(57)【要約】【課題】基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間で十分な接合強度を有し、十分なセンサ特性を発揮できる静電容量型圧力センサを提供すること。【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサにおいては、接合領域２０ｂにおけるコンタクト層１５の突出量ｈ及び接合領域２０ｂに生じる未接合領域Ａの外端部からキャビティ１２の端部までの距離Ｗを最適にしている、すなわち接合領域２０ｂに生じる未接合領域Ａの外端部からキャビティ１２の端部までの距離Ｗが約１５０μｍ以上であり、ガラス基板２０の表面からのコンタクト層１５の突出量ｈが約３０００Å以下であるので、基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間を確実に接合し、十分なセンサ特性を発揮させることができる。【選択図】図１
2007248149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電極を有するガラス基板と可動電極を有するシリコン基板とをキャビティを形成するように接合してなる静電容量型圧力センサであって、前記ガラス基板と前記シリコン基板との間の接合領域に前記ガラス基板の表面から突出するように形成されたコンタクト層と、前記接合領域において、前記コンタクト層と、前記シリコン基板との間に設けられた金−シリコン共晶層と、を具備し、前記接合領域に生じる未接合領域の外端部から前記キャビティの端部までの距離が約１５０μｍ以上であり、前記ガラス基板の表面からの前記コンタクト層の突出量が約３０００Å以下であることを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
前記接合領域は凹部を有し、前記凹部に前記コンタクト層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項３】
前記ガラス基板と前記シリコン基板との間の界面は、Ｓｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の静電容量型圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量を用いて圧力を検知する静電容量型圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量型圧力センサは、可動電極である感圧ダイヤフラムを有する基板と、固定電極を有する基板とを、感圧ダイヤフラムと固定電極との間に所定の間隔（キャビティ）を有するように接合することにより構成されている。この静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラムに圧力が加わると感圧ダイヤフラムが変形し、これにより感圧ダイヤフラムと固定電極との間隔が変わる。この間隔の変化により感圧ダイヤフラムと固定電極との間の静電容量が変化し、この静電容量の変化を利用して圧力の変化を検出する。
【０００３】
上記静電容量型圧力センサにおいては、例えば、図４に示すように、支持基板１０１上に固定電極１０３を有するガラス基板１０２が配置され、そのガラス基板１０２上にダイヤフラム１０４ａを有するシリコン基板１０４が接合されて構成されている。このような静電容量型圧力センサにおいては、固定電極１０３用の引き出し電極１０５及び可動電極（ダイヤフラム１０４ａ）用の引き出し電極１０６は、ガラス基板１０２上にパターニングされているため、ガラス基板１０２とシリコン基板１０４との間の接合領域に設けられている。
【特許文献１】特開平８−７５５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構造においては、引き出し電極１０５，１０６がガラス基板１０２とシリコン基板１０４との間の接合領域に存在する。このため、引き出し電極１０５，１０６においてガラス基板１０２とシリコン基板１０４とが良好に接合されないと、ガラス基板１０２とシリコン基板１０４との間のキャビティの気密性が十分でなく、ダイヤフラム１０４ａが可動電極として機能せず、結果としてセンサとして働かなくなるという問題がある。また、引き出し電極１０５，１０６においてガラス基板１０２とシリコン基板１０４とが良好に接合されないと、接触抵抗が不安定となり、センサのＱ値がばらつくという問題もある。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間で十分な接合強度を有し、十分なセンサ特性を発揮できる静電容量型圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の静電容量型圧力センサは、固定電極を有するガラス基板と可動電極を有するシリコン基板とをキャビティを形成するように接合してなる静電容量型圧力センサであって、前記ガラス基板と前記シリコン基板との間の接合領域に前記ガラス基板の表面から突出するように形成されたコンタクト層と、前記接合領域において、前記コンタクト層と、前記シリコン基板との間に設けられた金−シリコン共晶層と、を具備し、前記接合領域に生じる未接合領域の外端部から前記キャビティの端部までの距離が約１５０μｍ以上であり、前記ガラス基板の表面からの前記コンタクト層の突出量が約３０００Å以下であることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、ガラス基板とシリコン基板との間の接合領域に生じる未接合領域の外端部からキャビティの端部までの距離が約１５０μｍ以上であるので、ガラス基板とシリコン基板との間の十分な接合が得られ、センサとして十分に動作する。また、接合領域において、ガラス基板の表面からのコンタクト層の突出量が約３０００Å以下であるので、シリコン基板とガラス基板との間の接合が十分となり、可動電極が圧力に応じて十分に変形してセンサとして動作する。また、この場合、シリコン基板とガラス基板の接合時に金−シリコン共晶反応が十分に起こり、コンタクト層とシリコン基板との間の接触抵抗が安定し、これによりセンサのＱ値が安定して、十分なセンサ特性を発揮させることができる。また、コンタクト層とシリコン基板との間は金−シリコン共晶反応により接合されているので、十分な接合強度を有する。
【０００８】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記接合領域は凹部を有し、前記凹部に前記コンタクト層が形成されていることが好ましい。この構成によれば、コンタクト層による厚さをガラス基板側で吸収することができるので、シリコン基板とガラス基板との間の接合をより確実に行うことができる。
【０００９】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記ガラス基板と前記シリコン基板との間の界面は、Ｓｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有することが好ましい。この構成によれば、シリコンとガラスとが強固に接合して、両者間の界面で非常に高い密着性を発揮するので、キャビティ内の気密性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の静電容量型圧力センサは、固定電極を有するガラス基板と可動電極を有するシリコン基板とをキャビティを形成するように接合してなる静電容量型圧力センサであって、前記ガラス基板と前記シリコン基板との間の接合領域に前記ガラス基板の表面から突出するように形成されたコンタクト層と、前記接合領域において、前記コンタクト層と、前記シリコン基板との間に設けられた金−シリコン共晶層と、を具備し、前記接合領域に生じる未接合領域の外端部から前記キャビティの端部までの距離が約１５０μｍ以上であり、前記ガラス基板の表面からの前記コンタクト層の突出量が約３０００Å以下であるので、基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間で十分な接合強度を有し、十分なセンサ特性を発揮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＩｂ−Ｉｂ線に沿う断面図である。
【００１２】
図１（ａ）に示す静電容量型圧力センサ１は、固定電極１１を有するガラス基板２０と可動電極であるダイヤフラムを有するシリコン基板１３とを接合して構成されている。ガラス基板２０とシリコン基板１３との間には、ダイヤフラムの可動領域であるキャビティ１２が形成されている。
【００１３】
キャビティ１２領域外には、可動電極の引き出し電極である電極パッド１７と、固定電極１１の引き出し電極である電極パッド１９とが形成されている。可動電極用の電極パッド１７は、コンタクト層１５を介して可動電極を有するシリコン基板１３と電気的に接続されており、固定電極用の電極パッド１９は、コンタクトピン１４，１８を介して固定電極１１と電気的に接続されている。
【００１４】
図１（ｂ）は、可動電極を有するシリコン基板１３と、可動電極用の電極パッド１７との間の接続状態を説明するための図である。図１（ｂ）から分かるように、ガラス基板２０は、電極パッド１７を形成する電極形成領域２０ａと、シリコン基板１３と接合する接合領域２０ｂとを有する。ここでは、ガラス基板２０に段差を設け、高い位置に接合領域２０ｂを設け、低い位置に電極形成領域２０ａを設けているが、この構成に限定されない。
【００１５】
ガラス基板２０の接合領域２０ｃには、凹部２０ｃが形成されており、この凹部２０ｃから電極形成領域２０ａにわたってコンタクト層１５が延在して形成されている。したがって、コンタクト層１５は、接合領域２０ｂにおいてシリコン基板１３と接合され、電極形成領域２０ａにおいて上部に電極パッド１７が形成される。このため、可動電極を有するシリコン基板１３がコンタクト層１５を介して電極パッド１７と電気的に接続される。コンタクト層１５としては、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｔａなどガラスとの密着性が良く、シリコンに拡散する金属を挙げることができる。また、コンタクト層１５の厚さとしては、電気的な導通性、金−シリコン共晶反応、陽極接合性などを考慮して約１００ｎｍ〜約３００ｎｍであることが好ましい。
【００１６】
接合領域２０ｂにおけるコンタクト層１５、すなわちシリコン基板１３とガラス基板２０との間に介在するコンタクト層１５上には、金−シリコン共晶層１６’が形成されている。この金−シリコン共晶層１６’は、シリコン基板１３とガラス基板２０とを接合、例えば陽極接合した際に、コンタクト層１５上に形成した金シード層１６の金とシリコン基板１３のシリコンとで共晶反応することにより得られる。また、この金−シリコン共晶層１６’は、コンタクト層１５の表面の酸化を防止する役割も果たす。
【００１７】
コンタクト層１５は、接合領域２０ｂにおけるガラス基板２０の表面の位置から突出している。このようにコンタクト層１５がガラス基板２０の表面から突出していることにより、ガラス基板２０とシリコン基板１３とを押圧して接合する際に、金シード層とシリコン基板１３とが確実に接触して両者間の金−シリコン共晶反応を良好に行わせることができる。すなわち、ガラス基板２０とシリコン基板１３とが接合される際に、金シード層とシリコン基板１３との間に隙間が生じることを防止して金シード層の金を効率良く金−シリコン共晶反応に寄与せしめることができる。コンタクト層１５の突出量ｈは、約３０００Å以下、好ましくは約３００Å以上約３０００Å以下に設定する。
【００１８】
このようにコンタクト層１５とシリコン基板１３との間に金−シリコン共晶層１６’が介在していることにより、すなわちシリコン基板１３とガラス基板２０の陽極接合時に金−シリコン共晶反応を用いてコンタクト層１５とシリコン基板１３とを電気的に接続することにより、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間の接触抵抗が安定し、これによりセンサのＱ値が安定して、十分なセンサ特性を発揮させることができる。また、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間は金−シリコン共晶反応により接合されているので、十分な接合強度を有する。
【００１９】
上記のようにコンタクト層１５をガラス基板１３の表面から突出させることにより、コンタクト層１５近傍においてガラス基板２０とシリコン基板１３との間に未接合領域Ａが生じる。この未接合領域Ａの外端部からキャビティ１２の端部までの距離Ｗは約１５０μｍ以上、好ましくは約１５０μｍ以上約３１０μｍ以下になるように設定する。シリコン基板１３とガラス基板２０との間の接合が十分となり、可動電極が圧力に応じて十分に変形してセンサとして動作する。
【００２０】
本発明者らは、コンタクト層１５の突出量ｈと未接合領域Ａの広さとの関係に着目し、コンタクト層１５の突出量ｈが未接合領域Ａと何らかの関係があるかどうかを調べた。すなわち、図２（ａ）に示すように、接合領域２０ｂにおいて、コンタクト層１５の突出量ｈと、未接合領域ＡにおけるＸ方向の距離（Ｘ）及びＹ方向の距離（Ｙ）との間に関係があるかどうかを調べた。その結果、図２（ｂ）に示すように、コンタクト層１５の突出量ｈが増加するにしたがって、未接合領域ＡにおけるＸ方向の距離（Ｘ）及びＹ方向の距離（Ｙ）が増加することが分かった。すなわち、コンタクト層１５の突出量ｈが増加するにしたがって、未接合領域Ａの外端部からキャビティ１２の端部までの距離Ｗが減少することが分かった。したがって、本発明者らは、コンタクト層１５の突出量ｈ及びこの距離Ｗを最適にすることにより、ガラス基板２０とシリコン基板１３との間の接合が良好に行われることを見出し本発明をするに至った。すなわち、本発明の骨子は、コンタクト層１５の突出量ｈ及びこの距離Ｗを最適にすることにより、基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間を確実に接合し、十分なセンサ特性を発揮させることである。
【００２１】
電極形成領域２０ａのコンタクト層１５上には、金シード層１６が形成されている。この金シード層１６は、メッキシード層として機能する。なお、シード層を構成する材料は、接触抵抗などを考慮して、その上に形成する電極パッドを構成する材料に応じて適宜変更することができる。金シード層１６上には、電極パッド１７が形成されている。電極パッド１７は、ワイヤボンディングなどの接続手段により外部回路と電気的に接続するようになっている。電極パッド１７を構成する材料としては、シード層を構成する材料に応じて適宜決定する。なお、電極形成領域における構造については、これに限定されず種々変更することができる。
【００２２】
シリコン基板１３とガラス基板２０との間の界面は、高い密着性を有することが好ましい。ガラス基板２０にシリコン基板１３を接合する場合には、ガラス基板２０の接合面上にシリコン基板１３を搭載し、陽極接合処理を施すことにより、両基板１３，２０の密着性を高くすることができる。このようにガラス基板２０とシリコン基板１３との界面で高い密着性を発揮することにより、キャビティ１２内の気密性を高く保つことができる。
【００２３】
ここで、陽極接合処理とは、所定の温度（例えば４００℃以下）で所定の電圧（例えば３００Ｖ〜１ｋＶ）を印加することにより、シリコンとガラスとの間に大きな静電引力が発生して、接触したガラス−シリコン界面で酸素を介した化学結合を形成される、もしくは、酸素の放出による共有結合を形成させる処理をいう。この界面での共有結合は、シリコンのＳｉ原子とガラスに含まれるＳｉ原子との間のＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合である。したがって、このＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合により、シリコンとガラスとが強固に接合して、両者間の界面で非常に高い密着性を発揮する。このような陽極接合を効率良く行うために、ガラス基板２０のガラス材料としては、ナトリウムなどのアルカリ金属を含むガラス材料（例えばパイレックス（登録商標）ガラス）であることが好ましい。
【００２４】
このような構成を有する静電容量型圧力センサにおいては、可動電極であるダイヤフラムと固定電極１１との間に所定の静電容量を有する。この圧力センサに圧力が加わると、ダイヤフラムが圧力に応じて可動する。これにより、ダイヤフラムが変位する。このとき、ダイヤフラムと固定電極１１との間の静電容量が変化する。したがって、この静電容量をパラメータとして、その変化を圧力変化とすることができる。
【００２５】
次に、本実施の形態の静電容量型圧力センサの製造方法について説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【００２６】
本実施の形態に係る静電容量型圧力センサを製造する場合、例えばガラス基板にシリコンの導電部を埋め込んだ埋め込み基板を作製し、この埋め込み基板にキャビティ用の凹部を形成し、固定電極を形成する。具体的には、低抵抗化したシリコン基板の一方の主面をエッチングして突出部を形成し、突出部上にガラス基板を置いて、真空下で、このシリコン基板及びガラス基板を加熱し、シリコン基板をガラス基板に押圧して突出部をガラス基板に押し込んで、シリコン基板とガラス基板とを接合する。その後、ガラス基板及びシリコン基板を研磨処理して突出部をガラス基板の両面で露出させてガラス基板に導電部が埋め込まれた埋め込み基板を作製する。その後、埋め込み基板にキャビティ用の凹部を形成し、固定電極を形成する。
【００２７】
次いで、図３（ａ）に示すように、ガラス基板２０の接合領域２０ｂにコンタクト層１５用の凹部２０ｃを形成する。この場合、ガラス基板２０上にレジスト膜を形成し、凹部形成領域以外の領域にレジスト膜が残存するようにレジスト膜をパターニングし、このレジスト膜をマスクとしてガラス基板２０にミリング加工を施す。その後、残存したレジスト膜を除去する。このコンタクト層１５のガラス基板２０の表面からの突出量は約３０００Å以下とする。
【００２８】
次いで、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板２０の電極形成領域２０ａから接合領域２０ｂの凹部２０ｃにわたって段差に沿ってコンタクト層１５を形成する。この場合、ガラス基板２０上にレジスト膜を形成し、コンタクト層形成領域を開口するようにレジスト膜をパターニングし、コンタクト層１５を構成する材料をスパッタリング法などで成膜し、その後レジスト膜を除去（リフトオフ）する。
【００２９】
次いで、図３（ｃ）に示すように、コンタクト層１５上に分離した状態で金シード層１６を形成する。この場合、コンタクト層１５を含む領域にレジスト膜を形成し、金シード層形成領域を開口するようにレジスト膜をパターニングし、金シード層１６を構成する材料（金）をスパッタリング法などで成膜し、その後レジスト膜を除去（リフトオフ）する。これにより、金シード層１６上にメッキにより電極パッド１７を形成することができるようになる。
【００３０】
次いで、図３（ｄ）に示すように、金シード層１６上に電極パッド１７を形成する。この場合、電極パッド形成領域以外の領域にマスクを設け、電極パッド形成領域のみにメッキを施して電極パッド１７を形成する。なお、メッキの条件は、材料により異なるが通常用いられている条件とする。次いで、全体にレジスト膜を形成し、電極パッド周辺領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとして金シード層１６及びコンタクト層１５をエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。
【００３１】
次いで、あらかじめエッチングや研磨などにより数十μｍ程度の所定の厚さに形成したシリコン基板１３を、可動電極であるダイヤフラムが固定電極１１と所定の間隔をおいて位置するようにして、ガラス基板２０上に接合する。このとき、シリコン基板１３及びガラス基板２０に対して、約４００℃以下の加熱下で約５００Ｖ程度の電圧を印加することにより陽極接合処理を行う。これによりシリコン基板１３とガラス基板２０との間の界面での密着性がより高くなり、キャビティ１２の気密性を向上させることができる。このとき、接合領域２０ｂにおけるコンタクト層１５とシリコン基板１３との間の金シード層１６は、金シード層１６の金がシリコン基板１３のシリコンと金−シリコン共晶反応を起こして、金−シリコン共晶層１６’となる。このようにして静電容量型圧力センサを得る。このとき、接合領域２０ｂに生じる未接合領域Ａの外端部からキャビティ１２の端部までの距離が約１５０μｍ以上となる。
【００３２】
このようにして得られた静電容量型圧力センサは、固定電極１１がコンタクトピン１４，１８を介して電極パッド１９と電気的に接続され、ダイヤフラムがコンタクト層１５を介して電極パッド１７と電気的に接続されている。したがって、ダイヤフラムと固定電極１１との間で検知された静電容量の変化の信号は、電極パッド１７，１９から取得することができる。この信号に基づいて測定圧力を算出することができる。
【００３３】
この静電容量型圧力センサにおいては、接合領域２０ｂにおけるコンタクト層１５の突出量ｈ及び接合領域２０ｂに生じる未接合領域Ａの外端部からキャビティ１２の端部までの距離Ｗを最適にしている、すなわち接合領域２０ｂに生じる未接合領域Ａの外端部からキャビティ１２の端部までの距離Ｗが約１５０μｍ以上であり、ガラス基板２０の表面からのコンタクト層１５の突出量ｈが約３０００Å以下であるので、基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間を確実に接合し、十分なセンサ特性を発揮させることができる。また、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間に金−シリコン共晶層１６’が介在していることにより、すなわちシリコン基板１３とガラス基板２０の陽極接合時に金−シリコン共晶反応を用いてコンタクト層１５とシリコン基板１３とを電気的に接続することにより、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間の接触抵抗が安定し、これによりセンサのＱ値が安定して、十分なセンサ特性を発揮させることができる。また、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間は金−シリコン共晶反応により接合されているので、十分な接合強度を有する。さらに、ダイヤフラムを有するシリコン基板１３と接合領域２０ｂとの間に引き出し電極などが存在しないため、ダイヤフラムとガラス基板２０との間の接合の信頼性が向上し、キャビティ１２の気密性を高めることが可能となる。
【００３４】
次に、静電容量型圧力センサにおける、接合領域２０ｂにおけるコンタクト層１５の突出量ｈ及び未接合領域Ａの外端部からキャビティ１２の端部までの距離Ｗの最適値について説明する。コンタクト層１５の突出量（ｈ）を変えて、これにより距離（封止幅）Ｗが異なる８種類の静電容量型圧力センサを上述のようにして作製し、これらの静電容量型圧力センサに対して、信頼性試験前後の容量評価及びＥＳＲ（等価直列抵抗）評価を行った。その結果を下記表１に示す。これらの８種類の静電容量型圧力センサにおいては、コンタクト層１５の突出量（ｈ）をそれぞれ４２００Å、３８００Å、３５００Å、３０００Å、１３００Å、７００Å、３００Å、０Åに設定すると、封止幅（Ｗ）は、それぞれ６０μｍ、１００μｍ、１２０μｍ、１５０μｍ、２５０μｍ、２８５μｍ、３１０μｍ、３３０μｍであった。また、各評価は、各種類の静電容量型圧力センサ１０サンプルについて行った。
【００３５】
容量評価は、ＬＣＲメータ４２７５Ａ（アジレントテクノロジ社製、商品名）を用いて、静電容量型圧力センサに１気圧〜５気圧（１００ｋＰａ〜５００ｋＰａ）までの圧力をかけて静電容量の変化があるかどうかを調べることにより行った。１０サンプルすべてについて静電容量の変化がある場合を◎とし、１０サンプル中８サンプル以上について静電容量の変化がある場合を○とし、それ以外の場合を×とした。
【００３６】
ＥＳＲ評価は、ＬＣＲメータ４１８５Ａ（アジレントテクノロジ社製、商品名）を用いて、キャパシタンス、インダクタンス以外の抵抗を調べることにより行った。１０サンプルすべてについてＥＳＲが４Ω以下である場合を◎とし、１０サンプル中８サンプル以上についてＥＳＲが４Ω以下である場合を○とし、それ以外の場合を×とした。
【００３７】
信頼性試験については、上記サンプルを、２気圧下、温度１２１℃、湿度１００％の環境下に１９２時間曝すプレッシャークッカ試験と、上記サンプルについて、−４０℃で２時間放置し、−４０℃から１２０℃に２時間かけて昇温し、１２０℃で２時間放置し、１２０℃から−４０℃に２時間かけて降温するサイクルをそれぞれ４５サイクル行い、その後２５℃±１５℃の雰囲気中に２時間放置する温度サイクル試験とを行った。
【００３８】
【表１】
2007248149.tif 000003
【００３９】
表１から分かるように、接合領域２０ｂにおけるコンタクト層１５の突出量ｈ及び接合領域２０ｂに生じる未接合領域Ａの外端部からキャビティ１２の端部までの距離Ｗの最適値は、突出量（ｈ）：約３０００Å以下、封止幅Ｗ（Ｗ）：約１５０μｍ以上である。なお、突出量４２００Åと３８００ÅのサンプルのＥＳＲ評価が×であるのは、キャビティ１２内の封止が破れたのが原因となって、断線、接触不良あるいは腐食が生じたためと思われる。また、突出量が０Åのサンプルについては、キャビティ１２の封止はできたものの、ダイヤフラムとコンタクト層１５の間の金−シリコン共晶層１６’が形成されないか、もしくはごく一部しか形成されないために、ダイヤフラムとコンタクト層１５の導通が確保できなかったためと考えられる。
【００４０】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、静電容量型圧力センサの構造、形状については、固定電極を有するガラス基板と可動電極を有するシリコン基板とを接合してなるものであれば、特に制限はない。また、上記実施の形態で説明した数値や材質については特に制限はない。また、上記実施の形態におけるエッチングやミリング加工については通常用いられる条件で行う。また、上記実施の形態で説明したプロセスについてはこれに限定されず、工程間の適宜順序を変えて実施しても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、例えば大気圧をモニタリングする気圧計やガス圧をモニタリングする静電容量型圧力センサに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＩｂ−Ｉｂ線に沿う断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの未接合領域を説明するための図であり、（ｂ）は、コンタクト層の厚さと未接合領域との関係を示す図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】従来の静電容量型圧力センサを示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  静電容量型圧力センサ
１１  固定電極
１２  キャビティ
１３  シリコン基板
１４，１８  コンタクトピン
１５  コンタクト層
１６  金シード層
１６’  金−シリコン共晶層
１７，１９  電極パッド
２０  ガラス基板
２０ａ  電極形成領域
２０ｂ  接合領域
２０ｃ  凹部
Ａ  未接合領域
【図１】
2007248149.tif 000004
【図２】
2007248149.tif 000005
【図３】
2007248149.tif 000006
【図４】
2007248149.tif 000007