(57)【要約】【課題】Ｃｕ配線への無電解めっき膜の選択析出性を向上することにより、配線間リークの低減等を図り、信頼性の高い半導体装置を得ることができる無電解めっき膜の形成方法及び形成装置を提供する。【解決手段】加熱機構１０によりウエハ７に形成されたＣｕ配線のみを加熱する。次にノズル９から無電解めっき液を吐出し、Ｃｕ配線上に無電解めっき膜を形成する。加熱されたＣｕ配線上では無電解めっき膜の形成が進行し、Ｃｕ配線上以外の部分では無電解めっき膜の形成は抑制される。その結果、無電解めっき膜のＣｕ配線上への選択析出性を向上することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に露出した表面を有する金属配線の前記表面上に無電解めっき膜を形成する無電解めっき膜の形成方法であって、
（ａ）前記金属配線のみを加熱する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後に、無電解めっき液を前記絶縁膜上に付与することにより、前記金属配線の前記表面上に無電解めっき膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする無電解めっき膜の形成方法。
【請求項２】
（ｃ）前記工程（ａ）の前に、前記絶縁膜が設けられた基板を冷却する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の無電解めっき膜の形成方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）は、前記金属配線上への前記無電解めっき膜の析出開始後に、前記無電解めっき液の温度を下げる工程をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の無電解めっき膜の形成方法。
【請求項４】
前記工程（ａ）は、波長領域が３８０ｎｍから６００ｎｍのレーザ光を照射することにより前記金属配線のみを加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の無電解めっき膜の形成方法。
【請求項５】
前記工程（ａ）は、波長領域が３８０ｎｍから６００ｎｍのランプ光を照射することにより前記金属配線のみを加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の無電解めっき膜の形成方法。
【請求項６】
（ｄ）前記工程（ｂ）の前に、Ｐｄ吸着前処理液を前記絶縁膜上に付与する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の無電解めっき膜の形成方法。
【請求項７】
前記工程（ｄ）は、前記金属配線上へのＰｄの析出開始後に、前記Ｐｄ吸着前処理液のＰｄ濃度を低下させる工程をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の無電解めっき膜の形成方法。
【請求項８】
絶縁膜上に露出した表面を有する金属配線の前記表面上に無電解めっき膜を形成する無電解めっき膜の形成装置であって、
前記絶縁膜が設けられた基板を配置するステージと、
前記ステージ上に配置される前記基板の前記絶縁膜上に無電解めっき液を吐出するノズルと、
前記ステージに対向して配置され、前記基板の前記金属配線のみを加熱する加熱機構と、
を備えることを特徴とする無電解めっき膜の形成装置。
【請求項９】
前記ステージは、冷却機構を備えることを特徴とする請求項８に記載の無電解めっき膜の形成装置。
【請求項１０】
前記加熱機構は、波長領域が３８０ｎｍから６００ｎｍのレーザ光照射機構であることを特徴とする請求項８又は９に記載の無電解めっき膜の形成装置。
【請求項１１】
前記加熱機構は、波長領域が３８０ｎｍから６００ｎｍのランプ光照射機構であることを特徴とする請求項８又は９に記載の無電解めっき膜の形成装置。
【請求項１２】
前記基板上にＰｄ吸着前処理液を吐出するノズルをさらに備えることを特徴とする請求項８から１１の何れかに記載の無電解めっき膜の形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解めっき膜の形成方法及び形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体のサイズが縮小するのに伴い、従来のＡｌに変えて高速化、エレクトロマイグレーション耐性に優れるＣｕが金属配線に用いられてきている。Ｃｕ配線の形成は、ダマシン法、すなわち、ドライエッチングにより層間絶縁膜に形成したトレンチ部に、バリアメタル層、Ｃｕシード層をウエハ全面に成膜後、電気めっき法にてウエハ全面にＣｕ膜を成膜し、その後層間絶縁膜上のＣｕ膜をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）で研磨することにより行われる。
【０００３】
そして、ＣＭＰ後のウエハ全面に、窒化シリコン、炭化シリコンなどを成膜することで、Ｃｕの拡散防止を図っているが、界面でのエレクトロマイグレーション耐性の低下、及び窒化シリコン、炭化シリコン自体の誘電率に起因したＲＣ遅延が大きくなる問題があった。
【０００４】
そのため、Ｃｕ拡散防止、エレクトロマイグレーション耐性確保、ＲＣ遅延改善のため、無電解めっきによるＣｕ配線上へのキャップメタルの形成が提案されている（例えば、非特許文献１、２参照）。
【０００５】
【非特許文献１】石上隆司  他、“低汚染ＣｏＷＰキャップを用いた高信頼性銅配線”第１０回ＬＳＩ配線における原子輸送及び応力問題研究会プログラム、ｐ．１１
【非特許文献２】石上隆司  他、“低汚染ＣｏＷＰキャップを用いた高信頼性銅配線”半導体・集積回路技術第６６回シンポジウム講演論文集、ｐ．１４−１７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
無電解めっきによるキャップメタルとして、ＣｏＷＰ、ＣｏＭｏＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＭｏＢ、ＣｏＢＰなどがある。
【０００７】
無電解めっき液（めっき液）の還元剤として次亜リン酸ナトリウムが一般的に用いられている。しかし、次亜リン酸ナトリウムは、Ｃｕ配線上で反応が進行しない不活性な還元剤であるため、Ｃｕ配線上には直接めっきができない。
【０００８】
そのため、Ｐｄ吸着前処理が必要である。Ｐｄは活性な金属であるため、Ｃｕ配線部への析出は容易である一方で、絶縁膜上への析出が懸念される。
【０００９】
還元剤としてジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）を用いると、Ｐｄ吸着前処理を行わなくてもＣｕ配線上での無電解めっき反応は進行するが、孤立した微細配線への析出性に劣り、状況によっては全く析出しないときもある。
【００１０】
そして、孤立微細配線への析出性を向上させるため、めっき時間の延長、めっき液中の錯化剤濃度減少等の対策を行うと、絶縁膜上への析出が起こりやすくなる。
【００１１】
以上から、Ｃｕ配線部での析出性向上と絶縁膜上での析出性抑制はトレードオフの関係になっている。
【００１２】
そして、絶縁膜上に析出した金属部分は配線間リーク電流を増加させ、半導体装置の信頼性を低下させる。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、Ｃｕ配線上への無電解めっき膜の選択析出性を向上することにより、配線間リークの低減等を図り、信頼性の高い半導体装置を得ることができる無電解めっき膜の形成方法及び処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に記載の発明は、絶縁膜上に露出した表面を有する金属配線の前記表面上に無電解めっき膜を形成する無電解めっき膜の形成方法であって、（ａ）前記金属配線のみを加熱する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後に、無電解めっき液を前記絶縁膜上に付与することにより、前記金属配線の前記表面上に無電解めっき膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、絶縁膜上に露出した表面を有する金属配線の前記表面上に無電解めっき膜を形成する無電解めっき膜の形成装置であって、前記絶縁膜が設けられた基板を配置するステージと、前記ステージ上に配置される前記基板の前記絶縁膜上に無電解めっき液を吐出するノズルと、前記ステージに対向して配置され、前記基板の前記金属配線のみを加熱する加熱機構と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１に記載の発明によれば、金属配線のみ加熱した後に、無電解めっき膜を形成している。そのため、金属配線上での無電解めっき反応が加速され、絶縁膜上での無電解めっき反応は抑制される。その結果、選択析出性に優れた無電解めっき膜の形成が可能になる。
【００１７】
請求項８に記載の発明によれば、金属配線のみ加熱した後に、基板の絶縁膜上に無電解めっき液を吐出できる。そのため、金属配線上での無電解めっき反応を加速し、絶縁膜上での無電解めっき反応を抑制できる。その結果、選択析出性に優れた無電解めっき膜の形成が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜実施の形態１＞
＜Ａ．無電解めっき膜の形成装置２０の構成＞
図１は、本実施の形態１に係る無電解めっき膜の形成装置２０の構成を示す断面図である。
【００１９】
無電解めっき膜の形成装置２０は、前処理、Ｃｕ配線１４（金属配線、後述の図４参照）の加熱、無電解めっき膜の形成が同一チャンバー１７内で実施できるように構成されている。
【００２０】
チャンバー１７内には、ウエハ７（基板）を保持するためのステージ８が設けられている。ステージ８には、回転機構及び冷却機構が設けられている。冷却機構は、ステージ８と一体化しており、例えば、ステージ８内に冷却液を流すことによりウエハ７を冷却できるように構成されている。
【００２１】
そして、チャンバー１７内には、前処理液、無電解めっき液、純水を吐出するためのノズル９が設けられている。ノズル９は、前処理液、無電解めっき液、純水等のタンクに接続され、必要に応じてこれらの液を切り替えて吐出できるように構成されている。
【００２２】
また、ノズル９は、ウエハ７に平行に移動できるように構成され、ウエハ７の全面に無電解めっき液等を吐出できるように構成されている。
【００２３】
チャンバー１７内にウエハ７と対向するように、加熱機構１０が設けられている。加熱機構１０は、レーザ光を照射するレーザ光照射機構や、キセノンランプ等のランプ光照射機構である。
【００２４】
また、チャンバー１７には、排液ライン１１、チャンバー１７内の雰囲気を非酸化性雰囲気に維持するための還元性ガスをチャンバー１７内に導入するためのガス系ライン１２も設置されている。
【００２５】
＜Ｂ．無電解めっき膜の形成方法＞
次に、無電解めっき膜の形成装置２０を用いて、層間絶縁膜４上に露出した表面を有するＣｕ配線１４の表面に無電解めっき膜を形成する無電解めっき膜の形成方法について説明する。
【００２６】
本実施の形態１に係る無電解めっき膜の形成方法は、還元剤としてジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）を用い、Ｐｄ吸着前処理を行わない形成方法である。
【００２７】
まず、ウエハ７上のＣｕ配線１４の形成方法について説明する。図２から図４、及び図７は、一般的なダマシン法によるＣｕ配線の形成工程を示す図である。ここで、図２から図４及び図７は、ウエハ７上に形成されるＣｕ配線近傍の断面図を示している。
【００２８】
まず、図２に示す工程では、Ｃｕ配線１４を形成する層の下層の層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５に形成された下部配線６上にライナー膜５を形成する。そして、ライナー膜５上に層間絶縁膜４を形成する。
【００２９】
次に、ドライエッチングにより層間絶縁膜４にトレンチ部１３を形成し、ＣＶＤ，ＰＶＤ法等により、トレンチ部１３にバリアメタル層３、Ｃｕシード層２を順に形成する。バリアメタル層３としては、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗなどを用いる。
【００３０】
次に、図３に示す工程では、電気めっき法によりウエハ７の全面にＣｕめっき膜１を成膜する。
【００３１】
続いて図４に示す工程では、層間絶縁膜４上のＣｕめっき膜１をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により研磨し、Ｃｕ配線１４を形成する。
【００３２】
以上説明した工程により、Ｃｕ配線１４が形成されたウエハ７が準備される。
【００３３】
次に、無電解めっき膜の形成装置２０を用いて、無電解めっき法により、Ｃｕ配線１４上に無電解めっき膜であるキャップメタル１６（後述の図７参照）を形成する。
【００３４】
まず、Ｃｕ配線１４が形成されたウエハ７を、無電解めっき膜の形成装置２０のステージ８上に配置する。
【００３５】
ここで、ＣＭＰの薬液には、Ｃｕ配線１４の腐食抑制のためにベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）などの防食剤が含まれており、ＣＭＰ後のウエハ表面に残留する。
【００３６】
そこで、防食剤の除去及びＣｕ表面の活性化のために、無電解めっきの前に、クエン酸、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等を含有する薬液での前処理を行う。
【００３７】
次に、前処理後の層間絶縁膜４が設けられたウエハ７を、ステージ８の冷却機構により、非酸化性雰囲気のチャンバー１７内にて冷却後、Ｃｕ配線１４のみを加熱する。前処理で活性化したＣｕ表面の酸化を防ぐため、加熱は非酸化性雰囲気で行う。
【００３８】
＜Ｂ−１．Ｃｕ配線１４の加熱方法＞
ここで、Ｃｕ配線１４のみ加熱する方法について説明する。
【００３９】
図５は、Ｃｕに照射されたレーザ光の波長と反射率の関係を示す図である。吸収率は、１００％−反射率となるので、図５から波長６００ｎｍ以下のレーザ光の照射によりＣｕが加熱されることがわかる。
【００４０】
一方、Ｓｉ系の酸化膜は、この波長領域のレーザ光を透過するため、層間絶縁膜４のレーザ光による温度上昇は起こらない。
【００４１】
しかし、紫外線領域では、層間絶縁膜４の結合に変化を及ぼす可能性があるため、波長領域は３８０ｎｍ〜６００ｎｍが好ましい。そこで、本実施の形態１では、固体半導体励起のグリーンレーザ光（波長５３２ｎｍ）を用いている。
【００４２】
図６は、レーザ径１００μｍ、照射時間１０ｎｍとしたときの、レーザパワー、Ｃｕ膜厚、Ｃｕの上昇温度の関係を示す図である。
【００４３】
例えば、図６から、レーザパワーが１μＪであれば、膜厚が０．２μｍのＣｕ配線１４は９０℃になる。
【００４４】
以上から、グリーンレーザ光を照射することで、Ｃｕ配線１４のみを加熱することができる。
【００４５】
＜Ｂ−２．無電解めっき膜の形成＞
グリーンレーザ光の照射によりウエハ７のＣｕ配線１４のみを加熱した後、ステージ８を回転しつつノズル９から加熱した無電解めっき液をウエハ７全面に吐出し続け、無電解めっきを行う。
【００４６】
無電解めっきには、硫酸コバルト、タングステン酸、クエン酸、ＤＭＡＢ等を含有する無電解めっき液を用いる。無電解めっき液の温度は５０〜９０℃、より好ましくは７０〜９０℃である。
【００４７】
無電解めっき液が層間絶縁膜４上に付与されると、加熱されたＣｕ配線１４の表面上に選択的に無電解めっき膜であるキャップメタル１６が析出する。
【００４８】
以上の工程により、図７に示すように、キャップメタル１６がＣｕ配線１４の表面上に選択的に形成される。
【００４９】
＜Ｃ．効果＞
次に、図８を参照して、本実施の形態１に係る無電解めっき膜の形成方法の効果について説明する。
【００５０】
図８は、ウエハ温度と無電解めっき膜の析出開始温度の関係を示す図である。析出開始時間は、破線の場合の析出開始時間を１とした相対値により示している。
【００５１】
図８に示すように、ウエハ温度が高くなると、無電解めっき膜の析出開始時間が短くなる。そのため、加熱したＣｕ配線１４での無電解めっき反応は加速される。一方、加熱してない層間絶縁膜４では、無電解めっき反応は抑制される。
【００５２】
本実施の形態１に係る無電解めっきの形成方法では、Ｃｕ配線１４のみ加熱して、無電解めっき膜を形成している。
【００５３】
そのため、Ｃｕ配線１４での無電解めっき反応が加速され、層間絶縁膜４上での無電解めっき反応は抑制される。その結果、選択析出性に優れた無電解めっき膜の形成が可能になる。
【００５４】
本実施の形態１に係る無電解めっきの形成方法では、Ｃｕ配線１４のみを加熱する前に、ウエハ７を冷却する工程を備えている。
【００５５】
そのため、層間絶縁膜４とＣｕ配線１４の温度差を大きくすることができる。その結果、無電解めっき膜の選択析出性をより向上することができる。
【００５６】
また、Ｃｕ配線１４上への無電解めっき膜の析出開始後に、無電解めっき液の温度を低下させてもよい。
【００５７】
例えば、高温の無電解めっき液が入ったタンク、低温の無電解めっき液が入ったタンクをそれぞれノズル９に接続し、高温の無電解めっき液を吐出したのちに、低温の無電解めっき液のタンクに接続を切り替えて吐出するようにすることで構成できる。
【００５８】
Ｃｕ配線１４のめっき反応速度は低下するものの、層間絶縁膜４上での反応抑制効果はさらに高まる。これにより、無電解めっき膜の選択析出性はさらに高まる。
【００５９】
本実施の形態１に係る無電解めっき膜の形成方法では、波長領域が３８０ｎｍから６００ｎｍのレーザ光を照射することによりＣｕ配線１４のみを加熱しているので、層間絶縁膜４の結合に変化を及ぼすことなく、Ｃｕ配線１４のみを加熱できる。
【００６０】
なお、レーザ光に代えて、ランプ光を用いてもよい。レーザ光ではウエハ全面へのスキャンが必要となるが、ランプ光ではウエハ全面を容易に加熱できる。例えば、キセノンランプのランプ光の波長領域は２５０〜１０００ｎｍ以上となるが、フィルターなどを用いれば、任意の波長を容易に選択できる。３８０ｎｍ〜６００ｎｍの波長領域を選択することで、層間絶縁膜４の結合に変化を及ぼすことなく、Ｃｕ配線１４のみを加熱できる。
【００６１】
また、本実施の形態１に係る無電解めっき膜の形成方法では、Ｃｕ配線１４について説明したが、配線材料はＣｕに限られるものではなく、他の金属材料であってもよい。Ｃｕ以外の金属材料であっても、温度に対する析出開始時間の傾向は図８と同様であることがわかっており、本実施の形態１に係る無電解めっきの形成方法を適用することで、無電解めっき膜の選択析出性を向上できる。
【００６２】
本実施の形態１に係る無電解めっき膜の形成装置は、ステージ８に対向して配置され、Ｃｕ配線１４のみを加熱する加熱機構１０を備えているので、Ｃｕ配線１４のみを加熱して、無電解めっき膜を形成できる。
【００６３】
そのため、Ｃｕ配線１４での無電解めっき反応が加速され、層間絶縁膜４上での無電解めっき反応は抑制される。その結果、選択析出性に優れた無電解めっき膜の形成が可能になる。
【００６４】
本実施の形態１に係る無電解めっき膜の形成装置は、ステージ８が冷却機構を備えているので、Ｃｕ配線１４を加熱する前に、ウエハ７を冷却できる。そのため、層間絶縁膜４とＣｕ配線１４の温度差を大きくすることができる。その結果、無電解めっき膜の選択析出性をより向上することができる。
【００６５】
本実施の形態１に係る無電解めっき膜の形成装置２０の加熱機構１０は、波長領域が３８０ｎｍから６００ｎｍのレーザ光のレーザ光照射機構であるので、層間絶縁膜４の結合に変化を及ぼすことなく、Ｃｕ配線１４のみを加熱できる。
【００６６】
なお、前述したように、加熱機構１０は、前述したレーザ光を照射するレーザ光照射機構ではなく、ランプ光を照射するランプ光照射機構であってもよい。
【００６７】
＜実施の形態２＞
＜Ａ．無電解めっき膜の形成装置２０の構成＞
本実施の形態２では、還元剤として、次亜リン酸ナトリウムを用いる。そのため、無電解めっき液の吐出前にＰｄ吸着前処理を行う。
【００６８】
本実施の形態２に係る無電解めっき膜の形成装置は、無電解めっき膜の形成装置２０（図１参照）と略同様であり、Ｐｄ吸着前処理液を吐出するためのノズルのみを追加している。
【００６９】
若しくは新たなノズルを追加せず、ノズル９にＰｄ吸着前処理液のタンクをさらに接続し、ノズル９からＰｄ吸着前処理液を切り替えて吐出できるように構成してもよい。
【００７０】
＜Ｂ．無電解めっき膜の形成方法＞
次に、無電解めっき膜の形成方法について説明する。
【００７１】
Ｃｕ配線１４（図４参照）を形成後、Ｃｕ配線１４のみを加熱するまでは、実施の形態１と同様である。
【００７２】
次に、Ｃｕ配線１４のみを加熱後、塩化パラジウムを含有する薬液にてＰｄ吸着前処理を行う。すなわち、Ｐｄ吸着前処理液を層間絶縁膜４が設けられたウエハ７上に付与する。Ｐｄ吸着前処理液は、特に加熱する必要はなく、常温付近の温度で問題ない。
【００７３】
加熱したＣｕ配線１４上でのＰｄ吸着反応は加速される。一方で、加熱していない層間絶縁膜４上では、反応は抑制される。
【００７４】
次に、ウエハ７を水洗後、無電解めっき液をウエハ７上に吐出し無電解めっきを行う。
【００７５】
以上の工程により、図７に示すように、キャップメタル１６がＣｕ配線１４上に形成される。
【００７６】
＜Ｃ．効果＞
本実施の形態２に係る無電解めっき膜の形成方法は、Ｃｕ配線１４のみを加熱してＰｄ吸着前処理を行っている。
【００７７】
そのため、加熱したＣｕ配線１４上に選択的にＰｄが析出する。そして、無電解めっきはＰｄを核として進行するので、選択析出性に優れた無電解めっきが可能となる。
【００７８】
なお、Ｃｕ配線１４でのＰｄの析出開始後、Ｐｄ吸着前処理液のＰｄ濃度を低下させてもよい。Ｃｕ配線１４のＰｄ吸着速度は低下するものの、層間絶縁膜４上での反応抑制効果はさらに高まる。その結果、無電解めっき膜の選択析出性はより高まる。
【００７９】
本実施の形態２に係る無電解めっき膜の形成装置は、ウエハ７上にＰｄ吸着前処理液を吐出するノズルをさらに備えているので、Ｃｕ配線１４のみを加熱してＰｄ吸着前処理を行うことができる。そのため、加熱したＣｕ配線１４上に選択的にＰｄが析出する。そして、無電解めっきはＰｄを核として進行するので、選択析出性に優れた無電解めっきが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】実施の形態１に係る無電解めっき膜の形成装置の構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１に係るＣｕ配線上へのキャップメタルの形成工程を示す断面図である。
【図３】実施の形態１に係るＣｕ配線上へのキャップメタルの形成工程を示す断面図である。
【図４】実施の形態１に係るＣｕ配線上へのキャップメタルの形成工程を示す断面図である。
【図５】実施の形態１に係るレーザ光の波長とＣｕの反射率の関係を示す図である。
【図６】実施の形態１に係るレーザ出力、Ｃｕ膜厚、Ｃｕ膜の上昇温度の関係を示す図である。
【図７】実施の形態１に係るＣｕ配線上へのキャップメタルの形成工程を示す断面図である。
【図８】実施の形態１に係る基板温度とめっき膜の析出開始時間の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００８１】
１  Ｃｕめっき膜、２  Ｃｕシード層、３  バリアメタル層、４，１５  層間絶縁膜、５  ライナー膜、６  下部配線、７  ウエハ、８  ステージ、９  ノズル、１０  加熱機構、１１  排液ライン、１２  ガス系ライン、１３  トレンチ部、１４  Ｃｕ配線、１６  キャップメタル、１７  チャンバー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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