(57)【要約】【課題】半導体などのエッチング処理において、微細なパターンを形成するために使用される多層レジスト膜の下層レジストとパターンの寸法を制御するマスクである無機系の中間層薄膜とのエッチング速度の比、すなわち肩選択比を高くした表面処理方法および装置を提供する。【解決手段】下層レジスト膜１４上に無機系中間膜１３および上層レジスト膜１２を積層した半導体のプラズマを用いる表面処理方法で、エッチングガスとして窒素と水素から構成されるガスに酸素を主成分とするＣＯ２を添加し、無機系中間層膜１３の削れ１５（図３（ｃ））を削れ１６（図３（ｄ））に低減させる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地材料層上に形成された有機高分子材料層を無機系中間層膜からなるマスクを用いてエッチングする方法として、少なくとも窒素と水素を構成元素とする化合物を含むエッチングガスを主成分とし、添加ガスとして酸素を構成元素とする化合物を用いてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１記載のドライエッチング方法において、窒素と水素を構成元素とする化合物は、Ｎ２、Ｈ２の混合ガスもしくはＮＨ３の何れか一方を含むとともに、酸素を含むエッチングガスはＣＯ２、ＮＯ２、ＳＯ２のうち少なくとも何れかを含むことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項２記載のドライエッチング方法において、エッチングガスとしてＮＨ３を用いる際、追加の添加ガスとして窒素を添加することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項４】
下地材料層上に形成された有機高分子材料層を無機系中間層膜からなるマスクを用いてエッチング処理するドライエッチング装置において、少なくとも窒素と水素を構成元素とする化合物を含むエッチングガスを主成分とし、添加ガスとして酸素を構成元素とする化合物を用いてエッチングする手段を具備することを特徴とするドライエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の表面処理装置および表面処理方法にかかわり、特にプラズマを用いて半導体表面のエッチングを行うドライエッチング方法およびドライエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子のエッチングや成膜に現在広く用いられている装置は、プラズマを利用する装置である。本発明は、このようなプラズマを利用した装置に広く応用できるものであるが、ここではそのうちの一つであるＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）方式と呼ばれている装置を例に取り従来技術を説明する。この方式では、外部より磁場を印加した真空容器中でマイクロ波によりプラズマを発生させる。試料に入射するイオンを加速するために試料にはバイアス電圧が印加される。エッチングのほかに膜の堆積などにもこの装置は使われている。
【０００３】
近年の半導体素子では微細化に伴い、リソグラフィやドライエッチング等の加工技術に対する要求は厳しさを増している。リソグラフィの分野においては、高解像度を求めて露光波長が短波長化され、レジスト膜厚の薄膜化、対プラズマ耐性の劣化などの問題から、多層レジストプロセスの採用が必須となりつつある。多層レジストプロセスは、下地膜をエッチングするに充分な膜厚の下層レジストと、その下層レジストをエッチングする際のマスクパターンを形成するための薄い無機材料からなる中間層と、高解像度を達成するに充分な薄い上層レジストとを組み合わせて使用する３層レジストが報告されている。
【０００４】
前記下層レジストをエッチングする方法として、ＮＨ３を主体とするエッチングガスを用いる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１−２８０３１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この従来条件では、ＮＨ３にＮ２もしくはＨ２を添加することにより形状制御をするのみで、無機系中間層との選択比が向上しないという課題がある。
【０００６】
本発明の目的は、下層レジスト層と薄い無機系中間層との選択比を従来技術よりも高く向上させ、無機系中間層の肩落ちなく、下層レジスト層のエッチングを寸法制御性よく加工するエッチング技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、従来技術の水素と窒素を構成元素として含んだ化合物を用いて下層レジスト層をエッチングする技術に、添加ガスとして酸素を主成分として含んだ化合物を用いて、中間層の無機系薄膜との選択比、特に肩選択比を高くしてエッチングするものである。
【発明の効果】
【０００８】
以上のように本発明により、多層レジスト膜プロセスにおいて、下層レジスト層をマスクである無機系薄膜に対して高い選択比で、マスク材の寸法を維持したエッチングができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の実施例について説明する。本発明は、下地材料層上に形成された有機高分子材料層を無機系中間層膜からなるマスクを用いてエッチングする方法として、少なくとも窒素と水素を構成元素とする化合物を含むエッチングガスを主成分とし、添加ガスとして酸素を構成元素とする化合物を用いてエッチングする。
【００１０】
また、本発明は、上記ドライエッチング方法において、窒素と水素を構成元素とする化合物は、Ｎ２、Ｈ２の混合ガスもしくはＮＨ３の何れか一方を含むとともに、酸素を含むエッチングガスはＣＯ２、ＮＯ２、ＳＯ２のうち少なくとも何れかを含み、エッチングガスとしてＮＨ３を用いる際、ＣＯ２等の酸素を含む添加ガスに追加の添加ガスとして窒素Ｎ２を添加する。
【００１１】
本発明は、下地材料層上に形成された有機高分子材料層を無機系中間層膜からなるマスクを用いてエッチング処理するドライエッチング装置において、少なくとも窒素と水素を構成元素とする化合物を含むエッチングガスを主成分とし、添加ガスとして酸素を構成元素とする化合物を用いてエッチングする手段を具備する。
【００１２】
図１を用いて、本発明で使用するエッチング装置の構成の概要を説明する。本―実施例はプラズマ生成手段にＵＨＦ（Ｕｌｔｒａ  Ｈｉｇｈ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）と磁界を利用したＵＨＦプラズマエッチング装置の例である。
【００１３】
エッチング処理に利用されるプロセスガスはシャワープレート１から導入され、所定の圧力に調圧される。次に、ＵＨＦ帯高周波電源（図省略）により発振された周波数４５０ＭＨｚの高周波が同軸ケーブル２、同軸導波管３を介してエッチング室に導入される。高周波によって生じる電界でプラズマ４が生成され、ソレノイドコイル５による磁場との相互作用によって、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を生じ、これによりプラズマの生成密度の空間分布が制御される。
【００１４】
処理ウェハ６は、静電吸着電源７で試料台８に直流電圧を印加することで、静電吸着力により電極に固定される。また、電極には高周波電源９が接続してあり、高周波電力を印加して、プラズマ中のイオンにウェハに対して垂直方向の加速電位を与える。エッチング後のガスは装置下部に設けられた排気口から、ターボポンプ・ドライポンプ（図省略）により排気される。
【００１５】
エッチングガスとしてＮＨ３を使用し、添加ガスとしてＣＯ２を導入した。圧力は０．４Ｐａである。ＵＨＦマイクロ波電源の出力を５００Ｗとし、ウエハへのバイアス電源９の出力を６０Ｗとした。
【００１６】
次に、添加ガスであるＣＯ２の添加効果について図２を用いて簡単に説明する。図２は、添加ガスの一例であるＣＯ２の添加量とマスク材である無機系中間層薄膜のエッチング速度１０、及び被エッチング材である下層レジストのエッチング速度１１の関係を示す図である。添加ガスＣＯ２の増加とともに中間層の無機系薄膜のエッチング速度は若干低下する程度であまり変化しないが、被エッチング材である下層レジストは、ＣＯ２の増加にほぼ比例してエッチングレートが増加する。
【００１７】
酸素を含む添加ガスとしては、ＣＯ２のほかに、ＮＯ２、ＳＯ２などを用いることができ、ＣＯ２と同様な効果を得ることができる。
【００１８】
図３を用いて、本発明にかかるドライエッチング方法が適用される半導体ウェハの構造を説明する。本発明のドライエッチング方法が適用される半導体ウェハは、図示を省略した下地材料層の上に有機高分子材料からなる下層レジスト膜１４が形成され、その上に無機系中間層膜１３と（上層）レジスト膜１２が形成される。下層レジスト膜１４には、有機高分子材料として、ノボラック系フォトレジスト、アモルファスカーボンなどが用いられ、無機系中間層１３としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などが、（上層）レジスト膜１２には、アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂などが用いられる。
【００１９】
本実施例でのＣＯ２添加量は、ＮＨ３  １００ｓｃｃｍに対して０、５０、１００ｓｃｃｍと変化させた。この条件でＣＯ２の添加量０（図３ｃ）、５０（図３ｄ）、１００ｓｃｃｍと増加するに従い、図３のように、下層レジスト層（有機高分子材料層）１４のエッチング速度が増加し、対無機系中間層マスク１３との選択比が増加することで、ＣＯ２添加量ゼロ時に発生していたマスクの肩削れ１５を抑制し１６、異方性形状を得ることができる。
【００２０】
ＣＯ２添加量１００ｓｃｃｍ時に酸素の供給量が多いことにより下層レジスト層（有機高分子材料層）の形状がサイドエッチ気味になったが、この状態で、添加ガスとして窒素Ｎ２を添加することにより、エッチングレートを維持した状態で窒素の添加効果による側壁保護膜形成により垂直形状を得ることも可能である。
【００２１】
上記の実施例では、エッチングガスとしてＮＨ３を用いたが、Ｎ２およびＨ２の混合ガスを用いることができる。さらに、酸素を含むエッチングガスとして、ＣＯ２を用いたが、酸素を含むガスとしてＮＯ２、ＳＯ２のうちの何れかとすることができる。
【００２２】
さらに、エッチングガスとしてＮＨ３を用いる際、ＣＯ２等の酸素を含む添加ガスにさらに追加する添加ガスとして窒素Ｎ２を添加することができる。
【００２３】
なお、本実施例では、ＵＨＦ型ＥＣＲプラズマエッチング装置を用いた場合を前提に説明したが、他のプラズマ源でも何等問題はなく、ＵＨＦ型ＥＣＲプラズマエッチング装置に限定されるものではない。したがって、マイクロ波以外の誘導型プラズマ装置でも本発明を適用することができる。
【００２４】
以上のことにより、本発明では従来技術のＮＨ３等の水素と窒素を用いたエッチングガスに添加ガスとして酸素を主成分として構成される化合物ＣＯ２を用いることで、中間層の無機系薄膜との選択比が高い異方性形状を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明を適応する装置の全体構成を説明する概念図。
【図２】添加ガスの添加量の違いによる下層レジストのエッチング速度、及び無機系薄膜マスク材のエッチング速度の関係を説明する図。
【図３】添加ガスの添加量の違いによるエッチング形状の違いを説明する断面図。
【符号の説明】
【００２６】
１…シャワープレート、２…同軸ケーブル、３…同軸導波管、４…プラズマ、５…ソレノイドコイル、６…ウエハ、７…静電吸着電源、８…試料台、９…高周波電源、１０、１１…特性曲線、１２…レジストマスク、１３…無機系中間層膜、１４…下層レジスト、１５、１６…肩削れ
【図１】
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【図２】
2007123399.tif 000004
【図３】
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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地材料層上に形成された有機高分子材料層を無機系中間層膜からなるマスクを用いてエッチングする方法として、少なくとも窒素と水素を構成元素とする化合物を含むエッチングガスを主成分とし、添加ガスとして酸素を構成元素とする化合物を用いてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１記載のドライエッチング方法において、窒素と水素を構成元素とする化合物は、Ｎ２、Ｈ２の混合ガスもしくはＮＨ３の何れか一方を含むとともに、酸素を含むエッチングガスはＣＯ２、ＮＯ２、ＳＯ２のうち少なくとも何れかを含むことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項２記載のドライエッチング方法において、エッチングガスとしてＮＨ３を用いる際、追加の添加ガスとして窒素を添加することを特徴とするドライエッチング方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子の表面処理方法にかかわり、特にプラズマを用いて半導体表面のエッチングを行うドライエッチング方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
エッチングガスとしてＮＨ３を使用し、添加ガスとしてＣＯ２を導入した。圧力は０．４Ｐａである。ＵＨＦ帯電源の出力を５００Ｗとし、ウエハへのバイアス電源９の出力を６０Ｗとした。