(57)【要約】【課題】転送部電極間の溝部分内に遮光膜材料の残留を防ぐことにより、電荷転送不良を防止して、高品位な撮像信号を得る。【解決手段】光を受光する受光部２と、受光部２からの信号電荷を、平面視で一方向に電荷転送した後に、この一方向に交叉する方向に電荷転送する電荷転送電極５（所定の電荷転送電極では、２層構造の第１電極５ａと第２電極５ｂが交互に複数設けられている）が設けられ、電荷転送電極５への駆動電圧の印加によって、受光部２から読み出された信号電荷を一方向およびこれに交叉する方向に電荷転送可能とする電荷転送部３とを有し、電荷転送電極５のうちの所定の電荷転送電極側にのみ、第２電極５ｂ間の溝部分９を埋めるように、溝部分９内への遮光膜堆積防止用の酸化膜１０を有している。【選択図】図１
2007123533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を受光する各受光部上をそれぞれ開口すると共に、該各受光部側の電荷転送電極を覆う遮光膜を形成する遮光膜形成工程を有する固体撮像素子の製造方法において、
該遮光膜形成工程の前に、
該各受光部側の電荷転送電極以外の所定の電荷転送電極上にのみ、該所定の電荷転送電極上の溝部分を埋め込むように、所定膜を形成する膜形成工程を有する固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記膜形成工程は、前記所定の電荷転送電極として、２層構造の第１電極と第２電極のうち、該第１電極の所定方向両端部上に該第２電極の端部が重なるように所定方向に該第１電極と該第２電極が順次並べられて形成されており、該第２電極間の溝部分内に前記所定膜を埋め込む請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記膜形成工程は、
前記所定の電荷転送電極の溝部分内を埋め込むのに十分な膜厚の酸化膜を前記所定膜として前記受光部および該電荷転送電極上に堆積する酸化膜堆積工程と、
該所定の電荷転送電極の溝部分を埋め込んだ酸化膜を残し、それ以外の該受光部および該受光部側の電荷転送電極上の酸化膜を除去する酸化膜除去工程とを有する請求項１または２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記酸化膜除去工程は、反応性イオンエッチング法を用いたドライエッチングとフッ酸を用いたウェットエッチングにより、前記受光部および該受光部側の電荷転送電極上の酸化膜のみを除去する請求項３に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記膜形成工程は、
前記酸化膜堆積工程の前に、
前記受光部上の反射防止膜となる窒化膜を該受光部および前記電荷転送電極上に堆積する工程を有し、
前記酸化膜除去工程の後に、
該窒化膜をパターニングして該受光部上に該反射防止膜を形成する工程を有する請求項３または４に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
光を受光する各受光部上がそれぞれ開口されていると共に、該各受光部側の電荷転送電極を覆う遮光膜が設けられた固体撮像素子において、
該各受光部側の電荷転送電極以外の所定の電荷転送電極上にのみ、該所定の電荷転送電極上の溝部分を埋め込むように、該溝部分内への遮光膜堆積防止用の所定膜が形成されている固体撮像素子。
【請求項７】
前記所定の電荷転送電極は、２層構造の第１電極と第２電極のうち、該第１電極の所定方向両端部上に該第２電極の端部が重なるように所定方向に該第１電極と該第２電極が順次並べられて設けられており、該第２電極間の溝部分内に前記所定膜が埋め込まれている請求項６に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
半導体基板上に、画素部毎に、前記受光部からの信号電荷を一方向に電荷転送可能とし、該一方向に電荷転送した信号電荷を該一方向と交叉する方向に電荷転送可能とする電荷転送部が設けられ、前記電荷転送電極は、該電荷転送部上に絶縁膜を介して設けられている請求項６または７に記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記各受光部側の電荷転送電極は、該受光部からの信号電荷を一方向に電荷転送制御するための垂直電荷転送電極であり、前記所定の電荷転送電極は、該一方向に電荷転送した信号電荷を該一方向と交叉する方向に電荷転送制御するための水平電荷転送電極である請求項６〜８のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれかに記載の固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体光を撮像可能とする固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の一般的な固体撮像素子としては、被写体から光を受ける撮像部と、照射された入射光に応答して発生する信号電荷を蓄積して電荷転送する電荷転送部とを有している。この固体撮像素子は、一般的に、画素毎の各受光部にそれぞれ蓄積された信号電荷をトランスファーゲートを通じて電荷転送部であるＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）部に転送する。各受光部と同一基板上・チップ上に形成された電荷転送部上には、所定方向への信号電荷の転送制御を行うために、多結晶シリコンを用いた例えば２層構造のゲート電極（電荷転送電極）が所定方向に順次並べられて形成されている。その電荷転送の際に、光電効果によるノイズの信号電荷への混入を防止するために、この電荷転送部上に、遮光性に優れたタングステンなどの材料を用いて遮光膜を形成している。この遮光膜は、例えばフォトレジストパターンなどをマスクとして所定パターンに形成されている。
【０００３】
このように、一般的な電荷転送部上の電極構造としては、各画素部のピッチ内で１層目と２層目の各電荷転送電極が所定方向に順次並べられて形成されている。このような２層構造の電荷転送電極は、特許文献１および特許文献２に開示されている。
【０００４】
図５は、従来の固体撮像素子の要部構成例を示す図であって、（ａ）は、その受光部周辺の縦断面図、（ｂ）は、（ａ）と同一工程における電荷転送部および電荷転送電極の縦断面図である。
【０００５】
図５（ａ）に示すように、従来の固体撮像素子２０は、半導体基板１上部に、画素部毎に、光を受光して信号電荷に変換する受光部２および、この受光部２からの信号電荷を電荷転送する電荷転送部３が設けられ、この電荷転送部３上に絶縁膜４を介して電荷転送電極５が設けられ、この電荷転送電極５上には絶縁膜６を介して、受光部２上を開口した遮光膜７が設けられている。また、受光部２上には絶縁膜４を介して島状の反射防止膜８が設けられている。
【０００６】
図５（ｂ）に示すように、半導体基板１上部に、受光部２からの信号電荷を電荷転送する電荷転送部３が設けられ、この電荷転送部３上に絶縁膜４（複合構造膜４ａ，４ｂ）を介して、一方向に第１電極５ａと第２電極５ｂが交互に一方向両端部が互いに重なるように並べられて設けられている。
【０００７】
ここで、一般的な従来の固体撮像素子の製造方法について説明する。
【０００８】
まず、図５（ａ）および図５（ａ）の同一工程において、ゲート電極形成部およびその周辺回路部で配線と半導体基板１とを接続する、高濃度イオン注入によるドレイン部の形成のための注入保護膜６ａを形成する。
【０００９】
次に、光学的に一般的に用いられている反射防止膜８となる膜材料を、減圧ＣＶＤ法またはＰＣＶＤ法により所要の厚さ分だけ成膜する。
【００１０】
その後、反射防止膜８を、所定のレジストパターンをマスクとして、ＲＩＥ法を用いたエッチングにより、受光部２上で島状にパターン形成し、遮光膜７の形成工程における保護膜として、ＬＰ−ＣＶＤ法などにより酸化膜６ｂを形成する。
【００１１】
さらに、遮光膜７となるチタンおよびタングステン膜を成膜して所定形状にパターンニングする遮光膜形成工程へと移行する。この遮光膜形成工程では、遮光膜材料を受光部２上や電荷転送電極５上に設けた後に、受光部２上の遮光膜材料を除去して開口する。
【特許文献１】特開平６−１１２２３２号公報
【特許文献２】特開２０００−２０８７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、前述した特許文献１および特許文献２は何れも、単に、２層構造の電荷転送電極に関する技術であって、隣り合う第２電極５ｂ間の溝部分９（ボイド部）に発生する問題については何の記載もない。以下に、この隣り合う溝部分９（ボイド部）に発生する問題について説明する。なお、ボイド部とは、隣り合う第２電極５ｂ間の溝部分９であって、極小スペースまたは微小スペースを示している。
【００１３】
図６は、図５（ｂ）の第２電極５ｂ間の溝部分９（ボイド部）の内周壁に残留した遮光膜７の残留物７ａについて説明するための要部拡大断面図である。
【００１４】
図６に示すように、第２電極５ｂ間の溝部分９（ボイド部）内に、遮光膜７の材料（チタンおよびタングステン残り）である残留物７ａが発生する。
【００１５】
この残留物７ａの発生原因としては、次の（１）〜（３）の三つが考えられる。
（１）素子の微細化に伴いゲート電極（電荷転送電極５）間のスペース（溝部分９）が狭くなり、遮光膜７をレジストパターンをマスクとして形成する際に、第２電極５ｂ間にレジスト材料が残ることにより、微小な溝部分９内に遮光膜７の残留物７ａが発生する。
（２）注入保護膜６ａの形成によりゲート電極（電荷転送電極５；第１電極５ａと第２電極５ｂ）の側面が逆テーパ状になり、遮光膜７のパターン形成時のエッチングの際に第２電極５ｂ間の溝部分９に入り込んだ遮光膜７の材料を容易に除去できないことにより、微小な溝部分９内に遮光膜７の残留物７ａが発生する。
（３）遮光膜７のパターン形成時、ドライエッチングによる受光部２でのダメージ（欠陥）をなくすために、エッチング量が限られることにより、微小な溝部分９内の側面に遮光膜７の残留物７ａが発生する。
【００１６】
次に、電荷転送部３上の各第２電極５ｂ間の溝部分９に残った遮光膜材料の残留物７ａが及ぼす影響について、残留物７ａの発生過程を踏まえて以下に説明する。
【００１７】
遮光膜形成工程において、レジストパターン形成および、ＲＩＥなどを用いたドライエッチングにより、材料にチタンおよびタングステンを用いた遮光膜７が、受光部２上を開口して形成される。
【００１８】
また、素子の微細化に伴い、画素サイズが小さくなり、上記電荷転送部３上のゲート電極（電荷転送電極５）のピッチも小さくなると同時に、第２電極５ｂ間のスペース（溝部分９）も狭くなる。この結果、第２電極５ｂ間のボイド部（溝部分９）内にチタンおよびタングステンなどの遮光膜材料（金属材料）が形成不良として残ってしまう。この溝部分９内に残った残留物７ａは、固体撮像素子２０の動作時に、電荷転送電極５に電荷転送駆動電圧を印加した場合に、電気的に電位をもち、他のゲート電極に影響を及ぼして、電荷転送時の電荷転送部３のポテンシャルにも影響を及ぼす。このため、第２電極５ｂ間のボイド部（溝部分９）内に除去しきれずに残った遮光膜材料（残留物７ａ）は、電荷転送不良や電荷転送時の特性不良を引き起こす原因となる。
【００１９】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、転送部電極間の溝部分内に遮光膜材料の残留を防ぐことにより、電荷転送不良を防止して、高品位な撮像信号を得ることができる固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を撮像部に用いることにより高品位な撮像画像信号を得ることができる電子情報機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、光を受光する各受光部上をそれぞれ開口すると共に、該各受光部側の電荷転送電極を覆う遮光膜を形成する遮光膜形成工程を有する固体撮像素子の製造方法において、該遮光膜形成工程の前に、該各受光部側の電荷転送電極以外の所定の電荷転送電極上にのみ、該所定の電荷転送電極上の溝部分を埋め込むように、所定膜を形成する膜形成工程を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２１】
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における膜形成工程は、前記所定の電荷転送電極として、２層構造の第１電極と第２電極のうち、該第１電極の所定方向両端部上に該第２電極の端部が重なるように所定方向に該第１電極と該第２電極が順次並べられて形成されており、該第２電極間の溝部分内に前記所定膜を埋め込む。
【００２２】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における膜形成工程は、前記所定の電荷転送電極の溝部分内を埋め込むのに十分な膜厚の酸化膜を前記所定膜として前記受光部および該電荷転送電極上に堆積する酸化膜堆積工程と、該所定の電荷転送電極の溝部分を埋め込んだ酸化膜を残し、それ以外の該受光部および該受光部側の電荷転送電極上の酸化膜を除去する酸化膜除去工程とを有する。
【００２３】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における酸化膜除去工程は、反応性イオンエッチング法を用いたドライエッチングとフッ酸を用いたウェットエッチングにより、前記受光部および該受光部側の電荷転送電極上の酸化膜のみを除去する。
【００２４】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における膜形成工程は、前記酸化膜堆積工程の前に、前記受光部上の反射防止膜となる窒化膜を該受光部および前記電荷転送電極上に堆積する工程を有し、前記酸化膜除去工程の後に、該窒化膜をパターニングして該受光部上に該反射防止膜を形成する工程を有する。
【００２５】
本発明の固体撮像素子は、光を受光する各受光部上がそれぞれ開口されていると共に、該各受光部側の電荷転送電極を覆う遮光膜が設けられた固体撮像素子において、
該各受光部側の電荷転送電極以外の所定の電荷転送電極上にのみ、該所定の電荷転送電極上の溝部分を埋め込むように、該溝部分内への遮光膜堆積防止用の所定膜が形成されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２６】
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子における所定の電荷転送電極は、２層構造の第１電極と第２電極のうち、該第１電極の所定方向両端部上に該第２電極の端部が重なるように所定方向に該第１電極と該第２電極が順次並べられて設けられており、該第２電極間の溝部分内に前記所定膜が埋め込まれている。
【００２７】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子において、半導体基板上に、画素部毎に、前記受光部からの信号電荷を一方向に電荷転送可能とし、該一方向に電荷転送した信号電荷を該一方向と交叉する方向に電荷転送可能とする電荷転送部が設けられ、前記電荷転送電極は、該電荷転送部上に絶縁膜を介して設けられている。
【００２８】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における各受光部側の電荷転送電極は、該受光部からの信号電荷を一方向に電荷転送制御するための垂直電荷転送電極であり、前記所定の電荷転送電極は、該一方向に電荷転送した信号電荷を該一方向と交叉する方向に電荷転送制御するための水平電荷転送電極である。
【００２９】
本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像素子を撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３０】
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
【００３１】
本発明にあっては、遮光膜形成工程の前工程において、例えばＣＶＤなどを用いた成膜・エッチング技術を用いて電荷転送電極間の溝部分（ボイド部）を酸化膜で埋め込む。これにより、所定の電荷転送電極間の溝部分（ボイド部）でのチタンおよびタングステン残り（金属残り）を発生させることなく、信号電荷の電荷転送に悪影響を与えない高品質な固体撮像素子を得ることが可能となる。
【００３２】
この固体撮像素子の製造工程を簡単に説明する。
【００３３】
まず、遮光膜材料を堆積する前に、反射防止膜となる窒化膜材料を基板上に堆積する。
【００３４】
次に、所定の電荷転送電極間の溝部分（ボイド部）内を埋め込むのに十分な膜厚の層間膜としての酸化膜をＣＶＤ法などを用いて堆積する。
【００３５】
さらに、フォトレジストパターンをマスクとして、所定の電荷転送電極間の溝部分（ボイド部）を埋め込んだ酸化膜を残し、それ以外の受光部側の電荷転送電極上の酸化膜を除去する。
【００３６】
例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；反応性イオンエッチング）法を用いたドライエッチングとフッ酸を用いたウェットエッチングにより、受光部側の電荷転送電極上の酸化膜を除去する。
【００３７】
フォトレジストパターン・ＲＩＥエッチング技術を用いて窒化膜をパターニングして受光部上に島状の反射防止膜を形成する。
【００３８】
その後、遮光膜の形成工程を行う。この遮光膜形成工程では、既に、所定の電荷転送電極間の溝部分（ボイド部）が、窒化膜（反射防止膜材料）と酸化膜（層間膜）により埋め込まれている。このため、受光部および、所定の電荷転送電極を含む電荷転送電極の両側に遮光膜材料を堆積しても、遮光膜形成に伴って電荷転送電極間の溝部分（ボイド部）でのチタンおよびタングステン残り（金属残り）が発生することはなくなるので、高品位な撮像信号が得られる固体撮像素子を得ることが可能となる。
【００３９】
以上をまとめると、本発明の固体撮像素子は、光を受光する受光部と、第１電極と第２電極の２層構造からなる所定の電荷転送電極（例えば水平電荷転送電極）が複数あり、且つ、この所定の電荷転送電極が平面視で所定方向に並んで配置されている。遮光膜形成工程の前に、第２電極間の溝部分を埋めるような酸化膜を固体撮像素子全面に形成し、次に、受光部を含む側の電荷転送電極上（所定の電荷転送電極以外の電荷転送電極上および受光部上）に形成された酸化膜のみを除去する。その後、遮光膜形成工程を行う。
【００４０】
このように、所定の電荷転送電極において、隣り合う第２電極間の溝部分を埋めるように酸化膜が形成されており、第２電極間の溝部分内に遮光膜材料が入り込むことはない。このため、従来のように第２電極間に転送不良の原因となる遮光膜材料残りを生じさせることなく、電荷転送不良および電荷転送時の特性不良を防止し、高品質な撮像信号が得られる固体撮像素子を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、遮光膜形成工程の前に、受光部で用いられる層間膜（窒化膜と酸化膜）で、所定の電荷転送電極の第２転送電極間の溝部分を埋め込むことにより、所定の電荷転送部における溝部分内の遮光膜材料残りを防止することができ、受光部では、第２転送電極間の溝部分を埋め込むために形成された層間膜の例えば酸化膜を容易に除去することができる。これにより、所定の電荷転送部での、電荷転送不良をなくすことができ、固体撮像素子の品質低下・歩留まり低下を防止することができる。さらに、この高品質な撮像信号が得られる固体撮像素子を用いて、高品質な撮像画像を得ることができるデバイス（電子情報機器）を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に、本発明の固体撮像素子およびその製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４３】
図１は、本発明の実施形態に係る固体撮像素子の要部構成例を示す図であって、（ａ）は、その受光部周辺の縦断面図、（ｂ）は、（ａ）と同一工程における所定の電荷転送部および電荷転送電極の縦断面図である。なお、従来技術の図５で用いた構成部材と同一の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付している。
【００４４】
図１（ａ）および図１（ｂ）において、本実施形態の固体撮像素子２０Ａは、シリコン基板である半導体基板１上部に、画素部毎に、光を受光して信号電荷に変換する受光部２および、この受光部２からの信号電荷を一方向（垂直方向）に電荷転送し、この一方向に電荷転送した信号電荷をこの一方向と交叉する方向（水平方向）に電荷転送可能とする垂直電荷転送部および水平電荷転送部からなる電荷転送部３が設けられ、この電荷転送部３上に絶縁膜４を介して電荷転送電極５が設けられ、この電荷転送電極５上に層間膜としての絶縁膜６を介して、受光部２上を開口した遮光膜７が設けられている。また、受光部２上には絶縁膜４を介して島状の反射防止膜８が設けられている。
【００４５】
また、固体撮像素子２０Ａは、半導体基板１上部に、受光部２からの信号電荷を電荷転送可能とする電荷転送部３が設けられ、この電荷転送部３上に絶縁膜４（複合構造膜４ａ，４ｂ）を介して、第１電極５ａと第２電極５ｂが交互に所定方向の両端部が互いに重なるように並べられて設けられている。さらに、第２電極５ｂ間の溝部分９（ボイド部）内に反射防止膜８の窒化膜が設けられ、さらに溝部分９（ボイド部）を埋め込むように、溝部分９（ボイド部）内への遮光膜堆積防止用の酸化膜１０が形成されている。
【００４６】
絶縁膜４は、複合構造膜４ａおよび複合構造膜４ｂが平面視で交互に形成され、複合構造膜４ａ上に第１電極５ａが形成され、複合構造膜４ｂ上に第２電極５ｂがその両端を第１電極５ａに上から重なるように形成されている。複合構造膜４ａは、第１熱酸化シリコン膜とＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による酸化膜および窒化膜による複合構造膜であり、複合構造膜４ｂは、第２熱酸化シリコン膜とＣＶＤ法による酸化膜および窒化膜による複合構造膜である。
【００４７】
電荷転送電極５のうちの、図１（ａ）の電荷転送電極５（受光部側の電荷転送電極）は垂直電荷転送電極であり、図１（ｂ）の電荷転送電極５（所定の電荷転送電極）は水平電荷転送電極である。この水平電荷転送電極において、２層構造の第１電極５ａと第２電極５ｂとが交互に所定方向に並べられて設けられている。この第１電極５ａは、多結晶シリコン膜を、レジストパターンをマスクとしてパターニング形成したものであり、第２電極５ｂは、これと同様に、多結晶シリコン膜を、レジストパターンをマスクとしてパターニング形成したものである。
【００４８】
ここで、本実施形態の固体撮像素子２０Ａの製造方法について説明する。
【００４９】
図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、まず、図２（ａ）および図２（ｂ）の同一工程において、ゲート電極形成部およびその周辺回路部で配線と半導体基板１とを接続する、高濃度イオン注入によるドレイン部の形成のための注入保護膜６ａを、第２電極５ｂの表面および側面が覆われるように形成する。この注入保護膜６ａには、熱酸化による酸化膜またはＣＶＤ法による酸化膜が一般的に用いられている。
【００５０】
次に、光学的に一般的に用いられている反射防止膜８を減圧ＣＶＤ法またはＰＣＶＤ法により、所要の厚さ分（２００〜１０００オングストローム)だけ、例えば窒化膜を成膜する。
【００５１】
さらに、反射防止膜８上に、第２電極５ｂ間の溝部分９（ボイド部）を十分埋め込むのに十分な厚さの層間膜としての酸化膜１０を堆積する。この酸化膜１０は、一般的に減圧ＣＶＤ法を用いた酸化膜またはＰＣＶＤ法を用いた酸化膜であり、その膜厚を５０００から１００００（または１０００）オングストロームとして第２電極５ｂ間の溝部分９（ボイド部）を埋め込んでいる。
【００５２】
さらに、図３（ｂ）に示すように、受光部２および電荷転送電極５上において、フォトレジストにてパターニングされたフォトマスク１１を形成する。このとき、図３（ａ）に示すように、受光部２および受光部２側の電荷転送電極５上では、第２電極５ｂ間の溝部分９（ボイド部）内を埋め込んだ酸化膜１０を、ＲＩＥドライエッチングおよび、フッ化水素を用いたウェットエッチングによって除去する。この受光部２および受光部２側の電荷転送電極５上の酸化膜１０を除去する際に、後工程での遮光膜７のパターンニングで受光部２上の開口が最大限の開口面積を得られるようにウェットエッチングを用いて十分な浸液時間に設定し、受光部２側のゲート電極（垂直電荷転送電極）の側壁に沿った酸化膜１０を取り切る。この場合、酸化膜１０の下地には、反射防止膜８であるＳＩＮ膜層（窒素膜）があり、このＳＩＮ膜（反射防止膜８）は十分な対ウェットエッチ耐性があるので完全に酸化膜１０を除去可能である。
【００５３】
この後、反射防止膜８に対して、フォトレジストのパターンニングおよびＲＩＥ法を用いたエッチングを行うことにより、受光部２上の反射防止膜８を島状に残すように所定のパターンに形成する。
【００５４】
さらに、遮光膜７の形成工程における下地の保護膜として、ＬＰ−ＣＶＤ法などにより酸化膜６ｂを形成する。
【００５５】
さらに、遮光膜７としてのチタンおよびタングステン膜を成膜する遮光膜形成工程へと移行する。この遮光膜形成工程では、遮光膜材料を受光部２上や電荷転送電極５上に設けた後に、受光部２上の遮光膜材料を除去して開口する。第２電極５ｂ間の溝部分９（ボイド部；微小スペース部）は、既に酸化膜１０で埋め込まれて覆われており、従来のようにチタンおよびタングステンなどの金属の遮光膜材料残りは発生しなくなる。
【００５６】
以上により、本実施形態では、光を受光する受光部２と、受光部２からの信号電荷を、平面視で一方向（垂直方向）に電荷転送した後に、一方向に交叉する方向（水平方向）に電荷転送する電荷転送電極５（電荷転送電極５のうちの所定の電荷転送電極（水平電荷転送電極）として、２層構造の第１電極５ａと第２電極５ｂが交互に複数、並べられて設けられている）が設けられ、電荷転送電極５への駆動電圧の印加によって、受光部２から読み出された信号電荷を所定方向（垂直方向から水平方向）に電荷転送可能とする電荷転送部３とを有し、所定の電荷転送電極側にのみ、第２電極５ｂ間の溝部分９を埋めるような酸化膜１０を有している。その製造方法においては、遮光膜７を形成する遮光膜形成工程の前に、所定の電荷転送電極側にのみ、第２電極５ｂ間の溝部分９を埋めるような酸化膜１０を形成する工程を有している。
【００５７】
これによって、第２電極５ｂ間の溝部分９内に遮光膜材料が入り込むことはない。このため、従来のように第２電極５ｂ間に転送不良の原因となる遮光膜材料の残留を生じさせることなく電荷転送部３および電荷転送電極５を形成することができて、電荷転送不良および電荷転送時の特性不良を防止して、遮光膜７の形成不良による固体撮像素子２０Ａの歩留まりを向上させることができ、高品質な固体撮像素子２０Ａを得ることができる。さらに、高品質な固体撮像素子２０Ａを撮像部に用いることにより、高品位な撮像画像信号で撮像画像を表示できる電子情報機器を得ることができる。
【００５８】
なお、上記実施形態では、特に説明しなかったが、上記実施形態の固体撮像装置２０Ａを撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器について説明する。本発明の電子情報機器は、本発明の上記実施形態の固体撮像装置２０Ａを撮像部に用いて得た高品位な画像データを記録用に所定の信号処理した後にデータ記録する記録メディアなどのメモリ部と、この画像データを表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示する液晶表示装置などの表示手段と、この画像データを通信用に所定の信号処理をした後に通信処理する送受信装置などの通信手段と、この画像データを印刷（印字）して出力（プリントアウト）する画像出力手段とのうちの少なくともいずれかを有している。
【００５９】
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、被写体光を撮像可能とする固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、遮光膜形成工程の前に、受光部で用いられる窒化膜と酸化膜で第２転送電極間の溝を埋め込むことにより、電荷転送部におけるゲート電極間での遮光膜材料のチタンおよびタングステンり残を防止することができ、受光部では、第２転送電極間の溝部分を埋め込むために形成された酸化膜を容易に除去することができる。これにより、電荷転送部での、転送不良をなくすことができ、固体撮像素子の品質低下・歩留まり低下を防止することができる。特に、固体撮像素子を用いることにより、高品質なデバイス（電子情報機器）を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の要部構成例を示す図であって、（ａ）は、その受光部周辺の縦断面図、（ｂ）は、（ａ）と同一工程における所定の電荷転送部および電荷転送電極の縦断面図である。
【図２】図１の固体撮像素子の製造途中の酸化膜埋め込み工程における図であって、（ａ）は、受光部周辺の縦断面図、（ｂ）は、（ａ）と同一工程における所定の電荷転送部および電荷転送電極の縦断面図である。
【図３】図１の固体撮像素子の製造途中の酸化膜の一部除去工程における図であって、（ａ）は、受光部周辺の縦断面図、（ｂ）は、（ａ）と同一工程における所定の電荷転送部および電荷転送電極の縦断面図である。
【図４】図１の固体撮像素子の製造途中の遮光膜形成工程における図であって、（ａ）は、受光部周辺の縦断面図、（ｂ）は、（ａ）と同一工程における所定の電荷転送部および電荷転送電極の縦断面図である。
【図５】従来の固体撮像素子の要部構成例を示す図であって、（ａ）は、その受光部周辺の縦断面図、（ｂ）は、（ａ）と同一工程における所定の電荷転送部および電荷転送電極の縦断面図である。
【図６】図５の固体撮像素子における第２電極間のボイド部および遮光膜材料の残留について説明するための要部拡大図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  半導体基板
２  受光部
３  電荷転送部
４、６  絶縁膜
４ａ，４ｂ  複合構造膜
５  電荷転送電極
５ａ  第１電極
５ｂ  第２電極
６ａ  注入保護膜
６ｂ  保護膜（酸化膜）
７  遮光膜
８  反射防止膜
９  第２電極間の溝部分（ボイド部）
１０  酸化膜
１１  フォトマスク
２０Ａ  固体撮像素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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