(57)【要約】【課題】スペーサおよび電子放出ディスプレイを提供すること。【解決手段】第１基板２及び第２基板４の間に配置される本体２４２と、第１基板側に接する本体の上面、または第２基板側に接する本体の下面の少なくともいずれか一面に形成される第１コーティング層２４４と、第１コーティング層の側面及び本体の側面に連続的に形成されて、第１基板側及び第２基板側と接触する第２コーティング層２４６とを含むことを特徴とする。【選択図】図３
2007123276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板及び第２基板の間に配置される本体と；
前記第１基板側に接する前記本体の上面、または前記第２基板側に接する前記本体の下面の少なくともいずれか一面に形成される第１コーティング層と；
前記第１コーティング層の側面及び前記本体の側面に連続的に形成されて、前記第１基板側及び前記第２基板側と接触する第２コーティング層と；
を含むことを特徴とする、スペーサ。
【請求項２】
前記第２コーティング層の抵抗は、前記第１コーティング層の抵抗より大きいことを特徴とする、請求項１に記載のスペーサ。
【請求項３】
前記第１コーティング層の厚さは、前記第２コーティング層の厚さより厚いことを特徴とする、請求項２に記載のスペーサ。
【請求項４】
前記第１コーティング層は導電材料からなり、前記第２コーティング層は抵抗材料からなることを特徴とする、請求項２に記載のスペーサ。
【請求項５】
前記第１コーティング層はニッケルからなり、前記第２コーティング層は酸化クロムからなることを特徴とする、請求項４に記載のスペーサ。
【請求項６】
互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と；
前記第１基板に設けられた電子放出ユニットと；
前記第２基板に設けられた発光ユニットと；
前記電子放出ユニット及び前記発光ユニットの間に配置されるスペーサと；
を含み、
前記スペーサは、本体、前記電子放出ユニット及び発光ユニットに接する前記本体の上面または下面の少なくともいずれか一面に形成される第１コーティング層、及び前記第１コーティング層の側面及び前記本体の側面に連続的に形成されて、前記電子放出ユニット及び前記発光ユニットと接触する第２コーティング層を含むことを特徴とする、電子放出ディスプレイ。
【請求項７】
前記第２コーティング層の抵抗は、前記第１コーティング層の抵抗より大きいことを特徴とする、請求項６に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項８】
前記第１コーティング層の厚さは、前記第２コーティング層の厚さより厚いことを特徴とする、請求項７に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項９】
前記第１コーティング層は導電材料からなり、前記第２コーティング層は抵抗材料からなることを特徴とする、請求項７に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１０】
前記導電材料はニッケルからなり、前記抵抗材料は酸化クロムからなることを特徴とする、請求項９に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１１】
前記本体は柱型または壁体型からなることを特徴とする、請求項６に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１２】
前記電子放出ユニットは、電子放出部、及び前記電子放出部を制御する駆動電極を含み、
前記発光ユニットは、蛍光層、及び前記蛍光層の一面に形成されるアノード電極を含み、
前記第２コーティング層は、前記駆動電極及び前記アノード電極と接触することを特徴とする、請求項６に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１３】
前記駆動電極は、絶縁層を間において互いに異なる層に位置して互いに交差するパターンに形成されるカソード電極及びゲート電極からなり、
前記電子放出部は、前記カソード電極及びゲート電極が交差する領域で前記カソード電極と連結されることを特徴とする、請求項１２に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１４】
前記駆動電極は、前記第１基板上に互いに離隔して位置する第１電極及び第２電極、及び前記第１電極及び第２電極の表面の一部を覆って、互いに近接するように形成される第１導電薄膜及び第２導電薄膜からなり、
前記電子放出部は、前記第１導電薄膜及び第２導電薄膜の間に連結されることを特徴とする、請求項１２に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１５】
前記電子放出部は、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラーレン、またはシリコンナノワイヤーからなる群より選択される少なくとも一つの物質を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１６】
前記蛍光層の各々の間には、黒色層が追加的に形成され、
前記スペーサは、前記黒色層が形成された領域内に形成されることを特徴とする、請求項１２に記載の電子放出ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スペーサおよび電子放出ディスプレイに関し、より詳細には、真空容器を構成する両基板の間に配置されて、基板の間隔を維持するスペーサ、及びこれを含む電子放出ディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子放出素子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｍｅｎｔ）は、電子源の種類によって、熱陰極（ｈｏｔ ｃａｔｈｏｄｅ）を利用する方式及び冷陰極（ｃｏｌｄ ｃａｔｈｏｄｅ）を利用する方式に分類される。
【０００３】
ここで、冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、電界放出アレイ（Ｆｉｅｌｄ
Ｅｍｉｔｔｅｒ Ａｒｒａｙ；以下、ＦＥＡとする）型、表面伝導エミッション（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ；以下、ＳＣＥとする）型、金属−絶縁層−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ；以下、ＭＩＭとする）型、及び金属−絶縁層−半導体（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；以下、ＭＩＳとする）型などが知られている。
【０００４】
上記ＭＩＭ型及びＭＩＳ型電子放出素子は、各々金属／絶縁層／金属（ＭＩＭ）及び金属／絶縁層／半導体（ＭＩＳ）の構造からなる電子放出部を形成し、絶縁層を間において位置する二つの金属の間または金属及び半導体の間に電圧を印加する時に、金属や半導体から供給される電子がトンネリング（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ）現象によって絶縁層を通過して上部の金属に到達し、到達した電子のうちのエネルギーが上部の金属の仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）以上である電子が上部の電極から放出される原理を利用する。
【０００５】
上記ＳＣＥ型電子放出素子は、一基板上に互いに対向して配置された第１電極及び第２電極の間に導電薄膜を配置し、この導電薄膜に微細な亀裂を形成することによって電子放出部を形成し、両電極に電圧を印加して導電薄膜の表面に電流が流れる時に、電子放出部から電子が放出される原理を利用する。
【０００６】
上記ＦＥＡ型電子放出素子は、電子放出部、及びこの電子放出部の電子放出を制御する駆動電極として一つのカソード電極及び一つのゲート電極を含み、電子放出部の物質として仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が低かったり縦横比が大きい物質、一例として、モリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）などを主材料とする先端がとがっているチップ構造物や、炭素ナノチューブや黒鉛やダイヤモンド状炭素のような炭素系物質を使用して、真空中で電界によって電子が簡単に放出される原理を利用する。
【０００７】
一方、電子放出素子は、一基板にアレイを構成して形成されて、電子放出デバイス（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ）を構成し、電子放出デバイスは、蛍光層及びアノード電極などを含む発光ユニットが形成された他の基板と結合して、電子放出ディスプレイ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ）を構成する。
【０００８】
つまり、通常の電子放出デバイスは、電子放出部と共に、走査電極及びデータ電極として機能する複数の駆動電極を含み、電子放出部及び駆動電極の作用によって画素別の電子放出のオン／オフ及び電子放出量を制御する。そして、電子放出ディスプレイは、電子放出部から放出された電子で蛍光層を励起させて、所定の発光または表示動作を行う。
【０００９】
上記電子放出ディスプレイは、真空容器の内部に多数のスペーサが形成されている。このスペーサは、第１基板及び第２基板の間隔を一定に維持して、真空容器の内、外部の圧力差による基板の変形及び破損を防止する役割を果たす。
【００１０】
一方、スペーサは、電子の流れが持続的に発生する真空容器の内部空間に露出されて、電子放出部から放出される電子と衝突するようになる。このような持続的な電子との衝突は、スペーサを正（＋）または負（−）の電荷に帯電（ｃｈａｒｇｉｎｇ）させる。その結果、このように帯電されたスペーサは、電子放出部から放出される電子の経路をわい曲させて、電子放出ディスプレイの色再現率及び輝度均一度を低下させてしまう。かかるスペーサの帯電現象を防止するために、従来のスペーサにコーティング層を付加して、スペーサに帯電された電荷を外部に通電させる技術が開始された。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、従来のスペーサに、コーティング層の接触特性を考慮せず、単にコーティング層を付加すれば、通電効率が低下してしまう問題があった。
【００１２】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、スペーサの表面に帯電された電荷を円滑に放電させることが可能な、新規かつ改良されたスペーサおよび電子放出ディスプレイを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
第１基板及び第２基板の間に配置される本体と、上記第１基板側に接する上記本体の上面、または上記第２基板側に接する上記本体の下面の少なくともいずれか一面に形成される第１コーティング層と、上記第１コーティング層の側面及び上記本体の側面に連続的に形成されて、上記第１基板側及び上記第２基板側と接触する第２コーティング層とを含むことを特徴とする、スペーサが提供される。
【００１４】
上記第２コーティング層の抵抗は、上記第１コーティング層の抵抗より大きくてもよい。
【００１５】
上記第１コーティング層の厚さは、上記第２コーティング層の厚さより厚くてもよい。
【００１６】
上記第１コーティング層は導電材料からなり、上記第２コーティング層は抵抗材料からなってもよい。
【００１７】
上記第１コーティング層はニッケルからなり、上記第２コーティング層は酸化クロムからなってもよい。
【００１８】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、上記第１基板に設けられた電子放出ユニットと、上記第２基板に設けられた発光ユニットと、上記電子放出ユニット及び上記発光ユニットの間に配置されるスペーサとを含み、上記スペーサは、本体、上記電子放出ユニット及び発光ユニットに接する上記本体の上面または下面の少なくともいずれか一面に形成される第１コーティング層、及び上記第１コーティング層の側面及び上記本体の側面に連続的に形成されて、上記電子放出ユニット及び上記発光ユニットと接触する第２コーティング層を含むことを特徴とする、電子放出ディスプレイが提供される。
【００１９】
上記第２コーティング層の抵抗は、上記第１コーティング層の抵抗より大くてもよい。
【００２０】
上記第１コーティング層の厚さは、上記第２コーティング層の厚さより厚くてもよい。
【００２１】
上記第１コーティング層は導電材料からなり、上記第２コーティング層は抵抗材料からなってもよい。
【００２２】
上記導電材料はニッケルからなり、上記抵抗材料は酸化クロムからなってもよい。
【００２３】
上記本体は柱型または壁体型からなってもよい。
【００２４】
上記電子放出ユニットは、電子放出部、及び上記電子放出部を制御する駆動電極を含み、
上記発光ユニットは、蛍光層、及び上記蛍光層の一面に形成されるアノード電極を含み、
上記第２コーティング層は、上記駆動電極及び上記アノード電極と接触するようにしてもよい。
【００２５】
上記駆動電極は、絶縁層を間において互いに異なる層に位置して互いに交差するパターンに形成されるカソード電極及びゲート電極からなり、上記電子放出部は、上記カソード電極及びゲート電極が交差する領域で上記カソード電極と連結されるようにしてもよい。
【００２６】
上記駆動電極は、上記第１基板上に互いに離隔して位置する第１電極及び第２電極、及び上記第１電極及び第２電極の表面の一部を覆って、互いに近接するように形成される第１導電薄膜及び第２導電薄膜からなり、上記電子放出部は、上記第１導電薄膜及び第２導電薄膜の間に連結されるようにしてもよい。
【００２７】
上記電子放出部は、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラーレン、またはシリコンナノワイヤーからなる群より選択される少なくとも一つの物質を含むようにしてもよい。
【００２８】
上記蛍光層の各々の間には、黒色層が追加的に形成され、上記スペーサは、上記黒色層が形成された領域内に形成されるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように本発明によれば、スペーサの表面に帯電された電荷を円滑に放電することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３１】
図１は、本発明の実施例による電子放出ディスプレイの部分分離斜視図であり、図２は、本発明の実施例による電子放出ディスプレイの部分断面図であり、図３は、本発明の実施例によるスペーサの結合状態を示した断面図である。
【００３２】
図１及び図２を参照すると、電子放出ディスプレイ１は、所定の間隔をおいて平行に対向配置される第１基板２及び第２基板４を含む。第１基板２及び第２基板４の周縁には、密封部材（図示せず）が配置されて両基板を接合させ、内部空間がほぼ１０−６ｔｏｒｒの真空度に排気されて、第１基板２及び第２基板４、そして密封部材が真空容器を構成する。
【００３３】
第１基板２には、電子放出素子がアレイを構成して配置される電子放出ユニット１０１が提供され、この電子放出ユニット１０１は、第１基板２と共に電子放出デバイス１００を構成する。電子放出デバイス１００は、第２基板４及び第２基板４に提供される発光ユニット２００と結合して、電子放出ディスプレイ１を構成する。
【００３４】
電子放出ユニット１０１は、第１基板２上に形成された電子放出部６、及びこの電子放出部６の電子放出量を制御する駆動電極を含む。ここで、駆動電極は、カソード電極８及びゲート電極１０からなる。
【００３５】
図１に示したように、カソード電極８は、第１基板２の一方向（図１でｙ軸方向）に沿ってストライプパターンに形成されてもよく、カソード電極８の上部には、第１基板２の全体を覆う絶縁層１２が形成される。この絶縁層１２上には、ゲート電極１０がカソード電極８と直交する方向（図１でｘ軸方向）に沿ってストライプパターンに形成されてもよい。
【００３６】
本実施例で、カソード電極８及びゲート電極１０が交差する領域（以下、‘単位画素領域’とする）ごとにカソード電極８上に一つ以上の電子放出部６が形成され、絶縁層１２及びゲート電極１０には、各電子放出部６に対応する開口部１２２、１０２が形成されて、第１基板２上に電子放出部６が露出するようにする。
【００３７】
図面では、電子放出部６が円形に形成され、カソード電極８の長さ方向に沿って一列に配置される構成を示したが、電子放出部６の平面形状、個数、及び配置形態などは、図面に示した例に限定されない。
【００３８】
電子放出部６は、真空中で電界が加えられると電子を放出する物質、例えば炭素系物質またはナノメートルサイズ物質からなる。電子放出部６に使用される物質としては、例えば、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラーレン（Ｃ６０）、シリコンナノワイヤー、またはこれらの組合わせからなる物質があげられる。
【００３９】
一方、上記では、絶縁層１２を間においてゲート電極１０がカソード電極８の上部に位置する構造を説明したが、その反対の場合、つまりカソード電極８がゲート電極１０の上部に位置する構造も可能である。この構造では、電子放出部６がカソード電極８の一側面と接触して絶縁層上に形成される。
【００４０】
また、本発明の実施例による電子放出ディスプレイ１は、集束電極１６をさらに含む。本発明の実施例で、カソード電極８及びゲート電極１０の間に位置する絶縁層１２を第１絶縁層とする時、ゲート電極１０及び第１絶縁層１２上に第２絶縁層１４及び集束電極１６が各々形成される。
【００４１】
第２絶縁層１４及び集束電極１６にも、第１基板２上に電子放出部６が露出されるようにする各々の開口部１４２、１６２が形成され、上記開口部１４２、１６２は、一例として、カソード電極８及びゲート電極１０が交差する単位画素領域当たり一つずつ形成される。集束電極１６は、第２絶縁層１４上で第１基板２の全体に形成されたり、所定のパターンに区分されて複数形成されることができる。
【００４２】
発光ユニット２００は、第１基板２に対向する第２基板４の一面に形成された蛍光層１８、画面のコントラスト向上のための黒色層２０、蛍光層１８及び黒色層２０上に形成されたアルミニウムのような金属膜からなるアノード電極２２を含む。
【００４３】
アノード電極２２は、外部から電子ビームの加速に必要な高電圧の印加を受けて、電子加速電極として機能し、蛍光層１８から放射された可視光のうちの第１基板２に向かって放射された可視光を第２基板４側に反射させて、画面の輝度を高める役割を果たす。
【００４４】
一方、アノード電極２２は、金属膜ではないインジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ
ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）のような透明導電膜からなることができる。この場合、アノード電極は、第２基板に対向する蛍光層１８及び黒色層２０の一面に位置する。また、アノード電極は、上記透明導電膜及び金属膜を同時に形成する構造も可能である。
【００４５】
そして、第１基板２の電子放出ユニット１０１及び第２基板４の発光ユニット２００の間には、スペーサ２４が配置されて、真空容器に加えられる圧縮力を支持して、第１基板２及び第２基板４の間隔を一定に維持させる。スペーサ２４は、蛍光層１８を侵害しないように、黒色層２０に対応して位置する。すなわち、スペーサ２４は、黒色層２０が形成された領域内に形成されてもよい。
【００４６】
本発明の実施例で、スペーサ２４は、図３に示されているように、本体２４２、及び本体２４２の表面に形成される第１コーティング層２４４及び第２コーティング層２４６からなる。
【００４７】
本体２４２は、スペーサ２４の母体であって、セラミックまたはガラス（ｇｌａｓｓ）からなり、円柱、四角柱、壁体型など多様に形成されることができる。図面では、一例として、壁体型の本体を示した。
【００４８】
第１コーティング層２４４は、本体２４２の上面及び下面、つまりアノード電極２２及び集束電極１６に接する面に形成され、第２コーティング層２４６は、第１コーティング層２４４を含む本体２４２の側面に連続的に形成される。したがって、第２コーティング層２４６は、本体２４２及び第１コーティング層２４４の側面を囲んで、集束電極１６（第１基盤側）及びアノード電極２２（第２基盤側）と直接接触する。
【００４９】
したがって、集束電極１６及びアノード電極２２の間にコーティング層を通じた微細な電流の流れが形成される。そして、集束電極１６が形成されていない場合、スペーサ２４は、駆動電極のうちの一つのゲート電極１０上に位置し、この時、微細な電流の流れはゲート電極１０及びアノード電極２２の間に形成される。
【００５０】
図３に示されたスペーサ２４のコーティング層の接触形状は、本体にコーティング層を形成するコーティング順序に起因する。つまり、本発明の実施例によるスペーサ２４は、本体２４２の上面及び下面に第１コーティング層２４４を形成する段階を経た後、第１コーティング層２４４及び本体２４２の側面に第２コーティング層２４６を形成する段階を経て製造される。
【００５１】
ここで、第２コーティング層２４６の抵抗（Ｒ２）は、スペーサ２４の表面に帯電された電荷の流れを円滑にするように、第１コーティング層２４４の抵抗（Ｒ１）より大きく形成されてもよい。すなわち、第２コーティング層２４６の抵抗（Ｒ２）と第１コーティング層２４４の抵抗（Ｒ１）とが、（Ｒ２＞Ｒ１）の関係を満たすようにしてもよい。
【００５２】
第１コーティング層２４４は抵抗が低い導電材料から形成され、第２コーティング層２４６は抵抗の高い抵抗材料から形成されることができる。第２コーティング層２４６は、集束電極１６及びアノード電極２２と接触しているので、二つの電極間の短絡（ｓｈｏｒｔ）を防止するために、抵抗材料から形成されるのである。一例として、上記導電材料としては、金属であるニッケル（Ｎｉ）を使用することができ、上記抵抗材料としては、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）を使用することができる。
【００５３】
第１コーティング層２４４の厚さ（Ｔ１）は、第２コーティング層２４６の厚さ（Ｔ２）より厚く形成されてもよい。すなわち、第１コーティング層２４４の厚さ（Ｔ１）と第２コーティング層２４６の厚さ（Ｔ２）とが、（Ｔ１＞Ｔ２）の関係を満たすようにしてもよい。これは、第１コーティング層２４４の厚さ（Ｔ１）が厚いほど、第１コーティング層２４４及び第２コーティング層２４６の接触面積が増加して、第１コーティング層２４４及び第２コーティング層２４６の間の接触抵抗が減少するためである。
【００５４】
第１コーティング層２４４及び第２コーティング層２４６の抵抗は、集束電極１６及びアノード電極２２を短絡させずに、スペーサ２４に帯電された電荷を外部に放電（ｄｉｓｃｈａｒｇｉｎｇ）させることができる程度の微細な電流の流れを二つの電極の間に維持することができるように設定される。
【００５５】
図４は本発明の実施例による電子放出ディスプレイの駆動時のスペーサ２４の表面の電流の流れを示した図面であり、図５は本発明に対する比較例による電子放出ディスプレイの駆動時のスペーサの表面の電流の流れを示した図面である。
【００５６】
図４を参照すると、本発明の実施例によるスペーサ２４は、第２コーティング層２４６が集束電極１６と直接接触する接触特性、及び第１コーティング層２４４及び第２コーティング層２４６の厚さの比率及び抵抗特性によって、スペーサの表面の電流の流れが円滑に形成される。つまり、電流は、集束電極１６から第２コーティング層２４６に流れる経路、及び集束電極１６から第１コーティング層２４４を経て第２コーティング層２４６に流れる経路を経る。したがって、第１コーティング層２４４から第２コーティング層２４６に流れる電流のクラウディング（ｃｒｏｗｄｉｎｇ）現象を減少させることができる。
【００５７】
図５を参照すると、本発明の比較例によるスペーサは、第２コーティング層２４８が集束電極１６と直接接触しないので、電流は、集束電極１６、第１コーティング層２４７、及び第２コーティング層２４８に構成された経路だけを経るようになるので、電流のクラウディング現象が増加する。図４及び図５で、電流は矢印で示した。
【００５８】
一方、上記では、ＦＥＡ型電子放出素子からなる電子放出ディスプレイについて説明したが、本発明はＦＥＡ型の構造に限定されず、それ以外の電子放出素子にも適用可能である。
【００５９】
図６は本発明の他の実施例による電子放出ディスプレイ１´の部分断面図であって、ＳＣＥ型電子放出素子からなる電子放出ディスプレイを示している。本実施例の電子放出ディスプレイは、第１基板上に提供される電子放出のための構造物の形状を除いては、上記実施例と同一な構成からなる。
【００６０】
図６を参照すると、本発明の他の実施例による電子放出ディスプレイ１´は、第１基板３２上に第１電極３４及び第２電極３６が所定の間隔をおいて配置され、第１電極３４及び第２電極３６には、各々表面の一部を覆って互いに近接するように、第１導電薄膜３８
及び第２導電薄膜４０が形成される。そして、第１導電薄膜３８及び第２導電薄膜４０の間に、この導電薄膜と連結される電子放出部４２が形成され、電子放出部４２は、この導電薄膜３８、４０を通じて第１電極３４及び第２電極３６と電気的に連結される。
【００６１】
上記構造で、第１電極３４及び第２電極３６には、導電性のある多様な材料が使用可能であり、第１導電薄膜３８及び第２導電薄膜４０は、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）などの導電性材料を利用した微粒子薄膜からなる。
【００６２】
上記電子放出部４２は、黒鉛性炭素及び炭素化合物などから形成されるのが好ましい。また、電子放出部４２は、上記第１実施例と同様に、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラーレン（Ｃ６０）、シリコンナノワイヤー、  あるいは これらの組合わせからなる物質から形成される。
【００６３】
図６で、図２の構成と同一な部分については同一な符号を明記しており、それに対する詳細な説明は省略している。
【００６４】
以上説明したように、本発明の実施例による電子放出ディスプレイは、接触特性が改善されたコーティング層が形成されたスペーサを含むことによって、スペーサの通電効率を向上させて、二次電子などをコーティング層を通じて外部に円滑に放電（ｄｉｓｃｈａｒｇｉｎｇ）させることができる。それにより、本発明の実施例による電子放出表示デバイスは、電子ビームのわい曲現象が改善されて、高画質の画像を表示することができる。
【００６５】
なお、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施例による電子放出ディスプレイの部分分離斜視図である。
【図２】本発明の実施例による電子放出ディスプレイの部分断面図である。
【図３】本発明の実施例によるスペーサの結合状態を示した断面図である。
【図４】本発明の実施例による電子放出ディスプレイの駆動時のスペーサの表面の電流の流れを示した図面である。
【図５】本発明に対する比較例による電子放出ディスプレイの駆動時のスペーサの表面の電流の流れを示した図面である。
【図６】本発明の他の実施例による電子放出ディスプレイの部分断面である。
【符号の説明】
【００６７】
１  電子放出ディスプレイ
１００  電子放出デバイス
１０１  電子放出ユニット
１０２、１２２、１４２、１６２  開口部
２、３２  第１基板
２００  発光ユニット
４  第２基板
３４  第１電極
３６  第２電極
３８  第１導電薄膜
４０  第２導電薄膜
６、４２  電子放出部
８  カソード電極
１０  ゲート電極
１２、１４  絶縁層
１６  集束電極
１８  蛍光層
２０  黒色層
２２  アノード電極
２４  スペーサ
２４２  本体
２４４  第１コーティング層
２４６  第２コーティング層
【図１】
2007123276.tif 000003
【図２】
2007123276.tif 000004
【図３】
2007123276.tif 000005
【図４】
2007123276.tif 000006
【図５】
2007123276.tif 000007
【図６】
2007123276.tif 000008