(57)【要約】【課題】高周波同軸線路と平面基板線路との変換において、変換部に起因する反射を低減させる。【解決手段】金属パッケージ１１０に嵌合して、同軸コネクタ１１１が挿入される高周波同軸線路と、下面を金属パッケージ１１０に接して上面に中心導体１０２および表面グランド１０１が形成された裏面導体１０３付きのコプレーナ回路１００とを備えた高周波用信号変換器において、表面グランド１０１の変換部に近い導体の一部が矩形に取り除かれて導体除去部１０８が形成されており、それにより変換部における電界分布を小さくでき特性インピーダンスの低下を抑え反射を抑制できる。【選択図】図１
2007123950.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属パッケージ上に構成された、同軸線路と平面基板線路との変換を行うための高周波用信号変換器における同軸線路−平面基板線路変換構造おいて、
前記平面基板線路は、中心導体と表面グランド導体と裏面導体とを有するコプレーナ回路であり、
前記コプレーナ回路の前記表面グランド導体の前記中心導体に近接した一部が、前記同軸線路との変換部近傍の所定の部分において、所定の形状に取り除かれていることを特徴とする同軸線路−平面基板線路変換構造。
【請求項２】
前記同軸線路との変換部近傍の所定の部分において取り除かれている前記表面グランド導体の一部が、表面グランド導体の前記中心導体側の前記表面グランド導体の端部から３０〜２００μｍ離れた位置にある、請求項１に記載の同軸線路―平面基板変換構造。
【請求項３】
前記同軸線路との変換部近傍の所定の部分において取り除かれている前記表面グランド導体の一部の形状が、長辺が前記中心導体と平行な矩形状である、請求項１または請求項２の何れか１項に記載の同軸線路―平面基板変換構造。
【請求項４】
前記矩形状の短辺の長さが２０μｍ〜１００μｍ、長辺の長さが２００μｍ〜６００μｍである、請求項３に記載の同軸線路―平面基板変換構造。
【請求項５】
前記同軸線路との変換部近傍の所定の部分において取り除かれている前記裏面導体付きコプレーナ回路の表面グランド導体の一部の形状が、前記中心導体と平行方向に長い三角形状である、請求項１または請求項２に記載の同軸線路―平面基板変換構造。
【請求項６】
前記三角形の一辺の長さが２０μｍ〜１００μｍであり、他の二辺の長さが２００μｍ〜６００μｍである、請求項５に記載の同軸線路―平面基板変換構造。
【請求項７】
前記中心導体は、前記同軸線路との前記変換部において、該中心導体の幅が局所的に広げられている、請求項１から請求項６の何れか１項に記載の同軸線路―平面基板変換構造。
【請求項８】
前記コプレーナ回路は、前記表面グランド導体と前記裏面導体とを導通させるための貫通ビアを少なくとも一つ以上有する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の同軸線路−平面基板変換構造。
【請求項９】
前記コプレーナ回路は、該コプレーナ回路の外周部に、少なくとも一つ以上の前記表面グランド導体と前記裏面導体との導通部が設けられた切欠部を有する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の同軸線路−平面基板変換構造。
【請求項１０】
前記同軸線路の芯線と前記中心導体とが、前記同軸線路と前記コプレーナ回路との前記変換部において、４００℃以下で溶解する低融点金属および４００℃以下の温度で固化する導電性接着剤のいずれかを用いて接続されている、請求項１から請求項９の何れか１項に記載の同軸線路―平面基板変換構造。
【請求項１１】
前記コプレーナ回路の前記中心導体の幅が５０マイクロメートルから３００マイクロメートルであり、前記中心導体と前記表面グランド導体との間の間隔が２０マイクロメートルから１５０マイクロメートルである、請求項１から請求項１０の何れか１項に記載の同軸線路―平面基板変換構造。
【請求項１２】
前記コプレーナ回路の基板の比誘電率が１５以下である、請求項１から請求項１１の何れか１項に記載の同軸線路―平面基板変換構造。
【請求項１３】
前記コプレーナ回路の基板の厚さが２００マイクロメートル以上でかつ6００マイクロメートル以下である、請求項１から請求項１２の何れか１項に記載の同軸線路―平面基板変換構造。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の同軸線路―平面基板変換構造を備えた高周波用信号変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同軸線路と平面基板線路との間で高周波電気信号の変換を行う同軸線路−平面基板変換構造に関し、特に広帯域にわたり反射の少ない同軸線路−平面基板変換構造と高周波用信号変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
インターネット等の広帯域マルチメディア通信サービスの爆発的な需要増加に伴って、より大容量でかつ高機能な光ファイバ通信システムやマイクロ波通信システムの開発が求められている。このために大規模な通信システムに用いられる高周波モジュールの性能の向上は極めて重要な課題である。
【０００３】
従来から、こうした高周波モジュールの高周波信号の入出力の形態としては、同軸線路形のコネクタが広く使われてきた。この同軸線路は、同軸線路コネクタ間の相互接続が容易で、かつ高周波特性に優れるなどの利点が多いので幅広く用いられている。
【０００４】
しかしながら、高周波モジュール内部では、同軸線路型の高周波線路は扱いにくいため、マイクロストリップ線路またはコプレーナ回路などの、表面に信号線が露出している実装に適した平面基板線路が使われている。このような高周波モジュールの場合には、モジュールの入出力インターフェースとして同軸線路コネクタ、モジュール内部では平面基板線路を用いるため、入出力部に同軸線路−平面基板線路間の高周波信号変換が必要であった。また、最近では小型化に優れる同軸コネクタを用いない構造を採用した高周波パッケージなども多く実用化されているが、このような高周波モジュールにおいても評価や選別などの作業時には、同軸線路に変換するほうが都合がよいため、高周波パッケージの平面基板線路から同軸線路へ変換する特別の道具が用いられてきた。
【０００５】
これらの高周波用信号変換器の同軸線路−平面基板線路変換構造として、図５に示す同軸線路−裏面導体付きコプレーナ回路変換構造がある。図５は従来の高周波用信号変換器における同軸線路−平面基板線路変換構造の高周波同軸コネクタと裏面導体付きコプレーナ回路との変換を説明するための模式的断面図であり、（ａ）は一部断面上面図、（ｂ）は側面断面図である。表面グランド５０１の構造以外は第１の実施の形態の構成と同じであり、第１の実施の形態で説明が行なわれるので詳細な説明は省略する。
【０００６】
また、高周波特性の改善を目的とした同軸線路−平面基板線路として、特許文献１に記載の同軸−ストリップ導体変換器では、金属ケースに形成された嵌合部凹部に嵌合して、絶縁部と芯線とが挿入される高周波同軸コネクタと、下面を金属ケースに接して上面にストリップ導体を配設するセラミック基板とを含んで構成され、絶縁部とストリップ導体との間に形成された離間部と、離間部において芯線と金属ケースとの間に形成された円筒形状の第二のエアギャップとを備え、第二のエアギャップが芯線の中心軸に平行な面で円筒形状の上部を切り取って形成され、芯線の中心軸と、第二のエアギャップの中心軸とが一致しており、芯線の上面とストリップ導体の上面とが同一平面上にある構造になっている。この構造により、直流から５０ＧＨｚまでの広帯域にわたり、高周波同軸線路とストリップ導体との変換において、特性インピーダンスを整合させることができる。
【特許文献１】特開２００２−１９８１２９号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
同軸線路−平面基板線路の変換構造としての同軸線路−マイクロストリップ線路への変換では、次のような高周波特性上の問題点がある。マイクロストリップ線路では、誘電体を表面のストリップ導体と裏面グランドで挟んだ構造となっている。一方、通常の高周波ＩＣでは、グランドとデータや電源などの信号を入出力するパッドがすべて表面にあることが多い。このような場合、マイクロストリップ線路の裏面グランドとＩＣの表面グランドとを直接に金ワイヤボンディングすると、それぞれを接続する金ワイヤが長くなるため、金ワイヤのインダクタンスが大きくなり、特に高周波領域において特性が劣化する。また、この高周波特性の劣化を避けるため、平面導波路の途中でマイクロストリップ線路からコプレーナ回路へ変換する方法もある。しかし、この方法においても新たにマイクロストリップ線路−コプレーナ回路間の変換が入るため高周波特性の劣化が避けられない。
【０００８】
また、図５に示す同軸線路−裏面導体付きのコプレーナ回路変換構造では、電気信号変換部における電界分布は、後述の第１の実施の形態で比較のために掲載した図２（ｂ）に示すような空気中を伝搬する電界分布５２０が生じる。通常の高周波線路においては、特性インピーダンスを５０Ωとなるように作るのが一般的であるのに対し、この変換部においては、空気中を同軸線路の芯線５１４からコプレーナ回路５００の表面グランド５０１間に伝搬する電界分布５２０が大きいため特性インピーダンスが５０Ωよりもかなり低下していた。その結果、電気信号変換部において特性インピーダンスの不連続による反射が生じていた。
【０００９】
また、これらの変換部における反射を抑え広帯域化する方法として特許文献１に開示された同軸−ストリップ導体変換器にも、いくつかの実用上の課題がある。第一に、高周波同軸線路芯線とストリップ基板の導体を同一の高さにする必要があること、高周波特性の劣化を抑えるためには、同軸線路芯線とストリップ導体間の距離を小さくする必要があるため、金属ケースの加工トレランスがあまり大きくとれないことが上げられる。第二にこの変換器では、高周波同軸線路の芯線とセラミック基板上のストリップ導体間をリボンボンディングで固定している。通常このような同軸−ストリップ導体変換部は、特許文献１の図１、２で示されるように金属ケースの内壁際になるため、通常のリボンボンディング装置では作業性が悪く、特別なボンディング装置を用いる必要があるなどの課題がある。
【００１０】
本発明の目的は、高周波特性に優れ、特別な製作工程や装置を必要としない、裏面導体付きのコプレーナ回路を用いた同軸線路−変換線路基板変換構造と、その変換構造を有する高周波用信号変換器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の同軸線路−平面基板線路変換構造は、
金属パッケージ上に構成された、同軸線路と平面基板線路との変換を行うための高周波用信号変換器における同軸線路−平面基板線路変換構造である。平面基板線路は、中心導体と表面グランド導体と裏面導体とを有するコプレーナ回路であり、コプレーナ回路の表面グランド導体の中心導体に近接した一部が、同軸線路との変換部近傍の所定の部分において、所定の形状に取り除かれていることを特徴とする。
【００１２】
同軸線路との変換部近傍の所定の部分において取り除かれている表面グランド導体の一部が、表面グランド導体の中心導体側の表面グランド導体の端部から３０〜２００μｍ離れた位置にあってもよく、同軸線路との変換部近傍の所定の部分において取り除かれている表面グランド導体の一部の形状が、長辺が中心導体と平行な矩形状であり、矩形状の短辺の幅が２０μｍ〜１００μｍ、長辺の長さが２００μｍ〜６００μｍであってもよく、中心導体と平行方向に長い三角形状であり、三角形の一辺の長さが２０μｍ〜１００μｍであり、他の二辺の長さが２００μｍ〜６００μｍであってもよい。
【００１３】
本発明の高周波用信号変換器は、
上述の同軸線路―平面基板変換構造を備えている。
【００１４】
本発明における同軸線路−平面線路基板変換構造の特徴は、変換部において裏面導体付きコプレーナ回路の表面グランド導体の一部を取り除いてあることであり、これにより、従来の同軸線路−平面線路基板変換構造では困難であった、同軸線路と裏面導体付きコプレーナ回路において反射の少ない良好な周波数特性を実現することができる。
【発明の効果】
【００１５】
広帯域にわたり反射の少ない高周波特性に優れる超高速光通信向け並びにマイクロ波無線通信向けの高周波モジュールを提供できるという効果がある。
【００１６】
これは、信号変換部において裏面導体付きコプレーナ回路の表面グランド導体の一部を取り除いたことにより、表面グランド上の電界分布を減らすことができ、変換領域における特性インピーダンスの低下を抑え、変換部における反射を低減させることができたからである。具体的なシミュレーション結果は後述の図３に示すように、従来例の表面グランド導体を取り除いていない変換構造と比べ本発明では、ＤＣ〜５０ＧＨｚ程度までの広い範囲において反射の低減効果が見込まれ、特に、３０〜４０ＧＨｚでは５ｄＢ程度と反射低減効果が大きい。
【００１７】
また本発明においては、従来例と変わらないコストで作製することができるという効果がある。
【００１８】
これは、裏面導体付のコプレーナ回路を含む高周波セラミック基板を用いた平面導波路の場合には、セラミック基板の上面導体をフォトリソグラフィーまたは、レーザ等による直接描画法などで表面パターンを描画し、エッチングによって導体を取り除く方法で作製するが、本発明の裏面導体付きコプレーナ基板の場合、リソグラフィのマスクデータに従来品に加えてグランド導体を取り除くパターンを入れるだけで作製可能だからである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明を実施するための最良の形態を、図を用いて詳細に説明する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態である同軸線路−平面基板線路変換部を示す模式図であり、（ａ）は一部断面上面図、（ｂ）は側面断面図である。図１（ａ）に示すように、本発明の第１の実施の形態である高周波用信号変換器１０の同軸線路−平面基板線路変換構造は、高周波同軸コネクタ１１１と芯線１１４を有する同軸線路部と、裏面導体付きのコプレーナ回路１００と、金属パッケージ１１０とで構成されている。
【００２１】
まず、裏面導体付きのコプレーナ回路１００について説明する。裏面導体付きのコプレーナ回路１００は、表面グランド１０１、中心導体１０２、裏面導体１０３と表面グランド１０１とを導通させる貫通ビア１０４、および信号入出力端面に設けられた表面グランド１０１と裏面導体１０３とを導通させる切欠部１０５を有する。この中心導体１０２の幅とこの中心導体１０２と表面グランド１０１との間隙１０６は、特性インピーダンスが５０Ωとなるように作製されている。高周波領域においては、コプレーナ回路の高次モードを発生させないようにするために中心導体１０２の幅は狭い必要がある。一方、中心導体１０２の幅が狭すぎると実装上の問題が多く、伝搬損失が大きくなることなどから５０μｍ〜３００μｍ程度が望ましい。
【００２２】
また、同軸線路との間の接続部である変換部領域における中心導体先端部１０７では、接続を容易にするため中心導体１０２の幅を２００μ〜４００μｍ程度まで広げる。また、このコプレーナ回路１００の表面グランド１０１の導体には、その一部を矩形状に取り除いた導体除去部１０８が設けられている。この取り除かれた表面グランド１０１の大きさは、信号伝搬方向に水平方向に２００〜６００μｍ、垂直方向に２０μｍ〜１００μｍの間にするのが望ましい。その理由は、水平方向には変換領域において中心導体を広げた箇所である中心導体先端部１０７とほぼ同等の長さ、またはわずかに短い程度が必要であるためである。また、幅に関しては本発明の効果が得られるのには２０μｍ以上が必要であり、１００μｍ以上では周波数特性が劣化するからである。
【００２３】
この位置は表面グランド１０１の端から３０〜１００μｍ離れた所が望ましい。この理由は、高周波として十分なグランドをとるのには表面グランド１０１の幅として必要な幅が３０μｍ以上であり、また製造の誤差や作りやすさなどを考慮するとある程度の幅が必要であるとの観点からも３０μｍ以上が望ましい。この矩形状に導体を取り除いた導体除去部１０８は、同様な理由により貫通ビア１０４や切欠部１０５からも３０μｍ以上離すことが望ましい。
【００２４】
コプレーナ回路１００は、はんだなどの導電性材料を用いて、金属パッケージ１１０との間で固定されている。このとき、コプレーナ基板１００と金属パッケージ１１０と間の信号の伝搬方向の隙間はできるたけ小さく実装することが周波数特性上望ましい。
【００２５】
次に、金属パッケージ１１０に関して説明する。金属パッケージ１１０内には、高周波同軸コネクタ１１１が固定されている。この高周波同軸コネクタ１１１は、金属パッケージ１１０上面から高周波同軸コネクタ１１１の挿入用の穴に向けて設けられた貫通穴１１２にはんだ等の導電性の材料を入れ、金属パッケージ１１０を加熱し、溶解後冷却することにより固定されている。この高周波同軸コネクタ１１１も特性インピーダンスが５０Ωとなるように作製されている。
【００２６】
第１の実施の形態と従来例における高周波同軸コネクタ１１１と中心導体１０２との変換部における電界分布は図２に示すようになる。図２は高周波同軸コネクタと中心導体の変換部における電界分布を示す模式的断面図であり、（ａ）は第１の実施の形態の電界分布であり、（ｂ）は従来例の場合の電界分布である。従来例では変換部において表面グランド５０１上の空気中に電界分布５２０がみられるため、変換部の特性インピーダンスが５０Ωよりかなり小さくなり、高周波信号の反射が生じる。一方、本実施の形態で示した構造では、表面グランド１０１上の空気中における電界分布１２０を小さくすることができるため、特性インピーダンスの低下を抑えることができ反射を抑制することができる。
【００２７】
図３は、本発明の第１の実施の形態と従来例における高周波用信号変換器の同軸線路−平面基板線路変換構造の反射の周波数特性である。具体的なシミュレーション結果は図３に示すように、従来例の表面グランド導体を取り除いていない変換構造と比べ本発明では、ＤＣ〜５０ＧＨｚ程度までの広い範囲において反射の低減効果が見込まれ、特に、３０〜４０ＧＨｚでは５ｄＢ程度と反射低減効果が大きい。
【００２８】
次に、第１の実施の形態で示した同軸線路−平面基板変換構造を有する高周波用信号変換器１０の製造方法について説明する。裏面導体付きのコプレーナ回路１００は、例えばアルミナセラミックス（比誘電率が９から１０）などの高周波信号の損失の小さい誘電体基板を用いて作られる。この誘電体基板に、高出力レーザなどを用いて表面と裏面とを貫通させた貫通ビア１０４および、電気信号の入出力部分に切欠部１０５を形成する。次に、スパッタなどの蒸着装置を用いて、金を１μｍ程度の厚さで基板の両面に成膜する。この時、貫通ビア１０４や切欠部１０５を形成したところでは、基板の表面グランド１０１と裏面導体１０３とが導通するように、貫通ビア１０４や切欠部１０５の内壁部に金がつくように成膜する。
【００２９】
次に表面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーにより中心導体１０２と表面グランド１０１とを形成する。このとき、同時に表面グランド１０１の一部を取り除き本発明の特徴である矩形状の表面グランド導体の導体除去部１０８を作製する。
【００３０】
次に、金属パッケージ１１０の製造方法について説明する。金属パッケージ１１０には、加工性に優れたステンレスや、アルミナセラミックスと線膨張係数が近いコバールなどが用いられる。金属パッケージ１１０については、用途に応じて様々な形状をとるため金属パッケージ１１０の全体構成ではなく、本発明の説明に必要な変換部部分である図１（ａ）に記載の箇所に着目して製造方法について説明する。金属パッケージ１１０の高周波同軸コネクタ１１１を差し込む箇所に、図示しない専用の工具を用いて同軸コネクタ１１１を嵌合させるための同軸コネクタ嵌合部１１３の穴を形成する。また同軸コネクタ嵌合部１１３の穴の上面にもこの穴に達する貫通孔１１２を設ける。また、電気特性の改善や信頼性を得るため金属パッケージ１１０の表面には金メッキを施す。次にこの金属パッケージ１１０に高周波同軸コネクタ１１１を差込み、図示しない固定ジグで固定した状態で、上面に設けた貫通孔１１２にはんだを入れ金属パッケージ１１０をはんだが溶解する１８０℃程度まで加熱した後、金属パッケージ１１０を冷却して高周波同軸コネクタ１１１を固定する。
【００３１】
次に、金属パッケージ１１０に裏面導体付きのコプレーナ回路１００をはんだ等の低融点の金属を用いて取り付け、最後に同軸線路の芯線１１４とコプレーナ回路１００の中心導体１０２の先端部１０７をはんだなどの導電性材料１０９で接続して同軸線路−平面基板変換構造を完成させる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図４は本発明の第２の実施の形態である同軸線路−平面基板線路変換部を示す模式図であり、（ａ）は一部断面上面図、（ｂ）は側面断面図である。図４（ａ）に示すように、本発明の第２の実施形態である同軸線路−平面基板線路変換構造では、高周波用信号変換器２０は高周波同軸コネクタ２１１と芯線２１４を有する同軸線路部と裏面導体付きコプレーナ回路２００、および金属パッケージ２１０とで構成されている。
【００３３】
第２の実施の形態の高周波用信号変換器２０と同軸線路−平面基板線路変換部の構造は、第１の実施の形態では矩形であった表面グランド１０１の導体除去部１０８が、三角形の形状の導体除去部２０８となった以外は第１の実施の形態と同じなので、同じ部分についての説明は省略し、導体除去部２０８を中心に説明する。
【００３４】
裏面導体付きコプレーナ回路２００においては、コプレーナ回路２００の表面グランド２０１の導体には、図４（ａ）に示されるように、その一部を直角三角形の形状に取り除いた導体除去部２０８が設けられている。
【００３５】
この表面グランド２０１から取り除かれた導体除去部２０８の大きさは、信号伝搬方向に水平な方向に２００〜６００μｍ、垂直な方向に２０μｍ〜１００μｍの間となる三角形状となっている。その理由は、水平方向には変換領域において中心導体２０２を広げた中心導体先端部２０７とほぼ同等の長さ、またはわずかに短い程度が必要であるためである。また、幅に関しては本発明の効果が得られるのは２０μｍ以上で必要であり、１００μｍ以上では周波数特性が劣化するからである。
【００３６】
また、この位置は表面グランドの端から３０〜１００μｍ離れた所が望ましい。この理由は、高周波として十分なグランドをとるのには表面グランドの幅として３０μｍ以上必要であること、製造の誤差や作りやすさなどを考慮するとある程度の幅が必要であるとの観点から３０μｍ以上が望ましい。このことは、貫通ビア２０４や切欠部２０５とも同じ理由から３０μｍ以上離すことが望ましい。
【００３７】
金属パッケージ２１０は、第１の実施の形態の金属パッケージ１１０と同じ構成なので説明を省略する。
【００３８】
第２の実施の形態における高周波同軸コネクタ２１１と中心導体２０２との変換部における電界分布は、図３を参照して第１の実施の形態で示したのと同様に、従来例における高周波同軸コネクタ５１１と中心導体５０２の変換部における電界分布と比較して、表面グランド２０１上の空気中における電界を少なくすることができるため、変換部における特性インピーダンスの低下を抑えることができ、変換部で生じる反射を抑制することができる。
【００３９】
第２の実施の形態の同軸線路−平面基板変換構造を有する高周波用信号変換器２０の製造方法も、表面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーにより中心導体２０２と表面グランド２０１を形成するとき、同時に表面グランド２０１の一部を取り除き三角形状の導体除去部２０８を設ける以外は第１の実施の形態の製造方法と同じなので説明を省略する。
【００４０】
金属パッケージ１１０の本発明の説明に必要な変換部部分の製造方法も、第１の実施の形態で説明した製造方法と同じなので説明を省略する。
【００４１】
なお、この発明の同軸線路−平面基板変換構造は、図面を参照して説明した上述の実施の形態に限定されるものではなく、同じ目的で同じ効果を得られるように応用して実施することができる。例えば、この発明は表面グランドに設ける導体の除去部の形状を矩形状や三角形の形状に限らず台形などの他の形状として適用することが可能である。また変換部において中心導体を接続しやすくするために広げた中心導体先端部をなくして、中心導体をすべて同じ幅にすることも可能である。さらに、表面グランド導体を基板表面の一部とすることも可能であり、同一の金属パッケージに二つ以上の同軸線路−平面基板線路変換構造を設けることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施の形態である同軸線路−平面基板線路変換部を示す模式図である。（ａ）は一部断面上面図である。（ｂ）は側面断面図である。
【図２】高周波同軸コネクタと中心導体の変換部における電界分布を示す模式的断面図である。（ａ）は第１の実施の形態の電界分布である。（ｂ）は従来例の場合の電界分布である。
【図３】本発明の第１の実施の形態と従来例における高周波用信号変換器の同軸線路−平面基板線路変換構造の反射の周波数特性である。
【図４】本発明の第２の実施の形態である同軸線路−平面基板線路変換部を示す模式図である。（ａ）は一部断面上面図である。（ｂ）は側面断面図である。
【図５】従来の高周波用信号変換器における同軸線路−平面基板線路変換構造の高周波同軸コネクタと裏面導体付きコプレーナ回路との変換を説明するための模式的断面図である。（ａ）は一部断面上面図である。（ｂ）は側面断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０、２０、５０    高周波用信号変換器
１００、２００、５００    コプレーナ回路
１０１、２０１、５０１    表面グランド
１０２、２０２、５０２    中心導体
１０３、２０３、５０３    裏面導体
１０４、２０４、５０４    貫通ビア
１０５、２０５、５０５    切欠部
１０６、２０６、５０６    間隙
１０７、２０７、５０７    中心導体先端部
１０８、２０８    導体除去部
１０９、２０９、５０９    導電性材料
１１０、２１０、５１０    金属パッケージ
１１１、２１１、５１１    高周波同軸コネクタ
１１２、２１２、５１２    貫通孔
１１３、２１３、５１３    同軸コネクタ嵌合部
１１４、２１４、５１４    芯線
１２０、５２０    電界分布
【図１】
2007123950.tif 000003
【図２】
2007123950.tif 000004
【図３】
2007123950.tif 000005
【図４】
2007123950.tif 000006
【図５】
2007123950.tif 000007