(57)【要約】【課題】欠陥部を確実に加熱して修正液を安定に堆積することが可能なパターン修正装置を提供する。【解決手段】このパターン修正装置の基板加熱部６は、修正対象のリブ欠け欠陥部３５ａが存在するリブ３５を通り、かつ基板３４に垂直な平面に沿って、レーザ光αをリブ欠け欠陥部３５ａに照射して加熱する。したがって、リブ欠け欠陥部３５ａに隣接する正常なリブ３５によってレーザ光αを遮られることなく、リブ欠け欠陥部３５ａの底まで加熱することができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
前記欠陥部にレーザ光を照射して加熱する加熱手段と、
修正液を霧状にして前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させて前記欠陥部を修正する堆積手段とを備え、
前記微細パターンの少なくとも一部は直線状に形成されて前記欠陥部は前記微細パターンの直線部に存在し、
前記レーザ光は、前記基板に垂直でかつ前記微細パターンの直線部を通る平面に沿って前記欠陥部に照射されることを特徴とする、パターン修正装置。
【請求項２】
前記レーザ光は、前記基板に対して斜めに照射されることを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項３】
前記レーザ光は、前記基板に対して垂直に照射されることを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項４】
前記欠陥部に前記レーザ光を照射して加熱した後に、霧状の修正液を前記欠陥部に噴射することを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれかに記載のパターン修正装置。
【請求項５】
前記微細パターンは、各々が所定の高さおよび幅を有し、所定のピッチで形成された複数のリブを含み、
前記欠陥部は、前記リブの一部が欠けたリブ欠損部であることを特徴とする、請求項１から請求項４までのいずれかに記載のパターン修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生するリブ（隔壁）欠損を修正するパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上の電極やリブなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。また、リブ幅からはみ出した修正用ペーストを除去するカット用レーザ部とスクラッチ機構、これにより生じる異物を吸引する機構、正常部より盛り上がった修正部をスキージ機構により再整形する機構などが必要となり装置構成が複雑になる。
【０００５】
そこで、本願発明者は、少なくともリブ欠損部を含む範囲にレーザ光を照射して基板を加熱した状態で、修正液を霧状にしてリブ欠損部に噴射し、修正液をリブ欠損部に堆積させて修正するパターン修正方法を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。この方法では、修正液を補充しながら噴出することができるので、塗布針がリブ欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、リブ欠損部を迅速に修正することができる。
【０００６】
しかし、加熱用レーザ光の方向によっては、リブ欠損部に隣接する正常なリブによってレーザ光が遮られ、欠損部を加熱できなくなって修正液を安定に堆積することが困難になることも想定される。
【０００７】
それゆえに、この発明の主たる目的は、欠陥部を確実に加熱して修正液を安定に堆積することが可能なパターン修正装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、欠陥部にレーザ光を照射して加熱する加熱手段と、修正液を霧状にして欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて欠陥部を修正する堆積手段とを備え、微細パターンの少なくとも一部は直線状に形成されて欠陥部は微細パターンの直線部に存在し、レーザ光は、基板に垂直でかつ微細パターンの直線部を通る平面に沿って欠陥部に照射されることを特徴とする。
【０００９】
好ましくは、レーザ光は、基板に対して斜めに照射される。
また好ましくは、レーザ光は、基板に対して垂直に照射される。
【００１０】
また好ましくは、欠陥部にレーザ光を照射して加熱した後に、霧状の修正液を欠陥部に噴射する。
【００１１】
また好ましくは、微細パターンは、各々が所定の高さおよび幅を有し、所定のピッチで形成された複数のリブを含み、欠陥部は、リブの一部が欠けたリブ欠損部である。
【発明の効果】
【００１２】
この発明に係るパターン修正装置では、欠陥部は微細パターンの直線部に存在し、レーザ光は、基板に垂直でかつ微細パターンの直線部を通る平面に沿って欠陥部に照射される。したがって、微細パターンに隣接する他の微細パターンがある場合でも、レーザ光が他の微細パターンによって遮られることがない。よって、欠陥部をレーザ光で確実に加熱して修正液を安定に堆積することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の実施形態について説明する前に、まず、この発明が適用されるパターン修正装置の基本構成およびその動作について説明する。
【００１４】
図１は、この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部にレーザ光を照射して加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１５】
図２は、図１に示したパターン修正装置１の要部を示す断面図である。欠陥部１３ａがあるリブ１３が形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ２レーザなどを用いることが可能である。
【００１６】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００１７】
噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥（リブ欠損）を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料である低融点ガラスの粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。
【００１８】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、噴霧ノズル２１上部の噴出口２１ａにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｂから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ａから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ａの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００１９】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波振動子による霧化装置を用いても構わない。
【００２０】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２１】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２２】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、図３に示すように加熱部１７を省略することも可能である。
【００２３】
図２に戻って、ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。
【００２４】
シャッタ３１は、欠陥修正を行う前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。なお、シャッタ３１に、塗布ノズル３０から噴出された霧粒子を吸引する機能を持たせてもよい。
【００２５】
図４（ａ）〜（ｃ）は、このパターン修正装置１の動作を示す図である。図４（ａ）において、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されたリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａの位置を検出する。次に、そのリブ欠け欠陥部３５ａの上方の所定位置に塗布ノズル３０の先端を配置し、図４（ｂ）に示すように、基板加熱部６を用いて欠陥部３５ａを加熱しながらシャッタ３１を開けて塗布ノズル３０から欠陥部３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、かつ、ＸＹステージ１０を移動させて欠陥部３５ａに微粒子の堆積層３６＿１を形成する。基板加熱部６の温度は修正液２０の溶媒が蒸発して乾燥する程度の温度でよく、基板表面の温度が１５０℃から２００℃程度になるように調整される。
【００２６】
引き続き、ＸＹステージ１０を往復移動させて複数の堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層し、最終的には図４（ｃ）に示すように、欠陥部３５ａがリブ３５の正常高さ（リブトップ面）、あるいはそれ以上になるまで積層する。図４（ｃ）では、欠陥部３５ａの長さ以上の長さに亘って修正液２０の堆積層３６＿１〜３６＿ｎを形成した例が示されている。積層終了後、修正部を基板加熱部６を用いて本焼成しても良いし、背面ガラス基板３４を炉で焼成しても構わない。堆積層３６＿１〜３６＿ｎのうちの正常なリブ高さよりも突出した部分は、焼成後にたとえば研磨テープにより除去される。
【００２７】
以上のように、このパターン修正装置では、加熱した欠陥部３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、欠陥部３５ａに修正材料の微粒子を堆積させ、堆積層を欠陥部３５ａに描画するので、塗布針を用いていた従来に比べ、修正時間の短縮化を図ることができる。
【００２８】
なお、このパターン修正装置では、ＸＹステージ１０により基板１４，３４を移動させて堆積層を描画したが、基板１４，３５を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層を描画してもよい。
【００２９】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００３０】
さて、このようなパターン修正装置１を用いてリブ欠け欠陥部（リブ欠損部）３５ａを修正する場合、次のような問題点がある。図５（ａ）は、その問題点を説明するための図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＶＢ−ＶＢ線断面図である。図５（ａ）（ｂ）に示すように、加熱用のレーザ光をリブ欠け欠陥部３５ａの真横の斜め上方から照射すると、リブ欠け欠陥部３５ａに隣接する正常なリブ３５によってレーザ光が遮られ、リブ欠け欠陥部３５ａの底Ｐが十分に加熱されない。このため、リブ欠け欠陥部３５ａに堆積させた修正液２０の乾燥が不十分となり、その上に堆積層を積層しても崩れて、積層できなくなる。なお、周辺部からの熱伝導によってリブ欠け欠陥部３５ａの底Ｐが加熱されるのを待ってもよいが、時間がかかる。また、熱伝導を強めるため、レーザ光のパワーを上げることも考えられるが、周辺部の温度が高くなって背面ガラス基板３４にクラックが入る可能性が高くなる。この実施の形態では、この問題の解決が図られる。
【００３１】
図６（ａ）〜（ｄ）は、この発明の一実施の形態によるパターン修正装置の堆積層形成工程を示す図である。図６（ａ）〜（ｄ）において、このパターン修正装置では、加熱用のレーザ光αは、修正対象のリブ欠け欠陥部３５ａが存在するリブ３５を通り、かつ基板３４に垂直な平面に沿って、基板加熱部６からリブ欠け欠陥部３５ａに斜めに照射される。つまり、基板加熱部６から出射されるレーザ光αの光軸を背面ガラス基板３４に投影した場合、レーザ光αの光軸の投影図はリブ３５の延在方向に一致する。このように基板加熱部６を配置し、レーザ光αを照射することで、リブ欠け欠陥部３５ａが存在するリブ３５に隣接する他の正常なリブ３５によってレーザ光αを遮られることなく、リブ欠け欠陥部３５ａの底まで加熱することができる。
【００３２】
この状態で図６（ａ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａの長さ以上に欠陥部３５ａと微粒子堆積装置５のヘッド部１８とを相対移動させることが可能なように、リブ欠け欠陥３５ａよりもかなり手前からＸＹステージ１０を移動させ、背面ガラス基板３４を動かし始める。背面ガラス基板３４の移動方向はリブ３５の延在方向と同じである。このとき、シャッタ３１は塗布ノズル３０の直下に位置し、塗布ノズル３０から噴出する霧状の修正液２０を受け止める状態（シャッタ閉状態）にあり、修正液２０はリブ３５に描画されない。また、基板加熱部６は、塗布ノズル３０が描画するエリアよりも広い範囲を加熱している。
【００３３】
次いで図６（ｂ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａの少し手前でシャッタ３１を開いて、リブ欠け欠陥部３５ａの手前の正常なリブトップ面に修正液２０の霧粒子を収束させて描画を開始する。この状態で背面ガラス基板３４の移動を継続し、リブ欠け欠陥部３５ａ全体に修正液２０の霧粒子を噴射する。
【００３４】
次に図６（ｃ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａ全体の描画を終え、正常なリブトップ面に少し描画した位置でシャッタ３１を閉じる。シャッタ３１を閉じた後も背面ガラス基板３４は移動を続け、図６（ｄ）に示すように、描画を停止した点よりも離れた位置でＸＹステージ１０を停止し、背面ガラス基板３４の移動を停止する。図６（ａ）〜（ｄ）の動作により、リブ欠け欠陥部３５ａの幅よりも少し長めに、また、リブ欠け欠陥部３５ａの前後の正常なリブトップ面にも描画された堆積層３６＿１が形成される。
【００３５】
その後、図６（ｄ）の位置から図６（ａ）に戻るようにして同様の描画を行うことで、１回目に描画した上に積層して、１往復の描画が完了する。この動作を複数回実施して、リブ欠け欠陥部３５ａに積層された堆積層３６がリブトップ面と同じ、あるいは、それよりも高くなった時点で積層を終了すれば、堆積層３６は図４（ｃ）に示す形状と同じになる。
【００３６】
図７（ａ）〜（ｄ）は、この発明の他の実施の形態によるパターン修正装置の堆積層形成工程を示す図であって、図６（ａ）〜（ｄ）と対比される図である。図７（ａ）〜（ｄ）を参照して、この堆積層形成工程が図６（ａ）〜（ｄ）の堆積層形成工程と異なる点は、基板加熱部６の光軸が背面ガラス基板３４に対して垂直に配置される点である。
【００３７】
基板加熱部６は、塗布ノズル３０と一定の距離を保ちながら、修正対象のリブ欠け欠陥部３５ａが存在するリブ３５のトップ面に沿って、そのリブ３５の延在方向に基板３４に対して相対移動される。つまり、加熱用のレーザ光αは、修正対象のリブ欠け欠陥部３５ａが存在するリブ３５を通り、かつ基板３４に垂直な平面に沿って、基板加熱部６からリブ欠け欠陥部３５ａに垂直に照射される。このように基板加熱部６を配置し、レーザ光αを照射することで、リブ欠け欠陥部３５ａが存在するリブ３５に隣接する他の正常なリブ３５によってレーザ光αを遮られることなく、リブ欠け欠陥部３５ａの底まで加熱することができる。
【００３８】
この状態で、リブ欠け欠陥部３５ａの長さ以上に欠陥部３５ａと微粒子堆積装置５のヘッド部１８とを相対移動させることが可能なように、リブ欠け欠陥部３５ａよりもかなり手前からＸＹステージ１０を移動させ、背面ガラス基板３４を動かし始める。背面ガラス基板３４の移動方向はリブ３５の延在方向と同じである。このとき、シャッタ３１は塗布ノズル３０の直下に位置し、塗布ノズル３０から噴出する霧状の修正液２０を受け止める状態（シャッタ閉状態）にあり、背面ガラス基板には描画されない。また、基板加熱部６は、塗布ノズル３０が描画するエリアよりも広い範囲を加熱しており、この場合、塗布ノズル３０が通過する前に背面ガラス基板３４のリブ３５を含む範囲を加熱する。
【００３９】
次いで図７（ｂ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａの少し手前でシャッタ３１を開いて、リブ欠け欠陥部３５ａの手前の正常なリブトップ面に修正液２０の霧粒子を収束させて描画を開始する。この状態で背面ガラス基板３４の移動を継続し、リブ欠け欠陥部３５ａ全体に修正液２０の霧粒子を噴射する。修正液２０の霧粒子が噴射されるリブ３５面は基板加熱部６により事前に加熱されており、噴射された霧粒子の溶媒は蒸発して乾燥され、微粒子の堆積物が残る。
【００４０】
次に図７（ｃ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａ全体の描画を終え、正常なリブトップ面に少し描画した位置でシャッタ３１を閉じる。シャッタ３１を閉じた後も背面ガラス基板３４は移動を続け、図７（ｄ）に示すように、描画を停止した点よりも離れた位置でＸＹステージ１０を停止し、背面ガラス基板３４の移動を停止する。図７（ａ）〜（ｄ）の動作により、リブ欠け欠陥部３５ａの長さよりも少し長めに、また、リブ欠け欠陥部３５ａの前後の正常なリブトップ面にも描画された堆積層３６＿１が形成される。このように基板加熱部６が背面ガラス基板３４に対して垂直に配置されるため、他のリブ３５の影にならずに、リブ欠け欠陥部３５ａにレーザ光αを確実に照射することが可能となる。
【００４１】
その後、描画せずに図７（ａ）の位置に戻って、図７（ａ）〜（ｄ）の工程を複数回行って、一方向からリブ欠け欠陥部３５ａを修正液２０の微粒子を積層していく。または、図７（ｄ）の位置から図７（ａ）に戻るようにして同様の描画を行うことで、１回目に描画した上に積層するように復路も描画しても構わない。この場合、修正液２０が噴射された後を追うように基板加熱部６からレーザ光αが照射されるが、乾燥した堆積層３６＿１上に積層されると、前回の照射による余熱で乾燥が進むため、堆積層３６が崩れることなく積層を進めることができる。
【００４２】
なお、以上の実施の形態では、基板加熱部６からのレーザ光αの照射と塗布ノズル３０からの霧状の修正液２０の噴射を平行して行なったが、まず基板加熱部６からリブ欠け欠陥部３５ａを含む範囲にレーザ光αを照射して温度を上昇させ、その後に塗布ノズル３０からリブ欠け欠陥部３５ａに霧状の修正液２０を噴射して堆積層３６を描画してもよい。
【００４３】
また、塗布ノズル３０と基板加熱部６の相対位置を移動させる移動手段を設ければ、任意の方向に堆積層３６を描画できる。たとえば図７（ａ）〜（ｄ）では、基板加熱部６は塗布ノズル３０の横に配置されているので、紙面の左右方向に配置したリブ３５の欠陥しか修正できないが、基板加熱部６を塗布ノズル３０の手前に移動させれば、紙面に垂直な方向に配置したリブ３５の欠陥も修正できる。また、基板加熱部６を塗布ノズル３０の周囲の任意の位置に移動可能に設ければ、任意の方向に配置したリブ３５の欠陥を修正できる。あるいは、塗布ノズル３０の周囲に複数の基板加熱部６を配置し、リブ３５の延在方向に応じた位置の基板加熱部６を使用してもよい。このように、リブ３５の延在方向を問わずにリブ欠け欠陥部３５ａの修正を行うことが可能であれば、ストライブ状のリブ３５以外にも井桁状（ワッフル形状）のリブの欠陥も修正することができる。
【００４４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図３】図１に示したパターン修正装置の変更例を示す断面図である。
【図４】図１に示したパターン修正装置の堆積層形成工程を示す図である。
【図５】図１に示したパターン修正装置の問題点を説明するための図である。
【図６】この発明の一実施の形態によるパターン修正装置の堆積層形成工程を示す図である。
【図７】この発明の他の実施の形態によるパターン修正装置の堆積層形成工程を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  パターン修正装置、２  観察光学系、３  モニタ、４  カット用レーザ部、５  微粒子堆積装置、６  基板加熱部、７  画像処理部、８  ホストコンピュータ、９  制御用コンピュータ、１０  ＸＹステージ、１１  チャック部、１２  Ｚステージ、１５  噴霧部、１６  減圧部、１７  加熱部、１８  ヘッド部、１９  容器、２０  修正液、２１  噴霧ノズル、２１ａ  噴出口、２１ｂ  吸入口、２２  ノズル部、２３  集気部、２４  排気管、２５  外管、２６  隙間、２７  パイプ、２８  ヒータ、２９  温度センサ、３０  塗布ノズル、３１  シャッタ、１４，３４  背面ガラス基板、１３，３５  リブ、１３ａ，３５ａ  リブ欠け欠陥部、３６＿１〜３６＿ｎ  堆積層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2007123078.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007123078.tif 000007
【図６】
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【図７】
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