であり、この寸法は、実際にコーティングを行う諸条件及び装置の大きさに合わせて決定される。
【００３１】
さらに、この四角柱の本体２１の端部（図上方及び下方）には、区画された空間が多孔質材ＰＷを保持したときに閉空間ＣＳが形成されるように、遮蔽部材の一部として蓋体２２ｂ，２２ｂがさらに設けられている。
【００３２】
このように構成されたスパッタリング装置２を用いて、保持台２０上の各側面（保持面）ａ〜ｄに多孔質材ＰＷを保持し、この多孔質材ＰＷの処理面ｃｆに、ターゲット（図示せず）にイオンを衝突させて得られた被覆材料の粒子を、図中矢印の方向から、同時にコーティングすることができる。この際に、第一実施形態と同様に、スパッタリング装置２の保持台２０に開口部２１ａを設けたことにより、イオンは開口部２１ａを通過するので、イオンの衝突によって保持台２０の一部がスパッタ粒子となり、この粒子が多孔質材ＰＷの処理面と反対面（非処理面）に付着することを低減することができる。
【００３３】
さらに、このような寸法の本体２１に仕切り板２２ａを設けたので、多孔質材ＰＷのコーティング時にイオンの一部が開口部２１ａを通過し、仕切り板２２ａの衝突により生成されるスパッタ粒子が、反対側Ｄから開口部２１ａを介して、多孔質材ＰＷの非処理面ｎｆに付着することがない。
【００３４】
さらにまた、この保持台２０に蓋体２２ｂ，２２ｂを設け、保持台２０に多孔質材ＰＷを保持したときに閉空間が形成されるので、反対側Ｄにイオンが回り込むことを抑制し、非処理面ｎｆへのスパッタ粒子の付着も低減することができる。このようにして、多孔質材ＰＷに被膜をコーティングする場合であっても、この被処理材ＰＷへのコンタミネーションの付着を低減することができる。さらにこの多孔質材ＰＷの両面をコーティングする場合には、さらにこの多孔質体を反転させて保持し、同様のコーティングを行えば、コンタミネーションが少なく、両面が均質に近い純度の高い被膜を形成することがきる。
【００３５】
なお、本実施形態では、この仕切り板２２ａは、導体材料からなるが、この材料を四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）のような不導体材料を用いた場合には、不導体材料にイオンが衝突したとしてもスパッタ粒子が生成され難く、ホロカソード放電を回避することができるのでより好適である。
【００３６】
さらに、第一実施形態及び第二実施形態に示したように、多孔質材の大きさは、保持台に形成された開口部の大きさよりも大きいが、多孔質材と開口部との大きさは、同じであることが好ましい。このような大きさになるように開口部を形成することにより、多孔質材を開口部に嵌合するように配置することが可能となり、この配置状態で多孔質体の表面にコーティングを行えば、多孔質材の周縁近傍には保持台からのスッパッタ粒子が付着し難くなり、さらに高品質のコーティングを行うことができる。
【実施例】
【００３７】
本発明に係る第二実施形態を以下に実施例により説明する。
（実施例１）
以下に示すように被処理材の両面にスパッタリング装置として、スラリ発泡法により気孔率約８０％、サイズ３００ｍｍ×２００ｍｍ×厚さ０．５ｍｍのチタン粉末の焼結体を作成し、この被処理材の両面にスパッタリング装置（神戸製鋼所製）を用いて、スパッタリングによるコーティングを行った。
【００３８】
＜被処理材＞
スラリ発泡法により気孔率約８０％、サイズ３００ｍｍ×２００ｍｍ×厚さ０．５ｍｍのチタン粉末の焼結体からなる多孔質材を作成した。
【００３９】
＜保持台＞
高さ５００ｍｍ、各側面の幅３００ｍｍの、ステンレス製の中空の四角柱状の本体を準備し、この各側面に大きさ３００ｍｍ×２００ｍｍの開口部を設けた。さらに、この本体の中空空間をこの開口部を含む空間ごとに区画する仕切り板を設けた。なお、本実施例では、図３に示すような蓋体は設けなかった。
【００４０】
＜コーティング＞
先に示した被処理材の３００ｍｍ×２００ｍｍの両面（第一面及び第二面）にコーティングを行った。具体的には、まず、保持台の各開口部を覆い嵌合するように、被処理材を保持して固定した。第一面が処理面、第二面が非処理面とすべく、第二面が開口部を覆い第一面がカーボンからなるターゲット（被覆材料）と対向するように、保持台を配設した。そして、ターゲットと被処理材との間にアルゴンガスを流すと共に圧力を０．４ＭＰａ、バイアス電圧５０Ｖをとして、このアルゴンガスをイオン化してターゲットに衝突させて生成されたターゲットのスパッタ粒子を、被処理材の表面にコーティングした。
【００４１】
さらに、このコーティングを行った被処理材を保持台から取り外し、第一面が非処理面、第二面が処理面とすべく、このコーティングを行った第一面が開口部を覆い第一面がターゲットに対向するように、被処理材を保持台に保持して固定し、第一面と同様にして第二面のコーティングを行った。
【００４２】
＜導電性評価＞
第一面と第二面のコーティングした被膜ｆ１，ｆ２の接触抵抗を、図４に示すような装置を用いて、測定した。具体的には、この被膜ｆ１，ｆ２を被覆処理した被処理材ＰＷを２０ｍｍ×２０ｍｍの大きさに切り出した。そして、この切り出したテストピースの被膜ｆ１と導電体４１との間にカーボンペーパ４５を介在させ、このテストピースを導体板４１、４２の間に挟みこみ、１ＭＰａの荷重で加圧した。さらに、この加圧状態を保持しながら、電源４３に接続したスイッチ４６を操作して、導体板４１と導体板４２の間に電流を１Ａ流し、この導体板４１，４２間の電圧を電圧計４４で測定し、この測定した電圧値に基づいて、カーボンペーパ４５に接触した側の被膜ｆ１の接触抵抗を測定した。さらに、この被処理材ＰＷを反転させて、同様の方法によって被膜ｆ２の接触抵抗も測定した。これらの結果を表１に示す。
【００４３】
＜被膜の密着性の確認＞
コーティングを行った被処理材の被膜ｆ１，ｆ２を外観観察し、この被膜の密着性の確認を行った。この結果を表１に示す。
【００４４】
（実施例２）
実施例１と同様に、被処理材をコーティングした。実施例１と異なる点は、この四角柱本体の両端にさらに蓋体を設けた点である。これらの被処理材をコーティングしたものに対しても、実施例１と同様に、両面の接触抵抗を測定すると共に、被膜の密着性の確認も行った。
【００４５】
（比較例１）
実施例１と同様に、被処理材をコーティングした。実施例１と異なる点は、保持台の四角柱本体の中空空間に、導電性の仕切り板を設けなかった点である。これらの被処理材をコーティングしたものに対しても、実施例１と同様に、両面の接触抵抗を測定すると共に、被膜の密着性の確認も行った。
【００４６】
（比較例２）
実施例１と同じように、被処理材のコーティングを行った。実施例１と異なる点は、保持台の表面に開口部を設けなかった点である。これらの被処理材をコーティングしたものに対しても、実施例１と同様に、両面の接触抵抗を測定すると共に、被膜の密着性の確認も行った。
【００４７】
【表１】
2007211304.tif 000003
【００４８】
（結果１）
実施例１，２及び比較例１，２のいずれも、第二面の被膜ｆ２の接触抵抗は同じであり、第二面の被膜ｆ２の接触抵抗に比べて第一面の被膜ｆ１の接触抵抗の方が大きかった。
【００４９】
（結果２）
実施例１，２の第一面の被膜ｆ１の接触抵抗は、比較例１，２のものに比べ小さく、第二面の抵抗に近い値であった。さらに、実施例２、実施例１，比較例１，比較例２の順に、第一面の被膜ｆ１の接触抵抗は大きくなった。
【００５０】
（結果３）
比較例１の被膜のみが密着不良があり、その他の被膜は良好であった。
【００５１】
（考察１）
結果１の如く、第一面の被膜ｆ１の方が第二面の被膜ｆ２よりも接触抵抗が大きかった理由は以下の理由が考えられる。コーティング時において、アルゴンイオンはターゲットに衝突する一方で、その一部のイオンは、被処理材を通過して、保持台の一部に衝突する。そして、この衝突により保持台の一部がスパッタ粒子（コンタミネーション）となり、この粒子が保持台の開口部を介して被処理材の非処理面に付着する。第一面のコーティング時には、被膜ｆ２が形成されていない非処理面（第二面）に、コンタミネーションが付着しても、その後この第二面は被膜ｆ２が形成されるので表面にはコンタミネーションが付着しない被膜を得ることができる。しかし、被膜ｆ１が形成された第一面が開口部を覆うように、被処理材を保持台に保持し、第二面をコーティングすると、一旦、第一面に形成された被膜ｆ１の表面に前記の如きコンタミネーションが付着する。このような、第一面のコンタミネーションの付着により、結果１の如く、第一面の被膜ｆ１の方が、接触抵抗が高い値になったと考えられる。
【００５２】
（考察２）
結果２の如く、実施例２，実施例１，比較例１，比較例２の順に、第二面の被膜ｆ２の接触抵抗の大きさが大きくなった理由としては、比較例２は、開口部を設けなかったため、被処理材を貫通したアルゴンイオンにより被処理材の非処理面に接触した保持台の部分が図６のようにスパッタ粒子（コンタミネーション）ｐとなって付着し、最も接触抵抗が大きくなったと考えられる。
【００５３】
さらに、実施例１及び比較例１を比較すると、比較例１は、開口部を設けたが仕切り板を設けなかったため、保持台の本体の内部空間にアルゴンイオンが回り込み、このイオンにより生成されたコンタミネーションが、仕切り板に付着することなく開口部を介して被処理材の非処理面（第一面）に付着した結果、比較例１の接触抵抗が大きかったと考えられる。
【００５４】
さらに、実施例１及び実施例２を比較すると、実施例２は、本体の端部に、被処理材を配置したときに、前記開口部を挟んで前記被覆材料が配置される側と反対側に、閉空間となるように２つの蓋体を設けることにより、保持台の本体の内部空間にアルゴンイオンの回り込みがなかったため、実施例２よりも接触抵抗が小さかったと考えられる。
【００５５】
（考察３）
結果２の如く、比較例１の被膜のみが密着不良があった理由としては、比較例１は仕切り板を設けなかったため、コーティング時において、被処理材（例えば、図３に示す保持面ａに保持された被処理材）の処理面に付着すべき被覆材料の粒子が、保持面上の被処理材を貫通し、保持台の本体の内部空間を通過し、さらに別の被処理材（図３に示す保持面ｃに保持された被処理材）が配置されている箇所の開口部を通過して、別の被処理材の非処理面に付着した結果、その面の被膜の密着不良が発生したと考えられる。
【００５６】
なお、比較例１では、四角柱体の本体の各側面に開口部を設けたが、この開口部が１つである場合には、このような仕切り板は必要ではないと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】第一実施形態に係るスパッタリング装置の保持台を模式的に示した斜視図。
【図２】図１のII−II矢視図。
【図３】第二実施形態に係るスパッタリング装置の保持台を模式的に示した斜視図。
【図４】導電性評価を説明するための図。
【図５】従来のスパッタリング装置を説明するための図。
【図６】非処理面のスパッタ粒子の付着を説明するための図。
【符号の説明】
【００５８】
１，２：スパッタリング装置(コーティング装置），１０：保持台，１１：板状の本体，１１ａ：保持面，１１ｂ：開口部，１２：遮蔽部材，２０：保持台，２１：四角柱状の本体，２１ａ：開口部，２２ａ：仕切り板，２２ｂ：蓋体，ＰＷ：多孔質材（被処理材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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