(57)【要約】【課題】電極基板とミラー基板とがより強固に接合できる状態で、電極や配線などが高い精度で容易に形成できるようにする。【解決手段】レジストパターン（第１レジストパターン）１０２をマスクとして金属膜１０１を選択的にエッチングし、突出部３２０が形成された電極基板３００の上に、配線３７０及び金属パターン１０３が形成された状態とする。また、レジストパターン（第２レジストパターン）１０６をマスクとして無機層１０５を選択的にエッチングして無機マスクパターン１０７が形成された状態とし、これをマスクとして樹脂層１０４を選択的にエッチングする。【選択図】  図１
2007248806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回動可能に支持されたミラーを有するミラー基板と、前記ミラー基板と対向配置された電極基板とを有するミラー装置の製造方法であって、
前記電極基板の平面上に、この平面から突出する略錐状の突出部が形成された状態とする第１工程と、
前記電極基板の前記平面及び前記突出部の表面に金属膜が形成された状態とする第２工程と、
前記金属膜の上にフォトリソグラフィ技術により第１レジストパターンが形成された状態とする第３工程と、
前記第１レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングして前記平面の上に複数の配線が形成され、前記突出部の上に金属パターンが形成された状態とする第４工程と、
前記第１レジストパターンが除去された状態とする第５工程と、
前記配線及び前記金属パターンを含む前記平面及び前記突出部の上に、有機材料からなる樹脂層が形成された状態とする第６工程と、
前記樹脂層の上に樹脂加工層が形成された状態とする第７工程と、
前記樹脂加工層をパターニングして樹脂加工パターンが形成された状態とする第８工程と、
前記樹脂加工パターンをマスクとして前記樹脂層をエッチングして樹脂マスクパターンが形成された状態とする第９工程と、
前記樹脂マスクパターンをマスクとして前記金属パターンをエッチングして、前記突出部の上に複数の電極が形成された状態とする第１０工程と、
前記樹脂マスクパターンの前記突出部を含む領域を除去することで、前記突出部の周囲の領域の前記電極基板の上に支持構造体が形成された状態とする第１１工程と、
前記支持構造体の上面に前記ミラー基板が固定された状態とする第１２工程と
を少なくとも備えることを特徴とするミラー素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のミラー素子の製造方法において、
前記樹脂層の上に無機材料からなる前記樹脂加工層が形成された状態とし、
前記樹脂加工層の上にフォトリソグラフィ技術により第２レジストパターンが形成された状態とし、
前記第２レジストパターンをマスクとして前記樹脂加工層をエッチングして前記樹脂層の上に前記樹脂加工パターンが形成された状態とする
ことを特徴とするミラー素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のミラー素子の製造方法において、
前記樹脂層の上に感光性を有する前記樹脂加工層が形成された状態とし、
フォトリソグラフィ技術により前記樹脂加工層をパターニングして前記樹脂加工パターンが形成された状態とする
ことを特徴とするミラー素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信用の光スイッチング素子などに適用可能なミラー素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インターネット通信網などにおける基盤となる光ネットワークの分野では、多チャンネル化、波長分割多重（ＷＤＭ）化、及び低コスト化を実現する技術として、光ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術が脚光を浴びており、この技術を用いて光スイッチが開発されている（例えば、特許文献１参照）。ＭＥＭＳ技術による光スイッチの構成部品として最も特徴的なものが、複数のミラー素子が配列されたミラーアレイである。
【０００３】
ミラーアレイは、ミラー基板と、これに対向配置された電極基板とから構成されている。ミラー基板は、ミラーとして作用する複数の可動構造体と、この可動構造体をトーションバネなどのバネ部材によって回動可能に支持する支持部材とを有する。また、電極基板は、ミラーとして作用する可動構造体に対応した複数の電極部が、土台となる基板の上に形成されたものである。
【０００４】
特許文献１に示された従来のミラーアレイについて図４を用いて説明する。図４は、ミラー基板及び電極基板の構成を示す概略斜視図ある。なお、図４は、主にミラーアレイの１構成単位であるミラー素子を部分的に示している。ミラーアレイは、図４に示すミラー素子が、例えば、２次元的に正方配列されたものである。ミラー素子は、ミラーが形成されたミラー基板２００と、電極が形成された電極基板３００とを備え、これらが平行に配設されている。
【０００５】
ミラー基板２００は、板状の基部２１０とリング状の可動枠２２０と円板状のミラー２３０とを備える。基部２１０は、平面視略円形の開口を備える。可動枠２２０は、基部２１０の開口内に配置され、一対の連結部２１１ａ，２１１ｂにより基部２１０に連結している。また、可動枠２２０も、平面視略円形の開口を備えている。ミラー２３０は、可動枠２２０の開口内に配置され、一対のミラー連結部２２１ａ，２２１ｂにより可動枠２２０に連結されている。また、基部２１０の周辺部には、可動枠２２０及びミラー２３０を取り囲むような枠部２４０が形成されている。枠部２４０は、絶縁層２５０を介して基部２１０に固定されている。
【０００６】
連結部２１１ａ，２１１ｂは、可動枠２２０の切り欠き内に設けられており、つづら折りの形状を有するトーションバネから構成され、基部２１０と可動枠２２０とを連結している。このように基部２１０に連結された可動枠２２０は、連結部２１１ａ，２１１ｂを通る回動軸（可動枠回動軸）を中心に、回動可能とされている。また、ミラー連結部２２１ａ，２２１ｂは、可動枠２２０の切り欠き内に設けられており、つづら折りの形状を有するトーションバネから構成され、可動枠２２０とミラー２３０とを連結している。このように可動枠２２０に連結されたミラー２３０は、ミラー連結部２２１ａ，２２１ｂを通る回動軸（ミラー回動軸）を中心に回動可能とされている。なお、可動枠回動軸とミラー回動軸とは、互いに直交している。
【０００７】
一方、電極基板３００は、突出部３２０と、電極基板３００と一体に形成されて突出部３２０の周辺部に配置されたリブ構造体３１０とを備える。突出部３２０は、角錐台の形状を有する第３テラス３２３と、第３テラス３２３の上面に形成された角錐台の形状を有する第２テラス３２２と、第２テラス３２２の上面に形成された角錐台の形状を有する第１テラス３２１とから構成される。
【０００８】
また、突出部３２０の外面を含む電極基板３００の上面には、対向するミラー基板２００のミラー２３０と同心の円内に、扇形の電極３４０ａ，電極３４０ｂ，電極３４０ｃ，電極３４０ｄが形成されている。さらに、電極基板３００の突出部３２０周囲には、配線３７０が形成され、配線３７０には、引き出し線３４１ａ〜３４１ｄを介して電極３４０ａ〜３４０ｄが接続されている。上述した構成とされたミラー基板２００と電極基板３００とは、各々対応するミラー２３０と電極３４０ａ〜３４０ｄとが対向配置され、基部２１０の下面とリブ構造体３１０の上面とが接合されてミラー素子が形成される。
【０００９】
次に、製造方法について簡単に説明する。まず、ミラー基板２００は、ＳＯＩ(Silicon On Insulator)基板から形成できる。ＳＯＩ基板は、シリコンからなる厚い基体部の上に埋め込み絶縁層を介して薄いシリコン層（ＳＯＩ層）を備えたものであり、ＳＯＩ層を加工することで、前述した基部２１０，可動枠２２０，ミラー２３０などの板状の構造体が形成できる。また、ＳＯＩ基板の厚い基体部を枠状に残すように除去することで、枠部２４０が形成できる。なお、図４に示す絶縁層２５０が、ＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層に対応している。
【００１０】
また、電極基板３００は、主表面の結晶方位が（１００）面の単結晶シリコン基板を、水酸化カリウムなどのアルカリ溶液でエッチング加工することで形成できる。よく知られているように、単結晶シリコンは、（１１１）面が、（１００）面や（１１０）面に比べて著しくアルカリによるエッチング速度が小さい。この現象を利用することで、角錐台の突出部３２０やリブ構造体３１０が、電極基板３００と一体に形成可能である。このように、突出部３２０及びリブ構造体３１０が形成された後、金属膜の形成、フォトリソグラフィ技術による形成した金属膜の加工などにより、電極３４０ａ〜３４０ｄ，引き出し線３４１ａ〜３４１ｄ，及び配線３７０が形成された状態とする。
【００１１】
以上のように、ミラー基板２００及び電極基板３００が形成された後、これらを貼り合わせることで、電極３４０ａ〜３４０ｄに対する電界印加によってミラー２３０が可動（回動）するミラー素子が形成できる。例えば、リブ構造体３１０の上面にＡｕＳｎ層を形成し、このＡｕＳｎ層とシリコンからなる基部２１０とを接合することで、ミラー基板２００及び電極基板３００とを貼り合わせることができる。
【００１２】
上述したように構成されるミラー素子は、配線３７０を介して電極３４０ａ〜３４０ｄに個別の電圧を加えることによって生じる電界でミラー２３０に吸引力を与え、ミラー２３０を数度の角度で回動（傾動）させる。光ＭＥＭＳ型のミラー素子の特徴として、ミラー２３０の回動角は、電極３４０ａ〜３４０ｄの構造により一意に決定される角度までしか静的に安定に回動させることができない。ミラー２３０のプルイン回動角をθP、突出部３２０上に形成された電極３４０ａ〜３４０ｄの傾斜角をθとすると、それぞれの関係は「θP＝（１／３）θ」で表される。
【００１３】
従って、ミラー２３０をなるべく大きくかつ低い電圧で回動させるためには、電極３４０ａ〜３４０ｄをミラー２３０と同じ面積を有するように配置し、かつ、電極３４０ａ〜３４０ｄが形成される突出部３２０の傾斜角を大きくすればよい。このためには、例えば、突出部３２０の高低差を大きくすることが考えられる。
【００１４】
【特許文献１】特許第３５７９０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、電極３４０ａ〜３４０ｄや配線３７０などをフォトリソグラフィ技術を用いて形成するため、突出部３２０の高低差を大きくするのが困難であった。例えば、突出部３２０を含めた電極基板３００上に形成した金属膜の上に、フォトレジストよりなるレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチングすることで、電極３４０ａ〜３４０ｄ及び配線３７０が形成される。ここで、よく知られているように、レジストパターンの形状が電極３４０ａ〜３４０ｄ及び配線３７０の形状に反映（転写）される。従って、電極３４０ａ〜３４０ｄ及び配線３７０を高い精度（位置や寸法など）で形成するためには、レジストパターンが、高い精度で形成されている必要がある。
【００１６】
ところが、高低差のある突出部３２０の上に電極３４０ａ〜３４０ｄが形成されるため、これらを形成するためのレジストパターンが精度よく形成できないという問題がある。フォトリソグラフィ技術では、形成しようとするパターンの光像を、パターン形成面に形成（投影）することで、露光を行うようにしている。このとき、投影像の焦点がパターン形成面からずれていると、パターン形成面に形成される光像は、パターン境界における明暗差が低い、所謂ぼけた像となる。このような状態では、高い精度のレジストパターンが形成できず、結果として、例えば、電極３４０ａ〜３４０ｄが高い精度で形成できない。
【００１７】
ここで、異なる焦点位置毎に複数回の露光を行うことや、異なる高さのテラス毎に露光・エッチングを繰り返すことで、上述した焦点位置のずれによる問題が解消できる。しかしながら、これらの方法では、複数回の露光を行うため、ここの露光における位置合わせが容易ではなく、また、工程数が増加する。このように、従来では、高低差のある突出部３２０を備えた電極基板３００の上に、容易に電極３４０ａ〜３４０ｄ及び配線３７０などが形成できないという問題があった。
【００１８】
一方、電極基板３００においては、複数の配線３７０を、電極基板３００の上で複雑に配設することになる。このような配線は、前述したように、電極基板３００と一体に形成されるリブ構造体３１０の領域には配置できない。言い換えると、配線３７０が設けられる配線領域には、リブ構造体３１０を形成することができない。また、よく知られているように、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより形成される配線は、露光時の不要な光の照射を避けるためなどの理由により、リブ構造体３１０の近くに配設することが容易ではない。
【００１９】
これらのため、リブ構造体３１０は、突出部３２０を中心とした１つの素子領域を囲うように設けることができない。このように、部分的に設けられたリブ構造体３１０により、電極基板３００に対してミラー基板２００が接合されるので、両者の接合強度が十分に得られず、ミラー基板２００が剥離するなどの問題が発生する。この問題を解消するためには、配線などが形成された後に、新たな支持構造体が電極基板３００上に形成された状態とし、リブ構造体３１０と共に支持構造体により、電極基板３００に対してミラー基板２００が接合されるようにすればよい。ただし、支持構造体は、ミラー２３０などの回動動作を阻害しないように配置する必要がある。
【００２０】
ところが、このような支持構造体も、やはり、フォトリソグラフィ技術などにより形成することになる。従って、前述した電極や配線などの形成に加え、新たに支持構造体を形成するためには、より多くの工程が必要となる。このように、従来では、ミラー素子が容易に形成できないという問題があった。
【００２１】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、電極基板とミラー基板とがより強固に接合できる状態で、電極や配線などが高い精度で容易に形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明に係るミラー素子の製造方法は、回動可能に支持されたミラーを有するミラー基板と、ミラー基板と対向配置された電極基板とを有するミラー装置の製造方法であって、電極基板の平面上に、この平面から突出する略錐状の突出部を形成し、次に、電極基板の平面及び突出部の表面に金属膜を形成し、次に、金属膜の上にフォトリソグラフィ技術により第１レジストパターンを形成し、次に、この第１レジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングして平面の上に複数の配線を形成し、また、突出部の上に金属パターンを形成し、第１レジストパターンを除去した後、配線及び金属パターンを含む平面及び突出部の上に、有機材料からなる樹脂層を形成し、樹脂層の上に樹脂加工層を形成し、この樹脂加工層をパターニングして樹脂加工パターンを形成し、形成した樹脂加工パターンをマスクとして樹脂層をエッチングして樹脂マスクパターンを形成し、次に、樹脂マスクパターンをマスクとして金属パターンをエッチングして、突出部の上に複数の電極を形成し、次に、樹脂マスクパターンの突出部を含む領域を除去することで、突出部の周囲の領域の電極基板の上に支持構造体を形成し、次に、支持構造体の上面にミラー基板を固定するようにしたものである。従って、配線と電極とは、異なるマスクパターンにより形成される。
【００２３】
上記ミラー素子の製造方法において、樹脂層の上に無機材料からなる樹脂加工層が形成された状態とし、樹脂加工層の上にフォトリソグラフィ技術により第２レジストパターンが形成された状態とし、第２レジストパターンをマスクとして樹脂加工層をエッチングすることで、樹脂層の上に樹脂加工パターンを形成することができる。また、樹脂層の上に感光性を有する樹脂加工層が形成された状態とし、フォトリソグラフィ技術により樹脂加工層をパターニングすることで、樹脂加工パターンを形成するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように、本発明では、第１レジストパターンを用いて平面上の配線を形成し、また、樹脂加工パターンにより樹脂マスクパターンを形成し、この樹脂マスクパターンにより突出部上の電極を形成し、加えて、樹脂マスクパターンの一部で支持構造体を形成するようにした。この結果、本発明によれば、電極基板とミラー基板とがより強固に接合できる状態で、電極や配線などが、高い精度で容易に形成できるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１，図２，及び図３は、本発明の実施の形態におけるミラー素子の製造方法例を説明するための工程図である。ここで、これらの図においては、主に、ミラーアレイの１構成単位であるミラー素子を部分的に示している。まず、図１（ａ）に示すように、主表面の結晶方位が（１００）面の単結晶シリコン基板を、水酸化カリウムなどのアルカリ溶液でエッチング加工することで、電極基板３００の上に突出部３２０が形成された状態とする。突出部３２０は、角錐台の形状を有する第３テラス３２３と、第３テラス３２３の上面に形成された角錐台の形状を有する第２テラス３２２と、第２テラス３２２の上面に形成された角錐台の形状を有する第１テラス３２１から構成されている。なお、図１には示されていないが、電極基板３００の上の所定箇所には、突出部３２０と同時にこれより高いリブ構造体が形成される。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に示すように、突出部３２０が形成された電極基板３００の上に、金属膜１０１が形成された状態とする。例えば、スパッタ法や真空蒸着法により、アルミニウムなどの金属を堆積することで、金属膜１０１を形成すればよい。加えて、金属膜１０１の上に、引き出し電極の一部は配線などを形成するためのパターンを含めたレジストパターン（第１レジストパターン）１０２が形成された状態とする。例えば、フォトレジストを金属膜１０１の上に塗布してレジスト膜を形成した後、露光及び現像を行うことで、レジストパターン１０２が形成された状態とすることができる。
【００２７】
ここで、図１（ｃ）の模式的な平面図に示すように、レジストパターン１０２は、配線などを形成する部分と、突出部３２０（電極）の形成領域より広い範囲で突出部３２０を覆う矩形の部分とを備えたものである。レジストパターン１０２の形成においては、配線などを形成する部分に焦点が合った状態で、露光を行えばよい。上記矩形の部分は、以降に示すレジストパターン１０２を用いた金属膜１０１のエッチングで、突出部３２０の上に形成される電極が配置される領域が隠されていればよい。このため、上記矩形の部分は、高い精度の形状が必要ではなく、焦点位置がずれていても問題がない。このように、レジストパターン１０２は、配線などを形成するための部分においては、焦点があった状態の露光が可能であり、位置や形状などを高い精度で形成することが可能である。
【００２８】
このように形成したレジストパターン１０２をマスクとして金属膜１０１を選択的にエッチングし、この後、レジストパターン１０２を除去することで、図１（ｄ）に示すように、電極基板３００の上に、配線３７０及び金属パターン１０３が形成された状態とする。前述したように、配線３７０を形成するためのレジストパターン１０２の部分は、位置や形状などが高い精度で形成されているので、配線３７０も、位置や形状などが高い精度で形成された状態が得られる。
【００２９】
次に、図１（ｅ）に示すように、配線３７０及び金属パターン１０３が形成された電極基板３００の上に、下層の段差を吸収して表面が平坦にされた樹脂層１０４が形成され、また、樹脂層１０４の上に例えば金属からなる無機層（樹脂加工層）１０５が形成された状態とする。樹脂層１０４は、突出部３２０より高く形成されていればよい。なお、本例では、樹脂層１０４は、突出部３２０と同時に形成された図示しないリブ構造体と、同一の高さに形成された状態とする。例えば、樹脂層１０４は、ポリイミドから構成すればよく、ポリイミドが溶解した溶液を所定の塗布方法により塗布し、加熱して硬化することで形成すればよい。また、例えば、無機層１０５は、スパッタ法や真空蒸着法により、チタンなどの金属を堆積することで形成すればよい。
【００３０】
次に、公知のフォトリソグラフィ技術によりレジストパターン（第２レジストパターン）１０６を形成し、レジストパターン１０６を用いた選択的なエッチングにより無機層１０５をパターニング（加工）することで、図１（ｆ）に示すように、樹脂層１０４の上に無機マスクパターン（樹脂加工パターン）１０７が形成された状態とする。ここで、図２（ｇ）の模式的な平面図に示すように、レジストパターン１０６は、図４に示した扇形の電極３４０ａ〜３４０ｄを形成する４つの扇形の部分と、図４に示した引き出し線３４１ａ〜３４１ｄを形成する部分と、これら以外の領域を覆う部分とを備えたものである。レジストパターン１０６の形成おいては、表面が平坦化されている樹脂層１０４の上に形成されている無機層１０５の上でパターニングされるので、全域に亘って同一の焦点位置で露光を行えばよく、位置や形状などが高い精度の状態で形成可能である。このため、無機マスクパターン１０７も、位置や形状などが高い精度の状態で形成されるようになる。
【００３１】
次に、無機マスクパターン１０７をマスクとして樹脂層１０４を選択的にエッチングすることで、図２（ｈ）に示すように、樹脂マスクパターン１０８が形成された状態とする。例えば、酸素ガスのプラズマを用いた反応性イオンエッチングにより、樹脂層１０４を選択的にエッチング除去することで、樹脂マスクパターン１０８が形成可能である。このとき、除去している開口領域の底部に金属パターン１０３の表面が露出するまで上記エッチングを行えばよい。上記反応性イオンエッチングによれば、高い選択比を有した状態で、また、垂直異方性を有した状態で、樹脂層１０４をエッチング加工することが可能である。また、前述したように、位置や形状などが高い精度で無機マスクパターン１０７が形成されているので、樹脂マスクパターン１０８も位置や形状などが高い精度を有した状態に形成される。なお、樹脂層１０４のエッチング加工において、有機材料から構成されているレジストパターン１０６も、同時に除去されるようになる。
【００３２】
次に、形成した樹脂マスクパターン１０８をマスクとして金属パターン１０３をパターニングすることで、図２（ｉ）に示すように、電極３４０ｂ，電極３４０ｄが形成された状態とする。なお、図２（ｉ）には示されていないが、同時に電極３４０ａ，電極３４０ｃ，及び引き出し線３４１ａ〜３４１ｄも形成されている。例えば、Ｃｌ2などの塩素系のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより、金属パターン１０３を選択的にエッチング除去することで、各電極や引き出し線の形成が可能である。また、上述したように、高い精度で樹脂マスクパターン１０８が形成されているので、これら電極や引き出し線が、位置や形状に高い精度を有した状態で形成される。このように、本製造方法例によれば、大きな段差を有する突出部３２０の上であっても、各電極が高い位置精度，高い寸法精度を有した状態で、容易に形成可能である。
【００３３】
次に、図２（ｊ）に示すように、無機マスクパターン１０７の上に、レジストパターン１０９が形成された状態とする。ここで、図２（ｋ）の模式的な平面図に示すように、レジストパターン１０９は、突出部が含まれる矩形の領域が開放したパターンである。ついで、レジストパターン１０９をマスクとして選択的に無機マスクパターン１０７をエッチングし、引き続いて酸素ガスのプラズマを用いた反応性イオンエッチングにより、樹脂マスクパターン１０８を選択的にエッチング除去することで、図３（ｌ）及び図３（ｍ）に示すように、電極基板３００の上に支持構造体１１１が形成された状態とする。
【００３４】
レジストパターン１０９をマスクとしてパターニングした新たな無機マスクパターン１１０をマスクとした上記エッチング処理によれば、高い選択比を備えた状態で、有機材料から構成されている樹脂マスクパターン１０８がパターニング可能であり、このパターニングにより、支持構造体１１１が容易に形成可能である。また、このエッチング処理により、有機材料から構成されているレジストパターン１０９も除去される。なお、図３（ｍ）の平面図では、無機マスクパターン１１０は省略して示していない。
【００３５】
以上のように構成された電極基板３００と、ミラー基板２００とを貼り合わせることで、図３（ｎ）の断面図に示すように、電極３４０ａ〜３４０ｄに対する電界印加によってミラー２３０が可動（回動）するミラー素子が形成できる。図３（ｎ）に示すミラー素子では、電極基板３００の支持構造体１１１及び図示しないリブ構造体３１０の上面に形成された無機マスクパターン１１０の上面と、ミラー基板２００の基部２１０とが接着固定されている。
【００３６】
上述したように構成された図３（ｍ），図３（ｎ）に例示する電極基板３００（ミラー素子）では、紙面において、上下方向に隣り合う素子領域の間（素子間領域）の電極などが設けられた配線領域以外の一部に、リブ構造体３１０が形成されている。１つの素子領域に着目すると、素子領域の周囲の配線領域以外に、リブ構造体３１０は形成されている。加えて、電極基板３００は、各素子領域の周囲（素子間領域）のリブ構造体３１０が設けられていない領域に、リブ構造体３１０と同じ高さの支持構造体１１１が、電極基板３００とは別体に形成（固定）されている。支持構造体１１１の上面とリブ構造体３１０の上面とは、同一の平面上に配置されている。
【００３７】
図３（ｍ），図３（ｎ）に示すように、本ミラー素子によれば、支持構造体１１１の上面が、ミラー基板２００の基部２１０の素子周辺部に貼り合わされる。図４に示した従来のミラー素子によれば、当該領域は空間である。このように、従来では貼り合わされていない領域が、電極基板３００とは別体に設けた支持構造体１１１により貼り合わされるようになるので、本ミラー素子によれば、電極基板３００とミラー基板２００とがより強固に接合できるようになり、ミラー基板２００と電極基板との剥離が抑制できるようになる。なお、上述では、突出部と共にリブ構造体も同時に形成するようにしたが、これに限るものではない。突出部形成時には、リブ構造体を形成せず、樹脂マスクパターン１０８をパターニングすることで形成した支持構造体１１１のみで、ミラー基板を支持するようにしてもよい。例えば、突出部３２０の周囲の１つの素子領域を囲うように、支持構造体が形成されていてもよい。この場合、隣り合う素子領域の境界部分に支持構造体が形成された状態となる。
【００３８】
なお、ミラー基板２００について説明すると、板状の基部２１０とリング状の可動枠２２０と円板状のミラー２３０とを備える。基部２１０は、平面視略円形の開口を備える。可動枠２２０は、基部２１０の開口内に配置され、一対の連結部２１１ａ，２１１ｂにより基部２１０に連結している。また、可動枠２２０も、平面視略円形の開口を備えている。ミラー２３０は、可動枠２２０の開口内に配置され、一対のミラー連結部２２１ａ，２２１ｂにより可動枠２２０に連結されている。なお、図３（ｎ）では、連結部及びミラー連結部が省略されている。また、基部２１０の周辺部には、可動枠２２０及びミラー２３０を取り囲むような枠部２４０が形成されている。枠部２４０は、絶縁層２５０を介して基部２１０に固定されている。
【００３９】
なお、連結部２１１ａ，２１１ｂは、可動枠２２０の切り欠き内に設けられており、つづら折りの形状を有するトーションバネから構成され、基部２１０と可動枠２２０とを連結している。このように基部２１０に連結された可動枠２２０は、連結部を通る回動軸（可動枠回動軸）を中心に、回動可能とされている。また、ミラー連結部２２１ａ，２２１ｂは、可動枠２２０の切り欠き内に設けられており、つづら折りの形状を有するトーションバネから構成され、可動枠２２０とミラー２３０とを連結している。このように可動枠２２０に連結されたミラー２３０は、ミラー連結部を通る回動軸（ミラー回動軸）を中心に回動可能とされている。なお、可動枠回動軸とミラー回動軸とは、互いに垂直な関係にある。
【００４０】
このように構成されたミラー素子は、配線３７０を介して電極３４０ａ〜３４０ｄに個別の電圧を加えることによって生じる電界でミラー２３０に吸引力を与え、ミラー２３０を数度の角度で傾動させるものである。電極３４０ａ〜３４０ｄに電圧が印加されていない場合、ミラー２３０は、電極基板３００（基部２１０）に対して略平行な状態（初期位置）となる。この状態で、電極３４０ａ〜３４０ｄに個別の電圧を加えることにより、ミラー２３０の傾動が制御可能である。
【００４１】
なお、上述では、無機マスクパターン（樹脂加工パターン）１０７をマスクとしたエッチングにより、樹脂マスクパターン１０８をパターニングしたが、これに限るものではない。例えば、樹脂層１０４の上に、シリコンや金属を含む感光性材料からなる樹脂加工層が形成された状態とし、この樹脂加工層をフォトリソグラフィ技術によりパターニングし、形成されたパターンに酸素プラズマを作用させることで、樹脂加工パターンが形成されるようにしてもよい。例えば、ポリジメチルシロキサンは、感光性を有しているために、フォトリソグラフィ技術によりパターニング可能である。また、シリコン含有高分子を添加したノボラック系のフォトレジストが、樹脂加工層に適用可能である（「半導体ドライエッチング技術」，産業図書株式会社，pp.211-212，平成４年１０月６日）。このようにして形成されたパターンは、酸素プラズマなどの活性酸素に対して高い耐性を持つため、樹脂層１０４に対して高いエッチング選択比を備えた状態となる。このため、上述した樹脂加工パターンによれば、酸素プラズマを用いることで、樹脂層１０４を選択的にエッチングできるようになる。
【００４２】
ところで、上述した製造方法例では、図２（ｊ）〜図３（ｌ）を用いた支持構造体１１１の形成では、金属（チタン）よりなる無機マスクパターン１１０をマスクとした選択エッチングを行うようにしたが、これに限るものではない。例えば、樹脂層１０４を感光性を有するポリイミド樹脂から構成することで、選択的に光を照射（露光）することで、支持構造体１１１を形成することが可能である。この場合、支持構造体１１１の形状が形成された後に、加熱などにより硬化させることになる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態におけるミラー素子の製造方法例を模式的に示す工程図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるミラー素子の製造方法例を模式的に示す工程図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるミラー素子の製造方法例を模式的に示す工程図である。
【図４】ミラー素子の構成例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０１…金属膜、１０２…レジストパターン（第１レジストパターン）、１０３…金属パターン、１０４…樹脂層、１０５…無機層、１０６…（第２レジストパターン）レジストパターン、１０７…無機マスクパターン、１０８…樹脂マスクパターン、１０９…レジストパターン、１１０…無機マスクパターン、１１１…支持構造体、２００…ミラー基板、２１０…基部、２１１ａ，２１１ｂ…連結部、２２０…可動枠、２２１ａ，２２１ｂ…ミラー連結部、２３０…ミラー、２４０…枠部、３２０…突出部、３２１…第１テラス、３２２…第２テラス３２２、３２３…第３テラス、３４０ａ，３４０ｂ，３４０ｃ，３４０ｄ…電極、３４１ａ，３４１ｂ，３４１ｃ，３４１ｄ…引き出し線、３７０…配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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