(57)【要約】【課題】  チップサイズが小さく、且つ十分な信頼性が得られる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】  ＬＥＤ１１は、｛１００｝面から＜０１１＞方向に５度乃至３０度傾斜した主面と、ヘキ開面に対して３０度乃至６０度の方向に切断された側面とを有する半導体基板１２と、半導体基板１２の主面上に設けられｐｎ接合を有する発光層１３と、発光層１３上に形成された第１電極１４と、主面に対向する半導体基板１２の裏面に形成された第２電極１５とを具備する。発光層１３側から半導体基板１２に至る第１の溝を形成した後、発光層１３の破砕層を除去する。次に、半導体基板１２側から第２の溝を形成した後、半導体基板１２の破砕層を除去する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
｛１００｝面から＜０１１＞方向に５度乃至３０度傾斜した第１主面と、ヘキ開面に対して３０度乃至６０度の方向に傾斜した側面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の第１主面上に設けられｐｎ接合を有する発光層と、
前記発光層上に形成された第１電極と、
前記第１主面に対向する前記半導体基板の第２主面に形成された第２電極と、
を具備することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記発光層はＩｎＧａＡｌＰ系半導体またはＧａＡｌＡｓ系半導体であり、前記半導体基板はＧａＰであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
｛１００｝面から＜０１１＞方向に５度乃至３０度傾斜した第１主面を有する透光性の半導体基板上にｐｎ接合を有する発光層を形成する工程と、
前記発光層上に第１電極を形成し、前記第１主面に対向する前記半導体基板の第２主面に第２電極を形成する工程と、
前記発光層上に前記第１電極上に第１保護膜を形成し、前記発光層側から前記半導体基板に至る第１の溝を形成する工程と、
前記第１保護膜をマスクとして前記第１の溝の側面をエッチングする工程と、
前記第１の溝を含む前記発光層上に第２保護膜を形成し、前記半導体基板の前記第２主面上に第３保護膜を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第２主面側から前記第１の溝に対向して前記第１の溝に至る第２の溝を形成する工程と、
前記第２および第３保護膜をマスクとして、前記第２の溝の側面をエッチングする工程と、
を具備することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１および第２の溝を前記半導体基板のヘキ開面に対して３０度乃至６０度斜め方向に形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１の溝の側面のエッチングはＢｒエッチング液またはＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ系エッチング液を用いて行い、前記第２の溝の側面のエッチングはＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ系エッチング液を用いて行なうことを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子、なかでも可視発光ダイオード（ＬＥＤ）は、フルカラーディスプレイ、交通・信号機器、車載用途などに幅広く用いられているが、この用途においては特に光出力の高いものが要求されている。
【０００３】
この種の従来の代表的なＬＥＤの構造としては、｛１００｝面から＜０１１＞方向に傾斜した主面を有するＧａＰ基板上にＩｎＧａＡｌＰ系半導体のｐｎ接合を有する発光層(以下、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層という)が設けられており、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層と電気的接続を取るために、その上面側には上面電極が、下面側には下面電極が設けられている。
【０００４】
上述のように構成されたＬＥＤでは、ＧａＰ基板をダイシングによりチップに分割し、そのダイシングの際にＩｎＧａＡｌＰ系発光層およびＧａＰ基板に生じた破砕層を、エッチングにより除去している。
【０００５】
しかし、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層はエッチング速度がＧａＰ基板よりも大きいため、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層がオーバーエッチングされて消失する恐れがある。  
そのため、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層のオーバーエッチングを抑えようとするとＧａＰ基板の破砕層の除去が不十分となるという問題がある。
【０００６】
これに対して、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層の周りに防液堤を設けた構造の半導体発光素子の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
特許文献１に開示された半導体発光素子の製造方法は、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層をパターニングしてメサ部を形成し、同時にメサ部を取り囲むようにＩｎＧａＡｌＰ系発光層を残置して周壁部を形成している。  
周壁部の外側をダイシングすることによりＩｎＧａＡｌＰ系発光層に破砕層が導入されるのを防止し、周壁部によりエッチング液の侵入を遮断してＩｎＧａＡｌＰ系発光層がエッチングされるのを防止している。
【０００８】
然しながら、上述した特許文献１に開示された半導体発光素子の製造方法は、メサ部および周壁部を設けているので、その分チップサイズが増大するという問題がある。
【０００９】
また、破砕層の原因となるダイシング時のチッピング（半導体ウェーハのかけ）を防止するために、基板のヘキ開面に対して斜め方向に各チップを配列してダイシングする方法が知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１０】
特許文献２に開示された化合物半導体装置の製造方法は、化合物半導体基板の（１００）面を表面とし、化合物半導体基板の［０−１−１］方向にオリエンテーションフラットを形成し、オリエンテーションフラットに対して４５度方向に各チップを配列してダイシングしている。
【００１１】
然しながら、上述した特許文献２に開示された化合物半導体装置の製造方法は、表面が（１００）面から傾斜した化合物半導体基板については、何ら開示していない。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／００１７２５０Ａ１号明細書
【特許文献２】米国特許第６、８９７、１２６Ｂ２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、十分な信頼性を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様の半導体発光素子では、｛１００｝面から＜０１１＞方向に５度乃至３０度傾斜した第１主面と、ヘキ開面に対して３０度乃至６０度の方向に傾斜した側面とを有する半導体基板と、前記半導体基板の第１主面上に設けられｐｎ接合を有する発光層と、前記発光層上に形成された第１電極と、前記第１主面に対向する前記半導体基板の第２主面に形成された第２電極と、を具備することを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の一態様の半導体発光素子の製造方法では、｛１００｝面から＜０１１＞方向に５度乃至３０度傾斜した第１主面を有する透光性の半導体基板上にｐｎ接合を有する発光層を形成する工程と、前記発光層上に第１電極を形成し、前記第１主面に対向する前記半導体基板の第２主面に第２電極を形成する工程と、前記発光層上に前記第１電極上に第１保護膜を形成し、前記発光層側から前記半導体基板に至る第１の溝を形成する工程と、前記第１保護膜をマスクとして前記第１の溝の側面をエッチングする工程と、前記第１の溝を含む前記発光層上に第２保護膜を形成し、前記半導体基板の前記第２主面上に第３保護膜を形成する工程と、前記半導体基板の前記第２主面側から前記第１の溝に対向して前記第１の溝に至る第２の溝を形成する工程と、前記第２および第３保護膜をマスクとして、前記第２の溝の側面をエッチングする工程と、を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、十分な信頼性を有する半導体発光素子およびその製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。
【実施例】
【００１７】
図１は本発明の実施例に係る半導体発光素子を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。  
本実施例は、ＧａＡｓ基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ系発光層にＧａＰ基板を接着し、ＧａＡｓ基板を除去した構造の半導体発光素子の例である。
【００１８】
図１に示すように、本実施例の半導体発光素子１１（以下、単にＬＥＤという）は、｛１００｝面から＜０１１＞方向に１５度傾斜した第１主面と、第１主面に対して垂直で且つヘキ開面に対して４５度の方向に切断された側面を有するｐ−ＧａＰ基板１２と、ＧａＰ基板１２の第１主面の全面に設けられたＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３と、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３の表面に形成された第１電極１４と、第１主面と相対向するｐ−ＧａＰ基板１２の第２主面に形成された第２電極１５とを有している。
【００１９】
ｐ−ＧａＰ基板１２の主面は、具体的には、例えば（−１００）面から［０−１−１］方向に５度乃至３０度の範囲で傾斜していることが好ましいが、１５±１度の範囲で傾斜していることがさらに好ましい。
【００２０】
この傾斜角度のｐ−ＧａＰ基板１２を用いた場合、後述するｐ−ＧａＰ基板１２上に形成したＧａＰバッファ層の表面モフォロジーが良好で、ピット密度やヒロック密度が（１００）を主面とする基板に比べて１桁以上少ないため、接着基板として優れている。
【００２１】
図２は、図１に示すｐ―ＧａＰ基板１２上にＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３を備えたＬＥＤ１１を搭載した半導体発光装置を示す断面図である。
【００２２】
図２に示すように、発光層１３が発光観測面になるように、ＬＥＤ１１がリードフレーム１６ａに形成された反射カップ１７の中に載置され、第２電極１５が導電性接着剤により反射カップ１７の底部に固着され、第１電極１４が金線１８によりリードフレーム１６ｂに接続されている。  
リードフレーム１６ａ、１６ｂおよびＬＥＤ１１を透明樹脂１９でモールドすることにより半導体発光装置２０が得られる。
【００２３】
この半導体発光装置２０に室温で定格電流の２倍の電流を流し、１６８時間後の光出力の変化量で示される信頼性は、従来構造のＬＥＤを用いた半導体発光装置より３０％以上向上していた。
【００２４】
図３はヘキ開面に対して斜め方向に切断された側面を有するＧａＰ基板の抗折強度と切断角度との関係を示す図である。ここでは、ＧａＰ片持ち梁の開放端に加重を印加していき、ＧａＰが破断したときの加重を抗折強度としている。
【００２５】
図３に示すように、ＧａＰ基板の抗折強度はヘキ開面に対する切断角度が０〜４５度の範囲では、切断角度が大きくなるにつれて増大していく。  
抗折強度は切断角度が３０度付近で１３０ｇ程度、切断角度が４５度付近で最大の２５０ｇ程度と、従来の切断角度が０度の２０ｇに対して１０倍以上高い値を示している。  
また、切断角度が４５〜９０度の場合は、結晶の対称性より断角度が大きくなるにつれて抗折強度は減少していく（図示せず）。
【００２６】
即ち、ＬＥＤ１１は側面がヘキ開面に対して４５度方向に切断されているので、モールド樹脂１９の樹脂応力がヘキ開面に平行な方向に印加されず、モールド樹脂１９の樹脂応力に対して高い耐性を有している。
【００２７】
その結果、ＬＥＤ１１へのダメージが低減し、半導体発光装置２０の信頼性を向上させることが可能である。
【００２８】
これから、ｐ−ＧａＰ基板１２のヘキ開面に対して斜め方向に切断された側面の切断角度は、４５度近辺を選択するのが良く、一般的に３０度乃至６０度の範囲が適当である。
【００２９】
次に、ｐ−ＧａＰ基板１２にＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３を備えたＬＥＤ１１の製造方法について説明する。図４乃至図１４はＬＥＤ１１の製造工程を順に示す断面図である。
【００３０】
始に、図４に示すように、｛１００｝面から＜０１１＞方向に１５度傾斜した主面を有するＧａＡｓ基板２１上にＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３を、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法により形成する。
【００３１】
具体的には、厚さ２５０μｍ程度のｎ−ＧａＡｓ基板２１に、厚さ０．５μｍ程度のＧａＡｓバッファ層２２を形成した後、厚さ０．２μｍ程度のＩｎＧａＰエッチングストップ層２３、厚さ０．１μｍ、キャリア濃度１Ｅ１８ｃｍ−３程度のｎ−ＧａＡｓコンタクト層２４、厚さ１μｍ、キャリア濃度１Ｅ１６〜１Ｅ１９ｃｍ−３程度のｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層２５、厚さ１μｍのＩｎＧａＡｌＰ ＭＱＷ（Multiple Quantum Well）活性層２６、厚さ１μｍ、キャリア濃度１Ｅ１７〜１Ｅ１９ｃｍ−３程度のｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層２７、厚さ０．０５μｍ、キャリア濃度１Ｅ１８ｃｍ−３程度のｐ−ＩｎＧａＰ接着層２８を順次積層形成する。
【００３２】
本明細書では、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層２４からｐ−ＩｎＧａＰ接着層２８までをＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３と称する。
【００３３】
ここで、活性層２６は、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）に限定されるものではなく、シングルヘテロ構造（ＳＨ）、ダブルヘテロ構造（ＤＨ）、量子井戸ヘテロ構造（ＱＷＨ）によって構成することもできる。
【００３４】
更に具体的には、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３の成長は、ｎ−ＧａＡｓ基板２１をＭＯＣＶＤ装置内のサセプタ上に載置し、原料ガスとしてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）およびホスフィン（ＰＨ３）をキャリアガスの水素（Ｈ２）と共に導入し、５００〜９００℃程度でエピタキシャル成長させることにより形成する。
【００３５】
導電型の制御は、ｎ形ドーパントガスとしてシラン（ＳｉＨ４）およびｐ型ドーパントガスとしてトリメチル亜鉛（ＴＭＺｎ）を導入することにより行う。
【００３６】
ＩｎＧａＡｌＰの組成の制御は、原料ガスのＴＭＡとＴＭＧの流量比を変えることにより行い、例えばｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層２５およびｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層２７はＩｎ０．４９（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５１Ｐであり、ＩｎＧａＡｌＰ ＭＱＷ性層２６の組成はＩｎ０．４９（Ｇａ０．７５Ａｌ０．２５）０．５１Ｐである。
【００３７】
次に、図５に示すように、ｐ−ＧａＰ基板１２上にＭＯＣＶＤ法により、例えば厚さ０．１μｍ、キャリア濃度１Ｅ１８ｃｍ−３程度のｐ−ＧａＰバッファ層１２ａを形成する。具体的には、キャリアガスのＨ２と共にＴＭＧ、ＴＭＺｎ、ＰＨ３を導入し、５００〜９００℃程度でエピタキシャル成長する。
【００３８】
次に、図６に示すように、ｐ−ＩｎＧａＰ接着層２８とＧａＰバッファ層１２ａを密着させ、例えば０.１〜１０ｋｇ／ｃｍ２程度の圧力で圧接しながら７００℃程度で熱処理することにより接合する。
【００３９】
次に、ｎ−ＧａＡｓ基板２１とＧａＡｓバッファ層２２をアンモニア系のエッチング液を用いて選択的に除去し、更にＩｎＧａＰエッチングストップ層２３を塩酸により選択的に除去する。
【００４０】
これにより、ｐ−ＩｎＧａＰ接着層２８とｐ−ＧａＰバッファ層１２ａを原子レベルで結合させ、透光性接着材（絶縁物）を介することなくｐ−ＩｎＧａＰ発光層１３が設けられたｐ−ＧａＰ基板１２が得られる。
【００４１】
次に、図7に示すように、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層２４上に、例えばＡｕＴｉ合金またはＡｕＧｅＮｉ合金の第１電極１４をＧａＰ基板１２のヘキ開面に対して４５度斜め方向に格子状に形成する。  
同様に、ＧａＰ基板１２の第２主面上に、例えばＡｕＮｉ合金の第２電極１５を、水玉状に形成する。
【００４２】
次に、第１電極１４をマスクとして、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層２４をＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ系エッチング液を用いてエッチングし、ｎ―ＩｎＧＡｌＰクラッド層２５を露出させる。  
ここで、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層２４のエッチングは、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ系エッチング液を用いて行う。エッチング液の組成は、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層２４のサイドエッチングを抑制するために体積比率で、例えば８：１：６４程度が適当である。
【００４３】
図１５はｎ−ＧａＡｓコンタクト層２４のサイドエッチング速度とＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ系エッチング液のＨ２Ｏの体積比率との関係を示す図である。
【００４４】
図１５に示すように、実験によれば、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝８：１：６４のエッチング液ａではエッチング時間が２２秒および３０秒のときのサイドエッチング速度はそれぞれ０．１５μｍ／ｍｉｎ程度であり、エッチング時間に依らずほぼ等しい。
【００４５】
一方、従来用いられていたＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝８：１：１のエッチング液ｂでは、エッチング時間が２２秒および３０秒のときのサイドエッチング速度は０．２５および０．４５μｍ／ｍｉｎ程度であり、エッチング時間に応じて増大している。
【００４６】
これにより、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層２４のサイドエッチングが抑制されるので、サイドエッチングにより第１電極１４が浮き上がることによるＬＥＤ１１の導通不良などの信頼性低下を防止することが可能である。
【００４７】
次に、図８に示すように、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３上に第１電極１４を覆うように開口幅Ｌ１が、例えば８０〜１００μｍ程度の格子状のパターンを有する第１保護膜３１、例えばレジスト膜を形成する。開口部３２がｐ−ＧａＰ基板１２をチップに分割するためのダイシング領域となる。
【００４８】
次に、図９に示すように、ブレード３３によりｐ−ＧａＰ基板１２を開口部３２に沿ってダイシングし、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３側からｐ−ＧａＰ基板１２の内部に至る、例えば幅Ｌ２が６０〜８０μｍ、深さＬ３が４０〜７０μｍの第１の溝３４を形成する。
【００４９】
このダイシングにより、第１の溝３４のＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３の側面およびｐ−ＧａＰ基板１２の側面に破砕層３５、３６が生じる。
【００５０】
次に、図１０に示すように、第１保護膜３１をマクスとしてＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３を、例えばＢｒエッチング液によりエッチングして、ダイシングにより生じた破砕層３５、３６を含む領域１３ａ、１３ｂを除去する。  
Ｂｒエッチング液では、ＧａＰはＩｎＧａＡｌＰに対して十分大きな選択比を有しているので、この段階ではｐ−ＧａＰ基板１２の破砕層は残留している。
【００５１】
次に、図１１に示すように、第１の溝３４の側面および底面を含むＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３の全面に第２保護膜３７、例えばレジスト膜を形成し、次にｐ−ＧａＰ基板１２の第２主面上に第３保護膜３８、例えばレジスト膜を形成する。
【００５２】
次に、図１２に示すように、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３側を粘着性のシート３９に貼り付けて、ブレード４０によりにｐ−ＧａＰ基板１２側から第１の溝３４と相対向する領域をダイシングし、第１の溝３４と相対向してｐ−ＧａＰ基板１２側から第１の溝３４の底部に至る第２の溝４１を形成し、Ｐ―ＧａＰ基板１２をチップに分割する。
【００５３】
このダイシングにより、第２の溝４１のｐ−ＧａＰ基板１２の側面に破砕層４２、４３が生じる。
【００５４】
次に、図１３示すように、第１保護膜３１および第２保護膜３８をマスクとしてｐ―ＧａＰ基板１２を、例えばＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝９５：２：３の混合液によりエッチングして、ダイシングにより生じた破砕層４２、４３を含む領域１２ｂ、１２ｃを、例えば７μｍ程度除去する。
【００５５】
Ｐ―ＧａＰ基板１２のチッブ同士の間隔が６０〜８０μｍ程度の場合に、エッチング液の回り込みが十分でないため、７μｍ程度エッチングするのに３０〜４５分程度の時間を要する。
【００５６】
従来、２００μｍ程度の深い溝の側面をエッチングするには、エッチング液の回り込みを良くするために、シート３９を機械的に引き伸ばしてチップ同士の間隔を３００〜５００μｍ程度に広げて行っていた。
【００５７】
しかし、シート３９を引き伸ばすと、第２保護膜３７がシート３９に引きずられて浮き上がり、第２保護膜３７下にＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ系エッチング液が浸透してｎ−ＧａＡｓコンタクト層２４がサイドエッチングされ、第１電極１４が浮き上がる恐れがある。
【００５８】
そこで、シート３９をシート保持リングに固定した後、シート３９を、例えば温度６０〜８０℃で１０分程度加熱してシート３９を熱膨張させ、次に、例えば温度５〜１０℃の冷却板に３０秒程度押し付けて急冷し、シート３９を熱収縮させることにより、チップ同士の間隔を適度に広げることができる。
【００５９】
実験によれば、加熱条件、急冷条件を調整することにより、第２保護膜３７の浮き上がりを抑えて、チップ同士の間隔が１００〜２００μｍ程度まで拡大され、第２の溝４１のｐ−ＧａＰ基板１２の側面の破砕層４２、４３を含む領域１２ｂ、１２ｃを十分に除去することができる。
【００６０】
次に、図１４に示すように、第３保護膜３８を除去して、シート４５にｐ−ＧａＰ基板１２を貼り付けた後、シート３９を剥離して、第２保護膜３７を除去する。これにより第１電極１４が上向きでシート４５に配列されたＬＥＤ１１が得られる。
【００６１】
ここで、ｐ―ＧａＰ基板１２の側面とＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３の側面は、それぞれ個別にエッチングしているので、ｐ―ＧａＰ基板１２の側面とＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３の側面とは完全に一致せず、僅かながらも段差が生じる。
【００６２】
ＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３の側面がｐ―ＧａＰ基板１２の側面より外側に飛び出していると、モールド樹脂１９の樹脂応力が集中して、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３にダメージを与える恐れがある。
【００６３】
従って、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３の側面はｐ―ＧａＰ基板１２の側面より内側にあるように、エッチング条件を調整することが望ましい。
【００６４】
以上説明したように、本実施例によれば、｛１００｝面から＜０１１＞方向に１５度傾斜した主面に対して垂直で、且つヘキ開面に対して４５の方向に切断された側面を有するｐ−ＧａＰ基板１２の全面にＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３が設けられている。
【００６５】
また、ＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３側およびｐ−ＧａＰ基板１２側からそれぞれダイシングして、別々にエッチングしているので、エッチング特性の異なるＩｎＧａＡｌＰ系発光層１３とｐ−ＧａＰ基板１２の破砕層をそれぞれ十分に除去することができる。
【００６６】
更に、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝８：１：６４のエッチング液により、第１電極１４下のｎ−ＧａＡｓコンタクト層２４のサイドエッチングを防止している。
【００６７】
その結果、チップサイズが小さく、且つ十分な信頼性を有する半導体発光素子およびその製造方法が得られる。  
また、ｐ―ＧａＰ基板１２のヘキ開面に対して４５の方向にダイシングして第１の溝３４を形成しているので、第１の溝３４を形成した後の製造工程におけるｐ―ＧａＰ基板１２の割れが防止され、高い製造歩留まりを得ることができる。
【００６８】
ここでは、第１の溝３４の側面の発光層１３を、Ｂｒエッチング液を用いてエッチングする場合について説明したが、ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ系エッチング液を用いても構わない。  
ｐ−ＧａＰ基板１２と同じＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝９５：２：３のエッチング液を用いることにより、エッチング液の種類を減らすことができるので、製造工程を合理化できる利点がある。
【００６９】
また、発光層１３がＩｎＧａＡｌＰ系半導体である場合について説明したが、ＧａＡｌＡｓ系半導体でも構わない。ＧａＡｌＡｓ系半導体では、ＩｎＧａＡｌＰ系半導体より発光波長の長いＬＥＤが得られる利点がある。
【００７０】
具体的には、図４に示すｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層２５、ＩｎＧａＡｌＰ ＭＱＷ活性層２６、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層２７に替えて、ｎ−ＧａＡｓ基板上にそれぞれｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層、ＧａＡｌＡｓ ＭＱＷ活性層、ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層を成長させる。
【００７１】
次に、図５から図１４に示す工程に従って、ＧａＡｌＡｓ系発光層を有する半導体発光素子を得ることが可能である。  
ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ系エッチング液はＧａＡｌＡｓ系発光層の破砕層除去にも適用できる。
【００７２】
更に、ＩｎＧａＡｌＮ系半導体でも適用は可能である。ＩｎＧａＡｌＮ系半導体ではＩｎＧａＡｌＰ系半導体より発光波長の短いＬＥＤが得られる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の実施例に係る半導体発光素子を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図２】本発明の実施例に係る半導体発光装置を示す断面図。
【図３】本発明の実施例に係るＧａＰ基板の抗折強度と側面のヘキ開面に対する切断方向との関係を示す図。
【図４】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図５】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図６】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図７】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図８】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図９】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図１０】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図１１】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図１２】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図１３】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図１４】本発明の実施例に係る半導体発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図１５】本発明の実施例に係るＧａＡｓコンタクト層のサイドエッチング速度とエッチング液の組成との関係を示す図。
【符号の説明】
【００７４】
１１  ＬＥＤ
１２  ｐ―ＧａＰ基板
１２ａ  ｐ―ＧａＰバッファ層
１２ｂ、１２ｃ、１３ａ、１３ｂ  エッチング領域
１３  ＩｎＧａＡｌＰ系発光層
１４  第１電極
１５  第２電極
１６ａ、１６ｂ  リードフレーム
１７  反射カップ
１８  金線
１９  透明樹脂
２０  半導体発光装置
２１  ｎ−ＧａＡｓ基板
２２  ＧａＡｓバッファ層
２３  ＩｎＧａＰエッチングストップ層
２４  ｎ−ＧａＡｓコンタクト層
２５  ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
２６  ＩｎＧａＡｌＰ ＭＱＷ層
２７  ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
２８  ｐ−ＩｎＧａＰ接着層
３１  第１保護膜
３２  ダイシングライン
３３、４０  ブレード
３４  第１の溝
３５、３６、４２、４３  破砕層
３７  第２保護膜
３８  第３保護膜
３９、４５  シート
４１  第２の溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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