(57)【要約】【課題】  Ｐｂおよびアルカリ金属のいずれも含有しないにも関わらず、それらを含有するガラスと比較しても遜色ない特性を持った酸化物ガラスを提供する。【解決手段】  本発明の酸化物ガラスは、実質的に、Ｐｂおよびアルカリ金属を含有せず、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなるアルカリ土類金属群より選ばれる少なくとも１種と、Ｚｎと、Ｂとを含有し、全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、網目形成酸化物を構成する元素の含有率の合計がＸ  原子％、それ以外の元素の含有率の合計がＹ  原子％であるとき、次式を満足する。      １．０２≦Ｙ／Ｘ≦１．２０【選択図】  図１
2007076947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に、Ｐｂおよびアルカリ金属を含有せず、
Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなるアルカリ土類金属群より選ばれる少なくとも１種と、
Ｚｎと、
Ｂとを含有し、
全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、網目形成酸化物を構成する元素の含有率の合計がＸ  原子％、それ以外の元素の含有率の合計がＹ  原子％であるとき、次式を満足することを特徴とする酸化物ガラス。
１．０２≦Ｙ／Ｘ≦１．２０
【請求項２】
全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、Ｂａ、ＳｒおよびＣａの含有率の合計が１５原子％以上２５原子％以下である請求項１記載の酸化物ガラス。
【請求項３】
アルカリ土類金属として、Ｂａと、ＳｒおよびＣａの少なくとも一方とを含有する請求項１または請求項２記載の酸化物ガラス。
【請求項４】
Ａｌ、Ｓｉ、ＰおよびＢｉより選ばれる少なくとも１種をさらに含有する請求項１記載の酸化物ガラス。
【請求項５】
Ａｌをさらに含有し、
全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、Ａｌの含有率が０．１原子％以上３原子％以下である請求項４記載の酸化物ガラス。
【請求項６】
Ｐをさらに含有し、
全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、Ｐの含有率が０．１原子％以上３原子％以下である請求項４記載の酸化物ガラス。
【請求項７】
Ｓｉをさらに含有し、
全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、Ｓｉの含有率が０．１原子％以上５原子％以下である請求項４記載の酸化物ガラス。
【請求項８】
Ｂｉをさらに含有し、
全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、Ｂｉの含有率が０．１原子％以上５原子％以下である請求項４記載の酸化物ガラス。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の酸化物ガラスを電極被覆用ガラスとして用いたことを特徴とするディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記酸化物ガラスで被覆された電極がＡｇを主成分とする請求項９記載のディスプレイパネル。
【請求項１１】
基板と、前記基板上に形成された電極と、前記電極を被覆する第１ガラス層と、前記電極との間に前記第１ガラス層が位置するように前記第１ガラス層の上に配置された第２ガラス層とを備え、前記第１ガラス層が請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の酸化物ガラスからなり、前記第２ガラス層がアルカリ金属を含有するとともに前記酸化物ガラスよりも低誘電率のガラスからなることを特徴とするディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物ガラスおよびこれを用いたディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）および蛍光表示装置等の表示装置、またはセラミック積層デバイスおよび混成集積回路等の集積回路には、表面に電極または配線を有する基板が用いられている。基板表面の電極等は、絶縁性ガラス材料で被覆して保護することが行われている。ＰＤＰを例に挙げて具体的に説明する。
【０００３】
一般的なＰＤＰは、２枚の対向するガラス基板に、規則的に配列した一対の電極を設け、両電極間にＮｅ、Ｘｅ等の不活性ガスを含む放電ガスを封入した構造になっている。両電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を行なうことができる。例えば、ＡＣ型ＰＤＰの前面板となるガラス基板は、背面側の主面上に透明電極を形成し、その透明電極の上に金属電極を形成した構造を有する。さらに、透明電極と金属電極とによる複合電極を覆うように誘電体層を形成し、その誘電体層の上に保護層を形成する。放電により生じる発光が前面板を透過する必要があるという理由で透明電極を使用しているが、透明電極は電気抵抗が高いという弱点がある。この弱点を補うため、透明電極上に幅の狭い金属電極を設けている。透明電極と金属電極とによる複合電極によれば、低抵抗化と光透過性との両立を図ることができる。ただし、透明電極を用いず、幅の狭い金属電極のみを間隔を詰めて形成する構成もある。
【０００４】
通常、金属電極の材料には、Ａｇ、ＣｕおよびＡｌからなる低抵抗率金属群より選ばれる１種を使用する。金属電極を形成する方法としては、薄膜法および厚膜法がある。薄膜法では、ＣｕまたはＡｌを用い、下地の透明電極との密着性および耐酸化性を改善するために、Ｃｒ／Ｃｕ／ＣｒまたはＣｒ／Ａｌ／Ｃｒのように異種金属材料の積層構造で電極を構成するのが一般的である。
【０００５】
一方、厚膜法では、ＡｇまたはＣｕ、特に耐酸化性に優れたＡｇを含有する厚膜導体ペーストを用いて金属電極を形成する。印刷法によって厚膜導体ペーストを電極形状にパターニングした後、ガラス基板ごと厚膜導体ペーストを焼成することにより、所望の金属電極を形成することができる。このような方法によると、真空装置が不用、かつ最少１回の処理でパターン加工ができるので、低コストとなるという特徴があり、広く検討されている。
【０００６】
金属電極を覆う誘電体層は、通常、低軟化温度のガラスで形成する。具体的には、ガラス粉末を含むペーストを印刷法またはダイコート法によって電極上に塗工した後、塗工したガラスペーストをガラス基板ごと焼成することによって誘電体層を形成する。
【０００７】
ガラス基板上に形成する誘電体層のためのガラスには、次のような特性が要求される。
（１）ガラス基板の反り、誘電体層の剥離およびクラックといった不具合の発生を防止するために、熱膨脹係数がガラス基板の熱膨張係数に近いこと。
（２）ガラス基板がＰＤＰの前面板の場合、蛍光体から発生した光を効率よく表示光として利用するために、可視光透過率が高い非晶質ガラスであること。
（３）誘電率が適切な値であること。
（４）ガラス基板の耐熱性にあわせて軟化温度が低いこと。
【０００８】
上記のような要望を満足するガラスとして、ＰｂＯを主原料とするＰｂＯ−ＳｉＯ2系ガラスが一般的である。しかしながら、近年は、環境問題への配慮からＰｂを含まないガラスが求められている。
【０００９】
非鉛系ガラスとしては、例えば、ほう酸亜鉛を主成分とし、Ｐｂの代わりにアルカリ金属を添加して低軟化温度を実現したＲ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ−ＳｉＯ2系ガラス（Ｒ：Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）がある（特許文献１）。Ｐｂの代わりにＢｉを添加することによって低軟化温度を実現したＢｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ−ＳｉＯ2系ガラスがある（特許文献２）。Ｐｂ、アルカリ金属およびＢｉのいずれも含有しない低誘電率の酸化物ガラスも提案されている（特許文献３）。
【特許文献１】特開２０００−３１３６３５号公報
【特許文献２】特開２００１−１３９３４５号公報
【特許文献３】特開２００２−０１２４４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、アルカリ金属を含むガラスで誘電体層を形成し、かつ電極材料に低抵抗のＡｇまたはＣｕを用いた場合、ガラスが黄色くにごって見える黄変という現象を生ずる場合がある。この現象は、電極に含まれるＡｇまたはＣｕの一部がいったん酸化されて誘電体層中を拡散した後、イオン化傾向の高いアルカリ金属によって還元されてコロイドとして析出することが原因といわれている。
【００１１】
黄変したガラスは、波長４００ｎｍの光を吸収する。例えば、ＰＤＰの前面板が黄変していると、青色の輝度が低下したり、色度の悪化が生じたりするなどの問題を招来する。また、析出したコロイドが導電性であることから、誘電体層の絶縁耐圧が低下する。析出したコロイドはイオンよりもはるかに大きいため、誘電体層を透過する光を反射してＰＤＰの輝度を低下させるという問題も招来する。こうした問題は、ＰＤＰで特に顕著であるが、ＰＤＰ以外の表示装置、さらには各種集積回路においても同様に生ずる問題である。
【００１２】
上記事情に鑑み、本発明は、Ｐｂおよびアルカリ金属のいずれも含有しないにも関わらず、それらを含有するガラスと比較しても遜色ない特性を持った酸化物ガラス、特に、ディスプレイパネル等に好適に採用できる非鉛系酸化物ガラスを提供することを目的とする。また、本発明は、その酸化物ガラスを用いたディスプレイパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
ガラスは、網目形成酸化物（代表的なのはＢ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5）を基本骨格としている。一般的なガラスでは、網目形成酸化物を構成する元素のうち、酸素以外の元素（Ｂ、Ｓｉ、Ｐ）の含有率の合計が相当多く、残りの金属元素の含有率の合計を原子％ベースで上回る。ところが、本発明者らは検討を重ねた結果、通常用いられることの無い狭い組成範囲内において、Ｐｂおよびアルカリ金属のいずれにも頼ることなく、軟化温度が十分低く、かつ結晶化を生じにくいガラスが得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１４】
すなわち、課題を解決するために本発明の酸化物ガラスは、実質的に、Ｐｂおよびアルカリ金属を含有せず、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなるアルカリ土類金属群より選ばれる少なくとも１種と、Ｚｎと、Ｂとを含有し、全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、網目形成酸化物を構成する元素の含有率の合計がＸ  原子％、それ以外の元素の含有率の合計がＹ  原子％であるとき、次式を満足することを特徴とする。
１．０２≦Ｙ／Ｘ≦１．２０
【００１５】
また、本発明のディスプレイパネルは、上記本発明の酸化物ガラスを電極被覆用ガラスとして用いたことを特徴とする。
【００１６】
他の側面において、本発明のディスプレイパネルは、基板と、基板上に形成された電極と、電極を被覆する第１ガラス層と、電極との間に第１ガラス層が位置するように第１ガラス層の上に配置された第２ガラス層とを備え、第１ガラス層が本発明の酸化物ガラスからなり、第２ガラス層がアルカリ金属を含有するとともに本発明の酸化物ガラスよりも低誘電率のガラスからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の酸化物ガラスは、Ｐｂおよびアルカリ金属を含有しない非鉛系ガラスである。アルカリ金属を含有しないので、黄変の問題が生じない。そして、上記した関係を満足するように組成を調整することにより、Ｐｂおよびアルカリ金属に頼らなくとも軟化温度が低く、かつ結晶化を生じにくいガラスを容易に得ることができる。また、上記した関係を満足する組成においては、誘電率を適切な範囲（例えば１０前後）に調整すること、および、ガラス基板との熱膨張係数のマッチングが取れるように熱膨張係数を適切な値に調整することが容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（酸化物ガラスの好適な組成範囲について）
本発明の酸化物ガラスは、Ｐｂおよびアルカリ金属の含有率ゼロが望ましいが、完全に除去することが工業的に困難な場合がある。また、アルカリ金属はごく少量であれば黄変の程度が小さい。したがって、実質的に含まないといえる程度であれば、十分目的を達成できるガラスとなりうる。ここで“実質的に含まない”とは、ごく微量を含む場合までも排除するものではないという意味である。具体的には、全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうちの１原子％以下、望ましくは０．５原子％未満、より望ましくは０．１原子％未満であれば、アルカリ金属が含まれていてもよい。Ｐｂの含有率も、アルカリ金属と同様とすることができる。
【００１９】
本発明においては、全ての構成元素から酸素を除いた元素群を基準として、つまり１００原子％と考えて、各元素の含有率を計数する。そして、網目形成酸化物を構成する元素の原子％での含有率の合計をＸ  原子％とし、それ以外の元素の原子％での含有率の合計をＹ  原子％（Ｙ＝１００−Ｘが成り立つ）とするとき、１．０２≦Ｙ／Ｘ≦１．２０を満足するように組成を調整する。１．０２≦Ｙ／Ｘとすることによって、軟化温度を十分に低減することができる。Ｙ／Ｘ≦１．２０とすることによって、軟化温度と結晶化開始温度との差を大きくすることができ、結晶化しにくいガラスを得ることができる。
【００２０】
酸化物ガラスの分野で周知のように、網目形成酸化物としては、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＧｅＯ2、Ｓｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5およびＡｓ2Ｏ5を例示できる。したがって、網目形成酸化物を構成する元素のうち酸素を除く元素（以下、単に“網目形成酸化物を構成する元素”ともいう）とは、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ｓｂ、ＶおよびＡｓの７種類である。しかし、Ａｓは毒性の問題がある。したがって、網目形成酸化物を構成する元素は、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、ＳｂおよびＶより選ばれる少なくとも１種、特に、Ｂ、ＳｉおよびＰより選ばれる少なくとも１種が好ましい。
【００２１】
本発明の酸化物ガラスは、Ｂ2Ｏ3を主たる網目形成酸化物とし、ＺｎＯを主たる網目修飾酸化物とする、いわゆるホウ酸亜鉛系ガラスとすることができる。ＺｎＯが多いほど軟化温度が低くなるが、結晶化しやすくなる。ここでいう“主たる”とは、原子％換算で最も多いという意味である。
【００２２】
軟化温度等の特性を調整するため、アルカリ土類金属および他の成分を加える。必須元素としてのアルカリ土類金属は、ガラスの軟化温度を下げるとともに、熱膨張係数を調整する役割を持つ。好適には、全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、アルカリ土類金属の含有率の合計を１５原子％以上２５原子％以下とすることである。このようにすれば、ガラスの熱膨張係数を好適な範囲、例えば６５×１０-7／℃〜９５×１０-7／℃に調整することが容易となる。
【００２３】
アルカリ土類金属としては、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＭｇを例示することができる。これらの元素は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯおよびＭｇＯといった酸化物の形態でガラスに含まれる。ガラスの軟化温度を低減する効果は、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＭｇの順で高いため、一見するとＢａを単独で用いればよいと考えられる。しかしながら、Ｂａを多量に使用するとガラスが結晶化しやすくなるため、アルカリ土類金属としては、Ｂａと、ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも一方とを用いることが望ましい。Ｍｇに関して言えば、軟化温度の低減効果をあまり見込めないので、単独での使用は避けた方がよい。
【００２４】
以上のように、本発明の酸化物ガラスは、Ｂ、Ｚｎ、アルカリ土類金属（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）を必須元素とする。
【００２５】
以下、本発明の酸化物ガラスに添加することができる任意成分について説明する。添加することができる任意成分としては、Ａｌ、Ｓｉ、ＰおよびＢｉを例示することができる。これらの任意成分は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5およびＢｉ2Ｏ3といった酸化物の形態でガラスに含まれる。ただし、上記酸化物の例示は、元素の価数を限定するものではない。例えば、Ｂｉは３価以外の価数でもガラス中に存在しうる。
【００２６】
Ａｌは、少量添加することにより、ガラスの軟化温度を低くするとともに結晶化開始温度を高くする効果を奏する。具体的には、全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、Ａｌの含有率を３原子％以下、例えば０．１原子％以上３原子％以下とすることが望ましい。Ａｌの含有率が大きすぎると、ガラスの軟化温度が逆に高くなってしまうので、上記範囲内にて少量使用するのがよい。
【００２７】
Ｐは、少量添加することにより、ガラスの結晶化開始温度を高くするとともに、同じ温度であれば、生成する結晶の量を減ずる効果を奏する。具体的には、全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、Ｐの含有率を３原子％以下、例えば０．１原子％以上３原子％以下とすることが望ましい。Ｐの含有率が大きすぎると、ガラスの軟化温度が高くなってしまうので、上記範囲内にて少量使用するのがよい。
【００２８】
Ｓｉは、少量添加することにより、ガラスの結晶化開始温度を高くする効果を奏する。具体的には、全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、Ｓｉの含有率を５原子％以下、例えば０．１原子％以上５原子％以下とすることが望ましい。Ｓｉの含有率が大きすぎると、ガラスの軟化温度が高くなってしまうので、上記範囲内にて少量使用するのがよい。
【００２９】
Ｂｉは、少量添加することにより、ガラスの軟化温度を下げる効果を奏する。酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）については、高価である、ガラスを着色させる、ガラスの特性不安定化を招くといった種々の問題がある。そのため、可能な限り使用を避けることが望ましい。しかしながら、Ｂｉが奏する軟化温度低減効果は高いため、ガラスの軟化温度をもう少し下げたい場合などには少量使用してもよい。具体的には、全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、Ｂｉの含有率を５原子％以下、例えば０．１原子％以上５原子％以下に制限すれば、Ｂｉ特有の問題が顕著とならない。
【００３０】
以上のとおり、本発明の酸化物ガラスは、Ａｌ、Ｓｉ、ＰおよびＢｉより選ばれる少なくとも１種をさらに含有していてもよい。これら任意成分は、上記の上限を超えない範囲で添加するとよい。
【００３１】
本発明の酸化物ガラスには、軟化温度および熱膨張係数の調整、ならびにガラスの安定化および化学的耐久性の向上等の目的で、他の任意成分を使用してもよい。具体的には、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｎｂ、ＴｅおよびＡｇを例示することができる。これらの任意成分は、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｌａ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｅＯ2およびＡｇＯといった酸化物の形態でガラスに含まれる。また、これらの任意成分の含有率の合計は、全ての構成元素から酸素を除いた元素群のうち、５原子％以下（より好ましくは３原子％以下、さらに好ましくは１原子％未満）の範囲とするのがよい。
【００３２】
本発明の酸化物ガラスの好ましい組成範囲を、全ての構成元素から酸素を除いた元素群に対する、当該成分の含有率を用いて以下に例示する。カッコ内は、その成分のより好ましい含有率の範囲である。
Ｂ  ：４０〜５０原子％（４２〜４８原子％），
Ｚｎ：２５〜３５原子％（２７〜３３原子％），
Ｂａ：０〜２５原子％（８〜１５原子％），
Ｓｒ：０〜２５原子％（８〜１５原子％），
Ｃａ：０〜２５原子％（８〜１５原子％），
Ａｌ：０〜３原子％（０．２〜２原子％），
Ｐ  ：０〜３原子％（０．２〜２原子％），
Ｓｉ：０〜５原子％（０．２〜３原子％），
Ｂｉ：０〜５原子％（０．２〜３原子％），
ただし、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなるアルカリ土類金属群より選ばれる少なくとも１種を含有すること、１．０２≦（残りの元素の含有率の合計）／（網目形成酸化物を構成する元素の含有率の合計）≦１．２０であること。
【００３３】
なお、Ｂａ＋Ｓｒ＋Ｃａ＝１５〜２５原子％であることが望ましい。上記の組成の例示は、その他の成分の含有を排除するものではない。上記に例示していない成分は、その含有率の合計が１０原子％以下（好ましくは３原子％以下）であることが望ましい。
【００３４】
（酸化物ガラスの誘電率について）
本発明の酸化物ガラスは、実質的にアルカリ金属を含まないので、ＡｇまたはＣｕを含む電極等を直接被覆する誘電体材料として用いても、黄変を生じることがないという特徴を持つ。また、これまで説明してきた組成範囲とする場合、誘電率が概ね１０前後となる。１０前後の誘電率といえば、従来用いられてきたＰｂ系ガラスの誘電率（およそ１２〜１３）よりも低い。したがって、本発明の酸化物ガラスをＰＤＰ等の表示装置に使用する場合には、低消費電力化を期待できると同時に、酸化物ガラスからなる誘電体層を極端に薄くする必要性がなくなる。
【００３５】
ＰＤＰ等の表示装置のいっそうの低消費電力化を図るために、電極に直接接する第１ガラス層を本発明の酸化物ガラスで形成し、その第１ガラス層上に、第１ガラス層を構成する酸化物ガラスよりも誘電率の低い第２のガラス（例えば、アルカリ金属を含むガラス）で第２ガラス層を形成した構造を提案することができる。このような積層構造を採用することにより、全体として低誘電率でありながら、黄変を生じない電極被覆用ガラスを実現することが可能である。
【００３６】
（本発明の酸化物ガラスを好適に採用できるディスプレイパネルについて）
次に、本発明の酸化物ガラスを用いたディスプレイとして、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を例に挙げて説明する。図１は、ＰＤＰの主要部の断面斜視図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ断面図である。本実施形態に示すＰＤＰ１００は、ＡＣ面放電型である。
【００３７】
ＰＤＰ１００は、互いに貼り合わされた前面板１と背面板８とを備えている。前面板１は、前面ガラス基板２と、その内側面（放電空間１４側の面）に形成された表示電極５と、表示電極５を覆う誘電体層６と、誘電体層６を覆う保護層７とを含む。表示電極５は、透明電極３上に細いバス電極４を積層した構造を持つ。透明電極３は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）または酸化スズを主体として構成されている。バス電極４は、Ａｇ、ＣｕおよびＡｌから選ばれる１種を主体として構成されている。中でもＡｇは、耐酸化性に優れるので推奨される。表示電極５を覆う誘電体層６に、本発明の酸化物ガラスを用いることができる。
【００３８】
背面板８は、背面ガラス基板９と、その片面に形成したアドレス電極１０と、アドレス電極１０を覆う誘電体層１１と、誘電体層１１の上面に設けられた隔壁１２と、隔壁１２，１２同士の間に形成された蛍光体層１３とを含む。蛍光体層１３は、順番に配列した赤色蛍光体層１３（Ｒ）、緑色蛍光体層１３（Ｇ）および青色蛍光体層１３（Ｂ）を含む。背面板８の誘電体層１１も、本発明の酸化物ガラスで形成することができる。
【００３９】
蛍光体層１３を構成する蛍光体としては、例えば、青色蛍光体としてＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、緑色蛍光体としてＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、赤色蛍光体としてＹ2Ｏ3：Ｅｕを用いることができる。
【００４０】
前面板１と背面板８とは、表示電極５の長手方向とアドレス電極１０の長手方向とが互いに直交する配置で、封着部材（図示せず）を用いて互いに接合されている。
【００４１】
放電空間１４には、Ｈｅ、ＸｅおよびＮｅから選ばれる少なくとも１種の希ガス成分からなる放電ガスが６６．５ｋＰａ〜７９．８ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒ）程度の圧力で封入されている。
【００４２】
表示電極５とアドレス電極１０は、それぞれ外部の駆動回路（図示せず）と接続され、駆動回路から印加される電圧によって放電空間１４で放電を発生させる。放電に伴って発生する短波長（波長１４７ｎｍ）の紫外線で蛍光体層１３に含まれる蛍光体が励起されて可視光の発光が生ずる。
【００４３】
誘電体層６は、次のようにして形成することができる。まず、本発明の酸化物ガラスが得られるように調製した原料粉末に、適量のバインダおよび溶剤を添加することによってガラスペーストとする。このガラスペーストを、前面ガラス基板２上に形成された表示電極５の上から均一の厚さに塗工する。塗工したガラスペーストを前面ガラス基板２および表示電極５とともに焼成（同時焼成）する。このようにして、誘電体層６を形成することができる。なお、焼成は、同時焼成ではなく、表示電極５の焼成後、ガラスペーストを塗布して焼成する、個別焼成でもかまわない。
【００４４】
また、ガラスペーストは、原料粉末、溶剤および樹脂（バインダ）の他に添加剤を含んでいてもよい。例えば、界面活性剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤および顔料染料など、種々の目的に応じた添加剤を使用することができる。
【００４５】
ガラスペーストに含まれる樹脂（バインダ）の種類は、原料粉末との反応性が低いものであれば、特に限定されない。化学的安定性、コストおよび安全性などの観点から、例えばニトロセルロース、メチルセルロース、エチルセルロースおよびカルボキシメチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリエチレンｆグリコール、カーボネート系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂およびメラミン系樹脂から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
【００４６】
ガラスペーストに含まれる溶剤の種類は、原料粉末との反応性が低いものであれば、特に限定されない。化学的安定性、コストおよび安全性などの観点、ならびに、バインダとの相溶性の観点から、例えば、酢酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等の乳酸のエステル類、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸ヘキシル、酢酸２−エチルヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、ブタン酸メチル（酪酸メチル）、ブタン酸エチル（酪酸エチル）、ブタン酸プロピル（酪酸プロピル）、ブタン酸イソプロピル（酪酸イソプロピル）等の脂肪族カルボン酸のエステル類；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；テルピネオール、ベンジルアルコール等のアルコール類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、ブチルカルビトールアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレートアセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、安息香酸エチル、酢酸ベンジル等のエステル類；Ｎ−メチルピロリドン、ＮＮ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の有機溶剤を使用することができる。
【００４７】
ガラスペーストを塗工する方法としては、スクリーン法、バーコーター法、ロールコーター法、ダイコーター法およびドクターブレード法を例示できる。塗工したガラスペーストは、得るべきガラス（誘電体層６）の軟化温度よりも高く、かつ前面ガラス基板２の歪み点よりも低い雰囲気温度に調節した焼成炉内で焼成する。本発明の酸化物ガラスで形成するべき誘電体層６の軟化温度と、前面ガラス基板２の歪み点とが非常に近接している場合、焼成が困難となる。したがって、前面ガラス基板２の歪み点と誘電体層６の軟化温度の差が、例えば５℃以上（より好ましくは１０℃以上）であることが望ましい。なお、上記ガラスペーストを用いて自立性を有するグリーンシートを作製し、そのグリーンシートを前面ガラス基板２に貼り付けて焼成するようにしてもよい。
【００４８】
また、誘電体層６の厚さは、絶縁性と光透過性を両立させるために、２０μｍ〜５０μｍ程度とすることが好ましい。
【００４９】
次に、前面ガラス基板に設けた誘電体層が２層構造であるＰＤＰについて説明する。図３に示すＰＤＰ１０１は、前面ガラス基板２上の誘電体層１５，１６の部分が第１誘電体層１５と第２誘電体層１６との２層構造になっている。その他の点は、図１および図２に示したＰＤＰと同様の構成である。
【００５０】
図３に示すように、第１誘電体層１５は表示電極５（透明電極３およびバス電極４）を被覆している。第２誘電体層１６は、前面ガラス基板２および／または表示電極５との間に第１誘電体層１５が位置するように前記第１誘電体層１５の上に配置されている。したがって、前面ガラス基板２、第１誘電体層１５および第２誘電体層１６が厚さ方向にこの順番で並ぶ。
【００５１】
２層構造の誘電体層とする場合、表示電極５に直接接する第１誘電体層１５を本発明の酸化物ガラスで形成し、第２誘電体層１６を、本発明の酸化物ガラスよりも誘電率の低いガラスで形成することができる。一般に、ガラスの誘電率を下げるにはアルカリ金属を添加するが、アルカリ金属は黄変および耐圧低下の問題をガラスにもたらす。ところが、図３のＰＤＰ１０１によれば、表示電極５（透明電極３およびバス電極４）に直接接触している第１誘電体層１５はアルカリ金属を含まないので、ＡｇまたはＣｕのコロイド析出による黄変および耐圧低下の問題が生じない。さらに、第１誘電体層１５は、ＡｇまたはＣｕのイオンが第２誘電体層１６に拡散することを阻止する。したがって、アルカリ金属を含む低誘電率ガラスで第２誘電体層１６を形成した場合でも、黄変および耐圧低下といった問題が第２誘電体層１６に生じない。
【００５２】
本発明の酸化物ガラスは誘電率を９．５〜１１と、一般的なＰｂ系ガラスまたはＢｉ系ガラスより低く調整することができる。そのため、図１および図２で示したように、表示電極５を覆う誘電体層６を本発明の酸化物ガラスにて形成すれば、この誘電体層６をたとえ単層とした場合でも、十分な低誘電率化を実現できる。また、図３に示すごとく、本発明の酸化物ガラスからなる第１誘電体層１５と、より低い誘電率のガラスからなる第２誘電体層１６との積層構造を採用することにより、誘電体層全体としていっそうの低誘電率化を図ることができる。
【００５３】
図３に示す２層構造の誘電体層１５，１６は、第１誘電体層１５を形成した後に、第２誘電体層１６用のガラスペーストを塗工および焼成することによって形成することができる。このような手順を採用するためには、第１誘電体層１５の軟化温度が、第２誘電体層１６の軟化温度よりも高いことが必要である。第２誘電体層１６はアルカリ金属を含有していてもよいので、積極的にアルカリ金属を添加して低軟化温度化を図ったガラスを使用することができる。もちろん、第１誘電体層１５の軟化温度が、前面ガラス基板２の耐熱温度よりも低くなるようにする。
【００５４】
また、表示電極５（透明電極３およびバス電極４）と第２誘電体層１６との絶縁、および界面反応防止を確保するため、第１誘電体層１６の厚さは１μｍ以上とすることが好ましい。さらに、高い絶縁性と高い可視光透過率を両立させるために、第１誘電体層１５の厚さと第２誘電体層１６の厚さとの合計が２０μｍ〜５０μｍであることが好ましい。
【００５５】
なお、本発明の酸化物ガラスを好適に採用できるＰＤＰとしては、図１〜図３に示すような面放電型のものが代表的であるが、これに限定されるものではなく、対向放電型にも適用できる。また、ＡＣ型に限定されるものではなく、ＤＣ型のＰＤＰであっても誘電体層を備えたものに対して本発明の酸化物ガラスを適用することができる。
【実施例】
【００５６】
［実施例１］
本発明の酸化物ガラスの出発原料として、下記の試薬特級以上の金属酸化物粉末または炭酸塩粉末を準備した。Ｓｉ：ＳｉＯ2，Ｂ：Ｂ2Ｏ3，Ｐ：Ｐ2Ｏ5，Ｂａ：ＢａＣＯ3，Ｓｒ：ＳｒＣＯ3，Ｃａ：ＣａＣＯ3，Ｍｇ：ＭｇＯ，Ｚｎ：ＺｎＯ，Ａｌ：Ａｌ2Ｏ3，Ｂｉ：Ｂｉ2Ｏ3
【００５７】
これらの原料粉末を、酸素を除き、各元素の含有量が原子％換算で表１に示す通りとなるように秤量および混合した。その後、混合した原料粉末を白金坩堝に入れ、１１００℃〜１２００℃の電気炉中で１時間溶融した。得られた融液を、真鍮板にてプレスすることにより急冷し、ガラスカレットを作製した。このガラスカレットを粉砕し、マクロ型示差熱分析計を用いて、軟化温度Ｔｓ、および結晶化開始温度Ｔｘを測定した。
【００５８】
次に、作製したガラスカレットを再溶融して４ｍｍ×４ｍｍ×２０ｍｍのロッドを作製し、熱機械分析計を用いて、３０℃〜３００℃における熱膨張係数αを測定した。さらに、ガラスカレットを再溶融して２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ１ｍｍのガラス板を作製し、そのガラス板の表裏にＡｕを蒸着して電極を形成した。そして、電極にＬＣＲメータを接続し、周波数１ＫＨｚ、２５℃にて比誘電率εを測定した。結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
2007076947.tif 000003
【００６０】
表１は、金属元素およびホウ素の含有率の合計に対する、各元素の含有量を原子％にて示すとともに、ホウ素の含有率をＸ  原子％、残りの金属元素の含有率の合計をＹ  原子％として、Ｘ／Ｙの値を示している。以下、各試料について検討する。
【００６１】
（試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１０について）
Ｙ／Ｘが１．０２未満の試料Ｎｏ．１，２は、軟化温度Ｔｓが５９５℃よりも大きかった。すなわち、Ｎｏ．１，２の組成を持つガラス層をガラスペーストの焼成により得るには、５９５℃を越える雰囲気温度が必要である。ところが、ディスプレイパネルに広く採用されているソーダライムガラス製の基板は、耐熱温度（歪み点）が６００℃程度である。したがって、そのような耐熱温度のガラス基板上に、Ｎｏ．１，２の組成を持つガラス層（誘電体層）を形成することは困難である。
【００６２】
また、Ｙ／Ｘが１．２を越える試料Ｎｏ．１０は、軟化温度Ｔｓと結晶化開始温度Ｔｘとの差が６℃と小さかった。軟化温度Ｔｓと結晶化開始温度Ｔｘとの差が１０℃を大幅に下回るほど小さい場合、焼成炉内を軟化温度Ｔｓと結晶化開始温度Ｔｘとの間の温度に制御することが難しくなる。また、焼成炉内の温度バラつきによって結晶化が進行してしまう可能性もある。結晶化が進むと、可視光透過率の高いガラスを得ることが困難となる。
【００６３】
これに対して、Ｙ／Ｘが１．０２から１．２０の試料Ｎｏ．３〜Ｎｏ．９は、軟化温度Ｔｓが５９０℃以下、かつ軟化温度Ｔｓと結晶化開始温度Ｔｘとの差が１０℃以上であった。軟化温度Ｔｓが十分に低いので、Ｎｏ．３〜Ｎｏ．９の組成のガラス層を、安価なソーダライムガラス製の基板上に形成することが可能である。また、軟化温度Ｔｓと結晶化開始温度Ｔｘとの差が１０℃以上と広いので、結晶化を進行させることなく高い可視光透過率のガラスを容易に製造できる。
【００６４】
（試料Ｎｏ．６およびＮｏ．１１〜Ｎｏ．１６について）
ＰＤＰのような表示装置には、ソーダライムガラス製または高歪点ガラス製の基板が広く採用されている。この種のガラス基板上に本発明の酸化物ガラスによる層を形成するためには、ガラス基板の熱膨張係数と本発明の酸化物ガラスの熱膨張係数とが、なるべく近い方がよい。一般に、上記したガラス基板の熱膨張係数は、概ね７５×１０-7／℃〜８５×１０-7／℃（３０℃〜３００℃）である。したがって、本発明の酸化物ガラスの好ましい熱膨張係数としては、例えば６５×１０-7／℃〜９５×１０-7／℃である。
【００６５】
表１に示すように、アルカリ土類金属の含有率の合計が１５原子％未満である試料Ｎｏ．１１およびＮｏ．１２は、熱膨張係数αが６５×１０-7／℃よりも若干小さかった。一方、アルカリ土類金属の含有率の合計が２５原子％を越える試料Ｎｏ．１５およびＮｏ．１６は、熱膨張係数αが９５×１０-7／℃よりも若干大きかった。これらの結果から、アルカリ土類金属の含有率の合計は、１５原子％以上２５原子％以下とするのがより望ましいといえる。このようにすれば、熱膨張係数のマッチングを容易に図ることができる。
【００６６】
（試料Ｎｏ．５およびＮｏ．１７〜Ｎｏ．２６について）
試料Ｎｏ．１７〜Ｎｏ．２０は、アルカリ土類金属の種類を互いに異ならせた試料である。試料Ｎｏ．１７〜Ｎｏ．２０の軟化温度測定の結果から傾向が分かるように、軟化温度Ｔｓを下げる効果が高いアルカリ土類金属は、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇの順番である。Ｂａを単独で用いた試料Ｎｏ．１７は、軟化温度Ｔｓは十分低かったが、軟化温度Ｔｓと結晶化開始温度Ｔｘとの差は１０℃とあまり大きくなかった。これに対し、Ｂａと、ＳｒまたはＣａを併用した試料Ｎｏ．５およびＮｏ．２１〜Ｎｏ．２５では、Ｂａ単独より軟化温度Ｔｓは若干高くなったが、結晶化開始温度Ｔｘも高くなっており、軟化温度Ｔｓと結晶化開始温度Ｔｘとの差は結果的に拡大した。また、Ｂａを使用せず、ＳｒとＣａとを併用した試料Ｎｏ．２６についても、軟化温度Ｔｓと結晶化開始温度Ｔｘとの差がやや小さかった。つまり、低い軟化温度Ｔｓと高い結晶化開始温度Ｔｘの両立を図るには、下記（１）（２）を遵守することがより望ましいことが分かる。
（１）アルカリ土類金属としてＢａを用いる。
（２）Ｂａの含有率を、全アルカリ土類金属中の５０原子％以上とし、かつＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも一方をＢａと併用する。
【００６７】
［実施例２］
実施例１と同様の方法で、各元素の含有量が原子％換算で表２の通りとなるように、ガラスカレットおよびガラスロッドを作製した。そして、実施例１と同様の方法で、軟化温度Ｔｓ、結晶化開始温度Ｔｘ、熱膨張係数αおよび比誘電率εを測定した。結果を表２に示す。
【００６８】
【表２】
2007076947.tif 000004
【００６９】
表２は、各元素の含有量を原子％にて示すとともに、網目形成酸化物を構成する元素であるＢ、ＰおよびＳｉの含有率の合計をＸ  原子％、残りの金属元素の含有率の合計をＹ  原子％として、Ｘ／Ｙの値を示している。比較のため、実施例１の試料Ｎｏ．６を併記している。以下、各試料について検討する。
【００７０】
（試料Ｎｏ．２７〜Ｎｏ．３１について）
試料Ｎｏ．６およびＮｏ．２７〜Ｎｏ．３１の結果から分かるように、Ａｌを少量添加すると、軟化温度Ｔｓが低下するとともに結晶化開始温度Ｔｘが上昇した。しかしながら、Ａｌの含有率が３原子％を超える試料Ｎｏ．３１は、５９４℃とやや高い軟化温度Ｔｓを示した。これらの結果から、Ａｌを使用する場合には、その含有率を３原子％以下に制限し、軟化温度Ｔｓの過昇を防止することがより望ましいといえる。
【００７１】
（試料Ｎｏ．３２〜Ｎｏ．３６について）
試料Ｎｏ．６およびＮｏ．３２〜Ｎｏ．３６の結果から分かるように、Ｐの添加に応じて軟化温度Ｔｓが上昇したが、同時に結晶化開始温度Ｔｘも上昇した。また、示差熱分析における結晶化ピークが徐々にブロードになることも確認した。示差熱分析における結晶化ピークのブロード化は、結晶生成量の減少を意味するので、歓迎するべき現象ではある。しかしながら、Ｐの含有率が３原子％を超える試料Ｎｏ．３６は、軟化温度Ｔｓが５９３℃とやや高かった。これらの結果から、ガラスの透明性を高めるためにＰを使用する場合、その含有率を３原子％以下に制限することがより望ましいといえる。
【００７２】
（試料Ｎｏ．３７〜Ｎｏ．４１について）
試料Ｎｏ．６およびＮｏ．３７〜Ｎｏ．４１の結果から分かるように、Ｓｉの添加に応じて軟化温度Ｔｓが上昇したが、同時に結晶化開始温度Ｔｓも上昇した。この結果から、網目形成酸化物を構成する元素としてＢとともにＳｉを使用する場合には、Ｓｉの含有率を５原子％以下に制限することがより望ましいといえる。なお、試料Ｎｏ．４６に示すように、Ａｌ、ＰおよびＳｉは、同時に使用して問題ない。
【００７３】
（試料Ｎｏ．４２〜Ｎｏ．４５について）
試料Ｎｏ．６およびＮｏ．４２〜Ｎｏ．４５の結果から分かるように、Ｂｉの添加に応じて軟化温度Ｔｓは低下するが、同時に誘電率εが増大する傾向を示した。また、Ｂｉの含有率が５原子％を超える試料Ｎｏ．４５は、目視にてガラスの着色を確認した。これらの結果から、Ｂｉは積極的に使用しない方が望ましいといえるが、含有率を５原子％以下に制限すれば、使用不能というわけではない。
【００７４】
（試料Ｎｏ．４７〜Ｎｏ．５０について）
試料Ｎｏ．４７〜Ｎｏ．５０は、Ｚｎ、ＢおよびＡｌの含有率の調整によってＹ／Ｘを変化させた試料である。試料Ｎｏ．４７〜Ｎｏ．５０の結果から分かるように、Ｙ／Ｘが１．０２以上１．２０以下でない場合、軟化温度Ｔｓが高すぎたり、結晶化開始温度Ｔｘが低くなりすぎたりした。
【００７５】
［実施例３］
実施例１と同様の原料粉末を、原子％換算でＢａ：Ｓｒ：Ｚｎ：Ｂ：Ａｌ：Ｐ：Ｓｉ＝１０：１０：３１：４７．１：０．８：０．８：０．４となるように秤量および混合した。混合原料粉末を白金坩堝に入れ、電気炉中１１５０℃で１時間溶融した後、ツインローラー法によってガラスカレットを作製した。このガラスカレットを、乾式ボールミルによって粉砕してガラス粉末を作製した。得られたガラス粉末の平均粒径を市販の粒度計によって測定したところ、その平均粒径は約５μｍであった。
【００７６】
次に、作製したガラス粉末と、バインダとしてのエチルセルロースと、溶剤としてのα−ターピネオールとを、３本ロールにて混合してガラスペーストを得た。
【００７７】
次に、厚さ２．８ｍｍの平坦なソーダライムガラス（耐熱温度：６００℃、熱膨張係数：８２．７×１０-7／℃（３０℃〜３００℃））からなる前面ガラス基板の主面上に、ＩＴＯの材料を図２に示すような所定パターンで塗工して乾燥炉内で乾燥させた。これにより、ＩＴＯ膜付きガラス基板を得た。このＩＴＯ膜付きガラス基板に対し、Ａｇ粉末と有機ビヒクルとの混合物であるＡｇペーストを、ＩＴＯ膜に重なるようにスクリーン印刷法でライン状に塗工した。そして、雰囲気温度を５９０℃に保った焼成炉内に前面ガラス基板を導入し、Ａｇペーストを焼成して表示電極を形成した。
【００７８】
次に、表示電極を形成した前面ガラス基板に対し、予め調製しておいたガラスペーストをブレードコーター法にて塗工した。その後、前面ガラス基板を雰囲気温度９０℃の焼成炉内に３０分間保持してガラスペーストを乾燥させ、さらに雰囲気温度を５８５℃に昇温して１０分間焼成することにより誘電体層（ガラス層）を形成した。前面ガラス基板に形成した誘電体層上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を電子ビーム蒸着法によって蒸着し保護層を形成した。このようにして、図２に示すＰＤＰ１００の前面板１を得た。
【００７９】
他方、以下の公知方法により背面板を作製した。まず、ソーダライムガラスからなる背面ガラス基板上にスクリーン印刷法によってＡｇを主体とするアドレス電極をストライプ状に形成した。続いて、アドレス電極を覆う誘電体層を本発明の酸化物ガラスによって形成した。次に、隣り合うアドレス電極間に位置するように、誘電体層上に隔壁を形成した。隔壁は、スクリーン印刷法によってＢｉ系ガラスを所定パターンに印刷する工程と、印刷したパターンを焼成する工程とを繰り返すことによって形成した。次に、隣り合う隔壁間に露出している誘電体層の表面に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体ペーストを塗工し、乾燥および焼成して蛍光体層を形成した。このようにして、図２に示すＰＤＰ１００の背面板８を得た。
【００８０】
上記のようにして作製した前面板１と背面板８とを、封着ガラスを用いて貼り合わせた。そして、放電空間の内部を高真空（約１×１０-4Ｐａ）に排気したのち、所定の圧力（６６．５ｋＰａ〜７９．８ｋＰａ）となるようにＮｅ−Ｘｅ系放電ガスを封入した。このようにして、ＰＤＰ１００を作製した。
【００８１】
作製したＰＤＰ１００にコントローラを接続して動作確認を行った。その結果、前面板に着色等が生じず、非常にクリアな表示を確認できた。
【００８２】
［実施例４］
実施例３と同様の方法で、図３の例に示すＰＤＰ１０１を作製した。まず、図３中に示す第１誘電体層１５用に、Ｂａ−Ｓｒ−Ｚｎ−Ｂ−Ａｌ−Ｐ−Ｓｉ−Ｏガラスペーストを作製した。第２誘電体層１６用に、アルカリ金属を含み、比誘電率が７である、Ｋ−Ｚｎ−Ｂ−Ｓｉ−Ｏ系ガラスペーストを作製した。
【００８３】
これらのペーストを用いて、実施例３と同様の方法で、前面板の誘電体層が二層構造であるＰＤＰパネル１０１を作製した。なお、第１誘電体層１５は、５９０℃で焼成して厚さ約２０μｍ、第２誘電体層１６は、５８０℃で焼成して厚さ約２０μｍとした。作製したＰＤＰ１０１が、前面板に着色を生じず、問題なく動作することを確認した。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明の酸化物ガラスは、電極用絶縁被覆ガラス、特にプラズマディスプレイパネルの表示電極やアドレス電極を被覆するための誘電体層の形成に好適に採用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】ＰＤＰの主要部の断面斜視図。
【図２】図１のＰＤＰのＩＩ−ＩＩ断面図。
【図３】ＰＤＰの他の実施形態の断面図。
【符号の説明】
【００８６】
１    前面板
２    前面ガラス基板
３    透明電極
４    バス電極
５    表示電極
６    誘電体層
７    誘電体保護層
８    背面板
９    背面ガラス基板
１０    アドレス電極
１１    誘電体層
１２    隔壁
１５    第１誘電体層（第１ガラス層）
１６    第２誘電体層’（第２ガラス層）
１００，１０１    プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
【図１】
2007076947.tif 000005
【図２】
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【図３】
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