(57)【要約】【課題】漏洩磁場が存在する環境下であっても磁気センサに加わるオフセットを補正して正確に磁気検出を行うことができる電子コンパスを提供すること。【解決手段】種々の原因でセンサ部１２に外部磁場が加わると、特性曲線は抵抗（電圧）と磁界の座標の交点を通らずにずれる。すなわち、オフセット電圧分（Ｒoff）が生じる。本発明においては、このオフセット電圧分をキャンセルするための補正値を求めるために、バイアス磁界を反転させた２つのステージから出力電圧の差分を求め、その差分が略０になるまでバイアス磁界を制御する。そして、出力電圧の差分が略０になったときの対応バイアス磁界（電流値）を補正値（補正バイアス）とする。これにより、オフセット電圧が加わったとしても補正をすることができるので、正確に磁気検出を行うことができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータにより実行可能であり、磁気センサに加わるオフセットを補正するオフセット補正プログラムであって、前記オフセット補正プログラムは、第１の極性を印加した状態で、極性を反転させてバイアス磁界を前記磁気センサに印加して得られた少なくとも２つの第１出力電圧から第１線形式を求める手順と、第２の極性を印加した状態で、極性を反転させてバイアス磁界を前記磁気センサに印加して得られた少なくとも２つの第２出力電圧から第２線形式を求める手順と、前記第１線形式及び前記第２線形式の交点から補正値を求める手順と、を含むことを特徴とするオフセット補正プログラム。
【請求項２】
前記第１線形式及び前記第２線形式を用いて前記磁気センサの感度補正を行う手順を含むことを特徴とする請求項１記載のオフセット補正プログラム。
【請求項３】
磁気センサを有するコンパスモジュールと、前記磁気センサの出力を用いて地磁気を検出する請求項１又は請求項２記載のオフセット補正プログラム及び方位を求める方位算出プログラムを備えた制御手段と、を具備することを特徴とする電子コンパス。
【請求項４】
前記磁気センサは、磁界に対して単調に変化する抵抗変化を示す磁気抵抗素子を含むことを特徴とする請求項３記載の電子コンパス。
【請求項５】
前記磁気抵抗素子は、ＧＭＲ素子であることを特徴とする請求項４記載の電子コンパス。
【請求項６】
前記磁気センサは、ブリッジ回路で構成されていることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれかに記載の電子コンパス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサに加わるオフセットを補正するオフセット補正プログラム及びそれを備えた電子コンパスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子的に方位測定を行う場合には、地磁気などの外部磁界を検出する磁気センサを用いて行う。磁気センサを含む磁気検出回路を用いて方位を求める場合に、磁気センサに対して交流磁界を印加し、交流磁界を印加したときに磁気センサから出力される電圧を用いる技術が知られている。
【０００３】
この技術においては、磁界を印加すると内部抵抗が変化する磁気抵抗素子を含む磁気センサを用いる。この磁気抵抗素子は、磁界に対して対称性のある抵抗変化を示す。地磁気のような外部磁界が加わった状態の磁気抵抗素子に交流磁界を重畳すると、磁気抵抗素子の特性を利用して抵抗値の変化を検出することができる。そして、この外部磁界をキャンセルする方向に電流を付与することにより、外部磁界に対応する電流を測定することができる。この電流値から外部磁界の強さを求めることができる。
【０００４】
【非特許文献１】APPLICATION  NOTE  “Electronic  Compass  Design  using  KMZ51  and  KMZ52”,  AN00022,  Philips  Semiconductors
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、上記のような磁気検出回路を用いた電子方位計を携帯電話などに搭載すると、携帯電話に搭載される電子部品、例えばスピーカなどから発生する地磁気以外の磁気ノイズ（以下、漏洩磁場と省略する）の影響を受けて、正確に磁気検出を行うことができないという問題がある。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、漏洩磁場が存在する環境下であっても磁気センサに加わるオフセットを補正して正確に磁気検出を行うことができる電子コンパスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のオフセット補正プログラムは、コンピュータにより実行可能であり、磁気センサに加わるオフセットを補正するオフセット補正プログラムであって、前記オフセット補正プログラムは、第１の極性を印加した状態で、極性を反転させてバイアス磁界を前記磁気センサに印加して得られた少なくとも２つの第１出力電圧から第１線形式を求める手順と、第２の極性を印加した状態で、極性を反転させてバイアス磁界を前記磁気センサに印加して得られた少なくとも２つの第２出力電圧から第２線形式を求める手順と、前記第１線形式及び前記第２線形式の交点から補正値を求める手順と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、磁気検出回路中のアンプから出力される電圧に不可避的に発生するオフセット電圧を消去することができる。これにより、漏洩磁場が存在する環境下であっても正確に磁気検出を行うことができる。
【０００９】
本発明のオフセット補正プログラムにおいては、前記第１線形式及び前記第２線形式を用いて前記磁気センサの感度補正を行う手順を含むことが好ましい。
【００１０】
本発明の電子コンパスは、磁気センサを有するコンパスモジュールと、前記磁気センサの出力を用いて地磁気を検出する上記オフセット補正プログラム及び方位を求める方位算出プログラムを備えた制御手段と、を具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明の電子コンパスにおいては、前記磁気センサは、磁界に対して単調に変化する抵抗変化を示す磁気抵抗素子を含むことが好ましい。この場合において、前記磁気抵抗素子は、ＧＭＲ素子であることが好ましい。また、本発明の電子コンパスにおいては、前記磁気センサは、ブリッジ回路で構成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、第１の極性を印加した状態で、極性を反転させてバイアス磁界を前記磁気センサに印加して得られた少なくとも２つの第１出力電圧から第１線形式を求め、第２の極性を印加した状態で、極性を反転させてバイアス磁界を前記磁気センサに印加して得られた少なくとも２つの第２出力電圧から第２線形式を求め、前記第１線形式及び前記第２線形式の交点から補正値を求めるので、磁気検出回路中のアンプから出力される電圧に不可避的に発生するオフセット電圧を消去することができる。これにより、漏洩磁場が存在する環境下であっても正確に磁気検出を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
磁界に対して単調に変化する抵抗変化を示す磁気抵抗素子を用いる場合においては、まず、一方の極性のバイアス磁界を印加して、磁気抵抗素子に印加する電圧の極性を反転させて、別の磁界に相当する電圧値を求め、次に、他方の極性のバイアス磁界を印加して、磁気抵抗素子に印加する電圧の極性を反転させて、別の磁界に相当する電圧値を求める。両者の電圧値にはそれぞれオフセット電圧が含まれる。したがって、このように求められた別の磁界に相当するそれぞれの電圧値の差分を求めることにより、オフセット電圧が相殺された状態で、別の磁界に相当する電圧値を求めることができ、結果としてオフセット電圧のない状態での磁気検出を行うことができる。
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態においては、アンプ１３２のオフセット電圧のみを消去する場合について説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施の形態に係るオフセット補正プログラムを備えた電子コンパスの概略構成を示すブロック図である。図１に示す電子コンパスは、コンパスモジュール１と、制御部２とから主に構成されている。コンパスモジュール１は、地磁気の変化に対応した電圧値を出力するセンサ部１２と、センサ部１２に電圧を印加する電圧発生部１１と、センサ部１２にバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生部１４と、センサ部１２で出力された電圧値を検出（増幅）する検出部１３と、この電圧値をＡＤ変換するＡＤ変換部１５とから主に構成されている。制御部２は、センサ部１２の出力を用いて方位を求める方位算出プログラム２１と、センサ部１２の出力を用いてオフセット補正を行うオフセット補正プログラム２２とを有する。
【００１６】
電圧発生部１１は、センサ部１２に印加する電圧を切り替える。本実施の形態においては、図２（ａ）に示すように、センサ部１２のブリッジ回路に接続されたスイッチＳＷ1，ＳＷ2で構成されている。この電圧の切り替えのタイミングは、コンパスモジュール１の制御部（図示せず）により制御される。
【００１７】
センサ部１２は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸で構成され、地磁気を検出する磁気効果素子を含む磁気センサを有し、地磁気の変化に対応した電圧値を出力する。本実施の形態においては、図２（ａ）に示すように、ブリッジ回路で構成されている。磁気効果素子としては、磁界に対して単調に変化する抵抗変化を示す磁気抵抗素子を用いる。このような磁気効果素子としては、ＧＭＲ（Gianto MagnetoResistance）、ＡＭＲ（Anisotropic MagnetoResistance）、ＴＭＲ（Tunnel  MagnetoResistance）などのＭＲ素子などを挙げることができる。
【００１８】
バイアス磁界発生部１４は、極性を反転させたバイアス磁界を発生させるための電流をセンサ部に供給することにより、センサ部１２に印加するバイアス磁界を切り替える。本実施の形態においては、図２（ａ）に示すように、センサ部１２のブリッジ回路に接続されたスイッチＳＷ3，ＳＷ4で構成されている。このバイアス磁界の切り替えのタイミングは、コンパスモジュール１の制御部（図示せず）により制御される。
【００１９】
検出部１３は、センサ部１２で出力された電圧値を検出（増幅）する。本実施の形態においては、図２（ａ）に示すように、アンプ１３１と、電圧値を増幅するアンプ１３２と、電圧値を蓄積するコンデンサ１３３と、コンデンサ１３３に蓄積するかを切り替えるスイッチＳＷ5とで構成される。この電圧値の蓄積のタイミングは、コンパスモジュール１の制御部（図示せず）により制御される。
【００２０】
制御部２は、コンパスモジュール１を駆動するドライバソフトウェアとして少なくとも方位算出プログラム２１と、オフセット補正プログラム２２とを有する。方位算出プログラム２１については、コンパスモジュール１を用いて得られた地磁気情報に基づいて基準方向に対する方位角を求めることができればその方法については特に制限はない。例えば、センサ部１２は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸で構成されているので、地磁気検出処理により求められたＸ軸用の地磁気、Ｙ軸用の地磁気、Ｚ軸用の地磁気を用いて方位を算出する。具体的には、Ｘ軸用の地磁気に対応する出力電圧とＹ軸用の地磁気に対応する出力電圧の比に対して逆正接をとることにより方位を算出する。また、Ｚ軸用の地磁気に対応する電圧は、電子方位の傾斜した状態を補正する演算において用いる。例えば、携帯電話などに本発明に係る電子コンパスを搭載した場合には、携帯電話を傾斜させた状態で使用されることが予想されるので、このような場合において、Ｚ軸用の地磁気を用いて補正演算を行って方位を算出する。
【００２１】
オフセット補正プログラム２２は、地磁気以外の外部磁界が磁気センサに加わった場合にそのオフセット分を補正することができるプログラムである。コンパスモジュール１が搭載された機器の近傍に着磁された部品が存在すると、センサ部１２からの出力にオフセットが加わって正確に地磁気を検出することがない。このオフセット補正プログラムによれば、磁気センサの素子特性を利用して、外部磁界（漏れ磁界）によるオフセットに対する補正量を求めることができる。
【００２２】
オフセット補正プログラム２２は、コンピュータにより実行可能であり、磁気センサに加わるオフセットを補正するオフセット補正プログラムであって、前記オフセット補正プログラムは、第１の極性を印加した状態で、極性を反転させてバイアス磁界を前記磁気センサに印加して得られた少なくとも２つの第１出力電圧から第１線形式を求める手順と、第２の極性を印加した状態で、極性を反転させてバイアス磁界を前記磁気センサに印加して得られた少なくとも２つの第２出力電圧から第２線形式を求める手順と、前記第１線形式及び前記第２線形式の交点から補正値を求める手順と、を含む。
【００２３】
次に、本発明の磁気検出装置の動作について図２（ａ）に示す回路図を用いて説明する。図２（ａ）は、本発明の実施の形態に係る電子方位計を示す回路図である。なお、図２（ａ）においては、説明を簡単にするために、制御部は図示せずに、制御信号の入力を示している。
【００２４】
本実施の形態においては、センサ部１２に用いられる磁気抵抗素子は、図２（ｂ）に示すように、磁界に対して単調に変化（図２（ｂ）においては単調に増加）する磁気抵抗効果を表す。この磁気抵抗素子にバイアス磁界を印加すると、図２（ｂ）に示すように、バイアス磁界により、抵抗が変化するようになる。そして、この状態で地磁気などの外部からの別の磁界が磁気抵抗素子に印加されると抵抗値が変化する。この別の磁界の方向とバイアス磁界の方向とが同一である場合には抵抗値は増加し、異なる場合には抵抗値が減少する。
【００２５】
本実施の形態においては、センサ部１２はブリッジ回路で構成される。図２（ａ）のブリッジ回路において、磁気抵抗変化を示す素子はＲa，Ｒcである。また、Ｒb，Ｒdは固定抵抗である。このブリッジ回路の一対の端子Ｓa，Ｓcに電圧を印加すると、それぞれの抵抗で分圧された電圧が反対の一対の端子Ｓb，Ｓdから出力される。ブリッジ回路を構成するＲa,Ｒcは磁気により抵抗が変化するので、その磁気に対応して電圧が出力される。
【００２６】
本実施の形態において、電圧発生部１１はスイッチＳＷ1，ＳＷ2で構成され、センサ部１２に印加する電圧の極性（方向）を制御信号φ１によって切り替える。制御信号φ１がHigh（Ｈ信号）の場合、スイッチＳＷ1，ＳＷ2によりＶddが端子Ｓa側に接続されて、端子Ｓaから端子Ｓdの方向に電圧が印加される。制御信号φ１がLow（Ｌ信号）の場合、スイッチＳＷ1，ＳＷ2によりＶddが端子Ｓd側に接続されて、端子Ｓdから端子Ｓa方向に電圧が印加される。
【００２７】
バイアス磁界発生部１４は、図２（ａ）に示すように、センサ部１２に取り付けられるコイル１２１に流す電流の方向を制御信号φ２により切り替えて、センサ部１２に極性を反転させたバイアス磁界を印加する。制御信号φ２がHigh（Ｈ信号）の場合、スイッチＳＷ3，ＳＷ4により上側から見て時計回りに電流が流れ、センサ部１２には正方向にバイアス磁界が発生する。制御信号φ２がLow（Ｌ信号）の場合、スイッチＳＷ3，ＳＷ4により上記とは反対方向に電流が流れ、センサ部１２には負方向にバイアス磁界が発生する。
【００２８】
演算部１３においては、アンプ１３１はブリッジ回路の端子Ｓb，Ｓdに接続されており、センサ部１２の出力を取り込む。取り込まれた電圧は、スイッチＳＷ5を介してコンデンサ１３３に充電される。また、取り込まれた電圧は、アンプ１３２の入力端子と接続している。なお、スイッチＳＷ5は、制御信号φ３により制御される。制御信号φ３がHigh（Ｈ信号）の場合、スイッチＳＷ5によりアンプ１３１の出力は、コンデンサ１３３と接続し、制御信号φ３がLow（Ｌ信号）の場合、スイッチＳＷ5によりコンデンサ１３３との接続が解除される。アンプ１３２は、コンデンサ１３３の電圧値とアンプ１３１の出力である電圧値との間の差分を増幅するように動作する。これにより、センサ部１２に印加するバイアス磁界の方向を切り替えたときの電圧値の差を増幅して出力する。
【００２９】
次に、上記構成を有する磁気検出装置の動作について説明する。なお、検出する磁気（地磁気）の磁界と同一方向のバイアス磁界を正方向としている。
本実施の形態に係る電子方位計のセンサ部１２における駆動モードは以下の４つのステージで構成される。
Ｓ１：電圧が正、バイアス磁界が正
Ｓ２：電圧が負、バイアス磁界が正
Ｓ３：電圧が正、バイアス磁界が負
Ｓ４：電圧が負、バイアス磁界が負
【００３０】
ステージＳ１は、図２（ａ）に示すように、センサ部１２に印加する電圧が正（制御信号φ１がＨ信号）であり、センサ部１２に印加するバイアス磁界が正（制御信号φ２がＨ信号）である。このため磁気抵抗素子の抵抗変化は図２（ｂ）に示すようになる。なお、このステージＳ１では、制御信号φ３がＨ信号であり、スイッチＳＷ5によりアンプ１３１の出力がコンデンサ１３３と接続する。
【００３１】
ステージＳ２は、図３（ａ）に示すように、センサ部１２に印加する電圧が負（制御信号φ１がＬ信号）であり、センサ部１２に印加するバイアス磁界が正（制御信号φ２がＨ信号）である。このため磁気抵抗素子の抵抗変化は図３（ｂ）に示すようになる。なお、このステージＳ２では、制御信号φ３がＨ信号であり、スイッチＳＷ5によりアンプ１３１の出力がコンデンサ１３３と接続する。
【００３２】
ステージＳ３は、図４（ａ）に示すように、センサ部１２に印加する電圧が正（制御信号φ１がＨ信号）であり、センサ部１２に印加するバイアス磁界が負（制御信号φ２がＬ信号）である。このため磁気抵抗素子の抵抗変化は図４（ｂ）に示すようになる。なお、このステージＳ３では、制御信号φ３がＬ信号であり、スイッチＳＷ5によりアンプ１３１の出力がコンデンサ１３３と接続されない。
【００３３】
ステージＳ４は、図５（ａ）に示すように、センサ部１２に印加する電圧が負（制御信号φ１がＬ信号）であり、センサ部１２に印加するバイアス磁界が負（制御信号φ２がＬ信号）である。このため磁気抵抗素子の抵抗変化は図５（ｂ）に示すようになる。なお、このステージＳ４では、制御信号φ３がＬ信号であり、スイッチＳＷ5によりアンプ１３１の出力がコンデンサ１３３と接続されない。
【００３４】
図６は、本発明の実施の形態に係る電子コンパスのオフセット補正原理を説明するための図である。種々の原因（ここではアンプのオフセット電圧）でセンサ部１２に外部磁場が加わると、図６に示すように、特性曲線は抵抗（電圧）と磁界の座標の交点を通らずにずれる。すなわち、オフセット電圧分（Ｒoff）が生じる。本発明においては、このオフセット電圧分をキャンセルするための補正値を求めるために、バイアス磁界を反転させた２つのステージ（ステージＳ１とステージＳ３、又はステージＳ２とステージＳ４）から出力電圧の差分を求め、その差分が略０になるまでバイアス磁界を制御する。
【００３５】
具体的には、第１の極性（例えば正）を印加した状態で、極性を反転させてバイアス磁界をセンサ部１２に印加して得られた少なくとも２つの出力電圧から第１線形式を求める（ここでは、ステージＳ１とステージＳ３とから第１線形式を求める）。次いで、第２の極性（例えば負）を印加した状態で、極性を反転させてバイアス磁界をセンサ部１２に印加して得られた少なくとも２つの出力電圧から第２線形式を求める（ここでは、ステージＳ２とステージＳ４とから第２線形式を求める）。その後、第１線形式及び第２線形式の交点（図７における交点）を求める。そして、この交点の磁場から０磁場までの値が補正値となる。すなわち、出力電圧の差分が略０になったときの対応バイアス磁界（電流値）を補正値（補正バイアス）とする。これにより、オフセット電圧が加わったとしても補正をすることができるので、正確に磁気検出を行うことができる。
【００３６】
また、この電子コンパスにおいては、第１線形式及び第２線形式を用いてセンサ部１２の感度補正を行うことができる。図６に示す線形式は、Ｒ＝α・Ｂ±Ｒoffと表すことができる。この線形式において、傾きであるαが求められるので、このαで規格化することにより（（ｋ／α）・Ｒ（ｋ：係数）を求めることにより）センサ部１２の感度を補正することができる。このようにセンサ部１２の感度を補正することにより、方位算出の際に方位ずれが起こることを防止することができる。
【００３７】
上記実施の形態においては、コンパスモジュール１においてオフセット補正処理を行う場合について説明しているが、上記オフセット補正処理をコンパスモジュール内で行っても良い。例えば、コンパスモジュール１内の制御部を、検出部１３の検出結果に基づいて出力電圧の差分が略０であるかどうかを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づいてバイアス磁界の大きさを指定する指定部とを含む構成とし、バイアス磁界発生部１４のバイアス磁界を制御するようにしても良い。
【００３８】
コンパスモジュール１においてオフセット補正処理を行う場合には、磁気を検出する磁気センサと、この磁気センサに極性を反転させてバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生部と、それぞれの極性のバイアス磁界に対して得られた出力電圧の差分を求める演算部と、前記出力電圧の差分が略０になる補正値を前記バイアス磁界発生部に出力する補正部と、を具備する構成とする。この場合において、前記補正部は、前記演算部の演算結果に基づいて出力電圧の差分が略０であるかどうかを判定する判定部と、判定結果に基づいてバイアス磁界の大きさを指定する指定部と、を有する構成とする。
【００３９】
このような構成においてコンパスモジュール１内の制御部でオフセット補正処理を行う場合、まず、制御部の指定部で印加するバイアス磁界に応じた電流値を指定して、電流情報をバイアス磁界発生部１４に出力する。バイアス磁界発生部１４は、その電流情報にしたがってバイアス磁界を発生する。そして、ステージＳ１のように、電圧発生部１１で電圧を正（制御信号φ１：Ｈ）とし、バイアス磁界発生部１４でバイアス磁界（指定部で指定された電流値に対応するバイアス磁界）を正（制御信号φ２：Ｈ）として検出部１３で出力電圧を求める。次いで、ステージＳ３のように、電圧発生部１１で電圧を正（制御信号φ１：Ｈ）とし、バイアス磁界発生部１４でバイアス磁界（指定部で指定された電流値に対応するバイアス磁界）を負（制御信号φ２：Ｌ）として検出部１３で出力電圧を求める。
【００４０】
検出部１３では、これらの出力電圧間の差分を求めて、その差分情報を制御部に出力する。制御部では、判定部において出力電圧の差分が略０であるかどうかを判定する。出力電圧の差分が略０であれば、外部磁界に対応する補正がなされたことになるので、指定したバイアス磁界を補正値としてバイアス磁界発生部１４に出力する。バイアス磁界発生部１４では、磁気検出の際にこの補正値を用いて磁気検出を行う。一方、判定部において出力電圧の差分が略０でない場合には、外部磁界に対応する補正がなされていないので、判定部はその旨の情報を指定部に出力する。指定部は、前回の電流値と異なる電流値を設定し、その電流情報をバイアス磁界発生部１４に出力する。なお、前回の電流値と異なる電流値における電流値の変化量は、出力電圧の差分が略０に近づくように設定する。このような処理を行って、外部磁界に対応する補正バイアスを求めて、外部磁界をキャンセルすることにより、正確に磁界検出を行うことができる。
【００４１】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、アンプ１３２のオフセット電圧のみを消去する場合について説明しているが、本発明によれば、他のアンプやセンサの抵抗バランスによって発生するオフセット電圧についても消去することができる。その他、本発明は、その範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態に係るオフセット補正プログラムを備えた電子コンパスの概略構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）図１に示す磁気検出装置のステージＳ１を示す回路図であり、（ｂ）は磁気抵抗素子の抵抗変化を示す図である。
【図３】（ａ）図１に示す磁気検出装置のステージＳ２を示す回路図であり、（ｂ）は磁気抵抗素子の抵抗変化を示す図である。
【図４】（ａ）図１に示す磁気検出装置のステージＳ３を示す回路図であり、（ｂ）は磁気抵抗素子の抵抗変化を示す図である。
【図５】（ａ）図１に示す磁気検出装置のステージＳ４を示す回路図であり、（ｂ）は磁気抵抗素子の抵抗変化を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る磁気検出装置の補正原理を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  コンパスモジュール
２  制御部
１１  電圧発生部
１２  センサ部
１３  検出部
１４  バイアス磁界発生部
１５  ＡＤ変換部
２１  方位算出プログラム
２２  オフセット補正プログラム
１２１  コイル
１３１，１３２  アンプ
１３３  コンデンサ
ＳＷ1〜ＳＷ5  スイッチ
【図１】
2007271599.tif 000003
【図２】
2007271599.tif 000004
【図３】
2007271599.tif 000005
【図４】
2007271599.tif 000006
【図５】
2007271599.tif 000007
【図６】
2007271599.tif 000008