(57)【要約】【課題】基板に構成された回路の動作検査を行うにあたり、安定した温度制御を行うこと。【解決手段】本発明は、半導体レーザバー４に構成された半導体レーザチップ３に対して通電して動作を検査する回路検査装置１において、半導体レーザチップ３と導通する電極パッド３１に接触して通電を行うプローブ２と、プローブ２を介した半導体レーザチップ３への通電の状態によって半導体レーザチップ３から出射されるレーザ光を検出する受光素子部８と、受光素子部８による半導体レーザチップ３の動作の検出を行う間、半導体レーザチップ３および受光素子部８を所定の温度に制御された溶媒Ｌで浸すための供給ノズル６とを備えている。【選択図】図１
2007315986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に構成された回路に対して通電し、当該回路の動作を検査する回路検査装置において、
前記回路と導通する電極パッドに接触して当該回路に通電を行うプローブと、
前記プローブを介した前記回路への通電の状態によって当該回路の動作を検出する検出手段と、
前記検出手段による前記回路の動作の検出を行う間、前記回路および前記検出手段を所定の温度に制御された溶媒で浸すための溶媒供給手段と
を備えることを特徴とする回路検査装置。
【請求項２】
前記溶媒供給手段は、前記検出手段による前記回路の動作の検査を行う間、前記溶媒を連続的に供給する
ことを特徴とする請求項１記載の回路検査装置。
【請求項３】
前記溶媒供給手段は、前記検査手段による前記回路の動作の検査を行う間、前記回路および前記検出手段の周囲を囲む容器の中に前記溶媒を供給する
ことを特徴とする請求項１記載の回路検査装置。
【請求項４】
前記溶媒供給手段から供給する前記溶媒の温度を制御する温度制御手段を備える
ことを特徴とする請求項１記載の回路検査装置。
【請求項５】
前記溶媒供給手段は、温度の異なる複数の前記溶媒を切り替えて供給する
ことを特徴とする請求項１記載の回路検査装置。
【請求項６】
前記溶媒供給手段は、複数の供給ノズルを備えており、その複数の供給ノズルから各々温度の異なる前記溶媒を切り替えて供給する
ことを特徴とする請求項１記載の回路検査装置。
【請求項７】
前記溶媒は純水である
ことを特徴とする請求項１記載の回路検査装置。
【請求項８】
前記回路は発光素子であり、前記検出手段は前記発光素子から出射した光を受ける受光素子である
ことを特徴とする請求項１記載の回路検査装置。
【請求項９】
前記発光素子の発光面と前記受光素子の受光面とが傾いて配置されている
ことを特徴とする請求項８記載の回路検査装置。
【請求項１０】
基板に構成された回路に対して通電し、当該回路の動作を検査する回路検査方法において、
前記回路と導通する電極パッドにプローブを接触させて当該回路に通電を行い動作を検出手段によって検出するにあたり、前記回路および前記検出手段を所定の温度に制御された溶媒で浸した状態にて検査を行う
ことを特徴とする回路検査方法。
【請求項１１】
前記検出手段による前記回路の動作の検査を行う間、前記溶媒を連続的に供給する
ことを特徴とする請求項１０記載の回路検査方法。
【請求項１２】
前記検査手段による前記回路の動作の検査を行う間、前記回路および前記検出手段の周囲を囲む容器の中に前記溶媒を供給する
ことを特徴とする請求項１０記載の回路検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に構成された回路の動作を検査する回路検査装置および回路検査方法に関し、特に多数の半導体レーザチップなどの回路がバー状に繋がったものについて、各々の回路にプローブを接触させ通電して動作状態を検査する回路検査装置および回路検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザチップの製造工程では、半導体ウェハの状態から個々の半導体チップに分離するまでの途中の形態で電気的測定や通電試験を行う場合がある。例えば、半導体レーザチップでは、個々の半導体レーザチップに分離してから電気的測定や通電試験を行うよりも、取り扱い易いので多数の半導体レーザチップがバー状に繋がった形態で電気的測定や通電試験を行う。
【０００３】
従来の半導体レーザバーの通電装置（回路検査装置）の一例として、半導体レーザチップの電気的特性を半導体レーザバーの形態で検査する回路検査装置を図６に示す。回路検査装置１は、主に、電気的特性を測定するテスタ（図示せず）に末端を接続された上部電極としてのプローブ２と、多数の半導体レーザチップ３がバー状に繋がった半導体レーザバー４の裏面を真空吸着するともに半導体レーザチップ３の裏面電極と当接して導通する下部電極５と、半導体レーザチップ３が発するレーザ光を受光する受光素子部（図示せず）とで構成されている。
【０００４】
また、プローブ２は、半導体レーザチップ３に対してやや斜めに傾けて取り付けられ、昇降機構（図示せず）により、測定のため下降し表面電極と接触し、測定後、上昇し、順次、隣の半導体レーザチップ３の位置までピッチ移動可能となっている。なお、プローブ２を斜めに傾けて取り付けるのは、下降の際に尖ったプローブ２の先端が半導体レーザチップ３表面に与える機械的ストレスを緩和させるためである。
【０００５】
また、下部電極５は、その表面に複数の吸着穴（図示せず）が設けられており、その吸着穴（図示せず）で半導体レーザバー４を真空吸着する。そして、測定電圧を印加する一方の測定用電極の役目もするため、少なくとも半導体レーザバー４の裏面電極に接する面は導電性のよい金属材料でできている。
【０００６】
また、半導体レーザチップ３が発するレーザ光を受光する受光素子部（図示せず）は、半導体レーザチップ３の発光部と対向する位置に取り付けられており、テスタ（図示せず）に接続されている。
【０００７】
次に、電気的特性の検査方法を説明する。先ず、半導体レーザバー４は、吸着ノズル（図示せず）によって下部電極５上の所定位置に載置され真空吸着される。次に、下部電極５は水平移動機構（図示せず）により、真空吸着された半導体レーザバー４の一方の端の半導体レーザチップ３がプローブ２の直下にくる位置まで移動した後、半導体レーザチップ３の表面電極にプローブ２が下降し、一定の圧力で押し付けられ電圧が印加される。
【０００８】
そして、半導体レーザチップ３が発するレーザ光を受光素子部（図示せず）で受光し所定の電気的特性を測定する。その後、プローブ２は半導体レーザチップ３の表面電極から離れ所定の待機位置まで上昇する。そして順次、次の半導体レーザチップ３がプローブ２の下にくるように下部電極５が水平にピッチ移動し測定を繰り返す。
【０００９】
なお、上記では、下部電極５が水平ピッチ移動する構成で説明したが、プローブ２が水平ピッチ移動する構成であってもよい。
【００１０】
ここで、基板に構成された半導体レーザ等の回路の動作検査では、測定時の温度管理が非常に重要となる。この観点から、特許文献１には、検査台内部に加熱装置を内蔵して、複数の半導体素子を加熱しながら測定することを特徴とした半導体検査装置が提案されている。また、特許文献２には、試験用治具上に検査対象を載置して、室温よりも高い温度において加熱通電動作させることにより加速劣化試験を行う構成が記載されている。
【００１１】
【特許文献１】特開昭６１−１６８２３８号公報
【特許文献２】特開平１０−３２１６８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記のような従来の技術において、例えば光ディスク用途やレーザプリンタ用途の半導体レーザのように、光出力が数ｍＷから数１００ｍＷで、かつパルス動作での光測定においては、下部電極が、半導体レーザバーからの発熱を放散するヒートシンクとして機能するので大きな問題にはならない。しかしながら、産業用のいわゆる超高出力半導体レーザと呼ばれる素子においては、連続通電で数１００ｍＷ、あるいは、数Ｗの光出力で検査することが必要であるので熱の放散が問題となる。
【００１３】
一般に、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ赤外半導体レーザ発光素子のエネルギー変換効率は、４０％〜５０％であるので、投入電力の５０％〜６０％が熱に変換される。また、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ赤色半導体レーザ発光素子のエネルギー変換効率は、１５％〜２０％であるので、投入電力の８０％〜８５％が熱に変換される。ＡｌＧａＮ／ＧａＩｎＮ青紫色半導体レーザ発光素子のエネルギー変換効率は、１２〜１５％であるので、投入電力の８５〜８８％が熱に変換される。
【００１４】
この発熱を効率よく放散できないと、発光部の温度が上昇して、さらにエネルギー変換効率の低下を招き、ネガティブフィードバックされて発光出力の低下を引き起こし、素子に悪影響を及ぼす原因となる。
【００１５】
光出力が小さい場合は、発熱が大きくないが、超高出力レーザの場合は、単なるヒートシンクへの接触による熱放散では不十分である。
【００１６】
この点、特許文献１、２に示すように、台内部に温度制御機構を設けておく場合、半導体レーザバーの発熱は、台とバーとの接触によって放熱される。しかしながら、接触による熱放散では、接触の強さや面積のばらつきで放熱が不安定となり、光出力特性に温度依存性をもつ半導体レーザの測定値の信頼性が低下する。また、半導体レーザバーでは温度上昇が接触熱抵抗と発熱量との積で決まるので、特に発熱が１〜２桁大きい高出力レーザバーの場合は原理的に温度上昇が非常に大きくなる
【００１７】
従来、高出力半導体レーザバーの動作測定では、光らない、あるいは、ほとんど光らない程度の不良チップは選別できるものの、定格出力における通電評価は行われていない。そして、半導体レーザバーから半導体レーザチップにペレタイズしてヒートシンクに実装して冷却しやすい形態に組み立てた後に測定して良品を選別している。この方法では、不良チップも実装することになってしまい、歩留まりがさがり高いコストの一因となっている。
【００１８】
このように、回路への通電による動作検査では、その回路に対する温度管理が重要であるものの、従来の構成では十分な温度管理ができていないため、基板状態での的確な検査を行うことができないという問題が生じている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明はこのような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明は、基板に構成された回路に対して通電し、当該回路の動作を検査する回路検査装置において、回路と導通する電極パッドに接触して当該回路に通電を行うプローブと、プローブを介した回路への通電の状態によって当該回路の動作を検出する検出手段と、検出手段による回路の動作の検出を行う間、回路および検出手段を所定の温度に制御された溶媒で浸すための溶媒供給手段とを備えている。
【００２０】
また、本発明は、基板に構成された回路に対して通電し、当該回路の動作を検査する回路検査方法において、回路と導通する電極パッドにプローブを接触させて当該回路に通電を行い動作を検出手段によって検出するにあたり、回路および検出手段を所定の温度に制御された溶媒に浸した状態で検査を行う方法である。
【００２１】
このような本発明では、回路への通電による動作検査を行うにあたり、回路および検出手段を溶媒に浸した状態で検査するため、通電状態の回路の温度を溶媒によって安定させて動作検査を行うことができるようになる。
【００２２】
一例として、表裏面にそれぞれ電極を有する多数の半導体チップがバー状に繋がった半導体バーに通電して検査を行う回路検査装置の場合、半導体チップのすべての裏面電極に共通に当接して導通する下部電極と、半導体チップの個々の表面電極と個別に当接して導通する上部電極とを備え、下部電極と上部電極との間に半導体バーを挟み込み通電して動作検査を行うにあたり、半導体バーの上方より温度を制御された純水等の溶媒を流し、その流れる溶媒中に設置された光検出器で発光を検出する。
【００２３】
また、溶媒を用いる検査方法では、回路の動作検査中、連続的に供給する形態でも、回路、電極パッド、プローブおよび検出手段の周囲を囲む容器の中に溶媒を供給して動作検査中、これらを溶媒の中に漬けた状態で行う形態でもよい。
【００２４】
また、溶媒の温度を制御するため、温度制御手段を備える構成であったり、溶媒供給手段から温度の異なる複数の溶媒を切り替えて供給できる構成であったり、溶媒供給手段として複数の供給ノズルを備えており、各々の供給ノズルから温度の異なる溶媒を切り替えて供給する構成であってもよい。
【００２５】
ここで、溶媒としては例えば純水を用いる。すなわち、溶媒は回路および検出手段を浸すよう供給され、この状態でプローブから回路に対して通電を行うことから、絶縁性を備える液体である必要がある。さらに、回路が発光素子、検出手段が受光素子である場合には、発光素子から出射した光が溶媒の中を通過して受光素子に到達するため、この光が溶媒によって散乱しないようにする必要がある。したがって、これらの条件を備えた純度の水（純水）を用いる。
【発明の効果】
【００２６】
したがって、本発明によれば、通電による検査対象となる回路の温度管理を的確に行うことができ、通電試験の測定精度を向上させることが可能となる。これにより、基板状態での的確な検査によって良品の回路のみを選別して良品の製品のみを歩留まりよく製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。なお、本実施形態では、検査対象となる回路として、複数の半導体レーザがバー状に構成されたもの（半導体レーザバー）の通電試験を行う場合を例とする。
【００２８】
図１は、第１の実施形態に係る回路検査装置を説明する模式図である。すなわち、この回路検査装置１は、検査対象である半導体レーザバー４を載置する下部電極５と、個々の半導体レーザチップ（回路）３と導通する電極パッド３１に接触して半導体レーザチップ３に通電を行うプローブ２と、プローブ２を介した半導体レーザチップ３への通電によって発光した光を検出する検出手段である受光素子部８と、受光素子部８による半導体レーザチップ３の動作検査を行う間、電極パッド３１を含む半導体レーザチップ３および受光素子部８を所定の温度に制御された溶媒で浸すための供給ノズル６とを備えている。
【００２９】
半導体レーザバー４を載置する下部電極５は、電気的特性を測定するテスタ（図示せず）の一端と導通しており、その表面に載置した半導体レーザバー４を真空吸着するための吸着穴（図示せず）が設けられている。この下部電極５は、測定のための電圧を印加する一方の測定用電極の役目もするため、少なくとも半導体レーザバー４の裏面電極に接する面は銅のように導電性のよい金属材料でできている。
【００３０】
また、プローブ２は、テスタの他端と導通しており、半導体レーザチップ３の上面の電極パッド３１に向けて先端が尖った形状となっている。測定を行う際には昇降機構（図示せず）によって下降し、電極パッド３１と接触して、測定後に所定の待機位置まで上昇可能となっている。
【００３１】
受光素子部８は、半導体レーザチップ３が発するレーザ光を受光するため、測定対象となる半導体レーザチップ３のレーザ光の出射面と対向して配置されており、出力信号がテスタに送られるようになっている。
【００３２】
供給ノズル６は、測定対象となっている半導体レーザチップ３と受光素子部８とを溶媒Ｌで浸すため、所定の温度に制御された溶媒Ｌを連続的に流すことができるようになっている。この溶媒Ｌとしては、測定時の通電に対する十分な絶縁性を備え、受光素子部８でレーザ光を受ける際の測定に悪影響を及ぼす不純物が混入していないものを用いる。したがって、このような条件を満たす純水や他の液体であればよい。
【００３３】
また、測定終了後に半導体レーザチップ３および受光素子部８を乾燥させるため、空気ノズル７が設けられており、この空気ノズル７から空気を噴射して水滴等を吹き飛ばすことができるようになっている。
【００３４】
図２は、プローブの接触例を説明する模式側面図である。図２（ａ）は、先端が尖ったプローブの例、図２（ｂ）は、先端にパッドが設けられたプローブの例である。図２（ａ）に示すような先の尖ったプローブ２では、接触面積が小さいことから半導体レーザチップ３への接触の際の位置決めが容易となる。また、図２（ｂ）に示すような先にパッド２１が設けられたプローブ２では、接触時に半導体レーザチップ３へのダメージを最小限にすることができる。
【００３５】
いずれの例においても、半導体レーザチップ３の動作検査を行う際にはプローブ２を半導体レーザチップ３の電極パッドに接触させて下部電極５との間で通電を行い、出射面からレーザ光を出射させる。そして、出射面に対向して配置された受光素子部８によってレーザ光を受光して、レーザ光の出力レベルに応じた電気信号を得て、テスタによって良否判定を行う。
【００３６】
このような通電による動作検査を行うにあたり、供給ノズル６から溶媒Ｌを流して半導体レーザチップ３と受光素子部８とを溶媒Ｌで浸すようにする。これにより、通電によって半導体レーザチップ３から発生する熱を溶媒Ｌによって奪い、半導体レーザチップ３の温度上昇を抑制することができる。また、溶媒Ｌは所定の温度に制御されることから、半導体レーザチップ３を所定の温度に保ち、安定した状態で動作させることができる。
【００３７】
溶媒Ｌは、半導体レーザチップ３とともに受光素子部８も浸すように流される。これによって、溶媒Ｌは少なくとも半導体レーザチップ３のレーザ光の出射面３ａから受光素子部８の受光面８ａまで介在し、半導体レーザチップ３の出射面３ａから出射したレーザ光が受光素子部８の受光面８ａに達するまで屈折率変化が起こらない状態を構成できるようになる。
【００３８】
ここで、半導体レーザチップ３から出射したレーザ光が受光素子部８の受光面８ａで反射して半導体レーザチップ３へ戻らないよう半導体レーザチップ３の出射面３ａと受光素子部８の受光面８ａとに傾斜を設けておく。
【００３９】
図３は、出射面と受光面との傾斜の状態を説明する上面図である。プローブ２が接触している半導体レーザチップ３が測定対象であり、この半導体レーザチップ３の出射面３ａからレーザ光が出射される。図中一点鎖線は出射面３ａに対する垂線である。この半導体レーザチップ３に対向して配置される受光素子部８では、レーザ光が受光面８ａで反射して半導体レーザチップ３へ戻らないようにするため、受光面８ａを出射面３ａに対して僅かに傾斜させている。これにより、受光面８ａで反射したレーザ光がレーザチップ３へ戻って、レーザ発振に悪影響を与えないようにすることができる。
【００４０】
次に、上記回路検査装置を用いた本実施形態の回路検査方法を説明する。先ず、半導体レーザバー４を、下部電極５の上に載置し、吸着穴から吸引を行って半導体レーザチップ３を下部電極５上の所定位置に真空吸着する。
【００４１】
次に、下部電極５を水平移動機構（図示せず）により移動して、真空吸着した半導体レーザバー４のすべての半導体レーザチップ３の個々の電極パッド３１と、各電極パッド３１とプローブ２とが一対一で対応できる位置まで移動した後、半導体レーザチップ３の電極パッド３１にプローブ２を下降して接触させる。
【００４２】
同時に供給ノズル６より、温度を制御された純水等の溶媒Ｌを供給する。そして、プローブ２から接触した電極パッド３１に通電を行う。そして、この通電によって半導体レーザチップ３から出射されるレーザ光を受光素子部８の受光面８ａで受け、所定の電気的特性を測定する。この測定を行っている間は供給ノズル６から溶媒Ｌを連続的に流し出しておく。
【００４３】
測定が終了した後は、溶媒Ｌの供給を停止するとともに、プローブ２を半導体レーザチップ３の電極パッド３１から離して、所定の待機位置まで上昇させる。なお、溶媒Ｌは常時、流したままでも構わない。
【００４４】
一つの半導体レーザチップ３の測定が終了したら、下部電極５を水平移動して隣りの半導体レーザチップ３の位置まで移動し、先と同様にプローブ２を電極パッド３１に接触させるよう下降し、供給ノズル６から溶媒Ｌを連続的に供給しながら通電によるレーザ光の検出を行う。この一例の動作を全ての半導体レーザチップ３について繰り返し行う。
【００４５】
そして、１本の半導体レーザバー４の測定が完了すると、空気ノズル７より圧縮空気が噴射され、半導体レーザバー４に付着している溶媒Ｌを吹き飛ばして乾燥させる。
【００４６】
このように、温度を制御された溶媒Ｌの中でレーザ光の出力を測定することにより、発熱が大きい半導体レーザバー４の温度を一定にしながら、大電流での高出力動作による通電試験を行うことが可能となる。
【００４７】
なお、上記の例では、溶媒Ｌとして純水（冷却水）を用いているが、エタノール等のアルコール類やエチレングリコール、あるいはその水溶液から成る溶媒でもよい。エタノールを使用する場合には、洗浄効果と乾燥とが容易になる利点もある。
【００４８】
次に、第２の実施形態を説明する。図４は、第２の実施形態に係る回路検査装置を説明する模式図である。すなわち、この回路検査装置１は、検査対象である半導体レーザバー４を載置する下部電極５と、個々の半導体レーザチップ（回路）３と導通する電極パッド３１に接触して半導体レーザチップ３に通電を行うプローブ２と、プローブ２を介した半導体レーザチップ３への通電によって発光した光を検出する検出手段である受光素子部８と、受光素子部８による半導体レーザチップ３の動作検査を行う間、電極パッド３１を含む半導体レーザチップ３および受光素子部８を所定の温度に制御された溶媒に浸すための供給ノズル６とを備える点で第１の実施形態と同様であるが、半導体レーザバー４および受光素子部８の周囲を囲むよう容器１０が設けられ、この容器１０の中に溶媒Ｌを満たすように供給して半導体レーザバー４および受光素子部８を溶媒Ｌの中に浸す点で相違する。
【００４９】
つまり、測定対象となる半導体レーザチップ３へプローブ２を接触させて通電を行い、レーザ光を出射して受光素子部８で受光することによってレーザ光の出力等を検査することができるが、この検査を行う際、容器１０内を溶媒Ｌで満たして半導体レーザバー４および受光素子部８を溶媒Ｌ内に浸漬した状態で行う。
【００５０】
ここで、溶媒Ｌは容器１０内で満たされた状態で供給を停止して、この状態で測定を行っても、また測定時も溶媒Ｌを供給し続けるとともに容器１０に設けられた図示しない排出口から排出しながら測定を行ってもよい。また、連続して複数の半導体レーザバー４を順次測定する場合、一旦容器１０内に貯めた溶媒Ｌをそのまま利用して測定を行うようにしてもよい。
【００５１】
いずれの例でも測定時には容器１０内に溶媒Ｌが満たされており、測定対象となる半導体レーザチップ３から出射されたレーザ光は溶媒Ｌを介して受光素子部８に到達する。また、溶媒Ｌに囲まれた半導体レーザチップ３はその溶媒Ｌによって温度が一定に保たれ、発熱による影響を受けることなく安定した測定を行うことができる。
【００５２】
次に、第３の実施形態を説明する。図５は、第３の実施形態に係る回路検査装置を説明する模式図である。すなわち、この回路検査装置１は、検査対象である半導体レーザバー４を載置する下部電極５と、個々の半導体レーザチップ（回路）３と導通する電極パッド３１に接触して半導体レーザチップ３に通電を行うプローブ２と、プローブ２を介した半導体レーザチップ３への通電によって発光した光を検出する検出手段である受光素子部８とを備える点で第１の実施形態と同様であるが、受光素子部８による半導体レーザチップ３の動作検査を行う間、電極パッド３１を含む半導体レーザチップ３および受光素子部８に所定の温度に制御された溶媒を供給するため複数の供給ノズル６ａ、６ｂが設けられている点で相違する。
【００５３】
つまり、第３の実施形態では、複数の供給ノズル６ａ、６ｂから各々温度の異なる溶媒Ｌ１、Ｌ２を供給することができるようになっている。図６（ａ）は一方の供給ノズル６ａから溶媒Ｌ１を供給している状態を示しており、図６（ｂ）は他方の供給ノズル６ｂから溶媒Ｌ２を供給している状態を示している。
【００５４】
例えば、半導体レーザチップ３の動作検査を行うにあたり、低温と高温とで各々レーザ光出力を検査したい場合、本実施形態が有効となる。先ず、低温時の動作を検査する場合には、図５（ａ）に示すように一方の供給ノズル６ａから所定の低温に制御された溶媒Ｌ１を供給し、測定対象となる半導体レーザチップ３と受光素子部８を溶媒Ｌ１で浸すようにする。この状態でプローブ２から半導体レーザチップ３へ通電してレーザ光を出射し、受光素子部８でそのレーザ光を検出する。これにより、半導体レーザチップ３を溶媒Ｌ１の温度（低温）に保ったまま動作検査を行うことができる。
【００５５】
一方、高温時の動作を検査する場合には、図５（ｂ）に示すように他方の供給ノズル６ａから所定の高温に制御された溶媒Ｌ２を供給し、測定対象となる半導体レーザチップ３と受光素子部８を溶媒Ｌ２で浸すようにする。この状態でプローブ２から半導体レーザチップ３へ通電してレーザ光を出射し、受光素子部８でそのレーザ光を検出する。これにより、半導体レーザチップ３を溶媒Ｌ２の温度（高温）に保ったまま動作検査を行うことができる。
【００５６】
このように、複数の供給ノズル６ａ、６ｂの各々から供給する溶媒Ｌ１、Ｌ２の温度を各々異なる温度に制御しておき、供給する溶媒Ｌ１、Ｌ２を切り替えることで異なる温度での動作検査を行うことが可能となる。いずれの場合も溶媒Ｌ１、Ｌ２によって測定対象の半導体レーザチップ３が浸されているため、安定した温度を維持することができ、正確な動作検査を行うことができるようになる。
【００５７】
なお、図５に示す例では２つの供給ノズル６ａ、６ｂを備える回路検査装置の例を示したが、３つ以上の供給ノズルを設けてさらに多くの温度設定を行うことができるようにしてもよい。
【００５８】
また、第１の実施形態や第２の実施形態のように１つの供給ノズル６で溶媒Ｌを供給する構成でも、図示しない温度制御装置によって溶媒Ｌの温度を複数の温度に切り替えて設定できるようにしておけば、１つの供給ノズル６であっても異なる温度の溶媒Ｌを供給することができるようになる。
【００５９】
このように、本実施形態に係る回路検査装置では、特に半導体レーザチップ３からの発熱が大きい半導体レーザバー４の温度を一定にしながら、大電流での高出力動作によって通電試験をすることができる。そのために、高出力動作時の測定精度が上がるので、半導体レーザバー４の状態で不良チップと良品チップとを正確に判定することができる。したがって、半導体レーザバー４から半導体レーザチップ３にペレタイズして実装する際に不良チップを選別、破棄し、良品チップのみを実装することが可能になり、歩留まりがあがりコストダウンを図ることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本実施形態の回路検査装置および回路検査方法は、特に光出力が温度に敏感な赤色発光の半導体レーザ発光装置という用途に適用することが有効であり、その他の半導体レーザ発光装置についても適用できる。また、本発明は半導体レーザ以外の回路（例えば、ＬＥＤやトランジスタ等の能動素子、またはその他の受動素子）であっても検査対象にすることが可能であり、所望の温度条件によって動作を検査する場合に非常に有効となる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１の実施形態に係る回路検査装置を説明する模式図である。
【図２】プローブの接触例を説明する模式側面図である。
【図３】出射面と受光面との傾斜の状態を説明する上面図である。
【図４】第２の実施形態に係る回路検査装置を説明する模式図である。
【図５】第３の実施形態に係る回路検査装置を説明する模式図である。
【図６】従来の半導体レーザバーの通電装置（回路検査装置）を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００６２】
１…回路検査装置、２…プローブ、３…半導体レーザチップ、４…半導体レーザバー、５…下部電極、６…供給ノズル、７…空気ノズル、８…受光素子部、３１…電極パッド、Ｌ…溶媒
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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