(57)【要約】【課題】高輝度を長時間にわたって維持すること。【解決手段】表示装置において、第１の基板２０１と、第１の基板２０１に離間対向して配置された第２の基板２０２と、第１の基板と第２の基板との間に配置され、電気化学発光材料を含む電解質溶液からなる電解質溶液層２０５を有する表示素子Ｌi,jと、第１の期間において電圧を徐々に増加させ、第１の期間経過時点から開始する第２の期間において第１の期間経過時点の電圧を維持するように、電解質溶液層に対して電圧を印加して、電気化学発光材料を電気化学発光させる電圧印加部（第１の電極２０３、第２の電極２０４、電源回路２１０）とを備えた。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学発光材料を含む電解質溶液層を有する表示素子と、
第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第１の期間経過時点から開始する第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持するように、前記電解質溶液層に対して電圧を印加して、前記電気化学発光材料を電気化学発光させる電圧印加部と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板とを有し、前記電解質溶液層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置され、
前記電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第１の電極と、前記第２の基板上で前記第１電極に離間対向して形成された第２の電極とを備え、前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持するように電圧を印加して、前記電気化学発光材料を電気化学発光させることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２の電極は、複数の電極部からなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記電圧印加部は、前記第１の電極と前記複数の電極部のそれぞれとの間に、前記第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持するように電圧を印加して、前記電気化学発光材料を電気化学発光させることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記電圧印加部は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持し、前記第２の期間経過時点から第３の期間において前記第２の期間で維持した電圧を徐々に減少させて電圧波形が台形波形となるように電圧を印加し、前記第１の期間から前記第３の期間までの前記台形波形の電圧印加を繰り返し行うことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記電圧印加部は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持し、前記第２の期間経過時点から第３の期間において前記第２の期間で維持した電圧を徐々に減少させて電圧波形が台形波形となるように電圧を印加し、前記第１の期間から前記第３の期間までの前記台形波形の電圧印加を交互に極性を変化させて繰り返し行うことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記電圧印加部は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加する電圧発生回路と、前記電圧発生回路により前記第１の電極と前記第２の電極に印加される電圧を前記台形波形に変化させる可変抵抗とを有することを特徴とする請求項５または６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記電圧印加部は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加する電圧発生回路と、前記電圧発生回路により前記第１の電極と前記第２の電極に印加される電圧を前記台形波形に変化させるローパスフィルタとを有することを特徴とする請求項５または６に記載の表示装置。
【請求項９】
電気化学発光材料を含む第１層と、
該第１層の少なくとも一部と対向配置され、エレクトロクロミック材料を含む第２層と、
前記第１層に電圧を印加し、前記電気化学発光材料の電気化学的発光をさせる第１の電圧印加部と、
前記エレクトロクロミック材料に電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させる第２の電圧印加部と、
前記第１の電圧印加部と前記第２の電圧印加部とを選択的に動作させる切換部と
を具備した画素を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板と、をさらに有し、
前記第１層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第１の基板側に配置され、
前記第２層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第２の基板側に配置され、
前記第１の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第１の第１基板側電極および第２の第１基板側電極を備え、前記第１の第１基板側電極と前記第２の第１基板側電極との間に直流または交流電圧を印加して、前記電気化学発光材料を電気化学発光させ、
前記第２の電圧印加部は、前記第２の基板上に形成された第２基板側電極を備え、前記第１の第１基板側電極及び前記第２の第１基板側電極と前記第２基板側電極との間に直流電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板と、をさらに有し、
前記第１層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第１の基板側に配置され、
前記第２層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第２の基板側に配置され、
前記第１の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第１基板側電極を備え、
前記第２の電圧印加部は、前記第２の基板上に形成された第２基板側電極を備え、
前記第１の電圧印加部は、前記第１基板側電極と前記第２基板側電極との間に、交流電圧を印加して前記電気化学発光材料を電気化学発光させ、
前記第２の電圧印加部は、前記第１基板側電極と前記第２基板側電極との間に直流電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板と、前記第１層と前記第２層との間に配置され、溶媒を含む電解質層と、をさらに有し、
前記第１層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第１の基板側に配置され、
前記第２層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第２の基板側に配置され、
前記第１の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第１の第１基板側電極および第２の第１基板側電極を備え、前記第１の第１基板側電極と前記第２の第１基板側電極との間に、直流または交流電圧を印加して前記電気化学発光材料を電気化学発光させ、
前記第２の電圧印加部は、前記第２の基板上に形成された第２基板側電極と、前記第１層と前記電界質層との間に配置された中間電極と、を備え、前記中間電極と前記第２基板側電極との間に直流電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板と、前記第１層と前記第２層との間に配置され、溶媒を含む電解質層と、をさらに有し、
前記第１層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第１の基板側に配置され、
前記第２層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第２の基板側に配置され、
前記第１の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第１基板側電極と、前記第１層と前記電解質層との間に配置された中間電極と、を備え、前記第１基板側電極と前記中間電極との間に、直流又は交流電圧を印加して前記電気化学発光材料を電気化学発光させ、
前記第２の電圧印加部は、前記第２の基板上に形成された第２基板側電極を備え、前記中間電極と前記第２基板側電極との間に直流電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板と、前記第１層と前記第２層との間に配置され、溶媒を含む電解質層と、前記第２層と前記電解質層との間に配置された多孔質電極と、をさらに有し、
前記第１層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第１の基板側に配置され、
前記第２層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第２の基板側に配置され、
前記第１の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第１の第１基板側電極および第２の第１基板側電極を備え、前記第１の第１基板側電極と前記第２の第１基板側電極との間に、直流又は交流電圧を印加して前記電気化学発光材料を電気化学発光させ、
前記第２の電圧印加部は、前記第２の基板上に形成された第２基板側電極を備え、前記第１の第１基板側電極または前記第２の第１基板側電極と前記第２基板側電極との間に直流電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板と、前記第１層と前記第２層との間に配置され、溶媒を含む電解質層と、をさらに有し、
前記第１層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第１の基板側に配置され、
前記第２層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第２の基板側に配置され、
前記第１の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第１の第１基板側電極および第２の第１基板側電極を備え、前記第１の第１基板側電極と前記第２の第１基板側電極との間に、直流又は交流電圧を印加して前記電気化学発光材料を電気化学発光させ、
前記第２の電圧印加部は、前記第２層と前記電解質層との間に配置された多孔質電極を備え、前記第１の第１基板側電極または前記第２の第１基板側電極と前記多孔質電極との間に直流電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板と、前記第１層と前記第２層との間に配置され、溶媒を含む電解質層と、をさらに有し、
前記第１層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第１の基板側に配置され、
前記第２層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第２の基板側に配置され、
前記第１の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第１基板側電極と、前記第１層と前記電解質層との間に配置された中間電極とを備え、前記第１基板側電極と前記中間電極との間に、直流又は交流電圧を印加して前記電気化学発光材料を電気化学発光させ、
前記第２の電圧印加部は、前記第２層と前記電解質層との間に配置された多孔質電極を備え、前記中間電極と前記多孔質電極との間に直流電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板と、をさらに有し、
前記第１層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第１の基板側に配置され、
前記第２層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第２の基板側に配置され、
前記第１の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第１基板側電極と、前記第１層と前記第２層との間に配置された多孔質電極と、を備え、前記第１基板側電極と前記多孔質電極との間に直流又は交流電圧を印加して前記電気化学発光材料を電気化学発光させ、
前記第２の電圧印加部は、前記第２の基板上に形成された第２基板側電極を備え、前記第１基板側電極と前記第２基板側電極との間に直流電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板と、をさらに有し、
前記第１層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置され、
前記第２層は、前記第２の基板側に局所的に配置され、
前記第１の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第１の第１基板側電極と、前記第２の基板上に形成された第１の第２基板側電極と、を備え、前記第１の第１基板側電極と前記第１の第２基板側電極との間に、直流または交流電圧を印加して前記電気化学発光材料を電気化学発光させ、
前記第２の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成された第２の第１基板側電極と、前記第２の基板と前記第２層との間に形成された第２の第２基板側電極と、を備え、前記第２の第１基板側電極と前記第２の第２基板側電極との間に直流電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記表示素子は、第１の基板と、この第１の基板に離間対向して配置された第２の基板と、をさらに有し、
前記第１層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第１の基板側に配置され、
前記第２層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記第２の基板側に配置され、
前記第１の電圧印加部は、前記第１の基板上に形成され、多孔質膜で被覆された第１基板側電極を備え、
前記第２の電圧印加部は、前記第２の基板上に形成された第２基板側電極を備え、
前記第１の電圧印加部は、前記第１基板側電極と前記第２基板側電極との間に、直流または交流電圧を印加して前記電気化学発光材料を電気化学発光させ、
前記第２の電圧印加部は、前記第１基板側電極と前記第２基板側電極との間に直流電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第１の電圧印加部は、第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第１の期間経過時点から開始する第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持するように、前記第１層に対して電圧を印加して、前記電気化学発光材料を電気化学発光させることを特徴とする請求項９〜１９のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項２１】
前記第１の電圧印加部は、前記第１層に対して、前記第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持し、前記第２の期間経過時点から第３の期間において前記第２の期間で維持した電圧を徐々に減少させて電圧波形が台形波形となるように電圧を印加し、前記第１の期間から前記第３の期間までの前記台形波形の電圧印加を繰り返し行うことを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記第１の電圧印加部は、前記第１層に対して、前記第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持し、前記第２の期間経過時点から第３の期間において前記第２の期間で維持した電圧を徐々に減少させて電圧波形が台形波形となるように電圧を印加し、前記第１の期間から前記第３の期間までの前記台形波形の電圧印加を交互に極性を変化させて繰り返し行うことを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２３】
電気化学発光材料を含む電解質溶液層を有する表示素子を駆動する表示素子駆動方法であって、
第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第１の期間経過時点から開始する第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持するように、前記電解質溶液層に対して電圧を印加して、前記電気化学発光材料を電気化学発光させる電圧印加工程
を含むことを特徴とする表示素子駆動方法。
【請求項２４】
電気化学発光材料を含む第１層に電圧を印加し、前記電気化学発光材料の電気化学的発光をさせる第１の電圧印加工程と、
該第１層の少なくとも一部と対向配置され、エレクトロクロミック材料を含む第２層の前記エレクトロクロミック材料に電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させる第２の電圧印加工程と、
前記第１の電圧印加工程と前記第２の電圧印加工程とを選択的に動作させる切換工程と、を含むことを特徴とする表示素子駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気化学発光材料を利用した表示素子を駆動して発光表示を行う表示装置および表示素子駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ装置のように、液体を内包したセル構造で発光表示が可能な表示素子を利用したディスプレイ装置として、電気化学発光（ＥＣＬ：Electro-Chemi Luminescence）素子を利用した表示装置がある。このＥＣＬ素子は、電気化学的な酸化もしくは還元反応により発生した極性の異なるイオンラジカル種が反応して発光する電気化学発光材料（ＥＣＬ材料）と電解質とが、二つの電極の間に配置されている構造となっている。そして、ＥＣＬ素子に電圧を印加して駆動すると、ＥＣＬ材料が自発光してＥＣＬ素子が発光表示を行うものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このようなＥＣＬ素子の駆動方法としては、発光時に印加電圧を急峻に立ち上げて、その電圧を一定時間維持し、消光時に電圧を急峻にゼロに落とすことを繰り返して、電圧波形を矩形波となるようにＥＣＬ素子に電圧を印加する方法が一般的となっている。
【０００４】
また、屋外及び屋内で使用する携帯電話等の表示装置として、反射表示及び発光表示の両表示が可能な半透過型ＬＣＤが提案されている。この半透過型ＬＣＤは、例えば、特許文献２に開示されるように、外光線を反射して画素を表示する反射表示のために画素の一部に凹凸形状の反射層が設けられ、又、バックライトからの光線の透過を制御して光線を外部に向ける発光表示のためにその他の領域に透過表示部が設けられ、この透過表示部の下にバックライトが設けられている。
【０００５】
このように反射表示及び発光表示の両表示が可能な方法では、発光表示に関しては、バックライトの明るさ次第で十分明るく見やすい表示が可能である。しかし、反射表示に関しては、偏光板を用いるという液晶の表示原理上の制約、１画素を反射表示と発光表示との２領域に分割することによる表示面積の制約を受けて、十分なコントラストを有した、見やすい表示が得られない問題がある。又、偏光板を使用しているため、更に光の利用効率が半減する。
【０００６】
一方、コントラストの高い反射表示を可能とする表示装置として、エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）がある。この表示装置は、例えば、特許文献３に記載されるように、電気化学的な酸化、若しくは、還元により変色、若しくは析出、若しくは溶解する着色用物質（ＥＣ材料）と、電解質とが、２つの電極間に配置されている構造からなる。しかしながら、ＥＣＤは反射表示のみであるため、暗いところでは表示が見えにくい問題がある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３２４４０１号公報
【特許文献２】特開２００３−２４１１８８号公報（第３−５頁、第３図）
【特許文献３】特開２００３−２１８４８号公報（第４−１４頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来のＥＣＬ素子の駆動方法では、電圧を印加した後に輝度が著しく減少していく現象が現れ、高輝度の表示を長時間にわたって安定して得ることができないという問題があった。
【０００９】
また、１画素あたりの表示面積の制約を受けることがなく、十分なコントラストを有し、且つ暗いところでも表示が見やすい、反射表示と発光表示の双方が可能な表示装置を提供し、かかる表示装置において高輝度の表示を長時間にわたって安定して得ることが望まれる。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高輝度を長時間にわたって維持することができる表示装置および表示素子駆動方法を提供することを目的とする。また、本発明は、１画素あたりの表示面積の制約を受けることがなく、十分なコントラストを有し、且つ暗いところでも表示が見やすい、反射表示と発光表示の双方が可能であり、かつ高輝度を長時間にわたって維持することができる表示装置および表示素子駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、電気化学発光材料を含む電解質溶液層を有する表示素子と、第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第１の期間経過時点から開始する第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持するように、前記電解質溶液層に対して電圧を印加して、前記電気化学発光材料を電気化学発光させる電圧印加部と、を備えたことを特徴とする表示装置である。
【００１２】
また、本発明は、電気化学発光材料を含む第１層と、該第１層の少なくとも一部と対向配置され、エレクトロクロミック材料を含む第２層と、前記第１層に電圧を印加し、前記電気化学発光材料の電気化学的発光をさせる第１の電圧印加部と、前記エレクトロクロミック材料に電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させる第２の電圧印加部と、前記第１の電圧印加部と前記第２の電圧印加部とを選択的に動作させる切換部と
を具備した画素を備えることを特徴とする表示装置である。
【００１３】
また、本発明は、電気化学発光材料を含む電解質溶液層を有する表示素子を駆動する表示素子駆動方法であって、第１の期間において電圧を徐々に増加させ、前記第１の期間経過時点から開始する第２の期間において前記第１の期間経過時点の電圧を維持するように、前記電解質溶液層に対して電圧を印加して、前記電気化学発光材料を電気化学発光させる電圧印加工程を含む表示素子駆動方法である。
【００１４】
また、本発明は、電気化学発光材料を含む第１層に電圧を印加し、前記電気化学発光材料の電気化学的発光をさせる第１の電圧印加工程と、該第１層の少なくとも一部と対向配置され、エレクトロクロミック材料を含む第２層の前記エレクトロクロミック材料に電圧を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させる第２の電圧印加工程と、前記第１の電圧印加工程と前記第２の電圧印加工程とを選択的に動作させる切換工程と、を含むことを特徴とする表示素子駆動方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電気化学発光材料を含む電解質溶液層または第１層に対して、第１の期間において電圧を徐々に増加させ、第１の期間経過時点から開始する第２の期間において第１の期間経過時点の電圧を維持するように、電解質溶液層または第１層に対して電圧を印加して、電気化学発光材料を電気化学発光させることで、表示素子の発光表示において高輝度を長時間にわたって維持することができるという効果を奏する。
【００１６】
また、本発明によれば、電気化学発光材料を含む第１層に電圧を印加し、電気化学発光材料の電気化学的発光をさせる第１の電圧印加部と、第２層のエレクトロクロミック材料に電圧を印加してエレクトロクロミック材料を変色させる第２の電圧印加部とを選択的に動作させることで、１画素あたりの表示面積の制約を受けることがなく、十分なコントラストを有し、且つ暗いところでも表示が見やすい、反射表示と発光表示の双方が可能な表示装置を提供することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる表示装置および表示素子駆動方法の最良な実施の形態を詳細に説明する。
【００１８】
（実施の形態１）
本実施の形態にかかる表示装置は、表示セルＬi,j，Ｌi+1,j，Ｌi,j+1，Ｌi+1,j+1を有する画素の配列を含む構成となっている。なお、実施の形態２〜１１の表示装置も同様の構成となっている。図１は、実施の形態１に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造と電源回路の構成の一例を示す模式的な説明図である。ここで、ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数である。図１において、表示素子Ｌi,jの構造については断面図を示している。
【００１９】
本実施の形態の表示素子Ｌi,jは、図１に示すように、基板２０１上に形成された第１の電極２０３と、第１の電極２０３に離間対向して基板２０２上に形成された第２の電極２０４と、基板２０１の端部と基板２０２の端部とに固設されたスペーサ２０６と、２つの基板２０１，２０２とスペーサ２０６とで形成された密閉セル内部の電解質溶液層２０５とを備えている。
【００２０】
第１の電極２０３および第２の電極２０４は、２つの基板２０１，２０２とスペーサ２０６とで形成された密閉セル内部に架設された構造となっている。
【００２１】
電解質溶液層２０５は、電解質溶液または電気化学的な酸化もしくは還元反応により発光する電気化学発光材料（ＥＣＬ材料）を含有する電解質溶液によって形成されている。すなわち、この電解質溶液には、電気化学的な酸化もしくは還元反応により発光する発光材料である電気化学発光材料（ＥＣＬ分子）が電解質中に含まれる。ここで、電解質は、ＥＣＬ発光を実現できる液体もしくは固体であり、通常は支持塩と有機溶媒とから構成されている。なお、電解質は、支持塩と有機溶媒に限定されるものではなく、ＥＣＬ材料の発光分子の酸化還元反応を促進する液体や固体であればよい。ＥＣＬ材料の発光分子は、電極近傍で酸化されてカチオンラジカル、還元されてアニオンラジカルとなり、この両者が会合消失する際に、発光材料の励起状態が生成しその失活過程において発光するようになっている。
【００２２】
電解質溶液として使用する支持塩としては、例えばテトラブチルアンモニウムペークロレート、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホネート、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオロボレート等を用いることができる。
【００２３】
また、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、２−メチルテトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド等を用いることができる。
【００２４】
ＥＣＬ材料としては、多環芳香族化合物であるナフタセン誘導体（ルブレン、５，１２−ジフェニルナフタセン）、アントラセン誘導体（９，１０−ジフェニルアントラセン）、ペンタセン誘導体（６，１０−ジフェニルペンタセン）、ペリフランテン誘導体（ジベンゾテトラ（メチルフェニル）ペリフランテン）等や、π電子共役高分子であるポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、等や、ヘテロ芳香族化合物である、クマリン等や、キレート金属錯体であるＲｕ（ｂｐｙ）３２−等や、有機金属化合物であるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等や、キレートランタノイド錯体などを用いることができる。
【００２５】
また、第１の電極２０３が形成されている基板２０１あるいは第２の電極２０４が形成されている基板２０２のうち少なくとも一方は、通常、表示素子の観察面となる表示部となるため、当該表示部となる基板は光透過性材料で形成されている。このような光透過性材料としては、好ましくは可視光領域で吸収が少ない材料、例えばガラス等の無機材料、および光透過性樹脂等の有機性材料、具体的には例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等を用いることができる。
【００２６】
また、第１の電極２０３、第２の電極２０４のうち、電解質溶液層２０５と表示部となる基板との間に位置する電極については、電解質溶液層２０５による表示を観察可能とするために、光透過性材料によって形成されている。このような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、亜鉛、錫、インジウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステンの酸化物、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＮｂ2Ｏ6のようなペロブスカイト、あるいはこれらの複合酸化物または酸化物混合物、ＧａＮ、等を用いることができる。また、表示部とならない基板に形成された電極は、光透過性材料で形成する必要はなく、任意の導電性材料を用いることができる。表示部とならない基板に形成された電極として光反射率が高い材料、例えばＡｌ、Ａｇ等を用い、表示部となる基板に形成された電極に光透過性の高い導電材料を用いることにより、表示素子の発光表示をより明るく、かつ鮮明に行うことが可能となる。
【００２７】
上記構成の表示素子Ｌi,jの第１の電極２０３と第２の電極２０４には、電源回路２１０が接続されている。電源回路２１０は、対向電圧発生回路２１１と、信号電圧発生回路２１２と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の電極２０３と第２の電極２０４の電極との間に電圧波形が台形波形となるように電圧を印加する回路である。
【００２８】
対向電圧発生回路２１１は第１の電極２０３に接続されており、第１の電極２０３に交流電圧を矩形波モードで印加する回路である。信号電圧発生回路２１２は第２の電極２０４に接続されており、第２の電極２０４に交流電圧を矩形波モードで印加するものである。このため、対向電圧発生回路２１１によって発生させた交流電圧と信号電圧発生回路２１２によって発生させた交流電圧の差分の交流電圧が第１の電極２０３と第２の電極２０４との間に印加されるようになっている。この交流電圧の印加により、第１の電極２０３および第２の電極２０４の近傍で交互にＥＣＬ材料の発光分子である相異なる極性のラジカル種（アニオンラジカル、カチオンラジカル）が発生し、発生したアニオンラジカルとカチオンラジカルが会合消失して励起されたＥＣＬ材料が生成および失活することにより発光する。このような電圧の印加が継続的になされない場合、非発光状態となる。
【００２９】
なお、本実施の形態では、第１の電極２０３と第２の電極２０４との間に交流電圧を印加しているが、第１の電極２０３と第２の電極２０４との間に直流電圧が印加されるように、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２を構成してもよい。直流電圧の印加により、第１の電極２０３と第２の電極２０４から相異なる極性のラジカル種であるアニオンラジカルとカチオンラジカルが発生し、発生したアニオンラジカルとカチオンラジカルが会合消失して励起されたＥＣＬ材料が生成および失活することにより発光する。
【００３０】
スイッチング素子２１４は、第２の電極２０４と信号電圧発生回路２１２の接続と、第２の電極２０４とアースへの接続とを切り替えるものである。すなわち、スイッチング素子２１４を図１の右側に切り替えた場合には、第１の電極２０３と第２の電極２０４の間の電圧は０となり、スイッチング素子２１４を図１の左側に切り替えた場合には、第１の電極２０３と第２の電極２０４の間に電圧が印加されるように切り替えられる。
【００３１】
可変抵抗２１３は、信号電圧発生回路２１２から発生する矩形波モードの交流電圧を徐々に電圧が増加する三角波モードで第２の電極２０４に印加するものである。また、可変抵抗２１３により抵抗値を可変とすることで、三角波の勾配を任意に変化させることができるようになっている。
【００３２】
すなわち、例えば図４に示すように、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第２の電極２０４に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間（ｔ１）だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させることとしている。そして、本実施の形態では、さらに、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間（ｔ２）だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間（ｔ３）に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加する電圧に抵抗を与えている。そして、このような台形波形の電圧を、交互に極性を変えて印加することで台形波形の交流電圧を第２の電極２０４に印加することとしている。このように本実施の形態にかかる電源回路２１０では、この可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、第１の電極２０３と第２の電極２０４との間に一周期の電圧波形が極性が異なる２つの台形波となるように一定周期ごとに繰り返して電圧を印加している。また、上述の台形波形の電圧を極性を変えずに繰り返し印加することにより、台形波形の直流電圧を第２の電極２０４に印加することとしている。
【００３３】
このように電源回路２１０によって表示素子Ｌi,jの発光時に三角波モードで電圧を印加することによりピーク電流が流れず、効率的な酸化・還元サイクルが実現され、定電圧駆動することにより、表示素子Ｌi,jによる高輝度の発光を長時間維持することができる。
【００３４】
このように本実施の形態では、第１の電極２０３と第２の電極２０４の間に対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２によって交流電圧を印加し、この交流電圧を、可変抵抗２１３によって台形波形とさせているが、当該電圧の波形が台形波となるものであれば、可変抵抗２１３以外の回路または回路素子を用いることもできる。図２は、第１の電極２０３と第２の電極２０４の間の電圧の波形を台形波とするために、ローパスフィルタ３１３（ＬＰＦ：Low Pass Filter）を用いた例を示す回路図である。
【００３５】
また、本実施の形態の表示素子Ｌi,jでは、第２の電極２０４を単一の構成としているが、この他、第２の電極２０４を複数部分に分割して、表示素子Ｌi,jをセグメント型の表示素子Ｌi,jとして構成してもよい。図３は、第２の電極２０４を複数部分に分割した場合の表示素子Ｌi,jの構造と駆動部の回路構成を示す説明図である。かかる例では、図３に示すように、第２の電極は、複数の電極部２０４ａ〜２０４ｎに分割された構成となっており、さらにこれに対応して複数のスイッチング素子２１４ａ〜２１４ｎのそれぞれを信号電圧発生回路２１２と各電極部２０４ａ〜２０４ｎに接続した構成となっている。
【００３６】
各スイッチング素子２１４ａ〜２１４ｎは、それぞれに接続された第２の電極としての電極部２０４ａ〜２０４ｎと信号電圧発生回路２１２の接続と、電極部２０４ａ〜２０４ｎとアースへの接続とを切り替える。従って、スイッチング素子２１４ａ〜２１４ｎを図３の右側に切り替えた場合には、第１の電極２０３と電極部２０４ａ〜ｎの間の電圧は０となり、スイッチング素子２１４ａ〜２１４ｎのそれぞれを図３の左側に切り替えた場合には、第１の電極２０３と各電極２０４ａ〜２０４ｎの間に電圧が印加されるように切り替えられる。
【００３７】
次に、電源回路２１０により表示素子Ｌi,jの第１の電極２０３と第２の電極２０４の間に印加される電圧波形について説明する。図４は、実施の形態１にかかる表示装置の表示素子Ｌi,jに印加される交流電圧の波形を示す説明図である。図５は、実施の形態１にかかる表示装置の表示素子Ｌi,jに印加される直流電圧の波形を示す説明図である。一方、図６−１は従来の表示装置の表示素子Ｌi,jに印加される交流電圧の波形を示す説明図であり、図６−２は従来の表示装置の表示素子Ｌi,jに印加される直流電圧の波形を示す説明図である。図４、図５、図６−１および図６−２ではいずれも、横軸は時間を示し、縦軸は電圧の値（Ｖ）を示している。
【００３８】
表示素子Ｌi,jに対して図６−１に示すような極性が異なった矩形波形となる交流電圧を印加する従来の表示装置に対して、実施の形態１にかかる表示装置では、電源回路２１０によって表示素子Ｌi,jに対して図４に示すように、一周期で互いに極性の異なる台形波が現れる波形となる交流電圧を繰り返し印加している。また、表示素子Ｌi,jに対して図６−２に示すような矩形波形となる直流電圧を印加する従来の表示装置に対して、実施の形態１にかかる表示装置では、電源回路２１０によって表示素子Ｌi,jに対して図５に示すような極性が同一の台形波形となる直流電圧を繰り返し印加してもよい。従来の表示装置にように矩形波形の電圧を印加した場合には、表示素子Ｌi,jに流れる電流値には充電電流のピークが観測されるが、本実施の形態の表示装置における台形波形の勾配はこの充電電流のピークが現れなくなるほど緩やかであることが好ましい。
【００３９】
図７は、実施の形態１にかかる表示装置と従来の表示装置における表示素子Ｌi,jの発光の状態の比較を示す説明図である。図７において横軸は時間を示し、縦軸は表示素子の輝度を示している。また、図７において、曲線６０１が本実施の形態における表示素子Ｌi,jの発光の状態（輝度の変化）を示し、曲線６０２が従来の表示装置における表示素子Ｌi,jの発光の状態（輝度の変化）を示している。図７からわかるように、本実施の形態（曲線６０１）では、表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置（曲線６０２）のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【００４０】
次に、上述した実施の形態１にかかる表示素子Ｌi,jを有する表示装置の画素の配列の構成について説明する。図２７は、実施の形態１にかかる表示素子Ｌi,jを有する表示装置の画素の配列の一部（２×２部分）を示す平面図である。実施の形態１に係る表示装置は、図２７に示すように、垂直方向（列方向）に走行する複数の信号配線Ｂ１j，Ｂ１j+1，・・・・・と、この複数の信号配線Ｂ１j，Ｂ１j+1，・・・・・に対し直交する水平方向（行方向）に伸延する複数の走査配線Ｗ１i，Ｗ１i+1，・・・・・により構成されたマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘi,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。更に、信号配線Ｂ１j，Ｂ１j+1，・・・・・と平行して、電源配線Ｐ１j，Ｐ１j+1，・・・・・が走行している。
【００４１】
図２７に示すように、信号配線Ｂ１jには書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１i,jの第１端子が接続され、走査配線Ｗ１iには書き込みトランジスタＱ１i,jの制御端子が接続されている。書き込みトランジスタＱ１i,jの第２端子には、駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２i,jの制御端子と補助容量Ｃ１i,jの一方の端子が接続されている。駆動トランジスタＱ２i,jの第１端子は電源配線Ｐ１jに接続され、駆動トランジスタＱ２i,jの第２端子は表示セルＬi,jに接続されている。補助容量Ｃ１i,jの他方の端子は接地されている。「第１端子」とは、バイポーラトランジスタ（ＢＪＴ）においてエミッタ端子又はコレクタ端子のいずれか一方となる端子を意味する。電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）や静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）においてはソース端子又はドレイン端子のいずれか一方となる端子を意味する。「第２端子」とは、ＢＪＴ等においては上記第１端子とはならないエミッタ端子又はコレクタ端子のいずれか一方となる端子、ＦＥＴ，ＳＩＴにおいては上記第１端子とはならないソース端子又はドレイン端子のいずれか一方となる端子を意味する。即ち、第１端子が、エミッタ端子であれば、第２端子はコレクタ端子であり、第１端子がソース端子であれば、第２端子はドレイン端子である。又、「制御端子」とは第１端子及び第２端子の間を流れる電流を制御する端子、ショットキー接合端子、絶縁ゲート構造の端子又は構造を意味する。例えば、ＦＥＴ，ＳＩＴでは、ゲート端子、若しくはゲート構造を意味し、ＢＪＴではベース端子を意味する。一般にＴＦＴ等では、第１端子及び第２端子とは対称構造であるので、どちらをソース端子又はドレイン端子と呼ぶか、或いはどちらをエミッタ端子又はコレクタ端子と呼ぶかは単なる選択の問題である。
【００４２】
更に、信号配線Ｂ１jには書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１i+1,jの第１端子が接続され、走査配線Ｗ１i+1には書き込みトランジスタＱ１i+1,jの制御端子が接続されている。書き込みトランジスタＱ１i+1,jの第２端子には、駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２i+1,jの制御端子と補助容量Ｃ１i+1,jの一方の端子が接続されている。駆動トランジスタＱ２i+1,jの第１端子は電源配線Ｐ１jに接続され、駆動トランジスタＱ２i+1,jの第２端子は表示セルＬi+1,jに接続されている。補助容量Ｃ１i+1,jの他方の端子は接地されている。
【００４３】
又、信号配線Ｂ１j+1には書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１i,j+1の第１端子が接続され、走査配線Ｗ１iには書き込みトランジスタＱ１i,j+1の制御端子が接続されている。書き込みトランジスタＱ１i,j+1の第２端子には、駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２i,j+1の制御端子と補助容量Ｃ１i,j+1の一方の端子が接続されている。駆動トランジスタＱ２i,j+1の第１端子は電源配線Ｐ１j+1に接続され、駆動トランジスタＱ２i,j+1の第２端子は表示セルＬi,j+1に接続されている。補助容量Ｃ１i,j+1の他方の端子は接地されている。
【００４４】
更に、信号配線Ｂ１j+1には書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１i+1,j+1の第１端子が接続され、走査配線Ｗ１i+1には書き込みトランジスタＱ１i+1,j+1の制御端子が接続されている。書き込みトランジスタＱ１i+1,j+1の第２端子には、駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２i+1,j+1の制御端子と補助容量Ｃ１i+1,j+1の一方の端子が接続されている。駆動トランジスタＱ２i+1,j+1の第１端子は電源配線Ｐ１j+1に接続され、駆動トランジスタＱ２i+1,j+1の第２端子は表示セルＬi+1,j+1に接続されている。補助容量Ｃ１i+1,j+1の他方の端子は接地されている。
【００４５】
書き込みトランジスタＱ１i,j，Ｑ１i+1,j，Ｑ１i,j+1，Ｑ１i+1,j+1、駆動トランジスタＱ２i,j，Ｑ２i+1,j，Ｑ２i,j+1，Ｑ２i+1,j+1は、ＬＣＤや有機ＥＬに使用されているアクティブマトリクス基板に用いられているＴＦＴを用いれば良い。
走査配線Ｗ１i，Ｗ１i+1，・・・・・と信号配線Ｂ１j，Ｂ１j+1，・・・・・を同期させて電圧を印加し、書き込みトランジスタＱ１i,j，Ｑ１i+1,j，Ｑ１i,j+1，Ｑ１i+1,j+1、・・・・・から表示信号を補助容量Ｃ１i,j，Ｃ１i+1,j，Ｃ１i,j+1，Ｃ１i+1,j+1、・・・・・に蓄積させる。この補助容量Ｃ１i,j，Ｃ１i+1,j，Ｃ１i,j+1，Ｃ１i+1,j+1、・・・・・の表示信号の電荷量により、駆動トランジスタＱ２i,j，Ｑ２i+1,j，Ｑ２i,j+1，Ｑ２i+1,j+1、・・・・・は、表示セルＬi,j，Ｌi+1,j，Ｌi,j+1，Ｌi+1,j+1に流す電流量を制御できる。
【００４６】
（実施の形態２）
実施の形態１にかかる表示装置は、表示素子の電解質溶液層により発光表示のみを行うものであったが、この実施の形態２にかかる表示装置は、表示素子の第１層により発光表示を行い、表示素子の第２層により反射表示を行うものである。
【００４７】
本実施の形態にかかる表示装置では、画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jの構造が実施の形態１の構造と異なっている。図８は、実施の形態２に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造の一例を示す模式的な断面図である。ここで、ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数である。
【００４８】
図８に示すように、それぞれの画素（ピクセル）Ｘi,jは、電気化学発光材料（ＥＣＬ材料）を含む第１層８０６と、この第１層８０６の少なくとも一部と対向配置され、エレクトロクロミック材料を含む第２層８０７と、第１層８０６に電圧を印加し、電気化学発光材料の電気化学的発光をさせる第１電圧印加部（８０３，８０４，ＶECL）と、エレクトロクロミック材料（ＥＣ材料）に電圧を印加し、エレクトロクロミック材料を変色させる第２電圧印加部（８０３，８０４，８０５，Ｅ１，Ｅ２）と、第１電圧印加部（８０３，８０４，ＶECL）と第２電圧印加部（８０３，８０４，８０５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換部（Ｓ１，Ｓ２）とを備えている。即ち、画素（ピクセル）Ｘi,jの表示セルＬi,jは、第１基板８０１を備え、この第１基板８０１上には、互いに電気的に分離された第１の第１基板側電極（第１ＥＣＬ側電極）８０３及び第２の第１基板側電極（第２ＥＣＬ側電極）８０４が設けられている。第１基板８０１に離間対向して第２基板８０２が設けられ、第２基板上８０２には、第２基板側電極（ＥＣ側電極）８０５が設けられている。第１の第１基板側電極８０３は、後述する図２８に示す第１駆動トランジスタＱ２i,jの第２端子に接続され、第２の第１基板側電極８０４は、図２８に示した第２駆動トランジスタＱ４i,jの第２端子に接続されている。
【００４９】
第１層８０６には、実施の形態１にかかる表示装置の電解溶液層と同様に、電圧の印加によりＥＣＬ材料、若しくは他の材料が電気化学的な酸化若しくは還元され、発生した酸化体（カチオンラジカル）と還元体（アニオンラジカル）が衝突することによって励起された発光材料が失活する際に発光する発光材料、つまり電気化学発光（ＥＣＬ）を示す材料が含まれる。ＥＣＬは、ＥＣＬ材料、若しくは他の材料が電圧の印加により、電極、又は電極とＥＣ膜近傍で酸化されてカチオンラジカル、還元されてアニオンラジカルとなり、この両者が会合消失する際に、ＥＣＬ材料の励起状態が生成しその失活過程において発光する。これにより発光表示を行う。
【００５０】
第１層８０６は、ＥＣＬ材料及び電解質を含む。ＥＣＬ材料としては、キレート金属錯体（ルテニウムビピリジル錯体）であるトリス(2,2'-ビピラジル)ルテニウム(II)[Ru(bpy)3]2+等や、
【化１】
2007139899.tif 000003
【００５１】
多環芳香族化合物である、ナフタセン誘導体（式［II］に示すようなルブレン、式［IV］に示すような５，１２−ジフェニルナフタセン）、式［III］に示すようなアントラセン誘導体（９，１０−ジフェニルアントラセン）、ペンタセン誘導体（６，１０−ジフェニルペンタセン）、式［V］に示すようなペリフランテン誘導体（ジベンゾテトラ（メチルフェニル）ペリフランテン）等や、
【化２】
2007139899.tif 000004
【化３】
2007139899.tif 000005
【００５２】
π電子共役高分子である、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等や、ヘテロ芳香族化合物であるクマリン等や、有機金属化合物であるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等や、キレートランタノイド錯体などがあげられる。
【化４】
2007139899.tif 000006
【化５】
2007139899.tif 000007
【化６】
2007139899.tif 000008
【００５３】
ここで、式 [VII]〜[XIV]中のＲ１及びＲ２としては、それぞれ水素、炭素数が２４個までのアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基、炭素数が６〜１８個のアリール基、アリールオキシ基又はアラルキル基等がある。
【００５４】
電解質は、溶媒（液体電解質として第１層８０６を液体層とする場合）、若しくはこの溶媒で膨潤したゲル状の高分子（固体電解質として第１層８０６を固体層とする場合）と、これに溶解した支持塩とを有し、支持塩は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Tetrabutylammonium perchlorate）、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホン酸（Lithium trifluoromethanesulfonate）、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン(tripropyl amine）、ホウフッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム（tetra-n-butylammonium fluoroborate）等があげられる。
【００５５】
又、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２ジメトキシエタン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)、２−メチルテトラヒドロフラン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド等からなる単一溶媒又は混合溶媒があげられる。
【００５６】
又、ゲル状の高分子としては、ポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）の共重合体、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等があげられる。
【００５７】
この第１層８０６を液体層とする場合は、上述の溶媒に支持塩及びＥＣＬ材料を溶解させて用いれば良く、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４を形成した第１基板８０１と、第２基板側電極８０５と第２層８０７とを積層した第２基板８０２との間に注入すれば良い。又、第１層８０６を固体層とする場合は、支持塩と溶媒を含むゲル状高分子の溶液（溶媒多め）を塗布・乾燥で形成すれば良い。
【００５８】
次に第２層８０７には、電圧の印加により電気化学的な酸化若しくは還元反応が生じ、変色する発色材料、つまり、エレクトロクロミック（ＥＣ）現象を示す材料が含まれる。ＥＣ現象は、ＥＣ材料が還元されることにより発色若しくは消色し、酸化されることにより消色若しくは発色する。この際、第１層８０６に含まれる、電解質、若しくはＥＣ材料のＥＣ反応に係わるイオンを含む電解質がこのＥＣ反応に必須である。例えば、ＥＣ材料としての酸化タングステン（Ｗ1Ｏ3）にあっては、酸化反応により消色されて透明となり、還元反応により発色されて青色となる。尚、使用するＥＣ材料によって、ＥＣＬ材料を含む第１層（ＥＣＬ・電解質層）６中のイオンもこの反射表示のＥＣ（酸化・還元）反応に係わる。ＥＣＬ材料として例えば、Ｗ1Ｏ3からなる第２層（ＥＣ層）７を適用した場合、ＥＣＬ材料を含む第１層（電解質層）６中にＬｉ+を含むもの（支持塩としてはリチウム塩複合体（ＬｉＣＦ3ＳＯ3等）を使用する。この場合、（１）式のようなＥＣ反応が起こる。
【００５９】
Ｗ1Ｏ3＋ｘｅ-＋ｘＬｉ+  ⇔  ＬｉxＷ1Ｏ3    ・・・・・（１）
（１）式の左矢印で示される酸化反応では消色（透明）、（１）式の右矢印で示される還元反応では発色（青色）する。このようなＥＣ現象の特性が利用されて、反射表示される。第２層８０７に用いるＥＣ材料としては、無機材料である、酸化マンガン（ＭｎＯ2）、オキシ水酸化コバルト（ＣｏＯＯＨ）、オキシ水酸化ニッケル（ＮｉＯＯＨ）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化ロジウム（Ｒｈ2Ｏ3）、酸化イリジウム（ＩｒＯx）、プルシアンブルー、酸化タングステン（Ｗ1Ｏ3）、酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、沃化銀（ＡｇＩ）等が使用可能である。
【００６０】
又、低分子有機材料である、ビオロゲン系有機材料がＥＣ材料として使用可能である。
【化７】
2007139899.tif 000009
【００６１】
更に他の低分子有機材料としては、オルソクロラニル、４−ベンゾイルピリジウム誘導体、ルテニウムートリス、ルテニウムービス、オスミウムートリス、オスミウムーピス型の遷移金属錯体（式［XVI］参照。）、多核錯体、又はルテニウムーシスージアクアービピリシル錯体、又はフタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、ポルフィリン色素、ペリレン色素、アントラキノン色素、アゾ色素、キノフタロン色素、ナフトキノン色素、シアニン色素、メロシアニン色素、ジフタロシアニン錯体、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレニリデンマロノニトリル、テトラシアノキノジメタン等がＥＣ材料として使用可能である。
【００６２】
更に、式［XVII］〜［XXIV］に示すような導電性高分子である、ポリピロール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリアズレン誘導体、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ−メチルイソインドール）、ポリ（ジチエノ［３，４−ｂ：３’，４’−ｄ］チオフェン）、ポリジアリルアミン誘導体、ポリピロロピロール誘導体、Ｒｕ錯体系導電性高分子等がＥＣ材料としてあげられるが、これらに限定されるものではない。
【化８】
2007139899.tif 000010
【化９】
2007139899.tif 000011
【００６３】
ここで、式 [XVI], [XVIII], [XIX], [XXII], [XXIII]中のＲ１及びＲ２としては、それぞれ水素、炭素数が２４個までのアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基、炭素数が６〜１８個のアリール基、アリールオキシ基又はアラルキル基等がある。
【００６４】
第２層８０７として無機材料を用いる場合は、蒸着、スパッタ、気相成長、ゾルゲル法や微粒子焼結、又は前駆体である過酸化ポリ酸溶液の塗布・乾燥で成膜する。又、低分子有機材料を用いる場合は、蒸着、塗布・乾燥（溶液化して）する。又、導電性高分子では、塗布・乾燥（溶液化して）や電解重合）する。これらにより固体層ができる。
【００６５】
次に図８に示す実施の形態２に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造に対応する等価回路について説明する。図８において、第１の第１基板側電極８０３と第１層（電解質層）８０６との界面には、この界面でのイオン移動過程の界面インピーダンスを示す界面抵抗Ｒ1c1と界面容量Ｃ1c1との並列回路が示されている。同様に、第２の第１基板側電極８０４と第１層（電解質層）８０６との界面には、この界面でのイオン移動過程の界面インピーダンスを示す界面抵抗Ｒ1c2と界面容量Ｃ1c2との並列回路が示されている。図８〜図１１に示す第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極側の界面インピーダンスは、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４中のホスト格子の酸化還元反応、即ち、ホスト格子と第１層（電解質層）８０６との間の電子授受と酸化還元反応の伝搬のための電子のホスト格子中の移動を伴うと考えられる。したがって、表示セルＬi,jの反応の進行には（１）式で示したような、界面を横切るＬｉ+の移動、ホスト格子の再配列とその伝搬、電子のホスト格子内での移動、Ｌｉ+の界面での移動の各反応ステップを表していると考えられる。
【００６６】
界面抵抗Ｒ1c1と界面容量Ｃ1c1との並列回路に接続される抵抗ＲECL1は、第１層（電解質層）８０６中での抵抗成分を示し、界面抵抗Ｒ1c2と界面容量Ｃ1c2との並列回路に接続される抵抗ＲECL2も第１層（電解質層）８０６中での抵抗成分を示す。
【００６７】
抵抗ＲECL1に接続される界面抵抗Ｒ2c1と界面容量Ｃ2c1との並列回路は、第１層（電解質層）８０６と第２層（ＥＣ層）８０７との界面でのイオン移動過程の界面インピーダンスを示す。同様に、抵抗ＲECL2に接続される界面抵抗Ｒ2c2と界面容量Ｃ2c2との並列回路も第１層（電解質層）８０６と第２層（ＥＣ層）８０７との界面でのイオン移動過程の界面インピーダンスを示す。
【００６８】
界面抵抗Ｒ2c1と界面容量Ｃ2c1との並列回路に接続される抵抗ＲEC1は、第２層（ＥＣ層）８０７中での抵抗成分を示し、界面抵抗Ｒ2c2と界面容量Ｃ2c2との並列回路に接続される抵抗ＲEC2も第２層（ＥＣ層）８０７中での抵抗成分を示す。抵抗ＲEC1と抵抗ＲEC2とを接続する抵抗ＲGは、第２基板側電極８０５の抵抗である。
【００６９】
図９では、図８に示した抵抗ＲECL1に接続される界面抵抗Ｒ2c1と界面容量Ｃ2c1との並列回路は、及び抵抗ＲECL2に接続される界面抵抗Ｒ2c2と界面容量Ｃ2c2との並列回路が省略され、第２層（ＥＣ層）８０７中での抵抗成分ＲECで単純化して示している。発光表示は、図８の等価回路からなるＥＣＬ反応と図９の等価回路からなるＥＣＬ反応が協奏的に生じると考えられる。図８と図９の反応のどちらが支配的かは、構成する部材によって決定される。
【００７０】
実施の形態２に係る表示装置においても実施の形態１と同様、図８、９に示すように第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４がスイッチング素子Ｓ１を介して交流電源回路ＶECL２１０に接続され、第１の電圧印加部（８０３，８０４，ＶECL２１０）を構成している。
【００７１】
ここで、交流電源回路ＶECL２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と、信号電圧発生回路２１２と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に、電圧波形が図４に示す台形波形となるように交流電圧を印加する電源回路である。
【００７２】
より具体的には、対向電圧発生回路２１１は第１の第１基板側電極８０３に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第２の第１基板側電極８０４に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を交互に極性が異なる台形波となるように繰り返すことにより、台形波の交流電圧を印加している。
【００７３】
このように、交流電源回路ＶECL２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図４に示すように第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して交流電圧を印加している。
【００７４】
なお、本実施の形態の交流電源回路ＶECL２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１の第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第２の第１基板側電極８０４に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第１基板側電極８０３に接続した構成としてもよい。
【００７５】
また、本実施の形態では、交流電源回路ＶECL２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【００７６】
ここで、図８、９に示す表示素子Ｌi,jは、第１基板８０１の側から画素Ｘi,jの内部状態が観察される場合の構造であり、第１基板８０１を透明材料で構成し、且つ第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４は、好ましくは、略透明材料で構成される。
【００７７】
これに対して、図１０に示す表示素子Ｌi,jは、第２基板８０２の側から画素Ｘi,jの内部状態が観察される場合であり、第２基板８０２及び第２基板側電極８０５が透明材料で構成され、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４、或いは第１基板８０１が反射層として機能するか、若しくは別途反射層を設ける。第１基板８０１は通常、表示装置の観察面となる部分であるから、第１基板８０１は光透過性材料で形成する。そのような光透過性材料として、好ましくは可視光領域で吸収が少ない材料、例えばガラス等の無機材料、及び光透過性樹脂等の有機性材料が良く、具体的には例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等をあげることができる。第２基板８０２は、光透過性の必要がないが、通常、第１基板８０１と同様な材料で形成するのが一般的である。かかる材質の点以外の構造については、図９に示す表示素子Ｌi,jと同様である。
【００７８】
また、図１１に示すように、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に直流電圧が印加されるように対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２を構成した直流電源回路２１０を接続してもよい。ここで、直流電源回路２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２とからなる直流電源ＥECLと、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に、電圧波形が図５に示すような台形波形となるように直流電圧を印加する電源回路である。
【００７９】
より具体的には、対向電圧発生回路２１１は第１の第１基板側電極８０３に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた直流電圧を第２の第１基板側電極８０４に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を極性を変えずに繰り返すことにより、台形波の直流電圧を印加している。
【００８０】
このように、直流電源回路２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４との間に一周期の電圧波形が図５に示すような台形波となるように一定周期ごとに繰り返して直流電圧を印加している。
【００８１】
以上、実施の形態２にかかる表示装置では、図８、９に示すような表示素子を用いることにより、利用者は、発光表示或いは反射表示を選択することができる。即ち、利用者は、使用環境に応じていずれかの表示を選択指示することができる。このスイッチの指示情報に応じて、交流電源回路ＶECL２１０（または直流電源回路２１０）及び互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２が切り替えられて、所定の電圧が第１の第１基板側電極８０３，第２の第１基板側電極８０４及び第２基板側電極８０５に印加され、発光表示或いは反射表示で画素Ｘi,jの内部状態が表示される。
【００８２】
また、実施の形態２にかかる表示装置では、交流電源回路ＶECL２１０、直流電源回路２１０によって表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【００８３】
（実施の形態３）
実施の形態２にかかる表示装置は、第１基板８０１上に第１基板側電極が２個設けられていたが、実施の形態３にかかる表示装置は、図１２に示すように第１基板８０１上に単一の第１基板側電極が設けられたものである。
【００８４】
図１２は、実施の形態３に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。実施の形態３に係る表示装置については、実施の形態２と異なる点のみ説明し、同様な点については図面に同一の符号を付してその説明を省略する。
【００８５】
実施の形態１の表示素子Ｌi,jで実現する反射／発光の表示は、ＥＣＬ反応とＥＣ反応の反応に必要な実効電圧（電位）や反応速度の違いによって切り替え可能になっていると考えられる。これに対し、実施の形態３に係る表示装置においては、図１２に示すように第１基板８０１上に第１基板側電極８０３のみが設けられた構造である。
【００８６】
実施の形態３に係る表示装置では、図１２に示すように第１基板側電極（ＥＣＬ側電極）８０３と第２基板側電極（ＥＣ側電極）８０５がスイッチング素子Ｓ３を介して交流電源回路Ｖ３に接続され、第１の電圧印加部（８０３，８０５，Ｖ３）を構成している。更に、第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電圧印加部（８０３，８０５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。
【００８７】
スイッチング素子Ｓ３とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電圧印加部（８０３，８０５，Ｖ３  ２１０）と第２の電圧印加部（８０３，８０５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる役割を担っている。
【００８８】
図１２に示す構造において、発光表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を開放し、スイッチング素子Ｓ３を閉じて、第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５間に、ＥＣ反応が追随できない周波数で交流電圧を印加すれば、第１層６で発光が観測される。
【００８９】
又、反射表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を閉じ、スイッチング素子Ｓ３を開放して、第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５間に互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、この間に、ＥＣ反応が生じる電圧（電位）が印加され、第２層８０７で発色・消色が観測される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電圧の極性を変えると、第２層８０７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板８０１の側から観察される。この反射表示駆動時に、第２層８０７／第１層８０６においてＥＣＬ・電解質層／ＥＣ層界面で電気２重層が形成され、第２層８０７が第１層８０６からのイオンの出入りだけではなく、ＥＣＬ材料が酸化還元される場合（発光表示の誤動作の可能性）があるが、第２層８０７の実効電圧（電位）降下等によりＥＣ反応に適正な電圧（電位）や電流を制御することによって良好な反射表示が可能となる。
【００９０】
本実施の形態においては、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第１基板側電極８０３に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、図４に示す第１の期間（ｔ１）だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間（ｔ２）だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間（ｔ３）に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を交互に極性が異なる台形波となるように繰り返すことにより、台形波の交流電圧を印加している。
【００９１】
このように、交流電源回路Ｖ３  ２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５との間に一周期の電圧波形が図４に示す台形波となるように一定周期ごとに繰り返して交流電圧を印加している。
【００９２】
なお、本実施の形態の交流電源回路Ｖ３  ２１０では、対向電圧発生回路２１１を第２基板側電極８０５に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２基板側電極８０５に接続した構成としてもよい。
【００９３】
また、本実施の形態では、交流電源回路Ｖ３  ２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【００９４】
また、本実施の形態では、交流電源回路Ｖ３  ２１０により第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５の間に交流電圧を印加しているが、第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５の間に、電圧波形は図５に示すような台形波形の直流電圧が印加されるように、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２を構成してもよい。
【００９５】
このように実施の形態３に係る表示装置によれば、実施の形態２と比較して、簡易な構造で反射・発光表示を実現できる。
【００９６】
また、実施の形態３にかかる表示装置では、交流電源回路Ｖ３  ２１０によって表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【００９７】
（実施の形態４）
実施の形態４にかかる表示装置は、表示素子の構造において、中間電極、電解質層をさらに含むものである。本実施の形態にかかる表示装置では、画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jの構造が実施の形態１の構造と異なっている。
【００９８】
図１３，１４は、実施の形態４に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jとなる表示素子Ｌi,jを概略的に示す断面図である。実施の形態４に係る表示装置については、実施の形態２と異なる点のみ説明し、同様な点については図面に同一の符号を付してその説明を省略する。
【００９９】
図１３，１４のように、実施の形態４に係る表示装置の表示素子Ｌi,jは、第２層８０７と第１層８０６間に、透明な中間電極８１１と電解質層８１２を設けている。中間電極８１１は表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｂ１ａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＮｂ2Ｏ6のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。
【０１００】
電解質層８１２の材料としては、溶媒（液体電解質として第１層８０６を液体層とする場合）、若しくはこの溶媒で膨潤したゲル状の高分子（固体電解質として第１層８０６を固体層とする場合）と、これに溶解した支持塩とを有し、支持塩は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Tetrabutylammonium perchlorate）、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホン酸（Lithium trifluoromethanesulfonate）、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン(tripropyl amine）、ホウフッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム（tetra-n-butylammonium fluoroborate）等があげられる。
【０１０１】
又、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２ジメトキシエタン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)、２−メチルテトラヒドロフラン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド、等からなる単一溶媒又は混合溶媒があげられる。
【０１０２】
又、ゲル状の高分子としては、ポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）の共重合体、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等が使用可能である。
【０１０３】
発光表示は第１の第１基板側電極（第１ＥＣＬ側電極）８０３と第２の第１基板側電極（第２ＥＣＬ側電極）８０４間に交流電圧を印加することによって行う。
【０１０４】
実施の形態４に係る表示装置では、図１３に示すように第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４がスイッチング素子Ｓ４を介して交流電源回路ＶECL２１０に接続され、第１の電圧印加部（８０３，８０４，ＶECL２１０）を構成している。スイッチング素子Ｓ４とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電圧印加部（８０３，８０４，ＶECL２１０）と第２の電圧印加部（８１１，８０５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる役割を担っている。
【０１０５】
図１３に示す構造においては、発光表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極８１１及び第２基板側電極（ＥＣ側電極）８０５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ４が閉じて、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４が交流電源回路ＶECL２１０に接続される。したがって、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４間（中間電極８１１を介した）に交流電圧が生じ、この電圧によって発光材料を含む第１層８０６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘi,jの第１基板８０１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板８０１の側から観察される。この交流電源回路ＶECL２１０からの電圧印加が止められれば、第１層８０６が発光せず、画素Ｘi,jの背景色、例えば、黒色が表示される。
【０１０６】
ここで、交流電源回路ＶECL２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と、信号電圧発生回路２１２と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に、電圧波形が図４に示す台形波形となるように交流電圧を印加する電源回路である。
【０１０７】
より具体的には、対向電圧発生回路２１１は第１の第１基板側電極８０３に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第２の第１基板側電極８０４に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、図４に示す第１の期間（ｔ１）だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間（ｔ２）だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間（ｔ３）に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を交互に極性が異なる台形波となるように繰り返すことにより、台形波の交流電圧を印加している。
【０１０８】
このように、交流電源回路ＶECL２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４との間に一周期の電圧波形が図４に示す台形波となるように一定周期ごとに繰り返して交流電圧を印加している。
【０１０９】
なお、本実施の形態の交流電源回路ＶECL２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１の第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第２の第１基板側電極８０４に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第１基板側電極８０３に接続した構成としてもよい。
【０１１０】
また、本実施の形態では、交流電源回路ＶECL２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０１１１】
また、本実施の形態では、交流電源回路ＶECL２１０により第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に交流電圧を印加しているが、図１４に示すように第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に、電圧波形が図５に示す台形波形となるような直流電圧が印加されるように、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２を有した直流電源回路２１０を構成してもよい。ここで、直流電源回路２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２とからなる直流電源ＥECLと、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に電圧波形が台形波形となるように直流電圧を印加する電源回路である。
【０１１２】
より具体的には、対向電圧発生回路２１１は第１の第１基板側電極８０３に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた直流電圧を第２の第１基板側電極８０４に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を極性を変えずに繰り返すことにより、台形波の直流電圧を印加している。
【０１１３】
このように、直流電源回路２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図５に示すように第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して直流電圧を印加している。
【０１１４】
なお、本実施の形態の直流電源回路２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１の第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第２の第１基板側電極８０４に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第１基板側電極８０３に接続した構成としてもよい。
【０１１５】
また、本実施の形態では、直流電源回路２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０１１６】
図１４の場合の発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極８１１及び第２基板側電極８０５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ４が閉じて、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４が直流電源回路２１０に接続される。したがって、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４間（中間電極８１１を介した）に直流電圧が生じ、この電圧によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。図１３と同様に、この画素Ｘi,jの第１基板８０１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板８０１の側から観察される。この直流電源回路２１０からの電圧印加が止められれば、第１層８０６が発光せず、画素Ｘi,jの背景色、例えば、黒色が表示される。
【０１１７】
反射表示においては、スイッチング素子Ｓ２が閉じて、中間電極８１１及び第２基板側電極８０５とが互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続される。したがって、中間電極８１１と第２基板側電極８０５との間に直流電圧が生じてＥＣ現象を示す材料を含む第２層８０７が着色或いは透明化される。その結果、第１基板８０１の外からは、着色された第２層８０７或いは透明化された第２層８０７を介して第２基板８０２が背景色として観察される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電圧の極性を変えると、第２層８０７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板８０１の側から観察される。
【０１１８】
このように実施の形態４に係る表示装置によれば、反射表示部と発光表示部が独立した系になり、誤動作を起こしにくくなる。
【０１１９】
また、実施の形態４にかかる表示装置では、交流電源回路ＶECL２１０または直流電源回路２１０によって表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【０１２０】
（実施の形態５）
実施の形態４にかかる表示装置は、第１基板側電極が第１基板８０１上に２個形成されていたが、実施の形態５にかかる表示装置は、第１基板８０１上に単一の第１基板側電極が設けられたものである。
【０１２１】
図１５，１６は、実施の形態５に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。実施の形態５に係る表示装置については、実施の形態４と異なる点のみ説明し、同様な点については図面に同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１２２】
本実施の形態にかかる表示素子Ｌi,jは、図１５，１６に示すように、第２層８０７と第１層８０６との間に、中間電極８１１と電解質層８１２を設けている点では、実施の形態４に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jと同様である。しかし、実施の形態３に係る表示装置と同様に、第１基板８０１上には、第１基板側電極（ＥＣＬ側電極）８０３のみが設けられた構造である点が、実施の形態４に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jとは異なる。
【０１２３】
中間電極８１１は表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｂ１ａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＮｂ2Ｏ6のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。電解質層８１２の材料としては、溶媒（液体電解質として第１層８０６を液体層とする場合）、若しくはこの溶媒で膨潤したゲル状の高分子（固体電解質として第１層８０６を固体層とする場合）と、これに溶解した支持塩とを有し、支持塩は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Tetrabutylammonium perchlorate）、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホン酸（Lithium trifluoromethanesulfonate）、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン(tripropyl amine）、ホウフッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム（tetra-n-butylammonium fluoroborate）等があげられる。
【０１２４】
又、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２ジメトキシエタン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)、２−メチルテトラヒドロフラン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド、等からなる単一溶媒又は混合溶媒があげられる。
【０１２５】
又、ゲル状の高分子としては、ポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）の共重合体、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等が使用可能である。
【０１２６】
実施の形態５に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jでは、図１５に示すように、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１が、スイッチング素子Ｓ５ｄを介して、直流電源回路２１０に接続されている。直流電源回路２１０は、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２とからなる直流電源ＥECL1および直流電源ＥECL2と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１基板側電極８０３と中間電極８１１の間に電圧波形が台形波形となるように直流電圧を印加する電源回路である。ここで、直流電源ＥECL1と直流電源ＥECL2とは互いに極性が異なっており、直流電源回路２１０、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１が、第１の電圧印加部（８０３，８１１，２１０）を構成している。
【０１２７】
スイッチング素子Ｓ５ｄとスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電圧印加部（８０３，８１１，２１０）と第２の電圧印加部（８１１，８０５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる役割を担っている。
【０１２８】
対向電圧発生回路２１１は第１基板側電極８０３に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して中間電極８１１に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた直流電圧を中間電極８１１に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を極性を変えずに繰り返すことにより、台形波の直流電圧を印加している。
【０１２９】
図１５に示す構造においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極８１１及び第２基板側電極（ＥＣ側電極）８０５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ５ｄがいずれかの極性に閉じて、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１が、極性の異なる直流電源ＥECL1及び直流電源ＥECL2のいずれかに接続される。したがって、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１間に直流電圧が生じ、この電圧によって発光材料を含む第１層８０６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘi,jの第１基板８０１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板８０１の側から観察される。この直流電源回路２１０からの電圧印加が止められれば、第１層８０６が発光せず、画素Ｘi,jの背景色、例えば、黒色が表示される。
【０１３０】
このように、直流電源回路２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図５に示すように第１基板側電極８０３と中間電極８１１との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して直流電圧を印加している。
【０１３１】
なお、本実施の形態の直流電源回路２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して中間電極８１１に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を中間電極８１１に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続した構成としてもよい。
【０１３２】
また、本実施の形態では、直流電源回路２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０１３３】
一方、図１６では、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１がスイッチング素子Ｓ５ａを介して交流電源回路ＶECL２１０に接続され、第１の電圧印加部（８０３，８１１，ＶECL２１０）を構成している。
【０１３４】
交流電源回路ＶECL２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と、信号電圧発生回路２１２と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１基板側電極８０３と中間電極８１１の間に、電圧波形が図４に示す台形波形となるように交流電圧を印加する電源回路である。
【０１３５】
より具体的には、対向電圧発生回路２１１は中間電極８１１に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第１基板側電極８０３に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を交互に極性が異なる台形波となるように繰り返すことにより、台形波の交流電圧を印加している。
【０１３６】
このように、交流電源回路ＶECL２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図４に示すように第１基板側電極８０３と中間電極８１１との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して交流電圧を印加している。
【０１３７】
なお、本実施の形態の交流電源回路ＶECL２１０では、対向電圧発生回路２１１を中間電極８１１に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して中間電極８１１に接続した構成としてもよい。
【０１３８】
このように実施の形態５に係る表示装置によれば、反射表示部と発光表示部が独立した系になり、実施の形態４と比較して、簡易な構造で反射・発光表示を実現できる。
【０１３９】
また、実施の形態５にかかる表示装置では、交流電源回路ＶECL２１０によって表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【０１４０】
（実施の形態６）
実施の形態６にかかる表示装置は、表示素子に電解質層と多孔質性電極をさらに設けたものである。 本実施の形態にかかる表示装置では、画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jの構造が実施の形態１の構造と異なっている。実施の形態６に係る表示装置については、実施の形態１と異なる点のみ説明し、同様な点については図面に同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１４１】
図１７，１８は、実施の形態６に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。本実施の形態にかかる表示素子Ｌi,jは、図１７，１８に示すように、第１基板８０１上に第１の第１基板側電極（第１ＥＣＬ側電極）８０３と第２の第１基板側電極（第２ＥＣＬ側電極）８０４が設けられている点では、実施の形態１と同様であるが、更に、第２層８０７と第１層８０６と間に、電解質層１２と、多孔質性電極、又は多孔質材料を含む多孔質電極（第１多孔質電極）８１６とを設けている点で実施の形態１とは異なっている。
【０１４２】
ここで、多孔質電極（第１多孔質電極）８１６は、多孔質電極（ＥＣ層側）と多孔質な絶縁膜（電解質側）からなる複合膜でも良い。多孔質電極（第１多孔質電極）８１６の孔径は、１ｎｍから１０００ｎｍの範囲、好ましくは１ｎｍから１００ｎｍの範囲とすれば良く、種々の導電体(ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ2等)が使用可能で、孔径がこれらの範囲にあれば、一様な孔形状や孔径である必要はない。多孔質電極（第１多孔質電極）８１６は表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｂ１ａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＮｂ2Ｏ6のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。
【０１４３】
電解質層８１２の材料としては、溶媒（液体電解質として第１層８０６を液体層とする場合）、若しくはこの溶媒で膨潤したゲル状の高分子（固体電解質として第１層８０６を固体層とする場合）と、これに溶解した支持塩とを有し、支持塩は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Tetrabutylammonium perchlorate）、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホン酸（Lithium trifluoromethanesulfonate）、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン(tripropyl amine）、ホウフッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム（tetra-n-butylammonium fluoroborate）等があげられる。
【０１４４】
又、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２ジメトキシエタン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)、２−メチルテトラヒドロフラン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド、等からなる単一溶媒又は混合溶媒があげられる。
【０１４５】
又、ゲル状の高分子としては、ポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）の共重合体、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等が使用可能である。
【０１４６】
実施の形態６に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jでは、図１７に示すように、第１基板側電極（第１ＥＣＬ側電極）８０３及び第１基板側電極（第２ＥＣＬ側電極）８０４がスイッチング素子Ｓ１を介して交流電源回路ＶECL２１０に接続され、第１の電圧印加部（８０３，８０４，ＶECL２１０）を構成している。又、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４と第２基板側電極（ＥＣ側電極）８０５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電圧印加部（８０３，８０４，８０５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ１とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電圧印加部（８０３，８０４，ＶECL２１０）と第２の電圧印加部（８０３，８０４，８０５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換部（Ｓ１，Ｓ２）を構成している。
【０１４７】
ここで、交流電源回路ＶECL２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と、信号電圧発生回路２１２と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に、電圧波形が図４に示す台形波形となるように交流電圧を印加する電源回路である。
【０１４８】
対向電圧発生回路２１１は第１の第１基板側電極８０３に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第２の第１基板側電極８０４に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を交互に極性が異なる台形波となるように繰り返すことにより、台形波の交流電圧を印加している。
【０１４９】
図１８の場合の発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、第１の第１基板側電極８０３，第２の第１基板側電極８０４及び第２基板側電極８０５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ１が閉じて、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４が直流電源回路２１０に接続される。したがって、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４間（多孔質電極８１６を介した）間に直流電圧が生じ、この電圧によって発光材料を含む第１層８０６が発光して発光色が観察される。図１７と同様に、この画素Ｘi,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板８０１の側から観察される。この直流電源回路２１０からの電圧印加が止められれば、第１層６が８０発光せず、画素Ｘi,jの背景色、例えば、黒色が表示される。
【０１５０】
反射表示においては、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４とが互いに短絡されるようにスイッチング素子Ｓ１が切り替えられ、スイッチング素子Ｓ２が閉じて、同電位の第１の第１基板側電極８０３，第２の第１基板側電極８０４と、第２基板側電極８０５との間が互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続される。したがって、同電位の第１の第１基板側電極８０３，第２の第１基板側電極８０４と、第２基板側電極８０５との間に直流電圧が生じてＥＣ現象を示す材料を含む第２層８０７が着色或いは透明化される。その結果、第１基板８０１の外からは、着色された第２層８０７或いは透明化された第２層８０７を介して第２基板２が背景色として観察される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電圧の極性を変えると、第２層８０７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板８０１の側から観察される。
【０１５１】
このように、交流電源回路ＶECL２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図４に示すように第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して交流電圧を印加している。
【０１５２】
なお、本実施の形態の交流電源回路ＶECL２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１の第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第２の第１基板側電極８０４に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第１基板側電極８０３に接続した構成としてもよい。
【０１５３】
また、本実施の形態では、交流電源回路ＶECL２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０１５４】
また、図１８に示すように、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に直流電圧が印加されるように対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２を構成した直流電源回路２１０を接続してもよい。ここで、直流電源回路２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２とからなる直流電源ＥECLと、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に、電圧波形が図５に示す台形波形となるように直流電圧を印加する電源回路である。
【０１５５】
より具体的には、対向電圧発生回路２１１は第１の第１基板側電極８０３に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた直流電圧を第２の第１基板側電極８０４に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、図４に示す第１の期間（ｔ１）だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間（ｔ２）だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間（ｔ３）に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を極性を変えずに繰り返すことにより、台形波の直流電圧を印加している。
【０１５６】
このように、直流電源回路２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図５に示すように第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して直流電圧を印加している。
【０１５７】
なお、本実施の形態の直流電源回路２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１の第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第２の第１基板側電極８０４に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第１基板側電極８０３に接続した構成としてもよい。
【０１５８】
また、本実施の形態では、直流電源回路２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０１５９】
このように実施の形態６に係る表示装置によれば、実施の形態５と比較して、簡易な構造で反射・発光表示を実現できる。
【０１６０】
また、実施の形態６にかかる表示装置では、交流電源回路ＶECL２１０、直流電源回路２１０によって表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【０１６１】
（実施の形態７）
実施の形態７にかかる表示装置は、表示素子に電解質層と多孔質性電極をさらに設けたものである。本実施の形態にかかる表示装置では、画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jの構造が実施の形態１の構造と異なっている。そこで、実施の形態７に係る表示装置については、実施の形態１と異なる点のみ説明し、同様な点については図面に同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１６２】
図１９，２０は、実施の形態７に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。本実施の形態にかかる表示素子Ｌi,jは、図１９，２０に示すように、実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jと同様に、第２層８０７と第１層８０６間に電解質層８１２と多孔質性電極、又は多孔質材料を含む多孔質電極（第１多孔質電極）８１６とを設けている点で実施の形態１とは異なっている。
【０１６３】
多孔質電極（第１多孔質電極）８１６は、多孔質電極（ＥＣ層側）と多孔質な絶縁膜（電解質側）からなる複合膜でも良い。多孔質電極（第１多孔質電極）８１６の孔径は、１ｎｍから１０００ｎｍの範囲、好ましくは１ｎｍから１００ｎｍの範囲とすれば良く、種々の導電体(ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ2等)が使用可能で、孔径がこれらの範囲にあれば、一様な孔形状や孔径である必要はない。多孔質電極（第１多孔質電極）１６は表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｂ１ａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＮｂ2Ｏ6のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。
【０１６４】
電解質層８１２の材料としては、溶媒（液体電解質として第１層８０６を液体層とする場合）、若しくはこの溶媒で膨潤したゲル状の高分子（固体電解質として第１層８０６を固体層とする場合）と、これに溶解した支持塩とを有し、支持塩は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Tetrabutylammonium perchlorate）、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホン酸（Lithium trifluoromethanesulfonate）、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン(tripropyl amine）、ホウフッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム（tetra-n-butylammonium fluoroborate）等があげられる。
【０１６５】
又、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２ジメトキシエタン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)、２−メチルテトラヒドロフラン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド、等からなる単一溶媒又は混合溶媒があげられる。
【０１６６】
又、ゲル状の高分子としては、ポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）の共重合体、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等が使用可能である。  図１５に示すように、実施の形態７に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの発光表示は第１の第１基板側電極（第１ＥＣＬ側電極）８０３と第２の第１基板側電極８０４（第２ＥＣＬ側電極）間に交流又は直流電圧を印加することによって行う。又、反射表示は、第１の第１基板側電極８０３・第２の第１基板側電極８０４（同電位）と多孔質電極（第１多孔質電極）８１６間に直流電圧を印加することによって行う。
【０１６７】
即ち、実施の形態７に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jでは、図１９に示すように第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４がスイッチング素子Ｓ１を介して交流電源回路ＶECL２１０に接続され、第１の電圧印加部（８０３，８０４，ＶECL２１０）を構成している。
【０１６８】
又、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４と多孔質電極（第１多孔質電極）８１６とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電圧印加部（８０３，８０４，８１６，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。  スイッチング素子Ｓ１とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電圧印加部（８０３，８０４，ＶECL２１０）と第２の電圧印加部（８０３，８０４，８１６，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換部（Ｓ１，Ｓ２）を構成している。
【０１６９】
ここで、交流電源回路ＶECL２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と、信号電圧発生回路２１２と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に、電圧波形が図４に示す台形波形となるように交流電圧を印加する電源回路である。
【０１７０】
対向電圧発生回路２１１は第１の第１基板側電極８０３に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第２の第１基板側電極８０４に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を交互に極性が異なる台形波となるように繰り返すことにより、台形波の交流電圧を印加している。
【０１７１】
図１９に示す表示素子Ｌi,jでの発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、第１の第１基板側電極８０３，第２の第１基板側電極８０４及び多孔質電極（第１多孔質電極）８１６が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ１が閉じて、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４が交流電源回路ＶECL２１０に接続される。したがって、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４間（多孔質電極８１６を介した）に交流電圧が生じ、この電圧によって発光材料を含む第１層８０６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘi,jの第１基板８０１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板８０１の側から観察される。この交流電源回路ＶECL２１０からの電圧印加が止められれば、第１層８０６が発光せず、画素Ｘi,jの背景色、例えば、黒色が表示される。
【０１７２】
なお、本実施の形態の交流電源回路ＶECL２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１の第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第２の第１基板側電極８０４に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第１基板側電極８０３に接続した構成としてもよい。
【０１７３】
また、本実施の形態では、交流電源回路ＶECL２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０１７４】
あるいは、図２０に示すように、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に、電圧波形が図５に示す台形波となる直流電圧が印加されるように対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２を構成した直流電源回路２１０を接続してもよい。ここで、直流電源回路２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２とからなる直流電源ＥECLと、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４の間に電圧波形が台形波形となるように直流電圧を印加する電源回路である。
【０１７５】
より具体的には、対向電圧発生回路２１１は第１の第１基板側電極８０３に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた直流電圧を第２の第１基板側電極８０４に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を極性を変えずに繰り返すことにより、台形波の直流電圧を印加している。
【０１７６】
なお、本実施の形態の直流電源回路２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１の第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２の第１基板側電極８０４に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第２の第１基板側電極８０４に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第１基板側電極８０３に接続した構成としてもよい。
【０１７７】
また、本実施の形態では、直流電源回路２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０１７８】
図２０に示す表示セルＬi,jでは、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４がスイッチング素子Ｓ１を介して直流電源回路２１０に接続され、第１の電圧印加部（８０３，８０４，２１０）を構成している。又、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４と多孔質電極８１６とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電圧印加部（８０３，８０４，８１６，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ１とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電圧印加部（８０３，８０４，２１０）と第２の電圧印加部（８０３，８０４，８１６，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換部（Ｓ１，Ｓ２）を構成している。
【０１７９】
図２０の場合の発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、第１の第１基板側電極８０３，第２の第１基板側電極８０４及び多孔質電極８１６が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ１が閉じて、第１の第１基板側電極８０３及び第２の第１基板側電極８０４が直流電源回路２１０に接続される。したがって、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４間（多孔質電極８１６を介した）に直流電圧が生じ、この電圧によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。図１９と同様に、この画素Ｘi,jの第１基板８０１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板８０１の側から観察される。この直流電源回路２１０からの電圧印加が止められれば、第１層８０６が発光せず、画素Ｘi,jの背景色、例えば、黒色が表示される。
【０１８０】
反射表示においては、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４とが互いに短絡されるようにスイッチング素子Ｓ１が切り替えられ、スイッチング素子Ｓ２が閉じて、同電位の第１の第１基板側電極８０３，第２の第１基板側電極８０４と、多孔質電極８１６との間が互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続される。したがって、同電位の第１の第１基板側電極８０３，第２の第１基板側電極８０４と、多孔質電極８１６との間に直流電圧が生じてＥＣ現象を示す材料を含む電解質層８１２が着色或いは透明化される。その結果、第１基板１の外からは、着色された電解質層８１２或いは透明化された電解質層８１２を介して第２基板８０２が背景色として観察される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電圧の極性を変えると、電解質層８１２が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。
【０１８１】
このように実施の形態７に係る表示装置によれば、実施の形態５と比較して、簡易な構造で反射・発光表示を実現できる。
【０１８２】
また、実施の形態７にかかる表示装置では、交流電源回路ＶECL２１０、直流電源回路２１０によって表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【０１８３】
（実施の形態８）
実施の形態８にかかる表示装置は、表示素子の構造として、第１基板８０１上に単一の第１基板側電極のみを設け、さらに中間電極、電解質層および多孔質層を設けたものである。本実施の形態にかかる表示装置では、画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jの構造が実施の形態１の構造と異なっている。そこで、実施の形態８に係る表示装置については、実施の形態１と異なる点のみ説明し、同様な点については図面に同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１８４】
図２１，２２は、実施の形態８に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。本実施の形態にかかる表示素子Ｌi,jは、図２１，２２に示すように、第１基板８０１上に第１基板側電極８０３のみを設け、更に、第２層８０７と第１層８０６との間に、透明な中間電極８１１／電解質層８１２／多孔質からなる多孔質電極（第１多孔質電極）８１６を設けた構造となっている。
【０１８５】
実施の形態８に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jでは、図２１に示すように、第１基板側電極（ＥＣＬ側電極）８０３及び中間電極８１１が、スイッチング素子Ｓ５ｄを介して、直流電源回路２１０に接続されている。直流電源回路２１０は、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２とからなる直流電源ＥECL1および直流電源ＥECL2と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１基板側電極８０３と中間電極８１１の間に電圧波形が台形波形となるように直流電圧を印加する電源回路である。ここで、直流電源ＥECL1と直流電源ＥECL2とは互いに極性が異なっており、直流電源回路２１０、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１が、第１の電圧印加部（８０３，８１１，２１０）を構成している。
【０１８６】
対向電圧発生回路２１１は第１基板側電極８０３に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して中間電極８１１に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた直流電圧を中間電極８１１に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、図４に示すように第１の期間（ｔ１）だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間（ｔ２）だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間（ｔ３）に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を極性を変えずに繰り返すことにより、台形波の直流電圧を印加している。
【０１８７】
実施の形態８に係る表示装置の表示セルＬi,jの発光表示は第１基板側電極８０３と中間電極８１１間に交流または直流電圧を印加することによって行う。即ち、図２１に示す表示セルＬi,jの発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極８１１及び多孔質電極８１６が電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ５ｄがいずれかの極性に閉じて、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１が、極性の異なる直流電源ＥECL1及び直流電源ＥECL2のいずれかに接続される。したがって、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１間に直流電圧が生じ、この電圧によって発光材料を含む第１層８０６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘi,jの第１基板８０１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板８０１の側から観察される。この直流電源回路２１０からの電圧印加が止められれば、第１層８０６が発光せず、画素Ｘi,jの背景色、例えば、黒色が表示される。
【０１８８】
本実施の形態の直流電源回路２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して中間電極８１１に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を中間電極８１１に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続した構成としてもよい。
【０１８９】
また、本実施の形態では、直流電源回路２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０１９０】
一方、図２２では、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１がスイッチング素子Ｓ５ａを介して交流電源回路ＶECL２１０に接続され、第１の電圧印加部（８０３，８１１，ＶECL２１０）を構成している。又、中間電極８１１及び多孔質電極（第１多孔質電極）８１６とがスイッチング素子Ｓ２を介して直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続されて、第２の電圧印加部（８１１，８１６，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ５ａとスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電圧印加部（８０３，８１１，ＶECL２１０）と第２の電圧印加部（８１１，８１６，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換部（Ｓ５ａ，Ｓ２）を構成している。
【０１９１】
交流電源回路ＶECL２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と、信号電圧発生回路２１２と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１基板側電極８０３と中間電極８１１の間に電圧波形が図４に示す台形波形となるように交流電圧を印加する電源回路である。
【０１９２】
より具体的には、対向電圧発生回路２１１は中間電極８１１に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第１基板側電極８０３に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を交互に極性が異なる台形波となるように繰り返すことにより、台形波の交流電圧を印加している。
【０１９３】
このように、交流電源回路ＶECL２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図４に示すように第１基板側電極８０３と中間電極８１１との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して交流電圧を印加している。
【０１９４】
なお、本実施の形態の交流電源回路ＶECL２１０では、対向電圧発生回路２１１を中間電極８１１に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して中間電極８１１に接続した構成としてもよい。
【０１９５】
また、本実施の形態では、交流電源回路ＶECL２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０１９６】
また、本実施の形態では、交流電源回路ＶECL２１０により第１基板側電極８０３と中間電極８１１の間に交流電圧を印加しているが、第１基板側電極８０３と中間電極８１１の間に直流電圧が印加されるように、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２を構成してもよい。
【０１９７】
図２２に示す本実施の形態にかかる表示素子Ｌi,jの発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極８１１及び多孔質電極（第１多孔質電極）８１６が互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ５ａが閉じて、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１が交流電源回路ＶECL２１０に接続される。したがって、第１基板側電極８０３及び中間電極８１１間に交流電圧が生じ、この電圧によって発光材料を含む第１層８０６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘi,jの第１基板８０１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板８０１の側から観察される。この交流電源回路ＶECL２１０からの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘi,jの背景色、例えば、黒色が表示される。
【０１９８】
又、反射表示は、中間電極８１１及び多孔質電極（第１多孔質電極）８１６間に直流電圧を印加することによって行う。反射表示においては、スイッチング素子Ｓ２が閉じて、中間電極８１１及び多孔質電極（第１多孔質電極）８１６とが、互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続される。したがって、中間電極８１１と多孔質電極（第１多孔質電極）８１６との間に直流電圧が生じてＥＣ現象を示す材料を含む電解質層８１２が着色或いは透明化される。その結果、第１基板８０１の外からは、着色された電解質層８１２或いは透明化された電解質層８１２を介して第２基板８０２が背景色として観察される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電圧の極性を変えると、電解質層８１２が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板８０１の側から観察される。
【０１９９】
このように実施の形態８にかかる表示装置では、利用者は、発光表示或いは反射表示を選択することができる。
【０２００】
また、実施の形態８にかかる表示装置では、交流電源回路ＶECL２１０、直流電源回路２１０によって表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【０２０１】
（実施の形態９）
実施の形態９にかかる表示装置は、表示素子の構造として、第１層と第２層の間に多孔質電極を設けたものである。本実施の形態にかかる表示装置では、画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jの構造が実施の形態１の構造と異なっている。
【０２０２】
図２３は、実施の形態９に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。本実施の形態にかかる表示素子Ｌi,jは、図２３に示すように、第２層８０７と第１層８０６との間に多孔質性電極、又は多孔質材料を含む多孔質電極（第２多孔質電極）８１５を設けている。ここで多孔質電極（第２多孔質電極）８１５は、多孔質電極（ＥＣ層側）と多孔質な絶縁膜（電解質側）からなる複合膜でも良い。多孔質電極（第２多孔質電極）８１５の孔径は、１ｎｍから１０００ｎｍの範囲、好ましくは１ｎｍから１００ｎｍの範囲とすれば良く、種々の導電体(ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ2等)が使用可能で、孔径がこれらの範囲にあれば、一様な孔形状や孔径である必要はない。
【０２０３】
実施の形態９に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jでは、発光表示は第１基板側電極（ＥＣＬ側電極）８０３と多孔質電極（第２多孔質電極）８１５間に交流又は直流電圧を印加することによって行う。即ち、図２３に示す第１基板側電極８０３のみが設けられた表示素子Ｌi,jの構造において、発光表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を開放し、スイッチング素子Ｓ６を閉じて、第１基板側電極８０３と多孔質電極（第２多孔質電極）８１５間に、交流電圧を印加すれば、第１層８０６で発光が観測される。
【０２０４】
又、反射表示は、第１基板側電極８０３と第２基板側電極（ＥＣ側電極）８０５との間に直流電圧を印加することによって行う。即ち、反射表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を閉じ、スイッチング素子Ｓ６を開放して、第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５間に互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかが接続され、この間に、ＥＣ反応が生じる電圧（電位）が印加され、第２層８０７で発色・消色が観測される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電圧の極性を変えると、第２層８０７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板８０１の側から観察される。
【０２０５】
多孔質電極（第２多孔質電極）８１５は表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ3、Ｂ１ａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＮｂ2Ｏ6のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。
【０２０６】
本実施の形態では、図２３に示すように、第１基板側電極８０３と多孔質電極（第２多孔質電極）８１５がスイッチング素子Ｓ６を介して交流電源回路ＶECL２１０に接続され、第１の電圧印加部（８０３，８１５，ＶECL２１０）を構成している。更に、第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電圧印加部（８０３，８０５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ６とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電圧印加部（８０３，８１５，ＶECL２１０）と第２の電圧印加部（８０３，８０５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換部（Ｓ６，Ｓ２）を構成している。
【０２０７】
ここで、交流電源回路ＶECL２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と、信号電圧発生回路２１２と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１基板側電極８０３と多孔質電極８１５の間に、電圧波形が図４に示す台形波形となるように交流電圧を印加する電源回路である。
【０２０８】
対向電圧発生回路２１１は多孔質電極８１５に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第１基板側電極８０３に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、図４に示すように、第１の期間（ｔ１）だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間（ｔ２）だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間（ｔ３）に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を交互に極性が異なる台形波となるように繰り返すことにより、台形波の交流電圧を印加している。
【０２０９】
このように、交流電源回路ＶECL２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図４に示すように第１基板側電極８０３と多孔質電極８１５との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して交流電圧を印加している。
【０２１０】
なお、本実施の形態の交流電源回路ＶECL２１０では、対向電圧発生回路２１１を多孔質電極８１５に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して多孔質電極８１５に接続した構成としてもよい。
【０２１１】
また、本実施の形態では、交流電源回路ＶECL２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０２１２】
さらに本実施の形態では、交流電源回路ＶECL２１０により第１基板側電極８０３と多孔質電極８１５の間に交流電圧を印加しているが、第１基板側電極８０３と多孔質電極８１５の間に、電圧波形が図５に示す台形波形となる直流電圧が印加されるように、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２を構成してもよい。
【０２１３】
このように実施の形態９にかかる表示装置では、簡易な構成で、利用者は発光表示或いは反射表示を選択することができる。
【０２１４】
また、実施の形態９にかかる表示装置では、交流電源回路ＶECL２１０によって表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【０２１５】
（実施の形態１０）
実施の形態１０にかかる表示装置は、第１基板８０１上にＥＣＬ駆動用の電極である第１の第１基板側電極とＥＣ駆動用の電極である第２の第１基板側電極を設け、第２基板８０２上にＥＣＬ駆動用の電極である第１の第２基板側電極とＥＣ駆動用の電極である第２の第２基板側電極を設け、表示素子の構造として、第２層を局所的に設けたものである。
【０２１６】
本実施の形態にかかる表示装置では、画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jの構造が実施の形態１の構造と異なっている。図２４，２５は、実施の形態１０に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。本実施の形態にかかる表示素子Ｌi,jは、図２４，２５に示すように、第１基板８０１上に第１の第１基板側電極（第１ＥＣＬ駆動用電極）８１７と第２の第１基板側電極（第１ＥＣ駆動用電極）８１９、第２基板８０２上に第１の第２基板側電極（第２ＥＣＬ駆動用電極）８１８と第２の第２基板側電極（第２ＥＣ駆動用電極）８２０を配置した構造となっている。また、第１基板８０１と第２基板８０２との間に第１層８０６を挿入し、第２層を、第１層８０６と第２の第２基板側電極８２０間に局所的に設けている。
【０２１７】
更に、第２の第１基板側電極８１９と第２の第２基板側電極８２０とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電圧印加部（８１９，８２０，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ７とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電圧印加部（８１７，８１８，２１０）と第２の電圧印加部（８１９，８２０，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換部（Ｓ７，Ｓ２）を構成している。
直流電源回路２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２とからなる直流電源ＥECLと、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の第１基板側電極８１７と第１の第２基板側電極８１８の間に、電圧波形が図５に示す台形波形となるように直流電圧を印加する電源回路である。
【０２１８】
対向電圧発生回路２１１は第１の第１基板側電極８１７に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第２基板側電極８１８に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた直流電圧を第１の第２基板側電極８１８に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を極性を変えずに繰り返すことにより、台形波の直流電圧を印加している。
【０２１９】
このように、直流電源回路２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図５に示すように第１の第１基板側電極８１７と第１の第２基板側電極８１８との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して直流電圧を印加している。
【０２２０】
なお、本実施の形態の直流電源回路２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１の第１基板側電極８１７に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第２基板側電極８１８に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第１の第２基板側電極８１８に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第１基板側電極８１８に接続した構成としてもよい。
【０２２１】
また、本実施の形態では、直流電源回路２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０２２２】
一方、図２５に示す実施の形態１０に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jでは、第１の第１基板側電極８１７と第１の第２基板側電極８１８がスイッチング素子Ｓ７を介して交流電源回路ＶECL２１０に接続され、第１の電圧印加部（８１７，８１８，ＶECL２１０）を構成している。更に、第２の第１基板側電極８１９と第２の第２基板側電極８２０とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電圧印加部（８１９，８２０，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ７とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電圧印加部（８１７，８１８，ＶECL２１０）と第２の電圧印加部（８１９，８２０，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換部（Ｓ７，Ｓ２）を構成している。
【０２２３】
図２５に示す実施の形態１０に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jにおける発光表示は、第１の第１基板側電極８１７と第１の第２基板側電極８１８間に交流電圧を印加することによって行う。即ち、図２５に示す表示素子Ｌi,jの構造において、発光表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を開放し、スイッチング素子Ｓ７を閉じて、第１の第１基板側電極８１７と第１の第２基板側電極８１８間に、ＥＣ反応が追随できない周波数で交流電圧を印加すれば、第１層８０６で発光が観測される。
【０２２４】
又、反射表示は、第２の第１基板側電極８１９と第２の第２基板側電極８２０間に直流電圧を印加することによって行う。即ち、反射表示に関しては、図２４，２５に示したスイッチング素子Ｓ２を閉じ、スイッチング素子Ｓ７を開放して、第２の第１基板側電極８１９と第２の第２基板側電極８２０間に互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続することにより、この間に、ＥＣ反応が生じる電圧（電位）が印加され、第２層８０７で発色・消色が観測される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電圧の極性を変えると、第２層８０７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。
【０２２５】
ここで、交流電源回路ＶECL２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と、信号電圧発生回路２１２と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１の第１基板側電極８１７と第１の第２基板側電極８１８の間に、電圧波形が図４に示す台形波形となるように交流電圧を印加する電源回路である。
【０２２６】
より具体的には、対向電圧発生回路２１１は第１の第１基板側電極８１７に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第２基板側電極８１８に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第１の第２基板側電極８１８に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、第１の期間だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を交互に極性が異なる台形波となるように繰り返すことにより、台形波の交流電圧を印加している。
【０２２７】
このように、交流電源回路ＶECL２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図４に示すように第１の第１基板側電極８１７と第１の第２基板側電極８１８との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して交流電圧を印加している。
【０２２８】
なお、本実施の形態の交流電源回路ＶECL２１０では、対向電圧発生回路２１１を第１の第１基板側電極８１７に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第２基板側電極８１８に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第１の第２基板側電極８１８に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１の第１基板側電極８１７に接続した構成としてもよい。
【０２２９】
また、本実施の形態では、交流電源回路ＶECL２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０２３０】
このように実施の形態１０に係る表示装置によれば、簡易な構造で反射・発光表示を実現できる。また、実施の形態１０にかかる表示装置では、交流電源回路ＶECL２１０、直流電源回路２１０によって表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【０２３１】
（実施の形態１１）
実施の形態１１にかかる表示装置は、表示素子の構造として、第１基板側電極８０３に多孔質膜を設けたものである。本実施の形態にかかる表示装置では、画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jの構造が実施の形態１の構造と異なっている。
【０２３２】
図２６は、実施の形態１１に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。本実施の形態にかかる表示素子Ｌi,jは、図２６に示すように、第１基板側電極（ＥＣＬ側電極）８０３に多孔質膜８１３を設けている。
【０２３３】
図１２に示した実施の形態３にかかる表示素子の構造では、反射表示の場合、第１基板側電極８０３や第２層８０７から発生する少量のＥＣＬ材料のイオンラジカル種が反応して、発光という誤動作を生じる可能性がある。
【０２３４】
このため、本実施の形態では、図２６に示すように、第１基板側電極８０３上に導電体、若しくは半導体、若しくは絶縁体からなる多孔質膜８１３を設けることにより、第１基板側電極８０３側から生じるイオンラジカル種の第２層８０７側への移動（拡散）を防止し、イオンラジカル種の移動（拡散）に伴う発光（誤動作）を防ぐことができる。
【０２３５】
多孔質膜１３の孔径は、１ｎｍから１０００ｎｍの範囲、好ましくは３ｎｍから１００ｎｍの範囲、更に好ましくは３ｎｍから３０ｎｍの範囲とすれば良く、種々の導電体(ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ2等)、半導体（ＴｉＯ2等）、若しくは絶縁体(SiO2等)が使用可能で、孔径がこれらの範囲にあれば、一様な孔形状や孔径である必要はない。
【０２３６】
また、本実施の形態の表示装置では、第１基板側電極８０３側の発光輝度の向上が期待できる。これは第１基板側電極８０３側から発生した、極性の異なるイオンラジカル種が、多孔質膜１３中にとどまり電解質中へ拡散しないため、多孔質膜８１３中で効率良く衝突⇒発光を起こすためである。
【０２３７】
本実施の形態にかかる交流電源回路Ｖ３  ２１０は、実施の形態３と同様に、ＥＣ反応が追随できない周波数で交流電圧を供給する。ここで、交流電源回路Ｖ３  ２１０は、実施の形態１における電源回路２１０と同様の構成をしており、対向電圧発生回路２１１と、信号電圧発生回路２１２と、可変抵抗２１３と、スイッチング素子２１４とからなり、第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５の間に、電圧波形が図４に示す台形波形となるように交流電圧を印加する電源回路である。
【０２３８】
より具体的には、対向電圧発生回路２１１は第２基板側電極８０５に接続され、信号電圧発生回路２１２は可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続されている。そして、実施の形態１と同様に、信号電圧発生回路２１２から発生させた交流電圧を第１基板側電極８０３に印加するときに、可変抵抗２１３を通過することによって、図４に示すように第１の期間（ｔ１）だけその電圧値を徐々に増加させながら、第１の期間経過時点で所定の電圧値に到達させている。そして、当該所定の電圧を、第１の期間経過時点から開始する第２の期間（ｔ２）だけ維持させ、第２の期間経過時点から開始する第３の期間（ｔ３）に徐々に減少させながら一定時間経過後に０となる台形波形になるように印加し、このような印加を交互に極性が異なる台形波となるように繰り返すことにより、台形波の交流電圧を印加している。
【０２３９】
このように、交流電源回路Ｖ３  ２１０では、可変抵抗２１３とスイッチング素子２１４の切替え動作によって、図４に示すように第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５との間に一周期の電圧波形が台形波となるように一定周期ごとに繰り返して交流電圧を印加している。
【０２４０】
なお、本実施の形態の交流電源回路Ｖ３  ２１０では、対向電圧発生回路２１１を第２基板側電極８０５に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第１基板側電極８０３に接続した構成としているが、これとは逆に、対向電圧発生回路２１１を第１基板側電極８０３に接続し、信号電圧発生回路２１２を可変抵抗２１３、スイッチング素子２１４を介して第２基板側電極８０５に接続した構成としてもよい。
【０２４１】
また、本実施の形態では、交流電源回路Ｖ３  ２１０に可変抵抗２１３を用いて電圧波形を台形波となるように構成しているが、可変抵抗２１３の代わりに、図２に示すようなローパスフィルタ３１３等他の回路を用いて電圧波形を台形波となるように構成してもよい。
【０２４２】
また、本実施の形態では、交流電源回路Ｖ３  ２１０により第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５の間に交流電圧を印加しているが、第１基板側電極８０３と第２基板側電極８０５の間に、電圧波形が図５に示す台形波形となるような直流電圧が印加されるように、対向電圧発生回路２１１と信号電圧発生回路２１２を構成してもよい。
【０２４３】
このように実施の形態１１にかかる表示装置では、第１基板側電極８０３上に多孔質膜８１３を設けることにより、反射表示の場合、第１基板側電極８０３側から生じるイオンラジカル種の第２層８０７側への移動（拡散）を防止し、イオンラジカル種の移動（拡散）に伴う発光（誤動作）を防ぐことができ、発光表示の場合、第１基板側電極８０３側の発光輝度の向上を図ることができる。
【０２４４】
また、実施の形態１１にかかる表示装置では、交流電源回路Ｖ３  ２１０によって表示素子に台形波形となる電圧の印加を繰り替えすことによって、従来の表示装置のように矩形波形の電圧を印加する場合に比べて、表示素子による高輝度の発光を長時間維持することが可能となる。
【０２４５】
次に、上述した実施の形態２〜１１にかかる表示素子Ｌi,jを有する表示装置の画素の配列の構成について説明する。図２８は、実施の形態２〜１１にかかる表示素子Ｌi,jを有する表示装置の画素の配列の一部（２×２部分）を示す平面図である。実施の形態２〜１１に係る表示装置は、図２８に示すように、垂直方向（列方向）に走行する複数の第１信号配線Ｂ１j，Ｂ１j+1，・・・・・及び複数の第２信号配線Ｂ２j，Ｂ２j+1，・・・・・と、この複数の第１信号配線Ｂ１j，Ｂ１j+1，・・・・・及び複数の第２信号配線Ｂ２j，Ｂ２j+1，・・・・・に対し直交する水平方向（行方向）に伸延する複数の第１走査配線Ｗ１i，Ｗ１i+1，・・・・・及び複数の第２走査配線Ｗ２i，Ｗ２i+1，・・・・・により構成されたマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘi,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。更に、第１信号配線Ｂ１j，Ｂ１j+1，・・・・・及び第２信号配線Ｂ２j，Ｂ２j+1，・・・・・と平行して、第１電源配線Ｐ１j，Ｐ１j+1，・・・・・及び第２電源配線Ｐ２j，Ｐ２j+1，・・・・・が走行している。
【０２４６】
図２８に示すように、第１信号配線Ｂ１jには第１書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１i,jの第１端子が接続され、第１走査配線Ｗ１iには第１書き込みトランジスタＱ１i,jの制御端子が接続されている。第１書き込みトランジスタＱ１i,jの第２端子には、第１駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２i,jの制御端子と第１補助容量Ｃ１i,jの一方の端子が接続されている。第１駆動トランジスタＱ２i,jの第１端子は第１電源配線Ｐ１jに接続され、第１駆動トランジスタＱ２i,jの第２端子は表示セルＬi,jに接続されている。第１補助容量Ｃ１i,jの他方の端子は接地されている。「第１端子」とは、バイポーラトランジスタ（ＢＪＴ）においてエミッタ端子又はコレクタ端子のいずれか一方となる端子を意味する。電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）や静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）においてはソース端子又はドレイン端子のいずれか一方となる端子を意味する。「第２端子」とは、ＢＪＴ等においては上記第１端子とはならないエミッタ端子又はコレクタ端子のいずれか一方となる端子、ＦＥＴ，ＳＩＴにおいては上記第１端子とはならないソース端子又はドレイン端子のいずれか一方となる端子を意味する。即ち、第１端子が、エミッタ端子であれば、第２端子はコレクタ端子であり、第１端子がソース端子であれば、第２端子はドレイン端子である。又、「制御端子」とは第１端子及び第２端子の間を流れる電流を制御する端子、ショットキー接合端子、絶縁ゲート構造の端子又は構造を意味する。例えば、ＦＥＴ，ＳＩＴでは、ゲート端子、若しくはゲート構造を意味し、ＢＪＴではベース端子を意味する。一般にＴＦＴ等では、第１端子及び第２端子とは対称構造であるので、どちらをソース端子又はドレイン端子と呼ぶか、或いはどちらをエミッタ端子又はコレクタ端子と呼ぶかは単なる選択の問題である。第２信号配線Ｂ２jには第２書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ３i,jの第１端子が接続され、第２走査配線Ｗ２iには第２書き込みトランジスタＱ３i,jの制御端子が接続されている。第２書き込みトランジスタＱ３i,jの第２端子には、第２駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ４i,jの制御端子と第２補助容量Ｃ２i,jの一方の端子が接続されている。第２駆動トランジスタＱ４i,jの第１端子は第２電源配線Ｐ２jに接続され、第２駆動トランジスタＱ４i,jの第２端子は表示セルＬi,jに接続されている。第２補助容量Ｃ２i,jの他方の端子は接地されている。
【０２４７】
更に、第１信号配線Ｂ１jには第１書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１i+1,jの第１端子が接続され、第１走査配線Ｗ１i+1には第１書き込みトランジスタＱ１i+1,jの制御端子が接続されている。第１書き込みトランジスタＱ１i+1,jの第２端子には、第１駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２i+1,jの制御端子と第１補助容量Ｃ１i+1,jの一方の端子が接続されている。第１駆動トランジスタＱ２i+1,jの第１端子は第１電源配線Ｐ１jに接続され、第１駆動トランジスタＱ２i+1,jの第２端子は表示セルＬi+1,jに接続されている。第１補助容量Ｃ１i+1,jの他方の端子は接地されている。第２信号配線Ｂ２jには第２書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ３i+1,jの第１端子が接続され、第２走査配線Ｗ２i+1には第２書き込みトランジスタＱ３i+1,jの制御端子が接続されている。第２書き込みトランジスタＱ３i+1,jの第２端子には、第２駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ４i+1,jの制御端子と第２補助容量Ｃ２i+1,jの一方の端子が接続されている。第２駆動トランジスタＱ４i+1,jの第１端子は第２電源配線Ｐ２jに接続され、第２駆動トランジスタＱ４i+1,jの第２端子は表示セルＬi+1,jに接続されている。第２補助容量Ｃ２i+1,jの他方の端子は接地されている。
【０２４８】
又、第１信号配線Ｂ１j+1には第１書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１i,j+1の第１端子が接続され、第１走査配線Ｗ１iには第１書き込みトランジスタＱ１i,j+1の制御端子が接続されている。第１書き込みトランジスタＱ１i,j+1の第２端子には、第１駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２i,j+1の制御端子と第１補助容量Ｃ１i,j+1の一方の端子が接続されている。第１駆動トランジスタＱ２i,j+1の第１端子は第１電源配線Ｐ１j+1に接続され、第１駆動トランジスタＱ２i,j+1の第２端子は表示セルＬi,j+1に接続されている。第１補助容量Ｃ１i,j+1の他方の端子は接地されている。第２信号配線Ｂ２j+1には第２書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ３i,j+1の第１端子が接続され、第２走査配線Ｗ２iには第２書き込みトランジスタＱ３i,j+1の制御端子が接続されている。第２書き込みトランジスタＱ３i,j+1の第２端子には、第２駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ４i,j+1の制御端子と第２補助容量Ｃ２i,j+1の一方の端子が接続されている。第２駆動トランジスタＱ４i,j+1の第１端子は第２電源配線Ｐ２j+1に接続され、第２駆動トランジスタＱ４i,j+1の第２端子は表示セルＬi,j+1に接続されている。第２補助容量Ｃ２i,j+1の他方の端子は接地されている。
【０２４９】
更に、第１信号配線Ｂ１j+1には第１書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１i+1,j+1の第１端子が接続され、第１走査配線Ｗ１i+1には第１書き込みトランジスタＱ１i+1,j+1の制御端子が接続されている。第１書き込みトランジスタＱ１i+1,j+1の第２端子には、第１駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２i+1,j+1の制御端子と第１補助容量Ｃ１i+1,j+1の一方の端子が接続されている。第１駆動トランジスタＱ２i+1,j+1の第１端子は第１電源配線Ｐ１j+1に接続され、第１駆動トランジスタＱ２i+1,j+1の第２端子は表示セルＬi+1,j+1に接続されている。第１補助容量Ｃ１i+1,j+1の他方の端子は接地されている。第２信号配線Ｂ２j+1には第２書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ３i+1,j+1の第１端子が接続され、第２走査配線Ｗ２i+1には第２書き込みトランジスタＱ３i+1,j+1の制御端子が接続されている。第２書き込みトランジスタＱ３i+1,j+1の第２端子には、第２駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ４i+1,j+1の制御端子と第２補助容量Ｃ２i+1,j+1の一方の端子が接続されている。第２駆動トランジスタＱ４i+1,j+1の第１端子は第２電源配線Ｐ２j+1に接続され、第２駆動トランジスタＱ４i+1,j+1の第２端子は表示セルＬi+1,j+1に接続されている。第２補助容量Ｃ２i+1,j+1の他方の端子は接地されている。
【０２５０】
第１書き込みトランジスタＱ１i,j，Ｑ１i+1,j，Ｑ１i,j+1，Ｑ１i+1,j+1、第１駆動トランジスタＱ２i,j，Ｑ２i+1,j，Ｑ２i,j+1，Ｑ２i+1,j+1、第２書き込みトランジスタＱ３i,j，Ｑ３i+1,j，Ｑ３i,j+1，Ｑ３i+1,j+1、及び第２駆動トランジスタＱ４i,j，Ｑ４i+1,j，Ｑ４i,j+1，Ｑ４i+1,j+1は、ＬＣＤや有機ＥＬに使用されているアクティブマトリクス基板に用いられているＴＦＴを用いれば良い。
【０２５１】
第１走査配線Ｗ１i，Ｗ１i+1，・・・・・と第１信号配線Ｂ１j，Ｂ１j+1，・・・・・を同期させて電圧を印加し、第１書き込みトランジスタＱ１i,j，Ｑ１i+1,j，Ｑ１i,j+1，Ｑ１i+1,j+1、・・・・・から表示信号を第１補助容量Ｃ１i,j，Ｃ１i+1,j，Ｃ１i,j+1，Ｃ１i+1,j+1、・・・・・に蓄積させる。この第１補助容量Ｃ１i,j，Ｃ１i+1,j，Ｃ１i,j+1，Ｃ１i+1,j+1、・・・・・の表示信号の電荷量により、第１駆動トランジスタＱ２i,j，Ｑ２i+1,j，Ｑ２i,j+1，Ｑ２i+1,j+1、・・・・・1は、表示セルＬi,j，Ｌi+1,j，Ｌi,j+1，Ｌi+1,j+1に流す電流量を制御できる。同様に、第２走査配線Ｗ２i，Ｗ２i+1，・・・・・と第２信号配線Ｂ２j，Ｂ２j+1，・・・・・を同期させて電圧を印加し、第２書き込みトランジスタＱ３i,j，Ｑ３i+1,j，Ｑ３i,j+1，Ｑ３i+1,j+1、・・・・・から表示信号を第２補助容量Ｃ２i,j，Ｃ２i+1,j，Ｃ２i,j+1，Ｃ２i+1,j+1、・・・・・に蓄積させる。この第２補助容量Ｃ２i,j，Ｃ２i+1,j，Ｃ２i,j+1，Ｃ２i+1,j+1、・・・・・の表示信号の電荷量により、第２駆動トランジスタＱ４i,j，Ｑ４i+1,j，Ｑ４i,j+1，Ｑ４i+1,j+1・・・・・は、表示セルＬi,j，Ｌi+1,j，Ｌi,j+1，Ｌi+1,j+1に流す電流量を制御できる。
【０２５２】
この結果、第１電源配線Ｐ１j，Ｐ１j+1，・・・・・及び第２電源配線Ｐ２j，Ｐ２j+1，・・・・・から供給される電圧により表示セルＬi,j，Ｌi+1,j，Ｌi,j+1，Ｌi+1,j+1に流れる電流を切換え、反射表示と発光表示の両機能を切換ながら表示することができる。
【０２５３】
［表示装置の製造方法］
以上説明した表示装置につき、実施の形態２に係る表示装置を例にあげてその製造方法について説明する。尚、以下に述べる表示装置の製造方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により、実現可能であることは勿論である。
【０２５４】
（イ）まず、第１基板８０１、第２基板８０２として、厚さ０．７ｍｍのガラスからなる基板を用い、膜厚１００ｎｍのＩＴＯをスパッタにより形成し、パターニングして第１の第１基板側電極８０３、第２の第１基板側電極８０４、第２基板側電極８０５とする。
【０２５５】
（ロ）第２基板側電極８０５を形成した第２基板８０２の表面をＵＶ処理した後、予め合成した、４モル／ｌのタングステンとなるような過酸化ポリタングステン酸水溶液をスピンコートし、第２層８０７となるＥＣ層（Ｗ1Ｏ3膜）を約１００ｎｍの厚さとなるよう形成する。
【０２５６】
（ハ）第１基板８０１と第２基板８０２とを、２μｍ粒径のガラスビーズスペーサーを介して、２μｍギャップとなるよう対向配置し、注入口を残して周囲をエポキシ樹脂で固め、セルとする。
【０２５７】
（ニ）支持塩とし１０ｍＭのリチウム塩（ＬｉＣＦ3ＳＯ3）とＴＢＡＰＦ6(tetra-n-butylammoniumhexafluorophosphate)を、ｏ−ジクロロベンゼン／アセトニトリル混合溶媒（３／１）に溶解させた電解質に、１０ｍＭのルブレンをＥＣＬ材料として溶解させ、このセルに注入して第１層（ＥＣＬ・電解質層）８０６とし、予め作成しておいたＡｌの反射板とセルを貼り合わせて表示装置を完成する。
【０２５８】
［表示装置の動作］
また、以上説明した表示装置につき、実施の形態２に係る表示装置を例にあげ、その動作について説明する。上記の表示装置の製造方法を用い、２．５インチ四方の表示装置を作製した。各画素Ｘi,jの表示セルＬi,jは単色の電気化学反応素子からなる図８に示す構成とし、１画素Ｘi,jのサイズを１００μｍ四方となるように作製した。第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４とを同電位とし、これら電極８０３，８０４と第２基板側電極８０５間に電圧を印加する。すると、第２基板側電極８０５が正となるように、印加電圧の極性を選択し印加することにより、消色状態が実現された。
【０２５９】
又、第２基板側電極８０５が負となるように、印加電圧の極性を選択し印加することにより、青色の着色状態を実現し、反射表示が可能であることがわかった。
【０２６０】
又、第２基板側電極８０５には電圧を印加せず、第１の第１基板側電極８０３と第２の第１基板側電極８０４との間に２０Ｈｚ矩形波電圧の交流を印加すると、黄色の発光が観測された。
【０２６１】
なお、本発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成することができる。例えば、実施の形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施の形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い。
【図面の簡単な説明】
【０２６２】
【図１】実施の形態１に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造と電源回路の構成の一例を示す模式的な説明図である。
【図２】第１の電極２０３と第２の電極２０４の間の電圧の波形を台形波とするために、ローパスフィルタ３１３（ＬＰＦ：Low Pass Filter）を用いた例を示す回路図である。
【図３】第２の電極２０４を複数部分に分割した場合の表示素子Ｌi,jの構造と駆動部の回路構成を示す説明図である。
【図４】実施の形態１にかかる表示装置の表示素子Ｌi,jに印加される交流電圧の波形を示す説明図である。
【図５】実施の形態１にかかる表示装置の表示素子Ｌi,jに印加される直流電圧の波形を示す説明図である。
【図６−１】従来の表示装置の表示素子Ｌi,jに印加される交流電圧の波形を示す説明図である。
【図６−２】従来の表示装置の表示素子Ｌi,jに印加される直流電圧の波形を示す説明図である。
【図７】実施の形態１にかかる表示装置と従来の表示装置における表示素子Ｌi,jの発光の状態の比較を示す説明図である。
【図８】実施の形態２に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jの表示素子Ｌi,jの構造の一例を示す模式的な断面図である。
【図９】実施の形態２の第１の変形例に係る表示装置の画素（ピクセル）の素子Ｌi,jの構造の一例を示す模式的な断面図である。
【図１０】実施の形態２の第２の変形例に係る表示装置の画素（ピクセル）の素子Ｌi,jの構造の一例を示す模式的な断面図である。
【図１１】実施の形態２の第３の変形例に係る表示装置の画素（ピクセル）の素子Ｌi,jの構造の一例を示す模式的な断面図である。
【図１２】実施の形態３に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図１３】実施の形態４に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jとなる表示素子Ｌi,jを概略的に示す断面図である。
【図１４】実施の形態４の変形例に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘi,jとなる表示素子Ｌi,jを概略的に示す断面図である。
【図１５】実施の形態５に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図１６】実施の形態５の変形例に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図１７】実施の形態６に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図１８】実施の形態６の変形例に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図１９】実施の形態７に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図２０】実施の形態７の変形例に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図２１】実施の形態８に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図２２】実施の形態８の変形例に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図２３】実施の形態９に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図２４】実施の形態１０に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図２５】実施の形態１０の変形例に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図２６】実施の形態１１に係る表示装置の表示セルとなる表示素子Ｌi,jの構造を概略的に示す断面図である。
【図２７】実施の形態１にかかる表示装置の画素の配列の一部（２×２部分）を示す平面図である。
【図２８】実施の形態２〜１１にかかる表示装置の画素の配列の一部（２×２部分）を示す平面図である。
【符号の説明】
【０２６３】
Ｂ１j，Ｂ１j+1，・・・・・…第１信号配線
Ｂ２j，Ｂ２j+1，・・・・・…第１信号配線
Ｃ１i,j，Ｃ１i+1,j，Ｃ１i,j+1，Ｃ１i+1,j+1…第１補助容量
Ｃ２i,j，Ｃ２i+1,j，Ｃ２i,j+1，Ｃ２i+1,j+1…第２補助容量
Ｅ１，Ｅ２…直流電源
Ｌi,j，Ｌi+1,j，Ｌi,j+1，Ｌi+1,j+1  表示素子
Ｐ１j，Ｐ１j+1，・・・・・  第１電源配線
Ｐ２j，Ｐ２j+1，・・・・・  第２電源配線
Ｑ１i,j，Ｑ１i+1,j，Ｑ１i,j+1，Ｑ１i+1,j+1  第１書き込みトランジスタ
Ｑ２i,j，Ｑ２i+1,j，Ｑ２i,j+1，Ｑ２i+1,j+1  第１駆動トランジスタ
Ｑ３i,j，Ｑ３i+1,j，Ｑ３i,j+1，Ｑ３i+1,j+1  第２書き込みトランジスタ
Ｑ４i,j，Ｑ４i+1,j，Ｑ４i,j+1，Ｑ４i+1,j+1  第２駆動トランジスタ
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５ａ，Ｓ５ｄ，Ｓ６，Ｓ７…スイッチング素子
ＶECL  交流電源
Ｖ３  交流電源
Ｗ１i，Ｗ１i+1，・・・・・  第１走査配線
Ｗ２i，Ｗ２i+1，・・・・・  第２走査配線
Ｘi,j，Ｘi+1,j，Ｘi,j+1，Ｘi+1,j+1  画素
２０１  第１の基板
２０２  第２の基板
２０３  第１の電極
２０４  第２の電極
２０４ａ〜２０４ｎ  電極部
２０５  電解質溶液層
２０６  スペーサ
２１０  電源回路
２１１  対向電圧発生回路
２１２  信号電圧発生回路
２１３  可変抵抗
２１４，２１４ａ〜２１４ｎ  スイッチング素子
３１３  ローパスフィルタ
８０１  第１基板
８０２  第２基板
８０３  第１の第１基板側電極（第１基板側電極）
８０４  第２の第１基板側電極
８０５  第２基板側電極
８０６  第１層
８０７  第２層
８１１  中間電極
８１２  電解質層
８１３  多孔質膜
８１５  多孔質電極（第２多孔質電極）
８１６  多孔質電極（第１多孔質電極）
８１７  第１の第１基板側電極
８１８  第１の第２基板側電極
８１９  第２の第１基板側電極
８２０  第２の第２基板側電極
【図１】
2007139899.tif 000012
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2007139899.tif 000021
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2007139899.tif 000024
【図１３】
2007139899.tif 000025
【図１４】
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【図１５】
2007139899.tif 000027
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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