(57)【要約】【課題】磁気ヘッドと磁気記録媒体表面の接触によるサーマルアスペリティを低減し、安定した再生を行うことが可能な磁気記録媒体を提供する。【解決手段】表面に複数の凸部を有する保護層を含む磁気記録媒体であって、凸部は、保護層上に、マスク下地層及び島状構造をもつマスクパターン層を有するエッチングマスクを形成した後、ドライエッチングを行うことにより形成されている。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された磁気記録層と、該磁気記録層上に形成され、ダイヤモンドライクカーボンから実質的になり、その表面に複数の凸部を有する保護層とを含む磁気記録媒体であって、
該凸部は、該保護層上に、マスク下地層、及びマスク下地層上に積層された島状構造をもつマスクパターン層を有するエッチングマスクを形成した後ドライエッチングを行うことにより形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記マスク下地層は、金属、金属酸化物、金属窒化物、及び有機分子材料からなる層を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記金属は、ケイ素、チタン、及びタングステンからなる群から選択され少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記マスク下地層は、シランカップリング剤、光硬化性樹脂、及び熱硬化性樹脂から選択される材料で表面処理されていることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記金属酸化物及び前記金属窒化物は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ、及びＡｌ３Ｏ４からなる群から選択されることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記マスク下地層は、シランカップリング剤、光硬化性樹脂、及び熱硬化性樹脂から選択される材料で表面処理されていることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記マスクパターン層は、前記マスク下地層表面と親和性の低い材料を用いて形成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記マスクパターン層は、有機分子材料からなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記有機分子材料は、テトラトリフェニルアミノエチレン、トリフェニルジアミン、及びトリスヒドロキシキノリノアルミニウムからなる群から選択されることを特徴とする請求項２または８に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記有機分子材料は、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ノボラック樹脂、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリエチレンオキサイド、ポリジメチルシロキサン、スピンオングラス、及びパーフルオロポリエーテルからなる群から選択されることを特徴とする請求項２または８に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記凸部は、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の平均が１つ当たり１μｍ２以下であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記凸部は、その平均高さが１ｎｍ以上４ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記凸部は、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の合計が、媒体表面の面積に占める割合が４０％以下であることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
基板と、該基板上に形成された磁気記録層と、該磁気記録層上に形成され、ダイヤモンドライクカーボンから実質的になり、その表面に複数の凸部を有する保護層とを含む磁気記録媒体であって、
該凸部は、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の平均が１つ当たり１μｍ２以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１５】
前記凸部は、その平均高さが１ｎｍ以上４ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１４または１４に記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記凸部は、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の合計が、媒体表面の面積に占める割合が４０％以下であることを特徴とする請求項１４または１５に記載の磁気記録媒体。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、ＭＲヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項１８】
前記ＭＲヘッドは、磁気記録媒体に対する浮上量が１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１７に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１９】
基板上に磁気記録層を形成する工程、該磁気記録層上にダイヤモンドライクカーボンからなる保護層を形成する工程、該保護層上にマスク下地層を形成する工程、該マスク下地層上に島状構造をもつマスクパターン層を形成し、該マスク下地層及び該マスクパターン層を有するエッチングマスクを得る工程、該エッチングマスクを用いて、該保護層にドライエッチングを行うことにより、保護層表面に複数の凸部を形成する工程、該エッチングマスクを除去する工程を具備する磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
前記マスク下地層は、金属、金属酸化物、金属窒化物、及び有機分子材料からなる層を含むことを特徴とする請求項１９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
前記金属は、ケイ素、チタン、及びタングステンからなる群から選択され少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項２０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
前記マスク下地層は、シランカップリング剤、光硬化性樹脂、及び熱硬化性樹脂から選択される材料でにより表面処理されていることを特徴とする請求項２１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
前記金属酸化物及び前記金属窒化物は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ、及びＡｌ３Ｏ４からなる群から選択されることを特徴とする請求項２０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
前記マスク下地層は、シランカップリング剤、光硬化性樹脂、及び熱硬化性樹脂から選択される材料で表面処理されていることを特徴とする請求項２３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
前記マスクパターン層は、前記マスク下地層表面と親和性の低い材料を用いて形成されることを特徴とする請求項２０ないし２４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
前記マスクパターン層は、有機分子材料からなることを特徴とする請求項２０ないし２５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２７】
前記有機分子材料は、テトラトリフェニルアミノエチレン、トリフェニルジアミン、及びトリスヒドロキシキノリノアルミニウムからなる群から選択されることを特徴とする請求項２１ないし２６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２８】
前記有機分子材料は、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ノボラック樹脂、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリエチレンオキサイド、ポリジメチルシロキサン、スピンオングラス、及びパーフルオロポリエーテルからなる群から選択されることを特徴とする請求項２１ないし２７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２９】
前記凸部は、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の平均が１つ当たり１μｍ２以下であることを特徴とする請求項２０ないし２８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３０】
前記凸部は、その平均高さが１ｎｍ以上４ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２０ないし２９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３１】
前記凸部は、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の合計が、媒体表面の面積に占める割合が４０％以下であることを特徴とする請求項２０ないし３０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録技術を用いたハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体、その製造方法、及びそれを用いた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置の記録密度を向上させる手段として、ヘッドとディスクのスペーシングを下げていくことが考えられる。そのため、前述したディスクの表面粗さを小さくする共に、磁気記録再生装置は回転する磁気ディスクに対してヘッドを浮上させながら記録再生を行う浮上方式から、よりヘッドとディスクのスペーシングを下げるため、回転する磁気ディスクに対してヘッドを１０数ｎｍ以下まで近接させる極低浮上型磁気ヘッド、あるいは連続的に接触させる接触方式への移行が検討されている。
【０００３】
しかしながら、このスペーシングを低減すると、ヘッドの摩耗、及びヘッドの動的吸着が発生するという問題があった。これに対し、ヘッドと媒体表面の潤滑性を長時間安定させるべく、磁気ディスク表面にパターン状に保護膜による微小突起を形成し、突起間に潤滑剤の溜りを形成して、ヘッド摩耗、及びヘッドの動的吸着を緩和する技術がある（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、接触記録及び再生時に、このような微小突起と記録再生素子が接触することによって熱が発生し、特に、磁気抵抗硬化型（ＭＲ）素子を使用した場合に、その熱によって再生信号に異常が発生する現象すなわちサーマルアスペリティが起こるという問題があった。
【特許文献１】特開昭６０−２６３３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、磁気ヘッドと磁気記録媒体表面の接触によるサーマルアスペリティを低減し、安定した再生を行うことが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の磁気記録媒体は、基板と、該基板上に形成された磁気記録層と、該磁気記録層上に形成され、ダイヤモンドライクカーボンから実質的になり、その表面に複数の凸部を有する保護層とを含む磁気記録媒体であって、
該凸部は、該保護層上に、マスク下地層、及びマスク下地層上に積層された島状構造をもつマスクパターン層を有するエッチングマスクを形成した後ドライエッチングを行うことにより形成されていることを特徴とする。
【０００６】
本発明の他の磁気記録媒体は、基板と、該基板上に形成された磁気記録層と、該磁気記録層上に形成されたダイヤモンドライクカーボンから実質的になり、その表面に複数の凸部を有する保護層とを含む磁気記録媒体であって、
該凸部は、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の平均が１つ当たり１μｍ２以下であることを特徴とする。
【０００７】
本発明の磁気記録再生装置は、基板、該基板上に形成された磁気記録層、及び該磁気記録層上に形成され、ダイヤモンドライクカーボンから実質的になり、その表面に複数の凸部を有する保護層とを有する垂直磁気記録媒体と、ＭＲヘッドとを含み、該凸部は、該保護層上に、マスク下地層、及びマスク下地層上に積層された島状構造をもつマスクパターン層を有するエッチングマスクを形成した後ドライエッチングを行うことにより形成されている。
【０００８】
本発明の他の磁気記録再生装置は、基板、該基板上に形成された磁気記録層、及び該磁気記録層上に形成されたダイヤモンドライクカーボンからなる保護層とを有する垂直磁気記録媒体と、ＭＲヘッドとを含み、該保護層は、表面に複数の凸部が形成され、該凸部は、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の平均が１つ当たり１μｍ２以下である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、磁気ヘッドと磁気記録媒体表面の接触によるサーマルアスペリティを低減し、安定した再生を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、以下の第１ないし第５の観点に係る発明に大別される。
【００１１】
第１の発明に係る磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された磁気記録層と、磁気記録層上に設けられ、その表面に複数の凸部が形成された、ダイヤモンドライクカーボンから実質的になる保護層とを含む磁気記録媒体であって、この複数の凸部は、保護層上に、マスク下地層及び島状構造をもつマスクパターン層を有するエッチングマスクを形成した後、このエッチングマスクを用いてドライエッチングを行うことにより形成されている。
【００１２】
また、第２の発明に係る磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された磁気記録層と、その表面に複数の凸部が形成された、ダイヤモンドライクカーボンから実質的になる保護層とを含む磁気記録媒体であって、この複数の凸部は、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の平均が１つ当たり１μｍ２以下である。
【００１３】
さらに、第３の発明に係る磁気記録再生装置は、上記第１の発明に係る磁気記録媒体と、ＭＲ素子を搭載した磁気記録再生ヘッドとを具備する。
【００１４】
さらにまた、第４の発明に係る磁気記録再生装置は、上記第２の発明に係る磁気記録媒体と、ＭＲ素子を搭載した磁気記録再生ヘッドとを具備する。
【００１５】
第５の発明はまた、上記磁気記録媒体を製造するための方法を提供するもので、基板上に磁気記録層を形成する工程、磁気記録層上にダイヤモンドライクカーボンからなる保護層を形成する工程、保護層上にマスク下地層を形成する工程、マスク下地層上に島状構造をもつマスクパターン層を形成することによりエッチングマスクを得る工程、エッチングマスクを用いてドライエッチングを行うことにより保護層表面に複数の凸部を形成する工程を具備する。
【００１６】
第１、第３及び第５の発明によれば、保護層上にマスク下地層を介してマスクパターン層を形成することにより、保護層上に直接マスクパターン層を形成するよりも、微細な島状構造を形成するようにマスクパターン層の形状を制御することができる。これにより、ドライエッチングされた保護膜の表面にはより微小な凸部が形成されるため、ヘッドとこの凸部との接触面積を低減することが可能となり、サーマルアスペリティ（ＴＡ）の発生を抑制することができる。
【００１７】
第２及び第４の発明によれば、磁気記録媒体表面に、頭頂部の平面積の平均が１つ当たり１μｍ２以下である複数の凸部を有する保護膜を設けることにより、ヘッドとこの凸部との接触面積を低減することが可能となり、サーマルアスペリティの発生を抑制することができる。
【００１８】
以下、図面を参照し、本発明をより詳細に説明する。
【００１９】
図１に、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明するための製造工程フローチャートを示す。
【００２０】
また、図２ないし図６に、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明するため概略的な断面図を示す。
【００２１】
まず、非磁性基板を用意する。非磁性基板としては、例えばガラス基板、金属基板、プラスティック基板、及びＳｉ基板等を好適に使用することができる。
【００２２】
また、基板として上記非磁性基板表面に、金属膜もしくは誘電体膜等の下地層が形成されたものを使用することもできる。
【００２３】
また、垂直磁気記録用の磁気記録媒体を形成する場合には、上記下地層と上記非磁性基板との間に軟磁性下地膜を形成することができる。
【００２４】
基板の形状は、ディスク形状が好適であり、その直径の大きさとしては、例えば０．８５インチ、１インチ、１．８インチ、２．５インチ、及び３インチ等があげられる。基板の平坦性は高い方が好ましい。
【００２５】
次に、図２に示すように、この基板１上に、磁気記録層２を形成する（Ｓ１）。
【００２６】
磁気記録層としては、強磁性材料が使用され、強磁性材料は、例えばＣｏ，Ｆｅ，及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の強磁性金属を含む。より具体的には、強磁性材料は、この強磁性金属に加えて、Ｃ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｔｂ，Ｓｍ，及びＧｄからなる群から選択される少なくとも１種の金属をさらに含む。磁気記録層は、スパッタ法によって基板上に製膜され得る。また、磁気記録層として、任意の強磁性材料の多層体を使用し得る。また、この多層体の強磁性材料層間に、Ｃｏ，Ｆｅ，及びＮｉ以外の金属もしくは金属酸化膜を挿入することができる。
【００２７】
その後、図３に示すように、磁気記録層２上に、ダイヤモンドライクカーボン膜からなる保護層３を形成する（Ｓ２）。
【００２８】
ダイヤモンドライクカーボン膜は、ＳＰ３構造を主要成分とするものであって、酸素、水素、及び窒素などを含有し得る。ダイヤモンドライクカーボン膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及びイオンビーム蒸着法などによって形成され得る。
【００２９】
また、保護層３上に、さらにエッチングストップ層を形成することができる。エッチングストップ層としては、例えばＰｔ、Ｓｉ、ＳｉＣ、及びアルミナ層等を使用することができる。
【００３０】
さらに、図４に示すように、保護層３上にマスク下地層４を形成する（Ｓ３）。
【００３１】
マスク下地層４の望ましい特性は、その表面上に形成されるマスクパターン層の材料との親和性がダイヤモンドライクカーボン膜との親和性より低く、マスクパターン層を形成した際に微細な島状構造になりやすいことである。マスク下地層を用いることにより、保護層上に直接マスクパターン層を形成するよりも、微細な島状構造を形成するようにマスクパターン層の形状を制御することができる。
【００３２】
マスク下地層材料としては、例えば金属、金属酸化物、金属窒化物、及び有機分子材料があげられる。
【００３３】
金属としては、例えばＳｉ，Ｔｉ，及びＷなどがあげられる。
【００３４】
これは、これらの金属が、ＣＦ４などのエッチングガスを用いたドライエッチングにより容易に剥離できることによる。
【００３５】
金属酸化物もしくは金属窒化物としては、例えばＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＴｉＯ，Ａｌ３Ｏ４があげられる。これはまた、これらの化合物がフッ素系のエッチングガスを用いて容易に剥離することが可能であることによる。
【００３６】
マスク下地層として、上記金属、金属酸化物、及び金属窒化物を用いる場合には、さらにその表面をシランカップリング剤などによって修飾してマスクパターン層との親和性をコントロールすることできる。
【００３７】
有機分子膜としては、塗布により形成され得る高分子膜、有機分子蒸着膜等があげられる。
【００３８】
塗布によりマスク下地層を形成し得る高分子膜材料としては、例えば炭化水素系ポリマー、フッ化炭素系ポリマー、及びシロキサン系ポリマーがあげられる。
【００３９】
炭化水素系ポリマーとしては、ポリスチレン(ＰＳ)、ポリメチルメタクリレート(ＰＭＭＡ)、ポリイミド、ノボラック樹脂、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、及びポリエチレンオキサイドなどを用いることができる。
【００４０】
シロキサン系ポリマーとしては、ポリジメチルシロキサンなどを用いることが可能である。また、スピンオングラスと呼ばれるポリマー状ガラス材料を使用することができる。シロキサン系ポリマーを用いる場合、保護層にドライエッチングでパターンを転写した後にＣＦ４，ＣＨＦ３などを用いたドライエッチングにより選択的に剥離することが可能である。
【００４１】
また、フッ化炭素系ポリマーとしては、例えば潤滑剤としてよく用いられるパーフルオロポリエーテル系ポリマーを使うことが可能である。製品名として例えばフォンブリン、クライトックスなどが知られている。
【００４２】
これらの高分子材料は適当な溶媒に溶解され、例えばスピンコートやディッピングなどの塗布法を用いて、保護層上に塗布層を形成することが可能である。
【００４３】
また、マスク下地層を形成した後に、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いて、さらに表面層を形成し、その上にエッチングマスク層を形成することにより、マスク下地層とエッチンクマスク層とのミキシングを防ぐことも可能である。
【００４４】
また、表面層は、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、及びオクタデシルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤を用いて形成することも可能である。この場合には、シランカップリング剤のモノレイヤーの修飾ができるので、非常に薄いマスク下地層を形成することができる。
【００４５】
また、フッ化炭素系ポリマーとして、ＣＦ４，ＣＨＦ３などのフッ化炭素系ガスのプラズマ中に発生する重合物を利用することも可能である。プラズマによる重合物を使用する場合、真空環境中でマスク下地層を形成することができるため、磁気記録層、保護層に続いて、マスク下地層の形成まで、真空環境下で一貫して行えるため効率が良い。また、この重合物層として、例えばトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリクロロシランなどの反応基を持ったフッ化炭素鎖シランカップリング剤により表面を修飾することも可能である。
【００４６】
有機蒸着膜材料としては、上記高分子膜材料に比べて低分子量の有機化合物が使用でき、例えば下記構造式（１）で表されるTTPAE：テトラトリフェニルアミノエチレン  tetra(N,N-diphenyl-4-aminophenyl)ethyleneや下記構造式（２）で表されるTPD：トリフェニルジアミン  N,N  7-bis-(4-methylphemyl)-N,N7-bis-phenyl)-benzidineや下記構造式（３）で表されるAlq3：トリスヒドロキシキノリノアルミニウム  tris(8-hydroxyquinolino)-aluminum  があげられる。
【００４７】
【化１】
2007087463.tif 000003
【００４８】
【化２】
2007087463.tif 000004
【００４９】
【化３】
2007087463.tif 000005
【００５０】
これらの有機化合物を保護層上に蒸着後、アニールすることでマスク下地層を平坦化することも可能である。これらの低分子有機化合物は、４００℃以下の低温で加熱することによって昇華させ、保護層上に膜を形成することができる。この低分子有機化合物の蒸着膜をマスク下地層として用いる場合も磁気記録層、保護層に続いて、マスク下地層の形成まで、真空環境下で一貫して行えるため効率が良い。またフッ素系の重合物は、表面エネルギーが低く、その上に形成されるマスク層材料をはじいて液滴状の島状構造を形成することが容易となるため望ましい。
【００５１】
次に、図５に示すように、マスク下地層４上にマスクパターン層５を形成する（Ｓ４）。これにより、マスク下地層４及びマスクパターン層５を有するエッチングマスク６を得る。
【００５２】
マスクパターン層５は有機分子材料の自己組織的なパターン形成を利用して作製する。
【００５３】
有機分子膜は、その形成工程において、一般には、均一な膜厚の膜構造よりもむしろその膜を形成する材料の表面エネルギーにより液滴形状の島状構造となる傾向がある。本発明では、有機分子材料の薄膜において形成されやすい島状構造を利用する。
【００５４】
有機分子膜は、電子デバイスの加工に用いられるレジスト材料のように、溶剤、プラズマ、または加熱などにより被加工膜を加工後に容易に剥離することができる。このため、エッチングマスクとして好適に使用できる。しかしながら、この有機分子膜は、保護層として使用されるダイヤモンドライクカーボン膜表面と非常に親和性が高く、島状構造を形成せず、均一な膜厚の平坦膜を形成する傾向がある。
【００５５】
本発明者らは、上記マスク下地層をマスクパターン層と保護膜との間に挿入することにより、容易に微細な島状構造を形成することを見出し、本発明を成すに至った。
【００５６】
マスクパターン層としては、塗布により形成される高分子膜、及び有機分子蒸着膜を用いることができる。
【００５７】
高分子膜の島状構造として、高分子材料の分離構造を用いる場合について説明する。高分子有機化合物としては、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリイミド、ノボラック樹脂、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリエチレンオキサイドなどを用いることができる。これらのポリマーは適当な溶媒に溶解しスピンコートやディッピングなどによりマスク下地層上に製膜することが可能である。島状構造を形成するためには、膜厚をある程度以下に小さくすることが必要である。
【００５８】
膜厚が薄くなってくると、マスク下地層表面との親和性の悪い高分子膜は、液滴形状の分離構造を形成する。この分離構造を形成させるために高分子膜を形成後にアニールすることも有効である。また、アニールにより、島部の占有面積をコントロールすることも可能である。アニールにより高分子膜の分離はさらに促進し、島部の占有面積を小さくすることができる。また、２種類のポリマーを混合したポリマーブレンドの分離構造を用いることも可能である。ポリマーブレンドを用いる場合にはポリマーブレンドを塗布した後にアニールすることにより相分離構造が形成される。
【００５９】
次に、有機分子蒸着膜の島状構造として、高分子材料の島状成長構造を利用する方法について述べる。有機分子蒸着膜の材料としては、上記マスク下地層の有機分子蒸着膜で述べたものと同様のものを用いることが可能である。低分子有機化合物とマスク下地層表面との親和性が悪い組み合わせでは、真空蒸着時に容易に島状成長を起こし得る。蒸着膜の膜厚もある程度以上薄く形成することが分離した島状構造を得るためには望ましい。また、島状構造を形成させるためには蒸着膜を形成する際に、基板を加熱することも有効である。また蒸着膜を形成した後に、基板を加熱することも有効である。いずれの場合も、島状の凸部の占有面積をコントロールする際に有効である。また蒸着膜の形成スピードによっても島状の凸部のサイズおよび占有面積をコントロールすることが可能である。つまり形成スピードが遅い場合には、島状に成長する凸部の核の密度が増えるため、より高密度の島状凸部からなるマスクパターン層が形成され得る。
【００６０】
その後、図６に示すように、マスクパターン層６と共に保護層３をエッチングに供し（Ｓ５）、例えばエッチング下地層４の露出した箇所と保護層の表面を所望の深さまで除去して、マスクパターン層に対応した凸部を形成する。
【００６１】
本発明において、保護層のエッチングには、ドライエッチングが使用される。本発明に好適に使用されるドライエッチングとしては、例えばプラズマエッチング、及びイオンビームエッチング等があげられる。プラズマエッチングのエッチングガスとしては、例えば酸素を使用することができる。イオンビームエッチングのエッチングガスとしては、例えばアルゴンイオンなどの不活性ガスを使用することができる。
【００６２】
イオンビームエッチングを用いた保護層の加工では、ダイヤモンドライクカーボンのスパッタエッチングスピードが非常に遅いため、マスク層の凸部の高さをより高くすることが望ましい。
【００６３】
尚、エッチングガスは、酸素、アルゴンに限定されるものではない。
【００６４】
最後に、エッチングマスク６を除去し（Ｓ６）、図７に示すように、その表面に複数の微細な凸部７を有する保護層３を持つ磁気記録媒体８を得る。
【００６５】
エッチングマスク層の残渣は、有機分子の凝集体であるため、有機溶剤を用いて剥離することが可能である。
【００６６】
有機溶剤としては、例えばエタノール、メタノール、プロパノールなどのアルコール、アセトン、トルエン、キシレン、ベンゼン、クロロホルム、塩化メチレン、プロピレングリコールメチルエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、及びエチルセルソルブアセテート等があげられる。
【００６７】
また、フォトレジストなどの膜の分離構造をマスク層として用いた場合には、紫外線照射や電子線照射などにより、アルカリ溶液への溶解性があがり、容易に剥離することが可能となる。また、熱分解性の有機分子を用いた場合には、エッチング処理後加熱により有機分子を分解、その後溶媒により剥離するなどの方法も有効である。また、融点や昇華点の低い材料をマスク層として用いる場合にも、エッチング処理後加熱処理により、有機分子を揮発除去することが可能である。マスクパターン層として有機蒸着膜の島状成長構造を用いる場合には、マスクパターン層を構成する分子そのものが４００℃以下の低温で昇華、蒸発するため、残渣除去の工程においても、基板加熱処理により容易に残渣除去が可能である。
【００６８】
本発明に使用されるマスク下地層とマスクパターン層との好適な組み合わせは、分離構造の島状の凸部のサイズおよび密度に大きく関わっている。
【００６９】
上述のように、本発明に使用されるマスク下地層は、金属膜、金属酸化膜、金属窒化膜などの無機材料の薄膜か、塗布により形成され得る高分子膜または有機分子蒸着膜等の有機分子膜が用いられる。また、マスクパターン層としては、高分子膜または有機分子蒸着膜等の有機分子膜が用いられる。
【００７０】
マスク下地層として、金属膜、金属酸化膜、金属窒化膜を用いる場合には、好適なマスクパターン層として高分子膜または有機分子蒸着膜を用いることができる。マスク下地層として高分子膜を用いる場合には、マスクパターン層として有機分子蒸着膜を用いることができる。これは、マスク下地層及びマスクパターン層の両方に高分子膜を用いる場合には、マスクパターン層を塗布形成する際に、マスクパターン層の塗布液中の溶媒によりマスク下地層が破壊される可能性があるためである。
【００７１】
このため、マスク下地層、マスクパターン層ともに高分子膜を用いる場合には、例えばマスク下地層形成材料として、フッ素系ポリマーを用い、マスクパターン層形成材料として、炭化水素系ポリマーを使用し、マスク下地層表面と、マスクパターン層形成材料の親和性が悪い組み合わせにすることができる。
【００７２】
また、マスク下地層として有機分子蒸着膜を使用する場合には、マスクパターン層としてもまた有機分子蒸着膜を用いることができる。有機分子蒸着膜からなるマスク下地層上に、高分子膜を塗布形成すると、蒸着された高分子膜がマスクパターン層塗布液中の溶媒により高分子膜塗布液中の溶媒により容易に溶解されてしまうためである。
【００７３】
但し、有機分子蒸着膜をマスク下地層とマスクパターン層の両方に使う場合には、それぞれ同種の材料を用いると、マスク下地層表面とマスクパターン層材料との親和性が高くなり、島状構造を形成することが困難となる。
【００７４】
特に好適な組み合わせとしては、マスク下地層としてフッ素系ポリマー膜を使用し、マスクパターン層として有機分子蒸着膜を用いることがあげられる。この場合、マスク下地層表面とマスクパターン層との親和性が低く、容易にマスクパターン層の島状構造を得ることができるためである。
【００７５】
エッチングマスク層の除去後、保護層上に、図示しない潤滑剤をディップコートすることができる。
【００７６】
また、エッチングマスク層の残渣の除去工程だけでは、ダイヤモンドライクカーボン層の表面に吸着した少量の有機分子が完全には取りきれない場合がある。このような場合には、エッチングマスク層の残渣を除去した後、さらにエッチング処理を行いダイヤモンドライクカーボン膜表面に吸着した有機分子を除去することができる。
【００７７】
また、この後に、再度、ダイヤモンドライクカーボン膜を薄く製膜することができる。これにより、ダイヤモンドライクカーボン膜表面は、ドライエッチングが施されたダメージの大きい表面よりも、潤滑剤の吸着が良好となる。
【００７８】
また、図８に、本発明の磁気記録再生装置の一例の構成を表す概略図を示す。
【００７９】
図示するように、ディスク装置としてのハードディスクドライブ（以下ＨＤＤと称する）は、上面の開口した矩形箱状のケース１０と、複数のねじによりケースにねじ止めされてケースの上端開口を閉塞する図示しないトップカバーとを有している。
【００８０】
ケース１０内には、記録媒体としての磁気ディスク１２、この磁気ディスク１２を支持および回転させるスピンドルモータ１３、磁気ディスクに対して情報の記録、再生を行なう磁気ヘッド３３、この磁気ヘッド３３を磁気ディスク１２に対して移動自在に支持したヘッドアクチュエータ１４、ヘッドアクチュエータを回動および位置決めするボイスコイルモータ（以下ＶＣＭと称する）１６、磁気ヘッドが磁気ディスクの最外周に移動した際、磁気ヘッド３３を磁気ディスクから離間した位置に保持するランプロード機構１８、ＨＤＤに衝撃等が作用した際、ヘッドアクチュエータを退避位置に保持するイナーシャラッチ機構２０、およびプリアンプ等の電子部品が実装されたフレキシブルプリント回路基板ユニット（以下、ＦＰＣユニットと称する）１７が収納されている。
【００８１】
また、ケース１０の外面には、ＦＰＣユニット１７を介してスピンドルモータ１３、ＶＣＭ１６、および磁気ヘッドの動作を制御する図示しないプリント回路基板がねじ止めされ、ケースの底壁と対向して位置している。
【００８２】
磁気ディスク１２は、例えば、直径６５ｍｍ（２．５インチ）に形成され、磁気記録層を有している。磁気ディスク１２は、スピンドルモータ１３の図示しないハブに嵌合されているとともにクランプばね２１によりクランプされている。そして、磁気ディスク１２は、駆動部としてのスピンドルモータ１３により所定の速度で回転駆動される。
【００８３】
磁気ヘッド３３は、図示しないほぼ矩形状のスライダに形成されたいわゆる複合型ヘッドであり、単磁極構造のライトヘッドと、ＧＭＲ膜やＴＭＲ膜などを用いたリードヘッドと記録再生用のＭＲ（磁気抵抗）ヘッドとを有し、スライダと共にサスペンションの先端部に形成されたジンバル部に固定されている。
【実施例】
【００８４】
以下、実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。
【００８５】
実施例１
ここでは、マスク下地層として高分子膜、マスクパターン層として、マスク下地層とは異なる高分子材料からなる高分子膜を形成した例を示す。
【００８６】
基板として、厚さ０．５ｍｍ，１．８インチ型の結晶化ガラス基板（オハラ社製ＴＳ１０ＳＸ）を用意した。
【００８７】
磁気異方性を付与するため、この結晶化ガラス基板にテクスチャー加工を施した。算術平均表面粗さＲａは約０．３ｎｍであった。
【００８８】
洗浄後、その上にスパッタリング装置（アネルバ社製Ｃ＝３０１０）を用いて、厚さ１０ｎｍのＣｒ系合金からなる下地層を形成し，その上に厚さ２ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる安定化層を形成し、その上に中間層のＲｕを１ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる磁気記録層を５ｎｍ、及びダイヤモンドライクカーボンを用いて保護層５ｎｍを順次形成した。
【００８９】
次に、保護層上に、マスク下地層としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤FomblinZ-Tetraol（Solvey Solexis社製）を２ｎｍの厚さにディップコートした。
【００９０】
その後、マスクパターン層として、ＰＭＭＡ膜を膜厚２０ｎｍでスピンコートにより形成し、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤層とＰＭＭＡ膜からなるエッチングマスク層を形成した。Fomblin Z-Tetraolは５ｎｍ以下の極薄の膜を形成することが可能であり、かつその上に形成される膜を良くはじくため、高分子膜の液滴状の分離構造を容易に形成した。続いて、得られた基板を、さらに２００℃の窒素雰囲気中で、５時間アニールした。
【００９１】
その後、酸素プラズマエッチングによりマスク下地層の露出した部分とその下の保護層とを所望の深さまでエッチング除去し、例えば図６に示す基板と同様に、マスクパターン層に対応した凸部を形成した。
【００９２】
得られた基板をさらにＵＶ照射及び水洗した。このＰＭＭＡ膜はＵＶ照射によりポリマー鎖が容易に切れて、水洗により容易に剥離、除去できた。
【００９３】
その後、例えばアルゴン、酸素、または窒素のプラズマ照射により表面に残存するFomblin Z-Tetraolおよび残余のＰＭＭＡ膜を除去し、その表面に複数の凸部を持つ保護層を有する磁気記録媒体を得た。
【００９４】
ＡＦＭ測定の結果、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の合計が、媒体表面の面積に占める割合は２５％であった。
【００９５】
また、凸部一つ当たりの媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積平均は０．６３μｍ２で、凸部平均高さは２．８ｎｍであった。
【００９６】
得られた結果を下記表１に示す。
【００９７】
得られた磁気記録媒体に潤滑層としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【００９８】
得られた磁気記録媒体について、下記に示す接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【００９９】
各試験の試験方法は以下の通りである。
【０１００】
接触ヘッドによるドライブ試験
磁気記録媒体とヘッド荷重が２．５ｇｆの接触型磁気ヘッド（Ｐｉｃｏスライダー）を磁気ディスク装置に組み込み、６０℃、３０％ＲＨ環境下で全面シーク試験を３０日間行って、ＴＡ等によるエラー発生の有無を調べた。エラーが出た場合を×、出ない場合を○と各々評価した。
【０１０１】
浮上ヘッドによるドライブ試験
磁気記録媒体と浮上量が１０ｎｍ以下の極低浮上型ヘッド（Ｆｅｍｔｏスライダー）を磁気ディスク装置に組み込み、０．７ａｔｍの減圧環境下で全面ランダムシーク試験を行い、２４時間後のパフォーマンス（全面Read／Writeに要する時間）の劣化やＴＡによるエラー発生有無を調べた。エラーが出た場合を×、出ない場合を○と各々評価した。
【０１０２】
電磁変換特性評価
磁気記録媒体と極低浮上型ヘッドの組み合わせで、Ｇｕｚｉｋ社製  スピンスタンドにより電磁変換特性を評価した。比較例２の磁気記録媒体と極低浮上型ヘッドの組合せのＳＮ値（ｄＢ）を基準として、それぞれの組み合わせでのＳＮ値を相対的に比較した。
【０１０３】
実施例２
ここでは、マスク下地層として有機分子蒸着膜、マスクパターン層として高分子膜を形成した例を示す。
【０１０４】
実施例１と同様にして結晶化ガラス基板上に、下地層、安定化層、中間層、磁気記録層、及び保護層を順次形成した後、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）蒸気中に適当な時間例えば１時間放置して、マスク下地層として、ＨＭＤＳの単層吸着膜を形成した。
【０１０５】
その後、ＨＭＤＳ単層吸着膜上に、シプレー社製  フォトレジスト  Ｓ１８０１をＰＧＭＥＡで希釈し、膜厚１０ｎｍでスピンコートした後、８０℃でアニールを１０分行い、マスクパターン層を形成した。フォトレジストは、ＨＭＤＳ単層吸着膜上で液滴状の分離構造を容易に形成した。
【０１０６】
その後、酸素プラズマエッチングによりマスク下地層の露出した部分とその下の保護層とを所望の深さまでエッチング除去し、例えば図６に示す基板と同様に、マスクパターン層に対応した凸部を形成した。
【０１０７】
その後、得られた基板を紫外線で露光処理し、さらに、シプレー社製  ＭＦ３１９からなる現像液を適用してマスクパターン層を剥離した。マスクパターン層として使用されたフォトレジストはエッチング後、露光処理及び現像液による処理を行うだけで、容易に剥離が可能であった。
【０１０８】
続いて、アルゴンプラズマか酸素プラズマにより、ＨＭＤＳ層とマスクパターン層の残渣を除去し、その表面に複数の凸部を持つ保護層を有する磁気記録媒体を得た。
【０１０９】
ＡＦＭ測定の結果、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の合計が、媒体表面の面積に占める割合は３５％であった。
【０１１０】
また、凸部一つ当たりの媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積平均は０．１８μｍ２で凸部平均高さは２．７ｎｍであった。
【０１１１】
得られた磁気記録媒体に潤滑層としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【０１１２】
得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【０１１３】
実施例３ａないし３ｅ
ここでは、マスク下地膜として高分子膜、マスクパターン膜として有機分子蒸着膜を形成した例を示す。
【０１１４】
実施例１と同様にして結晶化ガラス基板上に、下地層、安定化層、中間層、磁気記録層、及び保護層を順次形成した後、ＣＦ４もしくはＣＨＦ３のプラズマ中にこの基板を晒し、保護層上に、マスク下地層として、フッ化炭素系重合物の吸着層を形成した。
【０１１５】
その後、フッ化炭素系重合物の吸着層上にマスクパターン層として例えばトリフェニルジアミン層を真空蒸着法により６ｎｍの厚さで形成し、フッ化炭素系重合物の吸着層とトリフェニルジアミン層からなるエッチングマスク層を得た。
【０１１６】
さらに、酸素プラズマエッチングによりマスク下地層の露出した部分とその下の保護層とを所望の深さまでエッチング除去し、例えば図６に示す基板と同様に、マスクパターン層に対応した凸部を形成した。
【０１１７】
その後、得られた基板を真空中でランプアニールを用いて１５０℃以上に加熱し、トリフェニルジアミン層を昇華除去、もしくは有機溶媒のアセトンで剥離した。
【０１１８】
さらにその後、アルゴン、酸素、あるいは窒素ガスプラズマを照射することにより、保護層表面に残存するフッ化炭素系重合物およびトリフェニルジアミン層を除去し、その表面に複数の凸部を持つ保護層を有する磁気記録媒体を得た。
【０１１９】
また、別途、トリフェニルジアミン層の膜厚、その真空蒸着時の成膜速度、及び保護層のプラズマエッチング時間を種々変更し、凹凸形状の異なる保護層を持つ磁気記録媒体サンプルを種々作製した。各サンプルのＡＦＭ測定結果を下記表１に示す。
【０１２０】
得られた磁気記録媒体に潤滑層としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【０１２１】
この例では、マスク下地層にＣＦ４プラズマ中の重合物を用い、かつマスクパターン層として有機分子蒸着膜を用いるため、保護層のエッチング工程のすべてを真空下で一貫して行うことができ、効率良くの磁気記録媒体の製造が可能である。
【０１２２】
得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【０１２３】
実施例４
ここでは、マスク下地層として高分子膜、マスクパターン層として有機分子蒸着膜を形成した例を示す。
【０１２４】
実施例１と同様にして結晶化ガラス基板上に、下地層、安定化層、中間層、及び磁気記録層を形成した後、エッチングストップ層として膜厚１ｎｍで例えばＰｔ層をスパッタにより形成した。
【０１２５】
その後、エッチングストップ層上にダイヤモンドライクカーボンを用いて保護層を２．５ｎｍの膜厚で形成した。
【０１２６】
この保護層上に、実施例３と同様にして、フッ化炭素系重合物の吸着層と２ｎｍの厚さのトリフェニルジアミン層からなるエッチングマスク層を得た。
【０１２７】
酸素プラズマエッチングによりマスク下地層の露出した部分とその下の保護層とを、エッチングストップ層が露出する深さまでエッチング除去し、マスクパターン層に対応した凸部を形成した。
【０１２８】
その後、得られた基板を真空中でランプアニールを用いて１５０℃以上に加熱し、トリフェニルジアミン層を昇華除去、もしくは有機溶媒のアセトンで剥離した。
【０１２９】
さらにその後、アルゴン、酸素、あるいは窒素ガスプラズマを照射することにより、保護層表面に残存するフッ化炭素系重合物およびトリフェニルジアミン層を除去した。
【０１３０】
エッチングマスクの分離構造のパターンは一様ではないため、マスク下地層の露出部である凹部の面積によってエッチング速度が異なり、このために、保護層に形成される凸部の高さにはばらつきが生じる傾向があるけれども、エッチングストップ層を設けることにより、保護層に形成される凸部の高さを揃えることができる。
【０１３１】
続いて、その上からダイヤモンドライクカーボンを用いて保護層を１ｎｍ製膜した。
【０１３２】
このように、エッチングマスク層除去後のパターニングされた保護層表面に、さらにダイヤモンドライクカーボン層を形成することで、エッチングにより劣化した保護層表面を埋め込み、硬度の高い保護層を得ることができる。
【０１３３】
ＡＦＭ測定の結果、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の合計が、媒体表面の面積に占める割合は２１％であった。
【０１３４】
また、凸部一つ当たりの媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積平均は０．２０μｍ２で、凸部平均高さは２．１ｎｍであった。
【０１３５】
こうして得られた磁気記録媒体に潤滑膜としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【０１３６】
得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【０１３７】
実施例５
ここでは、マスク下地層として金属膜、マスクパターン層として有機分子蒸着膜を形成した例を示す。
【０１３８】
実施例１と同様にして結晶化ガラス基板上に、下地層、安定化層、中間層、磁気記録層、及び保護層を順次形成した後、マスク下地層として、スパッタによりＳｉ膜を１．０ｎｍの厚さで形成した。
【０１３９】
次に、Ｓｉ膜上にマスクパターン層として例えばトリフェニルジアミンなどを１ｎｍの厚さで真空蒸着して、Ｓｉ膜とトリフェニルジアミン蒸着層からなるエッチングマスクを得た。
【０１４０】
その後、酸素プラズマエッチングによりマスク下地層の露出した部分とその下の保護層とを所望の深さまでエッチング除去し、例えば図６に示す基板と同様に、マスクパターン層に対応した凸部を形成した。
【０１４１】
さらに、酸素プラズマエッチングによりダイヤモンドライクカーボン層をエッチング加工した。
【０１４２】
その後、得られた基板を真空中でランプアニールを用いて１５０℃以上に加熱し、トリフェニルジアミン層を昇華除去、もしくは有機溶媒のアセトンで剥離した。
【０１４３】
その後、得られた基板をＣＦ４プラズマ中に晒すことにより、Ｓiのマスク下地層を除去した。
【０１４４】
さらに、アルゴン、酸素、または窒素ガスプラズマを照射することにより、保護層表面に残存する高分子材料を除去した。
【０１４５】
得られた磁気記録媒体に潤滑層としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【０１４６】
この例では、マスク下地層に金属膜Ｓｉを用い、かつマスクパターン層として有機分子蒸着膜を用いるため、保護層のエッチング工程のすべてを真空下で一貫して行うことができ、効率良く磁気記録媒体の製造が可能である。
【０１４７】
得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【０１４８】
実施例６
ここでは、マスク下地層として高分子膜、マスクパターン層として有機分子蒸着膜を形成した例を示す。
【０１４９】
実施例１と同様にして結晶化ガラス基板上に、下地層、安定化層、中間層、磁気記録層、及び保護層を順次形成した後、マスク下地層として、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤FomblinZ-Tetraol（Solvey Solexis社製）を２ｎｍの厚さにディップコートした。
【０１５０】
その後、例えばトリフェニルジアミンを用い、マスクパターン層を４ｎｍの厚さで真空蒸着法により形成し、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤層及びトリフェニルジアミン層からなるエッチングマスク層を得た。マスク下地層にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用い、マスクパターン層として有機分子蒸着膜を用いることにより、微細な分離構造の形成が容易に可能であった。
【０１５１】
さらに、酸素プラズマエッチングによりマスク下地層の露出した部分とその下の保護層とを所望の深さまでエッチング除去し、例えば図６に示す基板と同様に、マスクパターン層に対応した凸部を形成した。
【０１５２】
その後、得られた基板を真空中でランプアニールを用いて１５０℃以上に加熱し、トリフェニルジアミン層を昇華除去、もしくは有機溶媒のアセトンで剥離した。
【０１５３】
さらにその後、アルゴン、酸素、あるいは窒素ガスプラズマを照射することにより、保護層表面に残存するフッ化炭素系重合物およびトリフェニルジアミン層を除去し、その表面に複数の凸部を持つ保護層を有する磁気記録媒体を得た。
【０１５４】
得られた磁気記録媒体に潤滑層としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【０１５５】
得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【０１５６】
実施例７
ここでは、マスク下地層として金属膜、マスクパターン層として高分子膜を形成した例を示す。
【０１５７】
実施例１と同様にして結晶化ガラス基板上に、下地層、安定化層、中間層、磁気記録層、及び保護層を順次形成した後、マスク下地層として、スパッタによりＳｉ膜を１ｎｍの厚さで形成した。
【０１５８】
その後、マスクパターン層として、ＰＭＭＡ膜を膜厚２０ｎｍでスピンコートにより形成し、Ｓｉ膜とＰＭＭＡ膜からなるエッチングマスク層を形成した。
【０１５９】
Ｓｉ膜上にＰＭＭＡ膜を形成すると、島状構造の形成が容易に可能であり、かつその大きさは比較的大きく耐久性の高い島部が得られた。
【０１６０】
続いて、得られた基板を、さらに２００℃の窒素雰囲気中で、５時間アニールした。
【０１６１】
さらに、酸素プラズマエッチングによりマスク下地層の露出した部分とその下の保護層とを所望の深さまでエッチング除去し、例えば図６に示す基板と同様に、マスクパターン層に対応した凸部を形成した。
【０１６２】
その後、得られた基板をさらにＵＶ照射及び水洗して、ＰＭＭＡ膜を除去した。
【０１６３】
さらに、得られた基板をＣＦ４プラズマ中に晒すことにより、Ｓiのマスク下地層を除去した。
【０１６４】
さらにその後、アルゴン、酸素、あるいは窒素ガスプラズマを照射することにより、保護層表面に残存するＳｉ及びＰＭＭＡ層を除去した。
【０１６５】
こうして得られた磁気記録媒体に潤滑膜としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【０１６６】
得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【０１６７】
実施例８
ここでは、マスク下地層として金属酸化膜、マスクパターン層として有機分子蒸着膜を形成した例を示す。
【０１６８】
実施例１と同様にして結晶化ガラス基板上に、下地層、安定化層、中間層、磁気記録層、及び保護層を順次形成した後、マスク下地層として、ＳｉＯ２膜をスパッタにより２ｎｍの厚さで形成し、続いてＳｉＯ２膜表面をＨＭＤＳ蒸気中に適当な時間例えば１時間放置してＨＭＤＳの単層吸着膜を表面層として形成し、疎水化した。
【０１６９】
ＨＭＤＳの単層吸着膜上に例えばトリフェニルジアミンを用いて、真空蒸着法により４ｎｍの厚さでマスクパターン層を形成した。
【０１７０】
マスク下地層として、その表面がＨＭＤＳと反応しやすい金属酸化膜ＳｉＯ２を用い、ＨＭＤＳ単分子吸着膜により表面層を形成して、マスクパターン層との親和性を悪くすることにより、マスクパターン層形成時に、容易に微細な島状構造が形成された。
【０１７１】
その後、酸素プラズマエッチングを用いてによりマスク下地層の露出した部分とその下の保護層とを所望の深さまでエッチング除去し、例えば図６に示す基板と同様に、マスクパターン層に対応した凸部を形成した。
【０１７２】
その後、得られた基板を真空中でランプアニールを用いて１５０℃以上に加熱し、トリフェニルジアミン層を昇華除去、もしくは有機溶媒のアセトンで剥離した。
【０１７３】
その後、得られた基板をＣＦ４プラズマ中に晒すことにより、ＳiＯ２のマスク下地層を除去した。
【０１７４】
さらに、アルゴン、酸素、または窒素ガスプラズマを照射することにより、保護層表面に残存する高分子材料を除去した。
【０１７５】
得られた磁気記録媒体に潤滑層としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【０１７６】
得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【０１７７】
実施例９
マスク下地層として有機分子蒸着膜、マスクパターン層としてマスク下地層とは異なる有機分子蒸着膜を形成した例を示す。
【０１７８】
実施例１と同様にして結晶化ガラス基板上に、下地層、安定化層、中間層、磁気記録層、及び保護層を順次形成した後、マスク下地層として、Ａｌｑ３膜を真空蒸着法により２ｎｍの厚さで形成した。その後、１５０℃窒素雰囲気中で1分アニールした。
【０１７９】
次に、Ａｌｑ３膜上にマスクパターン層として、低分子有機化合物トリフェニルジアミン膜を基板温度６０℃で真空蒸着法により４ｎｍの厚さで形成した。
【０１８０】
さらに、酸素プラズマエッチングによりマスク下地層の露出した部分とその下の保護層とを所望の深さまでエッチング除去し、例えば図６に示す基板と同様に、マスクパターン層に対応した凸部を形成した。
【０１８１】
その後、得られた基板を真空中でランプアニールを用いて１５０℃以上に加熱し、トリフェニルジアミン層を昇華除去、もしくは有機溶媒のアセトンで剥離した。
【０１８２】
さらにその後、アルゴン、酸素、あるいは窒素ガスプラズマを照射することにより、保護層表面に残存するフッ化炭素系重合物およびトリフェニルジアミン層を除去し、その表面に複数の凸部を持つ保護層を有する磁気記録媒体を得た。
【０１８３】
マスク下地層およびマスクパターン層とも有機分子蒸着膜を用いて形成することにより、剥離が容易であった。
【０１８４】
得られた磁気記録媒体に潤滑層としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【０１８５】
得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【０１８６】
比較例１
結晶化ガラス基板表面にケミカルメタニカルポリッシュを施し、その表面粗さＲａを約１．０ｎｍにすること以外は実施例１と同様にして、基板上に、下地層、安定化層、中間層、及び磁気記録層を順次形成した後、磁気記録層上に３ｎｍのカーボン保護層を形成した。その後、保護層上に潤滑層としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【０１８７】
得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【０１８８】
比較例２
結晶化ガラス基板上に、下地層、安定化層、中間層、及び磁気記録層を順次形成した後、３ｎｍのカーボン保護層を形成した。その後、潤滑層としてパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を約２ｎｍ塗布した。
【０１８９】
得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、接触ヘッドによるドライブ試験、浮上へッドによるドライブ試験、及び電磁変換特性試験を行ない、各々評価した。得られた結果を下記表２に各々示す。
【０１９０】
【表１】
2007087463.tif 000006
【０１９１】
【表２】
2007087463.tif 000007
【０１９２】
接触ヘッドによるドライブ試験では、実施例３ｂ、実施例３ｅ、比較例２は粗さが低いため、接触型ヘッドは位置決めができず試験ができなかった。接触型ヘッドを安定に走行させるためには、媒体表面に対し垂直な方向から見たときのその頭頂部の平面積の合計が媒体表面の面積に占める割合は４０％以下で、かつ凸部平均高さが１ｎｍ以上であることが望ましい。また実施例３ｃでは凸部サイズが大きいためＴＡが発生した。ＴＡを防止するためには凸部一つあたりの平均面積が１μｍ２以下であることが望ましい。その他はエラーの発生はなかった。
【０１９３】
浮上ヘッドによるドライブ試験では、実施例３ｄは凸部高さが高いためＴＡが発生した。ＴＡを防止するために凸部高さは４ｎｍ以下であることが望ましい。比較例２は粗さが低すぎるために不意の接触時に磁気記録媒体に傷をつけてエラーが発生したものと考えられ、極低浮上下で信頼性を確保するためには適度な粗さが必要である。その他はエラーの発生はなかった。
【０１９４】
電磁変換特性評価では、比較例１と極低浮上型ヘッドの組み合わせでは、基板を粗したため、且つ磁気異方性をつけていないために、ＳＮ値は基準より１．３ｄＢ低下した。一方、接触型ヘッドとの組み合わせでは、磁気ヘッドと磁気記録媒体間のスペーシングが狭くなった効果で０．５ｄＢの増加となった。実施例１、２、３a、４ないし９と接触型ヘッドの組み合わせでは、磁性膜の配向性を損ねたりせず、また磁気異方性をつけることもできるため、スペーシングを狭くした効果が十分にあらわれ、基準に対し１．２ないし２．０ｄＢもＳＮ値が向上した。
【図面の簡単な説明】
【０１９５】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明するためのフローチャート
【図２】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明するため概略的な断面図
【図３】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明するため概略的な断面図
【図４】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明するため概略的な断面図
【図５】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明するため概略的な断面図
【図６】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明するため概略的な断面図
【図７】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明するため概略的な断面図
【図８】本発明の磁気記録再生装置の一例の構成を表す概略図
【符号の説明】
【０１９６】
１…基板、２…磁気記録層、３…保護層、４…マスク下地層、５…マスクパターン層、６…エッチングマスク、７…凸部、８，１２…磁気記録媒体、１４…ヘッドアクチュエータ，１６…ボイスコイルモータ，１７…ＦＰＣユニット，２４…軸受組立体，２７…アーム，３３…磁気ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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