(57)【要約】【課題】簡単な検出回路および少ない検出無効領域で高い位置検出精度を得る。【解決手段】位置検出装置は第１導電膜２ｂの４辺に沿って第１導電膜２ｂに接合し、第１導電膜より低い抵抗を持つ抵抗体部１６と、第１導電膜２ｂの４隅で抵抗体部１６にそれぞれ接続した取出電極１７ａ〜１７ｄと、第２導電膜２ａに電流を供給する電流供給部１５と、指定点となる第１および第２導電膜２ｂ，２ａの接点から抵抗体部１６に向かって流れる電流を取出電極１７ａ〜１７ｄから取り出し測定する電流検出回路１８ａ〜１８ｄと、取出電極１７ａ〜１７ｄからの電流の測定値に基づいて指定点の位置を特定する処理を行う処理回路１９とを備える。特に、第１導電膜２ｂの４辺のうちの少なくとも２辺が各々楕円の円弧の一部を構成するように内側に湾曲した形状を有する。【選択図】  図１
2007087202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗分布が一様であり、４辺からなる外縁を有する第１導電膜、および前記第１導電膜から僅に離間して前記第１導電膜に重なるように配置され、加圧により指定点として局所的に前記第１導電膜に接触する第２導電膜を設けたパネルにおいて前記指定点の位置を検出する位置検出装置であって、前記第１導電膜の４辺に沿って前記第１導電膜に接合し、前記第１導電膜より低い抵抗を持つ抵抗体部と、前記第１導電膜の４隅で前記抵抗体部にそれぞれ接続した取出電極と、前記第２導電膜に電流を供給する電流供給部と、前記第１および第２導電膜の接点から前記抵抗体部に向かって流れる電流を前記取出電極から取り出し測定する電流検出回路と、前記取出電極からの電流の測定値に基づいて前記指定点の位置を特定する処理を行う処理回路とを備え、前記第１導電膜の４辺のうちの少なくとも２辺が各々楕円の円弧の一部を構成するように内側に湾曲した形状を有することを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
前記第１導電膜の少なくとも２辺は、各々前記楕円の長軸に依存して緩やかに湾曲した円弧の一部に沿うように湾曲していることを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項３】
前記楕円の中心点と前記第１導電膜の辺上の点とを結ぶ直線が前記第１導電膜の辺の中央に交差する前記楕円の軸に対してなす角度をθとし、前記楕円の中心点から前記第１導電膜の辺上の点までの距離Ｌ（θ）、前記第１導電膜の面抵抗Ｒｓ、および前記抵抗体部の線抵抗Ｒａ（θ）がＬ（θ）＝Ｒｓ／Ｒａ（θ）の関係を持つことを特徴とする請求項２に記載の位置検出装置。
【請求項４】
前記抵抗体部の幅は前記第１導電膜の辺の中央位置に近づくほど狭くなるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項５】
前記第１導電膜は方形であり、前記抵抗体部の幅は前記第１導電膜の辺の中央位置に近づくほど狭くなるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項６】
前記第１導電膜の辺の中央位置近傍において前記抵抗体部を電気的に分離するために前記抵抗体部より高抵抗の高抵抗領域を設けていることを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項７】
前記抵抗体部と前記取出電極とは同じ材料で形成され、前記第１導電膜の４隅で前記抵抗体部にそれぞれ接続された取出電極から前記電流検出回路を経由してグランドに至る経路のインピーダンスを互いに等しくしたことを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項８】
前記第２導電膜は前記第１導電膜よりも一様に低い抵抗の分布を有することを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置  
【請求項９】
前記第２導電膜用の電極が前記第２導電膜を平面的に囲む形状で設けられることを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置位置検出装置。
【請求項１０】
前記第２導電膜用の電極がアンテナを兼ねて設けられ、スイッチ手段により前記電流供給部の代わりに無線通信回路に接続されることを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項１１】
さらに少なくとも１個のアンテナ用電極が前記第２導電膜用の電極に隣接して形成されることを特徴とする請求項１０に記載の位置検出装置。
【請求項１２】
抵抗分布が一様であり、４辺からなる外縁を有する半導体導電膜を設けて、光線および電子線のようなエネルギー線が前記半導体導電膜に指定点として局所的に照射されるパネルにおいて前記指定点の位置を検出する位置検出装置であって、前記半導体導電膜の４辺に沿って前記半導体導電膜に接合し、前記半導体導電膜より低い抵抗を持つ抵抗体部と、前記半導体導電膜の４隅で前記抵抗体部にそれぞれ接続した取出電極と、前記エネルギー線の照射位置で発生し前記抵抗体部に向かって流れる電流を前記取出電極から取り出し測定する電流検出回路と、前記取出電極からの電流の測定値に基づいて前記指定点の位置を特定する処理を行う処理回路とを備え、前記半導体導電膜の４辺のうちの少なくとも２辺が各々楕円の円弧の一部を構成するように内側に湾曲した形状を有することを特徴とする位置検出装置。
【請求項１３】
前記半導体導電膜の少なくとも２辺は、各々前記楕円の長軸に依存して緩やかに湾曲した円弧の一部に沿うように湾曲していることを特徴とする請求項１２に記載の位置検出装置。
【請求項１４】
前記楕円の中心点と前記半導体導電膜の辺上の点とを結ぶ直線が前記半導体導電膜の辺の中央に交差する前記楕円の軸に対してなす角度をθとし、前記楕円の中心点から前記半導体導電膜の辺上の点までの距離Ｌ（θ）、前記半導体導電膜の面抵抗Ｒｓ、および前記抵抗体部の線抵抗Ｒａ（θ）がＬ（θ）＝Ｒｓ／Ｒａ（θ）の関係を持つことを特徴とする請求項１３に記載の位置検出装置。
【請求項１５】
前記抵抗体部の幅は前記半導体導電膜の辺の中央位置に近づくほど狭くなるように設定されることを特徴とする請求項１２に記載の位置検出装置。
【請求項１６】
前記半導体導電膜は方形であり、前記抵抗体部の幅は前記半導体導電膜の辺の中央位置に近づくほど狭くなるように設定されることを特徴とする請求項１２に記載の位置検出装置。
【請求項１７】
前記半導体導電膜の辺の中央位置近傍において前記抵抗体部を電気的に分離するために前記抵抗体部より高抵抗の高抵抗領域を設けていることを特徴とする請求項１２に記載の位置検出装置。
【請求項１８】
前記抵抗体部と前記取出電極とは同じ材料で形成され、前記半導体導電膜の４隅で前記抵抗体部にそれぞれ接続された取出電極から前記電流検出回路を経由してグランドに至る経路のインピーダンスを互いに等しくしたことを特徴とする請求項１２に記載の位置検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は例えばディスプレイの画面に重ねて配置されるパネルにおいて、接触形式あるいは非接触形式のポインタで指定された指定点の位置を検出する位置検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイに代表される平面表示装置は、ノートパソコンやＰＤＡ（Personal Digital Assistance）のような携帯情報機器のモニタディスプレイとして広く利用されている。
【０００３】
近年では、タッチパネル（あるいはタブレット）と呼ばれる入力ツールがキーボードやマウスポインタに代わって文字および図形の手書き入力やメニュー選択を行うために携帯情報機器に設けられる。例えば透過型タッチパネルは携帯情報機器の液晶ディスプレイに表示された画像を透過するように構成され、ユーザはこの画像を見ながらポインタ部材をタッチパネルに接触させて入力操作を行う。
【０００４】
この他に、パネル上の点を指定するために、例えばレーザ光学系を用いた非接触形式のポインタからパネルにレーザ光を照射しこのレーザ光の照射位置を計測するような位置検出装置の応用例も多数ある。
【０００５】
図１１は従来の透過型タッチパネルの断面構造を示す。このタッチパネルは、一対の透明基板１ａ，１ｂおよびこれら透明基板１ａ，１ｂ上に形成される透明導電膜２ａ，２ｂを有する（例えば非特許文献１を参照）。透明導電膜２ａ，２ｂはそれぞれ一様な抵抗分布を有する抵抗体である。透明基板１ａ，１ｂは外縁に沿って配置されるシール材５ａにより透明導電膜２ａ，２ｂを僅かに離間させて重ねるようにして互いに接着される。透明基板１ａ，１ｂ間においてシール材５ａで囲まれた空間は、例えば不活性ガス５ｂ（または液体）で満たされる。また、この空間には、ギャップ材５ｃがポインタ部材６により加圧される部分を除いて透明導電膜２ａ，２ｂ相互を非接触状態に維持するために散布される。この加圧部分では、透明導電膜２ａが透明基板１ａと共に湾曲して局所的に透明導電膜２ｂに接触する。図１１において、４ａ，４ｂは液晶ディスプレイの横軸（Ｘ軸）方向において透明導電膜２ｂの両端にそれぞれ接続された電極であり、３ａ，３ｂはこのＸ軸方向において透明導電膜２ａの両端にそれぞれ接続された電極である。
【０００６】
上述のタッチパネルにおいてポインタ部材６の接触に伴って得られる透明導電膜２ａ，２ｂの接点（指定点）の位置座標をＸ軸方向において検出する場合、図１２に示すように、電源電圧Ｅ１が電極４ａおよび４ｂ間に印加されると共に、電圧検出部７が透明導電膜２ａ，２ｂの接点の電圧Ｖｐを測定するために透明導電膜２ａに電極３ｂを介して接続される。この電圧Ｖｐは電極４ａおよび接点間の抵抗値Ｒx1と電極４ｂおよび接点間の抵抗値Ｒx2とによって電源電圧Ｅ１を分圧した値である。
【０００７】
透明導電膜２ａ，２ｂの接点のＸ座標は、Ｘ座標Ｘ＝０である透明導電膜２ｂの左端からの距離Ｘ１に等しく、電圧Ｖｐの測定値を次の式１に代入することにより求まる。
【０００８】
Ｘ１＝（１−Ｖp / Ｅ１) Ｌx  …（式１）
ここで、Ｌxは電極４ａおよび４ｂ間の距離、すなわちＸ軸方向における透明導電膜２ｂの全長である。
【０００９】
また、透明導電膜２ａ，２ｂの接点の位置座標をＹ軸方向において検出する場合には、液晶ディスプレイの縦軸（Ｙ軸）方向において透明導電膜２ｂの両端に接続される２電極が用いられる。この場合、電源電圧Ｅ１はこれら２電極間に印加され、電圧検出部７が透明導電膜２ａ，２ｂの接点の電圧Ｖｐを測定するために透明導電膜２ａに電極３ｂを介して接続される。続いて、透明導電膜２ａ，２ｂの接点のＹ座標は電圧Ｖｐの測定値に基づいてＸ座標の場合と同じ方式で求められる。ＸＹ接触座標を求める場合は、Ｘ座標を検出した後に、回路を切り替えてＹ座標を検出させる。
【００１０】
図１３（ａ）に光線などを照射し、光線の照射位置を指定点として検出する位置検出装置の平面構造を示す。これには、前記記載のタッチパネルの場合用いられている透明基板１ａ、透明導電膜２ａはない。そして、一様な抵抗分布を有する透明導電膜２ｂの代わりに、照射光線７により電流が発生する一様な抵抗分布を有する半導体導電膜８がある。この半導体導電膜８の外縁にこの半導体導電膜８より低抵抗の抵抗体部９がある。この抵抗部９は連続している。前記半導体導電膜８の４辺の形状は、図１３（ｂ）に示すように、前記半導体導電膜８の面抵抗をＲｓｓとし、前期抵抗部９の線抵抗をＲａｓとすると、半径ａがａ＝Ｒｓｓ／Ｒａｓを満足する円の円弧に沿うように設計されている。これによって半導体導電膜８内の電位分布が均一になり、検出位置精度が向上する。前記照射光線７により発生した電流は前記抵抗体部９の方向に流れ、この抵抗体部９の４隅に設けられた取出電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄから接続された電流検出回路１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄから取り出される。これら電流検出回路１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの出力を演算処理回路１２により演算して半導体導電膜７に照射された光線の照射位置を得ることができる（例えば、非特許文献２，３を参照）。
【非特許文献１】所 雅俊, 「７線式アナログ抵抗膜タッチパネル」,月刊ディスプレイ，株式会社テクノタイムズ社，2001年11月，P.23-26
【非特許文献２】M.Lampton and C.W.Carlson : “ Low-distortion resistive anodes for two-dimensional position-sensitive MCP systems”,Rev.Sci.Instrum,50(9),Sept.1979
【非特許文献３】寺田・山本：“半導体二次元光位置検出器の改良”、光学、第１２巻、第２号、1983年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、タッチパネル用位置検出装置で前記透明導電膜２ｂのＸＹ接触座標を前記透明導電膜２ａの電圧Ｖｐを測定して検出する方法では、ＸＹ座標検出ごとの回路切り替えを必要し、この回路が複雑になる問題がある。また、電流検出のタッチパネル用位置検出装置では前記透明電極２ｂの外縁に複数の小片に分けられた複雑な電極設計を必要とする問題がある。また、照射光線、電子線の照射位置を検出する位置検出装置においては、図１３（ｂ）に示すように半導体導電膜８の円弧の曲がりにより座標検出有効領域が図中の点線１３で示される領域に限定される。これにより、この有効領域１３は半導体導電膜８の４隅を繋げた方形１４よりｄだけ内側に凹む。このｄの幅は無効部分で、短いことが求められている。だが、このｄは図１３（ｃ）に示されように半導体導電膜７が大きくなると増加し、無効部分の比率が大きくなる問題がある。
【００１２】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、簡単な検出回路および少ない検出無効領域で高い位置検出精度を得ることができる位置検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１観点によれば、抵抗分布が一様であり、４辺からなる外縁を有する第１導電膜、および第１導電膜から僅に離間して第１導電膜に重なるように配置され、加圧により指定点として局所的に第１導電膜に接触する第２導電膜を設けたパネルにおいて指定点の位置を検出する位置検出装置であって、第１導電膜の４辺に沿って第１導電膜に接合し、第１導電膜より低い抵抗を持つ抵抗体部と、第１導電膜の４隅で抵抗体部にそれぞれ接続した取出電極と、第２導電膜に電流を供給する電流供給部と、第１および第２導電膜の接点から抵抗体部に向かって流れる電流を取出電極から取り出し測定する電流検出回路と、取出電極からの電流の測定値に基づいて指定点の位置を特定する処理を行う処理回路とを備え、第１導電膜の４辺のうちの少なくとも２辺が各々楕円の円弧の一部を構成するように内側に湾曲した形状を有する位置検出装置が提供される。
【００１４】
本発明の第２観点によれば、抵抗分布が一様であり、４辺からなる外縁を有する半導体導電膜を設けて、光線および電子線のようなエネルギー線が半導体導電膜に指定点として局所的に照射されるパネルにおいて指定点の位置を検出する位置検出装置であって、導電膜の４辺に沿って半導体導電膜に接合し、半導体導電膜より低い抵抗を持つ抵抗体部と、半導体導電膜の４隅で抵抗体部にそれぞれ接続した取出電極と、エネルギー線の照射位置で発生し抵抗体部に向かって流れる電流をこれら取出電極から取り出し測定する電流検出回路と、これら取出電極からの電流の測定値に基づいて指定点の位置を特定する処理を行う処理回路とを備え、半導体導電膜の４辺のうちの少なくとも２辺が各々楕円の円弧の一部を構成するように内側に湾曲した形状を有する位置検出装置が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
これら位置検出装置では、従来において半導体導電膜の形状が大きくなると無効領域が増加するという問題を軽減して、指定点位置の検出精度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の第１実施形態に係るタッチパネル用の位置検出装置について添付図面を参照して説明する。図１（ａ）はタッチパネルＴＰの断面構造を示す。このタッチパネルＴＰは、従来と同様に一対の第１および第２透明基板１ａ，１ｂと透明基板１ａ，１ｂ上に形成される第１および第２透明導電膜２ａ，２ｂと有する。透明導電膜２ａ，２ｂはそれぞれ一様な抵抗分布を持つＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の抵抗体である。透明導電膜２ａには電極１０ａ，１０ｂが接続されている。電極１０ａ，１０ｂの両方または片方に定電流源１５が接続されている。透明基板１ａ，１ｂは外縁に沿って配置されるシール材５ａにより透明導電膜２ａ，２ｂを僅かに離間させて重ねるようにして互いに接着される。透明基板１ａ，１ｂ間においてシール材５ａで囲まれた空間は、例えば不活性ガス５ｂ（または液体）で満たされる。また、この空間には、ギャップ材５ｃがポインタ部材６により加圧される部分を除いて透明導電膜２ａ，２ｂ相互を非接触状態に維持するために散布される。ポインタ部材６で透明基板１ａを加圧すると、その加圧部分の透明導電膜１ａ、１ｂが指定点として接続される。
【００１７】
図１（ｂ）は図１（ａ）に示す透明基板１ｂ側の平面構造を示す。透明導電膜２ｂは透明基板１ｂ上に形成される。この透明導電膜２ｂの外縁上には、これに接合して、この透明導電膜２ｂより低抵抗の抵抗体部１６が設けられる。この透明導電膜２ｂの４辺は各々楕円の円弧の一部を構成するように内側に凹んだ（湾曲した）形状を有している。この透明導電膜２ｂの４隅の抵抗体部１６に取出電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄが接続されている。各電極は透明基板１ｂの周辺に設けられた端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４まで配線されて、電流検出回路１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄに接続されている。透明基板１ａ上に形成されている透明導電膜２ａには定電流源が接続しており、透明導電膜２ａ，２ｂの接触部（指定点）１７から定電流源１５からの電流が透明導電膜２ｂに注入される。この電流は抵抗体部１６の方向に流れ、取出電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄから取り出される。そして、電流検出回路１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄの測定値を演算処理回路１９で処理することによって、透明導電膜２ｂ上の接続部１７の位置が得られる。
【００１８】
図２は本発明の第２実施形態に係り光線、電子線などのエネルギー線が照射されるパネル用の位置検出装置の構成を示すものである。図２（ａ）はこのパネルの断面構造を示す図である。絶縁基板２０上に半導体導電膜２１が形成されている。この半導体導電膜２１に例えば光線２２が照射されると、半導体導電膜２１に電流が発生する。図２（ｂ）は絶縁基板２０上の平面構造を示す。半導体導電膜２１は絶縁基板２０上に形成される。この半導体導電膜２１の外縁上には、これに接合して、この半導体導電膜２１より低抵抗の抵抗体部２３が設けられる。この半導体導電膜２１の４辺は各々楕円の円弧の一部を構成するように内側に凹んだ（湾曲した）形状を有している。この半導体導電膜２１の４隅の抵抗体部２３に取出電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄが接続されている。各電極は絶縁基板２０の周辺に設けられた端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４まで配線されて、電流検出回路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄに接続されている。光線照射により半導体導電膜２１に発生した電流は抵抗体部２３の方向に流れ、取出電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄから取り出される。そして、電流検出回路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの測定値を演算処理回路２６で処理することによって、半導体導電膜２１上の光線注入部２７の位置が得られる。
【００１９】
第１および第２実施形態の場合、透明導電膜２ｂまたは半導体導電膜２２への電流はタッチパネル用位置検出装置において定電流源１５から注入され、エネルギー線位置検出装置において照射エネルギー線により注入される。透明導電膜２ｂと半導体導電膜２１の４辺（少なくとも２辺）は各々楕円の円弧の一部を構成するように内側に凹んだ（湾曲した）形状を有している。
【００２０】
図３に第１実施形態の透明導電膜２ｂまたは第２実施形態の半導体導電膜２１の形状説明図である。以後、透明導電膜２ｂと半導体導電膜２１を総称して検知導電膜２８と呼ぶ。この検知導電膜２８の４辺２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄの少なくとも２辺は各々楕円の円弧の一部を構成するように内側に凹んでいる（湾曲している）。ここで対向する辺２９ａと２９ｃ、そして辺２９ｂと２９ｄは同じ形状をもって内側に凹んでいる。辺２９ｃに沿って描かれている楕円３０ａの図中Ｘ方向の軸長ｂ１、Ｙ方向の軸長ａ１とするとａ１≦ｂ１、同じく辺２９ｂ、２９ｄに沿って描かれる楕円３０ｂのＸ方向軸長ｂ２、Ｙ方向軸長ａ２とするとｂ２≦ａ２の関係にある。従来の検知導電膜８は検知導電膜の面抵抗Ｒｓｓと抵抗部の線抵抗Ｒａｓに対して半径ａ＝Ｒｓｓ／Ｒａｓを満足する円弧の辺を持つように設計される。この場合、図１３（ｃ）にて述べたように検知導電膜７の形状が大きくなるほど辺の凹みの深さ（湾曲の深さ）ｄが大きくなる問題を持っていた。これに対して、本発明では凹みの深さ（湾曲の深さ）ｄ３、またはｄ３は、辺２９ｃを例にして説明すると、Ｙ軸長ａ１に対してＸ軸長ｂ１を長くすることによって凹みの深さｄ３を増加させることなく設計できる。また、辺２９ｂにおいてもＸ軸長ｂ２に対してＹ軸長ａ２１を長くすることによって凹みの深さｄ４を増加させることなく設計できる。
【００２１】
図４は検知導電膜２９の４辺に接続している抵抗体部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを示す。抵抗体部３１ｃは楕円３０ａに沿って形成されている。楕円３０ａの原点３２ａとして、原点３２ａから抵抗体部３１ａまでの距離を角度θに対しＬ（θ）とし、この抵抗体部３１ａ上の線抵抗をＲｅ（θ）とするとＬ（θ）＝Ｒｓ／Ｒｅ（θ）の関係があるように形成される。どうように、抵抗体部３１ａ、３１ｂ，３１ｄについても形成させる。これによって、検知導電膜２８内により均一な電位分布が形成され、これによってより検出位置精度の向上が行われる。
【００２２】
図５にＲｅ（θ）を抵抗体部の形状により実現させた構成例を示す。検知導電膜２８の４辺に抵抗体部３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを接続されている。これら抵抗体部３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの幅の中心点で表される形状３３は各辺が図中の点線で示されるように楕円に沿ったものになっている。ここで抵抗体部３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中央部の幅Ｗ１は周辺の幅Ｗ２，Ｗ３より小さくさせている。これによって、検知導電膜２８内により均一な電位分布が形成され、これによって検出位置精度の向上が行われる。
【００２３】
図６は本発明の第３実施形態を説明するためのものである。図６（ａ）には、検知導電膜２８の各辺の抵抗体部３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの構造が示される。この抵抗体部３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの中央部に高抵抗領域３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄを形成させる。図６（ｂ）では、抵抗体部３３ｃが拡大して示されている。この図から判るように、抵抗体部３４ｃは中央部で高抵抗領域３４ｃにより電気的に分離されている。これによって取出電極３５ｃに近い側にある抵抗体部３３ｃの一方に到達した電流のほとんどは取出電極３５ｃから取り出されて、電流検出回路３６ｃにより測定される。同様に取出電極３５ｂに近い側にある抵抗体部３３ｃの他方に到達した電流のほとんどが取出電極３５ｂから取り出されて、電流検出回路３６ｂにより測定される。これは抵抗体部３３ａ，３３ｂ，３３ｄと取出電極３５ａ，３５ｄ、そして電流検出回路３６ａ、３６ｄにおいて同様に行われる。これは抵抗体部３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの抵抗が低い場合、取出電極３５ａと電流検出回路３６ａ間の配線４０ａ抵抗と電流検出回路３６ａの内部インピーダンスが、他の配線４０ｂ，４０ｃ，４０ｄの抵抗、電流検出回路３６ｂ，３６ｃ，３６ｄの内部インピーダンスが異なるため、取出電極３５ｂと３５ｃ、電極３５ａと３５ｂ、電極３５ｃと３５ｄ間に発生する電位差のための電流が生ずる。これは検出位置精度を低下させる。本発明では高抵抗領域３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄの存在により、検出精度を低下させる電流の発生を抑圧させることができる。また、高抵抗領域３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄが存在することによって、高抵抗領域３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ付近の検知導電膜２８における電気分布の不均一性を少なくすることができる。尚、高抵抗領域３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄを検知導電膜２８と同じ材料で形成する場合には、高抵抗領域３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄの面積をそれぞれ適切に設定して、検知導電膜２８の辺に沿った高抵抗領域３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄの抵抗値を両側の抵抗体部３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄよりも高くしてもよい。
【００２４】
図７に本発明の第４実施形態を示す。図５を用いて説明した実施形態においては抵抗体部３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは各辺の中央部から周辺部に向かって広がるような形状になり、これに沿い検知導電膜２８の外縁形状は曲線的になっている。ここでＬ（θ）が十分大きくなるように例えば検知導電膜２８の面抵抗Ｒｓが大きく、または抵抗体部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄの線抵抗Ｒｅ（θ）が小さくなるようにすると、検知導電膜２８の外縁を直線的な方形形状としても実用的に問題ない位置精度を得ることができる。ここにおいて、例えば抵抗体部４１ｃを例にすると中央部幅Ｗ１を周辺部幅Ｗ２，Ｗ３より小さくさせる。これにより、検知導電膜２８内に、より均一な電位分布を形成することが出来る。同様なことは、抵抗体部４１ａ，４１ｂ，４１ｄにおいても適用される。
【００２５】
ここで、抵抗体部部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄの中央部から周辺部に向かって広くする、例えば抵抗体部４１ｃを例にすると抵抗体部４１ｃの外縁４２ａ，４２ｂを図７（ａ）に示すように直線的にしてもよい。この場合、この位置検出装置の設計、製造を容易にさせる。
【００２６】
また、図７（ｂ）に示すように中央部から周辺部に向かって広がる抵抗体部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄを方形の検知導電膜２８の外縁上に設けてもよい。この場合、抵抗体部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄの外側の辺は検知導電膜２８の外縁に沿い、内側の辺が中央部よりも周辺部で外側の辺から離れるように形成される（Ｗ１≦Ｗ２，Ｗ３）。検知導電膜２８の有効領域はこれら抵抗体部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄに囲まれた破線で示す方形の領域となる。いいかえると、抵抗体部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄは検知導電膜２８の有効領域の外側に配置される。このような配置は抵抗体部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄの中央部付近の電位分布の不均一性による検知導電膜２８の有効領域に対する影響を低減させることができる。また、この効果は抵抗体部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄに中央部分に高抵抗領域５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄを設けることによりさらに促進することが可能である。
【００２７】
図１（ａ）で示した第１実施形態のタッチパネル用位置検出装置の構造では、透明導電膜２ａのシート抵抗が接点（指定点）位置の検出に関与しないため、単位面積当たり１０オーム程度という透明導電膜２ｂのシート抵抗よりも十分小さい値に設定されている。これは、携帯情報機器から漏れる不要な電磁波がこの透明導電膜２ａを透過する際に渦電流を発生させて電磁波エネルギーを減衰させるためである。こうして、電磁波が透明導電膜２ａで効果的に吸収されることから、電磁波に対して良好なシールド効果を得ることができる。
【００２８】
図８は図１（ａ）に示す透明基板１ａ側の平面構造を示す。これでは、この電極４３は透明導電膜２ａを全体的に取り囲んで透明基板１ａ上に形成され、この透明導電膜２ａに接続されている。定電流源４５は透明導電膜２ａに定電流Ｉoを供給するために電極４３の任意の一点に接続される。これによれば、透明導電膜２ａの面内電流が均等になることから、応答性が向上する。
【００２９】
図９は図１（ａ）に示す透明基板１ａ側の平面構造を変形した第２変形例を示す。この変形例では、図９に示すように単一の電極４６が透明導電膜２ａを囲むように形成されている。この電極４６は給電端４７ａ，４７ｂ付近を除いて透明導電膜２ａを全体的に取り囲んで透明基板１ａ上に形成され、この透明導電膜２ａに接続されている。切換スイッチＳＴａは演算処理回路からのスイッチ信号ＲＦＣの制御によって給電端４７ａを定電流源４５および携帯情報端末のトランシーバ部ＴＲの一方に接続し、切換スイッチＳＴｂはこのスイッチ信号ＲＦＣの制御によって給電端１７ｂを定電流源１２および携帯情報端末のトランシーバ部ＴＲの一方に接続する。透明導電膜２ａ，２ｂの接点位置を検出する場合、定電流源４５が切換スイッチＳＴａ，ＳＴＢを介して給電端４７ａ，４７ｂに接続される。また、トランシーバ部ＴＲによる送受信が行われる場合に、トランシーバ部ＴＲが切換スイッチＳＴａ，ＳＴＢを介して給電端４７ａ，４７ｂに接続される。この場合には、電極４６がループアンテナとして機能する。
【００３０】
この変形例によれば、電極４６が定電流源４５からの定電流Ｉoを透明導電膜２ａに供給する電極としてだけでなく、ループアンテナとしても共用できる。従って、携帯情報端末においてトランシーバ部ＴＲが外部と通信を行うために独立に設けられるアンテナを不要にできる。
【００３１】
図１０は図１（ａ）に示す透明基板１ａ側の平面構造を変形した第３変形例を示す。この変形例では、図１０に示す電極４８および４９が用いられる。この電極４８は給電端５０ａ，５０ｂ付近を除いて透明導電膜２ａを全体的に取り囲んで透明基板１ａ上に形成され、この透明導電膜２ａに接続されている。ここでは、給電端５０ａ，５０ｂは透明導電膜２ａの右端に寄せて設けられ、さらに切換スイッチＳＴａ，ＳＴｂが第２変形例と同様に機能するように設けられる。電極４９はループアンテナとして機能する電極４８と容量結合して、このループアンテナの指向性を変化させるために設けられている。また、トランシーバ部ＴＲは定電流源４５が電極４３を利用する接点位置の検出中に送受信を行うために電極４９の一端５０ｃに接続されてもよい。この場合には、電極４９がロッドアンテナとして機能する。また、この電極４９の一端５０ｃは例えばトランシーバ部ＴＲとは異なる周波数帯で送受信を行うために独立して携帯情報端末に設けられる第２のトランシーバ部ＴＲに接続される給電端として用いられてもよい。
【００３２】
図１０の変形例によれば、電極４８が定電流源４５からの定電流Ｉoを透明導電膜２ａに供給する電極としてだけでなく、ループアンテナとしても共用される場合に、この電極４８と協力する電極１９を設けることにより、アンテナとしての応用範囲を広げることが可能となる。
【００３３】
図９および図１０に示した変形例では、送受信を行うトランシーバ部ＴＲが無線通信回路として電極４６に接続されているが、送信だけを行う送信回路および受信だけを行う受信回路の少なくとも一方を無線通信回路として電極４６に接続すればよい。また、単一の電極４９が電極４６に隣接して形成されているが、複数の電極が任意の無線通信回路のアンテナとして電極４６に隣接して形成されてもよい。
【００３４】
さらに、上述の実施形態では、透過型タッチパネルについて説明したが、本発明は非透過型のタッチパネルにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１実施形態に係りタッチパネル用の位置検出装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係りエネルギー線照射パネル用の位置検出装置を示す図である。
【図３】図１に示す第１実施形態の透明導電膜または図２に示す第２実施形態の半導体導電膜の形状説明図である。
【図４】図３に示す検知導電膜の４辺に接続している抵抗体部を示す図である。
【図５】図４に示すＲｅ（θ）を抵抗体部の形状により実現させた構成例を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態を説明するための図である。
【図７】本発明の第４実施形態を説明するための図である。
【図８】図１に示す上部の透明基板側の平面構造を示す図である。
【図９】図１に示す上部の透明基板側の平面構造を変形した第２変形例を示す図である。
【図１０】図１に示す上部の透明基板側の平面構造を変形した第３変形例を示す図である。
【図１１】従来の透過型タッチパネルの断面構造を示す図である。
【図１２】図１１に示すタッチパネルでＸ軸方向モードを設定したときに得られるタッチパネルの等価回路を示す図である。
【図１３】光線の照射位置を指定点として検出する従来の位置検出装置を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
２ａ，２ｂ…透明導電膜、１５…電流供給部、１６…抵抗体部、１７ａ〜１７ｄ…取出電極、１８ａ〜１８ｄ…電流検出回路、１９…処理回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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