(57)【要約】【課題】安定したデバイス特性を発揮して、正確に圧力検出を行うことができる静電容量型圧力センサを提供すること。【解決手段】ガラス基板１１には、第１及び第２導電部材１２，１３が埋設されている。ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、第１導電部材１２と電気的に接続するように引き出し電極１４ａが形成されており、第２導電部材１３と電気的に接続するように引き出し電極１４ｂが形成されている。ガラス基板１１の主面１１ａ側で露出する第１導電部材１２上には、固定電極１５が形成されている。ガラス基板１１の主面１１ａ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１７ａを有するシリコン基板１７が接合部材１６を介して共晶接合されると共に陽極接合されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向する一対の主面を有し、前記一対の主面の一方の主面側に設けられた固定電極及び前記一対の主面の両方の主面で露出するように埋め込まれたシリコン製導電部材を有するガラス基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に金−シリコン共晶接合及び陽極接合されており、前記固定電極と所定の間隔をおいて対向して配置された可動電極を有するシリコン基板と、を具備することを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
前記シリコン基板と前記シリコン製導電部材とが金−シリコン共晶物を介して電気的に接続された領域が前記接合領域に設けられていることを特徴とする請求項１記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項３】
前記固定電極が前記シリコン製導電部材で構成されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項４】
前記ガラス基板の他方の主面において、前記シリコン製導電部材上に引き出し電極が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項５】
前記ガラス基板と前記シリコン基板との界面においてＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量を用いて圧力を検知する静電容量型圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量型圧力センサは、可動電極である感圧ダイヤフラムを有する基板と、固定電極を有する基板とを、感圧ダイヤフラムと固定電極との間に所定の間隔（キャビティ）を有するように接合することにより構成されている。この静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラムに圧力が加わると感圧ダイヤフラムが変形し、これにより感圧ダイヤフラムと固定電極との間隔が変わる。この間隔の変化により感圧ダイヤフラムと固定電極との間の静電容量が変化し、この静電容量の変化を利用して圧力の変化を検出する。
【０００３】
図６は、従来の静電容量型圧力センサの概略構成を示す断面図である。図６に示す静電容量型圧力センサ１は、被測定圧力を受ける可動電極である感圧ダイヤフラム２を有するシリコン基板３とガラス基板４とを接合することにより構成されている。ガラス基板４とシリコン基板３との間には、接続導体５が設けられている。感圧ダイヤフラム２とガラス基板４との間には、所定の間隔が設けられており、空間部６が形成されている。この空間部６内のガラス基板４上には、固定電極７が設けられている。ガラス基板４には、貫通穴４ａが設けられており、その貫通穴４ａには、固定電極７と電気的に接続するように接続電極８が形成されている。そして、ガラス基板４の空間部６と反対側の表面には、接続電極８と電気的に接続するように電極９が形成されている（特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特許第２７７２１１１号公報
【特許文献２】特開２００１−１２９８００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図６に示す従来の静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラム２を有するシリコン基板３とガラス基板４に埋め込まれた接続電極８との間の導通をとるために、シリコン基板３と接続電極８との間に接続導体５を設ける構造、すなわち接続導体５をシリコン基板３及び接続電極８で挟み込む構造を有する。このため、接続導体５の近傍においては、シリコンとガラスの非接合部分が存在し、この非接合部分の存在により、気密性や耐久性などがばらついて、デバイス特性がばらつくという問題が生じる。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、安定したデバイス特性を発揮して、正確に圧力検出を行うことができる静電容量型圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の静電容量型圧力センサは、相互に対向する一対の主面を有し、前記一対の主面の一方の主面側に設けられた固定電極及び前記一対の主面の両方の主面で露出するように埋め込まれたシリコン製導電部材を有するガラス基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に金−シリコン共晶接合及び陽極接合されており、前記固定電極と所定の間隔をおいて対向して配置された可動電極を有するシリコン基板と、を具備することを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、ガラス基板とシリコン基板とを金−シリコン共晶接合すると共に陽極接合している。また、第２導電部材とシリコン基板とを電気的に接続する領域にも金−シリコン共晶接合部分が介在している。すなわち、第２導電部材とシリコン基板とを電気的に接続する領域も接合領域となり、非接合部分がほとんどない状態となる。このため、センサの気密性を非常に高く保つことができ、耐久性にも優れる。これにより、安定したデバイス特性を発揮して、正確に圧力検出を行うことができる。
【０００８】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記シリコン基板と前記シリコン製導電部材とが金−シリコン共晶物を介して電気的に接続された領域が前記接合領域に設けられていることが好ましい。
【０００９】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記固定電極が前記シリコン製導電部材で構成されることが好ましい。
【００１０】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記ガラス基板の他方の主面において、前記シリコン製導電部材上に引き出し電極が形成されていることが好ましい。この構成によれば、外部への取り出し電極を一つの面上に形成できるので、表面実装に適したデバイスとすることができる。
【００１１】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記ガラス基板と前記シリコン基板との界面においてＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有することが好ましい。この構成によれば、ガラス基板とシリコンとの界面においてＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有するので、ガラスとシリコンとが強固に接合されて、両者間の密着性が向上し、キャビティの気密性が向上する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の静電容量型圧力センサによれば、相互に対向する一対の主面を有し、前記一対の主面の一方の主面側に設けられた固定電極及び前記一対の主面の両方の主面で露出するように埋め込まれたシリコン製導電部材を有するガラス基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に金−シリコン共晶接合及び陽極接合されており、前記固定電極と所定の間隔をおいて対向して配置された可動電極を有するシリコン基板と、を具備するので、安定したデバイス特性を発揮して、正確に圧力検出を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの図であり、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。図中１１はガラス基板を示す。ガラス基板１１は、相互に対向する一対の主面１１ａ，１１ｂを有する。このガラス基板１１の後述するキャビティ１８内には、固定電極用の接続電極である第１導電部材１２が埋設されている。また、ガラス基板１１のキャビティ１８以外の領域に、後述する可動電極用の接続電極である第２導電部材１３が埋設されている。第１及び第２導電部材１２，１３は、それぞれ主面１１ａ，１１ｂでそれぞれ露出している。
【００１４】
ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、第１導電部材１２の露出部分と電気的に接続するように引き出し電極１４ａが形成されており、第２導電部材１３の露出部分と電気的に接続するように引き出し電極１４ｂが形成されている。このように引き出し電極１４ａ，１４ｂがそれぞれ主面１１ｂ上に設けられていることにより、外部への取り出し電極を一つの面上に形成できるので、表面実装に適したデバイスとすることができる。
【００１５】
第１及び第２導電部材１２，１３を構成する材料としては、シリコン、金属などの導電性材料を用いることができるが、第２導電部材１３については、後述するように金−シリコンの共晶接合を行うことを考慮して、シリコンで構成することが好ましい。
【００１６】
ガラス基板１１の主面１１ａ側で露出する第１導電部材１２上には、固定電極１５が形成されている。この固定電極１５は、キャビティ１８内に位置する。固定電極１５を構成する材料としては、導電性材料を挙げることができるが、第１導電部材１２がシリコンで構成されている場合には、固定電極１５を構成する材料としてＡｕ単体以外の材料を選択することが好ましい。これにより、ガラス基板とシリコン基板とを共晶接合する際に、固定電極が第１導電部材と共晶反応してしまうことを防止できる。例えば、Ａｕ単体以外の材料としては、Ｔｉ／Ｔａ／Ａｕ／Ｔａ、Ｔｉ／Ｔａ／Ａｕ、Ｔａ／Ａｕ／Ｔａ、Ｔａ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ／Ｔａ、Ｃｒ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｔａ／Ａｕ／Ｔａ、Ｃｒ／Ｔａ／Ａｕなどを挙げることができる。
【００１７】
ガラス基板１１の主面１１ａ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１７ａを有するシリコン基板１７が接合されている。このシリコン基板１７は、部分的に接合部材１６を介して共晶接合され、ガラス基板１１の主面１１ａとは陽極接合されている。これにより、ガラス基板１１とシリコン基板１７との間でキャビティ１８が形成される。感圧ダイヤフラム１７ａは、固定電極１５の上方に位置するように位置合わせされている。これにより、感圧ダイヤフラム１７ａ（可動電極）と固定電極１５との間に静電容量が発生する。
【００１８】
接合部材１６は、図１（ｂ）から分かるように、キャビティ１８の外側に円環状に位置し、ガラス基板１１上の凹部１１ｄ上に形成する。また、接合部材１６は、金とシリコンの共晶反応で得られた金−シリコン共晶物で構成されている。接合部材１６による接合領域においては、接合部材１６とシリコン基板１７との間で金−シリコン共晶結合を有する。また、前記接合領域には、第２導電部材１３とシリコン基板１７とが接合部材１６を介して電気的に接続された領域が形成されている。第２導電部材１３がシリコンで構成されている場合には、この領域においては、接合部材１６とシリコン基板１７との間で金−シリコン共晶結合を有すると共に、接合部材１６と第２導電部材１３との間で金−シリコン共晶結合を有する。なお、この共晶接合は、真空下において加熱、加圧条件下で行う。
【００１９】
また、ガラス基板１１の主面１１ａとシリコン基板１７とは、陽極接合されている。したがって、ガラス基板１１とシリコン基板１７とは、共晶接合されると共に陽極接合されている。このため、ガラス基板１１とシリコン基板１７との間の接合が強固になり、キャビティ１８の気密性を向上させることができる。なお、ガラス基板１１とシリコン基板１７との接合面において共晶接合領域と陽極接合領域との間の割合は任意で良い。陽極接合の際に発生するガス量を抑えるためには、共晶接合領域を広くすることが好ましい。
【００２０】
第１及び／又は第２導電部材１２，１３がシリコンで構成されている場合には、ガラス基板１１と第１及び／又は第２導電部材１２，１３との間の界面についても陽極接合されていることが好ましい。後述するように、これらの界面は、加熱下において第１及び／又は第２導電部材１２，１３をガラス基板１１に押し込むことにより形成される。このような方法により得られた界面でも高い密着性を発揮できるが、第１及び／又は第２導電部材１２，１３をガラス基板１１に押し込んだ後に、陽極接合処理を施すことにより、密着性をより高くすることができる。このようにガラス基板１１とシリコン製導電部材１２，１３との界面で高い密着性を発揮することにより、感圧ダイヤフラム１８ａとガラス基板１１との間で構成するキャビティ１８内の気密性をより高く保つことができる。
【００２１】
ここで、陽極接合処理とは、所定の温度（例えば４００℃以下）で所定の電圧（例えば３００Ｖ〜１ｋＶ）を印加することにより、シリコンとガラスとの間に大きな静電引力が発生して、接触したガラス−シリコン界面で酸素を介した化学結合を形成させる、もしくは、酸素の放出による共有結合を形成させる処理をいう。この界面での共有結合は、シリコンのＳｉ原子とガラスに含まれるＳｉ原子との間のＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合である。したがって、このＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合により、シリコンとガラスとが強固に接合して、両者間の界面で非常に高い密着性を発揮する。このような陽極接合を効率良く行うために、ガラス基板１１のガラス材料としては、ナトリウムなどのアルカリ金属を含むガラス材料（例えばパイレックス（登録商標）ガラス）であることが好ましい。
【００２２】
このような構成を有する静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラム１８ａとガラス基板１１内の固定電極１５との間に所定の静電容量を有する。この圧力センサに圧力が加わると、感圧ダイヤフラム１７ａが圧力に応じて可動する。これにより、感圧ダイヤフラム１７ａが変位する。このとき、感圧ダイヤフラム１７ａと固定電極１５との間の静電容量が変化する。したがって、この静電容量をパラメータとして、その変化を圧力変化とすることができる。
【００２３】
この静電容量型圧力センサにおいては、ガラス基板１１とシリコン基板１７とを金−シリコン共晶接合すると共に陽極接合している。また、第２導電部材１３とシリコン基板１７とを電気的に接続する領域にも金−シリコン共晶接合部分が介在しており、非接合領域を構成するコンタクトメタルなどの接続導体が存在しない。すなわち、第２導電部材１３とシリコン基板１７とを電気的に接続する領域も接合領域となり、非接合部分がほとんどない状態となる。このため、キャビティ１８内の気密性を非常に高く保つことができ、耐久性にも優れる。これにより、安定したデバイス特性を発揮して、正確に圧力検出を行うことができる。
【００２４】
次に、本実施の形態の静電容量型圧力センサの製造方法について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【００２５】
まず、不純物をドーピングして低抵抗化したシリコン基板１９を準備する。不純物としては、ｎ型不純物でも良く、ｐ型不純物でも良い。抵抗率としては、例えば０．０１Ω・ｃｍ程度とする。そして、図２（ａ）に示すように、このシリコン基板１９の一方の主面をエッチングして、第１及び第２導電部材１２，１３に相当する突出部１９ａ，１９ｂを形成する。すなわち、突出部１９ａが第１導電部材１２に相当し、突出部１９ｂが第２導電部材１３に相当する。
【００２６】
次いで、突出部１９ａ，１９ｂを形成したシリコン基板１９上にガラス基板１１を置く。さらに、真空下で、このシリコン基板１９及びガラス基板１１を加熱し、シリコン基板１９をガラス基板１１に押圧して突出部１９ａ，１９ｂをガラス基板１１の主面１１ｂに押し込んで、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板１９とガラス基板１１とを接合する。このときの温度は、シリコンの融点以下であって、ガラスが変形可能である温度（例えば、ガラスの軟化点温度以下）が好ましい。例えば加熱温度は約８００℃である。
【００２７】
さらに、シリコン基板１９の突出部１９ａ，１９ｂとガラス基板１１との界面１１ｅでの密着性をより高めるために、陽極接合処理をすることが好ましい。この場合、シリコン基板１９及びガラス基板１１にそれぞれ電極をつけて、約４００℃以下の加熱下で約３００Ｖ〜１ｋＶの電圧を印加することにより行う。これにより両者の界面での密着性がより高くなり、静電容量型圧力センサのキャビティ１８の気密性を向上させることができる。
【００２８】
次いで、ガラス基板１１の主面１１ａ側を研磨処理して、シリコン基板１９の突出部１９ａ，１９ｂを主面１１ａで露出させる。次いで、シリコン基板１９の裏面（突出部１９ａ，１９ｂを設けない面）側をエッチングしてガラス基板１１の主面１１ｂを露出させる。エッチングとしては、ドライエッチングでも良く、ウェットエッチングでも良い。また、裏面のシリコンは研磨による加工で除去しても良い。このようにして、図２（ｃ）に示すような、ガラス基板１１に第１導電部材１２及び第２導電部材１３が埋め込まれた基板を作製する。
【００２９】
次いで、第１導電部材１２及びガラス基板１１の主面１１ａの上面をエッチングして、図３（ａ）に示すように、キャビティ１８用の凹部１１ｃを形成する。この場合、図２（ｃ）に示す基板の主面１１ａ側にレジスト膜を形成し、凹部１１ｃ形成領域以外にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてシリコンをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。このようにして凹部１１ｃを設ける。次いで、第２導電部材１３及びガラス基板１１の主面１１ａの上面をエッチングして、図３（ａ）に示すように、接続部材１６用の凹部１１ｄをキャビティ１８用の凹部１１ｃの外側に環状に形成する。この場合、基板の主面１１ａ側にレジスト膜を形成し、凹部１１ｄ形成領域以外にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてシリコンをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。このようにして凹部１１ｄを設ける。エッチングとしては、ドライエッチングでも良く、ウェットエッチングでも良い。ただし、ウェットエッチングの場合には、シリコンとガラスでエッチングレートに差が出るため、シリコンとガラスの境界で段差が出ないように条件設定する必要がある。
【００３０】
次いで、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板１１の主面１１ｂ側において、第１及び第２導電部材１２，１３の露出部分と電気的に接続するように引き出し電極１４ａ，１４ｂを形成する。この場合、まず、ガラス基板１１の主面１１ｂの第１及び第２導電部材１２，１３上に電極材料を被着し、その上にレジスト膜を形成し、引き出し電極形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとして電極材料をエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。
【００３１】
また、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板１１の主面１１ａ側において、第１導電部材１２の露出部分と電気的に接続するように固定電極１５を形成する。この場合、まず、ガラス基板１１の主面１１ａの上にレジスト膜を形成し、電極形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、第１導電部材１２上に電極材料を被着し、そのレジスト膜をリフトオフして固定電極１５を形成する。
【００３２】
次いで、図３（ｃ）に示すように、凹部１１ｄ内に、接合部材１６用の金製柱２０を環状に形成する。この金製柱２０は、まず、主面１１ａ側に、接合部材１６を形成する領域に開口部を有するようにレジスト膜を形成し、全面にスパッタリングにより薄い金層を形成し、金層をリフトオフしてメッキ下地層を形成する。その後、メッキレジスト膜を形成し、メッキを施す部分が開口部になるようにメッキレジスト膜をパターニングし、メッキ下地層上に金メッキを施し、最後に、メッキレジスト膜を除去する。
【００３３】
金製柱２０の高さや幅は、シリコン基板１７との間に隙間が生じず、金−シリコン共晶結合により十分な接合強度が得られるように設定する。したがって、シリコン基板１７と金製柱２０とが確実に当接した状態で金−シリコンの共晶反応を起こさせるように、金製柱２０の高さは、凹部１１ｄの深さよりも高く設定することが好ましい。また、金製柱２０は共晶反応の際に融解するので、融解物が所望しない領域に浸入しないように、金製柱２０の周りに所定の流れ込みスペースを確保することが好ましい。例えば、金製柱２０は、接合部材１６の厚さの約２倍の高さで、接合部材１６の領域の約半分の面積で設けることが好ましい。このように接合部材１６を環状に形成することで、シリコン基板１７とガラス基板１１との間の接合と真空封止とを確実にすると共に、第２導電部材１３を接合部材１６の形成領域における任意の場所に設けることが可能となり、実装基板の導電パターンに応じた第２導電部材１３の設計が可能になる。
【００３４】
次いで、あらかじめエッチングなどにより数十μｍ程度の所定の厚さに形成したシリコン基板１７を、感圧ダイヤフラム１７ａが固定電極１５と所定の間隔をおいて位置するようにして、ガラス基板１１の主面１１ａ上に接合する。このとき、シリコン基板１７及びガラス基板１１に対して、約４００℃以下の加熱下で約５００Ｖ程度の電圧を印加することにより陽極接合処理を行う。金−シリコンの共晶反応は３７０℃程度で行われるので、陽極接合を行うことにより、金製柱２０とシリコン基板１７との間で共晶接合がなされる。すなわち、金とシリコンとの間で共晶反応が起こり、金製柱２０が金−シリコン共晶物に変わって接合部材１６となる。このようにして、ガラス基板１１とシリコン基板１７との間で陽極接合されると共に、共晶接合がなされる。したがって、ガラス基板１１とシリコン基板１７との間で強固な接合がなされる。これにより、シリコン基板１７とガラス基板１１との間の界面での密着性がより高くなり、キャビティ１８の気密性を向上させることができる。このとき、金製柱２０は融解して流れ出すが、凹部１１ｄが設けられているので、キャビティ１８内への浸入が防止される。
【００３５】
また、第２導電部材１３がシリコンで構成されている場合には、第２導電部材１３上に設けられた金製柱２０と第２導電部材１３との間でも同様に金−シリコン共晶反応が起こり、第２導電部材１３と接合部材１６との間で強固な接合がなされる。これにより、コンタクトメタルなどの接続導体を設けることなく、シリコン基板１７が接合部材１６を介して接続電極である第２導電部材１３と電気的に接続することができる。また、この領域も接合領域となり、ガラス基板１１とシリコン基板１７との間の接合に供する。また、このようにして得られた静電容量型圧力センサについて、プレッシャークッカー耐久試験を行った後に感圧ダイヤフラムの外形プロファイルを測定したところ、耐久試験前とほぼ同じ外形プロファイルを示すことが確認された。これにより、耐久試験前後でキャビティ内の気密性が保たれていたことが分かる。
【００３６】
このようにして得られた静電容量型圧力センサは、固定電極１５が引き出し電極１４ａと電気的に接続され、感圧ダイヤフラム１７ａが接合部材１６及び第２導電部材１３を介して引き出し電極１４ｂと電気的に接続されている。したがって、感圧ダイヤフラム１７ａと固定電極１５との間で検知された静電容量の変化の信号は、引き出し電極１４ａ，１４ｂから取得することができる。この信号に基づいて測定圧力を算出することができる。
【００３７】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態においては、ガラス基板１１の主面１１ａ側にキャビティ１８用の凹部１１ｃを設ける場合について説明しているが、本発明はこれに限定されず、図４に示すように、シリコン基板２１側にキャビティ１８用の凹部２１ｂを設けても良い。このような構成においても、上記実施の形態と同様の効果を発揮することができる。図４に示す構成の静電容量型圧力センサを製造する場合には、シリコン基板２１の両面を上述したような方法でエッチングして凹部２１ｂ，２１ｃを形成して感圧ダイヤフラム２１ａを形成し、一方、図２（ｃ）に示す構造体のガラス基板１１上にシリコン基板２１を上述したように接合する。また、上記実施の形態においては、ガラス基板１１に埋め込まれた第１導電部材１２上に固定電極１５を設けた場合について説明しているが、本発明においては、図５に示すように、シリコン製の第１導電部材１２ａを固定電極として構成しても良い。この場合、図２（ａ）におけるシリコン基板１９の突出部１９ａを図５の第１導電部材１２ａに対応させて形成する。
【００３８】
また、上記実施の形態で説明した数値や材質については特に制限はない。また、上記実施の形態で説明したプロセスについてはこれに限定されず、工程間の適宜順序を変えて実施しても良い。また、上記実施の形態においては、接合部材１６が環状に形成されている場合について説明しているが、本発明はこれに限定されず、環状以外の形状で接合部材１６が設けられていても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、例えば大気圧をモニタリングする気圧計やガス圧をモニタリングする静電容量型圧力センサに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの図であり、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの他の例の概略構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの他の例の概略構成を示す断面図である。
【図６】従来の静電容量型圧力センサの他の例の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１１  ガラス基板
１１ａ，１１ｂ  主面
１１ｃ，１１ｄ，２１ｂ，２１ｃ  凹部  
１２，１２ａ  第１導電部材
１３  第２導電部材
１４ａ，１４ｂ  引き出し電極
１５  固定電極
１６  接合部材
１７，１９，２１  シリコン基板
１７ａ  感圧ダイヤフラム
１８  キャビティ
１９ａ，１９ｂ  突出部
２０  金製柱
【図１】
2007139571.tif 000003
【図２】
2007139571.tif 000004
【図３】
2007139571.tif 000005
【図４】
2007139571.tif 000006
【図５】
2007139571.tif 000007
【図６】
2007139571.tif 000008