(57)【要約】【課題】反射面の形状に関する情報を精度良く計測する。【解決手段】ウエハテーブルＷＴＢが、鏡面状の反射面５４Ｘ，５４Ｙを有する側壁２７Ａ，２７Ｂと、該側壁に対し反射面の裏面側で接触するリブ２１とを有しており、反射面の形状に関する情報を計測する際の計測ピッチとリブの間隔とが所定の関係に設定されていることから、第１部材の反射面の形状が第１部材へのリブの接触により影響を受ける場合でも、計測ピッチとリブの間隔とを所定の関係とすることで、精度良く計測することが可能である。【選択図】図６
2007113939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定物に設けられた反射部に測長ビームを照射して前記被測定物の位置に関する情報を計測する計測装置であって、
前記反射部は、鏡面状の反射面を有する第１部材と、該第１部材に対し前記反射面の裏面側で接触する複数のリブを有する第２部材とを有し、
前記反射面の形状に関する情報を計測する際の計測ピッチと前記リブの間隔とが所定の関係に設定されていることを特徴とする計測装置。
【請求項２】
前記反射面の形状に関する情報は、前記反射面の曲がりであることを特徴とする請求項１に記載の計測装置。
【請求項３】
前記所定の関係は、前記リブの間隔が前記反射面の形状に関する情報を計測する際の計測ピッチのｎ倍（ｎは２以上の自然数）となる関係であることを特徴とする請求項１又は２に記載の計測装置。
【請求項４】
前記計測ピッチは、前記反射面の形状に関する情報を計測する際に前記反射部が前記測長ビームの入射方向と交差する方向に移動するステップ移動距離に等しい関係にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の計測装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の計測装置を備えたステージ装置であって、
前記反射部が設けられたテーブルと；
該テーブルを移動させる駆動装置と；を備えるステージ装置。
【請求項６】
前記計測ピッチは、前記テーブル上に設けられた複数の評価用マークの間隔と等しい関係にあることを特徴とする請求項５に記載のステージ装置。
【請求項７】
被測定物に設けられる反射部の互いに異なる複数の位置に測長ビームを照射して前記被測定物の位置に関する情報を計測する計測装置であって、
前記反射部は、前記測長ビームが照射される鏡面状の反射面を有する第１部材と；
該第１部材に対し、前記反射面の裏面側で接触する複数のリブを有する第２部材と；を有し、
前記測長ビームが照射される前記複数の位置の間隔と前記リブの間隔とが所定の関係に設定されていることを特徴とする計測装置。
【請求項８】
請求項７に記載の計測装置を備えたステージ装置であって、
前記反射部が設けられたテーブルと；
該テーブルを移動させる駆動装置と；を備えるステージ装置。
【請求項９】
前記第２部材は、複数の格子状のリブを有するとともに前記テーブルの裏面側に設けられ、
前記反射部は、前記テーブルの側壁の少なくとも一部を形成していることを特徴とする請求項５、６及び８のいずれか一項に記載のステージ装置。
【請求項１０】
被測定物に設けられ、鏡面状の反射面を有する第１部材と、該第１部材に対し前記反射面の裏面側で接触する複数のリブを有する第２部材とを有する反射部に、測長ビームを照射することにより前記被測定物の位置に関する情報を計測する計測装置を用いて、前記反射部の形状に関する情報を計測する計測方法であって、
前記計測装置を用いた前記反射面の形状に関する情報を計測する計測ピッチを、前記リブの間隔に対して所定の関係に設定したことを特徴とする計測方法。
【請求項１１】
前記反射面の形状に関する情報は、前記反射面の曲がりであることを特徴とする請求項１０に記載の計測方法。
【請求項１２】
前記所定の関係は、前記リブの間隔が前記反射面の形状に関する情報を計測する際における計測ピッチのｎ倍（ｎは２以上の自然数）となる関係であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の計測方法。
【請求項１３】
前記反射部は移動可能なテーブルに設けられたものであり、
前記テーブル上に、前記計測ピッチに対応する位置に既知の配列で評価用マークを設ける工程と；
前記計測装置の計測値に基づいて、前記テーブルを水平面内で移動しつつ、前記評価用マークの座標を順次検出して、検出された座標と前記評価用マークの既知の配列とに基づいて、前記反射面の形状に関する情報を検出する工程と；を含む請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の計測方法。
【請求項１４】
前記反射部の形状に関する情報を検出する際に、前記被測定物を一軸方向に前記計測ピッチでステップ移動しつつ、前記計測装置による測長ビームを前記反射部に照射して前記被測定物の位置に関する情報を取得する工程と；
前記被測定物の位置に関する情報に基づいて、前記反射部の形状に関する情報を算出する工程と；を含む請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の計測方法。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の計測方法を用いて、前記反射部の形状に関する情報を計測する工程と；
前記被測定物とともに基板を移動させつつ該基板にパターンを形成する工程と；を含む露光方法。
【請求項１６】
被測定物に設けられ、鏡面状の反射面を有する第１部材と、該第１部材に対し前記反射面の裏面側で接触する複数のリブを有する第２部材とを有する反射部に、測長ビームを照射することで前記被測定物の位置に関する情報を計測する計測方法であって、
前記測長ビームを前記反射部における互いに異なる複数の位置に照射するとともに、該複数の位置の間隔と前記リブの間隔とを所定の関係に設定したことを特徴とする計測方法。
【請求項１７】
前記被測定物に基板を載置して、請求項１６に記載の計測方法を用いて前記基板の位置を計測しつつ該基板にパターンを形成する露光方法。
【請求項１８】
基板にエネルギビームを照射して前記基板上にパターンを形成する露光装置であって、
請求項５、６、８及び９のいずれか一項に記載のステージ装置が前記基板を保持することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法に係り、更に詳しくは、被測定物に設けられた反射部に測長ビームを照射して前記被測定物の位置に関する情報を計測する計測装置及び計測方法、前記計測装置を備えるステージ装置、並びに該ステージ装置を備える露光装置及び前記計測方法を用いて基板の位置を計測しつつ基板にパターンを形成する露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル（以下「レチクル」と総称する）に形成されたパターンを投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の感光物体（以下、「ウエハ」と総称する）上に転写するステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）や、このステッパに改良を加えたステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）などが主として用いられている。
【０００３】
この種の露光装置においては、ウエハを保持して２次元面内を移動可能なウエハステージの位置計測には、例えば波長６３３ｎｍで連続発振するＨｅ−Ｎｅの周波数安定化レーザを光源とした光波干渉計（レーザ干渉計）が用いられている。
【０００４】
レーザ干渉計は、その性質上、一次元の計測しかできないため、二次元の座標計測、例えばＸＹ座標の計測を行う場合にはレーザ干渉計を２つ用意する必要がある。そして、ウエハステージに設けられた互いに直交する２つの反射面それぞれに対して２つのレーザ干渉計から垂直に測長ビームを照射し、各反射面の測長ビームの方向の基準点からの距離の変化を計測することで、ウエハステージの２次元の座標位置が求められる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
最近では、ウエハステージ（又はウエハテーブル）のＸ軸方向に延びるＹ側の端面、及びＹ軸方向に延びるＸ側の端面を鏡面加工し、その鏡面を上記反射面として用いている。この反射面は、ウエハステージ（ウエハテーブル）の必要移動ストロークに対応して、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に長さが必要であり、ウエハステージ（ウエハテーブル）の位置計測に用いられるものであることから、極めて高い平面度が要求される。
【０００６】
しかるに、上記反射面の平坦度を良好に確保するためには、精度の高い表面加工（鏡面加工）が必要不可欠であり、製作コストが非常に高くなっている。また、最近では、ウエハステージ（ウエハテーブル）の高加速化のため、ウエハステージ（ウエハテーブル）の剛性を維持しつつ、軽量化を図る必要がある。このための手段として、ウエハステージ（ウエハテーブル）を中空構造にし、補強のための格子状の配置でリブを設けることが考えられる。
【０００７】
しかしながら、ウエハステージ（ウエハテーブル）の内部にリブを設けることにより、反射面の表面加工（鏡面加工）に際して、反射面の平坦度がリブの存在に影響されるおそれがある。
【０００８】
【特許文献１】特許第３２９５８４６号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述した事情の下になされたものであり、第１の観点からすると、被測定物に設けられた反射部に測長ビームを照射して前記被測定物の位置に関する情報を計測する計測装置であって、前記反射部は、鏡面状の反射面（５４Ｘ，５４Ｙ）を有する第１部材（２７Ａ，２７Ｂ）と、該第１部材に対し前記反射面の裏面側で接触する複数のリブ２１を有する第２部材（１１０Ａ）とを有し、前記反射面の形状に関する情報を計測する際の計測ピッチと前記リブの間隔とが所定の関係に設定されていることを特徴とする第１の計測装置である。
【００１０】
これによれば、反射面の形状に関する情報を計測する際の計測ピッチとリブの間隔とが所定の関係に設定されていることから、第１部材の反射面の形状が第１部材へのリブの接触により影響を受ける場合に、計測ピッチとリブの間隔とを所定の関係とすることで、反射面の形状に関する情報を精度良く計測することが可能となる。
【００１１】
本発明は、第２の観点からすると、上記第１の計測装置を備えたステージ装置であって、前記反射部が設けられたテーブル（ＷＴＢ）と；該テーブルを移動させる駆動装置と；を備えるステージ装置である。
【００１２】
これによれば、反射面の形状に関する情報を精度良く計測することが可能な第１の計測装置を備えているので、該計測装置によって計測された、テーブルの反射面の形状に関する情報を考慮して、テーブルを駆動装置を介して移動させることにより、高精度なテーブルの移動を実現することが可能となる。
【００１３】
本発明は、第３の観点からすると、被測定物（ＷＴＢ）に設けられる反射部の互いに異なる複数の位置に測長ビームを照射して前記被測定物の位置に関する情報を計測する計測装置であって、前記反射部は、前記測長ビームが照射される鏡面状の反射面（５４Ｘ，５４Ｙ）を有する第１部材（２７Ａ，２７Ｂ）と；該第１部材に対し、前記反射面の裏面側で接触する複数のリブ（２１）を有する第２部材（１１０Ａ）と；を有し、前記測長ビームが照射される前記複数の位置の間隔と前記リブの間隔とが所定の関係に設定されていることを特徴とする第２の計測装置である。
【００１４】
これによれば、測長ビームが照射される複数の位置の間隔と前記リブの間隔とが所定の関係に設定されているので、第１部材の反射面の形状が第１部材へのリブの接触により影響を受ける場合でも、リブの位置を考慮して被測定物の位置に関する情報を計測することが可能となる。
【００１５】
本発明は、第４の観点からすると、本発明の第２の計測装置を備えたステージ装置であって、前記反射部が設けられたテーブル（ＷＴＢ）と；該テーブルを移動させる駆動装置と；を備えるステージ装置である。
【００１６】
これによれば、テーブルの位置に関する情報を高精度に計測することができる計測装置を備えているので、該計測結果を考慮して駆動装置を介してテーブルを移動させることにより、高精度なテーブルの移動を実現することが可能となる。
【００１７】
本発明は、第５の観点からすると、被測定物に設けられ、鏡面状の反射面（５４Ｘ，５４Ｙ）を有する第１部材と、該第１部材に対し前記反射面の裏面側で接触する複数のリブ（２１）を有する第２部材（１１０Ａ）とを有する反射部に、測長ビームを照射することにより前記被測定物の位置に関する情報を計測する計測装置を用いて、前記反射部の形状に関する情報を計測する計測方法であって、前記計測装置を用いた前記反射面の形状に関する情報を計測する計測ピッチを、前記リブの間隔に対して所定の関係に設定したことを特徴とする第１の計測方法である。
【００１８】
これによれば、計測装置を用いた反射面の形状に関する情報を計測する計測ピッチを、リブの間隔に対して所定の関係に設定しているので、第１部材の反射面の形状が第１部材へのリブの接触により影響を受ける場合でも、計測ピッチとリブの間隔とを所定の関係とすることで、反射面の形状に関する情報を精度良く計測することが可能となる。
【００１９】
本発明は、第６の観点からすると、本発明の第１の計測方法を用いて、前記反射部の形状に関する情報を計測する工程と；前記被測定物とともに基板（Ｗ）を移動させつつ該基板にパターンを形成する工程と；を含む露光方法である。
【００２０】
これによれば、反射部の形状に関する情報を高精度に計測し、該計測結果を考慮して、被測定物とともに基板を移動させつつ該基板にパターンを形成するので、高精度なパターン形成を実現することが可能となる。
【００２１】
本発明は、第７の観点からすると、被測定物に設けられ、鏡面状の反射面（５４Ｘ，５４Ｙ）を有する第１部材（２７Ａ，２７Ｂ）と、該第１部材に対し前記反射面の裏面側で接触する複数のリブ（２１）を有する第２部材（１１０Ａ）とを有する反射部に、測長ビームを照射することで前記被測定物の位置に関する情報を計測する計測方法であって、前記測長ビームを前記反射部における互いに異なる複数の位置に照射するとともに、該複数の位置の間隔と前記リブの間隔とを所定の関係に設定したことを特徴とする第２の計測方法である。
【００２２】
これによれば、被測定物に設けられた反射部が、鏡面状の反射面を有する第１部材と、該第１部材に対し反射面の裏面側で接触する複数のリブを有する第２部材とを有しており、測長ビームが照射される複数の位置の間隔と前記リブの間隔とが所定の関係に設定されていることとしているので、第１部材の反射面の形状が第１部材へのリブの接触により影響を受ける場合でも、リブの位置を考慮して被測定物の位置に関する情報を計測することが可能となる。
【００２３】
本発明は、第８の観点からすると、前記被測定物に基板（Ｗ）を載置して、本発明の第２の計測方法を用いて前記基板の位置を計測しつつ該基板にパターンを形成する露光方法である。
【００２４】
これによれば、高精度な被測定物の計測が可能な計測方法を用いることにより、基板の高精度な位置決めが可能となる。これにより、基板にパターンを精度良く形成することが可能となる。
【００２５】
本発明は、第９の観点からすると、基板（Ｗ）にエネルギビーム（ＩＬ）を照射して前記基板上にパターンを形成する露光装置であって、本発明の第１、第２のステージ装置が前記基板を保持することを特徴とする露光装置である。
【００２６】
これによれば、高精度なテーブルの位置決めが可能なステージ装置が基板を保持するため、基板上にパターンを精度良く形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
《第１の実施形態》
以下、本発明の第１の実施形態を図１〜図６に基づいて説明する。
【００２８】
図１には、第１の実施形態に係る露光装置１０の概略的な構成が示されている。この露光装置１０は、ステッパ等の一括露光型の投影露光装置である。
【００２９】
この露光装置１０は、照明ユニットＩＯＰ、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、基板としてのウエハＷを保持してＸＹ平面内でＸＹ２次元方向に移動するウエハステージＷＳＴを含むステージ装置５０、及びこれらの制御系、並びに投影光学系ＰＬを保持するコラム３４等を備えている。
【００３０】
前記照明ユニットＩＯＰは、光源及び照明光学系を含み、その内部に配置された視野絞り（マスクキングブレード又はレチクルブラインドとも呼ばれる）で規定される矩形又は円弧状の照明領域にエネルギビームとしての照明光ＩＬを照射し、回路パターンが形成されたレチクルＲを均一な照度で照明する。ここでは、照明光ＩＬとしては、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）あるいはＦ2レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光が用いられるものとする。
【００３１】
前記レチクルステージＲＳＴは、照明ユニットＩＯＰの下方に配置されている。レチクルステージＲＳＴは、実際には、投影光学系ＰＬの上面に載置されている（ただし、図１では図示の便宜上、レチクルステージＲＳＴと投影光学系ＰＬとが離間して示されている）。具体的には、レチクルステージＲＳＴは、投影光学系ＰＬの上面に固定されたベース上で、レチクルＲを保持してＸ軸方向、Ｙ軸方向、θｚ方向に微小駆動可能とされている。
【００３２】
レチクルＲの一部には、一対のアライメントマークが設けられている。本実施形態では、露光前に、この一対のアライメントマークを不図示のレチクルアライメント系を用いて計測し、位置決めを行う。
【００３３】
前記投影光学系ＰＬとしては、ここでは両側テレセントリックな縮小系、かつ共通のＺ軸方向の光軸を有する複数枚のレンズエレメントを含む屈折光学系が用いられている。この投影光学系ＰＬの投影倍率βは、例えば１／４あるいは１／５である。このため、前述の如く、照明ユニットＩＯＰからの照明光ＩＬによりレチクルＲが照明されると、レチクルＲに形成された前述の照明領域内の回路パターンが投影光学系ＰＬによりウエハＷ上の照明領域と共役な照明光ＩＬの照射領域（露光領域）に縮小投影され、回路パターンの縮小像（部分等立像）が転写形成される。
【００３４】
投影光学系ＰＬの鏡筒の高さ方向のほぼ中央部には、フランジＦＬＧが設けられている。
【００３５】
前記コラム３４は、床面Ｆにその下端部が固定された３本の脚部３２ｂ（紙面奥側の脚部は不図示）と、該脚部３２ｂにより床面Ｆ上方で支持された天板部３２ａとを備えている。天板部３２ａの中央部に上下方向（Ｚ軸方向）に貫通した状態で開口３４ａが形成されている。
【００３６】
投影光学系ＰＬは、コラム３４を構成する天板部３２ａの下面側に一端が固定された３つの吊り下げ支持機構３７（ただし紙面奥側の吊り下げ支持機構は不図示）を介して、そのフランジＦＬＧ部分にて吊り下げ支持されている。これら吊り下げ支持機構３７のそれぞれは、柔構造の連結部材であるコイルばね３６とワイヤ３５とを含む。前記コイルばね３６は、光軸に垂直な方向には振り子のように振動するため、投影光学系ＰＬの光軸に垂直な方向の除振性能（床の振動が投影光学系ＰＬに伝達するのを防止する性能）を有している。また、光軸に平行な方向に関しても、高い除振性能を有している。
【００３７】
また、コラム３４の脚部３２ｂそれぞれのＺ軸方向に関する中央部近傍には凸部１３４ａが形成され、凸部１３４ａそれぞれと投影光学系ＰＬのフランジの外周部との間には、駆動機構４０が設けられている。この駆動機構４０は、投影光学系ＰＬを鏡筒の半径方向に駆動するボイスコイルモータと、投影光学系ＰＬを光軸方向（Ｚ軸方向）に駆動するボイスコイルモータとを含んでいる。これら駆動機構４０により、投影光学系ＰＬを６自由度方向に移動できる構成となっている。
【００３８】
投影光学系ＰＬのフランジＦＬＧには、投影光学系ＰＬの６自由度方向の加速度を検出するための不図示の加速度センサが設けられており、該加速度センサで検出される加速度情報に基づいて、不図示の主制御装置が、投影光学系ＰＬがコラム３４及び床面Ｆに対して静止した状態となるように駆動機構４０のボイスコイルモータの駆動を制御する。
【００３９】
投影光学系ＰＬのフランジＦＬＧの下面からは、リング状の計測マウント５１が３本の支持部材５３（ただし、紙面奥側の支持部材は不図示）を介して吊り下げ支持されている。３本の支持部材５３は、実際には、その両端部に支持部材５３の長手方向以外の５自由度の変位が可能なフレクシャー部を有するリンク部材を含んで構成され、計測マウント５１とフランジＦＬＧとの間に応力がほとんど生じることなく計測マウント５１を支持することができるようになっている。
【００４０】
計測マウント５１では、ウエハ干渉計５４や、アライメント系ＡＬＧ、不図示の多点焦点位置検出系などが保持されている。アライメント系ＡＬＧとしては、画像処理方式のセンサを用いることができ、この、画像処理方式のセンサは、例えば特開平４−６５６０３号公報に開示されている。また、多点焦点位置検出系としては、例えば特開２００１−７５２９４号公報等に開示されるフォーカスセンサを用いることができる。
【００４１】
前記ステージ装置５０は、ウエハステージＷＳＴと、該ウエハステージＷＳＴを駆動するウエハステージ駆動系と、を備えている。
【００４２】
前記ウエハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの下方に水平に配置されたステージ定盤ＢＳの上面に、その底面に設けられたエアベアリングなどを介して浮上支持されている。
【００４３】
ここで、ステージ定盤ＢＳは、直接的に床面Ｆ上に据え付けられており、その＋Ｚ側の面（上面）は、その平坦度が非常に高くなるように加工されており、ウエハステージＷＳＴの移動基準面（ガイド面）とされている。
【００４４】
ウエハステージＷＳＴは、図２に示されるように、ステージ３１と、該ステージ３１上の一直線上にない３箇所に設けられた３つの自重キャンセラ１５０を介して搭載されたウエハテーブルＷＴＢとを備えている。３つの自重キャンセラ１５０は、ステージ３１上でウエハテーブルＷＴＢを３点で支持し、それぞれが駆動機構（ボイスコイルモータ等）等を含んで構成されている。各駆動機構により、ウエハテーブルＷＴＢがＺ軸方向、θｘ方向（Ｘ軸回りの回転方向）、θｙ方向（Ｙ軸回りの回転方向）の３自由度方向に微小駆動される。
【００４５】
また、ウエハテーブルＷＴＢとステージ３１との間には、Ｘ微動機構ＶＸと一対のＹ微動機構ＶＹ1，ＶＹ2とが設けられている。これらＸ、Ｙ微動機構は、それぞれ例えば電機子ユニットを含む固定子と磁極ユニットを含む可動子とを含んで構成されるボイスコイルモータ等であり、それぞれの固定子がステージ３１の上面に固定され、それぞれの可動子がウエハテーブルＷＴＢの側面に固定されている。これらのうち、Ｘ微動機構ＶＸによって、ウエハテーブルＷＴＢがＸ軸方向に駆動され、一対のＹ微動機構ＶＹ1，ＶＹ2によって、ウエハテーブルＷＴＢがＹ軸方向及びθｚ方向（Ｚ軸回りの回転方向）の２自由度方向について微小駆動される。
【００４６】
前記ステージ３１は、ＸＺ断面が長方形の枠状部材を含んで構成され、該枠状部材の内部空間には不図示のＹ可動子が設けられている。枠状部材の下面には、不図示のエアベアリングが複数設けられ、これらのエアベアリングを介してウエハステージＷＳＴが前述のガイド面の上方に数μｍ程度のクリアランスを介して浮上支持されている。
【００４７】
前記Ｙ可動子は、Ｙ軸方向を長手方向とするＹ固定子１３４Ｙとともに、Ｙ軸リニアモータを構成し、ステージ３１をウエハテーブルＷＴＢ、ウエハＷとともにＹ軸方向に駆動する。以下においては、このＹ軸リニアモータをＹ固定子と同一の符号を用いて、Ｙ軸リニアモータ１３４Ｙとも呼ぶものとする。
【００４８】
Ｙ固定子１３４ＹのＹ軸方向一端部及び他端部には、Ｘ可動子１３２Ｘ1，１３２Ｘ2が固定されている。Ｘ可動子１３２Ｘ1は、ステージ定盤ＢＳの＋Ｙ側近傍に設けられた、Ｘ軸方向を長手方向とするＸ固定子１３４Ｘ1とともに、第１のＸ軸リニアモータを構成し、Ｘ可動子１３２Ｘ1は、ステージ定盤ＢＳの−Ｙ側近傍に設けられた、Ｘ軸方向を長手方向とするＸ固定子１３４Ｘ2とともに、第２のＸ軸リニアモータを構成する。以下においては、これら第１のＸ軸リニアモータと第２のＸ軸リニアモータをそのＸ固定子と同一の符号を用いて、第１のＸ軸リニアモータ１３４Ｘ1、第２のＸ軸リニアモータ１３４Ｘ2とも呼ぶものとする。
【００４９】
本実施形態では、第１、第２のＸ軸リニアモータ１３４Ｘ1、１３４Ｘ2によって、Ｙ軸リニアモータ１３４Ｙとともに、ウエハステージＷＳＴがＸ軸方向に沿って駆動される。また、第１、第２のＸ軸リニアモータ１３４Ｘ1、１３４Ｘ2がそれぞれ発生するＸ軸方向の電磁力（駆動力）を僅かに異ならせることにより、ウエハステージＷＳＴをθｚ方向に回転させることもできる。
【００５０】
これまでの説明から分かるように、本実施形態ではＹ軸リニアモータ１３４Ｙと、第１、第２のＸ軸リニアモータ１３４Ｘ1、１３４Ｘ2と、３つの自重キャンセラ１５０と、Ｘ微動機構ＶＸ、一対のＹ微動機構ＶＹ1、ＶＹ2とにより、ウエハステージ駆動系の少なくとも一部が構成されている。このウエハステージ駆動系の構成各部は、不図示の主制御装置により制御される。
【００５１】
前記ウエハテーブルＷＴＢは、平面視（上方から見て）矩形の一部が切り欠かれることにより、２つの大きさの異なる直角二等辺三角形が組み合わされたような形状（図２参照）を有する天板２３と、図３の分解斜視図に示されるように天板２３とほぼ同一形状を有する底板３８と、天板２３及び底板３８に挟まれた状態で設けられる格子状のリブ２１と、天板２３と底板３８との間に中空の空間を形成するための側壁２７Ａ，２７Ｂ、３９と、を含んで構成されている。
【００５２】
前記天板２３の上面には、図２に示されるように、ウエハホルダ２５を介してウエハＷが真空吸着（又は静電吸着）等により吸着保持されている。ウエハホルダ２５は、ウエハテーブルＷＴＢ上で、その裏面側の全面を真空吸着により吸着保持されている。
【００５３】
前記リブ２１は、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向に所定間隔で配列された複数のＸリブ部１２１Ａと、Ｘ軸方向を長手方向とし、Ｙ軸方向に所定間隔で配列された複数のＹリブ部１２１Ｂとを含み、各Ｘリブ部１２１Ａ、Ｙリブ部１２１Ｂが組み合わされた状態で全体として格子状となっている。このリブ２１を設けることにより、ウエハテーブルＷＴＢの剛性を高く維持しつつ、ウエハテーブルＷＴＢの軽量化が図られている。
【００５４】
前記側壁２７Ａは、リブ２１の−Ｘ側端部に接触した状態で設けられ、側壁２７Ｂは、リブ２１の＋Ｙ側端部（及び天板２３の＋Ｙ側端部）に接触した状態で設けられている。側壁２７Ａの−Ｘ側端面と側壁２７Ｂの＋Ｙ側端面とは鏡面加工が施され、反射面５４Ｘ，５４Ｙが形成されている。この鏡面加工は、ウエハテーブルＷＴＢを構成する全ての部材が別部材で構成される場合には、全部材を組み上げた後に行うこととし、これにより、鏡面加工後にリブに接着（接合）する場合におけるリブ２１の鏡面の平坦度への影響を低減し、鏡面の平坦度を確保する。
【００５５】
なお、天板２３、側壁２７Ａ，２７Ｂを一体成形で製造するとともに、底板３８、側壁３９、リブ２１から成る部材１１０Ａを一体成形で製造することとしても良い。
【００５６】
図１に戻り、ウエハステージＷＳＴの位置情報は、ウエハテーブルＷＴＢの側壁２７Ａ，２７Ｂの反射面に測長ビームを照射するウエハレーザ干渉計システム５８によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。
【００５７】
これを更に詳述すると、ウエハレーザ干渉計システム５８は、図４に示されるように、３つのダブルパス方式の干渉計ユニット５８Ｙ、５８Ｘ1，５８Ｘ2を含んで構成され、各干渉計ユニット５８Ｙ、５８Ｘ1，５８Ｘ2内部に設けられた固定鏡の反射面を基準とするウエハテーブルＷＴＢの反射面５４Ｘ，５４Ｙの位置の情報、すなわち、各干渉計ユニット内で分岐された測長ビームと参照ビームとの分岐点からの光路長の差の情報を用いて、ウエハテーブルＷＴＢ（ウエハＷ）の位置情報を計測する。各干渉計ユニット５８Ｙ、５８Ｘ1，５８Ｘ2は、前述の計測マウント５１によって支持されている。
【００５８】
干渉計ユニット５８Ｘ1は、反射面５４Ｘに対してＸ軸に平行な測長ビームＷＸＦ1、ＷＸＦ2を照射し、干渉計ユニット５８Ｘ2は、反射面５４Ｘに対してＸ軸に平行な測長ビームＷＸ1、ＷＸ2を照射する。一方、干渉計ユニット５８Ｙは、反射面５４Ｙに対してＹ軸に平行な測長ビームＷＹ1、ＷＹ2を照射する。
【００５９】
なお、干渉計としては、ウエハテーブルＷＴＢのＺ軸方向の位置を計測するための測長ビームを照射することが可能な干渉計を用いても良く、これに対応して、ウエハテーブルＷＴＢの側面に測長ビームに対して所定角度傾斜した反射面を形成することとしても良い。
【００６０】
これらの干渉計によると、アライメント中においては、干渉計ユニット５８Ｘ1の測長ビームＷＸＦ1、ＷＸＦ2を用いて、ウエハテーブルＷＴＢのＸ軸方向の位置、及びθｙ方向（Ｙ軸回りの回転方向）の位置を計測する。また、干渉計ユニット５８Ｙの測長ビームＷＹ1，ＷＹ2を用いて、ウエハテーブルＷＴＢのＹ軸方向の位置及びθｘ方向（Ｘ軸回りの回転方向）の位置を計測する。
【００６１】
一方、露光中においては、干渉計ユニット５８Ｘ2の測長ビームＷＸ1、ＷＸ2を用いて、ウエハテーブルＷＴＢのＸ軸方向の位置、及びθｙ方向（Ｙ軸回りの回転方向）の位置を計測する。また、アライメント中と同様に、干渉計ユニット５８Ｙの測長ビームＷＹ1，ＷＹ2を用いて、ウエハテーブルＷＴＢのＹ軸方向の位置及びθｘ方向（Ｘ軸回りの回転方向）の位置を計測する。
【００６２】
次に、本実施形態の反射面の曲がり計測方法について、図５及び図６に基づいて説明する。この計測は、露光装置の製造時や定期メンテナンス時などに行われるが、経時変化が大きい場合等においては、ロット毎等頻繁に行うことが望ましい。
【００６３】
前提として、Ｘ軸干渉計５８Ｘ2（測長ビームＷＸ1）と、Ｙ軸干渉計５８Ｙ（測長ビームＷＹ1）それぞれに対応する計測軸により定まる座標系（Ｘ，Ｙ）をステージ座標系とし、後述する反射面の曲がり計測に用いられる基準ウエハＷＴの中心が投影光学系ＰＬの光軸上に位置するときの座標を原点（０，０）とする。また、基準ウエハＷＴのショット配列の誤差は極めて小さく、各ショット領域の回転のばらつきも小さいものとする。
【００６４】
まず、図５のウエハテーブルＷＴＢ（ウエハホルダ２５）上にウエハＷが載置されている場合にはウエハＷに代えて、ウエハＷが載置されていない場合には単に基準ウエハＷＴをロードする。この基準ウエハＷＴは、平坦度が非常に高く設定されたウエハであり、その表面には、例えばＸ軸方向に５列、Ｙ軸方向に５行の配列で互いに同一のショット領域ＳＡ11〜ＳＡ55が形成されているものとする。これら各ショット領域ＳＡij（ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）内には、複数のアライメントマークが形成されている。
【００６５】
なお、複数のアライメントマークは各ショット領域内に設けずに、ショット領域間のストリートラインに設けることとしても良い。
【００６６】
また、本実施形態においては、基準ウエハＷＴ上には、反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がり計測を行うための計測用マーク（Ｍｘ、Ｍｙ）が形成されている。この計測用マークは、その配列が前述したリブ２１の格子間隔に対して、所定の関係となるように設定されている。
【００６７】
具体的には、例えば、反射面５４Ｘの曲がり計測を行うための計測用マークＭｘが、図６に示されるように、Ｙ軸に沿って、リブ２１の格子に対応する位置に設けられるとともに、リブ２１の格子と格子との間にも両隣のマークと等間隔となるように設けられている。また、反射面５４Ｙの曲がり計測を行うための計測用マークＭｙが、Ｘ軸に沿って、リブ２１の格子に対応する位置に設けられるとともに、リブ２１の格子と格子との間にも等間隔で設けられている。すなわち、本実施形態では、前記所定の関係として、計測用マークＭｘ、Ｍｙの間隔が、リブ２１の格子間隔の１／２倍となるような関係が採用されている。
【００６８】
次に、基準ウエハＷＴのアライメントを以下のようにして行う。
【００６９】
まず、ショット領域ＳＡijのうち所定数（２以上）のショット領域を任意に選択してサーチアライメントを行う。具体的には、アライメント系ＡＬＧを用いて、選択されたショット領域内のサーチマーク（不図示）のＸ，Ｙ座標を計測し、これら計測結果、及びサーチマークの試料座標系（基準ウエハＷＴ上の座標系）（ｘ，ｙ）での設計上の配列座標から、試料座標系（ｘ，ｙ）からステージ座標系（Ｘ，Ｙ）へのラフな変換パラメータを求める。
【００７０】
この変換パラメータは、ｘ軸のＸ軸に対する回転角θ、及びＸ軸方向及びＹ軸方向へのオフセットＯｘ，Ｏｙから成る。したがって、例えば、回転角θを補正するように基準ウエハＷＴを回転するか、又はＸ軸に対して回転角θだけ回転した軸を新たなＸ軸とみなす等の手法によって回転角の補正を行い、その後、得られたオフセットＯｘ，Ｏｙを用いて、各マークの試料座標系（ｘ，ｙ）上の配列座標からステージ座標系（Ｘ，Ｙ）上での配列座標を求める。
【００７１】
次いで、基準ウエハＷＴ上のアライメントマークをアライメント系ＡＬＧを用いて計測し、ショット領域内に形成されたアライメントマークの設計上の位置からのＸ軸方向への位置ずれ量、及びアライメントマークの設計上の位置からのＹ軸方向への位置ずれ量を算出する。そして、例えば特開昭６２−８４５１６号公報で開示されているエンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）方式のアライメント法を適用して、それらのアライメントデータ及び設計上の配列座標に基づいて、基準ウエハＷＴ上の試料座標系（ｘ，ｙ）からステージ座標系（Ｘ，Ｙ）への変換パラメータを算出する。
【００７２】
この際の変換パラメータは、ウエハスケーリングγｘ、γｙ、ウエハローテーションθ、直交度誤差ｗ、及びオフセットＯｘ，Ｏｙを含む。
【００７３】
次いで、上記のように求められた変換パラメータを使用して、基準ウエハＷＴ上の計測用マークＭｘ、Ｍｙの試料座標系（ｘ，ｙ）上の配列座標からステージ座標系（Ｘ，Ｙ）上での配列座標を求める。なお、この計測においては、計測用マークＭｘを計測する際には、ウエハテーブルＷＴＢをＸ軸方向の所定位置に固定しつつ、Ｙ軸に沿って計測マークＭｘの間隔と同一の間隔でステップ移動して全ての計測マークＭｘの計測を行う。また、計測用マークＭｙを計測する際には、ウエハテーブルＷＴＢをＹ軸方向の所定位置に固定しつつ、Ｘ軸に沿って計測マークＭｙと同一の間隔でステップ移動して全ての計測マークＭｙの計測を行う。そして、全ショット領域内のマークの設計上の位置からのずれ量を求め、不図示の主制御装置内のメモリに記憶する。
【００７４】
次いで、主制御装置は、上述したようにして求められた計測用マークＭｘ，Ｍｙの設計上の位置からのずれ量に基づいて、反射面５４Ｘの位置Ｙでの曲がり量ＭＸ（Ｙ）、及び反射面５４Ｙの位置Ｘでの曲がり量ＭＹ（Ｘ）を算出する。すなわち、反射面の曲がりに応じて、計測用マークＭｘ，Ｍｙの設計上の位置からのずれ量が変化することから、計測用マークＭｘ，Ｍｙの計測結果から反射面の曲がり量を計測することができる。なお、曲がり量の算出方法については、特開平９−７９８２９号公報に詳細に開示されているので、その説明を省略する。
【００７５】
なお、上記曲がり量の算出を複数回行い、算出結果を平均化等することにより、干渉計の計測値の空気揺らぎによる誤差や、アライメント系の測定誤差などの影響を抑制することとしても良い。
【００７６】
本実施形態においては、鏡面加工する際にリブ２１の存在により鏡面が僅かに波打つ場合であっても、リブ２１に対応する部分が変極点となると考えられることから、上記のようにして反射面の曲がり計測を行うことにより、その変極点の計測結果を用いて反射面の曲がり計測を行うことができるので、変極点を計測しない場合と比較して高精度な曲がり計測を行うことが可能となる。
【００７７】
本実施形態の露光装置では、従来と同様、照明光ＩＬのもとで、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の１つのショット領域に投影する動作と、ウエハステージＷＳＴを介してウエハＷをＸ軸方向、Ｙ軸方向にステップ移動する動作とが、ステップ・アンド・リピート方式で繰り返される。この場合のステップ移動は、ウエハ干渉計システム５８（干渉計ユニット５８Ｘ1，５８Ｘ2、５８Ｙ）の計測結果に基づいて、ステージ駆動系（Ｘ軸リニアモータ１３４Ｘ1、１３４Ｘ2、Ｙ軸リニアモータ１３４Ｙ、Ｘ微動機構ＶＸ、Ｙ微動機構ＶＹ1，ＶＹ2、自重キャンセラ１５０内の駆動機構を含んで構成される）を介して駆動される。この場合に、前述したようにして計測された反射面の曲がり量を装置定数として記憶し、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）の移動の際に、該装置定数を用いてウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）の位置を補正することにより、ウエハステージＷＳＴの位置決め、及びウエハ上のショット配列精度を高めることができ、例えば異なる露光装置を用いて重ねて露光を行う場合であっても、その重ね合わせ精度を向上することが可能である。
【００７８】
以上、詳細に説明したように、本実施形態によると、ウエハテーブルＷＴＢに設けられた鏡面状の反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がり計測の際の計測ピッチと、リブ２１の間隔とが所定の関係（本実施形態では計測ピッチがリブ２１の間隔の１／２倍）に設定されていることから、反射面５４Ｘ，５４Ｙの形状がリブ２１の接触により影響を受ける場合であっても、反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がり量の計測を精度良く行うことが可能である。すなわち、本実施形態のように計測ピッチをリブ２１の間隔の１／２倍にすることにより、リブ２１によって反射面５４Ｘ，５４Ｙの表面に現れる曲がりの変極点になると予想される部分を常に計測することができるので、高精度な曲がり計測を実現することが可能となる。
【００７９】
また、本実施形態によると、高精度に計測されたウエハテーブルＷＴＢの反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がり量を考慮して、レチクルＲに形成されたパターンをウエハテーブルＷＴＢ上に載置されたウエハＷ上に転写するので、高精度なパターン転写を実現することが可能である。
【００８０】
なお、上記実施形態では反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がりを計測することとしたが、本発明がこれに限られるものではなく、反射面の形状に関する情報であれば、その他の情報を計測することとしても良く、いずれの場合においても、高精度な計測を行うことが可能である。
【００８１】
なお、上記実施形態では、所定の関係として、リブ２１の間隔が反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がり量を計測する際の計測ピッチの２倍とする場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、２以上の自然数倍であれば良い。この場合、各マーク間の間隔（計測ピッチ）は狭ければ狭いほど良いが、その間隔はウエハテーブルＷＴＢで必要とされる位置決め精度に応じて設定すれば良い。また、本実施形態では、計測ピッチとダブルパス干渉計の２本のビームの間隔とが同一とされているが、計測ピッチを２本のビームの間隔よりも大きくとっても良いし、小さくとっても良い。
【００８２】
また、所定の関係としては、例えば、必ずリブ２１に対応する部分を計測し、かつリブ２１に対応する部分以外の部分を適宜計測するような関係とすることとしても良い。
【００８３】
なお、上記実施形態のように、各干渉計がウエハテーブルＷＴＢの反射面の互いに異なる複数の位置（本実施形態では２箇所）に測長ビームをほぼ同時に照射する場合（例えばダブルパス干渉計を採用する場合）には、該複数の位置の間隔（２箇所の間隔）とリブ２１の間隔とが所定の関係に設定されていることとしても良い。この場合の所定の関係としては、リブ２１の間隔が前記複数の位置の間隔のｎ倍（ｎは２以上の自然数）とすることができる。
【００８４】
《第２の実施形態》
次に、本発明の第２の実施形態について図７に基づいて説明する。
【００８５】
本第２の実施形態は、ウエハテーブルＷＴＢの反射面の曲がり計測の方法が前述した第１の実施形態と異なるのみで、装置構成は同一となっている。したがって、以下においては反射面の曲がり計測について詳細に説明するものとする。
【００８６】
図７は、反射面５４Ｙの曲がり計測の原理を説明するための図である。この図７に示されるように、本第２の実施形態では、反射面５４Ｙに対してＸ軸方向に所定間隔を介して配置される２本の測長ビームＷＹ1、ＷＹ3を用いることとしている。以下においては、測長ビームＷＹ1による計測値をＹθ１とし、測長ビームＷＹ3による計測値をＹθ２として説明する。
【００８７】
前提として、干渉計５８Ｙの測長ビームＷＹ1、ＷＹ3は実際には干渉計５８Ｙ内の固定鏡を基準として反射面の回転量を計測しているが、ここでは、説明を簡単にするために、仮想的に固定された基準線ＲＹを基準に反射面５４Ｙの傾き（回転量や曲がり量）を検出するものとする。基準線ＲＹと反射面との距離をＹａとし、その距離での反射面５４Ｙの局部的な曲がり角をθＹ（ｘ）とする。干渉計５８Ｙは、基準線上でＸ軸方向にＳＹだけ離れた２点で、距離Ｙθ１、Ｙθ２との差分Ｙθ（ｘ）を計測する。すなわち干渉計５４Ｙでは、次式（１）で定まる値Ｙθ（ｘ）を不図示の主制御装置に出力する。
【００８８】
Ｙθ（ｘ）＝Ｙθ２−Ｙθ１        …（１）
ここで、反射面の曲がり角θＹ（ｘ）は、微小角であることから、角度θＹ（ｘ）は、次式（２）のように近似することができる。
【００８９】
θＹ（ｘ）＝Ｙθ（ｘ）／ＳＹ      …（２）
一方、反射面の位置ｘにおける反射面の凹凸量ΔＹ（ｘ）は、ｘの基準Ｏｘに対して次式（３）により求められる。
【００９０】
【数１】
2007113939.tif 000003
なお、ステージをｘ方向にステップ移動する場合には、ヨーイングが同時に発生することから、このヨーイングによる計測誤差を上式（３）から差し引く必要がある。このため、Ｘ軸側の干渉計５８Ｘ1，５８Ｘ2それぞれの計測値を用いて、Ｘの基準点Ｏｘに対するウエハテーブルＷＴＢのヨーイング量Ｘθ（ｘ）を算出する。この場合、ウエハテーブルＷＴＢはＸ軸方向に一次元移動するだけなので、反射面５４Ｘに干渉計５８Ｘ1，５８Ｘ2それぞれの測長ビーム（ＷＸ1、ＷＦＸ1）が照射され続ける。
【００９１】
そこで、ウエハテーブルＷＴＢをＸ軸方向に移動させて、干渉計５８Ｘ1、５８Ｘ2（測長ビームＷＸ1、ＷＦＸ1）を同時に読み込んで、次式（４）のような補正演算を行い、反射面の真の曲がり量を求める。
【００９２】
【数２】
2007113939.tif 000004
以上の測定を、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）をＸ軸方向にステップ移動させながら複数点（複数Ｘ位置）において行う。ここで、本実施形態では、Ｘ位置として、前述したリブ２１に対応する点を含むように、ステップ距離を決定する。すなわち、本実施形態においては、リブ２１に接触している位置に対応する点と、該対応する点の各中点とをサンプル点とする。すなわち、ステップ距離がリブ２１の格子間隔の１／２倍に設定されていることとなる（換言すると、リブ２１の格子間隔を曲がり量計測時のステップ距離の２倍となるようにウエハテーブルＷＴＢを製造している）。
【００９３】
一方、Ｘ側の反射面５４Ｘについても同様にして計測が行われる。すなわち、ウエハテーブルＷＴＢをＸ軸方向の所定位置に固定するとともに、Ｙ軸方向にステップ移動しつつ、干渉計５８Ｘ1，５８Ｘ2を用いた計測を行う。
【００９４】
この場合、前述した式（４）と同様に、次式（５）を用いた計測が行われる。
【００９５】
【数３】
2007113939.tif 000005
なお、上記式（４）、（５）では、区間０〜ｘ、０〜ｙとしているが、実際には上述したように、リブ２１の格子間隔の１／２の距離毎（サンプル点毎）に積分を行えば良い。すなわち、ステップ距離をΔＬとすると、Ｘ軸方向での積分区間はｎを１以上の整数として、（ｎ−１）・ΔＬ〜ｎ・ΔＬの範囲で積分して、ｎ→ｎ＋１と順次シフトしていく。これにより、主制御装置のメモリには、ΔＬ毎に対応して曲がり量のデータテーブルとして記憶される。
【００９６】
本第２の実施形態においても、上述のようにして計測された反射面の曲がり量のデータテーブルを装置定数として記憶し、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）の移動の際に、該装置定数を用いてウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）の位置を補正することにより、ウエハステージＷＳＴの位置決め、及びウエハ上のショット配列精度を高めることができ、例えば異なる露光装置を用いて重ねて露光を行う場合であっても、その重ね合わせ精度を向上することが可能である。
【００９７】
以上説明したように、本第２の実施形態によると、第１の実施形態と同様に、ウエハテーブルＷＴＢに設けられた鏡面状の反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がり計測の際の計測ピッチ（前記ステップ距離に対応しており、ステップ移動毎に反射面５４Ｘ，５４Ｙに前記測長ビームが照射される際は、ステップの前後でその反射面上に照射された前記測長ビームの照射位置の間隔）と、リブ２１の間隔とが所定の関係（本実施形態では計測ピッチがリブ２１の間隔の１／２倍）に設定されていることから、反射面５４Ｘ，５４Ｙの形状がリブ２１の接触により影響を受ける場合であっても、反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がり量の計測を精度良く行うことが可能である。すなわち、本実施形態のように計測ピッチをリブ２１の間隔の１／２倍にすることにより、リブ２１によって反射面５４Ｘ，５４Ｙの表面に現れる曲がりの変極点になると予想される部分を常に計測することができるので、高精度な曲がり計測を実現することが可能となる。
【００９８】
また、本第２の実施形態では、高精度に計測されたウエハテーブルＷＴＢの反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がり量を考慮して、レチクルに形成されたパターンをウエハテーブルＷＴＢ上に載置されたウエハ上に転写するので、高精度なパターン転写を実現することが可能である。
【００９９】
なお、上記第２の実施形態においても、反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がりを計測する場合に限らず、反射面の形状に関する情報であれば、その他の情報を計測することとしても良く、いずれの場合においても、高精度な計測を行うことが可能である。
【０１００】
また、上記第２の実施形態においては、所定の関係として、リブ２１の間隔が反射面５４Ｘ，５４Ｙの曲がり量を計測する際の計測ピッチの２倍である場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、２以上の自然数倍であれば良い。この場合、各マーク間の間隔（計測ピッチ）は狭ければ狭いほど良いが、その間隔はウエハテーブルＷＴＢで必要とされる位置決め精度に応じて設定すれば良い。また、本実施形態では、計測ピッチとダブルパス干渉計の２本のビームの間隔とが同一とされているが、計測ピッチを２本のビームの間隔よりも大きくとっても良いし、小さくとっても良い。
【０１０１】
また、上記第２の実施形態においても、所定の関係として、例えば、必ずリブ２１に対応する部分を計測し、かつリブ２１に対応する部分以外の部分を適宜計測するような関係とすることとしても良い。
【０１０２】
なお、上記第２の実施形態のように、各干渉計がウエハテーブルＷＴＢの反射面の互いに異なる複数の位置（本実施形態では２箇所）に測長ビームをほぼ同時に照射する場合（例えばダブルパス干渉計を採用する場合）には、該複数の位置の間隔（２箇所の間隔）とリブ２１の間隔とが所定の関係に設定されていることとしても良い。この場合の所定の関係としては、リブ２１の間隔が前記複数の位置の間隔のｎ倍（ｎは２以上の自然数）とすることができる。
【０１０３】
なお、上記各実施形態では、本発明を、ウエハテーブルＷＴＢの位置を計測するための反射面の曲がり計測に適用した場合について説明したが、これに限らず、その一部に位置計測用の反射部が設けられているウエハテーブルＷＴＢ以外の被測定物における反射面の形状に関する情報の計測に適用することが可能である。
【０１０４】
なお、上記各実施形態では、照明光ＩＬとしてＫｒＦエキシマレーザ光などの遠紫外光、Ｆ2レーザ、ＡｒＦエキシマレーザ等の真空紫外域光、あるいは超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線等）などを用いるものとしたが、これに限らずＡｒ2レーザ光（波長１２６ｎｍ）などの他の真空紫外光を用いても良い。また、例えば、真空紫外光として上記各光源から出力されるレーザ光に限らず、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（Ｅｒ）（又はエルビウムとイッテルビウム（Ｙｂ）の両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
【０１０５】
更に、照明光ＩＬとしてＥＵＶ光、Ｘ線、あるいは電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置、投影光学系を用いない、例えばプロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー、及び例えば国際公開ＷＯ９９／４９５０４号などに開示される、投影光学系ＰＬとウエハとの間に液体が満たされる液浸型露光装置などにも本発明を適用しても良い。
【０１０６】
また、本発明は、例えば、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報及びこれらに対応する米国特許６，４００，４４１号明細書と、特表２０００−５０５９５８号公報及びこれに対応する米国特許５，９６９，４４１号明細書及び米国特許６，２６２，７９６号明細書に記載されているツインステージ型の露光装置に適用しても良い。
【０１０７】
また、本発明は、特開平１１−１３５４００号に開示されているように、ウエハ等の被処理基板を保持して移動可能な露光ステージと、各種の計測部材やセンサを有する計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【０１０８】
また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスク、あるいは光反射性の基板上に所定の反射パターンを形成した光反射型マスクを用いたが、それらに限定されるものではない。例えば、そのようなマスクに代えて、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（光学系の一種とする）を用いるようにしても良い。このような電子マスクは、例えば米国特許第６，７７８，２５７号明細書に開示されている。なお、上述の電子マスクとは、非発光型画像表示素子と自発光型画像表示素子との双方を含む概念である。
【０１０９】
また、例えば、２光束干渉露光と呼ばれているような、複数の光束の干渉によって生じる干渉縞を基板に露光するような露光装置にも適用することができる。そのような露光方法及び露光装置は、例えば、国際公開第０１／３５１６８号パンフレットに開示されている。
【０１１０】
なお、上記各実施形態では、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないことは勿論である。すなわちステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置にも本発明は好適に適用できる。
【０１１１】
なお、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み、光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより、上記実施形態の露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１１２】
なお、本発明は、半導体製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子などを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する露光装置、及び撮像素子（ＣＣＤなど）、マイクロマシン、有機ＥＬ、ＤＮＡチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、螢石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。
【０１１３】
半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置を用いて前述の方法によりレチクルのパターンをウエハに転写するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
以上説明したように、本発明の計測装置及び計測方法は、被測定物に設けられた反射部に測長ビームを照射して前記被測定物の位置に関する情報を計測するのに適している。また、本発明のステージ装置は、テーブルを移動するのに適している。また、本発明の露光装置及び露光方法は、基板にエネルギビームを照射して前記基板上にパターンを形成するのに適している。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】第１の実施形態に係る露光装置を示す概略図である。
【図２】図１のステージ装置の平面図である。
【図３】ウエハテーブルを裏面側から見た状態を示す斜視図である。
【図４】第１の実施形態に係る干渉計の構成を説明するための図である。
【図５】ウエハテーブル上に基準ウエハが載置された状態を示す平面図である。
【図６】基準ウエハ上に形成された計測用マークとウエハテーブルを構成するリブとの関係を示す図である。
【図７】第２の実施形態に係る反射面の曲がり計測の原理を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１０…露光装置、２１…リブ、２７Ａ，２７Ｂ…側壁（第１部材）、５４Ｘ，５４Ｙ…反射面、１１０Ａ…部材（第２部材）、Ｍｘ，Ｍｙ…計測用マーク（評価用マーク）、Ｒ…レチクル（マスク）、Ｗ…ウエハ（基板）、ＷＴＢ…ウエハテーブル（被測定物）。
【図１】
2007113939.tif 000006
【図２】
2007113939.tif 000007
【図３】
2007113939.tif 000008
【図４】
2007113939.tif 000009
【図５】
2007113939.tif 000010
【図６】
2007113939.tif 000011
【図７】
2007113939.tif 000012