(57)【要約】 【課題】シール材のシール切れ、シールズレを防止することで製造時の歩留まりの向上を図った液晶装置及び電子機器を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置１００は、対向配置された一対の基板４０，４２がシール材１０を介して貼り合わされ、一対の基板４０，４２間のシール材１０によって囲まれた空間に誘電率異方性が負の液晶４８が封入されている。一対の基板４０，４２のそれぞれのシール材１０の内側には第１垂直配向膜５２，６２が設けられ、一対の基板４０，４２の少なくとも一方の基板のシール材１０の外側には第２垂直配向膜５４，６４が設けられている。第２垂直配向膜５４，６４と第１垂直配向膜５２，６２との間には垂直配向膜が設けられていない溝部１０ａが備えられており、少なくとも溝部１０ａに対応した位置にシール材１０が配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板がシール材を介して貼り合わされ、前記一対の基板間の前記シール材によって囲まれた空間に誘電率異方性が負の液晶が封入された液晶装置であって、
前記一対の基板のそれぞれの前記シール材の内側には、第１垂直配向膜が設けられ、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の前記シール材の外側には、第２垂直配向膜が設けられ、前記第２垂直配向膜と前記第１垂直配向膜との間には垂直配向膜が設けられていない溝部が備えられており、少なくとも前記溝部に対応した位置に前記シール材が配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記溝部は、前記基板の端部に沿って枠状に設けられており、該枠状の溝部に対応して前記シール材が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１垂直配向膜及び前記第２垂直配向膜が、ポリイミド又はポリアミック酸により形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記シール材は、前記第１垂直配向膜が形成された領域の端部に接して設けられたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記シール材は、前記第１垂直配向膜が形成された領域の端部と間隙部を有して離間して設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第２垂直配向膜が、前記シール材の外側から前記一対の基板の周縁部まで延在して設けられたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、携帯情報端末機器といった各種の電子機器の表示装置として液晶装置が広く利用されている。液晶装置の中でも、液晶層として垂直配向タイプの液晶を用いた液晶装置（ＶＡモード）が、広い視角特性を有するものとして広く知られている。
このような垂直配向型の液晶装置では、それぞれが電極を備えた一対の基板を電極面が互いに対向するように一定の間隙、いわゆるセルギャップを保ってシール材を介して貼り合わされ、そのセルギャップ内に液晶が封入されている。そして、表示領域の液晶層側に突起やスリット等の配向規制手段が設けられると共に、配向膜にはポリイミド等からなる垂直配向型の配向膜が用いられている。これにより、初期状態で垂直配向された液晶が電圧印加に伴って所定方向に傾倒されることで、液晶の配向制御が可能となっている。
【０００３】
ここで、一対の基板間に設けられるシール材は、一対の基板の液晶側に形成された配向膜上に重なるようにして配置されている。このシール材は、印刷法やディスペンサ法により基板の周縁部に額縁状に形成される。
例えば、特許文献１に開示の液晶装置では、一方の基板の配向膜が、他方の基板のガラス端部のスクライブラインまで延長して設けられている。そして、この配向膜上にシール材が形成され、加圧、加熱することによりシール材を硬化させて他方の基板と貼り合わされている。これにより、ブレイク時、あるいはその後の工程で一方の基板のシール外周部と他方の基板のガラス端部であるスクライブラインとの隙間に、電極パターンのピッチ寸法以上の導電性異物が混入しても、基板内の横リーク不良を生じることなく、安定して液晶表示パネルを得ることができるようになっている。
さらに、特許文献２に開示の液晶装置では、一方の基板側には、表示領域にカラーフィルタ層が形成され、非表示領域にダミーカラーフィルタ層が形成されている。そして、これらの層を覆うようにして平坦化膜、パターン電極、及び配向膜が積層されて形成されている。シール材は、ダミーカラーフィルタ層が形成される配向膜上、及びダミーカラーフィルタ層の非形成領域に形成されている。これにより、カラーフィルタ層の厚さに関係なく、パネル中央部と周辺部とが同一のギャップを持ち、均一で品質の高いカラー液晶表示パネルを安定して得ることができるようになっている。
【特許文献１】実開平６−６０８３４号公報
【特許文献２】実開平６−６０８３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、異方性誘電率が負の液晶を用いた液晶装置において、上記特許文献に示すように垂直配向膜上にシール材を印刷すると、配向膜の材料の特性、例えば接触角等の関係から以下に示す問題があった。
（１）垂直配向膜とシール材との間の接触角が大きいため、垂直配向膜上にシール材を印刷により形成した後、基板を加圧しながら加熱を行いシール材を硬化させると、シール材が断線してしまう、いわゆるシール切れが発生してしまった。これにより、一対の基板の貼り合わせ時に液晶がシール材の断線部から漏れ出してしまい、液晶装置を作製することができないという問題があった。
（２）垂直配向膜はポリイミド等の撥水性を有する材料が用いられているため、シール材を垂直配向膜上に配置すると、シール材が設計位置からずれてしまう、いわゆるシールズレが発生してしまった。これにより、ブレイクラインとシール材の形成位置が重なってしまうため、ガラスブレイク時にシール材によりガラスが切断できないという問題がった。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、シール材のシール切れ、シールズレを防止することで製造時の歩留まりの向上を図った液晶装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、対向配置された一対の基板がシール材を介して貼り合わされ、前記一対の基板間の前記シール材によって囲まれた空間に誘電率異方性が負の液晶が封入された液晶装置であって、前記一対の基板のそれぞれの前記シール材の内側には、第１垂直配向膜が設けられ、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の前記シール材の外側には、第２垂直配向膜が設けられ、前記第２垂直配向膜と前記第１垂直配向膜との間には垂直配向膜が設けられていない溝部が備えられており、少なくとも前記溝部に対応した位置に前記シール材が配置されていることを特徴とする。
また本発明の液晶装置は、前記第１垂直配向膜及び前記第２垂直配向膜が、ポリイミド又はポリアミック酸により形成されたことも好ましい。
【０００７】
この構成では、第１垂直配向膜と第２垂直配向膜との間の溝部には配向膜が形成されていない基板面が露出された領域が設けられる。シール材は、この溝部に対応した位置に設けられるため、シール材と基板面との接触角が配向膜の場合と比較して小さくなり、いわゆるシール切れが防止される。これにより、シール切れによる液晶漏れが防止され、液晶装置の製造時の歩留まりの向上を図ることができる。
さらに、この構成によれば、シール材の内側及び外側に形成される第１及び第２垂直配向膜はポリイミド又はポリアミック酸からなるため、垂直配向型配向膜とシール材（垂直配向膜上に形成されるシール材）との間の接触角は高くなる。そのため、仮に外側の第２垂直配向膜上にシール材が配置されたとしても、このシール材が配向膜により弾かれ、シール材が溝部に収容される。これにより、第２垂直配向膜が設けられた位置から外側にシール材がズレて配置されるいわゆるシールズレが防止される。従って、シール材形成位置がブレイクラインと重ならないことで、シール材ではなく第２垂直配向膜をスクライブ、ブレイクすることができる。その結果、シール材の研削による接着力の低下等を防止することができ、液晶装置の製造時の歩留まりの向上を図ることができる。
【０００８】
また本発明の液晶装置は、前記溝部が、前記基板の端部に沿って枠状に設けられており、該枠状の溝部に対応して前記シール材が配置されていることも好ましい。
【０００９】
この構成によれば、溝部が端部に沿って枠状に設けられるため、垂直配向膜と接することなく一対の基板間に枠状のシール材を形成することができる。
【００１０】
また本発明の液晶装置は、前記シール材が前記第１垂直配向膜が形成された領域の端部に接して設けられたことも好ましい。
【００１１】
本発明では、シール材は第１垂直配向膜と第２垂直配向膜との間の溝部に規制されて形成される。従って、シール材が第１垂直配向膜の端部に接して設けられるため、シール材の内側方向の幅が規制される。これによりシール材の内側方向に設けられる表示領域をシール材の内周側面まで確保することができ、表示領域を大きくすることが可能となる。
【００１２】
また本発明の液晶装置は、前記シール材が前記第１垂直配向膜が形成された領域の端部と間隙部を有して離間して設けられていることも好ましい。
【００１３】
例えば、シール材を第１垂直配向膜及び第２垂直配向膜間の溝部に配置した後、基板間のセルギャップ、シール材の透湿性、又は基板間の導通性を確保するために、シール材のシールの厚み、シール材の幅を調整する必要がある場合がある。これに対し、本発明では、第１垂直配向膜とシール材との間に間隙部が設けられるため、シール材を上記溝部に配置した後、基板間のセルギャップ等を調整するためにシール材を加圧等して、シール材がシール材の幅方向に広がったとしても、間隙部がマージンとなる。従って、現状の設計ルールを侵すことなく、セルギャップ等の調整が可能となる。
【００１４】
また本発明の液晶装置は、前記第２垂直配向膜が前記シール材の外側から前記一対の基板の周縁部まで延在して設けられたことも好ましい。
【００１５】
一般的に、スクライブ、ブレイクラインは、一対の基板のシール材とは重ならないシール材の外側の周縁部に設けられている。従って、この構成によれば、第２垂直配向膜が一対の基板の周縁部に設けられるため、スクライブラインと第２垂直配向膜とが平面的に重なる位置となる。これにより、シール材ではなく第２垂直配向膜を確実にスクライブ、ブレイクすることができ、シール材の研削による接着力の低下等を防止することができる。
【００１６】
本発明の電子機器は、上記液晶装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、歩留まりの向上が図られた液晶装置を備えるため、製造の効率化が図られた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１８】
まず、本実施形態のアクティブマトリクス型液晶装置について説明する。
図１は、液晶が挟持された素子基板４０（第１基板）と対向基板４２（第２基板）とが貼り合わされたアクティブマトリクス型の液晶装置１００を示す平面図であり、図２は、図１に示す液晶装置１００のＡ−Ａ’線に沿った断面図であり、図３は、図１に示す液晶装置１００の等価回路図を示す図である。
【００１９】
液晶装置１００は、図１，図２に示すように、素子基板４０とこれに対向して配置された対向基板４２とがシール材１０を介して貼り合わされている。素子基板４０及び対向基板４２はガラスやプラスチック等の透明材料から形成されている。
【００２０】
素子基板４０は、対向基板４２から張り出した領域領域Ｂを有している。この張出領域Ｂには、スイッチング素子を駆動するための駆動ドライバ６６，６８が異方性導電膜（以下、「ＡＣＦ」という。）を介して実装されている。そして、駆動ドライバ６６，６８のそれぞれには、表示領域Ａの走査線３ａ及びデータ線６ａから引き廻された引き廻し配線２６が延設され接続されている。駆動ドライバ６６，６８の入力側には、フレキシブル基板用の接続端子５０が形成されている。
【００２１】
図１に示すように、液晶装置１００のシール材１０に囲まれた内側の表示領域Ａにはマトリクス状に配列された複数の画素６０が形成されている。各画素６０には、図１及び図３に示すように、画素電極９がそれぞれ形成されている。また、その画素電極９の側方には、画素電極９への導通制御を行う画素スイッチング素子であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０のソースには、データ線６ａが電気的に接続されている。各データ線６ａには画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給される。なお画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、各データ線６ａに対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給してもよい。
【００２２】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線３ａが電気的に接続されている。走査線３ａには、所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。なお、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、各走査線３ａに対してこの順に線順次で印加される。また、ＴＦＴ３０のドレインには、画素電極９が電気的に接続されている。そして、走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態にすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。
【００２３】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と後述する対向電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極９と容量線３ｂとの間に蓄積容量７０が形成され、液晶容量と並列に接続されている。このように、液晶に電圧が印加されると、その電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【００２４】
次に、液晶装置１００の断面構造について図２を参照して説明する。
素子基板４０の対向する対向基板４２側には、図示略の絶縁層が形成されている。そして、素子基板４０上に形成された絶縁層上には、走査線３ａとデータ線６ａとに囲まれた領域毎に画素電極３４が形成されている。各画素電極３４にはＴＦＴ３０が電気的に接続されている。
【００２５】
対向基板４２の対向する素子基板４０側には、カラーフィルタ４６と、オーバーコート層１６と、対向電極２４と、配向膜２０とが基板４２側からこの順に積層されて形成されている。さらに、カラーフィルタ４６は、遮光層３２と、着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂとを備えている。
【００２６】
遮光層３２は、図２に示すように、各着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの各々を区画するようにしてマトリクス状に形成されている。また、遮光層３２は、例えば黒色感光性樹脂膜が用いられる。このような材料を用いることにより、着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ同士の間の光の透過を遮断し、コントラストの向上を図ることができると共に、ＴＦＴ３０の漏れ電流を防止することができる。
【００２７】
着色層１２は、互いに異なる色からなり、赤色の着色層１２Ｒ，緑色の着色層１２Ｇ，青色の着色層１２Ｂから構成されている。着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、各画素６０に対応して、対向基板４２上にストライプ状に配列されている。これらの着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの材料としては、例えば、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂等の有機樹脂、ジエチレングリコールブチルエーテル誘導体中に顔料や染料を分散させたものが用いられる。
【００２８】
着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ上には、これらの着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを覆うようにしてオーバーコート層１６が形成されている。オーバーコート層１６は、着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂによる凹凸を平坦化するものである。オーバーコート層１６の材料としては、例えば、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂等の透明樹脂が好適に用いられる。オーバーコート層１６上には、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）などの透明導電材料からなる対向電極２４がベタ状に形成されている。
【００２９】
次に、本実施形態の垂直配向膜について図２及び図４を参照して詳細に説明する。
まず、素子基板４０側の配向膜の構成について説明する。
図４は、素子基板４０側に形成されるシール材１０と垂直配向膜５２，５４とを模式的に示す平面図である。なお、本実施形態に係る液晶装置において、シール材１０に囲まれた内側の領域を表示領域Ａと称し、シール材１０の外側のうち張出領域Ｂを除いた領域を非表示領域Ｃと称する。
【００３０】
図２及び図４に示すように、後述するシール材１０の内側（表示領域Ａ）の画素電極３４上の全面には第１垂直配向膜５２（図４斜線部）が形成されている。第１垂直配向膜５２は、液晶分子を膜面に対して垂直に配向させる配向膜として機能するものであり、配向膜５２表面にラビング等の配向処理は施されていない。第１垂直配向膜５２の材料としては、ポリイミド、又はポリイミドの前駆体であるポリアミック酸等の樹脂材料や無機材料が用いられる。ここで、第１垂直配向膜５２の側面５２ａ（端部）は、図２に示すように、シール材１０の内周側面１０ｂに接触するようにして形成されている。
【００３１】
一方、シール材１０の外側（非表示領域Ｃ）の素子基板４０上には、図２及び図４に示すように、シール材１０の外周に沿って額縁状に第２垂直配向膜５４（図４斜線部）が形成されている。第２垂直配向膜５４は、上記第１垂直配向膜５２と同一工程、及び同一材料により形成されるものであり、第１垂直配向膜５２と同様に垂直配向膜として機能する。第２垂直配向膜５４の材料としては、ポリイミド等が好適に用いられる。ここで、第２垂直配向膜５４の内周側面５４ａは、図２に示すように、シール材１０の外周側面１０ｃに接触するようにして形成されている。また、第２垂直配向膜５４の外側方向の端部５４ｂは、複数の液晶装置を個々にブレイクする際のスクライブ，ブレイクラインＬと平面的に重なるように素子基板４０の周縁部にまで形成されている。
【００３２】
対向基板４２側にも同様に、シール材１０の内側（表示領域Ａ）のカラーフィルタ上には第１垂直配向膜６２が形成されている。一方、シール材１０の外側（非表示領域Ｃ）の対向基板４２上には、シール材１０の外周に沿って額縁状に第２垂直配向膜６４が形成されている。その他の構成等については、素子基板４０側の垂直配向膜５２，５４と同様であるため詳細な説明を省略する。
【００３３】
このように、本実施形態において第１垂直配向膜５２と第２垂直配向膜５４との間隙には、図２及び図４に示すように、額縁状（枠状）に形成された所定の幅を有する溝部１０ａが形成される。溝部１０ａの幅Ｗ１は、形成するシール材１０の幅に合わせて形成されており、本実施形態ではシール材１０を加圧、加熱して硬化させた後のシール材１０の幅に合わせて設定されている。本実施形態において溝部１０aの幅Ｗ１は、４００μｍ〜１０００μｍの幅を有している。また、この溝部１０ａは、配向膜が形成されていない基板面が露出した領域であり、基板面と形成されるシール材１０との間の接触角が垂直配向膜５２，５４とシール材１０との間の接触角よりも低くなるようになっている。そして、素子基板４０側の溝部１０ａと対向基板４２側の溝部１０ａとは、一対の基板４０，４２の貼り合せ時に平面的に重なる位置に設けられ、シール材１０が互いの基板４０，４２面に対して垂直に設けられるようになっている。
【００３４】
素子基板４０及び対向基板４２のそれぞれに形成された溝部１０ａには、第１垂直配向膜５２（６２）及び第２垂直配向膜５４（６４）と平面的に重ならないようにしてシール材１０が形成されている。これにより、シール材１０は図４に示す額縁状に形成され、本実施形態では液晶を注入する液晶注入口が形成されていないいわゆる封口レス（ＯＤＦ、One Drop Fill）方式のシール構造となっている。
【００３５】
次に、液晶装置１００の画素構成について説明する。
図５（ａ）は、画素の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す画素のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。なお、図５（ａ），（ｂ）において符号５１にて示す略棒状の楕円体は、垂直配向された液晶分子を概念的に示すものである。
【００３６】
液晶装置１００の表示領域Ａには複数の画素６０が設けられ、各画素６０は、図５（ａ）に示すように、走査線３ａとデータ線６ａとに囲まれるドット領域Ｄ１〜Ｄ３から構成されている。各ドット領域のそれぞれには、３原色のうち１色のカラーフィルタ（２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ）が設けられている。
【００３７】
ドット領域Ｄ１〜Ｄ３のそれぞれには画素電極３４が形成されている。各ドット領域内に形成された画素電極３４は、スリット１９により複数（本実施形態では３つ）のサブピクセル（島状部）２９ａ，２９ｂに分割され、各サブピクセルは中央部で連結されている（連結部）。サブピクセル２９ａはＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）等の光反射性の金属膜若しくはこれらの金属膜とＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜との積層膜からなる。このサブピクセル２９ａは反射電極として機能し、このサブピクセル２９ａの形成された領域が反射表示領域Ｒとなる。反射電極の表面には凹凸形状が付与されており、この凹凸によって反射光が散乱されることで、視認性の良い表示が得られるようになっている。
一方、サブピクセル２９ｂはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなり、このサブピクセル２９ｂの形成された領域が透過表示領域Ｔとなる。
【００３８】
すなわち、本実施形態の液晶装置１００は、１つのドット領域内に反射表示を行う反射表示領域Ｒと透過表示を行う透過表示領域Ｔとを備えた半透過反射型の液晶装置となっている。図５では、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界を一点鎖線で示している。なお、サブピクセルとサブピクセルを連結する連結部はＩＴＯ等の透明導電膜からなり、この連結部も透過表示に寄与するようになっている。
【００３９】
また、サブピクセル２９ａ，２９ｂのそれぞれの中央部には、液晶の配向を規制するための配向規制手段である誘電体の突起２１が配設されている。各サブピクセル２９ａ，２９ｂの角部には面取り等が施され、サブピクセル２９ａ，２９ｂは平面視略八角形状乃至略円形状とされている。
【００４０】
走査線３ａとデータ線６ａと交差領域には、図５（ａ）に示すように、ＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３３と、半導体層３３の下層側（素子基板４０側）に設けられたゲート電極３１と、半導体層３３の上層側に設けられたソース電極３７と、ドレイン電極部３９とを備えて構成されている。
【００４１】
続けて、５（ｂ）に示す断面構造を見ると、液晶装置１００は、素子基板４０と、これに対向配置された対向基板４２とを備え、前記基板４０，４２間に初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶（屈折率異方性Δｎは例えば０．１）からなる液晶層４８が挟持されている。素子基板４０の外面側にあたる液晶セルの外側には、照明手段として光源、リフレクタ、導光板などを有するバックライト（図示略）が設置されている。
【００４２】
素子基板４０は石英、ガラス等の透光性材料からなり、素子基板４０の内面側（液晶層側）にはボトムゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ３０が形成されている。具体的には、素子基板４０上には、ゲート電極３１が形成され、ゲート電極３１を覆ってゲート絶縁膜４１が形成されている。ゲート絶縁膜４１上のゲート電極３１に対向する位置にはアモルファスシリコンからなる半導体層３３が形成され、半導体層３３には図中左側からソース領域、チャネル領域、及びドレイン領域が設けられている。そして、半導体層３３のソース領域上には絶縁膜を介してデータ線６ａ（ソース電極３７）が形成され、半導体層３３のドレイン領域上には絶縁膜を介して中継電極７６（ドレイン電極３９）が形成されている。ＴＦＴ３０を含むゲート絶縁膜４１上には層間絶縁膜４３が形成され、層間絶縁膜４３上には画素電極３４が形成されている。中継電極７６は、層間絶縁膜４３に形成されたコンタクトホール７８を介して、画素電極３４または反射膜１４に電気的に接続されている。
【００４３】
透過表示領域Ｔに位置する画素電極３４（サブピクセル４９ｃ）は、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成されている。一方、反射表示領域Ｒに位置する画素電極（サブピクセル４９ｂ）は、ＩＴＯ等の透明導電膜３４と、透明導電膜３４上に積層されたＡｌ等からなる反射膜１４とから構成されている。そして、透明導電膜３４の表面が凹凸状に形成され、この凹凸形状が反射膜１４に反映されるように構成されている。そして、画素電極３４及び層間絶縁膜４３を覆うようにしてポリイミド等の第１垂直配向膜５２が形成されている。
【００４４】
対向基板４２は石英、ガラス等の透光性材料からなり、対向基板４２の内面側には、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔに跨ってカラーフィルタ２２が設けられている。
【００４５】
カラーフィルタ２２の内面側には反射表示領域Ｒに対応してアクリル樹脂等の有機材料膜からなる液晶層厚調整層７２が選択的に形成されている。これにより、液晶層４８の層厚は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで異なり、反射表示領域Ｒにおける液晶層４８の厚みは透過表示領域Ｔにおける液晶層４８の厚みの約半分となっている。本実施形態の液晶装置１００は、液晶層厚調整層７２を用いることによってマルチギャップ構造を実現するものとなっている。
【００４６】
さらに対向基板４２の内面側には、カラーフィルタ２２と液晶層厚調整層７２の表面を覆って対向電極２４が形成されている。対向電極２４は平面ベタ状のＩＴＯ等からなる透明導電膜であり、係る対向電極２４上の画素電極３４と対向する位置に、液晶層４８に突出する誘電体突起２１が設けられている。誘電体突起２１の断面形状は略三角形で図示しているが、実際にはなだらかな曲面形状で形成される。透過表示領域Ｔには、２つのサブピクセル２９ｂ，２９ｂの各々に対応して、その中央部に対向する位置にそれぞれ１つずつ誘電体突起２１が形成されており、反射表示領域Ｒには、サブピクセル２９ａに対応して、その中央部に対向する位置に誘電体突起２１が１つ形成されている。反射表示領域Ｒの誘電体突起２１は、液晶層厚調整層７２に形成された凹部内の領域に配置されている。これらの誘電体突起２１は、樹脂等の誘電体材料からなり、マスクを用いたフォトリソグラフィ等によって形成することができる。
また、対向電極２４及び誘電体突起２１を覆ってポリイミド等の第２垂直配向膜５４が形成されており、液晶分子５１の初期配向を基板面に対し垂直に配向させるようになっている。
【００４７】
本実施形態では、第１垂直配向膜５２（６２）と第２垂直配向膜５４（６４）との間隙に、シール材１０を形成するための溝部１０ａが設けられる。この溝部１０ａは配向膜が形成されていない基板面が露出された領域となっている。本実施形態においてシール材１０は、垂直配向型配向膜とは重ならない溝部１０ａに設けられるため、シール材１０と基板面との接触角が配向膜上に形成する場合と比較して小さくなり、いわゆるシール切れが防止される。これにより、シール切れによる液晶漏れが防止され、液晶装置１００の製造時の歩留まりの向上を図ることができる。
また、本実施形態によれば、シール材１０の内側及び外側に形成される第１及び第２垂直配向膜５４（６４）はポリイミド又はポリアミック酸からなるため、垂直配向膜とシール材（垂直配向膜上に形成されるシール材）との間の接触角は高くなる。そのため、外側の第２垂直配向膜５４（６４）上にシール材１０が配置されたとしても、このシール材１０が第２垂直配向膜５４（６４）により弾かれ、シール材１０が溝部１０ａに収容される。これにより、第２垂直配向膜５４（６４）が設けられた位置から外側にシール材１０がズレて配置されるいわゆるシールズレが防止される。従って、シール材１０形成位置がブレイクラインと重ならないことで、シール材１０ではなく第２垂直配向膜５４（６４）をスクライブ、ブレイクすることができる。その結果、シール材１０の研削による接着力の低下等を防止することができ、液晶装置１００の製造時の歩留まりの向上を図ることができる。
【００４８】
また本実施形態によれば、シール材１０は第１垂直配向膜５２（６２）と第２垂直配向膜５４（６４）との間の溝部１０ａに規制されて形成される。従って、第１垂直配向膜５２（６２）の側面５２ａ（６２ａ）がシール材１０の内周側面１０ｂと接触することにより、シール材１０の内側方向の幅が規制される。これによりシール材１０の内側方向に設けられる表示領域Ａをシール材１０の内周側面１０ｂまで確保することができ、表示領域Ａを大きくすることが可能となる。
【００４９】
また、一般的に、スクライブ、ブレイクラインは、素子基板４０及び対向基板４２のシール材１０とは重ならないシール材１０の外側の周縁部に設けられている。従って、本実施形態によれば、第２垂直配向膜５４（６４）が一対の基板の周縁部に設けられるため、スクライブラインと第２垂直配向膜５４（６４）とが平面的に重なる位置となる。これにより、シール材１０ではなく第２垂直配向膜５４（６４）を確実にスクライブ、ブレイクすることができ、シール材１０の研削による接着力の低下等を防止することができる。
【００５０】
（第２の実施の形態）
次に、本実施形態について図面を参照して説明する。
上記実施形態においてはシール材の内側に形成する第１垂直配向膜の側面を、シール材の内周側面に接触させて形成していた。これに対し、本実施形態では、第１垂直配向膜の側面と、シール材の内周側面との間に間隙部を設けている点において上記実施形態と異なる。なお、液晶装置の基本構成は、上記第１実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５１】
図６は、本実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。
図６に示すように、シール材１０の内側の画素電極３４上の全面には第１垂直配向膜５２が形成されている。ここで、第１垂直配向膜５２の端部側面５２ａ（端部）とシール材１０の内周側面１０ｂとの間には間隙部９０が設けられている。
一方、シール材１０の外側の素子基板４０上には、シール材１０の外周に沿って額縁状に第２垂直配向膜５４が形成されている。第２垂直配向膜５４の内周側面５４ａは、シール材１０の外周側面１０ｃに接触するようにして形成されている。
対向基板４２側の垂直配向膜６２（６４）の構成については、素子基板４０側の垂直配向膜５２（５４）の構成と同様であるため説明を省略する。
【００５２】
例えば、シール材１０を第１垂直配向膜５２（６２）及び第２垂直配向膜５４（６４）間の溝部１０ａに配置した後、基板４０，４２間のセルギャップ、シール材１０の透湿性、又は基板４０，４２間の導通性を確保するために、シール材１０のシールの厚み、シール材１０の幅を調整する必要がある場合がある。これに対し、本実施形態では、第１垂直配向膜５２（６２）とシール材１０との間に間隙部９０が設けられるため、シール材１０を上記溝部１０ａに配置した後、基板４０，４２間のセルギャップ等を調整するためにシール材１０を加圧等して、シール材１０がシール材１０の幅方向に広がったとしても、間隙部９０がマージンとなる。従って、現状の設計ルールを侵すことなく、セルギャップ等の調整が可能となる。
【００５３】
（第３の実施の形態）
次に、本実施形態について図面を参照して説明する。
上記実施形態においては液晶装置のシール材には液晶注入口が設けられていない封口レス方式のものが用いられていた。これに対し、本実施形態の液晶装置では、シール材に液晶を注入する液晶注入口が設けられたものを用いている点において上記第１実施形態と異なる。なお、液晶装置の基本構成は、上記第１実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５４】
図７は、素子基板４０側のシール材１０と垂直配向膜５２，５４を模式的に示す平面図である。
シール材１０の内側の表示領域Ａの全面には、図７に示すように、第１垂直配向膜５２が形成されている。一方、シール材１０の外側の非表示領域Ｂには、シール材１０の外周に沿って額縁状に第２垂直配向膜５４が形成されている。
【００５５】
また、図７に示すように、素子基板４０の周縁部の第１垂直配向膜５２と第２垂直配向膜５４との間にはシール材１０が額縁状に形成されている。シール材１０の一部（素子基板４０の上辺の略中央部）には、液晶を一対の基板４０，４２間に注入するための液晶注入口２８が設けられている。そして、液晶注入口２８のシール材１０の両端部には、シール材１０の枠の外側に向かって突出する突出部２８ａ，２８ｂが設けられている。突出部２８ａ，２８ｂはシール材１０の外側に形成される第２垂直配向膜５４上に乗り上げて形成されており、第２垂直配向膜５４は開口部のない閉じた構造となっている。
【００５６】
本実施形態によれば、シール材１０に液晶注入口２８を形成した場合でも、上記第１実施形態と同様に、シール材１０のシール切れ又はシールズレを防止することができる。
【００５７】
＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の一例について説明する。
図８は、上述した液晶装置１００を備えた携帯電話（電子機器）を示した斜視図である。図８に示すように、携帯電話機６００は、ヒンジ１２２を中心として折り畳み可能な第１ボディ１０６ａと第２ボディ１０６ｂとを備えている。そして、第１ボディ１０６ａには、液晶装置６０１（１００）と、複数の操作ボタン１２７と、受話口１２４と、アンテナ１２６とが設けられている。また、第２ボディ１０６ｂには、送話口１２８が設けられている。本実施形態によれば、歩留まりの向上を図った液晶装置を備えるため、効率的に電子機器を提供することができる。
【００５８】
また、本実施形態の液晶装置１００は、上記携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。
【００５９】
なお、本発明は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることはもちろんである。また、本願発明の要旨を逸脱しない範囲において上述した各例を組み合わせても良い。
例えば、上記実施形態では、素子基板と対向基板とに第２垂直配向膜を形成していた。これに対し、素子基板及び対向基板のいずれか一方に第２垂直配向膜を形成することも可能である。この場合には、第２垂直配向膜を形成した基板側にシール材を描画することで、シールズレを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】同、液晶装置の等価回路を示す断面図である。
【図４】同、素子基板側の垂直配向膜の形成位置を示す平面図である。
【図５】（ａ）は画素の構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す画素のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図６】第２実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。
【図７】第３実施形態に係る素子基板側の垂直配向膜の形成位置を示す平面図である。
【図８】携帯電話の概略構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０…シール材、  ２４…対向電極、  ４０…素子基板、  ４２…対向基板、  ４８…液晶層（液晶）、  ５２，６２…第１垂直配向膜、  ５４，６４…第２垂直配向膜、  ９０…間隙部、  １００…液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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