(57)【要約】【課題】冷却式アブレーション電極を有するアブレーション装置及び方法を提供する。【解決手段】アブレーション装置(10)は、ハンドピース(11)と、ハンドピースの遠方端から延びる電極(12)と、プローブ(24,26)と、熱センサ(28,30,32)と、エネルギー源(34)とを備えている。電極(12)は、遠方端と、内腔と、冷却媒体導入コンジット(14)及び冷却媒体放出コンジット(16)とを含む。プローブ(24,26)は、電極の内腔に少なくとも部分的に配置され、そして側壁孔(20,22)に送り込まれたり引っ込められたりするように構成される。熱センサ(28,30,32)は、プローブ(24,26)に支持される。電極(12)は、エネルギー源(34)に接続される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織に突き刺さるに充分なほど先鋭な遠方端とそれを通じて延びている内腔とを有する電極と、
この電極内腔を通して少なくとも部分的に延びる冷却媒体導入コンジット及び冷却媒体放出コンジットを備えている閉ループ冷却システムと、
上記内腔は、前記冷却媒体のシステムに流れる冷却媒体から分離されている前記電極の少なくとも１つのポートで終端しており、
上記電極は、エネルギー源に接続されており、
上記電極の内腔に少なくとも部分的に配置された少なくとも１つのプローブであって、その遠方部分が少なくとも１つの曲率半径で上記ポートから送り出されるように構成されたプローブと、
を備えたことを特徴とするアブレーション装置。
【請求項２】
上記プローブに接続された少なくとも１つの熱センサをさらに備えている請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記冷却媒体導入及び放出コンジットが上記電極の遠方端に閉ループを形成する請求項１または２のいずれかに記載の装置。
【請求項４】
上記電極の内腔が、冷却媒体から分離されたままである注入媒体を移送するように構成される請求項１ないし３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
上記電極が注入媒体を、上記電極内腔を経て上記少なくとも１つのポートを通り組織の場所に移送されるように構成されている請求項４に記載の装置。
【請求項６】
上記少なくとも１つのプローブに接続された前進及び後退部材を更に含む請求項１ないし５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
上記少なくとも１つのプローブが、上記エネルギー源に接続されるように構成された請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
上記少なくとも１つの熱センサが第１の熱センサと第２の熱センサとを備えている請求項２ないし７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
上記第１の熱センサは上記少なくとも１つのプローブの遠方端に配置され、そして第２の熱センサは該同一のプローブの遠方端以外の位置に配置される請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
上記第１の熱センサが上記少なくとも１つのプローブの第１のものに配置されている請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
上記少なくとも１つの熱センサが上記少なくとも一つプローブの遠方端に配置される請求項２ないし１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
上記電極の外面の周りに配置された絶縁スリーブを更に含む請求項１ないし１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
上記絶縁スリーブは、電極の長手軸に沿って移動可能になっている請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
上記少なくとも１つのポートが上記電極に形成された第１及び第２のポートを更に含む請求項１ないし１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
上記冷却媒体のシステムは、電極に対する構造的な支持を追加するように構成されている請求項１から１４に記載の装置。
【請求項１６】
上記少なくとも１つのプローブは上記少なくとも１つのポートから展開可能であり、展開されたときに電極を固定位置に保持するような幾何学的に構成される遠方端を有する請求項１ないし１５のいずれかに記載の装置。
【請求項１７】
上記冷却媒体導入及び放出コンジットが、上記電極内腔において互いに隣接して配置される請求項１ないし１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
組織の場所の測定された温度を所定の温度値と比較し、そして測定された温度と所定の温度との差を表すエネルギー源に対する信号を発生するために、上記少なくとも１つの熱センサ及び前記エネルギー源に接続される比較器を更に備えた請求項２ないし１７のいずれかに記載の装置。
【請求項１９】
上記冷却媒体導入及び放出コンジットに接続され、温度差を表す上記比較器からの信号に応答して、測定温度を所定の温度以下に維持するように、上記コンジット介しての冷却媒体の流量を調整するための流量制御器を更に備えた請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
上記エネルギー源に接続され、装置へのエネルギー出力を調整するためのエネルギー出力制御器を更に備えた請求項１ないし１９に記載の装置。
【請求項２１】
組織に印加されるエネルギーに基づいて組織のインピーダンス値を決定するためのインピーダンス装置と、
決定された組織のインピーダンスを所定の最大インピーダンス値と比較し、決定されたインピーダンス値が所定の最大インピーダンス値を越える場合に信号を発生するインピーダンス比較器と、
ディスエイブル信号をエネルギー源に通信して、エネルギー源から装置へのエネルギーの更なる供給を停止するための通信装置と、
をさらに含む請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
インピーダンスの差を表す上記インピーダンス比較器からの信号に応答して、測定インピーダンス値を所定の最大インピーダンス置以下に維持するように、上記導入及び放出コンジットを通る冷却媒体の流量を調整するための冷却媒体制御器を更に備えた請求項２０または２１のいずれかに記載の装置。
【請求項２３】
上記導入及び放出コンジットが冷却媒体源に接続されるように構成された請求項１ないし２２のいずれかに記載の装置。
【請求項２４】
上記少なくとも１つのプローブの外面の周りに配置された絶縁スリーブを更に含む請求項１ないし２３のいずれかに記載の装置。
【請求項２５】
上記エネルギー源が高周波エネルギー源及びマイクロ波発生源から選択される請求項１ないし２４に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、内部冷却電極を有するアブレーション(ablation)装置に係り、より詳細には、電極内腔に配置された閉ループ冷却装置と、該閉ループ冷却装置に流れる冷却媒体から分離された電極側壁ポートとを有する電極に係る。
【背景技術】
【０００２】
腫瘍を処置するための現在の切開術は、非常に破壊的なもので、健全な組織に多大な損傷を与える。外科手術の間に、医師は、腫瘍の種を落として転移を生じるように腫瘍を切除することのないよう注意を払わねばならない。近年、従来の外科手術による外傷を最小限にすることを強調して製品が開発されている。
【０００３】
超高熱の分野では、腫瘍を処置するためのツールとして比較的多くの研究がなされている。腫瘍の温度を上昇することは、癌組織の処置及び測定に有用であることが知られている。超高熱によって選択的に癌細胞を絶滅するメカニズムは、完全に理解されていない。しかしながら、超高熱が癌組織の細胞に及ぼす４つの作用が提案されている。即ち、（ｉ）細胞又は核膜の透過性又は流動性の変化、（ii）消化酵素の放出を生じる細胞質溶解、（iii）細胞呼吸及びＤＮＡ又はＲＮＡの合成に影響を及ぼすタンパク質の熱的損傷、及び（iv）免疫系統の潜在的な励起である。腫瘍に熱を付与する処置方法は、直接接触型の高周波（ＲＦ）アプリケータ、マイクロ波放射、誘導結合のＲＦ磁界、超音波、及び種々の簡単な熱伝導技術の使用を含む。
【０００４】
これら全ての手順に関連した問題の中で、とりわけ、皮膚の表面下数ｃｍの深さに非常に局部的な熱を発生することが要求される。
【０００５】
間質性の局部的な超高熱を使用する試みは、あまりうまくいかないと分かっている。その結果、腫瘍全体にわたり非均一な温度をしばしば生じさせる。超高温により腫瘍のかたまりを減少することは、熱量に関係すると考えられる。熱量はある所定の時間中に腫瘍のかたまり全体に付与される最小有効温度である。加熱される腫瘍にとって熱損失となる主たるメカニズムは血液の流れであり、そして血液の流れは腫瘍全体にわたって変化するので、有効な処置を確保するためには腫瘍の組織を均一に加熱することが必要となる。
【０００６】
ＲＦエネルギーの使用によって腫瘍自体をアブレーションすることについても同じことが言える。腫瘍のようなかたまりをＲＦアブレーションするのに異なる方法が使用されている。腫瘍を加熱するのではなく、エネルギーの付与によってそれをアブレーションする。このプロセスは、次のような種々の要因のために、達成が困難である。（ｉ）全てのかたまりを効果的にアブレーションするためのＲＦアブレーション電極の配置、（ii）腫瘍場所へのＲＦアブレーション電極の導入、及び(iii)腫瘍以外の組織へ損傷を与えることなく成功裡なアブレーションを達成するためのＲＦエネルギーの制御された付与及び監視。
【０００７】
ＲＦアブレーション電極は、高い電力レベルで使用するときは妨げになる傾向がある。電極表面に隣接する組織が焦げる傾向がある。多数の冷却式電極が設けられる。冷却式電極は、例えば、米国特許第４，２９０，４３５号；第４，１４０，１３０号；第４，８８１，５４３号；第５，３３４，１９３号；第５，３４２，３５７号；第５，３４８，５５４号；第５，４２３，８１１号；第５，４２３，８０７号；第５，４３７，６６２号；及び第５，４６２，５２１号に見ることができる。
【０００８】
そこで、電極内腔に配置された閉ループ冷却装置を含むアブレーション装置が要望される。更に、電極内腔に配置された閉ループ冷却装置と、この閉ループ冷却装置から分離され、選択された組織場所にプローブ及び／又は注入溶液を導入するのに適した電極側壁ポートとを含むアブレーション装置が要望される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明の目的は、妨げとならないアブレーション電極を有するアブレーション装置及び方法を提供することである。
【００１０】
本発明の別の目的は、冷却式アブレーション電極を有するアブレーション装置及び方法を提供することである。
【００１１】
本発明の更に別の目的は、閉ループの冷却式アブレーション電極を有するアブレーション装置及び方法を提供することである。
【００１２】
本発明の更に別の目的は、閉ループの冷却式アブレーション電極と、このアブレーション電極に流れる冷却媒体から分離された電極側壁ポートとを有するアブレーション装置及び方法を提供することである。
【００１３】
本発明の更に別の目的は、閉ループの冷却式アブレーション電極と、このアブレーション電極に流れる冷却媒体から分離された電極側壁ポートと、この側壁ポートに入れたり出したりされるセンサを伴うプローブとを有するアブレーション装置及び方法を提供することである。
【００１４】
本発明の更に別の目的は、閉ループの冷却式アブレーション電極と、このアブレーション電極に流れる冷却媒体から分離された電極側壁ポートと、この側壁ポートを通して選択された組織の場所に導入される注入媒体とを有するアブレーション装置及び方法を提供することである。
【００１５】
これら及び他の目的は、ハンドピースと、該ハンドピースの遠方端から延びる電極と、プローブと、熱センサと、エネルギー源とを有するアブレーション装置において達成される。電極は、遠方端と、内腔と、冷却媒体導入コンジットと、冷却媒体放出コンジットとを有する。両コンジットは、電極の内腔を通して電極の遠方端へと延びる。導入及び放出コンジットに流れる冷却媒体から分離された側壁ポートが電極に形成される。プローブは、電極の内腔に少なくとも部分的に配置され、そして側壁ポートへ挿入されたり引き出されたりするように構成される。熱センサは、プローブに支持される。電極は、エネルギー源に接続される。
【００１６】
又、本発明は、選択された組織のかたまりにアブレーション体積部を形成する方法にも係る。ハンドピースと、電極と、プローブと、プローブに支持された熱センサとを含むアブレーション装置が提供される。電極は、遠方端と、内腔と、冷却媒体導入コンジットと、これに接続された冷却媒体放出コンジットとを有していて、両コンジットは、電極の内腔を通して電極の遠方端へと延びる。電極の側壁には側壁ポートが形成され、この側壁ポートは、電極に流れる冷却媒体から分離される。電極は、選択された組織のかたまりに挿入される。プローブの遠方端は、孔から選択された組織へと進められる。電極のアブレーション表面の少なくとも一部分が冷却される。電極から選択された組織のかたまりへ電磁エネルギーが付与される。選択された組織のかたまりの場所で温度が測定され、アブレーション体積が形成される。
【００１７】
ＲＦを含むがこれに限定されない電磁エネルギーが、選択された組織の場所に付与されると、電極に隣接する組織界面が焦げ始め、組織を通る導電率が減少する。冷却媒体により、組織界面は、所望のアブレーション場所の周囲に電磁エネルギーを付与するのに適した温度に維持される。冷却媒体が電極に流れる間に、１つ以上のプローブがその関連センサと伴に所望のアブレーション場所に展開される。アブレーションが監視され、制御される。センサは、プローブの遠方端だけではなく、中間位置にも配置することができる。これは、電極と、ターゲットとするアブレーション体積の周囲との間のアブレーションプロセスを監視できるようにする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１に示すように、アブレーション装置１０は、ハンドピース１１と、電極１２と、冷却媒体導入コンジット１４と、冷却媒体放出コンジット１６と、テーパ付けされた遠方端を伴うキャップ１８とを含み、これは、閉ループ冷却系を形成する。種々の異なる冷却媒体を使用することができ、これは、ガス、冷却空気、冷蔵空気、圧縮空気、フレオン、水、アルコール、塩水等を含むが、これに限定されるものではない。電極１２の側壁には、第１側壁ポート２０が形成される。
【００１９】
又、第２側壁ポート２２を含んでもよい。これら第１及び第２の側壁ポートは、電極１２に形成された窓であり、電極１２の機械的に弱い点を形成する。第１のプローブ２４は、電極の内腔に配置され、そして第１側壁ポート２０に送り込んだり引き出したりすることができる。又、任意の第２プローブ２６も電極の内腔に配置され、第２側壁ポート２２を経て、選択された組織のアブレーション側へ送り込んだり引き出したりすることができる。
【００２０】
電極１２は、選択された組織のアブレーションのかたまりへ電磁エネルギーを供給する外部のアブレーションエネルギー付与面を有すると共に、テーパ付けされた即ち先鋭な遠方端を有してもよい。腫瘍をアブレーションするために、電極１２は、外部のアブレーションエネルギー付与面の長さが０．２５インチ以下であり、そして電極１２の外径は、約０．０７２インチ以下である。
【００２１】
各プローブ２４及び２６は、ステンレススチール、形状記憶合金等を含む種々の材料で形成できるが、これに限定されるものではない。プローブ２４及び２６のサイズは、医療用途に基づいて変化する。腫瘍を処置する場合には、プローブ２４及び２６は、側壁ポートから組織へと延びる長さが３ｃｍ以下である。第１センサ２８は、プローブ２４によりその内面又は外面に支持することができる。
【００２２】
第１センサ２８は、プローブ２４の遠方端に配置されるのが好ましい。第２センサ３０は、電極１２の外面とプローブ２４の遠方端との間の中間のどこかでプローブ２４に配置される。好ましくは、第２センサ３０は、選択された組織のアブレーションのかたまりの中点における温度を感知できる位置に配置される。第２センサ３０は、プローブ２４がアブレーションプロセスに対し血管のような障害物に遭遇したかどうか決定するのに有用である。第１センサ２８が第２センサ３０より高い温度を測定する場合には、これは、第２センサ３０が循環器系の血管に接近したことを示すことができる。これが生じると、アブレーションエネルギーが血管により運び去られる。同様に、第２プローブ２６も、１つ以上のセンサを含むことができる。第２センサ３２は、電極１２の外面に配置することができる。
【００２３】
センサ２８、３０及び３２は、組織の場所の温度を正確に測定し、（ｉ）アブレーションの程度、（ii）アブレーションの量、（iii）更なるアブレーションが必要かどうか、そして（iv）アブレーションされるかたまりの境界又は周囲、を決定することができる。更に、センサ２８、３０及び３２は、ターゲットでない組織が破壊され又はアブレーションされるのを防止する。
【００２４】
センサ２８、３０及び３２は、従来設計のものであり、サーミスタ、サーモカップル、抵抗性ワイヤ等を含むが、これに限定されるものではない。適当な熱センサ２４は、銅コンスタンタンのＴ型サーモカップル、Ｊ型、Ｅ型、Ｋ型、光ファイバ、抵抗性ワイヤ、サーモカップルＩＲ検出器、等を含む。センサ２８、３０及び３２は、熱センサでなくてもよい。
【００２５】
センサ２８、３０及び３２は、温度及び／又はインピーダンスを測定して監視を行えるようにすると共に、著しく組織を破壊せずに所望のレベルのアブレーションを達成できるようにする。これは、アブレーションされるべきターゲットとするかたまりを取り巻く組織への損傷を減少する。選択された組織のかたまりの内部の種々の点の温度を監視することにより、選択された組織のかたまりの周囲を決定できると共に、いつアブレーションが完了したかも決定できる。任意の時間に所望のアブレーション温度を越えたことをセンサ２８、３０又は３２が決定した場合には、適当なフィードバック信号がエネルギー源３４に受け取られ、エネルギー源は、次いで、以下に詳細に述べるように、電極１２へ送られるエネルギーの量を調整する。
【００２６】
電極１２は、配線、半田付け、共通カプレットへの接続等により電磁エネルギー源３４に接続される。電極１２は、プローブ２４及び２６から電磁エネルギー源３４に独立して接続することができる。電極１２、並びにプローブ２４及び２６は、エネルギーが電極１２に供給されるときにそれがプローブ２４及び２６に供給されないようにマルチプレクスされてもよい。電磁エネルギー源は、ＲＦソース、マイクロ波ソース、短波ソース等でよい。
【００２７】
電極１２は、挿入器具を伴わずに組織に経皮的に又は腹腔鏡式に導入できるに充分なほど堅牢に構成される。電極１２の実際の長さは、アブレーションされるべき選択された組織のかたまりの位置、皮膚からそこまでの距離、その接近性、及び医師が腹腔鏡技術を選択するか経皮的技術を選択するか又は他の手順を選択するかによって左右される。適当な長さは、１７．５ｃｍ、２５．０ｃｍ及び３０．０ｃｍであるが、これに限定されるものではない。電極１２は、ガイドにより選択された組織アブレーション場所に導入することができる。
【００２８】
絶縁スリーブ３８は、電極１２の外面に対して包囲関係で配置することができる。絶縁スリーブ３８は、可変長さのアブレーションエネルギー付与面を形成するように電極１２の外面に沿って移動することができる。
【００２９】
１つの実施形態では、絶縁スリーブ３８は、ポリイミド材料で構成できる。このポリイミド絶縁スリーブ３８の上にセンサを配置することができる。ポリイミド絶縁スリーブ３８は、半堅牢である。センサは、ポリイミド絶縁スリーブ３８の実質的に全長に沿って敷設することができる。ハンドピース１１は、ハンドピースの機能を果たすことができ、そして絶縁スリーブ３８の長さと、電極１２の露出されたアブレーションエネルギー付与面の長さとを示す表示を含む。
【００３０】
図２を参照すれば、キャップ１８は、閉ループの冷却媒体流チャンネルを形成するものとして示されている。キャップ１８は、溶接、半田付け、エポキシ塗布等を含むがこれに限定されない種々の手段により、コンジット１４及び１６の遠方端に固定される。キャップ１８は、半田付け、溶接、圧入等により電極１２の遠方端に固定される段を有する。キャップ１８ではなく、図３に示すように、コンジット１４及び１６の遠方端に「Ｕ」ジョイントを形成することもできる。
【００３１】
図４を参照すれば、電極の一部分のみが冷却媒体導入コンジット１４との界面を有する。しかしながら、冷却媒体導入コンジット１４及び電極１２の直径は、選択された組織アブレーション場所を経てその場所の周囲へエネルギーが伝達されるのを防止するために、電極１２の外面付近に形成される組織界面があまりに乾燥して焦げることのないような大きさにされる。
【００３２】
図５には、４ｃｍ直径の球状アブレーションの形成が示されている。電極１２の４ｃｍアブレーションエネルギー付与面が露出される。第１の側壁ポート２０は、電極１２の遠方端から２ｃｍに配置される。第１のプローブ２４は、その遠方端が球状アブレーション領域の周囲に配置されるように電極の内腔から進まさせる。第１センサ２８は、第１プローブ２４の遠方端に配置され、そしてアブレーションが所望のアブレーション領域の周囲に達したときを決定する。第２センサ３０は、第１プローブ２４の中点に配置され、所望のアブレーション領域を通る電磁エネルギーの伝達を監視すると共に、その位置でのアブレーションプロセスに障害物があるかどうかを決定する。アブレーションが完了すると、第１プローブ２４は、電極１２の内腔へと引っ込められる。
【００３３】
電極１２により供給される電磁エネルギーは、電極のアブレーション付与面の電極／組織界面を加熱させ、そして熱を電極１２へ戻す。更に多くの熱が付与されて戻されると、電極１２の焦がし作用が増大する。これは、選択された組織の場所を通る電磁エネルギー伝導性のロスを招く。電極１２での冷却を含ませたことは、選択された組織のアブレーション場所への電磁エネルギーの効果的な供給に影響しない。冷却は、選択された組織アブレーション場所全体をアブレーションできるようにする一方、電極／組織界面の加熱を減少又は排除する。
【００３４】
図６において、プローブ２４及び２６は、各々、電極１２の遠方端から展開され、選択された組織のかたまりに導入される。プローブ２４及び２６は、平面を形成する。
【００３５】
図７に示すように、絶縁スリーブ３８は、二次的なプローブ２４、２６及び付加的なプローブを受け入れるための１つ以上の内腔を含むことができ、これらプローブは、絶縁スリーブ３８の遠方端から展開される。図８は、電極１２の本体に形成された異なる側壁ポートから導入される４つのプローブを示す。これらのプローブの幾つか又は全部がアンカー機能を発揮する。
【００３６】
図９は、電極１２を通る冷却媒体の流量を制御するのに使用できる温度／インピーダンスフィードバックシステムのブロック図である。電磁エネルギーは、エネルギー源３４により電極１２に供給され、そして組織に付与される。モニタ４２は、組織に付与されるエネルギーに基づいて組織のインピーダンスを探知し、そしてその測定されたインピーダンス値を設定値と比較する。測定されたインピーダンスが設定値を越える場合には、ディスエイブル信号４４がエネルギー源３４に送られ、電極１２へのエネルギーの更なる供給を停止する。測定されたインピーダンスが許容範囲内にある場合には、エネルギーが組織に付与され続ける。
【００３７】
エネルギーが組織に付与される間に、センサ４６は、組織及び／又は電極１２の温度を測定する。比較器４８は、測定された温度を表す信号を受け取り、そしてこの値を、所望温度を表すプリセット信号と比較する。比較器４８は、組織の温度が高過ぎる場合には高い冷却媒体流量の必要性を表す信号を流量調整器５０へ送り、又は温度が所望温度を越えない場合にはその流量を維持する。
【００３８】
温度比較器４８からの出力５２は、エネルギー源３４に入力され、電源３２により供給される電力の量を調整することができる。インピーダンスモニタ１０６からの出力５４は、流量調整器５０へ入力されて、流量を調整し、従って、組織の温度を制御することができる。
【００３９】
図１０を参照すれば、エネルギー源３４は、電極１２に接続され、生物学的に安全な電圧を選択された組織場所に印加する。図１０に示す実施形態では、アブレーション装置１０は、エネルギー供給電極１２及び接地電極５６を有する２極のアブレーション装置として示されている。両電極１２及び５６は、変圧器巻線５８及び６０の一次側に接続される。共通の一次巻線５８、６０は、変圧器のコアで二次巻線５８’及び６０’に磁気的に結合される。
【００４０】
第１変圧器ｔ１の一次巻線５８は、アブレーション装置１０の出力電圧を二次巻線５８’に接続する。第２変圧器ｔ２の一次巻線６０は、アブレーション装置１０の出力電流を二次巻線６０’に接続する。
【００４１】
測定回路は、電流及び電圧の実効値（ＲＭＳ）又は大きさを決定する。電圧として表されるこれらの値は、除算回路Ｄに入力され、ＲＭＳ電圧値をＲＭＳ電流値で除算することにより、センサ４６における組織場所のインピーダンスを幾何学的に計算する。
【００４２】
除算回路Ｄの出力電圧は、比較器Ａの正（＋）の入力端子に与えられる。電源Ｖ0は、可変抵抗Ｒv間に電圧を供給し、従って、比較器Ａの負の入力に与えられる電圧を手動で調整することができる。この電圧は、これを越えると電極１２に電力が供給されなくなるところの最大インピーダンス値を表す。特に、最大カットオフインピーダンスより大きなインピーダンス値に対応する温度に組織が加熱されると、エネルギー源３４は、電極１２へのエネルギーの供給を停止する。
【００４３】
比較器Ａは、エネルギー源３４の振幅又はパルス巾変調を制御できるものであれば、市場で入手できるいかなる形式のものでもよい。
【００４４】
冷却媒体の流量は、信号６２で表された組織のインピーダンス、又は信号６４で表された組織の温度に基づいて制御することができる。１つの実施形態では、スイッチＳを操作して、インピーダンス信号６２を比較器Ａの正（＋）の入力端子に入力することができる。この信号は、負（−）の入力端子に印加される基準電圧と共に、比較器Ａを動作して、出力信号を発生させる。選択された組織アブレーション場所が生物学的に損傷を生じる温度まで加熱された場合には、組織インピーダンスが、負（−）の入力端子に見られる選択されたインピーダンス値を越え、これにより、エネルギー源３４をディスエイブルするためのディスエイブル信号４４を発生し、電極１２へ供給される電力を停止する。
【００４５】
比較器Ａの出力信号は、ポンプ６６へ通信される。選択された組織アブレーション場所の温度が高過ぎる場合には、組織のインピーダンスが許容範囲内に入るにも関わらず、ポンプ６６は、電極１２へ付与される冷却媒体の流量を調整し、電極１２の温度を低下させる。比較器Ａの出力信号は、インピーダンスによって表される組織の温度に基づき、エネルギー源３４のエネルギー出力をディスエイブルするか、電極１２を冷却するが、又は両方の動作を同時に実行する。
【００４６】
本発明の好ましい実施形態の以上の説明は、例示の目的でなされたものに過ぎない。本発明は、この特定の形態に限定されるものではない。多数の変更や修正が当業者に明らかであろう。本発明の範囲は、請求の範囲及びその等効物により限定されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本発明のアブレーション装置の断面図で、内腔と、冷却媒体導入コンジットと、冷却媒体放出コンジットと、内腔に形成された側壁ポートから延びる２つのプローブとを有する電極を示す図である。
【図２】図２は、図１の２つの冷却媒体コンジットの閉ループ遠方端の断面図である。
【図３】図３は、２つの冷却媒体コンジットの閉ループ遠方端の別の形態を示す断面図である。
【図４】図４は、図１の４−４線に沿った断面図である。
【図５】図５は、４ｃｍの球状アブレーション体積の形成を示す図で、１つのセンサがアブレーション体積の周囲に配置されそして第２のセンサが電極とプローブの遠方端との中点でプローブに配置された状態を示す図である。
【図６】図６は、本発明のアブレーション装置の斜視図で、２つのプローブが電極の遠方端から延びるところを示す図である。
【図７】図７は、本発明の電極の遠方端の斜視図で、プローブが絶縁スリーブの遠方端から延びるところを示す図である。
【図８】図８は、本発明のアブレーション装置の斜視図で、電極から４つのプローブが展開される状態を示す図である。
【図９】図９は、エネルギー供給電極の温度を制御するのに有効なフィードバックシステムを示すブロック図である。
【図１０】図１０は、図９のフィードバックシステムを実施するのに有用な回路を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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