(57)【要約】【課題】本発明は、スペーサの表面帯電による電子ビームの歪曲を抑制するための電子放出ディスプレイを提供する。【解決手段】本発明による電子放出ディスプレイは、互いに対向配置される第１基板と第２基板を含む真空容器と、第１基板に備えられる電子放出ユニットと、第２基板に備えられる発光ユニットと、第１基板と第２基板の間に配置されるスペーサを含む。  スペーサは母体と、母体の側面に位置する少なくとも一重のコーティング層を含み、下記条件を満足する。    0.02 < ρ2/ ρ1 < 100  １は、最外郭コーティング層の比抵抗を示し、２は最外郭コーティング層と接触する他のコーティング層または母体の比抵抗を示す。【選択図】図１
2007123267.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置される第１基板と第２基板を含む真空容器と；
前記第１基板中に前記第２基板との対向面に配置される電子放出ユニットと；
前記第２基板中に前記第１基板との対向面に配置される発光ユニット；及び
前記第１基板と前記第２基板の間に配置されて母体と、母体側面に位置する少なくとも一重のコーティング層を含むスペーサを含み、
前記スペーサが下記条件を満足することを特徴とする電子放出ディスプレイ。
0.02 < ρ2/ ρ1 < 100
ここで、１は最外郭コーティング層の比抵抗であり、２は前記最外郭コーティング層と接触する他のコーティング層または前記母体の比抵抗を示す。
【請求項２】
前記最外郭コーティング層の二次電子放出係数は約１であることを特徴とする請求項１に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項３】
前記少なくとも一重のコーティング層が前記母体の側面全体に位置することを特徴とする請求項１に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項４】
前記スペーサが一重のコーティング層を含み、
前記母体が誘電体で形成され、前記コーティング層が金属酸化物で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項５】
前記スペーサが一重のコーティング層を含み、
前記母体が誘電体で形成され、前記コーティング層が炭素系物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項６】
前記スペーサが前記母体側面に位置する第１コーティング層と、第１コーティング層を覆う第２コーティング層を含み、
前記第２コーティング層が前記母体の比抵抗より大きい比抵抗を有するとともに前記第１コーティング層が前記第２コーティング層より小さい比抵抗を有することを特徴とする請求項１に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項７】
前記第１コーティング層がｐ型ドーピングされた非晶質シリコン、ｎ型にドーピングされた非晶質シリコン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素からなる群より選択した一つの物質を含むことを特徴とする請求項６に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項８】
前記スペーサが前記母体の上面と下面のうちの少なくとも一面に位置し、少なくとも一重のコーティング層と接触する導電層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項９】
前記電子放出ユニットが電子放出部と、電子放出量を制御する駆動前極を含み、
前記導電層が前記駆動電極と連結することを特徴とする請求項８に記載の電子放出ディスプレイ。
【請求項１０】
前記発光ユニットが蛍光層と、蛍光層の一面に位置するアノード電極を含み、
前記導電層が前記アノード電極と連結することを特徴とする請求項８に記載の電子放出ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子放出ディスプレイに関し、より詳しくは真空容器内部に設置されて、真空容器に加えられる圧縮力を支持するスペーサ及びこのスペーサを備えた電子放出ディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子放出素子は電子源の種類によって熱陰極を利用する方式と冷陰極を利用する方式に分類できる。
【０００３】
ここで、冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、電界放出アレイ（ＦＥＡ）型、表面電導エミッション（ＳＣＥ）型、金属−絶縁層−金属（ＭＩＭ）型及び金属−絶縁層−半導体（ＭＩＳ）型などが知られている。
【０００４】
電子放出ディスプレイは、第１基板と第２基板及び密封部材で構成される真空容器と、第１基板中の第２基板との対向面に備えられて、複数の電子放出素子がアレイをなして配置されている電子放出ユニットと、第２基板中の第１基板との対向面に備えられて、蛍光層とアノード電極を含む発光ユニットで構成される。
【０００５】
電子放出ユニットは、電子放出部と共に駆動電極である走査電極とデータ電極を備え、画素別に電子放出部が対応する画素の蛍光層に向かって、所定の電子を放出する。アノード電極は高電圧（数百乃至数千ボルトの正の直流電圧）を印加されて、電子放出部から放出した電子を蛍光層に向かって加速させ、蛍光層が電子によって励起されて可視光を放出する。
【０００６】
真空容器は、約１０−６Ｔｏｒｒの真空度を維持しながら、内部と外部の圧力差によって、強い圧縮力を受けるようになる。従って、通常の電子放出ディスプレイは真空容器内部に多数のスペーサを設置して、圧縮力を支持している。この時、スペーサは第１基板上の駆動電極と第２基板上のアノード電極がスペーサを通して短絡しないように、主にガラスやセラミックのような誘電体で形成される。
【０００７】
ところが、通常の電子放出ディスプレイは作用時に電子放出部から放出される電子が第２基板に向かって直進せず、一定の発散角を有して広がって進行する傾向がある。このような電子ビームの広がりによりスペーサ表面に電子が衝突し、電子が衝突したスペーサは材料の特性（比抵抗、誘電定数または二次電子放出係数など）によりその表面が正または負の電位に帯電する。
【０００８】
帯電したスペーサは、スペーサ周囲の電場を変化させて、電子ビーム経路に歪みが生じる。このような電子ビーム経路の歪みは、スペーサ周囲での正確な色表示を妨げ、画面にスペーサシートが見えるような表示品質低下を誘発する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、スペーサ表面の電荷付着を抑制して、スペーサ周囲の電子ビームの歪みとこれに伴う異常発光を抑制できる電子放出ディスプレイを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するために本発明は、
互いに対向配置される第１基板と第２基板を含む真空容器と、第１基板中の第２基板との対向面に配置される電子放出ユニットと、第２基板中の第１基板との対向面に配置される発光ユニットと、第１基板と第２基板の間に配置されて母体と母体側面に位置する少なくとも一重のコーティング層を含むスペーサを含み、スペーサが下記条件を満足する電子放出ディスプレイを提供する。
0.02 < ρ2/ ρ1 < 100
【００１１】
ここで、１は最外郭コーティング層の比抵抗であり、２は前記最外郭コーティング層を接触する他のコーティング層または前記母体の比抵抗を示す。
【００１２】
前記最外郭コーティング層は、約１の二次電子放出係数を有し、少なくとも一重のコーティング層が母体の側面全体に位置できる。
【００１３】
前記スペーサが一重のコーティング層を含む時、前記母体は誘電体で形成され、コーティング層は金属酸化物または炭素系物質を含むことができる。
【００１４】
前記スペーサが第１コーティング層と第２コーティング層で構成された２重のコーティング層を含む時、第２コーティング層は母体の比抵抗より大きい比抵抗を有し、第１コーティング層は第２コーティング層より小さい比抵抗を有することができる。
【００１５】
第１コーティング層はｐ型ドーピングされた非晶質シリコン、ｎ型にドーピングされた非晶質シリコン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素からなる群より選択した物質を含むことができる。
【００１６】
前記スペーサは、母体の上面と下面のうちの少なくとも一面に位置し、少なくとも一重のコーティング層と接触する導電層をさらに含むことができる。
【００１７】
前記電子放出ユニットは、電子放出部と、電子放出部の電子放出量を制御する駆動電極を含む。
【００１８】
前記発光ユニットは蛍光層と蛍光層の一面に位置するアノード電極を含む。
【００１９】
前記導電層は駆動電極とアノード電極のうちの少なくとも一つの電極に連結される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による電子放出ディスプレイは、前記構造のスペーサによってスペーサの電荷付着を最少化して、電子ビームの歪みによる他色発光を抑制することができる。
【００２１】
従って、本発明による電子放出ディスプレイは、色再現率を高めて、高品質の画面を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図を参照して、本発明の実施例について本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様な形態に実施でき、ここで説明する実施例に限られない。
【００２３】
図１は、本発明の第１実施例による電子放出ディスプレイを概略的に示した部分断面図である。
【００２４】
図１を参照すると、電子放出ディスプレイ１００Ａは所定の間隔をおいて平行に対向配置される第１基板１０と、第２基板１２と、及び第１基板１０と第２基板１２の間に配置され、両基板を接合させる密封部材（図示せず）で構成される真空容器を含む。真空容器は約１０−６Ｔｏｒｒの真空度を維持する。
【００２５】
第１基板１０における第２基板１２との対向面には電子を放出する電子放出ユニット１４が配置され、第２基板１２における第１基板１０との対向面には電子照射によって可視光を放出する発光ユニット１６が配置される。
【００２６】
電子放出ユニット１４は、電子放出部１８と共に電子放出部１８の電子放出量を制御する複数の駆動電極２０を含む。図面からは便宜上駆動電極を概略化して、一つの電極層で示した。発光ユニット１６は、蛍光層２２、例えば、平面状に並んだ赤色と緑色及び青色蛍光層と、隣接蛍光層２２の間に位置する黒色層２４と、蛍光層２２と黒色層２４の一面に位置するアノード電極２６を含む。
【００２７】
第１基板１０と第２基板１２の間には、真空容器に加えられる圧縮力を支持して第１基板１０と第２基板１２の間隔を一定に維持させるスペーサ２８が配置される。スペーサ２８は、蛍光層２２に触れないように黒色層２４に対応して位置する。図面では便宜上一つのスペーサ２８のみを示した。
【００２８】
前記構成で、電子放出部１８が画素別に所定の電子（図面ではｅ-で表示）を放出させ、アノード電極２６が高電圧を印加されて、この電子を蛍光層２２に向かって加速させて、加速された高エネルギー電子が当該画素の蛍光層２２に衝突して、これを発光させる過程を通して所定の表示作用が行われる。
【００２９】
この過程において発光ユニット１６は、電子放出ユニット１４に対してアノード電圧の寸法に相応する数百乃至数千ボルトの電位差を有する。これによって第１基板１０と第２基板１２の間の真空領域には、電子放出ユニット１４から発光ユニット１６に向かって、電圧が漸進的に上昇する電圧勾配が発生する。
【００３０】
また、前記駆動過程で各電子放出部１８から放出される電子は、第２基板１２に向かって広がって進行し、その結果電子の一部がスペーサ２８表面、または隣接蛍光体に衝突する。
【００３１】
本実施例におけるスペーサ２８は、誘電体で形成される母体２８１と、母体２８１の側面に位置する導電性コーティング層２８２で構成される。コーティング層２８２は、母体２８１の表面が真空の影響を受けないように母体２８１の側面全体に位置する。
【００３２】
より具体的には、母体２８１は、ガラス、セラミック、強化ガラス及び感光性ガラスのうちの何れか一つで構成され、棒状、柱型またはその以外の多様な形で形成できる。コーティング層２８２は、母体２８１とは異なる電気的特性を有し、材料特性によりスペーサ２８の電気的特性を変化させる。
【００３３】
コーティング層２８２は、導電物質の含有量により多様な比抵抗を有するが、例えば、クロム酸化物のような金属酸化物で形成できる一方、導電物質としてダイヤモンド状炭素のような炭素系物質を含むことができる。コーティング層２８２は、約２００乃至１、０００Åの厚さで形成されてもよい。
【００３４】
コーティング層２８２は母体２８１の比抵抗より大きい比抵抗を有することができる。この場合には、コーティング層２８２が電子の移動経路として機能する。つまり、スペーサ２８の表面に電子が衝突すると、コーティング層２８２がこの電子を電子放出ユニット１４または発光ユニット１６に備えられた電極に流してスペーサ２８の表面が帯電されるのを抑制する。
【００３５】
一方、コーティング層２８２は母体２８１の比抵抗より小さい比抵抗を有することができる。この場合には、母体２８１が電子の移動経路として機能する。この時コーティング層２８２は１または１に近い二次電子放出係数を有するように形成されて、スペーサ２８表面が帯電されることをより効果的に抑制できる。
【００３６】
図２は、本発明の第２実施例による電子放出ディスプレイを概略的に示した部分断面図である。
【００３７】
図２を参照すると、本実施例の電子放出ディスプレイ１００Ｂにおいて、スペーサ２８’は、母体２８１と、母体２８１側面に位置する第１コーティング層２８２と、第１コーティング層を覆う第２コーティング層２８３を含む。
【００３８】
最外郭コーティング層である第２コーティング層２８３は、母体２８１の比抵抗より大きい比抵抗を有し、第１コーティング層２８２は第２コーティング層２８３より小さい比抵抗を有するように形成されて、スペーサ２８’に衝突する電化の移動をより円滑にさせる。
【００３９】
第１コーティング層２８２は、ｐ型またはｎ型にドーピングされた非晶質シリコンで形成されるか、窒化ケイ素（ＳｉＮ）と炭化ケイ素（ＳｉＣ）の中、何れか一つを含むことができる。第２コーティング層２８３は前述した第１実施例のコーティング層と同じ物質で形成できる。
【００４０】
図３は本発明の第３実施例の電子放出ディスプレイを概略にしめした部分断面図である。
【００４１】
図３を参照すると、本実施例の電子放出ディスプレイ（１００Ｃ）において、スペーサ２８’’は前述した第１実施例または第２実施例の構造に基づいて母体２８１の上下面のうち、少なくとも一側に位置する導電層２８４をさらに含む。図３では、一例として、母体２８１側面に一つのコーティング層２８２が位置する場合を示した。導電層２８４はコーティング層２８２と接触してこのように電気的に連結される。
【００４２】
導電層２８４は、電子放出ユニット１４に提供される駆動電極２０や発光ユニット１６に提供されるアノード電極２６、または駆動電極２０及びアノード電極２６全てと接すると共に、スペーサ２８’と駆動電極２０及び／またはアノード電極２６の間の接触抵抗を低くして、スペーサ２８’’に衝突する電荷の移動をより円滑にする。図では導電層２８３がスペーサ２８’’の上部と下部の皆に位置することを示した。
【００４３】
前記の実施例におけるスペーサ（２８、２８’、２８’’）は下記条件を満たせるように形成され、電子放出ディスプレイの駆動環境でその表面が帯電されることを抑えて、帯電による電子ビームが歪むことを最小化する。
〔数学式１〕
0.02 < ρ2/ ρ1 < 100
【００４４】
ここで、１は最外郭コーティング層の比抵抗であり、２は前記最外郭コーティング層を接触する他のコーティング層または前記母体の比抵抗を示す。
【００４５】
第１実施例の場合、１はコーティング層２８２の比抵抗を示し、２は母体２８１の比抵抗を示す。第２実施例の場合、１は第２コーティング層２８３の比抵抗を示し、２は第１コーティング層２８２の比抵抗を示す。
【００４６】
下記表は同一な電子放出ディスプレイの駆動環境で、スペーサの２／１値を変化させながらスペーサ帯電による副次発光有無を測定した結果を示す。
【００４７】
副次発光はスペーサ帯電によりスペーサ周りに電子ビーム経路が歪んで意図しなかった蛍光層が発光し、その結果画面上にスペーサ位置が認知される不良を意味する。下記表で○は副次発光が起こった場合を、×は副次発光が起こってない場合を示す。
【００４８】
【表１】
2007123267.tif 000003
【００４９】
実施例１のスペーサはガラスで形成された母体と、ＡＩＰｔＮを含む第１コーティング層を、ＷＧｅＮを含む第２コーティング層で構成される。実施例2のガラスで形成された母体と、ＡＩＰｔＮを含む第１コーティング層を、ダイヤモンド状炭素を含む第２コーティング層で構成される。実施例３と実施例４のスペーサは低抵抗セラミックで形成された母体と、Ｃｒ２Ｏ３を含むコーティング層で構成される。実施例５と実施例６のスペーサは低抵抗セラミックで形成された母体と、ダイヤモンド状炭素を含むコーティング層で構成される。
【００５０】
比較例１のスペーサはガラスで形成された母体と、ＡＩＰｔＮを含む第１コーティング層を、ＷＧｅＮを含む第２コーティング層で構成される。比較例２のスペーサは低抵抗セラミックで形成された母体と、ＡＩＰｔＮを含むコーティング層で構成される。比較例３のスペーサは低抵抗セラミックで形成された母体と、ダイヤモンド状炭素を含むコーティング層で構成される。
【００５１】
比較例４のスペーサは低抵抗セラミックで形成された母体と、Ｃｒ２Ｏ３を含むコーティング層で構成される。比較例５のスペーサは高抵抗セラミックで形成された母体と、Ｃｒ２Ｏ３を含むコーティング層で構成される。比較例６のスペーサはガラスで形成された母体と、ＡＩＰｔＮを含むコーティング層で構成される。比較例７のスペーサはガラスで形成された母体と、Ｃｒ２Ｏ３を含むコーティング層で構成される。
【００５２】
図４Ａ乃至図４Ｄは、各々実施例２、実施例３、実施例４及び実施例５のスペーサを適用した電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。図４Ａ乃至図４Ｄを参照すると、この実施例では、スペーサ帯電による副次発光が発生しなかったことが分かる。
【００５３】
図５Ａ乃至図５Ｅは、各々比較例２、比較例３、比較例５、比較例６及び比較例７のスペーサが適用された電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。図５Ａ乃至図５Ｅを参照すると、これらの比較例ではスペーサ帯電によりスペーサ周囲に電子ビーム経路が歪んで意図しなかった蛍光層が発光する。従って、この比較例では画面上にスペーサ位置が見える視認性不良が発生したことが確認できる。図５Ａ乃至図５Ｅに副次発光が起こった領域を円形点線で表示した。
【００５４】
前述の結果は、最外郭コーティング層がその内側に位置する他のコーティング層または母体に対して０．０１〜５０倍を超過する大きい比抵抗差異を有する場合（即ち、前述した数学式１の条件を満たしていない場合）、母体とコーティング層の境界面で抵抗変化が急激に発生した表面帯電を抑えるコーティング層の機能性を低下させるためだと推定される。
【００５５】
このように、本実施例の電子放出ディスプレイはスペーサ帯電による副次発光を抑えて画面上にスペーサ位置が見える視認性不良を予防できる。
【００５６】
前記実施例の電子放出ディスプレイ１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、電界放出アレイ（ＦＥＡ）型、表面−電導エミッション（ＳＣＥ）型、金属−絶縁層−金属（ＭＩＭ）型及び金属−絶縁層−半導体（ＭＩＳ）型のうちのいずれか一つの型で構成できる。
【００５７】
図６と図７を参照して、ＦＥＡ型電子放出ディスプレイの構成について説明する。
【００５８】
図６と図７は、各々本発明の一実施例によるＦＥＡ型電子放出ディスプレイの部分分解斜視図と部分断面図である。
【００５９】
図６と図７を参照すると、電子放出ユニット１４’は第１絶縁層３０を間において互いに交差する方向に沿って帯状パターンで形成される第１電極３２及び第２電極３４と、第１電極３２と第２電極３４の中、一方の電極に電気的に連結する電子放出部１８’を含む。
【００６０】
電子放出部１８’が第１電極３２に形成される場合、第１電極３２が電子放出部１８’に電流を供給するカソード電極となり、第２電極３４がカソード電極との電圧差によって電界を形成して、電子放出を誘導するゲート電極となる。逆に、電子放出部１８’が第２電極３４に形成される場合、第２電極３４がカソード電極となり、第１電極３２がゲート電極となる。
【００６１】
図面では、第１電極３２と第２電極３４の交差領域、つまり、画素領域毎に第２電極３４と第１絶縁層３０に開口部３４１、３０１が形成されて第１電極３２の表面一部を露出させ、開口部３４１、３０１内側に第１電極３２の上に電子放出部１８’が位置することを示した。
【００６２】
電子放出部１８’は、真空中で電界が加えられると電子を放出する物質、例えば、炭素系物質またはナノメートルサイズ物質で構成できる。電子放出部１８’は、例えば、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラーレン（Ｃ６０）、シリコンナノワイヤー及びこれらの組み合わせで構成された群より選択した物質を含む。
【００６３】
一方で、電子放出部はモリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）等を主材質とする先端が尖っているチップ構造物で形成できる。
【００６４】
そして、第２電極３４と第１絶縁層３０の上に集束電極に機能する第３電極３６が形成される。第３電極３６下部には第２絶縁層３８が位置し、第２電極３４と第３電極３６を絶縁させて、第３電極３６と第２絶縁層３８にも電子ビーム通過のための開口部３６１、３８１が形成される。
【００６５】
第３電極３６は電子放出部１８’毎にこれに対応する一つの開口部３６１を形成して、各電子放出部１８’から放出される電子を個々に集束したり、画素領域毎に一つの開口部３６１を形成して、一つの画素から放出される電子をまとめて集束できる。図４と図５では後者の場合を示した。
【００６６】
次に、発光ユニット１６’は、互いに任意の間隔をおいて形成される赤色と緑色及び青色蛍光層２２と、各蛍光層２２の間に位置して、画面のコントラストを高める黒色層２４と、蛍光層２２と黒色層２４の一面に位置するアノード電極２６を含む。
【００６７】
アノード電極２６は、第１基板１０に向かった蛍光層２２と黒色層２４の一面にアルミニウムのような金属膜で形成できる。この場合、アノード電極２６は、高電圧を印加されて電子ビームを蛍光層に向かって加速させる機能と共に、蛍光層２２から放射した可視光の中、第１基板１０に向かって放射した可視光を第２基板１２側に反射させて画面の輝度を高める機能も兼ねる。
【００６８】
そして、第１基板１０と第２基板１２の間には、前記第１実施例乃至第３実施例のうちの何れか一つのスペーサ２８が配置されて、真空容器に加えられる圧縮力を支持して、第１基板１０と第２基板１２の間隔を一定に維持させる。図４と図５では、例えば、第１実施例のスペーサ２８が棒状で形成され、第２電極３４と並んだ方向に沿って位置することを示した。
【００６９】
前記のように構成されるＦＥＡ型電子放出ディスプレイは、真空容器の外部から第１電極３２、第２電極３４、第３電極３６及びアノード電極２６に所定の電圧を供給して駆動する。
【００７０】
例えば、第１電極３２と第２電極３４の中、一方の電極が走査駆動電圧を印加されて走査電極として機能し、他方の電極がデータ駆動電圧を印加されてデータ電極として機能する。また、第３電極３６は、電子ビーム集束に必要な電圧、例えば、０Ｖまたは数乃至数十ボルトの負の直流電圧の印加を受け、アノード電極２６は数百乃至数千ボルトの正の直流電圧の印加を受ける。
【００７１】
それにより第１電極３２と第２電極３４の電位差が臨界値以上である画素で電子放出部１８’の周囲に電界が形成されて電子が放出される。放出された電子は第３電極３６の開口部３６１を通過しながら、電子ビーム束の中心部に集束されて、アノード電極２６に印加された高電圧に引きずられて、対応する画素の蛍光層２２と衝突してこれを発光させる。
【００７２】
前記駆動過程の第３電極３６の集束作用にも拘らず、各々の電子放出部１８’から放出される電子は、第２基板１２に向かって広がって進行し、その一部がスペーサ２８表面に衝突する。
【００７３】
しかし、本実施例におけるスペーサ２８は、前記構成によってその表面の電荷帯電を最少化でき、スペーサ２８周囲の電子ビーム歪みを抑制して異常発光を防ぐことができる。
【００７４】
前記では本発明の望ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付図の範囲内で多様に変形して、実施することが可能であり、これらも本発明の範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の第１実施例による電子放出ディスプレイを概略的に示した部分断面図である。
【図２】本発明の第２実施例による電子放出ディスプレイを概略的に示した部分断面図である。
【図３】本発明の第３実施例による電子放出ディスプレイを概略的に示した部分断面図である。
【図４Ａ】表１に記載された実施例２のスペーサを具備した電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。
【図４Ｂ】表１に記載された実施例３のスペーサを具備した電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。
【図４Ｃ】表１に記載された実施例４のスペーサを具備した電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。
【図４Ｄ】表１に記載された実施例５のスペーサを具備した電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。
【図５Ａ】表１に記載された比較例２のスペーサを示した電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。
【図５Ｂ】表１に記載された比較例３のスペーサを示した電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。
【図５Ｃ】表１に記載された比較例５のスペーサを示した電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。
【図５Ｄ】表１に記載された比較例６のスペーサを示した電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。
【図５Ｅ】表１に記載された比較例７のスペーサを示した電子放出ディスプレイにおけるこれらの発光状態を示した拡大写真である。
【図６】本発明の一実施例による電界放出アレイ型電子放出ディスプレイの部分分解斜視図である。
【図７】本発明の一実施例による電界放出アレイ型電子放出ディスプレイの部分断面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１００  電子放出ディスプレイ
１０、１２  基板
１４  電子放出ユニット
１６  発光ユニット
１８  電子放出部
２０  駆動電極
２２  蛍光層
２４  黒色層
２６  アノード電極
２８  スペーサ
【図１】
2007123267.tif 000004
【図２】
2007123267.tif 000005
【図３】
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【図６】
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【図７】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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