(57)【要約】    【解決課題】半導体装置が形成されたウェハを積層して積層型３次元半導体装置を形成する場合、積層すべきウェハどうしの位置合わせを行って重ね合わせ、ウェハ全面を均一に加圧することが必要である。しかしながら、加圧に伴って加圧装置のフレーム構造を含む装置全体が変形し、均一な加圧が困難になっていた。結果的に互いの電極接合をウェハ全面にわたって均一におこなうことが出来なかった。    【解決手段】加圧部材に互いに引き合う力を加えることによりウェハ（基板）に力を加え、加圧力が作用する部材が閉ルールをとる構造体にする。そして、この構造体を、ベース基盤上に立脚した支持脚により支える。これにより加圧力による装置全体の変形を防止する。    【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された基板を加圧する加圧装置であって、
第１のフレームに取りつけられた加圧部材、
第２のフレームに取りつけられた、該基板を保持する保持部材、
該第１のフレームと該第２のフレームとを引き寄せるための駆動装置、
を有し、
該第１のフレーム又は該第２のフレームはフランジ部を有し、
該フランジ部は、ベース基盤に立脚した支持脚により支持されている
ことを特徴とする加圧装置。
【請求項２】
請求項１に記載の加圧装置であって、
前記駆動装置が流体静圧力を用いている
ことを特徴とする加圧装置。
【請求項３】
請求項１に記載の加圧装置であって、
前記駆動装置がボールねじを回転させるモータである
ことを特徴とする加圧装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の加圧装置であって、
振動を低減する制振部材が前記ベース基盤と前記支持脚の間、前記支持脚と前記フランジ部の間、前記ベース基盤とベース基盤を支える床部の間の少なくとも１つの間に配置されている
ことを特徴とする加圧装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載された加圧装置であって、
前記ベース基盤上に干渉計が組み込まれた観察装置を更に有する
ことを特徴とする加圧装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載された加圧装置であって、
前記基板を加熱するためのヒータを更に有する
ことを特徴とする加圧装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載された加圧装置であって、
前記基板を加圧する雰囲気を不活性気体により置換するためのチャンバ、又は真空に保つためのチャンバを更に有する
ことを特徴とする加圧装置。
【請求項８】
半導体装置の製造方法であって、
複数の半導体装置が形成されたウェハを所定の枚数分準備する、ウェハ準備工程、
前記ウェハをウェハホルダに保持して互いに位置合わせを行って重ね合わせる工程、
重ね合わせられたウェハを加圧することにより互いの電極を接合する電極接合工程、
電極接合されたウェハを薄層化してウェハ積層体を形成するウェハ積層体形成工程、
を有し、
該電極接合工程において、請求項１乃至７のいずれかに記載された加圧装置を使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層型半導体装置の製造方法に関するもので、特には高精細な半導体装置が形成されたウェハを積層接続する工程等に用いられる、位置合わせされたウェハの搬送技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年携帯型の電子機器、例えば携帯電話やノートパソコン、携帯型オーディオ機器、デジタルカメラの進歩が著しい。これに伴って、用いられる半導体装置に対してもチップ自体の性能向上に加え、チップの実装技術においても改良が求められ、特に、チップ実装面積の低減と半導体装置の高速駆動化の観点からの実装技術の改良が求められている。
【０００３】
チップ実装面積の低減のために、チップを積層することにより実装面積を増加させずに実装チップ量を増加させ、実効的な実装面積の低減をはかることが行われている。例えば、  特開２００１−２５７３０７、２００２−０５０７３５号、特開２０００−３４９２２８にはこのような技術が開示されている。第１のものは、チップとチップやチップと実装基板をワイヤによって接続するワイヤボンド方式によるものである。第２のものは、チップの裏面に設けられたマイクロバンプを介して、チップとチップやチップと実装基板を接続するフリップチップ方式によるものである。第３のものは、ワイヤボンド方式、フリップチップ方式の双方を用いて、チップとチップやチップと実装基板を接続するものである。
【０００４】
半導体装置の高速駆動化のためには、チップの厚さを薄くし、貫通電極を用いることにより実現する方法が有力である。例えば、厚さをミクロン単位にして実装する例が特開２０００−２０８７０２に示されている。
【０００５】
ワイヤボンド方式は半導体ベアチップの周囲にワイヤを張る。このため半導体ベアチップ自体の占有面積以上の大きな占有面積を必要とし、またワイヤは１本づつ張るので時間がかかる。これに対して、フリップチップ方式では半導体ベアチップの裏面に形成されたマイクロバンプにより接続するため、接続のための面積を特には必要とすることがなく、半導体ベアチップの実装に必要な面積は半導体ベアチップ自体の占有面積にほぼ等しく出来る。また接続面が接続に必要な全てのバンプを有するように出来るため、配線基板との接続は一括して行える。従ってフリップチップ方式は半導体ベアチップの実装に必要な占有面積を極小化して高密度実装化し、電子機器の小型化を図ると共に工期短縮ためには最も適する方法となっている。
【０００６】
このようなチップと実装基板、及びチップとチップ間の接続方法の改良に加え、製造コスト面を低減する手段として、半導体チップが形成されたウェハを個々のチップに分離する前に再配線層や接続バンプの形成、場合によっては樹脂による封止が行われている。このウェハレベルでの処理が有効である半導体装置は、製造の歩留まりが高く、ピン数が少ない半導体装置であり、特にメモリーの生産に利点が多い。（NIKKEI MICRODEVICE 2000年2月号,56頁  及び  NIKKEI ELECTRONICS 2003.9.1 P.127）。
【０００７】
一方、このような半導体装置を製造するための製造装置の開発も鋭意なされている。例えば、貼り合わせるべきウェハの位置あわせを行って接合するための装置が文献により紹介されている。（P.Lindner等：2002 Electronic Component and Technology Conference P.1439）。他に、特開平９−１４８２０７号にも同様な技術が開示されている。
【０００８】
ところで、先に記したように、フリップチップによる電極接合には一般的にバンプを形成し、バンプとパッド、バンプとバンプ間の接合が行われる。この接合には、半田のような低融点の金属共昌結合による方法、非導電性樹脂の硬化時の収縮を利用した機械的な押圧による方法、導電性微粒子を分散させた非等方性導電性樹脂を介在させて導電性微粒子により接合を行う方法、バンプを加熱・加圧してバンプの金属分子を互いに拡散させた金属拡散接合による方法がある。
【０００９】
所で、このような電極接合を行う場合、接合面どうしを大きな圧力により加圧する必要がある。大きな圧力を発生させる加圧機の構造は通常のプレス機の機構を基本としている。
【００１０】
プレス機構を応用した電子部品接合装置としては、例えば、液晶表示素子の製造工程、異方性導電フィルムの貼り合わせ工程、ＦＰＣの貼り合わせ工程に使用される加圧貼り合わせ装置があり、従来以下のような技術が用いられている。
【００１１】
液晶基板を貼り合わせ、液晶基板の組み立てを行うための加圧機構としては、昇降板や昇降フレームに加圧板を取りつけ、ベース基盤に固定された支柱をガイドとして昇降板や昇降フレームを上下させることにより加圧板が加圧対象物を加圧する機構を採っている。（特許文献１、特許文献２、特許文献３，特許文献４参照）。また、更に大きな圧力により加圧する場合には、加圧装置全体に変形や歪みが生じ、加圧面間の平行度、従って、被加圧物間の平行度に狂いが生じることがある。この変形や歪みを防止するために、変形を防止するタイバーをねじにより固定する対策や補助板を溶接することが行われている。（特許文献５，特許文献６）。また、この変形を防止するために、加圧装置にかかる力を分散する意味で、フレームとしてループフレームを用いる方法も開示されている。（特許文献７参照）。また、加圧力の加え方に関しても、加圧部の中心軸に沿って油圧や空圧により行う以外に、加圧板の周囲部をリニアモータやモータとボールねじを用いて加圧する方法もある。（特許文献８，特許文献９参照）。
【特許文献１】特開平１０−２８２５０２号公報
【特許文献２】特開２００４−７０２７４号公報
【特許文献３】特開平６−１２３８６５号公報
【特許文献４】特開２００４−３７５９４号公報
【特許文献５】特開平１０−３４３９７号公報
【特許文献６】特開２００１−７９６９５号公報
【特許文献７】特開平１０−５８１９５号公報
【特許文献８】特開平１０−２０２３９７号公報
【特許文献９】特開２００４−２６８１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記特許文献１〜４に記載された加圧手段は、基本的には貼り合わせ工程において均一な間隔を保ってシールや接着剤により貼り合わせることを実現するための手段である。従って、本願発明のように圧力又は圧力と熱により電極を接合するような高圧力が必要な貼り合わせ工程には適していないことが判明した。即ち、特許文献１〜４に開示された加圧装置では、基本的に貼り合わせ基板をテーブルに載せて搬送と基板間の位置あわせを行う。このために位置あわせ用のテーブル駆動部が装備されているが、電極を金属接合により接合するために加熱温度３５０度Ｃ、圧力数十Ｋｇｆ／ｃｍ2とすると、テーブル駆動部の剛性が低く、加圧装置は変形して貼り合わせ面の平行性が崩れて所定の圧力及びその分布が得られなくなる。特許文献５，特許文献６に記載された加圧機構は、補助的な補強部材を取りつけて加圧に伴う加圧装置のフレームの変形を防止し、設計通りの圧力及び圧力分布の達成を目指す技術である。この方法は変形に伴う加圧板間の相互位置関係の不安定さを低減させるが、接合部の金属接合に必要な温度までに加圧部を加熱すると熱膨張により加圧に関わる部材が予測不能な変形をきたす。この変形を測定し、加圧力を変形にあわせて制御することも考えられるが、変形を測定する測定装置を配置するベース基盤自体が変形し、測定装置の設置位置が変動し、正確な変形量を測定することは出来なくなる。さらに、特許文献７に記された、フレームの変形を少なくするためのループフレームを用いると変形量は低減されるが、半導体ウェハに形成された電極接合に要求される相互位置保持精度を満たすことは出来なかった。
【００１３】
本願発明は、このような加熱と加圧を伴った、高精度な加工に使用可能な加圧装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願発明は、上記目的を達成するために、以下のような手段を用いている。
積層された基板を加圧する加圧装置であって、
第１のフレームに取りつけられた加圧部材、
第２のフレームに取りつけられた、該基板を保持する保持部材、
該第１のフレームと該第２のフレームとを引き寄せるための駆動装置、
を有し、
該第１のフレーム又は該第２のフレームはフランジ部を有し、
該フランジ部は、ベース基盤に立脚した支持脚により支持されている加圧装置である。
【００１５】
この装置構成では、第１のフレームと第２のフレームを引き合うように力を加え、２つのフレームに取りつけられた加圧部材と保持部材に圧力を加えるようになされる。そして、加圧時に一体となる２つのフレームの一方にはフランジ部が設けられており、ベース基盤に固定された支持脚がこのフランジ部を支持している。この機構では、２つのフレームを引き合う力で貼り合わせ基板に圧力を加えているため、加えられた圧力による反力は２つのフレームを多少変形させるが、装置の他の部分には作用を及ぼさず、ベース基盤を含む装置全体の変形が防止されることになる。
【００１６】
また、上記手段において、圧力源として流体静圧力を用いることができる。流体静圧力を圧力源とすることにより、高い圧力の制御が高精度に容易に行えるようになる。また、
２つのフレームをねじにより引き合わせるようにしても良い。
【００１７】
さらに、上記手段において、前記ベース基盤上に上下のフレームに結合した加圧部材及び保持部材の位置関係を測定する干渉計を配置することもある。干渉計はベース基盤上に配置されており、ベース基盤は加圧に伴って変形しないから、干渉計も変位することはない。従って、安定して加圧部材・保持部材の相互の位置関係のモニターを必要に応じて行うことが可能になる。これによって、上下のフレームの変形に伴う圧力分布等の変化の検出が可能になり、高精度な圧力分布の制御が可能になる。
【００１８】
さらに、上記加圧装置において、基板を加熱するヒータを有するようにしている。電極を接合する際に、加熱により電極を構成する金属分子を活性化させたり、接着用の樹脂の加熱を同時に行うことが可能になる。
【００１９】
また、更には上記加圧装置では、加圧する雰囲気を不活性ガス雰囲気や真空にするためにチャンバーを備えている。電極を接合する時に電極表面が汚れていたり、酸化されていると接合が不完全になる。雰囲気を不活性ガス雰囲気や真空状態にすることにより電極表面の汚染や酸化が防止されて接合の不完全性が解消される。
【００２０】
上記課題を解決する更なるたの手段は、積層型半導体装置の製造工程において、電極接合の工程に、上記加圧装置を使用することである。本発明の加圧装置を用いて加熱・加圧を行ってウェハレベルでの電極の接合を行うと、圧力の均一性が高いためにウェハ全面にわたって均一な電極接合が得られる。
【発明の効果】
【００２１】
本願発明は、貼り合わせ基板の加圧時に、直接加圧に関わる部材以外の加圧装置の構成要素に加圧による反力が作用しない。このために、装置全体の変形に対する対策を行う必要がなく、装置全体の重量を軽減し、装置全体をコンパクトにしながら装置全体の安定化を図ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本願発明の基本的な考え方は、加圧に伴う力が機械的に閉じた系内のみで作用し、この系を支える支持機構系、例えば支持脚やベース基盤、には作用しないようにすることである。これにより、たとえ加圧に関わる部材自体の変形や位置変動が生じた場合でも、そのような変化や位置変動を測定する測定装置をベース基盤上に配置し、測定装置の出力を基にして、加圧に関わる部分の変形により生じる圧力分布誤差や貼り合わせ時の位置ズレを防止することができることになる。
【００２３】
図１を参照して、本願発明の加圧装置を説明する。
第１のフレーム（本例では上部加圧部材と記す）１０１は上面押さえ板１０２と上部支柱１０４から構成され、一方第２のフレーム（本例では下部加圧部材と記す）１１１は円筒のお椀型で、フランジ１１３を有する構造になっている。このフランジ部１１３はベース基盤１９２に固定された支持脚１９１上に取りつけられている。上部加圧部材１０１には加圧部材（本例では上部加圧体と記す）１３１が取りつけられており、加熱の必要性に応じて上部ヒータ１４１が配置される。他方の保持部材（本例では下部加圧部材と記す）１１１には圧力伝達部材１６５、ロードセル１６１、下部加圧体１５１が配置され、加熱の必要性に応じて下部ヒータ１４２が配置される。これらの構成部材のうち、圧力伝達部材１６５は下部加圧体１５１を上下させる粗動機構を備えることもある。
【００２４】
加圧動作を説明する。貼り合わせ等のために加圧されるべき基板１７２，１８２は、基板ホルダ１７１，１８１にそれぞれ保持され、互いに位置あわせが完了して重ね合わせられた状態で下部加圧体１５１上に載せられる。加圧を行うために、上部加圧部材１０１の上部支柱１０４が圧力源１２１によって下部加圧部材方向に引き寄せられ、上部加圧部材１０２と下部加圧部材１１１の間に挟まれた基板１７２，１８２が加圧される。
【００２５】
このような構成をとる加圧装置が安定した圧力分布を提供する理由を次に説明する。  上記上部加圧部材１０１と下部加圧部材１１１は互いに引き合う力を及ぼし合い一体となって基板１７２，１８２を加圧する。図２に示したように、加圧力は単に上部加圧部材１０２と下部加圧部材１１１に働き、上面押さえ板１０２と下部加圧部材の底面を若干変形させるが、支持脚１９１は単に加圧部材の重量を支えるだけなので支持脚には変形が生じない。支持脚が変形しないと、支持脚を支えるベース基盤に働く力も一定であり、ベース基盤にも変形は生じない。従って、ベース基盤上に配置された観測装置１９４により上下の加圧部材の変形や位置変化を測定し、その出力結果をもとに上下の加圧部材の位置を調整することにより安定した圧力分布を得ることが出来る。観測装置１０４としては、例えばレーザ干渉計（測距計）１９５などが使用可能である。
【００２６】
次に本願発明の細部の動作説明を行う。本願発明の加圧装置において加圧力を制御する際には、上部支柱１０４が圧力源１２１により上下させる。この圧力源１２１としては、図４（ａ）に記したような、流体の静圧力を利用したものをもちいることができる。非圧縮流体を導入口４２０によりシリンダ４０２に導入し、シリンダ４０２内のラム４１０を上下させる。これにより上部支柱１０４が上下させられる。この引っ張り力を発生させる他の実施形態としては、図４（ｂ）に示したようなボールねじとモータの組み合わせである。上部支柱１０４とフリンジ部１１３はボールねじ、モータ、自在継ぎ手を介して連結され、モータを回転させてボールねじを移動させることにより上部支柱をフリンジ部に引き寄せる構造になっている。簡単な機構で圧力制御が容易な駆動源が得られる。また、この上部支柱１０４が、上下に安定して移動できるように移動用のガイド機構１９６（図１）がガイド支柱１９０に設けられている。ガイド機構はリニアガイドとスライダからなる機構であり、フランジ部１１３に立脚したガイド支柱１９０に沿ってリニアガイドが形成されている。リニアガイドは剛性等を勘案して金属ベアリングを用いたものが好ましい。ガイド支柱はフランジ部に立脚し、フランジ部１１３は加圧時に変形しないので、上部支柱１０４は安定的にガイドされて移動可能になっている。さらに、加圧に伴う下部加圧体１５１の位置変動を押さえるようにガイド保持機構１８８がフランジ１１３部の内周部に取りつけられていて、加圧時の位置変動が極力ないようになされている。
【００２７】
本願発明の加圧装置が有する、基板を加圧すると同時に加熱するためのヒータ１４１，１４２としては一般的に使用されているセラミックヒータやカートリッジヒータを使用することができる。この加熱ヒータには不図示の温度制御のための測温素子が取りつけられていて、温度の時間変化や温度分布の測定及びその制御が可能になっている。
【００２８】
図３は、基板の貼り合わせが非酸化雰囲気中でなされる場合に、本願発明の加圧装置がとる装置構成であって、図１の機構の他に、チャンバ３１０が備わっている。このチャンバは真空チャンバであっても良いし、酸素を不活性気体に置換したパージ気体を取り入れるチャンバであってもよい。
【００２９】
ところで、上記のような加圧装置を使用する場合、外的要因によってベース基盤１９２や上下の加圧部材１３１、１５１に振動が生じ、支持脚や加圧部材の変形、変位が生じることがある。本発明では、このような現象が生じないように支持脚１９１とベース基盤１９２の間、フランジ部１１３と支持脚１９１の間、ベース基盤１９２と床部の間の、少なくとも１つに制振部材を設置している。図５に制振部材の構成例で、支持脚１１９ベース基盤１９２との間に配置した例を示す。一般的な、内圧が調整可能なエアマウント５０２やボイスコイルモータ５０４を利用することができるものである。また、これらを組み合わせた構成も可能である。図５（a）では、内圧が調整可能なエアマウント５０４とボイスコイルモータ５０２とが直列に配置された構成になっている。図５（ｂ）では、内圧が調整可能なエアマウント５０４とボイスコイルモータ５０２が並列に配置されている。いずれの場合にも、複数の加速度計が基盤や支持脚に装着されていて、この加速度計の出力を基にしてエアマウントの内圧の制御、ボイスコイルモータの駆動電力を制御することにより防振制御が可能になる。エアマウントとボイスコイルモータを併用する場合には、それぞれの応答特性を考慮して制御すると好ましい結果、応答時間と変位範囲への対応、が得られる。
【００３０】
本願発明の更なる他の実施の形態を図６により説明する。図６は本願発明の加圧装置を適用する、積層型半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
Ｓ１：複数の半導体装置（半導体チップ）が形成されたウェハを所定の枚数だけ準備する。
ここで所定の枚数は積層型半導体装置の積層数分に対応する。この工程は、通常の半導体装置の製造方法により製造出来る。
Ｓ２：製造されたウェハを互いに位置合わせを行って重ね合わせる。
位置合わせ方法としては以下のような方法が公知である。（１）重ね合わせるウェハどうしを近接させ、重ね合わせ面に形成されたアライメントマークを赤外線顕微鏡により観察して互いの位置合わせを行う方法。（特開２００３−２４９４２５号公報参照）。（２）重ねあわせるウェハ面のアライメントマークを２視野顕微鏡により観察する方法。（例えば、特開２０００−３３２０３３号公報参照）（３）ウェハをウェハホルダに保持し、ウェハとウェハホルダの位置関係をそれぞれのウェハに対して測定し、次にウェハホルダ間の位置関係を測定してウェハどうしの位置合わせを行う方法。（特開平７−１４９８２号公報参照）。
Ｓ３：重ね合わされたウェハ上の電極どうしを接合する。
電極の接合に関しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂による圧接接合、非等方性導電性樹脂による電極コンタクト接合、ハンダのマイクロバンプを溶融して接合する方法、電極表面を清浄化して金属間の拡散を利用した方法等を用いる。
Ｓ４：ウェハ積層体を形成する。
積層され、電極が接合されたウェハを薄層化する。新たに積層・電極接合されたウェハは一般的には厚さが３００μから７００μの厚さを有している。このウェハの貼り合わせ面の反対面を研削・研磨によって薄くする。
薄層化が終了すると、更に積層すべきウェハがある場合には、S1からＳ３の工程を繰り返して行う。これらの工程を経る際のウェハ（ウェハ積層体）の形状変化を図７に簡単に記す。図７（ａ）は半導体装置が形成されたウェハであり、必要枚数分作られる。図７（ｂ）は２枚のウェハ（一方はウェハ積層体である場合もある）が対面近接された状態を表している。位置合わせは例えば２本の顕微鏡７０２によりマーク７０４を観察して行う。図７（ｃ）は２枚のウェハが重ね合わされた後、電極接合がなされた様態を示している。図７（ｄ）は積層されたウェハを薄層化して作られたウェハ積層体を示している。
本願発明の積層型半導体装置の製造方法は上記Ｓ３の工程において、請求項１乃至７のいずれかに記載された加圧装置を用いるものである。本願発明の加圧装置は前述のように加圧力が加圧部材の安定性に影響を及ぼさない構造を有しているので、ウェハ全面にわたって一様な安定した電極接合が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
半導体装置の高密度化、高速駆動化は産業上必至の要請であり、そのような半導体装置の製法に関わる本願発明の利用は、従って、産業上必至である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の加圧装置の全体図を示す。
【図２】加圧時のフレームの変形を示す。
【図３】チャンバを備えた加圧装置の全体図である。
【図４】引き合う力の例である、流体の静圧力を用いた駆動装置の例を示す。
【図５】本発明に用いる防振装置の例を示す。
【図６】本発明の加圧装置を適用する、積層型半導体装置の製造工程を示す。
【図７】積層型半導体装置の製造工程でのウェハの変化を示す。
【符号の説明】
【００３３】
１０１  ・・・・  第１のフレーム          １０２  ・・・・  上面押さえ板
１０４  ・・・・  上部支柱                １１１  ・・・・  第２のフレーム
１１３  ・・・・  フランジ部              １２１  ・・・・  圧力源
１４１  ・・・・  上部ヒータ              １４２  ・・・・  下部ヒータ
１５１  ・・・・  下部加圧体              １６１  ・・・・  ロードセル
１６５  ・・・・  圧力伝達部材
１７２，１８２  ・・・・  貼り合わせる基板
１８８  ・・・・  ガイド保持機構          １９０  ・・・・  ガイド支柱
１９１  ・・・・  支持脚                  １９２  ・・・・  ベース基盤
１９４  ・・・・  観察装置                １９５  ・・・・  レーザ測距計
１９６  ・・・・  ガイド機構              ３１０  ・・・・  チャンバ
４０２  ・・・・  シリンダ                ４２０  ・・・・  流体導入口
５０２  ・・・・  エアマウント            ５０４  ・・・・  ボイスコイルモータ
７０２  ・・・・  顕微鏡                  ７０４  ・・・・  マーク
【図１】
2007115978.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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