(57)【要約】      （修正有）【課題】マスクレスリソグラフィにおいて基板に投影される迷散乱光を低減する。【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームを調整する個別制御可能な要素のアレイと、調整されたビームを基板に投影する投影系とを備える。個別制御可能な要素には、投影系によって基板上に望ましくない放射が投影されなくなるように、望ましくない放射を実質的に相殺するかまたは少なくとも部分的に相殺する補償放射を与えるように構成された補償特徴が設けられている。【選択図】図１
2007189220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調整する個別制御可能な要素のアレイと、
調整されたビームを基板上に投影する投影系と、
を備え、
前記個別制御可能な要素には、望ましくない放射が投影系によって基板上に投影されなくなるように、望ましくない放射を実質的に相殺するかまたは少なくとも部分的に相殺する補償放射を提供するように構成された補償特徴が設けられていることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記個別制御可能な要素のアレイは、移動可能なミラーのアレイであることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記補償特徴は、前記ミラーの残りの部分に対して凹んだ部分または高くなった部分でなり、この部分で反射された放射がミラーの残りの部分で反射された放射とは異なる位相を持つようにすることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記補償特徴の深さまたは高さは、ミラー表面の残りの部分と比較して放射波長の１／４であることを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記補償特徴の大きさは、前記望ましくない放射を実質的にまたは少なくとも部分的に相殺するように構成されることを特徴とする請求項１に記載にリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記補償特徴は、前記ミラーの回転軸について対称であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記補償特徴は前記ミラーの回転軸に配置され、ミラーの回転軸の両端に延びることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記補償特徴は、前記ミラーの回転軸と平行な方向にミラーに沿って延びる段差からなることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記段差が放射波長の１／４の深さであることを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記段差は前記ミラーの回転軸を二等分することを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記補償特徴は、高くなった部分および／または凹んだ部分のアレイを備えることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記移動可能なミラーは柱と接続され、該柱に補償特徴が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記補償特徴は前記柱に設けられた段差からなることを特徴とする請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
各ミラーの一部がミラーの残りの部分に対して凹んでいるかまたは高くなっている補償特徴を備えることを特徴とする移動可能なミラーのアレイ。
【請求項１５】
ミラーに沿って横方向に延びる段差からなる補償特徴を備えることを特徴とする移動可能なミラーのアレイ。
【請求項１６】
補償特徴を備える支持基板と、
前記支持基板に接続され放射ビームを調整する個別制御可能な要素のアレイと、
調整されたビームを基板に投影する投影系と、
を備え、
前記補償特徴は、前記支持基板によって反射された望ましくない放射が前記投影系によって前記基板上に投影されないように、望ましくない放射を実質的に相殺するかまたは少なくとも部分的に相殺する補償放射を提供することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１７】
支持基板と、
前記支持基板上に設けられた移動可能なミラーのアレイと、を備え、
前記支持基板には、該支持基板に沿って横方向に延びる段差でなる補償特徴が設けられていることを特徴とするシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板上にまたは基板の一部に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えばフラットパネルディスプレイ、集積回路（ＩＣ）、および微細な構造を備える他のデバイスの製造に用いることができる。従来の装置では、マスクまたはレチクルと呼ばれるパターニング用デバイスを用いて、フラットパネルディスプレイ（または他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。基板上に設けられた放射感受性材料（レジスト）の層にイメージを与えることで、基板（例えば、ガラスプレート）の全体または一部にこのパターンを転写することができる。
【０００３】
パターニング用デバイスを用いて、回路パターンの代わりに他のパターン、例えばカラーフィルタパターンまたはマトリックス状の点を生成することができる。マスクの代わりに、パターニング用デバイスは、個別制御可能な要素のアレイからなるパターニング用アレイを備えてもよい。このシステムでは、マスクべースのシステムと比較してより迅速にかつ少ないコストでパターンを変更することができる。
【０００４】
フラットパネルディスプレイ基板は、通常長方形形状をしている。このタイプの基板を露光するように設計されているリソグラフィ装置は、長方形基板の全幅を覆う露光領域、または長方形基板の幅の一部（例えば、幅の半分）を覆う露光領域を提供することができる。露光領域の下部で基板が走査される一方、マスクまたはレチクルが同期してビームによって走査される。このようにして、パターンが基板に転写される。露光領域が基板の全幅を覆う場合、一回の走査で露光を完了することができる。例えば、露光領域が基板の幅の半分を覆う場合には、一回目の走査の後、基板を横方向に移動させ、さらなる走査が通常実行されて基板の残りの部分が露光される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、マスクベースのリソグラフィの代替として、マスクレスリソグラフィが提案されている。マスクレスリソグラフィでは、個別制御可能な要素のアレイを備えるパターニング用デバイスを使用して、基板に投影される放射ビームを調整する。ビームの調整は、個別制御可能な要素の位置または方向を調節することによって変更可能である。マスクレスリソグラフィを使用するとき、基板に投影されるビーム内の望ましくない迷散乱光（stray scattered light）の量を低減することが望ましい。
【０００６】
個別制御可能なプログラマブルデバイス間での不一致を補償するリソグラフィ装置および方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態では、放射ビームを調整する個別制御可能な要素のアレイと、調整されたビームを基板上に投影する投影系とを備えるリソグラフィ装置が提供される。個別制御可能な要素には補償特徴が設けられる。補償特徴は、望ましくない放射が投影系によって基板上に投影されなくなるように、望ましくない放射を実質的に相殺するかまたは少なくとも部分的に相殺する補償放射を提供する。
【０００８】
本発明の別の実施形態では、補償特徴を備える移動可能なミラーのアレイが提供される。補償特徴は、ミラーの残りの部分に対して凹んでいるかまたは高くなっている各ミラーの一部である。
【０００９】
本発明のさらなる実施形態では、補償特徴を備える移動可能なミラーのアレイが提供される。補償特徴は、ミラーに沿って横方向に延びる段差でなる。
【００１０】
本発明のさらに別の実施形態では、放射ビームを調整する個別制御可能な要素のアレイと、調整されたビームを基板に投影する投影系とを備えるリソグラフィ装置が提供される。個別制御可能な要素には、支持基板によって反射された望ましくない放射が投影系によって基板上に投影されないように、望ましくない放射を実質的に相殺するかまたは少なくとも部分的に相殺する補償放射を提供するように構成された補償特徴が設けられる。
【００１１】
本発明のさらに別の実施形態では、支持基板上に設けられた移動可能なミラーのアレイが提供される。支持基板には、該支持基板に沿って横方向に延びる段差でなる補償特徴が設けられている。
【００１２】
本発明のさらなる実施形態、特徴、および利点について、本発明の様々な実施形態の構造および動作とともに、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。
【００１３】
本明細書に援用され明細書の一部をなす添付の図面は、本発明の一つまたは複数の実施形態を表し、また、図面の説明とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を製造し使用することを可能にする役割を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
添付の図面を参照して、以下に本発明を説明する。図面中、同様の番号は同一の要素または機能的に類似した要素を表す。さらに、参照番号の左端の桁によって、その参照番号が最初に現れた図面を識別することができる。
【００１５】
特定の構成および配置が説明されるが、これは説明の目的のためにのみ行われていることを理解するべきである。当業者は、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、他の構成および配置を使用できることは言うまでもない。本発明を様々な他の応用形態でも使用できることは、当業者にとって明らかである。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を表す。リソグラフィ装置は、照明系ＩＬ、パターニング用デバイスＰＤ、基板テーブルＷＴ、投影系ＰＳを備える。照明系（照明器）ＩＬは、放射ビームＢ（例えば、紫外線放射）を調節するように構成される。
【００１７】
パターニング用デバイスＰＤ（例えば、レチクル、マスク、または個別制御可能な要素のアレイ）は、ビームを調整する。一般に、個別制御可能な要素のアレイの位置は、投影系ＰＳに対して固定される。しかしながら、代わりに、個別制御可能な要素のアレイを特定のパラメータにしたがって正確に配置するように構成されたポジショナにアレイが接続されてもよい。
【００１８】
基板テーブルＷＴは基板（例えば、レジストでコートされた基板）Ｗを支持するように構築されており、特定のパラメータにしたがって基板を正確に配置するように構成されたポジショナＰＷと接続される。
【００１９】
投影系（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、個別制御可能な要素のアレイによって調節された放射ビームを、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つまたは複数のダイを含む）上に投影するように構成される。
【００２０】
照明系は、様々なタイプの光学部品を含むことができる。例えば、放射を導き、成型し、または制御するための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他のタイプの部品、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。
【００２１】
本明細書で用いられる「パターニング用デバイス」または「コントラスト用デバイス」という用語は、放射ビームの断面を調節して例えば基板の目標部分にパターンを形成するために使用可能な任意のデバイスを指すものとして、広く解釈されるべきである。このデバイスは、静的パターニング用デバイス（例えば、マスクまたはレチクル）、または動的パターニング用デバイス（例えば、プログラム可能な要素のアレイ）のいずれであってもよい。簡潔さのために、説明の大半を動的パターニング用デバイスに関して述べるが、本発明の範囲から逸脱することなく、静的パターニング用デバイスも使用できることは認められよう。
【００２２】
例えば、パターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を備えている場合、放射ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分の所望のパターンと必ずしも正確に一致していなくてもよいことに注意する。同様に、基板に最終的に生成されるパターンは、任意の瞬間に個別制御可能な要素のアレイ上に形成されるパターンと一致していなくてもよい。これは、基板の各部に形成された最終的なパターンが所与の期間または所与の露光回数にわたって積み上げられる構成においても当てはまる。露光の間、個別制御可能な要素のアレイおよび／または基板の相対位置上のパターンは変化する。
【００２３】
通常、基板の目標部分に作成されるパターンは、集積回路またはフラットパネルディスプレイなどの基板の目標部分に作成されるデバイス内の特定の機能層（例えば、フラットパネルディスプレイのカラーフィルタ層、またはフラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ層）に対応する。この種のパターニング用デバイスの例には、レチクル、プログラム可能なミラーのアレイ、レーザダイオードアレイ、発光ダイオードアレイ、グレーティングライトバルブ（grating light valves）、およびＬＣＤアレイが含まれる。
【００２４】
複数のプログラム可能な要素（例えば、レチクルを除く前文で述べたデバイスの全て）を備えるパターニング用デバイスといった、電子手段（例えば、コンピュータ）を用いてパターンがプログラム可能であるパターニング用デバイスは、本明細書では集合的に「コントラスト用デバイス」と呼ばれる。一実施例では、パターニング用デバイスは、少なくとも１０個のプログラム可能な要素を備える。例えば、少なくとも１００個、少なくとも１０００個、少なくとも１万個、少なくとも１０万個、少なくとも１０００万個、または少なくとも１０００万個のプログラム可能な要素を備える。
【００２５】
プログラム可能なミラーアレイは、粘弾性制御層と反射面とを有するマトリックス状にアドレス指定可能な表面を備えてもよい。このような装置の背後にある基本原理は、例えば、反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射する一方、アドレス指定されない領域は、入射光を非回折光として反射する、というものである。適切な空間フィルタを用いることで、反射ビームから非回折光を取り除き、回折光だけを残して基板に到達させることができる。このように、マトリックス状にアドレス指定可能な表面のアドレス指定後のパターンにしたがって、ビームにパターンが付与される。
【００２６】
代替的に、フィルタで回折光を取り除き、非回折光を残して基板に到達させることができるのは言うまでもない。
【００２７】
回折光学ＭＥＭＳデバイス（micro-electro-mechanical system devices）のアレイを対応する方法で使用することもできる。一実施例では、回折光学ＭＥＭＳデバイスは、複数の反射リボンから構成されている。反射リボンは互いに対して変形して、入射光を回折光として反射する格子を形成することができる。
【００２８】
プログラム可能なミラーアレイのさらに別の実施例は、微少なミラーのマトリックス配列を使用する。微少ミラーのそれぞれを、適当な局所電解を印加することによって、または圧電作動手段を使用することによって、軸周りに個別に傾斜させることができる。この場合も、ミラーはマトリックス状にアドレス指定可能であり、アドレス指定されたミラーは、入射する放射ビームをアドレス指定されないミラーとは異なる方向に反射する。このようにして、マトリックス状にアドレス指定可能なミラーのアドレス指定後のパターンにしたがって、反射ビームにパターンを付与することができる。必要なマトリックス状のアドレス指定は、適当な電子手段を用いて実行することができる。
【００２９】
別の実施例のＰＤは、プログラム可能なＬＣＤアレイである。
【００３０】
リソグラフィ装置は、一つまたは複数のコントラスト用デバイスを備えることができる。例えば、リソグラフィ装置は、個別制御可能な要素のアレイを複数備えてもよく、これらは互いに独立して制御される。この構成では、個別制御可能な要素のアレイの一部または全てが、少なくとも一つの共通の照明系（または、照明系の一部）と、個別制御可能な要素のアレイ用の共通の支持構造と、および／または共通の投影系（または、投影系の一部）とを有することができる。
【００３１】
図１に示した実施形態などの例では、基板Ｗは実質的に円形形状をなしており、その周囲部に沿って任意に切り欠きおよび／または平坦な縁を有する。一例では、基板は長方形形状などの多角形形状をなしている。
【００３２】
基板が実質的に円形形状である例には、少なくとも２５ｍｍの直径を有する基板が含まれる。基板の直径は、例えば、少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、または少なくとも３００ｍｍである。一実施形態では、基板の直径は最大５００ｍｍ、最大４００ｍｍ、最大３５０ｍｍ、最大３００ｍｍ、最大２５０ｍｍ、最大２００ｍｍ、最大１５０ｍｍ、最大１００ｍｍ、または最大７５ｍｍである。
【００３３】
基板が多角形、例えば長方形である例には、基板の少なくとも一辺の長さ、例えば少なくとも基板の二辺または少なくとも三辺の長さが、少なくとも５ｃｍ、例えば少なくとも２５ｃｍ、少なくとも５０ｃｍ、少なくとも１００ｃｍ、少なくとも１５０ｃｍ、少なくとも２００ｃｍ、または少なくとも２５０ｃｍのものが含まれる。
【００３４】
一実施例では、基板の少なくとも一辺の長さは、最大１０００ｃｍ、例えば最大７５０ｃｍ、最大５００ｃｍ、最大３５０ｃｍ、最大２５０ｃｍ、最大１５０ｃｍ、または最大７５ｃｍである。
【００３５】
一実施例では、基板Ｗはウェハであり、例えば半導体ウェハである。一実施例では、ウェハの材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰおよびＩｎＡｓからなる群から選択される。一実施例では、ウェハはＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体ウェハである。一実施例では、ウェハはシリコンウェハである。一実施形態では、基板はセラミック基板である。一実施例では、基板はガラス基板である。一実施例では、基板はプラスチック基板である。一実施例では、基板は（人間の裸眼に対して）透明である。一実施例では、基板は色付きである。一実施例では、基板には色がない。
【００３６】
基板の厚みは変化してもよい。また、基板の厚みは、例えば基板材料および／または基板寸法にある程度は依存してもよい。一実施例では、基板の厚みは少なくとも５０マイクロメートル、例えば少なくとも１００マイクロメートル、少なくとも２００マイクロメートル、少なくとも３００マイクロメートル、少なくとも４００マイクロメートル、少なくとも５００マイクロメートル、または少なくとも６００マイクロメートルである。一実施例では、基板の厚みは、最大５０００マイクロメートル、例えば最大３５００マイクロメートル、最大２５００マイクロメートル、最大１７５０マイクロメートル、最大１２５０マイクロメートル、最大１０００マイクロメートル、最大８００マイクロメートル、最大６００マイクロメートル、最大５００マイクロメートル、最大４００マイクロメートル、または最大３００マイクロメートルである。
【００３７】
本明細書で参照される基板は、例えばトラック（通常、基板にレジストの層を塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツールおよび／または検査ツールによって、露光の前後に加工されてもよい。一実施例では、レジスト層は基板に設けられる。
【００３８】
本明細書で使用される「投影系」という用語は、使用中の露光放射に適した、あるいは液浸の使用または真空の使用といった他の要因に適した、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、および静電気の光学系、またはそれらの組み合わせを含むあらゆるタイプの投影系を包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「投影系」と同義であるとみなしてよい。
【００３９】
投影系は、基板上にパターンがコヒーレントに形成されるように、個別制御可能な要素のアレイ上にパターンの像を作ることができる。または、投影系は第２の放射源の像を作ってもよく、個別制御可能な要素のアレイの要素が第２の放射源のシャッタとして作用する。この点において、投影系は、例えば第２の放射源を形成しまた基板上にスポットの像を作るために、マイクロレンズアレイ（ＭＬＡとして知られる）またはフレネルレンズアレイなどの集束要素のアレイを備えることができる。一実施例では、集束要素のアレイ（例えば、ＭＬＡ）は、少なくとも１０個の集束要素、例えば少なくとも１００個の集束要素、少なくとも１０００個の集束要素、少なくとも１万個の集束要素、少なくとも１０万個の集束要素、または少なくとも１００万個の集束要素からなる。一実施例では、パターニング用デバイス内の個別制御可能な要素の数は、集束要素のアレイ内の集束要素の数と等しいか、それ以上である。一実施例では、集束要素アレイ内の集束要素の一つまたは複数（例えば、１０００以上、大多数、または各々）を、個別制御可能な要素のアレイ内の個別制御可能な要素の一つまたは複数と光学的に関連付けることができる。例えば、個別制御可能な要素のアレイ内の個別制御可能な要素の二つ以上、例えば３以上、５以上、１０以上、２０以上、２５以上、３５以上、または５０以上と関連付けることができる。一実施例では、例えば一つまたは複数のアクチュエータを用いて、少なくとも基板に向けておよび基板から離れる方向にＭＬＡを移動することができる。基板に向けておよび基板から離れる方向にＭＬＡを移動可能とすることで、基板を移動する必要なく、例えば焦点調節が可能になる。
【００４０】
図１に示すように、リソグラフィ装置は反射型（例えば、個別制御可能な要素の反射アレイを使用するもの）である。代替的に、リソグラフィ装置は透過型（例えば、個別制御可能な要素の透過アレイを使用するもの）であってもよい。
【００４１】
リソグラフィ装置は、二つの基板テーブル（デュアルステージ）または複数の基板テーブルを有するタイプであってもよい。このような「マルチステージ」の装置では、追加のテーブルを並列して使用してもよいし、一つまたは複数のテーブルに対して予備的なステップを実行される一方、一つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用してもよい。
【００４２】
リソグラフィ装置は、投影系と基板の間の空間を満たすように比較的屈折率の高い「浸液」（例えば、水）によって基板の少なくとも一部が覆われているタイプの装置であってもよい。リソグラフィ装置の他の空間、例えばパターニング用デバイスと投影系の間に液浸を適用してもよい。液浸技術は、投影系の開口数を増やす技術として周知である。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板などの構造が液体に浸漬されていなければならないことを意味するわけではなく、露光中に投影系と基板との間に液体が存在していることを意味するに過ぎない。
【００４３】
再び図１を参照して、照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。一実施例では、放射源は少なくとも５ナノメートル、例えば少なくとも１０ナノメートル、少なくとも５０ナノメートル、少なくとも１００ナノメートル、少なくとも１５０ナノメートル、少なくとも１７５ナノメートル、少なくとも２００ナノメートル、少なくとも２５０ナノメートル、少なくとも２７５ナノメートル、少なくとも３００ナノメートル、少なくとも３２５ナノメートル、少なくとも３５０ナノメートル、または少なくとも３６０ナノメートルの波長を有する放射を提供する。一実施例では、放射源ＳＯによって提供される放射は、最大４５０ナノメートル、例えば最大４２５ナノメートル、最大３７５ナノメートル、最大３６０ナノメートル、最大３２５ナノメートル、最大２７５ナノメートル、最大２５０ナノメートル、最大２２５ナノメートル、最大２００ナノメートル、または最大１７５ナノメートルの波長を有する。一実施例では、放射は４３６ナノメートル、４０５ナノメートル、３６５ナノメートル、３５５ナノメートル、２４８ナノメートル、１９３ナノメートル、１５７ナノメートル、および／または１２６ナノメートルを含む波長を有する。一実施例では、放射は約３６５ナノメートルまたは約３５５ナノメートルの波長を含む。一実施例では、放射は、例えば３６５ナノメートル、４０５ナノメートルおよび４３６ナノメートルを包含する広い波長帯域を含む。３５５ナノメートルのレーザ源も使用することができた。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は別個のものであってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、例えば適切な配向ミラー（directing mirror）および／またはビームエキスパンダを備えるビーム伝送系ＢＤを用いて、放射源ＳＯから照明器ＩＬに放射ビームが渡される。他の場合、例えば放射源が水銀灯である場合、放射源はリソグラフィ装置と一体の部品であってもよい。放射源ＳＯと照明器ＩＬ、必要であればビーム伝送系ＢＤを合わせて放射系と称してもよい。
【００４４】
照明器ＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節する調節器ＡＤを備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における強度分布の外径範囲および／または内径範囲（一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれる）を少なくとも調節することができる。加えて、照明器ＩＬは、インテグレータＩＮおよび集光器ＣＯ等の様々な他の構成要素を備えてもよい。照明器を使用して放射ビームを調節し、その断面において所望の均一性および強度分布を持たせることができる。照明器ＩＬ、または照明器と関連する追加の部品は、放射ビームを複数のサブビームに分離するように構成されていてもよい。サブビームはそれぞれ、個別制御可能な要素のアレイの一つまたは複数の個別制御可能な要素と関連している。例えば、放射ビームをサブビームに分離するために、二次元の回折格子を用いることができる。この説明では、「放射のビーム」および「放射ビーム」は、このような複数の放射のサブビームでビームが構成される状況を包含するが、これに限定されるわけではない。
【００４５】
放射ビームＢは、パターニング用デバイスＰＤ（例えば、個別制御可能な要素のアレイ）上に入射し、パターニング用デバイスによって調整される。放射ビームＢは、パターニング用デバイスＰＤによって反射された後、投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳは、ビームの焦点を基板Ｗの目標部分Ｃに合わせる。ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、容量センサ等）を使用して、基板テーブルＷＴを正確に移動させて、例えば異なる目標部分Ｃを放射ビームＢの経路に配置することができる。使用されると、個別制御可能な要素のアレイ用の位置決め手段を使用して、例えば走査中に、ビームＢの経路に対するパターニング用デバイスＰＤの位置を正確に修正することができる。
【００４６】
一実施例では、基板テーブルＷＴの移動は、長ストロークモジュール（粗い位置決め）と短ストロークモジュール（微細な位置決め）を用いて実現することができる。これらモジュールは、図１には示されていない。一実施例では、リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴを移動するための少なくとも短ストロークモジュールを有していない。類似したシステムを使用して、個別制御可能な要素のアレイを配置することができる。代替的にまたは追加的に、ビームＢを移動可能とする一方、オブジェクトテーブルおよび／または個別制御可能な要素のアレイの位置を固定して、必要な相対移動を提供できることは認められよう。このような構成は、リソグラフィ装置のサイズを抑えるときに役立ちうる。例えばフラットパネルディスプレイの製造に適用可能であるさらなる変形として、基板テーブルＷＴと投影系ＰＳの位置を固定し、基板Ｗを基板テーブルＷＴに対して移動可能に構成してもよい。例えば、基板テーブルＷＴが、実質的に一定速度で基板Ｗを横断して走査するシステムを備えていてもよい。
【００４７】
図１に示すように、放射ビームＢはビームスプリッタＢＳによってパターニング用デバイスＰＤの方向に向けられる。ビームスプリッタＢＳは、放射が最初にビームスプリッタにより反射されてパターニング用デバイスＰＤに向けられるように構成されている。ビームスプリッタを使用せずに放射ビームＢをパターニング用デバイスに向けることも可能であることを理解すべきである。一実施例では、放射ビームはパターニング用デバイスに対して、０度から９０度の間、例えば、５度から８５度の間、１５度から７５度の間、２５度から６５度の間、または３５度から５５度の間の角度で向けられる（図１の実施形態では、９０度である）。パターニング用デバイスＰＤは、放射ビームＢを調整し、放射ビームを反射してビームスプリッタＢＳに戻す。ビームスプリッタＢＳは、調整されたビームを投影系ＰＳに対して透過する。しかしながら、放射ビームＢをパターニング用デバイスＰＤに向け、その後投影系ＰＳに向けるために、別の構成も使用できることは言うまでもない。特に、図１に示すような構成は、透過型のパターニング用デバイスを使用する場合には必要でない。
【００４８】
図示のリソグラフィ装置は、いくつかのモードで使用することができる。
【００４９】
１．ステップモードでは、個別制御可能な要素のアレイと基板とが本質的に静止状態を保つ一方、放射ビームに与えられたパターン全体が目標部分Ｃ上に一度に投影される（つまり、単一の静的露光）。続いて、基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動して、異なる目標部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光領域の最大サイズにより、単一の静的露光でイメージが与えられる目標部分Ｃのサイズが制限される。
【００５０】
２．走査モードでは、個別制御可能な要素のアレイと基板とが同期して走査される一方、放射ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の動的露光）。個別制御可能な要素のアレイに対する基板の速度および方向は、投影系ＰＳの倍率（縮小）および像反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一の動的露光における目標部分の（非走査方向における）幅を制限するのに対して、走査移動の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
【００５１】
３．パルスモードでは、個別制御可能な要素のアレイが本質的に静止し続け、パルス状の放射源を用いて、パターンの全体が基板Ｗの目標部分Ｃ上に投影される。基板Ｗを横切ってビームＢがライン状に走査されるように基板テーブルＷＴを本質的に一定速度で移動させる。放射系のパルスの間に必要に応じて個別制御可能な要素のアレイ上のパターンが更新され、基板Ｗの必要な位置で連続する目標部分Ｃが露光されるようにパルスが調節される。結果として、ビームＢが基板Ｗの全体を走査して、基板のストリップ状に完全なパターンを露光することができる。基板Ｗが一行ずつ完全に露光されるまで、上記過程が繰り返される。
【００５２】
４．連続走査モードでは、調整後の放射ビームＢに対して基板Ｗを実質的に一定速度で走査する点、およびビームＢが基板Ｗの全体を走査し基板Ｗを露光すると個別制御可能な要素のアレイ上のパターンが更新される点を除いて、パルスモードと実質的に同一である。個別制御可能な要素のアレイ上のパターンの更新と同期した実質的に一定の放射源またはパルス放射源を使用することができる。
【００５３】
５．ピクセル格子イメージングモードでは、パターニング用デバイスＰＤに向けられたスポットジェネレータにより形成されるスポットを連続的に露光することで、基板Ｗ上に形成されるパターンが実現される。露光されたスポットは、実質的に同じ形状を有する。スポットは、基板Ｗ上に実質的に格子状に焼き付けられる。一実施例では、スポットのサイズは、焼き付けられた画素の格子のピッチよりは大きいが、露光スポットの格子よりは遙かに小さい。焼き付けられるスポットの強度を変化させることで、パターンが実現される。露出フラッシュの間、スポットにわたる強度分布が変化する。
【００５４】
上述の使用モードの組み合わせおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用することができる。
【００５５】
リソグラフィにおいては、基板上のレジスト層にパターンが露光される。その後、レジストは現像される。続いて、追加の処理ステップが基板に実行される。基板の各部に対するこれら続きの処理の効果はレジストの露光によって決まる。特に、所与の照射量（ドース、露光量）しきい値を越える放射量（radition dose）を受けた基板の部分が、ドースしきい値を下回る放射量を受けた基板の部分と異なる反応をするように、プロセスが調整される。例えば、エッチングプロセスにおいて、しきい値を越える放射量を受けた基板の領域は、現像レジストの層によってエッチングから保護される。しかしながら、しきい値を下回る放射量を受けたレジストの部分は露光後の現像で取り除かれ、そのためこれらの領域はエッチングから保護されない。したがって、所望のパターンをエッチングすることができる。特に、パターン特徴の内部で基板上の領域に透過される放射が、その領域が露光の間にドースしきい値を越える放射量を受ける十分に高い強度となるように、パターニング用デバイスの個別制御可能な要素が設定される。対応する個別制御可能な要素をゼロまたはかなり低い放射強度を提供するように設定することによって、基板上の残りの領域は、ドースしきい値より小さい放射量を受ける。
【００５６】
実際には、特徴の境界の一側で最大の放射強度を提供し反対側で最小の放射強度を提供するように個別制御可能な要素を設定する場合でも、パターン特徴の端での放射量は、所与の最大量からゼロにまで急激には変化しない。その代わり、回折効果のために、放射量のレベルは遷移ゾーンの全体で低下する。現像されたレジストによって最終的に形成されるパターン特徴の境界の位置は、受け取った放射量がドースしきい値を下回る位置によって決まる。遷移ゾーン全体で放射量が減少する部分の輪郭、つまりパターン特徴境界の正確な位置は、パターン特徴境界上のまたは隣接する基板上の点に放射を提供する個別制御可能な要素を設定することによって、より正確に制御することができる。これらは、最大強度レベルまたは最小強度レベルであるだけでなく、最大強度レベルと最小強度レベルの間の強度レベルであってもよい。これは、一般に「グレースケーリング」と呼ばれる。
【００５７】
所与の個別制御可能な要素によって基板に与える放射強度を二値（すなわち、単に最大値と最小値）にしか設定できないリソグラフィシステムで制御する場合よりも、グレースケーリングは、パターン特徴境界の位置を詳細に制御することができる。一実施形態では、少なくとも３つの異なる放射強度値、例えば、少なくとも４つの放射強度値、少なくとも８つの放射強度値、少なくとも１６の放射強度値、少なくとも３２の放射強度値、少なくとも６４の放射強度値、少なくとも１２８の放射強度値、または少なくとも２５６の放射強度値を基板上に投影することができる。
【００５８】
上述の目的に対して追加の目的または別の目的のためにグレースケーリングを使用できることは言うまでもない。例えば、受け取った放射量レベルに依存して、基板の領域に３以上の潜在的反応があるように露光後の基板の処理を調整することができる。例えば、第１のしきい値より低い放射量を受けた基板の部分は、第１の態様で反応する。第１のしきい値を越えるが第２のしきい値より低い放射量を受けた基板の部分は、第２の態様で反応する。第２のしきい値を越える放射量を受けた基板の部分は、第３の態様で反応する。したがって、３以上の所望の放射量レベルを有する基板全体にわたる放射量プロファイル（分布）を与えるために、グレースケーリングを使用することができる。一実施形態では、放射量プロファイルは、少なくとも２つの所望の放射量レベル、例えば少なくとも３つの所望の放射量レベル、少なくとも４つの所望の放射量レベル、少なくとも６つの所望の放射量レベル、または少なくとも８つの所望の放射量レベルを有する。
【００５９】
上述したような、基板上の各点で受け取る放射の強度を単に制御することによる方法以外の方法で、放射量プロファイルを制御できることは言うまでもない。例えば、代替的にまたは追加的に、各点での露光の継続時間を制御することによって、基板上の各点で受け取られる放射量を制御することができる。他の実施例として、複数の連続露光で基板上の各点で潜在的に放射を受けることができる。したがって、複数の連続露光のうち選択されたサブセットを使用して各点を露光することによって、各点で受け取られる放射量を代替的にまたは追加的に制御することができる。
【００６０】
所要パターンを基板上に形成するために、パターニング用デバイス内の個別制御可能な要素のそれぞれを、露光プロセス中の各ステージで必要な状態に設定する必要がある。したがって、必要な状態を表す制御信号を、個別制御可能な要素のそれぞれに伝えなければならない。一実施例では、リソグラフィ装置は、制御信号を生成するコントローラを備える。基板上に形成すべきパターンは、ベクトル定義のフォーマット、例えばＧＤＳＩＩでリソグラフィ装置に提供することができる。設計情報を個別制御可能な要素それぞれのための制御信号に変換するため、コントローラは一つまたは複数のデータ処理装置を含む。各データ処理装置は、パターンを表すデータストリーム上の処理ステップを実行するように構成される。データ処理装置は、集合的に「データパス」と呼ぶことができる。
【００６１】
データパスのデータ処理装置は、以下の機能のうち一つまたは複数の機能を実行するように構成することができる。すなわち、ベクトルベースの設計情報をビットマップのパターンデータに変換する機能、ビットマップのパターンデータを所要放射量のマップ（すなわち、基板全体の所要放射量プロファイル）に変換する機能、所要放射量マップを個別制御可能な要素のそれぞれに必要な放射強度値に変換する機能、そして、個別制御可能な要素のそれぞれに必要な放射強度値を対応する制御信号に変換する機能である。
【００６２】
図２は、本発明の一実施形態による、図１のパターニング用デバイスＰＤの一部を形成する４枚のミラー１００を模式的に示す。ミラー１００は、支持基板１０４から延びる柱１０２に接続される。ミラー１００は、コネクタ１０６を介して柱１０２に取り付けられる。図２には４枚のミラー１００が示されているが、パターニング用デバイスはより多くのミラーを含むことができるのは言うまでもない。例えば、パターニング用デバイスは、少なくとも１００枚、少なくとも１０００枚、少なくとも１万枚、少なくとも１０万枚、少なくとも１００万枚、または少なくとも１０００万枚のプログラマブル素子を備えることができる。
【００６３】
図３は、図２の線Ａに沿ったミラー１００の断面図である。ミラー１００は柱１０２に回転可能に取り付けられ、支持基板１０４上に設けられたキャパシタ板１０８に電荷を与えることによってミラーの位置が制御される。このようにしてミラーはプログラム可能であり、プログラマブル要素とみなすことができる（上記を参照）。
【００６４】
ミラー１００と、関連する構成要素とは、例えばリソグラフィ技術を使用してＭＥＭＳデバイスとして製造される。プラズマ助長堆積法を含む標準的な気相堆積法（スパッタリングと蒸発を含む）によって堆積された様々な材料で、ミラーを形成することができる。ミラーの形成に使用可能な材料には、金属（例えば、機械的性質を改善するための添加を含むアルミニウム）、銅、チタン、およびシリコン、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、結晶シリコンなどのナノ結晶半導体および単結晶半導体が含まれる。ミラーには、例えばアルミニウム、銀、金の反射コーティングを施すか、または波長と反射角に対して最適化された誘電体コーティングの積層構造を施してもよい。コネクタ１０６は、ミラー１００と同じ材料で形成される。コネクタ１０６は弾性変形しやすく、そのため、キャパシタ板１０８に電荷が印加されるとミラー１００が回転して初期位置（図３の水平方向）から離れる。電荷がキャパシタ板から取り除かれると、ミラー１００は平衡位置に戻る。
【００６５】
使用時に、放射ビームはミラー１００に導かれ、投影系を通過して基板Ｗに向かう（例えば、図１を参照）。所与のミラー１００の角度方向が、基板Ｗに入射する放射の量を決定する。ミラー１００を異なる方向に位置づけることで、様々なレベルの放射強度を基板Ｗに与えることができる。これをグレースケーリング（grayscaling）と呼ぶ（上記参照）。
【００６６】
図４は、本発明の一実施形態によるパターニング用デバイスＰＤ、投影系ＰＳおよび基板Ｗを模式的に示す。一例では、これらの要素は図１に示した要素の同等物とみなすことができる。投影系ＰＳは、第１レンズグループ１２０、絞り１２２および第２レンズグループ１２４を備える。理解を簡単にするために、明細書のこの部分ではパターニング用デバイスＰＤが単一のミラーであるとする。
【００６７】
図５ａは、放射の電界（E-field）振幅を模式的に示す。パターニング用デバイスＰＤのミラーが水平方向にあるとき、（絞り１２２によって画成される）点線の間の部分が透過する。絞り１２２は放射の実質的な一部分を切り取るが、放射の振幅が最も大きい部分を通過させる。続いて、第２レンズグループ１２４によって放射は基板Ｗに導かれる。
【００６８】
図５ｂは、パターニング用デバイスＰＤのミラーが回転されたときの様子を示す。絞り１２２に対する放射の位置が移動し、電界振幅が小さいサブセットのみを絞りによって基板Ｗに透過させることが可能となる効果が得られる。
【００６９】
図５ｃを参照して、パターニング用デバイスのミラーをさらに回転させると、絞り１２２を通過する放射の電界振幅の一部は正の値になり一部は負の値になる。これにより正味ゼロの電界振幅が得られ、したがって基板Ｗにおいて放射強度がゼロとなる。
【００７０】
図５ｄを参照して、ミラーをさらに回転させると、基板Ｗへと通過する電界振幅が完全に負の値となる放射が得られる。これは、一見したところ、依然として基板Ｗに放射が見られるという意味で、重要でないように見える（放射の強度は電界振幅の平方根である）。しかしながら、この振幅が負である放射と、例えば隣接するミラーから基板Ｗ上で隣接する位置に与えられる放射との干渉によって、所望の効果を達成することができる（例えば、基板に投影されるピクセルのエッジをシャープにする）。
【００７１】
図４および図５に関連して上述したパターニング用デバイスの各ミラーの操作ができることが望ましいが、これは、ミラー１００を用いて基板Ｗ上に形成されるパターンの正確な制御が可能になるからである。しかしながら、ミラー１００の柱１０２とコネクタ１０６から放射が散乱される。放射はミラー１００のエッジからも散乱されうる。二次元アレイ状に周期的間隔でミラーが設けられているので、この散乱は回折放射のかたちで現れ、望ましくない放射（unwanted radiation）となりうる。この望ましくない回折放射が基板Ｗ上に透過されると、ミラー１００を用いて達成可能なコントラストを低下させるおそれがある。図５の文脈では、望ましくない回折放射によって、放射振幅が上方に（または下方に）シフトする。例えば、ミラーによって反射された放射と望ましくない回折放射の位相が合う（位相差０度）か、または位相がずれている（位相差１８０度）場合に、望ましくない回折放射は負の振幅の放射の量を低減することができる。これは、基板Ｗ上に正味ゼロ強度の放射を投影することが不可能であること、あるいは、十分な量の負の振幅の放射を投影して近隣のミラーで反射された放射との有用な干渉を与えることが不可能であることを意味する。
【００７２】
多くの場合、望ましくない反射光は、（ミラーからの）望ましい反射光と位相が一致しないすなわち位相がずれている。この場合、（上述したように）ミラーのコントラストが低下するだけでなく、他の結像の欠陥も観察される。観察可能な他の結像欠陥の一つは、焦点を通した結像が非対称であることである。
【００７３】
本発明のこの実施形態における絞り１２２の効果は、一つの回折次数のみを基板Ｗに透過させることができる点である。これは、柱１０２、コネクタ１０６およびミラーエッジによる散乱の効果が組み合わされて、特定の振幅を持った単一の回折次数となることを意味する。
【００７４】
本発明の一実施形態によると、実質的に等しい振幅を持つが絞り１２２を通過するため反対の位相を持つ放射をミラー１００が生成し、これによって望ましくない回折放射を実質的に相殺するように、ミラー１００が調整される。望ましくない回折放射を相殺することで、ミラー１００を用いて達成可能なコントラストが増加し、結像が改善される。
【００７５】
図２は、本発明の一実施形態を模式的に示し、ミラーの表面の凹んだ補償部分（compensating portion）１１０からなる補償特徴が各ミラー１００に設けられている。補償部分は、例えばλ／４の深さであり、この結果、補償部分に入射する放射は、ミラー１００の他の区域で反射される放射と比較してπ／２だけ位相が変化する。ミラーによって生成される望ましくない同一回折次数の放射と実質的に同じ振幅を持つが位相が反対である所与の回折次数の範囲内にある放射を提供するように、補償部分１１０の大きさおよび深さを選択することができる。したがって、補償部分１１０により提供される放射は、望ましくない回折放射を実質的に相殺し、その結果、絞り１２２を通過して基板Ｗに達する正味の望ましくない回折放射が実質的にゼロになる。補償部分１１０の深さがλ／４でなく他の深さであってもよいことは認められよう（この深さは、柱１０２、コネクタ１０６およびミラーエッジによって生成される望ましくない回折放射の位相によって異なる）。
【００７６】
図６は、本発明の代替的な実施形態を模式的に示す。この実施形態において、各ミラー１００には、ミラーの回転軸と平行にミラーを横切って延びる段差１１２からなる補償特徴が設けられている。段差はλ／４の深さであり、各ミラー１００の上側１００ａはミラーの下側１００ｂに対してλ／４だけ面が凹んでいる。各ミラーの下側１００ｂからではなく各ミラーの上側１００ａから、振幅は実質的に等しいが位相が反対の望ましくない回折放射を与えるという効果を有しており、これによって望ましくない放射を相殺するので、位相段差１１２があることは好ましい。段差がミラー１００を正確に二等分していなくても、何らかの有用な補償が得られることは認められよう。
【００７７】
柱１０２、コネクタ１０６およびミラーエッジから生じる回折された散乱放射を補償することに加えて、支持基板１０４から散乱された放射を実質的に相殺するように支持基板を構成することが望ましい場合もある。支持基板１０４は、基板Ｗに実質的に入射する放射を反射するようにはされていないが、いくらかの反射は起こりうる。これが、補償特徴を用いることでこの放射を実質的に相殺することが好ましい理由である。この相殺は、例えば、図６に関連して上述したタイプの段差を設けることで達成できる。段差の配置および／または位相は、例えばワイヤや他の特徴の存在といった支持基板１０４上の非対称を考慮に入れて調整することができる。
【００７８】
代替的に、図２に示す補償部分１１０は、例えばミラー１００の回転軸から離して配置される補償部分で置き換えることができる。これを実行する場合、例えばミラーの両端に（回転軸と間隔をあけて）補償部分を設けるといったように、回転軸について対称の構成で補償部分を設けるべきである。このタイプの構成によってミラー１００の有用な反射領域の合計が減少する。対照的に、図２に示した補償部分はミラー１００の有用な反射領域に対して重大な影響を与えないが、その理由は補償部分がミラーの回転軸上に配置されているからである。ミラーのこの領域は、基板Ｗに向けて導かれる有用な放射に対して重要な貢献をしていない。
【００７９】
代替的に、図２に示す補償部分１１０を、例えば凹んだ部分および／または高くなった部分のアレイで置き換えることができる。これらの部分は、例えばミラー上にタイルをアレイ状に置くかたちで設けることができる。望ましくない回折光を相殺するように、凹んだ部分および高くなった部分のアレイを構成することができる。
【００８０】
柱１０２は、その上面で放射のごく一部を反射しうる。良好な固有の補償が得られるように、柱の上端をＶ字形にすることができる（つまり、互いに相殺し合う傾向のある異なった位相の放射が生成される）。
【００８１】
代替的に、柱１０２から生成される望ましくない回折光の補償を含むように、本発明の上記実施形態の一つ以上を構成することができる。本発明の実施形態を柱自体に適用することができる。例えば、各柱に柱上面を二等分するλ／４の段差を設けることができる。この段差は、柱で生成された望ましくない回折光を相殺する効果がある。
【００８２】
本発明の上述の実施形態では、望ましくない回折放射を実質的に相殺する補償放射（compensating radiation）を与えることに言及している。場合によっては、望ましくない回折放射を実質的に相殺することができないことがある。この場合、本発明は依然として有用なことに、望ましくない回折放射を部分的に相殺する（換言すれば、低減する）ことができる。
【００８３】
本発明の上述の実施形態は移動可能なミラーのアレイに関連するが、本発明は、例えば回折光学ＭＥＭＳデバイスのアレイなどの他の個別制御可能な要素のアレイに適用することもできる。これは、例えばλ／４の位相段差および／または専用の補償領域を設けることで達成可能である。
【００８４】
特定のデバイス（例えば、集積回路またはフラットパネルディスプレイ）の製造におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特に言及してきたが、本明細書で述べたリソグラフィ装置は、他の応用形態も有していることを理解すべきである。応用形態には、集積回路、集積された光学システム、磁気領域メモリ用の誘導および検出パターン（guidance and detection pattern）、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、微少電子機械デバイス（ＭＥＭＳ）が含まれるが、これらに限定されない。また、例えばフラットパネルディスプレイにおいて、本発明の装置を使用して、種々の層、例えば薄膜トランジスタ層および／またはカラーフィルタ層の作成を補助することができる。
【００８５】
光リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について特に言及してきたが、文脈が許す限り、本発明は光リソグラフィに限定されない、例えばインプリントリソグラフィなどの他の応用形態でも本発明を使用できることを認められよう。インプリントリソグラフィでは、パターニング用デバイス内のトポグラフィが基板に形成されるパターンを定義する。基板に供給されたレジスト層にパターニング用デバイスのトポグラフィが押し付けられると、電磁気放射、熱、圧力、またはこれらの組み合わせを与えることによってレジストが硬化される。レジストが硬化した後、レジストにパターンを残してパターニング用デバイスがレジストから取り除かれる。
【００８６】
結論
本発明の様々な実施形態について説明したが、それらは例示のみを目的として示されたものであり、限定ではないことを理解すべきである。本発明の趣旨と範囲から逸脱することなく、形態および詳細における様々な変更をなしうることは、当業者にとって明らかである。したがって、本発明の広がりおよび範囲は、上述の例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、添付の請求項およびそれらの等価物にしたがってのみ定義されるべきである。
【００８７】
発明の詳細な説明の部分は、請求項を解釈するために使用されることを意図しているが、課題を解決するための手段（Summary）および要約の部分はそうではないことは言うまでもない。課題を解決するための手段（Summary）および要約の部分は、本発明の実施形態の一つまたは複数を説明することができるが、発明者によって考慮された実施形態の全てを説明することはできない。したがって、それらは、いかなる場合でも本発明および請求項を限定する意図ではない。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の一実施形態にしたがったリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の様々な実施形態にしたがったマスクレスリソグラフィ装置のミラーを示す図である。
【図３】本発明の様々な実施形態にしたがったマスクレスリソグラフィ装置のミラーを示す図である。
【図４】本発明の一実施形態にしたがったマスクレスリソグラフィ装置の一部を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態にしたがったマスクレスリソグラフィ装置の動作を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態にしたがったマスクレスリソグラフィ装置の別のミラーを示す図である。
【図１】
2007189220.tif 000003
【図２】
2007189220.tif 000004
【図３】
2007189220.tif 000005
【図４】
2007189220.tif 000006
【図５】
2007189220.tif 000007
【図６】
2007189220.tif 000008
【外国語明細書】
2007189220.tif 000009
2007189220.tif 000010
2007189220.tif 000011
2007189220.tif 000012
2007189220.tif 000013
2007189220.tif 000014
2007189220.tif 000015
2007189220.tif 000016
2007189220.tif 000017
2007189220.tif 000018
2007189220.tif 000019
2007189220.tif 000020
2007189220.tif 000021
2007189220.tif 000022
2007189220.tif 000023
2007189220.tif 000024
2007189220.tif 000025
2007189220.tif 000026
2007189220.tif 000027
2007189220.tif 000028
2007189220.tif 000029
2007189220.tif 000030
2007189220.tif 000031
2007189220.tif 000032
2007189220.tif 000033
2007189220.tif 000034
2007189220.tif 000035
2007189220.tif 000036
2007189220.tif 000037
2007189220.tif 000038
2007189220.tif 000039