(57)【要約】【課題】ミラー面を有する第２高調波発生結晶を備える外部共振器型面発光レーザを提供する。【解決手段】第１波長の光を放出させるレーザチップ４１と、レーザチップから離隔されてレーザチップの光軸に対して斜めに配置されたものであって、レーザチップから放出された第１波長の光を斜めに反射するフォールディングミラー４３と、フォールディングミラーにより反射された第１波長の光の周波数を２倍に変換して、第２波長の光を形成するＳＨＧ結晶４４と、を備え、ＳＨＧ結晶の出射面４６には、波長変換されていない第１波長の光を前記フォールディングミラーで反射し、波長変換された第２波長の光を透過させるコーティング層が形成されたことを特徴とする外部共振器型面発光レーザである。【選択図】図４
2007189194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１波長の光を放出させるレーザチップと、
前記レーザチップから離隔されて前記レーザチップの光軸に対して斜めに配置されたものであって、レーザチップから放出された第１波長の光を斜めに反射するフォールディングミラーと、
前記フォールディングミラーにより反射された第１波長の光の周波数を２倍に変換して、第２波長の光を形成するＳＨＧ結晶と、を備え、
前記ＳＨＧ結晶の出射面には、波長変換されていない第１波長の光を前記フォールディングミラーで反射し、波長変換された第２波長の光を透過させるコーティング層が形成されていることを特徴とする外部共振器型面発光レーザ。
【請求項２】
前記ＳＨＧ結晶の入射面には、波長変換されていない第１波長の光を透過させ、波長変換された第２波長の光をＳＨＧ結晶の出射面で出射するコーティング層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項３】
前記レーザチップから放出された第１波長の光は、前記フォールディングミラーを経て、前記ＳＨＧ結晶の出射面とレーザチップとの間で共振することを特徴とする請求項２に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項４】
波長変換された第２波長の光は、前記ＳＨＧ結晶の出射面を通じて外部に出力されることを特徴とする請求項２に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項５】
前記レーザチップとフォールディングミラーとの間に配置されたものであって、特定の波長の光のみを通過させ、通過する光の偏光方向を調節する複屈折フィルタをさらに備えていることを特徴とする請求項２に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項６】
前記フォールディングミラーのミラー面は凹状であり、前記ＳＨＧ結晶の出射面は平坦であることを特徴とする請求項２に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項７】
前記凹状のフォールディングミラーの焦点は、前記ＳＨＧ結晶の内部に位置することを特徴とする請求項６に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項８】
第１波長の光を放出させるレーザチップと、
前記レーザチップから離隔されて前記レーザチップの光軸に対して斜めに配置されたものであって、レーザチップから放出された第１波長の光を斜めに反射するフォールディングミラーと、
前記フォールディングミラーにより反射された第１波長の光の周波数を２倍に変換して第２波長の光を形成するＳＨＧ結晶と、を備え、
前記ＳＨＧ結晶の出射面には、波長変換されていない第１波長の光と、波長変換された第２波長の光との何れをも反射させるコーティング層が形成されていることを特徴とする外部共振器型面発光レーザ。
【請求項９】
前記ＳＨＧ結晶の入射面には、波長変換されていない第１波長の光と、波長変換された第２波長の光との両方に対して、反射防止機能を有するコーティング層が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項１０】
前記フォールディングミラーのミラー面には、波長変換されていない第１波長の光を反射させ、波長変換された第２波長の光を透過させるコーティング層が形成されており、波長変換された第２波長の光は、前記フォールディングミラーを透過して外部に出力されることを特徴とする請求項９に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項１１】
前記レーザチップから放出された第１波長の光は、前記フォールディングミラーを経て、前記ＳＨＧ結晶の出射面とレーザチップとの間で共振することを特徴とする請求項１０に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項１２】
前記レーザチップとフォールディングミラーとの間に配置されたものであって、特定の波長の光のみを通過させ、通過する光の偏光方向を調節する複屈折フィルタをさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項１３】
前記フォールディングミラーのミラー面は凹状であり、前記ＳＨＧ結晶の出射面は平坦であることを特徴とする請求項１０に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【請求項１４】
前記凹状のフォールディングミラーの焦点は、前記ＳＨＧ結晶の内部に位置することを特徴とする請求項１３に記載の外部共振器型面発光レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｅｘｔｅｒｎａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ；ＶＥＣＳＥＬ）に係り、さらに詳細には、ミラー面を有する第２高調波発生（Ｓｅｃｏｎｄ  Ｈａｒｍｏｎｉｃ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎと、ＳＨＧ）結晶を備える外部共振器型面発光レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＶＥＣＳＥＬは、一般的に、垂直共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ；ＶＣＳＥＬ）の上部ミラーを外部ミラーに代替して利得領域を拡大させることによって、数〜数十Ｗ以上の高出力を得させるレーザ素子である。
【０００３】
図１は、線形構造を有する従来のＶＥＣＳＥＬを概略的に示す断面図である。図１に示すように、従来のＶＥＣＳＥＬ １０の構造を説明すれば、レーザ発振のためのレーザチップ１３、前記レーザチップ１３と所定間隔離れて配置された凹状の外部ミラー１６、及び前記レーザチップ１３に光ポンピング用光を提供するために斜めに配置されたポンプレーザ１１を備える。また、レーザチップ１３と外部ミラー１６との間には、特定の波長の光のみをのみを通過させ、出射光の偏光方向を調節する複屈折フィルタ１４と、入射光の周波数を２倍にするＳＨＧ結晶１５がさらに配置されうる。前記ＳＨＧ結晶１５は、例えば、レーザチップ１３から放出される赤外線領域の光を可視光線領域の光に変換できる。
【０００４】
一方、公知のように、前記レーザチップ１３は、基板上に分散ブラッグ反射器（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ；ＤＢＲ）及び活性層が順次に積層された構造である。例えば、前記レーザチップ１３の活性層は、多重量子ウェル構造であって、光ポンピング用光により励起されて、所定の波長を有する光を放出する。ポンプレーザ１１は、光ポンピング用光を前記レーザチップ１３に入射させて、レーザチップ１３内の活性層を励起させる役割を果たす。ここで、前記ポンプレーザ１１から放出される光ポンピング用光の波長は、レーザチップ１３から発生する光の波長よりも短い必要がある。例えば、レーザチップ１３がガリウム（Ｇａ）系の半導体を利用する場合、前記レーザチップ１３は、約９００ｎｍないし１２００ｎｍの波長を有する赤外線領域の光を放出する。この場合、前記ポンプレーザ１１から放出される光ポンピング用光は、約８０８ｎｍの波長を有することが望ましい。
【０００５】
このような構造で、ポンプレーザ１１から放出された光が、レンズ１２を通してレーザチップ１３に入射すれば、レーザチップ１３内の活性層が励起されつつ赤外線領域の光を放出する。このように発生した光は、レーザチップ１３内のＤＢＲ層と外部ミラー１６との間で反射を繰り返しつつ共振する。このとき、ＳＨＧ結晶１５により可視光線領域に変換された光は、外部ミラー１６を通して外部に出力される。このために、前記外部ミラー１６の表面は、赤外線に対しては高い反射率を有し、可視光線に対しては高い透過率を有するようにコーティングされている。また、外部ミラー１６で部分的に反射された可視光線が再び外部ミラー１６に進むように、ＳＨＧ結晶１５の一面１５ａは、可視光線に対して高い反射率を有し、赤外線に対して高い透過率を有するようにコーティングされる。
【０００６】
ところが、前記ＳＨＧ結晶１５の変換効率は、入射光のエネルギー密度に比例するという特性を有している。したがって、前記ＳＨＧ結晶１５の変換効率を高めるためには、入射光のビーム径が、可能なかぎり小さいことが望ましい。このために、ＳＨＧ結晶１５及び複屈折フィルタ１４の位置を変えてもよいが、入射光のビーム径の縮小には依然として限界がある。
【０００７】
このような問題を改善するために、図２に示すように、フォールディング構造のＶＥＣＳＥＬ ２０が提案された。図２に示すＶＥＣＳＥＬ ２０は、レーザチップ２１、凹状のフォールディングミラー２３、平面ミラー２５、前記フォールディングミラー２３とレーザチップ２１との間に配置された複屈折フィルタ２２、及びフォールディングミラー２３と平面ミラー２５との間に配置されたＳＨＧ結晶２４を備える。このような構造で、レーザチップ２１から放出された光は、フォールディングミラー２３により反射された後、平面ミラー２５の近くで集束される。ＳＨＧ結晶２４は、平面ミラー２５の近くに配置されているため、前記ＳＨＧ結晶２４に入射する光のビーム径は最小になりうる。ここで、フォールディングミラー２３の表面２３ａは、赤外線に対して高反射率を有する。また、平面ミラー２５の表面２５ａは、赤外線に対しては高反射率を有し、可視光線に対しては高い透過率を有する。そして、ＳＨＧ結晶２４の一面２４ａは、可視光線に対して高反射率を有し、赤外線に対して高い透過率を有する。したがって、ＳＨＧ結晶２４により変換された可視光線は外部に出力され、赤外線は共振する。しかし、図２のＶＥＣＳＥＬ ２０は、ミラーの数が増加するため、製造コストが上昇し、それぞれの部品の正確な整列が難しく、光損失も増加する。
【０００８】
図３は、特許文献１に開示されたものであり、ミラーの数を減らしたＶＥＣＳＥＬを開示している。図３に示す線形構造のＶＥＣＳＥＬ ３０は、基板３２、ＤＢＲ層３３及び活性層３４からなるレーザチップをヒットシンク３１上に配置し、前記レーザチップから離隔されてＳＨＧ結晶３６を配置した構造である。前記ＳＨＧ結晶３６のレーザチップと対向する下面には、反射防止コーティングが形成されており、上面には、ミラー３７が形成されている。ここで、前記ＳＨＧ結晶３６の上面は、凸状の曲面であり、ＳＨＧ結晶３６の上面に形成されたミラー３７は、凹状の曲面ミラーになる。しかし、図３に示すＶＥＣＳＥＬ ３０の場合、ミラーの数は減ったが、図１のＶＥＣＳＥＬ １０が有する問題点をそのまま有する。すなわち、共振条件を満足させるために、凹ミラー３７の焦点がレーザチップに合わせられているため、ＳＨＧ結晶３６内でのビーム径の縮小が難しい。したがって、ＳＨＧ結晶３６の効率が低下する。さらに、正確な凹ミラー３７が形成されるためには、前記ＳＨＧ結晶３６の上面が非常に精密に加工されていなければならないため、製造コスト及び製造時間が上昇せざるを得ない。
【特許文献１】米国特許第６,３９３,０３８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、構造が簡単であり、ＳＨＧ結晶の波長変換効率に優れたＶＥＣＳＥＬを提供することである。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、製造コスト及び製造時間を低減させ、部品整列の容易なＶＥＣＳＥＬを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前述した目的を達成するための本発明の一実施形態に係るＶＥＣＳＥＬは、第１波長の光を放出させるレーザチップと、前記レーザチップから離隔されてレーザチップの光軸に対して斜めに配置されたものであって、レーザチップから放出された第１波長の光を斜めに反射するフォールディングミラーと、前記フォールディングミラーにより反射された第１波長の光の周波数を２倍に変換して、第２波長の光を形成するＳＨＧ結晶と、を備え、前記ＳＨＧ結晶の出射面には、波長変換されていない第１波長の光を前記フォールディングミラーで反射し、波長変換された第２波長の光を透過させるコーティング層が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
また、前記ＳＨＧ結晶の入射面には、波長変換されていない第１波長の光を透過させ、波長変換された第２波長の光をＳＨＧ結晶の出射面で射するコーティング層が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
この場合、前記レーザチップから放出された第１波長の光は、前記フォールディングミラーを経て、前記ＳＨＧ結晶の出射面とレーザチップとの間で共振する。
【００１４】
反面、波長変換された第２波長の光は前記ＳＨＧ結晶の出射面を通じて外部に出力される。
【００１５】
また、本発明の一実施形態に係るＶＥＣＳＥＬは、前記レーザチップとフォールディングミラーとの間に配置されたものであって、特定の波長の光のみを通過させ、通過する光の偏光方向を調節する複屈折フィルタをさらに備えうる。
【００１６】
本発明によれば、前記フォールディングミラーのミラー面は凹状であり、前記ＳＨＧ結晶の出射面は平坦であることを特徴とする。この場合、前記凹状のフォールディングミラーの焦点は、前記ＳＨＧ結晶の内部に位置することが望ましい。
【００１７】
一方、本発明の他の実施形態に係るＶＥＣＳＥＬは、第１波長の光を放出させるレーザチップと、前記レーザチップから離隔されてレーザチップの光軸に対して斜めに配置されたものであって、レーザチップから放出された第１波長の光を斜めに反射するフォールディングミラーと、前記フォールディングミラーにより反射された第１波長の光の周波数を２倍に変換して第２波長の光を形成するＳＨＧ結晶と、を備え、前記ＳＨＧ結晶の出射面には、波長変換されていない第１波長の光と、波長変換された第２波長の光との何れをも反射させるコーティング層が形成されたことを特徴とする。
【００１８】
また、前記ＳＨＧ結晶の入射面には、波長変換されていない第１波長の光と、波長変換された第２波長の光との両方に対して、反射防止機能を有するコーティング層が形成されたことを特徴とする。
【００１９】
また、前記フォールディングミラーのミラー面には、波長変換されていない第１波長の光を反射させ、波長変換された第２波長の光を透過させるコーティング層が形成される。
【００２０】
この場合、波長変換された第２波長の光は、前記フォールディングミラーを透過して外部に出力される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の望ましい実施形態によれば、ＳＨＧ結晶に入射する光のビーム径が最小になるので、ＳＨＧ結晶が最適の効率を有しうる。また、別途の平面ミラーを使用する代わりに、ＳＨＧ結晶の平坦な出射面にコーティング層を形成するため、必要なミラー数を減少させうる。したがって、ＶＥＣＳＥＬの製造時、部品の精密な整列にかかる時間を短縮させ、製造コストを低減させうる。また、ＶＥＣＳＥＬで光学面数が減るので、光学面による光学的な損失を減らしうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。
【００２３】
図４は、本発明の一実施形態に係るフォールディング構造のＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す断面図である。図４に示すように、本発明の一実施形態に係るＶＥＣＳＥＬ ４０は、所定の波長の光を放出させるレーザチップ４１、前記レーザチップ４１から放出された光をレーザチップ４１の光軸に対して斜めに反射するフォールディングミラー４３、及び前記フォールディングミラー４３により反射された光の周波数を２倍に変換するＳＨＧ結晶４４を備える。
【００２４】
前述したように、前記レーザチップ４１は、基板上にＤＢＲ層及び活性層が順次に積層された構造を有する。前記活性層は、例えば、多重量子ウェル構造を有し、ポンプレーザ（図示せず）から放出された光ポンピング用光により励起されて、所定の波長を有する光を放出する。例えば、活性層がＧａ系の半導体からなる場合、前記活性層は、約９００ｎｍないし１２００ｎｍの波長を有する赤外線領域の光を放出する。
【００２５】
フォールディングミラー４３は、前記レーザチップ４１から所定間隔離隔されてレーザチップ４１の光軸に対して斜めに配置されている。図４に示すように、前記フォールディングミラー４３のミラー面４３ａは、光を集束できるように凹状の面を有することが望ましい。また、フォールディングミラー４３のミラー面４３ａは、前記レーザチップ４１から放出された光に対して高い反射率を有するようにコーティングされる。例えば、レーザチップ４１が赤外線領域の光を放出する場合、前記フォールディングミラー４３の表面４３ａには、赤外線領域の光に対して高反射率を有するコーティング層が形成される。
【００２６】
前述したように、ＳＨＧ結晶４４は、入射光の周波数を２倍に変換する役割を果たす。前記ＳＨＧ結晶４４により、例えば、レーザチップ４１から放出された赤外線領域の光は、可視光線領域の光に変換されうる。このようなＳＨＧ結晶４４として、例えば、ＰＰＫＴＰ（ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ  ｐｏｌｅｄ  ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｔｉｔａｎｙｌ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、ＬｉＮｂＯ３、ＰＰＬＮ（ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ  ｐｏｌｅｄ  ＬｉＮｂＯ３）、ＰＰＳＬＴ（ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ  ｐｏｌｅｄ  ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ  ｌｉｔｈｉｕｍ  ｔａｎｔａｌａｔｅ）、ＫＮｂＯ３、ＫＴＮ（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｔａｎｔａｌａｔｅ  ｎｉｏｂａｔ）のような結晶を使用できる。図４に示すように、前記ＳＨＧ結晶４４は、フォールディングミラー４３から反射される光が集束される位置に配置される。すなわち、前記フォールディングミラー４３の焦点は、前記ＳＨＧ結晶４４の内部に位置することが望ましい。前述したように、ＳＨＧ結晶４４の波長変換効率は、入射光のエネルギー密度に比例するので、凹状のフォールディングミラー４３を利用してＳＨＧ結晶４４の内部に光を集束させることによって、最適の効率を得ることができる。
【００２７】
ここで、前記ＳＨＧ結晶４４により波長変換された可視光線領域の光が外部に出力されるように、ＳＨＧ結晶４４の出射面４６には、可視光線領域の光に対して高い透過率を有するコーティング層が形成される。また、レーザチップ４１から放出された赤外線領域の光が共振できるように、前記ＳＨＧ結晶４４の出射面４６に形成されたコーティング層は、赤外線領域の光に対しては高い反射率を有することが望ましい。したがって、図４に示すＶＥＣＳＥＬ ４０は、図２に示す従来のＶＥＣＳＥＬ ２０と比較すると、平面外部ミラー２５を除去する代わりに、ＳＨＧ結晶４４の出射面４６にコーティング層を形成したものである。また、前記ＳＨＧ結晶４４の出射面４６で一部反射された可視光線領域の光を再び出射面４６に戻すために、ＳＨＧ結晶４４の入射面４５には、可視光線領域の光に対して高反射率を有するコーティング層が形成される。レーザチップ４１から放出された赤外線領域の光が共振できるように、前記ＳＨＧ結晶４４の入射面４５に形成されたコーティング層は、赤外線領域の光に対しては高い透過率を有することが望ましい。
【００２８】
一方、前記レーザチップ４１とフォールディングミラー４３との間には、複屈折フィルタ４２がさらに配置されうる。ＳＨＧ結晶４４の波長変換効率は、入射光のエネルギー密度に比例するだけでなく、入射光の波長及び偏光方向からも影響を受ける。一般的に、レーザチップ４１から放出されて共振器内で共振する光は、不連続的な複数の波長を有するスペクトルからなる。前記複屈折フィルタ４２は、特定の波長の光のみを通過させ、通過する光の偏光方向を調節する役割を果たす。したがって、複屈折フィルタ４２を使用することによって、ＳＨＧ結晶４４の効率をさらに向上させ、出力されるレーザ光の品質をさらに向上させうる。  以下、前述した構造を有するＶＥＣＳＥＬ ４０の動作について説明する。まず、ポンプレーザを通じてレーザチップ４１に光ポンピング用光を提供すれば、前記レーザチップ４１内の活性層が励起されつつ、例えば、赤外線領域の光が放出される。前記赤外線領域の光は、複屈折フィルタ４２を通過した後、フォールディングミラー４３によりレーザチップ４１の光軸に対して斜めに反射されて、ＳＨＧ結晶４４内に集束される。すると、赤外線領域の光の一部は、ＳＨＧ結晶４４により可視光線領域の光に変換されて、ＳＨＧ結晶４４の出射面４６を通じて外部に出力される。可視光線領域の光の一部は、出射面４６で反射されうるが、ＳＨＧ結晶４４の入射面４５で再び反射されて、結局、出射面４６を通じて出力される。一方、ＳＨＧ結晶４４で波長変換されていない残りの赤外線領域の光は、ＳＨＧ結晶４４の出射面４６で反射される。このとき、再び一部が可視光線領域の光に変換された後、ＳＨＧ結晶４４の入射面４５で反射されて、出射面４６を通じて出力される。変換されていない赤外線領域の光は、前記ＳＨＧ結晶４４の入射面４５を通過した後、フォールディングミラー４３により反射されて、レーザチップ４１に入射する。すると、レーザチップ４１内のＤＢＲ層により反射されて、前述した過程を繰り返す。したがって、前記レーザチップ４１から放出された光は、フォールディングミラー４３を経て、ＳＨＧ結晶４４の出射面４６とレーザチップ４１との間で共振する。
【００２９】
このような本発明によれば、ＳＨＧ結晶４４に入射する光のビーム径を最小にすることができるので、ＳＨＧ結晶４４が最大の効率を有しうる。また、別途の平面ミラーを使用する代わりに、ＳＨＧ結晶４４の平坦な出射面４６にコーティング層を形成することによって、ミラーの数を減少させうる。したがって、レーザの製造時、部品の精密な整列にかかる時間を短縮させ、製造コストを低減させうる。また、光学面数が減るので、光学面による光学的な損失を減らしうるという長所がある。
【００３０】
図５は、本発明の他の実施形態に係るフォールディング構造のＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す断面図である。図４に示す実施形態と比較するとき、図５に示す実施形態は、コーティング層の特性及びレーザ光の出力位置のみが異なり、構成要素の種類及び配置は同じである。すなわち、図５に示すＶＥＣＳＥＬ ５０は、所定の波長の光を放出するレーザチップ５１、前記レーザチップ５１から離隔されてレーザチップ５１の光軸に対して斜めに配置されており、前記レーザチップ５１から放出された光を斜めに反射するフォールディングミラー５３、前記フォールディングミラー５３により反射された光の周波数を２倍に変換するＳＨＧ結晶５４、及び前記レーザチップ５１とフォールディングミラー５３との間に配置されて、特定の波長の光のみを通過させる複屈折フィルタ５２を備える。図４の実施形態と同様に、前記フォールディングミラー５３は、凹状のミラー面を有し、前記凹状のフォールディングミラー５３の焦点は、ＳＨＧ結晶５４の内部に位置する。
【００３１】
図４の場合とは異なり、図５に示すＶＥＣＳＥＬ ５０の場合、ＳＨＧ結晶５４の出射面５６に形成されたコーティング層は、波長変換された光及び波長変換されていない光に対して何れも高反射率を有する。例えば、レーザチップ５１が赤外線領域の光を放出する場合、ＳＨＧ結晶５４の出射面５６に形成されたコーティング層は、赤外線領域の光及び可視光線領域の光を何れも反射する。また、前記ＳＨＧ結晶５４の入射面５５に形成されたコーティング層は、波長変換されていない赤外線領域の光及び波長変換された可視光線領域の光に対して何れも高い透過率を有する。フォールディングミラー５３の場合、ミラー面５３ａに形成されたコーティング層は、波長変換されていない赤外線領域の光に対しては高い反射率を有する一方、波長変換された可視光線領域の光に対しては、高い透過率を有するように設計される。
【００３２】
このような本実施形態によれば、レーザチップ５１から放出された赤外線領域の光は、複屈折フィルタ５２を通過した後、フォールディングミラー５３によりレーザチップ５１の光軸に対して斜めに反射されて、ＳＨＧ結晶５４内に集束される。すると、赤外線領域の光の一部は、ＳＨＧ結晶５４により可視光線領域の光に変換される。前記ＳＨＧ結晶５４により変換された可視光線領域の光と、変換されていない残りの赤外線領域の光とは、ＳＨＧ結晶５４の出射面５６で反射された後、ＳＨＧ結晶５４の入射面５５を通過してフォールディングミラー５３に入射する。ここで、可視光線領域の光は、フォールディングミラー５３を透過して外部に出力される一方、赤外線領域の光は、フォールディングミラー５３により反射されて、レーザチップ５１に入射する。それにより、赤外線領域の光は、レーザチップ５１内のＤＢＲ層により反射されて、前述した過程を繰り返す。
【００３３】
したがって、図４の場合には、ＳＨＧ結晶の出射面を通して光が出力される一方、図５の場合には、フォールディングミラーを通して光が出力されるという差がある。一方、これまで、レーザチップが赤外線領域の光を放出し、前記赤外線領域の光をＳＨＧ結晶が可視光線領域の光に変換すると説明したが、これは、発明の範囲を限定するためのものではなく、単に例示的なものである。したがって、レーザチップの種類によって他の波長の光を放出でき、これにより、ＳＨＧ結晶のコーティング層も適切に選択されうる。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、レーザＴＶ等で使用される高出力のＶＥＣＳＥＬの製造に利用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来の線形構造のＶＥＣＳＥＬの構造を示す断面図である。
【図２】従来のフォールディング構造のＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す断面図である。
【図３】従来のさらに他のＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るフォールディング構造のＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係るフォールディング構造のＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
４０  ＶＥＣＳＥＬ
４１  レーザチップ
４２  複屈折フィルタ
４３  フォールディングミラー
４３ａ  ミラー面
４４  ＳＨＧ結晶
４５  入射面
４６  出射面
【図１】
2007189194.tif 000003
【図２】
2007189194.tif 000004
【図３】
2007189194.tif 000005
【図４】
2007189194.tif 000006
【図５】
2007189194.tif 000007