(57)【要約】      （修正有）【課題】メッキ溶液の化学物質濃度を測定するための方法を提供する。【解決手段】メッキ溶液を保存する為に一以上のメッキセルリザーバと、一以上のメッキセルリザーバと流体接続される化学分析装置と、を含む、電気化学メッキシステム。この化学分析装置は、メッキ溶液の化学物質の濃度を測定するように構成されている。メッキシステムは、更に配管システムを含み、この配管システムは、一以上のメッキセルリザーバと化学分析装置間の流体的連通状態を促進し、化学分析装置を、一以上のメッキセルリザーバの一以上のメッキセルにより生成される電気的ノイズから実質的に絶縁するように構成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学メッキシステムにおいて：
メッキ溶液を保存する為の一以上のメッキセルリザーバと；
前記一以上のメッキセルリザーバと流体接続される化学分析装置であって、前記メッキ溶液の化学物質濃度を測定するように構成されている、前記化学分析装置と；
前記一以上のメッキセルリザーバと前記化学分析装置間の流体的連通状態を促進し、前記化学分析装置を、前記一以上のメッキセルリザーバの一以上のメッキセルにより生成される電気的ノイズから実質的に絶縁するように構成されている配管システムと；
を備える、前記メッキシステム。
【請求項２】
前記化学分析装置と結合されたサンプリング用リザーバであって、前記メッキ溶液の一部を保持するように構成された、前記サンプリング用リザーバを更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記配管システムは、前記メッキ溶液の一部を前記一以上の前記メッキセルリザーバから前記サンプリングリザーバまで送る為の第１流路を備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記配管システムは、前記化学分析装置を通り前記メッキ溶液の一部を循環させる為の第２流路を備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記配管システムは、少なくとも一つのバルブを備え、前記バルブは、前記少なくとも一つのバルブが開かれた位置にあるとき、前記メッキ溶液の一部が前記一以上のメッキセルリザーバから前記サンプリングリザーバまで流れさせる、請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記少なくとも一つのバルブは、いったん前記サンプリングリザーバが前記メッキ溶液の一部で充填されると閉鎖位置にスイッチが入れられ、実質的に前記化学分析装置を前記電気的ノイズから絶縁する、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記配管システムは、前記メッキ溶液の一部を前記一以上のメッキセルリザーバまで戻す為の第３流路を備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項８】
前記第３流路は、前記メッキ溶液の一部内の化学物質濃度測定を完了後に使用される、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記配管システムは、前記サンプリングリザーバから液体を前記配管システムの外に排出する為の第４流路を備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第４流路は、脱イオン水および標準溶液の一つを捨てる為に使用される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記サンプリングリザーバ内部の液体の温度を所定範囲内に維持する為の温度コントローラを更に備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項１２】
前記所定範囲は、約１８℃から約２２℃までの範囲である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記サンプリングリザーバ内部の液体の温度を約２０℃で維持する為の温度コントローラを更に備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記電気的ノイズは、前記一以上のメッキセル内の電圧印加により生成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
メッキ溶液の化学物質濃度を測定する方法において：
一以上のメッキセルリザーバからサンプリングリザーバまで前記メッキ溶液の一部を送出するステップと；
前記メッキ溶液の一部を化学分析装置を通して循環させるステップと；
前記一以上のメッキセルリザーバと前記化学分析装置との間の流体接続を絶縁するステップと；
を備える、前記方法。
【請求項１６】
前記流体接続を絶縁するステップは、前記メッキ溶液の一部を前記一以上のメッキセルリザーバから前記サンプリングリザーバまで流す少なくとも一つのバルブを閉じることを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも一つのバルブは、前記サンプリングリザーバが前記メッキ溶液の一部で充填された後に閉じられる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記メッキ溶液の一部の化学物質濃度を測定するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記メッキ溶液の一部を、前記化学物質濃度を測定した後に前記一以上のメッキセルリザーバに戻すステップを更に含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
所定の温度範囲に前記サンプリングリザーバ内部の前記メッキ溶液の一部の温度を維持するステップを更に含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記所定の温度範囲は、約１８℃から約２２℃の範囲である、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般に、電気化学メッキシステムに関し、具体的には、電気化学メッキシステムに使用されるメッキ溶液を分析することに関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]０．２５ミクロン未満で寸法が定められた特徴部の金属被膜は、現在かつ将来の集積回路製造プロセスにとって基本技術である。より具体的には、超大規模集積型デバイス（例えば、１００万以上の論理ゲートを備えた集積回路）において、これらのデバイスの中心部にある多重レベル相互接続部は、一般に、導電材（例えば、銅、アルミニウム）で、高アスペクト比の相互接続特徴部を充填することにより形成される。従来は、化学気相体積（ＣＶＤ）や物理的気相堆積（ＰＶＤ）のような堆積技術が、相互接続特徴部を充填する為に使用されてきた。しかし、相互接続部の大きさが減少し、アスペクト比が大きくなるにつれて、従来の堆積技術を介する効率の良い、空隙の無い相互接続特徴部は、ますます困難になる。その結果、例えば、電気化学的メッキ（ＥＣＰ）や無電界メッキのようなメッキ技術が、集積回路製造プロセスにおいて、０．２５ミクロン未満の大きさの高アスペクト比の相互接続特徴部を充填する為の存続可能なプロセスとして出現した。
【０００３】
[0003]例えばＥＣＰプロセスにおいて、基板の表面に形成された、０．２５ミクロン未満の大きさで高アスペクト比の特徴部は、例えば銅のような導電材で効率よく充填可能かもしれない。ＥＣＰメッキプロセスは、一般に、２つのプロセスであり、シード層が最初に基板の表面及び特徴部にわたって形成され、その後、基板の表面と特徴部はメッキ溶液に曝され、同時に、電気的バイアスが、基板と、メッキ溶液内に位置するアノードとの間に印加される。メッキ溶液は、一般に、基板の表面上にメッキされるべきイオンが豊富であり、電気的バイアスの印加により、これらのイオンはメッキ溶液の外に追いやられ、シード層上にメッキされる。
【０００４】
[0004]重要な、一つの特別なメッキパラメータは、基板をメッキする際に使用されるメッキ溶液の化学成分である。通常のメッキ溶液は、脱イオンされた（ＤＩ）水を含む、異なる化学溶液の混合物を含む。基板表面にわたり所望のメッキ特性を得る為には、メッキ溶液が、これらの化学溶液の適切な濃度を含まなければならない。これらの化学溶液の適切な濃度がメッキ流体中に無い場合、基板表面にわたり所望のメッキ特性が達成されないおそれがある。したがって、メッキ溶液内の化学溶液の所望の濃度を、基板のメッキ前さらにメッキ中に設定し維持することが望まれる。
【０００５】
[0005]メッキサイクル中、メッキ溶液内の化学溶液の所望の濃度を維持することに対する一つの障害は、これらの濃度が連続的に変化することである。その理由の一つは、メッキサイクル中、化学溶液が連続的に分散、分解、更に他の化学物質と結合することである。
このように、メッキ溶液中の様々な化学物質の濃度は、メッキ溶液が放置されても、時間と共に変化する。したがって、典型的なＥＣＰメッキセルは、メッキサイクル中、メッキ流体中の化学物質の濃度を制御する為に特別な装置を含む。
【０００６】
[0006]そのような特別な装置の一つが、化学分析装置であり、これは、メッキ溶液を厳密に調べ、メッキ溶液内の化学物質の濃度を定期的に決定する装置である。化学分析装置は、メッキ溶液中の化学物質の電流密度情報を使用することにより、メッキ溶液に追加が必要な化学物質量を決定する。また、化学分析装置は、メッキ溶液中の化学物質にとって望ましい濃度に達する為に、化学物質を追加する前に、排出される必要があるメッキ溶液量を決定可能である。
【０００７】
[0007]複数のメッキセルを含むメッキシステムは、複数の化学分析装置（例えば、メッキセル毎に一つ）を含んでもよい。所定のメッキシステムに対する化学分析装置の各々は、一緒に較正される必要があるかもしれない。各々の化学分析装置と、化学分析装置を囲む温度の可変性のため、これらの化学分析装置の全てを動じに較正することは困難かもしれない。それに加えて、メッキシステム内の各メッキセルに対し一つの化学分析装置を使用すると、法外にコスト高になる可能性がある。
【０００８】
[0008]したがって、メッキ溶液の化学物質の濃度を測定する為に改善されたシステムと方法が技術的に必要である。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]発明の実施形態は、電気化学メッキシステムを目的とするが、電気化学メッキシステムは、メッキ溶液を保存する為に一以上のメッキセルリザーバと、一以上のメッキセルリザーバに流体接続された化学分析装置と、を含む。化学分析装置は、メッキ溶液の化学物質濃度を測定するように構成されている。メッキシステムは、一以上のメッキセルリザーバと化学分析装置との間の流体接続を容易にし、一以上のメッキセルリザーバの一以上のメッキセルにより生成される電気的ノイズから化学分析装置を実質的に絶縁するように構成された配管システムを更に含む。
【００１０】
[0010]本発明の実施形態は、また、メッキ溶液の化学物質濃度を測定する為の方法を目的とする。この方法は、一以上のメッキセルリザーバからサンプリングリザーバまでメッキ溶液の一部を送出するステップと、化学分析装置を通してメッキ溶液の一部を循環させるステップと、一以上のメッキセルリザーバと化学分析装置との間の流体接続を絶縁するステップと、を含む。
【００１１】
[0011]本発明の上記特徴が詳細に理解可能な方式、手短に要約された本発明の詳細な説明は、幾つかが添付図面で例示される実施形態を参照してもよい。しかし、添付図面は、本発明の典型的な実施形態だけを例示するので、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明は他の有効な実施形態を許容するものであることに留意されたい。
【詳細な説明】
【００１２】
[0017]図１は、一以上の実施形態に従う、電気化学メッキ（ＥＣＰ）システム１００の平面図を例示する。システム１００は、ファクトリインターフェース（ＦＩ）１３０を含み、これは、一般的に基板ローディングステーションとも呼ばれる。ファクトリインターフェース１３０は、基板収容カセット１３４に連結するように構成された複数の基板ローディングステーションを含んでもよい。ロボット１３２は、ファクトリインターフェース１３０内に位置することができ、カセット１３４内に含まれる基板にアクセスするように構成されてもよい。さらに、ロボット１３２は、また、処理メインフレーム又はプラットフォーム１１３にファクトリインターフェース１３０を接続させるリンクトンネル１１５内に伸びてもよい。ロボット１３２の位置は、ロボットをカセット１３４にアクセスさせ、そこから、カセットを取り出し、その後、メインフレーム１１３に位置された処理セル１１４の一つまで或いは代替え的にアニールステーション１３５まで、基板を送出する。
同様に、ロボット１３２は、基板処理シーケンスが完了した後、処理セル１１４，１１６又はアニールステーション１３５から基板を取り出す為に使用されてもよい。ロボット１３２は、その後、システム１００から取り出為に基板をカセットの一つまで戻す為に送出してもよい。
【００１３】
[0018]システム１００は、更にアニールステーション１３５を含んでもよいが、これは、冷却プレート／位置１３６と，加熱プレート／位置１３７と、２つのプレート１３６，１３７間に位置される基板移送ロボット１４０とを含んでもよい。移送ロボット１４０は、それぞれの加熱プレート１３７と冷却プレート１３６との間で基板を移動するように構成されてもよい。
【００１４】
[0019]前述されたように、システム１００は、上部中央に基板移送ロボット１２０が位置する処理メインフレーム１１３を含んでもよい。移送ロボット１２０は、一般に、上部で基板を支持し移送するように構成された一以上のアーム／ブレード１２２，１２４を含む。その上、移送ロボット１２０と、付随するブレード１２２，１２４は、一般に、伸長、回転、垂直移動するように構成されるので、移送ロボット１２０は、メインフレーム１１３上に位置される複数の処理場所１０２，１０４，１０６，１０８，１１０，１１４，１１６に基板を挿入、あるいは複数の処理場所１０２，１０４，１０６，１０８，１１０，１１４，１１６から基板を取り出すことができる。処理場所１０２，１０４，１０６，１０８，１１０，１１２，１１６は、電気化学メッキプラットフォーム内で利用される、どのような数の処理セルでもよい。より具体的に、処理場所は、電気化学メッキセル、リンスセル、ベベル洗浄セル、スピンリンスドライセル、基板表面洗浄セル（総合的に洗浄、リンス、エッチングセルを含む）、無電界メッキセル、度量衡学的検査ステーション、及び／更に、メッキプラットフォーム内で有利に使用可能な他の処理セルとして構成可能である。それぞれの処理セルとロボットの各々は、一般に、システムコントローラ１１１と通信可能であり、これは、ユーザ及び／又はシステム１００上に位置する様々なセンサの両方から入力を受け、その入力に従ってシステム１００の動作を適切に制御するように構成された、マイクロプロセッサをベースとしたコントロールシステムである。
【００１５】
[0020]処理場所１１４，１１６は、メインフレーム１１３上のウェット処理ステーションと、リンクトンネル１１５，アニールステーション１３５，ファクトリインターフェース１３０内のドライ処理領域との間のインターフェースとして構成されてもよい。インターフェースの場所に配置される処理セルは、スピンリンスドライセル及び／又は基板洗浄セルでもよい。より具体的には、場所１１４，１１６の各々は、スピンリンスドライセルと基板洗浄セルの両方を、積み重ねられた構成で含んでもよい。たとえば、場所１０２，１０４，１１０，１１２は、メッキセル、例えば、電気化学メッキセル或いは無電界メッキセルとして構成されてもよい。したがって、メッキセル１０２，１０４，１１０，１１２は、それぞれ、メッキセルリザーバ１４２，１４４，１４６，１４８と流体接続されてもよい。各々のメッキセルリザーバは、例えば約２０リットルの大容量のメッキ溶液を維持するように構成されている。場所１０６，１０８は、基板ベベル洗浄セルとして構成されてもよい。ＥＣＰシステム１００の様々な構成要素の付加的詳細は、共通に譲渡され、”MULTI-CHEMISTRY PLATING SYSTEM”と題する２００３年７月８日に出願された米国特許出願第１０／６１６，２８４号に説明されており、その全体が本願に参考のため組み込まれている。一実施形態において、ＥＣＰシステム１００は、カリフォルニア州サンタクララの亜プライドマテリアルズ社から入手可能なスリムセルメッキシステムでもよい。
【００１６】
[0021]システム１００は、更に、化学分析装置１５０を含んでもよい。一実施形態において、化学分析装置は、ロードアイランド、クランストンのテクニック社から入手可能なリアルタイム分析装置（ＲＴＡ）である。化学分析装置１５０は、メッキ溶液のサンプリングを厳密に調査し、メッキ溶液のサンプリング内の化学物質濃度を測定するように構成されている。測定技術は、交流及び直流ボルタンメトリーに基づいてもよい。電圧は、メッキ浴溶液内に浸される金属電極に印加されてもよい。印加される電圧は、電気メッキ中、電流を流す。電流のレスポンスは、様々な化学物質濃度と量的に相関させてもよい。化学分析装置１５０は、化学分析装置１５０の動作を制御する為のコントローラを含んでもよく、化学分析装置１５０用コントローラは、システムコントローラ１１１と通信可能でもよく、これらが、測定されるべき特定のメッキセルリザーバを決定してもよい。
【００１７】
[0022]化学分析装置１５０は、サンプリングリザーバ１６０に結合可能であり、サンプリングリザーバ１６０は、メインフレーム１１３上で処理セルの一つからメッキ溶液のサンプリングを保持するように構成されている。一実施形態において、サンプリングリザーバ１６０は、約３００ミリリットルから約６００ミリリットルの液体を保持するように構成されている。サンプリングリザーバ１６０は、温度コントローラ１７０に結合可能であり、温度コントローラ１７０は、サンプリングリザーバ１６０内部の液体（例えば、メッキ溶液）の温度を維持又は制御するように構成されている。温度コントローラ１７０は、熱交換機または深冷器を含んでもよい。一実施形態において、温度コントローラ１７０は、サンプリングリザーバ１６０内部の液体の温度を所定範囲（例えば、約１８℃から約２２℃）内に維持するように構成されている。他の実施形態において、温度コントローラ１７０は、約２０℃でサンプリングリザーバ内の液体を維持するように構成されている。
さらに、温度コントローラ１７０は、温度コントローラ１７０の動作を制御するためにシステムコントローラ１１１と通信可能でもよい。
【００１８】
[0023]システム１００は、液体（例えば、メッキ溶液）を、処理セルリザーバからサンプリングリザーバまで、或いはサンプリングリザーバから処理セルリザーバまで、移動させるように構成されたポンプを更に含んでもよい。ポンプ１８０は、ポンプ１８０の動作を制御する為にシステムコントローラ１１１と通信可能でもよい。液体が、処理セルと化学分析装置間を送出される方式の詳細は、以下、図２〜図５を参照して説明する。
【００１９】
[0024]図２は、本発明の一以上の実施形態に従う、液体（例えば、メッキ溶液）をメッキセルから化学分析装置１５０まで或いは化学分析装置からメッキセルまで送出する為の配管システムの概略図を例示する。配管システム２００は、バルブ２１０，２２０，２３０、２４０を含み、それぞれのメッキセルリザーバからサンプリングリザーバ１６０まで或いはサンプリングリザーバ１６０からメッキセルリザーバまで液体を流すことができる。メッキセルリザーバ用に４つのバルブだけが示されているが、配管システム２００は、任意の数のバルブを、それぞれのメッキセルリザーバ用に含んでもよい。各々のバルブは、空気式二方弁でもよい。しかし、当該技術分野で通常の知識を有する者により一般的に知られた他の種類のバルブも、本発明の実施形態と組み合わせて使用可能である。バルブ２０５は、開かれた位置で、液体を配管システム２００から外に排出させるように構成されている。バルブ２５０は、開かれた位置で、較正中に、サンプリングリザーバ１６０内に較正溶液または標準溶液を流入させるように構成されている。バルブ２６０は、開かれた位置で、サンプリングリザーバ１６０内に脱イオン水（ＤＩＷ）を流入させるように構成されている。開かれた位置でのバルブ２７０は、以下に詳細が説明される戻すステップ中、メッキセルリザーバに液体を戻すように構成されている。開かれた位置でのバルブ２８０は、以下に詳細が説明される充填ステップ中に、ポンプ１８０に、メッキセルリザーバからのメッキ溶液、脱イオン水又は標準溶液を流すように構成されている。バルブ２８５は、開かれた位置で、ポンプ１８０から化学分析装置１５０まで液体を流すように構成されている。バルブ２９０は、開かれた位置で、サンプリングリザーバ１６０からポンプ１８０まで液体を流すように構成されている。
【００２０】
[0025]図２は、充填ステップ中、メッキセルリザーバからサンプリングリザーバ１６０までの液体（例えば、メッキ溶液）の流れを例示するが、これは、通常、メッキ溶液内の化学物質濃度を測定する前に実行される一つ又は第１ステップである。実例として、充填ステップは、開かれたバルブ２４０を通して処理セルリザーバからメッキ溶液を流すことにより、開始する。メッキ溶液は、その後、開かれたバルブ２８０を通してポンプ１８０まで流れる。メッキ溶液は、開かれたバルブ２８５と化学分析装置１５０を通りサンプリングリザーバ１６０までポンプ１８０の外に流れ続ける。バルブ２０５，２１０，２２０，２３０，２５０，２６０，２７０，２９０は、閉じられている。
【００２１】
[0026]一実施形態において、いったんサンプリングリザーバ１６０がメッキ溶液で充填され、化学分析装置１５０により測定される準備ができると、バルブ２４０とバルブ２８０は閉じられてもよい。このように、化学分析装置１５０は、メッキ溶液が到来するメッキセルを含み、実質的に、取り囲むメッキセルに印加される電圧により生成される電気的ノイズから絶縁可能である。
【００２２】
[0027]メッキ溶液がメッキセルリザーバからサンプリングリザーバ１６０まで送出されるとき、メッキ溶液の温度は、ポンプ１８０の温度および／または外部温度だけ高められる場合がある。そのため、いったんサンプリングリザーバ１６０がメッキ溶液で充填されると、サンプリングリザーバ１６０内部のメッキ溶液の温度は、温度コントローラ１７０により冷却される場合がある。一実施形態において、いったんメッキ溶液の温度が所定範囲（例えば、約１８℃から約２２℃）に達すると、メッキ溶液は化学分析装置１５０を通り再循環されるが、化学分析装置１５０は、その後、サンプリングリザーバ１６０内部のメッキ溶液の化学物質濃度を測定する。他の実施形態において、サンプリングリザーバ１６０内部のメッキ溶液の温度は、約２０℃まで冷却されてもよい。このように、種々のメッキセルリザーバからのメッキ溶液の化学物質濃度の測定が、より始終一貫して正確な方式で実行可能である。
【００２３】
[0028]図３は、本発明の一以上の実施形態に従う、再循環ステップ中に、液体（例えば、メッキ溶液）が送出可能な方式の概略図を例示する。再循環ステップにおいて、液体（例えば、メッキ溶液）は、開かれたバルブ２９０を通りサンプリングリザーバ１６０からポンプ１８０まで流れる。その後、メッキ溶液は、開かれたバルブ２８５を通り化学分析装置１５０まで流れ、サンプリングリザーバ１６０まで戻される。バルブ２０５，２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７０，２８０は、閉じられている。化学分析装置１５０は、何回でも繰り返すことができる再循環ステップ中、メッキ溶液の化学物質濃度を測定してもよい。
【００２４】
[0029]いったん化学分析装置１５０がサンプリングリザーバ１６０内のメッキ溶液の化学物質濃度を測定し終えると、メッキ溶液は、それが到来する各々のメッキセルリザーバまで戻されてもよい。図４は、本発明の一以上の実施形態に従う、サンプリングリザーバ１６０から、それぞれのメッキセルリザーバまでのメッキ溶液の流れを例示する。メッキ溶液は、サンプリングリザーバ１６０から、開かれたバルブ２９０を通り、ポンプ１８０まで流れる。その後、メッキ溶液は、開かれたバルブ２７０と、開かれたバルブ２４０とを通り、メッキ溶液が到来する各々のメッキリザーバまで、ポンプ１８０の外に流れる。バルブ２０５，２１０，２２０，２３０，２５０，２６０，２８０，２８５は、閉じられている。また、メッキ溶液は、化学分析装置１５０により測定された化学物質濃度が完了すると、配管システム２００の外に排出されてもよい。液体が配管システムの外に排出可能な方式は、図５を参照して詳細に説明されている。
【００２５】
[0030]脱イオン水が配管システム２００を通り循環可能であるか、或いは化学分析装置１５０が標準溶液で較正可能である状況において、液体は、脱イオン水または標準溶液の循環が完了したとき、配管システム２００から排出可能である。図５は、本発明の一以上の実施形態に従う、配管システム２００の外への液体（例えば、脱イオン水または標準溶液）の流れを例示する。液体は、開かれたバルブ２９０を通りサンプリングリザーバ１６０からポンプ１８０まで流れる。その後、液体は、開かれたバルブ２７０と、開かれたバルブ２０５とを通り、配管システム２００の外に、配管システム２００の外に流れる。バルブ２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２８０，２８５は、閉じられている。
【００２６】
[0031]上記は、本発明の実施形態を目的とするが、本発明の更なる実施形態は、本発明の基本的範囲を逸脱することなく案出可能であり、その範囲は添付された請求の範囲により定められる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】[0012]図１は、本発明の一以上の実施形態に従う、電気化学メッキシステムの平面図を例示する。
【図２】[0013]図２は、本発明の一以上の実施形態に従う、液体（例えば、メッキ溶液）をメッキセルから化学分析装置、化学分析装置からメッキセルに送る配管システムの概略図を例示する。
【図３】[0014]図３は、本発明の一以上の実施形態に従う、再循環中に送出可能な方式の概略図を例示する。
【図４】[0015]図４は、本発明の一以上の実施形態に従う、サンプリングリザーバから、それぞれのメッキセルリザーバまでメッキ溶液の流れを例示する。
【図５】[0016]図５は、本発明の一以上の実施形態に従う、配管システムの外への、液体（例えば、脱イオン水、標準溶液）の流れを例示する。
【符号の説明】
【００２８】
１００…電気化学メッキ（ＥＣＰ）システム、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１４、１１６…処理場所、１１１…システムコントローラ、１１２…処理場所、１１３…処理メインフレーム又はプラットフォーム、１１４…処理セル、１１５…リンクトンネル、１１６…処理セル、１２０…基板移送ロボット、１２２…アーム／ブレード、１２４…アーム／ブレード、１３０…ファクトリインターフェース（ＦＩ）、１３２…ロボット、１３４…カセット、１３５…アニールステーション、１３６…冷却プレート／位置、１３７…加熱プレート／位置、１４０…基板移送ロボット、１４２、１４４、１４６、１４８…メッキセルリザーバ、１５０…化学分析装置、１６０…サンプリングリザーバ、１７０…温度コントローラ、１８０…ポンプ、２００…配管システム、２０５、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０、２８５、２９０…バルブ
【図１】
2007051371.tif 000003
【図２】
2007051371.tif 000004
【図３】
2007051371.tif 000005
【図４】
2007051371.tif 000006
【図５】
2007051371.tif 000007
【外国語明細書】
2007051371000001.pdf