(57)【要約】【課題】基板を切断して個片化した後のバリ取り工程への移行を迅速に行うことができ、生産効率の向上を図る。【解決手段】基板１を切断してデバイス５に個片化する切断ユニット６０の切断加工エリア５０内に、基板１（デバイス５）に高圧水を噴射してバリ取りを行うノズル７２を備えた高圧水噴射ユニット７０を配置する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を基板とし、この基板を切断して個片化する切断手段を備えた切断装置において、該切断手段による切断加工エリア内において、個片化された前記基板に高圧水を噴射するノズルを備えた高圧水噴射手段を具備することを特徴とする基板の切断装置。
【請求項２】
被加工物を基板とし、この基板を切断して個片化する切断手段と、該切断手段によって個片化された基板を洗浄する洗浄手段とを備えた切断装置において、前記洗浄手段が、前記個片化された基板に高圧水を噴射するノズルを備えた高圧水噴射手段を具備することを特徴とする基板の切断装置。
【請求項３】
前記ノズルによる前記基板に対する高圧水噴射角度が調整可能とされていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板の切断装置。
【請求項４】
前記基板が、材料の異なる第１の層と第２の層とが積層してなるものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板の切断装置。
【請求項５】
前記切断手段が、前記第１の層を切断するのに適した第１の切断工具と、前記第２の層を切断するのに適した第２の切断工具とを備えていることを特徴とする請求項４に記載の基板の切断装置。
【請求項６】
前記第１の層が金属層で、前記第２の層が樹脂層であることを特徴とする請求項４または５に記載の基板の切断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を切断して半導体デバイスに個片化する切断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やデジタルカメラなどの小型デジタル機器に代表されるように、近年の各種電子機器は軽薄短小化が顕著であり、これを達成するには、構成部品として重要な役割を果たす半導体パッケージ部品の小型化が必要とされている。この要求に応えるものとして、インターポーザと呼ばれる半導体チップを搭載するリードフレームのサイズが半導体チップに近似したＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）タイプの半導体デバイスが普及している。ＣＳＰタイプの半導体デバイスは、ＢＧＡ(Ball Grid Array)やＬＧＡ(Land Grid Array)、あるいはＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded Package)といったように、外部電極構造の違いによって様々な種類が提供されている。
【０００３】
ＣＳＰタイプの半導体デバイスの製造方法としては、複数の半導体チップを１枚のリードフレームに接合し、次いで全ての半導体チップを樹脂で一括封止して半導体デバイスの集合体を得た後、この集合体に対して、半導体チップ単位でリードフレームおよび樹脂を切断して個片化する加工を施すといった方法がある。切断加工の手段としてダイヤモンドブレードによる機械的な切断工具を用いた場合には、切断面にバリが生じることが多い。上記ＱＦＮ構造の半導体デバイスは、パッケージの切断面である側面に樹脂と金属電極が露出するが、特に金属電極は銅等の比較的柔軟な金属であることから、その金属電極にバリが生じやすい。バリは電気的ショートを招くなどの障害を引き起こすため除去する必要があり、半導体デバイスのバリを除去する技術に関しては、例えば特許文献１，２等に、高圧水を半導体装置に当てて水圧で除去することが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１９３０９９号公報
【特許文献２】特開平９−２３２３５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体デバイスの切断面に生じたバリを除去するには、切断装置から特許文献１に記載されるようなバリ取り専用の装置に搬送して行うことが一般的である。このため、搬送に要する時間や搬送用設備などが生産効率の低下を招くといった不満を生じることになっていた。
【０００６】
よって本発明は、基板を切断して個片化した後のバリ取り工程への移行を迅速に行うことができ、これによって生産効率の向上が図られる基板の切断装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板の切断装置は、被加工物を基板とし、この基板を切断して個片化する切断手段を備えた切断装置において、該切断手段による切断加工エリア内において、個片化された基板に高圧水を噴射するノズルを備えた高圧水噴射手段を具備することを特徴としている（請求項１）。本発明に係る高圧水噴射手段は、ノズルから噴射する高圧水を、切断によって生じた基板の切断部のバリに当てることによってそのバリを除去するためのものであり、例えば切断用として供給される切削液とは異なるものである。したがって、高圧水の圧力はバリを除去し得るレベルに設定される。
【０００８】
本発明によれば、切断手段で基板を切断して個片化した後に、引き続き、切断加工エリア内にある基板に高圧水噴射手段のノズルから高圧水を噴射して切断部のバリを除去する。基板の切断後に基板を専用のバリ取り装置に搬送する必要がなくなり、切断加工エリア内において円滑にバリ取り工程に移行することができるので、生産効率の向上が図られる。また、専用のバリ取り装置が不要になるため、省スペース化およびコストの低減も図られる。
【０００９】
また、本発明の切断装置は、基板を切断して個片化する切断手段と、該切断手段によって個片化された基板を洗浄する洗浄手段とを備えた切断装置において、洗浄手段が、個片化された基板に高圧水を噴射するノズルを備えたバリ取り用の高圧水噴射手段を具備することを特徴としている（請求項２）。
【００１０】
この発明では、切断後の基板を洗浄手段で洗浄する際に、その基板に高圧水噴射手段のノズルから高圧水を噴射して切断部のバリを除去する。基板の洗浄とともにバリ取りを行うことができるので、上記発明と同様に、生産効率の向上や、省スペース化ならびにコストの低減が図られる。高圧水噴射手段から噴射される高圧水によって基板を洗浄することも可能であり、その場合には、高圧水噴射手段が洗浄手段を兼ねることになるため、構成が簡素化するといった利点がある。
【００１１】
本発明では、上記ノズルの角度、すなわち基板に対するノズルからの高圧水噴射角度が調整可能とされていることを含む。この構成は、基板に当たる高圧水の噴射角度を適宜に変更することを可能とするもので、さらには、高圧水を噴射している最中にノズルが傾動する運転形態を採ることを可能とするものでもある。本発明における切断手段は、ダイヤモンドブレード等のディスク状の切削ブレードを高速回転させながら基板に切り込んでいく機械加工式の切断手段を用いることができる。
【００１２】
本発明の被加工物である基板は、単一材料による単層のものの他に、材料の異なる第１の層と第２の層とが積層してなるものであることを含む。例えば、第１の層が金属層で、第２の層が樹脂層である場合が想定される。そしてこの場合には、切断手段が、第１の層を切断するのに適した第１の切断工具と、第２の層を切断するのに適した第２の切断工具とを備えており、第１の層を第１の切断工具で切断し、第２の層を第２の切断工具で切断する形態が好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板の切断手段による切断加工エリア内、あるいは洗浄装置に、バリ取り用の高圧水噴射手段を具備するので、基板を切断して個片化した後のバリ取り工程への移行を迅速に行うことができ、これによって生産効率の向上が図られるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。
（１）基板の構成
図１は、本実施形態での加工対象物である基板の種類を示しており、（ａ）に示す基板１は、金属、樹脂あるいはセラミック等の単一材料からなる単層構造の基板、（ｂ）に示す基板１は、金属層（第１の層）２に樹脂層（第２の層）３が積層された２層構造をなす複合材料基板である。２層構造の基板１は、金属層２にセラミック層が積層されたものも用いられる。これら基板１は、図２に示すように長方形状であって、格子状の切断予定ライン４によって複数のデバイス５が区画されている。デバイス５は、半導体デバイスや各種電子デバイスであり、基板１は、切断予定ライン４に沿って切断、分割されてデバイス５に個片化される。
【００１５】
（２）治具の構成
図３は、本実施形態に係る後述する切断装置（図４、図５に示す）の真空チャック式のチャックテーブル５１，８１に基板１を保持するために用いる治具１０を示している。この治具１０は、適宜な厚さを有する矩形状の板材であって、表面には、治具１０の各辺と平行なＸ方向およびＹ方向に延びる複数の溝１１が形成されている。これら溝１１は、後述する切断装置の切削ブレード６１が治具１０に切り込まないようにするための逃げ溝であって、基板１の切断予定ライン４に対応して形成されている。したがって、これら溝１１で区画された矩形状の領域１２は基板１の各デバイス５の寸法および形状に符合している。
【００１６】
基板１は、デバイス５とデバイス対応領域１２がぴったり重なる状態に治具１０の表面に載置され、その状態が適宜な保持手段で保持される。各デバイス対応領域１２には、治具１０の表裏面に貫通する複数の吸引孔１３が形成されており、治具１０がチャックテーブル５１上に載置されて空気が吸引されると、吸引力が基板１に作用し、治具１０を介して基板１がチャックテーブル５１に吸着、保持されるようになっている。
【００１７】
（３）切断装置
切断装置は、図４および図５に示すように基台２０上に各種機構を備えている。基台２０上の手前側（図４で下側）には、右側からカセット３０、位置決め機構４０、洗浄ユニット（洗浄手段）８０が配置されている。そして、位置決め機構４０の後方に切断加工エリア５０が設けられており、この切断加工エリア５０には、基板１を保持する真空チャック式のチャックテーブル５１、切断ユニット（切断手段）６０および高圧水噴射ユニット（高圧水噴射手段）７０が具備されている。
【００１８】
カセット３０は持ち運びが可能で、複数の基板１を治具１０ごと収容し、基台２０上の所定のカセット設置部に着脱可能にセットされる。カセット３０は、互いに離間した一対の平行なキャビネット３１を有しており、これらキャビネット３１の内側の互いの対向面に、治具１０が横方向にスライド可能に載置されるラック３２が上下方向に複数段設けられている。基板１が保持された治具１０は、互いに平行な一対の辺部が各キャビネット３１のラック３２に載せられ、積層状態でカセット３０内に収容、保持される。カセット３０は、基台２０上のカセット設置部に、治具１０のスライド方向がＸ方向と平行になるようにしてセットされる。カセット３０内の治具１０は、スライド式クランプ等の図示せぬ移送手段によって位置決め機構４０に移送される。
【００１９】
位置決め機構４０は、Ｘ方向に延びる一対の平行なガイドバー４１が、互いに近付いたり離れたりするようにリンクしながら移動するように構成されたもので、治具１０はガイドバー４１の間の基台２０上に移送され、近付き合うガイドバー４１に挟まれることにより、チャックテーブル５１への移送開始位置が定められるようになっている。治具１０はその位置から図示せぬ搬送アームに捕まれ、切断加工エリア５０内のチャックテーブル５１上に移される。
【００２０】
次に、切断加工エリア５０内の各機構について説明する。
チャックテーブル５１は上面が水平な円盤状で、Ｚ方向を回転軸として回転自在に、さらに、Ｙ方向に移動自在に、基台２０上に設けられている。チャックテーブル５１は、基台２０内に収容された図示せぬ回転駆動機構により、時計方向または反時計方向に回転させられ、同じく図示せぬ送り機構によってＹ方向に移動させられるようになっている。チャックテーブル５１には、表裏面に貫通する多数の吸引孔が形成されており、裏面側には、吸引孔を経て表面側の空気を吸引する真空装置が配されている。この真空装置を運転すると、チャックテーブル５１に載置されたものが表面に吸着されるようになっている。
【００２１】
切断ユニット６０は、ダイヤモンドブレード等からなるディスク状の切削ブレード６１がスピンドル６２で回転駆動される切削装置６３を２つ備えている。これら切削装置６３は、切削ブレード６１の回転軸がＸ方向と平行で、切削ブレード６１を互いに突き合わせて、基台２０に固定された図示せぬフレームに並列した状態に支持されている。さらに切削装置６３は、そのフレームに、Ｚ方向である上下方向およびＸ方向である左右方向に移動自在に支持されており、これらの方向に、図示せぬ送り機構によって移動させられるようになっている。切削ブレード６１はスピンドル６２に交換可能に装着され、スピンドル６２には、基板１の材質に応じて切削に適した切削ブレードが装着される。
【００２２】
高圧水噴射ユニット７０は、切削ユニット６０の後方であってチャックテーブル５１のＹ方向の移動範囲の上方に配されている。高圧水噴射ユニット７０は、Ｘ方向にわたりチャックテーブル５１をまたいで基台２０に固定された門型のブラケット７１と、このブラケット７１にＸ方向に並列して固定された複数の高圧水噴射ノズル７２とを備えている。ブラケット７１は、一対の脚部７３の間に水平部７４が架け渡されたもので、水平部７４にノズル７２が固定されている。ノズル７２の上端部には高圧水供給管７２ａが接続され、ノズル７２の下端部の噴射口から、高圧水が下向きに噴射されるようになっている。
【００２３】
ノズル７２の配列長さは基板１の全長をカバーする程度に設定されており、これにより基板１の全面に高圧水が当たることが可能となっている。治具１０は、チャックテーブル５１上から図示せぬ搬送アームに捕まれ、洗浄ユニットのチャックテーブル５１上に移される。
【００２４】
洗浄ユニット８０はスピンナ式であって、上記チャックテーブル５１と同様の真空チャック式の回転するチャックテーブル８１を備えており、さらに、上記と同一構成の高圧水噴射ユニット７０が装備されている。洗浄ユニット８０側の高圧水噴射ユニット７０のブラケット７１もＸ方向にわたってチャックテーブル５１をまたいでいるが、各脚部７３は、Ｙ方向に延びるガイドレール８２に沿って移動自在に支持されている。ブラケット７１は、図示せぬ駆動機構によりガイドレール８２に沿って移動させられ、したがって、高圧水噴射ユニット７０全体がＹ方向に移動するようになっている。この洗浄ユニット８０によると、高圧水噴射ユニット７０から噴射される高圧水によってチャックテーブル８１上に保持された基板１が洗浄され、この後にチャックテーブル８１が回転することにより、基板１に付着している水分が振り切られ、乾燥される。
【００２５】
（４）切断装置の動作
続いて、上記切断装置によって基板を切断、分割して個片化する動作を説明する。ここで切断する基板は、図１（ａ）に示した単層構造の基板１とする。
まず、カセット３０内の、表面に基板１を保持した１つの治具１０が、スライド式クランプ等の図示せぬ移送手段によって、位置決め機構４０における２つのガイドバー４１の間の基台２０上に置かれる。そして、２つのガイドバー４１が互いに近付く方向にリンクして移動し、治具１０を挟んだ時点で移動を停止する。これによって治具１０がチャックテーブル５１への移送開始位置に位置決めされる。
【００２６】
次に、図示せぬ搬送アームによって基板１が治具１０ごとチャックテーブル５１上に移される。基板１は治具１０を介してチャックテーブル５１上の所定位置に載置され、次いで、真空装置が運転される。真空装置が運転されると、チャックテーブル５１の吸引孔から治具１０の吸引孔１３を通って治具１０の表面側の空気が吸引されることにより、基板１が治具１０の表面に吸着、保持される。この場合には、基板１は長辺方向がＸ方向と平行になるようにチャックテーブル５１の回転角度が調整される。
【００２７】
この保持状態を維持しながら、切削ユニット６０によって基板１を切断予定ライン４に沿って切断、分割する。切断動作としては、例えば、はじめにチャックテーブル５１のＹ方向の位置を調整して基板１を各切削装置６３の手前側に配しておき、切削ブレード６１によって基板１を切断できる位置まで切削装置６３を下降させ、また、切削装置６３のＸ方向の位置を調整して切削ブレード６１を切断予定ライン４に合わせる。そして、切削ブレード６１を回転させ、チャックテーブル５１をＹ方向の後方（図４で上方）に移動させて、Ｙ方向すなわち短辺方向に延びる切断予定ライン４に切削ブレード６１を切り込んでいき、切断する。切削ブレード６１は基板１を切断し、かつ治具１０の溝１１に刃先が存在する深さまで切り込むようにされる。
【００２８】
この場合、２つの切削ブレード６１が並列しているので、これら切削ブレード６１の間隔を、隣り合う２本の切断予定ライン４に一致させると、１回のＹ方向への送り込みで短辺方向の隣り合う２本の切断予定ライン４を同時に切断することができる。この方法を採用すると、チャックテーブル５１をＹ方向へ往動させながら切断し、次に、切削装置６３を、隣り合う切断予定ライン４の間隔の２倍の距離Ｘ方向へ移動させてから、チャックテーブル５１をＹ方向へ復動させながら切断するといったジグザグ動作の切断パターンを繰り返すことにより、短辺方向の切断予定ライン４を２本ずつ効率的に切断することができる。
【００２９】
短辺方向の切断予定ライン４を切断したら、チャックテーブル５１を９０°回転させ、長辺方向の切断予定ライン４をＹ方向すなわち切削ブレード６１の切断方向と平行に設定する。そして、短辺方向の切断予定ライン４を切断した上記方法と同様にして、長辺方向の全ての切断予定ライン４を切断する。これによって基板１は賽の目状に切断、分割され、多数のデバイス５に個片化される。なお、チャックテーブル５１および切削装置６３の移動の組み合わせによる切断動作パターンは上記に限られるものではなく、様々なパターンが考えられる。
【００３０】
上記のようにして個片化されたデバイス５は、治具１０のデバイス対応領域１２の上に載っており、各デバイス対応領域１２には吸引孔１３がそれぞれ形成されているので、各デバイス５は治具１０上に吸着、保持されている。デバイス５の切断面には、切削ブレード６１の擦過によるバリが生じている場合がある。
【００３１】
次に、チャックテーブル５１をもう１回９０°回転させて元の基板１の長辺方向をＸ方向と平行にする。そして、高圧水噴射ユニット７０の各ノズル７２から高圧水を噴射させるとともに、チャックテーブル５１を移動させてデバイス５３をノズル７２の下方に送り込む。さらに、ノズル７２から噴射する高圧水が全てのデバイス５の表面全面に当たり、デバイス５間の切り溝に満遍なく高圧水が侵入するようにチャックテーブル５１を移動させる。
【００３２】
この動作によって、デバイス５の切断面に生じていたバリは高圧水の圧力を受けることにより除去される。バリ取りに十分な高圧水の噴射時間が経過したら、ノズル７２からの高圧水噴射とチャックテーブル５１の移動を停止し、さらに、真空装置の運転を停止してチャックテーブル５１への治具１０の吸着状態を解除する。
【００３３】
次に、図示せぬ搬送アームによって、切断されたままのデバイス５が治具１０ごと洗浄ユニット８０のチャックテーブル８１上に移される。デバイス５は治具１０を介してチャックテーブル８１上の所定位置に載置され、チャックテーブル８１の真空装置が運転されてデバイス５が治具１０の表面に吸着、保持される。ここで、元の基板１の長辺方向がＸ方向と平行になるようにチャックテーブル８１の回転角度が調整され、次に、高圧水噴射ユニット７０をＹ方向に移動させながら、この高圧水噴射ユニット７０の各ノズル７２から全てのデバイス５の表面全面に高圧水を噴射させる。これによってデバイス５は洗浄され、洗浄が完了したら、チャックテーブル８１を所定時間回転させ、デバイス５に付着している水分を振り切るとともにデバイス５を乾燥させる。
【００３４】
以上で基板１の切断、分割によるデバイス５への個片化とデバイス５の洗浄といった一連の処理が完了する。この後は、チャックテーブル８１の運転が停止され、洗浄されたデバイス５は、治具１０ごと図示せぬ搬送アームによって位置決め機構４０のガイドバー４１の間に移され、さらにここから上記のスライド式クランプ等の図示せぬ移送手段によってカセット３０内に戻される。
【００３５】
上記実施形態の切断装置によれば、切断ユニット６０で基板１を切断して個片化した後に、引き続き、切断加工エリア５０内にある基板１に高圧水噴射ユニット７０のノズル７２から高圧水を噴射して、基板１の切断面に生じたバリを除去する。このため、基板１の切断後に基板１を専用のバリ取り装置に搬送するといった手間が不要となり、切断加工エリア５０内において円滑にバリ取り工程に移行することができるので、生産効率の向上が図られる。また、専用のバリ取り装置自体が不要になるため、省スペース化およびコストの低減も図られる。
【００３６】
（５）実施形態の変更例
Ａ．高圧水噴射ユニットについて
上記実施形態では、切断加工エリア５０側の高圧水噴射ユニット７０によってデバイス５のバリを除去し、洗浄ユニット８０側の高圧水噴射ユニット７０ではデバイス５を洗浄しているが、基板１を切断後に、切断加工エリア５０側の高圧水噴射ユニット７０を使用せず、切断後は洗浄ユニット８０に移送し、この洗浄ユニット８０側の高圧水噴射ユニット７０でバリ取り処理を行ってもよい。すなわち、バリ取りのための高圧水噴射ユニット７０は、切断加工エリア５０か洗浄ユニット８０のいずれか一方に具備されていればよいということになる。高圧水噴射ユニット７０を洗浄ユニット８０側に設けると、その高圧水噴射ユニット７０によってバリ取りと洗浄とが行われるので、部品点数の削減が達成されて構成が簡素化するといった利点がある。
【００３７】
Ｂ．切削ブレードの切り込み方法
上記実施形態では、切削ブレード６１の切り込み深さを基板１の厚さ以上に設定し、その切削ブレード６１により１本の切断予定ライン４を１回で切断している。図６（ａ）は、そのような切断動作を示している。これを１パス（ワンパス）切断と称すると、１本の切断予定ライン４を２回、あるいはそれ以上の回数で切断してもよい。２回で切断する場合、すなわち２パス（ツーパス）切断は、１回目を基板１の半分程度の厚さまで切り込み、２回目で完全に切断するといった形態が挙げられる。このような２パス切断は、２つの切削ブレード６１のうちの一方の切り込み深さを基板１の厚さの半分程度としてこれを１回目用ブレード（第１の切断工具）に設定し、他方の切削ブレード６１の切り込み深さを基板１の厚さ以上としてこれを２回目用ブレード（第１の切断工具）に設定する。
【００３８】
図６（ｂ）は２パス切断のイメージを示しており、ここでは切削装置６３の切削ブレード６１を直列に配して、図中右側の１回目用ブレード６１ａで基板１の半分程度の厚さまで切り込み、左側の２回目用ブレード６１ｂで残りの部分を切断している。このような２パス切断、あるいは複数段階に分けて切削ブレード６１を切断予定ライン４に徐々に切り込んで最終的に切断する方法を採ると、切断の際の抵抗が低く、円滑に切断することができるといった利点がある。
【００３９】
図４および図５で示した実施形態のように、２つの切削ブレード６１が並列している場合には、１回目用ブレードと２回目用ブレードの間隔を、隣り合う２本の切断予定ライン４に一致させ、はじめに最も端部側の切断予定ライン４を１回目用ブレードで切り込んでから、隣り合う２本の切断予定ライン４の間隔分だけ双方の切削ブレード６１を移動させ、次いで隣り合う２本の切断予定ライン４に、１回目用ブレードと２回目用ブレードを作用させるといった動作パターンを繰り返すことにより、２パス切断を効率的に行うことができる。
【００４０】
Ｃ．高圧水噴射ユニットのノズルの角度調整
高圧水噴射ユニット７０においては、ノズル７２の角度を可変として、基板１に対する高圧水の噴射角度が調整可能な構成を採用することができる。例えば、ノズル７２が固定されているブラケット７１の水平部７４を、脚部７３に対してＸ方向を軸として回転自在、かつ任意の位置にロックできるように支持すれば、全てのノズル７２の角度を一様に調整することができる。さらに、高圧水を噴射している最中にノズル７２が傾動する運転形態を採ることも可能である。
【００４１】
図７は、そのような構成の一具体例を示している。この例ではブラケット７１の脚部７３と水平部７４は別体とされ、水平部７４の両端部にはＸ方向に延びる傾動軸７５が設けられており、この傾動軸７５が、脚部７３の上端部の軸受け溝７６に回転自在に嵌め込まれている。すなわち、水平部７４は傾動軸７５を介して脚部７３に傾動自在に支持されている。傾動軸７５は脚部７３から突出しており、その突出部７５ａの周面は歯車状に形成されている。
【００４２】
一方、脚部７３の側面の適宜箇所にはモータ７７が固定されており、このモータ７７のピニオン（駆動軸）７８と傾動軸７５の突出部７５ａとの間にタイミングベルト７９が巻回されている。モータ７７が低速で作動することにより、モータ７７の回転がタイミングベルト７９を介して水平部７４に伝わり、水平部７４とともにノズル７２が傾動するようになっている。このようにノズル７２が傾動するように構成すると、噴射する高圧水を的確にバリに当てることができ、バリ取り性能が大幅に向上する。なお、図７は各ノズル７２が水平部７４ごと一括して傾動する構成であるが、水平部７４は固定で、水平部７４に対するノズル７２個々の角度を調整できるようにしてもよい。
【００４３】
Ｄ．基板の種類（層構造）について
上記実施形態での加工対象物である基板１は、図１（ａ）に示した単層構造であるが、図１の（ｂ）に示す２層構造の基板１も上記切断装置で個片化することができ、図８はその状態を示している。この場合は、銅などからなる金属層２と樹脂層３からなる基板１であって、樹脂層３をチャックテーブル５１に対向させて基板１をこのチャックテーブル５１上に吸着、保持し、切削ブレード６１を治具１０の溝１１まで切り込んで１パスで切断予定ライン４を切断している。
【００４４】
このような２層構造の基板１の場合には、１パス切断でも勿論可能であるが、各層ごとに切断を行う２パス切断が、切断を円滑に行う観点から有利である。その場合には、１回目用ブレードを金属層２を切断するのに適したものとし、２回目用ブレードを樹脂層３を切断するのに適したものとすれば、切断を効率よく行うことができる。なお、このような２パス切断におけるブレードは、例えば、レジン（樹脂）ボンドのダイヤモンド砥粒径が５０〜８０μｍ、厚さが０．２〜０．３ｍｍ程度のブレードを１回目用および２回目用として用いられる。この他には、メタルボンドのブレードとレジンボンドのブレードを１回目用および２回目用のブレードとして組み合わせたり、メタルボンドのみのブレードを１回目用および２回目用のブレードとして用いることもできる。また、金属層２が銅である場合には、ノズル７２から噴射される高圧水の圧力を４０ＭＰａ以上に設定することにより、バリを確実に除去することができる。
【００４５】
Ｅ．治具の変更
上記実施形態では基板１を治具１０で支持し、治具１０を介して搬送可能としているが、基板１を搬送可能に支持する部材としては治具１０に限られず、例えば、図９に示すように、基板１の裏面に貼着されるダイシングテープ１５および環状のダイシングフレーム１６を用いることができる。ダイシングテープ１５は、例えば、厚さ１００μｍ程度のポリ塩化ビニルを基材とし、その片面に厚さ５μｍ程度でアクリル樹脂系の粘着剤が塗布されたものが用いられ、その外周部の粘着剤側に、環状のダイシングフレーム１６が貼り付けられている。この場合には、ダイシングフレーム１６を操作することにより、基板１は搬送される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態に係る切断装置によってデバイスに個片化される基板の断面図であって、（ａ）は単層構造の基板、（ｂ）は２層構造の基板である。
【図２】複数のデバイスが区画されている基板の平面図である。
【図３】基板を支持する治具の斜視図である。
【図４】実施形態に係る切断装置の平面図である。
【図５】実施形態に係る切断装置の斜視図である。
【図６】切削ブレードによって基板を切断している状態の斜視図であって、（ａ）は１パス切断、（ｂ）は２パス切断を示している。
【図７】高圧水噴射ユニットのノズルの傾動機構の具体例を示す斜視図である。
【図８】２層構造の基板を切断している状態の側面図である。
【図９】基板をダイシングテープおよびダイシングフレームで支持する形態の切断装置の平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…基板
２…金属層（第１の層）
３…樹脂層（第２の層）
５０…切断加工エリア
６０…切断ユニット（切断手段）
６１…切削ブレード
７０…高圧水噴射ユニット（高圧水噴射手段）
７２…ノズル
８０…洗浄ユニット（洗浄手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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