(57)【要約】【課題】水平転送部における電力損失を抑制し高画素化と低消費電力化との両立が可能な固体撮像装置及び製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像装置を構成する半導体基板上に、二次元マトリクス状に配列された複数の受光部２と、各受光部２から読み出した信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部３と、垂直転送部３によって転送された信号電荷を受けて水平方向に転送する水平転送部４と、水平転送部４に隣接し水平転送部４の余剰電荷を通過させるバリア領域６と、バリア領域６に隣接しバリア領域６を通過した余剰電荷を排出するドレイン領域７と、ドレイン領域７と平行に配置され水平転送部の電極１０，１１に制御電圧を印加するためのバスライン１２，１３とが形成され、バスライン１２，１３と水平転送部の電極１０，１１とが、バスライン１２，１３とドレイン領域７との間に配置された接続パターン１４を介して接続されている。【選択図】  図１
2007115912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元マトリクス状に配列された複数の受光部と、前記複数の受光部のそれぞれから読み出した信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部と、前記複数の垂直転送部によってそれぞれ転送された信号電荷を受けて水平方向に転送する水平転送部と、前記水平転送部に隣接し前記水平転送部の余剰電荷を通過させるバリア領域と、前記バリア領域に隣接し前記バリア領域を通過した余剰電荷を排出するドレイン領域と、前記ドレイン領域と平行に配置され前記水平転送部の電極に制御電圧を印加するためのバスラインとを備えた固体撮像装置であって、
前記バスラインと前記水平転送部の電極とが、前記バスラインと前記ドレイン領域との間に配置された接続パターンを介して接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記バスラインとして、前記ドレイン領域から遠い側の第１バスラインと近い側の第２バスラインとが設けられ、前記第１バスラインと前記水平転送部の電極とを接続する前記接続パターンが前記第２バスラインを横切るように配置されている請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記接続パターンが、前記水平転送部の電極を構成する材料よりも電気抵抗が小さい材料で構成されている請求項１又は２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記接続パターンを構成する材料が、高融点の金属又は金属化合物である請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記接続パターンが前記バスラインの下層に形成されている請求項１から４のいずれか１項記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記接続パターンの厚みが、前記水平転送部の電極の厚みに比べて同程度に又は薄く形成されている請求項１から５のいずれか１項記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記ドレイン領域に電圧を印加するためのドレイン領域接続部と、前記ドレイン領域接続部と電源ラインとの接続部であるドレインコンタクト領域とが水平転送部の単位毎に設けられており、前記ドレインコンタクト領域が前記水平転送部の電極と前記バスラインとの間に位置するように形成されている請求項１から６のいずれか１項記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記水平転送電極のコンタクトホールの位置と前記ドレインコンタクト領域の位置とが平面視で千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記ドレイン領域接続部が、前記垂直転送部と、前記垂直転送部から信号電荷を受け取る水平転送電極とに沿って略直線状に配置されている請求項７又は８記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記ドレイン領域接続部と前記ドレインコンタクト領域で接続された前記電源ラインが、前記水平転送部の遮光膜を兼ねている請求項７、８又は９記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項記載の固体撮像装置を製造するための方法であって、前記バスラインと前記水平転送部の電極との接続パターンを、前記画素部の遮光領域と同時に形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記バスラインを、周辺回路の配線と同時に形成する請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像装置とその製造方法に関し、特にＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型の固体撮像装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラの撮像装置として需要が拡大している。また、携帯電話に代表される携帯端末装置では、カメラ機能を備えた機種が多くなってきている。このような携帯端末装置の撮像装置としても固体撮像装置の需要が拡大している。更に、高画質の画像を得るために、固体撮像装置の画素数は年々上昇する傾向にある。また、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ、携帯端末装置等の低消費電力化に伴い、固体撮像装置に対する低消費電力化の要求も強くなっている。
【０００３】
ここで、図６から図８を用いて従来の固体撮像装置の構成について説明する。最初に、固体撮像装置の概略構成について説明する。図６は、従来のＣＣＤ型固体撮像装置の概略構成を示す平面図である。図６に示すように、ＣＣＤ型固体撮像装置は半導体基板１０１を備えている。半導体基板１０１には、二次元マトリクス状に配列された複数の受光部１０２と、受光部１０２の垂直方向の並び（列）に沿って列ごとに配置された垂直転送部（垂直ＣＣＤ）１０３と、受光部１０２の最終行（図６では下端の行）に隣接するように配置された水平転送部（水平ＣＣＤ）１０４とが設けられている。受光部１０２はフォトダイオードであり、受光した光の強度に応じた電荷を蓄積する。また、破線の四角で示す１つの画素１０８が、一つの受光部１０２とそれに隣接する垂直ＣＣＤ１０３の一部分とで構成されている。
【０００４】
図６において、受光部１０２に蓄積された電荷は垂直ＣＣＤ１０３に読み出され、矢印線で示すように垂直ＣＣＤ１０３によって垂直方向（図６では下方）に転送される。垂直ＣＣＤ１０３の下端まで転送された電荷は水平ＣＣＤ１０４に渡され、水平ＣＣＤ１０４によって水平方向（図６では左方）に転送される。水平ＣＣＤ１０４の左端まで転送された電荷に対応する電圧はアンプ１０５によって増幅された後、外部に出力される。
【０００５】
また、図６に示すように、水平ＣＣＤ１０４の垂直ＣＣＤ１０３に隣接していない側（図６では下側）は、バリア領域１０６を介してドレイン領域１０７に接している（例えば、特許文献１参照）。バリア領域１０６はポテンシャル障壁であり、水平ＣＣＤ１０４の余剰電荷のみを通過させる。したがって、垂直ＣＣＤ１０３から水平ＣＣＤ１０４へ転送されてきた電荷のうちの余剰分（余剰電荷）がバリア領域１０６を通過してドレイン領域１０７に排出される。
【０００６】
次に、垂直ＣＣＤ１０３、水平ＣＣＤ１０４及びドレイン領域１０７の具体的な構成について、図７及び図８を用いて説明する。図７は、図６に示す従来のＣＣＤ型固体撮像装置の一部分を拡大して示す平面図である。図８は、図７に示す従来のＣＣＤ型固体撮像装置の一部分の構成を更に具体的に示す平面図である。
【０００７】
図７に示すように、垂直ＣＣＤ１０３及び水平ＣＣＤ１０４は、それぞれの電荷の転送経路となるチャンネル領域１０９と二層構造の転送電極とで構成されている。なお、図７において第１層の転送電極にはハッチングを施している。具体的には、垂直ＣＣＤ１０３は、チャンネル領域１０９の垂直方向に延びる部分１０９ａと、第１層の垂直転送電極１１２と、第２層の垂直転送電極１１３とで構成されている。垂直ＣＣＤ１０３は四相駆動される。また、水平ＣＣＤ１０４は、チャンネル領域１０９の水平方向に延びる部分１０９ｂと、第１層の水平転送電極１１０と、第２層の水平転送電極１１１とで構成されている。水平ＣＣＤ１０４は二相駆動される。
【０００８】
また、チャンネル領域１０９は半導体基板１０１上に形成されたｐ型ウェル上に形成されている。また、チャンネル領域１０９、バリア領域１０６及びドレイン領域１０７はｎ型の拡散層であり、これらの上にはゲート絶縁膜が形成されている。更に、ドレイン領域１０７におけるチャンネル領域１０９側と反対側にはゲート絶縁膜に比べて厚みが大きい絶縁層が形成されている。この絶縁層は通常、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）酸化膜と呼ばれている。このＬＯＣＯＳ酸化膜は、保護回路等の周辺回路（図示せず）に対する素子分離膜であり、実際には複数の受光部１０２、垂直ＣＣＤ１０３、水平ＣＣＤ１０４、バリア領域１０６及びドレイン領域１０７を含む主要部分全体を取り囲むように形成されている。
【０００９】
更に、図７及び図８に示すように、水平転送電極１１０及び１１１は、垂直方向に沿って、バリア領域１０６、ドレイン領域１０７及びＬＯＣＯＳ酸化膜と重なるように形成されている。
【００１０】
図８に示すように、水平転送電極１１０及び１１１への制御電圧の印加は、コンタクトホールＣＨと、その上に設けられたＨ１バスライン１１２及びＨ２バスライン１１３を介して行われる。すなわち、水平転送電極１１０及び１１１の端部がＨ１バスライン１１２又はＨ２バスライン１１３と重なるように延長され、水平転送電極１１０及び１１１とＨ１バスライン１１２又はＨ２バスライン１１３との重なり部分に一対のコンタクトホールＣＨが形成されている。図示の例では、Ｈ１バスライン１１２に接続される水平転送電極１１０及び１１１のペアとＨ２バスライン１１３に接続される水平転送電極１１０及び１１１のペアとが交互に配置されている。そして、レイアウトの関係上、Ｈ１バスライン１１２に接続される水平転送電極１１０及び１１１のペアはＨ２バスライン１１３に接続される水平転送電極１１０及び１１１のペアよりも長くなるように端部が延長されている。
【００１１】
一般に、バスラインにはアルミニウム配線が用いられ、水平転送電極１１０には第１層目のポリシリコンが使用され、水平転送電極１１１には第２層目のポリシリコンが使用されている。
【特許文献１】特開平２−２０５３５９号公報（第３頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記のような構成を有する従来の固体撮像装置において、画素数を増加させると単位長さ当りの水平転送電極の本数が増加するので、１本当たりの水平転送電極の電極幅が縮小されて電気抵抗が増加し、駆動パルスの遅延量が増加することになる。したがって、駆動パルスの遅延を抑制するための工夫が必要である。水平転送電極の電気抵抗の増加は、例えば水平転送電極１１０及び１１１を形成するポリシリコンの不純物濃度を高めること、即ち、水平転送電極１１０及び１１１を形成するポリシリコンのリンドープ量を増加することによって、あるいは膜厚を厚くすることによってある程度は抑制できると考えられる。但し、膜厚の増加は、エッチング等の加工上の問題と素子の高さ（厚み寸法）が増加することによる集光効率の劣化の問題を伴う。
【００１３】
また、リンドープ量の増加には限度があり、固溶度の限度以上に増加させることはできない。しかも、水平転送電極１１０及び１１１の絶縁は水平転送電極１１０を熱酸化して得られる酸化膜によって行われるが、リンドープ量を増加させると酸化膜厚が厚くなり、転送電極間距離が大きくなることにより転送効率が劣化する。また、酸化量を従来と同等にすると、酸化膜中のリン濃度が多くなり、このことは絶縁破壊強度（絶縁耐圧）の低下につながる。従って、水平転送電極１１０及び１１１を形成するポリシリコンの不純物濃度の増加による駆動パルス遅延の抑制にも限度がある。
【００１４】
本発明の目的は、上記のような従来の課題を解決し、水平転送部における電力損失を抑制し高画素化と低消費電力化との両立が可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明による固体撮像装置は、二次元マトリクス状に配列された複数の受光部と、前記複数の受光部のそれぞれから読み出した信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部と、前記複数の垂直転送部によってそれぞれ転送された信号電荷を受けて水平方向に転送する水平転送部と、前記水平転送部に隣接し前記水平転送部の余剰電荷を通過させるバリア領域と、前記バリア領域に隣接し前記バリア領域を通過した余剰電荷を排出するドレイン領域と、前記ドレイン領域と平行に配置され前記水平転送部の電極に制御電圧を印加するためのバスラインとを備えた固体撮像装置であって、前記バスラインと前記水平転送部の電極とが、前記バスラインと前記ドレイン領域との間に配置された接続パターンを介して接続されていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明による固体撮像装置の製造方法は、上記のような構成の固体撮像装置を製造するための方法であって、前記バスラインと前記水平転送部の電極との接続パターンを、前記画素部の遮光領域と同時に形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の固体撮像装置によれば、バスラインと水平転送電極とを低抵抗の接続パターンで接続し、バスラインを含む水平転送部における電力ロスの増加を抑制することができる。したがって、高画素化の要求に対応しながら水平転送速度を維持すると共に低消費電力化を図ることができる。
【００１８】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、上記のような接続パターンを画素部の遮光領域と同時に形成するので、製造工程を増やすことなく高画素化及び低消費電力化の両立が可能な固体撮像装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の固体撮像装置の好ましい実施形態では、前記バスラインとして、前記ドレイン領域から遠い側の第１バスラインと近い側の第２バスラインとが設けられ、前記第１バスラインと前記水平転送部の電極とを接続する前記接続パターンが前記第２バスラインを横切るように配置されている。これは、二相駆動される水平転送部を有する固体撮像装置の構成として適している。
【００２０】
本発明の固体撮像装置の別の好ましい実施形態では、前記接続パターンが、前記水平転送部の電極を構成する材料よりも電気抵抗が小さい材料で構成されている。これにより、バスラインを含む水平転送部の電力損失を抑えることができる。
【００２１】
本発明の固体撮像装置の更に別の好ましい実施形態では、前記接続パターンを構成する材料が、高融点の金属又は金属化合物である。
【００２２】
本発明の固体撮像装置の更に別の好ましい実施形態では、前記接続パターンが前記バスラインの下層に形成されている。
【００２３】
本発明の固体撮像装置の更に別の好ましい実施形態では、前記接続パターンの厚みが、前記水平転送部の電極の厚みに比べて同程度に又は薄く形成されている。
【００２４】
本発明の固体撮像装置の更に別の好ましい実施形態では、前記ドレイン領域に電圧を印加するためのドレイン領域接続部と、前記ドレイン領域接続部と電源ラインとの接続部であるドレインコンタクト領域とが水平転送部の単位毎に設けられており、前記ドレインコンタクト領域が前記水平転送部の電極と前記バスラインとの間に位置するように形成されている。
【００２５】
このような構成によれば、ドレイン領域のうち水平転送電極と重なる部分の面積を縮小することが可能になる。したがって、負荷容量の低減によって更なる低消費電力化を図ることが可能である。
本発明の固体撮像装置の更に別の好ましい実施形態では、前記水平転送電極のコンタクトホールの位置と前記ドレインコンタクト領域の位置とが平面視で千鳥状に配置されている。
【００２６】
このような構成によれば、微細なデザインルールを用いる必要がなくなり、拡散工程のコスト増加を抑制することができる。
【００２７】
本発明の固体撮像装置の更に別の好ましい実施形態では、前記ドレイン領域接続部が、前記垂直転送部と、前記垂直転送部から信号電荷を受け取る水平転送電極とに沿って略直線状に配置されている。
【００２８】
このような構成によれば、垂直転送部から水平転送部を通ってドレイン領域へ排出される不要電荷の経路を最短距離で構成することが可能となり、このことは駆動タイミングの自由度の増加に寄与する。
【００２９】
本発明の固体撮像装置の更に別の好ましい実施形態では、前記ドレイン領域接続部と前記ドレインコンタクト領域で接続された前記電源ラインが、前記水平転送部の遮光膜を兼ねている。
【００３０】
このような構成によれば、必要な配線の削減が可能となり、しかも水平転送電極の延長部分が短くて済むので、チップサイズの縮小及び消費電力の増加抑制を図ることができる。
【００３１】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法に関する好ましい実施形態では、前記バスラインを、周辺回路の配線と同時に形成する。
【００３２】
このような構成によれば、バスラインの形成と同時に、例えば、保護回路等の周辺回路を構成するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン配線等を形成することが可能である。これにより、固体撮像装置の製造に必要な工程が増加するのを抑制でき、ひいては固体撮像装置の製造コストの増加も抑制できる。
【００３３】
（実施形態１）
以下、本発明の実施形態１に係る固体撮像装置について、図１から図３を参照しながら説明する。最初に、実施形態１に係る固体撮像装置の構成について図１を用いて説明する。図１は本発明の実施形態１に係る固体撮像装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００３４】
図１に示すように、実施形態１に係る固体撮像装置は半導体基板上に構成されたＣＣＤ型固体撮像装置である。背景技術の説明で図６から図８に示した従来例と同様に、半導体基板（図６の１０１）には二次元マトリクス状に配列された複数の受光部２と、受光部２の垂直方向の並びに沿って列毎に配置された垂直転送部（垂直ＣＣＤ）３とが設けられている。また、垂直転送部３の最終行に隣接するように水平転送部（水平ＣＣＤ）４が設けられている。
【００３５】
本実施形態において、受光部２はフォトダイオードであり、受光した光の強度に応じて電荷を蓄積する。また、垂直ＣＣＤ３及び水平ＣＣＤ４は、チャンネル領域と転送電極とを備えたＣＣＤである。垂直ＣＣＤ３は受光部２から読み出した信号電荷を垂直方向に転送し、水平ＣＣＤ４は垂直ＣＣＤ３によって転送された信号電荷を受けて水平方向に転送する。
【００３６】
なお、図１から図３には、垂直ＣＣＤ３及び水平ＣＣＤ４の一部分が図示されている。図１は従来例の図７に対応し、図２は従来例の図８に対応している。図３に示した断面は図２における直線ａ−ａ´に沿う断面であり、断面に現れる線のみを図示している。
【００３７】
図１に示すように、垂直ＣＣＤ３及び水平ＣＣＤ４はそれぞれ、電荷の転送経路となるチャンネル領域９と二層構造の転送電極とで構成されている。すなわち、垂直ＣＣＤ３はチャンネル領域９の垂直方向に延びる部分９ａと、第１層の垂直転送電極１２及び第２層の垂直転送電極１３とで構成されている。また、水平ＣＣＤ４は、チャンネル領域９の水平方向に延びる部分９ｂと、第１層の水平転送電極１０及び第２層の水平転送電極１１とで構成されている。垂直ＣＣＤ３は四相駆動され、水平ＣＣＤ４は二相駆動される。なお、図１において、第１層の転送電極にハッチングを施して第２層の転送電極と区別している。
【００３８】
チャンネル領域９は半導体基板上に形成されたｐ型ウェル上に形成されている。また、チャンネル領域９、バリア領域６、ドレイン領域７は、ｎ型の拡散層であり、これらの上にはゲート絶縁膜が形成されている。更に、ドレイン領域７におけるチャンネル領域９側の反対側には、ゲート絶縁膜に比べて厚みが大きい絶縁層が形成されている。この絶縁層は前述のようにＬＯＣＯＳ酸化膜と呼ばれる。このＬＯＣＯＳ酸化膜は、保護回路等の周辺回路（図示せず）に対する素子分離膜であり、実際には、複数の受光部２、垂直ＣＣＤ３、水平ＣＣＤ４、バリア領域６及びドレイン領域７を含む主要部分全体を取り囲むように形成されている。
【００３９】
更に、図１及び図２に示すように、水平転送電極１０及び１１は、垂直方向に沿って、バリア領域６、ドレイン領域７及びＬＯＣＯＳ酸化膜と重なるように形成されている。また、図１から図３に示すように、水平転送電極１０及び１１への制御電圧の印加は、コンタクトホールＣＨ及び低抵抗の接続パターン（短い配線パターン）１４と、その上に設けられたＨ１バスライン（第１バスライン）１２及びＨ２バスライン（第２バスライン）１３を介して行われている。図示の例では、Ｈ２バスライン１３は水平転送電極１０に向かって（図２では上方へ）突出する突出部１３ａ有し、その先端部でコンタクトホールＣＨを介して水平転送電極１０及び１１と接続されている。また、Ｈ１バスライン１２と水平転送電極１０及び１１とは接続パターン１４、補助接続パターン１４ａ及び複数のコンタクトホールＣＨを介して接続されている。図１及び図２から分かるように、図６から図８に示した従来例と異なり、本実施形態における水平転送電極１０及び１１は、Ｈ１バスライン１２へ接続するものもＨ２バスライン１３へ接続するものも同じ形状（長さ）にすることができる。
【００４０】
バスライン１２及び１３にはアルミニウム膜が用いられ、接続パターン１４にはタングステン膜が用いられている。補助接続パターン１４ａはバスライン１２及び１３と同じアルミニウム膜で形成される。なお、水平転送電極１０は第１層目のポリシリコンで形成され、水平転送電極１１は第２層目のポリシリコンで形成されている。したがって、接続パターン１４及び補助接続パターン１４ａは水平転送電極１０及び１１の材料より電気抵抗が小さい材料で構成されている。ちなみに、タングステンの電気抵抗はポリシリコンの電気抵抗の１／１００〜１／１０以下である。また、図３では省略されているが、受光部の遮光膜にも接続パターン１４と同じタングステン膜が用いられている。
【００４１】
なお、本実施形態においても、背景技術の説明で図６から図８に示した従来例と同様に、バリア領域６及びドレイン領域７は水平方向に長く形成されている。また、バリア領域６及びドレイン領域７は、水平ＣＣＤ４の垂直ＣＣＤ３に接する側の反対側に、水平ＣＣＤ４から離れる方向に向かって順に配置されている。更に、本実施形態においても、受光部２、垂直ＣＣＤ３、水平ＣＣＤ４、バリア領域６及びドレイン領域７が設けられた領域の周辺には、周辺回路を構成するトランジスタ素子（図１では省略）が形成されている。また、半導体基板はｎ型のシリコン基板であり、半導体基板にはｐ型ウェル（図１では省略）が形成されている。チャンネル領域９及び９ａ、バリア領域６及びドレイン領域７はｎ型の拡散層であり、ｐ型ウェルが設けられた領域に形成されている。また、これらの上にはゲート絶縁膜が形成されている。
【００４２】
上記のように、本実施形態の固体撮像装置は背景技術の説明で図６から図８に示した従来例と異なり、バスライン１２及び１３と水平転送電極１０、１１とを接続するコンタクトホールＣＨがバスライン１２及び１３から外れた位置、つまりバスライン１２及び１３とドレイン領域７との間に位置するように形成されている。そして、ドレイン領域７から遠い側のＨ１バスライン１２と水平転送電極１０、１１とは、近い側のＨ２バスライン１３を横切るように配置された接続パターン１４（及び補助接続パターン１４ａ）を介して接続されている。
【００４３】
このような構成により、バスライン１２及び１３の幅方向に占めるコンタクトホールＣＨの寸法割合が図８に示した従来例より小さくなるので、バスラインを含む水平転送部における電力ロスの増加を抑制できる。本実施形態に係る固体撮像装置をデジタルスチルカメラ等に用いれば、高画素化と低消費電力化とを両立させることが可能になる。
【００４４】
コンタクトホールＣＨの加工プロセスにおいて、微細化能力に制限があるが安価である製造装置を用いてコスト低減を図る場合は、図４に示すようなレイアウトを採用することが好ましい。すなわち、Ｈ２バスライン１３については、図２のような水平転送電極との接続用の突出部１３ａを設けないで、Ｈ２バスライン１３の幅内にコンタクトホールＣＨを配置する。但し、図８に示した従来例と異なり、Ｈ２バスライン１３の幅方向の端にできるだけ寄せるようにコンタクトホールＣＨを配置する。また、Ｈ１バスライン１２については、図２に示した実施形態と同様に、幅方向の端に接続パターン１４との接続用コンタクトを配置する。このようなレイアウトによって、バスラインを含む水平転送部における電力ロスの増加を抑制できる。
【００４５】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２に係る固体撮像装置について、図５を参照しながら説明する。図５は、本発明の実施形態２に係る固体撮像装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００４６】
図５に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置では、ドレイン領域７に電圧を印加するためのドレイン領域接続部１５と、このドレイン領域接続部１５と電源ラインとの接続部であるドレインコンタクト領域１６とが水平ＣＣＤ４の単位毎に設けられている。
【００４７】
このような配置を行うことにより、ドレイン領域７に関して、ドレイン能力を決定する抵抗値の低減のための耐圧劣化を伴う不純物濃度の増加や、負荷容量増加を伴うドレイン面積の拡大を抑制することが可能となる。その結果、従来よりも水平転送電極１０及び１１に覆われた絶縁膜の薄膜領域の面積を縮小し、負荷容量の低減による更なる低消費電力化を図ることが可能になる。また、図５に示すように、ドレインコンタクト領域１６が水平転送電極１０及び１１とバスラインＨ１及びＨ２との間に位置するように形成し、水平転送電極１０及び１１のコンタクトホールＣＨの位置とドレインコンタクト領域１６の位置とを千鳥状にずらすことにより、微細なデザインルールを用いる必要がなく、拡散工程のコスト増加を抑制することができる。
【００４８】
ドレイン領域接続部１５は、垂直転送部（チャンネル領域の一部９ａ）と、垂直転送部から信号電荷を受け取る水平転送電極１０とに沿って略直線状に配置されている。これにより、垂直転送部（チャンネル領域の一部９ａ）から水平転送電極を通ってドレイン領域へ排出される不要電荷の経路を、矢印線ＰＡで示すように、最短距離で構成することが可能となる。その結果、駆動タイミングの自由度を増すことができる。
【００４９】
また、ドレインコンタクト領域１６へ電圧を印加するアルミニウム配線１７は、水平ＣＣＤ４の遮光膜を兼ねている。これにより、必要な配線の削減が可能となり、しかも水平転送電極１０及び１１の延長部分が短くて済むので、チップサイズの縮小及び消費電力の増加抑制を図ることができる。
【００５０】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はこれらの実施形態を適宜変更して実施してもよい。また、上記の実施形態１及び２では転送タイプがインターライン転送（ＩＴ）型の固体撮像装置を例にとって説明したが、本発明はフレーム転送（ＦＴ）型又はフレームインターライン転送（ＦＩＴ）型の固体撮像装置に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、携帯端末装置等に用いられる固体撮像装置に適用することができ、高画素化と低消費電力化とを両立することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施形態１に係る固体撮像装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１に示す固体撮像装置の平面構成を示す平面図である。
【図３】図２における直線ａ−ａ´に沿う断面を示す図である。
【図４】本発明の実施形態２における固体撮像装置の平面構成を示す平面図である。
【図５】本発明の実施形態３における固体撮像装置の平面構成を示す平面図である。
【図６】従来のＣＣＤ型固体撮像装置の概略構成を示す平面図である。
【図７】図６に示す従来のＣＣＤ型固体撮像装置の一部分を拡大して示す平面図である。
【図８】図７に示すＣＣＤ型固体撮像装置の平面構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５３】
２  受光部
３  垂直ＣＣＤ
４  水平ＣＣＤ
６  バリア領域
７  ドレイン領域
９、  チャンネル領域
１０、１１  水平転送部の電極
１２，１３  バスライン
１４  接続パターン
１５  ドレイン領域接続部
１６  ドレインコンタクト領域
１７  アルミニウム配線                                                                             
【図１】
2007115912.tif 000003
【図２】
2007115912.tif 000004
【図３】
2007115912.tif 000005
【図４】
2007115912.tif 000006
【図５】
2007115912.tif 000007
【図６】
2007115912.tif 000008
【図７】
2007115912.tif 000009
【図８】
2007115912.tif 000010