(57)【要約】【目的】  焦点位置補正用の電圧を印加する時間を短縮する装置及び方法を提供することを目的とする。【構成】  本発明は、ショットデータを入力し、試料に複数のショットで照射する電子ビーム２００の複数のショットの各ショット面積を演算するショット面積演算回路３１４と、上述した複数のショットについてショット面積に応じて各ショットのデータを複数のグループに振り分ける振り分け回路３１６と、振り分けられたグループ毎にショット面積がより小さいグループから順に電子ビーム２００を照射する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、焦点位置補正用の電圧の変更回数を減らすことができると共に変更量を小さくすることができるので、セトリング時間を短縮することができる。その結果、試料へ描画する際のスループットを向上させることができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のショット面積に可変成形された荷電粒子ビームを用いて試料に描画する描画方法において、
ショット面積に応じて複数のグループに振り分け、ショット面積がより小さいグループから順にグループ毎に前記荷電粒子ビームを試料に照射することを特徴とする描画方法。
【請求項２】
複数のショット面積に可変成形された複数の荷電粒子ビームを用いて試料に描画する描画方法において、
ショット面積に応じて複数のグループに振り分け、ショット面積がより大きいグループから順にグループ毎に前記荷電粒子ビームを試料に照射することを特徴とする描画方法。
【請求項３】
ショットデータを入力し、試料に複数のショットで照射する荷電粒子ビームの前記複数のショットの各ショット面積を演算するショット面積演算部と、
前記複数のショットについてショット面積に応じて各ショットのデータを複数のグループに振り分ける振り分け部と、
振り分けられたグループ毎にショット面積がより小さいグループから順に各グループに属するショットのデータに基づいて、試料に荷電粒子ビームを照射する照射部と、
を備えたことを特徴とする描画装置。
【請求項４】
ショットデータを入力し、試料に複数のショットで照射する荷電粒子ビームの前記複数のショットの各ショット面積を演算するショット面積演算部と、
前記複数のショットについてショット面積に応じて各ショットのデータを複数のグループに振り分ける振り分け部と、
振り分けられたグループ毎にショット面積がより大きいグループから順に各グループに属するショットのデータに基づいて、試料に荷電粒子ビームを照射する照射部と、
を備えたことを特徴とする描画装置。
【請求項５】
前記描画装置は、さらに、前記照射部により照射される荷電粒子ビームの焦点位置を制御する焦点位置制御部を備え、
前記焦点位置制御部において、グループ毎に前記荷電粒子ビームの焦点位置を変更することを特徴とする請求項３又は４記載の描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビームを用いた描画方法及び描画装置に係り、例えば、荷電粒子ビームを可変成形させながら試料に荷電粒子ビームを照射する描画方法及び描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１１は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
ここで、描画のスループットを向上させるために大電流ビームを使用すると電子間クーロン効果による焦点位置ずれが増大する。かかる焦点ずれを補正しようとする場合に、静電レンズに電圧を印加する手法がある（例えば、特許文献１参照）。その他、部分一括露光する場合に部分一括用アパーチャのパターンをビーム走査が可能な範囲で複数に分けることでクーロン効果を抑制しようとする技術が文献に開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−１７３５２２号公報
【特許文献２】特開平１１−１２１３４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した電子間クーロン効果による焦点位置ずれを補正しようとする場合に、図示していない静電レンズに電圧を印加する手法があるが、かかる電圧が、電子線３３０を試料３４０に照射する際の偏向に用いる電圧よりも大きくなってしまうといった問題が生じている。焦点位置補正用の電圧が偏向に用いる電圧よりも大きくなると焦点位置補正用の電圧を静電レンズに印加する時間にスループットが律束され、スループットの制限要因となってしまうといった問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、焦点位置補正用の電圧を印加する時間を短縮する装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の描画方法は、
複数のショット面積に可変成形された複数の荷電粒子ビームを用いて試料に描画する描画方法において、
ショット面積に応じて複数のグループに振り分け、ショット面積がより小さいグループから順にグループ毎に前記荷電粒子ビームを試料に照射することを特徴とする。
【０００８】
或いは、上述したショット面積に応じて複数のグループに振り分け、ショット面積がより大きいグループから順にグループ毎に前記荷電粒子ビームを試料に照射するようにしても好適である。
【０００９】
後述するように、電子間クーロン効果による焦点位置ずれは、ショット面積に応じて変化する。そして、あるパターンを描画する場合には膨大なショット数が必要となるが、各ショットごとに焦点位置補正用の電圧を変更していたのでは、焦点位置補正用の電圧を印加する時間が膨大にかかってしまう。そこで、ショット面積がより小さいグループから順にグループ毎に前記試料に照射することにより、グループ毎に焦点位置補正用の電圧を変更するようにすれば変更回数を減らすことができる。さらに、ショット面積がより小さいグループから順に照射することにより、焦点位置補正用の電圧を変更する場合でも変更量を段階的に大きくすればよいため、変更量を小さくすることができる。ショット面積がより大きいグループから順にグループ毎に前記試料に照射する場合でも同様に、変更回数を減らすことができると共に変更量を小さくすることができる。
【００１０】
そして、かかる方法を実行するための本発明の一態様の描画装置は、
ショットデータを入力し、試料に複数のショットで照射する荷電粒子ビームの複数のショットの各ショット面積を演算するショット面積演算部と、
上述した複数のショットについてショット面積に応じて各ショットのデータを複数のグループに振り分ける振り分け部と、
振り分けられたグループ毎にショット面積がより小さいグループから順に各グループに属するショットのデータに基づいて、試料に荷電粒子ビームを照射する照射部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
或いは、ショットデータを入力し、試料に複数のショットで照射する荷電粒子ビームの複数のショットの各ショット面積を演算するショット面積演算部と、
上述した複数のショットについてショット面積に応じて各ショットのデータを複数のグループに振り分ける振り分け部と、
振り分けられたグループ毎にショット面積がより大きいグループから順に各グループに属するショットのデータに基づいて、試料に荷電粒子ビームを照射する照射部と、
を備えた構成にしても好適である。
【００１２】
上述したように、電子間クーロン効果による焦点位置ずれは、ショット面積に応じて変化する。そこで、ショット面積演算部で各ショット面積を演算し、振り分け部で複数のグループに振り分けることで、グループ毎に荷電粒子ビームを照射することができる。
【００１３】
そして、本発明における描画装置は、さらに、上述した照射部により照射される荷電粒子ビームの焦点位置を制御する焦点位置制御部を備え、
かかる焦点位置制御部において、グループ毎に荷電粒子ビームの焦点位置を変更すると好適である。
【００１４】
ショット面積がより小さいグループ或いはショット面積がより大きいグループから順に荷電粒子ビームの焦点位置を変更することで焦点位置補正用の電圧の変更回数を減らすことができると共に変更量を小さくすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、焦点位置補正用の電圧の変更回数を減らすことができると共に変更量を小さくすることができるので、セトリング時間を短縮することができる。その結果、試料へ描画する際のスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、荷電粒子ビーム描画装置の一例である描画装置１００は、照射部の一例となる描画部１５０を構成する電子鏡筒１０２、ＸＹステージ１０５、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、副偏向器２１２、静電レンズ２１４、主偏向器２１６を備え、制御部１６０として、描画データ処理回路３１０、焦点位置制御部の一例となる偏向制御回路３２０、電子光学系制御回路３４２、アンプ３２２、アンプ３２４、アンプ３２６を備えている。描画データ処理回路３１０は、ショットデータ作成回路３１２、ショット面積演算部の一例となるショット面積演算回路３１４、振り分け部の一例となる振り分け回路３１６、複数の高速書き込み読み出し可能なＦＩＦＯ（ｆａｓｔ  ｉｎ  ｆａｓｔ  ｏｕｔ）メモリ３１８を有している。
そして、電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、副偏向器２１２、静電レンズ２１４、主偏向器２１６が配置されている。図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００１７】
電子光学系制御回路３４２に制御された電子銃２０１から出た荷電粒子ビームの一例となる電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２１６及び副偏向器２１２により偏向され、静電レンズ２１４により焦点位置が補正されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。また、ビーム強度等はファラデーカップ２０９に電子ビーム２００を照射して測定することができる。副偏向器２１２の偏向電圧は、偏向制御回路３２０及びアンプ３２２によって制御される。主偏向器２１６の偏向電圧は、偏向制御回路３２０及びアンプ３２６によって制御される。そして、静電レンズ２１４の偏向電圧は、偏向制御回路３２０及びアンプ３２４によって制御される。
【００１８】
試料１０１上の電子ビーム２００の位置を移動する場合、或いは照射時間に達した場合、試料１０１上の不必要な領域に電子ビーム２００が照射されないようにするため、図示していないブランキング偏向器で電子ビーム２００を偏向すると共に図示していないブランキングアパーチャで電子ビーム２００をカットし、電子ビーム２００が試料１０１面上に到達しないようにする。このようにして電子ビームがショットされる。
【００１９】
図２は、ショット面積と焦点位置ずれとの関係を説明するための概念図である。
電子ビーム２００によって、試料１０１に所定のパターンを描画する場合、パターン設計されたＣＡＤデータを描画装置１００が入力するための装置入力フォーマットに変換した描画データを描画装置１００は入力して、ショットデータ作成回路３１２は、この描画データをベースに予め定義した最大ショットサイズ以下の様々なショットサイズのショットデータを作成する。そして、ショットデータに基づいて、パターンの形状に合わせて、第１と第２のアパーチャによって、例えば、長方形や二等辺三角形といった形状に成形された電子ビーム２００が試料１０１にショットされる。
ここで、図２に示すように、対物レンズ２０７のレンズ幅が一定の状態で、第２のアパーチャ２０６を通過することで電子ビーム２００のショットサイズが変動すると電子間クーロン効果により電子同士が反発しあい焦点位置がずれる。特に、電流密度Ｊが一定の状態では、電子ビーム２００のショット面積Ｓが大きくなるにつれて焦点位置のずれ量が大きくなる。
【００２０】
図３は、ビーム電流と焦点ずれとの関係を示す図である。
図３に示すように、ビーム電流Ｉが大きくなると電子同士の反発も大きくなるため、電子間クーロン効果により焦点位置のずれ量が比例して大きくなる。ビーム電流Ｉは、ショット面積Ｓと電流密度Ｊとの積（ビーム電流Ｉ＝ショット面積Ｓ×電流密度Ｊ）で示すことができるので、電流密度Ｊが一定の状態では、ビーム電流Ｉの増加はショット面積Ｓの増加としても表すことができる。
【００２１】
図４は、副偏向器と静電レンズの一例を示す図である。
主偏向器２１６により所定のサブフィールド（ＳＦ）に電子ビーム２００が偏向されると、サブフィールド内では、副偏向器２１２により電子ビーム２００の照射位置が偏向される。
ここでは、副偏向器２１２として、例えば、８極の静電偏向器を用いる。図４に示すように、例えば、ＸＹ方向の所定の方向に偏向させるため、電極（１）には、ｙ、電極（２）には、（ｘ＋ｙ）／√２、電極（３）には、ｘ、電極（４）には、（ｘ−ｙ）／√２、電極（５）には、−ｙ、電極（６）には、（−ｘ−ｙ）／√２、電極（７）には、−ｘ、電極（８）には、（−ｘ＋ｙ）／√２といった電圧を印加する。このようにアンプ３２２から副偏向器２１２に電圧を印加することで所定の方向に偏向させることができる。図１では、アンプ３２２が１つしか記載していないが、８極の静電偏向器の場合には各電極ごとにアンプを構成する。この偏向に必要な電圧は、例えば、２０Ｖの電圧を必要とする。
【００２２】
ここで、各サブフィールド内においても様々なショット面積Ｓの電子ビーム２００が照射されることになるが、その結果、可変成形ビーム描画方式においてはビーム電流Ｉがショット毎に異なることになる。そのため、焦点位置がショット毎にずれる。例えば、ビーム電流Ｉが１μＡの場合に約１０μｍの焦点位置ずれを生じる。かかる１０μｍの焦点位置ずれは、精密なパターンを描画するには不適切である。そのため、焦点位置がショット毎にずれるために最適な焦点位置をショット毎に高速に変更する必要がある。そして、図３に示したように焦点位置ずれ量は、ビーム電流Ｉに比例した量となる。
【００２３】
副偏向領域面の焦点位置ずれの補正は、静電レンズ２１４によって補正する。副偏向領域面の焦点ずれを補正するため、偏向制御回路３２０により制御されたアンプ３２４から所定のバイアス電圧Ｖ１を円筒形の静電レンズ２１４に印加して、試料１０１面上に像を結ばない焦点Ｐの位置をＺ方向に移動させる。これにより試料１０１面上の所定の位置に像を結ぶように補正することができる。この焦点ずれを補正するために印加する電圧Ｖ１は、例えば、１００〜２００Ｖの電圧を必要とする。かかる電圧Ｖ１は、偏向に使用する電圧に比べて大きく、アンプの動作は高い電圧ほど遅くなるので、静電レンズ２１４のドライブ用のアンプ３２４のセトリング時間が、副偏向器２１２のドライブ用のアンプ３２２のセトリング時間より長い時間が必要となる。その結果として、描画装置１００のセトリング時間は、焦点ずれの補正に必要なセトリング時間に律束されることになる。そのため、ショット毎にずれる焦点位置をショット毎に最適な焦点位置に変更することは効率が悪い。
【００２４】
図５は、従来の焦点位置ずれの補正電圧の変動を示す図である。
ショット毎に最適な焦点位置に変更する場合、図５に示すように、補正電圧が大きく振れることになるため、その度に、静電レンズ２１４のドライブ用のアンプ３２４のセトリング時間が必要となる。そして、補正電圧の偏向量が大きければ大きいほどセトリング時間が長くなる。
【００２５】
そこで、本実施の形態では、焦点位置ずれの補正電圧の変動が段階的に切り替わるようにする。そして、ショット毎の補正ではなく、いくつかのグループ単位で焦点位置ずれの補正電圧を変更するように構成する。
【００２６】
図６は、静電レンズのドライブ用のアンプの制御手法を説明するための概念図である。
ショットデータ作成回路３１２により作成されたショットデータは、ショット面積演算回路３１４により、ショット毎のショット面積Ｓを演算する。例えば、ショット形状が長方形である場合、ショット面積Ｓは、ｘ方向のショットサイズＸとｙ方向のショットサイズＹとの積で求めることができる。そして、演算されたショット面積Ｓのデータは、ｎビットデータとして振り分け回路３１６に送られる。
【００２７】
図７は、ショット面積データの一例を示す図である。
ショット面積データは、ｎビットデータとして示され、例えば、１６ビットデータとして示される。そして、最大面積の場合に、例えば、上位３ビットに「１」を立て、最小面積の場合に上位３ビットに「０」を立てるようにすれば、上位３ビットにより８種類のグループに分けることが可能となる。
焦点位置ずれは、例えば、１．２５μｍ以下では描画に影響を与えない許容範囲であるため、例えば、１０μｍの焦点位置ずれの場合、１．２５μｍずつ、計８回の補正電圧の変更で済ますことができる。ここで、焦点位置ずれが、０．６３μｍ以下の精度で描画したければ、０．７μｍずつ、計１６回の補正電圧の変更となり、かかる場合は、ショット面積データの上位４ビットで識別するようにすればよい。また、０．３２μｍ以下の精度で描画したければ、０．３２μｍずつ、計３２回の補正電圧の変更となり、かかる場合は、ショット面積データの上位５ビットで識別するようにすればよい。以下、８回の補正電圧の変更が必要な場合について説明する。
【００２８】
そして、振り分け回路３１６は、ショット面積データの上位３ビットからショット面積の大きさに沿って、順に８つのグループにショットデータを振り分ける。そして、最も小さいショット面積のグループのショットデータを第１番目のメモリ３１８に、次に小さいショット面積のグループのショットデータを第２番目のメモリ３１８に、・・・最も大きいショット面積のグループのショットデータを第８番目のメモリ３１８に格納する。言い換えれば、より小さいショット面積のグループから順にグループ毎にショットデータを第１番目のメモリ３１８から順に格納する。補正電圧の変更回数に合わせた数のメモリ３１８を用意すればよい。ここでは、例えば、補正電圧の変更回数が８回必要である場合について説明しているので、８つのメモリ３１８を用意する。そして、かかるサブフィールド内のすべてのショットデータがいずれかのメモリ３１８に蓄積された後にかかるサブフィールド内の描画を開始する。ここでは、より小さいショット面積のグループから順にグループ毎にショットデータを第１番目のメモリ３１８から順に格納しているが、逆に、より大きいショット面積のグループから順にグループ毎にショットデータを第１番目のメモリ３１８から順に格納してもよい。すなわち、最も大きいショット面積のグループのショットデータを第１番目のメモリ３１８に、次に大きいショット面積のグループのショットデータを第２番目のメモリ３１８に、・・・最も小さいショット面積のグループのショットデータを第８番目のメモリ３１８に格納するようにしても好適である。
【００２９】
図８は、メモリからショットデータを読み出す順序を説明するための図である。
偏向制御回路３２０は、図８に示すように、第１番目のメモリ３１８から順にショットデータを読み出し、副偏向器２１２のドライブ用のアンプ３２２と静電レンズ２１４のドライブ用のアンプ３２４とを制御する。かかる場合に、偏向制御回路３２０は、現在、第何番目のメモリ３１８からショットデータを読み出しているかを判断して、静電レンズ２１４のドライブ用のアンプ３２４の出力を制御する。
【００３０】
図９は、本実施の形態における焦点位置ずれの補正電圧の変動を示す図である。
第１番目のメモリ３１８から順にショットデータを読み出して電子ビーム２００をショットすることにより、図９に示すように、段階的に焦点位置ずれの補正電圧を変更することができる。その結果、図５の場合と比べ、補正電圧を変更時における変更量を大幅に小さくすることができ、その分、静電レンズ２１４のドライブ用のアンプ３２４のセトリング時間を短くすることができる。もちろん、補正電圧の変更回数を８回としているので、図５の場合と比べ、補正電圧の変更回数を大幅に減らすことができ、その分、静電レンズ２１４のドライブ用のアンプ３２４のセトリング時間を短くすることができることは言うまでもない。
【００３１】
図１０は、補正電圧とセトリング時間との関係を説明するための概念図である。
図１０に示すように、同じ補正電圧のグループ（図１０では、補正電圧１、補正電圧２、補正電圧３として示している。）では、焦点位置ずれの補正電圧の変更（切り替え）が無いため、連続してショットすることができる。そのため、補正電圧の変更（切り替え）時に切り替え時間（セトリング時間）が必要となるが、上述したように、補正電圧を段階的に順に大きく（或いは小さく）していくため、変更量が小さく、セトリング時間を短くすることができる。
【００３２】
以上のように、ショット面積に応じて複数のグループに振り分け、ショット面積がより小さいグループ（或いはより大きいグループ）から順にグループ毎に前記荷電粒子ビームを試料に照射することにより、補正電圧の変更回数と変更量を大幅に低減することができ、その分、静電レンズ２１４のドライブ用のアンプ３２４のセトリング時間を短くすることができる。その結果、描画スループットを向上させることができる。
【００３３】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。上述した実施の形態では、ショット面積データの上位３ビットを用いて８段階に配分する例を示したが、メモリと補正精度とセトリング時間配分とに応じて、上位４ビットを用いた１６段階や上位５ビットを用いた３２段階といった最適なパラメータを選択すればよい。例えば、切り替え回数が多ければ、その分、切り替え時間が増大し、セトリング時間に影響するし、切り替え回数が少なければ、その分、補正電圧の変動量が大きくなるためセトリング時間に影響する。よって、メモリと補正精度とセトリング時間配分に応じて、最適なパラメータを選択すればよい。
【００３４】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００３５】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての電子ビーム装置は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】ショット面積と焦点位置ずれとの関係を説明するための概念図である。
【図３】ビーム電流と焦点ずれとの関係を示す図である。
【図４】副偏向器と静電レンズの一例を示す図である。
【図５】従来の焦点位置ずれの補正電圧の変動を示す図である。
【図６】静電レンズのドライブ用のアンプの制御手法を説明するための概念図である。
【図７】ショット面積データの一例を示す図である。
【図８】メモリからショットデータを読み出す順序を説明するための図である。
【図９】本実施の形態における焦点位置ずれの補正電圧の変動を示す図である。
【図１０】補正電圧とセトリング時間との関係を説明するための概念図である。
【図１１】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００３７】
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０５  ＸＹステージ
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２０９  ファラデーカップ
２１２  副偏向器
２１４  静電レンズ
２１６  主偏向器
３１０  描画データ処理回路
３１２  ショットデータ作成回路
３１４  ショット面積演算回路
３１６  振り分け回路
３１８  メモリ
３２０  偏向制御回路
３２２，３２４，３２６  アンプ
３４２  電子光学系制御回路
３３０  電子線
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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