(57)【要約】【課題】異物除去効果の高い効果的な洗浄を行うことが可能で他の基板との接合不良や動作不良の発生を防止して歩留まりを向上することが可能な電極基板の製造方法、静電アクチュエータの製造方法、デバイスの製造方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法並びに液滴吐出装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板に電極を形成するための電極用凹部を形成する電極用凹部形成工程Ｓ１と、ガラス基板の所定の位置を掘削する掘削工程Ｓ２と、掘削工程後のガラス基板を洗浄する洗浄工程Ｓ３と、洗浄工程後のガラス基板の電極用凹部内に電極を形成する電極形成工程Ｓ４とを有するものである。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板に電極を形成するための電極用凹部を形成する電極用凹部形成工程と、
前記ガラス基板の所定の位置を掘削する掘削工程と、
前記掘削工程後の前記ガラス基板を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程後の前記ガラス基板の前記電極用凹部内に電極を形成する電極形成工程とを有することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項２】
前記掘削工程をサンドブラスト法で行い、前記サンドブラスト法を行うために貼り付けた感光性ドライフィルムを剥がした後、前記洗浄工程で硫酸洗浄を行うことを特徴とする請求項１記載の電極基板の製造方法。
【請求項３】
前記洗浄工程では、さらに、ガラス用のエッチング液によるエッチング洗浄を行うことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電極基板の製造方法。
【請求項４】
前記電極形成工程は、電極膜を前記ガラス基板の前記電極用凹部の形成面側に形成し、その上にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクに、前記電極膜をエッチングして電極を形成するようにしており、前記フォトレジストを塗布する前に、前記掘削工程で形成された貫通穴を覆うように、前記ガラス基板の前記電極用凹部の形成面とは反対側の面に保護フィルムを貼り付け、前記貫通穴から前記フォトレジストが入り込んで反対側から流れ出るのを防止するようにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の電極基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れかに記載の電極基板の製造方法を用いて静電アクチュエータを製造することを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の静電アクチュエータの製造方法を用いて液滴吐出ヘッドを製造することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて液滴吐出装置を製造することを特徴とする液滴吐出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は静電駆動方式の静電アクチュエータに適用される電極基板の製造方法、その電極基板を用いる静電アクチュエータの製造方法及びその静電アクチュエータを用いる液滴吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液滴吐出ヘッドの製造方法は、シリコン基板に吐出室、振動板を形成して第１の基板とする第１の工程と、ガラス基板に電極を形成した後、液体供給口を貫通形成して第２の基板とする第２の工程と、第２の基板の第１の基板に対向する面に超音波スクラブ洗浄及び非接触スクラブ洗浄を施す第３の工程と、第１の基板と第２の基板とを接合する第４の工程とを有している（例えば特許文献１参照）。この技術では、液体供給口を形成する際に発生するガラスのチッピング等の異物を、超音波スクラブ洗浄及び非接触スクラブ洗浄を行うことで除去し、異物が電極上に付着して動作不良を引き起こすといった不都合を防止するようにしている。以下、この技術を第１の従来例と呼ぶ。
【０００３】
また、従来の液滴吐出ヘッドの製造方法には、上記の第２の工程において、ガラス基板に液体供給口を形成する際、電極が形成されたガラス基板の両面に感光性ドライフィルムを貼り付け、露光マスクを介して露光・現像を行って液体供給口となる部分を開口し、その開口を通してサンドブラストにより液体供給口を貫通形成するようにした技術がある。以下、この技術を第２の従来例と呼ぶ。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１３８３８５号公報（第２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記第１の従来例では、電極形成後にガラス基板を洗浄する手順となっていることから、その洗浄作業による電極への影響に配慮し、強力な洗浄が行えず、異物を充分に除去することが困難であった。
【０００６】
また、上記第２の従来例では、感光性ドライフィルムをガラス基板に貼り付けているが、感光性ドライフィルムは剥がした際に糊残りが生じやすく、第１の基板との接合時に接合不良を招く恐れがあるという問題があった。
【０００７】
このように従来の製造方法では、充分な洗浄を行えないために、動作不良や、電極基板と接続される他の基板との接合不良や招き、結果として歩留まり低下も招いていた。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みなされたもので、異物除去効果の高い効果的な洗浄を行うことが可能で動作不良や他の基板との接合不良の発生を防止して歩留まりを向上することが可能な電極基板の製造方法、静電アクチュエータの製造方法、デバイスの製造方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法並びに液滴吐出装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電極基板の製造方法は、ガラス基板に電極を形成するための電極用凹部を形成する電極用凹部形成工程と、ガラス基板の所定の位置を掘削する掘削工程と、掘削工程後のガラス基板を洗浄する洗浄工程と、洗浄工程後のガラス基板の電極用凹部内に電極を形成する電極形成工程とを有するものである。
これにより、洗浄時の電極への影響を気にすることなく必要に応じた最適な洗浄方法を選択でき、洗浄方法の選択の幅が広がって効果的な洗浄を行うことが可能となる。したがって、充分な洗浄を行えないことに起因した、動作不良や他の基板との接合不良の問題を解消でき、歩留まりを向上することが可能となる。
【００１０】
また、本発明に係る電極基板の製造方法は、掘削工程をサンドブラスト法で行い、サンドブラスト法を行うために貼り付けた感光性ドライフィルムを剥がした後、洗浄工程で硫酸洗浄を行うものである。
洗浄工程を電極形成工程の前に行うようにしたので、感光性ドライフィルムの糊残りの除去に効果的な硫酸洗浄を用いることが可能となり、糊残りを充分に除去することが可能となる。
【００１１】
また、本発明に係る電極基板の製造方法は、洗浄工程では、さらに、ガラス用のエッチング液によるエッチング洗浄を行うものである。
これにより、掘削工程で掘られた個所の内表面に残ったチッピングを除去でき、また、内表面の粗さを取って滑らかにすることができる。したがって、電極基板に対して施される以降の工程でその内表面から剥がれて浮遊した異物が、電極上に付着するなどして動作不良を引き起こすといった不都合を防止することができる。
【００１２】
また、本発明に係る電極基板の製造方法は、電極形成工程において、電極膜をガラス基板の電極用凹部の形成面側に形成し、その上にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクに、電極膜をエッチングして電極を形成するようにしており、フォトレジストを塗布する前に、掘削工程で形成された貫通穴を覆うように、ガラス基板の電極用凹部の形成面とは反対側の面に保護フィルムを貼り付け、貫通穴からフォトレジストが入り込んで反対側から流れ出るのを防止するようにしたものである。
これにより、レジストが貫通穴の表面開口側から流入し、裏側開口から流れ出てガラス基板の裏面に回り込むのを防止することができる。これにより、レジストがガラス基板の裏面に回り込んだ場合に発生する各種不都合を防止することが可能となる。
【００１３】
また、本発明に係る静電アクチュエータの製造方法は、上記の何れかの電極基板の製造方法を用いて静電アクチュエータを製造するものである。
これにより、信頼性の高い静電アクチュエータを歩留まり良く製造することができる。
【００１４】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記の静電アクチュエータの製造方法を用いて液滴吐出ヘッドを製造するものである。
これにより、信頼性の高い液滴吐出ヘッドを歩留まり良く製造することができる。
【００１５】
また、本発明に係る液滴吐出装置の製造方法は、上記の液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて液滴吐出装置を製造するものである。
これにより、信頼性の高い液滴吐出装置を歩留まり良く製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１の電極基板の製造方法によって製造された電極基板を備えた液滴吐出ヘッドの分解斜視図である。図２は、図１に示す液滴吐出ヘッドの縦断面図で、図１のＡ−Ａ断面図である。
【００１７】
本実施の形態１の液滴吐出ヘッドは、主にキャビティ基板１、電極基板２及びノズル基板３が接合されることにより構成されている。キャビティ基板１は、例えば単結晶シリコン基板（以下、単にシリコン基板という）からなり、以下に示す所定の加工が施されている。なお、図１では、キャビティ基板１として（１１０）面方位のシリコン基板を使用している。キャビティ基板１には、シリコン基板を異方性ウェットエッチングすることにより、底壁が振動板４として形成されて液滴の吐出室５となる凹部５ａと、各吐出室５に供給すべき液滴を溜めるリザーバー６を構成する凹部６ａとが形成されている。また、電極端子７は、図２に示す駆動回路２３と接続されている。
【００１８】
振動板４は、高濃度のボロン・ドープ層から形成されている。このボロン・ドープ層は、ボロンを高濃度（約５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上）にドープして形成されており、例えばアルカリ性水溶液で単結晶シリコンをエッチングしたときに、エッチング速度が極端に遅くなるいわゆるエッチングストップ層となっている。ボロン・ドープ層がエッチングストップ層として機能するため、振動板４の厚み及び吐出室５の容積を高精度で形成することができるようになっている。なお、この振動板４は本例では厚さ４μｍで形成されている。かかる構成の振動板４は、各吐出室５側の共通電極として機能する。
【００１９】
また、キャビティ基板１の電極基板２側の面全体には、酸化シリコンや酸化アルミニウム等からなる絶縁膜４ａが形成されている。この絶縁膜４ａは、各吐出室５側の共通電極として機能する振動板４と後述の対向電極１１との短絡及び絶縁破壊を防止するためのものである。
【００２０】
電極基板２は、例えば厚さが１ｍｍのホウ珪酸ガラスからなり、キャビティ基板１の振動板４側に接合されている。この電極基板２には、振動板４との間にギャップ１０を構成する電極用凹部１０ａがエッチングにより形成されている。電極用凹部１０ａは、平面的に見て短辺と長辺を有する長方形状に形成されており、その底面は中央部に行くに従って深さが深くなるように左右対称の階段状の段差部１０ａａ、１０ａｂ、１０ａｃ、１０ａｄを有するように形成されている。なお、図１及び図２の例では４段の例を示しているが、この段数に限られたものではなく、また、段差を設けない構成としてもよい。
【００２１】
また、電極用凹部１０ａの内部には、振動板４に対向して対向電極１１が形成されている。対向電極１１は、酸化錫をドープしたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、インジウム錫酸化物）等からなり、例えばスパッタにより厚さ０．１μｍで形成されている。この対向電極１１は、リード部１２及び端子部１３を介して駆動回路２３と接続されている。また、電極基板２には、リザーバー６に液滴を供給するための液体供給口１４が設けられている。また、ギャップ１０は封止材１０ｂによって封止されている。そして、以上のキャビティ基板１と電極基板２とにより、液滴吐出ヘッドの静電アクチュエータ部分が形成されている。
【００２２】
ノズル基板３は、例えば厚さ１８０μｍの単結晶シリコン基板からなり、ノズル基板３の厚さ方向に貫通するノズル２０が形成されている。ノズル２０は、ノズル基板３の下面側が吐出室５に連通し、ノズル基板３の上面側が液滴を吐出するための開口部となっている。このノズル２０は、ノズル基板３の上面側が横断面の面積の小さい第１の溝２０ａからなり、ノズル基板３の下面側が横断面の面積の広い第２の溝２０ｂとなっており、階段状の２段ノズル２０となっている。また、ノズル基板３の下面には、吐出室５とリザーバー６を連通するためのオリフィス２１となる凹部２１ａと、リザーバーダイヤフラム２２を設けるための凹部２２ａが設けられている。ノズル基板３の上面のリザーバーダイヤフラム２２に対応する部分は凹部になっている。このようにしてリザーバーダイヤフラム２２の部分を薄くすることにより、ノズル２０間でのリザーバー６を介した圧力干渉を防止し、駆動するノズル２０の本数によらず液滴の吐出が安定して行えるようになっている。
【００２３】
なお、実際にはノズル基板３の外表面全体にシリコン酸化膜が形成されているが、図１及び図２においてその図示は省略している。また、図１では、ノズル２０及び吐出室５が２列に並んだインクジェットヘッドを示しているが、ノズル２０及び吐出室５が１列に並んだものであってもよい。また、図１及び図２では、吐出方式が、ノズル基板３に平行に液滴を吐出するフェイスイジェクトタイプのものを例に挙げて説明したが、サイドイジェクトタイプのものであってもよい。
【００２４】
次に、図１及び図２に示す液滴吐出ヘッドの動作について説明する。
駆動回路２３によりキャビティ基板１と対向電極１１の間にパルス電圧が印加されると、振動板４と対向電極１１との間に静電気力が発生し、その吸引作用により振動板４が対向電極１１側に引き寄せられて撓み、吐出室５の容積が拡大する。これによりリザーバー６の内部に溜まっていたインク等の液滴がオリフィス２１を通じて吐出室５に流れ込む。次に、対向電極１１への電圧の印加を停止すると、静電吸引力が消滅して振動板４が復元し、吐出室５の容積が急激に収縮する。これにより、吐出室５内の圧力が急激に上昇し、この吐出室５に連通しているノズル２０からインク等の液滴が吐出される。
【００２５】
次に、本実施の形態１の液滴吐出ヘッドの製造方法について、図３、図４ａ、図４ｂを参照して説明する。なお、ノズル基板３及びキャビティ基板１は従来公知の方法を用いて形成でき、ここではその説明を省略し、以下では本発明の要部である電極基板２の製造方法について説明する。
【００２６】
図３は、電極基板の製造工程を示すフローチャートである。
電極基板２の製造工程は、大まかに分けて４つの工程から構成されており、ガラス基板３１に電極用凹部１０ａを形成する電極用凹部形成工程（Ｓ１）と、液体供給口１４を形成する掘削工程（Ｓ２）と、洗浄工程（Ｓ３）と、電極用凹部１０ａ内に電極を形成する電極形成工程（Ｓ４）とから構成される。以下、各工程について順に説明する。
【００２７】
図４ａ及び図４ｂは、電極基板の製造工程を示した図で、図４ａ（ａ）〜（ｆ）が図３の電極用凹部形成工程に相当し、図４ｂ（ｇ）〜（ｉ）が掘削工程及び洗浄工程に相当し、図４ｂ（ｊ），（ｋ）が電極形成工程に相当する。
液滴吐出ヘッドの電極基板２となるホウ珪酸ガラス製（厚さ１ｍｍ）のガラス基板３１の表側表面にＣｒ／Ａｕ膜（クロム・金合金膜）３２をスパッタにより形成する（図４ａ（ａ））。次にガラス基板３１の表面に、フォトリソグラフィにより所定の形状のレジスト（図示せず）をパターニングしてエッチングを行い、Ｃｒ／Ａｕ膜３２の電極用凹部１０ａの階段状の段差の４段目１０ａｄに対応する部分３２ａ除去する（図４ａ（ｂ））。そして、Ｃｒ／Ａｕ膜３２をエッチングマスクとして、フッ酸水溶液でガラス基板３１を階段状の段差の４段目１０ａｄを途中まで形成する（図４ａ（ｃ））。
【００２８】
そして、再度フォトリソグラフィにより所定の形状のレジスト（図示せず）をパターニングしてエッチングを行い、Ｃｒ／Ａｕ膜３２の電極用凹部１０ａの階段状の段差の３段目１０ａｃに対応する部分３２ｂを除去する（図４ａ（ｄ））。そして、Ｃｒ／Ａｕ膜３２をエッチングマスクとして、フッ酸水溶液でガラス基板３１をエッチングして階段状の段差の４段目１０ａｄ及び３段目１０ａｃを途中まで作成する（図４ａ（ｅ））。以上の処理を、適宜エッチングマスクの開口形状を段差部の形状に応じて長辺方向に広げながら繰り返し行い、４段の段差部１０ａａ、１０ａｂ、１０ａｃ、１０ａｄを形成し、Ｃｒ／Ａｕ膜３２を除去する（図４ａ（ｆ））。
【００２９】
そして、ガラス基板３１の両側表面に感光性ドライフィルム３３を貼り付け、露光マスクを介して露光し、現像を行って液体供給口１４となる部分３３ａを開口したレジストパターンを形成する（図４ｂ（ｇ））、そのレジストパターンをマスクとして開口３３ａを通して掘削加工としてのサンドブラスト法により液体供給口１４を貫通形成する（図４ｂ（ｈ））。その後、ガラス基板３１の両側表面の感光性ドライフィルム３３を剥がし、洗浄を行う（図４ｂ（ｉ））。
【００３０】
この洗浄工程は、感光性ドライフィルム３３の糊残し除去するための硫酸洗浄工程と、液体供給口１４の形成時に発生するチッピング（ガラス基板３１のかけら）を除去するためのエッチング洗浄工程とからなる。なお、硫酸洗浄工程とエッチング洗浄工程の順序は任意である。
【００３１】
硫酸洗浄工程では、硫酸と過酸化水素とを含む硫酸洗浄液でガラス基板３１の硫酸洗浄を行う。感光性ドライフィルム３３の糊剤は有機物であるため、硫酸洗浄による除去効果が高い。このため、硫酸洗浄を行うことによりガラス基板３１に付着した糊残りを確実に除去することが可能となる。ここで、この硫酸洗浄は、対向電極１１が形成された後ガラス基板３１に対しては実施することができないが、本例では対向電極１１の形成工程前に洗浄工程を設けているので、硫酸洗浄を行うことが可能となっている。
【００３２】
次のエッチング洗浄工程では、ガラス基板３１をガラス用のエッチング液に浸けてガラス基板表面全体のエッチングを行う。これにより、液体供給口１４の内表面に残ったチッピングの除去及び内表面の粗さを取って滑らかにすることができる。
【００３３】
以上の洗浄工程終了後、液体供給口１４を覆うようにガラス基板３１の裏側表面全体に保護フィルム３４を貼着し、その後、ガラス基板３１の表側表面全体にＩＴＯ膜３５をスパッタにより成膜する（図４ｂ（ｊ））。そして、ＩＴＯ膜３５が形成されたガラス基板３１の表側表面全体にレジスト３６を塗布する（図４ｂ（ｋ））。
【００３４】
レジスト３６の塗布は、スピンコート法によりレジストを塗布する塗布装置によって行われる。塗布装置では、ガラス基板３１を真空吸着により回転プレート上に保持し、そのガラス基板３１上にレジスト３６を滴下し、回転プレートを回転させることで遠心力により均一にレジスト３６をガラス基板３１上に塗布している。したがって、仮に、保護フィルム３４を貼着せずにレジスト３６を塗布した場合、レジスト３６が液体供給口１４の表側開口から流入し、裏側開口から流れ出てガラス基板３１の裏面に回り込んでしまう。そうすると、回転プレートに付着するなどして塗布装置にダメージを与えたり、液体供給口１４の開口面周囲のレジスト３６が少なくなって膜厚の均一性が得られず、液体供給口１４の周囲に設けられているリード部１２（図１参照）の形成に悪影響を及ぼすなどの問題が発生する。しかしながら、本例ではガラス基板３１の裏側表面全体に保護フィルム３４を貼着してからレジスト３６を塗布するようにしているので、保護フィルム３４によってガラス基板３１の裏面に回り込むことが無く、これらの問題が発生するのを阻止することができる。
【００３５】
ついで、ＩＴＯ膜３５上に塗布したレジスト３６をフォトリソグラフィにより対向電極１１に対応する形状にパターニングしてエッチングを行い、対向電極１１の部分以外のＩＴＯ膜３５を除去して対向電極１１を形成する。この対向電極１１の形成と同時に、ＩＴＯ膜３５によってリード部１２及び端子部１３（図１参照）の形成も行うが、上述したように本例ではレジスト３６の膜厚の均一性が確保されているため、リード部１２及び端子部１３を良好に形成することが可能となっている。以上により電極基板２が完成する（図４ｂ（ｌ））。
【００３６】
次に、上記した製造方法により製造した電極基板２を、キャビティ基板１を陽極接合により接合する。そして、キャビティ基板１にノズル基板３を接合する。ノズル基板３がシリコンからなる場合には、キャビティ基板１とノズル基板３とを接着剤を用いて接合して接合体とする。そして、このような接合体をダイシングによって切断し、さらに、駆動回路２３と端子部１３、キャビティ基板１の電極端子７とを電気的に接続するとともに、ギャップ１０内への異物混入や水分等が入り込みによる悪影響を防止するために封止材１０ｂによる封止を行って、液滴吐出ヘッドを完成させる。
【００３７】
以上説明したように、本実施の形態１によれば、ガラス基板３１に対向電極１１を形成する前に洗浄を行うようにしたので、洗浄時の対向電極１１への影響を気にすることなく、必要に応じた最適な洗浄方法を選択できる。このように洗浄方法の選択の幅が広がるため効果的な洗浄を行うことができる。したがって、充分な洗浄を行えないことに起因した、動作不良や他の基板との接合不良といった問題を解消することができる。
【００３８】
すなわち、本例では、感光性ドライフィルム３３の糊残りを除去するのに効果的な硫酸洗浄を選択することが可能となり、感光性ドライフィルム３３の糊残りを充分に除去することができる。したがって、キャビティ基板１との接合を良好に行うことが可能となり、信頼性の高い液滴吐出ヘッドを歩留まり良く製造することが可能となる。
【００３９】
また、液体供給口１４の形成時に発生するガラスのチッピング等の異物除去に際し、ガラス用のエッチング液を用いてエッチング洗浄するようにしたので、液体供給口１４の内表面に残ったチッピングを除去でき、また、内表面の粗さを取って滑らかにすることができる。したがって、以降の製造工程で例えばエッチング液に浸けられた際などに液体供給口１４の内表面から異物が剥がれて浮遊し、対向電極１１上に付着するなどして動作不良を引き起こすといった不都合を防止することができる。この点からも信頼性の高い液滴吐出ヘッドを歩留まり良く製造することが可能となる。
【００４０】
また、液体供給口１４が形成されたガラス基板３１上にＩＴＯ膜３５をパターニングするためのレジスト３６を塗布するに際し、ガラス基板３１の裏側表面全体に保護フィルム３４を貼着してからレジスト３６を塗布するようにしたので、レジスト３６が液体供給口１４の裏側開口から流れ出てガラス基板３１の裏面に回り込むのを防止することができる。これにより、レジスト３６がガラス基板３１の裏面に回り込んだ場合に発生する上記の各種不都合を防止することが可能となる。
【００４１】
なお、本例では、電極基板２に対し掘削加工により形成する穴として、液体供給口１４の例を挙げて説明したが、これに限られたものではない。
【００４２】
実施の形態２．
図５は、実施の形態１に示す液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置の一例を示した斜視図である。図５に示す液滴吐出装置１００は、一般的なインクジェットプリンタであり、実施の形態１に示された液滴吐出ヘッドの製造方法で得られた液滴吐出ヘッドは、信頼性の高い液滴吐出ヘッドであるため、実施の形態２に係る液滴吐出装置１００も信頼性の高いものである。なお、図５に示すような液滴吐出装置１００は、周知の製造方法を用いて製造することができる。
【００４３】
また、実施の形態１に示された液滴吐出ヘッドの製造方法で得られた液滴吐出ヘッドは、図５に示すインクジェットプリンタの他に、液滴を種々変更することで、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、プリント配線基板製造装置にて製造する配線基板の配線部分の形成、生体液体の吐出（プロテインチップやＤＮＡチップの製造）等にも適用することができる。
【００４４】
また、実施の形態１に係る静電アクチュエータの製造方法は、液滴吐出ヘッドの製造だけではなく、静電容量型圧力センサや光ＭＥＭＳデバイスなどの他のデバイスの製造にも用いることができる。
【００４５】
なお、本発明の電極基板の製造方法、静電アクチュエータの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及びデバイスの製造方法並びに液滴吐出装置の製造方法は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の思想の範囲内において変形することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】液滴吐出ヘッドの分解斜視図。
【図２】液滴吐出ヘッドを示した縦断面図。
【図３】本発明の一実施の形態の電極基板の製造工程を示すフローチャート。
【図４ａ】本発明の一実施の形態の電極基板の製造工程を示す図（１／２）。
【図４ｂ】本発明の一実施の形態の電極基板の製造工程を示す図（２／２）。
【図５】実施の形態１の液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置の斜視図。
【符号の説明】
【００４７】
１  キャビティ基板、２  電極基板、３  ノズル基板、４  振動板、４ａ  絶縁膜、５  吐出室、５ａ  凹部、６  リザーバー、６ａ  凹部、７  電極端子、１０  ギャップ、１０ａ  電極用凹部、１０ａａ，１０ａｂ，１０ａｃ，１０ａｄ  段差部、１０ｂ  封止材、１１  対向電極、１２  リード部、１３  端子部、１４  液体供給口、１９  電極用凹部、２０  ノズル、２０ａ  第１の溝、２０ｂ  第２の溝、２１  オリフィス、２１ａ  凹部、２２  リザーバーダイヤフラム、２２ａ  凹部、２３  駆動回路、３１  ガラス基板、３２  Ｃｒ／Ａｕ膜、３３  感光性ドライフィルム、３４  保護フィルム、３５  ＩＴＯ膜、３６  レジスト、１００  液滴吐出装置。
【図１】
2007166873.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007166873.tif 000005
【図４ａ】
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【図４ｂ】
2007166873.tif 000007
【図５】
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