(57)【要約】【課題】本発明は、欠陥画素補正方法及び半導体装置に関し、撮像装置の画素数が増加しても、撮像装置の品質を維持しつつ生産効率を向上することを目的とする。【解決手段】撮像装置の画素部内の欠陥画素に隣接する同色の画素を該欠陥画素の代わりに選択し、画素の擬似的な冗長を実現するように構成する。【選択図】図２
2007259120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置の画素部内の欠陥画素に隣接する同色の画素を該欠陥画素の代わりに選択し、画素の擬似的な冗長を実現することを特徴とする、欠陥画素補正方法。
【請求項２】
該画素部はＸ方向及び該Ｘ方向と直交するＹ方向に配列された複数の画素を有し、該欠陥画素の代わりに選択する画素は該欠陥画素にＸ方向上隣接することを特徴とする、請求項１記載の欠陥画素補正方法。
【請求項３】
該画素部はＸ方向及び該Ｘ方向と直交するＹ方向に配列された複数の画素を有し、該欠陥画素の代わりに選択する画素は該欠陥画素にＹ方向上隣接することを特徴とする、請求項１記載の欠陥画素補正方法。
【請求項４】
該画素部の一部の領域でのみ、該欠陥画素の代わりに隣接する同色の画素を選択することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項記載の欠陥画素補正方法。
【請求項５】
該画素部内の欠陥画素を検出する試験を行い、
対をなす２つの同色の隣接画素のうち一方が欠陥画素であることが検出されると、他方を該欠陥画素の代わりに選択する選択信号を生成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の欠陥画素補正方法。
【請求項６】
Ｘ方向及び該Ｘ方向と直交するＹ方向に配列された複数の画素を有する撮像用の画素部と、
該画素部内の画素を選択する駆動部とを備え、
該駆動部は、選択信号に応答して、対をなす２つの同色の隣接画素のうち、駆動するべき一方の画素の代わりに他方の画素を駆動することを特徴とする、半導体装置。
【請求項７】
該画素部は、少なくとも赤色、緑色及び青色の光検出素子からなる光検出素子群の最小単位が該Ｘ方向及び該Ｙ方向に複数配列された構成を有し、
該欠陥画素に隣接する同色の画素は、該欠陥画素が属する最小単位に隣接する最小単位に属する画素であることを特徴とする、請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
該画素部の中央部分の領域でのみ、該選択信号に応答して、該対をなす２つの同色の隣接画素のうち該他方の画素を駆動することを特徴とする、請求項６又は７記載の半導体装置。
【請求項９】
該選択信号は、該対をなす２つの同色の隣接画素のうち駆動するべき該一方の画素が欠陥画素であることを示すことを特徴とする、請求項６〜８のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１０】
該駆動部に供給する該選択信号の信号源となるＲＯＭ又はフューズを更に備えたことを特徴とする、請求項６〜９のいずれか１項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥画素補正方法及び半導体装置に係り、特に撮像装置の欠陥画素を補正する欠陥画素補正方法及びそのような欠陥画素補正方法を用いる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、撮像装置は携帯電話等の電子装置に使用されており、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサ等の需要が拡大している。又、撮像装置の画素数も、３０万画素から２００万画素、更には３００万画素が要求されるようになってきた。
【０００３】
撮像装置の画素数が増大するにつれて、欠陥画素の割合も増加する。特にカラー撮像装置の場合、画素数が増加する程、色を識別するフィルタ（又は、マスク）の製造誤差、プロセスの製造ばらつき、ゴミ、キズやリーク等が発生する割合が増加して、欠陥画素の割合も増加する傾向にある。このため、撮像装置の品質を維持しつつ生産効率を向上することは難しい。
【０００４】
欠陥画素を電気的な補間処理等で補正する方法は、特許文献１、特許文献２及び特許文献３等にて提案されている。
【特許文献１】特開平７−１４３４０３号公報
【特許文献２】特開平１０−３２２６０３号公報
【特許文献３】特開２００４−６４５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来は、撮像装置の画素数が増加する程、欠陥画素の割合が増加するため、撮像装置の品質を維持しつつ生産効率を向上することは難しいという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、撮像装置の画素数が増加しても、撮像装置の品質を維持しつつ生産効率を向上することが可能な欠陥画素補正方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題は、撮像装置の画素部内の欠陥画素に隣接する同色の画素を該欠陥画素の代わりに選択し、画素の擬似的な冗長を実現することを特徴とする欠陥画素補正方法によって達成できる。
【０００８】
上記の課題は、Ｘ方向及び該Ｘ方向と直交するＹ方向に配列された複数の画素を有する撮像用の画素部と、該画素部内の画素を選択する駆動部とを備え、該駆動部は、選択信号に応答して、対をなす２つの同色の隣接画素のうち、駆動するべき一方の画素の代わりに他方の画素を駆動することを特徴とする半導体装置によっても達成できる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、撮像装置の画素数が増加しても、撮像装置の品質を維持しつつ生産効率を向上することが可能な欠陥画素補正方法及び半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明では、撮像装置の画素部内の欠陥画素に隣接する同色の画素を欠陥画素の代わりに選択可能とすることで、画素の擬似的な冗長を実現する。これにより、撮像装置の画素数が増加しても、撮像装置の品質を維持しつつ生産効率を向上することができる。
【００１１】
以下に、本発明の欠陥画素補正方法及び半導体装置の各実施例を、図面と共に説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は、本発明の半導体装置の第１実施例の画素部のレイアウトを示す平面図であり、図２は、半導体装置の第１実施例の要部を示す回路図である。半導体装置の第１実施例は、本発明の欠陥画素補正方法の第１実施例を採用する。
【００１３】
図１に示す半導体装置（又は、半導体チップ）１は、画素部２、論理回路部３及び複数の端子４を有する。画素部２内には、複数のフォトダイオード部４１がＸ方向及びＹ方向に配列されている。各フォトダイオード部４１は、図１の右上部分に拡大して示すように、少なくともフォトダイオード４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂを含む。本実施例では、各フォトダイオード部４１は、１つの赤色フォトダイオード４１Ｒ、２つの緑色フォトダイオード４１Ｇ及び１つの青色フォトダイオード４１Ｂを有する。つまり、各フォトダイオード部４１は、少なくとも赤色、緑色及び青色の光検出素子からなる光検出素子群の最小単位を構成し、画素部２にはこのような光検出素子群の最小単位がＸ方向及びＹ方向に複数配列されている。半導体装置１の中心１Ｃは、本実施例では画素部２の中心２Ｃと異なる位置にあるが、画素部２の中心２Ｃの位置と一致しても良いことは言うまでもない。
【００１４】
説明の便宜上、論理回路部３は画素部２を駆動するＸ座標セレクタ、Ｙ座標セレクタ等の駆動部を含むものとするが、論理回路部３の位置は図１に示す位置に限定されず、一部が平面図上画素部２と重なる位置（即ち、紙面の下側）に設けられていても良い。又、画素部２、論理回路部３及び複数の端子４の配置は図１に示す配置に限定されず、他の周知の配置を採用可能である。
【００１５】
図２は、一例としてＸ方向上隣接する２つのフォトダイオード部（即ち、光検出素子群の最小単位）４１−１，４１−２とその駆動部を示す。各フォトダイオードに対する駆動部分の構成は同じであるため、図２では説明の便宜上、各フォトダイオード部４１−１，４１−２内の一方の緑色フォトダイオード４１Ｇ及び青色フォトダイオード４１Ｂの駆動部分は、破線で囲んで示しその図示は省略する。
【００１６】
各フォトダイオード４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂに対する駆動部分は、図２に示す如く接続されたナンド回路６１，６２、オア回路６３、ＰＭＯＳトランジスタ６４，６５、及びＮＭＯＳトランジスタ６６からなる。Ｖｃｃは電源電圧を示す。
【００１７】
Ｘ方向上隣り合う２つのフォトダイオード部４１−１，４１−２間では、同色のフォトダイオードの一方の駆動部分のトランジスタ６４，６６を接続するノードＮ１が他方の駆動部分のオア回路６３の一方の入力端子に接続されており、且つ、同色のダイオードの一方の駆動部分のオア回路６３の一方の入力端子が他方の駆動部分のトランジスタ６４，６６を接続するノードＮ１に接続されている。
【００１８】
フォトダイオード部４１−１には画素選択信号ＳＸ１，ＳＸ２，ＳＹ１，ＳＹ２が入力され、フォトダイオード部４１−２には画素選択信号ＳＸ３，ＳＸ４，ＳＹ１，ＳＹ２が入力される。又、フォトダイオード部４１−１には欠陥画素を示す選択信号ＪＸ１，ＪＸ２，ＪＹ１，ＪＹ２が入力され、フォトダイオード部４１−２には欠陥画素を示す選択信号ＪＸ３，ＪＸ４，ＪＹ１，ＪＹ２が入力される。フォトダイオード部４１−１，４１−２内の赤色フォトダイオード４１Ｒの出力はＰ−ＯＵＴ１、フォトダイオード部４１−１，４１−２内の一方の緑色フォトダイオード４１Ｇの出力はＰ−ＯＵＴ１、フォトダイオード部４１−１，４１−２内の他方の緑色フォトダイオード４１Ｇの出力はＰ−ＯＵＴ２、フォトダイオード部４１−１，４１−２内の青色フォトダイオード４１Ｂの出力はＰ−ＯＵＴ２で示す。
【００１９】
フォトダイオード部４１−１，４１−２内に欠陥画素が存在せず、例えばフォトダイオード部４１−１内の赤色フォトダイオード４１Ｒが選択駆動される場合には、画素選択信号ＳＸ１，ＳＹ１が「１」であり、他の画素選択信号ＳＸ２〜ＳＸ４，ＳＹ２は「０」であり、選択信号ＪＸ１〜ＪＸ４，ＪＹ１，ＪＹ２は「０」である。従って、フォトダイオード部４１−１内の赤色フォトダイオード４１Ｒに対する駆動部分内のＰＭＯＳトランジスタ６５はオンとなり、赤色フォトダイオード４１Ｒの出力がＰ−ＯＵＴ１として取り出される。他方、フォトダイオード部４１−２内の赤色フォトダイオード４１Ｒに対する駆動部分内のＰＭＯＳトランジスタ６５はオフとなり、赤色フォトダイオード４１Ｒの出力は取り出されない。フォトダイオード部４１−１，４１−２内に欠陥画素が存在せず、例えばフォトダイオード部４１−１内の緑色フォトダイオード４１Ｇ又は青色フォロダイオード４１Ｂが選択駆動される場合の動作も同様である。
【００２０】
他方、例えばフォトダイオード部４１−１内の赤色フォトダイオード４１Ｒが欠陥画素である場合には、選択信号ＪＸ１，ＪＹ１を「１」に設定する。この場合にフォトダイオード部４１−１内の赤色フォトダイオード４１Ｒが選択駆動されると、フォトダイオード部４１−１内の赤色フォトダイオード４１Ｒに対する駆動部分では、ナンド回路６１の出力が「１」から「０」に遷移し、ＰＭＯＳトランジスタ６４がオフ状態からオン状態に遷移し、ＮＭＯＳトランジスタ６６がオフ状態からオン状態に遷移し、ＳＸ１＝１がフォトダイオード部４１−２内の赤色フォトダイオード４１Ｒに対する駆動部分内のオア回路６３に供給される。又、フォトダイオード部４１−１内の赤色フォトダイオード４１Ｒに対する駆動部分内のナンド回路６２の出力が「１」から「０」に遷移し、ＰＭＯＳトランジスタ６５がオン状態からオフ状態に遷移し、赤色フォトダイオード４１Ｒの出力画素データＳＸ１が遮断される。更に、フォトダイオード部４１−２内の赤色フォトダイオード４１Ｒに対する駆動部分内のオア回路６３の出力は「０」から「１」に遷移し、ナンド回路６２の出力は「１」から「０」に遷移し、ＰＭＯＳトランジスタ６５がオフ状態からオン状態に遷移して、赤色フォトダイオード４１Ｒの出力画素データ（ＳＸ１のデータ）が有効な出力Ｐ−ＯＵＴ１として取り出される。
【００２１】
次に、例えば画素選択信号ＳＸ１を「０」、画素選択信号ＳＸ３を「１」にしても、フォトダイオード部４１−２内の赤色フォトダイオード４１Ｒに対する駆動部分内では、オア回路６３の出力は「１」に維持され、ＰＭＯＳトランジスタ６５はオン状態に維持されるので、赤色フォトダイオード４１Ｒの出力画素データは有効なままである。このように、画素選択信号ＪＸ１，ＪＹ１が共に「１」の場合には画素選択信号ＳＸ１を「０」、選択信号ＳＸ３を「１」とすることにより、フォトダイオード部４１−２内の赤色フォトダイオード４１Ｒの出力画素データを出力Ｐ−ＯＵＴ１として取り出すことができる。
【００２２】
画素選択信号ＳＸ１〜ＳＸ４，ＳＹ１，ＳＹ２の信号値は、画素部２の出力を読み出す順序に応じて周知の方法で設定すれば良い。他方、選択信号ＪＸ１〜ＪＸ４，ＪＹ１，ＪＹ２の信号値は、画素部２内の欠陥画素に応じて設定される。欠陥画素は、画素部２の試験を行う際に検出され、半導体装置１内に設けられたフューズ（図示せず）又はＲＯＭ（図示せず）を利用して、欠陥画素を選択する選択信号ＪＸｉ，ＪＹｊ（ｉ，ｊは整数）が「１」に設定されるようにすれば良い。
【００２３】
フォトダイオード部４１−１，４１−２内の緑色フォトダイオード４１Ｇに対する駆動部分の動作、及び青色フォトダイオード４１Ｂに対する駆動部分の動作は、上記赤色フォトダイオード４１Ｒに対する駆動部分の動作と同様であり、その説明は省略する。
【００２４】
又、Ｙ方向に隣接する２つのフォトダイオード部４１内の各フォトダイオード４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂに対する駆動部分の動作は、上記Ｘ方向に隣接する２つのフォトダイオード部４１−１，４１−２内の各フォトダイオード４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂに対する駆動部分の動作から容易に理解できるので、その図示及び説明は省略する。
【００２５】
このようにして、半導体装置１の画素部２内の欠陥画素に隣接する同色の画素を欠陥画素の代わりに選択可能とすることで、画素の擬似的な冗長を実現する。これにより、画素部２の画素数が増加しても、欠陥画素が連続して発生していない限り、半導体装置１の品質を維持しつつ生産効率を向上することができる。
【００２６】
図３は、半導体装置１の画素部２の試験を説明するフローチャートである。本実施例では、各フォトダイオード部４１が２つの緑色フォトダイオード４１Ｇを有するため、説明の便宜上、緑色を基準に試験が行われるものとする。又、半導体装置１は、画素部２からコード値「０」〜「２５５」を取り得る８ビットの出力コードを出力するものとする。
【００２７】
図３において、ステップＳ１は、端子（電極）４及び電源リークの試験を行い、どちらについても半導体装置１が正常であるか否かを判定する。端子４の電気的接続に不良があるか、或いは、電源リークが発生していると、ステップＳ１の判定結果がＮＯとなり、半導体装置１は不良品（ＮＧ）と判断される。ステップＳ１の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ２は白点試験を行い、画素部２が正常であるか否かを判定する。白点試験では、真っ暗な状態で画素部２内の全ての画素の出力コードのコード値が例えば「１００」以下であり、画素にリークが生じていないことを確認する。
【００２８】
ステップＳ２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ３は、感度試験を行い、画素部２が正常であるか否かを判定する。感度試験では、白色光の明るさの平均値が例えばコード値「１２８」で表される場合、白色光を画素部２に照射したときの画素部２の中央部分にある画素の出力コードが「１２８±５０」であり、感度が正常であることを確認する。ステップＳ２又はＳ３の判定結果がＮＯであると、半導体装置１は不良品であると判断される。
【００２９】
ステップＳ３の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ４は、黒点試験を行い、画素部２が正常であるか否かを判定する。黒点試験は、画素部２に白色光を照射したときに注目画素の出力コード値を、Ｘ又はＹ方向上注目画素より数画素離れた位置にある数画素の平均出力コード値で除してこれらの比の百分率を求め、例えば２０％以下であれば画素部２が正常であることを確認する。ステップＳ４の判定結果がＮＯであると、ステップＳ５は、画素部２の周辺部分の領域についてはステップＳ４の判断基準を１／２に緩和して同様の判定を行う。
【００３０】
ステップＳ４又はＳ５の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ６は、青点試験を行い、画素部２が正常であるか否かを判定する。青点試験は、画素部２に白色光を照射したときに注目青画素の出力コード値の青みを、Ｘ又はＹ方向上注目青画素より数画素離れた位置にある数青画素の平均出力コード値で除してこれらの比の百分率を求め、例えば２０％以下であれば画素部２が正常であることを確認する。ステップＳ６の判定結果がＮＯであると、ステップＳ７は、画素部２の周辺部分の領域についてはステップＳ６の判断基準を１／２に緩和して同様の判定を行う。
【００３１】
ステップＳ６又はＳ７の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ８は、赤点試験を行い、画素部２が正常であるか否かを判定する。赤点試験は、画素部２に白色光を照射したときに注目赤画素の出力コード値の赤みを、Ｘ又はＹ方向上注目赤画素より数画素離れた位置にある数赤画素の平均出力コード値で除してこれらの比の百分率を求め、例えば２０％以下であれば画素部２が正常であることを確認する。ステップＳ８の判定結果がＮＯであると、ステップＳ９は、画素部２の周辺部分の領域についてはステップＳ８の判断基準を１／２に緩和して同様の判定を行う。
【００３２】
ステップＳ５，Ｓ７，Ｓ９のいずれかの判定結果がＮＯであると、半導体装置１は不良品であると判断される。尚、ステップＳ５，Ｓ７，Ｓ９は省略しても良い。
【００３３】
ステップＳ８又はＳ９の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１０は、半導体装置１の入出力部リーク試験を行い、入出力部が正常であるか否かを判定する。ステップＳ１０の判定結果がＮＯであると、半導体装置１は不良品であると判断される。又、ステップＳ１０の判定結果がＹＥＳであると、試験は終了する。
【００３４】
上記の如き試験を行うことにより、半導体装置１の画素部２内の欠陥画素を検出することができる。上記選択信号ＪＸ１〜ＪＸ４，ＪＹ１，ＪＹ２等の欠陥画素を示す選択信号は、この試験の結果検出された欠陥画素が選択されるように設定すれば良い。
【実施例２】
【００３５】
図４は、本発明の半導体装置の第２実施例の画素部のレイアウトを示す平面図であり、図５は、本発明の半導体装置の第２実施例の要部を示す回路図である。半導体装置の第２実施例は、本発明の欠陥画素補正方法の第２実施例を採用する。
【００３６】
上記第１実施例では、半導体装置１の画素部２内の全ての画素に対して画素の擬似的な冗長を実現している。これに対して、第２実施例では、半導体装置１の画素部２の一部の領域内の画素に対してのみ画素の擬似的な冗長を実現している。
【００３７】
図３と共に説明した試験のように、光を画素部に照射する試験の場合、画素部の周辺部分の領域では画素部の中央部分の領域より多少光強度が低くなる場合がある。このような場合には、画素部の周辺部分の領域については試験結果の判断基準を上記の如く緩和することもある。又、人間の目には、画素部２の中央部分の領域内の欠陥画素の方が画素部の周辺部分の領域内の欠陥画素より目立って見える傾向がある。そこで、画素の擬似的な冗長を、画素部の中央部分の領域のみにおいて実現するようにしても良い。
【００３８】
又、例えば半導体装置の製造プロセスに起因して画素部の特定の領域内で欠陥画素が発生する確率が他の領域より高い傾向にある場合には、画素の擬似的な冗長を、画素部の特定の領域のみにおいて実現するようにしても良い。
【００３９】
図４中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図４に示す半導体装置１−１の画素部２−１は、中央部分の領域２Ａのみにおいて画素の擬似的な冗長を実現する構成を有する。即ち、画素部２−１の領域２Ａ内では、図２と同様の構成の駆動部が設けられている。
【００４０】
他方、画素部２−１の周辺部分の領域２Ｂ内では、画素の擬似的な冗長を実現する構成の駆動部は設けられておらず、図５に示す如き駆動部が設けられている。図５は、一例として１つのフォトダイオード部（即ち、光検出素子群の最小単位）４１とその駆動部を示す。図５中、図２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４１】
図５において、各フォトダイオード４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂに対する駆動部分の構成は同じである。各フォトダイオード４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂに対する駆動部分は、図５に示す如く接続されたナンド回路６２０及びＰＭＯＳトランジスタ６５０からなる。例えば、画素選択信号ＳＸ１，ＳＹ１が「１」で画素選択信号ＳＸ２，ＳＹ２が「０」であると、フォトダイオード部４１内の赤色フォトダイオード４１Ｒの出力画素データを出力Ｐ−ＯＵＴ１として取り出すことができる。フォトダイオード部４１内の赤色フォトダイオード４１Ｒの出力はＰ−ＯＵＴ１、一方の緑色フォトダイオード４１Ｇの出力はＰ−ＯＵＴ１、他方の緑色フォトダイオード４１Ｇの出力はＰ−ＯＵＴ２、青色フォトダイオード４１Ｂの出力はＰ−ＯＵＴ２で示す。
【００４２】
このようにして、半導体装置１−１の画素部２−１の領域２Ａ内の欠陥画素に隣接する同色の画素を欠陥画素の代わりに選択可能とすることで、画素の擬似的な冗長を実現する。これにより、画素部２−１の画素数が増加しても、欠陥画素が連続して発生していない限り、半導体装置１−１の品質を維持しつつ生産効率を向上することができる。更に、画素部２−１の領域２Ｂでは画素の擬似的な冗長を行わないので、その分画素部２−１の構成が簡単になる。
【００４３】
尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
（付記１）  撮像装置の画素部内の欠陥画素に隣接する同色の画素を該欠陥画素の代わりに選択し、画素の擬似的な冗長を実現することを特徴とする、欠陥画素補正方法。
（付記２）  該画素部はＸ方向及び該Ｘ方向と直交するＹ方向に配列された複数の画素を有し、該欠陥画素の代わりに選択する画素は該欠陥画素にＸ方向上隣接することを特徴とする、付記１記載の欠陥画素補正方法。
（付記３）  該画素部はＸ方向及び該Ｘ方向と直交するＹ方向に配列された複数の画素を有し、該欠陥画素の代わりに選択する画素は該欠陥画素にＹ方向上隣接することを特徴とする、付記１記載の欠陥画素補正方法。
（付記４）  該画素部には、少なくとも赤色、緑色及び青色の光検出素子からなる光検出素子群の最小単位が該Ｘ方向及び該Ｙ方向に複数配列されており、該欠陥画素に隣接する同色の画素は該欠陥画素が属する最小単位に隣接する最小単位に属する画素であることを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項記載の欠陥画素補正方法。
（付記５）  該画素部の一部の領域でのみ、該欠陥画素の代わりに隣接する同色の画素を選択することを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項記載の欠陥画素補正方法。
（付記６）  該一部の領域は、該画素部の中央部分の領域であることを特徴とする、付記５記載の欠陥画素補正方法。
（付記７）  該画素部内の欠陥画素を検出する試験を行い、
対をなす２つの同色の隣接画素のうち一方が欠陥画素であることが検出されると、他方を該欠陥画素の代わりに選択する選択信号を生成することを特徴とする、付記１〜６のいずれか１項記載の欠陥画素補正方法。
（付記８）  該選択信号をＲＯＭ又はフューズを用いて該撮像装置の駆動部に供給することを特徴とする、付記７記載の欠陥画素補正方法。
（付記９）  Ｘ方向及び該Ｘ方向と直交するＹ方向に配列された複数の画素を有する撮像用の画素部と、
該画素部内の画素を選択する駆動部とを備え、
該駆動部は、選択信号に応答して、対をなす２つの同色の隣接画素のうち、駆動するべき一方の画素の代わりに他方の画素を駆動することを特徴とする、半導体装置。
（付記１０）  該対をなす２つの同色の隣接画素は、該Ｘ方向上隣接することを特徴とする、付記９記載の半導体装置。
（付記１１）  該対をなす２つの同色の隣接画素は、該Ｙ方向上隣接することを特徴とする、付記９記載の半導体装置。
（付記１２）  該画素部は、少なくとも赤色、緑色及び青色の光検出素子からなる光検出素子群の最小単位が該Ｘ方向及び該Ｙ方向に複数配列された構成を有し、
該欠陥画素に隣接する同色の画素は、該欠陥画素が属する最小単位に隣接する最小単位に属する画素であることを特徴とする、付記９〜１１のいずれか１項記載の半導体装置。
（付記１３）  該画素部の一部の領域でのみ、該選択信号に応答して、該対をなす２つの同色の隣接画素のうち該他方の画素を駆動することを特徴とする、付記９〜１２のいずれか１項記載の半導体装置。
（付記１４）  該一部の領域は、該画素部の中央部分の領域であることを特徴とする、付記１３記載の半導体装置。
（付記１５）  該選択信号は、該対をなす２つの同色の隣接画素のうち駆動するべき該一方の画素が欠陥画素であることを示すことを特徴とする、付記９〜１４のいずれか１項記載の半導体装置。
（付記１６）  該駆動部に供給する該選択信号の信号源となるＲＯＭ又はフューズを更に備えたことを特徴とする、付記９〜１５のいずれか１項記載の半導体装置。
【００４４】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の半導体装置の第１実施例の画素部のレイアウトを示す平面図である。
【図２】本発明の半導体装置の第１実施例の要部を示す回路図である。
【図３】半導体装置の画素部の試験を説明するフローチャートである。
【図４】本発明の半導体装置の第２実施例の画素部のレイアウトを示す平面図である。
【図５】本発明の半導体装置の第２実施例の要部を示す回路図である。
【符号の説明】
【００４６】
１，１−１      半導体装置
２，２−１      画素部
３      論理回路部
４      端子
４１，４１−１，４１−２      フォトダイオード部
４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ      フォトダイオード
【図１】
2007259120.tif 000003
【図２】
2007259120.tif 000004
【図３】
2007259120.tif 000005
【図４】
2007259120.tif 000006
【図５】
2007259120.tif 000007