(57)【要約】【課題】櫛歯状をなして対向配置された可動電極および固定電極からなる梁構造体を有する容量式の力学量センサにおいて、可動電極を固定電極の内側に位置させることなく、梁部による変位を可能とした構成を実現する。【解決手段】半導体基板１０の一面側に溝１４を形成することにより形成される梁構造体５０は、固定電極４１、４２と、固定電極４１、４２の外側を取り囲むように配置された矩形枠状の枠部材６０とを有するものであり、梁部２０は、枠部材６０における辺部として構成されるとともに、この辺部の長手方向と直交する方向にバネ性を有するものであり、可動電極３０は、枠部材６０における梁部２０以外の辺部から枠部材５０の内周側に向かって櫛歯状に突出したものとして構成されている。【選択図】図１
2007139505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（１０）の一面側に溝（１４）を形成することにより、梁構造体（５０）が形成されており、
前記梁構造体（５０）は、バネ性を有する梁部（２０）と、
前記梁部（２０）に連結され力学量の印加時に前記梁部（２０）のバネ力により変位する櫛歯状の可動電極（３０）と、
前記可動電極（３０）と対向して配置された櫛歯状の固定電極（４１、４２）とを備えたものであり、
前記可動電極（３０）と前記固定電極（４１、４２）との間の容量変化に基づき力学量を検出する力学量センサにおいて、
前記梁構造体（５０）は、前記固定電極（４１、４２）と、前記固定電極（４１、４２）の外側を取り囲むように配置された矩形枠状の枠部材（６０）とを有し、
前記梁部（２０）は、前記枠部材（６０）における辺部として構成されるとともに、この辺部の長手方向と直交する方向にバネ性を有するものであり、
前記可動電極（３０）は、前記枠部材（６０）における辺部から前記枠部材（５０）の内周側に向かって櫛歯状に突出したものとして構成されており、
前記固定電極（４１、４２）は、前記可動電極（３０）にかみ合うように前記枠部材（６０）に向かって突出する櫛歯形状となっていることを特徴とする力学量センサ。
【請求項２】
前記梁部（２０）は、前記枠部材（６０）における対向する２個の辺部として構成され、
前記可動電極（３０）は、前記枠部材（６０）における前記梁部（２０）以外の対向する２個の辺部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の力学量センサ。
【請求項３】
前記梁部（２０）は、前記枠部材（６０）における前記可動電極（３０）が設けられている辺部として構成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の力学量センサ。
【請求項４】
前記枠部材（６０）における前記可動電極（３０）が設けられている辺部において、前記可動電極（３０）が設けられている部位の両端部は、前記可動電極（３０）が設けられている部位よりも細くなっており、当該両端部が前記梁部（２０）として構成されていることを特徴とする請求項３に記載の力学量センサ。
【請求項５】
前記可動電極（３０）は、前記枠部材（６０）における辺部側の部位が太く突出先端側が細くなるようなテーパ形状となっていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の力学量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに対向して配置された櫛歯状の可動電極および固定電極を有する容量式の力学量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、従来のこの種の一般的な力学量センサの概略平面構成を示す図である。この図７に示されるようなものとしては、たとえば、特許文献１に記載されるものが提案されている。
【０００３】
図７に示されるように、半導体基板１０の一面側に溝を形成することにより、梁部２０とこれに連結された可動電極３０と可動電極３０の外側に設けられた固定電極４１、４２とよりなる梁構造体５０が形成されている。
【０００４】
梁部２０は細長矩形枠状のもので、その長手方向と直交する方向にバネ性により変位する。そして、梁部２０に連結された可動電極３０は、櫛歯状のものであり、加速度などの力学量が印加された時に、この梁部２０のバネ力により、図７中のＸ軸方向に変位するようになっている。
【０００５】
また、固定電極４１、４２は、可動電極３０における櫛歯とかみ合うように配置された櫛歯状のものであり、力学量の印加による可動電極３０と固定電極４１、４２との間の容量変化に基づき力学量を検出するようになっている。
【特許文献１】特開２００５−９８７４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記したような従来の力学量センサにおいては、可動電極３０と固定電極４１、４２との位置関係が、固定電極４１、４２を外側とし、その内側に可動電極３０を位置させるものであるため、たとえば、センサ感度を上げるべく梁部２０を長くしてそのバネ定数を小さくすることが困難になる。また、梁部２０の形状も、上記図７に示されるように、複雑になったりする。
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ともに櫛歯状をなして対向配置された可動電極および固定電極を有する容量式の力学量センサにおいて、可動電極を固定電極の内側に位置させることなく、梁部による変位を可能とした構成を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、半導体基板（１０）の一面側に溝（１４）を形成することにより形成される梁構造体（５０）を、固定電極（４１、４２）と、固定電極（４１、４２）の外側を取り囲むように配置された矩形枠状の枠部材（６０）とを有するものとし、梁部（２０）を、枠部材（６０）における辺部として構成するとともに、この辺部の長手方向と直交する方向にバネ性を有するものとし、可動電極（３０）を、枠部材（６０）における辺部から枠部材（５０）の内周側に向かって櫛歯状に突出したものとして構成したことを、第１の特徴とする。
【０００９】
それによれば、固定電極（４１、４２）の外側に矩形枠状の枠部材（６０）を設け、その辺部を梁部（２０）として構成するとともに、当該枠部材（６０）の辺部に可動電極（３０）を設け、梁部（２０）を、それを構成する辺部の長手方向と直交する方向に変位させるものにできるため、従来のように可動電極を固定電極の内側に位置させることなく、梁部による可動電極の変位を可能とした構成を実現することができる。
【００１０】
また、本発明は、上記第１の特徴を有する力学量センサにおいて、梁部（２０）を、枠部材（６０）における対向する２個の辺部として構成し、可動電極（３０）を、枠部材（６０）における梁部（２０）以外の対向する２個の辺部に設けたことを、第２の特徴とする。
【００１１】
それによれば、力学量の印加時には、枠部材（６０）における梁部（２０）として構成されている２個の辺部の長手方向と直交する方向、すなわち可動電極（３０）が設けられている辺部の長手方向に、可動電極（３０）を変位させることができる。
【００１２】
また、本発明は、上記第１の特徴を有する力学量センサにおいて、梁部（２０）を、枠部材（６０）における可動電極（３０）が設けられている辺部として構成されたものとしたことを、第３の特徴とする。
【００１３】
それによれば、力学量の印加時には、可動電極（３０）が設けられている辺部の長手方向と直交する方向に、可動電極（３０）を変位させることができる。
【００１４】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１６】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る容量式力学量センサとしての加速度センサ１００の概略平面図、図２は、図１中のＡ−Ａ線に沿った加速度センサ１００の概略断面図、図３は、図１中のＢ−Ｂ線に沿った加速度センサ１００の概略断面図である。
【００１７】
この加速度センサ１００は、図１中のＸ軸方向の加速度を検出するものである。本加速度センサ１００は、半導体基板１０を備え、この半導体基板１０に周知のマイクロマシン加工を施すことによって形成されるものである。
【００１８】
本例では、加速度センサ１００を構成する半導体基板１０は、図２および図３に示されるように、第１の半導体層としての第１シリコン基板１１と第２の半導体層としての第２シリコン基板１２との間に、絶縁層としての酸化膜１３を有する矩形状のＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）基板１０である。
【００１９】
半導体基板１０の一面側すなわち第２シリコン基板１２には、その厚さ方向に貫通する溝１４を形成することにより、この溝１４によって区画されたパターン、すなわち、梁部２０、可動電極３０および固定電極４１、４２よりなる櫛歯形状を有する梁構造体５０が形成されている。
【００２０】
なお、図２、図３に示されるように、第２シリコン基板１２においては、酸化膜１３に接して支持されている部分と、酸化膜１３が除去されてその下の第１シリコン基板１１からリリースされている部分とが存在する。
【００２１】
具体的には、梁構造体５０のうち梁部２０と可動電極３０の部分がリリースされている部分であり、固定電極４１、４２および後述するアンカー部２１ａ、２１ｂが酸化膜１３に支持されている部分である。この様子は、図１において、第２シリコン基板１２のうちその下の酸化膜１３が除去されている領域に対して、便宜上ハッチングを施すことにより表してある。
【００２２】
このような加速度センサ１００は、たとえば、次のようにして製造される。ＳＯＩ基板１０の第２シリコン基板１２にフォトリソグラフ技術を用いて梁構造体に対応した形状のマスクを形成する。
【００２３】
その後、ＣＦ4やＳＦ6等のガスを用いてドライエッチング等にてトレンチエッチングを行い、溝１４を形成することによって、上記した梁構造体５０のパターンを一括して形成する。
【００２４】
続いて、犠牲層エッチングにより、溝１４を介して酸化膜１３を除去すべき部位にて、当該酸化膜１３をエッチングして除去する。このようにして、梁部２０および可動電極３０がリリースされ、加速度センサ１００を製造することができる。
【００２５】
加速度センサ１００における梁構造体５０のうち固定電極４１、４２は、一対の櫛歯状をなすもので、半導体基板１０の中央部に配置されている。これら固定電極４１、４２は、図１〜図３に示されるように、その下の酸化膜１３を介して第１シリコン基板１１に固定され、支持されている
そして、これら一対の固定電極４１、４２の外側には、梁構造体としての矩形枠状の枠部材６０が、これら固定電極４１、４２を取り囲むように配置されている。ここで、枠部材６０は、梁部２０および可動電極３０として構成される。
【００２６】
梁部２０は枠部材６０における辺部として構成されたものである。本例では、図１に示されるように、梁部２０は、枠部材６０における対向する２個の辺部として構成されている。そして、梁部２０は、これらの辺部の長手方向と直交する方向にバネ性を有するものである。
【００２７】
また、可動電極３０は、図１に示されるように、枠部材６０における辺部とこの辺部から枠部材６０の内周側に向かって櫛歯状に突出したものとして構成されている。本例では、可動電極３０は、枠部材６０における梁部２０以外の対向する２個の辺部に設けられている。
【００２８】
そして、固定電極４１、４２は、可動電極３０の櫛歯にかみ合うように枠部材６０に向かって突出してする櫛歯形状となっている。そして、可動電極３０と固定電極４１、４２とで互いに対向する櫛歯の側面の間が、容量を検出するための検出間隔として形成されている。
【００２９】
ここで、枠部材６０は、２個のアンカー部２１ａ、２１ｂによって第１シリコン基板１１に支持されている。
【００３０】
本例では、アンカー部２１ａ、２１ｂは、枠部材６０における梁部２０を構成する２個の辺部の中央部に設けられており、図３に示されるように、酸化膜１３を介して第１シリコン基板１１に支持されている。
【００３１】
それにより、梁部２０は、アンカー部２１ａ、２１ｂに固定された部位を固定端とし、この固定端とは反対側の両端部を自由端として、図１中のＸ軸方向の成分を含む加速度を受けたときに可動電極３０を基板面水平方向にてＸ軸方向へ変位させるとともに、加速度の消失に応じて元の状態に復元させるようになっている。
【００３２】
よって、このような梁部２０を介して第１シリコン基板１１に連結されている可動電極３０は、支持基板である第１シリコン基板１１上において、加速度の印加に応じて基板水平方向にてＸ軸方向へ変位可能となっている。
【００３３】
つまり、加速度の印加時には、枠部材６０における梁部２０として構成されている２個の辺部の長手方向（図１中のＹ軸方向）と直交する方向、すなわち可動電極３０が設けられている辺部の長手方向（図１中のＸ軸方向）に、可動電極３０は変位するようになっている。
【００３４】
また、図１に示されるように、一対の固定電極４１、４２のそれぞれに対して、外部との電気的な接続を行うためのパッド４１ａ、４２ａが設けられている。
【００３５】
また、一方のアンカー部２１ｂには、可動電極３０と外部との電気的な接続を行うためのパッド３０ａが設けられている。これらパッド３０ａ、４１ａ、４２ａは、スパッタなどにより形成されたアルミニウム膜などからなる。
【００３６】
そして、本加速度センサ１００は、これらパッド３０ａ、４１ａ、４２ａを介して、たとえばボンディングワイヤやバンプなどにより、図示しない回路チップに電気的に接続される。この回路チップは、加速度センサ１００からの出力信号を処理するための検出回路が形成されたものである。
【００３７】
そして、本加速度センサ１００の検出動作は、次の通りである。上述したように、加速度センサ１００においては、可動電極３０の側面に対して固定電極４１、４２の側面が対向して設けられており、これら両電極の側面の各対向間隔において、容量を検出するための検出間隔が形成されている。
【００３８】
ここで、図１中の左側の固定電極４１と可動電極３０との間隔に、検出容量として第１の容量ＣＳ１が形成されており、一方、右側の固定電極４２と可動電極３０との間隔に、検出容量として第２の容量ＣＳ２が形成されているとする。
【００３９】
そして、加速度センサ１００において、図１中のＸ軸方向へ加速度が印加されると、梁部２０のバネ機能により、アンカー部２１ａ、２１ｂを基点として枠部材６０全体が一体的にＸ軸方向へ変位し、この変位に応じて、可動電極３０が変位し、上記した各々の容量ＣＳ１、ＣＳ２が変化する。
【００４０】
そして、これら各容量ＣＳ１、ＣＳ２による差動容量（ＣＳ１−ＣＳ２）の変化に基づく信号が加速度センサ１００から出力信号として出力され、この信号は上記回路チップにて処理され、最終的に出力される。こうして、本実施形態では、Ｘ軸方向の加速度を検出することができる。
【００４１】
このように、本実施形態によれば、櫛歯状の固定電極４１、４２の外側に矩形枠状の枠部材６０を設け、その辺部を梁部２０として構成するとともに、枠部材２０の辺部に櫛歯状の可動電極３０を設け、梁部２０を、それを構成する辺部の長手方向と直交する方向に変位させるものにできる。
【００４２】
そのため、本実施形態の加速度センサ１００によれば、従来のように可動電極を固定電極の内側に位置させることなく、梁部２０による可動電極３０の変位を可能とした構成を実現することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、固定電極４１、４２の外側に設けた矩形枠状の枠部材６０の辺部を、梁部２０として構成することにより、当該梁部２０を長くしてそのバネ定数を小さくし、センサ感度を向上させることが容易になる。
【００４４】
たとえば、本実施形態の加速度センサ１００においては、図１中の横寸法Ａ１と縦寸法Ｂ１との積（Ａ１×Ｂ１）が、半導体基板１０における電極部の占有面積となり、上記図７に示される従来の加速度センサにおいては、図７中の横寸法Ａ２と縦寸法Ｂ２との積（Ａ２×Ｂ２）が、半導体基板１０における電極部の占有面積となる。
【００４５】
ここで、本実施形態と従来とで、電極部の占有面積を略同等とした場合において、梁部２０の幅寸法や溝１４の間隔といった主要寸法を同一に設計としたとき、本実施形態の梁部２０の長さは、従来のものに対して、より外側に配置されている分、長くすることができる。
【００４６】
そのため、本実施形態の梁部２０は、従来の梁部２０に比べてバネ定数を小さいものにできる。また、本実施形態の梁部２０は、従来のような細長矩形枠状の梁構造から１本の梁として構成されるため、形状的にも従来に比べて簡単になる。
【００４７】
また、このような本実施形態の加速度センサ１００は、製法的には、従来と変わるところがなく、マスク設計を変えるのみであり、基本的な変更点はない。
【００４８】
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係る加速度センサの要部の構成を示す概略平面図である。
【００４９】
上記実施形態では、上記図１に示されるように、可動電極３０は、枠部材６０における辺部側の部位から突出先端側に渡って太さが同一の形状にて突出しているが、本実施形態では、図４に示されるように、可動電極３０は、枠部材６０における辺部側の部位が太く突出先端側が細くなるようなテーパ形状にて突出している。
【００５０】
それによれば、加速度の印加時に梁部２０によって、可動電極３０がX軸方向へ大きく変位し、その櫛歯部分が慣性で振られたとしても、当該櫛歯部分の剛性を保つことができる。
【００５１】
また、図５は、本実施形態のもう一つの例を示す概略平面図である。このように、固定電極４１、４２側の櫛歯部分についても、可動電極３０と同様のテーパ形状としてもよい。この場合、エッチングによって、可動電極３０と固定電極４１、４２との間の溝１４の幅を制御しやすくなる。
【００５２】
（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態に係る加速度センサの要部の構成を示す概略平面図である。
【００５３】
上記第１実施形態では、梁部２０は枠部材６０における対向する２個の辺部として構成され、可動電極３０は枠部材６０における梁部２０以外の対向する２個の辺部に設けられていた。
【００５４】
それに対して、本実施形態では、図６に示されるように、梁部２０を、枠部材６０における可動電極３０が設けられている辺部として構成している。つまり、本実施形態では、枠部材６０において、可動電極３０と梁部２０とを同一の辺部に設けている。
【００５５】
本例では、枠部材６０における可動電極３０が設けられている辺部において、可動電極３０が設けられている部位の両端部を、可動電極３０が設けられている部位よりも細くし、この細くなっている両端部を梁部２０として構成している。
【００５６】
具体的には、図６において、枠部材６０における可動電極３０が設けられている辺部において可動電極３０が設けられている部位の両端部の幅寸法ｂを、枠部材６０における可動電極３０が設けられていない辺部の幅寸法ａよりも細くする。
【００５７】
それにより、本例の梁部２０は、枠部材６０における可動電極３０が設けられている辺部の長手方向と直交する方向すなわちＹ軸方向にバネ性を発揮するものとなる。そのため、本例では、上記実施形態とは異なるＹ軸方向の加速度が印加されたとき、可動電極３０は、当該Ｙ軸方向に変位するようになっている。
【００５８】
つまり、本例の加速度センサは、Ｙ軸に感度を持つ加速度センサであり、Ｙ軸方向の加速度が印加されたとき、可動電極３０がＹ軸方向に変位すると、可動電極３０と固定電極４１、４２との対向面積が増減する。
【００５９】
そして、この両電極３０、４１、４２の対向面積の変化により、両電極３０、４１、４２間の容量が変化し、この容量変化に基づいて、上記実施形態と同様の要領にてＹ軸方向の加速度を検出することができる。
【００６０】
このような本例の加速度センサは、上記実施形態の加速度センサに対して、上記したような各幅寸法ａおよびｂの関係を実現するように、エッチングのマスクを部分的に設計変更すれば、容易に実現できるものである。
【００６１】
なお、本実施形態では、梁部２０が、枠部材６０における可動電極３０が設けられている辺部として構成されていればよく、上記図６に示されるような、可動電極３０が設けられている部位の両端部を梁部２０として構成する例以外のものでもよい。
【００６２】
たとえば、図８に示されるように、可動電極３０が設けられている辺部の全体を細くして、当該辺部の全体を梁部２０として構成してもよく、それにより、この梁部２０が、Ｙ軸方向にたわむことによってバネ性を発揮するようにしてもよい。
【００６３】
つまり、固定電極４１、４２の外側に矩形枠状の枠部材６０を設け、その辺部を梁部２０として構成することにより、部分的な設計変更を行うことにより、X軸に感度を持つ加速度センサであっても、それと直交するＹ軸に感度を持つ加速度センサであっても、容易に実現することができる。
【００６４】
（他の実施形態）
なお、上記各図に示される可動電極３０および固定電極４１、４２の構成は、あくまで一実施形態であり、本発明は、櫛歯状の固定電極４１、４２の外側に矩形枠状の枠部材６０を設け、その辺部を梁部２０として構成し、さらに梁部２０を構成する辺部と同一もしくは異なる辺部に、櫛歯状の可動電極３０を設ける構成であるならば、上記実施形態に限定されるものではない。
【００６５】
また、上記実施形態では、半導体基板１０の一面側からエッチングを行い、さらに酸化膜１３の犠牲層エッチングを行うことにより形成された表面加工型の加速度センサの例を示したが、半導体基板１０の他面すなわち第１シリコン基板１１側に開口部を形成することで可動電極をリリースさせる裏面加工型の加速度センサに対しても、本発明を適用することができる。
【００６６】
また、半導体基板としては上記したＳＯＩ基板に限定されるものではない。たとえば、ＳＯＩ基板のような埋め込み酸化膜を持たないものであっても、半導体基板の一面側から梁構造体を区画する溝をエッチングにて形成し、さらに、サイドエッチングにより、可動電極や梁部の下部を除去し、これらをリリースさせるものであってもよい。
【００６７】
また、本発明は、加速度センサに限定されるものではなく、力学量すなわち角速度センサや圧力センサなどに対しても適用することができる。角速度センサに適用した例を以下に示す。
【００６８】
図９は、本発明を角速度センサ２００に適用した場合の要部構成を示す概略平面図であり、図１０は、図９中の片側の振動体を示す部分平面図である。なお、図９、図１０において櫛歯構造体の櫛歯の数は実際の数よりも簡略化してある。また、図１０には、簡略化した信号経路も示してある。
【００６９】
この角速度センサ２００は、図９、１０中のＺ軸周りの角速度Ωを検出するものである。本角速度センサ２００も、上記半導体基板１０を備え、この半導体基板１０に、上記加速度センサと同様の周知のマイクロマシン加工を施すことによって、形成されるものである。
【００７０】
ここでは、角速度センサ２００は、溝１４により区画された２個の同じ構成を有する梁構造体としての振動体３００が平面的に対称的に配置されている。振動体３００は、アンカー部３０１によって支持された矩形枠状の枠部材としての櫛歯状の可動電極３０２が設けられている。
【００７１】
また、この可動電極３０２の内周には、櫛歯状の第１の固定電極３０３、第２の固定電極３０４が設けられており、それぞれ可動電極３０２と対向している。また、可動電極３０２の内周には、可動電極３０２を駆動させるための櫛歯状の第１の駆動電極３０５、第２の駆動電極３０６が設けられている。
【００７２】
そして、各固定電極３０３、３０４および各駆動電極３０５、３０６には、外部との電気的な接続を行うためのパッド３０３ａ、３０４ａ、３０５ａ、３０６ａが設けられている。
【００７３】
この角速度センサ２００の動作は次のようになる。駆動電極３０５および３０６に交流電圧を印加し、図１０中のＸ軸方向へ静電引力による速度ｖを発生させると、可動電極３０２がＸ軸方向へ変位する。
【００７４】
ここで、図１０中の紙面垂直方向すなわちＺ軸周りに角速度Ωが入力されると、コリオリ力がＹ軸方向へ発生する。それによって、可動電極３０２がＹ軸方向へ変位する。そして、固定電極３０３および３０４において、静電容量変化が検出信号として得られ、角速度Ωが検出できる。
【００７５】
なお、図９のように、振動体３００を対称的に配置させるのは、両振動体３００に与える速度ｖを逆相で与えることによって、検出信号の差分をとって不要信号成分をキャンセルさせるためである。
【００７６】
また、この角速度センサ２００においても、上記加速度センサの例と同じように、梁構造形状の簡略化と設計容易化等により、コストダウンが図れる。また、製造方法についても同様で基本的に従来と変わるところはない。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る容量式力学量センサとしての加速度センサの概略平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ概略断面図である。
【図３】図１中のＢ−Ｂ概略断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る加速度センサの要部の構成を示す概略平面図である。
【図５】上記第２実施形態のもう一つの例を示す概略平面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る加速度センサの要部の構成を示す概略平面図である。
【図７】従来の一般的な力学量センサの概略平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る別の加速度センサの要部の構成を示す概略平面図である。
【図９】本発明を角速度センサに適用した場合の要部構成を示す概略平面図である。
【図１０】図９中の片側の振動体を示す部分平面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０…半導体基板、１４…溝、２０…梁部、３０…可動電極、
４１、４２…固定電極、５０…梁構造体、６０…枠部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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