(57)【要約】【課題】移動鏡曲がりを正確に計測すること【解決手段】Ｘ軸方向に所定間隔２Ｒで配置された２つの計測点での計測値の差分ｆ’（ｘ）は、移動鏡のミラー曲がりの関数ｆ（ｘ）を、Ｘ軸方向に２Ｒだけ離間し、互いの符号が逆向きである２つのデルタ関数を含むコンボリューションフィルタによるコンボリューションの結果得られるものである。したがって、そのコンボリューションの逆フィルタを用いてデコンボリューション又はそれに相当するフィルタ処理を行えば、その移動鏡のミラー曲がりをより正確に求めることができるようになる。【選択図】図５
2007113938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向に関する物体の面の真直度を計測する計測方法であって、
２つの計測点が前記所定方向に所定間隔だけ隔てられている計測装置を用いて、前記各計測点での前記物体の面位置の差分の計測と、前記２つの計測点に対する前記所定方向の前記物体の前記所定間隔の移動とを繰り返す計測工程と；
前記計測された前記物体の面位置の差分の計測値に対して、そのデコンボリューション又はそれに相当するフィルタ処理を行うフィルタリング工程と；
前記デコンボリューション又はフィルタ処理された計測値に基づいて前記物体面の真直度を算出する算出工程と；を含む計測方法。
【請求項２】
前記フィルタリング工程では、
実空間において前記所定方向に前記所定間隔だけ離間し、互いの符号が逆向きである２つのデルタ関数を含むコンボリューションフィルタの逆フィルタを用いてデコンボリューションを行うことを特徴とする請求項１に記載の計測方法。
【請求項３】
前記インバースフィルタでは、前記コンボリューションフィルタの逆フィルタのレベルが所定の閾値以上となる周波数帯域でのレベルが０に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の計測方法。
【請求項４】
前記フィルタリング工程では、
デコンボリューションに相当するフィルタ処理に用いるフィルタとして、
実空間において前記所定方向に前記所定間隔だけ離間し、互いの符号が逆向きである２つのデルタ関数を含む実空間のコンボリューションフィルタを用いることを特徴とする請求項１に記載の計測方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、計測方法に係り、さらに詳しくは、所定方向に関する物体の面の真直度を計測する計測方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子（集積回路）、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程に用いられる露光装置においては、露光精度の観点からレチクル又はウエハを保持する両ステージの制御精度を向上させるべく、各ステージの位置情報を計測する干渉計の測長ビームを反射するためステージ上に延設された移動鏡（平面鏡）の微小な歪み（いわゆる移動鏡曲がり）を干渉計自体の計測結果から検出し、検出された移動鏡曲がりを考慮しつつそのステージの制御を行っている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この方法によれば、２つの測長軸が所定方向に所定間隔だけ隔てられているレーザ干渉計を用いて、２つの測長軸に対応する計測点での計測と、ステージの所定方向への所定間隔の移動とを繰り返し行い、各サンプリングにおける２つの計測点での計測値の差分を算出し、算出された差分を用いた積分演算により、そのステージの移動鏡曲がりを計測している。しかしながら、この方法によれば、測長軸の間隔によって規定されるある周波数以上の移動鏡曲がりの成分については、検出することができないという不都合があった。
【０００４】
【特許文献１】特開 平９−２７５０７２号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、第１の観点からすると、所定方向に関する物体の面の真直度を計測する計測方法であって、２つの計測点が前記所定方向に所定間隔だけ隔てられている計測装置を用いて、前記各計測点での前記物体の面位置の計測と、前記２つの計測点に対する前記所定方向の前記物体の前記所定間隔の移動とを繰り返す計測工程と；前記計測された前記物体の面位置の計測値の差分に対して、そのデコンボリューション又はそれに相当するフィルタ処理を行うフィルタリング工程と；前記デコンボリューションされた計測値に基づいて前記物体面の真直度を算出する算出工程と；を含む計測方法である。
【０００６】
これによれば、計測された前記物体の面位置の計測値の差分に基づいて物体面の真直度を計測する場合、その差分に対してそのデコンボリューション又はそれに相当するフィルタ処理を行うので、物体面の真直度における、計測点の間隔に依存して欠落したある周波数以上の周波数帯域の成分を回復することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図５に基づいて説明する。図１には、本発明の一実施形態に係る計測方法を好適に適用可能な露光装置１００の概略構成が示されている。この露光装置１００は、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置である。露光装置１００は、照明系１０、レチクルＲが載置されるレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、ウエハＷが搭載されるウエハステージＷＳＴ及び装置全体を統括制御する主制御装置２０等を備えている。
【０００８】
照明系１０は、回路パターン等が描かれたレチクルＲ上で、レチクルブラインドで規定されたスリット状の照明領域（Ｘ軸方向に細長い長方形状の照明領域）を照明光（露光光）ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。照明系１０の構成は、例えば特開２００１−３１３２５０号公報及びこれに対応する米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されているので、詳細な説明を省略する。
【０００９】
前記レチクルステージＲＳＴ上にはレチクルＲが、例えば真空吸着により吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴは、リニアモータ、ボイスコイルモータ等を駆動源とする不図示のレチクルステージ駆動部によって、照明系１０の光軸（後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに一致）に垂直なＸＹ平面内で微少駆動可能であるとともに、所定方向（ここでは図１における紙面内左右方向であるＹ軸方向とする）に、設定された走査速度で駆動可能となっている。
【００１０】
レチクルステージＲＳＴでは、例えば−Ｘ側側面及び＋Ｙ側側面に、移動鏡等から成る反射面が形成されており、レチクルステージＲＳＴのステージ移動面内のＸ位置、Ｙ位置、θｚ方向（Ｚ軸回りの回転方向）の回転量（ヨーイング量）は、その反射面にレーザ光を照射するレーザ干渉計（以下、レチクル干渉計という）１６によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時計測されている。レチクル干渉計１６からのレチクルステージＲＳＴの位置情報（ヨーイング量などの回転情報を含む）は、ステージ制御装置１９及びこれを介して主制御装置２０に供給される。ステージ制御装置１９は、主制御装置２０からの指示に応じて、レチクルステージＲＳＴの位置情報に基づいて不図示のレチクルステージ駆動部を介してレチクルステージＲＳＴを駆動制御し、レチクルステージＲＳＴ上に保持されたレチクルＲの位置を制御する。
【００１１】
投影光学系ＰＬは、レチクルステージＲＳＴの図１における下方に配置され、その光軸ＡＸの方向がＺ軸方向とされている。投影光学系ＰＬとしては、両側テレセントリックで所定の縮小倍率（例えば１／５又は１／４）を有する屈折光学系が使用されている。このため、照明系１０からの照明光ＩＬによってレチクルＲの照明領域が照明されると、レチクルＲ上の回路パターンのうち、照明領域に対応する部分のパターンの縮小像（部分倒立像）が投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の前記照明領域に共役な投影光学系ＰＬの視野内の投影領域（露光領域）に投影され、ウエハＷの表面のレジスト層に転写される。
【００１２】
前記ウエハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの図１における下方で、不図示のベース上に配置されており、リニアモータ等から成るウエハステージ駆動部２４により、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θｚ（Ｚ軸回りの回転方向）、θｘ（Ｘ軸回りの回転方向）及びθｙ（Ｙ軸回りの回転方向）の６自由度方向に駆動可能な単一のステージである。このウエハステージＷＳＴ上には不図示のウエハホルダが載置されており、このウエハホルダ上にウエハＷが例えば真空吸着等によって固定されている。
【００１３】
ウエハステージＷＳＴ上には、移動鏡２７が形成されている。ウエハステージＷＳＴの位置は、その反射面にレーザ光を照射するレーザ干渉計（以下、ウエハ干渉計という）１８により、例えば、０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時計測されている。なお、実際には、図２に示されるように、ウエハステージＷＳＴにおいては、移動鏡２７Ｙが＋Ｙ側側面に沿ってＸ軸方向に延設されており、移動鏡２７Ｘが−Ｘ側側面に沿ってＹ軸方向に延設されている。ウエハ干渉計１８は、Ｙ軸に平行な測長軸を有し移動鏡２７Ｙに測長ビームを照射するウエハＹ干渉計１８Ｙと、Ｘ軸に平行な測長軸を有し移動鏡２７Ｘに測長ビームを照射するウエハＸ干渉計１８Ｘとを含んで構成されている。
【００１４】
前記ウエハＹ干渉計１８Ｙは、Ｘ軸方向に沿って所定間隔で配置されたレーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲを含んで構成されている。このうち、レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲは、移動鏡２７Ｙに一度照射され反射した測長ビームを、移動鏡２７Ｙに再度照射するダブルパス方式の干渉計である。
【００１５】
図２に示されるように、レーザ干渉計１８ＹＬの測長ビームの移動鏡２７Ｙの反射面上の照射位置（すなわち計測点Ａ）と、レーザ干渉計１８ＹＲの測長ビームの移動鏡２７Ｙの反射面上の照射位置（すなわち計測点Ｂ）とのＺ位置はともに同一で、間隔が２Ｒとなるように設定されている。また、計測点Ａ，Ｂは、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対し線対称となるように配置されている。
【００１６】
また、図２等では図示していないが、レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲは、投影光学系ＰＬの＋Ｙ側側面に固定された不図示の参照鏡に対してもＹ軸に平行な測長ビームをそれぞれ照射し、その反射ビームを受光している。レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲは、これらの反射ビームと受光した測長ビームとを合成し、その合成光の受光結果から計測点Ａ，Ｂにおける移動鏡２７Ｙの反射面のＹ位置を検出している。検出された計測点ＹＬ，ＹＲにおける移動鏡２７Ｙの反射面のＹ位置は、ステージ制御装置１９に常時出力されている。
【００１７】
ウエハＸ干渉計１８Ｘは、ウエハＹ干渉計１８Ｙと同様な構成を有している。すなわち、ウエハＸ干渉計１８Ｘは、図２に示されるように、ダブルパス方式のレーザ干渉計１８ＸＬ，１８ＸＲを備えている。レーザ干渉計１８ＸＬ，１８ＸＲは、互いのＺ位置が同一でＹ位置が所定間隔（２Ｒとする）だけ異なる移動鏡２７Ｘ上の２つの計測点（これらも計測点Ａ，Ｂとする。計測点Ａ，Ｂは、光軸ＡＸに対し線対称に配置されている）に対し測長ビームをそれぞれ照射し、計測点Ａ，Ｂでの移動鏡２７Ｘの反射面のＸ位置を計測し、その計測値をステージ制御装置１９に送っている。
【００１８】
ステージ制御装置１９では、ウエハ干渉計１８から送られてきたその計測値に基づいてウエハステージＷＳＴの位置情報を取得する。例えば、レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲの計測値（例えばそれらの平均値）に基づいてウエハステージＷＳＴのＹ位置を取得し、さらに、レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲの計測値の差分及びレーザ干渉計１８ＸＬ，１８ＸＲの計測値の差分に基づいて、ヨーイング量（θｚ）を取得する。すなわちステージ制御装置１９は、ウエハ干渉計１８の計測値により、ウエハステージＷＳＴの５自由度方向の位置情報を少なくとも取得可能となっている。
【００１９】
制御系は、図１中、主制御装置２０及びこの配下にあるステージ制御装置１９などによって主に構成される。主制御装置２０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、メインメモリ等から成るいわゆるマイクロコンピュータ（又はワークステーション）を含んで構成されており、このＣＰＵによって実行されるプログラムの処理内容に従って装置全体を統括して制御する。
【００２０】
ところで、ウエハ干渉計１８は、移動鏡２７Ｙ，２７Ｘの反射面を基準面として各計測点における計測を行うため、移動鏡２７Ｙ，２７Ｘの反射面には高い平面性が要求される。しかしながら、移動鏡２７Ｙ，２７Ｘには、ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の移動ストロークに応じてウエハ干渉計１８の測長軸に直交する方向にある程度の長さが要求されるので、図２に誇張して示されるように、その反射面がある程度の曲がりを有するようになる。そこで、この移動鏡２７Ｙ，２７Ｘの反射面の曲がり具合に関する情報を予め記憶しておき、ウエハステージＷＳＴの制御がその曲がりの影響を受けないように、ウエハ干渉計１８の計測値を補正する必要がある。
【００２１】
図３には、この移動鏡２７Ｙ、２７Ｘの反射面の曲がり具合を計測する計測処理を示すフローチャートが示されている。図３に示されるように、まず、ステップ３０１において、ウエハステージＷＳＴの上面がＸＹ平面とほぼ平行となるように、ステージ制御装置１９に対しウエハステージ駆動部２４を介してウエハステージＷＳＴを制御するように指示する。
【００２２】
ステップ３０３において、ステージ制御装置１９によりウエハステージＷＳＴの上面がＸＹ平面に対し平行となるように制御された状態で、ウエハステージＷＳＴを、計測開始位置に移動させるようにステージ制御装置１９に対し指示する。ステージ制御装置１９は、ウエハステージ駆動部２４を介してウエハステージＷＳＴを計測開始位置に移動させる。この計測開始位置としては、例えば図４に実線で示されるような位置が設定される。この位置は、ウエハステージＷＳＴが最も−Ｘ側に位置しているときのウエハステージＷＳＴの位置である。この位置では、測長ビームＬＹＬに対応する計測点Ａが、移動鏡２７Ｙの反射面の＋Ｘ側端部付近に位置するようになる。なお、以下では、このときのウエハステージＷＳＴのＸ位置をＸ0とする。
【００２３】
次のステップ３０５において、ウエハステージＷＳＴが計測開始位置に位置した状態で、レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲの計測値をリセットする。これにより、レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲの計測値はすべて０となる。次いで、ステップ３０７において、Ｘ軸方向に沿った移動鏡２７Ｙの移動鏡曲がり（１次元形状）を計測する。以下では、この移動鏡曲がりの計測方法について詳述する。
【００２４】
まず、ウエハステージ駆動部２４を介してウエハステージＷＳＴを、例えば計測点ＹＬと計測点ＹＲとの間の間隔２Ｒずつ＋Ｘ方向に移動させつつ、各移動先でのウエハ干渉計１８の計測値を、ステージ制御装置１９を介して順次取得する。すなわち、距離２Ｒの移動が完了する毎に、レーザ干渉計１８ＸＬ，１８ＸＲにより計測点ＸＬ，ＸＲにて計測される移動鏡２７Ｘの反射面のＸ位置，レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲにより計測点ＹＬ，ＹＲにて計測されるＹ位置を、ステージ制御装置１９を介して取得する。
【００２５】
ここで、ウエハステージＷＳＴは＋Ｘ方向にのみ移動するので、レーザ干渉計１８ＸＬ，１８ＸＲから射出された測長ビームＬＸＬ，ＬＸＲは、実質的に、移動鏡２７Ｘ上の同一位置に照射され続け、移動鏡２７Ｘ上の計測点ＸＬ，ＸＲの位置は変わらず、これらのレーザ干渉計１８ＸＬ，１８ＸＲの測定結果は移動鏡２７Ｘの形状の影響を受けない。したがって、レーザ干渉計１８ＸＬ，１８ＸＲの計測値から検出される回転量は、ウエハステージＷＳＴのヨーイング量そのものであるとみなすことができる。
【００２６】
これに対し、レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲから射出された計測点Ａ，Ｂは、実質的に、移動鏡２７Ｙ上を移動するので、これらの干渉計の測定結果は移動鏡２７Ｙの反射面の形状の影響を受けるようになる。この影響を分析すると、レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲの計測点ＹＬ，ＹＲにおける計測値の差分は、移動鏡２７Ｙの反射面の局所的な形状の和であるとみなすことができる。したがって、レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲによって計測された計測値によって求められる回転量θｙから、レーザ干渉計１８ＸＬ，１８ＸＲによって計測された計測値によって求められる回転量θｘを差し引いた値（θｙ−θｘ）に計測点ＹＬ，ＹＲの間隔２Ｒを乗じた値を、移動鏡２７Ｙの局所的な傾斜量ｄＹとして求めることができる。主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴが各Ｘ位置Ｘi（ｉ＝０，１，２，３，…）にあるときの局所的な傾斜量ｄＹをそれぞれ求める。
【００２７】
次のステップ３０９では、Ｚ位置における移動鏡２７ＹのＸ軸方向に関する各Ｘ位置Ｘn（ｎ＝１，２，３，…）での移動鏡２７Ｙの局所的な傾斜ｄＹを、差分関数ｆ’（ｘ）として、不図示の記憶装置に格納する。
【００２８】
次のステップ３１１は、取得した差分関数ｆ’（ｘ）に対するフィルタ処理を行う。このフィルタ処理は、大別して２つの方法がある。
（Ａ）デコンボリューションを行う方法
（Ｂ）別のフィルタを用いたデコンボリューションに相当するフィルタ処理を行う方法
以下、（Ａ）、（Ｂ）の方法について述べる。
【００２９】
≪（Ａ）の方法≫
この移動鏡２７Ｘのミラー曲がりをｆ（ｘ）とし、その間隔を２Ｒとし、レーザ干渉計１８ＹＬ，１８ＹＲによって計測される計測値の差分を上記差分関数ｆ’（ｘ）として表現すると、その差分は、次式で表される。
【００３０】
【数１】
2007113938.tif 000003
上記式（１）を、ｆ（ｘ）に対するフィルタリングとみなすと、ｆ’（ｘ）は次式で表される。
【００３１】
【数２】
2007113938.tif 000004
すなわち、ｆ’（ｘ）は、ｆ（ｘ）を、フィルタｇ（ｘ）でコンボリューションしたものとなる。このフィルタｇ（ｘ）は、図５に示されるように、実空間においてＸ軸方向に２Ｒだけ離間し、互いの符号が逆向きである２つのデルタ関数を含むフィルタである。デルタ関数とは、ｘ＝０以外は０で、面積（ｘの全区間で積分した結果が）が１となる関数である。フィルタｇ（ｘ）は、次式で表される。
【００３２】
【数３】
2007113938.tif 000005
このフィルタｇ（ｘ）を、フーリエ変換すると、次式のようになる。
【００３３】
【数４】
2007113938.tif 000006
ここで、ｓは周波数である。したがって、ｆ’（ｘ）をデコンボリューションするには、次式で示される、Ｇ（ｓ）の逆フィルタＨ（ｓ）を、用いることになる。
【００３４】
【数５】
2007113938.tif 000007
すなわち、逆フィルタＨ（ｓ）を逆フーリエ変換したフィルタｈ（ｘ）を、ｆ’（ｘ）にかけることにより、ｆ（ｘ）が得られる。ただし、Ｇ（ｓ）の零点でＨ（ｓ）が発散するため、この近傍では、Ｈ（ｓ）＝０とせねばならない。例えば、閾値Ｔを用いて、Ｈ（ｓ）を次式のように定義すればよい。
【００３５】
【数６】
2007113938.tif 000008
この（Ａ）に示す方法では、逆フィルタＨ（ｓ）に対応する実空間フィルタｈ（ｘ）を用いて、ｆ’（ｘ）のデコンボリューションを行うことにより、ｆ（ｘ）の近似曲線を取得する。
【００３６】
≪（Ｂ）の方法≫
次に、（Ｂ）の方法について説明する。（Ｂ）の方法とは、別のフィルタを用いたデコンボリューションに相当するフィルタ処理を行う方法である。（Ａ）の方法は、観測データｆ’（ｘ）に対し、デコンボリューションを行うものであったが、この（Ｂ）の方法では、ｆ’（ｘ）に対し、再度、上記コンボリューションフィルタｇ（ｘ）をかけあわせる。すなわち、このコンボリューションフィルタｇ（ｘ）の周波数空間のフィルタＧ（ｓ）と、上記式（６）に示される逆フィルタＨ（ｓ）は、その応答波形が近似しており、ｆ（ｘ）がフィルタｇ（ｘ）によりコンボリューションされて得られたｆ’（ｘ）に対して、空間領域において、逆フィルタｈ（ｘ）の代わりにフィルタｇ（ｘ）を再度かけあわせることにより、コンボリューションによりある周波数成分が回復したミラー曲がりｆ（ｘ）に近似した関数が得られることになる。
【００３７】
以上述べたように、（Ｂ）の処理は、（Ａ）のデコンボリューションに相当するフィルタ処理であるとすることができる。
【００３８】
上記ステップ３１１では、上記（Ａ）、（Ｂ）のいずれか１つの方法で、ｆ’（ｘ）に対するフィルタ処理を行い、ミラー曲がりｆ（ｘ）を復元する。次のステップ３１１では、このミラー曲がりｆ（ｘ）を、移動鏡曲がりの補正関数として、不図示の記憶装置に格納する。このｆ（ｘ）は、ｆ’（ｘ）を積算して得られるミラー曲がりの１次ホールド波形に対し、フィルタｇ（ｘ）によるコンボリューションによりある周波数成分が回復した関数となっており、移動鏡２７Ｘのミラー曲がりをより正確に表現したものとなっている。
【００３９】
この移動鏡２７Ｘのミラー曲がりの計測と同様に、移動鏡２７Ｙについても、図３に示される手順に従って、ミラー曲がりの補正関数を求める。
【００４０】
この後、露光装置１００の運用が開始され、レチクルＲがレチクルステージＲＳＴ上へのロード、ウエハＷがウエハステージＷＳＴ上へのロード、レチクルアライメント、ベースライン計測等の準備処理、ウエハアライメント、露光などが続けて行われるようになる。その間、ステージ制御装置１９では、ウエハ干渉計１８の計測値に基づいて、ウエハステージＷＳＴの位置情報が検出し、その検出結果に基づいて、ウエハステージＷＳＴの位置制御を行う。この場合、ウエハ干渉計１８の計測値は、上記補正関数によって補正される。すなわち、ステージ制御装置１９は、計測点Ａ、Ｂの位置に相当するｘ位置をｆ（ｘ）に代入したときに得られる値を、ミラー曲がりの補正量としてウエハ干渉計１８の計測値に加算して、それを補正する。
【００４１】
以上詳細に説明したように、本実施形態によれば、計測された前記物体の面位置の計測値の差分に基づいて移動鏡２７の基準面の真直度を計測する場合、その差分に対して（Ａ）の処理（デコンボリューション）又は（Ｂ）の処理（デコンボリューションに相当するフィルタ処理）を行うので、その基準面の真直度における、計測点Ａ，Ｂ間の測定間隔の粗さによって欠落したある周波数以上の周波数帯域の成分を回復することが可能となる。
【００４２】
また、本実施形態によれば、実空間においてＸ軸方向に前記所定間隔２Ｒだけ離間し、互いの符号が逆向きである２つのデルタ関数を含むコンボリューションフィルタｇ（ｘ）の逆フィルタｈ（ｘ）を用いてデコンボリューションを行ってもよい。コンボリューションフィルタの逆数は、そのレベルが∞となる領域があるため、この逆フィルタでは、その逆数のレベルが所定の閾値以上となる周波数領域では、レベルを０に設定している。このようにすれば、安定してデコンボリューションを実現することができる。
【００４３】
また、本実施形態によれば、デコンボリューションに相当するフィルタ処理に用いるフィルタとして、実空間においてＸ軸方向に所定間隔２Ｒだけ離間し、互いの符号が逆向きである２つのデルタ関数を含む実空間のコンボリューションフィルタを用いている。このようにすれば、実際に、デコンボリューションを周波数領域で行うよりも、周波数成分の回復に要する演算が簡単になり、演算時間が短縮するなどの効果が得られる。
【００４４】
なお、デコンボリューションに相当する処理は、上記実施形態のものには限られず、周波数空間において、コンボリューションフィルタＧ（ｓ）と周波数応答が近似するフィルタであれな適用が可能である。
【００４５】
なお、上記実施形態では、ウエハステージＷＳＴに設けられた移動鏡２７Ｙ等の曲がり及び傾斜を補正する補正関数を生成したが、同様に、レチクルステージＲＳＴ上に設けられた移動鏡の曲がり及び傾斜を補正する場合にも、本発明を適用することができることはいうまでもない。
【００４６】
ところで、露光装置のレチクルステージあるいはウエハステージとして、粗動ステージと微動ステージとで構成されるステージ（粗微動型ステージ）が知られている。この場合、微動ステージは、レチクルまたはウエハを保持するとともに、比較的短いストロークを高精度（高応答性）に位置決めできるように構成される。また、粗動ステージは、微動ステージを比較的長い距離にわたって移動させることができるように構成される。本発明は、このような粗微動型ステージを有する露光装置においても適用することができる。この場合、上記実施形態におけるレチクルステージＲＳＴは、レチクルを保持するレチクル微動ステージに対応するように、また、上記実施形態におけるウエハステージＷＳＴは、ウエハを保持するウエハ微動ステージに対応するよう設定すればよい。
【００４７】
また、上記実施形態では、移動鏡のミラー曲がりの計測に本発明を適用する場合について説明したが、これに限らず、所定間隔離れた２つの計測点での計測値の差分をつなぎあわせて、最終的な計測結果を算出するような計測方法であれば、本発明を適用することができる。
【００４８】
なお、複数のレンズから構成される投影光学系ＰＬを露光装置本体に組み込み、その後、光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージＲＳＴやウエハステージＷＳＴを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより、上記実施形態の露光装置１００を製造することができる。なお、露光装置１００の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００４９】
また、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないことは勿論である。すなわちステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置にも本発明は好適に適用できる。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置における露光にも本発明を好適に適用することができる。また、ウエハステージを２基備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。また、液浸法を用いる露光装置にも本発明を適用することができるのは勿論である。
【００５０】
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機ＥＬ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
【００５１】
また、上記実施形態の露光装置の光源は、ＡｒＦエキシマレーザ光源に限らず、ＫｒＦエキシマレーザ光源、Ｆ2レーザ光源などのパルスレーザ光源や、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良い。
【００５２】
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ＩＬとしては波長１００ｎｍ以上の光に限らず、波長１００ｎｍ未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近年、７０ｎｍ以下のパターンを露光するために、ＳＯＲやプラズマレーザを光源として、軟Ｘ線領域（例えば５〜１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を発生させるとともに、その露光波長（例えば１３．５ｎｍ）の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたＥＵＶ露光装置の開発が行われている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられる。
【００５３】
また、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる。なお、電子線露光装置は、ペンシルビーム方式、可変成形ビーム方式、セルプロジェクション方式、ブランキング・アパーチャ・アレイ方式、及びマスク投影方式のいずれであっても良い。例えば、電子線を用いる露光装置では、電磁レンズを備えた光学系が用いられる。
【００５４】
半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに転写するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
以上説明したように、本発明の計測方法は、物体面の真直度の計測に適している。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態に係る露光装置の概略的な構成を示す図である。
【図２】移動鏡曲がりを説明するための図である。
【図３】移動鏡曲がり計測の処理を示すフローチャートである。
【図４】移動鏡曲がり計測を模式的に示す図である。
【図５】フィルタを示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０…照明系、１６…レチクル干渉計、１８…ウエハ干渉計、１８Ｘ…ウエハＸ干渉計、１８Ｙ…ウエハＹ干渉計、１８ＸＬ，１８ＸＲ，１８ＹＬ，１８ＹＲ…レーザ干渉計、１９…ステージ制御装置、２０…主制御装置、２４…ウエハステージ駆動部、２７…移動鏡、２７Ｘ、２７Ｙ…移動鏡、１００…露光装置、ＩＬ…照明光、ＬＲＬ，ＬＹＬ…測長ビーム、ＰＬ…投影光学系、Ｒ…レチクル、ＲＳＴ…レチクルステージ、Ｗ…ウエハ、ＷＳＴ…ウエハステージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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