(57)【要約】【課題】露光装置において、凹型ウェハ又は凸型ウェハに変形した変形ウェハの状態でウェハにストレスを与えないでウェハを露光できるステージ装置を提供する。【解決手段】各種の露光装置に使用できる露光ステージ装置であって、露光装置に使用した該露光ステージは、露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ６０をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部１３０を基板ホルダー１５０裏面に設けた。  微調整部１３０は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部１３０を設けた基板ホルダー１５０を露光ステージ１００に載置して、露光する変形ウェハ６０の照射個所が照射系９０に対して水平となるように基板ホルダー１５０を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置１００はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置である。【選択図】図１
2007189181.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用する変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、露光装置（２００）に使用した該露光ステージ装置（１００）は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ（６０）をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できるように基板ホルダー（１５０）の裏面に微調整部（１３０）を設けて、該微調整部（１３０）は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けて、露光する変形ウェハ（６０）の照射個所が照射系（９０）に対して水平となるように基板ホルダー（１５０）を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持して、露光ステージ装置（１００）はＸ軸とＹ軸とを移動できるように設けた構成であることを特徴とした露光ステージ装置。
【請求項２】
上記記載の露光ステージ装置であって、露光装置（２００）に使用した該露光ステージ装置（１００）は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ（６０）をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できるように基板ホルダー（１５０）の裏面に微調整部（１３０）を設けて、該微調整部（１３０）は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けて、露光する変形ウェハ（６０）の照射個所が照射系（９０）に対して水平となるように基板ホルダー（１５０）を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持して、露光ステージ装置（１００）はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成であることを特徴とした請求項１記載の露光ステージ装置。
【請求項３】
前記記載の露光ステージ装置であって、ＡｒＦリソグラフィー装置（２１０）又は、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置（２２０）に使用した該露光ステージ装置（１００）は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ（６０）をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できるように基板ホルダー（１５０）の裏面に微調整部（１３０）を設けて、該微調整部（１３０）は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けて、露光する変形ウェハ（６０）の照射個所が照射系（９０）に対して水平となるように基板ホルダー（１５０）を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持して、露光ステージ装置（１００）はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成であることを特徴とした請求項１〜２記載の露光ステージ装置。
【請求項４】
前記記載の露光ステージ装置であって、電子ビーム露光装置（３１０）に使用した該露光ステージ装置（１００）は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ（６０）をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できるように基板ホルダー（１５０）の裏面に微調整部（１３０）を設けて、該微調整部（１３０）は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けて、露光する変形ウェハ（６０）の照射個所が照射系（９０）に対して水平となるように基板ホルダー（１５０）を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持して、露光ステージ装置（１００）はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成であることを特徴とした請求項１〜２記載の露光ステージ装置。
【請求項５】
前記記載の露光ステージ装置であって、マスク転写電子ビーム露光装置（３３０）に使用した該露光ステージ装置（１００）は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ（６０）をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できるように基板ホルダー（１５０）の裏面に微調整部（１３０）を設けて、該微調整部（１３０）は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けて、露光する変形ウェハ（６０）の照射個所が照射系（９０）に対して水平となるように基板ホルダー（１５０）を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持して、露光ステージ装置（１００）はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成であることを特徴とした請求項１〜２記載の露光ステージ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、半導体リソグラフィー工程で用いるウェハ直接描画またはマスク、レチクル露光に使用する電子ビーム露光装置や、ＡｒＦリソグラフィー装置と、ＥＵＶ露光装置などで使用されるウェハの基板の照射位置決めに用いる露光ステージ装置であって、該露光ステージ装置は特に、変形ウェハに対応できる露光ステージ装置に関する。【０００２】  露光装置には、主にパターン創生機能を有する高価格の電子ビーム露光装置（ＥＢ）が知られている（非特許文献１）。
一方では、低価格の電子ビームパターン転写露光装置（ＭＰＬ）がある（発明の名称：露光装置、特許文献３と、非特許文献２）。【０００３】  ステージ２０のステージ本体２１と静電チャック３０とは、３個の微動機構２９Ａ〜２０Ｃを介して繋がれている。符号は公報の通り記載した（発明の名称：静電チャック、ステージ装置及び露光装置、特許文献１）。
露光するウェハは露光する光源に対して水平に載置されて使用する。ステージ装置に静電又は真空チャックを用いて露光精度を保持する。【０００４】  反りや変形したウェハでも強固に吸着させ、ウェハ表面の温度分布を均一にすることができるとともに、熱伝導性のガス漏れを抑え、さらにウェハの離脱応答性に優れた静電チャックを提供する（発明の名称：静電チャック、特許文献２）。【０００５】  静電チャックの載置面に、変形したウェハが載ると載置面とウェハの間で大きな摩擦力が発生し、多量のパーティクルを発生するおそれがあった。また、ウェハに熱が加わりウェハの温度が上昇するおそれがあった（発明の名称：静電チャック、特許文献４）。【０００６】  露光領域を任意に分割し。一つの露光領域はステージを通常のＸ，Ｙ方向に移動させて露光を行い、露光領域の変更を回転により行う（発明の名称：電子ビーム露光方法及びその装置、特許文献５）。【０００７】  前記記載のように電子ビーム露光装置（ＥＢ）と、レーザー露光措置と、極端紫外線（ＥＵＶ）露光では、露光するウェハの形状が凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形ウェハであることの想定はない。凹型又は凸型のウェハは水平になるよう静電又は真空チャックを用いて強制的に水平にして露光した。静電又は真空チャックで強制的にウェハを水平にできない変形ウェハは廃棄された。
露光するウェハは露光する光源に対して水平に載置されて使用することが前提にある。【０００８】  露光基板が時代と共に拡大し、直径１２インチのウェハが実用されている。しかし、その基板は水平なことを基本として露光装置は対応している。それは、露光装置でのウェハ基板を装着する試料ホルダーは静電チャックあるいは真空チャックで水平に保たれホルダーに取り付けられる。該ホルダーは、Ｘ軸、Ｙ軸移動のステージ装置に乗せられ、露光位置に合わせ露光する構成の露光装置になっている。【０００９】  各種の露光装置は、光源によって露光焦点深度が異なる。光露光では、焦点深度は極めて浅く、ウェハの形状が凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形ウェハに対して弱いことが知られている。電子ビーム露光装置では、焦点深度は光露光に較べ格段に大きくなっている。
電子ビーム露光装置では、焦点深度に関しては良い特性を示すが、露光処理量であるスループットが極めて低く、しかも装置価格が高価であるため、実用化は限られた範囲で高価なチップであるＡＳＩＣ等に行われている。また、研究開発の試作デバイスに多用されている。【００１０】  ウェハに微細パターンを、限定された範囲に露光形成するとき、ウェハの形状が凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形ウェハであると、露光パターンの寸法にバラツキが生じる。これを避けるため、変形ウェハを静電又は真空チャック等で水平にして、焦点深度の深い露光技術を使用している。【００１１】  図２は、変形ウェハを露光するときの露光ステージ装置の模式図を示した図である。
多層膜成長基板のウェハは変形することが知られている。焦点深度の浅い光露光では不利である。焦点深度の深い電子ビーム露光装置を用いる。Ｙ軸移動ステージに基板ホルダー１５０を載置する。基板ホルダー１５０は、露光する凸型ウェハである変形ウェハ６０を保持する。２．５〜５ｍｍ角のマスク７０を１０ｍｍ角のマスクホルダー８０で保持して露光するとき、凸型ウェハである変形ウェハ６０は、一例を示すと、３インチ基板は直径７５ｍｍであるので、変形ウェハ６０の３インチ基板の中心部が２００μｍの湾曲となると、２ｍｍ×２ｍｍの露光範囲で、計算すると露光時の間隔はウェハ中心部で１０〜２０μｍの高さの差を生じ、ウェハ端部で露光時の間隔は４５〜９０μｍの高さの差を生じる。この間隙差は露光パターンの寸法差となる。
露光装置する場合は、二軸方向に移動するＸ軸方向と、Ｙ軸方向であるので、露光を繰り返すと、水平でない露光個所は間隙差によりパターン形状が崩れ致命傷となる。【００１２】
【特許文献１】  特開２００５−１５０７０８
【特許文献２】  特開２００３−１３３４０１
【特許文献３】  特開２００２−２７０４９９
【特許文献４】  特開２００５−７２２８６
【特許文献５】  特開平９−１６７７２８
【非特許文献１】  日経マイクロデバイス  ２００５／０３／０９資料、「価格はＬＥＥＰＬの１／１０」，低コストのＥＢ露光装置が登場（株）ピー・ディー・サービスは、低コストの電子ビーム（ＥＢ）パターン転写露光装置ＭＰＬ（Ｍｉｌｔｉ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｔａｈｙ）の受注を開始する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】  上記記載のように、特許文献２で示されるように反りや変形した変形したウェハを強固的に吸着させる静電チャックである。特許文献４では、変形したウェハが載ると載置面とウェハの間で大きな摩擦力が発生し、多量のパーティクルが発生するおそれがあった。特許文献１は、ウェハを静電力により吸着保持する静電チャックを備えたステージ装置と、ステージ装置は、走査方向Ｙ軸と、直交する方向Ｘ軸とを移動する。特許文献５は、ステージの稼動範囲を試料サイズより小さくできる電子ビーム露光装置である。露光領域を任意に分割し、一つの露光領域はステージを通常のＸ，Ｙ方向に移動させて露光を行い、露光領域の変更を水平方向に回転する。特許文献２、４は、変形したウェハを強制的に静電力で平坦・平面に吸着する。強制的に吸着したウェハはストレスが発生する。発生したストレスの状態で露光されたウェハの品質は疑問が残る。
凹型ウェハ又は凸型ウェハに変形した変形ウェハの状態でウェハにストレスを与えないでウェハに露光できるステージ装置を必要とした。【００１４】  半導体素子の形成に必要なパターンはナノメートルの微細化の領域へ進んでいる。電子ビーム露光装置は、超精密・高精度なパターン描画能力を有するのの、パターンが微細になるほど電子ビームを細くシヤープな状態に保つ必要がある。電子ビームの状態維持には高精度で複雑な回路機構を要するので電子ビーム装置は高価である。各種の電子ビーム露光装置のなかで経済性を追求するとマスク転写電子ビーム露光装置（ＭＰＬ）が最も経済的である（特許文献３と、非特許文献２）。【００１５】  露光する露光装置が電子ビーム露光装置（ＥＢ）と、ＡｒＦリソグラフィー装置と極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置と、マスク転写電子ビーム露光装置等の各種の露光装置に使用できる変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、該露光ステージ装置は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハをＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる機構を設けた基板ホルダーで保持して露光ステージ装置に載置する。露光ステージ装置に載置した基板ホルダーは、小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持して、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３軸を移動できる露光ステージ装置の構成をした露光ステージ装置を提供することを目的としている。【００１６】  本発明の前記ならびににその他の目的と新規な特徴は次の添付図面と照らし合わせて読むと、より完全にあきらかになるであろう。ただし、図面はもっぱら解説のためのものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【課題を解決するための手段】
【００１７】  上記目的を達成するために、本発明は、各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用する変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、露光装置２００に使用した該露光ステージ装置１００は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ６０をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部１３０を基板ホルダー１５０の裏面に設けた。微調整部１３０は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。露光する変形ウェハ６０の照射個所が照射系９０に対して水平となるように基板ホルダー１５０を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置１００はＸ軸とＹ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置である。【００１８】  また、請求項２記載の発明では、請求項１記載の各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用する変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、露光装置２００に使用した該露光ステージ装置１００は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ６０をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部１３０を基板ホルダー１５０の裏面に設けた。微調整部１３０は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部１３０を設けた基板ホルダー１５０を露光ステージ１００に載置した。露光する変形ウェハ６０の照射個所が照射系９０に対して水平となるように基板ホルダー１５０を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置１００はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置である。【００１９】  また、請求項３記載の発明では、請求項１〜２記載の各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用する変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、ＡｒＦリソグラフィー装置２１０又は、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置２２０に使用した該露光ステージ装置１００は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ６０をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部１３０を基板ホルダー１５０の裏面に設けた。微調整部１３０は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部１３０を設けた基板ホルダー１５０を露光ステージ１００に載置した。露光する変形ウェハ６０の照射個所が照射系９０に対して水平となるように基板ホルダー１５０を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置１００はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置である。【００２０】  また、請求項４記載の発明では、請求項１〜２記載の各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用する変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、電子ビーム露光装置（ＥＢ）３１０に使用した該露光ステージ装置１００は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ６０をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部１３０を基板ホルダー���５０の裏面に設けた。微調整部１３０は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部１３０を設けた基板ホルダー１５０を露光ステージ１００に載置した。露光する変形ウェハ６０の照射個所が照射系９０に対して水平となるように基板ホルダー１５０を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置１００はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置である。【００２１】  また、請求項５記載の発明では、請求項１〜２記載の各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用する変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、マスク転写電子ビーム露光装置（ＭＰＬ）３３０に使用した該露光ステージ装置１００は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ６０をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部１３０を基板ホルダー１５０の裏面に設けた。微調整部１３０は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部１３０を設けた基板ホルダー１５０を露光ステージ１００に載置した。露光する変形ウェハ６０の照射個所が照射系９０に対して水平となるように基板ホルダー１５０を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置１００はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置である。
【発明の効果】
【００２２】  以下の説明からあきらかのように、本発明にあたっては次に列挙する効果が得られる。【００２３】  本発明は、各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用する変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、露光装置に使用した該露光ステージ装置は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハをＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部を基板ホルダーに設けた。微調整部は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部を設けた基板ホルダーを露光ステージに載置した。露光する変形ウェハの照射個所が照射系に対して水平となるように基板ホルダーを小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置はＸ軸とＹ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置であるので、該露光ステージ装置を各種の露光装置に載置して使用すると変形ウェハにストレスを加えることなく露光できる。露光工程におけるスループットの向上と原価低減にすばらしい威力を発揮する。【００２４】  また、請求項２記載の発明では、請求項１記載の各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用した変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、露光装置に使用した該露光ステージ装置は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハをＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部を基板ホルダーに設けた。微調整部は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部を設けた基板ホルダーを露光ステージに載置した。露光する変形ウェハの照射個所が照射系に対して水平となるように基板ホルダーを小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置であるので、該露光ステージ装置を各種の露光装置に載置して使用すると変形ウェハにストレスを加えることなく露光できる。露光ステージ装にＺ軸方向の移動を可能としたので露光作業がやりやすく露光工程におけるスループットの向上と原価低減にすばらしい威力を発揮する。【００２５】  また、請求項３記載の発明では、請求項１〜２記載の各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用する変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、ＡｒＦリソグラフィー装置又は、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置に使用した該露光ステージは、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハをＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部を基板ホルダーに設けた。微調整部は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部を設けた基板ホルダーを露光ステージに載置した。露光する変形ウェハの照射個所が照射系に対して水平となるように基板ホルダーを小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置であるので、ＡｒＦリソグラフィー装置又���、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置の露光ステージ装置は、Ｚ軸方向の移動を可能としたので露光作業がやりやすくを使用して変形ウェハを露光できるようになった。【００２６】  また、請求項４記載の発明では、請求項１〜２記載の各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用する変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、電子ビーム露光装置（ＥＢ）に使用した該露光ステージ装置は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハをＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部を基板ホルダーに設けた。
微調整部は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部を設けた基板ホルダーを露光ステージに載置した。露光する変形ウェハの照射個所が照射系に対して水平となるように基板ホルダーを小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置であるので、電子ビーム露光装置（ＥＢ）の露光ステージ装置は、Ｚ軸方向の移動を可能としたので露光作業がやりやすく変形ウェハを露光できるようになった。【００２７】  また、請求項５記載の発明では、請求項１〜２記載の各種の露光装置で照射個所の位置決めに使用する変形ウェハ用の露光ステージ装置であって、マスク転写電子ビーム露光装置（ＭＰＬ）に使用した該露光ステージ装置は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハをＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部を基板ホルダーに設けた。微調整部は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部を設けた基板ホルダーを露光ステージに載置した。露光する変形ウェハの照射個所が照射系に対して水平となるように基板ホルダーを小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置はＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置であるので、マスク転写電子ビーム露光装置（ＭＰＬ）の露光ステージ装置は、Ｚ軸方向の移動を可能としたので露光作業がやりやすく露光工程におけるスループットの向上と原価低減にすばらしい威力を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】  以下、図面に示す実施するための最良の形態により、本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２９】  図１は、露光ステージ装置の模式図を示した図である。
マスク転写電子ビーム露光装置３３０に使用した該露光ステージ装置１００は、露光する露光基板である凹型ウェハ又は凸型ウェハの変形した変形ウェハ６０をＸ軸、Ｙ軸とも上下に傾斜できる微調整部１３０を基板ホルダー１５０に設けた。微調整部１３０は、螺子機構の駆動系やピエゾ素子による変位を利用する構成で、移動（変位）量はコンピュータ制御するように設けた。微調整部１３０を設けた基板ホルダー１５０を露光ステージ１００に載置した。露光するとき、変形ウェハ６０の照射個所が照射系９０に対して水平となるように基板ホルダー１５０を小刻みにステップすると同時に高さ調整と傾斜をかけて常に一定の間隔差を維持した。露光ステージ装置１００にＸ軸とＹ軸とＺ軸とを移動できるように設けた構成の露光ステージ装置である。【００３０】  上記記載の変形ウェハ用の露光ステージ装置１００は、露光装置が電子ビーム露光装置（ＥＢ）と、ＡｒＦリソグラフィー装置と又は、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置と、マスク転写電子ビーム露光装置（ＭＰＬ）等の各種の露光装置に使用される。【００３１】  ウェハを露光するとき変形ウェハ６０を露光することは通常の露光装置では想定外である。ウェハの製造においてウェハの表面は鏡面であり水平であることが絶対の条件であった。物理科学の目覚しい進歩と共に使用されるウェハは多層膜成長基板が使用されることになった。その一つとして、化合物半導体の代表的素子である発光ダイオードＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は、新しい光源として、白熱電球に較べ格段に明るいので青色ＬＥＤの実用化により交通信号燈に多用されている。発光ダイオードＬＥＤの発光強度を増やす方法の一つとして、フォトニック結晶構造を採用することが提案されている。【００３２】  多層膜成長基板の一例として、サフアイアヤ−基板にＰ型ＧａＮ層とｎ型ＧａＮ層を発光層を介して積層した構造である。このような多層膜成長基板は凸などに変形することが知られている。参考試料：豊田合成技術、Ｖｏｌ．４５  Ｎｏ．２（２００３）「ＧａＮ系ＬＥＤの概要と最新動向」。【００３３】  上記記載の変形基板に、微細なパターンとして１００ｎｍのホールやラインスペース（Ｌ＆Ｓ）を露光するときは、基板の変形により露光のパターン解像度が異なり、パターン寸法差と、バラツキを抑えることが困難となる。要求されるパターンが微細になるほど、基板の変形を考慮して露光することが必要である。【００３４】  フォトニック結晶構造は、参考資料：平成１５年６月３日付、科学技術振興事業団報第３２３号「面内ヘテロ・フォトニック結晶による光なのデバイスの実証」京都大学野田進教授により実証されている。【００３５】  業界初として、松下電器株式会社は２００３年９月１６日で白色光源の光取り出し効率１．５倍を実現したとして、青色発光ダイオード用フォトニック結晶技術を開発したことを２００３年９月６〜８日の固体素子コンファレンス（ＳＳＤＭ２００３）で発表した。【００３６】  多層膜成長基板であるフォトニック結晶構造ウェハに露光するとき、角色ＬＥＤの発光スペクトルは３５０ｎｍ〜６００ｎｍである。フォトニクス結晶の周期はこの発光波長の１／２の１００ｎｍ〜３００ｎｍで���ピッチが１００ｎｍ〜６００ｎｍである。パターンホールをあるピッチに敷き詰める構造となる。このサイズレベルのパターンを形成できる露光装置は、光露光ではＡｒＦリソグラフィー装置と、電子ビーム装置が適しているが露光装置価格と処理量（スループット）が問題である。【００３７】  発光ダイオードＬＥＤを製造するときは、マスク転写電子ビーム露光装置３３０に露光ステージ装置１００を使用することで、フォトニック結晶技術を採用されると、複雑な実装工程や特殊な半導体設備を省略することで、安価に処理量も多く高出力の青色ＬＥＤを製作することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】  本発明は露光ステージを製造、販売する産業で利用され、また、半導体装置製造産業で使用される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明を実施するための最良の第１の形態の露光ステージ装置の模式図を示した図である。
【図２】従来形態の露光ステージ装置の模式図を示した図である。
【符号の説明】
【００４０】６０  変形ウェハ
９０  照射系
１００  露光ステージ装置
１５０  基板ホルダー
１３０  微調整部
２００  露光装置
２１０  ＡｒＦリソグラフィー装置
２２０  極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置
３１０  電子ビーム露光装置（ＥＢ）
３３０  マスク転写電子ビーム露光装置（ＭＰＬ）
【図１】
2007189181.tif 000003
【図２】
2007189181.tif 000004