(57)【要約】【課題】断熱不良欠陥の発生を防ぐ真空マイクロパッケージおよび該真空マイクロパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】素子側基板１と、窓側基板３と、接合部材であるはんだ２とを備えている。素子側基板１は、検出部２０を搭載し、導電層が形成されている。窓側基板３は、検出部２０を配置する空間を真空として検出部２０を覆うように素子側基板１と対向して配置され、検出部２０の周囲を囲むように位置するはんだ２により素子側基板１と接続される。導電性膜（反射防止膜９ａ）は、窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に配置される。素子側基板１の導電層（配線１０）と窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に配置される導電性膜（反射防止膜９ａ）とを電気的に接続することにより、素子側基板１の基板電位と窓側基板３の基板電位とを同電位としている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出部と、
前記検出部を搭載した素子側基板と、
前記検出部を覆うように前記素子側基板と対向して配置され前記検出部の周囲に位置する導電性の接合材を介して前記素子側基板と接続される窓側基板と、
前記窓側基板において前記素子側基板と対向する表面上に配置される導電性膜とを備え、
前記素子側基板と前記導電性膜とを電気的に接続することにより、前記素子側基板の基板電位と前記窓側基板の表面電位とを同電位としている、マイクロパッケージ。
【請求項２】
素子側基板は、前記素子側基板の基板電位に繋がる配線と、前記配線上に形成され前記配線の一部を露出させるスルーホールが形成された表面層とを含み、
前記スルーホールの内部に形成された素子側導電体と、前記素子側導電体の上に形成されたはんだからなる接合材とを介して、導電性膜と前記素子側基板とを電気的に接続した、請求項１に記載のマイクロパッケージ。
【請求項３】
検出器は熱型の赤外検出器であり、
窓側基板において、導電性膜は導電性の反射防止膜であり、素子側基板と対向する表面と反対側の表面上に配置される他の反射防止膜をさらに備える、請求項１または２に記載のマイクロパッケージ。
【請求項４】
検出器は熱型の赤外検出器であり、
窓側基板において、前記窓側基板と導電性膜との間に形成される反射防止膜と、素子側基板と対向する表面と反対側の表面上に配置される他の反射防止膜とをさらに備える、請求項１または２に記載のマイクロパッケージ。
【請求項５】
真空である内部に検出部を搭載する真空マイクロパッケージの製造方法であって、
素子側基板の上に基板電位に繋がる配線を形成する工程と、
前記配線上であり、かつ前記配線の一部を露出させるスルーホールが形成された表面層を設ける工程と、
前記スルーホールの内部に素子側導電体を形成する工程と、
前記素子側基板に前記検出部を形成する工程と、
前記素子側基板と対向して配置される窓側基板を準備する工程と、
前記窓側基板の表面上に導電性膜を形成する工程と、
前記導電性膜と導電性の接合材とを接続する工程と、
前記導電性膜に接続された前記接合材が前記素子側基板の前記素子側導電体と対向するようにして、前記窓側基板を配置した状態で、前記素子側導電体と前記接合材とを接続する工程とを備えた、マイクロパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記窓側基板の表面上に前記導電性膜を形成する工程は、
前記窓側基板において前記素子側基板と対向する表面上に、反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜の表面上に、導電性薄膜を形成する工程とを含む、請求項５に記載のマイクロパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロパッケージおよびその製造方法に関し、たとえば断熱不良による画素欠陥の発生を防止するマイクロパッケージおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
非冷却赤外線センサは、熱型センサとも言われるように、入射赤外線を熱に変換して温度変化による物性値の変化を電気信号として読み出している。このセンサは赤外検出感度を高めるため、赤外線検知部は基板から熱的に隔離された断熱構造としている。また、断熱性を高めるため素子全体は真空下に置かれる。そのため、当該素子は真空パッケージ内にアセンブリされて使用されている。従来、当該素子は１つずつ分離した後に、断熱構造体を形成して真空パッケージ内にアセンブリしていた。しかし、近年、当該素子を作製したウエハ上に直接真空パッケージを形成することで、真空パッケージの低価格化、量産性向上を図っている。そのような真空パッケージとして、たとえば、特表平９−５０６７１２号公報（特許文献１）に赤外線検出器真空マイクロパッケージが開示されている。
【０００３】
上記特許文献１に記載の赤外線検出器真空マイクロパッケージは、赤外線検出素子が形成されたウエハと、トップキャップウエハと、はんだ層と、メタライズ層とを備えている。赤外線検出部は、ウエハをエッチングして設けた凹部上に配置されている。ウエハとトップキャップウエハとは、真空中ではんだ層により接合されている。詳細には、赤外線検出部が形成されたウエハ上にメタライズ層を形成し、同様にトップキャップウエハにもメタライズ層を形成している。ウエハまたはトップキャップウエハの上のメタライズ層上にはんだ層を形成した後、はんだ層が形成された面が対向するようにウエハとトップキャップウエハとを配置し、真空中ではんだ層を融点以上に加熱して、ウエハ同士を接合させることで真空パッケージを作製している。ウエハにはパッドが形成されており、ワイヤボンディング等による電気的接続のため、パッドは真空封止領域外に形成されている。素子の読み出し回路等とパッドをつなぐ配線は封止部のメタライズパターンの下層に形成されており、配線間および配線とメタライズとの間の電気的ショートを防ぐため配線上には絶縁膜が形成されている。
【０００４】
また、非冷却赤外線センサは、検知部を基板から熱的に分離された構造としている。そのような非冷却赤外線センサとして、たとえば、特開平１０−２０９４１８号公報（特許文献２）に赤外線固体撮像素子が開示されている。
【０００５】
上記特許文献２に記載の赤外線固体撮像素子は、温度検出部と、支持脚とを備えている。赤外線の検知にはサーミスタボロメータの温度変化を利用し、温度検出部で検知している。また、赤外線の吸収率を高めるため、温度検出部上には赤外線吸収構造体が形成されている。温度検出部を支持する支持脚はＳｉＯ2やＳｉＮ等からなる絶縁膜とメタル薄膜からなる配線層からなる。支持脚は、基板の中に形成した空洞部の上にあり、かつ、温度検出部を浮かしている。
【特許文献１】特表平９−５０６７１２号公報
【特許文献２】特開平１０−２０９４１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、本発明の発明者が鋭意研究した結果、上述の赤外線検出器真空マイクロパッケージでは以下のような問題があることを発明者は発見した。具体的には、上記特許文献１に開示の赤外線検出器真空マイクロパッケージでは、ウエハとトップキャップウエハとのギャップが小さい。ウエハまたはトップキャップウエハが帯電された状態になると、ウエハとトップキャップウエハとの間には大きな電界が印加されることになる。そのため、電界により発生する静電力により、上記特許文献２に開示の赤外線固体撮像素子などの断熱構造体が変形して、断熱構造体を有する赤外線検出部がウエハと接触してしまい、断熱不良が発生し、画素欠陥を引き起こす場合があることを発明者は見出した。また、かかる静電力は、マイクロパッケージが真空である場合の他に、大気圧中でも生じていた。
【０００７】
それゆえ本発明の目的は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、断熱不良欠陥の発生を防ぐマイクロパッケージおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にしたがったマイクロパッケージは、素子側基板と、窓側基板と、導電性の接合材を備えている。素子側基板には、赤外線検出部が形成されており、窓側基板は、検出部を覆うように素子側基板と対向して配置され、検出部の周囲に位置する接合材を介して素子側基板と接続される。したがって、素子側基板の基板電位と窓側基板の表面電位とを同電位としている。
【０００９】
本発明にしたがったマイクロパッケージの製造方法は、内部に検出部を搭載するマイクロパッケージの製造方法であって、以下の工程を備える。素子側基板上に配線を形成する。次に、表面層を形成する。次に、素子側基板の検出部を形成する面側において配線上であり、かつ配線の一部を露出させるスルーホールを表面層に設ける。次に、スルーホールの内部に素子側導電体を形成する。次に、素子側基板に断熱構造体を有する検出部を形成する。次に、窓側基板上に導電性の反射防止膜、反射防止膜上にはんだを搭載する。その後、素子側基板と窓側基板等を接合する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のマイクロパッケージによれば、素子側基板の基板電位と窓側基板の表面電位とを同電位としていることで、外部から帯電があった場合であっても素子側基板と窓側基板との間に電位差が生じない。そのため、素子側基板と窓側基板とを備えるマイクロパッケージの素子側基板と窓側基板間に電界が発生しない。よって、検出部に対して静電力が作用しないため、画素変形からくる断熱不良による画素欠陥の発生を防止することができる。
【００１１】
また、本発明のマイクロパッケージの製造方法によれば、素子側基板と窓側基板とを電気的に接続して、素子側基板の基板電位と窓側基板の表面電位とを同電位とすることができる。そのため、素子側基板と窓側基板との間に電位差が生じず、断熱不良による画素欠陥の発生を防止するマイクロパッケージを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００１３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における分離前のウエハ全体を示す概略平面図である。なお、図１は、本実施の形態１におけるマイクロパッケージの構成をわかりやすく表わすため、窓側基板を除いた状態としている。図２は、図１における線分ＩＩ−ＩＩでの断面図である。なお、図２は、窓側基板を素子側基板に接合した状態としている。図３は、本発明の実施の形態１における１個のマイクロパッケージを示す平面図である。なお、図３は、はんだの領域をわかりやすく表わすために窓側基板を除いた状態としており、相対的に下方の部材は仮想線として破線で表わしている。検出部２０はマトリクス状に配列しており、図３中の符号２１で示した検出領域は、検出部２０が配列している領域の外縁を示すものである。図４（Ａ）は、図３における線分ＩＶ−ＩＶでの断面図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）における領域Ａの拡大図である。図１〜図４を参照して、本発明の実施の形態１におけるマイクロパッケージを説明する。
【００１４】
マイクロパッケージ１００は、図１および図２に示すように、ウエハ３００上に所定の方向（図１において左右方向および上下方向）に並んでいる。マイクロパッケージ１００はウエハ３００を分離して個々のパッケージとしたものである。
【００１５】
本発明の実施の形態１におけるマイクロパッケージ１００は、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、たとえば、検出部２０と、素子側基板１と、窓側基板３と、導電性の接合材としてのはんだ２とを有している。素子側基板には配線が形成されており、その中で１あるいは複数の配線が素子側基板１の基板電位に繋がっている。基板電位に繋がる配線上の絶縁膜（図４（Ａ），（Ｂ）において、表面層１２と示す。）にはスルーホールが形成されており、スルーホールを覆うようにメタライズ層が形成されており、メタライズ層と配線とが電気的に接続されている。また、窓側基板上には導電性を有する反射防止膜９ａを備えている。素子側基板１は、検出部２０を搭載する。窓側基板３は、検出領域２１を覆うように素子側基板１と対向して配置され、検出領域２１の周囲を囲むように位置するはんだ２を介して素子側基板１と接続される。反射防止膜９ａは、窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に配置される。素子側基板１の配線１０と窓側基板３上の反射防止膜９ａとを電気的に接続することにより、素子側基板１の基板電位と窓側基板３の表面電位とを同電位としている。なお、上記「基板電位」とは、基板自体の電位であり、通常はグラウンド電位に固定される。上記「表面電位」とは、基板表面の電位であり、窓側基板３の表面に形成される反射防止膜９ａ，９ｂの電位を示す。
【００１６】
図４（Ａ），（Ｂ）において、配線４，１０は、素子側基板１の上部に配置されており、配線１０は基板電位に繋がっている配線である。絶縁膜である表面層１２には、配線１０の一部を露出させるスルーホール８が形成されている。スルーホール８の内部に、配線１０と接続された状態で素子側導電体が形成されている。素子側メタライズ層６は、たとえば当該素子側導電体である。当該素子側導電体、すなわち素子側メタライズ層６は、スルーホール８の内部から素子側基板１における検出部２０を形成する側の面１ａ上にまで延在するように形成されている。はんだ２は、素子側メタライズ層６と接続（図４（Ａ），（Ｂ）において素子側メタライズ層６の上に接続）するように配置されている。上方から見たときの素子側メタライズ層６は、はんだ２と同じ形状である。なお、スルーホール８の内部に配置されているのは素子側メタライズ層６に特に限定されない。スルーホール８の形状と素子側メタライズ層６の厚さによっては、たとえば素子側メタライズ層６およびはんだ２がスルーホール８に配置されている場合もある。
【００１７】
反射防止膜９ａ，９ｂは、窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上と、表面３ａと反対側の表面３ｂ上とに配置されている。実施の形態１では導電性の反射防止膜９ａを、他の反射防止膜として反射防止膜９ｂを備えている。他の反射防止膜９ｂは、実施の形態１では導電性としているが、特にこれに限定されず、導電性であっても非導電性であってもよい。
【００１８】
窓側メタライズ層７は、窓側基板３とはんだ２とを接続（図４（Ａ），（Ｂ）においてはんだ２の上に接続）している。
【００１９】
マイクロパッケージ１００において、配線１０と、素子側メタライズ層６と、はんだ２と、窓側メタライズ層７、導電性の反射防止膜９ａとを介して素子側基板１と窓側基板３とを電気的に接続している。配線１０が基板電位に繋がる配線であるので、これにより、素子側基板１の基板電位と窓側基板３の表面電位とを同電位としている。
【００２０】
また、素子側メタライズ層６と、はんだ２と、窓側メタライズ層７と反射防止膜９ａとを介して素子側基板１と窓側基板３とを機械的に接続している。これにより、検出部２０を含む領域（図４（Ａ），（Ｂ）において枠状の領域）を真空にしている。
【００２１】
実施の形態１では、検出部２０は、たとえば赤外線検知部としている。素子側基板１は、シリコン（Ｓｉ）からなる基板としている。窓側基板３は、たとえば、赤外線の透過率の高いシリコンまたはゲルマニウムの一方からなる。
【００２２】
配線４，１０は、素子側基板１上で素子側メタライズ層６の下層に形成され、たとえばアルミニウムからなる。配線１０は、基板グラウンド配線として機能し、スルーホール８内の素子側導電体である素子側メタライズ層６と接続されている。配線１０は、配線の中で基板電位となる。配線４および配線１０は、外部パッド５と接続されている。外部パッド５は、たとえば外部の電極などとワイヤボンディングなどで接続されている（図示せず）。
【００２３】
表面層１２は、素子側基板１の面１ａ上で、配線４，１０の上層に形成されている。表面層１２は、たとえばＳｉＯ2などからなる絶縁膜としている。表面層１２には、配線１０に達するスルーホール８が形成されており、スルーホール８の内部に素子側メタライズ層６が形成されている。表面層１２が絶縁性を有していることから、素子側メタライズ層６と配線１０とが電気的に接続される。
【００２４】
表面層１２に形成されたスルーホール８は、レジストによる写真製版後、ドライエッチング法にて形成される。
【００２５】
素子側メタライズ層６と、はんだ２と、窓側メタライズ層７とにより真空に維持される空間における素子側基板１の面１ａ上に、素子側基板１から熱的に分離した断熱構造体を有する検出部２０が形成されている。断熱構造体の形成は、上記特許文献２に記載されているように検知膜を含む画素下部のＳｉをエッチングすることにより行なわれる。
【００２６】
素子側メタライズ層６および窓側メタライズ層７は、たとえば、下層よりＣｒ、Ｎｉ、Ａｕからなり、スパッタ法またはめっき法により形成される。はんだ２は、素子側メタライズ層６の表面上あるいは窓側メタライズ層７の表面上、もしくはその両方に、めっき法またはプリフォームの形状にて形成される。
【００２７】
反射防止膜９ａ，９ｂは、たとえば、ある程度の導電性を持ったダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ：Diamond  Like  Carbon）膜からなる。導電性を持つ反射防止膜９ａ，９ｂを形成することにより、窓側基板３における検出部２０と対向する面３ａの表面電位と、素子側基板１の基板電位とを同電位にすることが可能となる。
【００２８】
なお、上記「素子」とは、検知部、回路、配線、およびパッド等が形成されたものを意味する。また、「検出部」とは、赤外線を検出するための断熱構造体が形成された領域を意味する。
【００２９】
次に、本発明の実施の形態１におけるマイクロパッケージ１００の製造方法について説明する。
【００３０】
まず、素子側基板１を準備する工程を実施する。次に、素子側基板１の上に導電層を形成する工程を実施する。この工程では、素子側基板１上に読み出し回路（図示せず）、配線４，１０を形成し、表面層１２を形成する。配線４，１０は、具体的には、たとえば素子側基板１の表面上に成膜工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程により形成する。
【００３１】
次に、素子側基板１の検出部２０が形成された面１ａ側において配線１０上であり、かつ配線１０の一部を露出させるスルーホール８を表面層１２に設ける工程を実施する。具体的には、当該表面層１２にフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いてスルーホール８を形成する。
【００３２】
次に、スルーホール８の内部に素子側導電体である素子側メタライズ層６を形成する工程を実施する。具体的には、スルーホール８が形成された表面層１２上に、スルーホール８の内部から表面層１２の上部表面上にまで延在するようにメタライズ層を形成する。当該メタライズ層をフォトリソグラフィ法により（つまり、メタライズ層上にパターンを有するレジスト膜を露光・現像処理を行なうことにより形成する。そして、当該レジスト膜をマスクとして用いて、メタライズ層のうちスルーホール８の内部から表面層１２の上部表面上にまで延在する素子側メタライズ層６となるべき部分以外の部分をエッチングにより除去することにより）加工する。この結果、素子側メタライズ層６を形成できる。
【００３３】
次に、素子側基板１に検出部２０を形成する工程を実施する。この工程では、フォトリソグラフィ法により画素形状を有するレジストパターンを形成し、その後、このレジストをマスクとしてエッチングすることにより、Ｓｉ基板を露出させる。次に、ＫＯＨやＴＭＡＨによりＳｉをエッチングすることにより、断熱構造体を形成する。
【００３４】
次に、素子側基板１と対向して配置される窓側基板３を準備する工程を実施する。具体的には、窓側基板３上に、反射防止膜９ａ、９ｂを形成した後、さらに反射防止膜９ａの上に窓側メタライズ層７を形成する。
【００３５】
次に、窓側基板３と導電性の接合材とを接続する工程を実施する。具体的には、たとえば窓側メタライズ層７上に導電性の接合材であるはんだ２を搭載する。そして、たとえば、窓側メタライズ層７上にメッキ法にて成長、もしくはプリフォームされたはんだ２を配置する。
【００３６】
最後に、窓側基板３に接続された接合材と素子側基板１の素子側導電体とが相対するように素子側基板１に対向して窓側基板３を配置した状態で、素子側導電体と接合材とを接続する工程を実施する。具体的には、素子側基板１と対向する表面３ａ上と、その表面３ａと反対の表面３ｂ上とに導電性の反射防止膜９ａ，９ｂを含む窓側基板３を、窓側メタライズ層７上に形成されたはんだ２を介して素子側基板１と固着する工程を実施する。詳細には、真空装置内で素子側基板１と窓側基板３とを対向して置き、それぞれの温度をはんだ２の融点以上に加熱した後、素子側基板１と窓側基板３とを貼り合わせる。その後、冷却してはんだ２により接続・固着される。
【００３７】
なお、本発明の実施の形態１におけるマイクロパッケージ１００は非冷却赤外線センサへの適用を目的に説明したが、断熱構造体を有する他のセンサへのマイクロパッケージ１００への適用も可能である。その場合は、窓側基板３は赤外線を透過させる必要が無いことから、ＳｉおよびＧｅ以外の材料も使用可能である。また、反射防止膜９ａ，９ｂを形成する必要もないため、窓側基板３の表面３ａ，３ｂには金属薄膜等の導電性膜を形成することもできる。
【００３８】
以上説明したように、本発明の実施の形態１におけるマイクロパッケージ１００は、検出部２０が形成された素子側基板１と、検出領域２１を覆うように素子側基板１と対向して配置され、検出部２０の周囲を囲むように位置するはんだ２により素子側基板１と接続される窓側基板３とを備え、素子側基板１の導電層（配線１０）と窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に配置される導電性膜（反射防止膜９ａ）とを電気的に接続することにより、素子側基板１の基板電位と窓側基板３の表面電位とを同電位としている。そのため、素子側基板１および窓側基板３の少なくとも一方が帯電しても、素子側基板１と窓側基板３との間には電位差は発生しないため、電界による静電力が断熱構造を有する素子に印加されない。よって、素子側基板１と検出部２０とが接触することによる検出部２０の断熱不良画素の発生を防止することができる。
【００３９】
また、素子側導電体である素子側メタライズ層６と、はんだ２とを介して素子側基板１と窓側基板３とを機械的に接続している。これにより、検出部２０を含む領域を真空にすることができる。よって、検出部２０を真空の領域に搭載できるので、マイクロパッケージ１００における検出部２０の性能を維持することができる。
【００４０】
上記マイクロパッケージ１００において好ましくは、素子側基板１上に配線４，１０と、検出部２０を形成する面１ａ側において配線４，１０上に形成され、配線１０の一部を露出させるスルーホール８が形成された表面層１２とを含み、スルーホール８の内部には素子側導電体である素子側メタライズ層６または素子側メタライズ層６およびはんだ２が形成され、窓側基板３の表面には、素子側メタライズ層６と相対する位置に窓側導電体である窓側メタライズ層７が形成され、はんだ２は、窓側導電体である窓側メタライズ層７と接続され、窓側メタライズ層７、はんだ２、素子側導電体である素子側メタライズ層６、および配線１０を介して窓側基板３と素子側基板１とを電気的に接続する。これにより、素子側メタライズ層６とはんだ２とにより、素子側基板１の導電層（配線１０）と窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に配置される導電性膜（反射防止膜９ａ）とをより確実に電気的に接続できる。そのため、素子側基板１と窓側基板３とを同電位とすることができる。よって、検出部２０の断熱不良画素の発生を防止することができる。
【００４１】
上記マイクロパッケージ１００において好ましくは、導電性膜が導電性の反射防止膜９ａであり、窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上と、表面３ａと反対側の表面３ｂ上とに導電性の反射防止膜９ａ，９ｂを有している。窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に導電性の反射防止膜９ａを有することにより、素子側基板１の基板電位と窓側基板３の表面電位とを同電位とすることが可能となる。よって、検出部２０の断熱不良画素の発生を防止することができる。
【００４２】
本発明の実施の形態１におけるマイクロパッケージ１００の製造方法は、真空である内部に検出部２０を搭載するマイクロパッケージ１００の製造方法であって、素子側基板１を準備する工程と、素子側基板１上に配線４，１０を形成する工程と、配線上に表面層１２を形成する工程と、素子側基板１の検出部２０を形成する面１ａ側において配線１０上であり、かつ配線１０の一部を露出させるスルーホール８を表面層１２に設ける工程と、スルーホール８の内部に素子側導電体である素子側メタライズ層６を充填する工程と、素子側基板１に断熱構造を有する検出部２０を形成する工程と、素子側基板１と対向する表面３ａ上と、その表面３ａと反対の表面３ｂ上とに導電性の反射防止膜９ａ，９ｂを含む窓側基板３上に窓側メタライズ層７を形成する工程と、窓側メタライズ層７上にはんだ２を搭載する工程と、はんだ２を介して素子側メタライズ層６と窓側メタライズ層７とを接続する工程とを有している。これにより、素子側基板１の導電層（配線１０）と窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に配置される導電性膜（反射防止膜９ａ）とを電気的に接続して、素子側基板１の基板電位と窓側基板３の表面電位を同電位とすることができる。そのため、素子側基板１と窓側基板３との間に電位差が生じず、断熱不良による画素欠陥の発生を防止するマイクロパッケージ１００を製造することができる。
【００４３】
（実施の形態２）
図５は、本発明の実施の形態２におけるマイクロパッケージの１素子を示す断面図である。図５を参照して、本発明の実施の形態２におけるマイクロパッケージを説明する。図５を参照して、実施の形態２におけるマイクロパッケージ２００の構成は、基本的には図１〜図４に示した本発明の実施の形態２におけるマイクロパッケージ１００と同様であるが、導電性薄膜１１を備えている点において異なる。なお、マイクロパッケージ２００の平面図としては図３と同様である。
【００４４】
マイクロパッケージ２００は、図５に示すように、たとえば、検出部２０と、素子側基板１と、窓側基板３と、はんだ２と、反射防止膜９ａと、導電性薄膜１１とを備えている。素子側基板１の導電層（配線１０）と窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に配置される導電性薄膜１１とを電気的に接続することにより、素子側基板１の基板電位と窓側基板３の表面電位とを同電位としている。
【００４５】
詳細には、図５に示すように、マイクロパッケージ２００は、窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に形成された反射防止膜９ａと、反射防止膜９ａの表面上に配置される導電性薄膜１１とを有している。すなわち、マイクロパッケージ２００は、窓側基板３と導電性膜である導電性薄膜１１との間に形成される反射防止膜９ａと、窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａと反対側の表面３ｂ上に配置される導電性の他の反射防止膜９ｂとをさらに備えている。
【００４６】
導電性薄膜１１は、シート抵抗値を１０００Ω／□以上としている。１０００Ω／□以上とすることにより、赤外線の透過率の低下を小さくできるからである。また、導電性薄膜１１は、白金薄膜、クロム薄膜、他の金属薄膜、金属窒化物薄膜、および金属酸化物薄膜等から選択される材料を用いることができる。導電性薄膜１１を有することにより、反射防止膜９ａ，９ｂに絶縁性を有する材料を用いることができる。
【００４７】
なお、マイクロパッケージ２００は、導電性薄膜１１が窓側基板３において素子側基板１と対向する最表面に設けられていれば、反射防止膜９ａは導電性である必要はない。実施の形態２では、反射防止膜９ａは、非導電性のものを用いている。
【００４８】
実施の形態２では、マイクロパッケージ２００は、図５に示すように、たとえば、検出部２０と、素子側基板１と、窓側基板３と、はんだ２と、配線４，１０と、表面層１２と、スルーホール８と、素子側メタライズ層６と、窓側メタライズ層７と、反射防止膜９ａ，９ｂと、導電性薄膜１１と、外部パッド５とを備えている。
【００４９】
マイクロパッケージ２００において、配線１０と、素子側メタライズ層６と、はんだ２と、窓側メタライズ層７とを介して素子側基板１の配線１０と導電性薄膜１１とを電気的に接続している。これにより、素子側基板１の基板電位と窓側基板３の表面電位とを同電位としている。
【００５０】
また、素子側メタライズ層６と、はんだ２と、窓側メタライズ層７と反射防止膜９ａとを介して素子側基板１と窓側基板３とを機械的に接続している。これにより、検出部２０を含む領域（図５において枠状の領域）を真空にしている。
【００５１】
なお、上述した本発明によるマイクロパッケージ１００，２００では、図３に示すように表面層１２において窓側基板３と素子側基板１との電気的接続を図るためのスルーホール８が１つだけ形成されているが、スルーホール８の数や配置は上述の構成に限定されない。すなわち、スルーホール８の底部において露出する配線が素子側基板１の基板グラウンド配線として作用する配線であれば、スルーホール８を複数形成してもよい。また、上述した実施の形態では表面層１２が１層からなる構成が開示されているが、表面層１２は２層以上からなる多層膜であってもよい。また、はんだ２に代えて、導電性の接着剤など、導電性の材料からなる接合材を用いてもよい。また、素子側メタライズ層６および窓側メタライズ層７は１層からなる構成に限定されず、２層以上からなる多層構造であってもよい。
【００５２】
次に、本発明の実施の形態２におけるマイクロパッケージ２００の製造方法について説明する。マイクロパッケージ２００の製造方法は、基本的には実施の形態１におけるマイクロパッケージ１００の製造方法と同様であるが、窓側基板３の表面上に導電性薄膜１１を形成する工程は、窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に、反射防止膜９ａを形成する工程と、反射防止膜９ａの表面上に、導電性薄膜１１を形成する工程とを含んでいる。
【００５３】
なお、本発明の実施の形態２におけるマイクロパッケージ２００について、断熱構造体を有する他のセンサへのマイクロパッケージ２００への適用可能であることは、実施の形態１におけるマイクロパッケージ１００と同様である。
【００５４】
以上説明したように、本発明の実施の形態２におけるマイクロパッケージ２００によれば、窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に形成された反射防止膜９ａと、反射防止膜９ａの表面上に配置される導電性薄膜１１とを有している。窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に形成された導電性薄膜１１により、素子側基板１の基板電位と窓側基板３の表面電位を同電位とすることができる。そのため、素子側基板１および窓側基板３の少なくとも一方が帯電しても、素子側基板１と窓側基板３との間には電位差は発生しないため、電界による力も断熱構造体を有する検出部２０にかかることがない。よって、検出部２０の断熱不良画素の発生を防止することができる。
【００５５】
また、導電性薄膜１１を有することにより、反射防止膜９ａを非導電性とすることができる。そのため、反射防止膜９ａの材料について、選択の自由度を大きくすることができる。
【００５６】
上記マイクロパッケージ２００において好ましくは、導電性薄膜１１のシート抵抗値が１０００Ω／□以上である。１０００Ω／□以上とすることにより、大幅な赤外線透過率の低下を防止することができるからである。
【００５７】
本発明の実施の形態２におけるマイクロパッケージ２００の製造方法において好ましくは、素子側基板１と対向して配置される窓側基板３を準備する工程は、窓側基板３において素子側基板１と対向する表面３ａ上に、反射防止膜９ａを形成する工程と、反射防止膜９ａの表面上に、導電性薄膜１１を形成する工程とを含んでいる。これにより、検出部２０の断熱不良画素の発生を防止することのできるマイクロパッケージ２００を製造することができる。
【００５８】
上記マイクロパッケージ２００の製造方法において好ましくは、導電性薄膜１１のシート抵抗値が１０００Ω／□以上である。これにより、赤外線透過率の大幅な低下なしに素子側基板１の基板電位と窓側基板の表面電位とを同電位にすることができる。
【００５９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるものと意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態１におけるマイクロパッケージの全体を示す概略平面図である。
【図２】図１における線分ＩＩ−ＩＩでの断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１におけるマイクロパッケージの１素子を示す平面図である。
【図４】（Ａ）は、図３における線分ＩＶ−ＩＶでの断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）における領域Ａの拡大図である。
【図５】本発明の実施の形態２におけるマイクロパッケージの１素子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  素子側基板、１ａ  面、１ｂ  穴部、２  はんだ、３  窓側基板、３ａ，３ｂ  表面、４，１０  配線、５  外部パッド、６  素子側メタライズ層、７  窓側メタライズ層、８  スルーホール、９ａ，９ｂ  反射防止膜、１１  導電性薄膜、１２  表面層、２０  検出部、２１  検出領域、１００，２００  マイクロパッケージ、３００  ウエハ。
【図１】
2007139655.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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