(57)【要約】 【課題】所望の性能を有するデバイスを製造するために基板を処理する基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置Ｔは、デバイスを製造するための基板Ｐに付着した異物を動かすためのたわみ進行波を生成する生成装置６０を備えている。【選択図】        図１
2007115942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスを製造するための基板に付着した異物を動かすためのたわみ進行波を生成する生成装置を備えた基板処理装置。
【請求項２】
前記生成装置は、前記基板に付着している異物を除去するために、前記たわみ進行波を生成する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記生成装置は、前記基板の表面の所定領域に存在する異物を前記所定領域の外側へ移動するために、前記たわみ進行波を生成する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記異物は液体を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記生成装置は、水平面に対して傾斜した状態の前記基板の表面に対して、前記たわみ進行波を与える請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板に付着した異物を除去するための所定の力を前記基板に対して能動的に作用させる除去装置と、
前記生成装置の動作と、前記除去装置の動作の少なくとも一部とを並行して行うように制御する制御装置とを備えた請求項１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記除去装置は、前記基板を回転させる回転装置を含み、
前記制御装置は、前記基板を回転させつつ、前記たわみ進行波を生成する請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記除去装置は、前記基板に気体を吹き付ける気体供給装置を含み、
前記制御装置は、前記基板に気体を吹き付けつつ、前記たわみ進行波を生成する請求項６記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記除去装置は、前記異物を吸引する吸引装置を含み、
前記制御装置は、前記吸引しつつ、前記たわみ進行波を生成する請求項６記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記異物は液体を含み、
前記除去装置は、前記基板上の液体を乾燥させる乾燥装置を含み、
前記制御装置は、前記液体を乾燥させつつ、前記たわみ進行波を生成する請求項６記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記生成装置は、前記基板の表面との間で所定のギャップを形成する第１面を有し、前記たわみ進行波を発生させる弾性ステータを備えた請求項１〜１０のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記弾性ステータの外形は略円形状であり、
前記生成装置は、前記弾性ステータの周方向を進行方向とする前記たわみ進行波を生成する請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記生成装置は、前記弾性ステータの第１面に沿う所定方向を進行方向とする前記たわみ進行波を生成する請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記生成装置は、１つの基板に対して複数の弾性ステータを有する請求項１１〜１３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記弾性ステータの前記第１面は撥液性を有する請求項１１〜１４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記弾性ステータと前記基板との位置関係を調整する調整装置を備えた請求項１１〜１５のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記調整装置は、前記弾性ステータの第１面と前記基板の表面とのギャップを調整する請求項１６記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記調整装置は、前記基板の表面に対する前記弾性ステータの第１面の該第１面に沿う方向の位置を調整する請求項１６記載の基板処理装置。
【請求項１９】
デバイスを製造するための基板に付着した異物を除去するための少なくとも２種類の所定の力を前記基板に対して略同時に能動的に作用させる除去装置を備えた基板処理装置。
【請求項２０】
前記所定の力は、たわみ進行波により発生する力、前記基板を回転することにより発生する力、前記基板に気体を吹き付けることにより発生する力、前記基板近傍の流体を吸引することにより発生する力、及び前記基板を振動させることにより発生する力の少なくとも一部を含む請求項１９記載の基板処理装置。
【請求項２１】
前記基板処理装置は、前記基板上に形成されたパターンを計測又は検査するために該基板を観察する観察装置、又は前記基板を洗浄する洗浄装置を含む請求項１〜２０のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項２２】
基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記基板に付着した異物を動かすためのたわみ進行波を生成する生成装置を備えた露光装置。
【請求項２３】
前記異物は液体を含む請求項２２記載の露光装置。
【請求項２４】
前記基板上に液体の液浸領域を形成する液浸装置を備え、
前記液浸領域の液体を介して前記基板上に露光光を照射する請求項２２又は２３記載の露光装置。
【請求項２５】
基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
当該露光装置を構成する所定部材に与えるためのたわみ進行波を生成する生成装置を備えた露光装置。
【請求項２６】
前記生成装置は、前記所定部材に付着した異物を動かすためのたわみ進行波を生成する請求項２５記載の露光装置。
【請求項２７】
前記異物は液体を含む請求項２５又は２６記載の露光装置。
【請求項２８】
前記所定部材は前記露光光が通過する光学部材を含む請求項２５〜２７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２９】
前記露光光の光路を液体で満たす液浸装置を備え、
前記所定部材は、前記液体と接触する部材を含む請求項２５〜２８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３０】
請求項２２〜請求項２９のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスを製造するための基板を処理する基板処理装置、基板を露光する露光装置、及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸法を用いた露光装置が案出されている。
【特許文献１】特開２００５−１０１４８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸法を用いて基板を露光した場合、基板上に液体が残存する可能性がある。残存した液体を放置しておくと、所望の性能を有するデバイスを製造できなくなる可能性がある。また、基板上にパーティクル等の異物が付着した状態で、露光処理を行ったり、露光処理後の現像処理等を行った場合にも、所望の性能を有するデバイスを製造できなくなる可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、所望の性能を有するデバイスを製造するために基板を処理する基板処理装置を提供することを目的とする。また、基板を良好に露光してデバイスの劣化を抑制できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、デバイスを製造するための基板（Ｐ）に付着した異物を動かすためのたわみ進行波を生成する生成装置（６０）を備えた基板処理装置（Ｔ）が提供される。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、たわみ進行波を生成する生成装置を用いて、所望の性能を有するデバイスを製造するための処理を行うことができる。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、デバイスを製造するための基板（Ｐ）に付着した異物を除去するための少なくとも２種類の所定の力を基板（Ｐ）に対して略同時に能動的に作用させる除去装置（６０、３２など）を備えた基板処理装置（Ｔ）が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、少なくとも２種類の所定の力を能動的に作用させる除去装置を用いて、所望の性能を有するデバイスを製造するための処理を行うことができる。
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、基板（Ｐ）に付着した異物を動かすためのたわみ進行波を生成する生成装置（６０）を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、基板を良好に露光してデバイスの劣化を抑制することができる。
【００１２】
本発明の第４の態様に従えば、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、当該露光装置（ＥＸ）を構成する所定部材（ＦＬ、６など）に与えるためのたわみ進行波を生成する生成装置（６０）を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【００１３】
本発明の第４の態様によれば、基板を良好に露光してデバイスの劣化を抑制することができる。
【００１４】
本発明の第５の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の第５の態様によれば、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、所望の性能を有するデバイスを製造するための処理を行うことができ、デバイスの劣化を抑制することができる。したがって、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１８】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射して基板Ｐを露光処理する露光装置本体Ｓと、基板Ｐを搬送する搬送システムＨと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。露光装置本体Ｓは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、露光光ＥＬが照射される基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４と、マスクステージ３に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬとを備えている。なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）を塗布したものを含み、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いることもできる。
【００１９】
露光装置ＥＸには、露光処理される前の基板Ｐ上に薄膜を形成するコーティング装置、及び露光処理された後の基板Ｐを現像するデベロッパ装置を含むコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄが、インターフェースＩＦを介して接続されている。基板Ｐ上に形成される薄膜とは、半導体ウエハ等の基材上に形成される感光材の膜、反射防止膜、及び感光材の膜を保護するためのトップコート膜と呼ばれる保護膜等が含まれる。
【００２０】
また、露光装置ＥＸは、基板Ｐに付着した異物を動かすためのたわみ進行波を生成する生成装置６０を有する処理装置Ｔを備えている。処理装置Ｔは、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ（コーティング装置）から露光装置ＥＸに対して搬入され、露光処理される前の基板Ｐ、及び露光装置本体Ｓで露光処理された後の基板Ｐの少なくとも一方に対する処理を行うことができる。すなわち、処理装置Ｔの生成装置６０は、露光処理される前の基板Ｐに付着した異物、あるいは露光処理された後の基板Ｐに付着した異物を動かすためのたわみ進行波を生成することができる。処理装置Ｔは、搬送システムＨの搬送経路上に設けられている。
【００２１】
搬送システムＨは、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ（コーティング装置）から搬入された露光処理される前の基板Ｐを露光装置本体Ｓの基板ステージ４へ搬送可能である。また、搬送システムＨは、露光処理された後の基板Ｐを露光装置本体Ｓからコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ（デベロッパ装置）へ搬送可能である。本実施形態においては、搬送システムＨは、露光処理される前の基板Ｐを基板ステージ４に搬入（ロード）する第１搬送装置Ｈ１と、露光処理された後の基板Ｐを基板ステージ４から搬出（アンロード）し、処理装置Ｔまで搬送する第２搬送装置Ｈ２と、処理装置ＴとインターフェースＩＦとの間で基板Ｐを搬送する第３搬送装置Ｈ３とを備えている。コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄで感光材等の塗布処理が施された基板Ｐは、インターフェースＩＦを介して第３搬送装置Ｈ３に渡される。第３搬送装置Ｈ３は、露光処理される前の基板Ｐを処理装置Ｔを介して第１搬送装置Ｈ１に渡す。なお、第３搬送装置Ｈ３から第１搬送装置Ｈ１に基板Ｐを渡す際、処理装置Ｔを介さずに、不図示の別の搬送装置や中継装置を介して第１搬送装置Ｈ１に渡してもよい。第１搬送装置Ｈ１は渡された基板Ｐを露光装置本体Ｓの基板ステージ４にロードする。露光処理された後の基板Ｐは第２搬送装置Ｈ２により基板ステージ４からアンロードされる。第２搬送装置Ｈ２はアンロードした基板Ｐを処理装置Ｔを介して第３搬送装置Ｈ３に渡す。第３搬送装置Ｈ３で搬送された基板ＰはインターフェースＩＦを介してコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄに搬送される。コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄの現像装置は渡された基板Ｐに対して現像処理を施す。
【００２２】
次に、図２を参照しながら、露光装置本体Ｓについて説明する。照明系ＩＬは、マスクＭの所定の照明領域ＩＡを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明するものである。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００２３】
マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置３Ｄの駆動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）の位置情報はレーザ干渉計３Ｌによって計測される。レーザ干渉計３Ｌは、マスクステージ３上に設けられた移動鏡３Ｋを用いてマスクステージ３の位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計３Ｌの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置３Ｄを駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。
【００２４】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影するものであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２５】
基板ステージ４は、基板Ｐを保持する基板ホルダ４Ｈを有しており、ベース部材５上で、基板ホルダ４Ｈに基板Ｐを保持して移動可能である。基板ホルダ４Ｈは、基板ステージ４上に設けられた凹部４Ｒに配置されており、基板ステージ４のうち凹部４Ｒ以外の上面４Ｆは、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面と基板ステージ４の上面４Ｆとの間に段差があってもよい。
【００２６】
基板ステージ４は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置４Ｄの駆動により、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージ４（ひいては基板Ｐ）の位置情報はレーザ干渉計４Ｌによって計測される。レーザ干渉計４Ｌは、基板ステージ４に設けられた移動鏡４Ｋを用いて基板ステージ４のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出系（不図示）によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計４Ｌの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置４Ｄを駆動し、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。
【００２７】
本実施形態の露光装置ＥＸ（露光装置本体Ｓ）は、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した露光装置であって、投影光学系ＰＬの像面側の露光光ＥＬの光路Ｋを液体ＬＱで満たす液浸システム１を備えている。本実施形態においては、液体ＬＱとして純水を用いる。液浸システム１は、基板ステージ４に保持された基板Ｐと、その基板Ｐと対向する位置に設けられ、露光光ＥＬが通過する投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬとの間の光路Ｋを液体ＬＱで満たす。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＦＬのみが光路Ｋの液体ＬＱと接触する。液浸システム１は、光路Ｋの近傍に設けられ、光路Ｋに対して液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２を有するノズル部材６と、供給管１３、及びノズル部材６の供給口１２を介して液体ＬＱを供給する液体供給装置１１と、ノズル部材６の回収口２２、及び回収管２３を介して液体ＬＱを回収する液体回収装置２１とを備えている。ノズル部材６は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬを囲むように設けられた環状の部材である。本実施形態においては、液体ＬＱを供給する供給口１２は、ノズル部材６のうち、光路Ｋを向く内側面に形成され、液体ＬＱを回収する回収口２２は、ノズル部材６のうち、基板Ｐの表面と対向する下面に形成されている。また、ノズル部材６の内部には、供給口１２と供給管１３とを接続する流路、及び回収口２２と回収管２３とを接続する流路が形成されている。なお、本実施形態においては、回収口２２には、例えばチタン製のメッシュ部材、あるいはセラミックス製の多孔部材が配置されている。液体供給装置１１及び液体回収装置２１の動作は制御装置７に制御される。液体供給装置１１は清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能であり、真空系等を含む液体回収装置２１は液体ＬＱを回収可能である。
【００２８】
露光装置ＥＸ（露光装置本体Ｓ）は、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐに投影している間、液浸システム１を用いて、露光光ＥＬの光路Ｋを液体ＬＱで満たすように、基板Ｐ上に液浸領域ＬＲを形成する。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上に形成された液浸領域ＬＲの液体ＬＱとを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐに投影する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、光路Ｋに満たされた液体ＬＱが、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部の領域に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。制御装置７は、液浸システム１を制御して、液体供給装置１１による液体供給動作と液体回収装置２１による液体回収動作とを並行して行うことで、光路Ｋを液体ＬＱで満たし、基板Ｐ上の一部の領域に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。
【００２９】
図３は処理装置Ｔを示す図である。処理装置Ｔは、ステージ装置３０と、ステージ装置３０に設けられ、基板Ｐの裏面中央を保持するホルダ３１と、基板Ｐを保持したホルダ３１を回転する回転装置３２と、基板Ｐに付着した異物を動かすためのたわみ進行波を生成する生成装置６０とを備えている。本実施形態においては、処理装置Ｔの生成装置６０は、液浸法により露光処理された後の基板Ｐ上に残留し、その基板Ｐに付着している液体ＬＱを除去するために、たわみ進行波を生成する。
【００３０】
また、本実施形態の処理装置Ｔは、ステージ装置３０、ホルダ３１、回転装置３２、及び生成装置６０等を収容するカバー機構であるチャンバ３５と、チャンバ３５に流路３８を介して接続された液体吸引装置３９とを備えている。流路３８にはバルブ３８Ａが設けられている。本実施形態においては、処理装置Ｔは、第２搬送装置Ｈ２と第３搬送装置Ｈ３との間に設けられている。チャンバ３５は、第２搬送装置Ｈ２側に形成された第１開口３６と、第３搬送装置Ｈ３側に形成された第２開口３７とを備えている。第１開口３６には、この第１開口３６を開閉する第１シャッタ３６Ａが設けられ、第２開口３７には、この第２開口３７を開閉する第２シャッタ３７Ａが設けられている。第１、第２シャッタ３６Ａ、３７Ａの開閉動作は制御装置７により制御される。第１シャッタ３６Ａが開放されると、第２搬送装置Ｈ２は第１開口３６を介して処理装置Ｔのステージ装置３０にアクセス可能となる。すなわち、第２搬送装置Ｈ２は第１開口３６を介して処理装置Ｔのステージ装置３０に対して基板Ｐを搬送（搬入）可能である。第３搬送装置Ｈ３は第２開口３７を介して処理装置Ｔのステージ装置３０にアクセス可能となる。すなわち、第３搬送装置Ｈ３は第２開口３７を介して処理装置Ｔのステージ装置３０に対して基板Ｐを搬送（搬出）可能である。一方、第１、第２シャッタ３６Ａ、３７Ａを閉じることによりチャンバ３５内は密閉される。
【００３１】
ホルダ３１の上面には真空系に接続された真空吸着孔（不図示）が設けられており、ホルダ３１は基板Ｐの裏面中央を吸着保持する。回転装置３２はステージ装置３０の内部に設けられたモータを含み、ホルダ３１に接続された軸３３を回転することでホルダ３１に保持された基板Ｐを回転する。ホルダ３１は、軸３３とともに、不図示のホルダ駆動機構により、ステージ装置３０の上面に対して昇降可能に設けられている。基板Ｐを保持したホルダ３１がステージ装置３０に対して上昇したとき、基板Ｐはステージ装置３０より離れ、回転装置３２の駆動により回転可能となる。一方、ホルダ３１が下降しているときは基板Ｐはステージ装置３０の上面に設けられている第２ホルダ３４により保持される。
【００３２】
生成装置６０は、ホルダ３１に保持された基板Ｐの表面との間で所定のギャップＧを形成する下面６１Ａを有し、たわみ進行波を発生させる弾性ステータ６１と、弾性ステータ６１の上面６１Ｂに接続され、弾性ステータ６１のたわみ進行波を励起する複数のアクチュエータ６２と、アクチュエータ６２を支持する支持部材６３と、支持部材６３に接続され、支持部材６３を駆動する駆動機構６４とを備えている。駆動機構６４は、支持部材６３をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能であり、支持部材６３にアクチュエータ６２を介して接続されている弾性ステータ６１も、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。本実施形態においては、ホルダ３１は、基板Ｐの表面とＸＹ平面（水平面）とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持し、駆動機構６４は、弾性ステータ６１の下面６１ＡとＸＹ平面（水平面）とがほぼ平行となるように、弾性ステータ６１を支持する。したがって、本実施形態においては、基板Ｐの表面と弾性ステータ６１の下面６１Ａとはほぼ平行である。
【００３３】
制御装置７は、駆動機構６４を駆動することにより、弾性ステータ６１と基板Ｐとの位置関係を調整可能である。制御装置７は、駆動機構６４を用いて支持部材６３に接続された弾性ステータ６１をＺ軸方向に移動することにより、弾性ステータ６１の下面６１Ａと、ホルダ３１に保持された基板Ｐの表面とのギャップＧを調整可能である。また、制御装置７は、駆動機構６４を用いて支持部材６３に接続された弾性ステータ６１をＸＹ方向（水平方向）に移動することにより、ホルダ３１に保持された基板Ｐの表面に対する弾性ステータ６１の下面６１ＡのＸＹ方向（水平方向）の位置を調整可能である。
【００３４】
図４は生成装置６０及び基板Ｐ近傍を拡大した模式的な側面図、図５は図４のＡ−Ａ線断面矢視図である。図４に示すように、弾性ステータ６１の下面６１Ａは、ホルダ３１に保持された基板Ｐの表面と対向しており、基板Ｐの表面との間で所定のギャップＧを形成する。アクチュエータ６２は、複数の圧電素子を含み、弾性ステータ６１の上面６１Ｂに複数並んで設けられている。また、弾性ステータ６１の基板Ｐの表面と対向する下面６１Ａは、液体ＬＱに対して撥液性（撥水性）を有している。本実施形態においては、下面６１Ａには、例えばポリ四フッ化エチレン等のフッ素系材料、あるいはアクリル系材料等の撥液性を有する材料の膜が被覆されている。
【００３５】
図５に示すように、弾性ステータ６１の外形は略円形状である。すなわち、本実施形態においては、弾性ステータ６１は、基板Ｐに応じた外形を有しており、円板状の弾性部材である。そして、複数のアクチュエータ（圧電素子）６２は、弾性ステータ６１の上面６１Ｂの周縁領域に、リング状に並んで設けられている。アクチュエータ６２のそれぞれは、所望のたわみ進行波が得られるように、最適な位置関係で弾性ステータ６１の上面６１Ｂに配置されている。
【００３６】
アクチュエータ（圧電素子）６２のそれぞれは、入力される駆動信号に応じて、Ｚ軸方向に伸縮する。生成装置６０は、複数のアクチュエータ６２のそれぞれに入力する駆動信号の時間的位相差を調整することで、弾性ステータ６１にたわみ進行波を発生させる。その弾性ステータ６１のたわみ進行波によって、弾性ステータ６１の下面６１Ａと基板Ｐの表面との間に音響場が発生する。この音響場の音響粘性流により、図６（Ａ）の模式図に示すように、弾性ステータ６１は、基板Ｐとは非接触状態で、基板Ｐに付着している異物（液体の滴）を動かすことができる。また、本実施形態においては、図６（Ｂ）の模式図に示すように、生成装置６０は、弾性ステータ６１の周方向を進行方向とするたわみ進行波を生成する。音響粘性流は、基板Ｐの表面上で、基板Ｐの周方向を進行方向として流れる。
【００３７】
処理装置Ｔは、たわみ進行波を用いて、基板Ｐに付着した液体ＬＱを動かすことができる。また、デバイスを製造するために基板Ｐ上にデバイスパターンのレイヤを複数重ねる場合、先に基板Ｐ上に形成されているデバイスパターン（ホール状のパターンなど）などによって、基板Ｐの表面に凹部が形成される可能性がある。その基板Ｐの表面に形成された凹部の内側に液体ＬＱが入り込んだ場合でも、処理装置Ｔは、基板Ｐにたわみ進行波を与えることにより、凹部の内側に入り込んでいる液体ＬＱを動かし、凹部の外側に出すことができる。
【００３８】
次に、上述した処理装置Ｔを備えた露光装置ＥＸの動作について説明する。
【００３９】
コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄで感光材等の塗布処理が施された基板Ｐは、インターフェースＩＦを介して第３搬送装置Ｈ３に渡され、第３搬送装置Ｈ３は第１搬送装置Ｈ１に基板Ｐを渡す。第１搬送装置Ｈ１は渡された基板Ｐを露光装置本体Ｓの基板ステージ４にロードする。基板ステージ４に保持された基板Ｐは、液浸法を用いて露光される。露光処理された後の基板Ｐは、第２搬送装置Ｈ２により、基板ステージ４からアンロードされる。基板ステージ４からアンロードされた基板Ｐは、第２搬送装置Ｈ２によって処理装置Ｔに搬送される。制御装置７は第２搬送装置Ｈ２の処理装置Ｔに対する接近に伴って第１シャッタ３６Ａを開放する。このとき、第２シャッタ３７Ａは閉じられている。第２搬送装置Ｈ２は、第１開口３６を介して基板Ｐを処理装置Ｔのステージ装置３０に渡す。このとき、ホルダ３１は下降しており、基板Ｐはステージ装置３０上のホルダ３１及び第２ホルダ３４に保持される。
【００４０】
第２搬送装置Ｈ２はステージ装置３０に基板Ｐを渡した後、第１開口３６を介してチャンバ３５より退避する。第２搬送装置Ｈ２がチャンバ３５より退避した後、制御装置７は第１シャッタ３６Ａを閉じる。これにより、チャンバ３５内は密閉される。チャンバ３５内が密閉された後、制御装置７は、不図示のホルダ駆動機構を用いて、ホルダ３１を上昇する。ホルダ３１の上昇とともに、このホルダ３１に吸着保持されている基板Ｐもステージ装置３０に対して上昇する。そして、制御装置７は、ホルダ駆動機構及び駆動装置６４の少なくとも一方を駆動し、ホルダ３１に保持された基板Ｐと生成装置６０の弾性ステータ６１との位置関係を調整する。
【００４１】
弾性ステータ６１と基板Ｐとを所定の位置関係に調整した後、制御装置７は、生成装置６０のアクチュエータ６２を駆動し、弾性ステータ６１にたわみ進行波を発生させる。これにより、基板Ｐの表面に、露光処理時における液浸領域ＬＲの液体ＬＱが残留していても、図６に示したように、その基板Ｐの表面に付着した液体ＬＱを動かすことができる。また、処理装置Ｔは、基板Ｐ上の凹部の内側に入り込んでいる液体ＬＱを、その凹部の外側に出すことができる。
【００４２】
弾性ステータ６１でたわみ進行波の発生を開始してから所定時間経過後、制御装置７は、回転装置３２を駆動し、ホルダ３１を基板ＰとともにθＺ方向に回転させる。このように、制御装置７は、回転装置３２を用いて、基板Ｐを回転させつつ、たわみ進行波を発生させる。これにより、たわみ進行波により発生する力と基板Ｐを回転することにより発生する力（遠心力）との相乗作用により、基板Ｐに付着している異物（液体の滴）を、基板Ｐから良好に飛ばすことができる。
【００４３】
すなわち、たわみ進行波を基板Ｐに与えることにより、基板Ｐの表面に形成されている凹部の内側に入り込んでいる液体ＬＱを凹部の外側に出した後、基板Ｐを回転させることにより、基板Ｐから液体ＬＱを良好に飛ばすことができる。回転装置３２は、基板Ｐに付着した液体ＬＱ（異物）を除去するために、基板Ｐを回転することにより発生する力（遠心力）を基板Ｐに対して能動的に作用させており、回転装置３２による遠心力によっても、基板Ｐに付着している異物を除去することが可能である。本実施形態においては、制御装置７は、生成装置６０の動作と、回転装置３２の動作とを並行して行うことで、たわみ進行波により発生する力と基板Ｐを回転することにより発生する力（遠心力）との相乗作用により、基板Ｐの表面に形成されている凹部の内側に入り込んでいる液体ＬＱや、基板Ｐ上に付着している液体ＬＱを、基板Ｐ上から良好に飛ばすことができる。
【００４４】
本実施形態においては、制御装置７は、図７の模式図に示すように、たわみ進行波の進行方向と基板Ｐの回転方向とを一致させる。これにより、たわみ進行波により生じる力の方向と回転により生じる力の方向とをほぼ同じ方向にすることができ、基板Ｐを比較的低速で回転しても、基板Ｐに付着している液体ＬＱの滴（異物）を、基板Ｐから良好に飛ばすことができる。
【００４５】
また、回転装置３２が基板Ｐを回転することにより、基板Ｐの表面及び裏面のそれぞれに付着している液体ＬＱ（異物）を、遠心力の作用により基板Ｐから飛ばすことができる。こうして、処理装置Ｔは、基板Ｐに付着している液体ＬＱを、基板Ｐから除去することができる。ここで、基板Ｐはカバー機構のチャンバ３５内に配置されているため、基板Ｐから飛ばされた液体ＬＱは周囲に飛散しない。
【００４６】
基板Ｐから飛ばされた液体ＬＱはチャンバ３５に接続されている液体吸引装置３９により回収される。液体吸引装置３９はチャンバ３５内の気体を飛散した液体ＬＱとともに吸引することで、基板Ｐから飛ばされた液体ＬＱを回収する。ここで、液体吸引装置３９は、チャンバ３５内の気体及び飛散した液体ＬＱの吸引動作を継続的に行う。これにより、チャンバ３５の内壁や底などチャンバ３５内に液体ＬＱが留まらないので、チャンバ３５内の湿度が大きく変動することはない。また、シャッタ３６Ａ、３７Ａを開放したときにも、チャンバ３５内の湿った気体がチャンバ３５の外へ流れ出ることもない。
【００４７】
なお、ここでは、弾性ステータ６１でたわみ進行波の発生を開始した後、基板Ｐの回転の開始を実行しているが、たわみ進行波の発生の開始と基板Ｐの回転の開始とをほぼ同時に行ってもよいし、基板Ｐの回転の開始を実行した後、たわみ進行波の発生の開始を実行してもよい。
【００４８】
たわみ進行波の発生動作及び基板Ｐの回転動作を所定時間継続した後、制御装置７は、生成装置６０によるたわみ進行波の生成を停止するとともに、回転装置３２の駆動を停止し、基板Ｐをホルダ３１とともに下降する。次いで、制御装置７は、第２シャッタ３７Ａを開放する。第２シャッタ３７Ａが開放された後、第３搬送装置Ｈ３が第２開口３７を介してステージ装置３０にアクセスし、ステージ装置３０上の液体ＬＱが除去された基板Ｐを保持する。処理装置Ｔにより液体ＬＱが除去された基板Ｐを保持した第３搬送装置Ｈ３は、チャンバ３５内より基板Ｐを第２開口３７を介して搬出する。処理装置Ｔにより液体ＬＱが除去された基板Ｐは、インターフェースＩＦを介してコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄに運ばれる。コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ（現像装置）は渡された基板Ｐに対して現像処理を施す。このように、本実施形態の露光装置ＥＸは、インターフェースＩＦを介してコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄに搬出される前の基板Ｐに付着した液体ＬＱを処理装置Ｔを用いて除去する。
【００４９】
以上説明したように、露光装置ＥＸにおいて露光処理が施された基板Ｐをコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄに搬送する前に、処理装置Ｔで基板Ｐに付着している液体ＬＱ（異物）を除去するようにしたので、液体ＬＱ（異物）が現像処理等の後処理に影響を及ぼすことを抑制することができる。また、処理装置Ｔによって基板Ｐに付着した液体ＬＱを除去することにより、基板Ｐの搬送中に基板Ｐから液体ＬＱが落下し、露光装置ＥＸの湿度変化（環境変化）をもたらしたり、搬送経路上の各装置や部材を錆びさせるなどの不都合の発生を抑えることができる。
【００５０】
また、基板Ｐの表面に形成された凹部の内側に液体ＬＱが入り込んでいる場合、例えば基板Ｐを回転する動作のみでは、その液体ＬＱの除去を十分に行えない可能性がある。本実施形態では、たわみ進行波を基板Ｐに与えることにより、基板Ｐに付着している液体ＬＱを良好に動かすことができる。そして、基板Ｐを回転させることにより、その液体ＬＱを短時間で基板Ｐから除去することができる。
【００５１】
上述のように、本実施形態においては、基板Ｐに付着した異物を除去するために２種類の力、すなわちたわみ進行波により発生する力と基板Ｐを回転することにより発生する力とのそれぞれを基板Ｐに対して略同時に能動的に作用させている。これにより、２種類の力の相乗作用により、基板Ｐに付着している異物（液体の滴）を、基板Ｐから短時間で良好に除去することができる。
【００５２】
そして、基板Ｐを高速に回転させなくても液体ＬＱを良好に除去することができるため、例えば回転装置３２の駆動力を抑えることができる。したがって、消費動力（電力）を低減したり、回転装置３２の発熱等を抑えたり、回転装置３２等の駆動装置の小型化を図ることができる。また、基板Ｐを高速に回転しなくてもすむため、基板Ｐに負荷をかけずにすむ。
【００５３】
また、弾性ステータ６１の下面６１Ａは、液体ＬＱに対して撥液性を有しているので、弾性ステータ６１の下面６１Ａに液体ＬＱが付着することを抑制することができる。したがって、例えば、処理装置Ｔに搬送された基板Ｐの表面に液体ＬＱが多量に付着していないにもかかわらず、弾性ステータ６１に付着していた液体ＬＱが基板Ｐに付着してしまうといった不具合の発生を抑制することができる。
【００５４】
また、本実施形態においては、弾性ステータ６１と基板Ｐとの位置関係を調整可能な駆動機構６４及びホルダ３１を駆動するホルダ駆動機構を用いて、弾性ステータ６１の下面６１Ａと基板Ｐの表面とのギャップＧを調整することができるため、基板Ｐに所望のたわみ進行波を与えることができる。また、例えば基板Ｐに反り等が生じている場合でも、基板Ｐの反り（表面形状）に応じて、駆動機構６４等を用いて弾性ステータ６１の下面６１Ａと基板Ｐの表面との位置関係（ギャップＧ）を調整することにより、弾性ステータ６１と基板Ｐとの衝突を抑制することができる。
【００５５】
また、処理装置Ｔを搬送システムＨの搬送経路の途中に設けたので、露光装置ＥＸでの露光処理と、処理装置Ｔでの処理とを同時に行うことができる。したがって、スループットを低下させることなく各処理を並行して行うことができる。そして、液体除去処理をチャンバ３５内で行うようにしたので、周囲に液体ＬＱが飛散するのを抑制することができる。
【００５６】
また、本実施形態においては、液体ＬＱが付着している可能性がある基板Ｐを第２搬送装置Ｈ２で搬送し、処理装置Ｔにおいて液体ＬＱが除去された基板Ｐを第３搬送装置Ｈ３で搬送するようにしたので、第３搬送装置Ｈ３は液体ＬＱに晒されない。したがって、第３搬送装置Ｈ３で搬送される基板Ｐには液体ＬＱが付着せず、また、第３搬送装置Ｈ３の搬送経路上における液体ＬＱの飛散を確実に防止できる。
【００５７】
また、本実施形態においては、露光処理される前の液体ＬＱが付着している可能性が低い基板Ｐを基板ステージ４に搬入する第１搬送装置Ｈ１と、露光処理された後の液体ＬＱが付着している可能性がある基板Ｐを基板ステージ４から搬出する第２搬送装置Ｈ２とを使い分けているので、第１搬送装置Ｈ１に液体ＬＱが付着することを抑制することができる。したがって、第１搬送装置Ｈ１で搬送される基板Ｐの裏面などへの液体ＬＱの付着を抑制することができる。
【００５８】
＜第２実施形態＞
第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図８は第２実施形態を説明するための図である。図８において、処理装置Ｔは、基板Ｐの側面を保持するホルダ３１を備えており、処理装置Ｔは、ホルダ３１で基板Ｐの側面を保持した状態で、基板Ｐを回転させる。本実施形態においては、基板Ｐの裏面はホルダ３１に保持されないため、回転装置３２は、基板Ｐの裏面の中央等に付着している液体ＬＱを、回転の力（遠心力）により、除去することができる。
【００５９】
＜第３実施形態＞
第３実施形態について説明する。図９は第３実施形態を説明するための弾性ステータ６１と基板Ｐとの位置関係を模式的に示す図である。本実施形態においては、処理装置Ｔは、基板Ｐの中心位置に対して弾性ステータ６１の中心位置をずらした状態で、弾性ステータ６１を用いて、基板Ｐにたわみ進行波を与える。また、処理装置Ｔは、基板Ｐにたわみ進行波を与える動作と、基板Ｐを回転する動作の少なくとも一部とを並行して行う。弾性ステータ６１と基板ＰとのＸＹ方向の位置関係を調整する場合、例えば、処理装置Ｔは、ホルダ３１に保持されている基板Ｐに対して、駆動機構６４を用いて、弾性ステータ６１をＸＹ方向に移動する。
【００６０】
基板Ｐを回転することで、基板Ｐに付着している液体ＬＱを飛ばして除去する場合、基板Ｐの表面の中央付近に付着している液体ＬＱを良好に除去することができなくなる可能性があるが、図９に示すように、基板Ｐの中心位置（回転中心位置）と弾性ステータ６１の中心位置（円周方向に移動するたわみ進行波の中心位置）とをずらすことにより、基板Ｐの表面の中央付近に付着している液体ＬＱも良好に除去することができる。
【００６１】
＜第４実施形態＞
第４実施形態について説明する。図１０は第４実施形態を説明するための弾性ステータ６１と基板Ｐとの位置関係を模式的に示す図である。本実施形態においては、処理装置Ｔの生成装置６０は、１つの基板Ｐに対して、複数の弾性ステータ６１を有している。図１０においては、弾性ステータ６１は、１つの基板Ｐに対して２つ設けられている。２つの弾性ステータ６１のうち、第１の弾性ステータ６１は、基板Ｐの表面の中心よりも−Ｘ側に配置され、第２の弾性ステータ６１は、基板Ｐの表面の中心よりも＋Ｘ側に配置されている。また、基板Ｐの回転方向に対して、第１の弾性ステータ６１及び第２の弾性ステータ６１は、基板Ｐの回転方向と同方向にたわみ進行波を生成している。
【００６２】
このように、１つの基板Ｐに対して複数の弾性ステータ６１を配置することが可能であり、これら複数の弾性ステータ６１を用いて発生されるたわみ進行波を用いて、基板Ｐに付着している液体ＬＱを良好に除去することができる。
【００６３】
なお、図１０においては、１つの基板Ｐに対して２つの弾性ステータ６１が設けられているが、３つ以上の任意の複数の弾性ステータ６１を設けてもよい。
【００６４】
なお、上述の第１〜第４実施形態において、基板Ｐに対して弾性ステータ６１をＸＹ方向に動かしつつ、基板Ｐにたわみ進行波を与えながら、基板Ｐを回転させてもよい。
【００６５】
＜第５実施形態＞
第５実施形態について説明する。図１１（Ａ）は第５実施形態に係る処理装置Ｔを示す側面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＢ−Ｂ線断面矢視図である。図１１において、処理装置Ｔは、基板Ｐに気体を吹き付ける気体供給装置７０を備えており、基板Ｐに気体を吹き付けつつ、たわみ進行波を生成する。気体供給装置７０は、弾性ステータ６１の下面６１Ａに設けられた気体吹出口７１を備えており、処理装置Ｔは、弾性ステータ６１を用いて基板Ｐの表面にたわみ進行波を与えつつ、その弾性ステータ６１の下面６１Ａに設けられた気体吹出口７１から基板Ｐの表面に対して気体を吹き付ける。また、本実施形態においては、弾性ステータ６１の下面６１Ａは基板Ｐの表面よりも大きく形成されており、気体吹出口７１は、弾性ステータ６１の下面６１Ａのほぼ全域において一様に複数形成されている。
【００６６】
このように、本実施形態においては、たわみ進行波により発生する力と、基板Ｐに気体を吹き付けることにより発生する力とを基板Ｐに対して略同時に能動的に作用させている。これにより、２種類の力の相乗作用により、基板Ｐに付着している異物（液体の滴）を、基板Ｐから短時間で良好に除去することができる。
【００６７】
また、本実施形態においては、生成装置６０は、弾性ステータ６１の下面６１Ａに沿う水平方向、図１１においては、Ｘ軸方向を進行方向とするたわみ進行波を生成しており、気体供給装置７０は、たわみ進行波の進行に同期させるように、Ｘ軸方向に並んだ複数の気体吹出口７１から気体を順次吹き出すことができる。すなわち、図１１（Ｂ）に示すように、Ｙ軸方向に並んだ複数の気体吹出口７１を１つのグループとし、そのグループを、＋Ｘ側に向かうにつれて、第１、第２、…、第Ｎグループの気体吹出口７１とした場合、たわみ進行波の進行に合わせて、第１グループの気体吹出口７１からの気体吹き出し動作を開始し、次いで、第２グループの気体吹出口７１からの気体吹き出し動作を開始し、以下、順次、第３、第４、…、第Ｎグループの気体吹出口７１からの気体吹き出し動作を順次開始する。また、第１グループの気体吹出口７１からの気体吹き出し動作を開始した後、所定時間経過後（例えば、第３グループの気体吹き出し動作が開始された後の時点と、第４グループの気体吹き出し動作が開始される前の時点との間の時点）に、第１グループの気体吹き出し動作を終了する。同様に、第２グループの気体吹出口７１からの気体吹き出し動作を開始した後、所定時間経過後、第２グループの気体吹き出し動作を終了し、以下、同様の動作を行う。このように、基板Ｐと弾性ステータ６１との相対位置を維持した状態で、第１〜第Ｎグループの気体吹出口７１を介した気体吹き出し開始動作と気体吹き出し停止動作とを時分割で行い、その気体吹き出し口７１の動作と同期して、たわみ進行波を生成することにより、基板Ｐに付着している液体ＬＱを良好に除去することができる。
【００６８】
なお、本実施形態において、基板Ｐを回転しつつ、たわみ進行波を生成し、基板Ｐに気体を吹き付けるようにしてもよい。
【００６９】
＜第６実施形態＞
第６実施形態について説明する。図１２は第６実施形態に係る処理装置Ｔを上側から見た図である。図１２において、処理装置Ｔは、基板Ｐに気体を吹き付ける気体供給装置７０を備えており、基板Ｐに気体を吹き付けつつ、たわみ進行波を生成する。気体供給装置７０は、弾性ステータ６１の下面６１Ａに設けられた気体吹出口７１を備えており、処理装置Ｔは、弾性ステータ６１を用いて基板Ｐの表面にたわみ進行波を与えつつ、その弾性ステータ６１の下面６１Ａに設けられた気体吹出口７１から基板Ｐの表面に対して気体を吹き付ける。また、本実施形態においては、弾性ステータ６１の下面６１Ａは基板Ｐの表面よりも小さく形成されており、Ｙ軸方向を長手方向とする帯状（棒状）に形成されている。そして、気体吹出口７１は、弾性ステータ６１の下面６１Ａにおいて、Ｙ軸方向に複数並んで設けられている。また、弾性ステータ６１は、Ｙ軸方向を進行方向とするたわみ進行波を生成する。また、本実施形態においては、処理装置Ｔは、基板Ｐを回転させつつ、たわみ進行波を生成しながら、基板Ｐに対して気体を吹き付ける。
【００７０】
このように、本実施形態においては、たわみ進行波により発生する力と、基板Ｐに気体を吹き付けることにより発生する力と、基板Ｐを回転することにより発生する力とを基板Ｐに対して略同時に能動的に作用させている。これにより、３種類の力の相乗作用により、基板Ｐに付着している異物（液体の滴）を、基板Ｐから短時間で良好に除去することができる。
【００７１】
また、本実施形態においては、処理装置Ｔは、弾性ステータ６１を用いて、Ｙ軸方向を進行方向とするたわみ進行波を生成しつつ、弾性ステータ６１と基板ＰとをＸ軸方向に相対的に移動しながら、基板Ｐを回転しつつ、気体を基板Ｐの表面に吹き付けることができる。また、気体供給装置７０は、通常、棒状の全ての気体吹出口７１から気体吹き出し動作を行う。この場合、たわみ進行波の進行と同期をとってはいないが、基板Ｐの表面に付着した液体ＬＱを動かしやすくするという意味で、たわみ進行波の効果がある。また、気体供給装置７０は、たわみ進行波の進行に同期させるように、Ｙ軸方向に並んだ複数の気体吹出口７１から気体を順次吹き出すことができる。すなわち、たわみ進行波の進行に合わせて、Ｙ軸方向に複数並んだ気体吹出口７１のうち、最も−Ｙ側の第１の気体吹出口７１からの気体吹き出し動作を開始し、次いで、その＋Ｙ側に形成されている第２の気体吹出口７１からの気体吹き出し動作を開始し、以下、順次、第３、第４、…、第Ｎの気体吹出口７１からの気体吹き出し動作を順次開始する。また、第１の気体吹出口７１からの気体吹き出し動作を開始した後、所定時間経過後（例えば、第３の気体吹出口７１の気体吹き出し動作が開始された後の時点と、第４の気体吹出口７１の気体吹き出し動作が開始される前の時点との間の時点）に、第１の気体吹出口７１の気体吹き出し動作を終了する。同様に、第２の気体吹出口７１からの気体吹き出し動作を開始した後、所定時間経過後、第２の気体吹出口７１の気体吹き出し動作を終了し、以下、同様の動作を行う。このように、基板Ｐと弾性ステータ６１とを相対に移動しつつ、第１〜第Ｎの気体吹出口７１を介して気体吹き出し開始動作と気体吹き出し停止動作とを時分割で行い、その気体吹き出し口７１の動作と同期して、たわみ進行波を生成することにより、基板Ｐに付着している液体ＬＱを良好に除去することができる。
【００７２】
なお、気体吹き出し動作を基板Ｐに付着している液体ＬＱに対して行うと、一部の液体が蒸発（気化）して、気化熱が基板Ｐ上に生じるおそれがある。この気化熱による基板Ｐの表面の温度変化を抑制するために、気体供給装置７０の少なくとも一部に温度調整機構（例えばヒータやペルチェ素子等）を設け、気体が吹き付けられる近辺の基板Ｐの表面温度（周囲温度）を所定温度に管理するように構成してもよい。
【００７３】
＜第７実施形態＞
第７実施形態について説明する。図１３は第７実施形態に係る処理装置Ｔを上側から見た図である。図１３に示すように、帯状（棒状）の弾性ステータ６１が基板Ｐに対して複数配置されてもよい。図１３においては、複数（ここでは４つ）の弾性ステータ６１は、基板Ｐの表面の中心から周縁領域に向かって放射状に配置されている。また、各弾性ステータ６１のそれぞれは、上述の第６実施形態と同様、長手方向に沿って複数の気体吹出口７１を備えており、各棒状の弾性ステータ６１の全ての気体吹出口７１から気体吹き出し動作を行ってもよいし、生成するたわみ進行波の進行に合わせて、時分割で気体の吹き出し動作と気体の吹き出し停止動作とを実行してもよい。また、処理装置Ｔは、基板Ｐを回転させつつ（又は水平方向に動かしつつ）、基板Ｐに気体を吹き付けながら、たわみ進行波を生成するようにしてもよい。
【００７４】
なお、第７実施形態においても、上述の第６実施形態と同様に、気化熱対策のための温度調整機構を例えば各弾性ステータ６１に設けるようにしてもよい。
【００７５】
＜第８実施形態＞
第８実施形態について説明する。図１４（Ａ）は第８実施形態に係る処理装置Ｔを示す側面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＣ−Ｃ線断面矢視図である。図１４において、処理装置Ｔは、基板Ｐに付着している液体（異物）を吸引する吸引装置８０を備えており、基板Ｐに付着している液体ＬＱ（異物）を吸引しつつ、たわみ進行波を生成する。吸引装置８０は、弾性ステータ６１の下面６１Ａに設けられ、不図示の真空系に接続された吸引口８１を備えており、処理装置Ｔは、弾性ステータ６１を用いて基板Ｐの表面にたわみ進行波を与えつつ、その弾性ステータ６１の下面６１Ａに設けられた吸引口８１を介して基板Ｐの表面に付着している液体ＬＱを吸引する。また、本実施形態においては、弾性ステータ６１の下面６１Ａは基板Ｐの表面よりも大きく形成されており、吸引口８１は、弾性ステータ６１の下面６１Ａのほぼ全域において一様に複数形成されている。
【００７６】
このように、本実施形態においては、たわみ進行波による力と、基板Ｐ近傍の流体を吸引することにより発生する力とを基板Ｐに対して略同時に能動的に作用させている。これにより、２種類の力の相乗作用により、基板Ｐに付着している異物（液体の滴）を、基板Ｐから短時間で良好に除去することができる。
【００７７】
また、本実施形態においては、生成装置６０は、弾性ステータ６１の下面６１Ａに沿う水平方向、図１４においては、Ｘ軸方向を進行方向とするたわみ進行波を生成しており、吸引装置８０は、たわみ進行波の進行に同期させるように、Ｘ軸方向に並んだ複数の吸引口８１から流体を順次吸引する。基板Ｐと弾性ステータ６１との相対位置を維持した状態で、第１〜第Ｎグループの吸引口８１を介した吸引開始動作と吸引停止動作とを時分割で行い、その吸引口８１の動作と同期して、たわみ進行波を生成することにより、基板Ｐに付着している液体ＬＱを良好に除去することができる。
【００７８】
なお、本実施形態においても、基板Ｐを回転しつつ、たわみ進行波を生成し、基板Ｐ近傍の流体を吸引するようにしてもよい。
【００７９】
また、図１２、図１３等を参照して説明したような帯状（棒状）の弾性ステータ６１に吸引口８１を複数設け、生成したたわみ進行波の進行に合わせて、複数の吸引口８１を用いた吸引動作を時分割で行うようにしてもよい。また、弾性ステータ６１と基板Ｐとを水平方向に相対的に移動させつつ、吸引動作及びたわみ進行波生成動作を行ってもよいし、基板Ｐを回転させつつ、吸引動作及びたわみ進行波生成動作を行ってもよい。
【００８０】
＜第９実施形態＞
第９実施形態について説明する。図１５は第９実施形態に係る処理装置Ｔを示す図である。図１５において、処理装置Ｔは、チャンバ３５内に設けられ、たわみ進行波を生成する生成装置６０と、チャンバ３５内を乾燥する乾燥装置９０とを備えており、乾燥装置９０を用いて、基板Ｐ上の液体ＬＱを乾燥させつつ、たわみ進行波を生成する。基板Ｐに付着している液体ＬＱを除去する際には、処理装置Ｔは、弾性ステータ６１と基板Ｐとの位置関係を調整し、たわみ進行波を生成する。このとき、乾燥装置９０がチャンバ３５内に対して乾燥した気体（乾燥エア）を供給する。乾燥装置９０の駆動によってチャンバ３５内が乾燥されることにより、基板Ｐ上の液体ＬＱの除去を促進することができる。
【００８１】
＜第１０実施形態＞
第１０実施形態について説明する。図１６は第１０実施形態に係る処理装置Ｔを示す図である。図１６において、処理装置Ｔは、ホルダ３１を用いて、基板Ｐの表面が水平面に対して傾斜するように、基板Ｐを保持する。生成装置６０は、水平面に対して傾斜した状態の基板Ｐの表面に対して、たわみ進行波を与える。処理装置Ｔは、駆動機構６４を用いて、水平面に対して傾斜した状態の基板Ｐの表面に対して、弾性ステータ６１を所望の位置に配置することができる。図１６に示すように、処理装置Ｔは、基板Ｐの表面と弾性ステータ６１の下面６１Ａとがほぼ平行となるように、基板Ｐと弾性ステータ６１との位置関係を調整する。
【００８２】
このように、基板Ｐの表面を傾斜させつつ、たわみ進行波を与えることにより、重力作用とたわみ進行波による作用との相乗作用により、基板Ｐ上より液体ＬＱを良好に除去することができる。また、基板Ｐの表面を傾斜させた状態でその基板Ｐを回転させつつ、たわみ進行波を与えるようにしてもよいし、基板Ｐの表面を傾斜させた状態でその基板Ｐに気体を吹き付けつつ、たわみ進行波を与えるようにしてもよいし、基板Ｐの表面を傾斜させた状態でその基板Ｐを振動させつつ、たわみ進行波を与えるようにしてもよいし、基板Ｐの表面を傾斜させた状態でその基板Ｐ上の液体ＬＱを吸引しつつ、たわみ進行波を与えるようにしてもよいし、基板Ｐの表面を傾斜させた状態でその基板Ｐ上の液体ＬＱを乾燥させつつ、たわみ進行波を与えるようにしてもよい。
【００８３】
なお、上述の第１〜第１０の各実施形態において、基板Ｐ上の液体ＬＱを除去するために、基板Ｐを振動させつつ、基板Ｐにたわみ進行波を与えるようにしてもよい。たわみ進行波により発生する力と基板Ｐを振動させることにより発生する力との相乗作用により、液体ＬＱを良好に除去することができる。
【００８４】
上述の各実施形態で述べたように、たわみ進行波により発生する力、基板Ｐを回転することにより発生する力、基板Ｐに気体を吹き付けることにより発生する力、基板Ｐ近傍の流体を吸引することにより発生する力、及び基板を振動させることにより発生する力のうち、少なくとも２種類の力を基板Ｐに対して略同時に能動的に作用させることにより、基板Ｐ上の液体ＬＱ（異物）を良好に除去することができる。また、基板Ｐ上の液体ＬＱ（異物）を除去できるのであれば、必ずしもたわみ進行波を基板Ｐに与える必要は無く、上述の力のうち、たわみ進行波により発生する力以外の任意の２種類以上の力を略同時に能動的に基板Ｐに作用させるようにしてもよい。
【００８５】
また、上述の各実施形態においては、少なくとも２種類の所定の力を基板Ｐに対して略同時に能動的に作用させているが、基板Ｐ上の液体ＬＱ（異物）を除去できるのであれば、たわみ進行波のみを基板Ｐに与えるようにしてもよい。
【００８６】
なお、上述の各実施形態においては、処理装置Ｔの生成装置６０は、液浸法により露光処理された後の基板Ｐに付着している液体ＬＱを除去するために、たわみ進行波を生成しているが、処理装置Ｔは、生成装置６０で生成したたわみ進行波を用いて、基板Ｐに付着している液体ＬＱ以外の異物、例えば微小なゴミ、パーティクル等を除去することができる。
【００８７】
また、上述の各実施形態においては、処理装置Ｔの生成装置６０は、露光装置本体Ｓにおいて露光処理された後の基板Ｐに付着している異物（液体）を除去するために、たわみ進行波を生成しているが、処理装置Ｔは、生成装置６０で生成したたわみ進行波を用いて、露光処理される前、すなわち露光装置本体Ｓの基板ステージ４にロードされる前の基板Ｐに付着している異物を除去することができる。これにより、基板Ｐ上にパーティクル等の異物を付着させた状態で露光処理を行ってしまうといった不具合の発生を抑制することができる。
【００８８】
なお、上述の各実施形態においては、処理装置Ｔの生成装置６０は、基板Ｐに付着している異物（液体）を除去するために、たわみ進行波を生成しているが、異物を完全に基板Ｐ上から取り去らずに、例えば、図１７の模式図に示すように、基板Ｐの表面の有効領域に存在する異物を、その有効領域の外側の非有効領域へ移動するようにしてもよい。ここで、有効領域とは、例えば感光材の膜が形成された露光可能な領域であって、所望精度のデバイスパターンが形成できる領域を含む。非有効領域とは、例えばエッジリンス処理により、感光材の膜が除去された基板Ｐの表面の周縁領域や側面などであって、所望精度のデバイスパターンを形成できない領域を含む。有効領域に存在する異物を、感光材の膜が形成されていない非有効領域に退かすことにより、有効領域を用いて、デバイスを製造することができる。
【００８９】
なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが、基板Ｐに付着した異物を動かすためのたわみ進行波を生成する生成装置６０（処理装置Ｔ）を備えているが、処理装置Ｔ（生成装置６０）は、露光装置ＥＸ以外の装置に設置されていてもよいし、独立して設けられていてもよい。デバイスを製造するための各種プロセス処理における所定のタイミングで、処理装置Ｔ（生成装置６０）を用いて、デバイスを製造するための基板Ｐに付着した異物を除去したり、基板Ｐの表面の所定領域の外側に移動することで、その異物に起因するデバイスの劣化を抑制することができる。デバイスを製造するためのプロセス処理には、例えば所定の洗浄装置を用いた基板Ｐの洗浄処理、上述のコーティング装置を用いた処理、デベロッパ装置を用いた現像処理などが挙げられるが、例えば洗浄処理後、基板Ｐ上に付着している洗浄液を、処理装置Ｔを用いて除去するようにしてもよい。
【００９０】
なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐの表面（液浸領域ＬＲの液体ＬＱと接触する面、あるいは露光処理面）と弾性ステータ６１とを対向させているが、基板Ｐの裏面と弾性ステータ６１とを対向させた状態で、基板Ｐにたわみ進行波を与えてもよい。
【００９１】
なお、上述の各実施形態においては、処理装置Ｔは、基板Ｐを露光する露光処理位置とは離れた、搬送装置Ｈの搬送経路上に配置されているが、露光処理位置において基板Ｐにたわみ進行波を与えてもよい。例えば、基板ステージ４（基板ホルダ４Ｈ）で保持された状態の基板Ｐにたわみ進行波を与えてもよい。
【００９２】
なお、上述の各実施形態においては、弾性ステータ６１は円板状であり、アクチュエータ６２はリング状に配置されているが、弾性ステータ６１もリング状に形成されていてもよい。
【００９３】
＜第１１実施形態＞
第１１実施形態について説明する。図１８は第１１実施形態を示す図である。図１８において、露光装置ＥＸは、露光装置ＥＸを構成する所定部材に与えるためのたわみ進行波を生成する生成装置６０を備えている。本実施形態においては、生成装置６０は、液浸領域ＬＲの液体ＬＱと接触し、露光光ＥＬが通過する最終光学素子ＦＬに付着している液体ＬＱを動かすためのたわみ進行波を生成する。
【００９４】
例えば、基板ステージ４に保持された基板Ｐの露光処理を終え、光路Ｋを満たす液体ＬＱが全て回収された後など、所定のタイミングで、制御装置７は、不図示の搬送系を用いて、生成装置６０の弾性ステータ６１と、最終光学素子ＦＬの下面とを対向させ、弾性ステータ６１と最終光学素子ＦＬとの位置関係を調整する。そして、制御装置７は、生成装置６０を駆動し、最終光学素子ＦＬにたわみ進行波を与える。これにより、最終光学素子ＦＬの下面に残留し、付着していた液体ＬＱが除去される。また、液体ＬＱに限らず、最終光学素子ＦＬに付着していたパーティクル等の異物を除去することもできる。
【００９５】
なお、本実施形態においては、生成装置６０は、最終光学素子ＦＬに付着している液体ＬＱを除去するためにたわみ進行波を生成しているが、ノズル部材６に付着している液体ＬＱを除去するためにたわみ進行波を生成してもよい。あるいは、生成装置６０は、基板ステージ４に付着している液体ＬＱを除去するためにたわみ進行波を生成してもよい。
【００９６】
また、たわみ進行波を用いて、露光装置ＥＸを構成する部材に付着している異物を除去するタイミングとしては、基板Ｐの露光処理を行う前に行ってもよいし、所定時間間隔で行ってもよい。
【００９７】
＜実施例＞
たわみ進行波を生成するための生成装置６０の一例について述べる。図１９（Ａ）に示すように、円板状の弾性ステータ６１の上面６１Ｂの周縁領域には、円環状に複数の圧電素子６２が設けられている。そして、図１９（Ｂ）に示すように、弾性ステータ６１の下面６１Ａと基板Ｐの表面とが対向する。図１９（Ｃ）において、弾性ステータ６１の下面６１Ａの所定点Ａ（Ｘｅ、０）の定在波による変位について考える。
【００９８】
０°定在波によるＡ点のＸ方向の変位をＸａ、Ｙ方向の変位をＹａ、９０°定在波によるＡ点のＸ方向の変位をＸｂ、Ｙ方向の変位をＹｂ、弾性ステータの厚みをｅ２、振幅をε、波長をλ、角速度をω、周期をＴとした場合、
【００９９】
【数１】
2007115942.tif 000003
【０１００】
【数２】
2007115942.tif 000004
【０１０１】
【数３】
2007115942.tif 000005
【０１０２】
【数４】
2007115942.tif 000006
となる。
【０１０３】
上述の２つの励振波が合成されたＡ点の変位は、
【０１０４】
【数５】
2007115942.tif 000007
【０１０５】
【数６】
2007115942.tif 000008
となり、
【０１０６】
【数７】
2007115942.tif 000009
が成り立つ。
【０１０７】
これはＸ、Ｙ方向成分が進行波になっていることを示している。縦振幅ε、横振幅ｅ２×（２×π／λ）×εの楕円振動を行い、この進行波には１波長ごとに頂点Ａ’が存在している。
【０１０８】
たわみ進行波により、基板上の液体が受ける振動速度は、
【０１０９】
【数８】
2007115942.tif 000010
となる。液体の運動方向は、波動の伝播方向と逆となる。
【０１１０】
弾性ステータの厚みｅ２は数ｍｍ程度、波長λは数十ｍｍ程度、振幅εは数μｍ程度、振動周波数ｆ＝ω／（２×π）＝１／Ｔは数十ｋＨｚであることを考慮すると、振動速度ｖは数十ｃｍ／ｓｅｃ．となり、十分な速度が得られることになる。
【０１１１】
上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。
【０１１２】
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４程度と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
【０１１３】
本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子ＦＬが取り付けられており、この光学素子により投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。
【０１１４】
なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。
【０１１５】
また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子の物体面側の光路も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
【０１１６】
なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。
【０１１７】
また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で光学素子ＦＬを形成してもよい。
【０１１８】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１１９】
また、上述したたわみ進行波生成装置は、露光装置に限られず、様々な基板処理装置において適用可能である。例えば、露光装置での露光処理前に基板上に形成されたパターン（位置合わせ用マークなど）を計測する計測装置や、露光装置での露光処理後に基板上に形成されたパターン（位置合わせ用マーク、重ね合わせ計測用マーク、パターン線幅など）を計測する計測装置、あるいは露光処理後に基板上に形成されたパターンに欠陥が無いか否かを検査する検査装置、あるいは基板を洗浄する洗浄装置などに対して、上述のたわみ進行波生成装置を構成してもよい。これにより、計測装置や検査装置においては、異物（液体を含む）が除去された状態でのより正確な計測・検査が可能となり、一方、洗浄装置においては、洗浄動作後に液体を除去する機能をより向上させることができる。
【０１２０】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１２１】
また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１２２】
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１２３】
更に、特開平１１−１３５４００号公報や特開２０００−１６４５０４号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
【０１２４】
また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【０１２５】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１２６】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。
【０１２７】
また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１２８】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１２９】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２０に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る露光装置本体を示す概略構成図である。
【図３】第１実施形態に係る処理装置を示す概略構成図である。
【図４】第１実施形態に係る処理装置の要部を示す側面図である。
【図５】第１実施形態に係る処理装置の要部を示す平面図である。
【図６】たわみ進行波により基板上の異物が動く様子を示す模式図である。
【図７】基板と弾性ステータとの関係を示す模式図である。
【図８】第２実施形態に係る処理装置の要部を示す側面図である。
【図９】第３実施形態に係る基板と弾性ステータとの関係を示す模式図である。
【図１０】第４実施形態に係る基板と弾性ステータとの関係を示す模式図である。
【図１１】第５実施形態に係る処理装置を示す図である。
【図１２】第６実施形態に係る処理装置を示す図である。
【図１３】第７実施形態に係る処理装置を示す図である。
【図１４】第８実施形態に係る処理装置を示す図である。
【図１５】第９実施形態に係る処理装置を示す図である。
【図１６】第１０実施形態に係る処理装置を示す図である。
【図１７】基板上の異物の挙動を説明するための模式図である。
【図１８】第１１実施形態に係る処理装置を示す図である。
【図１９】生成装置の一実施例を説明するための模式図である。
【図２０】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１…液浸システム、４…基板ステージ、６…ノズル部材、７…制御装置、３２…回転装置、６０…生成装置、６１…弾性ステータ、６１Ａ…下面、６４…駆動機構、７０…気体供給装置、７１…気体吹出口、８０…吸引装置、８１…吸引口、９０…乾燥装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＦＬ…最終光学素子、Ｇ…ギャップ、ＬＱ…液体、ＬＲ…液浸領域、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、Ｔ…処理装置
【図１】
2007115942.tif 000011
【図２】
2007115942.tif 000012
【図３】
2007115942.tif 000013
【図４】
2007115942.tif 000014
【図５】
2007115942.tif 000015
【図６】
2007115942.tif 000016
【図７】
2007115942.tif 000017
【図８】
2007115942.tif 000018
【図９】
2007115942.tif 000019
【図１０】
2007115942.tif 000020
【図１１】
2007115942.tif 000021
【図１２】
2007115942.tif 000022
【図１３】
2007115942.tif 000023
【図１４】
2007115942.tif 000024
【図１５】
2007115942.tif 000025
【図１６】
2007115942.tif 000026
【図１７】
2007115942.tif 000027
【図１８】
2007115942.tif 000028
【図１９】
2007115942.tif 000029
【図２０】
2007115942.tif 000030