(57)【要約】【課題】キャリアリークの有無を定量的に検査でき、量産時に製品のキャリアリークの検査を容易に行える変調回路を実現する。【解決手段】トランジスタＱ11，Ｑ12、抵抗素子Ｒ10，Ｒ11、スイッチＳＷおよび電流源ＩMにより過変調回路を構成し、通常モード時に、スイッチＳＷをオン状態に保持することによりトランジスタＱ12を導通状態に保持し、トランジスタＱ11を非導通状態に保持し、ミクサ２０にハイレベルのバイアス電圧ＶB1を供給し、過変調モード時にスイッチＳＷをオフ状態に切り換えることによりトランジスタＱ12を非導通状態に保持し、トランジスタＱ11を導通状態に保持し、ミクサ２０にローレベルのバイアス電圧ＶB1を供給するので、バイアス電圧ＶB1のレベルに応じて変調モードを制御でき、過変調状態に設定したとき、変調信号ＳRFの波形を測定し、変調回路のキャリアリークの有無を定量的に検査できる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号のレベルに応じて、搬送波を振幅変調し、少なくとも通常モードと過変調モードの二つの変調モードを有する変調回路であって、
通常モード時に、上記入力信号のレベルおよび所定の変調度に基づいて、搬送波を振幅変調する変調手段と、
過変調モード時に、上記入力信号のレベルおよび過変調の変調度に基づいて搬送波を振幅変調する過変調手段と
を有する変調回路。
【請求項２】
上記変調手段は、ベースに上記搬送波が入力され、共通に接続されたエミッタに上記入力信号に応じて変化する変調電流が入力されるトランジスタにより構成された差動増幅回路
を有する請求項１記載の変調回路。
【請求項３】
上記変調手段は、上記差動増幅回路を構成するトランジスタのエミッタに共通に接続され、これらの接続点に上記入力信号のレベルに応じた変調電流を出力する電流源
を有する請求項２記載の変調回路。
【請求項４】
上記電流源は、一方の入力端子に上記入力信号が印加され、他方の入力端子にバイアス電圧が印加された差動増幅回路
を有する請求項３記載の変調回路。
【請求項５】
上記過変調手段は、上記電流源に印加されるバイアス電圧を制御し、当該電流源から出力された変調電流のレベルを制御するバイアス電圧発生回路を有し、
上記過変調手段は、上記過変調の変調度に応じて上記バイアス電圧のレベルを制御する
請求項４記載の変調回路。
【請求項６】
上記バイアス電圧発生回路は、変調モード制御信号に応じて、上記バイアス電圧のレベルを制御するレベル制御手段
を有する請求項５記載の変調回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＶＴＲ（Video Tape Recoder）などに用いられる、例えば、映像信号により高周波の搬送波（キャリア）を振幅変調する変調回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＲＦモジュレータと呼ばれる変調回路はベースバンドの映像信号および周波数変調（ＦＭ変調）された音声信号でＲＦキャリアを振幅変調（ＡＭ変調）して、変調波を出力する装置である。ＲＦキャリアの周波数は、例えば、５０〜８５５ＭＨｚの高周波であるため、アイソレーション（分離）の必要がある。
【０００３】
図１０は一般的な変調回路の構成を示す回路図である。図示のように、変調回路は発振器（ＯＳＣ）１０、ミクサ２０およびローパスフィルタ（ＬＰＦ）３０とにより構成されている。
変調回路は高周波の信号を扱う装置なので、通常金属ケースなどで完全にシールドした状態で使用され、その多くは、小型、高密度で実装されている。
【０００４】
図１０においては、発振器１０から、例えば、周波数ｆ0を有するキャリア信号ＳCが発生され、ミクサ２０に入力される。ミクサ２０により、映像信号ＳVでキャリア信号ＳCが振幅変調され、振幅変調されたＲＦ信号ＳRFが出力される。ＲＦ信号ＳRFがローパスフィルタ３０により、高調波成分が除去され、信号ＳRF’として外部に出力される。
【０００５】
図１１は、図１０に示す変調回路における各部分の信号の波形を示す波形図である。図１１（ａ）は発振器１０により発生されたキャリア信号ＳCの波形、図１１（ｂ）はミクサ２０に入力された映像信号ＳVの波形、図１１（ｃ）は変調回路により出力されたＲＦ変調信号ＳRFの波形をそれぞれ示している。
【０００６】
図１２は一般的な変調回路における発振器１０およびミクサ２０の一構成例を示す回路図である。
図１２に示すように、ミクサ２０においては、ｎｐｎ型トランジスタＱ1，Ｑ2により差動増幅器が構成され、また、ｎｐｎ型トランジスタＱ3，Ｑ4、Ｑ5，Ｑ6、Ｑ7，Ｑ8により、それぞれ差動増幅器が構成されている。
【０００７】
図示のように、トランジスタＱ1，Ｑ2により構成された差動増幅器およびトランジスタＱ3，Ｑ4により構成された差動増幅器のそれぞれの差動入力端子に、発振器１０からの差動電流信号ＩOSCが入力される。
トランジスタＱ1，Ｑ2のエミッタが共通に接続され、その接続点がトランジスタＱ6のコレクタに接続され、トランジスタＱ6により変調電流ＩAが供給される。
トランジスタＱ3，Ｑ4のエミッタが共通に接続され、その接続点がトランジスタＱ7のコレクタに接続され、トランジスタＱ7により変調電流ＩVが供給される。
【０００８】
トランジスタＱ5，Ｑ6により構成された差動増幅器の差動入力端子にＦＭ変調された音声信号ＳAが入力され、トランジスタＱ7，Ｑ8により構成された差動増幅器の差動入力端子に映像信号ＳVが入力されている。
【０００９】
上述したミクサ２０において、トランジスタＱ5，Ｑ6により構成された差動増幅器により、ＦＭ変調された音声信号ＳAに応じて電流値が変化する変調電流ＩAが生成され、トランジスタＱ1，Ｑ2により構成された差動増幅器に供給され、さらに、トランジスタＱ7，Ｑ8により構成された差動増幅器により、映像信号ＳVに応じて変化する変調電流ＩVが生成され、トランジスタＱ3，Ｑ4により構成された差動増幅器に供給される。これにより、発振器１０により発生されたキャリア信号がＦＭ変調された音声信号ＳAおよび映像信号ＳVで振幅変調され、トランジスタＱ1およびＱ4のコレクタから差動信号として、ＲＦ変調信号ＳRFが出力される。
【００１０】
なお、図１２に示すミクサ２０の変調電流ＩAおよび変調電流ＩVの大きさにより、振幅変調度が決められる。
映像信号ＳVに応じて変化する変調電流ＩVのレベルがもっとも大きいとき、変調度が小さく、例えば、０％になる。一方、変調電流ＩVと変調電流ＩAが同レベルのとき、変調度がもっとも高く、１００％になる。さらに変調電流ＩVが変調電流ＩAよりレベルが小さくなるとき、変調度が１００％を越える、いわゆる過変調となり、変調信号ＳRFのキャリアが位相反転となる。
なお、過変調が起きた場合に、画像反転を発生し、さらに、音声信号にバズ妨害が起きるため、通常のテレビジョン放送信号は、無信号時の変調度が０％とすると、白ピーク（映像信号ＳVの最大レベル）時の変調度が８７．５％に決められている。
【特許文献１】特開昭６１−１７７００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、上述した従来の変調回路においては、反転を防止するために、変調度が９０〜９５％を越えないように、ホワイトクリップ回路により、映像信号ＳVのレベルが制御されている。
変調回路が高周波数領域で動作する装置なので、周波数が高くなるに従い、寄生素子の影響を受けやすくなり、また、接地インピーダンスを低くすることも容易ではなくなる。このため、プリント基板（ＰＣＢ）のレイアウトに困難が生じるという問題がある。
【００１２】
また、変調信号ＳRFに発振器からの漏れ（キャリアリーク）が発生するとき、変調信号ＳRFにおいて、位相歪みが起きる。これにより、映像信号における色信号が乱れ、音声信号にバズ妨害が発生するので、変調信号ＳRFに発振器からの漏れ、即ちキャリアリークを通常１〜２％以下に抑制することが必要であり、高周波のＵＨＦ帯（周波数４７０〜８５５ＭＨｚ）においては、発振信号ＳCと変調信号ＳRFのアイソレーションを５０ｄＢ以上に確保することが困難である。
【００１３】
さらに、製品化された変調回路の状態においては、キャリアリークの定量的な測定が容易ではなく、量産時の品質確認が困難であるという問題もある。
【００１４】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、過変調した変調信号を生成することにより、キャリアリークを確認でき、量産時における製品の品質検査を容易に行える変調回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明は、入力信号のレベルに応じて、搬送波を振幅変調し、少なくとも通常モードと過変調モードの二つの変調モードを有する変調回路であって、通常モード時に、上記入力信号のレベルおよび所定の変調度に基づいて、搬送波を振幅変調する変調手段と、過変調モード時に、上記入力信号のレベルおよび過変調の変調度に基づいて搬送波を振幅変調する過変調手段とを有する。
【００１６】
また、本発明では、上記変調手段は、ベースに上記搬送波が入力され、共通に接続されたエミッタに上記入力信号に応じて変化する変調電流が入力されるトランジスタにより構成された差動増幅回路を有する。
【００１７】
また、本発明では、上記変調電流は、一方の入力端子に上記入力信号が印加され、他方の入力端子にバイアス電圧が印加された差動増幅回路により発生される。
上記過変調手段は、上記バイアス電圧を制御することにより、上記変調電流のレベルを制御する。
【００１８】
さらに、本発明では、モード制御信号により、バイアス電圧発生回路により発生されたバイアス電圧のレベルを制御し、通常モードおよび過変調モードに応じて、異なるレベルのバイアス電圧を発生し、変調電流を発生する差動増幅回路に供給する。
【００１９】
本発明によれば、通常モード時に、入力信号のレベルに応じて、所定の変調度に基づいて搬送波を振幅変調した変調信号を発生し、過変調モード時に、入力信号のレベルに応じて、過変調の変調度に基づいて搬送波を振幅変調した過変調信号を発生する。
そして、変調回路を検査するとき、過変調制御信号により、変調回路を過変調モードに設定し、このとき出力された変調信号の波形を検査することにより、キャリアリークの有無を確認できる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように、本発明の変調回路によれば、変調信号の変調モードを制御することにより、キャリアリークの有無を定量的に検査でき、これにより、量産時に製品のキャリアリークの検査を容易に行える利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は本発明に係る変調回路の一実施形態を示す回路図である。
図１に示すように、本実施形態の変調回路は発振器１０、ミクサ２０およびクランプ／ホワイトクリップ回路４０により構成されている。
【００２２】
発振器１０はＲＦ信号、例えば、５０〜８５５ＭＨｚの高周波キャリアを発生し、差動信号ＳCとしてミクサ２０に供給する。
【００２３】
クランプ／ホワイトクリップ回路４０は入力された映像信号ＳVの最大レベルを振幅制限し、レベル制限した映像信号ＳV1をミクサ２０に出力する。さらに、クランプ／ホワイトクリップ回路４０により、ミクサ２０における振幅変調の変調度を制御するバイアス電圧ＶB1を発生し、ミクサ２０に供給する。
【００２４】
ミクサ２０はｎｐｎ型トランジスタＱ1，Ｑ2，Ｑ3，Ｑ4，Ｑ5，Ｑ6，Ｑ7，Ｑ8、抵抗素子Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4および電流源Ｉ1，Ｉ2，Ｉ3，Ｉ4により構成されている。
トランジスタＱ1，Ｑ2、トランジスタＱ3，Ｑ4、トランジスタＱ5，Ｑ6およびトランジスタＱ7，Ｑ8により、それぞれ差動増幅器が構成されている。
【００２５】
トランジスタＱ1とＱ3のコレクタが共通に接続され、接続ノードＮＤ1が抵抗素子Ｒ1を介して、電源電圧ＶCCの供給線に接続され、トランジスタＱ2，Ｑ4のコレクタが共通に接続され、接続ノードＮＤ2が抵抗素子Ｒ2を介して、電源電圧ＶCCの供給線に接続されている。
ノードＮＤ1およびノードＮＤ2により、差動信号としての変調信号ＳRFが出力される。
【００２６】
トランジスタＱ1，Ｑ4のベースが共通に接続され、接続点が発振器１０の一方の差動出力端子に接続され、トランジスタＱ2，Ｑ3のベースが共通に接続され、接続点が発振器１０の他方の差動出力端子に接続されている。
トランジスタＱ1，Ｑ2のエミッタがトランジスタＱ6のコレクタに共通に接続され、接続点によりノードＮＤ3が構成されている。
トランジスタＱ3，Ｑ4のエミッタがトランジスタＱ7のコレクタに共通に接続され、接続点によりノードＮＤ4が構成されている。
【００２７】
トランジスタＱ5のコレクタが電源電圧ＶCCの供給線に接続され、ベースがクランプ／ホワイトクリップ回路４０のバイアス電圧ＶB1の出力端子に接続されている。トランジスタＱ6のベースがクランプ／ホワイトクリップ回路４０の映像信号ＳV1の出力端子に接続されている。
トランジスタＱ5のエミッタが電流源Ｉ1に接続され、トランジスタＱ6のエミッタが電流源Ｉ2に接続されている。さらにトランジスタＱ5，Ｑ6のエミッタが抵抗素子Ｒ3を介して接続されている。
【００２８】
トランジスタＱ8のコレクタが電源電圧ＶCCの供給線に接続され、ベースがバイアス電圧ＶB2の入力端子に接続されている。トランジスタＱ7のベースがＦＭ変調された音声信号ＳAの入力端子に接続されている。
トランジスタＱ7のエミッタが電流源Ｉ3に接続され、トランジスタＱ8のエミッタが電流源Ｉ4に接続されている。さらにトランジスタＱ7，Ｑ8のエミッタが抵抗素子Ｒ4を介して接続されている。
【００２９】
上述したように構成されたミクサ２０において、トランジスタＱ6およびトランジスタＱ7のコレクタから、ノードＮＤ3およびノードＮＤ4に供給された変調電流ＩVおよび変調電流ＩAとの比により、変調信号ＳRFの変調度が決定される。
【００３０】
図２は図１に示すミクサ２０の映像信号入力部を示す部分回路図であり、変調電流ＩVを発生する電流源の回路図である。
図示のように、変調電流ＩVを発生する電流源はトランジスタＱ5，Ｑ6、抵抗素子Ｒ3および電流源Ｉ1，Ｉ2により構成されている。トランジスタＱ5のベースに、クランプ／ホワイトクリップ回路４０からのバイアス電圧ＶB1が印加され、トランジスタＱ6のベースに、クランプ／ホワイトクリップ回路４０から、振幅制限された映像信号ＳV1が印加されている。
【００３１】
トランジスタＱ6のコレクタに接続されているノードＮＤ3からトランジスタＱ6のコレクタに向かって、変調電流ＩVが流れる。クランプ／ホワイトクリップ回路４０からのバイアス電圧ＶB1のレベルが変化すると、変調電流ＩVの値もそれに応じて変化する。
【００３２】
なお、変調電流ＩVを発生する電流源は広い温度範囲、例えば、−２０〜８０℃の範囲において安定した動作が要求されている。抵抗素子の電圧降下を利用して、この温度範囲で変調電流ＩVの変動を抑制でき、温度変化による変調度の変化を±１％以内に制御できる。
【００３３】
図１に示すミクサ２０において、トランジスタＱ7，Ｑ8により構成された部分回路により、音声信号ＳAに応じて変調電流ＩAが発生され、ノードＮＤ4からトランジスタＱ7のコレクタに向かって、音声信号ＳAに応じた変調電流ＩAが流れる。
【００３４】
図３は変調電流ＩVと変調電流ＩAとのレベルによる変調度の変化を示す概念図である。
図３に示すように、ＦＭ変調された音声信号ＳAのレベルが一定の場合、これに応じた変調電流ＩAのレベルも一定に保持されている。この場合、映像信号ＳVに応じて発生された変調電流ＩAのレベルが変化すると、変調信号ＳRFの変調度が変化する。
【００３５】
例えば、図示のように、変調電流ＩVが変調電流ＩAよりレベルが大きい場合、変調度が０〜１００％の間に保持され、映像信号ＳVのレベルに応じて、変調電流ＩVのレベルが最大に保持されているとき、変調度が０％になる。
変調電流ＩVのレベルが小さくなり、例えば、変調電流ＩAのレベルと一致した場合、変調度が１００％になる。図３に示すように、このとき、変調が行われていない。
さらに、変調電流ＩVのレベルが小さくなり、変調電流ＩAのレベルより小さくなる場合には、変調度が１００％を越える過変調状態となり、変調信号ＳRFにおいては、キャリア信号の位相が反転する。
【００３６】
このように、ミクサ２０における変調電流ＩVのレベルを制御することにより、変調度を制御し、変調信号ＳRFを過変調状態に制御することができる。
【００３７】
図４は図１に示すクランプ／ホワイトクリップ回路４０における過変調制御回路４０ａの一構成例を示す回路図である。
図４において、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13は抵抗素子、Ｑ9，Ｑ10，Ｑ11，Ｑ12，Ｑ13，Ｑ14はｎｐｎ型トランジスタ、ＳＷはスイッチ、ＩMは電流源をそれぞれ示している。
【００３８】
図示のように、過変調制御回路４０ａは、トランジスタＱ11，Ｑ12、抵抗素子Ｒ10，Ｒ11、スイッチＳＷおよび電流源ＩMにより構成されている。
また、トランジスタＱ10および抵抗素子Ｒ9は通常のバイアス電圧を発生するために設けられている。
トランジスタＱ10およびトランジスタＱ11のコレクタがともにノードＮＤ5に接続され、ノードＮＤ5が抵抗素子Ｒ8に接続され、さらにバイアス電圧ＶB1の出力端子に接続されている。
トランジスタＱ10およびトランジスタＱ11のベースがともに定電圧源Ｖ1に接続され、定電圧源Ｖ1により発生された電圧でバイアスされている。
【００３９】
トランジスタＱ10のエミッタが抵抗素子Ｒ9を介して接地され、トランジスタＱ11のエミッタが抵抗素子Ｒ10を介して接地されている。
トランジスタＱ12のコレクタが電源電圧ＶCCの供給線に接続され、ベースが電流源ＩMと抵抗素子Ｒ11との接続点に接続されている。さらに、トランジスタＱ12のエミッタがトランジスタＱ11のエミッタと共通に接続されている。
電流源ＩMがスイッチＳＷと抵抗素子Ｒ11との間に接続されている。
【００４０】
通常変調モード時に、スイッチＳＷがオン状態に保持され、電流源ＩMにより発生されて電流ｉMが抵抗素子Ｒ11に流れて、電圧降下が生じる。この電圧降下がトランジスタＱ12を導通状態に設定できる程度に電流源ＩMの電流値が決められている。
【００４１】
これにより、通常変調モード時に、トランジスタＱ12が導通状態にあり、トランジスタＱ11とトランジスタＱ12のエミッタの電位が高く保持されるので、トランジスタＱ11が非導通状態に保持されている。
このとき、ノードＮＤ5の電位、即ち、バイアス電圧ＶB1のレベルは導通状態にあるトランジスタＱ10およびそのエミッタに接続されている抵抗素子Ｒ9の抵抗値により決定される。トランジスタＱ11が導通する場合より、ノードＮＤ5の電位が高く設定されている。
【００４２】
一方、過変調モード時に、スイッチＳＷがオフ状態に設定されるので、抵抗素子Ｒ11に電流ｉMが流れず、トランジスタＱ12のベースが低い電圧に保持され、トランジスタＱ12が非導通状態に設定されている。
これにより、トランジスタＱ11のエミッタ電位が低いレベルに保持され、トランジスタＱ11が導通状態に保持され、ノードＮＤ5の電位が通常変調モード時より低く設定されている。
【００４３】
ノードＮＤ5の電位がバイアス電圧ＶB1として、ノードＮＤ6より出力された映像信号ＳV1とともにミクサ２０に出力され、これらの信号に応じて、ミクサ２０により通常の変調信号ＳRFまたは過変調信号ＳRFが出力される。
【００４４】
変調回路のキャリアリーク検査時に、スイッチＳＷをオフ状態に設定し、変調回路を過変調モードに設定した状態で、ミクサ２０により出力された変調信号ＳRFを計測することにより、キャリアリークの有無を検査できる。
【００４５】
図５〜図８は、例えば、スペクトルアナライザにより測定した変調信号ＳRFの包絡信号の波形を示す図である。
図５は通常変調モード時の変調信号ＳRFの波形を示している。図示のように、同期信号および映像信号ＳVの混合信号により振幅変調された変調信号ＳRFにおいて、映像信号ＳVの振幅最大時の変調度が８０％に設定されている。この場合は、過変調にならず、正常な動作状態である。
【００４６】
図６は過変調モード時の変調信号ＳRFの変形を示している。図示のように、同期信号および映像信号ＳVの混合信号により振幅変調された変調信号ＳRFにおいて、最大の変調度が１００％近くにある。また、図示のように、最大変調時に、包絡信号のレベルがほぼ０ｍＶになり、高周波における接地インピーダンスが低く、変調回路におけるキャリアリークがないことを示している。
【００４７】
図７および図８は、同期信号および映像信号ＳVの混合信号の代わりに、正弦波を変調回路に入力された場合の変調信号ＳRFの波形を示している。
図７は過変調モード時の変調信号ＳRFの出力波形を示している。図示のように、過変調モードに設定したことにより、変調信号ＳRFにおいて、最大の変調になる部分の波形は折り返されている。また、図示のように、最大変調時に、包絡信号のレベルがほぼ０ｍＶになり、高周波における接地インピーダンスが低く、変調回路におけるキャリアリークがないことを示している。
【００４８】
図８は過変調モード時の変調信号ＳRFの他の出力波形を示している。図７に示す波形と同様に、過変調モードに設定したことにより、変調信号ＳRFにおいて、最大変調となる部分の波形は折り返されている。ただし、この場合、図７と異なり、最大変調時に、包絡信号のレベルが０ｍＶにならず、約１ｍＶに保持されている。この現象は高周波における接地インピーダンスが高く、変調回路におけるキャリアリークがあることを示している。
【００４９】
以上説明したよう、過変調モードに設定した場合の変調信号ＳRFの出力波形を測定することにより、キャリアリークの有無を定量的に検査することができる。これにより、例えば、量産時に大量の製品に対するキャリアリークの定量的な検査が可能となる。
【００５０】
図９は本発明の一応用例を示す回路図であり、クランプ／ホワイトクリップ回路４０における過変調制御回路４０ｂの具体例である。
図示のように、本例の過変調制御回路４０ｂは、ｎｐｎ型トランジスタＱ11，Ｑ12、抵抗素子Ｒ10，Ｒ11により構成されている。なお、本応用例の過変調制御回路４０ｂは、図４に示す過変調制御回路４０ａと略同様であり、以下、その異なる部分についてのみ説明する。
【００５１】
本応用例では、トランジスタＱ12のベースと抵抗素子Ｒ11との接続点がモード制御信号ＳMDの入力端子に接続され、モード制御信号ＳMDに応じて、バイアス電圧ＶB1のレベルが制御され、ミクサ２０における変調度が制御される。
【００５２】
以下、図９を参照しつつ、本応用例の動作について説明する。
通常モード時に、モード制御信号入力端子からハイレベルのモード制御信号ＳMDが入力される。これに応じて、トランジスタＱ12が導通状態に設定され、トランジスタＱ11とトランジスタＱ12のエミッタの電位が高いレベルに保持されるので、トランジスタＱ11が非導通状態に保持される。
【００５３】
これにより、ノードＮＤ5の電位がトランジスタＱ11が導通状態より高いレベルに保持され、即ち、ハイレベルのバイアス電圧ＶB1がミクサ２０に供給される。
ミクサ２０においては、バイアス電圧ＶB1のレベルに応じて、通常の変調動作が行われる。
【００５４】
過変調モード時に、モード制御信号の入力端子からローレベルのモード制御信号ＳMDが入力される。これに応じて、トランジスタＱ12が非導通状態に設定され、トランジスタＱ11のエミッタの電位は、トランジスタＱ12が導通状態より低いレベルに保持されているので、トランジスタＱ11が導通状態に設定され、トランジスタＱ11のコレクタに抵抗素子Ｒ10の抵抗値に応じた導通電流が流れる。
【００５５】
これにより、ノードＮＤ5の電位が通常モード時より低く設定され、即ち、通常モード時より低いレベルのバイアス電圧ＶB1がミクサ２０に出力される。
ミクサ２０においては、バイアス電圧ＶB1のレベルに応じて、過変調動作が行われる。
【００５６】
このように、本応用例においては、モード制御信号ＳMDのレベルにより、過変調制御回路によりミクサ２０に出力されたバイアス電圧ＶB1のレベルが制御され、これに応じて、ミクサ２０の変調動作が決定される。
【００５７】
以上説明したように、本実施形態によれば、トランジスタＱ11，Ｑ12、抵抗素子Ｒ10，Ｒ11、スイッチＳＷおよび電流源ＩMにより過変調制御回路を構成し、通常モード時に、スイッチＳＷをオン状態に保持することでトランジスタＱ12を導通状態に保持し、トランジスタＱ11を非導通状態に保持し、ミクサ２０にハイレベルのバイアス電圧ＶB1を供給させ、過変調モード時にスイッチＳＷをオフ状態に切り換えることでトランジスタＱ12を非導通状態に保持し、トランジスタＱ11を導通状態に保持し、ミクサ２０にローレベルのバイアス電圧ＶB1を供給させるので、ミクサ２０により、バイアス電圧ＶB1のレベルに応じて変調信号ＳRFの変調度を制御し、過変調状態に設定するとき、変調信号ＳRFの波形を測定することにより、変調回路のキャリアリークの有無を定量的に検査でき、量産時のキャリアリークの検査を容易に行える。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に係る変調回路の一実施形態を示す回路図である。
【図２】変調回路の部分回路の回路図である。
【図３】変調電流と変調状態を示す概念図である。
【図４】過変調制御回路の一構成例を示す回路図である。
【図５】通常モード時の変調信号を示す波形図である。
【図６】過変調モード時にキャリアリークが無い場合の変調信号の波形図である。
【図７】過変調モード時にキャリアリークが無い場合の変調信号の波形図である。
【図８】過変調モード時にキャリアリークがある場合の変調信号の波形図である。
【図９】過変調回路の一応用例を示す回路図である。
【図１０】一般的な変調回路の構成を示す回路図である。
【図１１】変調回路における各部分の信号の波形を示す波形図である。
【図１２】一般的な変調回路における発振器１０およびミクサ２０の一構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０…発振器、２０…ミクサ、３０…ローパスフィルタ、４０…クランプ／ホワイトクリップ回路、４０ａ，４０ｂ…過変調制御回路、Ｑ1，Ｑ2，Ｑ3，Ｑ4，Ｑ5，Ｑ6，Ｑ7，Ｑ8，Ｑ9，Ｑ10，Ｑ11，Ｑ12，Ｑ13，Ｑ14…ｎｐｎ型トランジスタ、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13…抵抗素子、ＮＤ1，ＮＤ2，ＮＤ3，ＮＤ4，ＮＤ5，ＮＤ6…ノード、ＳＷ…スイッチ、Ｉ1，Ｉ2，Ｉ3，Ｉ4，ＩM…電流源、ＶCC…電源電圧、ＧＮＤ…接地電位。
【図１】
2007259475.tif 000003
【図２】
2007259475.tif 000004
【図３】
2007259475.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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