(57)【要約】【課題】  例えば、１０ｎｍ以下の極薄い膜厚を有する電子注入層の膜厚を正確に求める。【解決手段】  凹部６２内に形成された有機ＥＬ層５０上にＣａ等の電子注入材料を蒸着させることによって電子注入層５２を形成すると共に、素子基板１ｂ上の周辺領域１２０に形成された２つの導電部６０上に電子注入材料を蒸着させる。これにより、蒸着膜５３が、２つの導電部６０を互いに電気的に接続するように形成される。測定器６２に電気的に接続された測定端子６１を２つの導電部６０の夫々に接触させることによって、２端子法を用いて蒸着膜５３の電気抵抗値、即ち、素子基板１ｂの基板面に沿った蒸着膜５３の膜抵抗を測定する。蒸着膜５３の電気抵抗値及び蒸着膜５３の膜厚の相関関係は予め求められており、蒸着膜５３の電気抵抗値を測定することによって、蒸着膜５３の膜厚が一対一で算出される。蒸着膜５３の膜厚を電子注入層５２の膜厚とすることにより、間接的に、且つ正確に電子注入層５２の膜厚を求めることが可能である。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の素子形成領域に形成された有機ＥＬ層上に導電材料を蒸着させることによって、前記有機ＥＬ層に電流を流すための電極部の少なくとも一部を構成する第１導電膜を形成すると共に、前記基板上の非素子形成領域に形成された複数の導電部上に前記導電材料を蒸着させることによって、前記複数の導電部を互いに電気的に接続する第２導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記複数の導電部に測定端子を接触させることによって測定された前記第２導電膜の電気抵抗値に基づいて前記第１導電膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と
を備えたことを特徴とする導電膜の膜厚測定方法。
【請求項２】
前記複数の導電部は、前記素子形成領域に形成された２つの導電部であり、
前記膜厚算出工程において、前記２つの導電部の夫々に前記測定端子を接触させることによって、２端子法を用いて前記電気抵抗値を測定すること
を特徴とする請求項１に記載の導電膜の膜厚測定方法。
【請求項３】
前記複数の導電部は、前記素子形成領域に形成された４つの導電部であり、
前記膜厚算出工程において、前記４つの導電部の夫々に前記測定端子を接触させることによって、４端子法を用いて前記電気抵抗値を測定すること
を特徴とする請求項１に記載の導電膜の膜厚測定方法。
【請求項４】
基板上の素子形成領域に形成された有機ＥＬ層上に導電材料を蒸着させることによって、前記有機ＥＬ層に電流を流すための電極部の少なくとも一部を構成する第１導電膜を形成すると共に、前記基板上の非素子形成領域に形成された複数の導電部上に前記導電材料を蒸着させることによって、前記複数の導電部を互いに電気的に接続する第２導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記第２導電膜を酸化させることによって前記複数の導電部上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記複数の導電部のうち一の導電部及び他の導電部、並びに前記絶縁膜からなる容量部の静電容量に基づいて前記第１導電膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と
を備えたことを特徴とする導電膜の膜厚測定方法。
【請求項５】
前記第１導電膜が酸化されないように前記第１導電膜を封止する封止工程を備えたこと
を特徴とする請求項４に記載の導電膜の膜厚測定方法。
【請求項６】
前記電極部は陰極を含んでおり、
前記第１導電膜は、前記有機ＥＬ層に電子を注入するための電子注入層であること
を特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の導電膜の膜厚測定方法。
【請求項７】
前記膜厚は、１０ｎｍ以下であること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の導電膜の膜厚測定方法。
【請求項８】
基板上の素子形成領域に形成された有機ＥＬ層上に導電材料を蒸着させることによって、前記有機ＥＬ層に電流を流すための電極部の少なくとも一部を構成する第１導電膜を形成すると共に、前記基板上の非素子形成領域に形成された複数の導電部上に前記導電材料を蒸着させることによって、前記複数の導電部を互いに電気的に接続する第２導電膜を形成する導電膜形成手段と、
前記複数の導電部に測定端子を接触させることによって測定された前記第２導電膜の電気抵抗値に基づいて前記第１導電膜の膜厚を算出する膜厚算出手段と
を備えたことを特徴とする導電膜の膜厚測定装置。
【請求項９】
基板上の素子形成領域に形成された有機ＥＬ層上に導電材料を蒸着させることによって、前記有機ＥＬ層に電流を流すための電極部の少なくとも一部を構成する第１導電膜を形成すると共に、前記基板上の非素子形成領域に形成された複数の導電部上に前記導電材料を蒸着させることによって、前記複数の導電部を互いに電気的に接続する第２導電膜を形成する導電膜形成手段と、
前記第２導電膜を酸化させることによって前記複数の導電部上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成手段と、
前記複数の導電部のうち一の導電部及び他の導電部、並びに前記絶縁膜からなる容量部の静電容量に基づいて前記第１導電膜の膜厚を算出する膜厚算出手段と
を備えたことを特徴とする導電膜の膜厚測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬ素子の電子注入層等の薄い導電膜の膜厚を正確に測定するための導電膜の膜厚測定方法、及び導電膜の膜厚測定装置の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の導電膜の膜厚測定方法としては、導電膜の光反射率を反射率測定器によって測定し、この光反射率に基づいて導電膜の膜厚を算出する方法（例えば、特許文献１参照。）、或いは透過型光学膜厚計を用いて導電膜の膜厚を測定する方法が知られている（例えば、特許文献２参照。）。また、有機薄膜の蛍光強度に基づいて測定対象である有機薄膜の膜厚を測定する方法（例えば、特許文献３参照。）も開示されている。
【０００３】
有機ＥＬ装置では、発光層である有機ＥＬ層への電子注入効率を高めるために、例えば１０ｎｍ以下の極薄い電子注入層が陰極の一部として形成されている場合がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１０７６９０号公報
【特許文献２】特開２００３−１８３８３６号公報
【特許文献３】特開２００３−２７９３２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１乃至３に開示された技術によれは、１０ｎｍ以下の極薄い膜厚を有する電子注入層の膜厚を正確に測定することは原理的に困難である。より具体的には、特許文献１に開示された技術によれば、１０ｎｍ以下の薄膜は殆ど透明であるため、光反射率を測定することによって数ｎｍの測定精度で膜厚を正確に測定することは困難である。特許文献２に開示された技術によれば、１００ｎｍ以下の膜厚を１０ｎｍ程度の測定精度で測定することは可能であるが、１０ｎｍ以下の膜厚を１ｎｍ程度の測定精度で測定することは原理的に困難である。また、特許文献３に開示された技術によれば、蛍光性を有していない電子注入層等の金属薄膜の膜厚を測定することは原理的に不可能である。
【０００６】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、極薄い電子注入層等の導電膜の膜厚を正確に求めることができる導電膜の膜厚測定方法及び導電膜の膜厚測定装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の発明に係る導電膜の膜厚測定方法は上記課題を解決するために、基板上の素子形成領域に形成された有機ＥＬ層上に導電材料を蒸着させることによって、前記有機ＥＬ層に電流を流すための電極部の少なくとも一部を構成する第１導電膜を形成すると共に、前記基板上の非素子形成領域に形成された複数の導電部上に前記導電材料を蒸着させることによって、前記複数の導電部を互いに電気的に接続する第２導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記複数の導電部に測定端子を接触させることによって測定された前記第２導電膜の電気抵抗値に基づいて前記第１導電膜の膜厚を算出する膜厚算出工程とを備える。
【０００８】
本発明の第１の発明に係る導電膜の膜厚測定方法によれば、導電膜形成工程において、第１導電膜及び第２導電膜を、例えば蒸着法を用いて同時に形成する。したがって、第１導電膜及び第２導電膜は互いに同じ蒸着条件で蒸着材料を蒸着させることによって形成されるため、これら導電膜の膜厚は互い実質的に等しい。“実質的に”とは、同じ蒸着条件下で同時に蒸着材料を蒸着させることによって第１導電膜及び第２導電膜の夫々の膜厚が等しいとみなせることを意味する。
【０００９】
ここで、第１導電膜の膜厚を正確に測定するために、光反射率等に基づく非接触の膜厚測定方法を用いた場合、第１導電膜の膜厚を正確に測定することが困難となる。そこで、第１導電膜の電気抵抗値を測定することによって、直接第１導電膜の膜厚を求める方法も考えられる。しかしながら、測定端子を接触させるための導電部は、最終的に完成された有機ＥＬ装置では不要なものである。加えて、有機ＥＬ層が形成される素子形成領域は、有機ＥＬ層を備えた複数の有機ＥＬ素子が発光することによって、例えば画像が表示される画像表示領域であるため、導電部によって有機ＥＬ層から出射された光を遮ってしまい、有機ＥＬ装置の画質を低下させてしまうことも想定される。
【００１０】
そこで、複数の導電部は、画質の低下を招かないように非素子形成領域に形成されている。加えて、第１導電膜及び第２導電膜は同時に形成されるため、第２導電膜の膜厚を算出することによって第１導電膜の膜厚を間接的に求めることが可能である。
【００１１】
膜厚算出工程では、第２導電膜の電気抵抗値を測定することによって、間接的に第１導電膜の膜厚を算出する。より具体的には、複数の導電部にプローブ等の測定端子を接触させることによって、第２導電膜の電気抵抗値を測定する。加えて、例えば第２導電膜の膜厚及び電気抵抗値の相関関係を予め求めておくことにより、電気抵抗値に対して一対一で第２導電膜の膜厚を算出できる。このようにして算出された第２導電膜の膜厚を第１導電膜の膜厚とみなしても、第１導電膜の膜厚を直接測定した場合と同様に第１導電膜の膜厚を求めることができる。
【００１２】
加えて、第２導電膜の電気抵抗値、即ち基板の基板面と平行な方向に沿った電気抵抗値を測定することによって、上述の非接触で第１導電膜の膜厚を測定する場合に比べて高い精度で膜厚を算出できる。より具体的には、膜厚が薄すぎることによって上述の非接触の膜厚測定方法を用いることができない場合でも、第２導電膜は物理的及び電気的に繋がった一枚の膜であるため、極薄い膜厚に応じて電気抵抗値が敏感に変化する。したがって、電気抵抗値を測定することによって電気抵抗値の変化に応じた高い精度で第２導電膜の膜厚を算出でき、これに伴い第１導電膜の膜厚も算出できる。
【００１３】
尚、素子形成領域及び導電部上の夫々に第１導電膜及び第２導電膜を形成する際には、例えば素子形成領域及び導電部の位置に合わせた開口部を備えたマスクを介して蒸着材料を蒸着すればよい。また、複数の導電部は、最終的に形成される有機ＥＬ装置において基板上にそのまま残されていてもよいし、基板の一部である複数の導電部が形成された部分を除去することによって取り除かれていてもよい。また、“非素子形成領域”とは、基板上の有機ＥＬ層が形成されていない領域を意味する。
【００１４】
以上のように、本発明の第１の発明に係る導電膜の膜厚測定方法によれば、例えば第１導電膜の膜厚が極薄い場合でも間接的に膜厚を正確に算出することが可能である。
【００１５】
本発明の第１の発明に係る導電膜の膜厚測定方法の一の態様では、前記複数の導電部は、前記素子形成領域に形成された２つの導電部であり、前記膜厚算出工程において、前記２つの導電部の夫々に前記測定端子を接触させることによって、２端子法を用いて前記電気抵抗値を測定してもよい。
【００１６】
この態様によれば、正確に第２導電膜の電気抵抗値を測定でき、この電気抵抗値に基づいて第１導電膜の膜厚を正確に算出できる。
【００１７】
本発明の第１の発明に係る導電膜の膜厚測定方法の他の態様では、前記複数の導電部は、前記素子形成領域に形成された４つの導電部であり、前記膜厚算出工程において、前記４つの導電部の夫々に前記測定端子を接触させることによって、４端子法を用いて前記電気抵抗値を測定してもよい。
【００１８】
この態様によれば、上述の２端子法に比べてより正確に第２導電膜の電気抵抗値を測定でき、第１導電膜の膜厚もより正確に算出できる。
【００１９】
本発明の第２の発明に係る導電膜の膜厚測定方法は上記課題を解決するために、基板上の素子形成領域に形成された有機ＥＬ層上に導電材料を蒸着させることによって、前記有機ＥＬ層に電流を流すための電極部の少なくとも一部を構成する第１導電膜を形成すると共に、前記基板上の非素子形成領域に形成された複数の導電部上に前記導電材料を蒸着させることによって、前記複数の導電部を互いに電気的に接続する第２導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記第２導電膜を酸化させることによって前記複数の導電部上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記複数の導電部のうち一の導電部及び他の導電部、並びに前記絶縁膜からなる容量部の静電容量に基づいて前記第１導電膜の膜厚を算出する膜厚算出工程とを備える。
【００２０】
本発明の第２の発明に係る導電膜の膜厚測定方法によれば、導電膜形成工程において、第１導電膜及び第２導電膜を、上述の第１の発明に係る導電膜の膜厚測定方法と同様に形成する。
【００２１】
複数の導電部は、画質の低下を招かないように非素子形成領域に形成されている。加えて、第１導電膜及び第２導電膜は同時に形成されるため、後述する膜厚算出工程において第２導電膜の膜厚を算出することによって第１導電膜の膜厚を間接的に求めることが可能である。
【００２２】
絶縁膜形成工程では、例えば大気中に第２導電膜を曝すことによって第２導電膜を酸化させ、複数の導電部上に絶縁膜を形成する。
【００２３】
膜厚算出工程では、前記複数の導電部のうち一の導電部及び他の導電部を一対の容量電極とする容量部の静電容量を測定することによって絶縁膜の膜厚を算出する。より具体的には、一の導電部及び他の導電部は絶縁膜を介して対向するように配置されていないが、一の導電部及び他の導電部、並びにこれら導電部間に介在する絶縁膜に応じた静電容量を有する容量部が形成されている。したがって、例えば一の導電部及び他の導電部にプローブ等の測定端子を接触させることによって、容量部の静電容量、即ち絶縁膜の膜厚に応じた静電容量を測定できる。加えて、例えば絶縁膜の膜厚及び静電容量の相関関係を予め求めておくことにより、静電容量に対して一対一で絶縁膜の膜厚を算出できる。このようにして算出された絶縁膜の膜厚を第１導電膜の膜厚とみなしても、第１導電膜の膜厚を直接測定した場合と同様に第１導電膜の膜厚を求めることができる。
【００２４】
膜厚が薄すぎることによって上述の非接触の膜厚測定方法を用いることができない場合でも、物理的及び電気的に繋がった一枚の絶縁膜を含む容量部の静電容量は、絶縁膜の極薄い膜厚に応じて敏感に変化する。したがって、容量部の静電容量を測定することによって静電容量の変化に応じた高い精度で絶縁膜の膜厚を算出でき、これに伴い第１導電膜の膜厚も算出できるのである。
【００２５】
以上のように、本発明の第２の発明に係る導電膜の膜厚測定方法によれば、例えば第１導電膜の膜厚が極薄い場合でも間接的に膜厚を正確に算出することが可能である。
【００２６】
本発明の第２の発明に係る導電膜の膜厚測定方法の一の態様では、前記第１導電膜が酸化されないように前記第１導電膜を封止する封止工程を備えていてもよい。
【００２７】
この態様によれば、例えば有機ＥＬ装置を形成する際に、電極部を含む有機ＥＬ素子が大気に曝されないように素子形成領域全体を封止することによって第１導電膜を酸化させない状態で第２導電膜のみを酸化させ、絶縁膜を形成できる。
【００２８】
本発明の第１及び第２の発明に係る導電膜の膜厚測定方法の他の態様では、前記電極部は陰極を含んでおり、前記第１導電膜は、前記有機ＥＬ層に電子を注入するための電子注入層であってもよい。
【００２９】
この態様によれば、電子注入層が、上述の非接触の膜厚測定方法では正確に膜厚を測定できない程度に薄く形成された場合でも、正確に電子注入層の膜厚を算出できる。
【００３０】
本発明の第１及び第２の発明に係る導電膜の膜厚測定方法の他の態様では、前記膜厚は、１０ｎｍ以下であってもよい。
【００３１】
この態様によれば、１０ｎｍ以下の極薄い膜厚であっても、１ｎｍ単位で膜厚を正確に算出できる。
【００３２】
本発明の第３の発明に係る導電膜の膜厚測定装置は上記課題を解決するために、基板上の素子形成領域に形成された有機ＥＬ層上に導電材料を蒸着させることによって、前記有機ＥＬ層に電流を流すための電極部の少なくとも一部を構成する第１導電膜を形成すると共に、前記基板上の非素子形成領域に形成された複数の導電部上に前記導電材料を蒸着させることによって、前記複数の導電部を互いに電気的に接続する第２導電膜を形成する導電膜形成手段と、前記複数の導電部に測定端子を接触させることによって測定された前記第２導電膜の電気抵抗値に基づいて前記第１導電膜の膜厚を算出する膜厚算出手段とを備える。
【００３３】
本発明の第３の発明に係る導電膜の膜厚測定装置によれば、上述の第１発明に係る膜厚測定方法と同様に、例えば第１導電膜の膜厚が極薄い場合でも間接的に膜厚を正確に算出することが可能である。
【００３４】
本発明の第４の発明に係る導電膜の膜厚測定装置は上記課題を解決するために、基板上の素子形成領域に形成された有機ＥＬ層上に導電材料を蒸着させることによって、前記有機ＥＬ層に電流を流すための電極部の少なくとも一部を構成する第１導電膜を形成すると共に、前記基板上の非素子形成領域に形成された複数の導電部上に前記導電材料を蒸着させることによって、前記複数の導電部を互いに電気的に接続する第２導電膜を形成する導電膜形成手段と、前記第２導電膜を酸化させることによって前記複数の導電部上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成手段と、前記複数の導電部のうち一の導電部及び他の導電部、並びに前記絶縁膜からなる容量部の静電容量に基づいて前記第１導電膜の膜厚を算出する膜厚算出手段とを備える。
【００３５】
本発明の第４の発明に係る導電膜の膜厚測定装置によれば、上述の第２発明に係る膜厚測定方法と同様に、例えば第１導電膜の膜厚が極薄い場合でも間接的に膜厚を正確に算出することが可能である。
【００３６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、図面を参照しながら本実施形態に係る導電膜の膜厚測定方法及び導電膜の膜厚測定装置を説明する。
【００３８】
＜第１実施形態＞
先ず、図１乃至図３を参照しながら、本発明の第１の発明に係る導電膜の膜厚測定方法の実施形態を応用して製造される有機ＥＬ装置の構成を説明する。図１は、本発明の第１の発明に係る導電膜の膜厚測定方法の実施形態を応用して製造される有機ＥＬ装置の電気的な接続構成を示すブロック図である。
【００３９】
図１において、有機ＥＬ装置１０は、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式で駆動される表示装置であり、有機ＥＬ装置１０が有する各画素部７０は有機ＥＬ素子７２を備えている。
【００４０】
本発明の「素子形成領域」の一例である画像表示領域１１０には、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２が設けられており、それらの交点に対応するように各サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂがマトリクス状に配列され、これら３つのサブ画素部を一組として一つの画素部７０が構成されている。
【００４１】
サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂは、赤色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｒ、緑色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｇ及び青色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｂを夫々有している。更に、画像表示領域１１０には各データ線１１４に対して配列されたサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂに対応する電源供給線１１７が設けられている。
【００４２】
画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０が設けられている。走査線駆動回路１３０は複数の走査線１１２に走査信号を順次供給する。データ線駆動回路１５０は、画像表示領域１１０に配線されたデータ線１１４に画像信号を供給する。尚、走査線駆動回路１３０の動作とデータ線駆動回路１５０の動作とは、同期信号線１６０を介して相互に同期が図られる。電源供給線１１７には、外部回路から画素部を駆動するための画素駆動用電源が供給される。図１中、一つの画素部７０に着目すれば、画素部７０には、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂが設けられると共に、例えばＴＦＴを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４、並びに保持容量７８がサブ画素部毎に設けられている。スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極には走査線１１２が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ７６のソース電極にはデータ線１１４が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ７６のドレイン電極には駆動用トランジスタ７４のゲート電極が電気的に接続されている。
【００４３】
駆動用トランジスタ７４のドレイン電極には、電源供給線１１７が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ７４のソース電極には有機ＥＬ素子７２の陽極が電気的に接続されている。尚、図１に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。
【００４４】
次に、図２及び図３を参照しながら、有機ＥＬ装置１０の具体的な構成を説明する。図２は、画像表示領域１１０における有機ＥＬ装置１０の平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。
【００４５】
図２において、有機ＥＬ装置１０は、画素部７０、及びバンク部４７を備えている。
【００４６】
画素部７０は、画像表示領域１１０にマトリクス状に配設されている。画素部７０は、図中横方向に沿って配列された３つのサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂを一組として構成されている。サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂの夫々が備える有機ＥＬ素子７２は、バンク部４７によって互いに隔てられている。バンク部４７は、第１バンク部４７ａ及び第２バンク部４７ｂから構成されており、有機ＥＬ素子７２が形成される凹部６２を規定している。
【００４７】
図３において、有機ＥＬ装置１０は、基板１、基板１上に形成された有機ＥＬ素子７２、駆動用トランジスタ７４、バンク部４７及び封止部２０を備えている。尚、有機ＥＬ素子７２は、図中下側に光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であるが、図中上側に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置でも本発明の第１の発明に係る導電膜の膜厚測定方法は適用可能である。
【００４８】
基板１は、例えば、ガラス基板等で構成されており、有機ＥＬ素子７２が図中下側に出射する光を透過させる。したがって、図１に示す駆動用トランジスタ７４及びスイッチング用トランジスタ７６は、基板１における有機ＥＬ素子７２の下側の領域を避けるように形成されている。基板１は、基板１上に有機ＥＬ素子７２が形成されているだけでなく、図１に示す走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０の各種回路を備えている。このような回路は、基板１における画像表示領域１１０の周辺領域に設けられる。
【００４９】
有機ＥＬ素子７２は、図中下側から順に陽極３４、正孔注入層５１、有機ＥＬ層５０、本発明の「第１導電膜」の一例である電子注入層５２、及び陰極４９を備えて構成されている。尚、サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々が備える有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂは、各色に発光する有機ＥＬ層５０の構成材料が異なるのみであるため、一つの有機ＥＬ素子７２の構成について説明し、他の有機ＥＬ素子の説明は省略する。
【００５０】
有機ＥＬ層５０は、複数の有機ＥＬ層５０を互いに隔てるための素子分離部として機能するバンク部４７に囲まれた凹部６２に有機材料を塗布することによって形成されている。より具体的には、有機ＥＬ層５０は、陽極３４上に形成された正孔注入層５１の上に、例えば塗布法の一例であるインクジェット法を用いて形成されている。正孔注入層５１は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いて形成されている。有機ＥＬ層５０は、有機ＥＬ材料を用いて構成されている。このような有機ＥＬ材料としては、例えば（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料を用いることをできる。
【００５１】
電子注入層５２は、陰極４９と共に本発明に係る「電極部」の一例を構成する。電子注入層５２は、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、マグネシウム（Ｍｇ）、バリウム（Ｂａ）等の仕事関数の低いアルカリ金属材料或いはアルカリ土類金属材料を有機ＥＬ層５０上に蒸着させることによって形成されている。電子注入層５２によれば、電流駆動型の有機ＥＬ層５０に電子を効率良く注入でき、有機ＥＬ層５０の発光効率を高めることが可能である。尚、電子注入層５２が１０ｎｍ以下の膜厚となるように形成される場合には、電子注入層５２の膜厚の制御が問題となる。そこで、後述するように本発明の第１の発明に係る導電膜の膜厚測定方法を応用することによって電子注入層５２の膜厚を正確に測定し、狙いの膜厚となるように電子注入層５２を形成できる。
【００５２】
陰極４９は、第２バンク部４７ｂの表面及び電子注入層５２の表面を被うように形成されている。陰極４９は、基板１上に形成された各有機ＥＬ素子７２で共通とされる共通電極であり、例えば蒸着法を用いて形成されたＡｌ等の金属薄膜である。陰極４９は、基板１上で平面的に見て画像表示領域１１０に渡って物理的に接続された電極、或いは一枚の連続した電極として延在している。
【００５３】
陽極３４は、基板１上に順次形成されたゲート絶縁層２、層間絶縁膜４１、保護層４５、及び第１バンク部４７ａのうち第１バンク部４７ａに埋め込まれるように形成されている。陽極３４は、例えば、有機ＥＬ層５０から出射された光を図中下側に透過するようにＩＴＯ等の透明材料で形成された透明電極である。
【００５４】
駆動用トランジスタ７４のソース電極７４ｓは、図１に示す電源供給線１１７に電気的に接続されており、ドレイン電極７４ｄは陽極３４に電気的に接続されている。駆動用トランジスタ７４は、図１に示すデータ線１１４を介してゲート電極３ａに供給されるデータ信号に応じてオンオフされ、駆動電流を有機ＥＬ素子７２に供給する。このような素子を含む回路は、有機ＥＬ素子５０から基板１側に出射される光を遮らないように、有機ＥＬ素子５０の下側を避けるように設けられている。駆動用トランジスタ７４と同様に、図１に示すスイッチング用トランジスタ７６も基板１上に形成されている。
【００５５】
半導体層３は、例えば低温ポリシリコン技術を用いて形成された多結晶シリコン層或いはアモルファスシリコン層である。半導体層３上には、半導体層３を埋め込んで、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４のゲート絶縁層２が形成されている。駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａ及び図１に示す走査線１１２は、ゲート絶縁層２上に形成されている。走査線１１２の一部は、スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極として形成されている。
【００５６】
走査線１１２や駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａを埋め込んで、ゲート絶縁層２上には図３に示す層間絶縁層４１が形成されている。層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２は例えばシリコン酸化膜から構成されている。層間絶縁層４１上には、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含む導電材料から夫々構成される、データ線１１４及び電源供給線１１７、更には駆動用トランジスタ７４のソース電極７４ｓが形成されている。層間絶縁層４１には、層間絶縁層４１の表面から層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２を貫通して、駆動用トランジスタ７４の半導体層３に至るコンタクトホール５０１及び５０２が形成されている。電源供給線１１７及びドレイン電極７４ｄは、コンタクトホール５０１及び５０２の各々の内壁に沿って半導体層３の表面に至るように連続的に形成されている。層間絶縁層４１上には、電源供給線１１７及びドレイン電極７４ｄを埋め込んで、保護層４５として例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）ないしシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）が形成されている。保護層４５上には、例えばシリコン酸化膜よりなる第１バンク部４７ａが形成され、更に第１バンク部４７ａ上に第２バンク部４７ｂが形成されている。第１バンク部４７ａ及び第２バンク部４７ｂによって、画素部における有機ＥＬ層５０の形成領域である凹部６２が規定されている。
【００５７】
封止板２０は、水分が有機ＥＬ装置１０の外部から有機ＥＬ層５０に浸入することを防止する。より具体的には、封止板２０は、基板１上に接着剤によって接着されており、有機ＥＬ装置１０の外気が有機ＥＬ素子７２に触れないように有機ＥＬ素子７２を封止する。基板１上に封止板２０を接着する接着剤は、熱硬化樹脂或いは紫外線硬化樹脂を含んでおり、例えば、熱硬化樹脂の一例であるエポキシ樹脂が封止板２０の周縁部にディスペンサ等の塗布手段を用いて塗布される。有機ＥＬ素子７２が封止板２０によって封止された状態で、封止板２０の中央部及び有機ＥＬ素子７２の間に一定の空間が介在する。封止板２０及び有機ＥＬ素子７２間の空間には、不活性ガス、樹脂或いはオイル等の充填材が充填され、この充填材により装置外部から侵入する水分を低減する。封止板２０及び有機ＥＬ素子７２間の空間は、封止板２０及び基板１で封止された真空であってもよい。
【００５８】
次に、図４乃至図６を参照しながら、上述の有機ＥＬ装置の製造方法の説明に合わせて、本実施形態の導電膜の膜厚測定方法を説明する。図４及び図５は、有機ＥＬ装置１０の製造工程を示す工程断面図であり、図６は、有機ＥＬ装置の製造方法に応用される本実施形態に係る導電膜の膜厚測定方法の測定プロセスを示した工程平面図である。
【００５９】
図４（ａ）に示すように、素子基板１ａの表面を、例えばプラズマ処理によって洗浄する。より具体的には、陽極３４に酸素ガスを用いたＯ２プラズマ処理し、陽極３４表面を親液化処理する。これに伴い、Ｏ２プラズマ処理によって陽極３４表面の洗浄及び仕事関数の調整も行うことが可能である。次に、バンク部４７は、例えばテトラフルオロメタンを用いたＣＦ４プラズマ処理によって表面処理される。これにより、バンク部４７の上面及び凹部を規定する内壁表面が撥水化処理され、最終的に形成される有機ＥＬ層５０の膜質を高め、且つ形状を所要の形状にすることが可能である。
【００６０】
素子基板１ａは、基板１上に駆動トランジスタ７４等の素子、下地絶縁膜２、層間絶縁膜４１、保護膜４５、陽極３４、バンク部４７、及び後述する導電部６０までが形成された板状の構造体である。導電部６０は、本発明の「非素子形成領域」の一例である周辺領域１２０の一部の領域にＡｌ等の導電材料を用いて形成されている。
【００６１】
次に、図４（ｂ）に示すように、陽極３４上にインクジェット装置７を用いて正孔注入材料を塗布し、正孔注入層５１を形成する。尚、画像表示領域１１０では、有機ＥＬ素子７２が形成される領域を規定する凹部６２毎にインクジェット装置７から正孔注入材料を含むインク９ａが供給される。
【００６２】
次に、図４（ｃ）に示すように、有機ＥＬ材料を含むインク９ｂをインクジェット装置７を用いて画像表示領域１１０内の各凹部６２に塗布し、有機ＥＬ層５０を形成する。これにより、有機ＥＬ層５０までが形成された素子基板１ｂが形成される。ここで、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の各色に発光する有機ＥＬ素子７２に対応して有機ＥＬ材料学各凹部６２に塗り分けられる。尚、正孔注入層５１及び有機ＥＬ層５０は、正孔注入材料及び有機ＥＬ材料の夫々が塗布された後、乾燥工程を経て形成されていることに留意されたい。
【００６３】
次に、図５（ａ）に示すように、有機ＥＬ層５０までが形成された素子基板１ｂを反転させた状態で蒸着装置内に収納し、真空蒸着法を用いて有機ＥＬ層５０の表面に電子注入材料を蒸着させることによって電子注入層５２を形成する。電子注入材料は、蒸着装置が備える蒸着ユニット８ａから各有機ＥＬ層５０の表面に供給される。この際、蒸着源８ａ及び素子基板１ｂ間には、有機ＥＬ層５０及び導電部６０上に電子注入材料が蒸着されるように蒸着マスク１１ａが配置されている。導電部６０上に形成された電子注入材料は蒸着膜５３を形成する。
【００６４】
ここで、図６を参照しながら、本実施形態の導電膜の膜厚測定方法の一例である電子注入層の膜厚測定方法を説明する。図６は、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法に応用される電子注入層の膜厚測定方法の工程平面図である。
【００６５】
図６（ａ）に示すように、素子基板１ｂ上の画像表示領域１１０に凹部６２が形成されている。図３に示した凹部６２内に形成された有機ＥＬ層５０上にＣａ等の電子注入材料を蒸着させることによって電子注入層５２を形成すると共に、素子基板１ｂ上の周辺領域１２０に形成された２つの導電部６０上に電子注入材料を蒸着させる。これにより、本発明の「第２導電膜」の一例である蒸着膜５３が、２つの導電部６０を互いに電気的に接続するように形成される。尚、画像表示領域１１０に形成された有機ＥＬ層５０上及び導電部６０上に同時に電子注入材料が蒸着されるように、マスク１１ａは、図３に示した有機ＥＬ層５０上及び導電部６０上に開口部を有している。ここで、電子注入層５２及び蒸着膜５３は互いに同じ蒸着条件で電子注入材料を蒸着させることによって形成されており、電子注入層５２及び蒸着膜５３の膜厚は等しいとみなさせる。したがって、蒸着膜５３の膜厚を電子注入層５２の膜厚として代替すれば、直接電子注入層５２の膜厚を測定することなく、電子注入層５２の膜厚を間接的に知ることができる。
【００６６】
そこで、図６（ｂ）に示すように、測定器６２に電気的に接続された測定端子６１を２つの導電部６０の夫々に接触させることによって、２端子法を用いて蒸着膜５３の電気抵抗値、即ち、素子基板１ｂの基板面に沿った蒸着膜５３の膜抵抗を測定する。蒸着膜５３の電気抵抗値及び蒸着膜５３の膜厚の相関関係は予め求められており、蒸着膜５３の電気抵抗値を測定することによって、蒸着膜５３の膜厚が一対一で算出される。加えて、蒸着膜５３の電気抵抗値から膜厚を算出することによって、従来の光反射率等に基づく非接触の膜厚測定方法を用いた場合に比べて、ナノメートルオーダーで蒸着膜５３の膜厚を正確に算出できる。より具体的には、膜厚が薄すぎることによって光反射率等を用いた従来の膜厚測定方法を用いることができない場合でも、蒸着膜５３は物理的及び電気的に繋がった一枚の膜であるため、極薄い膜厚に応じて電気抵抗値が敏感に変化する。したがって、膜厚に応じて敏感に変化する電気抵抗値を測定することによって高い精度で蒸着膜５３の膜厚を算出できる。尚、予め段差計を用いて膜厚を測定し、測定された膜厚に対応する蒸着膜５３の電気抵抗値を測定しておくことにより、蒸着膜５３の膜厚及び電気抵抗値の相関関係を容易に求めておくことができる。
【００６７】
このようにして算出された蒸着膜５３の膜厚を電子注入層５２の膜厚とすることによって、間接的に電子注入層５２の膜厚をナノメートルオーダーで算出できる。特に、電子中層５２は、通常１０ｎｍ以下、本実施形態では５ｎｍの極薄い膜厚になるように形成されるため、本実施形態の導電膜の膜厚測定方法はこのような極薄い膜厚を有する電子注入層５２の膜厚を正確に求める方法として有用である。
【００６８】
他方、電子注入層５２の電気抵抗値を直接測定することによって、直接電子注入層５２の膜厚を求める方法も考えられる。しかしながら、測定端子を接触させるための導電部６０は、最終的に完成された有機ＥＬ装置では不要なものである。加えて、有機ＥＬ層５０が形成される画像形成領域１１０は、有機ＥＬ層５０を備えた複数の有機ＥＬ素子７２が発光する領域である。したがって、画像表示領域１１０に測定用の導電部を形成した場合には、有機ＥＬ層５０から出射された光を遮ってしまい、有機ＥＬ装置１０の画質を低下させてしまうため好ましくない。本実施形態の導電膜の膜厚測定方法によれば、このような画質の低下を招くことなく電子注入層５２の膜厚を正確に算出できる点においても従来の膜厚測定方法に比べて優れている。
【００６９】
尚、導電部６０は、素子基板１上にそのまま残されていてもよい。また、最終的に形成される有機ＥＬ装置１０では、複数の導電部６０が形成された部分を除去することによって、有機ＥＬ装置１０から導電部６０が取り除かれていてもよい。
【００７０】
また、電子注入層５２を形成する過程で蒸着膜５３の電気抵抗値を測定することによって、電子注入層５２の膜厚を確認しながら所定の膜厚となるように有機ＥＬ層５０上に電子注入材料を蒸着させることが可能である。このようにして、電子注入層５２を形成することによって、ナノメートルオーダーで電子注入層５２の膜厚を管理できる。これにより、設計通りの発光特性を有するように有機ＥＬ素子７２を形成できる。
【００７１】
再び図５（ｂ）において、マスク１１ｂを介して蒸着ユニット８ｂからＡｌ等の金属材料を電子注入層５２上に形成することによって陰極４９を形成する。
【００７２】
次に、各有機ＥＬ素子７２を封止部２０によって封止することによって有機ＥＬ装置１０を形成する。
【００７３】
以上、説明したように有機ＥＬ装置の製造方法に応用される本実施形態の導電膜の膜厚測定方法によれば、例えば１０ｎｍ以下の膜厚となるように形成される電子注入層の膜厚を正確に管理でき、高品位の画像を表示できる有機ＥＬ装置を製造することが可能である。
【００７４】
（変形例）
次に、図７を参照しながら、上述の有機ＥＬ装置の製造方法に応用される導電膜の膜厚測定方法の変形例を説明する。図７は、上述の有機ＥＬ装置の製造方法に応用される導電膜の膜厚測定方法の変形例を示す工程平面図である。尚、以下では、上述の有機ＥＬ装置の製造方法及び導電膜の膜厚測定方法と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７５】
図７（ａ）において、素子基板１ｂは、周辺領域１２０に４つの導電部６０ａが形成されており、画像表示領域１１０に形成された凹部６２から有機ＥＬ層５０が臨む。次に、図７（ｂ）において、画像表示領域１１０に形成された有機ＥＬ層５０上に電子注入層５２を形成する同時に、４つの導電部６０ａを互いに電気的に接続するように導電部６０ａ上に蒸着膜５３ａを形成する。次に、図７（ｃ）に示すように、電子注入層５２を形成した後、或いは電子注入層５２を形成する際の所定のタイミングに、４つの導電部６０ａの夫々の測定端子６１を接触させることによって４端子法を用いて蒸着膜５３ａの電気抵抗値を測定する。このように、４端子法を用いて蒸着膜５３ａの電気抵抗値を測定することにより、２端子法を用いる場合に比べてより正確に蒸着膜５３ａの電気抵抗値を測定でき、これに伴い電子注入層５２の膜厚もより正確に算出できる。
【００７６】
次に、図８を参照しながら、上述の有機ＥＬ装置を製造する際に使用される本実施形態の導電膜の膜厚測定装置の構成を説明する。図８は、導電膜の膜厚測定装置の構成を示す図である。
【００７７】
図８において、本実施形態の導電膜の膜厚測定装置２００は、本発明の第３の発明の「導電膜形成手段」の一例を構成する蒸着ユニット８ａ及び制御部２０２と、本発明の第３の発明の「膜厚算出手段」の一例を構成する測定器６２及び測定端子６１とを備えている。
【００７８】
有機ＥＬ層５０までが形成された素子基板１ｂは、チャンバー２０１に搬送される。蒸着ユニット８ａは、制御部２０２による制御下において電子注入材料を素子基板１ｂに蒸着させる。より具体的には、チャンバー２０１内が真空になった後、図７に示した有機ＥＬ層５０及び導電部６０に電子注入材料が同時に蒸着される。これにより、電子注入層５２及び蒸着膜５３が形成される。
【００７９】
測定器６２は、制御部２０２の制御下において素子基板１ｂの導電部６０上に形成された蒸着膜５３の電気抵抗値を測定する。より具体的には、測定器６２は、測定端子６１を導電部６０に接触させることによって蒸着膜５３の電気抵抗値を測定する。
【００８０】
制御部２０２は、測定器６２から供給された蒸着膜５３の電気抵抗値の測定データに基づいて、蒸着膜５３の膜厚を算出する。制御部２０２は、蒸着膜５３の膜厚を電子注入層５２の膜厚として記憶し、この膜厚に応じて再度素子基板１ｂに対して電子注入材料を蒸着させることによって所定の膜厚となるように電子注入層５２の膜厚を調整する。
【００８１】
したがって、本実施形態の導電膜の膜厚測定装置２００によれば、上述の導電膜の膜厚測定方法と同様に、極薄い膜厚となるように形成される電子注入層の膜厚を正確に測定でき、これに伴い電子注入層の膜厚を調整できる。
【００８２】
＜第２実施形態＞
次に、図９を参照しながら、有機ＥＬ装置の製造方法の説明に合わせて本発明の第２の発明に係る導電膜の膜厚測定方法を説明する。尚、本実施形態では、導電膜の膜厚測定方法が電子注入層５２を形成する工程に応用される場合を中心に説明するため、その前後の工程の説明は省略する。
【００８３】
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、有機ＥＬ層５０までが形成された素子基板１ｂには、Ａｌ等の金属薄膜で夫々構成された２つの導電部６９ａ及び６９ｂが形成されており、画像表示領域１１０の有機ＥＬ層５０、導電部６９ａ及び６９ｂ上の夫々に電子注入材料を蒸着させてなる電子注入層５２及び蒸着膜５３を形成する。蒸着膜５３は、導電部６９ａ及び６９ｂを電気的に接続するように形成されている。
【００８４】
次に、図９（ｃ）に示すように、封止部２２０によって電子注入層５２を封止し、蒸着膜５３を酸化させることによって絶縁膜５４を形成する。絶縁膜５４は、アルカリ金属材料或いはアルカリ土類金属材料からなる蒸着膜５３を酸化させてなる金属酸化膜であり、例えば蒸着膜５３を構成するＣａを大気に曝すことによって形成される水酸化カルシウム（ＣａＯＨ）で構成されている。
【００８５】
絶縁膜５４は、導電部６９ａ及び６９ｂの夫々を本発明の「一の導電部」及び「他の導電部」として、導電部６９ａ及び導電部と共に容量部６５を構成する。ここで、導電部６９ａ及び６９ｂは、絶縁膜５４を介して対向するように配置されていないが、容量部６５は、これら導電部間に介在する絶縁膜５４の膜厚に応じて相応の静電容量を有する。
【００８６】
次に、図９（ｄ）に示すように、導電部６９ａ及び６９ｂに測定端子６１を接触させることによって、容量部６５の静電容量、即ち絶縁膜５４の膜厚に応じた静電容量を測定する。ここで、測定端子６１に電気的に接続された測定器６３は、導電部６９ａ及び６９ｂ間に交流を印加し、容量部６５の静電容量を測定する。これにより、予め求めておいた絶縁膜５４の膜厚及び容量部６５の静電容量の相関関係に基づいて、静電容量に対して一対一で絶縁膜５４の膜厚が算出される。絶縁膜５４の膜厚は、電子注入層５２の膜厚と等しいとみなせるため、間接的に電子注入層５２の膜厚を算出できる。このようにして電子注入層５２の膜厚を算出することにより、光反射率等を用いる従来の膜厚測定方法に比べて正確に電子注入層５２の膜厚を算出できる。より具体的には、静電容量等の電気的な特性を用いて膜厚を算出することにより、１０ｎｍ以下の極薄い膜厚を有する電子注入層５２の膜厚をナノメートルオーダーで算出できる。
【００８７】
以上のように、本実施形態に係る導電膜の膜厚測定方法によれば、電子注入層５２と同時に形成された蒸着膜５３を酸化させてなる絶縁膜５４を含む容量部６５の静電容量を測定することにより、第１実施形態と同様に電子注入層５２の膜厚を正確に算出できる。また、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法に応用される導電膜の膜厚測定方法によれば、第１実施形態と同様に有機ＥＬ装置１０の画質を低下させることなく、電子注入層５２の膜厚を正確に算出できる。
【００８８】
次に、図１０を参照しながら、本実施形態の導電膜の膜厚測定装置の構成を説明する。図１０は、本実施形態の導電膜の膜厚測定方法に用いられる導電膜の膜厚測定装置の構成を示す図である。
【００８９】
図１０において、導電膜の膜厚測定装置３００は、本発明の第４の発明の「導電膜形成手段」の一例を構成する蒸着ユニット８ａ及び制御部２０２と、本発明の第４の発明の「膜厚算出手段」の一例を構成する測定器６２及び測定端子６１と、本発明の第４の発明の「絶縁膜形成手段」の一例を構成する封止部２２０、バルブ３０３及びチャンバー３０２とを備えている。
【００９０】
有機ＥＬ層５０までが形成された素子基板１ｂは、チャンバー３０１に搬送される。蒸着ユニット８ａは、制御部２０２による制御下において電子注入材料を素子基板１ｂに蒸着させる。より具体的には、チャンバー２０１内が真空にされた後、図９に示した有機ＥＬ層５０及び導電部６９ａ及び６９ｂに電子注入材料が同時に蒸着される。これにより、電子注入層５２及び蒸着膜５３が形成される。
【００９１】
電子注入層５２及び蒸着膜５３が形成された素子基板１ｂは、基板を反転させた状態でチャンバー３０２内に搬送される。
【００９２】
チャンバー３０２は、Ｎ２等の不活性雰囲気で満たされており、チャンバー３０２に搬送された素子基板１ｂの電子注入層５２及び蒸着膜５３は、チャンバー３０２内に搬送された状態では酸化されていない。封止部２２０は、蒸着膜５３を酸化させる際に電子注入層５２が酸化されないように、チャンバー３０２内に搬送された素子基板１ｂの画像表示領域１１０を封止する。この状態で、バルブ３０３が開放される。これにより、蒸着膜５３が酸化された絶縁膜５４が形成される。尚、蒸着膜５３は、Ａｌ等の金属材料で形成された導電部６９ａ及び６９ｂより酸化され易いアルカリ金属材料又はアルカリ土類金属材料で形成されているため、導電部６９ａ及び６９ｂを大気に曝した場合でも、蒸着膜５３のみが酸化される。
【００９３】
測定器６３は、制御部２０２の制御下において測定端子６１を導電部６９ａ及び６９ｂに接触させることによって容量部６５の静電容量を測定する。制御部２０２は、測定器６２から供給された蒸着膜５３の静電容量の測定データに基づいて、蒸着膜５３の膜厚を算出する。制御部２０２は、蒸着膜５３の膜厚を電子注入層５２の膜厚として記憶し、この膜厚に応じて再度素子基板１ｂに電子注入材料を蒸着させることによって所定の膜厚となるように電子注入層５２の膜厚を調整することができる。
【００９４】
このように、本実施形態の導電膜の膜厚測定装置３００によれば、上述の導電膜の膜厚測定方法と同様に、極薄い膜厚となるように形成される電子注入層の膜厚を正確に測定でき、これに伴い電子注入層の膜厚を調整できる。
【００９５】
（電子機器）
次に、上述した有機ＥＬ装置を備えた各種電子機器について説明する。
【００９６】
＜Ａ：モバイル型コンピュータ＞
図１１を参照しながらモバイル型のコンピュータに上述した有機ＥＬ装置を適用した例について説明する。図１１は、コンピュータ１２００の構成を示す斜視図である。
【００９７】
図１１において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、図示しない有機ＥＬ装置を用いて構成された表示部１００５を有する表示ユニット１２０６とを備えている。表示部１００５は、画像表示領域における電子注入層が設計通りの膜厚に形成されているため、画質が高められている。表示部１００５は、赤、緑、青の光の三原色の光を発光する有機ＥＬ素子を備えているため、フルカラー表示で画像表示できる。
【００９８】
＜Ｂ：携帯型電話機＞
更に、上述した有機ＥＬ装置を携帯型電話機に適用した例について、図１２を参照して説明する。図１２は、携帯型電話機１３００の構成を示す斜視図である。
【００９９】
図１２において、携帯型電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と共に、本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置を有する表示部１３０５を備えるものである。
【０１００】
表示部１３０５は、上述の表示部１００５と同様に高品質の画像を表示することができる。また、表示部１３０５が備える複数の有機ＥＬ素子が夫々赤、緑、青の光の三原色の光を発光することによって、該表示部１３０５はフルカラー表示で画像表示を行うこともできる。
【０１０１】
上述の各電子機器によれば、本発明の第１及び第２の発明に係る導電膜の膜厚測定方法によって正確に膜厚が管理された電子注入層を備えた有機ＥＬ装置を具備してなるので、高品位の画像を表示できる。また、上述の有機ＥＬ装置を具備してなる電子機器によれば、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器、及び電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【０１０２】
尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う導電膜の膜厚測定方法及び導電膜の膜厚測定装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】第１実施形態に係る導電膜の膜厚測定方法を応用して形成された有機ＥＬ装置の電気的な接続構成を示すブロック図である。
【図２】第１実施形態に係る導電膜の膜厚測定方法を応用して形成された有機ＥＬ装置の要部の構成を示した平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。
【図４】第１実施形態に係る導電膜の膜厚測定方法を応用した有機ＥＬ装置の製造方法の工程断面図（その１）である。
【図５】第１実施形態に係る導電膜の膜厚測定方法を応用した有機ＥＬ装置の製造方法の工程断面図（その２）である。
【図６】第１実施形態に係る導電膜の膜厚測定方法を応用した有機ＥＬ装置の製造方法の工程平面図である。
【図７】第１実施形態に係る導電膜の膜厚測定方法の変形例を示した工程平面図である。
【図８】第１実施形態に係る導電膜の膜厚測定装置の構成を示す図である。
【図９】第２実施形態に係る導電膜の膜厚測定方法を応用した有機ＥＬ装置の製造方法の工程平面図である。
【図１０】第２実施形態に係る導電膜の膜厚測定装置の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第１及び第２の発明に係る導電膜の膜厚測定方法を応用して形成された電子機器の一例を示す斜視図である。
【図１２】本発明の第１及び第２の発明に係る導電膜の膜厚測定方法を応用して形成された電子機器の他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１・・・基板、１０・・・有機ＥＬ装置、３４・・・陽極、４９・・・陰極、５０・・・有機ＥＬ層、５２・・・電子注入層、５４・・・絶縁膜、６５・・・容量部、６０、６０ａ、６９ａ、６９ｂ・・・導電部、１１０・・・画像表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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