(57)【要約】【課題】放熱効率の良い面発光半導体素子を提供する。【解決手段】面発光半導体素子１は、発光面を有する面発光半導体チップ２と、パッケージ６と、面発光半導体チップ２に電気的に接続されたリード１８とを備えている。パッケージ６は底板５と、底板５から延びる側壁４とを有している。面発光半導体チップ２は、発光面とは反対側の面を底板５の内面５ａに対向させた状態でパッケージ６内に配置されており、かつリード１８は側壁４からパッケージ６の外へ延在している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光面を有する面発光半導体チップと、
底板と、その底板から延びる側壁とを有する筐体と、
前記面発光半導体チップに電気的に接続された導線とを備え、
前記面発光半導体チップは前記発光面とは反対側の面を前記底板の内面に対向させた状態で前記筐体内に配置され、かつ前記導線は前記側壁から前記筐体外へ延在することを特徴とする、面発光半導体素子。
【請求項２】
前記側壁によって支持され、かつ光透過性の窓を有する蓋をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の面発光半導体素子。
【請求項３】
前記窓に光学的に接続された光ファイバをさらに備えることを特徴とする、請求項２に記載の面発光半導体素子。
【請求項４】
前記底板は前記側壁よりも外へ延在する延在部分を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の面発光半導体素子。
【請求項５】
放熱部材と、
前記底板と前記放熱部材とを前記延在部分において固定するためのネジとをさらに備えることを特徴とする、請求項４に記載の面発光半導体素子。
【請求項６】
前記ネジは複数であることを特徴とする、請求項５に記載の面発光半導体素子。
【請求項７】
前記底板と前記放熱部材との間に塗布された熱伝導性樹脂をさらに備えることを特徴とする、請求項５または６に記載の面発光半導体素子。
【請求項８】
前記底板の内面に配置された絶縁性の台をさらに備え、
前記面発光半導体チップは前記台を介して前記底板の内面上に配置されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の面発光半導体素子。
【請求項９】
前記底板の厚さは０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の面発光半導体素子。
【請求項１０】
前記底板の厚さは１ｍｍ以上２ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項９に記載の面発光半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は面発光半導体素子に関し、より特定的には、面発光半導体チップを冷却する機能を有する面発光半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光レーザは、半導体基板に対して垂直方向にレーザ光を放射するレーザであり、端面発光型のレーザでは不可能であった素子の２次元アレイ化が可能である。面発光レーザのチップを２次元アレイ化することにより、高密度に光源を集積し、高出力のレーザ光を発振させることができる。一方で、面発光レーザにおいてチップを２次元アレイ化した場合には小さな面積から大量の熱が発生されるので、放熱を効率よく行なうことが重要となる。面発光レーザにおいて放熱が不十分であると、チップの温度が上昇する。その結果、キャリアの誘導放出が起こり難くなり、発光効率が低下する。また、発振波長のずれや、チップの寿命の低下が起こる。
【０００３】
ここで、特開２００１−３２６４１１号公報（特許文献１）には、従来の同軸型の半導体レーザアレイおよびその冷却構造に関する技術が開示されている。特許文献１における同軸型の半導体レーザアレイは、円盤状の台の一方の面上に円筒形状の素子が配置された形状を有している。素子はレーザダイオードおよびフォトダイオードによって構成されており、素子における円筒形状の上面からレーザ光が出射される。また、円盤状の台の他方の面（底面）における中心付近から複数の端子が延在しており、これらの端子によって素子とドライバ基板とが電気的に接続されている。また、特許文献１においては、円盤状の台の外周部分が台座およびプレートによって固定および接合されている。そして、台座、プレート、および台座側面に設けられたリブを放熱部材として、半導体レーザアレイから発生した熱が放出されている。
【特許文献１】特開２００１−３２６４１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の技術は放熱効率が悪く、面発光レーザに適用することはできないという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、放熱効率の良い面発光半導体素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明者は、以下のことを見出した。従来の半導体レーザアレイにおいては、円盤状の台の底面の中心付近には複数の端子が存在しており、これらの複数の端子の電気的な絶縁を保つために、端子付近に放熱部材を設けることはできない。このため、台の底面における外周部分にのみ放熱部材（台座およびプレート）が設けられていた。その結果、台の底面の中心付近に放熱部材を設けることができない分だけ台と放熱部材との接触面積が小さくなり、放熱効率が悪くなっていた。
【０００７】
そこで、本発明の面発光半導体素子は、発光面を有する面発光半導体チップと、筐体と、面発光半導体チップに電気的に接続された導線とを備えている。筐体は底板と、底板から延びる側壁とを有している。面発光半導体チップは発光面とは反対側の面を底板の内面に対向させた状態で筐体内に配置されており、かつ導線は側壁から筐体外へ延在している。
【０００８】
本発明の面発光半導体素子によれば、導線は側壁から延在しているので、筐体の底面から導線を延在させる必要がなく、筐体の底面全面を面発光半導体チップと接触させることができる。これにより、筐体と面発光半導体チップとの接触面積を大きくすることができ、面発光半導体素子の放熱効率を良くすることができる。
【０００９】
なお、本明細書中における「面発光半導体チップ」とは、活性層の主表面に対して垂直に光を出射する半導体チップを意味している。
【００１０】
本発明の面発光半導体素子において好ましくは、筐体の側壁によって支持されており、かつ光透過性の窓を有する蓋がさらに備えられている。
【００１１】
これにより、面発光半導体チップの発光面からの光を取り出しつつ筐体内の気密性を高めることができる。なお、窓は集光性を有するレンズであってもよい。
【００１２】
本発明の面発光半導体素子において好ましくは、窓に光学的に接続された光ファイバがさらに備えられている。
【００１３】
これにより、発光面からの光を効率よく光ファイバに導入することができる。
本発明の面発光半導体素子において好ましくは、筐体の底板は、筐体の側壁よりも外へ延在する延在部分を有している。
【００１４】
これにより、延在部分において筐体と放熱部材とを容易に接続することができる。また、延在部分の分だけ筐体の放熱面積を増加することができる。
【００１５】
本発明の面発光半導体素子において好ましくは、放熱部材とネジとがさらに備えられている。ネジは底板と放熱部材とを延在部分において固定する。
【００１６】
これにより、放熱部材がフィンなどの場合には放熱面積を大きくすることができ、放熱効率を高めることができる。また、放熱部材として水冷装置を用いた場合にも放熱効率を高めることができる。さらに、ネジの締め付けによる圧力によって筐体と放熱部材との密着性を向上することができ、底板の表面の凹凸および放熱部材の表面の凹凸に起因する接触面積の低下を防止することができる。
【００１７】
また、筐体の底板と放熱部材とが複数のネジによって固定されることにより、筐体が複数の箇所で固定されるので、底板および放熱部材に対して均一に圧力を加えることができ、筐体と放熱部材との密着性を一層向上することができる。
【００１８】
本発明の面発光半導体素子において好ましくは、筐体の底板と放熱部材との間に塗布された熱伝導性樹脂がさらに備えられている。
【００１９】
これにより、底板の表面の凹部および放熱部材の表面の凹部が熱伝導性樹脂によって埋められるので、底板の表面の凹凸および放熱部材の表面の凹凸がなくなり、筐体と放熱部材との密着性を向上することができる。
【００２０】
本発明の面発光半導体素子において好ましくは、筐体の底板の内面に配置された絶縁性の台がさらに備えられており、面発光半導体チップはこの台を介して底板の内面上に配置されている。
【００２１】
これにより、筐体と面発光半導体チップとが同電位になることを防止することができる。また、面発光半導体チップからの熱を一旦台に伝熱し、さらに台から筐体へ伝熱することにより、放熱効率を高めることができる。
【００２２】
本発明の面発光半導体素子において好ましくは、筐体の底板の厚さは０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であり、より好ましくは１ｍｍ以上２ｍｍ以下である。
【００２３】
底板の厚さを０．５ｍｍ以上、より好ましくは１ｍｍ以上とすることにより、筐体の強度を保つことができる。また、底板の厚さを５ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以下とすることにより、放熱効率を高めることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の面発光半導体素子によれば、放熱効率を良くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における面発光半導体素子の構造を示す斜視図である。図２は、図１の面発光半導体チップ付近の拡大図である。図１および図２を参照して、本実施の形態の面発光半導体素子１は、面発光半導体チップ２と、台としてのサブマウント３と、筐体としてのパッケージ６と、導線としてのリード１８とを備えている。面発光半導体チップ２はサブマウント３の上に配置された状態でパッケージ６内に配置されている。リード１８は、面発光半導体チップ２に電気的に接続されており、パッケージ６の外部へ延在している。
【００２６】
面発光半導体チップ１は、たとえば直方体の形状であり、レーザ光１０が照射される発光面２ａと、発光面２ａとは反対側の面２ｂとを有している。サブマウント３は、たとえば直方体の形状であり、面２ｂよりも大きな面積の面を有している。パッケージ６は、底板５と、底板５から垂直に延びる側壁４とを有している。底板５はたとえば長方形の平面形状である。底板５の内面５ａには絶縁性の材料よりなるサブマウント３が配置されており、サブマウント３上には面発光半導体チップ２が面２ｂを内面５ａに対向させた状態で配置されている。
【００２７】
側壁４は、面発光半導体チップ２およびサブマウント３を取り囲むように４つの面で形成されている。リード１８はたとえば複数本（図では３本）であり、リード１８の各々の一端はたとえば発光面２ａや、サブマウント３などにはんだ付けされている。そして、側壁４を構成する面のうち１つの面に開口された孔を通じてリード１８の各々はパッケージ６の外部へ引き出されている。
【００２８】
また、底板５は、側壁４に取り囲まれた部分から外へ延在する延在部分１１を有している。延在部分１１はたとえば側壁４を構成する面のうち１つの面から外方へ延在しており、長方形の平面形状を有している。延在部分１１には放熱部材（図示なし）を取り付けるための取付用穴１１ａが開口されている。放熱部材が取り付けられる場合には、放熱部材は底板５の外面５ｂに取り付けられる。
【００２９】
なお、底板５の図中横方向の長さｄ1はたとえば１４ｍｍであり、底板５の図中縦方向の長さｄ2はたとえば２０ｍｍである。底板５の厚さｄ3はたとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であり、好ましくは１ｍｍ以上２ｍｍ以下である。厚さｄ3を０．５ｍｍ以上、より好ましくは１ｍｍ以上とすることにより、パッケージ６の強度を保つことができる。厚さｄ3を５ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以下とすることにより、放熱効率を高めることができる。パッケージ６の高さｄ5はたとえば６．４ｍｍであり、側壁４の厚さｄ4はたとえば１．５ｍｍである。面発光半導体チップ２はたとえば１辺が５ｍｍ〜１０ｍｍの長さの長方形の平面形状である。
【００３０】
また、底板５の材料としては、たとえばＣｕ（銅）−Ｗ（タングステン）や、Ｃｕ−Ｍｏ（モリブデン）や、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）や、Ｗや、Ｍｏなどが用いられる。パッケージ６全体がこれらの材料により構成されていてもよい。また、サブマウント３の材料としては、ＢＮ（窒化ホウ素）、ＳｉＣ（炭化シリコン）、またはＡｌＮなどのセラミクスが用いられる。
【００３１】
本実施の形態における面発光半導体素子１は、発光面２ａを有する面発光半導体チップ２と、パッケージ６と、面発光半導体チップ２に電気的に接続されたリード１８とを備えている。パッケージ６は底板５と、底板５から延びる側壁４とを有している。面発光半導体チップ２は、発光面２ａとは反対側の面２ｂを底板５の内面５ａに対向させた状態でパッケージ６内に配置されており、かつリード１８は側壁４からパッケージ６の外へ延在している。
【００３２】
本実施の形態の面発光半導体素子１によれば、リード１８は側壁４から延在しているので、リードをパッケージ６の底板５から延在させる必要がなく、パッケージ６の底板５全面を面発光半導体チップ２と接触させることができる。これにより、パッケージ６と面発光半導体チップ２との接触面積を大きくすることができ、面発光半導体素子１の放熱効率を良くすることができる。
【００３３】
また、底板５は側壁４よりも外へ延在する延在部分１１を有しているので、放熱部材が取り付けられる場合に、延在部分１１においてパッケージ６と放熱部材とを容易に接続することができる。また、延在部分１１の分だけパッケージ６の放熱面積を増加することができる。
【００３４】
また、面発光半導体素子１は底板５の内面５ａに配置された絶縁性のサブマウント３を備えており、面発光半導体チップ２はサブマウント３を介して底板５の内面５ａ上に配置されているので、パッケージ６と面発光半導体チップ２とが同電位になることを防止することができる。また、面発光半導体チップ２からの熱を一旦サブマウント３に伝熱し、さらにサブマウント３からパッケージ６へ伝熱することにより、放熱効率を高めることができる。
【００３５】
なお、本実施の形態では面発光半導体チップ２がサブマウント３を介して底板５上に配置される場合について示したが、サブマウント３が備えられずに面発光半導体チップ２が底板５上に直接配置されてもよい。また、リード１８が接続される位置およびリード１８の本数について特に制限はなく、少なくとも側壁から筐体外へ延在していればよい。さらに、パッケージの形状は任意であり、延在部分１１が形成されていなくてもよい。
【００３６】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２における面発光半導体素子の構造を示す斜視図である。図４は、図３の側面図である。図３および図４を参照して、本実施の形態における面発光半導体素子１は、放熱部材１２と、ネジ１３ａと、熱伝導性の樹脂１４とをさらに備えている点において実施の形態１の面発光半導体素子とは異なっている。すなわち、パッケージ６の底板５の外面５ｂには放熱部材１２が取り付けられている。放熱部材１２には取付用穴（図示なし）が開口されており、この取付用穴および延在部分１１に開口された取付用穴１１ａ（図１）と、ネジ１３ａとが螺合されている。これにより、放熱部材１２は延在部分１１において底板５に固定されている。放熱部材１２は、その放熱面積を増加するために、たとえばパッケージ６が配置される面とは反対側の面に複数の突起部を有している。また、特に図４に示すように、底板５と放熱部材１２との間には樹脂１４が塗布されている。樹脂１４としては、たとえば硬化および非硬化シリコーンコンパウンドが用いられる。
【００３７】
なお、これ以外の面発光半導体素子１の構成は、図１および図２に示す実施の形態１の面発光半導体素子の構成とほぼ同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００３８】
本実施の形態の面発光半導体素子１は、放熱部材１２と、底板５と放熱部材１２とを延在部分１１において固定するためのネジ１３ａとをさらに備えている。
【００３９】
これにより、放熱部材１２がフィンなどの場合には放熱面積を大きくすることができ、放熱効率を高めることができる。また、放熱部材１２として水冷装置を用いた場合にも放熱効率を高めることができる。さらに、ネジ１３ａの締め付けによる圧力によってパッケージ６と放熱部材１２との密着性を向上することができる。特に、底板５の外面５ｂ表面の凹凸や放熱部材１２の表面の凹凸がある場合であっても、ネジ１３ａの締め付けによる圧力によって接触面積の低下を防止することができる。
【００４０】
また、面発光半導体素子１は底板５と放熱部材１２との間に塗布された熱導電性の樹脂１４をさらに備えているので、底板５の外面５ｂ表面の凹凸や放熱部材１２の表面の凹凸が樹脂１４によって埋められる。その結果、底板５の外面５ｂ表面の凹凸や放熱部材１２の表面の凹凸がなくなり、パッケージ６と放熱部材１２との密着性を向上することができる。
【００４１】
なお、本実施の形態では、放熱部材１２が図３に示すような形状である場合について示したが、放熱部材の形状は任意である。また、放熱部材１２の固定手段はネジ以外であってもよい。
【００４２】
（実施の形態３）
図５は、本発明の実施の形態３における面発光半導体素子の構造を示す斜視図である。図５を参照して、本実施の形態の面発光半導体素子１は、放熱部材１２の形状が実施の形態１の面発光半導体素子とは異なっている。すなわち、延在部分１１は、側壁４を構成する４つの面のうち３つの面のそれぞれから外方へ延在しており、長方形の平面形状を有している。延在部分１１には放熱部材（図示なし）を取り付けるための３つの取付用穴１１ａ〜１１ｃが開口されている。
【００４３】
図６は、本発明の実施の形態３における面発光半導体素子の変形例を示す斜視図である。図６を参照して、面発光半導体素子１は放熱部材１２をさらに備えている。放熱部材１２には３つの取付用穴（図示なし）が開口されており、これらの取付用穴および延在部分１１に開口された取付用穴１１ａ〜１１ｃ（図５）と、ネジ１３ａ〜１３ｃとが螺合されている。これにより、放熱部材１２は延在部分１１において底板５に固定されている。
【００４４】
なお、これ以外の面発光半導体素子１の構成は、図１および図２に示す実施の形態１の面発光半導体素子の構成、または図３および図４に示す実施の形態２の面発光半導体素子の構成とほぼ同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００４５】
本実施の形態の面発光半導体素子１によれば、実施の形態１または実施の形態２に示す面発光半導体素子とほぼ同様の効果を得ることができる。
【００４６】
また、面発光半導体素子１が複数のネジ１３ａ〜１３ｃを備えているので、パッケージ６が複数の箇所で固定されるので、底板５および放熱部材１２に対して均一に圧力を加えることができ、パッケージ６と放熱部材１２との密着性を一層向上することができる。
【００４７】
また、実施の形態１の面発光半導体素子に比べて延在部分１１の面積が大きくなっているので、放熱効率が向上する。
【００４８】
（実施の形態４）
図７は、本発明の実施の形態４における面発光半導体素子の構造を示す分解斜視図である。図７を参照して、本実施の形態の面発光半導体素子１は、蓋２１と、光ファイバ２４とをさらに備えている点において実施の形態１の面発光半導体素子とは異なっている。すなわち、蓋２１は、側壁４によって形成された開口を覆うように側壁４上に配置されている。言い換えれば、蓋２１は側壁４によって支持された状態でパッケージ６上に配置されている。蓋２１は光透過性の窓２２を有している。窓２２はレンズであってもよい。また、光ファイバ２４の一端にはフェルール２３が結合されており、フェルール２３は窓に取り付けられている。これにより、光ファイバ２４はフェルール２３を介して窓２２に光学的に接続されている。フェルール２３の他端にはコネクタが結合されている。
【００４９】
なお、これ以外の面発光半導体素子１の構成は、図１および図２に示す実施の形態１の面発光半導体素子の構成とほぼ同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００５０】
本実施の形態の面発光半導体素子１は、パッケージ６の側壁４によって支持されており、かつ光透過性の窓２２を有する蓋２１をさらに備えている。
【００５１】
これにより、面発光半導体チップ２の発光面２ａからのレーザ光１０を取り出しつつパッケージ６内の気密性を高めることができる。
【００５２】
また、面発光半導体素子１は窓２２に光学的に接続された光ファイバ２４をさらに備えているので、発光面２ａからのレーザ光１０を効率よく光ファイバ２４に導入することができる。
【００５３】
なお、本実施の形態においては、実施の形態１の面発光半導体素子に蓋２１および光ファイバ２４を組み合わせた場合について示したが、図８に示すように、実施の形態３の面発光半導体チップに蓋および光ファイバを組み合わせてもよい。また、本実施の形態の面発光半導体素子１に放熱部材をさらに組み合わせてもよい。
【実施例１】
【００５４】
本実施例では、本発明の面発光半導体素子と従来の面発光半導体素子との各々の放熱効率について調べた。具体的には、面発光半導体素子として図９（ａ）、（ｂ）に示す構造を想定した。図９（ａ）は本発明例の面発光半導体素子におけるパッケージの底面の形状を示す平面図であり、図９（ｂ）は従来例（比較例）の面発光半導体素子におけるパッケージの底面の形状を示す断面図である。
【００５５】
図９（ａ）を参照して、本発明例の面発光半導体素子におけるパッケージの底板５は、直径が５．６ｍｍの円の平面形状となっている。本発明例ではリードは側壁から延在しているので、パッケージの底板５からはリードが延在していない。このため、パッケージの底板５の面積がそのまま有効放熱面積となる。具体的には、本発明例の面発光半導体素子の有効放熱面積は、２．８ｍｍ×２．８ｍｍ×π＝２．４６３×１０-5ｍ2である。一方、図９（ｂ）を参照して、比較例の面発光半導体素子におけるパッケージの底板１０５は直径が５．６ｍｍの円の平面形状となっており、かつ底板１０５の中心付近から３本のリード１１８が延在している。なお、３本のリードのうち２本のリード１１８は、パッケージとの電気的な絶縁を保つために低融点ガラス１１９でその外周を覆われている。従来の面発光半導体素子においては、リード１１８と、パッケージの底板１０５に取り付けられる放熱板との接触を避けるため、パッケージの底板１０５の中心付近における直径が３．２ｍｍの円の部分は、放熱に寄与しない構造になっている。その結果、有効放熱面積は（２．８ｍｍ×２．８ｍｍ×π）−（１．６ｍｍ×１．６ｍｍ×π）＝１．６６×１０-5ｍ2となり、本発明例より小さくなっている。
【００５６】
なお、本発明例および比較例の各々の面発光半導体素子では、パッケージの材質としてともにＳＰＣが用いられ、底板５および底板１０５の厚さはともに０．００１４ｍと設定された。なお、ＳＰＣとは、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards）に規定された冷間圧延鋼板のことである。上記の条件から計算された本発明例および比較例の各々におけるパッケージの熱伝導率および熱抵抗の値を表１に示す。
【００５７】
【表１】
2007123659.tif 000003
【００５８】
続いて、この面発光半導体素子に搭載される面発光半導体チップとしてＧａＡｓチップおよびＧａＮチップを用い、それぞれの面発光半導体チップを用いた場合の面発光半導体チップ発光素子の熱抵抗と、面発光半導体チップの温度とをシミュレーションによって計算した。面発光半導体チップは一辺が５ｍｍの正方形の平面形状となっており、厚さが２５０μｍと設定された。ＧａＡｓチップの熱抵抗は０．２１７℃／Ｗと設定され、ＧａＮチップの熱抵抗は０．０７７℃／Ｗと設定された。また、雰囲気の温度は２５℃に設定された。面発光半導体チップ発光素子の熱抵抗および面発光半導体チップの温度の計算結果を表２に示す。
【００５９】
【表２】
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【００６０】
表２を参照して、ＧａＡｓチップを本発明例に搭載した場合のＧａＡｓチップの温度は４３．７４℃であったのに対し、ＧａＡｓチップを比較例に搭載した場合のＧａＡｓチップの温度は５０．７２℃であった。言い換えれば、本発明例におけるＧａＡｓチップの温度上昇は１８．７４℃であったのに対し、比較例におけるＧａＡｓチップの温度上昇は２５．７２℃であった。また、ＧａＮチップを本発明例に搭載した場合のＧａＮチップの温度は４０．９４℃であったのに対し、ＧａＡｓチップを比較例に搭載した場合のＧａＡｓチップの温度は４７．９２℃であった。言い換えれば、本発明例におけるＧａＡｓチップの温度上昇は１５．９４℃であったのに対し、比較例におけるＧａＡｓチップの温度上昇は２２．９２℃であった。この結果から、本発明例は比較例よりも放熱効率が良いことが分かる。
【００６１】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、面発光半導体チップを冷却する機能を有する面発光半導体素子として利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態１における面発光半導体素子の構造を示す斜視図である。
【図２】図１の面発光半導体チップ付近の拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態２における面発光半導体素子の構造を示す斜視図である。
【図４】図３の側面図である。
【図５】本発明の実施の形態３における面発光半導体素子の構造を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態３における面発光半導体素子の変形例を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態４における面発光半導体素子の構造を示す分解斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態４における面発光半導体素子の変形例を示す分解斜視図である。
【図９】（ａ）本発明例の面発光半導体素子におけるパッケージの底面の形状を示す平面図である。（ｂ）従来例の面発光半導体素子におけるパッケージの底面の形状を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１  面発光半導体素子、２  面発光半導体チップ、２ａ  発光面、２ｂ  面、３  サブマウント、４  側壁、５，１０５  底板、５ａ  内面、５ｂ  外面、６  パッケージ、１０  レーザ光、１１  延在部分、１１ａ〜１１ｃ  取付用穴、１２  放熱部材、１３ａ〜１３ｃ  ネジ、１４  樹脂、１８，１１８  リード、２１  蓋、２２  窓、２３  フェルール、２４  光ファイバ、１１９  低融点ガラス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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