(57)【要約】      （修正有）【課題】ガス源と、ＲＦ（無線周波数）電源と基板処理チャンバにとに結合されたガス管を含む基板堆積装置を提供する。【解決手段】ガス管は、プロセスガスおよび洗浄プラズマを該ガス源／遠隔プラズマガス源から該基板処理チャンバに搬送するように適合されており、該ＲＦ電源は、ＲＦ電力を該基板処理チャンバに結合させるように適合されている。さらに、ＲＦチョーク１０２は該ＲＦ電源および該ガス源に結合されており、ＲＦチョークは、該ＲＦ電源と該ガス源間の電圧差を減衰して、基板処理中の該ガス管におけるプラズマ形成を防止するように適合されている。【選択図】図２
2007077502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス源と、ＲＦ電源と基板処理チャンバとに結合されたガス管であって、前記ガス管が、ガスを前記ガス源から前記基板処理チャンバに搬送するように適合されており、前記ＲＦ電源が、ＲＦ電力を前記基板処理チャンバに結合させるように適合されている前記ガス管と、
前記ＲＦ電源および前記ガス源に結合されたＲＦチョークであって、前記ＲＦ電源と前記ガス源間の電圧差を減衰するように適合されている前記ＲＦチョークと、
を備える基板堆積装置。
【請求項２】
前記ガス管が前記ＲＦチョーク内に配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ＲＦチョークが、コイル状に巻かれたワイヤを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ＲＦチョークがさらに、コイル状に巻かれた前記ワイヤ内に配置されたコアを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記コアが、前記コイルのピッチが実質的に一定であることを保証するように適合されている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ワイヤが誘電材料でコーティングされている、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記ＲＦチョークがさらに、コイル状に巻かれた前記ワイヤ内に配置されたコアを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ガス管が誘電材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ＲＦチョークが、コイル状に巻かれたワイヤを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ＲＦチョークがさらに、コイル状に巻かれた前記ワイヤ内に配置されたコアを含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記コアが、前記コイルのピッチが実質的に一定であることを保証するように適合されている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記ワイヤが誘電材料でコーティングされている、請求項３に記載の装置。
【請求項１３】
前記ガス管が前記コイル内に配置されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ＲＦチョークがさらに、前記ＲＦ電源と前記ガス送出システム間の電圧差をほぼ均一に減衰するように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
ガス管と、ガス源と、ＲＦ電源と基板処理チャンバとを提供するステップと、
ガスを前記ガス管を介して前記ガス源から前記基板処理チャンバに搬送するステップと、
ＲＦ電力を前記基板処理チャンバに結合させるステップと、
ＲＦチョークを提供するステップと、
前記ＲＦ電源と前記ガス源間の電圧差を前記ＲＦチョークによって減衰するステップと、
を備える方法。
【請求項１６】
ＲＦチョークを提供するステップが、前記ガス管周辺に前記ＲＦチョークを配置する工程を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ＲＦチョークを提供するステップが、コイル状に巻かれたワイヤを提供する工程を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
コイル状に巻かれたワイヤを提供するステップが、前記ガス管周辺に前記ワイヤを配置する工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ガス管周辺に前記ワイヤを配置するステップがさらに、前記ワイヤのピッチが実質的に一定であることを保証する工程を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
ガス管を提供するステップが、誘電材料を提供する工程を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記ＲＦチョークを提供するステップが、コイル状に巻かれたワイヤを提供する工程を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
コイル状に巻かれたワイヤを提供するステップが、前記ガス管周辺に前記ワイヤを配置する工程を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ガス管周辺に前記ワイヤを配置するステップがさらに、前記ワイヤのピッチが実質的に一定であることを保証する工程を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
コイル状に巻かれたワイヤを提供するステップが、誘電材料でコーティングされたワイヤを提供する工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
誘電材料でコーティングされたワイヤを提供するステップが、前記ガス管周辺に誘電材料でコーティングされた前記ワイヤを配置する工程を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
基板処理チャンバと併用するためのチョークであって、
コイル状に形成されたワイヤと、
前記コイル内に配置されたフォームと、
を備え、
前記フォームが、前記コイルのピッチが実質的に一定であることを保証するように適合されており、
前記ワイヤが誘電材料でコーティングされているチョーク。
【請求項２７】
前記フォーム内に配置されたガス管をさらに含む、請求項２６に記載のチョーク。
【請求項２８】
前記チョークが、ＲＦ電源とガス送出システム間の電圧差をほぼ均一に減衰するように適合されている、請求項２６に記載のチョーク。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
本発明は、２００５年９月６日に出願され、「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤＳ  ＦＯＲ  ＡＮ  ＲＦ  ＣＨＯＫＥ」と題された米国仮特許出願第６０／７１４，７２３号の優先権を主張するものであり、これは全目的について参照として本明細書に組み込まれている。
【発明の分野】
【０００２】
本発明は、概して高周波数または無線周波数（ＲＦ）チョークに、具体的にはプラズマ処理チャンバ用のＲＦチョークに関する。
【背景】
【０００３】
各々の技術の連続的な生成によって、基板処理チャンバはより大きな基板を収容するようにサイズが大きくなってもよい。より大きな基板処理チャンバは、基板処理チャンバにおいて基板プラズマプロセスを実行するのに使用されるＲＦ電力の増加を必要とする場合がある。既存の処理チャンバが、より高いＲＦ電力を使用する処理操作をサポートするためにコスト効率的に高められるような方法および装置の改良が必要とされている。
【発明の概要】
【０００４】
本発明は、ガス源と、ＲＦ電源と基板処理チャンバとに結合されたガス管を備える基板堆積装置を提供している。該ガス管は、該ガス源から該基板処理チャンバにガスを搬送するように適合されており、また該ＲＦ電源は、ＲＦ電力を該基板処理チャンバに結合させるように適合されている。さらに、ＲＦチョークが該ＲＦ電源および該ガス源に結合されて、該ＲＦ電源と該ガス源間の電圧差を減衰するように適合されている。
【０００５】
本発明の他の特徴および態様は、以下の詳細な説明、添付の請求項および添付の図面からより完全に明らかになる。
【図面の詳細な説明】
【０００６】
基板処理チャンバは、規則的なプロセスガスをチャンバに送出するのに使用される同一チャネルを介してチャンバに送出される遠隔生成された「洗浄」プラズマを使用して洗浄プロセスを実行するように適合されてもよい。従って、洗浄プロセスは洗浄プラズマ管を使用してもよく、これは基板処理チャンバの外部のＲＦ電源に結合されていてもよい。従って、ＲＦ電源は基板プラズマ処理チャンバおよび洗浄プラズマ管の両方に結合されてもよい。洗浄プラズマ管はガス源およびＲＦ電源に結合されてもよい。しかしながら、このことは、ガス送出デバイスへのＲＦ電源の望ましくない電気結合をもたらすことがある。本発明に従ってこれを回避するために、デバイスは、ＲＦ電力とガス源間の電圧差を電気的に減結合または減衰するように用いられてもよい。これは、ＲＦ電源と、洗浄プラズマ管としても作用することがあるガス送出デバイス間に、誘電ガス管（例えばセラミックプラズマ管）などのデバイスを置くことによって達成されてもよい。しかしながら、このことは、ガス源とＲＦ電源間の電圧差の不均一な減衰に起因する、局所的な高密度電界をもたらすことがあり、これは基板処理中に共有誘電ガス管／洗浄プラズマ管における不用意なプラズマを引き起こすことがある。
【０００７】
電圧のより均一な減衰によって、比較的高いＲＦ電力は、プラズマ管でプラズマが着火される前に基板処理チャンバに送出されてもよい。すなわち、本発明は、より高いＲＦ電力を使用する基板処理中に洗浄プラズマ管におけるプロセスプラズマの形成を防止するように使用されてもよい。抵抗器はＲＦ電源とガス送出装置間に置かれてもよく、またＲＦ電源とガス送出システム間の電圧差のほぼ均一の減衰を保証できる。しかしながら、抵抗器は高価であり、ダメージの影響を受けやすく、かつ望ましくないボリュームをとることがある。従って、ＲＦ電源とガス送出装置間の電圧のほぼ均一の減衰を保証するように適合された安価かつコンパクトな装置が望ましい。
【０００８】
本発明に従ってＲＦチョークが提供される。第１の実施形態では、ＲＦチョークは中空プラスチックコアまたはフォームの周囲に巻きつけられたワイヤを含んでもよい。プラスチックコアは、ワイヤがプラスチックコアの長さにわたるコイルを形成できるように、表面に加工された溝を含んでもよい。代替として、ＲＦチョークの第２の実施形態では、誘電コーティングを具備するワイヤが提供されてもよい。ワイヤ間のピッチは、ワイヤがフォームや管などの物体の周囲に巻きつけられてもよい場合にワイヤの導電性部分上の誘電コーティングの厚さによって確立されてもよい。
【０００９】
ＲＦチョークはガス源と、ＲＦ電源と基板処理チャンバとに電気結合されてもよい。ＲＦチョークの結合、具体的にはＲＦ電源およびガス源に対するコイル状ワイヤはワイヤの長さに沿った電圧低下を誘導することがある。コイル状に巻かれたワイヤを提供することによって、最初の２つの実施形態によると、ワイヤの長さに沿ったほぼ均一の電圧低下が実現されてもよい。従って、基板処理チャンバおよび／またはガス管にプラズマを誘導する電圧低下が実現されても、および／または反復可能であってもよい。本発明のこれらの態様について以下に論じる。
【００１０】
図１は、本発明の第１の実施形態に従った基板処理装置１００を描いている概略図である。（例えば、Ｓａｎｔａ  Ｃｌａｒａ，ＣＡのＡＫＴ  Ｉｎｃ．によって製造されたプラズマチャンバモデル１５Ｋ、２０Ｋ、２５Ｋおよび／または２５ＫＡとして具現化された）基板処理装置１００は、ガス管１０４の周辺に同軸的に配置された本発明のＲＦチョーク１０２を含んでもよい。（例えば、セラミック、石英などから形成された）ガス管１０４はガス送出デバイス１０８（例えば、ステンレス鋼ガスライン、ガス分配ブロックなど）を介してガス源１０６（例えば、ガスパネル、ガスラインなど）に結合されてもよい。さらに、ガス管１０４はチャンバ分配デバイス１１２（例えば、ステンレス鋼管、加工済み銅ブロック、シャワーヘッドなど）を介して基板処理チャンバ１１０に結合されてもよい。ガス管１０４の周辺に同軸的に配置されてもよいＲＦチョーク１０２はガス送出デバイス１０８に電気結合されてもよい。上述のように、ガス送出デバイス１０８はガス源１０６に結合されてもよい。加えて、ＲＦチョーク１０２はＲＦ送出デバイス１１６（例えば同軸ケーブル、バスバーなど）を介してＲＦ電源１１４（例えば、ＲＦ生成器および整合ネットワーク、可変周波数ネットワークなど）に結合されてもよい。
【００１１】
図１を参照すると、基板処理装置１００における基板製作プロセス中、ＲＦ電源１１４はＲＦ電力をＲＦチョーク１０２および／または基板処理チャンバ１１０の両方に結合させてもよい。さらに、ガス源１０６は、ガス送出デバイス１０８、ガス管１０４および／またはチャンバ分配デバイス１１２を介して基板処理チャンバ１１０にプロセスガスを提供してもよい。このように、プラズマは基板処理チャンバ１１０および／またはガス管１０４において形成されてもよい。
【００１２】
図１をさらに参照すると、プラズマは、ガスを流してＲＦ電力をチャンバ分配デバイス１１２に結合させることによって基板処理チャンバ１１０で形成されてもよい。プラズマは基板上で材料除去および／または堆積プロセス（例えば、ＣＶＤ、エッチングなど）を実行するために用いられてもよい。材料除去および／または堆積プロセス中に、チャンバ分配デバイス１１２の電圧レベル（Ｖｂｓ）は、ガス管１０４においてプラズマを形成せずに基板処理チャンバ１１０にプラズマを誘導するように、既知および／または反復可能であってもよい。
【００１３】
代替として、基板処理チャンバ１１０において洗浄プロセスを実行する必要性がある場合もある。洗浄プロセスはガス送出デバイス１０８（例えば、遠隔プラズマ洗浄源）を介して洗浄プラズマガスをガス管１０４に流すことによって実行されてもよい。洗浄プラズマガスを流す間、ＲＦ電源１１４はＲＦ電力をＲＦ送出デバイス１１６を介してＲＦチョーク１０２に結合させてもよい。このように、プラズマはガス管１０４に維持されてもよい。さらに、ガス管１０４でプラズマを誘導するチャンバ分配デバイス１１２の電圧レベル（Ｖｂｔ）は既知であってもよい。プラズマは、洗浄プロセスを実行するためにチャンバ分配デバイス１１２を介して基板処理チャンバ１１０に流れてもよい塩素などの反応種を提供してもよい。
【００１４】
さらに図１を参照すると、ガス管１０４におけるプラズマは、ＲＦチョーク１０２の長さに沿って電圧の分布を制御することによって既知および／または反復可能な方法で維持されてもよい。例えば、ＲＦチョーク１０２の長さに沿ってほぼ均一な電圧分布を有することによって、ガス管１０４にプラズマを維持（および／または、一部の実施形態ではプラズマを誘導、あるいはより安定的な状態に反応種が再結合するのを防止）してもよいＲＦ電源１１４によって出力されたＲＦ電力が判断されることによって、より予測可能および／または反復可能なものであってもよい。付加的に、遠隔プラズマガス源１０６からガス管１０４に流された異なるガス組成は異なるＶｂｔ電圧レベルでプラズマを形成してもよい。従って、様々なガス組成について、ガス管１０４にプラズマを誘導することがある電圧レベルＶｂｔは既知および／または反復可能であってもよい。
【００１５】
図２は、本発明の第１の実施形態に従ったＲＦチョーク１０２を描いている斜視図である。ＲＦチョーク１０２は、コア２００（例えば、中空プラスチックシリンダーなど）と、コイル状ワイヤ２０２（例えば、１７ＡＷＧニッケル・クロムなど）と、ガスエンドボルト２０４（例えば、ステンレス鋼スレッド付きボルトなど）と、ＲＦエンドボルト２０６（例えば、ステンレス鋼スレッド付きボルトなど）とを含んでもよい。
【００１６】
図２を参照すると、コア２００は、コイル状ワイヤ２０２によって形成された略円筒形表面形状の内部に配置され、またコイル状ワイヤ２０２をサポートするフォームとして作用してもよい。さらに、コア２００は、コイル状ワイヤ２０２がワイヤの位置を維持し、かつコイルの短絡を防止するように配置されてもよい表面上に連続溝２０８を含んでもよい。コア２００の第１の端で、ガスエンドボルト２０４はコイル状ワイヤ２０２およびコア２００の両方に結合されてもよい。ガスエンドボルト２０４の一部はコア２００の第１の端から突出してもよい。付加的に、ＲＦエンドボルト２０６はコイル状ワイヤ２０２およびコア２００の両方に結合されてもよい。ＲＦエンドボルト２０６の一部はコア２００の第２の端から突出してもよい。コイル状ワイヤ２０２はＲＦエンドボルト２０６を介してＲＦ送出デバイス１１６に結合されてもよい。加えて、コイル状ワイヤ２０２はまた、ガスエンドボルト２０４を介してガス送出デバイス１０８に結合されてもよい。
【００１７】
さらに図２を参照すると、基板および／または洗浄プロセス中、ＲＦエンドボルト２０６はＲＦ電源１１４によって、電圧Ｖｂｓおよび／またはＶｂｔあるいは任意の他の適切な電圧に電気的に励起されてもよい。加えて、ガスエンドボルト２０４は接地電圧、またはこの付近（例えば、ゼロ電圧付近など）であってもよい。従って、コイル状ワイヤ２０２は、Ｖｂｓおよび／またはＶｂｔあるいは他の適切な電圧にほぼ等しいワイヤの長さに沿った電圧低下を有してもよい。さらに、コイル状ワイヤ２０２の長さに沿った電圧低下はほぼ均一であってもよい。Ｖｂｓおよび／またはＶｂｔあるいは他の適切な電圧にほぼ等しくてもよい略均一な電圧低下を有することによって、ガス管１０４および／または基板処理チャンバ１１０にプラズマを維持（またはこの着火を誘導）してもよいＲＦ電源１１４から出力されたＲＦ電力はほぼ決められた、および／または反復可能であってもよい。
【００１８】
図３は、本発明の第２の実施形態に従った基板処理装置３００を描いている概略図である。基板処理装置３００は、ガス管１０４の周辺に配置された絶縁性ＲＦチョーク３０２を含んでもよい。ガス管１０４はガス送出デバイス１０８を介してガス源１０６に結合されてもよい。さらに、ガス管１０４はチャンバ分配デバイス１１２を介して基板処理チャンバ１１０に結合されてもよい。ガス管１０４の周辺に配置されてもよい絶縁性ＲＦチョーク３０２は、ガス送出デバイス１０９に電気結合されてもよい。上述のように、ガス送出デバイス１０８はガス源１０６に結合されてもよい。加えて、絶縁性ＲＦチョーク３０２はＲＦ送出デバイス１１６（例えば、同軸ケーブル、バスバーなど）を介してＲＦ電源１１４（例えば、ＲＦ生成器および整合ネットワーク、可変周波数ネットワークなど）に結合されてもよい。
【００１９】
図４は、本発明の第２の実施形態に従ったＲＦチョーク３０２を描いている斜視図である。絶縁性ＲＦチョーク３０２は絶縁性コイル状ワイヤ３０４と、ガスエンドボルト２０４と、ＲＦエンドボルト２０６とを含んでもよい。ガスエンドボルト２０４は絶縁性ＲＦチョーク３０２をガス送出デバイス１０８に結合させてもよい。さらに、ＲＦエンドボルト２０６は絶縁性ＲＦチョーク３０２をチャンバ分配デバイス１１２に結合させてもよい。
【００２０】
第１の実施形態の操作と同様に、基板および／または洗浄プロセス中、ＲＦエンドボルト２０６はＲＦ電源１１４によってある電圧に電気的に励起されてもよい。加えて、ガスエンドボルト２０４は接地付近の電圧レベルであってもよい。従って、絶縁性コイル状ワイヤ３０４は、電圧Ｖｂｓおよび／またはＶｂｔあるいは他の適切な電圧にほぼ等しいワイヤの長さに沿った電圧低下を有してもよい。さらに、絶縁性コイル状ワイヤ３０４の長さに沿った電圧低下はほぼ均一であってもよい。このように、ガス管１０４にけるプラズマの着火を誘導することがあるＲＦ電源１１４から出力されたＲＦ電力はほぼ既知および／または反復可能であってもよい。
【００２１】
図５に戻ると、処理チャンバの蓋５０２が、ＲＦチョーク５１０によって囲まれたガス管５０８を介して（処理チャンバに至る）拡散器５０６と流体連通している遠隔洗浄プラズマ源５０４を含むものとして描かれている。蓋５０２は、エネルギー（例えば、ＲＦ、マイクロ波など）を流体に結合させ、流体を処理チャンバに分配するために用いられてもよい。ガス管５０８はガス入力５１２を介して拡散器５０６に結合されてもよい。整合ネットワーク５１４はＲＦチョーク５１０および蓋５０２に結合されてもよい。接地コネクタ５１６は遠隔洗浄プラズマ源５０４およびＲＦチョーク５１０を電気接地（例えば、ほぼゼロボルト）に結合させてもよい。
【００２２】
図５を参照すると、遠隔洗浄プラズマ源５０４は流体を提供してもよい。流体は、基板を処理する、チャンバを洗浄する、あるいは任意の他の適切な目的で処理チャンバにおいて用いられてもよい。流体は、処理チャンバでの使用に適した流体（例えば、ガス、水蒸気など）や任意の他の流体であってもよい。付加的または代替的に、流体は、処理チャンバでプロセスを実行するために（例えば、プラズマに）イオン化されても、他の類似の特徴を与えられてもよい。遠隔洗浄プラズマ源５０４は、アルミニウムおよび／または流体を提供するのに適した任意の材料を備えてもよい。例えば、同一または代替実施形態では、遠隔洗浄プラズマ源５０４の一部は、エネルギー（例えば電気）が流体と蓋間で交換されないことを保証するためのセラミックパーツを含んでもよい。
【００２３】
遠隔洗浄プラズマ源５０４は処理用流体を提供するように適合されてもよい。例えば、遠隔洗浄プラズマ源５０４は水を蒸発させて水蒸気（例えば、スチーム）を形成するように適合されてもよい。このような流体は処理チャンバによって用いられてもよい。
【００２４】
任意の適切な材料が流体を分配するのに用いられてもよいが、拡散器５０６は陽極化アルミニウムを備えてもよい。図５に描かれているように、任意の適切な形状および／または形状構成が用いられてもよいが、拡散器５０６は平らな円形形状を有してもよい。拡散器５０６はまた、流体を処理チャンバに通過させるように適合されたホールを有してもよい。上述のように、拡散器５０６は、ガス管５０８を介して遠隔洗浄プラズマ源５０４と流体連通していてもよい。
【００２５】
拡散器５０６は、所望の方法で流体を分配するように用いられてもよい。例えば、均一な処理を保証するために処理チャンバ内部にも流体を分配することが望ましい。代替的に、拡散器５０６は、処理チャンバの所望の領域に流体が集中することを保証するために不均一に流体を分配してもよい。
【００２６】
図５に描かれているように、任意の適切な形状および／または形状構成が用いられてもよいが、ガス管５０８は単一の円形管５０８であってもよい。任意の適切な材料または材料の組み合わせが用いられてもよいが、ガス管５０８は陽極化アルミニウムを備えてもよい。
【００２７】
ガス管５０８は、流体を遠隔洗浄プラズマ源５０４から拡散器５０６に搬送するように適合されてもよい。ガス管５０８はまた電気または他のエネルギー源から流体を（例えば電気的に）絶縁してもよい。流体をエネルギー源から絶縁することによって、ガス管５０８は、所望のエネルギー量が流体に結合されることを保証してもよい。付加的または代替的に、ガス管５０８は本発明の他のコンポーネントを保持するように適合されてもよい。例えば、後述するように、ガス管５０８は本発明の他のコンポーネントを機械的にサポートするように適合されてもよい。
【００２８】
さらに図５を参照すると、ＲＦチョーク５１０はガス管５０８の周辺に配置されてもよい。他の適切な構成が用いられてもよいが、ＲＦチョーク５１０はガス管５０８の周辺に配置された単一コイルとして描かれている。図１〜４を参照した上記実施形態と同様に、ＲＦチョーク５１０は、ガス管５０８によって搬送中の流体にエネルギーを結合させるように用いられてもよい。任意の適切な材料が用いられてもよいが、ガス入力５１２はアルミニウムを備えてもよい。任意の適切な形状が用いられてもよいが、ガス入力５１２は立方体形状として図５に描かれている。ガス入力５１２は、ガス管５０８を拡散器５０６に結合させるように適合されてもよい。ガス入力５１２は、流体をガス管５０８から拡散器５０６に搬送するように用いられてもよい。同一または代替実施形態では、ガス入力５１２は、拡散器５０６をガス管５０８から電気的に絶縁するように用いられてもよい。
【００２９】
整合ネットワーク５１４はＲＦチョーク５１０および蓋５０２に結合されてもよい。整合ネットワーク５１４は、本出願では詳細に論じられていない他のコンポーネントを含んでもよい。他の適切なコンポーネントが用いられてもよいが、コンポーネントはインダクターおよび／またはキャパシターであってもよい。任意の適切な材料が用いられてもよいが、整合ネットワーク５１４の外部シェルはアルミニウムであってもよい。
【００３０】
整合ネットワーク５１４は、源（例えば、電気）をチョーク５１０を介して蓋５０２に結合させるように適合されてもよい。整合ネットワーク５１４は、整合ネットワーク５１４に対して提供された電気負荷（例えば、処理チャンバ、ＲＦチョークなどの電気負荷）を源の負荷に整合させるように用いられてもよい。同一または代替実施形態では、整合ネットワーク５１４は、エネルギーをＲＦチョーク５１０を介して処理チャンバに結合させてもよい。
【００３１】
任意の適切な材料が用いられてもよいが、接地コネクタ５１６はアルミニウムを備えてもよい。任意の適切な形状が用いられてもよいが、接地コネクタ５１６は立方体形状のデバイスとして図５に描かれている。接地コネクタ５１６は、ＲＦチョーク５１０の端を接地に結合させるように適合されてもよい。同一または代替実施形態では、接地コネクタ５１６はまた遠隔洗浄プラズマ源５０４に結合されてもよい。ＲＦチョーク５１０の端を接地に結合させることによって、整合ネットワーク５１４を介してＲＦチョーク５１０に結合されているエネルギーはＲＦチョークを介して接地に結合されてもよい。
【００３２】
図６Ａは、図５のガス管５０８を中心に同軸的に（フォームを中心に巻きつけられたように部分的に示されている）導電コイル６０４を受け取り、かつサポートするように適合されたＲＦチョークフォーム６０２の斜視図を描いている。図６Ｂおよび６Ｃは図６Ａのフォームの側面図および端面図を描いている。図６Ｄは、導電コイルを相互に間隔をあけて絶縁するためにフォームの表面にミリング加工された溝のクローズアップ詳細図を描いている。図面は同一縮尺ではなく、また寸法は、異なるＲＦ電力量を使用する異なるサイズのチャンバを収容するように調整されてもよい点に注目すべきである。例えば、ＡＫＴ，Ｉｎｃ．によって製造されたプラズマチャンバモデル４０Ｋは、上記のモデル２５Ｋや１５Ｋより長いＲＦチョーク使用してもよい。
【００３３】
任意の適切な材料が用いられてもよいが、ＲＦチョークフォーム６０２はポリアミドなどのプラスチックを備えてもよい。例えば、ＲＦチョークフォーム６０２は、他の材料に加えてセラミック材料を備えてもよい。図６Ｂおよび６Ｄを参照して後述されるように、ＲＦチョークフォーム６０２は導電コイル６０４を受け取り、かつサポートするように適合されてもよい。
【００３４】
図６Ｂを参照すると、ＲＦチョークフォーム６０２は、ＲＦチョークフォーム６０２の外部表面６０６に巻きつけられた導電コイル６０４を有してもよい。導電コイルはＲＦチョークフォーム６０２に巻きつけられた連続ワイヤを備えてもよいことに注目すべきである。同一または代替実施形態では、ワイヤの各ループ間の間隔を制御することが望ましい。従って、ＲＦチョークフォーム６０２は、後述のように、間隔を制御するように適合されてもよい。
【００３５】
図６Ｄを参照して、ＲＦチョークフォーム６０２は、ＲＦチョークフォーム６０２の外部表面６０６に溝６０８を具備する導電コイル６０４を受け取り、かつ保持するように適合されてもよい。導電コイル６０４は溝６０８に配置されてもよい。
【００３６】
溝６０８はＵ形状の谷として描かれているが、任意の適切な形状が用いられてもよい。例えば、代替実施形態では、溝６０８はＶ形状や矩形形状であってもよい。溝６０８は、溝６０８における導電性コイル６０４のワイヤの深さを制御するのに適した任意の適切な深さであってもよい。また、図６Ｄに描かれているように、溝６０８はＲＦチョークフォーム６０２の長さに沿った連続特徴部である。代替実施形態では、溝６０８は複数の特徴部を備えてもよい。
【００３７】
上記説明は本発明の例示的実施形態のみを開示している。本発明の範囲内にある上記開示された装置および方法の修正は当業者には容易に明らかである。従って、本発明はこの例示的実施形態に関連して開示されているが、以下の請求項によって定義されるように、他の実施形態も本発明の主旨および範囲内にあることが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施形態に従った基板処理装置を描いている概略図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に従った図１のＲＦチョークを描いている斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に従った基板処理装置を描いている概略図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に従った図３のＲＦチョークを描いている斜視図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に従った基板処理装置の上部の斜視図である。
【図６Ａ】本発明の第３の実施形態に従ったＲＦチョークの斜視図である。
【図６Ｂ】本発明の第３の実施形態に従ったＲＦチョークの側面図である。
【図６Ｃ】本発明の第３の実施形態に従ったＲＦチョークの端面図である。
【図６Ｄ】本発明の第３の実施形態に従ったＲＦチョークの詳細図である。
【符号の説明】
【００３９】
１００…基板処理装置、１０２…ＲＦチョーク、１０４…ガス管、１０６…ガス源、１０８…ガス送出デバイス、１１０…基板処理チャンバ、１１２…チャンバ分配デバイス、１１４…ＲＦ電源、１１６…ＲＦ送出デバイス、２００…コア、２０２…コイル状ワイヤ、２０４…ガスエンドボルト、２０６…ＲＦエンドボルト、３００…基板処理装置、３０２…ＲＦチョーク、３０４…絶縁性コイル状ワイヤ、５０２…蓋、５０４…遠隔洗浄プラズマ源、５０６…拡散器、５０８…ガス管、５１０…ＲＦチョーク、５１２…ガス入力、５１４…整合ネットワーク、５１６…接地コネクタ、６０２…ＲＦチョーク、６０４…導電コイル、６０６…外部表面、６０８…溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【外国語明細書】
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