(57)【要約】      （修正有）【課題】パネル回路基板の導線のショート欠陥を検査するにあたり、導線へ電気バイアスを印加しながら、レーザ光照射による抵抗変化がもたらした電流変化を検出する方法において、必要な欠陥検出信号の強度が得られ、かつ、検査時間を極力短縮することができる技術を提供する。【解決手段】導線のショート欠陥の検査において、導線へ電気バイアスを印加しながら、レーザ光照射による抵抗変化がもたらした電流変化を検出する方法において、検査対象となる領域として、パネル回路基板１１が中央線Ｃを中心として左右に二分される。二分された領域のうち、領域Ａの第１のバス線１２１または第２のバス線１２２の近傍にレーザ光４ａが照射される。領域Ｂの、第１のバス線１２１または第２のバス線１２２の近傍にレーザ光４ｂが照射される。このように２つの領域Ａ、Ｂが一度に検査されるので、必要な検出信号を得ながら、検査時間を短縮することができる。【選択図】図２
2007078379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線と交互に配列された複数の第２の導線とでなる導線群と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器により、前記第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加するステップと、
前記パネル回路基板と第１のレーザ光とを相対的に移動させることで前記第１のレーザ光を走査して前記導線群に照射しながら、かつ、前記パネル回路基板と第２のレーザ光とを相対的に移動させることで前記第２のレーザ光を走査して前記導線群に照射しながら、前記測定機器により前記電気的特性を測定するステップと
を具備することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項２】
請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記電気的特性を測定するステップは、
前記導線群のうち、該パネル回路基板が有する第１の領域に配列された第１の群に前記第１のレーザ光を照射するステップと、
前記導線群のうち、前記第１の領域以外の領域であって前記パネル回路基板が有する第２の領域に配列された第２の群に前記第２のレーザ光を照射するステップと
を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項３】
請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記パネル回路基板は、該パネル回路基板の第１の端部に前記第１のバス線を有するとともに、前記第１のバス線の近傍に前記第２のバス線を有し、さらに、該パネル回路基板の、前記第１の端部とは反対側の第２の端部に前記各第１の導線に接続された第３のバス線を有するとともに、前記第３のバス線の近傍に前記各第２の導線に接続された第４のバス線を有し、
前記電気的特性を測定するステップは、前記第１または第２のバス線の近傍で前記第１のレーザ光を照射しながら、かつ、前記第３または第４のバス線の近傍で前記第１のレーザ光が照射されている導線と同じ導線に前記第２のレーザ光を照射しながら前記電気的特性を測定することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項４】
請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記電気的特性を測定するステップは、
前記第１のレーザ光が前記各第１または第２の導線上を走査して照射するときは第１の走査速度で移動するステップと、
前記各第１または第２の導線以外の前記パネル回路基板上を走査するときは前記第１の走査速度より速い第２の走査速度で移動するステップと
を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項５】
請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記パネル回路基板は、アクティブ素子を有するアクティブマトリクス方式で駆動されるパネル回路基板であり、
当該欠陥検査方法は、前記アクティブ素子のフォトリーク現象を抑制するための電気バイアスを前記アクティブ素子に印加するステップをさらに具備することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項６】
請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記電気的特性を測定するステップは、
前記測定用電気バイアスを変調するステップと、
前記変調された測定用電気バイアスの信号を検波増幅することで、前記電気的特性を測定するステップと
を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項７】
請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記電気的特性を測定するステップは、
前記第１及び第２のレーザ光のうち少なくとも一方の強度を変調するステップと、
前記変調された強度の前記第１及び第２のレーザ光のうち少なくとも一方が照射されるときの前記測定用電気バイアスの信号を検波増幅することで、前記電気的特性を測定するステップと
を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項８】
請求項７に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記電気的特性を測定するステップは、
前記第１のレーザ光の強度を第１の周波数で変調しながら、前記導線群のうち、該パネル回路基板が有する第１の領域に配列された第１の群に前記第１のレーザ光を照射するステップと、
前記第２のレーザ光の強度を前記第１の周波数とは異なる第２の周波数で変調しながら、前記導線群のうち、前記第１の領域以外の領域であって前記パネル回路基板が有する第２の領域に配列された第２の群に前記第２のレーザ光を照射するステップと、
前記変調された強度の第１及び第２のレーザ光が照射されるときの前記測定用電気バイアスの信号を検波増幅することで、前記電気的特性を測定するステップと
を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項９】
請求項７に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記パネル回路基板は、該パネル回路基板の第１の端部に前記第１のバス線を有するとともに、前記第１のバス線の近傍に前記第２のバス線を有し、さらに、該パネル回路基板の、前記第１の端部とは反対側の第２の端部に前記各第１の導線に接続された第３のバス線を有するとともに、前記第３のバス線の近傍に前記各第２の導線に接続された第４のバス線を有し、
前記電気的特性を測定するステップは、
前記第１のレーザ光の強度を第１の周波数で変調するステップと、
前記第２のレーザ光の強度を前記第１の周波数とは異なる第２の周波数で変調するステップと、
前記第１または第２のバス線の近傍で前記第１のレーザ光を照射しながら、かつ、前記第３または第４のバス線の近傍で前記第１のレーザ光が照射されている導線と同じ導線に前記第２のレーザ光を照射しながら前記電気的特性を測定するステップと
を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項１０】
請求項７に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記電気的特性を測定するステップは、
前記第１のレーザ光が前記各第１及び第２の導線上を走査して照射するときは第１の走査速度で移動するステップと、
前記各第１及び第２の導線以外の前記パネル回路基板上を走査するときは前記第１の走査速度より速い第２の走査速度で移動するステップと、
前記第１の走査速度で移動する場合と、前記第２の走査速度で移動する場合の変化の周波数で、前記第１のレーザ光の強度を変調するステップと
を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項１１】
請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記パネル回路基板は、前記各第１及び各第２の導線がすべてほぼ平行に配列されたパネル回路基板であることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項１２】
複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線とほぼ直交して配列された複数の第２の導線と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器により、前記第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加するステップと、
前記第１の導線のうち１本の導線に第１のレーザ光を照射しているときに、前記パネル回路基板と第２のレーザ光とを相対的に移動させることで前記第２のレーザ光を走査して前記各第２の導線に照射しながら、前記測定機器により前記電気的特性を測定するステップと
を具備することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記電気的特性を測定するステップは、前記第１の導線ごとに繰り返されることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記電気的特性を測定するステップは、前記第１のバス線の近傍で前記第１のレーザ光を照射し、前記第２のバス線の近傍で前記第２のレーザ光を照射することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記パネル回路基板は、該パネル回路基板の第１の端部に前記第２のバス線を有するとともに、前記第１の端部とは反対側の第２の端部に前記各第２の導線に接続された第３のバス線を有し、
前記電気的特性を測定するステップは、前記パネル回路基板と第３のレーザ光とを相対的に移動させることで、前記第３のバス線の近傍で前記第３のレーザ光を走査して前記２のレーザ光が照射されている導線と同じ導線に照射することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記パネル回路基板は、該パネル回路基板の第３の端部に前記第１のバス線を有するとともに、前記第３の端部とは反対側の第４の端部に前記各第１の導線に接続された第４のバス線を有し、
前記電気的特性を測定するステップは、前記第４のバス線の近傍で前記第１のレーザ光が照射されている導線と同じ導線に照射することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項１７】
請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、
前記電気的特性の測定によりショート欠陥が検出された場合、前記ショート欠陥を除去するステップと、
前記ショート欠陥を除去した後、前記電気的特性を測定するステップを続行するステップと
をさらに具備することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法。
【請求項１８】
複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線と交互に配列された複数の第２の導線とでなる導線群と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の製造方法であって、
前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器により、前記第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加するステップと、
前記パネル回路基板と第１のレーザ光とを相対的に移動させることで第１のレーザ光を走査して前記導線群に照射しながら、かつ、前記パネル回路基板と第２のレーザ光とを相対的に移動させることで第２のレーザ光を前記導線群に走査して照射しながら、前記測定機器により前記電気的特性を測定するステップと、
前記電気的特性の測定によりショート欠陥が検出された場合、前記ショート欠陥を除去するステップと
を具備することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の製造方法。
【請求項１９】
複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線とほぼ直交して配列された複数の第２の導線と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の製造方法であって、
前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器により、前記第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加するステップと、
前記第１の導線のうち１本の導線に第１のレーザ光を照射しているときに、前記パネル回路基板と第２のレーザ光とを相対的に移動させることで前記第２のレーザ光を走査して前記各第２の導線に照射しながら、前記測定機器により前記電気的特性を測定するステップと、
前記電気的特性の測定によりショート欠陥が検出された場合、前記ショート欠陥を除去するステップと
を具備することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載のフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の製造方法であって、
前記ショート欠陥を除去した後、前記電気的特性を測定するステップを続行するステップをさらに具備することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の製造方法。
【請求項２１】
複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線と交互に配列された複数の第２の導線とでなる導線群と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査装置であって、
第１のレーザ光を前記導線群に照射可能な第１のレーザ光照射機構と、
第２のレーザ光を前記導線群に照射可能な第２のレーザ光照射機構と、
前記第１のレーザ光を前記パネル回路基板上で走査させるために前記第１のレーザ光と前記パネル回路基板とを相対的に移動させるとともに、前記第２のレーザ光を前記パネル回路基板上で走査させるために前記第２のレーザ光と前記パネル回路基板とを相対的に移動させる移動機構と、
前記第１及び第２のレーザ光が照射されているときに、第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加して、前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器と
を具備することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査装置。
【請求項２２】
複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線とほぼ直交して配列された複数の第２の導線と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査装置であって、
第１のレーザ光を前記第２の導線に照射可能な第１のレーザ光照射機構と、
第２のレーザ光を前記第１の導線に照射可能な第２のレーザ光照射機構と、
前記第２のレーザ光を前記パネル回路基板上で走査させるために前記第２のレーザ光と前記パネル回路基板とを相対的に移動させる移動機構と、
前記第１及び第２のレーザ光が照射されているときに、第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加して、前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器と
を具備することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ、ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイに搭載されるパネル回路基板の欠陥検査方法、当該パネル回路基板の製造方法及び欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、フラットパネルディスプレイ用のパネル回路基板上に並列に配線された多数の導線の欠陥を検査する方法として、レーザ照射が用いられる方法がある。特に、導線間のショートを検査する方法として次のような方法がある。例えば、各導線がレーザ光で走査され、レーザ光がショート箇所の上を通過したときの、導線間の抵抗値の変化が読み取られる。レーザ光が照射されるとき、導線に熱抵抗が生じるので、そのときの抵抗値変化が検出される。そして、該抵抗値が変化したときのレーザ光の位置からショート欠陥が発生している位置が特定される、という方法である（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
しかしながら、特許文献１の技術では、レーザ光の走査距離が長くなるために、検出に必要な時間が長くなる。特に、近年、パネル回路基板は大型化する傾向にあるので、欠陥が迅速に検出されることが望まれる。
【０００４】
ところで、パネル回路基板には、バス線で接続された導線もある。バス線を有するパネル回路基板のショート欠陥等の検査方法として、次のような方法がある。例えば、パネル回路基板に、複数のバス線が設けられている場合、例えば２つのバス線に電気的に接続された複数の導線にレーザ光が走査されながら照射される。このときの２つのバス線間の抵抗値等が検出される、という方法である（例えば、特許文献２参照。）。この方法によれば、欠陥箇所がレーザにより直接照射されなくても、欠陥を検出することができるので、検査時間が短縮される。なお、この特許文献２には、熱源として、レーザの代わりにホットガスが用いられる技術も開示されている。
【特許文献１】特開２０００−１１１５９７号公報（図１、段落[００１３]、[００１４]）
【特許文献２】米国特許第６，５４５，５００号（ＦＩＧ．３ａ、８ａ〜９ｂ、２２ａ、２２ｂ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
最近では、フラットパネルディスプレイ用のパネル回路基板は、かなり大型化しており、これに伴い導線の数も増えているので、迅速な検査処理が要求される。しかしながら、導線の数が増えると、検査時間を短くしようとする場合、導線１本あたりの検査時間が短くなる。そうすると、導線１本当りに必要な検出信号の強度が得られず、的確な信号検出ができない。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、必要な検出信号の強度が得られ、かつ、検査時間を極力短縮することができるフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法、当該パネル回路基板の製造方法及び欠陥検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る欠陥検査方法は、複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線と交互に配列された複数の第２の導線とでなる導線群と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器により、前記第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加するステップと、前記パネル回路基板と第１のレーザ光とを相対的に移動させることで前記第１のレーザ光を走査して前記導線群に照射しながら、かつ、前記パネル回路基板と第２のレーザ光とを相対的に移動させることで前記第２のレーザ光を走査して前記導線群に照射しながら、前記測定機器により前記電気的特性を測定するステップとを具備する。
【０００８】
「交互に配列された」とは、第１及び第２の導線がそれぞれ１本ずつ交互に配列された形態、またはｎ（ｎは自然数）本ずつ交互に配列された形態を含む意味である。また、「交互に配列された」とは、第１及び第２の導線がそれぞれｎ本及びｍ本ずつ（ｎ、ｍは自然数、かつ、ｎ≠ｍ）配列された形態、または両者がランダムな本数で交互に配列された形態を含む意味である。
【０００９】
「電気的特性」とは、抵抗値、電圧値、電流値及び電力値のうち少なくとも１つである。
【００１０】
フラットパネルディスプレイとしては、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、プラズマアドレス液晶ディスプレイ、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ（有機及び無機両方を含む。）等が挙げられる。
【００１１】
本発明において、第１及び第２の導線の両方が縦方向の導線"、または、"第１及び第２の導線の両方が横方向の導線"である。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記電気的特性を測定するステップは、前記導線群のうち、該パネル回路基板が有する第１の領域に配列された第１の群に前記第１のレーザ光を照射するステップと、前記導線群のうち、前記第１の領域以外の領域であって前記パネル回路基板が有する第２の領域に配列された第２の群に前記第２のレーザ光を照射するステップとを有する。この場合、第１のレーザ光の照射とほぼ同時間帯に第２のレーザ光が照射される。すなわち、パネル回路基板の導線群の領域が二分され、それぞれに第１及び第２のレーザ光が照射される。これにより、例えば、第１のレーザ光（または、第２のレーザ光）の走査速度が、必要な検出信号が得られる程度に遅い速度であっても、２つの領域が一度に検査される。したがって、結果的には、測定機器において必要な検出信号が得られる上に、検査時間を短縮することができる。
【００１３】
第１の領域及び第２の領域は、パネル回路基板を均等に二分するそれぞれの領域でよいが、必ずしも「均等」である必要はなく、その割合は適宜変更可能である。例えばレーザ光が３つ以上の場合は、それに応じてパネル回路基板の領域も３つ以上に分割される。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記パネル回路基板は、該パネル回路基板の第１の端部に前記第１のバス線を有するとともに、前記第１のバス線の近傍に前記第２のバス線を有し、さらに、該パネル回路基板の、前記第１の端部とは反対側の第２の端部に前記各第１の導線に接続された第３のバス線を有するとともに、前記第３のバス線の近傍に前記各第２の導線に接続された第４のバス線を有し、前記電気的特性を測定するステップは、前記第１または第２のバス線の近傍で前記第１のレーザ光を照射しながら、かつ、前記第３または第４のバス線の近傍で前記第１のレーザ光が照射されている導線と同じ導線に前記第２のレーザ光を照射しながら電気的特性を測定する。断線欠陥等に対する設計の冗長性を高めるために、本発明のように、同じ第１の導線（または、第３の導線）に２つのバス線である第１及び第２のバス線（または、第３及び第４のバス線）が設けられる場合がある。このようなパネル回路基板であっても、上記同様にショート欠陥の位置に依存せずに適切な検出信号強度が得られる。
【００１５】
本発明において、「前記第１または第２のバス線の近傍で前記第１のレーザ光を照射しながら、かつ、前記第３または第４のバス線の近傍で前記第２のレーザ光を照射しながら電気的特性を測定する」という要件について、第１〜第４のバス線の組み合わせは、すべての組み合わせが考えられる。すなわち、"「第１のバス線」のとき「第３または第４のバス線」"という組み合わせ、「第２のバス線」のとき「第３のまたは第４のバス線」"という組み合わせが考えられる。以下、同様である。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記電気的特性を測定するステップは、前記第１のレーザ光が前記各第１または第２の導線上を走査して照射するときは第１の走査速度で移動するステップと、前記各第１または第２の導線以外の前記パネル回路基板上を走査するときは前記第１の走査速度より速い第２の走査速度で移動するステップとを有する。これにより、極力検査時間を短縮することができる。
【００１７】
本発明において、第２のレーザ光が第１のレーザ光と同様に動作してもよい。すなわち、前記電気的特性を測定するステップは、前記第２のレーザ光が前記各第１及び第２の導線上を走査して照射するときは第３の走査速度で移動し、前記各第１及び第２の導線以外の前記パネル回路基板を走査するときは前記第１の走査速度より速い第４の走査速度で移動する。第３の走査速度は、上記第１または第２の速度と同じであってもよいし、両者とは別の速度であってもよい。第４の走査速度も同様に、上記第１または第２の速度と同じであってもよいし、両者とは別の速度であってもよい。
【００１８】
本発明において、最初のステップ中の「前記各第１または第２の導線上」と、次のステップ中の「前記各第１または第２の導線以外の」という要件は、次のような読み方で理解されるものとする。「第１の導線上」が選択されたとき「第１の導線以外」を読み、「第２の導線上」が選択されたとき「第２の導線以外」を読む。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記パネル回路基板は、アクティブ素子を有するアクティブマトリクス方式で駆動されるパネル回路基板であり、当該欠陥検査方法は、前記アクティブ素子のフォトリーク現象を抑制するための電気バイアスを前記アクティブ素子に印加するステップをさらに具備する。これにより、アクティブ素子のフォトリーク現象による検出信号のノイズを抑制することができる。この場合のディスプレイとしては、例えば、液晶、またはＥＬが挙げられる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記電気的特性を測定するステップは、前記測定用電気バイアスを変調するステップと、前記変調された測定用電気バイアスの信号を検波増幅することで、前記電気的特性を測定するステップとを有する。あるいは、前記電気的特性を測定するステップは、前記第１及び第２のレーザ光のうち少なくとも一方の強度を変調するステップと、前記変調された強度の前記第１及び第２のレーザ光のうち少なくとも一方が照射されるときの前記測定用電気バイアスの信号を検波増幅することで、前記電気的特性を測定するステップとを有する。これらの発明によれば、測定機器による信号検出時のノイズの影響を小さくすることができる。
【００２１】
本発明の一の形態によれば、前記電気的特性を測定するステップは、前記電気的特性を測定するステップは、前記第１のレーザ光の強度を第１の周波数で変調しながら、前記導線群のうち、該パネル回路基板が有する第１の領域に配列された第１の群に前記第１のレーザ光を照射するステップと、前記第２のレーザ光の強度を前記第１の周波数とは異なる第２の周波数で変調しながら、前記導線群のうち、前記第１の領域以外の領域であって前記パネル回路基板が有する第２の領域に配列された第２の群に前記第２のレーザ光を照射するステップと、前記変調された強度の第１及び第２のレーザ光が照射されるときの前記測定用電気バイアスの信号を検波増幅することで、前記電気的特性を測定するステップとを有する。これにより、ノイズを抑えることができ、かつ、第１及び第２のレーザ光による両検出信号を区別することができるので、ショートの位置を容易に特定することができる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記パネル回路基板は、該パネル回路基板の第１の端部に前記第１のバス線を有するとともに、前記第１のバス線の近傍に前記第２のバス線を有し、さらに、該パネル回路基板の、前記第１の端部とは反対側の第２の端部に前記各第１の導線に接続された第３のバス線を有するとともに、前記第３のバス線の近傍に前記各第２の導線に接続された第４のバス線を有し、前記電気的特性を測定するステップは、前記第１のレーザ光の強度を第１の周波数で変調するステップと、前記第２のレーザ光の強度を前記第１の周波数とは異なる第２の周波数で変調するステップと、前記第１または第２のバス線の近傍で前記第１のレーザ光を照射しながら、かつ、前記第３または第４のバス線の近傍で前記第１のレーザ光が照射されている導線と同じ導線に前記第２のレーザ光を照射しながら前記電気的特性を測定するステップとを有する。これにより、ノイズ低減に有効であり、かつ、ショート欠陥の位置に依存せずに適切な検出信号強度が得られる。その上、第１及び第２のレーザ光による両検出信号を区別することができるのでショートの位置を容易に特定することができる。
【００２３】
本発明の一の形態によれば、前記電気的特性を測定するステップは、前記第１のレーザ光が前記各第１及び第２の導線上を走査して照射するときは第１の走査速度で移動するステップと、前記各第１及び第２の導線以外の前記パネル回路基板上を走査するときは前記第１の走査速度より速い第２の走査速度で移動するステップと、前記第１の走査速度で移動する場合と、前記第２の走査速度で移動する場合の変化の周波数で、前記第１のレーザ光の強度を変調するステップとを有する。これにより、検査時間を極力短縮し、かつ、ノイズ低減を実現できる。
【００２４】
本発明の一の形態によれば、前記パネル回路基板は、前記各第１及び各第２の導線がすべてほぼ平行に配列されたパネル回路基板である。すなわち、第１及び第２の導線は両方とも縦方向の列導線であるか、または、両方とも横方向の行導線である。
【００２５】
本発明の他の観点に係るフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法は、複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線とほぼ直交して配列された複数の第２の導線と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査方法であって、前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器により、前記第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加するステップと、前記第１の導線のうち１本の導線に第１のレーザ光を照射しているときに、前記パネル回路基板と第２のレーザ光とを相対的に移動させることで前記第２のレーザ光を走査して前記各第２の導線に照射しながら、前記測定機器により前記電気的特性を測定するステップとを具備する。
【００２６】
本発明は、第１の導線と第２の導線とがほぼ直交する場合の欠陥検査方法を実現するものである。つまり、本発明は、第１及び第２の導線がそれぞれ縦方向及び横方向の導線である場合の欠陥検査方法である。本発明において、第１のレーザ光の照射位置とパネル回路基板との相対的な位置は変わらない。
【００２７】
本発明において、例えば第１の導線ごとに電気的特性が測定されれば、パネル回路基板の全線について検査が可能となる。
【００２８】
本発明の一の形態によれば、前記電気的特性を測定するステップは、前記第１のバス線の近傍で前記第１のレーザ光を照射し、前記第２のバス線の近傍で前記第２のレーザ光を照射する。これにより、例えばショート欠陥が第１のバス線に近い側、第２のバス線に近い側に発生している場合に、測定機器により適切な検出信号強度が得られる。
【００２９】
本発明の一の形態によれば、前記パネル回路基板は、該パネル回路基板の第１の端部に前記第２のバス線を有するとともに、前記第１の端部とは反対側の第２の端部に前記各第２の導線に接続された第３のバス線を有し、前記電気的特性を測定するステップは、前記パネル回路基板と第３のレーザ光とを相対的に移動させることで、前記第３のバス線の近傍で前記２のレーザ光が照射されている導線と同じ導線に前記第３のレーザ光を走査して照射する。これにより、ショート欠陥が、パネル回路基板の第１の端部に近い側か、あるいは第２の端部に近い側に発生しているかを問わず、適切な検出信号強度が得られる。
【００３０】
本発明の一の形態によれば、前記パネル回路基板は、該パネル回路基板の第３の端部に前記第１のバス線を有するとともに、前記第３の端部とは反対側の第４の端部に前記各第１の導線に接続された第４のバス線を有し、前記電気的特性を測定するステップは、前記第４のバス線の近傍で前記第１のレーザ光が照射されている導線と同じ導線に照射する。これにより、ショート欠陥が、パネル回路基板の第３の端部に近い側か、あるいは第４の端部に近い側に発生しているかを問わず、適切な検出信号強度が得られる。
【００３１】
本発明の一の形態によれば、当該欠陥検査方法は、前記電気的特性の測定によりショート欠陥が検出された場合、前記ショート欠陥を除去するステップと、前記ショート欠陥を除去した後、前記電気的特性を測定するステップを続行するステップとをさらに具備する。このように検査途中でショート欠陥が除去されることにより、例えば複数のショート欠陥を有する検査対象の基板において、検出されたショート欠陥の除去後の欠陥検出感度の変化に伴って、除去されたショート欠陥以外のショート欠陥の検出感度が向上し、複数のショート欠陥の除去が可能になる。
【００３２】
本発明に係るフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の製造方法は、複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線と交互に配列された複数の第２の導線とでなる導線群と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の製造方法であって、前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器により、前記第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加するステップと、前記パネル回路基板と第１のレーザ光とを相対的に移動させることで第１のレーザ光を走査して前記導線群に照射しながら、かつ、前記パネル回路基板と第２のレーザ光とを相対的に移動させることで第２のレーザ光を前記導線群に走査して照射しながら、前記測定機器により前記電気的特性を測定するステップと、前記電気的特性の測定によりショート欠陥が検出された場合、前記ショート欠陥を除去するステップとを具備する。
【００３３】
本発明の他の観点に係るフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の製造方法は、複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線とほぼ直交して配列された複数の第２の導線と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の製造方法であって、前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器により、前記第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加するステップと、前記第１の導線のうち１本の導線に第１のレーザ光を照射しているときに、前記パネル回路基板と第２のレーザ光とを相対的に移動させることで前記第２のレーザ光を走査して前記各第２の導線に照射しながら、前記測定機器により前記電気的特性を測定するステップと、前記電気的特性の測定によりショート欠陥が検出された場合、前記ショート欠陥を除去するステップとを具備する。
【００３４】
本発明に係る欠陥検査装置は、複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線と交互に配列された複数の第２の導線とでなる導線群と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査装置であって、第１のレーザ光を前記導線群に照射可能な第１のレーザ光照射機構と、第２のレーザ光を前記導線群に照射可能な第２のレーザ光照射機構と、前記第１のレーザ光を前記パネル回路基板上で走査させるために前記第１のレーザ光と前記パネル回路基板とを相対的に移動させるとともに、前記第２のレーザ光を前記パネル回路基板上で走査させるために前記第２のレーザ光と前記パネル回路基板とを相対的に移動させる移動機構と、前記第１及び第２のレーザ光が照射されているときに、第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加して、前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器とを具備する。
【００３５】
本発明の他の観点に係る欠陥検査装置は、複数配列された第１の導線と、前記各第１の導線とほぼ直交して配列された複数の第２の導線と、前記各第１の導線に接続された第１のバス線と、前記各第２の導線に接続された第２のバス線とを有するフラットパネルディスプレイ用パネル回路基板の欠陥検査装置であって、第１のレーザ光を前記第２の導線に照射可能な第１のレーザ光照射機構と、第２のレーザ光を前記第１の導線に照射可能な第２のレーザ光照射機構と、前記第２のレーザ光を前記パネル回路基板上で走査させるために前記第２のレーザ光と前記パネル回路基板とを相対的に移動させる移動機構と、前記第１及び第２のレーザ光が照射されているときに、第１及び第２のバス線の間に測定用電気バイアスを印加して、前記第１の導線及び前記第２の導線の間のショート欠陥による電気的特性を測定するための測定機器とを具備する。
【発明の効果】
【００３６】
以上のように、本発明によれば、必要な検出信号の強度が得られ、かつ、検査時間を極力短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づき説明する。
【００３８】
図１は、本発明の一実施の形態に係る欠陥検査装置の構成を示すブロック図である。
【００３９】
欠陥検査装置１０は、フラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤと略す。）用のパネル回路基板１１を保持し、例えば水平面内（Ｘ−Ｙ平面内）で移動可能に構成されたＸＹステージ３を備えている。ＸＹステージ３は、例えば図示しないリニアモータ機構、あるいはベルト駆動機構により構成される。ＸＹステージ３は、ステージコントローラ１２によりその動きが制御される。
【００４０】
ＸＹステージ３上には、パネル回路基板１１にレーザ光を照射することが可能なレーザ光照射ユニット１５が配置されている。レーザ光照射ユニット１５は、レーザ光源用電源１を有し、レーザ光源用電源１は、レーザ光源５ａ及び５ｂにそれぞれ電源を供給する。レーザ光源５ａ及び５ｂは、例えば、ガスレーザ、半導体レーザ、あるいは固体レーザ等、所定パワーのレーザ光を出力することができれば、いかなる種類のレーザが用いられてもかまわない。レーザ光照射ユニット１５は、鏡筒１６ａ及び１６ｂを有し、また、これらの鏡筒１６ａ及び１６ｂに取り付けられた集光レンズユニット１８ａ及び１８ｄを有している。鏡筒１６ａ及び１６ｂには、各レーザ光源５ａ及び５ｂから出射されるレーザ光を集光レンズユニット１８ａ及び１８ｂにそれぞれ導くための、図示しない光学系がそれぞれ内蔵されている。集光レンズユニット１８ａ及び１８ｂは、上記光学系から供給されるレーザ光を、パネル回路基板１１上にそれぞれ集光する。
【００４１】
欠陥検査装置１０は、パネル回路基板１１のショート欠陥を電気的に測定するための測定機器２５を備えている。測定機器２５は、電源１４、２本のプローブ６及び７、測定抵抗（測定用の負荷抵抗）１９、電流／電圧測定器１３、データ集録／制御用コンピュータ２等を有する。プローブ６及び７は、図２に示すように、パネル回路基板１１のバス線１２１及び１２２にそれぞれ接続可能に構成されている。電源１４は、各プローブ６及び７を介して、各バス線２１及び２２間に所定の電気バイアスを印加する。所定の電気バイアスとは、例えば、直流電流または直流電圧である。電流が測定される場合、電流／電圧測定器１３は測定抵抗１９と直列に接続される。測定抵抗１９は、例えばセラミック抵抗等が用いられるが、材料はこれに限られない。電流／電圧測定器１３は、プローブ６及び７間の電流値や電圧、あるいは抵抗値等を測定する。電流／電圧測定器１３は、電流計、電圧計、測定信号を時間変化でモニタするためのオシロスコープ、あるいは測定電圧をデータ集録／制御用コンピュータ２に集録させるためのデジタルマルチメータ等でなる。データ集録／制御用コンピュータ２は、上記のように測定電圧を記録したり、ステージコントローラ１２を制御したりする。データ集録／制御用コンピュータ２は、例えばパーソナルコンピュータが用いられればよい。
【００４２】
なお、レーザ光照射ユニット１５の各鏡筒１６ａ及び１６ｂには、パネル回路基板１１の検査部分を観察するためのカメラ１７ａ及び１７ｂが取り付けられている。
【００４３】
パネル回路基板１１は、図２に示すように、複数の第１の列導線２３が接続された第１のバス線１２１を有している。また、パネル回路基板１１は、第１の列導線２３にほぼ平行に、かつ交互に配列された複数の第２の列導線２４が接続された第２のバス線１２２を有している。以下、縦の導線を列導線といい、横の導線を行導線という。図２は、行導線は図示が省略されており、第１及び第２の列導線２３及び２４のみにバス線が接続され、行導線にはない。しかしながら行導線にも、もちろんバス線があってもよい。
【００４４】
図２の説明に戻る。図２に示すように、第１のバス線１２１、第２のバス線１２２は、パネル回路基板１１の一端に配置されている。また、第１のバス線１２１が設けられる側とは反対側の他端に、各第１の列導線２３が接続された第３のバス線２２１が配置されている。同様に、第２のバス線１２２が設けられる側とは反対側の他端に、各第２の列導線２４が接続された第４のバス線２２２が配置されている。このように、バス線が２つずつ設けられているのは、断線欠陥等に対する設計の冗長性を高めるためである。
【００４５】
第１の列導線２３と第２の列導線２４とは、機能（目的）が異なる線である。例えば、パネル回路基板１１が用いられるディスプレイが、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される、液晶ディスプレイあるいはＥＬディスプレイの場合、第１及び第２の列導線２３及び２４は次のような線に相当する。例えば、第１の列導線２３が電源の供給線（例えば電圧調整用回路に用いられる導線）に相当し、第２の列導線２４が蓄積容量の共通側電極線に相当する。この場合、行導線も同様であり、第１の行導線が電源の供給線に相当し、第２の行導線が蓄積容量の共通側電極線に相当する。
【００４６】
あるいは、第１の列導線２３と第２の列導線２４とが同じ機能を有する場合もある。すなわち、欠陥検査の終了後、次工程において各バス線１２１等が切り取られ、最終的な製品の形態として、各列導線２３及び２４（あるいは図示しない各行導線）が独立する場合である。この場合、各導線２３及び２４に表示駆動用のドライバＩＣ（Integrated Circuit）が接続される。このように、第１の列導線２３と第２の列導線２４とが同じ機能を有する場合の、列導線及び行導線の定義を下に示す。
【００４７】
列導線の定義
１．液晶ディスプレイまたはＥＬディスプレイの場合
（ａ）パッシブマトリクス方式の場合：データバス線
（ｂ）アクティブマトリクス方式の場合：コラム線（ソースバス線）、蓄積容量の共通側電極線
２．プラズマディスプレイの場合：アドレスバス線
３．プラズマアドレス液晶ディスプレイの場合：データ線（コラム線）
４．電界放出型のディスプレイ（ＦＥＤ（Field Emission Display）またはＳＥＤ（Surface-conduction Electron-emitter Display））の場合：データバス線（エミッタバス線等）。
【００４８】
行導線の定義
１．液晶ディスプレイまたはＥＬディスプレイの場合
（ａ）パッシブマトリクス方式の場合：アドレス（ゲート）バス線
（ｂ）アクティブマトリクス方式の場合：ロー線（ゲートバス線）、蓄積容量の共通側電極線
２．プラズマディスプレイの場合：表示線（維持電極及び／または走査電極）
３．プラズマアドレス液晶ディスプレイの場合：プラズマセルにおける、カソード線及び／またはアノード線
４．電界放出型のディスプレイの場合：ゲートバス線。
【００４９】
次に、図１に示す欠陥検査装置の動作（欠陥検査方法）について説明する。
【００５０】
パネル回路基板１１がＸＹステージ３に載置され、図２に示すように、プローブ６及び７が各バス線１２１及び１２２に接続される。本実施の形態では、検査対象となる領域として、パネル回路基板１１が図中、中央線Ｃを中心として左右に二分される。二分された領域のうち、領域Ａの第１のバス線１２１または第２のバス線１２２の近傍にレーザ光４ａが照射されることになる。一方領域Ｂの、第１のバス線１２１または第２のバス線１２２の近傍にレーザ光４ｂが照射されることになる。
【００５１】
プローブ６及び７が各バス線１２１及び１２２に接続されると、電源１４により所定の電気バイアスが印加される。例えば直流の電気バイアスが印加された状態で、ステージコントローラ１２の制御の下、ＸＹステージ３が移動する。各レーザ光源５ａ及び５ｂが領域Ａ及びＢ上に配置され、例えばＸＹステージ３が図２に示すようにＸ方向に移動することで、レーザ光のビームスポット４ａ及び４ｂがＸ方向に走査させられる。例えば、ショート欠陥Ｓがない列導線２３または２４にレーザ光４ａが照射された場合、抵抗値が上がる導線が閉回路内にないために、抵抗値は変わらない。しかし、ショート欠陥Ｓがある列導線２３または２４にレーザ光４ａが照射された場合、プローブ６及び７間の抵抗値が上がる。これが電流／電圧測定器１３で測定される。これにより、ショート欠陥の位置が分かる。
【００５２】
なお、原理的には、列導線２３及び２４のうちいずれか一方にレーザ光が照射されれば、ショート欠陥が検出可能となる。しかし、実際には、マクロ的にはレーザ光４ａが連続波で発生しながらＸ方向に走査されるので、列導線２３及び２４のいずれにも照射されることになる。
【００５３】
以上のように、本実施の形態では、例えば、レーザ光４ａ及び４ｂの走査速度が、必要な検出信号が得られる程度に遅い速度であっても、２つの領域Ａ、Ｂが一度に検査される。したがって、結果的には、測定機器において必要な検出信号が得られる上に、検査時間を短縮することができる。
【００５４】
次に、図１の欠陥検査装置１０を用いた欠陥検査方法の他の実施形態について説明する。これ以降の実施の形態の説明では、上記図１等に示される欠陥検査装置１０の構成や機能等について同様のものは説明を簡略または省略し、異なる点を中心に説明する。
【００５５】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す例では、上記のように領域Ａ及びＢに分ける方法ではなく、レーザ光４ａ及び４ｂが同じ列導線２３（または列導線２４）を照射する方法である。具体的には、図３は、レーザ光４ａ及び４ｂが、ＸＹステージ３と相対的にＸ方向に移動する。つまり、レーザ光４ａ及び４ｂは、矢印２７及び２８の向きに走査される。また、レーザ光４ａがバス線１２１または１２２の近傍に照射され、レーザ光４ｂがバス線２２１及び２２２の近傍に照射される。
【００５６】
今、プローブ６及び７は、バス線１２１及び１２２にそれぞれ接続されているとする。図３（Ａ）に示すように、ショート欠陥Ｓ１が、バス線２２１及び２２２より、バス線１２１及び１２２に近い側に発生している場合、バス線の抵抗値は列導線の抵抗値に比べて非常に低いので、例えば電源１４（図１参照）により電流バイアスが印加されると、図３（Ａ）の破線の矢印３２で示すような経路でほぼすべての電流が流れる。つまり、ビームスポット４ａが照射されている列導線２３に電流が流れる。
【００５７】
ところが、図４に示すように、従来のようにレーザ光１０４ａが１つのみの場合であって、ショート欠陥Ｓ２が、バス線１２１及び１２２より、バス線２２１及び２２２に近い側に発生している場合、矢印３３で示す経路で電流が流れる。すなわち、列導線２３におけるビームスポット１０４ａが照射されて熱が発生している部分は、ほぼ全ての電流が流れる経路には入らないことになり、電流／電圧測定器１３で検出されるべき信号が著しく低下し、測定不能となるおそれがある。このようになる理由について以下述べる。
【００５８】
図５（Ａ）〜（Ｃ）は、パネル回路基板１１の等価回路を示す図である。図５（Ａ）に示すように、多数の列導線２３や２４がその上下両端で並列に接続されている場合に、列導線２３及び２４間でショート欠陥（抵抗ｒｓ）が発生しているとする。ショート欠陥がない多数の列導線２３ｔ（または２４ｔ）は、ショート欠陥がある列導線２３ａ（または２４ａ）に並列する抵抗値が、１／（列導線２３ｔ（または２４ｔ）の本数）である１本の抵抗とみなせる。また、レーザ光照射による抵抗値の変化分の抵抗Ｂは、ショート欠陥がある列導線２３ｓ（または２４ｓ）に直列する抵抗とみなせる。なお、バス線の抵抗値も無視できる。
【００５９】
ここでは、レーザ光４ａ（図４参照）が照射される側のバス線１２１（または１２２）との間の抵抗Ａ、レーザ光照射による抵抗値の変化分の抵抗Ｂ、及びレーザ光４ａが照射されない側のバス線２２１（または２２２）との抵抗Ｃが直列接続されている。これら、Ａ，Ｂ及びＣの抵抗と、ショート欠陥ｒｓがない列導線の並列和の抵抗Ｄとが並列接続されている。ここで抵抗Ｄは、例えば数オームでありほとんど無視できる。つまり図５（Ｂ）に示すような回路になる。
【００６０】
また、抵抗Ａと抵抗Ｃの抵抗値の和は、一本の列導線２３の抵抗値であり数キロオームである。一方で、抵抗Ｂの値は、一般に１オームより小さい。したがって、ショート欠陥の位置がレーザ光４ａが照射される側のバス線１２１（または２２２）から遠くなると、抵抗Ｄの抵抗値が、抵抗Ａと抵抗Ｂの和に対して小さくなり、図５（Ｃ）に示すように、印加電流のほとんどは抵抗Ｄを流れる。このようなことから、抵抗Ｂの効果がほとんどなくなり、測定不能となるのである。
【００６１】
このような問題を解決するために、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す本実施の形態に係る方法では、ショート欠陥Ｓ１やＳ２が、バス線１２１及び２２１のどちら側の近傍に発生しても、２つのレーザ光４ａ及び４ｂが、バス線１２１及び２２１の近傍でそれぞれ走査される。このようにすれば、主に矢印３３（図４参照）で示すようにほとんどすべての電流が流れても、ビームスポット４ａまたは４ｂが照射された部分にも電流が流れるので、上記の抵抗Ｂの効果が作用し、測定可能となる。
【００６２】
図６は、本発明のさらに別の実施の形態に係る欠陥検査方法を説明するための図である。
【００６３】
この例では、レーザ光４ａがパネル回路基板１１上を走査するときに、各第２の列導線２４以外のパネル回路基板１１上に照射されるときの走査速度が、各第２の列導線２４上に照射されるときの走査速度より速い速度になるように制御される。
【００６４】
図６中、下に示すように、レーザ光４ａの走査速度が周期的に変化する。この欠陥検査方法は、図１に示した欠陥検査装置１０により実現される。例えばデータ集録／制御用コンピュータ２が有するプログラムにより、ステージコントローラ１２を介してＸＹステージ３が速度可変に制御される。このような方法によれば、各列導線２３及び２４の抵抗値の変化を誘導する照射レーザ光のエネルギーを減少させず、なおかつ、走査速度の向上を図ることができる。
【００６５】
ここで、例えば、列導線２４の幅が１０μｍ、レーザ光の照射領域の寸法が幅２０μｍである事例において、後述するような照射レーザ光の強度時間変化の周波数が１１７Ｈｚである場合に、列導線２４上を通過する際の走査速度の値を考える。レーザ光４ａの強度時間変化の１周期は、１／１１７Ｈｚ=８．５ｍｓであり、その時間内でレーザ光４ａの照射領域が列導線２４上に位置している必要がある。つまり、その時間８．５ｍｓで照射領域の寸法２０μｍを通過する速度が適した走査速度となり、この事例の場合には２．３４ｍｍ／ｓとなる。これらの値は、単なる一例であり、これに限定されないことは言うまでもない。
【００６６】
なお、図６に示す例において、第２の列導線２４ではなく、第１の列導線２３にレーザ光４ａが照射されるときに、走査速度が低下するようにしてもよい。
【００６７】
図６に示す例において、レーザ光４ａのみが示されたが、実際には図２、図３（Ａ）、図３（Ｂ）等に示したようにレーザ光４ｂも走査される。この場合にレーザ光４ｂも走査速度が、レーザ光４ａと同様に変化するように制御されればよい。
【００６８】
図７は、さらに別の実施の形態に係る欠陥検査装置の構成を示すブロック図である。
【００６９】
欠陥検査装置２０は、例えばプローブ３８及び電気バイアス印加用電源３７を有する。例えばパネル回路基板１１がアクティブ素子を有する液晶あるいはＥＬディスプレイ等である場合に、そのアクティブ素子はフォトリーク現象を引き起こすおそれがある。フォトリーク現象とは、アクティブ素子の光起電力効果により端子間抵抗値が変化する現象で、これが、ショート欠陥検出時のノイズの原因となる。そこで、本実施の形態では、電気バイアス印加用電源３７により、プローブ３８を介して、アクティブエリアにあるトランジスタのゲート端子へ逆バイアスが印加される。これにより、フォトリークによるノイズレベルの変動が抑制される。逆バイアスする電圧値の適切な値は、トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流特性に依存するが、およそ、−１０Ｖ〜０Ｖの範囲である。しかし、この範囲に限られないことは言うまでもない。
【００７０】
あるいは、このようなフォトリークによるノイズレベルの変動の抑制を図るため、照射レーザ光の波長として、アクティブエリアのトランジスタが吸収しない波長を用いることも可能である。例えば、トランジスタがシリコンで作製されている場合は、照射レーザ光の波長は１．３〜１．５μｍであることが望ましい。
【００７１】
なお、図７に示す欠陥検査装置２０の欠陥検査方法として、図２に示した例、または、図３（Ａ）、（Ｂ）に示した例のいずれの例をも採用することができる。このことは、これ以降に説明する各実施の形態についても同様である。
【００７２】
図８は、さらに別の実施の形態に係る欠陥検査装置の構成を示すブロック図である。
【００７３】
欠陥検査装置３０は、電源１４がプローブ６及び７間に印加する電気バイアスを特定の周波数で変調するための参照波発生器（ファンクションジェネレータ）３９を備えている。また、欠陥検査装置３０は、その特定の周波数のみを検波して増幅することで、欠陥信号を検出する変調検波測定器４１を備えている。このような構成によれば、測定電圧等の変化がノイズレベルに対して顕著に大きくない場合であっても測定が可能となる。つなり、ノイズの影響を小さくすることができる。
【００７４】
具体的な構成として、変調検波測定器４１としてロックインアンプが用いられる。特定の周波数とは、商用電源の周波数以外、周辺機器の駆動周波数以外及びその高調波以外であれば好ましい。例えば、１１７Ｈｚの矩形波が用いられてもよいが、もちろんこの周波数に限られない。
【００７５】
図９は、さらに別の実施の形態に係る欠陥検査装置の構成を示すブロック図である。この図９に示す欠陥検査装置４０について、図８に示した欠陥検査装置３０と異なる点を中心に説明する。
【００７６】
欠陥検査装置４０は、レーザ光源用電源１が制御するレーザ光４ａ及び４ｂの強度を特定の周波数で変調するための参照波発生器４２を備えている。変調検波測定器４１は、その特定の周波数のみを検波して増幅することで、欠陥信号を検出する。この場合も、図８に示した例と同様に、ノイズの影響を小さくすることができる。
【００７７】
さらに欠陥検査装置４０による欠陥検査方法の他の例として、図６に示した例と組み合わせた形態が考えられる。この場合、レーザ光４ａが列導線２４上を通過するタイミングでレーザ光強度の時間変化が開始する矩形波が印加されることで、変調波の位相とレーザ光４ａの照射開始の時間を調整することが可能になる。例えば、照射レーザ光の基板表面からの反射光をフォトダイオード等の光検出器でモニタリングしながら、走査され照射されるレーザ光が列導線２４の表面で強く反射された際に、参照波発生器４２へトリガーがかけられることで実現できる。このような構成によれば、検査時間を極力短縮し、かつ、ノイズ低減を実現できる。なお、上記フォトダイオードは、例えばレーザ光照射ユニット１５のカメラ１７ａまたは１７ｂであってもよいし、鏡筒１６ａまたは１６ｂに取り付けられ、あるいは内蔵されていてもよい。
【００７８】
図１０は、さらに別の実施の形態に係る欠陥検査装置の構成を示すブロック図である。この図１０に示す欠陥検査装置５０について、図８及び図９に示した欠陥検査装置３０及び４０と異なる点を中心に説明する。
【００７９】
欠陥検査装置５０は、２つのレーザ光源用電源１ａ及び１ｂ、これらにより制御されるレーザ光強度を特定の周波数でそれぞれ変調する参照波発生器４２ａ及び４２ｂを備えている。変調検波測定器４１は、それら特定の周波数のみを検波して増幅することで、欠陥信号を検出する。この場合、参照波発生器４２ａによる変調周波数と、参照波発生器４２ｂによる変調周波数が異なるように設定される。本実施の形態では、図２に示した二分法の欠陥検査方法が適用される場合に、特に有効である。すなわち、領域Ａ及びＢで異なる周波数で変調された参照波が用いられることで、領域Ａ及びＢのうちどちらの領域のどの列導線にショート欠陥が発生しているかを認識することができる。しかも、上述のようにノイズも低減することができる。例えば、領域Ａにおけるレーザ光４ａの変調周波数を８８Ｈｚ、領域Ｂにおけるレーザ光４ｂの変調周波数を１１７Ｈｚに設定することができる。しかし、これらの周波数には限定されない。
【００８０】
また、欠陥検査装置５０による欠陥検査方法として、二分法ではなく、例えば図３（Ａ）、（Ｂ）の例が用いられる形態も考えられる。すなわち、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）において、レーザ光４ａ及び４ｂの強度がそれぞれ異なる周波数で変調される。これにより、ノイズ低減に有効であり、かつ、ショート欠陥の位置に依存せずに適切な検出信号強度が得られる。その上、レーザ光４ａ及び４ｂによる両検出信号を区別することができるのでショートの位置を容易に特定することができる。
【００８１】
図１１は、さらに別の実施の形態に係る欠陥検査方法を説明するための図である。
【００８２】
この例では、例えばレーザ光源が１つのみで、パネル回路基板１１にレーザ光４が照射されながら、走査される。この場合、レーザ光４が矢印４６で示すような経路で走査される。このような方法によれば、パネル回路基板１１の両端にバス線１２１及び２２１等
がある場合に、ショート欠陥の位置にかかわらず欠陥を検出可能である。ただし、製造工程全体のスループットに影響がないように、つまり検査時間が長くならない手段を併せて用いれば実現できると考えられる。
【００８３】
このように１つのレーザ光のみが用いられる形態と、図７、図８、図９及び図１０のうち、ずれか１つの形態との組み合わせの実施形態も考えられる。この場合、図７、図８、図９、または図１０において、レーザ光源、鏡筒、集光レンズ等がそれぞれ１つ備えられていればよい。
【００８４】
本発明は以上説明した実施の形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００８５】
上記各実施の形態では、当該基板の上下の両端部にそれぞれ２つずつバス線が設けられる構成のパネル回路基板を例に挙げた。しかし、必ずしもかかる形態のパネル回路基板に限られない。例えば図１２に示すように、バス線１３１が上端部に、バス線１３２が下端部に設けられるパネル回路基板６１にも本発明を適用可能である。図１２では、２つのレーザ光４ａ及び４ｂが、矢印２７及び２８の経路でそれぞれ走査される。
【００８６】
なお、第１の列導線１２３にレーザ光４ａが照射され、その隣の第２の列導線１２４にレーザ光４ｂが照射されている。しかし、もちろん両レーザ光４ａ及び４ｂが、同じ列導線１２３（または、同じ列導線１２４）に照射されるようにしてもよい。
【００８７】
図１２の変形例として、図１３に示すようなパネル回路基板１１１も適用可能である。このパネル回路基板１１１は、例えば上端部に２本のバス線１４１及び１４２を有する。
【００８８】
図１２及び図１３に示すパネル回路基板の欠陥検査方法で、図２に示した二分法が適用されてもよい。
【００８９】
上記各実施の形態では、レーザ光の数は２本であったが、３本以上であってもよい。
【００９０】
上記各実施の形態では、ＸＹステージ３が動く構成であった。しかし、ステージは動かず、レーザ光４ａ及び４ｂが動くことにより走査されるようにしてもよい。この場合に、レーザ光４ａ及び４ｂが個々に独立して移動可能に構成されてもよい。
【００９１】
パネル回路基板が製造工程において、上記各実施の形態に係る欠陥検査方法により検査され、ショート欠陥が検出された場合はそのショート欠陥が除去される。ショート欠陥の除去方法としては、例えばそのショート部がレーザ照射により切り取られる。あるいは、レーザに限られず、他の機械的な切削手段であってもよい。ショート欠陥が除去されるタイミングは、例えば上記各実施の形態のうち１つの形態に係る欠陥検査後であっても、またはその検査途中であってもよいが、特に、そのタイミングはパネル回路基板１枚の検査途中であることが好ましい。特に、欠陥検査途中にショート欠陥が除去されることにより、複数のショート欠陥を有する検査対象の基板において、検出されたショート欠陥を除去することによって欠陥検出感度が増加され、除去されたショート欠陥以外のショート欠陥の検出が促進され、結果的に、複数のショート欠陥の除去が可能になる。欠陥は１つのパネル回路基板で複数発生する場合が多いのであるが、複数のショート欠陥の各々の検出感度はそれらのショート欠陥自身の抵抗値と個数に依存する。図５の例では、ショート欠陥の抵抗ｒｓは１つのみであったが、複数のショート欠陥がある場合には、その抵抗ｒｓに対して並列、あるいは、直列に、その他のショート欠陥の抵抗ｒｓi (iはショート欠陥を区別する指標とし、i=1, 2, …, n ; nはショート欠陥の個数)が配置される。この場合においては、プローブ間を流れる電流が各々のショート欠陥がある複数の列導線に分かれる。また、その電流の割合は、各々のショート欠陥が発生している列導線におけるバス線に対するショート欠陥の位置、及び、各々のショート欠陥自身の抵抗値ｒｓiに依存する。仮に、各々のショート欠陥のバス線に対する位置が同じであれば、ショート欠陥自身の抵抗値ｒｓiが低いほどその列導線に流れる電流の割合が高くなる。
【００９２】
例えば、複数あるショート欠陥の中の一つのショート欠陥の抵抗値をｒｓ1とする。そのｒｓ1がその他のショート欠陥の抵抗値よりも低い場合、抵抗値がｒｓ1であるショート欠陥の検出感度は他のショート欠陥の検出感度に対して高くなる。しかしその一方で、その他のショート欠陥を流れる電流は抑制されてしまい検出が困難になる。つまり、複数のショート欠陥が発生している基板の検査においては、検出されたショート欠陥を除去しなければ、除去されたショート欠陥以外の欠陥を検出することが困難になる。従って、複数のショート欠陥が発生した基板で全てのショート欠陥を検査するためには、検査と除去の組み合わせ工程を２回以上繰り返さなければならない。
【００９３】
この手法に対する先行技術としては、USP6,545,500（上記特許文献２）における工程流れ図であるFig.26があり、この図における検査及び除去ステップ２６０６は一つのブロックで示されている。しかしながら、上記に述べた理由により、このステップ２６０６は、検査し、修復し、さらに指定条件（良品と判断されるための予め定められた各種条件）を満たしていなければ検査へ戻る、といった循環工程である必要がある。
【００９４】
ステップ２６０８において検出されなかった欠陥を含んだまま製造工程へ戻してしまうか、あるいは、除去することができるはずだった欠陥を持つ基板までステップ２６１０で廃棄されてしまう。この点において、図１５に示す、本発明の一実施の形態に係る検査及び修復のフローとは異なる。
【００９５】
図１５において、ステップ１５０１では、プローブ間の抵抗値の測定や、一般的な欠陥検査方法が用いられてパネル回路基板に欠陥が発生しているか、あるいはどのような種類の欠陥であるか等が判断される。これは、USP6,545,500のステップ２６０２と同様である。欠陥がある場合、ステップ１５０２において、上記各実施の形態に係る検査方法のうちいずれか１つの検査方法によりショート欠陥の検査が実施される。ショート欠陥が発生している場合、検査途中であっても、ステップ１５０３で修復される。この点がUSP6,545,500のFig.26のフローと異なる。
【００９６】
ステップ１５０３で修復された後、ステップ１５０４で、プローブ間の抵抗値の測定などによって、まだなおパネル回路基板にショート欠陥があるか否かが判断される。そこで抵抗値が低いままであるといったショート欠陥がある場合であるにも関わらず、検査がパネル回路基板の全面に至った場合（ステップ１５０５）は、ステップ１５０６で基板は廃棄される。つまり、１枚の基板について一通りの検査および欠陥除去が行われたが、指定条件が満たされない場合は、その基板はその時初めて廃棄される。
【００９７】
以上のように、図１５に示すフローでは、１枚のパネル回路基板につきショート欠陥が発見されると、その検査途中であっても欠陥の除去作業が行われ、その後、そのパネル回路基板の欠陥検査が続行される。つまり、欠陥が発見されるごとに除去作業が行われる。
【００９８】
検査途中で上記除去作業が行われる場合、一つの実施形態としては、検査装置内にショート欠陥を除去する検査に用いるレーザ光とは別の高出力パルスレーザ光あるいは機械加工装置を具備することにより、欠陥検査時と欠陥除去時とで同じ装置を用いることができ、効率的である。
【００９９】
上記各実施の形態では、列導線同士のショート欠陥を検査する方法について説明した。しかし、列導線と行導線とのショート欠陥を検査する方法にも本発明を適用可能である。この場合、各列導線が接続される第１のバス線と、各行導線が接続される第２のバス線にプローブ６及び７がそれぞれ接続されて検査されればよい。
【０１００】
図１４は、本発明のさらに別の実施の形態に係る欠陥検査方法を説明するための図である。
【０１０１】
本実施の形態に係るパネル回路基板１６１は、左右端で第１のバス線３２１及び第４のバス線３２２に接続された行導線３２３を有し、また、上下端で第２のバス線４２１及び第３のバス線４２２に接続された列導線４２３を有している。さらに、本実施の形態では、図示しない４つのレーザ光源が用いられて検査される。
【０１０２】
例えばレーザ光４ａ及び４ｄが、各行導線３２３のうち１本の行導線３２３に照射されているときに、レーザ光４ｂ及び４ｃがＸ方向に走査されながら同じ列導線４２３に照射される。レーザ光４ａ及び４ｄは、第１のバス線３２１及び第４のバス線３２２の近傍でそれぞれ照射される。また、レーザ光４ｂ及び４ｃも、第２のバス線４２１及び第３のバス線４２２の近傍でそれぞれ照射される。
【０１０３】
レーザ光４ｂ及び４ｃが走査されているときであっても、レーザ光４ａ及び４ｄの照射位置は、パネル回路基板１６１の相対的な位置と変わらない。このことを実現するためには、例えばパネル回路基板１６１を保持するステージ３（図１参照）の動きに同期して、レーザ光４ａ及び４ｄの照射位置が移動するように、レーザ照射ユニットが構成されていればよい。
【０１０４】
図に示すように、行導線３２３と列導線４２３との間（特に交差点）にショート欠陥Ｓが発生している場合、レーザ光４ａ及び４ｄが行導線３２３ａに照射されているときに、レーザ光４ｂ及び４ｃが列導線４２３ａに照射されると、プローブ６及び７間の抵抗値変化が検出される。このような動作がすべての行導線３２３について行われれば、パネル回路基板１６１の全面についてショート欠陥を検査することができる。
【０１０５】
本実施の形態では、レーザ光４ａ〜４ｄが当該第１〜第４のバス線３２１、３２２、４２１及び４２２の近傍でそれぞれ照射されるので、ショート欠陥がパネル回路基板１６１の左右、上下のいずれの場所にあるかを問わず、適切な検出信号強度が得られる。
【０１０６】
なお、図１４に示したパネル回路基板１６１は、バス線が４本ある例であった。しかし、バス線が２本（第１のバス線３２１及び第２のバス線４２１）のみ、または３本（第１〜第３のバス線３２３、４２１及び４２２）のみ設けられる例にも適用できる。ただし、バス線が２本の場合、第１及び第２のレーザ光４ａ及び４ｂのみが用いられる。バス線３本の場合、第１〜第３のレーザ光４ａ〜４ｃのみが用いられる。また、この場合、行導線へ照射するレーザ光４ａは、レーザ光４ｂ、４ｃが近いバス線であるバス線３２１あるいは３２２のいずれかの近傍へ照射される。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査装置の構成を示すブロック図である。
【図２】一実施の形態に係る欠陥検査において、基板表面へのレーザ光の照射箇所の形態を示す図である。
【図３】ショート欠陥が発生している場合の、図１の欠陥検査装置を用いた欠陥検査方法を説明するための図である。
【図４】ショート欠陥が発生している場合の、従来の欠陥検査方法を説明するための図である。
【図５】ショート欠陥が発生している場合の等価回路であり、検出信号の強度が低下する原理を説明するための図である。
【図６】一実施の形態に係る欠陥検査において、レーザ光の照射位置の走査速度について説明する図である。
【図７】一実施の形態に係る欠陥検査において、フォトリーク現象を抑制するための電気バイアスを抑制する機能を付加した形態の構成を示すブロック図である。
【図８】一実施の形態に係る欠陥検査において、印加電圧／電流を変調し、測定信号を検波測定する形態の構成を示すブロック図である。
【図９】一実施の形態に係る欠陥検査において、照射レーザ光の強度を変調し、測定信号を検波測定する形態の構成を示すブロック図である。
【図１０】一実施の形態に係る欠陥検査において、照射レーザ光の各々の強度を別個の周波数で変調し、測定信号をそれらの別個の周波数で検波測定する形態の構成を示すブロック図である。
【図１１】一つの照射レーザ光による欠陥検査において、本発明の機能と同機能をもたせるための、基板表面へのレーザ光の照射箇所の形態を示す図である。
【図１２】一実施の形態に係る欠陥検査において、列導線が基板の片端でのみバス線に結線される場合における、基板表面へのレーザ光の照射箇所の形態を示す図である。
【図１３】一実施の形態に係る欠陥検査において、列導線が基板の片端でのみバス線に結線される別の場合における、基板表面へのレーザ光の照射箇所の形態を示す図である。
【図１４】一実施の形態に係る欠陥検査において、４つのレーザ光源が用いられて列導線及び行導線間のショート欠陥を検査する形態を説明するための図である。
【図１５】１枚のパネル回路基板の検査途中にショート欠陥の除去を行う工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１０８】
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２…ショート欠陥
Ａ、Ｂ…領域
１、１ａ、１ｂ…レーザ光源用電源
２…データ集録／制御用コンピュータ
３…ＸＹステージ
４、４ａ、４ｂ、１０４ａ、１０４ｂ…レーザ光
１０、２０、３０、４０、５０…欠陥検査装置
１１、６１、１１１…パネル回路基板
１３…電流／電圧測定器
１５…レーザ光照射ユニット
２３、１２３、３２３…第１の列導線
２４、１２４、４２３…第２の列導線
２５…測定機器
１２１、１３１、３２１…第１のバス線
１２２、１３２、４２１…第２のバス線
２２１、４２２…第３のバス線
２２２、３２２…第４のバス線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2007078379.tif 000013
【図１２】
2007078379.tif 000014
【図１３】
2007078379.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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