(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度の得られる検査をする。【解決手段】電気光学装置は、基板上に、複数の走査線及び複数の信号線と、複数の画素部と、複数のトランジスタを夫々含んでなると共に、所定本数の信号線の組の夫々に対応して設けられており、所定本数の信号線のうち一の信号線を介して第１電位信号が供給されると共に他の信号線を介して第２電位信号が供給され、第１電位信号の電位と第２電位信号の電位とを比較した結果に応じて、低電位信号又は高電位信号を出力する複数の増幅用回路とを備える。更に、複数のトランジスタのうち少なくとも一のトランジスタにおける活性層の延在部に設けられており、一のトランジスタにおけるボディコンタクトをとるボディコンタクト手段を備える。【選択図】図３
2007139955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
互いに交差する複数の走査線及び複数の信号線と、
前記複数の走査線及び前記複数の信号線の交差に対応して配置された複数の画素部と、
複数のトランジスタを夫々含んでなると共に、前記複数の信号線のうち所定本数の信号線の組の夫々に対応して設けられており、前記所定本数の信号線のうち一の信号線を介して第１電位信号が供給されると共に他の信号線を介して基準電位としての第２電位信号が供給され、前記第１電位信号の電位と前記第２電位信号の電位とを比較して、（ｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より低い場合には、前記第１電位信号の電位より低い電位を有する低電位信号を、（ｉｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より高い場合には、前記第１電位信号の電位より高い電位を有する高電位信号を出力する複数の増幅用回路と、
前記複数のトランジスタのうち少なくとも一のトランジスタにおける活性層の延在部に設けられており、前記一のトランジスタにおけるボディコンタクトをとるボディコンタクト手段と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記ボディコンタクト手段は、前記延在部に接触する接触部と、該接触部に電気的に接続された配線部とを有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の増幅用回路は、２本の前記信号線の組毎に一つずつ設けられており、当該２本の信号線間の電気的な接続を制御するための第１のトランジスタを含むイコライズ回路を夫々有しており、
前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第１のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の増幅用回路は、複数の第２のトランジスタからなる差動増幅回路を夫々有しており、
前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第２のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の増幅用回路は、該複数の増幅用回路を駆動するための電源を供給するための少なくとも一つの第３のトランジスタからなる駆動回路を夫々有しており、
前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第３のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶装置等の表示装置は、携帯電話、プロジェクタ等の機器に広く使用されている。ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等を用いた液晶表示装置は、ＴＦＴ基板と対向基板を貼り合せて、その基板間に液晶を封入して構成されている。一般に、製造された液晶装置が正常に作動するかの検査は、完成品に対して行われる。例えば、所定の画像信号を液晶装置に表示データとして入力し、投影、表示等させることによって正しくデータが表示されるか、欠陥画素の有無のチェックが行われている。
【０００３】
しかし、完成品について検査を行う方法は、製造工程の管理面から見ると、好ましくない。理由は、基板の製造工程後に不良品が発見されるので、不良品の発見が遅れてしまうからである。
【０００４】
このため、工程管理への不良発見がフィードバックされるまでの時間が長くなる。その結果、歩留まり低下期間が長期化し、製造コストが上昇するからである。また、試作品の場合も、試作品の評価から設計にフィードバックされるまでに期間が長期化するため、開発期間の長期化、開発コストの上昇に繋がる。更に、製品完成後は、いわゆるリペア、即ち不良個所の修理が困難である。
【０００５】
そこで、基板の製造工程内において、不良の発見、特に、表示装置の欠陥画素の発見を行うことが望まれている。
【０００６】
そのような検査方法の一つとして、液晶表示装置の電極パッドに検査用プローブを接触させて、所定の電流を供給することによって、液晶表示装置の検査を行う技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。同様に、画素のコンデンサ容量特性から、ＴＦＴの各画素に所定の電圧を印加して、放電電流及び放電電圧の波形に基づいてＴＦＴの機能を検査する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
また、ＴＦＴ基板の画素電極に対応する検査用の対向電極を用いて、画素電極の電位の変化量を検出することによって、各画素電極の動作検査を行う技術も提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開平５−３４１３０２号公報
【特許文献２】特開平７−３３３２７８号公報
【特許文献３】特開平１０−１０４５６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した特許文献１及び特許文献３に記載の技術による場合、検査装置において、基板の外部から電極パッド等に所定のプローブ等を接触或いは近接させるための機械的な位置精度が要求される。その結果、機械的なアライメント精度を確保するために検査時間が長くなるという技術的な問題点がある。更に、高精細な液晶表示装置の場合は、多くの電極パッドに対して細いプローブ等を機械的な制御を行って接触させなければならなくなり、これらの方法が適用できない場合もある。
【００１０】
また、上述した特許文献２に記載の方法では、液晶表示装置と測定装置間の各種容量成分、例えばデータ線、ビデオ線、電極パッド端子等における容量が影響するため、画素自体の容量が比較的小さい場合には、十分な測定精度が得られないという技術的な問題点がある。
【００１１】
本発明は、上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度を得られる検査を実現可能な電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差する複数の走査線及び複数の信号線と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線の交差に対応して配置された複数の画素部と、複数のトランジスタを夫々含んでなると共に、前記複数の信号線のうち所定本数の信号線の組の夫々に対応して設けられており、前記所定本数の信号線のうち一の信号線を介して第１電位信号が供給されると共に他の信号線を介して基準電位としての第２電位信号が供給され、前記第１電位信号の電位と前記第２電位信号の電位とを比較して、（ｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より低い場合には、前記第１電位信号の電位より低い電位を有する低電位信号を、（ｉｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より高い場合には、前記第１電位信号の電位より高い電位を有する高電位信号を出力する複数の増幅用回路と、前記複数のトランジスタのうち少なくとも一のトランジスタにおける活性層の延在部に設けられており、前記一のトランジスタにおけるボディコンタクトをとるボディコンタクト手段とを備える。
【００１３】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えばＸドライバ回路により画像信号が、データ線を介して各画素部に供給される。これと共に、Ｙドライバ回路により走査線を介して走査信号が各画素部に供給される。画素部毎に設けられた例えば画素スイッチング用の薄膜トランジスタは、走査線にゲートが接続されており、走査信号に応じて画像信号を画素電極へ選択的に供給する。これらにより、例えば、画素電極及び対向電極間に挟持された、例えば液晶等の電気光学物質を各画素部で駆動することで、アクティブマトリクス駆動が可能である。この際、蓄積容量によって、画素部における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。
【００１４】
本発明では特に、増幅用回路を備える。増幅用回路は、電気光学装置の動作時に先立って行われる検査時に、高電位信号又は低電位信号を、例えば組を構成する所定本数の信号線のうち一の信号線を介して、例えば画素部の良否を判定する判定手段に出力する。ここで、「所定本数の信号線の組」は、典型的には、２本の信号線から構成される組であり、複数の信号線は、２本の信号線として構成される、複数の信号線の組を構成する。尚、このような検査は、電気光学装置が一対の基板が貼り合わされる前段階である、例えば、素子アレイ基板、素子基板又はＴＦＴアレイ基板などと称される基板が完成した段階で好ましくは実施される。
【００１５】
より具体的には、この検査時には、例えば画素部から出力される第１電位信号が基準電位としての第２電位信号より僅かに高い電位を有している場合には、第２電位信号の電位に対する第１電位信号の電位の高いことが第１信号線及び第２信号線に印加されるノイズによって不明瞭とならないように、増幅用回路は第１電位信号に比べて電位が高められた高電位信号を例えば一の信号線を介して例えば判定手段に出力する。第１電位信号が第２電位信号より僅かに低い電位を有している場合には、第２電位信号の電位に対する第１電位信号の電位の低いことが第１信号線及び第２信号線に印加されるノイズによって不明瞭とならないように、増幅用回路は第１電位信号の電位を低くした後、電位が低く抑えられた低電位信号を例えば一の信号線を介して例えば判定手段に出力する。ここで、「第１電位信号」は、画素部の良否を反映した信号であり、より具体的には、例えば画素部の良否に応じて出力された信号である。画素部には、例えば検査に先立ち予め検査信号が供給されており、画素部の良否に応じて検査信号の電位から変動した電位を有する信号が第１電位信号として出力される。「画素部の良否」とは、画素部が不具合を有しているか否かを意味し、第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係は、画素部に生じた不具合に応じて異なる。「第２電位信号」は、第１電位信号の電位を高くする或いは低くする際の基準となる基準電位を有する。
【００１６】
判定手段は、例えば本発明の電気光学装置の有する基板の外部に設けられた外部回路であり、例えば、画素部に予め供給されていた、第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位に対して高いか低いかという情報と、第２電位信号に基づいて増幅用回路から出力された信号の電位と比較して高電位信号の電位又は低電位信号の電位が高いか低いかという情報とを比較する電圧論理によって画素部の良否を判定する。
【００１７】
このような判定手法によれば、第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より高い場合に、増幅用回路から高電位信号が出力されれば一の信号線に電気的に接続された画素部、即ち第１電位信号の基になる検査信号が供給された画素部に不具合が発生していないと判断される。一方、第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より高い場合に増幅用回路から低電位信号が出力されれば一の信号線に電気的に接続された画素部に何らかの不具合が発生していると判断される。第１電位信号の元になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に、増幅用回路から低電位信号が出力されれば一の信号線に電気的に接続された画素部に不具合が発生していないことを意味する。第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に増幅用回路から高電位信号が出力されれば一の信号線に電気的に接続された画素部、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部に何らかの不具合が発生していると判断される。
【００１８】
更に、本発明では特に、ボディコンタクト手段を備える。ボディコンタクト手段は、増幅回路を構成する複数のトランジスタのうち少なくとも一のトランジスタにおける活性層の延在部に設けられており、一のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる。ボディコンタクト手段は、例えば、一のトランジスタの活性層の延在部に接触する接触部と、該接触部に電気的に接続された配線部とを有しており、本発明に係る「トランジスタにおけるボディコンタクトをとる」或いは「ボディコンタクトをとる」とは、トランジスタにおけるチャネルが形成される活性層内に蓄積される余分なキャリアを抜くことをいう。そして、本発明に係る「ボディコンタクト手段」とは、このようなボディコンタクトをとるための、例えば半導体膜の一部や導電膜の一部、或いは電極や配線部分、接続部分など、各種の部位や部品を意味する。このため、「ボディコンタクト手段」は、トランジスタを構成する活性層の電位を固定する「電位固定手段」或いは「電位固定用電極」、又はトランジスタの活性層の余分なキャリアを除去する「キャリア除去手段」或いは「キャリア除去用電極」などと、言い換えることも可能である。このようなボディコンタクト手段によって、一のトランジスタにおける活性層における電位は、所定電位に固定される。所定電位としては、例えば、一のトランジスタがＮｃｈ型のトランジスタである場合には、ソース電位及びドレイン電位より低い電位が設定され、一方、一のトランジスタがＰｃｈ型のトランジスタである場合には、ソース電位及びドレイン電位より高い電位が設定される。このため、一のトランジスタがオン状態からオフ状態に切り換えられた際にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリア（即ち、正孔又は電子）を、ボディコンタクト手段によって延在部を介して抜くことが可能となる。即ち、スイッチング時の電気的なノイズに起因して、例えば、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位が夫々変化してしまうことを防止できる。従って、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位が夫々変化することによって、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の高低関係が、電気的なノイズの発生がない場合とは反対の関係になってしまうことを防止できる。これにより、増幅用回路が誤作動することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記ボディコンタクト手段は、前記延在部に接触する接触部と、該接触部に電気的に接続された配線部とを有する。
【００２０】
この態様によれば、一のトランジスタが、オン状態からオフ状態に切り換えられた際（即ち、スイッチング時）に、活性層内に蓄積された余分なキャリアは、延在部に接触する接触部を介して、配線部に排出される。よって、一のトランジスタにおけるスイッチング時の電気的なノイズの発生を、確実に低減することができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の増幅用回路は、２本の前記信号線の組毎に一つずつ設けられており、当該２本の信号線間の電気的な接続を制御するための第１のトランジスタを含むイコライズ回路を夫々有しており、前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第１のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる。
【００２２】
この態様によれば、ボディコンタクト手段によって、イコライズ回路を構成する第１のトランジスタにおけるボディコンタクトがとられる。よって、第１のトランジスタが、組を構成する２本の信号線間の電気的な接続を制御するために、オン状態からオフ状態に切り換えられる際（即ち、スイッチングの際）に生じ得る電気的なノイズの発生を低減できる。従って、増幅用回路が誤作動することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。特に、イコライズ回路は、検査において、画素部から第１電位信号が出力される前に、２本の信号線間を電気的に接続し（即ち、短絡或いはショートし）、２本の信号線を互いに同電位とする機能さえ有していればよいので、イコライズ回路を構成する第１のトランジスタは、典型的には、比較的小さく形成される。このため、第１のトランジスタには、スイッチングに起因する電気的なノイズが発生しやすい。よって、少なくとも第１のトランジスタにおけるボディコンタクトをとることは、増幅用回路を構成する他の比較的大きなトランジスタにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、増幅用回路が誤作動することを確実に或いは効率的に防止することができる。このため、ボディコンタクト手段を設けることによる基板サイズの増大を殆ど或いは全く必要としない。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の増幅用回路は、複数の第２のトランジスタからなる差動増幅回路を夫々有しており、前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第２のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる。
【００２４】
この態様によれば、ボディコンタクト手段によって、差動増幅回路を構成する第２のトランジスタにおけるボディコンタクトがとられる。よって、第２のトランジスタのオンオフが切り換えられる際に生じ得る電気的なノイズの発生を低減できる。従って、差動増幅回路が誤作動することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。特に、差動増幅回路では、第１電位信号及び第２電位信号を比較する際に、第２のトランジスタの切り換えが行われる。よって、第２のトランジスタにおけるスイッチングに起因する電気的なノイズは、第１電位信号及び第２電位信号の比較の前後にオンオフの切り換えが行われる他のトランジスタに比較して、比較結果に大きな影響を与える。従って、少なくとも第２のトランジスタにおけるボディコンタクトをとることは、増幅用回路を構成する他のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、増幅用回路が誤作動することを確実或いは効率的に防止することができる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の増幅用回路は、該複数の増幅用回路を駆動するための電源を供給するための少なくとも一つの第３のトランジスタからなる駆動回路を夫々有しており、前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第３のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる。
【００２６】
この態様によれば、ボディコンタクト手段によって、駆動回路を構成する第３のトランジスタにおけるボディコンタクトがとられる。よって、第３のトランジスタのオンオフが切り換えられる際に生じ得る電気的なノイズの発生を低減できる。従って、増幅用回路が誤作動することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。特に、駆動回路では、増幅用回路において第１電位信号及び第２電位信号の比較が行われる際に、第３のトランジスタの切り換えが行われる。よって、第３のトランジスタにおけるスイッチングに起因する電気的なノイズは、第１電位信号及び第２電位信号の比較の前後にオンオフの切り換えが行われる他のトランジスタに比較して、比較結果に大きな影響を与える。従って、少なくとも第３のトランジスタにおけるボディコンタクトをとることは、増幅用回路を構成する他のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、増幅用回路が誤作動することを確実或いは効率的に防止することができる。
【００２７】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００２８】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００２９】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１４を参照して説明する。
【００３１】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線での断面図である。
【００３２】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３３】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、Ｘドライバ回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路１１０が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、Ｙドライバ回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３４】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回接続端子１０２と、Ｘドライバ回路１０１、Ｙドライバ回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１０の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３０、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３６】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、Ｘドライバ回路１０１、Ｙドライバ回路１０４の他に、後述するように、本発明に係る「増幅用回路」の一例を構成する差動増幅回路、イコライズ回路、プリチャージ回路、トランスミッションゲート等が形成されている。
【００３７】
次に、本実施形態に係る液晶装置の回路構成について、図３から図７を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の主要な回路構成を示したブロック図である。図４は、画素部の電気的な構成を示す回路図である。図５は、プルダウン回路の電気的な構成を示す回路図である。図６は、検査時に予め信号が供給された画素部の状態を示す概念図である。図７は、プルアップ回路の電気的な構成を示す回路図である。図８は、差動増幅回路の電気的な構成を示す回路図である。以下では、説明を簡便にするためにひとまず図３中左側から見て走査線Ｇｊ（ｊ＝１、２、・・・、ｎ；２以上の整数）の延びる方向に沿って奇数番目（即ち１番目、３番目、５番目、・・・）に配設された信号線Ｓｏｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｍ；ｍは２以上の自然数）が本発明の「一の信号線」として選択され、偶数番目（０番目、２番目、４番目、・・・）に配設された信号線Ｓｅｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｍ；ｍは自然数）が本発明の「他の信号線」として選択されている場合を前提にして説明する。
【００３８】
図３において、本実施形態の液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上にＹドライバ回路１０４、Ｘドライバ回路１０１、サンプリング回路１１０及び画素部７０を備えている。
【００３９】
Ｙドライバ回路１０４は、画素部７０の検査時において、スイッチング信号を走査線Ｇｊ毎に順次供給する。ここで、スイッチング信号とは、画像を表示する際に画素部７０に供給される画像表示用の走査信号とは異なる信号であり、予め画素部７０に供給された後述する検査信号を画素部７０から出力させるために画素部７０が備えるスイッチング素子をオン状態に切り換えるための信号である。
【００４０】
Ｘドライバ回路１０１は、サンプリング回路１１０を構成するサンプリングスイッチ１１１にサンプリング信号を供給し、これらサンプリングスイッチ１１１をオン状態に切り換える。ここで、「サンプリング信号」とは、画像を表示する際にＸドライバ回路１０１からサンプリング回路１１０に供給される信号とは異なり、後述する差動増幅回路１５から出力された高電位信号或いは低電位信号を信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉ毎に後述する外部のテスト装置に個別に出力するための信号である。
【００４１】
サンプリング回路１１０は、画素部７０を検査する際に、第１及び第２電位信号を、検査対象となる画素部７０が電気的に接続されている信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに対応させて出力させ、画像信号供給線１１２ｏ及び１１２ｅを介して外部のテスト装置に高電位信号或いは低電位信号を出力する。
【００４２】
画素部７０は、画像表示領域１０ａに信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉと走査線Ｇｊとの交差に対応して設けられている。
【００４３】
図４に示すように、画素部７０は、ＴＦＴ７１、液晶素子７２及び蓄積容量７３を備えている。
【００４４】
ＴＦＴ７１は、ソースが信号線Ｓｏｉ又はＳｅｉに電気的に接続されており、ゲートが走査線Ｇｊに電気的に接続されている。ＴＦＴ７１は、Ｙドライバ回路１０４から供給されるスイッチング信号によってオンオフが切り換えられる。画素部７０は、第１電位信号を信号線Ｓｏｉに出力すると共に第２電位信号を信号線Ｓｅｉに出力する。液晶素子７２は、ＴＦＴアレイ基板１０及びＴＦＴアレイ基板１０に対応するように配置される対向基板間に注入される液晶と、この液晶を挟持する一対の電極を有している。蓄積容量７３は、画像表示が行われる際に画素部７０に供給された画像信号を一時的に保持し、複数の画素部７０のアクティブマトリクス駆動を可能にする。
【００４５】
再び図３において、本実施形態の液晶装置は特に、ＴＦＴアレイ基板１０上に、検査回路４を更に備えている。
【００４６】
検査回路４は、本発明の「複数の増幅用回路」の一例を構成する、複数の差動増幅回路１５、第１駆動信号供給回路２１、第２駆動信号供給回路２２、イコライズ回路２３、電圧印加用配線２４、プリチャージ回路２５、接続回路２６、トランスミッションゲート６、複数の信号線Ｓｏｉ、及び複数の信号線Ｓｅｉを備えている。
【００４７】
信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉは、画像表示領域１０ａから差動増幅回路１５まで夫々複数本延在されており、差動増幅回路１５の接続点ｓｏ及びｓｅに夫々電気的に接続されている。信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉは、画像表示領域１０ａに設けられた複数の走査線Ｇｊ（ｊ＝１、２、・・・、ｎ；ｎは２以上の整数）に交差するように画像表示領域１０ａの画像表示領域内に延在している。画像表示領域１０ａに設けられた画素部７０は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉと複数の走査線Ｇｊとの交差に合わせて配置され、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに電気的に接続されている。
【００４８】
接続回路２６は、テスト装置接続ゲート端子４５ｓを介してテスト装置と電気的に接続されたテスト信号供給線４５と、プルダウン回路３５とを備えている。テスト信号供給線４５は、画素部７０を検査する際に、テスト装置から供給された一系列のテスト信号をトランスミッションゲート６に供給する。プルダウン回路３５は、テスト信号供給線４５を介してトランスミッションゲート６に供給されるテスト信号が変動しないようにテスト信号供給線４５の電位を安定化させる。
【００４９】
図５に示すように、プルダウン回路３５は、電源ＶＤＤに電気的に接続されたゲート、アースされたソース、及びテスト信号供給線４５に電気的に接続されたドレインを備えたＴＦＴ１３５を備えており、テスト信号が供給される際にテスト信号供給線４５の電位が変動することを低減する。尚、プルダウン回路３２、３３及び３４もプルダウン回路３５と同様の回路構成を有している。
【００５０】
再び図３において、トランスミッションゲート６は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々の途中に設けられている。トランスミッションゲート６は、画素部７０からみて差動増幅回路１５に近い側に設けられており、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々の途中に電気的に接続された複数のＴＦＴ１４を備えている。複数のＴＦＴ１４は、画素部７０を検査する際にテスト信号供給線４５を介してテスト装置から供給されるテスト信号に応じて一括でオン状態に切り換えられる。これにより、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して差動増幅回路１５に供給される第１及び第２電位信号の供給路を確保でき、図４を参照して上述した画素部７０に設けられたＴＦＴ７１がオン状態に切り換えられていれば、各画素部７０から各差動増幅回路１５に信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して第１電位信号及び第２電位信号を一括で供給できる。
【００５１】
ここで、検査時において、複数の画素部７０には、予め所定電位の検査信号及び基準信号が供給されている。本実施形態では、図６に示すように、信号線Ｓｏｉに対応して設けられた画素部７０には、基準電位としての中間電位（図６中、「Ｍ」と示す。）よりも高い電位（以下、適宜「ＨＩＧＨ電位」という。図６中「Ｈ」と示す。）の検査信号が供給され、信号線Ｓｅｉに対応して設けられた画素部７０には、中間電位の基準信号が供給される。本実施形態では、中間電位を電源ＶＤＤの電源電圧Ｖｄｄの半分、即ちＶｄｄ／２とする。よって、画像表示領域１０ａにおいて、中間電位の信号が供給された画素部７０の列とＨＩＧＨ電位の信号が供給された画素部７０の列が交互に配列された状態となる。
【００５２】
第１電位信号は、予め画素部７０に供給されていた検査信号が画素部７０から読み出された信号であり、画素部７０に生じた不具合に応じて検査信号の電位、即ちＨＩＧＨ電位と異なる電位で出力される。第２電位信号は、予め画素部７０に供給されていた基準信号が画素部７０から読み出された信号であり、第１電位信号と同時に信号線Ｓｅｉを介して差動増幅回路１５に供給される。第２電位信号、即ち基準信号の電位は、中間電位で出力される。中間電位とは、差動増幅回路１５が第１電位信号の電位の高低を判定する際に比較対象となる基準電位である。尚、第１電位信号は、複数の画素部７０の全部又は一部に供給された信号であり、第２電位信号は、外部から供給される信号であってもよい。この場合には、基準信号としての第２信号を外部から安定して供給することができるので、より確実に画素部７０の良否を判定することが可能となる。
【００５３】
再び図３において、プリチャージ回路２５は、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂのゲートに電気的に接続されたプリチャージ信号供給線４４と、プリチャージ信号供給線４４に電気的に接続されたプルダウン回路３４とを備えている。プリチャージ信号供給線４４は、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂのオンオフを切り換えるためにプリチャージ端子４４ｓを介して外部から供給されたプリチャージ信号をＴＦＴ１２ａ及び１２ｂのゲートに供給する。プルダウン回路３４は、プリチャージ信号供給線４４の電位の変動を低減する。
【００５４】
電圧印加用配線２４は、ＴＦＴ１２ａのソース及び１２ｂのドレインに電気的に接続されており、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂにプリチャージ電圧を印加する。プリチャージ電圧は、予め中間電位に設定されており、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂに供給される。尚、プリチャージ電圧は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して第１及び第２電位信号が差動増幅回路１５に供給される前にＴＦＴ１２ａ及び１２ｂに供給される。より具体的には、ＴＦＴ１２ａのドレイン及びＴＦＴ１２ｂのソースの夫々が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに電気的に接続されており、プリチャージ信号がＴＦＴ１２ａ及び１２ｂのゲートに供給された後、プリチャージ電圧がＴＦＴ１２ａ及び１２ｂの夫々のソース及びドレイン間に供給される。これにより、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位差を小さくするように、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂの夫々のソース及びドレイン間に電流が流れ、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々の電位が中間電位に等しくなる。
【００５５】
イコライズ回路２３は、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐ、イコライズ信号供給線４３、インバータ２３ｉ並びにプルダウン回路３３を備えている。イコライズ信号供給線４３は、２本のイコライズ信号供給線４３ａ及び４３ｂに分岐されている。イコライズ信号供給線４３ａは、イコライズ信号供給線４３から電気的にそのまま延設されているのに対し、イコライズ信号供給線４３ｂ及び４３間には、インバータ４３ｉが設けられている。ＴＦＴ１１ｎのソース及びドレインは、夫々信号線Ｓｅｉ及びＳｏｉに電気的に接続されており、ＴＦＴ１１ｎのゲートは、イコライズ信号供給線４３ａと電気的に接続されている。一方、ＴＦＴ１１ｐのソース及びドレインも、ＴＦＴ１１ｎと同様に、夫々信号線Ｓｅｉ及びＳｏｉに電気的に接続されており、ＴＦＴ１１ｐのゲートは、イコライズ信号供給線４３ｂと電気的に接続されている。ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐのオンオフを切り換えるためのイコライズ信号がイコライズ信号供給線４３を介してＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐのゲートに夫々供給される。即ち、ＴＦＴ１１ｎのゲートには、イコライズ信号がイコライズ信号供給線４３ａを介して供給され、ＴＦＴ１１ｐのゲートには、イコライズ信号供給線４３に供給されたイコライズ信号とは逆極性のイコライズ信号が、イコライズ信号供給線４３ｂを介して供給される。イコライズ回路２３は、このようなＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐを備えているので、仮にイコライズ信号供給線４３の電位が変動したとしても、イコライズ信号に応じて確実に信号線Ｓｅｉ及びＳｏｉ間の電気的接続を切り換えることができる。更に、プルダウン回路３３は、イコライズ信号供給線４３の電位が変動することを低減する。尚、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐは、後述するように、本発明に係る「ボディコンタクト手段」の一例としてのボディコンタクト配線６１及び６２に電気的に接続されている。
【００５６】
第１及び第２電位信号が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに夫々供給される前に、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐが、イコライズ信号によってオン状態に切り換えられ、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉ間が互いに電気的に接続される。これにより、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位が揃えられる。即ち、差動増幅回路１５が第１及び第２電位信号を比較する前提として、これら信号を差動増幅回路１５に供給する信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位を揃えることができる。
【００５７】
第１及び第２電位信号が、電位が揃った信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して差動増幅回路１５に供給された場合、画素部７０から出力された第１及び第２電位信号の電位の高低関係が維持されたまま第１及び第２電位信号が差動増幅回路１５に供給される。従って、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の高低関係が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉ間の電位差に起因して変動することを低減でき、第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係が逆転することを低減できる。
【００５８】
第１駆動信号供給回路２１は、第１駆動信号供給線４１及びプルアップ回路３１を備えている。第１駆動信号供給線４１は、差動増幅回路１５に電気的に接続されたＴＦＴ１３ｐのゲートに電気的に接続されており、外部から供給された第１駆動信号ＳＡｐＥをＴＦＴ１３ｐのゲートに供給する。第１駆動信号ＳＡｐＥは、差動増幅回路１５を駆動するための駆動信号であり、後述するように差動増幅回路１５は、接続点ｓｏ及びｓｅの夫々に入力される信号のうち高い電位を有する信号の電位をより高くし、低い信号の電位をより低くするセンスアンプとして機能する。ＴＦＴ１３ｐはｐチャネル型のＴＦＴであり、ＴＦＴ１３ｐは第１駆動信号ＳＡｐＥがゲートに供給されるとオン状態に切り換わり、電源ＶＤＤを差動増幅回路１５の接続点ｓｐに供給する。尚、ＴＦＴ１３ｐは、後述するように、本発明に係る「ボディコンタクト手段」の一例としてのボディコンタクト配線６３に電気的に接続されている。
【００５９】
図７に示すように、プルアップ回路３１はゲートが接地されたｐチャネル型のＴＦＴ１３１を備えている。ＴＦＴ１３１は、第１駆動信号供給線４１に電源ＶＤＤを供給する。
【００６０】
再び図３において、第２駆動信号供給回路２２は、第２駆動信号供給線４２及びプルダウン回路３２を備えている。第２駆動信号供給線４２は、差動増幅回路１５に電気的に接続されたＴＦＴ１３ｎのゲートに電気的に接続されており、外部から供給された第２駆動信号ＳＡｎＥをＴＦＴ１３ｎのゲートに供給する。ＴＦＴ１３ｎはｎチャネル型のＴＦＴであり、第２駆動信号ＳＡｎＥがゲートに供給されるとオン状態に切り換わり、電源ＶＤＤを差動増幅回路１５に供給する。プルダウン回路３２は、第２駆動信号供給線４２の電位を維持する。尚、ＴＦＴ１３ｐは、後述するように、本発明に係る「ボディコンタクト手段」の一例としてのボディコンタクト配線６４に電気的に接続されている。
【００６１】
差動増幅回路１５は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを一組とする信号線の組毎に一つずつ設けられている。トランスミッションゲート６がオン状態になった際に、第１及び第２電位信号が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々から差動増幅回路１５の接続点ｓｏ及びｓｅの夫々に供給される。差動増幅回路１５は、第１及び第２電位信号を比較することによって信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して、判定手段であるテスト装置に高電位信号又は低電位信号を出力する。
【００６２】
図８において、差動増幅回路１５は、ｐチャネル型のＴＦＴ５１及び５２と、ｎチャネル型のＴＦＴ５３及び５４とを備えた交差結合型の差動増幅回路である。より具体的には、ＴＦＴ５１及び５２が電気的に直列に接続された直列回路と、ＴＦＴ５３及び５４が電気的に直列に接続された直列回路とが電気的に並列に接続されている。ＴＦＴ５１のゲートが、ＴＦＴ５２及び５４の接続点ｓｏに電気的に接続されている。ＴＦＴ５２のゲートは、ＴＦＴ５１及び５３の接続点ｓｅに電気的に接続されている。ＴＦＴ５３のゲートは、ＴＦＴ５２及び５４の接続点ｓｏに電気的に接続されている。ＴＦＴ５４のゲートは、ＴＦＴ５１及び５３の接続点ｓｅに電気的に接続されている。接続点ｓｏは、信号線Ｓｏｉに電気的に接続されており、接続点ｓｅは、信号線Ｓｅｉに電気的に接続されている。ＴＦＴ５１及び５２の接続点ｓｐは、ＴＦＴ１３ｐのドレインに電気的に接続されている。ＴＦＴ５３及び５４の接続点ｓｎは、ＴＦＴ１３ｎのドレインに電気的に接続されている。
【００６３】
差動増幅回路１５は、第１電位信号が第２電位信号より僅かに高い電位を有している場合には、第１電位信号に比べて電位が高められた高電位信号を信号線Ｓｏｉを介して外部のテスト装置に出力する。このように電位が高められた高電位信号によれば、第１電位信号の電位が第２電位信号の電位より高いことを明確にできる。差動増幅回路１５は、第１電位信号が第２電位信号より僅かに低い電位を有している場合には、第１電位信号に比べて電位がより低くされた低電位信号を信号線Ｓｏｉを介して出力する。このような低電位信号によれば、第１電位信号の電位が第２電位信号の電位より低いことを明確にできる。
【００６４】
信号線Ｓｅｉを介して差動増幅回路１５に供給される第２電位信号は、第１電位信号の電位を高くする或いは低くする際の基準となる基準電位である。第１電位信号は、信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０に不具合が生じているか否か、即ち画素部７０の良否を反映した信号であり、第２電位信号と第１電位信号との電位差は、これら信号線の配線容量によって変動する電位の大きさに比べて僅かな大きさである。差動増幅回路１５は、第１電位信号の電位及び第２電位信号の高低関係が明確に判定できるように高電位信号又は低電位信号を出力する。
【００６５】
次に、本実施形態に係る液晶装置の検査原理について、図３及び図９を参照して説明する。ここに図９は、検査システムの構成図である。
【００６６】
図９に示すように、検査時において、液晶装置１（即ち、対向基板２０と貼り合わされる前の、複数の画素部７０及び上述した各種回路が作り込まれたＴＦＴアレイ基板１０）は、検査信号及び基準信号の書き込み、高電位信号及び低電位信号の読み込み等ができるテスト装置１５０と接続ケーブル１６０を介して電気的に接続される。接続ケーブル１６０は、液晶装置１の画像信号供給線１１２ｏ及び１１２ｅ、イコライズ信号供給線４３、電圧印加用配線２４、プリチャージ信号供給線４４等を夫々接続端子を介してテスト装置１５０に電気的に接続する（図３参照）。
【００６７】
テスト装置１５０は、信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０に不具合が生じているか否かを電圧論理に基づいて判定する。即ち、テスト装置は、画素部７０に予め供給されていた第１電位信号のもとになる検査信号の電位の第２電位信号の電位に対する高低関係と、中間電位及び高電位信号の電位又は低電位信号の電位の高低関係の情報とを比較することによって画素部７０に不具合が発生しているか否かを判定する。より具体的には、第１電位信号の元になる検査信号の電位が中間電位より高い場合に、差動増幅回路１５から高電位信号が出力されれば信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部７０に不具合が発生していないとテスト装置１５０は判定する。同様に第１電位信号のもとになる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に、差動増幅回路１５から低電位信号が出力されれば信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部７０に不具合が発生していないとテスト装置１５０は判定する。
【００６８】
第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より高い場合に第１差動増幅回路１５から低電位信号が出力されれば、信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号の基になる検査信号が供給された画素部７０に何らかの不具合が発生しているとテスト装置は判定する。第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に差動増幅回路１５から高電位信号が出力されれば信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部７０に何らかの不具合が発生しているとテスト装置は判定する。
【００６９】
次に、差動増幅回路が高電位信号又は低電位信号を出力する手順について、図３及び図８を参照して説明する。ここでは、中間電位を有する第２電位信号の電位に比べて高い電位を有する第１電位信号が差動増幅回路１５に供給された場合を例に挙げて説明する。
【００７０】
図３及び図８において、第２駆動信号供給回路２２からＴＦＴ１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、ＴＦＴ１３ｎがオン状態に切り換えられ、ＴＦＴ１３ｎを介して接続点ｓｎの電位が接地電位に近づく。ＴＦＴ５３のソースの電位は中間電位に設定されているため、ＴＦＴ５３のソース・ドレイン間に電流が流れ、接続点ｓｅの電位が低下する。このとき、ｐチャネル型のＴＦＴ５２のゲートは接続点ｓｅに電気的に接続されているため、接続点ｓｅの電位が低下していることによってＴＦＴ５２がオン状態に切り換えられる。第１駆動信号供給回路２１からＴＦＴ１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、ＴＦＴ１３ｐがオン状態に切り換えられ、ＴＦＴ１３ｐを介して接続点ｓｐに電源ＶＤＤが供給される。これにより、電源ＶＤＤがＴＦＴ１３ｐ及び５２を介して接続点ｓｏに供給され、接続点ｓｏの電位が高められる。
【００７１】
このようにして差動増幅回路１５は、第１電位信号の電位を高め、且つ第２電位信号の電位を低くする。差動増幅回路１５によれば、第１電位信号の電位が中間電位（即ち、第２電位信号の電位）より高い場合には、第１電位信号をより高い電位を有する高電位信号としてテスト装置１５０に出力できる。従って、判定手段であるテスト装置１５０は、中間電位より低い電位を有する参照信号と高電位信号との電位の高低関係を明確に判断でき、電圧論理に基づいて画素部７０の良否を判定できる。
【００７２】
第１電位信号の電位が中間電位（即ち、第２電位信号の電位）より低い場合には、差動増幅回路１５において、上述したＴＦＴ５２及び５３と同様にＴＦＴ５１及び５４が動作し、第１電位信号に基づいて低電位信号が出力される。この場合には、中間電位に設定された第２電位信号は電位が高められた参照信号として出力され、これと共に第１電位信号は参照信号の電位より低い電位を有する低電位信号として出力される。従って、テスト装置１５０は、中間電位より高い電位を有する参照信号と低電位信号との電位の高低関係を明確に判断でき、電圧論理に基づいて画素部７０の良否を判定できる。
【００７３】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置によれば、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、検査をすることができる。
【００７４】
次に、差動増幅回路１５が高電位信号或いは低電位信号を出力する際の各種信号のタイミングについて、図３及び図１０を参照して説明する。図１０は、検査時における各種信号のタイミングを示したタイミングチャートである。尚、図１０では、信号線Ｓｏｉに対応する画素部７０を検査対象とし、信号線Ｓｅｉに対応する画素部７０を基準とする。即ち、図６を参照して上述したように画像表示領域１０ａにおいて、中間電位の信号が供給された画素部７０の列とＨＩＧＨ電位の信号が供給された画素部７０の列が交互に配列された状態となる場合を例にとる。
【００７５】
図３及び図１０において、タイミングｔ１までに画素部７０には検査信号及び基準信号が供給されている。即ち、図６を参照して上述したように画像表示領域１０ａにおいて、中間電位の信号が供給された画素部７０の列とＨＩＧＨ電位の信号が供給された画素部７０の列が交互に配列された状態となっている。プリチャージ回路２５は、プリチャージ信号供給線４４を介してタイミングｔ１にプリチャージ信号ＰＣＧをＴＦＴ１２ａ及び１２ｂのゲートに供給する。ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂはオン状態となり、電圧印加用配線２４を介してプリチャージ電圧が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに印加される。イコライズ回路２３は、イコライズ信号供給線４３を介してタイミングｔ１と同時に或いは相前後するタイミングにイコライズ信号ＥＱをＴＦＴ１１ｐ及び１１ｎに供給する。ＴＦＴ１１ｐ及び１１ｎはオン状態となり、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉは電気的に接続される。プリチャージ回路２５及びイコライズ回路２３のこれらの動作により、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位が中間電位に設定される。その後、プリチャージ回路２５は、タイミングｔ２にプリチャージ信号ＰＣＧの供給を終了する。続いて、イコライズ回路２３は、タイミングｔ３にイコライズ信号ＥＱの供給を終了する。尚、イコライズ回路２３がイコライズ信号ＥＱの供給を終了するタイミングｔ３は、プリチャージ回路２５がプリチャージ信号ＰＣＧの供給する終了するタイミングｔ２の後であることが望ましい。このようにすれば、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂがオン状態からオフ状態に切り換えられた際に、例えばＴＦＴ１２ａ及び１２ｂにおけるプッシュダウン量を低減することができる。或いは、スイッチングによる電気的なノイズに起因して、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位が異なる電位となってしまうことを防ぐことができる。即ち、仮にＴＦＴ１２ａ及び１２ｂに電気的なノイズが発生したとしても、イコライズ回路２３によって、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉ間は電気的に接続されているので、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位は同電位に設定される。
【００７６】
トランスミッションゲート６がオン状態に切り換えられた後、走査線Ｇ１は、タイミングｔ４においてスイッチング信号を画素部７０に供給し、第１及び第２電位信号が夫々、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを介して差動増幅回路１５に供給される。尚、走査線Ｇ１は、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０の全てにスイッチング信号を供給し、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０が備えるＴＦＴ７１がオン状態に切り換えられる。第１及び第２電位信号は、走査線Ｇ１に電気的に接続された複数の画素部７０の夫々からこれら画素部７０に対応する差動増幅回路１５に供給される。
【００７７】
ここで、画素部７０に不具合が生じていない場合には、予め画素部７０に供給された検査信号の電位と同様に、中間電位より高い電位、即ちＨＩＧＨ電位を有する第１電位信号が信号線Ｓｏｉを介して差動増幅回路１５に供給される。このとき、第１電位信号は、中間電位よりわずかに高い電位を有している。第２電位信号を出力する信号線Ｓｅｉの電位は、予め設定された中間電位であり、第１電位信号の電位より僅かに低い。このように、画素部７０に不具合が生じていない場合には、画素部７０に予め供給された検査信号の電位及び中間電位間の電位の高低関係が、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の高低関係にそのまま維持されている。
【００７８】
タイミングｔ５において、第２駆動信号供給回路２２からＴＦＴ１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、差動増幅回路１５は、第１電位信号が供給された接続点ｓｏの電位より低い電位を有する接続点ｓｅの電位を、第２電位信号を供給された時点より低い電位に下げる。これにより、信号線Ｓｅｉの電位は低下する（図１０中、Ｓｅｉの実線部分参照）。
【００７９】
タイミングｔ６において、第１駆動信号供給回路２１からＴＦＴ１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、差動増幅回路１５は、第１電位信号が供給された接続点ｓｏの電位を第２電位信号が供給された時点の電位より高める。これにより、信号線Ｓｏｉの電位は高まる（図１０中、Ｓｏｉの実線部分参照）。
【００８０】
即ち、タイミングｔ５及びｔ６の夫々において、差動増幅回路１５に供給された信号のうち低い電位を有する第２電位信号が供給された接続点ｓｅの電位はより低く下げられ、高い電位を有する第１電位信号が供給された接続点ｓｏの電位はより高く上げられる。これにより、接続点ｓｏ及びＳｅの夫々の電位の高低関係が明確になる。差動増幅回路１５は、接続点ｓｏの電位を有する第１高電位信号を信号線Ｓｏｉを介してテスト装置１５０（図９参照）に出力する。これと同時に差動増幅回路１５は、接続点ｓｅの電位を有する参照信号を信号線Ｓｅｉを介してテスト装置１５０に出力する。
【００８１】
テスト装置１５０は、高電位信号及び参照信号を比較する。高電位信号は第１電位信号より電位が高められており、且つ参照信号は中間電位より電位が下げられているので、テスト装置は、第２電位信号及びこの第２電位信号よりわずかに高い電位を有する第１電位信号を比較する場合に比べて、高電位信号の電位が参照信号の電位より高いことを明確に判定できる。ここで、検査信号の電位及び中間電位の高低関係と、高電位信号の電位及び参照信号の電位の高低関係は一致しているため、テスト装置１５０は被検査対象である画素部７０に不具合が生じていないと判定する。
【００８２】
次に、走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部の良否を判定するために、タイミングｔ７からｔ８間において信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉにプリチャージ電圧が供給されると共に、タイミングｔ７からｔ９間において信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉ間が電気的に接続されることによって、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉが再び中間電位に設定される。尚、タイミングｔ９は、タイミングｔ８よりも後のタイミングである。
【００８３】
タイミングｔ１０において、走査線Ｇ２がスイッチング信号を出力し、走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部７０にスイッチング信号が供給される。スイッチング信号が供給された画素部７０は、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０と同様に第１電位信号を信号線Ｓｏｉを介して差動増幅回路１５に出力する。このとき、信号線Ｓｅｉは第２電位信号を差動増幅回路１５に供給する。これにより、走査線Ｇ１と同様にして信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０のうち走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部７０に対応した高電位信号又は低電位信号、及び参照信号が差動増幅回路１５から各信号線を介してテスト装置１５０に出力され、走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部７０の良否を判定できる。このようにして、順次走査線Ｇ３、Ｇ４、・・・、Ｇｎの夫々に電気的に接続された画素部の良否を順次判定することが可能である。加えて、すでに述べたように、各差動増幅回路１５から出力される高電位信号又は低電位信号、及び参照信号をサンプリング回路１１０を介して差動増幅回路１５毎にテスト装置１５０に出力できることから、画素部７０毎に良否を判定することが可能であり、画像表示領域１０ａに配置された複数の画素部７０の一つ一つについて不具合が生じていないことを確認できる。
【００８４】
次に、画素部に不具合が生じている場合について、図３及び図１０を参照して説明する。
【００８５】
画素部７０は、図６を参照して上述したように画像表示領域１０ａにおいて、中間電位の信号が供給された画素部７０の列とＨＩＧＨ電位の信号（即ち、検査信号）が供給された画素部７０の列が交互に配列された状態になっている。走査線Ｇ１からスイッチング信号が画素部７０に供給されたタイミングｔ４において、画素部７０は中間電位より僅かに低い電位を有する第１電位信号を差動増幅回路１５に供給する。尚、中間電位より低い電位を有する第１電位信号が供給された信号線Ｓｏｉの電位（即ち、接続点ｓｏの電位）を図１０中点線で示したＬ０とする。ここで、第１電位信号が中間電位より低い電位を有しているのは、例えば電流リークが生じているＴＦＴ、或いは電流リークが生じている蓄積容量７３を画素部７０が含んでいる場合に相当する。
【００８６】
タイミングｔ５において、第２駆動信号供給回路２２からＴＦＴ１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、差動増幅回路１５は、中間電位より低い電位を有する第１電位信号が供給された接続点ｓｏの電位を更に低い電位に低下させる。より具体的には、差動増幅回路１５の接続点ｓｏに供給された第１電位信号の電位は、差動増幅回路１５の接続点ｓｅに供給された第２電位信号の電位より僅かに低いため、差動増幅回路１５は第１電位信号及び第２電位信号の電位を比較し、接続点ｓｏを介して低電位信号を出力する。これにより、信号線Ｓｏｉの電位は低下する（図１０中点線Ｌ１で示す）。
【００８７】
タイミングｔ６において、第１駆動信号供給回路２１からＴＦＴ１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、差動増幅回路１５は第２電位信号の電位を高める。より具体的には、接続点ｓｅの電位は差動増幅回路１５によって電位が下げられた接続点ｓｏの電位より高い電位であるため、差動増幅回路１５は、接続点ｓｅの電位を中間電位より高い電位に高める。差動増幅回路１５は、中間電位より電位が高められた接続点ｓｅの電位と等しい電位を有する参照信号を出力する。これにより、これにより、信号線Ｓｅｉの電位は高まる（図１０中、Ｓｏｉの点線部分参照）。
【００８８】
この結果、テスト装置１５０は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々に供給された第１電位信号及び第２電位信号の高低関係が維持されたままの低電位信号及び参照信号を検出する。テスト装置１５０は、第１電位信号より電位が下げられた低電位信号を検出することによって第１電位信号の電位が中間電位より低いことを明確に検出できる。尚、低電位信号及び中間電位の高低関係は中間電位の電位に対する検査信号の電位の高低関係とは逆であり、このような場合にはテスト装置１５０は画素部７０に不具合が生じていると判定する。
【００８９】
このように、本実施形態の液晶装置によれば、予め画素部７０に供給された検査信号の電位及び中間電位の高低関係と、テスト装置で電位が比較される高電位信号或いは低電位信号の電位、及び参照信号の電位の高低関係が一致するか否かを判定することによって、画素部７０に不具合が生じているか否かを判定できる。これに伴い液晶装置等の電気光学装置の歩留まりを高めることができ、製造コストを低減することも可能である。
【００９０】
次に、差動増幅回路の誤動作について、図１０及び図１１を参照して説明する。ここに図１１は、差動増幅回路の誤動作について説明するためのタイミングチャートである。以下では、画素部７０に不具合が生じているにもかかわらず、画素部７０に不具合が生じていないと判定してしまう誤動作の一例について説明する。尚、画素部７０に不具合が生じていないにもかかわらず、画素部７０に不具合が生じていると判定してしまう誤動作も、同様の原因で発生してしまう。
【００９１】
図１１において、上述したように、タイミングｔ３までに、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉは中間電位に揃えられている。タイミングｔ３において、イコライズ回路２３は、タイミングｔ３にイコライズ信号ＥＱの供給を終了する。即ち、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐがオン状態からオフ状態に切り換えられる。この際、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐにおいて、チャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアに起因して電気的なノイズが発生してしまう場合がある。このため、図１１に示すように、電気的なノイズに起因して、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位が夫々変化してしまい、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位が互いにずれてしまう場合がある。即ち、信号線Ｓｏｉの電位が、信号線Ｓｅｉの電位よりも高くなってしまう場合がある。
【００９２】
走査線Ｇ１からスイッチング信号が画素部７０に供給されたタイミングｔ４において、画素部７０に不具合が生じている場合には、例えば、画素部７０におけるＴＦＴ７１或いは蓄積容量７３において電流リークが生じているため、信号線Ｓｏｉの電位は僅かに低められる。
この際、上述したように、信号線Ｓｏｉの電位が、電気的なノイズによって信号線Ｓｅｉの電位よりも高められているため、電流リークを反映して僅かに低められても信号線Ｓｅｉの電位よりも高いままとなってしまう場合がある。即ち、信号線Ｓｅｉ及びＳｏｉの電位が互いにずれてしまっているために、画素部７０から出力される画素部７０の良否を反映した第１電位信号と基準となる第２電位信号との高低関係を、信号線Ｓｅｉ及びＳｏｉの電位の高低関係として維持することができない場合がある。
【００９３】
タイミングｔ５において、第２駆動信号供給回路２２からＴＦＴ１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、差動増幅回路１５は、接続点ｓｏの電位（即ち、信号線Ｓｏｉの電位）より低い電位を有する接続点ｓｅの電位（即ち、信号線Ｓｅｉの電位）は、信号線Ｓｅｉの電位を供給された時点より低い電位に下げられる。
【００９４】
タイミングｔ６において、第１駆動信号供給回路２１からＴＦＴ１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、差動増幅回路１５は、接続点ｓｏの電位（即ち、信号線Ｓｏｉの電位）を信号線Ｓｏｉの電位が供給された時点の電位より高める。
【００９５】
このように、タイミングｔ５及びｔ６の夫々において、差動増幅回路１５によって、信号線Ｓｅｉの電位はより低く下げられ、信号線Ｓｏｉの電位はより高く上げられてしまう。即ち、画素部７０に不具合が生じている場合に出力されるべき信号線Ｓｅｉ及びＳｏｉ間の高低関係とは逆の関係の信号として出力されてしまう。これにより、テスト装置１５０は、画素部７０において不具合が生じているにもかかわらず、不具合が生じていないと判定してしまう。
【００９６】
尚、第１電位信号と第２電位信号と電位差は、上述した電気的なノイズと同程度或いは小さい場合が多いため、上述したような誤動作が発生し得る。更に、上述したようなスイッチングによる電気的なノイズに起因した差動増幅回路１５の誤動作は、検査回路を構成するすべてのＴＦＴについて生じ得る。
【００９７】
次に、本実施形態に係る液晶装置のボディコンタクト配線について、再び図３を参照して説明する。
【００９８】
図３に示すように本実施形態では特に、イコライズ回路２３は、ボディコンタクト配線６１及び６２を備えている。ボディコンタクト配線６１及び６２は、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐにおける活性層の延在部に夫々電気的に接続されている。ボディコンタクト配線６１には、接地電位が供給され、ボディコンタクト配線６２には、電源電位ＶＤＤが供給されている。言い換えれば、ボディコンタクト配線６１及び６２によって、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐにおける活性層における電位は、夫々接地電位及び電源電位ＶＤＤに固定されている。即ち、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐは、ボディコンタクト配線６１及び６２によって、夫々ボディコンタクトがとられている。つまり、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐにおけるチャネルが形成される活性層内に蓄積される余分なキャリアを抜かれるように構成されている。このため、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐがオン状態からオフ状態に切り換えられた際（即ち、図１０及び図１１中、タイミングｔ３）にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアを、ボディコンタクト配線６１及び６２によって延在部を介して抜くことができる。即ち、活性層内に蓄積される該余分なキャリアに起因した、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐにおけるプッシュダウン或いはプッシュアップの増大を抑制し、或いは電気的なノイズの発生を低減することができる。よって、イコライズ回路２３を構成するＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐにおけるスイッチングによる電気的なノイズに起因して、例えば、第１電位信号の電位（即ち、信号線Ｓｏｉの電位）（図１１中、Ｓｏｉ参照）及び第２電位信号の電位（即ち、信号線Ｓｅｉの電位）（図１１中、Ｓｅｉ参照）が夫々変化してしまうことを防止できる。従って、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位が夫々変化することによって、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の高低関係が、プッシュダウン或いはプッシュアップの増大やスイッチングによる電気的なノイズの発生がない場合とは反対の関係になってしまうことを防止できる。これにより、差動増幅回路１５が誤作動することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。
【００９９】
イコライズ回路２３は、検査において、画素部７０から第１電位信号が出力される前に、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉ間を電気的に接続し（即ち、短絡或いはショートし）、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを互いに同電位とする機能さえ有していればよいので、イコライズ回路２３を構成するＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐは、比較的小さく形成されている。このため、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐには、スイッチングに起因する電気的なノイズが発生しやすい。よって、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐにおけるボディコンタクトをとることは、検査回路４を構成する他の比較的大きなＴＦＴにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、差動増幅回路１５が誤作動することを確実に或いは効率的に防止することができる。このため、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐにおけるボディコンタクトを設けることによるＴＦＴアレイ基板１０のサイズの増大を殆ど或いは好ましくは全く必要としない。
【０１００】
更に、図８に示すように、本実施形態では特に、差動増幅回路１５は、ボディコンタクト配線６５及び６６を備えている。ボディコンタクト配線６５は、ＴＦＴ５１及び５２における活性層の延在部に夫々電気的に接続されており、ボディコンタクト配線６６は、ＴＦＴ５３及び５４における活性層の延在部に夫々電気的に接続されている。ボディコンタクト配線６５には、電源電位ＶＤＤが供給され、ボディコンタクト配線６６には、接地電位が供給されている。即ち、ＴＦＴ５１及び５２は、ボディコンタクト配線６５によってボディコンタクトがとられ、ＴＦＴ５３及び５４は、ボディコンタクト配線６６によってボディコンタクトがとられている。つまり、ＴＦＴ５１、５２、５３及び５４におけるチャネルが形成される活性層内に蓄積される余分なキャリアを抜かれるように構成されている。このため、ＴＦＴ５１、５２、５３及び５４がオン状態からオフ状態に切り換えられた際（即ち、図１０及び図１１中、タイミングｔ５或いはｔ６）にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアを、ボディコンタクト配線６５及び６６によって延在部を介して抜くことができる。即ち、活性層内に蓄積される該余分なキャリアに起因した、ＴＦＴ５１、５２、５３及び５４におけるプッシュダウン或いはプッシュアップの発生、及び電気的なノイズを低減することができる。よって、差動増幅回路１５を構成するＴＦＴ５１、５２、５３及び５４におけるスイッチングによる電気的なノイズに起因して、例えば、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位が夫々変化してしまうことを防止できる。これにより、差動増幅回路１５が誤作動することを更に防止して、正確な比較結果を得ることができる。
【０１０１】
差動増幅回路１５では、第１電位信号（即ち、信号線Ｓｏｉの電位）及び第２電位信号（即ち、信号線Ｓｅｉの電位）を比較する際に、ＴＦＴ５１、５２、５３及び５４の切り換えが行われる。よって、ＴＦＴ５１、５２、５３及び５４におけるスイッチングに起因する電気的なノイズは、第１電位信号及び第２電位信号の比較の前後にオンオフの切り換えが行われる、検査回路４を構成する他のＴＦＴに比較して、比較結果に大きな影響を与える。従って、ＴＦＴ５１、５２、５３及び５４におけるボディコンタクトをとることは、検査回路４を構成する他のＴＦＴにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、差動増幅回路１５が誤作動することを確実或いは効率的に防止することができる。
【０１０２】
加えて、再び図３に示すように、本実施形態では特に、ＴＦＴ１３ｐ及びＴＦＴ１３ｎは、ボディコンタクト配線６３及び６４を夫々備えている。ボディコンタクト配線６３及び６４は、ＴＦＴ１３ｐ及び１３ｎにおける活性層の延在部に夫々電気的に接続されている。ボディコンタクト配線６３には、電源電位ＶＤＤが供給され、ボディコンタクト配線６４には、接地電位が供給されている。即ち、ＴＦＴ１３ｐ及び１３ｎは、ボディコンタクト配線６３及び６４によって夫々ボディコンタクトがとられている。つまり、ＴＦＴ１３ｐ及び１３ｎにおけるチャネルが形成される活性層内に蓄積される余分なキャリアを抜かれるように構成されている。このため、ＴＦＴ１３ｐ及び１３ｎがオン状態からオフ状態に切り換えられた際（即ち、図１０及び図１１中、タイミングｔ５或いはｔ６）にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアを、ボディコンタクト配線６３及び６４によって延在部を介して抜くことができる。即ち、活性層内に蓄積される該余分なキャリアに起因した、ＴＦＴ１３ｐ及び１３ｎにおけるプッシュダウン或いはプッシュアップの発生、及び電気的なノイズを低減することができる。よって、差動増幅回路１５を駆動するための電源を供給するためのＴＦＴ１３ｐ及び１３ｎにおけるスイッチングによる電気的なノイズに起因して、例えば、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位が夫々変化してしまうことを防止できる。これにより、差動増幅回路１５が誤作動することを更に防止して、正確な比較結果を得ることができる。
【０１０３】
差動増幅回路１５において第１電位信号及び第２電位信号の比較が行われる際に、ＴＦＴ１３ｐ及び１３ｎの切り換えが行われる。よって、ＴＦＴ１３ｐ及び１３ｎにおけるスイッチングに起因する電気的なノイズは、第１電位信号及び第２電位信号の比較の前後にオンオフの切り換えが行われる検査回路４を構成する他のＴＦＴに比較して、比較結果に大きな影響を与える。従って、ＴＦＴ１３ｐ及び１３ｎにおけるボディコンタクトをとることは、検査回路４を構成する他のＴＦＴにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、差動増幅回路１５が誤作動することを確実或いは効率的に防止することができる。
【０１０４】
次に、本実施形態に係る液晶装置のイコライズ回路及びこれに電気的に接続されたボディコンタクト配線の具体的な構成について、図１２から図１４を参照して説明する。ここに図１２は、イコライズ回路及びボディコンタクト配線を示す平面図である。図１３は、半導体層の不純物ドープの領域を示す説明図である。図１４は、図１２のＡ−Ａ´線での断面図である。尚、差動増幅回路１５を構成するＴＦＴ５１、５２、５３及び５４に電気的に接続されたボディコンタクト配線６５及び６６、並びにＴＦＴ１３ｐ及びＴＦＴ１３ｎに夫々電気的に接続されたボディコンタクト配線６３及び６４も、以下に説明するボディコンタクト配線６０Ａ及び６０Ｂと殆ど同様に構成されている。
【０１０５】
図１２において、イコライズ回路２３は、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐ、並びにボディコンタクト部６０Ａ及び６０Ｂを含んで構成されている。ここで、ボディコンタクト部６０Ａ及び６０Ｂは、本発明に係る「延在部」の一例である。
【０１０６】
図１４において、ＴＦＴアレイ基板１０上に下地絶縁膜１２０、層間絶縁膜４１０、４２０及び４３０が順次積層されている。下地絶縁膜１２０は、例えばシリコン酸化膜等からなり、層間絶縁膜４１０、４２０及び４３０は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）等からなる。
【０１０７】
図１２及び図１４において、ＴＦＴ１１ｎは、ゲート電極３ｎ、半導体層１１１、及びゲート電極３ｎと半導体層１１１を絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ｎは、例えば導電性ポリシリコンから形成される。半導体層１１１は、例えばポリシリコンからなり、図１３に示すように、チャネル領域１１ｎｃ、ソース領域１１ｎｓ、ドレイン領域１１ｎｄからなる。ＴＦＴ１１ｎは、ゲート電極３ｎをマスクとしてＮ型の不純物を高濃度に打ち込んでソース領域１１ｓｎ及びドレイン領域１１ｎｄを形成する自己整合型の構造である。尚、ＴＦＴ１１ｎはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造であってもよい。図１２及び図１４に示すように、ソース領域１１ｎｓは、層間絶縁膜４３０に開孔されたコンタクトホール８１を介して分岐配線Ｘｅｉ（ｉ＝１、・・・、ｍ；ｍは自然数）と電気的に接続されており、ドレイン領域１１ｎｄは、層間絶縁膜４３０に開孔されたコンタクトホール８２を介して分岐配線Ｘｏｉ（ｉ＝１、・・、ｍ；ｍは自然数）に電気的に接続されている。分岐配線Ｘｏｉ及びＸｅｉは、例えばアルミニウム等の導電膜からなる。分岐配線Ｘｅｉは、信号線Ｓｅｉから分岐して配線されており、分岐配線Ｘｏｉは、信号線Ｓｏｉから分岐して配線されている。ゲート電極３ｎは、層間絶縁膜４１０に開孔されたコンタクトホール８６を介して、分岐配線Ｘｏｉ及びＸｅｉ等と同一膜からなる中継層６３０に電気的に接続されている。尚、中継層６３０は、分岐配線Ｘｏｉ及びＸｅｉ等の同一膜からなる他の構成要素とは分離して、例えば島状に形成されている。中継層６３０は、層間絶縁膜４２０に開孔されたコンタクトホール８７を介して、イコライズ信号供給線４３ａと電気的に接続されている。即ち、ゲート電極３ｎは、中継層６３０を介して、イコライズ信号供給線４３ａと電気的に接続されている。
【０１０８】
ＴＦＴ１１ｐは、ゲート電極３ｐ、半導体層１１２、及びゲート電極３ｐと半導体層１１２を絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ｐは、ゲート電極３ｎと同一膜、即ち、例えば導電性ポリシリコンから形成される。半導体層１１２は、半導体層１１１と同一膜、即ち、例えばポリシリコンからなり、図１３に示すように、チャネル領域１１ｐｃ、ソース領域１１ｐｓ、ドレイン領域１１ｐｄからなる。ＴＦＴ１１ｐは、ゲート電極３ｐをマスクとしてＰ型の不純物を高濃度に打ち込んでソース領域１１ｐｓ及びドレイン領域１１ｐｄを形成する自己整合型の構造である。尚、ＴＦＴ１１ｎはＬＤＤ構造であってもよい。図１２及び図１４に示すように、ソース領域１１ｐｓは、層間絶縁膜４３０に開孔されたコンタクトホール９１を介して分岐配線Ｘｅｉと電気的に接続されており、ドレイン領域１１ｐｄは、層間絶縁膜４３０に開孔されたコンタクトホール９２を介して分岐配線Ｘｏｉに電気的に接続されている。ゲート電極３ｐは、層間絶縁膜４１０に開孔されたコンタクトホール９６を介して、分岐配線Ｘｏｉ及びＸｅｉ等と同一膜からなる中継層６４０に電気的に接続されている。尚、中継層６４０は、中継層６３０と同様に、例えば島状に形成されている。中継層６４０は、層間絶縁膜４２０に開孔されたコンタクトホール９７を介して、イコライズ信号供給線４３ｂと電気的に接続されている。即ち、ゲート電極３ｐは、中継層６４０を介して、イコライズ信号供給線４３ｂと電気的に接続されている。
【０１０９】
図１３に示すように、本実施形態では特に、ＴＦＴ１１ｎ及び１１ｐは、ボディコンタクト部６０Ａ及び６０Ｂを夫々有している。
【０１１０】
ボディコンタクト部６０Ａは、ＴＦＴ１１ｎの活性層を構成する半導体層１１１からなり、ＴＦＴ１１ｎの活性層の延在部に形成されている。ボディコンタクト部６０Ａは、チャネル領域１１ｎｃと同じ極性のＰ型に不純物ドープされている。
【０１１１】
図１２及び図１４に示すように、ボディコンタクト部６０Ａは、層間絶縁膜４１０に開孔されたコンタクトホール８３及び８５を介して、分岐配線Ｘｏｉ及びＸｅｉ等と同一膜からなる中継層６１０と電気的に接続されている。尚、中継層６１０は、中継層６３０等と同様に、例えば島状に形成されている。中継層６１０は、層間絶縁膜４２０に開孔されたコンタクトホール８４を介して、ボディコンタクト配線６１に電気的に接続されている。即ち、ボディコンタクト部６０Ａは、中継層６１０を介して、ボディコンタクト配線６１と電気的に接続され、接地電位に固定されている。このため、ＴＦＴ１１ｎが、オン状態からオフ状態に切り換えられた際にチャネル領域１１ｎｃに蓄積する余分なキャリア（即ち電子）を、ボディコンタクト部６０Ａを介して抜くことができる。即ち、チャネル領域１１ｎｃに蓄積される余分なキャリアに起因した、ＴＦＴ１１ｎにおけるプッシュダウンの発生を低減することができる。更にスイッチングによる電気的ノイズに起因して、差動増幅回路１５が誤作動することを防止できる。
【０１１２】
図１３に示すように、ボディコンタクト部６０Ｂは、ＴＦＴ１１ｐの活性層を構成する半導体層１１２からなり、ＴＦＴ１１ｐの活性層の延在部に形成されている。ボディコンタクト部６０Ｂは、チャネル領域１１ｐｃと同じ極性のＮ型に不純物ドープされている。
【０１１３】
図１２に示すように、ボディコンタクト部６０Ｂは、層間絶縁膜４１０に開孔されたコンタクトホール９３及び９５を介して、分岐配線Ｘｏｉ及びＸｅｉ等と同一膜からなる中継層６２０と電気的に接続されている。尚、中継層６２０は、中継層６１０等と同様に、例えば島状に形成されている。中継層６２０は、層間絶縁膜４２０に開孔されたコンタクトホール９４を介して、ボディコンタクト配線６２に電気的に接続されている。即ち、ボディコンタクト部６０Ｂは、中継層６２０を介して、ボディコンタクト配線６２と電気的に接続され、電源電位ＶＤＤに固定されている。このため、ＴＦＴ１１ｐが、オン状態からオフ状態に切り換えられた際にチャネル領域１１ｐｃに蓄積する余分なキャリア（即ち正孔）を、ボディコンタクト部６０Ｂを介して抜くことができる。即ち、チャネル領域１１ｐｃに蓄積される余分なキャリアに起因した、ＴＦＴ１１ｐにおけるプッシュアップ、及び電気的なノイズを低減することができる。従って、電気的ノイズに起因して、差動増幅回路１５が誤作動することを防止できる。
【０１１４】
図１３に示すように、本実施形態では、ボディコンタクト部６０Ａは、チャネル領域１１ｎｃと同じ極性のＰ型に不純物ドープされている、即ち、同じ極性のキャリア（即ち正孔）を有している。このため、オン状態からオフ状態に切り換えられた際にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアを、チャネル領域１１ｎｃからボディコンタクト部６０Ａに接続されたボディコンタクト配線６１へ確実に抜くことができる。更に、ボディコンタクト部６０Ａはソース領域１１ｎｓ及びドレイン領域１１ｎｄと逆導電型であるので、ソース領域１１ｎｓ及びドレイン領域１１ｎｄからボディコンタクト部６０Ａへのキャリアの移動を防止することができる。
【０１１５】
図１３に示すように、本実施形態では、ボディコンタクト部６０Ｂは、チャネル領域１１ｐｃと同じ極性のＮ型に不純物ドープされている、即ち、同じ極性のキャリア（即ち電子）を有している。このため、オン状態からオフ状態に切り換えられた際にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアを、チャネル領域１１ｐｃからボディコンタクト部６０Ｂに接続されたボディコンタクト配線６２へ確実に抜くことができる。更に、ボディコンタクト部６０Ｂはソース領域１１ｐｓ及びドレイン領域１１ｐｄと逆導電型であるので、ソース領域１１ｐｓ及びドレイン領域１１ｐｄからボディコンタクト部６０Ｂへのキャリアの移動を防止することができる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置について、図１５を参照して説明する。ここに図１５は、第２実施形態における図３と同趣旨のブロック図である。尚、図１５において、図１から図１４に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。尚、図１５では、図面の簡略化のために、複数の画素部７０を駆動するＸドライバ回路１０１、Ｙドライバ回路１０４、サンプリング回路１１０等は、図示を省略している。
【０１１６】
図１５において、本実施形態に係る液晶装置は、複数の画素部７０、Ｘドライバ回路１０１、Ｙドライバ回路１０４、サンプリング回路１１０、画像信号供給線１１２ｏ及び１１２ｅ、差動増幅回路１５、第１駆動信号供給回路２１、第２駆動信号供給回路２２、イコライズ回路２３、電圧印加用配線２４並びにプリチャージ回路２５の構成は、上述した第１実施形態に係る液晶装置と同様である。
【０１１７】
本実施形態では、トランスミッションゲート６に代えてトランスミッションゲート６´を採用している点が、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なる。即ち、１つの差動増幅回路１５に４本の信号線Ｓが対応しており、そのうち２本を選択し一組として電気的に接続可能となっている。よって、４本の信号線Ｓを配置する間隔毎に１つの差動増幅回路１５を形成することができ、差動増幅回路１５の面積を広くして、駆動能力を向上させると共に、差動増幅回路１５のばらつきを低減して検査精度を向上することができる。尚、プルダウン回路３６は、図５を参照して上述したプルダウン回路３５と同様に構成されている。
【０１１８】
図１５において、トランスミッションゲート６´は、差動増幅回路１５の接続点ｓｅを２本の信号線Ｓの１つに選択的に電気的に接続すると共に、差動増幅回路１５の接続点ｓｏを２本の信号線Ｓの１つに選択的に電気的に接続する。即ち、差動増幅回路１５は、４本の信号線Ｓ毎に設けられる。差動増幅回路１５の接続点ｓｅは、ＴＦＴ１４´ｄ又は１４´ｃを夫々介して第（４ｕ＋１）列又は第（４ｕ＋２）列（但し、ｕは０以上の整数）の信号線Ｓに電気的に接続される。また、差動増幅回路１５の接続点ｓｏは、ＴＦＴ１４´ｂ又は１４´ａを夫々介して第（４ｕ＋３）列又は第（４ｕ＋４）列の信号線Ｓに電気的に接続される。
【０１１９】
ＴＦＴ１４´ａ〜１４´ｄのゲートには、端子ｔｅ１〜ｔｅ４が夫々電気的に接続されている。端子ｔｅ１〜ｔｅ４には、例えばＴＥゲートデコード回路等の外部回路が電気的に接続され、接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４が夫々供給される。接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４は、差動増幅回路１５の接続点ｓｏ及びｓｅをいずれの信号線Ｓに電気的に接続するかを決定するための信号である。ＬＯＷの接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４がゲートに印加されたＴＦＴ１４´ａ〜１４´ｄはオフとなり、差動増幅回路１５の接続点ｓｏ及びｓｅと信号線Ｓとの電気的な接続を夫々切断する。逆に、ＨＩＧＨの接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４がゲートに印加された１４´ａ〜１４´ｄはオンとなり、差動増幅回路１５の接続点ｓｏ及びｓｅと信号線Ｓとを電気的に接続する。尚、接続制御信号ＴＥ１及びＴＥ２が同時にＨＩＧＨとされることはなく、接続制御信号ＴＥ３及びＴＥ４が同時にＨＩＧＨとされることもない。即ち、差動増幅回路１５の接続点ｓｅ及びｓｏには、第（４ｕ＋１）列及び第（４ｕ＋３）列の信号線Ｓの組で、或いは、第（４ｕ＋２）列及び第（４ｕ＋４）列の信号線Ｓの組で夫々電気的に接続される。尚、差動増幅回路１５の接続点ｓｅ及びｓｏに、第（４ｕ＋１）列及び第（４ｕ＋４）列の信号線Ｓの組で、或いは、第（４ｕ＋２）列及び第（４ｕ＋３）列の信号線Ｓの組で夫々電気的に接続されるように接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４を出力するように構成してもよい。
【０１２０】
このように構成されているので、例えば、端子ｔｅ４に接続制御信号ＴＥ４が供給されると、ＴＦＴ１４´ｄがオンとなり、第（４ｕ＋１）列の信号線Ｓが、差動増幅回路１５の接続点ｓｅに電気的に接続される。これと同時或いは相前後して、端子ｔｅ２に接続制御信号ＴＥ２が供給されると、ＴＦＴ１４´ｂがオンとなり、第（４ｕ＋３）列の信号線Ｓが、差動増幅回路１５の接続点ｓｏに電気的に接続される。よって、信号線Ｓ１、Ｓ５、Ｓ９、・・・に夫々電気的に接続された画素部７０に予め基準信号を供給しておき、信号線Ｓ３、Ｓ７、Ｓ１１、・・・に夫々電気的に接続された画素部７０に検査信号を供給しておくことで、第１実施形態と同様に、信号線Ｓ３、Ｓ７、Ｓ１１、・・・に夫々電気的に接続された画素部７０の良否の検査が行うことができる。同様に、端子ｔｅ３に接続制御信号ＴＥ４が供給されると、ＴＦＴ１４´ｃがオンとなり、第（４ｕ＋２）列の信号線Ｓが、差動増幅回路１５の接続点ｓｅに電気的に接続される。これと同時或いは相前後して、端子ｔｅ１に接続制御信号ＴＥ１が供給されると、ＴＦＴ１４´ａがオンとなり、第（４ｕ＋４）列の信号線Ｓが、差動増幅回路１５の接続点ｓｏに電気的に接続される。よって、信号線Ｓ２、Ｓ６、Ｓ１０、・・・に夫々電気的に接続された画素部７０に予め基準信号を供給しておき、信号線Ｓ４、Ｓ８、Ｓ１２、・・・に夫々電気的に接続された画素部７０に検査信号を供給しておくことで、第１実施形態と同様に、信号線Ｓ４、Ｓ８、Ｓ１２、・・・に夫々電気的に接続された画素部７０の良否の検査が行うことができる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【０１２１】
先ず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１６は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１６に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１２２】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１２３】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１２４】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１２５】
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１７は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１７において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１２６】
更に、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１８は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１８において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１２７】
尚、図１６から図１８を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１２８】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１２９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線での断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の主要な回路構成を示したブロック図である。
【図４】画素部の電気的な構成を示す回路図である。
【図５】プルダウン回路の電気的な構成を示す回路図である。
【図６】検査時に予め信号が供給された画素部の状態を示す概念図である。
【図７】プルアップ回路の電気的な構成を示す回路図である。
【図８】差動増幅回路の電気的な構成を示す回路図である。
【図９】検査システムの構成図である。
【図１０】検査時における各種信号のタイミングを示したタイミングチャートである。
【図１１】差動増幅回路の誤動作について説明するためのタイミングチャートである。
【図１２】イコライズ回路及びボディコンタクト配線を示す平面図である。
【図１３】半導体層の不純物ドープの領域を示す説明図である。
【図１４】図１２のＡ−Ａ´線での断面図である。
【図１５】第２実施形態における図３と同趣旨のブロック図である。
【図１６】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１７】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１８】電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１３１】
６、６´…トランスミッションゲート、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ｎ、１１ｐ、１３ｎ、１３ｐ…ＴＦＴ、１５…差動増幅回路、２０…対向基板、２３…イコライズ回路、２５…プリチャージ回路、５０…液晶層、６０Ａ、６０Ｂ…ボディコンタクト部、６１、６２、６３、６４、６５、６６…ボディコンタクト配線、７０…画素部、１１０…サンプリング回路、１０１…Ｘドライバ回路、１０４…Ｙドライバ回路、Ｇｊ…走査線、Ｓｏｉ、Ｓｅｉ…信号線、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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