(57)【要約】【課題】基板に供給される処理液の流量を正確に制御できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置の制御部は、予め複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄに対応する処理レシピに基づいて複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの動作手順および動作条件を決定するとともに昇圧ポンプＰ１の吐出量を決定する。制御部は、昇圧ポンプＰ１の吐出量をフィードフォワード制御するために、処理レシピに基づいて昇圧ポンプＰ１の吐出量を実際に昇圧ポンプＰ１を制御する前に決定する。例えば、制御部は、複数の洗浄処理部５ａ〜２ｄの処理レシピに設定された薬液処理のタイミングおよび薬液ノズルの吐出流量に基づいて予め昇圧ポンプＰ１の吐出量を決定する。【選択図】図５
2007123393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板上に処理液を吐出する複数の処理液供給ノズルと、
前記複数の処理液供給ノズルへ処理液を導く処理液供給系と、
前記複数の処理液供給ノズルの動作手順および動作条件を少なくとも規定する処理レシピを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段により記憶された処理レシピに従って前記処理液供給系による各処理液供給ノズルへの処理液の供給を制御する制御手段と、
前記処理液供給系における処理液の流量を調整する流量調整手段とを備え、
前記制御手段は、各処理液供給ノズルが基板上に処理液を吐出する前に、前記処理レシピに規定された前記複数の処理液供給ノズルの動作手順および動作条件に基づいて、当該処理液供給ノズルから所定流量の処理液が吐出されるために必要な前記処理液供給系における流量を予め決定し、前記処理液供給系における処理液の流量が決定された流量になるように前記流量調整手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記流量調整手段は、昇圧ポンプであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理レシピに規定される動作条件は、前記複数の処理液供給ノズルから吐出される処理液の吐出流量を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御手段は、各処理液供給ノズルから処理液が供給される基板が前記基板保持手段に保持される前に、前記処理液供給系における処理液の流量を予め決定することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記記憶手段に前記処理レシピが記憶された際に、前記処理液供給系における処理液の流量を予め決定することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数の処理液供給ノズルの少なくとも１つは、
前記基板保持手段により保持された基板に向けて、鉛直でない方向に処理液を吐出することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記複数の処理液供給ノズルは、
前記基板保持手段により保持された基板の上面に処理液を吐出する上部ノズルと、
前記基板保持手段により保持された基板の下面に処理液を吐出する下部ノズルとを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記複数の処理液供給ノズルにより基板に吐出された処理液を前記複数の処理液供給ノズルへと戻す循環系をさらに備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記複数の処理液供給ノズルにより基板に吐出された処理液を廃棄する廃棄系をさらに備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板処理装置においては、複数の処理部を設けることによりスループットの向上を図ることができる。
【０００３】
基板に処理液を供給することにより基板の処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置においては、供給源から複数の処理部へと処理液を供給するための処理液供給系が設けられる。
【０００４】
このような基板処理装置として、例えば特許文献１の基板処理装置がある。図１０は、特許文献１に記載された基板処理装置の構成を示す図である。
【０００５】
図１０の基板処理装置は、基板の処理を行う２つの処理室９０１，９０２を備える。各処理室９０１，９０２には、基板Ｗ上に処理液を供給するための上ノズル９０３，９０５および基板Ｗの裏面に処理液を供給するための下ノズル９０４，９０６が設けられている。
【０００６】
各ノズル９０３〜９０６に供給する処理液が、処理液タンク９０７に貯留されている。この処理液は、ミキシングバルブ９０８により生成される。ミキシングバルブ９０８は、薬液タンク９０９から薬液供給管９１０を通じて供給される薬液と純水供給管９１１から供給される純水とを混合することにより処理液を生成する。
【０００７】
処理液タンク９０７には処理液供給管９７１が接続されている。処理液供給管９７１はマニホールド９９１へと延びている。処理液供給管９７１には、べローズポンプ９７２が介挿されている。マニホールド９９１からは第１〜第４吐出路９４２，９４８，９５４，９６０が分岐している。
【０００８】
第１〜第４吐出路９４２，９４８，９５４，９６０は、それぞれ上ノズル９０３，９０５および下ノズル９０４，９０６に接続されている。
【０００９】
第１吐出路９４２には、第１の流量センサ９９２、第１吐出流量調整弁９４４および第１吐出弁９４５がこの順で介挿されている。
【００１０】
第２、第３および第４吐出路９４２にも、それぞれ第２、第３および第４の流量センサ９９３，９９４，９９５、第２、第３および第４吐出流量調整弁９５０，９５６，９６２、ならびに第２、第３および第４吐出弁９５１，９５７，９６３がこの順で介挿されている。
【００１１】
第１〜第４の流量センサ９９２〜９９５は、第１〜第４吐出路９４２，９４８，９５４，９６０を流れる処理液の流量に応じた電気信号（検出信号）を制御部９６６に与える。
【００１２】
第１〜第４吐出流量調整弁９４４，９５０，９５６，９６２の開度が予め調整されることにより各ノズル９０３〜９０６から吐出される処理液の流量が調整されている。第１〜第４吐出弁９４５，９５１，９５７，９６３は、それぞれ制御部９６６により開閉状態が制御される。
【００１３】
ここで、複数のノズル９０３〜９０６の全てから処理液が吐出している状態からノズル９０３〜９０６のうちの一部から処理液が吐出する状態へと切り替わる場合がある。
【００１４】
この場合、処理液がべローズポンプ９７２により処理液タンク９０７から各ノズル９０３〜９０６へと一定の圧力で圧送されていると、各ノズル９０３〜９０６の吐出流量が変化する。このような吐出流量の変化は、基板Ｗの処理不良の要因となる。
【００１５】
そこで、図１０の基板処理装置においては、制御部９６６が、第１〜第４の流量センサ９９２〜９９５から与えられる検出信号および第１〜第４吐出弁９４５，９５１，９５７，９６３の開閉状態に基づいてべローズポンプ９７２の圧送能力をフィードバック制御する。
【００１６】
これにより、処理液を吐出するノズルの本数が変化しても、処理液を吐出する各ノズルの吐出流量をほぼ一定に保つことができる。
【特許文献１】特開平１０−３０３１６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、上記のように制御部９６６がべローズポンプ９７２のフィードバック制御を行うと、実際には処理液を吐出するノズルの本数が変化したときに処理液を吐出するノズルの吐出流量が一時的に変動し、その後、一定の遅延時間の経過後に各ノズルからの吐出流量が一定に安定する。
【００１８】
このように、処理液を吐出するノズルの本数が変化すると、一時的に処理液を吐出する各ノズルの吐出流量が変動する。それにより、基板Ｗの処理不良が生じる場合がある。
【００１９】
本発明の目的は、基板に吐出される処理液の流量を正確に制御できる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板上に処理液を供給する複数の処理液供給ノズルと、複数の処理液供給ノズルへ処理液を導く処理液供給系と、複数の処理液供給ノズルの動作手順および動作条件を少なくとも規定する処理レシピを記憶する記憶手段と、記憶手段により記憶された処理レシピに従って処理液供給系による各処理液供給ノズルへの処理液の供給を制御する制御手段と、処理液供給系における処理液の流量を調整する流量調整手段とを備え、制御手段は、各処理液供給ノズルが基板上に処理液を吐出する前に、処理レシピに規定された複数の処理液供給ノズルの動作手順および動作条件に基づいて、当該処理液供給ノズルから所定流量の処理液が吐出されるために必要な処理液供給系における流量を予め決定し、処理液供給系における処理液の流量が決定された流量になるように流量調整手段を制御するものである。
【００２１】
この発明に係る基板処理装置においては、複数の処理液供給ノズルの動作手順および動作条件が少なくとも規定された処理レシピが記憶手段に記憶される。
【００２２】
各処理液供給ノズルが基板上に処理液を吐出する前に、処理レシピに規定された複数の処理液供給ノズルの動作手順および動作条件に基づいて、当該処理液供給ノズルから所定流量の処理液が吐出されるために必要な処理液供給系における流量が予め制御部により決定される。そして、処理液供給系における処理液の流量が決定された流量になるように制御手段により流量調整手段が制御される。
【００２３】
これにより、流量調整手段により調整された流量で処理液供給系から各処理液供給ノズルに処理液が供給され、基板保持手段に保持された基板に当該処理液供給ノズルから所定流量の処理液が吐出される。
【００２４】
このように、各処理液供給ノズルが基板上に処理液を吐出する前に、予め設定された処理レシピに基づいて処理液供給系における流量が決定される。その結果、制御遅れを生じることなく、各処理液供給ノズルにより基板に吐出される処理液の流量を正確に制御することができる。
【００２５】
（２）流量調整手段は、昇圧ポンプであってもよい。この場合、処理液供給系内の圧力を上昇および下降させることにより処理液供給系における処理液の流量を容易に増加および減少させることができる。したがって、流路の断面積を変化させることにより流量を調整するレギュレータに比べて、広い範囲にわたって流量を調整することができる。なお、昇圧ポンプとしては、ベローズポンプ、ダイヤフラムポンプ、マグネットポンプなどのポンプのうちのいずれであってもよい。
【００２６】
（３）処理レシピに規定される動作条件は、複数の処理液供給ノズルから吐出される処理液の吐出流量を含んでもよい。
【００２７】
この場合、制御手段は、処理レシピに規定された複数の処理液供給ノズルの吐出流量に基づいて、各処理液供給ノズルから所定量の処理液が供給されるために必要な処理液供給系における処理液の流量を予め決定することができる。
【００２８】
（４）制御手段は、各処理液供給ノズルから処理液が供給される基板が基板保持手段に保持される前に、処理液供給系における処理液の流量を予め決定してもよい。
【００２９】
この場合、基板保持手段に保持された基板への各処理液供給ノズルによる処理液の吐出時よりも十分前に、処理液供給系における処理液の流量が決定される。
【００３０】
これにより、制御遅れを生じることなく、各処理液供給ノズルにより基板に吐出される処理液の流量を正確かつ確実に制御することができる。
【００３１】
（５）記憶手段に処理レシピが記憶された際に、処理液供給系における処理液の流量を予め決定してもよい。
【００３２】
この場合、基板保持手段に保持された基板への各処理液供給ノズルによる処理液の吐出時よりも十分前に、処理液供給系における処理液の流量が予め決定される。
【００３３】
これにより、制御遅れを生じることなく、各処理液供給ノズルにより基板に吐出される処理液の流量を正確かつ確実に制御することができる。
【００３４】
（６）複数の処理液供給ノズルの少なくとも１つは、基板保持手段により保持された基板に向けて、鉛直でない方向に処理液を吐出してもよい。
【００３５】
ここで、「鉛直でない方向」とは、水平方向または水平に対して傾斜した方向を含み、この場合、少なくとも１つの処理液供給ノズルから処理液がほぼ放物線状の軌跡を描いて基板上の所定の着液点に着液する。
【００３６】
本発明に係る基板処理装置においては、各処理液供給ノズルにより基板に吐出される処理液の流量が正確に制御される。これにより、基板上の予め設定された着液点（たとえば、基板の中央部、または基板の周縁部等）に正確に処理液を吐出することができる。それにより、基板上の予め設定された着液点から外れた位置に処理液が供給されることがなく、基板に良好な処理を行うことができる。
【００３７】
（７）複数の処理液供給ノズルは、基板保持手段により保持された基板の上面に処理液を吐出する上部ノズルと、基板保持手段により保持された基板の下面に処理液を吐出する下部ノズルとを含んでもよい。
【００３８】
この場合、上部ノズルにより基板に吐出される処理液の流量を正確に制御することができるとともに、下部ノズルにより基板に吐出される処理液の流量を正確に制御することができる。それにより、基板の上面および下面に適切な処理を行うことができる。
【００３９】
（８）基板処理装置は、複数の処理液供給ノズルにより基板に吐出された処理液を複数の処理液供給ノズルへと戻す循環系をさらに備えてもよい。
【００４０】
この場合、複数の処理液供給ノズルにより基板に吐出された処理液が循環系により複数の処理液供給ノズルに戻される。これにより、基板に吐出された処理液が再利用されるので、基板の製造コストが低減される。
【００４１】
（９）基板処理装置は、複数の処理液供給ノズルにより基板に吐出された処理液を廃棄する廃棄系をさらに備えてもよい。
【００４２】
この場合、複数の処理液供給ノズルにより基板に吐出された処理液が廃棄系により廃棄される。したがって、再利用できない処理液を廃棄することができる。
【発明の効果】
【００４３】
本発明に係る基板処理装置においては、各処理液供給ノズルが基板上に処理液を吐出する前に、予め設定された処理レシピに基づいて処理液供給系における流量が決定される。その結果、制御遅れを生じることなく、各処理液供給ノズルにより基板に吐出される処理液の流量を正確に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理方法および基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。
【００４５】
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００４６】
また、薬液とは、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液をいう。
【００４７】
リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。
【００４８】
さらに、以下の説明では、後述するスピンチャックに保持された基板の上側の面を基板の表面と称し、スピンチャックに保持された基板の下側の面を基板の裏面と称する。
【００４９】
（１）  基板処理装置の構成
図１は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００５０】
処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂ、洗浄処理部５ａ，５ｂが配置されている。
【００５１】
図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部５ａ，５ｂへの薬液およびリンス液の供給および洗浄処理部５ａ，５ｂからの廃棄（排液）等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
【００５２】
洗浄処理部５ａ，５ｂでは、薬液による洗浄処理（以下、薬液処理と呼ぶ）およびリンス液による洗浄処理（以下、リンス処理と呼ぶ）が行われる。本実施の形態において、例えば洗浄処理部５ａ，５ｂで用いられる薬液はフッ化水素水であり、リンス液は純水である。
【００５３】
処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、洗浄処理部５ｃ，５ｄは洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。
【００５４】
以下、洗浄処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。
【００５５】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。
【００５６】
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００５７】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００５８】
本実施の形態においては、洗浄処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗに薬液処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。
【００５９】
制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。制御部４の側壁に、基板処理装置１００の動作手順および動作条件を規定する処理レシピを作業者が設定するための操作パネル７１０が設けられている。詳細は後述する。
【００６０】
また、基板処理装置１００においては、インデクサＩＤに隣接するように用力系ボックス部２Ａが設けられている。処理領域Ａ，Ｂの一端部側に隣接するように循環系ボックス部２Ｂが設けられている。用力系ボックス部２Ａおよび循環系ボックス部２Ｂの詳細は後述する。
【００６１】
（２）  洗浄処理部の構成
図２は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置１００の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。
【００６２】
図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、薬液処理により基板Ｗの表面および裏面に付着した有機物等の不純物を除去した後、リンス処理を行う。
【００６３】
図２に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。
【００６４】
基板Ｗは、薬液処理およびリンス処理を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転される。なお、図２に示すように、本実施の形態では、基板Ｗの周縁部を保持するスピンチャックが用いられる。
【００６５】
スピンチャック２１の外方にアーム台座６０が設けられている。アーム台座６０から上方へ延びるようにアーム６１が取り付けられている。アーム６１は、スピンチャック２１の上方で曲折している。アーム６１の先端部には薬液ノズル５０が取り付けられている。薬液ノズル５０は、その軸心５０Ｌが水平面に対して傾斜するように、アーム６１によりスピンチャック２１の上方に固定される。
【００６６】
薬液ノズル５０には薬液処理用供給管６３の一端が接続されている。薬液処理用供給管６３の他端は、図１の流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。
【００６７】
これにより、洗浄処理部５ａ〜５ｄの薬液ノズル５０には、薬液処理用供給管６３を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄから薬液（フッ化水素水）が供給される。それにより、基板Ｗの表面へ薬液を吐出することができる。
【００６８】
また、スピンチャック２１の外方にアーム台座７１が設けられている。アーム台座７１から上方へ延びるようにアーム７２が取り付けられている。アーム７２は、スピンチャック２１の上方で曲折している。アーム７２の先端部にはリンスノズル７０が取り付けられている。リンスノズル７０は、その軸心７０Ｌが水平面に対して傾斜するように、アーム７２によりスピンチャック２１の上方に固定される。
【００６９】
リンスノズル７０にはリンス処理用供給管７４の一端が接続されている。リンス処理用供給管７４の他端は、図１の流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。
【００７０】
これにより、洗浄処理部５ａ〜５ｄのリンスノズル７０には、リンス処理用供給管７４を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄからリンス液（純水）が供給される。それにより、基板Ｗの表面へリンス液を吐出することができる。
【００７１】
スピンチャック２１の回転軸２５は中空軸からなる。回転軸２５の内部には、薬液処理用供給管８２およびリンス処理用供給管９２が挿通されている。薬液処理用供給管８２およびリンス処理用供給管９２は、ともにその一端がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの裏面に近接する位置まで延びるとともに、他端が流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。
【００７２】
薬液処理用供給管８２およびリンス処理用供給管９２の一端側の先端部には、基板Ｗの裏面中央に向けて薬液およびリンス液を吐出する裏面薬液ノズル８１および裏面リンスノズル９１が設けられている。
【００７３】
裏面薬液ノズル８１から基板Ｗの裏面に薬液が吐出されることにより、基板Ｗの裏面が薬液処理される。また、裏面リンスノズル９１から基板Ｗの裏面にリンス液が吐出されることにより、基板Ｗの裏面がリンス処理される。
【００７４】
スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗのリンス処理に用いられたリンス液を回収して廃棄するための廃棄空間３１が形成されている。廃棄空間３１は、スピンチャック２１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
【００７５】
さらに、廃棄空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３との間に基板Ｗの薬液処理に用いられた薬液を回収して基板処理装置１００内で循環させるための循環液空間３２が形成されている。循環液空間３２は、廃棄空間３１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
【００７６】
廃棄空間３１には、後述する図４の廃棄装置４２０へリンス液を導くための廃棄管３４が接続され、循環液空間３２には、後述する図４の薬液貯留タンクＴＡへ薬液を導くための回収管３５が接続されている。
【００７７】
処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの薬液またはリンス液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が設けられている。このスプラッシュガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。スプラッシュガード２４の上端部の内面には、断面く字状の廃棄案内溝４１が環状に形成されている。
【００７８】
また、スプラッシュガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【００７９】
スプラッシュガード２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）により支持されている。ガード昇降駆動機構は、スプラッシュガード２４を、その上端部がスピンチャック２１の上端部とほぼ同じまたはスピンチャック２１の上端部よりも低い搬入搬出位置と、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する循環位置と、廃棄案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する廃棄位置との間で上下動させる。
【００８０】
スピンチャック２１上に基板Ｗが搬入される際、およびスピンチャック２１上から基板Ｗが搬出される際には、スプラッシュガード２４は搬入搬出位置に下降する。
【００８１】
スプラッシュガード２４が循環位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した薬液が回収液案内部４２により循環液空間３２に導かれ、回収管３５を通して薬液貯留タンクＴＡに送られる。
【００８２】
一方、スプラッシュガード２４が廃棄位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したリンス液が廃棄案内溝４１により廃棄空間３１に導かれ、廃棄管３４を通して廃棄装置４２０に送られる。
【００８３】
（３）  薬液処理およびリンス処理
上述のように、薬液ノズル５０およびリンスノズル７０は、その軸心５０Ｌ，７０Ｌが水平面に対して傾斜するように、スピンチャック２１の上方に固定されている。基板Ｗの表面に対する薬液およびリンス液の吐出は次のように行われる。なお、以下の説明では、基板Ｗの裏面に対する薬液処理およびリンス処理は省略する。
【００８４】
図３は、基板Ｗの表面に対する薬液処理およびリンス処理の様子を示す図である。図３（ａ）に縦断面図が示され、図３（ｂ）に上面図が示されている。
【００８５】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面に対する薬液処理およびリンス処理時には、薬液ノズル５０およびリンスノズル７０の各軸心５０Ｌ，７０Ｌに沿って薬液およびリンス液が吐出される。
【００８６】
この場合、薬液ノズル５０およびリンスノズル７０から吐出される薬液およびリンス液の吐出流量は後述する処理レシピにより予め設定されている。
【００８７】
それにより、薬液およびリンス液が予め設定された吐出流量で薬液ノズル５０およびリンスノズル７０から基板Ｗへ吐出されると、それらの液体は例えば一点鎖線の矢印Ｙａで示すようにほぼ放物線状の軌跡を描いて基板Ｗの中心部ＣＷに着液する。
【００８８】
これにより、薬液およびリンス液は、回転する基板Ｗの中心部ＣＷから遠心力により基板Ｗの表面全体に均一に広がる。それにより、基板Ｗの表面全体に均一に薬液処理およびリンス処理を行うことができる。
【００８９】
一方、薬液およびリンス液が予め設定された吐出流量で吐出されない場合には、それらの液体は、例えば点線の矢印Ｙｂで示すように矢印Ｙａとは異なる軌跡を描いて基板Ｗの中心部ＣＷ近傍から外れた位置に着液する。回転する基板Ｗには遠心力が働いているので、薬液およびリンス液は、基板Ｗの中心部ＣＷを含む基板Ｗの中央部には供給されない。それにより、基板Ｗの中央部では、薬液処理およびリンス処理が行なわれず、基板Ｗの周辺部のみにおいて当該処理が行なわれることになる。その結果、基板Ｗの処理が不均一となり、処理不良が発生する。
【００９０】
したがって、薬液ノズル５０およびリンスノズル７０より吐出される薬液およびリンス液の吐出流量は、後述する処理レシピにより設定された吐出流量で正確に制御される必要がある。薬液ノズル５０およびリンスノズル７０からの薬液およびリンス液の吐出流量を正確に制御する構成を以下に説明する。
【００９１】
なお、本実施形態では、薬液ノズル５０およびリンスノズル７０の各軸心５０Ｌ，７０Ｌは、水平面に対して傾斜するように設けられているが、これに限らず、薬液ノズル５０およびリンスノズル７０の各軸心５０Ｌ，７０Ｌが水平面に沿うように設けられていてもよい。あるいは、各軸心５０Ｌ，７０Ｌが鉛直方向に沿うように設けられていてもよく、この場合には、上述した薬液およびリンス液の着液点移動に起因する基板Ｗの処理不良の問題をなくすことができる。
【００９２】
（４）  基板処理装置の配管系統（概略）
初めに、本実施の形態に係る基板処理装置１００の配管系統の概略を説明する。図４は、図１の基板処理装置１００における配管の概略系統図である。
【００９３】
図４に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄの薬液処理用ノズル５０には、流体ボックス部２ａ〜２ｄ内の薬液分流機構３００へ延びる薬液処理用供給管６３が接続されている。洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、薬液処理用供給管６３には、バルブ６４が介挿されている。
【００９４】
また、裏面薬液ノズル８１には、薬液分流機構３００へ延びる薬液処理用供給管８２が接続されている。洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、薬液処理用供給管８２には、バルブ８３が介挿されている。
【００９５】
薬液分流機構３００には、さらに循環系ボックス部２Ｂ内の薬液貯留タンクＴＡへ延びる薬液処理用供給管１６３が接続されている。
【００９６】
薬液処理用供給管１６３には、循環系ボックス部２Ｂにおいて薬液分流機構３００側から順にフィルタＦ、昇圧ポンプＰ１および温度調節器２１０が介挿されている。薬液貯留タンクＴＡ内には、薬液としてフッ化水素水が貯留されている。
【００９７】
昇圧ポンプＰ１が動作すると、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が温度調節器２１０へ送られ、所定の温度に調整される。そして、温度が調整された薬液は、昇圧ポンプＰ１およびフィルタＦを通じて薬液分流機構３００へ送られる。
【００９８】
さらに、薬液は、薬液分流機構３００により分流され、薬液処理用供給管６３，８２へ送られる。これにより、バルブ６４，８３を開閉操作することにより基板Ｗの表面および裏面に薬液を供給することができる。
【００９９】
ここで、循環系ボックス部２Ｂにおいて、薬液分流機構３００と昇圧ポンプＰ１との間で薬液処理用供給管１６３に配管７６の一端が接続されている。配管７６の他端は薬液貯留タンクＴＡへ延びている。配管７６にはバルブ７７が介挿されている。
【０１００】
バルブ６４，８３を閉じるとともにバルブ７７を開くことにより、薬液貯留タンクＴＡからくみ上げられた薬液が、洗浄処理部５ａ〜５ｄに送られることなく再度薬液貯留タンクＴＡに貯留される。このように、薬液が薬液貯留タンクＴＡ、薬液処理用供給管１６３、昇圧ポンプＰ１、フィルタＦ、温度調節器２１０および配管７６を循環することにより、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が温度調節器２１０により所定の温度に維持されるとともに、フィルタＦにより清浄に保たれる。
【０１０１】
洗浄処理部５ａ〜５ｄのリンス処理用ノズル７０には、流体ボックス部２ａ〜２ｄのリンス液分流機構４００へ延びるリンス処理用供給管７４が接続されている。洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、リンス処理用供給管７４にはバルブ７５が介挿されている。
【０１０２】
また、裏面リンスノズル９１には、リンス液分流機構４００へ延びるリンス処理用供給管９２が接続されている。洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、リンス処理用供給管９２にはバルブ９３が介挿されている。
【０１０３】
リンス液分流機構４００には、さらに用力系ボックス部２Ａ内のリンス液供給源４１０へ延びるリンス処理用供給管１７４が接続されている。リンス処理用供給管１７４には、昇圧ポンプＰ２が介挿されている。
【０１０４】
用力系ボックス部２Ａにおいて、リンス液供給源４１０にリンス液として純水が供給される。これにより、昇圧ポンプＰ２が動作することにより、リンス液供給源４１０に供給されたリンス液が、リンス処理用供給管１７４およびリンス液分流機構４００を通じてリンス処理用供給管７４，９２に送られる。これにより、バルブ７５，９３を開閉操作することにより基板Ｗの表面および裏面にリンス液を供給することができる。
【０１０５】
処理カップ２３内の循環液空間３２には回収管３５が接続されている。回収管３５は、洗浄処理部５ａ〜５ｄから流体ボックス部２ａ〜２ｄを通って循環系ボックス部２Ｂの薬液貯留タンクＴＡへ延びている。流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいて、回収管３５には、ポンプＰ３が介挿されるとともにそのポンプＰ３を挟んで２つのフィルタＦが介挿されている。
【０１０６】
これにより、回収管３５に導かれた薬液は、フィルタＦにより清浄にされるとともに、ポンプＰ３により薬液貯留タンクＴＡに送られる。それにより、薬液処理に用いられた薬液が再度薬液貯留タンクＴＡに貯留される。
【０１０７】
また、処理カップ２３内の廃棄空間３１に廃棄管３４が接続されている。廃棄管３４は、洗浄処理部５ａ〜５ｄから流体ボックス部２ａ〜２ｄを通って用力系ボックス部２Ａの廃棄装置４２０へ延びている。
【０１０８】
これにより、廃棄系配管１３０に導かれたリンス液は、廃棄装置４２０に送られ、廃棄される。それにより、リンス処理に用いられたリンス液が廃棄される。
【０１０９】
上述のバルブ６４，７５，７７，８２，９２、昇圧ポンプＰ１，Ｐ２および温度調節器２１０の動作は図１の制御部４により制御されている。また、リンス液分流機構４００および薬液分流機構３００がバルブを含む構成を有する場合には、図１の制御部４がこれらを制御してもよい。
【０１１０】
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、薬液処理に用いられる薬液が循環しつつ再利用される。したがって、リンス液よりも高価な薬液を再利用することにより、基板Ｗの製造コストが低減される。
【０１１１】
本例では、リンス液分流機構４００、薬液分流機構３００、２つのフィルタＦおよびポンプＰ３が流体ボックス部２ａ〜２ｄ内に設けられ、昇圧ポンプＰ２、リンス液供給源４１０および廃棄装置４２０が用力系ボックス部２Ａ内に設けられ、バルブ７７、フィルタＦ、薬液貯留タンクＴＡ、昇圧ポンプＰ１および温度調節器２１０が循環系ボックス部２Ｂ内に設けられているが、これらの各構成部の配置は上記に限られない。
【０１１２】
特に、リンス液供給源４１０は、例えば工場のリンス液供給設備であってもよく、この場合には、リンス液供給源４１０が基板処理装置１００の外部、すなわち用力系ボックス部２Ａの外部に設けられる。
【０１１３】
また、廃棄装置４２０は、例えば工場の液体廃棄設備であってもよく、この場合には、廃棄装置４２０が基板処理装置１００の外部、すなわち用力系ボックス部２Ａの外部に設けられる。
【０１１４】
本実施の形態において、昇圧ポンプＰ１，Ｐ２は、図１の制御部４の制御信号に基づいて、その吐出流量（吐出圧力）を段階的または連続的に上昇および下降させることが可能なポンプである。昇圧ポンプＰ１，Ｐ２の吐出流量が変化することにより、薬液処理用供給管１６３およびリンス処理用供給管１７４内の圧力も変化する。
【０１１５】
図４の太い実線で示される配管系統を循環系統と称し、太い一点鎖線で示される配管系統を用力系統と称する。以下、循環系統および用力系統の詳細を個別に説明する。
【０１１６】
（５）  循環系統の詳細
図５は、図４の基板処理装置１００における循環系統（太い実線部）の詳細を示す図である。
【０１１７】
図５に示すように、本例では流体ボックス部２ａ〜２ｄ内に配置される薬液分流機構３００が、１つの主管部４０１ａおよび８つの分岐部４０１ｂを備えるマニホールド４０１により構成されている。
【０１１８】
図４では、薬液分流機構３００に接続される１つの薬液処理用供給管６３および１つの薬液処理用供給管８２が図示されているが、実際にはマニホールド４０１の複数の分岐部４０１ｂに複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄに対応する複数の薬液処理用供給管６３および複数の薬液処理用供給管８２が接続される。
【０１１９】
図５では、複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄに対応する構成要素を区別するために、それらの構成要素の符号の後ろにそれぞれａ〜ｄを付している。
【０１２０】
図５の薬液ノズル５０ａ〜５０ｄ、裏面薬液ノズル８１ａ〜８１ｄ、バルブ６４ａ〜６４ｄ，８３ａ〜８３ｄ、および薬液処理用供給管６３ａ〜６３ｄ，８２ａ〜８２ｄは、それぞれ図４の薬液ノズル５０、裏面薬液ノズル８１、バルブ６４，８３、および薬液処理用供給管６３，８２に相当する。
【０１２１】
薬液処理用供給管６３ａ〜６３ｄは、それぞれ洗浄処理部５ａ〜５ｄ内の薬液ノズル５０ａ〜５０ｄに接続されている。また、薬液処理用供給管８２ａ〜８２ｄは、それぞれ裏面薬液ノズル８１ａ〜８１ｄに接続されている。
【０１２２】
さらに、薬液処理用供給管６３ａ〜６３ｄ，８２ａ〜８２ｄには、それぞれバルブ６４ａ〜６４ｄ，８３ａ〜８３ｄが介挿されている。
【０１２３】
基板処理装置１００の稼動時には、例えば洗浄処理部５ａ〜５ｄ内で薬液処理が行われる。
【０１２４】
ここで、洗浄処理部５ａ〜５ｄの全てで薬液処理が行われている状態から、１つの洗浄処理部５ａで薬液処理が継続され、他の洗浄処理部５ｂ〜５ｄで薬液処理が停止すると、全ての薬液ノズル５０ａ〜５０ｄおよび裏面薬液ノズル８１ａ〜８１ｄが薬液を吐出する状態から、薬液ノズル５０ａおよび裏面薬液ノズル８１ａのみが薬液を吐出する状態に切り替わる。
【０１２５】
この場合、昇圧ポンプＰ１が一定の吐出流量で作動していると、昇圧ポンプＰ１と、複数のバルブ６４ａ〜６４ｄ，８３ａ〜８３ｄとを接続する配管の内部圧力が変化し、洗浄処理部５ａにおける薬液ノズル５０ａおよび裏面薬液ノズル８１ａの吐出流量が予め設定された値から変化する。具体的には、洗浄処理部５ａにおける薬液ノズル５０ａおよび裏面薬液ノズル８１ａの吐出流量が増加する。
【０１２６】
このように、基板Ｗへの薬液の吐出流量が変化すると、図３を用いて説明したように基板Ｗの処理不良が発生するおそれがある。
【０１２７】
そこで、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、図１の制御部４が、後述する処理レシピに基づいて昇圧ポンプＰ１の吐出流量を調整する。それにより、複数の薬液ノズル５０ａ〜５０ｄおよび裏面薬液ノズル８１ａ〜８１ｄのうち薬液を吐出している薬液ノズルの本数が変化しても、基板Ｗに吐出される薬液の流量が正確に調整される。
【０１２８】
（６）  用力系統の詳細
図６は、図４の基板処理装置１００における用力系統（一点鎖線部）の詳細を示す図である。
【０１２９】
図６に示すように、本例では流体ボックス部２ａ〜２ｄ内に配置されるリンス液分流機構４００が、１つの主管部４０２ａおよび８つの分岐部４０２ｂを備えるマニホールド４０２により構成されている。
【０１３０】
図４では、リンス液分流機構４００に接続される１つのリンス処理用供給管７４および１つのリンス処理用供給管９２が図示されているが、実際にはマニホールド４０２の複数の分岐部４０２ｂに、複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄに対応する複数のリンス処理用供給管７４および複数のリンス処理用供給管９２が接続される。
【０１３１】
図６では、複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄに対応する構成要素を区別するために、それらの構成要素の符号の後ろにそれぞれａ〜ｄを付している。
【０１３２】
図６のリンスノズル７０ａ〜７０ｄ、裏面リンスノズル９１ａ〜９１ｄ、バルブ７５ａ〜７５ｄ，９３ａ〜９３ｄ、およびリンス処理用供給管７４ａ〜７４ｄ，９２ａ〜９２ｄは、それぞれ図４のリンスノズル７０、裏面リンスノズル９１、バルブ７５，９３、およびリンス処理用供給管７４，９２に相当する。
【０１３３】
リンス処理用供給管７４ａ〜７４ｄは、それぞれ洗浄処理部５ａ〜５ｄ内のリンスノズル７０ａ〜７０ｄに接続されている。また、リンス処理用供給管９２ａ〜９２ｄは、それぞれ裏面リンスノズル９１ａ〜９１ｄに接続されている。
【０１３４】
さらに、リンス処理用供給管７４ａ〜７４ｄ，９２ａ〜９２ｄには、それぞれバルブ７５ａ〜７５ｄ，９３ａ〜９３ｄが介挿されている。
【０１３５】
基板処理装置１００の稼動時には、例えば洗浄処理部５ａ〜５ｄ内でリンス処理が行われる。
【０１３６】
ここで、洗浄処理部５ａ〜５ｄの全てでリンス処理が行われている状態から、洗浄処理部５ａのみでリンス処理が継続され、他の洗浄処理部５ｂ〜５ｄでリンス処理が停止すると、全てのリンスノズル７０ａ〜７０ｄおよび裏面リンスノズル９１ａ〜９１ｄがリンス液を吐出する状態からリンスノズル７０ａおよび裏面リンスノズル９１ａのみがリンス液を吐出する状態に切り替わる。
【０１３７】
この場合、昇圧ポンプＰ２が一定の吐出流量で作動していると、昇圧ポンプＰ２と、複数のバルブ７５ａ〜７５ｄ，９３ａ〜９３ｄとを接続する配管の内部圧力が変化し、洗浄処理部５ａにおけるリンスノズル７０ａおよび裏面リンスノズル９１ａの吐出流量が予め設定された値から変化する。具体的には、洗浄処理部５ａにおけるリンスノズル７０ａおよび裏面リンスノズル９１ａの吐出流量が増加する。
【０１３８】
このように、基板Ｗへのリンス液の吐出流量が変化すると、図３を用いて説明したように基板Ｗの処理不良を発生するおそれがある。
【０１３９】
そこで、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、図１の制御部４が、後述する処理レシピに基づいて昇圧ポンプＰ２を制御し、その吐出流量を調整する。それにより、複数のリンスノズル７０ａ〜７０ｄおよび裏面リンスノズル９１ａ〜９１ｄのうちリンス液を吐出しているリンスノズルの本数が変化しても、基板Ｗに吐出されるリンス液の流量が正確に調整される。
【０１４０】
（７）  基板処理装置の制御系
図１の基板処理装置１００の制御系の詳細を説明する。図７は、基板処理装置１００の制御系を説明するためのブロック図である。
【０１４１】
図７に示すように、制御部４は、例えばＣＰＵ７０１およびメモリ７０２を含む。なお、制御部４はマイクロコンピュータであってもよい。
【０１４２】
制御部４のＣＰＵ７０１には、操作パネル７１０が接続されている。作業者が操作パネル７１０を操作することにより、後述する処理レシピがＣＰＵ７０１に設定される。設定された処理レシピは、ＣＰＵ７０１によりメモリ７０２に記憶される。
【０１４３】
さらに、制御部４のＣＰＵ７０１には、洗浄処理部５ａ〜５ｄ、流体ボックス部２ａ〜２ｄ、用力系ボックス部２Ａおよび循環系ボックス部２Ｂの各構成部が接続される。これにより、ＣＰＵ７０１は、それらの各構成部の動作をメモリ７０２に記憶された処理レシピに基づいて制御する。
【０１４４】
なお、上述のように、本実施の形態において、制御部４は少なくとも用力系ボックス部２Ａおよび循環系ボックス部２Ｂの昇圧ポンプおよびバルブの動作を制御する。
【０１４５】
（８）  処理レシピに基づく制御
処理レシピについて説明する。図８は、処理レシピを説明するための図である。本実施の形態において、処理レシピは少なくとも基板処理装置１００の動作手順および動作条件を含む。
【０１４６】
図８（ａ）には、１つの洗浄処理部５ａの処理レシピの一部が表形式で示されている。また、図８（ｂ）には、図８（ａ）の処理レシピに基づく処理が時系列に示される。
【０１４７】
図８において、図５の薬液ノズル５０ａおよび裏面薬液ノズル８１ａを薬液ノズルと総称し、図６のリンスノズル７０ａおよび裏面リンスノズル９１ａをリンスノズルと総称する。
【０１４８】
図８（ａ）の処理レシピには、洗浄処理部５ａの動作手順および動作条件として、薬液ノズルおよびリンスノズルの吐出流量および時間が設定されている。
【０１４９】
図８の例では、基板の搬入時から０〜１０ｓｅｃの期間における薬液ノズルの吐出流量が０Ｌ／ｍｉｎに設定され、１０〜６０ｓｅｃの期間における薬液ノズルの吐出流量が２Ｌ／ｍｉｎに設定され、６０〜１５０ｓｅｃの期間における薬液ノズルの吐出流量が０Ｌ／ｍｉｎに設定されている。
【０１５０】
また、基板の搬入時から０〜７０ｓｅｃの期間におけるリンスノズルの吐出流量が０Ｌ／ｍｉｎに設定され、７０〜１２０ｓｅｃの期間におけるリンスノズルの吐出流量が５Ｌ／ｍｉｎに設定され、１２０〜１５０ｓｅｃの期間におけるリンスノズルの吐出流量が０Ｌ／ｍｉｎに設定されている。
【０１５１】
図７の制御部４は、図８の処理レシピに従って洗浄処理部５ａ内への基板Ｗの搬入ＭＶＩ、基板Ｗの薬液処理ＣＳ、基板Ｗのリンス処理ＲＩ、基板Ｗの乾燥処理ＤＲおよび基板Ｗの搬出ＭＶＯを制御する。
【０１５２】
ここでは、他の洗浄処理部５ｂ〜５ｄにも、図８と同様の処理レシピが設定されているものとする。以下の説明では、薬液ノズル５０ａおよび裏面薬液ノズル８１ａと同様に、図５の薬液ノズル５０ｂ〜５０ｄおよび裏面薬液ノズル８１ｂ〜８１ｄを薬液ノズルと総称し、リンスノズル７０ａおよび裏面リンスノズル９１ａと同様に、図６のリンスノズル７０ｂ〜７０ｄおよび裏面リンスノズル９１ｂ〜９１ｄをリンスノズルと総称する。
【０１５３】
制御部４は、予め複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄに対応する処理レシピに基づいて複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの動作手順および動作条件を決定するとともに図５の昇圧ポンプＰ１および図６の昇圧ポンプＰ２の吐出量を決定する。本実施の形態では、昇圧ポンプＰ１，Ｐ２の吐出量をフィードフォワード制御するために、処理レシピに基づいて昇圧ポンプＰ１，Ｐ２の吐出量を実際に昇圧ポンプＰ１，Ｐ２を制御する前に決定する。
【０１５４】
具体的には、制御部４は、複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理レシピに基づいて、洗浄処理部５ａ〜５ｄ内への基板Ｗの搬入ＭＶＩのタイミング、基板Ｗの薬液処理ＣＳのタイミングおよび薬液ノズルの吐出流量、基板Ｗのリンス処理ＲＩのタイミングおよびリンスノズルの吐出流量、基板Ｗの乾燥処理ＤＲのタイミング、ならびに基板Ｗの搬出ＭＶＯのタイミングを決定する。
【０１５５】
また、制御部４は、複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理レシピに設定された薬液処理ＣＳのタイミングおよび薬液ノズルの吐出流量に基づいて予め昇圧ポンプＰ１の吐出量を決定するとともに、複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理レシピに設定されたリンス処理ＲＩのタイミングおよびリンスノズルの吐出流量に基づいて予め昇圧ポンプＰ２の吐出量を決定する。
【０１５６】
この場合、制御部４は、同時に薬液を吐出する薬液ノズルの数および各薬液ノズルの吐出流量に基づいて昇圧ポンプＰ１の吐出量を決定する。同様に、制御部４は、同時にリンス液を吐出するリンスノズルの数および各リンスノズルの吐出流量に基づいて昇圧ポンプＰ２の吐出量を決定する。
【０１５７】
制御部４は、基板Ｗの処理時に、予め決定された複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの動作タイミングおよび条件に従って複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄを制御するとともに、予め決定された昇圧ポンプＰ１，Ｐ２の吐出量に従って昇圧ポンプＰ１，Ｐ２を制御する。
【０１５８】
図９は複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理レシピに基づいて決定された複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの動作タイミングおよび昇圧ポンプＰ１，Ｐ２の吐出量を示す図である。
【０１５９】
図９に示すように、洗浄処理部５ａの薬液処理ＣＳの開始時に昇圧ポンプＰ１の吐出量が２Ｌ／ｍｉｎに設定され、洗浄処理部５ｂの薬液処理ＣＳの開始時に昇圧ポンプＰ１の吐出量が４Ｌ／ｍｉｎに設定され、洗浄処理部５ｃの薬液処理ＣＳの開始時に昇圧ポンプＰ１の吐出量が６Ｌ／ｍｉｎに設定される。
【０１６０】
洗浄処理部５ａの薬液処理ＣＳの終了時に昇圧ポンプＰ１の吐出量が４Ｌ／ｍｉｎに設定され、洗浄処理部５ｄの薬液処理ＣＳの開始時に昇圧ポンプＰ１の吐出量が再び６Ｌ／ｍｉｎに設定され、洗浄処理部５ｂの薬液処理ＣＳの終了時に昇圧ポンプＰ１の吐出量が４Ｌ／ｍｉｎに設定される。
【０１６１】
洗浄処理部５ｃの薬液処理ＣＳの終了時に昇圧ポンプＰ１の吐出量が２Ｌ／ｍｉｎに設定され、洗浄処理部５ｄの薬液処理ＣＳの終了時に昇圧ポンプＰ１の吐出量が１Ｌ／ｍｉｎに設定される。
【０１６２】
なお、いずれの洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいても薬液処理ＣＳが行なわれていない期間（非薬液処理期間：０〜約８秒および約１２０〜１７０秒）においても、昇圧ポンプＰ１の吐出量は１Ｌ／ｍｉｎに設定されている。これは、上記非薬液処理期間においては、上述したように、薬液の温度維持のためにバルブ７７を開いて配管７６中に薬液を循環させるために、昇圧ポンプＰ１を１Ｌ／ｍｉｎ程度の吐出流量で運転する必要があるからである。
【０１６３】
同様に、洗浄処理部５ａのリンス処理ＲＩの開始時に昇圧ポンプＰ２の吐出量が５Ｌ／ｍｉｎに設定され、洗浄処理部５ｂのリンス処理ＲＩの開始時に昇圧ポンプＰ２の吐出量が１０Ｌ／ｍｉｎに設定され、洗浄処理部５ｃのリンス処理ＲＩの開始時に昇圧ポンプＰ２の吐出量が１５Ｌ／ｍｉｎに設定される。
【０１６４】
洗浄処理部５ａのリンス処理ＲＩの終了時に昇圧ポンプＰ２の吐出量が１０Ｌ／ｍｉｎに設定され、洗浄処理部５ｄのリンス処理ＲＩの開始時に昇圧ポンプＰ２の吐出量が再び１５Ｌ／ｍｉｎに設定され、洗浄処理部５ｂのリンス処理ＲＩの終了時に昇圧ポンプＰ２の吐出量が１０Ｌ／ｍｉｎに設定される。
【０１６５】
洗浄処理部５ｃのリンス処理ＲＩの終了時に昇圧ポンプＰ２の吐出量が５Ｌ／ｍｉｎに設定され、洗浄処理部５ｄのリンス処理ＲＩの終了時に昇圧ポンプＰ２の吐出量が０Ｌ／ｍｉｎに設定される。
【０１６６】
この場合、昇圧ポンプＰ１，Ｐ２の実際の吐出量が予め決定された吐出量になまでに一定の遅延時間ＤＴが生じる。したがって、制御部４は、昇圧ポンプＰ１，Ｐ２の吐出量を所定のタイミングで変化させる場合には、そのタイミングよりも遅延時間ＤＴ前に吐出量の変化開始点および変化の傾きを設定する。
【０１６７】
このように、本実施の形態では、複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理レシピに基づいて昇圧ポンプＰ１，Ｐ２の吐出量が予め決定されるので、各薬液ノズルおよび各リンスノズルの実際の吐出量を正確かつ確実に調整することができる。
【０１６８】
なお、複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理レシピに基づく昇圧ポンプＰ１，Ｐ２の吐出量の決定のタイミングは、各薬液ノズルおよび各リンスノズルの吐出流量の変化時点から遅延時間ＤＴ以上前の時点であれば、特に限定されない。例えば、制御部４は、複数の洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理レシピが操作パネル７１０を用いて作業者により設定された時点で昇圧ポンプＰ１，Ｐ２の吐出量の変化を決定し、決定された吐出量の変化をメモリ７０２に記憶させてもよい。
【０１６９】
なお、上述の実施形態における昇圧ポンプＰ１，Ｐ２としては、ベローズポンプ、ダイヤフラムポンプ、マグネットポンプなどのポンプのうちのいずれを用いてもよい。
【０１７０】
（９）  効果
上記のように、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、複数の薬液ノズルおよびリンスノズルが基板Ｗ上に薬液およびリンス液を吐出する前に、予め設定された処理レシピに基づいて薬液処理用供給管１６３およびリンス処理用供給管１７４における流量が決定される。そして、制御部４は、決定された流量に基づいて昇圧ポンプＰ１，Ｐ２を制御する。その結果、制御遅れを生じることなく、各ノズルにより基板Ｗに吐出される薬液またはリンス液の流量が正確に制御される。
【０１７１】
（１０）  基板処理装置に用いられる薬液
本実施の形態では、フッ化水素水は、例えば基板Ｗの表面をエッチングして洗浄するために用いられる。他の薬液例を以下に示す。
【０１７２】
薬液としては、基板Ｗの表面に形成されたポリマーを除去するためのフッ化アンモニウムを含む溶液、例えばフッ化アンモニウムおよびリン酸を含む混合溶液を用いることができる。
【０１７３】
また、基板Ｗの現像処理を行うためのＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等のアルカリ性溶液または酢酸ブチル等の酸性溶液を薬液として用いることができる。
【０１７４】
さらに、基板Ｗの表面に形成されたレジストを剥離するための硫酸過水またはオゾン水を薬液として用いることができる。
【０１７５】
また、基板Ｗの表面をエッチングまたは洗浄するためのＢＨＦ、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、アンモニア、クエン酸、過酸化水素水もしくはＴＭＡＨ等の水溶液、またはそれらの混合溶液を薬液として用いることができる。
【０１７６】
さらに、薬液として、アンモニア過水または塩酸過水を用いることもできる。
【０１７７】
（１１）  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以上、本発明の一実施の形態においては、スピンチャック２１が基板保持手段に相当し、薬液およびリンス液が処理液に相当し、薬液ノズル５０，５０ａ〜５０ｄ、リンスノズル７０，７０ａ〜７０ｄ、裏面薬液ノズル８１，８１ａ〜８１ｄおよび裏面リンスノズル９１，９１ａ〜９１ｄが複数の処理液供給ノズルに相当する。
【０１７８】
また、薬液処理用供給管６３，１６３，６３ａ〜６３ｄ、薬液処理用供給管８２，８２ａ〜８２ｄ、薬液分流機構３００および薬液貯留タンクＴＡ、ならびに、リンス処理用供給管７４，１７４，７４ａ〜７４ｄ、リンス処理用供給管９２，９２ａ〜９２ｄ、リンス液分流機構４００およびリンス液供給源４１０が処理液供給系に相当し、ＣＰＵ７０１が制御手段に相当し、メモリ７０２が記憶手段に相当する。
【０１７９】
さらに、昇圧ポンプＰ１，Ｐ２が流量調整手段に相当し、薬液ノズル５０，５０ａ〜５０ｄおよびリンスノズル７０，７０ａ〜７０ｄが上部ノズルに相当し、裏面薬液ノズル８１，８１ａ〜８１ｄおよび裏面リンスノズル９１，９１ａ〜９１ｄが下部ノズルに相当する。
【０１８０】
また、回収管３５および薬液貯留タンクＴＡが循環系に相当し、廃棄管３４および廃棄装置４２０が廃棄系に相当する。
【産業上の利用可能性】
【０１８１】
本発明に係る基板処理装置は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板製造等のために利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図３】基板の表面に対する薬液処理およびリンス処理の様子を示す図である。
【図４】図１の基板処理装置における配管の概略系統図である。
【図５】図４の基板処理装置における循環系統（太い実線部）の詳細を示す図である。
【図６】図４の基板処理装置における用力系統（一点鎖線部）の詳細を示す図である。
【図７】基板処理装置の制御系を説明するためのブロック図である。
【図８】処理レシピを説明するための図である。
【図９】複数の洗浄処理部の処理レシピに基づいて決定された複数の洗浄処理部の動作タイミングおよび昇圧ポンプの吐出量を示す図である。
【図１０】特許文献１に記載された基板処理装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１８３】
４  制御部
２１  スピンチャック
３４  廃棄管
３５  回収管
５０，５０ａ〜５０ｄ  薬液ノズル
７０，７０ａ〜７０ｄ  リンスノズル
８１，８１ａ〜８１ｄ  裏面薬液ノズル
９１，９１ａ〜９１ｄ  裏面リンスノズル
６３，８２，１６３，６３ａ〜６３ｄ，８２ａ〜８２ｄ  薬液処理用供給管
７４，９２，１７４，７４ａ〜７４ｄ，９２ａ〜９２ｄ  リンス処理用供給管
１００  基板処理装置
３００  薬液分流機構
４００  リンス液分流機構
４１０  リンス液供給源
４２０  廃棄装置
７０１  ＣＰＵ
７０２  メモリ
ＤＴ  所定時間
ＴＡ  薬液貯留タンク
Ｐ１，Ｐ２  昇圧ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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