(57)【要約】【課題】  ターゲットとバッキングプレートとをボンディング材を介して接合して構成されるターゲット組立体を用いスパッタリングする場合に、ターゲットとバッキングプレートとの接合面がプラズマに曝されることがなく、ひいては、スパッタリングの際の異常放電の誘発が防止できるようにする。【解決手段】  所定形状を有するスパッタリング用のターゲット３１ａ〜３１ｆとのバッキングプレート３２ａ〜３２ｆのの接合面の面積を、ターゲットの最大横断面積より小さく設定する。【選択図】  図３
2007051308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定形状を有するスパッタリング用のターゲットと、このターゲットのスパッタ面の背面側にボンディング材を介して接合されたバッキングプレートとを備え、前記バッキングプレートの前記ターゲットとの接合面の面積を、ターゲットの最大横断面積より小さく設定したことを特徴とするターゲット組立体。
【請求項２】
真空チャンバ内で所定の間隔を置いて複数枚のターゲットを並設する場合、相互に隣接するターゲット相互の間の距離と比較して、これらのターゲットに接合されたバッキングプレート相互間の距離を大きく設定することで、前記接合面の面積をターゲットの最大横断面積より小さくしたことを特徴とする請求項１記載のターゲット組立体。
【請求項３】
前記ターゲットの外形を多角形とした場合、相互に向かい合うターゲットの一辺全体に亘って前記バッキングプレート相互間の距離を大きく設定したことを特徴とする請求項２記載のターゲット組立体。
【請求項４】
前記ターゲットの端面からバッキングプレートの端面までの間隔を５ｍｍ以上としたことを特徴とする請求項２または請求項３記載のターゲット組立体。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のターゲット組立体を所定の間隔を置いて並設し、各ターゲットの前方に磁束をそれぞれ形成するように各ターゲットの後方にそれぞれ設けられ、複数個の磁石から構成される磁石組立体と、各ターゲットに負電位及び接地電位または正電位のいずれか一方を交互に印加する交流電源とを設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項６】
前記磁束がターゲットに対して平行移動自在であるように各磁石組立体を一体に駆動する駆動手段を設けたことを特徴とする請求項５記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ターゲットとバッキングプレートとを接合してなるターゲット組立体及びこのターゲット組立体を備えたスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタリング法では、プラズマ中のイオンを、処理基板表面に成膜しようする膜の組成に応じて所定形状に作製されたターゲットに向けて加速させて衝撃させ、ターゲット原子を飛散させて処理基板表面に薄膜を形成する。この場合、ターゲットは、イオン衝撃を受けて高温となることから、ターゲットが融解したり、割れたりする虞がある。
【０００３】
このことから、ターゲットを、インジウムやスズなどの熱伝導率が高い材料からなるボンディング材を介して、例えば銅製のバッキングプレートにボンディングしてターゲット組立体とし、この状態でスパッタリングカソードに取付け、スパッタリング中、バッキングプレートを冷却水（冷媒）により冷却することで、ターゲットが間接的に除熱される構造としている。
【０００４】
この場合、従来のターゲット組立体では、ターゲットの冷却効率を高めると共に、ボルトなどの固定手段によるスパッタリングカソードへの組付けを考慮して、バッキングプレートの外形をターゲットの外形より大きく設定し、ターゲットの外周より外側に突出した部分でスパッタリングカソードに固定していた（特許文献１）。
【特許文献１】特開平７−２６３７５号公報（例えば、図１参照）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年では、ＦＰＤ製造用のガラス基板のように、面積の大きい基板に対し、スパッタリング法により薄膜を形成することが多くなっている。この場合、大面積の基板に対して、膜厚分布や反応性スパッタリングを行う場合の膜質分布の均一性を高く保持したまま成膜できるように、スパッタリング装置を次のように構成することが提案されている。
【０００６】
即ち、基板に対向して、直方体など同形状に形成した複数枚のターゲットを並設すると共に、相互に隣接する２個のターゲットに１個の交流電源を割当てて接続し、この交流電源を介して、いずれか一方のターゲットに負の電位を印加すると共に、他方のターゲットを接地電位または正の電位を印加するようにし、この接地電位または正の電位が印加されたターゲットがアノードの役割を果すことで、負の電位が印加されたターゲットをスパッタリングし、交流電源の周波数に応じて、ターゲットの電位を交互に切り替えて各ターゲットを順次スパッタリングする（特願２００４−６９４１３号の明細書参照）。この場合、ターゲットを相互に近接して設置するため、バッキングプレートの並設方向に沿った横幅を、ターゲットの並設方向の幅に一致させている。
【０００７】
上記のようにスパッタリング装置を構成すれば、ターゲット相互の間にはアノードやシールドなどの構成部品を何ら設ける必要がないため、スパッタ粒子が放出されない空間を可能な限り小さくでき（ターゲット相互の間の間隔を小さくでき、膜厚分布、膜質分布の均一性を高く保持したまま大面積の基板に対して成膜できるという利点がある。
【０００８】
ところが、上記スパッタリング装置において、各ターゲットの利用効率を高めるため、ターゲットの後方に磁石組立体を設け、磁石組立体をターゲットの並設方向に沿って往復動させると、ターゲット前方に発生させたプラズマが各ターゲット組立体相互の間に回り込み、ターゲットとバッキングプレートとの接合面がプラズマに曝されてボンディング材が融解し、しみだす虞があった。ボンディング材がしみだすと、スパッタリング中に異常放電を誘発し、良好な成膜ができない。
【０００９】
そこで、本発明は、上記点に鑑み、各ターゲット組立体を並設した状態でスパッタリングする場合でも、ターゲットとバッキングプレートとの接合面がプラズマに曝されることがなく、ひいては、スパッタリング中の異常放電の誘発を防止できるターゲット組立体及びこのターゲット組立体を備えたスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、請求項１記載のターゲット組立体は、所定形状を有するスパッタリング用のターゲットと、このターゲットのスパッタ面の背面側にボンディング材を介して接合されたバッキングプレートとを備え、前記バッキングプレートの前記ターゲットとの接合面の面積を、ターゲットの最大横断面積より小さく設定したことを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、ターゲットとバッキングプレートとを組付けたターゲット組立体の状態でスパッタリングカソードに取付けられ、スパッタリング中、バッキングプレートを冷媒により冷却することで、ターゲットを間接的に除熱し、ターゲットが融解したり、割れたりすることが防止される。この場合、バッキングプレートのターゲットとの接合面の面積をターゲットの最大横断面積より小さく設定したため、ターゲットとバッキングプレートとの接合面の一部が、ターゲットの一端より内側に位置し、外側に延出したターゲットの側壁によって、その箇所での接合面へのプラズマの回り込みが防止される。
【００１２】
真空チャンバ内で所定の間隔を置いて複数枚のターゲットを並設する場合、相互に隣接するターゲット相互の間の距離と比較して、これらのターゲットに接合されたバッキングプレート相互間の距離を大きく設定することで、前記接合面の面積をターゲットの最大横断面積より小さくしておけばよい。
【００１３】
また、前記ターゲットの外形を多角形とした場合、相互に向かい合うターゲットの一辺全体に亘って前記バッキングプレート相互間の距離を大きく設定しておけば、各ターゲットの利用効率を高めるために、ターゲットの後方に磁石組立体を設け、ターゲットの並設方向に沿って往復動させる場合でも、ターゲット前方に発生させたプラズマが、並設したターゲット相互の間から、ターゲットとバッキングプレートとの接合面まで回り込むことはなく、スパッタリング中の異常放電の誘発が防止されて、良好な成膜が可能になる。
【００１４】
尚、前記ターゲットの端面からバッキングプレートの端面までの間隔を５ｍｍ以上としておくことがよい。５ｍｍより小さいと、隣接してターゲットを設置した場合に、プラズマに曝される虞がある。他方、上限については、スパッタリング中、ターゲットを冷却できる範囲であればよい。
【００１５】
また、請求項５記載のスパッタリング装置は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のターゲット組立体を所定の間隔を置いて並設し、各ターゲットの前方に磁束をそれぞれ形成するように各ターゲットの後方にそれぞれ設けられ、複数個の磁石から構成される磁石組立体と、各ターゲットに負電位及び接地電位または正電位のいずれか一方を交互に印加する交流電源とを設けたことを特徴とする。
【００１６】
これにより、面積の大きい基板に対し、スパッタリング法により成膜する場合でも、膜厚分布や反応性スパッタリングを行う場合の膜質分布の均一性を高く保持したまま成膜でき、その上、スパッタリング中の異常放電の誘発が防止され、結果として、良好な成膜が可能になる。
【００１７】
この場合、前記磁束がターゲットに対して平行移動自在であるように各磁石組立体を一体に駆動する駆動手段を設けておけば、各ターゲットの利用効率を高めることができてよい。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明のターゲット組立体及びこのターゲット組立体を備えたスパッタリング装置では、スパッタリング中に、ターゲットとバッキングプレートとの接合面がプラズマに曝されることがなく、ひいては、スパッタリング中の異常放電の誘発を防止でき、良好な成膜が行い得るという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１乃至図３を参照して説明すれば、１は、本発明のカソード組立体を並設したカソードを有するマグネトロン方式のスパッタリング装置（以下、「スパッタ装置」という）である。スパッタ装置１は、インライン式のものであり、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプなどの真空排気手段（図示せず）を介して所定の真空度に保持できる真空チャンバ１１を有する。真空チャンバ１１の上部空間には、図示しない基板搬送手段が設けられている。この基板搬送手段は、公知の構造を有し、例えば、処理基板Ｓが装着されるキャリアを有し、駆動手段を間欠駆動させて、後述する並設したターゲットと対向した位置に処理基板Ｓを順次搬送できる。
【００２０】
真空チャンバ１１にはガス導入手段２が設けられている。ガス導入手段２は、マスフローコントローラ２１を介設したガス管２２を介してガス源２３に連通しており、アルゴンなどのスパッタガスや反応性スパッタリングの際に用いる酸素などの反応ガスがスパッタ室１１内に一定の流量で導入できるようになっている。真空チャンバ１１の下側にはカソード組立体３が配置されている。
【００２１】
カソード組立体３は、略直方体で同一形状に形成した６枚のターゲット３１ａ〜３１ｆを有している。各ターゲット３１ａ〜３１ｆは、Ａｌ合金、ＭｏやＩＴＯなど処理基板Ｓ上に成膜しようする薄膜の組成に応じて公知の方法でそれぞれ作製され、バッキングプレート３２ａ〜３２ｆにボンディング材Ｂｏを介して接合してターゲット組立体とし、この状態でカソード組立体３にそれぞれ取付けられている。
【００２２】
バッキングプレート３２ａ〜３２ｆは、例えば銅製であり、内部に水路を設けた直方体に形成され、その一側には循環水の入力部と出力部（図示せず）とが設けられている。ボンディング材Ｂｏとしては、インジウムやスズなど、熱伝導率が高い公知の材料が用いられている。そして、スパッタリング中、バッキングプレート３２ａ〜３２ｆ内に冷却水を循環させてバッキングプレート３２ａ〜３２ｆを冷却することで、ターゲット３１ａ〜３１ｆを間接的に除熱して、スパッタリング時のイオン衝撃によるターゲット３１ａ〜３１ｆの融解や割れを防止している。
【００２３】
ターゲット３１ａ〜３１ｆは、その未使時のスパッタ面３１１が、処理基板Ｓに平行な同一平面上に位置するように並設され、各ターゲット３１ａ〜３１ｆの向かい合う側面３１２相互の間には、アノードやシールドなどの構成部品を何ら設けていない。各ターゲット３１ａ〜３１ｆの外形寸法は、各ターゲット３１ａ〜３１ｆを並設した際に処理基板Ｓの外形寸法より大きくなるように設定している。
【００２４】
ターゲット３１ａ〜３１ｆの後方には、６個の磁石組立体３３ａ〜３３ｆがそれぞれ設けられている。各磁石組立体３３ａ〜３３ｆは同一構造に形成され、ターゲット３１ａ〜３１ｆに平行に設けた磁性材料製で平板状の支持部３３１を有し、支持部３３１上には、ターゲット３１ａ〜３１ｆの長手方向に沿った棒状の中央磁石３３２と、支持部３３１の外周に沿って設けた周辺磁石３３３とが設けられている。この場合、中央磁石３３２の同磁化に換算したときの体積を、各周辺磁石３３３の同磁化に換算したときの体積の和（周辺磁石：中心磁石：周辺磁石＝１：２：１）に等しくなるように設計している。
【００２５】
これにより、各ターゲット３１ａ〜３１ｆの前方に、釣り合った閉ループのトンネル状の磁束がそれぞれ形成され、ターゲット３１ａ〜３１ｆの前方で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉することで、ターゲット３１ａ〜３１ｆの前方での電子密度を高くしてプラズマ密度を高くできる。
【００２６】
各ターゲット３１ａ〜３１ｆには、交流電圧を印加する３個の交流電源Ｅ１〜Ｅ３が接続されている。この場合、相互に隣接する２個のターゲット（例えば３１ａと３１ｂ）に対して１個の交流電源Ｅ１を割当て、一方のターゲット３１ａに対し負の電位を印加した際に、他のターゲット３１ｂに接地電位または正の電位が印加されるようにしている。
【００２７】
そして、処理基板Ｓを、並設した各ターゲット３１ａ〜３１ｆと対向した位置に搬送し、ガス導入手段２を介して所定のスパッタガスを導入した後、例えば、各交流電源Ｅ１〜Ｅ３を介して一方のターゲット３１ａ、３１ｃ、３１ｅに負の電位を印加し、他方のターゲット３１ｂ、３１ｄ、３１ｆに接地電位または正の電位を印加する。この場合、他方のターゲットがアノード３１ｂ、３１ｄ、３１ｆの役割を果たし、１個の交流電源Ｅ１〜Ｅ３にそれぞれ接続されたターゲット３１ａ〜３１ｆ相互間でプラズマがそれぞれ発生し、負の電位が印加されたターゲット３１ａ、３１ｃ、３１ｅがスパッタリングされ、交流電源Ｅ１〜Ｅ３の周波数に応じて、ターゲット３１ａ〜３１ｄの電位を切替えて、他方のターゲット３１ｂ、３１ｄ、３１ｆがスパッタリングされることで、各ターゲット３１ａ〜３１ｆが交互にスパッタリングされ、処理基板Ｓ表面全体に亘って成膜される。
【００２８】
これにより、スパッタ粒子が放出されないターゲット３１ａ〜３１ｆ相互間にアノードやシールドなどの構成部品を何ら設ける必要がないため、このスパッタ粒子が放出されない領域を可能な限り小さくできる。その結果、処理基板Ｓ面内における膜厚分布を略均一にできる。
【００２９】
上記のように各磁石組立体３３ａ〜３３ｆを構成した場合、中央磁石３３２の上方におけるプラズマ密度は低くなり、その周辺と比較して、スパッタリングの進行に伴うターゲット３１ａ〜３１ｆの侵食量が少なくなる。このため、支持部３３１のターゲット３１ａ〜３１ｆの並設方向に沿った幅を、各ターゲット３１ａ〜３１ｆの並設方向の幅より小さく設定した。そして、カソード組立体３にエアーシリンダ４を設け、その駆動軸４１に、各磁石組立体３３ａ〜３３ｆを取付け、各ターゲット３１ａ〜３１ｆの並設方向に沿った水平な２箇所の位置（Ｌ点、Ｒ点）で磁石組立体３３ａ〜３３ｆを一体に平行に往復動させてトンネル状の磁束Ｍの位置を変えるようにした。この場合、周辺磁石３３３がターゲット３１ａ〜３１ｆの並設方向の端部より外側まで移動する。
【００３０】
異常放電の発生を抑制するには、Ｌ点またはＲ点で磁石組立体３３ａ〜３３ｆを保持するようにし、例えば処理基板Ｓへの成膜が終了し、ターゲット３１ａ〜３１ｆへの交流電圧の印加を停止し、放電を一旦停止した後、次の処理基板Ｓをターゲット３１ａ〜３１ｆに対向した位置に搬送する際に、エアーシリンダ４を駆動して磁石組立体３３ａ〜３３ｆを、即ち、トンネル状の磁束を、Ｌ点とＲ点との間で移動させるのが好ましい。これにより、ターゲット３１ａ〜３１ｆの外周縁部を含むその全面に亘って略均等に侵食でき、利用効率が高まる。
【００３１】
ところで、上記のように磁石組立体３３ａ〜３３ｆを往復動させると、プラズマがターゲット３１ａ〜３１ｆの側面３１２相互の間の空間から、ターゲット３１ａ〜３１ｆとバッキングプレート３２ａ〜３２ｆとの接合面まで回り込む虞がある。このため、ターゲット３１ａ〜３１ｆとバッキングプレート３２ａ〜３２ｆとの接合面がプラズマに曝されて、ボンディング材が融解し、しみださないようにする必要がある。
【００３２】
図３に示すように、本実施の形態では、バッキングプレート３２ａ〜３２ｆのターゲット３１ａ〜３１ｆとの接合面の面積がターゲットの横断面積より小さくなるように、相互に隣接するターゲット３１ａ〜３１ｆ相互の間の距離Ｄ１（２ｍｍ〜１０ｍｍの範囲に設定される）と比較して、バッキングプレート相互間の距離Ｄ２、Ｄ３を大きく設定した。この場合、並設したターゲット３１ａ〜３１ｆのうち中央の４個のターゲット３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅに接合される断面長方形のバッキングプレート３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅの並設方向に沿った幅Ｂｗｃは、ターゲット３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅの並設方向に沿った幅Ｔｗより小さく定寸され、ターゲット３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ裏面の並設方向に沿った両端から等間隔で、バッキングプレート３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅの接合面の両端が位置するようにして、バッキングプレート３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ相互間の距離Ｄ２を略一定にしている。
【００３３】
両側に位置するターゲット３１ａ、３１ｆに接合されるバッキングプレート３２ａ、３２ｆの並設方向に沿った幅Ｂｗｅは、隣り合うバッキングプレート３２ｂ、３２ｅとの間の距離Ｄ３が距離Ｄ２に一致すると共に、バッキングプレート３２ａ、３２ｆの外側の端面は、ターゲット３１ａ、３１ｆの外側の端面と面一となるように定寸している。他方で、各バッキングプレート３２ａ〜３２ｆの並設方向と直角な方向（ターゲット３１ａ〜３１ｆの長手方向）は、ターゲット３１ａ〜３１ｆの端面より外側に延出するように形成され、この延出させた箇所でボルトなどの締結手段Ｔによってカソード組立体３に固定されるようにしている（図２参照）。
【００３４】
これにより、磁石組立体３３ａ〜３３ｆを上記のようにＬ点及びＲ点の間で往復動させても、ターゲット３１ａ〜３１ｆとバッキングプレート３２ａ〜３２ｆとの接合面がターゲット３１ａ〜３１ｆの並設方向に沿った端部より内側に位置し、外側に延出したターゲット３１ａ〜３１ｆの側壁３１２によって接合面へのプラズマの回り込みが防止でき、ひいては、スパッタリング中に異常放電の誘発を防止して、良好な成膜が可能になる。
【００３５】
距離Ｄ２、Ｄ３は、１０ｍｍ以上（ターゲット３１ａ〜３１ｆの並設方向に沿った端部から５ｍｍ以上の間隔を置いてバッキングプレート３２ａ〜３２ｆの並設方向に沿った端部が位置することになる）に設定する。５ｍｍより小さいと、接合面がプラズマに曝される虞がある。また、上限については、ターゲット３１ａ〜３１ｆの融解や割れを防止できるように、スパッタリング中、ターゲットを冷却できる範囲であればよい。
【００３６】
また、上記のように各ターゲット３１ａ〜３１ｆを相互に近接させて設けた場合、磁石組立体３３ａ〜３３ｆ相互の間隔が小さくなる。この場合、各磁石組立体３３ａ〜３３ｆの各磁石３３２、３３３の上面から所定の間隔を置いた位置における磁石組立体３３ａ〜３３ｆの並設方向に沿った垂直方向の磁場強度及び水平方向の磁場強度を測定すると、同方向に同一極性の周辺磁石３３３が近接して磁場干渉が生じ、その箇所での磁束密度が、両端部に位置する磁石組立体３３ａ、３３ｆの周辺磁石３３３の上方での磁束密度より高くなり、磁場バランスが崩れる。
【００３７】
このため、並設した磁石組立体３３ａ〜３３ｆの両側に、棒状の補助磁石５を、隣接する磁石組立体３３ａの周辺磁石３３３と磁石組立体３３ｆの周辺磁石３３３との極性にそれぞれ一致させて設け、補助磁石５を支持する支持部５１を、エアーシリンダ４の駆動軸４１に取付け、磁石組立体３３ａ〜３３ｆと一体に移動するようにした。これにより、磁石組立体３３ａ〜３３ｆの両端での磁束密度も高くできて磁場バランスが改善され、ひいては処理基板Ｓ面内における膜厚分布や反応性スパッタリングを行う場合の膜質分布を略均一にできる。
【００３８】
尚、磁石組立体を並設した場合に磁場バランスが図れるものであれば、補助磁石を設けるものに限定されるものではない。例えば、並設した磁石組立体の両外側に位置する周辺磁石のみの幅寸法を大きくしたり、磁石から発生する磁束密度が大きくなる材料に変更して磁束密度補正手段としてもよい。
【実施例１】
【００３９】
本実施例では、図１に示すスパッタ装置１を用い、処理基板Ｓとしてガラス基板（１０００ｍｍ×１２００ｍｍ）を用い、このガラス基板を基板搬送手段によってターゲット３１ａ〜３１ｆに対向した位置に搬送した。ターゲット３１ａ〜３１ｆとしてＡｌを用い、公知の方法で、各ターゲット３１ａ〜３１ｆが２００ｍｍ×１７００ｍｍの外形寸法で１０ｍｍの厚さを有する直方体に作製し、バッキングプレート３２ａ〜３２ｆにそれぞれ接合してターゲット組立体とした。
【００４０】
この場合、ボンディング材として、Ｉｎを用い、カソード組立体３に各ターゲット組立体３１、３２を取付けたとき、ターゲット３１ａ〜３１ｆ相互の間の距離Ｄ１が２ｍｍ、バッキングプレート相互の間の距離Ｄ２、Ｄ３が１０ｍｍになるように設定した。また、ターゲット３１ａ〜３１ｆとガラス基板との間の距離を１６０ｍｍに設定した。
【００４１】
スパッタリング条件として、真空排気されている真空チャンバ１１内の圧力が０．３Ｐａに保持されるように、ガス導入手段２のマスフローコントローラ２１を制御してスパッタガスであるアルゴンを真空チャンバ１１内に導入した。また、交流電源Ｅ１によるターゲット３１ａ〜３１ｆへの投入電力を４０ｋＷとし、周波数を５０ｋＨｚに設定した。そして、５０ｋＨｚの周波数で並設した各ターゲット３１ａ〜３１ｆに交互に負電位及び正電位または接地電位のいずれか一方を印加されるように電力投入して、一枚のガラス基板に対してスパッタリングにより成膜した。また、スパッタリング中、磁石組立体３３ａ〜３３ｆは、Ｌ点の位置で固定した。
【００４２】
図４に示すグラフには、上記条件でスパッタリングしたときの、積算電力の増加に伴う異常放電（アーク数）の検出回数の推移が線Ｅ１で示されている。この場合、所定時間（２分間）内に、スパッタリング時のスパッタ電流、スパッタ電圧のうちいずれか一方が一定の範囲を超えて変動したとき異常放電として検出している。また、積算電力が１００ｋＷＨに到達したとき一旦スパッタリングを停止し、真空チャンバを一旦大気開放している。
（比較例１）
【００４３】
比較例１として、スパッタリング条件を上記実施例１と同じとしたが、ターゲット組立体を作製した後、ターゲット組立体の並設方向に沿ったターゲット及びバッキングプレートの側面を溶射加工によって銅で覆ったものを用いた。
【００４４】
図４に示すグラフには、上記条件でスパッタリングしたときの、積算電力の増加に伴う異常放電（アーク数）の検出回数の推移が線Ｃ１で示されている。この場合、異常放電の検出は実施例１と同様とし、また、積算電力が１００ｋＷＨに到達したとき一旦スパッタリングを停止し、真空チャンバを一旦大気開放している。
（比較例２）
【００４５】
比較例２として、スパッタリング条件を上記実施例１と同じとしたが、バッキングプレートの並設方向に沿った幅をターゲットの並設方向に沿った幅と同一としたものを用いた。
【００４６】
図４に示すグラフには、上記条件でスパッタリングしたときの、積算電力の増加に伴う異常放電（アーク数）の検出回数の推移が線Ｃ２で示されている。この場合もまた、異常放電の検出は実施例１と同様とし、また、積算電力が１００ｋＷＨに到達したとき一旦スパッタリングを停止し、真空チャンバを一旦大気開放している。
【００４７】
図４を参照して説明すれば、スパッタリング開始当初、ターゲット表面の酸化などの理由から、実施例１、比較例１及び比較例２共、異常放電の検出回数は多い。このことは、真空チャンバを一旦大気開放した後、再度スパッタリングを開始した場合も同様である。ここで、比較例１では、異常放電の検出回数が積算電力の増加に伴って少なくなって安定し、真空チャンバを一旦大気開放した後、銅で覆ったターゲット及びバッキングプレートの側面を目視で確認してもアーク痕は見受けられなかった。
【００４８】
ところが、真空チャンバを一旦大気開放した後、ガラス基板をかえて再度スパッタリングを開始すると、積算電力が増加しても異常放電の検出回数は、積算電力が１００ｋＷＨに到達するまでのように抑制されず、積算電力が約２２０ｋＷＨに到達した後、スパッタリングを停止し、真空チャンバを大気開放して、銅で覆ったターゲット及びバッキングプレートの側面を目視で確認したところ、複数のアーク痕が見受けられた。
【００４９】
また、比較例２では、異常放電の検出回数は、積算電力の増加しても安定せず、積算電力が１００ｋＷＨに到達した後、スパッタリングを停止し、真空チャンバを大気開放し、ターゲット及びバッキングプレートの側面を目視で確認したところ、複数のアーク痕が見受けられ、ボンディング材のしみだしも見受けられた。
【００５０】
それに対して、実施例１では、スパッタリング開始当初及び一旦大気開放後、異常放電の検出回数が積算電力の増加に伴って少なくなって安定し、真空チャンバを大気開放する毎に、ターゲット及びバッキングプレートの側面を目視で確認してもアーク痕は見受けられず、ボンディング材のしみだしも見受けられなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明のスパッタリング装置の構成を概略的に説明する断面図。
【図２】ターゲット組立体の構成を説明する平面図。
【図３】図１に示すターゲット組立体の一部を拡大して示す断面図。
【図４】投入電力と、アーク放電の回数との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
【００５２】
１  マグネトロンスパッタリング装置
３１ａ〜３１ｆ  ターゲット
３２ａ〜３２ｆ  バッキングプレート
３３ａ〜３３ｆ  磁石組立体
Ｅ１〜Ｅ３  交流電源
Ｓ  処理基板
【図１】
2007051308.tif 000003
【図２】
2007051308.tif 000004
【図３】
2007051308.tif 000005
【図４】
2007051308.tif 000006