(57)【要約】【課題】一つの基板２の上面に，赤外用の下層クラッド層３ａ，活性層３ｂ及び上層クラッド層３ｃを積層した赤外レーザ発光素子３と，赤色用の下層クラッド層４ａ，活性層４ｂ及び上層クラッド層４ｃを積層した赤色レーザ発光素子４とを並べて設けて成る２波長型半導体レーザ発光装置１において，前記赤外用の活性層３ｂと，前記赤色用の活性層４ｂとの高さを，前記赤色用の下層クラッド層４ａを厚くすることなく略揃える。【解決手段】前記赤外用の下層クラッド層３ａにおける厚さ方向の中間部にエッチングストップ層３ａ′を設けて，前記赤外用の下層クラッド層３ａのうち前記エッチングストップ層３ａ′より上側の部分を，前記赤色レーザ発光素子４の部分においてエッチング処理にて除去し，この部分に前記赤色レーザ発光素子４を設ける。【選択図】図１
2007115974.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの基板の上面に，赤外用の下層クラッド層，活性層及び上層クラッド層を積層した赤外レーザ発光素子と，赤色用の下層クラッド層，活性層及び上層クラッド層を積層した赤色レーザ発光素子とを並べて設けて成る２波長型半導体レーザ発光装置において，
前記赤外用の下層クラッド層を，当該下層クラッド層における厚さ方向の中間部にエッチングストップ層を設けて，前記赤色レーザ発光素子の部分まで延長し，この赤外用の下層クラッド層のうち前記エッチングストップ層より上側の部分を，前記赤色レーザ発光素子の部分において前記エッチングストップ層が露出するようにエッチング処理にて除去し，この部分に前記赤色レーザ発光素子を設けることを特徴とする２波長型半導体レーザ発光装置。
【請求項２】
前記請求項１の記載において，前記赤外レーザ発光素子における下層クラッド層がｎ型ＡｌＧａＡｓで，活性層がＡｌＧａＡｓで，上層クラッド層がｐ型ＡｌＧａＡｓである一方，前記赤色レーザ発光素子における下層クラッド層がｎ型ＩｎＧａＡｌＰで，活性層がＩｎＧａＰで，上層クラッド層がｐ型ＩｎＧａＡｌＰであり，更に，前記エッチングストップ層がＩｎＧａＰであることを特徴とする２波長型半導体レーザ発光装置。
【請求項３】
一つの基板の上面に，赤外レーザ発光素子と，赤色レーザ発光素子とを並べて設けて成る２波長型半導体レーザ発光装置を製造する方法において，
前記基板の上面に，赤外用の下層クラッド層，活性層及び上層クラッド層を有する第１積層体を設ける第１エピ工程と，この第１積層体の一部に前記赤外レーザ発光素子を残しこれ以外の部分を除去する第１エッチング工程とを備え，前記下層クラッド層の形成がその厚さ方向の中間部に前記第１エッチング工程では除去されないエッチングストップ層を設ける工程で，前記第１エッチング工程が前記エッチングストップ層より上側の部分を前記エッチングストップ層が露出するように除去する工程であり，
次いで，前記赤外レーザ発光素子及び前記エッチングストップ層の上面に，赤色用の下層クラッド層，活性層及び上層クラッド層から成る第２積層体を設ける第２エピ工程と，この第２積層体の一部に前記赤色レーザ発光素子を残しこれ以外の部分を除去する第２エッチング工程とを備えていることを特徴とする２波長型半導体レーザ発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記請求項３の記載において，前記エッチングストップ層を，アルミニウム以外の物質にて形成することを特徴とする２波長型半導体レーザ発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，一つの基板上に，互いに波長の異なる赤外レーザ発光素子及び赤色レーザ発光素子を横に並べて形成して成るモノリシック構造を有する２波長型の半導体レーザ装置と，その製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
先行技術としての特許文献１は，前記したように一つの基板上に赤外レーザ発光素子及び赤色レーザ発光素子を横に並べて形成して成るモノリシック構造を有する２波長型の半導体レーザ装置に関し，以下に述べるような製造方法を提案している。
【０００３】
すなわち，この製造方法は，一つの基板の上面における全体，前記赤外レーザ発光素子を構成するｎ型の下層クラッド層，活性層及びｐ型の上層クラッド層を，これらの順序で積層して形成することにより，第１積層体を構成し，この第１積層体のうち前記赤外レーザ発光素子を構成する部分を残しこれ以外の部分を前記基板の上面が露出するように第１エッチング工程にて除去し，次いで，前記基板における上面のうち前記第１エッチング工程にて露出した部分及び前記赤外レーザ発光素子の全体に重ねて，赤色レーザ発光素子を構成するｎ型の下層クラッド層，活性層及びｐ型の上層クラッド層を，これらの順序で積層して前記赤外レーザ発光素子に重ねて形成することにより，第２積層体を構成し，この第２積層体のうち前記赤色レーザ光発光素子を構成する部分を残しこれ以外の部分を第２エッチング工程にて除去するという方法である。
【０００４】
また，別の先行技術としての特許文献２は，前記したように一つの基板上に赤外レーザ発光素子及び赤色レーザ発光素子を横に並べて形成して成るモノリシック構造を有する２波長型の半導体レーザ装置に関し，以下に述べるような製造方法を提案している。
【０００５】
すなわち，一つの基板の上面における全体に，前記赤外レーザ発光素子を構成するｎ型の下層クラッド層，活性層及びｐ型の上層クラッド層を，これらの順序で積層して形成することにより，第１積層体を構成し，この第１積層体のうち前記赤外レーザ発光素子を構成する部分を残しこれ以外の部分を前記基板の上面が露出するように第１エッチング工程にて除去し，次いで，前記基板の上面のうち前記第１エッチング工程にて露出した部分に嵩上げ層（高さ調整用バッファ層）を形成し，次いで，この嵩上げ層及び前記赤外レーザ発光素子の全体に重ねて，赤色レーザ発光素子を構成するｎ型の下層クラッド層，活性層及びｐ型の上層クラッド層を，これらの順序で積層して形成することにより，第２積層体を構成し，この第２積層体のうち前記赤色レーザ発光素子を構成する部分を残しこれ以外の部分を第２エッチング工程にて除去するという方法である。
【特許文献１】特開２００１−２４４５６９号公報
【特許文献２】特開２００１−３２０１３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで，この種の２波長型半導体レーザ装置においては，赤外レーザ発光素子における赤外用の活性層と，赤色レーザ発光素子における赤色用の活性層とは，組み立て或いは光学系上等の理由により，基板の上面からの高さ位置を実質上同じに揃えるように構成しなければならない。
【０００７】
このために，前者の特許文献１においては，前記赤色レーザ発光素子における下層クラッド層の厚さを，前記赤外レーザ発光素子における下層クラッド層の厚さよりも大幅に薄くすることができるのにもかかわらず，この赤色用の下層クラッド層の厚さを，前記赤外用の下層クラッド層の厚さと同じに厚くすることによって，両者における活性層の高さ位置を実質上同じに揃えるという構成にしていることにより，前記赤色用の下層クラッド層を，その厚さを厚くして成長形成することの成膜工程に長い時間を必要とするばかりか，各種層を形成するために要する成膜用原材料の使用量が，前記赤外用の下層クラッド層のうち前記赤外レーザ発光素子を構成する以外の部分の全てを第１エッチング工程にて除去し，この部分に赤色レーザ発光素子を構成する下層クラッド層を厚くして形成する分だけ多くなるから，製造コストの大幅なアップを招来するという問題がある。
【０００８】
これに対し，後者の特許文献２によると，基板における上面のうち赤外レーザ発光素子を除く領域の部分，つまり，第１エッチング工程にて露出した部分に嵩上げ層を形成し，この嵩上げ層の上面に，赤色レーザ発光素子を形成していることにより，この赤色レーザ発光素子における下層クラッド層の厚さを，両者における活性層の高さ位置を実質上同じに揃えることができる状態のもとで，前記嵩上げ層の厚さの分だけ薄くすることができる。
【０００９】
しかし、その反面，前記赤外レーザ発光素子を第１エッチング工程にて形成した後において，前記基板における上面のうち前記第１エッチング工程にて露出した部分に，前記嵩上げ層を形成するための成膜工程を，別に設けることが必要であるから，これまた，製造コストの大幅なアップを招来するという問題がある。
【００１０】
本発明は，これらの問題を解消した２波長型半導体レーザ発光装置とその製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この技術的課題を達成するために本発明のレーザ発光装置は，請求項１に記載したように，
「一つの基板の上面に，赤外用の下層クラッド層，活性層及び上層クラッド層を積層した赤外レーザ発光素子と，赤色用の下層クラッド層，活性層及び上層クラッド層を積層した赤色レーザ発光素子とを並べて設けて成る２波長型半導体レーザ発光装置において，
前記赤外用の下層クラッド層を，当該下層クラッド層における厚さ方向の中間部にエッチングストップ層を設けて，前記赤色レーザ発光素子の部分まで延長し，この赤外用の下層クラッド層のうち前記エッチングストップ層より上側の部分を，前記赤色レーザ発光素子の部分において前記エッチングストップ層が露出するようにエッチング処理にて除去し，この部分に前記赤色レーザ発光素子を設ける。」
ことを特徴としている。
【００１２】
また，本発明のレーザ発光装置は，請求項２に記載したように，
「前記請求項１の記載において，前記赤外レーザ発光素子における下層クラッド層がｎ型ＡｌＧａＡｓで，活性層がＡｌＧａＡｓで，上層クラッド層がｐ型ＡｌＧａＡｓである一方，前記赤色レーザ発光素子における下層クラッド層がｎ型ＩｎＧａＡｌＰで，活性層がＩｎＧａＰで，上層クラッド層がｐ型ＩｎＧａＡｌＰであり，更に，前記エッチングストップ層がＩｎＧａＰである。」
ことを特徴としている。
【００１３】
次に，本発明の製造方法は，請求項３に記載したように，
「一つの基板の上面に，赤外レーザ発光素子と，赤色レーザ発光素子とを並べて設けて成る２波長型半導体レーザ発光装置を製造する方法において，
前記基板の上面に，赤外用の下層クラッド層，活性層及び上層クラッド層を有する第１積層体を設ける第１エピ工程と，この第１積層体の一部に前記赤外レーザ発光素子を残しこれ以外の部分を除去する第１エッチング工程とを備え，前記下層クラッド層の形成がその厚さ方向の中間部に前記第１エッチング工程では除去されないエッチングストップ層を設ける工程で，前記第１エッチング工程が前記エッチングストップ層より上側の部分を前記エッチングストップ層が露出するように除去する工程であり，
次いで，前記赤外レーザ発光素子及び前記エッチングストップ層の上面に，赤色用の下層クラッド層，活性層及び上層クラッド層から成る第２積層体を設ける第２エピ工程と，この第２積層体の一部に前記赤色レーザ発光素子を残しこれ以外の部分を除去する第２エッチング工程とを備えている。」
ことを特徴としている。
【００１４】
また，本発明の製造方法は，請求項４に記載したように，
「前記請求項３の記載において，前記エッチングストップ層を，アルミニウム以外の物質にて形成する。」
ことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は，前記基板における上面のうち赤色レーザ発光素子の部分に，赤外レーザ発光素子における下層クラッド層のうちエッチングストップ層より下側の部分を，前記エッチングストップ層が露出するように残し，この部分に，前記赤色レーザ発光素子を形成するものであることにより，前記赤外用の下層クラッド層のうち前記エッチングストップ層下側において第１エッチング工程のあとで残っている部分，つまり，前記赤外用の下層クラッド層のうち前記エッチングストップ層を含んでこれより下側の部分が，前記特許文献２における嵩上げ層と同じ作用を果たすことになる。
【００１６】
これにより，前記赤外レーザ発光素子における活性層と，赤色レーザ発光素子における活性層とを，実質上同じ高さ位置に揃えることが，前記特許文献１のように，赤色レーザ発光素子における下層クラッド層の厚さを厚くしたり，前記特許文献２のように嵩上げ層を形成したりすることなく，確実に達成できる。
【００１７】
そして，前記赤外用下層クラッド層のうち厚さ方向の中間部におけるエッチングストップ層は，前記赤外用の下層クラッド層を形成する成膜工程の途中において，原材料を代えたり，原材料の混合比を代えたりすることにより，全く別の成膜工程にすることなく形成できるから，このことと，前記したように，赤色レーザ発光素子における下層クラッド層の厚さを厚くしたり，嵩上げ層を形成したりすることがないこととが相俟って，２波長型半導体レーザ発光装置を，その赤外レーザ発光素子における活性層と赤色レーザ発光素子における活性層とを実質上同じ高さ位置に揃えた状態にして製造することに要するコストを大幅に低減できる。
【００１８】
この場合において，請求項２に記載した構成にすることにより，ＩｎＧａＰによるエッチングストップ層は，赤外用のＡｌＧａＡｓによる活性層よりもバンドキャップが大きいために，前記エッチングストップ層による赤外光の吸収・損失は少ない一方，前記エッチングストップ層の下側において残る赤外用のｎ型ＡｌＧａＡｓによる下層クラッド層は，赤色用のＩｎＧａＡｌＰによる活性層よりもバンドキャップが大きいために，前記赤外用の下層クラッド層による赤色光の吸収・損失は少ないから，高い輝度を得ることができる。
【００１９】
また，請求項４に記載した製造方法は，前記赤外用の下層クラッド層におけるエッチングストップ層を，アルミニウム以外の物質にて形成するものであり，これにより，前記第１エッチング工程によって露出した前記エッチングストップ層の表面に，アルミニウム等の金属の酸化被膜ができることを確実に抑制できるから，前記赤色用の下層クラッド層の形成に先立って，前記エッチングストップ層の表面における酸化被膜を除去したり，前記酸化被膜による悪影響を避けるためのバッファー層を形成したりする処理を行う必要がなく，前記第１エッチング工程に引き続いて前記赤色用の下層クラッド層を形成することができて，製造コストをより低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下，本発明の実施の形態を図面ついて説明する。
【００２１】
図１は，本発明における第１の実施の形態に係る２波長型半導体レーザ発光装置１を示す。
【００２２】
この半導体レーザ発光装置１は，例えばｎ型ＧａＡｓより成る基板２と，その上面に横に並べて配設した赤外レーザ発光素子３及び赤色レーザ発光素子４とを備えている。
【００２３】
前記赤外レーザ発光素子３は，前記基板２の上面に形成した例えばｎ型ＡｌＧａＡｓより成る下層クラッド層３ａと，この下層クラッド層３ａの上面に重ねて形成した発振波長が７５０〜８５０ｎｍとなる組成を有する例えばＡｌＧａＡｓより成る活性層３ｂと，この活性層３ｂの上面に重ねて形成した例えばｐ型ＡｌＧａＡｓより成る上層クラッド層３ｃと，この上層クラッド層３ｃの上面に，当該上面に設けたリッジ３ｃ′の両側に例えばｎ型ＡｌＧａＡｓより成る埋め込み層３ｄを挟んで形成した例えばｐ型ＧａＡｓより成るコンタクト層３ｅとの積層体に構成されている。
【００２４】
前記赤外レーザ発光素子３における下層クラッド層３ａは，その厚さ方向の中間部に薄い厚さの例えばＩｎＧａＰによるエッチングストップ層３ａ′を備えて，前記基板２における上面のうち前記赤色レーザ発光素子４の下側の部分にまで延びており，この赤外用の下層クラッド層３ａは，前記赤色レーザ発光素子４の下側の部分において，当該下層クラッド層３ａのうち前記エッチングストップ層３ａ′よりも上側の部分が，前記エッチングストップ層３ａ′が露出するようにエッチング処理にて除去されている。
【００２５】
そして，前記赤色レーザ発光素子４は，前記エッチング処理にて露出する前記エッチングストップ層３ａ′の上面に形成した例えばｎ型ＩｎＧａＡｌＰより成る下層クラッド層４ａと，この下層クラッド層４ａの上面に重ねて形成した発振波長が６３５〜６８０ｎｍとなる組成を有する例えばＩｎＧａＰより成る活性層４ｂと，この活性層４ｂの上面に重ねて形成した例えばｐ型ＩｎＧａＡｌＰより成る上層クラッド層４ｃと，この上層クラッド層４ｃの上面に，当該上面に設けたリッジ４ｃ′の両側に例えばｎ型ＩｎＡｌＰ又はｎ型ＩｎＧａＡｌＰより成る埋め込み層４ｄを挟んで形成した例えばｐ型ＧａＡｓより成るコンタクト層４ｅとの積層体に構成されている。
【００２６】
前記２波長型半導体レーザ発光装置１は，前記したように，前記赤外レーザ発光素子３の一部を構成する赤外用下層クラッド層３ａを，当該赤外用下層クラッド層３ａにおける厚さ方向の中間部にエッチングストップ層３ａ′を設けて，前記赤色レーザ発光素子４の部分まで延長し，この赤外用下層クラッド層３ａのうち前記エッチングストップ層３ａ′より上側の部分を，前記赤色レーザ発光素子４の部分において前記エッチングストップ層３ａ′が露出するようにエッチング処理にて除去し，この部分に前記赤色レーザ発光素子４を設けるという構成であることにより，前記赤外用下層クラッド層３ａのうち前記エッチングストップ層３ａ′より下側においてエッチング処理に対して残っている部分，つまり，前記赤外用下層クラッド層３ａのうち前記エッチングストップ層３ａ′を含んでこれより下側の部分が，前記特許文献２における嵩上げ層と同じ作用を果たすことになるから，前記赤外レーザ発光素子３における活性層３ｂと，赤色レーザ発光素子４における活性層４ｂとを，基板２の上面から実質上同じ高さ位置に揃えることが，前記特許文献１のように，赤色レーザ発光素子における下層クラッド層の厚さを厚くしたり，前記特許文献２のように嵩上げ層を形成したりすることなく，確実に達成できる。
【００２７】
また，前記した構成において，前記ＩｎＧａＰによるエッチングストップ層３ａ′は，赤外用のＡｌＧａＡｓによる活性層３ｂよりもバンドキャップが大きいために，前記エッチングストップ層３ａ′による赤外光の吸収・損失は少ない一方，前記エッチングストップ層３ａ′の下側において残る赤外用のｎ型ＡｌＧａＡｓによる下層クラッド層３ａは，赤色用のＩｎＧａＰによる活性層４ｂよりもバンドキャップが大きいために，前記赤外用の下層クラッド層３ａによる赤色光の吸収・損失は少ない。
【００２８】
次に，前記した第１の実施の形態の半導体レーザ発光装置１の製造に際しては，以下に述べる工程を備えている。
【００２９】
先ず，図３に示すように，基板２の上面における全体に，前記赤外用のｎ型ＡｌＧａＡｓによる下層クラッド層３ａを，当該下層クラッド層３ａにおける厚さ方向の中間部にＩｎＧａＰによるエッチングストップ層３ａ′を設けて形成し，この下層クラッド層３ａの上面に重ねて前記赤外用のＡｌＧａＡｓによる活性層３ｂを形成し，この活性層３ｂに重ねて赤外用のｐ型ＡｌＧａＡｓによる上層クラッド層３ｃを形成することにより，第１積層体５を構成するという第１エピ工程を備えている。
【００３０】
前記した第１エピ工程において，前記赤外用のｎ型ＡｌＧａＡｓによる下層クラッド層３ａのうちその厚さ方向の中間部に前記ＩｎＧａＰによるエッチングストップ層３ａ′を設けることは，前記赤外用の下層クラッド層３ａを，Ａｌ，Ｇａ，Ａｓの供給にて成長形成する途中において，例えば，前記Ａｌ及びＡｓの供給を止めてＩｎ及びＰを供給することを適宜時間だけ行うように操作することによって達成できる。
【００３１】
また，前記エッチングストップ層３ａ′は，前記ｎ型ＡｌＧａＡｓによる下層クラッド層３ａを成長形成する途中において，その成膜原材料の混合比を，適宜時間の間だけ代えることによっても形成することができる。
【００３２】
次に，前記第１積層体５に対して，当該第１積層体５のうち前記赤外レーザ発光素子３に該当する部分をマスキングした状態で，この第１積層体５をエッチング溶液にて除去するという第１エッチング工程を備えている。
【００３３】
この第１エッチング工程により，前記第１積層体５において，前記マスキングしていない部分のうちエッチングストップ層３ａ′より上側の部分は，図４に示すように，前記マスキングした部分を残して除去されることになる。
【００３４】
これにより，前記赤外レーザ発光素子３を，その下層クラッド層３ａのうち前記エッチングストップ層３ａ′より下側の部分を前記赤色レーザ発光素子４の下側において残した形態にして形成することができる。
【００３５】
この第１エッチング工程により，前記エッチングストップ層３ａ′は，前記赤色レーザ発光素子４の部分において露出することになる。
【００３６】
この場合において，前記エッチングストップ層３ａ′にアルミニウムを含んでいるときには，前記第１エッチング工程にて露出した前記エッチングストップ層３ａ′の表面に，アルミニウムの酸化被膜が発生することになるが，前記エッチングストップ層３ａ′を，例えば，前記したようにＩｎＧａＰにするように，アルミニウムを含まない材料にて形成することにより，前記第１エッチング工程によって露出した前記エッチングストップ層３ａ′の表面に，アルミニウム等の金属の酸化被膜ができることを確実に抑制できるから，前記第１エッチング工程に次いで後述する赤色用の下層クラッド層４ａを形成するに先立って，前記エッチングストップ層３ａ′の表面における酸化被膜を除去したり，前記酸化被膜による悪影響を避けるためのバッファー層を形成したりする処理を行う必要がなく，前記第１エッチング工程に引き続いて前記赤色用の下層クラッド層４ａを形成することができる。
【００３７】
次に，図５に示すように，前記赤外レーザ発光素子３及び前記エッチングストップ層３ａ′の上面の全体に，前記赤色用のｎ型ＩｎＧａＡｌＰによる下層クラッド層４ａを形成し，この下層クラッド層４ａの上面に重ねて前記赤色用のＩｎＧａＰによる活性層４ｂを形成し，この活性層４ｂに重ねて赤色用のｐ型ＩｎＧａＡｌＰによる上層クラッド層４ｃを形成することにより，第２積層体６を構成するという第２エピ工程を備えている。
【００３８】
次に，前記第２積層体６に対して，当該第２積層体６のうち前記赤色レーザ発光素子４に該当する部分をマスキングした状態で，この第２積層体６をエッチング溶液にて除去するという第２エッチング工程を備えている。
【００３９】
この第２エッチング工程により，前記第２積層体６のうち前記マスキングしていない部分が除去されることになるから，図６に示すように，前記エッチングストップ層３ａ′の上面に，前記赤色レーザ発光素子４を形成することができる。
【００４０】
なお，本実施の形態の場合，次に，前記赤色レーザ発光素子４における上層クラッド層４ｃの上面に，図７に示すように，リッジ４ｃ′を設ける工程を経たのち，図８に示すように，埋め込み層４ｄを形成するエピ工程を備えている。
【００４１】
次に，前記赤外レーザ発光素子３における上層クラッド層３ｃの上面に，図９に示すように，リッジ３ｃ′を設ける工程を経たのち，図１０に示すように，埋め込み層３ｄを形成するエピ工程を備えている。
【００４２】
そして，前記赤外レーザ発光素子３及び赤色レーザ発光素子４の各々に対してコンタクト層３ｅ，４ｅを形成するエピ工程を備えており，これらの各工程を経ることにより，前記図１に示す構造の半導体レーザ発光装置１を製造することができる。
【００４３】
次に，図２は，第２の実施の形態による２波長型半導体レーザ発光装置１１を示す。この第２の実施の形態による半導体レーザ発光装置１１は，例えばｎ型ＧａＡｓより成る基板１２と，その上面に横に並べて配設した赤外レーザ発光素子３及び赤色レーザ発光素子４とを備えている。
【００４４】
前記赤外レーザ発光素子１３は，前記基板１２の上面に形成した例えばｎ型ＡｌＧａＡｓより成る下層クラッド層１３ａと，この下層クラッド層１３ａの上面に重ねて形成した発振波長が７５０〜８５０ｎｍとなる組成を有する例えばＡｌＧａＡｓより成る活性層１３ｂと，この活性層１３ｂの上面にリッジ１３ｄ′を設けて形成した例えばｎ型ＡｌＧａＡｓより成る埋め込み層１３ｄと，この埋め込み層１３ｄの上面に，当該埋め込み層１３ｄにおけるリッジ１３ｄ′の箇所において前記活性層１３ｂに直接重なるように形成した例えばｐ型ＡｌＧａＡｓより成る上層クラッド層３ｃと，この上層クラッド層３ｃの上面に形成した例えばｐ型ＧａＡｓより成るコンタクト層１３ｅとの積層体に構成されている。
【００４５】
前記赤外レーザ発光素子１３における下層クラッド層１３ａは，その厚さ方向の中間部に薄い厚さの例えばＩｎＧａＰによるエッチングストップ層１３ａ′を備えて，前記基板１２における上面のうち前記赤色レーザ発光素子１４の下側の部分にまで延びおり，この赤外用の下層クラッド層１３ａは，前記赤色レーザ発光素子１４の下側の部分において，当該下層クラッド層１３ａのうち前記エッチングストップ層１３ａ′よりも上側の部分が，前記エッチングストップ層１３ａ′が露出するようにエッチング処理にて除去されている。
【００４６】
そして，前記赤色レーザ発光素子１４は，前記エッチング処理にて露出する前記エッチングストップ層１３ａ′の上面に形成した例えばｎ型ＩｎＧａＡｌＰより成る下層クラッド層１４ａと，この下層クラッド層１４ａの上面に重ねて形成した発振波長が６３５〜６８０ｎｍとなる組成を有する例えばＩｎＧａＰより成る活性層１４ｂと，この活性層１４ｂの上面にリッジ１４ｄ′を設けて形成した例えばｎ型ＩｎＡｌＰ又はｎ型ＩｎＧａＡｌＰより成る埋め込み層１４ｄと，この埋め込み層１４ｄの上面に，当該埋め込み層１４ｄにおけるリッジ１４ｄ′の箇所において前記活性層１４ｂに直接重なるように形成した例えばｐ型ＩｎＧａＡｌＰより成る上層クラッド層１４ｃと，この上層クラッド層１４ｃの上面に形成した例えばｐ型ＧａＡｓより成るコンタクト層１４ｅとの積層体に構成されている。
【００４７】
この第２の実施の形態による２波長型半導体レーザ発光装置１１は，前記第１の実施の形態による２波長型半導体レーザ発光装置１と同様に，前記赤外レーザ発光素子１３の一部を構成する赤外用下層クラッド層１３ａを，当該赤外用下層クラッド層１３ａにおける厚さ方向の中間部にエッチングストップ層１３ａ′を設けて，前記赤色レーザ発光素子１４の部分まで延長し，この赤外用下層クラッド層１３ａのうち前記エッチングストップ層１３ａ′より上側の部分を，前記赤色レーザ発光素子１４の部分において前記エッチングストップ層１３ａ′が露出するようにエッチング処理にて除去し，この部分に前記赤色レーザ発光素子１４を設けるという構成であることにより，前記第１の実施の形態による２波長型半導体レーザ発光装置１と同様の効果を有するとともに，前記第１の実施の形態による２波長型半導体レーザ発光装置１と同様の方法で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１の実施の形態による半導体レーザ発光装置を示す縦断正面図である。
【図２】第２の実施の形態による半導体レーザ発光装置を示す縦断正面図である。
【図３】第１の製造工程を示す断面図である。
【図４】第２の製造工程を示す断面図である。
【図５】第３の製造工程を示す断面図である。
【図６】第４の製造工程を示す断面図である。
【図７】第５の製造工程を示す断面図である。
【図８】第６の製造工程を示す断面図である。
【図９】第７の製造工程を示す断面図である。
【図１０】第８の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１，１１            半導体レーザ発光装置
２，１２            基板
３，１３            赤外レーザ発光素子
３ａ，１３ａ        下層クラッド層
３ａ′，１３ａ′    エッチングストップ層
３ｂ，１３ｂ        活性層
３ｃ，１３ｃ        上層クラッド層
４，１４            赤色レーザ発光素子
４ａ，１４ａ        下層クラッド層
４ｂ，１４ｂ        活性層
４ｃ，１４ｃ        上層クラッド層
５                  第１積層体
６                  第２積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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