(57)【要約】【課題】近接効果を低減させるとともにＤＯＦを増大させることができる半導体製造のフォトリソグラフィシステム及びその方法を提供する。【解決手段】基板を準備する工程１２と、基板上にフォトレジスト層を塗布する工程１４と、高角度照明法とフォーカスドリフト露光法との両方を組合せて基板を露光する工程１６とを含むことを特徴とする半導体製造の方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備する工程と、
前記基板上にフォトレジスト層を塗布する工程と、
高角度照明法とフォーカスドリフト露光法との両方を組合せて前記基板を露光する工程と、を含むことを特徴とする、半導体製造の方法。
【請求項２】
前記フォーカスドリフト露光法は、前記基板を傾斜させるか前記基板の露光に用いるマスクを傾斜させる工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造の方法。
【請求項３】
前記フォーカスドリフト露光法は、前記基板を３０から２５０μｒａｄの間の角度で傾斜させる工程を含むことを特徴とする、請求項２に記載の半導体製造の方法。
【請求項４】
前記フォーカスドリフト露光法は、前記マスクを１２０から１０００ｍｒａｄの間の角度で傾斜させる工程を含むことを特徴とする、請求項２に記載の半導体製造の方法。
【請求項５】
前記高角度照明法は、１シグマの半径を有する照明エリアの中に、少なくとも０．６５シグマの半径を有するほぼ円形のエリアを形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造の方法。
【請求項６】
前記高角度照明法は、
１シグマの半径を有する照明エリアの中に、少なくとも０．２シグマの半径を有する第１のほぼ円形のエリアを形成する工程と、
前記第１のほぼ円形のエリアに隣接し、前記照明エリアの中にある第２のほぼ円環状のエリアを形成する工程と、を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造の方法。
【請求項７】
前記第２のエリアは、内半径が少なくとも０．２シグマであり、外半径が少なくとも０．７シグマであることを特徴とする、請求項６に記載の半導体製造の方法。
【請求項８】
前記高角度照明法は、
１シグマの半径を有する照明エリアの中に、少なくとも０．２シグマの半径を有する第１のほぼ円形のエリアを形成する工程と、
前記照明エリアの中で前記第１のほぼ円形のエリアに隣接している光透過率が０％である第２のほぼ円環状のエリアを形成する工程と、
前記照明エリアの中で前記第１のほぼ円形のエリアに隣接していない第３のほぼ円環状のエリアを形成する工程と、を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造の方法。
【請求項９】
前記第３のエリアは、内半径が０．２シグマよりも大きく、外半径が少なくとも０．７シグマであることを特徴とする、請求項８に記載の半導体製造の方法。
【請求項１０】
前記高角度照明法は、
照明エリアの中に、少なくとも０．２シグマの半径を有する第１のほぼ円形のエリアを形成する工程と、
前記第１のエリアの周辺かつ前記照明エリアの中で複数の第２のエリアを形成する工程と、を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造の方法。
【請求項１１】
前記第２のエリアは、内半径が少なくとも０．２シグマであり、外半径が少なくとも０．７シグマであることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体製造の方法。
【請求項１２】
前記露光には、ウェットリソグラフィ又はドライリソグラフィを用いることを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造の方法。
【請求項１３】
ウェーハを露光する光線により提供される照明エリアと、
０．２から０．７シグマの間である半径を有し、光透過率が０から１００％の間であるほぼ円形のエリアと、
フォトリソグラフィ工程において、前記ウェーハ及び／又はマスクを傾斜させる制御システムと、を備えることを特徴とする、半導体ウェーハを処理するフォトリソグラフィシステム。
【請求項１４】
前記ほぼ円形のエリアの光透過率は、２０から１００％の間であり、光源の波長は２５０ｎｍよりも小さいことを特徴とする、請求項１３に記載の半導体ウェーハを処理するフォトリソグラフィシステム。
【請求項１５】
半導体基板上をフォトレジスト層により被覆する工程と、
露光システムで用いられるマスクに対して角度が形成されるように基板を傾斜させる工程と、
前記露光システムの照明エリアの中で円形エリアを濾過する工程と、
前記露光システムにより前記フォトレジスト層上を露光し、パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする、半導体基板のパターン方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体デバイスの製造に関し、特に半導体製造のフォトリソグラフィ工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体工業の発展が始まって以来、集積回路のコンポーネントはフォトリソグラフィ技術により製造されている。そして、チップ上に形成されるコンポーネントの密度は、フォトリソグラフィ技術の進歩に伴い（特に照射波長の低減により）、継続的に向上している。また、コンポーネントの臨界寸法がフォトレジストの露光に用いる照射波長よりも大きい場合、マスクは技術上何ら変更する必要がなかった。
【０００３】
しかし、画像形成放射線の波長が臨界寸法よりも大きいとき、常に存在する歪みの効果が投影された画像に、非常に顕著な歪みを発生させることがあった。これらの歪みは、画像パターンの様々なフィーチャ間の距離に特に影響されやすく、これは近接効果（proximity effects）と一般に言われる。
【０００４】
波長が臨界寸法に近いときに発生するフォトリソグラフィのもう一つの問題点は、焦点深度（depth of focus：ＤＯＦ）である。特に、ＤＯＦが露光されるレジストの厚みよりも小さいとき、画像鮮鋭度は失われることがあった。実際、回折効果により得られる画像は、かすれた円になることがあった。
【０００５】
解析度を考慮しなければ、レンズの中心箇所への入射光を制限することによりＤＯＦを増大させ、光円錐の角度を低減させることができた。そして、これによりかすれた円を離れる前に集光をさらに進めることができた。しかし、この方法は、解析度を考慮すると用いることができなかった。
【０００６】
従来、ＤＯＦを増大させる方法としては、高密度コンタクトホールと孤立コンタクトホールとに同時に集束させる方法があった。しかし、高密度コンタクトホールのＤＯＦを増大させると、孤立コンタクトホールのＤＯＦが低減するため、映像の焦点が外れることがあった。例えば、高密度コンタクトホールのＤＯＦと孤立コンタクトホールのＤＯＦとのそれぞれのバランスをとるため、従来技術では、従来の照射方法により複数か連続の露光を行ってＤＯＦを増大させていた。しかし、この方法では、高密度ホールのＤＯＦが不足することがあった。そのため、従来のリソグラフィシステム及びその方法は改良が望まれていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、近接効果を低減し、ＤＯＦを増大させる半導体製造のフォトリソグラフィシステム及びその方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、基板を準備する工程と、前記基板上にフォトレジスト層を塗布する工程と、高角度照明法とフォーカスドリフト露光法の両方を組合せて前記基板を露光する工程と、を含むことを特徴とする、半導体製造の方法としている。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体製造の方法であって、前記フォーカスドリフト露光法は、前記基板を傾斜させるか前記基板の露光に用いるマスクを傾斜させる工程を含むことを特徴とする。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項２に記載の半導体製造の方法であって、前記フォーカスドリフト露光法は、前記基板を３０から２５０μｒａｄの間の角度で傾斜させる工程を含むことを特徴とする。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項２に記載の半導体製造の方法であって、前記フォーカスドリフト露光法は、前記マスクを１２０から１０００ｍｒａｄの間の角度で傾斜させる工程を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項１に記載の半導体製造の方法であって、前記高角度照明法は、１シグマの半径を有する照明エリアの中に、少なくとも０．６５シグマの半径を有するほぼ円形のエリアを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項６の発明は、請求項１に記載の半導体製造の方法であって、前記高角度照明法は、１シグマの半径を有する照明エリアの中に、少なくとも０．２シグマの半径を有する第１のほぼ円形のエリアを形成する工程と、前記第１のほぼ円形のエリアに隣接し、前記照明エリアの中にある第２のほぼ円環状のエリアを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
請求項７の発明は、請求項６に記載の半導体製造の方法であって、前記第２のエリアは、内半径が少なくとも０．２シグマであり、外半径が少なくとも０．７シグマであることを特徴とする。
【００１５】
請求項８の発明は、請求項１に記載の半導体製造の方法であって、前記高角度照明法は、１シグマの半径を有する照明エリアの中に、少なくとも０．２シグマの半径を有する第１のほぼ円形のエリアを形成する工程と、前記照明エリアの中で前記第１のほぼ円形のエリアに隣接している光透過率が０％である第２のほぼ円環状のエリアを形成する工程と、前記照明エリアの中で前記第１のほぼ円形のエリアに隣接していない第３のほぼ円環状のエリアを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
請求項９の発明は、請求項８に記載の半導体製造の方法であって、前記第３のエリアは、内半径が０．２シグマよりも大きく、外半径が少なくとも０．７シグマであることを特徴とする。
【００１７】
請求項１０の発明は、請求項１に記載の半導体製造の方法であって、前記高角度照明法は、照明エリアの中に、少なくとも０．２シグマの半径を有する第１のほぼ円形のエリアを形成する工程と、前記第１のエリアの周辺かつ前記照明エリアの中で複数の第２のエリアを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
請求項１１の発明は、請求項１０に記載の半導体製造の方法であって、前記第２のエリアは、内半径が少なくとも０．２シグマであり、外半径が少なくとも０．７シグマであることを特徴とする。
【００１９】
請求項１２の発明は、請求項１に記載の半導体製造の方法であって、前記露光には、ウェットリソグラフィ又はドライリソグラフィを用いることを特徴とする。
【００２０】
請求項１３の発明は、ウェーハを露光する光線により提供される照明エリアと、０．２から０．７シグマの間である半径を有し、光透過率が０から１００％の間であるほぼ円形のエリアと、フォトリソグラフィ工程において、前記ウェーハ及び／又はマスクを傾斜させる制御システムと、を備えることを特徴とする、半導体ウェーハを処理するフォトリソグラフィシステムとしている。
【００２１】
請求項１４の発明は、請求項１３に記載の半導体ウェーハを処理するフォトリソグラフィシステムであって、前記ほぼ円形のエリアの光透過率は、２０から１００％の間であり、光源の波長は２５０ｎｍよりも小さいことを特徴とする。
【００２２】
請求項１５の発明は、半導体基板上をフォトレジスト層により被覆する工程と、露光システムで用いられるマスクに対して角度が形成されるように基板を傾斜させる工程と、前記露光システムの照明エリアの中で円形エリアを濾過する工程と、前記露光システムにより前記フォトレジスト層上を露光し、パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする、半導体基板のパターン方法としている。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の半導体製造のフォトリソグラフィシステム及びその方法は、近接効果を低減し、ＤＯＦを増大させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
本発明は、高角度照明法とフォーカスドリフト露光法との両方を組合せて行う新しいリソグラフィ方式を提供する。この高角度照明法には、図３から図６により以下で説明する、偏軸照明（off-axis illumination）が含まれる。以下、フォーカスドリフト露光を説明するが、これには複数の露光及び／又はウェーハ／マスク傾斜の他に、ドライリソグラフィ又はウェットリソグラフィが含まれてもよい。
【００２５】
図１を参照する。図１は、本発明の実施形態による簡略されたフォトリソグラフィ方法１０を示す流れ図である。本方法は、先ずステップ１２において、フォトレジストが被覆された基板を準備する。続いて、ステップ１４において、ウェーハを露光するマスクを準備する。そして、最後にステップ１６において、高角度照明法とフォーカスドリフト露光法とを組合せてウェーハを露光する。
【００２６】
フォトリソグラフィ方法１０は、メモリデバイス（ＳＲＡＭを含むがこれだけに限定されるわけではない。）、ロジックデバイス（ＭＯＳＦＥＴを含むがこれだけに限定されるわけではない。）、及び／又はその他のデバイスなど、様々な半導体デバイスの製造に適用することができる。
【００２７】
図２を参照する。図２は、方法１０のステップ１２において用いられるウェーハ２８を含む、簡素化されたリソグラフィシステム２０の一部を示す模式図である。本実施形態において、光源２１は、コンデンサ２２により集光される光線２３を放射する。この光源の波長は、２５０ｎｍよりも小さく、本実施形態の光源の波長は、約２４８ｎｍ、１９３ｎｍ又は１５７ｎｍである。そして、光線２７は、パターンを含むマスク２４に均一に照射される。マスク２４を通った光線２５は、投射レンズ２６で集束されてウェーハ２８上に投影される。
【００２８】
このリソグラフィシステム２０は従来技術であるため、その大部分のコンポーネントについては、ここでは説明しない。
【００２９】
続いて方法１０のステップ１６において、高角度照明法とフォーカスドリフト露光法との両方を組合せた方式によりウェーハ２８を露光する。以下、これらの方法をそれぞれ説明する。
【００３０】
先ず、高角度照明法を説明する。図３から図６に示すように、本発明の一実施形態において、光源２１を従来技術により調整して高角度照明法を提供する。
【００３１】
図３を参照する。図３に示すように、本発明の一実施形態において、ほぼ円形のエリアＣ１は、約１シグマ（sigma）の半径２９を有する照明エリア３０の中に形成される。少なくとも０．６５シグマの半径３１を有するエリアＣ１は、フィルタ又はその他のデバイスで形成され、約０から１００％の間の光透過率を有してもよい。本実施形態の光透過率は、約２０から１００％の間である。
【００３２】
図４を参照する。図４に示すように、本発明のもう一つの実施形態において、第１のほぼ円形のエリアＣ２、及び第１のほぼ円形のエリアＣ２に隣接した第２の隣接した円環状のエリアＡ２が、約１シグマの半径３３を有する照明エリア３５の中に形成される。少なくとも約０．２シグマの半径３２を有するエリアＣ２は、フィルタ又はその他のデバイスで形成され、約０から１００％の間の光透過率を有してもよい。本実施形態において、光透過率は約２０から１００％の間である。エリアＡ２は、少なくとも約０．２シグマである内半径３２と、少なくとも約０．７シグマである外半径３４を有し、フィルタ又はその他のデバイスにより形成され、約０から１００％の間の光透過率を有してもよい。本実施形態の光透過率は、約２０から１００％の間である。
【００３３】
図５を参照する。図５に示すように、本発明のもう一つの実施形態において、第１のほぼ円形のエリアＣ３、及び二つの円環状のエリア（Ａ３及びＢ３）が、約１シグマの半径３７を有する照明エリア４０の中に形成される。少なくとも約０．２シグマの半径３６を有するエリアＣ３がフィルタ又はその他のデバイスで形成され、約０から１００％の間の光透過率を有してもよい。本実施形態の光透過率は、約２０から１００％の間である。
【００３４】
エリアＢ３は、第１のほぼ円形のエリアＣ３に隣接する。エリアＡ３は、第１のほぼ円形のエリアＣ３に隣接していない。エリアＡ３は、約０．２シグマよりも大きい内半径３８と、少なくとも約０．７シグマである外半径４１とを有してもよい。エリアＡ３は、フィルタ又はその他のデバイスで形成され、約０から１００％の間の光透過率を有する。本実施形態の光透過率は約２０から１００％の間である。ここで注意しなければならないことは、エリアＢ３がエリアＡ３とエリアＣ３の間にあり、約０％の光透過率を有してもよいという点である。
【００３５】
図６を参照する。図６に示すように、本発明の一実施形態において、第１のほぼ円形のエリアＣ４、及びエリアＣ４の周辺にある複数の第２のエリアＡ４は、照明エリア４８の中に形成されている。少なくとも約０．２シグマである半径４２を有するエリアＣ４は、フィルタ又はその他のデバイスで形成され、約０から１００％の間の光透過率を有してもよい。本実施形態の光透過率は約２０から１００％の間である。
【００３６】
各エリアＡ４は、完全に同じか異なってもよく、一つのエリアＡ４だけでもよい。本実施形態において、少なくとも一つのエリアＡ４は、少なくとも約０．２シグマである内半径４２と、少なくとも約０．７シグマである外半径４４とを有してもよい。ここで注意しなければならないことは、少なくとも一つのエリアＡ４は、フィルタ又はその他のデバイスで形成され、約０から１００％の間の光透過率を有してもよいという点である。本実施形態の光透過率は、約２０から１００％の間である。また、一実施形態において、角度４６は少なくとも約３０度である。
【００３７】
次にフォーカスドリフト露光法を述べる。図７を参照する。図７に示すように、本発明の一実施形態において、制御システムによりウェーハ２８を角度５２で傾斜させ、露光するため、このウェーハ２８の角度５２を約３０から２５０マイクロラジアン（μｒａｄ）の間にする。分かりやすく示すため、マスク２４からのパターン５０ａは、パターン５０ｂに対応させてウェーハ２８上に形成してもよい。
【００３８】
図８を参照する。図８に示すように、他の実施形態において、マスク２４は、電子回路の顕微画像を含む高精度のプレートでもよい。マスク２４は、石英、ソーダ石灰、ホワイトクラウン（white crown）、及び／又はその他の材料など、様々な材料を含んでもよい。一般に、マスク２４の一面にはクロム層が含まれ、電子回路（ジオメトリともいう）はクロム層の中でエッチングされてもよい。マスク２４の厚みは、従来技術における適切な厚みと同じでもよい。本発明の一実施形態において、マスク２４を制御システムにより角度５４で傾斜させ、露光するため、このウェーハ２８の角度５４を約１２０から１０００ミリラジアン（ｍｒａｄ）の間にする。マスク２４及びウェーハ２８の両方は、同一の露光工程において傾斜させてもよい。
【００３９】
他の実施形態では、フォーカスドリフト露光法は、独立して用いたり、図７及び／又は図８に示す構造と組合せて用いる少なくとも二つの露光を含んだりしてもよい。多重露光は、走査又は静態方法、及び／又は従来技術のその他の方法により行ってもよい。例えば、第１実施形態として、第１の露光及び第２の露光の焦点範囲を約０．１から０．６ｍｍの間にしてもよい。また第２実施形態として、多重露光の焦点差異を約０．１から０．４ｍｍの間にしてもよい。ここで注意しなければならないことは、本発明にその他の焦点範囲／差異が含まれる点である。なお多重露光は従来技術であるため、ここでは詳しく述べない。
【００４０】
図９を参照する。図９は、基板１１０、誘電体層１１４、反射防止膜層１２０及びフォトレジスト層１２２を含んだ図２に示すウェーハ２８を示す。
【００４１】
基板１１０は、一つ又はそれ以上の絶縁体、導体及び／又は半導体層を含んでもよい。例えば、基板１１０は、元素半導体（結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン及び／又はゲルマニウムなど）、化合物半導体（炭化ケイ素及び／又はガリウムヒ素など）、合金半導体（ＳｉＧｅ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及び／又はＧａＩｎＰなど）を含んでもよい。さらに基板１１０は、バルクシリコンなどのバルク半導体を含み、このバルク半導体はエピシリコン層を含んだり、或いはシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板などの半導体オンインシュレータ基板を含んでもよい。基板１１０は、複数のシリコン構造又は積層型化合物半導体構造を含んでもよい。
【００４２】
基板１１０の表面は、誘電体層１１４により被覆されてもよい。誘電体層１１４は、化学的気相蒸着法（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）、プラズマ化学気相蒸着法（Plasma-enhanced CVD：ＰＥＣＶＤ）、原子層蒸着法（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）、物理的気相蒸着法（Physical Vapor Deposition：ＰＶＤ）、スピンコート法、及び／又はその他の工程により形成してもよい。誘電体層１１４は、金属間絶縁膜（Inter Metal Dielectric：ＩＭＤ）であり、低誘電率材料、二酸化ケイ素、ポリイミド、ＳＯＧ（Spin-on-glass）、フッ化物ドープのケイ酸ガラス（Fluoride-doped Silicate Glass：ＦＳＧ）、アプライド・マテリアルズ・インコーポレイテッドのブラックダイアモンド（Black Diamond）（登録商標）、キセロゲル、エアロゲル、非晶質フッ素化炭素、及び／又はその他の材料を含んでもよい。
【００４３】
反射防止膜層１２０は、様々な技術により誘電体層１１４上に蒸着されてもよい。そしてこれらの技術には、スピンコート法、ＰＶＤ、ＣＶＤ、及び／又はその他の工程を含むがこれらだけに限定されるわけではない。もう一つの実施形態において、反射防止膜層１２０は、例えば、一方のスピンオンＡＲＣ膜（spin-on ARC film）を他方のＣＶＤ−ＡＲＣ膜上に被覆するなど、複式アークにより形成してもよい。本実施形態の反射防止膜層１２０は、１０から１５０ｎｍの間の厚みを有するＢＡＲＣ（bottom anti-reflective coating）である。
【００４４】
本実施形態の反射防止膜層１２０は、フォトレジスト（図示せず）の底部に不用意に透過された光を吸収する。反射防止膜層１２０は、光を吸収するために、高吸光係数、及び／又は相当な厚みを有する材料を含んでもよい。一方、反射防止膜層１２０の高い係数により、反射防止膜層は高い反射率を得ると、反射防止膜層１２０の効率は下がる。従って、反射防止膜層１２０は、約０．２から０．５の係数を有し、約２００ｎｍの厚みを有してもよい。ここで注意しなければならないことは、本発明にはその他の焦点範囲及び厚みも含まれるという点である。
【００４５】
この他、反射防止膜層１２０には屈折率整合法（index matching approach）を適用してもよい。この場合、反射防止膜層１２０には、光に整合する屈折率と厚みを有する材料とが含まれてもよい。実際には、反射防止膜層１２０に光が照射されると、光の一部がそこから反射される。それと同時に、光の残り部分が反射防止膜層１２０へ進んで、位相のずれた光に変換され、反射防止膜層１２０から反射された光の第１の部分と干渉し、光の反射率を低減させる。
【００４６】
また他に、反射防止膜層１２０には光吸収法と屈折率整合法との両方を適用して所望の結果を得てもよい。さらに他の実施形態では、反射防止膜層１２０の除去が困難であるため、ウェーハ２８の拡散バリアとして、誘電体層１１４上にそのまま残してもよい。
【００４７】
フォトレジスト層１２２は、反射防止膜層１２０上に蒸着してからスピンコート法及び／又はその他の工程により形成してもよい。実際には、ウェーハの一部表面上にフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト液がほぼ完全に乾くまでウェーハ２８を急速に回転させる。一実施形態において、フォトレジスト層１２２は、酸触媒を利用した化学増幅型でもよい。その場合、フォトレジスト層は、キャスト液（casting solution）に酸感応性ポリマーを溶解させて形成してもよい。
【００４８】
フォトレジスト層１２２を蒸着した後、ウェーハ２８は、ソフトベーク（従来技術）及び露光工程（方法１０との関係で上述した）を行ってもよい。
【００４９】
その後、完全な半導体デバイスを形成するため、追加のステップを適用する。これら追加のステップは、従来技術であるため、ここでは述べない。
【００５０】
ここで注意しなければならないことは、上述の実施形態には様々な形態が含まれるという点である。例えば、その第１実施形態として、方法１０は少なくとも一つのラインを含むパターンに適用してもよい。また第２実施形態として、方法１０は少なくとも一つのホールを含むパターンに適用してもよい。第３実施形態として、方法１０は高密度フィーチャ及び孤立フィーチャを含むパターンに適用してもよい。第４実施形態として、方法１０は高密度フィーチャを含むパターンに適用してもよい。第５の実施形態として、方法１０は、非ダマシン（non-damascene）、ダマシン（damascene）又はデュアルダマシン（dual-damascene）工程の一部として適用してもよい。つまり本発明には、開示された技術内容から予想できる様々な形態が含まれる。
【００５１】
当該施術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本請求範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の好適な実施形態によるフォトリソグラフィの方法を示す流れ図である。
【図２】本発明の好適な実施形態によるフォトリソグラフィシステムを示す模式図である。
【図３】図２のフォトリソグラフィシステムの照明エリアを示す模式図である。
【図４】図２のフォトリソグラフィシステムの照明エリアを示す模式図である。
【図５】図２のフォトリソグラフィシステムの照明エリアを示す模式図である。
【図６】図２のフォトリソグラフィシステムの照明エリアを示す模式図である。
【図７】図２のフォトリソグラフィシステムの選択されたコンポーネントを示す模式図である。
【図８】図２のフォトリソグラフィシステムの選択されたコンポーネントを示す模式図である。
【図９】本発明の好適な実施形態によるウェーハを示す模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  フォトリソグラフィ方法
２０  リソグラフィシステム
２１  光源
２２  コンデンサ
２３  光線
２４  マスク
２５  光線
２６  投射レンズ
２７  光線
２８  ウェーハ
２９  半径
３０  照明エリア
３１  半径
３２  内半径
３３  半径
３４  外半径
３５  照明エリア
３６  半径
３７  半径
３８  内半径
４０  照明エリア
４１  外半径
４２  内半径
４４  外半径
４６  角度
４８  照明エリア
５０ａ  パターン
５０ｂ  パターン
５２  角度
５４  角度
１１０  基板
１１４  誘電体層
１２０  反射防止膜層
１２２  フォトレジスト層
Ｃ１  ほぼ円形のエリア
Ｃ２  第１のほぼ円形のエリア
Ａ２  第２の隣接した円環状のエリア
Ｃ３  第１のほぼ円形のエリア
Ａ３  円環状のエリア
Ｂ３  第２の円環状のエリア
Ａ４  第２のエリア
Ｃ４  第１のほぼ円形のエリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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