(57)【要約】【課題】  端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの等価抵抗の変化を抑制し、移相変化時の通過損失を変動を抑え得る反射型移相器を得る。【解決手段】  入出力端子１，２間をアイソレートするためのハイブリッド６と、バラクタダイオード７と、このバラクタダイオードの端子間容量を変化させる直流電圧を印加する直流電圧印加端子３と、バラクタダイオードの端子間容量変化により移相された高周波信号を同相合成し高周波信号入出力端子における端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの反射減衰量変化を抑圧するための抵抗９と、この抵抗に直流電圧が印加されるのを防止するためのコンデンサ８を有する反射型移相器において、バラクタダイオードと直列にＰＩＮダイオード１０を接続し、バラクタダイオードの端子間容量変化に伴う、バラクタダイオードの等価直列抵抗の変化を抑圧して、移相器の通過損失変動を抑止する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変容量素子としてのバラクタダイオードと、前記バラクタダイオードの容量の変化により移相された信号を同相合成すると共に信号入出力端子間をアイソレートするためのハイブリッドとを含む移相器であって、
前記バラクタダイオードに直列接続されて前記バラクタダイオードの容量の変化時に伴う抵抗変化を打ち消すＰＩＮダイオードを含むことを特徴とする移相器。
【請求項２】
前記バラクタダイオードの容量を変化させるためにこのバラクタダイオードに印加する逆バイアス電圧に応じて、前記ＰＩＮダイオードに対して順バイアス電圧を生成する直流回路網を、更に含むことを特徴とする請求項１記載の移相器。
【請求項３】
前記バラクタダイオードの容量変化に伴う反射減衰量変化を抑圧する抵抗を、更に含むことを特徴とする請求項１または２記載の移相器。
【請求項４】
前記ハイブリッドに代えて、サーキュレータとしたことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の移相器。
【請求項５】
可変容量素子としてのバラクタダイオードと、前記バラクタダイオードの容量の変化により移相された信号を同相合成すると共に信号入出力端子間をアイソレートするためのハイブリッドと、前記バラクタダイオードに直列接続されて前記バラクタダイオードの容量の変化時に伴う抵抗変化を打ち消すＰＩＮダイオードとを含む移相器の制御方法であって、
前記バラクタダイオードの容量を変化させるためにこのバラクタダイオードに印加する逆バイアス電圧の変化に応じて、前記ＰＩＮダイオードに対して変化する順バイアス電圧を生成するステップを含むことを特徴とする移相器の制御方法。
【請求項６】
前記ハイブリッドに代えて、サーキュレータとしたことを特徴とする請求項５記載の移相器の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は移相器及びその制御方法に関し、特に反射型の移相器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
移相器とは、印加する直流電圧変化により、各種信号の位相を任意に制御できるデバイスである。無線通信機器、またその他の電子機器分野において、移相器は非常に有用であり、リニアライザなどの様々な用途に使用されている。移相器に求められる性能としては、まず、位相可変範囲が大きいことが第一であるが、その他にも、位相変化時の通過損失変動が小さいことが挙げられる。位相変化時に移相器の通過損失変動が大きいと、これを補正すべく、可変減衰器による調整を行う必要があるためである。
【０００３】
移相器の回路構成一例として、バラクタダイオードを使用したものが従来から存在する。バラクタダイオードのアノード電極またはカソード電極のどちらか一方が接地され、もう一方の電極に逆バイアス電圧が印加される。この逆バイアス電圧を変化することにより、バラクタダイオードの端子間容量を変化させる。端子間容量変化させてバラクタダイオードの反射インピーダンスを変化させることにより、信号の位相変化を実現する。
【０００４】
ここで、バラクタダイオードの反射係数は端子間容量変化に伴い変化する。これは、バラクタダイオードの等価直列抵抗Ｒs に起因するものである。前述した容量変化に伴うバラクタダイオードの反射係数変化は、移相器の通過損失の変動に直結する。
【０００５】
前述の通過損失変動を解決する手法の一例として、特許文献１に開示の例がある。これはバラクタダイオードと並列に抵抗を接続することにより、端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの反射係数変化をほぼ一定に保ち、結果、位相変化時の移相器の通過損失変動を抑圧するというものである。ところが、実際のバラクタダイオードの等価直列抵抗Ｒs は、端子間容量変化に伴い変化する。この端子間容量変化に伴う等価直列抵抗Ｒs 変化のため、前記した、バラクタダイオードと並列に抵抗を接続することによる、端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの反射係数を一定に保つ効果は低減してしまい、位相変化時の移相器の通過損失変動抑圧効果も低減してしまう。
【０００６】
従って、位相変化時の移相器の通過損失変動を更に抑圧するため、バラクタダイオードの等価直列抵抗変化を抑圧して、通過損失変動を抑制するような手法が必要である。
【０００７】
図６に従来の反射型移相器の回路構成の一例を示す。図６を参照すると、従来のこの種の反射型移相器は、高周波信号入力端子１、高周波信号出力端子２、可変容量素子７ａ及び７ｂの端子間容量を変化させるための直流電圧を印加する直流電圧印加端子３、直流電圧遮断用コンデンサ４ａ及び４ｂ、ＲＦチョークコイル５ａ及び５ｂ、可変容量素子の端子間容量変化により移相された高周波信号を同相合成し、且つ高周波信号入力端子１と高周波信号出力端子２との間をアイソレートするための９０度３ｄＢハイブリッド６、可変容量素子としてのバラクタダイオード７ａ及び７ｂから構成される。
【０００８】
なお、説明のために、図６の一部を抽出した（図６では左右対称のために、その一方のみ）回路構成を図７に示しており、図７において、図６と同等素子は同一番号もって示す。また図７の回路構成において、バラクタダイオード７に印加する逆バイアス電圧を変化させ、すなわち、直流電圧印加端子３に印加する電圧を変化させ、バラクタダイオード７の端子間容量を変化させた時の、高周波信号入力端子１における反射係数の軌跡を、スミスチャート上に描いたものが、図８である。
【０００９】
図８を参照すると、バラクタダイオード７の端子間容量最小点Ａにおける反射係数｜ΓＡ｜と、端子間容量最大点Ｂにおける反射係数｜ΓＢ｜とが相違しており、すなわち、Ａ点とＢ点とで、反射減衰量が異なっていることになる。これは、バラクタダイオード７の直流抵抗Ｒs に起因するものである。このように、バラクタダイオード７の端子間容量変化時に反射減衰量が変化するために、図６に示す構成の反射型移相器では、バラクタダイオード７ａ及び７ｂに印加する逆バイアス電圧を変化させ、バラクタダイオードの端子間容量を変化させた時に、移相器自身の通過損失が変動してしまうことになる。
【００１０】
これを解決する手法の一例として、上述した特許文献１に開示の例がある。この回路構成を図９に示す。図６に示した反射型移相器に、コンデンサ８ａ及び８ｂ、抵抗９ａ及び９ｂを追加した構成である。抵抗９ａ及び９ｂの抵抗値Ｒa は、移相器本体の特性インピーダンスをＺ0 とし、バラクタダイオード７ａ及び７ｂの等価直列抵抗をＲs とした時、式（１）から導出される値になっている。
Ｒa ＝Ｚ0 ［１＋√｛１＋４（Ｒs ／Ｚ0 ）2｝］／（２Ｒs ／Ｚ0 ）
……（１）
【００１１】
この抵抗９ａ及び９ｂにより、スミスチャート上の反射係数の軌跡は、中心に対してほぼ同心円上を移動することになり、すなわち反射係数がバラクタダイオード７ａ及び７ｂの容量変化に対してほぼ一定値となり、結果的に移相器の通過損失変動が抑圧できることになる。
【００１２】
【特許文献１】特開平０４−０４７８０１号公報
【特許文献２】特開平１１−１２２００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、実際のバラクタダイオードのＲs は、端子間容量の変化に対して一定では無く、図１０に示すような特性を有している。。図１０は、一般的なバラクタダイオードの一例として、ある会社から販売されている製品のカタログから読み取った、端子間容量の変化に対する、Ｒs 変化の一例を示したものである。このバラクタダイオードの端子間容量変化に対するＲs 変化を考慮して、バラクタダイオード単体の反射係数をシミュレーションした結果を図１１に示す。式（１）より導出した抵抗値Ｒa の、抵抗Ｒs の有無での特性を比較している。
【００１４】
この図１１（Ａ）は反射係数の特性であり、図１１（Ｂ）は端子間容量に対する反射損失の特性である。この図１１をみると、確かに抵抗無し時と比較し、抵抗有りとした時の特性の方がバラクタダイオードの端子間容量変化に対する反射係数の変動、反射損失の変動が小さく抑えられていることが分かる。
【００１５】
しかし、０．５〜７．２ｐＦの範囲で、端子間容量を変化した時、抵抗有りとした場合でも、この結果例では０．４ｄＢｐ−ｐ程度の反射損失変動が依然として残っている。従って、バラクタダイオードの端子間容量変化に伴う通過損失変動を更に低減するためには、端子間容量を変化させたときのバラクタダイオードのＲs の変動を出来る限り小さくする必要がある。
【００１６】
なお、特許文献２には、バラクタダイオードに直列にＰＩＮダイオードを接続して、高周波スイッチ付の高周波移相器が開示されている。この場合のＰＩＮダイオードは、スイッチ機能として動作させるためのものであり、そのために、ＰＩＮダイオードへの直流バイアスの供給方法は、当該ＰＩＮダイオードをオンオフさせるためのものとなっている。
【００１７】
本発明の目的は、端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの等価直列抵抗の変化を抑制し、移送変化時における通過損失を変動を小さく抑えることが可能な反射型移相器及びその制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明による移相器は、可変容量素子としてのバラクタダイオードと、前記バラクタダイオードの容量の変化により移相された信号を同相合成すると共に信号入出力端子間をアイソレートするためのハイブリッドとを含む移相器であって、前記バラクタダイオードに直列接続されて前記バラクタダイオードの容量の変化時に伴う抵抗変化を打ち消すＰＩＮダイオードを含むことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明による移相器の制御方法は、可変容量素子としてのバラクタダイオードと、前記バラクタダイオードの容量の変化により移相された信号を同相合成すると共に信号入出力端子間をアイソレートするためのハイブリッドと、前記バラクタダイオードに直列接続されて前記バラクタダイオードの容量の変化時に伴う抵抗変化を打ち消すＰＩＮダイオードを含むことを移相器の制御方法であって、前記バラクタダイオードの容量を変化させるためにこのバラクタダイオードに印加する逆バイアス電圧の変化に応じて、前記ＰＩＮダイオードに対して変化する順バイアス電圧を生成するステップを含むことを特徴とする。
【００２０】
本発明の作用を述べる。高周波信号入出力端子間をアイソレートするためのハイブリッドと、可変容量素子としてのバラクタダイオードと、このバラクタダイオードの端子間容量を変化させるために直流電圧を印加する直流電圧印加端子と、バラクタダイオードの端子間容量変化により移相された高周波信号を同相合成し、且つ高周波信号入出力端子における、バラクタダイオードの端子間容量変化に伴う、バラクタダイオードの反射減衰量変化を抑圧するための抵抗と、この抵抗に直流電圧が印加されるのを防止するためのコンデンサを有する反射型移相器において、バラクタダイオードと直列にＰＩＮダイオードを接続し、バラクタダイオードの端子間容量変化に伴う、バラクタダイオードの等価直列抵抗の変化を抑圧して、移相器の通過損失変動を抑止する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの等価直列抵抗の変化を抑制し、移相変化時における反射型移相器の通過損失を変動を小さく抑えることが可能であるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の一実施の形態の回路図であり、図６，９と同等部分は同一符号により示している。上述した従来の課題である端子間容量変化時のバラクタダイオードのＲs 変化を抑圧するために、ＰＩＮダイオード１０ａ及び１０ｂがバラクタダイオード９ａ及び９ｂと直列にそれぞれ接続されている。一般的に、ＰＩＮダイオードは、順バイアス電圧を印加した場合、等価的に純抵抗とみなすことができ、また順方向バイアス電流を変化することでその抵抗値を変化することができる可変抵抗素子である。
【００２３】
順方向バイアス電流を増加させると、等価直列抵抗値は指数関数的に減少する。この順方向バイアス電流変化により、抵抗値を変化することができるというＰＩＮダイオードの特性を利用して、端子間容量変化時のバラクタダイオードのＲs 変化を抑圧するのである。図３は、ＰＩＮダイオードの特性を利用し、端子間容量変化時のバラクタダイオードのＲs 変化を抑圧する手段の説明用に示した図である。図３中の菱形印でプロットした特性は、図１０で示した、製品のＲs 変化の様子を、横軸を直流電圧端子３に印加するバラクタダイオードの逆バイアス電圧の絶対値としてプロットし直したものである。
【００２４】
これに対して、グラフ中の三角印でプロットした特性は、同じく横軸を直流電圧端子３に印加するバイアス電圧の絶対値とした時に、ＰＩＮダイオードに望まれる抵抗値の変化をプロットしたものである。そして、グラフ中のバツ印でプロットした特性は、菱形印でプロットした特性をもつバラクタダイオードと、三角印でプロットした特性をもつＰＩＮダイオードとを、直列接続した場合の合成抵抗値をプロットしたものである。グラフに示すように合成抵抗値特性は、直流電圧端子３に印加するバイアス電圧に対して、一定値（この例では２Ω）に保たれている。
【００２５】
図１に示した今回提案する反射型移相器の回路構成の一部（図１では左右対称のために、その一方のみ）を抽出した回路構成図を図２に示しており、図１と同等部分は同一番号で示す。ＰＩＮダイオード１０とバラクタダイオード７とが直列接続されている。ＰＩＮダイオード１０のアノード電極には、直流電圧印加端子３に印加された直流電圧が、直流回路網１５、ＲＦチョークコイル１２を通して加えられる。また、ＰＩＮダイオード１０のカソード電極には、基準電圧印加端子１４に印加された一定の直流電圧がＲＦチョークコイル１３を通して加えられる。
【００２６】
図３に示す通り、端子間容量変化時のバラクタダイオード７のＲs 変化を抑圧するためには、直流電圧印加端子３に印加される電圧の絶対値が大きくなるに従い、抵抗値が増加するような特性がＰＩＮダイオード１０に要求される。しかし、ＰＩＮダイオード１０単体では、順バイアス電圧の増加に伴い、抵抗値が減少する特性である。この相反する特性を補正するため、基準電圧印加端子１４に一定の直流電圧が印加される。直流電圧印加端子３から、直流回路網１５、ＲＦチョークコイル１２を通してＰＩＮダイオード１０のアノード電極に印加される電圧が−５Ｖ〜０Ｖである場合、基準電圧印加端子１４には、ＰＩＮダイオード１０のアノード電極に印加される電圧範囲の中で、絶対値が最大である−５Ｖが印加される。
【００２７】
これにより、直流電圧印加端子に印加される電圧の絶対値が大きくなると、ＰＩＮダイオード１０のアノード−カソード間の電位差は小さくなり、要求される特性を実現することができる。なお、直流電圧遮断用コンデンサ１１は、直流電圧印加端子１４に印加される一定電圧が、バラクタダイオード７のアノード電極に重畳されるのを防止するためのものである。また、直流回路網１５は抵抗、またはＯＰ（演算）アンプ等から構成される直流回路であり、直流電圧印加端子３に印加される電圧を適切に変換し、図３中に三角印でプロットした所望ＰＩＮダイオード特性を実現するためのものである。
【００２８】
また抵抗９の抵抗値Ｒa'は、移相器本体の特性インピーダンスをＺ0 とし、バラクタダイオード７とＰＩＮダイオード１０の直列接続における等価直列抵抗値をＲs'とすると、後述の式（２）から導出される値になっている。図２に示す回路構成において、高周波信号入力端子１における反射係数を、バラクタダイオード７の端子間容量を変化させ、シミュレーションした結果を図４（Ａ），（Ｂ）に示す。これをみると、スミスチャート上の反射係数の軌跡はスミスチャートの中心に対して同心円上を動き、またバラクタダイオード７の端子間容量変化に対する反射損失特性も一定（この結果例では０．７ｄＢ）となっていることがわかる。
【００２９】
再度図１を参照すると、今回提案する反射型移相器の回路構成を示す。高周波信号入力端子１と、高周波信号出力端子２と、可変容量素子の端子間容量を変化させるための直流電圧を印加する直流電圧端子３と、直流電圧遮断用コンデンサ４ａ及び４ｂと、ＲＦチョークコイル５ａ及び５ｂと、可変容量素子の端子間容量変化により移相させた高周波信号を同相合成し、且つ高周波信号入力端子１と高周波信号出力端子２を独立させるための９０度３ｄＢハイブリッド６と、可変容量素子としてのバラクタダイオード７ａ及び７ｂと、バラクタダイオードの端子間容量変化に伴う、バラクタダイオードの反射減衰量変化を抑圧するための抵抗９ａ及び９ｂと、これら抵抗９ａ及び９ｂに直流電圧が印加されるのを防止するための直流電圧遮断用コンデンサ８ａ及び８ｂと、バラクタダイオードの端子間容量変化に伴う、バラクタダイオードのＲs 変化を抑圧するためのＰＩＮダイオード１０ａ及び１０ｂと、直流電圧遮断用コンデンサ１１ａ及び１１ｂと、ＲＦチョークコイル１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂと、基準電圧印加端子１４と、ＰＩＮダイオードに印加する直流電圧を最適化するための直流回路網１５とから構成される。
【００３０】
実施例の動作の説明のために、図１の一部を抽出した図２の回路構成を参照して説明する。高周波信号入力端子１、可変容量素子の端子間容量を変化させるための直流電圧を印加する直流電圧端子３、直流電圧遮断用コンデンサ４、ＲＦチョークコイル５、可変容量素子としてのバラクタダイオード７、バラクタダイオードの端子間容量変化に伴う、バラクタダイオードの反射減衰量変化を抑圧するための抵抗９、抵抗９に直流電圧が印加されるのを防止するための直流電圧遮断用コンデンサ８、バラクタダイオードの端子間容量変化に伴う、バラクタダイオードのＲs 変化を打ち消すためのＰＩＮダイオード１０、直流電圧遮断用コンデンサ１１、ＲＦチョークコイル１２及び１３、基準電圧印加端子１４、ＰＩＮダイオードに印加する直流電圧を最適化するための直流回路網１５が示されている。
【００３１】
ここで、直流電圧遮断用コンデンサ４，８，１１には、使用する信号周波数において、十分低いインピーダンスをもつ容量のものが使用されるものとする。バラクタダイオード７のアノード電極またはカソード電極のどちらか一方（今回の例では、カソード電極）が接地され、もう一方の電極（今回の例では、アノード電極）には、直流電圧印加端子３に印加される。バラクタダイオード７の端子間容量を変化させるための逆バイアス電圧（今回の例では、負電圧）がＲＦチョークコイル５を通して印加される。
【００３２】
この逆バイアス電圧を変化させることにより、バラクタダイオードの端子間容量が変化する。端子間容量変化によりバラクタダイオードの反射インピーダンスを変化させ信号の位相変化を実現する。ＰＩＮダイオード１０は、直流電圧遮断用コンデンサ１１を挟んでバラクタダイオード７のアノード電極側に、直列に接続される。ＰＩＮダイオード１０のアノード電極には、直流電圧印加端子３に印加されるバラクタダイオード７の端子間容量を変化させるための可変電圧（今回の例では、負電圧）が、直流回路網１５、ＲＦチョークコイル１２を通して加えられる。
【００３３】
また、ＰＩＮダイオードのカソード電極には、基準電圧印加端子１４に印加された一定の直流電圧がＲＦチョークコイル１３を通して加えられる。図３に、直流電圧印加端子３に印加する電圧絶対値を変化させたときの、バラクタダイオード７のＲs の変化の様子を菱形印でプロットする。これに対し、三角印でプロットしたものは、所望のＰＩＮダイオード特性である。バラクタダイオード７とＰＩＮダイオード１０とは、直列に接続されているために、合成抵抗値は単純に足し合わせたものとなり、すなわち図３中のバツ印で示したような、直流電圧印加端子３に印加する電圧変化に対して一定の特性を示すことになる。
【００３４】
ここで、図３に示す通り、直流電圧印加端子３に印加される電圧の増加に伴い、抵抗値が減少する特性がＰＩＮダイオード１０に要求される。しかし、ＰＩＮダイオード１０単体では、順バイアス電圧の増加に伴い、抵抗値が減少するといった逆の特性を示す。これを解決するため、基準電圧印加端子１４に一定の直流電圧が印加される。ここで、例えばＰＩＮダイオード１０のアノード電極に印加される可変電圧が−５〜０Ｖである場合、その範囲内で絶対値が最大である−５Ｖが基準電圧印加端子１４に印加される。
【００３５】
これにより、直流電圧印加端子に印加される電圧の絶対値が大きくなると、ＰＩＮダイオード１０のアノード−カソード間の電位差は小さくなり、すなわち直流電圧印加端子３に印加される電圧の増加に伴い、抵抗値が減少するという所望の特性を得ることができる。
【００３６】
なお、直流電圧遮断用コンデンサ１１は、直流電圧印加端子１４に印加される一定電圧が、バラクタダイオード７のアノード電極に重畳されるのを防止するためのものである。直流回路網１５は抵抗、またはＯＰアンプ等から構成される直流回路網であり、直流電圧印加端子３に印加される可変電圧を変換し、図３中に三角印でプロットした所望のＰＩＮダイオード特性を実現するためのものである。
【００３７】
また抵抗９の抵抗値Ｒa'は、移相器本体の特性インピーダンスをＺ0 とし、バラクタダイオード７とＰＩＮダイオード１０の直列接続における等価直列抵抗値をＲs'とすると、式（２）から導出される値になっている。
Ｒa'＝Ｚ0 ［１＋√｛１＋４（Ｒs'／Ｚ0 ）2｝］／（２Ｒs'／Ｚ0 ）
……（２）
【００３８】
図２に示す回路構成において、高周波信号入力端子１における反射係数を、バラクタダイオード７の端子間容量を変化させ、シミュレーションした結果を図３（Ａ），（Ｂ）に示す。これをみると、スミスチャート上の反射係数の軌跡はスミスチャートの中心に対して同心円上を動き、またバラクタダイオード７の端子間容量変化に対する反射損失特性も一定（この結果例では、０．７ｄＢ）となっていることがわかる。
【００３９】
以上説明したＰＩＮダイオード、バラクタダイオード等素子を２組み使用し、それらを９０度３ｄＢハイブリッド６で接続することにより、図１に示すような今回提案する反射型移相器が構成できる。高周波信号入力端子１から入力された信号は、直流電圧遮断用コンデンサ４ａを通り、９０度３ｄＢハイブリッド６により、ＰＩＮダイオード１０ａ、直流電圧遮断用コンデンサ８ａ，１１ａ、バラクタダイオード７ａ、ＲＦチョークコイル５ａ，１２ａ，１３ａ、抵抗９ａのルートと、ＰＩＮダイオード１０ｂ、直流電圧遮断用コンデンサ８ｂ，１１ｂ、バラクタダイオード７ｂ、ＲＦチョークコイル５ｂ，１２ｂ，１３ｂ、抵抗９ｂのルートに分配される。
【００４０】
各ルートで移相された信号は、再び９０度３ｄＢハイブリッド６で合成され、直流電圧遮断用コンデンサ４ｂを通り、高周波信号出力端子２から出力されることになる。この時、高周波信号出力端子２から出力される信号は、直流電圧印加端子３に印加する電圧変化により、位相を変化させた時、通過損失の変動無く、ほぼ一定となる。
【００４１】
以上の構成及び動作により、端子間容量変化に伴う、バラクタダイオードの等価直列抵抗値変化を抑圧でき、また、位相変化時に、反射型移相器の通過損失変動を小さくできることになる。
【００４２】
本発明の実施の形態として９０度３ｄＢハイブリッドを使用した反射型移相器への適用を挙げているが、図５に示すように、９０度３ｄＢハイブリッド６の替わりにサーキュレータ１６を使用した反射型移相器にも適用可能である。なお、図５において、図１や図２と同等部分は同一符号にて示している。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施の形態の回路図である。
【図２】図１の一部を抽出して示した図である。
【図３】バラクタダイオード及びＰＩＮダイオードの等価直列抵抗対バイアス電圧（図２の端子３の電圧）絶対値の特性例を示す図である。
【図４】高周波入力端子１における反射係数の、バラクタダイオードの端子間容量を変化させた場合のシミュレーション結果を示す図である。
【図５】本発明の他の実施の形態の回路図である。
【図６】従来例を説明するための回路図である。
【図７】図６の一部を抽出して示した図である。
【図８】バラクタダイオードの端子間容量を変化させたときの高周波信号入力端子１における反射係数の軌跡をスミスチャートとして示した図である。
【図９】従来の他の例を説明するための回路図である。
【図１０】バラクタダイオードのＲs 対端子間容量の特性例を示す図である。
【図１１】バラクタダイオード単体の反射係数をシミュレーションした結果を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  高周波入力端子
２  高周波出力端子
３  バイアス端子
４，８，１１  コンデンサ
５，１２，１３  チョークコイル
６  ハイブリッド回路
７  バラクタダイオード
９  抵抗
１０  ＰＩＮダイオード
１５  直流回路網
１６  サーキュレータ
【図１】
2007166239.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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