(57)【要約】【課題】周波数安定性に優れているとともに、小型化を図れるようにする。【解決手段】ＳＡＷ発振器１０は、ＩＤＴ２８がすだれ状に形成された、ＳＨ波が伝播する水晶基板２６からなるＳＡＷ素子１４を備えている。ＳＡＷ素子１４は、パッケージ本体１２内に収容してある。また、パッケージ本体１２には、ＩＤＴ２８を介して水晶基板２６を励振し、水晶基板２６にＳＨ波を発生させる発振回路を備えた集積回路１６がＳＡＷ素子１４とともに収容してある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
すだれ状電極が形成され、ＳＨ波が伝播する水晶基板からなる弾性表面波素子と、
前記すだれ状電極を介して前記水晶基板を励振し、前記水晶基板に前記ＳＨ波を発生させる発振回路を備えた集積回路と、
前記弾性表面波素子と前記集積回路とを収容したパッケージと、
を有することを特徴とする弾性表面波発振器。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波発振器において、
前記集積回路は、前記パッケージ内の前記弾性表面波素子より高い位置に実装してあり、
前記弾性表面波素子の上面と前記集積回路の上面とは、ほぼ同じ高さである、
ことを特徴とする弾性表面波発振器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の弾性表面波発振器において、
前記弾性表面波素子の電極にボンディングワイヤを介して電気的に接続した素子用接続パッドと、前記集積回路の端子にボンディングワイヤを介して電気的に接続した集積回路用接続パッドとは、前記弾性表面波素子の実装位置より高い位置に設けてあることを特徴とする弾性表面波発振器。
【請求項４】
請求項２または３に記載の弾性表面波発振器において、
前記素子用接続パッドと前記集積回路用接続パッドとは、前記弾性表面波素子と前記集積回路との上面に対して、実装装置の把持深さ以上低い位置であって、同じ高さに設けてあることを特徴とする弾性表面波発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶基板の表面にすだれ状電極を設けた弾性表面波素子を有する弾性表面波発振器に係り、特に弾性表面波素子と、弾性表面波素子の水晶基板にＳＨ波（Shear Horizontal Wave）を励振する集積回路とをパッケージ内に収容した弾性表面波発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶のカット角がオイラー角表示で（０°，１２３°，０°）近辺のＳＴカットと呼ばれる水晶基板は、一次温度係数が零であって、周波数温度特性に優れていることが知られている。このため、ＳＴカット水晶基板を用いた弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）素子は、発振器やフィルタなどのＳＡＷデバイスとして、携帯電話機をはじめとする多くの電子機器に広く利用されている。これらの電子機器は、より高周波化、高性能化、高精度化されてきており、これに伴いより高精度な発振器やフィルタなどが要求されている。
【０００３】
しかし、ＳＴカット水晶基板からなる弾性表面波素子（以下、ＳＴ−ＳＡＷ素子ということがある）を用いた発振器は、使用温度範囲が０℃〜７０℃において約±１００ｐｐｍの周波数安定性を得るのが限界となっている。したがって、近年、要求されている高精度な周波数安定性を有する発振器に対応することが困難となっている。このため、さらなる周波数安定性を有するＳＡＷ素子の研究がなされ、ＳＴカット水晶基板をその面内でＺ´軸を中心に４５°程度回転させた、いわゆる面内回転ＳＴカット水晶基板からなるＳＡＷ素子（以下、面内回転ＳＴ−ＳＡＷ素子ということがある）が開発された（例えば、特許文献１）。この面内回転ＳＴ−ＳＡＷ素子を用いた発振器は、０℃〜７０℃の温度範囲において周波数の変化量がＳＴ−ＳＡＷ素子を用いた発振器の約１／２、すなわち約±５０ｐｐｍにすることができる。
【特許文献１】特開２００３−２５８６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、面内回転ＳＴ−ＳＡＷ素子は、温度に対する周波数安定性が極めてよい。しかし、面内回転ＳＴ−ＳＡＷ素子は、弾性表面波の反射効率がＳＴ−ＳＡＷ素子の約２／３と小さい。このため、面内回転ＳＴ−ＳＡＷ素子は、ＳＴ−ＳＡＷ素子と同じ大きさで、同じ共振周波数のものを設計すると、ＣＩ値（Crystal Impedance）が大きくなる。したがって、面内回転ＳＴ−ＳＡＷ素子は、ＳＴ−ＳＡＷ素子と同じＣＩ値を有するものを得ようとするとサイズが大きくなり、小型化に対する課題を有していた。特に、近年は、電子機器の小型化に伴いＳＡＷ発振器などの小型化の要求が強く、従来、パッケージサイズが７ｍｍ×５ｍｍであったものが、５ｍｍ×３．２ｍｍとなり、さらに３．２ｍｍ×２．５ｍｍへと移行しつつある。このため、ＳＡＷ発振器用のＳＡＷ素子のサイズも５ｍｍ×１．５ｍｍから、現在は３．３ｍｍ×０．７７ｍｍの大きさになっている。そして、３．２ｍｍ×２．５ｍｍのパッケージに収容するためには、ＳＡＷ素子の大きさを１．４５ｍｍ×０．７７ｍｍ以下にしなければならない。したがって、このように小さなＳＡＷ素子を面内回転ＳＴカット水晶基板で形成した場合、ＣＩ値が大きくなって発振させることが非常に困難となる。
【０００５】
本発明は、従来技術の欠点を解消するためになされたもので、周波数安定性に優れているとともに、小型化を図れるようにすることを目的としている。
また、本発明は、高いＱ値が得られ、位相雑音を低減できるようにすることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明に係る弾性表面波発振器は、すだれ状電極が形成され、ＳＨ波が伝播する水晶基板からなる弾性表面波素子と、前記すだれ状電極を介して前記水晶基板を励振し、前記水晶基板に前記ＳＨ波を発生させる発振回路を備えた集積回路と、前記弾性表面波素子と前記集積回路とを収容したパッケージと、を有することを特徴としている。
【０００７】
このようになっている本発明は、高い周波数安定度が得られるとともに、小型化を図ることができる。すなわち、弾性表面波の１種であるＳＨ波が励振される水晶基板からなる弾性表面波素子（以下、ＳＨ−ＳＡＷ素子ということがある）は、０℃〜７０℃の温度範囲における周波数変動量が面内回転ＳＴ−ＳＡＷ素子の場合とほぼ同様に、±５０ｐｐｍ程度にすることができる。しかも、ＳＨ−ＳＡＷ素子は、弾性表面波の反射効率がＳＴカット水晶基板からなるＳＡＷ素子の約２倍、面内回転ＳＴカット水晶基板からなるＳＡＷ素子の約３倍であって、非常に反射効率がよい。したがって、ＳＨ−ＳＡＷ素子は、面内回転ＳＴ−ＳＡＷ素子と同じサイズ、同じ周波数のＳＡＷ素子にした場合、ＣＩ値を小さくすることができる。逆に、ＳＨ−ＳＡＷ素子は、面内回転ＳＴ−ＳＡＷ素子と同じＣＩ値を有するようにした場合、面内回転ＳＴ−ＳＡＷ素子のものより小さくすることができ、小型化を図ることができる。また、ＳＨ−ＳＡＷ素子は、ほぼＣＩ値とみなせる等価回路の等価直列抵抗が小さくなり、高いＱ値を得ることができ、位相雑音の低減を図ることができ、高精度な発振器とすることができる。
【０００８】
集積回路は、弾性表面波素子より薄く形成するとともに、パッケージ内の弾性表面波素子より高い位置に実装し、弾性表面波素子の上面と集積回路の上面とをほぼ同じ高さにするとよい。
【０００９】
弾性表面波発振器が小型化されてくると、パッケージ内に収容した弾性表面波（ＳＡＷ）素子と集積回路とを近接配置する必要がある。このため、ＳＡＷ素子を実装（固着）する接着剤が素子からはみ出して集積回路の実装に影響を及ぼすおそれがある。特に、非常に小さなＳＡＷ素子をパッケージ内に固着する場合、ＳＡＷ素子の下面全体に接着剤を塗布しなければ、充分な接着強度を得ることが困難である。そして、ＳＡＷ素子を固着する接着剤は、温度変化に基づく接着剤自身の熱収縮による影響を防ぎ、パッケージの歪みを吸収するために、ゴム系などの軟らかいものを使用する必要がある。しかも、充分な接着力を得るために塗布量を多くする必要があり、接着剤がＳＡＷ素子からはみ出しやすい。このため、ＳＡＷ素子を固着（実装）する接着剤がＳＡＷ素子からはみ出したとしても、集積回路の実装部がＳＡＷ素子の実装部より高くしてあるため、集積回路を実装する位置にＳＡＷ素子の接着剤が流入するのを防ぐことができる。また、ＳＡＷ素子と集積回路との上面をほぼ同じ高さにすることにより、ワイヤボンダのキャピラリーによるファーストボンドの高さを同じにでき、キャピラリーの動作軌跡の設定を容易に行なうことができる。
【００１０】
弾性表面波素子の電極にボンディングワイヤを介して電気的に接続した素子用接続パッドと、集積回路の端子にボンディングワイヤを介して電気的に接続した集積回路用接続パッドとは、弾性表面波素子の実装位置より高い位置に設けるとよい。素子用接続パッドと集積回路用接続パッドとが弾性表面波素子の実装位置より高い位置に設けてあるため、弾性表面波素子を固着する接着剤が素子からはみ出ても、これらの接続パッドが弾性表面波素子を固着する接着剤によって覆われることがなく、ボンディングワイヤを接続パッドに確実に接続（接合）することができる。
【００１１】
素子用接続パッドと集積回路用接続パッドとは、弾性表面波素子と集積回路との上面に対して、実装装置の把持深さ以上低い位置であって、同じ高さに設けるとよい。このようにすることにより、実装装置の把持部であるコレットを凹部に挿入する必要がなく、弾性表面波素子や集積回路を実装する凹部の面積を小さくできるとともに、弾性表面波素子と集積回路品とをより近接させることができ、小型化を図ることができる。また、素子用接続パッドと集積回路用接続パッドとは、ほぼ同じ高さに設けると、キャピラリーのセカンドボンドの高さを同じにすることができ、キャピラリーの動作軌跡の設定をより容易に行なうことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明に係る弾性表面波発振器の好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る弾性表面波発振器（ＳＡＷ発振器）の蓋体を省略した平面図である。図１において、ＳＡＷ発振器１０は、パッケージ本体１２の内部に弾性表面波（ＳＡＷ）素子１４と、集積回路（ＩＣ）１６とが収納してある。パッケージ本体１２は、実施形態の場合、積層した複数のセラミックシートを焼結してほぼ箱型に形成してある。このパッケージ本体１２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である図２に示したように、上端にシームリング１８を介して接合した蓋体２０とともにパッケージ２２を構成している。蓋体２０は、例えば金属板から形成してあって、ＳＡＷ素子１４と集積回路１６とを収容したパッケージ本体１２の収容空間２４を気密に封止している。集積回路１６は、弾性表面波素子片１４を励振する発振回路（図示せず）を備えている。
【００１３】
ＳＡＷ素子１４は、水晶基板から形成してあって、図１に示したように、水晶基板２６の上面の長手方向中央部にＩＤＴ２８が設けてある。ＩＤＴ２８は、一対の櫛型電極３０（３０ａ、３０ｂ）からなっていて、各櫛型電極３０の櫛歯となる電極指を相互に噛み合うように配置してあって、すだれ状に形成してある。そして、ＳＡＷ素子１４は、ＩＤＴ２８を挟んだ両側に、格子状に形成した反射器３２（３２ａ、３２ｂ）を備えている。一方の櫛型電極３０ａは、水晶基板２６の上面に設けたボンディングパッド３４ａに電気的に接続してある。また、他方の櫛型電極３０ｂは、反射器３２ｂを介してボンディングパッド３４ｂに電気的に接続してある。
【００１４】
水晶基板２６は、実施形態の場合、ＳＨ波を励振できるカット角の水晶板からなっている。すなわち、水晶基板２６は、図４に示したように、回転Ｙカット水晶板のカット角θを反時計方向に−４９．３°〜−６４．０°回転させた水晶板からなっている。ただし、−４９．３°と−６４．０°とは含まない。そして、回転Ｙカット水晶板を−４９．３°＞θ＞−６４．０°回転させた水晶板（水晶基板２６）の、面に沿ったＸ軸に直交した軸をＺ´軸とした場合、ＩＤＴ２８は、Ｚ´軸に沿って形成してある。このため、ＳＡＷ素子１４は、ＩＤＴ２８を構成している一対の櫛型電極３０ａ、３０ｂ間に信号電圧を印加すると、水晶基板２６にＳＨ波が励振され、水晶基板２６のＸ軸に直交したＺ´軸に沿って伝播する。したがって、水晶基板２６のカット角は、オイラー角を（φ，θ，ψ）としたオイラー角表示で（０°、２６．０°〜４０．７°、９０°）となっている。ただし、θ＝２６．０°とθ＝４０．７°とを含まない。なお、図４において、相互に直交した３軸は、それぞれ水晶結晶の結晶軸を示し、Ｘ軸が水晶結晶の電気軸、Ｙ軸が機械軸、Ｚ軸が光軸である。
【００１５】
複数のセラミックシートを積層して形成したパッケージ本体１２は、図２に示したように、底部シートの上面、すなわちパッケージ本体１２の底面が素子実装部３６となっている。この素子実装部３６には、ＳＡＷ素子１４が接着剤３８を介して実装（固着）してある。また、パッケージ本体１２には、素子実装部３６に隣接して集積回路実装部４０が設けてある。実施形態の場合、集積回路１６は、ＳＡＷ素子１４より薄く形成してあり、集積回路実装部４０が素子実装部３６より高い位置に設けてある。このため、ＳＡＷ素子１４を実装（固着）する接着剤３８がＳＡＷ素子１４からはみ出したとしても、接着剤３８が集積回路実装部４０に流入するのを防ぐことができ、集積回路１６の実装（固着）に影響するのを避けることができる。
【００１６】
また、素子実装部３６と集積回路実装部４０との高さの差ｈは、実施形態の場合、ＳＡＷ素子１４と集積回路１６との厚み（高さ）の差にほぼ等しくしてある。このため、集積回路実装部４０に接着剤４２を介して集積回路１６を実装すると、ＳＡＷ素子１４の上面と集積回路１６の上面との高さがほぼ等しくなる（図２参照）。したがって、ＳＡＷ素子１４と集積回路１６とに対してワイヤボンディングする場合に、ワイヤボンダのキャピラリーによるファーストボンドの高さ位置が同じとなり、キャピラリーの動作軌跡の設定が容易となる。
【００１７】
パッケージ本体１２は、素子実装部３６の一側側方（図１、図２の左側側方）に第１パッド形成エリア４４を有している。また、パッケージ本体１２は、幅方向の集積回路実装部４０の両側に第２パッド形成エリア４６、第３パッド形成エリア４８を有している。そして、第１パッド形成エリア４４には、図１に示したように、ＳＡＷ素子１４に設けたボンディングパッド３４に対応して素子用接続パッド５０が設けてある。これらの素子用接続パッド５０は、ボンディングワイヤ５２を介してボンディングパッド３４に電気的に接続される。また、第２パッド形成エリア４６、第３パッド形成エリア４８には、集積回路１６の端子５４に対応して集積回路用接続パッド５６が設けてある。これらの集積回路用接続パッド５６は、ボンディングワイヤ５２を介して集積回路１６の対応する端子５４に電気的に接続してある。
【００１８】
なお、素子用接続パッド５０は、パッケージ本体１２に形成した配線パターン、スルーホール（いずれも図示せず）などを介して所定の集積回路用接続パッド５６に電気的に接続してある。また、パッケージ本体１２の下面には、実装基板に接合する複数の外部端子（図示せず）が設けてある。そして、所定の集積回路用接続パッド５６は、パッケージ本体１２に形成した図示しないスルーホール、配線パターンを介してパッケージ本体１２の下面に形成した外部端子に電気的に接続してある。
【００１９】
第１パッド形成エリア４４と第２パッド形成エリア４６と第３パッド形成エリア４８とは、素子実装部３６より高い位置に形成してある。ただし、各パッド形成エリア４４、４６、４８は、ＳＡＷ素子１４と集積回路１６との上面より低い位置に形成してあり、ほぼ同じ高さに設けてある。実施形態の場合、パッド形成エリア４４、４６、４８は、ＳＡＷ素子１４と集積回路１６との上面に対して実装装置の把持部であるコレットの把持深さ以上低い位置に形成してある。すなわち、図５に示したように、パッド形成エリア４４、４６、４８とＳＡＷ波素子１４、集積回路１６の上面との高さの差Ｈは、コレット５８の把持深さ（咥え込み深さ）ｄ以上にしてある。
【００２０】
このため、ＳＡＷ素子１４や集積回路１６を実装する際に、コレット５８を凹部中に挿し込む必要がなく、弾性表面波素子１４、集積回路１６を実装する凹部（実装部３６、４０）の面積を小さくすることができ、ＳＡＷ発振器１０の小型化を図ることができる。しかも、弾性表面波素子１４と集積回路１６とを、それぞれを実装するコレット５８、５８ａが図５に示したように、実装時に一部が重なる程度まで近接して配置することが可能で、一層小型化を図ることができる。しかも、セカンドボンドを行なう素子用接続パッド５０、集積回路用接続パッド５６の高さが同じであるため、キャピラリーの動作軌跡の設定をより一層容易に行なうことができる。さらに、ＳＡＷ素子１４は、高さが集積回路１６の高さよりも大きいため、接着剤やパッケージの歪みによる変形がしにくくなり、特性劣化の発生を抑えることができる。そして、素子用接続パッド５０、集積回路用接続パッド５６が素子実装部３６より高い位置に設けてあるため、ＳＡＷ素子１４を固着する接着剤３８が素子からはみ出しても、接着剤３８によって覆われることがなく、ボンディングワイヤ５２の接合を確実に行なうことができる。
【００２１】
このようになっている実施形態のＳＡＷ発振器１０は、ＳＡＷ素子１４のカット角がオイラー角を（φ，θ，ψ）としたオイラー角表示で（０°、２６．０°〜４０．７°、９０°）（ただし、θ＝２６．０°、θ＝４０．７°は含まない）の水晶基板２６からなっている。したがって、実施形態のＳＡＷ発振器１０は、水晶基板２６にＳＨ波が生じ、伝播するようになっているため、後述するように、従来のＳＴカット水晶基板からなるＳＡＷ素子を用いた発振器より周波数安定性を高めることができる。
【００２２】
また、発明者の詳細な解析によると、実施形態のＳＨ波が励振されるＳＡＷ素子１４は、ＳＴ−ＳＡＷ素子より弾性表面波の反射効率が高くなり、ＣＩ値を小さくでき、Ｑ値を大きくすることができることを見出した。
【００２３】
発明者は、カット角がオイラー角表示で（０°、１２１°、０°）のＳＴカット水晶基板からなるＳＡＷ素子と、カット角がオイラー角表示で（０°、３８．０°、９０°）の水晶基板からなるＳＨ波が励振されるＳＡＷ素子を作製して両者の特性を比較した。ＳＡＷ素子の大きさは、いずれも１．４５ｍｍ×０．７７ｍｍであって、共振周波数が３１５Ｍｈｚである。
【００２４】
図６は、実施形態に係るＳＡＷ素子１４とＳＴカット水晶基板からなるＳＡＷ素子との周波数温度特性を比較したものである。図６の横軸は℃で示した温度、縦軸は２５℃における周波数に対する周波数変動量をｐｐｍで示している。図６に示したように、従来のＳＴカット水晶基板からなるＳＡＷ素子（ＳＴ−ＳＡＷ素子）の場合、０℃〜７０℃の温度範囲における周波数変動量を１００ｐｐｍにするのが限界であった。これに対して、実施形態のＳＨ波が励振される水晶基板２６からなるＳＡＷ素子（ＳＨ−ＳＡＷ素子）１４は、０℃〜７０℃の温度範囲における周波数変動量をＳＴ−ＳＡＷ素子の約半分の５０ｐｐｍ以下にすることが可能となり、高い周波数安定度を得ることができる。
【００２５】
水晶基板からなる弾性表面波素子の等価回路は、周知のように図７のように表すことができる。図７において、Ｒ１はＳＡＷ素子の等価直列抵抗、Ｃ１は等価直列容量、Ｌ１は等価直列インダクタンス、Ｃ０は並列容量である。また、図８は、両者の特性値を比較した図である。
【００２６】
図８に示したように、ＳＨ波が励振される実施形態のＳＨ−ＳＡ素子１４の等価直列抵抗Ｒ１は、ＳＴカット水晶基板からなるＳＴ−ＳＡＷ素子のＲ１の約半分となっている。したがって、ＳＨ−ＳＡＷ素子は、Ｒ１の値とほぼ考えてよいＣＩ値をＳＴ−ＳＡＷ素子の約半分にすることができる。このため、ＳＨ−ＳＡＷ素子を励振するのに必要な電力をＳＴ−ＳＡＷ素子の約半分にすることができ、ＳＡＷ発振器１０の消費電力を大幅に低減することができる。そして、ＳＨ−ＳＡＷ素子は、ＣＩ値をＳＴ−ＳＡＷ素子と同じにした場合、素子を大幅に小さくすることができ、ＳＡＷ発振器１０の小型化を図ることができる。しかも、実施形態に係るＳＡＷ発振器１０は、ＳＨ−ＳＡＷ素子がＳＴ−ＳＡＷ素子を用いた場合に、ＣＩ値が高くて発振させることができないような小さな素子でときであっても、容易に発振させることができる。
【００２７】
また、ＳＨ−ＳＡＷ素子は、等価直列抵抗Ｒ１が小さいために大きなＱ値を得ることができる。すなわち、Ｑ値は、水晶基板を用いた振動子（発振器）の場合、
【数１】
2007189529.tif 000003
として求めることができる。ただし、数式１においてＦｒは、直列共振周波数である。
【００２８】
したがって、ＳＨ−ＳＡＷ素子は、図８に示したように、Ｑ値がＳＴ−ＳＡＷ素子の１５０００対して２５０００となる。この結果、ＳＨ−ＳＡＷ素子を用いたＳＡＷ発振器１０は、位相雑音の少ない高精度な発振器とすることができる。
【００２９】
さらに、ＳＨ−ＳＡＷ素子の容量比γ（＝Ｃ０／Ｃ１）が１１００であって、Ｑ／γであるフィギュアオブメリットＭの値を２３とＳＴ−ＳＡＷ素子の１１の倍以上にすることができる。すなわち、ＳＨ−ＳＡＷ素子は、ＳＴ−ＳＡＷ素子より容易に振動し、強い振動を得ることができる。このため、ＳＨ−ＳＡＷ素子を用いた実施形態のＳＡＷ発振器１０は、ＳＴ−ＳＡＷ素子を用いた場合よりも雑音に強い発振器とすることができる。
【００３０】
なお、前記実施形態は、本発明の一態様であって、これに限定されるものではない。例えば、素子用接続パッド５０、集積回路用接続パッド５６を集積回路実装部４０と同じ高さに設けてもよい。この場合においても、素子実装部３６と集積回路実装部４０との高さの差（段差）がＳＡＷ素子１４を実装する接着剤３８のＳＡＷ素子１４からはみ出したものをせき止めるため、接続パッドが接着剤３８によって覆われるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施の形態に係るＳＡＷ発振器の蓋体を省略した平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】実施形態に係る水晶基板のカット角を説明する図である。
【図５】実施の形態に係るＳＡＷ素子と集積回路との配置関係を説明する図である。
【図６】実施形態のＳＨ−ＳＡＷ素子と従来のＳＴ−ＳＡＷ素子との周波数温度特性の比較図である。
【図７】ＳＡＷ素子の等価回路図である。
【図８】実施形態のＳＨ−ＳＡＷ素子と従来のＳＴ−ＳＡＷ素子との特性値の比較図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０………弾性表面波発振器（ＳＡＷ発振器）、１２………パッケージ本体、１４………弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）、１６………集積回路、２２………パッケージ、２６………水晶基板、２８………すだれ状電極（ＩＤＴ）、３４ａ、３４ｂ………ボンディングパッド、３６………素子実装部、４０………集積回路実装部、５０………素子用接続パッド、５２………ボンディングワイヤ、５４………端子、５６………集積回路用接続パッド、５８………実装装置（コレット）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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