(57)【要約】【課題】タンタルパターンの形成に必要な工程数を減らすことができるとともに、窒素含有タンタルパターンを効率よく形成可能なタンタルパターンの形成方法、およびこの方法を用いた電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】配線や非線形素子の下電極を窒素含有のタンタルパターン１３ｘにより形成するにあたって、レジストパターン形成工程において、タンタルパターンの反転パターンを有する窒素含有のレジストパターン６０を基板２０ｘ上に形成した後、成膜工程において、基板２０ｘ上にタンタル膜１３を成膜する。その際、レジストパターン６０から成膜雰囲気中に放出された窒素は、タンタル膜１３にドープされる。次に、リフトオフ工程において、剥離液によりレジストパターン６０を除去する。その際、レジストパターン６０ｘ上に形成されたタンタル膜１３も除去する。【選択図】図１
2007248697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に窒素含有タンタル膜からなるタンタルパターンを形成するタンタルパターンの形成方法において、
前記基板上に前記タンタルパターンの反転パターンを有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記基板上にタンタル膜を成膜する成膜工程と、
前記レジストパターンを該レジストパターン上に形成されたタンタル膜とともに除去するリフトオフ工程とを有し、
前記レジストパターン形成工程では、窒素含有レジスト材料により前記レジストパターンを形成し、前記成膜工程では、前記レジストパターンが成膜雰囲気中に放出した窒素を前記タンタル膜にドープすることにより当該タンタル膜を窒素含有タンタル膜とすることを特徴とするタンタルパターンの形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のタンタルパターンの形成方法を用いて、下電極に対して絶縁膜を介して上電極が対向する非線形素子、および配線を前記基板上に備えた電気光学装置を製造する方法であって、
前記配線および前記下電極のうちの少なくとも一方を前記タンタルパターンによって形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記配線および前記下電極を形成するにあたって、前記タンタルパターンのうち、第１のタンタルパターンによって前記配線を形成し、第２のタンタルパターンによって前記下電極を形成することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記レジストパターン形成工程では、前記レジストパターンとして、前記第１のタンタルパターンを形成すべき領域の周辺に第１のレジストパターンを形成するとともに、前記第２のタンタルパターンを形成すべき領域の周辺に前記第１のレジストパターンと窒素含有量および厚さのうちの少なくとも一方が相違する第２のレジストパターンを形成し、
前記第１のタンタルパターンと前記第２のタンタルパターンの窒素含有量を相違させることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記レジストパターン形成工程では、前記第１のレジストパターンの膜厚と前記第２のレジストパターンの膜厚とを相違させることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記レジストパターンとして、第１のレジストパターンを用いて前記第１のタンタルパターンを形成する第１のタンタルパターン形成工程と、
前記レジストパターンとして、前記第１のレジストパターンと窒素含有量および厚さのうちの少なくとも一方が相違する第２のレジストパターンを用いて前記第２のタンタルパターンを形成する第２のタンタルパターン形成工程とを行い、
前記第１のタンタルパターンと前記第２のタンタルパターンの窒素含有量を相違させることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２のタンタルパターンは、前記第１のタンタルパターンに比較して窒素含有量が多いことを特徴とする請求項４乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁膜は、前記下電極の表面を酸化してなる酸化膜であることを特徴とする請求項２乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項２乃至８のいずれかの方法により製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に窒素含有タンタル膜からなるタンタルパターンを形成するタンタルパターンの形成方法、この方法を用いた電気光学装置の製造方法、およびこの方法により製造された電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
下電極、絶縁層および上電極を備えたＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ：金属−絶縁体−金属）構造の非線形素子（ＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ／薄膜ダイオード））を画素スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス型の電気光学装置では、下電極がタンタルあるいはタンタル合金からなるタンタルパターンで形成され、絶縁層は、通常、下電極に対する陽極酸化により形成したタンタル酸化膜から構成されている。また、この種の非線形素子を用いた電気光学装置では、非線形素子が形成された基板上に下電極と同時形成されたタンタルパターンを配線あるいは配線の一部として利用することが多い。
【０００３】
ここで、タンタルパターンは、通常、β相のタンタルから構成されており、比抵抗が大である。そこで、タンタル膜のスパッタ成膜時にチャンバー内にアルゴンガスと窒素ガスとを導入する方法、あるいは窒素を含有するタンタルターゲットを用いてタンタル膜をスパッタ成膜する方法を採用することにより、タンタル膜をα相、あるいはα相とＴａ2Ｎが混合する膜として形成し、比抵抗を低減することが提案されている（特許文献１、２参照）。
【０００４】
一方、非線形素子の下電極を構成するタンタル膜が窒素を含有していると、下電極の表面を陽極酸化して絶縁膜を形成した際、タンタル酸化膜に窒素が導入される結果、非線形素子の非線形性が向上するという利点がある。
【０００５】
このような配線や下電極を構成するタンタルパターンを形成するには、従来、窒素含有のタンタル膜を形成した後、その表面にレジストマスクを形成した状態でタンタル膜をエッチングする方法が採用されている。
【特許文献１】特開平９−２１３９６１号公報
【特許文献２】特開平３−７３９３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術では、タンタルパターンを形成するには、タンタル膜の成膜工程と、レジストパターンの形成工程と、タンタル膜に対するエッチング工程と、レジストパターンの除去工程の計４工程を行う必要があるため、工程数が多いという問題点がある。
【０００７】
ここに、本発明の課題は、タンタルパターンの形成に必要な工程数を減らすことができるとともに、タンタル膜への新たな窒素導入方法を採用することにより、窒素含有タンタルパターンを効率よく形成可能なタンタルパターンの形成方法、およびこの方法を用いた電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
次に、本発明の課題は、少ない工程数で同一基板上に窒素含有量が相違する窒素含有タンタルパターンを形成可能な電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明では、基板上に窒素含有タンタル膜からなるタンタルパターンを形成するタンタルパターンの形成方法において、前記基板上に前記タンタルパターンの反転パターン（パターニングの際にタンタルパターンが除去されるパターン）を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記基板上にタンタル膜を成膜する成膜工程と、前記レジストパターンを該レジストパターン上に形成されたタンタル膜とともに除去するリフトオフ工程とを有し、前記レジストパターン形成工程では、窒素含有レジスト材料により前記レジストパターンを形成し、前記成膜工程では、前記レジストパターンが成膜雰囲気中に放出した窒素を前記タンタル膜にドープすることにより当該タンタル膜を窒素含有タンタル膜とすることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、リフトオフ法によりタンタルパターンを形成するため、レジストパターンの形成工程と、タンタル膜の成膜工程と、リフトオフ工程（レジストパターンの除去工程）の計３工程を行うだけで、タンタルパターンを形成することができる。また、レジストパターン形成工程では、窒素含有レジスト材料によりレジストパターンを形成したため、成膜工程では、レジストパターンが成膜雰囲気中に放出した窒素がタンタル膜にドープされて、タンタル膜を窒素含有タンタル膜として形成できる。従って、タンタルパターンをα相、あるいはα相とＴａ2Ｎが混合する膜として形成できるので、タンタルパターンを配線として用いれば、配線抵抗を低減できる。また、本発明に係る方法で形成したタンタルパターンを非線形素子の下電極として用いれば、下電極の表面を陽極酸化して絶縁膜を形成した際、タンタル酸化膜に窒素が導入される結果、非線形素子の非線形性を向上することができる。
【００１１】
本発明に係るタンタルパターンの形成方法を、下電極に対して絶縁膜を介して上電極が対向する非線形素子、および配線を前記基板上に備えた電気光学装置を製造するのに用いた場合には、前記配線および前記下電極の少なくとも一方を前記タンタルパターンによって形成すればよい。
【００１２】
また、前記配線および前記下電極を形成するにあたっては、前記タンタルパターンのうち、第１のタンタルパターンによって前記配線を形成し、第２のパターンによって前記下電極を形成すればよい。
【００１３】
本発明では、前記レジストパターン形成工程において、前記レジストパターンとして、前記第１のタンタルパターンを形成すべき領域の周辺に第１のレジストパターンを形成するとともに、前記第２のタンタルパターンを形成すべき領域の周辺に前記第１のレジストパターンと窒素含有量および厚さのうちの少なくとも一方が相違する第２のレジストパターンを形成し、前記第１のタンタルパターンと前記第２のタンタルパターンの窒素含有量を相違させることが好ましい。
【００１４】
この場合、前記レジストパターン形成工程では、前記第１のレジストパターンの膜厚と前記第２のレジストパターンの膜厚とを相違させることが好ましい。窒素含有量を相違させるには、２種類のレジスト材料を用い、かつ、各々に対して露光、現像を行う必要があるが、レジストパターンの膜厚を相違させる場合には、１種類のレジスト材料で済み、かつ、ハーフ露光などの方法で一括して露光、現像することもできる。
【００１５】
本発明において、前記第１のタンタルパターンと前記第２のタンタルパターンの窒素含有量を相違させるには、前記レジストパターンとして、第１のレジストパターンを用いて前記第１のタンタルパターンを形成する第１のタンタルパターン形成工程と、前記レジストパターンとして、前記第１のレジストパターンと窒素含有量および厚さのうちの少なく
とも一方が相違する第２のレジストパターンを用いて前記第２のタンタルパターンを形成する第２のタンタルパターン形成工程とを行ってもよい。
【００１６】
本発明において、前記第１のタンタルパターンと前記第２のタンタルパターンの窒素含有量を相違させる場合には、配線を構成する第１のタンタルパターンに比較して、下電極を構成する第２のタンタルパターンの窒素含有量を多くすることが好ましい。配線を構成する第１のタンタルパターンにおいて低抵抗化を優先させるには、窒素含有量を約０．５ａｔ％とすることが好ましく、下電極を構成する第２のタンタルパターンにおいて非線形素子の線形特性を向上させるには、窒素含有量が多いほど好ましいからである。
【００１７】
本発明において、前記絶縁膜は、前記下電極の表面を酸化してなる酸化膜であることが好ましい。
【００１８】
本発明に係る方法で製造した電気光学装置は、液晶装置として、例えば、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明では、本発明を適用したタンタルパターンの形成方法の概要を説明した後、このタンタルパターンを用いてアクティブマトリスクス型の電気光学装置の配線および画素スイッチング素子（非線形素子）を製造する方法を説明する。また、以下の説明で参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００２０】
［タンタルパターンの形成方法］
図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明を適用したタンタルパターンの形成方法を示す工程図である。なお、図１において、右側には各工程での平面図を示し、左側には各工程でのＸ１−Ｘ１′断面図を示してある。
【００２１】
非線形素子（ＴＦＤ素子）を画素スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス型の電気光学装置において、配線および非線形素子の下電極にはタンタル膜が用いられている。ここで、タンタル膜のうち、β相のタンタル膜は、比抵抗が大であるが、窒素を含有させて、α相、あるいはα相とＴａ2Ｎが混合する膜として形成した場合には、比抵抗を低減することができ、配線の低比抵抗化を図ることができる。また、非線形素子の下電極を構成するタンタル膜が窒素を含有していると、下電極の表面を酸化して絶縁層（タンタル酸化膜）を形成した際、絶縁層に窒素が導入される結果、非線形素子の非線形性が向上する。そこで、本発明では、以下の工程を採用することにより、窒素含有のタンタルパターンを効率よく形成する。
【００２２】
まず、本発明では、図１（ａ）に示すレジストパターン形成工程において、基板２０ｘ上にスピンコート法によりネガ型あるいはポジ型のレジスト材料を塗布した後、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、レーザ光などといった活性光線による露光（描画）、現像を行って、レジストパターン６０を形成する。ここで、レジストパターン６０は、形成しようとするタンタルパターンの反転パターン（タンタルパターンが除かれた所定の形状のパターン）を有しており、形成すべきタンタルパターンに対応する領域に開口部６０ｘを備えている。
【００２３】
ここで、レジスト材料としては、窒素含有レジスト材料を用い、窒素含有のレジストパターン６０を形成する。このようなレジスト材料としては、官能基として＞Ｃ＝Ｎ−Ｎ＜基を有するヒドラゾン系のもの、官能基として＞Ｃ＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ＜基を有するアジン系のもの、官能基として−Ｎ＝Ｎ−基を有するアゾ系のものなどを用いることができ、このよ
うな窒素含有レジスト材料では、例えば、露光時に照射された光により窒素が脱離し、かかる窒素の一部は、レジストパターン６０から放出される一方、一部がレジストパターン６０に保持される。より具体的には、ポジ型のフォトレジストにおいて、ｏ−ナフトキノンアジドスルホン酸エステルなどは、光照射により窒素ガスを放出し、アルカリ可溶のノボラック樹脂に対して溶解促進剤として働く。なお、レジスト材料は、ネガ型あるいはポジ型のいずれであってもよい。
【００２４】
次に、図１（ｂ）に示す成膜工程において、スパッタ法により、基板２０ｘ上にタンタル膜１３を成膜する。その際、レジストパターン６０から成膜雰囲気中に窒素が放出され、放出された窒素は、タンタル膜１３にドープされる結果、タンタル膜１３は、窒素含有のタンタル膜として形成される。例えば、レジストパターン６０はスパッタ成膜時のプラズマにより窒素を放出し、放出された窒素がタンタル膜１３にドープされる。また、レジストパターン６０はスパッタ成膜時の熱により窒素を放出することもある。なお、スパッタ成膜時にレジストパターンに光を照射して窒素を放出させてもよい。
【００２５】
次に、図１（ｃ）に示すリフトオフ工程において、基板２０ｘを剥離液に接触させてレジストパターン６０を除去する。その結果、レジストパターン６０上に形成されたタンタル膜１３が除去される。それ故、レジストパターン６０の開口部６０ｘに形成されたタンタル膜１３は、窒素含有のタンタルパターン１３ｘとして基板２０ｘ上に残る。
【００２６】
このように本発明では、リフトオフ法によりタンタルパターン１３ｘを形成するため、レジストパターン６０の形成工程と、タンタル膜１３の成膜工程と、リフトオフ工程（レジストパターン６０の除去工程）の計３工程を行うだけで、タンタルパターン１３ｘを形成することができ、成膜工程、レジストパターンの形成工程、エッチング工程、およびレジストパターンの除去工程の計４工程を必要とする従来の方法と比較して工程数を減らすことができる。
【００２７】
また、本発明では、レジストパターン６０を窒素含有のレジスト材料により形成するため、成膜工程において、真空状態とされたスパッタ成膜室にはレジストパターン６０から窒素が放出され、かかる窒素は、タンタル膜１３にドープされる。従って、タンタル膜１３を窒素含有タンタル膜として形成できる。それ故、タンタルパターン１３ｘをα相、あるいはα相とＴａ2Ｎが混合する膜として形成できるので、配線や非線形素子の下電極として用いるのに適している。
【００２８】
［電気光学装置への適用］
［実施の形態１］
（全体構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型の電気光学装置（液晶装置）の電気的構成を示すブロック図である。図３は、本発明が適用される電気光学装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、以下、後述する実施の形態で共通の構成を説明した後、本形態の特徴部分を説明する。
【００２９】
図２に示すように、本形態の電気光学装置１００では、複数本の走査線５１が行（Ｘ）方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線５２が列（Ｙ）方向に延在して形成されている。また、走査線５１とデータ線５２との各交差点に対応する位置に画素５３が形成され、これらの画素５３は、マトリクス状に配置されている。各画素５３では、液晶層５４と、ＴＦＤからなる非線形素子１０とが直列接続しており、図２に示す例では、液晶層５４が走査線５１の側に、非線形素子１０がデータ線５２の側にそれぞれ接続されている。なお、液晶層５４がデータ線５２の側に、非線形素子１０が走査線５１の側にそれぞれ接続されることもある。ここで、各走査線５１は、走査線駆動回路５７によって駆動さ
れる一方、各データ線５２は、データ線駆動回路５８によって駆動される。
【００３０】
このような電気光学装置１００は、具体的には、例えば、図３に示すように構成される。ここで、対向配置された一対の基板のうち、一方の基板は、非線形素子１０や画素電極が形成された素子基板２０であり、他方の基板は対向基板３０である。これらの基板のうち、素子基板２０の内側表面には、複数本のデータ線５２と、それらのデータ線５２に接続される複数の非線形素子１０と、それらの非線形素子１０と１対１に接続される画素電極２３とが形成されている。データ線５２は、図３において紙面に対して垂直方向に延在して形成される一方、非線形素子１０および画素電極２３は、ドットマトリクス状に配列している。そして、画素電極２３などの表面には、一軸配向処理、例えばラビング処理が施された配向膜２４が形成されている。
【００３１】
対向基板３０の内側表面には、カラーフィルタ３８が形成されており、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の３色の着色層を構成している。なお、これら３色の着色層の隙間には、ブラックマトリクス３９が形成されて、着色層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。カラーフィルタ３８およびブラックマトリクス３９の表面には平坦化膜３７が形成され、さらにその表面には、走査線５１として機能する対向電極３１が、データ線５２と直交する方向に形成されている。なお、平坦化膜３７は、カラーフィルタ３８およびブラックマトリクス３９の平滑性を高めて、対向電極３１の断線を防止する目的などのために設けられる。さらに、対向電極３１の表面には、ラビング処理が施された配向膜３４が形成されており、配向膜２４、３４は、一般にポリイミドなどから形成される。
【００３２】
素子基板２０と対向基板３０とは、スペーサ（図示省略）を含むシール材１０４によって一定の間隙を保って接合され、この間隙に、液晶１０５が封入された構成となっている。素子基板２０の外側表面には、配向膜２４へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板２１７などが貼着され、対向基板３０の外側表面には、配向膜３４へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板３１７などが貼着されている。なお、本形態の電気光学装置１００は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）技術が適用されており、素子基板２０の表面に直接、液晶駆動用ＩＣチップ２６０が実装されている。
【００３３】
（画素５３の構成）
図４は、本発明が適用された電気光学装置において、ＴＦＤを含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図５は、図４に示す各画素に形成されたＴＦＤの説明図である。
【００３４】
図４および図５に示すように、本形態の非線形素子１０は、第１のＴＦＤ１０ａおよび第２のＴＦＤ１０ｂを備えたＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造を有している。すなわち、非線形素子１０は、素子基板２０の表面に形成された下地層２０１上において、タンタル膜からなる下電極１３ｂと、この下電極１３ｂの表面に、陽極酸化法あるいは気相酸化法によって形成されたタンタル酸化膜からなる絶縁層１４ｂと、この表面に形成されて相互に離間した上電極１５ａ、１５ｂとを備えており、下電極１３ｂの上面および側面と上電極１５ａ、１５ｂとは、絶縁層１４ｂを介して対向している。上電極１５ａは、そのままデータ線５２の一部を構成する金属層１５ｃと一体に形成されている一方、上電極１５ｂは、画素電極２３に接続されている。なお、データ線５２は、下電極１３ｂと同時形成された金属層１３ａを備えており、この金属層１３ａの表面には、絶縁層１４ｂと同時形成された絶縁層１４ａが形成されている。下地層２０１は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度のタンタル酸化膜などの絶縁層によって構成され、下電極１３ｂの構成によっては省略してもよい。
【００３５】
本形態の非線形素子１０において、金属層１３ａおよび下電極１３ｂは、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の窒素含有のタンタル膜からなるタンタルパターンによって構成
されている、ここで、タンタルパターン（金属層１３ａおよび下電極１３ｂ）は、タンタル単体膜、タングステンとの合金、またはニオブとの合金に対して窒素がドープされたものである。
【００３６】
絶縁層１４ａ、１４ｂは、陽極酸化法などによって金属層１３ａおよび下電極１３ｂの表面を酸化することによって形成された厚さが２０〜４０ｎｍ程度のタンタル酸化膜であり、後述するように、水素および窒素を含有している。上電極１５ａ、１５ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）などといった金属膜によって１００〜５００ｎｍ程度の厚さに形成されている。
【００３７】
第１のＴＦＤ１０ａは、データ線５２の側からみると順番に、上電極１５ａ／絶縁層１４ｂ／下電極１３ｂとなって、金属（導電体）／絶縁体／金属（導電体）のサンドイッチ構造を採るため、ダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ１０ｂは、データ線５２の側からみると順番に、下電極１３ｂ／絶縁層１４ｂ／上電極１５ｂとなって、第１のＴＦＤ１０ａとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。従って、非線形素子１０は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、１つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、１つの非線形素子のみを用いても良い。
【００３８】
画素電極２３は、透過型として用いられる場合には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの導電性の透明膜から形成される一方、反射型として用いられる場合には、アルミニウムや銀などの反射率の大きな反射性金属膜から形成されることがある。なお、画素電極２３は、反射型であってもＩＴＯなどの透明性金属から形成される場合もある。この場合には、反射層としての反射性金属が形成された後、絶縁層を介して透明な画素電極２３が形成される。一方、半透過反射型として用いられる場合には、反射層を薄く形成して半透過反射膜とするか、あるいは、スリットが設けられる構成となる。素子基板２０自体は、例えば、石英やガラスなどの絶縁性を有するものが用いられる。なお、透過型として用いる場合には、透明であることも素子基板２０の要件となるが、反射型として用いる場合には、透明であることが要件にならない。また、素子基板２０の表面に下地層２０１が設けられる理由は、熱処理により、下電極１３ｂなどが下地から剥離しないようにするとともに、下電極１３ｂに不純物が拡散しないようにするためである。従って、これが問題とならない場合には、下地層２０１は省略可能である。
【００３９】
（電気光学装置１００および非線形素子１０の製造方法）
図６は、本形態の電気光学装置１００の製造方法の一例を示す工程図である。図７は、素子基板形成工程の一部（非線形素子の製造工程など）を示す工程図であり、その右側には平面図を示し、右側にＸ−Ｘ′断面図を示してある。
【００４０】
本形態において、電気光学装置１００を製造するにあたっては、図６に示す非線形素子形成工程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５からなる素子基板形成工程と、カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理工程Ｐ１０からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。また、これらの工程は、素子基板２０および対向基板３０を多数取りできる大型の元基板の状態で行われるが、以下の説明では、単品サイズおよび大型の元基板については区別せず、素子基板２０および対向基板３０と称する。
【００４１】
本形態では、大型の素子基板２０に対して非線形素子形成工程Ｐ１を行うことにより、電気光学装置複数個分のデータ線５２および非線形素子１０を形成する。この非線形素子形成工程Ｐ１では、図７（ａ）に示す下地膜形成工程において、大型の素子基板２０の表面全体に、厚さが５０〜２００ｎｍ程度のタンタル酸化物などの絶縁層を一様な厚さに成
膜して下地層２０１を形成する。
【００４２】
次に、タンタルパターン（配線および下電極）の形成工程を行う。それには、図１（ａ）を参照して説明したレジストパターン形成工程と同様、素子基板２０上にスピンコート法によりネガ型あるいはポジ型のレジスト材料を塗布した後、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、レーザ光などといった活性光線による露光（描画）、現像を行って、図７（ｂ）に示すように、レジストパターン６０を形成する。ここで、レジストパターン６０は、形成しようとするタンタルパターン（データ線５２の金属層１３ａ、および下電極１３ｂ）の反転パターンを有しており、金属層１３ａを形成すべき領域に開口部６０ａを備え、下電極１３ｂを形成すべき領域に開口部６０ｂを備えている。また、レジストパターン６０は、後述するブリッジ部を形成すべき領域に開口部６０ｃを備えている。
【００４３】
ここで、レジスト材料としては、窒素含有レジスト材料を用い、窒素含有のレジストパターン６０を形成する。
【００４４】
次に、図１（ｂ）を参照して説明した成膜工程と同様、スパッタ室内にアルゴンガスを供給しながらタンタルをターゲットとして用い、図７（ｃ）に示すように、タンタル膜１３を５０〜２００ｎｍ程度の厚さでスパッタ形成する。その際、レジストパターン６０から成膜雰囲気中に窒素が放出され、放出された窒素は、タンタル膜１３にドープされる結果、タンタル膜１３は、窒素含有のタンタル膜として形成される。なお、タンタルターゲットとしては、タンタル単体、タングステンとの合金、またはニオブとの合金のターゲットを用いてもよい。
【００４５】
次に、図１（ｃ）を参照して説明したリフトオフ工程と同様、素子基板２０を剥離液に接触させてレジストパターン６０を除去する。その結果、レジストパターン６０上に形成されたタンタル膜１３も除去される。従って、図７（ｄ）に示すように、レジストパターン６０の開口部６０ａに形成された窒素含有のタンタル膜１３は、データ線５２を構成する金属層１３ａ（第１のタンタルパターン）として残り、レジストパターン６０の開口部６０ｂに形成された窒素含有のタンタル膜１３は、下電極１３ｂ（第２のタンタルパターン）として残る。また、レジストパターン６０の開口部６０ｃに形成されたタンタル膜１３は、ブリッジ部１３ｃ（ブリッジ部用タンタルパターン）として残り、このブリッジ部１３ｃは、データ線５２の金属層１３ａと下電極１３ｂとを繋いでいる。
【００４６】
次に、図７（ｅ）に示す陽極酸化工程（酸化工程）においては、大型の素子基板２０を電解槽内で電解液に浸漬した状態で、素子基板２０に給電し、陽極酸化を行う。その際、データ線５２の金属層１３ａおよびブリッジ部１３ｃを介して下電極１３ｂに給電され、それらの下電極１３ｂの表面（上面および側面）には、厚さが１５〜４０ｎｍ程度のタンタル酸化膜からなる絶縁層１４ｂが形成される。この段階で、絶縁層１４ｂは、窒素含有のタンタル酸化膜（ＴａＯxＮy）となる。なお、金属層１３ａの表面にも、絶縁層１４ｂと同様な絶縁層１４ａが形成される。
【００４７】
次に、水素添加アニール工程（水素導入工程）において、水素を含有する雰囲気中で素子基板２０を加熱する。具体的には、素子基板２０を収容した処理室を不活性雰囲気とした状態で３２０℃の温度に設定し、この状態で、処理室内に水蒸気を含むガス、例えば大気を導入する。その結果、絶縁層１４ｂは、水素原子および窒素原子を含有するタンタル酸化膜（ＴａＯxＮyＨz）となる。このため、絶縁層１４ｂ内の転位や空孔などの欠陥密度が低減されるので、非線形素子１０の非線形性を高くすることができるなどの効果を奏する。なお、水素添加アニール工程では、素子基板２０を所定の温度に加熱した状態で素子基板２０に対して、加圧水蒸気を供給してもよい。また、水素導入工程としては、水素添加アニールに代えて、水素プラズマを照射してもよい。
【００４８】
次に、図７（ｆ）に示すブリッジ部除去工程においては、例えば、ドライエッチングによりブリッジ部１３ｃを大型の素子基板２０から除去する。これにより、第１ＴＦＤ１０ａおよび第２ＴＦＤ１０ｂの下電極１３ｂおよび絶縁層１４ｂが、データ線５２から島状に分断される。なお、この工程では、ブリッジ部の他に、給電パターンのうち、大型の素子基板２００を切断した際に素子基板２０に残ってしまう不要な部分についても除去する。また、必要に応じて、画素電極２３に相当する領域の下地層２０１を除去する。
【００４９】
次に、図７（ｇ）に示す上電極形成工程においては、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＣｒをスパッタなどによって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、クロム膜をパターニングし、データ線５２の最上層としての金属層１５ｃ、第１のＴＦＤ１０ａの上電極１５ａ、および第２のＴＦＤ１０ｂの上電極１５ｂを形成する。以上により、非線形素子１０（ＴＦＤ１０ａ、１０ｂ）が素子基板２０の表面に必要な数だけ形成される。
【００５０】
次に、図６に示す画素電極形成工程Ｐ２においては、ＩＴＯをスパッタなどによって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術により、ＩＴＯ膜をパターニングし、図４および図５に示すように、１画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極２３をその一部が上電極１５ｂに重なるように形成する。これらの一連の工程により、非線形素子１０および画素電極２３が形成される。
【００５１】
しかる後には、図６の配向膜工程Ｐ３において、素子基板２０の表面にポリイミド、ポリビニルアルコールなどを一様な厚さに形成することによって配向膜２４を形成した後、ラビング処理工程Ｐ４において、配向膜２４に対してラビング処理その他の配向処理を行う。次に、シール材印刷工程Ｐ５において、ディスペンサーやスクリーン印刷などによってシール材１０４（図３参照）を環状に塗布する。なお、シール材１０４の一部分には、液晶注入口を形成しておく。
【００５２】
以上の素子基板形成工程とは別に、対向基板形成工程（カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理工程Ｐ１０）を行う。それには、まず、ガラス基板などといった透光性材料によって形成された大型の対向基板３０を用意した後、カラーフィルタ形成工程Ｐ６において、大型の対向基板３０の表面上にブラックマトリクス３９、およびカラーフィルタ３８を形成する。ここで、カラー表示が必要でない場合には、カラーフィルタ３８を形成する必要はない。次に、平坦化層形成工程Ｐ７において、カラーフィルタ３８の上に平坦化膜３７を一様な厚さに形成して表面を平坦化する。次に、対向電極形成工程Ｐ８において、ＩＴＯ膜などによりストライプ状の対向電極３１、すなわち、走査線５１を形成する。次に、配向膜形成工程Ｐ９において、走査線５１などの上にポリイミドなどによって一様な厚さの配向膜３４を形成した後、ラビング処理工程Ｐ１０において、配向膜３４に対してラビング処理などといった配向処理を施す。
【００５３】
その後、大型の素子基板２０と大型の対向基板３０とを位置合わせした上でシール材１０４を間に挟んで貼り合わせ（貼り合わせ工程Ｐ１１）、さらに紫外線硬化その他の方法でシール材１０４を硬化させる（シール材硬化工程Ｐ１２）。これにより、電気光学装置複数個分を含んでいる空のパネル構造体が形成される。その後、空のパネル構造体を短冊状のパネル構造体に切断する（１次切断工程Ｐ１３）。この短冊状のパネル構造体の切断個所では、シール材１０４の途切れ部分からなる液晶注入口が外部に開口しているので、露出した液晶注入口からパネル構造体の内側に液晶を減圧注入した後（液晶注入工程Ｐ１４）、各液晶注入口に対して樹脂などの封止材を塗布して、各液晶注入口を封止する（注入口封止工程Ｐ１５）。なお、この工程により、パネル構造体に液晶が付着するので、液晶を注入し終えたパネル構造体を洗浄する（洗浄工程Ｐ１６）。その後、パネル構造体を
さらに切断することにより、複数個の電気光学装置１００が切り出される（２次切断工程Ｐ１７）。しかる後に、電気光学装置１００に液晶駆動用ＩＣチップ２６０などを実装し、電気光学装置１００が完成する（実装工程Ｐ１８）。
【００５４】
（本形態の主な効果）
図８は、タンタル膜中の窒素含有量とタンタル膜のシート抵抗との関係、タンタル膜からなる下電極１３ｂの表面を酸化して絶縁層１４ｂを形成した非線形素子１０においてタンタル膜中の窒素含有量と非線形素子１０の非線形性を示すβ値との関係を示すグラフである。ここで、非線形素子１０のβ値は大きい方が良好で、画像を表示した際のコントラストを向上させることができる。
【００５５】
本形態では、データ線５２の金属層１３ａ（第１のタンタルパターン）、および下電極１３ｂ（第２のタンタルパターン）を形成するにあたって、リフトオフ法を用いたため、レジストパターン６０の形成工程と、タンタル膜１３の成膜工程と、リフトオフ工程（レジストパターン６０の除去工程）の計３工程を行うだけで、タンタルパターン１３ｘを形成することができ、成膜工程、レジストパターンの形成工程、エッチング工程、およびレジストパターンの除去工程の計４工程を必要とする従来の方法と比較して工程数を減らすことができる。
【００５６】
また、本形態では、レジストパターン６０を窒素含有のレジスト材料により形成するため、成膜工程において、真空状態とされたスパッタ成膜室にはレジストパターン６０から窒素が放出され、かかる窒素は、タンタル膜１３にドープされる。従って、タンタル膜１３を窒素含有タンタル膜として形成できる。
【００５７】
それ故、データ線５２の金属層１３ａ（第１のタンタルパターン）をα相、あるいはα相とＴａ2Ｎが混合する膜として形成できるので、図８に点線Ｌ２で示すように、データ線５２の金属層１３ａの低抵抗化を図ることができる。
【００５８】
また、下電極１３ｂを窒素含有のタンタルパターンで構成したため、下電極１３ｂの表面を陽極酸化して絶縁層１４ｂを形成した際、絶縁層１４ｂを構成するタンタル酸化膜に窒素が導入される結果、図８に実線Ｌ１で示すように、非線形素子１０の非線形性が向上する。
【００５９】
ここで、非線形素子１０の線形特性を向上させるには、下電極１３ｂの窒素含有量が多いほど好ましい。これに対して、データ線５２の金属層１３ａを低抵抗化するには、金属層１３ａの窒素含有量を０．２５〜１ａｔ％とすることが好ましい。従って、本形態では、金属層１３ａおよび下電極１３ｂにおける窒素含有量を、例えば０．２５〜１ａｔ％とすることが好ましい。ここで、金属層１３ａおよび下電極１３ｂにおける窒素含有量については、レジストパターン６０の窒素含有量や膜厚を調整してレジストパターン６０からの窒素放出量を調整することにより、任意に設定することができる。
【００６０】
さらに、本形態では、絶縁層１４ｂに水素を導入することによっても非線形素子１０の非線形性を向上させている。ここで、絶縁層１４ｂに水素を導入すると、非線形性が向上する。但し、水素が脱離すると、非線形素子１０の線形性が非可逆的に低下するシフト現象が発生するので、画像を表示するために非線形素子１０に通電していた画素においては、画像を切り換えたときでも、それまで表示していた画像の跡が常に残ってしまい、焼き付き現象が発生させる。しかるに本形態では、絶縁層１４に窒素を含有させており、窒素は、水素の脱離を防止する機能を発揮するので、かかるシフト現象を減少することを防止できる。
【００６１】
［実施の形態１の変形例１］
上記形態では、データ線５２の金属層１３ａおよび下電極１３ｂのいずれを形成するにも本発明を適用したが、データ線５２の金属層１３ａの形成に本発明を適用し、下電極１３ｂについては、従来の方法で形成した窒素含有タンタル膜を用いた構成、あるいは窒素を含有しないタンタル膜を用いた構成を採用してもよい。
【００６２】
［実施の形態１の変形例２］
上記形態では、データ線５２の金属層１３ａおよび下電極１３ｂのいずれを形成するにも本発明を適用したが、下電極１３ｂの形成に本発明を適用し、金属層ａについては、従来の方法で形成した窒素含有タンタル膜を用いた構成、あるいは窒素を含有しないタンタル膜を用いた構成を採用してもよい。
【００６３】
［実施の形態２］
図８に示すように、データ線５２の金属層１３ａ（第１のタンタルパターン）の低比抵抗化を図るには、金属層１３ａにおける窒素含有量を０．２５〜１ａｔ％、好ましくは約０．５ａｔ％とすることが好ましい一方、非線形素子１０の線形特性を向上させるには、下電極１３ｂの窒素含有量が多いほど好ましい。そこで、データ線５２の金属層１３ａと下電極１３ｂの窒素含有量を相違させる方法を、実施の形態２および実施の形態３として説明する。なお、実施の形態２、３の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの詳細な説明を省略する。
【００６４】
図９は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の製造工程のうち、素子基板形成工程の一部（非線形素子の製造工程など）を示す工程図であり、図７と同様、その右側には平面図を示し、右側にＸ−Ｘ′断面図を示してある。
【００６５】
本形態の電気光学装置１００を製造するにあたっては、非線形素子形成工程では、まずず、図９（ａ）に示す下地膜形成工程において、大型の素子基板２０の表面全体に、厚さが５０〜２００ｎｍ程度のタンタル酸化物などの絶縁層を一様な厚さに成膜して下地層２０１を形成する。
【００６６】
次に、配線および下電極の形成工程を行う。それには、図１（ａ）を参照して説明したレジストパターン形成工程と同様、素子基板２０上にスピンコート法によりネガ型あるいはポジ型のレジスト材料を塗布した後、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、レーザ光などといった活性光線による露光（描画）、現像を行って、図９（ｂ）に示すように、レジストパターン６０を形成する。ここで、レジストパターン６０は、形成しようとするタンタルパターン（データ線５２の金属層１３ａ、および下電極１３ｂ）の反転パターンを有しており、金属層１３ａを形成すべき領域に開口部６０ａを備え、下電極１３ｂを形成すべき領域に開口部６０ｂを備えている。また、レジストパターン６０は、ブリッジ部１３ｃを形成すべき領域に開口部６０ｃを備えている。また、レジスト材料としては、窒素含有レジスト材料を用い、窒素含有のレジストパターン６０を形成する。
【００６７】
このようなレジストパターン６０を形成するにあたって、本形態では、レジスト材料に対して露光（描画）を行う際、ハーフトーンマスクを用い、レジスト材料にハーフ露光を行った後、現像を行う。その結果、レジストパターン６０中の窒素含有量は一定であるが、レジストパターン６０には、データ線５２の金属層１３ａを形成すべき領域の周辺に薄い第１のレジストパターン６０１が形成され、下電極１３ｂを形成すべき領域の周辺に厚い第２のレジストパターン６０２が形成される。
【００６８】
次に、図１（ｂ）を参照して説明した成膜工程と同様、スパッタ室内にアルゴンガスを
供給しながらタンタルをターゲットとして用い、図９（ｃ）に示すように、タンタル膜１３を５０〜２００ｎｍ程度の厚さでスパッタ形成する。
【００６９】
このような成膜工程を行った際、窒素含有のレジストパターン６０からスパッタ成膜室には窒素が放出され、かかる窒素は、タンタル膜１３にドープされ、タンタル膜１３を窒素含有タンタル膜として形成できる。ここで、レジストパターン６０は、データ線５２の金属層１３ａを形成すべき領域の周辺と、下電極１３ｂを形成すべき領域の周辺とでは厚さが相違し、厚さに応じた量の窒素が放出される。このため、データ線５２の金属層１３ａを形成すべき領域では、第１のレジストパターン６０１が第２のレジストパターン６０２よりも薄い分、窒素放出量が少ない一方、下電極１３ｂを形成すべき領域では、第２のレジストパターン６０２が厚い分、窒素放出量が多い。従って、レジストパターン６０（第１のレジストパターン６０１）の開口部６０ａに形成されたタンタル膜１３は、窒素含有量が少ない一方、レジストパターン６０（第２のレジストパターン６０２）の開口部６０ｂに形成されたタンタル膜１３は、窒素含有量が多い。
【００７０】
従って、図１（ｃ）を参照して説明したリフトオフ工程と同様、素子基板２０を剥離液に接触させて、レジストパターン６０を除去し、図９（ｄ）に示すように、レジストパターン６０の開口部６０ａに形成されたタンタル膜１３を金属層１３ａ（第１のタンタルパターン）として残し、レジストパターン６０の開口部６０ｂに形成されたタンタル膜１３を下電極１３ｂ（第２のタンタルパターン）として残すと、下電極１３ｂの窒素含有量は、金属層１３ａの窒素含有量よりも高い。それ故、金属層１３ａの窒素含有量を例えば、０．５ａｔ％にして、抵抗値を最大限まで低減する一方、下電極１３ｂの窒素含有量を０．５ａｔ％を超える量に設定し、非線形素子１０の非線形性を必要最大限まで高めることができる。
【００７１】
なお、以上の工程の後に行う陽極酸化工程（酸化工程）、水素添加アニール工程（水素導入工程）などは、実施の形態１と同様であるため、それらの説明を省略する。
【００７２】
本形態では、第１のレジストパターン６０１と第２のレジストパターン６０２の厚さを変えることにより、金属層１３ａと下電極１３ｂの窒素含有量を相違させたが、第１のレジストパターン６０１の開口面積と第２のレジストパターン６０２の開口面積を変えることにより、金属層１３ａと下電極１３ｂの窒素含有量を相違させることもできる。また、第１のレジストパターン６０１と第２のレジストパターン６０２の窒素含有量を変えることにより、金属層１３ａと下電極１３ｂの窒素含有量を相違させることもできる。但し、レジスト材料の窒素含有量を変える場合には、２種類のレジスト材料を用いることになる。それ故、第１のレジストパターン６０１と第２のレジストパターン６０２の開口面積、あるいは厚さを変えることにより、金属層１３ａと下電極１３ｂの窒素含有量を相違させる方法を採用した方が製造コストを低減できるという利点がある。
【００７３】
［実施の形態３］
図１０は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の製造工程のうち、素子基板形成工程の一部（非線形素子の製造工程など）を示す工程図であり、図７と同様、その右側には平面図を示し、右側にＸ−Ｘ′断面図を示してある。
【００７４】
本形態の電気光学装置１００を製造するにあたっては、非線形素子形成工程では、まずず、図１０（ａ）に示す下地膜形成工程において、大型の素子基板２０の表面全体に、厚さが５０〜２００ｎｍ程度のタンタル酸化物などの絶縁層を一様な厚さに成膜して下地層２０１を形成する。
【００７５】
次に、第１のタンタルパターン（配線）の形成工程を行う。それには、図１（ａ）を参
照して説明したレジストパターン形成工程と同様、素子基板２０上にスピンコート法によりネガ型あるいはポジ型のレジスト材料を塗布した後、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、レーザ光などといった活性光線による露光（描画）、現像を行って、図１０（ｂ）に示すように、レジストパターン６１を形成する。ここで、レジストパターン６１は、形成しようとするタンタルパターン（データ線５２の金属層１３ａ）の反転パターンを有しており、金属層１３ａを形成すべき領域に開口部６１ａを備えている。また、レジストパターン６１は、ブリッジ部１３ｃを形成すべき領域に開口部６１ｃを備えている。ここで、レジスト材料としては、窒素含有レジスト材料を用い、窒素含有のレジストパターン６１を形成する。
【００７６】
次に、図１（ｂ）を参照して説明した成膜工程と同様、スパッタ室内にアルゴンガスを供給しながらタンタルをターゲットとして用い、図１０（ｃ）に示すように、タンタル膜１３１を５０〜２００ｎｍ程度の厚さでスパッタ形成する。このような成膜工程を行った際、窒素含有のレジストパターン６１からスパッタ成膜室には窒素が放出され、かかる窒素は、タンタル膜１３１にドープされ、タンタル膜１３１を窒素含有タンタル膜として形成できる。
【００７７】
次に、図１（ｃ）を参照して説明したリフトオフ工程と同様、素子基板２０を剥離液に接触させてレジストパターン６１を除去する。その結果レジストパターン６１上に形成されたタンタル膜１３１も除去される。それ故、図１０（ｄ）に示すように、レジストパターン６１の開口部６１ａに形成されたタンタル膜１３１が、配線を構成する金属層１３ａ（第１のタンタルパターン）として残る。
【００７８】
次に、第２のタンタルパターン（下電極）の形成工程を行う。それには、図１（ａ）を参照して説明したレジストパターン形成工程と同様、素子基板２０上にスピンコート法によりネガ型あるいはポジ型のレジスト材料を塗布した後、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、レーザ光などといった活性光線による露光（描画）、現像を行って、図１０（ｅ）に示すように、レジストパターン６２を形成する。ここで、レジストパターン６２は、形成しようとするタンタルパターン（下電極１３ｂ）の反転パターンを有しており、下電極１３ｂを形成すべき領域に開口部６２ｂを備えている。また、レジストパターン６２は、ブリッジ部１３ｃを形成すべき領域に開口部６２ｃを備えている。
【００７９】
本工程でも、レジスト材料としては、窒素含有レジスト材料を用い、窒素含有のレジストパターン６２を形成する。ここで、レジスト材料としては、第１のレジストパターン６１の形成に用いたレジスト材料よりも窒素含有量の多いレジスト材料を用いて第２のレジストパターン６２を形成する。または、第２のレジストパターン６２については、第１のレジストパターン６１よりも厚くしてもよい。また、レジスト材料としては、第１のレジストパターン６１の形成に用いたレジスト材料よりも窒素含有量の多いレジスト材料を用いて第２のレジストパターン６２を形成するとともに、第２のレジストパターン６２については、第１のレジストパターン６１よりも厚くしてもよい。
【００８０】
次に、図１（ｂ）を参照して説明した成膜工程と同様、スパッタ室内にアルゴンガスを供給しながらタンタルをターゲットとして用い、図１０（ｆ）に示すように、タンタル膜１３２を５０〜２００ｎｍ程度の厚さでスパッタ形成する。このような成膜工程を行った際、窒素含有のレジストパターン６２からスパッタ成膜室には窒素が放出され、かかる窒素は、タンタル膜１３２にドープされ、タンタル膜１３２を窒素含有タンタル膜として形成できる。ここで、第２のレジストパターン６２は、第１のレジストパターンと比較して、窒素含有量が多く、膜厚が厚いので、第１のレジストパターンと比較して多量の窒素を放出する。
【００８１】
次に、図１（ｃ）を参照して説明したリフトオフ工程と同様、素子基板２０を剥離液に接触させて、レジストパターン６２を除去する。その結果、レジストパターン６２上に形成されたタンタル膜１３２も除去される。それ故、図１０（ｇ）に示すように、レジストパターン６２の開口部６２ｂに形成されたタンタル膜１３２が、下電極１３ｂ（第２のタンタルパターン）として残る。
【００８２】
なお、以上の工程の後に行う陽極酸化工程（酸化工程）、水素添加アニール工程（水素導入工程）などは、実施の形態１と同様であるため、それらの説明を省略する。
【００８３】
以上説明したように、本形態では、金属層１３ａを形成する際には窒素を放出する第１のレジストパターン６１を用い、下電極１３ｂを形成する際には第１のレジストパターン６１よりも窒素放出量の多い第２のレジストパターン６２を用いたため、下電極１３ｂの窒素含有量を金属層１３ａの窒素含有量よりも多くできる。それ故、金属層１３ａの窒素含有量を例えば、０．５ａｔ％にして、抵抗値を最大限まで低減する一方、下電極１３ｂの窒素含有量を０．５ａｔ％を超える量に設定し、非線形素子１０の非線形性を必要最大限まで高めることができる。
【００８４】
［その他の電気光学装置および非線形素子の例］
上記形態では、下電極１３ｂの表面を陽極酸化することにより絶縁層１４を形成したが、下電極１３ａの表面を気相酸化することにより絶縁層１４を形成する場合に本発明を適用してもよい。この場合には、ブリッジ部を形成する必要がない他、上記実施の形態と同様な方法で電気光学装置を形成でき、かつ、上記実施の形態と同様な効果を奏する。
【００８５】
また、上記形態では、ＴＮモードあるいはＶＡＮモードの液晶装置（電気光学装置）を例に説明したため、対向基板に対向電極が形成された構成であったが、素子基板に画素電極および対向電極（共通電極）の双方が形成されたＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードやＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶装置（電気光学装置）に本発明を適用してもよい。
【００８６】
さらに、上記形態では、下電極１３ｂの表面全体において略一定厚の絶縁層１４ｂが形成された例を説明したが、下電極１３ｂの上面に膜厚が厚い絶縁層を形成して寄生容量の低減を図った非線形素子に本発明を適用してもよい。
【００８７】
［電子機器への搭載例］
図１１は、本発明に係る電気光学装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、携帯電話機やモバイル型のパーソナルコンピュータの他、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの電子機器であり、図１１に示すように、表示情報出力源１７０、表示情報処理回路１７１、電源回路１７２、タイミングジェネレータ１７３、そして電気光学装置１を有する。また、電気光学装置１は、パネル１７５および駆動回路１７６を有しており、前述した電気光学装置１００を用いることができる。表示情報出力源１７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１７１に供給する。表示情報処理回路１７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報
の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１７６へ供給する。電源回路１７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明を適用したタンタルパターンの形成方法を示す工程図である。
【図２】本発明が適用される電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】本発明が適用される電気光学装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図４】図２に示す電気光学装置において、非線形素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図である。
【図５】図２に示す電気光学装置において、各画素に形成された非線形素子の説明図である。
【図６】図２に示す電気光学装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造工程のうち、素子基板形成工程の一部を示す工程図である。
【図８】タンタル膜中の窒素含有量とタンタル膜のシート抵抗との関係、タンタル膜からなる下電極の表面を酸化して絶縁層を形成した非線形素子においてタンタル膜中の窒素含有量と非線形素子の非線形性を示すβ値との関係を示すグラフである。
【図９】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造工程のうち、素子基板形成工程の一部を示す工程図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造工程のうち、素子基板形成工程の一部を示す工程図である。
【図１１】本発明に係る電気光学装置を各種の電子機器の表示装置として用いた場合の説明図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０・・非線形素子（ＴＦＤ）、１３・・タンタル膜、１３ａ・・データ線の金属層（配線／第１のタンタルパターン）、１３ｂ・・下電極（第２のタンタルパターン）、１３ｘ・・タンタルパターン、１４・・絶縁層、１５ａ、１５ｂ・・上電極、２０・・素子基板（基板）、２０ｘ・・基板、６０・・レジストパターン、６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｘ、６１ａ、６１ｃ、６２ｂ、６２ｃ・・レジストパターンの開口部、６１、６０１・・第１のレジストパターン、６２、６０２・・第２のレジストパターン、１００・・電気光学装置
【図１】
2007248697.tif 000003
【図２】
2007248697.tif 000004
【図３】
2007248697.tif 000005
【図４】
2007248697.tif 000006
【図５】
2007248697.tif 000007
【図６】
2007248697.tif 000008
【図７】
2007248697.tif 000009
【図８】
2007248697.tif 000010
【図９】
2007248697.tif 000011
【図１０】
2007248697.tif 000012
【図１１】
2007248697.tif 000013