(57)【要約】【課題】ＶＨＦ帯を利用した誘導結合方式でマイクロプラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生装置において、さらに効率良くプラズマを発生させしかも小型化する。【解決手段】基板２と、基板２上に配設されたマイクロアンテナ３と、マイクロアンテナ３の近傍に配設された放電管４と、ＶＨＦ帯の高周波をマイクロアンテナ３に供給する高周波電源と、高周波電源からの高周波を入力し反射波を調整する整合回路７と、整合回路７とマイクロアンテナ３との間に接続された位相回路６とを備え、位相回路６はその回路定数を、定在波の電流振幅の最大値の位置がマイクロアンテナ近傍となるように、または定在波の電圧振幅の最小値の位置がマイクロアンテナ近傍となるように設定した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板上に配設されたマイクロアンテナと、マイクロアンテナの近傍に配設された放電管と、ＶＨＦ帯の高周波をマイクロアンテナに供給する高周波電源と、高周波電源からの高周波を入力し反射波を調整する整合回路と、整合回路とマイクロアンテナとの間に接続された位相回路とを備え、位相回路はその回路定数を、定在波の電流振幅の最大値の位置がマイクロアンテナ近傍となるように設定したことを特徴とするマイクロプラズマジェット発生装置。
【請求項２】
基板と、基板上に配設されたマイクロアンテナと、マイクロアンテナの近傍に配設された放電管と、ＶＨＦ帯の高周波をマイクロアンテナに供給する高周波電源と、高周波電源からの高周波を入力し反射波を調整する整合回路と、整合回路とマイクロアンテナとの間に接続された位相回路とを備え、位相回路の回路定数を、定在波の電圧振幅の最小値の位置がマイクロアンテナ近傍となるように設定したことを特徴とするマイクロプラズマジェット発生装置。
【請求項３】
位相回路は、整合回路の一方とマイクロアンテナの一方の端子の間に配置した第１のリアクタンス素子とその間を接続する通電路の何れか一方又は両方と、整合回路の他方とマイクロアンテナの他方の端子の間に配置した第２のリアクタンス素子とその間を接続する通電路の何れか一方又は両方にて構成したことを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
【請求項４】
第１のリアクタンス素子及び第２のリアクタンス素子は、それぞれ固定インダクタンスと可変インダクタンスと固定コンデンサと可変コンデンサの内の少なくとも１つであることを特徴とする請求項３記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
【請求項５】
位相回路の第１と第２のリアクタンス素子と、それぞれに直列接続された整合回路の素子を結合して、それらのリアクタンス素子を１つのリアクタンス素子で構成したことを特徴とする請求項３又は４記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
【請求項６】
整合回路及び位相回路を構成する素子を前記基板上に配設したことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
【請求項７】
マイクロアンテナを、前記基板上に配置したことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
【請求項８】
基板上に配設されたマイクロアンテナにＶＨＦ帯の高周波を供給し、マイクロアンテナの近傍に配設された放電管にガスを導入してマイクロ誘導結合プラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生方法において、整合回路にて高周波電源への反射波の入力を０近傍に調整し、整合回路とマイクロアンテナの間に介装した位相回路の回路定数を調整して定在波の電流振幅の最大値の位置をマイクロアンテナ近傍に位置させることを特徴とするマイクロプラズマジェット発生方法。
【請求項９】
基板上に配設されたマイクロアンテナにＶＨＦ帯の高周波を供給し、マイクロアンテナの近傍に配設された放電管にガスを導入してマイクロ誘導結合プラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生方法において、整合回路にて高周波電源への反射波の入力を０近傍に調整し、整合回路とマイクロアンテナの間に介装した位相回路の回路定数を調整して定在波の電圧振幅の最小値の位置をマイクロアンテナ近傍に位置させることを特徴とするマイクロプラズマジェット発生方法。
【請求項１０】
位相回路は、整合回路の一方とマイクロアンテナの一方の端子の間に配置した第１のリアクタンス素子とその間を接続する通電路の何れか一方又は両方と、整合回路の他方とマイクロアンテナの他方の端子の間に配置した第２のリアクタンス素子とその間を接続する通電路の何れか一方又は両方にて構成されていることを特徴とする請求項８又は９記載のマイクロプラズマジェット発生方法。
【請求項１１】
第１のリアクタンス素子及び第２のリアクタンス素子は、それぞれ固定インダクタンスと可変インダクタンスと固定コンデンサと可変コンデンサの内の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１０記載のマイクロプラズマジェット発生方法。
【請求項１２】
位相回路の第１と第２のリアクタンス素子と、それぞれに直列接続された整合回路の素子を結合して、それらのリアクタンス素子を１つのリアクタンス素子で構成することを特徴とする請求項１０又は１１記載のマイクロプラズマジェット発生方法。
【請求項１３】
整合回路及び位相回路を構成する素子を前記基板上に配設することを特徴とする請求項８〜１２の何れかに記載のマイクロプラズマジェット発生方法。
【請求項１４】
マイクロアンテナを、前記基板上に配置することを特徴とする請求項８〜１３の何れかに記載のマイクロプラズマジェット発生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロプラズマジェット発生装置及び方法に関し、特に基板上に配設されたマイクロアンテナにＶＨＦ帯の高周波を供給し、マイクロアンテナの近傍に配設された放電管にガスを導入することで、大気圧下でマイクロ誘導結合プラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、真空プラズマ発生装置や大気圧プラズマ発生装置は装置が大型であるため、ロボットに搭載して稼動させるような装置に適用することは不可能であったが、近年、大気圧下でマイクロ誘導結合プラズマジェットを生成する小型のマイクロプラズマジェット発生装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このマイクロプラズマジェット発生装置は、図１０に示すように、基板２１と、基板２１上に配設されたマイクロアンテナ２２と、マイクロアンテナ２２の近傍に配設された放電管２３とを備えたプラズマチップ２０を用い、図１１に示すように、ＶＨＦ帯の高周波電源２４からマイクロアンテナ２２に対して反射波を調整する整合回路２５を介して高周波を供給し、放電管２３にガスを導入することによって、大気圧にて小電力で微小空間に良好に安定したマイクロプラズマジェットを生成させることができるものである。図１１中、Ｌはマイクロアンテナ２２のリアクタンス成分、Ｒは回路の内部抵抗である。
【０００３】
また、真空処理室内にガスを導入し、対向配置した一対の電極間に高周波を印加してプラズマを発生し、一方の電極上に載置した被処理物をエッチング処理するプラズマ処理装置において、エッチング処理の選択性を確保するために、具体的にはイオンが主体となってエッチングが進む酸化膜からなる絶縁膜に対して、ラジカルとイオンの両方によりエッチングが進むポリシリコンのエッチング処理が選択的に行われるようにするために、絶縁膜のエッチングに大きく寄与するイオンエネルギーを小さくするように、電極上での高周波バイアスが小さくなるように高周波給電経路内で生じる定在波の最小振幅位置を電極位置に合わせる方法が知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００４】
なお、特許文献２において、使用している周波数はＲＦ周波数帯の１３．５６ＭＨｚであり、定在波の最小振幅位置を電極位置に合わせる方法としては、高周波整合器と電極間のケーブル長を調整する方法が記載されている。この場合、定在波の振幅を調整するのにケーブル長が数ｍになるという問題を有している。
【０００５】
また、上記特許文献２には、高周波給電経路に位相調整器を挿入した構成も記載されているが、高周波電源と高周波整合器との間に介装して位相調整器の位相量を調整するとされており、調整が困難であるという問題もある。
【特許文献１】特許第３６１６０８８号明細書
【特許文献２】特開２００２−３７３８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献１においては、大気圧にて小電力で微小空間に安定したマイクロプラズマジェットを生成するために、微小な放電管中でイオン及び電子の一部を捕捉することができるＶＨＦ帯を利用し、かつアンテナに流れる電流により生じる誘電磁界を利用する誘導結合方式で効率良く電力をプラズマに供給することによって、高密度プラズマジェットを小電力で安定して生成するという原理や実験内容について開示されているが、さらに低消費電力で効率良くプラズマを発生させかつ小型化する技術については、なお十
分ではないという問題を有している。
【０００７】
例えば、上記特許文献１では５０Ｗ以下で実験を行った内容を開示しているが、加工や表面改質等の応用展開を行う場合には、同じ電力を使用しながら発生するマイクロプラズマジェットのプラズマ密度をより高くする必要があるという問題がある。
【０００８】
一方、上記特許文献２に開示された技術は、基本的に平行平板方式のプラズマ処理装置に関するものであり、使用する周波数もＲＦ周波数帯であり、かつ目的も処理の選択性を高めるために、電極上での高周波バイアスが小さくなるようにするもので、上記問題を解決手段を示唆するものではない。また、ケーブル長の調整によって定在波の最小振幅位置を調整する方法が記載されているが、その方法ではＶＨＦ帯の高周波を用いる場合でもケーブル長は数１０ｃｍにもなり、例えば一辺が１０ｃｍ程度のボックス内に装置を収容するような小型化を達成することができないという問題もある。また、位相調整器を用いた構成でも高周波電源と高周波整合器との間に介装しているため、上記のように調整が困難であるという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、ＶＨＦ帯を利用した誘導結合方式でマイクロプラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生装置において、さらに効率良くプラズマを発生させることができしかも小型化することができるマイクロプラズマジェット発生装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のマイクロプラズマジェット発生装置は、基板と、基板上に配設されたマイクロアンテナと、マイクロアンテナの近傍に配設された放電管と、ＶＨＦ帯の高周波をマイクロアンテナに供給する高周波電源と、高周波電源からの高周波を入力し反射波を調整する整合回路と、整合回路とマイクロアンテナとの間に接続された位相回路とを備え、位相回路はその回路定数を、定在波の電流振幅の最大値の位置がマイクロアンテナ近傍となるように、または定在波の電圧振幅の最小値の位置がマイクロアンテナ近傍となるように設定したものである。
【００１１】
また、本発明のマイクロプラズマジェット発生方法は、基板上に配設されたマイクロアンテナにＶＨＦ帯の高周波を供給し、マイクロアンテナの近傍に配設された放電管にガスを導入してマイクロ誘導結合プラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生方法において、整合回路にて高周波電源への反射波の入力を０近傍に調整し、整合回路とマイクロアンテナの間に介装した位相回路の回路定数を調整して、定在波の電流振幅の最大値の位置をマイクロアンテナ近傍に位置させ、または定在波の電圧振幅の最小値の位置がマイクロアンテナ近傍に位置させるものである。
【００１２】
以上の構成によれば、プラズマの発生に大きく寄与するのはマイクロアンテナに流れる電流であることから、整合回路とマイクロアンテナとの間に位相回路を介装し、位相回路にて定在波の電流の振幅の最大値がマイクロアンテナの近傍に位置するように構成したことで、投入電力を効率良くマイクロアンテナに流れる電流として供給し、効率良くプラズマを発生させることができる。また、ＶＨＦ帯の高周波においては電圧の定在波と電流の定在波は位相が１８０度異なっているので、定在波の電圧振幅の最小値の位置がマイクロアンテナ近傍に位置させるように構成しても同じ効果を奏することができる。
【００１３】
前記位相回路は、整合回路の一方とマイクロアンテナの一方の端子の間に配置した第１のリアクタンス素子とその間を接続する通電路の何れか一方又は両方と、整合回路の他方とマイクロアンテナの他方の端子の間に配置した第２のリアクタンス素子とその間を接続する通電路の何れか一方又は両方にて構成することができ、これらリアクタンス素子と所要長の通電路の何れか一方又は両方によって定在波の振幅位置を調整することができる。リアクタンス素子を用いれば、よりコンパクトに構成できるが、所要長の通電路を工夫してコンパクトに配置することによっても同様の効果を得ることができる。
【００１４】
第１のリアクタンス素子及び第２のリアクタンス素子は、それぞれ固定インダクタンスと可変インダクタンスと固定コンデンサと可変コンデンサの内の少なくとも１つにて構成することができる。
【００１５】
また、位相回路の第１と第２のリアクタンス素子と、それぞれに直列接続された整合回路の素子を結合して、それらのリアクタンス素子を１つのリアクタンス素子で構成することができる。
【００１６】
また、整合回路及び位相回路を構成する素子を前記基板上に配設すると、マイクロプラズマ発生装置の全体の小型化を実現することができ、さらに電波法や装置の安全上の問題をクリアできれば、作業者が手に持って作業できるような装置への応用展開が可能となる。
【００１７】
また、前記マイクロアンテナは、基板上にパターン形成したものに限らず、前記基板上に立体的なコイルを配置した構成としても良い。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のマイクロプラズマジェット発生装置及び方法によれば、整合回路とマイクロアンテナとの間に位相回路を介装し、位相回路にて定在波の電流の振幅の最大値、又は定在波の電圧の振幅の最小値が、マイクロアンテナの近傍に位置するように構成したことで、投入電力を効率良くマイクロアンテナに流れる電流として供給し、効率良くプラズマを発生させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明のマイクロプラズマジェット発生装置及び方法の一実施形態について、図１〜図５を参照しながら説明する。
【００２０】
本実施形態のマイクロプラズマジェット発生装置１においては、図１に示すように、アルミナ製の基板２上に複数巻きの波状形態のマイクロアンテナ３を形成し、このマイクロアンテナ３の近傍に放電管４を配設している。基板２は、図示例では、上面にマイクロアンテナ３を配設し、下面に放電管４を形成する溝を形成した上部基板２ｕと上部基板２ｕの下面に貼り合わせた下部基板２ｄにて構成されている。また、マイクロアンテナ３は、マイクロプラズマジェットが噴出する放電管４の一端開口が臨む基板２の一側辺２ａに近接して配設されている。
【００２１】
マイクロアンテナ３に高周波を入力するため、その一対の端子５ａ、５ｂには、図２に示すように、位相回路６と整合回路７を介して高周波電源８が接続されている。高周波電源８は、例えば６０〜５００ＭＨｚ程度の周波数のＶＨＦ帯の高周波を出力するものであり、出力は２０〜１００Ｗ程度である。また、マイクロアンテナ３のリアクタンス成分Ｌは、本具体例では３０ｎＨであり、回路の内部抵抗Ｒが４００ｍΩである。
【００２２】
整合回路７は、高周波をマイクロアンテナ３に入力した時に発生する反射波の高周波電源８への入力を０近傍に調整するものであり、具体的には、図３に示すように、高周波電源８に並列接続されるＬＯＡＤ素子としての可変コンデンサ９と、高周波電源８とマイクロアンテナ３間に直列接続されるＴＵＮＥ素子としての可変コンデンサ１０にて調整可能に構成されている。勿論、整合回路７をコンデンサとインダクタンスの組み合わせで構成してもよい。
【００２３】
位相回路６は、図４に示すように、高周波電源８からマイクロアンテナ３に向けて入力される進行波と、マイクロアンテナ３からの反射波とが複合して高周波供給経路に形成される定在波の振幅の腹（振幅が最大値の部分）と節（振幅が最小値の部分）の位置を調整するものであり、本実施形態の具体例では、図３に示すように、整合回路７のＬＯＡＤ側端子とマイクロアンテナ３の一端の間に接続される第１のリアクタンス素子（Ａ素子）を固定コンデンサ１１にて、整合回路７のＴＵＮＥ側端子とマイクロアンテナ３の他端の間に接続される第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）を固定インダクタンス１２にてそれぞれ構成している。これら第１のリアクタンス素子（Ａ素子）と第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）は、それぞれ固定インダクタンスと可変インダクタンスと固定コンデンサと可変コンデンサの内の少なくとも１つで任意に構成することができる。
【００２４】
また、実際の回路構成に際しては、整合回路７のＬＯＡＤ素子９とＴＵＮＥ素子１０を可変素子にて構成し、位相回路６の第１のリアクタンス素子（Ａ素子）と第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）を固定リアクタンス素子で構成し、整合回路７のＬＯＡＤ素子９とＴＵＮＥ素子１０を適当な調整値に仮設定した状態で、定在波の電流振幅の腹がマイクロアンテナ３の近傍に位置するように、位相回路６の第１のリアクタンス素子（Ａ素子）と第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）を選択し、その後整合回路７のＬＯＡＤ素子９とＴＵＮＥ素子１０を可変して微調整するようにすると、調整が容易で好適である。
【００２５】
本実施形態では、図１に示すように、基板２上に、整合回路７のＬＯＡＤ素子９とＴＵＮＥ素子１０、及び位相回路６の第１のリアクタンス素子（Ａ素子）と第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）を搭載し、基板２上に形成した回路パターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃにて回路接続されている。
【００２６】
以上の構成において、放電管４内に基板２の一側辺２ａとは反対側の他端開口からガスを導入しつつ、高周波電源８から基板２上の回路パターン１３ａ、１３ｂ間にＶＨＦ帯の高周波を供給すると、位相回路６にて定在波の電流の振幅の最大値がマイクロアンテナ３の近傍に位置するように調整されていることで、高周波電源８からの投入電力がマイクロアンテナ３に流れる電流として効率良く供給され、その結果効率良くプラズマを発生させることができる。しかも、基板２上にマイクロアンテナ３、位相回路６及び整合回路７が配設されているので、装置をコンパクトに構成することができ、例えば一辺が１０ｃｍ程度のボックス内に装置を収容するような小型化を達成することも可能となる。
【００２７】
ここで、位相回路６の実験例について、図５（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。Ａ素子のコンデンサとＢ素子のインダクタンスの組合せとして、図５（ｂ）に示すように、１０ｐＦと１００ｎＨ（実験例Ｅ）、２２ｐＦと５４ｎＨ（実験例Ｆ）、１２０ｐＦと９．９ｎＨ（実験例Ｇ）に設定し、それぞれについて、図１及び図３におけるａ点（基準点）から種々の距離の位置での電圧振幅を測定した。図５（ａ）のグラフＥ、Ｆ、Ｇがそれぞれ実験例Ｅ、Ｆ、Ｇの各位置での電圧振幅を示している。また、ａ点、ｂ点、ｃ点、ｄ点は図１及び図３に表示した位置であり、ｃ点がマイクロアンテナ３の近傍位置である。図５（ｂ）に示したように、ｃ点での電圧振幅は、実験例Ｅが１００Ｖ、実験例Ｇが１１０Ｖであるのに対して、実験例Ｆは３８０Ｖと高かった。
【００２８】
また、上記各実験例Ｅ、Ｆ、Ｇについて、１００ＭＨｚ、５０Ｗの高周波電力を供給し、放電管にアルゴンガスを０．７ｓｌｍ導入した状態でのプラズマの発光強度を測定した。その結果、実験例Ｅ、Ｇについてはそれぞれ５５０００、６００００ａｒｂ．ｕｎｉｔと高い発光強度が測定されたが、実験例Ｆについては着火しなかった。かくして、マイクロアンテナ３の近傍位置での定在波の電圧振幅を最小値に調整することによって、小電力でも高いプラズマ密度のプラズマジェットが発生させることができることが分かる。なお、マイクロプラズマジェットの発光強度の測定は、図９に示すように、発生したプラズマ
Ｐの発光強度を光ファイバー１４を介して分光器（図示せず）にて測定した。
【００２９】
上記実施形態では、第１のリアクタンス素子（Ａ素子）として固定コンデンサ１１を、第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）として固定インダクタンス１２を使用した例を示したが、図６に示すように、第１のリアクタンス素子（Ａ素子）として固定インダクタンス１５を、第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）として固定コンデンサ１６を使用しても良い。さらに、整合回路７のＴＵＮＥ素子が可変コンデンサ１０から成り、第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）もコンデンサで、同種の素子である場合には、図７に示すように、整合回路７のＴＵＮＥ素子１０に第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）の機能を持たせた構成とすることもできる。さらに、第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）がインダクタンスの場合でも、整合回路７のＴＵＮＥ素子１０（可変コンデンサ）の可変範囲が大きい場合にはその機能をＴＵＮＥ素子１０にて代替することもできる。さらに、図示は省略するが、第１のリアクタンス素子（Ａ素子）及び第２のリアクタンス素子（Ｂ素子）を、コンパクトな構成となるように工夫した所要長の通電路に代えて同様の機能を奏するようにすることもでき、またこの通電路とリアクタンス素子を併用することもできる。
【００３０】
また、上記実施形態では、基板２上に配設するマイクロアンテナ３として、基板２上面にパターン成形したものを示したが、図８に示すように、立体的なコイル１７を基板２上に配置してマイクロアンテナ３とし、ガラス管１８などから成る放電管４をそのコイル１７に挿通した構成とすることもできる。
【００３１】
以上の実施形態のマイクロプラズマジェット発生装置によれば、基板２上にマイクロアンテナ３を配設しているのでコンパクトに構成することができ、また整合回路７とマイクロアンテナ３の間に位相回路６を介装し、マイクロアンテナ３近傍で発生する定在波の電流の振幅の最大値又は電圧の振幅が最小値になるように調整することで、ケーブル長を調整する場合に比して格段にコンパクトな構成にてマイクロアンテナ３にて発生するプラズマを略最大限にすることができる。かくして、同じ投入電力を使用してプラズマを発生させた場合でも、発生するプラズマの密度や発光強度を最大限近くまで強くすることができ、加工や表面改質等の応用展開を行うことができる。さらに、整合回路７や位相回路６も基板２上に配設したことにより、マイクロプラズマジェット発生装置１の小型化を実現することができ、ロボットに搭載して稼動させる事も可能になるとともに、電波法や装置の安全上の問題をクリアできれば、作業者が手に持って作業できるような装置への応用展開が可能となる。
【００３２】
また、このマイクロプラズマジェット発生装置は、化学・生化学の分野における各種分析装置に適用できるとともに、特にガスクロマトグラフィーやマイクロキャピラリ電気泳動による極微量物質の高速分離と、レーザー誘起蛍光検出や微小電極を用いた電気化学計測や誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ−ＯＥＳ：Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectroscopy）やＩＣＰ質量分析を結合させたマイクロ化学分析システム（μＴＡＳ：Micro Total Analysis System ）などに好適に適用できる。また、マイクロデバイスに用いられるマイクロチップ等の被加工物の局所部位の溶断、エッチング、薄膜堆積、洗浄、親水化処理や撥水化処理などの加工・表面処理や、有害物質の高温処理などの様々な分野で利用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明のマイクロプラズマジェット発生装置によれば、整合回路とマイクロアンテナの間に位相回路を介装し、マイクロアンテナの近傍位置で、定在波の電流の振幅が最大値若しくは定在波の電圧の振幅が最小値となるように位相回路を調整することで、小電力にて効率良くマイクロプラズマジェットを発生することができ、同じ投入電力で発生するプラズマ密度や発光強度を最大限近くまで強くすることができるので、マイクロキャピラリー電気泳動を用いたマイクロ化学分析方法などに好適に適用できるばかりでなく、各種加工・表面処理などに応用展開した場合にも高い処理能力を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明のマイクロプラズマジェット発生装置の一実施形態の要部構成を示す斜視図。
【図２】同実施形態の概略回路構成図。
【図３】同実施形態の一具体回路構成図。
【図４】定在波の説明図。
【図５】同実施形態の実験例を示し、（ａ）は各実験例の電圧振幅を示すグラフ、（ｂ）は各実験例の特性表。
【図６】同実施形態の他の具体回路構成図。
【図７】同実施形態のさらに別の具体回路構成図。
【図８】本発明のマイクロプラズマジェット発生装置の他の実施形態の要部構成を示す斜視図。
【図９】プラズマの発光強度の測定方法を示す斜視図。
【図１０】従来例のマイクロプラズマジェット発生装置の要部構成を示す斜視図。
【図１１】同従来例の概略回路構成図。
【符号の説明】
【００３５】
１  マイクロプラズマジェット発生装置
２  基板
３  マイクロアンテナ
４  放電管
６  位相回路
７  整合回路
８  高周波電源
９  可変コンデンサ（ＬＯＡＤ素子）
１０  可変コンデンサ（ＴＵＮＥ素子）
１１  固定コンデンサ（第１のリアクタンス素子）
１２  固定インダクタンス（第２のリアクタンス素子）
１５  固定インダクタンス（第１のリアクタンス素子）
１６  固定コンデンサ（第２のリアクタンス素子）
１７  コイル（マイクロアンテナ）
１８  ガラス管（放電管）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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