(57)【要約】【課題】個人認証時の不正使用の可能性を従来よりも低減すること。【解決手段】被認証者に固有の属性である原属性があらかじめ記憶された非再書込型の属性記憶部２４と、認証端末１４を介して被認証者から入力される属性である入力属性を受信する受信部３２と、入力属性及び原属性の照合を行う制御部１６と、制御部の照合結果を認証端末に送信する送信部３０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
認証端末との間で双方向通信が可能な携帯型電子装置であって、
被認証者に固有の属性である原属性をあらかじめ記憶している非再書込型の属性記憶部と、
前記認証端末を介して前記被認証者から入力される属性である入力属性を受信する受信部と、
受信された前記入力属性と、前記属性記憶部から読み出された前記原属性との照合を行う照合部と、
該照合部の照合結果を前記認証端末に送信する送信部と
を備えることを特徴とする個人認証のための携帯型電子装置。
【請求項２】
前記属性記憶部が、ワンタイムプログラマブルＲＯＭであることを特徴とする請求項１に記載の携帯型電子装置。
【請求項３】
前記照合部での照合で、前記原属性と前記入力属性とが一致しない場合に、当該入力属性を記憶する不揮発性ＲＡＭを更に備えていることを特徴とする請求項２に記載の携帯型電子装置。
【請求項４】
認証端末との間で双方向通信が可能な携帯型電子装置であって、
被認証者に固有の属性である原属性をあらかじめ記憶している非再書込型の属性記憶部と、
前記認証端末からの要求に応じて、前記属性記憶部から前記原属性を読み出して、該読み出された原属性を該認証端末に送信する送信部と
を備えることを特徴とする個人認証のための携帯型電子装置。
【請求項５】
前記属性記憶部が、ワンタイムプログラマブルＲＯＭであることを特徴とする請求項４に記載の携帯型電子装置。
【請求項６】
前記照合部での照合で、前記認証端末を介して被認証者から入力される属性である入力属性と前記原属性とが一致しない場合に、前記認証端末から送信される当該入力属性を受信する受信部と、
受信された当該入力属性を記憶する不揮発性ＲＡＭと
を更に備えていることを特徴とする請求項５に記載の携帯型電子装置。
【請求項７】
前記入力属性が、前記被認証者の生体属性であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の携帯型電子装置。
【請求項８】
携帯型電子装置と、該携帯型電子装置との間で双方向通信が可能な認証端末とを備えており、
前記携帯型電子装置は、被認証者に固有の属性である原属性をあらかじめ記憶した非再書込型の属性記憶部と、
前記認証端末を介して前記被認証者から入力される属性である入力属性を受信する装置側受信部と、
受信された前記入力属性と、前記属性記憶部から読み出された前記原属性との照合を行う照合部と、
該照合部の照合結果を前記認証端末に送信する装置側送信部とを備えており、
前記認証端末は、前記被認証者が前記入力属性を入力するための入力手段と、
入力された前記入力属性を前記認証端末に向けて送信する端末側送信部と、
前記照合部における前記照合結果を受信する端末側受信部とを備えることを特徴とする個人認証システム。
【請求項９】
前記属性記憶部が、ワンタイムプログラマブルＲＯＭであることを特徴とする請求項８に記載の個人認証システム。
【請求項１０】
前記携帯型電子装置が、前記原属性と前記入力属性とが一致しない場合に、当該入力属性を記憶する不揮発性ＲＡＭを更に備えることを特徴とする請求項９に記載の個人認証システム。
【請求項１１】
携帯型電子装置と、該携帯型電子装置との間で双方向通信が可能な認証端末とを備えており、
前記携帯型電子装置は、被認証者に固有の属性である原属性をあらかじめ記憶した非再書込型の属性記憶部と、
前記認証端末からの要求に応じて、前記属性記憶部から前記原属性を読み出して、該読み出された原属性を該認証端末に送信する装置側送信部とを備えており、
前記認証端末は、前記被認証者が前記入力属性を入力するための入力手段と、
前記装置側送信部が送信した前記原属性を受信する端末側受信部と、
受信された前記原属性と、入力された前記入力属性とを照合する照合部とを備えることを特徴とする個人認証システム。
【請求項１２】
前記属性記憶部が、ワンタイムプログラマブルＲＯＭであることを特徴とする請求項１１に記載の個人認証システム。
【請求項１３】
前記認証端末が、前記照合部での照合において前記原属性と前記入力属性とが一致しない場合に、当該入力属性を前記携帯型電子装置に送信する端末側送信部を更に備え、
前記携帯型電子装置が、当該入力属性を受信する装置側受信部と、受信された当該入力属性を記憶する不揮発性ＲＡＭとを更に備えることを特徴とする請求項１２に記載の個人認証システム。
【請求項１４】
前記入力属性が、前記被認証者の生体属性であることを特徴とする請求項８〜１３のいずれか一項に記載の個人認証システム。
【請求項１５】
携帯型電子装置と、該携帯型電子装置との間で双方向通信が可能な認証端末とを用いて個人認証を行うに当たり、
被認証者に固有の属性である入力属性を前記認証端末に入力する工程と、
該入力属性を前記認証端末から前記携帯型電子装置へと送信する工程と、
該携帯型電子装置に設けられた非再書込型の属性記憶部にあらかじめ記憶された被認証者に固有の属性である原属性と、受信された前記入力属性とを、当該携帯型電子装置の照合部で照合する工程と、
照合結果を前記認証端末へと送信する工程と、
前記照合部での照合の結果、前記原属性と前記入力属性とが一致しない場合に、当該入力属性を、前記携帯型電子装置に設けられる不揮発性ＲＡＭに記憶する工程と
を備えた個人認証方法。
【請求項１６】
請求項３又は６に記載の携帯型電子装置に含まれる半導体装置の製造方法であって、
基板の第１主面がわにトランジスタを形成する工程と、
該トランジスタに電気的に接続された下部電極を形成する工程と、
該下部電極を被覆して、強誘電体膜と金属膜とがこの順序で積層された積層体を形成する工程と、
前記トランジスタが形成された領域のうち、前記不揮発性ＲＡＭの形成予定領域において、前記積層体のパターニングを行い、前記下部電極上に該下部電極と同一面積、又は該下部電極よりも小面積の前記積層体を残留させることで、前記不揮発性ＲＡＭを形成するＲＡＭ形成工程と、
前記トランジスタが形成された領域のうち、前記ワンタイムプログラマブルＲＯＭの形成予定領域において、前記積層膜のパターニングを行い、前記下部電極を含む領域に該下部電極よりも大面積の前記積層体を残留させることで、前記ワンタイムプログラマブルＲＯＭを形成するＲＯＭ形成工程とを含み、
前記ＲＡＭ形成工程及び前記ＲＯＭ形成工程を同時に実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、個人認証技術に関し、特に、個人認証に用いられる携帯型電子装置、個人認証システム、個人認証方法、及び、携帯型電子装置に含まれる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
銀行のＡＴＭ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｔｅｌｌｅｒ  Ｍａｃｈｉｎｅ）で用いられるキャッシュカード等には、個人認証にあたって、不正使用を防ぐための高いセキュリティ性が要求される。
【０００３】
現在主流となっているＡＴＭシステムでは、４桁の暗証番号により個人認証を行っている。より詳細には、被認証者がＡＴＭに入力した暗証番号を、ＡＴＭシステム側に記録されている暗証番号と照合することにより、個人認証を行っている。しかし、キャッシュカードの偽造等の事件が頻発していることからも明らかなように、この方法では、十分なセキュリティ性が保たれているとは言えなかった。
【０００４】
そこで、最近、個人認証にあたって、指紋パターン、虹彩パターン又は静脈パターン等の被認証者固有の属性を採用する試みが行われている。具体的には、属性をシステム側にあらかじめ記録しておく。そして、被認証者から読み取った属性と、システム側に記録されている属性とを照合して個人認証を行う。これにより、個人認証時のセキュリティ性は、確かに向上した。
【０００５】
しかし、一般に、システム側では、属性は書換え可能な記録媒体に記録される。したがって、クラッキング等によりシステム側に記録された属性自体が改ざんされれば、不正使用を許してしまう。
【０００６】
この問題点を解決するために、システム側に属性を記録するのではなく、個人認証時に用いられる携帯型電子装置（例えば、ＩＣカード等）に属性を記録する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−３１２４５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に開示された技術では、属性は、携帯型電子装置のＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）に記録される。そのため、このＥＥＰＲＯＭに記録された属性が改ざんされるおそれがある。ＥＥＰＲＯＭ中の属性が改ざんされた場合には、不正使用を阻止することはできない。
【０００８】
この発明は、このような問題点にかんがみなされたものである。したがって、この発明の目的は、不正使用の可能性を従来よりも低減することができる携帯型電子装置、個人認証システム、個人認証方法、及びこの携帯型電子装置に含まれる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した目的を達成するために、この発明の第１の携帯型電子装置は、認証端末との間で双方向通信が可能とされている。そして、この携帯型電子装置は、属性記憶部と、受信部と、照合部と、送信部とで構成される。
【００１０】
属性記憶部は、非再書込型とされており、被認証者に固有の属性である原属性をあらかじめ記憶している。受信部は、認証端末を介して被認証者から入力される属性である入力属性を受信する。照合部は、受信された入力属性、及び、属性記憶部から読み出された原属性の照合を行う。そして、送信部は照合部の照合結果を認証端末に送信する。
【００１１】
第１の携帯型電子装置によれば、原属性が、非再書込型の属性記憶部に記憶されている。よって、属性が改ざんされる可能性を低減することができる。また、入力属性と原属性とが携帯型電子装置内部の照合部で照合される。よって、原属性の外部への漏えいを防ぐことができる。
【００１２】
なお、この明細書において、「個人認証」とは、「被認証者しか持ち得ない属性を基にその属性を確認し、被認証者本人であることを証明すること」を意味する。ここで、「属性」とは、「被認証者本人であることを証明可能な、被認証者しか持ち得ない情報」を意味する。また、「非再書込型」とは、いったん情報を書き込めば、書き込まれた情報の消去、修正及び再書き込みが不可能なことを示す。
【００１３】
第２の携帯型電子装置は、認証端末との間で双方向通信が可能とされている。そして、この携帯型電子装置は、属性記憶部と、送信部とで構成される。
【００１４】
属性記憶部は、非再書込型とされており、被認証者に固有の属性である原属性をあらかじめ記憶している。そして、送信部は、認証端末からの要求に応じて、属性記憶部から原属性を読み出して、この原属性を認証端末に送信する。
【００１５】
第２の携帯型電子装置によれば、原属性が、非再書込型の属性記憶部に記憶されている。よって、属性が改ざんされる可能性を低減することができる。また、原属性を認証端末に送信して、認証端末において照合作業を行うので、第１の携帯型電子装置に比較して、個人認証に要する時間を短縮できる。
【００１６】
この発明の第１の個人認証システムは、携帯型電子装置と、この携帯型電子装置との間で双方向通信が可能な認証端末とを備えている。
【００１７】
携帯型電子装置は、属性記憶部と、装置側受信部と、照合部と、装置側送信部とを備えている。属性記憶部は、非再書込型とされており、被認証者に固有の属性である原属性をあらかじめ記憶している。装置側受信部は、認証端末を介して被認証者から入力される属性である入力属性を受信する。照合部は、受信された入力属性、及び、属性記憶部から読み出された原属性の照合を行う。そして、装置側送信部は照合部の照合結果を認証端末に送信する。
【００１８】
認証端末は、入力手段と、端末側送信部と、端末側受信部とを備えている。入力手段は、被認証者が入力属性を入力する。端末側送信部は、入力された入力属性を認証端末に向けて送信する。そして、端末側受信部は、照合部における照合結果を受信する。
【００１９】
この発明の第２の個人認証システムは、携帯型電子装置と、携帯型電子装置との間で双方向通信が可能な認証端末とを備えている。
【００２０】
携帯型電子装置は、属性記憶部と装置側送信部とを備えている。属性記憶部は、非再書込型とされており、被認証者に固有の属性である原属性をあらかじめ記憶している。装置側送信部は、認証端末からの要求に応じて、属性記憶部から原属性を読み出して、読み出された原属性を認証端末に送信する。
【００２１】
認証端末は、入力手段と、端末側受信部と、照合部とを備えている。
【００２２】
入力手段は、被認証者が入力属性を入力する。端末側受信部は、装置側送信部が送信した原属性を受信する。照合部は、受信された原属性と、入力された入力属性とを照合する。
【００２３】
この発明の個人認証方法は、携帯型電子装置と、携帯型電子装置との間で双方向通信が可能な認証端末とを用いて個人認証を行うに当たり、被認証者に固有の属性である入力属性を認証端末に入力する。そして、入力属性を認証端末から携帯型電子装置へと送信する。そして、非再書込型の属性記憶部にあらかじめ記憶された被認証者に固有の属性である原属性と受信された入力属性とを、携帯型電子装置の照合部で照合する。そして、この照合結果を認証端末へと送信する。また、照合部での照合の結果、原属性と入力属性とが一致しない場合に、入力属性を、携帯型電子装置に設けられる不揮発性ＲＡＭに記憶する。
【００２４】
この発明の半導体装置の製造方法は、上述した携帯型電子装置が備える半導体装置を製造するものである。
【００２５】
この半導体装置を製造するに当たり、まず、基板の第１主面がわにトランジスタを形成する。そして、トランジスタに電気的に接続された下部電極を形成する。そして、下部電極を被覆して、強誘電体膜と金属膜とがこの順序で積層された積層体を形成する。
【００２６】
さらに、トランジスタが形成された領域のうち、不揮発性ＲＡＭの形成予定領域において、積層体のパターニングを行い、下部電極上に下部電極と同一面積、又は下部電極よりも小面積の積層体を残留させることで、不揮発性ＲＡＭを形成するＲＡＭ形成工程を行う。ＲＡＭ形成工程と同時に、トランジスタが形成された領域のうち、ワンタイムプログラマブルＲＯＭの形成予定領域において、積層膜のパターニングを行い、下部電極を含む領域に下部電極よりも大面積の積層体を残留させることで、ワンタイムプログラマブルＲＯＭを形成するＲＯＭ形成工程を行う。
【発明の効果】
【００２７】
上述のように、この発明によれば、不正使用の可能性を従来よりも低減することができる携帯型電子装置、個人認証システム、個人認証方法、及び、携帯型電子装置に含まれる半導体装置の製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。尚、構成要素の断面を表す各図は、各構成要素の形状、大きさ及び配置関係について、この発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例について説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例に過ぎない。したがって、この発明は、以下の実施の形態に何ら限定されない。
【００２９】
（実施の形態１）
図１〜図６を参照して、この発明の個人認証システムの実施の形態１の構成例について説明する。あわせて、携帯型電子装置及び個人認証方法についても説明する。図１は、個人認証システムの機能ブロック図である。図２は、携帯型電子装置の構成要素のＩＣチップ内における機能手段の配置例を示す模式図である。図３（Ａ）は、ＯＴＰ（Ｏｎｅ  Ｔｉｍｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ）−ＲＯＭの断面構造を概略的に示す断面図である。図３（Ｂ）は、ＯＴＰ−ＲＯＭのメモリセルの回路図である。図４（Ａ）は、不揮発性ＲＡＭの断面構造を概略的に示す断面図である。図４（Ｂ）は、不揮発性ＲＡＭのメモリセルの回路図である。図５は、個人認証作業の工程を説明するためのフローチャートである。図６は、認証端末１４と携帯型電子装置１２との間のデータのやり取りを示す概念図である。
【００３０】
図１を参照すると、個人認証システム１０は、携帯型電子装置１２と認証端末１４とを備える。
【００３１】
携帯型電子装置１２は、携帯側のＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１５と、記憶部１８と、送受信部２０と、時計手段１３とを備える。
【００３２】
ＣＰＵ１５は、制御部１６と、内部記憶部１７と、演算部１９とを備える。ＣＰＵ１５は、データバスにより記憶部１８、送受信部２０及び時計手段１３と接続されている。
【００３３】
制御部１６は、個人認証作業に当たり、後述するアプリケーションプログラムにしたがって携帯型電子装置１２の動作全体を制御する。
【００３４】
内部記憶部１７は、ＣＰＵ１５の動作時に発生した情報などを一時的に格納する。
【００３５】
演算部１９は、アプリケーションプログラムの実行などのＣＰＵ１５の動作に当たり、各種の機能手段として作用する。これらの機能手段の一つが照合部である。なお、照合部については後述する。
【００３６】
記憶部１８は、ＣＰＵ１５の外部に設けられている。記憶部１８は、記憶領域として、制御情報記憶部２２と、属性記憶部２４と、履歴情報記憶部２６と、不正使用記憶部２８と、作業用記憶部２９とを備える。なお、記憶部１８において、属性記憶部２４以外は、任意の構成要素である。
【００３７】
つまり、ＣＰＵ１５は、アプリケーションプログラムを実行することにより、認証端末１４と協働して個人認証作業を実行する。
【００３８】
制御情報記憶部２２は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）からなる。制御情報記憶部２２には、制御部１６上で動作するアプリケーションプログラムがあらかじめ記憶されている。このアプリケーションプログラムは、後述する認証作業時に携帯型電子装置１２の演算部１９を機能手段として制御するためのものである。また、制御情報記憶部２２は、照合作業時に制御部１６が参照する特徴点テーブル２３を、あらかじめ記憶して備えている。特徴点テーブル２３には、属性を特徴づける複数の特徴点が記憶されている。例えば、属性として指紋パターンを採用した場合には、特徴点テーブル２３には、指紋の隆線の分岐点、端点、三角州、湧出及びドットなどの特徴点が記録される。照合作業時に、制御部１６は、２種類の属性（入力属性と原属性）を特徴点ごとに比較する。
【００３９】
属性記憶部２４は、非再書込型のワンタイムプログラマブルＲＯＭ４４（以下、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４と称する。）からなる。属性記憶部２４には、被認証者に固有の属性（例えば、指紋パターン等）があらかじめ書き込まれている。以下、属性記憶部２４に記憶されている属性を原属性と称する。また、属性記憶部２４には、携帯型電子装置１２に固有の確認標識（以下、装置ＩＤと称する。）が記憶されている。なお、属性記憶部２４を構成するＯＴＰ−ＲＯＭ４４については後述する。
【００４０】
履歴情報記憶部２６は、不揮発性ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）７４からなる。履歴情報記憶部２６には、過去に行われた個人認証の履歴が記憶されている。
【００４１】
不正使用記憶部２８は、不揮発性ＲＡＭ７４からなる。不正使用記憶部２８には、不正な個人認証が試みられた場合に、その不正使用者の属性（例えば、指紋パターン等）が記憶される。なお、履歴情報記憶部２６及び不正使用記憶部２８を構成する不揮発性ＲＡＭ７４については後述する。
【００４２】
作業用記憶部２９は、ＲＡＭ（例えばＳＲＡＭ：Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）からなる。作業用記憶部２９には、照合作業時に被認証者から認証端末１４へと入力され、携帯型電子装置１２に送信される入力属性が一時的に記憶される。
【００４３】
送受信部２０は、送信部３０と、受信部３２とを備える。
【００４４】
送信部３０は、制御部１６の制御下で、携帯型電子装置１２から認証端末１４に向けて、各種の情報（例えば、個人認証の照合結果等）を送信する。
【００４５】
受信部３２は、制御部１６の制御下で、認証端末１４から、各種の情報（例えば、被認証者の入力属性等）を受信する。
【００４６】
携帯型電子装置１２は、好ましくは、例えばＩＣカードとする。ＣＰＵ１５、記憶部１８及び送受信部２０は、ＩＣカードに埋め込まれたＩＣチップ４２に集積されている。ＩＣチップ４２において、ＣＰＵ１５、記憶部１８、及び送受信部２０は、例えば図２に示すようにレイアウトされている。
【００４７】
再び図１を参照すると、認証端末１４は、端末側ＣＰＵ３３と、属性読み取り装置３４と、端末側送受信部３６と、端末側記憶部３７と、表示部４３とを備える。なお、図示はしないが、認証端末１４には、ホストコンピュータとの間で情報をやり取りするための通信部が、更に設けられている。このホストコンピュータには、参照用の装置ＩＤが、参照用装置ＩＤデータベース３１（以下、単にデータベース３１と称する。）内に格納されている。
【００４８】
端末側ＣＰＵ３３は、端末側制御部３５と、演算部３９と、内部記憶部４１とを備えている。
【００４９】
端末側制御部３５は、端末側記憶部３７に記憶されているアプリケーションプログラムにしたがって、認証端末１４の動作全体を制御する。
【００５０】
内部記憶部４１は、端末側ＣＰＵ３３の動作時に発生した情報などを一時的に格納する。
【００５１】
演算部３９は、アプリケーションプログラムの実行などの端末側ＣＰＵ３３の動作に当たり、各種の機能手段として作用する。機能手段としては、例えば、照合手段、フラグ生成手段、及びフラグ判定手段等が含まれる。
【００５２】
つまり、端末側ＣＰＵ３３は、アプリケーションプログラムを実行することにより、携帯型電子装置１２と協働して個人認証作業を実行する。
【００５３】
属性読み取り装置３４は、例えば、光学的に撮像を行うイメージ入力手段と、その他の入力手段とで構成されている。属性読み取り装置３４は、個人認証作業にあたり、被認証者の属性を読み取る。以下、属性読み取り装置３４で、被認証者から読み取られた属性を入力属性と称する。
【００５４】
端末側送受信部３６は、端末側送信部３８と、端末側受信部４０とを備える。
【００５５】
端末側送信部３８は、端末側制御部３５の制御下において、各種情報（例えば、入力属性等）を携帯型電子装置１２の受信部３２へと送信する。
【００５６】
端末側受信部４０は、端末側制御部３５の制御下において、携帯型電子装置１２の送信部３０から送信される各種情報（例えば、個人認証の照合結果等）を受信する。そして、端末側受信部４０は、この受信した情報を内部記憶部４１に記憶する。
【００５７】
表示部４３は、個人認証作業にあたり、端末側制御部３５の制御下で、被認証者に向けた各種のメッセージを表示する。
【００５８】
次に、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）を参照して、属性記憶部２４を構成するＯＴＰ−ＲＯＭ４４の構造及び動作について説明する。
【００５９】
図３（Ａ）は、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４の断面構造を概略的に示す断面図である。ＯＴＰ−ＲＯＭ４４は、基板４６の第１主面４６ａ側に配置されている。ＯＴＰ−ＲＯＭ４４は、トランジスタ４８とキャパシタ５０とを主要な構成部品として備える。なお、基板４６は、好ましくは、例えばＳｉ基板とする。
【００６０】
トランジスタ４８は、ゲート５２、ドレイン５４、及びソース５６を備える。
【００６１】
ゲート５２は、ゲート酸化膜５２ａ及びゲート電極５２ｂがこの順序で第１主面４６ａ上に積層された構造体である。ここで、ゲート電極５２ｂは、他のトランジスタ４８，４８，・・・のゲート電極を兼ねている。ゲート電極５２ｂはワードラインＷＬとして機能する。ゲート酸化膜５２ａは、好ましくは、例えばシリコン酸化膜を材料とする。ゲート電極５２ｂは、好ましくは、例えばポリシリコンを材料とする。
【００６２】
ドレイン５４及びソース５６は、第１主面４６ａの表面近傍に所定導電型の不純物が拡散された領域である。ドレイン５４とソース５６との間には、第１主面４６ａ上にゲート５２が介在されている。
【００６３】
互いに隣接するトランジスタ４８，４８同士は、第１主面４６ａ上に形成されたフィールド酸化膜４９により、電気的に分離されている。
【００６４】
また、トランジスタ４８及びフィールド酸化膜４９を覆って、第１主面４６ａの全面には下層絶縁膜５８が形成されている。この下層絶縁膜５８を貫通してコンタクトプラグ６６ａ，６６ｂが形成されている。コンタクトプラグ６６ａは、トランジスタ４８のドレイン５４と、後述するコンタクトプラグ７０ａとの間を電気的に接続している。また、コンタクトプラグ６６ｂは、トランジスタ４８のソース５６と、後述するキャパシタ５０の下部電極６０との間を電気的に接続している。
【００６５】
キャパシタ５０は、下部電極６０、キャパシタ絶縁膜６２、及び上部電極６４を備える。キャパシタ５０は、下層絶縁膜５８上に形成されている。
【００６６】
下部電極６０は、下層絶縁膜５８上に形成された密着層６７上に形成されている。下部電極６０は、好ましくは、例えばＰｔを材料とする。また、密着層６７は、好ましくは、例えば酸化タンタルを材料とする。
【００６７】
キャパシタ絶縁膜６２は、下部電極６０を含み、下部電極６０よりも広い領域にわたって形成されている。つまり、キャパシタ絶縁膜６２は、下部電極６０よりも大面積となるようにパターニングされている。その結果、キャパシタ絶縁膜６２は、下部電極６０の上面６０ａだけではなく、下部電極６０の周囲の下層絶縁膜５８の上面５８ａ上にも延在する。よって、下部電極６０の段差部６０Ｅにおけるキャパシタ絶縁膜６２（以下、肉薄部６２ａと称する。）の膜厚は、平坦部分（例えば、上面６０ａ上）に比べて薄くなっている。この肉薄部６２ａの存在により、キャパシタ絶縁膜６２の絶縁耐圧は、後述する不揮発性ＲＡＭ７４よりも低くなっている。キャパシタ絶縁膜６２は、好ましくは、例えば強誘電体であるタンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ：Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ  Ｂｉｓｍｕｔｈ  Ｔａｎｔａｌａｔｅ）を材料とする。
【００６８】
上部電極６４は、キャパシタ絶縁膜６２上に形成されている。上部電極６４の平面形状はキャパシタ絶縁膜６２と合同である。上部電極６４は、好ましくは、例えばＰｔを材料とする。なお、以降、キャパシタ絶縁膜６２と上部電極６４とからなる構造体を積層体６３と称することもある。
【００６９】
下層絶縁膜５８の上面５８ａの全面には、キャパシタ５０を被覆して上層絶縁膜６８が形成されている。この上層絶縁膜６８を貫通して、コンタクトプラグ７０ａ，７０ｂが形成されている。コンタクトプラグ７０ａは、上述したコンタクトプラグ６６ａと、上層絶縁膜６８上に設けられた配線７２ａとの間を電気的に接続している。この配線７２ａはビットラインＢＬとして機能する。コンタクトプラグ７０ｂは、キャパシタ５０の上部電極６４と、上層絶縁膜６８上に設けられた配線７２ｂとの間を電気的に接続している。この配線７２ｂはプレートラインＰＬとして機能する。
【００７０】
次に、図３（Ｂ）を参照して、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４の動作について説明する。図３（Ｂ）は、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４のメモリセルＭＣ１の回路図である。なお、図３（Ｂ）中の符号ＳＡは、センスアンプである。
【００７１】
図３（Ｂ）を参照すると、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４に「１」のデータを書き込む際には、ワードラインＷＬに電圧を印加した状態で、ビットラインＢＬとプレートラインＰＬとの間に電圧を印加する。ところで、上述のように、肉薄部６２ａが存在する結果、キャパシタ絶縁膜６２の絶縁耐圧は低くなっている。そのため、ビットラインＢＬとプレートラインＰＬとの間に電圧を印加すると、キャパシタ絶縁膜６２が、肉薄部６２ａにおいて静電破壊し、上部電極６４と下部電極６０との間が電気的に導通する。これによりメモリセルＭＣ１に「１」が書き込まれる。
【００７２】
ＯＴＰ−ＲＯＭ４４からのデータを読み出す際には、ワードラインＷＬ及びプレートラインＰＬに電圧を印加した状態で、ビットラインＢＬから出力される電圧を検出する。メモリセルＭＣ１に「１」が書き込まれているときには、ビットラインＢＬには高電圧が出力される。一方、メモリセルＭＣ１に「０」が書き込まれているときには、ビットラインＢＬには低電圧が出力される。このようにしてＯＴＰ−ＲＯＭ４４からデータが読み出される。
【００７３】
上述の説明から明らかなように、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４は、キャパシタ絶縁膜６２の静電破壊を利用してメモリセルＭＣ１にデータを書き込む、いわゆる破壊書込型である。したがって、一度データを書き込んでしまえば、そのデータの消去、修正及び書き換えは不可能である。つまり、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４は非再書込型の記憶素子である。
【００７４】
次に、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参照して、履歴情報記憶部２６及び不正使用記憶部２８を構成する不揮発性ＲＡＭ７４の構造及び動作について説明する。
【００７５】
図４（Ａ）は、不揮発性ＲＡＭ７４の断面構造を概略的に示す断面図である。不揮発性ＲＡＭ７４は、キャパシタ７６の構造が異なっている以外は、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４と同構造及び同材料である。したがって、図４（Ａ）において、図３（Ａ）に対応する構成要素には同符号を付す。さらに、以下の記述では、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４との相違点を主に説明する。
【００７６】
キャパシタ７６は、下部電極７８、キャパシタ絶縁膜８０、及び上部電極８２を備える。
【００７７】
不揮発性ＲＡＭ７４では、キャパシタ絶縁膜８０及び上部電極８２の平面形状が、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４とは異なっている。つまり、不揮発性ＲＡＭ７４では、キャパシタ絶縁膜８０は、下部電極７８上に、下部電極７８よりも小面積となるようにパターニングされている。つまり、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４に形成された肉薄部６２ａは、不揮発性ＲＡＭ７４には形成されない。その結果、キャパシタ絶縁膜８０は、キャパシタ絶縁膜６２よりも高い絶縁耐圧を有することとなる。
【００７８】
また、上部電極８２の平面形状は、キャパシタ絶縁膜８０と合同である。なお、以降、キャパシタ絶縁膜８０と上部電極８２とからなる構造体を積層体８４と称することもある。
【００７９】
次に、図４（Ｂ）を参照して、不揮発性ＲＡＭ７４の動作について説明する。図４（Ｂ）は、不揮発性ＲＡＭ７４のメモリセルＭＣ２の回路図である。なお、図４（Ｂ）中の符号ＳＡは、センスアンプである。
【００８０】
図４（Ｂ）を参照すると、不揮発性ＲＡＭ７４に「１」のデータを書き込む際には、ワードラインＷＬに電圧を印加した状態で、ビットラインＢＬとプレートラインＰＬとの間に所定電圧を印加する。これにより、キャパシタ絶縁膜８０を構成するＳＢＴの分極方向がそろい、「１」がメモリセルＭＣ２に書き込まれる。同様に、「０」を書き込む場合には、ビットラインＢＬとプレートラインＰＬとの間の電圧を、「１」を書き込む場合とは逆にする。これにより、キャパシタ絶縁膜８０を構成するＳＢＴの分極方向が「１」の場合とは逆向きにそろい、「０」がメモリセルＭＣ２に書き込まれる。キャパシタ絶縁膜８０の分極方向は電力を供給しなくとも保持される。その結果、不揮発性ＲＡＭ７４では、電源を切っても記憶内容が保持される。
【００８１】
不揮発性ＲＡＭ７４からデータを読み出す際には、ワードラインＷＬに電圧を印加する。そして、プレートラインＰＬに正の電圧を印加して、ビットラインＢＬから出力される電圧を検出する。このとき、メモリセルＭＣ２に「１」が書き込まれていれば、キャパシタ絶縁膜８０の分極反転が生じ、ビットラインＢＬに高電圧が出力される。一方、メモリセルＭＣ１に「０」が書き込まれていれば、キャパシタ絶縁膜８０には分極反転が生じず、ビットラインＢＬに低電圧が出力される。このようにして不揮発性ＲＡＭ７４からデータが読み出される。
【００８２】
次に、図５及び図６を参照して、個人認証システム１０における、個人認証作業の流れを説明する。図５は、個人認証作業の工程段階を示すフローチャートである。図６は、認証端末１４と携帯型電子装置１２との間のデータのやり取りを示す概念図である。
【００８３】
なお、図５において、ステップ番号の下部に添えられた括弧付き文字は、そのステップが行われる箇所を表している。すなわち、（携）は、そのステップが携帯型電子装置１２で行われることを示す。また、（端）は、そのステップが認証端末１４で行われることを示す。また、（携→端）は、そのステップにおいて、携帯型電子装置１２から認証端末１４への情報の送信が行われることを示す。さらに、（端→携）は、認証端末１４から携帯型電子装置１２への情報の送信が行われることを示す。
【００８４】
図５を参照すると、ステップＳ１において、被認証者は、携帯型電子装置１２を認証端末１４にセットする。これにより、携帯型電子装置１２と認証端末１４との間に双方向の通信が確立する。双方向通信が確立すると、認証端末１４の端末側制御部３５は、端末側送信部３８を介して開始信号及び認証端末１４の端末番号を携帯型電子装置１２の受信部３２へと送信する（図６：Ａｒ１）。携帯型電子装置１２の制御部１６は、受信した開始信号をトリガとして、制御情報記憶部２２から認証作業に関するアプリケーションプログラムを読み出す。これにより、携帯型電子装置１２は、認証作業の実行待ち状態（待機状態）に遷移する。また、制御部１６は、認証端末１４の端末番号を、内部記憶部１７に一時的に記憶する。
【００８５】
そして、制御部１６は、読み出されたアプリケーションプログラムに従い、属性記憶部２４から装置ＩＤを読み出す。装置ＩＤの読み出し完了に応答して、送信部３０は、制御部１６の制御下で、認証端末１４の端末側受信部４０に、装置ＩＤとともに準備完了信号を送信する（図６：Ａｒ２）。
【００８６】
ステップＳ２において、端末側受信部４０が装置ＩＤ及び準備完了信号を受信すると、端末側制御部３５の制御下で、この装置ＩＤは内部記憶部４１に一時的に格納される。また、装置ＩＤの受信に応答して、認証端末１４の端末側制御部３５は、まず、装置ＩＤの確認を照合手段に指令する。すなわち、端末側制御部３５は、ネットワーク経由でホストコンピュータ中のデータベース３１にアクセスして、参照用装置ＩＤを読み出す。そして、この参照用装置ＩＤの読み出しに応答して、端末側ＣＰＵ３３の照合手段が、内部記憶部４１に格納された装置ＩＤと、データベース３１に登録されている参照用装置ＩＤとを照合する（図６：Ａｒ３）。
【００８７】
ステップＳ３において、装置ＩＤと参照用装置ＩＤとが一致する場合には、端末側制御部３５は、正当な携帯型電子装置１２が使用されていると判断する。この判断に応答して端末側ＣＰＵ３３は、フラグ生成手段において値が「１」のＩＤ照合フラグｆｌｇを生成する。このフラグ生成に応答して、端末側制御部３５の制御下で、端末側送信部３８は、携帯型電子装置１２の受信部３２に向けて、ＩＤ照合フラグｆｌｇ（＝１）を送信する（図６：Ａｒ４）。
【００８８】
一方、装置ＩＤの照合（ステップＳ２）において、装置ＩＤと参照用装置ＩＤとが不一致と判断された場合には、データベース３１中に装置ＩＤが登録されていないことを意味する。したがって、この場合、端末側制御部３５は、不正な携帯型電子装置１２が使用されていると判断する。そして、端末側制御部３５の制御下で、フラグ生成手段において値が「０」のＩＤ照合フラグｆｌｇを生成する。このＩＤ照合フラグｆｌｇの生成に応答して、端末側制御部３５の制御下で、端末側送信部３８は、携帯型電子装置１２の受信部３２に向けて、値が「０」のＩＤ照合フラグｆｌｇを送信する（図６：Ａｒ４）。
【００８９】
ステップＳ４においては、ＩＤ照合フラグｆｌｇの値いかんにかかわらず、端末側制御部３５は、端末側記憶部３７にアクセスして、被認証者に対して属性の入力要請を行う。すなわち、端末側制御部３５は、端末側記憶部３７にあらかじめ記憶されている属性入力要請メッセージを読み出し、このメッセージを認証端末１４の表示部４３に表示させる。被認証者は、このメッセージに従い、属性読み取り装置３４を介して認証端末１４へと被認証者の属性（例えば、指紋パターン等）を入力する。
【００９０】
ステップＳ５において、端末側制御部３５は、属性読み取り装置３４から入力された属性、すなわち入力属性を、内部記憶部４１に一時的に記憶させる。そして、端末側制御部３５の制御下で、端末側送信部３８は、記憶された入力属性を携帯型電子装置１２の受信部３２へと送信する（図６：Ａｒ５）。
【００９１】
ステップＳ６においては、携帯型電子装置１２で、上述したＩＤ照合フラグｆｌｇの値による条件判断が行われる。すなわち、ＣＰＵ１５のフラグ判定手段により、ＩＤ照合フラグｆｌｇが「１」と判定される場合（正当使用時）には、制御部１６は、ステップＳ７の処理を指令する。なお、ステップＳ７については後述する。
【００９２】
それに対し、フラグ判定手段により、ＩＤ照合フラグｆｌｇが「０」と判定される場合（不正使用時）には、ステップＳ１６において、制御部１６は、送信部３０を介して、認証端末１４の端末側受信部４０に、装置ＩＤの照合結果が偽であることを示す信号を送信する（図６：Ａｒ６）。
【００９３】
そして、ステップＳ１７において、ＩＤ照合フラグが「０」との判定に応答して、制御部１６は、不正使用者の入力属性を不正使用記憶部２８に記憶する。その後、処理はステップＳ１５に移行する。
【００９４】
ステップＳ７において、制御部１６は、受信部３２で受信された入力属性を作業用記憶部２９に一時的に記憶する。
【００９５】
ステップＳ８において、制御部１６の制御下で、演算部１９は、属性照合用のアプリケーションプログラムを実行する。すなわち、照合部として作用する演算部１９で、作業用記憶部２９に記憶された入力属性と、属性記憶部２４に記憶されている原属性との照合作業を行う。
【００９６】
照合作業にあたり、制御部１６の制御下において、照合部は、制御情報記憶部２２に記憶されている原属性の特徴点テーブル２３を読み出す。そして、照合部は、読み出された特徴点テーブル２３を参照し、特徴点ごとに、入力属性と原属性の照合を行う。
【００９７】
ステップＳ９において、入力属性と原属性との一致又は不一致により、それ以降の処理が分かれる。なお、ここで説明する構成例において、「一致」とは、入力属性の特徴点と原属性の特徴点とが、設計に応じて任意好適な値として定めたしきい値以上の個数で合致することをいう。逆に「不一致」とは、特徴点の合致個数がしきい値未満であることをいう。したがって、照合部は、個々の特徴点の合致又は非合致を判断するとともに、特徴点の合致個数を計数し、この計数結果に応じた照合結果を出力する。
【００９８】
照合の結果、入力属性と原属性とが一致した場合（照合結果が真の場合）には、一致信号に応答して、制御部１６の指令にしたがって、ステップＳ１０〜Ｓ１２の処理が行われる。一方、入力属性と原属性とが一致しない場合（照合結果が偽の場合）には、不一致信号に応答して、制御部１６の指令にしたがって、ステップＳ１３〜Ｓ１５の処理が行われる。
【００９９】
ステップＳ１０において、照合結果が真であることを受けて、制御部１６の制御下で、送信部３０は、認証端末１４の端末側受信部４０に、この照合結果（一致信号）を送信する（図６：Ａｒ６）。
【０１００】
そして、ステップＳ１１において、制御部１６からの指令により、ＣＰＵ１５は、時計手段１３から、例えば日付や時刻を読み取るとともに、内部記憶部１７から、対応する認証端末１４の端末番号を読み取る。そして、ＣＰＵ１５は、これらの日付、時刻及び端末番号を履歴情報記憶部２６に書き込む。
【０１０１】
そして、ステップＳ１２において、端末側受信部４０が真の照合結果（一致信号）を受信すると、端末側制御部３５は、認証端末１４を制御して、被認証者が本人である場合の処理を継続する。例えば、ＡＴＭの場合であれば、出金を許可する。そして、所定の処理の実行後、認証作業を終了する。
【０１０２】
ステップＳ１３においては、照合結果が偽である場合、つまり、被認証者が不正使用者である場合の処理が行われる。つまり、制御部１６の制御下で、送信部３０は、認証端末１４の端末側受信部４０に、この照合結果（不一致信号）を送信する（図６：Ａｒ６）。
【０１０３】
ステップＳ１４において、不一致信号の送信に応答して、制御部１６の制御下で、ＣＰＵ１５は、作業用記憶部２９に記憶されている入力属性を不正使用記憶部２８に転写する。これにより、不正使用記憶部２８に、不正使用者の属性が記憶される。
【０１０４】
ステップＳ１５において、照合結果が偽であること（不一致信号）を受信した端末側制御部３５は、認証端末１４がわの処理を停止する。例えば、ＡＴＭの場合であれば、出金を拒絶する。そして、認証作業を終了する。
【０１０５】
次に、この実施の形態の個人認証システム１０、携帯型電子装置１２及び個人認証方法の奏する効果について説明する。
【０１０６】
個人認証システム１０、携帯型電子装置１２及び上述した個人認証方法では、被認証者の属性を、携帯型電子装置１２の非再書込型のＯＴＰ−ＲＯＭ４４（属性記憶部２４）に記憶する。したがって、携帯型電子装置１２に記憶されている属性の改ざんを完全に防止できる。
【０１０７】
また、個人認証システム１０、携帯型電子装置１２及び上述した個人認証方法では、不正使用が試みられた場合には、不正使用者の入力属性を不正使用記憶部２８に記憶する（図５：Ｓ１４及びＳ１７）。よって、不正使用に用いられた携帯型電子装置１２から、不正使用者の属性を得ることができる。よって、不正使用記憶部２８に記憶された属性を不正使用者の特定に役立てることができる。
【０１０８】
さらに、個人認証システム１０、携帯型電子装置１２及び上述した個人認証方法では、装置ＩＤと属性との組合せで、不正使用か否かを判断する。よって、正当使用者の保持する携帯型電子装置１２の装置ＩＤのみをホストコンピュータのデータベース３１に登録しておくことにより、不正使用の可能性をより一層低減できる。つまり、不正使用者が属性未書込みの携帯型電子装置１２を盗み、自らの属性を書き込んだとしても、装置ＩＤをデータベース３１内の参照用装置ＩＤと照合することにより、不正使用を防止できる。
【０１０９】
また、個人認証システム１０、携帯型電子装置１２及び上述した個人認証方法では、携帯型電子装置１２の制御部１６において照合作業を行う。したがって、属性記憶部２４に記憶された原属性が外部に漏えいすることがない。その結果、属性の機密性を高めることができる。
【０１１０】
なお、属性としては、被認証者に固有の生体属性を用いることができる。例えば、指紋パターンや、手のひら等の静脈パターンや、虹彩パターンや、声紋等を用いることができる。
【０１１１】
また、この実施の形態では、属性記憶部２４として破壊書込型のＯＴＰ−ＲＯＭ４４を用いる場合を例示した。しかし、非破壊書込型であっても、一度データを書き込んだ後のデータ書換えが不可能な素子であれば、属性記憶部２４として用いることができる。
【０１１２】
（実施の形態２）
図７〜図９を参照して、この発明の個人認証システムの実施の形態２の構成例について説明する。あわせて、携帯型電子装置及び個人認証方法についても説明する。図７は、個人認証システムの機能ブロック図である。図８は、個人認証作業の工程を説明するためのフローチャートである。図９は、認証端末と携帯型電子装置との間のデータのやり取りを示す概念図である。
【０１１３】
この実施の形態の個人認証システム９０は、照合作業が認証端末９４で行われる以外は、実施の形態１の個人認証システム１０と同様の構成である。したがって、図７において、図１と同様の構成要素には同符号を付し、その説明を省略する。
【０１１４】
図７を参照すると、個人認証システム９０は、携帯型電子装置９２と認証端末９４とを備える。
【０１１５】
携帯型電子装置９２は、ＣＰＵ９７と、記憶部９８と、送受信部２０と、時計手段１３とを備える。
【０１１６】
ＣＰＵ９７は、制御部１６と同様な制御部９６と、演算部１９と同様な演算部９５と、内部記憶部１７と同様な内部記憶部９９とを備えている。ＣＰＵ９７は、データバスにより記憶部９８、送受信部２０及び時計手段１３と接続されている。
【０１１７】
制御部９６は、個人認証作業にあたり、アプリケーションプログラムにしたがって携帯型電子装置９２の動作全体を制御する。
【０１１８】
内部記憶部９９は、ＣＰＵ９７の動作時に発生した情報などを一時的に格納する。
【０１１９】
演算部９５は、アプリケーションプログラムの実行などのＣＰＵ９７の動作に当たり、各種の機能手段として作用する。これらの機能手段の一つが照合部である。なお、照合部については後述する。
【０１２０】
つまり、ＣＰＵ９７は、アプリケーションプログラムを実行することにより、認証端末９４と協働して個人認証作業を実行する。
【０１２１】
記憶部９８は、記憶領域として、制御情報記憶部１０２と、属性記憶部２４と、履歴情報記憶部２６と、不正使用記憶部２８とを備える。
【０１２２】
制御情報記憶部１０２は、制御部９６上で動作するアプリケーションプログラムが記憶されている。なお、実施の形態１の制御情報記憶部２２とは異なり、制御情報記憶部１０２は、特徴点テーブル２３を備えていない。
【０１２３】
なお、個人認証システム９０は、認証作業を認証端末９４がわで実施する。したがって、記憶部９８は、認証作業に用いる作業用記憶部２９を備えていない。
【０１２４】
なお、属性記憶部２４、履歴情報記憶部２６、及び不正使用記憶部２８、並びに、送受信部２０は、実施の形態１の携帯型電子装置１２と同様の構成である。
【０１２５】
認証端末９４は、端末側ＣＰＵ１１５と、端末側記憶部１１３と、属性読み取り装置３４と、端末側送受信部３６と、表示部４３とを備える。
【０１２６】
端末側ＣＰＵ１１５は、端末側制御部３５と同様な端末側制御部１１７と、演算部３９と同様な演算部１１６と、内部記憶部４１と同様な内部記憶部１１８とを備える。
【０１２７】
端末側制御部１１７は、端末側記憶部１１３に記憶されているアプリケーションプログラムにしたがって、認証端末９４の動作全体を制御する。
【０１２８】
内部記憶部１１８は、端末側ＣＰＵ１１５の動作時に発生した情報などを一時的に格納する。
【０１２９】
演算部１１６は、アプリケーションプログラムの実行などの端末側ＣＰＵ１１５の動作に当たり、各種の機能手段として作用する。機能手段としては、例えば、照合部、照合手段、フラグ生成手段、及びフラグ判定手段等が含まれる。
【０１３０】
つまり、端末側ＣＰＵ１１５は、端末側記憶部１１３に記憶されているアプリケーションプログラムを実行することによって、携帯型電子装置９２と協働して、照合作業を含む個人認証作業を実行する。
【０１３１】
端末側記憶部１１３は、制御情報記憶部１１９と、作業用記憶部１２１とを備える。
【０１３２】
制御情報記憶部１１９は、ＲＯＭからなる。制御情報記憶部１１９には、端末側制御部１１７上で動作するアプリケーションプログラムが、あらかじめ記憶されている。このアプリケーションプログラムは、後述する認証作業時に認証端末９４の演算部１１６を機能手段として制御するためのものである。また、制御情報記憶部１１９は、照合作業時に端末側制御部１１７が参照する特徴点テーブル２３を、あらかじめ記憶して備えている。なお、特徴点テーブル２３は実施の形態１と同様の構成である。
【０１３３】
作業用記憶部１２１は、記憶領域として、第１メモリ１２１ａと第２メモリ１２１ｂとを備える。
【０１３４】
第１メモリ１２１ａは、ＤＲＡＭからなる。第１メモリ１２１ａには、照合作業時に、携帯型電子装置９２から受信された原属性が一時的に記憶される。
【０１３５】
第２メモリ１２１ｂは、ＤＲＡＭからなる。第２メモリ１２１ｂには、照合作業時に、属性読み取り装置３４から入力された入力属性が一時的に記憶される。
【０１３６】
なお、属性読み取り装置３４、端末側送受信部３６及び表示部４３は、実施の形態１の認証端末１４と同様の構成である。また、認証端末９４には、実施の形態１と同様の通信部（図示せず）が設けられており、ホストコンピュータの参照用装置ＩＤデータベース３１との間で情報のやり取りを行う。
【０１３７】
次に、図８及び図９を参照して、個人認証システム９０における、個人認証作業の流れを説明する。図８は、個人認証作業の工程段階を示すフローチャートである。図９は、認証端末９４と携帯型電子装置９２との間のデータのやり取りを示す概念図である。なお、図８のステップ番号の下部に添えられた（携）、（端）、（携→端）及び（端→携）の意味は、図５の場合と同様である。
【０１３８】
図８を参照すると、ステップＳ２１において、被認証者は、携帯型電子装置９２を認証端末９４にセットする。これにより、認証端末９４と携帯型電子装置９２との間に双方向の通信が確立する。双方向の通信が確立すると、認証端末９４の端末側制御部１１７は、端末側送信部３８を介して開始信号及び認証端末９４の端末番号を携帯型電子装置９２の受信部３２へと送信する（図９：Ａｒ１１）。携帯型電子装置９２の制御部９６は、この開始信号をトリガとして、制御情報記憶部１０２から認証作業に関するアプリケーションプログラムを読み出す。これにより、携帯型電子装置９２は、認証作業の実行待ち状態（待機状態）に遷移する。また、制御部９６は、認証端末９４の端末番号を、内部記憶部９９に一時的に記憶する。
【０１３９】
そして、制御部９６は、読み出されたアプリケーションプログラムに従い、属性記憶部２４から装置ＩＤ及び原属性を読み出す。装置ＩＤ及び原属性の読み出し完了に応答して、送信部３０は、制御部９６の制御下で、認証端末９４の端末側受信部４０に、装置ＩＤ、原属性及び準備完了信号を送信する（図９：Ａｒ１２）。
【０１４０】
ステップＳ２２において、端末側受信部４０が、装置ＩＤ、原属性及び準備完了信号を受信すると、端末側制御部１１７の制御下で、端末側ＣＰＵ１１５は、受信した原属性を、作業用記憶部１２１の第１メモリ１２１ａに一時的に記憶する。
【０１４１】
そして、ステップＳ２３において、受信された装置ＩＤは、内部記憶部１１８に一時的に格納される。また、装置ＩＤの受信に応答して、認証端末９４の端末側制御部１１７は、まず、装置ＩＤの確認を照合手段に指令する。端末側制御部１１７は、ネットワーク経由でホストコンピュータ中のデータベース３１にアクセスして、参照用装置ＩＤを読み出す。そして、この参照用装置ＩＤの読み出しに応答して、端末側ＣＰＵ１１５の照合手段が、内部記憶部１１８に格納された装置ＩＤと、データベース３１に登録されている参照用装置ＩＤとを照合する（図９：Ａｒ１３）。
【０１４２】
ステップＳ２４において、装置ＩＤと参照用装置ＩＤとが一致する場合には、端末側制御部１１７は、正当な携帯型電子装置９２が使用されていると判断する。この判断に応答して端末側ＣＰＵ１１５は、フラグ生成手段において値が「１」のＩＤ照合フラグｆｌｇを生成する。そして、端末側制御部１１７の制御下で、このＩＤ照合フラグ（＝１）を内部記憶部１１８に記憶する。それに対し、装置ＩＤと参照用装置ＩＤとが不一致と判断された場合には、データベース３１中に装置ＩＤが登録されていないことを意味する。したがって、この場合、端末側制御部１１７は、不正な携帯型電子装置９２が使用されていると判断する。そして、端末側制御部１１７の制御下で、フラグ生成手段において値が「０」のＩＤ照合フラグｆｌｇを生成する。そして、端末側制御部１１７の制御下で、このＩＤ照合フラグ（＝０）を内部記憶部１１８に記憶する。
【０１４３】
ステップＳ２５においては、ＩＤ照合フラグｆｌｇの値いかんにかかわらず、端末側制御部１１７は、端末側記憶部１１３にアクセスして、被認証者に対して属性の入力要請を行う。すなわち、端末側制御部１１７は、端末側記憶部１１３にあらかじめ記憶されている属性入力要請メッセージを読み出し、このメッセージを認証端末９４の表示部４３に表示させる。被認証者は、このメッセージに従い、属性読み取り装置３４を介して認証端末９４へと被認証者の属性（例えば、指紋パターン等）を入力する。
【０１４４】
ステップＳ２６において、端末側制御部１１７は、属性読み取り装置３４から入力された属性、すなわち入力属性を、作業用記憶部１２１の第２メモリ１２１ｂに一時的に記憶する。
【０１４５】
ステップＳ２７において、認証端末９４で、上述したＩＤ照合フラグｆｌｇの値による条件判断が行われる。すなわち、端末側ＣＰＵ１１５のフラグ判定手段により、ＩＤ照合フラグｆｌｇが「１」と判定される場合（正当使用時）には、端末側制御部１１７は、ステップＳ２８の処理を指令する。なお、ステップＳ２８については後述する。
【０１４６】
それに対し、ＩＤ照合フラグが「０」と判定される場合（不正使用時）には、ステップＳ３６において、端末側制御部１１７は、端末側送信部３８を介して、携帯型電子装置９２の受信部３２に、装置ＩＤの照合結果（偽）と不正使用者の入力属性とを送信する（図９：Ａｒ１４）。
【０１４７】
そして、ステップＳ３７において、ＩＤ照合フラグが「０」との判定に応答して、入力属性を受信した携帯型電子装置９２の制御部９６は、この入力属性を不正使用記憶部２８に記憶する。その後、処理はステップＳ３５に移行する。
【０１４８】
ステップＳ２８において、端末側制御部１１７の制御下で、演算部１１６は、属性照合用のアプリケーションプログラムを実行する。すなわち、照合部として作用する演算部１１６で、第２メモリ１２１ｂに記憶された入力属性と、第１メモリ１２１ａに記憶されている原属性との照合作業を行う。
【０１４９】
照合作業にあたり、端末側制御部１１７の制御下において、照合部は、制御情報記憶部１１９に記憶されている原属性の特徴点テーブル２３を読み出す。そして、照合部は、読み出された特徴点テーブルを参照し、特徴点ごとに、入力属性と原属性の照合を行う。
【０１５０】
ステップＳ２９においては、入力属性と原属性との一致又は不一致により、それ以降の処理が分かれる。なお、「一致」及び「不一致」の意味は、実施の形態１と同様である。
【０１５１】
照合の結果、入力属性と原属性とが一致した場合（照合結果が真の場合）には、一致信号に応答して、端末側制御部１１７の指令にしたがって、ステップＳ３０〜Ｓ３２の処理が行われる。一方、入力属性と原属性とが一致しない場合（照合結果が偽の場合）には、端末側制御部１１７の指令にしたがって、ステップＳ３３〜Ｓ３５の処理が行われる。
【０１５２】
ステップＳ３０において、照合結果が真であることを受けて、端末側制御部１１７の制御下で、端末側送信部３８は、携帯型電子装置９２の受信部３２に、この照合結果（一致信号）を送信する（図９：Ａｒ１４）。
【０１５３】
そして、ステップＳ３１において、携帯型電子装置９２の制御部９６の指令により、ＣＰＵ９７は、時計手段１３から、例えば日付や時刻を読み取るとともに、内部記憶部９９から、対応する認証端末９４の端末番号を読み取る。そして、ＣＰＵ９７は、これらの日付、時刻及び端末番号を履歴情報記憶部２６に書き込む。
【０１５４】
そして、ステップＳ３２において、端末側制御部１１７は、認証端末９４を制御して、被認証者が本人である場合の処理を続行する。例えば、ＡＴＭの場合であれば、出金を許可する。そして、所定の処理の実行後、認証作業を終了する。
【０１５５】
ステップＳ３３においては、照合結果が偽である場合、つまり、被認証者が不正使用者である場合の処理が行われる。つまり、端末側制御部１１７の制御下で、端末側送信部３８は、携帯型電子装置９２の受信部３２に、この照合結果（不一致信号）と、不正使用者の入力属性とを送信する（図９：Ａｒ１４）。
【０１５６】
ステップＳ３４において、不一致信号に応答して、携帯型電子装置９２の制御部９６は、携帯型電子装置９２から受信した入力属性を、不正使用記憶部２８に記憶する。これにより、不正使用記憶部２８に、不正使用者の属性が記憶される。
【０１５７】
ステップＳ３５において、照合結果が偽であることを受けて、認証端末９４の端末側制御部１１７は、認証端末９４がわの処理を停止する。そして、認証作業を終了する。
【０１５８】
次に、この実施の形態の個人認証システム９０、携帯型電子装置９２及び個人認証方法の奏する効果について説明する。
【０１５９】
個人認証システム９０、携帯型電子装置９２及び上述した個人認証方法では、被認証者の原属性を、携帯型電子装置９２の非再書込型のＯＴＰ−ＲＯＭ４４（属性記憶部２４）に記憶する。したがって、携帯型電子装置９２に記憶されている属性の改ざんを完全に防止できる。
【０１６０】
また、個人認証システム９０、携帯型電子装置９２及び上述した個人認証方法では、不正使用が試みられた場合には、不正使用者の入力属性を不正使用記憶部２８に記憶する。よって、不正使用に用いられた携帯型電子装置９２から、不正使用者の属性を得ることができる。よって、この属性を不正使用者の特定に役立てることができる。
【０１６１】
さらに、個人認証システム９０、携帯型電子装置９２及び上述した個人認証方法では、装置ＩＤと属性とで、不正使用か否かを判断する。よって、正当使用者の保持する携帯型電子装置９２の装置ＩＤのみを、ホストコンピュータのデータベース３１に登録しておくことにより、不正使用の可能性をより一層低減できる。つまり、不正使用者が属性未書込みの携帯型電子装置９２を盗み、自らの属性を書き込んだとしても、装置ＩＤをデータベース３１内の参照用装置ＩＤと照合することにより、不正使用を防止できる。
【０１６２】
また、個人認証システム９０、及び上述した個人認証方法では、認証端末９４の端末側制御部１１７において照合作業を行う。ところで、一般に、ＩＣカード等の携帯型電子装置９２に用いられるＣＰＵ９７の処理速度よりも、認証端末９４に用いられるＣＰＵ１１５の処理速度の方が速い。よって、この実施の形態の個人認証システム９０、及び上述した個人認証方法は、実施の形態１に比較してより短時間で個人認証作業を完了することができる。
【０１６３】
なお、属性としては、被認証者に固有の生体属性を用いることができる。例えば、指紋パターンや、手のひら等の静脈パターンや、虹彩パターンや、声紋等を用いることができる。
【０１６４】
また、この実施の形態では、属性記憶部２４として破壊書込型のＯＴＰ−ＲＯＭ４４を用いる場合を例示した。しかし、非破壊書込型であっても、一度データを書き込んだ後のデータ書換えが不可能な素子であれば、属性記憶部２４として用いることができる。
【０１６５】
（実施の形態３）
図１０〜図１３を参照して、実施の形態３の半導体装置の製造方法について説明する。
【０１６６】
図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、半導体装置の製造工程における主要段階を抜き出して概略的に示す断面図である。図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、図１０（Ｂ）に続く、主要段階を抜き出して概略的に示す断面図である。図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、図１１（Ｂ）に続く、主要段階を抜き出して概略的に示す断面図である。図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、図１２（Ｂ）に続く、主要段階を抜き出して概略的に示す断面図である。
【０１６７】
この半導体装置２００は、上述した携帯型電子装置１２及び９２に用いられるものである。半導体装置２００は、属性記憶部２４を構成するＯＴＰ−ＲＯＭ４４（図３（Ａ））と、履歴情報記憶部２６及び不正使用記憶部２８を構成する不揮発性ＲＡＭ７４（図４（Ａ））とを備えている。
【０１６８】
図３（Ａ）及び図４（Ａ）を比較すると、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４と不揮発性ＲＡＭ７４とは、キャパシタ５０及び７６の平面形状が異なっている以外は、同様の構造及び材料である。したがって、両者４４及び７４を同時に作成できる。
【０１６９】
そこで、以下の説明においては、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４及び不揮発性ＲＡＭ７４を同一工程で製造する方法について説明する。なお、以下の説明において、図３（Ａ）及び図４（Ａ）と同一の構成要素には同符号を付し、その説明を省略する。
【０１７０】
（第１工程）：図１０（Ａ）
まず、基板４６の第１主面４６ａがわの全面に、好ましくは、例えば約３５ｎｍの厚みの下地酸化膜１２２を形成する。より詳細には、約８５０℃の温度において、第１主面４６ａ熱酸化を行い、シリコン酸化膜からなる下地酸化膜１２２を形成する。
【０１７１】
その後、下地酸化膜１２２上に、好ましくは、例えば約１００ｎｍの厚みのシリコン窒化膜１２４を形成する。より詳細には、約７５０℃の温度において、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりシリコン窒化膜１２４を形成する。
【０１７２】
その後、フォトリソグラフィ及びエッチングを行うことで、トランジスタ４８，４８の形成予定領域の外側に存在するシリコン窒化膜１２４を除去する。
【０１７３】
（第２工程）：図１０（Ｂ）
その後、トランジスタ４８，４８の形成予定領域１２６，１２６の外側の第１主面４６ａに、好ましくは、例えば約４００ｎｍの厚みのフィールド酸化膜４９を形成する。より詳細には、約１０００℃の温度において、水蒸気酸化を行うことで、フィールド酸化膜４９を形成する。
【０１７４】
続いて、下地酸化膜１２２及びシリコン窒化膜１２４を公知の方法で除去する。これにより、基板４６の第１主面４６ａがわには、第１主面４６ａが露出したトランジスタ形成予定領域１２６，１２６が形成される。
【０１７５】
（第３工程）：図１１（Ａ）
その後、トランジスタ形成予定領域１２６，１２６の表面に、好ましくは、例えば約１０ｎｍの厚みのシリコン酸化膜を形成する。より詳細には、約８５０℃の温度で熱酸化を行うことで、シリコン酸化膜を形成する。このシリコン酸化膜は、ゲート酸化膜５２ａの前駆体である。
【０１７６】
その後、基板４６の第１主面４６ａがわの全面に、好ましくは、例えば約２００ｎｍポリシリコン膜を形成する。より詳細には、ＳｉＨ４とＰＨ３とを所望の比率で混合した原料ガスを用い、圧力が約０．１Ｔｏｒｒ、及び温度が約６００℃の条件で、減圧ＣＶＤ法により、Ｐがドープされたポリシリコン膜を形成する。このポリシリコン膜は、ゲート電極５２ｂの前駆体である。
【０１７７】
そして、ゲート５２の形成予定領域の外側に存在する上述のシリコン酸化膜及びポリシリコン膜を、フォトリソグラフィ及びエッチングにより除去する。その結果、シリコン酸化膜及びポリシリコン膜はパターニングされて、それぞれゲート酸化膜５２ａ及びゲート電極５２ｂとなる。これにより、ゲート５２，５２が形成される。
【０１７８】
その後、ゲート５２，５２をマスクとした不純物のイオン注入を行う。これにより、ドレイン５４及びソース５６の形成予定領域に不純物が導入される。その後、約９００℃の温度で、約３０秒間ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を行う。これにより、不純物が活性化され、ドレイン５４及びソース５６が形成され、トランジスタ４８，４８が完成する。
【０１７９】
（第４工程）：図１１（Ｂ）
その後、基板４６の第１主面４６ａがわの全面に、トランジスタ４８，４８を被覆して、好ましくは、例えば約８００ｎｍの厚みの下層絶縁膜５８を形成する。より詳細には、約８００℃の温度で常圧ＣＶＤ法により、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ  Ｐｈｏｓｐｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）からなる下層絶縁膜５８を形成する。
【０１８０】
その後、下層絶縁膜５８を貫通するコンタクトプラグ６６ａ，６６ｂを形成する。より詳細には、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、コンタクトプラグ６６ａ，６６ｂの形成予定領域に存在する下層絶縁膜５８を除去して、コンタクトホールを形成する。そして、このコンタクトホールにＷを埋め込む。すなわち、原料ガスとしてＷＦ６を用いたＣＶＤ法により、温度約３００℃において、第１主面４６ａがわの全面に、厚み約１μｍのＷ膜を堆積する。そして、このＷ膜を、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により下層絶縁膜５８の上面までエッチバックすることで、コンタクトプラグ６６ａ，６６ｂを形成する。
【０１８１】
（第５工程）：図１２（Ａ）
その後、基板４６の第１主面４６ａがわの全面に、スパッタ法により、好ましくは、例えば約５０ｎｍの酸化タンタル膜を形成する。この酸化タンタル膜は、密着層６７の前駆体である。
【０１８２】
その後、この酸化タンタル膜の全面に、スパッタ法により、好ましくは、例えば約１５０ｎｍのＰｔ膜を形成する。このＰｔ膜は、下部電極６０，７８の前駆体である。
【０１８３】
そして、下部電極６０及び７８の形成予定領域外の酸化タンタル膜とＰｔ膜とをフォトリソグラフィ及びエッチングにより除去する。これにより、酸化タンタル膜はパターニングされて密着層６７となる。また、Ｐｔ膜は、パターニングされて、下部電極６０及び７８となる。
【０１８４】
（第６工程）：図１２（Ｂ）
その後、下部電極６０及び７８を被覆して、第１主面４６ａがわの全面に、好ましくは、例えば約１２０ｎｍのＳＢＴ膜１２８を形成する。より詳細には、原料金属（Ｓｒ、Ｂｉ及びＴａ）を含むゾルゲル液をスピンコートにより塗布した後、約３００℃の温度で乾燥する工程を所定回数繰り返して所望の膜厚のＳＢＴ前駆膜を形成する。そして、好ましくは、例えば約７００℃の温度で、このＳＢＴ前駆膜を焼成することにより、結晶化したＳＢＴ膜１２８を形成する。このＳＢＴ膜１２８は、キャパシタ絶縁膜６２及び８０の前駆体である。なお、ＳＢＴ膜１２８は、ＣＶＤ法により形成してもよい。
【０１８５】
その後、このＳＢＴ膜１２８の全面に、スパッタ法により、好ましくは、例えば約２００ｎｍのＰｔ膜１３０を形成する。このＰｔ膜１３０は、上部電極６４，８２の前駆体である。これにより、ＳＢＴ膜１２８上にＰｔ膜１３０が積層された積層体１３２が形成される。
【０１８６】
（第７工程）：図１３（Ａ）
その後、不揮発性ＲＡＭ７４の形成予定領域１３４及びＯＴＰ−ＲＯＭ４４の形成予定領域１３６において、積層体１３２を同時にパターニングして、それぞれ不揮発性ＲＡＭ７４及びＯＴＰ−ＲＯＭ４４を形成する。
【０１８７】
より詳細には、不揮発性ＲＡＭ７４の形成予定領域１３４では、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、下部電極７８よりも小面積の積層体１３２を下部電極７８上に残留させる。これにより、下部電極７８、キャパシタ絶縁膜８０、及び上部電極８２からなるキャパシタ７６と、トランジスタ４８とを備えた不揮発性ＲＡＭ７４が形成される。なお、この工程がＲＡＭ形成工程に対応する。
【０１８８】
ＲＡＭ形成工程と同時に、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４の形成予定領域１３６では、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、下部電極６０を含み、下部電極６０よりも大面積の積層体１３２を下部電極６０上に残留させる。これにより、下部電極６０の段差部６０Ｅにおいて、キャパシタ絶縁膜６２（ＳＢＴ膜１２８）には、他の部分に比べて膜厚が薄い肉薄部６２ａが形成される。これにより、下部電極６０、キャパシタ絶縁膜６２、及び上部電極６４からなるキャパシタ５０と、トランジスタ４８とを備えたＯＴＰ−ＲＯＭ４４が形成される。なお、この工程がＲＯＭ形成工程に対応する。
【０１８９】
（第８工程）：図１３（Ｂ）
その後、公知の方法にしたがって、上層絶縁膜６８、コンタクトプラグ７０ａ，７０ｂ及び配線７２ａ，７２ｂを形成する。
【０１９０】
これにより、半導体装置２００が完成する。
【０１９１】
次に、半導体装置２００の製造方法の奏する効果について説明する。
【０１９２】
この半導体装置２００の製造方法では、ＯＴＰ−ＲＯＭ４４と、強誘電体材料であるＳＢＴを用いた不揮発性ＲＡＭ７４とを同じプロセスで製造することができる。したがって、２種類の記憶素子（ＯＴＰ−ＲＯＭ４４及び不揮発性ＲＡＭ７４）をＩＣチップ４２（図２）に製造するに当たり、工程が増加することがない。
【図面の簡単な説明】
【０１９３】
【図１】実施の形態１の個人認証システムの機能ブロック図である。
【図２】実施の形態１の携帯型電子装置の構成要素のＩＣチップ内における機能手段の配置例を示す模式図である。
【図３】（Ａ）は、ＯＴＰ−ＲＯＭの断面構造を概略的に示す断面図である。（Ｂ）は、ＯＴＰ−ＲＯＭのメモリセルの回路図である。
【図４】（Ａ）は、不揮発性ＲＡＭの断面構造を概略的に示す断面図である。（Ｂ）は、不揮発性ＲＡＭのメモリセルの回路図である。
【図５】実施の形態１における個人認証作業の工程を説明するためのフローチャートである。
【図６】実施の形態１における認証端末と携帯型電子装置との間のデータのやり取りを示す概念図である。
【図７】実施の形態２の個人認証システムの機能ブロック図である。
【図８】実施の形態２における個人認証作業の工程を説明するためのフローチャートである。
【図９】実施の形態２における認証端末と携帯型電子装置との間のデータのやり取りを示す概念図である。
【図１０】（Ａ）及び（Ｂ）は、半導体装置の製造工程における主要段階を抜き出して概略的に示す断面図である。
【図１１】（Ａ）及び（Ｂ）は、図１０（Ｂ）に続く、半導体装置の製造工程における主要段階を抜き出して概略的に示す断面図である。
【図１２】（Ａ）及び（Ｂ）は、図１１（Ｂ）に続く、半導体装置の製造工程における主要段階を抜き出して概略的に示す断面図である。
【図１３】（Ａ）及び（Ｂ）は、図１２（Ｂ）に続く、半導体装置の製造工程における主要段階を抜き出して概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０１９４】
１０  個人認証システム
１２  携帯型電子装置
１３  時計手段
１４  認証端末
１５  ＣＰＵ
１６  制御部
１７  内部記憶部
１８  記憶部
１９  演算部
２０  送受信部
２２  制御情報記憶部
２３  特徴点テーブル
２４  属性記憶部
２６  履歴情報記憶部
２８  不正使用機億部
２９  作業用記憶部
３０  送信部
３１  参照用装置ＩＤデータベース
３２  受信部
３３  端末側ＣＰＵ
３４  属性読み取り装置
３５  端末側制御部
３６  端末側送受信部
３７  端末側記憶部
３８  端末側送信部
３９  演算部
４０  端末側受信部
４１  内部記憶部
４２  ＩＣチップ
４３  表示部
４４  ＯＴＰ−ＲＯＭ
４６  基板
４６ａ  第１主面
４８  トランジスタ
４９  フィールド酸化膜
５０  キャパシタ
５２  ゲート
５２ａ  ゲート酸化膜
５２ｂ  ゲート電極
５４  ドレイン
５６  ソース
５８  下層絶縁膜
５８ａ  上面
６０  下部電極
６０ａ  上面
６０Ｅ  段差部
６２  キャパシタ絶縁膜
６２ａ  肉薄部
６３  積層体
６４  上部電極
６６ａ，６６ｂ  コンタクトプラグ
６７  密着層
６８  上層絶縁膜
７０ａ，７０ｂ  コンタクトプラグ
７２ａ，７２ｂ  配線
７４  不揮発性ＲＡＭ
７６  キャパシタ
７８  下部電極
８０  キャパシタ絶縁膜
８２  上部電極
８４  積層体
９０  個人認証システム
９２  携帯型電子装置
９４  認証端末
９５  演算部
９６  制御部
９７  ＣＰＵ
９８  記憶部
９９  内部記憶部
１０２  制御情報記憶部
１１３  端末側記憶部
１１５  端末側ＣＰＵ
１１６  演算部
１１７  端末側制御部
１１８  内部記憶部
１１９  制御情報記憶部
１２１  作業用記憶部
１２１ａ  第１メモリ
１２１ｂ  第２メモリ
１２２  下地酸化膜
１２４  シリコン窒化膜
１２６  トランジスタ形成予定領域
１２８  ＳＢＴ膜
１３０  Ｐｔ膜
１３２  積層体
１３４  不揮発性ＲＡＭの形成予定領域
１３６  ＯＴＰ−ＲＯＭの形成予定領域
２００  半導体装置
【図１】
2007233590.tif 000003
【図２】
2007233590.tif 000004
【図３】
2007233590.tif 000005
【図４】
2007233590.tif 000006
【図５】
2007233590.tif 000007
【図６】
2007233590.tif 000008
【図７】
2007233590.tif 000009
【図８】
2007233590.tif 000010
【図９】
2007233590.tif 000011
【図１０】
2007233590.tif 000012
【図１１】
2007233590.tif 000013
【図１２】
2007233590.tif 000014
【図１３】
2007233590.tif 000015