(57)【要約】【課題】トリミングヒューズ上にエッチング阻止膜を形成しなくても、トリミング用開口部におけるトリミングヒューズ上の絶縁膜を精度良く所望の膜厚に形成することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板２上にトリミングヒューズ４が形成され、トリミングヒューズ４上の絶縁膜１６が周囲よりも薄く形成されてトリミング用開口部２２が形成されている半導体装置であって、トリミング用開口部２２において、トリミングヒューズ４上の絶縁膜１６はポジ型の感光性有機材料のみで形成されている。【選択図】図１
2007123615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にトリミングヒューズが形成され、そのトリミングヒューズ上の絶縁膜が周囲よりも薄く形成されてトリミング用開口部が形成されている半導体装置において、
前記トリミング用開口部において、前記トリミングヒューズ上の絶縁膜はポジ型の感光性有機材料のみで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記感光性有機材料はポリベンゾオキサイドである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記トリミング用開口部とは異なる領域に電極パッドを備え、前記トリミング用開口部及び前記電極パッドとは異なる領域が、前記トリミングヒューズ上の絶縁膜よりも厚い膜厚で、かつ前記トリミングヒューズ上の絶縁膜と同じ感光性有機材料からなる絶縁膜で覆われている請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上にトリミングヒューズが形成され、そのトリミングヒューズ上の絶縁膜が周囲よりも薄くされてトリミング用開口部が形成されている半導体装置の製造方法において、以下の工程（Ａ）〜（Ｄ）を順に含むことを特徴とする製造方法。
（Ａ）前記トリミングヒューズ上を含んで半導体基板上全面に絶縁膜を形成する工程、
（Ｂ）前記トリミングヒューズ上の前記絶縁膜を前記トリミングヒューズが露出するまで除去してトリミング用開口部を形成する工程、
（Ｃ）前記トリミング用開口部を含んで半導体基板上全面にポジ型の感光性有機材料を塗布する工程、
（Ｄ）前記トリミング用開口部の前記感光性有機材料を所望の膜厚だけ残存させるように前記感光性有機材料に露光処理及び現像処理を施した後、洗浄処理を行なって前記トリミングヒューズ上に前記感光性有機材料のみからなる絶縁膜を形成する工程。
【請求項５】
前記感光性有機材料はポリベンゾオキサイドである請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体基板は前記トリミング用開口部とは異なる領域に電極パッドを備えており、
前記工程（Ｄ）で、前記電極パッド上の前記感光性有機材料にも露光することにより前記電極パッド上の前記感光性有機材料も除去し、前記トリミング用開口部及び前記電極パッドとは異なる領域の前記感光性有機材料は除去しない請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記工程（Ｄ）で、前記トリミング用開口部の前記感光性有機材料と前記電極パッド上の前記感光性有機材料に同時に露光する請求項４、５又は６に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上にトリミングヒューズが形成され、そのトリミングヒューズ上の絶縁膜が周囲よりも薄く形成されてトリミング用開口部が形成されている半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばポリシリコンなどによって形成された、素子の抵抗値などの特性を設定するためのトリミングヒューズを備えた半導体装置では、レーザービームを照射することによってトリミングヒューズを溶断して、半導体装置に形成されている素子の特性を調整している。そのような半導体装置では、トリミングヒューズの溶断を精度良く行なうために、トリミングヒューズ上の絶縁膜は周囲よりも膜厚が薄く形成されて、トリミング用開口部が形成されている。
【０００３】
しかし、トリミング用開口部において、トリミングヒューズ上の絶縁膜を薄くしすぎると、水分の浸入によるトリミングヒューズの腐食を防止することができなくなる。逆に、トリミングヒューズ上の絶縁膜の膜厚を厚くしすぎると、トリミングヒューズを溶断するためのレーザービームの出力を強くする必要がある。レーザービームの出力を強くすると、レーザービームの散乱などによってトリミングヒューズの周辺の領域に形成されている素子に悪影響を与えるという不具合が生じる。したがって、トリミングヒューズ上の絶縁膜は適切な膜厚に形成する必要がある。
【０００４】
トリミングヒューズ上に適当な膜厚をもつ絶縁膜を形成する従来の方法の１つとして、次のようなものが挙げられる。
トリミングヒューズ上に、トリミングヒューズの周辺の領域と同じように層間絶縁膜、メタル配線、パッシベーション膜などを形成する。その後、ワイヤボンディング用の電極パッド上の絶縁膜を選択的に除去して開口部を形成するのと同時に、トリミングヒューズ上の絶縁膜を除去する。このとき、オーバーエッチ量を制御することで、トリミングヒューズ上の絶縁膜の残膜厚が所望の膜厚になるように、トリミングヒューズ上にトリミング用開口部を形成する。
【０００５】
また、最近の半導体装置は、配線が多層化され、それにつれて層間絶縁膜が多重に積層されている。このような構造では、パッシベーション膜を含むトリミングヒューズ上の絶縁膜の膜厚が厚くなり、電極パッド上の絶縁膜を開口させるのと同時にトリミングヒューズ上の絶縁膜を薄くする方法を用いると、電極パッド上の開口部のオーバーエッチが多くなるため、そのエッチングによって副生成物が生成されて、トリミングヒューズ上の絶縁膜の残膜厚制御が困難になるという問題があった。そのため、電極パッド上の絶縁膜を開口させる工程と、トリミングヒューズ上の絶縁膜の膜厚を薄くする工程は別工程で行なっていたが、トリミングヒューズ上の絶縁膜の膜厚が厚いためにエッチング膜厚の再現性がばらつき、トリミングヒューズ上の絶縁膜の残膜厚を一定に制御することが困難であるという問題があった。
【０００６】
上記問題を解決するために、トリミングヒューズ上にエッチング阻止膜を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法を用いた従来の製造方法の一例を図３を参照しながら説明する。なお、図３において、半導体基板２には、ソース、ドレイン、ゲート絶縁膜、ゲート電極等が形成されている。
【０００７】
（ａ）半導体基板２上に形成されたフィールド酸化膜３上に、例えばポリシリコンからなるトリミングヒューズ４を形成する。フィールド酸化膜３上及びトリミングヒューズ４上にポリ−メタル間層間絶縁膜６を形成する。層間絶縁膜６上に、配線パターン（図示は省略）を形成する。絶縁膜６上のトリミング用開口部形成領域３０に、後工程で形成するメタル−メタル間層間絶縁膜８及びメタル−メタル間層間絶縁膜１０とはエッチング選択比の異なるエッチング阻止膜３２を形成する。層間絶縁膜６上、配線パターン上及びエッチング阻止膜３２上にメタル−メタル間層間絶縁膜８を形成する。層間絶縁膜８上に配線パターン（図示は省略）を形成し、その配線パターン上及び層間絶縁膜８上にメタル−メタル間層間絶縁膜１０を形成する。層間絶縁膜１０上に電極パッド１２を形成する。層間絶縁膜１０上及び電極パッド１２上に、例えばシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜からなるパッシベーション膜１４を形成する。
【０００８】
（ｂ）写真製版技術により、トリミング用開口部形成領域３０及びパッド開口部形成領域３１に開口部をもつレジストパターンをパッシベーション膜１４上に形成する。そのレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理を行なう。これにより、トリミング用開口部形成領域３０のパッシベーション膜１４、層間絶縁膜１０、層間絶縁膜８が除去されてトリミング用開口部３４が形成され、トリミング用開口部形成領域３０にエッチング阻止膜３２が露出する。このとき、パッド開口部形成領域２３のパッシベーション膜１４も除去されてパッド開口部２０が形成される。
【特許文献１】特開２００１−１７６９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図３のエッチング阻止膜３２を利用する方法では、本来の製造工程以外にエッチング阻止膜３２を堆積及びパターニングする工程を追加しなければならないため、半導体装置製造の工程数が増加するという問題があった。また、例えば層間絶縁膜６にコンタクトホールを形成する領域にエッチング阻止膜３２が形成されていると、エッチング阻止膜３２を除去するためのエッチングガスと絶縁膜６を除去するためのエッチングガスが必要となって、コンタクトホール形成工程が複雑になるという問題があった。
【００１０】
そこで本発明は、トリミングヒューズ上にエッチング阻止膜を形成しなくても、トリミング用開口部におけるトリミングヒューズ上の絶縁膜を精度良く所望の膜厚に形成することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明にかかる半導体装置は、半導体基板上にトリミングヒューズが形成され、そのトリミングヒューズ上の絶縁膜が周囲よりも薄く形成されてトリミング用開口部が形成されているものであって、上記トリミング用開口部のトリミングヒューズ上の絶縁膜はポジ型の感光性有機材料のみで形成されているものである。
このようなトリミングヒューズ上の絶縁膜の形成方法としては、トリミング用開口部を含んでポジ型感光性有機材料を塗布した後、トリミング用開口部において表面側の感光性有機材料だけに露光を行ない、トリミング用開口部の深い位置の感光性有機材料は露光しないようにすることで、その後の現像処理にてトリミングヒューズ上に所望の膜厚の感光性有機材料を残存させる方法を挙げることができる。トリミングヒューズ上の絶縁膜の膜厚は、露光処理時間及び現像時間を調節することによって制御することができる。
【００１２】
上記感光性有機材料の一例として、ポリベンゾオキサイド（以下、ＰＢＯという）を挙げることができる。
【００１３】
本発明の半導体装置において、トリミング用開口部とは異なる領域に電極パッドを備え、トリミング用開口部及び電極パッドとは異なる領域が、トリミングヒューズ上の絶縁膜よりも厚い膜厚で、かつトリミングヒューズ上の絶縁膜と同じ感光性有機材料からなる絶縁膜で覆われていることが好ましい。
このような半導体装置は、感光性有機材料を塗布する際に、電極パッドの形成領域を含んで感光性有機材料を塗布し、トリミング用開口部の感光性有機材料と電極パッド上の感光性有機材料に露光を行なうようにすることで形成することができる。
【００１４】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、本発明の半導体装置を製造する方法であって、以下の工程（Ａ）〜（Ｄ）を順に含む。
（Ａ）トリミングヒューズ上を含んで半導体基板上全面に絶縁膜を形成する工程、
（Ｂ）トリミングヒューズ上の絶縁膜をトリミングヒューズが露出するまで除去してトリミング用開口部を形成する工程、
（Ｃ）トリミング用開口部を含んで半導体基板上全面にポジ型の感光性有機材料を塗布する工程、
（Ｄ）トリミング用開口部の感光性有機材料を所望の膜厚だけ残存させるように感光性有機材料に露光処理及び現像処理を施した後、洗浄処理を行なってトリミングヒューズ上に感光性有機材料のみからなる絶縁膜を形成する工程。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法においても、感光性有機材料としてＰＢＯを用いることができる。
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法において、上記半導体基板はトリミング用開口部とは異なる領域に電極パッドを備えたものであって、上記工程（Ｄ）で、電極パッド上の感光性有機材料にも露光することにより電極パッド上の感光性有機材料も除去し、トリミング用開口部及び電極パッドとは異なる領域の感光性有機材料は除去しないようにすることが好ましい。
【００１７】
さらに、上記工程（Ｄ）で、トリミング用開口部の感光性有機材料と電極パッド上の感光性有機材料に、同時に露光するようにすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の半導体装置では、トリミング用開口部において、トリミングヒューズ上の絶縁膜がポジ型の感光性有機材料のみで形成されているようにした。
また、本発明の半導体装置の製造方法では、トリミングヒューズ上に形成されている絶縁膜をトリミングヒューズが露出するまで除去してトリミング用開口部を形成し（工程（Ｂ））、トリミング用開口部を含んで半導体基板上全面にポジ型の感光性有機材料を塗布した後（工程（Ｃ））、トリミング用開口部の感光性有機材料を所望の膜厚だけ残存させるように感光性有機材料に露光処理及び現像処理を施すようにした（工程（Ｃ））。ポジ型の感光性有機材料は、露光時間及び現像時間を調整することにより、残在させる膜厚を制御することができる。したがって、本発明の半導体装置及び製造方法によれば、トリミング用開口部において感光性有機材料からなる絶縁膜をトリミングヒューズ上に精度良く所定の膜厚に制御して形成することができ、トリミングヒューズの溶断を精度良く行なうことができる。特に、ウェハ面内におけるエッチングばらつきは生じないので、トリミング用開口部におけるヒューズ上の絶縁膜のウェハ面内均一性を向上させることができる。
【００１９】
本発明の半導体装置及び製造方法において、感光性有機材料としてＰＢＯを用いれば、トリミング用開口部においてトリミングヒューズ上の絶縁膜を精度良く所定の膜厚に制御することができる。
【００２０】
本発明の半導体装置において、トリミング用開口部とは異なる領域に電極パッドを備え、トリミング用開口部及び電極パッドとは異なる領域がトリミングヒューズ上の絶縁膜よりも厚い膜厚で、かつトリミングヒューズ上の絶縁膜と同じ感光性有機材料からなる絶縁膜で覆われているようにすれば、半導体基板を感光性有機材料で補強することができる。
また、本発明の製造方法において、半導体基板はトリミング用開口部とは異なる領域に電極パッドを備え、電極パッド上の感光性有機材料にも露光することにより電極パッド上の感光性有機材料を除去し、トリミング用開口部及び電極パッドとは異なる領域の感光性有機材料は除去しないようにすれば、上記の半導体装置を形成することができる。この方法では、トリミング用開口部及び電極パッドとは異なる領域に、トリミングヒューズ上の絶縁膜と同じ感光性有機材料からなる絶縁膜を形成するのに特別な工程が要らないので、製造工程数を増加させずに、半導体基板の強度を高めることができる。
【００２１】
さらに、本発明の製造方法において、トリミング用開口部の感光性有機材料と電極パッド上の感光性有機材料に同時に露光するようにすれば、製造工程数を増加させることなく、電極パッド上の感光性有機材料を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は半導体装置の一実施例を示す拡大断面図である。
トランジスタ等の半導体素子（図示は省略）が形成されている半導体基板２上に、フィールド酸化膜３が形成されている。フィールド酸化膜３上に、例えば膜厚が２００ｎｍ（ナノメートル）のポリシリコンからなるトリミングヒューズ４が形成されている。トリミングヒューズ４上を含んでフィールド酸化膜３上に、例えば膜厚が８００ｎｍのＢＰＳＧ（boro-phospho silicate glass）膜からなるポリ−メタル間層間絶縁膜６が形成されている。層間絶縁膜６は、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）処理が施されて平坦化されており、トリミングヒューズ４の上の膜厚は６００ｎｍ程度である。
【００２３】
層間絶縁膜６上に例えば膜厚が１５００ｎｍのシリコン酸化膜からなるメタル−メタル間層間絶縁膜８が形成されている。層間絶縁膜８上に、例えば膜厚が１５００ｎｍのメタル‐メタル間層間絶縁膜１０が形成されている。層間絶縁膜１０上に、例えばアルミニウムからなる電極パッド１２が形成されている。電極パッド１２上を含んで層間絶縁膜１０上に、最終保護膜であるパッシベーション膜１４が形成されている。パッシベーション膜１４は、例えば膜厚が２００ｎｍのシリコン酸化膜上に膜厚が７００ｎｍのシリコン窒化膜が積層されて形成されている。パッシベーション膜１４上に、ポジ型の感光性有機材料、例えばＰＢＯからなる、膜厚が４０００ｎｍの絶縁膜１８が形成されている。
ここで、図示は省略されているが、層間絶縁膜６と層間絶縁膜８の間、層間絶縁膜８と層間絶縁膜１０の間には、例えばアルミニウムからなる配線パターンが形成されている。
【００２４】
電極パッド１２上のパッシベーション膜１４及び絶縁膜１８は除去されており、パッド開口部２０が形成されている。
トリミングヒューズ４上の層間絶縁膜６，８，１０、パッシベーション膜１４及び絶縁膜１８は除去されており、トリミング用開口部２２が形成されている。トリミング用開口部２２内に、例えばＰＢＯなどの感光性有機材料からなる保護膜（絶縁膜）１６が形成されている。トリミングヒューズ４は、保護膜１６で覆われている。保護膜１６は、トリミングヒューズ４上に例えば５００ｎｍの膜厚をもっている。
【００２５】
次に、図１及び図２を参照して半導体装置の製造方法の一実施例を説明する。図２は半導体装置の製造方法の一実施例を示す工程断面図である。なお、この実施例では、半導体基板への不純物導入、フィールド酸化膜の形成、ゲート絶縁膜及びゲート電極の形成、等の工程についての説明は省略する。
【００２６】
（ａ）フィールド酸化膜３が形成された半導体基板２上にポリシリコンを２００ｎｍの膜厚に堆積した後、写真製版技術及びエッチング技術を用いて、ポリシリコンからなるトリミングヒューズ４を形成する。トリミングヒューズ４を含むフィールド酸化膜３上に、例えばＢＰＳＧからなるポリ−メタル間層間絶縁膜６を８００ｎｍの膜厚に形成する。層間絶縁膜６にコンタクトホール（図示は省略）を形成した後、層間絶縁膜６上に、例えばアルミニウムからなる配線パターン（図示は省略）を形成する。層間絶縁膜６及び配線パターン（図示は省略）上に、例えばシリコン酸化膜からなるメタル−メタル間層間絶縁膜８を形成する。層間絶縁膜８にコンタクトホール（図示は省略）を形成した後、層間絶縁膜８上に、例えばアルミニウムからなる配線パターン（図示は省略）を形成する。層間絶縁膜８及び配線パターン（図示は省略）上に、例えばシリコン酸化膜からなるメタル−メタル間層間絶縁膜１０を１５００ｎｍの膜厚に形成する。層間絶縁膜１０にコンタクトホール（図示は省略）を形成した後、層間絶縁膜１０上に例えばアルミニウムからなる電極パッド１２を形成する。層間絶縁膜１０及び電極パッド１２上に、例えば膜厚が２００ｎｍのシリコン酸化膜を形成し、さらにその上にシリコン窒化膜を７００ｎｍの膜厚に形成して２層構造のパッシベーション膜１４を形成する（（ａ）を参照。）。図２において、符号２１はトリミング用開口部形成領域、符号２３はパッド開口部形成領域である。
【００２７】
（ｂ）写真製版技術を用いて、トリミング用開口部形成領域２１に開口部をもつレジストパターン２４をパッシベーション膜１４上に形成する。レジストパターン２４をマスクにしてドライエッチング処理を行なう。このドライエッチング処理では、トリミング用開口部形成領域２１のパッシベーション膜１４、層間絶縁膜１０、層間絶縁膜８、層間絶縁膜６を除去して、トリミングヒューズ４の少なくとも上面を完全に露出させる。これにより、例えば４５００ｎｍの深さのトリミング用開口部２２が形成される（（ｂ）を参照。）。
【００２８】
（ｃ）レジストパターン２４を除去した後、開口部２２の形成領域を含んでパッシベーション膜１４上にポジ型感光性有機材料であるＰＢＯ１９を塗布する。このとき、トリミング用開口部２２にＰＢＯ１９が流れ込み、半導体基板２主表面が平坦になる（（ｃ）を参照。）。ここではＰＢＯとしてＣＲＣ−８３００（住友ベークライト株式会社の製品）を用いた。
【００２９】
（ｄ）トリミング用開口部２２に対応する領域及びパッド開口部形成領域２３に開口部をもつフォトマスク２６をＰＢＯ１９上に配置する。フォトマスク２６をマスクにして露光を行なう。この露光では、トリミング用開口部２２に流れ込んだＰＢＯ１９のうち、所定の深さまでの領域にあるＰＢＯ１９だけが感光し、それよりも深くにあるＰＢＯ１９は感光しないように露光時間を調整する。このとき、パッド開口部形成領域２３上のＰＢＯ１９は完全に露光されるようにする（（ｄ）を参照。）。ここでは、露光装置として光源がｉ線（波長３６５ｎｍ）のものを用い、３５秒間露光を行なった。
【００３０】
（ｅ）所定の時間だけ現像処理を行なって、上記工程（ｄ）の露光処理で感光したＰＢＯ１９を除去する。トリミング用開口部２２の深い領域のＰＢＯ１９は感光していないため、トリミング用開口部２２内に例えば６００ｎｍの膜厚のＰＢＯ膜１９が残存する。また、パッド開口部形成領域２３上のＰＢＯ１９は完全に除去される。ここでは現像液としてＴＭＡ−５０８（関東化学株式会社の製品）を用い、６０秒分間現像処理を行なった。
その後、例えば３５０℃の条件で熱処理を施してＰＢＯ１９を硬化させて、トリミング用開口部２２内にトリミングヒューズ４を覆う保護膜１６を形成し、パッシベーション膜１４上に絶縁膜１８を形成する（（ｅ）を参照。）。
【００３１】
（ｆ）写真製版技術を用いて、トリミング用開口部２２に対応する領域及びパッド開口部形成領域２３に開口部をもつレジストパターン２８を絶縁膜１８上に形成する。レジストパターン２８をマスクにしてドライエッチング処理を行なう。これにより、電極パッド１２上のパッシベーション膜１４が除去されて、パッド開口部２０が形成される。このとき、トリミングヒューズ４上の保護膜１６もエッチングされるが、ＰＢＯはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜に対して６〜７程度のエッチング選択比があるため、トリミングヒューズ４上に膜厚が約５００ｎｍの保護膜１６が残存する（（ｆ）を参照。）。ここで、保護膜１６の表面側の一部が除去されているが、除去される厚みは１００ｎｍ程度とわずかであり、従来技術のように数千ｎｍの絶縁膜を除去してトリミング窓開口部を形成する場合のようなエッチングばらつき、特にウェハ面内エッチングばらつきは生じない。
その後、レジストパターン２８を除去することで、図１に示した半導体装置が形成される。
【００３２】
この実施例では、トリミング用開口部形成領域２１の層間絶縁膜６，８，１０を除去してトリミング用開口部２２を形成し、トリミング用開口部２２にＰＢＯ１９を流し込んだ後、トリミングヒューズ４上の所望の膜厚のＰＢＯ１９が感光しないように、トリミング用開口部２２の所定の深さまでのＰＢＯ１９だけが感光するように、露光の処理時間を調節し、さらに現像時間を調節して、トリミングヒューズ４上に所望の膜厚のＰＢＯ１９を残存させることによって、所望の膜厚の保護膜１６を形成するようにしたので、厚い膜厚の絶縁膜をドライエッチング処理によってエッチングせずに、トリミングヒューズ４上に保護膜１６を形成することができる。これにより、膜厚の厚い絶縁膜をドライエッチング処理したときに起こるエッチングばらつきが生じないので、トリミングヒューズ４上に所望の膜厚の絶縁膜を精度良く形成することができる。
【００３３】
また、この実施例では、上記工程（ｄ）において、トリミング用開口部２２のＰＢＯ１９と同時にパッド開口部形成領域２３のＰＢＯ１９にも露光を行ない、工程（ｅ）の現像処理にて、トリミング用開口部２２の所定の深さまでのＰＢＯ１９を除去するのと同時に、パッド開口部形成領域２３のＰＢＯ１９を完全に除去しているので、半導体装置製造の工程数を減らすことができる。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、トリミング用開口部形成領域２１のＰＢＯ１９への露光と、パッド開口部形成領域２３のＰＢＯ１９への露光を別々の露光工程で行なうようにしてもよい。
【００３４】
上記の製造方法により製造された半導体装置（図１を参照）は、トリミングヒューズ４を保護するための保護膜１６がＰＢＯからなる絶縁膜のみで形成されており、保護膜１６は所望の膜厚に精度良く形成されているので、レーザートリミングを行なう際は、トリミングヒューズ４の溶断を精度良く行なうことができる。
【００３５】
上記実施例で半導体基板２上に積層されている層間絶縁膜やメタル配線層の数は一例であって、本発明はこれに限定されるものではなく、単層又は２層のメタル配線構造であってもよいし、４層以上のメタル配線構造であってもよい。また、本明細書中に記載されている寸法や材料、形状も一例であり、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば上記の実施例では、ポジ型感光性有機材料としてＰＢＯを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、他のポジ型感光性有機材料を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】半導体装置の一実施例を説明するための拡大断面図である。
【図２】同実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
２    半導体基板
４    トリミングヒューズ
６，８，１０    層間絶縁膜
１４    パッシベーション膜
１６    トリミングヒューズの保護膜
１８，１９    ＰＢＯ膜
２０    パッド開口部
２１    トリミング用開口部形成領域
２２    トリミング用開口部
２３    パッド開口部形成領域
２４，２８    レジストパターン
２６    フォトマスク
【図１】
2007123615.tif 000003
【図２】
2007123615.tif 000004
【図３】
2007123615.tif 000005