(57)【要約】【課題】陽極接合の際に影響を受けず、しかも目的とする感度を得ることができる静電容量型圧力センサを提供すること。【解決手段】ガラス基板１１のキャビティ１７内には、固定電極である第１導電部材１２が埋設されている。ガラス基板１１のキャビティ１７以外の領域に、可動電極用の接続電極である第２導電部材１３が埋設されている。ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、第１及び第２導電部材１２，１３の露出部分とそれぞれ電気的に接続するように引き出し電極１４ａ，１４ｂが形成されている。キャビティ１７は、感圧ダイヤフラム１６ａと固定電極である第１導電部材１２との間の領域１７ａと、領域１７ａ以外の領域１７ｂとを有する。ガラス基板１１の主面１１ａの接合面１１ｄ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１６ａを有するシリコン基板１６が接合されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向する一対の主面を有し、前記一対の主面の両方の主面で露出するように埋め込まれた固定電極となる第１導電部材を有するガラス基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に接合されており、前記第１導電部材との間でキャビティを形成するように対向して配置された可動電極を有するシリコン基板と、を具備し、前記ガラス基板は、前記第１導電部材が前記一方の主面側で突出するように、少なくとも前記第１導電部材の周囲に形成された凹部を有することを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
前記凹部の深さは、前記ガラス基板のガラスと前記シリコン基板のシリコンとが静電引力に影響を受けない程度に離れるために十分な深さであることを特徴とする請求項１記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項３】
前記ガラス基板は、前記シリコン基板と電気的に接続されており、前記ガラス基板の少なくとも他方主面で露出する第２導電部材を有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項４】
前記ガラス基板の他方の主面において、前記第１及び第２導電部材上に引き出し電極が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項５】
前記第１及び第２導電部材がシリコンで構成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項６】
前記ガラス基板と前記シリコンとの界面においてＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量を用いて圧力を検知する静電容量型圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量型圧力センサは、可動電極である感圧ダイヤフラムを有する基板と、固定電極を有する基板とを、感圧ダイヤフラムと固定電極との間に所定の間隔（キャビティ）を有するように接合することにより構成されている。この静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラムに圧力が加わると感圧ダイヤフラムが変形し、これにより感圧ダイヤフラムと固定電極との間隔が変わる。この間隔の変化により感圧ダイヤフラムと固定電極との間の静電容量が変化し、この静電容量の変化を利用して圧力の変化を検出する（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特許第２７７２１１１号公報
【０００３】
上記静電容量型圧力センサにおいては、例えば、固定電極を有する基板としてガラス基板を用い、感圧ダイヤフラムを有する基板としてシリコン基板を用いる。このガラス基板とシリコン基板とを接合する場合には、通常陽極接合という接合方法が使用される。陽極接合処理とは、所定の温度（例えば４００℃以下）で所定の電圧（例えば３００Ｖ〜１ｋＶ）を印加することにより、シリコンとガラスとの間に大きな静電引力が発生して、界面で共有結合もしくは酸素を介した化学結合を起こさせる処理をいう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する場合、上記のように、シリコンとガラスとの間に大きな静電引力が発生する。静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラムと固定電極との間にキャビティという空間が存在するが、感圧ダイヤフラムがシリコンであり、固定電極の周囲にはガラスが存在するので、陽極接合の際にキャビティ内において、感圧ダイヤフラムがガラス基板側に引き寄せられてしまう。感圧ダイヤフラムとガラス基板との間のキャビティは通常１μｍ程度と非常に狭いため、場合によっては、感圧ダイヤフラムが静電引力により可動してキャビティ内のガラス基板に接触して陽極接合されて不良品になってしまう。
【０００５】
また、シリコンとガラスとの間で陽極接合を行うと酸素ガスが発生し、キャビティ内の圧力が変化する。キャビティ内の容積は非常に狭いので、キャビティ内の圧力が変化すると、静電容量型圧力センサとして目的とする感度を得ることができない。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、陽極接合の際に影響を受けず、しかも目的とする感度を得ることができる静電容量型圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の静電容量型圧力センサは、相互に対向する一対の主面を有し、前記一対の主面の両方の主面で露出するように埋め込まれた固定電極となる第１導電部材を有するガラス基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に接合されており、前記第１導電部材との間でキャビティを形成するように対向して配置された可動電極を有するシリコン基板と、を具備し、前記ガラス基板は、前記第１導電部材が前記一方の主面側で突出するように、少なくとも前記第１導電部材の周囲に形成された凹部を有することを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、ガラス基板において、第１導電部材がキャビティ内で突出するように、少なくとも第１導電部材の周囲に凹部が形成されているので、ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合したときに、感圧ダイヤフラムがキャビティ内でガラス基板と接合されてしまうことを防止でき、しかも陽極接合したときに発生する酸素ガスを拡散させることができ、キャビティ内の圧力が変化することを防止することができる。
【０００９】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記凹部の深さは、前記ガラス基板のガラスと前記シリコン基板のシリコンとが静電引力に影響を受けない程度に離れるために十分な深さであることが好ましい。
【００１０】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記ガラス基板は、前記シリコン基板と電気的に接続されており、前記ガラス基板の少なくとも他方主面で露出する第２導電部材を有することが好ましい。
【００１１】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記ガラス基板の他方の主面において、前記第１及び第２導電部材上に引き出し電極が形成されていることが好ましい。この構成によれば、外部への取り出し電極を一つの面上に形成できるので、表面実装に適したデバイスとすることができる。
【００１２】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記第１及び第２導電部材がシリコンで構成されていることが好ましい。
【００１３】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記ガラス基板と前記シリコンとの界面においてＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有することが好ましい。この構成によれば、ガラス基板とシリコンとの界面においてＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有するので、ガラスとシリコンとが強固に接合されて、両者間の密着性が向上し、キャビティの気密性が向上する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の静電容量型圧力センサによれば、相互に対向する一対の主面を有し、前記一対の主面の両方の主面で露出するように埋め込まれた固定電極となる第１導電部材を有するガラス基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に接合されており、前記第１導電部材との間でキャビティを形成するように対向して配置された可動電極を有するシリコン基板と、を具備し、前記ガラス基板は、前記第１導電部材が前記一方の主面側で突出するように、少なくとも前記第１導電部材の周囲に形成された凹部を有するので、陽極接合の際に影響を受けず、しかも目的とする感度を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの断面図である。図中１１はガラス基板を示す。ガラス基板１１は、相互に対向する一対の主面１１ａ，１１ｂを有する。このガラス基板１１の後述するキャビティ１７内には、固定電極である第１導電部材１２が埋設されている。また、ガラス基板１１のキャビティ１７以外の領域に、後述する可動電極用の接続電極である第２導電部材１３が埋設されている。第１及び第２導電部材１２，１３は、それぞれ主面１１ａ，１１ｂでそれぞれ露出している。
【００１６】
ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、第１導電部材１２の露出部分と電気的に接続するように引き出し電極１４ａが形成されており、第２導電部材１３の露出部分と電気的に接続するように引き出し電極１４ｂが形成されている。このように引き出し電極１４ａ，１４ｂがそれぞれ主面１１ｂ上に設けられていることにより、外部への取り出し電極を一つの面上に形成できるので、表面実装に適したデバイスとすることができる。
【００１７】
ガラス基板１１の主面１１ａは、キャビティ１７を構成するための凹部１１ｃが形成されている。この凹部１１ｃの深さは、キャビティ１７内で第１導電部材１２が突出するように設定する。また、凹部１１ｃの幅は、少なくとも固定電極である第１導電部材１２の幅よりも大きく設定することが望ましい。
【００１８】
ガラス基板１１の主面１１ａの接合面（凹部１１ｃ以外の領域）１１ｄ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１６ａを有するシリコン基板１６が接合されている。これにより、ガラス基板１１の凹部１１ｃとシリコン基板１６との間でキャビティ１７が形成される。これにより、感圧ダイヤフラム１６ａ（可動電極）と第１導電部材１２（固定電極）との間に静電容量が発生する。
【００１９】
第２導電部材１３とシリコン基板１６との間には電極１５が介在されている。なお、第２導電部材１３がシリコン基板６と電気的に接続される材料で構成されていれば、電極１５を設けずに、第２導電部材１３とシリコン基板１６とを直接接合する構成にしても良い。
【００２０】
キャビティ１７は、感圧ダイヤフラム１６ａと固定電極である第１導電部材１２との間の領域１７ａと、領域１７ａ以外の領域、すなわち第１導電部材１２を囲む領域１７ｂとを有する。このように、領域１７ａよりも深い領域１７ｂを第１導電部材１２の周りに設けることにより、領域１７ｂのガラスを、静電引力に影響を受けない程度に、感圧ダイヤフラム１６ａのシリコンと離すことができる。このため、ガラス基板１１とシリコン基板１６とを陽極接合したときに、感圧ダイヤフラム１６ａがキャビティ１７内でガラス基板１１と接合されてしまうことを防止できる。また、領域１７ｂの容積が領域１７ａの容積よりも相対的に大きいので、ガラス基板１１とシリコン基板１６とを陽極接合したときに発生する酸素ガスを拡散させることができ、キャビティ１７内の圧力が変化することを防止することができる。
【００２１】
ここでは、第１導電部材１２は、平面視において略円形であるので、領域１７ａは略円形であり、領域１７ｂは領域１７ａを囲繞する円環形状である。領域１７ｂにおける深さ（凹部１１ｃの深さ）は、静電引力に影響を受けない程度に、感圧ダイヤフラム１６ａのシリコンとガラスとを離すのに十分な距離である。この凹部１１ｃの深さは、感圧ダイヤフラム１６ａと第１導電部材１２との間の間隔Ｄ2とキャビティ１７内で第１導電部材１２が突出する高さＤ1との和である。Ｄ1の深さは、陽極接合の際に発生する酸素ガスを拡散させる領域を確保する観点から、Ｄ2の間隔の１倍から５倍程度であることが好ましい。
【００２２】
また、領域１７ｂは、平面視において、少なくとも第１導電部材１２の周囲に設ける。ガラスとシリコンの陽極接合においては、接合部におけるガラスに含まれるナトリウムイオンが移動してナトリウム濃度が低くなり、シリコンと酸素の結合が生じて接合がなされる。また、感圧ダイヤフラム１６ａは、ガラス基板１１の凹部１１ｃの端部とシリコン基板１６とが接触する部分Ｘを支点として可動するので、中央に向って可動量が徐々に増加するようになっている。このため、感圧ダイヤフラム１６ａの中央に向ってキャビティ１７内のガラス基板１１に近接する。したがって、感圧ダイヤフラム１６ａがガラス基板１１に近接する領域に領域１７ｂを設けることが効果的である。このため、第１導電部材１２を除いてキャビティ１７の中央部分に相当する、少なくとも第１導電部材１２の周囲に、領域１７ｂを設ける。
【００２３】
第１及び第２導電部材１２，１３を構成する材料としては、シリコン、金属などの導電性材料を用いることができるが、第１導電部材１２については、ガラスとの間の密閉性を考慮して、シリコンで構成することが好ましい。
【００２４】
ガラス基板１１とシリコン基板１６との間の界面（接合部１１ｄ）は、高い密着性を有することが好ましい。ガラス基板１１にシリコン基板１６を接合する場合には、ガラス基板１１の接合部１１ｄ上にシリコン基板１６を搭載し、陽極接合処理を施すことにより、両基板１１，１６の密着性を高くすることができる。このようにガラス基板１１とシリコン基板１６との界面で高い密着性を発揮することにより、感圧ダイヤフラム１６ａとガラス基板１１の凹部１１ｃとの間で構成するキャビティ１７内の気密性を高く保つことができる。
【００２５】
ガラス基板１１とシリコン基板１６との間の界面では共有結合ができている。この共有結合は、シリコンのＳｉ原子とガラスに含まれるＳｉ原子との間のＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合である。したがって、このＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合により、シリコンとガラスとが強固に接合して、両者間の界面で非常に高い密着性を発揮する。このような陽極接合を効率良く行うために、ガラス基板１１のガラス材料としては、ナトリウムなどのアルカリ金属を含むガラス材料（例えばパイレックス（登録商標）ガラス）であることが好ましい。
【００２６】
第１及び／又は第２導電部材１２，１３がシリコンで構成されている場合には、ガラス基板１１と第１及び／又は第２導電部材１２，１３との間の界面も陽極接合されていることが好ましい。後述するように、これらの界面は、加熱下において第１及び／又は第２導電部材１２，１３をガラス基板１１に押し込むことにより形成される。このような方法により得られた界面でも高い密着性を発揮できるが、第１及び／又は第２導電部材１２，１３をガラス基板１１に押し込んだ後に、陽極接合処理を施すことにより、密着性をより高くすることができる。
【００２７】
このような構成を有する静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラム１６ａとガラス基板１１内の固定電極である第１導電部材１２との間に所定の静電容量を有する。この圧力センサに圧力が加わると、感圧ダイヤフラム１６ａが圧力に応じて可動する。これにより、感圧ダイヤフラム１６ａが変位する。このとき、感圧ダイヤフラム１６ａとガラス基板１１内の固定電極との間の静電容量が変化する。したがって、この静電容量をパラメータとして、その変化を圧力変化とすることができる。
【００２８】
この静電容量型圧力センサにおいては、ガラス基板１１において、第１導電部材１２がキャビティ１７内で突出するように、少なくとも第１導電部材１２の周囲に凹部１１ｇが形成されている。すなわち、少なくとも第１導電部材１２の周囲に領域１７ｂを有する。このため、静電引力に影響を受けない程度に、感圧ダイヤフラム１６ａのシリコンとキャビティ１７内のガラスとが離れている。このため、ガラス基板１１とシリコン基板１６とを陽極接合したときに、感圧ダイヤフラム１６ａがキャビティ１７内でガラス基板１１と接合されてしまうことを防止できる。また、領域１７ｂが設けられているので、ガラス基板１１とシリコン基板１６とを陽極接合したときに発生する酸素ガスを拡散させることができ、キャビティ１７内の圧力が変化することを防止することができる。
【００２９】
次に、本実施の形態の静電容量型圧力センサの製造方法について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【００３０】
まず、不純物をドーピングして低抵抗化したシリコン基板１８を準備する。不純物としては、ｎ型不純物でも良く、ｐ型不純物でも良い。濃度としては、例えば０．０１Ω・ｃｍ程度とする。そして、図２（ａ）に示すように、このシリコン基板１８の一方の主面をエッチングして、第１及び第２導電部材１２，１３に相当する突出部１８ａ，１８ｂを形成する。すなわち、突出部１８ａが第１導電部材１２に相当し、突出部１８ｂが第２導電部材１３に相当する。
【００３１】
次いで、突出部１８ａ，１８ｂを形成したシリコン基板１８上にガラス基板１１を置く。さらに、真空下で、このシリコン基板１８及びガラス基板１１を加熱し、シリコン基板１８をガラス基板１１に押圧して突出部１８ａ，１８ｂをガラス基板１１の主面１１ｂに押し込んで、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板１８とガラス基板１１とを接合する。このときの温度は、シリコンの融点以下であって、ガラスが変形可能である温度（例えば、ガラスの軟化点温度以下）が好ましい。例えば加熱温度は約８００℃である。
【００３２】
さらに、シリコン基板１８の突出部１８ａ，１８ｂとガラス基板１１との界面１１ｅでの密着性をより高めるために、陽極接合処理をすることが好ましい。この場合、シリコン基板１８及びガラス基板１１にそれぞれ電極をつけて、約４００℃以下の加熱下で約３００Ｖ〜１ｋＶの電圧を印加することにより行う。これにより両者の界面での密着性がより高くなり、静電容量型圧力センサのキャビティ１７の気密性を向上させることができる。
【００３３】
次いで、ガラス基板１１の主面１１ａ側を研磨処理して、シリコン基板１８の突出部１８ａ，１８ｂを主面１１ａで露出させる。次いで、シリコン基板１８の裏面（突出部１８ａ，１８ｂを設けない面）側をエッチングしてガラス基板１１の主面１１ｂを露出させる。エッチングとしては、ドライエッチングでも良く、ウェットエッチングでも良い。また、裏面のシリコンは研磨による加工で除去しても良い。
【００３４】
その後、突出部１８ａ及びガラス基板１１の主面１１ａの上面をエッチングして、図２（ｃ）に示すように、領域１７ａに相当する深さ（Ｄ2）の凹部１１ｆ及び領域１７ａ，１７ｂに相当する深さ（Ｄ1＋Ｄ2）の凹部１１ｇを形成する。この場合、シリコン基板１８の露出部上にレジスト膜を形成し、凹部１１ｆ形成領域以外にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてシリコンをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。このようにして凹部１１ｆを設ける。次いで、ガラス基板１１及びシリコン基板１８の露出部上にレジスト膜を形成し、凹部１１ｇ形成領域以外にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてガラスをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。このようにして凹部１１ｇを設ける。エッチングとしては、ドライエッチングでも良く、ウェットエッチングでも良い。これにより、凹部１１ｆ，１１ｇを有するガラス基板１１に第１導電部材１２及び第２導電部材１３が埋め込まれた状態となる。
【００３５】
次いで、図２（ｃ）に示すように、ガラス基板１１の主面１１ｂ側において、第１及び第２導電部材１２，１３の露出部分と電気的に接続するように引き出し電極１４ａ，１４ｂを形成する。この場合、まず、ガラス基板１１の主面１１ｂの第１及び第２導電部材１２，１３上に電極材料を被着し、その上にレジスト膜を形成し、引き出し電極形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとして電極材料をエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。
【００３６】
また、図２（ｃ）に示すように、ガラス基板１１の主面１１ａ側において、第２導電部材１３の露出部分と電気的に接続するように電極１５を形成する。この場合、まず、ガラス基板１１の主面１１ａの第２導電部材１３上に電極材料を被着し、その上にレジスト膜を形成し、電極形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとして電極材料をエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。
【００３７】
次いで、あらかじめエッチングなどにより数十μｍ程度の所定の厚さに形成したシリコン基板１６を、感圧ダイヤフラム１６ａが固定電極である第１導電部材１２と所定の間隔をおいて位置するようにして、ガラス基板１１の接合面１１ｄ上に接合する。このとき、シリコン基板１６及びガラス基板１１に対して、約４００℃以下の加熱下で約５００Ｖ程度の電圧を印加することにより陽極接合処理を行う。これによりシリコン基板１６とガラス基板１１との間の界面での密着性がより高くなり、キャビティ１７の気密性を向上させることができる。
【００３８】
このようにして得られた静電容量型圧力センサは、固定電極である第１導電部材１２が引き出し電極１４ａと電気的に接続され、感圧ダイヤフラム１６ａが電極１５及び第２導電部材１３を介して引き出し電極１４ｂと電気的に接続されている。したがって、感圧ダイヤフラム１６ａと固定電極との間で検知された静電容量の変化の信号は、引き出し電極１４ａ，１４ｂから取得することができる。この信号に基づいて測定圧力を算出することができる。
【００３９】
本実施の形態に係る静電容量型圧力センサによれば、ガラス基板１１において、第１導電部材１２がキャビティ１７内で突出するように、少なくとも第１導電部材１２の周囲に凹部１１ｇが形成されているので、ガラス基板１１とシリコン基板１６とを陽極接合したときに、感圧ダイヤフラム１６ａがキャビティ１７内でガラス基板１１と接合されてしまうことを防止でき、陽極接合の影響を受けない。しかも、この構成によれば、陽極接合したときに発生する酸素ガスを拡散させることができ、キャビティ１７内の圧力が変化することを防止することができる。
【００４０】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
図１に示す構造の静電容量型圧力センサを、キャビティ１７内における第１導電部材１２の上面からガラス基板１１の底面までの距離Ｄ1を変えて複数作製して、それぞれについてキャビティ容積を求めた。この場合、感圧ダイヤフラム１６ａと第２導電部材１２との間の間隔Ｄ2を０．８μｍとし、感圧ダイヤフラム１６ａの幅（直径）を１３００μｍとし、第１導電部材１２の幅（直径）を８００μｍとした。このときのキャビティ容積の変化を図３に示す。なお、Ｄ1は０μｍ（領域１７ｂなし）〜７μｍまで変動させた。図３に示すように、Ｄ1が大きくなるにつれてキャビティ容積が大きくなる。
【００４１】
ここで、陽極接合の際に発生した酸素ガスにより、キャビティ１７内の圧力が１０ｋＰａ（外部大気圧の１／１０）相当分だけ影響されるとすると、例えば、大気圧１００ｋＰａのときの感圧ダイヤフラム１６ａの変位（静電容量変化）について、酸素ガスの影響により１０％の絶対値誤差を有することになる。なお、実際には、陽極接合前の被接合面の状態や接合に必要な電流などにより、発生する酸素ガス量が変わるので、これらの要因に影響を受けることになる。
【００４２】
陽極接合の際に発生する酸素ガスは、感圧ダイヤフラム１６ａなどの面積に依存すると考えられるため、領域１７ｂの深さＤ1の寸法には影響を受けないと考えられる。また、発生した酸素ガスのモル数が同じであり、温度が一定であると、ＰＶ＝ｎＲＴ（Ｐ：圧力、Ｖ：容積、ｎ：モル数、Ｒ：気体定数、Ｔ：温度）により、キャビティ内の圧力は１／Ｖに比例することとなる。したがって、この状態でＤ1を大きくすることにより、酸素ガスを領域１７ｂに拡散することができ、内圧を低くすることができる。
【００４３】
キャビティ１７内における第１導電部材１２の上面からガラス基板１１の底面までの距離Ｄ1を変えて作製した複数の静電容量型圧力センサについて内圧を調べた。その結果を図４に示す。なお、内圧は、上記の通り、１／Ｖに比例することから、Ｄ1＝０のときの内圧とこのときのキャビティ容積を乗じ、この値を図３において算出したそれぞれのＤ1のときにおけるキャビティ容積で割ることで算出した。図４から分かるように、領域１７ｂの深さＤ1を大きくすることにより、内圧が減少している。特に、Ｄ1が５μｍまでは急激に内圧が減少することが分かる。好ましくはＤ1が１μｍ〜３μｍである。このように、領域１７ｂを設けることにより、目的とする感度を得ることができる。
【００４４】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態においては、ガラス基板１１の主面１１ａ側にキャビティ１７用の凹部１１ｃを設ける場合について説明しているが、本発明はこれに限定されず、図５に示すように、シリコン基板１６側にキャビティ１７用の凹部１６ｃを設けても良い。このような構成において、少なくとも第１導電部材の周りに領域１７ｂを設けることにより、上記実施の形態と同様の効果を発揮することができる。図５に示す構成の静電容量型圧力センサを製造する場合には、シリコン基板１６の両面を上述したような方法でエッチングして感圧ダイヤフラム１６ａ及び厚肉部１６ｂを形成し、一方、図２（ｃ）に示す構造体のガラス基板１１上にシリコン基板１６を上述したように接合する。
【００４５】
上記実施の形態で説明した数値や材質については特に制限はない。また、上記実施の形態で説明したプロセスについてはこれに限定されず、工程間の適宜順序を変えて実施しても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、例えばバッテリー付のＴＰＭＳ（Tire  Pressure  Monitoring  System）において、タイヤ回転時のみ圧力をモニタリングする静電容量型圧力センサに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの概略構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサのセンサ特性を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサのセンサ特性を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１１  ガラス基板
１１ａ，１１ｂ  主面
１１ｃ，１１ｆ，１１ｇ  凹部
１１ｄ  接合面
１１ｅ  界面
１２，１３  導電部材
１４ａ，１４ｂ  引き出し電極
１５  電極
１６，１８  シリコン基板
１６ａ  感圧ダイヤフラム
１６ｂ  厚肉部
１７  キャビティ
１８ａ，１８ｂ  突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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