(57)【要約】【課題】  基板加熱面上に噴出するガスの噴出量のばらつきを低減させることができ、基板の成長膜の生成等に影響を与えずに、基板加熱面上に反応膜が堆積することを抑制することができる加熱装置を提供する。  【解決手段】加熱装置１００は、基板が載置される基板加熱面１０ａ及び基板加熱面１０ａの反対側に位置する加熱部材裏面１０ｂを有し、抵抗発熱体１１が埋設された板状の加熱部材１０と、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂ側に配置され、加熱部材裏面１０ｂと対向する対向面２０ａを有する補助部材２０とを備え、加熱部材裏面１０ｂと対向面２０ａとの間には、基板加熱面１０ａ上に噴出するガスの経路である面状ガス経路１４ａが形成されていることを特徴とする加熱装置。【選択図】図３
2007051317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が載置される基板加熱面及び前記基板加熱面の反対側に位置する加熱部材裏面を有し、抵抗発熱体が埋設された板状の加熱部材と、
前記加熱部材の前記加熱部材裏面側に配置され、前記加熱部材裏面と対向する対向面を有する補助部材とを備え、
前記加熱部材裏面と前記対向面との間には、前記基板加熱面上に噴出するガスの経路である面状ガス経路が形成されていることを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記対向面は、前記加熱部材裏面よりも外側に張り出しており、
前記対向面には、前記加熱部材の側面に沿って配置され、前記対向面に対して略垂直方向に突出するひと続きの対向壁部が形成され、
前記加熱部材の前記側面と前記対向壁部との間には、前記面状ガス経路から前記基板加熱面側に連通するガス噴出経路が形成されることを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
前記加熱部材を前記加熱部材裏面側から支持する第１支持部材と、
前記対向面と反対側に位置する前記補助部材の面である補助部材裏面側から前記補助部材を支持する第２支持部材とを備えることを特徴とする請求項２に記載の加熱装置。
【請求項４】
前記対向壁部は、前記基板加熱面よりも低い面を備えることを特徴とする請求項２に記載の加熱装置。
【請求項５】
前記加熱部材は、前記基板加熱面側から前記面状ガス経路に連通する複数の連通孔を有し、
前記複数の連通孔は、前記基板加熱面の外周部に沿って等間隔で形成されることを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
【請求項６】
前記加熱部材を前記加熱部材裏面側から支持する第１支持部材と、
前記対向面と反対側に位置する前記補助部材の面である補助部材裏面側から前記補助部材を支持する第２支持部材とを備え、
前記加熱部材裏面と前記対向面との間には、前記面状ガス経路と前記連通孔とが合流する部分から前記加熱装置の外側に連通する間隙が形成され、
前記間隙は、前記ガスの流れを規制する形状を有することを特徴とする請求項５に記載の加熱装置。
【請求項７】
前記加熱部材を前記加熱部材裏面側から支持する第１支持部材を備え、
前記対向面上には、前記連通孔よりも外側に配置されるひと続きの外周壁と、
前記連通孔よりも内側に配置されるひと続きの内周壁とが設けられており、
前記外周壁及び前記内周壁は、前記対向面に対して略垂直方向の長さが略等しく、
前記補助部材は、前記加熱部材に固定されることを特徴とする請求項５に記載の加熱装置。
【請求項８】
前記補助部材は、ろう付け又はねじ止めによって前記加熱部材に固定されることを特徴とする請求項７に記載の加熱装置。
【請求項９】
前記連通孔は、前記基板加熱面に対して略垂直方向に延びていることを特徴とする請求項５に記載の加熱装置。
【請求項１０】
前記加熱部材は、前記基板加熱面よりも低い面を前記基板加熱面の外側に有することを特徴とする請求項５に記載の加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程や液晶製造工程では、基板を加熱するために加熱装置が用いられている。このような加熱装置としては、腐食性ガスを使用することが多いＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）装置や、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、ドライエッチング装置などが挙げられる。このような加熱装置の基体には、耐腐食性の観点からセラミックスが用いられることが一般的である。
【０００３】
このような半導体製造工程や液晶製造工程では、加熱装置の基板加熱部材に設けられた基板加熱面に基板が載置され、基板の外周部に反応膜が堆積することがあった。ここで、基板は、基板加熱面と接着しないが、反応膜は、基板加熱面と接着してしまう場合があった。これにより、基板加熱面から基板を離す際に、反応膜が基板加熱面から剥がれにくく、反応膜と基板加熱面との間に発生する応力によって、反応膜に欠けやヒビが生じることがあった。更には、基板にも欠けやヒビが生じることがあった。
【０００４】
そこで、基板加熱面にガス噴出口を複数設け、ガス噴出口からガスを噴出することにより、基板の外周部に反応膜が堆積することを防ぐ試みがあった（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開2002−93894号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ガス噴出口からのガス噴出量を増加させると、反応膜の堆積を低減することができるが、基板の成長膜の生成等に影響を及ぼしてしまうため、ガス噴出量を安易に増加させることはできない。そこで、各ガス噴出口からのガス噴出量は、反応膜の堆積を低減し、且つ成長膜の生成等に影響がでない量であることが好ましい。
【０００６】
しかしながら、上述した従来技術では、焼成されたセラミックの加熱装置内に穴あけ加工で複数のガス経路を形成するため、切削時にセラミックの一部が崩れてしまうなど、ガス経路の寸法精度を高めることが困難である。すなわち、基板加熱面上に噴出するガスの噴出量にばらつきが生じていた。
【０００７】
そこで、本発明は、基板加熱面上に噴出するガスの噴出量のばらつきを低減させることができ、基板の成長膜の生成等に影響を与えずに、基板加熱面上に反応膜が堆積することを抑制することができる加熱装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の加熱装置は、基板が載置される基板加熱面及び基板加熱面の反対側に位置する加熱部材裏面を有し、抵抗発熱体が埋設された板状の加熱部材と、加熱部材の加熱部材裏面側に配置され、加熱部材裏面と対向する対向面を有する補助部材とを備え、加熱部材裏面と対向面との間には、基板加熱面上に噴出するガスの経路である面状ガス経路が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
このような加熱装置によれば、加熱部材に加熱部材裏面が形成され、補助部材に対向面が形成されており、加熱部材裏面と対向面との間に面状ガス経路が形成されている。
【００１０】
また、加熱部材裏面及び対向面は、単純な面形状であるため、金型等を用いた成形及び焼成によって容易に形成することができる。
【００１１】
従って、従来のように穴あけ加工によってガス経路を形成する場合よりも、加熱部材裏面と対向面との間に形成される面状ガス経路の寸法精度を高めることができる。
【００１２】
すなわち、基板加熱面上に噴出するガスの噴出量のばらつきを低減させることができ、基板の成長膜の生成等に影響を与えずに、基板加熱面上に反応膜が堆積することを抑制することができる。
【００１３】
対向面は、加熱部材裏面よりも外側に張り出しており、対向面には、加熱部材の側面に沿って配置され、対向面に対して略垂直方向に突出するひと続きの対向壁部が形成されることが好ましい。
【００１４】
これによれば、加熱部材の側面と加熱部材の側面に沿って設けられた対向壁部との間には、面状ガス経路から基板加熱面側に連通するガス噴出経路が形成されている。すなわち、基板加熱面の外周全体に亘ってガスが噴出する噴出口が形成される。
【００１５】
従って、基板加熱面の外周部に複数の噴出口を設ける場合に比べて、基板加熱面上に反応膜が堆積することを効果的に抑制することができる。
【００１６】
加熱部材を加熱部材裏面側から支持する第１支持部材と、対向面と反対側に位置する補助部材の面である補助部材裏面側から補助部材を支持する第２支持部材とを備えることが好ましい。
【００１７】
補助部材の対向壁部は、加熱部材の基板加熱面よりも低い面を備えることが好ましい。
【００１８】
これによれば、補助部材の対向壁部及び加熱部材は、基板加熱面の外周で基板加熱面よりも低くした面にリング等の周辺部材をずれずに載置することができる。
【００１９】
加熱部材は、基板加熱面側から面状ガス経路に連通する複数の連通孔を有し、複数の連通孔は、基板加熱面の外周部に沿って等間隔で形成されることが好ましい。
【００２０】
これによれば、加熱部材が、基板加熱面から面状ガス経路に連通する複数の連通孔を有することにより、加熱装置の製造工程において、加熱部材と補助部材との位置合せが容易となる。また、連通孔が、基板加熱面の外周部に沿って等間隔で形成されることにより、基板加熱面上に反応膜が堆積することを効果的に抑制することができる。
【００２１】
加熱部材を加熱部材裏面側から支持する第１支持部材と、対向面と反対側に位置する補助部材の面である補助部材裏面側から補助部材を支持する第２支持部材とを備え、加熱部材裏面と対向面との間には、面状ガス経路と連通孔とが合流する部分から加熱装置の外側に連通する間隙が形成され、間隙は、ガスの流れを規制する形状を有することが好ましい。
【００２２】
これによれば、加熱部材の加熱部材裏面と補助部材の対向面との間に形成される間隙が、面状ガス経路と連通孔とが合流する部分から加熱装置の外側に連通している。すなわち、加熱部材裏面と補助部材の対向面とは互いに接していない。
【００２３】
従って、加熱部材裏面と補助部材の対向面との間に形成される間隙は、第１支持部材及び第２支持部材の寸法誤差を吸収することができる。
【００２４】
また、加熱部材の加熱部材裏面と補助部材の対向面との間に形成される間隙が、ガスの流れを規制する形状を有することにより、基板加熱面側に噴出するガスが間隙から漏れることを抑制することができる。
【００２５】
なお、ガスの流れを規制する形状とは、面状ガス経路よりも断面の面積が著しく小さい形状やクランク形状などである。
【００２６】
加熱部材を加熱部材裏面側から支持する第１支持部材を備え、対向面上には、連通孔よりも外側に配置されるひと続きの外周壁と、連通孔よりも内側に配置されるひと続きの内周壁とが設けられており、外周壁及び内周壁は、対向面に対して略垂直方向の長さが略等しく、補助部材は、加熱部材に固定されることが好ましい。
【００２７】
これによれば、補助部材が加熱部材に固定され、外周壁及び内周壁の高さが略等しいことにより、加熱部材材の加熱部材裏面と補助部材の対向面との間に形成される面状ガス経路の寸法精度を高めることができる。また、面状ガス経路からガスが漏れることを抑制することができる。
【００２８】
また、補助部材用の支持部材が不要なので、装置の重量が軽くなり、装置のハンドリングがしやすくなる。又、台座の直径も小さくできるので、台座を介して装置が取り付く側の部位をコンパクトに設計することができる。
【００２９】
補助部材は、ろう付け又はねじ止めによって加熱部材に固定されることが好ましい。
【００３０】
これによれば、簡単に補助部材を加熱部材に固定することができる。また、ねじ止めにより補助部材を加熱部材に固定する場合には、補助部材から加熱部材の距離を簡単に変更することができる。従って、面上ガス経路のガス流量を簡単に調整することができる。
【００３１】
連通孔は、基板加熱面に対して略垂直方向に延びていることを特徴とするが好ましい。
【００３２】
連通孔路からのガスが基板加熱面に対して略垂直に噴出することにより、反応膜の堆積を更に低減することができる。
【００３３】
加熱部材は、加熱部材の基板加熱面よりも低い面を基板加熱面の外側に有することが好ましい。
【００３４】
これによれば、補助部材の対向壁部及び加熱部材は、基板加熱面の外周で基板加熱面よりも低くした面にリング等の周辺部材を載置することができる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、基板加熱面上に噴出するガスの噴出量のばらつきを低減させることができ、基板の成長膜の生成等に影響を与えずに、基板加熱面上に反応膜が堆積することを抑制することができる加熱装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることを留意するべきである。
【００３７】
したがって、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００３８】
[第１実施形態]
（加熱装置）
以下において、本発明の第１実施形態に係る加熱装置１００について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る加熱装置１００の全体を示す斜視図である。加熱装置１００は、第１支持部材３０に支持され、基板加熱面１０ａを備える加熱部材１０と、第２支持部材５０に支持される補助部材２０と、ガスが噴出する噴出口１４ｈと、第１支持部材３０と第２支持部材５０とを支持する台座４０とを備える。加熱装置１００は基板加熱面１０ａに載置された基板を加熱する。
【００３９】
加熱部材１０は、基板加熱面１０ａと、加熱部材裏面１０ｂと、側面１０ｃとを有する。基板加熱面１０ａには、シリコン基板やガラス基板等の基板が載置される。基板加熱面１０ａの表面粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜６．３μｍであることが好ましい。
【００４０】
加熱部材１０は、後述する給電部材１２から抵抗発熱体１１に電力が印加されることにより、基板加熱面１０ａを加熱し、基板加熱面１０ａの上に載置される基板を加熱する。加熱部材１０は、円盤状等の板状のものを用いることができる。加熱部材１０は、セラミックス、又はセラミックスと金属の複合材料等により構成される。例えば、加熱部材１０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）等の焼結体、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、アルミニウム合金−窒化アルミニウムコンポジット、アルミニウム合金−ＳｉＣコンポジット等により構成できる。加熱部材１０には、酸化イットリウム等を焼結助剤として含むことができる。但し、加熱部材１０を形成する上述した主成分の原料以外の成分総量は、５％以下であることが好ましい。加熱部材１０は、第１支持部材３０により支持される。
【００４１】
第１支持部材３０は、中空形状の円筒等であり、その管内に給電部材１２を収容する。第１支持部材３０は、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂに接合されている。第１支持部材３０は、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化アルミニウム等で形成される。第１支持部材３０は、加熱部材１０の材質と同種とすることが好ましい。第１支持部材３０は、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化アルミニウム等で形成される。第１支持部材３０は、加熱部材１０の材質と同種とすることが好ましい
補助部材２０は、後述する対向壁部２１が設けられた対向面２０ａと、補助部材裏面２０ｄとを有する。補助部材２０は、加熱部材１０と同じセラミックス、セラミックスと金属の複合材料等により構成されることが好ましい。
【００４２】
対向壁部２１は、対向面２０ａ上における加熱部材１０の外側に設けられており、加熱部材１０の側面１０ｃに沿ってひと続きに形成される。対向壁部２１は、対向壁部側面２０ｂと載置面２０ｃとを有する。対向壁部２１は、加熱部材１０の側面１０ｃと対向する。載置面２０ｃは、加熱部材１０の基板加熱面１０ａよりも低い面である。補助部材２０は、第２支持部材５０により支えられる。
【００４３】
第２支持部材５０は、第１支持部材３０と同様に窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化アルミニウム等で形成される。第２支持部材５０は、補助部材２０の材質と同種とすることが好ましい。
【００４４】
補助部材２０と第２支持部材５０とは、一体化接合又はシール接合等で接合されている。なお、シール接合としては、Ｏリング、メタルパッキング等が用いられる。又、補助部材２０および第２支持部材５０からなる形状を１体形成することも可能である。
【００４５】
第２支持部材５０及び第１支持部材３０は、台座４０に支えられる。台座４０及び第２支持部材５０、台座４０及び第１支持部材３０は、ねじ等で固定されている。台座４０との接合部は、Ｏリング等により、シール構造とする。また、台座４０は、例えばアルミニウム、ＳＵＳ、Ｎｉ等の金属で形成される。
【００４６】
ガス経路１４は、上述した加熱部材１０と、補助部材２０との間に形成される。
【００４７】
具体的には、ガス経路１４は、面状ガス経路１４ａと、面状ガス経路１４ａに連通するガス噴出経路１４ｂとにより形成される。
【００４８】
面状ガス経路１４ａは、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと、補助部材２０の対向面２０ａとの間に形成される。
【００４９】
ガス噴出経路１４ｂは、加熱部材１０の側面１０ｃと対向壁部２１との間に形成される。ガス噴出経路１４ｂは、面状ガス経路１４ａから基板加熱面１０ａ側に連通する。このような、ガス経路１４により、基板加熱面１０ａの外周全体に亘ってガスが噴出する噴出口１４ｈが形成される。ガス経路１４の幅である経路幅１４Ｗは、加熱部材１０の側面１０ｃから、対向壁部２１のまでの距離である。
【００５０】
以下において、上述したガス経路１４について更に説明する。
【００５１】
図２は、図１の分解図の一部を示す。
【００５２】
図２に示すように、補助部材２０は、第１支持部材３０の通る孔が形成され、第２支持部材５０に支持される。また、加熱部材１０は、第１支持部材３０に支持される。第１支持部材３０と加熱部材１０との接続面は、補助部材２０の対向面２０ａよりも高い位置にあることにより、面状ガス経路１４ａが形成される。
【００５３】
補助部材２０の対向面２０ａは、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと対向する。また、対向面２０ａは、加熱部材裏面１０ｂよりも外側に張り出している。
【００５４】
対向壁部２１は、対向面２０ａの外周に沿ってひと続きに形成される。これにより、加熱部材１０の側面１０ｃと、対向壁部２１との間でガス噴出経路１４ｂを形成することができる。
【００５５】
図３は、図１の１ａ−１ａ断面図を示す。図３に示すように、台座４０からの第１支持部材３０と第２支持部材５０との長さの関係により対向面２０ａから加熱部材裏面１０ｂまでの距離である面状ガス経路１４ａの幅が決まる。また、加熱部材１０は、内部に抵抗発熱体１１を埋設し、給電部材１２を挿入するための穴を有する。
【００５６】
抵抗発熱体１１は、加熱部材１０内部に埋設されている。抵抗発熱体１１は、ニオブ、モリブデン、タングステン等を用いることができる。抵抗発熱体１１は、線状、コイル状、帯状、メッシュ状、膜状等の物を用いることができる。
【００５７】
第１支持部材３０は、中空形状の円筒等であり、その管内に給電部材１２を収容する。
【００５８】
給電部材１２は、抵抗発熱体１１に電力を供給する。給電部材１２は、抵抗発熱体１１と接続されている。給電部材１２は、Ni、Al、Cu、合金等で形成される。給電部材１２の形状は、ロッド、円柱、ケーブル、板、ひも状の織物、円筒形状などである。給電部材１２は、抵抗発熱体１１と、ロウ接合、溶接、共晶、かしめ、嵌め合い、ネジ止め等で接続されている。給電部材１２は、絶縁部材１３で覆われている。絶縁部材１３は、例えばセラミックスにより形成されることで、絶縁性、断熱性を有することができる。
【００５９】
台座４０は、ガス導入孔１５を備える。これにより、ガスは、ガス導入孔１５から供給され、第２支持部材５０と、第１支持部材３０との間の空間を通り、ガス経路１４を通り基板加熱面１０ａへと伝う経路が形成される。
【００６０】
なお、ガスは、公知のガス、例えば窒素、ヘリウム、アルゴン、ヘリウムとアルゴンの混合ガスなどを１ａｔｍ、０℃で換算して０．５〜２０Ｌ/ｍｉｎで流すことが好ましい。このような加熱装置１００によれば、加熱装置１００は、加熱部材１０に加熱部材裏面１０ｂが形成され、補助部材２０に対向面２０ａが形成されており、加熱部材裏面１０ｂと対向面２０ａとの間に面状ガス経路１４ａが形成されている。
【００６１】
上述した本発明の第１実施形態に係る加熱装置１００によれば、加熱部材裏面１０ｂ及び対向面２０ａは、単純な面形状であるため、金型等を用いた成形及び焼成によって容易に形成することができる。
【００６２】
従って、従来のように穴あけ加工によってガス経路１４を形成する場合よりも、加熱部材裏面１０ｂと対向面２０ａとの間に形成される面状ガス経路１４ａの寸法精度を高めることができる。
【００６３】
すなわち、基板加熱面１０ａ上に噴出するガスの噴出量のばらつきを低減させることができ、基板の成長膜の生成等に影響を与えずに、基板加熱面１０ａ上に反応膜が堆積することを抑制することができる。
【００６４】
また、基板加熱面１０ａの外周全体に亘ってガスが噴出する噴出口１４ｈが形成されることにより、基板加熱面１０ａの外周部に複数の噴出口を設ける場合に比べて、基板加熱面上に反応膜が堆積することを効果的に抑制することができる。
【００６５】
補助部材２０の対向壁部２１は、基板加熱面１０ａの外周に基板加熱面１０ａよりも低くした載置面２０ｃを備えることにより、基板加熱面１０ａの外周にリング等の周辺部材を載置することができる。
【００６６】
補助部材２０は、加熱部材１０と同じセラミックス、セラミックスと金属の複合材料等により構成されることにより、加熱装置１００を高温処理した際の熱収縮挙動を同じにすることができる。
【００６７】
基板加熱面１０ａの表面粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜６．３μｍであることにより、基板加熱面１０ａと基板とを適切に接触させて、基板温度を均一に保つことができる。
【００６８】
第１支持部材３０は、加熱部材１０の材質と同種とすることにより、加熱部材１０と第１支持部材３０との接合部分において、熱膨張係数差等に起因する熱応力が発生することを防止でき、強固に第１支持部材３０を接合できる。
【００６９】
第２支持部材５０は、補助部材２０の材質と同種とすることにより、補助部材２０と第２支持部材５０との接合部分において、熱膨張係数差等に起因する熱応力が発生することを防止でき、強固に第２支持部材５０を接合できる。
【００７０】
（加熱装置の製造方法）
このような加熱装置１００は、抵抗発熱体１１を有する加熱部材１０を形成する工程と、補助部材２０を形成する工程と、加熱部材１０と、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと、補助部材２０の対向面２０ａとの間にガス経路１４を形成する工程とによって製造できる。
【００７１】
まず、加熱部材１０を以下のように作製する。加熱部材１０のセラミックス原料粉末に、バインダ、必要に応じて、有機溶剤、分散剤等を添加して混合し、スラリーを作製する。セラミックス原料粉末は、主成分となるセラミックスの粉末と、焼結助剤とバインダとを含むことができる。例えば、窒化アルミニウム粉末を主成分とし、酸化イットリウム粉末などを焼結助剤として添加する。但し、主成分の原料以外の成分総量は、５％以下であることが好ましい。セラミック原料粉末をボールミル等により混合する。
【００７２】
得られたスラリーを噴霧造粒法等により造粒して造粒顆粒を得る。得られた造粒顆粒を、金型成形法、ＣＩＰ（Cold  Isostatic  Pressing）法、スリップキャスト法等の成形方法により成形する。
【００７３】
次に成形体上に抵抗発熱体１１を形成する。例えば、高融点材料の粉末を含む印刷ペーストを調整し、成形体にスクリーン印刷法等により所定のパターン形状となるように印刷して、抵抗発熱体１１を形成する。この場合、印刷ペーストに、加熱部材１０のセラミックス原料粉末を混合することが好ましい。これによれば、抵抗発熱体１１と加熱部材１０との熱膨張係数を近づけることができ、密着性を向上できる。
【００７４】
抵抗発熱体１１が形成された成形体上に、同様にして得た成形体を積層し、一体的に焼成する。例えば、金型等に抵抗発熱体１１が形成された成形体をセットする。抵抗発熱体１１及び成形体上に、成形体作製時と同様にして準備した造粒顆粒を充填し、成形とその積層を同時に行う。
【００７５】
そして、抵抗発熱体１１を埋設した成形体を、ホットプレス法や常圧焼結法等の焼成方法により一体に焼成し、一体焼結体の加熱部材１０を作製する。例えば、得られた成形体を、セラミックスの種類に応じた雰囲気、焼成温度、焼成時間、焼成方法で焼成することができる。例えば、セラミックス原料粉末として窒化アルミニウム粉末を使用した場合には、ホットプレス法を用いて、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気中、１７００〜２２００℃で、約１〜１０時間保持することにより焼成できる。焼成中に加える圧力は、２０〜１０００kgｆ/ｃｍ2とできる。これによれば、加熱部材１０と抵抗発熱体１１との密着性を良好にできる。焼成温度は、１７５０〜２０５０℃であることが好ましく、圧力は５０〜２００  kgｆ/ｃｍ2であることが好ましい。
【００７６】
最後に、得られた加熱部材１０に、基板加熱面１０ａの平坦化加工や、抵抗発熱体１１に給電部材１２を接続するための給電部材１２用穴の穴あけ加工を施し、抵抗発熱体１１の一部を予め露出させる。
【００７７】
次に、補助部材２０を加熱部材１０と同様にして作製する。なお、成型体を作製する際に、第１支持部材３０の通る孔と、加熱部材１０の外側に対向壁部２１と、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂよりも外側に張り出している対向面２０ａとを有するように形成する。対向壁部２１の外周部に、加熱部材１０の基板加熱面１０ａよりも低くなるようにした載置面２０ｃを形成することが好ましい。載置面２０ｃは、金型で成形する他に、焼成後に研削加工等を用いて形成できる。
【００７８】
このような加熱部材１０及び補助部材２０の作製と並行して、第１支持部材３０及び第２支持部材５０を作製する。第１支持部材３０は、加熱部材１０を作製した場合と同様にして、造粒顆粒を準備し、管状の成形体を作製し、得られた成形体を例えば窒素ガス中で常圧焼成することにより作製できる。第１支持部材３０は、加熱部材１０の作製に用いたセラミックス原料粉末と同じ材質の原料粉末を使用して作製することが好ましい。
【００７９】
第２支持部材５０は、補助部材２０を作製した場合と同様にして、造粒顆粒を準備し、管状の成形体を静水圧プレス法等で作製し、得られた成形体を例えば窒素ガス中で常圧焼成法により作製できる。第２支持部材５０は、補助部材２０の作製に用いたセラミックス原料粉末と同じ材質の原料粉末を使用して作製することが好ましい。
【００８０】
次に、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと、第１支持部材３０とを例えば、かしめ、溶接、ロウ付け、はんだ付け等で接合する。具体的には、加熱部材１０の接合面、又は、第１支持部材３０の接合面の少なくとも１つに、加熱部材１０や第１支持部材３０の材質に応じた接合剤を塗布する。そして、加熱部材１０と第１支持部材３０の接合面同士を貼り合わせ、加熱部材１０や第１支持部材３０の材質に応じた雰囲気、温度で熱処理を行うことにより、接合できる。このとき、接合面と垂直な方向から加熱部材１０と第１支持部材３０とを押しつけるように加圧してもよい。
【００８１】
加熱部材１０及び第１支持部材３０が窒化アルミニウム焼結体である場合、接合剤として希土類化合物等を塗布し、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気中で、１５００〜２０００℃で、１〜１０時間保持することにより接合を行う。
【００８２】
補助部材２０と、第２支持部材５０とを加熱部材下面１０ｂと、第１支持部材３０とを接合するのと同様に接合する。
【００８３】
次に、第１支持部材３０及び第２支持部材５０を台座４０にネジ等を用いて固定する。この際、補助部材２０と、加熱部材１０との間にガス経路１４が形成されるように固定する。台座４０との接合部は、Ｏリング等により、シール構造とする。台座４０には、給電部材１２を通すための貫通孔及び、ガス経路１４にガスを流すためのガス導入孔１５を予め穴あけ加工等で形成する。
【００８４】
上述した本発明の第１実施形態に係る加熱装置１００の製造方法によれば、抵抗発熱体１１を有する加熱部材１０を形成する工程と、補助部材２０を形成する工程を含むことにより、加熱部材１０と、補助部材２０とを別々に形成することができる。加熱部材１０及び補助部材２０は、単純な面により構成され、金型等を用いて形成することができるため容易に形成することができる。
【００８５】
また、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと、補助部材２０の対向面２０ａとの間にガス経路１４を形成する工程を含むことにより、従来のように穴あけ加工によってガス経路１４を形成する場合よりも、加熱部材裏面１０ｂと対向面２０ａとの間に形成される面状ガス経路１４ａの寸法精度を高めることができる。
【００８６】
すなわち、基板加熱面１０ａ上に噴出するガスの噴出量のばらつきを低減させることができ、基板の成長膜の生成等に影響を与えずに、基板加熱面１０ａ上に反応膜が堆積することを抑制することができる加熱装置１００を製造することができる。
【００８７】
[第２実施形態]
（加熱装置）
以下において本発明の第２実施形態に係る加熱装置１００について図面を参照しながら説明する。なお、以下においては、上述した第１実施形態との相違点を主として説明する。
【００８８】
具体的には、第１実施形態では、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂよりも外側に張り出している対向面２０ａを有する補助部材２０を用いている。加熱部材１０の側面１０ｃに沿ってひと続きに配置され、対向面２０ａに対して略垂直方向に突出する対向壁部２１を形成することにより、側面１０ｃと対向壁部２１との間には、面状ガス経路１４ａから基板加熱面１０ａに連通するガス噴出経路１４ｂが形成されている。
【００８９】
それに対して、第２実施形態では、加熱部材１０に面状ガス経路１４ａから基板加熱面１０ａに連通する連通孔１４ｃが形成されている。
【００９０】
図４は、本発明の第２実施形態に係る加熱装置１００の全体を示す斜視図である。なお、抵抗発熱体１１、給電部材１２、絶縁部材１３、第１支持部材３０、台座４０、第２支持部材５０については、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。同様に、第１支持部材３０及び第２支持部材５０の形状、材料等は、第１実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
【００９１】
図４に示すように、第２実施形態に係る加熱装置１００は、基板加熱面１０ａを備える加熱部材１０と、補助部材２０と、噴出口１４ｈと、第１支持部材３０と、第２支持部材５０とを備える。第１支持部材３０及び第２支持部材５０は、台座４０に固定される。
【００９２】
補助部材２０は、対向面２０ａの外周部から対向面２０ａに対して略垂直方向に突出する外周壁２２を備える。加熱部材１０は、外周壁２２の外周壁厚さ２２ｗの距離よりも大きな幅を有する溝１７を備える。この外周壁２２及び溝１７については、図７にて後述する。
【００９３】
加熱部材１０は、内部に抵抗発熱体１１と、基板加熱面１０ａと、加熱部材裏面１０ｂとを備える。また、加熱部材１０は、複数の連通孔１４ｃを形成し、載置面１０ｄを備える。加熱部材裏面１０ｂには、溝幅１７ｗを有する溝１７が形成される。載置面１０ｄは、加熱部材１０の基板加熱面１０ａよりも低い面である。
【００９４】
補助部材２０は、対向面２０ａの外周部から対向面２０ａに対して略垂直方向に突出する対向壁部２１を備える。対向面２０ａは、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと対向する。
【００９５】
ガス経路１４は、面状ガス経路１４ａと、面状ガス経路１４ａに連通する連通孔１４ｃとにより形成される。
【００９６】
面状ガス経路１４ａは、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと、補助部材２０の対向面２０ａとにより形成される。
【００９７】
連通孔１４ｃは、噴出口１４ｈよりガスを噴出する。連通孔１４ｃは、基板加熱面１０ａから面状ガス経路１４ａに連通する。連通孔１４ｃは、基板加熱面１０ａの外周部に等間隔で複数形成されることが好ましい。連通孔１４ｃは、基板加熱面１０ａに対して略垂直方向に延びる形状であることが好ましい。
【００９８】
図５は、図４の分解図の一部を示す。図４に示すように、加熱部材１０は、第１支持部材３０により支持される。また、補助部材２０は、第１支持部材３０の通る孔が形成され、第２支持部材５０により支えられる。
【００９９】
図６は、図４の４ａ−４ａ断面図を示す。
【０１００】
加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと補助部材２０の対向面２０ａとの間には、面状ガス経路１４ａと連通孔１４ｃとが合流する部分から加熱装置１００の外側に連通し、ガスの流れを規制する形状を有する間隙が形成されることが好ましい。ガスの流れを規制する形状とは、面状ガス経路１４ａよりも断面の面積が著しく小さい形状やクランク形状などである。その具体的な例が、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂに形成される溝１７と、補助部材２０の対向面２０ａに形成される外周壁２２とにより形成されるクランク形状である。
【０１０１】
溝１７と、外周壁２２とにより形成されるクランク形状について図７で更に説明する。
【０１０２】
図７は、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂに形成される溝１７、及び補助部材２０の対向面２０ａに形成される外周壁２２の拡大図である。
【０１０３】
図７に示すように、溝１７及び外周壁２２により、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと補助部材２０の対向面２０ａとの間に形成される間隙が、面状ガス経路１４ａと連通孔１４ｃとが合流する部分から加熱装置１００の外側に連通している。すなわち、加熱部材裏面１０ｂと補助部材２０の対向面２０ａとは互いに接していない。
【０１０４】
本発明の第２実施形態に係る加熱装置１００によれば、加熱部材１０が、基板加熱面１０ａから面状ガス経路１４ａに連通する複数の連通孔１４ｃを有することにより、加熱装置１００の製造工程において、加熱部材１０と補助部材２０との位置合せが容易となる。また、連通孔１４ｃが、基板加熱面１０ａの外周部に沿って等間隔で形成されることにより、基板加熱面１０ａ上に反応膜が堆積することを効果的に抑制することができる。
【０１０５】
連通孔１４ｃからの基板加熱面１０ａに対して略垂直に形成されることにより、ガスが基板加熱面１０ａに対して略垂直に噴出することにより、反応膜の堆積を更に低減することができる。
【０１０６】
また、加熱部材１０は、第１支持部材３０により支持される。また、補助部材２０は、第１支持部材３０の通る孔が形成され、第２支持部材５０により支えられる。加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと補助部材２０の対向面２０ａとの間に形成される間隙が、面状ガス経路１４ａと連通孔１４ｃとが合流する部分から加熱装置１００の外側に連通し、加熱部材裏面１０ｂと補助部材２０の対向面２０ａとは互いに接していない。従って、加熱部材裏面１０ｂと補助部材２０の対向面２０ａとの間に形成される間隙は、第１支持部材３０及び第２支持部材５０の寸法誤差を吸収することができる。
【０１０７】
また、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと補助部材２０の対向面２０ａとの間に形成される間隙が、ガスの流れを規制する形状を有することにより、基板加熱面１０ａ側に噴出するガスが間隙から漏れることを抑制することができる。
【０１０８】
[第３実施形態]
（加熱装置）
以下において本発明の第３実施形態に係る加熱装置１００について図面を参照しながら説明する。なお、以下においては、上述した第１実施形態との相違点を主として説明する。
【０１０９】
具体的には、第１実施形態では、加熱部材１０は第１支持部材３０に支持され、補助部材２０は、第２支持部材５０に支持される。つまり、加熱部材１０と、補助部材２０とは、別々に支持されている。それに対して、第３実施形態では、補助部材２０は、第１支持部材３０に支持された加熱部材１０に直接固定されている。
【０１１０】
図８は、本発明の第３実施形態に係る加熱装置１００の全体を示す斜視図である。図８に示すように、第３実施形態に係る加熱装置１００は、補助部材２０が、加熱部材１０に固定される。第３実施形態に係る加熱装置１００は、第２実施形態と同様に基板加熱面１０ａを備える加熱部材１０と、補助部材２０と、ガス経路１４と、第２支持部材５０とを備える。
【０１１１】
図９は、図８の分解図の一部を示す。図９に示すように、加熱部材１０は、第１支持部材５１により支持される。また、補助部材２０は、第１支持部材５１の通る孔が形成される。
【０１１２】
図１０は、図８の８ａ−８ａ断面図を示す。
【０１１３】
加熱部材１０は、第２実施形態と同様に内部に抵抗発熱体１１と、基板加熱面１０ａと、加熱部材裏面１０ｂとを備える。また、加熱部材１０は、複数の連通孔１４ｃと、ガス経路１４ｄとを形成し、載置面１０ｄを備える。
【０１１４】
補助部材２０は、対向面２０ａと、外周壁と内周壁とを有する。補助部材２０は、加熱部材１０に固定されていることが好ましい。実施形態３においては、ねじ７０によって補助部材２０が、加熱部材１０に固定されている。補助部材２０は、加熱部材１０と同じセラミックス、セラミックスと金属の複合材料等により構成されることが好ましい。対向面２０ａは、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと対向する。
【０１１５】
外周壁は、加熱部材１０に形成された連通孔１４ｃよりも外側で対向面２０ａの外周部に、対向面２０ａに対して略垂直方向に突出する。
【０１１６】
内周壁は、連通孔１４ｃよりも内側で、対向面２０ａに対して略垂直方向に突出する。外周壁及び内周壁の高さは略等しいことが好ましい。また、外周壁と加熱部材裏面１０ｂとの間、内周壁と加熱部材裏面１０ｂとの間は密接しているが、密接面にＯリング６０を載置して接合することもできる。
【０１１７】
ガス経路１４は、面状ガス経路１４ａと、面状ガス経路１４ａに連通する連通孔１４ｃと、面状ガス経路１４ａに連通するガス経路１４ｄとにより形成される。
【０１１８】
面状ガス経路１４ａは、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂと、補助部材２０の対向面２０ａと外周壁と内周壁とにより形成される。
【０１１９】
ガス経路１４ｄは、加熱部材１０内に形成され、面状ガス経路１４ａに連通する。
【０１２０】
第１支持部材５１は、加熱部材１０を支える。第１支持部材５１は、中空形状の円筒等であり、その管内に給電部材１２を収容する。また、第１支持部材５１の内部には、ガス経路１４ｅが形成される。第１支持部材５１は、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂに接合されている。第１支持部材５１の材料、接合方法等は、第１実施形態の第１支持部材３０と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【０１２１】
ガス経路１４ｅは、ガス経路１４ｄに連通する。
【０１２２】
なお、抵抗発熱体１１、給電部材１２、絶縁部材１３、台座４０等については、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【０１２３】
このような加熱装置１００によれば、補助部材２０が加熱部材１０に固定され、外周壁及び内周壁の高さが略等しいことにより、加熱部材１０材の加熱部材裏面１０ｂと補助部材２０の対向面２０ａとの間に形成される面状ガス経路１４ａの寸法精度を高めることができる。また、面状ガス経路１４ａからガスが漏れることを抑制することができる。
【０１２４】
又、補助部材２０用の支持部材が不要なので、装置の重量が軽くなり、装置のハンドリングがしやすくなる。又、台座の直径も小さくできるので、台座を介して装置が取り付く側の部位をコンパクトに設計することができる。
【０１２５】
[その他の実施形態]
（加熱装置）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【０１２６】
例えば、実施形態３では、補助部材２０を加熱部材１０に固定する際に、ねじ止めにより補助部材２０を固定したが、図１１に示すように、補助部材２０を加熱部材１０に固定する際に、ろう付けにより、補助部材２０を加熱部材１０に固定してもよい。
【０１２７】
また、実施形態２では、ガスの流れを規制する形状として図７に示すようなクランク形状を説明したが、加熱部材裏面１０ｂと補助部材２０の対向面２０ａとの間に形成される間隙が、第１支持部材３０及び第２支持部材５０の寸法誤差を吸収することができればよい。例えば、面状ガス経路１４ａよりも断面の面積が著しく小さい形状であればよく、面状ガス経路１４ａよりも外側にセラミックによりリング状に形成されたものを加熱部材裏面１０ｂと補助部材２０の対向面２０ａとの間に形成してもよい。
【実施例】
【０１２８】
次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１２９】
まず、加熱部材１０を以下のように作製した。加熱部材１０のセラミックス原料粉末として窒化アルミニウム粉末に、バインダ、焼結助剤として酸化イットリウムを加え、ボールミルを用いて混合した。得られたスラリーを噴霧造粒法等により造粒して造粒顆粒を得た。得られた造粒顆粒を、金型成形法により板状に成形した。また、造粒顆粒を静水圧プレス法により、第１支持部材３０用の管状に成形した。得られた管状の成形体は窒素ガス中で常圧焼成により、１８００℃で、約２時間保持することにより焼成した。
【０１３０】
一方、板状成形体は、更に予めコイル状に形成したモリブデン製抵抗発熱体１１を板状成形体上に配設して、その上に、再び上記造粒顆粒を充填してプレス成形を行った。
【０１３１】
そして、抵抗発熱体１１が、一体に成形された窒化アルミニウム成形体をカーボン製のサヤにセットし、ホットプレス法により焼成した。具体的には、２００ｋｇｆ／ｃｍ2で加圧しながら、窒素加圧雰囲気で、１８００℃で２時間保持して一体に焼成した。
【０１３２】
得られた加熱部材１０に、基板加熱面１０ａの平坦化加工や、給電部材１２用穴の穴あけ加工等を施し、抵抗発熱体１１の一部を予め露出させた。加熱部材１０の大きさは、直径２３７ｍｍ、厚さ１８ｍｍとした。第１支持部材３０の大きさは、外径５５ｍｍ、内径４５ｍｍ、長さ１６９ｍｍとした。
【０１３３】
加熱部材１０と第１支持部材３０の接合面に接合剤を塗布し、両者を貼り合わせて、窒素雰囲気中で、１７００℃、２時間、熱処理し、加熱部材１０と第１支持部材３０とを接合した。抵抗発熱体１１に給電部材１２をロウ付けにより接合した。なお、第１支持部材３０の端部はフランジ形状に加工した。
【０１３４】
図６に示すように、基板加熱面１０ａに直径３ｍｍの連通孔１４ｃを穴あけ加工で形成した。連通孔１４ｃは、基板の外周に沿って、直径３ｍｍで基板加熱面１０ａ上に１２箇所に均等に配置されるように設けた。
【０１３５】
次に、補助部材２０を以下のように作製した。補助部材２０のセラミックス原料粉末として窒化アルミニウム粉末に、バインダ、焼結助剤として酸化イットリウムを加え、ボールミルを用いて混合した。得られたスラリーを噴霧造粒法等により造粒して造粒顆粒を得た。得られた造粒顆粒を、金型成形法により板状に成形した。また、造粒顆粒を静水圧プレス法により、第２支持部材５０用の管状に成形した。得られた板状の成形体を、ホットプレス法を用いて、窒素ガス雰囲気中、１８００℃で、約２時間保持することにより焼成した。また、管状の成形体を窒素ガス中で常圧焼成により、１８００℃で、約２時間保持することにより焼成した。
【０１３６】
得られた補助部材２０に、リフトピン用穴の穴あけ加工等を施した。補助部材２０の大きさは、直径２２８ｍｍ、厚さ５ｍｍとした。第２支持部材５０の大きさは、外径９８ｍｍ、内径８８ｍｍ、長さ１６１ｍｍとした。
【０１３７】
補助部材２０と第２支持部材５０の接合面に接合剤を塗布し、両者を貼り合わせて、窒素雰囲気中で、１７００℃、２時間、熱処理し、加熱部材１０と第１支持部材３０とを接合した。なお、第２支持部材５０の端部はフランジ形状に加工した。
【０１３８】
次に第１支持部材３０及び第２支持部材５０をアルミニウム製の台座４０にネジを用いて固定した。その際、Ｏリングを用いて、第１支持部材３０及び第２支持部材５０のフランジ部は台座とシール構造とした。台座４０には、第１支持部材３０と第２支持部材５０との間の空間へのガス導入孔１５を穴あけ加工で設けた。
【０１３９】
このようにして、ガス経路１４として、面状ガス経路１４ａと、面状ガス経路１４ａに連通する連通孔１４ｃとを備える加熱装置１００を得た。ガスは、ガス導入孔１５から、第１支持部材３０と第２支持部材５０との間の空間、面状ガス経路１４ａ、連通孔１４ｃへと伝えられる。
【０１４０】
比較例のサンプル３として、加熱部材１０を焼成した後、部材側面から加熱面に平行なガス経路を形成するため穴あけ加工を施したが、加工するガス穴長が長いため、加工切削時に穴の側壁にカケが生じて穴径が一律でなくなってしまい、ガス経路の寸法にばらつきが生じてしまった。
【０１４１】
（評価方法）
得られた加熱装置１００について次のサンプル１、サンプル２の評価を行った。
【０１４２】
加熱装置１００にシリコンウエハーを載置して、４２０℃に加熱し、シリコンウエハー上面から高純度六フッ化タングステンガスを導入し、シリコンウエハー上にタングステン膜をＣＶＤ装置により形成した。
【０１４３】
サンプル１は、ガス導入孔１５から窒素ガスを導入し、基板加熱面１０ａの連通孔１４ｃから窒素ガスを噴出させて、ＣＶＤ装置によりタングステン膜を形成した。
【０１４４】
サンプル２は、ガスを導入せずにＣＶＤ装置によりタングステン膜を形成した。
【０１４５】
（評価結果）
サンプル１では、シリコン基板の外周部にタングステン膜が形成されなかった。また、基板加熱面１０ａと、シリコン基板との境界にもタングステンの膜が形成されなかった。
【０１４６】
サンプル２では、シリコン基板の外周部にタングステン膜が形成された。また、基板加熱面１０ａとシリコン基板との境界にもタングステン膜が形成された。
【０１４７】
これは、サンプル１では、基板加熱面１０ａの連通孔１４ｃから窒素ガスを噴出させたことにより、窒素ガスが、シリコン基板の外周部に高純度六フッ化タングステンガスによるタングステン膜が形成されないようバリアガスとして機能したためである。
【０１４８】
これにより、サンプル１では、基板加熱面１０ａからシリコン基板を容易に離間させることができた。なお、サンプル２では、基板加熱面１０ａからシリコン基板を離間させようとしたところ、タングステン膜が基板加熱面１０ａから剥がれにくく、タングステン膜と基板加熱面１０ａとの間に発生する応力によって、タングステン膜にヒビが生じた。更に、このヒビを起点として、シリコン基板上のタングステン膜にもヒビが入ってしまった。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る加熱装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る加熱装置を示す分解図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る加熱装置を示す（ａ）１ａ−１ａ断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る加熱装置を示す斜視図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る加熱装置を示す分解図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る加熱装置を示す（ａ）４ａ−４ａ断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る加熱装置の断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る加熱装置を示す斜視図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る加熱装置を示す分解図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る加熱装置を示す（ａ）８ａ−８ａ断面図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る加熱装置の斜視図である。
【符号の説明】
【０１５０】
１０…加熱部材、１０ａ…基板加熱面、１０ｂ…加熱部材裏面、１０ｃ…側面、
１０ｄ…載置面、１１…抵抗発熱体、１２…給電部材、１３…絶縁部材、１４…ガス経路、
１５…ガス導入孔、１６…連通孔、２０…補助部材、２０a…対向面、２０ｂ…対向壁部側面
２０ｃ…載置面、２０ｄ…補助部材裏面、
３０、５１…第１支持部材  ４０…台座、５０…第２支持部材
【図１】
2007051317.tif 000003
【図２】
2007051317.tif 000004
【図３】
2007051317.tif 000005
【図４】
2007051317.tif 000006
【図５】
2007051317.tif 000007
【図６】
2007051317.tif 000008
【図７】
2007051317.tif 000009
【図８】
2007051317.tif 000010
【図９】
2007051317.tif 000011
【図１０】
2007051317.tif 000012
【図１１】
2007051317.tif 000013