(57)【要約】      （修正有）【課題】残余被加工物を堅く真空吸着できる半導体製造工程用テーブルを提供する。【解決手段】テーブル本体１１０には真空チャンバ１１２と真空ホール１１４が形成され、テーブル本体１１０の上部には、真空ホール１１４と連結される吸気孔１２２が形成された複数の吸着パッド１２０が設けられる。真空チャンバ１１２の真空力を一定に維持する真空補償装置１３０を含み、吸気孔１２２の直径が真空ホール１１４の直径より小さく構成されて、真空チャンバ１１２に真空損失が発生する場合、真空補償装置１３０がこのような真空損失量だけ補償するように制御する。吸着パッドの吸気孔の直径を従来より小さくし、オリフィス構造で設計してパッケージが１つずつピックアップされる度に発生される真空損失を減らすことができる。【選択図】図６
2007189226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバがその内部に形成され、前記真空チャンバと連結された真空ホールが形成されたテーブル本体と、
前記テーブル本体の上部に設けられ、前記真空ホールと連結される吸気孔が形成された吸着パッドと、
前記真空チャンバと連結され、前記真空チャンバの真空力を一定に維持する真空補償装置を含み、
前記吸気孔の直径が前記真空ホールの直径より小さく構成されて、前記真空チャンバに真空損失が発生する場合、前記真空補償装置がこのような真空損失量だけ補償するように制御されることを特徴とする半導体製造工程用テーブル。
【請求項２】
前記吸気孔の直径は０．２ｍｍ乃至０．７ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体製造工程用テーブル。
【請求項３】
前記吸着パッドの上面には前記吸気孔と連結される真空溝が形成され、かつ、前記真空溝の直径が前記吸気孔の直径より大きく形成されることを特徴とする請求項２記載の半導体製造工程用テーブル。
【請求項４】
前記吸気孔は複数個の貫通孔からなることを特徴とする請求項１記載の半導体製造工程用テーブル。
【請求項５】
前記真空補償装置は、前記真空チャンバと連結された真空ラインの上に大気と連結されるように設けられたレギュレータであり、
前記レギュレータは前記真空ラインの真空状態を感知し、前記レギュレータを通じて流入する空気の量と前記吸気孔を通じて流入する空気の量との合が常に一定するように制御されることを特徴とする請求項１乃至４のうち、いずれか１項記載の半導体製造工程用テーブル。
【請求項６】
前記レギュレータの後方には前記レギュレータを通じた外部空気の流入の可否を制御するソレノイドバルブが更に設けられることを特徴とする請求項５記載の半導体製造工程用テーブル。
【請求項７】
前記真空補償装置は、前記真空チャンバと連結された真空ラインの端部に配置されて、前記真空ラインを通じて前記真空チャンバに真空力を提供する真空発生装置に連結設置されるコントローラであり、
前記コントローラは、前記吸着パッドに安着した被加工物がピックアップされて、前記吸気孔を通じた外部空気の流入により真空損失が発生する場合、このような真空損失量だけ前記真空発生装置が提供する真空圧が増加するように制御されることを特徴とする請求項１乃至４のうち、いずれか１項記載の半導体製造工程用テーブル。
【請求項８】
真空チャンバがその内部に形成され、前記真空チャンバと連結された真空ホールが形成されたテーブル本体と、
前記テーブル本体の上部に設けられ、多孔性材質からなる吸着パッドと、
前記真空チャンバと連結され、前記真空チャンバの真空力を一定に維持する真空補償装置を含み、
前記吸気孔を通じた外部空気の流入により真空損失が発生する場合、前記真空補償装置がこのような真空損失量だけ補償するように制御されることを特徴とする半導体製造工程用テーブル。
【請求項９】
真空チャンバがその内部に形成され、前記真空チャンバと連結された真空ホールが形成されたテーブル本体と、
前記テーブル本体の上部に設けられ、前記真空ホールと連結される吸気孔が形成された複数の吸着パッドと、
前記真空チャンバと連結された真空ラインの上に大気と連結されるように設けられた真空用レギュレータを含み、
前記吸着パッドに被加工物が全て安着している場合には、前記レギュレータが完全開放されて外部空気が流入し、前記吸着パッドに安着した被加工物がピックアップされて前記吸気孔を通じて外部空気が流入する場合には、前記吸気孔を通じて流入する空気の量と前記レギュレータを通じて流入する空気の量との合が一定するように前記レギュレータを制御することを特徴とする半導体製造工程用テーブル。
【請求項１０】
真空チャンバがその内部に形成され、前記真空チャンバと連結された真空ホールが形成されたテーブル本体と、
前記真空チャンバと連結され、前記真空チャンバの真空力を一定に維持する真空補償装置を含み、
前記真空補償装置は、前記真空チャンバと連結された真空ラインの上に大気と連結されるように設けられたレギュレータであり、前記レギュレータは前記真空ラインの真空状態を感知し、前記レギュレータを通じて流入する空気の量と前記真空ホールを通じて流入する空気の量との合が常に一定するように制御されることを特徴とする半導体製造工程用テーブル。
【請求項１１】
前記テーブル本体の上部には前記真空ホールと連結される吸気孔が形成された複数の吸着パッドが更に設けられることを特徴とする請求項１０記載の半導体製造工程用テーブル。
【請求項１２】
真空チャンバが備えられ、その上面には前記真空チャンバと連結された吸気孔と連結され、前記吸気孔より大きい直径を有する真空溝が形成されたテーブル本体と、
前記真空チャンバと連結され、前記真空チャンバの真空力を一定に維持する真空補償装置を含み、
前記真空チャンバに真空損失が発生する場合、前記真空補償装置がこのような真空損失量だけ補償するように制御されることを特徴とする半導体製造工程用テーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程用テーブルに関し、より詳しくは、個別に切断された被加工物を真空吸着して、次の工程へ移送する半導体製造工程用テーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体パッケージは、シリコンからなる半導体基板の上にトランジスタ及びキャパシタなどのような高集積回路が形成された半導体チップ（chip）を付着した後、半導体基板の上面にレジン樹脂でモールディングする工程を経ることになる。 このようなモールディング工程後、半導体基板の下面にリードフレームの役割をするソルダーボール（ＢＧＡ；Ball Grid Array）を接着させてチップと通電するようにした後、切断装置を用いて個別の半導体パッケージに切断する工程を経ることになる。 このように個別に切断された半導体パッケージは、洗滌工程及び乾燥工程を経た後、個別半導体パッケージの不良の可否を検査した後、最終的にオフローディング装置に移送されて積載される。
【０００３】
このように、切断装置で切断され、洗滌及び乾燥工程を経た個別の半導体パッケージは、テーブルに真空吸着した状態でビジョン検査装置に移送されたり、テーブルに真空吸着した状態でオフローディング装置に移送される。
【０００４】
このような従来のテーブルが図２に図示されている。
【０００５】
図２に示すように、従来のテーブルは、テーブル本体１１０、吸着パッド１２０及び真空発生装置１４０から構成されている。 
【０００６】
前記テーブル本体１１０は、他の構成要素を支持する要素であって、その内部には真空チャンバ１１２が形成されている。 また、前記テーブル本体１１０の上面にはパッド設置溝１１６が形成されてあり、前記パッド設置溝１１６には真空ホール１１４が前記真空チャンバ１１２と連結されるように形成されている。 前記吸着パッド１２０はパッケージを直接吸着する要素であって、その中心部には前記真空ホール１１４と連結される吸気孔１２２が形成されている。 ここで、前記吸気孔１２２の直径は摩擦損失を減らすために、通常１ｍｍ以上に形成される。 前記真空発生装置１４０は前記真空チャンバ１１２に真空力を提供する要素であって、真空ライン１１８を通じて前記真空チャンバ１１２に連結されている。
【０００７】
このように構成されて前記吸着パッド１２０に安着したパッケージは、前記真空発生装置１４０から提供される真空力により安定的に吸着された状態で次の工程へ移送される。
【０００８】
しかしながら、このようなテーブルが目的領域まで移動した後、ピッカーにより前記吸着パッド１２０に安着したパッケージが１つずつピックアップされれば、真空損失（leakage）が発生することになる。 即ち、図３に示すように、前記吸着パッド１２０に安着したパッケージ（Ｐ）がピックアップされれば、開放された吸気孔１２２を通じて外部空気が流入するため、真空チャンバ１１２の真空圧が落ちて、残余パッケージ（Ｐ）に提供される真空吸着力が低下する。 このような現象は、ピックアップされるパッケージの数が増加するほどより激しくなり、一定以下に真空吸着力が落ちれば残余パッケージを堅く吸着できない問題点が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記のような従来の諸問題点を解消するために案出したものであって、本発明の目的は、テーブルに安着した被加工物がピックアップされながら発生する真空損失を補償して、残余被加工物を堅く真空吸着できる半導体製造工程用テーブルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体製造工程用テーブルは、真空チャンバがその内部に形成され、前記真空チャンバと連結された真空ホールが形成されたテーブル本体と、前記テーブル本体の上部に設けられ、前記真空ホールと連結される吸気孔が形成された吸着パッドと、前記真空チャンバと連結され、前記真空チャンバの真空力を一定に維持する真空補償装置を含み、前記吸気孔の直径が前記真空ホールの直径より小さく構成されて、前記真空チャンバに真空損失が発生する場合、前記真空補償装置がこのような真空損失量だけ補償するように制御されることを特徴とする。
【００１１】
前記吸気孔の直径は０．２ｍｍ乃至０．７ｍｍであることと設計することが好ましい。
【００１２】
前記吸着パッドの上面には前記吸気孔と連結される真空溝が形成され、かつ、前記真空溝の直径が前記吸気孔の直径より大きく形成されることが好ましい。
【００１３】
前記吸気孔は複数個の微細な貫通孔からなることができる。
【００１４】
前記真空補償装置は、前記真空チャンバと連結された真空ラインの上に大気と連結されるように設けられたレギュレータであり、前記レギュレータは前記真空ラインの真空状態を感知し、前記レギュレータを通じて流入する空気の量と前記吸気孔を通じて流入する空気の量との合が常に一定するように制御されることが好ましい。
【００１５】
前記レギュレータの後方には前記レギュレータを通じた外部空気の流入の可否を制御するソレノイドバルブが更に設けられることができる。
【００１６】
前記真空補償装置は、前記真空チャンバと連結された真空ラインの端部に配置されて、前記真空ラインを通じて前記真空チャンバに真空力を提供する真空発生装置に連結設置されるコントローラであり、前記コントローラは、前記吸着パッドに安着した被加工物がピックアップされて、前記吸気孔を通じた外部空気の流入により真空損失が発生する場合、このような真空損失量だけ前記真空発生装置が提供する真空圧が増加するように制御されることができる。
【００１７】
一方、 本発明に係る半導体製造工程用テーブルは、真空チャンバがその内部に形成され、前記真空チャンバと連結された真空ホールが形成されたテーブル本体と、前記テーブル本体の上部に設けられ、多孔性材質からなる吸着パッドと、前記真空チャンバと連結され、前記真空チャンバの真空力を一定に維持する真空補償装置を含み、前記吸気孔を通じた外部空気の流入により真空損失が発生する場合、前記真空補償装置がこのような真空損失量だけ補償するように制御されるように設計されることができる。
【００１８】
一方、 本発明に係る半導体製造工程用テーブルは、真空チャンバがその内部に形成され、前記真空チャンバと連結された真空ホールが形成されたテーブル本体と、前記テーブル本体の上部に設けられ、前記真空ホールと連結される吸気孔が形成された複数の吸着パッドと、前記真空チャンバと連結された真空ラインの上に大気と連結されるように設けられた真空用レギュレータを含み、前記吸着パッドに被加工物が全て安着している場合には、前記レギュレータが完全開放されて外部空気が流入し、前記吸着パッドに安着した被加工物がピックアップされて前記吸気孔を通じて外部空気が流入する場合には、前記吸気孔を通じて流入する空気の量と前記レギュレータを通じて流入する空気の量との合が一定するように前記レギュレータを制御するように設計されることができる。
【００１９】
一方、 本発明に係る半導体製造工程用テーブルは、真空チャンバがその内部に形成され、前記真空チャンバと連結された真空ホールが形成されたテーブル本体と、前記真空チャンバと連結され、前記真空チャンバの真空力を一定に維持する真空補償装置を含み、前記真空補償装置は、前記真空チャンバと連結された真空ラインの上に大気と連結されるように設けられたレギュレータであり、前記レギュレータは前記真空ラインの真空状態を感知し、前記レギュレータを通じて流入する空気の量と前記真空ホールを通じて流入する空気の量との合が常に一定するように制御するように設計されることができる。
【００２０】
一方、 本発明に係る半導体製造工程用テーブルは、真空チャンバが備えられ、その上面には前記真空チャンバと連結された吸気孔と連結され、前記吸気孔より大きい直径を有する真空溝が形成されたテーブル本体と、前記真空チャンバと連結され、前記真空チャンバの真空力を一定に維持する真空補償装置を含み、前記真空チャンバに真空損失が発生する場合、前記真空補償装置がこのような真空損失量だけ補償するように制御されるように設計されることができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上、説明したように、本発明に係る半導体製造工程用テーブルは、吸着パッドの吸気孔の直径を従来より小さくし、オリフィス構造で設計してパッケージが１つずつピックアップされる度に発生される真空損失を減らすことができる。
【００２２】
また、被加工物がピックアップされる時に損失される真空吸着力は、真空発生装置を通じて損失量だけ増加させたり、レギュレータを通じて流入する空気の量を減ってパッケージに提供される真空吸着力が常に一定するように維持するため、パッケージなどの被加工物がピックアップされる間にも堅く真空吸着することができる。
【００２３】
したがって、本発明は大きさが小さいことにより、安定的に吸着し難い超小型パッケージに適合したテーブルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の第１実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを添付した図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２５】
本発明に係る実施形態の構成要素を説明することにおいて、対称的に配置された構成要素に対してはいずれか１つの要素に対してのみ参照符号を与えて説明する。 また、従来技術または他の実施形態の構成要素に対応する構成要素に対しては同一な参照符号を与え、既に説明された構成要素に対しては詳細な説明を省略する。 また、何の構成要素を中心に空気が流入する側を前方、空気が流出する側を後方と称する。
【００２６】
図１には本発明に係る半導体製造工程用テーブルが適用された半導体製造工程用切断及び処理装置の配置関係が図示されている。
【００２７】
図１に示すように、本発明に係る半導体製造工程用テーブルが適用された半導体製造工程用切断及び処理装置は、大きくオンローディング装置１０、切断装置２０、洗滌装置３０、乾燥装置４０、ビジョン検査装置５０及びオフローディング装置６０から構成されている。 また、前記オンローディング装置１０と前記切断装置２０との間には切断される半導体ストリップを真空吸着して移送するストリップピッカー１５がｘ軸方向に移動可能に設けられてあり、前記切断装置２０と乾燥装置４０との間には個別のパッケージを真空吸着して洗滌装置３０及び乾燥装置４０に移送するユニットピッカー２５がｘ軸方向に移動可能に設けられている。 また、図面上、前記乾燥装置４０の右側には洗滌及び乾燥されたパッケージを積載して移送するテーブル１００がｙ軸方向に移動可能に設けられている。
【００２８】
このように構成されて、前記オンローディング装置１０に積載されたストリップはストリップピッカー１５に真空吸着されて前記切断装置２０のチャックテーブル２１に安着した状態で切断刃が備えられたスピンドル２２との相互作用により個別のパッケージに切断される。 バラで切断されたパッケージは、前記ユニットピッカー２５に真空吸着されて、前記洗滌装置３０で洗滌され、乾燥装置４０で乾燥された後、ビジョン検査装置５０に移送されて、不良の可否が検査される。 このように、ビジョン検査が済んだパッケージは、テーブルピッカー４５によりテーブル１００に安着した状態でソーティングピッカー５５に移送される。 次に、パッケージは前記ソーティングピッカー５５により真空吸着してアラインビジョン５２により整列された後、前記オフローディング装置６０にオフローディングされる。
【００２９】
図４は本発明の第１実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを示す斜視図であり、図５は図４に図示されたテーブルを示す断面図であり、図６は図４に図示されたテーブルの内部構造を示す部分断面図である。
【００３０】
図４乃至図６に示すように、第１実施形態に係るテーブル１００は、テーブル本体１１０、吸着パッド１２０、真空補償装置、真空発生装置１４０から構成されている。 このようなテーブル１００は、ガイドレール１０２に沿って移動可能に設けられてあり、所定の回転手段１０４により回転可能に設けられている。
【００３１】
前記テーブル本体１１０は他の構成要素を支持する要素であって、前記テーブル本体１１０の内部には真空チャンバ１１２が形成されている。 前記テーブル本体１１０の上面にはパッド設置溝１１６が形成されてあり、前記パッド設置溝１１６には真空ホール１１４が前記真空チャンバ１１２と連結されるように形成されている。 
【００３２】
前記吸着パッド１２０はパッケージを直接真空吸着する要素であって、前記パッド設置溝１１６に挿入設置されている。 前記吸着パッド１２０の中心部には、前記真空ホール１１４と連結される吸気孔１２２が形成されている。 前記吸着パッド１２０の上面には前記吸気孔１２２と連結される真空溝１２４が形成されてあり、このような真空溝１２４の直径は充分の吸着面積を提供すると共に、前記吸気孔１２２を通じて外部空気が急速に流入することを防止するために、前記吸気孔１２２の直径より大きく形成されたオリフィス（orifice）構造を有している。 本実施形態では、吸着パッド１２０が複数個で備えられて、前記パッド設置溝１１６に各々挿入設置されているが、設計条件によっては一体型で加工して設けられることができる。
【００３３】
また、前記吸気孔１２２の直径は０．２ｍｍ乃至０．７ｍｍに設計することが好ましくて、より好ましくは０．６ｍｍに設計される。 従来の吸気孔１２２の直径は摩擦損失を考えて通常１ｍｍ以上に設計されることに反して、本実施形態に係る吸気孔１２２の直径を０．２ｍｍ乃至０．７ｍｍにする理由は、パッケージがピックアップされても前記吸気孔１２２を通じて外部空気が急激に流入することが防止されて、前記真空補償装置として使われるレギュレータ１３０により損失真空量が補償されることができる範囲であるためである。 即ち、吸気孔１２２の直径を従来より小さな０．２ｍｍ乃至０．７ｍｍに設計し、吸気孔１２２の構造も直径を異なるように構成したオリフィス構造で設計してパッケージがピックアップされても真空損失が小さく発生されるようにしたものである。 一方、前記吸気孔１２２の直径をあまり小さくすれば応答性が落ちるので、その下限は０．２ｍｍに設計されることが好ましい。 一方、このような吸着パッド１２０はパッケージを保護するためにゴム材質で形成されることが好ましい。
【００３４】
前記真空補償装置は、前記真空チャンバ１１２の真空力を感知して常に一定に維持する要素であって、真空用レギュレータ１３０が使われる。 前記レギュレータ１３０は、前記真空チャンバ１１２と連結された真空ライン１１８の上に大気と連結されるように設けられてあり、前記吸着パッド１２０に安着したパッケージが１つずつピックアップされて前記吸気孔１２２を通じて外部空気が前記真空チャンバ１１２に流入する場合、真空力を一定に維持するために、前記レギュレータ１３０を通じて流入する空気の量と前記吸気孔１２２を通じて流入する空気の量との合が常に一定するように制御される。
【００３５】
また、前記レギュレータ１３０の後方には前記レギュレータ１３０を通じた外部空気の流入の可否を制御するソレノイドバルブ１３２が設けられている。 前記ソレノイドバルブ１３２は、前記レギュレータ１３０が作動しない間、前記レギュレータ１３０を通じて発生されるリーケージ（leakage）を確かに遮断し、真空損失が発生する場合には開放されて前記レギュレータ１３０が適切に作動するようにする。 一方、前記ソレノイドバルブ１３２は電磁石により空気の流れを開閉するものであって、電気スイッチと組合せて容易に制御できるので本実施形態に適用されたが、設計条件によって多様な公知の可変バルブ等も使われることができる。
【００３６】
前記真空発生装置１４０は、前記真空チャンバ１１２に提供される真空力を発生する要素であって、前記真空ライン１１８を通じて前記真空チャンバ１１２に連結されている。このような真空発生装置１４０は、圧縮空気を強く流すと真空ライン１１８の圧力が落ちるベルヌーイの整理を用いたものであって、設計条件によって真空ポンプなど、多様な公知の真空発生装置等が使われることができる。
【００３７】
以下、第１実施形態に係る半導体製造工程用テーブルの作動状態を説明する。
【００３８】
図７乃至図１１は図４に図示されたテーブルの作動状態を示す断面図であり、図１２は図４に図示されたテーブルの作動状態を示すフローチャートである。
【００３９】
まず、パッケージが前記吸着パッド１２０に安着していない時にはソレノイドバルブ１３２が遮断されてあり、前記レギュレータ１３０及び真空発生装置１４０も作動しない。
【００４０】
パッケージが前記吸着パッド１２０に安着すれば、前記ソレノイドバルブ１３２が開放され、前記レギュレータ１３０も完全開放されて前記レギュレータ１３０を通じて外部空気が流入される。 この際、パッケージに提供される真空吸着力が適切であるように前記レギュレータ１３０及び真空発生装置１４０が設計されるべきである（図７参照）。
【００４１】
次に、前記吸着パッド１２０に安着したパッケージがビジョンピッカー５０により１つずつピックアップされる度に前記吸気孔１２２を通じて外部空気が益々たくさん流入されて真空損失が発生する。 この際、前記吸気孔１２２を通じて流入する空気の量と前記レギュレータ１３０を通じて流入する空気の量との合計が常に一定するように前記レギュレータ１３０が制御される。 即ち、パッケージが１つずつピックアップされる度に前記吸気孔１２２を通じて流入する空気の量だけ前記レギュレータ１３０を通じて流入する空気の量を減らしてくれるのである。 したがって、パッケージに提供される真空吸着力が常に一定に維持される（図８乃至図１１参照）。
【００４２】
以下、本発明の第２実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを説明する。
【００４３】
図１３は、本発明の第２実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを示す部分断面図である。
【００４４】
図１３に示すように、第２実施形態に係る半導体製造工程用テーブルの構成及び作動は第１実施形態のそれと基本的に同一である。 但し、第１実施形態の場合、真空ライン上に設けられたレギュレータ１３０により真空損失が補償されることに反して、第２実施形態の場合、真空発生装置１４０に連結設置されるコントローラ１４２により真空損失が補償される。 
【００４５】
このようなコントローラ１４２は、前記吸着パッド１２０に安着したパッケージがピックアップされて前記吸気孔１２２を通じて真空損失が発生する場合、このような真空損失量だけ真空吸着力を増加させるように前記真空発生装置１４０を制御する。 即ち、第２実施形態に係るテーブルはパッケージが１つずつピックアップされながら発生する真空損失を真空発生装置１４０側で感知して損失された真空吸着力だけ真空発生装置１４０から提供する真空圧が増加するように制御することにより、パッケージに提供される真空吸着力を一定に維持するのである。
【００４６】
以下、本発明の第３実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを説明する。
【００４７】
図１４は、本発明の第３実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを示す部分断面図である。
【００４８】
図１４に示すように、第３実施形態に係る半導体製造工程用テーブルの構成及び作動は第１実施形態のそれと基本的に同一である。 但し、第３実施形態に係る半導体製造工程用テーブルの吸着パッド１２０には微細な直径を有する多数の吸気孔１２２が備えられて、このような多数の微細吸気孔１２２を通じて提供される真空圧により１つのパッケージを吸着するように設計されている。 このように直径の小さい吸気孔１２２を複数個具備させることによって、全体の直径が同一な場合、流体摩擦により真空損失を更に減らすことができる。 この際、吸着パッド１２０の応答性を考えて吸気孔１２２の直径が決まるべきである。
【００４９】
以下、本発明の第４実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを説明する。
【００５０】
図１５は、本発明の第４実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを示す部分断面図である。
【００５１】
図１５に示すように、第４実施形態に係る半導体製造工程用テーブルの構成及び作動は第１実施形態のそれと基本的に同一である。 但し、第４実施形態に係る半導体製造工程用テーブルの吸着パッド１２０はスポンジのような多孔性材質で形成されている。 このように微細な多孔性材質で形成された吸着パッド１２０が使われれば、流体摩擦により吸着パッド１２０を通じて流入する外部空気が減って真空損失を更に減らすことができる。
【００５２】
以下、本発明の第５実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを説明する。
【００５３】
図１６は、本発明の第５実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを示す部分断面図である。
【００５４】
図１６に示すように、第５実施形態に係る半導体製造工程用テーブルの構成及び作動は第１実施形態のそれと基本的に同一である。 但し、第５実施形態に係る半導体製造工程用テーブルには吸着パッドが省略されてあり、オリフィス構造を有する吸気孔１２２と真空溝１２４がテーブル本体１１０に直接形成されている。 このように吸着パッドを省略して、テーブル本体１１０に直接吸気孔１２２と真空溝１２４を形成すれば、パッケージの大きさがあまり小さくて個別吸着パッドを使用し難い場合などに效果的に適用されることができる。
【００５５】
一方、前記の実施形態では、ビジョン検査が済んだパッケージをオフローディング装置６０に移送するテーブルが説明されているが、切断装置用チャックテーブルなど、同一な機能を遂行する半導体装備に設計変更して適用されることができる。
【００５６】
一方、前記の実施形態では個別に切断されたパッケージが一度に安着する構造を有するテーブルに適合するように設計されているが、設計条件によっては積載溝と非積載領域が交互に形成されたデュアルテーブルにも適用されることができる。
【００５７】
以上のように、本発明は前記実施形態を適切に変形して同一な原理を用いて多様に応用することができる。 したがって、前記記載内容は特許請求範囲の限界により定まる本発明の権利範囲を限るのでないと解釈されるべきである。 即ち、本実施形態では被加工物として半導体ストリップを使用した例が開示されているが、他の半導体製品が処理される場合にも本特許の権利範囲に属すると解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】半導体製造工程用テーブルが適用された半導体製造工程用切断及び処理装置の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図２】従来の半導体製造工程用テーブルの内部構造を示す部分断面図である。
【図３】図２に図示されたテーブルの作動状態を示す部分断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを示す斜視図である。
【図５】図４に図示されたテーブルを示す断面図である。
【図６】図４に図示されたテーブルの内部構造を示す部分断面図である。
【図７】図４に図示されたテーブルの作動状態を示す断面図である。
【図８】図４に図示されたテーブルの作動状態を示す断面図である。
【図９】図４に図示されたテーブルの作動状態を示す断面図である。
【図１０】図４に図示されたテーブルの作動状態を示す断面図である。
【図１１】図４に図示されたテーブルの作動状態を示す断面図である。
【図１２】図４に図示されたテーブルの作動状態を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを示す部分断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを示す部分断面図である。
【図１５】本発明の第４実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを示す部分断面図である。
【図１６】本発明の第５実施形態に係る半導体製造工程用テーブルを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１１０  テーブル本体
１１２  真空チャンバ
１１４  真空ホール
１１６  パッド設置溝
１１８  真空ライン
１２０  吸着パッド
１２２  吸気孔
１２４  真空溝
１３０  レギュレータ
１３２  ソレノイドバルブ
１４０  真空発生装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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