(57)【要約】  【課題】製造が容易で機械的強度の向上、高感度化および応答速度の高速化を図れる赤外線センサを提供する。  【解決手段】シリコン基板からなる矩形板状のベース基板１と、ベース基板１の一表面側に形成されて赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部３と、温度検知部３に積層され赤外線を吸収する赤外線吸収層６と、ベース基板１の上記一表面側でベース基板１と温度検知部３との間に介在して温度検知部３からベース基板１への熱伝導を阻止する断熱部２と、ベース基板１の上記一表面側で温度検知部３に金属配線４ａ，４ｃを介して電気的に接続された一対のパッド５ａ，５ｃとを備えている。断熱部２は、多孔質材料により形成されている。ここで、断熱部２は、ベース基板１の一部を陽極酸化処理により多孔質化することで形成された多孔質シリコン層により構成されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、ベース基板の一表面側に形成されて赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部と、ベース基板の前記一表面側でベース基板と温度検知部との間に介在して温度検知部からベース基板への熱伝導を阻止する断熱部とを備え、断熱部が多孔質材料により形成されてなることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項２】
前記温度検知部は、温度に応じて電気抵抗値が変化するセンシングエレメント、温度に応じて誘電率が変化するセンシングエレメント、サーモパイル型のセンシングエレメント、焦電型のセンシングエレメントの群から選択される１つのセンシングエレメントからなることを特徴とする請求項１記載の赤外線センサ。
【請求項３】
前記ベース基板がシリコン基板からなるとともに、前記多孔質材料が多孔質シリコンであり、前記断熱部は、前記ベース基板の一部を陽極酸化処理することにより形成されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の赤外線センサ。
【請求項４】
前記多孔質材料は、多孔質の酸化シリコン、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマー、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの群から選択される材料であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の赤外線センサ。
【請求項５】
前記温度検知部に積層され赤外線を吸収する赤外線吸収層を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の赤外線センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外線センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、熱型の赤外線センサとして、ベース基板の一表面側において複数の支持梁部を介して支持された載置ベース部上に温度検知部が設けられた赤外線センサが提案されている（例えば、特許文献１参照）。なお、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、赤外線を吸収する赤外線吸収層が温度検知部に積層されている。
【特許文献１】特開平１１−２７３９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、赤外線吸収による温度検知部の温度変化を大きくすることで高感度化を図るために、ベース基板の一表面側において複数の支持梁部を介して支持された載置ベース部上に温度検知部を設けた構造となっているので、支持梁部が破損しやすく、製造プロセスも複雑になるという不具合があった。
【０００４】
また、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、高感度化のために温度検知部のサイズを変更することなしに支持梁部の全長を長くするように設計すると、センサ全体のサイズが大きくなってしまうとともに、支持梁部の熱容量が大きくなって応答速度が低下してしまう。
【０００５】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、製造が容易で機械的強度の向上、高感度化および応答速度の高速化を図れる赤外線センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、ベース基板と、ベース基板の一表面側に形成されて赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部と、ベース基板の前記一表面側でベース基板と温度検知部との間に介在して温度検知部からベース基板への熱伝導を阻止する断熱部とを備え、断熱部が多孔質材料により形成されてなることを特徴とする。
【０００７】
この発明によれば、ベース基板と温度検知部との間に介在して温度検知部からベース基板への熱伝導を阻止する断熱部を備え、当該断熱部が多孔質材料により形成されているので、断熱部の熱コンダクタンスを小さくできて高感度化を図れ、且つ、断熱部の熱容量を小さくできて応答速度の高速化を図れ、しかも、従来のような支持梁部を形成する必要がなく製造が容易になるとともに機械的強度を高めることが可能となる。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記温度検知部は、温度に応じて電気抵抗値が変化するセンシングエレメント、温度に応じて誘電率が変化するセンシングエレメント、サーモパイル型のセンシングエレメント、焦電型のセンシングエレメントの群から選択される１つのセンシングエレメントからなることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、前記温度検知部を薄膜形成技術により形成することができる。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記ベース基板がシリコン基板からなるとともに、前記多孔質材料が多孔質シリコンであり、前記断熱部は、前記ベース基板の一部を陽極酸化処理することにより形成されてなることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、陽極酸化処理の条件を変えることで前記断熱部の多孔度を容易に調整することができる。また、前記ベース基板の前記一表面上にシリコン層を成膜してから当該シリコン層を陽極酸化処理することにより前記断熱部を形成する場合に比べて、製造プロセスの簡略化を図れる。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記多孔質材料は、多孔質の酸化シリコン、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマー、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの群から選択される材料であることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、請求項３の発明に比べて、前記多孔質材料の熱伝導率が小さくなるので、より一層の高感度化を図れる。また、前記断熱部の形成にあたっては、ゾルゲル溶液を前記ベース基板の前記一表面側に回転塗布してから、乾燥させるプロセスを採用することができ、前記断熱部を容易に形成することができる。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、前記温度検知部に積層され赤外線を吸収する赤外線吸収層を備えることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、より一層の高感度化を図れる。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１の発明は、製造が容易で機械的強度の向上、高感度化および応答速度の高速化を図れるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（実施形態１）
以下、本実施形態の赤外線センサについて図１を参照しながら説明する。
【００１８】
本実施形態の赤外線センサは、単結晶のｐ形のシリコン基板からなる矩形板状のベース基板１と、ベース基板１の一表面（図１（ｂ）における上面）側に形成されて赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部３と、温度検知部３に積層され赤外線を吸収する赤外線吸収層６と、ベース基板１の上記一表面側でベース基板１と温度検知部３との間に介在して温度検知部３からベース基板１への熱伝導を阻止する断熱部２と、ベース基板１の上記一表面側で温度検知部３に金属配線４ａ，４ｃを介して電気的に接続された一対のパッド５ａ，５ｃとを備えており、一対のパッド５ａ，５ｃを通して温度検知部３の出力を外部へ取り出すようになっている。なお、ベース基板１としては抵抗率が大きなシリコン基板を用いている。断熱部２の平面形状はベース基板１の平面形状よりも小さな矩形状となっており、上述の各パッド５ａ，５ｃは断熱部２に重ならない部位に配置されている。また、後述のように本実施形態ではベース基板１としてシリコン基板を用いており、金属配線４ａ，４ｃのうち断熱部２に重ならない部位とベース基板１との間には図示しない絶縁膜（シリコン酸化膜）が介在している。また、温度検知部３の平面形状は断熱部２の平面形状よりも小さな矩形状となっている。
【００１９】
ここにおいて、本実施形態の赤外線センサは、検出対象の赤外線として人体から放射される８μｍ〜１３μｍの波長帯の赤外線を想定しており、赤外線吸収層６の材料としてＳｉＯＮを採用しているが、赤外線吸収層６の材料はＳｉＯＮに限らず、例えばＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、金黒などを採用してもよい。
【００２０】
温度検知部３は、温度に応じて電気抵抗値が変化するセンシングエレメントであるサーミスタからなり、断熱部２上に形成されたクロム膜からなる下部電極３ａと、下部電極３ａ上に形成されたアモルファスシリコン膜からなる抵抗体層３ｂと、抵抗体層３ｂ上に形成されたクロム膜からなる上部電極３ｃとで構成されている。なお、本実施形態では、抵抗体層３ｂの材料としてアモルファスシリコンを採用しているが、抵抗体層３ｂの材料はアモルファスシリコンに限らず、例えば、酸化バナジウムなどを採用してもよい。
【００２１】
ここで、温度検知部３は、下部電極３ａおよび上部電極３ｃそれぞれが上述の金属配線４ａ，４ｃを介してパッド５ａ，５ｃと電気的に接続されている。各金属配線４ａ，４ｃは、温度検知部３から温度検知部３の外周縁に沿って延長した形状であって、２つの金属配線４ａ，４ｃで温度検知部３の略全周を囲むような形状に形成されている。具体的には、各金属配線４ａ，４ｃの平面形状は、温度検知部３の外周縁の隣り合う２辺に沿ったＬ字状に形成されており、各金属配線４ａ，４ｃの両端部のうち温度検知部３側の端部（温度検知部３に連結された側の端部）は、温度検知部３の矩形状の外周縁において対角位置にある２つの角部それぞれに連結されている。なお、金属配線４ａの材料としては、下部電極３ａと同じクロムを採用し、パッド５ａの材料としては、アルミニウム、金などを採用している。また、金属配線４ｃの材料としては、上部電極３ｃと同じクロムを採用し、パッド５ｃの材料としては、アルミニウム、金などを採用している。また、金属配線４ａ，４ｃは、当該金属配線４ａ，４ｃを通した熱伝達をほとんど無視できるように幅寸法を設定してある。
【００２２】
温度検知部３は、温度に応じて電気抵抗値が変化するセンシングエレメントに限らず、温度に応じて誘電率が変化するセンシングエレメント、サーモパイル型のセンシングエレメント、焦電型のセンシングエレメントなどを採用してもよく、いずれのセンシングエレメントを採用した場合でも、材料を適宜選択することで一般的な薄膜形成技術を利用して形成することができる。なお、温度に応じて誘電率の変化するセンシングエレメントの材料としては、例えば、ＰＺＴ、ＢＳＴなどを採用すればよい。
【００２３】
ところで、本実施形態では、上述の断熱部２が多孔質材料である多孔質シリコンにより形成されている。具体的には、本実施形態では、上述のようにベース基板１としてｐ形のシリコン基板を用いており、断熱部２を多孔度（多孔率）が略７０％の多孔質シリコン層により構成している。したがって、ベース基板１として用いるシリコン基板の一部を、例えば５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを略１：１で混合した電解液中で陽極酸化処理することにより断熱部２となる多孔質シリコン層を形成することができる。ここに、陽極酸化処理の条件（例えば、電流密度、通電時間など）を適宜設定することにより、断熱部２となる多孔質シリコン層の多孔度や厚みそれぞれを所望の値とすることができる。多孔質シリコン層は、多孔度が高くなるにつれて熱伝導率および熱容量が小さくなる。なお、本実施形態の赤外線センサでは、断熱部２の厚さを１０μｍとしてあるが、この数値は特に限定するものではない。
【００２４】
ここにおいて、本実施形態における断熱部２は、多孔度が略７０％の多孔質シリコン層により構成してあるが、多孔度が小さ過ぎると十分な断熱効果が得られず多孔度が大き過ぎると機械的強度が弱くなって構造形成が困難となるので、多孔質シリコン層の多孔度は例えば４０％〜８０％程度の範囲内で適宜設定すればよい。
【００２５】
ここで、断熱部２の熱コンダクタンスＧは、断熱部２の材料の熱伝導率をα〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、断熱部２の厚さをＬ〔μｍ〕、断熱部２の断面積をＳとすれば、Ｇ＝α×（Ｓ／Ｌ）で求められるが、仮に、断熱部２の材料がＳｉＯ２の場合には、α＝１．４〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、Ｌ＝１０〔μｍ〕、Ｓ＝２５００〔μｍ２〕とすれば、熱コンダクタンスＧは、
Ｇ＝α×（Ｓ／Ｌ）＝３５×１０−５〔Ｗ／Ｋ〕となる。
【００２６】
これに対して、本実施形態のように、断熱部２を多孔度が略７０％の多孔質シリコン層により構成している場合には、α＝０．１〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、Ｌ＝１０〔μｍ〕、Ｓ＝２５００〔μｍ２〕とすれば、熱コンダクタンスＧは、
Ｇ＝α×（Ｓ／Ｌ）＝２．５×１０−５〔Ｗ／Ｋ〕
となり、断熱部２がＳｉＯ２膜により構成される比較例の熱コンダクタンスＧの１０分の１よりも小さな値となるから、断熱部２を通した熱伝達をより抑制することができ、高感度化を図れる。
【００２７】
また、断熱部２の熱容量Ｃは、断熱部２の体積比熱をｃv、断熱部２の面積をＡ〔μｍ２〕、断熱部２の厚さをｄ〔μｍ〕とすれば、Ｃ＝ｃv×Ａ×ｄで求められるが、仮に、断熱部２の材料がＳｉＯ２の場合には、ｃv＝１．８×１０６〔Ｊ／（ｍ３・Ｋ）〕、Ａ＝２５００〔μｍ２〕、ｄ＝１０〔μｍ〕とすれば、熱容量Ｃは、
Ｃ＝ｃv×Ａ×ｄ＝４５×１０−９〔Ｊ／Ｋ〕となる。
【００２８】
これに対して、本実施形態のように、断熱部２を多孔度が略７０％の多孔質シリコン層により構成している場合には、ｃv＝０．５×１０６〔Ｊ／（ｍ３・Ｋ）〕、Ａ＝２５００〔μｍ２〕、ｄ＝１０〔μｍ〕とすれば、熱容量Ｃは、
Ｃ＝ｃv×Ａ×ｄ＝１２．５×１０−９〔Ｊ／Ｋ〕
となり、断熱部２がＳｉＯ２膜により構成される比較例の熱容量Ｃの３分の１よりも小さな値となるから、時定数が小さくなって応答速度の高速化を図れる。
【００２９】
以下、本実施形態の赤外線センサの製造方法について図２を参照しながら説明する。なお、図２では、図１（ｂ）と同様に、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面に対応する部位の断面を示してある。
【００３０】
まず、ｐ形の単結晶のシリコン基板からなるベース基板（後述のダイシングを行うまではウェハ）１の上記一表面側に上記絶縁膜（図示せず）を陽極酸化処理時のマスクとして形成してから、ベース基板１の他表面（図１（ｂ）における下面）側に陽極酸化処理時に用いる通電用電極（図示せず）を形成した後、ベース基板１の上記一表面側における断熱部２の形成予定部位を陽極酸化処理にて多孔質化することで多孔質シリコン層からなる断熱部２を形成する陽極酸化処理工程を行うことによって、図２（ａ）に示す構造を得る。ここにおいて、陽極酸化処理工程では、電解液として５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを１：１で混合した混合液を用い、ベース基板１を主構成とする被処理物を処理槽に入れられた電解液に浸漬し、通電用電極を陽極、ベース基板１の上記一表面側に対向配置された白金電極を陰極として、電源から陽極と陰極との間に所定の電流密度（例えば、２０ｍＡ／ｃｍ２）の電流を所定時間（例えば、８分）だけ流す陽極酸化処理を行うことによりベース基板１の上記一表面側に所定厚さ（例えば、１０μｍ）の多孔質シリコン層からなる断熱部２を形成している。なお、陽極酸化処理の条件は特に限定するものではなく、電流密度は例えば１〜５００ｍＡ／ｃｍ２程度の範囲内で適宜設定すればよいし、上記所定時間も断熱部２の上記所定厚さに応じて適宜設定すればよい。
【００３１】
その後、ベース基板１の上記一表面側の全面に下部電極３ａおよび金属配線４ａの基礎となるクロム膜をスパッタ法などにより成膜した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して当該クロム膜をパターニングすることでそれぞれ当該クロム膜の一部からなる下部電極３ａおよび金属配線４ａを同時に形成することによって、図２（ｂ）に示す構造を得る。
【００３２】
次に、ベース基板１の上記一表面側の全面に抵抗体層３ｂの基礎となるアモルファスシリコン層をＣＶＤ法などにより成膜してから、当該アモルファスシリコン層をパターニングすることで当該アモルファスシリコン層の一部からなる抵抗体層３ｂを形成することによって、図２（ｃ）に示す構造を得る。
【００３３】
その後、ベース基板１の上記一表面側の全面に上部電極３ｃおよび金属配線４ｃの基礎となるクロム膜をスパッタ法などにより成膜した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して当該クロム膜をパターニングすることでそれぞれ当該クロム膜の一部からなる上部電極３ｃおよび金属配線４ｃを同時に形成することによって、図２（ｄ）に示す構造を得る。
【００３４】
その後、ベースの上記一表面側の全面に各パッド５ａ，５ｃの基礎となるアルミニウム膜をスパッタ法などにより成膜した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して当該アルミニウム膜をパターニングすることでそれぞれ当該アルミニウム膜の一部からなるパッド５ａ，５ｃを形成することによって、図２（ｅ）に示す構造を得る。
【００３５】
更にその後、ベース基板１の上記一表面側の全面に赤外線吸収層６の基礎となるＳｉＯＮ膜をＣＶＤ法などにより成膜してから、当該ＳｉＯＮ膜をパターニングすることで当該ＳｉＯＮ膜の一部からなる赤外線吸収層６を形成することによって、図２（ｆ）に示す構造を得る。その後、ダイシングを行うことで個々の赤外線センサに分割すればよい。
【００３６】
以上説明した本実施形態の赤外線センサでは、ベース基板１と温度検知部３との間に介在して温度検知部３からベース基板１への熱伝導を阻止する断熱部２を備え、当該断熱部２が多孔質材料により形成されているので、断熱部２の熱コンダクタンスを小さくできて高感度化を図れ、且つ、断熱部２の熱容量を小さくできて応答速度の高速化を図れ、しかも、従来のような支持梁部を形成する必要がなく製造が容易になるとともに機械的強度を高めることが可能となる。また、本実施形態の赤外線センサでは、温度検知部３に赤外線吸収層６が積層されているので、より一層の高感度化を図れる。
【００３７】
ところで、上記実施形態では、ベース基板１として単結晶のｐ形のシリコン基板を採用しているが、ベース基板１は単結晶のｐ形のシリコン基板に限らず、多結晶あるいはアモルファスのｐ形のシリコン基板でもよいし、また、ｐ形に限らず、ｎ形あるいはノンドープであってもよく、ベース基板１の種類に応じて陽極酸化処理の条件を適宜変更すればよい。また、上記実施形態では、ベース基板１の材料としてＳｉを採用しているが、ベース基板１の材料はＳｉに限らず、例えば、Ｇｅ，ＳｉＣ，ＧａＰ，ＧａＡｓ，ＩｎＰなどの陽極酸化処理による多孔質化が可能な他の半導体材料でもよい。したがって、断熱部２を構成する多孔質層も多孔質シリコン層に限らず、例えば、多結晶シリコンを陽極酸化処理することにより形成した多孔質多結晶シリコン層や、シリコン以外の半導体材料からなる多孔質半導体層でもよい。
【００３８】
（実施形態２）
ところで、実施形態１では、ベース基板１の一部を陽極酸化処理することにより断熱部２を形成していたが、本実施形態の赤外線センサでは、図３に示すように、ベース基板１の一表面（図３（ｂ）における上面）上に断熱部２を形成している点などが相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００３９】
本実施形態の赤外線センサでは、ベース基板１上に断熱部２が形成され、断熱部２上に温度検知部３および各金属配線４ａ，４ｃが形成され、各金属配線４ａ，４ｃそれぞれの一部の上にパッド５ａ，５ｃが形成されている。
【００４０】
ところで、本実施形態の赤外線センサでは、断熱部２の多孔質材料として、多孔質の酸化シリコンの一種であるポーラスシリカを採用しているが、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマーの一種であるメチル含有ポリシロキサン、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの一種であるＳｉ−Ｈ含有ポリシロキサン、シリカエアロゲルなどを採用してもよい。
【００４１】
ここにおいて、本実施形態における断熱部２は、多孔度が６０％のポーラスシリカ膜により構成してあるが、多孔度が小さ過ぎると十分な断熱効果が得られず多孔度が大き過ぎると機械的強度が弱くなって構造形成が困難となるので、ポーラスシリカ膜の多孔度は例えば４０％〜８０％程度の範囲内で適宜設定すればよい。
【００４２】
ここで、断熱部２の熱コンダクタンスＧは、仮に、断熱部２の材料がＳｉＯ２の場合には、α＝１．４〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、Ｌ＝１０〔μｍ〕、Ｓ＝２５００〔μｍ２〕とすれば、
Ｇ＝α×（Ｓ／Ｌ）＝３５×１０−５〔Ｗ／Ｋ〕となる。
【００４３】
これに対して、本実施形態のように、断熱部２を多孔度が６０％のポーラスシリカ膜により構成している場合には、α＝０．０１〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、Ｌ＝１０〔μｍ〕、Ｓ＝２５００〔μｍ２〕とすれば、熱コンダクタンスＧは、
Ｇ＝α×（Ｓ／Ｌ）＝０．２５×１０−５〔Ｗ／Ｋ〕
となり、断熱部２がＳｉＯ２膜により構成される比較例に比べて１００分の１よりも小さな値となるから、断熱部２を通した熱伝達をより抑制することができ、高感度化を図れる。
【００４４】
また、断熱部２の熱容量Ｃは、仮に、断熱部２の材料がＳｉＯ２の場合には、ｃv＝１．８×１０６〔Ｊ／（ｍ３・Ｋ）〕、Ａ＝２５００〔μｍ２〕、ｔ＝２〔μｍ〕とすれば、
Ｃ＝ｃv×Ａ×ｄ≒９０．４×１０−１０〔Ｊ／Ｋ〕となる。
【００４５】
これに対して、本実施形態のように、断熱部２を多孔度が６０％のポーラスシリカ膜により構成している場合には、ｃv＝０．７×１０６〔Ｊ／（ｍ３・Ｋ）〕、Ａ＝２５００〔μｍ２〕、ｄ＝２〔μｍ〕とすれば、熱容量Ｃは、
Ｃ＝ｃv×Ａ×ｄ＝３５．２×１０−１０〔Ｊ／Ｋ〕
となり、熱容量Ｃを断熱部２がＳｉＯ２膜により構成される比較例に比べて半分よりも小さな値となるから、時定数が小さくなって応答速度の高速化を図れる。
【００４６】
ところで、本実施形態の赤外線センサの製造方法は実施形態１にて説明した製造方法と略同じであって、断熱部２の形成方法が相違する。すなわち、本実施形態における断熱部２の形成にあたっては、上記多孔質材料がポーラスシリカの場合には、ゾルゲル溶液をベース基板１の上記一表面上に回転塗布してから、熱処理で乾燥させるプロセスを採用することで容易に形成することができ、上記多孔質材料がシリカエアロゲルの場合には、ゾルゲル溶液をベース基板１の上記一表面上に回転塗布してから、超臨界乾燥処理で乾燥させるプロセスを採用することで容易に形成することができる。
【００４７】
以上説明した本実施形態の赤外線センサでは、実施形態１の赤外線センサと同様に、断熱部２の熱コンダクタンスを小さくできて高感度化を図れ、且つ、断熱部２の熱容量を小さくできて応答速度の高速化を図れ、しかも、従来のような支持梁部を形成する必要がなく製造が容易になるとともに機械的強度を高めることが可能となる。
【００４８】
なお、上記各実施形態にて説明した赤外線センサは、赤外線吸収層６と温度検知部３とを備えたセンサ部を１つだけ設けた赤外線検出素子であるが、赤外線吸収層６と温度検知部３とを備えたセンサ部を２次元アレイ状（マトリクス状）に配列し各センサ部が画素を構成するようにした赤外線画像センサでもよい。また、上記各実施形態では、赤外線吸収層６を温度検知部３に積層してあるが、赤外線吸収層６は必ずしも設ける必要はない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施形態１を示し、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図である。
【図２】同上の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図３】実施形態２を示し、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  ベース基板
２  断熱部
３  温度検知部
３ａ  下部電極
３ｂ  抵抗体層
３ｃ  上部電極
４ａ，４ｃ  金属配線
５ａ，５ｃ  パッド
６  赤外線吸収層
【図１】
2007051915.tif 000003
【図２】
2007051915.tif 000004
【図３】
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