(57)【要約】【課題】  レーザビーム照射による加熱、あるいは同照射と冷却液噴射による冷却の併用によって熱応力を惹起し、脆性材料の十分な厚さにわたるスクライブを発生させ、同スクライブのみにより材料割断を行うこと。【解決手段】  脆性材料のレーザビームに対する吸収係数の制御を照射レーザビームの波長を変えて行い、熱応力起因のスクライブ面を材料の全厚みで発生させる。無アルカリガラスの透過率が大きく変化する波長域で照射レーザビームの波長を変える手段としてYAGレーザを励起光とした光パラメトリック発振のシグナル光あるいはアイドラー光を用いるものと数種の化合物半導体からなる混晶半導体レーザの混晶比を変えたものを用いる。混晶半導体レーザを用いる場合は照射用混晶半導体レーザスタックから出射端が割断形状と一致するように配列されたファイババンドルを経由して照射させる。【選択図】図８
2007076077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光照射、あるいはそれに続く冷却手段の併用を伴った同照射によって、ガラス、石英、セラミックス、半導体などの脆性材料において熱応力に起因する亀裂（レーザスクライブ）を発生させ、材料を全厚さにわたって割断する脆性材料の割断装置において、材料厚をＬ(cm)、材料の吸収係数をα(cm-1)とした時、αが不等式０．１０５／Ｌ＜α＜１８．４２／Ｌを満足するように照射レーザ光の波長を選択して行うもの。
【請求項２】
請求項１において照射レーザ光の波長選択を光パラメトリック発振の波長選択によって行い、与えられた脆性材料試料の厚みに対してフルカットが可能となる最適な吸収係数を持つ波長を得るもの。
【請求項３】
請求項１において照射レーザ光の波長選択を数種の化合物半導体を用いた混晶半導体レーザにおいてその混晶比を変えて選択した波長に相当するバンドギャップの混晶半導体レーザを得て行い、与えられた脆性材料試料の厚みに対してフルカットが可能となる最適な吸収係数を持つ波長を得るもの。
【請求項４】
請求項３における数種の化合物半導体の混晶比を変えて得る混晶半導体レーザとしてPbEuSeTe,あるいはInAsSbP,あるいはInGaAsSb、あるいはAlInAsSbのいずれかを活性層として用いるもの。
【請求項５】
請求項１における光パラメトリック発振の波長選択をYAGレーザを励起光として非線形結晶に照射し、この結晶のクリチカル位相整合における角度制御、非クリチカル位相整合における温度制御あるいは周期分極反転構造による擬似位相整合における周期制御のいずれかでシグナル光あるいはアイドラー光を発生して行い、与えられた脆性材料試料の厚みに対して最適な吸収係数を持つ波長を得るもの。
【請求項６】
請求項３において、板厚の異なる複数の脆性材料に対してそれぞれフルカットを可能ならしめる最適吸収係数が得られる波長を放出するバンドギャップの混晶半導体レーザを混晶比を変えてそれぞれ用意して、板厚の異なる複数の板厚のうちの当該一つに対して最適な吸収係数の得られる波長の混晶半導体レーザに切替えて発振・照射させ、異なる板厚の脆性材料を遅滞なくフルカットするもの。
【請求項７】
請求項１において、脆性材料への冷却手段が、同材料の表裏面の双方からなされるもの。
【請求項８】
請求項３および請求項６において、照射レーザ光を、入射端が混晶半導体レーザスタックに脱着が可能で、出射端においてファイバーが直線状の割断に適するように直線状に配列されたファイバーバンドルと拡大縮小光学系を経由して脆性材料表面に照射するもの。
【請求項９】
請求項３および請求項６において、照射レーザ光を、入射端が混晶半導体レーザスタックに脱着が可能で、出射端においてファイバーが円形の割断に適するように円弧状に配列されたファイバーバンドルと拡大縮小光学系を経由して脆性材料表面に照射するもの。
【請求項１０】
請求項３および請求項６において、照射レーザ光を、入射端が混晶半導体レーザスタックに脱着が可能で、出射端においてファイバーが目標とする形状の割断に最適の断面形状を実現するように配列されたファイバーバンドルと光学系を経由して脆性材料表面に照射するもの。
【請求項１１】
請求項３および請求項６において、混晶半導体レーザスタックからのレーザ光を結合光学系で１本のファイバーに結合し、同ファイバーからの射出光を目標とする形状の割断に最適の断面形状を実現する同制御用光学系を経由して脆性材料表面に照射するもの。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は脆性材料、なかんずくガラスなどの脆性材料の割断方法及び同用装置に関する。本出願明細書では特にガラスを対象とした説明を行っているが、ガラスの他にも石英、セラミック、半導体などの脆性材料一般に適用が可能である。
【背景技術】
【０００２】
脆性材料は、従来はダイアモンドチップなどの超硬バイトを使用した機械的方法で割断してきた。ガラスに対するこの方法の適用は、過去１世紀以上の長期間にわたって使用されてきた方法でもある。
【０００３】
ところが、こうした機械的方法には次に述べるような欠点が存在する。第一は、割断時にカレットと呼ばれる小破片が発生し、ワーク表面を汚すことである。第二は、割断面付近にマイクロクラックが発生し、それを起点としてワークが割れる危険があることである。第三は、最小でも数百ミクロン程度の切り代が存在し、ワークサイズが際限なく微小化していく現在、この切り代の存在が無視できなくなることである。この他にも、加工速度の限界、消耗品である工具コストなど、産業上無視できない欠点がある。
【０００４】
窓ガラスの割断などは従来技術の使用で問題ないが、液晶表示器やプラズマ表示器などに使用するファイン・ガラス割断の場合、マイクロクラック対策のために割断面を研磨し、その後洗浄を行うなどの後工程が必要とされている。
【０００５】
それに対して、最近将来性が期待されてきたレーザ割断法には次に述べるような長所があり、ダイアモンドチップ法の欠点を消去する可能性がある。第一に、質量損失がゼロ（カレット発生なし）で、洗浄などの後工程が不要である。第二に、割断面付近にマイクロクラックなどの破壊欠陥が発生せず高強度断面が得られるので、研磨などの後工程が不要である。第三に、面粗さが１μm以下の鏡面が得られる。第四に、製品外形寸法精度が+−
２５μm以下である。第五に、ガラス板厚０．２ｍｍまでの薄さに使用でき、今後の液晶ＴＶ用ガラスに使用できる。
【０００６】
次に、同方法の原理を説明する。ガラスに高エネルギー密度のＣＯ２レーザビームを照射すると、一般的には照射スポットにおいてレーザビームの吸収が起こり、急激な加熱の結果放射状にクラックが発生してしまい、進行方向のみに割断を進行させることは出来ない。
しかしながら、レーザビームのエネルギー密度をこうしたクラックを発生させるものより十分低いものに設定すると、ガラスは加熱されるだけで、溶融もクラック発生も起こらない。この時ガラスは熱膨張しようとするが、局所加熱なので膨張ができず、照射点を中心にその周辺には圧縮応力が発生する。この局所加熱源を割断したい方向に移動させるのである。加熱後に冷却液を噴射して冷却を行うと、今度は逆に引っ張り張力が発生する。図１に示すようにレーザビームの断面形状を適当なものに成形すると、光の移動方向と直交する方向のみに、引っ張り張力が発生する。同図において、１は加熱レーザビーム、２はガラス内部の圧縮応力、３は冷却液、４はガラス内部の引っ張り張力である。この引っ張り張力の作用で割断亀裂５が生じる。図２に示すガラス板６において、始点に機械的方法によるトリガークラック８をつけておくと、割断亀裂５はこのトリガークラックから発生し、レーザビームの移動方向７に沿って進行させることができる。こうした現象が理想的に発生するためには、照射レーザビームのエネルギー分布が、こうした張力を生じるために最適である必要がある。種々のガラスの割断において、こうした最適分布が研究されている。図１および図２に示す加熱レーザビーム１は、この最適化がなされたものである。
【０００７】
こうした最適分布の実現方法については、発明者の一人によって下記の特許出願がなされている。
【特許文献１】特願２００３−３６３８５５
【特許文献２】特願２００４−１５６８９１このガラス割断へのレーザ応用は、これから需要が急増するファイン・ガラス全般の加工において、必要不可欠のものであるといえる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＣＯ２レーザビーム照射によるガラスの熱応力割断においては、図３に示すようにＣＯ２レーザビームはガラス表面層だけで吸収され、ガラスの全厚さにわたって透過しない。これは、ＣＯ2レーザ波長におけるガラスの吸収係数が著しく大きいことによる。レーザによる割断（レーザスクライブと称する）深さは通常１００μm程度である。同図において、９がレーザスクライブ面である。同面をこれより深くすることは、ＣＯ２レーザビームを使用する限り、たとえレーザ出力を増大させても不可能である。ただし、レーザ出力を増大させれば、熱伝導によって熱源がガラス内部に浸透し、多少スクライブ深さを増大させ得ることが実証されている。しかしながら、図４に示す機械的スクライブ面も通常は同程度の深さであり、ガラスは脆性が強くこのスクライブ線にあわせて応力を印加し、機械的に割断することが容易であるので、スクライブ深さの増大は従来あまり求められてこなかった。この機械的応力の印加によって割断するプロセスをブレークと称する。
【０００９】
従来は、機械スクライブとブレークの組み合わせでガラス割断を行っている。機械スクライブの場合、図４に示すようにスクライブ線付近にはマイクロクラックが多量存在するので、ブレークは比較的容易である。ただし、同図１２に示すように機械スクライブ後のブレーク面は必ずしもガラス表面に直交する一平面を構成しない。機械スクライブの場合には、ブレーク後に割断面を研磨洗浄するので、ブレーク自体には高品質は要求されなかった。
【００１０】
レーザスクライブの場合も、従来方法同様ブレークの併用が必要であった。そのために、前記した折角の長所がありながら、生産現場への普及が制約されている。比較的その長所が評価される液晶テレビ用ファインガラスの場合でも、実際の製造ラインではまだ実用になっていない。実用化のためには、ブレーク面位置精度、角度精度、清浄さが要求される。当然、カレットが付着していることは許されない。これらの諸問題を解決したブレーク技術は、残念ながらまだ完成していない。特に、マイクロワーク、曲線、複層構造ガラス、厚板ガラス、強化ガラス割断などの場合、レーザ割断技術の適用が強く望まれているのに、解決策が提供されるには至っていない。本発明は、レーザスクライブが全板厚にわたって実現し、こうした全ての課題が解決される技術に関する。このようなスクライブを、以下フルカットと呼称することにする。本発明は、フルカット実現のために与えられた試料の厚みに対して最適の吸収係数が得られる波長をパラメトリック発振あるいは多元素からなる化合物半導体の成分比を変えて実現し、照射する技術に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明では、脆性材料へのレーザビーム透過を十分な深さまで、多くの場合表面から裏面に至るまでの全板厚において実現する。そのため、従来のレーザ割断熱源が表面のみに存在する線状熱源であり、材料深さ方向には熱伝導で浸透していったのに対して、本発明では最初から表面から裏面に達する面熱源を使用するのである。この差異を、図5に示す。同図（a）および（b）は、それぞれ従来熱源と本発明による熱源を示す。このためスクライブ深さも全板厚に及ぶので、ブレーク工程が不必要になるのである。
【００１２】
こうしたレーザビームの透過は、材料のレーザビームに対する吸収係数を最適化しておこなうことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、レーザスクライブとブレークの両工程からなる従来のレーザ・ガラス割断をスクライブだけの一工程にすることができる。レーザによるガラス割断は、多くのすばらしい技術上の利点がありながら、いまだに過去１世紀にわたって使用されてきたダイアモンドカッター方式を置換できないできた。本発明はそうした事態を変革する。その直接の効果として、液晶テレビの生産工程だけにおいても次に挙げるものがある。
１）    割断位置精度が高い。
２）    割断面が鏡面で、面粗さが良好である。
３）    割断面がガラス表面に対して、十分に垂直である。
４）    割断面にカレットの付着がなく、清浄である。
５）    割断の自動化ができる。
６）    割断が高速度で行える。
７）    研磨、洗浄などの後工程が大幅に省略できる。
【００１４】
上記のメリット以外にも、次に上げる一般的なメリットがある。
１）曲線割断が可能である。これはレーザによる金属加工にも匹敵する。
２）複層構造板の割断が可能である。液晶ディスプレィやプラズマディスプレィガラスに適用できる。
３）マイクロワークの割断が可能である。ＩＣタッグに適用できる。
４）強化ガラスの割断が可能である。建築用ガラスに適用できる。
５）曲面ガラスの割断が可能である。自動車用ガラスに適用できる。
このように、レーザによるガラス割断が産業界の各分野に普及すれば、加工速度、加工品質、経済性、難易度の克服などにおいて、その効果にははかり知れないものがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
一般的に光が材料中をどの程度透過していくかは材料による吸収に依存する。材料の級数係数をα（ｃｍ−１）、伝播距離をｘ（ｃｍ）、距離ｘを伝播する前後の光強度をそれぞれＩ，Ｉ０とすると、ガラス表面のフレネル反射を無視すれば次の関係式が成立する。
Ｉ＝  Ｉ０・e ―αｘ                              （１）
同式から、透過距離の所要値が分かれば必要な吸収係数を求めることができる。次に、同吸収係数の上限値、最適値、下限値を求めることにする。
【００１６】
下限値としては、ガラス板厚Ｌをレーザビームが９０％透過してしまう場合を考える。この時、エネルギーの一部は無駄に消費されるが、十分にフルカットが実現できる。（１）においてＩ／Ｉ０＝０．９とおくと、α＝0．105／Ｌとなる。これが吸収係数の下限値である。上限値としては、発明者達の経験によれば、板厚の1／4までスクライブするとフルカットになってしまうことがよくある。（１）式に、Ｉ／Ｉ０＝０．９９、ｘ＝Ｌ／４を代入すると、α＝１８．４２／Ｌとなる。これが吸収係数の上限値である。最適値としてはガラス板によってレーザビームの５０％が吸収される場合であって（１）式から同様にα＝０．６９３／Ｌとなる。
【００１７】
3種類の代表的なガラス板厚０．０２ｃｍ（将来の液晶ＴＶ）、０．０７ｃｍ（現在の液晶ＴＶ）、０．２８ｃｍ（現在のプラズマＴＶ）に対して、この上限値、下限値ならびに最適値を表示すると下表のようになる。
α下限値（ｃｍ−１）  最適値（ｃｍ−１）  α上限値（ｃｍ−１）
板厚０．０２ｃｍ      ５．２５            ３４．６５            ９２１
同  ０．０７ｃｍ      １．５０            ９．９０              ２６３
同  ０．２８ｃｍ      ０．３８            ２．４８                ６５．８
以下の実施例に、これらの数値を実現するために照射レーザ光の波長を変えて得るαの制御技術について説明する。
【実施例】
【００１８】
図６に、液晶テレビに使用される厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスの透過特性を波長の関数として示す。縦軸は透過率であってこの割合をＴとするとガラスのフレネル反射を無視した場合、［００１５］項の（１）式を用いれば、Ｔ＝I/I０＝e ―０．０７α  から吸収係数αが求まる。ガラスは組成と構造が決まっている結晶と異なって、メーカによって組成が異なる。しかしながら、波長に対する透過特性は図６に示すものを参考にすることができ、この特性と前式から吸収係数が決まり、約２．５μｍから４．６μｍにいたる波長域の無アルカリガラスの吸収係数は約２．３ｃｍ−１から４０ｃｍ−１であることがわかる。一方、前項の［００１７］で計算した各板厚の無アルカリガラスをフルカットする場合の最適吸収係数はほぼこの波長域の吸収係数と合致するから、この波長域から板厚に合わせてフルカットが可能な最適な吸収係数の得られる波長のレーザ光を選択して照射すれば各板厚の無アルカリガラスをフルカットできる。
【００１９】
本特許の１実施例はこの波長域のレーザ光をYAGレーザを励起光として非線形結晶に照射して生じる光パラメトリック発振のシグナル光、あるいはアイドラー光で得るものである。図７は波長1.06μｍのYAGレーザ光を励起光としてＫＴＰ結晶に照射してタイプ ＩＩで角度位相整合した場合の位相整合角に対するシグナル光とアイドラー光の波長を示すもので、Walter Koechnerの著書“Solid-State Laser Engineering”(Fifth edition Springer-Verlag 1999)から引用して示す。この場合の光パラメトリック発振の波長域は1.6μｍから4μｍにいたり、無アルカリガラスの板厚０．０２ｃｍから０．２８ｃｍの場合の吸収係数の最適値である約２．４ｃｍ−１から３５ｃｍ−１を得ることができる波長域をほぼカバーできる。この方式を用いれば、板厚の異なるガラスをフルカットする場合、その板厚に最適な吸収係数の得られる波長を位相整合角を変えて選び、その板厚に最適なレーザ出力を選ぶのみで対応でき、複数の板厚をフルカットする場合に作業変えの段取り効率が極めて良くなる利点が生じる。
【００２０】
厚さ０．０７ｃｍの無アルカリガラスをフルカットするためには、CO２レーザ光を照射した場合に約１００Ｗを要するとする経験則がある。CO２レーザ光の場合は吸収係数が大きいために、このレーザパワー１００Ｗは厚さ０．０７ｍｍの無アルカリガラスに吸収されたパワーであると考えられる。上記［００１７］項で計算した吸収係数の最適値はそれぞれの板厚で５０％のレーザ光を吸収する値である。したがって、この厚みの無アルカリガラスをフルカットするためには大略２００Ｗのレーザ光を照射してこの半分の１００Ｗを吸収させる必要がある。現在、光パラメトリック発振で得られる平均出力は数十ワットであるが周期分極反転構造を用いた擬似位相整合などによって高出力化が図られており、出力２００Ｗは実現可能な値である。
【００２１】
無アルカリガラスが透明から不透明に大きく透過率を変える波長域である2.5μｍから5μｍの範囲のレーザ光の中から、与えられた厚さの脆性材料に対してフルカットが可能になる最適な吸収係数が得られる波長を選択して照射する本発明の他の実施例は数種の化合物半導体の混晶比を変えてバンドギャップを望みの波長が得られるようにした混晶半導体レーザを用いるものである。
【００２２】
一般に、格子常数の異なる数種の化合物半導体の混晶比を変えて混晶半導体を作ると混晶比の高い化合物半導体の格子常数に近づき、バンドギャップもこの化合物半導体のそれに近づく。例えば、ＩＩＩ-Ｖ族の化合物InP, InAs,InSbをIn(AsxSb1-x)yP1-yのようにその混晶比をｘとｙを変えて混晶半導体を作ると、格子常数はｙ＝０で最小、バンドギャップは最大になり、ｘ＝０，ｙ＝１で格子常数は最大、バンドギャップは最小になるからこの混晶半導体を活性層にした半導体レーザによって２μｍから４μｍのレーザ光が得られる 。同様のことは、In1-xGaxAsySb1-yあるいはAl1-xInxAsySb1-yなどの混晶半導体レーザでも可能である。また、ＩＶ−ＶＩ族のPb1-xEuxSeyTe1-yを活性層とする混晶半導体レーザではｘとｙを変えることにより２．６μｍから６．６μｍのレーザ光が得られる。
【００２３】
これらの波長域は無アルカリガラスの吸収特性のうち前述した［００１７］項で述べたこの材料をフルカットする最適吸収係数が得られる範囲にあるから、これらの混晶半導体レーザを用いれば各板厚の無アルカリガラスをフルカットすることができる。しかし、混晶半導体レーザは光パラメトリック発振の場合のように例えば位相整合角を連続的に変えてある範囲の波長のレーザ光を連続的に発振することができない。混晶半導体レーザの場合は各板厚の無アルカリガラスのフルカットを可能ならしめるそれぞれの最適吸収係数が得られる波長に該当するバンドギャップを実現できる混晶比の化合物半導体からなる混晶半導体レーザの複数個を予め用意して、複数の板厚のうちの当該一つに対して最適な吸収係数の得られる混晶半導体レーザに切替えて発振・照射させフルカットすれば複数の板厚をフルカットする場合に作業変えの段取り効率が極めて良くなる利点が生じる。
【００２４】
混晶半導体レーザを用いて本発明を実現する機構の一例を図８に示す。同図において１５は多数個の混晶半導体レーザエレメントからなるスタックであり、１６はそれぞれのエレメントからのレーザビームを導光するファイバーを１本に束ねたファイバーバンドルである。このバンドルの入射端１７はコネクターとして脱着可能になっている。出射端１８ではファイバーはレーザ光断面形状が種々の形状を取れるように配列されている。同図では直線状の割断に最適な直線状断面形状１９用になっている。異なった直径の円形割断のためには図９に示すようにファイバー出射端は円弧状配列２０にするが、直径制御のために射出端と脆性材料表面の間に図１０のような拡大・縮小光学系２１を設置する。直線や円弧以外の任意形状の割断のためにはそれに最適のファイバー配列を行えばよい。    
【００２５】
図１１に別の実施例を示す。同図では混晶半導体レーザスタック１５から結合光学系２２を用いて１本のファイバーにレーザ光を導光する。同ファイバーを通過した１本のレーザ光は断面形状制御用光学系２３によって割断に最適の断面形状に変換される。このような光学系として［０００７］に紹介したものを使用することができる。
【００２６】
本発明の場合のように、レーザビームが材料内の十分な深さまで浸透する場合には、熱源は薄い面熱源であり更なる熱伝導は不要である。できるだけ低レーザ出力であることが望ましいので、照射ビームの断面構造は幅が狭い線状のものが望ましい。
【００２７】
表面吸収が強いＣＯ２レーザビームでも、或る程度高出力にすれば熱伝導によって熱源が材料の深さ方向に浸透していく。特に、材料厚さが薄い場合にはこの方法でもスクライブは深くなるであろう。この場合には、熱伝導は深さ方向と同時に、材料の表面方向にも伝達してしまう。望むらくは、熱伝導は材料深さ方向に集中して欲しい。極端な例として照射レーザビームの断面が材料全表面に等しい場合には、深さ方向のみに熱伝導が発生する。勿論、これではスクライブ位置の特定ができないから、このようなことは選択できない。それにしてもなるべく深さ方向の比率が増すように、照射レーザビームは幅広の断面形状を持つことが望ましい。
【００２８】
以上は、加熱方法について説明を行った。フルカット実現のためには、冷却も板厚方向に効率的に行う必要がある。そのためには冷却をガラス表面のみで行うのでなく、同裏面においても行うほうが効果的である。
【００２９】
以上説明したのは本発明の機能を実現する若干の実施例であって、本発明の精神はその他の多くの方法で実現可能であることは言を俟たない。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
液晶ディスプレィ、プラズマディスプレィなどのフラットパネルデスプレィ、モバイルやカーナビ用表示器、光学装置用ＩＲフィルターなどに用いる平面ガラスの切断が、現在はダイアモンドカッターで行われており、切断後の洗浄工程の必要性や、マイクロクラックの存在などの問題を呈している。本発明によるレーザ割断で、こうした問題を解決することができる。ICチップカバーガラスやＩＣダグなど微小チップの加工にも、本発明は応用できる。大型ワークの場合よりも切断長が大きいので、本発明の効果は大きい。
【００３１】
自動車用のガラス部品は曲線加工が多いので、現在は機械的に直線切断の後、研磨を施している。このために、ガラス割断だけですませられるレーザ加工への期待は大きい。
【００３２】
さらに、建築資材としての強化ガラスの加工で、犯罪防止という現代社会に求められている課題解決に貢献できる。強化ガラスの切断は機械的方法では困難であり、レーザの使用が期待されているのである。
【００３３】
このように、脆性材料割断を改善するレーザ技術の出現は、現代社会に要求されている種々の課題への解決である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】レーザ光加熱および冷却による脆性材料内の圧縮応力および引っ張り張力の発生原理図。
【図２】レーザによる脆性材料割断原理図。
【図３】脆性材料のレーザスクライブ。
【図４】脆性材料の機械スクライブ。
【図５】従来方法と本発明によるガラス内部の熱発生。
【図６】無アルカリガラスの光吸収スペクトル。
【図７】タイプＩＩクリチカル位相制御のKTP結晶にYAGレーザを励起光として照射した場合の位相整合角に対するシグナル光とアイドラー光の波長（計算値）
【図８】混晶半導体レーザ光の脆性材料表面への第１の照射実施例。
【図９】混晶半導体レーザ光の脆性材料表面への第２の照射実施例。
【図１０】混晶半導体レーザ光の脆性材料表面への第３の照射実施例。
【図１１】混晶半導体レーザ光の脆性材料表面への第４の照射実施例。
【符号の説明】
【００３５】
１    加熱レーザビーム    
２    脆性材料内部の圧縮応力
３    冷却液
４    脆性材料内部の引っ張り張力
５    脆性材料に生じる割断亀裂
６    脆性材料板
７    レーザビームの移動方向
８    トリガークラック
９    レーザスクライブ面
１０    レーザスクライブ後のブレーク面    
１１    機械スクライブ面
１２    機械スクライブ後のブレーク面
１３    熱伝導による熱源      
１４    透過レーザビーム吸収による熱源
１５    混晶半導体レーザスタック
１６    ファイバーバンドル
１７    ファイバーバンドル入射端
１８    ファイバーバンドル出射端
１９    直線配列ファイバー出射端からの照射レーザ光
２０    円弧配列ファイバー出射端からの照射レーザ光
２１    拡大・縮小光学系
２２    ファイバー結合用光学系
２３    断面形状制御用光学系
【図１】
2007076077.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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