(57)【要約】【課題】放出ガスの捕捉を効果的に行うことができ、しかも、電子がアノード電極等に衝突してもゲッターに大きな影響を与えない平面型表示装置を提供する。【解決手段】平面型表示装置は、有効領域ＥＦA，ＥＦC及び無効領域ＮＥA，ＮＥCを有し、複数の電子放出領域ＥＡが支持体１０に設けられたカソードパネルＣＰ、並びに、複数の蛍光体領域２２及びアノード電極が基板２０に設けられたアノードパネルＡＰから成り、複数の電子放出領域ＥＡ、複数の蛍光体領域２２は、有効領域ＥＦC，ＥＦAを構成する支持体１０，基板２０の部分に２次元マトリクス状に配列され、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとはそれらの周縁部で接合部材を介して接合されており、接合部材の内側であって無効領域ＮＥAを構成する基板２０の部分には蛍光体領域２２から隙間を開けてゲッター層５０が設けられている。【選択図】  図１
2007115625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効領域、及び、該有効領域を取り囲む無効領域を有し、
複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、
該複数の電子放出領域は、有効領域を構成する支持体の部分に２次元マトリクス状に配列され、
該複数の蛍光体領域は、各蛍光体領域が電子放出領域に対向するように、有効領域を構成する基板の部分に２次元マトリクス状に配列され、
カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
接合部材の内側であって無効領域を構成する基板の部分には、２次元マトリクス状に配列された蛍光体領域から隙間を開けて、ゲッター層が設けられていることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】
前記隙間の幅は、アノードパネルを構成する基板とカソードパネルを構成する支持体との間隔の２倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項３】
アノード電極とゲッター層とは電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項４】
アノード電極とゲッター層とを電気的に接続するために、抵抗体層が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の平面型表示装置。
【請求項５】
アノード電極から無効領域を構成する基板の部分に亙り、アノード電極を外部回路と電気的に接続するためのアノード電極延在部が形成されており、
ゲッター層が該アノード電極延在部を跨るように形成されていることを特徴とする請求項３に記載の平面型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面型表示装置に関し、より具体的には、ゲッター層に特徴を有する平面型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
電子放出素子としての冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）を備えたカソードパネルＣＰと、電界放出素子から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体領域を有するアノードパネルＡＰとが、高真空に維持された空間（真空層）を介して対向配置され、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとが周縁部において接合部材２６を介して接合された構成を有する。ここで、カソードパネルＣＰは、２次元マトリクス状に配列された各サブピクセルに対応した電子放出領域を有し、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、表示装置を分解した概念図を図１５に示し、スピント型電界放出素子を有する従来の表示装置の概念的な一部端面図を図１６に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図１８に示す。尚、図１５において、接合部位に斜線を付した。
【０００５】
この表示装置において、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰの各々は、画素が配列され、実際の表示画面として機能する有効領域ＥＦC，ＥＦA（斜線を付す）と、有効領域ＥＦC，ＥＦAを包囲し、画素を選択するための周辺回路等が形成された無効領域ＮＥC，ＮＥAとを有する。かかる表示装置には、空間の真空度を維持するために、空間内の残留ガスを捕捉可能な材料から成るゲッター１５０が配されている。ゲッター１５０は、通常、カソードパネルＣＰ、アノードパネルＡＰの少なくともいずれかの無効領域ＮＥC，ＮＥAに配されている。図示した例では、カソードパネルＣＰの無効領域ＮＥCに、１又は複数の貫通孔１５１が設けられ（図示した例では１つ）、貫通孔１５１をカソードパネルＣＰの外側から塞ぐように配設されたゲッターボックス１５２内にゲッター１５０が収容されている。例えば、ガラスから作製されたゲッターボックス１５２は、フリットガラスを用いて支持体１０に接着されている。無効領域ＮＥCの他所には真空排気用の別の貫通孔１５３が設けられており、この貫通孔１５３には、真空排気後に封じ切られるチップ管とも呼ばれる排気管１５４が取り付けられている。
【０００６】
表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。
【０００７】
あるいは又、略平面状の電子放出部１５Ａを備えた、所謂扁平型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図を図１７に示す。この電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された電子放出部１５Ａから構成されている。電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。
【０００８】
これらの表示装置において、カソード電極１１は、Ｘ方向（図１６、図１７あるいは図１８のＸ方向参照）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、Ｘ方向とは異なるＹ方向（図１６、図１７あるいは図１８のＹ方向参照）に延びる帯状である。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡであり、１サブピクセルに相当する。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域ＥＦC（実際の表示部分として機能する領域）内に、通常、２次元マトリクス状に配列されている。尚、図１６に図示するように（図１７及び図１８では図示せず）、絶縁層１２及びゲート電極１３の上には層間絶縁層１６が設けられ、層間絶縁層１６上には、電子放出領域ＥＡを取り囲むように収束電極１７が設けられている。
【０００９】
一方、アノードパネルＡＰを構成する基板２０上には、２次元マトリクス状に配列された蛍光体領域２２（具体的には、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）が形成されており、蛍光体領域２２はアノード電極２４で覆われている。これらの蛍光体領域２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。尚、図中、参照番号２１，２５は隔壁を表す。図１７及び図１８においては、隔壁の図示を省略した。
【００１０】
１サブピクセルは、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対向（対面）したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域ＥＦC，ＥＦAには、係る画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。尚、カラー表示の表示装置においては、１画素（１ピクセル）は、赤色発光サブピクセル、緑色発光サブピクセル、及び、青色発光サブピクセルの組から構成されている。
【００１１】
表示装置の組立においては、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体領域２２とが対向するように配置し、周縁部において、フリットガラス（図示せず）が塗布された枠体から成る接合部材２６を用いて接合した後、アノードパネルＡＰ及びカソードパネルＣＰを加熱しながら、カソードパネルＣＰの無効領域ＮＥC（即ち、表示画面として機能する有効領域ＥＦCを取り囲む領域）に相当する支持体１０の部分に設けられた貫通孔１５３、及び、支持体１０に取り付けられたガラス管から成る排気管１５４を介して、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰによって挟まれた空間（より具体的には、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰと接合部材２６とによって囲まれた空間）を排気した後、排気管１５４を封じ切る。次いで、ゲッター１５０の加熱処理を行ってゲッター１５０の活性化を図る。ゲッターボックス１５２は、表示装置に１つ配置されている場合もあるし（例えば、特開２００１−１１０３０１参照）、複数配置されている場合もある（例えば、特開平５−２０５６６９号参照）。こうして、表示装置を作製することができるが、空間は高真空（例えば、１×１０-3Ｐａ以下）となっている。
【００１２】
従って、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間に、例えば、セラミックス材料やガラスから作製されたスペーサ４０を配置しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。スペーサ４０の側面には、通常、例えば、ＣｒＯxやＣｒＡｌxＯyから成る帯電防止膜（図示せず）が形成されている。尚、スペーサ４０を、図１６にのみ示し、図１５、図１７、図１８においては図示を省略した。
【００１３】
ところで、アノード電極２４や蛍光体領域２２に電子が衝突すると、アノード電極２４や蛍光体領域２２の表面や内部に捕捉されていた水や二酸化炭素等がエネルギーを得、そのままの形態、あるいは一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、メタン（ＣＨ4）、水素（Ｈ2）等の分解生成物の形態にて、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６によって囲まれた空間内にガスとして脱離あるいは放出される。このように空間内に脱離あるいは放出されるあらゆるガスを、便宜上、「放出ガス」と総称する。放出ガスが電子放出部１５，１５Ａの表面に吸着されたり、また、吸着された放出ガスが電子放出部１５，１５Ａの表面から再び脱離すると、その度に電子放出部１５，１５Ａの仕事関数が変化し、放出電子電流の変動によるノイズが発生する原因となったり、画像の輝度に変化が生じる。それ故、上述したとおり、ゲッターボックス１５２を配設している。
【００１４】
然るに、ゲッターボックス１５２は、表示装置の無効領域ＮＥCに、一種、局所的に配設されているだけなので、有効領域ＥＦA内のアノード電極２４や蛍光体領域２２に対してそのガス捕捉性能が効果的に発揮されているとは云い難い。即ち、ゲッターボックス１５２の近傍に存在する一部の蛍光体領域２２やアノード電極２４の部分を除き、大部分の蛍光体領域２２やアノード電極２４の部分においては、ゲッターボックス１５２内のゲッター１５０によって直ちに放出ガスが捕捉されることを期待することはできない。
【００１５】
このような問題を解決するための一手段が、特開２００４−７９２５６に提案されている。この特許公開公報に開示された技術にあっては、有効領域に設けられたメタルバック層（アノード電極）上にゲッター層が形成されており、蛍光体領域２２やアノード電極２４からの放出ガスを直ちに捕捉できるとされている。
【００１６】
【特許文献１】特開２００１−１１０３０１
【特許文献２】特開平５−２０５６６９号
【特許文献３】特開２００４−７９２５６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、特開２００４−７９２５６に提案された構造にあっては、メタルバック層（アノード電極）上に形成されたゲッター層に電子が衝突するので、ゲッター層に捕捉されていた放出ガスがゲッター層から放出される場合がある。
【００１８】
ところで、電子放出領域ＥＡから放出された電子が蛍光体領域２２に衝突することによって、蛍光体領域２２から反跳する電子、あるいは、蛍光体領域２２から放出された２次電子が生じる。尚、これらの電子を総称して、後方散乱電子等と呼ぶ。そして、特に、スペーサ４０の近傍にあっては、係る後方散乱電子等がスペーサ４０に衝突し、スペーサ４０から更に電子が放出され、係る電子がゲッター層に衝突するといった現象が生じ易い。その結果、スペーサ４０の近傍におけるゲッター層からのガス放出が、他の領域におけるゲッター層からのガス放出よりも多くなる。そして、このような現象が生じると、スペーサ４０の近傍に位置する電子放出領域とスペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域とでは、放出ガスによる電子放出領域への影響が異なるため、電子の放出状態に相違が生じ、画像に輝度ムラが生じたり、スペーサ４０が視認されてしまう。
【００１９】
また、無効領域ＮＥAにはゲッター層が設けられていない。従って、無効領域ＮＥA近傍に位置するメタルバック層（アノード電極）の部分の上に形成されたゲッター層に電子が衝突する結果、係るゲッター層から放出されたガスが無効領域ＮＥAを構成する基板２０の部分に吸着し、この基板２０の部分に吸着したガスに更に電子が衝突すると、係るガスが再び放出され、電子放出領域に影響を与え、電子の放出状態に相違が生じ、無効領域近傍の有効領域における画像に輝度ムラが生じるといった問題が発生する。
【００２０】
従って、本発明の目的は、ゲッターボックスを設けるよりもゲッターによる放出ガスの捕捉を一層、効果的に行うことができ、しかも、電子放出領域から放出された電子が蛍光体領域やアノード電極に衝突してもゲッターに大きな影響を与えない構造、構成を有する平面型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記の目的を達成するための本発明の平面型表示装置は、
有効領域、及び、該有効領域を取り囲む無効領域を有し、
複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、
該複数の電子放出領域は、有効領域を構成する支持体の部分に２次元マトリクス状に配列され、
該複数の蛍光体領域は、各蛍光体領域が電子放出領域に対向するように、有効領域を構成する基板の部分に２次元マトリクス状に配列され、
カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されており、
接合部材の内側であって無効領域を構成する基板の部分には、２次元マトリクス状に配列された蛍光体領域から隙間を開けて、ゲッター層が設けられていることを特徴とする。
【００２２】
ここで、有効領域とは、平面型表示装置としての実用上の画像表示機能を果たす略中央に位置する表示領域であり、一方、無効領域とは、この有効領域を額縁状に包囲する領域であり、画素を選択するための周辺回路等が屡々形成されている。ゲッター層は、無効領域に連続した状態で、一種、帯状に設けられていてもよいし、一部不連続な状態で設けられていてもよい。
【００２３】
本発明の平面型表示装置にあっては、前記隙間の幅（ＷGP）は、アノードパネルを構成する基板とカソードパネルを構成する支持体との間隔（ｄ0）の２倍以上（即ち、ＷGP≧２ｄ0）であることが好ましい。隙間の幅（ＷGP）が大きすぎると、蛍光体領域やアノード電極から放出されたガスのゲッター層による捕捉効率が低下する。隙間の幅（ＷGP）の上限は、限定するものではないが、ＷGP≦５ｄ0を例示することができる。尚、隙間の幅（ＷGP）とは、有効領域の最も外側に位置する蛍光体領域の最も無効領域に近い一辺から、蛍光体領域と対向するゲッター層の一辺までの距離を意味する。また、隙間においては、必ずしも基板が露出した状態となっていなくともよい。
【００２４】
上記の好ましい形態を含む本発明の平面型表示装置にあっては、アノード電極とゲッター層とは、２次電子放出係数が小さく、しかも、ガス吸着し難い導電性を有する材料によって電気的に接続されていることが、ゲッター層を電気的に浮遊状態にさせないといった観点、及び、ゲッター層における放電発生の防止といった観点から好ましい。そして、この場合、アノード電極とゲッター層とを電気的に接続するために、抵抗体材料から成る抵抗体層が形成されている構成とすることができるし、あるいは又、アノード電極から無効領域を構成する基板の部分に亙り、アノード電極を外部回路と電気的に接続するためのアノード電極延在部が形成されており、ゲッター層が該アノード電極延在部を跨るように形成されている構成とすることができる。
【００２５】
上述した好ましい構成、形態を含む本発明の平面型表示装置（以下、これらを総称して、単に、本発明の平面型表示装置と呼ぶ場合がある）にあっては、ゲッター層を構成する材料として、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、Ｚｒ−Ｎｉ合金、Ｔｉ−Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ合金、Ｔｉ−Ｚｒ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｍｎ−Ｖ合金、カーボンファイバー及びグラファイトから成る群から選択された少なくとも１種類の、所謂非蒸発型のゲッター材料；バリウム（Ｂａ）、Ｂａ−Ａｌといった、所謂蒸発型のゲッター材料を挙げることができる。尚、非蒸発型のゲッター材料と蒸発型のゲッター材料を併用することもできる。蒸発型のゲッター材料にあっては、係るゲッター材料を加熱して、蒸発させる。一方、非蒸発型のゲッター材料にあっても、ゲッター材料を加熱することによって、ゲッター材料の活性化を図る。加熱方法として、例えば、レーザ光を使用した加熱、高周波を用いた加熱、加熱炉を用いた加熱、ランプを用いた加熱、電熱線を用いた加熱を挙げることができる。また、ゲッター層の形成方法として、真空蒸着法やスパッタリング法といった各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）を挙げることができる。
【００２６】
カソードパネルを構成する支持体として、あるいは又、アノードパネルを構成する基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、無アルカリガラスを例示することができる。
【００２７】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層から成る接合部材を用いて行ってもよいし、あるいは、ガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から構成された枠体と接着層とから成る接合部材を用いてもよい。枠体と接着層とから成る接合部材を用いる場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみを使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスといったフリットガラスや、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００２８】
カソードパネルとアノードパネルと接合部材の三者を接合する場合、ゲッター層を蒸発型のゲッター材料から構成する場合には、ゲッター層のガス捕捉能力を低下させないために、高真空雰囲気中で三者を同時に接合する必要がある。一方、ゲッター層を非蒸発型のゲッター材料から構成する場合には、高真空雰囲気中で三者を同時に接合し、同時に、非蒸発型のゲッター材料の活性化を図ってもよいし、真空雰囲気ではない雰囲気中で三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネルのいずれか一方と接合部材とを接合し、第２段階でカソードパネル又はアノードパネルの他方と接合部材とを接合してもよい。第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となるし、同時に、非蒸発型のゲッター材料の活性化を行うことができる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。真空雰囲気ではない雰囲気中で接合する場合には、三者の接合後、非蒸発型のゲッター材料の活性化を、例えば、レーザ光を使用した加熱によって行えばよい。
【００２９】
排気を行う場合、排気は、カソードパネル及び／又はアノードパネルに予め接続されたチップ管とも呼ばれる排気管を通じて行うことができる。排気管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属や合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から成る中空管から構成され、カソードパネル及び／又はアノードパネルの無効領域に設けられた貫通孔の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【００３０】
平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電子放出領域を構成する冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）は、カソードパネルに設けられ、
（ａ）支持体上に形成され、Ｘ方向に延びる帯状のカソード電極、
（ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成され、Ｘ方向とは異なるＹ方向に延びる帯状のゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
から成る。
【００３１】
電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。
【００３２】
カソードパネルにおいて、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、Ｘ方向とＹ方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。そして、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域は電子放出領域に該当し、電子放出領域が２次元マトリクス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。
【００３３】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体領域に衝突する。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。
【００３４】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実動作時、アノード電極制御回路の出力電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ0（但し、０．５ｍｍ≦ｄ0≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ0（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用することができる。
【００３５】
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
【００３６】
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
【００３７】
電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、例えばゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的な負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、冷陰極電界電子放出表示装置としての実用上の機能を果たす中央の表示領域である有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。
【００３８】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法や化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によっても形成することができる。
【００３９】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００４０】
カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のカソード電極やゲート電極を形成することが可能である。
【００４１】
絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００４２】
第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を直接形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。
【００４３】
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００４４】
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体膜を設けてもよい。抵抗体膜を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物を例示することができる。抵抗体膜の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やスクリーン印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０6〜１×１０11Ω、好ましくは数十ギガΩとすればよい。
【００４５】
平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体領域の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体領域を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体領域を形成し、蛍光体領域上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体領域の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。
【００４６】
アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとは抵抗部材層によって電気的に接続されていることが好ましい。抵抗部材層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。抵抗部材層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ｑ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体領域の列の総数をｑ列としたとき、Ｑ＝ｑとし、あるいは、ｑ＝ｋ・Ｑ（ｋは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｋ≦１００、一層好ましくは２０≦ｋ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配設されるスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。全体として１つのアノード電極の上に抵抗部材層を形成してもよい。
【００４７】
アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種のＰＶＤ法；各種のＣＶＤ法；スクリーン印刷法；メタルマスク印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、抵抗部材層も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料から抵抗部材層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこの抵抗部材層をパターニングしてもよいし、あるいは、抵抗部材層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、抵抗部材層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至５×１０-7ｍ（０．５μｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至３×１０-7ｍ（０．３μｍ）を例示することができる。
【００４８】
アノード電極の構成材料として、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。 尚、抵抗部材層を形成する場合、抵抗部材層の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、抵抗部材層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）から構成することが好ましい。
【００４９】
アノード電極とゲッター層とを電気的に接続するために抵抗体層が形成されている構成にあっては、抵抗体層を、上述した抵抗部材層と同様の材料から同様の方法に基づき形成すればよいし、場合によっては、抵抗体層と抵抗部材層とを同じ材料から同時に形成することもできる。
【００５０】
蛍光体領域のそれぞれは、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体領域の配列様式は、例えば、ドット状である。具体的には、平面型表示装置がカラー表示の場合、蛍光体領域の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線状に配列された蛍光体領域の１列は、全てが赤色発光蛍光体領域で占められた列、緑色発光蛍光体領域で占められた列、及び、青色発光蛍光体領域で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体領域、緑色発光蛍光体領域、及び、青色発光蛍光体領域が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体領域とは、アノードパネル上において１つの輝点を生成する蛍光体の領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、及び、１つの青色発光蛍光体領域の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体領域（１つの赤色発光蛍光体領域、あるいは、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域）から構成される。尚、隣り合う蛍光体領域の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００５１】
蛍光体領域は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体領域を形成してもよいし、スクリーン印刷法やインクジェット法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体領域を形成してもよい。基板上における蛍光体領域の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
【００５２】
蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体領域の間、あるいは、隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。
【００５３】
蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するために、あるいは又、蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子が隔壁を越えて他の蛍光体領域に向かって侵入することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。
【００５４】
隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
【００５５】
隔壁における蛍光体領域を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリクス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
【００５６】
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。
【００５７】
カソードパネルとアノードパネルによって挟まれた空間は高真空となっている。従って、カソードパネルとアノードパネルとの間に、例えば、セラミックス材料やガラスといった高抵抗材料から作製されたスペーサを配設しておかないと、大気圧によって平面型表示装置が損傷を受けてしまう。スペーサは、例えばセラミックスやガラスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、係るグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。また、スペーサを構成するガラスとして、ソーダライムガラスを挙げることができる。スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。
【００５８】
スペーサの表面には、帯電防止膜が設けられていてもよい。帯電防止膜を構成する材料は、その２次電子放出係数が１に近いことが好ましく、帯電防止膜を構成する材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅ2等の半金属元素を含む化合物、ＣｒＯx、ＣｒＡｌxＯy、Ｎｄ2Ｏ3、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＹ1-xＣｒＯ3等の酸化物、ＡｌＢ2、ＴｉＢ2等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳ2、ＷＳ2等の硫化物、及び、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、更には、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。帯電防止膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよいし、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。帯電防止膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等、周知の方法に基づき形成することができる。
【００５９】
本発明において、電子放出領域を構成する電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型電子放出素子を挙げることができる。また、平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出素子を備えた平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）、ＭＩＭ素子が組み込まれた平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた平面型表示装置を挙げることができる。
【発明の効果】
【００６０】
本発明の平面型表示装置にあっては、接合部材の内側であって無効領域を構成する基板の部分に、２次元マトリクス状に配列された蛍光体領域から隙間を開けてゲッター層が設けられている。電子放出領域から放出された電子は、アノード電極及び蛍光体領域に衝突し、その結果、アノードパネルとカソードパネルとによって挟まれた空間内にガスが放出される。有効領域を矩形形状とし、矩形の短辺の長さをＬshortとしたとき、ゲッターボックスが設けられている場合と異なり、２次元マトリクス状に配列された蛍光体領域とゲッター層との間の最大距離は（Ｌshort／２＋ＷGP）であるので、また、ゲッター層の実効面積を広くすることができるので、係るガスはゲッター層によってより一層効果的に捕捉される。
【００６１】
また、蛍光体領域から隙間を開けてゲッター層が設けられているので、有効領域の最も外側に位置する蛍光体領域やアノード電極の部分からの後方散乱電子等が係るゲッター層に衝突することを抑制できる。従って、電子放出領域から放出された電子が蛍光体領域やアノード電極に衝突してもゲッター層に大きな影響を与えることがない。後方散乱電子等は、アノード電極が正の電圧を印加されているので、アノード電極側に引きつけられる。ここで、後方散乱電子等が蛍光体領域やアノード電極から反跳し、あるいは、放出された位置から、係る後方散乱電子等がアノード電極や基板に再衝突するまでに飛行する水平距離（基板表面と平行な方向における距離）は、最大２ｄ0程度である。従って、ＷGP≧２ｄ0を満足すれば、有効領域の最も外側に位置する蛍光体領域やアノード電極の部分からの後方散乱電子等がゲッター層に衝突することをより一層確実に防止することができる。
【００６２】
更には、ゲッター層はアノード電極上に形成されていないので、スペーサ近傍の電子放出領域がゲッター層によって影響を受けることは無い。
【００６３】
そして、以上の結果として、スペーサ近傍や無効領域近傍の有効領域において画像に輝度ムラが生じるといった問題の発生、スペーサが視認されてしまうといった問題の発生を確実に抑制することができ、高表示品質を有する平面型表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６４】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００６５】
実施例１は、本発明の平面型表示装置に関する。ここで、実施例１の平面型表示装置は、より具体的には、冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）から成る。実施例１の表示装置を構成するカソードパネル及びアノードパネルを分解したときの概念図を図１に示し、スピント型の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）を有する表示装置の一部端面図を図２に示し、実施例１の表示装置におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図を図５の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。尚、図１において、接合部位に斜線を付した。また、図５の（Ａ）においては、アノード電極２４を取り去ったと仮定したときの蛍光体領域２２やゲッター層５０、隙間ＧＰの配置状態を示し、図５の（Ｂ）、あるいは、後述する図６の（Ａ）、（Ｂ）、図７の（Ａ）、（Ｂ）、図８の（Ａ）、（Ｂ）においては、蛍光体領域２２を被覆した状態のアノード電極２４やゲッター層５０、隙間ＧＰ、抵抗体層、アノード電極延在部等の配置状態を概念図として示す。
【００６６】
ここで、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例３の表示装置におけるスピント型電界放出素子の模式的な一部断面図は図１６に示したと同様であり、扁平型電界放出素子の模式的な一部断面図は図１７に示したと同様である。また、カソードパネル及びアノードパネルを分解したときのカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図は、図１８に示したと同様である。
【００６７】
即ち、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例３の表示装置は、有効領域ＥＦC，ＥＦA、及び、これらの有効領域ＥＦC，ＥＦAを取り囲む無効領域ＮＥC，ＮＥAを有し；複数の電子放出領域ＥＡが支持体１０に設けられたカソードパネルＣＰ、並びに、複数の蛍光体領域２２及びアノード電極２４が基板２０に設けられたアノードパネルＡＰから成り；カソードパネルＣＰとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材２６を介して接合されており；カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間が真空に保持されている表示装置である。そして、複数の電子放出領域ＥＡは、有効領域ＥＦCを構成する支持体１０の部分に２次元マトリクス状に配列され、複数の蛍光体領域２２は、各蛍光体領域２２が電子放出領域ＥＡに対向するように、有効領域ＥＦAを構成する基板２０の部分に２次元マトリクス状に配列されている。
【００６８】
ここで、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例３において、電子放出領域を構成する電界放出素子は、例えば、スピント型電界放出素子から構成されている。スピント型電界放出素子は、図２〜図４あるいは図１６に示すように、
（ａ）支持体１０に形成されたカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３、
（ｄ）ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５、
から構成されている。
【００６９】
あるいは又、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例３にあっては、電界放出素子は、例えば扁平型電界放出素子から構成されている。扁平型電界放出素子は、図１７に示すように、
（ａ）支持体１０上に形成されたカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３、
（ｄ）ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された電子放出部１５Ａ、
から構成されている。尚、電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。
【００７０】
カソードパネルＣＰにおいて、カソード電極１１は、Ｘ方向に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、Ｘ方向とは異なるＹ方向に延びる帯状である。カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。１サブピクセルに相当する電子放出領域ＥＡには、複数の電界放出素子が設けられている。また、絶縁層１２及びゲート電極１３上には層間絶縁層１６が設けられており、更には、収束電極１７が、電界放出素子の所定の配列方向に沿って層間絶縁層１６上に設けられており、複数の電界放出素子に共通の収束効果を及ぼすことができる。
【００７１】
実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例３において、アノードパネルＡＰは、基板２０、並びに、この基板２０上に形成された蛍光体領域２２（カラー表示の場合、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）、及び、蛍光体領域２２を覆うアノード電極２４から構成されている。即ち、アノードパネルＡＰは、より具体的には、基板２０、基板２０上に形成された隔壁２１と隔壁２１との間の基板２０上に形成され、多数の蛍光体粒子から成る蛍光体領域２２（赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）、及び、蛍光体領域２２上に形成されたアノード電極２４を備えている。アノード電極２４は、厚さ約７０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）から成り、有効領域ＥＦAを覆う薄い１枚のシート状であり、隔壁２１及び蛍光体領域２２を覆う状態で設けられている。蛍光体領域２２と蛍光体領域２２との間であって、隔壁２１と基板２０との間には、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止するために、光吸収層（ブラックマトリックス）２３が形成されている。
【００７２】
隔壁２１とスペーサ４０と蛍光体領域２２の配置状態の一例を模式的に図９〜図１４に示す。尚、図２〜図４に示す表示装置における蛍光体領域等の配列を、図１０あるいは図１２に示す構成としている。また、図９〜図１４においてはアノード電極の図示を省略している。隔壁２１の平面形状としては、格子形状（井桁形状）、即ち、１サブピクセルに相当する、例えば平面形状が略矩形の蛍光体領域２２の四方を取り囲む形状（図９、図１０、図１１、図１２参照）、あるいは、略矩形の（あるいは帯状の）蛍光体領域２２の対向する二辺と平行に延びる帯状形状を挙げることができる（図１３及び図１４参照）。尚、図１３に示す蛍光体領域２２にあっては、蛍光体領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを、図１３の上下方向に延びる帯状とすることもできる。隔壁２１の一部は、スペーサ４０を保持するためのスペーサ保持部２５としても機能する。
【００７３】
実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例３において、カソード電極１１はカソード電極制御回路３１に接続され、ゲート電極１３はゲート電極制御回路３２に接続され、収束電極は収束電極制御回路（図示せず）に接続され、アノード電極２４はアノード電極制御回路３３に接続されている。これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。表示装置の実動作時、アノード電極制御回路３３からアノード電極２４に印加されるアノード電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。一方、表示装置の実動作時、カソード電極１１に印加する電圧ＶC及びゲート電極１３に印加する電圧ＶGに関しては、
（１）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを一定とし、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを変化させる方式
（２）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを一定とする方式
（３）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、且つ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGも変化させる方式
のいずれを採用してもよい。
【００７４】
表示装置の実動作時、カソード電極１１には相対的に負電圧（ＶC）がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧（ＶG）がゲート電極制御回路３２から印加され、収束電極には収束電極制御回路から例えば０ボルトが印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧（アノード電圧ＶA）がアノード電極制御回路３３から印加される。係る表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力する。尚、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力してもよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５，１５Ａから電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体領域２２に衝突する。その結果、蛍光体領域２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧ＶG、及びカソード電極１１に印加される電圧ＶCによって制御される。
【００７５】
カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間は真空状態（圧力：例えば１０-3Ｐａ以下）とされている。そして、このような真空状態を保持するために、表示装置にはゲッター層５０が備えられている。即ち、接合部材２６の内側であって無効領域ＮＥAを構成する基板２０の部分には、２次元マトリクス状に配列された蛍光体領域２２から隙間ＧＰを開けて、ゲッター層５０が設けられている。ゲッター層５０は、例えば、バリウム（Ｂａ）といった所謂蒸発型のゲッター材料から成る。
【００７６】
ここで、この隙間ＧＰの幅（ＷGP）は、アノードパネルＡＰを構成する基板２０とカソードパネルＣＰを構成する支持体１０との間隔（ｄ0）の２倍以上である。より具体的には、ｄ0＝２．０ｍｍであり、ＷGP＝４．０ｍｍである。また、ゲッター層５０の幅を３ｍｍ、厚さを１μｍとした。
【００７７】
以下、実施例１の表示装置の製造方法の概略を説明する。
【００７８】
［工程−１００］
先ず、周知の方法に基づき、一部がスペーサ保持部２５としても機能する隔壁２１、蛍光体領域２２、光吸収層（ブラックマトリックス）２３、アノード電極２４を基板２０の有効領域ＥＦAに形成し、接合部材２６を無効領域ＮＥAに固定し、更には、スペーサ保持部２５にスペーサ４０を取り付けることで、アノードパネルＡＰを得ることができる。尚、接合部材２６の基板２０への固定は、低融点金属から成る第１接着層が一方の頂面に形成された枠体から成る接合部材２６を第１接着層が基板２０と接するように基板２０に取り付け、第１接着層を溶融することで行うことができる。その後、枠体の他方の頂面に低融点金属から成る第２接着層を形成しておく。また、アノード電極２４からは、適切な方法でアノード電極制御回路との電気的な接続のための端子部を外部に延ばしておく。一方、周知の方法で、電子放出領域ＥＡを支持体１０の有効領域ＥＦCに形成することで、カソードパネルＣＰを得ることができる。
【００７９】
［工程−１１０］
そして、アノードパネルＡＰを真空蒸着室内に搬入し、ゲッター層５０を形成すべき基板２０の部分が露出したメタルマスクを用いて、接合部材２６の内側であって無効領域ＮＥAを構成する基板２０の部分に、２次元マトリクス状に配列された蛍光体領域２２から隙間（幅：ＷGP）を開けて、Ｂａから成るゲッター層５０を蒸着法にて堆積させる。
【００８０】
［工程−１２０］
その後、アノードパネルＡＰを大気に暴露することなく、真空雰囲気とされた組立処理室に搬入し、併せて、カソードパネルＣＰを組立処理室に搬入し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの位置合わせを組立処理室内で行い、更には、加熱処理を施すことで、低融点金属から成る第２接着層によって、接合部材２６とカソードパネルＣＰとを貼り合わせた後、冷却し、組立処理室から搬出する。尚、［工程−１１０］〜［工程−１２０］において、ゲッター層５０が大気に暴露されることがないので、ゲッター層５０のガス捕捉能力が低下することはない。
【００８１】
［工程−１３０］
その後、必要な外部回路との配線接続を行い、実施例１の表示装置を完成させる。
【実施例２】
【００８２】
実施例２は実施例１の変形である。実施例２にあっては、アノード電極２４とゲッター層５０とは、２次電子放出係数が小さく、しかも、ガス吸着し難い導電性を有する材料によって電気的に接続されている。具体的には、スピント型の電界放出素子を有する表示装置の一部端面図を図３に示し、実施例２の表示装置におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図を図６の（Ａ）に示すように、アノード電極２４とゲッター層５０とを電気的に接続するために、カーボンから成る抵抗体層５１が形成されている。この点を除き、実施例２のアノードパネルＡＰ、表示装置は、実施例１のアノードパネルＡＰ、表示装置と同じとすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００８３】
実施例２の表示装置の製造にあっては、実施例１の［工程−１００］と同様の工程において、一部がスペーサ保持部２５としても機能する隔壁２１、蛍光体領域２２、光吸収層（ブラックマトリックス）２３、アノード電極２４を基板２０の有効領域ＥＦAに形成した後、アノード電極２４の外縁部にカーボンから成る抵抗体層５１を、例えば、抵抗体層５１のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づき形成すればよい。この点を除き、実施例２の表示装置は、実施例１の表示装置と同様の方法で製造することができるので、詳細な説明は省略する。
【００８４】
尚、図６の（Ａ）に示した例においては、アノード電極２４の外縁部の全てにカーボンから成る抵抗体層５１を形成したが、抵抗体層５１の形成はこのような形態に限定されるものではなく、アノードパネルの構成要素の変形例の配置状態を示す概念図を図６の（Ｂ）に示すように、アノード電極２４の外縁部の一部分にカーボンから成る抵抗体層５１を形成してもよいし、アノードパネルの構成要素の変形例の配置状態を示す概念図を図７の（Ａ）に示すように、ゲッター層５０を無効領域ＮＥAに連続した状態では設けずに、一部不連続な状態で設けてもよく、それぞれのゲッター層５０の部分とアノード電極２４とを電気的に接続するために、カーボンから成る抵抗体層５１を形成してもよい。
【実施例３】
【００８５】
実施例３は実施例２の変形である。実施例３にあっても、アノード電極２４とゲッター層５０とは電気的に接続されており、具体的には、スピント型の電界放出素子を有する表示装置の一部端面図を図４に示し、実施例３の表示装置におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図を図７の（Ｂ）に示すように、アノード電極２４から無効領域ＮＥAを構成する基板２０の部分に亙り、アノード電極２４を外部回路と電気的に接続するためのアノード電極延在部２４Ａが形成されており、ゲッター層５０は、このアノード電極延在部２４Ａを跨るように形成されている。この点を除き、実施例３のアノードパネルＡＰ、表示装置は、実施例１のアノードパネルＡＰ、表示装置と同じとすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００８６】
実施例３の表示装置の製造にあっては、実施例１の［工程−１００］と同様の工程において、一部がスペーサ保持部２５としても機能する隔壁２１、蛍光体領域２２、光吸収層（ブラックマトリックス）２３、アノード電極２４を基板２０の有効領域ＥＦAに形成し、アノード電極２４の形成と同時に無効領域ＮＥAにアノード電極延在部２４Ａを形成すればよい。この点を除き、実施例３の表示装置は、実施例１の表示装置と同様の方法で製造することができるので、詳細な説明は省略する。
【００８７】
尚、図７の（Ｂ）に示した例においては、ゲッター層５０は、アノード電極延在部２４Ａの１箇所を跨るように形成されているが、このような形態に限定されるものではなく、アノードパネルの構成要素の変形例の配置状態を示す概念図を図８の（Ａ）に示すように、ゲッター層５０が、アノード電極延在部２４Ａの多数箇所（図示した例では４箇所）を跨るように形成されていてもよいし、アノードパネルの構成要素の変形例の配置状態を示す概念図を図８の（Ｂ）に示すように、ゲッター層５０を無効領域ＮＥAに連続した状態では設けずに、一部不連続な状態で設けてもよく、それぞれのゲッター層５０の部分とアノード電極２４とを電気的に接続するために、アノード電極延在部２４Ａを形成してもよい。
【００８８】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した平面型表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。場合によっては、収束電極の形成を省略することもできる。
【００８９】
非蒸発型のゲッター材料からゲッター層５０を構成することもできる。この場合には、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの貼り合わせを、真空雰囲気とされた組立処理室で行い、同時に、非蒸発型のゲッター材料の活性化を行うことが望ましい。但し、真空雰囲気ではない組立処理室で行うことも可能である。即ち、第１段階でカソードパネルＣＰ又はアノードパネルＡＰのいずれか一方と接合部材２６とを接合し、第２段階でカソードパネルＣＰ又はアノードパネルＡＰの他方と接合部材２６とを接合してもよい。そして、この場合には、第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰと接合部材２６とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となるし、同時に、非蒸発型のゲッター材料の活性化を行うことができる。また、三者の接合終了後、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰと接合部材２６とによって囲まれた空間を貫通孔及び排気管（図１５や図１７の貫通孔１５３及び排気管１５４を参照）を介して排気し、真空とした後、排気管を封じてもよい。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。そして、真空とした後、非蒸発型のゲッター材料からゲッター層５０を例えばレーザ光を使用して加熱することによって、ゲッター層５０の活性化を図ることができる。
【００９０】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【００９１】
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出領域を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリクス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体領域に衝突させることによって、蛍光体領域が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出領域を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】図１は、実施例１の平面型表示装置を構成するカソードパネル及びアノードパネルを分解したときの概念図である。
【図２】図２は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る実施例１の平面型表示装置の一部端面図である。
【図３】図３は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る実施例２の平面型表示装置の一部端面図である。
【図４】図４は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る実施例３の平面型表示装置の一部端面図である。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の平面型表示装置におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図である。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例の平面型表示装置及びその変形例におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図である。
【図７】図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例２の変形例及び実施例３の平面型表示装置におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図である。
【図８】図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３の平面型表示装置の変形例におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図である。
【図９】図９は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１０】図１０は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１１】図１１は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１２】図１２は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１３】図１３は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１４】図１４は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１５】図１５は、従来の平面型表示装置を構成するカソードパネル及びアノードパネルを分解したときの概念図である。
【図１６】図１６は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る従来の平面型表示装置の一部端面図である。
【図１７】図１７は、扁平型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る従来の平面型表示装置の概念的な一部端面図である。
【図１８】図１８は、冷陰極電界電子放出表示装置におけるカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。
【符号の説明】
【００９３】
ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、ＥＡ・・・電子放出領域、ＧＰ・・・隙間、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４・・・開口部、１４Ａ・・・第１開口部、１４Ｂ・・・第２開口部、１５，１５Ａ・・・電子放出部、１６・・・層間絶縁層、１７・・・収束電極、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体領域、２３・・・光吸収層（ブラックマトリックス）、２４・・・アノード電極、２４Ａ・・・アノード電極延在部、２５・・・スペーサ保持部、２６・・・接合部材、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４０・・・スペーサ、５０・・・ゲッター層、５１・・・抵抗体層
【図１】
2007115625.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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