(57)【要約】【課題】設計の自由度が高いＮＲＤガイドの回路構造を提供する。【解決手段】ＮＲＤガイドの回路構造１は、互いに平行な第１及び第２の導電体板２Ａ，２Ｂ、入力側誘電体線路３、出力側誘電体線路４を備える。入力側誘電体線路３の端部に入力側モードサプレッサ８が配置された入力ポート７があり、出力側誘電体線路４の端部に出力側モードサプレッサ１２が配置された出力ポート１１がある。入力側モードサプレッサ８から主力側モードサプレッサ１２の距離Ｌ１は、モードサプレッサで抑制されるモードの電磁波の半波長の自然数倍である。入力側誘電体線路３にはＬＳＭモードの高周波信号が入力され、入力ポート７から出力ポート１１へＬＳＥモードとＬＳＭモードが混在した状態で電磁波が伝播される。出力側モードサプレッサ１２によってＬＳＥモードがＬＳＭモードに変換され、出力側誘電体線路４はＬＳＭモードのみとなる。【選択図】図１
2007166093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに平行な第１及び第２の導電体板と、
前記第１及び第２の導電体板間に密着するように配置された複数の誘電体線路と、個々の前記複数の誘電体線路の端部に設けられ、かつモードサプレッサが配置されたポートと、
前記複数の誘電体線路の前記ポート間に設けられ、高周波信号がＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で伝播する機能回路部とを備え、
前記複数の誘電体線路のうちの一つから入力されたＬＳＭモードの前記高周波信号が、他の前記誘電体線路に向けてＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で伝播し、前記他の誘電体線路の前記ポートの前記モードサプレッサによってＬＳＥモードの前記高周波信号がＬＳＭモードに変換され、他の誘電体線路に出力される高周波信号がＬＳＭモードのみとなり、かつ
前記複数の誘電体線路のうち前記高周波信号が入力される誘電体線路が備える前記ポートの前記モードサプレッサから、前記機能回路部を経て前記複数の誘電体線路のうち前記高周波信号が出力される前記誘電体線路が備える前記ポートの前記モードサプレッサまでの距離が、ＬＳＥモードの半波長の自然数倍であることを特徴とする、ＮＲＤガイドの回路構造。
【請求項２】
前記機能回路部は、一つの前記誘電体線路の前記ポートと他の前記誘電体線路の前記ポートとの間に介在し、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着するベンド状誘電体線路を備えることを特徴とする、請求項１に記載のＮＲＤガイドの回路構造。
【請求項３】
前記機能回路部は、一つの前記誘電体線路の前記ポートと他の前記誘電体線路の前記ポートとの間に介在し、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着する折れ線状誘電体線路を備えることを特徴とする、請求項１に記載のＮＲＤガイドの回路構造。
【請求項４】
前記機能回路部は、フィルタ回路であることを特徴とする請求項１に記載のＮＲＤガイドの回路構造。
【請求項５】
前記フィルタ回路は、一つの前記誘電体線路の前記ポートと他の前記誘電体線路の前記ポートが空間間隔を隔てて配置してなるハイパスフィルタ回路であることを特徴とする、請求項４に記載のＮＲＤガイドの回路構造。
【請求項６】
前記フィルタ回路は、一つの前記誘電体線路の前記ポートと他の誘電体線路の前記ポートが空間間隔を隔てて配置されると共に、この空間間隔に配置され、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着する誘電体線路片を備えるバンドパスフィルタ回路であることを特徴とする、請求項４に記載のＮＲＤガイドの回路構造。
【請求項７】
前記フィルタ回路は、一つの前記誘電体線路の前記ポートと他の誘電体線路の前記ポートとの間に介在し、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着するように配置された直線状誘電体線路と、この直線状誘電体線路と空間間隔を隔て配置され、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着する複数の誘電体線路片とを備えるバンドリジェクト回路であることを特徴とする、請求項４に記載のＮＲＤガイドの回路構造。
【請求項８】
前記機能回路部は、一端側に一つの前記誘電体線線路の前記ポートが配置される一方、他端側に複数の前記誘電体線路の前記ポートが配置された誘電体ブロック部を有し、前記一端側の前記誘電体線路に入力された高周波が前記誘電体ブロック部を介して前記他端側の前記複数の誘電体線路に分岐して伝播する分岐回路を備えることを特徴とする、請求項１に記載のＮＲＤガイドの回路構造。
【請求項９】
前記機能回路部は、一端側に二つの前記誘電体線線路の前記ポートが配置される一方、他端側に複数の前記誘電体線路の前記ポートが配置された誘電体ブロック部を有し、前記誘電体ブロック部の前記一端側の前記二つの誘電体線路のうちの一方に無反射終端部が設けられ、前記一端側の前記誘電体線路のうちの他方に入力された高周波信号が前記誘電体ブロック部を介して前記他端側の前記複数の誘電体線路に同一パワーで位相が異なる高周波信号として伝播するカプラ回路を備えることを特徴とする、請求項１に記載のＮＲＤガイドの回路構造。
【請求項１０】
前記機能回路部は、その外周に前記複数の前記誘電体線路の前記ポートが空間間隔を隔てて配置され、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着する誘電体環状部を有するラットレース回路を備えることを特徴とする請求項１に記載のＮＲＤガイドの回路構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＮＲＤガイドの回路構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＮＲＤガイド（Non-radiative Dielectric Waveguide：非放射性誘電体線路）は、電磁波が伝播する誘電体線路を一対の導電体板で挟み込み、かつ導電体板間の間隔を誘電体線路中を伝播する周波数の電磁波が仮に自由空間（導電体板間の誘電体線路以外の空間であり、空気が存在していても、空気以外の誘電体線路３と比誘電率が異なる気体や固体が充填されていてもよい。）を伝播した場合の波長の１／２未満に設定されている。ＮＲＤガイドは放射損の低減による低損失化と小型化とを実現できるため、ＮＲＤガイドを応用した通信装置、レーダ装置等の種々の機器（ＮＲＤガイド装置）が提案されている。また、ＮＲＤガイド装置で使用される、ベンド線路利用回路、フィルタ回路、分岐回路、カプラ（方向性結合器）回路、及びサーキュレータ等の種々の回路構造が提案されている。
【０００３】
ＮＲＤガイドにおける主たる伝送モードには、ＬＳＭ（Longitudinal Section Magnetic）モードとＬＳＥモード（Longitudinal Section Electron）がある。ＬＳＭモードは、伝送損失がＬＳＥモードよりも少ないので、従来のこの種のＮＲＤガイドの回路構造では、ＬＳＥモードを不要なモードとしてモードサプレッサで抑制する設計が一般的である。
【０００４】
モードサプレッサは、上下の導電体板に垂直で、かつ誘電体線路中の高周波信号の伝播方向に平行な姿勢で誘電体線路の幅方向の略中心に配置された導電体（導体板又は導電パターン）であり、ＴＥＭ（Transverse Electric-Magnetic）モードを除去するために、幅の広い部分と狭い部分がＴＥＭモードの波長の１／４の周期で交互に繰り返し形成されており、幅の広い部分の効果によりLSEモードが励振されない電磁界条件を成すものである。この種のモードサプレッサは、例えば特許文献１に記載されている。
【０００５】
また、モードサプレッサを使用した従来のＮＲＤガイドの回路構造としては、例えば以下のものがある。
【０００６】
まず、特許文献２〜４には、磁性体を含む共振器に対して角度間隔をあけて複数の誘電体線路の先端を臨ませた構成のサーキュレータにおいて、誘電体線路の先端にモードサプレッサを配置することが記載されている。入力側の誘電体線路から入力されたＬＳＭモードの高周波信号（電磁波）がフェライト共振器を介して出力側の誘電体線路に伝播する際に、ＬＳＥモードが不可避的に生じるので、ＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した高周波信号が出力側の誘電体線路へ向かう。特許文献２〜４では、出力側の誘電体線路の先端に配置されたモードサプレッサによってＬＳＥモードを抑制し、出力側の誘電体線路へＬＳＭモードの高周波信号のみを伝播させている。
【０００７】
特許文献５には、誘電体共振器に対して角度間隔をあけて複数の誘電体線路の先端を臨ませた構成のモード変換器が記載されている。このモード変換器では、ＬＳＭモードのみを伝播させる誘電体線路の先端にモードサプレッサを配置し、ＬＳＥモードの抑制を図っている。
【０００８】
以上のように、従来のＮＲＤガイド回路の回路構造は、モードサプレッサをＬＳＥモードの抑制・除去ないしはＬＳＭモードのＬＳＥモードからの分離のために使用している。換言すれば、従来のＮＲＤガイド回路の回路構造は、ＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態を積極的に利用しておらず、ＬＳＭモードほぼ単独で動作するように、寸法や形状が設定されている。従って、理論的に決まる最小限の損失となるように回路構造の寸法や形状を設定する必要があり、設計の自由度が低い。例えば、ベンド線路利用回路の場合、ベンドの曲げ半径や角度はベンド線路の出入り口のみでＬＳＭモード存在比を１００％近くにする特殊設計を行うため離散的な値にしか設定できず、回路構造を小型化することが困難である。
【０００９】
【特許文献１】特開昭６３−１８５１０１号公報
【特許文献２】特開２００１−２０３５０１号公報
【特許文献３】特開２００２−２９０１１２号公報
【特許文献４】特開平１１−３０８０１４号公報
【特許文献５】特開平１０−１７３４１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、従来のＮＲＤガイド回路の回路構造の設計思想とは異なる発想に基づき、寸法、形状、及び配置等の設計の自由度が高いＮＲＤガイドの回路構造を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前述のように、従来のＮＲＤガイド装置の回路構造では、モードサプレッサをＬＳＥモードの抑制・除去ないしはＬＳＭモードをＬＳＥモードから分離するために使用し、ＬＳＭモードほぼ単独で動作するように、寸法や形状が設定されていた。これに対して本発明者は種々の考察、検討等の結果、モードサプレッサにはＬＳＥモードをある効率でＬＳＭモードへ変換する機能があり、この機能を利用すればＮＲＤガイド装置においてＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在する状態での高周波信号の伝播を積極的できることに着目した。本発明は、かかる新たな発想に基づいてなされたものである。
【００１２】
ここで図１９Ａ〜図１９Ｃを参照し、モードサプレッサによりＬＳＥモードがＬＳＭモードに変換される原理を説明する。図１９Ａ〜図１９ＣはＮＲＤガイドを模式的に示し、符号１０１Ａ，１０１Ｂは導電体板、符号１０２は誘電体線路を示す。また、実線Ｅは電界を示し、点線Ｈは磁界を示す。なお、誘電体線路１０２は紙面に対して垂直な方向に延びている。図１９Ａに示すＬＳＥモードの高周波信号（電磁波）が、図１９Ｂに示すようにサプレッサ１０３に達すると導電体であるサプレッサ１０３の存在により電磁界条件的にＴＥＭモードが励振される。詳細には、サプレッサ１０３まわりの磁界成分で電流が生じてＬＳＥモードからＴＥＭモードに変換される。続いて、図１９Ｃで示すように、サプレッサ１０３を通過後のＴＥＭモードは電界成分分布が類似するＬＳＭモードに変換される。
【００１３】
本発明は、互いに平行な第１及び第２の導電体板と、前記第１及び第２の導電体板間に密着するように配置された複数の誘電体線路と、個々の前記複数の誘電体線路の端部に設けられ、かつモードサプレッサが配置されたポートと、前記複数の誘電体線路の前記ポート間に設けられ、高周波信号がＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で伝播する機能回路部とを備え、前記複数の誘電体線路のうちの一つから入力されたＬＳＭモードの前記高周波信号が、他の前記誘電体線路に向けてＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で伝播し、前記他の誘電体線路の前記ポートの前記モードサプレッサによってＬＳＥモードの前記高周波信号がＬＳＭモードに変換され、他の誘電体線路に出力される高周波信号がＬＳＭモードのみとなり、かつ前記複数の誘電体線路のうち前記高周波信号が入力される誘電体線路が備える前記ポートの前記モードサプレッサから、前記複数の誘電体線路のうち前記高周波信号が出力される前記誘電体線路が備える前記ポートの前記モードサプレッサまでの距離が、ＬＳＥモードの半波長の自然数倍であることを特徴とする、ＮＲＤガイドの回路構造を提供する。
【００１４】
入力側の誘電体線路には、ＬＳＭモードの高周波信号が入力される。機能回路部ではＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で高周波信号が伝播する。ＬＳＭモードの高周波信号は機能回路部を伝播して出力側の誘電体線路にそのまま出力される。一方、機能回路部を伝播するＬＳＥモードの高周波信号は、出力側の誘電体線路のポートに配置されたモードサプレッサによりＬＳＭモードに変換される。その結果、出力側の誘電体線路に出力される高周波信号はＬＳＭモードのみとなる。
【００１５】
入力側のモードサプレッサから出力側モードサプレッサまでの距離をＬＳＥモードの半波長の自然数倍に設定することにより、出力側のモードサプレッサで入力側へ反射され、さらに入口側のモードサプレッサで反射されるＬＳＥモードの高周波信号の位相が、入力側のモードサプレッサから出力側のモードサプレッサに直接到達するＬＳＥモードの高周波信号と同位相となる。その結果、位相の異なるＬＳＥモードの干渉による損失を低減でき、ＬＳＥモードのエネルギを効果的に出力側のモードサプレッサに送り込んでＬＳＭモードに変換することができる。
【００１６】
機能回路部では高周波信号の伝播にＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態を用いている。従って、回路構造の寸法、形状、及び配置等は単一モード化のための制約を受けず、設計の自由度が高いので、回路構造の小型化や高機能化を図ることができる。
【００１７】
本発明は、ベンド線路利用回路、折れ線線路利用回路（ＮＲＤガイド回路として始めてのもの）、フィルタ回路、分岐回路、カプラ（方向性結合器）回路、ラットレース回路（ＮＲＤガイド回路として始めてのもの）等の種々の回路構造に適用できる。
【００１８】
ベンド線路利用回路の場合、前記機能回路部は、一つの前記誘電体線路の前記ポートと他の前記誘電体線路の前記ポートとの間に介在し、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着するベンド状誘電体線路を備える。入力側の誘電体線路、出力側の誘電体線路、及びベンド状誘電体線路は一体であっても、別体であってもよい。
【００１９】
折れ線線路利用回路の場合、折れ線回路というものは従来のNRDガイド回路には存在しないものであるが、ここに新規に提案する。前記機能回路部は、一つの前記誘電体線路の前記ポートと他の前記誘電体線路の前記ポートとの間に介在し、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着する折れ線状誘電体線路を備える。入口側の誘電体線路、出口側の誘電体線路、及び折れ線状誘電体線路は一体であっても、別体であってもよい。
【００２０】
フィルタ回路としては、例えばハイパスフィルタ回路、バンドパスフィルタ回路、バンドリジェクト回路等がある。
【００２１】
ハイパスフィルタ回路の場合、一つの前記誘電体線路の前記ポートと他の前記誘電体線路の前記ポートが空間間隔を隔てて配置される。
【００２２】
バンドパスフィルタ回路の場合、一つの前記誘電体線路の前記ポートと他の誘電体線路の前記ポートが空間間隔を隔てて配置されると共に、この空間間隔に配置され、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着する誘電体線路片が設けられる。
【００２３】
バンドリジェクト回路の場合、一つの前記誘電体線路の前記ポートと他の誘電体線路の前記ポートとの間に介在し、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着するように配置された直線状誘電体線路と、この直線状誘電体線路と空間間隔を隔て配置され、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着する複数の誘電体線路片が設けられる。
【００２４】
分岐回路の場合、前記機能回路部は、一端側に一つの前記誘電体線線路の前記ポートが配置される一方、他端側に複数の前記誘電体線路の前記ポートが配置された誘電体ブロック部を有し、前記一端側の前記誘電体線路に入力された高周波が前記誘電体ブロック部を介して前記他端側の前記複数の誘電体線路に分岐して伝播する。誘電体ブロック部は、単一の誘電体部材からなるものでも、複数の誘電体部材からなるものでもよい。
【００２５】
カプラ回路の場合、前記機能回路部は、一端側に二つの前記誘電体線線路の前記ポートが配置される一方、他端側に複数の前記誘電体線路の前記ポートが配置された誘電体ブロック部を有し、前記誘電体ブロック部の前記一端側の前記二つの誘電体線路のうちの一方に無反射終端部が設けられ、前記一端側の前記誘電体線路のうちの他方に入力された高周波信号が前記誘電体ブロック部を介して前記他端側の前記複数の誘電体線路に同一パワーで位相が異なる高周波信号として伝播する。誘電体ブロック部は、単一の誘電体部材からなるものでも、複数の誘電体部材からなるものでもよい。
【００２６】
ラットレース回路の場合、ラットレース回路というものは従来のNRDガイド回路には存在しないものであるが、ここに新規に提案する。前記機能回路部は、その外周に前記複数の前記誘電体線路の前記ポートが空間間隔を隔てて配置され、かつ前記第１及び第２の導電体板間に密着する誘電体環状部を有する。誘電体環状部は、単一の誘電体部材からなるものでも、複数の誘電体部材からなるものでもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明のＮＲＤガイドの回路構造では、出力側の誘電体線路のポートに配置されたモードサプレッサによってＬＳＥモードの高周波信号をＬＳＭモードに変換すると共に、入力側のモードサプレッサから出力側のモードサプレッサまでの距離をＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定し、入力側の誘電体線路のポートと出力側の誘電体線路のポートとの間の機能回路部では高周波信号はＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で伝播させる、従って、機能回路部の寸法、形状、及び配置等は、単一モード化のための制約を受けず、設計の自由度が高いので、ベンド線路利用回路、折れ線線路利用回路、フィルタ回路、分岐回路、カプラ（方向性結合器）回路、ラットレース回路等の種々の回路構造の小型化や高機能化及び従来無かった新たな回路の形成を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
まず、図２０の模式図を参照して、本発明の基本的な原理ないしは概念を説明する。なお、図２０では一対の誘電体板（例えば、図１９Ａ〜図１９Ｃの符号１０１Ａ，１０２Ｂ参照。）の図示は省力している。
【００２９】
本発明のＮＲＤガイドの回路構造は、一対の誘電体板間に密着するように配置された複数の誘電体線路Ｍ１〜Ｍｋ（kは２以上の自然数）を備える。個々の誘電体線路Ｍ１〜Ｍｋの端部にはサプレッサ２０１が配置されたポート２０２が設けられている。また、これら複数の誘電体線路Ｍ１〜Ｍｋのポート２０２間には、機能回路部２０３が設けられている。後に種々の実施形態を例示して説明するように、この機能回路部２０３によりベンド線路利用回路、折れ線線路利用回路、フィルタ回路、分岐回路、カプラ（方向性結合器）回路、ラットレース回路等の回路構造が実現される。原理的には複数の誘電体線路Ｍ１〜Ｍｋのうち、どのポートが入力側となっても出力側となってもよい。つまり、誘電体線路Ｍ１〜Ｍｉ（ｉは２以上でｋ未満の自然数）が入力側の誘電体線路となり、残りの誘電体線路Ｍｉ＋１〜Ｍｋが出力側の誘電体線路となる種々の回路構造が考えられる。
【００３０】
以下、誘電体線路Ｍ１を入力側の誘電体線路とし、誘電体線路Ｍ２を出力側の誘電体線路とする場合を例に説明する。まず、入力側の誘電体線路Ｍ１には、ＬＳＭモードの高周波信号（電磁波）が入力される。誘電体線路Ｍ１のポート２０２から機能回路部２０３を経て高周波信号が出力側の誘電体線路Ｍ２へ伝播するが、機能回路部２０３中では高周波信号はＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で伝播する。なお、説明を簡略化するため、ＬＳＭ，ＬＳＥの２種のモードを例にしているが、より現実的にはＮＲＤ線路構造中に存在し得る他のモード、例えばＴＥ，ＴＭ，ＴＥＭ等も存在し得る場合は考慮するものとする。機能回路部２０３を伝播したＬＳＭモードの高周波信号は出口側の誘電体線路Ｍ２にそのまま出力される。一方、機能回路部２０３を伝播したＬＳＥモードの高周波信号は、図１９Ａ〜図１９Ｃを参照してその原理を説明したように、出口側の誘電体線路Ｍ２のポート２０２に配置されたモードサプレッサ２０１でＬＳＭモードに変換される。従って、誘電体線路Ｍ２に出力される高周波信号はＬＳＭモードとなる。
【００３１】
入力側の誘電体線路Ｍ１のポート２０２のモードサプレッサ２０１から、出力側の誘電体線路Ｍ２のポート２０２のモードサプレッサ２０１までの距離（一点鎖線Ｌで示す。）はＬＳＥモードの半波長の自然数倍に設定されている。すなわち、ＬＳＥモードの波長（線路内波長）をλgEとすると、入口側と出口側のモードサプレッサ２０１の距離はｎλgE／２（ｎは自然数）に設定されている。
【００３２】
以下、図２１を参照して入口側と出口側のモードサプレッサの距離をｎλgE／２に設定する理由を説明する。図２１において、符号３０１Ａ，３０１Ｂは導電体板を示す。また、符号３０２は入力側の誘電体線路を示し、符号３０３は出力側の誘電体線路を示す。入力側の誘電体線路３０２の端部には、モードサプレッサ３０４Ａが配置された出力ポート３０５Ａが設けられている。同様に、出口側の誘電体線路３０３の端部には、モードサプレッサ３０４Ａが配置された出力ポート３０５Ａが設けられている。この図２１では、理解を容易にするため、機能回路部３０６は入力側及び出力側の誘電体線路３０２，３０３と一体の誘電体線路として図示している。
【００３３】
モードサプレッサ３０４Ａ，３０４ＢはＬＳＭモードに対しては伝播の妨げとならないが、ＬＳＥモードに対しては伝播の障壁となる。出力側のポート３０５Ｂに達したＬＳＥモード（符号ＬＳＥ１で示す。）は、図１９Ａ〜１９Ｃを参照して説明したように、出力側のモードサプレッサ３０４ＢによりＴＥＭモードを経てＬＳＭモードに変換されが、その一部は出力側のモードサプレッサ３０５Ｂにより反射されて機能回路部３０６から入力側のモードサプレッサ３０４Ａへ戻る（符号ＬＳＥＲｅｔで示す。）。モードサプレッサ３０４Ａ，３０４Ｂ間の間隔を前述のｎλ／２に設定しておけば、ＬＳＥモードの反射成分ＬＳＥＲｅｔはもとの入力信号ＬＳＥ１と同位相となる。そして、この反射成分ＬＳＥＲｅｔが入口側のモードサプレッサ３０４Ａで再び反射されたときも、もとの入力信号ＬＳＥ１と同位相となる。すなわち、ポートＭ１でもポートＭ２でもＬＳＥは各ポート毎に同相状態となる。従って、位相の異なるＬＳＥモードの干渉による損失を低減でき、ＬＳＥモードのエネルギを効果的に出力側のモードサプレッサ３０４Ｂに送り込んでＬＳＭモードに変換することができる。これにより、機能回路部をＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で使用することが可能となる。
【００３４】
このように、本発明のＮＲＤガイドの回路構造では、モードサプレッサ２０１をＬＳＥモードからＬＳＭモードへの変換器として使用し、かつ入力側と出力側のモードサプレッサの距離を適切に設定することにより、機能回路部２０３をＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態を用いている。そして、機能回路部２０３をＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態を用いていることにより、機能回路部２０３の寸法、形状、及び配置等は、単一モード化のための制約を受けず、設計の自由度が高いので、回路構造の小型化や高機能化及び今までに無い新しい機能回路の形成を図ることができる。
【００３５】
次に、図２０の回路構造を具体化した種々の実施形態を説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００３６】
（第１実施形態）
図１から図３は、本発明の第１実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（ベンド線路）１Ａを示す。
【００３７】
互いに平行な第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂ間に、長手方向と直交する断面が矩形状である誘電体線路が配置されている。詳細には、互いに直交する方向に延びる直線状の入力側誘電体線路３及び出力側誘電体線路４と、入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４の間に介在する円弧状に湾曲した形状のベンド状誘電体線路（機能回路部）６とが配置されている。入力側誘電体線路３、出力側誘電体線路４、及びベンド状誘電体線路６は図において上下の面がそれぞれ第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに密着している。第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂの間隔は、誘電体線路を伝播する電磁波が仮に自由空間を伝播した場合の波長の１／２未満に設定されている。入力側誘電体線路３、出力側誘電体線路４、及びベンド状誘電体線路６は、例えばフッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル、ＰＰＳ、ＬＣＰ、ＰＯＭ、ＰＭＭＡ等からなる。本実施形態では、入力側誘電体線路３、出力側誘電体線路４、及びベンド状誘電体線路６は一体構造であるが、これらは別体であってもよい。
【００３８】
入力側誘電体線路３の端部には入力ポート７が設けられ、この入力ポート７内には入力側モードサプレッサ８が配置されている。同様に、出力側誘電体線路４の端部には出力ポート１１が設けられ、この出力ポート１１内には出力側モードサプレッサ１２が配置されている。入力側及び出力側モードサプレッサ８，１２は、銅等の金属製の薄板や箔に幅の広い部分と幅の狭い部分とを交互に（ＴＥＭモードの波長の１／４の周期で）繰り返して形成してなる。入力側モードサプレッサ８は、第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに対して垂直で、入力側誘電体線路３中での高周波信号（電磁波）の伝播方向に平行であり、かつ入力側誘電体線路３の幅方向の中央に位置する面内に配置されている。同様に、出力側モードサプレッサ１２は、第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに対して垂直で、出力側誘電体線路４中での高周波信号の伝播方向に平行であり、かつ出力側誘電体線路４の幅方向の中央に位置する面内に配置されている。
【００３９】
一点鎖線で示す入力側モードサプレッサ８から出力側モードサプレッサ１２まで伝播する高周波信号の最短経路の距離Ｌ１は、入力側モードサプレッサ８及び出力側モードサプレッサ１２で抑制されるモードの高周波信号、すなわちＬＳＥモードの高周波信号がベンド状誘電体線路６内を伝播する際の半波長の自然数倍に設定されている（Ｌ１＝ｎλgE／２）。距離Ｌ１は、第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに平行な面内で、入力側誘電体線路３、出力側誘電体線路４、及びベンド状誘電体線路６中での高周波信号の伝播方向に沿って測った距離である。
【００４０】
入力側誘電体線路３を伝播する電磁波のモードは実質的に単一モード、すなわち低損失のＬＳＭモードのみであるが、ベンド状誘電体線路６を含む入力ポート７から出力ポート１１までの経路では、ＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在する状態で高周波信号が伝播する。ＬＳＭモードの高周波信号はベンド状誘電体線路６を伝播して出力側誘電体線路４にそのまま出力される。一方、ベンド状誘電体線路６を伝播するＬＳＥモードの高周波信号は、出力側モードサプレッサ１２によりＬＳＭモードに変換される。その結果、出力側誘電体線路４では、実質的に単一モード、すなわち低損失のＬＳＭモードのみで高周波信号が伝播する。
【００４１】
入力側モードサプレッサ８から出力側モードサプレッサ１２までの距離Ｌ１をＬＳＥモードの高周波信号がベンド状誘電体線路６内を伝播する際の半波長の自然数倍に設定することにより、効果的にＬＳＥモードのエネルギを出力側モードサプレッサ１２に送り込んでＬＳＭモードに変換することができる。
【００４２】
以上のように、ベンド状誘電体線路６を含む入力ポート７から出力ポート１１までは多モード混在の状態で高周波信号が伝播するので、ベンド状誘電体線路６の曲げ半径や角度を自由に設定できる。ベンド状誘電体線路６の出入り口にサプレッサを設けず、かつ出入り口でＬＳＭモードのみとなる極にベンド線路を設計する場合は、曲げ半径や角度は離散的な値にしか設定できないが、本実施形態の回路構造１Ａではそのような制約がなく、設計の自由度が高く回路構造１Ａを小型化と高機能化が可能である。
【００４３】
図４に示す第１実施形態の代案の回路構造１Ａ’は、湾曲方向が異なる２つのベンド状誘電体線路６Ａ，６Ｂが直線状の中間誘電体線路１３を介して連結された構造を有する。中間誘電体線路１３内には中間モードサプレッサ１４が配置されている。中間モードサプレッサ１４は入力ポート７に配置された入力側モードサプレッサ８との関係では図１から図３に示す回路構造１Ａにおける出力側モードサプレッサとして機能する一方、出力側モードサプレッサ１２との関係では図１から図３に示す回路構造における入力側モードサプレッサとして機能する。図４の回路構造１Ａ’において、入力側モードサプレッサ８から中間モードサプレッサ１４までの距離Ｌ２１と、中間モードサプレッサ１４から出力側モードサプレッサ１２までの距離Ｌ２２は、ずれもＬＳＥモードの高周波がベンド状誘電体線路６Ａ，６Ｂ内を伝播する際の半波長の自然数倍に設定されている。ベンド状誘電体線路６Ａ，６Ｂの曲げ半径や角度は、出入り口ポートでの単一モード化を考慮して離散的値に設定する必要はなく、自由に設定できる。なお、図４の１Ａ’において、13のサプレッサを含む直線部を省略した２つのベンド回路も同様に成り立つ。
【００４４】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（折れ線線路）１Ｂを示す。なお、ＮＲＤガイドにおいて本実施形態のような折れ線線路利用回路は本発明により初めて実現可能となった新規な回路である。
【００４５】
この回路構造１Ｂでは、互いに直交する方向に延びる入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４と、入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４の間に介在するほぼ直角に折れ曲がった形状の折れ線状誘電体線路（機能回路部）１６とが設けられている。折れ線状誘電体線路１６は、図において上下の面がそれぞれ第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに密着している。折れ線状誘電体線路１６には、面取りを施して高周波信号の反射面１６ａを形成している。入力側誘電体線路３の端部の入力ポート７に配置された入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４の端部の出力ポート１１に配置された出力側モードサプレッサ１２に伝播する高周波信号の最短経路の距離Ｌ３は、ＬＳＥモードの電磁波が折れ線状誘電体線路１６内を伝播する際の半波長の自然数倍に設定されている。距離Ｌ３は、第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに平行な面内で、入力側誘電体線路３、出力側誘電体線路４、及び折れ線状誘電体線路１６中での電磁波の伝播方向に沿って測った距離である。
【００４６】
入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４内を伝播する高周波のモードはＬＳＭモードのみであるが、折れ線状誘電体線路１６を含む入力ポート７から出力ポート１１までの経路では、ＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在する状態で高周波信号が伝播する。このようにして従来NRDガイドには無かった折れ線回路という新機能回路が形成できる。
【００４７】
図６に示す第２実施形態の代案の回路構造１Ｂ’は、入力側誘電体線路３が延びる方向と出力側誘電体４が延びる方向がなす鈍角である点が、図５の回路構造１Ｂと異なる。入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４が延びる方向が鋭角をなす構成としてもよい。このようにして従来NRDガイドには無かった折れ線回路という新機能回路が形成できる。
【００４８】
第２実施形態のその他の構成及び作用は第１実施形態と同様であるので、同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４９】
（第３実施形態）
図７及び図８は、本発明の第３実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（ハイパスフィルタ回路）１Ｃを示す。
【００５０】
この回路構造１Ｃでは、入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４は同方向に延びている。入力ポート７と出力ポート１１は入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４が延びる方向と直交する方向に空間間隔１７を隔て互いに対向するように配置されている。このハイパスフィルタ回路の入出力特性は、入力側モードサプレッサ８と出力側モードサプレッサ１２との間の部分の全体の電磁気的な空間積分効果により決まる。
【００５１】
入力側誘電体線路３の端部の入力ポート７に配置された入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４の端部の出力ポート１１に配置された出力側モードサプレッサ１２まで伝播する高周波信号の最短経路の距離Ｌ４は、ＬＳＥモードの電磁波の半波長の自然数倍に設定されている。距離Ｌ４は、第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに平行な面内において、入力側誘電体線路３及び出力側誘電体線路４中で電磁波が伝播する方向に延びる経路及びそれと直交する経路で入力側モードサプレッサ８と出力側モードサプレッサ１２を結ぶ最短距離である。入力側モードサプレッサ８から出力側モードサプレッサ１２に到る経路は、入力ポート７と出力ポート１１の重なりの中点で直角に折れ曲がる。
【００５２】
入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４内を伝播する電磁波のモードはＬＳＭモードのみであるが、入力ポート７から出力ポート１１までの経路では、ＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で高周波信号が伝播する。
【００５３】
第３実施形態のその他の構成及び作用は第１実施形態と同様であるので、同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５４】
（第４実施形態）
図９は、本発明の第４実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（バンドパスフィルタ回路）１Ｄを示す。
【００５５】
この回路構造１Ｄでは、入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４は同方向に延びている。入力ポート７と出力ポート１１は入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４が延びる方向と直交する方向に空間間隔１７を隔て互いに対向するように配置されている。また、この空間間隔１７に短い直線状の誘電体線路片１８が配置されている。この誘電体線路片１８の上下の面は第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに密着している。さらに、入力側モードサプレッサ８から出力側モードサプレッサ１２に伝播する高周波信号の最短経路の最短距離Ｌ５は、ＬＳＥモードの高周波信号がベンド状誘電体線路６内を伝播する際の半波長の自然数倍に設定されている。
【００５６】
入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４内を伝播する電磁波のモードはＬＳＭモードのみであるが、入力ポート７から出力ポート１１までの経路では、ＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で高周波信号が伝播する。
【００５７】
第４実施形態のその他の構成及び作用は第１実施形態と同様であるので、同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５８】
（第５実施形態）
図１０は、本発明の第５実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（バンドリジェクトフィルタ回路）１Ｅを示す。
【００５９】
この回路構造１Ｅでは、入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４が同一直線上に配置されており、入力ポート７と出力ポート１１との間には直線状誘電体線路１９が介在する。直線状誘電体線路１９は、図において上下の面がそれぞれ第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに密着している。入力側誘電体線路３、出力側誘電体線路４、及び直線状誘電体線路１９は一体構造であるが、これらは別体であってもよい。
【００６０】
直線状誘電体線路１９の一方の側面（図１０において上側の側面）に対してそれぞれ空間間隔１７をあけて対向するように、短い直線状の一対の誘電体線路片１８Ａ，１８Ｂが配置されている。また、直線状誘電体線路１９の他方の側面（図１０において下側の側面）に対して空間間隔１７をあけて対向するように、同様の誘電体線路片１８Ｃが配置されている。
【００６１】
入力ポート７からの高周波信号は、まず直線状誘電体線路１９を伝播する。次に、電磁波は誘電体線路片１８Ａに伝播され、誘電体線路片１８Ａから直線状誘電体線路１９に戻る。その後、高周波信号は誘電体線路片１８Ｃに伝播され、誘電体線路片１８Ｃから直線状誘電体線路１９に戻る。続いて、高周波信号はフィルタ１８Ｂに伝播され、誘電体線路片１８Ｂから直線状誘電体線路１９に戻り、直線状誘電体線路１９から出力ポート１１へ伝播する。
【００６２】
入力ポート７の入力側モードサプレッサ８から直線状誘電体線路１９と誘電体線路片１８Ａ〜１８Ｂを経て出力ポート１１の出力側モードサプレッサ１２に到る高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ６は、ＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定されている。また、この距離Ｌ６は、第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに平行な面内において、入力側モードサプレッサ８から出力側モードサプレッサ１２までの経路を入力側誘電体線路３及び出力側誘電体線路４中で電磁波が伝播する方向に延びる経路及びそれと直交する経路で構成した場合の距離である。
【００６３】
入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４内を伝播する高周波信号のモードはＬＳＭモードのみであるが、入力ポート７から出力ポート１１までの経路では、ＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在した状態で高周波信号が伝播する。
【００６４】
第５実施形態のその他の構成及び作用は第１実施形態と同様であるので、同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６５】
（第６実施形態）
図１１Ａ及び図１１Ｂは、本発明の第５実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（分岐回路構造）１Ｆを示す。
【００６６】
この回路構造１Ｆは、入力側誘電体線路３と、この入力側誘電体線路３と同方向に延びる２本の出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂとを備える。入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂとの間には、高周波信号を分岐させるための誘電体ブロック部２１が配置されている。この誘電体ブロック部２１は、図において上下の面が第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに密着している。入力側誘電体線路３の入力ポート７は誘電体ブロック部２１の一方の側面（図において左側の側面）に接触し、２本の出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂの出力ポート１１は共に他方の側面（図において右側の側面）に接触している。誘電体ブロック部２１の図において右側の側面は、出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂが接触している部分の間の部分が左側の側面に向けて矩形状に窪んでいる。
【００６７】
入力ポート７からの高周波信号は誘電体ブロック部２１中で分岐して、出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂの出力ポート１１にそれぞれ向かい同一パワーで同一位相の高周波信号として出力される。入力ポート７に配置された入力側モードサプレッサ８から、出力側誘電体線路４Ａの出力ポート１１に配置された出力側モードサプレッサ１２に伝播する高周波信号の最短経路の距離Ｌ７１は、ＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定されている（図１１Ａ）。同様に、入力ポート７に配置された入力側モードサプレッサ８から、出力側誘電体線路４Ｂの出力ポート１１に配置された出力側モードサプレッサ１２に電波する高周波信号の最短経路の距離Ｌ７２は、ＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定されている（図１１Ｂ）。これらの距離Ｌ７１，Ｌ７２は第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに平行な面内において、入力側誘電体線路３や出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂ中で高周波信号が伝播する方向に延びる経路及びそれと直交する経路で入力側モードサプレッサ８と個々の出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂの出力ポート１１の出力側モードサプレッサ１２とを結ぶ電波経由の最短距離である。なお、ＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍という条件を満たす限り、距離Ｌ７１，Ｌ７２の値が異なっていてもよい。
【００６８】
入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂ内を伝播する電磁波のモードはＬＳＭモードのみであるが、入力ポート７から出力ポート１１までの経路では、ＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在する多モード混在の状態で電磁波が伝播する。
【００６９】
図１２Ａ及び図１２Ｂに示す本発明の第６実施形態の代案の回路構造１Ｆ’のように、誘電体ブロック部２１の右側の側面が窪みを有しない平坦な形状であってもよい。なお、ＮＲＤガイドにおいて回路構造１Ｆ’のような回路構造は、本発明により初めて実現可能となった新規な回路である。
【００７０】
図１３Ａから図１３Ｃに示す第６実施形態の他の代案の回路構造１Ｆ''のように、３本の出力側誘電体線路４Ａ〜４Ｃを設けてもよい。誘電体ブロック部２１の図において右側の側面は、出力側誘電体線路４Ａ，４Ｃが接触している部分の間の部分が左側の側面に向けて矩形状に窪んでおり、この部分に出力側誘電体線路４Ｂが接触している。入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４Ａの出力側モードサプレッサ１２まで高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ８１（図１３Ａ）、入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４Ｂの出力側モードサプレッサ１２まで高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ８２（図１３Ｂ）、及び入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４Ｃの出力側モードサプレッサ１２まで高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ８３（図１３Ｃ）は、いずれもＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定されている。図１４に示す回路構造１Ｆ'''のように、出力側誘電体線路４Ａ〜４Ｃが接触している誘電体ブロック部２１の右側の側面は、窪みを有しない平坦な形状であってもよい。また、４本の出力側誘電体線路を設けてもよい。
【００７１】
第６実施形態のその他の構成及び作用は第１実施形態と同様であるので、同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００７２】
（第７実施形態）
図１５Ａから図１５Ｃは、本発明の第７実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（カプラ（方向性結合器）回路）１Ｇを示す。
【００７３】
この回路構造１Ｇは、入力側誘電体線路３、この入力側誘電体線路３と同方向に延びる２本の出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂ、及び入力側誘電体線路３と同方向に延びてその先端に無反射終端部（ターミネータ）２３が設けられたモードサプレッサ２５を有する誘電体線路２４を備える。入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂとの間には、高周波信号を分岐させるための誘電体ブロック部２１が配置されている。誘電体ブロック部２１は扁平な直方体状の単一の誘電体ブロックから構成されている。入力側誘電体線路３の入力ポート７は誘電体ブロック部２１の一方の側面（図において左側の側面）に接触し、無反射終端部２３を備える誘電体線路２４もこの側面に接触している。一方、２本の出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂの出力ポート１１は共に他方の側面（図において右側の側面）に接触している。
【００７４】
入力ポート７からの高周波信号は誘電体ブロック部２１中で分岐して、出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂの出力ポート１１に適宜のパワー分配比で位相の異なる高周波信号として出力される。また、ポート４Ａ，４Ｂで反射された不平衡な高周波信号の一部は誘電体ブロック部２１を経由して誘電体線路２４に向かい、無反射終端部２３で吸収される。入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４Ａの出力側モードサプレッサ１２まで高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ９１（図１５Ａ）、入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４Ｂの出力側モードサプレッサ１２まで高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ９２（図１５Ｂ）、及び入力側モードサプレッサ８から無反射端部２３側のモードサプレッサ２５まで高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ９３（図１５Ｃ）は、いずれもＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定されている。これらの距離Ｌ９１，Ｌ９２，Ｌ９３は、第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに平行な面内において、入力側誘電体線路３や出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂ中で高周波信号が伝播する方向に延びる経路及びそれと直交する経路で入力側モードサプレッサ８と個々の出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂの出力ポート１１の出力側モードサプレッサ１２とを結ぶ距離である。
【００７５】
入力側誘電体線路３と出力側誘電体線路４Ａ，４Ｂ内を伝播する電磁波のモードはＬＳＭモードのみであるが、入力ポート７から出力ポート１１までの経路では、ＬＳＭモードとＬＳＥモードが混在する多モード混在の状態で電磁波が伝播する。ＮＲＤガイドにおいて本実施形態の回路構造１Ｇようなカプラ回路は本発明により初めて実現可能となった新規な回路である。
【００７６】
図１６Ａから図１６Ｄに示す代案の回路構造１Ｇ’のように、誘電体ブロック部２１に厚み方向に貫通する孔２６Ａ，２６Ｂが形成されていてもよい。入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４Ａの出力側モードサプレッサ１２まで誘電体ブロック部２１の貫通孔２６Ａ，２６Ｂよりも図において上方の領域を通って高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ１０１（図１６Ａ）、入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４Ｂの出力側モードサプレッサ１２まで誘電体ブロック部２１の貫通孔２６Ａと貫通孔２６Ｂの間の領域を通って高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ10２（図１６Ｂ）、入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４Ａの出力側モードサプレッサ１２まで誘電体ブロック部２１の貫通孔２６Ａ，２６Ｂの図において下方の領域を通って高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ10３（図１６Ｃ）、及び入力側モードサプレッサ８から無反射端部２３側のモードサプレッサ２５まで高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ１０４（図１６Ｄ）は、いずれもＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定されている。
【００７７】
図１７Ａから図１７Ｃに示す代案の回路構造１Ｇ''のように、誘電体ブロック部２１は入力側誘電体線路３と１本の出力側誘電体線路４Ａが接続された誘電体ブロック２７Ａと、１本の出力側誘電体線路４Ｂと無反射終端部２３を備える誘電体線路２４が接続された誘電体ブロック２７Ｂに分割され、誘電体ブロック２７Ａ，２７Ｂ間に空間間隔１７が形成された構造であってもよい。入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４Ａの出力側モードサプレッサ１２まで誘電体ブロック部２７Ａを通って高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ１１１（図１７Ａ）、入力側モードサプレッサ８から出力側誘電体線路４Ｂの出力側モードサプレッサ１２まで誘電体ブロック２７Ａ，２７Ｂを通って高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ11２（図１７Ｂ）、及び入力側モードサプレッサ８から誘電体ブロック２７Ａ，２７Ｂを通って無反射端部２３側のモードサプレッサ２５まで高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ１１３（図１６Ｄ）は、いずれもＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定されている。
【００７８】
第７実施形態のその他の構成及び作用は第１実施形態と同様であるので、同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００７９】
（第８実施形態）
図１８は、本発明の第７実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（ラットレース回路）１Ｈを示す。
【００８０】
この回路構造１Ｈは、誘電体部材からなる楕円状の誘電体環状部２８を備える。詳細には、この誘電体環状部２８は、一対の直線状誘電体部材３２Ａ，３２Ｂと、一対の円弧状誘電体部材３３Ａ，３３Ｂにより構成された分割構造である。もちろん一体構造でも良い。誘電体環状部２８を構成する直線状誘電体部材３２Ａ，３２Ｂと円弧状誘電体部材３３Ａ，３３Ｂの図において上下の面は、第１及び第２導電体板２Ａ，２Ｂに密着している。
【００８１】
誘電体環状部２８の周囲には、４本の誘電体線路２９Ａ〜２９Ｄのポート３０が設けられた端部がそれぞれ僅かな隙間を隔てて対向している。個々の誘電体線路２９Ａ〜２９Ｄのポート３０内には、それぞれモードサプレッサ３１が配置されている。４本の誘電体線路２９Ａ〜２９Ｄのうち、２本の誘電体線路２９Ａ，２９Ｄは、同一直線上（誘電体環状部２８が形成する楕円の長軸上）に延びており、誘電体線路２９Ａのポート３０が円弧状誘電体部材３３Ａに対向し、誘電体線路２９Ｂのポート３０が円弧状誘電体部材３３Ｂに対向している。残りの２本の誘電体線路２９Ｂ，２９Ｃは、誘電体線路２９Ａ，２９Ｄと直交する方向に延びており、図において上側の直線状誘電体部材３２Ａに対向している。
【００８２】
図１８Ａから図１８Ｃにおいて実線の矢印で示すように、誘電体線路２９Ａ中を伝播してきた高周波信号は、誘電体環状部２８を介して誘電体線路２９Ｂ，２９Ｄに伝播するが誘電体線路２９Ｃには伝播しない。この場合、誘電体線路２９Ａが入力側誘電体線路として機能し、誘電体線路２９Ｂ，２９Ｄが出力側誘電体線路として機能する。一方、図１８Ａから図１８Ｃにおいて破線の矢印で示すように、誘電体線路２９Ｄ中を伝播してきた高周波信号は、誘電体環状部２８を介して誘電体線路２９Ａ，２９Ｃに伝播するが誘電体線路２９Ｂには伝播しない。この場合、誘電体線路２９Ｄが入力側誘電体線路として機能し、誘電体線路２９Ａ，２９Ｃが出力側誘電体線路として機能する。
【００８３】
誘電体線路２９Ａのモードサプレッサ３１から誘電体線路２９Ｂのモードサプレッサ３１まで誘電体環状部２８を通って高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ１２１（図１８Ａ）は、ＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定されている。また、誘電体線路２９Ａのモードサプレッサ３１から誘電体線路２９Ｄのモードサプレッサ３１まで誘電体環状部２８を通って高周波信号が伝播する最短経路、及び誘電体線路２９Ｄのモードサプレッサ３１から誘電体線路２９Ａのモードサプレッサ３１まで誘電体環状部２８を通って高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ１２２（図１８Ｂ）は、ＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定されている。さらに、誘電体線路２９Ｄのモードサプレッサ３１から誘電体線路２９Ｃのモードサプレッサ３１まで誘電体環状部２８を通って高周波信号が伝播する最短経路の距離Ｌ１２３（図１８Ｃ）も、ＬＳＥモードの高周波信号の半波長の自然数倍に設定されている。ＮＲＤガイドにおいて本実施形態のようなラットレース回路は本発明により初めて実現可能となった新規な回路である。
【００８４】
第８実施形態のその他の構成及び作用は第１実施形態と同様であるので、同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（ベンド線路利用回路）を示す斜視図。
【図２】本発明の第１実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す平面図。
【図３】本発明の第１実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す側面図。
【図４】本発明の第１実施形態の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図５】本発明の第２実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（折れ線線路利用回路）を示す模式的な平面図。
【図６】本発明の第２実施形態の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図７】本発明の第３実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（ハイパスフィルタ回路）を示す斜視図。
【図８】本発明の第３実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す平面図。
【図９】本発明の第４実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（バンドパスフィルタ回路）を示す模式的な平面図。
【図１０】本発明の第５実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（バンドリジェクト回路）を示す模式的な平面図。
【図１１Ａ】本発明の第６実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（分岐回路）を示す模式的な平面図。
【図１１Ｂ】本発明の第６実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１２Ａ】本発明の第６実施形態の第１の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１２Ｂ】本発明の第６実施形態の第１の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１３Ａ】本発明の第６実施形態に第２の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１３Ｂ】本発明の第６実施形態に第２の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１３Ｃ】本発明の第６実施形態に第２の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１４】本発明の第６実施形態の第３の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１５Ａ】本発明の第７実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造（カプラ（方向性結合器）回路）を示す模式的な平面図。
【図１５Ｂ】本発明の第７実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１５Ｃ】本発明の第７実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１６Ａ】本発明の第７実施形態の第１の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１６Ｂ】本発明の第７実施形態の第１の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１６Ｃ】本発明の第７実施形態の第１の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１６Ｄ】本発明の第７実施形態の第１の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１７Ａ】本発明の第７実施形態の第２の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１７Ｂ】本発明の第７実施形態の第２の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１７Ｃ】本発明の第７実施形態の第２の代案に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１８Ａ】本発明の第８実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１８Ｂ】本発明の第８実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１８Ｃ】本発明の第８実施形態に係るＮＲＤガイドの回路構造を示す模式的な平面図。
【図１９Ａ】モードサプレッサがＬＳＥモードをＬＳＭモードに変換する原理を説明するための模式的な断面図。
【図１９Ｂ】モードサプレッサがＬＳＥモードをＬＳＭモードに変換する原理を説明するための模式的な断面図。
【図１９Ｃ】モードサプレッサがＬＳＥモードをＬＳＭモードに変換する原理を説明するための模式的な断面図。
【図２０】本発明の本発明の基本的な原理を説明するための模式図。
【図２１】モードサプレッサ間の距離をＬＳＥモードの半波長の自然数倍に設定する理由を説明するための模式的な断面図。
【符号の説明】
【００８６】
１Ａ〜１Ｈ’  回路構造
２Ａ  第１導電体板
２Ｂ  第２導電体板
３  入力側誘電体線路
４  出力側誘電体線路
６，６Ａ，６Ｂ  ベンド状誘電体線路
７  入力ポート
８  入力側モードサプレッサ
１１  出力ポート
１２  出力側モードサプレッサ
１３  中間誘電体線路
１４  中間モードサプレッサ
１６  折れ線状誘電体線路
１６ａ  反射面
１７  空間間隔
１８，１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ  誘電体線路片
１９  直線状誘電体線路
２１  誘電体ブロック部
２３  無反射終端部
２４  誘電体線路
２５，３１  モードサプレッサ
２６Ａ，２６Ｂ  孔
２７Ａ，２７Ｂ  誘電体ブロック
２８  誘電体環状部
２９Ａ〜２９Ｄ  誘電体線路
３０  ポート
３２Ａ，３２Ｂ  直線状誘電体部材
３３Ａ，３３Ｂ  円弧状誘電体部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１６Ｄ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図２０】
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【図２１】
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