(57)【要約】【課題】容易な製造プロセスで、放熱性を低下させることなく、ミラーの位置合わせ精度を向上するとともに、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させることを目的とする。【解決手段】モノリシックに形成された複数の半導体レーザを実装する場合に、ビームステアリングミラー９０７，９１４が形成された端面を突き合わせて実装することにより、各発光点の間隔が、高精度に制御可能な製造プロセスで形成された、ビームステアリングミラー９０７，９１４の位置と誘電体膜９１９の膜厚によって決定されるので、容易な製造プロセスで、放熱性を低下させることなく、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させ各発光点間隔の制御が容易にできる。【選択図】図７
2007115929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フロントミラーとリアミラーを備える共振器にてレーザ光を発振させ、ビームステアリングミラーで前記発振したレーザ光を屈折させて出力する半導体レーザ装置であって、
基板と、
前記基板をへき開し、複数層の誘電体膜をコーティングして高反射率化したリアミラーと、
前記共振器の前記リアミラーに対向する位置の前記基板をエッチングし、少なくとも１層以上の誘電体膜をコーティングして前記リアミラーとでレーザ光を発振させるフロントミラーと、
前記共振器の光出射方向上の前記基板をエッチングし、金属膜をコーティングして前記フロントミラーから出射されるレーザ光を屈折させて出力するビームステアリングミラーと、
前記共振器上に形成されたｐ側電極と、
前記共振器の前記ｐ側電極に対向する位置に形成されたｎ側電極と、
前記基板を搭載する基材と
を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記共振器が二波長半導体レーザの共振器であり、１つの前記ビームステアリングミラーにて２つの波長の出射光を屈折することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記ビームステアリングミラーを出射光が基板内部方向に屈折するように形成し、前記レーザ光の出射方向が前記基材との接続面と反対方向になるように前記基材が前記基板を搭載することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記ビームステアリングミラーを出射光が基板外側に屈折するように形成し、前記レーザ光の出射方向が前記基材との接続面と反対方向になるように前記基材が前記基板を搭載することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記ビームステアリングミラーを出射光が基板外側に屈折するように形成し、前記基材に空洞を設け、前記レーザ光が前記空洞を通って出射することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記ビームステアリングミラーを出射光が基板外側に屈折するように形成し、前記レーザ光の出射方向が前記基材の方向になるように前記基材が前記基板を搭載し、前記基材が前記出射光を妨げない大きさであることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記ビームステアリングミラーが前記基板の端面全面に形成されることを特徴とする請求項３または請求項４または請求項５または請求項６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
２つの請求項３または請求項４に記載の半導体レーザ装置における前記ビームステアリングミラー側の端面に１層以上の誘電体膜をコーティングし、前記ビームステアリングミラー側の端面を突き合わせて、共通の基材上に実装することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記２つの請求項３または請求項４に記載の半導体レーザ装置のうちの一方が波長６５０ｎｍ帯に発振波長を有する赤色半導体レーザと波長７８０ｎｍ帯に発振波長を有する赤外半導体レーザの二波長半導体レーザであり、他方が波長４００ｎｍ帯に発振波長を有する青紫色半導体レーザであることを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記金属膜に代わり、少なくとも１層以上の誘電体膜を挿入した金属膜を用いることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６または請求項７または請求項８または請求項９のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記金属膜に代わり、複数層の誘電体膜を用いることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６または請求項７または請求項８または請求項９のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に光ディスクの光源などに用いられる光源を複数搭載する半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは、エレクトロニクスやオプトエレクトロニクスの多くの分野で広く使用されており、光デバイスとして不可欠なものである。特に、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）などの光ディスク機器は、大容量の記録媒体として現在盛んに利用されている。さらに、高精彩な映像を記録するために、近年では次世代ＤＶＤとしてＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（ＢＤ）といった規格も出始めている。ＤＶＤに用いる記録媒体（メディア）はＣＤの媒体に比べピット長およびトラック間隔が小さい。従って、用いる半導体レーザの波長も記録容量に応じてＣＤ＞ＤＶＤ＞ＢＤと短くなる。具体的には、ＣＤ用のレーザの発振波長は７８０ｎｍ帯であるのに対し、ＤＶＤ用レーザの発振波長は６５０ｎｍ帯、ＢＤ用レーザの発振波長は４００ｎｍ帯である。
【０００３】
ひとつの光ディスク装置がＣＤおよびＤＶＤの両方の情報を検出するためには、７８０ｎｍ帯のレーザ（赤外半導体レーザ）と６５０ｎｍ帯のレーザ（赤色半導体レーザ）の２つの光源が必要となる。近年、光ディスク装置を構成する光ピックアップ装置の小型化、軽量化のために、１つの半導体チップの中に２種類の波長のレーザ光を発光する二波長型の半導体レーザ素子が開発され普及しつつある。さらに、ＢＤに対応するため、４００ｎｍ帯のレーザ（青紫色半導体レーザ）と、こうした二波長レーザ素子を組み合わせて、三波長レーザ装置とする動きが見られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
さらに、記録容量の増加と共に、記録速度の高速化が進んできており、その動向は特にＣＤ用及びＤＶＤ用で顕著である。高速化するためには、半導体レーザの高出力化が必要とされる。近年では、ＣＤ用赤外半導体レーザやＤＶＤ用赤色半導体レーザにおいて、２００〜３００ｍＷ超の高出力が市場から要求されるに至っている。
【０００５】
以下、図８，図９，図１０を用いて従来の半導体レーザ装置について説明する。
図８は従来の二波長型半導体レーザ装置の構成図であり、従来の二波長半導体レーザ１００の上面斜視図である。６５０ｎｍ帯のレーザ光１５を出射する赤色半導体レーザ１０と７８０ｎｍ帯のレーザ光２５を出射する赤外半導体レーザ２０の２つのレーザから構成されている。このレーザは、赤色半導体レーザ１０と赤外半導体レーザ２０を電気的に分離するために、溝９０が設けられている。ｐ側電極３０とｎ側電極４０に、個々にバイアスを印加することでそれぞれのレーザを個別に動作させることができる。
【０００６】
この半導体レーザ装置は、レーザ光を取り出すための前端面５０と共振器内部へ光を反射させるための後端面６０を有している。後端面６０には多層端面膜８０が積層されている。一方、前端面５０にはレーザ光の取り出し効率を上げるために、後端面６０よりも低い反射率の端面コート膜が形成されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
また、高出力化の有効な手段のひとつとして、半導体レーザの共振器を形成する２つの端面の反射率を非対称とする方法が用いられている。これは、光ディスク装置の書き込みに用いられる半導体レーザでは一般的な方法である。この方法は、共振器を形成する端面を誘電体多層膜でコーティングすることで端面の反射率を非対称にする方法で、共振器を形成する端面のうち、レーザ光が出射する側の共振器の端面（前方端面）を低反射率（１０％程度）に、また、その反対側の端面（後方端面）の反射率を高反射率（９０％程度）とする。なお、誘電体多層膜の反射率は、用いる誘電体の屈折率、層厚、および積層する総数によって制御することができる（例えば、非特許文献１参照）。
【０００８】
図９は従来の単面発光型半導体レーザ装置におけるレーザ発光を説明する図である。
図９（ａ）に示すように、単面発光型の半導体レーザであるインプレーン半導体レーザ１１０から出射される光１０１Ａをビームステアリングミラー１０２にて反射し、長波長用垂直キャビティ表面発光レーザ１０６をポンピングするものである。また、図９（ｂ）に示すように、電気的にポンピングされるインプレーン半導体レーザ１１０、垂直キャビティ表面発光レーザ１０６及びビームステアリングミラー１０２が基板上にモノリシックに形成されている。端面発光型のインプレーン半導体レーザ１１０から出射される光１０１Ａを一体形成されたビームステアリングミラー１０２にて９０°傾けて反射し、垂直キャビティ表面発光レーザ１０６を光学的にポンピングしてレーザ発振させる。インプレーン半導体レーザ１１０は比較的短い波長の光を出すように構成され、それに対して垂直キャビティ表面発光レーザ１０６は比較的長い波長の光を出すように構成される。
【０００９】
この例では、インプレーン半導体レーザ１１０と垂直キャビティ表面発光レーザ１０６から出射される光１０１Ａを光１０１Ｂとするためにビームステアリングミラー１０２を用いる。このビームステアリングミラー１０２の用途としては、端面発光型のインプレーン半導体レーザ１１０と垂直キャビティ表面発光レーザ１０６との間を光学的に結びつけるものとして位置づけられている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特許第３４８６９００号明細書
【特許文献２】特開２００２−２２３０３０号公報
【特許文献３】特表２００３−５１３４７７号公報
【特許文献４】特開平９−５１１４７号公報
【特許文献５】特開平１１−１６１９９３号公報
【特許文献６】特開２００１−１８５８１１号公報
【非特許文献１】伊賀健一編著、「半導体レーザ」、第１版、株式会社オーム社、ｐ．２３８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図１０は従来の半導体レーザ装置を用いた光ディスク用ピックアップの一部分を説明する図である。
図１０において、二波長半導体レーザ３０２から出射される光３０４Ａを９０度曲げて光３０４Ｂとするためにビームステアリングミラー３０３を用いる。その際、こうしたミラーと半導体レーザ素子は、それぞれ別々に形成された後に１つに実装されるため、各々に高精度の位置合わせが必要とされていた。さらに二波長レーザ素子を用いる場合や複数のレーザ素子を用いる場合には、さらに位置合わせが煩雑となるという課題があった。
【００１１】
また、複数の半導体レーザから出る光を多角錐や多面体ミラーを用いて反射させ、各レーザの光軸を近接させて発光点間隔を小さくする技術がある。但し、こうしたミラーはＳｉ基板上に形成されることが多く、化合物半導体から成る半導体レーザ素子は別途実装する必要があるため、各々に高精度の位置合わせが必要とされていた（例えば、特許文献４，特許文献５，特許文献６参照）。さらに、二波長レーザ素子を用いる場合や複数のレーザ素子を用いる場合には、さらに位置合わせが煩雑となるという課題があった。例えば、二波長レーザ半導体レーザと青紫色半導体レーザを高さ方向に重ね合わせて実装することにより、３つの波長域のレーザ光において発光点間隔を狭める場合がある（特許文献１）。しかしながら、二重に半導体レーザを実装しなければならず、基板から見て上方に実装された二波長レーザの放熱性は窒化ガリウムの熱伝導度に依存することとなり、放熱性の良い基材材料（ＡｌＮ等）から比べると放熱性は低下してしまう。また、出射されるレーザ光の光軸は三次元となり、ミラーの実装及び位置合わせは非常に煩雑になってしまうという課題があった。
【００１２】
さらに、図９に示すような、単独の半導体レーザ装置において、インプレーン半導体レーザから出た光を一体化されたビームステアリングミラーにて反射させ、垂直キャビティ表面発光レーザをポンピングする技術もある。この際、ビームステアリングミラーの位置づけとしては、インプレーン半導体レーザからの光が表面発光レーザ内に入射すればよく、その役割は上述したような光軸合わせに対して用いられているものではない。図９（ｂ）に示すビームステアリングミラー１０２は、Ｖ字型のビームステアリングミラー１０２の各面に低反射ミラーと高反射ミラーを形成する必要があり、プロセス的に製造が非常に困難であるという問題点を有している（例えば、特許文献２，特許文献３参照）。
【００１３】
そこで、本発明の半導体レーザ装置は、単一波長の半導体レーザ装置におけるミラー位置合わせの困難性の問題や、波長の異なる複数の半導体レーザを混載する際の、高精度の光軸位置合わせの困難性、放熱性の低下、製造プロセスの困難性といった問題点を解決するものであり、容易な製造プロセスで、放熱性を低下させることなく、ミラーの位置合わせ精度を向上するとともに、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体レーザ装置は、フロントミラーとリアミラーを備える共振器にてレーザ光を発振させ、ビームステアリングミラーで前記発振したレーザ光を屈折させて出力する半導体レーザ装置であって、基板と、前記基板をへき開し、複数層の誘電体膜をコーティングして高反射率化したリアミラーと、前記共振器の前記リアミラーに対向する位置の前記基板をエッチングし、少なくとも１層以上の誘電体膜をコーティングして前記リアミラーとでレーザ光を発振させるフロントミラーと、前記共振器の光出射方向上の前記基板をエッチングし、金属膜を誘電体膜をコーティングして前記フロントミラーから出射されるレーザ光を屈折させて出力するビームステアリングミラーと、前記共振器上に形成されたｐ側電極と、前記共振器の前記ｐ側電極に対向する位置に形成されたｎ側電極と、前記基板を搭載する基材とを有することを特徴とする。
【００１５】
請求項２記載の半導体レーザ装置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記共振器が二波長半導体レーザの共振器であり、１つの前記ビームステアリングミラーにて２つの波長の出射光を屈折することを特徴とする。
【００１６】
請求項３記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記ビームステアリングミラーを出射光が基板内部方向に屈折するように形成し、前記レーザ光の出射方向が前記基材との接続面と反対方向になるように前記基材が前記基板を搭載することを特徴とする。
【００１７】
請求項４記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記ビームステアリングミラーを出射光が基板外側に屈折するように形成し、前記レーザ光の出射方向が前記基材との接続面と反対方向になるように前記基材が前記基板を搭載することを特徴とする。
【００１８】
請求項５記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記ビームステアリングミラーを出射光が基板外側に屈折するように形成し、前記基材に空洞を設け、前記レーザ光が前記空洞を通って出射することを特徴とする。
【００１９】
請求項６記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記ビームステアリングミラーを出射光が基板外側に屈折するように形成し、前記レーザ光の出射方向が前記基材の方向になるように前記基材が前記基板を搭載し、前記基材が前記出射光を妨げない大きさであることを特徴とする。
【００２０】
請求項７記載の半導体レーザ装置は、請求項３または請求項４または請求項５または請求項６のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記ビームステアリングミラーが前記基板の端面全面に形成されることを特徴とする。
【００２１】
請求項８記載の半導体レーザ装置は、２つの請求項３または請求項４に記載の半導体レーザ装置における前記ビームステアリングミラー側の端面に１層以上の誘電体膜をコーティングし、前記ビームステアリングミラー側の端面を突き合わせて、共通の基材上に実装することを特徴とする。
【００２２】
請求項９記載の半導体レーザ装置は、請求項８記載の半導体レーザ装置において、前記２つの請求項３または請求項４に記載の半導体レーザ装置のうちの一方が波長６５０ｎｍ帯に発振波長を有する赤色半導体レーザと波長７８０ｎｍ帯に発振波長を有する赤外半導体レーザの二波長半導体レーザであり、他方が波長４００ｎｍ帯に発振波長を有する青紫色半導体レーザであることを特徴とする。
【００２３】
請求項１０記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６または請求項７または請求項８または請求項９のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記金属膜に代わり、少なくとも１層以上の誘電体膜を挿入した金属膜を用いることを特徴とする。
【００２４】
請求項１１記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６または請求項７または請求項８または請求項９のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記金属膜に代わり、複数層の誘電体膜を用いることを特徴とする。
【００２５】
以上により、容易な製造プロセスで、放熱性を低下させることなく、ミラーの位置合わせ精度を向上するとともに、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上のように、本発明の半導体レーザ装置は同一基板上に共振器とビームステアリングミラーをモノリシックに形成することにより、高精度に位置合わせ可能な製造プロセスでミラーの位置合わせを行うことができるため、容易な製造プロセスで、放熱性を低下させることなく、ミラーの位置合わせ精度を向上することができる。また、モノリシックに形成された複数の半導体レーザを実装する場合に、ビームステアリングミラーが形成された端面を突き合わせて実装することにより、各発光点の間隔が、高精度に制御可能な製造プロセスで形成された、ビームステアリングミラーの位置と誘電体膜の膜厚によって決定されるので、容易な製造プロセスで、放熱性を低下させることなく、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させ各発光点間隔の制御が容易にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の半導体レーザ装置は、同一基板上に、へき開により形成したリアミラー形成部とエッチングにより形成したフロントミラー形成部とエッチングにより傾斜を持たせたビームステアリングミラー形成部を形成し、これらのミラー形成部に金属膜もしくは誘電体多層膜をコーティングすることよりミラーを形成し、リアミラー、フロントミラー間で発振したレーザ光をビームステアリングミラーで反射して出射する構成である。
【００２８】
以下、図面に基づき、本発明の半導体レーザ装置の実施例について詳細に説明する。
（実施例１）
図１は本発明の実施例１における半導体レーザ装置の断面図である。
【００２９】
図１において、半導体レーザ装置４０１では、共通の基材３０１上に共振器である半導体レーザ部４０２とミラー部４０３が同一のプロセスでモノリシックに一体形成されている。半導体レーザ装置４０１が高出力タイプの場合、基材３０１は熱伝導が良く、放熱性の良い材料（ＡｌＮ，ＳｉＣ，Ｃｕ等）が用いられる。半導体レーザ部４０２の片側（リア端面）はへき開により形成し、従来、へき開によって形成していたレーザの出射面（フロント端面）は、同一基板上にミラー部４０３を形成するために、エッチングによりフロントミラー４０５を作製する。
【００３０】
このフロントミラー４０５はレーザ発振を起こすために、リア端面（へき開面）と平行に形成する必要がある。よって、ウェットエッチングではなく、形成精度の高いドライエッチングによりレーザ光の光軸と垂直に形成することが望ましい。フロントミラーには少なくとも１層以上の誘電体膜をコートすることで低反射率ミラーを形成する。例えば、半導体レーザから出射されるレーザ光の波長をλとすれば、屈折率がｎ１のＳｉＯ２膜をλ／（４×ｎ１）の厚みでコートを行う。λ＝６５０ｎｍ、ｎ１＝１．４８付近の値であれば、フロントミラー４０５端面の反射率は１０％以下に抑えることが出来る。このように、反射率はコート膜に用いる誘電体の屈折率、層厚および積層する層の数によって制御することができる。こうした低反射率コートにより、半導体レーザ部４０２から出射したレーザ光がミラー部４０３に入射する際の反射損失も低減することが出来る。
【００３１】
半導体レーザ部４０２のリア端面はへき開により形成し、誘電体多層膜コートによる高反射率リアミラー４０６を形成する。リア端面における高反射率ミラーの形成には、半導体レーザから出射されるレーザ光の波長をλとすれば、低屈折率ｎ２の誘電体膜λ／（４×ｎ２）と高屈折率ｎ３の誘電体膜λ／（４×ｎ３）のペアによる多層膜が必要である。このとき、低屈折率材料としてはＳｉＯ２、高屈折率材料としてはＡｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２等が望ましい。高屈折率材料として水素添加アモルファスＳｉ（屈折率の実部ｎ＝３．３）も存在するが、波長域によっては光吸収損失があるため、高出力化を考慮した際には好ましくない。ＳｉＮに代表される窒化膜はλ／（４×ｎ）膜を積層した場合、半導体層に働く応力が大きくなるため好ましくない。
【００３２】
誘電体多層膜を用いる代わりに、Ａｌ等の金属膜をコーティングすることで高反射率リアミラーを形成することもできる。この場合、コーティングを行う金属膜とへき開により形成されたへき開面との間に前述の誘電体膜を少なくとも１層以上を挿入して導通が取れないようにすることが望ましい。
【００３３】
非特許文献１に記載されているように、金属膜もしくは誘電体膜のどちらを使用した場合においても、リアミラーの反射率は半導体レーザから発振される光の波長λにおいて８０％以上の反射率範囲に設定することが望ましい。さらに、９０％以上の反射率範囲とすることにより、閾値電流値の低減が可能となり、デバイスの消費電力を下げることができる。
【００３４】
さらに、半導体レーザ部４０２共振器の延長上の基板において、光軸に対して傾斜を持った結晶面をエッチングにより形成する。エッチング方法は、ウェットエッチングであってもドライエッチングであっても構わない。また、ドライエッチングの後、ウェットエッチングを実施しても良い。傾斜を持った結晶面に対して誘電体多層膜コートにより高反射率化することでビームステアリングミラー４０４とする。このビームステアリングミラー４０４は半導体レーザ部４０２からの光を表面側（基材３０１とは反対側）へと反射するものである。
【００３５】
ビームステアリングミラー４０４における高反射率ミラーの形成にも、先ほどのリア端面における高反射率ミラーの形成と同様である。半導体レーザから出射されるレーザ光の波長をλとすれば、低屈折率ｎ４の誘電体膜λ／（４×ｎ４）と高屈折率ｎ５の誘電体膜λ／（４×ｎ５）のペアによる多層膜が必要である。このとき、低屈折率材料としてはＳｉＯ２、高屈折率材料としてはＡｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２等が望ましい。
【００３６】
誘電体多層膜を用いる代わりに、Ａｌ等の金属膜をコーティングすることで高反射率のビームステアリングミラーを形成することもできる。この場合、コーティングを行う金属膜とへき開により形成されたへき開面との間に前述の誘電体膜を少なくとも１層以上を挿入して導通が取れないようにすればよい。
【００３７】
ビームステアリングミラーは反射率が下がれば、それだけ外部に光が漏れてしまい、光出力の損失となってしまう。金属膜もしくは誘電体膜のどちらを使用した場合においても、ビームステアリングミラーの反射率は半導体レーザから発振される光の波長λにおいて８０％以上の反射率範囲に設定することが望ましい。さらに、９０％以上の反射率範囲とすることにより、外部に漏れる光を抑制でき、光出力の損失を抑えることができる。
【００３８】
ｐ側電極４０７及びｎ側電極４０８共に、半導体レーザ部４０２部分のみに形成し、ミラー部４０３には形成しない。これは、レーザ発振に寄与する共振器内のみにキャリア（ホール）を注入して、利得を得るようにするためである。こうして作製したチップを基材３０１上にジャンクションダウン実装（光を発生させるジャンクション部が基材側）し、それぞれのｐ側電極４０７とｎ側電極４０８に、バイアスを印加することで半導体レーザ部４０２を動作させることができる。実装に使用する半田等は図面から省略した。半導体レーザ部４０２において、リアミラー４０６とフロントミラー４０５間で発振したレーザ光はミラー部４０３へと入射する。半導体レーザ部４０２から発振される光の光軸に対してビームステアリングミラー４０４が４５°傾いている場合、半導体レーザ部４０２から発振される光の光軸が９０°傾くことになり、レーザ光は基材に対して垂直に出射される。実際は、エッチングのプロセスマージンを考慮して、ビームステアリングミラーが３５°から５５°の範囲で傾きを制御することが望ましい。さらに４４°から４６°の範囲で傾きを制御することが、より望ましい。
【００３９】
以上により、レーザ光を半導体レーザ装置の基板を通じて、表面からレーザ光を取り出すことができる。前述の誘電体膜は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタやマグネトロンスパッタ、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）等で堆積することができる。特にＥＣＲスパッタは、純度の高い金属（ＳｉＯ２の場合はＳｉ）をターゲットに用いることができ、光吸収のない誘電体膜を高い堆積レートで積むことが可能であり適している。例えば、Ｔａ２Ｏ５では、金属Ｔａターゲットを用い、反応性ガスとしてＯ２を用いることで２０ｎｍ／分程度の高い堆積レートで形成でき生産性に優れている。
【００４０】
本実施例は、６５０ｎｍ帯に発振波長を有する赤色半導体レーザに関して詳細を説明したが、７８０ｎｍ帯に発振波長を有する赤外半導体レーザや４００ｎｍ帯に発振波長を有する青紫色半導体レーザに関しても同様である。また、二波長レーザを始めとする多波長半導体レーザに関しても同様であり、コート材料と膜厚を最適設計することで、フロントミラー４０５では各波長において反射率１０％以下、リアミラー４０６及びビームステアリングミラー４０４では各波長において反射率９０％以上とすることが可能である。特に、リアミラー４０６及びビームステアリングミラー４０４に対してＡｌ等の金属膜をコートすることにより、広い波長範囲で高反射率化が可能となるため、多波長半導体レーザに有効である。
【００４１】
以上のように、実施の形態１における半導体レーザ装置は、同一基板上に、フロントミラー４０５形成領域とビームステアリングミラー４０４形成領域をエッチングして形成することにより、共振器とビームステアリングミラー４０４を容易にモノリシックに形成することができるため、ビームステアリングミラー４０４の位置決めを高精度なプロセス工程で行うことができ、ビームステアリングミラー４０４の位置決め精度が向上する。さらに、波長の異なる複数の半導体レーザを同様に同一基板上にモノリシックに形成することにより、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させることができ、発光点間隔の最適化を図ることもできる。
（実施例２）
半導体レーザ装置の実装形態やレーザ光の取り出し方向によって、様々な実施例が考えられる。以下に、図２に基づき、実施例１との相違点を中心に実施例２の半導体レーザ装置について詳細に説明する。
【００４２】
図２は本発明の実施例２における半導体レーザ装置の断面図である。
図２に示すように、この半導体レーザ装置５０１においても、基材３０１上に共振器である半導体レーザ部４０２とミラー部４０３がモノリシックに一体形成されている点では実施例１と同様である。相違点はｎ側電極４０８を基材３０１側へ、ｐ側電極４０７を表面側にして、基材３０１上にジャンクションアップ実装（光を発生させるジャンクション部が表面側）したことにある。実装に使用する半田等は図面から省略した。
【００４３】
半導体レーザ部４０２における共振器の延長上において、光軸に対して傾斜を持った結晶面をエッチング等により形成する。エッチング方法は、ウェットエッチングであってもドライエッチングであっても構わない。また、ドライエッチングの後、ウェットエッチングを実施しても良い。傾斜を持った結晶面に対して誘電体多層膜コートにより高反射率化することでビームステアリングミラー４０４とする。このビームステアリングミラー４０４は半導体レーザ部４０２からの光を表面側（基材３０１とは反対側）へと反射するものである。
【００４４】
ビームステアリングミラー４０４における高反射率ミラーの形成は、実施例１における高反射率ミラーの形成と同様である。ビームステアリングミラー４０４の反射率が下がれば、それだけ外部に光が漏れてしまい、光出力の損失となってしまう。金属膜もしくは誘電体膜のどちらを使用した場合においても、ビームステアリングミラーの反射率は半導体レーザから発振される光の波長λにおいて８０％以上の反射率範囲に設定することが望ましい。さらに、９０％以上の反射率範囲とすることにより、外部に漏れる光を抑制でき、光出力の損失を抑えることができる。
【００４５】
それぞれのｐ側電極４０７とｎ側電極４０８に、バイアスを印加することで半導体レーザ部４０２を動作させることができる。半導体レーザ部４０２において、リアミラー４０６とフロントミラー４０５間で発振したレーザ光はミラー部４０３へと入射する。半導体レーザ部４０２から発振される光の光軸に対して、ビームステアリングミラー４０４が４５°傾いている場合、半導体レーザ部４０２から発振される光の光軸は９０°傾くことになり、レーザ光は基材に対して垂直に出射される。実際はエッチングのプロセスマージンを考慮して、ビームステアリングミラーが３５°から５５°の範囲で傾きを制御することが望ましい。さらに４４°から４６°の範囲で傾きを制御することが、より望ましい。実施例１とは異なり、レーザ光は半導体レーザ装置５０１中を通過しないため、基板や半導体層にて生じる光吸収損失を抑えることが出来る。
【００４６】
以上により、レーザ光を半導体レーザ装置の基板を通じて、表面からレーザ光を取り出すことができる。前述の誘電体膜は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタやマグネトロンスパッタ、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）等で堆積することができる。特にＥＣＲスパッタは、純度の高い金属（ＳｉＯ２の場合はＳｉ）をターゲットに用いることができ、光吸収のない誘電体膜を高い堆積レートで積むことが可能であり適している。
【００４７】
本実施例は、６５０ｎｍ帯に発振波長を有する赤色半導体レーザに関して詳細を説明するが、７８０ｎｍ帯に発振波長を有する赤外半導体レーザや４００ｎｍ帯に発振波長を有する青紫色半導体レーザに関しても同様である。また、二波長半導体レーザ等に関しても、低反射率コート膜厚及び高反射率コート膜厚を両波長に対して最適設計することにより、単一のミラー面の形成で、二波長共に対応可能である。
【００４８】
以上のように、実施の形態２における半導体レーザ装置は、同一基板上に、フロントミラー４０５形成領域とビームステアリングミラー４０４形成領域をエッチングして形成することにより、共振器とビームステアリングミラー４０４を容易にモノリシックに形成することができるため、ビームステアリングミラー４０４の位置決めを高精度なプロセス工程で行うことができ、ビームステアリングミラー４０４の位置決め精度が向上する。さらに、波長の異なる複数の半導体レーザを同様に同一基板上にモノリシックに形成することにより、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させることができ、発光点間隔の最適化を図ることもできる。
（実施例３）
以下に、図３，図４に基づき、実施例１との相違点を中心に実施例３の半導体レーザ装置について詳細に説明する。
【００４９】
図３は本発明の実施例３における基板に空洞を有する半導体レーザ装置の断面図、図４は本発明の実施例３におけるミラー部の基板を無くした半導体レーザ装置の断面図である。
【００５０】
図３に示すように、この半導体レーザ装置６０１においても、基材３０１上に共振器である半導体レーザ部４０２とミラー部４０３がモノリシックに一体形成されている点では実施例１と同様である。また、ｐ側電極４０７を基材３０１側にして、基材３０１上にジャンクションダウン実装（光を発生させるジャンクション部が基材３０１側）していることも実施例１と同様である。実装に使用する半田等は図面から省略した。
【００５１】
半導体レーザ部４０２における共振器の延長上において、光軸に対して傾斜を持った結晶面をエッチング等により形成する。エッチング方法は、ウェットエッチングであってもドライエッチングであっても構わない。また、ドライエッチングの後、ウェットエッチングを実施しても良い。傾斜を持った結晶面に対して誘電体多層膜コートにより高反射率化することでビームステアリングミラー４０４とする。このビームステアリングミラー４０４は半導体レーザ部４０２からの光を基材３０１側へと反射させる。この際、基材３０１部分に空洞を形成することにより、レーザ光を通過させることができる。もしくは、図４のように、基材３０１は放熱が必要な半導体レーザ部４０２部分のみとして、ミラー部４０３は基材３０１を無くした構造とすることで、レーザ光を通過させることができる。
【００５２】
ビームステアリングミラー４０４における高反射率ミラーの形成は、実施例１における高反射率ミラーの形成と同様である。ビームステアリングミラー４０４の反射率が下がれば、それだけ外部に光が漏れてしまい、光出力の損失となってしまう。金属膜もしくは誘電体膜のどちらを使用した場合においても、ビームステアリングミラーの反射率は半導体レーザから発振される光の波長λにおいて８０％以上の反射率範囲に設定することが望ましい。さらに、９０％以上の反射率範囲とすることにより、外部に漏れる光を抑制でき、光出力の損失を抑えることができる。
【００５３】
それぞれのｐ側電極４０７とｎ側電極４０８に、バイアスを印加することで半導体レーザ部４０２を動作させることができる。半導体レーザ部４０２において、リアミラー４０６とフロントミラー４０５間で発振したレーザ光はミラー部４０３へと入射する。半導体レーザ部４０２から発振される光の光軸に対して、ビームステアリングミラー４０４が４５°傾いている場合、半導体レーザ部４０２から発振される光の光軸が９０°傾くことになり、レーザ光は基材に対して垂直に出射される。実際はエッチングのプロセスマージンを考慮して、ビームステアリングミラーが３５°から５５°の範囲で傾きを制御することが望ましい。さらに４４°から４６°の範囲で傾きを制御することが、より望ましい。
【００５４】
このように、光が発生すると共に大量の熱が発生するジャンクションを基材３０１側にして実装することにより、放熱性を確保できる。それに加えて、基板のレーザ光通過領域に空洞を設けたり、ミラー部を基板外に形成したりすることにより、レーザ光が半導体レーザ装置６０１、半導体レーザ装置７０１中を通過する必要が無いため、基板や半導体層での光吸収損失を抑えることが出来る。
【００５５】
以上により、レーザ光を半導体レーザ装置の基材を通じて取り出すことができる。前述の誘電体膜は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタやマグネトロンスパッタ、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）等で堆積することができる。特に、ＥＣＲスパッタは、純度の高い金属（ＳｉＯ２の場合はＳｉ）をターゲットに用いることができ、光吸収のない誘電体膜を高い堆積レートで積むことが可能であり適している。
【００５６】
本実施例は、６５０ｎｍ帯に発振波長を有する赤色半導体レーザに関して詳細を説明するが、７８０ｎｍ帯に発振波長を有する赤外半導体レーザや４００ｎｍ帯に発振波長を有する青紫色半導体レーザに関しても同様である。また、二波長半導体レーザ等に関しても、低反射率コート膜厚及び高反射率コート膜厚を両波長に対して最適設計することにより、単一のミラー面の形成で、二波長共に対応可能である。
【００５７】
以上のように、実施の形態３における半導体レーザ装置は、同一基板上に、フロントミラー４０５形成領域とビームステアリングミラー４０４形成領域をエッチングして形成することにより、共振器とビームステアリングミラー４０４を容易にモノリシックに形成することができるため、ビームステアリングミラー４０４の位置決めを高精度なプロセス工程で行うことができ、ビームステアリングミラー４０４の位置決め精度が向上する。また、波長の異なる複数の半導体レーザを同様に同一基板上にモノリシックに形成することにより、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させることができ、発光点間隔の最適化を図ることもできる。さらに、ジャンクションを基材３０１側にして実装することにより、放熱性を確保できる。
（実施例４）
以下に、図５に基づき、実施例１〜３との相違点を中心に実施例４の半導体レーザ装置について詳細に説明する。
【００５８】
図５は本発明の実施例４における半導体レーザ装置の断面図である。
図５に示すように、この半導体レーザ装置８０１においても、基材３０１上に半導体レーザ部４０２とミラー部４０３がモノリシックに一体形成されている点では実施例１と同様である。
【００５９】
半導体レーザ部４０２における共振器の延長上において、光軸に対して傾斜を持った結晶面をエッチング等により形成する。実施例１〜３との相違点は、傾斜面が半導体レーザ装置８０１の片側の端面全体に及んでいることにある。形成方法は、ウェットエッチングであってもドライエッチングであっても構わない。また、ドライエッチングの後、ウェットエッチングを実施しても良い。本構造の場合、端面全体に傾斜面を作製するため、鏡面が得られる研磨プロセスを組み合わせても構わない。また、研磨の後、エッチングを実施しても良い。端面全体を傾斜させた結晶面に対して誘電体多層膜コートにより高反射率化することでビームステアリングミラー４０４とする。このビームステアリングミラー４０４は半導体レーザ部４０２からの光を表面側（基材３０１の反対側）へと反射させる。ビームステアリングミラー４０４における高反射率ミラーの形成は、実施例１における高反射率ミラーの形成と同様である。ビームステアリングミラー４０４の反射率が下がれば、それだけ外部に光が漏れてしまい、光出力の損失となってしまう。金属膜もしくは誘電体膜のどちらを使用した場合においても、ビームステアリングミラーの反射率は半導体レーザから発振される光の波長λにおいて８０％以上の反射率範囲に設定することが望ましい。さらに、９０％以上の反射率範囲とすることにより、外部に漏れる光を抑制でき、光出力の損失を抑えることができる。
【００６０】
それぞれのｐ側電極４０７とｎ側電極４０８に、バイアスを印加することで半導体レーザ部４０２を動作させることができる。半導体レーザ部４０２において、リアミラー４０６とフロントミラー４０５間で発振したレーザ光はミラー部４０３へと入射する。半導体レーザ部４０２から発振される光の光軸に対して、ビームステアリングミラー４０４が４５°に傾いている場合、半導体レーザ部４０２から発振される光の光軸が９０°傾いており、レーザ光は基材に対して垂直に出射される。実際は、エッチング及び研磨プロセスのプロセスマージンを考慮して、ビームステアリングミラーが３５°から５５°の範囲で傾きを制御することが望ましい。さらに４４°から４６°の範囲で傾きを制御することが、より望ましい。
【００６１】
以上により、レーザ光を半導体レーザ装置の基板を通じて、表面からレーザ光を取り出すことができる。前述の誘電体膜は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタやマグネトロンスパッタ、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）等で堆積することができる。特に、ＥＣＲスパッタは、純度の高い金属（ＳｉＯ２の場合はＳｉ）をターゲットに用いることができ、光吸収のない誘電体膜を高い堆積レートで積むことが可能であり適している。
【００６２】
本実施例は、６５０ｎｍ帯に発振波長を有する赤色半導体レーザに関して詳細を説明するが、７８０ｎｍ帯に発振波長を有する赤外半導体レーザや４００ｎｍ帯に発振波長を有する青紫色半導体レーザに関しても同様である。また、二波長半導体レーザ等に関しても、低反射率コート膜厚及び高反射率コート膜厚を両波長に対して最適設計することにより、単一のミラー面の形成で、二波長共に対応可能である。
【００６３】
以上のように、実施の形態４における半導体レーザ装置は、同一基板上に、フロントミラー４０５形成領域とビームステアリングミラー４０４形成領域をエッチングして形成することにより、共振器とビームステアリングミラー４０４を容易にモノリシックに形成することができるため、ビームステアリングミラー４０４の位置決めを高精度なプロセス工程で行うことができ、ビームステアリングミラー４０４の位置決め精度が向上する。さらに、波長の異なる複数の半導体レーザを同様に同一基板上にモノリシックに形成することにより、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させることができ、発光点間隔の最適化を図ることもできる。
（実施例５）
次に、複数の半導体レーザを混載した半導体レーザ装置について図６及び図７に示す例を用いて説明する。
【００６４】
図６は本発明の実施例５におけるジャンクションダウン実装した半導体レーザ装置の断面図であり、実施例１における半導体レーザ装置（図１参照）を組み合わせたものである。図７は本発明の実施例５におけるジャンクションアップ実装した半導体レーザ装置の断面図であり、実施例２における半導体レーザ装置（図２参照）を組み合わせたものである。以下、図７の図面に基づき本発明の半導体レーザ装置について詳細に説明する。
【００６５】
従来の二波長半導体レーザの構造は特許文献２及び図８に示したものである。本発明においては、二波長半導体レーザは一方の半導体レーザの発振波長と他方の半導体レーザの発振波長は異なる。例えば、一方の半導体レーザを６５０ｎｍ帯のレーザ光を出射する赤色半導体レーザ、他方の半導体レーザを７８０ｎｍ帯のレーザ光を出射する赤外半導体レーザとすることができる。二波長半導体レーザの場合、低反射率コート及び高反射率コート共に、それぞれの波長域において所望の反射率となるように形成しなければならない。前記反射率は、誘電体の屈折率、層厚および積層する層の数によって制御することができる。この点を考慮して、赤色・赤外の二波長半導体レーザ装置１００１と青紫色半導体レーザ装置１００２を実施例２と同様に個々に作製する。二波長半導体レーザ装置１００１は、赤色・赤外それぞれの共振器と、共用するビームステアリングミラーを１つの基板にモノリシックに形成したものである。
【００６６】
二波長半導体レーザ装置１００１もしくは青紫色半導体レーザ装置１００２に対して、ビームステアリングミラーを形成する側の端面（リアミラー９０９、リアミラー９１６の反対側）に少なくとも１層以上の誘電体膜９１９を形成する。必要に応じて、二波長半導体レーザ装置１００１端面及び青紫色半導体レーザ装置１００２端面の両方に誘電体膜９１９を形成してもよい。この誘電体膜９１９は二波長半導体レーザ装置１００１と青紫色半導体レーザ装置１００２間を絶縁すると共に、実装時のバッファ層として用いるため、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２等を始め、誘電体（絶縁体）膜であれば特に制限は無い。
【００６７】
基材３０１上にｎ側電極９１２、ｎ側電極９１３、ｎ側電極９１８が基材３０１側になるようにして、二波長半導体レーザ装置１００１及び青紫色半導体レーザ装置１００２を実装する。このとき、前もって形成した誘電体膜９１９を挟むように、各チップのビームステアリングミラーが形成される方の端面を突き合わせて実装する。すなわち、ビームステアリングミラー９０７、ビームステアリングミラー９１４側の端面（リアミラー９０９、リアミラー９１６の反対側）を突き合わせる形態となる。これにより、二波長半導体レーザ装置１００１と青紫色半導体レーザ装置１００２の発光点間隔は、製造プロセスによる形成位置精度の高い、ビームステアリングミラーと端面までの距離と誘電体膜９１９厚の足し合わせで簡便に求まる。すなわち、二波長半導体レーザ装置１００１もしくは青紫色半導体レーザ装置１００２のどちらか一方を前もって実装しておき、その後にもう一方を突き合わせにより実装することで、簡便な実装を実現すると共に、発光点間隔を再現性良く制御することができる。また、各レーザの発光点間隔を狭めることが可能となる。
【００６８】
それぞれのｐ側電極９１０、ｐ側電極９１１とｎ側電極９１２、ｎ側電極９１３にバイアスを印加することで、二波長半導体レーザ部９０３を動作させることができる。同様に、ｐ側電極９１７とｎ側電極９１８にバイアスを印加することで、青紫色半導体レーザ部９０５を動作させることができる。半導体レーザ部９０３、半導体レーザ部９０５において発振したレーザ光は各々ミラー部９０４、ミラー部９０６へと入射する。半導体レーザ部９０３、半導体レーザ部９０５から発振される光の光軸に対して、ビームステアリングミラー９０７、ビームステアリングミラー９１４が４５°に傾いている場合、半導体レーザ部９０３、半導体レーザ部９０５から発振される光の光軸が９０°傾き、レーザ光は基材３０１に対して垂直に出射される。実際はエッチングのプロセスマージンを考慮して、ビームステアリングミラーが３５°から５５°の範囲で傾きを制御することが望ましい。さらに４４°から４６°の範囲で傾きを制御することが、より望ましい。
【００６９】
前述の誘電体膜は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタやマグネトロンスパッタ、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）等で堆積することができる。特にＥＣＲスパッタは、純度の高い金属（ＳｉＯ２の場合はＳｉ）をターゲットに用いることができ、光吸収のない誘電体膜を高い堆積レートで積むことが可能であり適している。
【００７０】
本実施例の半導体レーザ装置によると、実施例１〜４に示す構成の二波長（赤色／赤外）半導体レーザおよび青紫色半導体レーザを、ビームステアリングミラーが形成された端面を突き合わせて実装することにより、各発光点の間隔が、高精度に制御可能な製造プロセスで形成された、ステアリングミラーの位置と誘電体膜の膜厚によって決定されるので、発光点間隔を制御性良く狭めた三波長レーザを実現できる。また、各半導体レーザを基材上に直接実装しているため、両半導体レーザを高さ方向に重ねて実装した場合に比べて、実装の容易性と放熱性の面で大きな利点がある。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、容易な製造プロセスで、放熱性を低下させることなく、ミラーの位置合わせ精度を向上するとともに、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させることができ、主に光ディスクの光源などに用いられる光源を複数搭載する半導体レーザ装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施例１における半導体レーザ装置の断面図
【図２】本発明の実施例２における半導体レーザ装置の断面図
【図３】本発明の実施例３における基板に空洞を有する半導体レーザ装置の断面図
【図４】本発明の実施例３におけるミラー部の基板を無くした半導体レーザ装置の断面図
【図５】本発明の実施例４における半導体レーザ装置の断面図
【図６】本発明の実施例５におけるジャンクションダウン実装した半導体レーザ装置の断面図
【図７】本発明の実施例５におけるジャンクションアップ実装した半導体レーザ装置の断面図
【図８】従来の二波長型半導体レーザ装置の構成図
【図９】従来の単面発光型半導体レーザ装置におけるレーザ発光を説明する図
【図１０】従来の半導体レーザ装置を用いた光ディスクのピックアップの一部分を説明する図
【符号の説明】
【００７３】
１０    赤色半導体レーザ（６５０ｎｍＭＱＷ）
１５    レーザ光
２０    赤外半導体レーザ（７８０ｎｍＭＱＷ）
２５    レーザ光
３０    電極
４０    電極
５０    前端面
６０    後端面
８０    多層端面膜
９０    溝
１００    二波長半導体レーザ
１０１Ａ    光
１０１Ｂ    光
１０２    ビームステアリングミラー
１０６    垂直キャビティ表面発光レーザ
１１０    インプレーン半導体レーザ
３０１    基材
３０２    二波長半導体レーザ
３０３    ビームステアリングミラー
３０４Ａ    光
３０４Ｂ    光
４０１    半導体レーザ装置
４０２    半導体レーザ部
４０３    ミラー部
４０４    ビームステアリングミラー
４０５    フロントミラー
４０６    リアミラー
４０７    ｐ側電極
４０８    ｎ側電極
５０１    半導体レーザ装置
６０１    半導体レーザ装置
７０１    半導体レーザ装置
８０１    半導体レーザ装置
９０３    レーザ部
９０４    ミラー部
９０５    レーザ部
９０６    ミラー部
９０７    ビームステアリングミラー
９０９    リアミラー
９１０    ｐ側電極
９１１    ｐ側電極
９１２    ｎ側電極
９１３    ｎ側電極
９１４    ビームステアリングミラー
９１６    リアミラー
９１７    ｐ側電極
９１８    ｎ側電極
９１９    誘電体膜
１００１    二波長半導体レーザ装置
１００２    青紫色半導体レーザ装置
【図１】
2007115929.tif 000003
【図２】
2007115929.tif 000004
【図３】
2007115929.tif 000005
【図４】
2007115929.tif 000006
【図５】
2007115929.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007115929.tif 000009
【図８】
2007115929.tif 000010
【図９】
2007115929.tif 000011
【図１０】
2007115929.tif 000012