(57)【要約】【課題】作業性を向上させることができ、ウエハにおける成膜不良の発生を防ぐことができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】ウエハに成膜処理を施すためのガスが供給されるＣＶＣチャンバ内には、ウエハを搭載する電極板が配置されている。ウエハの少なくとも一部の周囲には、電極板のウエハ側の表面に係止するウエハガイド治具１０１が配置されている。ウエハガイド治具１０１は平面視で略直線形状の部分を有する。【選択図】図４Ａ−３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハに成膜処理を施すためのガスが供給される反応室と、
上記反応室内に配置され、上記ウエハを搭載するウエハ搭載用電極と、
上記ウエハの少なくとも一部の周囲に配置されて上記ウエハ搭載用電極の上記ウエハ側の表面に係止すると共に、平面視で略直線形状の部分を少なくとも有するウエハガイド用部品と
を備えたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
上記ウエハガイド用部品は、上記ウエハ搭載電極に係合する少なくとも２つ以上の突起部を有し、上記ウエハ搭載用の上記ウエハ側の表面に着脱自在に取り付けられることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
上記ウエハガイド用部品の平面視の形状が、略Ｉ字形状または略Ｌ字形状または略ロ字形状であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
上記突起部の材質が、アルミナまたは窒化ケイ素またはジルコニアまたはガラス類であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマＣＶＤ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に、ＣＶＤ（化学蒸気堆積）成膜処理が施された従来の太陽電池の概略構造を示す。そして、図２に、上記従来の太陽電池の製造プロセスのフローチャートを示す。
【０００３】
図１において、１はＰ型シリコン基板、２はＮ型拡散層、３は反射防止膜、４はアルミペースト電極、５は銀ペースト電極、７は半田層である。
【０００４】
上記太陽電池の製造する場合、まず、図２に示すように、ステップＳ１で、Ｐ型シリコン基板に対してエッチングを行って、Ｐ型シリコン基板の一方の表面にテクスチャを形成する。
【０００５】
次に、ステップＳ２で、Ｐ型シリコン基板において受光面となる一方の表面側にＮ型拡散層２を０．４μｍ程度形成する。
【０００６】
次に、ステップＳ３で、Ｎ型拡散層４上に、表面反射率を低減させるための反射防止膜３を形成する。この反射防止膜３は、プラズマＣＶＤ装置で堆積した膜厚がおよそ８０ｎｍ程度のシリコン窒化膜である。
【０００７】
次に、ステップＳ４で、Ｐ型シリコン基板１の裏面に、Ａｌペーストをスクリーン印刷法により、略全面に印刷し、酸化性雰囲気中で高温焼成して、アルミペースト電極４を形成する。
【０００８】
次に、ステップＳ５で、スクリーン印刷法により、アルミペースト電極４の一部と、受光面側の反射防止膜３の一部とに銀ペーストをパターン状に印刷し、１５０℃程度で乾燥させた後、酸化性雰囲気中において約６００℃程度，１〜２分程度焼成して、銀ペースト電極５を形成する。
【０００９】
最後に、ステップＳ６で、銀ペースト電極５を半田コーティングし、銀ペースト電極５を半田層７で覆う。
【００１０】
図６に、上記プラズマＣＶＤ装置の概略構成図を示す。
【００１１】
上記プラズマＣＶＤ装置は平行平板型と呼ばれものであり、ＣＶＤチャンバ２０と、このＣＶＤチャンバ２０内に配置され、複数のウエハ２３を一方の表面に搭載する電極板２４と、この電極板２４の表面に対向する対向電極２７とを備えている。なお、ＣＶＤチャンバ２０は反応室の一例であり、電極板２４がウエハ搭載用電極の一例である。
【００１２】
上記対向電極２７は、図示しない複数の穴が形成されたガス拡散板２２を電極板２４側に有している。このガス拡散板の複数の穴からは、ガス導入口２１を流れて来たＣＶＤ反応ガスがＣＶＤチャンバ２０内に向かって吹き出す。そして、電極板２４と対向電極２７との間には、高周波電源２６によって高周波電力が印加される。
【００１３】
上記電極板２４は、カーボンからなり、カート２５に搭載されている。この電極板２４の一方の表面では、図３Ａに示すように、ウエハ１２が並べられ、ウエハ１２の上部空間で発生せしめたプラズマ反応によってウエハ１２上にシリコン窒化膜が堆積する。このとき、使用するＣＶＤ反応ガスはシランガスとアンモニアガスであり、温度は４５０℃、膜厚は反応時間によって制御して約８０ｎｍとしている。また、上記電極板２４の一方の表面では、図３Ｂに示すように、予め決めた位置に複数のウエハガイド用穴２８を形成している。
【００１４】
図５−１に、上記各ウエハガイド用穴２８に嵌め込まれるウエハガイド用部品２９の概略平面図を示す。また、図５−２に、ウエハガイド用部品２９を矢印Ｓ方向から見た概略側面図を示すと共に、図５−３に、図５−１の矢印Ｆ方向からウエハガイド用部品２９を見た概略正面図を示す。
【００１５】
上記ウエハガイド用物品２９はＳＵＳ（ステンレス）製またはアルミナ製の突起（ピン）である。このウエハガイド用部品２９を各ウエハガイド用穴２８に嵌め込んだ状態で、ウエハ１２上にシリコン窒化膜を堆積する。これにより、上記シリコン窒化膜の堆積の際、電極板２４上に並べられた複数のウエハ２３同士が重なるのを防ぐことができる。
【００１６】
実際には、電極板２４は並置の３枚のカーボン板で構成されていて、電極板２４の一方の表面の面積は約１．２ｍ２となっている。これに対して、ウエハガイド用部品２９の大きさは、直径１.５ｍｍ、長さ７ｍｍ程度と非常に小さい。
【００１７】
ところで、上記カート２５は、図示しないチェーンベルトによって、ＣＶＤチャンバ２０内に機械的に搬入されたり、ＣＶＤチャンバ２０外から機械的に搬出されたりする。このカート２５の搬入および搬出の際、ウエハガイド用部品２９が振動で穴から外れたり、ウエハガイド用部品２９が緩んだりすることが散見されていた。
【００１８】
また、上記電極板２４は連続生産に使用するため、定期的にＨＦ（フッ化水素）系液体で洗浄することでクリーニングする。このクリーニングにより、複数のウエハガイド用部品２９が穴から抜けて電極板２４上に落ちる、または、複数のウエハガイド用部品２９が穴から抜け落ちそうになることが多い。
【００１９】
したがって、上記電極板２４を乾燥させた後、電極板２４を再び生産に使用するときには、抜け落ちて紛失したウエハガイド用部品２９の補充作業、または、抜け落ちそうなウエハガイド用部品２９を穴へ押し込む作業が必要になるため、作業性が低下してしまうという問題あった。
【００２０】
また、上記ウエハガイド用部品２９が生産中に穴から抜け落ちて電極板２４の表面に転がっていると、ウエハ２３がそのウエハガイド用部品２９の上に乗り上がった状態でシリコン窒化膜が堆積されてしまう。
【００２１】
したがって、上記シリコン窒化膜の膜厚不良すなわち外観色目不良が発生してしまうという問題があった。
【００２２】
また、上記ウエハガイド用部品２９は、耐熱性が良くてデバイスに悪影響を及ぼさないセラミックで形成されているため、１本あたり数千円と高価であるため、ウエハガイド用部品２９を紛失すると損害が大きい。
【００２３】
また、上記電極板２４のクリーニング時にウエハガイド用部品２９もＨＦ系液体に浸漬されるので、ウエハガイド用部品２９は使用回数の増加に伴って劣化が進行する。
【特許文献１】特開２００２−８３７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
そこで、本発明の課題は、作業性を向上させることができ、ウエハにおける成膜不良の発生を防ぐことができるプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記課題を解決するため、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、
ウエハに成膜処理を施すためのガスが供給される反応室と、
上記反応室内に配置され、上記ウエハを搭載するウエハ搭載用電極と、
上記ウエハの少なくとも一部の周囲に配置されて上記ウエハ搭載用電極の上記ウエハ側の表面に係止すると共に、平面視で略直線形状の部分を少なくとも有するウエハガイド用部品と
を備えたことを特徴としている。
【００２６】
上記構成のＣＶＤ装置によれば、上記ウエハガイド用部品が平面視で略直線形状の部分を少なくとも有することによって、ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面に対するウエハガイド用部品の接触面積が増えるので、ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面からウエハガイド用部品が離間し難くなる。
【００２７】
したがって、上記ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面から離間したウエハガイド用部品を補充する作業と、ウエハガイド用部品の位置を修正する作業とを減らすことができるから、作業性を向上させることができる。
【００２８】
また、上記ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面からウエハガイド用部品が離間し難くなるので、ウエハがウエハガイド用部品の上に乗り上ることが少なくなって、ウエハにおける成膜不良の発生を防ぐことができる。
【００２９】
また、万一、上記ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面からウエハガイド用部品が離間したとしても、ウエハガイド用部品が平面視で略直線形状の部分を少なくとも有するから、ウエハガイド用物品を見失って紛失する可能性は、図５−１，図５−２，図５−３の従来のウエハガイド用物品に比べて格段に低くなっている。
【００３０】
また、上記ウエハ搭載用電極のクリーニング時には、ウエハ搭載用電極からウエハガイド用物品を予め取り外しておくことにより、クリーニング液によるウエハガイド用物品の劣化を防ぐことができる。
【００３１】
一実施形態のプラズマＣＶＤ装置では、
上記ウエハガイド用部品は、上記ウエハ搭載電極に係合する少なくとも２つ以上の突起部を有し、上記ウエハ搭載用の上記ウエハ側の表面に着脱自在に取り付けられる。
【００３２】
上記実施形態のプラズマＣＶＤ装置によれば、上記ウエハガイド用部品がウエハ搭載電極に係合する少なくとも２つ以上の突起部を有するから、ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面に対するウエハガイド用物品の固定機能を高めることができる。
【００３３】
一実施形態のプラズマＣＶＤ装置では、
上記ウエハガイド用部品の平面視の形状が、略Ｉ字形状または略Ｌ字形状または略ロ字形状である。
【００３４】
上記実施形態のプラズマＣＶＤ装置によれば、上記ウエハガイド用部品の平面視の形状が、略Ｉ字形状または略Ｌ字形状または略ロ字形状であるから、１枚のウエハに対して使用するウエハガイド用物品の数を少なくなる。
【００３５】
したがって、上記ウエハガイド用部品の平面視の形状が略Ｉ字形状または略Ｌ字形状または略ロ字形状でない場合よりも、ウエハガイド用物品を設置に要する時間が少なく、作業効率を向上させることができる。
【００３６】
一実施形態のプラズマＣＶＤ装置では、
上記突起部の材質が、アルミナまたは窒化ケイ素またはジルコニアまたはガラス類である。
【００３７】
上記実施形態のプラズマＣＶＤ装置によれば、上記突起部の材質が、アルミナまたは窒化ケイ素またはジルコニアまたはガラス類であるから、ウエハにおいて膜厚が不均一な部分が生じるのを防ぐことができる。
【００３８】
もし、上記突起部が導電材料で形成されている場合、突起部が電極として機能し、突起部近傍においてウエハのデポ膜厚が厚くなり、ウエハにおいて膜厚が不均一な部分が生じてしまう。
【００３９】
また、上記突起部はガラス材料で形成することもかのうであるが、耐久性の点からセラミックス材料で形成する方が好ましい。
【００４０】
一実施形態のプラズマＣＶＤ装置では、
上記ウエハ搭載用電極の上記ウエハ側の表面に対する上記ウエハガイド治具の高さは、上記ウエハの厚みよりも大きい。
【００４１】
上記実施形態のプラズマＣＶＤ装置によれば、上記ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面に対するウエハガイド治具の高さは、ウエハの厚みよりも大きいから、ウエハガイド用部品上へのウエハの乗り上げを激減させることができる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、ウエハガイド用部品が平面視で略直線形状の部分を少なくとも有することによって、ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面に対するウエハガイド用部品の接触面積が増えるので、ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面からウエハガイド用部品が離間し難くなる。
【００４３】
したがって、上記ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面から離間したウエハガイド用部品を補充する作業と、ウエハガイド用部品の位置を修正する作業とを減らすことができるから、作業性を向上させることができる。
【００４４】
また、上記ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面からウエハガイド用部品が離間し難くなるので、ウエハがウエハガイド用部品の上に乗り上ることが少なくなって、ウエハにおける成膜不良の発生を防ぐことができる。
【００４５】
さらに、本発明は、従来プロセスとの変更点は冶具の変更のみであって、従来の設備、製造条件を全てそのまま適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
（第１実施形態）
厚さ２２０μｍで１２５ｍｍ角の正方形板状のＰ型シリコン基板の一方の表面にテクスチャを形成した後、そのテクスチャが形成された表面に、９００℃のＰ（燐）の熱拡散を行って、約５０Ω/□の面抵抗値をもつＮ型拡散層を形成する。そして、上記Ｎ型拡散層上に、プラズマＣＶＤ法により膜厚約８０ｎｍのシリコン窒化膜を反射防止膜としての一例として形成する。
【００４７】
上記シリコン窒化膜を形成するときに、図４Ａ−１，図４Ａ−２，図４Ａ−３に示す平面視でＩ字形状のウエハガイド治具１０１を使用する。このウエハガイド治具１０１の全部が例えばアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成されている。そして、ウエハガイド治具１０１は、略四角柱形状の本体１０２と、この本体１０２の下面から突出した４個の突起部１０３とを有する。なお、ウエハガイド治具１０１はウエハガイド用物品の一例である。また、堆積条件等の製造条件は図２の従来の太陽電池の製造プロセスと同一とする。
【００４８】
また、上記シリコン窒化膜を形成した後は、図２の太陽電池の製造プロセスと同一の工程を行って、太陽電池を製造する。
【００４９】
図７に、上記ウエハガイド治具１０１を電極板２４にセットした状態を示す。また、図７において、図３に示した構成部または物は、図３における構成部または物と同一参照番号を付して説明を省略する。
【００５０】
上記ウエハガイド治具１０１は、ウエハ２３の各角部の周囲に配置される。このとき、ウエハガイド治具１０１の突起部１０３はウエハガイド用穴２８に嵌合させる。
【００５１】
上記ウエハガイド治具１０１を搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を下表１に示す。また、下表１内には、従来のウエハガイド用物品２８を搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を比較例として示す。なお、上記外検査は肉眼で行った。また、検査ウエハ枚数は１０，８００枚（２００カート分）とした。
【表１】
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【００５２】
本明細書において、外観不良率とは、受光面全体に対し、１ｍｍφ以上の不堆積領域が１個以上ある場合と、色むら不良（外観限度見本による。概ね１００ｎｍ以上あるいは６０ｎｍ未満の領域が約１割以上存在する場合）を意味する。１ｍｍφ以上の不堆積領域が１個以上派生する原因は、抜けた治具がウエハ２３上に乗った状態でシリコン窒化膜が形成されたためだと考えられる。一方、色むら不良が発生する原因は、ウエハ２３が治具に乗り上げた状態でシリコン窒化膜を形成されたためだと考えられる。
【００５３】
上記表１から明らかなように、ウエハガイド用物品２８を用いてシリコン窒化膜を形成する場合よりも、ウエハガイド冶具１０１を用いてシリコン窒化膜を形成する場合の方が、１カートあたりに使用する治具の個数を低減できる。
【００５４】
また、上記ウエハガイド治具１０１はウエハガイド用穴２８への押し込みが不要であることによって、第１実施形態の１カートあたりの冶具セット時間は、従来の１カートあたりの冶具セット時間の約１２分の１となるので、大幅に作業性を向上させることができる。
【００５５】
さらには、従来の治具を用いるよりも、第１実施形態の治具を用いる方が、治具の抜け数および合計外観不良率を大幅に低減できる。
【００５６】
上記第１実施形態によれば、図６に示したプラズマＣＶＤ装置において、ウエハガイド用物品２８をウエハガイド冶具１０１に変更しただけで、図２の従来の太陽電池の製造プロセスを全てそのまま行えるから、製造コストの増大を防ぐことができる。
【００５７】
上記第１実施形態では、ウエハガイド冶具１０１をプラズマＣＶＤ装置に搭載したが、図４Ｄ−１，図４Ｄ−２，図４Ｄ−３の平面視でコ字形状のウエハガイド治具４０１や、図４Ｆ−１，図４Ｆ−２，図４Ｆ−３の平面視でＩ字形状のウエハガイド治具６０１を、図６のプラズマＣＶＤ装置に搭載してもよい。この場合でも、上記第１実施形態と同様の効果が得られるのは言うまでもない。
【００５８】
上記ウエハガイド治具４０１は、図４Ｄ−１，図４Ｄ−２，図４Ｄ−３に示すように、本体４０２と、この本体４０２の下面から突出した２４個の突起部４０３とを有する。
【００５９】
上記ウエハガイド治具６０１は、図４Ｆ−１，図４Ｆ−２，図４Ｆ−３に示すように、略四角柱形状の本体６０２と、この本体６０２の下面から突出した２個の突起部６０３とを有する。
【００６０】
また、上記ウエハガイド治具４０１，６０１の全部が、ウエハガイド治具１０１と同様に、例えばアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成されている。
【００６１】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態は、図４Ｂ−１，図４Ｂ−２，図４Ｂ−３の平面視でＩ字形状のウエハガイド治具２０１と、図４Ｃ−１，図４Ｃ−２，図４Ｃ−３の平面視でＬ字形状のウエハガイド治具３０１とを、図６のプラズマＣＶＤ装置に搭載する以外は、上記第１実施形態と同様である。なお、ウエハガイド治具２０１，３０１は、それぞれ、ウエハガイド用物品の一例である。
【００６２】
上記ウエハガイド治具２０１は、図４Ｂ−１，図４Ｂ−２，図４Ｂ−３に示すように、略四角柱形状の本体２０２と、この本体２０２の下面から突出した８個の突起部２０３とを有する。
【００６３】
上記ウエハガイド治具３０１は、図４Ｃ−１，図４Ｃ−２，図４Ｃ−３に示すように、本体３０２と、この本体３０２の下面から突出した１６個の突起部２０３とを有する。
【００６４】
また、上記ウエハガイド治具２０１，３０１が、ウエハガイド治具１０１と同様に、例えばアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成されている。
【００６５】
上記ウエハガイド治具２０１とウエハガイド用物品３０１とを搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を下表２に示す。また、下表２内には、従来のウエハガイド用物品２８を搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を比較例として示す。なお、上記外検査は肉眼で行った。また、検査ウエハ枚数は１０，８００枚（２００カート分）とした。
【表２】
2007123493.tif 000004
【００６６】
上記表２から明らかなように、ウエハガイド治具２０１とウエハガイド用物品３０１とを組合せてＣＶＤ成膜に用いることによって、上記第１実施形態よりも、１カートあたりに使用する治具の個数を低減できる。
【００６７】
また、上記ウエハガイド治具２０１およびウエハガイド用物品３０１はウエハガイド用穴２８への押し込みが不要であることによって、第２実施形態の１カートあたりの冶具セット時間は、従来の１カートあたりの冶具セット時間の約２４分の１となるので、上記第１実施形態の治具を用いたときよりも作業性を向上させることができる。
【００６８】
さらには、上記第１実施形態の治具を用いるよりも、第２実施形態の治具を用いる方が、治具の抜け数および合計外観不良率を低減できる。
【００６９】
上記第２実施形態によれば、図６のプラズマＣＶＤ装置において、ウエハガイド用物品２８をウエハガイド治具２０１およびウエハガイド用物品３０１に変更しただけで、図２の従来の太陽電池の製造プロセスを全てそのまま行えるから、製造コストの増大を防ぐことができる。
【００７０】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態は、図４Ｂ−１，図４Ｂ−２，図４Ｂ−３の平面視でＩ字形状のウエハガイド治具２０１と、図４Ｃ−１，図４Ｃ−２，図４Ｃ−３の平面視でＬ字形状のウエハガイド治具３０１と、図４Ｅ−１，図４Ｅ−２，図４Ｅ−３の平面視でロ字形状のウエハガイド治具５０１とを、図６のプラズマＣＶＤ装置に搭載する以外は、上記第１実施形態と同様である。なお、ウエハガイド治具５０１はウエハガイド用物品の一例である。
【００７１】
上記ウエハガイド治具５０１は、図４Ｅ−１，図４Ｅ−２，図４Ｅ−３に示すように、フレーム形状の本体５０２と、この本体５０２の下面から突出した３２個の突起部５０３とを有する。
【００７２】
また、上記ウエハガイド治具５０１は、ウエハガイド治具１０１と同様に、例えばアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成されている。
【００７３】
なお、上記ウエハガイド治具２０１，３０１については上記第２実施形態で説明したので、説明を省略する。
【００７４】
上記ウエハガイド治具２０１、ウエハガイド用物品３０１およびウエハガイド治具５０１を搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を下表３に示す。また、下表２内には、従来のウエハガイド用物品２８を搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を比較例として示す。なお、上記外検査は肉眼で行った。また、検査ウエハ枚数は１０，８００枚（２００カート分）とした。
【表３】
2007123493.tif 000005
【００７５】
上記表３から明らかなように、ウエハガイド治具２０１、ウエハガイド用物品３０１およびウエハガイド治具５０１を組合せてＣＶＤ成膜に用いることによって、上記第２実施形態よりも、１カートあたりに使用する治具の個数を低減できる。
【００７６】
また、上記ウエハガイド治具２０１、ウエハガイド用物品３０１およびウエハガイド治具５０１はウエハガイド用穴２８への押し込みが不要であることによって、第２実施形態の１カートあたりの冶具セット時間は、従来の１カートあたりの冶具セット時間の約３８分の１となるので、上記第２実施形態の治具を用いたときよりも作業性を向上させることができる。
【００７７】
さらには、上記第１実施形態の治具を用いるよりも、第３実施形態の治具を用いる方が、治具の抜け数および合計外観不良率を低減できる。
【００７８】
上記第３実施形態によれば、図６のプラズマＣＶＤ装置において、ウエハガイド用物品２８をウエハガイド治具２０１およびウエハガイド用物品３０１に変更しただけで、図２の従来の太陽電池の製造プロセスを全てそのまま行えるから、製造コストの増大を防ぐことができる。
【００７９】
上記第１〜第３実施形態では、ウエハガイド治具１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１について説明したが、ウエハガイド治具１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１のうちのどれを図６のプラズマＣＶＤ装置に搭載するか、および、ウエハガイド治具１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１のうちのどれとどれを組み合わせて図６のプラズマＣＶＤ装置に搭載するかは、上記第１〜第３実施形態に限定されず、ウエハ２３の枚数や配置に応じて適宜選択してもよい。
【００８０】
上記第１〜第３実施形態では、ウエハガイド治具の全部をアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成していたが、ウエハガイド治具の突起部のみをアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】図１は従来の太陽電池のプラズマＣＶＤ装置の概略構造図である。
【図２】図２は上記従来の太陽電池の製造プロセスのフローチャートである。
【図３Ａ】図３Ａはカートの概略平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは図３Ａの円内の部分の概略拡大図である。
【図４Ａ−１】図４Ａ−１は、本発明の第１実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。
【図４Ａ−２】図４Ａ−２は、図４Ａ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。
【図４Ａ−３】図４Ａ−３は、図４Ａ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。
【図４Ｂ−１】図４Ｂ−１は、本発明の第２，第３実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。
【図４Ｂ−２】図４Ｂ−２は、図４Ｂ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。
【図４Ｂ−３】図４Ｂ−３は、図４Ｂ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。
【図４Ｃ−１】図４Ｃ−１は、本発明の第２，第３実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。
【図４Ｃ−２】図４Ｃ−２は、図４Ｃ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。
【図４Ｃ−３】図４Ｃ−３は、図４Ｃ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。
【図４Ｄ−１】図４Ｄ−１は、本発明の第１実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。
【図４Ｄ−２】図４Ｄ−２は、図４Ｄ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。
【図４Ｄ−３】図４Ｄ−３は、図４Ｄ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。
【図４Ｅ−１】図４Ｅ−１は、本発明の第３実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。
【図４Ｅ−２】図４Ｅ−２は、図４Ｅ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。
【図４Ｅ−３】図４Ｅ−３は、図４Ｅ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。
【図４Ｆ−１】図４Ｆ−１は、本発明の第１実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。
【図４Ｆ−２】図４Ｆ−２は、図４Ｆ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。
【図４Ｆ−３】図４Ｆ−３は、図４Ｆ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。
【図５−１】図５−１は、従来のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド用物品の概略平面図である。
【図５−２】図５−２は、図５−１のウエハガイド用部品を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。
【図５−３】図５−３は、図５−１のウエハガイド用部品を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。
【図６】図６はプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図７】図７は、図４Ａ−１，図４Ａ−２，図４Ａ−３のウエハガイド治具を電極板にセットした状態の概略図である。
【符号の説明】
【００８２】
１  Ｐ型シリコン基板
２  Ｎ型拡散層
３  反射防止膜
４  アルミペースト電極
５  銀ペースト電極
７  半田層
２０  ＣＶＤチャンバ
２１  ガス導入口
２２  ガス拡散板
２３  ウエハ
２４  電極板
２５  カート
２６  高周波電源
２７  対向電極
２８  ウエハガイド用穴
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１  ウエハガイド治具
１０２，２０２，３０２，４０２，５０２，６０２  本体
１０３，２０３，３０３，４０３，５０３，６０３  突起部
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ−１】
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【図４Ａ−２】
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【図４Ａ−３】
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【図４Ｂ−１】
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【図４Ｂ−２】
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【図４Ｂ−３】
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【図４Ｃ−１】
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【図４Ｃ−２】
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【図４Ｃ−３】
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【図４Ｄ−１】
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【図４Ｄ−２】
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【図４Ｄ−３】
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【図４Ｅ−１】
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【図４Ｅ−２】
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【図４Ｅ−３】
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【図４Ｆ−１】
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【図４Ｆ−２】
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【図４Ｆ−３】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図５−３】
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【図６】
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【図７】
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