(57)【要約】【課題】小型で寸法精度のよい逆メサ圧電基板が多量に、且つ安価に製造できる逆メサ型圧電基板の製造方法を提供する。【解決手段】圧電基板１の主面に複数の開口部３と、遮蔽部２ａとを有するマスク２を密着させ、開口部３に大気圧下で圧電膜をエピタキシャル成長させた圧電基板の製造方法であって、マスク２の開口部３に形成される圧電膜４が遮蔽部２ａに位置する圧電基板１の周縁を壁状に取り囲む突起部を形成し、この突起部の上部中央に沿って圧電基板１を切断して逆メサ型の圧電基板個片を得るようにした。【選択図】図１
2007189579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の主面に複数の開口部と、遮蔽部とを有するマスクを密着させ、前記開口部内
に露出した圧電基板面に、大気圧下で結晶膜をエピタキシャル成長させた圧電基板の製造
方法であって、
前記マスクの開口部内に形成される前記結晶膜が前記遮蔽部に位置する圧電基板の周縁
を壁状に取り囲む突起部を形成し、該突起部の上部中央に沿って圧電基板を切断して逆メ
サ型の圧電基板個片を得ることを特徴とする圧電基板の製造方法。
【請求項２】
圧電基板の周縁部を壁状に取り囲む突起部をエピタキシャル成長法により形成し、形状
を逆メサ構造にしたことを特徴とする圧電基板。
【請求項３】
請求項２に記載の圧電基板の振動領域の相対向する両面に電極を形成したことを特徴と
する圧電振動素子。
【請求項４】
請求項２に記載の圧電基板の振動領域の相対向する面のそれぞれに電極を設け、その一方
或いは両方の電極を分割電極として構成したことを特徴とする超薄板多重モード圧電フィ
ルタ素子。
【請求項５】
請求項２に記載の圧電基板の振動領域の相対向する面のそれぞれに電極を設け、前記圧電
基板の平坦側に３つの電極を近接して配置すると共に、該電極と対向する凹陥側の電極を
全面電極として構成したことを特徴とする超薄板多重モード圧電フィルタ素子。
【請求項６】
圧電基板の両面の中央部に第１のマスクを介して電極を形成し、該圧電基板に開口部と
遮蔽部とを有する第２のマスクを密着させ、前記第２のマスクの開口部内に露出する圧電
基板面に大気圧下で結晶膜をエピタキシャル成長させ、前記第２のマスクの開口部内に形
成される前記結晶膜が前記遮蔽部に位置する圧電基板の周囲を壁状に取り囲む突起部を形
成するようにしたことを特徴とする圧電振動素子の製造方法。
【請求項７】
請求項３に記載の圧電振動素子または請求項４に記載の圧電振動素子の製造方法により
製造した圧電振動素子と、表面実装用のパッケージと、該パッケージの開口を封止する蓋
と、を備え、前記圧電振動素子を前記パッケージ内に収容し、前記蓋により前記パッケー
ジを気密封止して構成したことを特徴とする圧電振動子。
【請求項８】
請求項５に記載の圧電振動子と、発振回路と、を備えたことを特徴とする圧電発振器。
【請求項９】
前記圧電基板がＡＴカット水晶基板であることを特徴とする請求項１記載の圧電基板の
製造方法。
【請求項１０】
前記圧電基板がＡＴカット水晶基板であることを特徴とする請求項２記載の圧電基板。
【請求項１１】
前記圧電基板がＡＴカット水晶基板であることを特徴とする請求項３記載の圧電振動素
子。
【請求項１２】
前記圧電基板がＡＴカット水晶基板であることを特徴とする請求項４または５に記載の
超薄板多重モード圧電フィルタ素子。
【請求項１３】
前記圧電基板がＡＴカット水晶基板であることを特徴とする請求項６記載の圧電基板の
製造方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の圧電振動子と、発振回路と、を備えたことを特徴とする圧電発振器
。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波を出力可能な逆メサ型水晶基板の製造方法とその水晶基板、及びその
水晶基板を用いた水晶振動素子と水晶振動素子の製造方法、さらにその水晶振動素子を用
いた水晶振動子と水晶発振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子は、小型、経年変化が小さい、高精度、高安定な周波数が容易に得られる等
の利点を有するため、産業用機器、民生用機器の基準周波数源として広く用いられている
。近年、機器が小型化、軽量化されると共に水晶振動子の小型化への要求が強くなり、ま
た電子部品の組み立て自動化に適した表面実装型水晶振動子の需要が大きい。
水晶は物理的、化学的に安定な物質であるが、天然水晶は品質的、量的に問題があるた
め、現在では品質の安定性、供給量の安定確保という点で優れた人工水晶を用いて水晶振
動子を製造している。中でも周波数−温度特性が３次曲線を呈するＡＴカット水晶振動子
は、携帯電話等の通信機器に多量に用いられている。周知のように、ＡＴカット水晶振動
子は、水晶の結晶軸Ｙに垂直な水晶板（Ｙ板）を結晶軸Ｘの周りに約３５度１５分回転し
て得られる水晶板（ＡＴカット水晶板）の両主面に、真空蒸着、あるいはスパッタ装置等
を用いて金属膜を付着し、パッケージに気密封止して構成される。ＡＴカット水晶振動子
の振動モードは厚みすべり振動であり、その共振周波数ｆは厚さｔの逆数に比例し、比例
常数ｋは水晶の密度ρと切断角度に依存する弾性定数ｃ’とから決まり、約１．６５ＭＨ
ｚ・ｍｍである。
【０００３】
図１１は従来のＡＴカット水晶振動素子の構成を示す図であって、同図（ａ）は平面図
、同図（ｂ）はＰ−Ｐにおける断面図、同図（ｃ）はＱ−Ｑにおける断面図である。図１
１の左側に座標軸を示すように、矩形状ＡＴカット水晶板１１は長手方向をＸ軸方向、短
手方向をＺ’軸方向とするのが一般的である。このＡＴカット水晶板１１の表裏面に、真
空蒸着、あるいはスパッタ装置の中でマスクを介して電極１２ａ、１２ｂを形成して水晶
振動素子を構成し、この水晶振動素子を図示しないパッケージの内底部に収容し、パッケ
ージ側の端子電極（図示しない）と、各電極１２ａ、１２ｂから水晶板１１の端縁に伸び
るリード電極と、を導電性接着剤１３ａ、１３ｂを用いて導通固定して水晶振動子を構成
する。
【０００４】
上記のように構成された水晶振動素子の電気的等価回路は、一般的にインダクタンスＬ
１、容量Ｃ１、抵抗Ｒ１の直列回路に、静電容量Ｃ０を並列接続した回路で表される。こ
こで、インダクタンスＬ１、容量Ｃ１、静電容量Ｃ０は水晶板の厚さと電極の面積に依存
し、抵抗Ｒ１は振動エネルギーの損失を表している。
【０００５】
ＡＴカット水晶振動子の高周波化を図るには、水晶基板の厚さを薄くする必要がある。
水晶基板の厚さを薄くする手段として機械的に研磨する方法と、化学的にエッチングして
薄板化する方法がある。水晶基板をフォトリソ技法とエッチング手法とを用いて加工し、
高周波水晶基板を得る方法が、特許文献１に開示されている。図１２に示すように、大き
なＡＴカット水晶基板２１の全面に金の薄膜を蒸着装置あるいはスパッタ装置等を用いて
付着する。さらに、この金薄膜をフォトリソ技法と溶剤とを用いて所望の形状に形成して
、水晶基板の一部を露出させた後、基板２１をフッ化アンモニウムが主成分であるエッチ
ング液に浸漬して所望の厚さまでエッチング加工すると、図１２に示すように凹陥部を有
する基板２２（個片）がマトリクス状の並んだ水晶基板２１が得られる。
【０００６】
図１３は大きな水晶基板２１から個々の水晶基板２２（個片）を分割し、拡大した断面
図である。この図１３に示す水晶基板２２は薄肉部２３と、この薄肉部２３を保持する環
状囲繞部２４とから構成されているが、詳細に調べると薄肉部２３は平坦部（振動部）２
５と傾斜部２６からなり、環状囲繞部２４の凹陥側は傾斜角の互いに異なる側壁２７、２
８からなっている。開口部寸法Ｗ０に対し平坦部の寸法Ｗ１は約７０％になる。
図１４は、図１３に示した水晶基板２２を裏返し、平面側に部分電極２９ａを、凹陥側
に全面電極２９ｂを付着して構成した高周波水晶振動素子の断面図である。
【０００７】
近年、携帯電話機等の小型化、高機能化に伴い、水晶振動子の小型化、薄型化が強く求
められている。例えば、水晶振動子の外形寸法が３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×１．０ｍｍか
ら、更に小型化した２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×０．７ｍｍが求められている。このような
要求に対し、小型で高周波水晶基板を得る手段が特許文献２に開示されている。水熱合成
法で育成した人工水晶を所定の方位に切断し、所定の厚さに研磨して水晶板を得る従来の
方法と異なり、サファイヤ、シリコン、ＧａＡｓ等の基板上に水晶膜をエピタキシャル成
長させる気相成長法である。図１５は特許文献２に開示されたエピタキシャル成長を行う
ための装置の概略図であり、この装置を用いて成長させた水晶膜について、Ｘ線回折、走
査型電子顕微鏡及び赤外線分光装置を用いて評価したところ、結晶性の優れた水晶薄膜で
あると開示されている。
【０００８】
特許文献３には、シリコン（Ｓｉ）基板上に図１５に示した装置を用いて水晶膜をエピ
タキシャル成長させた後、水晶膜を残して基板を凹陥状にエッチング加工すると共に、前
記水晶膜をくり抜き加工して振動部を形成し、この振動部の両面に電極を付着して水晶振
動子を構成する方法が開示されている。また、特許文献４には、図１６に示すように水晶
膜のエピタキシャル成長を行うための装置内の基板台３０上に基板３１を配置し、この基
板３１上にマスク３２を載置する。そしてマスク３２を介して水晶膜をエピタキシャル成
長させて、マスクの開口部の大きさに相当する形状の水晶薄膜を得る方法が開示されてい
る。また、特許文献５には、図１５に示した装置の中でサファイヤ、シリコン、ＧａＡｓ
等の基板上にバッファー層を形成し、その上に第１の水晶膜４０をエピタキシャル成長さ
せる。更に、第１の水晶膜の周縁部に第２の水晶膜４１をエピタキシャル成長させて、前
記基板から剥離し、第１の水晶膜４０の表裏に励振用電極４２を付着した、図１７に示す
ような水晶振動子が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３３６４０公報
【特許文献２】特開２００２−８０２９６公報
【特許文献３】特許第３７０３７７３号
【特許文献４】特開２００５−２１３０８０公報
【特許文献５】特開２００５−２９５０４２公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図１２、図１３、図１４に示した水晶基板をフォトリソ技法とエッチン
グ手法を用いて薄板を得る方法では、図１３に示すように傾斜部２６が生じ、振動領域で
ある平坦部２５が小さくなり、水晶基板の大きさに対し振動領域の効率が悪いという問題
があった。
また特許文献３の構成では、基板をエッチング手法により凹陥状に加工すると共に、水
晶膜をエッチング手法でくり抜いて形成した振動部両面に電極膜を付着して水晶振動子を
構成するので、工程の工数が増大し、高コストになるという問題があった。
また特許文献４の構成では、水晶薄膜の切断は必要ないものの、水晶薄膜の取り扱いが
難しいという問題があった。
さらに特許文献５の構成では、周波数を決める第１の水晶膜を気相成長法で形成してお
り、周波数の微調整は励振電極で行うとしても、エネルギー閉じ込め理論に基づいて設計
されるパラメータを満たすことは難しく、主振動の近傍に不要モードが発生するおそれが
あるという問題があった。
本発明の上記したような点を鑑みてなされたものであり、小型で耐振動・衝撃に強く、
保持が容易な水晶基板とその製造方法、及びその水晶基板を用いた水晶振動素子とその製
造方法、さらにはその水晶振動素子を用いた水晶振動子と水晶発振器を提供することを目
的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、中央部が薄い逆メサ構造の圧電基板を得るため、圧電基板の主面に複数の開
口部と、遮蔽部とを有するマスクを密着させ、前記開口部内に露出した圧電基板面に、大
気圧下で結晶膜をエピタキシャル成長させた圧電基板の製造方法であって、前記マスクの
開口部内に形成される前記結晶膜が前記遮蔽部に位置する圧電基板の周縁を壁状に取り囲
む突起部を形成し、該突起部の上部中央に沿って圧電基板を切断して逆メサ型の圧電基板
個片を得る製造方法である。この圧電基板の製造方法を用いることにより、小型で寸法精
度のよい逆メサ圧電基板が多量に、且つ安価に製造できるという効果がある。
【００１１】
また本発明は、圧電基板の周縁部を壁状に取り囲む突起部をエピタキシャル成長法によ
り形成し、形状を逆メサ構造とした圧電基板を構成する。このような逆メサ構造の圧電基
板は、基板の周辺部が環状囲繞部として厚くしてあるため保持が容易であり、且つ振動、
衝撃に強いという利点がある。
【００１２】
上記のように形成した圧電基板の振圧電動領域の相対向する両面に電極を形成して圧電
振動素子を構成する。このように構成した圧電振動素子は、小型で高周波の水晶振動素子
が実現できる。
【００１３】
上記のように形成した圧電基板の振動領域の相対向する面のそれぞれに電極を設け、そ
の一方或いは両方の電極を分割電極として超薄板多重モード圧電フィルタ素子を構成する
。高周波で振動・衝撃に強い多重モード圧電フィルタの量産が可能となる利点がある。
【００１４】
上記のように形成した圧電基板の振動領域の相対向する面のそれぞれに電極を設け、前
記圧電基板の平坦側に３つの電極を近接して配置すると共に、該電極と対向する凹陥側の
電極を全面電極として超薄板多重モード圧電フィルタ素子を構成する。高周波で振動・衝
撃に強い多重モード圧電フィルタの量産が可能となる利点がある。
【００１５】
圧電基板の両面の中央部に第１のマスクを介して電極を形成し、該圧電基板に開口部と
遮蔽部とを有する第２のマスクを密着させ、前記第２のマスクの開口部内に露出する圧電
基板面に大気圧下で結晶膜をエピタキシャル成長させ、前記第２のマスクの開口部内に形
成される前記結晶膜が前記遮蔽部に位置する圧電基板の周囲を壁状に取り囲む突起部を形
成形成するようにした圧電振動素子の製造方法である。
このような製造方法を用いることにより凹陥状の圧電基板に電極が容易に形成され、リ
ード電極が断線するおそれの無い小型で高周波の圧電振動素子が構成できる。
【００１６】
上記のように形成した圧電振動素子、または上記のような圧電振動素子の製造方法によ
り製造した圧電振動素子と、表面実装用のパッケージと、該パッケージの開口を封止する
蓋と、を備え、前記圧電振動素子を前記パッケージ内に収容し、前記蓋により前記パッケ
ージを気密封止して圧電振動子を構成する。このように構成した圧電振動子は、小型で高
周波の水晶振動子が実現できる。
【００１７】
上記のように形成した圧電振動子と、発振回路と、を備えた圧電発振器を構成する。前
記圧電基板に基本波で、且つ薄い圧電基板を用いて圧電振動子を構成すれば、圧電発振器
は高周波で且つ、可変範囲が広く、振動、衝撃に強い圧電発振器が得られるという利点が
ある。
【００１８】
前記圧電基板がＡＴカット水晶基板であることと、その製造法、及び前記圧電基板をＡ
Ｔカット水晶基板として水晶振動子を構成する。このように構成した水晶振動子は、温度
特性、周波数エージングの良好な特性となる。
【００１９】
前記圧電基板をＡＴカット水晶基板とし、該基板上に多重モード水晶フィルタ素子を構
成する。このように構成した多重モード水晶フィルタ素子は、通過帯域が平坦で低損失、
周波数温度特性、周波数エージングの良好な特性となる。
【００２０】
水晶基板の両面の中央部に第１のマスクを介して電極を形成し、該水晶基板に開口部と
遮蔽部とを有する第２のマスクを密着させ、前記第２のマスクの開口部内に露出する水晶
基板面に大気圧下で水晶膜をエピタキシャル成長させ、前記第２のマスクの開口部内に形
成される前記水晶膜が前記遮蔽部に位置する水晶基板の周囲を壁状に取り囲む突起部を形
成するように水晶振動素子を構成する。このように構成した水晶振動子素子は、温度特性
、周波数エージングの良好な特性となる。
【００２１】
前記の水晶振動子と、発振回路と、を備えた水晶発振器を構成する。このように構成し
た水晶発振器は高周波で且つ、可変範囲が広く、振動、衝撃に強い水晶発振器が得られる
という利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明に係る水晶基板とその製造方法の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する
。
図１（ａ）は、図１５に示したエピタキシャル成長を行うための装置内に配置した水晶
基板とマスクの拡大概略図、（ｂ）は逆メサ構造の水晶基板を示した図である。
この図１（ａ）に示すように、本実施形態では、ＡＴカット水晶基板（以下、水晶基板
と称す）１の一方の主面にマスク２を装着し、このマスクを装着した水晶基板１を、エピ
タキシャル成長を行うための装置の中に配置すると共に、マスク２の上から気相（水晶薄
膜の原料ガス）４を吐出させる。
水晶基板１は、高温（５５０度以上）に保持され、原料ガス（（テトラエトキシシラン
＋Ｎ2）、（Ｏ2＋Ｎ2）、（ＨＣｌ＋Ｎ2）、Ｎ2）も高温にし、それぞれ所定の流量で供
給する。これにより水晶基板１の上部露出部３に大気圧下で水晶膜をエピタキシャル成長
させ、マスク２を取り除くと、図１（ｂ）の断面図に示すように、水晶基板１の上部周縁
部に水晶膜４が壁状をなした逆メサ構造の水晶基板を形成することができる。
【００２３】
図２は大型の水晶基板１の上にマスク本体２を装着したときの斜視図である。
この場合、マスク本体２は、原料ガスがエピタキシャル成長するのを防ぐ遮蔽部２ａと
、この遮蔽部２ａとマスク本体２とを連結する支持部２ｂと、開口部３とから構成される
。
【００２４】
図２に示すように、水晶基板１にマスク本体２を装着したものを、エピタキシャル成長
を行うための装置の中に配置してエピタキシャル成長させ、マスク本体２を取り除くと、
図３に示したような水晶基板１が得られる。つまり、開口部３内に露出する水晶基板１の
主面上にマスク本体２の開口部３の形状に沿った形で壁状に水晶膜の突起部４が形成され
ることになる。この水晶基板１を図３に示す凹陥部の上部中心部に沿って、つまり破線５
に沿って個片に切断することにより、中央部が平坦で周縁が壁状をした水晶膜からなる環
状囲繞部が形成される。即ち、逆メサ構造の水晶基板が得られることになる。
【００２５】
図４は個片に分割された逆メサ型水晶基板Ｍ１の斜視図であって、平板な水晶基板１の
周縁部にエピタキシャル成長により結晶した壁状の水晶膜の突起部４が形成される。水晶
膜の突起部４の形状は、逆メサ型水晶基板Ｍ１の保持が容易であり、振動、衝撃に耐える
と共に、主振動の振動モードに影響しないように構成することが望ましい。図４に示した
逆メサ型水晶基板では、図中の上辺及び下辺の溝６は左右対称としているが、マスク本体
２の支持部２ｂの位置を違えれば、図５に示す逆メサ型水晶基板のように上辺と下辺の溝
６を非対称とすることがでる。このようにすると逆メサ型水晶基板を保持した際の歪みを
分散させることが可能で、耐振動、衝撃に強い水晶振動子を構成することができる。また
、図２では遮蔽部２ａを２つの支持部２ｂで保持する図を示したが、支持部２ｂは１つで
もよい。
【００２６】
図６は、本実施形態の逆メサ型水晶基板の変形例であって、水晶基板１の両面の中央部
（振動領域）に第１のマスクを介して電極７を形成する。そして、水晶基板１に第２のマ
スクを密着させ、大気圧下で水晶膜をエピタキシャル成長させ、前記水晶基板１の周縁部
に第２のマスクの開口部に沿って水晶膜が壁状に環状囲繞部４を形成し、逆メサ構造をし
た水晶振動素子Ｘ１が構成できる。この場合、溝６に形成されたリード電極は図示しなし
パッケージの端子電極との接続に用いられる。
【００２７】
図７（ａ）は本発明に係る逆メサ型水晶基板を用いた高周波二重（多重）モード圧電フ
ィルタ素子の構成を示す平面図、同図（ｂ）は断面図である。水晶基板５０上に超薄板振
動部と該振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とが一体的に形成され、超薄板振動部
に相対向する電極５１と５２とを付着し且つ、該電極の一方あるいは双方を所定の間隙を
隔して分割し、分割電極５１ａ、５１ｂと対向電極５２を形成する。分割電極５１ａ、５
１ｂよりリード電極５３ａ、５３ｂを介してボンディング用電極（図示しない）に、電極
５２はアース電極に電気的に接続して、高周波二重モードモノリシック・フィルタを構成
する。
また、図８（ａ）は本発明に係る逆メサ型水晶基板を用いた高周波三重（多重）モード
圧電フィルタ素子の構成を示す平面図、同図（ｂ）は断面図である。凹陥部を形成した圧
電基板５０の平坦側に電極５５、５６、５７を近接して配置すると共に、凹陥側には全面
に電極５８を付着する。そして、電極５５、５７からそれぞれ圧電基板５０の端部に向け
てリード電極を延在し、入出力端子と接続すると共に、電極５６、５８は接地して高周波
三重モードを構成する。
【００２８】
図９は本実施形態の逆メサ型水晶基板を用いた水晶振動子の断面図である。
上記の方法によって得られた逆メサ型水晶基板に電極を付着して水晶振動素子Ｘ１を形
成し、該水晶振動素子Ｘ１をセラミックパッケージ８の内底部に収容して、このセラミッ
クパッケージ８の内部電極８ａに導電性接着剤９を用いて導通固定する。さらに、セラミ
ックパッケージ８の上部周縁部に形成したメタライズ部８ｂと金属蓋１０とを抵抗溶接機
、Ａｕ−Ｓｎ封止機、半田封止機、ガラス封止機、等の封止機により気密封止して小型の
水晶振動子Ｙ１を構成したものである。このよう構成すると、小型であると共に、直列共
振抵抗Ｒ１が小さく、且つ不要モードが抑圧された水晶振動子が得られる。
【００２９】
図１０は本発明の水晶振動子Ｙ１を用いたコルピッツ型水晶発振器の回路構成を示す図
である。周知のように、コルピッツ型発振回路はトランジスタＴｒのコレクタ−ベース間
に誘導性素子を、ベース−エミッタ間及びコレクターエミッタ間にそれぞれ容量性素子を
接続して構成する発振回路である。トランジスタＴｒのコレクタ−ベース間の誘導性素子
として、ベース−接地間に水晶振動子Ｙ１を用いる。エミッタ−接地間に抵抗Ｒ１を接続
し、ベース−接地間に容量Ｃ１とＣ２との直列接続回路を接続すると共に、容量Ｃ１、Ｃ
２の接続中点とエミッタとを接続して、コルピッツ型発振回路を構成する。電源Ｖｃ−接
地間はバイパスコンデンサによって高周波的には短絡されているため、等価回路的にコレ
クタ−ベース間に誘導性素子として利用する水晶振動子Ｙ１が挿入されたことになる。ま
た、容量Ｃ１とＣ２との中点がエミッタに接続されているため、トランジスタＴｒのベー
ス−エミッタ間には容量Ｃ１が、コレクタ−エミッタ間には容量Ｃ２が挿入されることに
なり、いずれも容量性として作用することになる。抵抗Ｒ２、Ｒ３はブリーダ抵抗でベー
スバイアス電圧を設定する。
【００３０】
本願発明はＡＴカット水晶基板を例に説明したが、本願発明はこれに限らず、例えば、
ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3、ＬＢＯ（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ランガサイト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ1
4）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコニウム酸鉛）基板等の圧電基板に広く適用できることは言
うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】（ａ）はエピタキシャル成長を行うための装置内に配置した水晶基板とマスクの拡大概略図、（ｂ）は逆メサ水晶基板の構造を示した図。
【図２】水晶基板に装着したマスクの斜視図。
【図３】水晶基板上に形成された水晶膜の斜視図。
【図４】水晶基板とその上に形成された水晶膜の斜視図。
【図５】水晶基板とその上に形成された水晶膜の斜視図。
【図６】メサ型水晶振動子の斜視図。
【図７】（ａ）（ｂ）は二重モード圧電フィルタの構成を示す図。
【図８】（ａ）（ｂ）は三重モード圧電フィルタの構成を示す図。
【図９】本発明の水晶基板を用いて形成した水晶振動子の断面図。
【図１０】本発明の水晶振動子を用いて構成した水晶発振器の一例を示した図。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は従来の短冊型水晶振動子の構成を示した図。
【図１２】水晶基板上にマトリクス状に逆メサ水晶基板の構成を示す斜視図。
【図１３】逆メサ水晶基板の断面図。
【図１４】逆メサ水晶振動子の断面図。
【図１５】エピタキシャル成長を行うための装置の概略図。
【図１６】水晶薄膜の製造方法を示した図。
【図１７】従来の高周波水晶振動子の構成を示した図。
【符号の説明】
【００３２】
１、５０  水晶基板、２  マスク本体、２ａ  遮蔽部、２ｂ  支持部、３  開口部、４
水晶壁部（環状囲繞部）、５  破線、６  溝、７、５１ａ、５１ｂ、５２、５５、５６
、５７５８  電極、５３ａ、５３ｂ  リード電極、Ｍ１、Ｍ２  逆メサ水晶基板、８  セ
ラミックパッケージ、８ａ  端子電極、８ｂ  メタライズ部、９  導電性接着剤、１０  
金属蓋、Ｘ１  水晶振動素子、Ｙ１  水晶振動子、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４  抵抗、Ｃ0
、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ４、ＣＬ  容量、Ｔｒ  トランジスタ、Ｖｃ  電源、ＶO  出力
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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