(57)【要約】【課題】本発明は、蛍光体色により発生する発光効率及び輝度差を補正すると同時に、駆動回路を簡素化することが可能な電子放出ディスプレイを提供する。【解決手段】本発明による電子放出ディスプレイは、互いに対向配置された第１基板及び第２基板と；第１基板に形成されたカソード電極と；カソード電極に電気的に接続された電子放出部と；第１基板に対向する第２基板の一方の面に形成された赤色、緑色及び青色蛍光層と；を備え、カソード電極は、第１基板上に単位画素毎に形成された同じ大きさを有する開口部を含む第１電極と；第１電極から離隔して開口部内に形成された第２電極と；第１電極及び第２電極の間に形成されて第１電極と第２電極とを電気的に接続する抵抗層と；を含み、赤色、緑色及び青色蛍光層に各々対応する第１電極と第２電極の間の間隔は、赤色、緑色及び青色蛍光層の各発光効率によって決定される。【選択図】図１
2007115686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置された第１基板及び第２基板と；
前記第１基板に形成されたカソード電極と；
前記カソード電極に電気的に接続された電子放出部と；
前記第１基板に対向する前記第２基板の一方の面に形成された赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）蛍光層と；
を備え、
前記カソード電極は、
前記第１基板上に単位画素毎に形成された同じ大きさを有する開口部を含む第１電極と；
前記第１電極から離隔して前記開口部内に形成された第２電極と；
前記第１電極及び前記第２電極の間に形成されて前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する抵抗層と；
を含み、
前記赤色、緑色及び青色蛍光層に各々対応する前記第１電極と前記第２電極の間の間隔は、前記赤色、緑色及び青色蛍光層の各発光効率に基づいて決定されることを特徴とする電子放出ディスプレイ。
【請求項２】
前記赤色、緑色及び青色蛍光層の各発光効率をＥＲ、ＥＧ、ＥＢとし、前記赤色、緑色及び青色蛍光層に各々対応する前記第１電極と前記第２電極の間の各間隔をＧＲ、ＧＧ、ＧＢとする時、下記数式１、数式２の条件をともに満たすことを特徴とする、請求項１に記載の電子放出ディスプレイ。
ＥＧ>ＥＲ>ＥＢ  ・・・（数式１）
ＧＧ>ＧＲ>ＧＢ  ・・・（数式２）
【請求項３】
前記ＥＲ、ＥＧ及びＥＢと前記ＧＲ、ＧＧ及びＧＢは、下記数式３の条件を満たすことを特徴とする請求項２に記載の電子放出ディスプレイ。
ＥＲ：ＥＧ：ＥＢ=ＧＲ：ＧＧ：ＧＢ  ・・・（数式３）
【請求項４】
前記赤色及び青色蛍光層は、酸化物系統化合物で構成され、前記緑色蛍光層は硫化物系統化合物で構成されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項５】
前記ＧＲ、ＧＧ及びＧＢは、ＧＲ：ＧＧ：ＧＢ＝３：６：１を満たすことを特徴とする、請求項２〜４のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項６】
前記抵抗層は、非晶質シリコンを含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項７】
前記第１電極及び前記第２電極は、金属で形成されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項８】
前記第２電極は、前記電子放出部と接触し、
前記第１電極は、前記第２電極の周囲を囲むように形成されたことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項９】
前記抵抗層は、前記電子放出部と接触するように形成されたことを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１０】
前記第２電極は、透明な導電膜で形成されることを特徴とする請求項１〜６、８，９のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１１】
前記電子放出部は、カーボンナノチューブ、黒鉛、カーボンナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、フラーレン（Ｃ６０）及びシリコンナノワイヤーからなる群から選択された少なくとも一つの物質を含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１２】
前記カソード電極上に形成されたゲート電極及び集束電極を更に含み、前記カソード電極、前記ゲート電極及び前記集束電極は、互いに絶縁されていることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子放出ディスプレイに関し、詳しくは赤色、緑色及び青色蛍光層の発光効率及び輝度差を補正する電子放出ディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電子放出素子は、電子源の種類によって熱陰極を利用する方式と、冷陰極を利用する方式に分類される。
【０００３】
ここで、冷陰極を利用する方式の電子放出素子では電界放出アレイ（ＦＥＡ、Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ａｒｒａｙ）型、表面電導エミッション（ＳＣＥ、Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｅｍｉｔｔｅｒ）型、金属−絶縁層−金属（ＭＩＭ、Ｍｅｔａｌ−Ｉｓｏｔｌａｔｉｏｎ−Ｍｅｔａｌ）型及び金属−絶縁層−半導体（ＭＩＳ、Ｍｅｔａｌ−Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型などが知られている。
【０００４】
上記ＦＥＡ型電子放出素子は、電子放出部と、この電子放出部の電子放出を制御する駆動電極としてカソード電極とゲート電極を備える。ここで電子放出部では仕事関数が低い物質か縦横比が大きい物体、例えばモリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）等を主材質にし、先端が尖っているチップ構造物や、炭素ナノチューブと黒鉛及びダイヤモンド状カーボンのような炭素系物質を用いて構成でき、これらは真空中で電界に応じて、容易に電子を放出する原理を用いる。
【０００５】
一方、電子放出素子は一基板にアレイを成して形成され、電子放出デバイスを構成して、電子放出デバイスは蛍光層とアノード電極などで構成された発光ユニットが備えられた他の基板と結合して、電子放出ディスプレイを構成する。
【０００６】
上記電子放出ディスプレイは、画素領域毎に赤色、緑色及び青色蛍光層を各々備え、この蛍光層の発光量を調節して指定された画素に必要な色を出す。この時、赤色、緑色及び青色蛍光層の発光量は電子放出部から放出した電子放出量で調節される。
【０００７】
しかし、赤色、緑色及び青色蛍光層は構成物質の特性によって同じ量の電子と衝突しても発光効率及び輝度が互いに異なる。
【０００８】
例えば、ある画素に白色を表示するためには赤色、緑色及び青色蛍光層が同じ比率で発光すべきであり、このために各蛍光体に対応する電子放出量を同一にして、この放出電子を当該蛍光体に各々衝突させる。それでは蛍光体の色による発光効率及び輝度差によって赤色、緑色及び青色の蛍光層が同じ比率で発光せずに、設定された画素に白色を表示できない問題が生じる。さらに、上記問題点は電子放出ディスプレイの画面表示品質を低下させる原因となっている。
【０００９】
このような問題を解決するために、従来は駆動回路において各蛍光体に応じた電子放出量に調節して、各色による蛍光体の発光効率及び輝度差を補正する方法が提示されている。しかし、これは駆動回路を複雑にする問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように，従来の電子放出ディスプレイによれば，蛍光体の色による発光効率及び輝度差によって設定された白色が表示できず、画面表示品質が低下し、それを補正するには駆動回路が複雑になるという問題がある。
【００１１】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的は，蛍光体色により発生する発光効率及び輝度差を補正すると同時に、駆動回路を簡素化することが可能な，新規かつ改良された電子放出ディスプレイを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，互いに対向配置された第１基板及び第２基板と；上記第１基板に形成されたカソード電極と；上記カソード電極に電気的に接続された電子放出部と；上記第１基板に対向する上記第２基板の一方の面に形成された赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）蛍光層と；を備え、上記カソード電極は、上記第１基板上に単位画素毎に形成された同じ大きさを有する開口部を含む第１電極と；上記第１電極から離隔して上記開口部内に形成された第２電極と；上記第１電極及び上記第２電極の間に形成されて上記第１電極と上記第２電極とを電気的に接続する抵抗層と；を含み、上記赤色、緑色及び青色蛍光層に各々対応する上記第１電極と上記第２電極の間の間隔は、上記赤色、緑色及び青色蛍光層の各発光効率に基づいて決定されることを特徴とする電子放出ディスプレイが提供される。
【００１３】
また、上記赤色、緑色及び青色蛍光層の各発光効率をＥＲ、ＥＧ、ＥＢとし、上記赤色、緑色及び青色蛍光層に各々対応する上記第１電極と上記第２電極の間の各間隔をＧＲ、ＧＧ、ＧＢとする時、下記数式１、数式２の条件をともに満たしてもよい。
【００１４】
ＥＧ>ＥＲ>ＥＢ  ・・・（数式１）
ＧＧ>ＧＲ>ＧＢ  ・・・（数式２）
【００１５】
また、上記ＥＲ、ＥＧ及びＥＢと上記ＧＲ、ＧＧ及びＧＢは、下記数式３の条件を満たしてもよい。
【００１６】
ＥＲ：ＥＧ：ＥＢ=ＧＲ：ＧＧ：ＧＢ  ・・・（数式３）
【００１７】
また、上記赤色及び青色蛍光層は、酸化物系統化合物で構成され、上記緑色蛍光層は硫化物系統化合物で構成されてもよい。
【００１８】
また、上記ＧＲ、ＧＧ及びＧＢは、ＧＲ：ＧＧ：ＧＢ＝３：６：１を満たしてもよい。
【００１９】
また、上記抵抗層は、非晶質シリコンを含んでもよい。
【００２０】
また、上記第１電極及び上記第２電極は、金属で形成されてもよい。
【００２１】
また、上記第２電極は、上記電子放出部と接触し、上記第１電極は、上記第２電極の周囲を囲むように形成されてもよい。
【００２２】
また、上記抵抗層は、上記電子放出部と接触するように形成されてもよい。
【００２３】
また、上記第２電極は、透明な導電膜で形成されてもよい。
【００２４】
また、上記電子放出部は、カーボンナノチューブ、黒鉛、カーボンナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、フラーレン（Ｃ６０）及びシリコンナノワイヤーからなる群から選択された少なくとも一つの物質を含んでもよい。
【００２５】
また、上記カソード電極上に形成されたゲート電極及び集束電極を更に含み、上記カソード電極、上記ゲート電極及び上記集束電極は、互いに絶縁されていてもよい。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように，本発明によれば，カソード電極に形成された抵抗層の間隔を調節することによって、蛍光層色により現れる発光効率及び輝度差を補正でき、画面の表示品質を向上させて、駆動回路側面からこれを補正する必要がなくなるため、駆動回路を単純化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２８】
本発明は多様な形態に実施でき、ここで説明する実施形態に限られることはない。
【００２９】
図１は本発明の第１実施形態による電子放出ディスプレイの部分断面図であり、図２は本発明の第１実施形態による電子放出ディスプレイの部分平面図である。
【００３０】
図１と図２を参照すると、電子放出ディスプレイは所定の間隔をおいて互いに平行に対向配置された第１基板２と第２基板４を含む。第１基板２と第２基板４は、その周縁に配置される密封部材（図示せず。）によって接合され、内部空間を有する容器を構成する。
【００３１】
この容器は内部空間が約１０−６Ｔｏｒｒの真空度に排気されて、第１基板２と第２基板４及び密封部材からなる真空容器を構成する。
【００３２】
第２基板４に対向する第１基板２の面には、電子放出素子がアレイを形成する電子放出ユニットが提供され、第１基板２を対向する第２基板４の面には蛍光層とアノード電極などを含む発光ユニットが提供される。
【００３３】
そして、電子放出ユニットが提供された第１基板２と発光ユニットが提供された第２基板４が結合して、電子放出ディスプレイを形成する。
【００３４】
上記構成の真空容器は、電界放出アレイ（ＦＥＡ）型、表面電導エミッション（ＳＣＥ）型、金属-絶縁層-金属（ＭＩＭ）型及び金属-絶縁層-半導体（ＭＩＳ）型をはじめとするその他の電子放出型ディスプレイに適用され、以下、電界放出アレイ（ＦＥＡ）型電子放出ディスプレイを例として具体的に説明する。
【００３５】
図２を参照すると、まず、第１基板２の上にはカソード電極６（第１電極６１、第２電極６２、抵抗層６３から構成される。）が第１基板２の方向（図２のｙ軸方向）に沿って帯状パターンを有して複数に形成される。
【００３６】
カソード電極６を覆いながら、第１基板２の前面には第１絶縁層８が形成され、第１絶縁層８の上にはゲート電極１０がカソード電極６と直交する方向（図２のｘ軸方向）に沿って帯状パターンに形成される。
【００３７】
これによって、カソード電極６とゲート電極１０の交差領域が形成され、この交差領域が一つの単位画素を構成できる。そしてカソード電極６の上に単位画素毎に電子放出部１２が形成される。
【００３８】
なお、本実施形態におけるカソード電極６は、第１電極６１、第２電極６２及び抵抗層６３から構成される構造物である。
【００３９】
第１電極６１は、単位画素毎に同じ大きさに設定された第１開口部６１１を有する。本実施形態において「開口部」は第１開口部に相当する。この第１開口部６１１内には第１電極６１から所定の間隔をおいて離隔した島状の第２電極６２が形成される。この時、第１電極６１と第２電極６２の間の間隔は、単位画素毎に異なって形成されるがこれについては後述する。
【００４０】
このような第１電極６１と第２電極６２は、クロム（Ｃｒ）のような金属で形成できる。一方、第１電極６１と第２電極６２は、電圧を印加される電極として金属で構成され、第２電極６２は透明な導電膜でも形成できる。
【００４１】
第１電極６１と第２電極６２の間には抵抗層６３が形成されて第１電極６１と第２電極６２を電気的に連結する。上記抵抗層６３は、カソード電極６に沿って発生することがある無視できない電圧降下を最少化するために、抵抗物質で構成される。例えば、抵抗層は、大体１０〜１００KΩｃｍの比抵抗値を有する物質で形成されて、通常の導電物質で形成された第１、第２電極より大きい抵抗を有する。例えば、抵抗層は、ｐ型またはｎ型のドーピングされた非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｉ）でも形成できる。
【００４２】
また、第１絶縁層８とゲート電極１０には、各電子放出部１２に対応する第１絶縁層８の第２開口部８１及びゲート電極１０の第３開口部１０１が各々形成されて、第２基板４側から見て電子放出部１２が露出するようにする。
【００４３】
つまり、電子放出部１２は、第１絶縁層８とゲート電極１０の第２開口部８１、第３開口部１０１の中に配置されながら、カソード電極６の上に形成される。本実施形態でこの電子放出部１２と第１絶縁層８及びゲート電極１０の第２開口部８１、第３開口部１０１は、平面投影を基準としてその形状が円形に形成されているが、開口部形状はこれに限定されない。
【００４４】
電子放出部１２は真空中で電界が加わると、電子を放出する物質、例えば炭素系物質またはナノメートルサイズ物質で構成される。つまり、電子放出部１２は、カーボンナノチューブ、黒鉛、カーボンナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、フラーレン（Ｃ６０）、シリコンナノワイヤー及びこれらの組み合わせ物のうち、いずれか一つを選択すればよい。他方、電子放出部は、モリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）等を主材質にする先端が尖っているチップ構造物を用いても良い。
【００４５】
このような電子放出部１２は、単位画素領域毎に複数個が配置されるが、この時、この複数の電子放出部１２は、カソード電極６とゲート電極１０の中で一方の電極、例えば、カソード電極６の長さ方向に沿って互いに任意の間隔をおいて一列に配置できる。無論、この単位画素別電子放出部の配列状態はこれに限定されず多様に変形できる。
【００４６】
ゲート電極１０の上には第２絶縁層１４と集束電極１６が順次形成される。集束電極１６の下部に位置する第２絶縁層１４は、ゲート電極１０を分けるように第１基板２の前面に形成されて、ゲート電極１０と集束電極１６を絶縁させる。
【００４７】
このような第２絶縁層１４と集束電極１６にも電子ビームの通過のための第４開口部１４１と第５開口部１６１が各々形成される。
【００４８】
集束電極は、電子放出部毎にこれに対応する開口を形成して、各電子放出部から放出される電子を個別的に集束したり、単位画素毎に一つの開口を形成して、一つの単位画素から放出される電子を包括的に集束したりすることができる。図面では後者の場合を示した。
【００４９】
次に、第１基板２に対向する第２基板４の一面には、蛍光層１８、例えば、赤色、緑色及び青色の蛍光層１８Ｒ、１８Ｇ、１８Ｂが相互間に任意の間隔をおいて形成される。そして各蛍光層１８Ｒ、１８Ｇ、１８Ｂの間に画面のコントラスト向上のための黒色層２０が形成される。蛍光層１８Ｒ、１８Ｇ、１８Ｂは、第１基板２に設定された単位画素毎に一つとして対応配置できる。
【００５０】
この蛍光層１８と黒色層２０の上には、アルミニウム（Ａｌ）のような金属を用いたアノード電極２２が形成される。アノード電極２２は、外部から電子ビーム加速に必要な高電圧を印加されて蛍光層１８を高電位状態に維持させて、蛍光層１８から放射した可視光中第１基板２に向かって放射された可視光を第２基板４側に反射させて、画面の輝度を高める。
【００５１】
一方、本発明の他の実施形態において、上記のアノード電極はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）のような透明導電膜で構成できる。この場合、この透明なアノード電極は第２基板と蛍光層の間に位置する。さらに、本発明の、また他の実施形態により、アノード電極として上述した透明導電膜を用いて、金属膜を追加して発光ユニットを形成する構造も可能である。
【００５２】
それと同時に、第１基板２と第２基板４の間には真空容器に加えられる圧縮力に対抗して、両基板２、４の間の間隔を一定に維持させるスペーサ２４が配置される。
【００５３】
スペーサ２４は、第１基板２側では集束電極１６の上に配置され、第２基板４側では蛍光層１８に触れないように黒色層２０に対応して位置する。
【００５４】
このような構造を有する本実施形態では、赤色、緑色及び青色蛍光層１８Ｒ、１８Ｇ、１８Ｂに各々対応する第１電極６１と第２電極６２の間の間隔を互いに異ならせる。
【００５５】
つまり、蛍光層色による発光効率の差を補正するために、赤色蛍光層１８Ｒに対応する第１電極６１と第２電極６２の間の間隔（ＧＲ）と、緑色蛍光層１８Ｇに対応する第１電極６１と第２電極６２の間の間隔（ＧＧ）及び青色蛍光層１８Ｂに対応する第１電極６１と第２電極６２の間の間隔（ＧＢ）を各蛍光層の発光効率に比例するように形成する。
【００５６】
蛍光層１８の発光効率は構成物質により差はあるが、一般に緑色蛍光層１８Ｇの発光効率（ＥＧ）が最も高くて、その次に赤色蛍光層１８Ｒの発光効率（ＥＲ）が高く、青色蛍光層１８Ｂの発光効率（ＥＢ）が最も低い。（ＥＧ>ＥＲ>ＥＢ）
【００５７】
例えば、赤色蛍光層は、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕのような酸化物（Ｏｘｉｄｅ）系統化合物で構成され、青色蛍光層はＹ２ＳｉＯ５：Ｃｅのような酸化物（Ｏｘｉｄｅ）系統化合物で構成され、緑色蛍光層がＺｎＳ：Ｃｕのような硫化物（Ｓｕｌｆｉｄｅ）系統化合物で構成できる。
【００５８】
発光効率の高い蛍光層は、発光効率が低い蛍光層と比較して、同じ量の電子と衝突してもより多量の可視光線を放出して、輝度もさらに高くなる。従って、発光効率の高い蛍光層を発光させる電子放出部は、発光効率が低い蛍光層を発光させる電子放出部に比べて少量の電子が放出されるようにしなければならない。つまり、各蛍光層の発光効率による差は、電子放出量の調節によって解決できる。
【００５９】
本実施形態において、電子放出量の調節は、第１電極６１と第２電極６２の間の間隔を変化させて行うことができる。つまり、電子放出量を増大させるためには、第１電極６１と第２電極６２の間の間隔を小さくし、電子放出量を減少させるためには、第１電極６１と第２電極６２の間の間隔を大きくする。
【００６０】
より具体的には、第１電極６１と第２電極６２の間の間隔は、第２電極６２の大きさを変化させて調節する。つまり、第１電極６１には同じ大きさの第１開口部６１１が単位画素毎に設定されて、第１電極６１の大きさは同一である。
【００６１】
一方、第１電極６１の第１開口部６１１内に位置する第２電極６２は、その幅が増加したりまたは減少する。そのために、第１電極６１と第２電極６２の間の間隔が調節される。
【００６２】
前述した構造は、抵抗値一定ならば第１電極６１と第２電極６２の間の間隔が抵抗層６３の幅に比例し、間隔一定ならばこの抵抗層６３の幅は抵抗値に反比例し、電圧一定ならば、この抵抗値は電極間を流れる電流量に反比例する関係を利用したのである。
【００６３】
この関係により、各蛍光層に対応する間隔は、図１及び図２に示されているように、緑色蛍光層１８Ｇ、赤色蛍光層１８Ｒ、青色蛍光層１８Ｂの順序に大きく形成される。（ＧＧ>ＧＲ>ＧＢ）
【００６４】
また、本発明で赤色蛍光層１８Ｒの発光効率（ＥＲ）、緑色蛍光層１８Ｇの発光効率（ＥＧ）及び青色蛍光層１８Ｂの発光効率（ＥＢ）の各比が各蛍光層に対応する第１電極６１と第２電極６２の間隔の比と一致するように形成できる。（ＥＲ：ＥＧ：ＥＢ=ＧＲ：ＧＧ：ＧＢ）。ただし、効率も寸法も変動し易いので、例えば、定格効率に対応する現物寸法は、計算値に対して、±１０％の誤差を認めることが望ましい。
【００６５】
特に、赤色蛍光層と青色蛍光層が酸化物系統化合物で構成され、緑色蛍光層が硫化物系統化合物で構成される場合、赤色蛍光層１８Ｒと緑色蛍光層１８Ｇ及び青色蛍光層１８Ｂの発光効率の比が３：６：１になりうる。そのために、第１電極６１と第２電極６２の各々の間隔比も３：６：１になりうる。（ＧＲ：ＧＧ：ＧＢ=３：６：１）
【００６６】
本実施形態は、第１電極の幅を可変とする場合に比べて、実際に電流が流れる第１電極の有効な幅が全てのカソード電極で同じであるため、電圧降下のような電流特性が均一に発生する長所がある。
【００６７】
図３は本発明の第２実施形態による電子放出ディスプレイの部分断面図であり、本発明の実施形態による電子放出ディスプレイは、抵抗層７３の厚さを第２電極７２よりも厚くして、抵抗層７３が第１電極７１と第２電極７２の間を連結するだけでなく、電子放出部１２とも接している。そのために、電子放出部１２はカソード電極６との接触面積が拡大して、電子放出量を増加できる。
【００６８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は，電子放出ディスプレイに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる電子放出ディスプレイの部分断面図である。
【図２】同実施形態にかかる電子放出ディスプレイの部分平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる電子放出ディスプレイの部分断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
２      第１基板
４      第２基板
６、７  カソード電極
８      第１絶縁層
１４    第２絶縁層
１０      ゲート電極
１２      電子放出部
１６      集束電極
１８      蛍光層
２０      黒色層
２２      アノード電極
２４      スペーサ
６１、７１    第１電極
６２、７２    第２電極
６３、７３    抵抗層
６１１        第１開口部
８１          第２開口部
１０１        第３開口部
１４１        第４開口部
１６１        第５開口部
【図１】
2007115686.tif 000003
【図２】
2007115686.tif 000004
【図３】
2007115686.tif 000005