(57)【要約】【課題】温度補償しつつ上昇率の低い蓄電電圧を検出し、さらにその信号でスイッチ機構のオン／オフ制御を可能とし、その機能によりモータの自動間欠駆動を行い太陽電池発生電力の変換効率を高いものとする。【解決手段】発電機構である太陽電池とその発生電圧を蓄電する蓄電機構を接続し、ＮＰＮ型及びＰＮＰ型トランジスタ並びに抵抗器とコンデンサからなりモータのオン／オフ制御を行うスイッチ機構を構成し、当該スイッチ機構の電圧を制御する電圧制御機構をツェナーダイオードと複数またはセンタータップ付きの抵抗器で構成し、当該蓄電機構と当該スイッチ機構を当該電圧制御機構を介して接続し、当該蓄電機構と当該モータを当該スイッチ機構を介して接続した構成である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電機構である太陽電池とその発生電圧を蓄電する蓄電機構を接続し、ＮＰＮ型及びＰＮＰ型トランジスタ並びに抵抗器とコンデンサからなりモータのオン／オフ制御を行うスイッチ機構を構成し、当該スイッチ機構の電圧を制御する電圧制御機構をツェナーダイオードと抵抗器で構成し、当該蓄電機構と当該スイッチ機構を当該電圧制御機構を介して接続し、当該蓄電機構と当該モータを当該スイッチ機構を介して接続したソーラーモータ駆動回路。
【請求項２】
請求項１において、ダイオードと抵抗器を直列に接続しスイッチ保持機構を構成し、スイッチ機構を構成するＮＰＮ型トランジスタのコレクタとＰＮＰ型トランジスタのベースを当該ダイオードと当該抵抗器を介して接続したソーラーモータ駆動回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、スイッチ保持機構を構成するダイオードをツェナーダイオードに置き換えて設けたソーラーモータ駆動回路。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３において、スイッチ機構及びスイッチ保持機構を構成するＮＰＮ型トランジスタとＰＮＰ型トランジスタを置き換えて設けたソーラーモータ駆動回路。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４において、モータのオン／オフを制御しスイッチ機構を構成するバイポーラトランジスタを電界効果トランジスタに置き換えて設けたソーラーモータ駆動回路。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５において、直列に接続したダイオードとツェナーダイオード並びに抵抗器でスイッチ保持機構を構成し、当該ダイオードのアノードと当該ツェナーダイオードのアノードを接続したソーラーモータ駆動回路。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６において、蓄電機構をポリアセンキャパシタや電気二重層コンデンサで構成したソーラーモータ駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、モータを自動的に間欠駆動することで太陽電池の発生電力を効果的に利用するものであり、且つ、簡単な構成により大容量の蓄電及び放電を温度補償をしつつ可能とする手段であり、ポンプなどの高い始動時電力を要するモータの駆動を可能とし太陽電池の発生電力を効果的に利用することができるソーラーモータ駆動回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  先ず、第１の背景技術としては太陽電池の発生電力をＤＣモータに供給して駆動力とする手段がありいくつかの形態のものが使用されている。例えば、ポンプや換気扇を駆動するものもあり実地に用いられている。【０００３】  次に、第２の背景技術は太陽電池の発生電圧を蓄電機構に蓄電しスイッチ機構にタイマーを用いポンプのモーターを自動間欠駆動する構成である（特許文献１参照）。【０００４】  次に、第３の背景技術は太陽電池の発生する直流電圧をインバータを用いて交流電圧に変換し、誘導モータの電源とする構成であり、スイッチ機構に電流センサを用いて自動間欠駆動し、且つ、電源の周波数を制御することで始動を確実なものとし、さらに、電源の周波数や電圧を制御し、運転時の変換効率を高めるものである（特許文献２参照）。【０００５】
【特許文献１】登録実用新案第３０２８０１１号公報
【特許文献２】特開２００１−１０３７９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  しかしながら、前記第１の背景技術ではＤＣモータ始動時の電力と運転時の電力には大きな差があるため太陽電池の発生電力をＤＣモータ始動時の電力となるように構成すると、運転時においてＤＣモータの必要な電力を大きく上回ってしまうことになり電力にロスが生じるという問題がある。【０００７】  次に、前記第２の背景技術は前記第１の背景技術と異なり太陽電池の発生電圧を蓄電する構成である。この蓄電機構には二次電池を用いているため電気二重層コンデンサ等と比較すると大容量ではあるが充放電回数が少ないという欠点がある。また、太陽電池の発生電力は変動が大きいためスイッチ機構にタイマーを用いる構成では蓄電電圧の低いときでもスイッチングをおこなう場合もありモーターの始動とならないという問題がある。【０００８】  次に、前記第３の背景技術は蓄電機構を用いない構成であるため、太陽電池の発生電力が低いときは誘導モータの始動電力に達しないため太陽電池を効率よく利用できないという問題がある。さらに、この構成は曇りの日など太陽電池の発生電力が消費電力をやや下回る時でも誘導モータの始動は可能ではあるが、この場合の誘導モータは通常運転時よりも下回る出力で運転を続けることになるためポンプなどの運転に制約が生じるという問題がある。【０００９】  本発明は、前記従来の技術の問題を解決する手段であり、簡単な構成により上昇率の低い蓄電電圧を温度補償をしつつ検出し、さらにその信号でスイッチ機構のオン／オフ制御を確実なものとし、その機能により太陽電池の発生電力を効率よくモータの回転力に変換し自動間欠駆動を行うことができるソーラーモータ駆動回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】  上記目的を達成するための本発明の第１の解決手段としては、発電機構である太陽電池とその発生電圧を蓄電する蓄電機構を接続し、ＮＰＮ型及びＰＮＰ型トランジスタ並びに抵抗器とコンデンサからなりモータのオン／オフ制御を行うスイッチ機構を構成し、当該スイッチ機構の電圧を制御する電圧制御機構をツェナーダイオードと抵抗器で構成し、当該蓄電機構と当該スイッチ機構を当該電圧制御機構を介して接続し、当該蓄電機構と当該モータを当該スイッチ機構を介して接続する構成である。【００１１】  次に、本発明の第２の解決手段としては、前記第１の解決手段において、ダイオードと抵抗器を直列に接続しスイッチ保持機構を構成し、スイッチ機構を構成するＮＰＮ型トランジスタのコレクタとＰＮＰ型トランジスタのベースを当該ダイオードと当該抵抗器を介して接続する構成である。【００１２】  次に、本発明の第３の解決手段としては、前記第１または前記第２の解決手段において、スイッチ保持機構を構成するダイオードをツェナーダイオードに置き換えて設ける構成である。【００１３】  次に、本発明の第４の解決手段としては、前記第１ないし前記第３の解決手段において、スイッチ機構及びスイッチ保持機構を構成するＮＰＮ型トランジスタとＰＮＰ型トランジスタを置き換えて設ける構成である。【００１４】  次に、本発明の第５の解決手段としては、モータのオン／オフを制御しスイッチ機構を構成するバイポーラトランジスタを電界効果トランジスタに置き換えて設ける構成である。【００１５】  次に、本発明の第６の解決手段としては、前記第１ないし前記第５の解決手段において、直列に接続したダイオードとツェナーダイオード並びに抵抗器でスイッチ保持機構を構成し、当該ダイオードのアノードと当該ツェナーダイオードのアノードを接続する構成である。【００１６】  次に、本発明の第７の解決手段としては、前記第１ないし前記第６の解決手段において、蓄電機構をポリアセンキャパシタや電気二重層コンデンサで構成するものである。
【発明の効果】
【００１７】  以上の説明にあるように本発明は上昇率の低い蓄電電圧の検出を可能としているため、比較的大容量であるポリアセンキャパシタや電気二重層コンデンサを用いて蓄電機構とすることもできる。これはモータ等のように大電流を必要とする構成でも太陽電池の小型化を図ることができる機能である。また、前記蓄電機構は二次電池と比べて充放電回数などの耐久性に優れているという利点もある。さらに、本発明は太陽電池により比較的上昇率の低い蓄電を行う構成であるため蓄電機構の劣化を防ぐという効果もある。次に、利用範囲としては太陽電池を電源とした換気用のファンやポンプのモータ駆動回路とすることができ、これらの構成において本機構を屋外に設置可能であればより有利であり本発明の温度補償機能は温度差の大きい場所に設置した場合でもスイッチ機構のオン／オフ制御を確実に行うことができるため有効である。また、曇りの日など太陽電池の発生電力が低いときでも機能する点はコストを抑えつつエネルギーの有効利用を計る上で有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】  次に、本発明の第１実施の形態を図１を参照し説明すれば、先ず、発電機構である太陽電池１１と、蓄電機構であるコンデンサａ２０それぞれの正極側を接続し、それぞれの負極側をグランドに接続する。次に、ツェナーダイオードａ１のカソードが正極側となるようにツェナーダイオードａ１と抵抗器ｃ７並びに抵抗器ａ５を直列に接続し電圧制御機構を構成する。次に、コンデンサａ２０の正極側とＮＰＮトランジスタａ２のベースをツェナーダイオードａ１と抵抗器ｃ７を介して接続し、ＮＰＮトランジスタａ２のコレクタとＰＮＰトランジスタａ３のベースを抵抗器ｂ６を介して接続し、ＮＰＮトランジスタａ２のベースとＰＮＰトランジスタａ３のコレクタをコンデンサｂ１０を介して接続し、抵抗器ｂ６と抵抗器ｄ８を直列に接続し、ＰＮＰトランジスタａ３のコレクタとＮＰＮトランジスタｂ４のベースを抵抗器ｅ９を介して接続し、ＮＰＮトランジスタｂ４とＮＰＮトランジスタｂ１６をダーリントン接続し、抵抗器ｅ９と抵抗器ｆ１３を直列に接続し、ＮＰＮトランジスタｂ１６のコレクタとコンデンサａ２０の正極側をモータ１５を介して接続する構成である（請求項１記載）。【００１９】  次に、この構成の機能について図１及び図９を参照し説明すれば、図９に示すグラフは電圧の上昇に伴い変化する電流値を示すグラフである。横軸にツェナーダイオードｃ２５と抵抗器ｊ２７の印加電圧を示し、縦軸にツェナーダイオードのｃ２５と抵抗器ｊ２７に流れる電流を示すものである。【００２０】  先ず、本構成は太陽電池１１の発生電圧によりコンデンサａ２０の電位が高まると前記グラフに示すように非線形素子であるツェナーダイオードｃ２５に流れる電流値が急激に立ち上がる。この電流を抵抗器ｃ７と抵抗器ａ５で分圧しコンデンサｂ１０に蓄電し電位が高まりＮＰＮトランジスタａ２のベース電圧約０．５７Ｖになるとベースとグランド間の電流となる。【００２１】  次に、この電流によりＮＰＮトランジスタａ２のコレクタとエミッタ間の電流を増幅し抵抗器ｂ６を介してＰＮＰトランジスタａ３のベース・エミッタ間の電流となる。この電流は図１に示す電流１２であり、図に示すようにＰＮＰトランジスタａ３のエミッタとコレクタ間を流れる電流はコンデンサｂ１０と直列に流れ電圧を高めてＮＰＮトランジスタａ２のベースに流れコレクタとエミッタ間の電流を増幅し、抵抗器ｂ６を介してＰＮＰトランジスタａ３のベース・エミッタ間に電流が流れ、エミッタとコレクタ間の電流を増幅しコンデンサｂ１０と直列に流れる。このようにトランジスタで増幅し一気に電流値を高めた電流は抵抗器ｅ９と抵抗器ｆ１３で分圧しＮＰＮトランジスタｂ４のベース電圧となる。次に、この電圧はＮＰＮトランジスタｂ４とダーリントン接続したＮＰＮトランジスタｃ１６のベース・エミッタ間の電流となりコレクタとエミッタ間の電流を増幅しモータ１５を駆動する電流となる。【００２２】  なお、抵抗器ｂ６と抵抗器ｄ８についてはＮＰＮトランジスタａ２のコレクタとエミッタ間の電流値が立ち上がる迄の低い電圧を制限するものであり、立ち上がるときの電圧値を安定するためのものである。【００２３】  加えて、抵抗器ｃ７と抵抗器ａ５や抵抗器ｂ６と抵抗器ｄ８などのように分圧に用いる抵抗器については中間に接続端子のある半固定抵抗器とすることも可能である。【００２４】  以上のように本構成はＰＮＰトランジスタａ３のベース・エミッタ間電流値が低い時点から増幅を開始し、電圧を高めるコンデンサｂ１０の配置やそれぞれのトランジスタの電流増幅により一気にＮＰＮトランジスタｂ４とＮＰＮトランジスタｃ１６をオンとしモータ１５の電流値を駆動可能な値まで高めることができるものである。これはコンデンサａ２０の蓄電電圧上昇率が非常に低い場合でも確実に機能する構成であり、発生電力の低い太陽電池と大容量蓄電機構との組合せを可能とするものである。【００２５】  従って、本発明の蓄電機構には大容量であるポリアセンキャパシタや電気二重層コンデンサで構成することができる（請求項７記載）。【００２６】  次に、図９に示すように抵抗器ｊ２７は線形素子であるため電圧の上昇に伴う電流の上昇率は一定である。そのため、本構成の電圧制御機構をツェナーダイオードａ１を用いずに抵抗器からなる構成とした場合スイッチング時の電圧値が不安定となり、さらに、温度差によるトランジスタのベース・エミッタ間電圧値の変化に全く対応することができずモータ１５の始動が不安定なものとなるという問題がある。本機構はこの問題をツェナーダイオードａ１を用いることで解決するものである。【００２７】  なお、モータ１５と並列に接続するダイオードと抵抗器については、電流遮断時に発生する逆起電力を吸収しＮＰＮトランジスタｃ１６を保護するためのものである。【００２８】  次に、この構成の温度補償機能について説明すればトランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅは約−２ｍＶ／℃の負の温度特性をもっているため、温度が１℃上昇するとＶｂｅが２ｍＶ低下することになる。ツェナー電圧約５Ｖを上回るツェナーダイオードの場合は反対に正の温度特性をもっている。本発明はこの正と負の温度特性を組み合わせ差し引きすることで温度補償機能としている。【００２９】  次に、この組合せについては次式で求めることができる。
Ｖ：制御電圧＝１２．６Ｖ
Ｚｖ（Ｖ）：ツェナーダイオードａ１のツェナー電圧（周囲温度：Ｔａ＝２５℃）
γｚ（ｍＶ／℃）：ツェナーダイオードａ１のツェナー電圧温度係数
γＴｒ（ｍＶ／℃）：ＮＰＮトランジスタａ２のベース・エミッタ間電圧温度係数＝２
Ｖｂｅ：ＮＰＮトランジスタａ２のベース・エミッタ間電圧＝０．５７Ｖ（Ｔａ＝２５℃）
Ｋ：ツェナー電圧当たりのツェナー電圧温度係数γｚ／（Ｚｖ−５）＝１．０４
ｎ：倍数
γｚ＝Ｋ（Ｚｖ−５）
（Ｖ−Ｚｖ）／ｎ＝Ｖｂｅ
γｚ／ｎ＝γＴｒ【００３０】  これらの式によりＺｖとγｚ及びｎの値を求めることができる。【００３１】  次に、次式により抵抗器ｃ７と抵抗器ａ５の抵抗値を求めることができる。
Ｒ１＝抵抗器ｃ７の抵抗値
Ｒ２＝抵抗器ａ５の抵抗値
Ｉ＝ＮＰＮトランジスタａ２のベース・エミッタ間電流値
Ｒ１＝Ｖｂｅ／Ｉ
Ｒ２（Ｖ−Ｚｖ）／（Ｒ１＋Ｒ２）＝（Ｖ−Ｚｖ）／ｎ＝Ｖｂｅ【００３２】  以上の式により電圧制御機構を構成する抵抗器ｃ７と抵抗器ａ５の抵抗値並びにツェナーダイオードａ１のツェナー電圧値を求めることができる。【００３３】  次に、本発明の第２実施の形態は図２に示すように前記第１実施の形態にダイオードと抵抗器並びにＰＮＰトランジスタを増設するものであり、アノードを正極側と接続するダイオード１７と抵抗器ｇ１４並びに抵抗器ｄ８を直列に接続し、ＮＰＮトランジスタｃ１６のコレクタとＰＮＰトランジスタａ３のベースをダイオード１７と抵抗器ｇ１４を介して接続し、ＮＰＮトランジスタｃ１６のコレクタとＰＮＰトランジスタｃ２６のベースを抵抗器ｈ１８を介して接続し、抵抗器ｈ１８と抵抗器ｉ１９を直列に接続し、ＰＮＰトランジスタｃ２６のコレクタとグランドをモータ１５を介して接続する構成である（請求項２記載）。【００３４】  この構成のダイオード１７と抵抗器ｇ１４はＰＮＰトランジスタａ３のベース電流を供給しスイッチ保持機構とするものであり、さらにこのスイッチ保持機能はコンデンサａ２０の電圧が下がりＰＮＰトランジスタａ３のベース電流の供給が止まるまで続くものであり、これは抵抗器ｇ１４の値を調整することで抵抗器ｇ１４と抵抗器ｄ８との分圧値やダイオード１７の降下電圧値などからベース電圧を調整しスイッチオフ時のコンデンサａ２０の電圧を設定することができる。【００３５】  次に、図３に示す構成は前記図２に示す構成のダイオード１７をツェナーダイオードｂ２４に置き換えるものであり、カソードを正極側と接続するツェナーダイオードｂ２４と抵抗器ｇ１４並びに抵抗器ｄ８を直列に接続し、ＮＰＮトランジスタｃ１６のコレクタとＰＮＰトランジスタａ３のベースをツェナーダイオードｂ２４と抵抗器ｇ１４を介して接続する構成であり第３実施の形態である（請求項３記載）。【００３６】  この構成もスイッチ保持機構とするものであり抵抗器ｇ１４と抵抗器ｄ８との分圧値やツェナーダイオードｂ２４のツェナー電圧値などからベース電圧を調整しスイッチオフ時のコンデンサａ２０の電圧を設定することができる。さらに、ツェナーダイオードｂ２４と抵抗器ｇ１４及び抵抗器ｄ８の組合せは前記第１実施の形態と同様に温度補償機能を有するためスイッチ保持及び電圧制御と温度補償を合わせた機構を構成することができる。【００３７】  なお、この場合はツェナーダイオードｂ２４のカソードとＰＮＰトランジスタａ３のベースを接続する構成であるが、ツェナーダイオードｂ２４の順電圧によりＰＮＰトランジスタａ３のベース電圧となるためＰＮＰトランジスタａ３のスイッチングを可能とするものである。【００３８】  次に、図４に示す構成は前記図３に示す構成のＮＰＮ型及びＰＮＰ型トランジスタを置き換え、ツェナーダイオードｂ２４のカソードを正極側と接続するように設けるものであり、第４実施の形態である（請求項４記載）。【００３９】  本発明は、この構成においても前記第３実施の形態と同様の機能を有するものである。【００４０】  次に、図５に示す構成は第５実施の形態であり前記図３に示すＮＰＮ型のトランジスタを二つ組み合わせたダーリントン接続をＮＰＮ型とＰＮＰ型を組み合わせたダーリントン接続に置き換えるものであり、カソードを正極側と接続するツェナーダイオードｂ２４と抵抗器ｇ１４並びに抵抗器ｌ２９を直列に接続し、ＰＮＰトランジスタｃ２６のコレクタとＮＰＮトランジスタｂ４のベースをツェナーダイオードｂ２４と抵抗器ｇ１４を介して接続し、抵抗器ｋ２８と抵抗器ｌ２９を直列に接続し、ＰＮＰトランジスタｃ２６のコレクタとＮＰＮトランジスタｃ１６のベースを抵抗器ｈ１８を介して接続し、抵抗器ｈ１８と抵抗器ｉ１９を直列に接続し、ＮＰＮトランジスタｃ１６のコレクタとコンデンサａ２０の正極側をモータ１５を介して接続する構成である。【００４１】  この構成は前記ＮＰＮ型のトランジスタを二つ組み合わせたダーリントン接続と比べてＮＰＮトランジスタｂ４のベース・エミッタ間電圧を低く設定することができため、スイッチ機構やスイッチ保持機構並びに温度補償を低電圧で機能することができる。これは、コンデンサａ２０の電圧を低く設定する場合に有利である。【００４２】  次に、図６に示す構成は第６実施の形態であり前記図４に示す構成のＮＰＮトランジスタｃ１６を電界効果トランジスタ２２に置き換えるものである。抵抗器ｈ１８と抵抗器ｉ１９を直列に接続し、ＰＮＰトランジスタｃ２６のコレクタと電界効果トランジスタ２２のゲートを抵抗器ｈ１８を介して接続し、電界効果トランジスタ２２のドレインとコンデンサａ２０の正極側をモータ１５を介して接続する構成である（請求項５記載）。【００４３】  この構成の電界効果トランジスタ２２は電圧駆動素子であるため、バイポーラトランジスタと比較して駆動電流を低く抑えることが可能であり効率を高める効果がある。また、これは安全動作領域も広いという利点も有するため本機構のスイッチング回路に適した素子である。【００４４】  次に、図７に示す構成は前記図６に示す構成にダイオード１７を増設する例であり、ツェナーダイオードｂ２４や抵抗器ｇ１４と直列にダイオード１７を接続する第７実施の形態である（請求項６記載）。【００４５】  この構成は太陽電池１１の発生電圧や周囲温度が大きく変化した場合でもＮＰＮトランジスタａ２のベース・エミッタ間電圧を確保しスイッチングを確実なものとする例である。【００４６】  次に、図８示す構成はモータ１５にファン２３を取り付けた例であり、この図に示すように本機構の電子回路部を太陽電池１１の日陰に位置するように設けることで温度補償機能を高めることができる。
【実施例】
【００４７】  次に、本発明の第１の実施例を図１を参照し説明すれば、先ず、太陽電池１１の寸法は２５ｍｍ×２０ｍｍであり、蓄電機構であるコンデンサａ２０の容量は２２００μＦである。次に、スイッチ機構はＮＰＮトランジスタａ２とＰＮＰトランジスタａ３並びに抵抗器ｂ６と抵抗器ｄ８及びコンデンサｂ１０からなり、コンデンサｂ１０の容量は４７μＦである。次に、電圧制御機構としてＺｖ＝５Ｖのツェナーダイオードａ１と抵抗器ｃ７並びに抵抗器ａ５を設け、負荷とするモータ１５とこれのスイッチングとするＮＰＮトランジスタｂ４とＮＰＮトランジスタｃ１６をダーリントン接続し、ＮＰＮトランジスタｂ４のベースと接続する抵抗器ｅ９及び抵抗器ｆ１３を設け、これらを結線した構成である。【００４８】  次に、前記構成の機能は、先ず、発電機構である太陽電池１１の室内での電圧電流の測定値は３．５Ｖ及び３．５μＡである。モータ１５は約９分間隔で約１／６回転駆動し、このときのコンデンサａ２０の電圧は約３．０Ｖから降下し約２．４Ｖとなる。なお、コンデンサｂ１０の容量を大きくした場合はモータ１５の回転は増し、電圧はより降下することになる。【００４９】  次に、第２の実施例は図２に示す構成であり、先ず、太陽電池１１の寸法は１６７ｍｍ×２９４ｍｍであり晴天時の電圧電流値は１８Ｖ及び１６６ｍＡである。次に、電圧制御機構としてＺｖ＝１０．９Ｖのツェナーダイオードａ１と２４ＫΩの抵抗器ｃ７並びに１２ＫΩの抵抗器ａ５を設け、次に、スイッチ保持機構はダイオード１７と１６０ＫΩの抵抗器ｇ１４並びに１１ＫΩの抵抗器ｄ８を設け、次に、蓄電機構であるコンデンサａ２０については１０Ｆのものを８個直列に接続した構成である。次に、モータ１５は消費電力６Ｗであり出力軸にファンを取り付けた構成である。本機構はこれらを結線した構成である。【００５０】  先ず、この構成の温度補償機能は周囲温度５℃〜４５℃においてにスイッチング時の電圧である制御電圧を１２．６Ｖ±０．０２Ｖとするものである。次に、スイッチ機構については約１０秒間隔のスイッチングであり、スイッチ保持機構については駆動時間約４秒間であり、コンデンサａ２０の電圧は１２．６Ｖから降下し１０．５Ｖとなる。なお、本機構の発電機構である太陽電池１１は蓄電機構と並列に接続するものであるため駆動時間や間隔は太陽光の強さにより変化する。【００５１】  次に、第３の実施例は図３に示す構成であり、前記第２の実施例におけるスイッチ保持機構をＺｖ＝９．３Ｖのツェナーダイオードｂ２４と３．６ＫΩの抵抗器ｇ１４並びに１１ＫΩの抵抗器ｄ８からなる構成に置き換えるものである。【００５２】  この構成におけるスイッチ及びスイッチ保持機能は駆動間隔は約８秒間であり、駆動時間約３秒間であり、コンデンサａ２０の電圧は１２．６Ｖから降下し１１．０Ｖとなる。【００５３】  次に、第４の実施例は図４に示す構成であり、前記第３の実施例におけるスイッチ機構及びスイッチ保持機構を構成するＮＰＮトランジスタとＰＮＰトランジスタを置き換えるものであり、この構成における機能は前記第３の実施例と同様である。【００５４】  次に、第６の実施例は図６に示す構成であり、前記第３の実施例におけるモータ１��のオン／オフ制御に用いるＰＮＰトランジスタｃ２６を電界効果トランジスタ２２に置き換えるものである。【００５５】  この構成のスイッチ機能は前記第４の実施例とほぼ同様であるが、耐久性において優れている。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】  本発明の第１実施の形態を示す回路図
【図２】  本発明の第２実施の形態を示す回路図
【図３】  本発明の第３実施の形態を示す回路図
【図４】  本発明の第４実施の形態を示す回路図
【図５】  本発明の第５実施の形態を示す回路図
【図６】  本発明の第６実施の形態を示す回路図
【図７】  本発明の第７実施の形態を示す回路図
【図８】  本発明の実施の形態を示す斜視図
【図９】  ツェナーダイオードと抵抗器の特性を示すグラフ
【符号の説明】
【００５７】１    ツェナーダイオードａ
２    ＮＰＮトランジスタａ
３    ＰＮＰトランジスタａ
４    ＮＰＮトランジスタｂ
５    抵抗器ａ
６    抵抗器ｂ
７    抵抗器ｃ
８    抵抗器ｄ
９    抵抗器ｅ
１０  コンデンサｂ
１１  太陽電池
１２  電流
１３  抵抗器ｆ
１４  抵抗器ｇ
１５  モータ
１６  ＮＰＮトランジスタｃ
１７  ダイオード
１８  抵抗器ｈ
１９  抵抗器ｉ
２０  コンデンサａ
２１  ＰＮＰトランジスタｂ
２２  電界効果トランジスタ
２３  ファン
２４  ツェナーダイオードｂ
２５  ツェナーダイオードｃ
２６  ＰＮＰトランジスタｃ
２７  抵抗器ｊ
２８  抵抗器ｋ
２９  抵抗器ｌ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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