(57)【要約】【課題】弾性表面波素子の特性周波数に応じた回路が適切に選択されている弾性表面波装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】弾性表面波素子１０をカバー１００で覆った後に、弾性表面波素子１０の特性周波数ｆ0に適した第２回路５０を選択するためのレーザ光６０の照射による配線５１，５２の切断を行う。ここで、レーザ光６０の照射による熱で、絶縁層１２、圧電層１３、配線５１，５２等の材料からなる飛散物７０が飛散しても、カバー１００によって弾性表面波素子１０に付着しないので、レーザ光６０照射前後で特性周波数ｆ0が変化しない。したがって、第２回路５０選択後でも特性周波数ｆ0に応じた回路が選択されている弾性表面波装置１を得ることができる。【選択図】図１
2007259038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、弾性表面波素子と複数の回路とを形成し、前記弾性表面波素子と複数の前記
回路のそれぞれとを接続する配線を形成する素子配線形成工程と、
前記弾性表面波素子を保護部材で覆う保護工程と、
前記保護工程後に、前記弾性表面波素子の特性周波数に基づいて選択された１つの前記
回路以外の前記回路に接続された前記配線を切断する回路選択工程とを含む
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記切断は、レーザ光によって行う
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】
基板と、
前記基板に形成された複数の回路と、
前記基板上に形成された弾性表面波素子と、
前記弾性表面波素子と１つの前記回路とを接続する配線とを備え、
前記弾性表面波素子と前記１つの回路以外の前記回路との配線は切断され、
前記弾性表面波素子には、前記切断による飛散物の付着を防ぐ保護部材が設けられてい
る
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路と振動子とを同一基板上に設けた弾性表面波装置およびその製造方
法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波を利用する弾性表面波装置は、様々な電子機器に用いられている。弾性表面
波装置に用いられる弾性表面波素子は、圧電体の表面に、電極指を交互に配置したＩＤＴ
（Interdigital  Transducer）電極と反射器とを備えている。
弾性表面波装置の小型化を図るために、圧電薄膜にＩＤＴ電極が形成された弾性表面波
素子と、半導体基板に形成された回路とを１つのチップに構成した弾性表面波装置が知ら
れている（例えば、特許文献１参照）。
ここで、弾性表面波素子は製造条件等のばらつきによって、その特性周波数が変化する
ため、特性周波数に適した回路を選択する必要がある。
一般的に、必要な回路を選択する方法としては、必要な回路以外に接続されている配線
（ヒューズ）をレーザ光により切断する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）
。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−９５８５号公報（３項、図１）
【特許文献２】特開２００５−１９６２０号公報（５頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
弾性表面波素子と複数の回路を配線によって接続しておき、レーザ光により選択された
回路以外の配線を切断し、適切な回路を選択する方法では、レーザ光により圧電薄膜や基
板の材料が溶融および飛散し、弾性表面波素子に付着する。これらの飛散物は、弾性表面
波素子に付着した錘や電極間の短絡の元として作用し、回路を選択する前と後で、特性周
波数が変化して、最終的に選択した回路との適合性が得られないという課題がある。
本発明の目的は、弾性表面波素子の特性周波数に応じた回路が適切に選択されている弾
性表面波装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の弾性表面波装置の製造方法は、基板上に、弾性表面波素子と複数の回路とを形
成し、前記弾性表面波素子と複数の前記回路のそれぞれとを接続する配線を形成する素子
配線形成工程と、前記弾性表面波素子を保護部材で覆う保護工程と、前記保護工程後に、
前記弾性表面波素子の特性周波数に基づいて選択された１つの前記回路以外の前記回路に
接続された前記配線を切断する回路選択工程とを含むことを特徴とする。
【０００６】
この発明によれば、弾性表面波素子を保護部材で覆った後に配線の切断を行うので、切
断時に飛散する配線、基板等の材料が弾性表面波素子へ付着することがない。したがって
、弾性表面波素子の特性周波数の変化が少なく、弾性表面波素子とその特性周波数に応じ
た回路が適切に選択されている弾性表面波装置の製造方法が得られる。
【０００７】
本発明では、前記切断は、レーザ光によって行うのが好ましい。
この発明では、レーザ光の瞬時の加熱による切断で多くの飛散物が発生しても、保護部
材が存在するため、飛散物の弾性表面波素子への付着がない。したがって、レーザ光によ
る簡便な配線の切断が可能で、かつ前述の効果が得られる。
【０００８】
本発明の弾性表面波装置は、基板と、前記基板に形成された複数の回路と、前記基板上
に形成された弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子と１つの前記回路とを接続する配線
とを備え、前記弾性表面波素子と前記１つの回路以外の前記回路との配線は切断され、前
記弾性表面波素子には、前記切断による飛散物の付着を防ぐ保護部材が設けられているこ
とを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、弾性表面波素子に保護部材が設けられており、配線の切断時に弾性
表面波素子に飛散物が付着しないので、弾性表面波素子の特性周波数が変化しない。した
がって、弾性表面波素子とその特性周波数に応じた回路が適切に選択されている弾性表面
波装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に基づいて説明する。各実施形態にお
いて、同じ構成要素には、同じ符号を付して説明する。
（第１実施形態）
図１には、本実施形態の弾性表面波装置１が示されている。
図１（ａ）は、弾性表面波装置１の平面図、同図（ｂ）は、レーザ光加工前の弾性表面
波装置１の同図（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は、レーザ光加工後の弾性表面
波装置１の同図（ａ）におけるＡ−Ａ断面図を示している。
【００１１】
図１（ａ）および（ｃ）において、弾性表面波装置１は、弾性表面波素子１０と第１回
路４０と第２回路５０とを備えている。弾性表面波素子１０と、第１回路４０および第２
回路５０とはシリコン基板１１上の平面視において異なる領域に形成されている。
第１回路４０および第２回路５０は、シリコン基板１１に形成されている。そして、シ
リコン基板１１上には、絶縁層１２が形成され、その上には、圧電層１３が形成されてい
る。
【００１２】
弾性表面波素子１０は、圧電層１３と、圧電層１３の表面に形成されたＩＤＴ電極２０
および反射器３０とを備えている。反射器３０は、ＩＤＴ電極２０の両側に配置されてい
る。また、ＩＤＴ電極２０の対抗する２つの電極は、それぞれプローブ用電極２１，２２
を備えている。このプローブ用電極２１，２２は、第１回路４０および第２回路５０側に
形成され、弾性表面波素子１０の特性周波数ｆ0を測定するために用いられる。特性周波
数ｆ0とは、例えば、共振周波数、フィルタの中心周波数等である。
弾性表面波素子１０は、保護部材であるカバー１００によって覆われている。
【００１３】
第１回路４０と第２回路５０とは、弾性表面波素子１０の構成要素の形状等のばらつき
によって予測される特性周波数ｆ0のばらつきに対応できるように、異なる回路定数を有
している。２つの回路で対応できないばらつきの場合は、３以上の回路を形成してもよい
。
【００１４】
絶縁層１２上には、配線４１，４２，５１，５２が形成されている。
第１回路４０および第２回路５０の出入力端子は、回路用ビア１４を通じて、配線４１
，４２，５１，５２に接続されている。さらに、配線４１，４２，５１，５２は、ＩＤＴ
電極用ビア１５によってプローブ用電極２１，２２と接続されている。
【００１５】
配線４１，４２は、第１回路４０とプローブ用電極２１，２２とを接続するように形成
されている。
一方、配線５１，５２は、第２回路５０とプローブ用電極２１，２２とを接続するよう
に形成されているが、配線５１，５２の途中で穴３１によって切断されている。
それぞれの配線４１，４２，５１，５２は、互いに交差しないように配置されている。
【００１６】
穴３１の開口部周りおよびカバー１００には、絶縁層１２および圧電層１３の飛散物７
０が付着している。飛散物７０は、洗浄等によって除去されていてもよい。
【００１７】
以下に、本実施形態における弾性表面波装置１の製造方法を説明する。
図２には、製造方法を示す簡単なフロー図が示されている。
本実施形態における製造方法は、素子配線形成工程であるステップ１（Ｓ１）と、特性
周波数測定工程であるステップ２（Ｓ２）と、保護工程であるステップ３（Ｓ３）と、回
路選択工程であるステップ４（Ｓ４）とを含む。
【００１８】
Ｓ１では、図１（ｂ）に示すように、シリコン基板１１上に、第１回路４０、第２回路
５０、絶縁層１２、回路用ビア１４、配線４１，４２，５１，５２、圧電層１３、弾性表
面波素子１０を形成する。これらの形成は、よく知られた半導体製造方法および弾性表面
波素子製造方法で行うことができる。
Ｓ１では、弾性表面波素子１０は、カバー１００で覆われていない。また、配線５１，
５２は穴３１によって切断されていない。
【００１９】
次に、Ｓ２では、プローブ用電極２１，２２を用いて、弾性表面波素子１０の特性周波
数ｆ0を測定する。
【００２０】
次に、Ｓ３では、カバー１００によって、弾性表面波素子１０を覆う。
次に、Ｓ４では、図１（ｃ）に示すように、レーザ光６０を配線５１，５２または配線
４１，４２の位置に照射して穴３１を形成し、穴３１によって配線５１，５２または配線
４１，４２のどちらか一方を切断する。配線５１，５２と配線４１，４２のどちらを切断
するかは、Ｓ２で測定された特性周波数ｆ0に適した回路定数を有する回路を選択して決
める。本実施形態では、第２回路５０側の配線５１，５２を切断し、第１回路４０を選択
している。
以上の工程により、弾性表面波装置１が得られる。
このような本実施形態によれば、以下の効果がある。
【００２１】
（１）弾性表面波素子１０をカバー１００で覆った後に、弾性表面波素子１０の特性周
波数ｆ0に適した第２回路５０を選択するためのレーザ光６０の照射による配線５１，５
２の切断を行う。ここで、レーザ光６０の照射による熱で、絶縁層１２、圧電層１３、配
線５１，５２等の材料からなる飛散物７０が飛散しても、カバー１００によって弾性表面
波素子１０に付着しないので、レーザ光６０照射前後で特性周波数ｆ0が変化しない。し
たがって、第２回路５０選択後でも特性周波数ｆ0に応じた回路が選択されている弾性表
面波装置１を得ることができる。
【００２２】
（第２実施形態）
図３には、本実施形態の弾性表面波装置１が示されている。
図３（ａ）は、弾性表面波装置１の平面図、同図（ｂ）は、レーザ光加工前の弾性表面
波装置１の同図（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図、同図（ｃ）は、レーザ光加工後の弾性表面
波装置１の同図（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図を示している。
【００２３】
図３（ａ）および（ｃ）において、弾性表面波装置１は、弾性表面波素子１０と第１回
路４０と第２回路５０とを備えている。弾性表面波素子１０と、第１回路４０および第２
回路５０とはシリコン基板１１上の平面視において異なる領域に形成されている。シリコ
ン基板１１上には、絶縁層１２が形成されている。絶縁層１２の上には、弾性表面波素子
１０の形成される領域にキャビティ２１０が形成されるように、別の絶縁層１６が設けら
れている。そして、キャビティ２１０の底面にあたる絶縁層１２上には、圧電層１３が形
成されている。
【００２４】
弾性表面波素子１０は、圧電層１３と、圧電層１３の表面にＩＤＴ電極２０と反射器３
０とを備えている。反射器３０は、ＩＤＴ電極２０の両側に配置されている。また、ＩＤ
Ｔ電極２０の対抗する２つの電極は、それぞれプローブ用電極２１，２２を備えている。
このプローブ用電極２１，２２は、第１回路４０および第２回路５０側に形成され、弾性
表面波素子１０の特性周波数ｆ0を測定するために用いられる。特性周波数ｆ0とは、例え
ば、共振周波数、フィルタの中心周波数等である。
弾性表面波素子１０の収められたキャビティ２１０は、保護部材である蓋体２００によ
って覆われている。
【００２５】
第１回路４０および第２回路５０は、シリコン基板１１に形成され、その上に絶縁層１
２が形成されている。絶縁層１２上には、配線４１，４２，５１，５２が形成されている
。
第１回路４０と第２回路５０とは、弾性表面波素子１０の構成要素の形状等のばらつき
によって予測される特性周波数ｆ0のばらつきに対応できるように、異なる回路定数を有
している。２つの回路で対応できないばらつきの場合は、３以上の回路を形成してもよい
。
第１回路４０および第２回路５０の出入力端子は、回路用ビア１４を通じて、配線４１
，４２，５１，５２に接続されている。さらに、配線４１，４２，５１，５２は、ＩＤＴ
電極用ビア１５によってプローブ用電極２１，２２と接続されている。
【００２６】
配線４１，４２は、第１回路４０とプローブ用電極２１，２２とを接続するように形成
されている。
一方、配線５１，５２は、第２回路５０とプローブ用電極２１，２２とを接続するよう
に形成されているが、配線５１，５２の途中で穴３１によって切断されている。
それぞれの配線４１，４２，５１，５２は、互いに交差しないように配置されている。
【００２７】
穴３１の開口部周りおよび蓋体２００には、絶縁層１２および圧電層１３の飛散物７０
が付着している。飛散物７０は、洗浄等によって除去されていてもよい。
【００２８】
以下に、本実施形態における弾性表面波装置１の製造方法を説明する。
本実施形態においても、図２に示したフローで弾性表面波装置１が製造できる。
【００２９】
Ｓ１では、図３（ｂ）に示すように、図３（ｃ）の弾性表面波装置１で穴３１が形成さ
れていない状態まで、シリコン基板１１上に、第１回路４０、第２回路５０、絶縁層１２
、回路用ビア１４、配線４１，４２，５１，５２、圧電層１３、弾性表面波素子１０素子
を形成する。これらの形成は、第１実施形態と同様に、よく知られた半導体製造方法およ
び弾性表面波素子製造方法で行うことができる。
この時点では、配線５１，５２は穴３１によって切断されていない。
【００３０】
次に、Ｓ２では、プローブ用電極２１，２２を用いて、弾性表面波素子１０の特性周波
数ｆ0を測定する。
次に、Ｓ３では、蓋体２００によって、キャビティ２１０を覆う。
【００３１】
次に、Ｓ４では、図３（ｃ）に示すように、レーザ光６０を配線５１，５２または配線
４１，４２の位置に照射して穴３１を形成し、穴３１によって配線５１，５２または配線
４１，４２を切断する。配線５１，５２と配線４１，４２のどちらを切断するかは、（Ｓ
２）で測定された特性周波数ｆ0の適した回路定数を有する回路を選択して決める。本実
施形態では、第２回路５０側の配線５１，５２を切断し、第１回路４０を選択する。
以上の工程により、弾性表面波装置１が得られる。
このような本実施形態によれば、以下の効果がある。
【００３２】
（２）第１実施形態の効果に加え、キャビティ２１０を蓋体２００で覆うことによって
、キャビティ２１０内の弾性表面波素子１０を覆うことができるので、蓋体２００が直接
弾性表面波素子１０に接触することなく、特性周波数ｆ0の変化がより少なくできる。
【００３３】
（第３実施形態）
図４には、本実施形態の製造途中の弾性表面波装置１の図が示されている。
図４（ａ）は、製造途中の弾性表面波装置１の平面図、同図（ｂ）は、レーザ光加工前
の完成前の製造途中の弾性表面波装置１の同図（ａ）におけるＣ−Ｃ断面図、同図（ｃ）
は、レーザ光加工後の製造途中の弾性表面波装置１の同図（ａ）におけるＣ−Ｃ断面図を
示している。
【００３４】
本実施形態と第１実施形態の異なる点は、保護部材にレジスト３００を用いた点である
。
レジスト３００を用いて弾性表面波素子１０を被覆して、レーザ光６０による配線５１
，５２の切断を行う。
その後、レジスト３００を剥離して、第１実施形態と同様にカバー１００で弾性表面波
素子１０を保護して、弾性表面波装置１としてもよい。
その他の構成要素および製造方法は、第１実施形態と変わらない。
このような本実施形態によれば、以下の効果がある。
【００３５】
（３）第１実施形態の効果に加えて、弾性表面波素子１０の被覆がレジスト３００によ
って容易にできる。
【００３６】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる
範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、基本回路は１つだけ用意し、基本回路中の回路素子を複数配線によって接続し
て、複数の回路が選択できるようにしておき、弾性表面波素子の特性周波数ｆ0に適した
回路定数に対応する回路素子を選択し、それ以外の回路素子に接続されている配線をレー
ザ光で切断してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る弾性表面波装置の平面図、（ｂ）はレーザ光照射前の弾性表面波装置の断面図、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る製造方法を示す簡単なフロー図。
【図３】（ａ）は本発明の第２実施形態に係る弾性表面波装置の平面図、（ｂ）はレーザ光照射前の弾性表面波装置の断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図４】（ａ）は、本発明の第３実施形態に係る製造途中の弾性表面波装置の平面図、（ｂ）は、レーザ光照射前の製造途中の弾性表面波装置の断面図、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図。
【符号の説明】
【００３８】
１…弾性表面波装置、１０…弾性表面波素子、１１…基板であるシリコン基板、１２，
１６…絶縁層、１３…圧電層、４０…第１回路、５０…第２回路、４１，４２，５１，５
２…配線、６０…レーザ光、７０…飛散物、１００…保護部材であるカバー、２００…保
護部材である蓋体、２１０…キャビティ、３００…保護部材であるレジスト。
【図１】
2007259038.tif 000003
【図２】
2007259038.tif 000004
【図３】
2007259038.tif 000005
【図４】
2007259038.tif 000006