(57)【要約】【課題】  ターゲットとバッキングプレートとをボンディング材を介して接合して構成されるターゲット組立体を用いてスパッタリングにより成膜する場合、接合時に反りが発生していると、処理基板面内の膜厚が不均一になる。【解決手段】  ターゲット４１と、ボンディング材を介して接合したバッキングプレート４２とからなるターゲット組立体を、バッキングプレートのターゲットより外側に延出した部分４２ａを介してスパッタ電極本体４に取付ける。そして、ターゲットのスパッタ面に対し直交する方向に沿って、ターゲット組立体の中央領域に引張力または押圧力のいずれか一方を加える反り矯正手段７を設ける。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング用のターゲットと、このターゲットのスパッタ面の背面側にボンディング材を介して接合されたバッキングプレートとを有するターゲット組立体を備え、このターゲット組立体を、バッキングプレートのターゲットより外側に延出した部分を介してスパッタ電極本体に取付自在であるスパッタ電極であって、前記バッキングプレートのスパッタ電源本体への取付箇所がそれぞれ位置する水平面に対し直交する方向に沿って、ターゲット組立体の中央領域に引張力または押圧力のいずれか一方を加える反り矯正手段を設けたことを特徴とするスパッタ電極。
【請求項２】
前記反り矯正手段は、ターゲット組立体の後方に位置してスパッタ電源本体に設けた支持部と、この支持部に一端が螺合した軸部とから構成され、この軸部の他端を、バッキングプレートの中央領域に着脱自在に取付けたことを特徴とする請求項１記載のスパッタ電極。
【請求項３】
前記反り矯正手段を複数設けたことを特徴とする請求項１または請求項２記載のスパッタ電極。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のスパッタ電極を所定の間隔を置いて並設し、各ターゲットの前方に磁束を形成するように各ターゲット組立体の後方にそれぞれ設けられ、複数個の磁石から構成される磁石組立体と、各ターゲットに負電位及び接地電位または正電位のいずれか一方を交互に印加する交流電源とを設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項５】
前記磁束がターゲットに対して平行移動自在であるように各磁石組立体を一体に駆動する駆動手段を設けたことを特徴とする請求項４記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
前記磁石組立体は、各磁石を支持する支持板を有し、この支持板に、反り矯正手段の軸部の挿通を可能とする各磁石組立体の移動方向に沿った長孔を設けたことを特徴とする請求項５記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング法による処理基板への成膜に用いられるスパッタ電極及びこのスパッタ電極を備えたスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタリング法では、プラズマ中のイオンを、処理基板表面に成膜しようする膜の組成に応じて所定形状に作製されたターゲットに向けて加速させて衝撃させ、ターゲット原子を飛散させて処理基板表面に薄膜を形成する。この場合、ターゲットは、イオン衝撃を受けて高温となることから、ターゲットが融解したり、割れたりする虞がある。
【０００３】
このことから、ターゲットを、インジウムやスズなどの熱伝導率が高い材料からなるボンディング材を介して、例えば銅製のバッキングプレートに接合してターゲット組立体とし、この状態でスパッタカソードであるスパッタ電極本体に取付け、スパッタリング中、バッキングプレートを冷却水（冷媒）により冷却することで、ターゲットが間接的に除熱される構造としている（特許文献１）。
【０００４】
一般に、ターゲットとバッキングプレートとの接合は、例えば、所定形状に形成したターゲット及びバッキングプレートを加熱板に載置して、上記ボンディング材が溶解する所定温度までそれぞれ加熱し、ターゲット及びバッキングプレートの各接合面にボンディング材を塗布した後、相互に張り合わせ、この状態でボンディング材が固まる温度まで自然冷却することで行われる。
【特許文献１】特開平７−２６３７５号公報（例えば、図１参照）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようにターゲットとバッキングプレートとを接合した場合、このターゲット及びバッキングプレート相互の材質や面積の相違に基づく加熱時の熱膨張の差に起因して、ボンディング材を介して接合したターゲット組立体に反りが発生するという問題がある。この場合、反りの方向は、成膜材料であるターゲットの組成によって異なる。反りが発生したターゲット組立体をスパッタ電極本体に取付けてスパッタリングにより成膜すると、ターゲットの中央領域とその周辺領域とでターゲット組立体の後方に設けられる磁石組立体までの距離が異なることによって、処理基板面内で膜厚が不均一になる。
【０００６】
このことは、近年のＦＰＤ製造用のガラス基板のように、面積の大きい基板に対しスパッタリング法により薄膜を形成するために、ターゲットの面積を大きくした場合にはより顕著になる。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、上記点に鑑み、接合時のターゲット組立体の反りの影響を受けずに、処理基板全面に亘って略均一な膜厚で成膜できるようにしたスパッタ電極及びこのスパッタ電極を備えたスパッタリング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１記載のスパッタ電極は、スパッタリング用のターゲットと、このターゲットのスパッタ面の背面側にボンディング材を介して接合されたバッキングプレートとを有するターゲット組立体を備え、このターゲット組立体を、バッキングプレートのターゲットより外側に延出した部分を介してスパッタ電極本体に取付自在であるスパッタ電極であって、前記バッキングプレートのスパッタ電源本体への取付箇所がそれぞれ位置する水平面に対し直交する方向に沿って、ターゲット組立体の中央領域に引張力または押圧力のいずれか一方を加える反り矯正手段を設けたことを特徴とする。
【０００９】
これによれば、例えば、ボルト等の締結手段によってバッキングプレートのターゲットより外側に延出した部分を介してスパッタ電極本体にターゲット組立体を固定する。次いで、バッキングプレート裏側の中央領域に反り矯正手段を連結し、ボンディング材を介して接合したときのターゲット組立体の反り方向に応じて、反り矯正手段によってターゲット組立体の中央領域に引張力または押圧力のいずれか一方を加える。これにより、ターゲットのスパッタ面から処理基板までの距離をターゲット全面に亘って略一定に、つまり、未使用時のターゲットのスパッタ面を略水平にできるため、ターゲットの反りの影響を受けず、略均一な膜厚での成膜が可能になる。
【００１０】
この場合、前記反り矯正手段は、例えば、ターゲット組立体の後方に位置してスパッタ電源本体に設けた支持部と、この支持部に一端が螺合した軸部とから構成され、この軸部の他端を、バッキングプレートの中央領域に着脱自在に取付けたものとすれば、簡単な構造で、ターゲット組立体の中央領域に引張力または押圧力を加えて反りの矯正ができてよい。
【００１１】
前記反り矯正手段を複数設けておけば、引張力または押圧力のいずれか一方を加えることが可能な箇所が多くなることで、ターゲットのスパッタ面を略水平にするための微調整が可能になり、特に、ターゲットにひずみがある場合やその面積が大きいときに有効となる。
【００１２】
また、請求項４記載のスパッタリング装置は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のスパッタ電極を所定の間隔を置いて並設し、各ターゲットの前方に磁束を形成するように各ターゲット組立体の後方にそれぞれ設けられ、複数個の磁石から構成される磁石組立体と、各ターゲットに負電位及び接地電位または正電位のいずれか一方を交互に印加する交流電源とを設けたことを特徴とする。
【００１３】
これによれば、交流電源を介して一方のターゲットに負の電位を印加し、他方のターゲットに接地電位または正の電位を印加すると、他方のターゲットがアノードの役割を果たし、１個の交流電源にそれぞれ接続されたターゲット相互間でプラズマがそれぞれ発生し、負の電位が印加されたターゲットがスパッタリングされる。そして、交流電源の周波数に応じてターゲットの電位が切替わると他方のターゲットがスパッタリングされ、各ターゲットを交互に順次スパッタリングできる。
【００１４】
これにより、ターゲットとバッキングプレートとの接合時の反りの影響を受けないことと、スパッタ粒子が放出されないターゲット相互間の間隔を小さく設定できることとが相俟って、面積の大きい処理基板に対し、スパッタリング法により成膜する場合でも、略均一な膜厚で成膜できる。
【００１５】
前記磁束がターゲットに対して平行移動自在であるように各磁石組立体を一体に駆動する駆動手段を設けておけば、スパッタリングの際にターゲットの全面に亘って侵食領域が得られ、ターゲットの利用効率を高めることができてよい。
【００１６】
この場合、前記磁石組立体は、各磁石を支持する支持板を有し、この支持板に、反り矯正手段の軸部の挿通を可能とする各磁石組立体の移動方向に沿った長孔を設けておけばよい。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明のスパッタ電極及びこのスパッタ電極を備えたスパッタリング装置では、接合時にターゲット組立体に生じた反りの影響を受けずに、処理基板全面に亘って略均一な膜厚で成膜できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１乃至図３を参照して説明すれば、１は、本発明のスパッタ電極を装着したマグネトロン方式のスパッタリング装置（以下、「スパッタ装置」という）である。スパッタ装置１は、インライン式のものであり、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプなどの真空排気手段（図示せず）を介して所定の真空度に保持できるスパッタ室１１を有する。スパッタ室１１の上部空間には基板搬送手段２が設けられている。この基板搬送手段２は、公知の構造を有し、例えば、処理基板Ｓが装着されるキャリア２１を有し、駆動手段を間欠駆動させて後述するターゲットと対向した位置に処理基板Ｓを順次搬送できる。
【００１９】
スパッタ室１１にはガス導入手段３が設けられている。ガス導入手段３は、マスフローコントローラ３１を介設したガス管３２を介してガス源３３に連通しており、アルゴンなどのスパッタガスや反応性スパッタリングの際に用いる反応ガスがスパッタ室１１内に一定の流量で導入できる。反応ガスとしては、酸素、窒素、炭素、水素、オゾン、水若しくは過酸化水素またはこれらの混合ガスなどが用いられる。
【００２０】
また、スパッタ室１１の下側には、成膜室１１に搬送されてきた処理基板Ｓに対向させてスパッタ電極本体４が設けられている。スパッタ電極本体４は、処理基板Ｓに対向して配置された略直方体（上面視において長方形）のターゲット４１を有する。ターゲット４１は、Ａｌ、Ｔｉ、ＭｏやＩＴＯなど、処理基板Ｓ上に成膜しようする薄膜の組成に応じて公知の方法で作製される。ターゲット４１は、スパッタリング中、ターゲット４１を冷却する公知の構造のバッキングプレート４２に、インジウムやスズなどのボンディング材を介して接合される。
【００２１】
この場合、ターゲット４１とバッキングプレート４２との接合は、例えば、所定形状に形成したターゲット４１及びバッキングプレート４２を加熱板に載置して、上記ボンディング材が溶解する所定温度までそれぞれ加熱し、ターゲット４１及びバッキングプレート４２の各接合面にボンディング材を塗布した後、相互に張り合わせ、この状態でボンディング材が固まる温度まで自然冷却させることで行われる。
【００２２】
ターゲット４１とバッキングプレート４２とを接合してターゲット組立体とした後、絶縁板４３を介してスパッタ電極本体４のフレーム４４に取付けられる。この場合、バッキングプレート４２のターゲット４１より外側に延出した部分４２ａには、所定の間隔を置いて複数の開口（図示せず）が設けられ、この開口を通して、フレーム４４の上面に所定の間隔を置いて形成したねじ孔にボルトＢを螺着することで、ターゲット組立体４１、４２が固定される。
【００２３】
ターゲット４１の周囲には、プラズマを安定して発生させるために、ターゲット４１の周囲を囲うようにアースシールド（図示せず）が設置されている。この場合、図示しないＯリングなどの真空シール手段によって、ターゲット４１及びアースシールのみがスパッタ室１１内に位置するようにしている。
【００２４】
また、スパッタ電極本体４は、ターゲット４１の後方に位置して磁石組立体５を装備している。磁石組立体５は、ターゲット４１に平行に設けられた支持板５１を有する。この支持板５１は、ターゲット４１の横幅より小さく、ターゲット４１の長手方向に沿ってその両側に延出するように形成した長方形状の平板から構成され、磁石の吸着力を増幅する磁性材料製である。支持板５１上には、ターゲット４１の長手方向に沿った棒状の中央磁石５２と、支持板５１の外周に沿って設けた周辺磁石５３とが交互に極性を変えて設けられている。この場合、中央磁石５２の同磁化に換算したときの体積を、周辺磁石５３の同磁化に換算したときの体積の和（周辺磁石：中心磁石：周辺磁石＝１：２：１）に等しくなるように設計している。
【００２５】
これにより、各ターゲット４１の前方に、釣り合った閉ループのトンネル状の磁束Ｍが形成され、ターゲット４１の前方で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉することで、ターゲット４１の前方での電子密度を高くしてプラズマ密度を高くできる。
【００２６】
そして、基板搬送手段２によって処理基板Ｓをターゲット４１と対向した位置に搬送し、ガス導入手段３を介して所定のスパッタガスを導入する。ターゲット４１に接続されたスパッタ電源６を介して、ターゲット４１に負の直流電圧または高周波電圧を印加すると、処理基板Ｓ及びターゲット４１に垂直な電界が形成され、ターゲット４１の前方にプラズマが発生してターゲット４１がスパッタリングされることで処理基板Ｓ上に成膜される。
【００２７】
ところで、上記のように、ターゲット４１とバッキングプレート４２とを接合した場合、ターゲット４１及びバッキングプレート４２相互の材質や面積の相違に基づく加熱時の熱膨張の差に起因して、ボンディング材を介して接合したターゲット組立体４１、４２に反りが発生する場合がある。この場合、ターゲット４１を、Ａｌなどの融点の低い材料から作製した場合、中央領域Ｒが盛り上るように反りが発生し、他方で、Ｔｉ、Ｃｒなどの融点の高い材料から作製した場合、周辺領域が盛り上るように反りが発生する。反りが発生したターゲット組立体４１、４２をスパッタ電極本体４に装着してスパッタリングにより成膜すると、処理基板Ｓ面内で膜厚が不均一になる虞がある。
【００２８】
本実施の形態では、バッキングプレート４２が取付られるフレーム４４の水平面に対し直交する方向に沿って、ターゲット組立体４１、４２の中央領域に引張力または押圧力のいずれか一方を加える反り矯正手段７を設けることとした。
【００２９】
図２及び図３に示すように、反り矯正手段７は、ターゲット組立体４１、４２の後方に配置した支持部７１、７２と、支持部７２で支持された軸部７３とから構成されている。バッキングプレート４２裏面に平行に設けた支持板７１は、例えばステンレス製であり、反りを矯正するのに力を加えた場合でも変形しない厚さに設定されている。
【００３０】
支持板７１には、反りが発生した場合にその反り量が多くなるバッキングプレート４２の中央領域Ｒに対向した位置に４個の貫通孔７１ａがそれぞれ設けられ、支持板７１の下面には支持片７２が取付けられている。支持片７２は、例えばステンレス製であり、その中央部には開口部７２ａが形成されている。そして、支持片７２の開口部７２ａと、支持板７１に形成した貫通孔７１ａとを上下方向で一致させた状態でボルトＢ１によって支持片７２が支持板７１に固定されている。この支持板７１、支持片７２及び後述するナットが支持部を構成する。
【００３１】
軸部７３は、バッキングプレート４２裏面と支持板７１の上面との間の間隔より長くなるように定寸されたステンレス製の棒材から構成され、その両端部には、ねじ溝７３ａが形成されている。軸部７３の一端は、支持片７２より下方に突出するように配置され、その突出させた部分には、ナット７４が螺合されている。また、軸部７３の他端は、開口部７２ａ及び貫通孔７１ａと上下方向で一致するようにバッキングプレート４２の裏面に形成したねじ孔に螺着させて固定される。
【００３２】
ここで、バッキングプレート４２は、ターゲット４１に負の直流電圧または高周波電圧を印加すべくスパッタ電源４２からの電源ケーブル６ａが接続されていることから、反り矯正手段７を絶縁するために、バッキングプレート４２裏面の所定位置に凹部を設け、この凹部に、内部にねじ溝を設けた硬質プラスチックスなどの絶縁材料４２ｂを嵌設すると共に、軸部７３の周囲を中空円筒形状の硬質プラスチックスなどの絶縁材料７３ｂで覆っている。
【００３３】
また、バッキングプレート４２と支持板７１との間には、磁石組立体５が位置するため、図３に示すように、磁石組立体の支持板５１には、軸部７３の挿通を可能とする開口５１ａが形成されている。
【００３４】
そして、軸部７３の他端を、絶縁材料４２ｂのねじ溝に螺合して固定した状態で、ナット７４が回転しないように保持しつつ軸部７３を支持板７１側（図２では下方）に移動させると、ターゲット組立体４１、４２の中央領域Ｒに引張力が加えられて支持板７１方向（図２では、下側）に引き込まれ、未使用時のターゲット４１のスパッタ面４１１を略水平にできる。他方で、ナット７４が回転しないように保持しつつ軸部７３を処理基板Ｓ側（図２では上方）に移動させると、ターゲット組立体４１、４２の中央領域Ｒに押圧力が加えられて処理基板Ｓ側に押し込まれ、その結果、未使用時のターゲット４１のスパッタ面４１１を略水平にできる。これにより、ターゲット４１のスパッタ面４１１から処理基板Ｓまでの距離をその全面に亘って略一定にでき、ターゲット４１の反りの影響を受けず、略均一な膜厚で処理基板Ｓに成膜できる。
【００３５】
ところで、磁石組立体５の位置を固定にすると、中央磁石５２の上方におけるプラズマ密度は低くなり、その周辺と比較して、スパッタリングの進行に伴うターゲット４１の侵食量が少なくなる。このため、磁石組立体５に、図示しないモータなどの駆動手段によって、ターゲット４１の水平方向に沿った２箇所の位置の間で平行かつ等速で往復動させるようにするのがよい。この場合、磁石組立体の支持板５１に形成した開口５１ａを、磁石組立体５の往復動方向に沿った長孔に形成しておけばよい。
【００３６】
本実施の形態では、簡単な構造とするために、反り矯正手段７をターゲット組立体４１、４２の後方に設けた支持部７１、７２と、軸部７３とから構成したものについて説明したが、これに限定されるものではなく、中央領域Ｒに引張力または押圧力を加えることができるものであればその形態を問わない。また、４個の反り矯正手段７を設けたものついて説明したが、個数はこれに限定されるものでなく、例えばターゲット４１の面積に応じて適宜設定される。
【００３７】
また、本実施の形態では、スパッタ室１１に１個のスパッタ電極４を設けたものについて説明したが、大面積の処理基板Ｓに対して成膜する場合には、図４に示すように、例えば６個のスパッタ電極本体４を並設してマグネトロンスパッタ電極Ｃとし、スパッタ装置１０を構成してもよい。
【００３８】
この場合、ターゲット４１ａ〜４１ｆが、その未使時のスパッタ面４１１が、処理基板Ｓに平行な同一平面上に位置するように並設され、各ターゲット４１ａ〜４１ｆの向かい合う側面４１２相互の間には、アノードやシールドなどの構成部品を何ら設けていない。各ターゲット４１ａ〜４１ｆの外形寸法は、各ターゲット４１ａ〜４１ｆを並設した際に処理基板Ｓの外形寸法より大きくなるように設定される。
【００３９】
また、各ターゲット４１ａ〜４１ｆには、交流電圧を印加する３個の交流電源６１、６２、６３が接続され、各ターゲット４１ａ〜４１ｆの後方には、磁石組立体５ａ〜５ｆが配置されている。この場合、相互に隣接する２個のターゲット（例えば、４１ａ、４１ｂ）に対して１個の交流電源６１を割当て、一方のターゲット４１ａに対し負の電位を印加した際に、他のターゲット４１ｂに接地電位または正の電位が印加されるようにしている。
【００４０】
例えば、各交流電源６１、６２、６３を介して一方のターゲット４１ａ、４１ｃ、４１ｅに負の電位を印加し、他方のターゲット４１ｂ、４１ｄ、４１ｆに接地電位または正の電位を印加すると、他方のターゲット４１ｂ、４１ｄ、４１ｆがアノードの役割を果たし、１個の交流電源６１、６２、６３にそれぞれ接続されたターゲット（例えば、４１ａと４１ｂ）相互間でプラズマがそれぞれ発生し、負の電位が印加されたターゲット４１ａ、４１ｃ、４１ｅがスパッタリングされる。そして、交流電源６１、６２、６３の周波数に応じてターゲット４１ａ〜４１ｆの電位を切替えると、他方のターゲット４１ｂ、４１ｄ、４１ｆがスパッタリングされることで、各ターゲット４１ａ〜４１ｆが交互に順次スパッタリングされ、処理基板Ｓ表面全体に亘って成膜される。
【００４１】
これにより、スパッタ粒子が放出されないターゲット４１ａ〜４１ｆ相互間にアノードやシールドなどの構成部品を何ら設ける必要がないため、このスパッタ粒子が放出されない領域を可能な限り小さくできる。その結果、ターゲットの反りの影響を受けないことと相俟って、処理基板Ｓ面内における膜厚分布を略均一にできる。
【００４２】
この場合、上記実施の形態同様、各ターゲット４１ａ〜４１ｆ全面に亘って均等に侵食領域を得ることができるように、エアーシリンダーなどの駆動手段Ｄによって、ターゲット４１ａ〜４１ｆの水平方向に沿った２箇所（Ｌ点、Ｒ点）の位置の間で、磁石組立体５ａ〜５ｆを一体かつ平行に往復動させている。この場合、駆動手段Ｄの駆動軸Ｄ１に、各磁石組立体５ａ〜５ｆを取付けておけばよい。
【００４３】
また、磁石組立体５ａ〜５ｆを並設したときその両側の磁場バランスが調節できるように、棒状の補助磁石８を、両端に位置する磁石組立体５ａ、５ｆの周辺磁石５３の極性にそれぞれ一致させて設け、補助磁石８を支持する支持部８１を、エアーシリンダＤの駆動軸Ｄ１に取付け、磁石組立体５と一体に移動するようにしている。これにより、磁石組立体５ａ〜５ｆの両端での磁束密度も高くできて磁場バランスが改善され、ひいては処理基板Ｓ面内における膜厚分布や反応性スパッタリングを行う場合の膜質分布を略均一にできる。
【実施例１】
【００４４】
本実施例では、図１に示すスパッタ装置１を用いて処理基板ＳにＡｌ膜を成膜した。この場合、処理基板Ｓとしては、ガラス基板（１２００ｍｍ×１０００ｍｍ）を用いると共に、ターゲット４１としてＡｌを用い、公知の方法で、１４００ｍｍ×１２００ｍｍの外形寸法を有するように作製し、銅製のバッキングプレート４２に接合した。
【００４５】
この場合、ボンディング材として、Ｉｎを用い、ターゲット４１及びバッキングプレート４２を加熱板に載置して２００℃までそれぞれ加熱し、ターゲット４１及びバッキングプレート４２の各接合面にボンディング材を塗布した後、相互に張り合わせて、この状態で保持して自然冷却させ、ターゲット組立体４１、４２とした。
【００４６】
そして、ターゲット組立体を、ボルトＢによってフレーム４４に取付け、反り矯正手段７の軸部７４をバッキングプレート４２の裏面に取付けた後、水平計を用いつつ、軸部７４を介して磁石組立体５方向に引っ張り、ターゲット４１のスパッタ面４１１から処理基板Ｓまでの距離がターゲットＳの全面に亘って略一定になるようにした。
【００４７】
スパッタリング条件として、真空排気されている成膜室１１内の圧力が０．３Ｐａに保持されるように、マスフローコントローラ２１を制御してスパッタガスであるアルゴン（Ａｒ流量２００ｓｃｃｍ）を導入した。また、ターゲット４１への投入電力を４０ｋＷ、スパッタ時間を３０秒に設定した。この条件でガラス基板Ｓ上にスパッタリングしたときのガラス基板Ｓの横方向に沿った膜厚の分布を図５に点線で示す。
（比較例１）
【００４８】
比較例１として、図１に示すスパッタ装置１を用いて処理基板ＳにＡｌ膜を成膜した。この場合、スパッタリング条件などを上記実施例１と同じとしたが、ターゲット組立体４，１、４２を作製した後、ボルトＢによってフレーム４４に取付けた後、反りの矯正は行わないこととした。この条件でガラス基板Ｓ上にスパッタリングしたときのガラス基板Ｓの横方向に沿った膜厚の分布を図５に実線で示す。
【００４９】
図５を参照して説明すれば、比較例１では、ガラス基板の両側（ガラス基板の外周縁部での膜厚（約２７０ｎｍ）が厚くなり、その中央領域の最も膜厚が薄い部分（約２３０ｎｍ）と比較して約４０ｎｍの膜厚の差が生じ、膜厚が不均一であったことが判る。それに対して、実施例１では、ガラス基板の中央領域とその周辺領域との膜厚の差は、約１０ｎｍ以下の範囲にでき、膜厚の均一を高めることができたことが判る。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明のスパッタリング装置の構成を概略的に説明する図。
【図２】反り矯正手段の配置を説明する図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図。
【図４】本発明のスパッタリング装置の他の変形例を説明する図。
【図５】実施例１及び比較例１に従いスパッタリングにより成膜したときの処理基板の横方向に沿った膜厚の分布を示すグラフ。
【符号の説明】
【００５１】
１    マグネトロンスパッタリング装置
４    スパッタ電極
４１  ターゲット
４２  バッキングプレート
７    反り矯正手段
Ｓ  処理基板
【図１】
2007051337.tif 000003
【図２】
2007051337.tif 000004
【図３】
2007051337.tif 000005
【図４】
2007051337.tif 000006
【図５】
2007051337.tif 000007