(57)【要約】【課題】作製される磁気ディスク用基板のＮｉＰメッキ膜表面が高い平滑性を有すると共に、優れた耐衝撃性を有し、しかも、基板作製の際の研削加工性が優れ、素材コストが低減できる磁気ディスク用アルミニウム合金板および磁気ディスク用アルミニウム合金基板並びにその合金板の製造方法を提供する。【解決手段】少なくともＭｇ：６質量％以上１５質量％以下を含むアルミニウム合金からなる芯材と、前記芯材の両側にクラッドされた、Ｍｇ：２質量％未満、Ｓｉ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｆｅ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｃｒ：０．０２質量％以上０．３５質量％以下を含み、更に、Ｃｕ：０．０１質量％以上０．２質量％以下、Ｚｎ：０．０１質量％以上０．４質量％未満のうち少なくとも１種以上を含み、且つ、残部がＡｌおよび不可避的不純物であるアルミニウム合金からなる皮材とを有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＭｇ：６質量％以上１５質量％以下を含むアルミニウム合金からなる芯材と、
前記芯材の両側にクラッドされた、Ｍｇ：２質量％未満、Ｓｉ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｆｅ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｃｒ：０．０２質量％以上０．３５質量％以下を含み、更に、Ｃｕ：０．０１質量％以上０．２質量％以下、Ｚｎ：０．０１質量％以上０．４質量％未満のうち少なくとも１種以上を含み、且つ、残部がＡｌおよび不可避的不純物であるアルミニウム合金からなる皮材とを有することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金板。
【請求項２】
前記芯材が、さらにＣｕ：０．８質量％以下、Ｚｎ：１質量％以下のうち少なくとも１種以上を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金板。
【請求項３】
前記皮材の厚みが、３０μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金板よりなることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項５】
Ｍｇ：２質量％未満、Ｓｉ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｆｅ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｃｒ：０．０２質量％以上０．３５質量％以下を含み、更に、Ｃｕ：０．０１質量％以上０．２質量％以下、Ｚｎ：０．０１質量％以上０．４質量％未満のうち少なくとも１種以上を含み、且つ、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなるアルミニウム合金から板状の皮材を作製する第１工程と、
少なくともＭｇ：６質量％以上１５質量％以下を含むアルミニウム合金から薄板連続鋳造法により板状の芯材を作製すると同時に、前記芯材の両側に前記皮材をクラッドする第２工程とを含むことを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用アルミニウム合金板およびその製造方法に係り、より詳しくは、表面平滑性を得るために下地処理層としてＮｉＰメッキを施し、研磨を行なった後に、磁性膜が付着されてなる形式の磁気ディスクに使用されるアルミニウム合金板および磁気ディスク用アルミニウム合金基板並びにその合金板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、外部記録装置の一つである磁気ディスク装置（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）は、情報を記録（保存）するための磁気ディスクと、磁気ディスクに情報を書き込みまたは再生するための磁気ヘッドとを備えている。
【０００３】
そして、磁気ディスク用基板としては、軽量および非磁性であるとともに、加工性が優れていることから、アルミニウム合金板から作製されたアルミニウム合金基板が使用されている。しかしながら、アルミニウム合金基板単独では、磁気ディスク用基板として必要とされる表面の硬度が得難いといった側面がある。
【０００４】
このため一般的には、アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰメッキ膜を約１０μｍの厚さに形成したものが、磁気ディスク用基板として使用されている。このような磁気ディスク用基板は、次のようにして作製されている。
【０００５】
まず、アルミニウム合金を溶解、鋳造（例えば、半連続鋳造法（ＤＣ鋳造法：Direct Chill Casting））、均質化熱処理、熱間圧延、冷間圧延してアルミニウム合金板を作製する。そして、作製されたアルミニウム合金板をプレスにより所定の円環状基板に打ち抜く。次に、円環状基板内の加工残留応力除去および平坦度の向上のために、打ち抜かれた複数枚の円環状基板を高平坦度のスペーサ間に積み付けし、全体を加圧しながら２５０〜４５０℃で焼鈍する（加圧焼鈍）。一般に、この加圧焼鈍した円環状基板をブランクという。その後、ブランクの内周縁および外周縁の端面に対し、所定の端面加工を施す。
【０００６】
そして、端面加工が施されたブランクを、ブランク表面の切削加工、或いは両面研削機に予めセットされたキャリアのポケット内にセットし、砥石により目標の板厚になるまで研削加工してアルミニウム合金基板を作製する。その後、さらに、アルミニウム合金基板の表面に、無電解ＮｉＰメッキ処理によりＮｉＰメッキ膜を形成し、その表面を研磨することによって、磁気ディスク用基板が作製される。
【０００７】
そして、一般的な磁気ディスクでは、前記磁気ディスク用基板のＮｉＰメッキ膜上に、磁気特性を高めるための下地膜、Ｃｏ基合金からなる磁性膜、および磁性膜を保護するためのＣからなる保護膜をスパッタリングにより形成し、磁気ディスクとしている。
【０００８】
近時、磁気ディスク装置を構成する磁気ディスクおよび磁気ヘッドの性能は大幅に向上し、近い将来には、面記録密度２００Ｇｂ／ｉｎ２が達成されようとしている。そして、磁気ディスクの記録密度を高めるためには、磁気ヘッドが磁気ディスク上を低浮上量で安定浮上する必要がある。そのためには、磁気ディスク用基板のＮｉＰメッキ膜表面が高平滑性である必要がある。また、高平滑性と共に、磁気ディスクの耐衝撃性向上のために、磁気ディスク用基板の高強度化（高硬度化）も望まれるようになってきた。
【０００９】
そして、磁気ディスク基板の高平滑性、高強度化を目的として、特許文献１においては、Ｓｉ含有量を０．０１質量％未満、Ｆｅ含有量を０．０５質量％以下、Ｍｇ含有量を３．５〜５質量％に制限した磁気ディスク用アルミニウム合金基板が提案されている。なお、特許文献１ではＳｉ、Ｆｅ、Ｍｇ含有量を重量％で記載しているが、質量％と同義である。
【特許文献１】特開平１１−１４０５７７号公報（段落番号０００３、０００４、００１１、００１４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、前記のアルミニウム合金基板においては、アルミニウム合金中のＳｉ含有量、Ｆｅ含有量が少量であるため、アルミニウム合金基板の平滑性を損なう原因となるＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物、Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物の発生は少ないものの、Ｓｉ含有量、Ｆｅ含有量の低減化には高純度地金が必要となり、素材コストが高くなるという問題があった。
【００１１】
また、前記アルミニウム合金基板においては、基板の高強度化のために、Ｍｇを３．５〜５．０質量％含有しているが、作製される基板の強度は十分なものではないという問題があった。そのため、Ｍｇ含有量をさらに増加することが検討されているが、アルミニウム合金基板の素材となるアルミニウム合金板の作製の際、前記したように通常の半連続鋳造法でスラブを作製し熱間圧延した場合には、Ｍｇが高濃度であると圧延時に耳割れ等が生じるため、Ｍｇ量を増やすことが出来なかった。
【００１２】
さらに、前記アルミニウム合金基板においては、３．５〜５質量％のＭｇを含有しているため、素材となるアルミニウム合金板の均質化熱処理や熱間圧延の際に、板表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が形成され、それが冷間圧延後の板表面に残る。この酸化マグネシウムは、前記したようにブランク表面を研削加工してアルミニウム合金基板を作製する際に、ブランク表面の研削加工性を悪化させるという問題があった。
【００１３】
本発明は前記問題に鑑みてなされたものであり、作製される磁気ディスク用基板のＮｉＰメッキ膜表面が高い平滑性を有すると共に、優れた耐衝撃性を有し、しかも、基板作製の際の研削加工性が優れ、素材コストが低減できる磁気ディスク用アルミニウム合金板および磁気ディスク用アルミニウム合金基板並びにその合金板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究した結果、本発明を完成するに至った。すなわち、請求項１の発明は、少なくともＭｇ：６質量％以上１５質量％以下を含むアルミニウム合金からなる芯材と、前記芯材の両側にクラッドされた、Ｍｇ：２質量％未満、Ｓｉ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｆｅ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｃｒ：０．０２質量％以上０．３５質量％以下を含み、更に、Ｃｕ：０．０１質量％以上０．２質量％以下、Ｚｎ：０．０１質量％以上０．４質量％未満のうち少なくとも１種以上を含み、且つ、残部がＡｌおよび不可避的不純物であるアルミニウム合金からなる皮材とを有する磁気ディスク用アルミニウム合金板として構成したものである。
【００１５】
前記構成によれば、アルミニウム合金板の芯材のＭｇ含有量を高濃度に、芯材の両側にクラッドされる皮材のＭｇ濃度を低濃度に限定して、皮材と芯材のＭｇ濃度に勾配をつけることにより、ブランク作製の際の加圧焼鈍においてＭｇが芯材から皮材に拡散して、皮材の強度が向上する。そして、皮材のＭｇ量を低濃度に限定することによって、アルミニウム合金板表面でのＭｇＯの発生が抑えられ、ブランクの研削加工性が向上する。
【００１６】
また、皮材のＳｉ、Ｆｅ、Ｃｒの含有量を所定範囲に限定することによって、アルミニウム合金板の表面に析出する金属間化合物（Ａｌ−Ｆｅ系、Ａｌ−Ｃｒ系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ｍｇ−Ｓｉ系等）のサイズ、個数が少なくなる。その結果、ブランクの研削加工処理、または、アルミニウム合金基板の無電解ＮｉＰメッキ処理のメッキ前処理で、金属間化合物が脱落または溶解することが少なくなり、また、脱落または溶解してもその痕（窪み）のサイズが極めて小さく、個数も少ないものとなり、ＮｉＰメッキ膜の平滑性が向上する。
【００１７】
また、皮材のＣｒの含有量を所定範囲に限定することによって、アルミニウム合金の鋳造の際に、組織（鋳造組織）に微細な化合物として析出し、結晶粒成長が抑制され、均質化熱処理後の組織が安定化（均質化）する。そして、皮材のＣｕ、Ｚｎの含有量を所定範囲に限定することによって、Ｃｕ、Ｚｎがアルミニウム合金板中に均一に固溶し、アルミニウム合金基板のメッキ前処理でのＺｎ析出形態が良好となり、ＮｉＰメッキ膜のメッキ性が向上する。
【００１８】
また、芯材の両側に、Ｓｉ、Ｆｅ含有量の少ないアルミニウム合金からなる皮材をクラッドすることにより、従来のようにＳｉ、Ｆｅ含有量の少ない、すなわち、高純度地金の使用が必要な高価なアルミニウム合金のみでアルミニウム合金板を構成する場合に比べて、高価なアルミニウム合金の使用量が低減される。
【００１９】
請求項２の発明は、前記芯材が、さらにＣｕ：０．８質量％以下、Ｚｎ：１質量％以下のうち少なくとも１種以上を含む磁気ディスク用アルミニウム合金板として構成したものである。
前記構成によれば、芯材のＣｕ、Ｚｎの含有量を所定範囲に限定することによって、皮材で覆われたアルミニウム合金基板の両面だけでなく、芯材が露出したアルミニウム合金基板の端面においても、メッキ前処理でのＺｎ析出形態が良好となり、ＮｉＰメッキ膜のメッキ性が向上する。
【００２０】
請求項３の発明は、前記皮材の厚みが、３０μｍ以上１５０μｍ以下であるアルミニウム合金板として構成したものである。
前記構成によれば、皮材の厚みが３０μｍ以上であることによって、ブランクの研削加工の際に、アルミニウム合金板の皮材が消失することがなく、金属間化合物の溶解，脱落による表面欠陥の形成が少なく，Ｚｎ析出形態の良好な皮材の作用が維持される。また、皮材の厚みが１５０μｍ以下であることによって、高価な高純度地金の使用量が低減される。
【００２１】
請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金板よりなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板として構成したものである。前記構成によれば、合金基板の強度が向上すると共に、ＮｉＰメッキ膜の平滑性およびメッキ性が向上する。また、高価なアルミニウム合金の使用量が低減される。
【００２２】
請求項５の発明は、磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法として、Ｍｇ：２質量％未満、Ｓｉ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｆｅ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｃｒ：０．０２質量％以上０．３５質量％以下を含み、更に、Ｃｕ：０．０１質量％以上０．２質量％以下、Ｚｎ：０．０１質量％以上０．４質量％未満のうち少なくとも１種以上を含み、且つ、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなるアルミニウム合金から板状の皮材を作製する第１工程と、少なくともＭｇ：６質量％以上１５質量％以下を含むアルミニウム合金から薄板連続鋳造法により板状の芯材を作製すると同時に、前記芯材の両側に前記皮材をクラッドする第２工程とを含む手順としたものである。
【００２３】
前記手順によれば、アルミニウム合金板の芯材のＭｇ含有量を高濃度に、芯材の両側にクラッドされる皮材のＭｇ濃度を低濃度に限定して、皮材と芯材のＭｇ濃度に勾配をつけることにより、ブランク作製の際の加圧焼鈍においてＭｇが芯材から皮材に拡散して、皮材の強度が向上する。そして、皮材のＭｇ量を低濃度に限定することによって、アルミニウム合金板表面（皮材表面）での酸化によるＭｇＯの発生が抑えられる。
【００２４】
また、皮材のＳｉ、Ｆｅ、Ｃｒの含有量を所定範囲に限定することによって、アルミニウム合金板の表面に析出する金属間化合物のサイズ、個数が少なくなる。また、皮材のＣｒの含有量を所定範囲に限定することによって、均質化熱処理後の組織が安定化する。さらに、皮材のＣｕ、Ｚｎの含有量を所定範囲に限定することによって、Ｚｎ析出形態が良好となる。
【００２５】
また、芯材を作製する第２工程を薄板連続鋳造法によって行なうことにより、高濃度のＭｇを含有するアルミニウム合金から、耳割れ等の不良を発生することなく芯材を作製できる。さらに、薄板連続鋳造と同時に、芯材と皮材をクラッドすることによって、熱間圧延の際に多パスの圧着を行なう従来のクラッド法と異なり、１パスでクラッドを終了させることが可能となり、生産性が向上すると共に、アルミニウム合金板表面（皮材表面）での酸化によるＭｇＯの発生が抑えられる。なお、皮材として、Ｓｉ、Ｆｅ含有量の少ないアルミニウム合金を用いることにより、高価なアルミニウム合金の使用量が低減される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金板および磁気ディスク用アルミニウム合金基板によれば、作製された磁気ディスク用基板が、高い平滑性を有すると共に、優れた耐衝撃性を有し、しかも、基板作製の際の研削加工性が優れ、素材コストが低いものとなる。
また、本発明の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法によれば、高い平滑性、優れた耐衝撃性を有すると共に、作製時の研削加工性に優れ、素材コストが低い磁気ディスク用アルミニウム合金板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金板（以下、アルミニウム合金板と称す）および磁気ディスク用アルミニウム合金基板（以下、アルミニウム合金基板と称す）について説明し、その後でアルミニウム合金板の製造方法について説明する。
＜アルミニウム合金板＞
本発明に係るアルミニウム合金板は、芯材と、芯材の両側にクラッドされた皮材とからなる。そして、芯材は、少なくともＭｇ：６質量％以上１５質量％以下を含むアルミニウム合金からなり、皮材は、Ｍｇ：２質量％未満、Ｓｉ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｆｅ：０．００５質量％以上０．１質量％以下、Ｃｒ：０．０２質量％以上０．３５質量％以下を含み、更に、Ｃｕ：０．０１質量％以上０．２質量％以下、Ｚｎ：０．０１質量％以上０．４質量％未満のうち少なくとも１種以上を含み、且つ、残部がＡｌおよび不可避的不純物であるアルミニウム合金からなる。以下、各構成について詳細に説明する。
【００２８】
（１）芯材
〔Ｍｇ：６質量％以上１５質量％以下〕
Ｍｇは、アルミニウム合金板（芯材）の強度向上に有効な元素である。Ｍｇの含有量が６質量％未満では、アルミニウム合金板（芯材）が十分な強度（耐力、硬度）を有さず、作製される磁気ディスク用基板の耐衝撃性が低下する。また、後記する皮材のＭｇ濃度との間に十分な濃度勾配が形成されず、ブランク作製の際の加圧焼鈍において、芯材から皮材へＭｇが拡散しないため、皮材の強度が不十分となる。Ｍｇの含有量が１５質量％を超えると、芯材の高強度化が進み、皮材とクラッドした際に、耳割れ等が発生する。また、Ｍｇの増加により融点が低下し、高温での均質化熱処理ができないため，Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物を固溶させることができない。その結果、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の個数密度が増加し、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が低下する。よって、Ｍｇの含有量は６質量％以上１５質量％以下の範囲とする。好ましくは、Ｍｇの含有量は７質量％以上１２質量％以下である。
【００２９】
芯材を構成するアルミニウム合金は、前記範囲のＭｇを含むアルミニウム合金で構成されていれば、アルミニウム合金板の芯材としての特性、例えば、強度を十分有するが、Ｍｇ以外の元素を含んでいてもよい。Ｍｇ以外の元素としては、例えばＣｕ、Ｚｎのうち少なくとも１種以上を含むことが好ましい。すなわち、後記する実施例の芯材においては、Ｍｇ、ＣｕおよびＺｎの３成分を含有するアルミニウム合金からなるものを記載しているが、芯材は、Ｍｇのみを含有するアルミニウム合金、ＭｇおよびＣｕを含有するアルミニウム合金、または、ＭｇおよびＺｎを含有するアルミニウム合金からなるものであってもよい。
【００３０】
〔Ｃｕ：０．８質量％以下、Ｚｎ：１質量％以下〕
Ｃｕ、Ｚｎの含有量は、Ｃｕ：０．８質量％以下、Ｚｎ：１質量％以下が好ましい。より好ましくは、Ｃｕ：０.０1質量％以上０．２質量％以下、Ｚｎ：０．０１質量％以上０．４質量％以下、最適範囲は、Ｃｕ：０．０３質量％以上０．１５質量％以下、Ｚｎ：０．１質量％以上０．３質量％以下である。Ｃｕ、Ｚｎが所定範囲で含有されていると、芯材が露出しているアルミニウム合金基板の端面において、後記する皮材のＣｕ、Ｚｎの項目で説明するように、メッキ前処理でのＺｎ析出形態が良好となり、ＮｉＰメッキ膜のメッキ性が向上する。
【００３１】
〔不可避的不純物〕
芯材を構成するアルミニウム合金は、不可避的不純物を含む。不可避的不純物は、例えば、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂ等である。不可避的不純物の含有量は、Ｓｉ、Ｆｅは、それぞれ０．０５質量％以下、Ｔｉ、Ｖ、Ｂは、それぞれ０．００５質量％以下が好ましい。不可避的不純物が所定範囲内であれば、アルミニウム合金板（芯材）の特性に影響しない。
【００３２】
（２）皮材
〔Ｍｇ：２質量％未満〕
Ｍｇは、アルミニウム合金板（皮材）の強度向上に有効な元素である。Ｍｇ含有量が２質量％以上では、クラッド時に皮材表面にＭｇＯからなる厚い酸化皮膜が形成され、ブランク表面を研削加工する際に、研削レートが小さくなり、研削加工性を悪化させる。よって、Ｍｇの含有量は２質量％未満とする。好ましくは、Ｍｇの含有量は１．０質量％以上１．８質量％以下である。
【００３３】
〔Ｓｉ：０．００５質量％以上０．１質量％以下〕
Ｓｉは、通常、地金不純物としてアルミニウム合金中に混入するものであり、皮材を鋳造する工程等において、皮材の表面にＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物を生じさせる。Ｓｉの含有量が０．１質量％を超えると、最大長さ４μｍを超える粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が皮材の表面に生じる。そして、この皮材を有するアルミニウム合金板を使用してアルミニウム合金基板を作製すると、この粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物は、ブランクの研削加工などの所謂鏡面加工時に、ブランク表面から脱落し、また、アルミニウム合金基板のメッキ前処理においては、アルミニウム合金基板表面から溶解し、アルミニウム合金基板表面に窪みを発生させ、ＮｉＰメッキ膜表面にピットを形成し、平滑性を低下させる原因となる。それと共に、Ｍｇのみが溶解し、Ｓｉが溶け残った場合にも、メッキ前処理のジンケート工程で、Ｓｉ上では亜鉛の置換反応が起こらないため、無電解ＮｉＰメッキ処理でもＳｉ上にＮｉＰメッキ膜が成長せず、ＮｉＰメッキ膜の密着性不足を生じ、磁性膜成膜時などの加熱によりＮｉＰメッキ膜が膨れ、平滑性を低下させる。また、Ｓｉの含有量が０．００５質量％未満であると、非常に高価な高純度の地金が必要となり、現実的でない。よって、Ｓｉの含有量は０．００５質量％以上０．１質量％以下の範囲とする。好ましくは、Ｓｉの含有量は０．００５質量％以上０．０８質量％以下、より好ましくは、Ｓｉの含有量は０．０１質量％以上０．０８質量％以下である。
【００３４】
〔Ｆｅ：０．００５質量％以上０．１質量％以下〕
Ｆｅは、通常、地金不純物としてアルミニウム合金中に混入し、皮材を鋳造する工程等において、皮材の表面にＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物を生じさせる。そして、この皮材を有するアルミニウム合金板を使用してアルミニウム合金基板を作製すると、このＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物は、メッキ前処理において、アルミニウム合金基板表面から溶解し、アルミニウム合金基板表面に窪みを発生させ、ＮｉＰメッキ膜表面にピットを形成させる原因となる。Ｆｅの含有量が０．１質量％を超える場合には、最大長さ７μｍを超える粗大なＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物が増加し、ブランクの研削加工などの所謂鏡面加工時にブランク表面から脱落し、アルミニウム合金基板表面に窪みを発生させ、ＮｉＰメッキ膜表面にピットを形成させる。また、Ｆｅの含有量が０．００５質量％未満であると、非常に高価な高純度の地金が必要となり、現実的でない。よって、Ｆｅの含有量は０．００５質量％以上０．１質量％以下の範囲とする。好ましくは、Ｆｅの含有量は０．００５質量％以上０．０８質量％以下、より好ましくは、Ｆｅの含有量は０．０１質量％以上０．０８質量％以下である。
【００３５】
〔Ｃｒ：０．０２質量％以上０．３５質量％以下〕
Ｃｒは、アルミニウム合金板を鋳造する工程において、アルミニウム合金板（鋳造組織）に微細な化合物として析出し、結晶粒成長を抑制し組織を均質化（安定化）する効果がある。また、鋳造の後に、焼鈍処理を伴う冷間圧延を行う場合にも、結晶粒成長を抑制し、再結晶粒の異常成長を抑制し組織を均質化（安定化）する効果がある。Ｃｒの含有量が０．０２質量％未満では前記の効果が期待できない。また、Ｃｒの含有量が０．３５質量％を超えると、結晶粒を安定化する効果が大きすぎるため、鋳造工程、焼鈍工程において、等軸な再結晶組織とならず、取出方向（圧延方向）に伸びた変形組織が残存した組織となるため、組織の異方性が大きくなり、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が悪化する。それと共に、初晶として粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が晶出し、アルミニウム合金基板作製時の研削加工などの所謂鏡面加工等で脱落し、ＮｉＰメッキ膜表面のピットの原因となる。よって、Ｃｒの含有量は０．０２質量％以上０．３５質量％以下の範囲とする。好ましくは、Ｃｒの含有量は０．０５質量％以上０．２０質量％以下である。
【００３６】
〔Ｃｕ：０．０１質量％以上０．２質量％以下〕
Ｃｕは、アルミニウム合金基板のＮｉＰメッキ性改善のために有効な元素である。Ｃｕはアルミニウム合金板中に均一に固溶し、メッキ前処理のジンケート工程において、ジンケート浴中のＺｎイオンがアルミニウム合金基板の表面へ均一に微細析出する効果を有する。これによってＮｉＰメッキ膜表面のノジュールの発生を抑制することができる。Ｃｕの含有量が０．０１質量％未満では、前記の効果が期待できない。また、Ｃｕの含有量が０．２質量％を超えると、メッキ前処理において、粒界にＣｕが析出して粒界部が過エッチングを受け、ＮｉＰメッキ膜表面のノジュールの発生が多大となる。よって、Ｃｕの含有量は０．０１質量％以上０．２質量％以下の範囲とする。好ましくは、Ｃｕの含有量は０．０３質量％以上０．１５質量％以下である。
【００３７】
〔Ｚｎ：０．０１質量％以上０．４質量％未満〕
Ｚｎは、アルミニウム合金基板のＮｉＰメッキ性改善のために有効な元素である。ＺｎもＣｕと同様、アルミニウム合金板中に均一に固溶し、ジンケート工程において、ジンケート浴中のＺｎイオンがアルミニウム合金基板の表面へ均一に微細析出する効果を有する。また、含有量の増加に伴いＺｎがアルミニウム合金基板中に均一に析出してメッキ前処理時の酸エッチング工程でのエッチング起点、及びジンケート工程時のＺｎイオン析出拠点になる。このため、結晶粒による段差を抑制する効果を有する。Ｚｎの含有量が０．０１質量％未満では、前記の効果が期待できない。また、Ｚｎの含有量が０．４質量％以上であると、Ｚｎの析出核が大きくなるのに伴って、メッキ前処理時に形成されるエッチングピットも大きくなり、ＮｉＰメッキ膜表面のピットの原因となる。よって、Ｚｎの含有量は０．０１質量％以上０．４質量％未満の範囲とする。好ましくは、Ｚｎの含有量は０．１質量％以上０．３質量％以下である。
【００３８】
後記する実施例の皮材においては、Ｓｉ、Ｆｅ、ＭｇおよびＣｒ以外に、ＣｕおよびＺｎの両者を含むアルミニウム合金からなるものを記載しているが、皮材はＳｉ、Ｆｅ、ＭｇおよびＣｒ以外に、Ｃｕのみを含むアルミニウム合金、または、Ｓｉ、Ｆｅ、ＭｇおよびＣｒ以外に、Ｚｎのみを含むアルミニウム合金からなるものであってもよい。
【００３９】
〔不可避的不純物〕
皮材を構成するアルミニウム合金は、不可避的不純物を含む。不可避的不純物は、例えば、Ｔｉ、Ｖ、Ｂ等である。不可避的不純物の含有量は、それぞれ０．００５質量％以下であって、その範囲内であれば、本発明のアルミニウム合金基板の特性に影響しない。
【００４０】
〔皮材の厚み〕
本発明に係るアルミニウム合金板は、皮材の厚みが３０μｍ以上１５０μｍ以下が好ましい。ブランク研削の研削代が約１０μｍであること、ブランクの板厚偏差等から、厚みが３０μｍ未満では、ブランク表面の皮材の一部が消失して、芯材が現れる可能性がある。その結果、芯材が現れた表面で金属間化合物の溶解，脱落による表面欠陥が形成されるとともにその部分のＺｎ析出形態が悪化して、ＮｉＰメッキ膜の平滑性、メッキ性が低下する可能性がある。厚さが１５０μｍ以上では、高純度地金を使用したアルミニウム合金の使用量が増加し、素材コスト面で不利になる可能性がある。よって、皮材の厚さは、３０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲であることが好ましい。また、アルミニウム合金板の厚み（皮材＋芯材＋皮材の厚み）は、通常のアルミニウム合金基板で必要とされる、０．５〜２ｍｍであることが好ましい。
【００４１】
＜アルミニウム合金基板＞
本発明に係るアルミニウム合金基板は、前記のアルミニウム合金板よりなり、例えば、以下のように作製される。前記のアルミニウム合金板を，打ち抜きプレスにより、例えば、外径２０〜９６ｍｍ，内径３〜２５ｍｍの円環状基板に打ち抜く、打ち抜かれた円環状基板を１０〜３０枚積み重ね，高平坦度のスペーサ―と呼ばれる円筒状の冶具で、両端を挟み、２５０〜４００℃で加圧焼鈍してブランクを作製する。このブランクの端面を切削加工し、ブランク表面を切削あるいは研削加工、またはこの組合せにより鏡面加工してアルミニウム合金基板を作製する。
【００４２】
＜アルミニウム合金板の製造方法＞
本発明に係るアルミニウム合金板の製造方法は、皮材を作製する第１工程と、芯材を作製すると同時に、芯材の両側に皮材をクラッドする第２工程とを含む。以下、各工程について図面を参照して詳細に説明する。
【００４３】
〔第１工程〕
まず、化学成分の含有量を所定範囲に限定した皮材用のアルミニウム合金を溶解し、溶湯を作製する。その溶湯から従来公知の方法で板状の皮材を作製する。皮材に使用するアルミニウム合金の各成分の含有量を数値限定した理由については、前記と同様である。
なお、皮材の作製方法としては、溶湯から薄板連続鋳造法、すなわち、溶湯を回転する回転鋳型に供給して、回転鋳型を冷却することにより、皮材を作製する方法が好ましい。薄板連続鋳造法を使用することによって、皮材の冷却速度が速くなり、皮材に形成されるＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物およびＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の微細化が進み、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が向上すると共に、鋳造後の熱間圧延を省略することが可能で、生産性が向上する。また、半連続鋳造後、熱間圧延、必要に応じて冷間圧延を行なって皮材を作製しても構わない。
【００４４】
薄板連続鋳造の方法としては、例えば、双ロール鋳造法、ベルト鋳造法、単ロール鋳造法、ブロック鋳造法等が挙げられる。以下、詳細に説明する。なお、図１（ａ）は双ロール鋳造法に使用される鋳造装置の概略を示す模式図、図１（ｂ）はベルト鋳造法に使用される鋳造装置の概略を示す模式図である。
（ａ）双ロール鋳造法
双ロール鋳造法は、回転鋳型として相対するロールを使用する鋳造方法であって、図１（ａ）に示すように、一対のロール２、２と、その一対のロール２、２の間に設けられたサイド堰３と、ロール２、２を冷却する冷却装置（図示せず）とを備えた鋳造装置１ａが用いられる。そして、溶湯Ｍａをサイド堰３の側部のノズル４から回転するロール２、２の外周面間に供給し、供給直後からロール２、２を冷却装置で冷却することによって、溶湯Ｍａが凝固して、溶湯Ｍａから、直接、皮材５が連続的に鋳造される。
【００４５】
ここで、皮材５の鋳造方向は、図１（ａ）では水平方向であるが、垂直方向、斜め（傾斜）方向であってもよい。また、相対するロール２、２は、図１（ａ）では一対であるが、鋳造方向に複数対のロール２、２を設けてもよい。さらに、冷却装置によるロールの冷却方法としては、ロール２の内方に冷却管等を配し、この冷却管等を介して、ロール２の内周面に冷却水を噴射して冷却する方式、ロールとそのロール内方に配したコア胴との間に設けた流路に冷却水を導入して、ロールを内方から冷却する方式等が採用されている。
【００４６】
（ｂ）ベルト鋳造法
ベルト鋳造法は、回転鋳型として相対するベルトを使用する鋳造方法であって、図１（ｂ）に示すように、２対のロール６、６と、各対のロール６、６に掛け渡されたループ状のベルト７と、そのベルト７を冷却する、例えば、冷却ノズル等の冷却装置（図示せず）とを備えた鋳造装置１ｂが用いられる。そして、溶湯Ｍａを樋８の側部のノズル９から回転するベルト７、７間に供給し、供給直後からベルト７、７を冷却ノズル等から噴射された冷却水で冷却することによって、溶湯Ｍａが凝固して、溶湯Ｍａから、直接、皮材５が連続的に鋳造される。ここで、皮材５の鋳造方向は、図１（ｂ）では水平方向であるが、垂直方向、斜め（傾斜）方向であってもよい。また、ベルト７、７による皮材５の移送を安定化させるために、バックアップロール等をロール６、６間に設けてもよい。
【００４７】
（ｃ）単ロール鋳造法
単ロール鋳造法は、回転鋳型として1つのロールを使用する鋳造方法であって、図１（ａ）の鋳造装置１ａの一対のロール２、２の代わりに、１つのロール２で鋳造する鋳造装置（図示せず）を用いる。そして、ロール２に接して配されたサイド堰３内の溶湯Ｍａを、ロール２の側方に引き出して冷却凝固させて、皮材５を連続的に鋳造する。また、回転鋳型としてホイールおよびベルトを使用したプロペルチ鋳造法も単ロール鋳造法の１つとして挙げることができる。プロペルチ鋳造法には、溝付きホイールとその溝を塞ぐベルトとを備えた鋳造装置（図示せず）が用いられる。そして、溝に溶湯Ｍａを供給し、供給直後からベルト側を水冷することによって、溶湯Ｍａが凝固して、溶湯Ｍａから、直接、皮材５が連続的に鋳造される。
【００４８】
（ｄ）ブロック鋳造法
ブロック鋳造法は、回転鋳型としてブロックを使用する鋳造方法であって、図１（ｂ）の鋳造装置１ｂのベルト７の代わりに、多数個のブロックをループ状に連結したブロックチェーンを使用して鋳造する鋳造装置（図示せず）を用いる。
【００４９】
前記した薄板連続鋳造法（ａ）〜（ｄ）の中で、（ａ）双ロール鋳造法、（ｂ）ベルト鋳造法が、皮材５の冷却速度が速いため、皮材５に発生するＡｌ−Ｆｅ系およびＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物を微細化させる効果が大きく、ＮｉＰメッキ膜表面にピットが生じにくく、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が低下することを防止する効果が大きい。また、皮材５の生産性も良好である。したがって、第１工程では、双ロール鋳造法、ベルト鋳造法を用いて行うことが好ましい。また、必要に応じて、薄板連続鋳造後に焼鈍および冷間圧延を行ってもよい。焼鈍温度は３００〜４００℃、冷間圧延率は３０〜７５％が好ましい。さらに、鋳造された皮材５はコイル状に巻き取って、第１工程を終了することが好ましい。
【００５０】
〔第２工程〕
次に、化学成分の含有量を所定範囲に限定した芯材用のアルミニウム合金を溶解し、溶湯を作製する。その溶湯から薄板連続鋳造法により芯材を作製すると同時に。芯材の両側に前記第１工程で作製した皮材をクラッドしてアルミニウム合金板を作製する。芯材に使用するアルミニウム合金の各成分の含有量を数値限定した理由については、前記と同様である。ここで、薄板連続鋳造法としては、前記（ａ）〜（ｄ）のいずれの方法でもよいが、（ａ）双ロール鋳造法、（ｂ）ベルト鋳造法が好ましい。以下、（ａ）双ロール鋳造法を例にとって、説明する。なお、図２は芯材の両側に皮材をクラッドするために使用される鋳造装置の概略を示す模式図である。
【００５１】
図２に示すように、鋳造装置１ｃにおいて、溶湯Ｍｂをサイド堰１２の側部のノズル１３から回転するロール１１、１１の外周面間に供給し、供給直後からロール１１、１１を冷却装置（図示せず）で冷却することによって、溶湯Ｍｂが凝固して、溶湯Ｍｂから、直接、芯材１５が連続的に鋳造される。そして、同時に、前記第１工程で作製した皮材５を皮材コイル１０から、鋳造装置１ｃのロール１１、１１の入側に供給する。このとき、皮材５を溶湯Ｍｂとロール１１、１１間に供給し、皮材５をロール１１、１１の一方もしくは両方の外周面に密着させて這わすことによって、ロール１１、１１の回転に同期させる。その結果、ロール１１、１１によって、芯材１５の両側に皮材５がクラッドされ、アルミニウム合金板１６が連続的に作製される。
【００５２】
また、必要に応じて、第２工程終了後、アルミニウム合金板を、アルミニウム合金基板で必要とされる０．５〜２ｍｍ程度の板厚まで、一対の圧延ロール１４、１４等で冷間圧延を行ってもよい。さらに、第２工程終了後、皮材５のＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物を溶解させるため、５００〜５５０℃で均質化熱処理を行ってもよい、より好ましくは、例えば、５１０℃がＡｌ-１０質量％Ｍｇの固相線温度なので、それ以下の温度で均質化熱処理を行なう。なお、皮材５は、溶融した芯材（溶湯Ｍｂ）と接触した際、加熱されるため、特に予備加熱の必要はないが、１００〜３００℃で予備加熱されることがより好ましい。
【００５３】
ここで、作製されるアルミニウム合金板１６の厚さは３０ｍｍ以下が好ましい。厚さが３０ｍｍを超える場合には、第２工程終了後に冷間圧延等を行なう際の圧延パス数が増え、また、途中でアルミニウム合金板１６を軟化させるための焼鈍が必要となり、生産性が悪くなり易い。そして、皮材５と芯材１５の厚さは、アルミニウム合金基板で必要とされる皮材５と芯材１５の比により任意に設定されるが、皮材５の厚さは、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性およびメッキ性から、３０〜１５０μｍが好ましい。
【００５４】
なお、前記では、第１工程を鋳造装置１ａ（図１（ａ）参照）または鋳造装置１ｂ（図１（ｂ）参照）、第２工程を鋳造装置１ｃで行なう、２台の鋳造装置を使用した製造方法について説明したが、第１工程と第２工程を１台の鋳造装置（図示せず）で行なう製造方法であってもよい。すなわち、鋳造装置１ｃにおいて、皮材コイル１０からのロール１１、１１への皮材５の供給に代えて、図１（ａ）のサイド堰３または図１（ｂ）の樋８を使用し、鋳造装置１ｃの溶湯Ｍｂの両側から、直接、ロール１１、１１に溶湯Ｍａを供給してもよい。このとき、溶湯Ｍａと溶湯Ｍｂとが混ざらないように、一方の溶湯が先に凝固するように、凝固時間に時間差を設ける必要がある。また、溶湯Ｍａの代わりに、コイル状ではなく板状の皮材５をロール１１、１１に供給してもよい。
【実施例】
【００５５】
本発明の特許請求の範囲を満たす実施例の効果について、本発明の特許請求の範囲から外れる比較例と比較して具体的に説明する。
（実施例１〜５、比較例１〜１０）
実施例１、２、比較例１〜４が、図１（ａ）に示す鋳造装置１ａを用いた双ロール鋳造法で、実施例３、４、比較例５、６、８、９が、図１（ｂ）に示す鋳造装置１ｂを用いたベルト鋳造法で、表１に示す組成の皮材を作製した。また、実施例５、比較例７、１０は，図示しないが、ＤＣ鋳造後、熱間圧延、冷間圧延を行なって、表１に示す組成の皮材を作製した。次に、図２に示すように、鋳造装置１ｃを用いて薄板連続鋳造法により表１に示す組成の芯材を鋳造すると共に、皮材とのクラッドを行い、板厚３ｍｍのアルミニウム合金板を作製した。その後、冷間圧延で１ｍｍまで圧延した。なお、冷間圧延後のアルミニウム合金板について、皮材の厚さを測定した。その結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
2007113053.tif 000002
【００５７】
前記アルミニウム合金板を外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍの円環状に打抜いた後、所定枚数を積み付け、３５０℃で３時間加圧焼鈍し、端面加工を行ない、３．５インチタイプのブランクを作製した。その後、ブランク表面を砥石によって、片面１０μｍで両面研削加工（鏡面加工）して、アルミニウム合金基板を作製した。
【００５８】
前記アルミニウム合金基板について、ＡＤ−６８Ｆで７０℃、５ｍｉｎで脱脂を行った後、ＡＤ−１０１Ｆで６８℃、２ｍｉｎで酸エッチングを行い、３０％硝酸でデスマットを行った。その後、ＡＤ−３０１Ｆ−３Ｘで２０℃、３０ｓｅｃでジンケート処理を行った後、一旦、３０％硝酸でＺｎを溶解させた後、再び２０℃、１５ｓｅｃでジンケート処理を行った。その後、ＨＤＸ−７ＧおよびＨＤＸ−Ａ液を使用して、９０℃、２ｈｒで無電解ＮｉＰメッキ処理を行い、１０μｍ厚さ程度のＮｉＰメッキ膜を形成した後、両面を研磨して磁気ディスク用基板を作製した。なお、前記のＡＤ−６８Ｆ、ＡＤ−１０１Ｆ、ＡＤ−３０１Ｆ−３Ｘは、ＮｉＰメッキ前処理液、ＨＤＸ−７Ｇ液およびＨＤＸ−Ａ液はＮｉＰメッキ液で、いずれも上村工業製のものを使用した。
【００５９】
前記のようにして作製されたアルミニウム合金板、アルミニウム合金基板、磁気ディスク用基板を対象として、以下の評価を行った。その評価結果を表２に示す。
〔耐力〕
前記アルミニウム合金板でＪＩＳＺ２２４１規定の引張試験を行った。ここでは耐力には０．２％耐力を使用した。
【００６０】
〔研削レート（μｍ／ｍｉｎ）〕
研削レートは、研削加工前後のブランク１枚当りのワークの重量変化から求めた。方法としては、まず、市販の＃４０００のＰＶＡ系砥石（日本特殊研砥社製）を使用した両面ラップ方式の研削機により、ダイヤモンドぺレットを用いて砥石のドレスを行った後に、市販のクーラント（日本クェーカー社製）を流しながら砥石の回転速度３５ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）で３分間のグラインド加工を、３バッチ分行い、その平均値を研削レートとした。ここで、現行のブランクの研削レートが約１０μｍ／ｍｉｎであることから、研削レートが現行のブランクと同等以上であれば、研削レートは良好（「○」）とし、これより劣っているものを不良（「×」）とした。
【００６１】
〔落下時の衝撃性〕
市販のハードディスクドライブ（MAXTOR製、型式５Ａ３００Ｊ０、２６.１×１０１.６×１４７.０ｍｍ）の上部の蓋をはずし、スピンドル部分に前記磁気ディスク用基板を固定し、１ｍの高さからハードディスクドライブを落下させた後、磁気ディスク用基板の平坦度をＮＩＤＥＫ社製ＦＴ−３で測定した。その際、落下前の平坦度と１μｍ以下しか変化しない場合は「○（良好）」、１μｍ以上変化した場合には「×（不良）」とした。
【００６２】
〔ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性〕
前記磁気ディスク用基板のＮｉＰメッキ膜表面と、その磁気ディスク用基板を３００℃で１時間加熱した後のＮｉＰメッキ膜表面をＳＥＭにより観察した。その際、いずれのＮｉＰメッキ膜表面にも幅５μｍ以上のピット、幅５μｍ以上のフクレまたはメクレ欠陥に起因した疵がないものを「○（良好）」、どちらか一方のＮｉＰメッキ膜表面でピット、フクレまたは疵が生じたものの、ごく僅かであるものを「△（やや良好）」、どちらか一方のＮｉＰメッキ膜表面でピット、フクレまたは疵が多数生じたもの「×（不良）」とした。
【００６３】
【表２】
2007113053.tif 000003
【００６４】
表２の結果は、以下のとおりであった。
（実施例１〜３、５）
本発明の特許請求の範囲内であるためすべての評価が良好であった。
（実施例４）
皮材の厚みが２０μｍとやや薄いため、ブランク研削後、アルミニウム合金基板のごく一部の表面に芯材成分が現れ、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性において、実施例１〜３、５と比べて劣るものであったが、磁気ディスク用のＮｉＰメッキ膜表面としては問題ないものであった。
【００６５】
（比較例１、２）
皮材のＳｉ、Ｆｅの含有量が特許請求の範囲の上限値を超えているため、最大長さ４μｍを超えるＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物および最大長さ７μｍを超えるＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物の個数密度が高く、ＮｉＰメッキ膜表面にフクレ、疵またはピットが生じ、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が劣るものであった。
（比較例３）
皮材のＭｇの含有量が特許請求の範囲の上限値を超えるため、皮材表層部の酸化皮膜厚さが厚くなり、研削レートが劣るものであった。
（比較例４）
皮材のＣｕの含有量が特許請求の範囲の上限値を超えるため、ＮｉＰメッキ膜表面にノジュールが発生し、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が劣るものであった。
【００６６】
（比較例５）
Ｚｎの含有量が特許請求の範囲の上限値を超えるため、ＮｉＰメッキ膜表面にピットが発生し、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が劣るものであった。
（比較例６）
皮材のＣｕ、Ｚｎの含有量が特許請求の範囲の下限値未満であるため、ＮｉＰメッキ膜表面にノジュール、粒間段差が生じ、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が劣るものであった。
（比較例７）
皮材のＣｒの含有量が特許請求の範囲の下限値未満であるため、焼鈍後の組織が安定化（均質化）せず、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が劣るものであった。
【００６７】
（比較例８）
皮材のＣｒの含有量が特許請求の範囲の上限値を超えるため、最大長さ７μｍを超えるＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が多く、ＮｉＰメッキ膜表面にピットが発生し、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が劣るものであった。
（比較例９）
芯材のＭｇの含有量が特許請求の範囲の下限値未満であるため、耐力が低く、衝撃時に磁気ディスク用基板に変形が生じた。
【００６８】
（比較例１０）
芯材のＭｇの含有量が特許請求の範囲の上限値を超えるため、クラッド中に耳割れが生じ、不良個所が増え、生産性に劣るものであった。また、Ｍｇ量の増加により融点が低下するため、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物が固溶する５００℃以上に温度を上げることができず、均質化熱処理によりＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物を固溶させることができなかった。その結果、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の個数密度が高くなった。それにより、ＮｉＰメッキ膜表面にフクレ、疵またはピットが生じ、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性が劣るものであつた。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】（ａ）は、本発明に係る双ロール鋳造法に使用される鋳造装置の概略を示し、（ｂ）はベルト鋳造法に使用される鋳造装置の概略を示す模式図である。
【図２】芯材の両側に皮材をクラッドするために使用される鋳造装置の概略を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７０】
１ａ、１ｂ、１ｃ  鋳造装置
２、１１  ロール（回転鋳型）
３、１２  サイド堰
４、９、１３  注湯ノズル
５      皮材
６      ロール
７      ベルト（回転鋳型）
８      樋
１０    皮材コイル
１４    圧延ロール
１５    芯材
１６    アルミニウム合金板
Ｍａ、Ｍｂ  溶湯
【図１】
2007113053.tif 000004
【図２】
2007113053.tif 000005