(57)【要約】【課題】  同じ構造で、絶対圧センサ及びゲージ圧センサを共に実現する。【解決手段】  圧力センサ１０は、表面２１に形成される第１電極４０と、第１電極４０の表面を覆って成膜される誘電体膜７０と、第１接続電極４３と、裏面２２に形成される第２接続電極４５と、厚み方向に貫通する貫通電極４６と、が形成される固定基板２０と、誘電体膜７０に対向して形成されるダイヤフラム３４と、ダイヤフラム３４の表面の第１電極４０に対向した位置に、誘電体膜７０との間に空間６０を有して形成される第２電極５０と、第２電極５０から延在される接合電極５２と、が形成される可動基板３０と、を備え、固定基板２０と可動基板３０とが、接合電極５２によって接合し一体化され、貫通電極４６は貫通孔４７を有し、貫通孔４７が空間６０に連通し、金属からなる封止材８５が、貫通孔４７を封止するとともに、第１電極４０と第２接続電極４５とを接続している。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤフラムが圧力を受けて誘電体膜と接触する接触面積の変化を検出して圧力を測定する圧力センサであって、
一方の表面に形成される第１電極と、該第１電極の表面を覆って成膜される前記誘電体膜と、第１接続電極と、他方の表面に形成される第２接続電極と、厚み方向に貫通する貫通電極と、が形成される固定基板と、
前記誘電体膜に対向して形成される前記ダイヤフラムと、該ダイヤフラムの表面において前記第１電極に対向した位置に、前記誘電体膜との間に空間を有して設けられる第２電極と、前記第２電極から延在され前記固定基板との接合をするための接合電極と、が形成される可動基板と、を備え、
前記固定基板と前記可動基板とが、前記接合電極によって接合し一体化され、
前記貫通電極は貫通孔を有し、前記貫通孔が前記空間に連通し、
金属からなる封止材が、前記貫通孔を封止するとともに、前記第１電極と前記第２接続電極とを接続していることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の圧力センサにおいて、
前記第１接続電極と前記第２電極とが前記接合電極を介して接続され、前記第２接続電極と前記第１電極とが前記貫通電極を介して接続され、
前記第１接続電極と前記第２接続電極のそれぞれが、外部回路との接続を行う接続部であることを特徴とする圧力センサ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の圧力センサにおいて、
前記可動基板の前記固定基板と対向する表面の前記貫通孔に対向する位置に、前記封止材を保持するための封止補助電極が形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の圧力センサにおいて、
前記第２接続電極が、前記固定基板の側面から前記一方の表面まで延在されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項５】
一方の表面に形成される第１電極と、該第１電極の表面を覆って成膜される前記誘電体膜と、第１接続電極と、が形成される固定基板と、
前記誘電体膜に対向して形成される前記ダイヤフラムと、該ダイヤフラムの表面の前記第１電極に対向した位置に、前記誘電体との間に空間を有して設けられる第２電極と、該第２電極から延在され前記固定基板との接合をするための接合電極と、前記接合電極とは反対側の表面に形成される第２接続電極と、厚み方向に貫通する貫通電極と、が形成される可動基板と、が備えられ、
前記固定基板と前記可動基板とが、前記接合電極によって接合し一体化され、
前記貫通電極には貫通孔が設けられ、前記貫通孔が前記空間に連通し、
金属からなる封止材が、前記貫通孔を封止するとともに、前記第１電極と前記第２接続電極とを接続していることを特徴とする圧力センサ。
【請求項６】
請求項５に記載の圧力センサにおいて、
前記第１接続電極と前記第２電極とが前記接合電極を介して接続され、前記第２接続電極と前記第１電極とが前記貫通電極を介して接続され、
前記第１接続電極と前記第２接続電極とが、外部回路との接続を行う接続端子であることを特徴とする圧力センサ。
【請求項７】
請求項６に記載の圧力センサにおいて、
前記接合電極が、前記可動基板の側面から前記第２接続電極と同じ平面まで延在されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の圧力センサにおいて、
前記接合電極が、前記第１電極よりも厚く形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の圧力センサにおいて、
前記可動基板が水晶で形成され、前記固定基板がガラスで形成され、
前記可動基板と前記固定基板とが陽極接合により接合されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項１０】
ダイヤフラムが圧力を受けて誘電体膜と接触する接触面積の変化を検出して圧力を測定する圧力センサの製造方法であって、
可動基板の製造工程は、ダイヤフラムを形成する工程と前記ダイヤフラムの表面に第２電極及び接合電極を形成する工程と、を含み、
固定基板の製造工程は、一方の表面に、第１電極を形成する工程と前記第１電極の表面に誘電体膜を成膜する工程と、他方の表面に第２接続電極を形成する工程と、前記第１電極と前記第２接続電極とを接続する貫通電極を形成する工程とを含み、
前記固定基板と前記可動基板との接合工程は、前記固定基板と、前記可動基板に設けられる接合電極を陽極接合により接合する工程を含むことを特徴とする圧力センサの製造方法。
【請求項１１】
ダイヤフラムが圧力を受けて誘電体膜と接触する接触面積の変化を検出して圧力を測定する圧力センサの製造方法であって、
可動基板の製造工程は、ダイヤフラムを形成する工程と前記ダイヤフラムの表面に第２電極及び接合電極を形成する工程と、前記接合電極とは反対側の表面に第２接続電極を構成する工程と、前記第２接続電極と接続する貫通電極を形成する工程とを含み、
固定基板の製造工程は、一方の表面に、第１電極を形成する工程と前記第１電極の表面に誘電体膜を成膜する工程と、第１接続電極を形成する工程と、を含み、
前記固定基板と前記可動基板との接合工程は、前記固定基板と、前記可動基板に設けられる接合電極とを陽極接合により接合する工程を含むことを特徴とする圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサ及び圧力センサの製造方法に関し、詳しくは、タッチモード式静電容量型の圧力センサの構造と、この圧力センサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、タッチモード式静電容量型の圧力センサにおいて、ダイヤフラムを有するシリコン構造体（可動基板）と、ダイヤフラムに対向した電極とそれを覆うように形成された誘電体膜を設けた基体（固定基板）とを、真空中において、加熱溶着や無機接着剤を用いて接合してなる圧力センサというものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２１４０５８号公報（第５頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような特許文献１によれば、ダイヤフラムを有するシリコン構造体の可動基板と、誘電体膜と電極とを有する固定基板とを真空中において接合している。従って、シリコン構造体と固定基板との間に設けられる空間の内部も真空となるため、この圧力センサは、絶対圧センサである。圧力センサとしては、絶対圧センサの他に、上述の空間を大気圧にするゲージ圧センサ（相対圧センサ）というもが使用されるが、このような接合方法では、接合後に空気あるいは不活性ガスを空間内に封入するということはできない。
また、一般に真空状態で陽極接合を行うと異常放電が発生しやすくなり、接合条件が非常に難しくなる。
【０００５】
また、接合材として接着剤を用いる場合には、加熱することによってガスが発生することが予測されるが、上述した空間は、接合時に気密封止されるため、このガスを排出することができず、このガスによりダイヤフラムが膨張歪みを生じ、正確な圧力測定ができなくなるというような課題も考えられる。
【０００６】
本発明の目的は、前述した課題を解決することを要旨とし、同じ構造で、絶対圧センサ及びゲージ圧センサを共に実現し、正確な圧力測定を可能にする圧力センサと、この圧力センサの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の圧力センサは、ダイヤフラムが圧力を受けて誘電体膜と接触する接触面積の変化を検出して圧力を測定する圧力センサであって、一方の表面に形成される第１電極と、該第１電極の表面を覆って成膜される前記誘電体膜と、第１接続電極と、他方の表面に形成される第２接続電極と、厚み方向に貫通する貫通電極と、が形成される固定基板と、前記誘電体膜に対向して形成される前記ダイヤフラムと、該ダイヤフラムの表面において前記第１電極に対向した位置に、前記誘電体膜との間に空間を有して設けられる第２電極と、前記第２電極から延在され前記固定基板との接合をするための接合電極と、が形成される可動基板と、を備え、前記固定基板と前記可動基板とが、前記接合電極によって接合し一体化され、前記貫通電極は貫通孔を有し、前記貫通孔が前記空間に連通し、金属からなる封止材が、前記貫通孔を封止するとともに、前記第１電極と前記第２接続電極とを接続していることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、可動基板と固定基板を接合して設けられる空間を連通する貫通孔を有しているため、この空間内を真空にして絶対圧センサを構成すること、あるいは、空間内に空気を封入して、ゲージ圧センサを構成することを可能にする。
【０００９】
また、この空間内に窒素等の不活性ガスを封入して、ゲージ圧センサを実現するとともに、空間内部の第１電極及び第２電極を腐食等から保護し、長期間にわたって圧力センサの性能を維持することができる。
【００１０】
さらに、空間内の第１電極は、貫通電極を介して外部の第２接続電極に接続されているため、接合電極を横断する電極を排し、一様な状態の可動基板と固定基板とを、この接合電極で接合し、且つ、貫通電極が有する貫通孔を金属の封止材で封止しているので、空間内の気密性を良好な状態で保持することができる。
【００１１】
また、本発明では、前記第１接続電極と前記第２電極とが前記接合電極を介して接続され、前記第２接続電極と前記第１電極とが前記貫通電極を介して接続され、前記第１接続電極と前記第２接続電極のそれぞれが、外部回路との接続を行う接続部であることが好ましい。
ここで、詳しくは、後述する実施の形態で説明するが、第１接続電極と接合電極との接続は、可動基板の側面外部において、例えば、導電性接着剤等の接続部材によって接続される。
【００１２】
このようにすれば、外部回路との接続部は、それぞれ、可動基板及び固定基板の外部に接合電極または貫通電極を介して接続されるため、先述した空間の気密性を保持するとともに、外部回路との接続作業を容易にしている。
【００１３】
また、本発明では、前記可動基板の前記固定基板と対向する表面の前記貫通孔に対向する位置に、前記封止材を保持するための封止補助電極が形成されていることが好ましい。
【００１４】
このように、貫通孔に対向する位置に封止補助電極を設けることにより、封止材が封止補助電極の領域に留まり、封止材が、空間内に流動し、近傍にある接合電極とショートすること、または誘電体膜の表面に付着することを防止することができる。また、封止材と可動基板との密着性が向上する効果も得られる。
【００１５】
また、前記第２接続電極が、前記固定基板の側面から前記一方の表面まで延在されていることが望ましい。
【００１６】
第２接続電極は、固定基板の裏面に形成されるが、固定基板の側面から表面（可動基板側）まで延在されることから、この表面に延在される部分を一方の外部回路との接続部とすることで、他方の接続部としての第１接続電極と共に、固定基板の同じ表面に接続部を設けることが可能になるので、外部回路との接続部が容易になり、接続方法も多様化することができる。
【００１７】
また、本発明の圧力センサは、一方の表面に形成される第１電極と、該第１電極の表面を覆って成膜される前記誘電体膜と、第１接続電極と、が形成される固定基板と、前記誘電体膜に対向して形成される前記ダイヤフラムと、該ダイヤフラムの表面の前記第１電極に対向した位置に、前記誘電体との間に空間を有して設けられる第２電極と、該第２電極から延在され前記固定基板との接合をするための接合電極と、前記接合電極とは反対側の表面に形成される第２接続電極と、厚み方向に貫通する貫通電極と、が形成される可動基板と、が備えられ、前記固定基板と前記可動基板とが、前記接合電極によって接合し一体化され、前記貫通電極には貫通孔が設けられ、前記貫通孔が前記空間に連通し、金属からなる封止材が、前記貫通孔を封止するとともに、前記第１電極と前記第２接続電極とを接続していることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、可動基板に貫通電極が設けられ、第１電極が貫通電極を介して可動基板の表面（外側）に形成される第２接続電極に接続されている。従って、前述した固定基板側に貫通電極を設ける構造と、同様な効果が得られる他、固定基板には、貫通電極を設けないことから、固定基板は、同じ表面上に第１電極と、第１接続電極、誘電体膜を形成するだけでよく、製造工程を簡素化することができる。
また、詳しくは後述する圧力センサの製造方法で説明するが、可動基板に貫通電極を形成することで、製造工程が増加することがなく、全体として製造コストの低減に寄与する。
【００１９】
また、上述の構造では、前記第１接続電極と前記第２電極とが前記接合電極を介して接続され、前記第２接続電極と前記第１電極とが前記貫通電極を介して接続され、前記第１接続電極と前記第２接続電極とが、外部回路との接続を行う接続部であることが好ましい。
【００２０】
従って、外部回路との接続部が、圧力センサの厚み方向において同じ方向に設けることが可能になるため、外部回路との接続作業を容易にすることができるという効果がある。
【００２１】
また、前記接合電極が、前記可動基板の側面から前記第２接続電極と同じ平面まで延在されていることが好ましい。
【００２２】
このようにすれば、前述したように接合電極は第２電極と接続されているため、可動基板の表面に設けられる電極は、外部回路との接続部となる。従って、第２接続電極と共に、可動基板の同じ表面に二つの接続部が存在することになり、外部回路との接続作業を容易にすることができる。また、外部回路との接続構造の選択肢が増えるという効果もある。また、この構造では、前述した第１接続電極は不要となり、電極構成をより簡素化することができる。
【００２３】
また、前記接合電極が、前記第１電極よりも厚く形成されていることが好ましい。
前述したリード電極は第１電極を延在して形成されるので同じ厚さで形成されている。このリード電極は、固定基板と可動基板との間の空隙に配線される。そして、可動基板に設けられる接合電極と固定基板との間で接合される。この接合手段が仮に陽極接合を採用する場合、リード電極が可動基板に接触すると陽極接合は困難となる。そこで、接合電極を第１電極（リード電極）よりも厚くすることで、可動基板と固定基板の接合を確実に行うことができる。
【００２４】
また、このようにすることで、前述した空間と貫通電極に設けられる貫通孔とを連通する空隙を確保することができる。
【００２５】
また、本発明では、前記可動基板が水晶で形成され、前記固定基板がガラスで形成され、前記可動基板と前記固定基板とが陽極接合により接合されていることを特徴とする。
【００２６】
水晶は、その結晶構造からエッチング法により正確な寸法に形成し易いことが知られている。従って、ダイヤフラムを正確に形成することができる。また、固定基板がガラスで形成されているため、可動基板に設けられる接合電極との間での陽極接合に好ましい材料の組み合わせとなる。
なお、ガラスとしては、例えば、水晶と熱膨張率が近いソーダガラスを用いることが好ましい。
【００２７】
また、本発明の圧力センサの製造方法は、ダイヤフラムが圧力を受けて誘電体膜と接触する接触面積の変化を検出して圧力を測定する圧力センサの製造方法であって、可動基板の製造工程は、ダイヤフラムを形成する工程と前記ダイヤフラムの表面に第２電極及び接合電極を形成する工程と、を含み、固定基板の製造工程は、一方の表面に、第１電極を形成する工程と前記第１電極の表面に誘電体膜を成膜する工程と、他方の表面に第２接続電極を形成する工程と、前記第１電極と前記第２接続電極とを接続する貫通電極を形成する工程とを含み、前記固定基板と前記可動基板との接合工程は、前記固定基板と、前記可動基板に設けられる接合電極を陽極接合により接合する工程を含むことを特徴とする。
【００２８】
この発明によれば、前述した効果を奏する圧力センサを提供することができる。また、固定基板及び可動基板を小型化することが可能な製造方法であり、高性能で安価な圧力センサを提供することができる。
また、上述した固定基板と可動基板それぞれの製造方法は、従来の水晶振動子を製造するための設備で製造可能であり、陽極接合についても、接合電極と固定基板（ガラス）の材質を適切に選択、組み合わせることで、信頼性が高い気密封止を行うことができる。
【００２９】
また、本発明の圧力センサの製造方法は、ダイヤフラムが圧力を受けて誘電体膜と接触する接触面積の変化を検出して圧力を測定する圧力センサの製造方法であって、可動基板の製造工程は、ダイヤフラムを形成する工程と前記ダイヤフラムの表面に第２電極及び接合電極を形成する工程と、前記接合電極とは反対側の表面に第２接続電極を構成する工程と、前記第２接続電極と接続する貫通電極を形成する工程とを含み、固定基板の製造工程は、一方の表面に、第１電極を形成する工程と前記第１電極の表面に誘電体膜を成膜する工程と、表面に第１接続電極を形成する工程と、を含み、前記固定基板と前記可動基板との接合工程は、前記固定基板と、前記可動基板に設けられる接合電極とを陽極接合により接合する工程を含むことを特徴とする。
【００３０】
この発明の製造方法によれば、前述した効果を奏する圧力センサを提供することができる。また、固定基板及び可動基板を小型化することが可能な製造方法であり、高性能で安価な圧力センサを提供することができる。
【００３１】
また、固定基板には、貫通電極を設けないことから、固定基板の同じ表面上に第１電極と、第１接続電極、誘電体膜を形成するだけでよく、製造工程を簡素化することができる。
さらに、可動基板に貫通電極を形成する構造であっても、製造工程が増加することがなく、全体として製造コストの低減に寄与する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１〜図５は本発明の実施形態１に係る圧力センサを示し、図６は、実施形態１の変形例、図７〜図１１は実施形態２、図１２は実施形態２の変形例である。
（実施形態１）
【００３３】
図１〜図５は実施形態１に係る圧力センサ及びこの圧力センサの製造方法を示している。
図１は、実施形態１に係る圧力センサの概略構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面構造を模式的に示す断面図である。図１（ａ）、（ｂ）において、本実施形態の圧力センサ１０は、ガラスからなる固定基板２０と、この固定基板２０に積層して接合される可動基板３０とから構成された２層構造の構造体である。
【００３４】
固定基板２０はガラスからなり、可動基板３０が接合される側の一方の表面２１には、平面形状が矩形の第１電極４０が形成され、この第１電極４０の一辺からはリード電極４１が延在されている。また、第１電極４０から離れた位置で、且つリード電極４１の範囲内に、固定基板２０の表面２１から裏面２２までを貫通する貫通孔２３が開設されている。貫通孔２３は、裏面方向からサンドブラスト等の加工手段によって開設されており、表面２１の開口側の直径が小さいテーパを有している。
なお、ガラスとしては、水晶と熱膨張率が近いソーダガラスを採用する。
【００３５】
貫通孔２３の内面には貫通電極４６が形成されている。貫通電極４６は、貫通孔２３の内面にのみ形成されるため、中央部には固定基板２０の厚み方向を貫通する貫通孔４７が形成される。また、リード電極４１には、貫通孔４７と連通する孔が開設されており、貫通孔４７は、後述する空間６０と連通している。
【００３６】
固定基板２０の表面２１の端部には、島状の第１接続電極４３が形成され、一方、固定基板２０の他方の表面、つまり裏面２２には、第２接続電極４５が形成されている。この第２接続電極４５は、貫通電極４６の周縁を覆うように形成されており、貫通電極４６と接続されている。これら第１接続電極４３及び第２接続電極４５は、図示しない測定器の外部回路に接続するための接続端子である。
【００３７】
第１電極４０の表面には、第１電極４０を覆うように誘電体膜７０が成膜されている。誘電体膜７０は、石英ガラス、セラミック、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の周知の絶縁体をスパッタ法、ＣＶＤ法等の手段で成膜される。この誘電体膜７０の表面は平滑に仕上げられている。
このように構成される固定基板２０の上面に可動基板３０が積層され接合されている。
【００３８】
可動基板３０は水晶からなり、略中央部には上述した第１電極４０に対向した位置に、第１電極４０よりも広い面積の薄肉形成されたダイヤフラム３４と、外周部に半円形の切欠き３５が形成されている。ダイヤフラム３４は、可動基板３０の表面３０Ａ及び裏面３０Ｂ両方向からそれぞれ凹部３１，３２を穿設することによって形成されている。この裏面側の凹部３２の底面３３には第２電極５０が形成されている。
【００３９】
第２電極５０は、第１電極４０に対向した位置に、ほぼ同じ形状で形成され、凹部３２の底面３３の斜面を通り、可動基板３０の周縁部の接合電極５２までリード電極５１によって延在されている。第２電極５０は、ダイヤフラム３４が外部からの圧力を受けて撓む際に、追従して撓む可動電極である。外周部に形成される接合電極５２の一部は、切欠き３５の側面にまで延在されて側面電極５３が形成される。
【００４０】
また、可動基板３０の裏面３０Ｂには、島状の封止補助電極５４が形成されている。この封止補助電極５４は、後述する封止材８５の流動防止のために設けられている。また、封止材と可動基板との密着性が向上する効果も得られる。
なお、上述した各電極は、ＡｌまたはＡｕとをスパッタ法、あるいは蒸着法によって形成される。
【００４１】
固定基板２０と可動基板３０とは、接合電極５２を接合材として陽極接合により密着接合されている。こうして、誘電体膜７０と第２電極５０との間とその周辺には空間６０が形成され、前述した貫通孔４７がこの空間６０に連通している。接合電極５２は、第１電極４０及びリード電極４１よりも厚く形成されているので、第１電極４０、リード電極４１と可動基板３０の裏面３０Ｂとの間にも空隙が存在する。
【００４２】
また、可動基板３０に設けられる封止補助電極５４の厚さは、第１電極４０の厚さを加えても接合電極５２よりも薄くなるように形成されている。従って、可動基板３０と固定基板２０との接合は、接合電極５２とガラス面との間のみで行われる構造としている。
なお、固定基板２０に設けられる第１接続電極４３は、可動基板３０の切欠き３５内に露出している。
【００４３】
固定基板２０と可動基板３０とを接合した後、貫通孔４７内にＡｕ／Ｇｅからなる封止材８５を溶着する。この際、封止材８５は、貫通電極４６とリード電極４１（第１電極４０）とを接続し、且つ、貫通孔４７を密閉封止する。また、封止材８５は、封止補助電極５４の範囲に留まり、他の部位に流動し、例えば、接合電極５２とショートすることや、誘電体膜７０の表面に付着することを防止している。
【００４４】
なお、接合後の封止材８５による封止工程を真空環境で行えば、空間６０内が真空となり、絶対圧センサを構成し、大気圧環境で行えばゲージ圧センサ（相対圧センサ）を構成する。また、空間６０内に窒素等の不活性ガスを貫通孔４７から封入し、封止材８５で密閉封止することも可能である。
【００４５】
こうして一体化された圧力センサ１０は、第１接続電極４３及び第２接続電極４５に導電性接着剤８０を用いてリード９０，９１を接続し、図示しない測定器の外部回路に接続される。
【００４６】
上述した本実施形態により構成される圧力センサ１０は、静電容量型圧力センサのうちのタッチモード式静電容量型圧力センサと呼ばれる。この形式の圧力センサは、圧力を受けると、ダイヤフラム３４が空間６０を圧縮する方向に撓み、第２電極５０が誘電体膜７０に接触する。さらに圧力を受けると、この接触面積が増加していく。この際、第２電極５０と第１電極４０との間の静電容量が接触面積の変化に対応して増加する。
そして、図示しない測定器（外部回路を含む）に接続し、交流電圧を印加して、その共振周波数またはインピーダンス変化を検出することで圧力の検出を行うことができる。
【００４７】
従って、前述した実施形態１による圧力センサは、可動基板３０と固定基板２０を接合して設けられる空間６０を連通する貫通孔４７を有しているため、接合工程に関しては真空で行う必要がなくなり、同じ構造のままで、封止工程を真空環境で行えば、この空間６０内を真空にして絶対圧センサを構成すること、あるいは、大気圧環境で行えば、ゲージ圧センサ（相対圧センサ）を構成することができる。
【００４８】
また、この空間６０内に窒素等の不活性ガスを封入して、ゲージ圧センサを実現するとともに、空間６０内部の第１電極４０及び第２電極５０を腐食等から保護し、長期間にわたって圧力センサ１０の性能を維持することができる。
【００４９】
また、接合時において発生し、上述の空間６０内に滞留するガスを貫通孔４７から排出することが可能であるため、ダイヤフラム３４の膨張歪みを抑えることができる。
【００５０】
さらに、空間６０内の第１電極４０は、貫通電極４６を介して外部の第２接続電極４５に接続されるため、接合電極５２を横断する電極を排し、この接合電極５２部分で接合し、且つ、貫通電極４６が有する貫通孔４７を金属の封止材８５で封止しているので、空間６０内の気密性を良好な状態で保持することができる。
【００５１】
また、第１接続電極４３と第２電極５０とが、接合電極５２を介して導電性接着剤８０によって接続され、第１電極４０と第２接続電極４５とが貫通電極４６を介して接続されているので、空間６０の気密性を保持するとともに、外部回路との接続作業を容易にしている。
【００５２】
さらに、可動基板３０の裏面３０Ｂの貫通孔４７に対向する位置に封止補助電極５４を設けることにより、封止材８５が封止補助電極５４の領域に留まり、封止材８５が流動し、近傍にある接合電極５２とショートすること、空間６０内に流動して誘電体膜７０の表面に付着することを防止することができる。
【００５３】
また、可動基板３０が水晶で形成され、固定基板２０がガラスで形成され、これらは陽極接合により接合されている。水晶は、その結晶構造からエッチング法により正確な寸法に形成し易いため、ダイヤフラム３４を正確な厚さに形成することができる。可動基板３０（接合電極５２）と固定基板２０の材質は、最も陽極接合に好ましい材料の組み合わせとなる。なお、固定基板２０は、水晶と熱膨張率が近いソーダガラスを用いることにより、接合の際の熱による歪みを低減することができる。
（実施形態１に係る圧力センサの製造方法）
【００５４】
続いて、前述した実施形態１に係る圧力センサの製造方法の１例を図面を参照して説明する。
図２、図３は、実施形態１による可動基板３０の主な製造工程、図４、図５は、固定基板２０の主な製造工程を模式的に表す平面図及び断面図である。
図２は、可動基板３０のダイヤフラム及び外形形状の製造方法を表し、（ａ）は平面図、（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図２（ａ）、（ｂ）において、ダイヤフラム３４を含む外形形状を形成する。
【００５５】
まず、可動基板３０の表面３０Ａ、裏面３０Ｂの表裏両面からエッチング法（ドライエッチングまたはウェットエッチング）により凹部３１，３２を穿設する。この際、これら凹部の厚さ残り部分としてダイヤフラム３４が形成される。可動基板３０は、水晶から形成されているため、エッチング特性が良好で、ダイヤフラム３４の厚さを高精度で管理することができる。
【００５６】
可動基板３０は、水晶ウエハ（以降、単にウエハと表すことがある）の状態において、多数個のダイヤフラム３４の形成と外形形状の形成を行う。ここで、ウエハの状態において切欠き３５を形成する。切欠き３５は、ウエハの状態では、円形に形成しておき、外形形状を形成して単体にする際に半円形の切欠き形状となる。なお、以降説明する各電極の形成は、ウエハ状態で多数個分を一括して形成し、その後、外形形状をエッチング法等により矩形状を有する単体の可動基板３０に分離する。この際、表裏両面からのエッチングにて加工することが望ましい。
次に、第２電極５０を形成する。
【００５７】
図３は、第２電極５０の形成工程を表し、（ａ）は、裏面３０Ｂから視認した状態を表す平面図、（ｂ）は断面図である。図３（ａ）、（ｂ）において、可動基板３０の裏面３０ＢにＡｌまたはＡｕ等からなる第２電極５０をスパッタ法または蒸着法によって形成する。第２電極５０がＡｕで形成される際には、水晶との密着性を高めるためにＣｒ／Ａｕ層を形成することがある。
【００５８】
第２電極５０は、底面３３から凹部３２の斜面を通り、リード電極５１を介して外周部の全周にわたる接合電極５２まで連続している。また、接合電極５２は、切欠き３５の内側の側面にまで延在し側面電極５３を形成する。この側面電極５３は、図中斜め下方からの斜め蒸着等で接合電極５２と同時に形成することができる。
また、凹部３２から離間し、他の電極とも離間した位置に封止補助電極５４を形成する。封止補助電極５４は他の電極より薄くし、第２電極５０の形成工程とは別工程で行う。
【００５９】
上述した各電極を形成した後、外形形状をエッチング等により加工し、可動基板３０単体として完成する。
なお、可動基板３０の外形形状を形成した後、電極形成をする工程順とすることもできる。
【００６０】
続いて、固定基板２０の形成方法を図面を参照して説明する。
図４，５は、固定基板２０の製造工程の１例を示している。
はじめに、貫通電極４６、第１電極４０、第１接続電極４３を形成する。図４（ａ）は、その平面図、（ｂ）は断面図である。図４（ａ）、（ｂ）において、まず、ガラスからなる固定基板２０の裏面２２から表面２１まで貫通する貫通孔２３をサンドブラスト法等の手段により開設する。そして、この貫通孔２３の内面に蒸着法等により貫通電極４６を形成する。貫通電極４６は、貫通孔２３の内面に沿って形成されるため、中心部に貫通孔４７が形成される。
【００６１】
なお、貫通孔２３は、テーパを有しているため、裏面２２方向からの蒸着によって、表面２１にいたる内面全体に貫通電極４６が付き易い形状にしている。
【００６２】
続いて、表面２１に、ＡｌまたはＡｕからなる第１電極４０と第１接続電極４３をスパッタ法あるいは蒸着法により形成する。第１電極４０は、その一辺からリード電極４１を延在し、リード電極４１は、上述した貫通孔４７を含む範囲まで延在する。リード電極４１は、貫通孔４７の内径とほぼ同じ直径の開口部を有しており、貫通孔４７は、リード電極４１も貫通して、固定基板２０の表裏両面を連通している。なお、リード電極４１と貫通電極４６とは、開口部の周縁において電気的に接続されている。
【００６３】
これら第１電極４０、リード電極４１、第１接続電極４３は、前述した可動基板３０に形成される接合電極５２（図３、参照）とは、平面的に重ならない範囲に形成されている。また、第１電極４０は、前述した第２電極５０と対向する位置に、ほぼ同じ形状（矩形状）に形成されている。
次に、第１電極４０の表面に誘電体膜７０を形成する。
【００６４】
図４（ｃ）は、誘電体膜７０を形成した状態を表す平面図である（図５（ｂ）も参照する）。誘電体膜７０は、スパッタ法やＣＶＤ法等の成膜手段を用いて、矩形状の第１電極４０の上面を覆うように形成される。この誘電体膜７０の表面は、平滑な同一平面に形成されることが好ましい。誘電体膜７０は、石英ガラス、セラミック、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの絶縁材料として周知の材料が採用される。
続いて、固定基板２０の裏面２２に第２接続電極４５を形成する。
【００６５】
図５は、第２接続電極４５の形成工程を示している。（ａ）は、裏面２２側から視認した平面図、（ｂ）は断面図である。図５（ａ）、（ｂ）において、第２接続電極４５は、ＡｌまたはＡｕからなり、蒸着法またはスパッタ法により形成され、貫通電極４６の裏面側開口部とほぼ同じ直径の開口部を有している。ここで、貫通電極４６と第２接続電極４５とは、開口部周縁で接続されており、従って、第１電極４０と第２接続電極４５とは、電気的に接続される。
【００６６】
なお、固定基板２０は、大判のガラス基板に、上述した第１電極４０、誘電体膜７０、貫通電極４６、第２接続電極４５を形成した後、スクライブされて、矩形状の単独の固定基板として形成される。
上述したように形成された固定基板２０と可動基板３０とを陽極接合により接合する。
【００６７】
陽極接合された状態は、図１に表されている。固定基板２０と可動基板３０との接合は、可動基板３０の裏面３０Ｂに形成された接合電極５２と固定基板２０（ガラス）との間において陽極接合によって行われる。接合されることによって、誘電体膜７０と第２電極５０との間に空間６０が形成され、この空間６０は、貫通孔４７によって外部に連通している。
なお、固定基板２０と可動基板３０とを接合した後、所定の外形形状に切断する方法を採用することができる。
こうして、固定基板２０と可動基板３０とを接合した後、貫通孔４７を封止材８５により封止する。
【００６８】
図１（ｂ）は、貫通孔４７が封止された状態を表している。Ａｕ／Ｇｅからなる封止材８５を貫通孔４７内に埋入し溶着する。封止材８５は、溶着する前の形状は球形状であり、加熱することにより溶融して貫通孔４７内に埋入される。この際、封止材８５は、貫通電極４６とリード電極４１（第１電極４０含む）とを接続し、且つ、貫通孔４７、つまり、空間６０を密閉封止する。封止材８５は、封止補助電極５４の範囲に留まり、他の部位に流動し、例えば、接合電極５２とショートすることや、誘電体膜７０の表面に付着することを防止している。こうして、第１電極４０は、封止材８５、貫通電極４６を介し第２接続電極４５に接続される。
【００６９】
従って、前述した貫通電極４６は、固定基板２０の表面２１に達しない途中までに形成しても、封止材８５で接続可能な範囲にまで形成されていればよい。
【００７０】
上述した封止材８５による封止工程を真空環境中において行えば、空間６０内は真空状態となり、絶対圧力センサが構成され、大気圧中において行えば、ゲージ圧センサ（相対圧力センサとも呼ぶ）が構成される。また、空間６０内に窒素等の不活性ガスを封入することもできる。
このようにして構成された圧力センサ１０は、第１接続電極４３と側面電極５３とを導電性接着剤８０によって接続すると共に、リード９０を接続し、図示しない外部回路の一方の端子に接続される。また、第２接続電極４５においても、導電性接着剤８０によってリード９１を接続し、外部回路の他方の端子に接続される。
【００７１】
従って、前述した実施形態１に係る圧力センサ１０の製造方法によれば、前述した効果を奏する圧力センサ１０を提供することができる。また、固定基板２０及び可動基板３０を小型化することが可能な製造方法であり、高性能で安価な圧力センサ１０を提供することができる。
また、上述した固定基板２０と可動基板３０それぞれの製造方法は、水晶振動子を製造するための設備で製造可能であり、陽極接合についても、接合電極５２と固定基板２０の材質を適切に選択、組み合わせることで、信頼性が高い気密封止を行うことができる。
（実施形態１の変形例）
【００７２】
続いて、前述した実施形態１による圧力センサ１０の変形例を図面を参照して説明する。この変形例は、前述した実施形態１の技術思想を基本として、第２接続電極の構成を変更して、外部回路との接続部を固定基板の表面に設けたところを特徴とし、他の構成は実施形態１（図１、参照）と同じであるため、同じ部分の説明を省略し、同じ部分には同じ符号を附して説明する。
図６は、この変形例による圧力センサ１０を模式的に示す断面図である。なお、平面図は省略する。図６において、固定基板２０の裏面２２に形成される第２接続電極４５には、固定基板２０の側面を通って、表面２１の一部まで延在された接続部４８が設けられている。
【００７３】
ここで、可動基板３０には、前述した切欠き３５（図１（ａ）、参照）とは離間した位置に同形状の切欠き（図示せず）を設け、接続部４８は、この切欠きの範囲、及び接合電極５２に接触しない範囲に設けられる。そして、この接続部４８の表面に導電性接着剤８０によってリード９１が接続される。従って、外部回路と圧力センサ１０との接続は、リード９０と共に、固定基板２０の表面上のほぼ同じ高さで行うことが可能となる。
【００７４】
また、外部回路との接続部４８と第１接続電極４３とが、固定基板２０の表面２１に形成されていることから、リードとしてワイヤを用いたワイヤボンディングにより、外部回路との接続を行うこともできる。
【００７５】
従って、上述した変形例によれば、第２接続電極４５が、固定基板２０の表面２１に延在される部分を一方の外部回路との接続部４８とすることで、他方の接続部としての第１接続電極４３と共に、固定基板２０の同じ表面２１上に接続部を設けることが可能になるので、外部回路との接続部が容易になり、接続方法も多様化することができる。
【００７６】
なお、接続部４８は、第１接続電極４３と同じ工程で形成することが可能で、接続部４８と第２接続電極４５とを接続する側面の電極の形成も、接続部４８の形成または、第２接続電極４５の形成の際に斜め蒸着法等の手段で、工程を増やさずに形成することができる。
（実施形態２）
【００７７】
続いて、本発明の実施形態２に係る圧力センサについて図面を参照して説明する。実施形態２は、前述した実施形態１に比べ、貫通電極を可動基板に設けたことを特徴としている。実施形態１と共通、類似部分については、説明を省略することがある。
図７は、実施形態２に係る圧力センサ１０の構造を模式的に示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図７（ａ）、（ｂ）において、固定基板２０は、一枚のガラス板からなり、表面２１に第１電極４０、リード電極４１、第１接続電極４３が形成され、第１電極４０を覆うように誘電体膜７０が形成されている。これら第１電極４０、リード電極４１、第１接続電極４３、誘電体膜７０は、前述した実施形態１（図１、参照）とほぼ同じ形態で形成されるが、リード電極４１には、開口部は設けられていない。
【００７８】
可動基板３０は、ダイヤフラム３４が形成され、裏面３０Ｂ側に、このダイヤフラム３４の表面から第２電極５０、リード電極５１、接合電極５２が延在されている。接合電極５２には、切欠き３５内に連続する側面電極５３が表面３０Ａにまで延在されて、表面接続電極５５が形成されている。また、可動基板３０の表面３０Ａには、先述の表面接続電極５５とは離間した位置に第２接続電極５６が形成されている。
この第２接続電極５６は、可動基板３０の表裏を貫通する貫通電極５７に接続されている。
【００７９】
貫通電極５７は、可動基板３０の表裏を貫通する貫通孔３６の内面に沿って形成され、その中心部には貫通孔５８が開設される。また、貫通電極５７と第２接続電極５６とは電気的に接続されている。
【００８０】
上述したように形成された固定基板２０と可動基板３０とを陽極接合により接合する。接合後において、貫通孔５８は、空間６０と外部とを連通しており、この貫通孔５８をＡｕ／Ｇｅからなる封止材８５で溶着封止する。この際、封止材８５は、第１電極４０から延在されるリード電極４１にまで達し、貫通孔５８を密閉封止するとともに、貫通電極５７とリード電極４１とを接続する。従って、第１電極４０と第２接続電極５６とが封止材８５によって接続されたことになる。
【００８１】
従って、前述した実施形態２によれば、可動基板３０に貫通電極５７が設けられ、第１電極４０が貫通電極５７を介して可動基板３０の表面３０Ａに形成される第２接続電極５６に接続されているので、固定基板２０に貫通電極４６（図１（ｂ）、参照）を設ける構造と、同様な効果が得られる。
【００８２】
また、上述の実施形態２の構造では、第１接続電極４３と第２電極５０とが接合電極５２を介して接続され、第２接続電極５６と第１電極４０とが貫通電極５７を介して接続されており、第１接続電極と４３と第２接続電極５６とが、外部回路との接続を行う接続部であるため、外部回路との接続部が、圧力センサ１０の厚み方向において同じ方向に設けることが可能になるため、外部回路との接続作業を容易にすることができるという効果がある。
（実施形態２に係る圧力センサの製造方法）
【００８３】
続いて、実施形態２に係る圧力センサ１０の製造方法の１例を図面を参照して説明する。
図８〜図１０は、本実施形態２に係る可動基板３０の製造方法を示している。まず可動基板３０のダイヤフラムを含む外形形状を形成する。
図８は、可動基板３０の外形形状を表し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図８（ａ）、（ｂ）において、まず、可動基板３０の表裏両面からエッチング法（ドライエッチングまたはウェットエッチング）により凹部３１，３２を穿設する。この際、これら凹部の厚さ残り部分としてダイヤフラム３４が形成される。可動基板３０は、水晶から形成されているため、エッチング特性が良好で、ダイヤフラム３４の厚さを高精度で管理することができる。
【００８４】
可動基板３０は、水晶ウエハ（以降、単にウエハと表すことがある）から多数個のダイヤフラム３４の形成と外形形状の形成を行う。ここで、ウエハの状態において切欠き３５と貫通孔３６とを形成する。切欠き３５は、ウエハの状態では、円形に形成しておき、外形形状を形成して単体にする際に半円形の切欠き形状とする。この際、表裏両面からのエッチングにて加工することで、加工時間を短縮することが可能である。
次に、可動基板３０の表面３０Ａに表面接続電極５５、第２接続電極５６、貫通電極５７を形成する。
【００８５】
図９は、表面接続電極５５、第２接続電極５６、貫通電極５７の形成工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。まず、貫通孔３６の内面に貫通電極５７を形成する。貫通電極５７の中心には貫通孔５８が形成される。そして、表面３０Ａに第２接続電極５６、表面接続電極５５とをスパッタ法または蒸着法により形成する。第２接続電極５６には、貫通孔５８の開口部と同じ直径の開口部が形成されている。ここで、貫通電極５７と第２接続電極５６とは接続され、また、表面接続電極５５を形成する際には、切欠き３５内の側面に側面電極５３が形成される。
【００８６】
次に、可動基板３０の裏面３０Ｂ側に第２電極５０及び接合電極５２をスパッタ法または蒸着法により形成する。
図１０は、第２電極５０及び接合電極５２の形成工程を示す。（ａ）は裏面３０Ｂ側から視認した平面図、（ｂ）は断面図である（図中、上方が裏面３０Ｂ）。図１０（ａ）、（ｂ）において、可動基板３０の裏面３０Ｂには、ダイヤフラム３４の表面に第２電極５０が形成される。第２電極５０からはリード電極５１、接合電極５２が延在され、さらに、切欠き３５内の側面に沿って側面電極５９が形成される。この側面電極５９は、表面３０Ａから延在される側面電極５３と重なり合い接続される。
【００８７】
続いて、固定基板２０の製造方法について図面を参照して説明する。
図１１は、固定基板２０の製造工程を示し、（ａ）は表面２１側から視認した平面図、（ｂ）は断面図である。図１１（ａ）、（ｂ）において、固定基板２０の表面２１に、第１電極４０と、第１接続電極４３とをスパッタ法または蒸着法によって形成する。第１電極４０は、可動基板３０の第２電極５０に対向して形成され、リード電極４１が延在される。リード電極４１は、前述した可動基板３０に形成される貫通電極５７の周縁に至るまで延在されている（図１０、参照）。
【００８８】
そして、第１電極４０の表面を覆うように誘電体膜７０を形成する。この誘電体膜７０の材質、形成方法は前述した実施形態１に準じて形成される。
【００８９】
こうして形成された固定基板２０と可動基板３０とを陽極接合により接合する。この接合した状態は、図７に表されている。陽極接合した後、貫通孔５８内にＡｕ／Ｇｅからなる封止材８５を埋入し、溶着する。封止材８５は、第１電極４０（リード電極４１）と貫通電極５７とを接続すると共に、空間６０を密閉封止する。従って、第１電極４０は、貫通電極５７を介して第２接続電極５６と接続されることになる。
なお、封止材８５は、空間６０内のリード電極４１の範囲内に留まる。
【００９０】
従って、前述した貫通電極５７は、可動基板３０の裏面３０Ｂに達しない途中までに形成しても、封止材８５で接続可能な範囲にまで形成されていればよい。
【００９１】
上述した封止材８５による封止工程を真空環境中において行えば、空間６０内は真空状態となり、絶対圧力センサが構成され、大気圧中において行えば、相対圧力センサが構成される。
このようにして構成された圧力センサ１０は、第１接続電極４３と側面電極５３とを導電性接着剤８０によって接続すると共に、リード９０を接続し、図示しない外部回路の一方の端子に接続される。また、第２接続電極５６においても、導電性接着剤８０によってリード９１を接続し、外部回路の他方の端子に接続される。
【００９２】
従って、前述した実施形態２に係る圧力センサ１０の製造方法によれば、固定基板２０には、貫通電極を設けないことから、同じ表面２１上に第１電極４０と、第１接続電極４３、誘電体膜７０を形成するだけでよく、製造工程を簡素化することができる。
また、可動基板３０に貫通電極５７を形成する構造であっても、製造工程が増加することがなく、全体として製造コストの低減に寄与する。
（実施形態２の変形例）
【００９３】
次に、前述した実施形態２による圧力センサ１０の変形例を図面を参照して説明する。この変形例は、前述した実施形態２の技術思想を基本として、第１接続電極の構成を変更して、外部回路との接続部を可動基板の上面に設けたところに特徴を有し、他の構成は実施形態２（図７、参照）と同じであるため、同じ部分の説明を省略し、同じ部分には同じ符号を附している。
図１２は、この変形例による圧力センサ１０を模式的に示す断面図である。なお、平面図は省略する。図１２において、可動基板３０に設けられる接合電極５２は、可動基板３０の側面を通って表面接続電極５５に接続されている。この表面接続電極５５を外部回路との接続部として用い、導電性接着剤８０によってリード９０を接続する。
【００９４】
なお、側面電極５３の形成方法は、前述した実施形態２（図９，１０、参照）と同じ方法で形成することができるが、切欠き３５は必ずしもなくてもよい。また、固定基板２０に設けられる第１接続電極４３も不要である。
【００９５】
従って、もう一方の接続部としての第２接続電極５６に接続されるリード９１と共に、圧力センサ１０は、リード９０によって、図示しない外部回路に接続することができる。なお、表面接続電極５５と第２接続電極５６は、可動基板３０の表面３０Ａの同一面上にあることから、リードとしてワイヤを用いてワイヤボンディングにより外部回路との接続を行うことを可能にしている。
【００９６】
また、外部回路との接続構造の選択肢が増えるという効果もある。また、この構造では、前述した第１接続電極４３は不要となり、電極構成をより簡素化することができる。さらに、可動基板３０に設けられる切欠き３５（図７（ａ）、（ｂ）参照）も必ずしも必要なく、可動基板３０の形状も簡素化できる。
【００９７】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、且つ、説明しているが、本発明の技術的思想及び目的の範囲に逸脱することなく、以上説明した実施形態に対し、形状、材質、組み合わせ、その他の詳細な構成、及び製造工程間の加工方法において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
【００９８】
従って、上記に開示した形状、材質、製造工程などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものでないから、それらの形状、材質、組み合わせなどの限定の一部もしくは全部の限定をはずした部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
【００９９】
従って、前述の実施形態１〜実施形態２及び変形例によれば、同じ構造で、絶対圧センサ及びゲージ圧センサを共に実現し、正確な圧力測定とその性能を長期間に渡って維持することを可能にする圧力センサと、この圧力センサを少ない工程で安価に実現できる製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の実施形態１に係る圧力センサの概略構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面構造を模式的に示す断面図。
【図２】本発明の実施形態１に係る可動基板ダイヤフラム及び外形形状の製造方法を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ断面図。
【図３】本発明の実施形態１に係る第２電極の形成工程を表し、（ａ）は、裏面から視認した状態を表す平面図、（ｂ）は断面図。
【図４】本発明の実施形態１に係る固定基板の製造工程を示し、図４（ａ）は、その平面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は誘電体膜を形成した状態を示す平面図。
【図５】本発明の実施形態１に係る第２接続電極の形成工程を示し、（ａ）は、裏面側から視認した平面図、（ｂ）は断面図。
【図６】本発明の実施形態１の変形例による圧力センサの構造を模式的に示す断面図。
【図７】本発明の実施形態２に係る圧力センサの構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図８】本発明の実施形態２に係る可動基板の外形形状の形成工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図９】本発明の実施形態２に係る可動基板の電極形成工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図１０】本発明の実施形態２に係る電極形成工程示し、（ａ）は裏面側から視認した平面図、（ｂ）は断面図。
【図１１】本発明の実施形態２に係る固定基板の製造工程を示し、（ａ）は表面側から視認した平面図、（ｂ）は断面図。
【図１２】本発明の実施形態２の変形例による圧力センサを模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【０１０１】
１０…圧力センサ、２０…固定基板、２１…固定基板の表面、２２…固定基板の裏面、３０…可動基板、３４…ダイヤフラム、４０…第１電極、４３…第１接続電極、４５…第２接続電極、４６…貫通電極、４７…貫通電極の貫通孔、５０…第２電極、５２…接合電極、６０…空間、７０…誘電体膜。
【図１】
2007078444.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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