(57)【要約】【課題】導電層の上面に少なくとも一端が略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と導電層の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に形成される第２電極とを備える電極構造において、第２電極の断線により歩留まりが低下してしまう。【解決手段】導電層の上面に少なくとも一端が略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と導電層の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、第１電極及び絶縁層上に形成された第２電極とを備える電極構造であって、第１電極の絶縁層側の端部は、丘陵形状部分の導電層側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成されることを特徴とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層の上面に少なくとも一端が略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と導電層の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に形成された第２電極とを備える電極構造であって、
前記第１電極の絶縁層側の端部は、前記丘陵形状部分の導電層側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成される
ことを特徴とする電極構造。
【請求項２】
導電性を有する柱状構造物の上面の辺縁部及び側面の外周の少なくとも一部を覆うように形成され、且つ前記辺縁部において略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と柱状構造物の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に少なくとも第１電極より広い範囲で形成された第２電極とを備える電極構造であって、
前記第１電極の絶縁層側の端部は、前記丘陵形状部分の柱状構造物側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成される
ことを特徴とする電極構造。
【請求項３】
レーザ共振器と、当該レーザ共振器の少なくとも一部を構成する柱状構造物の上面の辺縁部及び側面の外周の少なくとも一部を覆うように形成され、且つ前記辺縁部において略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と柱状構造物の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に少なくとも第１電極より広い範囲で形成された第２電極とを備える面発光型半導体レーザであって、
前記第１電極の絶縁層側の端部は、前記丘陵形状部分の柱状構造物側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成される
ことを特徴とする面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
導電層と、
前記導電層の上面の一部及び前記導電層の側面を覆い、前記導電層の上面の中心部側に向かって低くなる斜面を有する絶縁層と、
前記導電層の上面と前記絶縁層の上面の一部とに形成され、端部が前記斜面上に位置する第１電極と、
前記第１電極の上面の一部と前記絶縁層の上面の一部に形成された第２電極と、を含むことを特徴とする電極構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極構造及び面発光型半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を射出する光素子の一種として面発光型半導体レーザが知られている。この面発光型半導体レーザは、基板の表面に対して直交する方向にレーザ共振器が形成されており、当該共振器の上面からレーザ光を射出する。このような面発光型半導体レーザは、従来、基板の表面に設けた柱状のレーザ共振器の周囲を、ポリイミドなどの絶縁材料で覆って平坦化する構造となっている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００３】
図１０は従来の面発光型半導体レーザの構造例を示す断面図である。半導体からなる基板１０の上面には柱状のレーザ共振器１１が設けられている。絶縁層３１は、例えばポリイミド樹脂等であり、レーザ共振器１１の周囲と上面の辺縁部とを覆うように形成されている。つまり、レーザ共振器１１の辺縁部近傍の領域Ａにおいて、絶縁層３１は、ゆるやかな斜面を有する略丘陵形状となっており、レーザ共振器１１から離れるに従ってゆるやかな傾斜を伴って平坦化されている。これらレーザ共振器１１上面及び絶縁層３１上にリング状電極（第１電極）５１が形成されている。この第１電極５１の端部５１ａは、絶縁層３１の斜面（レーザ共振器１１からみて反対側の斜面）の途中まで形成されている。なお、第１電極５１はレーザ共振器１１の上面とオーミック接触している。また、第１電極５１は開口部５０を備えており、レーザ共振器１１の上面から出射されたレーザ光は開口部５０を通って外部に射出される。さらに、上記第１電極５１及び絶縁層３１上には第２電極５２が形成されており、当該第２電極５２はパッド電極への引き出し電極としての役割を有している。
【特許文献１】特開２００４−２８８９７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のような面発光型半導体レーザにおいて、第１電極５１は、レーザ共振器１１に効率良く電流を注入する役割を有しているが、その開口部５０からはレーザ光が射出されるため、当該第１電極５１の膜厚を大きくすることができない。そのため、第１電極５１を適当な膜厚と面積で形成しておき、その上面に開口部５０を避けて第２電極５２を形成する方法が採用されている。
しかしながら、図１０に示すように、第１電極５１の端部５１ａを絶縁層３１のレーザ共振器１１からみて反対側の斜面の途中までリフトオフ法により形成した場合、第１電極５１の一端５１ａに金属材料のバリが発生し、第２電極５２を形成する際に、当該第２電極５２が第１電極５１の一端５１ａの部分で断線するという問題がある。また、このように第２電極５２が断線する原因としては、第１電極５１の端部５１ａが逆テーパ形状となり、第２電極５２を形成する際に、この逆テーパ形状部分がマスクとして機能することにより断線不良になるとも考えられている。このような第２電極５２の断線は、製造工程における歩留まりの低下を招くことになる。
【０００５】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたものであり、導電層の上面に少なくとも一端が略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と導電層の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に形成される第２電極とを備える電極構造において、第２電極の断線による歩留まりの低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、電極構造に係わる解決手段として、導電層
の上面に少なくとも一端が略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と導電層の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に形成された第２電極とを備える電極構造であって、前記第１電極の絶縁層側の端部は、前記丘陵形状部分の導電層側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成されることを特徴とする。
この発明によれば、第１電極の絶縁層側の端部は、前記丘陵形状部分の導電層側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成されることにより、当該端部の逆テーパ形状を防ぎ、第１の電極上に形成された第２電極の断線を防止することができる。また、第１電極をリフトオフ法により形成した場合の上記端部における金属材料のバリの発生を抑制することができ、第２電極の断線を防止することができる。その結果、製造工程における歩留まりの低下を防止することができる。
ここで、導電層とは、金属層のみならず半導体層をも含む。また、略丘陵形状の絶縁層とは、丘陵形状の頂上部に向かってゆるやかな斜面を有するもののみでなく、急峻な斜面を有するものでも良い。つまり、丘陵形状部分の両側の斜面に亘って第１電極を積層した場合に、導電層側の反対側の斜面において、第１電極の端部が逆テーパ形状になるような丘陵形状であれば良い。
【０００７】
また、本発明では、電極構造に係わる解決手段として、導電性を有する柱状構造物の上面の辺縁部及び側面の外周の少なくとも一部を覆うように形成され、且つ前記辺縁部において略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と柱状構造物の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に少なくとも第１電極より広い範囲で形成された第２電極とを備える電極構造であって、前記第１電極の絶縁層側の端部は、前記丘陵形状部分の柱状構造物側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成されることを特徴とする。
この発明によれば、第１電極の絶縁層側の端部は、前記丘陵形状部分の柱状構造物側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成されることにより、当該端部の逆テーパ形状を防ぎ、第１の電極上に形成された第２電極の断線を防止することができる。また、第１電極をリフトオフ法により形成した場合の上記端部における金属材料のバリの発生を抑制することができ、第２電極の断線を防止することができる。その結果、製造工程における歩留まりの低下を防止することができる。
【０００８】
一方、本発明では、面発光型半導体レーザに係わる解決手段として、レーザ共振器と、当該レーザ共振器の少なくとも一部を構成する柱状構造物の上面の辺縁部及び側面の外周の少なくとも一部を覆うように形成され、且つ前記辺縁部において略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と柱状構造物の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に少なくとも第１電極より広い範囲で形成された第２電極とを備える面発光型半導体レーザであって、前記第１電極の絶縁層側の端部は、前記丘陵形状部分の柱状構造物側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成されることを特徴とする。
この発明によれば、第１電極の絶縁層側の端部は、前記丘陵形状部分の柱状構造物側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成されることにより、当該端部の逆テーパ形状を防ぎ、第１の電極上に形成された第２電極の断線を防止することができる。また、第１電極をリフトオフ法により形成した場合の上記端部における金属材料のバリの発生を抑制することができ、第２電極の断線を防止することができる。その結果、面発光型半導体レーザの製造工程における歩留まりの低下を防止することができる。
【０００９】
さらに、本発明では、電極構造に係わる解決手段として、導電層と、前記導電層の上面の一部及び前記導電層の側面を覆い、前記導電層の上面の中心部側に向かって低くなる斜面を有する絶縁層と、前記導電層の上面と前記絶縁層の上面の一部とに形成され、端部が前記斜面上に位置する第１電極と、前記第１電極の上面の一部と前記絶縁層の上面の一部に形成された第２電極とを含むことを特徴とする。
この発明によれば、第１電極の端部が斜面上に位置するように第１電極を形成するため、当該端部の逆テーパ形状を防ぎ、第１の電極上に形成された第２電極の断線を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、本実施形態は、面発光型半導体レーザを例示して説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の説明で参照する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１１】
[面発光型半導体レーザの構成]
まず、図１及び図２を参照して本発明の一実施形態による面発光型半導体レーザの構成について説明する。図１は本発明の一実施形態による面発光型半導体レーザを模式的に示す平面図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
【００１２】
基板１は、例えばｎ型又はｐ型のＧａＡｓからなる半導体基板である。レーザ共振器
１１は、基板１の上面に設けられ凸型の円柱形状を有している。そして、レーザ共振器１１は、基板１上において第１半導体光反射層２、活性層３及び第２半導体光反射層４を順次積層した構造をしており、光共振器を構成している。ここで、半導体基板１の底面には電極（図示せず）が設けられている。
【００１３】
例えば、基板１をｎ型ＧａＡｓ基板で構成すると、半導体基板１の底面の電極はｎ側電極となる。そして、基板１上には第１半導体光反射層２としてｎ型ＡｌＧａＡｓ多層膜からなるＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）ミラーが積層される。第１半導体光反射層２上にはＡｌＧａＡｓ多重量子井戸からなる活性層３が積層される。活性層３上には第２半導体光反射層４としてｐ型ＡｌＧａＡｓ多層膜からなるＤＢＲミラーが積層される。これらにより、レーザ共振器１１をなす光共振器が構成される。また、第２半導体光反射層４を構成する層のうち活性層３に近い領域に、ＡｌＧａＡｓ層を側面から酸化することにより得られる電流狭窄層５が形成されている。
【００１４】
絶縁層６は、例えばポリイミド樹脂からなり、レーザ共振器１１がなす柱状構造体の周囲と上面の辺縁部とを覆うように、第１半導体光反射層２上に形成されている。ここで、絶縁層６は、レーザ共振器１１の辺縁部近傍の領域Ａにおいて、ゆるやかな斜面を有する略丘陵形状となっており、絶縁層６はレーザ共振器１１から離れるに従ってゆるやかな傾斜を伴って平坦化されている。なお、絶縁層６は、レーザ共振器１１の上面を、その外周の端部から中心に向かって少なくとも１μｍ以上覆っていることが望ましい。しかしながら、絶縁層６をどの程度覆うかは、開口部７ａの面積、第１電極７とレーザ共振器１１との接触面積等を考慮して決定する必要がある。
【００１５】
このような絶縁層６及びレーザ共振器１１の上面には、開口部７ａを有するリング形状の第１電極７が形成されている。ここで、第１電極７の外周の端部７ｂは、図２に示すように、絶縁層６おける丘陵形状の頂上部６ａよりレーザ共振器１１側の斜面の途中まで形成されている。なお、第１電極７は、レーザ共振器１１がなす柱上構造体と略同心円に形成されている。
【００１６】
第２電極８は、第１電極７に接続しているとともに、当該第１電極７及び絶縁層６上に形成されている。この第２電極８は、図１に示すように、パッド電極への引き出し電極としての役割を有し、第１電極７から出射するレーザ光に干渉しないように第１電極７の開口部端からあるオフセット分後退して形成されている。ここで、第２電極８と第１電極７との接続領域はリング状になっていることが好まく、その接続領域が開口部７ａに対して同心円となっていることが好ましい。このような構成によれば、開口部７ａから出射される光が、円形で広がり角の非常に小さいレーザビームとなる。
【００１７】
以上のように、本実施形態によれば、第１電極７の外周の端部７ｂを、絶縁層６おける丘陵形状の頂上部６ａよりレーザ共振器１１側の斜面の途中まで形成している。これにより、第１電極７の端部７ｂが逆テーパ形状になることを防ぎ、従って、第２電極８の断線を防止すると共に、製造工程における歩留まりの低下を防止することができる。また、このように絶縁層６おける丘陵形状の頂上部６ａよりレーザ共振器１１側の斜面の途中まで第１電極７をリフトオフ法により形成した場合、端部７ｂにおいて金属材料のバリの発生が抑えられるため、バリの発生による第２電極８の断線を防止することもできる。
【００１８】
なお、第１電極７の端部７ｂの位置は、図２に示すように、絶縁層６おける丘陵形状の頂上部６ａからレーザ共振器１１側の斜面の最下端６ｂまでの範囲内であれば良い。この範囲内に第１電極７の端部７ｂを配置することで、上述と同様の第２電極８の断線防止の効果を得ることができる。ただし、第１電極７と第２電極８との接触面積を考慮して、第１電極７の端部７ｂの位置を決定する必要がある。
【００１９】
ところで、第１電極７は、レーザ共振器１１をなす半導体とオーミック接触する機能を有していれば、機械的に強固な材料（例えば延性があり断線に強い材料）や構造である必要がない。これにより、第１電極７として、金と亜鉛からなるもの、又は金とゲルマニウムからなるものを用いることができる。
【００２０】
金と亜鉛からなる第１電極７は、レーザ共振器１１の一部をなすｐ型半導体に良好にオーミック接触することができる。この場合、第１電極７はアノード電極となる。金とゲルマニウムからなる第１電極７は、レーザ共振器１１の一部をなすｎ型半導体に良好にオーミック接触することができる。この場合、第１半導体光反射層２としてｐ型、第２半導体光反射層４としてｎ型の半導体材料を用い、第１電極７はカソード電極となる。
【００２１】
また、第１電極７は、チタンと金を順番に積層したもの、又はチタンとプラチナと金を順番に積層したもので構成することができる。この場合は、アニール処理をせずに、レーザ共振器１１の一部をなす半導体に対してオーミック接触する第１電極２１を構成することができる。この場合、半導体側のキャリア濃度は１×１０１９（ｃｍ−３）程度以上あることがオーミック接触の条件となる。
【００２２】
また、第２電極８は、微細な第１電極７を広い面積へ引き出す機能のみを受け持つこととなる。すなわち、第２電極８を構成する材料は、半導体とのオーミック接触の相性を考慮する必要がないので、粘りがあって断線に強い材料、すなわち延性に富んだ材料である金単体などを用いることができる。そこで、本実施形態では、第２電極４として粘りがあって断線に強い材料を用いることができるので、断線の発生防止に寄与することができる。
【００２３】
また、本実施形態の面発光型半導体レーザは、絶縁層６がレーザ共振器１１上面の辺縁部を覆っているので、温度上昇によって生じる収縮応力によって絶縁層６がレーザ共振器１１から剥離すること防ぐことができ、第２電極８の断線発生防止に寄与することができる。また、本実施形態においては、第１電極７と第２電極８とは金属対金属で接触しているので、その接触面積が小さくとも接触抵抗を十分低くすることができ、素子抵抗の低い面発光型半導体レーザを容易に構成することができる。
【００２４】
次に、本実施形態の面発光型半導体レーザの製造方法の一例について説明する。図３〜図１０は、本発明の一実施形態による面発光型半導体レーザの製造工程を模式的に示す断面図である。尚、これらの図は図２に示す断面図に対応している。
【００２５】
まず、図３に示すように、ｎ型ＧａＡｓ層からなる基板１上に、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより第１半導体光反射層２、活性層３、第２半導体光反射層４を形成する。なお、第２半導体光反射層４を成長させるときに、活性層３近傍の少なくとも一層を、ＡｌＡｓ層またはＡｌ組成が０．９５以上のＡｌＧａＡｓ層に形成する。この層は後に酸化され、電流狭窄層５として機能する。
【００２６】
なお、第１半導体光反射層２は、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの分布反射型多層膜ミラー（ＤＢＲ）からなり、活性層３は、ＧａＡｓウェル層の３層で構成される量子井戸構造を含むＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリア層からなり、また、第２半導体光反射層４は、ｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの分布反射型多層膜ミラーからなる。
【００２７】
エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、基板１の種類、形成する半導体層の種類、厚さ、キャリア密度等によって適宜決定されるが、一般的に４５０℃〜８００℃であることが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も温度と同様に適宜決定される。エピタキシャル成長法としては、有機金属気相成長法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法、またはＬＰＥ(Liquid Phase Epitaxy)法等を用いることができる。
【００２８】
次に、第１半導体光反射層２、活性層３及び第２半導体光反射層４のパターニングを行う。具体的には、図４に示すように、第２半導体光反射層４上にレジストを塗布し、当該レジストをパターニングすることによって所定パターンのレジスト層Ｒ１を形成する。その後、レジスト層Ｒ１をマスクとしてエッチング（例えば、ドライエッチングまたはウエットエッチング）することによって、凸形状の柱状構造体であるレーザ共振器１１を構成する。
【００２９】
そして、図５に示すように、例えば、４００℃程度の水蒸気雰囲気中に、各層が形成された基板１を配置し、上述した第２半導体光反射層４において、活性層３近傍の少なくとも一層を、つまりＡｌＡｓ層またはＡｌ組成が０．９５以上のＡｌＧａＡｓ層に形成した層の側面から酸化を行い、電流狭窄層５を形成する。次に、ポリイミド樹脂からなる絶縁層６を形成する。具体的には、まず、図６に示すように、レーザ共振器１１の柱状部の周囲や第２半導体光反射層４の上面に、絶縁層６を例えばスピンコート法等によって塗布する。このスピンコート法に代えて、ディッピング法、スプレーコート法、液滴吐出法（例えばインクジェット法）等の公知技術を適用しても良い。また、ウエットエッチング工程（溶解除去工程）を適用して、絶縁層６をパターニングしても良い。ウエットエッチング工程は、フォトリソグラフィ技術のウエット現像工程であっても良い。
【００３０】
本実子形態では、感光性を有する絶縁層６をフォトリソグラフィ技術を用いて露光及び現像を行う。なお、ウエットエッチング工程前に、絶縁層６を例えば８０〜１００℃程度にプリベークして、絶縁層６中の溶媒を飛ばしても良い。こうすることで、ウエットエッチング時の溶解速度を均一にすることができる。また、後述するように、絶縁層６上にレジスト層Ｒ２を設け、それらを同時に露光及び現像する場合には、上記プリベークによって、絶縁層６の溶解速度をレジスト層Ｒ２よりも遅らせることができる。
【００３１】
さて、図６に示すように、絶縁層６上に感光性レジストであるレジスト層Ｒ２を形成する。このレジスト層Ｒ２としては、光エネルギーの照射部分の溶解性が増加するポジ型を使用しても良い。そして、図７に示すように、レーザ共振器１１の上面の中央部を開口させるようにマスクＭを配置し、当該マスクＭを介してレジスト層Ｒ２に光エネルギーを照射することによって、レジスト層Ｒ２及び絶縁層６を一括して露光及び現像を行い、絶縁層６のパターニングを行う。このようにして、図８に示すように、レーザ共振器１１の上面の中央部を露出させることができ、また、レジスト層Ｒ２及び絶縁層６は、上記各上面の辺縁部に覆いかぶさるように形成される。
【００３２】
次に、レジスト層Ｒ２の除去を行う。その際、レジストシンナー等を用いて、レジスト層Ｒ２を溶解除去（ウエットエッチング）しても良い。この場合、レジスト層Ｒ２とプリベーク済みの絶縁層６との溶解速度が異なることを利用して、レジスト層Ｒ２を全て除去し、絶縁層６の表層部を除去する。このようにすることで、図９に示すように、レジスト層Ｒ２除去後の絶縁層６の表面を滑らかな斜面を有する丘陵形状にすることができる。その後、絶縁層１６を３５０℃程度で加熱して硬化させる。
【００３３】
そして、上記のように形成した絶縁層６及びレーザ共振器１１の上面に、第１電極７を形成する。ここで、図２に示すように、第１電極７の外周の端部７ｂを、絶縁層６おける丘陵形状の頂上部６ａよりレーザ共振器１１側の斜面の途中まで形成する。さらに、第１電極７及び絶縁層６上に第２電極８を形成する。また、電極の形成方法は、例えば、真空蒸着法によって、少なくとも1層の導電層を形成し、その後リフトオフ法によって導電層の一部を除去しても良い。なお、リフトオフ法に代えてドライエッチング法を用いても良い。以上のような製造方法により、本実施形態の面発光型半導体レーザが完成する。
【００３４】
なお、上記実施形態では、面発光型半導体レーザを例示して説明したが、これに限定されず、柱状構造物を有し、当該柱状構造物の上面の辺縁部及び側面の外周の少なくとも一部を覆うように形成され、且つ前記辺縁部において略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と柱状構造物の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に少なくとも第１電極より広い範囲で形成された第２電極とを備える電極構造を有する他の素子（例えば発光ダイオード等）にも本発明は適用可能である。
さらに、所定の導電層の上面に少なくとも一端が略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と導電層の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に少なくとも第１電極より広い範囲で形成された第２電極とを備える電極構造であれば、本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態における面発光型半導体レーザの平面図である。
【図２】本発明の一実施形態における面発光型半導体レーザの断面図である。
【図３】本発明の一実施形態における面発光型半導体レーザの製造方法の第１説明図である。
【図４】本発明の一実施形態における面発光型半導体レーザの製造方法の第２説明図である。
【図５】本発明の一実施形態における面発光型半導体レーザの製造方法の第３説明図である。
【図６】本発明の一実施形態における面発光型半導体レーザの製造方法の第４説明図である。
【図７】本発明の一実施形態における面発光型半導体レーザの製造方法の第５説明図である。
【図８】本発明の一実施形態における面発光型半導体レーザの製造方法の第６説明図である。
【図９】本発明の一実施形態における面発光型半導体レーザの製造方法の第７説明図である。
【図１０】従来の面発光型半導体レーザの断面構造例である。
【符号の説明】
【００３６】
１…基板、２…第１半導体光反射層、３…活性層、４…第２半導体光反射層、５…電流狭窄層、６…絶縁層、７…第１電極、８…第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007123476.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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