(57)【要約】【課題】大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する際、分断の際、起点となる分断起点領域の深さが設定深さに形成されているかを容易に確認することができる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】マザー基板の内部の設定深さにおいて第１の改質領域を分断予定線に沿って形成して、分断の際の起点となる分断起点領域を形成する分断起点領域形成工程（ステップＳ２、Ｓ５、Ｓ８、Ｓ１１）と、分断起点領域と同じ設定深さにおいて、マザー基板の内部に、第１の改質領域よりも大きな第２の改質領域を形成して、指標を形成する指標形成工程（ステップＳ１、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１２）と、指標の深さを確認することにより、形成された分断起点領域の少なくとも深さを推定して確認する分断起点領域確認工程（ステップＳ１３〜Ｓ１６）とを具備していることを特徴とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する工程を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記大板の基板の内部の設定深さにおいて集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記設定深さに多光子吸収による第１の改質領域を分断予定線に沿って形成し、前記第１の改質領域により構成された分断の際の起点となる分断起点領域を形成する分断起点領域形成工程と、
前記分断起点領域と同じ前記設定深さにおいて、前記大板の基板の内部に、集光点を合わせて前記レーザ光を照射して、多光子吸収による前記第１の改質領域よりも大きな第２の改質領域を形成することにより、前記第２の改質領域により構成された指標を形成する指標形成工程と、
前記指標の少なくとも深さを確認することにより、形成された前記分断起点領域の少なくとも深さを推定して確認する分断起点領域確認工程と、
を具備していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記指標形成工程は、前記分断起点領域形成工程の前工程であり、前記指標は、前記分断起点領域を形成し始める始点位置の近傍に形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記指標形成工程は、前記分断起点領域形成工程の後工程であり、前記指標は、前記分断起点領域を形成し終えた終点位置の近傍に形成することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記指標形成工程は、前記分断起点領域の形成と並行して行う工程であり、前記指標は、前記分断起点領域上、または前記分断起点領域の近傍に形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記分断起点領域形成工程は、前記大板の基板の内部において、前記分断起点領域を深さ方向に複数層形成する工程であり、
前記指標形成工程は、前記分断起点領域毎に、前記大板の基板の内部において、深さ方向に前記指標を複数層形成する工程であり、
前記分断起点領域確認工程は、各層の前記指標の深さをそれぞれ確認することにより、各層の前記分断起点領域の深さをそれぞれ推定して確認する工程であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記分断起点領域形成工程は、前記大板の基板の外表面から深さ方向に設定厚さ薄肉部を残して、前記大板の基板の内部に前記分断起点領域を形成する工程であることを特徴とする請求項１〜５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記指標形成工程は、前記第２の改質領域を複数形成した前記第２の改質領域の集合体により、前記指標を形成する工程であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記指標形成工程は、層毎に前記指標の平面的な形状が異なるよう形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記電気光学装置に用いる基板は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置における、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電気光学装置に用いる基板は、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板の薄膜が形成された面と反対の面に貼着されるカバーガラスであることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記大板の基板は、前記第１の基板または前記第２の基板が構成された大板のガラス、石英、シリコンのいずれかに、大板の前記カバーガラスが貼着されたものであり、
前記電気光学装置に用いる基板は、前記第１の基板に前記カバーガラスが貼着されたものと、前記第２の基板に前記カバーガラスが貼着されたものとの少なくとも一方であることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記分断起点領域形成工程と前記指標形成工程とは、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板の前記薄膜が形成された面と反対の面から、前記基板の内部に前記レーザ光を照射する工程であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置。
【請求項１４】
基板の内部の設定深さにおいて、集光点が合わせられレーザ光が照射されることにより多光子吸収による改質領域が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
前記改質領域は、複数形成されて集合体として形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１３〜１５のいずれかに記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する工程を有する電気光学装置の製造方法、該製造方法によって製造された電気光学装置、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば液晶装置は、ガラス基板、石英基板、シリコン基板等からなる２枚の基板間に液晶が挟持されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に挟持した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００４】
このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μ以内）に貼り合わされる。このパネル組立工程の一例を説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造された、大板の基板に複数構成されたＴＦＴ基板と複数のチップ状の対向基板との各液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための、例えばポリイミドから構成された配向膜が形成される。その後、焼成が行われ、さらに、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理が配向膜に施される。
【０００５】
次いで、例えば液晶封入方式により、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、大板の基板に複数構成されたＴＦＴ基板と複数のチップ状の対向基板との一方の基板上の各シール材塗布領域に、接着剤となるシール材が、一部に切り欠きを有するよう略周状にそれぞれ塗布され、このシール材が用いられて大板の基板に複数構成されたＴＦＴ基板に対し、複数のチップ状の対向基板がそれぞれ貼り合わされる。
【０００６】
次いでアライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、シール材の一部に設けられた切り欠きを介して液晶がそれぞれ封入され、切り欠きが、熱等により硬化された封止材によりそれぞれ封止される。
【０００７】
最後に、大板の基板から、対向基板が貼着されたＴＦＴ基板を、該ＴＦＴ基板毎に沿って分断線に沿って分断することにより、複数の液晶装置が製造される。
【０００８】
ここで、大板の基板から、対向基板が貼着されたＴＦＴ基板を分断する際は、既知のダイシングにより大板の基板から分断するか、既知のスクライブによって大板の基板に該基板に対し垂直方向にスクライブラインを形成し、該スクライブラインに沿ってクラックを発生させるブレイク処理により分断する手法が周知である。
【０００９】
しかしながら、ダイシングを用いた手法では、分断に水を用いる必要がある他、生産性がよくないといった問題があり、スクライブ、ブレイクを用いた手法では、分断後、ＴＦＴ基板の外形精度を確保し難い他、スクライブラインに対して垂直方向、即ち大板の基板の水平方向に、クラックが発生してしまう場合がある等の問題があった。
【００１０】
尚、これらの問題は、各大板の基板に、対向基板、またはＴＦＴ基板及び対向基板に貼着される防塵ガラス（以下、カバーガラスと称す）がそれぞれ構成され、各大板の基板から、対向基板またはカバーガラスをそれぞれ分断する場合であっても同様である。
【００１１】
このような問題に鑑み、特許文献１では、大板の基板の加工対象物の分断予定線に沿って、大板の基板の内部に、該大板の基板が吸収する波長のレーザ光を、レーザ加工装置を用いて照射して、大板の基板の内部の分断予定線に沿った位置に、多光子吸収による、例えば円柱状の空洞である改質領域から構成される分断起点領域を形成する加工を行い、該分断起点領域を起点として、大板の基板から加工対象物を、精度良くかつ生産性を向上して容易に分断する技術の提案がなされている。
【特許文献１】特開２００３−３３４６７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、大板の基板から、加工対象物、例えば対向基板がシール材を介して貼着されたＴＦＴ基板を分断する際、該ＴＦＴ基板を精度良く分断するには、大板の基板に分断起点領域を、深さ方向の位置精度を良くして形成する必要がある。
【００１３】
しかしながら、大板の基板の内部に形成された分断予定線に沿った分断起点領域は、内部加工という特徴から、レーザ加工装置に備えたＣＣＤカメラ等では確認するのが難しいばかりか、分断起点領域の幅は、レーザ光の性質上、非常に小さく（例えば０．５ミクロン）形成されてしまうため、形成された分断起点領域が、設定された深さに形成されているかを、ＣＣＤカメラ等で確認するのが非常に困難であるといった問題があった。
【００１４】
よって、分断起点領域が、設定された深さに形成されているかを確認するためには、分断起点領域形成後、大板の基板をレーザ加工装置から取り外して確認を行う必要がある。しかし、一度、大板の基板をレーザ加工装置から取り外してしまうと、確認後、形成した分断起点領域に再加工を行う際、分断予定線における加工位置の精度を確保するのが難しくなってしまうといった問題があった。
【００１５】
本発明の目的は上記問題点に着目してなされたものであり、大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する際、大板の基板をレーザ加工装置から取り外すことなく、大板の基板にレーザ光の照射により形成された改質領域から構成された分断起点領域の深さが設定深さに形成されているかを、容易に確認することができる電気光学装置の製造方法、該製造方法によって製造された電気光学装置、電気光学装置、電子機器を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する工程を有する電気光学装置の製造方法であって、前記大板の基板の内部の設定深さにおいて集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記設定深さに多光子吸収による第１の改質領域を分断予定線に沿って形成して、前記第１の改質領域により構成された分断の際の起点となる分断起点領域を形成する分断起点領域形成工程と、前記分断起点領域と同じ前記設定深さにおいて、前記大板の基板の内部に、集光点を合わせて前記レーザ光を照射し、多光子吸収による前記第１の改質領域よりも大きな第２の改質領域を形成することにより、前記第２の改質領域により構成された指標を形成する指標形成工程と、前記指標少なくともの深さを確認することにより、形成された前記分断起点領域の少なくとも深さを推定して確認する分断起点領域確認工程と、を具備していることを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する際、電気光学装置に用いる基板の内部の分断起点領域と同じ深さにおいて、分断起点領域の形成と同様の、レーザ光の照射に起因する多光子吸収による改質領域の形成からなる分断起点領域より大きな指標を形成し、分断起点領域形成後、指標の深さをレーザ加工装置のカメラで確認することにより、大板の基板をレーザ加工装置から取り外すことなく、レーザ加工装置のカメラでは確認し難い大きさの分断起点領域が設定深さに形成されているかを、分断起点領域より大きな指標の深さから容易に推定して確認することができるといった効果を有する。
【００１８】
また、前記指標形成工程は、前記分断起点領域形成工程の前工程であり、前記指標は、前記分断起点領域を形成し始める始点位置の近傍に形成することを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する際、指標を、分断起点領域を形成し始める始点位置の近傍に形成することにより、指標に続けて分断起点領域形成を形成した後、レーザ加工装置のカメラでは確認し難い大きさの分断起点領域が設定深さに形成されているかを、分断起点領域より大きな指標をレーザ加工装置のカメラで確認することより、指標の深さから推定して正確に確認することができるといった効果を有する。
【００２０】
さらに、前記指標形成工程は、前記分断起点領域形成工程の後工程であり、前記指標は、前記分断起点領域を形成し終えた終点位置の近傍に形成することを特徴とする。
【００２１】
本発明によれば、大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する際、指標を、分断起点領域を形成し終えた終点位置の近傍に形成することにより、分断起点領域を形成した後、レーザ加工装置のカメラでは確認し難い大きさの分断起点領域が設定深さに形成されているかを、分断起点領域に続けて形成された分断起点領域より大きな指標をレーザ加工装置のカメラで確認することにより、指標の深さからより推定して正確に確認することができるといった効果を有する。さらに、指標を、分断起点領域を形成し終えた終点位置の近傍と分断起点領域を形成し始める起点位置の近傍とに形成することにより、分断起点領域形成後、始点と終点との間の分断起点領域が設定深さに形成されているかを分断起点領域より大きな指標をレーザ加工装置のカメラで確認することにより、指標の深さから推定して容易かつ正確に確認することができるといった効果を有する。
【００２２】
また、前記指標形成工程は、前記分断起点領域の形成と並行して行う工程であり、前記指標は、前記分断起点領域上、または前記分断起点領域の近傍に形成することを特徴とする。
【００２３】
本発明によれば、大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する際、レーザ加工装置のカメラでは確認し難い大きさの分断起点領域が設定深さに形成されているかを確認する分断起点領域より大きな指標を、電気光学装置に用いる基板の内部の設定深さの分断起点領域上または分断起点領域の近傍に、任意に形成することができるといった効果を有する。
【００２４】
さらに、前記分断起点領域形成工程は、前記大板の基板の内部において、前記分断起点領域を深さ方向に複数層形成する工程であり、前記指標形成工程は、前記分断起点領域毎に、前記大板の基板の内部において、深さ方向に前記指標を複数層形成する工程であり、前記分断起点領域確認工程は、各層の前記指標の深さをそれぞれ確認することにより、各層の前記分断起点領域の深さをそれぞれ推定して確認する工程であることを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する際、大板の基板が所定の厚さを有していたとしても、分断起点領域を深さ方向に複数層形成することにより、確実に大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断することができるとともに、分断起点領域の層毎に分断起点領域より大きな指標を形成することにより、大板の基板をレーザ加工装置から取り外すことなく、レーザ加工装置のカメラでは確認し難い大きさの複数層の分断起点領域がそれぞれ設定深さに形成されているかを、層毎の指標の深さをレーザ加工装置のカメラで確認することにより、各指標の深さからそれぞれ容易に推定して確認することができるといった効果を有する。
【００２６】
また、前記分断起点領域形成工程は、前記大板の基板の外表面から深さ方向に設定厚さ薄肉部を残して、前記大板の基板の内部に前記分断起点領域を形成する工程であることを特徴とする。
【００２７】
本発明によれば、大板の基板の内部に分断起点領域を形成する際、大板の基板の外表面から深さ方向に設定厚さ薄肉部を残して形成することにより、分断起点領域を形成する際中に、大板の基板から電気光学装置に用いる基板が分断されてしまうことを防止することができるとともに、大板の基板の表面に、分断起点領域形成に伴う塵埃が発生してしまうことを防止することができるといった効果を有する。
【００２８】
さらに、前記指標形成工程は、前記第２の改質領域を複数形成した前記第２の改質領域の集合体により、前記指標を形成する工程であることを特徴とする。
【００２９】
本発明によれば、大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する際、指標は、第２の改質領域の集合体により、分断起点領域より大きく形成されていることにより、分断起点領域形成後、指標の深さをレーザ加工装置のカメラで確認することにより、分断起点領域の深さを、指標の深さから推定してより正確に確認することができるといった効果を有する。
【００３０】
また、前記指標形成工程は、層毎に前記指標の平面的な形状が異なるよう形成する工程であることを特徴とする。
【００３１】
本発明によれば、大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する際、複数の層の分断起点領域がそれぞれ設定深さに形成されているかを、層毎に形状の異なる分断起点領域より大きな指標の深さを、層毎にレーザ加工装置のカメラで確認することにより、各層の指標の深さから容易に推定できるとともに、各層の指標を容易に識別することができるといった効果を有する。
【００３２】
さらに、前記電気光学装置に用いる基板は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置における、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方であることを特徴とする。
【００３３】
本発明によれば、大板の基板から薄膜形成前の第１の基板と薄膜形成前の第２の基板との少なくとも一方の基板を分断する際、大板の基板の内部の分断起点領域と同じ深さにおいて、分断起点領域の形成と同様の、レーザ光の照射に起因する多光子吸収による改質領域の形成からなる分断起点領域より大きな指標を形成し、分断起点領域形成後、指標の深さをレーザ加工装置のカメラで確認することにより、大板の基板をレーザ加工装置から取り外すことなく、レーザ加工装置のカメラでは確認し難い大きさの分断起点領域が設定深さに形成されているかを、指標の深さから容易に推定することができるといった効果を有する。
【００３４】
また、前記電気光学装置に用いる基板は、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板の薄膜が形成された面と反対の面に貼着されるカバーガラスであることを特徴とする。
【００３５】
本発明によれば、大板の基板から第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の基板に貼着されるカバーガラスとなるものを分断する際、大板の基板の内部の分断起点領域と同じ深さにおいて、分断起点領域の形成と同様の、レーザ光の照射に起因する多光子吸収による改質領域の形成からなる分断起点領域より大きな指標を形成し、分断起点領域形成後、指標の深さをレーザ加工装置のカメラで確認することにより、大板の基板をレーザ加工装置から取り外すことなく、レーザ加工装置のカメラでは確認し難い大きさの分断起点領域が設定深さに形成されているかを、指標の深さから推定して容易に確認することができるといった効果を有する。
【００３６】
さらに、前記大板の基板は、前記第１の基板または前記第２の基板が構成された大板のガラス、石英、シリコンのいずれかに、大板の前記カバーガラスが貼着されたものであり、前記電気光学装置に用いる基板は、前記第１の基板に前記カバーガラスが貼着されたものと、前記第２の基板に前記カバーガラスが貼着されたものとの少なくとも一方であることを特徴とする。
【００３７】
本発明によれば、大板のカバーガラスが貼着された大板のガラス、石英、シリコンのいずれかの基板から、カバーガラスが貼着された第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の基板をカバーガラスとともに２枚同時に分断する際、大板の基板及び大板のカバーガラスの内部の分断起点領域と同じ深さにおいて、分断起点領域の形成と同様の、レーザ光の照射に起因する多光子吸収による改質領域の形成からなる分断起点領域より大きな指標を形成し、分断起点領域形成後、指標の深さをレーザ加工装置のカメラで確認することにより、大板のカバーガラスが貼着された大板の基板をレーザ加工装置から取り外すことなく、レーザ加工装置のカメラでは確認し難い大きさの分断起点領域が設定深さに形成されているかを、指標の深さから容易に推定して確認することができるといった効果を有する。
【００３８】
また、前記分断起点領域形成工程と前記指標形成工程とは、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板の前記薄膜が形成された面と反対の面から、前記基板の内部に前記レーザ光を照射する工程であることを特徴とする。
【００３９】
本発明によれば、薄膜によりレーザ光が遮られることなく、確実に、大板の基板の内部に、分断起点領域及び指標を形成することができるといった効果を有する。
【００４０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置は、請求項１〜請求項１２いずれかに記載の電気光学装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【００４１】
本発明によれば、設定された分断位置において大板の基板から精度良く分断された電気光学装置用の基板を用いた電気光学装置を提供することができる。
【００４２】
本発明に係る電気光学装置は、基板の内部の設定深さにおいて、集光点が合わせられレーザ光が照射されることにより多光子吸収による改質領域が形成されていることを特徴とする。
【００４３】
本発明によれば、設定された分断位置において大板の基板から精度良く分断された電気光学装置用の基板を用いた電気光学装置であるかを容易に識別することができるといった効果を有する。
【００４４】
また、前記改質領域は、複数形成されて集合体として形成されていることを特徴とする。
【００４５】
本発明によれば、設定された分断位置において大板の基板から精度良く分断された電気光学装置用の基板を用いた電気光学装置であるかをより正確に容易に識別することができるといった効果を有する。
【００４６】
本発明に係る電子機器は、請求項１３〜１５のいずれかに記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする。
【００４７】
本発明によれば、設定された分断位置において大板の基板から精度良く分断された電気光学装置用の基板を用いた電気光学装置を用いた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、第１の基板である素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する第２の基板である対向基板を例に挙げて説明する。
【００４９】
先ず、本実施の形態の製造方法によって製造される液晶装置の全体の構成について説明する。図１は、本実施の形態によって製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００５０】
図１，図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英やガラス、シリコン等を用いた、液晶装置に用いる基板であるＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えば石英やガラス、シリコン等を用いた、液晶装置に用いる基板である対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００５１】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する表面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。
【００５２】
また、対向基板２０において、各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス基板等の基板２０’の基板上の液晶５０と接する側の表面２０ｆ上の全面に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する電極である対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００５３】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００５４】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の図示しない走査線と複数本の図示しないデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応してスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられ、このＴＦＴ毎に画素電極９ａが接続されている。
【００５５】
ＴＦＴは走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００５６】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００５７】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。
【００５８】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００５９】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００６０】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線及びゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００６１】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００６２】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００６３】
また、各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス基板等の基板１０’の表面１０ｆ上に、ＴＦＴや画素電極９ａの他、これらを含む、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜の複数の薄膜３９（図６参照）が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、説明を省略する。
【００６４】
また、ＴＦＴ基板１０の基板１０’の表面１０ｆと反対側の面１０ｒに、基板１０’と平面的に、略同じ大きさを有するカバーガラス３０が貼着されており、該カバーガラス３０の貼着面と裏面の外表面３０ｇには、例えば少なくとも４３０ｎｍ〜６５０ｎｍの可視光を透過させる反射防止膜３５が、例えば蒸着により形成されている。
【００６５】
同様に、対向基板２０の基板２０’の表面２０ｆと反対側の面２０ｒに、基板２０’と平面的に、略同じ大きさを有するカバーガラス３１が貼着されており、該カバーガラス３１の貼着面と裏面の外表面３１ｇには、例えば少なくとも４３０ｎｍ〜６５０ｎｍの可視光を透過させる反射防止膜３６が、例えば蒸着により形成されている。
【００６６】
次に、このように構成された液晶装置１００の製造方法を、上述した図１、図２、後述する図３〜図１２を用いて説明する。
【００６７】
尚、以下、液晶装置１００の製造方法は、大板の基板である石英等のマザー基板から液晶装置１００に用いる基板を分断する際の製造方法について説明する。具体的には、複数のチップ状の対向基板２０が、シール材５２を介して貼着された複数のＴＦＴ基板１０を、マザー基板１１０から分断する際の製造方法を、一例として説明する。
【００６８】
図３は、マザー基板からＴＦＴ基板を分断する際に用いるレーザ加工装置の構成の一例を概略的に示すブロック図、図４は、マザー基板に複数構成された各ＴＦＴ基板に、シール材を介してそれぞれ対向基板が貼着されている状態を示す斜視図、図５は、図３のレーザ加工装置を用いて、図４のマザー基板の分断予定線に、分断起点領域を形成する状態を示す斜視図、図６は、図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿うマザー基板のみの部分拡大断面図である。
【００６９】
また、図７は、本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図８は、分断基点領域形成後の各ＴＦＴ基板に各対向基板が貼着されたマザー基板を示す平面図、図９は、図８中のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図、図１０は、図８中のＸ−Ｘ線に沿う断面図、図１１は、図８中のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図、図１２は、図８の始点側の第１の指標の拡大平面図である。
【００７０】
先ず、図３〜図６を用いてレーザ加工装置の構成の一例について概略的に説明する。図３に示すように、レーザ加工装置６０は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源６１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節する制御をレーザ光源６１に行うレーザ光源制御部６２と、レーザ光源６１から出射されたレーザ光Ｌを集光レンズ７４に向けて反射するダイクロイックミラ７５と、ダイクロイックミラ７５で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光レンズ７４とを具備している。
【００７１】
また、レーザ加工装置６０は、集光レンズ７４で集光されたレーザ光Ｌが照射される各対向基板２０が各ＴＦＴ基板１０に貼着されたマザー基板１１０が載置される載置台７０と、載置台７０をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ７１と、載置台７０をＸ軸方向に平面的に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ７２と、載置台７０をＸ軸及びＹ軸方向に直交する深さ方向であるＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ７３と、これら３つのステージ７１〜７３の移動を制御するステージ制御部６４とを具備している。
【００７２】
マザー基板１１０の内部における、集光レンズ７４によるレーザ光Ｌの集光点ＰのＸ軸方向の移動は、Ｘ軸ステージ７１により、マザー基板１１０を、Ｘ軸方向に移動させることにより行う。
【００７３】
また、マザー基板１１０の内部における、集光レンズ７４によるレーザ光Ｌの集光点ＰのＹ軸方向の移動は、Ｙ軸ステージ７２により、マザー基板１１０を、Ｙ軸方向に移動させることにより行う。
【００７４】
よって、Ｘ軸ステージ７１及びＹ軸ステージ７２を移動させることにより、図５に示すように、マザー基板１１０の内部に、分断予定線１２０に沿って、後述する分断起点領域９０（図６参照）を格子状に形成することができる。
【００７５】
さらに、マザー基板１１０の内部における、集光レンズ７４によるレーザ光Ｌの集光点ＰのＺ軸方向の移動は、Ｚ軸方向はマザー基板１１０に入射するレーザ光Ｌの焦点深度の方向となることから、Ｚ軸ステージ７３をＺ軸方向に移動させて行う。このことにより、マザー基板１１０の内部の所望の設定深さにレーザ光Ｌの集光点Ｐを合せることができる。
【００７６】
レーザ光源６１は、マザー基板１１０が吸収する波長のレーザ光を照射する装置、例えば、マザー基板１１０が石英から構成されている場合は、８００ｎｍのフェムト秒レーザを照射するものである。
【００７７】
また、レーザ光源６１は、図６に示すように、レーザ光Ｌの照射により、マザー基板１１０の設定深さの集光点Ｐに、多光子吸収による、例えば円柱状の空洞である第1の改質領域８０、第２の改質領域８１を形成し、該第1の改質領域８０から後述する分断起点領域９０を形成し、第２の改質領域８１から指標１３０を形成するものである。尚、レーザ光Ｌとしては、フェムト秒レーザに限らず、マザー基板１１０の内部に多光子吸収を起こさせることができるレーザ光であれば、どのようなレーザ光であっても構わない。
【００７８】
レーザ加工装置６０はさらに、載置台７０に載置されたマザー基板１１０を可視光線Ｒにより照明するために可視光線を発生する観察用光源６３と、ダイクロイックミラ７５及び集光レンズ７４と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ７６とを具備している。
【００７９】
ビームスプリッタ７６と集光レンズ７４との間にダイクロイックミラ７５が配置されている。ビームスプリッタ７６は、可視光線Ｒの約半分を集光レンズ７４に向けて反射し残りの半分を透過する機能を有している。
【００８０】
観察用光源６３から出射された可視光線Ｒは、ビームスプリッタ７６で約半分が反射され、この反射された可視光線Ｒがダイクロイックミラ７５及び集光レンズ７４を透過し、マザー基板１１０の分断予定線１２０または後述する指標１３０（図８参照）を含む表面を照明する。
【００８１】
レーザ加工装置６０はさらに、ビームスプリッタ７６、ダイクロイックミラ７５及び集光レンズ７４と同じ光軸上に配置された撮像素子６６及び結像レンズ６８を具備している。
【００８２】
撮像素子６６は、例えばＣＣＤカメラから構成されている。分断予定線１２０または指標１３０等を含む表面を照明した可視光線Ｒの反射光は、集光レンズ７４、ダイクロイックミラ７５、ビームスプリッタ７６を透過し、結像レンズ６８に結像されて撮像素子６６で撮像される。その後、撮像された像は撮像データとなる。
【００８３】
レーザ加工装置６０はさらに、撮像素子６６から出力された撮像データが入力される撮像データ処理部６５と、レーザ加工装置６０全体を制御する全体制御部６７と、モニタ６９とを具備している。
【００８４】
撮像データ処理部６５は、撮像データを基にして観察用光源６３で発生した可視光の焦点をマザー基板１１０の表面上に合わせるための焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部６４がＺ軸ステージ７３を移動制御することにより、可視光の焦点がマザー基板１１０の表面に合うようになる。よって、撮像データ処理部６５はオートフォーカスユニットとして機能する。
【００８５】
また、撮像データ処理部６５は、撮像データを基にしてマザー基板１１０の表面、または指標１３０の拡大画像等の画像データを演算する。この画像データは全体制御部６７に送られ、全体制御部で各種処理がなされ、モニタ６９に送られる。これにより、モニタ６９に拡大画像等が表示される。
【００８６】
全体制御部６７は、ステージ制御部６４からデータ、及び撮像データ処理部６５から画像データ等が入力された後、これらのデータを基にしてレーザ光源制御部６２、観察用光源６３及びステージ制御部６４を制御することにより、レーザ加工装置６０全体を制御する。
【００８７】
尚、上述したレーザ加工装置６０の構成は一例であり、上述した構成に限定されないことは勿論である。具体的には、マザー基板１１０の内部にレーザ光Ｌを照射する際、上述した構成では、載置台７０をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に移動させると示したが、これに限らず、レーザ光源６１を、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に移動させる構成等であっても構わない。
【００８８】
次に、このように構成されたレーザ加工装置６０を用いて、図４に示すように、複数のチップ状の対向基板２０がシール材５２を介して貼着された複数のＴＦＴ基板１０を、マザー基板１１０から分断する際の製造方法を説明する。
【００８９】
先ず、対向基板２０がそれぞれシール材５２を介して貼着された複数のＴＦＴ基板１０を構成する図４に示すマザー基板１１０を、レーザ加工装置６０の載置台７０に載置する。尚、図４には、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０は、図面を簡略化するため、個数を図８に示す個数よりも削減して示している。
【００９０】
この際、図３に示すように、複数の対向基板２０の各裏面２０ｒが、載置台７０の載置面に載置されるよう、即ち、マザー基板１１０の裏面１１０ｒが、集光レンズ７４側を指向するよう、マザー基板１１０を載置台７０に載置する。
【００９１】
これは、マザー基板１１０の内部に、レーザ光Ｌを照射するに際し、マザー基板１１０の表面１１０ｆが集光レンズ７４側に指向されてマザー基板１１０に載置されていると、ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆ側に積層された複数の薄膜３９の半導体薄膜、導電性薄膜等により、レーザ光Ｌが集光点Ｐに集光する前に遮蔽されてしまうためである。
【００９２】
次に、ステージ制御部６４の移動制御により、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２を移動させて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが、マザー基板１１０における図５に示す格子状の分断予定線１２０の近傍であって、例えばマザー基板１１０の端面１１０ｔの近傍に位置するよう、マザー基板１１０をＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動させる。図５も、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０は、図面を簡略化するため、個数を図８に示す個数よりも削減して示している。
【００９３】
次いで、ステージ制御部６４の移動制御により、Ｚ軸ステージ７３を移動させて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが、マザー基板１１０の内部の設定深さである第１の深さに位置するよう、マザー基板１１０をＺ軸方向に移動させる。尚、第１の深さは、マザー基板１１０の内部において、外表面である表面１１０ｆの近傍に位置するＺ軸方向の深さである。
【００９４】
その後、このように、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に集光点Ｐが規定された第1の焦点位置１４１（図８参照）に、レーザ光Ｌを照射することにより、図７のステップＳ１に示すように、指標１３０を構成する第１の始点指標１３０ｆ１を第1の深さに形成する指標形成工程を行う。
【００９５】
具体的には、第1の焦点位置１４１に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより、マザー基板１１０の内部の第１の深さの集光点Ｐに、多光子吸収による、平面的な幅が０．５ミクロン程度の空洞となる第２の改質領域８１（図１２参照）を形成する。
【００９６】
その後、第1の深さに形成した第２の改質領域８１の隣接位置に、さらに複数のレーザ光Ｌを照射することにより、平面的な幅が０．５ミクロン程度の、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向において互いに連通する第２の改質領域８１を複数形成する。
【００９７】
このことにより、第1の焦点位置１４１には、図８、図１２に示すように、複数の第２の改質領域８１の集合体から構成された、平面的な幅が、５０ミクロン程度の、例えば平面的な形状が円形の第1の始点指標１３０ｆ１が形成される。尚、第１の始点指標１３０ｆ１は、後述する第１の分断起点領域９０ｆよりも平面的な幅が大きく形成される。
【００９８】
次いで、図７のステップＳ２に示すように、マザー基板１１０の内部の第1の深さに、ＴＦＴ基板１０をマザー基板１１０から分断する際の起点となる第1の分断起点領域９０ｆを形成する分断起点領域形成工程を行う。
【００９９】
具体的には、マザー基板１１０を、上述した移動制御によりＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動させて、第1の深さにおいて、第１の指標１３０ｆ１の近傍を始点として、分断予定線１２０に沿って、集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを、格子状の分断予定線１２０を全てトレースし終える終点まで照射する。
【０１００】
尚、上述した始点及び終点は、マザー基板１１０の端面１１０ｔからマザー基板１１０の内部に、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に所定厚さ入り込んだ位置である。即ち、第１の深さにおいては、レーザ光Ｌはマザー基板１１０の端面１１０ｔまでは照射しない。
【０１０１】
このことにより、マザー基板１１０の第１の深さに、Ｘ軸方向に延在するとともに、Ｙ軸方向に延在する格子状の第1の改質領域８０が形成されることにより、図９〜図１１に示すように、第1の改質領域８０により構成された第1の分断起点領域９０ｆが形成される。尚、形成された第１の分断起点領域９０ｆの平面的な幅は、０．５ミクロン程度である。
【０１０２】
次いで、図７のステップＳ３において、第１の深さにおける分断予定線１２０に沿って形成した第１の分断起点領域９０ｆの終点位置の近傍であって端面１１０ｔ近傍の第２の焦点位置１４２（図８参照）に、集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより、指標１３０を構成する第１の終点指標１３０ｆ２を第1の深さに形成する指標形成工程を行う。
【０１０３】
具体的には、第１の深さにおいて、第２の焦点位置１４２に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを複数照射することにより、平面的な幅が０．５ミクロン程度のＸ軸方向及びＹ軸方向において互いに連通する第２の改質領域８１を複数形成して、第２の焦点位置１４２に、図８に示すように、複数の第２の改質領域８１の集合体から構成された、平面的な幅が、５０ミクロン程度の、例えば平面的な形状が円形の第1の終点指標１３０ｆ２を形成する。尚、第１の終点指標１３０ｆ２は、第１の分断起点領域９０ｆよりも平面的に大きく形成する。また、第２の焦点位置１４２は、マザー基板１１０上の何処の位置に形成しても構わない。
【０１０４】
また、上述したように、第１の深さは、マザー基板１１０の内部において、外表面である表面１１０ｆの近傍に位置するＺ軸方向の深さであることから、第１の始点指標１３０ｆ１、第１の終点指標１３０ｆ２、第１の分断起点領域９０ｆ形成後は、マザー基板１１０の表面１１０ｆと、各指標１３０ｆ１、１３０ｆ２、第１の分断起点領域９０ｆとのＺ軸方向の間には、図９〜図１１に示すように、設定厚さの薄肉部１６１が形成されている。
【０１０５】
尚、薄肉部１６１を形成したのは、第１の分断起点領域９０ｆを形成する際中に、マザー基板１１０からＴＦＴ基板１０が分断されてしまうことを防止するとともに、マザー基板１１０の表面１１０ｆに、第１の分断起点領域９０ｆ形成に伴う塵埃が発生してしまうことを防止するためである。
【０１０６】
図７に戻って、ステップＳ４において、第１の深さよりもマザー基板１１０の裏面１１０ｒ側の内部における第１の深さとＺ軸方向に隣り合う設定深さである第２の深さにおいて、マザー基板１１０における分断予定線１２０の近傍、例えば、第１の終点指標１３０ｆ２の近傍の第３の焦点位置１４３（図８参照）に、集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを複数照射することにより、第１の始点指標１３０ｆ１と同様の方法で、図８、図１１に示すように、平面的な幅が、５０ミクロン程度の、例えば平面的な形状が三角状の指標１３０を構成する第２の始点指標１３０ｓ１を形成する指標形成工程を行う。尚、第２の始点指標１３０ｓ１は、後述する第２の分断起点領域９０ｓよりも平面的な幅が大きく形成される。また、第３の焦点位置１４３は、第２の焦点位置１４２の近傍に規定したが、マザー基板１１０の何処に位置に形成しても構わない。
【０１０７】
次いで、図７のステップＳ５に示すように、マザー基板１１０の内部の第２の深さに、図９〜図１１に示すように、ＴＦＴ基板１０をマザー基板１１０から分断する際の起点となる第２の分断起点領域９０ｓを、レーザ光Ｌの照射により、第１の分断起点領域９０ｆと同様の手法により形成する分断起点領域形成工程を行う。
【０１０８】
尚、第２の分断起点領域９０ｓは、図９〜図１１に示すように、Ｚ軸方向において、第１の分断起点領域９０ｆと連通している。また、形成された第２の分断起点領域９０ｓの平面的な幅は、０．５ミクロン程度である。
【０１０９】
次いで、図７のステップＳ６において、第２の深さにおける分断予定線１２０に沿って形成した第２の分断起点領域９０ｓの終点位置の近傍の第４の焦点位置１４４に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを複数照射することにより、第１の終点指標１３０ｆ２と同様の方法で、図８、図１１に示すように、平面的な幅が、５０ミクロン程度の、例えば平面的な形状が三角状の指標１３０を構成する第２の終点指標１３０ｓ２を形成する指標形成工程を行う。尚、第２の終点指標１３０ｓ２は、第２の分断起点領域９０ｓよりも平面的に大きく形成される。
【０１１０】
尚、図８には、第４の焦点位置１４４は、マザー基板１１０の第１の焦点位置１４１の近傍に形成されているが、マザー基板１１０の何処の位置に形成しても構わない。
【０１１１】
次いで、図７のステップＳ７において、第２の深さよりもマザー基板１１０の裏面１１０ｒ側の内部における第２の深さとＺ軸方向に隣り合う設定深さである第３の深さにおいて、マザー基板１１０における分断予定線１２０の近傍の第５の焦点位置１４５（図８参照）に、集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを複数照射することにより、第１の始点指標１３０ｆ１と同様の方法で、図８、図１１に示すように、平面的な幅が、５０ミクロン程度の、例えば平面的な形状が四角状の指標１３０を構成する第３の始点指標１３０ｔ１を形成する指標形成工程を行う。
【０１１２】
尚、第３の始点指標１３０ｔ１は、後述する第３の分断起点領域９０ｔよりも平面的に大きく形成される。また、第５の焦点位置１４５は、マザー基板１１０の何処に位置に形成しても構わない。
【０１１３】
次いで、図７のステップＳ８において、マザー基板１１０の内部の第３の深さに、図９〜図１１に示すように、ＴＦＴ基板１０をマザー基板１１０から分断する際の起点となる第３の分断起点領域９０ｔをレーザ光Ｌの照射により、第１の分断起点領域９０ｆと同様の手法により形成する分断起点領域形成工程を行う。
【０１１４】
尚、第３の分断起点領域９０ｔは、図９〜図１１に示すように、第２の分断起点領域９０ｓとＺ軸方向において連通している。また、形成された第３の分断起点領域９０ｔの平面的な幅は、０．５ミクロン程度である。
【０１１５】
次いで、図７のステップＳ９において、第３の深さにおける分断予定線１２０に沿って形成した第３の分断起点領域９０ｔの終点位置の近傍の第６の焦点位置１４６に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを複数照射することにより、第１の終点指標１３０ｆ２と同様の方法で、図８、図１１に示すように、平面的な幅が、５０ミクロン程度の、例えば平面的な形状が四角状の指標１３０を構成する第３の終点指標１３０ｔ２を形成する指標形成工程を行う。
【０１１６】
尚、第３の終点指標１３０ｔ２は、第３の分断起点領域９０ｔよりも平面的に大きく形成される。また、第６の焦点位置１４６は、マザー基板１１０の何処に位置に形成しても構わない。
【０１１７】
その後、層毎の始点指標の形成工程、分断起点領域形成工程、終点指標の形成工程を、マザー基板１１０の外表面である裏面１１０ｒの近傍に位置する深さである第ｎの深さまでそれぞれ繰り返して行う。
【０１１８】
次いで、図７のステップＳ１０において、設定深さである第ｎの深さにおいて、マザー基板１１０における分断予定線１２０の近傍、例えば、第３の終点指標１３０ｔ２の近傍の第７の焦点位置１４７（図８参照）に、集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを複数照射することにより、第１の始点指標１３０ｆ１と同様の方法で、図８、図１１に示すように、平面的な幅が、５０ミクロン程度の、例えば平面的な形状が十字状の指標１３０を構成する第ｎの始点指標１３０ｎ１を形成する指標形成工程を行う。
【０１１９】
尚、第ｎの始点指標１３０ｎ１は、後述する第ｎの分断起点領域９０ｎよりも平面的に大きく形成される。尚、第７の焦点位置１４７は、マザー基板１１０の何処に位置に形成しても構わない。
【０１２０】
次いで、図７のステップＳ１１において、マザー基板１１０の内部の第ｎの深さに、図９〜図１１に示すように、ＴＦＴ基板１０をマザー基板１１０から分断する際の起点となる第ｎの分断起点領域９０ｎをレーザ光Ｌの照射により、第１の分断起点領域９０ｆと同様の手法により形成する分断起点領域形成工程を行う。
【０１２１】
尚、第ｎの分断起点領域９０ｎは、図９〜図１１に示すように、第１〜第３の分断起点領域９０ｆ〜９０ｔとＺ軸方向において連通している。また、形成された第ｎの分断起点領域９０ｎの平面的な幅は、０．５ミクロン程度である。
【０１２２】
次いで、図７のステップＳ１２において、第ｎの深さにおける分断予定線１２０に沿って形成した第ｎの分断起点領域９０ｎの終点位置の近傍の第８の焦点位置１４８に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを複数照射することにより、第１の終点指標１３０ｆ２と同様の方法で、図８、図１１に示すように、平面的な幅が、５０ミクロン程度の、例えば平面的な形状が十字状の指標１３０を構成する第ｎの終点指標１３０ｎ２を形成する指標形成工程を行う。
【０１２３】
尚、第ｎの終点指標１３０ｎ２は、後述する第ｎの分断起点領域９０ｎよりも平面的な幅が大きく形成される。尚、第８の焦点位置１４８は、マザー基板１１０の何処に位置に形成しても構わない。
【０１２４】
また、上述したように、第ｎの深さは、マザー基板１１０の外表面である裏面１１０ｒの近傍に位置する深さであることから、第ｎの始点指標１３０ｎ１、第ｎの終点指標１３０ｎ２、第ｎの分断起点領域９０ｎ形成後は、マザー基板１１０の裏面１１０ｒと、各指標１３０ｎ１、１３０ｎ２、第ｎの分断起点領域９０ｎとのＺ軸方向の間には、図９〜図１１に示すように、設定厚さの薄肉部１６２が形成されている。
【０１２５】
尚、薄肉部１６２を形成したのは、第ｎの分断起点領域９０ｎを形成する際中に、マザー基板１１０からＴＦＴ基板１０が分断されてしまうことを防止するとともに、マザー基板１１０の裏面１１０ｒに、第ｎの分断起点領域９０ｎ形成に伴う塵埃が発生してしまうことを防止するためである。
【０１２６】
図７に戻って、ステップＳ１３において、Ｚ軸ステージ７３をＺ軸方向に移動させて、結像レンズ６８の焦点を、第１の深さに合わせた後、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２をそれぞれ移動させることにより、観察用光源６３、撮像素子６６、結像レンズ６８等を用いて、マザー基板１１０の第１の深さに平面的な幅が５０ミクロン程度に形成された第１の始点指標１３０ｆ１、第１の終点指標１３０ｆ２が、第１の深さに精度良く確実に形成されているかをそれぞれ確認する。
【０１２７】
その後、各指標１３０ｆ１、１３０ｆ２と同じ深さの第１の深さに形成された、平面的な幅が０．５ミクロン程度の撮像素子６６では確認できない第１の分断起点領域９０ｆが、第１の深さに精度良く形成されているかを、確認した第１の分断起点領域９０ｆよりも大きな各指標１３０ｆ１、１３０ｆ２の深さから推定して確認する。
【０１２８】
具体的には、一方、各指標１３０ｆ１、１３０ｆ２が、第１の深さに形成されている場合は、第１の分断起点領域９０ｆも第１の深さに精度良く形成されていると確認できる。他方、各指標１３０ｆ１、１３０ｆ２が、第１の深さに形成されていない場合は、第１の分断起点領域９０ｆも第１の深さに精度良く形成されていないと確認でき、マザー基板１１０を載置台７０に載置したまま、再度、レーザ光Ｌを用いて、上述した手法により、第１の分断起点領域９０ｆを第１の深さに形成し直す。
【０１２９】
次いで、ステップＳ１４において、Ｚ軸ステージ７３をＺ軸方向に移動させて、結像レンズ６８の焦点を、第２の深さに合わせた後、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２をそれぞれ移動させることにより、観察用光源６３、撮像素子６６、結像レンズ６８等を用いて、マザー基板１１０の第２の深さに平面的な幅が５０ミクロン程度に形成された第２の始点指標１３０ｓ１、第２の終点指標１３０ｓ２が、第２の深さに精度良く形成されているかをそれぞれ確認する。
【０１３０】
その後、各指標１３０ｓ１、１３０ｓ２と同じ深さの第２の深さに形成された、平面的な幅が０．５ミクロン程度の撮像素子６６では確認できない第２の分断起点領域９０ｓが、第２の深さに精度良く形成されているかを、確認した第２の分断起点領域９０ｓよりも大きな各指標１３０ｓ１、１３０ｓ２の深さから推定して確認する。
【０１３１】
具体的には、一方、各指標１３０ｓ１、１３０ｓ２が、第２の深さに形成されている場合は、第２の分断起点領域９０ｓも第２の深さに精度良く形成されていると確認できる。他方、各指標１３０ｓ１、１３０ｓ２が、第２の深さに形成されていない場合は、第２の分断起点領域９０ｓも第２の深さに精度良く形成されていないと確認でき、マザー基板１１０を載置台７０に載置したまま、再度、レーザ光Ｌを用いて、上述した手法により、第２の分断起点領域９０ｓを第２の深さに形成し直す。
【０１３２】
次いで、ステップＳ１５において、Ｚ軸ステージ７３をＺ軸方向に移動させて、結像レンズ６８の焦点を、第３の深さに合わせた後、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２をそれぞれ移動させることにより、観察用光源６３、撮像素子６６、結像レンズ６８等を用いて、マザー基板１１０の第３の深さに平面的な幅が５０ミクロン程度に形成された第３の始点指標１３０ｔ１、第３の終点指標１３０ｔ２が、第３の深さに精度良く形成されているかをそれぞれ確認する。
【０１３３】
その後、各指標１３０ｔ１、１３０ｔ２と同じ深さの第３の深さに形成された、平面的な幅が０．５ミクロン程度の撮像素子６６では確認できない第３の分断起点領域９０ｔが、第３の深さに精度良く形成されているかを、確認した第３の分断起点領域９０ｔよりも大きな各指標１３０ｔ１、１３０ｔ２の深さから推定して確認する。
【０１３４】
具体的には、一方、各指標１３０ｔ１、１３０ｔ２が、第３の深さに形成されている場合は、第３の分断起点領域９０ｔも第３の深さに精度良く形成されていると確認できる。他方、各指標１３０ｔ１、１３０ｔ２が、第３の深さに形成されていない場合は、第３の分断起点領域９０ｔも第３の深さに精度良く形成されていないと確認でき、マザー基板１１０を載置台７０に載置したまま、再度、レーザ光Ｌを用いて、上述した手法により、第３の分断起点領域９０ｔを第３の深さに形成し直す。
【０１３５】
その後、第ｎ層まで複数層形成された各始点指標、終点指標の深さをそれぞれ確認することにより、第ｎ層まで複数層形成された分断起点領域の深さをそれぞれ確認した後、最後に、ステップＳ１６において、Ｚ軸ステージ７３をＺ軸方向に移動させて、結像レンズ６８の焦点を、第ｎの深さに合わせた後、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２をそれぞれ移動させることにより、観察用光源６３、撮像素子６６、結像レンズ６８等を用いて、マザー基板１１０の第ｎの深さに平面的な幅が５０ミクロン程度に形成された第ｎの始点指標１３０ｎ１、第ｎの終点指標１３０ｎ２が、第ｎの深さに精度良く形成されているかをそれぞれ確認する。
【０１３６】
その後、各指標１３０ｎ１、１３０ｎ２と同じ深さの第ｎの深さに形成された、平面的な幅が０．５ミクロン程度の撮像素子６６では確認できない第ｎの分断起点領域９０ｎが、第ｎの深さに精度良く形成されているかを、確認した第ｎの分断起点領域９０ｎよりも大きな各指標１３０ｎ１、１３０ｎ２の深さから推定して確認する。
【０１３７】
具体的には、一方、各指標１３０ｎ１、１３０ｎ２が、第ｎの深さに形成されている場合は、第ｎの分断起点領域９０ｎも第ｎの深さに精度良く形成されていると確認できる。他方、各指標１３０ｎ１、１３０ｎ２が、第ｎの深さに形成されていない場合は、第ｎの分断起点領域９０ｎも第ｎの深さに精度良く形成されていないと確認でき、マザー基板１１０を載置台７０に載置したまま、再度、レーザ光Ｌを用いて、上述した手法により、第ｎの分断起点領域９０ｎを第ｎの深さに形成し直す。
【０１３８】
その後、マザー基板１１０の内部において、複数層形成された分断起点領域９０ｆ〜９０ｎからなる分断起点領域９０を起点として、マザー基板１１０から、対向基板２０がそれぞれ貼着された複数のＴＦＴ基板１０を、複数分断する工程を行う。尚、該分断工程については、周知であるため、その説明は省略する。
【０１３９】
このように、本実施の形態においては、マザー基板１１０の内部の第１〜第ｎの深さにおいて、分断予定線１２０に沿って、分断の際の起点となる複数層の分断起点領域９０ｆ〜９０ｎを形成するに際し、各分断規定領域９０ｆ〜９０ｎとそれぞれ同じ深さにおいて、各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎよりも平面的に大きな始点指標１３０ｆ１〜１３０ｎ１及び終点指標１３０ｆ２〜１３０ｎ２をそれぞれ形成し、各始点指標１３０ｆ１〜１３０ｎ１及び各終点指標１３０ｆ２〜１３０ｎ２の深さをそれぞれ確認することにより、形成された各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎが、第１〜第ｎの深さにそれぞれ精度良く確実に形成されているかを推定して確認すると示した。
【０１４０】
このことによれば、マザー基板１１０から対向基板２０が貼着されたＴＦＴ基板１０を分断する際、マザー基板１１０をレーザ加工装置６０から取り外すことなく、レーザ加工装置６０の撮像素子６６では確認し難い、０．５ミクロン程度の大きさの複数層の各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎがそれぞれ第１の深さ〜第ｎの深さにそれぞれ精度良く確実に形成されているかを、層毎の各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎよりも大きな５０ミクロン程度の各始点指標１３０ｆ１〜１３０ｎ１及び各終点指標１３０ｆ２〜１３０ｎ２の深さをレーザ加工装置６０の撮像素子６６でそれぞれ確認することにより、それぞれ容易に推定して確認することができる。
【０１４１】
また、マザーの基板１１０がＺ軸方向に所定の厚さを有していたとしても、分断起点領域９０を複数層形成することにより、形成した各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎを分断の起点として、確実に分断を行うことができる。
【０１４２】
また、各始点指標１３０ｆ１〜１３０ｎ１を、分断予定線１２０に沿った各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎを形成し始める始点位置の近傍に形成し、また、各終点指標１３０ｆ２〜１３０ｎ２を、各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎを形成し終えた終点位置の近傍に形成すると示した。
【０１４３】
このことによれば、各始点指標１３０ｆ１〜１３０ｎ１、及び各終点指標１３０ｆ２〜１３０ｎ２が各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎの始点及び終点の近傍に形成されていることから、各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎが、それぞれ第１の深さ〜第ｎの深さに精度良く確実に形成されているかを、レーザ加工装置６０の撮像素子６６を用いてより正確かつ精度良く確認することができる。
【０１４４】
さらに、各始点指標１３０ｆ１〜１３０ｎ１及び各終点指標１３０ｆ２〜１３０ｎ２の深さをそれぞれ確認することにより、各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎ形成後、各層における、各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎの始点と終点との間の各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎが、第１の深さ〜第ｎの深さに精度良く確実に形成されているかを各始点指標１３０ｆ１〜１３０ｎ１及び各終点指標１３０ｆ２〜１３０ｎ２から容易かつ正確にレーザ加工装置６０の撮像素子６６で確認することができる。
【０１４５】
また、各始点指標１３０ｆ１〜１３０ｎ１及び各終点指標１３０ｆ２〜１３０ｎ２は、各層により、平面的な形状が異なることにより、各層の各始点指標１３０ｆ１〜１３０ｎ１及び各終点指標１３０ｆ２〜１３０ｎ２を容易に識別することができるとともに、各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎが、全て精度良く形成されたかを、確実に確認することができるといった効果を有する。
【０１４６】
尚、以下、変形例を示す。本実施の形態においては、各層において、指標１３０は、分断予定線１２０に沿った各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎの始点位置と終点位置との近傍に２つ形成すると示した。
【０１４７】
これに限らず、指標１３０を、各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎの始点位置のみに形成しても構わないし、終点位置のみに形成しても本実施の形態よりは、各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎの深さの確認精度は低くなるが、本実施の形態と略同様の効果を得ることができる。
【０１４８】
また、以下、別の変形例を図１３、図１４を用いて示す。図１３は、指標の平面的な形成位置の変形例を示すマザー基板の部分拡大平面図、図１４は、図２の液晶装置の構成の変形例を示す断面図である。
【０１４９】
本実施の形態においては、各層において、指標１３０は、マザー基板１１０の端面１１０ｔの近傍、具体的には、分断予定線１２０に沿った各分断起点領域９０ｆ〜９０ｎの始点位置と終点位置との近傍に形成すると示した。
【０１５０】
これに限らず、図１３に示すように、指標１３０は、分断予定線１２０に沿った分断起点領域９０上の任意の位置に形成しても構わないし、分断起点領域９０の近傍であれば、マザー基板１１０のＴＦＴ基板１０の領域内の任意の位置に形成しても構わない。尚、この場合、指標１３０は、レーザ光Ｌの照射による分断起点領域９０を形成している際中に並行して形成される。
【０１５１】
このことによれば、指標１３０を、マザー基板１１０の任意の位置に形成することができる。また、この場合、指標１３０は、同一深さにおいていくつ形成しても構わない。
【０１５２】
尚、指標１３０を、マザー基板１１０のＴＦＴ基板１０の領域内の任意の位置に形成した場合には、図１４に示すように、ＴＦＴ基板１０の設定深さに、複数の多光子吸収による第２の改質領域８１の集合体が形成される。
【０１５３】
このことによれば、分断予定線１２０に沿って、マザー基板１１０から精度良く分断されたＴＦＴ基板１０を用いた液晶装置１００を提供することができるとともに、第２の改質領域８１の集合体から、分断予定線１２０に沿って、マザー基板１１０から精度良く分断されたＴＦＴ基板１０を用いた液晶装置１００であるかを容易に認識することができる。
【０１５４】
尚、以下、別の変形例を示す。本実施の形態においては、指標１３０、具体的には、第１の始点指標１３０ｆ１〜１３０ｎ１、及び終点指標１３０ｆ２〜１３０ｎ２は、マザー基板１１０の内部の第１〜第ｎの深さに応じて、識別がし易いよう、それぞれ平面的な形状が異なるよう形成すると示したが、平面的な形状を全て同じ形状に形成しても構わないことは勿論である。
【０１５５】
また、各指標１３０の平面的な形状は、円形、三角状、四角状、十字状に、それぞれ形成すると示したが、撮像素子６６で確認できる大きさであれば、平面的な形状は、どのような形状に形成しても構わないということは勿論である。
【０１５６】
また、本実施の形態においては、指標１３０は、該指標１３０を形成した深さの分断起点領域９０の深さをそれぞれ確認するために形成すると示した。具体的には、第１の始点指標１３０ｆ１、第１の終点指標１３０ｆ２は、第１の分断起点領域９０ｆの深さを確認するために形成すると示した。
【０１５７】
これに加えて、例えば、マザー基板１１０に設定した基準点からの第１の始点指標１３０ｆ１、第１の終点指標１３０ｆ２の位置、または、第１の始点指標１３０ｆ１に対する第１の終点指標１３０ｆ２の位置、若しくは第１の終点指標１３０ｆ２に対する第１の始点指標１３０ｆ１の位置を確認することにより、第１の分断起点領域９０ｆが、設定位置、即ちＸ軸方向、Ｙ軸方向における設定位置に精度良く形成されているかを確認してもよい。尚、このことは、第２の分断起点領域９０ｓ〜第ｎの分断起点領域９０ｎが設定位置に精度良く形成されているかを確認する場合であっても同様である。
【０１５８】
また、本実施の形態においては、マザー基板１１０の内部に分断起点領域９０を複数層形成し、該複数層の分断起点領域９０毎に、該分断起点領域９０と同じ深さであって該分断起点領域９０よりも平面的に大きな指標１３０をそれぞれ形成すると示した。
【０１５９】
これに限らず、マザー基板１１０が薄板から形成されていれば、分断起点領域９０及び指標１３０は、１層から構成されていても構わない。
【０１６０】
尚、以下、さらに別の変形例を示す。本実施の形態においては、マザー基板１１０から分断する液晶装置に用いる基板は、複数のチップ状の対向基板２０がシール材５２を介して貼着された複数のＴＦＴ基板１０を例に挙げて示した。
【０１６１】
これに限らず、本実施の形態を、マザー基板１１０から、各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板１０’を分断する際、またはマザー基板１１０から、各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板２０’を分断する際、若しくは、大板のカバーガラスからＴＦＴ基板１０と平面的に略同じ大きさのカバーガラス３０に分断する際、あるいは、大板のカバーガラスから対向基板２０と平面的に略同じ大きさのカバーガラス３１に分断する際のいずれかに用いても、本実施と同様の効果を得ることができる。
【０１６２】
尚、以下、別の変形例を示す。図１５は、図４のマザー基板の裏面に大板のカバーガラスを貼着し、対向基板の裏面に対向基板と略同じ大きさのカバーガラスを貼着した状態を示す断面図、図１６は、図１５のマザー基板及び大板のカバーガラスの分断予定線に沿った内部に、分断起点領域を形成した状態を示すマザー基板及び大板のカバーガラスの部分断面図である。
【０１６３】
本実施の形態における大板の基板は、マザー基板１１０に大板のカバーガラス３０が貼着されたものであっても構わない。
【０１６４】
詳しくは、貼着されたマザー基板１１０及び大板のカバーガラス３０の内部に、Ｚ軸方向においてマザー基板１１０の表面１１０ｆとカバーガラス３０の外表面３０ｇの近傍に薄肉部が形成されるよう、集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを、上述した本実施の形態に示したように、分断予定線１２０に沿って層毎に照射する。
【０１６５】
その結果、マザー基板１１０及び大板のカバーガラス３０の内部に、第２の改質領域８１を形成し、該第２の改質領域８１から構成された分断起点領域９０を形成する。尚、この場合、分断起点領域９０は、Ｚ軸方向において、マザー基板１１０及び大板のカバーガラス３０の内部にまたがって形成される。
【０１６６】
また、この場合であっても、分断起点領域９０と同じ深さに、上述した本実施の形態同様、レーザ光Ｌの照射により形成された第１の改質領域８０から構成された指標１３０を形成する。
【０１６７】
その後、指標から各層の分断起点領域９０の深さを確認し、最後に、分断起点領域９０を起点として、分断予定線１２０に沿ってマザー基板１１０及びカバーガラス３０を一緒に分断する。
【０１６８】
このように、マザー基板１１０からＴＦＴ基板１０を分断した後にカバーガラス３０を貼着するのではなく、マザー基板１１０にカバーガラス３０を貼着した後に２枚同時に分断する際に、本実施の形態を適用しても、本実施と同様の効果を得ることができる。
【０１６９】
尚、このように、マザー基板１１０とともにカバーガラス３０を分断したものを用いた液晶装置１００には、指標１３０を、マザー基板１１０のＴＦＴ基板１０の領域内の任意の位置に形成した場合、図１４に示すように、ＴＦＴ基板１０及びカバーガラス３０の設定深さに、複数の多光子吸収による第２の改質領域８１の集合体が形成される。
【０１７０】
尚、以上のこのことは、対向基板２０が構成されたマザー基板に、大板のカバーガラス３１を貼着した後、対向基板２０と大板のカバーガラス３１とを２枚同時に分断予定線１２０に沿って分断する場合であっても同様である。
【産業上の利用可能性】
【０１７１】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１７２】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１７３】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１７４】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【０１７５】
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図１７は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【０１７６】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１００は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）配設されている。
【０１７７】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラ１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに各々導かれる。
【０１７８】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【０１７９】
そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【図面の簡単な説明】
【０１８０】
【図１】本実施の形態によって製造される液晶装置の平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】マザー基板からＴＦＴ基板を分断する際に用いるレーザ加工装置の構成の一例を概略的に示すブロック図。
【図４】マザー基板に複数構成された各ＴＦＴ基板に、シール材を介してそれぞれ対向基板が貼着されている状態を示す斜視図。
【図５】図３のレーザ加工装置を用いて、図４のマザー基板の分断予定線に、分断起点領域を形成する状態を示す斜視図。
【図６】図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿うマザー基板のみの部分拡大断面図。
【図７】本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図８】分断基点領域形成後の各ＴＦＴ基板に各対向基板が貼着されたマザー基板を示す平面図。
【図９】図８中のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図。
【図１０】図８中のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
【図１１】図８中のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図。
【図１２】図８の始点側の第１の指標の拡大平面図。
【図１３】指標の形成位置の変形例を示すマザー基板の部分拡大平面図。
【図１４】図２の液晶装置の構成の変形例を示す断面図。
【図１５】図４のマザー基板の裏面に大板のカバーガラスを貼着し、対向基板の裏面に対向基板と略同じ大きさのカバーガラスを貼着した状態を示す断面図。
【図１６】図１５のマザー基板及び大板のカバーガラスの分断予定線に沿った内部に、分断起点領域を形成した状態を示すマザー基板及び大板のカバーガラスの部分断面図。
【図１７】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【符号の説明】
【０１８１】
１０…ＴＦＴ基板、１０ｆ…表面、１０ｈ…表示領域、１０ｒ…裏面、２０…対向基板、２０ｆ…表面、２０ｈ…表示領域、２０ｒ…裏面、３０…カバーガラス、３１…カバーガラス、３９…薄膜、４０…表示領域、５０…液晶、５２…シール材、８０…第１の改質領域、８１…第２の改質領域、９０…分断起点領域、９０ｆ…第１の分断起点領域、９０ｓ…第２の分断起点領域、９０ｔ…第３の分断起点領域、９０ｎ…第ｎの分断起点領域、１００…液晶装置、１１０…マザー基板、１１０ｆ…マザー基板の表面、１１０ｒ…マザー基板の裏面、１２０…分断予定線、１３０…指標、１３０ｆ１…第１の始点指標、１３０ｆ２…第１の終点指標、１３０ｓ１…第２の始点指標、１３０ｓ２…第２の終点指標、１３０ｔ１…第３の始点指標、１３０ｔ２…第３の終点指標、１３０ｎ１…第ｎの始点指標、１３０ｎ２…第ｎの終点指標、１６１…薄肉部、１６２…薄肉部、１１００…プロジェクタ、Ｐ…集光点、Ｌ…レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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