(57)【要約】【課題】封止材の形成位置により、電気光学装置の小型化、軽量化を実現できるとともに、電気光学装置の品質、生産性を、向上させることができる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】対向基板の一端面に、凹部をレーザ光を用いて形成するステップＳ２と、表示領域に液晶を注入する液晶注入口を、凹部が形成された一端面側に開口してシール材を形成するステップＳ３と、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせるステップＳ５と、凹部により露呈されたＴＦＴ基板上に液晶を滴下し、液晶注入口から、表示領域に液晶を注入するステップＳ６と、液晶を注入後、注入口に封止材を形成し、封止材の少なくとも一部を凹部により、液晶注入口に入り込ませるとともに対向基板の一端面からシール材側に入り込ませて、液晶注入口を封止材により封止するステップＳ７とを具備することを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置の製造方法において、
前記対向基板の一端面に、凹部を、レーザ光を用いて形成する凹部形成工程と、
前記素子基板と前記対向基板との一方の前記表示領域と前記対向基板の外周端部との間の領域に、前記表示領域を平面的に囲むとともに前記凹部が形成された前記一端面側に注入口を開口してシール材を形成するシール材形成工程と、
前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせる貼合工程と、
前記凹部により露呈された前記素子基板上に前記電気光学物質を滴下し、前記注入口から、前記表示領域に前記電気光学物質を注入する注入工程と、
前記電気光学物質を注入後、前記注入口に封止材を形成し、該封止材の少なくとも一部を前記凹部により、前記注入口に入り込ませるとともに前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませて、前記注入口を前記封止材により封止する封止工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記凹部形成工程は、前記対向基板が構成された大板の基板から前記対向基板を分断する際に行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記凹部形成工程は、前記対向基板の内部の設定深さにおいて集光点を合わせて前記レーザ光を照射し、前記設定深さに多光子吸収による改質領域を、前記凹部の形成予定線に沿って形成することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記凹部形成工程は、前記貼合工程後、前記凹部が前記シール材に対し、平面的にオーバラップする前記対向基板の位置に、前記凹部を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記凹部形成工程は、前記貼合工程後、前記凹部が前記注入口に対し、平面的に臨む前記対向基板の位置に前記凹部を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記凹部は、複数の稜部を有しており、
前記凹部形成工程は、前記凹部の前記稜部の少なくとも一部を、曲面形状に形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記凹部形成工程は、前記対向基板の前記一端面と対向する他端面に、前記凹部と平面的に同じ大きさを有する凸部を形成することを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが、注入口が開口されたシール材を介して対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に、前記注入口を介して電気光学物質が介在され、前記注入口が封止材で封止された電気光学装置における前記対向基板を構成する電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記対向基板の一端面に、前記表示領域に前記電気光学物質を注入後、前記注入口に前記封止材の少なくとも一部を入り込ませるとともに前記封止材の一部を前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませて前記注入口を封止する凹部を、レーザ光を用いて形成する凹部形成工程を具備することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置用基板の製造方法により製造された電気光学装置用基板。
【請求項１０】
素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置において、
前記素子基板と前記対向基板との間であって、前記表示領域と前記対向基板の外周端部との間の領域に、前記表示領域を平面的に囲んで形成されたシール材と、
前記シール材に開口されて形成された、前記表示領域に前記電気光学物質を注入する注入口と、
前記表示領域に前記電気光学物質を注入後、前記注入口を封止する封止材と、
を具備し、
前記対向基板の前記注入口側に位置する一端面に、前記封止材の少なくとも一部を、前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませるとともに、前記注入口に前記封止材の少なくとも一部を入り込ませる凹部が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
前記凹部は、前記シール材に対し、平面的にオーバラップして形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記凹部は、前記注入口に対し平面的に臨んで形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記凹部は、複数の稜部を有しており、
前記凹部の前記稜部の少なくとも一部は、曲面形状に形成されていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記対向基板の前記一端面と対向する他端面に、前記凹部と平面的に同じ大きさを有する凸部が形成されていることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向配置された素子基板と対向基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法により製造された電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば液晶装置は、ガラス基板、石英基板、シリコン基板等からなる２枚の基板間に液晶が挟持されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に挟持した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００４】
このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μ以内）に貼り合わされる。このパネル組立工程の一例を説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造された、大板の基板に複数構成されたＴＦＴ基板と複数のチップ状の対向基板との各液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための、例えばポリイミドから構成された配向膜が形成される。その後、焼成が行われ、さらに、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理が配向膜に施される。
【０００５】
次いで、例えば液晶封入方式により、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、大板の基板に複数構成されたＴＦＴ基板と複数のチップ状の対向基板との一方の基板上の各シール材形成領域に、接着剤となるシール材が、一部に注入口となる切り欠きを有するよう略周状にそれぞれ形成され、このシール材が用いられて大板の基板に複数構成されたＴＦＴ基板に対し、複数のチップ状の対向基板がそれぞれ貼り合わされる。
【０００６】
次いでアライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、真空下において各ＴＦＴ基板のシール材の注入口の近傍に、規定量の液晶がそれぞれ滴下され、その後、大気解放されることにより、注入口を介して液晶がＴＦＴ基板と対向基板との間にそれぞれ注入され、注入口が、形成後、熱等により硬化された封止材によりそれぞれ封止される。
【０００７】
最後に、大板の基板から、対向基板が貼着されたＴＦＴ基板が、該ＴＦＴ基板毎に沿って分断線に沿って分断されることにより、複数の液晶装置が製造される。
【０００８】
このような製造方法を用いて液晶装置を製造する手法を周知であり、例えば特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００２−４０４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、シール材は、液晶装置の表示領域を大きく確保するため、通常、対向基板の外周縁の近傍に、上述したように注入口を有して略周状に形成されている。また、ＴＦＴ基板が対向基板よりも大きいことにより形成される、ＴＦＴ基板の端面と対向基板の端面との間におけるＴＦＴ基板上の領域(以下、接続領域と称す)には、液晶装置と外部機器とを接続するための、フラットフレキシブル基板（以下、ＦＰＣと称す）が接続される外部接続端子が設けられている。
【００１０】
ここで、上述した特許文献１に示した手法により、封止材によりシール材の注入口を封止する場合、シール材の注入口は、上述したように、対向基板の外周縁、即ち端面の近傍に形成されているため、注入口を確実に封止する規定量の封止材を形成すると、封止材は、対向基板の端面からＴＦＴ基板上の接続領域にはみ出してしまう。
【００１１】
よって、ＴＦＴ基板上の接続領域は、外部接続端子を設ける領域を確保するため、封止材のはみ出しを考慮して、大きく形成する必要があることから、大板に構成するＴＦＴ基板の個数が制限されてしまう他、ＴＦＴ基板が大型化するとともに重量増となり、その結果、液晶装置が大型化し、重量増となってしまうといった問題がある。
【００１２】
また、上述した特許文献１では、液晶を、ＴＦＴ基板と対向基板との間に注入する際、液晶を真空下において、ＴＦＴ基板上の接続領域の注入口の近傍に滴下すると示したが、滴下後、液晶注入段階において、ＴＦＴ基板上の注入口の近傍の接続領域が液晶により汚れてしまうため、液晶装置の品質が劣化してしまうといった問題もある。尚、この問題は、液晶封入後、ＴＦＴ基板上の接続領域を洗浄処理すれば解決できるが、洗浄処理を従来の工程に加えて行うと、液晶装置の生産性が低下してしまうといった問題がある。
【００１３】
本発明の目的は上記問題点に着目してなされたものであり、封止材の形成位置により、電気光学装置の小型化、軽量化を実現できるとともに、電気光学装置の品質、生産性を、向上させることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法により製造された電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置の製造方法において、前記対向基板の一端面に、凹部を、レーザ光を用いて形成する凹部形成工程と、前記素子基板と前記対向基板との一方の前記表示領域と前記対向基板の外周端部との間の領域に、前記表示領域を平面的に囲むとともに前記凹部が形成された前記一端面側に注入口を開口してシール材を形成するシール材形成工程と、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせる貼合工程と、前記凹部により露呈された前記素子基板上に前記電気光学物質を滴下し、前記注入口から、前記表示領域に前記電気光学物質を注入する注入工程と、前記電気光学物質を注入後、前記注入口に封止材を形成し、該封止材の少なくとも一部を前記凹部により、前記注入口に入り込ませるとともに前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませて、前記注入口を前記封止材により封止する封止工程と、を具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、シール材の注入口に封止材の少なくとも一部を入り込ませるとともに、封止材の少なくとも一部を対向基板の一端面からシール材側に入り込ませて、注入口を封止材により封止する凹部を、対向基板に形成することにより、封止材を、対向基板の一端面から素子基板上の接続領域にはみ出すことなく形成することができる。このため、素子基板の接続領域を従来よりも小さくすることができる。このことにより、素子基板の小型化を実現することができることから、大板に構成する素子基板の数を従来よりも増やすことができ、コストダウンを実現することができる。よって、電気光学装置自体も、従来よりも小型化、軽量化を実現することができる。さらに、凹部により露呈された素子基板上に液晶を滴下することにより、液晶の滴下位置を規定し易く、また、凹部により露呈された素子基板上は、対向基板の一端面よりもシール材側の領域であることから、液晶滴下後、液晶が飛散し難いため、素子基板上の接続領域を液晶の滴下により汚すことないことから、電気光学装置の品質を向上させることができる。また、注入後の洗浄工程が不要となるため、電気光学装置の生産性を向上させることができるといった効果を有する。
【００１６】
また、前記凹部形成工程は、前記対向基板が構成された大板の基板から前記対向基板を分断する際に行うことを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、大板の基板から複数の対向基板を分断する際に、複数の対向基板毎に、凹部を形成することにより、封止材を、各対向基板の端面から各素子基板上の接続領域にはみ出すことなく形成することができる。このため、各素子基板の端面と各対向基板の一端面との間隔、即ち各素子基板上の接続領域を従来よりも小さくすることができる。このことにより、各素子基板の小型化を実現することができることから、大板に構成する素子基板の数を従来よりも増やすことができ、コストダウンを実現することができる。よって、電気光学装置自体も、従来よりも小型化、軽量化を実現することができる。さらに、各凹部により露呈された各素子基板上に液晶を滴下することにより、液晶の滴下位置を規定し易く、また、各凹部により露呈された各素子基板上は、対向基板の端面よりもシール材側の領域であることから、液晶滴下後、液晶が飛散し難いため、各素子基板上の接続領域を液晶の滴下により汚すことないことから、各電気光学装置の品質を向上させることができる。また、注入後の洗浄工程が不要となるため、各電気光学装置の生産性を向上させることができるといった効果を有する。
【００１８】
さらに、前記凹部形成工程は、前記対向基板の内部の設定深さにおいて集光点を合わせて前記レーザ光を照射し、前記設定深さに多光子吸収による改質領域を、前記凹部の形成予定線に沿って形成することを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、ダイシングやスクライブでは加工の難しい凹部を、レーザ光を用いて容易かつ所望の形状に形成することができるといった効果を有する。
【００２０】
また、前記凹部形成工程は、前記貼合工程後、前記凹部が前記シール材に対し、平面的にオーバラップする前記対向基板の位置に、前記凹部を形成することを特徴とする。
【００２１】
本発明によれば、封止材により、確実にシール材の注入口を封止することができるといった効果を有する。
【００２２】
さらに、前記凹部形成工程は、前記貼合工程後、前記凹部が前記注入口に対し、平面的に臨む前記対向基板の位置に前記凹部を形成することを特徴とする。
【００２３】
本発明によれば、対向基板にシール材の位置を気にすることなく、凹部を形成することができるといった効果を有する。
【００２４】
また、前記凹部は、複数の稜部を有しており、前記凹部形成工程は、前記凹部の前記稜部の少なくとも一部を、曲面形状に形成することを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、凹部形成後、凹部の稜部の欠けを防止することができるといった効果を有する。
【００２６】
さらに、前記凹部形成工程は、前記対向基板の前記一端面と対向する他端面に、前記凹部と平面的に同じ大きさを有する凸部を形成することを特徴とする。
【００２７】
本発明によれば、複数の対向基板が構成された大板から複数の対向基板を効率良く分断することができるとともに、複数の対向基板に、凹部を効率よく形成することができるといった効果を有する。
【００２８】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが、注入口が開口されたシール材を介して対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に、前記注入口を介して電気光学物質が介在され、前記注入口が封止材で封止された電気光学装置における前記対向基板を構成する電気光学装置用基板の製造方法であって、前記対向基板の一端面に、前記表示領域に前記電気光学物質を注入後、前記注入口に前記封止材の少なくとも一部を入り込ませるとともに前記封止材の一部を前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませて前記注入口を封止する凹部を、レーザ光を用いて形成する凹部形成工程を具備することを特徴とする。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法により製造された電気光学装置用基板は、請求項８に記載の電気光学装置用基板の製造方法により製造される。
【００３０】
本発明に係る電気光学装置は、素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置において、前記素子基板と前記対向基板との間であって、前記表示領域と前記対向基板の外周端部との間の領域に、前記表示領域を平面的に囲んで形成されたシール材と、前記シール材に開口されて形成された、前記表示領域に前記電気光学物質を注入する注入口と、前記表示領域に前記電気光学物質を注入後、前記注入口を封止する封止材と、を具備し、前記対向基板の前記注入口側に位置する一端面に、前記封止材の少なくとも一部を、前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませるとともに、前記注入口に前記封止材の少なくとも一部を入り込ませる凹部が形成されていることを特徴とする。
【００３１】
本発明によれば、シール材の注入口に封止材の少なくとも一部を入り込ませるとともに、封止材の少なくとも一部を対向基板の一端面からシール材側に入り込ませて、注入口を封止材により封止する凹部が対向基板に形成されていることにより、封止材が、対向基板の一端面から素子基板上の接続領域にはみ出すことを防いで形成されているため、素子基板の端面と対向基板の端面との間隔、即ち素子基板上の接続領域を従来よりも小さくすることができる。このことにより、素子基板の小型化を実現することができることから、大板に構成する素子基板の数を従来よりも増やすことができ、コストダウンを実現することができる。よって、電気光学装置自体も、従来よりも小型化、軽量化を実現することができる。さらに、凹部により露呈された素子基板上に液晶を滴下することにより、液晶の滴下位置を規定し易く、また、凹部により露呈された素子基板上は、対向基板の一端面よりもシール材側の領域であり、滴下後、液晶が飛散し難いため、素子基板上の接続領域を液晶の滴下により汚すことないことから、電気光学装置の品質を向上させることができる。また、注入後の洗浄工程が不要となるため、電気光学装置の生産性を向上させることができるといった効果を有する。
【００３２】
また、前記凹部は、前記シール材に対し、平面的にオーバラップして形成されていることを特徴とする。
【００３３】
本発明によれば、封止材により、確実にシール材の注入口が封止されるといった効果を有する。
【００３４】
さらに、前記凹部は、前記注入口に対し平面的に臨んで形成されていることを特徴とする。
【００３５】
本発明によれば、対向基板にシール材の位置を気にすることなく、凹部が形成されるといった効果を有する。
【００３６】
また、前記凹部は、複数の稜部を有しており、前記凹部の前記稜部の少なくとも一部は、曲面形状に形成されていることを特徴とする。
【００３７】
本発明によれば、凹部形成後、凹部の稜部の欠けが防止されるといった効果を有する。
【００３８】
さらに、前記対向基板の前記一端面と対向する他端面に、前記凹部と平面的に同じ大きさを有する凸部が形成されていることを特徴とする。
【００３９】
本発明によれば、複数の対向基板に、凹部が効率よく形成された対向基板を提供することができるといった効果を有する。
【００４０】
本発明に係る電子機器は、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする。
【００４１】
本発明によれば、従来よりも小型化、軽量化を実現するともに、品質及び生産性が向上された電気光学装置により構成された電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。
【００４３】
先ず、本実施の形態の製造方法によって製造される液晶装置の全体の構成について説明する。図１は、本実施の形態によって製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図、図３は、図１の液晶注入口近傍を拡大して示す部分拡大図である。
【００４４】
図１、図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英やガラス、シリコン等を用いた、ＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えば石英やガラス、シリコン等を用いた対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００４５】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する表面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。
【００４６】
また、対向基板２０の液晶５０と接する側の表面上の全面に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００４７】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００４８】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の図示しない走査線と複数本の図示しないデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが接続されている。
【００４９】
ＴＦＴ３０は走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００５０】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００５１】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、該シール材５２の１辺の一部、具体的には、図１に示すように、後述する凹部１２０が形成された対向基板２０の一端面２０ｉ側において開口するよう形成されている。
【００５２】
尚、シール材５２は、図１に示すように、表示領域４０と対向基板２０の外周端部との間の領域２９に、表示領域４０を平面的に囲むように形成されている。
【００５３】
また、シール材５２に形成された開口は、該開口から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間の少なくとも表示領域４０に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。尚、液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００５４】
ここで、図１、図３に示すように、シール材５２の液晶注入口１０８に対し、平面的にオーバラップする対向基板２０の一端面２０ｉの位置に、複数の稜部１２０ｒを有する平面的な形状が凹状の凹部１２０が、一端面２０ｉを対向基板２０の高さ方向（以下Ｚ軸方向と称す）に貫通するよう形成されている。尚、凹部１２０の詳しい形成方法は後述する。
【００５５】
凹部１２０は、図３に示すように、液晶注入口１０８を封止材１０９により封止する際、封止材１０９を形成後、液晶注入口１０８に、封止材１０９の少なくとも一部を入り込ませるとともに、封止材１０９の少なくとも一部を、対向基板２０の一端面２０ｉからシール材５２側に入り込ませるものである。
【００５６】
図１に戻って、シール材５２の外側の領域となる後述する接続領域８０に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一端面１０ｉを構成する一辺に沿って設けられている。
【００５７】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線及びゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００５８】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００５９】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００６０】
次に、このように構成された液晶装置１００の製造方法を、上述した図１〜図３、後述する図４〜図１０を用いて説明する。
【００６１】
尚、以下、液晶装置１００の製造方法は、各種薄膜が形成されたＴＦＴ基板１０と各種薄膜が形成された対向基板２０とをシール材５２を介して貼り合わせた後、液晶装置１００の少なくとも表示領域４０に液晶５０を注入し、シール材５２の液晶注入口１０８を封止材１０９で封止する工程について説明する。
【００６２】
図４は、対向基板に凹部を形成する際に用いるレーザ加工装置の構成の一例を概略的に示すブロック図、図５は、本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図６は、対向基板にレーザ光を照射して対向基板の凹部の形成予定線に改質領域を形成する状態を示す拡大斜視図である。
【００６３】
また、図７は、図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う部分断面図、図８は、対向基板の凹部の形成予定線に形成する改質領域のＺ軸方向の形状の変形例を示す部分断面図、図９は、マザー基板に複数構成された各ＴＦＴ基板に、シール材を介してそれぞれ対向基板が貼着されている状態を示す斜視図、図１０は、図１のＴＦＴ基板上の接続領域の大きさを、従来の大きさとともに示す液晶装置の概略正面図である。
【００６４】
先ず、図４を用いてレーザ加工装置の構成の一例について概略的に説明する。図４に示すように、レーザ加工装置６０は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源６１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節する制御をレーザ光源６１に行うレーザ光源制御部６２と、レーザ光源６１から出射されたレーザ光Ｌを集光レンズ７４に向けて反射するダイクロイックミラ７５と、ダイクロイックミラ７５で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光レンズ７４とを具備している。
【００６５】
また、レーザ加工装置６０は、集光レンズ７４で集光されたレーザ光Ｌが照射される、例えば対向基板２０が載置される載置台７０と、載置台７０をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ７１と、載置台７０をＸ軸方向に平面的に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ７２と、載置台７０をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ７３と、これら３つのステージ７１〜７３の移動を制御するステージ制御部６４とを具備している。尚、以下、載置台７０には、対向基板２０が載置されるとして説明する。
【００６６】
対向基板２０の内部における、集光レンズ７４によるレーザ光Ｌの集光点ＰのＸ軸方向の移動は、Ｘ軸ステージ７１により、対向基板２０を、Ｘ軸方向に移動させることにより行う。
【００６７】
また、対向基板２０の内部における、集光レンズ７４によるレーザ光Ｌの集光点ＰのＹ軸方向の移動は、Ｙ軸ステージ７２により、対向基板２０を、Ｙ軸方向に移動させることにより行う。
【００６８】
よって、Ｘ軸ステージ７１及びＹ軸ステージ７２を移動させることにより、図６に示すように、対向基板２０の内部に、凹部１２０の形成予定線１２１に沿って、後述する改質領域９０（図７参照）を形成することができる。
【００６９】
さらに、対向基板２０の内部における、集光レンズ７４によるレーザ光Ｌの集光点ＰのＺ軸方向の移動は、Ｚ軸方向は対向基板２０に入射するレーザ光Ｌの焦点深度の方向となることから、Ｚ軸ステージ７３をＺ軸方向に移動させて行う。このことにより、対向基板２０の内部の凹部１２０の形成予定線１２１に沿った所望の設定深さに、レーザ光Ｌの集光点Ｐを合せることができる。
【００７０】
レーザ光源６１は、対向基板２０が吸収する波長のレーザ光を照射する装置、例えば、対向基板２０が石英から構成されている場合は、８００ｎｍのフェムト秒レーザを照射するものである。
【００７１】
また、レーザ光源６１は、レーザ光Ｌの照射により、対向基板２０の設定深さの集光点Ｐに、図７に示すように、多光子吸収による、例えば円柱状の空洞である改質領域９０を形成するものである。尚、レーザ光Ｌとしては、フェムト秒レーザに限らず、対向基板２０の内部に多光子吸収を起こさせることができるレーザ光であれば、どのようなレーザ光であっても構わない。
【００７２】
レーザ加工装置６０はさらに、載置台７０に載置された対向基板２０を可視光線Ｒにより照明するために可視光線を発生する観察用光源６３と、ダイクロイックミラ７５及び集光レンズ７４と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ７６とを具備している。
【００７３】
ビームスプリッタ７６と集光レンズ７４との間にダイクロイックミラ７５が配置されている。ビームスプリッタ７６は、可視光線Ｒの約半分を集光レンズ７４に向けて反射し残りの半分を透過する機能を有している。
【００７４】
観察用光源６３から出射された可視光線Ｒは、ビームスプリッタ７６で約半分が反射され、この反射された可視光線Ｒがダイクロイックミラ７５及び集光レンズ７４を透過し、対向基板２０の凹部１２０の形成予定線１２１を含む表面を照明する。
【００７５】
レーザ加工装置６０はさらに、ビームスプリッタ７６、ダイクロイックミラ７５及び集光レンズ７４と同じ光軸上に配置された撮像素子６６及び結像レンズ６８を具備している。
【００７６】
撮像素子６６は、例えばＣＣＤカメラから構成されている。凹部１２０の形成予定線１２１を含む表面を照明した可視光線Ｒの反射光は、集光レンズ７４、ダイクロイックミラ７５、ビームスプリッタ７６を透過し、結像レンズ６８に結像されて撮像素子６６で撮像される。その後、撮像された像は撮像データとなる。
【００７７】
レーザ加工装置６０はさらに、撮像素子６６から出力された撮像データが入力される撮像データ処理部６５と、レーザ加工装置６０全体を制御する全体制御部６７と、モニタ６９とを具備している。
【００７８】
撮像データ処理部６５は、撮像データを基にして観察用光源６３で発生した可視光の焦点を対向基板２０の表面上に合わせるための焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部６４がＺ軸ステージ７３を移動制御することにより、可視光の焦点が対向基板２０の表面に合うようになる。よって、撮像データ処理部６５はオートフォーカスユニットとして機能する。
【００７９】
また、撮像データ処理部６５は、撮像データを基にして対向基板２０の表面の拡大画像等の画像データを演算する。この画像データは全体制御部６７に送られ、全体制御部で各種処理がなされ、モニタ６９に送られる。これにより、モニタ６９に拡大画像等が表示される。
【００８０】
全体制御部６７は、ステージ制御部６４からデータ、及び撮像データ処理部６５から画像データ等が入力された後、これらのデータを基にしてレーザ光源制御部６２、観察用光源６３及びステージ制御部６４を制御することにより、レーザ加工装置６０全体を制御する。
【００８１】
尚、上述したレーザ加工装置６０の構成は一例であり、上述した構成に限定されないことは勿論である。具体的には、対向基板２０の内部にレーザ光Ｌを照射する際、上述した構成では、載置台７０をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に移動させると示したが、これに限らず、レーザ光源６１を、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に移動させる構成等であっても構わない。
【００８２】
次に、このように構成されたレーザ加工装置６０を用いて、図６に示すように、電気光学装置用基板である対向基板２０に凹部１２０を形成する方法とともに、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の少なくとも表示領域４０に液晶を封止する方法について説明する。
【００８３】
図５に示すように、先ずステップＳ１において、所定の大きさに分断されたチップ状の複数の対向基板２０を用意するとともに、図４に示すように、対向基板２０を、レーザ加工装置６０の載置台７０に載置する。
【００８４】
尚、複数の対向基板２０は、スクライブまたはダイシング、もしくは上述したレーザ加工装置６０によるレーザ光Ｌの照射によりチップ状に分断されたものであるが、その分断に関する詳しい説明は省略する。
【００８５】
次いで、ステップＳ２において、対向基板２０の一端面２０ｉに、レーザ加工装置６０からのレーザ光Ｌの照射により凹部１２０を形成する凹部形成工程を、１つずつ、複数の対向基板２０に対して行う。
【００８６】
具体的には、先ず、ステージ制御部６４の移動制御により、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２を移動させて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが、対向基板２０の凹部１２０の形成予定線１２１上に位置するよう対向基板２０を移動させる。
【００８７】
その後、ステージ制御部６４の移動制御により、Ｚ軸ステージ７３を移動させて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが、対向基板２０の内部の設定深さ、例えば対向基板２０の裏面２０ｒとなる深さに位置するよう、対向基板２０をＺ軸方向に移動させる。
【００８８】
その後、対向基板２０の裏面２０ｒとなる深さにおいて、ステージ制御部６４の移動制御により、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２を移動させて、対向基板２０の凹部１２０の形成予定線１２１に沿ってレーザ光Ｌを全てトレースし終えるまで照射する。このことにより、対向基板２０の裏面２０ｒとなる深さにおいて、平面的な幅が、０．５ミクロン程度の多光子吸収による改質領域９０を、凹部１２０の形成予定線１２１に沿って形成する。
【００８９】
その後、ステージ制御部６４の移動制御により、Ｚ軸ステージ７３を移動させて、レーザ光Ｌの集光点Ｐを対向基板２０の表面２０ｆ側にＺ軸方向に移動させ、その後、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２を移動させて、同様に形成予定線１２１に沿ったレーザ光Ｌの照射を行う。尚、該形成予定線１２１に沿ったレーザ光Ｌの照射は、対向基板２０の表面２０ｆまで行う。
【００９０】
その結果、図７に示すように、複数の対向基板２０にはそれぞれ、対向基板２０をＺ軸方向に貫通する改質領域９０が形成され、このことにより、複数の対向基板２０の一端面２０ｉに、それぞれ凹部１２０が形成される。
【００９１】
尚、凹部１２０の形成に、レーザ加工装置６０によるレーザ光Ｌの照射を用いたのは、従来より用いているダイシングやスクライブ等では平面的に、直線状にしか加工することはできないが、レーザ光Ｌの照射を用いると、直線は勿論の事、直線以外の様々な形状、例えば曲線形状に加工することができるためである。即ち、ダイシングやスクライブでは加工の難しい凹部１２０を、レーザ光を用いて容易かつ所望の形状に形成することができるためである。
【００９２】
また、各対向基板２０の内部に形成する改質領域９０は、対向基板２０をＺ軸方向に貫通して形成する必要は必ずしもなく、図８に示すように、対向基板２０の内部において、表面２０ｆと裏面２０ｒの近傍に、薄肉部１６１を残して形成してもよい。この場合、薄肉部１６１が、例えば作業者により分断されることにより、各対向基板２０の一端面２０ｉに凹部１２０が形成される。
【００９３】
さらに、凹部１２０は、上述したように、対向基板２０を、シール材５２を介してＴＦＴ基板１０に貼り合わせた際、シール材５２の液晶注入口１０８に対し、平面的にオーバラップする対向基板２０の一端面２０ｉの位置に形成される。尚、凹部１２０を、シール材５２の液晶注入口１０８に対し、平面的にオーバラップする位置に形成したのは、封止材１０９により、確実に液晶注入口１０８を封止するためである。
【００９４】
その後、各対向基板２０の表面２０ｆに、対向電極２１、配向膜２６等の各種薄膜を形成した後、図５に戻って、ステップＳ３において、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との一方、例えば対向基板２０の表面２０ｆに、シール材５２を形成するシール材形成工程を行う。
【００９５】
具体的には、対向基板２０がシール材５２を介してＴＦＴ基板１０に貼り合わされた際、表示領域４０と対向基板２０の外周端部との間に位置する領域２９に、表示領域４０を平面的に囲むとともに、液晶注入口１０８が、凹部１２０が形成された一端面２０ｉ側に開口されるようシール材５２を形成する。
【００９６】
その後、ステップＳ４において、画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、配向膜１６等の各種薄膜を形成した、対向基板２０よりも大きなＴＦＴ基板１０が複数構成された大板の基板１１０を用意する。
【００９７】
続くステップＳ５において、図９に示すように、大板の基板１１０に構成された複数のＴＦＴ基板１０に対し各対向基板２０を、シール材５２を介して、図１、図２に示すように各表示領域１０ｈ、２０ｈが一致するようそれぞれ貼り合わせる貼合工程を行う。
【００９８】
貼り合わせ後、各対向基板２０が、各ＴＦＴ基板１０よりも小さいことにより、各ＴＦＴ基板１０上であって、対向基板２０の一端面２０ｉと、ＴＦＴ基板１０の対向基板２０の一端面２０ｉ側の該一端面２０ｉと平行な端面１０ｉとの間に、接続領域８０が形成される。
【００９９】
尚、接続領域８０は、上述したように、データ線駆動回路１０１、外部接続端子１０２、配線１０５等が設けられる領域となっている。
【０１００】
次いで、ステップＳ６において、真空下において、液晶５０を、対向基板２０の凹部１２０により露呈されたＴＦＴ基板１０上の領域８８（図１０参照）に滴下し、その後、大気開放することにより、領域８８に滴下した液晶５０を、液晶注入口１０８から、表示領域４０に注入する注入工程を行う。
【０１０１】
その後、ステップＳ７において、領域８８に封止材１０９を形成することにより、液晶注入口１０８を、封止材１０９により封止する。具体的には、封止材１０９は、対向基板２０に形成された凹部１２０により、図３に示すように、液晶注入口１０８に少なくとも一部が入り込むとともに、少なくとも一部が対向基板２０の一端面２０ｉからシール材５２側に入り込んで、液晶注入口１０８を封止する。
【０１０２】
尚、本実施の形態においては、対向基板２０に形成された凹部１２０により、上述したように、封止材１０９の少なくとも一部が、対向基板２０の一端面２０ｉからシール材５２側に入り込んで位置する。
【０１０３】
このことにより、図１０に示すように、封止材１０９の一部が、対向基板２０の一端面２０ｉからＴＦＴ基板１０の端面１０ｉ側にはみ出して位置する従来よりも、端面１０ｉと一端面２０ｉとの間の接続領域８０を、小さくすることができる（Ｌ１＜Ｌ２）とともに、外部接続端子１０２に接続されるＦＰＣ５５が、従来よりも、一端面２０ｉ側に接続することができる（Ｌ３＜Ｌ４）。
【０１０４】
その後、複数の対向基板２０が貼り合わされた、大板の基板１１０に構成された複数のＴＦＴ基板１０を、図９に示すように、大板の基板１１０から分断予定線１６０に沿って、上述したようなレーザ光Ｌの照射により、またはスクライブもしくはダイシング等により分断する工程を行う。尚、この分断工程は既知であるともに、この後の工程も既知であるため、その説明は省略する。
【０１０５】
このように、本実施の形態においては、対向基板２０を、シール材５２を介してＴＦＴ基板１０に貼り合わせた際、シール材５２の液晶注入口１０８に対し平面的にオーバラップする対向基板２０の一端面２０ｉの位置に、凹部１２０をＺ軸方向に貫通するよう形成すると示した。
【０１０６】
このことによれば、凹部１２０により、封止材１０９を、対向基板２０の端面２０ｉからＴＦＴ基板１０上の接続領域８０にはみ出すことなく形成することができる。
【０１０７】
このため、対向基板２０の平面的な形状が四角形の従来よりも、ＴＦＴ基板１０の端面１０ｉと対向基板２０の一端面２０ｉとの間の接続領域８０を、小さくすることができる（Ｌ１＜Ｌ２）とともに、外部接続端子１０２に接続されるＦＰＣ５５を、従来よりも、一端面２０ｉ側に接続することができる（Ｌ３＜Ｌ４）。
【０１０８】
このことにより、従来よりもＴＦＴ基板１０の小型化を実現することができることから、大板の基板１１０に構成するＴＦＴ基板１０の数を従来よりも増やすことができ、コストダウンを実現することができる。よって、液晶装置１００自体も、従来よりも小型化、軽量化を実現することができる。
【０１０９】
さらに、凹部１２０により露呈されたＴＦＴ基板１０上の領域８８に液晶５０を滴下した後、液晶注入口１０８から表示領域４０に液晶５０を注入することにより、液晶５０の滴下位置を規定し易く、また、凹部１２０により露呈されたＴＦＴ基板１０上の領域８８は、対向基板２０の一端面２０ｉよりもシール材５２側の領域であることより、滴下後、飛散し難いため、接続領域８０を液晶５０の滴下により汚すことないことから、液晶装置１００の品質を向上させることができる。また、液晶注入後の洗浄工程が不要となるため、液晶装置１００の生産性を向上させることができる。
【０１１０】
尚、以下変形例を、図１１、図１２に示す。図１１は、対向基板を大板の基板に構成した状態を示す部分正面図、図１２は、図１１の大板の基板から対向基板を分断した状態を示す正面図である。
【０１１１】
本実施の形態においては、凹部１２０が形成される対向基板２０は、ＴＦＴ基板１０よりも小さい所定の大きさに分断されたチップ状を有していると示した。これに限らず、対向基板２０も、ＴＦＴ基板１０同様、図１１に示すように、大板の基板２１０に構成されていてもよく、凹部１２０は、大板の基板２１０から対向基板２０を分断すると同時に形成しても構わない。
【０１１２】
詳しくは、図１１に示すように、大板の基板２１０から、該大板の基板２１０に複数構成された対向基板２０をそれぞれ分断する際、レーザ加工装置６０を用いて、大板の基板２１０の内部に、上述した手法と同様に、分断予定線２６０に沿って改質領域９０を形成するとともに、上述した対向基板２０の位置に、凹部１２０を形成する。
【０１１３】
その後、大板の基板２１０から複数の対向基板２０を分断すると、図１２に示すように、対向基板２０には、上述した位置に凹部１２０が形成されるとともに、図中Ｙ軸方向に隣り合う対向基板２０に凹部１２０が形成されることに伴い、対向基板２０の一端面２０ｉにＹ軸方向に対向する他端面２０ｔには、凹部１２０と平面的に同じ大きさを有する凸部１２３が形成される。このようにして、大板の基板２１０から複数の対向基板２０を分断すると同時に、凹部１２０を形成する。
【０１１４】
このことによれば、複数の対向基板２０が構成された大板の基板２１０から複数の対向基板２０を効率良く分断することができ、複数の対向基板２０に、凹部１２０を効率よく形成することができる。
【０１１５】
尚、この場合、対向基板２０に形成されてしまう凸部１２３は、本来、対向基板２０においては不要なものであり除去する必要があるが、凸部１２３のＹ軸方向への平面的な突出量が大きくなければ、対向基板２０をＴＦＴ基板１０に貼り合わせた際、凸部１２３は、ＴＦＴ基板１０上に位置されるため、上述した突出量は無視できる。よって、大板の基板２１０から対向基板２０を分断後、凸部１２３を除去する必要はない。
【０１１６】
また、以下、別の変形例を、図１３を用いて示す。図１３は、対向基板に形成する凹部の形成位置の変形例を図１の液晶注入口近傍を拡大して示す部分拡大図である。
【０１１７】
本実施の形態においては、凹部１２０は、図３に示すように、シール材５２の液晶注入口１０８に対し、平面的にオーバラップする対向基板２０の一端面２０ｉの位置に形成すると示した。
【０１１８】
これに限らず、凹部１２０は、シール材５２に平面的にオーバラップせずに、図１３に示すように、シール材５２の液晶注入口１０８に対し、平面的に臨む対向基板２０の一端面２０ｉの位置に形成しても構わない。このことによれば、対向基板２０の一端面２０ｉにシール材５２の位置を気にすることなく、凹部１２０を形成することができる。
【０１１９】
さらに、また、以下別の変形例を図１４〜図１７を用いて示す。図１４は、凹部の凹面が、面取り部を有するよう対向基板に凹部を形成した状態を示す正面図、図１５は、凹部の複数の稜部が曲面形状となるよう対向基板に凹部を形成した状態を示す正面図、図１６は、対向基板に凹部をＺ軸方向に対して斜め下方に形成した状態を示す正面図、図１７は、図１６中のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
【０１２０】
本実施の形態においては、凹部１２０は、レーザ加工装置６０からのレーザ光Ｌの照射により形成されると示した。
【０１２１】
このことを用いれば、凹部１２０は、様々な形状に形成することができる。具体的には、図１４に示すように凹部１２０の凹面１２０ｍが、対向基板２０の一端面２０ｉに対して傾斜するよう対向基板２０に凹部１２０を形成してもよい。即ち、凹部１２０が凹面１２０ｍに面取り部を有していてもよい。
【０１２２】
また、図１５に示すように、凹部１２０の複数の稜部１２０ｒの少なくとも一部を、曲面形状に形成しても構わない。このことによれば、凹部１２０形成後、凹部１２０の稜部１２０ｒの欠けを防止することができる。
【０１２３】
さらには、図１６、図１７に示すように、対向基板２０の一端面２０ｉに対し、レーザ光Ｌを斜め上方から照射することにより、対向基板２０に凹部１２０をＺ軸方向に対して斜め下方に形成しても構わない。即ち、凹部１２０は、対向基板２０において、必ずしもＺ軸方向に貫通して形成する必要はない。
【０１２４】
尚、凹部１２０の形状は、これらに限定されず、上述したように、封止材１０９の少なくとも一部を、対向基板２０の一端面２０ｉよりもシール材５２側に入り込ませるともに、封止材１０９の少なくとも一部を、シール材５２の液晶注入口１０８に入り込ませることができる形状であれば、レーザ加工装置６０により、どのような形状に形成しても構わないことは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１２６】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１２７】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１２８】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【０１２９】
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図１８は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【０１３０】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１００は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）配設されている。
【０１３１】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラ１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに各々導かれる。
【０１３２】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【０１３３】
そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】本実施の形態によって製造される液晶装置の平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】図１の液晶注入口近傍を拡大して示す部分拡大図。
【図４】対向基板に凹部を形成する際に用いるレーザ加工装置の構成の一例を概略的に示すブロック図。
【図５】本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図６】対向基板にレーザ光を照射して対向基板の凹部の形成予定線に改質領域を形成する状態を示す拡大斜視図。
【図７】図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う部分断面図。
【図８】対向基板の凹部の形成予定線に形成する改質領域のＺ軸方向の形状の変形例を示す部分断面図。
【図９】マザー基板に複数構成された各ＴＦＴ基板に、シール材を介してそれぞれ対向基板が貼着されている状態を示す斜視図。
【図１０】図１のＴＦＴ基板上の接続領域の大きさを、従来の大きさとともに示す液晶装置の概略正面図。
【図１１】対向基板を大板の基板に構成した状態を示す部分正面図。
【図１２】図１１の大板の基板から対向基板を分断した状態を示す正面図。
【図１３】対向基板に形成する凹部の形成位置の変形例を図１の液晶注入口近傍を拡大して示す部分拡大図。
【図１４】凹部の凹面が、面取り部を有するよう対向基板に凹部を形成した状態を示す正面図。
【図１５】凹部の複数の稜部が曲面形状となるよう対向基板に凹部を形成した状態を示す正面図。
【図１６】対向基板に凹部をＺ軸方向に対して斜め下方に形成した状態を示す正面図。
【図１７】図１６中のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図。
【図１８】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【符号の説明】
【０１３５】
１０…ＴＦＴ基板、１０ｈ…表示領域、２０…対向基板、２０ｈ…表示領域、２０ｉ…一端面、２０ｔ…他端面、２９…表示領域と対向基板の外周端部との間の領域、４０…表示領域、５０…液晶、５２…シール材、８８…凹部により露呈されたＴＦＴ基板上の領域、９０…改質領域、１００…液晶装置、１０８…液晶注入口、１２０…凹部、１２０ｒ…稜部、１２１…凹部の形成予定線、１２３…凸部、２１０…大板の基板、Ｌ…レーザ光、Ｐ…集光点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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