(57)【要約】【課題】ノズル内部の洗浄を行うことが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。【解決手段】基板処理部は、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１の内部には、処理液供給管が挿通されている。処理液供給管には、薬液または純水が供給される。処理液供給管の先端には、鉛直上方に向けて薬液または純水を吐出する下部ノズル２７が設けられている。薬液処理用ノズル５０の吐出口が下部ノズル２７の吐出口に対向する状態で、下部ノズル２７から薬液処理用ノズル５０の先端部に向けてノズル洗浄液としての純水が吐出される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に処理液を供給する処理液供給口を有する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルの処理液供給口に向けて下方からノズル洗浄液を吐出する洗浄液ノズルとを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を保持する基板保持手段をさらに備え、
前記洗浄液ノズルは、前記基板保持手段により基板が保持されるべき位置の下方に設けられ、前記基板保持手段により基板が保持されていない状態で前記洗浄液ノズルの上方に位置する前記処理液ノズルの前記処理液供給口に向けてノズル洗浄液を吐出することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板保持手に保持された基板の上方位置と基板の外方の待機位置との間で前記処理液ノズルを移動させる駆動手段をさらに備えることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板保持手段は、鉛直方向の回転軸の周りで基板を回転させ、
前記洗浄液ノズルの前記洗浄液吐出口は前記回転軸上に位置することを特徴とする請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記洗浄液ノズルは、さらに、前記基板保持手段により基板が保持された状態で、基板の裏面に向けて基板を処理するための処理液を吐出することを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板の上方位置と前記基板保持手段により保持された基板の外方の待機位置との間で前記処理液ノズルを移動させる駆動手段とをさらに備え、
前記洗浄液ノズルは、前記処理液ノズルが前記待機位置にある状態で、前記処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液を吐出することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記洗浄液ノズルにより前記処理液ノズルにノズル洗浄液が吐出されているときに、前記処理液ノズルおよび前記洗浄液ノズルの少なくとも一方が他方に対して相対的に揺動することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
処理液ノズルの処理液供給口から基板上に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記処理液供給工程が行なわれていない期間において、前記処理液ノズルの前記処理液供給口に向けて下方からノズル洗浄液を吐出するノズル洗浄液吐出工程とを備えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
基板処理装置では、たとえばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液を基板に供給することにより、その基板の表面処理を行う（以下、薬液処理と呼ぶ）。
【０００４】
薬液処理を行う基板処理装置においては、基板へ薬液を供給するノズルの先端部に薬液の析出物が付着する。薬液の析出物は、ノズルによる基板への薬液供給後、ノズル先端部に付着した薬液が乾燥することにより生成される。
【０００５】
この現象は、特に、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合溶液（ＢＨＦ）またはフッ化アンモニウムとリン酸との混合溶液のように塩を含む薬液を用いるときに発生しやすい。
【０００６】
また、酸性の薬液とアルカリ性の薬液とを個別に基板へ供給する基板処理装置において、それぞれの薬液を供給するノズルが近接して配置されると、各ノズルに付着する薬液の成分が周辺の雰囲気中に拡散して互いに反応することにより塩が生成される場合がある。この場合にも、ノズル先端部に析出物が付着しやすい。
【０００７】
ノズル先端部に付着する析出物は、基板へ薬液を供給するごとに成長する。この場合、成長した析出物がノズルから基板に落下したり、ノズルから基板へ供給される薬液の供給条件が変化することにより基板の処理不良が発生する。
【０００８】
ノズル先端部に付着する析出物を除去するために、ノズル先端部を均一に洗浄することができるノズル洗浄機構付き薬液供給ノズルがある（特許文献１参照）。
【０００９】
このノズル洗浄機構付き薬液供給ノズルは、ノズル洗浄機構として貫通孔が形成されたノズルブロックを備える。ノズルブロックの貫通孔にノズルが挿入されることにより、ノズルの外周面とノズルブロックの内周面との間に隙間が形成される。
【００１０】
ノズルによる基板への薬液の供給後、そのノズルがノズルブロックに挿入され、ノズルとノズルブロックとの隙間に洗浄液が供給される。これにより、ノズルとノズルブロックとの間の隙間に流れ込む洗浄液が、ノズル先端部へ流れることにより、ノズル先端部に付着する薬液が洗い流される。その結果、ノズル先端部への析出物の付着が防止される。
【特許文献１】実開平６−４４１３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１に示されるような従来のノズル洗浄機構においては、ノズル外周面からノズル先端部にかけて洗浄液を供給することによりノズルの洗浄を行っているので、ノズル内部には洗浄液が供給されない。
【００１２】
そのため、ノズル内部には薬液が残存し、その残存する薬液が乾燥することによりノズル内部、特に、外気と触れやすいノズル先端の薬液供給口の内側に析出物として生成される。それにより、ノズルから基板へ供給される薬液の供給条件が変化したり、ノズル内部が析出物により詰まるという課題が十分に解決されない。
【００１３】
本発明の目的は、ノズル内部、特に、ノズル先端の薬液供給口の内側の洗浄を行うことが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板上に処理液を供給する処理液供給口を有する処理液ノズルと、処理液ノズルの処理液供給口に向けて下方からノズル洗浄液を吐出する洗浄液ノズルとを備えるものである。
【００１５】
第１の発明に係る基板処理装置においては、基板の処理時に、処理液ノズルの処理液供給口から基板上に処理液が供給される。処理液ノズルが洗浄液ノズルの上方に位置する状態で、洗浄液ノズルから処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液が吐出される。
【００１６】
それにより、洗浄液ノズルから吐出されるノズル洗浄液により処理液ノズル先端の処理液供給口の内側に付着する処理液を洗い流すことができる。また、ノズル洗浄液の一部が処理液ノズルの処理液供給口から内部に流入するので、処理液ノズルの内部に付着する処理液を洗い流すことができる。
【００１７】
このようにして、処理液ノズルの処理液供給口の内側のみならず処理液ノズルの内部も洗浄することが可能となる。
【００１８】
（２）基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段をさらに備え、洗浄液ノズルは、基板保持手段により基板が保持されるべき位置の下方に設けられ、基板保持手段により基板が保持されていない状態で洗浄液ノズルの上方に位置する処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液を吐出してもよい。
【００１９】
この場合、基板の処理時には、基板保持手段により基板が保持されている状態で、基板の上方に位置する処理液ノズルから基板に処理液が供給される。また、基板保持手段により基板が保持されていない状態で、洗浄液ノズルから上方に位置する処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液が吐出される。それにより、処理液ノズルの処理液供給口の内側および処理液ノズルの内部に付着する処理液を洗い流すことができる。
【００２０】
このような構成では、基板保持手段により基板が保持されている状態で、処理液を洗浄液ノズルから吐出することにより、基板保持手段に保持された基板の裏面に処理液を用いた処理を行うことができる。
【００２１】
このように、処理液ノズルの洗浄および基板の裏面の処理を共通の洗浄液ノズルを用いて行うことができる。その結果、基板処理装置の大型化を抑制しつつ処理液ノズルの洗浄が可能となる。
【００２２】
（３）基板処理装置は、基板保持手段に保持された基板の上方位置と基板の外方の待機位置との間で処理液ノズルを移動させる駆動手段をさらに備えてもよい。
【００２３】
この場合、処理液ノズルからの基板への処理液の供給時、および洗浄液ノズルからの処理液ノズルへのノズル洗浄液の吐出時には、処理液ノズルが基板の外方の待機位置から基板の上方位置に移動する。処理液ノズルからの基板への処理液の供給時以外のとき（たとえば、処理液ノズルから基板へ処理液が供給されてから次に処理されるべき基板に処理液を供給するまでの間）で、、かつ洗浄液ノズルからの処理液ノズルへのノズル洗浄液の吐出時以外のときには、処理液ノズルが待機位置に移動する。それにより、処理液ノズルからの処理液によって基板が処理された後（たとえば、基板の乾燥処理時、基板の搬出時等）に、基板上に処理液ノズルから処理液が滴下することが防止される。
【００２４】
（４）基板保持手段は、鉛直方向の回転軸の周りで基板を回転させ、洗浄液ノズルの洗浄液吐出口は回転軸上に位置してもよい。
【００２５】
この場合、洗浄液ノズルの洗浄液吐出口を基板の回転軸上に位置させることができるので、処理液ノズルの洗浄時における処理液ノズルの位置合わせが容易となる。
【００２６】
（５）洗浄液ノズルは、さらに、基板保持手段により基板が保持された状態で、基板の裏面に向けて基板を処理するための処理液を吐出するものであってもよい。
【００２７】
この場合、基板保持手段に保持された基板の裏面に処理液を用いた処理を行うことができる。それにより、処理液ノズルの洗浄および基板の裏面の処理を共通の洗浄液ノズルを用いて行うことができる。その結果、基板処理装置の大型化を抑制しつつ処理液ノズルの洗浄が可能となる。
【００２８】
（６）基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板の上方位置と基板保持手段により保持された基板の外方の待機位置との間で処理液ノズルを移動させる駆動手段とをさらに備え、洗浄液ノズルは、前記処理液ノズルが待機位置にある状態で、処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液を吐出するものであってもよい。
【００２９】
この場合、処理液ノズルからの処理液による基板の処理時には、処理液ノズルが基板保持手段により保持された基板の上方位置に移動する。処理液ノズルの洗浄時には、処理液ノズルは基板保持手段により保持された基板の外方の待機位置に移動する。
【００３０】
待機位置において、洗浄液ノズルから処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液が吐出される。それにより、処理液ノズルの処理液供給口の内側および処理液ノズルの内部に付着する処理液を洗い流すことができる。
【００３１】
（７）洗浄液ノズルにより処理液ノズルにノズル洗浄液が吐出されているときに、処理液ノズルおよび洗浄液ノズルの少なくとも一方が他方に対して相対的に揺動してもよい。
【００３２】
この場合、処理液ノズルの処理液供給口の周辺の広い面積にノズル洗浄液が一様に供給されるとともに、処理液ノズルの内部の細部にノズル洗浄液が浸入する。それにより、洗浄効果がより向上される。
【００３３】
また、複数の処理液ノズルが設けられる場合に、これら複数の処理液ノズルのすべてにノズル洗浄液があたるように、複数の処理液ノズルの配置、および相対的な揺動方向を設定すれば、複数の処理液ノズルの洗浄をほぼ同時に行うことができる。
【００３４】
（８）第２の発明に係る基板処理方法は、処理液ノズルの処理液供給口から基板上に処理液を供給する処理液供給工程と、前記処理液供給工程が行なわれていない期間において、処理液ノズルの処理液供給口に向けて下方からノズル洗浄液を吐出するノズル洗浄液吐出工程とを備えるものである。
【００３５】
第２の発明に係る基板処理装置においては、処理液ノズルからの処理液による基板の処理時に、処理液ノズルの処理液供給口から基板上に処理液が供給される。、また、処理液ノズルから処理液が供給されていないときに、処理液ノズルの洗浄が、処理液ノズルの処理液供給口に向けて下方からノズル洗浄液を吐出することにより行われる。
【００３６】
それにより、処理液ノズルの処理液供給口の内側に付着する処理液をノズル洗浄液により洗い流すことができる。また、ノズル洗浄液の一部が処理液ノズルの処理液供給口から内部に流入するので、処理液ノズルの内部に付着する処理液を洗い流すことができる。
【００３７】
このようにして、処理液ノズルの処理液供給口の内側のみならず処理液ノズルの内部も洗浄することが可能となる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、洗浄液ノズルから吐出されるノズル洗浄液により処理液ノズルの処理液供給口の内側に付着する処理液を洗い流すことができる。また、ノズル洗浄液の一部が処理液ノズルの処理液供給口から内部に流入するので、処理液ノズルの内部に付着する処理液を洗い流すことができる。このようにして、処理液ノズルの処理液供給口の内側のみならず処理液ノズルの内部も洗浄することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しつつ説明する。
【００４０】
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００４１】
（１）  基板処理装置の構成
図１は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００４２】
処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂ、基板処理部５ａ，５ｂが配置されている。
【００４３】
図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ基板処理部５ａ，５ｂへの薬液およびリンス液の供給および基板処理部５ａ，５ｂからの廃棄（排液）等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
【００４４】
基板処理部５ａ，５ｂでは、薬液による基板処理（以下、薬液処理およびリンス液による基板処理（以下、リンス処理と呼ぶ）が行われる。本実施の形態において、基板処理部５ａ，５ｂで用いられる薬液はＢＨＦ（バッファードフッ酸）であり、リンス液は純水である。以下、薬液およびリンス液を処理液と総称する。
【００４５】
処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび基板処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび基板処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび基板処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、基板処理部５ｃ，５ｄは基板処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。
【００４６】
以下、基板処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。
【００４７】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。
【００４８】
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００４９】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００５０】
本実施の形態においては、基板処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗに薬液処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが基板処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。
【００５１】
制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。
【００５２】
（２）  基板処理部の構成
図２は本実施の形態に係る基板処理装置１００の基板処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。
【００５３】
図２の基板処理部５ａ〜５ｄは、薬液処理により基板Ｗの表面に付着した有機物等の不純物を除去した後、基板Ｗのリンス処理および乾燥処理を行う。
【００５４】
図２に示すように、基板処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。
【００５５】
基板Ｗは、薬液処理、リンス処理および乾燥処理を行う際に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転する。
【００５６】
スピンチャック２１の外方には、モータ６０が設けられている。モータ６０には、回動軸６１が接続されている。また、回動軸６１には、アーム６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６２の先端に薬液処理用ノズル５０が設けられている。薬液処理用ノズル５０の先端には、薬液吐出用の吐出口が形成されている。
【００５７】
モータ６０により回動軸６１が回転するとともにアーム６２が回動し、薬液処理用ノズル５０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【００５８】
モータ６０、回動軸６１およびアーム６２の内部を通るように薬液処理用供給管６３が設けられている。薬液処理用供給管６３は、図１の流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。
【００５９】
基板処理部５ａ〜５ｄの薬液処理用ノズル５０には、薬液処理用供給管６３を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄから薬液（ＢＨＦ）が供給される。それにより、基板Ｗの表面へ薬液を供給することができる。なお、本実施の形態に用いる薬液処理用ノズル５０は、テフロン（登録商標）等の撥水性を有する材料からなる。
【００６０】
また、スピンチャック２１の外方にモータ７１が設けられている。モータ７１には、回動軸７２が接続され、回動軸７２には、アーム７３が連結されている。また、アーム７３の先端にリンス処理用ノズル７０が設けられている。リンス処理用ノズル７０の先端には、リンス液吐出用の吐出口が形成されている。
【００６１】
モータ７１により回動軸７２が回転するとともにアーム７３が回動し、リンス処理用ノズル７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【００６２】
モータ７１、回動軸７２およびアーム７３の内部を通るようにリンス処理用供給管７４が設けられている。リンス処理用供給管７４は、図１の流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。
【００６３】
基板処理部５ａ〜５ｄのリンス処理用ノズル７０には、薬液処理用供給管７４を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄからリンス液（純水）が供給される。それにより、基板Ｗの表面へリンス液を供給することができる。なお、本実施の形態に用いるリンス処理用ノズル７０は、テフロン（登録商標）等の撥水性を有する材料からなる。
【００６４】
基板Ｗ上に薬液を供給する際には、薬液処理用ノズル５０は基板Ｗの中心部上方の処理位置に移動し、基板Ｗ上にリンス液を供給する際には、薬液処理用ノズル５０は基板Ｗの外方の待機位置に退避される。
【００６５】
また、基板Ｗ上に薬液を供給する際には、リンス液処理用ノズル７０は基板Ｗ外方の待機位置に退避され、基板Ｗ上にリンス液を供給する際には、リンス液処理用ノズル７０は基板Ｗの中心部上方の処理位置に移動する。
【００６６】
スピンチャック２１の回転軸２５は中空軸からなる。回転軸２５の内部には、処理液供給管２６が挿通されている。処理液供給管２６は、図１の流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。処理液供給管２６には、流体ボックス部２ａ〜２ｄから薬液またはリンス液が供給される。処理液供給管２６は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの下面に近接する位置まで延びている。
【００６７】
処理液供給管２６の先端には、鉛直上方に向けて薬液またはリンス液を吐出する下部ノズル２７が設けられている。下部ノズル２７は、スピンチャック２１により保持される基板Ｗの裏面の中心部に対向する。
【００６８】
スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液を排液するための排液空間３１が形成されている。さらに、排液空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間３２が形成されている。
【００６９】
排液空間３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管３４が接続され、回収液空間３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管３５が接続されている。
【００７０】
処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード２４が設けられている。このガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝４１が環状に形成されている。
【００７１】
また、ガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【００７２】
このガード２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード２４を、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード２４が回収位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部４２により回収液空間３２に導かれ、回収管３５を通して回収される。一方、ガード２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝４１により排液空間３１に導かれ、排液管３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
【００７３】
なお、スピンチャック２１への基板Ｗの搬入および搬出の際には、ガード昇降駆動機構は、ガード２４を排液位置よりもさらに下方に退避させ、ガード２４の上端部２４ａがスピンチャック２１による基板Ｗの保持高さよりも低い位置となるように移動させる。
【００７４】
（３）基板処理部の動作
次に、図１および図２の基板処理装置１００の動作を説明する。基板処理装置１００の各構成要素の動作は、図１の制御部４により制御される。ここで、本実施の形態では、基板処理装置１００による基板Ｗの処理は、所定数の基板Ｗからなるロット単位で行われる。すなわち、１ロットの基板Ｗに所定の条件で連続的に処理が行われる。その後、次の１ロットの基板Ｗに前のロットの基板Ｗと同じまたは異なる条件で連続的に処理が行われる。
【００７５】
図３は、図２の基板処理部５ａ〜５ｄの動作を示すフローチャートである。
【００７６】
図３に示すように、まず、基板Ｗの搬入時には、ガード２４が下降するとともに、基板搬送ロボットＣＲが基板Ｗをスピンチャック２１上に載置する（ステップＳ１）。スピンチャック２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック２１により保持される。
【００７７】
次に、ガード２４が上述した回収位置または廃液位置まで上昇するとともに、薬液処理用ノズル５０が待機位置から基板Ｗの中心部上方の処理位置に移動する。その後、回転軸２５が回転し、この回転に伴いスピンチャック２１に保持されている基板Ｗが回転する（ステップＳ２）。
【００７８】
その後、薬液処理用ノズル５０から基板Ｗ上に薬液が供給されるとともに、下部ノズル２７から基板Ｗの裏面に薬液が供給される。これにより、基板Ｗの薬液処理が行われる（ステップＳ３）。基板Ｗの薬液処理終了後、薬液処理用ノズル５０が基板Ｗの外方の待機位置に移動する。
【００７９】
次いで、リンス処理用ノズル７０が基板Ｗの中心部上方の処理位置に移動する。次いで、リンス処理用ノズル７０から基板Ｗ上にリンス液が供給されるとともに、下部ノズル２７から基板Ｗの裏面にリンス液が供給される。これにより、基板Ｗのリンス処理が行われる（ステップＳ４）。
【００８０】
次に、リンス液の供給が停止され、回転軸２５の回転数が上昇する。このため、基板Ｗ上のリンス液に大きな遠心力が作用し、基板Ｗ上からリンス液が取り除かれる。それにより、基板Ｗの乾燥処理が行われる（ステップＳ５）。
【００８１】
次に、リンス処理用ノズル７０が基板Ｗの外方の待機位置に退避するとともに回転軸２５の回転が停止する。その後、ガード２４が下降するとともに図１の基板搬送ロボットＣＲが基板Ｗを基板処理部５ａ〜５ｄから搬出する（ステップＳ６）。
【００８２】
その後、制御部４は、１ロットの基板Ｗの処理が終了したか否かを判別する（ステップＳ７）。
【００８３】
１ロットの基板Ｗの処理が終了していない場合には、ステップＳ１へ戻り、ステップＳ１〜Ｓ７の処理が繰り返される。
【００８４】
１ロットの基板Ｗの処理が終了した場合には、後述する薬液処理用ノズル５０の洗浄処理が行われる（ステップＳ８）。
【００８５】
その後、制御部４は全ロットの基板Ｗの処理が終了したか否かを判別する（ステップＳ９）。全ロットの基板Ｗの処理が終了していない場合は、ステップＳ１に戻り、次のロットの基板Ｗの処理が行われる。ステップＳ９で全ロットの基板Ｗの処理が終了した場合には、動作を終了する。
【００８６】
ここで、上記のように、基板処理部５ａ〜５ｄでは、薬液処理用ノズル５０を用いて、基板Ｗの薬液処理が行われる。この場合、基板Ｗの薬液処理後に、薬液処理用ノズル５０の先端部および内部に付着している薬液が乾燥することにより、薬液処理用ノズル５０に薬液の析出物が生成される。
【００８７】
特に、本実施の形態では薬液として酸とアルカリとの中和塩であるフッ化アンモニウムを含むＢＨＦを用いているため、中和塩からなる析出物が生成されやすい。この析出物は、薬液処理およびリンス処理後に薬液処理用ノズル５０から基板Ｗ上に落下したり、薬液処理用ノズル５０から基板Ｗへ供給される薬液の供給条件を変化させることにより、基板Ｗの処理不良の原因となる。
【００８８】
（４）薬液処理用ノズルの洗浄処理
図４は、図３のステップＳ７に示される薬液処理用ノズル５０の洗浄処理を示すフローチャートである。図５は、図３のステップＳ７に示される薬液処理用ノズル５０の洗浄処理を説明するための図である。
【００８９】
まず、ガード２４が上述した廃液位置まで移動する（ステップＳ１１）。次に、薬液処理用ノズル５０が待機位置から処理位置に移動する（ステップＳ１２）。それにより、薬液処理用ノズル５０の吐出口が下部ノズル２７の吐出口に対向する。
【００９０】
次に、下部ノズル２７から薬液処理用ノズル５０の先端部に向けてノズル洗浄液（リンス液と同じ純水）が吐出される（ステップＳ１３）。図５に示すように、下部ノズル２７から吐出されるノズル洗浄液は鉛直上方に位置する薬液処理用ノズル５０に直線軌道で供給される。それにより、薬液処理用ノズル５０の先端部に付着する薬液の析出物がノズル洗浄液により洗い流される。さらに、下部ノズル２７から供給されるノズル洗浄液は、薬液処理用ノズル５０の先端の吐出口から内部に流入する。それにより、薬液処理用ノズル５０先端の吐出口の内側、および薬液処理用ノズル５０の内部に付着する薬液の析出物がノズル洗浄液により洗い流される。
【００９１】
所定時間経過後、下部ノズル２７からのノズル洗浄液の吐出が停止され、薬液処理ノズル５０は、待機位置に移動する（ステップＳ１４）。
【００９２】
このようにして、下部ノズル２７から薬液処理用ノズル５０の先端部にノズル洗浄液を吐出させることにより、薬液処理用ノズル５０の先端部のみならず薬液処理用ノズル５０先端の吐出口の内側、および薬液処理用ノズル５０の内部も洗浄することが可能となる。
【００９３】
なお、薬液処理用ノズル５０の洗浄処理時において、アーム７３を水平面内で揺動させることにより薬液処理用ノズル５０を下部ノズル２７に対して相対的に水平方向に揺動させることが好ましい。それにより、薬液処理用ノズル５０の先端部の広い面積にわたってノズル洗浄液が一様に供給されるとともに、薬液処理用ノズル５０先端の吐出口の内側、および薬液処理用ノズル５０の内部の細部までノズル洗浄液が浸入する。その結果、洗浄効果がさらに向上される。
【００９４】
また、本実施の形態では、薬液処理用ノズル５０の材料として、撥水性を有する材料を用いているため、薬液処理用ノズル５０の洗浄処理後に、薬液処理用ノズル５０の乾燥処理は行われないが、薬液処理用ノズル５０の撥水性が十分でない場合には、洗浄処理後の薬液処理用ノズル５０を乾燥させるための乾燥機構を設けてもよい。乾燥機構としては、たとえば、薬液処理用ノズル５０の先端に向けて不活性ガスやエアー等の乾燥した気体を吹き付ける機構を採用してもよい。
【００９５】
また、本実施の形態では、基板処理部５ａ〜５ｄにおいて、薬液処理用ノズル５０を用いて基板Ｗの薬液処理を行い、リンス処理用ノズル７０を用いて基板Ｗのリンス処理を行う場合について説明したが、複数の種類の薬液を用いて基板Ｗの処理を行う場合には、薬液処理用ノズル５０およびリンス処理用ノズル７０を用いて基板Ｗの薬液処理を行ってもよい。
【００９６】
この場合、リンス処理用ノズル７０の洗浄処理は、薬液処理用ノズル５０の洗浄処理と同様に、下部ノズル２７からのノズル洗浄液により行われる。
【００９７】
（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
上記実施の形態においては、薬液処理用ノズル５０が処理液ノズルに相当し、薬液処理用ノズル５０の吐出口が処理液供給口に相当し、下部ノズル２７が洗浄液ノズルに相当し、薬液およびリンス液が処理液に相当し、スピンチャック２１が基板保持手段に相当し、モータ６０、回動軸６１およびアーム６２が駆動手段に相当する。
【００９８】
（６）他の実施の形態
（６−１）
上記実施の形態では、スピンチャック２１の上方の処理位置で薬液処理用ノズル５０の洗浄処理を行うが、図６に示す待機位置において薬液処理用ノズル５０の洗浄処理を行ってもよい。
【００９９】
図６は、待機位置における薬液処理用ノズル５０の洗浄処理を説明するための図である。
【０１００】
図６に示すように、スピンチャック２１の外方の待機位置には、待機ポット６５が設けられている。待機ポット６５には、排液処理装置（図示せず）または回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液回収管６５ａが接続されている。
【０１０１】
薬液処理用ノズル５０による基板Ｗの薬液処理が行われないときには、薬液処理用ノズル５０は待機ポット６５の上方で待機する。待機ポッド５１内の底部には、鉛直上方に向けてノズル洗浄液を吐出する洗浄用ノズル６５０が設けられている。洗浄用ノズル６５０は、ノズル洗浄液吐出用の吐出口を有する。
【０１０２】
洗浄用ノズル６５０は、待機位置の薬液処理用ノズル５０の鉛直下方に配置される。それにより、洗浄用ノズル６５０の吐出口が薬液処理用ノズル５０の吐出口に対向する。洗浄用ノズル６５０は、ノズル洗浄液供給管６５ｂを介して流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続される。洗浄用ノズル６５０には、流体ボックス部２ａ〜２ｄからノズル洗浄液供給管６５ｂを通してノズル洗浄液が供給される。
【０１０３】
薬液処理用ノズル５０の洗浄処理時には、待機位置の薬液処理用ノズル５０の先端部に向けて洗浄用ノズル６５０からノズル洗浄液が吐出される。
【０１０４】
それにより、図２および図５の下部ノズル２７を用いた場合と同様に、薬液処理用ノズル５０先端の吐出口内側および薬液処理用ノズル５０の内部を洗浄することができる。
【０１０５】
（６−２）
上記実施の形態では、薬液処理用ノズル５０はアーム６２に固定されているが、薬液処理用ノズル５０をアーム６２に振り子のように鉛直面内で揺動可能に設けてもよい。この場合、薬液処理用ノズル５０の先端部の広い面積にわたってノズル洗浄液が一様に供給されるとともに、薬液処理用ノズル５０先端の吐出口の内側、および薬液処理用ノズル５０の内部の細部までノズル洗浄液が浸入する。その結果、洗浄効果がさらに向上される。
【０１０６】
（６−３）
上記実施の形態では、下部ノズル２７のリンス液またはノズル洗浄液の吐出方向は固定されているが、スピンチャック２１の中心部近傍において、下部ノズル２７を水平面内または鉛直面内で揺動可能に設けてもよい。また、洗浄用ノズル６５０の吐出方向も固定されているが、図６の洗浄用ノズル６５０を水平面内または鉛直面内で揺動可能に設けてもよい。この場合、薬液処理用ノズル５０の先端部の広い面積にわたってノズル洗浄液が一様に供給されるとともに、薬液処理用ノズル５０先端の吐出口の内側、および薬液処理用ノズル５０の内部の細部までノズル洗浄液が浸入する。その結果、洗浄効果がさらに向上される。なお、上記実施形態では、下部ノズル２７および洗浄用ノズル６５０の吐出方向はいずれも鉛直上向きとなっているが、これに限らず、下部ノズル２７および洗浄用ノズル６５０の吐出方向は鉛直に対して傾斜した方向であってもよい。
【０１０７】
（６−４）
上記実施の形態では、基板Ｗをリンス処理するためのリンス液、および薬液処理ノズル５０を洗浄するためのノズル洗浄液として純水を用いているが、これに限定されず、炭酸水、水素水、電解イオン水およびＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）等を用いてもよい。また、必ずしもリンス液とノズル洗浄液は同じものでなくてもよく、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水およびＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のうちのそれぞれ互いに異なる液体としてもよい。
【０１０８】
（６−５）
上記実施の形態では、下部ノズル２７または洗浄用ノズル６５０による薬液処理用ノズル５０の洗浄は、１ロットの基板Ｗの処理ごとに行われるが、下部ノズル２７または洗浄用ノズル６５０による薬液処理用ノズル５０の洗浄処理のタイミングは、これに限らない。下部ノズル２７による薬液処理用ノズル５０の洗浄処理は、スピンチャック２１上に基板Ｗが存在しない任意のタイミングで行うことができる。また、洗浄用ノズル６５０による薬液処理用ノズル５０の洗浄処理は、薬液処理用ノズル５０が待機位置に存在する任意のタイミングで行うことができる。たとえば具体的には、基板Ｗ１枚に対する一連の処理が終わるごとに薬液処理用ノズル５０の洗浄処理を行なってもよい。
【０１０９】
（６−６）
下部ノズル２７または洗浄用ノズル６５０によりリンス処理用ノズル７０の洗浄処理を行うことも可能である。
【０１１０】
（６−７）
基板Ｗの搬入および搬出が可能であれば、薬液処理用ノズル５０がスピンチャック２１の上方に固定的に設けられてもよい。
【０１１１】
（６−８）
上記実施の形態では、基板Ｗの洗浄処理を行う基板処理部５ａ〜５ｄに下部ノズル２７または洗浄用ノズル６５０を設ける構成について説明したが、これに限定されず、薬液をノズルから基板に供給する他の処理部に、下部ノズル２７または洗浄用ノズル６５０を設けてもよい。この場合も、ノズルに生成された析出物を効果的に取り除くことができる。
【０１１２】
薬液を用いた処理としては、たとえば、基板Ｗの現像処理、レジスト塗布処理、レジスト剥離処理、ポリマー除去処理等が挙げられる。基板Ｗの現像処理時には、薬液として、たとえばＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等のアルカリ性溶液、または酢酸ブチル等の酸性溶液が用いられる。レジスト塗布処理時には、薬液として、レジスト液（感光剤）が用いられる。レジスト剥離処理時には、薬液として、たとえば硫酸過水またはオゾン水等が用いられる。ポリマー除去処理時には、薬液として、たとえばフッ化アンモニウムおよび燐酸を含むフッ化アンモン系の溶液が用いられる。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】本実施の形態に係る基板処理装置の基板処理部の構成を説明するための図である。
【図３】図２の基板処理部の動作を示すフローチャートである。
【図４】図３の薬液処理用ノズルの洗浄処理の詳細を示すフローチャートである。
【図５】図３の薬液処理用ノズルの洗浄処理を説明するための図である。
【図６】待機位置における薬液処理用ノズルの洗浄処理を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１１５】
４  制御部
５ａ〜５ｄ  基板処理部
２１  スピンチャック
２７  下部ノズル
６０，７１  モータ
６１，７２  回動軸
６２，７３  アーム
１００  基板処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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