(57)【要約】      （修正有）【課題】透明で導電性が良好な酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法を提供すること。【解決手段】圧力勾配型プラズマガンを用いてプラズマビームを供給し、酸化亜鉛を主成分とする蒸発材料の周囲に設けたビーム修正装置により該プラズマビームを該蒸発材料に集中させて、該蒸発材料を蒸発、イオン化させるイオンプレーティング法によって透明樹脂フィルム上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法において、透明樹脂フィルム基材を搬送させる際に透明樹脂フィルム基材を固定化する基板保持部材に透明樹脂フィルム基材を両端部から固定化できる引張治具を設けるか、又は透明樹脂フィルム基材成膜面の反対部である裏面に接触固定できる冷却板を設けて酸化亜鉛系透明導電膜を形成する事を特徴とする酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法。【選択図】図１
2007115656.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力勾配型プラズマガンを用いてプラズマビームを供給し、酸化亜鉛を主成分とする蒸発材料の周囲に設けたビーム修正装置により該プラズマビームを該蒸発材料に集中させて、該蒸発材料を蒸発、イオン化させるイオンプレーティング法によって透明樹脂フィルム上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法において、透明樹脂フィルム基材を搬送させる際に透明樹脂フィルム基材を固定化する基板保持部材に透明樹脂フィルム基材を両端部から固定化できる引張治具を設けるか、又は透明樹脂フィルム基材成膜面の反対部である裏面に接触固定できる冷却板を設けて酸化亜鉛系透明導電膜を形成する事を特徴とする酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法。
【請求項２】
酸化亜鉛系透明導電膜が、ガリウム、アルミニウム、ホウ素、ケイ素、スズ、インジウム、ゲルマニウム、アンチモン、イリジウム、レニウム、セリウム、ジルコニウム、スカンジウム、及びイットリウムから選ばれる少なくとも１種を０．０５〜１５質量％含むことを特徴とする請求項１に記載の酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法。
【請求項３】
透明樹脂フィルムが、芳香族ポリエステル系樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載の酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法に関する。詳細には、タッチパネル、無機分散型ＥＬランプ、透明電磁波シールド等に好適で、薄く、軽く、フレキシブルな透明導電性膜である酸化亜鉛系膜を有する酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
導電性金属酸化物の透明導電性膜としては、スズをドープしたインジウム酸化物膜（ＩＴＯ）が知られており、工業的に広く用いられている。近年、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系の透明導電膜は、著しく性能改善が進み、主要な特性のひとつの比抵抗値についてみると、実験室レベルではＩＴＯ膜に比べて遜色のない低い値が得られるようになってきている。このため、資源の枯渇のおそれがあり、また、高価なインジウム等を成分とするＩＴＯ膜に代替し得る次世代の透明導電膜として、酸化亜鉛系透明導電膜に対する期待が高まっている。
【０００３】
透明導電膜の基材としては、これまでガラスが主に用いられてきたが、需要や用途が増えるにつれ、加工性や生産性の向上が求められるようになってきた。そのため近年、ガラスに比べ軽量で加工性・生産性に優れたプラスチックが注目されポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、環状オレフィン樹脂等が用いられるようになってきた。ポリエチレンテレフタレートやポリカーボネート上に酸化亜鉛膜をスパッタリング装置で形成した例が報告されている。（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
しかしながら、酸化亜鉛系透明導電性基板として要求される透明性能ならびに酸化亜鉛膜の均一性を共に満足するものは得られていない。  
【０００４】
【特許文献１】特開平４−１７６８５７号公報
【特許文献２】特開２００３−３４８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、透明で導電性が良好な酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは鋭意研究した結果、透明樹脂フィルムの透明性、熱変形性、吸水率を制御すると共に、イオンプレーティング法において、透明樹脂フィルム基材を両端部から固定化できる引張治具ならびに透明樹脂フィルム基材成膜面の反対部である裏面に接触固定できる冷却板を設けることにより、該フィルム基材上に酸化亜鉛膜を成膜することで、熱による変形がなく、透明で導電性が良好な酸化亜鉛系透明導電性基板を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、以下の通りである。
（１）圧力勾配型プラズマガンを用いてプラズマビームを供給し、酸化亜鉛を主成分とする蒸発材料の周囲に設けたビーム修正装置により該プラズマビームを該蒸発材料に集中させて、該蒸発材料を蒸発、イオン化させるイオンプレーティング法によって透明樹脂フィルム上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法において、透明樹脂フィルム基材を搬送させる際に透明樹脂フィルム基材を固定化する基板保持部材に透明樹脂フィルム基材を両端部から固定化できる引張治具を設けるか、又は透明樹脂フィルム基材成膜面の反対部であ
る裏面に接触固定できる冷却板を設けて酸化亜鉛系透明導電膜を形成する事を特徴とする酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法。
（２）酸化亜鉛系透明導電膜が、ガリウム、アルミニウム、ホウ素、ケイ素、スズ、インジウム、ゲルマニウム、アンチモン、イリジウム、レニウム、セリウム、ジルコニウム、スカンジウム、及びイットリウムから選ばれる少なくとも１種を０．０５〜１５質量％含むことを特徴とする（１）に記載の酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法。
（３）透明樹脂フィルムが、芳香族ポリエステル系樹脂であることを特徴とする（１）又は（２）に記載の酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
透明樹脂フィルムの透明性、熱変形性、吸水率を制御すると共に、イオンプレーティング法において、透明樹脂フィルム基材を両端部から固定化できる引張治具ならびに透明樹脂フィルム基材成膜面の反対部である裏面に接触固定できる冷却板を設けることにより、該フィルム基材上に酸化亜鉛系透明導電膜を成膜することで、熱による変形がなく、透明で導電性が良好な酸化亜鉛系透明導電性基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施の形態につき詳細に説明する。
本発明は、透明樹脂フィルム上に酸化亜鉛系透明導電膜が形成された酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法であり、透明樹脂フィルム基材を両端部から固定化できる引張治具又は透明樹脂フィルム基材成膜面の反対部である裏面に接触固定できる冷却板を設けることにより、該フィルム基材上に酸化亜鉛系透明導電膜を成膜することで、熱による変形がなく、透明で導電性が良好な酸化亜鉛系透明導電性基板を得ることができる製造方法である。
【００１０】
本発明に使用する透明樹脂とは、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂および樹脂硬化物より選択される少なくとも１種以上の樹脂である。
熱可塑性樹脂としては、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、芳香族ポリカーボネート系樹脂、芳香族ポリエステル系樹脂、脂肪族ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、脂環式構造重合体、ポリフェニレンエーテル系樹脂等が挙げられる。
スチレン系樹脂とは、ビニル芳香族単量体の単独重合体または他の単量体との共重合体を言い、ビニル芳香族単量体としては、スチレン、α−メチルスチレン、パラメチルスチレン等が挙げられ、中でもスチレンの単独重合体または他の単量体との共重合体が好ましい。例えばスチレン共重合体、α−メチルスチレン共重合体等が挙げられる。共重合可能な他の単量体としては、アクリロニトリル、イソプレン、ブタジエン等が挙げられ、共重合の形態としては、ブロック共重合、ランダム共重合、グラフト共重合等がある。
【００１１】
アクリル系樹脂としては、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸ｔ−ブチルシクロヘキシル、メタクリル酸メチル等のメタクリル酸エステル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸２−エチルヘキシル等のアクリル酸エステルより選ばれる１種以上の単量体を重合したもの等が挙げられる。なかでも、メタクリル酸メチルの単独重合体および他の単量体との共重合体が好ましい。
【００１２】
メタクリル酸メチルと共重合可能な単量体としては、他のメタリル酸アルキルエステル類、アクリル酸アルキルエステル類、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物類、アクリロニトリル、メタクリルニトリル等のシアン化ビニル類、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド等のマレイミド類、無水マレイン酸等の不飽和カルボン酸無水物類、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸等の不飽和酸類等が挙げられる。
【００１３】
芳香族ポリカーボネート系樹脂とは、芳香族ジヒドロキシ化合物より誘導される芳香族ポリカーボネートであり、芳香族ジヒドロキシ化合物としては、例えば、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン等のビス（ヒドロキシアリール）アルカン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等のビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルフェニルエーテル等のジヒドロキシアリールエーテル類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルフェニルスルフィド等のジヒドロキシアリールスルフィド類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルフェニルスルホキシド等のジヒドロキシアリールスルホキシド類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルフェニルスルホン等のジヒドロキシアリールスルホン類等を挙げることができる。これらの中で、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称、ビスフェノールＡ）が特に好ましい。これらの芳香族ジヒドロキシ化合物は単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１４】
芳香族ポリエステルとは、芳香環を重合体の連鎖単位に有するポリエステルであって、二官能性芳香族カルボン酸とジオールとを主成分とする縮合反応により得られる。ポリエステルの原料モノマーとしては、公知のポリエステル原料であるすべての芳香族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸エステル、ヒドロキシカルボン酸およびジオールが使用可能である。たとえば、芳香族ジカルボン酸としてテレフタル酸、オルトフタル酸、クロルフタル酸、ニトロフタル酸、２，５−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、４，４’−ジフェニルメタンジカルボン酸、４，４’−ジフェニル、１，２−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−エタン、５−ナトリウムスルホイソフタル酸、５−テトラブチルフォスフォニウムスルホイソフタル酸等が挙げられる。
【００１５】
芳香族ジカルボン酸エステルとしては、上記の芳香族ジカルボン酸のメチルエステル等が挙げられる。ヒドロキシカルボン酸としては、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｐ−（ヒドロキシエトキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、４’−ヒドロキシ−ビフェニル−４−カルボン酸等が挙げられる。
ジオールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−ブタンジオール１，４−ブタンジオール、２，２−ジメチルプロパンジオール、ネオペンチルグリコール、１，５−ペンタジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール１，４−シクロヘキサンジメタノール、１，３−シクロヘキサンジメタノール、１，２−シクロヘキサンジメタノール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール、ペンタメチレングリコール、オクタメチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ヒドロキノン、レゾルシノール、ビスフェノールＡおよび２，２−ビス（２’−ヒドロキシエトキシフェニル）プロパン等が挙げられる。
【００１６】
重合体としては、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリエチレンイソフタレート−テレフタレート共重合体、ポリブチレンイソフタレート−テレフタレート共重合体、ポリシクロヘキシレンジメチレンイソフタレート−テレフタレート共重合体等が挙げられる。
芳香族ポリエステル系樹脂とは、特に制限されるものではないが、具体例を挙げると、
ポリエチレンテレフタレートまたはポリブチレンテレフタレートまたはポリトリメチレンテレフタレート等である。
【００１７】
脂肪族ポリエステル系樹脂としては、脂肪族ヒドロキシカルボン酸を主たる構成成分とする重合体、脂肪族多価カルボン酸と脂肪族多価アルコールを主たる構成成分とする重合体等が挙げられる。具体的には、脂肪族ヒドロキシカルボン酸を主たる構成成分とする重合体としては、ポリグリコール酸、ポリ乳酸、ポリ３−ヒドロキシ酪酸、ポリ４−ヒドロキシ酪酸、ポリ４−ヒドロキシ吉草酸、ポリ３−ヒドロキシヘキサン酸またはポリカプロラクトン等が挙げられ、脂肪族多価カルボン酸と脂肪族多価アルコールを主たる構成成分とする重合体としては、ポリエチレンアジペート、ポリエチレンサクシネート、ポリブチレンアジペートまたはポリブチレンサクシネート等が挙げられる。
【００１８】
ポリオレフィン系樹脂とは、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレンプロピレン共重合体、ポリメチルペンテン、ポリブテン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー（エチレンアクリル酸系ポリマー塩や、スチレンスルフォン酸塩等）樹脂、およびそれらの共重合体や、マレイン酸等による変性体等が挙げられる。
脂環式構造重合体としては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、それらの水素化物、およびこれらの混合物等を挙げることができる。これら重合体の中でも、得られる樹脂組成物の耐熱性、機械的強度の観点からすると、ノルボルネン系重合体の水素化物、ビニル脂環式炭化水素重合体、およびビニル脂環式炭化水素重合体の水素化物が好ましい。
【００１９】
ノルボルネン系重合体としては、ノルボルネン系モノマーの開環重合体、ノルボルネン系モノマーとこのノルボルネン系モノマーに対して開環共重合可能な他のモノマーとの開環共重合体、およびこれら開環共重合体の水素化物、ならびにノルボルネン系モノマーの付加重合体、およびノルボルネン系モノマーとこのノルボルネン系モノマーに対して共重合可能な他のモノマーとの付加共重合体等を挙げることができる。これら重合体および共重合体の中でも、得られる脂環式構造重合体組成物の耐熱性、機械的強度の観点からすると、ノルボルネン系モノマーの開環重合体の水素化物が特に好ましい。
環状オレフィン系重合体としては、例えば、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等の単環の環状オレフィン系モノマーの付加重合体等を挙げることができる。
【００２０】
環状共役ジエン系重合体としては、例えば、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン等の環状共役ジエン系モノマーの１，２−または１，４−付加重合体およびその水素化物等を挙げることができる。
ビニル脂環式炭化水素重合体としては、例えば、ビニルシクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン等のビニル脂環式炭化水素系モノマーの重合体およびその水素化物、スチレン、α−メチルスチレン等のビニル芳香族炭化水素系モノマーを重合してなる重合体に含まれる芳香族部分を水素化してなる水素化物、ビニル脂環式炭化水素系モノマーまたはビニル芳香族炭化水素系モノマーとこれらビニル芳香族炭化水素系モノマーに対して共重合可能な他のモノマーとのランダム共重合体、ブロック共重合体等の共重合体およびその芳香環の水素化物等を挙げることができる。ブロック共重合体としては、ジブロック、トリブロックまたはそれ以上のマルチブロック、傾斜ブロック共重合体等を挙げることができる。
【００２１】
ポリフェニレンエーテル系樹脂とは、例えば、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）、ポリ（２−メチル−６−エチル−１，４−フェニレンエーテル）、ポリ（２−メチル−６−フェニル−１，４−フェニレンエーテル）、ポリ（２，６−ジクロロ−１，４−フェニレンエーテル）等が挙げられ、さらに２，６−ジメチルフェノールと他のフェノール類との共重合体（例えば、特公昭５２−１７８８０号公報に記載されてあるような２，３，６−トリメチルフェノールとの共重合体や２−メチル−６−ブチルフェ
ノールとの共重合体）のごときポリフェニレンエーテル共重合体等も挙げられる。これらの中でも特に好ましいポリフェニレンエーテルとしては、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）、２，６−ジメチルフェノールと２，３，６−トリメチルフェノールとの共重合体、またはこれらの混合物である。
【００２２】
本発明で使用できるポリフェニレンエーテル系樹脂は、全部又は一部が変性されたポリフェニレンエーテルであっても構わない。ここでいう変性されたポリフェニレンエーテルとは、分子構造内に少なくとも１個の炭素−炭素二重結合または、三重結合及び少なくとも１個のカルボン酸基、酸無水物基、アミノ基、水酸基、又はグリシジル基を有する、少なくとも１種の変性化合物で変性されたポリフェニレンエーテルを指す。ポリフェニレンエーテル系樹脂は耐熱性が高く、電気特性に優れているため、高耐熱用途、また電子部品として好適に使用することができる。
これらの熱可塑性樹脂の中で好ましい透明樹脂としては、芳香族ポリエステル系樹脂である。具体的にはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレートまたはポリトリメチレンテレフタレートが好ましい。
【００２３】
これらの熱可塑性樹脂は、単独ないし２種以上を混合して用いることができる。例えば、スチレン・アクリロニトリル共重合体とブタジエン・アクリロニトリル共重合体との組合せ、ポリフェニレンエーテル系樹脂とポリスチレン系樹脂との組合せ、スチレン・無水マレイン酸共重合体とポリカーボネート樹脂との組合せ、スチレン・シクロヘキシルマレインイミド酸共重合体とポリプロピレンオキシド樹脂との組合せ、スチレン・フェニルマレインイミド酸共重合体とポリプロピンオキシド樹脂との組合せ、スチレン・ラウロイルマレインイミド酸共重合体とポリプロピレンオキシド樹脂との組合せ、ポリスチレンとポリエチレンオキシド樹脂との組合せ、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）とポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ乳酸、フッ化ビニリデン・三フッ化エチレン共重合体、ポリエチレンオキシド、スチレン・アクリロニトリル共重合体のそれぞれの組合せで混合したもの等が挙げられる。これらの組合せは、複屈折を低減した光学的に等方性に優れた樹脂として用いることができるので好ましい。
【００２４】
本発明において用いられる熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂とは、常温では液状、半固形状又は固形状等であって常温下又は加熱下で流動性を示す比較的低分子量の物質を意味する。これらは硬化剤、触媒、熱又は光の作用によって硬化反応や架橋反応を起こして分子量を増大させながら網目状の三次元構造を形成してなる不溶不融性の樹脂となり得る。また、本発明における樹脂硬化物とは、上記熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が硬化してなる樹脂を意味する。
【００２５】
本発明において用いられる熱硬化性樹脂としては、特に制限されるものではないが、具体的に一例を示すと、エポキシ樹脂、熱硬化型変性ポリフェニレンエーテル樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ユリア樹脂、アリル樹脂、ケイ素樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、アルキド樹脂、フラン樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、アニリン樹脂等、その他工業的に供されている樹脂及びこれら樹脂の２種以上を混合して得られる樹脂が挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、アリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂等は透明性を有するため、光学材料として使用する場合に好適である。
【００２６】
エポキシ樹脂とは、少なくとも１個のエポキシ基を有する有機化合物をいう。エポキシ樹脂中のエポキシ基の数としては、１分子当たり１個以上であることが好ましく、１分子当たり２個以上であることがより好ましい。ここで、１分子当たりのエポキシ基の数は、エポキシ樹脂中のエポキシ基の総数をエポキシ樹脂中の分子の総数で除算することにより求められる。上記エポキシ樹脂としては特に限定されず、従来公知のエポキシ樹脂を用い
ることができ、例えば、以下に示したエポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２７】
これらエポキシ樹脂は熱硬化性樹脂のエポキシ化合物であり、硬化剤を用いることにより、エポキシ樹脂の硬化物である硬化エポキシ樹脂が得られる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂及びこれらの水添加物や臭素化物等が挙げられる。３，４−エポキシシクロへキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシ−２−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−２−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチルアジペート、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシシクロヘキサノン−メタ−ジオキサン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル等の脂環族エポキシ樹脂等が挙げられる。また、１，４−ブタンジオールのジグリシジルエーテル、１，６−へキサンジオールのジグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールのジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールのジグリシジルエーテル、炭素数が２〜９（好ましくは２〜４）のアルキレン基を含むポリオキシアルキレングリコールやポリテトラメチレンエーテルグリコール等を含む長鎖ポリオールのポリグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ樹脂等が挙げられる。フタル酸ジグリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、へキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ジグリシジル−ｐ−オキシ安息香酸、サリチル酸のグリシジルエーテル−グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル等のグリシジルエステル型エポキシ樹脂及びこれらの水添化物等が挙げられる。トリグリシジルイソシアヌレート、環状アルキレン尿素のＮ，Ｎ’−ジグリシジル誘導体、ｐ−アミノフェノールのＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル誘導体、ｍ−アミノフェノールのＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル誘導体等のグリシジルアミン型エポキシ樹脂及びこれらの水添化物等が挙げられる。グリシジル（メタ）アクリレートと、エチレン、酢酸ビニル、（メタ）アクリル酸エステル等のラジカル重合性モノマーとの共重合体等が挙げられる。なお、本発明において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味する。
【００２８】
エポキシ化ポリブタジエン等の共役ジエン化合物を主体とする重合体又はその部分水添物の重合体における不飽和炭素の二重結合をエポキシ化したもの等が挙げられる。エポキシ化ＳＢＳ等のような、ビニル芳香族化合物を主体とする重合体ブロックと、共役ジエン化合物を主体とする重合体ブロック又はその部分水添物の重合体ブロックとを同一分子内にもつブロック共重合体における、共役ジエン化合物の不飽和炭素の二重結合をエポキシ化したもの等が挙げられる。１分子当たり１個以上、好ましくは２個以上のエポキシ基を有するポリエステル樹脂等が挙げられる。
【００２９】
上記エポキシ樹脂の構造中にウレタン結合やポリカプロラクトン結合を導入した、ウレタン変成エポキシ樹脂やポリカプロラクトン変成エポキシ樹脂等が挙げられる。上記変成エポキシ樹脂としては、例えば、上記エポキシ樹脂にＮＢＲ、ＣＴＢＮ、ポリブタジエン、アクリルゴム等のゴム成分を含有させたゴム変成エポキシ樹脂等が挙げられる。なお、エポキシ樹脂以外に、少なくとも１つのオキシラン環を有する樹脂又はオリゴマーが添加されてもよい。
フルオレン含有エポキシ樹脂、フルオレン含有アクリレート樹脂、フルオレン含有エポキシアクリレート樹脂等、フルオレン基を含有する熱硬化性樹脂および組成物、またはそ
の硬化物も挙げられる。これらフルオレン含有エポキシ樹脂は、フルオレン基を分子内に含有することにより、屈折率が高く、また高耐熱であるため好適に用いられる。
【００３０】
エポキシ樹脂の硬化反応に用いる硬化剤としては特に限定されず、従来公知のエポキシ樹脂用の硬化剤を用いることができ、例えば、アミン化合物、アミン化合物から合成されるポリアミノアミド化合物等の化合物、３級アミン化合物、イミダゾール化合物、ヒドラジド化合物、メラミン化合物、酸無水物、フェノール化合物、熱潜在性カチオン重合触媒、光潜在性カチオン重合開始剤、ジシアンアミド及びその誘導体等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
本発明において用いられる光硬化性樹脂としては、例えば、潜在性光カチオン重合開始剤を含むエポキシ樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なお、上記光硬化性樹脂を硬化させる場合には、光照射と同時に熱を加えてもよい。
【００３１】
本発明において熱硬化性樹脂および光硬化性樹脂と併用して用いる硬化剤、硬化触媒は、熱硬化性樹脂および光硬化性樹脂の硬化に用いられるものであれば特に限定されない。硬化剤の具体例としては多官能アミン、ポリアミド、酸無水物、フェノール樹脂等が挙げられ、硬化触媒の具体例としてはイミダゾール等が挙げられ、これらは単独又は２種以上の混合物として使用することができる。
上記に挙げた熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂および樹脂硬化物を２種以上混合して得られる樹脂も使用しうる。
【００３２】
さらに熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂および樹脂硬化物を２種以上の透明樹脂基板を重ね、透明性を損なうことが無ければ積層したものでも構わない。更に透明樹脂以外の成分として、光学性能に影響を与えない範囲で酸化防止剤、紫外線吸収剤等の各種安定剤、各種充填剤、その他の混合可能成分を任意の割合で含有していても問題ない。特に、プラズマに対して分子鎖切断、臭気、着色の発生が起こり易い場合、上記に挙げた透明樹脂フィルムとして、特にタッチパネル用途にはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の芳香族ポリエステル系樹脂が好ましい。
【００３３】
本発明における透明樹脂フィルムの厚さは、０．０１〜０．３ｍｍの範囲が好ましい。０．０１〜０．３ｍｍの範囲のフィルムは、パネル加工時に変形しにくく取り扱いやすい。また、基板の荷重による変形も生じにくくなるので、液晶表示素子を組み立てた際に、二重像が顕著になり表示品位が損なわれにくくなる。さらに好ましい厚さは０．０５〜０．２ｍｍの範囲である。
本発明における透明樹脂フィルムは透明性が必須であり、その透明性の指標として全光線透過率が８０％以上、ヘイズ値が５％以下であることが好ましい。さらに好ましくは全光線透過率が８５％以上、ヘイズ値が２％以下である。
【００３４】
本発明における透明樹脂フィルムはその表面に酸化亜鉛系透明導電膜をイオンプレーティング法で形成する際に、その操作温度に耐え得る耐熱性を有していることが必要である。その耐熱性の指標として、温度８０℃、大気中で約３０分間静置した際、そり・変形がないことが好ましく、さらに好ましくは温度９０℃で約１時間静置した際そり・変形がないことである。
本発明における透明樹脂フィルムまたはシートは、吸水率が低いものが好ましい。吸水率が高いと、高温高湿耐久試験で基板が水を含み、透明導電層の下地の表面抵抗が下がるため、パネルの表示欠陥が発生しやすくなる。このような問題は、ガスバリア層の積層によりかなり抑制することができるが、高度な高温高湿信頼性を得るためには、透明樹脂基板の吸水率は２．０％以下、より好ましくは１．０％以下である。
【００３５】
本発明の酸化亜鉛系透明導電性基板は透明樹脂フィルムの少なくとも一方の面に形成される酸化亜鉛系透明導電膜との密着性の向上、透明樹脂フィルムの耐久性の向上或いは、透明樹脂フィルムのガスバリア能を向上させるために、透明樹脂フィルムと透明導電膜である酸化亜鉛系透明導電膜との間、及び／または該透明導電膜が形成された面とは反対の透明樹脂フィルムの面に、少なくとも一層以上からなるコーティング層を有していても構わない。このコーティング層は、無機物または有機物またはそれらの複合材料からなる。
【００３６】
有機物のコーティング層としては、例えばポリビニルアルコール、ビニルアルコール−エチレン共重合体等のビニルアルコール系高分子、ポリアクリロニトリル、アクリロニトリル−アクリル酸メチル共重合体やアクリロニトリル−スチレン共重合体等のアクリロニトリル系高分子、あるいはポリ塩化ビニリデン等のポリマーが挙げられる。この有機物のコーティング層は通常、これらポリマーを有機溶媒に溶かしたコーティング組成物を、透明樹脂フィルムまたはシート上に湿式塗工することにより形成することができる。塗工方法としては、例えばリバースロールコート法、マイクログラビアコート法、ダイレクトグラビアコート法、キスコート法、ダイコート法等の公知の方法を用いることができる。また、適当な有機溶媒でコーティング組成物の希釈を行うことにより、塗液粘度の調整やコーティング層の膜厚を調整することができる。該有機物のコーティング層をガスバリア層として用いる場合は、本発明の酸化亜鉛系透明導電性基板から透明導電層である酸化亜鉛系透明導電膜を除去した後の透明導電性基板全体の高温高湿環境下の水蒸気透過度ができるだけ小さくなるように、使用する材料に応じて膜厚を調整すればよいが、通常１〜５０μｍが好ましい。
【００３７】
無機物のコーティング層としては、例えば珪素、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ジルコニウム、チタン、イットリウム、及びタンタルからなる群から選ばれる１種または２種以上の金属を主成分とする金属酸化物、珪素、アルミニウム、ホウ素の金属窒化物またはこれらの混合物等を挙げることができる。この中でも、ガスバリア性、透明性、表面平滑性、屈曲性、膜応力、コスト等の点から珪素原子数に対する酸素原子数の割合が１．５〜２．０の珪素酸化物を主成分とする金属酸化物が良好である。珪素酸化物の珪素原子数に対する酸素原子数の割合は、Ｘ線光電子分光法、Ｘ線マイクロ分光法、オージェ電子分光法、ラザホード後方散乱法等により分析、決定される。この割合が１．５よりも小さくなると、透明性が低下することから、１．５〜２．０が好ましい。更に上記珪素酸化物中に、酸化マグネシウム及び／又はフッ化マグネシウムを全体の重量に対して５〜３０重量％含有すると、透明性をより高くすることができる。これら無機物のコーティング層は例えばスパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の気相中より材料を堆積させて膜形成する気相堆積法により作製することができる。なかでも、特に優れたガスバリア性が得られるという観点から、スパッタリング法が好ましい。
【００３８】
無機物のコーティング層をガスバリア層として用いる場合の膜厚は、２ｎｍ〜１μｍの範囲が好ましい。金属酸化物層の厚みが２ｎｍ未満では均一に膜を形成することは困難であり、膜が形成されない部分が発生するため気体透過度が大きくなる。一方、１μｍよりも厚くなると透明性を欠くだけでなく、透明導電性基板を屈曲させた際に、ガスバリア層にクラックが発生して気体透過度が上昇する。
透明導電性膜に用いる材料としては、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、ケイ素、スズ、インジウム、ゲルマニウム、アンチモン、イリジウム、レニウム、セリウム、ジルコニウム、スカンジウム、及びイットリウムのうち少なくとも１種類以上を含む酸化亜鉛系透明導電膜を利用することができる。
【００３９】
酸化亜鉛系透明導電膜に添加されるアルミニウム、ガリウム、ホウ素、ケイ素、スズ、インジウム、ゲルマニウム、アンチモン、イリジウム、レニウム、セリウム、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウムの含有量は、これらのうち１種類を添加する場合は、酸
化亜鉛に対するこれらの材料の原子比がいずれも０．０５〜１５％の範囲が好ましい。このような比率で添加すると、膜の導電性及び透明性を良好に維持できる。また、これらの材料の複数種類を添加する場合は、添加する材料の全体の添加量を酸化亜鉛に対して１５％以下の範囲が好ましい。これらの材料の中でも三酸化二ガリウムを添加した酸化亜鉛であると膜の導電性及び透明性がより好適である。
【００４０】
上記酸化亜鉛系透明導電性基板は、全光線透過率が７０％以上、ヘイズ値が１０％以下であることが好ましく、この範囲では、透明感が良好である。さらに好ましくは全光線透過率が８０％以上、ヘイズ値が５％以下である。
酸化亜鉛系透明導電性基板において酸化亜鉛系透明導電膜の膜厚は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。この膜厚の範囲では、用途によって異なるが、可撓性が保たれた連続的な膜を得る事が出来る。さらに、本発明の透明導電膜の膜厚は用途に応じて２０〜５００ｎｍとすることが望ましい。
酸化亜鉛系透明導電性基板のシート抵抗値は、用途によって異なるが、５〜１００００Ω／□の範囲のものが導電性材料として好ましい。さらに好ましくは１０〜３００Ω／□の範囲のものが好ましい。
【００４１】
酸化亜鉛系透明導電膜を形成してなる酸化亜鉛系透明導電性基板の製造方法において、最も好適な方法は、イオンプレーティング法によるものである。
イオンプレーティング法とは、成膜室に配設した電極部としてのハース等に、成膜材料として、ドーパントを含有する酸化亜鉛を配置し、この酸化亜鉛に例えばアルゴンプラズマを照射して酸化亜鉛を加熱し、蒸発させ、プラズマを通過した酸化亜鉛の各粒子をハース等に対向する位置に置かれた透明樹脂フィルムまたはシートに成膜する方法である。
イオンプレーティング法は、例えばスパッタ法に比べて、粒子の持つ運動エネルギが小さいため、粒子が衝突するときに基板や基板に積層して成膜される酸化亜鉛系透明導電膜に与えるダメージが小さく、結晶性の良好な膜が得られることが知られている。
【００４２】
本発明に係る酸化亜鉛系透明導電膜の成膜方法（以下、単に成膜方法という。）を実施するのに好適なイオンプレーティング装置について図１を参照して説明する。
イオンプレーティング装置１０は、成膜室である真空容器１２と、真空容器１２中にプラズマビームＰＢを供給するプラズマ源であるプラズマガン（プラズマビーム発生器）１４と、真空容器１２内の底部に配置されてプラズマビームＰＢが入射する陽極部材１６と、成膜の対象である基板Ｗを保持する矩形枠体の基板保持部材ＷＨを陽極部材１６の上方で適宜移動させる搬送機構１８とを備える。
【００４３】
プラズマガン１４は、圧力勾配型であり、その本体部分は真空容器  １２の側壁に備えられる。プラズマガン１４の陰極１４ａ、中間電極１４ｂ、１４ｃ、電磁石コイル１４ｄ
およびステアリングコイル１４ｅへの給電を調整することにより、真空容器１２  中に供給されるプラズマビームＰＢの強度や分布状態が制御される。なお、参照符号２０ａは、プラズマビームＰＢのもととなる、Ａｒ等の不活性ガスからなるキャリアガスの導入路を示す。
陽極部材１６は、プラズマビームＰＢを下方に導く主陽極であるハース１６ａと、その周囲に配置された環状の補助陽極１６ｂとからなる。ハース１６ａは、適当な正電位に制御されており、プラズマガン１４から出射したプラズマビームＰＢを下方に吸引する。
【００４４】
ハース１６ａは、プラズマビームＰＢが入射する中央部に貫通孔ＴＨが形成されており、貫通孔ＴＨに蒸着材料２２が装填されている。蒸着材料２２は、柱状若しくは棒状に成形されたタブレットであり、プラズマビームＰＢからの電流によって加熱されて昇華し、蒸着物質を生成する。ハース１６ａは蒸着材料２２を徐々に上昇させる構造を有しており、蒸着材料２２の上端は常に一定量だけハース１６ａの貫通孔ＴＨから突出している。
補助陽極１６ｂは、ハース１６ａの周囲に同心に配置された環状の容器で構成され、容器内には、永久磁石２４ａとコイル２４ｂとが収容されている。これら永久磁石２４ａおよびコイル２４ｂは、磁場制御部材であり、ハース１６ａの直上にカスプ状磁場を形成し、これにより、ハース１６ａに入射するプラズマビームＰＢの向きが制御され、修正される。
【００４５】
搬送機構１８は、搬送路１８ａ内に水平方向に等間隔で配列されて基板保持部材ＷＨを支持する多数のコロ１８ｂと、コロ１８ｂを回転させて基板保持部材ＷＨを所定の速度で水平方向に移動させる図示しない駆動装置とを備える。基板保持部材ＷＨに基板Ｗが保持される。この場合、基板Ｗを搬送する搬送機構１８を設けることなく、真空容器１２の内部の上方に基板Ｗを固定して配置してもよい。
真空容器１２には、酸素ガス容器１９中の酸素ガスがマスフローメータ２１によって流量を所定量に調整されながら供給される。なお、参照符号２０ｂは酸素以外の雰囲気ガスを供給するための供給路を示し、また、参照符号２０ｃはＡｒ等の不活性ガスをハース１６ａに供給するための供給路を示し、また、参照符号２０ｄは排気系を示す。
【００４６】
上記のように構成したイオンプレーティング装置１０を用いたイオンプレーティング方法を説明する。まず、真空容器１２の下部に配置されたハース１６ａの貫通孔ＴＨに蒸着材料２２を装着する。一方、ハース１６ａの上方の対向する位置に基板Ｗを配置する。次に、成膜条件に応じたプロセスガスを真空容器１２の内部に導入する。プラズマガン１４の陰極１４ａおよびハース１６ａ間に直流電圧を印加する。そして、プラズマガン１４の陰極１４ａとハース１６ａとの間で放電を生じさせ、これにより、プラズマビームＰＢを生成する。プラズマビームＰＢは、ステアリングコイル１４と補助陽極１６ｂ内の永久磁石２４ａ等とによって決定される磁界に案内されてハース１６ａに到達する。この際、蒸着材料２２の周囲にアルゴンガスが供給されるので、容易にプラズマビームＰＢがハース１６ａに引き寄せられる。
【００４７】
プラズマに曝された蒸着材料２２は、徐々に加熱される。蒸着材料２２が十分に加熱されると、蒸着材料２２が昇華し、蒸着物質が蒸発（出射）する。蒸着物質は、プラズマビームＰＢによりイオン化され、基板Ｗに付着（入射）し、成膜される。なお、永久磁石２４ａおよびコイル２４ｂによってハース１６ａの上方の磁場を制御することにより、蒸着物質の飛行方向を制御することができるため、ハース１６ａの上方におけるプラズマの活性度分布や基板Ｗの反応性分布に合わせて基板Ｗの上の成膜速度分布を調整でき、広い面積にわたって均一な膜質の薄膜を得ることができる。
【００４８】
上記のイオンプレーティング装置１０を用いた本実施の形態例に係る酸化亜鉛系透明導電膜の製造法は、蒸発材料２２として三酸化二ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）をガリウム源として添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用い、真空容器１２の酸素分圧を０．０１２Ｐａ以下に調整しながらイオンプレーティングするものである。
この酸化亜鉛系透明導電膜の製造法によれば、透明性と比抵抗とのバランスが良好で、また、膜の均一性に優れる大面積の酸化亜鉛系透明導電膜を速い成膜速度で得ることができる。
【００４９】
本発明における透明樹脂フィルム基材を両端部から固定化できる引張治具は、図２で説明するように、フィルム２５の形状に合わせた型枠２６内にガイドレール２７、２７に沿って摺動してフィルム２５を引張り可能に設けられたチャック（一対の固定治具２８、２８）でフィルム２５の両端部を挟み込んで固定し、均等に引張り応力がかかるようにする。引張りの強さは、フィルムの形状によるが、幅５ｃｍで厚み２００μｍの短冊状のフィルムでは引張り荷重０．１〜０．５ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましい。透明樹脂フィルム上に成膜する際、プラズマビームや熱等の影響を局部的に大きく受けるため、その影響をフィル
ム全体で吸収して透明樹脂フィルムの変形を抑制することができる。
【００５０】
本発明における透明樹脂フィルム基材成膜面の反対部である裏面に接触固定できる冷却板は、図３で示されるように、フィルム２５の両端もしくはフィルムの端部全てをチャック（型枠２９）で冷却板３０に固定し、その際、フィルムの裏面全体が冷却板に接触するように固定する。冷却板の表面は、平滑であるが平坦よりも凸側に若干曲率を付けたものの方がフィルムと冷却板の接触が良い。透明樹脂フィルム上に成膜する際、フィルム表面で受けた熱がフィルムと接触している冷却板に直ちに熱が伝導し、フィルム基材全体の熱の影響による温度上昇を低減することができ、透明樹脂フィルムの変形を抑制することができる。
尚、図２の上記引張治具、及び図３の上記冷却板は、使用の際は図１の上記イオンプレーティング装置１０の矩形枠体の基板保持部材ＷＨ上に載置して用いられる。
本発明における引張治具ならびに冷却板を併用しても構わない。
【００５１】
さらにここで透明樹脂フィルムの搬送速度が、１．０ｍ／ｍｉｎ以上で高速移動することでプラズマビームから受ける影響（プラズマ、熱）を最短かつ最小に抑えることができる。また、プラズマビームの能力によるが、プラズマ放電を起こす範囲内で放電電流値を下げることにおいても熱の影響を抑えることができる。
酸化亜鉛系透明導電膜を形成する際、あらかじめ基板Ｗの表面温度を−２０〜５０℃の低温にすることで影響を抑えることができる。具体的には、−２０℃から５０℃の温度範囲が好ましい。
【００５２】
特にプラズマビームから受ける影響（プラズマ、熱）を短時間とするための透明樹脂フィルムまたはシートの搬送速度の高速化が最も効果的であり、この場合は放電電流値が高く、成膜する透明樹脂フィルムまたはシートと該蒸発材料との距離が短い場合でも成膜が可能となり、工業的プロセスとしては有利である。
さらに透明樹脂フィルムに成膜する場合、工業的に行われているロールツーロールの成膜で透明樹脂フィルムに受けたダメージを分散均一化するために巻き出し速度と巻取り速度をコントロールしながら引張応力をかけた状態で成膜することが好ましく、さらにあらかじめ透明樹脂フィルムまたはシートを加熱した状態で成膜する場合もある。あるいは、成膜最中に透明樹脂フィルムまたはシートをロール上に接している際に冷却する場合もある。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
評価法
（１）全光線透過率、ヘイズ
ＪＩＳ  Ｋ  ６７１１に準拠して評価した。
（２）外観評価
イオンプレーティング法による成膜直後、酸化亜鉛系透明導電性基板について目視でそり・変形を評価した。
ＪＩＳ  Ｋ  ７２０９に準拠して評価した。
（３）酸化亜鉛系透明導電膜の膜厚測定
走査型電子顕微鏡  ＳＥＭ（日立製作所  Ｓ４７００）を用いて測定を行った。
（４）シート抵抗値
４探針法（接触型）：ＪＩＳ  Ｒ  １６３７に準拠して評価した。
【００５４】
［実施例１］
透明樹脂フィルムとして、帝人デュポンフィルム（株）社製テイジンテトロンフィルム
Ｏ３ＰＦ８（厚み１８８μｍ）のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用
い、成膜前にあらかじめ真空乾燥機で１２０℃、約１時間乾燥し、水分等の微量不純物を除去した。図１に示すイオンプレーティング装置を用いて成膜を行なった。成膜条件は下記に示す。ＰＥＴフィルムに変形・そりは見られなかった。成膜結果は表１に示す。
【００５５】
（成膜条件）
タブレット：三酸化二ガリウムを３質量％添加した酸化亜鉛焼結体
透明樹脂フィルムサイズ：５ｃｍ×２０ｃｍ短冊
引張治具使用、引張り荷重：０．２ｋｇｆ／ｃｍ２
透明樹脂フィルムの成膜温度：約２０℃（室温）
放電電圧：６９Ｖ
放電電流：１４３Ａ
透明樹脂フィルムの搬送速度：４０ｍｍ／ｓｅｃ
成膜中圧力：３．７×１０−１Ｐａ
雰囲気ガス条件：導入Ａｒ流量／導入酸素流量＝１０／１
【００５６】
［実施例２］
透明樹脂フィルムとして、帝人デュポンフィルム（株）社製テオネックス  Ｑ６５ＦＡ（厚み２００μｍ）のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムを用い、成膜前にあらかじめ真空乾燥機で１２０℃、約１時間乾燥し、水分等の微量不純物を除去した。図１に示すイオンプレーティング装置を用いて成膜を行なった。成膜条件は下記に示す。ＰＥＮフィルムに変形・そりは見られなかった。成膜結果は表１に示す。
【００５７】
（成膜条件）
タブレット：三酸化二ガリウムを３質量％添加した酸化亜鉛焼結体
透明樹脂フィルムサイズ：５ｃｍ×２０ｃｍ短冊
引張治具使用、引張り荷重：０．３ｋｇｆ／ｃｍ２
透明樹脂フィルムの成膜温度：約２０℃（室温）
放電電圧：７０Ｖ
放電電流：１４３Ａ
透明樹脂フィルムの移動速度：４０ｍｍ／ｓｅｃ
成膜中圧力：３．９×１０−１Ｐａ
雰囲気ガス条件：導入Ａｒ流量／導入酸素流量＝１０／１
【００５８】
［実施例３］
透明樹脂フィルムとして、帝人デュポンフィルム（株）社製テイジンテトロンフィルム
Ｏ３ＰＦ８（厚み１８８μｍ）のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、成膜前にあらかじめ真空乾燥機で１２０℃、約１時間乾燥し、水分等の微量不純物を除去した。図１に示すイオンプレーティング装置を用いて成膜を行なった。成膜条件は下記に示す。ＰＥＴフィルムに変形・そりは見られなかった。成膜結果は表１に示す。
【００５９】
（成膜条件）
タブレット：三酸化二ガリウムを３質量％添加した酸化亜鉛焼結体
透明樹脂フィルムサイズ：５ｃｍ×１８ｃｍ短冊
冷却板（７０ｍｍ×２００ｍｍ×８ｍｍ厚）を使用
透明樹脂フィルムの成膜温度：約２０℃（室温）
放電電圧：６９Ｖ
放電電流：１４３Ａ
透明樹脂フィルムの搬送速度：４０ｍｍ／ｓｅｃ
成膜中圧力：３．７×１０−１Ｐａ
雰囲気ガス条件：導入Ａｒ流量／導入酸素流量＝１０／１
【００６０】
［比較例１］
引張治具を使用しなかった以外は、全て実施例１と同様の条件で行った。ＰＥＴフィルムに変形・そりが見られた。
［比較例２］
冷却板を使用しなかった以外は、全て実施例３と同様の条件で行った。ＰＥＴフィルムに変形・そりが見られた。
【００６１】
【表１】
2007115656.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の酸化亜鉛系透明導電膜を形成した酸化亜鉛系透明導電性基板は、各種機能（導電性、電磁波シールド製、近赤外線吸収性、紫外線カット性等）を有する酸化亜鉛系透明導電性基板であり、液晶ディスプレイ・プラズマディスプレイ・無機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイ・有機ＥＬディスプレイ・電子ペーパー等の透明電極、太陽電池の光電変換素子の窓電極、透明タッチパネル等の入力装置の電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜、透明電波吸収体、紫外線吸収体、さらには透明半導体デバイスとして他の金属膜／金属酸化膜と組み合わせて活用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施例で用いたイオンプレーティング装置の概略説明図である。
【図２】引張り治具の平面図である。
【図３】冷却治具の平面図と断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０  イオンプレーティング装置
１２  真空容器
ＰＢ  プラズマビーム
１４  プラズマガン（プラズマビーム発生器）
１４ａ  プラズマガンの陰極
１４ｂ、１４ｃ  中間電極
１４ｄ  電磁石コイル
１４ｅ  ステアリングコイル
１６  陽極部材
１６ａ  主陽極であるハース
１６ｂ  環状の補助陽極
Ｗ    基板
ＷＨ  基板保持部材
１８  搬送機構
１８ａ  搬送路
１８ｂ  コロ
１９  酸素ガス容器
２０ａ  Ａｒ等の不活性ガスからなるキャリアガスの導入路
２０ｂ  酸素以外の雰囲気ガスを供給するための供給路
２０ｃ  Ａｒ等の不活性ガスをハースに供給するための供給路
２０ｄ  排気系
ＴＨ  貫通口
２１  マスフローメータ
２２  蒸着材料
２４ａ  永久磁石
２４ｂ  コイル
２５  フィルム
２６  型枠
２７  ガイドレール
２８  固定治具
２９  型枠
３０  支持台（冷却板）
【図１】
2007115656.tif 000004
【図２】
2007115656.tif 000005
【図３】
2007115656.tif 000006