(57)【要約】【課題】垂直転送路の物理的転送条件を同一に保ったままチャネルストップに安定なＧＮＤ電位を印加できる様にする。【解決手段】半導体基板表面にアレイ状に形成された複数のフォトダイオード１２と、垂直転送路１３と、水平転送路１４と、フォトダイオード列及び垂直転送路の組を隣接する前記組と区画する線状に形成されたチャネルストップ１７と、金属製の遮光膜と、チャネルストップ１７と遮光膜とを接続しチャネルストップに基準電位を印加するコンタクト部２２とを備えるＣＣＤ型固体撮像素子において、コンタクト部２２を、チャネルストップ１７に連続し該コンタクト部２２の外周囲をリング形状に囲った高濃度不純物領域２１の内側に該高濃度不純物領域２１から離間した島状に形成すると共に、該島状のコンタクト部２２と外周囲の高濃度不純物領域２１とを線状の高濃度不純物領域でなる接続部２３で接続する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面にアレイ状に形成された複数のフォトダイオードと、各フォトダイオード列毎に並列に形成された複数の第１電荷転送路と、該第１電荷転送路の電荷転送方向端部に形成され該第１電荷転送路から移動された電荷を出力端側に転送する第２電荷転送路と、前記フォトダイオード列及び前記第１電荷転送路の組を隣接する前記組と区画する線状に形成された高濃度不純物領域でなるチャネルストップと、前記半導体基板表面の上層に積層される金属製の遮光膜と、前記チャネルストップと前記遮光膜とを接続し前記チャネルストップに基準電位を印加する高濃度不純物領域でなるコンタクト部とを備えるＣＣＤ型固体撮像素子において、前記コンタクト部を、前記チャネルストップに連続し該コンタクト部の外周囲をリング形状に囲った高濃度不純物領域の内側に該高濃度不純物領域から離間した島状に形成すると共に、該島状の前記コンタクト部と前記外周囲の前記高濃度不純物領域とを線状の高濃度不純物領域でなる接続部で接続したことを特徴とするＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項２】
線状の前記接続部は、前記コンタクト部から前記第１電荷転送路が延びる方向に並行に延びて前記リング形状の前記高濃度不純物領域に接続されることを特徴とする請求項１に記載のＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項３】
線状の前記接続部は、前記第２電荷転送路が設けられる方向と反対側の方向または前記第２電荷転送路が設けられる方向に延びることを特徴とする請求項２に記載のＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項４】
線状の前記接続部は、前記コンタクト部から前記第１電荷転送路が設けられる方向に延びて前記リング形状の前記高濃度不純物領域に接続されることを特徴とする請求項１に記載のＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項５】
前記フォトダイオード及び前記第１電荷転送路の上層を覆う第１の遮光膜と、前記第２電荷転送路の上層を覆う第２の遮光膜とを備え、いずれか一方または両方の遮光膜が前記コンタクト部の上層まで覆い該コンタクト部に接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項６】
偶数行の前記フォトダイオードが奇数行の前記フォトダイオードに対して１／２ピッチづつずらして形成され、前記第１電荷転送路が蛇行して形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のＣＣＤ型固体撮像素子の製造方法において、イオン化金属プラズマ法により前記コンタクト部を含む前記高濃度不純物領域を前記半導体基板の表面部に形成し、該半導体基板表面に積層された絶縁層に前記コンタクト部に達するコンタクトホールを開けた後、前記遮光膜を積層して該遮光膜と前記コンタクト部とを電気的に接続することを特徴とするＣＣＤ型固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＣＣＤ（Charge Coupled Devices：電荷結合素子）型固体撮像素子及びその製造方法に係り、特に、素子全面でのグランド電位を良好にとることができしかも電荷転送も良好に行うことができるＣＣＤ型固体撮像素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ型固体撮像素子では、ｎ型半導体基板表面部のｐウェル層に多数のフォトダイオード（ｎ領域）がアレイ状に配列して形成され、各フォトダイオード列の側部に垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）が併設されている。また、フォトダイオード列と垂直転送路の組を、隣接するフォトダイオード列及び垂直転送路の組から分離するために、半導体基板表面部に、垂直方向に平行に延びる多数のチャネルストップが設けられている。
【０００３】
ＣＣＤ型固体撮像素子では、このチャネルストップを利用し、チャネルストップ端部をグラント（基準電位：以下、ＧＮＤ電位という。）に接続している。しかし、チャネルストップは高濃度不純物領域（ｐ＋領域）で構成され抵抗を持っているため、垂直転送路の読出電極兼用の転送電極に高圧の読出電圧（例えば＋１５Ｖ）が印加されると、チャネルストップのグランド接続端から離れた受光面中央位置では、そのＧＮＤ電位が局所的に変動してしまい、信号電荷の読み出しが不完全となって電荷の読み残しが生じるという問題がある。
【０００４】
そこで、下記特許文献１記載の従来技術では、受光面に近い場所、即ち、垂直転送路（ＶＣＣＤ）が水平転送路（ＨＣＣＤ）に接続される場所で、チャネルストップを水平転送路の遮光膜に接続し、遮光膜をＧＮＤ電位に接続している。
【０００５】
この接続を実現するため、特許文献１では、水平転送路に近い場所（水平転送路の遮光膜に覆われる場所）の各フォトダイオード形成領域の夫々の全域をｐ＋領域で埋めてしまい、このｐ＋領域を遮光膜に接続している。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１―１７７０７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した様に、水平転送路に近い場所の各フォトダイオード形成領域の夫々の全域をｐ＋領域で埋めてしまうと、垂直転送路は、両脇が夫々広いｐ＋領域で挟まれることになる。
【０００８】
受光面で検出されたフォトダイオードの信号電荷は、垂直転送路に読み出され、垂直転送路上を転送されて水平転送路に至ることになるが、この転送の初期では、フォトダイオード（これはｐウェル層内に設けられたｎ領域で構成される。）で挟まれた垂直転送路上を転送され、転送終期（水平転送路に移される直前）では、広いｐ＋領域で挟まれた垂直転送路上を転送されることになる。つまり、転送初期と終期とでは、垂直転送路周囲の物理的条件が異なってしまう。
【０００９】
近年のＣＣＤ型固体撮像素子は、多画素化が進展し、数百万画素を搭載するのが普通になってきており、垂直転送路の幅は極めて細くなっている。このため、垂直転送路の物理的転送条件が転送初期と転送終期とで異なると、信号電荷の転送に不具合が生じる虞がある。
【００１０】
本発明の目的は、垂直転送路の物理的転送条件を同一に保ったままチャネルストップに安定なＧＮＤ電位を印加できるＣＣＤ型固体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、半導体基板表面にアレイ状に形成された複数のフォトダイオードと、各フォトダイオード列毎に並列に形成された複数の第１電荷転送路と、該第１電荷転送路の電荷転送方向端部に形成され該第１電荷転送路から移動された電荷を出力端側に転送する第２電荷転送路と、前記フォトダイオード列及び前記第１電荷転送路の組を隣接する前記組と区画する線状に形成された高濃度不純物領域でなるチャネルストップと、前記半導体基板表面の上層に積層される金属製の遮光膜と、前記チャネルストップと前記遮光膜とを接続し前記チャネルストップに基準電位を印加する高濃度不純物領域でなるコンタクト部とを備えるＣＣＤ型固体撮像素子において、前記コンタクト部を、前記チャネルストップに連続し該コンタクト部の外周囲をリング形状に囲った高濃度不純物領域の内側に該高濃度不純物領域から離間した島状に形成すると共に、該島状の前記コンタクト部と前記外周囲の前記高濃度不純物領域とを線状の高濃度不純物領域でなる接続部で接続したことを特徴とする。
【００１２】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子の線状の前記接続部は、前記コンタクト部から前記第１電荷転送路が延びる方向に並行に延びて前記リング形状の前記高濃度不純物領域に接続されることを特徴とする。
【００１３】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子の線状の前記接続部は、前記第２電荷転送路が設けられる方向と反対側の方向または前記第２電荷転送路が設けられる方向に延びることを特徴とする。
【００１４】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子の線状の前記接続部は、前記コンタクト部から前記第１電荷転送路が設けられる方向に延びて前記リング形状の前記高濃度不純物領域に接続されることを特徴とする。
【００１５】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、前記フォトダイオード及び前記第１電荷転送路の上層を覆う第１の遮光膜と、前記第２電荷転送路の上層を覆う第２の遮光膜とを備え、いずれか一方または両方の遮光膜が前記コンタクト部の上層まで覆い該コンタクト部に接続されることを特徴とする。
【００１６】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、偶数行の前記フォトダイオードが奇数行の前記フォトダイオードに対して１／２ピッチづつずらして形成され、前記第１電荷転送路が蛇行して形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子の製造方法は、上記のいずれかに記載のＣＣＤ型固体撮像素子の製造方法において、イオン化金属プラズマ法により前記コンタクト部を含む前記高濃度不純物領域を前記半導体基板の表面部に形成し、該半導体基板表面に積層された絶縁層に前記コンタクト部に達するコンタクトホールを開けた後、前記遮光膜を積層して該遮光膜と前記コンタクト部とを電気的に接続することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、第１電荷転送路の物理的転送条件を同一に保ったままチャネルストップに安定なＧＮＤ電位を印加できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子の表面模式図である。このＣＣＤ型固体撮像素子１０は、ｎ型半導体基板１１の表面部に、多数のアレイ状に形成されたフォトダイオード１２を備える。図示する例では、偶数行のフォトダイオード１２に対して奇数行のフォトダイオード１２が１／２ピッチづつずらして形成され、所謂、ハニカム画素配列となっている。
【００２１】
各フォトダイオード１２内に記載したＲ，Ｇ，Ｂは、夫々、当該フォトダイオード上に積層されたカラーフィルタの色（Ｒ＝赤，Ｇ＝緑，Ｂ＝青）を示している。
【００２２】
水平方向に隣接する各フォトダイオード１２間には、垂直方向に蛇行して延びる垂直転送路（ＶＣＣＤ）１３が形成され、半導体基板１１の下辺部には、各垂直転送路１３の端部に連絡する水平転送路（ＨＣＣＤ）１４が設けられている。
【００２３】
各フォトダイオード１２が受光量に応じて蓄積した信号電荷は、隣接の垂直転送路１３に読み出されたあと水平転送路１４方向に転送され、水平転送路１４に移された信号電荷は、水平転送路１４に沿って出力端まで転送される。そして、水平転送路出力端に設けられた出力アンプ１５が、信号電荷量に応じた電圧値信号を出力する。
【００２４】
尚、「垂直」「水平」という用語を用いているが、これは単に「一方向」「この一方向に対して略直角の方向」という意味である。
【００２５】
図２は、図１の点線矩形枠II内の拡大模式図である。フォトダイオード１２及び図示する例では右側の垂直転送路１２との組は、夫々、垂直方向に延びるチャネルストップ１７によって区画されており、各フォトダイオード１２は、このチャネルストップ１７及び該チャネルストップ１７に連設された画素分離領域１７ａによって区画されている。
【００２６】
チャネルストップ１７及び画素分離領域１７ａは、ｐ＋領域で形成される。図示する例で、各フォトダイオード１２の右斜め上位置にはｐ＋領域を設けない信号読出部１７ｂが設けられており、この信号読出部１７ｂから、隣接垂直転送路１３に、フォトダイオード１２の信号電荷が読み出される。尚、各チャネルストップ１７の図示しない端部は、従来と同様に、ＧＮＤ電位に接続される。
【００２７】
垂直転送路１３は、ｎ型半導体基板２表面部のｐウェル層に設けた埋め込みチャネル（ｎ領域）と、その上に設けられたポリシリコン膜で成る転送電極とで構成され、転送電極は、図２に示す様に、１フォトダイオードの大きさに対して２枚設けられる大きさとなっている。
【００２８】
本実施形態のＣＣＤ型固体撮像素子１０では、水平転送路（ＨＣＣＤ）１４に最も近いフォトダイオード形成領域２０を、ＧＮＤ電位接続部２０としている。各々のＧＮＤ電位接続部２０は、周囲全周を、チャネルストップ１７及び画素分離領域１７ａと同一幅のｐ＋領域２１によって囲まれ、内部に、周囲のｐ＋領域２１から離間した島状のｐ＋領域（コンタクト部）２２が設けられている。そして、島状ｐ＋領域２２は、垂直方向に延びるｐ＋領域（接続部）２３によって、外周囲のｐ＋領域２１に接続されている。ｐ＋領域２３の幅は、図示する例では、チャネルストップ１７と同一幅としている。
【００２９】
尚、「島状」という用語は、外周囲にリング形状に形成されたチャネルストップ２１から離間しているという意味で使っている。
【００３０】
ＧＮＤ電位接続部２０は、信号電荷を蓄積するフォトダイオード１２と比較して垂直方向に長手に形成されている。これは、各垂直転送路１３の水平転送路１４との接続位置を当ピッチにするためである。
【００３１】
このＧＮＤ電位接続部２０は、水平転送路１４の上に設けられる遮光膜２８（例えばタングステン製の光遮蔽層：図２では図示省略、図３参照）で一体に覆われている。各フォトダイオード１２が設けられる受光面（画素部）の上にも、これとは別の遮光膜（例えばアルミニウム製の光遮蔽層：図２では図示省略）が設けられている。この遮光膜には、各フォトダイオード１２の夫々に入射光を入れる開口が設けられている。
【００３２】
尚、図示する例では、垂直転送路１３を、直接、水平転送路１４に接続する例を示しているが、垂直転送路１３と水平転送路１４との間に信号電荷を一時蓄積して画素混合等を行う信号電荷のバッファ領域（メモリ部）を設ける場合もある。
【００３３】
図３は、図２のIII―III線位置における断面模式図であり、ＧＮＤ電位接続部２０の横断面模式図である。ｎ型半導体基板の表面部に形成されたｐウェル層１１ａに設けられるＧＮＤ電位接続部２０は、チャネルストップ（ｐ＋領域）２１によって外周囲がリング形状（図２参照）に区画されており、その外側に、垂直転送路１３のｎ型埋め込みチャネル１３ａが設けられている。また、ＧＮＤ電位接続部２０の中央部には、チャネルストップ２１と離間した島状のｐ＋領域２２が形成されている。
【００３４】
斯かる構成の半導体基板の表面には、ＯＮＯ（酸化膜―窒化膜―酸化膜）構造の絶縁層２５が積層され、その絶縁層２５の上の埋め込みチャネル１３ａ上に、ポリシリコン膜でなる転送電極１３ｂが積層される。その上には酸化シリコンでなる絶縁層２６が積層される。
【００３５】
絶縁層２５，２６のｐ＋領域２２上には、コンタクトホール２７が開けられており、上面全面にタングステンＷでなる遮光膜２８が積層されることで、遮光膜２８はｐ＋領域２２に電気的に接続される。この遮光膜２８がＧＮＤ電位に接続されることで、ｐ＋領域２２がＧＮＤ電位に接続され、接続部２３を介してチャネルストップ１７，２１がＧＮＤ電位に接続される。
【００３６】
図４は、図３に示すＧＮＤ電位接続部の製造工程説明図である。ｐウェル層１１ａには垂直転送路１３の埋め込みチャネル１３ａが形成され、表面にＯＮＯ絶縁層２５が形成され、その上に転送電極膜１３ｂが積層されている。
【００３７】
この状態（図４（ａ））で、イオン化金属プラズマ法（IMP：Ion Metal Plasma）により、ｐウェル層１１ａにチャネルストップ２１を形成する。次に、図４（ｂ）に示す様に、ＩＭＰにより、ｐ＋領域２２（及び接続部２３）を形成し、更に、表面に絶縁層２６を積層する。
【００３８】
次に、図４（ｃ）に示す様に、絶縁層２５，２６にコンタクトホール２７をエッチングにより開け、その上に、図３に示す様に、タングステン膜２８を積層することで、遮光膜２８とｐ＋領域２２とが接続される。
【００３９】
斯かる構造のＣＣＤ型固体撮像素子１０では、図２に示す様に、垂直転送路１３の水平転送路１４近傍においても、垂直転送路１３は、幅狭のチャネルストップ１７，２１に挟まれた状態は変わらないため、信号電荷の転送に支障が生じる虞はなくなる。
【００４０】
尚、図２に図示する例では、水平転送路１４に一番近い場所に１行分だけＧＮＤ電位接続部２０を設けたが、複数行分のＧＮＤ電位接続部２０を設けても良いことはいうまでもない。
【００４１】
例えば、図２のＧＮＤ電位接続部２０に一番近いカラーフィルタＧを積層したフォトダイオード１２を設ける領域もＧＮＤ電位接続部とする（勿論、この領域１２内に設けるコンタクト用ｐ＋領域は周囲のチャネルストップ１７から離間させて島状とし、垂直方向に延びる細いｐ＋領域によってチャネルストップ１７と接続する）ことで、各列のチャネルストップ１７に、水平転送路側端部からもＧＮＤ電位を印加可能となる。
【００４２】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子の要部断面模式図であり、図３の断面位置に相当する図である。図３と同様の部材には同一符号を付してその説明は省略する。
【００４３】
本実施形態では、ＧＮＤ電位接続部２０の箇所に、遮光膜が２層設けられている。下層の遮光膜３１は画素部の遮光膜であり、上層の遮光膜２８が水平転送路１４の遮光膜である。この例では、水平転送路１４の遮光膜３１がアルミニウム製であり、画素部の遮光膜２８がタングステン製である。
【００４４】
即ち、絶縁層２６の上に遮光膜２８が形成され、その上に絶縁層３０が設けられ、コンタクトホール２７が開けられた後、遮光膜３１が積層されることで、遮光膜３１とｐ＋領域２２とが接続される。
【００４５】
この例では、遮光膜２８と遮光膜３１とが接触しないように遮光膜２８が切断されている。これは、画素部の遮光膜２８に独立した外部バイアス電位を印加する場合があるからであり、遮光膜２８に外部バイアス電位を印加しないのであれば、遮光膜２８と遮光膜３１を接触させても問題はなく、ｐ＋領域２２に、遮光膜２８と遮光膜３１とを介してＧＮＤ電位を印加する構成とすることができる。
【００４６】
図６は、図５に示すＧＮＤ電位接続部の製造工程説明図である。前述した第１実施形態の場合と比較し、図４（ａ）（ｂ）までは第２実施形態でも同様である。即ち、ｐウェル層１１ａには垂直転送路１３の埋め込みチャネル１３ａが形成され、表面にＯＮＯ絶縁層２５が形成され、その上に転送電極膜１３ｂが積層されている。
【００４７】
この状態で、イオン化金属プラズマ法（IMP：Ion Metal Plasma）により、ｐウェル層１１ａにチャネルストップ２１を形成する。次に、ＩＭＰにより、ｐ＋領域２２（及び接続部２３）を形成し、更に、表面に絶縁層２６を積層する。
【００４８】
この後、図６（ａ）に示す様に、タングステン製の遮光膜２８を積層し、この遮光膜２８に、ｐ領域２２と同程度の広さの開口３２を開ける。次に、図６（ｂ）に示す様に、表面に絶縁層３０を積層する。そして、図６（ｃ）に示す様に、絶縁層２５，２６，３０にコンタクトホール２７をエッチングにより開け、その上に、図５に示す様に、アルミニウム膜３１を積層することで、遮光膜３１とｐ＋領域２２とが接続される。
【００４９】
（第３実施形態）
図７は、本発明の第３実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子のＧＮＤ電位接続部の表面模式図である。図２に示す第１実施形態では、島状のｐ＋領域２２と周囲のチャネルストップ２１とを、反水平転送路側に延びるｐ＋領域２３で接続したが、本実施形態では、島状のｐ＋領域２２とチャネルストップ２１とを、水平転送路の在る方向に側に延びるｐ＋領域３４で接続している。
【００５０】
この構成においても、垂直転送路１３が水平転送路１４に近づいた位置で、垂直転送路１３は幅狭のチャネルストップ１７，２１に挟まれた状態は変わらないため、信号電荷の転送に支障が生じる虞はなくなる。
【００５１】
（第４実施形態）
図８は、本発明の第４実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子のＧＮＤ電位接続部の表面模式図である。第１，第３実施形態では、島状のｐ＋領域２２を垂直方向に延びるｐ＋領域２３，３４で周囲のチャネルストップ２１に接続したが、本実施形態では、島状のｐ＋領域２２を、水平方向に延びる幅狭のｐ＋領域３５，３６で、水平方向左右のチャネルストップ２１に接続している。
【００５２】
この構成においても、垂直転送路１３が水平転送路１４に近づいた位置で、垂直転送路１３は幅狭のチャネルストップ１７，２１に挟まれた状態は変わらないため、信号電荷の転送に支障が生じる虞はなくなる。
【００５３】
本実施形態では、ｐ＋領域３５，３６とチャネルストップ２１との接続箇所において、垂直転送路１３の水平方向に存在するｐ＋領域が広くなる。しかし、ｐ＋領域３５，３６の幅ｄは、１枚の転送電極の幅ｔより十分に狭いため、その影響は少ない。尚、ｐ＋領域３５，３６は、いずれか一方のみでも良い。
【００５４】
上述した各実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子は、所謂ハニカム画素配置の固体撮像素子であるが、画素（フォトダイオード）を半導体基板表面に正方格子配列したＣＣＤ型固体撮像素子（例えば特許文献１に記載されたＣＣＤ型固体撮像素子）にも上述した各実施形態を適用可能である。
【００５５】
以上述べた各実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子では、チャネルストップ電位をＧＮＤ電位に良好に接続でき信号読出時の電位変動を良好に抑制できるため、信号電荷の垂直転送路への完全な読み出しが可能となる。また、垂直転送路による信号電荷の転送条件を転送初期から転送終期まで同じ状態に保つことができるため、垂直転送路での電荷転送残りが無くなり、転送効率が向上すると共に、転送効率の経年劣化も抑制可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、信号電荷の垂直転送路への読み出しと転送が良好に行われるため、デジタルカメラ等に搭載される固体撮像素子として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子の表面模式図である。
【図２】図１に示す点線矩形枠II内の拡大模式図である。
【図３】図２に示すIII―III線位置における断面模式図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子の要部製造工程説明図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子の要部断面模式図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子の要部製造工程説明図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子の要部拡大模式図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子の要部拡大模式図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  ＣＣＤ型固体撮像素子
１１  ｎ型半導体基板
１１ａ  ｐウェル層
１２  フォトダイオード
１３  垂直転送路（ＶＣＣＤ）
１３ａ  垂直転送路の埋め込みチャネル（ｎ領域）
１３ｂ  垂直転送路の転送電極膜
１４  水平転送路（ＨＣＣＤ）
１５  出力アンプ
２０  ＧＮＤ接続部
１７，２１  チャネルストップ（ｐ＋領域）
１７ａ  画素分離領域（ｐ＋領域）
２２  島状のｐ＋領域（コンタクト部）
２３，３４，３５，３６  接続部（ｐ＋領域）
２５，２６，３０  絶縁層
２８，３１  遮光膜
２７  コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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