(57)【要約】【課題】２流体ノズルを用いて被処理物表面のパーティクルを除去する洗浄において、ミストの処理物への再付着を防止する。【解決手段】２流体ノズル５からミスト２１を供給して被処理物３表面に付着されたパーティクル２２を洗浄し、洗浄処理時に発生する飛散したミスト２１、液滴を吸着機構１４により吸着する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２流体ノズルからミストを供給して被処理物表面に付着されたパーティクルを洗浄し、
洗浄処理時に発生する飛散したミスト、液滴を吸着機構により吸着する
ことを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
前記吸着機構で吸着したミスト、液滴を吸引して排出する
ことを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
【請求項３】
被処理物を保持する保持ステージと、
前記被処理物表面に洗浄用のミストを供給する２流体ノズルと、
洗浄処理時に発生する飛散したミスト、液滴を吸着する吸着機構とを備えている
ことを特徴とする洗浄装置。
【請求項４】
前記吸着機構に吸着されたミスト、液滴を吸引して排出する吸引機構を備えている
ことを特徴とする請求項３記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記保持ステージ上の被処理物の表面と前記吸着機構との間隔を制御する昇降機構を備えている
ことを特徴とする請求項３記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記吸着機構の被処理物に対向する側の面が親水性面に形成され、
前記吸着機構の吸引機構側の面が疎水性面に形成されている
ことを特徴とする請求項４記載の洗浄装置。
【請求項７】
前記吸着機構が、可動部と固定部からなる分割構造を有し、
前記吸着機構の可動部に前記２流体ノズルが取り付けられている
ことを特徴とする請求項３記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体製造工程における半導体ウェーハ表面に付着したパーティクル（異物）、あるいはフォトマスク、液晶ディスプレイ基板などの表面に付着したパーティクルを除去するための、２流体ノズルを用いた洗浄方法及び洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体製造工程において、シリコンウェーハあるいはフォトマスクなどに付着したパーティクル（異物）を除去する方法として様々な洗浄方法が検討されてきた。例えば、高圧ジェット洗浄はその一例であるが、１．０μｍ以下のパーティクルに対する除去率が低く、この洗浄方法を昨今の微細化された半導体製造プロセスに導入するのは不向きである。また、メガソニック洗浄は、半導体基板に対する物理的な力の影響が非常に大きく、これに伴いＬＳＩ（大規模集積回路）やＭＥＭＳ（微小電気機械素子）などの微細パターンを持つ基板が損傷することが多くなった。
【０００３】
そこで、基板に与える損傷を抑え、かつ高効率にパーティクル除去を実現する方法として２流体ジェット洗浄（特許文献１参照など）が開発された。この洗浄方法は、ノズル内部に加圧したガスと液体を混合する混合部を持ち、ここで発生させた微細なミストを洗浄対称物に噴射してパーティクルを高効率で洗浄し、かつパターン損傷を防ぐことを可能としたものである。
また、特許文献２では、ウェーハ表面周辺部に舞ったミストがウェーハ表面に再付着しないように２流体ノズルの横にウェーハ表面を液膜で覆うための液を供給するノズルを備えた洗浄装置が提案されている。
また、特許文献３では、枚葉洗浄においてウェーハ表面付近に舞うミストを防止し、かつウォーターマークの原因となる酸素などが影響を受け難くした技術が提案されている。
【０００４】
さらに、特許文献４には、洗浄水により洗浄された被処理物を乾燥させる装置において、被処理物の上方からクリーンエアーを供給するとともに、クリーンエアー供給口から所要に角度で傾斜して配置した近接板で被処理物全体を覆い、クリーンエアーで吹き飛ばされた洗浄水が被処理物に逆戻りさせないようにした乾燥装置が提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特許第３３１５６１１号公報
【特許文献２】特開２００３−２０３８９２号公報
【特許文献３】特開２００３−３０９１０２号公報
【特許文献４】特許第２５５５０３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
２流体ノズルは微細なミストを高速で被洗浄物に供給して洗浄するという特性上、ミストが激しく被洗浄物の付近に飛散する。これにより舞ったミストが雰囲気中の酸素やパーティクルを取り込み、再び被洗浄物に付着し、それらがウォーターマークやクロスコンタミの原因となる。ここで、ウォーターマークとは、チャンバー内に舞い上がったミストが雰囲気中の酸素を取り込んでシリコンウェーハに戻り、シリコンと反応してＳｉＯ２がスポット的に発生するものをいう。クロスコンタミとは、１枚目の被処理ウェーハの洗浄がおわり、次の被処理ウェーハ、あるいは別の工程から来た被処理ウェーハの洗浄のときに、チャンバー内の汚染により新たに汚染されることをいう。
【０００７】
そこで、特許文献２では舞ったミストがウェーハ表面に再付着しないように前述したような２流体ノズルの横に液供給用のノズルを備えた構造が提案されたが、この方法では、疎水面のウェーハ処理を行った場合にウェーハ表面を覆う液膜が２流体ノズルから供給される大量のガスによって吹き飛ばされてしまうため、更なるミストの付着が発生する。
【０００８】
また、特許文献１に提案されているように、ノズル近傍にミスト飛散防止・排出用のガイドを取り付けたものがある。しかし、これは舞ったミストがチャンバー内の雰囲気中に含まれるパーティクルを取り込むのを防ぐのみで、洗浄によりウェーハに付着していたパーティクルを取り込んだミストがガイドに付着し、再びウェーハ表面に付着することによるクロスコンタミは防止できない。
【０００９】
更に特許文献３に示される方法の場合、従来の液体による洗浄においては前述した問題は解決できるが、２流体洗浄ではトッププレートに付着したミストがウェーハ表面に落下し再付着することを防止することが出来ない。
【００１０】
本発明は、上述の点に鑑み、２流体ノズルを用いた被処理物の洗浄において、飛散したミストが被処理物に再付着するのを防止できるようにした洗浄方法及び洗浄装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る洗浄方法は、２流体ノズルからミストを供給して被処理物表面に付着されたパーティクルを洗浄し、洗浄処理時に発生する飛散したミスト、液滴を吸着機構により吸着することを特徴とする。
【００１２】
本発明の洗浄方法では、２流体ノズルを用いた洗浄処理時に発生する飛散したミスト、液滴を吸着機構により吸着するようにしているので、飛散して雰囲気中に含まれるパーティクル、酸素などを取り込んだミスト、液滴が被処理物に再付着することが防止される。
【００１３】
本発明に係る洗浄装置は、被処理物を保持する保持ステージと、被処理物表面に洗浄用のミストを供給する２流体ノズルと、洗浄処理時に発生する飛散したミスト、液滴を吸着する吸着機構とを備えていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の洗浄装置では、洗浄処理時の飛散したミスト、液滴を吸着する吸着機構を備えているので、２流体ノズルからのミストによる被処理物表面の洗浄処理時に、飛散して雰囲気中に含まれるパーティクル、酸素などを取り込んだミスト、液滴が、吸着機構に吸着され、被処理物に再付着することを防止する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る洗浄方法及び洗浄装置によれば、２流体ノズルによる被処理物の洗浄処理時に、飛散して雰囲気中に含まれるパーティクル、酸素等を取り込んだミスト、液滴が吸着機構に吸着され、被処理物に再付着されないので、再付着による汚染、例えばウォーターマークやクロスコンタミを発生させることなく、精度よく洗浄することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態に係る洗浄方法とその原理を説明する。この洗浄方法は、ミスト供給手段、例えば２流体ノズルを用いてパーティクル除去を行う際に、被処理物へのミスト再付着および汚染を防ぐ洗浄方法である。本実施の形態においては、被処理物上に舞い上がったミストを可能な限り多く、ミスト吸着・吸引機構にトラップするために、チャンバー内にロードされた被処理物を、可能な限りミスト吸着構造の下面（いわゆるミストトラップ面）に近い距離で回転させる。更に２流体ノズルより洗浄液とガスを同時に供給し洗浄処理を行う。このときにノズルより被処理物表面に向って高速噴霧されたミストは被処理物上に付着しているパーティクルを取り込み、被処理物上に舞い上がる。この舞い上がったミストのうち、高く舞い上がったミストは、ミスト吸着・吸引機構でトラップし、吸引して排出する。舞い上がったミストのうち、ミスト吸着・吸引機構まで到達しなかったミスト、すなわち被処理物への衝突後にミスト吸着・吸引機構までで到達しなかったミストは、被処理物表面とミスト吸着・吸引機構との間が狭い空間のため、２流体ノズルより排出される大量のガスの気流に乗りチャンバー最深部に備わる排気・排水配管まで導き排出する。
【００１７】
また、ウォーターマークの発生については、クリーンルームもしくはチャンバー内の雰囲気が被処理物表面に周り込まないように、被処理物表面とミスト吸着・吸引機構との間の間隙を可能な限り少なくし、かつ２流体ノズルで使用するガスを不活性もしくは反応性の低いガスとすることで解決する。
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
本発明に係る実施の形態は、被処理物として、半導体基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）基板、フォトマスク等の被処理基板の表面に付着したパーティクルを除去する洗浄方法及び洗浄装置に適用できる。以下に、被処理基板として半導体基板（いわゆる半導体ウェーハ）を洗浄処理する場合を例に説明する。図１及び図２に、本実施の形態にかかるパーティクル除去方法に適用される洗浄装置の概略を示す。この洗浄装置は枚葉式洗浄装置である。
【００２０】
本実施の形態に係る洗浄装置１は、洗浄チャンバー２を備えた洗浄装置本体３１と、この洗浄装置本体３１を内部に設置した筐体３２と、筐体３２の外に配置した搬送用ロボット３３とを備えて成る。この洗浄装置１はクリーンルーム内に設置される。洗浄装置本体３１は、筐体３２の上部に設置されたフィルタ３４を透過してきたダウンフローのクリーンエアー３５の効果を受ける装置内雰囲気３６の中に据え付けられる。被処理基板３は、搬送用ロボット３３によりチャンバー２に対して出し入れされるようになされる。
【００２１】
洗浄装置本体３１は、チャンバー２内に被処理基板（以下、被処理ウェーハという）３を載置・固定して保持するウェーハ保持手段４と、ミストを発生させ被処理ウェーハ３表面に照射するための２流体ノズル５と、洗浄時に舞い上がったミストを吸着、吸引して排出するためのミスト吸着・吸引機構６を備えて成る。
【００２２】
ウェーハ保持手段４は、被処理ウェーハ３を保持するステージ、本例では回転可能なターンテーブル１１と、このターンテーブル１１を回転軸に連結されてターンテーブル１１を回転させるモータ等による回転機構１２とを有して構成される。ターンテーブル１１は、図示しないが被処理ウェーハ３のセット、取出しを容易に行うために昇降機能を有している。
【００２３】
２流体ノズル５は、ノズル内部に加圧されたガスと洗浄液とを混合する混合部を有し、この混合部で発生した微細なミストを、ノズル先端からミストを高速噴射するように構成される。この２流体ノズル５は、そのノズル先端が被処理ウェーハ３の表面に近接対向するように配置されると共に、後述する可動カバーと一体に被処理ウェーハ３と所要の空間（間隙）を離して一方向に往復動可能（すなわち、図１において左右に駆動可能）に配置される。
【００２４】
ミスト吸着・吸引機構６は、チャンバー２内の上面側、すなわちターンテーブル１１に対向するように配置される。ミスト吸着・吸引機構６は、ターンテーブル１１に対向する下面に臨むミスト吸着手段１４を有するミスト吸着機構と、このミスト吸着手段１４で吸着したミストを吸引してチャンバー２外に排出するためのミスト吸引配管１５及び吸引ポンプ（図示しない）からなるミスト吸引機構とを有して構成される。このミスト吸着手段１４及びミスト吸引配管１５によりカバー体１３が構成される。このカバー体１３は、後述で明らかなように、チャンバー２の上面の開口部２ａに対応した形状に形成され、洗浄時に被処理ウェーハ３との間に所定の空間（間隙）を形成するようにして、被処理ウェーハ３上を覆うように配置される。カバー体１３は、図２に示すように、被処理ウェーハ３の面積より大きい面積を有し、かつ図２において左右方向に可動できる可動カバー１３Ａと、この可動カバー１３Ａを両側から挟むように非可動（固定）カバー１３Ｂとを有した分割構造に形成される。
【００２５】
非可動カバー１３Ｂは、円形状体の中央、すなわち可動カバー１３Ａが配置される中央を除いた形状に形成される。可動カバー１３Ａは長方形をなし、その長手方向の長さが非可動カバー１３Ｂの直径より長く形成される。上記２流体ノズル５は、可動カバー１３Ａの中央部を貫通して、この可動カバー１３Ａと一体に取付けられる。カバー体１３〔１３Ａ，１３Ｂ〕は２流体ノズル５と共に、図示しない昇降機構を介して上下動可能に配置される。
【００２６】
すなわち、図５に示すように、ミスト吸着・吸引機構６及びターンテーブル１１は、それぞれの昇降機構を介してチャンバー２の上面の開口部２ａを通じてチャンバー２の内外に昇降できるようになされる。
【００２７】
可動カバー１３Ａを構成するミスト吸着手段１４及びミスト吸引配管１５は、２流体ノズル５が可動カバー１３Ａと共に被処理ウェーハ３の一方に端部に移動した状態でも被処理ウェーハ３の全面を覆うように形成される。
【００２８】
図４に示すように、ミスト吸着・吸引機構６を構成するミスト吸着手段１４は、被処理ウェーハ３に対向する面がミストトラップ面１４ａとして形成され、その反対側がミスト排出面１４ｂとして形成される。このミスト排出面１４ｂに接してミスト吸引配管１５が設けられる。ミスト吸着手段１４は、例えば、対薬品性（例えば酸、アルカリ、酸化性薬品に耐える）の高い材質を用いた多孔質材料で形成することが望ましい。例えば、多孔質材料としてはスポンジ材料などを使用することができる。さらに、ミスト吸着手段１４の被処理ウェーハ３３に対向するミストトラップ面１４ａは、薬品を吸着し易い親水性の材質であり、その反対側のミスト排出面１４ｂ（ミスト吸引配管１５が取付けられる部分）は、吸収された薬品が再び被処理ウェーハ３側に戻りにくくするために疎水性の材質であることが望ましい。
【００２９】
また、ミスト吸着手段１４を例えば多孔質材料で形成するとき、その多孔質の孔径は、トラップするミストの大きさを考慮して選定される。例えば、多孔質の孔径がトラップするミストの粒径に対して大きすぎると多孔質部分の断面積が大きくなり、吸引流速が落ちるためミストの収集効率が悪くなり、またトラップしたミストが吸収されず被処理ウェーハ３の表面に落下してしまう。また多孔質の孔径が小さすぎると、トラップしたミストに含まれるパーティクルで多孔質部分が目詰まりを起こすので好ましくない。そこで、本例ではこのような観点から多孔質に孔径を最小１０μｍ〜最大２ｍｍまでとする。
【００３０】
一方、２流体ノズル５に近接して純水もしくは薬液等のリンス液を被処理ウェーハ３の表面に供給するためのリンスノズルを有したリンス液供給配管１７が配設される。このリンス液供給配管１７は、２流体ノズル５と同様に可動カバー１３Ａにこれを貫通して一体に取付けられる（図１、図２参照）。また、チャンバー２の最深部（底面）には、２流体ノズル５からのミスと、ガスを吸引し、排出するための吸引ポンプ（図示しない）と排気、排水を行うための排気・排水配管１８とを有する吸引・排出機構が接続される。
【００３１】
次に、上述した洗浄装置１を用いてパーティクルを洗浄する洗浄方法を説明する。本例では半導体ウェーハに付着しているパーティクルを洗浄するプロセスを示す。ここでは、洗浄液として希フッ酸、使用するガスは窒素ガス（Ｎ2 ）とした場合である。本実施の形態においては、２流体ノズル５より噴霧される希フッ酸のミストでパーティクルを洗浄する際、従来の希フッ酸による洗浄方法のように薬液による被処理ウェーハのエッチング反応などに加えて、上記２流体ノズル５内で高圧化された窒素ガスとの混合により微細なミストを高速噴射して得られる物理力も併用している。
【００３２】
先ず、図５に示すように、洗浄装置本体３１において、昇降機構を介してそれぞれミスト吸着・吸引機構６とターンテーブル１１をチャンバー２の上部外方の被処理ウェーハ３のセットが容易になる高さまで上昇させ、被処理ウェーハ３をターンテーブル１１上に載置、固定してセットする。被処理ウェーハ３のセットは、搬送用ロボット３４により行われる。
【００３３】
次に、図６Ａ，Ｂに示すように、ミスト吸着・吸引機構６と、被処理ウェーハ３をセットしたターンテーブル１１とを下降させ、被処理ウェーハ３を洗浄できる位置に移動する。この際、被処理ウェーハ３とミスト吸着・吸引機構６のミストトラップ面１４ａとの間隙は、可能な限り少なくする。
【００３４】
次に、回転機構１２を介してターンテーブル１１と共に被処理ウェーハ３を回転させる。この回転数は、例えば１００〜１０００ｒｐｍ程度とすることができる。そして、図７Ａ，Ｂに示すように、２流体ノズル５に洗浄液とガスを同時に供給し、ノズル先端から洗浄液のミスト２１を噴射しながら、２流体ノズル５を左右に移動し、回転する被処理ウェーハ３の表面全体を洗浄処理する。
本例では、洗浄液として１０〜１００ｃｃ／ｍｉｎ程度を、ガスとして２０〜１００Ｌ／ｍｉｎ程度を同時に２流体ノズル５に供給する。２流体ノズル５は、本例では５〜１０ｓｅｃ程度で１往復する速さで左右に移動させる。
【００３５】
この洗浄処理において、２流体ノズル５より被処理ウェーハ３の表面に向って高速噴射されたミスト２１は、被処理ウェーハ３表面に付着しているパーティクルを取り込み、被処理ウェーハ３の上方に飛散し舞い上がる。この場合、厳密には微細なミストの状態と、微細なミストが複数凝集して粒が大きくなった液滴の状態が混在する。ここではミスト５として扱う。舞い上がったミスト５は、次の図３Ａ，Ｂのいずれかの振る舞いをする。
【００３６】
（ａ）図３Ａに示すように、パーティクル２２を含んで高く舞い上がったミスト２１は、ミスト吸着手段１４のミストトラップ面１４ａでトラップ（吸着）される。トラップされたミスト２１は吸引配管１５にて吸引され、外部へ排出される（第１の振る舞い）。
（ｂ）図３Ｂに示すように、被処理ウェーハ３の表面へミスト２１が衝突した後、ミスト吸着手段１４まで到達しなかったパーティクル２２を含むミスト２１は、被処理ウェーハ３表面とミスト吸着手段１４との間が狭い空間のため、２流体ノズル５から排出される大量のガスに気流に乗り、チャンバー２の最深部に備わっている排気・排水配管１８を通して外部に排出される。
【００３７】
このようにパーティクル２２あるいは雰囲気中の酸素を取り込んだミスト２１は、舞い上がった後、被処理ウェーハ３表面に再付着することなく、ミスト吸着・吸引機構６、あるいはチャンバー２の最深部の排気・排水配管１８を通して排出される。
【００３８】
一方、ウォーターマーク、クロスコンタミは、チャンバー２内の雰囲気が被処理ウェーハ３の表面に回り込むことにより発生する。このため、ミスト吸着手段１４と被処理ウェーハ３との間の間隙を可能な限り小さくし、２流体ノズル５で使用するガスを不活性ガスもしくは反応性に低いガスとすることで、ウォーターマーク、クロスコンタミの発生を防ぐことができる。
【００３９】
次に、図８に示すように、２流体ノズル５による洗浄処理が終了した後、リンス液供給配管１７を通じてリンス液２４を被処理ウェーハ３上に供給してリンス処理を行う。本例では１．５Ｌ／ｍｉｎ程度で純水リンスを行う。この際、リンス液供給配管１７が被処理ウェーハ３の中心になるように先端のリンスノズルを移動してリンス処理を行う。
【００４０】
次に、リンス処理が終了した後、被処理ウェーハ３の回転数を増加させて乾燥処理する。このときの回転数としては、例えば２０００〜３０００ｒｐｍ程度とすることができる。そして、全ての処理が終了した後、ミスト吸着・吸引機構６及びターンテーブル１１を上昇させて処理した半導体ウェーハ３を、搬送ロボット３４を介して取出す。
【００４１】
次に、本発明に係る他の実施の形態（変化例）について説明する。
【００４２】
〔変化例１〕
本実施の形態に係る洗浄装置１で使用することができる洗浄液となる薬液は、上述の希フッ酸の他に、塩酸過水、アンモニア過水、オゾン水などの酸化性薬液でも良い。また、これらの薬液にＣＯ２などのガスを本発明に使用されるウェーハ処理チャンバー内の圧力より高い気圧で過飽和させても良い。前述の手段により過飽和されたガスは２流体ノズルより噴出された瞬間に膨張し噴射の勢いを強くし、さらにミストの高速化と微細化を促進する。従って、２流体ノズルに供給するＮ２ガスの流量をより少なくしても強いエネルギーでミストを噴射させることができる。
【００４３】
〔変化例２〕
２流体ノズル５に使用するガスとして、Ｎ２ ガスなどの反応性が低いガスに代えて、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスを使用することもできる。
【００４４】
〔変化例３〕
ミスト吸着手段１４は、図９Ａ，Ｂに示すように、例えば樹脂基板等の基板２５に規則的に配列されたパンチング孔２６を設けた構成を用いても良い。また、ミスト吸引機構によるミスト吸引効果を高めるために、ミスト吸着手段１４のトラップ面は、各パンチング孔２６対応する部分をパンチング孔２６から離れるに従って孔径が広がるような、すり鉢状に形成することができる。このすり鉢状を含むミストトラップ面１４ａは親水面加工を施すことが好ましい。これによりミスト、液滴のトラップ（吸着）を促進できる。
また、ミスト吸着手段１４のパンチング孔２５の内面及びミスト排出面１４ｂとミスト吸引配管１５の内面をミスト２１、液滴が滑らかに流れるように疎水面加工を施すことが望ましい。また、パンチング孔２５の孔径ｔ１は、ミスト吸引配管１５にトラップされたミスト２１が再び被処理ウェーハ３表面に落下しないように、２ｍｍ以下、好ましくは５μｍ〜２ｍｍ程度にすることが望ましい。５μｍより小さいと目詰まりを起こし易くなり、２ｍｍより大きいと吸引したミストが落下し易くなり、あるいはポンプの吸引力を高くする必要が生じる。
このミスト吸着手段１４は、例えばＰＴＦＥ材を用いることにより、そのままで疎水面が形成されるので、ミストトラップ面を粗面加工（例えば粗らし）を施すことにより作成することができる。
【００４５】
〔変化例４〕
本実施の形態の洗浄装置１を使用して、薬液による被処理ウェーハ３表面の洗浄処理（パーティクルの除去）するとき、もしくは純水リンス処理するとき、いわゆるスピン回転する被処理ウェーハ３表面より遠心力によって加速された液滴やミストが、高速でチャンバー２内壁に衝突する。これらのパーティクルを多く含んだミスト、液滴はチャンバー２内壁に衝突した後、勢いよく飛び散り再びチャンバーの中を舞う。これはチャンバー２内に汚染を蓄積する原因となり、特に半導体洗浄装置に適用した場合には好ましくない。
本変化例では、図１０に示すように、チャンバー２の内壁にもミスト吸着・吸引機構２７を形成する。このミスト吸着・吸引機構２７の構成は、前述のミスト吸着・吸引機構６の構成と同様のもの、すなわちミスト吸着手段２８と、ミスト吸引配管（図示せず）及び吸引ポンプ８図示せず）からなるミスト吸引機構とを有した構成とすることいができる。ミスト吸引配管は、チャンバー２内壁の内部に設けるか、もしくはチャンバー２内壁を貫通する形状であっても良い。また、チャンバー内壁が垂直、もしくはそれに近い角度で形成されている場合には、吸着されたミストは、次々に衝突してくるミスト同志が付着し、大きな液滴となり、重力でチャンバー下部に落下して行くため、ミスト吸引機構を設けなくても良い。
また、チャンバー内の上面、下面にもミスト吸着・吸引機構を備えても良い。
【００４６】
上述した本実施の形態に係る洗浄方法及び洗浄装置によれば、２流体ノズル５による洗浄処理時に発生する被処理ウェーハ３上に舞い上がったミスト、液滴を、ミスト吸着手段１４で吸着すると共に、ミスト吸引配管１５により吸引・排出している。これにより、パーティクル、雰囲気中の酸素分子を含むミスト２１、液滴が被処理ウェーハ３の表面に再付着せず、再付着による汚染を防止して、被処理ウェーハ３表面を精度よく洗浄することができる。
【００４７】
被処理ウェーハ３の表面とミスト吸着手段１４との間に間隙ｄを可能な限り小さくすることにより、装置内雰囲気３６もしくはチャンバー２内の雰囲気が被処理ウェーハ３表面に回り込まないように構成している。この構成により、２流体ノズル５で使用するガスを不活性ガスもしくは反応性に低いガスを選択すれば、ウォーターマークの発生原因となる酸素分子の影響を受けることがない。また、この構成により、２流体ノズル５による洗浄処理時に発生する飛散したミスト、すなわちチャンバー内雰囲気中のパーティクル２２、酸素を取り込んだミスト２１の被処理ウェーハ３表面への再付着を防止することができる。
【００４８】
チャンバー２の内壁にもミスト吸着手段２８を備えることにより、チャンバー２内に舞い上がっている微小ミストや、純水リンス処理時に発生する液滴をトラップすることができる。
【００４９】
上例では、被処理物として、被処理基板に適用した場合であるが、板状のもの以外の被処理物にも本発明は適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る洗浄方法に適用される洗浄装置の一実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】Ａ，Ｂ  本発明に係る洗浄時の被処理物上に舞い上がったミストの振る舞いを説明する説明図である。
【図４】本発明に係るミスト吸着・吸引機構の一例を示す要部の概略図である。
【図５】本発明に係る洗浄装置本体を用いて洗浄する動作説明図（その１）である。
【図６】Ａ，Ｂ  本発明に係る洗浄装置本体を用いて洗浄する動作説明図（その２）である。
【図７】Ａ，Ｂ  本発明に係る洗浄装置本体を用いて洗浄する動作説明図（その３）である。
【図８】本発明に係る洗浄装置本体を用いて洗浄する動作説明図（その４）である。
【図９】Ａ，Ｂ  本発明に係るミスト吸着・吸引機構の他の例を示す要部の概略図である。
【図１０】本発明に係る他の洗浄装置本体の概略構成図である。
【符号の説明】
【００５１】
１・・洗浄装置、２・・チャンバー、３・・被処理ウェーハ、４・・ウェーハ保持手段、５・・２流体ノズル、６、２７・・ミスト吸着・吸引機構、１１・・ターンテーブル、１２・・モータ、１３・・カバー体、１３Ａ・・可動カバー、１３Ｂ・・非可動（固定）カバー、１４、２８・・ミスト吸着手段、１５・・ミスト吸引配管、１７・・リンス液供給配管、１８・・排気・排水配管、２１・・ミスト、２２・・パーティクル
【図１】
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【図２】
2007123359.tif 000004
【図３】
2007123359.tif 000005
【図４】
2007123359.tif 000006
【図５】
2007123359.tif 000007
【図６】
2007123359.tif 000008
【図７】
2007123359.tif 000009
【図８】
2007123359.tif 000010
【図９】
2007123359.tif 000011
【図１０】
2007123359.tif 000012