(57)【要約】【課題】液滴吐出装置により、スジムラ及び膜ムラがなく、均質で平坦な液晶配向膜を形成することができる液晶配向膜形成用組成物、及びこの組成物を液滴吐出装置により基板表面に塗布して液晶配向膜を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】液滴吐出装置により液晶配向膜を形成するための液晶配向膜形成用組成物であって、（Ａ）全溶媒に対して９５重量％以上の良溶媒、及び貧溶媒を含む混合溶媒、並びに（Ｂ）液晶配向膜形成用材料を含有し、かつ、前記良溶媒が、γ−ブチロラクトン、及び全溶媒に対して５重量％以上の、γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒及びフェノール系溶媒から選ばれる少なくとも一種からなるものであることを特徴とする液晶配向膜形成用組成物；並びに、この組成物を液滴吐出装置により基板表面に塗布して液晶配向膜を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴吐出装置により液晶配向膜を形成するための液晶配向膜形成用組成物であって、（
Ａ）全溶媒に対して９５重量％以上の良溶媒、及び貧溶媒を含む混合溶媒、並びに（Ｂ）
液晶配向膜形成用材料を含有し、かつ、前記良溶媒が、γ−ブチロラクトン、及び、全溶
媒に対して５重量％以上の、γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒及びフェノ
ール系溶媒から選ばれる少なくとも一種からなるものであることを特徴とする液晶配向膜
形成用組成物。
【請求項２】
前記貧溶媒の割合が、全溶媒に対して２〜５重量％であることを特徴とする請求項１記
載の液晶配向膜形成用組成物。
【請求項３】
前記貧溶媒が、ブチルセロソルブであることを特徴とする請求項１または２に記載の液
晶配向膜形成用組成物。
【請求項４】
前記、γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒及びフェノール系溶媒から選ば
れる少なくとも一種が、Ｎ−メチル−２−ピロリドンであることを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の液晶配向膜形成用組成物。
【請求項５】
表面張力が３０〜４５ｍＮ／ｍの溶液である請求項１〜４のいずれかに記載の液晶配向
膜形成用組成物。
【請求項６】
粘度が３〜２０ｍＰａ・ｓの溶液である請求項１〜５のいずれかに記載の液晶配向膜形
成用組成物。
【請求項７】
前記液晶配向膜形成用材料が、
式（Ｉ）
【化１】
2007211196.tif 000012
（式中、Ｐ１は４価の有機基であり、Ｑ１は２価の有機基を表す。）で示される繰り返し
単位、及び式（ＩＩ）
【化２】
2007211196.tif 000013
（式中、Ｐ２は４価の有機基であり、Ｑ２は２価の有機基を表す。）で示される繰り返し
単位から選ばれる少なくとも一種を有する重合体である請求項１〜６のいずれかに記載の
液晶配向膜形成用組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の液晶配向膜形成用組成物を、液滴吐出装置を用いて基
板表面に塗布して液晶配向膜を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出装置により液晶配向膜を形成するための液晶配向膜形成用組成物及
び液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置の液晶配向膜を形成する方法として、液滴吐出装置を用いる方法が
知られている。
この方法は、ポリイミドやポリアミック酸等の液晶配向膜形成用材料を適当な溶媒に溶
解した溶液（液晶配向膜形成用組成物）を液滴吐出装置を用いて基板上に吐出し、これを
乾燥して塗膜とし、この塗膜に液晶配向能を付与して液晶配向膜を形成するものである。
この液滴吐出装置を用いる方法は、所望の位置に所望の厚みの液晶配向膜を正確に形成す
ることができ、使用する液晶配向膜形成用組成物が少量でよいこと等の理由から、近年注
目されている。
【０００３】
液滴吐出装置により液晶配向膜を形成するための液晶配向膜形成用組成物としては、例
えば、特許文献１に記載された、γ−ブチロラクトンとブチルセロソルブの少なくとも一
種を含有し、その合計含有量が溶剤全体に対して９０重量％以上である溶剤に、液晶配向
膜形成用材料を溶解させたものが知られている。
【０００４】
しかしながら、この文献に記載された液晶配向膜形成用組成物を液滴吐出装置を用いて
基板に吐出して液晶配向膜を形成すると、ヘッド走査方向と同一方向にスジ状のムラ（ス
ジムラ）が発生する場合があり、問題となっていた。
【特許文献１】特開２００３−２９５１９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した従来技術の問題に鑑みてなされたものであり、液滴吐出装置により
、スジムラがなく、均質で平坦な液晶配向膜を形成できる液晶配向膜形成用組成物、及び
この組成物を液滴吐出装置により基板表面に塗布して液晶配向膜を形成する工程を有する
液晶表示装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決すべく、溶媒と液晶配向膜形成用材料を含有する液晶配
向膜形成用組成物について鋭意検討した。その結果、溶媒として、全溶媒に対して９５重
量％以上の良溶媒、及び貧溶媒を含む混合溶媒であって、前記良溶媒が、γ−ブチロラク
トン、並びに全溶媒に対して５重量％以上の、γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極
性溶媒及びフェノール系溶媒から選ばれる少なくとも一種からなるものを用いると、液滴
吐出装置のノズルから吐出されたときに、隣り合う液滴同士がよく混じり合い、得られる
液晶配向膜にスジムラが発生することがなく、また、溶液が広がりすぎず基板端部におい
ても塗膜表面の隆起がなく、いわゆる膜ムラの発生がないことを見出し、本発明を完成す
るに至った。
【０００７】
かくして本発明の第１によれば、液滴吐出装置により液晶配向膜を形成するための液晶
配向膜形成用組成物であって、（Ａ）全溶媒に対して９５重量％以上の良溶媒、及び貧溶
媒を含む混合溶媒、並びに（Ｂ）液晶配向膜形成用材料を含有し、かつ、前記良溶媒が、
γ−ブチロラクトン、及び全溶媒に対して５重量％以上の、γ−ブチロラクトン以外の非
プロトン性極性溶媒及びフェノール系溶媒から選ばれる少なくとも一種からなるものであ
ることを特徴とする液晶配向膜形成用組成物が提供される。
【０００８】
本発明の液晶配向膜形成用組成物においては、前記貧溶媒の割合が、全溶媒に対して２
〜５重量％であることが好ましく、前記貧溶媒がブチルセロソルブであることが好ましく
、γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒及びフェノール系溶媒から選ばれる少
なくとも一種が、Ｎ−メチル−２−ピロリドンであることが好ましい。
【０００９】
本発明の液晶配向膜形成用組成物は、表面張力が３０〜４５ｍＮ／ｍの溶液であること
が好ましく、粘度が３〜２０ｍＰａ・ｓの溶液であることが好ましい。
また、本発明の液晶配向膜形成用組成物は、前記液晶配向膜形成用材料が、式（Ｉ）
【００１０】
【化１】
2007211196.tif 000002
【００１１】
（式中、Ｐ１は４価の有機基であり、Ｑ１は２価の有機基を表す。）で示される繰り返し
単位、及び式（ＩＩ）
【００１２】
【化２】
2007211196.tif 000003
【００１３】
（式中、Ｐ２は４価の有機基であり、Ｑ２は２価の有機基を表す。）で示される繰り返し
単位から選ばれる少なくとも一種を有する重合体であるものが好ましい。
【００１４】
本発明の液晶配向膜形成用組成物は、液滴吐出装置のノズルから吐出された液滴が隣り
合う液滴と十分になじむものであるため、得られる液晶配向膜にスジムラが発生すること
がない。また、基板表面に対するぬれ性及びレベリング性に優れるため、膜ムラが発生す
ることもない。従って、液晶配向膜形成用組成物を液滴吐出装置により基板表面に塗布す
ることにより、表面が均質で平滑な塗膜を得ることができ、また塗膜端部の隆起が低減さ
れるので、高品質な液晶配向膜を効率よく形成することができる。
【００１５】
本発明の第２によれば、本発明の液晶配向膜形成用組成物を、液滴吐出装置を用いて基
板表面に塗布して液晶配向膜を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法が提供され
る。
本発明の液晶表示装置の製造方法は、本発明の液晶配向膜形成用組成物を用いることに
より、スジムラ及び膜ムラがなく、均質で平坦な液晶配向膜を形成する工程を有する。従
って、高品質の液晶表示装置を低コストで効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を、１）液晶配向膜形成用組成物、及び、２）液晶表示装置の製造方法に
項分けして詳細に説明する。
【００１７】
１）液晶配向膜形成用組成物
本発明の液晶配向膜形成用組成物（以下、「本発明組成物」ということがある。）は、
液滴吐出装置により液晶配向膜を形成するための液晶配向膜形成用組成物であって、（Ａ
）全溶媒に対して９５重量％以上の良溶媒、及び貧溶媒を含む混合溶媒、並びに（Ｂ）液
晶配向膜形成用材料を含有し、かつ、前記良溶媒が、γ−ブチロラクトン、及び全溶媒に
対して５重量％以上の、γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒及びフェノール
系溶媒から選ばれる少なくとも一種からなるものであることを特徴とする。
【００１８】
（Ａ）混合溶媒
本発明組成物に用いる混合溶媒は、全溶媒に対して９５重量％以上の良溶媒、及び貧溶
媒を含む。そして、前記良溶媒が、γ−ブチロラクトンと、全溶媒に対して５重量％以上
の、γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒及びフェノール系溶媒から選ばれる
少なくとも一種からなるものである。溶媒として、このような組成の混合溶媒を使用する
ことにより、スジムラ及び膜ムラがなく、平坦性に優れる液晶配向膜を効率よく形成する
ことができる。
【００１９】
γ−ブチロラクトンは、液晶配向膜形成用材料、特に、前記式（Ｉ）で示される繰り返
し単位、及び前記式（ＩＩ）で示される繰り返し単位から選ばれる少なくとも一種を有す
る重合体に対する良溶媒である。
γ−ブチロラクトンの使用量は、全溶媒に対して、好ましくは６５〜９７重量％、より
好ましくは８５〜９５重量％である。
【００２０】
本発明においては、液晶配向膜形成用材料に対する良溶媒として、γ−ブチロラクトン
の他に、γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒及びフェノール系溶媒から選ば
れる少なくとも一種を用いる。γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒及びフェ
ノール系溶媒から選ばれる少なくとも一種を併用することで、液晶配向膜のスジムラの発
生を完全に防止し、膜ムラを防止する貧溶媒の効果を調整することができる。
【００２１】
γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒及びフェノール系溶媒から選ばれる少
なくとも一種の使用量は、好ましくは、全溶媒に対して５〜３０重量％、より好ましくは
５〜２５重量％、特に好ましくは５〜１０重量％である。
【００２２】
γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒としては、アミド系溶媒、スルホキシ
ド系溶媒、エーテル系溶媒、ニトリル系溶媒、エステル系溶媒等が挙げられる。なかでも
、スジムラがなく、平滑性に優れる高品質な液晶配向膜を効率よく形成できる観点から、
アミド系溶媒、スルホキシド系溶媒の使用が好ましい。
【００２３】
アミド系溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホ
ルアミド、テトラメチル尿素、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等が挙げられる
。スルホキシド系溶媒としては、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド等が挙げ
られる。
【００２４】
また、フェノール系溶媒としては、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール
等のクレゾール；ｏ−キシレノール、ｍ−キシレノール、ｐ−キシレノール等のキシレノ
ール；フェノール；ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノー
ル、ｍ−ブロモフェノール等のハロゲン化フェノール；等が挙げられる。
【００２５】
これらの中でも、γ−ブチロラクトン以外の非プロトン性極性溶媒及びフェノール系溶
媒から選ばれる少なくとも一種としては、液晶配向膜形成用材料の溶解能力が高いことか
ら、アミド系溶媒が好ましく、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが特に好ましい。
【００２６】
本発明組成物においては、前記混合溶媒は、さらに貧溶媒を含む。貧溶媒を用いること
により、溶液の広がりすぎを防止し、基板端部における塗膜表面の隆起（膜ムラ）が発生
しない組成物を得ることができる。
【００２７】
用いる貧溶媒としては、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、シクロヘキサノール、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（ジアセトンア
ルコール）、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、ト
リエチレングリコール等のアルコール系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエ
チルエーテル、エチレングリコール−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールイソプ
ロピルエーテル、エチレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、エチ
レングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；乳酸エチル、乳酸ブチル、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピ
オネート、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチル等のエステル系溶媒；ジクロロメタン、
１，２−ジクロロエタン、１，４−ジクロロブタン、トリクロロエタン、クロルベンゼン
、ｏ−ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、
ｎ−オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素系溶媒；等が挙げられる。これらの溶媒は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わ
せて用いることができる。
【００２８】
これらの中でも、貧溶媒を添加する効果が顕著に得られることから、ブチルセロソルブ
の使用が特に好ましい。
【００２９】
貧溶媒の使用割合は、全溶媒に対して、２〜５重量％であるのが好ましい。貧溶媒の使
用割合が２重量％未満では、膜ムラの発生を効率よく抑えることができず、５重量％より
大きいと、スジムラが発生するおそれがある。
【００３０】
（Ｂ）液晶配向膜形成用材料
本発明組成物に用いる液晶配向膜形成用材料としては、特に制限されず、従来公知の液
晶配向膜形成用材料が使用できる。例えば、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリアミック
酸エステル、ポリエステル、ポリアミド、ポリシロキサン、セルロース誘導体、ポリアセ
タール、ポリスチレン誘導体、ポリ（スチレン−フェニルマレイミド）誘導体、ポリ（メ
タ）アクリレート等が挙げられる。
【００３１】
これらの中でも、優れた液晶配向能を有する配向膜を形成できること等の理由から、前
記式（Ｉ）で示される繰り返し単位、及び前記式（ＩＩ）で示される繰り返し単位から選
ばれる少なくとも一種を有する重合体であることが好ましい。
【００３２】
このような重合体としては、（ｉ）前記式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリ
アミック酸、（ii）前記式（ＩＩ）で示される繰り返し単位を有するイミド化重合体、（
iii）前記式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するアミック酸プレポリマーと、上記式
（ＩＩ）で示される繰り返し単位を有するイミドプレポリマーとを有してなるブロック共
重合体等が挙げられる。これらは単独で用いても二種以上を組み合わせて用いてもよい。
二種以上を組み合わせて用いる場合には、ポリアミック酸とイミド化重合体とを混合して
用いることが好ましい。
【００３３】
（ｉ）ポリアミック酸
ポリアミック酸は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させることにより得
ることができる。
ポリアミック酸の合成に用いるテトラカルボン酸二無水物としては、１，２，３，４−
シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２−ジメチル−１，２，３，４−シクロブ
タンテトラカルボン酸二無水物、１，３−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテト
ラカルボン酸二無水物、１，３−ジクロロ−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，２，３，４−テトラメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカ
ルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２
，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ジシクロヘキ
シルテトラカルボン酸二無水物、シス−３，７−ジブチルシクロオクタ−１，５−ジエン
−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，５−トリカルボキシシクロペン
チル酢酸二無水物、３，５，６−トリカルボニル−２−カルボキシノルボルナン−２：３
，５：６−ジ無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、
１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３
−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５
，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−メチル−５（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニ
ル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−
ヘキサヒドロ−５−エチル−５（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナ
フト［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒ
ドロ−７−メチル−５（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１
，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−７
−エチル−５（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ
］−フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−８−メチル
−５（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラ
ン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−８−エチル−５（テ
トラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，
３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５，８−ジメチル−５（テト
ラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３
−ジオン、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキ
セン−１，２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，２］−オクト−７−エン−２
，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、３−オキサビシクロ［３，２，１］オクタン
−２，４−ジオン−６−スピロ−３'−（テトラヒドロフラン−２'，５'−ジオン）、下
記式（１）及び（２）で示される化合物等の脂環式テトラカルボン酸二無水物；
【００３４】
【化３】
2007211196.tif 000004
【００３５】
（式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子又はアルキル基を表し
、Ｒ６及びＲ９は、それぞれ独立して芳香環を有する２価の有機基を表す。）
【００３６】
ブタンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪族テトラカルボン酸二無水物； 
ピロメリット酸二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、３，３'，４，４'−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、３，３'，４，４'−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３'
，４，４'−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−
テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−フランテトラカルボ
ン酸二無水物、４，４'−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィ
ド二無水物、４，４'−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二
無水物、４，４'−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン二無水
物、３，３'，４，４'−パーフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物、３，３'，
４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フェニルホスフィン
オキサイド二無水物、ｐ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フ
ェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４
，４'−ジフェニルエーテル二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，４'−ジフェ
ニルメタン二無水物、エチレングリコール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、プロピ
レングリコール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、１，４−ブタンジオール−ビス（
アンヒドロトリメリテート）、１，６−ヘキサンジオール−ビス（アンヒドロトリメリテ
ート）、１，８−オクタンジオール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン−ビス（アンヒドロトリメリテート）、下記式（３
）〜（６）で表されるステロイド骨格を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物等の芳香
族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。これらは１種単独で、あるいは２種
以上組み合わせて用いることができる。
【００３７】
【化４】
2007211196.tif 000005
【００３８】
ポリアミック酸の合成に用いるジアミンとしては、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、
ｍ−フェニレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフ
ェニルエタン、４，４'−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４'−ジアミノジフェニル
スルホン、２，２'−ジメチル−４，４'−ジアミノビフェニル、３，３'−ジメチル−４
，４'−ジアミノビフェニル、４，４'−ジアミノベンズアニリド、４，４'−ジアミノジ
フェニルエーテル、１，５−ジアミノナフタレン、３，３−ジメチル−４，４'−ジアミ
ノビフェニル、５−アミノ−１−（４'−アミノフェニル）−１，３，３−トリメチルイ
ンダン、６−アミノ−１−（４'−アミノフェニル）−１，３，３−トリメチルインダン
、３，４'−ジアミノジフェニルエーテル、３，３'−ジアミノベンゾフェノン、３，４'
−ジアミノベンゾフェノン、４，４'−ジアミノベンゾフェノン、２，２−ビス［４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１
，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノ
フェニル）−１０−ヒドロアントラセン、２，７−ジアミノフルオレン、９，９−ビス（
４−アミノフェニル）フルオレン、４，４'−メチレン−ビス（２−クロロアニリン）、
２，２'，５，５'−テトラクロロ−４，４'−ジアミノビフェニル、２，２'−ジクロロ−
４，４'−ジアミノ−５，５'−ジメトキシビフェニル、３，３'−ジメトキシ−４，４'−
ジアミノビフェニル、１，４，４'−（ｐ−フェニレンイソプロピリデン）ビスアニリン
、４，４'−（ｍ−フェニレンイソプロピリデン）ビスアニリン、２，２'−ビス［４−（
４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、
４，４'−ジアミノ−２，２'−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，４'−ビス
［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）フェノキシ］−オクタフルオロビフェニル等
の芳香族ジアミン；
【００３９】
１，１−メタキシリレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オク
タメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、４，４−ジアミノヘプタメチレンジアミン
、１，４−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジアミン、テトラヒドロジシクロペンタ
ジエニレンジアミン、ヘキサヒドロ−４，７−メタノインダニレンジメチレンジアミン、
トリシクロ［６．２．１．０２，７］−ウンデシレンジメチルジアミン、４，４'−メチ
レンビス（シクロヘキシルアミン）等の脂肪族及び脂環式ジアミン；
【００４０】
２，３−ジアミノピリジン、２，６−ジアミノピリジン、３，４−ジアミノピリジン、
２，４−ジアミノピリミジン、５，６−ジアミノ−２，３−ジシアノピラジン、５，６−
ジアミノ−２，４−ジヒドロキシピリミジン、２，４−ジアミノ−６−ジメチルアミノ−
１，３，５−トリアジン、１，４−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン、２，４−ジ
アミノ−６−イソプロポキシ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メトキ
シ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−フェニル−１，３，５−トリアジ
ン、２，４−ジアミノ−６−メチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−１，３，５−
トリアジン、４，６−ジアミノ−２−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−５−
フェニルチアゾール、２，６−ジアミノプリン、５，６−ジアミノ−１，３−ジメチルウ
ラシル、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、６，９−ジアミノ−２−エトキ
シアクリジンラクテート、３，８−ジアミノ−６−フェニルフェナントリジン、１，４−
ジアミノピペラジン、３，６−ジアミノアクリジン、ビス（４−アミノフェニル）フェニ
ルアミン等の、分子内に２つの１級アミノ基及び該１級アミノ基以外の窒素原子を有する
ジアミン；式（７）
【００４１】
【化５】
2007211196.tif 000006
【００４２】
（式中、Ｒ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立して炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、ｐ、
ｒはそれぞれ独立して１〜３の整数であり、ｑは１〜２０の整数である。）で示されるジ
アミノオルガノシロキサン等が挙げられる。これらのジアミンは一種単独で、あるいは二
種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４３】
また、本発明組成物にプレチルト角発現性を付与したい場合には、上記式（Ｉ）におけ
るＱ１及び／又は上記式（ＩＩ）におけるＱ２の一部又は全部が、下記式（８）及び（９
）で表される少なくとも一種の基であることが好ましい。
【００４４】
【化６】
2007211196.tif 000007
【００４５】
（式中、Ｘ１は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、
−ＣＯＮＨ−、−Ｓ−又はアリーレン基であり、Ｒ１４は、炭素数１０〜２０のアルキル
基、炭素数４〜４０の脂環式骨格を有する１価の有機基又は炭素数６〜２０のフッ素原子
を有する１価の有機基である。）
【００４６】
【化７】
2007211196.tif 000008
【００４７】
（式中、Ｘ２、Ｘ３はそれぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｏ
ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｓ−又はアリーレン基であり、Ｒ１５は、炭素
数４〜４０の脂環式骨格を有する２価の有機基である。）
【００４８】
上記式（８）において、Ｒ１４で表される炭素数１０〜２０のアルキル基としては、例
えば、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−
オクタデシル基、ｎ−エイコシル基等が挙げられる。
【００４９】
また、上記式（８）におけるＲ１４、及び上記式（９）におけるＲ１５で表される炭素
数４〜４０の脂環式骨格を有する有機基としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタ
ン、シクロヘキサン、シクロデカン等のシクロアルカン由来の脂環式骨格を有する基；コ
レステロール、コレスタノール等のステロイド骨格を有する基；ノルボルネン、アダマン
タン等の有橋脂環式骨格を有する基等が挙げられる。なお、上記脂環式骨格を有する有機
基は、ハロゲン原子、好ましくはフッ素原子や、フルオロアルキル基、好ましくはトリフ
ルオロメチル基で置換された基であってもよい。
【００５０】
さらに、上記式（８）におけるＲ１４で表される炭素数６〜２０のフッ素原子を有する
有機基としては、例えば、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基等の炭素数６
以上の直鎖状アルキル基；シクロヘキシル基、シクロオクチル基等の炭素数６以上の脂環
式炭化水素基；フェニル基、ビフェニル基等の炭素数６以上の芳香族炭化水素基等の有機
基における水素原子の一部又は全部を、フッ素原子又はトリフルオロメチル基等のフルオ
ロアルキル基で置換した基が挙げられる。
【００５１】
また、上記式（８）及び（９）におけるＸ１〜Ｘ３のアリーレン基としては、フェニレ
ン基、トリレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。
【００５２】
上記式（８）で表される基を有するジアミンの具体例としては、ドデカノキシ−２，４
−ジアミノベンゼン、ペンタデカノキシ−２，４−ジアミノベンゼン、ヘキサデカノキシ
−２，４−ジアミノベンゼン、オクタデカノキシ−２，４−ジアミノベンゼン、下記式（
１０）〜（１５）で表される化合物を好ましいものとして挙げることができる。
【００５３】
【化８】
2007211196.tif 000009
【００５４】
また、上記式（９）で表される基を有するジアミンの具体例としては、下記式（１６）
〜（１８）で表されるジアミンを好ましいものとして挙げることができる。
【００５５】
【化９】
2007211196.tif 000010
【００５６】
特定ジアミンの全ジアミン量に対する使用割合は、発現させたいプレチルト角の大きさ
によっても異なるが、ＴＮ型、ＳＴＮ型液晶表示素子の場合には０〜５モル％、垂直配向
型液晶表示素子の場合には５〜１００モル％が好ましい。
【００５７】
ポリアミック酸は、上述したテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを、適当な有機溶
媒中、通常−２０℃〜＋１５０℃、好ましくは０〜１００℃で反応させることにより、製
造することができる。
【００５８】
テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの使用割合は、ジアミンのアミノ基１当量に対
して、テトラカルボン酸二無水物の酸無水物基が０．２〜２当量となる割合が好ましく、
より好ましくは０．３〜１．２当量となる割合である。
【００５９】
ポリアミック酸の合成反応に用いる有機溶媒としては、ポリアミック酸を溶解できるも
のであれば特に制限はない。例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクト
ン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルトリアミド等の非プロトン系極性溶媒；ｍ
−クレゾール、キシレノール、フェノール、ハロゲン化フェノール等のフェノール系溶媒
；等が挙げられる。
【００６０】
有機溶媒の使用量（α）は、通常、テトラカルボン酸二無水物及びジアミン化合物の総
量（β）が、反応溶液の全量（α＋β）に対して０．１〜３０重量％になるような量であ
ることが好ましい。
【００６１】
なお、上記有機溶媒には、ポリアミック酸の貧溶媒を、生成するポリアミック酸が析出
しない範囲で併用することができる。
【００６２】
ポリアミック酸の貧溶媒としては、前記、液晶配向膜形成用材料の貧溶媒として例示し
たものと同様のものが挙げられる。これらの溶媒は一種単独で、あるいは二種以上を組み
合わせて用いることができる。
【００６３】
ポリアミック酸を含む反応液を大量の貧溶媒中に注いで析出物を得、この析出物を減圧
下乾燥することにより、ポリアミック酸を単離することができる。
また、得られたポリアミック酸を再び有機溶媒に溶解させ、次いで貧溶媒で析出させる
工程を１回又は数回行うことにより、ポリアミック酸を精製することができる。
【００６４】
（ii）イミド化重合体
イミド化重合体は、上記ポリアミック酸を、公知の方法、例えば、特開２００３−２９
５１９５号公報に記載された方法により脱水閉環させることにより得ることができる。な
お、イミド化重合体は、繰り返し単位の１００％が脱水閉環していなくてもよく、全繰り
返し単位におけるイミド環を有する繰り返し単位の割合（以下、「イミド化率」ともいう
。）が１００％未満のものであってもよい。
【００６５】
イミド化重合体のイミド化率は特に制限されないが、好ましくは４０モル％以上、より
好ましくは７０モル％以上である。イミド化率が４０モル％以上の重合体を用いることに
よって、残像消去時間の短い液晶配向膜が形成可能な液晶配向膜形成用組成物を得ること
ができる。
【００６６】
本発明で用いる重合体は、分子量が調節された末端修飾型のものであってもよい。この
末端修飾型の重合体を用いることにより、本発明の効果が損われることなく液晶配向膜形
成用組成物の塗布適性等を改善することができる。
【００６７】
このような末端修飾型の重合体は、ポリアミック酸を合成する際に、酸一無水物、モノ
アミン化合物、モノイソシアネート化合物等を反応系に添加することにより合成すること
ができる。ここで、酸一無水物としては、例えば無水マレイン酸、無水フタル酸、無水イ
タコン酸、ｎ−デシルサクシニック酸無水物、ｎ−ドデシルサクシニック酸無水物、ｎ−
テトラデシルサクシニック酸無水物、ｎ−ヘキサデシルサクシニック酸無水物等が挙げら
れる。また、モノアミン化合物としては、例えばアニリン、シクロヘキシルアミン、ｎ−
ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オ
クチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、ｎ−ウンデシルアミン、ｎ−ドデ
シルアミン、ｎ−トリデシルアミン、ｎ−テトラデシルアミン、ｎ−ペンタデシルアミン
、ｎ−ヘキサデシルアミン、ｎ−ヘプタデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｎ−エ
イコシルアミン等が挙げられる。また、モノイソシアネート化合物としては、例えばフェ
ニルイソシアネート、ナフチルイソシアネート等が挙げられる。
【００６８】
（iii）ブロック共重合体
ブロック共重合体は、末端にアミノ基又は酸無水物基を有するアミック酸プレポリマー
と、末端に酸無水物基又はアミノ基を有するイミドプレポリマーとをそれぞれ合成し、各
プレポリマーの末端のアミノ基と酸無水物基を結合させることにより、得ることができる
。
【００６９】
アミック酸プレポリマーは、上述したポリアミック酸の合成方法と同様の方法により合
成することができる。また、イミドプレポリマーは、上述したイミド化重合体の合成方法
と同様にして合成することができる。なお、末端に有する官能基の選択は、ポリアミック
酸合成時のテトラカルボン酸二無水物とジアミンの量を調整することにより行うことがで
きる。
【００７０】
本発明組成物には、基板表面に対する接着性を向上させる目的で、前記混合溶媒及び液
晶配向膜形成用材料の他に、官能性シラン含有化合物又はエポキシ基含有化合物を含有さ
せてもよい。
【００７１】
用いる官能性シラン含有化合物、エポキシ基含有化合物としては、特に制限なく、従来
公知のものを使用することができる。これら官能性シラン含有化合物やエポキシ基含有化
合物の配合割合は、液晶配向膜形成用材料１００重量部に対して、通常、４０重量部以下
、好ましくは３０重量部以下である。
【００７２】
本発明組成物は、前記液晶配向膜形成用材料及び所望により官能性シラン含有化合物等
を、前記混合溶媒に溶解又は分散、好ましくは溶解させることによって製造することがで
きる。
【００７３】
得られる本発明組成物の固形分濃度は、粘性、揮発性等を考慮して選択されるが、好ま
しくは１〜１０重量％の範囲である。固形分濃度が１重量％未満である場合には、本発明
組成物の塗膜の膜厚が過小となって良好な液晶配向膜を得ることができず、固形分濃度が
１０重量％を超える場合には、塗膜の膜厚が過大となって良好な液晶配向膜を得ることが
できず、また、液晶配向膜形成用組成物の粘性が増大して塗布特性が劣るものとなる。
【００７４】
本発明組成物の表面張力は特に制限されないが、３０〜４５ｍＮ／ｍ（２０℃）である
のが好ましい。表面張力が３０〜４５ｍＮ／ｍ（２０℃）の範囲にある配向膜形成用組成
物は、基板表面へのぬれ性に優れ、液滴吐出装置により、均一な厚みの塗膜を効率よく形
成することができる。
【００７５】
本発明組成物の粘度は、特に制限されないが、３〜２０ｍＰａ・ｓ（２０℃）であるこ
とが好ましい。この範囲に粘度を調整することにより、流動性に優れる液晶配向膜形成用
組成物が得られ、液滴吐出装置による吐出性が安定する。
【００７６】
本発明組成物によれば、スジムラ及び膜ムラのない塗膜を形成できるので、歩留まりを
大幅に向上させることができる。また、本発明組成物はレベリング性に優れ、均一な厚み
で、かつ表面が均質で平坦な塗膜を形成できるので、高品質な配向膜を形成でき、結果と
して高品質な液晶表示装置を製造することができる。
【００７７】
２）液晶表示装置の製造方法
本発明の液晶表示装置の製造方法は、本発明組成物を液滴吐出装置を用いて基板表面に
塗布して液晶配向膜を形成する工程を有することを特徴とする。
【００７８】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、例えば、図１に示す液晶表示装置の製造ラインを
用いて実施することができる。
図１に示すように、液晶表示装置製造ラインＩは、各工程においてそれぞれ用いられる
洗浄装置１、親液化処理装置２、液滴吐出装置３a、乾燥装置４、焼成装置５、ラビング
装置６、液滴吐出装置３ｂ、液滴吐出装置３ｃ、貼り合せ装置７、各装置を接続するベル
トコンベアＡ、ベルトコンベアＡを駆動させる駆動装置８、及び液晶表示装置製造ライン
Ｉ全体の制御を行う制御装置９により構成されている。
【００７９】
本発明に用いる液滴吐出装置の例を図２に示す。図２は、インクジェット式の吐出装置
３ａの構成の概略を示す図である。吐出装置３ａとしては、いわゆるインクジェット方式
の吐出装置であれば、特に制限されない。例えば、加熱発泡により気泡を発生し、液滴の
吐出を行うサーマル方式の吐出装置、ピエゾ素子を利用する圧縮により、液滴の吐出を行
うピエゾ方式の吐出装置等が挙げられる。
【００８０】
この吐出装置３ａは、基板上に吐出物を吐出するインクジェットヘッド２２を備えてい
る。このインクジェットヘッド２２は、ヘッド本体２４及び吐出物を吐出する多数のノズ
ルが形成されているノズル形成面２６を備えている。このノズル形成面２６のノズルから
吐出物、即ち、基板上に液晶配向膜を形成するための本発明の液晶配向膜形成用組成物が
吐出される。
【００８１】
吐出装置３ａは、基板を載置するテーブル２８を備えている。このテーブル２８は、所
定の方向、例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能に設置されている。また
、テーブル２８は、図中矢印で示すようにＸ軸に沿った方向に移動することにより、ベル
トコンベアＡにより搬送される基板をテーブル２８上に載置して吐出装置３ａ内に取り込
む。
【００８２】
また、インクジェットヘッド２２には、ノズル形成面２６に形成されているノズルから
吐出される吐出物である本発明組成物を収容しているタンク３０が接続されている。即ち
、タンク３０とインクジェットヘッド２２とは、吐出物を搬送する吐出物搬送管３２によ
って接続されている。
【００８３】
この吐出物搬送管３２は、吐出物搬送管３２の流路内の帯電を防止するための吐出物流
路部アース継手３２ａとヘッド部気泡排除弁３２ｂとを備えている。このヘッド部気泡排
除弁３２ｂは、後述する吸引キャップ４０により、インクジェットヘッド２２内の吐出物
を吸引する場合に用いられる。即ち、吸引キャップ４０によりインクジェットヘッド２２
内の吐出物を吸引するときは、このヘッド部気泡排除弁３２ｂを閉状態にし、タンク３０
側から吐出物が流入しない状態にする。そして、吸引キャップ４０で吸引すると、吸引さ
れる吐出物の流速が上がり、インクジェットヘッド２２内の気泡が速やかに排出されるこ
とになる。
【００８４】
吐出装置３ａは、タンク３０内に収容されている吐出物の収容量、即ち、タンク３０内
に収容されている本発明組成物の液面３４ａの高さを制御するための液面制御センサ３６
を備えている。この液面制御センサ３６は、インクジェットヘッド２２が備えるノズル形
成面２６の先端部２７とタンク３０内の液面３４ａとの高さの差ｈ（以下、水頭値という
）を所定の範囲内に保つ制御を行う。液面３４ａの高さを制御することで、タンク３０内
の吐出物３４が所定の範囲内の圧力でインクジェットヘッド２２に送られることになる。
そして、所定の範囲内の圧力で吐出物３４を送ることで、インクジェットヘッド２２から
安定的に吐出物３４を吐出することができる。
【００８５】
また、インクジェットヘッド２２のノズル形成面２６に対向して一定の距離を隔てて、
インクジェットヘッド２２のノズル内の吐出物を吸引する吸引キャップ４０が配置されて
いる。この吸引キャップ４０は、図３中に矢印で示すＺ軸に沿った方向に移動可能に構成
されており、ノズル形成面２６に形成された複数のノズルを囲むようにノズル形成面２６
に密着し、ノズル形成面２６との間に密閉空間を形成してノズルを外気から遮断できる構
成となっている。
【００８６】
なお、吸引キャップ４０によるインクジェットヘッド２２のノズル内の吐出物の吸引は
、インクジェットヘッド２２が吐出物３４を吐出していない状態、例えば、インクジェッ
トヘッド２２が、退避位置等に退避しており、テーブル２８が破線で示す位置に退避して
いるときに行われる。
【００８７】
また、この吸引キャップ４０の下方には、流路が設けられており、この流路には、吸引
バルブ４２、吸引異常を検出する吸引圧検出センサ４４及びチューブポンプ等からなる吸
引ポンプ４６が配置されている。また、この吸引ポンプ４６等で吸引され、流路を搬送さ
れてきた吐出物３４は、廃液タンク４８内に収容される。
【００８８】
以下に述べる本実施形態では、液滴吐出装置３ｂ、３ｃは、吐出する材料が異なること
を除き、吐出装置３ａと同じ構成のものを使用している。
【００８９】
次に、本発明を、図３に示す液晶表示装置を製造する場合を例にとって詳細に説明する
。図３は、本実施形態により製造される液晶表示装置の断面の概略を示す図である。
図３に示す液晶表示装置は、パッシブマトリクス方式の半透過反射型カラー液晶表示装
置である。液晶表示装置５０は、ガラス、プラスチック等からなる矩形平板形状の下基板
５２ａと、上基板５２ｂとがシール材及びスペーサ（図示せず）を介して対向配置され、
この下基板５２ａと上基板５２ｂとの間に液晶層５６が挟持されている。
【００９０】
下基板５２ａと液晶層５６との間には、下基板５２ａの側から複数のセグメント電極５
８及び液晶配向膜６０が形成されている。セグメント電極５８は、図３に示すように、ス
トライプ状に形成されており、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ
、以下、「ＩＴＯ」という。）等の透明導電膜により形成されている。また、液晶配向膜
６０は、液晶配向膜形成用材料により形成されている。
【００９１】
また、上基板５２ｂと液晶層５６との間には、上基板５２ｂ側から順に、カラーフィル
タ６２、オーバーコート膜６６、コモン電極６８及び液晶配向膜７０が形成されている。
カラーフィルタ６２は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色素層６２ｒ、６２ｇ、６２
ｂから構成されており、カラーフィルタ６２を構成する各色素層６２ｒ、６２ｇ、６２ｂ
の間（境界）には、樹脂ブラックや光の反射率が低いクロム（Ｃｒ）等の金属により構成
されるブラックマトリクス６４が形成されている。なお、カラーフィルタ６２を構成する
各色素層６２ｒ、６２ｇ、６２ｂは下基板５２ａに形成されているセグメント電極５８に
対向して配置されている。
【００９２】
オーバーコート膜６６は、各色素層６２ｒ、６２ｇ、６２ｂ間の段差を平坦化すると共
に各色素層の表面を保護するものであり、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン酸化
膜等の無機膜により形成されている。
【００９３】
コモン電極６８は、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成されており、下基板５２ａに形成さ
れているセグメント電極５８と直交する位置にストライプ状に形成されている。
また、液晶配向膜７０は、ポリイミド樹脂等により形成されている。
【００９４】
図３に示す液晶表示装置は、図４に示すように、（Ｓ１０）〜（Ｓ１９）の各ステップ
を経て製造することができる。以下、各ステップを順に説明する。
【００９５】
（Ｓ１０）
まず、液晶配向膜を形成する基板を用意する。
基板としては、例えばフロートガラス、ソーダガラス等のガラス；ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート等の
プラスチックからなる透明基板を用いることができる。基板の一面に設けられる透明導電
膜としては、酸化スズ（ＳｎＯ２）からなるＮＥＳＡ膜（米国ＰＰＧ社登録商標）、酸化
インジウム−酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）からなるＩＴＯ膜等を用いることができ
る。これらの透明導電膜のパターニングには、フォト・エッチング法や予めマスクを用い
る方法が用いられる。本実施形態においては、セグメント電極５８が形成された下基板５
２ａを用いる。
【００９６】
次に、この基板の配向膜を形成する表面を洗浄する（Ｓ１０）。すなわち、セグメント
電極５８が形成された下基板５２ａが、ベルトコンベアＡにより洗浄装置１まで搬送され
、ベルトコンベアＡにより搬送された下基板５２ａが洗浄装置１内に取り込まれ、アルカ
リ系洗剤、純水等を用いて下基板５２ａが洗浄された後、所定の温度及び時間、例えば、
８０〜９０℃で５〜１０分間、乾燥処理が行われる。
洗浄及び乾燥が行われた下基板５２ａは、ベルトコンベアＡにより親液化処理装置２ま
で搬送される。
【００９７】
（Ｓ１１）
次に、洗浄及び乾燥が行われた基板表面が親液化処理される（Ｓ１１）。即ち、ベルト
コンベアＡにより親液化処理装置２まで搬送された基板、例えば、下基板５２aが、親液
化処理装置２内に取り込まれ、紫外線照射又はプラズマ処理により表面が親液化処理され
る。親液化処理を施すことにより、液晶配向膜形成用組成物のぬれ性がさらに向上し、均
一、平坦でかつ密着性に優れる液晶配向膜を基板上に形成することができる。
【００９８】
（Ｓ１２）
次に、Ｓ１１において親液化処理された基板上に、本発明組成物が塗布される（Ｓ１２
）。即ち、まず、ベルトコンベアＡにより液滴吐出装置３ａまで搬送された基板、例えば
、下基板５２ａが、テーブル２８に載置されて液滴吐出装置３ａ内に取り込まれる。液滴
吐出装置３ａ内においては、タンク３０内に収容されている本発明組成物がノズル形成面
２６のノズルを介して吐出され、下基板５２ａ上に本発明組成物が塗布される。
【００９９】
（Ｓ１３）
次に、基板に塗布された本発明組成物を仮乾燥する処理が行われる（Ｓ１３）。即ち、
ベルトコンベアＡにより乾燥装置４まで搬送された基板、例えば、下基板５２ａが乾燥装
置４内に取り込まれ、例えば、６０〜２００℃で仮乾燥が行われる。
塗布された本発明組成物の仮乾燥が行われた下基板５２ａは、ベルトコンベアＡへと移
され、ベルトコンベアＡにより焼成装置５へと搬送される。
【０１００】
（Ｓ１４）
次に、仮乾燥が行われた本発明組成物を焼成する処理が行われる（Ｓ１４）。即ち、ベ
ルトコンベアＡにより焼成装置５まで搬送された基板、例えば、下基板５２ａが焼成装置
５内に取り込まれ、例えば、１８０〜２５０℃に焼成する処理がなされる。
【０１０１】
なお、ポリアミック酸を含有する本発明組成物を使用する場合には、この焼成する処理
によって脱水閉環が進行し、よりイミド化された塗膜となる場合がある。
形成される塗膜の膜厚は、通常０．００１〜１μｍであり、好ましくは０．００５〜０
．５μｍである。
以上のようにして、図５に示すように、本発明組成物の塗膜６０ａが形成された下基板
５２ａを得る。
この下基板５２ａは、ベルトコンベアＡへと移され、ベルトコンベアＡによりラビング
装置６へと搬送される。
【０１０２】
（Ｓ１５）
次に、基板上に形成された本発明組成物の塗膜６０ａのラビング処理が行われる（Ｓ１
５）。即ち、ベルトコンベアＡによりラビング装置６まで搬送された基板、例えば、下基
板５２ａがラビング装置６内に取り込まれ、例えばナイロン、レーヨン、コットン等の繊
維からなる布を巻き付けたロールで一定方向に擦るラビング処理を行う。これにより、図
６に示すように、液晶分子の配向能が塗膜に付与されて液晶配向膜６０が形成される。
【０１０３】
また、本発明組成物により形成された液晶配向膜に、例えば特開平６−２２２３６６号
公報や特開平６−２８１９３７号公報に示されているような、紫外線を部分的に照射する
ことによってプレチルト角を変化させるような処理、あるいは特開平５−１０７５４４号
公報に示されているような、ラビング処理を施した液晶配向膜表面にレジスト膜を部分的
に形成し、先のラビング処理と異なる方向にラビング処理を行った後にレジスト膜を除去
して、液晶配向膜の液晶配向能を変化させるような処理を行うことによって、液晶表示素
子の視界特性を改善することもできる。
【０１０４】
（Ｓ１６）
液晶配向膜６０が形成された下基板５２ａは、ベルトコンベアＡへと移され、ベルトコ
ンベアＡにより液滴吐出装置３ｂまで搬送され、液滴吐出装置３ｂ内に取り込まれる。液
滴吐出装置３ｂにおいては、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、ラビング処理された液晶
配向膜６０上の液晶表示領域Ｂを取り囲むように、シール層形成用溶液が塗布される（Ｓ
１６）。図７において、５９ａは、シール層形成用溶液の塗膜である。なお、図７（ａ）
は工程上面図であり、図７（ｂ）は水平方向から見た工程断面図である。
【０１０５】
ここで、シール層形成用溶液としては、下基板と上基板とを接合するための接着剤とし
て従来公知のものを使用することができる。例えば、電離放射線硬化性樹脂等を含有する
液滴（電離放射線硬化性樹脂組成物）、熱硬化性樹脂等を含有する液滴（熱硬化性樹脂組
成物）が挙げられ、作業性に優れることから電離放射線硬化性樹脂組成物の使用が好まし
い。熱硬化性樹脂組成物や電離放射線硬化性樹脂組成物としては、特に制限されず、従来
公知のものを使用することができる。
【０１０６】
（Ｓ１７）
次に、シール層形成用溶液が塗布された基板は、ベルトコンベアＡへと移され、ベルト
コンベアＡにより、液滴吐出装置３ｃまで搬送された基板が液滴吐出装置３ｃ内に取り込
まれる。液滴吐出装置３ｃにおいては、図８に示すように、前記シール層形成用溶液の塗
膜５９ａで囲まれた液晶層形成領域Ａに、液晶材料５６が塗布される（Ｓ１７）。
【０１０７】
ここで、液晶材料５６としては、特に制限されず、従来公知のものが使用できる。
液晶モードとしては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅ
ｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型、ＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ
Ｎｅｍａｔｉｃ）型、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型、ＭＶＡ（Ｍ
ｕｌｔｉｐｌｅ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎ
ｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅ
ｎｄ）型等が挙げられる。
【０１０８】
また、液晶材料はスペーサーを含有するものであってもよい。スペーサーは液晶層の厚
さ（セルギャップ）を一定に保持するための部材である。スペーサーの材料としては特に
制限されず、従来公知のものを使用することができる。
また、液晶材料とは別個に、液晶材料を塗布する前、あるいは塗布した後にスペーサー
を含む機能液を塗布してもよい。
【０１０９】
（Ｓ１８）
次に、液晶材料５６が塗布された基板は、図９（ａ）に示すように、貼り合せ装置の真
空チャンバー９０ａ内に搬送され、チャンバー９ａ内を真空にした後、下定盤８０ａ上に
吸引固定される。一方、カラーフィルタ６２、ブラックマトリクス６４、オーバーコート
膜６６、コモン電極６８及び液晶配向膜７０（これらの図示は省略されている）が形成さ
れた基板（上基板）５２ｂを上定盤８０ｂ上に吸引固定し、下基板５２ａと上基板５２ｂ
とを貼り合せる（Ｓ１８）。
【０１１０】
下基板５２ａと上基板５２ｂとを貼り合せる際の位置合せは、具体的には、下基板５２
ａと上基板５２ｂに予め設けてあるアラインメントマークをカメラで認識させながら、行
うことができる。このとき位置合せ精度を上げるため、下基板５２ａと上基板５２ｂの間
隔を０．２〜０．５ｍｍ程度にして位置合せを行うのが好ましい。
【０１１１】
（Ｓ１９）
次に、下基板５２ａと上基板５２ｂとを貼り合せた積層物の硬化処理が行われる。硬化
処理は、硬化装置を使用して行われる（Ｓ１９）。硬化装置としては、電離放射線の照射
装置や加熱装置等が挙げられるが、本実施形態では紫外線照射装置８２を使用する。すな
わち、図９（ｂ）に示すように、紫外線照射装置８２により紫外線を照射して、シール層
５９ａを硬化させる。
次いで、チャンバー９ａ内の減圧を大気圧に開放し、下基板５２ａ及び上基板５２ｂの
吸着を開放する。
【０１１２】
その後は、液晶セルの外表面、すなわち、液晶セルを構成するそれぞれの基板の他面側
に、偏光板を、その偏光方向が当該基板の一面に形成された液晶配向膜のラビング方向と
一致又は直交するように貼り合せる。ここで、液晶セルの外表面に貼り合わされる偏光板
としては、ポリビニルアルコールを延伸配向させながら、ヨウ素を吸収させたＨ膜と称さ
れる偏光膜を酢酸セルロース保護膜で挟んだ偏光板又はＨ膜そのものからなる偏光板を挙
げることができる。
【０１１３】
以上のようにして、図３に示す液晶表示装置を製造することができる。
得られる液晶表示装置は、液滴吐出装置３ａにより、本発明組成物を塗布して形成され
た、スジムラ及び膜ムラのない液晶配向膜を有するものであるので、高品質で低コストな
液晶表示装置である。
【０１１４】
本実施形態においては、Ｓ１５において、ラビング処理を施す方法により液晶配向膜を
形成しているが、例えば、特開２００４−１６３６４６号公報に開示されている、偏光さ
れた放射線を照射する方法等により液晶配向能を施すこともできる。
【０１１５】
また、本実施形態においては、Ｓ１７において、液晶材料を液滴吐出装置３ｃを使用し
て塗布することにより液晶層を形成しているが、液晶配向膜が形成された基板を２枚作製
し、それぞれの液晶配向膜におけるラビング方向が直交又は逆平行となるように、２枚の
基板を、間隙（セルギャップ）を介して対向配置し、２枚の基板の周辺部をシール剤を用
いて貼り合わせ、基板表面及びシール剤により区画されたセルギャップ内に液晶を注入充
填し、注入孔を封止して液晶層を形成するようにしてもよい。
【実施例】
【０１１６】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例により
何ら限定されるものではない。
【０１１７】
（実施例１、２、比較例１〜３）
γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、及びブチルセロソルブを、下記第
１表に示す割合で混合して混合溶媒を得た。得られた混合溶媒のそれぞれにポリイミドを
溶解して、実施例１、２、及び比較例１〜３の液晶配向膜形成用組成物をそれぞれ調製し
た（固形分濃度８重量％）。
得られた液晶配向膜形成用組成物を、液滴吐出装置を用いて、ＩＴＯ基板上へ乾燥膜厚
が６０ｎｍとなるように塗布し、液晶配向膜を形成した。得られた液晶配向膜のスジムラ
及び膜ムラを目視により観察し、スジムラ又は膜ムラが発生している場合を×、発生して
いない場合を○として評価した。その結果を第１表にまとめて示す。
【０１１８】
【表１】
2007211196.tif 000011
【０１１９】
第１表から、本発明の液晶配向膜形成用組成物を用いて形成した、実施例１、２の液晶
配向膜は、スジムラ及び膜ムラのないものであった。一方、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
を含まない液晶配向膜形成用組成物を用いて形成した比較例１の液晶配向膜、及び良溶媒
が全溶媒に対して９５重量％未満であり、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが全溶媒に対して
５重量％未満である液晶配向膜形成用組成物を用いて形成した比較例３の液晶配向膜には
スジムラが発生し、貧溶媒を含まない液晶配向膜形成用組成物を用いて形成した比較例２
の液晶配向膜には、膜ムラが発生していた。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】実施の形態に係る液晶表示装置製造ラインの一例を示す図である。
【図２】実施の形態に係るインクジェット式吐出装置の概略図である。
【図３】実施の形態に係る液晶表示装置の断面の概略図である。
【図４】実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法のフローチャートである。
【図５】実施の形態に係る液晶表示装置の製造過程の基板の端面図である。
【図６】実施の形態に係る液晶表示装置の製造過程の基板の端面図である。
【図７】実施の形態に係る液晶表示装置の製造過程の基板の端面図である。
【図８】実施の形態に係る液晶表示装置の製造過程の基板の端面図である。
【図９】実施の形態に係る液晶表示装置の製造過程の基板の端面図である。
【符号の説明】
【０１２１】
Ｉ…液晶表示装置製造ライン、１…洗浄装置、２…親液化処理装置、３ａ、３ｂ、３ｃ
…吐出装置、４…乾燥装置、５…成装置、６…ラビング装置、８…駆動装置、９…制御装
置、２２…インクジェットヘッド、２４…ヘッド本体、２６…ノズル形成面、２８…テー
ブル、３０…タンク、３２…吐出物搬送管、３２ａ…吐出物流路部アース継手、３２ｂ…
ヘッド部気泡排除弁、３４…吐出物、３４ａ…液面、３６…液面制御センサ、４０…吸引
キャップ、４２…吸引バルブ、４４…吸引圧検出センサ、４６…吸引ポンプ、４８…廃液
タンク、５０…液晶表示装置、５２ａ…下基板、５２ｂ…上基板、５６…液晶層、５８…
セグメント電極、５９…シール層、５９ａ…シール剤の塗膜、６０，７０…液晶配向膜、
６２…カラーフィルター、６２ｒ，６２ｇ，６２ｂ…色素層、６４…ブラックマトリクス
、６６…オーバーコート膜、６８…コモン電極、８０ａ…下定盤、８０ｂ…上定盤、８２
…紫外線照射装置、９０ａ…真空チャンバー、Ａ…液晶層形成領域
【図１】
2007211196.tif 000014
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2007211196.tif 000021
【図９】
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